(57)【要約】【課題】反射膜の表面に凹凸パターンを形成した場合でも、その反射膜が設けられた平面内においてセルギャップを均一にすることにより、ムラのない表示を行う液晶表示装置を提供する。【解決手段】基板７ａと基板８ａの間に設けられた液晶層１２と、基板７ａと液晶層１２の間に設けられた凹凸樹脂膜２３と、凹凸樹脂膜２３上に設けられた光反射膜２４と、基板８ａと液晶層１２の間に設けられたオーバーコート膜４３とを有し、凹凸樹脂膜２３及びオーバーコート膜４３のそれぞれの表面には複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターン３８，３９が設けられた液晶表示装置である。この液晶表示装置において、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂはオーバーコート膜４３の凹部３９ａと対向し、凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａはオーバーコート膜４３の凸部３９ｂと対向する。【選択図】図２
2007171322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、該第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に設けられた液晶層と、前記第１基板と前記液晶層の間に設けられた第１樹脂膜と、該第１樹脂膜上に設けられた光反射膜と、前記第２基板と前記液晶層の間に設けられた第２樹脂膜とを有する液晶表示装置において、
前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜のそれぞれの表面には複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンが設けられ、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と対向し、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と対向することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部とが互いに相似形状であり、さらに前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部とが互いに相似形状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の液晶表示装置において、前記第１基板と前記第１樹脂膜との間には着色膜が設けられ、前記第１樹脂膜は前記着色膜を覆う保護膜であること、又は前記第２基板と前記第２樹脂膜との間には着色膜が設けられ、前記第２樹脂膜は前記着色膜を覆う保護膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶表示装置において、前記第１樹脂膜の凹部の平面的な断面径は、当該第１樹脂膜の凹部に平面視で重なる第２樹脂膜の凸部の平面的な断面径より大きいこと、又は前記第２樹脂膜の凹部の平面的な断面径は、当該第２樹脂膜の凹部に平面視で重なる第１樹脂膜の凸部の平面的な断面径より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
第１基板と、該第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に設けられた液晶層と、前記第１基板と前記液晶層の間に設けられた第１樹脂膜と、該第１樹脂膜上に設けられた光反射膜と、前記第２基板と前記液晶層の間に設けられた第２樹脂膜とを有する液晶表示装置において、
前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜のそれぞれの表面には複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンが設けられ、前記第１樹脂膜の凹凸パターンの凸部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と対向し、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と対向し、
前記光反射膜が設けられている領域内において、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部との間の間隔と、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部との間の間隔は、互いに略等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
第１基板上に第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、前記第１樹脂膜の表面に複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンを形成する第１凹凸パターン形成工程と、該第１凹凸パターン形成工程の後に前記第１樹脂膜上に光反射膜を形成する光反射膜形成工程と、前記第１基板に対向する基板である第２基板上に第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程と、前記第２樹脂膜の表面に複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンを形成する第２凹凸パターン形成工程と、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部とが対向し、且つ前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部とが対向して、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第１凹凸パターン形成工程は、第１露光マスクを用いて前記第１樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、前記第２凹凸パターン形成工程は、第２露光マスクを用いて前記第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、前記第１露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、前記第１樹脂膜の材料は感光した部分が可溶化する樹脂であるポジ型の感光性樹脂であり、前記第２露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、前記第２樹脂膜の材料は感光した部分が固化する樹脂であるネガ型の感光性樹脂であり、前記第２樹脂膜の凸部は前記第２露光マスクの光透過率が大きい領域に対応し、前記第２樹脂膜の凹部は前記第２露光マスクの光透過率が小さい領域に対応することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第１凹凸パターン形成工程は、第１露光マスクを用いて前記第１樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、前記第２凹凸パターン形成工程は、第２露光マスクを用いて前記第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、前記第１露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、前記第１樹脂膜の材料は感光した部分が可溶化する樹脂であるポジ型の感光性樹脂であり、前記第２露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、前記第２樹脂膜の材料はポジ型の感光性樹脂であり、前記第２樹脂膜の凸部は前記第２露光マスクの光透過率が小さい領域に対応し、前記第２樹脂膜の凹部は前記第２露光マスクの光透過率が大きい領域に対応することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６から請求項８のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法において、前記第１露光マスクのうちの第１樹脂膜の凹部に対応するパターン径をＤ１とし、前記第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凸部に対応するパターン径をＤ２としたとき、又は前記第２露光マスクのうちの第２樹脂膜の凹部に対応するパターン径をＤ１とし、前記第１露光マスクのうちの前記第１樹脂膜の凸部に対応するパターン径をＤ２としたとき、
Ｄ１＝Ｄ２+４μｍ
であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項５記載のいずれか１つに記載の液晶表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を用いて光を制御する液晶表示装置に関する。また、本発明は、その液晶表示装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その液晶表示装置を用いて構成する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機といった各種の電子機器では、例えば、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置は、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示することができる。液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板間にシール材によって囲まれた空間を形成し、その空間内に液晶を封止する構造を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより表示が行われる。
【０００３】
このような液晶表示装置として、例えば、光反射膜によって反射された反射光を用いて表示を行うものがある。そして、光が鏡面反射することを防止するために、光反射膜の下層となる樹脂膜の表面に凹凸パターンを設けることが知られている（例えば、特許文献１参照）。なお、特許文献１に開示された液晶表示装置では、一対の基板のうちの他方の基板には樹脂膜が設けられていないか、又は凹凸パターンを有しない樹脂膜が設けられている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−４３４６６号公報（第３〜４頁、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された液晶表示装置において、樹脂膜の上には、例えば電極や配向膜等といった種々の要素が積層されているので、樹脂膜の表面は液晶層に直接には接触していない。しかしながら、樹脂膜上に積層された種々の要素は、樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンの上に重ねて形成されるので、液晶層に面する要素の表面にも、樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンを反映した凹凸パターンが形成されることが考えられる。このような場合には、凹凸パターンの凹部と凸部とで液晶層の層厚、すなわち、セルギャップが異なり、液晶表示装置の表示にムラが発生する恐れがあった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、反射膜の表面に凹凸パターンを形成した場合でも、その反射膜が設けられた平面内においてセルギャップを均一にすることにより、液晶表示装置及び電子機器においてムラのない表示を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、該第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に設けられた液晶層と、前記第１基板と前記液晶層の間に設けられた第１樹脂膜と、該第１樹脂膜上に設けられた光反射膜と、前記第２基板と前記液晶層の間に設けられた第２樹脂膜とを有する液晶表示装置において、前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜のそれぞれの表面には複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンが設けられている。この液晶表示装置において、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と対向し、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と対向している。
【０００８】
上記構成の液晶表示装置において、第１樹脂膜上に設けられた光反射膜は、例えば室内光等といった外部光を反射して表示に利用するためのものである。すなわち、上記構成の液晶表示装置は、反射光を利用して表示を行う反射表示領域を備えた液晶表示装置、すなわち、反射型液晶表示装置又は半透過反射型液晶表示装置である。そして、第１樹脂膜に設けられた凹凸パターンは、例えば光反射膜において反射する光を散乱させるために設けられている。
【０００９】
上記構成の液晶表示装置では、液晶層を挟んで対向する第１樹脂膜と第２樹脂膜の両方に凹凸パターンが設けられている。そして、第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部が、対向する第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と対向している。また、第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部が、対向する第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と対向している。このように、第１樹脂膜の表面と第２樹脂膜の表面とに設けられた複数の凹部と複数の凸部は、個々の凹部と個々の凸部とが対向して平面視で重なっているので、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間に設けられた液晶層の層厚、すなわちセルギャップが凹凸パターンの凹部と凸部との間で変化することを防止できる。その結果、液晶表示装置の表示、特に反射表示領域における表示にムラが発生することを防止できる。
【００１０】
なお、凹部と凸部とが対向する態様としては種々のものが考えられる。例えば、（１）凹部と凸部とが互いに完全に一致して重なり合う場合が考えられる。また、（２）凸部が凹部よりも小さく形成され、その凸部の全体が凹部に含まれるように互いに重なり合う場合が考えられる。また、（３）凹部が凸部よりも小さく形成され、その凹部の全体が凸部に含まれるように互いに重なり合う場合が考えられる。また、（４）図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように、凹部と凸部の一部分同士が互いに重なり合う場合が考えられる。
【００１１】
