(57)【要約】【課題】明るく、表示品位の高い有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板上に、複数のアクティブ素子と、アクティブ素子によって制御されることにより発光する複数の有機ＥＬ素子とを有し、有機ＥＬ素子は基板側から、下部電極、有機層及び上部電極ＣＤがこの順で積層されており、複数の有機ＥＬ素子の上部電極ＣＤは全ての有機ＥＬ素子で共通の電極であり、上部電極ＣＤと有機層との間に電極を備えさせ、その電極を挟む上部電極ＣＤ上の２点間のシート抵抗を、その金属電極を挟まない２点間のシート抵抗よりも低くなるようにする。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数のアクティブ素子と、アクティブ素子によって制御されることにより多階調で発光する複数の有機ＥＬ素子と、を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記有機ＥＬ素子は基板側から下部電極、有機層を含む機能層及び上部電極がこの順で積層されており、
該複数の有機ＥＬ素子の上部電極は全ての有機ＥＬ素子に対して共通の電極であり、
前記上部電極と前記機能層との間には、上部電極よりも導電率の高い材料で構成された補助電極が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
基板上に、複数のアクティブ素子と、アクティブ素子によって制御されることにより発光する複数の有機ＥＬ素子と、を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記有機ＥＬ素子は基板側から、下部電極、有機層を含む機能層及び上部電極がこの順で積層されており、
該複数の有機ＥＬ素子の上部電極は全ての有機ＥＬ素子で共通の電極であり、
前記上部電極と前記有機層との間に金属電極を備え、
その金属電極を挟む上部電極上の２点間のシート抵抗は、その金属電極を挟まない２点間のシート抵抗よりも低いことを特徴とする有機EL表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記下部電極と前記有機層の間には、絶縁膜を備え、
前記絶縁膜と重畳する位置に、前記補助電極を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記補助電極は、前記複数の有機ＥＬ素子間に配置されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記補助電極は、前記下部電極の間に配置されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１又は２において、
前記複数の有機ＥＬ素子は、マトリクス状に配置され、
前記補助電極は、画面の行又は列方向に延在することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１又は２において、
前記補助電極が、有効表示領域の外側に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記補助電極の少なくとも一部が、有効表示領域の外側で前記有機層よりも下層の配線と接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記接続部において、前記補助配線の上方には、前記上部電極を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記下層の配線は、前記下部電極と同層の電極が前記配線との間に介在することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかにおいて、
前記補助電極の接続部の下方には、前記アクティブ素子のソース電極又はドレイン電極と同層の配線であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項１、２、８から１１のいずれかにおいて、
前記上部電極は、透明導電膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記透明導電膜は、光透過性の金属薄膜、ＩＴＯ、ＩＺＯ又はＺｎＯを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
請求項１、２、８から１３のいずれかにおいて、
前記下部電極は、光不透過性の金属薄膜を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置
【請求項１５】
請求項１４において、
前記下部電極は、光不透過性の金属薄膜の上に透明導電膜を積層した構造を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置
【請求項１６】
基板上に、有機ＥＬ素子と、垂直系駆動回路と、走査線と、該垂直系駆動回路と該走査線とにより各画素にデータ信号を取り込む第１アクティブ素子と、該第１アクティブ素子によって各画素に取り込まれたデータ信号によって有機ＥＬ素子に流す電流量を制御する第２アクティブ素子と、を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記有機ＥＬ素子は基板側から金属電極を含む下部電極、有機層及び光透過性の上部電極がこの順で積層されており、
前記アクティブ素子と前記下部電極の間に、第１絶縁膜が形成され、
前記垂直系駆動回路と前記走査線の上方であって、前記下部電極の外縁及び前記第１絶縁膜との間の位置に、下部電極上に開口を備えた第２絶縁膜が形成され、
前記有機層は、前記開口及び第２絶縁膜上に形成され、
前記上部電極は、前記開口の上方に配置され、かつ、複数の画素に共通して形成され、
前記上部電極と有機層との間であって、前記第２絶縁膜と重畳する位置に、上部電極の上方より測定した２点間のシート抵抗を高める金属電極を有することを特徴とする有機EL表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
トップエミッション型（以下、「ＴＥ型」と称する。）のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置（以下、「ＡＭ−ＯＬＥＤ」と称する。）は、先行開発品のボトムエミッション型（以下、「ＢＥ型」と称する。）のＡＭ−ＯＬＥＤと大きく異なる部分が発光の取り出し方向である。
【０００３】
