(57)【要約】【課題】高容量化が可能な高誘電率材シートを提供すること。【解決手段】高誘電率材シート２０は誘電体層２１を備え、誘電体層２１は、高誘電率材料２２と、誘電率が相対的に低い低誘電率材料２３とによって構成される。高誘電率材料２２及び低誘電率材料２３は、誘電体層２１の平面方向に沿って規則的に配置される。また、誘電体層２１は、静電容量係数が約１８０ｐＦ／ｃｍとなる誘電体部２４を有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電率材料と、その高誘電率材料よりも相対的に誘電率が低い低誘電率材料とによって構成される誘電体層を備え、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とが、前記誘電体層の平面方向に沿って規則的に配置されておりかつ、静電容量係数が１００ｐＦ／ｃｍ以上となる誘電体部を有していることを特徴とする高誘電率材シート。
【請求項２】
前記高誘電率材料の比誘電率は１００以上であり、前記低誘電率材料の比誘電率は５以下であることを特徴とする請求項１に記載の高誘電率材シート。
【請求項３】
前記高誘電率材料はセラミックからなる誘電体粒であり、前記低誘電率材料は有機樹脂材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の高誘電率材シート。
【請求項４】
前記誘電体層における前記誘電体部内の前記高誘電率材料の体積比は、前記誘電体層における前記誘電体部内の前記低誘電率材料の体積比よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高誘電率材シート。
【請求項５】
高誘電率部と、その高誘電率部よりも相対的に誘電率が低い低誘電率部とによって構成される誘電体層を備え、
前記高誘電率部がセラミックのみから構成されるとともに、前記低誘電率部が有機樹脂材料を含んで構成され、
前記高誘電率部が前記誘電体層の平面方向に沿って格子状または千鳥状に配置されるとともに、前記低誘電率部が前記高誘電率部の周囲に配置されることにより、誘電体部が形成されることを特徴とする高誘電率材シート。
【請求項６】
前記高誘電率材シートは、キャパシタを形成するための材料であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の高誘電率材シート。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の高誘電率材シートを埋め込んだことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体層を備える高誘電率材シート、高誘電率材シートを埋め込んだ配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年における電子機器の高性能化や小型化の要求は高く、このような要求が高まるにつれて電子部品の高密度化や高機能化に対する要求も確実に高くなってきている。それゆえ、配線基板における電子部品の実装効率を上げるために、例えば、配線基板埋込用の電子部品（キャパシタなど）が各種提案されている。
【０００３】
ところで、配線基板埋込用のキャパシタは、一般的にはセラミック焼結体からなる高誘電率シートを電極で挟んだ構造を有している（例えば、特許文献１参照）。高誘電率シートは、未焼結の誘電体セラミックを含むグリーンシートを焼成することによって製造される。このようにすれば、高誘電率材シートの誘電率を比較的容易に高くすることができ、高容量のキャパシタを容易に製造できる。しかし、上記の配線基板は、グリーンシートを電極形成用金属とともに高温で所定時間焼成して高誘電率材シートを作製した後、電極が形成された高誘電率材シートを配線基板の絶縁層中に埋め込むことにより製造される。しかし、金属とセラミックとでは、焼成収縮の割合や熱膨張係数が互いに異なるため、製造時にソリ、剥れ等が発生しやすい。よって、信頼性の高いキャパシタ内蔵配線基板を製造することができない。
【０００４】
高温で焼成を行わずに製造されるキャパシタ（キャパシタ層）としては、例えば有機樹脂材料中に高誘電体粒子を分散させたキャパシタ（キャパシタ層）が従来提案されている（例えば、特許文献２，３参照）。例えば、図２０に示されるように、キャパシタ１２１は、誘電体層１２２と、同誘電体層１２２の上面及び下面に形成された電極１２３とを備えている。また、誘電体層１２２は、チタン酸バリウムからなる誘電体粒子１２４と、有機材料からなる層間絶縁材１２５とを混合することにより形成される。なお、キャパシタ１２１は、可能な限り高い静電容量を有することが求められる。そのためには、例えば誘電体粒子１２４として、比誘電率の高いものを使用することが好ましいと考えられている。
【特許文献１】特公平６−１４５８０号公報
【特許文献２】特開２００３−２９２７３３号公報
【特許文献３】特開２００４−２９２８４８号公報（図３など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来のキャパシタ１２１においては、両電極１２３間に高誘電率材料である誘電体粒子１２４のみが介在しているのではなく、誘電体粒子１２４よりも誘電率が相対的に低い低誘電率材料である層間絶縁材１２５も介在している。その結果、両電極１２３間に誘電率の低い部分が存在することとなるため、たとえ誘電率の高い誘電体粒子１２４を用いたとしても、キャパシタ１２１全体の誘電率を期待するほど高くすることができず、せいぜい静電容量係数が０．９ｐＦ／ｃｍ程度にしかならない。ゆえに、キャパシタ１２１全体の高容量化が困難である。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、高容量化が容易な高誘電率材シートを提供することにある。また、第２の目的は、上記の優れた高誘電率材シートを埋め込んだ配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、上記課題を解決するための手段（手段１）としては、高誘電率材料と、その高誘電率材料よりも相対的に誘電率が低い低誘電率材料とによって構成される誘電体層を備え、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とが、前記誘電体層の平面方向に沿って規則的に配置されておりかつ、静電容量係数が１００ｐＦ／ｃｍ以上となる誘電体部を有していることを特徴とする高誘電率材シートがある。
【０００８】
