(57)【要約】【課題】微細構造の均質性及び磁場透過率（ＰＴＦ）を改善する。【解決手段】スパッタ・ターゲット１００は、ターゲット表面１０１、裏面１０３、及びターゲット表面１０１と裏面１０３との間に厚み１０２を有する合金からなり、上記ターゲット表面１０１及び裏面１０３は合金の外表面をなし、上記合金は略全厚み１０２に亘って単一の略均質な微細構造域を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット表面、裏面、及び前記ターゲット表面と裏面との間に厚みを有する合金からなり、前記ターゲット表面及び裏面は前記合金の外表面をなし、前記合金は略全厚みに亘って単一の略均質な微細構造域を有していることを特徴とするスパッタ・ターゲット。
【請求項２】
前記合金を温度勾配のある中を第一の速度で引き抜くことによって略平衡温度条件で凝固させて形成することを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項３】
前記合金は、多数の樹枝状結晶を含んでおり、該多数の樹枝状結晶の殆ど全てがその成長方向に選択的に配向されていることを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項４】
前記合金は、前記ターゲット表面で第１の樹枝状結晶方向に略沿って配向された多数の第１の樹枝状結晶と、該合金の中心面で前記第１の樹枝状結晶方向と略平行な第２の樹枝状結晶方向に略沿って配向された多数の第２の樹枝状結晶とを有することを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項５】
前記合金は、前記ターゲット表面における樹枝状結晶の大部分の形状が該合金の中心面における樹枝状結晶の大部分の形状に近似していることを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項６】
前記ターゲット表面における樹枝状結晶の大部分は、約1.0平方ミリメートル以上の面積（エリア）を占領し、前記合金の中心面における樹枝状結晶の大部分は、約1.0平方ミリメートル以上の面積（エリア）を占領していることを特徴とする請求項５記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項７】
前記合金は、前記ターゲット表面における樹枝状結晶の大部分の大きさがその中心面における樹枝状結晶の大部分の大きさに近似していることを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項８】
前記ターゲット表面における樹枝状結晶の大部分は、約1.0 平方ミリメートル以上の（面積）エリアを占領し、前記合金の中心面の樹枝状結晶の大部分は、約1.0 平方ミリメートル以上の（面積）エリアを占領していることを特徴とする請求項７記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項９】
前記合金は、コバルト（Co）と、原子％で0以上であり約5％程度のタンタル（Ta）と、同じく原子％で0以上であり約5％程度のジルコニウム（Zr）とを含有していることを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１０】
基板上に１層以上のデータ格納用の磁性層を形成するために使用されることを特徴とする請求項１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１１】
ターゲット表面、裏面、及び前記ターゲット表面と裏面との間に厚みを有する合金からなり、前記ターゲット表面及び裏面は前記合金の外表面をなし、前記合金はターゲット表面で略一方向に配向し、中心面でそれと略同方向に配向した樹枝状結晶を有していることを特徴とするスパッタ・ターゲット。
【請求項１２】
前記合金は、方向性凝固によって形成されたものであることを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１３】
前記合金は、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、及び鉄（Fe）の少なくとも１つを含有していることを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１４】
