(57)【要約】【課題】本発明は、磁性体層を有するインダクタンス部品において、その信頼性の向上を目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、素体５と、この素体５内に形成されたコイル６Ａと、このコイル６Ａに電気的に接続された端子６Ｂ、６Ｃとを備え、素体５内にはコイル６Ａの巻回平面に略並行に配置された複数の磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを形成し、この複数の磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄにおける各磁性体層間には素体５の一部を介在させたインダクタンス部品。【選択図】図１
2007287904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、この素体内に形成されたコイルと、このコイルに電気的に接続された端子とを備え、前記素体内には前記コイルの巻回平面に略並行に配置された複数の磁性体層を形成し、この複数の磁性体層における各磁性体層間には前記素体の一部を介在させたインダクタンス部品。
【請求項２】
各磁性体層の厚みをスキンデプスの２倍未満にした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話の電源回路に用いられるインダクタンス部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のインダクタンス部品は、図４８に示すごとく、シート状の素体１内にはコイル２が形成され、このコイル２には端子３が電気的に接続されており、素体１の上面、下面には多層磁性体層４が形成されていた。
【０００３】
そして、この多層磁性体層４は、図４９に示すごとく、渦電流を防止するために磁性体層４Ａと絶縁層４Ｂとからなる多層構造により構成されていた。
【０００４】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−３１７６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来のインダクタンス部品はその信頼性の悪さが問題となっていた。
【０００６】
すなわち、上記従来の構成においては、半田実装時等における熱により、磁性体層４Ａと絶縁層４Ｂとの熱収縮率の違いから、磁性体層４Ａ、絶縁層４Ｂ間の密着性が悪くなり、その結果として信頼性が悪くなっていた。
【０００７】
そこで本発明は、磁性体層を有するインダクタンス部品において、その信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして、この目的を達成するために本発明は、素体と、この素体内に形成されたコイルと、このコイルに電気的に接続された端子とを備え、前記素体内には前記コイルの巻回平面に略並行に配置された複数の磁性体層を形成し、この複数の磁性体層における各磁性体層間には前記素体の一部を介在させたインダクタンス部品としたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のインダクタンス部品は、複数の磁性体層をそれぞれ素体内に形成する構成としたため、各磁性体層が素体にその全体を覆われるような構成となり、各磁性体層間はもちろんのこと、素体、磁性体層間の熱収縮率が異なっても、素体から磁性体層が剥離されるようなことがなく、高い信頼性を得ることができる。
【００１０】
また、複数の磁性体層における各磁性体層間には素体の一部を介在させる構成としたため、各磁性体層の厚みをスキンデプスの２倍未満にすることにより、渦電流を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１において、シート状の素体５内にはコイル６Ａを、このコイル６Ａの最外周部には図２に示すごとく端子６Ｂ、６Ｃを、コイル６Ａを構成する平面コイル６ＡＡ、６ＡＢ間には図１に示すごとくビア６Ｄを、それぞれ素体５内に形成するとともに、コイル６Ａの上方には複数の磁性体層７Ａ、７Ｂを、コイル６Ａの下方には複数の磁性体層７Ｃ、７Ｄを素体５内に形成している。そして、複数の磁性体層における各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ間には素体５の一部が介在するような構成としている。
【００１３】
ここで、複数の磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄはコイル６Ａの巻回平面に対して略並行に配置している。磁束の通り道に高透磁率の磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを配置するためである。
【００１４】
ここで、コイル６Ａは一層でも構わないが、本実施の形態においては２層の平面コイル６ＡＡ、６ＡＢにより構成している。上層の平面コイル６ＡＡは端子６Ｂから内周方向へ渦巻状に巻回され、この平面コイル６ＡＡの最内周部と下層の平面コイル６ＡＢの最内周部とをビア６Ｄにより接続し、この平面コイル６ＡＢを端子６Ｃへ向かう方向（外周方向）へ渦巻状に巻回してコイル６Ａを構成している。
【００１５】
ここで、平面コイル６ＡＡ、６ＡＢは互いに同方向に巻回することが望ましい。これは、平面コイル６ＡＡで発生した磁束と、下層である平面コイル６ＡＢで発生した磁束とを打ち消し合わせることなく、高いインダクタンス値を実現するためである。
