(57)【要約】【課題】配線基板に内蔵されたキャパシタのキャパシタ電極と誘電体層との密着力不足を解消させると同時に、容量バラツキを減少させ、且つ、誘電体層と同一層内に抵抗体や信号線の形成を可能とし、ビアの信頼性を向上させる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁層４１の一方の面にキャパシタ１０が形成されており、キャパシタ１０はパターン化された誘電体層２１ａがキャパシタ下部電極１１ａと導電ペーストからなるキャパシタ上部電極５１ａとで狭持された構造になっている。キャパシタ下部電極１１ａの上面と絶縁層４１の上面が同一面であり、キャパシタ上部電極５１ａと、キャパシタ下部電極１１ａと配線層１１ｂとを電気的に接続するための引き出し電極５１ｂとが導電性ペーストからなる導体層５１で形成されている。【選択図】図１
2007005593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して少なくとも１層の配線層が形成され、絶縁層間にキャパシタが形成されたキャパシタ内蔵の配線基板であって、前記キャパシタはキャパシタ下部電極とパターン化された誘電体層とキャパシタ上部電極とで構成されており、キャパシタ下部電極の上面と絶縁層の上面が同一面であり、キャパシタ上部電極と、キャパシタ上部電極と同一面の絶縁層上に形成された配線層とを電気的に接続するための引き出し電極とが導電性ペーストからなる導体層で形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
（ａ）金属層の一方の面に誘電体層と保護支持体が形成された積層材を作製する工程。
（ｂ）金属層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターンをマスクにして金属層をエッチングし、レジストパターンを剥離、除去することで、前記誘電体層上にキャパシタ下部電極及び配線層を形成する工程。
（ｄ）キャパシタ下部電極及び配線層面にプリプレグを介して金属箔を積層し、絶縁層及び導体層を形成する工程。
（ｅ）前記保護支持体を剥離し、誘電体層を露出する工程。
（ｆ）前記誘電体層上に感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターンニング処理を行って、前記誘電体層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｇ）前記レジストパターンをマスクにしてブラスト法にて、露出した誘電体層を除去し、レジストパターンを剥離、除去することで、所望のパターン化された誘電体層を形成する工程。
（ｈ）導電ペーストを印刷し、乾燥硬化することにより、キャパシタ上部電極及び引き出し電極を形成する工程。
【請求項３】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
（ａ）金属層の一方の面に誘電体層と保護支持体が形成された積層材を作製する工程。
（ｂ）前記金属層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターンをマスクにして金属層をエッチングし、レジストパターンを剥離、除去することで、前記誘電体層上にキャパシタ下部電極及び配線層を形成する工程。
（ｄ）キャパシタ下部電極及び配線層面にプリプレグを介して金属箔を積層し、絶縁層及び導体層を形成する工程。
（ｅ）前記保護支持体を剥離し、誘電体層を露出する工程。
（ｆ）レジストペーストを印刷して、前記誘電体層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｇ）前記レジストパターンをマスクにしてブラスト法にて、露出した誘電体層を除去し、レジストパターンを剥離、除去することで、所望のパターン化された誘電体層を形成する工程。
（ｈ）導電ペーストを印刷し、乾燥硬化することにより、キャパシタ上部電極及び引き出し電極を形成する工程。
【請求項４】
前記レジストパターンの主要構成樹脂がウレタン系樹脂であることを特徴とする請求項２または３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ブラスト法がウエットブラストであることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される配線基板に関し、詳しくは、キャパシタが内蔵された配線基板であって、キャパシタ電極と誘電体層との層間密着力不足を解消させると同時にキャパシタの容量バラツキを少なくし、且つ、同一層内に抵抗体や信号線の形成を可能とする配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の部品内蔵の配線基板及びその製造方法について以下に説明する。
近年、キャパシタ内蔵の配線基板としては、図２に示すように、キャパシタ下部電極１１ａの上面と絶縁層４４の上面が同一面となっており、キャパシタ下部電極１１ａと絶縁層４４と配線層１１ｂ上に誘電率の高い平滑な誘電体層２２を設けてあり、キャパシタ下部電極１１ａ上の誘電体層２２上の所定位置にキャパシタ上部電極１２ａを形成してキャパシタ２０を形成している。さらに、絶縁層４５を介してビア２０ａを、絶縁層４５及び誘電体層２２を介してビア２０ｂを、絶縁層４５上に配線層１９ａ、配線層１９ｂを形成して、キャパシタ内蔵の配線基板２００としている。
