(57)【要約】【課題】配置の自由度が高く、酸化物層を効率良く除去することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】第２のプロセスシップ１２の第２のプロセスユニット３４は、ＳｉＯ２層１２３を有するデポジット膜１２６が形成されたウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内に配置され且つウエハＷを載置するＥＳＣ３９と、該ＥＳＣ３９と対向するように配置されたシャワーヘッド４０のヒータ１０３と、ＥＳＣ３９の上面から突出自在な複数のプッシャーピン５６と、チャンバ３８内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給系１０５と、チャンバ３８内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給系１２７とを備え、プッシャーピン５６は、ＳｉＯ２層１２３、アンモニアガス及び弗化水素ガスから生成物が表面に生成されたウエハＷをヒータ１０３の近傍に移動する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室を備える基板処理装置において、
前記収容室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給系と、
前記収容室内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給系と、
前記収容室内に向けて熱を放射する発熱体と、
前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記収容室に配置されて前記基板を載置する載置台を備え、
前記発熱体は前記載置台に対向し、
前記基板移動装置は前記載置台から前記発熱体に向けて突出自在な複数の棒状部材からなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記載置台は不活性ガスを噴出する不活性ガス噴出部を備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板移動装置は前記基板及び前記発熱体の距離を調節することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板及び前記発熱体の距離Ｌは０ｍｍ＜Ｌ＜１０ｍｍであることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記アンモニアガス供給系は前記収容室内にオゾンガス又は酸素ラジカルを供給することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記収容室内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給系を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記収容室内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給系を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
酸化物層が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法であって、
前記収容室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給ステップと、
前記収容室内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給ステップと、
前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記収容室内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給ステップを有することを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記収容室内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給ステップを有することを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１２】
酸化物層が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記収容室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給モジュールと、
前記収容室内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給モジュールと、
前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項１３】
酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室を備える基板処理装置において、
前記収容室内に向けて熱を放射する発熱体と、
前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
前記収容室に配置されて前記基板を載置する載置台を備え、
前記発熱体は前記載置台に対向し、
前記基板移動装置は前記載置台から前記発熱体に向けて突出自在な複数の棒状部材からなることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記収容室内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給系を備えることを特徴とする請求項１３又は１４記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記収容室内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給系を備えることを特徴とする請求項１３又は１４記載の基板処理装置。
【請求項１７】
酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法であって、
前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動ステップを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動モジュールを有することを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関し、特に、酸化物層を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）から電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法では、ウエハの表面に導電膜や絶縁膜を成膜するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の成膜工程、成膜された導電膜や絶縁膜上に所望のパターンのフォトレジスト層を形成するリソグラフィ工程、及びフォトレジスト層をマスクとして用いて処理ガスから生成されたプラズマによって導電膜をゲート電極に成形し、或いは絶縁膜に配線溝やコンタクトホールを成形するエッチング工程が順次繰り返して実行される。
【０００３】
例えば、或る電子デバイスの製造方法では、ウエハ上に形成されたポリシリコン層をエッチングすることがある。この場合、ウエハ上に形成されたトレンチ（溝）の側面にはＳｉＯ２層からなるデポジット膜が形成される。
【０００４】
ところで、ＳｉＯ２層は電子デバイスの不具合、例えば、導通不良の原因となるため、除去する必要がある。ＳｉＯ２層の除去方法として、ウエハにＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理及びＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を施す基板処理方法が知られている。ＣＯＲ処理は、ＳｉＯ２層とガス分子を化学反応させて生成物を生成する処理であり、ＰＨＴ処理は、ＣＯＲ処理が施されたウエハを加熱して、ＣＯＲ処理の化学反応によってウエハに生成された生成物を気化・熱酸化（Thermal Oxidation）させて該ウエハから除去する処理である。
【０００５】
このＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理からなる基板処理方法を実行する基板処理装置として、化学反応処理装置と、該化学反応処理装置に接続された熱処理装置とを備える基板処理装置が知られている。化学反応処理装置はチャンバを備え、該チャンバに収容されたウエハにＣＯＲ処理を施す。熱処理装置もチャンバを備え、該チャンバに収容されたウエハにＰＨＴ処理を施す（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０１８５６７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した基板処理装置は化学反応処理装置及び熱処理装置を必要とするため、該基板処理装置の大きさが大きくなり、該基板処理装置を備える基板処理システムにおいて、該基板処理装置の配置の自由度が低いという問題がある。
【０００７】
また、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理をそれぞれ化学反応処理装置及び熱処理装置で行う必要があり、ウエハの搬送等によってＳｉＯ２層を効率良く除去することができないという問題もある。
【０００８】
また、従来の熱処理装置はチャンバ内に配置された載置台を有し、該載置台はヒータを内蔵する。ＰＨＴ処理の際、ウエハは載置台に載置されて上記ヒータによって加熱されるが、ヒータによるウエハの温度調整が困難であるという問題もある。
【０００９】
本発明の第１の目的は、配置の自由度が高く、酸化物層を効率良く除去することができる基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することにある。
【００１０】
