(57)【要約】【課題】表面に保護層を設けてなり、特に表面形状の観点から耐食性に十分優れた希土類磁石を提供する。【解決手段】希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層１４とを備え、表面粗さが、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さとして、０．３０μｍ以下である希土類磁石１０。【選択図】  図１
2007266226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層と、を備え、
表面粗さが、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さとして、０．３０μｍ以下である希土類磁石。
【請求項２】
希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層と、を備えた希土類磁石を準備する工程と、
カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、前記希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、
前記希土類磁石表面の表面粗さを、前記粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、
前記算術平均粗さの数値に基づいて、前記希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程と、
を含む希土類磁石の耐食性評価方法。
【請求項３】
前記判断する工程において、前記算術平均粗さが０．３０μｍ以下である場合に、前記希土類磁石の表面は良好な耐食性を示すと判断する、請求項２記載の希土類磁石の耐食性評価方法。
【請求項４】
前記粗さ曲線は、レーザー顕微鏡による高さ情報を含んだ画像情報から得られる断面曲線を算術的に処理することにより作成されるものである、請求項２又は３に記載の希土類磁石の耐食性評価方法。
【請求項５】
前記保護層は金属めっきにより形成されたものである、請求項２〜４のいずれか一項に記載の希土類磁石の耐食性評価方法。
【請求項６】
希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層と、を備えた希土類磁石を準備する工程と、
カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、前記希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、
前記希土類磁石表面の表面粗さを、前記粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、
前記算術平均粗さの数値に基づいて、前記希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程と、
前記判断する工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された前記希土類磁石の作製条件と同様の条件で希土類磁石を作製する工程と、
を含む希土類磁石の製造方法。
【請求項７】
希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層と、を備えた希土類磁石を準備する工程と、
カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、前記希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、
前記希土類磁石表面の表面粗さを、前記粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、
前記算術平均粗さの数値に基づいて、前記希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程と、
複数の前記希土類磁石のうち、前記判断する工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された前記希土類磁石のみを選択する工程と、
を含む希土類磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類磁石、その耐食性評価方法及び製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、２５ＭＧＯｅ以上の高エネルギー積を示す永久磁石として、いわゆる希土類磁石（例えばＲ−ＴＭ−Ｂ系磁石；Ｒは希土類元素、ＴＭは遷移金属元素を示す。以下、同様。）が開発されている。このような希土類磁石として、より具体的には、Ｒ（希土類元素）としてＮｄ、ＴＭ（遷移金属元素）としてＦｅをそれぞれ採用したＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石が挙げられる。この希土類磁石は高エネルギー積を示すものの、主成分として比較的容易に酸化される希土類元素を含有するため耐食性が比較的低い。
【０００３】
このような希土類磁石の耐食性を改善することを目的として、表面に保護層を形成することが提案されている。例えば、特許文献１には、希土類磁石にニッケル電解めっきを施すことにより、その表面にニッケルめっきによる保護層を形成する方法が開示されている。また、特許文献２では無電解めっきによる保護層の形成、特許文献３では電解銅めっきによる保護層の形成がそれぞれ提案されている。
【０００４】
ところで、特許文献４には、表面に保護層が形成された希土類磁石について、発塵性の抑制を目的として、磁石の表面粗さのうち、算術平均粗さである中心線平均粗さを利用する技術が提案されている。この文献によると、希土類磁石の表面粗さが、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定されている算術平均粗さ、すなわちカットオフ値λｃとして０．８０ｍｍを採用した算術平均粗さとして０．４μｍ以下であればよい旨、記載されている。
【特許文献１】特開平２−２３６０３号公報
【特許文献２】特開昭６３−２６６０２０号公報
【特許文献３】特開２００２−３３２５９２号公報
【特許文献４】特開２００４−２５３７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜３に記載されたものを始めとする従来の保護層を設けた希土類磁石について、耐食性を改善する観点から、具体的に表面形状を検討するには至っていない。
【０００６】
そこで、本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、表面に保護層を設けてなり、特に表面形状の観点から耐食性に十分優れた希土類磁石、並びに、そのような希土類磁石を作製するための希土類磁石の耐食性評価方法、及びその評価方法を利用した希土類磁石の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、まず、保護層を設けた希土類磁石の表面形状について、どのような評価方法を採用すれば、その評価結果と希土類磁石の耐食性との間に高い相関性が認められるか、について検討を行った。例えば、本発明者らは、特許文献４に記載されているＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定された算術平均粗さの検討も行った。しかしながら、特許文献４に記載された方法は、発塵性との明確な関連性は認められても、耐食性との関連性は明確に認められなかった。すなわち、特許文献４に記載された希土類磁石は、カットオフ値（λｃ）０．８０ｍｍでの算術平均粗さが小さく、発塵性が十分に抑制されたものであっても、耐食性は十分に優れたものとはいえない。そこで、本発明者らは更に検討を進めた結果、保護層を設けた希土類磁石に関して、従来採用されていない算術平均粗さを基準にすれば、所定条件の下、十分に耐食性が改善された希土類磁石が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明は、希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層とを備え、表面粗さが、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さとして、０．３０μｍ以下である希土類磁石を提供する。なお、本明細書において、「カットオフ値λｃ」は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に記載されているカットオフ値λｃを意味し、「算術平均粗さ」はＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定されているＲａを意味する。