このように、キャパシタ２０を構成している誘電体層２２は全面に形成されているので、この誘電体層２２と同一層内に抵抗体や信号線を形成することはできない。
【０００３】
上記配線基板の製造方法について説明する。
図９（ａ）〜（ｇ）及びず１０（ｈ）〜（ｌ）に配線基板の製造方法の一例を示す。
まず、金属箔等からなる金属層１１上に誘電体樹脂溶液を塗布するか、誘電体シートをラミネートする等の方法で誘電体層２２を形成する。
続いて、誘電体層２２上に金属箔を加圧・加熱ラミネートする等の方法で金属層１２を形成し、積層材を作製する（図９（ａ）参照）。
【０００４】
ここで、誘電体層２２は、エポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入させた誘電体、又は、ＬＣＰ（液晶ポリマー）に酸化チタン等を混入させた誘電体等が使用される。
金属層１１及び１２の接着面は、キャパシタ容量の精度を良くするため、荒れが少ないことが要求され、その反面、密着力の低下が問題となる。
特に、ＬＣＰ（液晶ポリマー）等の樹脂を用いた場合、密着力が極端に小さくなるため、接着剤（図示せず）を介して金属層１２を接着させた積層材を形成する場合もある。
【０００５】
この積層材は、近年、更なるノイズ低減等の電気特性を向上させるため、キャパシタの高容量化及び誘電体層２２の薄膜化が進み、現在、誘電体層２２の膜厚は８〜１６μｍ程度となっている。
高誘電率化により、誘電体層２２内に混入されるチタン酸バリウム等の割合も大きくなっており、誘電体層２２の強度が弱く、従来の様に、積層材の金属層１１と金属層１２の両面を同時にエッチング加工することが工程上不可能となっている。
【０００６】
次に、積層材の金属層１１上に感光層７１（特に、図示せず）を、金属層１２上に感光層７２（特に、図示せず）をそれぞれ形成し、感光層７１はフォトリソ法によりパターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン７１ａ及び３１ｂを、感光層７２は全面露光、現像処理を行って、レジスト層７２ａをそれぞれ形成する（図９（ｂ）参照）。
【０００７】
次に、レジストパターン７１ａ及び７１ｂをマスクにして金属層１１をエッチングし、さらに、レジストパターン７１ａ、７１ｂ及びレジスト層７２ａを専用の剥離液で剥離し
、キャパシタ下部電極１１ａ及び配線層１１ｂを形成する（図９（ｃ）参照）。
【０００８】
次に、キャパシタ下部電極１１ａ及び配線層１１ｂ上にプリプレグを介して金属箔を積層し、絶縁層４４及び金属層１７を形成する（図９（ｄ）参照）。
ここで、工程中、強度を持たせるために、片面に支持体層を設ける方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
さらに、誘電体層２２が高誘電率であることから、配線層と配線層もしくはビア等の相互干渉により、電気信号等の特性悪化を防ぐ為、この誘電体層２２には極力、配線や抵抗体の形成は避けざるを得ない。
【０００９】
次に、基板の両面に感光層７３（特に、図示せず）及び感光層７４（特に、図示せず）を形成し、感光層７３はフォトリソ法によりパターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン７３ａを、感光層７４は全面露光、現像処理を行って、レジスト層７４ａをそれぞれ形成する（図９（ｅ）参照）。
【００１０】
次に、レジストパターン７３ａをマスクにして金属層１２をエッチングする（図９（ｆ）参照）。
さらに、レジストパターン７３ａ及びレジスト層７４ａを専用の剥離液で剥離し、所望のキャパシタ上部電極１２ａを形成し、誘電体層２２がキャパシタ下部電極１１ａとキャパシタ上部電極１２ａとで狭持されたキャパシタ２０を作製する（図９（ｇ）参照）。
【００１１】
次に、誘電体層２２及びキャパシタ上部電極１２ａ上にプリプレグを積層する等の方法で絶縁層４５を形成する（図１０（ｈ）参照）。
【００１２】
次に、レーザー加工にて、絶縁層４５の所定位置にビア用孔４５ａ、４５ｂを形成し、ビア用孔４５ａ、４５ｂをデスミア処理し、無電解銅めっき等によりめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。（図１０（ｉ）参照）。
【００１３】
次に、めっき下地導電層及び導体層１７上に感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層７５（特に、図示せず）及び感光層７６（特に、図示せず）を形成し、感光層７５はパターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン７５ａ、７５ｂ及び７５ｃを、感光層７６は全面露光、現像処理を行って、レジスト層７６ａをそれぞれ形成する形成する（図１０（ｊ）参照）。
【００１４】
次に、めっき下地導電層をめっき電極にして電気銅めっきを行い、導体層１８、フィルドビア１９ａ、１９ｂを形成する（図１０（ｋ）参照）。
【００１５】
次に、レジストパターン７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及びレジスト層７６ａを専用の剥離液で除去し、レジストパターン７５ａ、７５ｂ、７５ｃの下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングで除去して、配線層１８ａ及び１８ｂを形成し、キャパシタ２０内蔵の配線基板２００を得る（図１０（ｌ）参照）。