本発明の第２の目的は、基板の温度調整を容易に行うことができる基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記第１の目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、酸化物層が表面に形成された基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室を備える基板処理装置において、前記収容室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給系と、前記収容室内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給系と、前記収容室内に向けて熱を放射する発熱体と、前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動装置とを備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記収容室に配置されて前記基板を載置する載置台を備え、前記発熱体は前記載置台に対向し、前記基板移動装置は前記載置台から前記発熱体に向けて突出自在な複数の棒状部材からなることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の基板処理装置は、請求項２記載の基板処理装置において、前記載置台は不活性ガスを噴出する不活性ガス噴出部を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記基板移動装置は前記基板及び前記発熱体の距離を調節することを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の基板処理装置は、請求項４記載の基板処理装置において、前記基板及び前記発熱体の距離Ｌは０ｍｍ＜Ｌ＜１０ｍｍであることを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の基板処理装置は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記アンモニアガス供給系は前記収容室内にオゾンガス又は酸素ラジカルを供給することを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の基板処理装置は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記収容室内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給系を備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項８記載の基板処理装置は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記収容室内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給系を備えることを特徴とする。
【００１９】
上記第１の目的を達成するために、請求項９記載の基板処理方法は、酸化物層が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法であって、前記収容室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給ステップと、前記収容室内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給ステップと、前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動ステップとを有することを特徴とする。
【００２０】
請求項１０記載の基板処理方法は、請求項９記載の基板処理方法において、前記収容室内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給ステップを有することを特徴とする。
【００２１】
請求項１１記載の基板処理方法は、請求項９記載の基板処理方法において、前記収容室内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給ステップを有することを特徴とする。
【００２２】
上記第１の目的を達成するために、請求項１２記載の記憶媒体は、酸化物層が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、前記収容室内にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給モジュールと、前記収容室内に弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給モジュールと、前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動モジュールとを有することを特徴とする。
【００２３】
上記第２の目的を達成するために、請求項１３記載の基板処理装置は、酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室を備える基板処理装置において、前記収容室内に向けて熱を放射する発熱体と、前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動装置とを備えることを特徴とする。
【００２４】
請求項１４記載の基板処理装置は、請求項１３記載の基板処理装置において、前記収容室に配置されて前記基板を載置する載置台を備え、前記発熱体は前記載置台に対向し、前記基板移動装置は前記載置台から前記発熱体に向けて突出自在な複数の棒状部材からなることを特徴とする。
【００２５】
請求項１５記載の基板処理装置は、請求項１３又は１４記載の基板処理装置において、前記収容室内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給系を備えることを特徴とする。
【００２６】
請求項１６記載の基板処理装置は、請求項１３又は１４記載の基板処理装置において、前記収容室内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給系を備えることを特徴とする。
【００２７】
上記第２の目的を達成するために、請求項１７記載の基板処理方法は、酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法であって、前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動ステップを有することを特徴とする。
【００２８】
上記第２の目的を達成するために、請求項１８記載の記憶媒体は、酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板を収容する収容室と、該収容室内に向けて熱を放射する発熱体とを備える基板処理装置において前記基板に処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、前記収容室に収容された基板を前記発熱体の近傍に移動する基板移動モジュールを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１記載の基板処理装置、請求項９記載の基板処理方法及び請求項１２記載の記憶媒体によれば、酸化物層が表面に形成された基板が収容された収容室内にアンモニアガス及び弗化水素ガスが供給され、さらに、基板が発熱体の近傍に移動される。酸化物層がアンモニアガス及び弗化水素ガスの雰囲気に暴露されると、酸化物層、アンモニア及び弗化水素に基づいた生成物が生成される。また、生成物が生成された基板が発熱体の近傍に移動されると、生成された生成物が加熱されて気化する。すなわち、１つの収容室内において酸化物層を除去することができるため、基板処理装置の大きさを小さくすることができ、もって、該基板処理装置を備える基板処理システムにおいて該基板処理装置の配置の自由度を高くすることができると共に、酸化物層を効率良く除去することができる。
【００３０】
請求項２記載の基板処理装置及び請求項１４記載の基板処理装置によれば、発熱体は基板を載置する載置台に対向し、載置台から発熱体に向けて突出自在な複数の棒状部材が基板を発熱体の近傍に移動するので、基板を安定して発熱体の近傍に移動することができ、もって、生成された生成物を確実に加熱することができる。
【００３１】
請求項３記載の基板処理装置によれば、載置台の不活性ガス噴出部は不活性ガスを噴出するので、噴出された不活性ガスによって加熱されて気化した生成物が載置台に再度付着するのを防止することができる。
【００３２】
請求項４記載の基板処理装置によれば、基板移動装置は基板及び発熱体の距離を調節するので、基板の温度を生成物の気化に最適な温度に設定することができ、もって、生成物の気化を促進し、酸化物層をより効率良く除去することができる。
【００３３】
請求項５記載の基板処理装置によれば、基板移動装置が調整する基板及び発熱体の距離Ｌは０ｍｍ＜Ｌ＜１０ｍｍであるので、基板の温度を急速に上昇させることができ、もって、酸化物層をさらに効率良く除去することができる。
【００３４】
請求項６記載の基板処理装置によれば、収容室内にオゾンガス又は酸素ラジカルが供給される。酸化物層が有機物層を覆っている基板において、酸化物層から生成された生成物が気化して有機物層が露出すると、該露出した有機物層は供給されたオゾンガス又は酸素ラジカルに暴露され、オゾンガス又は酸素ラジカルは有機物層を分解する。したがって、酸化物層に続けて有機物層を連続的に除去することができ、もって、酸化物層及び有機物層を効率良く除去することができる。また、アンモニアガス供給系がオゾンガス又は酸素ラジカルを供給するので、オゾンガス供給系又は酸素ラジカル供給系を設ける必要が無く、さらに基板処理装置の大きさを小さくすることができる。
【００３５】
請求項７記載の基板処理装置、請求項１５記載の基板処理装置及び請求項１０記載の基板処理方法によれば、収容室内にオゾンガスが供給される。酸化物層が有機物層を覆っている基板において、酸化物層から生成された生成物が気化して有機物層が露出すると、該露出した有機物層は供給されたオゾンガスに暴露され、オゾンガスは有機物層を分解する。したがって、酸化物層に続けて有機物層を連続的に除去することができ、もって、酸化物層及び有機物層を効率良く除去することができる。
【００３６】
請求項８記載の基板処理装置、請求項１６記載の基板処理装置及び請求項１１記載の基板処理方法によれば、収容室内に酸素ラジカルが供給される。酸化物層が有機物層を覆っている基板において、酸化物層から生成された生成物が気化して有機物層が露出すると、該露出した有機物層は供給された酸素ラジカルに暴露され、酸素ラジカルは有機物層を分解する。したがって、酸化物層に続けて有機物層を連続的に除去することができ、もって、酸化物層及び有機物層を効率良く除去することができる。