従来技術の高誘電率材シートは、高誘電率材料と低誘電率材料とを含んでいるものの、それら２種の材料が不規則に配置され渾然一体となっている。それゆえ、高誘電率材料を密集させてシート中での存在比を高めたとしても、シート全体の高容量化が困難である。これに対し、上記手段１の高誘電率材シートは、高誘電率材料と低誘電率材料とが誘電体層の平面方向に沿って規則的に配列された構造であるため、それら２種の材料がそもそも渾然一体とはなっていない。よって、例えば高誘電率材料を密集させてシート中での存在比を高めることで、比較的容易にシート全体の誘電率を高くでき、従来よりもかなり高い１００ｐＦ／ｃｍ以上となる静電容量係数が実現可能となる。
【０００９】
ここで、「静電容量係数」とは、静電容量密度と、誘電体部の厚さとの積である。なお、１００ｐＦ／ｃｍ以上となる静電容量係数を実現するためには、誘電体部の静電容量密度は０．０５μＦ／ｃｍ２以上に設定されることが好ましい。
【００１０】
手段１にかかる高誘電率材料とは、低誘電率材料よりも誘電率の高い無機物（例えばセラミックなど）を主成分とする材料のことをいう。上記セラミックとしては、ジルコニア、アルミナ、窒化珪素、窒化ほう素、炭化珪素、窒化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムなどがある。ここで高誘電率材料は、比誘電率が１０以上であることが好ましく、特には比誘電率が１００以上であることが好ましい。即ち、高誘電率材料は高誘電率セラミックであることが好ましい。このようにすれば、高誘電率材シート全体の誘電率がよりいっそう高くなるため、高誘電率材シートの高容量化がよりいっそう容易になる。上記高誘電率セラミックとしては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ペロブスカイト型結晶構造を有したペロブスカイト酸化物が挙げられる。ペロブスカイト酸化物の具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物を挙げることができる。
【００１１】
なお、前記高誘電率材料はセラミックからなる誘電体粒であることが好ましい。誘電体粒であれば、高誘電率材料を誘電体層の形状に合わせて密集させやすくなるため、誘電体部の静電容量密度を容易に高くすることができる。ここで、誘電体粒は、単数の粒子からなっていてもよいし、複数の粒子からなっていてもよい。なお、複数の粒子からなる誘電体粒の場合には、誘電体粒とは、複数の粒子を押し固めた状態で焼結（化学的に結合）することにより形成されたものを含む。また、誘電体粒は、略球状（例えば、真球状、楕円球状など）であってもよいし、略柱状（例えば、略円柱状、略四角柱状、略三角柱状など）などの非球形状であってもよいが、特には、略球状であることが好ましい。このようにすれば、高誘電率材シートの製造時において、誘電体粒を例えば治具が有する位置決め部に保持させる際に、誘電体粒の向きを考慮しなくても済む。よって、高誘電率材シートを効率良く製造できる。また、誘電体粒は、真球度が高いことが好ましく、粒径が揃っていることが好ましい。このようにすれば、上記位置決め部に対する誘電体粒の保持などが容易になるため、高誘電率材シートを製造しやすくなる。
【００１２】
さらに、前記誘電体粒の粒径は、前記低誘電率材料が主となる低誘電率部の最大厚さよりも大きいことが好ましく、具体的には、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。仮に、誘電体粒の粒径が１０μｍ未満であれば、上記位置決め部に対する誘電体粒の保持が困難になる。一方、誘電体粒の粒径が５０μｍよりも大きいと、高誘電率材シート全体が厚くなってしまう。特に、誘電体粒が真球状ではなく楕円球状などである場合、誘電体粒における誘電体層の厚さ方向の長さ（厚み径）は、前記低誘電率部の最大厚さよりも大きいことが好ましい。
【００１３】
また、前記誘電体粒は、その一部を前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかにて露出させることができる。このようにした場合、誘電体粒の露出部分に他層（電極となる金属層など）を接合させることができる。なお、「露出」とは、前記誘電体粒の一部が前記第１主面及び前記第２主面のうち少なくともいずれかにて現われている状態をいい、誘電体粒の露出部分は他層に覆われていてもよい。なお、前記誘電体粒は、その一部が前記第１主面及び前記第２主面の両方にて露出していることが好ましい。このようにすれば、第１主面においても第２主面においても、誘電体粒の露出部分に他層を接合させることができる。
【００１４】
さらに、複数の誘電体粒が、複数の誘電体粒同士を固着する材料の表面から突出することにより、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかに凹凸が形成されていることが好ましい。このようにすれば、誘電体層と他層との界面に作用する物理結合力が大きくなり、誘電体層に対する他層の密着性が改善される。よって、信頼性に優れた高誘電率材シートを実現することができる。具体的には、前記凹凸が形成された前記第１主面及び／または前記第２主面において、誘電体粒と誘電体粒同士を固着する材料との高低差は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。その理由は、誘電体粒と誘電体粒同士を固着する材料との高低差が大きくなりすぎると、凹となる部分まで他層が入り込まないため、十分な物理的密着力を得られないからである。また、誘電体層の厚さが実質的に増えてしまうため、例えば高誘電率材シートによってキャパシタを形成する場合に、静電容量の低下につながってしまうからである。
【００１５】
上記高誘電率材シートにおいて、前記凹凸が形成された前記第１主面及び／または前記第２主面における、誘電体粒と誘電体粒同士を固着する材料との高低差は、１μｍよりも大きくなるように設定される。その理由は、誘電体粒と誘電体粒同士を固着する材料との高低差がこの値以下であると、密着性改善につながる誘電体層とはならず、十分な物理的密着力が得られないからである。なお、当然ながら、誘電体粒と誘電体粒同士を固着する材料との高低差は、誘電体粒の有効径を超えることはない。
【００１６】