【００１６】
ここで、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄの厚みは、渦電流の発生を抑制するために、それぞれスキンデプスの２倍未満の厚みにしている。
【００１７】
このように、複数の磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄをそれぞれ素体５内に形成する構成、即ち、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄが素体５にその全体を覆われるような構成としたため、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ間、あるいは素体５と磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄとの間の熱収縮率が異なっても、素体５から磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄが剥離されるようなことがなく、高い信頼性を得ることができる。
【００１８】
さらに、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄと接する素体５を熱収縮率が均一の材料で構成することにより、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄと素体５との間の熱収縮率の違いから発生する圧力が、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ全体において均一にかかるため、磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄと素体５との間において局所的に力が加わることによる信頼性の低下を防ぐことができる。
【００１９】
さらに、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ間に素体５の一部を介在させる構成としているため、それらの厚みをスキンデプス未満の厚みにすることにより、各磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ内での渦電流を防止することができる。
【００２０】
さらに、磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを複数層設けているため、その層数に比例して良好なＤＣ重畳特性を実現するとともに、高いインダクタンス値を実現することができる。
【００２１】
なお、本実施の形態においては、コイル６Ａの上方、下方にそれぞれ２枚の磁性体層７Ａ、７Ｂ、磁性体層７Ｃ、７Ｄを配置する構成としているが、それ以上の層数で構成することにより、より高い磁束飽和密度、インダクタンス値を得ることができる。また、コイル６Ａの上方と下方とで、形成する磁性体層の層数を異ならせてもかまわないが、上方、下方の一方に磁束が流れにくい部分があるとインダクタンス値が下がるため、同じ厚みの磁性体層を用いるのであれば、コイル６Ａの上方、下方とも同じ層数に、異なる厚みの磁性体層を用いるのであれば、その厚みの合計がコイル６Ａの上方と下方とで等しくなるように配置することが望ましい。
【００２２】
なお、コイル６Ａは単層でも構わないが、本実施の形態の図１に示すごとく平面コイル６ＡＡ、６ＡＢを２層以上積層させた構造とすることにより、より大きなインダクタンス値を実現することができ望ましい。
【００２３】
なお、コイル６Ａの断面は方形ではなく円形でもかまわないが、方形の方がコイル断面積を大きくとることができるため、銅損を低減することができるため望ましい。
【００２４】
なお、平面コイル６ＡＡ、６ＡＢの厚みを１０μｍ以上とすることにより大電流に対応することができ望ましい。
【００２５】
なお、磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄの材料としてはＦｅまたはＦｅ合金からなる組成の金属磁性材料が磁束密度、磁気損失の観点から好ましい。この磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７ＤにＦｅ合金を用いた場合、Ｆｅの組成比が３０質量％以上であることが望ましい。これは磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄに含まれるＦｅの含有量を３０質量％以上にすることで高飽和磁束密度を有し、かつ低保磁力を有するという磁気特性の向上を実現することができるためである。また、ニッケル量を８０％付近にすると高透磁率となり、大きなインダクタンス値を得ることができ望ましい。
【００２６】
また、磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄに用いるＦｅ合金としてはＦｅＮｉ，ＦｅＮｉＣｏ，ＦｅＣｏのうちいずれか一つを含む組成からなる金属磁性材料が高磁束密度、低磁気損失の観点からより好ましい。
【００２７】
磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄの作製には例えば電気めっき法が使用できる。
【００２８】
このとき、電気めっき工程に用いるめっき浴にはＦｅイオンあるいはその他の金属イオンを含有させておく。