【００１６】
上記したような配線基板及びその製造方法では、金属層／誘電体層／金属層からなる積層材を作製する時、例えば銅箔等からなる金属層１２を熱圧着させる側のチタン酸バリウムや酸化チタン等のフィラーが高充填された誘電体層２２との密着力が弱いため、エッチング、レジスト剥離工程等においてキャパシタ電極１１ａ及び１２ａが剥離したり、たとえ、剥離が発生しなくともエッチング時のサイドエッチ（電極横方向への腐食）が大きくなり、電極面積のバラツキが増加し、その結果、容量バラツキが大きくなる。
また、誘電体層２２と絶縁層４４との密着力も弱いために、熱ストレス等により、その層間での剥離が発生するといった問題がある。
【００１７】
また、積層材を作製する時、銅箔を熱圧着させる側の密着力が弱いため、特性劣化を覚悟で接着剤を用いて貼り合わせる場合があったが、誘電率低下等の特性劣化を少なくするため接着剤を薄くする必要があり、そのため接着剤の膜厚バラツキが大きくなり、その結果、容量バラツキが大きくなるといた問題がある。
【００１８】
更には、誘電体層２２が全面に形成されており、誘電体２２が高誘電率であることから、配線層と配線層もしくはビア等の相互干渉により、電気信号等の特性悪化を防ぐ為、この誘電体層２２には極力、配線及び抵抗体の形成は、避けざるを得なくなり、層数及び層厚が増加するといった問題がある。
【００１９】
また更には、キャパシタ２０上への上層回路積層時に、層間接続として、深さの異なるビア加工が必要となること、また、ビアが樹脂種類の異なる絶縁層と誘電体層に形成されることから、めっきの歩留まりやその密着信頼性が低下するといった問題がある。
【特許文献１】特開２００２−００９４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたものであり、配線基板に内蔵されたキャパシタのキャパシタ電極と誘電体層との密着力不足を解消させると同時に、容量バラツキを減少させ、且つ、誘電体層と同一層内に抵抗体や信号線の形成を可能とし、ビアの信頼性を向上させる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、絶縁層を介して少なくとも１層の配線層が形成され、絶縁層間にキャパシタが形成されたキャパシタ内蔵の配線基板であって、前記キャパシタはキャパシタ下部電極とパターン化された誘電体層とキャパシタ上部電極とで構成されており、キャパシタ下部電極の上面と絶縁層の上面が同一面であり、キャパシタ上部電極と、キャパシタ上部電極と同一面の絶縁層上に形成された配線層とを電気的に接続するための引き出し電極とが導電性ペーストからなる導体層で形成されていることを特徴とする配線基板としたものである。
【００２２】
また、請求項２においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）金属層の一方の面に誘電体層と保護支持体が形成された積層材を作製する工程。
（ｂ）金属層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターンをマスクにして金属層をエッチングし、レジストパターンを剥離、除去することで、前記誘電体層上にキャパシタ下部電極及び配線層を形成する工程。
（ｄ）キャパシタ下部電極及び配線層面にプリプレグを介して金属箔を積層し、絶縁層及び導体層を形成する工程。
（ｅ）前記保護支持体を剥離し、誘電体層を露出する工程。
（ｆ）前記誘電体層上に感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターンニング処理を行って、前記誘電体層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｇ）前記レジストパターンをマスクにしてブラスト法にて、露出した誘電体層を除去し、レジストパターンを剥離、除去することで、所望のパターン化された誘電体層を形成する工程。
（ｈ）導電ペーストを印刷し、乾燥硬化することにより、キャパシタ上部電極及び引き出し電極を形成する工程。
【００２３】
また、請求項３においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）金属層の一方の面に誘電体層と保護支持体が形成された積層材を作製する工程。
（ｂ）前記金属層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｃ）レジストパターンをマスクにして金属層をエッチングし、レジストパターンを剥離、除去することで、前記誘電体層上にキャパシタ下部電極及び配線層を形成する工程。
（ｄ）キャパシタ下部電極及び配線層面にプリプレグを介して金属箔を積層し、絶縁層及び導体層を形成する工程。
（ｅ）前記保護支持体を剥離し、誘電体層を露出する工程。
（ｆ）レジストペーストを印刷して、前記誘電体層上の所定位置にレジストパターンを形成する工程。
（ｇ）前記レジストパターンをマスクにしてブラスト法にて、露出した誘電体層を除去し、レジストパターンを剥離、除去することで、所望のパターン化された誘電体層を形成する工程。