前記合金は、コバルト（Co）、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、クロム（Cr）、白金（Pt）、ホウ素（B）、銅（Cu）、金（Au）、チタン（Ti）、バナジウム（V）、イットリウム（Y）、ジルコニウム（Zr）、ニオブ（Nb）、モリブデン（Mo）、ルテニウム（Ru）、ハフニウム（Hf）、ランタン（La）、ハフニウム（Hf）、タンタル（Ta）、タングステン（W）、及びイリジウム（Ir）のうち少なくとも１つを含有することを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１５】
前記合金は、コバルト（Co）、原子％で0以上であり約5％程度のタンタル（Ta）、及び同じく原子％で0以上であり約5％程度のジルコニウム（Zr）を含有することを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１６】
前記樹枝状結晶は、成長方向に選択的に配向されたものであることを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１７】
基板上に１層以上のデータ格納用の磁性層を形成するために使用されることを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１８】
前記合金は、磁性を有していることを特徴とする請求項１１記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項１９】
コバルト（Co）基の合金からなり、ターゲット表面、裏面、及び前記ターゲット表面と前記裏面との間に厚みを有し、前記ターゲット表面及び裏面は前記合金の外表面をなし、前記ターゲット表面は厚み方向に略垂直であり、前記合金の六方最密結晶（ＨＣＰ）の[0001]は前記ターゲット表面に略垂直に配向されていることを特徴とするスパッタ・ターゲット。
【請求項２０】
前記スパッタ・ターゲットは、方向性凝固によって形成されることを特徴とする請求項１９記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項２１】
前記スパッタ・ターゲットの磁場透過率（ＰＴＦ）は、約10%以上であることを特徴とする請求項１９記載のスパッタ・ターゲット。
【請求項２２】
前記六方最密結晶（ＨＣＰ）の[0001]は、前記ターゲット表面に垂直な方向に対して0°〜 10°の範囲に配向されていることを特徴とする請求項１９記載のスパッタ・ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタ・ターゲットに関し、特に、微細構造の高均質性及び良好な磁場透過率（pass through flux：以下、「ＰＴＦ」という）を有したスパッタ・ターゲット、及びそれを用いて製造される薄膜磁気媒体のような製品に関する。
【背景技術】
【０００２】
陰極スパッタプロセスは、所望の基板上に、薄膜材料を成膜するのに広く使用されている。特に、薄膜磁気媒体は、陰極スパッタプロセスを使用して製造することができる。磁気記録装置の改善の要請が増加するのに伴って、薄膜磁気媒体の磁気特性及び均質性の改善の必要性が増して来ている。所望の特性を有する薄膜を得るためには、微細構造の均質性を改善したスパッタ・ターゲットを使用することが必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
スパッタ・ターゲットの微細構造の均質性を改善する１つの方法には、真空誘導溶融及びインゴット凝固処理プロセスに続いて熱機械的金属加工をすることである。これらの技術は、圧延と熱処理のような熱機械的金属加工プロセスに要する製造時間が増加するという問題がある。さらに、これらのプロセスは、熱機械的金属加工中にインゴットの割れの危険が難圧延合金ではより高くなるように、延性に劣る合金からなるスパッタ・ターゲットの製造歩留を著しく制限することもある。さらに、圧延、熱処理工程時間からの僅かなずれも、ターゲットの厚さ全域で（例えば、スパッタ方向に沿って）先例にない微細構造の不均一性を引き起こす。
【０００４】
