(57)【要約】【課題】溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、ＣａＦ２等のＦ源を含まない媒溶剤を用いて効率的な溶銑予備脱燐を行う。【解決手段】ＣａＯ源添加前に酸素源を添加してスラグ中の酸化鉄濃度を高めておくことにより、Ｆ源を添加しなくても脱燐反応効率が飛躍的に向上することを見出しなされたもので、溶銑にＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に酸素源、好ましくは気体酸素を供給することでスラグ中の酸化鉄濃度を高めておき、しかる後、ＣａＯ源である媒溶剤を添加することを特徴とし、好ましくは、媒溶剤添加前に、０．０１０≦Ｂ／Ａ≦０．５０（但し、Ａ：脱燐処理に要する媒溶剤中の全ＣａＯ量［ｋｇ／Ｔ］、Ｂ：気体酸素換算の酸素供給量［Ｎｍ３／Ｔ］）を満足する量の酸素源を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、溶銑にＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に酸素源を供給することでスラグ中の酸化鉄濃度を高めておき、しかる後、ＣａＯ源である媒溶剤を添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
【請求項２】
酸素源が気体酸素であることを特徴とする請求項１に記載の低燐溶銑の製造方法。
【請求項３】
媒溶剤を複数回に分けて添加することを特徴とする請求項１または２に記載の低燐溶銑の製造方法。
【請求項４】
溶銑にＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に下記（1）式を満足する量の酸素源を供給することを特徴とする請求項１、２または３に記載の低燐溶銑の製造方法。
０．０１０≦Ｂ／Ａ≦０．５０    …（1）
但し  Ａ：脱燐処理に要する媒溶剤中の全ＣａＯ量［ｋｇ／Ｔ］
Ｂ：気体換算の酸素供給量［Ｎｍ３／Ｔ］
【請求項５】
媒溶剤添加前の酸素源の供給時における排ガスのガス分析値から溶銑の脱炭量を求め、該脱炭量と酸素源の供給量に基づいてスラグ中の酸化鉄濃度を算出し、この酸化鉄濃度値に基づいて酸素源の供給条件を制御することを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の低燐溶銑の製造方法。
【請求項６】
溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、溶銑に酸素源を添加する際に、その酸素添加速度Ｘに対して溶銑に下記（2）式を満足する条件でＣａＯ源である媒溶剤を添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．５０≦Ｘ／Ｙ≦２．０    …（2）
但し  Ｘ：酸素添加速度［ｋｇ／ｍｉｎ］
Ｙ：ＣａＯ換算の媒溶剤添加速度［ｋｇ／ｍｉｎ］
【請求項７】
溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、固体酸素源及び／又は媒溶剤を２００℃以上、１０００℃未満の温度に予熱した後、溶銑に添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
【請求項８】
溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、脱燐処理容器から排出される排ガス中のＣＯとＣＯ２の濃度が下記（3）式を満足するような操業条件で脱燐処理を行うことを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．１０≦［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）≦０．３５    …（3）
但し  ［ＣＯ２］：排ガス中のＣＯ２濃度［ｗｔ％］
［ＣＯ］ ：排ガス中のＣＯ濃度［ｗｔ％］
【請求項９】
溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、上吹きランスから溶銑に気体酸素を上吹きするとともに、該上吹きされた気体酸素の運動エネルギーにより形成される溶銑浴面の凹み深さＬ（ｍ）と溶銑の浴深さＬｏ（ｍ）の比Ｌ／Ｌｏと上吹きランスからの送酸速度Ｆ（Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ）が下記（4）式及び（5）式を満足するような条件で脱燐処理を行うことを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．０２≦Ｌ／Ｌｏ≦０．１０    …（4）
０．２５≦Ｆ≦１．５０          …（5）
【請求項１０】
Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑を脱燐処理することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８または９に記載の低燐溶銑の製造方法。
【請求項１１】
Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％を超える溶銑を０．１０ｗｔ％以下のＳｉ濃度まで脱珪処理した後、脱燐処理することを特徴とする請求項１０に記載の低燐溶銑の製造方法。
【請求項１２】
Ｆ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０または１１に記載の低燐溶銑の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶銑の予備処理として行われる脱燐処理に関するもので、より詳細には、Ｆ源を含まないＣａＯ系媒溶剤を用いた場合でも効率的な脱燐を行うことができる低燐溶銑の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、溶銑段階で予備脱燐を行い、溶銑中のＰをある程度除去してから転炉脱炭吹錬を行う溶銑予備処理法が発展してきた。この予備脱燐処理はトーピード、溶銑鍋、転炉などの設備で実施され、ＣａＯ系媒溶剤と気体酸素や固体酸素源などの酸素源を添加して行われる。この脱燐処理の際に溶銑からスラグ側にＰを効率的に移行させるためには、スラグ組成やスラグ量などの制御が重要な因子となる。特に、媒溶剤にＣａＦ２を添加することにより、（1）スラグの融体性が向上する、（2）ＳｉＯ２のネットワークを分断してＣａイオンが増加する、（3）ＦｅＯの活量が増加する、などの作用が得られることが従来から指摘されており、実操業でも脱燐の反応性を高めるためにＣａＦ２が広く使用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、添加するＣａＯと酸素Ｏの重量比ＣａＯ／Ｏ以外に、［ＣａＦ２＋Ａｌ２Ｏ３］／ＣａＯ及びＡｌ２Ｏ３／ＣａＦ２の各重量比を規定し、ＣａＦ２添加により脱燐効率を向上させる技術が開示されている。
【特許文献１】特公平６−１７４９６号公報  ところが、最近では環境保護の観点からスラグ中Ｆの溶出量の規制基準が強化される傾向にあり、このため脱燐スラグ中のＦ濃度を極限まで低下させる必要が生じている。
【０００４】
このためＣａＦ２などのＦ源を使用しない脱燐処理技術の開発が強く望まれているが、現状ではスラグを低塩基度化してスラグ量を極端に多くした操業を行うとか、多重処理を実施するなどの方法しか有効な対策がないのが実情である。しかし、前者のように脱燐スラグ量が極端に増大することは、環境保護の面から強く望まれているスラグ量削減というニーズに逆行するものであり、また、後者のように多重処理を実施することは溶鋼の製造コストの上昇を招く問題があり、したがって、これらは抜本的な対策にはなり得ない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって本発明の目的は、このような従来技術の課題を解決し、ＣａＦ２などのＦ源を含まない媒溶剤を用いた場合でも溶銑脱燐を効率的に行うことができる低燐溶銑の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、ＣａＦ２（蛍石等）などのＦ源を使用することなく効率的に脱燐処理を行うことができる溶銑予備処理法を見出すべく、転炉型容器を用いて種々の実験と検討を行った。先に述べたようにＣａＦ２はスラグの溶融性を確保するために重要な働きをしており、本発明者らの実験においても、ＣａＦ２を添加しない場合には添加された媒溶剤（ＣａＯ源）は見掛け上滓化したようには見えず、脱燐反応効率も低下した。しかし、種々の実験の結果、以下のような事実が判明した。
【０００７】
（1）ＣａＯ源と酸素源の投入条件を種々変えて行った実験の結果から、初期のスラグを溶融させることができれば脱燐反応効率が飛躍的に増加すること、また、このような初期のスラグの溶融は、初期ＣａＯ源の添加前に溶銑に酸素源を供給して酸化鉄（ＦｅＯ）を積極的に生成させることにより達成できることが判った。すなわち、従来ではＣａＯ源の滓化をなるべく早めるためには早期にＣａＯ源を添加して送酸を行うことが必要であると考えられてきたが、このような従来の常識に反し、初期ＣａＯ源を添加するのに先立ち、まず溶銑に酸素源のみを供給することによりＦｅＯを生成させてスラグ中の酸化鉄濃度を高めておき、しかる後ＣａＯ源を添加（好ましくは、分割添加）することにより、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯ−ＦｅＯ系スラグでも十分に溶融する領域が生じ、脱燐反応効率が飛躍的に向上することが判った。