ＢＥ型ＡＭ−ＯＬＥＤは、マトリクス状に配置された各画素ＰＸＬをアクティブ素子で駆動するアクティブマトリクス基板（以下、「ＴＦＴ基板」と称する。）上に、ＴＦＴ基板側の下部電極、有機層で構成された発光層を含む機能層ＯＬＢＦ、上部電極ＣＤの積層構造を備えた構造（以下、「有機EL素子」と称する。）を備え、その下部電極として透明導電膜であるＩＴＯを画素ＰＸＬ毎に形成し、このＩＴＯ上に形成した発光層へ流れ込む電流をアクティブ素子で制御することにより、表示を行う。発光層から生じた光はＴＦＴ基板側に取り出されるため、発光層の上に形成される上部電極ＣＤは高い反射特性を備えた金属を有効表示領域ＡＲ前面に一括形成した構造となっている。この高い反射特性を備えた金属はシート抵抗が低いため、各画素ＰＸＬの共通電極として十分に駆動回路へ電位を回帰できるようになっている。
【０００４】
一方、ＴＥ型のＡＭ―ＯＬＥＤでは、発光層の発光をＴＦＴ基板側ではなく、上部電極ＣＤ側に取り出すので、下部電極を反射特性を備えた金属とし、上部電極ＣＤを透明導電膜とする必要がある。ここでいう、透明導電膜とは、一般的に透明導電膜と称される、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＺｎＯといった、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ系酸化膜だけでなく、薄膜Ａｇ、薄膜Ａｌも含めるものとする。これらの透明導電膜によって形成された電極は、シート抵抗が高いために、上部電極ＣＤとして、有効表示領域ＡＲの全面に一括形成しただけでは、電位勾配を生じてしまい、画面内の輝度傾斜が発生する。
【０００５】
特許文献１と２には、発光取り出し側の透明導電膜の電気抵抗を見かけ上低減する為に、透明導電膜を金属補助電極によりある程度微小な領域に分割することが開示されている。特許文献１には、下部電極間の絶縁膜であるバンクの下であって、下部電極と同層、かつ分離された補助配線を設け、さらにその補助配線と上部電極ＣＤをコンタクトホールによって接続させた構造が開示されている。特許文献２には、有機ＥＬ素子の上部電極ＣＤの上層であって、バンクと重畳する領域に補助配線を設けることが開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２３００８６号公報
【特許文献２】特開２００２−３１８５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１は、補助電極と有機ＥＬ素子の下部電極よりも下層の引き回し配線との間をコンタクトホールによって接続している。コンタクトホール内に発光層を含む有機ＥＬ素子の機能層ＯＬＢＦの一層が形成されると、電気的な接続ができなくなるため、コンタクトホールの近傍には機能層ＯＬＢＦ形成ズレ分以上の非形成領域を設ける必要がある。つまり、特許文献１の技術によれば、開口率（１画素ＰＸＬ当たりの発光面積（バンク開口面積）の１画素ＰＸＬの全面積に対する割合）を低くせざるを得なかった。
【０００７】
特許文献２は、補助電極が上部電極ＣＤの上、つまり、特許文献１よりも表示面に近い位置に補助電極が形成されるので、補助電極と下部電極との反射特性差により、画面上に補助電極の反射がはっきりとした模様となって見えてしまう。
【０００８】
本発明の目的は、明るく、まだ画面上の輝度ムラの少ないＴＥ型ＡＭ−ＯＬＥＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記した目的を達成するため、例えば以下の手段を採用する。
有機ＥＬ素子がＴＦＴ基板側から、下部電極、有機発光層を含む機能層ＯＬＢＦ、上部電極ＣＤの順で積層された構造を備えたＴＥ型のＡＭ−ＯＬＥＤにおいて、上部電極ＣＤを全ての有機ＥＬ素子で共通の電極、つまり、ベタ電極とし、その上部電極ＣＤと機能層ＯＬＢＦとの間に、上部電極ＣＤよりも導電率の高い材料で構成された補助電極を形成するようにする。
【００１０】
また、別の表現をするならば、そのような構造を採用する場合に、ベタ電極である上部電極ＣＤと機能層ＯＬＢＦとの間に補助電極を形成し、その補助電極が挟まれる上部電極ＣＤ上の２点間のシート抵抗を、補助電極を挟まない上部電極ＣＤ上の２点間のシート抵抗よりも低いようにする。
【００１１】
このように、補助電極として上部電極ＣＤよりも抵抗値の低い金属を用い、上部電極ＣＤと合わせた機能層ＯＬＢＦよりも上の電極全体のシート抵抗を下げることにより、面内における電圧降下を抑制できる。
【００１２】
この補助電極を上部電極ＣＤと機能層ＯＬＢＦの間、具体的には、上部電極ＣＤの直下で、上部電極ＣＤに電気的に接続される構造を採用することにより、表示面までの間に上部電極ＣＤが挟まれるので、補助電極の反射光がぼやけることになるので、補助電極の反射による画面上の輝度ムラが減り、表示品位を向上する。
【００１３】
この補助電極の形状、構造、形成位置等として好適な態様は次の通りである。
（１）法線方向の構造：バンク上
下部電極と機能層ＯＬＢＦの間に、通常、「バンク」と呼ばれる画素ＰＸＬを区画する絶縁膜を備えた構造を採用する場合、このバンクと重畳する位置に形成することが好ましい。このバンクは非発光領域であり、開口率（発光面積/画素ＰＸＬの全面積）を高いまま維持できる。また、補助電極が機能層ＯＬＢＦに食い込んだ場合、その補助電極のエッジに電界が集中し、補助電極と下部電極との間にリーク電流が生じる可能性があるが、バンクの上であれば、バンクから露出している下部電極との距離が遠いので、リーク電流がほとんど生じない。
【００１４】
この配置を言い換えると、下部電極、バンク、機能層ＯＬＢＦの少なくとも一層、補助電極、上部電極ＣＤの順に積層された構造Ａと、下部電極の下層の絶縁膜、バンク、機能層ＯＬＢＦの少なくとも一層、補助電極、上部電極ＣＤの順に積層された構造Ｂとを備えた構造ともいうことができる。ただ、この構造Ａ、Ｂにおける積層体で、「機能層ＯＬＢＦの少なくとも一層」としているのは、塗りわけ蒸着を行う場合に、蒸着ズレから、バンクの上に蒸着を行わない領域が生じる可能性が生じるがあるからである。ただし、逆に、通常、少なくともベタ蒸着を行う層が一層は存在するので、少なくとも一層の機能層ＯＬＢＦは介在する。
【００１５】
（２）平面配置：発光領域間（画素ＰＸＬ間）
補助電極の平面位置として好ましいのは、各画素ＰＸＬの発光領域の間である。この領域は非発光領域であるので、開口率（1画素ＰＸＬ当たりの発光面積/1画素ＰＸＬの面積）を高いまま維持できる。別の表現をするならば、隣接する有機ＥＬ素子間の領域、下部電極の間の領域ともいえる。また、配線のレイアウトによっては、ソース電極層の配線（垂直系駆動回路ＶＤＲＶ、電流供給線、制御線）と重畳する領域、ゲート電極層の配線（走査線、電流供給線、制御線）と重畳する領域がこれらの領域に相当する。また、後述するようにこれらの領域はより高い平坦度がバンクの上に得られる可能性が高い。
