(57)【要約】【課題】ウエハレベルパッケージによって形成される気密空間を有する物理量センサ及びその製造方法において、気密空間の気密性の検査を容易かつ確実に可能とする。【解決手段】測定する物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部２が、ウエハレベルパッケージによって形成される気密空間Ｒ１に半導体微細加工プロセスによって形成され、ダイヤフラム３０を介して気密空間Ｒ１に隣接する気密室Ｒ２と、ダイヤフラム３０の変形量を測定する歪ゲージとを有した圧力センサ３を備えて、この圧力センサ３によりセンサ部２の特性の維持に必要な気密空間Ｒ１の気密性を検査可能とする。【選択図】図１
2007171042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定する物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部が、ウエハレベルパッケージによって形成される気密空間に半導体微細加工プロセスによって形成された物理量センサであって、
ダイヤフラムを介して前記気密空間に隣接する気密室と、前記ダイヤフラムの変形量を測定する歪ゲージとを有した圧力センサを備えて、この圧力センサにより前記センサ部の特性の維持に必要な前記気密空間の気密性を検査可能としたことを特徴とする物理量センサ。
【請求項２】
測定する物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部が、ウエハレベルパッケージによって形成された気密空間に半導体微細加工プロセスによって形成された物理量センサの製造方法であって、
ダイヤフラムを介して前記気密空間に隣接する気密室と、前記ダイヤフラムの変形量を測定する歪ゲージとを有した圧力センサを形成する工程と、
前記工程によって形成された圧力センサによって前記センサ部の特性の維持に必要な前記気密空間の気密性を計測する検査工程と、を含むことを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項３】
前記センサ部は歪ゲージを備えたものであり、
前記圧力センサの歪ゲージを形成する工程は、前記センサ部の歪ゲージの形成と同時に行われることを特徴とする請求項２に記載の物理量センサの製造方法。
【請求項４】
前記検査工程は、前記圧力センサの歪みゲージに対するプローブ検査によって行うことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の物理量センサの製造方法。
【請求項５】
前記検査工程は、前記センサ部の特性を検査するためのプローブ検査と同時に行われることを特徴とする請求項４に記載の物理量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車、航空機、家電製品等に用いられる加速度センサをはじめとする物理量センサ、及びその製造方法に関し、特に、ウエハレベルパッケージングにより気密空間が形成される物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体とその加工技術を用いた小型で高性能の物理量センサが開発されて用いられている。例えば、加速度センサ、圧力センサ、傾斜センサなどのような物理量センサがある。これらは、半導体の微細加工技術を用いて半導体ウエハに形成したセンサ部とそのセンサ部を保護するカバー部を備えて構成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そのセンサ部は、精度や寿命を維持するため、特に気密空間に密封した状態で製造されて用いられる。近年、このような気密空間を有する物理量センサを小型化して大量に効率的に製造するために、センサ部を一枚のウエハに多数形成し、ウエハの状態で他のウエハなどを接合して気密空間を形成し、その後、各センサ部を含むチップにダイシングして個片化する、いわゆるウエハレベルパッケージングの技術が用いられている。そして、気密空間を備えて個片化された物理量センサは、例えば、ヘリウムリーク試験等の方法によって、その気密空間の気密性が検査される。ヘリウムは原子半径が小さくて細かい隙間にも入り込みやすく、また、大気中に少ないのでプローブガスとしてよく用いられる。