【０００８】
（2）ＣａＯ源と酸素源の投入条件を種々変えて行った実験の結果から、脱燐反応効率の向上にはＣａＯの供給速度と酸素の供給速度のバランスが重要であり、両者の供給速度の関係を或る適正範囲に制御することにより、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いた場合でも脱燐反応効率が飛躍的に向上することが判った。つまり、溶銑に酸素源を添加して脱燐処理を行う際にスラグ中で必要なＦｅＯ量を生成させる酸素の供給速度に見合う分だけＣａＯを供給することが重要であり、酸素の供給速度に対してＣａＯを過剰な供給速度で添加すると未滓化ＣａＯが過剰になり、ＣａＯの滓化も進行しないため脱燐速度も低下し、逆に酸素の供給速度に対してＣａＯの供給速度が小さいと、溶銑の脱炭が進行するか或いは脱燐に必要なＣａＯが不足するため脱燐速度が低下することになる。
【０００９】
（3）固体酸素源と媒溶剤の投入条件を種々変えて行った実験の結果から、所定の温度以上に予熱された固体酸素源や媒溶剤を溶銑に添加することによりＣａＯの溶解が効果的に促進され、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いた場合でも脱燐反応効率が飛躍的に向上することが判った。また、固体酸素源は媒溶剤に較べて融点が低いため、ＣａＯの溶解をより効果的に促進するには固体酸素源を予熱した方が有利であることも判った。
【００１０】
（4）脱燐処理により生じる排ガスが脱燐反応効率に及ぼす影響を調査するために行った実験の結果から、脱燐反応効率の向上には脱燐処理により発生した排ガスを二次燃焼させることが有効であり、排ガスの二次燃焼率を或る適正範囲に制御することにより、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いた場合でも脱燐反応効率が飛躍的に向上することが判った。これは、排ガスが二次燃焼することより発生した熱がスラグに着熱し、ＣａＯの溶解を効果的に促進することによるものである。
【００１１】
（5）気体酸素の供給条件を種々変えて行った実験の結果から、脱燐反応効率の向上には上吹きランスからの送酸条件を適正化することが有効であり、上吹きランスからの送酸により形成される溶銑浴面の凹み深さと上吹きランスからの送酸速度を或る特定の範囲に制御し、スラグ中のＦｅＯ濃度を適正化することにより、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いた場合でも脱燐反応効率が飛躍的に向上することが判った。
【００１２】
本発明はこのような知見に基づきなされたもので、その特徴とする構成は以下の通りである。
［1］溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、溶銑にＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に酸素源を供給することでスラグ中の酸化鉄濃度を高めておき、しかる後、ＣａＯ源である媒溶剤を添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
［2］上記［1］の製造方法において、酸素源が気体酸素であることを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
【００１３】
［3］上記［1］または［2］の製造方法において、媒溶剤を複数回に分けて添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
［4］上記［1］〜［3］のいずれかの製造方法において、溶銑にＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に下記（1）式を満足する量の酸素源を供給することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．０１０≦Ｂ／Ａ≦０．５０  …（1）
但し  Ａ：脱燐処理に要する媒溶剤中の全ＣａＯ量［ｋｇ／Ｔ］
Ｂ：気体換算の酸素供給量［Ｎｍ３／Ｔ］
【００１４】
［5］上記［1］〜［4］のいずれかの製造方法において、媒溶剤添加前の酸素源の供給時における排ガスのガス分析値から溶銑の脱炭量を求め、該脱炭量と酸素源の供給量に基づいてスラグ中の酸化鉄濃度を算出し、この酸化鉄濃度値に基づいて酸素源の供給条件を制御することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
［6］溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、溶銑に酸素源を添加する際に、その酸素添加速度Ｘに対して下記（2）式を満足する条件でＣａＯ源である媒溶剤を添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．５０≦Ｘ／Ｙ≦２．０    …（2）
但し  Ｘ：酸素添加速度［ｋｇ／ｍｉｎ］
Ｙ：ＣａＯ換算の媒溶剤添加速度［ｋｇ／ｍｉｎ］
【００１５】
［7］溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、固体酸素源及び／又は媒溶剤を２００℃以上、１０００℃未満の温度に予熱した後、溶銑に添加することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
［8］溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、脱燐処理容器から排出される排ガス中のＣＯとＣＯ２の濃度が下記（3）式を満足するような操業条件で脱燐処理を行うことを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．１０≦［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）≦０．３５    …（3）
但し  ［ＣＯ２］：排ガス中のＣＯ２濃度［ｗｔ％］
［ＣＯ］ ：排ガス中のＣＯ濃度［ｗｔ％］
【００１６】
［9］溶銑予備処理として行われる脱燐処理において、上吹きランスから溶銑に気体酸素を上吹きするとともに、該上吹きされた気体酸素の運動エネルギーにより形成される溶銑浴面の凹み深さＬ（ｍ）と溶銑の浴深さＬｏ（ｍ）の比Ｌ／Ｌｏと上吹きランスからの送酸速度Ｆ（Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ）が下記（4）式及び（5）式を満足するような条件で脱燐処理を行うことを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
０．０２≦Ｌ／Ｌｏ≦０．１０    …（4）
０．２５≦Ｆ≦１．５０          …（5）
【００１７】
［10］上記［1］〜［9］のいずれかの製造方法において、Ｓｉ濃度が０．１０重量％以下の溶銑を脱燐処理することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
［11］上記［10］の製造方法において、Ｓｉ濃度が０．１０重量％を超える溶銑を０．１０重量％以下のＳｉ濃度まで脱珪処理した後、脱燐処理することを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
［12］上記［1］〜［11］のいずれかの製造方法において、Ｆ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いることを特徴とする低燐溶銑の製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明法によれば、ＣａＦ２などのＦ源を含む媒溶剤を用いることなく極めて優れた脱燐効率で溶銑の脱燐処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
まず、本願の第１の発明について説明する。
この発明の低燐溶銑の製造方法（脱燐方法）では、溶銑にＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に酸素源を供給することでスラグ中の酸化鉄（ＦｅＯ）濃度を高めておき、しかる後ＣａＯ源である媒溶剤を添加するものであり、これによりＣａＦ２などのＦ源を添加しなくても脱燐反応効率を飛躍的に高めることが可能になる。これは、媒溶剤添加前の溶銑への酸素源の添加によってＦｅＯを十分に生成させ、酸化鉄濃度が高い初期スラグを溶融させておき、このような高酸化鉄濃度の初期スラグ中にＣａＯ源を直接投入することにより、高濃度に生成しているＦｅＯ中に高融点のＣａＯが取り込まれる形で滓化が進行するため、ＣａＯ＋ＦｅＯの反応による滓化が飛躍的に促進されるためであると考えられる。
これに対して、従来技術のように早い時期にＣａＯ源を投入して酸素源の供給を行った場合には、上述した本発明の作用とは逆に、酸素源の供給により生成したＦｅＯが未滓化のＣａＯ中に取り込まれる形で滓化が進行するため、ＣａＯ＋ＦｅＯの反応による滓化が迅速に進行しないものと考えられる。
【００２０】
この発明において媒溶剤の添加前に溶銑に供給される酸素源としては、ＦｅＯを生成させるものであれば気体酸素、固体酸素源の何れでもよいが、スラグ−メタル界面の温度を上昇させることができるという点で気体酸素の方がより好ましい。また、気体酸素と固体酸素源を併用してもよい。
使用する気体酸素は純酸素ガス、酸素含有ガスのいずれでもよく、また、固体酸素源としては酸化鉄やミルスケールなどを用いることができる。
