(57)【要約】【課題】ガスセルのチップ部を切り離す前に、ガスセルにルビジウム金属を封入して高周波処理を行い、その後、チップ部を加熱形成してガラス成分の再結晶化を行なうことにより、チップ部にルビジウム金属を集まりやすくして、小型、低価格化に適した高安定なガスセルの製造方法を提供する。【解決手段】このガスセル製造装置２００は、本体４７と、複数のガスセル部３１と、開口部４８、４９と、を備えてガスセル集合体３０を構成している。そして、開口部４８にはバルブ４５とバルブ４６が備えられている。また、ガスセル部３１内のルビジウム金属をガラス内面に化学結合させる高周波電源３８と、開口部４８に接続され本体４７内の気体を抜気する真空ポンプ４４と、開口部４９に接続され本体４７内にルビジウム金属を供給するルビジウム金属供給部３３と、を備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルビジウムガスを充填するガスセル本体及び該ガスセル本体内で気化し切れないルビジ
ウム金属を貯留するために前記ガスセル本体適所から外部に突出した金属溜まり部を備え
たガスセルの製造方法であって、
連結管本体と、該連結管本体の側面に連通連結された複数の連結支管と、前記各連結支
管の先端に連通連結された前記ガスセル本体と、を備えたガスセル連結体を用意する工程
と、
前記連結管本体から負圧を供給することにより各ガスセル本体及び各連結支管内を含む
前記ガスセル連結体内を真空状態とする抜気工程と、
該抜気工程により内部を真空化したガスセル連結体内に所定量の前記ルビジウム金属を
封入する封入工程と、
該封入工程によりルビジウム金属が封入された少なくとも前記ガスセル本体と連結支管
に外部から高周波エネルギを供給するエネルギ供給工程と、
必要な量の前記ルビジウム金属を少なくとも前記ガスセル本体及び連結支管内に再封入
する再封入工程と、
前記連結支管を加熱して前記ガスセル本体を前記ガスセル連結管本体から切り離す加熱
工程と、
を備えたことを特徴とするガスセルの製造方法。
【請求項２】
前記エネルギ供給工程は、前記ガスセル連結体に封入されたルビジウム金属に外部から
高周波エネルギを供給することにより、該ガスセル連結体の内面に前記ルビジウム金属を
強制的に化学結合させる工程であることを特徴とする請求項１に記載のガスセルの製造方
法。
【請求項３】
前記加熱工程は、前記連結支管を加熱することにより、該加熱箇所のガラス成分を再結
晶化させて、該加熱箇所に化学結合したルビジウム金属を除去する工程であることを特徴
とする請求項１に記載のガスセルの製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記ガスセル本体及び前記連結支管は有水石英ガラスであることを特徴とす
る請求項１乃至３の何れか一項に記載のガスセルの製造方法。
【請求項５】
ガスセル本体と、該ガスセル本体と連通連結された支管部と、を備えたガスセルであっ
て、
前記ガスセル本体及び前記支管部の内面にルビジウム金属を化学結合させた後、所定量
のルビジウム金属を封入し、前記支管部を加熱して該加熱箇所のガラス成分を再結晶化さ
せることを特徴とするガスセル。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか一項に記載のガスセルの製造方法により製造されたガスセル又
は請求項５に記載のガスセルと、マイクロ波を前記ガスセルに向けて放射する放射用アン
テナと、を有するマイクロ波共振器を備えたルビジウム原子発振器であって、
前記マイクロ波共振器は、前記ガスセル全体を当該マイクロ波共振器内に収容する構成
としたことを特徴とするルビジウム原子発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスセルの製造方法、ガスセル及びルビジウム原子発振器に関し、特に、ガ
スセル本体から突出した金属溜まり部に貯留したルビジウム金属の拡散を防止するガスセ
ルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信網や放送網等のディジタルネットワーク化が進み、これに伴い、伝送装置の
クロック信号や放送局の基準周波数の生成に使用されるクロック源等に、高精度・高安定