次に、本発明に係る液晶表示装置においては、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部とが互いに相似形状であり、さらに前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部とが互いに相似形状であることが望ましい。こうすれば、凹部と凸部とを平面視で重ねたときに、液晶層の層厚が変化することをより一層確実に防止できる。相似形状とは、凹部と凸部とを平面的又は側面的に見たときに形（例えば、円形、山形形状）が同じで大きさが異なることである。
【００１２】
次に、本発明に係る液晶表示装置において、前記第１基板と前記第１樹脂膜との間には着色膜が設けられ、前記第１樹脂膜は前記着色膜を覆う保護膜であることが望ましい。または、前記第２基板と前記第２樹脂膜との間には着色膜が設けられ、前記第２樹脂膜は前記着色膜を覆う保護膜であることが望ましい。着色膜を覆う保護膜は、通常、感光性の樹脂を用いて形成されている。この保護膜に凹凸パターンを形成すれば、構成要素を新たに増やすことなく、容易に第１樹脂膜と第２樹脂膜の両側に凹凸パターンを設けることができる。
【００１３】
次に、本発明に係る液晶表示装置において、前記第１樹脂膜の凹部の平面的な断面径は、当該第１樹脂膜の凹部に平面視で重なる第２樹脂膜の凸部の平面的な断面径より大きいことが望ましい。または、前記第２樹脂膜の凹部の平面的な断面径は、当該第２樹脂膜の凹部に平面視で重なる第１樹脂膜の凸部の平面的な断面径より大きいことが望ましい。ここでいう凸部の平面的な断面径とは、凸部の頂点から底面へ向かって所定の長さだけ移動した位置における凸部の断面を平面的に見たときの径である。他方、凹部の平面的な断面径とは、凸部に対向する凹部の底点から開口面へ向かって所定の長さだけ移動した位置における凹部の断面を平面的に見たときの径である。
【００１４】
仮に、第１樹脂膜の凹部の平面的な断面径と、当該第１樹脂膜の凹部に対向する第２樹脂膜の凸部の平面的な断面径とが同じ径であった場合には、これらの凹部と凸部は形が一致することになる。他方、第２樹脂膜の凹部の平面的な断面径と、当該第２樹脂膜の凹部に対向する第１樹脂膜の凸部の平面的な断面径とが同じ径であった場合も、これらの凹部と凸部は形が一致することになる。このように、互いに対向する凹部と凸部とが同一形状である場合には、例えば、液晶表示装置を組立てる際に、第１基板と第２基板との間で組みズレが発生したとき、凹部と凸部とが平面視で正確に一致しないことが考えられる。
【００１５】
本発明に係る液晶表示装置では、第１樹脂膜の凹部の平面的な断面径を、当該第１樹脂膜の凹部に平面視で重なる第２樹脂膜の凸部の平面的な断面径より大きく設けることができる。または、第２樹脂膜の凹部の平面的な断面径を、当該第２樹脂膜の凹部に対向する第１樹脂膜の凸部の平面的な断面径より大きく設けることができる。こうすれば、仮に第１基板と第２基板との間で組みズレが発生した場合であっても、凸部の全体を平面視で凹部に含ませることができる。
【００１６】
次に、本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、該第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に設けられた液晶層と、前記第１基板と前記液晶層の間に設けられた第１樹脂膜と、該第１樹脂膜上に設けられた光反射膜と、前記第２基板と前記液晶層の間に設けられた第２樹脂膜とを有する液晶表示装置において、前記第１樹脂膜及び前記第２樹脂膜のそれぞれの表面には複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンが設けられている。この液晶表示装置において、前記第１樹脂膜の凹凸パターンの凸部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と対向し、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部は前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と対向している。そしてさらに、前記光反射膜が設けられている領域内において、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部との間の間隔と、前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部との間の間隔は、互いに略等しくなっている。
【００１７】
これにより、凹凸パターンが設けられた領域内において、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間に設けられた液晶層の層厚、すなわちセルギャップを光反射膜が設けられた領域の全域において略一定にできるので、液晶表示装置の表示、特に反射表示領域における表示にムラが発生することを防止できる。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、（１）第１基板上に第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、（２）前記第１樹脂膜の表面に複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンを形成する第１凹凸パターン形成工程と、（３）該第１凹凸パターン形成工程の後に前記第１樹脂膜上に光反射膜を形成する光反射膜形成工程と、（４）前記第１基板に対向する基板である第２基板上に第２樹脂膜を形成する第２樹脂膜形成工程と、（５）前記第２樹脂膜の表面に複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンを形成する第２凹凸パターン形成工程と、（６）前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部とが対向し、且つ前記第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と前記第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部とが対向して、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せる工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
この液晶表示装置の製造方法では、第１凹凸パターン形成工程において第１基板上の第１樹脂膜に凹凸パターンを形成し、第２凹凸パターン形成工程において第２基板上の第２樹脂膜に凹凸パターンを形成するようにした。こうすれば、液晶層を挟んで対向する第１基板と第２基板の両側に凹凸パターンを設けることができる。そして、第１基板と第２基板とを貼り合せる工程において、第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部とが対向し、且つ第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部とが対向して、第１基板と第２基板とを貼り合せるようにした。こうすれば、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層の層厚、すなわちセルギャップが凹凸パターンの凹部と凸部との間で変化することを防止できる。その結果、液晶表示装置の表示、特に反射表示領域における表示にムラが発生することを防止できる。
【００２０】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、（１）前記第１凹凸パターン形成工程は、第１露光マスクを用いて前記第１樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、（２）前記第２凹凸パターン形成工程は、第２露光マスクを用いて前記第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、（３）前記第１露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、（４）前記第１樹脂膜の材料は感光した部分が可溶化する樹脂であるポジ型の感光性樹脂であり、（５）前記第２露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、（６）前記第２樹脂膜の材料は感光した部分が固化する樹脂であるネガ型の感光性樹脂であり、（７）前記第２樹脂膜の凸部は前記第２露光マスクの光透過率が大きい領域に対応し、前記第２樹脂膜の凹部は前記第２露光マスクの光透過率が小さい領域に対応することが望ましい。
【００２１】
液晶表示装置の第１樹脂膜及び第２樹脂膜の材料としては感光性樹脂が用いられることが多い。この感光性樹脂は、その性質によってポジ型とネガ型とに大別できる。ポジ型の感光性樹脂は、感光した部分が可溶化する性質を有する樹脂である。他方、ネガ型の感光性樹脂は、感光した部分が固化する性質を有する樹脂である。
【００２２】
また、第１樹脂膜を露光するための第１露光マスク及び第２樹脂膜を露光するための第２露光マスクは、少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスク（すなわち、多階調マスク）である。この露光マスクはマスクパターンの構成により次の２つに大別できる。一方は、光透過率が小さい領域と光透過率が大きい領域の２つの領域から成るマスクであり、本明細書中ではこのマスクを２階調マスクと呼ぶこととする。この２階調マスクにおいて、光透過率が小さい領域は光を完全に遮光する材料で形成されることが多い。また、光透過率が大きい領域は光を完全に透過する材料で形成されることが多い。
【００２３】
他方は、光透過率が小さい領域、光透過率が中間値の領域、及び光透過率が大きい領域の少なくとも１つをハーフトーン材料を用いて形成して成るマスクであり、本明細書中ではこのマスクをハーフトーンマスクと呼ぶこととする。このハーフトーンマスクは多階調の光透過性を有するマスクである。このハーフトーンマスクのうちの光透過率が中間値の領域は、少なくとも１階調以上の光透過率に設定される。従って、マスク全体では、少なくとも３階調以上の光透過率が設けられることになる。
【００２４】
従来、液晶表示装置において光反射膜の下層となる第１樹脂膜は、ポジ型の感光性樹脂を用いて形成されることが多かった。本発明態様では、第１樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程において、ポジ型の感光性樹脂を材料とする第１樹脂膜に対して露光処理を行うことができるので、第１基板上に形成する膜の材料を現状のままで変えることなく第１樹脂膜に凹凸パターンを設けることができる。
【００２５】
他方、第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程においては、ハーフトーンマスクを用いることができる。ハーフトーンマスクを用いれば、凹凸パターンを１度の露光工程で形成できるので、製造工程が増えることを抑えることができる。また、第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程においては、第２露光マスクとして２階調マスクを用いることもできる。２階調マスクは、多階調の光透過性を備えたハーフトーンマスクと比べてマスクの構造が簡単であるので、露光マスクの管理を容易に行うことができる。
【００２６】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、（１）前記第１凹凸パターン形成工程は、第１露光マスクを用いて前記第１樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、（２）前記第２凹凸パターン形成工程は、第２露光マスクを用いて前記第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程を有し、（３）前記第１露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、（４）前記第１樹脂膜の材料は感光した部分が可溶化する樹脂であるポジ型の感光性樹脂であり、（５）前記第２露光マスクは少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクであり、（６）前記第２樹脂膜の材料はポジ型の感光性樹脂であり、（７）前記第２樹脂膜の凸部は前記第２露光マスクの光透過率が小さい領域に対応し、前記第２樹脂膜の凹部は前記第２露光マスクの光透過率が大きい領域に対応することが望ましい。
【００２７】
本発明態様においても、第１樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程において、ポジ型の感光性樹脂を用いて形成された第１樹脂膜に対して露光処理を行うことができるので、第１基板上に形成する膜の材料を変えることなく第１樹脂膜に凹凸パターンを設けることができる。また、第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程においては、ハーフトーンマスクを用いることができる。ハーフトーンマスクを用いれば、凹凸パターンを１度の露光工程で形成できるので、製造工程が増えることを抑えることができる。また、第２樹脂膜に凹凸パターンの露光像を形成する工程においては、第２露光マスクとして２階調マスクを用いることもできる。２階調マスクは、多階調の光透過性を備えたハーフトーンマスクと比べてマスクの構造が簡単であるので、露光マスクの管理を容易に行うことができる。
【００２８】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法においては、前記第１露光マスクのうちの前記第１樹脂膜の凹部に対応する個々の領域の位置と前記第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凸部に対応する個々の領域の位置は面対称であり、且つ前記第１露光マスクのうちの前記第１樹脂膜の凹部に対応する個々の領域の平面形状と前記第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凸部に対応する個々の領域の平面形状は同一又は相似であることが望ましい。そしてさらに、前記第１露光マスクのうちの前記第１樹脂膜の凸部に対応する個々の領域の位置と前記第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凹部に対応する個々の領域の位置が面対称であり、且つ前記第１露光マスクのうちの前記第１樹脂膜の凸部に対応する個々の領域の平面形状と前記第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凹部に対応する個々の領域の平面形状は同一又は相似であることが望ましい。
【００２９】
ここで面対称とは、２つの図形がそれらの間に存在する１つの面に対して互いに対称の位置関係にあるということである。すなわち、平面鏡の前に物を置いてその平面鏡の裏側にその物の虚像を形成した場合の、その物とその虚像との位置関係のことである。すなわち、図形中の相対応するどの２つの点を結ぶ線も、与えられた平面によって垂直に二等分されることである。このような面対称の関係にある露光マスクについて、図１９を用いて具体的に説明する。