さらに、陰極スパッタプロセス中に、適切な材料排除と付着とが成されるためには、スパッタ・ターゲットを通して印加される磁界のＰＴＦが重要要件となる。ＰＴＦが低い程、ターゲットをスパッタするために高電圧及び高電力を必要とし、それ故に、ターゲットの最大使用時間が制限される。標準的な凝固処理に続いて上述したような熱機械的金属加工を行ってＰＴＦを改善する技術は、費用が高くなり、処理時間が長くなり、又歩留が低くなるという問題がある。
【０００５】
そこで、微細構造の均質性及びＰＴＦを改善したスパッタ・ターゲットが要求されている。本発明は、このニーズを満たしており、他の利点も提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、微細構造の均質性が改善され且つ従来可能であったＰＴＦよりも高いＰＴＦを有したスパッタ・ターゲットが提供される。上記スパッタ・ターゲットは、温度勾配のある中を第一の速度で合金を引き抜くことにより略平衡温度の条件で合金を方向性凝固させて形成される。このようにして製造されたスパッタ・ターゲットは、その全厚みに亘って単一の略均質な微細構造域を有している。
【０００７】
一実施形態によれば、本発明のスパッタ・ターゲットは、合金からなり、ターゲット表面、裏面、及びターゲット表面と裏面との間に厚みを有したものであり、このターゲット表面及び裏面は、合金の外表面をなしている。そして、上記合金は、その全厚みに亘って単一の略均質な微細構造域を有している。
【０００８】
別の実施形態によれば、本発明のスパッタ・ターゲットには、ターゲット表面、裏面、及びターゲット表面と裏面との間に厚みを有する合金からなるものであり、ターゲット表面及び裏面は、上記合金の外表面をなし、上記合金は、樹枝状結晶を有している。そして、上記ターゲット表面の樹枝状結晶は、略一方向に配向され、また上記合金の中心面の樹枝状結晶は、略同じ方向に配向されている。
【０００９】
さらに別の実施形態によれば、本発明のスパッタ・ターゲットは、コバルト（Co）基の合金からなり、ターゲット表面、裏面、及びターゲット表面と裏面との間に厚みを有したものであり、上記ターゲット表面及び裏面は、合金の外表面をなし、上記ターゲット表面は、略厚み方向に垂直となっている。そして、この合金の六方最密結晶（hexagonal close-packing：ＨＣＰ）の[0001] 方向は、略ターゲット表面に垂直に配向されている。
【００１０】
本発明のさらなる特徴及び利点は、後述する。そして、その一部は説明により明白になり、又は発明の実施によって知ることができる。本発明の目的及びその他の利点は、添付図面ばかりでなくこれに関する記載事項や請求項において特に指摘された構造によっても実現され、達成され得る。
【００１１】
上述した一般的内容及び後述する内容の両方は、代表的なものであり、解説的なものである。さらに、請求項に係る発明を説明することを意図したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に述べる多数の実施形態は、本発明について十分な理解が得られるように事前に準備したものである。しかしながら、本発明がこれらの実施形態のうちの一部で実行し得ることは、当業者に明白である。他の実施例において、周知の構造及び技術は、本発明を不明瞭にしないように詳細には示されていない。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態によるスパッタ・ターゲットを示している。このスパッタ・ターゲット１００は、合金からなるものである。この合金は、ターゲット表面１０１、裏面１０３、及び側面１０４を有している。さらに、上記合金は、ターゲット表面１０１と裏面１０３との間に厚み１０２を有しており、この厚み１０２に略沿った方向を厚み方向１０６としている。上記ターゲット表面１０１は、上記合金の外表面であり、厚み方向１０６に略垂直となっている。さらに、側面１０４は、上記合金の外表面である。裏面１０３は、上記合金の外表面であり、厚み方向１０６に略垂直か、ターゲット表面１０１と略平行である。本発明の一実施形態によれば、合金は、後述するように、略全厚み１０２に亘って単一の略均質な微細構造域を有している。本発明の別の実施形態によれば、スパッタ・ターゲット１００は、ターゲット表面１０１と裏面１０３との間に位置する中心面１０５を有している。図１に示すこの代表的な実施形態では、スパッタ・ターゲット１００の合金は、Co-5Ta-5Zrである。