【０００９】
本発明によると、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さ（以下、「特定の算術平均粗さ」という。）が０．３０μｍ以下となるまで表面処理を施せば、希土類磁石の耐食性は十分に優れたものとなる。
【００１０】
希土類元素を含有する磁石素体の表面形状は、その起伏が比較的激しいため、その表面上に保護層が十分量形成されていないと、保護層表面も磁石素体の表面形状を反映した形状を有する。すなわち、表面上に保護層が十分量形成されていない希土類磁石は、特定の算術平均粗さが０．３０μｍを遙かに超えることになる。かかる希土類磁石は、磁石素体の一部の表面が露出していたり、あるいは、何らかの要因により磁石素体の表面が露出しやすくなったりする状態にある。このように特定の算術平均粗さが０．３０μｍを超える希土類磁石は、腐食を十分に抑制することはできない。
【００１１】
特に、磁石素体の凹状部は、本来その部分に存在すべき磁石素体を構成する粒子、例えばＲ−ＴＭ−Ｂ系磁石の主相粒子、が脱落したことにより形成される部分、あるいは、容易に腐食する希土類元素が多く存在する粒界部である。特定の算術平均粗さが０．３０μｍを超えると、希土類磁石は、この凹状部上に保護層が十分に形成されていない状態にあるため、容易に腐食すると考えられる。
【００１２】
また、希土類磁石素体の表面上に保護層が十分量形成されていたとしても、特定の算術平均粗さが０．３０μｍを超えると、ごく局所的な表面の凹状部に腐食原因物質の堆積物や水滴が溜まりやすくなる。これは、その凹部に一旦捕捉された堆積物や水滴が、外部要因によってもそこから除去され難くなることによる。その結果、何らかの原因により希土類磁石素体の一部が露出した際に、捕捉されていた堆積物や水滴がその部分を侵して、希土類磁石の腐食をもたらすと推測される。
【００１３】
一方、本発明のように、希土類磁石表面の特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下であると、磁石素体の表面上に保護層が十分量形成されており、しかも保護層の表面に堆積物や水滴が溜まり難い状態になっている。したがって、このような希土類磁石は、磁石素体の表面が露出していないか、たとえ露出したとしても、表面に堆積物や水滴が滞留し難くなっている。そのため、本発明の希土類磁石は、十分に優れた耐食性を備えたものとなる。
【００１４】
また、特許文献４に開示されたカットオフ値（λｃ）０．８０ｍｍでの算術平均粗さは、希土類磁石に十分な耐食性を付与するのに指標とはなり難い。一方、本発明におけるカットオフ値（λｃ）０．２５ｍｍ以下での算術平均粗さは、その数値が特定の範囲に収まる希土類磁石であれば、十分に耐食性を有することとなる。以下、図面を参照して、これを詳述する。
【００１５】
まず、図１に、希土類磁石表面の起伏を模式的に表した断面図を示す。（ａ）は、本発明による十分に耐食性の抑制された希土類磁石に関するものであり、保護層４ａが磁石素体２ａの表面上に形成された希土類磁石である。（ｂ）は、耐食性が十分ではない希土類磁石であり、保護層４ｂが磁石素体２ｂの表面上に形成された希土類磁石である。（ａ）の希土類磁石は、磁石素体２ａの全表面上に亘って保護層４ａを厚く形成しているため、凹状部１ａであっても磁石素体２ａが露出していない。また、磁石素体２ａの凹状部３ａの表面上には、凸状部５ａの表面上よりも保護層４ａが厚く形成されている。さらに、凹状部１ａの深さＤａが浅く、堆積物や水滴が一旦付着しても、すぐに除去されやすいため、長時間滞留し難くなっている。
【００１６】
一方、（ｂ）の希土類磁石は、（ａ）の希土類磁石の磁石素体２ａとほぼ同様の表面形状を備える磁石素体２ｂを有している。（ｂ）の希土類磁石は、磁石素体２ｂの凹状部３ｂの表面上に凸状部５ｂの表面上よりも保護層４ｂが薄く形成されている。そのため、（ｂ）の希土類磁石は、（ａ）の希土類磁石と同程度の保護層の平均厚さを有しているが、その表面形状は、（ａ）の希土類磁石よりも起伏に富んだ表面形状となっている。（ｂ）の希土類磁石は、磁石素体２ｂの凸状部５ｂの表面上よりも凹状部３ｂの表面上に保護層４ｂを形成し難いため、凹状部３ｂ付近で、磁石素体２ｂの表面が部分的に露出した状態になっている。また、保護層の凹状部１ｂは、その深さＤｂが深いために、堆積物や水滴が滞留しやすくなっている。
【００１７】
（ａ）の希土類磁石は、（ｂ）の希土類磁石と対比して、凹状部１ａの深さＤａが凹状部の深さＤｂよりも浅いため、堆積物や水滴がより滞留し難い。しかも、堆積物や水滴が滞留し難い凹状部１ａ下の保護層４ａの厚さが、凹状部１ｂ下の保護層４ｂの厚さよりも厚くなっている。さらには、（ｂ）の希土類磁石は部分的に磁石素体２ｂ表面が露出している。その結果、（ａ）の希土類磁石は（ｂ）の希土類磁石よりも耐食性に優れている。
【００１８】
上述の（ａ）の希土類磁石及び（ｂ）の希土類磁石について、それらの表面形状から、カットオフ値（λｃ）０．８０ｍｍでの算術平均粗さを導出するために作成される粗さ曲線は、ほぼ同様の曲線形状となる。つまり、耐食性に優れた表面形状を有する希土類磁石であっても、耐食性が十分ではない表面形状を有する希土類磁石であっても、カットオフ値λｃを０．８０ｍｍに設定すると、そのような表面形状の差異が反映され難くなってしまう。したがって、カットオフ値（λｃ）０．８０ｍｍでの平均算術粗さの数値は、耐食性の指標とはなり難い。
【００１９】
一方、（ａ）の希土類磁石及び（ｂ）の希土類磁石について、それらの表面形状から、カットオフ値（λｃ）０．２５ｍｍでの算術平均粗さを導出するために作成される粗さ曲線は、明らかに異なる曲線形状を示し、耐食性の指標となることが明らかになった。そして、本発明者らの更なる検討の結果、その粗さ曲線から得られる算術平均粗さは、その数値が特定の範囲に収まる希土類磁石であれば、十分に耐食性を有することが判明した。
【００２０】
また、希土類磁石の表面に接着剤を塗布して別の被着体と接着させる場合、図１の（ｂ）に示す凹状部１ｂは、その開口部が狭く、かつ深いため、接着剤が凹状部１ｂの最深部にまで流れ込むのが困難である。その結果、接着剤が気泡を巻き込みやすくなり、接着剤による希土類磁石と別の被着体との接着性は低いものとなる。一方、図１の（ａ）に示す凹状部１ａは、開口部が狭いものの、凹状部１ｂよりも浅いため、接着剤はその最深部まで容易に流れ込む。したがって、本発明の希土類磁石は、接着剤が気泡を巻き込み難く、接着剤による別の被着体との接着性を高くすることができる。
【００２１】
また、本発明の希土類磁石は、保護層が金属めっきにより形成されたものであると好ましい。金属めっきにより形成される保護層は、その厚さを薄く制御することが容易であり、磁気特性に影響しない保護層が希土類磁石全体に占める割合を抑えることができる。すなわち、磁石素体が希土類磁石全体に占める割合を増すことで、高い磁気特性を維持することを可能にする。また、金属めっきによる保護層は、形成の初期段階において、磁石素体表面の凹状部上よりも凸状部上に厚く形成されやすい。ところが、この保護層は厚く形成するにしたがい、磁石素体表面の凹状部上に形成される保護層の比率が高くなる。そして、本発明の特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下になるまで、この保護層を設けると、磁石素体の凸状部上だけでなく凹状部にも十分厚く保護層が形成されることとなる。よって、得られる希土類磁石は、上述の磁気特性だけでなく、耐食性も十分に高くなる。
【００２２】