【００３０】
図１９では、数字の１〜９の形状を有する９個のマスクパターンを有した２つの露光マスクＡとＢとが、平面（図中では一点鎖線で示している）Ｆ０に関して面対称の状態にあることを示している。露光マスクＡには、「１」〜「９」のマスクパターンが、当該露光マスクの左上部から順に、行方向Ｘ’及び列方向Ｙ’に３×３のマトリクス状に配置されている。他方、露光マスクＢには、「１」〜「９」のマスクパターンが、当該露光マスクの右上部から順に、行方向Ｘ’及び列方向Ｙ’に３×３のマトリクス状に配置されている。また、露光マスクＢの個々のマスクパターンは露光マスクＡの対応するマスクパターンに対して左右が反転した形状、すなわち、露光マスクＡの「１」〜「９」のマスクパターンを図の裏側から見た場合と同じ形状になっている。
【００３１】
今、露光マスクＡ上の点Ｐ１は数字の「１」の形状を有したマスクパターンの下端の点とする。また、露光マスクＢ上の点Ｐ１’は、点Ｐ１に対応する点であって露光マスクＢ上に存在する点であるとする。本明細書における面対称の定義に従えば、これらの点Ｐ１とＰ１’とを結ぶ線は、平面Ｆ０によって垂直に二等分される。すなわち、点Ｐ１から平面Ｆ０までの距離をｓ１とし、点Ｐ１’から平面Ｆ０までの距離をｓ１’とすれば、
ｓ１＝ｓ１’
である。同様にして、露光マスクＡと露光マスクＢとの間で相対応する２つの点Ｐ２とＰ２’を結ぶ線、及び点Ｐ３とＰ３’を結ぶ線も平面Ｆ０によって垂直に二等分される。そして、これらの露光マスクＡの表面Ａ０と露光マスクＢの表面Ｂ０とを互いに対向する状態に配置させたとき、個々のマスクパターンは、それぞれ平面鏡の一方の側に置いた物と平面鏡の反対側に形成された虚像との位置関係になっている。以上のような露光マスクＡと露光マスクＢとの関係が、面対称の関係である。
【００３２】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、仮に、第１露光マスクを図１９の露光マスクＡとし、第２露光マスクを図１９の露光マスクＢとし、第１露光マスクのうちの第１樹脂膜の凹部に対応する領域を露光マスクＡの「１」の形状を有したマスクパターンとし、第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凸部に対応する個々の領域を露光マスクＢの「１」の形状を有したマスクパターンとすると、（１）露光マスクＡのうちの「１」の形状の領域の位置と露光マスクＢのうちの「１」の形状の領域の位置とは面対称である。また、（２）露光マスクＡのうちの「１」の平面形状と露光マスクＢのうちの「１」の平面形状とは同一である。なお、本発明は露光マスクＡのマスクパターンの平面形状と露光マスクＢのマスクパターンの平面形状が相似である場合も含むものである。
【００３３】
上記のような第１露光マスクを用いて第１樹脂膜の凹凸パターンを形成し、さらに上記のような第２露光マスクを用いて第２樹脂膜の凹凸パターンを形成すれば、第１樹脂膜の凹凸パターン内の凸部と第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部とが平面視で互いに重なり、且つ第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部と第２樹脂膜の凹凸パターン内の凸部とが平面視で互いに重なる凹凸パターンを第１基板と第２基板の両方に設けることができる。
【００３４】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法において、前記第１露光マスクのうちの第１樹脂膜の凹部に対応するパターン径をＤ１とし、前記第２露光マスクのうちの前記第２樹脂膜の凸部に対応するパターン径をＤ２としたとき、又は前記第２露光マスクのうちの第２樹脂膜の凹部に対応するパターン径をＤ１とし、前記第１露光マスクのうちの前記第１樹脂膜の凸部に対応するパターン径をＤ２としたとき、
Ｄ１＝Ｄ２+４μｍ
であることが望ましい。こうすれば、第１樹脂膜の凹凸パターン内の凹部の平面的な断面径を、当該凹部に対向する第２樹脂膜凸部の平面的な断面径より大きく形成できる。または、第２樹脂膜の凹凸パターン内の凹部の平面的な断面径を、当該凹部に対向する第１樹脂膜凸部の平面的な断面径より大きく形成できる。このように凹部の断面径を凸部の断面径より大きく形成すれば、仮に第１基板と第２基板との間で組みズレが発生した場合であっても、凹部と凸部とが平面視で互いに重なることができる。
【００３５】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶表示装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶表示装置においては、液晶層を挟んで第１樹脂膜と第２樹脂膜とが互いに対向して設けられ、第１樹脂膜の表面と第２樹脂膜の表面の両方に凹凸パターンが設けられ、さらに、それらの凹凸パターンに関して一方の凸部と他方の凹部とが平面視で重なる状態に設けられるので、第１樹脂膜と第２樹脂膜との間に設けられた液晶層の層厚を凹凸パターンの存在に拘わらず平面内で一定にできることになった。そして、これにより、液晶表示装置による表示、特に反射表示領域における表示にムラが発生することを防止できることになった。従って、この液晶表示装置を用いた本発明に係る電子機器においても、その電子機器に関連する表示にムラが発生することを防止できることになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（液晶表示装置の実施形態）
以下、本発明に係る液晶表示装置を実施形態に基づいて説明する。本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例示するものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法を実際とは異なった比率で示す場合がある。
【００３７】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。また、図２は、図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示している。また、図３は、図１の矢印Ａに従った平面構造を示している。また、図４は、図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面図であり、主にＴＦＴ素子を示している。なお、図１は、図３のＺ３−Ｚ３線に従った断面図である。
【００３８】
図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００３９】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に素子基板７が配置される。
【００４０】
シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質の層としての液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００４１】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００４２】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００４３】
素子基板７は、第１基板としての第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２にも示すように、ソース線１９が列方向Ｙ（すなわち、図２の左右方向）に延びている。また、ゲート線２０が行方向Ｘ（すなわち、図２の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子２１がソース線１９及びゲート線２０に接続して形成されている。
【００４４】
それらのＴＦＴ素子２１、ソース線１９及びゲート線２０の上に、それらを覆う保護膜２２が形成され、その上に第１樹脂膜としての凹凸樹脂膜２３が形成され、その上に光反射膜２４が形成され、その上に画素電極２５が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４５】
通常、保護膜２２は、透光性と絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２）を用いて形成される。また、凹凸樹脂膜２３は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。この凹凸樹脂膜２３の表面には、複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂから成る凹凸パターン３８が設けられている。この凹凸樹脂膜２３に関しては後に詳しく説明する。
【００４６】
光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極２５は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。
【００４７】
光反射膜２４及び画素電極２５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２４及び画素電極２５は、図３に示すように、各ソース線１９と各ゲート線２０とが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子２１に接続されている。
【００４８】
図２において、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３には、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール２７が形成されている。このコンタクトホール２７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子２１の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極２５と重なる位置に形成される。
【００４９】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子２１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子２１は、図４に示すように、ゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ（アモル
ファスシリコン）によって形成された半導体膜３３、Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ、ソー
ス電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子２１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている。
【００５０】
ＴＦＴ素子２１から少し離れて補助容量３７が設けられている。この補助容量３７は画素電極２５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものである。この補助容量３７は、ゲート電極３１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１電極３１ａと、ゲート絶縁膜３２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極３１ａを覆う絶縁膜３２ａと、ドレイン電極３６と同じ層内に形成されていて絶縁膜３２ａを覆う第２電極３６ａとによって構成されている。図３に示すように、第１電極３１ａは、ゲート線２０に平行で、ソース線１９に交差して延びている。また、第２電極３６ａは面積の広い長方形状に形成されている。
【００５１】
図４において、ドレイン電極３６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜３４ｂを介して半導体膜３３に接続し、その他端が補助容量３７の第２電極３６ａとなる所まで延びている。また、ドレイン電極３６はコンタクトホール２７を介して画素電極２５に電気的に接続している。ソース電極３５は、図３に示すように、ソース線１９から分岐して形成されている。また、ゲート電極３１は、ソース線１９と直角の方向に延びるゲート線２０から分岐して延びている。
【００５２】
図４において、画素電極２５の下に保護膜２２と凹凸樹脂膜２３とから成る層間絶縁膜を設けることにより、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層は別々の層に分けられている。これにより、画素電極２５とＴＦＴ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２５の層とＴＦＴ素子２１の層とを別層とすることにより、画素電極２５の面積、すなわち画素面積をＴＦＴ素子２１によって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶表示装置において鮮明な表示を行うことができる。
【００５３】
次に、図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２基板としての第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００５４】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、カラーフィルタを構成する着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上に第２樹脂膜としてのオーバーコート膜４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。オーバーコート膜４３は、カラーフィルタを保護する保護膜として機能する。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。
【００５５】
個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。
【００５６】
着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ねたり、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００５７】
オーバーコート膜４３の表面のうち素子基板７上に設けられた光反射膜２４に平面的に重なる領域には複数の凹部３９ａ及び複数の凸部３９ｂから成る凹凸パターン３９が設けられている。オーバーコート膜４３に関しては後に詳しく説明する。
【００５８】
図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全面に設けられている。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２５は矢印Ａ方向から平面的に見て行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２５とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５９】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００６０】