なお、この発明の脱燐処理は、ＣａＯ源である媒溶剤の添加前に溶銑に酸素源の供給を行うことを特徴とするものであるが、当然のことながら媒溶剤を添加した以降も酸素源（気体酸素及び／又は固体酸素源）の供給が行われる。
【００２１】
この発明に係る低燐溶銑の製造方法では、媒溶剤の添加前の酸素源の供給により初期ＦｅＯの生成量を確保しておくことが重要であるが、一方において酸素源の供給により溶銑の脱炭も進行し、また、過剰な量の酸素源を供給すると媒溶剤添加後の酸素源の供給において酸素量が不足する事態を招くため、媒溶剤添加前の酸素供給量を適正化することが必要である。すなわち、ＣａＯ源である媒溶剤を添加する前に供給する酸素量は、必要且つ十分なＦｅＯ生成量を確保するという観点から、下記（1）式を満足することが好ましい。
０．０１０≦Ｂ／Ａ≦０．５０  …（1）
但し  Ａ：脱燐処理に要する媒溶剤中の全ＣａＯ量［ｋｇ／Ｔ］（Ｔ：溶銑ｔｏｎ、以下同様）
Ｂ：気体換算の酸素供給量［Ｎｍ３／Ｔ］
【００２２】
ここで、Ｂ／Ａ＜０．０１０では媒溶剤添加前のＦｅＯ生成量を十分に確保することができず、一方、Ｂ／Ａ＞０．５０では、媒溶剤添加後の酸素源の供給における酸素量が不足し、所望の脱燐率が確保できなくなるおそれがあり、また、溶銑の脱炭量も多くなるため好ましくない。また、このような観点から特に好ましいＢ／Ａの範囲は０．０５〜０．２０である。
上記のように酸素源を供給して所定の濃度のＦｅＯを生成させた後、ＣａＯ源である媒溶剤を添加するが、媒溶剤添加時にその滓化に必要な量のＦｅＯを生成させておくため、媒溶剤の添加は複数回に分けて行うことが好ましい。また、同様の理由から、媒溶剤を少量ずつ連続的又は間欠的に添加してもよい。
【００２３】
また、この発明を実施する際に媒溶剤添加前の酸素源の供給量を適切に制御する方法として、以下のような方法を採ることができる。
すなわち、媒溶剤添加前の酸素源の供給時に、脱燐容器から排出される排ガスのガス分析（排ガス中のＣ濃度分析）をオンラインで実施することにより溶銑の脱炭量を求めることができ、この脱炭量と酸素源の供給量に基づき、さらには溶銑の脱珪推定量、排ガス分析から求められる二次燃焼量などを必要に応じて勘案することにより、脱燐容器内に蓄積された酸素量を求めることができ、さらにこれからスラグ中のＦｅＯ量が算出できる。したがって、排ガスのガス分析値から溶銑の脱炭量を求め、この脱炭量と酸素源の供給量に基づいてスラグ中の酸化鉄濃度を算出し、この酸化鉄濃度の算出値に基づいて酸素源の供給条件（例えば、送酸量、送酸速度など）を制御すれば、媒溶剤添加前の酸素源供給による酸化鉄濃度の制御を容易に行うことができる。
【００２４】
さらに、この発明の効果は脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度によって差があり、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。
一般に、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が高いと生成するＳｉＯ２が多くなり、この結果、スラグ量が増加するだけでなく、塩基度調整のためのＣａＯ量も多くなる。したがって、このような観点からは脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度は低い方が好ましいが、一方において、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が低いとスラグ中のＳｉＯ２濃度が低下するためＣａＯの溶融性がさらに悪化し、脱燐反応効率が低下してしまう。
【００２５】
ところが、本発明者らが種々のＳｉ濃度を有する溶銑について本発明法を実施したところ、上記のような予想に反して、脱燐処理前Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に、特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。
この理由は次のように考えられる。まず、第一の理由としては、溶銑中のＳｉ濃度が低いと、媒溶剤添加前に供給された酸素源のうち、溶銑中のＳｉと反応してＳｉＯ２の生成に消費される割合が少ないため、それだけＦｅＯの生成量が多くなり、このためにＣａＯの滓化がより効果的に促進されることが考えられる。
【００２６】
また、第二のより大きな理由として、以下の点が挙げられる。すなわち、脱燐反応ではＰは３ＣａＯ・Ｐ２Ｏ５または４ＣａＯ・Ｐ２Ｏ５の形でスラグ中に固定される。したがって、スラグ中のＳｉＯ２は脱燐には直接必要がないスラグ成分であり、また、このＳｉＯ２の一部は滓化したＣａＯの一部と反応し、このＳｉＯ２と反応したＣａＯは脱燐反応には寄与しないことになる。したがって、溶銑のＳｉ濃度が低くＳｉＯ２生成量が少ないと、ＳｉＯ２と反応して脱燐反応に寄与しなくなるＣａＯ量が減少し、脱燐反応に寄与できるＣａＯ量が相対的に増加することになるが、特に本発明法の場合にはＣａＯの滓化能が極めて高いため、溶銑の低Ｓｉ濃度に起因した上記スラグ組成（脱燐反応に寄与できるＣａＯ量の増加）の影響が顕著に現われ、この結果、脱燐反応効率が向上するものと考えられ、また、このような効果が脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度：０．１０ｗｔ％以下の低Ｓｉ濃度領域において顕在化するものと考えられる。これに対して従来法では、溶銑のＳｉ濃度が低くＳｉＯ２生成量が少ないことにより脱燐反応に寄与できるＣａＯ量が相対的に増加しても、元来ＣａＯの滓化能が低いため、上述したような溶銑の低Ｓｉ濃度化による効果が現われないものと考えられる。
【００２７】
このように本発明の低燐溶銑の製造方法はＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して実施した場合に特に効果が大きく、したがって、出銑された溶銑のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％を超える場合には、高炉鋳床や溶銑鍋などで脱珪処理（通常、固体酸素源や気体酸素などの酸素を溶銑に添加して行う）を実施し、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度を０．１０ｗｔ％以下とした上で脱燐処理を行うことが好ましい。
【００２８】
この発明の脱燐処理が実施される容器としては、フリーボードが十分に確保できるという点から転炉型容器が最も好ましいが、これ以外にも溶銑鍋、トーピードなどの任意の容器を用いることができる。
また、酸素源の供給方法（媒溶剤添加前及び添加後の供給方法）に特別な制約はなく、気体酸素の場合にはランスによる上吹きや溶銑中へのインジェクション、或いは底吹きなどの任意の方法で送酸を行うことができ、また、固体酸素源の場合にはインジェクションや上置き装入などの任意の方法で溶銑中への供給を行うことができる。なお、気体酸素を供給する場合、脱燐処理を転炉型容器や溶銑鍋などを用いて実施する場合にはランスによる上吹きが、また、トーピードを用いて実施する場合にはランスによる溶銑中へのインジェクションが一般的である。
【００２９】
また、脱燐効率をさらに向上させるためには溶銑をガス撹拌させることが好ましい。このガス撹拌は、例えばインジェクションランスや底吹きノズルなどを通じて窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを溶銑中に吹き込むことにより行われる。このような撹拌ガスの供給量としては、十分な浴撹拌性を得るために０．０３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以上とし、また、浴の撹拌が強すぎると生成したＦｅＯを溶銑中のＣが還元する速度が大きくなり過ぎるためのため０．３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以下とすることが好ましい。
【００３０】
この発明の脱燐処理は、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を使用するだけで高い脱燐反応効率が得られることが最大の特徴であるが、ＣａＦ２などのＦ源の添加を排除するものでなく、例えば、ＣａＯ源の滓化をより促進するために、許容される限度でＣａＦ２などのＦ源を添加することを妨げない。
なお、この発明の脱燐処理においてＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤のみを使用する場合、媒溶剤がＦ源を含まないとはＦ源を実質的に含まないことを意味し、したがって、媒溶剤中に例えば不可避的不純物などとして少量のＦ源が含まれることは妨げない。
【００３１】
次に、本願の第２の発明について説明する。
この発明の低燐溶銑の製造方法では、溶銑に酸素源を添加する際に、その酸素添加速度Ｘに対して下記（2）式を満足する条件でＣａＯ源である媒溶剤を添加するものであり、これによりＣａＦ２などのＦ源を含む媒溶剤を添加しなくても脱燐反応効率を飛躍的に高めることが可能になる。
０．５０≦Ｘ／Ｙ≦２．０    …（2）
但し  Ｘ：酸素添加速度［ｋｇ／ｍｉｎ］
Ｙ：ＣａＯ換算の媒溶剤添加速度［ｋｇ／ｍｉｎ］
ここで、上記酸素添加速度Ｘとは、気体酸素及び固体酸素源として添加される全酸素の添加速度である。
【００３２】
脱燐処理では処理期間中溶銑に継続的に酸素源が添加されるが、先に述べたようにこのような脱燐処理において脱燐反応効率を向上させるためには、スラグ中で必要なＦｅＯ量を生成させる酸素の供給速度に見合う分だけＣａＯを供給することが重要であり、このバランスが崩れると脱燐速度は低下する。
