(57)【要約】【課題】有機薄膜トランジスタ表示板で配向膜が浮き上がることを防止して、液晶配向を均一にして工程数を減らす。【解決手段】基板と、基板のある一方向に伸びている第１信号線と、第１信号線と絶縁状態で交差する第２信号線と、第１信号線または第２信号線と接続されているソース電極と、ソース電極と対向するドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極と接続されている有機半導体と、ドレイン電極と接続されている画素電極と、画素電極上に形成されていて光配向性を有する保護膜とを含む有機薄膜トランジスタ表示板及び、その製造方法を提供する。【選択図】図２
2007102218.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にある第１信号線と、
前記第１信号線と交差する第２信号線と、
前記第１信号線と接続されているソース電極と、
前記ソース電極と分離されているドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接続されている有機半導体と、
前記ドレイン電極と接続されている画素電極と、
前記画素電極上に形成されていて、光配向性を有する保護膜と、
を含む有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記保護膜はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイミド、ポリマレイミド、ポリスチレン、マレイミド−スチレン共重合体、ポリエステル、ポリメチルアクリレート、ポリシロキサン及び、これらの共重合体より選択された少なくとも１つの主鎖を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記保護膜はオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基、シンナモイル基、カルコン基及びクロロメチル基より選択された少なくとも１つの基を含み、前記主鎖と連結されている少なくとも１つの側鎖をさらに含む、請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記少なくとも１つの側鎖は互いに異なる波長で重合される２つ以上の側鎖を含む、請求項３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記少なくとも１つの側鎖は光配向基を含む第１側鎖及び架橋基を含む第２側鎖を含み、
前記光配向基はビニル基、シンナモイル基及びカルコン基より選択された少なくとも１つであり、
前記架橋基はオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基及びクロロメチル基より選択された少なくとも１つである、請求項４に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記保護膜は約0.1〜0.3μｍの厚さを有する、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記画素電極は同一層に形成されている、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記第１信号線と前記ソース電極の間に形成されており、前記第１信号線と前記ソース電極を接続する接触孔を有する絶縁膜をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記有機半導体上の遮断部材をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記有機半導体下部の遮光部材をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
前記有機半導体を囲む枠をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記有機半導体と前記第２信号線の間に位置して、有機物質を含むゲート絶縁体をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
基板上にドレイン電極を含む画素電極及びソース電極を形成する段階と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体を形成する段階と、
前記有機半導体上または下にゲート電極を形成する段階と、
前記有機半導体と前記ゲート電極の間にゲート絶縁体を形成する段階と、
前記有機半導体上に光配向性を有する保護膜を形成する段階と、
を含む有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜を形成する段階は、
ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイミド、ポリマレイミド、ポリスチレン、マレイミド−スチレン共重合体、ポリエステル、ポリメチルアクリレート、ポリシロキサン及び、これらの共重合体より選択された少なくとも１つの主鎖を含む有機膜を塗布する段階と、
前記有機膜を重合する段階と、
を含む、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１５】
前記主鎖はオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基、シンナモイル基、カルコン基及びクロロメチル基より選択された少なくとも１つの基を含む側鎖と連結されている、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１６】
前記有機膜を重合する段階は熱または光を供給して行う、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１７】
前記光による重合は異なる波長を有する紫外線を各々照射して行う、請求項１６有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１８】
前記有機半導体と前記保護膜の間に遮断部材を形成する段階をさらに含む、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１９】
前記ソース電極及び前記画素電極形成段階で前記ソース電極を含むデータ線を形成する、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２０】
前記基板上にデータ線を形成する段階と、
前記データ線の上、前記ソース電極及び前記画素電極の下に第１絶縁膜を形成する段階と、
をさらに含み、前記第１絶縁膜は前記データ線を露出する第１接触孔を有し、前記データ線と前記ソース電極は前記第１接触孔を通じて互いに接続される、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２１】
前記ソース電極及び前記画素電極上に第２絶縁膜を形成する段階をさらに含み、
前記第２絶縁膜は前記ソース電極及び前記ドレイン電極を露出する第１開口部を有し、
前記有機半導体は前記第１開口部内に位置する、請求項２０に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２２】