な発振器が必要不可欠なものとなっている。そのような発振器として、発振周波数の精度
・安定度が高いルビジウム原子発振器が多く用いられている。また、近年原子発振器の小
型化の要求が高まり、光マイクロ波ユニット(ＯＭＵ部)も含めて全体を小型化する必要性
に迫られている。この小型化に伴って、マイクロ波共振器も小型化が余儀なくされている
。しかし、マイクロ波共振器を小型化した場合、マイクロ波共振器の加熱によりルビジウ
ムガスセルの金属溜まり部に貯留したルビジウム金属が過剰に拡散してしまい、マイクロ
波共振器内部に発生するマイクロ波レベルを低下させるといった問題を有している。
【０００３】
このルビジウム金属の拡散を抑制する従来技術として特許文献１には、マイクロ波共振
器に装着するトランジスタヒータとガスセルの金属溜まり部との位置が近接していること
により生じるガスセル内のルビジウム金属の拡散を防止するために、トランジスタヒータ
とガスセルの金属溜まり部を可能な限り離れた位置関係とし、且つマイクロ波共振器に切
り込みや通気孔を設けてガスセルの金属溜まり部をマイクロ波共振器外部の低温部へ出す
構造とすることにより、ガスセル内のルビジウム金属の移動を少なくして、マイクロ波共
振器内にマイクロ波を効果的に発生させる技術について開示されている。
【特許文献１】特許第２６３６６８７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている従来技術は、ガスセルの金属溜まり部を、
マイクロ波共振器外部の低温部へ出すための切り込みや通気孔をマイクロ波共振器に設け
るため、マイクロ波モードを乱し、マイクロ波レベルの低下を招くといった問題がある。
【０００５】
本発明は、かかる課題に鑑み、ガスセルの金属溜まり部を切り離す前に、ガスセルにル
ビジウム金属を封入して高周波処理を行い、その後、金属溜まり部を加熱形成してガラス
成分の再結晶化を行なうことにより、金属溜まり部にルビジウム金属を集まりやすくして
、小型、低価格化に適した高安定なガスセルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明はかかる課題を解決するために、ルビジウムガスを充填するガスセル本体及び該
ガスセル本体内で気化し切れないルビジウム金属を貯留するために前記ガスセル本体適所
から外部に突出した金属溜まり部を備えたガスセルの製造方法であって、連結管本体と、
該連結管本体の側面に連通連結された複数の連結支管と、前記各連結支管の先端に連通連
結された前記ガスセル本体と、を備えたガスセル連結体を用意する工程と、前記連結管本
体から負圧を供給することにより各ガスセル本体及び各連結支管内を含む前記ガスセル連
結体内を真空状態とする抜気工程と、該抜気工程により内部を真空化したガスセル連結体
内に所定量の前記ルビジウム金属を封入する封入工程と、該封入工程によりルビジウム金
属が封入された少なくとも前記ガスセル本体と連結支管に外部から高周波エネルギを供給
するエネルギ供給工程と、必要な量の前記ルビジウム金属を少なくとも前記ガスセル本体
及び連結支管内に再封入する再封入工程と、前記連結支管を加熱して前記ガスセル本体を
前記ガスセル連結管本体から切り離す加熱工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明のガスセルの製造工程は、まず連結管本体と、この連結管本体の側面に連通連結
された複数の連結支管と、各連結支管の先端に連通連結されたガスセル本体と、を備えた
ガスセル連結体を予め用意する。この段階では、ガスセル連結体は単なるガラス容器であ
り、連結支管も長めに構成されている。次に、各ガスセル本体及び各連結支管内に存在す
る空気等の気体を抜気して内部を真空にする。この抜気工程に必要な開口部は予め形成し
ておく。次に、真空となった各ガスセル本体及び各連結支管内に外部からルビジウム金属
を封入する。この工程は次のＲＦ（高周波）処理のための前段階である。次に、外部から
高周波エネルギを与えて、内部のルビジウム金属を活性化してガラス内面にルビジウム金
属を強制的に化学結合させる（ＲＦ処理）。この工程により各ガスセル本体及び各連結支
管内のルビジウム金属が減少するので、次に最終的に必要な量のルビジウム金属を再び封