【００１４】
方向性凝固は、凝固組織（例えば、樹枝状結晶）を優先的に成長させ、かつ全溶解物を横断して特定の配向（例えば、成長方向又は凝固方向）に沿って均質に安定化させる凝固プロセスである。上記方向性凝固中に、溶解物（例えば、凝固される溶融金属又は合金）の入った、例えば陶器で包囲した型のようなルツボが、制御可能で一定の熱勾配がその方向性凝固の間に全溶解物を横断して維持される炉、又は誘導加熱装置を通して所定の引抜き速度で引かれる。凝固が略平衡温度の条件で発生する場合、微細構造の外観は、凝固方向（例えば、引抜き方向と反対方向）に沿って優先的に配向される。結晶学的配向と同様に微細構造の外観における配向又は異方性は、構造及び機能特性（即ち、磁気）の両方に関する異方性の性能を大いに引き出すことができる。
【００１５】
この優先的な配向は、図１のスパッタ・ターゲット１００のターゲット表面１０１の領域Ａを拡大して図２中に示されている。そこには、ターゲット表面１０１の微細構造の外観１１１及び１１２を見ることができる。図２は、方向性凝固されたCo-5Ta-5Zr合金の代表的な微細構造を示している。代表的な二相の微細構造はCo、Ta及びZrを含むより明るい相と共に、主にCo及びTaを含むより暗い相が観察される。樹枝状の相は、成長方向に沿って優先的に配向される。微細構造の外観のこの優先的配向の結果、成長した凝固微細構造は、凝固方向（即ち、成長方向）に亘って略均質である。方向性凝固プロセスの間に一定の熱勾配中で全溶解され、凝固された樹枝状の相の形及び大きさに関する微細構造の外観が、合金のターゲット表面１０１、及び合金の中心面１０５と略同一か又は近似しているのが観察され、スパッタ・ターゲット１００の略全厚み１０２に亘って微細構造の均質化（例えば、単一の略均質な微細構造域）が生じているのが観察される。図３は、スパッタ・ターゲット１００の領域Ｂの部分的な横断面図であり、厚み方向１０６に沿った略均質な微細構造域１１０を示す。この一様に配向した樹枝状構造は、ターゲット厚みに亘って観察される。
【００１６】
スパッタ・ターゲットの微細構造の均質性は、ターゲットをスパッタすることにより形成されたコーティング膜の微細構造の均質性を改善する。本発明のスパッタ・ターゲットは、基板上に１層以上のデータ格納用の磁性層をスパッタして形成するために使用される。或は、本発明のスパッタ・ターゲットは、半導体基板上に導電層をスパッタして形成するために使用してもよく、又は光学薄膜のスパッタ形成用として、あるいは他のスパッタリング用途に用いてよい。
【００１７】
図１に示されたスパッタ・ターゲット１００のターゲット表面１０１の領域Ｃ及び中心面１０５の領域Ｄは、図４及び図５にそれぞれ示されている。一実施形態によれば、スパッタ・ターゲット１００は、樹枝状結晶２０５及び２０６を含んでいてもよい。ターゲット表面１０１における樹枝状結晶２０５（第１の樹枝状結晶）は、略一定の方向４０１（例えば、成長方向）に配向され、合金の中心面１０５における樹枝状結晶２０６（第２の樹枝状結晶）は、略同じ方向４０１（例えば、成長方向）に配向される。
【００１８】
ここで、図６は、本発明の一態様による方向性凝固された合金６００を示す。本発明の一態様によれば、合金６００は、一例として、コバルト（Co）、鉄（Fe）、ニッケル（Ni）、クロム（Cr）、プラチナ（Pt）、ホウ素（B）、銅（Cu）、金（Au）、チタン（Ti）、バナジウム（V）、イットリウム（Y）、ジルコニウム（Zr）、ニオブ（Nb）、モリブデン（Mo）、ルテニウム（Ru）、ロジウム（Rh）、ランタン（La）、ハフニウム（Hf）、タンタル（Ta）、タングステン（W）、又はイリジウム（Ir）のうち２以上を含むがこれに限定されない。
本発明の別の態様によれば、合金６００は、１以上の金属からなるものであってもよい。
【００１９】
また、別の実施形態によれば、合金６００は、長手磁気記録の磁性層用としてCr含有量が＞18at%であるローモーメントとCr含有量が＜18at%のハイモーメントの広い範囲のコバルト合金を含む。それは、例えば、Co-(5-25)Cr- (5-25) Pt - (5-20) B - (1.5-7.5) Cu、或はAuの原子百分率、及び／又は(1.5-7.5)Xの原子百分率のようなものである。この場合、X=Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、La、Hf、Ta、W、又はIrである。