【００３７】
請求項１３記載の基板処理装置、請求項１７記載の基板処理方法及び請求項１８記載の記憶媒体によれば、酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成された基板が収容された収容室において、基板が発熱体の近傍に移動される。生成物が生成された基板が発熱体の近傍に移動されると、生成された生成物が加熱されて気化するが、このとき、基板及び発熱体の距離を調整するだけで、基板が受ける熱量を容易に調整することができ、もって、基板の温度調整を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３９】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を備える基板処理システムの概略構成を示す平面図である。
【００４０】
図１において、基板処理システム１０は、電子デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗ（基板）にエッチング処理を施す第１のプロセスシップ１１と、該第１のプロセスシップ１１と平行に配置され、第１のプロセスシップ１１においてエッチング処理が施されたウエハＷに後述するＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を施す第２のプロセスシップ１２（基板処理装置）と、第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット１３とを備える。
【００４１】
ローダーユニット１３には、上述した第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２の他、２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、ウエハＷの表面状態を計測する第１及び第２のＩＭＳ（Integrated Metrology System、Therma-Wave, Inc.）１７，１８とが接続されている。
【００４２】
第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２は、ローダーユニット１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット１３を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置され、第１のＩＭＳ１７はローダーユニット１３の長手方向に関する他端に配置され、第２のＩＭＳ１８は３つのフープ載置台１５と並列に配置される。
【００４３】
ローダーユニット１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート２０とを有する。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、該取り出したウエハＷを第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２、オリエンタ１６、第１のＩＭＳ１７や第２のＩＭＳ１８へ搬出入する。
【００４４】
第１のＩＭＳ１７は光学系のモニタであり、搬入されたウエハＷを載置する載置台２１と、該載置台２１に載置されたウエハＷを指向する光学センサ２２とを有し、ウエハＷの表面形状、例えば、表面層の膜厚、及び配線溝やゲート電極等のＣＤ（Critical Dimension）値を測定する。第２のＩＭＳ１８も光学系のモニタであり、第１のＩＭＳ１７と同様に、載置台２３と光学センサ２４とを有し、ウエハＷの表面におけるパーティクル数を計測する。
【００４５】
第１のプロセスシップ１１は、ウエハＷにエッチング処理を施す第１のプロセスユニット２５と、該第１のプロセスユニット２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第１の搬送アーム２６を内蔵する第１のロード・ロックユニット２７とを有する。
【００４６】
第１のプロセスユニット２５は、円筒状の処理室容器（チャンバ）と、該チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極とを有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハＷにエッチング処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハＷをクーロン力等によってチャックするＥＳＣ２８をその頂部に有する。
【００４７】
第１のプロセスユニット２５では、チャンバ内部に処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハＷにエッチング処理を施す。
【００４８】
第１のプロセスシップ１１では、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第１のプロセスユニット２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、第１のロード・ロックユニット２７は、第１のプロセスユニット２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
【００４９】
第１のロード・ロックユニット２７の内部には、略中央部に第１の搬送アーム２６が設置され、該第１の搬送アーム２６より第１のプロセスユニット２５側に第１のバッファ３１が設置され、第１の搬送アーム２６よりローダーユニット１３側には第２のバッファ３２が設置される。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、第１の搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）３３が移動する軌道上に配置され、エッチング処理済みのウエハＷを一時的に支持部３３の軌道の上方に待避させることにより、エッチング未処理のウエハＷとエッチング処理済みのウエハＷとの第１のプロセスユニット２５における円滑な入れ換えを可能とする。
【００５０】
第２のプロセスシップ１２は、ウエハＷにＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を施す第２のプロセスユニット３４と、該第２のプロセスユニット３４に真空ゲートバルブ３５を介して接続され、且つ第２のプロセスユニット３４にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第２の搬送アーム３７を内蔵する第２のロード・ロックユニット４９とを有する。
【００５１】
図２は、図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。
【００５２】
図２（Ａ）において、第２のプロセスユニット３４は、円筒状の処理室容器（チャンバ）３８（収容室）と、該チャンバ３８内に配置されたウエハＷの載置台としてのＥＳＣ３９と、チャンバ３８の上方においてＥＳＣ３９と対向するように配置されたシャワーヘッド４０と、チャンバ３８内のガス等を排気するＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）４１と、チャンバ３８及びＴＭＰ４１の間に配置され、チャンバ３８内の圧力を制御する可変式バタフライバルブとしてのＡＰＣ（Adaptive Pressure Control）バルブ４２とを有する。
【００５３】
シャワーヘッド４０は下層部４３及び上層部４４からなる２層構造を有し、下層部４３及び上層部４４のそれぞれに第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６を有する。第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６はそれぞれガス通気孔４７，４８を介してチャンバ３８内に連通する。すなわち、シャワーヘッド４０は、第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６にそれぞれ供給されるガスのチャンバ３８内への内部通路を有する、階層状に積み重ねられた２つの板状体（下層部４３、上層部４４）からなる。
【００５４】
シャワーヘッド４０の下層部４３は第１のバッファ室４５の下方に円板状のヒータ１０３（発熱体）を有する。該ヒータ１０３は電熱線等からなり、チャンバ３８内へ向けて熱を放射する。また、ヒータ１０３はヒータ制御部１０４に接続されており、該ヒータ制御部１０４はヒータ１０３の発熱量を制御する。
【００５５】
なお、第２のプロセスユニット３４はヒータ１０３の代わりにチャンバ３８内に配置されたランプを発熱体として備えていてもよい。
【００５６】
シャワーヘッド４０の下層部４３はＮＨ３（アンモニア）ガス供給系１０５に接続されている。アンモニアガス供給系１０５は下層部４３の第１のバッファ室４５に連通するアンモニアガス供給管５７と、該アンモニアガス供給管５７に配されたアンモニアガスバルブ１０６と、アンモニアガス供給管５７に接続されたアンモニアガス供給部１０７とを備える。アンモニアガス供給部１０７はアンモニアガス供給管５７を介して第１のバッファ室４５へアンモニアガスを供給する。また、アンモニアガス供給部１０７は供給するアンモニアガスの流量を調節する。アンモニアガスバルブ１０６はアンモニアガス供給管５７の遮断・連通を自在に行うことができる。
【００５７】
アンモニアガス供給系１０５は、窒素ガス供給部１０８と、該窒素ガス供給部１０８に接続された窒素ガス供給管１０９と、該窒素ガス供給管１０９に配された窒素ガスバルブ１１０とを有する。また、窒素ガス供給管１０９は、第１のバッファ室４５及びアンモニアガスバルブ１０６の間においてアンモニアガス供給管５７に接続されている。窒素ガス供給部１０８は窒素ガス供給管１０９及びアンモニアガス供給管５７を介して第１のバッファ室４５へ窒素ガスを供給する。また、窒素ガス供給部１０８は供給する窒素ガスの流量を調節する。窒素ガスバルブ１１０は窒素ガス供給管１０９の遮断・連通を自在に行うことができる。
【００５８】
また、アンモニアガス供給系１０５は、オゾンガス供給部１１１と、該オゾンガス供給部１１１に接続されたオゾンガス供給管１１２と、該オゾンガス供給管１１２に配されたオゾンガスバルブ１１３とを有する。オゾンガス供給管１１２も、第１のバッファ室４５及びアンモニアガスバルブ１０６の間においてアンモニアガス供給管５７に接続されている。オゾンガス供給部１１１はオゾンガス供給管１１２及びアンモニアガス供給管５７を介して第１のバッファ室４５へオゾンガスを供給する。また、オゾンガス供給部１１１は供給するオゾンガスの流量を調節する。オゾンガスバルブ１１３はオゾンガス供給管１１２の遮断・連通を自在に行うことができる。