前記ゲート電極を含むゲート線上に、そして前記ソース電極及び前記画素電極下に第３絶縁膜を形成する段階をさらに含み、
前記第３絶縁膜は前記ゲート電極を露出する第２開口部及び前記第１接触孔を露出する第２接触孔を有し、
前記ゲート絶縁体は前記第２開口部内に位置し、
前記データ線と前記ソース電極は前記第１及び第２接触孔を通じて接続される、請求項２１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２３】
前記第１開口部は前記第２開口部より小さい、請求項２２に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２４】
前記有機半導体、前記ゲート絶縁体、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、前記第３絶縁膜及び前記保護膜のうちの少なくとも１つは溶液工程で形成される、請求項２２に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２５】
前記ゲート絶縁体は前記第１開口部内に、そして前記有機半導体上に位置する、請求項２１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２６】
前記第１絶縁膜を中心に前記有機発光部材の反対側に位置する遮光部材を形成する段階をさらに含む、請求項２５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２７】
前記第１絶縁膜は無機膜とその上の有機膜を含む、請求項２５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置（ＬＣＤ）や有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置は、複数対の電場生成電極と、その間に入っている電気光学活性層を含む。液晶表示装置の場合、電気光学活性層として液晶層を含み、有機発光表示装置の場合、電気光学活性層として有機発光層を含む。
【０００３】
一対をなす電場生成電極のうちの１つ、つまり、画素電極は、通常スイッチング素子に接続されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層はこの電気信号を光学信号に変換することによって映像を表示する。
平板表示装置ではスイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用し、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線と薄膜トランジスタを通じて画素電極に印加される信号を伝達するデータ線が平板表示装置に設けられる。
【０００４】
このような薄膜トランジスタの中で、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に対する研究が活発に行われている。有機薄膜トランジスタはシリコン（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに有機半導体を使用する。有機薄膜トランジスタは低温において溶液工程で繊維またはフィルムのような形態に製作できるので、大面積平板表示装置にも容易に適用できるだけでなく、可撓性表示装置の核心素子としても注目されている。
【０００５】
このような有機薄膜トランジスタは、無機半導体を含む薄膜トランジスタに比べて耐熱性及び耐薬品性が弱い。そのため、有機薄膜トランジスタを保護するための別途の有機保護膜が通常使用される。
一方、液晶表示装置には液晶配向のための配向膜が形成されている。配向膜も有機物で作られ、有機保護膜の直上で有機保護膜と接触する。
【０００６】
しかし、有機保護膜は配向膜との接着性が不良であるため配向膜が浮き上がることがある。この場合、配向膜の表面が均一でないため液晶配向に影響を与えることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、有機薄膜トランジスタ表示板で配向膜が浮き上がることを防止して、液晶配向を均一にして工程数を減らすことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上にある第１信号線と、前記第１信号線と交差する第２信号線と、前記第１信号線と接続されているソース電極と、前記ソース電極と分離されているドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接続されている有機半導体と、前記ドレイン電極と接続されている画素電極と、前記画素電極上に形成されていて光配向性を有する保護膜とを含む。
【０００９】
前記保護膜はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイミド、ポリマレイミド、ポリスチレン、マレイミド-スチレン共重合体、ポリエステル、ポリメチルアクリレート、ポリシロキサン及び、これらの共重合体より選択された少なくとも１つの主鎖を含むことができる。
前記保護膜はオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基、シンナモイル基、カルコン基及びクロロメチル基より選択された少なくとも１つの基を含み、前記主鎖と連結されている少なくとも一つの側鎖を含むことができる。
【００１０】
前記少なくとも１つの側鎖は互いに異なる波長で重合される二つ以上の側鎖を含むことができる。
前記少なくとも１つの側鎖は光配向基を含む第１側鎖及び架橋基を含む第２側鎖を含み、前記光配向基はビニル基、シンナモイル基及びカルコン基より選択された少なくとも１つであり、前記架橋基はオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基及びクロロメチル基より選択された少なくとも１つであり得る。
【００１１】
前記保護膜の厚さは約0.1〜0.3μｍであってもよい。
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記画素電極は同一層に形成されてもよい。
前記有機薄膜トランジスタ表示板は前記第１信号線と前記ソース電極の間に形成されており、前記第１信号線と前記ソース電極を接続する接触孔を有する絶縁膜をさらに含むことができる。
【００１２】
前記有機薄膜トランジスタ表示板は前記有機半導体上の遮断部材、前記有機半導体下部の遮光部材、前記有機半導体を囲む枠、または前記有機半導体と前記第２信号線の間に位置し有機物質を含むゲート絶縁体をさらに含むことができる。
また、本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にドレイン電極を含む画素電極及びソース電極を形成する段階と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体を形成する段階と、前記有機半導体の上または下にゲート電極を形成する段階と、前記有機半導体と前記ゲート電極の間にゲート絶縁体を形成する段階と、前記有機半導体上に光配向性を有する保護膜を形成する段階とを含む。
【００１３】