【００２９】
なお、めっき浴の各種添加剤として、応力緩和剤、ピット防止剤、錯化剤を入れておくことが好ましい。この応力緩和剤としては例えばサッカリンが挙げられる。サッカリンは、スルホン酸塩を含有する物質であるため、その効果を発揮することができる。このような応力緩和剤を入れることで、磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを厚く形成してもクラックが発生しない均一性に優れた磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを形成することができる。例えば、応力緩和剤としてサッカリンを用いた場合、めっき浴中に０．１〜５ｇ／Ｌ含有させておくことでその効果は見られるが、電流密度等のめっき条件によって応力緩和作用を発揮する量は変化するので適宜条件設定をすることで制御することが可能である。
【００３０】
また、錯化剤としては各種金属イオンを安定化させるためにアミノ酸、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸をはじめとした有機分子や無機分子を含有させることで金属イオンと安定な錯体を形成することができる。
【００３１】
このようなめっき浴を用いて通常の電解めっき法によって鉄合金膜を形成するが、陽極を分離しためっき装置や磁場中でめっきを行う等の工夫をすることにより磁気特性に優れた鉄合金膜を形成することが可能となる。
【００３２】
次に、このインダクタンス部品の製造方法について説明する。
【００３３】
まず、図３に示すごとく、シリコン等の基板８を用意する。
【００３４】
次に、図４に示すごとく、この基板８上に、フォトレジストにより絶縁層９を形成する。
【００３５】
その後、図５に示すごとく、絶縁層９の上面全体を露光する。
【００３６】
次に、図６に示すごとく、絶縁層９の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１０を形成する。
【００３７】
その後、図７に示すごとく、絶縁層１０において磁性体層形成部１０Ａを除いた素体形成部１０Ｂの上面を露光する。ここで、磁性体層形成部１０Ａの面積をより広く取ることで、高いインダクタンス値を有するインダクタンス部品を実現することができる。
【００３８】
次に、図８に示すごとく、図７に示した磁性体層形成部１０Ａを現像により除去する。
【００３９】
その後、図９に示すごとく、絶縁層９及び素体形成部１０Ｂの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体１１を形成する。
【００４０】
なお、磁性体１１をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層９及び素体形成部１０Ｂの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体１２を形成することができるという利点と、製膜スピードが速いという利点がある。
【００４１】
次に、図１０に示すごとく、図９に示した磁性体１１を上方から研磨し、素体形成部１０Ｂを上面に露出させる。このとき、図７に示した磁性体層形成部１０Ａに該当する部分には磁性体１１が入り込んでおり、これが、図１に示す磁性体層７Ｄとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部１０Ｂを形成することができる。
【００４２】
その後、図１１に示すごとく、磁性体層７Ｄ、素体形成部１０Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１２を形成する。フォトレジストを用いることにより、平面均一性に優れ、且つ１０μｍ〜２０μｍ程度の薄い絶縁層１２を形成することができる。
【００４３】
次に、図１２に示すごとく、絶縁層１２の上面全体を露光する。
【００４４】
その後、図１３に示すごとく、絶縁層１２の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１３を形成する。
【００４５】
次に、図１４に示すごとく、絶縁層１３において磁性体層形成部１３Ａを除いた素体形成部１３Ｂの上面を露光する。ここで、磁性体層形成部１３Ａの面積をより広く取ることで、高いインダクタンス値を有するインダクタンス部品を実現することができる。
【００４６】
その後、図１５に示すごとく、図１４に示した磁性体層形成部１３Ａを現像により除去する。
【００４７】
次に、図１６に示すごとく、絶縁層１２及び素体形成部１３Ｂの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより磁性体１４を形成する。
【００４８】
なお、磁性体１４をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層１２及び素体形成部１３Ｂの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体１４を形成することができるという利点と、製膜スピードが速いという利点がある。
【００４９】
その後、図１７に示すごとく、図１６に示した磁性体１４を上方から研磨し、素体形成部１３Ｂを上面に露出させる。このとき、図１４に示した磁性体層形成部１３Ａに該当する部分には磁性体１４が入り込んでおり、これが、図１に示す磁性体層７Ｃとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部１３Ｂを形成することができる。
