(57)【要約】【課題】消費電力を確実に低減できる電気光学装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置１は、走査線１０と、データ線２０と、走査線１０とデータ線２０の交差に対応して設けられた画素電極５５および画素トランジスタ５１と、を有する液晶パネルＡＡを備える。液晶パネルＡＡには、受光して電力を発生する太陽電池セル８０が設けられる。太陽電池セル８０により、環境光やバックライト光などの入射光から電力を発生させて、この発生した電力を利用して、走査線１０、データ線２０、画素電極５５、および画素トランジスタ５１を駆動できる。よって、液晶パネルＡＡ外部の外部駆動回路９０から供給する電力を削減できるから、消費電力を確実に低減できる。【選択図】図１
2007171321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線の交差に対応して設けられた画素電極およびスイッチング素子と、を有する基板を備える電気光学装置であって、
前記基板には、受光して電力を発生する光電変換素子が設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記基板の前記画素電極が形成される領域に光を照射する光源を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記光電変換素子は、前記基板の前記画素電極が形成される領域に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記画素電極が形成される領域は、反射領域と透過領域とを有し、
前記光電変換素子は、前記透過領域に形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記光電変換素子は、前記基板の前記画素電極が形成される領域を除いた領域に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記基板の前記画素電極が形成される領域を除いた領域には、環境光を遮断する遮光領域が形成され、
前記光電変換素子は、前記遮光領域に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶表示装置などの電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。この電気光学装置は、例えば、第１の基板と、この第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設けられた液晶と、第１の基板の第２の基板とは反対側に設けられたバックライトと、を備える。
第１の基板は、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、走査線およびデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する。また、第２の基板の第１の基板側には、共通電極が設けられている。これら走査線、データ線、画素回路、および共通電極は、制御回路に接続されている。
【特許文献１】特開２００５−１２１９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、近年、携帯電話などの電気光学装置では、例えば待受時間を長くするため、さらなる低消費電力化が要請されている。
そこで、例えば、太陽光を含む電気光学装置の周囲の光すなわち環境光の強度に応じて、バックライトの出力を制御する電気光学装置がある（特許文献１参照）。具体的には、この電気光学装置では、表示領域の近傍に環境光を検出するための光センサが設けられている。この光センサは、環境光の強度に応じて出力が変化するため、この光センサの出力に基づいてバックライトを制御することで、環境光に応じてバックライトを制御できる。
【０００４】
しかしながら、特許文献１で示された電気光学装置では、環境光だけではなく、電気光学装置内部の光つまりバックライトからの光も検出してしまったり、光の強度に対する電流値が温度特性により変化したりするため、センシングの精度が一定せず、確実に消費電力を低減することは困難であった。
【０００５】