図２において、光反射膜２４は、例えばフォトエッチング処理によって形成される。この光反射膜２４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図３に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素Ｄ内の残りの長方形状の領域である。
【００６１】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２４が存在しない領域が透過表示領域Ｔである。反射表示領域Ｒはサブ画素Ｄの片側の領域であり、透過表示領域Ｔはサブ画素Ｄの残りの片側の領域であり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線はサブ画素Ｄを行方向Ｘに横切る線（本実施形態では直線）となっている。図２において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００６２】
凹凸樹脂膜２３の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂが矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成され、これにより凹凸樹脂膜２３の表面に凹凸パターン３８が形成されている。光反射膜２４は、そのような凹凸パターン３８が形成されている凹凸樹脂膜２３の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を有している。このように光反射膜２４に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００６３】
カラーフィルタ基板８上のオーバーコート膜４３は反射表示領域Ｒ内に設けられており、透過表示領域Ｔ内には設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００６４】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けられた張出し部４５の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００６５】
複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４６の一部は、素子基板７上のソース線１９（図２参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６によって囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。これらの配線４６は、素子基板７上のゲート線２０（図２参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【００６６】
図１の張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotrophic Conductive Film：異方性導電膜）４８を用いたＣＯＧ技術によって、駆動用ＩＣ４９が実装されている。駆動用ＩＣ４９は、ソース線１９へデータ信号を伝送し、ゲート線２０へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４９は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４９を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００６７】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６８】
上記の反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００６９】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２５とカラーフィルタ基板８側の共通電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を規制され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００７０】
以下、図２に示す凹凸樹脂膜２３及びオーバーコート膜４３について詳しく説明する。図５（ａ）は、図２において矢印Ｚ４で示す部分を拡大して示している。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）を矢印Ａ側から平面的に見た図であって、主に凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８及びオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を示している。なお、図５（ｂ）では、素子基板７を実線で示し、それに重なるカラーフィルタ基板８を一点鎖線で示している。
【００７１】
図５（ｂ）において、オーバーコート膜４３の表面に複数の凹部３９ａがランダムに形成されている。そして、隣り合う凹部３９ａの間が凸部３９ｂである。一方、凹凸樹脂膜２３の表面に複数の凸部３８ｂがランダムに形成されている。そして、隣り合う凸部３８ｂの間が凹部３８ａである。
【００７２】
本実施形態では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、オーバーコート膜４３の凹部３９ａと凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂとが対向するように素子基板７とカラーフィルタ基板８とを貼り合せている。また、オーバーコート膜４３の凸部３９ｂと凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａも対向する位置関係に設定されている。なお、本実施例では凸部３８ｂの全体が凹部３９ａに含まれ、凸部３９ｂの全体が凹部３８ａに含まれる状態の重なり合いが実施されている。
【００７３】
また、凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８内の凸部３８ｂとオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９内の凹部３９ａとは互いに相似形状に形成されている。また、凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８内の凹部３８ａとオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９内の凸部３９ｂとは互いに相似形状に形成されている。なお、いずれの場合も、凹部３８ａ，３９ａの方が凸部３９ｂ，３８ｂよりも大きい形状になっている。
【００７４】
具体的には、図５（ａ）において、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂの側面の断面形状と、その凸部３８ｂに対向して平面視（矢視Ａ）で重なるオーバーコート膜４３の凹部３９ａの側面の断面形状とが相似形状である。また、凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａの側面の断面形状と、その凹部３８ａに対向して平面視で重なるオーバーコート膜４３の凸部３９ｂの側面の断面形状とが相似形状である。また、図５（ｂ）に示すように、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂの平面の断面形状と、その凸部３８ｂに重なるオーバーコート膜４３の凹部３９ａの平面の断面形状とが相似形状である。また、凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａの平面の断面形状と、その凹部３８ａに重なるオーバーコート膜４３の凸部３９ａの平面の断面形状とが相似形状である。
【００７５】
ここで、凹部又は凸部の平面の断面形状とは、凹部又は凸部の任意の平面における断面形状のことである。本実施形態では、図５（ａ）に示すように、凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａ及び凸部３８ｂは平面Ｆ１において断面形状を規定している。他方、オーバーコート膜４３の凹部３９ａ及び凸部３９ｂは平面Ｆ２において断面形状を規定している。平面Ｆ１は、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂの頂部から距離ｈ０だけ図の下方へ下がった位置の平面である。他方、平面Ｆ２は、オーバーコート膜４３の凹部３９ａの底部から同じ距離ｈ０だけ図の下方へ下がった位置の平面である。なお、本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、実線で示す凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂの平面の断面形状に比べて、鎖線で示すオーバーコート膜４３の凹部３９ａの平面の断面形状が大きく形成されている。
【００７６】
図５（ａ）において、凹凸樹脂膜２３上に設けられた光反射膜２４、画素電極２５及び配向膜２６ａは、凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８上に形成されている。このため、液晶層１２に直接に面した配向膜２６ａの表面も凹凸パターンを呈している。他方、オーバーコート膜４３上に設けられた共通電極４４及び配向膜２６ｂも、オーバーコート膜４３の凹凸パターン３９上に形成されているため、液晶層１２に直接に面した配向膜２６ｂの表面も凹凸パターンを呈している。
【００７７】
ところで、従来の液晶表示装置において、凹凸パターンは、光反射膜で反射する光を散乱させるための光散乱パターンとして設けられていた。すなわち、凹凸パターンは互いに対向する一対の基板のうち、光反射膜が設けられた側の基板上にのみ設けられていた。しかしながら、このような場合には、凹凸パターンの凹部と凸部とで液晶層の層厚、すなわち、セルギャップが異なり、液晶表示装置の表示にムラが発生するおそれがあった。
【００７８】
これに対し、本実施形態に係る液晶表示装置では、図２に示すように、液晶層１２を挟んで互いに対向する素子基板７とカラーフィルタ基板８の両方に凹凸パターンを設けている。具体的には、素子基板７上の凹凸樹脂膜２３の表面に凹凸パターン３８を設け、且つカラーフィルタ基板８上のオーバーコート膜４３の表面に凹凸パターン３９を設けている。そしてさらに、素子基板７に設けられた凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８内の凸部３８ｂが、対向するカラーフィルタ基板８に設けられたオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９内の凹部３９ａと平面視で互いに重なるようにした。また、凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８内の凹部３８ａが、対向するオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９内の凸部３９ｂと平面視で互いに重なるようにした。
【００７９】
このように、凹凸樹脂膜２３の表面とオーバーコート膜４３の表面とに設けられた複数の凹部と複数の凸部は、対向する凹部と凸部が平面視で重なっているので、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に設けられた液晶層１２の層厚、すなわちセルギャップＧが凹凸パターンの凹部と凸部との間で変化することを防止できる。すなわち、反射表示領域Ｒの全域においてセルギャップＧを一定にできる。その結果、液晶表示装置１の表示、特に反射表示領域Ｒにおける反射型の表示において液晶層１２の層厚のバラツキに起因した表示のムラが発生することを防止できる。
【００８０】
また、本実施形態においては、凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８内の凸部３８ｂとオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９内の凹部３９ａ、及び凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８内の凹部３８ａとオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９内の凸部３９ｂとを互いに相似形状に、具体的には平面的に見て円形状に且つ側面的に見て略三角形状に且つ凹部と凸部とで異なる大きさに形成した。このように両者を相似形状にすれば、セルギャップＧが凹部の領域と凸部の領域との間で変化することをより一層確実に防止することができる。例えば、図５（ａ）に示すように、凸部３８ｂと対向する凹部３９ａとの間の距離をｔ２とし、凹部３８ａと対向する凸部３９ｂとの間の距離をｔ３としたとき、
ｔ２＝ｔ３
の関係を反射表示領域Ｒ（図２参照）の全域にわたって保持することができる。
【００８１】
上記のようなセルギャップＧの変化を防ぐためには、平面視で互いに重なるべき凹部と凸部とは全く同じ形状及び同じ大きさであることが望ましい。しかしながら、凹部と凸部とを全く同じ形状及び同じ大きさとした場合には、例えば、液晶表示装置１を組立てる際に、素子基板７とカラーフィルタ基板８との間で組みズレが発生した場合、凹部と凸部とが平面視で正確に一致しないおそれがある。そのため、本実施形態では、図５（ｂ）に示すように、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂの平面の断面形状に比べてオーバーコート膜４３の凹部３９ａの平面の断面形状を少し大きくした。これにより、仮に素子基板７とカラーフィルタ基板８との間で組みズレが発生した場合であっても、凸部の全体が平面視で凹部に含まれることを確実に実現できる。
【００８２】
（変形例）
図５（ｂ）に示した実施形態では、素子基板７側の凸部３８ｂをカラーフィルタ基板８側の凹部３９ａよりも小さく形成し、且つ凸部３８ｂの全体が凹部３９ａに含まれるように凸部３８ｂと凹部３９ａとが重なり合う場合を例示した。しかしながら、本発明はそのような実施形態に限定されるものではなく、凸部３８ｂと凹部３９ａとが平面視で正確に一致するように重ね合わせても良い。また、図５（ｂ）の場合とは逆に、凸部３８ｂが凹部３９ａを含む状態としても良い。
【００８３】
また、１つの凸部３８ｂと１つの凹部３９ａを全体的に重ね合わせるのではなく、図２０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、凸部３８ｂと凹部３９ａの一部分同士を重ね合わせることにしても良い。また、図２０（ａ）に示すように凸部３８ｂの５０％が凹部３９ａと重なり合うことにしても良いし、逆に、凹部３９ａの５０％が凸部３８ｂと重なり合うことにしても良い。
【００８４】
また、図２０（ｂ）に示すように、凸部３８ｂの５０％以下の領域が凹部３９ａと重なり合うことにしても良いし、逆に、凹部３９ａの５０％以下の領域が凸部３８ｂと重なり合うことにしても良い。また、図２０（ｃ）に示すように、凸部３８ｂの５０％以上の領域が凹部３９ａと重なり合うことにしても良いし、逆に、凹部３９ａの５０％以上の領域が凸部３８ｂと重なり合うことにしても良い。