すなわち、Ｘ／Ｙが０．５０未満では酸素の添加速度に対するＣａＯの添加速度が大きすぎるためスラグ中の未滓化ＣａＯが過剰になり、ＣａＯの滓化が進行しないため脱燐速度も低下する。一方、通常の操業ではＣａＯは溶銑中のＳｉ濃度等に基づいて決められる操業基準で添加されるが、このような操業においてＸ／Ｙが２．０を超えるとＣａＯの添加速度に対する酸素の添加速度が大きすぎるため脱炭が進行し、後工程での熱不足などの問題が生じる。また、ＣａＯの添加速度自体が小さいことによりＸ／Ｙが２．０を超える場合には、脱燐に必要なＣａＯが不足するため脱燐速度が低下する。
【００３３】
さらに、この発明の効果は脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度によって差があり、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。
一般に、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が高いと生成するＳｉＯ２が多くなり、この結果、スラグ量が増加するだけでなく、塩基度調整のためのＣａＯ量も多くなる。したがって、このような観点からは脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度は低い方が好ましいが、一方において、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が低いとスラグ中のＳｉＯ２濃度が低下するためＣａＯの溶融性がさらに悪化し、脱燐反応効率が低下してしまう。
【００３４】
ところが、本発明者らが種々のＳｉ濃度を有する溶銑について本発明法を実施したところ、上記のような予想に反して、脱燐処理前Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に、特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。この理由としては、以下の点が考えられる。すなわち、脱燐反応ではＰは３ＣａＯ・Ｐ２Ｏ５または４ＣａＯ・Ｐ２Ｏ５の形でスラグ中に固定される。したがって、スラグ中のＳｉＯ２は脱燐には直接必要がないスラグ成分であり、また、このＳｉＯ２の一部は滓化したＣａＯの一部と反応し、このＳｉＯ２と反応したＣａＯは脱燐反応には寄与しないことになる。したがって、溶銑のＳｉ濃度が低くＳｉＯ２生成量が少ないと、ＳｉＯ２と反応して脱燐反応に寄与しなくなるＣａＯ量が減少し、脱燐反応に寄与できるＣａＯ量が相対的に増加することになるが、特に本発明法の場合にはＣａＯと酸素の添加速度の適正化によりＣａＯの滓化能が極めて高くなるため、溶銑の低Ｓｉ濃度に起因した上記スラグ組成（脱燐反応に寄与できるＣａＯ量の増加）の影響が顕著に現われ、この結果、脱燐反応効率が向上するものと考えられ、また、このような効果が脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度：０．１０ｗｔ％以下の低Ｓｉ濃度領域において顕在化するものと考えられる。これに対して従来法では、溶銑のＳｉ濃度が低くＳｉＯ２生成量が少ないことにより脱燐反応に寄与できるＣａＯ量が相対的に増加しても、ＣａＯの滓化能自体が低いため、上述したような溶銑の低Ｓｉ濃度化による効果が現われないものと考えられる。
【００３５】
このように本発明の低燐溶銑の製造方法はＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して実施した場合に特に効果が大きく、したがって、出銑された溶銑のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％を超える場合には、高炉鋳床や溶銑鍋などで脱珪処理（通常、固体酸素源や気体酸素などの酸素を溶銑に添加して行う）を実施し、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度を０．１０ｗｔ％以下とした上で脱燐処理を行うことが好ましい。
【００３６】
この発明の脱燐処理において供給される酸素源は気体酸素、固体酸素源のいずれでもよく、また両者を併用してもよい。使用する気体酸素は純酸素ガス、酸素含有ガスのいずれでもよく、また、固体酸素源としては酸化鉄やミルスケールなどを用いることができる。
この発明の脱燐方法が実施される容器としては、フリーボードが十分に確保できるという点から転炉型容器が最も好ましいが、これ以外にも溶銑鍋、トーピードなどの任意の容器を用いることができる。
【００３７】
また、酸素源の供給方法に特別な制約はなく、気体酸素の場合にはランスによる上吹きや溶銑中へのインジェクション、或いは底吹きなどの任意の方法で送酸を行うことができ、また、固体酸素源の場合にはインジェクションや上置き装入などの任意の方法で溶銑中への供給を行うことができる。なお、気体酸素を供給する場合、脱燐処理を転炉型容器や溶銑鍋などを用いて実施する場合にはランスによる上吹きが、また、トーピードを用いて実施する場合にはランスによる溶銑中へのインジェクションが一般的である。
【００３８】
また、脱燐反応効率をさらに向上させるためには溶銑をガス撹拌することが好ましい。このガス撹拌は、例えばインジェクションランスや底吹きノズルなどを通じて窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを溶銑中に吹き込むことにより行われる。このような撹拌ガスの供給量としては、十分な浴撹拌性を得るために０．０２Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以上とし、また、浴の撹拌が強すぎると生成したＦｅＯを溶銑中のＣが還元する速度が大きくなり過ぎるためのため０．３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以下とすることが好ましい。
【００３９】
この発明の脱燐処理は、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を使用するだけで高い脱燐反応効率が得られることが最大の特徴であるが、ＣａＦ２などのＦ源の添加を排除するものでなく、例えば、ＣａＯ源の滓化をより促進するために、許容される限度でＣａＦ２等のＦなどを添加することを妨げない。
なお、この発明の脱燐処理においてＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤のみを使用する場合、媒溶剤がＦ源を含まないとはＦ源を実質的に含まないことを意味し、したがって、媒溶剤中に例えば不可避的不純物などとして少量のＦ源が含まれることは妨げない。
【００４０】
次に、本願の第３の発明について説明する。
この発明に係る低燐溶銑の製造方法では、固体酸素源及び／又は媒溶剤を２００℃以上、１０００℃未満の温度に予熱した後、溶銑に添加するものであり、これによりＣａＦ２などのＦ源を含む媒溶剤を添加しなくても脱燐反応効率を飛躍的に高めることが可能になる。これは適正な温度に予熱された固体酸素源や媒溶剤を溶銑に添加することにより、ＣａＯの溶解が効果的に促進されるためである。
【００４１】
固体酸素源及び／又は媒溶剤の予熱温度が２００℃未満では、ＣａＯの溶解を十分に促進できないため脱燐反応効率を効果的に高めることはできない。一方、固体酸素源及び／又は媒溶剤の予熱温度が１０００℃以上になると固体酸素源や媒溶剤の加熱・保持部の維持や補修などのためのコストが増大するため好ましくない。
本発明では溶銑に添加すべき固体酸素源、媒溶剤のいずれか一方又はその両方を予熱することができるが、固体酸素源は媒溶剤に較べて融点が低いため予熱によるＣａＯの溶解がより効果的に促進され、このため少なくとも固体酸素源を予熱することが好ましい。
【００４２】
この発明の脱燐処理で使用する固体酸素源の種類に特別な制限はないが、通常、固体酸素源としては酸化鉄やミルスケールなどが用いられる。また溶銑に供給する酸素源として気体酸素（純酸素ガス又は酸素含有ガス）を併用してもよい。
また、媒溶剤としてはＣａＯ源が添加され、後述するようにＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を用いることができる。
【００４３】
さらに、この発明の効果は脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度によって差があり、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。
一般に、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が高いと生成するＳｉＯ２が多くなり、この結果、スラグ量が増加するだけでなく、塩基度調整のためのＣａＯ量も多くなる。したがって、このような観点からは脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度は低い方が好ましいが、一方において、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が低いとスラグ中のＳｉＯ２濃度が低下するためＣａＯの溶融性がさらに悪化し、脱燐反応効率が低下してしまう。
【００４４】
ところが、本発明者らが種々のＳｉ濃度を有する溶銑について本発明法を実施したところ、上記のような予想に反して、脱燐処理前Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に、特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。この理由としては、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の場合には生成するスラグ量が少ないため、予熱された固体酸素源及び／又は媒溶剤からスラグへの着熱が単位スラグ重量当たりで増加するためであると考えられる。