本発明は、消費電力を確実に低減できる電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は、走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線の交差に対応して設けられた画素電極およびスイッチング素子と、を有する基板を備える電気光学装置であって、前記基板には、受光して電力を発生する光電変換素子が設けられることを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、基板に光電変換素子を設けたので、光電変換素子により、環境光やバックライト光などの入射光から電力を発生させて、この発生した電力を利用して、走査線、データ線、画素電極、およびスイッチング素子を駆動できる。よって、基板外部から供給する電力を削減できるから、消費電力を確実に低減できる。
さらには、入射光量が大きく、光電変換素子で生成される電力と、電気光学装置で消費される電力が等しい場合には、電気光学装置で消費される電力を全てまかなうことができ、実質的な消費電力をゼロにすることもできる。
【０００８】
上述の電気光学装置では、前記基板の前記画素電極が形成される領域に光を照射する光源を備えることが好ましい。
【０００９】
この発明によれば、基板の画素電極が形成される領域に光を照射する光源を設けたので、環境光が十分に得られない場合でも、この光源からの光を利用して発電することができ、消費電力を低減することができる。
【００１０】
上述の電気光学装置では、前記光電変換素子は、前記基板の前記画素電極が形成される領域に設けられることが好ましい。
【００１１】
この発明によれば、光電変換素子を基板の画素電極が形成される領域に設けた。画素電極が形成される領域には、外部から環境光が入射するから、この光電変換素子により環境光を利用して発電できる。
【００１２】
上述の電気光学装置では、前記画素電極が形成される領域は、反射領域と透過領域とを有し、前記光電変換素子は、前記透過領域に形成されることが好ましい。
【００１３】
この発明によれば、光電変換素子を透過領域に設けたので、外部からの環境光だけでなく、バックライト光を利用して発電できるから、安定して発電できる。
【００１４】
上述の電気光学装置では、前記光電変換素子は、前記基板の前記画素電極が形成される領域を除いた領域に設けられることが好ましい。
【００１５】
この発明によれば、光電変換素子を、基板の画素電極が形成される領域を除いた領域に設けた。よって、光電変換素子により、画素の開口率を低下させることなく発電できる。
【００１６】
上述の電気光学装置では、前記基板の前記画素電極が形成される領域を除いた領域には、環境光を遮断する遮光領域が形成され、前記光電変換素子は、前記遮光領域に設けられることが好ましい。
【００１７】
この発明によれば、光電変換素子を遮光領域に設けたので、余分なバックライト光のみを利用して発電でき、バックライト光を有効利用できる。
【００１８】
本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。
電気光学装置１は、液晶パネルＡＡと、この液晶パネルＡＡを駆動する外部駆動回路９０と、光源としてのバックライト３１と、を備える。
【００２０】
液晶パネルＡＡは、複数の画素５０および光電変換素子で構成される太陽電池セル８０を有する表示領域Ａと、この表示領域Ａの周辺に設けられて画素５０を駆動する走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１と、を備える。また、データ線駆動回路２１の近傍には、液晶パネルＡＡと外部駆動回路９０とのインターフェイスである実装部品３２が設けられている。
【００２１】
バックライト３１は、液晶パネルＡＡの裏面に設けられ、例えば、冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）やＬＥＤ（発光ダイオード）で構成されて、液晶パネルＡＡの画素５０に光を照射する。
【００２２】
外部駆動回路９０は、液晶パネルＡＡに電源を供給する電源回路９１と、液晶パネルＡＡに画像信号を供給する画像処理回路９２と、この画像処理回路９２や液晶パネルＡＡにクロック信号やスタート信号を出力するタイミング発生回路９３と、バックライト３１を制御するバックライト制御回路９４と、を備える。
【００２３】
電源回路９１は、駆動信号を液晶パネルＡＡに供給し、走査線駆動回路１１やデータ線駆動回路２１などを駆動する。
【００２４】