【００８５】
また、以上の説明では、図１の表示領域Ｖ内の全ての反射表示領域Ｒ内において全ての凸部３８ｂと全ての凹部３９ａとが個々に対向することを前提とした。しかしながら、本発明は、図１の表示領域Ｖ内の全ての反射表示領域Ｒ内において複数個の凸部３８ｂのうちの一部の個数と、複数個の凹部３９ａのうちの一部の個数とが対向する場合も含むものである。この場合には、ある１つの反射表示領域Ｒ内を見ると、凸部３８ｂと凹部３９ａとが対向している領域もあるし、凸部３８ｂと凹部３９ａとが対向していない領域もあることになる。
【００８６】
（電気光学装置に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００８７】
例えば、上記実施形態では、図２に示すように、表示に用いる光を反射する光反射膜２４と、カラーフィルタを形成する着色膜４１とは、それぞれ別の基板上に設ける構成の液晶表示装置を例示した。しかしながら、本発明は、光反射膜と着色膜とを同じ基板上に設ける構成の液晶表示装置にも適用できる。
【００８８】
また、上記実施形態は、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用したものであるが、本発明はチャネルエッチ型以外のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。
【００８９】
また、本発明は、シングルゲート構造以外のＴＦＴ素子、例えばダブルゲート構造又はマルチゲート構造のＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、上記実施形態は３端子型スイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いる電気光学装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等といった２端子型スイッチング素子を用いる電気光学装置にも適用できる。
【００９０】
（液晶表示装置の製造方法の第１実施形態）
以下、図１の液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の実施形態を説明する。図６は、その液晶表示装置の製造方法の一実施形態を工程図として示している。図６において、工程Ｐ１〜工程Ｐ８に至る工程は図１の素子基板７を形成する工程である。また、図６の工程Ｐ１１〜工程Ｐ１６に至る工程は図１のカラーフィルタ基板８を形成する工程である。また、図６の工程Ｐ２１〜工程Ｐ２７に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００９１】
なお、本実施形態では、液晶表示装置を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板を用いて複数の液晶表示装置を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて液晶表示装置を作製するものとする。このような多数個取りの製造方法においては、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形成してマザー素子基板を形成する。一方、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成してマザーカラーフィルタ基板を形成する。
【００９２】
まず、図６の工程Ｐ１において、図２のＴＦＴ素子２１を図４に示す積層構造に形成する。また同時に、図２の配線４６及び端子４７を所定のパターンに形成する。
【００９３】
次に、図４に示すＴＦＴ素子２１の具体的な製造工程を説明する。まず、第１透光性基板７ａのマザー基板上にゲート電極３１及びゲート線２０（図３参照）を形成する。また、補助容量３７も同時に形成する。これらの要素は、Ａｌ（アルミニウム）を主とする第１層の上にＭｏ（モリブデン）を主とする第２層を積層して成る２層構造によって形成される。これらの各要素を形成するにあたっては、まず、スパッタリングによってＡｌを膜厚１０００Åで成膜し、次に、そのＡｌの上にスパッタリングによってＭｏを膜厚５００Åで成膜する。Ｍｏによって上層を形成するのは次の理由による。すなわち、Ａｌはその表面に酸化膜を形成し易いので、ゲート電極等をＡｌ単体で形成すると、その上に他の金属膜を積層する際にそれらの間の接触性が悪くなるおそれがある。これに対し、ＡｌにＭｏを重ねてゲート電極等を形成すれば、それに他の金属膜を積層する際の接触性を良好に維持できるからである。
【００９４】
以上により、Ｍｏ／Ａｌの材料層が形成されると、次に、その材料層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストを所定の平面形状にパターニングし、そのパターニングされたレジストをマスクとしてＭｏ／Ａｌ層をエッチングし、さらにマスクとして使ったレジストを剥離するという一連の処理を行う。これにより、ゲート電極３１及びゲート線２０がマザー基板上の所定位置にそれぞれ所定形状に形成される。
【００９５】
次に、半導体膜材料を成膜する。具体的には、ゲート絶縁膜３２の材料層、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜３３の材料層、そして高濃度不純物を含むＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層の３層をＣＶＤ処理によって成膜する。より具体的には、ＳｉＮによって膜厚４０００Åのゲート絶縁膜３２の材料層を成膜し、次に、ａ−Ｓｉによって膜厚１０００Åのａ−Ｓｉ膜３３の材料層を成膜し、次にＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂ用の材料層を膜厚５００Åに成膜する。
【００９６】
次に、ａ−Ｓｉ膜３３及びＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂをアイランド状（すなわち、島状）に形成するためのパターニング処理を行う。具体的には、感光性樹脂であるレジストをＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの材料層の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッチングし、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、図４に示すような島状のａ−Ｓｉ膜３３及び島状のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。なお、この時点において島状のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂは、図４に示すようにＮ＋−Ｓｉ膜が３４ａと３４ｂとに２つに分かれた状態ではなく、３４ａと３４ｂとが一体となった状態となっている。
【００９７】
次に、ソース電極３５及びドレイン電極３６の両電極用の導電材料をスパッタリングによって成膜する。具体的には、Ｍｏによって膜厚５０Åの第１層を成膜し、その上にＡｌによって膜厚１０００Åの第２層を成膜し、さらにその上にＭｏによって膜厚５００Åの第３層を成膜する。つまり、ソース電極３５及びドレイン電極３６用の導電材料層はＭｏ（第３層）、Ａｌ（第２層）、Ｍｏ（第１層）の３層構造によって形成される。導電材料層は第１透光性基板７ａのマザー基板の表面の略全域に形成される。
【００９８】
第１層として５０ÅのＭｏ層を設けるのは、ソース電極３５及びドレイン電極３６の下層である半導体膜３３へＡｌが拡散することを防止するためである。また、第３層として５００ÅのＭｏ層を設けるのは、ドレイン電極３６等の上に他の金属膜が設けられる場合の導線接触性を高く保持できるようにするためである。
【００９９】
次に、感光性樹脂であるレジストを導電材料の上に塗布し、フォトリソグラフィ処理によってレジストをパターニングし、パターニングされたそのレジストをマスクとしてエッチングし、さらにマスクとして使用したレジストを剥離することにより、図４に示すように、導電材料からソース電極３５及びドレイン電極３６を所定の形状に形成する。
【０１００】
次に、チャネルエッチ処理を実行する。具体的には、島状のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂに対してエッチング処理を行うことにより、当該Ｎ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂの中央部分を除去して左右に分かれた状態のＮ＋−Ｓｉ膜３４ａ，３４ｂを形成する。以上によりＴＦＴ素子２１が形成される。
【０１０１】
次に、図６の工程Ｐ２において、図２の保護膜２２を形成する。具体的には、保護膜２２の材料層としてＳｉＮをＣＶＤ法により膜厚４０００Åに形成し、さらにフォトリソグラフィ処理により、所定の形状にパターニングする。このとき、保護膜２２は、個々の液晶パネル形成領域内の表示領域Ｖ内にのみ形成される。ここでいう表示領域Ｖは、図２に示す表示領域Ｖのことである。
【０１０２】
次に、図６の工程Ｐ３において、図２の凹凸樹脂膜２３を保護膜２２上に形成する。この凹凸樹脂膜形成工程に関しては、後に詳しく説明する。次に、図６の工程Ｐ４において、図２の光反射膜２４を形成する。具体的には、光反射膜２４の材料層を、例えばＡｌ又はＡｌ合金を材料としてスパッタリングによって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、凹凸樹脂膜２３の凹凸形状の上に積層された材料層はその凹凸形状に従って同じ凹凸形状を有することになる。次に、光反射膜２４の材料層に対してフォトエッチング処理が行われ、所定形状の光反射膜２４がパターニングされる。光反射膜２４は、図３に示すようにサブ画素Ｄ内の片側が反射表示領域Ｒとなるような平面形状として形成される。なお、図２の画素電極２５とＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６との接続を確保するため、ＴＦＴ素子２１と平面的に重なる領域、少なくともドレイン電極３６と平面的に重なる領域には光反射膜２４を形成しないことにする。
【０１０３】
次に、図６の工程Ｐ５において、図２のコンタクトホール２７を形成する。具体的には、保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３に対してフォトリソグラフィ処理を行うことにより、図４に示すように、ドレイン電極３６から延びるコンタクト部を外部とつなげるためのコンタクトホール２７を保護膜２２及び凹凸樹脂膜２３の内部に形成する。
【０１０４】
次に、図６の工程Ｐ６において、図２の光反射膜２４及び凹凸樹脂膜２３の上に画素電極２５を形成する。具体的には、画素電極２５の材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）をスパッタリングによって膜厚１０００Åで成膜する。このとき、ＩＴＯは図４のコンタクトホール２７の中に流れ込んでドレイン電極３６から延びるコンタクト部に接触する。続いて、画素電極２５の材料膜に対してフォトエッチング処理を行うことにより、図３において長方形状のサブ画素Ｄが形成されるように画素電極２５がパターニングされる。こうして形成された画素電極２５は、図４に示すようにコンタクトホール２７を介してＴＦＴ素子２１のドレイン電極３６のコンタクト部に接触する。ドレイン電極３６はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造を有していて最上層が導電接触性の高いＭｏであるので、画素電極２５とドレイン電極３６との接触性は良好に維持される。
【０１０５】
次に、図６の工程Ｐ７において、図２の画素電極２５の上に、例えばポリイミドを印刷することによって配向膜２６ａが形成され、さらに、図６の工程Ｐ８において、その配向膜２６ａに対してラビング処理が行われる。以上により、図１の素子基板７が複数個形成された状態の素子側のマザー基板が作製される。
【０１０６】
他方、図６の工程Ｐ１１において、大面積であるカラーフィルタ側マザー透光性基板上に、図２の着色膜４１をＢ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。これらの着色膜４１は、例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。このとき同時に、互いに隣接する２色の着色膜４１を積層することにより、又は３色の着色膜４１を全て積層することにより、各色の着色膜４１の間に遮光膜４２を所定のパターンに形成する。なお、遮光膜４２はＣｒ等といった遮光性を有した金属を材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターンに形成することもできる。
【０１０７】
次に、図６の工程Ｐ１２において、図２の遮光膜４２及び着色膜４１の上に着色膜４１を保護するための保護膜であるオーバーコート膜４３を形成する。このオーバーコート膜形成工程に関しては、後に詳しく説明する。次に、図６の工程Ｐ１３において、図２のオーバーコート膜４３上に、共通電極４４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。
【０１０８】
次に、図６の工程Ｐ１４において、図２の配向膜２６ｂをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、図６の工程Ｐ１５において図２の配向膜２６ｂの表面に配向処理としてのラビング処理を行う。さらに、図６の工程Ｐ１６において、図１のシール材６を、例えばエポキシ系樹脂を材料として印刷等によって形成する。以上により、大面積のカラーフィルタ基板側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１２の複数個分の膜要素が形成されて、カラーフィルタ基板１２側の大面積のマザー基板が形成される。
【０１０９】
その後、図６の工程Ｐ２１において、マザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とを貼り合わせる。これにより、マザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材６を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【０１１０】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材６を、図６の工程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材６には予め適所に開口（図示せず）が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材６の開口が外部に露出する。
【０１１１】
次に、図６の工程Ｐ２４において、上記のシール材６の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【０１１２】