【０００４】
そして、ヘリウムリーク試験は、例えば、個片化した物理量センサを、高圧のヘリウムガス雰囲気中に所定時間放置して取出した後、物理量センサからのヘリウムガスの検出の有無によって行われる。すなわち、物理量センサからヘリウムが検出されたならば、その物理量センサの気密空間の気密性が不完全であったため気密空間にヘリウムが入り、その残留したヘリウムが検出されたとして、その物理量センサは不良品とされる。
【特許文献１】特開２００１−０７７１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したようなヘリウムリーク試験を用いて製造される、気密空間を有する物理量センサやその製造方法には、次のような問題がある。一般に、気密空間からリークしてくるヘリウムを測定するヘリウムリーク試験は、ヘリウム検出のための条件を整えるための時間が必要であり、大量の物理量センサの試験には長時間を要することになる。また、ウエハレベルパッケージングによって製造される気密空間を持つ物理量センサは、その小型化の故に、気密空間の容量が小さいことが多く、ヘリウムリーク試験のための有効時間が短くなって検査ができなくなるという問題もある。
【０００６】
すなわち、気密空間へのリークパスがある気密性不良品の気密空間にヘリウムが漏れ込んだとしても、気密空間内部に進入したヘリウムは、ヘリウムのリークレートと気密空間の容量によって決まる減少率で外部に逃げて減少するので、ある時間を超えてしまうと、ヘリウムが気密不良部からリークしきってしまい、不良であるにも関わらず、ヘリウムを検出できないことになる。つまり、小さな気密空間を有する物理量センサほど、物理量センサを高圧のヘリウム充填空間から取り出して気密性試験を行うまでに許される時間が短くなる。
【０００７】
本発明は、上記課題を解消するものであって、気密空間の気密性の検査が容易かつ確実な、ウエハレベルパッケージによって形成される気密空間を有する物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を達成するために、請求項１の発明は、測定する物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部が、ウエハレベルパッケージによって形成される気密空間に半導体微細加工プロセスによって形成された物理量センサであって、ダイヤフラムを介して前記気密空間に隣接する気密室と、前記ダイヤフラムの変形量を測定する歪ゲージとを有した圧力センサを備えて、この圧力センサにより前記センサ部の特性の維持に必要な前記気密空間の気密性を検査可能としたものである。
【０００９】
請求項２の発明は、測定する物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部が、ウエハレベルパッケージによって形成された気密空間に半導体微細加工プロセスによって形成された物理量センサの製造方法であって、ダイヤフラムを介して前記気密空間に隣接する気密室と、前記ダイヤフラムの変形量を測定する歪ゲージとを有した圧力センサを形成する工程と、前記工程によって形成された圧力センサによって前記センサ部の特性の維持に必要な前記気密空間の気密性を計測する検査工程と、を含むものである。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項２に記載の物理量センサの製造方法において、前記センサ部は歪ゲージを備えたものであり、前記圧力センサの歪ゲージを形成する工程は、前記センサ部の歪ゲージの形成と同時に行われるものである。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項２又は請求項３に記載の物理量センサの製造方法において、前記検査工程は、前記圧力センサの歪みゲージに対するプローブ検査によって行うものである。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項４に記載の物理量センサの製造方法において、前記検査工程は、前記センサ部の特性を検査するためのプローブ検査と同時に行われるものである。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、ダイヤフラムの変形量によって、気密空間の圧力を測定できるように圧力センサを形成して備えたので、気密空間の圧力変化を測定でき、従って、ヘリウムリーク検査によらずに気密空間の気密性を短時間で容易かつ確実に検査できる。この圧力センサを用いた気密空間の気密性の検査は、例えば、物理量センサを異なる圧力状態におき、それぞれの状態で測定した圧力センサの出力を比較することにより行える。