（ｈ）導電ペーストを印刷し、乾燥硬化することにより、キャパシタ上部電極及び引き出し電極を形成する工程。
【００２４】
また、請求項４においては、前記レジストパターンの主要構成樹脂がウレタン系樹脂であることを特徴とする請求項２または３に記載の配線基板の製造方法としたものである。
【００２５】
さらにまた、請求項５においては、前記ブラスト法がウエットブラストであることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の配線基板では、内蔵されたキャパシタのキャパシタ上部電極が導電ペーストからなる導体層で形成されているので、パターン化された誘電体層との密着性にすぐれ、容量バラツキを最小限に抑えることができる。
また、本発明の配線基板の製造方法によると、ブラスト法によりパターン化された誘電体層が形成されるため、ビルドアッププロセスで配線層を形成する際、パターン化された誘電体層以外は通常の絶縁層領域となり、配線層及び印刷抵抗体等の受動素子を自由にレイアウトできる。
また、余分な誘電体層が除去され、下層の絶縁層が露出するため、上層に形成する絶縁層との密着性が強固なものとなり、熱ストレス等で剥離することがない。
また、従来とは異なり、キャパシタ上への上層回路積層時に、層間接続として用いるビアのビア長を全て等しく、また、ビアは絶縁層のみに形成されることから、めっきの歩留まりやその密着信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図１は、本発明の配線基板の一実施例を示す配線基板１００の部分模式構成断面図である。
配線基板１００は、絶縁層４１の一方の面にキャパシタ１０が、他方の面に配線層１３ａ、１３ｂ、１３ｃが形成されており、キャパシタ１０はパターン化された誘電体層２１ａがキャパシタ下部電極１１ａと導電ペーストからなるキャパシタ上部電極５１ａとで狭持された構造になっている。
キャパシタ下部電極１１ａの上面と絶縁層４１の上面が同一面であり、キャパシタ上部電極５１ａと、キャパシタ下部電極１１ａと配線層１１ｂとを電気的に接続するための引き出し電極５１ｂとが導電性ペーストからなる導体層５１で形成されている。
【００２８】
さらに、絶縁層４２及び絶縁層４３を介して配線層１３ａ及び配線層１３ｂ、配線層１
５ａ、配線層１５ｂが形成されており、キャパシタ下部電極１１ａと配線層１４ｂとはビア１５にて、キャパシタ上部電極５１ａと配線層１４ａとはビア１５にて電気的に接続されている。
【００２９】
本発明の配線基板１００では、内蔵されたキャパシタのキャパシタ上部電極５１ａが導電ペーストからなる導体層５０で形成されているので、パターン化された誘電体層２１ａとの密着性にすぐれ、容量バラツキを最小限に抑えることができる。
また、キャパシタ上への上層回路積層時に、層間接続として用いるビアのビア長を全て等しく、また、ビアは絶縁層のみに形成されることから、めっきの歩留まりやその密着信頼性を向上することができる。
【００３０】
以下本発明の配線基板の製造法について説明する。
図３（ａ）〜（ｈ）、図４（ｉ）〜（ｎ）及び図５（ｏ）〜（ｒ）は請求項２に係る配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
まず、銅箔等からなる金属層１１上に誘電体樹脂溶液を塗布するか、誘電体シートをラミネートする等の方法で誘電体層２１を形成する（図３（ａ）参照）。
ここで、金属層１１としては１２μｍ厚程度の銅箔が使用される。
また、誘電体層２１は、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂に、チタン酸バリウムや酸化チタンなどを混入した誘電体溶液塗布するか、またはエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂に、チタン酸バリウムや酸化チタンなどを混入した誘電体シートをラミネートすることにより得ることができる。
【００３１】
次に、フィルムシートを誘電体層２１表面に貼り付けて保護支持体６１を形成し、金属層１１上に誘電体層２１及び保護支持体６１が形成された積層材を作製する（図３（ｂ）参照）。
ここで、誘電体層２１の厚み精度と金属層１１のエッチング精度がキャパシタの加工精度に関係するため、この積層材の完成度が最も重要となる。
ここで、誘電体層２１が一連の後工程に対して充分耐え得る強度がある場合は保護支持体６１を省略することも可能である。
【００３２】
次に、金属層１１上にフォトレジストを塗布するか、感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを形成する（図３（ｃ）参照）。さらに、レジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃをマスクにして金属層１１をエッチングし、レジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを専用の剥離液で除去して、キャパシタ下部電極１１ａ、配線層１１ｂ及び配線層１１ｃを形成する（図３（ｄ）参照）。
【００３３】
次に、キャパシタ下電極１１、配線層１１ｂ及び配線層１１ｃ形成面側に、プリプレグと銅箔を熱プレス加工して積層し、絶縁層４１及び金属層１２を形成する（図３（ｅ）参照）。
【００３４】