画像処理回路９２は、入力画像データに液晶パネルＡＡの光透過特性を考慮したγ補正を施した後、各色の画像データをＤ／Ａ変換して画像信号を生成し、この画像信号を液晶パネルＡＡに供給する。
【００２５】
タイミング発生回路９３は、画像処理回路９２に入力される入力画像データに同期して、クロック信号やスタート信号を生成し、液晶パネルＡＡ上の走査線駆動回路１１やデータ線駆動回路２１に供給する。さらに、タイミング発生回路９３は、各種のタイミング信号を生成して、画像処理回路９２に出力する。
【００２６】
バックライト制御回路９４は、輝度を制御する制御信号をバックライト３１に出力する。
【００２７】
以下、液晶パネルＡＡの構成について詳述する。
液晶パネルＡＡは、複数の走査線１０と、これら走査線１０に交差し所定間隔おきに設けられた複数のデータ線２０と、を備え、画素５０は、各走査線１０と各データ線２０との交差部に設けられる。
【００２８】
画素５０は、画素トランジスタ５１、画素電極５５、この画素電極５５に対向する共通電極５６、および、一端が画素電極５５に電気的に接続され他端が共通線３０に電気的に接続された蓄積容量５３で構成される。
【００２９】
画素トランジスタ５１のゲート電極には、走査線１０が接続され、画素トランジスタ５１のソース電極には、データ線２０が接続され、画素トランジスタ５１のドレイン電極には、画素電極５５および蓄積容量５３が接続されている。画素電極５５と共通電極５６との間には、液晶が挟持される。したがって、この画素トランジスタ５１は、走査線１０から選択電圧が印加されると、データ線２０と画素電極５５および蓄積容量５３とを導通状態とする。
【００３０】
走査線駆動回路１１は、画素トランジスタ５１を導通状態にする選択電圧を各走査線１０に線順次で供給する。例えば、ある走査線１０に選択電圧が供給されると、この走査線１０に接続された画素トランジスタ５１が全て導通状態になり、この走査線１０に係る画素５０が全て選択される。
データ線駆動回路２１は、画像信号を各データ線２０に供給し、オン状態の画素トランジスタ５１を介して、画素５０の画素電極５５に画像データを順次書き込む。
【００３１】
太陽電池セル８０は、液晶パネルＡＡ上を引き回されて、外部駆動回路９０の電源回路９１に接続されている。
【００３２】
図２は、太陽電池セル８０の構成を示すブロック図である。
太陽電池セル８０は、液晶パネルＡＡの表示領域Ａに設けられている。例えば、この太陽電池セル８０は、光電変換素子としての太陽電池８１を１０段直列接続し、この直列接続した太陽電池８１を５列並列接続して構成される。
ここで、太陽電池８１は、受光して電力を発生するＰＩＮダイオードであり、このＰＩＮダイオードのＮ領域側は、負電源Ｖ−に接続され、Ｐ領域側は、出力端Ｖｏｕｔとなっている。
【００３３】
図３は、１０段直列接続したＰＩＮダイオードの発電量を示す図である。
ＰＩＮダイオードを複数段直列したのは、ＰＩＮダイオード１個では僅かな電圧しか得られないが、複数段直列接続することにより、十分な電圧を確保できるからである。
具体的には、図３には、照度が０ｌｘ、１００ｌｘ、１０００ｌｘ、５０００ｌｘ、１００００ｌｘである場合について、１０段直列接続したＰＩＮダイオードの電流（Ｉ）と電圧（Ｖ）との関係が示されている。
例えば、照度１００００ｌｘにおいては、略２．２Ｖの起電力を得ることができ、また、１Ｅ−９Ａ程度の電流が流れても、１．８Ｖ程度の電圧を得ることができる。
【００３４】
図４は太陽電池セル８０の動作を示すブロック図である。
電源回路９１は、低振幅の電圧を高振幅の電圧に変換する昇圧回路９１１と、この変換した電圧を所定の電圧に調節するレギュレータ９１２からなる補助電源回路９１３を有する。
太陽電池セル８０から取り出された電圧は、補助電源回路９１３において駆動信号に変換されて、電源回路９１で生成される駆動信号とともに、電源回路９１から液晶パネルＡＡに出力される。つまり、太陽電池セル８０で生成された電力は、補助電源として利用される。
【００３５】
以上の電気光学装置１は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路１１から選択電圧を線順次で供給することで、ある走査線１０に係る画素５０を全て選択する。そして、これら画素５０の選択に同期して、データ線駆動回路２１からデータ線２０に画像信号を供給する。これにより、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路２１で選択した全ての画素５０に、データ線２０から画素トランジスタ５１を介して画像信号が供給されて、画像データが画素電極５５に書き込まれる。