本発明は、希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層とを備えた希土類磁石を準備する工程と、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、希土類磁石表面の表面粗さを、粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、算術平均粗さの数値に基づいて、希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程とを含む希土類磁石の耐食性評価方法を提供する。
【００２３】
従来、希土類磁石の耐食性評価方法として、塩水噴霧試験、プレッシャークッカー試験等の方法が用いられている。これら従来の耐食性評価方法は破壊検査であるため、試験に使用した磁石は、そのまま製品とすることができない。また、従来の耐食性評価方法は、加速試験ではあるものの、磁石が十分な耐食性を有するか否かを判断するまでに長時間を要する。これらの原因により、従来の耐食性評価方法は、その評価コストが増大してしまう。
【００２４】
一方、本発明の希土類磁石の耐食性評価方法は、非破壊検査であるため、試験に供した磁石であっても、そのまま製品として出荷することができる。また、試験時間についても、従来の耐食性評価方法と対比すると、著しく短縮することができる。したがって、本発明の希土類磁石の耐食性評価方法は、十分に評価コストを低減することができる。
【００２５】
また、この耐食性評価方法は、間接的な評価方法であるにも関わらず、直接的な評価方法である塩水噴霧試験と同等の信頼性のレベルで耐食性の評価を行うことができる。希土類元素を含む磁石素体の表面形状は起伏に富んでいるため、その表面上に耐食性を高くできない程度の厚さで保護層を形成すると、その保護層の表面形状は磁石素体の表面形状を強く反映させたものとなる。一方、希土類磁石が十分な耐食性を有する程度に保護層を形成すると、その保護層は厚くなるため、保護層の表面形状は磁石素体の表面形状を反映しない平滑化された形状となる。言い換えれば、希土類磁石の表面形状をより平滑化するように磁石素体上に保護層を形成すると、保護層の厚さはより厚くなる傾向にある。本発明の希土類磁石の耐食性評価方法は、このような傾向を利用したものであるので、十分な信頼性を確保することが可能となる。
【００２６】
また、従来、希土類磁石の表面粗さを評価する方法は、ＪＩＳに規定された方法に留まっていた。一方、本発明において、ＪＩＳに規定された値よりもカットオフ値を小さくすることで、本来的に腐食されやすい凹状部の状態を十分に反映した評価が可能となる。
【００２７】
従来のＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定された算術平均粗さは、接着性や発塵性の評価指標として足る評価にすぎない。接着性や発塵性を評価する場合、カットオフ値をＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定されている値よりも小さく設定すると、凹凸の高さスケールとの不整合による測定精度の低下が懸念される。そのため、接着性や発塵性の指標として表面粗さ評価を用いる場合は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定された方法に留まっていた。一方、本発明では、カットオフ値を０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さを希土類磁石の表面に適用することで、腐食されやすい凹状部に関する平滑性を評価することが可能となった。その結果、希土類磁石の耐食性の評価指標として足る評価が可能となった。
【００２８】
本発明の希土類磁石の耐食性評価方法は、上記判断する工程において、算術平均粗さが０．３０μｍ以下である場合に、希土類磁石の表面は良好な耐食性を示すと判断するものであると好ましい。この耐食性評価方法によると、希土類磁石が十分な耐食性を有しているか否かについて、より信頼性の高い評価を行うことができる。これは、カットオフ値（λｃ）０．２５ｍｍでの算術平均粗さが０．３０μｍを超えるような希土類磁石の表面形状が、特に腐食を誘発しやすい形状であることに起因すると考えられる。
【００２９】
また、上述の粗さ曲線は、レーザー顕微鏡による高さ情報を含んだ画像情報から得られる断面曲線を算術的に処理することにより作成されるものであると好適である。この耐食性評価方法によると、希土類磁石の表面にプローブ等を接触させなくても、粗さ曲線が得られるため、希土類磁石表面の損傷を一層有効に防止することができる。したがって、この評価方法に用いた希土類磁石を製品として出荷しても、より実用に耐え得るものとなるため、信頼性向上の目的で評価試験のサンプル数を更に増加させることが可能となる。
【００３０】
本発明の希土類磁石の評価方法において、評価対象となる磁石の保護層は金属めっきにより形成されたものであると好ましい。金属めっきによる保護層は、形成の初期段階において、磁石素体表面の凹状部上よりも凸状部上に厚く形成されやすい。ところが、この保護層は厚く形成するにしたがい、磁石素体表面の凹状部上に形成される保護層の比率が高くなり、希土類磁石の表面が平滑化していく。したがって、金属めっきによる保護層を設けた希土類磁石を評価対象とすると、本発明の耐食性評価方法が一層信頼性の高いものとなる。
【００３１】
本発明は、希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層とを備えた希土類磁石を準備する工程と、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、希土類磁石表面の表面粗さを、粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、算術平均粗さの数値に基づいて、希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程と、上記判断する工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された希土類磁石の作製条件と同様の条件で希土類磁石を作製する工程とを含む希土類磁石の製造方法を提供する。この希土類磁石の製造方法によると、信頼性が十分に高い上記耐食性評価方法を利用して、良好な耐食性を示すと判断された希土類磁石が得られる。その結果、この製造方法は、十分に高い歩留まりで耐食性に十分優れた希土類磁石を製造することができる。
【００３２】
また、本発明は、希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層とを備えた希土類磁石を準備する工程と、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、希土類磁石表面の表面粗さを、粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、算術平均粗さの数値に基づいて、希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程と、複数の希土類磁石のうち、上記判断する工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された希土類磁石のみを選択する工程とを含む希土類磁石の製造方法を提供する。
【００３３】
この希土類磁石の製造方法によると、信頼性が十分に高い上記耐食性評価方法を利用して、良好な耐食性を示すと判断された希土類磁石のみが選択される。しかも、評価対象となる希土類磁石の損傷は十分に抑制されているため、評価された希土類磁石をそのまま製品として出荷することができる。さらには、その評価試験時間も十分に短いものである。その結果、この製造方法は、極めて高い歩留まりかつ短時間で、耐食性に十分優れた希土類磁石を製造することが可能となる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、表面に保護層を設けてなり、特に表面形状の観点から耐食性に十分優れた希土類磁石を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００３６】
図２は、本発明の好適な実施形態に係る希土類磁石を示す図である。また、図３は、図２に示す希土類磁石のＩ−Ｉ線に沿う断面構成を模式的に示す図である。これらの図に示されるように、希土類磁石１０は磁石素体１２と、その表面上に形成された保護層１４とから構成されるものである。
【００３７】