【００５９】
アンモニアガス供給系１０５は、アンモニアガスバルブ１０６、窒素ガスバルブ１１０及びオゾンガスバルブ１１３の開閉を切り替えることによって第１のバッファ室４５、引いてはチャンバ３８内へ供給するガスの種類を切り替える。具体的には、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際、第１のバッファ室４５にはアンモニアガスがアンモニアガス供給系１０５から供給され、該供給されたアンモニアガスはガス通気孔４７を介してチャンバ３８内へ供給される。また、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す際、第１のバッファ室４５には窒素ガスがアンモニアガス供給系１０５から供給され、該供給された窒素ガスはガス通気孔４７を介してチャンバ３８内へ供給される。また、ウエハＷに有機物層除去処理を施す際、第１のバッファ室４５にはオゾンガスがアンモニアガス供給系１０５から供給され、該供給されたオゾンガスはガス通気孔４７を介してチャンバ３８内へ供給される。
【００６０】
また、シャワーヘッド４０の上層部４４はＨＦ（弗化水素）ガス供給系１２７に接続されている。弗化水素ガス供給系１２７は上層部４４の第２のバッファ室４６に連通する弗化水素ガス供給管５８と、該弗化水素ガス供給管５８に配された弗化水素ガスバルブ１１４と、弗化水素ガス供給管５８に接続された弗化水素ガス供給部１１５とを備える。弗化水素ガス供給部１１５は弗化水素ガス供給管５８を介して第２のバッファ室４６へ弗化水素ガスを供給する。また、弗化水素ガス供給部１１５は供給する弗化水素ガスの流量を調節する。弗化水素ガスバルブ１１４は弗化水素ガス供給管５８の遮断・連通を自在に行うことができる。シャワーヘッド４０の上層部４４はヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵する。この加熱素子は、第２のバッファ室４６内の弗化水素ガスの温度を制御する。
【００６１】
シャワーヘッド４０では、アンモニアガス供給系１０５のアンモニアガス供給部１０７と弗化水素ガス供給系１２７の弗化水素ガス供給部１１５とが協働して、チャンバ３８へ供給されるアンモニアガスと弗化水素ガスの体積流量比を調整する。
【００６２】
シャワーヘッド４０では、図２（Ｂ）に示すように、ガス通気孔４７，４８におけるチャンバ３８内への開口部は末広がり状に形成される。これにより、アンモニアガス、窒素ガス、オゾンガス及び弗化水素ガスをチャンバ３８内へ効率よく拡散することができる。さらに、ガス通気孔４７，４８は断面がくびれ形状を呈するので、チャンバ３８で発生した堆積物がガス通気孔４７，４８、引いては、第１のバッファ室４５や第２のバッファ室４６へ逆流するのを防止する。なお、ガス通気孔４７，４８は螺旋状の通気孔であってもよい。
【００６３】
第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内において初めてアンモニアガス及び弗化水素ガスが混合するように設計されている（ポストミックス設計）ため、チャンバ３８内に上記２種類のガスが導入されるまで、該２種類の混合ガスが混合するのを防止して、弗化水素ガスとアンモニアガスとがチャンバ３８内への導入前に反応するのを防止する。
【００６４】
また、第２のプロセスユニット３４では、チャンバ３８の側壁がヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵し、チャンバ３８内の雰囲気温度が低下するのを防止する。これにより、ＣＯＲ処理の再現性を向上することができる。また、側壁内の加熱素子は、側壁の温度を制御することによってＣＯＲ処理の際にチャンバ３８内において発生した副生成物が側壁の内側に付着するのを防止する。
【００６５】
ＥＳＣ３９は、内部に直流電圧が印加される電極板（図示しない）を有し、直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハＷを吸着して保持する。また、ＥＳＣ３９は調温機構として円環状の冷媒室１０２を有する。該冷媒室１０２は冷媒管１０１を介してチラーユニット６０に接続されている。該チラーユニット６０は冷媒室１０２に所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン液を供給し、当該冷媒の温度によってＥＳＣ３９の上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。
【００６６】
また、ＥＳＣ３９は、ＥＳＣ３９の上面から不活性ガス、例えば、窒素ガスや酸素ガスを噴出する複数の不活性ガス噴出孔１１６（不活性ガス噴出部）を有する。該不活性ガス噴出孔１１６は不活性ガス供給管１１７を介して不活性ガス供給部１１８に接続されている。各不活性ガス噴出孔１１６はＰＨＴ処理の間、ＥＳＣ３９の表面を覆うように不活性ガスを噴出する。
【００６７】
さらに、ＥＳＣ３９は、ＥＳＣ３９の上面とウエハの裏面との間に伝熱ガス（ヘリウムガス）を満遍なく供給する伝熱ガス供給系（図示しない）を有する。伝熱ガスは、ＣＯＲ処理の間、冷媒によって所望の指定温度に維持されたＥＳＣ３９とウエハとの熱交換を行い、ウエハを効率よく且つ均一に冷却する。
【００６８】
また、ＥＳＣ３９は、その上面から突出自在な複数のプッシャーピン５６（基板移動装置）を有する。プッシャーピン５６はＥＳＣ３９に載置されたウエハＷの裏面を支持し、該ウエハＷをシャワーヘッド４０のヒータ１０３の近傍に移動する。各プッシャーピン５６はセラミックやステンレスの棒状部材からなり、各プッシャーピン５６の少なくとも１つはその先端にウエハＷの裏面の温度を蛍光によって測定する温度センサ（図示しない）を有している。また、各プッシャーピン５６は、モータ（図示しない）によって駆動され、それらの突出量はモータによって自在に調節される。したがって、各プッシャーピン５６はウエハＷ及びヒータ１０３の距離を調節することができる。該ウエハＷ及びヒータ１０３の距離は上記温度センサによって測定されたウエハＷの裏面の温度に応じて変更されてもよい。
【００６９】
なお、プッシャーピン５６は、その突出量が自在に調整可能である必要はなく、多段階、少なくとも３段階、具体的には、ウエハＷをＥＳＣ３９に吸着保持する場合（ＣＯＲ処理）、ウエハＷの搬出入を行う場合及びウエハＷをヒータ１０３に近接させる場合（ＰＨＴ処理、有機物層除去処理）に対応して３段階の突出量を実現できるだけでもよい。
【００７０】
図１に戻り、第２のロード・ロックユニット４９は、第２の搬送アーム３７を内蔵する筐体状の搬送室（チャンバ）７０を有する。また、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第２のプロセスユニット３４の内部圧力は真空若しくは大気圧以下に維持される。そのため、第２のロード・ロックユニット４９は、第２のプロセスユニット３４との連結部に真空ゲートバルブ３５を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ５５を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
【００７１】
図３は、図１における第２のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。
【００７２】
図３において、第２のプロセスユニット３４は、上述した構成要素の他にチャンバ３８内の圧力を測定する圧力ゲージ５９を備える。また、第２のプロセスユニット３４の下方には、ＤＰ（Dry Pump）（図示しない）に接続された第２のプロセスユニット排気系６１が配置される。第２のプロセスユニット排気系６１は、チャンバ３８とＡＰＣバルブ４２の間に配設された排気ダクト６２と連通する排気管６３と、ＴＭＰ４１の下方（排気側）に接続された排気管６４とを有し、チャンバ３８内のガス等を排気する。なお、排気管６３はＤＰの手前において排気管６４に接続される。
【００７３】
第２のロード・ロックユニット４９は、チャンバ７０へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管７１と、チャンバ７０内の圧力を測定する圧力ゲージ７２と、チャンバ７０内の窒素ガス等を排気する第２のロード・ロックユニット排気系７３と、チャンバ７０内を大気開放する大気連通管７４とを備える。
【００７４】
窒素ガス供給管７１にはＭＦＣ（Mass Flow Controller）（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ７０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第２のロード・ロックユニット排気系７３は１本の排気管からなり、該排気管はチャンバ７０に連通すると共に、ＤＰ（図示しない）に接続される。また、第２のロード・ロックユニット排気系７３及び大気連通管７４はそれぞれ開閉自在な排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６を有し、該排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６は協働してチャンバ７０内の圧力を大気圧から所望の真空度までのいずれかに調整する。
【００７５】
図４は、図３における第２のロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。
【００７６】
図４において、第２のロード・ロックユニット４９のユニット駆動用ドライエア供給系７７のドライエア供給先としては、大気ドアバルブ５５が有するスライドドア駆動用のドアバルブシリンダ、Ｎ２パージユニットとしての窒素ガス供給管７１が有するＭＦＣ、大気開放用のリリーフユニットとしての大気連通管７４が有するリリーフバルブ７６、真空引きユニットとしての第２のロード・ロックユニット排気系７３が有する排気バルブ７５、及び真空ゲートバルブ３５が有するスライドゲート駆動用のゲートバルブシリンダが該当する。
【００７７】
ユニット駆動用ドライエア供給系７７は、第２のプロセスシップ１２が備える本ドライエア供給管７８から分岐された副ドライエア供給管７９と、該副ドライエア供給管７９に接続された第１のソレノイドバルブ８０及び第２のソレノイドバルブ８１とを備える。
【００７８】