【００３６】
画素５０の画素電極５５に画像データが書き込まれると、この画素電極５５と共通電極５６との電位差により、液晶に駆動電圧が印加される。したがって、画像信号の電圧レベルを変化させることで、液晶の配向や秩序を変化させて、各画素５０の光変調による階調表示を行う。
なお、液晶に印加される駆動電圧は、蓄積容量５３により、画像データが書き込まれる期間よりも３桁も長い期間に亘って保持される。
【００３７】
図５は、電気光学装置１を構成する画素５０の拡大平面図である。図６は、電気光学装置１のＡ−Ａ断面図である。
【００３８】
図５および図６に示すように、上述の液晶パネルＡＡは、画素５０に対応してスイッチング素子としての画素トランジスタ５１が配置された基板としての素子基板６０と、この素子基板６０に対向配置された第２の基板としての対向基板７０と、素子基板６０および対向基板７０の間に挟持された電気光学物質としての液晶と、から構成されている。
【００３９】
図５に示すように、素子基板６０において、各画素５０は、互いに隣り合う走査線１０および負電源線８２と、互いに隣り合うデータ線２０および出力線８３とで囲まれた領域となっている。
この各画素５０は、透過型表示を行う透過領域５０Ａと反射型表示を行う反射領域５０Ｂとを備える。
本実施形態では、画素トランジスタ５１は、ポリシリコンＴＦＴであり、反射領域５０Ｂには、このＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃ（図５中破線で囲まれた部分）が設けられている。
【００４０】
まず、素子基板６０について説明する。
素子基板６０は、ガラス基板６８を有し、このガラス基板６８上には、ガラス基板６８の表面荒れや汚れによるＴＦＴ５１の特性の変化を防止するために、全面に亘って下地絶縁膜（図示省略）が形成されている。
この下地絶縁膜上のＴＦＴが形成される領域５０Ｃには、ポリシリコンからなる半導体層（図示省略）およびゲート絶縁膜（図示省略）が積層される。この半導体層は、ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域を含んでいる。
【００４１】
ＴＦＴが形成される領域５０Ｃのゲート絶縁膜上、および、下地絶縁膜上には、遮光性の導電材料からなる上述の走査線１０および負電源線８２のほか、反射領域５０Ｂに蓄積容量５３の共通電位側容量電極５３１が形成されている。
【００４２】
走査線１０は、データ線２０との交差部の近傍において、ＴＦＴが形成される領域５０Ｃ側に突出し、ＴＦＴ５１のゲート電極５１１となる。このゲート電極５１１は、半導体層のチャネル領域に対向する。
【００４３】
共通電位側容量電極５３１は、走査線１０と同じ導電材料からなり、共通電位に接続される。この共通電位側容量電極５３１は、図５に示すように、ＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃを除いて、反射領域５０Ｂの大部分を占めるように形成される。
【００４４】
以上の走査線１０、負電源線８２、および共通電位側容量電極５３１の上には、反射領域５０Ｂおよび透過領域５０Ａを含む画素５０の全面に亘って、第１の絶縁膜６２が形成される。
【００４５】
第１の絶縁膜６２上のＴＦＴが形成される領域５０Ｃには、半導体層のソース領域に対向して、ソース電極５１２が形成され、半導体層のドレイン領域に対向して、ドレイン電極５１３が形成される。これにより、ポリシリコンＴＦＴが形成される。
【００４６】
ドレイン電極５１３は、第１の絶縁膜６２上の共通電位側容量電極５３１に対向する領域まで延設され、蓄積容量５３の画素電位側容量電極５３２として機能する。すなわち、このドレイン電極５１３からなる画素電位側容量電極５３２は、この画素電位側容量電極５３２に対して第１の絶縁膜６２を挟んで対向する共通電位側容量電極５３１とともに、蓄積容量５３を構成する。したがって、画素電位側容量電極５３２と共通電位側容量電極５３１と間の第１の絶縁膜６２は、蓄積容量５３の誘電体膜として機能する。
【００４７】
ソース電極５１２は、データ線２０と同一の導電材料（同層）で形成される。すなわち、データ線２０からソース電極５１２が延出される構成となる。データ線２０は、走査線１０および共通線３０に対して交差するように配設されている。
【００４８】