なお、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とを前記誘電体層の平面方向に沿って規則的に配置する方法としては、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とを前記誘電体層の平面方向に沿って交互にかつ規則的に配置することなどが挙げられる。このように構成した場合、高誘電率材シートの機械的強度を均一に高めることができる。また、いわゆる多数個取りの高誘電率材シートを製造し、その多数個取り高誘電率材シートを分割して高誘電率材シートを得る場合、高誘電率材シートごとの高誘電率材料の体積比のバラツキが小さくなる。ゆえに、高誘電率材シートごとの静電容量のバラツキを防止できる。なお、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とを前記誘電体層の平面方向に沿って交互にかつ規則的に配置する方法としては、高誘電率材料と低誘電率材料とを、前記誘電体層の平面方向に沿って格子状または千鳥状に配置することなどが挙げられる。
【００１７】
また、高誘電率材料は、互いに接触した状態で配置されることが好ましい。このようにすれば、高誘電率材料がより密集して存在比が高くなるため、高誘電率材シート全体の静電容量をさらに大きくすることができる。さらに、高誘電率材料は、誘電体層の平面方向に沿って単層状に配置されることが好ましい。このようにすれば、誘電体層において誘電体粒が設けられる部分においては、誘電体層の厚さ方向に沿って誘電体粒のみを存在させることができ、比較的容易に高誘電率材シート全体の誘電率を高くできる。しかも、誘電体層が薄くなることで、高誘電率材シート全体の誘電率を高くできる。また、高誘電率材料は、誘電体層の平面方向に沿って二次元的に配置されていることが好ましい。このようにすれば、誘電体層に高誘電率材料がより均一に配置されるため、高誘電率材シートの静電容量がどの部分においても略均一になる。
【００１８】
前記低誘電率材料が主となる低誘電率部の厚さは、５μｍ以上４５μｍ以下に設定されることが好ましい。当該低誘電率部の厚さを５μｍ以上に設定することにより、高誘電率材シートの高い機械的強度を確保することができるとともに、高誘電率材シートの厚さ方向（Ｚ方向）への大型化を防止することができる。一方、当該低誘電率部の厚さを４５μｍ以下に設定することにより、前記誘電体粒の一部を第１主面及び第２主面のうちの少なくともいずれかにて露出させやすくなる。なお、誘電体粒の一部を第１主面及び第２主面の両方にて露出させるためには、低誘電率材料が主となる低誘電率部の厚さが、誘電体粒の粒径よりも小さいことがよい。
【００１９】
また、低誘電率材料は、コスト性、接合性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。なお、高誘電率材料がセラミックからなり、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくとも一方にめっき層（金属層）直接形成される場合、高誘電率材料上はめっき付着強度が低い。この場合、低誘電率材料として、めっき付着強度が高い有機樹脂材料を用いることが好ましい。また、高誘電率材シートの製造時に、低誘電率材料を研削して高誘電率材料の一部を露出させる高誘電率材料露出工程を実施する場合には、研削が容易な有機樹脂材料を用いることが好ましい。なお、セラミックに比べて有機樹脂材料のほうがめっき付着強度が高い理由としては、粗化した場合の表面状態の差が考えられる。セラミックを粗化した場合、表面に谷形状の奥部が形成されるのみであるが、有機樹脂材料を粗化した場合、奥に入り込んだ形状のアンカー部が形成される。その結果、めっきが有機樹脂材料のアンカー部に入り込むため、強固な密着力を得ることができる。なお、有機樹脂材料としては、高誘電率材料同士を固着させる力が大きい材料であることが好ましく、その好適例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
【００２０】
なお、低誘電率材料の比誘電率は、できるだけ高いほうが好ましい。しかし、上記低誘電率材料は、コスト性を考慮して有機樹脂材料となることが多いため、実際の比誘電率は、前記高誘電率材料の比誘電率よりもかなり低くなる（例えば５以下）。よって、前記誘電体層における前記誘電体部内の前記高誘電率材料の体積比は、前記誘電体層における前記誘電体部内の前記低誘電率材料の体積比よりもできるだけ大きいことが好ましい。例えば、高誘電率材料の体積比を６０％以上にして、残りの部分を低誘電率材料にすることが好ましい。特には、高誘電率材料の体積比を７０％以上にして、残りの部分を低誘電率材料にすることが好ましい。このようにすれば、高誘電率材シート全体の誘電率が高くなるため、高誘電率材シートの高容量化がいっそう容易になる。
【００２１】
上記高誘電率材シートは、金属層と誘電体部分とを積層してなる積層電子部品を形成するための材料とすることができる。その具体例としてはキャパシタなどがある。高誘電率材シート全体の厚さは特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であることがよく、好ましくは、５μｍ以上７５μｍ以下であることがよい。全体の厚さが薄すぎると、シート単体として取り扱うことが困難になる。一方、全体の厚さが厚すぎると、高誘電率材シートを配線基板に埋め込む場合に、配線基板の高密度化や小型化の達成を阻害するおそれがある。また、全体の厚さが厚すぎると、段差が発生しやすくなるため、基板表面の平滑性を確保しにくくなるおそれがある。即ち、前記高誘電率材シートは、配線基板埋込用電子部品を形成するための材料であってもよい。
【００２２】
さらに、高誘電率材シートは、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかに付着して前記誘電体層を保護するキャリア材をさらに備えることが好ましい。このようにすれば、高誘電率材シートを製造する際の誘電体層の破損を防止できる。また、誘電体層が薄くても、キャリア材が付着することで肉厚になるため、誘電体層の取扱性が向上する。
【００２３】
また、上記高誘電率材シートは、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの上に直接形成された金属層をさらに備えていてもよい。この構成によると、他層である金属層が、接着剤等の他の材料を用いずに、誘電体層に対して密着した状態の高誘電率材シートとすることができる。よって、誘電体粒と他の材料とが誘電体層の厚さ方向に沿って直列に存在しないため、高誘電率化を達成しやすくなる。
【００２４】
このような金属層は、誘電体層の片面（第１主面及び第２主面のうちのいずれか一方）に直接形成されていてもよいほか、両面（第１主面及び第２主面の両方）に直接形成されていてもよい。前記第１主面及び前記第２主面の両方に直接形成された金属層を備えている場合、高誘電率材シートは例えばキャパシタとなる。
【００２５】