保護層１４の表面粗さ、すなわち希土類磁石１０の表面粗さは、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さ（以下、「特定の算術平均粗さ」という。）として、０．３０μｍ以下である。ここで、特定の算術平均粗さの導出方法について詳述する。
【００３８】
まず、特定の算術平均粗さを導出する対象となる希土類磁石１０を準備する（磁石準備工程）。
【００３９】
次に、希土類磁石１０の表面の粗さ曲線を作成する（粗さ曲線作成工程）。この工程では、まず、希土類磁石１０の表面形状を観察して記録する。表面形状の観察及び記録方法としては、公知の触針式表面粗さ計等を用いた希土類磁石１０の表面にプローブを直接接触させて、表面形状の観察及びその観察データの記録を行う方法、並びに、公知のレーザー顕微鏡により希土類磁石１０の表面に対して非接触で観察したデータを、高さ情報を含んだ画像情報として記録する非接触による方法などが挙げられる。これらのうち、前者のプローブを希土類磁石１０の表面に直接接触させる方法は、プローブとの接触により希土類磁石１０表面が損傷しやすくなり、またプローブの状態によっては、表面形状の観察データにドリフトやノイズが紛れ込み、表面形状を正確に観察できない場合もある。したがって、希土類磁石１０の表面が損傷し難く、表面形状をより正確に観察できる後者の非接触による方法が好ましい。
【００４０】
粗さ曲線作成工程において、続いて、記録した画像情報から得られる断面曲線を算術的に処理することにより、粗さ曲線が作成される。この際、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下、例えば０．０８ｍｍに設定する以外は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に準拠した方法を採用すればよい。なお、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定していれば、希土類磁石１０の腐食に関与する表面の起伏を十分に把握できる。ただし、このカットオフ値λｃが低い程、算術表面粗さが同じ数値である場合に、希土類磁石１０はより耐食性に優れたものとなる。したがって、カットオフ値λｃは０．１０ｍｍ以下であるとより好ましく、０．０８ｍｍ以下であると更に好ましい。また、カットオフ値λｃの下限は、測定限界及びノイズを考慮すると、０．０１ｍｍであると好ましい。
【００４１】
次いで、希土類磁石１０表面の表面粗さを、上述の粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さＲａとして数値化する（表面粗さ数値化工程）。数値化の方法は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に準拠した方法を採用すればよい。こうして、特定の算術平均粗さが導出される。
【００４２】
特定の算術平均粗さは、希土類磁石１０の耐食性を更に優れたものとする観点から、好適には０．２０μｍ以下、さらに好適には０．１０μｍ以下である。特定の算術平均粗さの下限値は測定限界であればよいが、実用上の製造コスト及び保護層１２の表面に対する接着剤の接着性等を考慮すると、０．０３μｍであることが好ましい。よって、特定の算術平均粗さは、高耐食性、並びに低製造コスト及び高接着性の全てをバランスよく満足する観点から、０．０３〜０．３０μｍであることが好ましく、０．０３〜０．２０μｍであることがより好ましく、０．０３〜０．１０μｍであることが特に好ましい。
【００４３】
磁石素体１２は、希土類元素を含有する永久磁石である。この場合、希土類元素とは、長周期型周期表の第３族に属するスカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）及びランタノイド元素のことをいう。なお、ランタノイド元素には、例えば、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビニウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等が含まれる。
【００４４】
磁石素体１２の構成材料としては、上記希土類元素と、希土類元素以外の遷移元素とを組み合わせて含有させたものが例示できる。この場合、希土類元素としては、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ及びＴｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好ましく、これらの元素にＬａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を更に含有したものであるとより好適である。
【００４５】
また、希土類元素以外の遷移元素としては、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好ましく、Ｆｅ及び／又はＣｏがより好ましい。
【００４６】
より具体的には、磁石素体１２の構成材料としては、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系やＲ−Ｃｏ系のものが例示できる。前者の構成材料においては、ＲとしてＮｄを主成分とした希土類元素が好ましい。また、後者の構成材料においては、ＲとしてＳｍを主成分とした希土類元素が好ましい。
【００４７】
磁石素体１２の構成材料としては、特に、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系の構成材料が好ましい。磁石素体１２がＲ−Ｆｅ−Ｂ系のものであると、後述する製造方法において処理液を接触させた際に、表面の変質層等を良好に除去できるほか、空孔の形成を特に効果的に低減できるようになる。
【００４８】
また、磁石素体１２の構成材料がＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系の構成材料である場合、Ｎｄの一部がＰｒで置換されていると好ましい。これにより、希土類磁石１０の耐食性が更に向上すると共に、水素吸蔵性は低下する。なお、Ｐｒの置換量は、置換していない場合のＮｄの総量に対して、１〜５０原子％であると好ましい。
【００４９】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系の磁石素体１２は、実質的に正方晶系の結晶構造の主相を有し、この主相の粒界部分に希土類元素の配合割合が高い希土類リッチ相、及びホウ素原子の配合割合が高いホウ素リッチ相を有する構造となっている。これらの希土類リッチ相及びホウ素リッチ相は磁性を有していない非磁性相である。このような非磁性相は通常、磁石構成材料中に０．５〜５０体積％含有されている。また、主相の粒径は、通常１〜１００μｍ程度である。
【００５０】
このようなＲ−Ｆｅ−Ｂ系の構成材料においては、希土類元素の含有量が８〜４０原子％であると好ましい。希土類元素の含有量が８原子％未満である場合、主相の結晶構造がα鉄とほぼ同じ結晶構造となり、保持力（ｉＨｃ）が小さくなる傾向にある。一方、４０原子％を超えると希土類リッチ相が過度に形成されてしまい、残留磁束密度（Ｂｒ）が小さくなる傾向にある。
【００５１】
また、Ｆｅの含有量は４２〜９０原子％であると好ましい。Ｆｅの含有量が４２原子％未満であると残留磁束密度が小さくなり、また、９０原子％を超えると保持力が小さくなる傾向にある。さらに、Ｂの含有量は２〜２８原子％であると好ましい。Ｂの含有量が２原子％未満であると菱面体構造が形成されやすく、これにより保持力が小さくなる傾向にある。また、２８原子％を超えると、ホウ素リッチ相が過度に形成されて、これにより残留磁束密度が小さくなる傾向にある。
【００５２】
上述した構成材料においては、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系におけるＦｅの一部が、Ｃｏで置換されていてもよい。このようにＦｅの一部をＣｏで置換すると、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。この場合、Ｃｏの置換量は、Ｆｅの含有量よりも大きくならない程度とすることが望ましい。Ｃｏ含有量がＦｅ含有量を超えると、磁石素体１２の磁気特性が低下する傾向にある。
【００５３】