第１のソレノイドバルブ８０は、ドライエア供給管８２，８３，８４，８５の各々を介してドアバルブシリンダ、ＭＦＣ、リリーフバルブ７６及びゲートバルブシリンダに接続され、これらへのドライエアの供給量を制御することによって各部の動作を制御する。また、第２のソレノイドバルブ８１は、ドライエア供給管８６を介して排気バルブ７５に接続され、排気バルブ７５へのドライエアの供給量を制御することによって排気バルブ７５の動作を制御する。なお、窒素ガス供給管７１におけるＭＦＣは窒素（Ｎ２）ガス供給系８７にも接続されている。
【００７９】
また、第２のプロセスユニット３４も、上述した第２のロード・ロックユニット４９のユニット駆動用ドライエア供給系７７と同様の構成を有するユニット駆動用ドライエア供給系を備える。
【００８０】
図１に戻り、基板処理システム１０は、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションパネル８８を備える。
【００８１】
オペレーションパネル８８は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる表示部を有し、該表示部は基板処理システム１０の各構成要素の動作状況を表示する。
【００８２】
また、図５に示すように、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）８９と、３つのＭＣ（Module Controller）９０，９１，９２と、ＥＣ８９及び各ＭＣを接続するスイッチングハブ９３とを備える。該システムコントローラはＥＣ８９からＬＡＮ（Local Area Network）１７０を介して、基板処理システム１０が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ１７１に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
【００８３】
ＥＣ８９は、各ＭＣを統括して基板処理システム１０全体の動作を制御する主制御部（マスタ制御部）である。また、ＥＣ８９は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、オペレーションパネル８８においてユーザ等によって指定されたウエハＷの処理方法、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてＣＰＵが各ＭＣに制御信号を送信することにより、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する。
【００８４】
スイッチングハブ９３は、ＥＣ８９からの制御信号に応じてＥＣ８９の接続先としてのＭＣを切り替える。
【００８５】
ＭＣ９０，９１，９２は、それぞれ第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）である。各ＭＣは、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール９７，９８，９９にそれぞれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク９５は、各ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク９５では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。
【００８６】
Ｉ／Ｏモジュール９８は、第２のプロセスシップ１２における各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１００からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール９８においてＩ／Ｏ部１００に接続されるエンドデバイスには、例えば、第２のプロセスユニット３４におけるチラーユニット６０、不活性ガス供給部１１８、アンモニアガス供給部１０７、アンモニアガスバルブ１０６、窒素ガス供給部１０８、窒素ガスバルブ１１０、オゾンガス供給部１１１、オゾンガスバルブ１１３、弗化水素ガス供給部１１５、弗化水素ガスバルブ１１４、圧力ゲージ５９及びＡＰＣバルブ４２、第２のロード・ロックユニット４９における窒素ガス供給管７１のＭＦＣ、圧力ゲージ７２及び第２の搬送アーム３７、並びに、ユニット駆動用ドライエア供給系７７における第１のソレノイドバルブ８０及び第２のソレノイドバルブ８１等が該当する。
【００８７】
なお、Ｉ／Ｏモジュール９７，９９は、Ｉ／Ｏモジュール９８と同様の構成を有し、第１のプロセスシップ１１に対応するＭＣ９０及びＩ／Ｏモジュール９７の接続関係、並びにローダーユニット１３に対応するＭＣ９２及びＩ／Ｏモジュール９９の接続関係も、上述したＭＣ９１及びＩ／Ｏモジュール９８の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。
【００８８】
また、各ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、Ｉ／Ｏ部１００におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。
【００８９】
基板処理システム１０において、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際には、ＣＯＲ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵが、スイッチングハブ９３、ＭＣ９１、ＧＨＯＳＴネットワーク９５及びＩ／Ｏモジュール９８におけるＩ／Ｏ部１００を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第２のプロセスユニット３４においてＣＯＲ処理を実行する。
【００９０】
具体的には、ＣＰＵが、窒素ガスバルブ１１０及びオゾンガスバルブ１１３に制御信号を送信することによってこれらを閉鎖し、アンモニアガス供給部１０７及び弗化水素ガス供給部１１５に制御信号を送信することによってチャンバ３８におけるアンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を所望の値に調整し、ＴＭＰ４１及びＡＰＣバルブ４２に制御信号を送信することによってチャンバ３８内の圧力を所望の値に調整する。また、このとき、圧力ゲージ５９がチャンバ３８内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９のＣＰＵに送信し、該ＣＰＵは送信されたチャンバ３８内の圧力値に基づいて、アンモニアガス供給部１０７、弗化水素ガス供給部１１５、ＡＰＣバルブ４２やＴＭＰ４１の制御パラメータを決定する。
【００９１】
また、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す際には、ＰＨＴ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵが、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第２のプロセスユニット３４においてＰＨＴ処理を実行する。
【００９２】
具体的には、ＣＰＵが、アンモニアガスバルブ１０６及びオゾンガスバルブ１１３に制御信号を送信することによってこれらを閉鎖し、窒素ガス供給部１０８及びＡＰＣバルブ４２に制御信号を送信することによってチャンバ３８内の圧力を所望の値に調整し、プッシャーピン５６を駆動するモータに制御信号を送信することによってウエハＷをヒータ１０３の近傍に移動させると共に、ウエハＷ及びヒータ１０３の間の距離を調節してウエハＷの温度を所望の温度に調整する。また、このとき、圧力ゲージ５９及びプッシャーピン５６の温度センサがチャンバ３８内の圧力値及びウエハＷの裏面の温度を出力信号としてＥＣ８９のＣＰＵに送信し、該ＣＰＵは送信された圧力値や温度に基づいて、ＡＰＣバルブ４２、窒素ガス供給部１０８及びプッシャーピン５６を駆動するモータの制御パラメータを決定する。
【００９３】
さらに、ウエハＷに有機物層除去処理を施す際には、有機物層除去処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵが、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第２のプロセスユニット３４において有機物層除去処理を実行する。
【００９４】
具体的には、ＣＰＵが、アンモニアガスバルブ１０６及び窒素ガスバルブ１１０に制御信号を送信することによってこれらを閉鎖し、オゾンガス供給部１１１及びＡＰＣバルブ４２に制御信号を送信することによってチャンバ３８内の圧力を所望の値に調整し、プッシャーピン５６を駆動するモータに制御信号を送信することによってウエハＷ及びヒータ１０３の間の距離を調節してウエハＷの温度を所望の温度に調整する。また、このとき、圧力ゲージ５９及びプッシャーピン５６の温度センサがチャンバ３８内の圧力値及びウエハＷの裏面の温度を出力信号としてＥＣ８９のＣＰＵに送信し、該ＣＰＵは送信された圧力値や温度に基づいて、ＡＰＣバルブ４２、オゾンガス供給部１１１及びプッシャーピン５６を駆動するモータの制御パラメータを決定する。
【００９５】
図５のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ８９に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ及びスイッチングハブ９３を介してＥＣ８９に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
【００９６】
また、ＥＣ８９のＣＰＵが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００のアドレス、及び当該Ｉ／Ｏ部１００を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ９３は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣのＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部１００のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ９３やＭＣがＣＰＵに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
【００９７】