上記高誘電率材シートが金属層を備える場合、その金属層は導電性に優れた材料を用いて形成されることが好ましく、具体的には、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステンなどから選択される１種または２種以上の合金を用いて形成されることがよい。特に、金属層の形成用材料としては例えば銅や銀を用いることが好ましい。銅や銀は高い導電性を有しており、電極用材料として好適だからである。
【００２６】
金属層の厚さは、例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下であることがよい。金属層が薄すぎると、電気的信頼性を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、金属層が厚くなりすぎると、高誘電率材シートの厚さが厚くなるおそれがあるからである。その点、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内で厚さを設定すれば、電気的信頼性を確保しつつ高誘電率材シート全体の厚肉化を防止することができる。
【００２７】
金属層の例としては、めっき層、金属ペースト層、金属箔貼付層、スパッタリング層、蒸着層、イオンプレーティング層などが挙げられるが、これらの中でもめっき層が好適である。めっき層は、短時間での形成が可能であり、高誘電率材シートの低コスト化に有利だからである。
【００２８】
なお、前記高誘電率材シートは、例えば、半導体集積回路チップ、トランジスタ、ダイオード等の能動部品を形成するための材料であってもよいし、能動部品そのものであってもよい。また、高誘電率材シートは、抵抗、キャパシタ、インダクタ、コイル等の受動部品を形成するための材料であってもよいし、受動部品そのものであってもよい。なお、ここでいう高誘電率材シートとは、高誘電率材シートの完成品のみを指すのではなく、金属層を後で形成する（例えば配線基板への埋込後に形成する）ことではじめて完成する高誘電率材シートも含むものとする。
【００２９】
また、上記課題を解決するための他の手段（手段２）としては、上記手段１の高誘電率材シートを埋め込んだことを特徴とする配線基板がある。
【００３０】
従って、上記手段２の配線基板によれば、高容量化された高誘電率材シートが埋め込まれているため、高誘電率材シートがキャパシタである場合、高効率にノイズを除去してＩＣチップなどに供給すべき電源を安定化させることができるとともに、ＩＣチップなどへの電力供給が可能となる。また、当該高誘電率材シートが配線基板内に埋め込まれた結果、配線基板表面上の部品実装可能領域が増えるため、そこに他の電子部品を実装することが可能となる。
【００３１】
また、配線基板に埋め込んだ高誘電率材シートは、高誘電率材料と低誘電率材料とが誘電体層の平面方向に沿って規則的に配列された構造であるため、それら２種の材料がそもそも渾然一体とはなっていない。よって、例えば高誘電率材料を密集させてシート中での存在比を高めることで、比較的容易にシート全体の誘電率を高くでき、従来よりもかなり高い１００ｐＦ／ｃｍ以上となる静電容量係数が実現可能となる。
【００３２】
上記配線基板は、例えばコア基板上に絶縁層及び導体層を形成した構成を有している。この場合、高誘電率材シートを、コア基板内に埋め込んでもよいし、コア基板と絶縁層との間に埋め込んでもよいし、絶縁層内に埋め込んでもよい。また、併せて他の部品である抵抗素子やインダクタ等を配線基板の内部に埋め込むようにしてもよい。
【００３３】
コア基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板等を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがある。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがある。
【００３４】
コア基板上に形成される好適な絶縁層としては、樹脂絶縁層を挙げることができる。その理由は、樹脂製の絶縁層は高誘電率材シートの支持体として好ましいため、例えば高誘電率材シートを埋め込んだ構造を実現しやすくなるからである。よって、量産性やコストへの対応能力が高くなる。また、配線基板の大型化にも有利となる。樹脂絶縁層は、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイドートリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成される。
【００３５】
導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、コア基板上や絶縁層上にパターン形成される。導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。なお、コア基板の片面または両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルトアップ層が形成されていてもよい。
【００３６】
また、上記課題を解決するための他の手段（手段３）としては、高誘電率部と、その高誘電率部よりも相対的に誘電率が低い低誘電率部とによって構成される誘電体層を備え、前記高誘電率部がセラミックのみから構成されるとともに、前記低誘電率部が有機樹脂材料を含んで構成され、前記高誘電率部が前記誘電体層の平面方向に沿って格子状または千鳥状に配置されるとともに、前記低誘電率部が前記高誘電率部の周囲に配置されることにより、誘電体部が形成されることを特徴とする高誘電率材シートがある。
【００３７】
従って、上記手段３の高誘電率材シートは、高誘電率部と低誘電率部とが誘電体層の平面方向に沿って格子状または千鳥状に配置され、低誘電率部が高誘電率部の周囲に配置された構造であるため、それら２種の誘電率部がそもそも渾然一体とはなっていない。よって、例えば高誘電率部を密集させてシート中での存在比を高めることで、比較的容易にシート全体の誘電率を高くでき、高誘電率材シートの高容量化が容易になる。また、高誘電率部と低誘電率部とが、前記誘電体層の平面方向に沿って格子状または千鳥状に規則的に配置されているため、高誘電率材シートの機械的強度を均一に高めることができる。また、いわゆる多数個取りの高誘電率材シートを製造し、その多数個取りの高誘電率材シートを分割して高誘電率材シートを得る場合、高誘電率材シートごとの高誘電率材料の体積比のバラツキが小さくなる。ゆえに、高誘電率材シートごとの静電容量のバラツキを防止できる。
【００３８】
また、高誘電率部がセラミックのみからなるため、高誘電率部の誘電率をより高くすることができ、ひいては、高誘電率材シート全体の誘電率も高めることができる。さらに、低誘電率部が有機樹脂材料を含んで構成されるため、低誘電率部を介して高誘電率部同士を固着させることができる。