次に、図６の工程２６において、図１の駆動用ＩＣ４９をＡＣＦ４８を用いて熱圧着することにより実装する。また、図１の液晶パネル２に偏光板１８ａ，１８ｂを貼着によって装着する。さらに図６の工程Ｐ２７において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【０１１３】
以下、図６の凹凸樹脂膜形成工程Ｐ３及びオーバーコート膜形成工程Ｐ１２について説明する。これらの工程では所定の時点で露光マスクを用いた露光処理を実行する。これらの工程の説明に入る前に、まず、露光マスクについて説明する。
【０１１４】
図７（ａ）は、その左側において、図２の凹凸樹脂膜２３の表面に凹凸パターン３８を形成するための第１露光マスクとしての露光マスク５１Ａを示している。また、図７（ａ）は、その右側において、図２のオーバーコート膜４３の表面に凹凸パターン３９を形成するための第２露光マスクとしての露光マスク５１Ｂを示している。まず、素子基板用の露光マスク５１Ａは、透光性を有するガラス基板５２と、そのガラス基板５２の表面に設けられた多数のドット状のマスクパターンである遮光パターン５３Ａとを有する。遮光パターン５３Ａは光を通さない材料、例えばＣｒ等によって形成され、それ以外の領域はガラス地肌で光を通す領域である。個々の遮光パターン５３Ａは多角形、本実施形態では６角形に形成されている。
【０１１５】
他方、カラーフィルタ基板用の露光マスク５１Ｂは、透光性を有するガラス基板５２と、そのガラス基板５２の表面に設けられた多数のドット状のマスクパターンである遮光パターン５３Ｂとを有する。遮光パターン５３Ｂは光を通さない材料、例えばＣｒ等によって形成され、それ以外の領域はガラス地肌で光を通す領域である。個々の遮光パターン５３Ｂは多角形、本実施形態では６角形に形成されている。
【０１１６】
本実施形態で用いる露光マスク５１Ａと露光マスク５１Ｂとは、互いに以下のような関係に形成されている。まず、（１）遮光パターン５３Ａの個々の位置と遮光パターン５３Ｂの個々の位置とが図７（ａ）において一点鎖線で示す平面Ｆ０に関して面対称である。また、（２）遮光パターン５３Ａの個々の平面形状と遮光パターン５３Ｂの個々の平面形状が相似の関係、すなわち形が同じで大きさが異なる関係にある。
【０１１７】
露光マスク５１Ａの個々の遮光パターン５３Ａの大きさは６角形の外接円の径Ｄ２で規定できる。また、露光マスク５１Ｂの個々の遮光パターン５３Ｂの大きさは６角形の外接円の径Ｄ１で規定できる。これらの遮光パターンの大きさＤ１とＤ２との関係は、
Ｄ１＝Ｄ２＋４μｍ
に設定されている。具体的には、Ｄ１は１０μｍ程度に形成され、Ｄ２は６μｍ程度に形成されている。
【０１１８】
次に、図６の素子基板側の凹凸樹脂膜形成工程Ｐ３について図８、図９及び図７（ａ）を参照して詳細に説明する。なお、図９（ａ）は図６の素子形成工程Ｐ１において図２の基板７ａ上にＴＦＴ素子２１及びデータ線１９が形成され、さらにそれらのＴＦＴ素子２１及びデータ線１９を覆うように保護膜２２が形成された状態を示している。
【０１１９】
凹凸樹脂膜形成工程が始まると、まず、図８の工程Ｐ３１において図９（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図８の工程Ｐ３２において図９（ｂ）に示すように、保護膜２２の上に凹凸樹脂膜２３の材料であるポジ型レジストである感光性樹脂２３’を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、図８の工程Ｐ３３においてプリベークを行って、図９（ｂ）の感光性樹脂２３’内の溶媒を除去する。
【０１２０】
次に、工程Ｐ３４において露光処理を実行する。具体的には、図９（ｃ）に示すように、基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、図７（ａ）の左側に示す素子基板用の露光マスク５１Ａを基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５１Ａは、ガラス基板５２によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン５３Ａによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。なお、露光マスク５１Ａとしては、２階調の露光マスクに代えてハーフトーンマスクを用いることもできる。このハーフトーンマスクとは、光透過率が０％と１００％との間の中間値、すなわちハーフトーンである遮光パターンを有し、当該ハーフトーンの遮光パターンによって多階調の光透過性が付与された露光マスクである。
【０１２１】
図９（ｃ）において、露光マスク５１Ａは、完全光透過領域Ａ０が凹部３８ａに対向し、完全遮光領域Ａ１が凸部３８ｂに対向するように、基板７ａに対向する位置に設置される。この状態で露光マスク５１Ａを通して感光性樹脂２３’へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像が形成され、それよりも上の部分が可溶化する。具体的には、露光されない遮光領域に対応して凸部３８ｂの露光像が形成され、露光される光透過領域に対応して凹部３８ａの露光像が形成される。これにより、感光性樹脂２３’の表面に凹凸パターン３８の露光像が形成され、それよりも上の部分が可溶化する。
【０１２２】
次に、図８の工程Ｐ３５において現像処理を行う。具体的には、図９（ｃ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図９（ｃ）において可溶化した部分の感光性樹脂２３’が除去されて、図９（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターン３８を有する凹凸樹脂膜２３が形成される。
【０１２３】
凹凸樹脂膜２３の材料である感光性樹脂材料２３’はその性質上、未反応の感光性基に由来する黄色の光を多く通過させる傾向にある。図８の工程Ｐ３６では、図９（ｄ）の凹凸樹脂膜２３に適宜の光量の紫外線を照射して反応を完結する処理、いわゆるブリーチ露光を行う。これにより、凹凸樹脂膜２３の黄色化を抑制し、透過率を向上させる。次に、図８の工程Ｐ３７において、図９（ｄ）の基板７ａ及び凹凸樹脂膜２３を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、凹凸樹脂膜２３の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図６の凹凸樹脂膜形成工程Ｐ３が終了し、その後、既述した光反射膜形成工程Ｐ４以降の工程が実行される。
【０１２４】
次に、図６のカラーフィルタ基板側のオーバーコート膜形成工程Ｐ１２について図７（ａ）、図１０及び図１１を参照して詳細に説明する。なお、図１１（ａ）は図６のカラーフィルタ基板形成工程Ｐ１１において図２の基板８ａ上に着色膜４１及び遮光膜４２が形成された状態を示している。
【０１２５】
オーバーコート膜形成工程が始まると、まず、図１０の工程Ｐ４１において図１１（ａ）の基板８ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図１０の工程Ｐ４２において図１１（ｂ）に示すように、基板８ａ上にオーバーコート膜４３の材料であるネガ型レジストである感光性樹脂４３’を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【０１２６】
次に、図１０の工程Ｐ４３においてプリベークを行って、図１１（ｂ）の感光性樹脂４３’内の溶媒を除去する。次に、工程Ｐ４４において露光処理を実行する。具体的には、図１１（ｃ）に示すように、基板８ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、カラーフィルタ基板用の露光マスク５１Ｂを基板８ａに対向する所定位置に設置する。
【０１２７】
露光マスク５１Ｂは、図７（ａ）の右側に示すように、ガラス基板５２上に遮光パターン５３Ｂを設けることによって形成されている。図７（ａ）では図示されていないが、ガラス基板５２上には図１１（ｃ）に示されているように、遮光パターン５３Ｂとは別の遮光パターン５３Ｂ’も設けられている。この露光マスク５１Ｂは、少なくとも２階調の光透過領域を有する露光マスクである。具体的には、遮光パターン５３Ｂ及び遮光パターン５３Ｂ’の少なくとも１つが光透過率が中間値であるハーフトーン部材によって形成されているハーフトーンマスクである。また、露光マスク５１Ｂは、光透過率が異なる複数の領域を有する多階調の露光マスクであり、具体的には、ガラス基板５２の地肌領域である完全光透過領域Ａ０、遮光パターン５３Ｂによって形成された部分光透過領域Ａ１、及び遮光パターン５３Ｂ’によって形成された完全遮光領域Ａ２を有した３階調のハーフトーンマスクである。
【０１２８】
図１１（ｃ）において、露光マスク５１Ｂは、完全光透過領域Ａ０が凸部３９ｂに対応し、部分光透過領域Ａ１が凹部３９ａに対向し、そして完全遮光領域Ａ２が透過表示領域Ｔ（図２参照）に対応するように、基板８ａに対向する位置に設置される。
【０１２９】
本実施形態では、露光光Ｌ３の光量は一定であるが、ハーフトーンマスクにおける透過光量の違いに従ってオーバーコート膜４３に形成するパターンの違いに応じて露光量が異なっている。具体的には、
（１）凹凸パターン３９のうちの凸部３９ｂを形成すべき部分に完全透過領域Ａ０を合わせ、
（２）凹凸パターン３９のうちの凹部３９ａを形成すべき部分に部分光透過領域Ａ１を合わせ、
（３）透過表示領域Ｔのようにオーバーコート膜４３を除去したい部分に完全遮光領域Ａ２を合わせる。
【０１３０】
凸部３９ｂに対応する完全光透過領域Ａ０の光透過率をＴ０とし、凹部３９ａに対応する部分光透過領域Ａ１の光透過率をＴ１とし、オーバーコート膜４３を除去する部分に対応する完全遮光領域Ａ２の光透過率をＴ２とするとき、本実施形態では、
Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔ０
に設定する。また、
Ｔ２＝０％、  Ｔ０＝１００％
に設定する。なお、必ずしもＴ２＝０％、Ｔ０＝１００％に限定しなくても良い場合もある。
【０１３１】
これらの光透過率Ｔ０，Ｔ１，Ｔ２は、感光性樹脂４３’に照射すべき光の光量に基づいて設定できる。ここで、露光マスク５１Ｂに照射される露光光Ｌ３の光量をＥ０とし、凸部３９ｂに対応する領域を露光する露光光Ｌ４の光量をＥ１とし、遮光パターン５３Ｂを透過して凹部３９ａに対応する領域を露光する露光光Ｌ５の光量をＥ２とする。そしてさらに、形成後のオーバーコート膜４３の凸部３９ｂにおける膜厚を「ａ」、凹部３９ａにおける膜厚を「ｂ」とすると、露光光Ｌ４の光量Ｅ１と露光光Ｌ５の光量Ｅ２とは、
Ｅ２＝Ｅ１（ｂ／ａ）
の関係で表すことができる。仮に、図１１（ｃ）において、凹部３９ａの膜厚ｂが凸部３９ｂの膜厚ａの３０％の膜厚である場合、露光光Ｌ５の光量Ｅ２は、露光光Ｌ４の光量Ｅ１の３０％の光量である。すなわち、感光性樹脂４３’のうちの凹部３９ａに対応する部分は、凸部３９ｂに対応する部分より少ない光量の光で露光されることになる。
【０１３２】
このように光透過率に変化を持たせることは、例えば、光透過率の異なる材料を領域ごとに設けることによって実現できる。例えば、完全光透過領域Ａ０はマスク基板上に遮光材料を何も載せないことによって実現できる。また、部分光透過領域Ａ１は、光を減衰して透過させる材料、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）をマスク基板上に載せることによって実現できる。光透過率をいくつに設定するかは、マスク基板上に載せる膜の膜厚によって決めることができる。また、完全遮光領域Ａ２は、光を完全に透過させない材料、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯＸ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムをマスク基板上に載せることによって実現できる。
【０１３３】
以上の構成を有するカラーフィルタ基板用の露光マスク５１Ｂを通して感光性樹脂４３’へ光量Ｅ０の露光光Ｌ３を照射すると、鎖線で示す露光像よりも下の部分が固化する。具体的には、光透過率Ｔ０＝１００％（領域Ａ０）で露光された部分は露光量Ｅ１で露光されるので、凹凸パターン３９の凸部３９ｂに対応する露光像が形成される。また、中間の光透過率Ｔ１（領域Ａ１）で露光された部分は凸部より少ない露光量Ｅ２で露光されるので、凹凸パターン３９の凹部３９ａに対応する露光像が形成される。また、光透過率Ｔ２＝０％（領域Ａ２）で露光された部分は露光量が少ない（本実施形態では露光されない）ので感光性樹脂４３’の膜を貫通する露光像が形成される。以上により、感光性樹脂４３’の表面に凹凸パターンに対応する露光像が形成され、さらに透過表示領域Ｔに対応する露光像が形成される。
【０１３４】
その後、図８に示した凹凸樹脂膜２３の製造工程と同様に、図１０において現像工程Ｐ４５と焼成工程Ｐ４７を行うことにより、図１１（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、透過表示領域Ｔに対応する部分を除去した形状のオーバーコート膜４３が形成される。なお、図１０に示すオーバーコート膜形成工程にはブリーチ露光工程Ｐ４６が含まれているのであるが、このブリーチ露光工程Ｐ４６は、本実施形態のようにネガ型の感光性樹脂を持ち手オーバーコート膜４３を形成する場合には行われない工程である。以上により、図６のオーバーコート膜形成工程Ｐ１２が終了し、その後、既述した電極形成工程Ｐ１３以降の工程が実行される。
【０１３５】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法では、上記の通り、図８の露光工程Ｐ３４及び現像工程Ｐ３５において図２の素子側基板７ａ上の凹凸樹脂膜２３に凹凸パターン３８を形成し、他方、図１０の露光工程Ｐ４４及び現像工程Ｐ４５において図２のカラーフィルタ側基板８ａ上のオーバーコート膜４３に凹凸パターン３９を形成するようにした。こうすれば、液晶層１２を挟んで対向する素子基板７とカラーフィルタ基板８の両方に凹凸パターンを設けることができる。そして、図６の貼り合せ工程Ｐ２１において、図２の凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂとオーバーコート膜４３の凹部３９ａとが対向し、且つ凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａと第２樹脂膜の凸部３９ｂとが平面視で対向するように、基板７ａと基板８ａとを貼り合せるようにした。こうすれば、液晶層１２の層厚、すなわちセルギャップＧが凹凸パターンの凹部と凸部との間で変化することを防止できる。その結果、液晶表示装置１（図１参照）の表示、特に反射表示領域Ｒにおける表示にムラが発生することを防止できる。
【０１３６】