ところで、表面にポリシリコン膜１１９、ＳｉＯ２膜１２０及びポリシリコン膜１２１が順に積層されたウエハＷをエッチングすると、ウエハ上に形成されたトレンチ１２２の側面には、図６に示すような、ＳｉＯ２層１２３、ＣＦ系デポジット層１２４及びＳｉＯ２層１２５からなるデポジット膜１２６が形成される。これらのＳｉＯ２層１２３，１２５及びＣＦ系デポジット層１２４は電子デバイスの不具合、例えば、導通不良の原因となるため、除去する必要がある。
【００９８】
本実施の形態に係る基板処理方法は、これに対応して、デポジット膜１２６がトレンチの側面に形成されたウエハＷにＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を第２のプロセスユニット３４内で施す。
【００９９】
本実施の形態に係る基板処理方法では、ＣＯＲ処理においてアンモニアガス及び弗化水素ガスを用いる。ここで、弗化水素ガスはＳｉＯ２層の腐食を促進し、アンモニアガスは、酸化膜（ＳｉＯ２層）と弗化水素ガスとの反応を必要に応じて制限し、最終的には停止させるための反応副生成物（By-product）を合成する。具体的には、本実施の形態に係る基板処理方法では、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理において以下の化学反応を利用する。
（ＣＯＲ処理）
ＳｉＯ２＋４ＨＦ  →  ＳｉＦ４＋２Ｈ２Ｏ↑
ＳｉＦ４＋２ＮＨ３＋２ＨＦ  →  （ＮＨ４）２ＳｉＦ６
（ＰＨＴ処理）
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６  →  ＳｉＦ４↑＋２ＮＨ３↑＋２ＨＦ↑
尚、ＰＨＴ処理においては、Ｎ２及びＨ２も若干量発生する。
【０１００】
また、本実施の形態に係る基板処理方法では、有機物層除去処理においてオゾンガスを用いる。ここで、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が施されたウエハＷでは、トレンチの側面のデポジット膜１２６においてＳｉＯ２層１２３が除去されて有機物層であるＣＦ系デポジット層１２４が露出する。オゾンガスは露出したＣＦ系デポジット層１２４を分解する。具体的には、オゾンガスに暴露されたＣＦ系デポジット層１２４は化学反応によってＣＯ、ＣＯ２やＦ２等に分解される。これにより、トレンチの側面のデポジット膜１２６においてＣＦ系デポジット層１２４が除去される。
【０１０１】
図７は、本実施の形態に係る基板処理方法としてのデポジット膜除去処理のフローチャートである。
【０１０２】
図７では、基板処理システム１０において、まず、トレンチの側面にＳｉＯ２層１２３、ＣＦ系デポジット層１２４及びＳｉＯ２層１２５からなるデポジット膜１２６が形成されたウエハＷを第２のプロセスユニット３４のチャンバ３８に収容してＥＳＣ３９上に載置する（ステップＳ７１）と共に、チャンバ３８内の圧力を所定の圧力に調整し、チャンバ３８内にアンモニアガス、弗化水素ガス及び希釈ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し（アンモニアガス供給ステップ、弗化水素ガス供給ステップ）（ステップＳ７２）、チャンバ３８内をこれらから成る混合気体の雰囲気とし、ＳｉＯ２層１２３を所定の圧力下において混合気体に暴露する。これにより、ＳｉＯ２層、アンモニアガス及び弗化水素ガスを化学反応させて錯体構造を有する生成物（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）を生成する（ＣＯＲ処理）。このとき、ＳｉＯ２層１２３が混合気体に暴露される時間は２〜３分であるのが好ましく、また、ＥＳＣ３９の温度は１０〜１００℃のいずれかに設定されるのが好ましい。なお、ＣＯＲ処理においてプッシャーピン５６のＥＳＣ３９からの突出量は０であるので、ウエハＷはヒータ１０３から離間されたままである。
【０１０３】
このとき、チャンバ３８内における弗化水素ガスの分圧は６．７〜１３．３Ｐａ（５０〜１００ｍＴｏｒｒ）であるのが好ましい。これにより、チャンバ３８内の混合気体の流量比等が安定するため、生成物の生成を助長することができる。また、温度が高いほどチャンバ３８内に発生した副生成物が付着しにくいことから、チャンバ３８内の内壁温度は、側壁に埋設されたヒータによって５０℃に設定されるのが好ましい。
【０１０４】
次いで、生成物が生成されたウエハＷをプッシャーピン５６によってＥＳＣ３９からシャワーヘッド４０のヒータ１０３の近傍まで移動する（基板移動ステップ）（ステップＳ７３）。このとき、移動されたウエハＷ及びヒータ１０３の距離（図２（Ａ）に「Ｌ」で示す。）は０ｍｍ＜Ｌ＜１０ｍｍに設定される。これにより、ウエハＷはヒータ１０３が放射する熱によって加熱され、ウエハＷでは熱によって生成物の錯体構造が分解し、生成物は四弗化珪素（ＳｉＦ４）、アンモニア、弗化水素に分離して気化する（ＰＨＴ処理）。
【０１０５】
また、このとき、窒素ガス供給部１０８から窒素ガスが第１のバッファ室４５に供給され、その結果、シャワーヘッド４０がチャンバ３８内に窒素ガスを供給する（ステップＳ７４）。チャンバ３８内に供給された窒素ガスはチャンバ３８内において粘性流を発生する。生成物が気化して生じた四弗化珪素、アンモニアや弗化水素のガス分子は窒素ガスの粘性流に巻き込まれて第２のプロセスユニット排気系６１によってチャンバ３８から排出される。
【０１０６】
第２のプロセスユニット３４において、生成物は配位結合を含む錯化合物（Complex compound）であり、錯化合物は結合力が弱く、比較的低温においても熱分解が促進されるので、加熱されたウエハＷの所定の温度は８０〜２００℃であるのが好ましく、さらに、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す時間は、３０〜１２０秒であるのが好ましい。また、チャンバ３８に粘性流を生じさせるためには、チャンバ３８内の真空度を高めるのは好ましくなく、また、一定の流量のガス流が必要である。したがって、ＰＨＴ処理におけるチャンバ３８の所定の圧力は、６．７×１０〜１．３×１０２Ｐａ（５００ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）であるのが好ましく、窒素ガスの流量は５００〜３０００ＳＣＣＭであるのが好ましい。これにより、チャンバ３８内において粘性流を確実に生じさせることができるため、生成物の熱分解によって生じたガス分子を確実に除去することができる。
【０１０７】
また、ウエハＷにＰＨＴ処理が施される間、ＥＳＣ３９の各不活性ガス噴出孔１１６はＥＳＣ３９の表面を覆うように窒素ガスを噴出する（ステップＳ７５）。ウエハＷにＰＨＴ処理が施される間、生成物が気化して生じた四弗化珪素、アンモニアや弗化水素のガス分子がＥＳＣ３９の表面に到達し、該表面において再度結合して生成物として付着する可能性がある。本処理では窒素ガスがＥＳＣ３９の表面を覆うように噴出されるので、四弗化珪素、アンモニアや弗化水素のガス分子がＥＳＣ３９の表面に到達することがなく、もって、四弗化珪素、アンモニアや弗化水素のガス分子が再度結合して生成物としてＥＳＣ３９の表面に付着するのを防止する。
【０１０８】
次いで、ＰＨＴ処理が施されたウエハＷをプッシャーピン５６によってシャワーヘッド４０のヒータ１０３の近傍に配置したまま、オゾンガス供給部１１１からオゾンガスが第１のバッファ室４５に供給され、その結果、シャワーヘッド４０がチャンバ３８内にオゾンガスを供給する（ステップＳ７６）（オゾンガス供給ステップ）。このとき、供給されたオゾンガスはＳｉＯ２層１２３が除去されて露出したＣＦ系デポジット層１２４を化学反応によってＣＯ、ＣＯ２やＦ２等のガス分子に分解する（有機物層除去処理）。これらのガス分子は第２のプロセスユニット排気系６１によってチャンバ３８から排出される。このとき、オゾンガスをチャンバ３８内に供給する時間は１０秒前後であるのが好ましく、また、ウエハＷの温度は１００〜２００℃のいずれかに設定されるのが好ましい。なお、シャワーヘッド４０からチャンバ３８内へ供給されるオゾンガスの流量は１〜５ＳＬＭであるのが好ましい。
【０１０９】
次いで、プッシャーピン５６により、トレンチの側面のデポジット膜１２６においてＣＦ系デポジット層１２４が除去されてＳｉＯ２層１２５が露出したウエハＷをＥＳＣ３９上に移動して載置させ（ステップＳ７７）、上述したステップＳ７２と同様の処理を実行し（ステップＳ７８）、さらに、上述したステップＳ７３、ステップＳ７４及びステップＳ７５と同様の処理を実行する（ステップＳ７９，Ｓ８０，Ｓ８１）。これにより、ＳｉＯ２層１２５を除去し、その後、本処理を終了する。
【０１１０】
上述した本実施の形態に係る基板処理装置としての第２のプロセスシップ１２によれば、ＳｉＯ２層１２３、ＣＦ系デポジット層１２４及びＳｉＯ２層１２５からなるデポジット膜１２６が表面に形成されたウエハＷが収容されたチャンバ３８内にアンモニアガス及び弗化水素ガスが供給され、さらに、ウエハＷがシャワーヘッド４０のヒータ１０３の近傍に移動される。ＳｉＯ２層１２３がアンモニアガス及び弗化水素ガスの雰囲気に暴露されると、ＳｉＯ２層１２３、アンモニア及び弗化水素に基づいて生成物（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が生成される。また、生成物が生成されたウエハＷがヒータ１０３の近傍に移動されると、生成された生成物が加熱されて気化する。すなわち、１つのチャンバ３８内においてＳｉＯ２層１２３を除去することができるため、第２のプロセスシップ１２の大きさを小さくすることができ、もって、基板処理システム１０における第２のプロセスシップ１２の配置の自由度を高くすることができると共に、ＳｉＯ２層１２３を効率良く除去することができる。さらに、ウエハＷのＳｉＯ２層１２３がアンモニアガス及び弗化水素ガスの雰囲気に暴露されている間、ウエハＷはヒータ１０３から離間されたままであるため、生成物の生成がヒータ１０３から放射される熱の影響を受けるのを防止することができる。すなわち、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す第２のプロセスユニット３４がウエハＷにＰＨＴ処理を施すためのヒータ１０３を有していても、ヒータ１０３から放射される熱によって生成物の生成が乱されることがなく、もって、ウエハＷにおいて生成物を安定的に生成することができる。
【０１１１】
上述した第２のプロセスシップ１２では、ＥＳＣ３９からヒータ１０３に向けて突出自在な棒状部材である複数のプッシャーピン５６が、ウエハＷの裏面を支持しつつ、該ウエハＷをヒータ１０３の近傍に移動するので、ウエハＷを安定してヒータ１０３の近傍に移動することができ、もって、生成された生成物を確実に加熱することができる。
【０１１２】