また上記構成材料におけるＢの一部は、炭素（Ｃ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）又は銅（Ｃｕ）等の元素により置換されていてもよい。このようにＢの一部を置換することによって、磁石素体の製造が容易となるほか、製造コストの低減も図れるようになる。このとき、これらの元素の置換量は、磁気特性に実質的に影響しない量とすることが望ましく、構成原子総量に対して４原子％以下とすることが好ましい。
【００５４】
さらに、保持力の向上や製造コストの低減等を図る観点から、上記構成に加え、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アンチモン（Ｓｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウム（Ｇａ）、銅（Ｃｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）等の元素を添加してもよい。これらの添加量も磁気特性に影響を及ぼさない範囲とすることが好ましく、構成原子総量に対して１０原子％以下とすることが好ましい。また、その他、不可避的に混入する成分としては、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、カルシウム（Ｃａ）等が考えられ、これらは構成原子総量に対して３原子％程度以下の量で含有されていても構わない。
【００５５】
磁石素体１２は、焼結磁石であってもよく、ボンド磁石であってもよい。磁石素体１２は、ボンド磁石である場合、その構成材料としてバインダーの機能を有する樹脂を更に含む。
【００５６】
かかる磁石素体１２の保護層１４を設ける前の表面は、図示していないが、微視的には起伏を有している。その起伏の程度は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−１９９４に規定された算術平均粗さ（カットオフ値λｃ＝０．８０ｍｍ）で０．７〜３μｍであると好ましい。この算術平均粗さが０．７μｍ未満になると、保護層１４との間で、アンカー作用による密着効果が低減するため、保護層１４が剥離しやすくなる傾向にある。また、保護層１４を設ける前に磁石素体１２の表面加工を入念に行う必要が出てくるため、その表面が酸化されやすくなると共に、工業的に現実性が低下する。
【００５７】
保護層１４としては、通常希土類磁石の表面を保護する層として形成されるものであれば特に制限なく適用できる。例えば、塗装や蒸着重合法により形成した樹脂を主成分とする樹脂層、めっきや気相法により形成した金属を主成分とする金属層、塗布法や気相法により形成した無機化合物を主成分とした無機層等が挙げられる。
【００５８】
これらの中では、めっきや気相法により形成した金属層が好ましく、めっきにより形成した金属層がより好ましい。めっきにより形成された金属層は、磁石素体１２の磁気特性の低下を抑制でき、希土類磁石１０の磁気特性をより高いレベルで維持することを可能にする。また、めっきにより、希土類磁石１０の特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下になるような厚さまでめっきによる金属層を形成すると、磁石素体１２の凸状部上だけでなく凹状部にも十分厚く保護層１４（金属層）が形成されることとなる。したがって、希土類磁石１０は、上述の磁気特性だけでなく、耐食性も十分に高くなる。
【００５９】
樹脂層としては、熱硬化性樹脂及び／又は熱可塑性樹脂を主成分とする層が例示され、そのような樹脂層として、熱硬化性樹脂からなる層又は熱可塑性樹脂からなる層の両方が適用できる。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、エポキシメラミン樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ポリ尿素樹脂、エポキシシリコーン樹脂、アクリルシリコーン樹脂等が挙げられる。また、熱可塑性樹脂としては、アクリル酸、エチレン、スチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル等のビニル化合物を原料とするビニル樹脂が挙げられる。
【００６０】
金属層としては、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｎ若しくはＡｌを主成分とする層又はこれらからなる層、あるいは、それら複数の層を組み合わせたものが例示できる。これらの中では、保護層１４の形成の容易さ、特にめっきにより形成する場合の形成の容易さ、並びに製造コストを考慮すると、Ｎｉ及び／又はＣｕを主成分とする層が好適である。また、無機層としては、アルカリ珪酸塩、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を主成分とする層、又はそれらの無機化合物からなる層が挙げられる。
【００６１】
保護層１４の層厚は、３０μｍ以下であると好ましく、１〜２０μｍであるとより好ましい。保護層１４の層厚が１μｍを下回ると耐食性の確保が困難になる傾向にあり、２０μｍを超えると、保護層１４の形成コストが増大する傾向にある。なお、ここで説明する保護層１４の層厚は、希土類磁石１０の全体に亘る平均値である。
【００６２】
本実施形態の希土類磁石１０は、表面の特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下となるように保護層１４が形成されていることにより、耐食性に十分優れたものとなっている。これは、保護層１４が、腐食しやすい凹状部を始めとする磁石素体１２の表面を被覆しており、かつ表面形状が腐食要因物質を堆積しないよう、平滑化されていることによると考えられる。上述の特定の算術平均粗さは、希土類磁石１０表面のこのような表面状態を反映した数値であるため、結果として耐食性を評価できる指標になっていると推測される。ただし、要因はこれらに限定されない。
【００６３】
また、保護層１４の表面に接着剤を塗布して別の被着体と接着させる場合、保護層１４表面の凹状部は浅いため、接着剤はその最深部まで容易に流れ込む。したがって、希土類磁石１０は、接着剤が気泡を巻き込み難く、接着剤による別の被着体との接着性を高くすることができる。
【００６４】
次に、上述したような構成を有する希土類磁石１０の好適な製造方法について説明する。この希土類磁石１０の製造方法は、評価用磁石準備工程と、評価用の希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程（粗さ曲線作成工程）と、評価用の希土類磁石表面の表面粗さを算術平均粗さとして数値化する工程（表面粗さ数値化工程）と、算術平均粗さの数値に基づいて、評価用の希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する工程（耐食性判断工程）と、上記耐食性判断工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された評価用の希土類磁石の作製条件と同様の条件で希土類磁石１０を作製する工程（磁石作製工程）とを含むものである。
【００６５】
まず、評価用磁石準備工程において、磁石素体１２と同様の構成材料を備えた評価用磁石素体を形成する。評価用磁石素体は、粉末冶金法によって作製することができる。この方法においては、まず鋳造法やストリップキャスト法等の公知の合金製造プロセスにより所望の組成を有する合金を作製する。次に、この合金をジョークラッシャー、ブラウンミル、スタンプミル等の粗粉砕機を用いて１０〜１００μｍの粒径となるように粉砕した後、更にジェットミル、アトライター等の微粉砕機により０．５〜５μｍの粒径となるようにする。こうして得られた粉末を、好ましくは６００ｋＡ／ｍ以上の磁場強度を有する磁場のなかで、０．５〜５ｔ／ｃｍ２の圧力で成形する。
【００６６】
その後、得られた成形体を、好ましくは不活性ガス雰囲気又は真空下中、１０００〜１２００℃で０．５〜１０時間焼結させた後に急冷する。さらに、この焼結体に、不活性ガス雰囲気又は真空中、５００〜９００℃で１〜５時間の熱処理（時効処理）を施し、必要に応じて焼結体を所望の形状（実用形状）に加工して、評価用磁石素体を得る。
【００６７】