また、本実施形態では、図９（ｃ）において素子基板用の露光マスク５１Ａを用いて凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８を形成し、図１１（ｃ）においてカラーフィルタ基板用の露光マスク５１Ｂを用いてオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を形成した。そしてこの場合、露光マスク５１Ａと露光マスク５１Ｂとは、図７（ａ）に示すように、（１）遮光パターン５３Ａの個々の位置と遮光パターン５３Ｂの個々の位置とが平面Ｆ０に関して面対称であり、（２）遮光パターン５３Ａの個々の平面形状と遮光パターン５３Ｂの個々の平面形状が相似の関係にある。これらの露光マスク５１Ａと５１Ｂを用いれば、図５（ｂ）に示すように、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂとオーバーコート膜４３の凹部３９ａとが平面視で互いに重なり、且つ凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａとオーバーコート膜４３の凸部３９ｂとが平面視で互いに重なるように、凹凸パターンを設けることができる。
【０１３７】
また、本実施形態によれば、図９（ｄ）の凹凸樹脂膜２３をポジ型の感光性樹脂２３’を用いて形成した。そしてそのポジ型の感光性樹脂２３’に対して露光マスク５１Ａを用いて露光処理を行うことにより凹凸パターン３８の露光像を形成した。従来から、素子基板上に設けられる凹凸樹脂膜はポジ型の感光性樹脂を用いて形成されることが多い。本実施形態では、ポジ型の感光性樹脂によって形成された凹凸樹脂膜２３に対して凹凸パターンを形成することができるので、素子基板７上に形成される膜の材料を現状から変えることなく凹凸パターン３８を設けることができる。
【０１３８】
また、本実施形態では、図１１（ｄ）のオーバーコート膜４３を露光するための図１１（ｃ）の露光マスク５１Ｂとして、ハーフトーン材料によって形成された多階調の光透過率を有するハーフトーンマスクを用いることにより、オーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を１度の露光工程で形成できるので、製造工程が増えることを抑えることができる。
【０１３９】
（液晶表示装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は図６に示した第１の実施形態に係る製造方法と同じである。図１１に示した先の実施形態では、ネガ型の感光性樹脂を材料としてハーフトーンマスクを用いてカラーフィルタ基板上にオーバーコート膜４３を形成する場合を例示した。これに対し本実施形態では、ポジ型の感光性樹脂を材料としてハーフトーンマスクを用いてカラーフィルタ基板上にオーバーコート膜４３を形成するものである。なお、素子基板の製造工程は先の実施形態と同じである。また、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【０１４０】
図１２は、図１０の工程図に従って図２のカラーフィルタ基板８の膜構成を作成する際の膜の構造変遷図である。図１２（ａ）は図６のカラーフィルタ基板形成工程における工程Ｐ１１において図２の基板８ａ上に着色膜４１及び遮光膜４２が形成された状態を示している。
【０１４１】
オーバーコート膜形成工程が始まると、まず、図１０の工程Ｐ４１において図１２（ａ）の基板８ａを洗浄し、図１０の工程Ｐ４２において図１２（ｂ）に示すように、基板８ａ上にオーバーコート膜４３の材料であるポジ型レジストである感光性樹脂４３’’を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、図１０の工程Ｐ４３においてプリベークを行い、さらに工程Ｐ４４において、図１２（ｃ）に示すように、第２露光マスクとしての露光マスク５１Ｃを用いて露光処理を実行する。
【０１４２】
この露光マスク５１Ｃは、図７（ｂ）の右側に示すように、ガラス基板５２上に遮光パターン５３Ｃ及び遮光パターン５３Ｃ’を設けることによって形成されている。図７（ｂ）では図示されていないが、ガラス基板５２上には図１２（ｃ）に示されているように、遮光パターンが形成されない領域、すなわち、ガラス基板５２の地肌領域も設けられている。この露光マスク５１Ｃは、遮光パターン５３Ｃ及び遮光パターン５３Ｃ’の少なくとも１つが光透過率が中間値であるハーフトーン部材によって形成されているハーフトーンマスクである。また、露光マスク５１Ｃは、光透過率が異なる複数の領域を有する多階調露光マスクであり、具体的には、ガラス基板５２の地肌領域である完全光透過領域Ａ０、遮光パターン５３Ｃによって形成された部分光透過領域Ａ１、及び遮光パターン５３Ｃ’によって形成された完全遮光領域Ａ２を有した３階調のハーフトーンマスクである。
【０１４３】
図１２（ｃ）において、露光マスク５１Ｃは、完全光透過領域Ａ０が透過表示領域Ｔ（図２参照）に対向し、部分光透過領域Ａ１が凹部３９ａに対向し、そして完全遮光領域Ａ２が凸部３９ｂに対向するように、基板８ａに対向する位置に設置される。
【０１４４】
本実施形態においても、図１１に示す先の実施形態と同様に、図１２（ｄ）のオーバーコート膜４３に形成するパターンの違いに応じて露光量が異っている。具体的には、
（１）凹凸パターン３９のうちの凸部３９ｂを形成すべき部分及び感光性樹脂４３’’を完全に残す部分に完全遮光領域Ａ２を合わせ、
（２）凹凸パターン３９のうちの凹部３９ａを形成すべき部分に部分光透過領域Ａ１を合わせ、
（３）透過表示領域Ｔのようにオーバーコート膜４３を除去したい部分に完全光透過領域Ａ０を合わせる。
【０１４５】
凸部３９ｂ及び感光性樹脂を残す部分に対応する完全遮光領域Ａ２の光透過率をＴ２とし、凹部３９ａに対応する部分光透過領域Ａ１の光透過率をＴ１とし、オーバーコート膜４３を除去する部分に対応する完全光透過領域Ａ０の光透過率をＴ０とするとき、本実施形態では、
Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔ０
に設定する。また、
Ｔ２＝０％、  Ｔ０＝１００％
に設定する。なお、必ずしもＴ２＝０％、Ｔ０＝１００％に限定しなくても良い場合もある。
【０１４６】
これらの光透過率Ｔ０，Ｔ１，Ｔ２は、感光性樹脂４３’’に照射すべき光の光量に基づいて設定できる。ここで、露光マスク５１Ｃに照射される露光光Ｌ６の光量をＥ０とし、遮光パターン５３Ｃ’を透過して凸部３９ｂに対応する領域を露光する露光光Ｌ７の光量をＥ１とし、遮光パターン５３Ｃを透過して凹部３９ａに対応する領域を露光する露光光Ｌ８の光量をＥ２とする。形成後のオーバーコート膜４３の凸部３９ｂにおける膜厚をａとし、凹部３９ａにおける膜厚をｂとすると、露光光Ｌ６の光量Ｅ０と露光光Ｌ８の光量Ｅ２とは、
Ｅ２＝Ｅ０（１−ｂ／ａ）
の関係で表すことができる。仮に、図１２において、凹部３９ａの膜厚ｂが凸部３９ｂの膜厚ａの３０％の膜厚である場合、露光光Ｌ８の光量Ｅ２は、露光光Ｌ６の光量Ｅ０の７０％の光量である。なお、露光光Ｌ７は遮光パターン５３Ｃ’において遮光されるので、露光光Ｌ８の光量Ｅ２より少ない光量Ｅ１となる。すなわち、感光性樹脂４３’’のうちの凹部３９ａに対応する部分は、凸部３９ｂに対応する部分より多い光量の光で露光されることになる。
【０１４７】
以上の構成を有するハーフトーンマスク５１Ｃを通して感光性樹脂４３’’へ一定光量Ｅ０の露光光Ｌ６を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、光透過率Ｔ２＝０％（領域Ａ２）で露光された部分は露光量Ｅ１が少ない（本実施形態では露光されない）ので、凹凸パターン３９の凸部３９ｂに対応する露光像が形成される。また、中間の光透過率Ｔ１（領域Ａ１）で露光された部分は凸部３９ｂよりも多い露光量Ｅ２で露光されるので、凹凸パターン３９の凹部３９ａに対応する露光像が形成される。また、光透過率Ｔ０＝１００％（領域Ａ０）で露光された部分は露光量Ｅ０が多いので、感光性樹脂４３’’の膜を貫通する露光像が形成される。以上により、感光性樹脂４３’’の表面に凹凸パターン３９に対応する露光像が形成され、さらに透過表示領域Ｔに対応する露光像が形成され、それらの露光像よりも上の部分が可溶化する。
【０１４８】
その後、図１０において現像工程Ｐ４５、ブリーチ露光工程Ｐ４６、そして焼成工程Ｐ４７を行うことにより、図１２（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、透過表示領域Ｔに対応する部分を除去した形状のオーバーコート膜４３が形成される。
【０１４９】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法では、図９において露光マスク５１Ａを用いて凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８を形成し、図１２において露光マスク５１Ｃを用いてオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を形成した。露光マスク５１Ａと露光マスク５１Ｃとは、図７（ｂ）に示すように、（１）遮光パターン５３Ａの個々の位置と遮光パターン５３Ｃの個々の位置とが平面Ｆ０に関して面対称であり、（２）遮光パターン５３Ａの個々の平面形状と遮光パターン５３Ｃの個々の平面形状が相似の関係にある。これらの露光マスク５１Ａと５１Ｃを用いれば、図５（ｂ）に示すように、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂとオーバーコート膜４３の凹部３９ａとが対向し、且つ凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａとオーバーコート膜４３の凸部３９ｂとが対向するように、凹凸パターンを設けることができる。
【０１５０】
また、本実施形態によれば、図１２において、オーバーコート膜４３を露光するための露光マスク５１Ｃとして、ハーフトーン材料によって形成された多階調の光透過率を有するハーフトーンマスクを用いることにより、オーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を１度の露光工程で形成できるので、製造工程が増えることを抑えることができる。
【０１５１】
（液晶表示装置の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は図６に示した実施形態に係る製造方法と同じである。図１１に示した先の実施形態では、ネガ型の感光性樹脂を材料としてハーフトーンマスクを用いてカラーフィルタ基板側のオーバーコート膜４３を形成する場合を例示した。本実施形態では、ネガ型の感光性樹脂を材料として２階調の光透過性を有した露光マスクを用いてカラーフィルタ基板側のオーバーコート膜４３を形成するものである。なお、素子基板の製造工程は先の実施形態と同じである。また、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【０１５２】
図１４は、図６のオーバーコート膜形成工程Ｐ１２の詳細を示す工程図である。また、図１５は、図１４の工程図に従って図２のカラーフィルタ基板８の膜構成を作成する際の膜の構造変遷図である。図１５（ａ）は図６のカラーフィルタ基板形成工程における工程Ｐ１１において図２のカラーフィルタ基板８側の基板８ａ上に着色膜４１及び遮光膜４２が形成された状態を示している。オーバーコート膜形成工程が始まると、まず、図１４の工程Ｐ５１において図１５（ａ）の基板８ａを洗浄し、図１４の工程Ｐ５２において図１５（ｂ）に示すように、基板８ａ上にオーバーコート膜４３の材料であるネガ型レジストである感光性樹脂４３’を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【０１５３】
次に、図１４の工程Ｐ５３においてプリベークを行い、工程Ｐ５４において、１次露光処理を実行する。具体的には、図１５（ｃ）に示すように、基板８ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置の所定位置に設置し、さらに、１次露光マスク５１Ｄを基板８ａに対向する所定位置に設置する。
【０１５４】
この１次露光マスク５１Ｄは、ガラス基板５２上に遮光パターン５３Ｄを設けることによって形成されている。この露光マスク５１Ｄは、遮光パターン５３Ｄが設けられた領域であって光透過率が０％である完全遮光領域Ａ１と、遮光パターンが無いガラス基板５２の地肌領域であって光透過率が１００％である完全光透過領域Ａ０とを有する２階調の露光マスクである。この露光マスク５１Ｄは、完全遮光領域Ａ１が透過表示領域Ｔ（図２参照）に対向し、完全光透過領域Ａ０が透過表示領域Ｔ以外の領域に対向するように、基板８ａに対向する位置に設置される。
【０１５５】
１次露光マスク５１Ｄを通してネガ型の感光性樹脂４３’へ一定光量Ｅ１の露光光Ｌ９を照射すると、図中において鎖線で示す露光像よりも下の部分が固化する。これにより、凹凸パターン３９の凹部３９ａの底部に対応する部分の露光像が形成される。また、遮光領域は露光されないので透過表示領域Ｔに対応する露光像が形成される。
【０１５６】
次に、図１４の工程Ｐ５５において、２次露光処理を実行する。具体的には、図１５（ｄ）に示すように、露光装置に設置された状態の基板８ａに対向する所定位置に２次露光マスク５１Ｅを設置する。この２次露光マスク５１Ｅは、図１３（ａ）の右側に示すように、遮光パターン５３Ｅが設けられた領域であって光透過率が０％である完全遮光領域Ａ１と、遮光パターンが無いガラス基板５２の地肌領域であって光透過率が１００％の完全光透過領域Ａ０とを有する２階調の露光マスクである。
【０１５７】
図１５（ｄ）において、この露光マスク５１Ｅは、完全遮光領域Ａ１が凹部３９ａに対向し、完全光透過領域Ａ０が凸部３９ｂに対向するように、基板８ａに対向する位置に設置される。この状態で、露光マスク５１Ｅを通して、感光性樹脂４３’へ一定光量Ｅ０の露光光Ｌ１０を照射すると、鎖線で示す露光像よりも下の部分が固化する。具体的には、遮光領域は露光されないので凹部３９ａの露光像が形成される。また、光透過領域では感光性樹脂４３’が露光されるので凸部３９ｂの露光像が形成される。これにより、感光性樹脂４３’の表面に凹凸パターンの露光像が形成される。
【０１５８】
１次露光（図１５（ｃ））の露光量Ｅ１と２次露光（図１５（ｄ））の露光量Ｅ０とは、形成後のオーバーコート膜４３の凸部３９ｂにおける膜厚を「ａ」とし、凹部３９ａにおける膜厚を「ｂ」とすると、
Ｅ１＝Ｅ０（ｂ／ａ）
の関係で表すことができる。仮に、図１５（ｄ）の、凹部３９ａの膜厚ｂが凸部３９ｂの膜厚ａの３０％の膜厚である場合、露光光Ｌ９の光量Ｅ１は、露光光Ｌ１０の光量Ｅ０の３０％の光量である。すなわち、感光性樹脂４３’のうちの凹部３９ａに対応する部分は、凸部３９ｂに対応する部分より少ない光量の光で露光されることになる。
【０１５９】
その後、図１４の現像工程Ｐ５６と焼成工程Ｐ５８を行うことにより、図１５（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、透過表示領域Ｔに対応する部分を除去した形状のオーバーコート膜４３が形成される。なお、図１４に示すオーバーコート膜形成工程にはブリーチ露光工程Ｐ５７が含まれているのであるが、このブリーチ露光工程Ｐ５７は、本実施形態のようにネガ型の感光性樹脂を持ち手オーバーコート膜４３を形成する場合には行われない工程である。