【００１６】
（３）形状及び平面レイアウト
有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されている場合、画面の行又は列方向に延在するようにすれば、垂直系駆動回路ＶＤＲＶ、電流供給線といった列方向の配線や、走査線等の行方向の配線と重畳させることができる。有機物の平坦層を補助電極の下層の絶縁膜に用いた場合でも、緩和された凹凸があり、また、無機絶縁膜を用いた場合にあっては、補助配線の下層には大きな凹凸ができる。これらの配線は複数の画素ＰＸＬに跨って平坦な面が伸びているため、比較的凹凸が小さく、均一な厚みの電極が形成しやすい。
【００１７】
（４）有効表示領域ＡＲ外の配線レイアウト
補助電極を有効表示領域ＡＲ（発光画素ＰＸＬの全領域）の外側に形成すれば、上部電極ＣＤを介さないでも、共通電圧ＶＣＯＭを印加できるようになったり、また、開口率を犠牲にしない補助電極の平面レイアウトが可能になるので、設計自由度を向上させることができる。また、有効表示領域ＡＲのいろいろな方向から共通電圧ＶＣＯＭを供給できるようになるので、電圧降下を効果的に抑制できる。具体的には、有効表示領域ＡＲの列方向（ドレインドライバと称される垂直系駆動回路ＶＤＲＶが存在する方向、いいかえると垂直系駆動回路ＶＤＲＶが延在する方向）、行方向（ゲートドライバと称される水平系駆動回路ＨＤＲＶが存在する方向、いいかえると走査線が延在する方向）の外側に配置することが好ましく。最も、電圧降下を抑制できるのは枠状にして全画素ＰＸＬを囲む形状である。
【００１８】
（５）共通電圧ＶＣＯＭの供給構造
この補助電極を有効表示領域ＡＲの外側で機能層ＯＬＢＦよりも下層の配線と接続すると、高抵抗の上部電極ＣＤを介さずに、よりシート抵抗の低い補助電極で画面に共通電圧ＶＣＯＭを供給できるので、有効表示領域ＡＲでの電圧降下を抑制できる。
【００１９】
（６）共通電圧ＶＣＯＭの安定供給構造１
（５）の接続部で、補助電極の上方にも上部電極ＣＤを備えさせれば、機能層ＯＬＢＦ全体を被うように配置できるので、保護層、封止層としても機能させることができる。また、補助電極及び補助電極に接続される配線の酸化抑制膜、保護層としても、機能させることができる。
【００２０】
（７）共通電圧ＶＣＯＭの安定供給構造２
上部電極ＣＤに対して共通電圧ＶＣＯＭを印加する電極を配置する層としては、アクティブ素子のソース電極と同層とすることが好ましい。アクティブ素子のチャンネルを低温ポリシリコンで構成する場合、ゲート電極はエキシマレーザなどによりアニ−ルする。そのため、タングステン、チタン、モリブデンといった高融点金属をゲート電極層に用いる。これらの高融点金属は抵抗が高い。アクティブ素子のソース電極と同層、同材料の配線は、通常、アルミニウム合金などの抵抗の小さな材料を用いている。このソース電極層を形成した後ではレーザアニ−ル工程のようなアルミニウム合金を溶かす高温プロセスは存在しないため、採用できるのである。したがって、共通電圧ＶＣＯＭの低下を抑制するためには、配線抵抗の小さなソース電極層を用いることが好ましい。ただし、ゲート電極と同層の配線に接続することもできる。ただし、この場合、配線の抵抗は多少高くなるが、この層も用いれば、配線の引き回し自由度は向上する。
【００２１】
（８）共通電圧ＶＣＯＭの安定供給構造３
ソース電極層と補助配線層との間には厚い絶縁膜が形成される。そのため、大きなコンタクトホールを形成しなければ、ソース電極との電気的な接続を安定的に得ることはできない。そこで、共通電圧ＶＣＯＭの安定供給の観点からは、上部電極ＣＤと下部電極よりも下の配線との間に、下部電極に含まれる電極層と同層で同材料の電極を介在させて、それら両電極と接続した構造が好ましい。
【００２２】
（９）発光タイプと電極の材質、厚さ
補助配線を用いて最も効果のある構造は、ＴＥ型であり、本発明者らは上部電極ＣＤとして、透明導電膜、つまり、銀やアルミニウムといった低抵抗金属を光が透過する程薄く形成した金属薄膜や、ＩＴＯ、ＩＺＯ又はＺｎＯといった電極が好ましく、下部電極としては、光が実質的に透過しない程厚い金属電極を用いることが好ましいと考える。
【００２３】
また、光透過性電極としては、ＩＴＯ，ＩＺＯ、ＺｎＯ、金属薄膜を採用することが好ましい。この構造によって、開口率を犠牲にしないで、面内の斑模様等の画面上の輝度ムラを抑制できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、高い開口率を維持しつつ、面内の輝度ムラ、反射特性の不均一性を緩和できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本実施例を説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は、有機ＥＬ表示装置の外観斜視図である。図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。図２（Ａ）は、図１のＡ-Ａ’における断面図である。図２（Ｂ）は、図１のＢ-Ｂ’における断面図である。有機ＥＬ素子やアクティブ素子が形成されたＴＦＴ基板であると、第１基板ＳＵＢ１の有機ＥＬ素子上を封止する第２基板ＳＵＢ２と、これら第１基板ＳＵＢ１の封止構造体が搭載された前フレームＦＦ及び裏フレームＢＦと、第１基板ＳＵＢ１に接続されたフレキシブル回路基板ＦＰＣ１と、フレキシブル回路基板ＦＰＣ１に接続された第３基板ＳＵＢ３とを備えた構造をしている。
【００２７】
前フレームＦＦには、開口が設けられている。この開口は第１基板ＳＵＢ１上の有機ＥＬ素子が形成された有効表示領域ＡＲよりも一回り大きく、第２基板ＳＵＢ２を介して有機ＥＬ素子の下部電極が見える（機能層ＯＬＢＦは透明なので視認は不可能）ようになっている。また、材質はステンレスや鉄系合金により構成されている。ただし、プラスチックでも構わない。
裏フレームＢＦは、前フレームＦＦと同様に、ステンレスや鉄系合金により構成されている。これも、プラスチックでも構わない。前フレームＦＦと裏フレームＢＦとはスナップフィットを用いてはめ合わされて、一定の空間を保持している。この保持された空間に、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、光学フィルムＯＦが格納されている。