入する。次に、各連結支管に化学結合したルビジウム金属を除去するために加熱して再結
晶化を行なう。そしてガスセル本体をガスセル連結体から切り離す。これにより、最適な
長さの金属溜まり部を備えたガスセルが完成する。これにより、大量に且つ特性が均一な
ガスセルを容易に製造することができる。
【０００８】
また、前記エネルギ供給工程は、前記ガスセル連結体に封入されたルビジウム金属に外
部から高周波エネルギを供給することにより、該ガスセル連結体の内面に前記ルビジウム
金属を強制的に化学結合させる工程であることを特徴とする。
ガスセル連結体の材料として有水石英ガラスを使用した場合、表面に水酸基（ＯＨ基）
を多く配列しており、無水石英に比べてルビジウム金属を化学的に引き付けにくいが、長
期的に見るとガラス内面にルビジウム金属が化学的に結合してガスセル内部に封入したル
ビジウム金属が減少してしまう。そこで本発明では、エネルギ供給工程（ＲＦ処理）によ
り、この影響を低減するために、ガラス内面にルビジウム金属を強制的に化学結合させる
ものである。
【０００９】
また、前記加熱工程は、前記連結支管を加熱することにより、該加熱箇所のガラス成分
を再結晶化させて、該加熱箇所に化学結合したルビジウム金属を除去する工程であること
を特徴とする。
本発明では、ＲＦ処理後に、連結支管のみ加熱してＲＦ処理の効果を取り除くこと（ガ
ラス内面にルビジウム金属が化学結合することを低減する処理）により、連結支管にルビ
ジウム金属が集まりやすくなる。
【００１０】
また、前記ガラス成分は有水石英であることを特徴とする。
有水石英は透明度が高く、外観が非常に良好で、気泡や筋などが少ない特徴を有してお
り、表面に水酸基を多く配列しているが、一部水酸基が欠落している部分が存在し、その
部分にはＲｂ＋イオンが引き付けられやすいので長期的に見るとガスセル内部に封入した
ルビジウム金属量を減少させるといった欠点がある。しかし、その欠点はＲＦ処理により
補うことができる。
【００１１】
また、ガスセル本体と、該ガスセル本体と連通連結された支管部と、を備えたガスセル
であって、前記ガスセル本体及び前記支管部の内面にルビジウム金属を化学結合させた後
、所定量のルビジウム金属を封入し、前記支管部を加熱して該加熱箇所のガラス成分を再
結晶化させることを特徴とする。
本発明は、ガスセル本体と、このガスセル本体と連通連結された支管部と、を備えたガ
スセルに、夫々の内面にルビジウム金属を化学結合させ、その後、所定量のルビジウム金
属を封入し、支管部を加熱してこの加熱箇所のガラス成分を再結晶化させるものである。
このように、単体で存在するガスセルの支管部を加熱することにより、その部分を再結晶
化してルビジウム金属が拡散するのを防止することができる。
【００１２】
また、上記のガスセルの製造方法により製造されたガスセルと、マイクロ波を前記ガス
セルに向けて放射する放射用アンテナと、を有するマイクロ波共振器を備えたルビジウム
原子発振器であって、前記マイクロ波共振器は、前記ガスセル全体を当該マイクロ波共振
器内に収容する構成としたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の製造方法により製造されたガスセルを使用することにより、金属溜まり部を低
温部に配置する必要がなくなり、マイクロ波共振器に切り込みや通気孔といった加工が不
要となる。その結果、ガスセル内のルビジウム金属を金属溜まり部に集めることができ、
ルビジウム金属の拡散を防止し、マイクロ波共振器内にマイクロ波を効果的に発生させる
ことができ、小型で且つ高安定なルビジウム原子発振器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記
載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限
り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１５】
図１は本発明のルビジウム原子発振器の概略構成を示すブロック図である。このルビジ
ウム原子発振器１００は、ルビジウムランプ（以下、Ｒｂランプと記す）５を点灯するラ