【００３９】
なお、前記低誘電率部は、前記誘電体層の厚さ方向から見て有機樹脂材料を主体とする樹脂部と、前記誘電体層の厚さ方向から見てセラミック及び有機樹脂材料からなる混合材料部とを、備えていてもよい。この場合、高誘電率材シートのソリ等が生じたとしても、セラミックと有機樹脂材料との間に生じる応力が分散されるため、剥離等の問題が生じにくくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明を具体化した一実施形態のセラミックキャパシタ内蔵配線基板及びその製造方法を図１〜図１６に基づき説明する。
【００４１】
図１に示されるように、このセラミックキャパシタ内蔵配線基板７１（配線基板）は、ガラスエポキシからなるコア基板７２の片側面上に、ビルドアップ層７３を形成してなるものである。ビルドアップ層７３は、同じくエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４（いわゆる層間絶縁層）を４層備えている。コア基板７２と樹脂絶縁層８１との界面には、銅からなる導体層９０がパターン形成されている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４同士の界面には、銅からなる導体層９１，９２，９３がパターン形成されている。また、最表層の樹脂絶縁層８４の表面上における複数箇所には、銅にニッケル−金めっきを被覆した端子パッド９４が形成されている。各端子パッド９４は、ＭＰＵとしての機能を有するＩＣチップ９７と電気的に接続可能になっている。また、コア基板７２及び樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４内には、それぞれビア導体９６が設けられている。これらのビア導体９６のほとんどは同軸上に配置されるとともに、それらを介して導体層９１，９２，９３及び端子パッド９４が相互に電気的に接続されている。
【００４２】
図１に示されるように、コア基板７２の下面上における複数箇所には、ビア導体９６と電気的に接続されるＢＧＡ用パッド５５が格子状に形成されている。また、コア基板７２の下面は、ソルダーレジスト５２によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト５２の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド５５を露出させる開口部５３が形成されている。ＢＧＡ用パッド５５の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。はんだバンプ４９は、９０Ｐｂ／１０Ｓｎという組成の錫鉛はんだからなっている。
【００４３】
そして、各はんだバンプ４９により、図１に示されるセラミックキャパシタ内蔵配線基板７１はマザーボード上に実装される。なお、本実施形態のセラミックキャパシタ内蔵配線基板７１はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）である。セラミックキャパシタ内蔵配線基板７１の形態は、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）やＰＧＡ（ピングリッドアレイ）等であってもよい。
【００４４】
前記ビルドアップ層７３の内部（具体的には第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面）には、図２，図３に示すセラミックキャパシタ１０（キャパシタ）が、埋め込んだ状態で実装されている。セラミックキャパシタ１０は、誘電体層２１を備える高誘電率材シート２０によって形成されている。誘電体層２１の第１主面１１７上には銅めっきからなる第１金属電極層１１が形成され、誘電体層２１の第２主面１１８上には銅めっきからなる第２金属電極層３１が形成されている。
【００４５】
また、誘電体層２１は、複数の誘電体粒２２（高誘電率材料）と、層間絶縁材２３（低誘電率材料）とを有している。誘電体粒２２は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、第１金属電極層１１−第２金属電極層３１間の誘電体として機能する。一方、層間絶縁材２３は、有機樹脂材料の一種であるエポキシ樹脂からなり、複数の誘電体粒２２同士を固着するとともに、複数の誘電体粒２２同士を絶縁する機能を有する。また、層間絶縁材２３も、第１金属電極層１１−第２金属電極層３１間の誘電体として機能する。
【００４６】
図１〜図３に示されるように、各誘電体粒２２は、誘電体層２１の平面方向に沿って二次元的にかつ単層状に配列されている。具体的には、各誘電体粒２２は、誘電体層２１の平面方向に沿って格子状（アレイ状）に配置されている。そして、各誘電体粒２２の周囲に層間絶縁材２３が配置されることにより、誘電体部２４が形成される。これにより、誘電体部２４においては、誘電体粒２２と層間絶縁材２３とが、誘電体層２１の平面方向に沿って交互にかつ規則的に配置される。即ち、セラミックキャパシタ１０のＸ方向（図３では上下方向）またはＹ方向（図３では左右方向）に沿って切断した断面では、誘電体粒２２と層間絶縁材２３とが交互に配置される（図１，図２参照）。なお、誘電体部２４は、各誘電体粒２２が密集している領域であり、誘電体層２１の厚さ方向から見て矩形状をなす領域（図３参照）である。各誘電体粒２２は、輪郭度が第１金属電極層１１及び第２金属電極層３１の厚み以下（約０．５μｍ〜１．５μｍ）となる略球状をなしており、その粒径は３０μｍに設定されている。また、隣接する誘電体粒２２の中心間距離（ピッチ）も、誘電体粒２２の粒径と同じ３０μｍに設定されている。このため、各誘電体粒２２は互いに接触している。なお、図３に示されるように、誘電体粒２２間のピッチは、セラミックキャパシタ１０のＸ方向においてもＹ方向においても等しくなっている。
【００４７】
図１，図２に示されるように、各誘電体粒２２の粒径は、層間絶縁材２３の最大厚さ（約２０μｍ）よりも大きくなっている。このため、各誘電体粒２２の上端部は第１主面１１７にて突出し、各誘電体粒２２の下端部は第２主面１１８にて突出する。その結果、第１主面１１７及び第２主面１１８の両方には凹凸が形成される。これにより、第１主面１１７及び第２主面１１８において、誘電体粒２２の突出部分と層間絶縁材２３との高低差は、３μｍ〜７μｍ程度に設定されている。また、前記第１金属電極層１１及び前記第２金属電極層３１の厚さは約３０μｍに設定されている。このため、セラミックキャパシタ１０全体の厚さは、９０μｍ程度であって、極めて薄くなっている。
【００４８】