また、上述した第２のプロセスシップ１２では、ＥＳＣ３９の各不活性ガス噴出孔１１６はＰＨＴ処理の間、ＥＳＣ３９の表面を覆うように不活性ガスである窒素ガスを噴出するので、生成物が気化して生じた四弗化珪素、アンモニアや弗化水素のガス分子がＥＳＣ３９の表面に到達することがなく、もって、四弗化珪素、アンモニアや弗化水素のガス分子が再度結合して生成物としてＥＳＣ３９の表面に付着するのを防止することができる。
【０１１３】
また、プッシャーピン５６はウエハＷ及びヒータ１０３の距離Ｌを０ｍｍ＜Ｌ＜１０ｍｍに設定するので、ウエハＷの温度を生成物の気化に最適な温度に設定することができ、もって、生成物の気化を促進することができると共に、ウエハＷの温度を急速に上昇させることができ、もって、ＳｉＯ２層１２３をさらに効率良く除去することができる。
【０１１４】
また、上述した第２のプロセスシップ１２では、チャンバ３８内にオゾンガスが供給される。ＳｉＯ２層１２３、ＣＦ系デポジット層１２４及びＳｉＯ２層１２５からなるデポジット膜１２６が表面に形成されたウエハＷにおいて、ＳｉＯ２層１２３から生成された生成物が気化してＣＦ系デポジット層１２４が露出すると、該露出したＣＦ系デポジット層１２４は供給されたオゾンガスに暴露され、オゾンガスはＣＦ系デポジット層１２４を分解する。したがって、ＳｉＯ２層１２３に続けてＣＦ系デポジット層１２４を連続的に除去することができ、もって、ＳｉＯ２層１２３及びＣＦ系デポジット層１２４を効率良く除去することができる。
【０１１５】
上述した第２のプロセスユニット３４では、アンモニアガス供給系１０５がオゾンガス供給部１１１を有し、有機物層除去処理の際、チャンバ３８内にオゾンガスが供給されるが、アンモニアガス供給系１０５は、オゾンガス供給部１１１の代わりに酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給部を備えていてもよい。チャンバ３８内に供給された酸素ラジカルも、ＣＦ系デポジット層１２４を化学反応によってＣＯ、ＣＯ２やＦ２等のガス分子に分解する。したがって、この場合も、ＳｉＯ２層１２３に続けてＣＦ系デポジット層１２４を連続的に除去することができ、もって、ＳｉＯ２層１２３及びＣＦ系デポジット層１２４を効率良く除去することができる。また、アンモニアガス供給系１０５がオゾンガス又は酸素ラジカルを供給するので、オゾンガス供給系又は酸素ラジカル供給系を設ける必要が無く、さらに第２のプロセスシップ１２の大きさを小さくすることができる。
【０１１６】
また、上述した第２のプロセスユニット３４では、アンモニアガス供給系１０５がオゾンガス供給部１１１を有してオゾンガスをチャンバ３８内に供給したが、第２のプロセスユニット３４がアンモニアガス供給系１０５とは独立したオゾンガス供給系を備え、該オゾンガス供給系がチャンバ３８内にオゾンガスを供給してもよい。これにより、オゾンガスにアンモニアガス等の残留ガスが混入するのを防止することができ、もって、ＣＦ系デポジット層１２４の分解を確実に行うことができる。また、第２のプロセスユニット３４がアンモニアガス供給系１０５とは独立した酸素ラジカル供給系を備えていてもよい。
【０１１７】
なお、ウエハＷの表面に形成されるデポジット膜がＳｉＯ２層のみからなる場合には、アンモニアガス供給系１０５はオゾンガス供給部１１１、オゾンガス供給管１１２及びオゾンガスバルブ１１３を備えなくてもよい。
【０１１８】
上述した第２のプロセスシップ１２ではＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理の全てが第２のプロセスユニット３４においてウエハＷに施されたが、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理はそれぞれ互いに異なるプロセスユニットにおいてウエハＷに施されてもよい。この場合、図１０に示すように、第２のプロセスシップ１８０は、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す第２のプロセスユニット１８１と、該第２のプロセスユニット１８１に真空ゲートバルブ１８２を介して接続され、且つウエハＷにＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を施す第３のプロセスユニット１８３と、該第３のプロセスユニット１８３に真空ゲートバルブ３５を介して接続される第２のロード・ロックユニット４９とを有する。  
【０１１９】
第２のプロセスユニット１８１の構造は、従来の化学反応処理装置と同じであるため、その説明を省略する。
【０１２０】
図１１は、図１０における第３のプロセスユニットの断面図である。
【０１２１】
図１１において、第３のプロセスユニット１８３は、筐体状の処理室容器（チャンバ）１８４と、該チャンバ１８４の天井部１８５と対向するように、チャンバ１８４内に配置された載置台１８６と、チャンバ１８４の天井部１８５に設けられ、且つチャンバ１８４内及び外部雰囲気を遮断する開閉自在な蓋としてのＰＨＴチャンバリッド（図示しない）とを有する。
【０１２２】
チャンバ１８４の天井部１８５内には、板状のヒータ１８６（発熱体）が配される。該ヒータ１８６は電熱線等からなり、チャンバ１８４内へ向けて熱を放射する。また、ヒータ１８６はヒータ制御部１８７に接続されており、該ヒータ制御部１８７はヒータ１８６の発熱量を制御する。
【０１２３】
載置台１８６はチャンバ１８４内へ搬入されたウエハＷを載置する。また、載置台１８６は、その上面から突出自在な複数のプッシャーピン１８８（基板移動装置）を有する。プッシャーピン１８８は上述した第２のプロセスユニット３４におけるプッシャーピン５６と同様の構成を有する。したがって、各プッシャーピン１８８はウエハＷ及びヒータ１８６の距離を調節することができる。
【０１２４】
この第３のプロセスユニット１８３は、ウエハＷを加熱することによってウエハＷにＰＨＴ処理を施す。具体的には、載置台１８６に載置されたウエハＷをプッシャーピン１８８によってヒータ１８６の近傍に移動させる。これにより、ウエハＷはヒータ１８６が放射する熱によって加熱され、ウエハＷでは熱によって生成物の錯体構造が分解し、生成物は四弗化珪素、アンモニア、弗化水素に分離して気化する。
【０１２５】
また、第３のプロセスユニット１８３は、窒素ガス供給系１９０とオゾンガス供給系１９１とを備える。
【０１２６】
窒素ガス供給系１９０は窒素ガス供給部１９２と、該窒素ガス供給部１９２に接続された窒素ガス供給管１９３とを有し、窒素ガス供給管１９３はチャンバ１８４の天井部において載置台１８６に載置されたウエハＷに対向するように開口する窒素ガス供給孔１９４を有する。窒素ガス供給部１９２は窒素ガス供給管１９３を介して窒素ガス供給孔１９４からチャンバ１８４内にパージガスとして窒素（Ｎ２）ガスを供給する。また、窒素ガス供給部１９２は供給する窒素ガスの流量を調整する。
【０１２７】
オゾンガス供給系１９１はオゾンガス供給部１９５と、該オゾンガス供給部１９５に接続されたオゾンガス供給管１９６とを有し、オゾンガス供給管１９６はチャンバ１８４の天井部において載置台１８６に載置されたウエハＷに対向するように開口するオゾンガス供給孔１９７を有する。オゾンガス供給部１９５はオゾンガス供給管１９６を介してオゾンガス供給孔１９７からチャンバ１８４内にオゾン（Ｏ３）ガスを供給する。また、オゾンガス供給部１９５は供給するオゾンガスの流量を調整する。
【０１２８】
この第３のプロセスユニット１８３は、ＰＨＴ処理が施されたウエハＷに該ＰＨＴ処理に続けて有機物層除去処理を施す。具体的にはＰＨＴ処理が施されたウエハＷをプッシャーピン１８８によってヒータ１８６の近傍に配置したまま、オゾンガス供給孔１９７からチャンバ１８４内にオゾンガスを供給する。このとき、供給されたオゾンガスは生成物が除去されて露出したＣＦ系デポジット層を化学反応によってＣＯ、ＣＯ２やＦ２等のガス分子に分解する。
【０１２９】
上述した第３のプロセスユニット１８３によれば、酸化物層、アンモニア及び弗化水素から生成された生成物が表面に形成されたウエハＷが収容されたチャンバ１８４内において、ウエハＷがプッシャーピン１８８によってヒータ１８６の近傍に移動される。生成物が生成されたウエハＷがヒータ１８６の近傍に移動されると、生成された生成物が加熱されて気化するが、このとき、ウエハＷ及びヒータ１８６の距離を調整するだけで、ウエハＷが受ける熱量を容易に調整することができ、もって、ウエハＷの温度調整を容易に行うことができる。
【０１３０】
なお、上述した第３のプロセスユニット１８３はチャンバ１８４内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給系１９１を有していたが、チャンバ１８４内に酸素ラジカルを供給する酸素ラジカル供給系を有していてもよい。
【０１３１】
上述した本実施の形態に係る基板処理装置は、図１に示すような互いに平行に配されたプロセスシップを２つ備えるパラレルタイプの基板処理装置に限られず、図８や図９に示すように、ウエハＷに所定の処理を施す真空処理室としての複数のプロセスユニットが放射状に配置された基板処理装置も該当する。
【０１３２】
図８は、上述した本実施の形態に係る基板処理装置を備える基板処理システムの第１の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図８においては、図１の基板処理システム１０における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１３３】
図８において、基板処理システム１３７は、平面視六角形のトランスファユニット１３８と、該トランスファユニット１３８の周囲において放射状に配置された４つのプロセスユニット１３９〜１４２と、ローダーユニット１３と、トランスファユニット１３８及びローダーユニット１３の間に配置され、トランスファユニット１３８及びローダーユニット１３を連結する２つのロード・ロックユニット１４３，１４４とを備える。
【０１３４】
トランスファユニット１３８及び各プロセスユニット１３９〜１４２は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット１３８と各プロセスユニット１３９〜１４２とは、それぞれ真空ゲートバルブ１４５〜１４８を介して接続される。
【０１３５】
基板処理システム１３７では、ローダーユニット１３の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット１３８の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックユニット１４３，１４４は、それぞれトランスファユニット１３８との連結部に真空ゲートバルブ１４９，１５０を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ１５１，１５２を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックユニット１４３，１４４はローダーユニット１３及びトランスファユニット１３８の間において受渡されるウエハＷを一時的に載置するためのウエハ載置台１５３，１５４を有する。