前記保護膜を形成する段階はポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイミド、ポリマレイミド、ポリスチレン、マレイミド-スチレン共重合体、ポリエステル、ポリメチルアクリレート、ポリシロキサン及び、これらの共重合体より選択された少なくとも１つの主鎖を含む有機膜を塗布する段階及び前記有機膜を重合する段階を含むことができる。
前記主鎖はオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基、シンナモイル基、カルコン基及びクロロメチル基より選択された少なくとも１つの基を含む側鎖と連結できる。
【００１４】
前記有機膜を重合する段階は熱または光を供給して行うことができる。特に、前記光による重合は異なる波長を有する紫外線（ＵＶ）を各々照射して行うことができる。
前記有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、前記有機半導体と前記保護膜の間に遮断部材を形成する段階をさらに含むことができる。
前記ソース電極及び前記画素電極形成段階で前記ソース電極を含むデータ線を形成することができる。
【００１５】
前記有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、前記基板上にデータ線を形成する段階と、前記データ線の上、前記ソース電極及び前記画素電極の下に第１絶縁膜を形成する段階をさらに含み、前記第１絶縁膜は前記データ線を露出する第１接触孔を有し、前記データ線と前記ソース電極を前記第１接触孔を通じて互いに接続することができる。
前記有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、前記ソース電極及び前記画素電極上に第２絶縁膜を形成する段階をさらに含み、前記第２絶縁膜は前記ソース電極及び前記ドレイン電極を露出する第１開口部を有し、前記有機半導体は前記第１開口部内に位置することができる。
【００１６】
前記有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、前記ゲート電極を含むゲート線上に、そして前記ソース電極及び前記画素電極下に第３絶縁膜を形成する段階をさらに含み、前記第３絶縁膜は前記ゲート電極を露出する第２開口部及び前記第１接触孔を露出する第２接触孔を有し、前記ゲート絶縁体は前記第２開口部内に位置し、前記データ線と前記ソース電極は前記第１及び第２接触孔を通じて接続できる。
【００１７】
前記第１開口部は前記第２開口部より小さくてもよい。
前記有機半導体、前記ゲート絶縁体、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、前記第３絶縁膜及び前記保護膜のうちの少なくとも１つは溶液工程で形成することができる。
前記ゲート絶縁体は前記第１開口部内に、そして前記有機半導体上に位置することができる。
【００１８】
前記有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、前記第１絶縁膜を中心に前記有機発光部材の反対側に位置する遮光部材を形成する段階をさらに含むことができる。
前記第１絶縁膜は無機膜とその上の有機膜を含むことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、１つの重合体に架橋構造が形成できる部分と光配向構造が形成できる部分を共に含むことによって、１回の工程で保護膜と配向膜の機能を同時に果たすことができる。また、有機保護膜と配向膜を単一層で形成することによって、有機保護膜と配向膜の間に物性差で発生する浮き上がりを防止して、均一な配向を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面において多用な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分上にあるとする時、これは他の部分の直上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の直上にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００２１】
（実施例１）
まず、図１及び図２を参照して本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
図１は本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は図１の有機薄膜トランジスタ表示板をII-II線に沿って切断した断面図である。
【００２２】
透明なガラス、シリコンまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達して、主に図１の横方向に伸びている。各ゲート線は上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１を延長してこれと直接接続することができる。
【００２３】
ゲート線１２１はアルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）と銀合金などの銀系金属、金（Ａｕ）と金合金などの金系金属、銅（Ｃｕ）と銅合金などの銅系の金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などで作ることができる。しかし、ゲート線１２１は物理的性質の異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。このうちの１つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすように低い比抵抗金属で形成できる。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）及びＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質で形成される。しかし、ゲート線１２１は多様な金属と導電体により形成することができる。
【００２４】
ゲート線１２１の側面は基板１１０面に対し傾いており、その傾斜角は約３０゜〜８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１上には絶縁膜１４０が形成されている。絶縁膜１４０は無機絶縁物または有機絶縁物で作ることができる。無機絶縁水の例としては、窒化シリコン（ＳｉＮx）及び酸化シリコン（ＳｉＯ2）があり、酸化シリコンの場合にはＯＴＳ（ｏｃｔａｄｅｃｙｌ-ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）で表面処理できる。有機絶縁水の例としては、マレイミドスチレン、ポリビニルフェノール（ＰＶＡ）及びモディファイドシアノエチルプルラン（ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｃｙａｎｏｅｔｈｙｌｐｕｌｌｕｌａｎ、ｍ-ＣＥＰ）がある。絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１４１が形成されている。
【００２５】
絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１が形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達して、主に図の縦方向に伸びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって伸びている複数のソース電極１９３と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路板（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１を延長して、これと直接接続することができる。
【００２６】
画素電極１９１はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１９３と対向する部分（以下、‘ドレイン電極’と言う）１９５を含む。
複数の接触補助部材８１は接触孔１４１を通じてゲート線１２１の端部１２９と接続されている。接触補助部材８１はゲート線１２１の端部１２９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
【００２７】
データ線１７１、画素電極１９１及び接触補助部材８１はＩＺＯまたはＩＴＯなどのような透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で形成することができ、その厚さは約0.1〜0.3μｍとすることができる。
データ線１７１、画素電極１９１及び接触補助部材８１もまた、その側面が基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾いているのが好ましい。
【００２８】
ソース電極１９３、ドレイン電極１９５及び絶縁膜１４０上には複数の島状有機半導体１５４が形成されている。有機半導体１５４はゲート電極１２４上に位置し、ソース電極１９３及びドレイン電極１９５と接する。
有機半導体１５４は共役系（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｓｙｓｔｅｍ）のように電子を容易に移動できる構造を有するオリゴマーまたは重合体で構成することができる。有機半導体１５４は低分子化合物または水溶液や有機溶媒に溶解する高分子化合物で構成することができ、溶解性の低い低分子化合物を溶液工程に適用するために、低分子共役系化合物に親水性または疏水性作用基を結合させた誘導体を利用して形成することもできる。
【００２９】
有機半導体１５４はテトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）またはペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）の置換基を含む誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はまた、チオフェン環（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ ｒｉｎｇ）の２、５位置で連結された４〜８個のチオフェンを含むオリゴチオフェンを含むことができる。
有機半導体１５４はポリチニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）、ポリ-３-ヘキシルチオフェン（ｐｏｌｙ-３-ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリチオフェン、フタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、金属化フタロシアニンまたはそのハロゲン化誘導体を含むことができる。
【００３０】
有機半導体１５４はまた、ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＰＴＣＤＡ）、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＮＴＣＤＡ）またはこれらのイミド誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はペリレンまたはコロネンと、これらの置換基を含む誘導体を含んでもよい。
【００３１】
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１９３及び１つのドレイン電極１９５は、有機半導体１５４と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１９３とドレイン電極１９５の間の有機半導体１５４に形成される。
画素電極１９１は薄膜トランジスタからデータ電圧の印加を受けて共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決める。画素電極１９１と共通電極はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”と言う）を構成して、薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
【００３２】
有機半導体１５４上には複数の遮断部材１８４が形成されている。遮断部材１８４は有機半導体１５４を外部の熱、プラズマまたは化学物質でから保護し、パリレン、フッ素系炭化水素化合物またはポリビニルアルコールなどで形成することができる。遮断部材１８４の平面模様は有機半導体１５４と実質的に同一であってもよい。
遮断部材１８４、データ線１７１、画素電極１９１及び絶縁膜１４０上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は有機半導体１５４を含んだ薄膜トランジスタを保護する一方、液晶を所定の方向に配向するための配向膜の機能を兼ねる。保護膜１８０はゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９には存在しない。
【００３３】
保護膜１８０は主鎖として重合体またはこれらの共重合体を含む。このような重合体または共重合体にはポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイミド、ポリマレイミド、ポリスチレン、マレイミド−スチレン共重合体、ポリエステル、ポリメチルアクリレート、ポリシロキサン及び、これらの共重合体が含まれ、これらは光によって所定方向に配向できる特性を有する。
【００３４】
上述した主鎖には２種類以上の側鎖が結合できる。そのうちの一部は熱または光によって架橋構造を形成することができる重合性基であり、他の一部は光によって所定方向に配向できる配向基である。しかし、上述した主鎖のみで光配向特性が十分な場合には、側鎖に重合性基のみを含むことができる。
重合性基にはオキセタン基、エポキシ基、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、ビニル基、ビニルオキシ基、アジド基及びクロロメチル基などが含まれる。しかし、これに限定されずに光または熱によって架橋構造が形成できる基は全て適用できる。
【００３５】
光配向基にはビニル基、シンナモイル基及びカルコン基などが含まれるが、これに限定されず、光によって特定方向に配向できる基は全て適用できる。