また、予熱した固体酸素源及び／又は媒溶剤を溶銑中に添加するとＳｉＯ２のフォーミングが促進されてスロッピングが大きくなり、安定操業性を阻害する要因になりやすいが、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の場合には問題となるようなスロッピングは発生せず、安定操業性が損なわれることはない。
【００４５】
このように本発明の低燐溶銑の製造方法はＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して実施した場合に特に効果が大きく、したがって、出銑された溶銑のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％を超える場合には、高炉鋳床や溶銑鍋などで脱珪処理（通常、固体酸素源や気体酸素などの酸素を溶銑に添加して行う）を実施し、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度を０．１０ｗｔ％以下とした上で脱燐処理を行うことが好ましい。
【００４６】
この発明の脱燐処理が実施される容器としては、フリーボードが十分に確保できるという点から転炉型容器が最も好ましいが、これ以外にも溶銑鍋、トーピード等の任意の容器を用いることができる。
また、酸素源の供給方法に特別な制約はなく、気体酸素の場合にはランスによる上吹きや溶銑中へのインジェクション、或いは底吹きなどの任意の方法で送酸を行うことができ、また、固体酸素源の場合にはインジェクションや上置き装入などの任意の方法で溶銑中への供給を行うことができる。なお、気体酸素を供給する場合、脱燐処理を転炉型容器や溶銑鍋等を用いて実施する場合にはランスによる上吹きが、また、トーピードを用いて実施する場合にはランスによる溶銑中へのインジェクションが一般的である。
【００４７】
また、脱燐反応効率をさらに向上させるためには溶銑をガス撹拌することが好ましい。このガス撹拌は、例えばインジェクションランスや底吹きノズルなどを通じて窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを溶銑中に吹き込むことにより行われる。このような撹拌ガスの供給量としては、十分な浴撹拌性を得るために０．０２Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以上とし、また、浴の撹拌が強すぎると生成したＦｅＯを溶銑中のＣが還元する速度が大きくなり過ぎるためのため０．３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以下とすることが好ましい。
【００４８】
この発明の脱燐処理は、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を使用するだけで高い脱燐反応効率が得られることが最大の特徴であるが、ＣａＦ２などのＦ源の添加を排除するものでなく、例えば、ＣａＯ源の滓化をより促進するために、許容される限度でＣａＦ２などのＦ源を添加することを妨げない。
なお、この発明の脱燐処理においてＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤のみを使用する場合、媒溶剤がＦ源を含まないとはＦ源を実質的に含まないことを意味し、したがって、媒溶剤中に例えば不可避的不純物などとして少量のＦ源が含まれることは妨げない。
【００４９】
次に、本願の第４の発明について説明する。
この発明に係る低燐溶銑の製造方法では、脱燐処理容器から排出される排ガス中のＣＯとＣＯ２の濃度が下記（3）式を満足するような操業条件で脱燐処理を行うものであり、これによりＣａＦ２などのＦ源を添加しなくても脱燐反応効率を飛躍的に高めることが可能になる。
０．１０≦［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）≦０．３５    …（3）
但し  ［ＣＯ２］：排ガス中のＣＯ２濃度［ｗｔ％］
［ＣＯ］ ：排ガス中のＣＯ濃度［ｗｔ％］
【００５０】
これは、排ガスが二次燃焼することより発生した熱がスラグに着熱し、ＣａＯの溶解が効果的に促進されるためである。
脱燐処理容器から排出される排ガスの［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）が０．１０未満では二次燃焼率が低くすぎ、スラグへの着熱が不十分であるため、ＣａＯの溶解が十分に促進されない。このため脱燐反応効率はあまり向上しない。一方、［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）が０．３５を超えると、二次燃焼により生じる過剰な熱によって脱燐処理容器の耐火物の溶損を早めてしまうため好ましくない。
【００５１】
脱燐処理容器から排出される排ガスの［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）は、例えば、溶銑に対する送酸を上吹きランスから行う場合には、送酸速度とランス高さを制御することで容易に調整することができる。
また、この発明の脱燐処理を実施する場合、脱燐処理容器から排出される排ガスのガス組成分析を行い、このガス組成分析値に基づき上記の制御を行えば、排ガスの［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）をオンラインで容易にコントロールすることができる。
【００５２】
さらに、この発明の効果は脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度によって差があり、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。
一般に、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が高いと生成するＳｉＯ２が多くなり、この結果、スラグ量が増加するだけでなく、塩基度調整のためのＣａＯ量も多くなる。したがって、このような観点からは脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度は低い方が好ましいが、一方において、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が低いとスラグ中のＳｉＯ２濃度が低下するためＣａＯの溶融性がさらに悪化し、脱燐反応効率が低下してしまう。
【００５３】
ところが、本発明者らが種々のＳｉ濃度を有する溶銑について本発明法を実施したところ、上記のような予想に反して、脱燐処理前Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に、特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。この理由としては、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の場合には生成するスラグ量が少ないため、二次燃焼によるスラグへの着熱が単位スラグ重量当たりで増加するためであると考えられる。
【００５４】
このように本発明の低燐溶銑の製造方法はＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して実施した場合に特に効果が大きく、したがって、出銑された溶銑のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％を超える場合には、高炉鋳床や溶銑鍋などで脱珪処理（通常、固体酸素源や気体酸素などの酸素を溶銑に添加して行う）を実施し、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度を０．１０ｗｔ％以下とした上で脱燐処理を行うことが好ましい。
【００５５】
この発明の脱燐処理において供給される酸素源は気体酸素、固体酸素源のいずれでもよく、また両者を併用してもよい。使用する気体酸素は純酸素ガス、酸素含有ガスのいずれでもよく、また、固体酸素源としては酸化鉄やミルスケールなどを用いることができる。
この発明の脱燐処理が実施される容器としては、フリーボードが十分に確保できるという点から転炉型容器が最も好ましいが、これ以外にも溶銑鍋、トーピード等の任意の容器を用いることができる。
【００５６】
また、酸素源の供給方法に特別な制約はなく、気体酸素の場合にはランスによる上吹きや溶銑中へのインジェクション、或いは底吹きなどの任意の方法で送酸を行うことができ、また、固体酸素源の場合にはインジェクションや上置き装入などの任意の方法で溶銑中への供給を行うことができる。なお、気体酸素を供給する場合、脱燐処理を転炉型容器や溶銑鍋等を用いて実施する場合にはランスによる上吹きが、また、トーピードを用いて実施する場合にはランスによる溶銑中へのインジェクションが一般的である。
【００５７】
また、脱燐反応効率をさらに向上させるためには溶銑をガス撹拌することが好ましい。このガス撹拌は、例えばインジェクションランスや底吹きノズルなどを通じて窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを溶銑中に吹き込むことにより行われる。このような撹拌ガスの供給量としては、十分な浴撹拌性を得るために０．０２Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以上とし、また、浴の撹拌が強すぎると生成したＦｅＯを溶銑中のＣが還元する速度が大きくなり過ぎるためのため０．３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以下とすることが好ましい。