【００２８】
図３に第１〜３基板ＳＵＢ1〜３のブロック図を示す。また、図４は、第１基板ＳＵＢ１上のブロック構成図である。第１基板ＳＵＢ１は、接着剤によって裏フレームＢＦ（図２）に固定されている。第１基板ＳＵＢ１上に、半導体ＩＣで構成された垂直系駆動回路ＶＤＲＶがＣＯＧで搭載され、フレキシブル回路基板ＦＰＣ１が端子ＰＡＤに接続されている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１にスペーサを混ぜたシール剤によって第１基板ＳＵＢ１に固定されている。この第２基板ＳＵＢ２は、表示面と第１基板ＳＵＢ１との間に配置された基板であるので、光透過性の基板である。具体的には、ガラスで構成されている。この第２基板ＳＵＢ２には凹部が形成され、その空間には光透過性の乾燥剤が塗布されている。ただし、乾燥剤が塗布されていない場合、樹脂で充填してもよい。
【００２９】
第３基板ＳＵＢ３は、第２基板ＳＵＢ２の裏面に固定され、フレキシブル基板の逆側の端子がこの第３基板ＳＵＢ３の端子に接続されている。また、この第３基板ＳＵＢ３には、有機ＥＬ素子の駆動電源として機能するＯＬＥＤ電源回路と、低温ポリシリコンで構成された薄膜トランジスタを駆動するＬＴＰＳ電源回路と、階調信号やタイミング信号を出力するタイミング制御回路とを有している。これらはフレキシブル基板ＦＰＣ１を介して第１基板ＳＵＢ１に供給されている。
【００３０】
図２に示した光学フィルムＯＦは、前フレームＦＦ側から、静電・反射防止層、直線偏光層、接着層、λ／２位相板、接着層、λ／４位相板、接着層、視角補償層、接着層、コレステリック液晶層、接着層、保護層の積層構造となっている。なお、視角補償層はコレステリック液晶層による透過光の視角依存性を補償する層である。この光学フィルムＯＦは、直線偏光板と２層の位相板により円偏光板を構成し、コレステリック液晶層によって偏光分離フィルムを構成し、この偏光分離フィルムによる視角依存性の補償を視角補償層によって行っている。光学フィルムＯＦは、第１基板ＳＵＢ１に接着され、また、前フレームＦＦと裏フレームＦＲとの嵌め合わせによる力で固定されている。
図４において、第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰＡＤ、垂直系駆動回路ＶＤＲＶ、第１電流供給バスラインＣＳＢＬ１、第２電流供給バスラインＣＳＢＬ２、カソードバスラインＣＢＬ、水平系駆動回路ＨＤＲＶ、水平系駆動回路ＨＤＲＶ用信号ライン、カソードコンタクトＣＣＨ、有効表示領域ＡＲ（図３）が存在する。パッドＰＡＤは、フレキシブル基板ＦＰＣ１と接続される。
【００３１】
垂直系駆動回路ＶＤＲＶは、前述の通り、ＣＯＧ実装され、映像信号、電源、タイミング信号等の信号Ｓｉｇの供給をパッドＰＡＤを介して受け取り、垂直方向に延在している垂直系駆動回路ＶＤＲＶを介して階調データを有効表示領域ＡＲにある画素ＰＸＬ（図７で後述）へ供給する。また、垂直系駆動回路ＶＤＲＶは、水平系駆動回路ＨＤＲＶと三角波発生回路ＳＧＥＮに対して。タイミング信号、ＬＴＰＳ電源、信号電源、垂直系駆動回路ＶＤＲＶとの同期を行う同期信号を供給する。
【００３２】
カソードバスラインＣＢＬは、後述する有機ＥＬ素子の上部電極ＣＤに供給する共通電圧（ＶＣＯＭと称する）が印加されている。そして、これはパッドＰＡＤから垂直系駆動回路ＶＤＲＶの両脇を垂直方向に引き回され、垂直系駆動回路ＶＤＲＶと有効表示領域ＡＲの間で水平方向に引き回され、左右つながっている。また、このカソードバスラインＣＢＬは水平系駆動回路ＨＤＲＶ及び三角波発生回路ＳＧＥＮのそれぞれと有効表示領域ＡＲの間、つまり、有効表示領域ＡＲの行方向の外側領域を垂直方向に引き回され、有効表示領域ＡＲの下側（垂直系駆動回路ＶＤＲＶの対向する辺）でさらに水平方向に引き回されて左右つながっている。ただし、図４ではこの部分は省略してある。詳細は図５を用いて後述する。
【００３３】
第１電流供給バスラインＣＳＢＬ１は、パッドＰＡＤから垂直系駆動回路ＶＤＲＶの両脇を垂直方向に引き回され、カソードバスラインＣＢＬと有効表示領域ＡＲの間を水平方向に引き回されて左右つながっている。第１電流供給バスラインＣＳＢＬ１は、図４の上下方向、つまり、垂直系駆動回路ＶＤＲＶが延在する方向に沿って形成され、その方向に沿って並んでいる画素ＰＸＬに電流を供給する電流供給ラインＣＳＬが接続されている。有効表示領域ＡＲの４辺に対してカソードコンタクトＣＨが形成され、このカソードコンタクトＣＨＣＤで上部電極ＣＤと接続され、上部電極ＣＤに対して共通電圧ＶＣＯＭを供給している。このカソードコンタクトＣＨにおける接続構造は後述する。
【００３４】
第２電流供給バスラインＣＳＢＬ２は、パッドＰＡＤから垂直系駆動回路ＶＤＲＶの両脇を引き回され、さらに水平系駆動回路ＨＤＲＶ及び三角波発生回路ＳＧＥＮの外側を垂直方向に引き回され、さらに、有効表示領域ＡＲの下側へ水平方向に引き回され、左右つながっている。
【００３５】
水平系駆動回路ＨＤＲＶは、一般にゲートドライバと呼ばれる回路で、本実施例ではＬＴＰＳで基板上に内蔵されている。また、本実施例の場合、一画素ＰＸＬ行当たり３本の走査線が水平系駆動回路ＨＤＲＶから水平方向（行方向）に延在している。
【００３６】
三角波発生回路は、本出願人が先に開発した画素ＰＸＬ回路に必要な回路で、１フレーム当たり１つの三角波を供給する回路である。
【００３７】
これらの駆動回路や三角波発生回路は、本出願人が先に出願した特願２００６−５１３４６号、特に、該出願の図２３乃至２５に記載されたものと駆動波形を用いる。詳細な説明はその出願内容に記載されているので、ここに相互参照するものとし、敢えて本明細書では説明しない。
【００３８】
図５に、第１基板ＳＵＢ１の層構造を示す。第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板ＳＵＢ、下地層ＵＣ、ポリシリコン層ＦＧ、第１絶縁層ＧＩ、第１電極層ＳＧ、第２絶縁層ＩＬＩ１、第２電極層ＳＤ、第３絶縁層ＩＬＩ２、第３電極層ＡＤ、第４絶縁層ＢＡＮＫ、機能層ＯＬＢＦ、第４電極層ＳＵＰ、第５電極層ＣＤが順に形成された構造である。
【００３９】
下地層ＵＣは、ガラス基板ＳＵＢ上に形成され、ＳｉＯとＳｉＮの積層膜である。この積層膜は、ガラスから拡散するＮａをポリシリコン層ＦＧに拡散させないようにする拡散防止膜であり、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）により形成する。
【００４０】