【００１４】
請求項２の発明によれば、ダイヤフラムの変形量によって、気密空間の圧力を測定できるように圧力センサを形成する工程と、この圧力センサによる検査工程を備えたので、この製造方法によって製造される物理量センサは、ヘリウムリーク検査によらずに、気密空間の圧力変化を測定して気密空間の気密性を短時間で容易かつ確実に検査でき、従来よりも製造効率が向上する。
【００１５】
請求項３の発明によれば、圧力センサの歪ゲージの形成を、センサ部の歪ゲージ形成と同時に行うので、別途形成する場合よりも少ない工数で、低コストの物理量センサの製造が可能となる。
【００１６】
請求項４の発明によれば、気密空間の気密性の評価が、ヘリウムリーク試験に比べて、より短時間かつ容易に行える。
【００１７】
請求項５の発明によれば、検査のためのセッティングを共通化でき、効率的に物理量センサの評価と検査ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態に係る物理量センサとその製造方法について、図面を参照して説明する。図１（ａ）（ｂ）は本発明の一実施形態に係る物理量センサ１の概要を示し、図２は物理量センサ１の構成部品を示す。なお、物理量センサ１は、ウエハレベルパッケージの技術によって形成されるものであり、以下の図に示す物理量センサ１及びその部品は、ウエハを個片化した後の形状を示している。また、以下において、物理量の例として加速度を取り上げ、加速度センサを前提として物理量センサ１を説明する。
【００１９】
物理量センサ１は、測定する物理量に応じて電気信号を出力するセンサ部２が、ウエハレベルパッケージによって形成される気密空間Ｒ１に半導体微細加工プロセスによって形成されたセンサである。この物理量センサ１は、ダイヤフラム３０と、その変形量を測定する歪ゲージ（後述図４）と、電極３１と、ダイヤフラム３０を介して気密空間Ｒ１に隣接する気密室Ｒ２と、を有した圧力センサ３を備えており、この圧力センサ３により、センサ部２の特性の維持に必要な気密空間Ｒ１の気密性を検査可能としている。
【００２０】
この物理量センサ１は、センサ部２と圧力センサ３が形成されたセンサウエハ１０と、センサ部２の上面と圧力センサ３のダイヤフラム３０とを覆うように配置してこれらに接触することなくセンサウエハ１０の外周部で接合されたカバーウエハ１１と、センサウエハ１０の裏面に接合して気密空間Ｒ１と気密室Ｒ２とを形成する下部カバーウエハ１２と、を備えている。
【００２１】
センサウエハ１０には、外形が長四角形のシリコン基板に、物理量（加速度）を測定するセンサ部２と、センサ部２を囲む枠体１０ａと、センサ部２に隣接して形成され気密室Ｒ２を形成するためのダイヤフラム３０を上面とする矩形凹部が形成されている。
【００２２】
気密空間Ｒ１は、センサウエハ１０の上面外周部とカバーウエハ１１の下面外周部との接合部ａ、及びセンサウエハ１０の下面のセンサ部２の外周部（枠体１０ａ下面）と下部カバーウエハ１２の上面との接合部ｂ，ｃによって封止された空間である。この気密空間Ｒ１内でセンサ部が動作する。また、気密室Ｒ２は、ダイヤフラム３０とセンサウエハ１０の側壁と下部カバーウエハ１２とで囲まれた空間である。気密室Ｒ２は、センサウエハ１０の下面と下部カバーウエハ１２の上面との接合部ｃ，ｄによって封止されている。
【００２３】