【０１６０】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法では、図９（ｃ）において素子基板用の露光マスク５１Ａを用いて素子基板側の凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８を形成し、他方、図１５（ｄ）においてカラーフィルタ基板用の露光マスク５１Ｅを用いてカラーフィルタ基板側のオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を形成した。露光マスク５１Ａと露光マスク５１Ｅとは、図１３（ａ）に示すように、（１）遮光パターン５３Ａの個々の位置と遮光パターン５３Ｅの個々の位置とが平面Ｆ０に関して面対称であり、（２）遮光パターン５３Ａの個々の平面形状と遮光パターン５３Ｅの個々の平面形状が相似の関係にある。これらの露光マスク５１Ａと５１Ｅを用いれば、図２に示すように、凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂとオーバーコート膜４３の凹部３９ａとが対向し、且つ凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａとオーバーコート膜４３の凸部３９ｂとが対向するように、凹凸パターンを設けることができる。
【０１６１】
また、本実施形態で用いる１次露光マスク５１Ｄ及び２次露光マスク５１Ｅは、完全光透過領域Ａ０と完全遮光領域Ａ１とを有する２階調マスクである。この２階調マスクは、中間の光透過率を有する部分光透過領域を備えた多階調マスクであるハーフトーンマスクに比べてマスクの構造が簡単であるので、マスクの管理を容易に行うことができる。
【０１６２】
（液晶表示装置の製造方法の第４実施形態）
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は図６に示した実施形態に係る製造方法と同じである。図１２に示した先の実施形態では、ポジ型の感光性樹脂を材料としてハーフトーンマスクを用いてカラーフィルタ基板のオーバーコート膜４３を形成する場合を例示した。本実施形態では、ポジ型の感光性樹脂を材料として２階調の光透過性を有した露光マスクを用いてオーバーコート膜４３を形成するものである。なお、素子基板の製造工程は先の実施形態と同じである。また、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【０１６３】
図１６は、図１４の工程図に従って図２のカラーフィルタ基板８の膜構成を作成する際の膜の構造変遷図である。図１６（ａ）は図６のカラーフィルタ基板形成工程における工程Ｐ１１において図２のカラーフィルタ基板８の基板８ａ上に着色膜４１及び遮光膜４２が形成された状態を示している。オーバーコート膜形成工程が始まると、まず、図１４の工程Ｐ５１において図１６（ａ）の基板８ａを洗浄し、図１４の工程Ｐ５２において図１６（ｂ）に示すように、基板８ａ上にオーバーコート膜４３の材料であるポジ型レジストである感光性樹脂４３’’を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【０１６４】
次に、図１４の工程Ｐ５３においてプリベークを行い、工程Ｐ５４において、１次露光処理を実行する。具体的には、図１６（ｃ）に示すように、基板８ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置の所定位置に設置し、さらに、１次露光マスク５１Ｆを基板８ａに対向する所定位置に設置する。
【０１６５】
この１次露光マスク５１Ｆは、ガラス基板５２上に遮光パターン５３Ｆを設けることによって形成されている。この１次露光マスク５１Ｆは、遮光パターン５３Ｆが設けられた領域であって光透過率が０％である完全遮光領域Ａ１と、遮光パターンが無いガラス基板５２の地肌領域であって光透過率が１００％である完全光透過領域Ａ０とを有する２階調の露光マスクである。この１次露光マスク５１Ｆは、完全光透過領域Ａ０が透過表示領域Ｔ（図２参照）に対向し、完全遮光領域Ａ１が透過表示領域Ｔ以外の領域に対向するように、基板８ａに対向する位置に設置される。
【０１６６】
以上の構成を有する１次露光マスク５１Ｆを通してポジ型の感光性樹脂４３’’へ一定光量Ｅ０の露光光Ｌ１１を照射すると、図中において鎖線で示す露光像よりも右の部分が可溶化して透過表示領域Ｔに対応する露光像が形成される。
【０１６７】
次に、図１４の工程Ｐ５５において、２次露光処理を実行する。具体的には、図１６（ｄ）に示すように、露光装置に設置された状態の基板８ａに対向する所定位置に２次露光マスク５１Ｇを設置する。この２次露光マスク５１Ｇは、図１３（ｂ）の右側に示すように、遮光パターン５３Ｇ’が設けられた領域であって光透過率が０％である完全遮光領域Ａ１と、遮光パターンが無いガラス基板５２の地肌領域であって光透過率が１００％の完全光透過領域Ａ０とを有する２階調の露光マスクである。
【０１６８】
図１６（ｄ）において、この２次露光マスク５１Ｇは、完全遮光領域Ａ１が凸部３９ｂに対向し、完全光透過領域Ａ０が凹部３９ａに対向するように、基板８ａに対向する位置に設置される。この状態で、２次露光マスク５１Ｇを通して、感光性樹脂４３’’へ一定光量Ｅ１の露光光Ｌ１２を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、遮光領域は露光されないので凸部３９ｂの露光像が形成される。また、光透過領域では感光性樹脂４３’’が露光されるので凹部３９ａの露光像が形成される。これにより、感光性樹脂４３’’の表面に凹凸パターンの露光像が形成される。
【０１６９】
なお、１次露光（図１６（ｃ））の露光量Ｅ０と２次露光（図１６（ｄ））の露光量Ｅ１とは、形成後のオーバーコート膜４３の凸部３９ｂにおける膜厚を「ａ」とし、凹部３９ａにおける膜厚を「ｂ」とすると、
Ｅ１＝Ｅ０（１−ｂ／ａ）
の関係で表すことができる。仮に、図１６（ｅ）において、凹部３９ａの膜厚ｂが凸部３９ｂの膜厚ａの３０％の膜厚である場合、露光光Ｌ１１の光量Ｅ１は、露光光Ｌ１２の光量Ｅ０の７０％の光量である。すなわち、感光性樹脂４３’のうちの凹部３９ａに対応する部分は、凸部３９ｂに対応する部分より多い光量の光で露光されることになる。
【０１７０】
その後、図１４の現像工程Ｐ５６、ブリーチ露光工程Ｐ５７、そして焼成工程Ｐ５８を行うことにより、図１６（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有し、透過表示領域Ｔに対応する部分を除去した形状のオーバーコート膜４３が形成される。
【０１７１】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法では、図９（ｃ）において露光マスク５１Ａを用いて素子基板の凹凸樹脂膜２３の凹凸パターン３８を形成し、図１６（ｄ）において露光マスク５１Ｇを用いてオーバーコート膜４３の凹凸パターン３９を形成した。露光マスク５１Ａと露光マスク５１Ｇとは、図１３（ｂ）に示すように、（１）遮光パターン５３Ａの個々の位置と遮光パターンが無い部分５２の個々の位置とが平面Ｆ０に関して面対称であり、（２）遮光パターン５３Ａの個々の平面形状と遮光パターンが無い部分５２の個々の平面形状が相似の関係にある。これらの露光マスク５１Ａと５１Ｇを用いれば、図２に示すように、素子基板７の凹凸樹脂膜２３の凸部３８ｂとカラーフィルタ基板８のオーバーコート膜４３の凹部３９ａとが対向し、且つ凹凸樹脂膜２３の凹部３８ａとオーバーコート膜４３の凸部３９ｂとが対向するように、凹凸パターンを設けることができる。
【０１７２】
また、本実施形態で用いる１次露光マスク５１Ｆ及び２次露光マスク５１Ｇは、完全光透過領域Ａ０と完全遮光領域Ａ１とを有する２階調マスクである。この２階調マスクは、中間の光透過率を有する部分光透過領域を備えた多階調マスクであるハーフトーンマスクに比べてマスクの構造が簡単であるので、マスクの管理を容易に行うことができる。
【０１７３】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１７４】
図１７は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。
【０１７５】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。
【０１７６】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１７７】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１では、図２において、液晶層１２を挟んで凹凸樹脂膜２３とオーバーコート膜４３とが互いに対向して設けられ、凹凸樹脂膜２３の表面とオーバーコート膜４３の表面の両方に凹凸パターンが設けられ、さらに、それらの凹凸パターンに関して一方の凸部３８ｂと他方の凹部３９ａとが平面視で重なる状態に設けられるので、凹凸樹脂膜２３とオーバーコート膜４３との間に設けられた液晶層１２の層厚を凹凸パターンの存在に拘わらず平面内で一定にできる。そして、これにより、液晶表示装置１による表示、特に反射表示領域Ｒにおける表示にムラが発生することを防止できる。従って、本発明に係る液晶表示装置を用いて構成される本発明に係る電子機器においても、その電子機器の表示にムラが発生することを防止できる。
【０１７８】
（電子機器の第２実施形態）
図１８は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【０１７９】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【０１８０】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１では、図２において、液晶層１２を挟んで凹凸樹脂膜２３とオーバーコート膜４３とが互いに対向して設けられ、凹凸樹脂膜２３の表面とオーバーコート膜４３の表面の両方に凹凸パターンが設けられ、さらに、それらの凹凸パターンに関して一方の凸部３８ｂと他方の凹部３９ａとが平面視で重なる状態に設けられるので、凹凸樹脂膜２３とオーバーコート膜４３との間に設けられた液晶層１２の層厚を凹凸パターンの存在に拘わらず平面内で一定にできる。そして、これにより、液晶表示装置１による表示、特に反射表示領域Ｒにおける表示にムラが発生することを防止できる。従って、本発明に係る液晶表示装置を用いて構成される本発明に係る電子機器においても、その電子機器の表示にムラが発生することを防止できる。
【０１８１】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施形態を示す側面断面図である。
【図２】図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示す断面図である。
【図３】図２において矢印Ａに従って素子基板上の１つのサブ画素及びその周辺の平面構造を示す平面図である。
【図４】図３のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である。
【図５】図２の矢印Ｚ４で示す部分を拡大して示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は矢印Ａに従った平面図である。
【図６】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の主要工程を示す工程図である。
【図７】図６の製造方法で使用する露光マスクの２つの実施形態を示す平面図である。
【図８】図６の工程内の１工程である凹凸樹脂膜形成工程の詳細を示す工程図である。
【図９】図８の工程図に対応した基板上の膜構成の構造変遷図である。
【図１０】図６の工程内の１工程であるオーバーコート膜形成工程の詳細を示す工程図である。
【図１１】図１０の工程図に対応した基板上の膜構成の構造変遷図である。
【図１２】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態の要部工程における膜構成の構造変遷図である。
【図１３】図６の製造方法で使用する露光マスクの他の２つの実施形態を示す平面図である。
【図１４】本発明に係る液晶表示装置の製造方法のさらに他の実施形態の要部工程を示す工程図である。
【図１５】図１４の工程図に対応した基板上の膜構成の構造変遷図である。
【図１６】本発明に係る液晶表示装置の製造工程のさらに他の実施形態の要部工程における膜構成の構造変遷図である。
【図１７】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。
【図１９】面対称の関係にある２つの露光マスクを示した平面図である。
【図２０】凹凸パターンの重なり状態の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【０１８３】
１．液晶表示装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ６．シール材、
７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板（第１基板）、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板（第２基板）、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ（光源）、
１４．導光体、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．ソース線、  ２０．ゲート線、  
２１．ＴＦＴ素子、  ２２．保護膜、  ２３．凹凸樹脂膜（第１樹脂膜）、  
２３’．感光性樹脂膜、  ２４．光反射膜、２５．画素電極、  
２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．コンタクトホール、  ３１．ゲート電極、  
３２．ゲート絶縁膜、  ３３．半導体層、  ３４ａ，３４ｂ．Ｎ+−Ｓｉ膜、  
３５．ソース電極、  ３６．ドレイン電極、  ３７．補助容量、  
３８，３９．凹凸パターン、  ３８ａ，３９ａ．凹部  ３８ｂ，３９ｂ．凸部、  
４１．着色膜、  ４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート膜（第２樹脂膜）、  
４３’．感光性樹脂膜、  ４４．共通電極、  
５１Ａ、５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５１Ｅ，５１Ｆ，５１Ｇ．露光マスク（第１露光マスク）、  ５２．ガラス基板、
５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ，５３Ｅ，５３Ｆ，５３Ｇ．遮光パターン（マスクパターン）、  Ｄ．サブ画素、  Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２．光量、  Ｆ０，Ｆ１，Ｆ２．平面、
Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０，Ｌ１．光、  
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８，Ｌ９，Ｌ１０，Ｌ１１，Ｌ１２．露光光、
ｔ０，ｔ１，ｔ２，ｔ３．層厚、  Ｒ．反射表示領域、  Ｔ．透過表示領域、  
Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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