次に、ガラス基板ＳＵＢ上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン層ａ−Ｓｉを形成する。次に、膜全面をエキシマレーザでレーザアニールすることによって、ａ−Ｓｉを結晶化し、多結晶シリコンｐ−Ｓｉで構成されたポリシリコン層ＦＧを形成する。
【００４１】
次に、ポリシリコン層ＦＧを、ドライエッチングでパターン化し、トランジスタのチャンネル（活性層）領域を形成する。次に、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）を用い第１絶縁層ＧＩを膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜で形成した。この第１絶縁層ＧＩは、ゲート絶縁膜として機能する。
【００４２】
次に、第１電極層ＳＧとして膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングする。このパターニングで薄膜トランジスタのゲート電極、前述した水平系駆動回路ＨＤＲＶと三角波発生回路ＳＧＥＮから水平方向に延在する配線、その他の配線を形成する。なお、この配線はＭｏＷでも構わない。
【００４３】
次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜の上部から、パターン化されたポリシコン層にｎイオンを注入する。上部にゲート電極がある領域にはｎイオンが注入されず、活性層となる。
【００４４】
次に、第１基板ＳＵＢ１を不活性Ｎ2雰囲気下で、加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにする。その上に、第２絶縁層ＩＬＩ１として窒化シリコン(ＳｉＮX)膜を成膜した。膜厚は２００ｎｍである。
【００４５】
次に、活性層の両端上部の第１絶縁層ＧＩ及び第２絶縁層ＩＬＩ１に、コンタクトホールを形成した。さらに、第２絶縁層ＩＬＩ１にコンタクトホールを形成した。その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌで構成された第２電極層ＳＤを形成する。ホトリソグラフィ工程によりパターニングすることにより、垂直系駆動回路ＶＤＲＶや電流供給線ＣＳＬなど垂直に延びる配線や、カソードバスラインＣＢＬ、薄膜トランジスタのソースドレイン電極などを形成する。また、コンタクトホールを介して第１電極層ＳＧやポリシリコン層ＦＧと接続する。
【００４６】
次に、第３絶縁層ＩＬＩ２としてＳｉＮX 膜を成膜した。膜厚は５００ｎｍである。薄膜トランジスタのソース電極上にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌの上にＩＴＯが積層された第３電極層ＡＤを形成する。さらに、ホトリソグラフィ法を用いてこの第３電極層をパターニングすることで有機ＥＬ素子の下部電極ＡＤ１、カソードバスラインＣＢＬ上のカソードコンタクトＣＨの中継電極（パッド）ＡＤ２を形成する。
【００４７】
これらの駆動回路や三角波発生回路は、本出願人が先に出願した特願２００６−５１３４６号、特に、該出願の図１２乃至２２に記載されたものを用いる。詳細な説明はその出願内容に記載されているので、ここに相互参照するものとし、敢えて本明細書では説明しない。
【００４８】
次に、第４絶縁層ＢＡＮＫとして、スピンコート法を用い、ポジ型感光性保護膜を形成し、ベーク処理を行った。第４絶縁層ＢＡＮＫの膜厚は１μｍで、下部電極のエッジを３μｍ覆った。また、カソードコンタクトＣＨの周りも覆っている。この第４絶縁層ＢＡＮＫはバンクと称される層である。
【００４９】
図６に、有機ＥＬ素子の概念図を示す。下部電極ＡＤ１の上に、ホール注入層ＨＩＬ、ホール輸送層ＨＴＬ、有機発光層ＯＬＥ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬ、バッファ層ＢＦ、上部電極ＣＤが積層された構造である。まず、下部電極ＡＤ１まで形成したガラス基板ＳＵＢをアセトン，純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行う。洗浄後、スピン乾燥させる。次に二元同時真空蒸着法にて、膜厚５０ｎｍのＦ４−ＴＣＮＱと銅フタロシアニンの共蒸着膜を形成する。パターン形成はシャドウマスクを用いる。Ｆ４−ＴＣＮＱと銅フタロシアニンのモル比は１：１とする。この共蒸着膜は正孔注入層ＨＩＬとして機能する。
【００５０】
次に、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成する。パターン形成はシャドウマスクを用いる。蒸着領域は下部電極の各辺の１.２倍とする。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層ＨＴＬとして機能する。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑと略記）とキナクリドン（以下Ｑｃと略記）の共蒸着膜を形成した。蒸着速度を、４０：１に制御して蒸着する。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層ＥＭＬとして機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いる。
【００５１】
その上に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌｑ膜を形成する。Ａｌｑ膜は、電子輸送層ＥＴＬして機能する。パターン形成はシャドウマスクを用いる。次に、電子注入層ＥＩＬとして、二元同時真空蒸着法にてＬｉをドーピングしたＡｌｑ膜を１０ｎｍ形成する。ＡｌｑとＬｉのモル比は１：１とする。パターン形成はシャドウマスクを用いる。バッファ層ＢＦは、酸化バナジウムをＥＢ蒸着により成膜する。膜厚は１５ｎｍとする。パターン形成は、シャドーマスクを用いる。蒸着後の酸化バナジウムの組成は、バナジウム１に対し酸素が２.２の比率であり、透過率は９５％である。なお、このバッファ層は、ＺｎＯ，ＳｎＯ2，ＷＯ3，ＭｏＯ3，Ｖ2Ｏ5 のいずれかを材料としてもよい。これらは上部電極ＣＤ材料よりも成膜時に分解生成する酸素が少ない酸化物を主成分とする層である。
【００５２】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＡｌで第４電極層ＳＵＰを形成する。そして、パターニングすることにより、補助電極を形成する。このレイアウトは、後述する。また、この第４電極層ＳＵＰは、Ａｌでなく、Ｃｕや、これらの合金であってもかまわず、第５電極層ＣＤよりも抵抗が小さく、このパターニングされた補助電極を挟んで第５電極上からシート抵抗を測定した場合、挟まない２点間シート抵抗よりも、挟んだ２点間の方が低いシート抵抗値を示すように形成されていればよい。