センサ部２は、加速度に対する慣性力を検出するための重錘体２０と、重錘体２０から４方向に延びて枠体１０ａに至り、枠体１０ａ側から重錘体２０を支えるビーム２１と、ビーム２１の根本近傍に形成されてビームの変形量を電気的に検出する、例えばピエゾ素子で形成された、歪ゲージ（図４）と、を備えて構成されている。これらの重錘体２０、ビーム２１、枠体１０ａは、例えば、シリコン半導体ウエハを素材として、これを半導体微細加工技術によって一体化状態で加工して構成されている（後述、図８）。歪ゲージからの電気信号は、電気配線（不図示）によって中央部から周辺部に引き出されて、物理量センサ１の外表面に設けた電極２２に取り出される。
【００２４】
重錘体２０は、重錘体２０に発生する慣性力の大きさがビーム２１の変形に感度よく反映されるように、中央部から離れたところに重心を有する４つの質量部分からなる。なお、３次元空間の任意の方向の加速度を測定できるように、つまり、重錘体２０が、ねじれ、回転、平行移動などの必要十分な動きができるように、各重錘体２０と各ビーム２１とが干渉するのを防止する目的で、ビーム２１の位置より一段下がったところに、重錘体２０が形成されている。また、カバーウエハ１１の下面と下部カバーウエハ１２の上面には、それぞれ凹部が形成されている。これらの凹部は、重錘体２０の上下方向の可動空間を形成すると共に、その凹部の底面は、重錘体２０の過度の移動を防止するストッパを構成する。
【００２５】
ここで、物理量センサ１の各部の寸法について説明する。物理量センサ１の外形寸法は、例えば、縦及び横寸法が２．０〜５．０ｍｍ、厚みが０．６ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。また、重錘体２０の厚み寸法は、例えば、３００〜５００μｍである。ビーム２１の寸法は、例えば、長さが３００〜７００μｍ程度、幅が６０〜１５０μｍ程度、厚みが４〜１０μｍ程度である。なお、ビーム２１の厚みは、重錘体２０の厚みに対し十分小さい値とされる。また、ダイヤフラム３０の１辺の大きさは、例えば、５０μｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００２６】
次に、物理量センサ１の加速度センサとしての動作原理、及び圧力センサ３の動作原理を説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は重錘体の動作を示し、図４はセンサ部２とダイヤフラム３０の上の歪ゲージの配置を示すセンサウエハ１０の上面を示し、図５（ａ）はセンサ部２の電気信号検出に用いられるブリッジ回路を示し、図５（ｂ）は各歪ゲージの加速度に対する正負の応答を示し、図６は圧力センサ３の電気信号検出に用いられるブリッジ回路を示す。
【００２７】
物理量センサ１が、図３（ａ）に示すように、ビーム２１と平行な矢印ｕの方向の加速度を受けると、枠体１０ａが矢印ｕ方向に動き、重錘体２０は、取り残されて矢印ｖの方向の慣性力を受ける。そこで、左側のビーム２１には圧縮応力（例えば、＋符号で表示）が発生し、右側のビーム２１には引っ張り応力（例えば、−符号で表示）が発生する。
【００２８】
また、物理量センサ１が、図３（ｂ）に示すように、ビーム２１と平行ではない矢印ｕの方向の加速度を受けると、重錘体２０は、上下方向に傾いた矢印ｖの方向の慣性力を受ける。そして、左右のビーム２１には、図３（ｃ）に示すように、それぞれ圧縮応力と引っ張り応力とが発生する。そこで、各ビーム２１の両端近傍に歪ゲージを設けて、圧縮応力と引っ張り応力の発生具合を計測すると、重錘体２０に作用する慣性力、従って、物理量センサ１が受ける加速度を計測することができる。歪ゲージは、例えば、歪を受けることによって、抵抗が変化する抵抗体で構成される。
【００２９】
センサウエハ１０のセンサ部２のビーム２１には、図４に示すように、Ｘ方向に長い抵抗体から成るＸ方向の加速度計測用の歪ゲージＸ１〜Ｘ４と、Ｙ方向に長い抵抗体から成るＹ方向の加速度計測用の歪ゲージＹ１〜Ｙ４とが、応力集中部となるビーム２１のセンサ内方側の端部に配置されている。また、Ｙ方向に長い抵抗体から成るＺ方向の加速度計測用の歪ゲージＺ１〜Ｚ４が他の応力集中部となるビーム２１のセンサ外方側の端部に配置されている。なお、図４に示したハッチング領域Ｓは、配線領域、及び、センサウエハ１０とカバーウエハ１１との接合領域である。従って、このハッチング領域Ｓの内部は、気密空間Ｒ１の内部となる。
【００３０】