このように、データ線２０と走査線１０および共通線３０との間に第１の絶縁膜６２を設けることにより、走査線１０および共通線３０とデータ線２０とが絶縁される。
【００４９】
ソース電極５１２、ドレイン電極５１３（画素電位側容量電極５３２）、およびデータ線２０上には、反射領域５０Ｂおよび透過領域５０Ａを含む画素５０の全面に亘って、第２の絶縁膜６４が被覆される。
【００５０】
反射領域５０Ｂの第２の絶縁膜６４上には、アクリル樹脂からなる液晶層厚調整層６５が形成されている。
液晶層厚調整層６５の液晶層側の表面には、反射光を散乱させるための凹部６５１が複数かつ不規則に形成されている。
【００５１】
この液晶層厚調整層６５の上には、反射膜６６が形成されている。この反射膜６６は、液晶層厚調整層６５の凹部６５１に合わせて凹凸を形成し、光を散乱させ反射させる機能を有する。そして、反射膜６６のうち凹部６５１を除いた領域は、入射光を反射する機能を有する。
【００５２】
この第２の絶縁膜６４の上（反射領域５０Ｂにおいては反射膜６６上）には、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明電極からなる上述の画素電極５５が形成されている。
第２の絶縁膜６４および液晶層厚調整層６５には、画素電極５５をドレイン電極５１３に接続するためのコンタクトホール（図示省略）が形成され、画素電極５５は、このコンタクトホールを介して、画素電位側容量電極５３２およびＴＦＴ５１のドレイン電極５１３に電気的に接続される。
画素電極５５上には、ポリイミド膜などの有機膜からなる配向膜（図示省略）が形成されている。
【００５３】
次に、対向基板７０について説明する。
対向基板７０は、ガラス基板７４を有し、このガラス基板７４のデータ線２０および共通線３０に対向する位置には、ブラックマトリクスを成す遮光膜７１が形成される。
ガラス基板７４および遮光膜７１上には、カラーフィルタの着色層７２が形成される。本実施形態では、透過領域５０Ａと反射領域５０Ｂを結ぶ方向に隣り合う画素５０は、同じ色の着色層７２を有している。カラーフィルタの着色層７２上には、画素電極５５に対向するＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなる共通電極５６が形成される。共通電極５６上には、配向膜（図示省略）が形成されている。
【００５４】
素子基板６０と対向基板７０との間には、液晶層が形成され、この液晶層は、素子基板６０および対向基板７０の周囲に形成された図示しないシール材により封止されている。液晶層は、液晶層厚調整層６５が設けられた反射領域５０Ｂでは、層厚が薄く、透過領域５０Ａでは層厚が厚く構成され、反射表示と透過表示で光が液晶層を通過する光路（距離）が同じようになるように調整されている。
【００５５】
素子基板６０および対向基板７０の表面には、図示しない位相差板や偏光板が設けられている。
素子基板６０に対向する位置には、光源としてのバックライト３１が設けられる。
【００５６】
次に、電気光学装置１の反射型表示および透過型表示について説明する。
電気光学装置１は、周囲光が少ない環境では、バックライト３１からの光を利用して、透過型の表示を行う。すなわち、図６中矢印で示すように、バックライト３１から出射された光は、素子基板６０に設けられた偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板６８、第１の絶縁膜６２、第２の絶縁膜６４、および画素電極５５を透過して液晶層に入射する。
【００５７】
液晶層に入射した光は、液晶により印加電圧に応じて偏光方向が回転され、共通電極５６、カラーフィルタの着色層７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０の偏光板（図示省略）に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過する。
【００５８】
一方、周囲光が十分にある環境では、反射型の表示を行う。すなわち、図６中矢印で示すように、外部から入射した環境光は、対向基板７０の偏光板（図示省略）で直線偏光となり、ガラス基板７４、カラーフィルタの着色層７２、共通電極５６を透過して、液晶層に入射する。液晶層に入射した光は、画素電極５５を透過して、反射膜６６で反射され、再び画素電極５５を透過して、液晶層を通過する。この液晶層を通過する間に、印加電圧に応じて偏光方向が回転される。液晶層を通過した光は、再び、共通電極５６、カラーフィルタの着色層７２、およびガラス基板７４を透過して、対向基板７０の偏光板に達する。偏光板に達した光は、液晶による偏光方向の回転量に応じて、偏光板を透過する。