次に、金属層１２をフォトエッチング加工して、金属層１２の所定位置に開口部１２ａを形成する（図３（ｆ）参照）。
さらに、開口部１２ａより炭酸ガスレーザー等のレーザービームを照射し、絶縁層４１を孔開け加工し、ビア用孔４１ａを形成する。さらに、ビア用孔４１ａのデスミア処理を行って、無電解銅めっき等によりビア用孔４１ａ内及び金属層１２上にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図３（ｇ）参照）。
【００３５】
次に、めっき下地導電層及び金属層１２をめっき電極にして電解銅めっきを行い、導体
層１３及びビア１４を形成する（図３（ｈ）参照）。
【００３６】
次に、保護支持体６１を剥離し、誘電体層２１上にはウレタン系の感光性ドライフィルムを、導体層１３上にはアクリル系の感光性ドライフィルムをそれぞれラミネートして、感光層３２（特に、図示せず）及び感光層３３（特に、図示せず）を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、誘電体層２１上の所定位置にレジストパターン３２ａを、導体層１３上の所定位置にレジストパターン３３ａ、３３ｂ及び３３ｃを形成する（図４（ｉ）参照）。
【００３７】
次に、レジストパターン３３ａ、３３ｂ及び３３ｃをマスクにして導体層１３を塩化第２鉄等のエッチング液でエッチングする（図４（ｊ）参照）。
さらに、レジストパターン３２ａをマスクにしてブラスト法、例えば、アルミナ等の砥粒を混合した水をノズルより噴射するウエットブラストにより、レジストパターン３２ａ以外の誘電体層２１を除去する（図４（ｋ）参照）。
ここで、誘電体層２１除去後のキャパシタ下部電極１１ａの上面と絶縁層２１の上面とはほぼ段差の無い状態となる。
【００３８】
次に、レジストパターン３２ａ及びレジストパターン３３ａ、３３ｂ及び３３ｃを専用の剥離液で除去し、絶縁層４１の一方の面にパターン化された誘電体層２１ａを、他方の面に配線層１３ａ、１３ｂ、１３ｃをそれぞれ形成する（図４（ｌ）参照）。
【００３９】
次に、スクリーン印刷にて、導電ペースト、例えば銅ペーストをパターン化された誘電体層２１ａ、絶縁層４１及び配線層１１ｂ上に印刷し、乾燥硬化することで、パターン化された誘電体層２１ａ上にキャパシタ上部電極５１ｂと、キャパシタ上部電極５１ｂと配線層１１ｂ間に引き出し電極５１ｂとを形成し、キャパシタ１０を形成する（図４（ｍ）参照）。
さらに必要であれば、キャパシタ１０を除く絶縁層４１上領域に抵抗素子等の受動素子を形成可能である。
【００４０】
次に、キャパシタ１０が形成された配線基板の両面にプリプレグを積層して絶縁層４２、絶縁層４３を形成し（図４（ｎ）参照）、絶縁層４２、絶縁層４３の所定位置にレーザー加工等によりビア用孔４２ａ及びビア用孔４３ａを形成する。さらに、ビア用孔４２ａ及びビア用孔４３ａのデスミア処理を行い、無電解銅めっき等により絶縁層４２及び絶縁層４３上、ビア用孔４２ａ及びビア用孔４３ａ内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する（図５（ｏ）参照）。
【００４１】
次に、感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で、感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層４２の所定位置にレジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃを、絶縁層４３所定位置にレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃをそれぞれ形成する（図５（ｐ）参照）。
【００４２】
次に、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃをそれぞれめっきマスクにして、めっき下地導電層をめっき電極にして電解銅めっきを行い、一方の面に導体層１５及びビア１６を、他方の面に導体層１７及びビア１８をそれぞれ形成する（図５（ｑ）参照）。
【００４３】
次に、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃを専用の剥離液で除去し、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃ下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングで除去し、一方の面に配線層１５ａ及び配線層１５ｂを、他方の面に配線層１７ａ及び配
線層１７ｂを形成し、キャパシタ電極１０が内蔵された本発明の配線基板１００を得る（図５（ｒ）参照）。
ここでは、配線層形成にセミアディティブ法を用いたが、これはあくまでも一例であって、これに限定されるものではない。
【００４４】
図６（ａ）〜（ｈ）、図７（ｉ）〜（ｎ）及び図８（ｎ）〜（ｑ）は請求項３に係る配線基板の製造方法の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
これは、誘電体層２１をブラスト法にてパターニングする際のレジストパターン３８をウレタン系樹脂からなるペーストをスクリーン印刷等の印刷で形成するようにしたもので（図７（ｉ）参照）、前後の工程については、上記請求項２の配線基板の製造法で述べた内容と同じなのでここでは省略する。