上述のセンサ部２の各歪ゲージは、それぞれ長手方向の両端に接続された電気配線（不図示）によって、センサウエハ１０の外周部に配置された電極Ｘａ，Ｘｂ，Ｙａ，Ｙｂ，Ｚａ，Ｚｂ，Ｅ１，Ｇに、図５（ａ）に示すブリッジ回路を形成するように、接続される。このようにブリッジ回路を形成すれば、例えば、Ｘ軸に加速度が印加されたときにブリッジ回路の抵抗値バランスが崩れるので、電源電極Ｅ１とグランド電極Ｇ間に一定電圧が加わっているとき、電極Ｘａ，Ｘｂ間の電位差が加速度の大きさに応じて変化し、加速度を電圧として検出することができる。
【００３１】
同様に、各ＸＹＺ軸の加速度に対する応力の変化は、図５（ｂ）に示すようになるので、この物理量センサ１は、各ＸＹＺ軸について独立、かつ同時に加速度を検出できる。
【００３２】
また、センサウエハ１０の圧力センサ３のダイヤフラム３０には、四角いダイヤフラム３０の一辺に沿う方向に長い形状の歪ゲージＰ１〜Ｐ４が配置されている。その配置場所は、大きな変形が得られるダイヤフラム３０周辺部である。これらの歪ゲージは、それぞれ長手方向の両端に接続された電気配線（不図示）によって、センサウエハ１０の外周部に配置された電極Ｐａ，Ｐｂ，Ｅ２，Ｇに、図６に示すブリッジ回路を形成するように、接続される。
【００３３】
上述のようにブリッジ回路を形成すれば、例えば、気密空間Ｒ１と気密室Ｒ２との間で圧力変化があったとき、ダイヤフラム３０が変形してブリッジ回路の抵抗値バランスが崩れるので、電源電極Ｅ２とグランド電極Ｇ間に一定電圧を加えておくと、電極Ｐａ，Ｐｂ間の電位差が圧力変化に応じて変化し、圧力変化を電圧として検出することができる。
【００３４】
このように、本発明の物理量センサ１によれば、ダイヤフラム３０の変形量によって、気密空間Ｒ１の圧力を測定できるように圧力センサ３を形成して備えたので、気密空間Ｒ１の圧力変化を測定でき、従って、ヘリウムリーク検査によらずに気密空間Ｒ１の気密性を短時間で容易かつ確実に検査できる。この圧力センサ３を用いた気密空間Ｒ１の気密性の検査は、例えば、物理量センサ１を異なる圧力状態におき、それぞれの状態で測定した圧力センサ３の出力を比較することにより行える。
【００３５】
次に、物理量センサ１の製造工程を説明する。図７は物理量センサ１の製造工程の概略フローを示し、図８（ａ）〜（ｄ）は製造工程の主要段階を物理量センサ１の断面によって時系列的に示す。なお、図８（ａ）に示すＳＯＩウエハは、シリコンウエハ１ａの上に、シリコン酸化膜１ｂ、シリコン層１ｃ、シリコン酸化膜１ｄを、この順に積層したウエハである。
【００３６】
まず、図８（ａ）に示すセンサウエハ１０となるＳＯＩウエハを準備し、その表面におけるビーム２１形成領域とダイヤフラム３０形成領域に、歪ゲージ、及び、歪ゲージから周辺部に至る拡散配線を、不純物拡散による配線形成技術により形成する（Ｓ１）。このとき、物理量センサ１の加速度検出用歪ゲージと、圧力センサ３の圧力検出用歪ゲージとは、同時に形成する。
【００３７】
次に、センサウエハ１０に、拡散配線からセンサウエハ１０の外周部に配置された電極Ｘａ等に至る金属配線を形成し、加速度検出用のブリッジ回路、及び気密性検出用のブリッジ回路を同時形成する（Ｓ２）。
【００３８】
次に、図８（ｂ）に示すように、センサウエハ１０のシリコンウエハ１ａ部分を、半導体微細加工プロセスによって、エッチングして、重錘体２０とビーム２１から成るセンサ部の構造体、及び気密室Ｒ１となる凹部Ｒ０とダイヤフラム３０から成る圧力センサの構造体を形成する（Ｓ３）。
【００３９】
次に、図６（ｃ）に示すように、センサウエハ１０の下面に、別途形成した下部カバーウエハ１２を接合する（Ｓ４）。センサウエハ１０と下部カバーウエハ１２の接合部ｃ，ｄが形成されることにより、気密室Ｒ２が完成する。なお、この接合を真空雰囲気で行うことにより、気密室Ｒ２を真空空間とする。
【００４０】
次に、図８（ｄ）に示すように、上部電極２２，３１と貫通配線（不図示）とを備えて別途形成したカバーウエハ１１を、センサウエハ１０の上面に接合する。これによりウエハレベルパッケージングされた物理量センサ１の接合ウエハが完成する（Ｓ５）。この接合に際し、センサウエハ１０に形成されている電極Ｘａ等（図４）とカバーウエハ１１の貫通電極との電気接続を行う。貫通電極は上部電極と接続されており、これにより、各歪ゲージの出力が外部に取り出される。また、センサウエハ１０とカバーウエハ１１の接合は、真空中で行うことにより、真空状態の気密空間Ｒ１が形成される。