【００５９】
次に、太陽電池８１の構造について説明する。
図７は、太陽電池セル８０を構成する太陽電池８１の拡大平面図である。図８は、太陽電池８１のＢ−Ｂ断面図である。
図５にも示すように、透過領域５０Ａにおいて、ガラス基板６８上の下地絶縁膜上には、太陽電池８１が所定間隔おきに一直線状に配置されている。この太陽電池８１は、それぞれ、ｐ型半導体層８１Ａと、ｎ型半導体層８１Ｃと、ｐ型半導体層８１Ａおよびｎ型半導体層８１Ｃの間に形成されたｉ型半導体層８１Ｂと、を有し、画素トランジスタ５１であるポリシリコンＴＦＴと同一工程で形成されたものである。
【００６０】
一直線状に配置された太陽電池８１のうち一端側に位置するもののｎ型半導体層８１Ｃには、負電源線８２が延長されて接続されている（図５参照）。
【００６１】
これら太陽電池８１および負電源線８２の上には、上述の第１の絶縁膜６２が形成されている。第１の絶縁膜６２には、各太陽電池８１のｐ型半導体層８１Ａおよびｎ型半導体層８１Ｃに連通するコンタクトホール６２１が形成されている。
第１の絶縁膜６２上には、コンタクトホール６２１を介して、互いに隣り合う太陽電池８１のｐ型半導体層８１Ａとｎ型半導体層８１Ｃとを接続する中継層８４が形成されている。また、コンタクトホール６２１を介して、一直線状に配置された太陽電池８１のうち他端側に位置するもののｐ型半導体層８１Ａには、出力線８３が延長されて接続されている（図５参照）。
【００６２】
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
（１）素子基板６０に太陽電池８１を設けたので、太陽電池８１により、環境光やバックライト光などの入射光から電力を発生させて、この発生した電力を利用して、走査線１０、データ線２０、画素電極５５、および画素トランジスタ５１を駆動できる。よって、液晶パネルＡＡ外部の外部駆動回路９０から供給する電力を削減できるから、消費電力を確実に低減できる。
さらには、入射光量が大きく、太陽電池８１で生成される電力と、電気光学装置１で消費される電力が等しい場合には、電気光学装置１で消費される電力を全てまかなうことができ、実質的な消費電力をゼロにすることもできる。
【００６３】
（２）液晶パネルＡＡの画素電極５５が形成される領域に光を照射するバックライト３１を設けたので、環境光が十分に得られない場合でも、このバックライト３１からの光を利用して表示が可能となるので、表示品質を確保できる。
【００６４】
（３）太陽電池８１を液晶パネルＡＡの画素電極５５が形成される領域に設けた。画素電極５５が形成される領域には、外部から環境光が入射するから、この太陽電池８１により環境光を利用して発電できる。
【００６５】
（４）太陽電池８１を透過領域５０Ａに設けたので、外部からの環境光だけでなく、バックライト光を利用して発電できるから、安定して発電できる。
【００６６】
＜第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１Ａの構成を示すブロック図である。
電気光学装置１Ａは、太陽電池セル８０Ａの位置が、第１実施形態と異なる。その他の構成は第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態では、太陽電池セル８０Ａは、液晶パネルＡＡ上の表示領域Ａの外側の画素電極５５が形成される領域を除いた領域、つまり、遮光領域に設けられている。
【００６７】
本実施形態によれば、上述の（１）、（２）の効果に加え、以下のような効果がある。
（５）太陽電池セル８０Ａを、液晶パネルＡＡ上の画素電極５５が形成される領域を除いた領域に設けた。よって、太陽電池セル８０Ａにより、画素５０の開口率を低下させることなく発電できる。
【００６８】
（６）太陽電池セル８０Ａを遮光領域に設けたので、余分なバックライト光のみを利用して発電でき、バックライト光を有効利用できる。
【００６９】
＜変形例＞
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上述した第１実施形態では、太陽電池セル８０を表示領域Ａに設け、上述した第２実施形態では、太陽電池セル８０Ａを表示領域Ａの外側の遮光領域に設けたが、これらに限らず、太陽電池セルを表示領域および遮光領域の両方に設けてもよい。