【００４５】
上記本発明の配線基板の製造方法によると、ブラスト法によりパターン化された誘電体層が形成されるため、ビルドアッププロセスで配線層を形成する際、パターン化された誘電体層以外は通常の絶縁層領域となり、配線層及び印刷抵抗体等の受動素子を自由にレイアウトできる。
また、余分な誘電体層が除去され、下層の絶縁層が露出するため、上層に形成する絶縁層との密着性が強固なものとなり、熱ストレス等で剥離することがない。
【実施例１】
【００４６】
まず、１２μｍ厚の銅箔からなる金属層１１上にＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂に酸化チタンを４０〜５０ｗｔ％混入させた誘電体樹脂溶液を塗布し、１００℃、１時間乾燥硬化させて、誘電体層２１を形成した（図３（ａ）参照）。
さらに、保護支持体フィルム（ソマタックＰＳ−５０３ＷＡ：ソマール株式会社製）を誘電体層２１表面に貼り付けて保護支持体６１を形成し、金属層１１上に誘電体層２１及び保護支持体６１が形成された積層材を作製した（図３（ｂ）参照）。
【００４７】
次に、金属層１１上に感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを形成した（図３（ｃ）参照）。さらに、レジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃをマスクにして金属層１１をエッチングし、レジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを専用の剥離液で除去して、キャパシタ下部電極１１ａ、配線層１１ｂ及び配線層１１ｃを形成した（図３（ｄ）参照）。
【００４８】
次に、キャパシタ下電極１１ａ、配線層１１ｂ及び配線層１１ｃ形成面側に、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させたプリプレグと１２μｍ厚の銅箔とを１７５℃、２時間加熱プレスして積層し、絶縁層４１及び金属層１２を形成した（図３（ｅ）参照）。
【００４９】
次に、金属層１２をフォトエッチング加工して、金属層１２の所定位置に開口部１２ａを形成した（図３（ｆ）参照）。
さらに、開口部１２ａより炭酸ガスレーザー等のレーザービームを照射し、絶縁層４１を孔開け加工し、ビア用孔４１ａを形成した。さらに、ビア用孔４１ａのデスミア処理を行って、無電解銅めっきにより金属層１２上及びビア用孔４１ａ内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図３（ｇ）参照）。
【００５０】
次に、金属層１２をめっき電極にして電解銅めっきを行い、導体層１３及びビア１４を形成した（図３（ｈ）参照）。
【００５１】
次に、保護支持体６１を剥離し、誘電体層２１上にはウレタン系の感光性ドライフィルムを、導体層１３上にはアクリル系の感光性ドライフィルムをそれぞれラミネートして感
光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、誘電体層２１上の所定位置にレジストパターン３２ａを、導体層１３上の所定位置にレジストパターン３３ａ、３３ｂ及び３３ｃを形成した（図４（ｉ）参照）。
【００５２】
次に、レジストパターン３３ａ、３３ｂ及び３３ｃをマスクにして導体層１３を塩化第２鉄等のエッチング液でエッチングした（図４（ｊ）参照）。
さらに、レジストパターン３２ａをマスクにして、約５μｍ径のアルミナ等の微細砥粒をエアー圧０.２ＭＰａ等でノズルから噴出させるウエットブラスト法にて、レジストパターン３２ａ以外の誘電体層２１を除去した（図４（ｋ）参照）。
【００５３】
次に、レジストパターン３２ａ及びレジストパターン３３ａ、３３ｂ及び３３ｃを専用の剥離液で除去し、絶縁層４１の一方の面にパターン化された誘電体層２１ａを、他方の面に配線層１３ａ、１３ｂ、１３ｃをそれぞれ形成した（図４（ｌ）参照）。
【００５４】
次に、スクリーン印刷にて、銅ペーストからなる導電ペーストをパターン化された誘電体層２１ａ、絶縁層４１及び配線層１１ｂ上に印刷し、乾燥硬化することで、パターン化された誘電体層２１ａ上にキャパシタ上部電極５１ａと、キャパシタ上部電極５１ａと配線層１１ｂ間に引き出し電極５１ｂとを形成し、キャパシタ１０を形成した（図４（ｍ）参照）。
【００５５】
次に、キャパシタ１０が形成された配線基板の両面にガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させたプリプレグを積層して絶縁層４２、絶縁層４３をそれぞれ形成した（図４（ｎ）参照）。
【００５６】
次に、絶縁層４２及び絶縁層４３の所定位置をレーザー加工等により孔開け加工を行って、絶縁層４２の所定位置にビア用孔４２ａを、絶縁層４３の所定位置にビア用孔４３ａを形成した。
さらに、ビア用孔４２ａ及び４３ａのデスミア処理を行い、無電解銅めっきにより絶縁層４２及び絶縁層４３上、ビア用孔４２ａ及び４３ａ内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図５（ｏ）参照）。
【００５７】