【００５３】
次に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を第４電極層ＳＵＰとして形成する。同膜は上部電極ＣＤ１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３ であるターゲットを用いる。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ2 混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタクリング出力を０.２Ｗ／cm2とする。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極ＣＤは陰極として機能し、その透過率は８０％である。
【００５４】
次に、スパッタング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯxＮy膜を形成した。同膜は保護層として機能する。なお、この保護膜は図中省略してある。なお、ここで言う正孔注入層ＨＩＬとは、陽極である下部電極ＡＤと正孔輸送層ＨＩＬの注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料が望ましい。具体的には、鋼フタロシアニン，スターパーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン等が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。また正孔注入層はホール供与性のドーパントがドーピングされていることが望ましい。ホール供与性のドーパントは具体的には２，３，５，６−テトラフルオローテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ），塩化鉄，ジシアノジグロロキノンが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５５】
ここで言う正孔輸送層ＨＴＬとは、正孔を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔移動度が高いことが望ましい。また、化学的に安定であることが望ましい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−(１−ナフチル)−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル(α−ＮＰＤ)、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５６】
ここで言う発光層ＥＭＬとは、注入された正孔，電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層をさす。発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホストに微量添加したドーバント材料が発光する場合がある。異体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２），フェナンスレン基を有するべリノン誘導体（Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ），べリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリバラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリバラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポリアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５７】
次に、具体的なドーバント材料としては、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルプレン，４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５８】
ここで言う電子輸送層ＥＴＬとは、電子を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移動度が高いことが望ましい。具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００５９】
ここで言う電子注入層ＥＩＬとは、電子供与性ドーパントがドーピングされている有機化合物であり陰極から電子輸送層ＥＴＬへの電子注入効率を向上させるために用いる。電子供与性ドーパントは具体的には、リチウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，バリウム，マグネシウム，アルミニウム，アルカリ金属化合物，アルカリ土類金属化合物，希土類金属化合物，アルカリ金属イオンを含有する有機金属錯体，アルカリ土類金属イオンを含有する有機金属錯体，希土類金属イオンを含有する有機金属錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。電子注入層ＥＩＬのホスト材料としては具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００６０】
上記構成において、電子注入層ＥＩＬ、或いは正孔注入層ＨＩＬを有さない構造も考えられる。また、電子輸送層ＥＴＬ、或いは正孔輸送層ＨＴＬを有さない構造も考えられる。すなわちバッファ層は、有機発光層ＥＭＬと接する場合、電子輸送層ＥＴＬに接する場合、電子注入層ＥＩＬに接する場合の３通りある。
【００６１】
下部電極ＡＤ１に用いられる陽極材料は、正孔の注入効率を高める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、モリブデン，ニッケル，クロム等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコン，錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００６２】
Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系導電膜では、スパッタ法において、基板温度を２００度程度まで高めた条件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結晶粒内と結晶粒界面において、エッチング速度が異なるため、下部電極ＡＤ１に用いる場合はアモルファス状態が望ましい。
【００６３】
また、下部電極ＡＤ１が陰極、上部電極ＣＤが陽極の構成も考えられる。この場合、下部電極ＡＤ１、電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、発光層ＥＭＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ、上部電極ＣＤの順に積層される。上記構成において、電子注入層ＥＩＬ、或いは正孔注入層ＨＩＬを有さない構造も考えられる。また、電子輸送層ＥＴＬ、或いは正孔輸送層ＨＴＬを有さない構造も考えられる。すなわちバッファ層は、有機発光層ＥＭＬと接する場合、正孔輸送層ＨＴＬに接する場合、正孔注入層ＥＩＬに接する場合の３通りある。
【００６４】
下部電極ＡＤ１が陰極として用いられる場合、陰極材料は、電子の注入効率を高める仕事関数の小さな導電膜が望ましい。具体的には、アルミニウム，アルミニウム・ネオジウム合金，マグネシウム・銀合金，アルミニウム・リチウム合金，アルミニウム・カルシウム合金，アルミニウム・マグネシウム合金，金属カルシウム，セリウム化合物等が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００６５】
上部電極ＣＤが陽極として用いられる場合、陽極材料は、酸化インジウムを主原料とする酸化物が上げられる。特にＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2系透明導電膜，Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ 系透明導電膜が望ましい。透明導電膜の製造法は、スパッタ法，対向ターゲット式スパッタ法，ＥＢ蒸着法，イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００６６】
上部電極ＣＤ成膜時に上部電極ＣＤの構成材料である酸化物が一部分解し、生成された酸素ラジカルが有機膜を酸化し、発光電圧を上昇させる。詳細に検討した結果上部電極ＣＤよりも酸素結合力が強い導電性酸化物を主成分としたバッファ層を有機膜と上部電極ＣＤの間に設けることで、上部電極ＣＤ形成時における有機膜酸化による発光電圧上昇を低減できる。
【００６７】
上部電極ＣＤよりも酸素結合力が強い導電性酸化物を主成分としたバッファ層ＢＦは、例えば酸化インジウムを主成分とした上部電極ＣＤを用いる場合、酸化バナジウム，酸化モリブデン，酸化タングステン，酸化タンタル，酸化チタニウム，酸化ニオブ，酸化クロム等を主成分とした材料が挙げられる。一方、酸化ゲルマニウム，酸化銅，酸化ルテニウム等を主成分とした材料は酸化インジウムよりも酸素との結合力が弱く、バッファ層成膜時に上部電極ＣＤ成膜時よりも多く酸素ラジカルを生成してしまうため、発光電圧上昇を抑制できない。
【００６８】
また、バッファ層ＢＦのことを言い換えると、有機層ＯＬＥと上部電極ＣＤとの間に、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが上部電極ＣＤの構成材料よりも低い酸化物を主成分とする層と称することができる。融点付近での生成ギブズエネルギーが上部電極ＣＤ材料の主原料よりも低い材料をバッファ層用いることで、成膜前および成膜初期に分解生成される酸素ラジカル量も減らすことができ、有機層の酸化をより低減できる。
【００６９】
また、さらに言い換えると、有機層と上部電極ＣＤとの間に形成された、融点近傍に置ける生成ギブズエネルギーが−300ｋＪ／mol よりも低い酸化物を主成分とする層と称することもできる。生成ギブズエネルギーが−３００ｋＪ／mol 以下の材料を、バッファ層ＢＦに用いることで電圧上昇は１Ｖ以下に抑えることができる。
【００７０】
また、バッファ層ＢＦは比抵抗が１×１０7Ω・cm 以下の酸化物を主成分とする材料からなり、膜厚は５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。バッファ層に比抵抗が１×１０7Ω・cm以上の材料を用いた場合、高輝度発光時のバッファ層での電圧降下は０.１Ｖ以上と大きくなり、酸化防止の効果が相殺されてしまい、また膜厚を５ｎｍ以上にすることで、有機膜酸化を抑制できるが、５０ｎｍ以上厚くすると透過率低下による効率低下が無視できなくなるため、このような構成としたものである。
【００７１】
また、上部電極ＣＤを陽極とした場合、バッファ層はバナジウム酸化物を主成分とするものが好ましい。上部電極ＣＤを陽極とし、バナジウム酸化物を、バッファ層を用いることで電圧上昇はほぼ０Ｖに抑えることができる。バナジウム酸化物の組成は、バナジウムに対し、酸素が２〜５の割合であることが望ましい。また、上部電極ＣＤを陽極とし、バッファ層に酸化バナジウムを用いた場合、酸化バナジウムは正孔輸送層の機能も有するため、正孔輸送層ＨＴＬ，正孔注入層ＨＩＬなしに、直接発光層ＥＭＬに正孔を供給することが可能となる。
【００７２】
また、上部電極ＣＤ上に保護層は、上部電極ＣＤ上に形成され、大気内Ｈ2Ｏ，Ｏ2が上部電極ＣＤ、或いはその下の有機層に入りこむことを防ぐことを目的とするもので、ＳｉＯ2，ＳｉＮX，ＳｉＯxＮy，Ａｌ2Ｏ3等の無機材料やポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００７３】
図７に、図４をさらに詳細に示した第１基板ＳＵＢ１上のブロック構成図を示す。なお、説明を簡単にするために、３×３の９画素ＰＸＬの場合を示しているが、本発明は、ＶＧＡやＸＧＡといった高精細表示装置をも対象とするものであることは言うまでもない。
【００７４】
有効表示領域ＡＲの上に配置された垂直系駆動回路ＶＤＲＶからは、階調信号線ＤＡＴＡを含む複数の垂直系配線が延在している。この垂直系配線は第２電極層ＳＤで構成されている。有効表示領域ＡＲの上下に左右に延在している第１及び第２電流供給バスラインＣＳＢＬ１、２からは縦方向、つまり垂直方向に第２電極層の電極で構成された電流供給線ＣＳＬが延在している。水平系駆動回路ＨＤＲＶからは、３種類の信号を供給するために、１つの画素ＰＸＬ行あたり３本の配線が延在している。この配線は第１電極層ＳＧで構成されている。
【００７５】