【００２０】
また、別の実施形態によれば、合金６００は、長手磁気記録の中間層をスパッタ形成するための例えば、Co-(5-30)Crや、Co-(5-30)Cr-(2-15) Taの組成範囲を有するコバルト（Co）基合金であってもよい。
【００２１】
また、本発明の他の実施形態によれば、合金６００は、軟磁性の下層をスパッタするための、及び垂直磁気記録用のＡＰＣ（Anti-parallel coupled pinned layers：逆平行にカップリングされた固定層）用のコバルト、鉄、又はニッケル基合金、例えば、あらゆる元素組成比のCo-Ta-Zr、Co-Nb-Zr、 Fe-Co-B、Fe-Co-Cr-B、Fe-Co-Ni-B、CoFe、Ne-Fe、及びNi-Mnのような組成を備えたものであってもよい。
【００２２】
本発明の別の態様によれば、合金６００は、コバルト（Co）、原子％で0以上であり約5％程度のタンタル（Ta）、及び原子％で0以上であり約5%程度のジルコニウム（Zr）を含んでいてもよい。
【００２３】
本発明の代表的な実施形態によれば、合金６００は、例えば、Co-5Ta-5Zrのようなコバルト基合金である。別の態様によれば、合金は、金属基合金、又は金属化合物である。
【００２４】
合金６００は、制御可能で均一な温度勾配が、その方向性凝固中に全溶解に亘って維持された炉又は誘導加熱装置の中を通り抜けて[001]方向に引き抜かれる。凝固が方向性凝固中に略平衡温度条件で起こる場合には、低温六方最密結晶（ＨＣＰ）コバルト（Co）相が安定化する。したがって、ＨＣＰのCo相の相対的な割合は、面心立方 （ＦＣＣ） Co相に対して増加する。その結果、ＨＣＰの[0001]方向（即ち、基本ＨＣＰ面に垂直な面）は、合金表面６０１に対して約54°の角度で優先的に配向する。最も高い磁場透過率（ＰＴＦ）は、基本的な六角形の組織がスパッタリング中に発生する磁力線６０２と平行な場合に達成される。したがって、合金６００の表面６０１に対して36°でターゲット表面を作るために合金６００を機械加工することによって（例えば、線６０３に沿って切断することによって）、[0001]方向は、合金６００から機械加工されたスパッタ・ターゲットのターゲット表面に垂直になる。これにより、このようにして製造されたスパッタ・ターゲットのＰＴＦを大幅に増加させることができる。
【００２５】
表１は、本発明の一実施形態によるスパッタ・ターゲットがＰＴＦにおいて優れていることを、真空誘導融解してインゴットを鋳造し、熱機械的加工したスパッタ・ターゲットと比較して示している。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
図７及び図８は、Co-6Ta-4Zr組成を有する熱機械的加工されたスパッタ・ターゲットのターゲット表面及び中心面の微細構造をそれぞれ示している。本発明のスパッタ・ターゲットとは対照的に、凝固された樹枝状の相７０１及び８０１の配向、形状及び大きさに関して微細構造の本質的な差が、ターゲット表面（図７参照）、及び中心面（図８参照）で観察される。ターゲット表面で、主要な樹枝状の相（例えば、より暗い組織）の微細構造は、中心面よりももっと縦欄式（columnar）で、薄い。この場合、主要な相の微細構造は、より粗くて等軸である。どちらの面においても、観察された成長方向に沿って優先的に配向していない。
【００２８】
図３及び図４を比較すると、本発明のスパッタ・ターゲット１００のターゲット表面１０１における樹枝状結晶２０５の本質的な部分の大きさが、本発明のスパッタ・ターゲット１００の中心面１０５における樹枝状結晶２０６の本質的な部分の大きさと略同じであることは明白である。一方、図７及び図８を比較すると、熱機械的加工されたスパッタ・ターゲットのターゲット表面における樹枝状結晶７０１の本質的な部分の大きさが、熱機械的加工されたスパッタ・ターゲットの中心面における樹枝状結晶８０１の本質的な部分の大きさと実質的に相違することは明白である。
【００２９】