ンプ励振部１と、ルビジウムガスセル（以下、Ｒｂガスセルと記す）６中のルビジウムガ
スを励起するＲｂランプ５と、ルビジウムガスを充填したＲｂガスセル６と、Ｒｂガスセ
ル６中のルビジウム原子の共鳴周波数により励振するマイクロ波共振器（以下、キャビテ
ィと記す）３と、キャビティ３にマイクロ波を放射する放射用アンテナ４と、Ｒｂガスセ
ル６を透過した光の強度を検出するフォトセンサ７と、Ａｍｐ９に現れる低周波振幅変調
信号の位相を弁別する位相弁別器１０と、マイクロ波の位相を低周波により変調する低周
波位相信号発生器１１と、電圧制御水晶発振器１３の発振信号をマイクロ波に逓倍する周
波数逓倍合成変調部１２と、位相弁別器１０の電圧に基づいて所定の周波数を発振する電
圧制御水晶発振器１３と、を備えて構成されている。尚、Ｒｂランプ５、キャビティ３及
びフォトセンサ７により構成されるユニットを光マイクロ波ユニット８と呼ぶ。また、周
波数逓倍合成変調部１２の出力は放射用アンテナ４に接続されている。
【００１６】
次に、本発明のルビジウム原子発振器の動作については公知であるので、ここでは説明
を省略するが、本発明の主たる構成要素であるキャビティ３について概略を説明する。
ルビジウム原子発振器の動作プロセスにおいて、定常状態にあるエネルギ準位（Ｆ＝１
）より高い準位（Ｆ＝２）にある電子をＦ＝１の準位に落とすためのマイクロ波の存在が
原子発振器として動作させるに当たって非常に重要であり、そのマイクロ波の強度を十分
高めるためにキャビティが用いられる。そして、キャビティ３内に取り付けた放射用アン
テナ４から６．８３４６８・・ＧＨｚを送出し、この周波数に同調をとるようにキャビテ
ィ３は設計されている。しかし、マイクロ波をキャビティ３内に安定的に供給するために
は、キャビティ３内に備えられたＲｂガスセル６内のルビジウム金属の移動を少なくして
、キャビティ３内にマイクロ波を効果的に発生させる必要がある。本発明のキャビティは
この要求に応えるために発明されたものである。
【００１７】
図２は本発明の一実施形態に係るキャビティの構成図である。図２（Ａ）は側面図、図
２（Ｂ）は基板を除いたときの正面図である。尚、本実施形態では、内部の配置を破線で
表している。
このキャビティ３は、Ｒｂガスセル６を内部に保持すると共に、ガスセル６を所定の温
度に維持する円筒状のガスセル熱筒２０と、ガスセル熱筒２０の円筒内の長さを調整して
同調周波数を調整する同調調整用リング２１と、ルビジウムガスを充填するガスセル本体
３１及びガスセル本体３１内で気化し切れないルビジウム金属を貯留するためにガスセル
本体３１の適所から外部に突出した金属溜まり部（以下、チップ部と記す）２３を備えた
筒状のＲｂガスセル６と、マイクロ波をＲｂガスセル６に放射する放射用アンテナ４と、
Ｒｂガスセル６を透過した光の強度を検出するフォトセンサ７と、共振波長を短縮する誘
電体２２と、を備えて構成されている（図２（Ａ）参照）。また、放射用アンテナ４及び
フォトセンサ７は基板２６に実装され、基板２６がネジ２５によりガスセル熱筒２０に固
定されている。尚、図示は省略するが、ガスセル熱筒２０を所定温度に保持するためにガ
スセル熱筒２０の適所にヒータ（例えば、加熱用途にトランジスタを用いたトランジスタ
ヒータ）が備えられている。
【００１８】
本実施形態では、後述する製造方法により製造されたガスセルを使用することにより、
チップ部２３を低温部に配置する必要がなくなり、キャビティ３に切り込みや通気孔とい
った加工が必要なくなる。その結果、ガスセル６内のルビジウム金属をチップ部２３に集
めることができ、ルビジウム金属の拡散を防止し、キャビティ３内にマイクロ波を効果的
に発生させることができ、小型で且つ高安定なルビジウム原子発振器１００を実現するこ
とができる。
【００１９】
図３は本発明の一実施形態に係るガスセルの製造方法を説明する図である。図３（ａ）
は、ガスセル連結体（撞木）の構成とガスセル製造装置の構成を模式的に表す図である。
図３（ｂ）は、連結枝管を加熱して再結晶化を行なっている図である。図３（ｃ）は、完
成したガスセル本体の外観図である。尚、図３（ａ）は、ガスセル連結体を製造する一例
であり、この外の方法により製造しても構わない。
【００２０】
まず図３（ａ）について説明する。このガスセル製造装置２００は、連結管本体４７と