【００４１】
次に、ウエハレベルパッケージングされた物理量センサ１をダイシングして、個々の物理量センサ１のチップに個片化する（Ｓ６）。個片化した物理量センサ１は、プローバを用いて、加速度センサの基本特性の検査と同時に、圧力センサ３による気密空間Ｒ１の気密性の検査が同時に行われる（Ｓ７）。
【００４２】
上述のように、本発明の物理量センサの製造方法によれば、ダイヤフラム３０の変形量によって、気密空間Ｒ１の圧力を測定できるように圧力センサ３を形成する工程と、この圧力センサ３による検査工程を備えたので、この製造方法によって製造される物理量センサ１は、ヘリウムリーク検査によらずに、気密空間Ｒ１の圧力変化を測定して気密空間Ｒ１の気密性を短時間で容易かつ確実に検査でき、製造効率が向上する。また、圧力センサ３の歪ゲージの形成とセンサ部２の歪ゲージ形成を同じ工程で同時に行うので、別途形成する場合よりも少ない工数で、低コストの物理量センサの製造が可能となる。
【００４３】
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、プローブ検査において、各物理量センサ１がバラバラに個片化された状態でなくウエハレベルの状態で検査を行うようにしてもよい。このようなウエハレベルでのプローブ検査によって、短時間にウエハ上の全ての物理量センサ１について、物理量センサ１の特性評価と共に気密空間Ｒ１の気密性の評価を行うことができる。
【００４４】
上述の評価を行う場合、リークのある気密空間Ｒ１へのリークのパスが他の気密空間Ｒ１を形成する側壁などによって閉鎖されることのないように、予め、各気密空間Ｒ１を形成する接合面ａ，ｂ，ｃの断面が露出するように、ウエハレベルパッケージの各物理量センサ１の周囲に加工を施す必要がある。この処理により、リークのある気密空間Ｒ１を見逃すことなく検査できる。この場合において、ウエハレベル状態の物理量センサ１の全数について行う圧力センサ３の出力の測定を、高圧下と低圧下の２回行い、各物理量センサ１毎に、このような２回の測定結果を比較することにより、気密性の検査を短時間にかつ効率的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態に係る物理量センサの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】同上物理量センサの分解斜視図。
【図３】（ａ）（ｂ）は同上物理量センサの動作時の様子を示す模式的断面図、（ｃ）は（ｂ）の状態に対応する応力のビーム方向の分布図。
【図４】同上物理量センサのセンサ部と気密空間のダイヤフラムとを示すセンサウエハの平面図。
【図５】（ａ）は同上物理量センサに用いられるブリッジ回路図、（ｂ）は同物理量センサの歪ゲージの加速度に対する応答関係図。
【図６】同上物理量センサの圧力センサに用いられるブリッジ回路図。
【図７】同上物理量センサの製造工程の概略フロー図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は同上物理量センサの製造工程を時系列的に示す断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１    物理量センサ
２    センサ部
３    圧力センサ
３０    ダイヤフラム
Ｒ１    気密空間
Ｒ２    気密室
Ｘ１〜Ｘ４    歪ゲージ
Ｙ１〜Ｙ４    歪ゲージ
Ｚ１〜Ｚ４    歪ゲージ
Ｐ１〜Ｐ４    歪ゲージ
【図１】
2007171042.tif 000003
【図３】
2007171042.tif 000004
【図４】
2007171042.tif 000005
【図５】
2007171042.tif 000006
【図６】
2007171042.tif 000007
【図７】
2007171042.tif 000008
【図８】
2007171042.tif 000009
【図２】
2007171042.tif 000010