さらに、図３及び図４を比較すると、本発明のスパッタ・ターゲット１００のターゲット表面１０１における樹枝状結晶２０５の本質的な部分の形状が、本発明のスパッタ・ターゲット１００の中心面１０５における樹枝状結晶２０６の本質的な部分の形状と実質的に等しいことは明白である。一方、図７及び図８を比較すると、熱機械的加工されたスパッタ・ターゲットのターゲット表面における樹枝状結晶７０１の本質的な部分の形状が、熱機械的加工されたスパッタ・ターゲットの中心面における樹枝状結晶８０１の本質的な部分の形状と実質的に相違することは明白である。
【００３０】
本発明の１つの態様によれば、ターゲット表面における樹枝状結晶の本質的な部分は、約1.0平方ミリメートル（例えば、一辺が1.0×10-3mの正方形）又はそれ以上の面積（エリア）を占領する。また、合金の中心面の樹枝状結晶の本質的な部分は、約1.0平方ミリメートル（例えば、一辺が1.0×10-3mの正方形）又はそれ以上の面積（エリア）を占領する。
【００３１】
図９は、本発明の別の実施形態によるスパッタ・ターゲットを示している。このスパッタ・ターゲット９００は、コバルト（Co）基の合金からなる。この合金は、ターゲット表面９０１、側面９０４、及び裏面９０３を有している。また、上記合金は、ターゲット表面９０１と裏面９０３との間に厚み９０２を有している。さらに、上記合金は、略厚み９０２に沿って厚み方向９０６を有している。上記ターゲット表面９０１及び裏面９０３は、合金の外表面であり、厚み方向９０６に略垂直となっている。また、側面９０４は、上記合金の外表面である。さらに、上記合金は、ターゲット表面９０１に対して角度θで配向された六方最密結晶（ＨＣＰ）の[0001]方向（例えば、基本的なＨＣＰ面に垂直な面）を有する。本発明の１つの態様によれば、上記合金の[0001] ＨＣＰ方向は、ターゲット表面９０１に垂直な方向に対して0°と 10°の間に配向される。本発明の別の態様によれば、上記合金の[0001] ＨＣＰ方向は、ターゲット表面９０１に略垂直に配向される。
【００３２】
図１及び図９に示されたスパッタ・ターゲットは、ターゲット表面及び裏面が平行に示されているが、本発明の範囲内でスパッタ・ターゲットが変形されてもよいことは当業者に自明である。例えば、本発明の範囲内で、本発明のスパッタ・ターゲットは、円筒状の固体の形をしている回転可能なスパッタ・ターゲットとして形成されてもよい。この場合、ターゲット表面及び裏面は、コーティングされる基板に対面し、基板から離れた円筒の一部として定義される。或は、本発明のスパッタ・ターゲットは、溝が彫られ、又はその他テクスチャーが形成されたターゲット表面を有する構成としてもよいし、或は滑らかな、又は階段状の屈曲を示す非平面のターゲット表面であってもよい。
【００３３】
本発明が様々な図及び実施形態を参照して特に説明されているが、これらは説明目的だけであり、発明の範囲を制限するものとして受け止めるべきでないことは理解されよう。また、発明を実施するために他の多くの方法を実行することができる。さらに、発明を実施するために、当業者によって発明の技術的思想及び範囲から外れずに多くの変更及び修正がなされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態によるスパッタ・ターゲットを示す。
【図２】本発明の一態様によるスパッタ・ターゲットのターゲット表面の部分図を示している。
【図３】本発明の別の態様によるスパッタ・ターゲットの部分断面図を示している。
【図４】本発明の更に別の態様によるスパッタ・ターゲットのターゲット表面の部分図を示している。
【図５】本発明の更に別の態様によるスパッタ・ターゲットの中心面の部分図を示している。
【図６】本発明の更に別の態様による方向性凝固された合金を示す。
【図７】スパッタ・ターゲットのターゲット表面の部分図を示す。
【図８】スパッタ・ターゲットの中心面の部分投影図を示す。
【図９】本発明の別の実施形態によるスパッタ・ターゲットを示す。
【符号の説明】
【００３５】
１００，９００…スパッタ・ターゲット
１０１，９０１…ターゲット表面
１０２，９０２…厚み
１０３，９０３…裏面
１０５…中心面
２０５…樹枝状結晶（第１の樹枝状結晶）
２０６…樹枝状結晶（第２の樹枝状結晶）
４０１…成長方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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