【００５８】
この発明の脱燐処理は、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を使用するだけで高い脱燐反応効率が得られることが最大の特徴であるが、ＣａＦ２などのＦ源の添加を排除するものでなく、例えば、ＣａＯ源の滓化をより促進するために、許容される限度でＣａＦ２などのＦ源を添加することを妨げない。
なお、この発明の脱燐処理においてＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤のみを使用する場合、媒溶剤がＦ源を含まないとはＦ源を実質的に含まないことを意味し、したがって、媒溶剤中に例えば不可避的不純物などとして少量のＦ源が含まれることは妨げない。
【００５９】
次に、本願の第５の発明について説明する。
この発明の低燐溶銑の製造方法では、上吹きランスから溶銑に気体酸素を上吹きするとともに、該上吹きされた気体酸素の運動エネルギーにより形成される溶銑浴面の凹み深さＬ（ｍ）と溶銑の浴深さＬｏ（ｍ）の比Ｌ／Ｌｏと上吹きランスからの送酸速度Ｆ（Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ）が下記（4）式及び（5）式を満足するような条件で脱燐処理を行うものであり、これによりＣａＦ２などのＦ源を含む媒溶剤を添加しなくても脱燐反応効率を飛躍的に高めることが可能になる。
０．０２≦Ｌ／Ｌｏ≦０．１０    …（4）
０．２５≦Ｆ≦１．５０          …（5）
これは、上吹きランスからの送酸により形成される溶銑浴面の凹み深さと上吹きランスからの送酸速度を上記の範囲に制御することにより、スラグ中のＦｅＯ濃度を適正化できるためである。
【００６０】
溶銑成分がＣ：４．０〜４．７ｗｔ％、Ｓｉ：ｔｒ〜０．２０ｗｔ％、Ｓ：ｔｒ〜０．０３０ｗｔ％、Ｐ：０．１０〜０．１５ｗｔ％、溶銑温度が１２７０〜１３３０℃の溶銑に対して図６に示すような取鍋型精錬容器、図７に示すような転炉型精錬容器をそれぞれ用いて脱燐処理を実施した。この脱燐処理では、撹拌ガスとして窒素を０．０２〜０．３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔの範囲内で溶銑中に吹き込むとともに、生石灰または生石灰を主体とする媒溶剤を添加した。図６に示す取鍋による脱燐処理では、インジェクションランスを用いて撹拌ガスとともに媒溶剤を溶銑中に吹き込み、上吹きランスから送酸を行った。また、図７に示す転炉型精錬容器による脱燐処理では、撹拌ガスを底吹きするとともに、上吹きランスから送酸を行い、媒溶剤は炉上ホッパーから上置き装入した。
【００６１】
この試験では、上吹きランスから種々の条件で送酸を行い、溶銑をガス撹拌しながら溶銑中のＰ濃度、Ｃ濃度の推移と媒溶剤により形成されるスラグの組成などを調査し、整理を試みた。また、その際に、上吹ランスから吹付けた酸素ガスが溶銑浴面に衝突する際のエネルギーを考慮するために、下記（6）式及び（7）式から求められる溶銑面の凹み深さＬ（ｍ）と溶銑の浴深さＬｏ（ｍ）の比Ｌ／Ｌｏを指標とした。なお、溶銑の浴深さＬｏとは精錬容器の底部から溶銑浴面までの距離である。
【数１】
2007092181.tif 000003
【００６２】
種々の操業条件におけるＬ／Ｌｏを求め、上吹きランスからの送酸速度Ｆ及びＬ／Ｌｏと操業指標との関係について整理した。操業指標としては、取鍋型精錬容器の場合は送酸１２分実施後、転炉型精錬容器の場合は送酸１０分実施後の溶銑中Ｐ濃度［Ｐ］、脱燐処理による脱炭量ΔＣを用いた。
送酸速度ＦとＬ／Ｌｏとの関係において、脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度［Ｐ］が０．０２０ｗｔ％以下と０．０２０ｗｔ％超えで整理したものを図３に示す。これによれば、Ｌ／Ｌｏ＞０．１０、Ｌ／Ｌｏ＜０．０２及び送酸速度Ｆ＜０．２５の場合には、溶銑中Ｐ濃度［Ｐ］が０．０２０ｗｔ％を超えており、効率的な脱燐が行われていないことが判る。
【００６３】
ここで、Ｌ／Ｌｏ＞０．１０の場合には浴面の撹乱が大きく、酸素と浴面で生成されたＦｅＯが火点近傍に存在する媒溶剤中のＣａＯと反応溶融しにくいため、溶銑中の燐との反応効率が低下し、脱炭反応が優先的に発生しやすいため、脱燐が進行しにくい。
一方、Ｌ／Ｌｏ＜０．０２の場合には、浴面に到達する酸素量が少ないため十分な量のＦｅＯを生成させることができず、媒溶剤中のＣａＯとＦｅＯの反応溶融が進行しにくくなってしまうため、脱燐反応が遅延することになる。
さらに、送酸速度Ｆ＜０．２５の場合は、浴面へ供給される酸素が少ないためＦｅＯの生成が遅延し、媒溶剤中のＣａＯとＦｅＯの反応溶融が進行しにくくなり、脱燐反応が遅延することになる。
【００６４】
次に、送酸速度ＦとＬ／Ｌｏの関係において、脱炭量ΔＣが１．２ｗｔ％未満と１．２ｗｔ％以上で整理したものを図４に示す。なお、脱炭量ΔＣが１．２ｗｔ％未満であれば、前工程又は次工程以降での加炭を行うことなく安定的に操業できることが、経験的に判っている。
図４によれば、送酸速度Ｆ＞１．５０の場合にはΔＣが１．２ｗｔ％以上となり、脱炭量が過大となるため操業上望ましくないことが判る。これは、浴面に供給される酸素が潤沢でＦｅＯの生成も十分であるが、脱燐の進行とともに脱炭も進行してしまうため、脱炭量が過大となるからである。
【００６５】
これら図３及び図４の結果から、上吹ランスからの送酸条件を適正化することにより脱炭を抑制しつつ脱燐を効率的に行うことができ、その適正条件はＬ／Ｌｏ、Ｆが上記(4)式及び(5)式で規定する範囲であることが判った。この適正範囲を図５に示す。
【００６６】
さらに、この発明の効果は脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度によって差があり、脱燐処理前のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。
一般に、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が高いと生成するＳｉＯ２が多くなり、この結果、スラグ量が増加するだけでなく、塩基度調整のためのＣａＯ量も多くなる。したがって、このような観点からは脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度は低い方が好ましいが、一方において、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度が低いとスラグ中のＳｉＯ２濃度が低下するためＣａＯの溶融性がさらに悪化し、脱燐反応効率が低下してしまう。
【００６７】
ところが、本発明者らが種々のＳｉ濃度を有する溶銑について本発明法を実施したところ、上記のような予想に反して、脱燐処理前Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して本発明法を実施した場合に、特に顕著な脱燐反応効率が得られることが判った。この理由としては、以下の点が考えられる。すなわち、脱燐反応ではＰは３ＣａＯ・Ｐ２Ｏ５または４ＣａＯ・Ｐ２Ｏ５の形でスラグ中に固定される。したがって、スラグ中のＳｉＯ２は脱燐には直接必要がないスラグ成分であり、また、このＳｉＯ２の一部は滓化したＣａＯの一部と反応し、このＳｉＯ２と反応したＣａＯは脱燐反応には寄与しないことになる。したがって、溶銑のＳｉ濃度が低くＳｉＯ２生成量が少ないと、ＳｉＯ２と反応して脱燐反応に寄与しなくなるＣａＯ量が減少し、脱燐反応に寄与できるＣａＯ量が相対的に増加することになるが、特に本発明法の場合にはスラグ中のＦｅＯ濃度の適正化によりＣａＯの滓化能が極めて高くなるため、溶銑の低Ｓｉ濃度に起因した上記スラグ組成（脱燐反応に寄与できるＣａＯ量の増加）の影響が顕著に現われ、この結果、脱燐反応効率が向上するものと考えられ、また、このような効果が脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度：０．１０ｗｔ％以下の低Ｓｉ濃度領域において顕在化するものと考えられる。これに対して従来法では、溶銑のＳｉ濃度が低くＳｉＯ２生成量が少ないことにより脱燐反応に寄与できるＣａＯ量が相対的に増加しても、ＣａＯの滓化能自体が低いため、上述したような溶銑の低Ｓｉ濃度化による効果が現われないものと考えられる。
【００６８】
このように本発明の低燐溶銑の製造方法はＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の溶銑に対して実施した場合に特に効果が大きく、したがって、出銑された溶銑のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％を超える場合には、高炉鋳床や溶銑鍋などで脱珪処理（通常、固体酸素源や気体酸素などの酸素を溶銑に添加して行う）を実施し、脱燐処理前の溶銑のＳｉ濃度を０．１０ｗｔ％以下とした上で脱燐処理を行うことが好ましい。
【００６９】
この発明の脱燐処理において使用する気体酸素は、純酸素ガス、酸素含有ガスのいずれでもよい。