こうして得られた評価用磁石素体には、後述の評価用保護層を形成する工程を実施する前に、アルカリ脱脂処理及び／又は酸洗浄を施すことが好ましい。酸洗浄で使用する酸としては、硝酸を用いることが好ましい。一般の鋼材にめっき処理を施す場合、塩酸、硫酸等の非酸化性の酸が用いられることが多い。しかし、本実施形態での評価用磁石素体のように希土類元素を含む場合には、これらの酸を用いて処理を行うと、酸により発生する水素が評価用磁石素体の表面に吸蔵され易く、吸蔵部位が脆化して多量の粉状未溶解物が発生する場合がある。この粉状未溶解物は、表面処理後の面粗れ、欠陥および密着不良を引き起こすおそれがある。このため、上述したような非酸化性の酸は、本実施形態においては酸洗浄処理液に含有させないことが好ましい。したがって、酸洗浄においては、水素の発生が少ない酸化性の酸である硝酸を用いることが好ましい。
【００６８】
このような酸洗浄による評価用磁石素体の表面の溶解量は、表面から平均厚みで５μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍとするのが好適である。こうすれば、評価用磁石素体の表面の加工による変質層や酸化層をほぼ完全に除去することができる。
【００６９】
酸洗浄に用いられる処理液の硝酸濃度は、好ましくは１規定以下、特に好ましくは０．５規定以下である。硝酸濃度が高すぎると、磁石素体１２の溶解速度が極めて速く、溶解量の制御が困難となり、特にバレル処理のような大量処理ではばらつきが大きくなり、製品の寸法精度の維持が困難となる傾向がある。また、硝酸濃度が低すぎると、溶解量が不足する傾向がある。このため、硝酸濃度は１規定以下とすることが好ましく、特に０．５〜０．０５規定とすることが好ましい。また、処理終了時のＦｅの溶解量は、１〜１０ｇ／Ｌ程度とする。
【００７０】
なお、酸洗浄を行う場合、酸洗浄後の評価用磁石素体の表面から少量の未溶解物、残留酸成分が残る場合がある。そこで、これらの未溶解物等を完全に除去するため、評価用磁石素体に対しては、超音波を使用した洗浄を更に実施することが好ましい。この超音波洗浄は、上記未溶解物等をより効率的に除去するために、グルコン酸溶液中で行うのが好ましい。また、上記超音波洗浄の前後、及び酸洗浄の各過程で必要に応じて水洗を行ってもよい。
【００７１】
その後、評価用磁石素体の表面上に評価用保護層を形成させることにより、評価用希土類磁石を得る。評価用保護層は、上述の保護層１４と同様の構成材料を備えるように形成される。
【００７２】
例えば、評価用保護層が金属層の場合、評価用磁石素体に対して電解めっき、無電解めっき等を施すことにより形成することができる。その他、イオンプレーティング法、スパッタ法、蒸着法等の気相法も適用できる。
【００７３】
樹脂層は、上述した樹脂を溶媒に溶解して塗布液を調製し、これをディップコート法、ディップスピンコート法、スプレーコート法等により評価用磁石素体の表面に塗布した後、焼き付けたり乾燥させたりすることで形成することができる。また、樹脂層を形成するためのモノマーを気化させて評価用磁石素体表面に蒸着すると同時に重合させる、いわゆる重合蒸着法によっても、樹脂層の形成が可能である。
【００７４】
また、無機層は、アルカリ珪酸塩溶液や金属アルコキシド溶液を評価用磁石素体の表面に塗布した後、焼き付けたり乾燥させたりすることで形成することができるほか、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の気相法を用いても形成することができる。
【００７５】
そして、上述の評価用磁石素体及び評価用保護層の各形成方法及び構成材料等の条件を変更して作製した複数の評価用希土類磁石を準備する。
【００７６】
次に、粗さ曲線作成工程において、準備した複数の評価用希土類磁石の粗さ曲線を作成し、表面粗さ数値化工程において、評価用希土類磁石表面の表面粗さを算術平均粗さとして数値化する。これらの工程はそれぞれ、上述の特定の算術平均粗さの導出方法における粗さ曲線作成工程及び表面粗さ数値化工程と同様であればよい。
【００７７】
次いで、耐食性判断工程において、評価用希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する。この際、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下であるか否かで、耐食性が良好であるか否かを判断する。すなわち、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下であると耐食性が良好であり、０．３０μｍを超えると耐食性が良好ではない、と判断する。ただし、耐食性の判断をより厳格に行う場合は、好適には特定の算術平均粗さが０．２０μｍ以下であるか否か、さらに好適には特定の算術平均粗さが０．１０μｍ以下であるか否かで、耐食性が良好であるか否かを判断する。
【００７８】
そして、磁石作製工程において、耐食性判断工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された評価用希土類磁石の作製条件と同様の条件で希土類磁石１０を作製する。
【００７９】
この希土類磁石の製造方法によれば、十分に高い歩留まりで耐食性に十分優れた希土類磁石を製造することができる。また、評価用希土類磁石は、それぞれ作製条件を変更したものを１種類ずつ準備すればよいので、全体的な希土類磁石の製造コストを更に低減することができる。
【００８０】
なお、希土類磁石１０のように、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下である磁石を一層容易に作製するには、電解めっきによる金属層を２層以上に多層化して保護層とする方法が挙げられる。これによると、保護層を単層にする場合と比較して、保護層による表面形状の平滑化が容易となる。また、金属めっきを作製する際に、めっき添加剤をめっき浴に含有させることも好適である。めっき添加剤をめっき浴に含有させると、表面の凸状部よりも凹状部において選択的にめっきが形成しやすくなる。例えば、電解ニッケルめっき浴における１次光沢剤と呼ばれるめっき添加剤としては、＝Ｃ−ＳＯ２−構造を有する有機化合物、具体的には１，３，６−ナフタレントリスルホン酸、１，５−、１，６−又は２，５−ナフタレンジスルホン酸、アリルスルホン酸又はベンゼンスルホン酸などのスルホン酸塩や、サッカリン又はサッカリンナトリウムなどの芳香族スルホンイミドや、パラトルエンスルホンアミド又はベンゼンスルホンアミドなどのスルホンアミドや、スルフィン酸や、ベンゼンスルフィン酸塩や、チオ硫酸塩や、亜硫酸塩、さらには、チオ尿素、チオセミカルバジド、メチルチオセミカルバジド等のチオ尿素基を有する化合物、さらには前記有機化合物の塩、誘導体、誘導体塩などが挙げられる。
【００８１】
また、例えば、電解ニッケルめっき浴における２次光沢剤と呼ばれるめっき添加剤としては、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｃ＝Ｎ，Ｎ−Ｃ−Ｓ、Ｎ＝Ｎ又は−ＣＨ２−ＣＨ−Ｏ−などの構造を有する有機化合物、具体的にはキノリンや、ピリジンや、ホルムアルデヒドや、抱水クロラールや、１，４−ブチンジオール又は２−ブチン−１，４ジオールや、プロパギルアルコールや、エチレンシアンヒドリンや、クマリンや、さらには上記有機化合物の誘導体などが挙げられる。
【００８２】
また、例えば、電解銅めっき浴におけるブライトナーと呼ばれるめっき添加剤としては、チオ尿素、チオセミカルバジド、メチルチオセミカルバジド等のチオ尿素基を有する化合物に加えて、チアントレンスルホン酸、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドナトリウム、ビス（２−スルホエチル）ジスルフィド、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸、ビス−メルカプト−オキシメチレン−ジスルフィド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ジチオカルバミン酸−（スルホプロピル）−エステル、メルカプト−ベンゾチアゾール−Ｓ−プロパンスルホン酸、ｏ−エチル−ジチオ−石炭塩−（８−スルホプロピル）エステルなどのスルホン基を有する有機化合物、その塩、前記有機化合物の誘導体、誘導体の塩などが挙げられる。
【００８３】
上記めっき添加剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００８４】