次に、絶縁層４２及び絶縁層４３上に感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層４２の所定位置にレジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃを、絶縁層４３の所定位置にレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃをそれぞれ形成した（図５（ｐ）参照）。
【００５８】
次に、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃをめっきマスクにして、めっき下地導電層をめっき電極にして電解銅めっきを行い、一方の面に導体層１５及びビア１６を、他方の面に導体層１７及びビア１８をそれぞれ形成した（図５（ｑ）参照）。
【００５９】
次に、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃを専用の剥離液で除去し、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃ下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングで除去し、一方の面に配線層１５ａ及び配線層１５ｂを、他方の面に配線層１７ａ及び配線層１７ｂを形成し、キャパシタ下部電極１１ａがビア１６にて配線層１５ｂに、キャパシタ上部電極５１ａがビア１６にて配線層１５ａにそれぞれ電気的に接続されたキャパシタ１０内蔵の本発明の配線基板１００を得た（図５（ｒ）参照）。
【実施例２】
【００６０】
まず、１２μｍ厚の銅箔からなる金属層１１上にＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂に酸化チタンを４０〜５０ｗｔ％混入させた誘電体樹脂溶液を塗布し、１００℃、１時間乾燥硬化させて、誘電体層２１を形成した（図６（ａ）参照）。
さらに、保護支持体フィルム（ソマタックＰＳ−５０３ＷＡ：ソマール株式会社製）を誘電体層２１表面に貼り付けて保護支持体６１を形成し、金属層１１上に誘電体層２１及び保護支持体６１が形成された積層材を作製した（図６（ｂ）参照）。
【００６１】
次に、金属層１１上に感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行ってレジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを形成した（図３（ｃ）参照）。
さらに、レジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃをマスクにして金属層１１をエッチングし、レジストパターン３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを専用の剥離液で除去して、キャパシタ下部電極１１ａ、配線層１１ｂ及び配線層１１ｃを形成した（図６（ｄ）参照）。
【００６２】
次に、キャパシタ下電極１１ａ、配線層１１ｂ及び配線層１１ｃ形成面側に、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させたプリプレグを１７５℃、２時間加熱プレスして積層し、絶縁層４１を形成した（図６（ｅ）参照）。
【００６３】
次に、絶縁層４１をレーザー加工にて孔開けし、絶縁層４１の所定位置にビア用孔４１ａを形成した。さらに、ビア用孔４１ａのデスミア処理をおこなって、無電解銅めっきにより絶縁層４１上及びビア用孔４１ａ内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図６（ｆ）参照）。
【００６４】
次に、絶縁層４１上に感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層４１の所定位置にレジストパターン３７ａ及び３７ｂを形成した（図６（ｇ）参照）。
【００６５】
次に、レジストパターン３７ａ及び３７ｂをめっきマスクにして、めっき下地導電層をめっき電極にして電解銅めっきを行い、導体層１３及びビア１４を形成した（図７（ｈ）参照）。
【００６６】
次に、保護支持体６１を剥離し、ウレタン系樹脂からなるレジストをスクリーン印刷し、乾燥硬化して、誘電体層２１の所定位置にレジストパターン３８を形成した（図７（ｉ）参照）。
【００６７】
次に、レジストパターン３８をマスクにして、約５μｍ径のアルミナ等の微細砥粒をエアー圧０.２ＭＰａ等でノズルから噴出させるウエットブラスト法にて、レジストパターン３８以外の誘電体層２１を除去した（図７（ｊ）参照）。
【００６８】
次に、レジストパターン３７ａ及び３７ｂとレジストパターン３８を専用の剥離液で除去し、絶縁層４１の一方の面にパターン化された誘電体層２１ａを、他方の面に配線層１３ａ、１３ｂ、１３ｃをそれぞれ形成した（図７（ｋ）参照）。
【００６９】
次に、スクリーン印刷にて、銅ペーストからなる導電ペーストをパターン化された誘電体層２１ａ、絶縁層４１及び配線層１１ｂ上に印刷し、乾燥硬化することで、パターン化された誘電体層２１ａ上にキャパシタ上部電極５１ａと、キャパシタ上部電極５１ａと配線層１１ｂ間に引き出し電極５１ｂとを形成し、キャパシタ１０を形成した（図７（ｌ）参照）。
【００７０】
次に、キャパシタ１０が形成された配線基板の両面にガラスクロスにエポキシ系樹脂を
含浸させたプリプレグを積層して絶縁層４２、絶縁層４３をそれぞれ形成した（図７（ｍ）参照）