下記の化学式（Ｉ）は重合性基と光配向基を含む構造を例として示す。
【００３６】
【化１】
2007102218.tif 000003
前記構造はポリマレイミドを主鎖とし、ビニル基を含む第１側鎖及びオキセタン基を含む第２側鎖を含む。ここで、ポリマレイミド及び第１側鎖は光配向特性を示し、第２側鎖は架橋構造を形成する。特に、ビニル基は波長が約３１３ｎｍである光で重合して光配向構造を示し、オキセタン基は波長が約３０２ｎｍである光で重合して架橋構造を示す。
【００３７】
このように１つの重合体に架橋構造が形成できる部分と光配向構造が形成できる部分を共に含むことによって、１回の工程で保護膜と配向膜の機能を同時に果たすことができる。
また、有機保護膜と配向膜を単一層で形成することによって、有機保護膜と配向膜の間に物性の差で発生する浮き上がり（ｌｉｆｔｉｎｇ）を防止して、均一な配向を形成することができる。
【００３８】
以下、図１及び図２に示した有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法について図３〜図８と図１及び図２を参照して詳細に説明する。
図３、図５及び図７は図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図であり、図４は図３の有機薄膜トランジスタ表示板をIV-IV線に沿って切断した断面図であり、図６は図５の有機薄膜トランジスタ表示板をVI-VI線に沿って切断した断面図であり、図８は図７の有機薄膜トランジスタ表示板をVIII-VIII線に沿って切断した断面図である。
【００３９】
まず、基板１１０上にスパッタリングなどの方法で金属層を積層し、これをフォトエッチングして、図３及び図４に示したようにゲート電極１２４と端部１２９を含む複数のゲート線１２１を形成する。
次に、図５及び図６に示したように、無機物質を化学気相蒸着（ＣＶＤ）するか、または有機物質をスピンコーティングすることにより、接触孔１４１を有する絶縁膜１４０を形成する。接触孔１４１は無機物質である場合には感光膜を使用したフォトエッチング工程で形成し、感光性有機物質である場合には写真工程のみで形成できる。
【００４０】
また、絶縁膜１４０上に金属層を積層しフォトエッチングして、ソース電極１９３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、ドレイン電極１９５を含む複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１を形成する。
次に、図７及び図８に示したように、真空蒸着で複数の有機半導体１５４を形成する。
また、常温または低温での乾式工程で絶縁層を積層した後、フォトエッチングして有機半導体１５４を十分に覆う複数の遮断部材１８４を形成する。
【００４１】
最後に、図１及び図２に示したように保護膜１８０を形成する。
保護膜１８０はポリマレイミドにビニル基を含む第１側鎖及びオキセタン基を含む第２側鎖が結合されている構造を有する。
以下、ポリマレイミドの合成方法について説明する。
まず、マレイン酸無水物１０ｇ（０．１０ｍｏｌ）とアミノフェノール１０．１ｇ（０．０９ｍｏｌ）をトルエン１００ｍｌに加えて、常温で２時間攪拌してアミド酸（ａｍｉｃ  ａｃｉｄ）を形成する。次いで、このアミド酸を酢酸無水物１００ｍｌに投入して、酢酸ナトリウム（ＣＨ3ＣＯＯＮａ）を使用して９５℃で４時間脱水化反応させて４-アセトキシフェニルマレイミドを得た（化学式（II）参照）。
【００４２】
前述のようにして得られた４-アセトキシフェニルマレイミドを重合開始剤としてＡＩＢＮ（２，２’-ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）を使用してラジカル重合して、ｎ個のマレイミドが重合されたマレイミド重合体を形成する（化学式（III）参照）。
次に、４-アセトキシフェニルマレイミド重合体をメタノール及びアセトンの混合溶媒１リットルにｐ-トルエンスルホン酸５ｇを使用して、８０℃で５時間反応させてフェノール基に置換されたマレイミド重合体を得た（化学式（IV）参照）。
【００４３】
【化２】
2007102218.tif 000004
【００４４】
【化３】
2007102218.tif 000005
【００４５】
【化４】
2007102218.tif 000006
次に、前記で得られた重合体とビニル基を含んで下記の化学式（Ｖ）で示される第１側鎖基及びオキセタン基を含んで下記の化学式（VI）で示される第２側鎖基を反応させて化学式（Ｉ）で示される重合体を得た。
【００４６】
【化５】
2007102218.tif 000007
【００４７】
【化６】
2007102218.tif 000008
このような方法で重合体を合成した。
前述のようにして得られた重合体を基板全面にスピンコーティングで塗布した後、３１３ｎｍ及び３０２ｎｍの紫外線（ＵＶ）を各々照射する。第１側鎖基に含まれたビニル基は３１３ｎｍで反応して光配向構造を形成し、第２側鎖基に含まれたオキセタン基は３０２ｎｍで反応して架橋構造を形成する。
【００４８】
次いで、保護膜１８０をラビングすることができ、場合によっては省略してもよい。
以上の記載においては１つの例のみを示したが、他の主鎖及び側鎖を結合して多様な構造の重合体を合成してもよい。また、前述では光重合の場合のみを例示したが、物質によって熱重合することが可能であり、この時は物質の種類によって１００〜３００℃の温度で行うことができる。
【００４９】
（実施例２）
以下では、図９及び図１０を参照して本発明の他の実施例による有機薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
図９は本発明の他の実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１０は図９の有機薄膜トランジスタ表示板をX-X線に沿って切断した断面図である。
【００５０】
基板１１０上に複数のデータ線１７１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
データ線１７１は主に図９の縦方向に伸びており、各データ線１７１は図９の横方向に突出した複数の突出部１７３と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を含む。
維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受けてデータ線１７１とほとんど平行に伸びる。各維持電極線１３１は２つのデータ線１７１の間に位置して、２つのデータ線１７１のうちの左側に近い。維持電極線１３１は横に拡張された維持電極１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の模様及び配置は多様に変更できる。
【００５１】
データ線１７１及び維持電極線１３１はその側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の傾斜角に傾いているのが好ましい。