【００５０】
次に、図１８に示すごとく、磁性体層７Ｃ、素体形成部１３Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１５を形成する。
【００５１】
その後、図１９に示すごとく、絶縁層１５の上面全体を露光する。
【００５２】
次に、図２０に示すごとく、絶縁層１５の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１６を形成する。
【００５３】
その後、図２１に示すごとく、絶縁層１６におけるコイル形成部１６Ａ、端子形成部１６Ｂを除いた素体形成部１６Ｃの上面を露光する。
【００５４】
その後、図２２に示すごとく、図２１に示したコイル形成部１６Ａ、端子形成部１６Ｂを現像により除去する。
【００５５】
次に、図２３に示すごとく、絶縁層１５、素体形成部１６Ｃの露出する表面全体に下地電極層（図示せず）を無電解めっきなどにより形成し、この下地電極層（図示せず）を給電層として電気めっきにより導体１７を形成する。
【００５６】
なお、導体１７をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層１５及び素体形成部１６Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に導体１７を形成することができるという利点と、製膜スピードが速いという利点がある。
【００５７】
その後、図２４に示すごとく、図２３に示した導体１７を上方から研磨し、素体形成部１６Ｃを上面に露出させる。このとき、図２１に示したコイル形成部１６Ａ、端子形成部１６Ｂに該当する部分には導体１７が入り込んでおり、これらがそれぞれ図１に示す平面コイル６ＡＢ、端子６Ｃとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部１６Ｃを形成することができる。
【００５８】
次に図２５に示すごとく、平面コイル６ＡＢ、端子６Ｃ、及び素体形成部１６Ｃの上面全体に絶縁層１８を形成する。
【００５９】
その後、図２６に示すごとく、絶縁層１８におけるビア形成部１８Ａを除いた素体形成部１８Ｂの上面を露光する。
【００６０】
次に、図２７に示すごとく、ビア形成部１８Ａ、素体形成部１８Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層１９を形成する。
【００６１】
その後、図２８に示すごとく、絶縁層１９におけるコイル形成部１９Ａ、端子形成部１９Ｂを除いた素体形成部１９Ｃの上面を露光する。
【００６２】
次に、図２９に示すごとく、図２８に示したビア形成部１８Ａ、コイル形成部１９Ａ、端子形成部１９Ｂを現像により除去する。
【００６３】
その後、図３０に示すごとく、図２９に示した素体形成部１８Ｂ、１９Ｃの露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより導体２０を形成する。
【００６４】
なお、導体２０をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である素体形成部１８Ｂ、１９Ｃの露出する表面の形状によらず、均一に導体２０を形成することができるという利点と、製膜スピードが速いという利点がある。
【００６５】
次に、図３１に示すごとく、図３０に示した導体２０を上方から研磨し、素体形成部１９Ｃを上面に露出させる。このとき、図２８に示したコイル形成部１９Ａ、端子形成部１９Ｂ、ビア形成部１８Ａに該当する部分に入り込んだ導体２０が、それぞれ図１に示す平面コイル６ＡＡ、端子６Ｂ、ビア６Ｄとなる。
【００６６】
次に、図３２に示すごとく、平面コイル６ＡＡ、端子６Ｂ、素体形成部１９Ｃの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２１を形成する。
【００６７】
その後、図３３に示すごとく、絶縁層２１の上面を露光する。
【００６８】
次に、図３４に示すごとく、絶縁層２１の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２２を形成する。
【００６９】
その後、図３５に示すごとく、絶縁層２２における磁性体層形成部２２Ａを除いた素体形成部２２Ｂの上面を露光する。ここで、磁性体層形成部２２Ａの面積をより広く取ることで、高いインダクタンス値を有するインダクタンス部品を実現することができる。
【００７０】
次に、図３６に示すごとく、図３５に示した磁性体層形成部２２Ａを現像により除去する。
【００７１】
その後、図３７に示すごとく、図３６に示した絶縁層２１、素体形成部２２Ｂの露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより磁性体２３を形成する。
【００７２】
なお、磁性体２３をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層２１及び素体形成部２２Ｂの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体２３を形成することができるという利点と、製膜スピードが速いという利点がある。
【００７３】