なお、本実施形態における誘電体部２４内の誘電体粒２２の体積比は７０％であり、誘電体部２４内の層間絶縁材２３の体積比（３０％）よりも大きくなっている。また、誘電体粒２２の比誘電率は３０００であり、層間絶縁材２３の比誘電率は３である。よって、層間絶縁材２３の比誘電率は、誘電体粒２２の比誘電率よりも相対的に低くなる。また、誘電体部２４の最大厚さは、誘電体粒２２の粒径と同じ３０μｍである。従って、本実施形態における誘電体部２４の静電容量密度は、０．０５６μＦ／ｃｍ２となり、本実施形態における誘電体部２４の静電容量係数は、１６８ｐＦ／ｃｍとなる。
【００４９】
なお、図３に示されるように、誘電体部２４は、高誘電率部４１と、高誘電率部４１の周囲に配置される低誘電率部４２とを備えている。高誘電率部４１とは、誘電体部２４の厚さ方向に沿って誘電体粒２２のみが存在する領域であり、誘電体粒２２の第１主面１１７及び第２主面１１８からの突出部分が存在する領域である。一方、低誘電率部４２は、高誘電率部４１よりも相対的に誘電率が低い領域である。低誘電率部４２は、誘電体部２４の厚さ方向に沿って層間絶縁材２３のみが存在する樹脂部４３を備えている。また、低誘電率部４２は、同じく厚さ方向に沿って誘電体粒２２及び層間絶縁材２３の両方が直列に存在する混合材料部４４を備えている。
【００５０】
図１に示されるように、第１金属電極層１１は配線基板実装時に上向きの状態となるため、第２層の樹脂絶縁層８２内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。一方、第２金属電極層３１は配線基板実装時に下向きの状態となるため、第１層の樹脂絶縁層８１内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。
【００５１】
そして、このような構成のセラミックキャパシタ１０に通電を行い、第１金属電極層１１−第２金属電極層３１間に所定の電圧を加えると、一方の電極にプラスの電荷が蓄積し、他方の電極にマイナスの電荷が蓄積するようになっている。その結果、セラミックキャパシタ１０がキャパシタとして機能する。本実施形態において、このセラミックキャパシタ１０は、ノイズを除去してＩＣチップ９７に供給すべき電源を安定化させる機能を有しており、ＩＣチップ９７の動作性向上に関与している。
【００５２】
次に、このセラミックキャパシタ１０の製造方法を図４〜図１６に基づいて説明する。
【００５３】
まず、図４，図５に示すようなメッシュ部材１００（治具）を用意し、位置決め工程を実施する。メッシュ部材１００は、縦方向に沿って互いに平行に配置される複数の金属線材と、横方向に沿って互いに平行に配置される複数の金属線材とを直交させることにより構成される。メッシュ部材１００は、同メッシュ部材１００の平面方向に沿って格子状に配列された複数の位置決め部１０１を有している。個々の位置決め部１０１は、４本の金属線材によって正方形状に構成された空間（網目）であり、網目の幅は誘電体粒２２の粒径（３０μｍ）よりも小さく（約２５μｍ）なっている。このため、誘電体粒２２は金属線材によって確実に支持される。なお、本実施形態では、メッシュ部材１００として市販のスクリーン印刷機の印刷スクリーンを用いている。
【００５４】
そして、位置決め工程では、複数の位置決め部１０１を介してメッシュ部材１００の片側から真空引きを行うことにより、複数の誘電体粒２２が各位置決め部１０１に嵌め込まれる。これにより、複数の位置決め部１０１に複数の誘電体粒２２が保持され、各誘電体粒２２がメッシュ部材１００の平面方向に沿って格子状に配列する。なお、本実施形態では真空引きを行っているため、複数の位置決め部１０１に複数の誘電体粒２２を素早く保持させることができる。しかも、振動などに起因する各誘電体粒２２の位置ずれや脱落を防止できる。
【００５５】
次に、図６に示すような金属箔１１１（キャリア材）を用意し、転写工程を実施する。なお、本実施形態の金属箔１１１は、片側面に付着層１１２を有している。付着層１１２は、エポキシ樹脂製の接着剤によって形成されている。
【００５６】
転写工程では、メッシュ部材１００の上方に金属箔１１１の付着層１１２側を配置するとともに、メッシュ部材１００上にて位置決めされた複数の誘電体粒２２に付着層１１２を接触させる（図７参照）。そして、この状態で垂直方向（図７では下方向）に押圧力を加える。その結果、各誘電体粒２２が付着層１１２上に転写される。このとき、複数の誘電体粒２２の一部が付着層１１２中に埋め込まれることで、各誘電体粒２２と付着層１１２との接触面積が大きくなるため、各誘電体粒２２をより確実に位置決めできる。その後、所定温度及び所定時間加熱する第１キュア工程を行い、付着層１１２を少しだけ熱硬化させる。その結果、付着層１１２を介して金属箔１１１に各誘電体粒２２が仮固定される。
【００５７】
次に、固着工程を実施し、複数の誘電体粒２２同士をエポキシ樹脂からなる層間絶縁材２３で固着する。詳述すると、複数の誘電体粒２２が転写された金属箔１１１の付着層１１２側にシート状の層間絶縁材２３を配置し（図８参照）、この状態で前記垂直方向と同一方向（図８では下方向）に押圧力を加える。本実施形態において具体的には、２０Ｔｏｒｒ（≒２６６６Ｐａ）以下の真空下で１００℃以上の温度となるように加熱を行いながら垂直方向と同一方向に押圧力（０．７ＭＰａ）を加える（真空熱プレス）。これに伴い、金属箔１１１、付着層１１２、各誘電体粒２２及び層間絶縁材２３が積層方向に沿って押圧され、金属箔１１１及び層間絶縁材２３が付着層１１２を介して接合（熱圧着）される。この際、層間絶縁材２３の一部が各誘電体粒２２間に侵入する（図９参照）。
【００５８】
さらに、所定温度及び所定時間加熱する第２キュア工程を行い、付着層１１２を熱硬化させる。その結果、複数の誘電体粒２２同士が固着し、各誘電体粒２２が移動不能となる。なお、付着層１１２は、層間絶縁材２３と同じエポキシ樹脂からなるため、熱により層間絶縁材２３と一体化する。その結果、誘電体層２１が得られる（図１０参照）。
【００５９】
固着工程後、第１凹凸形成工程（高誘電率材料露出工程）を実施する。具体的には、複数の誘電体粒２２の一部を層間絶縁材２３から突出させて、誘電体層２１の表面に凹凸を形成し、その面を第２主面１１８とする（図１１参照）。なお、本実施形態では、従来公知のバフ研磨装置、ラッピング装置、ポリッシング装置、ブラスト装置、Ｏ２プラズマなどを用いて表面研削を行うことにより、層間絶縁材２３の表層を除去して、複数の誘電体粒２２の一部を層間絶縁材２３から突出させる。なお、各誘電体粒２２の突出量は、研削時間を変更したり研磨剤の硬度を変更したりすることで調節可能である。
【００６０】