、この連結管本体４７の側面に分岐して連通連結された複数の連結支管３２と、各連結支
管（Ａ〜Ｎ）３２の先端に連通連結されたガスセル本体３１と、を備えてガスセル連結体
３０を構成している。尚、ガスセル連結体３０には、ガスセル連結体３０内の気体を抜気
する開口部４８と、ルビジウム金属を供給する開口部４９も併せて備えている。そして、
開口部４８にはガスセル連結体３０と真空ポンプ４４間の気体の流れを断接するバルブ４
５が備えられ、開口部４９には本体４７内とルビジウム金属供給部３３間の気体の流れを
断接するバルブ４６が備えられている。また、ガスセル連結体３０内のルビジウム金属を
ガラス内面に化学結合させる高周波電源３８と、開口部４８に接続されガスセル連結体３
０内の気体を抜気する真空ポンプ４４と、開口部４９に接続されガスセル連結体３０内に
ルビジウム金属を供給するルビジウム金属供給部３３と、を備えている。尚、高周波電源
３８は高周波発生部３６と高周波コイル３７とを有し、ガスセル本体３１の外部から高周
波エネルギを供給する構成である。尚、複数のガスセル本体３１に同時に高周波エネルギ
を供給するようにしても良い。また、ルビジウム金属供給部３３は例えばヒータ３５によ
り加熱してルビジウム金属３４を拡散して供給するようにしても良く、他の方法でも構わ
ない。
【００２１】
次に、本実施形態のガスセル製造装置による製造工程の概略動作について説明する。本
発明のガスセルの製造工程は、まず複数のガスセルを１回の工程で製造するために、連結
管本体４７と、この連結管本体４７の側面に分岐して連通連結された複数の連結支管３２
と、各連結支管３２の先端に連通連結されたガスセル本体３１と、を備えたガスセル連結
体３０を用意する。この段階では、ガスセル連結体３０は単なるガラス容器であり、連結
支管３２も長めに構成されている。次に、そのガスセル連結体３０の中に存在する空気等
の気体を抜気して内部を真空にする。この抜気工程に必要な開口部４８は予め形成してお
く。次に、真空となったガスセル連結体３０の中に外部からルビジウム金属３４を封入す
る。この工程は次のＲＦ処理のための前段階である。次に、外部から高周波エネルギを与
えて、内部のルビジウム金属３４を活性化してガラス内面にルビジウム金属を強制的に化
学結合させる（ＲＦ処理）。この工程によりガスセル連結体３０内のルビジウム金属が減
少するので、次に最終的に必要な量のルビジウム金属を再び封入する。次に、連結支管３
２に化学結合したルビジウム金属を除去するために、加熱して再結晶化を行なう。そして
連結支管３２を熱により適当な長さに切り離す。これにより、最適な長さのチップ部２３
を備えたガスセル６が完成する。これにより、大量に且つ特性が均一なガスセルを容易に
製造することができる。
【００２２】
次に、本実施形態に係る製造装置によるガスセルの製造工程について図４を参照して説
明する。図４は本発明のガスセルを製造する工程を説明するフローチャートである。
まず、連結管本体４７と、この連結管本体４７の側面に分岐して連通連結された複数の
連結支管３２と、各連結支管３２の先端に連通連結されたガスセル本体３１と、を備えた
ガスセル連結体３０を用意する（Ｓ１）。
次に、予め製造されたガスセル連結体３０のバルブ４５を開放し、バルブ４６を閉鎖す
る。そして真空ポンプ４４を開口部４８に接続し、ルビジウム金属供給部３３を開口部４
９に接続する。この状態から真空ポンプ４４を駆動して本体４７内の気体を抜気する（抜
気工程）（Ｓ２）。
【００２３】
次に、抜気が完了するとバルブ４５を閉鎖して、バルブ４６を開放しルビジウム金属供
給部３３からルビジウム金属３４を封入する（封入工程）（Ｓ３）。
次に、バルブ４６を閉鎖し、高周波電源３８を駆動してガスセル本体３１に高周波エネ
ルギを供給するＲＦ処理を行う（エネルギ供給工程）（Ｓ４）。これにより、化学的に結
合されたルビジウム金属３９がガラス内面に生成される。
即ち、ガラス材に有水石英を使用した場合、表面に水酸基（ＯＨ基）を多く配列してお
り、無水石英に比べてルビジウム金属を化学的に引き付けにくいが、一部水酸基が欠落し
ている部分が存在し、その部分にはＲｂ＋イオンが引き付けられやすいので長期的に見る
とガラス内面にルビジウム金属が化学的に結合してガスセル内部に封入したルビジウム金