【０１３６】
トランスファユニット１３８はその内部に配置された屈伸及び旋回自在になされたフロッグレッグタイプの搬送アーム１５５を有し、該搬送アーム１５５は、各プロセスユニット１３９〜１４２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
【０１３７】
各プロセスユニット１３９〜１４２は、それぞれ処理が施されるウエハＷを載置する載置台１５６〜１５９を有する。ここで、プロセスユニット１３９，１４０，１４１は基板処理システム１０における第１のプロセスユニット２５と同様の構成を有し、プロセスユニット１４２は第２のプロセスユニット３４と同様の構成を有する。したがって、プロセスユニット１３９，１４０，１４１はウエハＷにエッチング処理を施し、プロセスユニット１４２はウエハＷにＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を施すことができる。
【０１３８】
基板処理システム１３７では、トレンチの側面にＳｉＯ２層、ＣＦ系デポジット層１２４及びＳｉＯ２層からなるデポジット膜１２６が形成されたウエハＷを、プロセスユニット１４２に搬入してＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を連続的に施すことにより、上述した本実施の形態に係る基板処理方法を効率良く実行する。
【０１３９】
また、従来の基板処理装置のようにＣＯＲ処理とＰＨＴ処理とを別々の装置で実行する場合には、上述した基板処理システム１３７において、４つのプロセスユニット１３９〜１４２のうち２つのプロセスユニットをそれぞれ化学反応処理装置及び熱処理装置にする必要があったが、上述した第２のプロセスシップ１２ではＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を１つのプロセスユニットで実行することができるため、４つのプロセスユニット１３９〜１４２のうち１つのプロセスユニットを第２のプロセスユニット３４と同様の構成にすればよく、他の３つのプロセスユニットでイオン及びラジカルによるエッチング処理、例えば、ＲＩＥ処理を実行することができるため、ウエハＷの処理を全体的に向上することができる。
【０１４０】
なお、基板処理システム１３７における各構成要素の動作は、基板処理システム１０におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
【０１４１】
図９は、上述した本実施の形態に係る基板処理装置を備える基板処理システムの第２の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図９においては、図１の基板処理システム１０及び図８の基板処理システム１３７における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１４２】
図９において、基板処理システム１６０は、図８の基板処理システム１３７に対して、２つのプロセスユニット１６１，１６２が追加され、これに対応して、トランスファユニット１６３の形状も基板処理システム１３７におけるトランスファユニット１３８の形状と異なる。追加された２つのプロセスユニット１６１，１６２は、それぞれ真空ゲートバルブ１６４，１６５を介してトランスファユニット１６３と接続されると共に、ウエハＷの載置台１６６，１６７を有する。プロセスユニット１６１は第１のプロセスユニット２５と同様の構成を有し、プロセスユニット１６２は第２のプロセスユニット３４と同様の構成を有する。
【０１４３】
また、トランスファユニット１６３は、２つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット１６８を備える。該搬送アームユニット１６８は、トランスファユニット１６３内に配設されたガイドレール１６９に沿って移動し、各プロセスユニット１３９〜１４２，１６１，１６２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
【０１４４】
基板処理システム１６０では、基板処理システム１３７と同様に、トレンチの側面にＳｉＯ２層、ＣＦ系デポジット層１２４及びＳｉＯ２層からなるデポジット膜１２６が形成されたウエハＷを、プロセスユニット１４２又はプロセスユニット１６２に搬入してＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理及び有機物層除去処理を連続的に施すことにより、上述した本実施の形態に係る基板処理方法を効率良く実行する。また、基板処理システム１６０では、６つのプロセスユニット１３９〜１４２，１６１，１６２のうち２つのプロセスユニットのみを第２のプロセスユニット３４と同様の構成にすればよく、他の４つのプロセスユニットでイオン及びラジカルによるエッチング処理、例えば、ＲＩＥ処理を実行することができるため、ウエハＷの処理を全体的に向上することができる。
【０１４５】
なお、基板処理システム１６０における各構成要素の動作も、基板処理システム１０におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
【０１４６】
本発明の目的は、上述した本実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、ＥＣ８９に供給し、ＥＣ８９のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
【０１４７】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した本実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【０１４８】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
【０１４９】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記本実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。  
【０１５０】
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１５１】
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を備える基板処理システムの概略構成を示す平面図である。
【図２】図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。
【図３】図１における第２のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。
【図４】図３における第２のロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。
【図５】図１の基板処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。
【図６】ＳｉＯ２層、ＣＦ系デポジット層及びＳｉＯ２層からなるデポジット膜が形成されたウエハの断面図である。
【図７】本実施の形態に係る基板処理方法としてのデポジット膜除去処理のフローチャートである。
【図８】本実施の形態に係る基板処理装置を備える基板処理システムの第１の変形例の概略構成を示す平面図である。
【図９】本実施の形態に係る基板処理装置を備える基板処理システムの第２の変形例の概略構成を示す平面図である。
【図１０】第２のプロセスシップの変形例を備える基板処理システムの概略構成を示す平面図である。
【図１１】図１０における第３のプロセスユニットの断面図である。
【符号の説明】
【０１５３】
Ｗ  ウエハ
１０，１３７，１６０  基板処理システム
１１  第１のプロセスシップ
１２，１８０  第２のプロセスシップ
１３  ローダーユニット
１７  第１のＩＭＳ
１８  第２のＩＭＳ
２５  第１のプロセスユニット
３４，１８１  第２のプロセスユニット
３７  第２の搬送アーム
３８，７０  チャンバ
３９  ＥＳＣ
４０  シャワーヘッド
４１  ＴＭＰ
４２  ＡＰＣバルブ
４５  第１のバッファ室
４６  第２のバッファ室
４７，４８  ガス通気孔
４９  第２のロード・ロック室
５６，１８８  プッシャーピン
５７  アンモニアガス供給管
５８  弗化水素ガス供給管
５９，７２  圧力ゲージ
６１  第２のプロセスユニット排気系  
７１  窒素ガス供給管
７３  第２のロード・ロックユニット排気系
７４  大気連通管
８９  ＥＣ
９０，９１，９２  ＭＣ
９３  スイッチングハブ
９５  ＧＨＯＳＴネットワーク
９７，９８，９９  Ｉ／Ｏモジュール
１００  Ｉ／Ｏ部
１０３，１８６  ヒータ
１０５  アンモニアガス供給系
１０７  アンモニアガス供給部
１０８  窒素ガス供給部
１１１  オゾンガス供給部
１１５  弗化水素ガス供給部
１１６  不活性ガス噴出孔
１２２  トレンチ
１２３，１２５  ＳｉＯ２層
１２４  ＣＦ系デポジット層
１２６  デポジット膜
１２７  弗化水素ガス供給系
１３８，１６３  トランスファユニット
１３９，１４０，１４１，１４２，１６１，１６２  プロセスユニット
１７０  ＬＡＮ
１７１  ＰＣ
１８３  第３のプロセスユニット
１９０  窒素ガス供給系
１９１  オゾンガス供給系
１９２  窒素ガス供給部
１９４  窒素ガス供給孔
１９５  オゾンガス供給部
１９６  オゾンガス供給管
１９７  オゾンガス供給孔
【図１】
2007266455.tif 000003
【図２】
2007266455.tif 000004
【図３】
2007266455.tif 000005
【図４】
2007266455.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007266455.tif 000010
【図９】
2007266455.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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