この発明の脱燐処理が実施される容器としては、フリーボードが十分に確保できるという点から転炉型容器が最も好ましいが、これ以外にも溶銑鍋などの取鍋型容器、トーピードなどの任意の容器を用いることができる。但し、これらの容器は上吹きランスを装備していることが必要である。上吹きランスの孔径や孔数などに制約はなく、この発明の条件範囲内の送酸条件が得られるよう、孔径や孔数などが選定される。
【００７０】
この発明の脱燐処理では、溶銑への酸素の供給は上吹きランスからの送酸が必須となるが、このような送酸とともに固体酸素源の添加を行ってもよい。通常、固体酸素源としては酸化鉄やミルスケールが用いられる。この固体酸素源の溶銑への供給は、上部ホッパーなどからの上置き装入、インジェクションランスを通じた吹き込みなどの任意の方法で行うことができる。
また、媒溶剤の溶銑への供給も、上部ホッパーなどからの上置き装入（一括投入又は分割投入）、インジェクションランスを通じた吹き込みなどの任意の方法で行うことができる。媒溶剤の供給量は溶銑中のＳｉ、Ｓ、Ｐ濃度に応じ決められるが、スラグ発生量の低減化の観点から２０ｋｇ／Ｔ以下の供給量とすることが望ましい。
【００７１】
また、脱燐反応効率をさらに向上させるためには溶銑をガス撹拌することが好ましい。このガス撹拌は、例えばインジェクションランスや底吹きノズルなどを通じて窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを溶銑中に吹き込むことにより行われる。このような撹拌ガスの供給量としては、十分な浴撹拌性を得るために０．０２Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以上とし、また、浴の撹拌が強すぎると生成したＦｅＯを溶銑中のＣが還元する速度が大きくなり過ぎるためのため０．３Ｎｍ３／ｍｉｎ／Ｔ以下とすることが好ましい。
【００７２】
この発明の脱燐処理は、ＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤を使用するだけで高い脱燐反応効率が得られることが最大の特徴であるが、ＣａＦ２などのＦ源の添加を排除するものでなく、例えば、ＣａＯ源の滓化をより促進するために、許容される限度でＣａＦ２などのＦ源を添加することを妨げない。
なお、この発明の脱燐処理においてＣａＦ２などのＦ源を含まないＣａＯを主体とした媒溶剤のみを使用する場合、媒溶剤がＦ源を含まないとはＦ源を実質的に含まないことを意味し、したがって、媒溶剤中に例えば不可避的不純物などとして少量のＦ源が含まれることは妨げない。
【実施例】
【００７３】
［実施例１-（1）］
高炉から出銑された溶銑を高炉鋳床と溶銑鍋において脱珪処理し、次いで機械撹拌を用いた溶銑鍋内で脱硫処理した後、３００ｔｏｎ転炉内で脱燐処理を行った。
この実施例では、脱燐処理前後での溶銑温度を１２８０〜１３２０℃とし、脱燐用の媒溶剤としてはＣａＦ２を含まないＣａＯ主体の焼石灰のみを用いた。ＣａＯの原単位は８〜１２ｋｇ／Ｔとした。
【００７４】
また、気体酸素の供給は上吹きランスで行うとともに、鉄鉱石を主体とした固体酸素源の添加も行い、全酸素原単位を気体Ｏ２換算で８〜１０Ｎｍ３／Ｔとした。送酸速度は１５０００〜２５０００Ｎｍ３／ｈｒ、ランス高さは１．５〜２．５ｍとし、所定の気体酸素量を供給するため、吹錬時間（全吹錬時間）は９〜１１分とした。
本実施例では、Ｐ濃度が０．１ｗｔ％でほぼ一定で、Ｓｉ濃度が種々異なる溶銑について、本発明例及び比較例の脱燐処理を実施した。
【００７５】
本発明例では、媒溶剤の添加に先立ち溶銑に対する気体酸素の供給を行った後、媒溶剤を約３０秒おきに２〜６回に分けで分割添加した。また、媒溶剤添加前の吹錬時間は１５秒〜４分間とし、脱燐処理に要する媒溶剤中の全ＣａＯ量Ａ［ｋｇ／Ｔ］と気体換算の酸素供給量Ｂ［Ｎｍ３／Ｔ］の比Ｂ／Ａが０．０１０〜０．５０の範囲内になるようにした。
一方、比較例では、本発明例のような媒溶剤添加前の送酸を行うことなく、初期媒溶剤の添加と同時に送酸を開始した。
【００７６】
図１に脱燐処理後の溶銑中のＰ濃度を脱燐処理前の溶銑中のＳｉ濃度との関係を示す。これによれば、本発明例では脱燐処理前の溶銑中のＳｉ濃度に拘りなく、比較例に較べて極めて高い脱燐反応効率が得られ、目標とする０．０２０ｗｔ％以下のＰ濃度が達成されている。また、脱燐処理前の溶銑中のＳｉ濃度が０．１５ｗｔ％以下において［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％以下が達成され、とりわけ脱燐処理前の溶銑中のＳｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下において低Ｐ規格の［Ｐ］≦０．０１０ｗｔ％が安定して達成されている。
また、本発明例のなかでもＢ／Ａ≦０．２０（但し、Ｂ／Ａ≧０．０５）の場合により高い脱燐反応効率が得られている。
【００７７】
［実施例１−（2）］
実施例１と同様に、高炉から出銑された溶銑を高炉鋳床と溶銑鍋において脱珪処理し、次いで機械撹拌を用いた溶銑鍋内で脱硫処理した後、３００ｔｏｎ転炉内で脱燐処理を行った。脱燐処理前後での溶銑温度を１２８０〜１３２０℃とし、脱燐用の媒溶剤としてはＣａＦ２を含まないＣａＯ主体の焼石灰のみを用いた。
【００７８】
この実施例では、媒溶剤の添加に先立ち酸素源として気体酸素、固体酸素源（ミルスケール）の１種以上を溶銑に対して供給した。このうち気体酸素の供給は上吹きランスにより行い、吹錬時間は１５秒〜４分間とした。また、固体酸素源であるミルスケールの供給は連続上置き投入により行った。
媒溶剤の添加は、約３０秒おきに２〜６回に分けて分割添加する方法または媒溶剤全量を一括添加する方法で行った。媒溶剤添加後は、上吹きランスにより気体酸素の供給を行うとともに、鉄鉱石を主体とした固体酸素源の添加も行い、媒溶剤添加前に供給する酸素源を含めた全酸素原単位を気体Ｏ２換算で８〜１０Ｎｍ３／Ｔとした。
【００７９】
上吹きランスを用いた送酸では、送酸速度は１５０００〜２５０００Ｎｍ３／ｈｒ、ランス高さは１．５〜２．５ｍとし、所定の気体酸素量を供給するための吹錬時間（全吹錬時間）は９〜１１分とした。
本実施例では、Ｐ濃度が０．１ｗｔ％でほぼ一定で、Ｓｉ濃度が種々異なる溶銑について、脱燐処理に要する媒溶剤中の全ＣａＯ量Ａ［ｋｇ／Ｔ］と媒溶剤添加前に供給された酸素源の気体換算の酸素供給量Ｂ［Ｎｍ３／Ｔ］との比Ｂ／Ａを種々変えて脱燐処理を実施した。
【００８０】
本実施例における脱燐処理前後の溶銑成分と比Ｂ／Ａを表１及び表２に示す。これによれば比Ｂ／Ａを０．０１０〜０．５０の範囲にすることにより高い脱燐反応効率が得られることが判る。また、比Ｂ／Ａ：０．０１０〜０．５０のなかでもＢ／Ａが０．０５〜０．２０の範囲において特に良好な脱燐反応効率が得られている。
【００８１】
【表１】
2007092181.tif 000004
【００８２】
【表２】
2007092181.tif 000005
【００８３】
［実施例２］
高炉から出銑された溶銑を高炉鋳床及び溶銑鍋において脱珪処理し、次いで機械撹拌を用いた溶銑鍋内で脱硫処理した後、溶銑鍋で脱燐処理を行った。溶銑量は１５０〜１６０ｔｏｎ、脱燐処理前後での溶銑温度は１２８０〜１３２０℃とし、脱燐用媒溶剤としてはＣａＦ２を含まないＣａＯ主体の焼石灰のみを用い、ＣａＯの原単位は６〜１０ｋｇ／Ｔとした。
【００８４】
媒溶剤はインジェクションランスを通じて窒素をキャリアガスとして溶銑中にインジェクションした。また、酸素源としては上吹きランスを通じた気体酸素の供給と鉄鉱石を主とした固体酸素源の供給を併用し、全酸素原単位は６〜１２Ｎｍ３／Ｔとした。また、固体酸素源の添加量は気体酸素換算で０．５〜６Ｎｍ３／Ｔとした。気体酸素の供給条件としては、送酸速度を３０００〜１００００Ｎｍ３／ｈｒ、ランス高さを１．０〜１．５ｍ、所定の酸素量を供給するための吹錬時間を９〜１５分とした。
各実施例とも脱燐処理前の溶銑中Ｐ濃度は０．１０ｗｔ％前後でほぼ一定とし、脱燐処理後の目標Ｐ濃度は０．０１５ｗｔ％以下とした。また高炉鋳床及び溶銑鍋の脱珪処理を制御して、脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度を調整した。
【００８５】
各実施例の脱燐処理前後の溶銑中Ｐ濃度とＳｉ濃度を、酸素添加速度Ｘ、ＣａＯ換算の媒溶剤添加速度Ｙ、Ｘ／Ｙ、撹拌ガス量とともに表３に示す。
表３によれば、Ｘ／Ｙが０．５０〜２．０の範囲に制御された本発明例では、溶銑のＳｉ濃度に拘りなく目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％が達成されており、特に溶銑中Ｓｉ濃度が０．１ｗｔ％以下の場合に低Ｐ規格である［Ｐ］≦０．０１ｗｔ％が安定して達成されている。
これに対してＸ／Ｙが本発明条件を満足していない比較例では、溶銑中Ｓｉ濃度が０．１ｗｔ％以下であっても目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％は達成されていない。
【００８６】
【表３】
2007092181.tif 000006
【００８７】
［実施例３］
高炉から出銑された溶銑を高炉鋳床と溶銑鍋において脱珪処理し、次いで機械撹拌を用いた溶銑鍋内で脱硫処理した後、３００ｔｏｎ転炉内で脱燐処理を行った。脱燐処理前後での溶銑温度は１２５０〜１３３０℃とし、脱燐用媒溶剤はＣａＦ２を含まないＣａＯ主体の焼石灰のみを用い、ＣａＯの原単位は９〜１１ｋｇ／Ｔとした。また、酸素源としては上吹きランスを通じた気体酸素の供給と鉄鉱石を主とした固体酸素源の供給を併用し、全酸素原単位は８〜１０Ｎｍ３／Ｔとした。また、固体酸素源の添加量は気体酸素換算で１〜４Ｎｍ３／Ｔとした。気体酸素の供給条件としては、送酸速度を１５０００〜２５０００Ｎｍ３／ｈｒ、ランス高さを１．５〜２．５ｍ、所定の酸素量を供給するための吹錬時間を８〜１０分とした。