属が減少してしまう。そこで、エネルギ供給工程（ＲＦ処理）により、この影響を低減す
るために、ガラス内面にルビジウム金属を強制的に化学結合させるものである。
【００２４】
次に、バルブ４６を開放しルビジウム金属供給部３３から最終的に必要な量のルビジウ
ム金属３４をガスセル連結体３０内に再封入する（再封入工程）（Ｓ５）。
次に、図３（ｂ）のように、ガスセル連結体３０に形成された連結支管３２をガスバー
ナ４０等により加熱して（Ｓ６）、ガスセル本体３１をガスセル連結体３０から切り離す
（加熱工程）（Ｓ７）。本工程では、ＲＦ処理後に、連結支管３２のみ加熱してＲＦ処理
の効果を取り除いて（ガラス内面にルビジウム金属が化学結合することを低減する処理）
、チップ部２３にルビジウム金属が集まりやすくする。それにより、図３（ｃ）のように
チップ部２３が形成され、その内部には再結晶化部４３が形成される（Ｓ８）。そしてガ
スセル６が完成する（Ｓ９）。ここで、Ｓ３或いはＳ５の工程において、ルビジウム金属
と共に緩衝気体（窒素とアルゴンを適当な比率しで混合した気体）を微量封入するように
してもよい。このようにすると、遷移線のドップラー幅を狭くし、光の再吸収を防ぎ、ポ
ンピングの効率を良くすることができる。
【００２５】
尚、本実施形態では、製造装置２００により、同時に複数のガスセルを製造する方法に
ついて説明したが、ガスセル本体と、このガスセル本体と連通連結された支管部と、を備
えたガスセルに、夫々の内面にルビジウム金属を化学結合させ、その後、所定量のルビジ
ウム金属を封入し、支管部を加熱してこの加熱箇所のガラス成分を再結晶化させて、ガス
セルを製造しても良い。このように、単体で存在するガスセルの支管部を加熱することに
より、その部分を再結晶化してルビジウム金属が拡散するのを防止することができる。
【００２６】
また、ガスセル６は透明性が高く、気泡や筋などが少ないことが必要である。その点、
酸水素ガスにより溶融する方法は、透明度が高く、外観が非常に良好で、気泡や筋などが
少なくすることができる。
また、ガラス材として有水石英を使用した場合、透明度が高く、外観が非常に良好で、
気泡や筋などが少ない特徴を有しており、表面に水酸基を多く配列しているが、一部水酸
基が欠落している部分が存在し、その部分にはＲｂ＋イオンが引き付けられやすいので長
期的に見るとガスセル内部に封入したルビジウム金属量を減少させるといった欠点がある
。しかし、その欠点は上記の加熱工程によるＲＦ処理により補うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明のルビジウム原子発振器の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るマイクロ波共振器の構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るガスセルの製造方法を説明する図である。
【図４】本発明のガスセルを製造する工程を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００２８】
１  ランプ励振部、３  マイクロ波共振器、４  放射用アンテナ、５  Ｒｂランプ、６
Ｒｂガスセル、７  フォトセンサ、８  光マイクロ波ユニット、９  Ａｍｐ、１０  位
相弁別器、１１  低周波位相信号発生器、１２  周波数逓倍合成変調部、１３  電圧制御
水晶発振器、２０  ガスセル熱筒、２１  同調調整用リング、２２  誘電体、２３  金属
溜まり部、２６  基板、３０  ガスセル連結体、３１  ガスセル本体（Ａ〜Ｎ）、３２  
連結支管、３３  ルビジウム金属供給部、３４  ルビジウム金属、３５  ヒータ、３６  
高周波発生部、３７  高周波コイル、３８  高周波電源、４４  真空ポンプ、４５、４６
バルブ、４７  連結管本体、４８、４９  開口部、１００  ルビジウム原子発振器、２
００  ガスセル製造装置
【図１】
2007287952.tif 000003
【図２】
2007287952.tif 000004
【図３】
2007287952.tif 000005
【図４】
2007287952.tif 000006