データ線１７１及び維持電極線１３１上には層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は無機絶縁物または有機絶縁物で作ることができ、無機絶縁物の例としては窒化シリコン（ＳｉＮx）または酸化シリコン（ＳｉＯ2）がある。層間絶縁膜１６０の厚さは約0.2〜４μｍであってもよい。
【００５２】
層間絶縁膜１６０にはデータ線１７１の端部１７９を露出する複数の接触孔１６２及びデータ線１７１の突出部１７３を露出する複数の接触孔１６３が形成されている。
層間絶縁膜１６０上には複数のゲート線１２１及び複数のストレージキャパシタ用導電体１２７が形成されている。
ゲート線１２１は主に図９の横方向に伸びてデータ線１７１及び維持電極線１３１と交差する。各ゲート線１２１は上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。
【００５３】
ストレージキャパシタ用導電体１２７はゲート線１２１と分離されており、維持電極１３７と重なる。
ゲート線１２１及びストレージキャパシタ用導電体１２７の側面もまた、基板１１０面に対し傾いており、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが好ましい。
ゲート線１２１及びストレージキャパシタ用導電体１２７上には絶縁膜１４０が形成されている。絶縁膜１４０は約２．５〜４．０程度の比較的に低い誘電定数を有する有機物質または無機物質で作られる。有機物質の例としては、ポリアクリール系化合物、ポリスチレン系化合物、ベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）などの溶解性高分子化合物があり、無機物質の例としては窒化シリコン及び酸化シリコンがある。絶縁膜１４０の厚さは0.5〜４μｍ程度であり得る。
【００５４】
このように誘電定数の低い絶縁膜１４０をおくことによって、データ線１７１及びゲート線１２１と上部導電層との寄生容量を減らすことができる。
絶縁膜１４０はデータ線１７１の端部１７９付近には存在しない。これはデータ線１７１の端部１７９上に形成された層間絶縁膜１６０と絶縁膜１４０とが接着性不良により分離することを防止する一方、データ線１７１の端部１７９と外部回路が効果的に接続できるように層間絶縁膜の厚さを減らすためである。
【００５５】
絶縁膜１４０にはゲート電極１２４を露出する複数の開口部１４６、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１４１、接触孔１６３とデータ線１７１の突出部１７３を露出する複数の接触孔１４３、そしてストレージキャパシタ用導電体１２７を露出する複数の接触孔１４７が形成されている。
絶縁膜１４０の開口部１４６内には複数のゲート絶縁体１４４が形成されている。ゲート絶縁体１４４はゲート電極１２４を覆い、その厚さは0.1〜１μｍ程度である。開口部１４６の側壁はその高さがゲート絶縁体１４４より高くて絶縁膜１４０が枠（ｂａｎｋ）の役割を果たし、開口部１４６はゲート絶縁体１４４の表面が平坦になるように十分な大きさを有する。
【００５６】
ゲート絶縁体１４４は約３．５〜１０程度の比較的に高い誘電定数を有する有機物質または無機物質で作られる。このような有機物質の例としてはポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール系化合物、ポリフルオラン系化合物、パリレンなどの溶解性高分子化合物があり、無機物質の例としてはオクタデキルトリクロロシラン（ＯＴＳ）で表面処理された酸化シリコンなどがある。特に、ゲート絶縁体１４４の誘電定数は絶縁膜１４０より高いことが好ましい。
【００５７】
絶縁膜１４０及びゲート絶縁体１４４上には複数のソース電極１９３、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＺＯまたはＩＴＯなどのような透明な導電物質で構成することができ、その厚さは約0.03〜0.08μｍであり得る。
ソース電極１９３は接触孔１４３、１６３を通じてデータ線１７１と接続されていて、ゲート電極１２４上に伸びている。
【００５８】
画素電極１９１は接触孔１４７を通じてストレージキャパシタ用導電体１２７と接続されており、ゲート絶縁体１４４上でゲート電極１２４を中心にソース電極１９３と対向するドレイン電極１９５を含む。ドレイン電極１９５とソース電極１９３の対向する２つの辺は互いに平行であり、かつ蛇行する形状に構成されている。画素電極１９１はゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を高める。
【００５９】
接触補助部材８１、８２は各々接触孔１４１、１６２を通じてゲート線１２１の端部１２９とデータ線１７１の端部１７９と各々接続される。
ソース電極１９３、画素電極１９１、ゲート絶縁体１４４及び絶縁膜１４０上には複数の絶縁枠１８８が形成されている。枠１８８は溶液工程が可能な感光性有機物質で作られ、その厚さは約0.5〜４μｍであり得る。
【００６０】
各枠１８８には開口部１８６が形成されている。開口部１８６はゲート電極１２４及びゲート絶縁体１４４上に位置し、ソース電極１９３及びドレイン電極１９５とその間のゲート絶縁体１４５を露出する。枠１８８の開口部１８６はその下に位置し、ゲート絶縁体１４４が入っている絶縁膜１４０の開口部１４６より小さい。したがって、ゲート絶縁体１４４を枠１８８が堅固に固定して浮き上がり（ｌｉｆｔｉｎｇ）を防止することができ、製造過程で化学溶液が浸透することを減らすことができる。
【００６１】
枠１８８の開口部１８６内には複数の島状有機半導体１５４が形成されている。有機半導体１５４はゲート電極１２４上部でソース電極１９３及びドレイン電極１９５と接しており、その高さが枠１８８より低くて枠１８８で完全に閉じ込められている。このように有機半導体１５４が枠１８８によって完全に閉じ込められて側面が露出されていないので、後続工程で有機半導体１５４の側面に化学液などが浸透することを防止することができる。
【００６２】
有機半導体１５４は水溶液や有機溶媒に溶解する高分子化合物や低分子化合物を含むことができ、インクジェット印刷法で形成することができる。しかし、有機半導体１５４はスピンコーティング、スリットコーティングなどの他の溶液工程または化学的または物理的蒸着などの方法で形成してもよい。この場合、枠１８８は省略できる。
有機半導体の厚さは約0.03〜0.3μｍであり得る。
【００６３】
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１９３及び１つのドレイン電極１９５は有機半導体１５４と共に１つの有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）Ｑを構成し、薄膜トランジスタＱのチャンネルはソース電極１９３とドレイン電極１９５の間の有機半導体１５４に形成される。
このような有機薄膜トランジスタＱにおいて、上述したようにゲート電極１２４と有機半導体１５４の間にあるゲート絶縁体１４４の誘電定数が高いために、有機薄膜トランジスタＱのしきい電圧が低くなって、駆動電流量が高くなって有機薄膜トランジスタＱの性能を改善できる。
【００６４】
また、ゲート電極１２４とソース/ドレイン電極１９３/１９５の間にある絶縁膜１４０は誘電定数が低いためにこれらの間の寄生容量が減る。