次に、絶縁層４２及び絶縁層４３の所定位置をレーザー加工等により孔開け加工を行って、絶縁層４２の所定位置にビア用孔４２ａを、絶縁層４３の所定位置にビア用孔４３ａを形成した。
さらに、ビア用孔４２ａ及び４３ａのデスミア処理を行い、無電解銅めっきにより絶縁層４２及び絶縁層４３上、ビア用孔４２ａ及び４３ａ内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図８（ｎ）参照）。
【００７１】
次に、絶縁層４２及び絶縁層４３上に感光性のドライフィルムをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、絶縁層４２の所定位置にレジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃを、絶縁層４３の所定位置にレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃをそれぞれ形成した（図８（ｏ）参照）。
【００７２】
次に、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃをめっきマスクにして、めっき下地導電層をめっき電極にして電解銅めっきを行い、一方の面に導体層１５及びビア１６を、他方の面に導体層１７及びビア１８をそれぞれ形成した（図８（ｐ）参照）。
【００７３】
次に、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃを専用の剥離液で除去し、レジストパターン３４ａ、３４ｂ、３４ｃ及びレジストパターン３５ａ、３５ｂ、３５ｃ下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングで除去し、一方の面に配線層１５ａ及び配線層１５ｂを、他方の面に配線層１７ａ及び配線層１７ｂを形成し、キャパシタ下部電極１１ａがビア１６にて配線層１５ｂに、キャパシタ上部電極５１ａがビア１６にて配線層１５ａにそれぞれ電気的に接続されたキャパシタ１０内蔵の本発明の配線基板１００を得た（図８（ｑ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】従来の配線基板の一例を示す模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｈ）は、請求項２に係る本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図４】（ｉ）〜（ｎ）は、請求項２に係る本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図５】（ｏ）〜（ｒ）は、請求項２に係る本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｇ）は、請求項３に係る本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図７】（ｈ）〜（ｍ）は、請求項３に係る本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図８】（ｎ）〜（ｑ）は、請求項３に係る本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は、従来の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図１０】（ｈ）〜（ｌ）は、従来の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０、２０……キャパシタ
１１、１２、１３、１７……金属層
１１ａ……キャパシタ下部電極
１１ｂ、１１ｃ、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１５ａ、１５ｂ、１７ａ、１７ｂ、１９ａ、１９ｂ……配線層
１２ａ……開口部
１５、１７、１９……導体層
１４、１６、１８、２０ａ、２０ｂ……ビア
２１、２２……誘電体層
２１ａ……パターン化された誘電体層
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３７ａ、３７ｂ、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７３ａ、７５ａ、７５ｂ、７５ｃ……レジストパターン
３２ａ、３８……レジストパターン
４１、４２、４３、４４、４５……絶縁層
４１ａ、４２ａ、４３ａ、４５ａ、４５ｂ……ビア用孔
５１……導体層
５１ａ、１２ａ……キャパシタ上部電極
５１ｂ……引き出し電極
６１……保護支持体
７２ａ、７４ａ、７６ａ……レジスト層
【図１】
2007005593.tif 000003
【図２】
2007005593.tif 000004
【図３】
2007005593.tif 000005
【図４】
2007005593.tif 000006
【図５】
2007005593.tif 000007
【図６】
2007005593.tif 000008
【図７】
2007005593.tif 000009
【図８】
2007005593.tif 000010
【図９】
2007005593.tif 000011
【図１０】
2007005593.tif 000012