さらには、電解めっきによる保護層を、低電流で長時間かけて形成してもよい。これらの方法によると、保護層の層厚を厚くすることなく、しかも、磁石素体の全表面上に保護層を形成しやすくなる。その結果、これらの方法によって、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下となるように保護層を形成すると、耐食性が更に向上する。
【００８５】
次に、本発明の好適な希土類磁石の耐食性評価方法について説明する。この耐食性評価方法は、希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層とを備えた希土類磁石を準備する工程（磁石準備工程）と、粗さ曲線作成工程と、表面粗さ数値化工程と、算術平均粗さが０．３０μｍ以下である場合に、希土類磁石の表面は良好な耐食性を示すと判断する工程（耐食性判断工程）とを含むものである。
【００８６】
磁石準備工程において準備される希土類磁石は、上述の希土類磁石１０と同様であってもよく、異なるものであってもよい。また、粗さ曲線作成工程及び表面粗さ数値化工程はそれぞれ、上述の特定の算術平均粗さの導出方法における粗さ曲線作成工程及び表面粗さ数値化工程と同様であればよい。なお、粗さ曲線は、レーザー顕微鏡による高さ情報を含んだ画像情報から得られる断面曲線を算術的に処理することにより作成されるものであると、評価対象である希土類磁石の損傷抑制の観点から好ましい。
【００８７】
次に、耐食性判断工程において、希土類磁石表面の耐食性が良好であるか否かを判断する。この際、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下であるか否かで、耐食性が良好であるか否かを判断する。すなわち、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下であると耐食性が良好であり、０．３０μｍを超えると耐食性が良好ではない、と判断する。したがって、例えば、希土類磁石が上記希土類磁石１０と同様のものであれば、特定の算術平均粗さが０．３０μｍ以下となるので、耐食性が良好であると判断する。ただし、耐食性の判断をより厳格に行う場合は、好適には特定の算術平均粗さが０．２０μｍ以下であるか否か、さらに好適には特定の算術平均粗さが０．１０μｍ以下であるか否かで、耐食性が良好であるか否かを判断する。
【００８８】
この希土類磁石の耐食性評価方法によれば、塩水噴霧試験、プレッシャークッカー試験等の破壊検査方法とは異なり、評価に用いた磁石であっても、そのまま製品として出荷することができ、評価時間を短縮することができる。よって、十分に評価コストを削減することができる。また、この耐食性評価方法は、保護層の磁石素体の表面上における形成状態と保護層の表面形状（表面性状）とが密接に相関していることを利用したものである。さらには、カットオフ値（λｃ）０．２５ｍｍでの算術平均粗さが０．３０μｍを超えるような希土類磁石の表面形状は、特に腐食を誘発しやすい形状であると考えられる。これらの要因により、この耐食性評価方法は、十分に信頼性を有するものである。
【００８９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００９０】
例えば、本発明の希土類磁石の製造方法は、別の実施形態において、上述の評価用磁石準備工程と同様にして作製した希土類磁石を、上記耐食性評価方法における評価対象の希土類磁石として用い、上記耐食性評価方法により良好な耐食性を示すと判断された希土類磁石のみを選択する方法であってもよい。すなわち、この希土類磁石の製造方法は、上述の評価用磁石準備工程と同様にして希土類磁石を作製する工程と、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定して、その希土類磁石表面の粗さ曲線を作成する工程と、希土類磁石表面の表面粗さを、粗さ曲線に基づいて、算術平均粗さとして数値化する工程と、算術平均粗さが０．３０μｍ以下である場合に、希土類磁石の表面は良好な耐食性を示すと判断する工程と、複数の希土類磁石のうち、上記判断する工程により表面が良好な耐食性を示すと判断された希土類磁石のみを良品として選択する工程とを含むものであってもよい。
【００９１】
この希土類磁石の製造方法によると、粗さ曲線を作成する工程において、希土類磁石の損傷を十分に抑制できる。その結果、作製した複数の希土類磁石のうち、良品として選択されたものは、そのまま製品として取り扱うことができる。また、作製した希土類磁石の一部が保護層を十分に形成されていなかった場合でも、選択する工程においてその希土類磁石を良品として選択せず、不良品として扱うことになる。したがって、製品としての希土類磁石の歩留まりを十分に高くすることができる。
【００９２】
また、この希土類磁石の製造方法により得られた希土類磁石の群は、本発明の希土類磁石の群、すなわち、希土類元素を含有する磁石素体と、当該磁石素体の表面上に形成された保護層とを備え、表面粗さが、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍ以下に設定した際の算術平均粗さとして、０．３０μｍ以下である希土類磁石の群となる。
【実施例】
【００９３】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９４】
［磁石素体の作製］
まず、粉末冶金法により、希土類元素としてネオジムを含む合金（Ｎｄ−Ｄｙ−Ｂ−Ｆｅ系、Ｎｄ：２７．４質量％、Ｄｙ：３質量％、Ｂ：１質量％、Ｆｅ：６８．６質量％）を形成した。次いで、得られた合金を鋳造してインゴットを作製した。得られたインゴットをスタンプミルにより粗粉砕し、更にボールミルにより微粉砕して微粉末を得た。続いて得られた微粉末を金型内に充填し、磁場中で成形した。次に、得られた成形体を、不活性ガス中、１１００℃で１時間焼成して更に急冷した後、６００℃で２時間、時効処理を施した。時効処理後の成形体を１０ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍの直方体状となるように加工し、更にバレル研磨処理を施した。そして面取りをして形状を整えることにより、磁石素体を得た。
【００９５】
［磁石素体の算術平均粗さの導出］
次いで、磁石素体に、アルカリ脱脂処理、硝酸溶液を用いた表面酸化膜除去処理(酸洗浄処理)、並びに、グルコン酸溶液を用いた超音波洗浄処理（スマット除去処理）をこの順に施した。この処理後の磁石素体の表面形状を、市販のレーザー顕微鏡により観察して、高さ情報を含んだ画像情報として記録した。その後、この画像情報から断面曲線を取得した。次に、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍ、０．２５ｍｍ、及び０．８０ｍｍに設定した場合の粗さ曲線をそれぞれ作成した。そして、得られた粗さ曲線に基づいて、磁石素体の算術平均粗さを求めたところ、それぞれ０．６３μｍ、１．２２μｍ、１．７４μｍであった。
【００９６】
［希土類磁石の作製］
（作製例１）
上述のようにして得られた磁石素体を、ニッケル塩を含有するワット浴に浸漬して、その表面上に１０μｍの層厚を有するニッケルめっきによる保護層を形成した。更に、ニッケルめっきによる保護層を形成した磁石素体を、めっき添加剤である１，５−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム（濃度：５ｇ／Ｌ）及び２−ブチン−１，４−ジオール（濃度：１００ｍｇ／Ｌ）、並びにニッケル塩を含有する光沢ワット浴に浸漬して、その表面上に５μｍの層厚を有する光沢ニッケルめっきによる保護層を形成した。こうして、磁石素体の表面上にニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。この希土類磁石の表面のレーザー顕微鏡写真を図４に示す。
【００９７】
（作製例２）
上述のようにして得られた磁石素体を青化銅めっき浴に浸漬して、その表面上に１０μｍの層厚を有する銅めっきによる保護層を形成した。更に、銅めっきによる保護層を形成した磁石素体を、めっき添加剤である１，５−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム（濃度：５ｇ／Ｌ）及び２−ブチン−１，４−ジオール（濃度：１００ｍｇ／Ｌ）、並びにニッケル塩を含有する光沢ワット浴に浸漬して、その表面上に５μｍの層厚を有する光沢ニッケルめっきによる保護層を形成した。こうして、磁石素体の表面上に銅めっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。