画素電極１９１は薄膜トランジスタＱからデータ電圧の印加を受けて、共通電圧の印加を受ける他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決める。画素電極１９１と共通電極は液晶キャパシタを構成して薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
【００６５】
有機半導体１５４上には複数の遮断部材１８４が形成されている。遮断部材１８４はフッ素系炭化水素化合物またはポリビニルアルコール系化合物などで形成され、外部の熱、プラズマまたは化学物質でから有機半導体１５４を保護する。
遮断部材１８４、有機薄膜トランジスタＱ及び枠１８８上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は図１及び図２に示した保護膜１８０と同様に有機半導体１５４を含む有機薄膜トランジスタＱを保護する一方、液晶を所定方向に配向するための配向膜の機能を兼ねる。
【００６６】
図１及び図２に示した有機薄膜トランジスタ表示板の多くの特徴が図９及び図１０に示した有機薄膜トランジスタ表示板にも適用できる。
以下では、図９及び図１０に示した有機薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について図１１〜図２０と図９及び図１０を参照して詳細に説明する。
図１１、図１３、図１５、図１７、図１９は、図９及び図１０の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図であり、図１２は図１１の有機薄膜トランジスタ表示板をXII-XII線に沿って切断した断面図であり、図１４は図１３の有機薄膜トランジスタ表示板をXIV-XIV線に沿って切断した断面図であり、図１６は図１５の有機薄膜トランジスタ表示板をXVI-XVI線に沿って切断した断面図であり、図１８は図１７の有機薄膜トランジスタ表示板をXVIII-XVIII線に沿って切断した断面図であり、図２０は図１９の有機薄膜トランジスタ表示板をXX-XX線に沿って切断した断面図である。
【００６７】
まず、基板１１０上にスパッタリングなどの方法で金属層を積層し、これをフォトエッチングして、図１１及び図１２に示したように突出部１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１を形成する。
次に、図１３及び図１４に示したように、無機物質を化学気相蒸着したり有機物質をスピンコーティングして、複数の接触孔１６３、１６２を有する層間絶縁膜１６０を形成する。接触孔１６３、１６２は、無機物質である場合には感光膜を使用したフォトエッチング工程で形成し、感光性有機物質である場合には写真工程のみで形成できる。
【００６８】
次いで、層間絶縁膜１６０上に金属層を積層しフォトエッチングして、ゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１及び複数のストレージキャパシタ用導電体１２７を形成する。
また、図１５及び図１６に示すように、感光性有機物などをスピンコーティングしパターニングして、複数の開口部１４６及び複数の接触孔１４１、１４３、１４７を有する絶縁膜１４０を形成する。この時、データ線１７１の端部１７９付近は有機物が全て除去されるようにする。
【００６９】
次いで、絶縁膜１４０の開口部１４６にインクジェット印刷法などで複数のゲート絶縁体１４４を形成する。インクジェット印刷法でゲート絶縁体１４４を形成する場合、開口部１４６に溶液を滴下した後、乾燥する。しかし、これに限定されず、スピンコーティング、スリットコーティングなどの多様な溶液工程で形成してもよい。
次に、図１７及び図１８を参照すれば、非晶質ＩＴＯなどをスパッタリングした後、フォトエッチングしてデータ電極１９５を含む複数の画素電極１９１、複数のソース電極１９３及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
【００７０】
スパッタリングの温度は約２５℃〜約１３０℃の低温、特に常温であるのが好ましく、非晶質ＩＴＯは弱塩基性エッチング液を使用してエッチングするのが好ましい。このようにＩＴＯを低温で形成して弱塩基性エッチング液でエッチングすることによって、有機物で作られた下部のゲート絶縁体１４４及び絶縁膜１４０が熱及び化学液によって損傷することを防止できる。
【００７１】
次に、図１９及び図２０に示したように、感光性有機膜を塗布及び現像して、開口部１８６を有する複数の枠１８８を形成する。
また、図９及び図１０に示したように、開口部１８６にインクジェット印刷法などで複数の有機半導体１５４及び複数の遮断部材１８４を連続して形成する。
最後に、保護膜１８０を形成した後、ラビングする。
【００７２】
（実施例３）
以下では、本発明の他の実施例による液晶表示装置用有機薄膜トランジスタ表示板について図２１及び図２２を参照して詳細に説明する。
図２１は本発明の他の実施例による有機薄膜トランジスタの示した配置図であり、図２２は図２１の有機薄膜トランジスタ表示板をXXII-XXII線に沿って切断した断面図である。
【００７３】
基板１１０上に複数のデータ線１７１及び複数の遮光部材１７４が形成されている。
データ線１７１は主に図21の縦方向に伸びており、図21の横方向に突出している複数の突出部１７３及び他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を含む。
遮光部材１７４はデータ線１７１と離れている。
データ線１７１及び遮光部材１７４の側面は各々傾いており、その傾斜角は基板１１０の表面に対して約３０°〜８０°である。
【００７４】
データ線１７１及び遮光部材１７４上には下部及び上部絶縁膜１６０ｐ、１６０ｑを含む層間絶縁膜１６０が形成されている。下部絶縁膜１６０ｐは窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの無機絶縁物質で作ることができ、上部絶縁膜１６０ｑは耐久性に優れたポリアクリール、ポリイミド及び/またはベンゾシクロブテン（Ｃ10Ｈ8）などを含む有機絶縁物質で形成することもできる。場合によって、下部絶縁膜１６０ｐ及び上部絶縁膜１６０ｑのうちのいずれか１つを省略することもできる。
【００７５】
層間絶縁膜１６０にはデータ線１７１を露出する複数の接触孔１６３及びデータ線１７１の端部１７９を露出する複数の接触孔１６２が形成されている。
層間絶縁膜１６０上には複数のソース電極１９３、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８２が形成されている。ソース電極１９３、画素電極１９１及び接触補助部材８２はＩＺＯまたはＩＴＯなどのような透明な導電物質または反射度の高い導電物質からなることができる。
【００７６】
ソース電極１９３は接触孔１６３を通じてデータ線１７１の突出部１７３と接続されている。
画素電極１９１はゲート電極１２４を中心にソース電極１９３と反対側に位置している部分１９５を含み、これを以下ではドレイン電極と言う。ソース電極１９３とドレイン電極１９５は互いに平行に対向して曲がりくねった蛇行する形状の境界線を有する。画素電極１９０はゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を高める。