【００８８】
固体酸素源を溶銑に供給するに当り、加熱炉において固体酸素源を種々の温度に予熱し（一部の比較例では予熱無し）、これを直ちにインジェクションランスを通じて窒素をキャリアガスとして溶銑中にインジェクションした。
各実施例とも脱燐処理前の溶銑中Ｐ濃度は０．１０ｗｔ％前後でほぼ一定とし、脱燐処理後の目標Ｐ濃度は０．０１５ｗｔ％以下とした。また、高炉鋳床及び溶銑鍋の脱珪処理を制御して、脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度を調整した。
【００８９】
本発明例と比較例の脱燐処理後のＰ濃度を図２に示すが、２００℃以上の温度に予熱した固体酸素源を溶銑中に供給した本発明例では、溶銑のＳｉ濃度に拘りなく目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％が達成されており、特に溶銑中Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下の場合に低Ｐ規格である［Ｐ］≦０．０１０ｗｔ％が安定して達成されている。
これに対して予熱していなか或いは予熱していても予熱温度が２００℃未満の固体酸素源を溶銑中に供給した比較例では、目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％は達成されていない。
【００９０】
［実施例４］
高炉から出銑された溶銑を高炉鋳床及び溶銑鍋内で脱珪処理し、次いで機械撹拌を用いて溶銑鍋内で脱硫処理した後、３００ｔｏｎ転炉内で脱燐処理を行った。脱燐処理前後での溶銑温度は１２８０〜１３２０℃とし、脱燐用媒溶剤はＣａＦ２を含まないＣａＯ主体の焼石灰のみを用い、ＣａＯの原単位は９〜１１ｋｇ／Ｔとした。
【００９１】
媒溶剤はインジェクションランスを通じて窒素をキャリアガスとして溶銑中にインジェクションした。また、酸素源としては上吹きランスを通じた気体酸素の供給と鉄鉱石を主とした固体酸素源の供給を併用し、全酸素原単位は８〜１０Ｎｍ３／Ｔとした。また、固体酸素源の添加量は気体酸素換算で１〜４Ｎｍ３／Ｔとした。気体酸素の送酸条件としては、送酸速度を１５０００〜２５０００Ｎｍ３／ｈｒ、ランス高さを１．５〜２．５ｍ、所定の酸素量を供給するための吹錬時間は９〜１１分とした。
各実施例とも脱燐処理前の溶銑中Ｐ濃度は０．１０ｗｔ％前後でほぼ一定とし、脱燐処理後の目標Ｐ濃度は０．０１５ｗｔ％以下とした。また、高炉鋳床及び溶銑鍋の脱珪処理を制御して、脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度を調整した。
【００９２】
脱燐処理容器である転炉から排出される排ガス中の［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）は、送酸条件とランス高さを調整して排ガスの二次燃焼率を変えるにことにより制御した。このため転炉から排出される排ガスのガス組成分析を随時行い、このガス分析値に基づき［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）の制御を行った。また、炉体の溶損については、出鋼時に炉内を目視で観察することにより評価した。
【００９３】
各実施例の脱燐処理前後の溶銑中Ｐ濃度とＳｉ濃度及び炉体溶損の度合いを、排ガス中の［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）とともに表４に示す。
表４によれば、排ガス中の［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）が０．１０〜０．３５に制御された本発明例では溶銑のＳｉ濃度に拘りなく目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％が達成されており、特に溶銑中Ｓｉ濃度が０．１ｗｔ％以下の場合に低Ｐ規格である［Ｐ］≦０．０１ｗｔ％が安定して達成されている。
【００９４】
これに対して排ガス中の［ＣＯ２］／（［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）が０．１０未満である比較例では、溶銑中Ｓｉ濃度が０．１０ｗｔ％以下であっても目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０１５ｗｔ％は達成されていない。また、［ＣＯ２］／［ＣＯ２］＋［ＣＯ］）が０．３５を超えた比較例では、過剰な二次燃焼によって炉体に溶損を生じている。
【００９５】
【表４】
2007092181.tif 000007
【００９６】
［実施例５−（1）］
図６に示すような取鍋型精錬容器（１５０ｔｏｎ）を用いて溶銑の脱燐処理を行った。媒溶剤としては焼石灰を使用し、これを窒素をキャリアガスとしてインジェクションランスから溶銑中に吹き込んだ。溶銑の成分、温度、送酸時間は可能な限り一定とし、媒溶剤投入量は脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度に応じて装入基準を設定するように留意した。主要な脱燐条件を表５に示す。
【００９７】
各実施例とも脱燐処理後の溶銑の目標Ｐ濃度は０．０２０ｗｔ％以下とし、また、脱炭量ΔＣは１．２０ｗｔ％未満とした。なお、脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度と脱燐処理による脱炭量ΔＣは送酸開始前及び終了時の溶銑、スラグの成分分析値より求めた。
各実施例における脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度（終点［Ｐ］濃度）と脱燐処理による脱炭量ΔＣを、溶銑温度、送酸速度Ｆ、Ｌ／Ｌｏなどとともに表６に示す。      
【００９８】
表６によれば、０．０２≦Ｌ／Ｌｏ≦０．１０で且つ０．２５≦Ｆ≦１．５０を満足する本発明例では、目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０２０ｗｔ％及びΔＣ＜１．２０ｗｔ％が達成されている。
これに対してＬ／Ｌｏ、Ｆが上記の本発明条件を満足していない比較例では、少なくとも［Ｐ］≦０．０２０ｗｔ％、ΔＣ＜１．２０ｗｔ％のいずれかが達成されていない。
【００９９】
【表５】
2007092181.tif 000008
【０１００】
【表６】
2007092181.tif 000009
【０１０１】
［実施例５−（2）］
図７に示すような転炉型精錬容器（３５０ｔｏｎ）を用いて溶銑の脱燐処理を行った。媒溶剤としては焼石灰を使用し、これを上部ホッパーからの一括投入又は分割投入で溶銑に供給した。溶銑の成分、温度、送酸時間は可能な限り一定とし、媒溶剤投入量は脱燐処理前の溶銑中Ｓｉ濃度に応じて装入基準を設定するように留意した。主要な脱燐条件を表７に示す。
【０１０２】
各実施例とも脱燐処理後の溶銑の目標Ｐ濃度は０．０２０ｗｔ％以下とし、また、脱炭量ΔＣは１．２０ｗｔ％未満とした。なお、脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度と脱燐処理による脱炭量ΔＣは送酸開始前及び終了時の溶銑、スラグの成分分析値より求めた。
各実施例における脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度（終点［Ｐ］濃度）と脱燐処理による脱炭量ΔＣを、溶銑温度、送酸速度Ｆ、Ｌ／Ｌｏなどとともに表８及び表９に示す。
【０１０３】
表８及び表９によれば、０．０２≦Ｌ／Ｌｏ≦０．１０で且つ０．２５≦Ｆ≦１．５０を満足する本発明例では、目標Ｐ濃度である［Ｐ］≦０．０２０ｗｔ％及びΔＣ＜１．２ｗｔ％が達成されている。
これに対してＬ／Ｌｏ、Ｆが上記の本発明条件を満足していない比較例では、少なくとも［Ｐ］≦０．０２０ｗｔ％、ΔＣ＜１．２０ｗｔ％のいずれかが達成されていない。
【０１０４】
【表７】
2007092181.tif 000010
【０１０５】
【表８】
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【０１０６】
【表９】
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【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】実施例１−（1）において、脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度を脱燐処理前の溶銑中のＳｉ濃度との関係で示すグラフ
【図２】実施例３において、脱燐処理で使用した固体酸素源の予熱温度と脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度との関係を示すグラフ
【図３】取鍋型精錬容器と転炉型精錬容器をそれぞれ用いて行った脱燐処理において、Ｌ／Ｌｏと送酸速度Ｆとの関係を脱燐処理後の溶銑中Ｐ濃度で整理して示したグラフ
【図４】取鍋型精錬容器と転炉型精錬容器をそれぞれ用いて行った脱燐処理において、Ｌ／Ｌｏと送酸速度Ｆとの関係を脱燐処理による脱炭量ΔＣで整理して示したグラフ
【図５】Ｌ／Ｌｏと送酸速度Ｆの適正範囲を示すグラフ
【図６】取鍋型精錬容器を用いた本発明の実施状況の一例を示す説明図
【図７】転炉型精錬容器を用いた本発明の実施状況の一例を示す説明図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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