【００９８】
（作製例３）
光沢ニッケルめっきによる保護層の層厚を３μｍに変更した以外は作製例１と同様にして、磁石素体の表面上にニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。
【００９９】
（作製例４）
光沢ニッケルめっきによる保護層の層厚を３μｍに変更した以外は作製例２と同様にして、磁石素体の表面上に銅めっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。
【０１００】
（作製例５）
めっき添加剤である２−ブチン−１，４−ジオールの濃度を２５ｍｇ／Ｌに変更した以外は作製例１と同様にして、磁石素体の表面上にニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。
【０１０１】
（作製例６）
めっき添加剤である２−ブチン−１，４−ジオールの濃度を５ｍｇ／Ｌに変更した以外は作製例１と同様にして、磁石素体の表面上にニッケルめっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。
【０１０２】
（作製例７）
めっき添加剤である２−ブチン−１，４−ジオールの濃度を５ｍｇ／Ｌに変更した以外は作製例２と同様にして、磁石素体の表面上に銅めっき及び光沢ニッケルめっきによる保護層をこの順で積層した希土類磁石を得た。この希土類磁石の表面のレーザー顕微鏡写真を図５に示す。
【０１０３】
［希土類磁石の算術平均粗さの導出］
作製例１〜７で得られた希土類磁石の表面形状を、市販のレーザー顕微鏡により観察して、高さ情報を含んだ画像情報として記録した。その後、この画像情報から断面曲線を取得した。次に、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍ、０．２５ｍｍ、及び０．８０ｍｍに設定した場合の粗さ曲線をそれぞれ作成した。そして、得られた粗さ曲線に基づいて、磁石素体の算術平均粗さを求めた。結果を表１に示す。また、作製例１及び７の希土類磁石の断面曲線（ａ）、カットオフ値λｃが０．８０ｍｍでの粗さ曲線（ｂ）、及びカットオフ値λｃが０．０８ｍｍでの粗さ曲線（ｃ）を図６、９にそれぞれ示す。
【０１０４】
【表１】
2007266226.tif 000003
【０１０５】
［希土類磁石の塩水噴霧試験］
作製例１〜７で得られた希土類磁石に対して、３５℃で、塩水（５％ＮａＣｌ）の噴霧を所定時間（５０〜３００時間）行い、その後前後での外観の変化を目視にて観察した。結果を表１に示す。「Ａ」は外観に変化が認められなかったことを示し、「Ｂ］は膨れが認められたことを示す。
【０１０６】
表１から明らかなように、カットオフ値λｃが０．２５ｍｍ及び０．０８ｍｍの場合、算術平均粗さが０．３０ｍｍ以下である作製例１〜５の希土類磁石は、塩水噴霧試験において２００時間塩水噴霧を行った後の外観に変化が認められず、高い耐食性を示すものといえる。
【０１０７】
［算術平均表面粗さと塩水噴霧試験との対比］
（対比例１）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、２００時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。表２中、耐食性が良好である場合を「合格」、耐食性が良好でない場合を「不合格」と表した。
【０１０８】
【表２】
2007266226.tif 000004
【０１０９】
（対比例２）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、２５０時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１０】
（対比例３）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．０８ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、３００時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１１】
（対比例４）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、２００時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１２】
（対比例５）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．２５ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．２０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、３００時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１３】
（対比例６）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．８０ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．６０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、２００時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１４】
（対比例７）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．８０ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．５０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、２５０時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１５】
（対比例８）
作製例１〜７の希土類磁石のうち、カットオフ値λｃを０．８０ｍｍに設定した場合に算術平均粗さ（Ｒａ）が０．４０μｍ以下である希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。一方、作製例１〜７の希土類磁石のうち、上述の塩水噴霧試験において、３００時間塩水を噴霧した前後での外観変化が認められた希土類磁石は、耐食性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
【０１１６】
表２中、作製例１〜７の希土類磁石に対する耐食性の判断が、算術平均粗さと塩水噴霧試験とで一致している対比例を「一致」、一致していない対比例を「不一致」で表した。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】希土類磁石表面の起伏を模式的に示した断面図である。
【図２】好適な実施形態に係る製造方法により得られた希土類磁石を示す図である。
【図３】図２に示す希土類磁石のＩ−Ｉ線に沿う断面構成を模式的に示す図である。
【図４】作製例１に係る希土類磁石のレーザー顕微鏡写真である。
【図５】作製例７に係る希土類磁石のレーザー顕微鏡写真である。
【図６】作製例１に係る希土類磁石の断面曲線、及び各カットオフ値λｃでの粗さ曲線である。
【図７】作製例７に係る希土類磁石の断面曲線、及び各カットオフ値λｃでの粗さ曲線である。
【符号の説明】
【０１１８】
１０…希土類磁石、１２…磁石素体、１４…保護層。
【図１】
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【図２】
2007266226.tif 000006
【図３】
2007266226.tif 000007
【図４】
2007266226.tif 000008
【図５】
2007266226.tif 000009
【図６】
2007266226.tif 000010
【図７】
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