次に、図３８に示すごとく、図３７に示した磁性体２３を上方から研磨し、素体形成部２２Ｂを上面に露出させる。このとき、図３５に示した磁性体層形成部２２Ａに該当する部分には磁性体２３が入り込んでおり、これが、図１に示す磁性体層７Ｂとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部２２Ｂを形成することができる。
【００７４】
その後、図３９に示すごとく、磁性体層７Ｂ及び素体形成部２２Ｂの上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２４を形成する。
【００７５】
次に、図４０に示すごとく、絶縁層２４の上面を露出する。
【００７６】
その後、図４１に示すごとく、絶縁層２４の上面全体に、フォトレジストにより絶縁層２５を形成する。
【００７７】
次に、図４２を示すごとく、絶縁層２５における磁性体層形成部２５Ａを除いた素体形成部２５Ｂの上面を露光する。ここで、磁性体層形成部２５Ａの面積をより広く取ることで、高いインダクタンス値を有するインダクタンス部品を実現することができる。
【００７８】
次に、図４３に示すごとく、図４２に示した磁性体層形成部２５Ａを現像により除去する。
【００７９】
その後、図４４に示すごとく、図４３に示した絶縁層２４、素体形成部２５Ｂの露出する表面に無電解めっき等により下地層（図示せず）を形成した後、電気めっきにより磁性体２６を形成する。
【００８０】
なお、磁性体２６をスパッタで形成する場合には、下地電極層（図示せず）は不要となる。ただし、電気めっき法を用いると、被形成体である絶縁層２４及び素体形成部２５Ｂの露出する表面の形状によらず、均一に磁性体２６を形成することができるという利点と、製膜スピードが速いという利点がある。
【００８１】
次に、図４５に示すごとく、図４４に示した磁性体２６を上方から研磨し、素体形成部２５Ｂを上面に露出させる。このとき、図４２に示した磁性体層形成部２５Ａに該当する部分には磁性体２６が入り込んでおり、これが、図１に示す磁性体層７Ａとなる。この研磨方法としては、切削やＣＭＰ法を用いることにより、平坦な素体形成部２５Ｂを形成することができる。
【００８２】
その後、図４６に示すごとく、磁性体層７Ａと素体形成部２５Ｂの上面全体にフォトレジストにより絶縁層２７を形成する。
【００８３】
次に、図４７に示すごとく、図４６に示した基板８をフッ酸処理等により除去する。
【００８４】
その後、図１に示すごとく、樹脂と金属の混合物からなるペーストを外部電極６ＣＣ、６ＢＢとし、端子６Ｃ、６Ｂにそれぞれ電気的に接続する。
【００８５】
このようにして、磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ間に素体５の一部を介在させた状態で、それぞれの磁性体層７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄを素体５内に形成する、高い信頼性を実現したインダクタンス部品を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明のインダクタンス部品は、信頼性が高いという特徴を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の分解斜視図
【図３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図１９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図２９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３８】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図３９】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４０】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４２】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４３】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４４】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４５】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４６】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４７】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の製造工程を示す断面図
【図４８】従来のインダクタンス部品の断面図
【図４９】従来のインダクタンス部品における多層磁性体層の断面図
【符号の説明】
【００８８】
５  素体
６Ａ  コイル
６Ｂ、６Ｃ  端子
７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ  磁性体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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