【００７７】
接触補助部材８２は接触孔１６２を通じてデータ線１７１の端部１７９と接続されている。接触補助部材８２はデータ線１７１の端部１７９と駆動集積回路のような外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
ソース電極１９３及び画素電極１９１上には絶縁膜１４０が形成されている。絶縁膜１４０にはソース電極１９３及びドレイン電極１９５の互いに対向して蛇行状態の境界をはじめとする一部を露出する複数の開口部１４６が形成されている。絶縁膜１４０はポリアクリールまたはポリイミドのような感光性有機絶縁物質からなり、約１〜３μｍの厚さで形成されている。
【００７８】
絶縁膜１４０の開口部１４６には複数の島状有機半導体１５４が形成されている。有機半導体１５４はゲート電極１２４及び遮光部材１７４上に位置し、ソース電極１９３及びドレイン電極１９５と接触する。
有機半導体１５４はポリチニレン、オリゴチオフェン、ポリ-３-ヘキシルチオフェンまたは溶解性ペンタセンのように溶液形態に製造できる有機半導体化合物からなることができる。有機半導体１５４はインクジェット印刷で形成でき、その厚さは約0.05〜0.2μｍである。
【００７９】
有機半導体１５４上には複数のゲート絶縁体１４４が形成されている。ゲート絶縁体１４４は有機半導体１５４と共に開口部１４６内に限定されている。ゲート絶縁体１４４はフッ素系炭化水素化合物、ポリビニルアルコールまたはポリイミドのように有機絶縁物質からなることができ、インクジェット法で形成できる。
このように有機半導体１５４が絶縁膜１４０及びゲート絶縁体１４４によって完全に囲まれているので、製造工程で有機半導体１５４の損傷を減らすことができる。
【００８０】
有機半導体１５４下に位置する遮光部材１７４は入射光を遮断して光漏洩電流を防止する。
絶縁膜１４０及びゲート絶縁体１４４上には複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１は主に図の横方向に伸びてデータ線１７１と交差する。各ゲート線１２１は上に突出した複数のゲート電極１２４及び他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１２９を含む。
【００８１】
維持電極線１３１の各々は隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、幹線、複数の維持電極１３３を含む。幹線はゲート線１２１とほとんど平行に伸びており、２つの隣接したゲート線１２１のうちの上側に近い。維持電極１３３は幹線から分かれて幹線と共に長方形をなして閉じられた領域を定義する。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は各々傾いており、その傾斜角は基板１１０の表面に対して約３０〜８０゜である。
【００８２】
１つのゲート電極１２４は１つのソース電極１９３、１つのドレイン電極１９５及び１つの有機半導体１５４と共に有機薄膜トランジスタＱを構成し、有機薄膜トランジスタＱのチャンネルはソース電極１９３とドレイン電極１９５の間の有機半導体１５４に形成される。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１を含む前面には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は図１及び図２に示した保護膜１８０と同様に配向性を有する。
【００８３】
図１〜図２０に示した有機薄膜トランジスタ表示板の多くの特徴が図２１及び図２２に示した有機薄膜トランジスタ表示板にも適用できる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１の有機薄膜トランジスタ表示板をII-II線に沿って切断した断面図である。
【図３】図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図４】図３の有機薄膜トランジスタ表示板をIV-IV線に沿って切断した断面図である。
【図５】図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図６】図５の有機薄膜トランジスタ表示板をVI-VI線をよって切断して示した断面図である。
【図７】図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図８】図７の有機薄膜トランジスタ表示板をVIII-VIII線に沿って切断した断面図である。
【図９】本発明の他の実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１０】図９の有機薄膜トランジスタ表示板をX-X線に沿って切断した断面図である。
【図１１】図９及び図１０の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図１２】図１１の有機薄膜トランジスタ表示板をXII-XII線に沿って切断した断面図である。
【図１３】図９及び図１０の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図１４】図１３の有機薄膜トランジスタ表示板をXIV-XIV線に沿って切断した断面図である。
【図１５】図９及び図１０の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図１６】図１５の有機薄膜トランジスタ表示板をXVI-XVI線に沿って切断した断面図である。
【図１７】図９及び図１０の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図１８】図１７の有機薄膜トランジスタ表示板をXVIII-XVIII線に沿って切断した断面図である。
【図１９】図９及び図１０の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図２０】図１９の有機薄膜トランジスタ表示板をXX-XX線に沿って切断した断面図である。
【図２１】本発明の他の実施例による有機薄膜トランジスタを示した配置図である。
【図２２】図２１の有機薄膜トランジスタ表示板をXXII-XXII線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
８１、８２  接触補助部材
１１０  絶縁基板
１２１、１２９  ゲート線
１２４  ゲート電極
１２７  ストレージキャパシタ用導電体
１３１  維持電極善
１３３、１３７  維持電極
１４０  絶縁膜
１４１、１４３、１４７、１６２，１６３  接触孔
１４４  ゲート絶縁体
１４６、１８６  開口部
１５４  有機半導体
１６０、１６０ｐ、１６０ｑ  層間絶縁膜
１７１、１７３、１７９  データ線
１７４  遮光部材
１８０  保護膜
１８４  遮断部材
１８８  枠
１９１  画素電極
１９３  ソース電極
１９５  ドレイン電極
Ｑ  有機薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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