第１凹凸形成工程後、第１金属層形成工程（金属層形成工程）を実施する。具体的には、誘電体層２１の第２主面１１８上に、従来公知の手法に基づいて無電解銅めっきを行った後にさらに電解銅めっきを行って、厚さ約３０μｍの第２金属電極層３１を直接形成する（図１２参照）。なお、第２金属電極層３１の形成を無電解銅めっき及び電解銅めっきによって行えば、大量の処理が可能となるため、セラミックキャパシタ１０を低コストで製造できる。
【００６１】
次に、導体層９０及び第１層の樹脂絶縁層８１が形成されたコア基板７２を用意し、その第１層の樹脂絶縁層８１上に、第２金属電極層３１側を下向きにした誘電体層２１を搭載する（図１３参照）。なお、搭載時においては、本実施形態のセラミックキャパシタ１０は、完成前の中間品である。
【００６２】
より詳細に言うと、第１層の樹脂絶縁層８１を形成するための未硬化のフィルム材を用意し、それをラミネータ等でコア基板７２の表面上に貼付する。前記フィルム材としては、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂からなるものが好適である。次いで、図１３の状態の誘電体層２１をフィルム材上に搭載し、所定の圧力で押し付ける。この時点では、まだフィルム材は未硬化であるため、誘電体層２１の一部をフィルム材内に容易に埋め込むことができる。次に、加熱を行ってフィルム材を硬化させ、第１層の樹脂絶縁層８１にセラミックキャパシタ１０の中間品を支持固定させる。
【００６３】
次に、金属箔１１１をエッチングなどで除去し（図１４参照）、第２凹凸形成工程（高誘電率材料露出工程）を実施する。具体的には、前記第１凹凸形成工程と同様の工程（本実施形態では表面研削）を実施する。即ち、複数の誘電体粒２２の一部を層間絶縁材２３から突出させて、誘電体層２１の表面に凹凸を形成し、その面を第１主面１１７とする（図１５参照）。
【００６４】
次に、第２金属層形成工程（金属層形成工程）を実施する。具体的には、誘電体層２１の第１主面１１７上に、従来公知の手法に基づいて無電解銅めっきを行った後にさらに電解銅めっきを行って、厚さ約３０μｍの第１金属電極層１１を直接形成する（図１６参照）。なお、本実施形態のセラミックキャパシタ１０はこの時点で完成する。
【００６５】
その後、従来周知の手法に従って、第１層の樹脂絶縁層８１における導体層９１の形成を行う。次いで、第１層の樹脂絶縁層８１上に上記の未硬化のフィルム材をラミネータ等で貼付した後、熱硬化させて第２層の樹脂絶縁層８２とする。この時点でセラミックキャパシタ１０が完全に埋め込まれる。
【００６６】
次に、第２層の樹脂絶縁層８２に対するビア穴あけを行った後、さらに銅めっきまたは銅ペーストの充填、印刷を行って、ビア導体９６を形成するとともに、第２層の導体層９２を形成する。
【００６７】
この後、同様の手法により、第３層及び第４層（最表層）の樹脂絶縁層８３，８４の形成を行うとともに、従来周知の手法に従って、コア基板７２の下面側にＢＧＡ用パッド５５、ソルダーレジスト５２及びはんだバンプ４９を形成する。その結果、図１のセラミックキャパシタ内蔵配線基板７１が完成する。
【００６８】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６９】
（１）一般的に、従来のセラミックキャパシタでは、比誘電率が相対的に高い誘電体粒２２と、比誘電率が相対的に低い層間絶縁材２３とが、誘電体層２１の厚さ方向に沿って直列に存在する（例えば、図２０に示す誘電体粒子１２４及び層間絶縁材１２５の関係を参照）。
【００７０】
この場合、セラミックキャパシタ全体の比誘電率ε１は、１／ε１＝Ｖ１×１／ε２＋Ｖ２×１／ε３の式から求められる。ここで、ε２は、誘電体粒２２の比誘電率、ε３は、層間絶縁材２３の比誘電率、Ｖ１は、誘電体部２４内における誘電体粒２２の体積比（％）、Ｖ２は、誘電体部２４内における層間絶縁材２３の体積比（％）である。
【００７１】
しかしながら、例えば比誘電率ε２を３０００、比誘電率ε３を３、体積比Ｖ１を７０％、体積比Ｖ２を３０％として比誘電率ε１を算出したとしても、ε１＝１０．０となり、比誘電率ε１はあまり高くならない。しかも、誘電体部２４の静電容量密度もあまり高くなく、例えば誘電体部２４の厚さが３０μｍの場合に、０．０００３μＦ／ｃｍ２程度である。さらに、誘電体部２４の静電容量係数もあまり高くなく、０．９ｐＦ／ｃｍ程度である。ゆえに、セラミックキャパシタの高容量化が困難である。しかも、誘電体部２４には、平面方向に沿って規則的に配置される高誘電率部４１及び低誘電率部４２が存在していないため、比誘電率は誘電体部２４において均一にならない。
【００７２】
それに対して、本実施形態のセラミックキャパシタ１０では、誘電体粒２２と層間絶縁材２３とが、誘電体層２１の厚さ方向に沿って並列に存在するため、誘電体層２１を平面方向から見た場合に、誘電体層２１が、誘電体粒２２が存在する部分（高誘電率部４１）と、層間絶縁材２３が存在する部分（低誘電率部４２）とに分かれるようになる。よって、誘電体粒２２と層間絶縁材２３とが、誘電体層２１の厚さ方向に沿って直列に存在しなくなる。
【００７３】
この場合、セラミックキャパシタ１０全体の比誘電率ε１は、ε１＝Ｖ１×ε２＋Ｖ２×ε３の式（Nielsen の複合則より）から求められる。ここで、従来と同条件にて比誘電率ε１を算出すれば、ε１＝７０（％）×３０００＋３０（％）×３＝２１００．９となるため、比誘電率ε１が従来に比べてかなり高くなる。しかも、最大厚さが３０μｍである誘電体部２４の静電容量密度は、従来よりもかなり高い約０．０６μＦ／ｃｍ２である。さらに、誘電体部２４の静電容量係数も、従来よりもかなり高い約１８０ｐＦ／ｃｍである。ゆえに、本実施形態のセラミックキャパシタ１０は高容量化が容易である。
【００７４】
（２）本実施形態の誘電体粒２２は略球状である。よって、複数の誘電体粒２２を揃えやすくなるため、セラミックキャパシタ１０の製造が容易になる。また、セラミックキャパシタ１０の製造時において、誘電体粒２２をメッシュ部材１００の位置決め部１０１に保持させる際に、誘電体粒２２の向きを考慮しなくても済む。よって、セラミックキャパシタ１０を効率良く製造できる。
【００７５】
（３）本実施形態では、セラミックキャパシタ内蔵配線基板７１内にセラミックキャパシタ１０が埋め込まれるとともに、セラミックキャパシタ内蔵配線基板７１の上面にＩＣチップ９７が実装され、セラミックキャパシタ１０及びＩＣチップ９７が互いに電気的に接続されている。これにより、セラミックキャパシタ１０とＩＣチップ９７とを繋ぐ配線長が短縮されるため、セラミックキャパシタ１０−ＩＣチップ９７間での信号の高速化を図ることができる。
【００７６】