【００７０】
また、上述した第１実施形態では、太陽電池セル８０を透過領域５０Ａに設けたが、これに限らず、反射領域に設けてもよい。
このようにすれば、余分なバックライト光のみを利用して発電でき、バックライト光を有効利用できる。
【００７１】
また、上述した第２実施形態では、太陽電池セル８０Ａを表示領域Ａの外側の遮光領域に設けたが、これに限らず、太陽電池セルを表示領域Ａの外側であるが、遮光されていない領域に設けてもよい。
このようにすれば、画素の開口率を低下させることなく、外部からの環境光を利用して発電できる。
【００７２】
また、上述した第２実施形態では、太陽電池セル８０Ａを表示領域Ａの外側の遮光領域に設けたが、これに限らず、画素電極５５が形成される領域を除いた遮光領域であれば、どこに太陽電池セルを設けてもよい。例えば、表示領域Ａであっても、ブラックマトリクス、走査線、またはデータ線の下に太陽電池を設けることができる。
【００７３】
また、上述した各実施形態では、画素トランジスタ５１として、ポリシリコンＴＦＴを用いたが、これに限らず、アモルファスシリコンＴＦＴを用いてもよい。
【００７４】
また、上述した各実施形態では、本発明を電気光学物質として液晶を用いた電気光学装置１、１Ａに適用したが、これに限らず、液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置にも適用できる。例えば、着色された液体とこの液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示パネル、極性が相違する領域毎に異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイパネル、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイパネル、あるいは、ヘリウムやネオン等の高圧ガスを電気光学物資として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置に対しても、同様に本発明が適用され得る。
【００７５】
また、本実施形態における液晶としては、ＴＮ（Twisted  Nematic）液晶や負の誘電率を用いた液晶を用いてもよい。また、液晶の表示モードとしては、ＩＰＳ（In-Plane  Switching）やＦＦＳ（Fringe-Field  Switching）などでもよい。
【００７６】
＜応用例＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１、１Ａを適用した電子機器について説明する。
図１０は、電気光学装置１、１Ａを適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに電気光学装置１、１Ａを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１、１Ａに表示される画面がスクロールされる。
【００７７】
なお、電気光学装置１、１Ａが適用される電子機器としては、図１０に示すものの他、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】前記電気光学装置を構成する太陽電池セルの構成を示すブロック図である。
【図３】１０段直列接続したＰＩＮダイオードの発電量を示す図である。
【図４】前記電気光学装置の太陽電池セルの動作を示すブロック図である。
【図５】前記電気光学装置を構成する画素の拡大平面図である。
【図６】前記電気光学装置のＡ−Ａ断面図である。
【図７】前記太陽電池セルを構成する太陽電池の拡大平面図である。
【図８】前記太陽電池のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】上述した電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…電気光学装置、１０…走査線、２０…データ線、３１…バックライト（光源）、５０Ａ…透過領域、５０Ｂ…反射領域、５１…画素トランジスタ（スイッチング素子）、５５…画素電極、８１…太陽電池（光電変換素子）、８２…負電源線、ＡＡ…液晶パネル（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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