（４）本実施形態のセラミックキャパシタ１０（高誘電率材シート２０）の製造方法では、従来必須であった工程（例えば、未焼結の誘電体を含むグリーンシートを所定時間焼成する工程など）を実施しなくても済む。よって、セラミックキャパシタ１０を効率良く製造できる。
【００７７】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００７８】
・金属箔１１１及び付着層１１２の代わりに、片面に粘着層（付着層）を有する樹脂フィルム（キャリア材）を用いてもよい。この場合、転写工程において複数の誘電体粒２２の一部を粘着層中に埋め込んでおけば、樹脂フィルムを剥離するだけで、各誘電体粒２２の一部を層間絶縁材２３から突出させることができる。このため、セラミックキャパシタ１０を効率よく製造できる。
【００７９】
・上記実施形態の誘電体粒２２は略球状であったが、誘電体粒２２を非球形状（例えば図１７に示すような略柱状）にしてもよい。この場合、複数の誘電体粒２２の一部を、第１主面１１７及び第２主面１１８のいずれか一方にて突出させてもよいし、第１主面１１７及び第２主面１１８の両方にて突出させてもよい（図１８）。
【００８０】
・上記実施形態のメッシュ部材１００は、同メッシュ部材１００の平面方向に沿って格子状に配列された複数の位置決め部１０１を有し、複数の誘電体粒２２がメッシュ部材１００の平面方向に沿って格子状に配置されるようになっていた。しかし、図１９に示されるように、複数の位置決め部１０１を、メッシュ部材１００の平面方向に沿って千鳥状に配列し、複数の誘電体粒２２が平面方向に沿って千鳥状に配置されるようにしてもよい。このようにすれば、複数の誘電体粒２２同士の隙間がより小さくなるため、誘電体粒２２の体積比が、層間絶縁材２３の体積比よりもさらに大きくなる。よって、セラミックキャパシタ１０の静電容量をさらに大きくすることができる。
【００８１】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００８２】
（１）高誘電率材料と、その高誘電率材料よりも相対的に誘電率が低い低誘電率材料とによって構成される誘電体層を備え、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とが、前記誘電体層の平面方向に沿って交互にかつ規則的に配置されていることを特徴とする高誘電率材シート。
【００８３】
（２）高誘電率材料と、その高誘電率材料よりも相対的に誘電率が低い低誘電率材料とによって構成される誘電体層を備え、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とが、前記誘電体層の平面方向に沿って規則的に配置されておりかつ、静電容量密度が０．０５μＦ／ｃｍ２以上となり、静電容量係数が１００ｐＦ／ｃｍ以上となる誘電体部を有していることを特徴とする高誘電率材シート。
【００８４】
（３）高誘電率材料と、その高誘電率材料よりも相対的に誘電率が低い低誘電率材料とによって構成される誘電体層を備え、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とが、前記誘電体層の平面方向に沿って規則的に配置されておりかつ、静電容量密度が０．０５μＦ／ｃｍ２以上となり、静電容量係数が１００ｐＦ／ｃｍ以上となり、厚さが１０μｍ以上となる誘電体部を有していることを特徴とする高誘電率材シート。
【００８５】
（４）第１主面及び第２主面を有しかつ静電容量係数が１００ｐＦ／ｃｍ以上の誘電体層と、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかの上に形成された電極とを備え、前記誘電体層は、高誘電率材料と、その高誘電率材料よりも相対的に誘電率が低い低誘電率材料とによって構成され、前記高誘電率材料と前記低誘電率材料とが、前記誘電体層の平面方向に沿って交互にかつ規則的に配置されていることを特徴とする配線基板埋込用キャパシタ。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明のセラミックキャパシタ内蔵配線基板を示す概略断面図。
【図２】本発明のセラミックキャパシタを示す概略断面図。
【図３】本発明のセラミックキャパシタを示す上面図。
【図４】メッシュ部材及び誘電体粒の一部を示す断面図。
【図５】メッシュ部材を示す上面図。
【図６】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図７】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図８】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図９】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１０】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１１】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１２】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１３】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１４】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１５】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１６】本実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１７】他の実施形態のセラミックキャパシタを示す概略断面図。
【図１８】他の実施形態のセラミックキャパシタを示す概略断面図。
【図１９】他の実施形態のメッシュ部材を示す上面図。
【図２０】従来技術の高誘電率材シートを示す概略断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１０…キャパシタとしてのセラミックキャパシタ
２０…高誘電率材シート
２１…誘電体層
２２…高誘電率材料としての誘電体粒
２３…低誘電率材料及び有機樹脂材料としての層間絶縁材
２４…誘電体部
４１…高誘電率部
４２…低誘電率部
７１…配線基板としてのセラミックキャパシタ内蔵配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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