電流供給バスラインＣＳＢＬは、概ね第２電極層ＳＤで構成されているが、垂直系駆動回路ＶＤＲＶとの交差部だけ第１電極層ＳＧに迂回している。電流供給線ＣＳＬは、垂直系駆動回路ＶＤＲＶに沿って形成され、第２電極層ＳＤで構成されている。
【００７６】
カソードバスラインＣＢＬは、垂直系駆動回路ＶＤＲＶの左右を通過し、有効表示領域ＡＲの外側の上（図５の場合、有効表示領域ＡＲから垂直系駆動回路ＶＤＲＶへ向かう方向）下左右に引き回されている。このカソードバスラインＣＢＬには、垂直系駆動回路ＶＤＲＶや電流供給線ＣＳＬの垂直方向に延在している配線グループの間や、水平系駆動回路ＨＤＲＶから延在している３本の配線と三角波発生回路ＳＧＥＮから延在している一本の配線の水平方向に延在している配線グループの間にコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４を備えている。第１コンタクトホールＣＨ１は、第２電流供給バスラインＣＳＢＬと有効表示領域ＡＲの間、第２コンタクトホールＣＨ２は、水平系駆動回路ＨＤＲＶと有効表示領域ＡＲの間、第３コンタクトホールＣＨ３は、第２電流供給バスラインＣＳＢＬ２と有効表示領域ＡＲの間、第４コンタクトホールＣＨ４は、三角波発生回路ＳＧＥＮと有効表示領域ＡＲとの間に配置されている。
【００７７】
このカソードバスラインＣＢＬを第２電極層ＳＤで形成する場合、他の同層配線と交差する場合、第１電極層ＳＧや第３電極層に迂回させる。また、このカソードバスラインＣＢＬを第３電極層で形成する場合、他の同層配線と交差する場合、第２電極層ＳＤや第３電極層に迂回させる。
【００７８】
図８は、補助電極の配置を示した第１基板ＳＵＢ１のブロック図である。この図８では、表示画素ＰＸＬの最も外縁を構成する画素ＰＸＬの外側の全てにカソードコンタクトＣＨ1〜４を設けている。また、画素ＰＸＬと画素ＰＸＬの全ての間に第１、第２補助電極ＳＵＰ1、ＳＵＰ２が形成されている。水平方向に隣接した画素ＰＸＬ間のバンクの上にある第１補助電極ＳＵＰ1は、垂直方向に延在した長方形をしている。そして、この第１補助電極ＳＵＰ1は、垂直方向に、破線状に複数列並んでいる。この実施例では、破線の実線部は発光領域の横と同じ長さ、破線の間隔は非発光領域の横と同じ長さである。垂直方向に隣接する画素ＰＸＬ間のバンク上にある第２補助電極ＳＵＰ２は、水平方向に延在した長方形をしている。そして、この第２補助電極ＳＵＰ２は、垂直方向に、破線状に複数列並んでいる。この実施例では、破線の実線部は発光領域の縦の長さと同じ長さ、破線の間隔は非発光領域の縦の長さと同じ長さである。
【００７９】
第１補助電極ＳＵＰ１及び第２補助電極ＳＵＰ２によって、それらの延在方向で生じる電圧降下を抑制できるので、それぞれの方向の輝度ムラを抑制できる。有効表示領域ＡＲの周囲にある第３補助電極ＳＵＰ３は、第１形成領域線ＣＤC１から、額縁、枠状に、有効表示領域ＡＲの外側から最外周の画素ＰＸＬのバンク上の、第２形成領域ＣＤＣ２まで形成されている。この第３補助電極ＳＵＰ３は、各画素ＰＸＬの外側にある第１〜第４カソードコンタクトＣＨ１〜４によって共通電圧ＶＣＯＭが供給されている。第３補助電極ＳＵＰ３を備えていることにより、水平及び垂直方向で生じる電圧降下を抑制できるので、水平及び垂直方向における輝度ムラを抑制できる。また、この水平及び垂直方向に延びる第３補助電極ＳＵＰ３に対して水平及び垂直方向にカソードコンタクトＣＨが点在しているので、電圧降下の抑制もさらに可能である。上部電極ＣＤは、各画素ＰＸＬ共通で、第１形成領域線ＣＤＣ１を越えて第２形成領域線ＣＤC２まで延びている。
【００８０】
図９、図１０に、図８のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆ，Ｇ−Ｈ、Ｉ−Ｊにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造を示す。図９は、図８のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造である。図９の左側に画素領域ＰＸＬの断面構造、右側にカソードコンタクトＣＤＣ領域の断面構造を示す。基本的な層構造は、図５と同じである。カソードコンタクト領域ＣＤＣは、第１形成領域線ＣＤC１から第２形成領域線ＣＤＣ２までの領域から画素領域ＰＸＬに含まれる部分を除外した構造である。
【００８１】
画素領域ＰＸＬには、ゲート電極が第１電極層ＳＧで構成され、ソースドレイン電極が第２電極層ＳＤで構成された薄膜トランジスタ上の第３絶縁層ＩＬＩ２、薄膜トランジスタのソースドレイン電極に接続された下部電極ＡＤ１、下部電極ＡＤ１間を区切るバンクＢＡＮＫ、下部電極ＡＤ１上に形成された有機層ＥＭＬとバッファ層を含む機能層ＯＬＢＦ、第１補助電極ＳＵＰ1、第２補助電極（ＳＵＰ２）、全画素ＰＸＬ共通の上部電極ＣＤ、第３補助電極ＳＵＰ３の一部が形成されており、バンクは、この下部電極ＡＤ上に開口があり、下部電極ＡＤの周囲及び第３絶縁層ＩＬＩ２の上を被い、カソードコンタクト領域のコンタクトホールＣＨの先まで延びている。
【００８２】
カソードコンタクト領域CＤＣは、画素領域ＰＸＬから延びる機能層ＯＬＢＦ、第３補助電極ＳＵＰ３層、上部電極ＣＤ層が第３絶縁膜上に形成され、コンタクトホール部ＣＨでは、下部電極ＡＤ１と同層、つまり、第３電極層の中継電極ＡＤ２が形成されている。したがって、コンタクトホールＣＨでは、第２電極層ＳＤで構成されたカソードバスラインＣＢＬ、カソードバスラインＣＢＬのコンタクトパッドＰＡＤの上に形成された第３電極層ＡＤで構成された中継電極ＡＤ２、中継電極ＡＤ２の上に形成した第３補助電極ＳＵＰ３を構成する第４電極層ＳＵＰと、上部電極ＣＤを構成する第５電極層ＣＤの積層体となっている。
【００８３】
図１０は、図８のＧ−Ｈ、Ｉ−Ｊにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造である。画素ＰＸＬ領域ＰＸＬが二つ並んでいる構造の断面図である。
【００８４】
図１１、図１２、図１３、図１４、図１５、図１６、図１７に、図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造例を示す。図１１が図９と異なる点は、上部電極ＣＤを機能層ＯＬＢＦとほぼ同一パターンとしている点です。図１２が図９と異なる点は、バンクの開口部であるバンク内の第１コンタクトホールＣＨ１と、第３絶縁層ＩＬＩ２の開口部である第２コンタクトホールＣＨ２を平面方向にずらしている点です。第３絶縁層ＩＬＩ２の厚みやバンクＢＡＮＫの厚みが厚い場合、コンタクトホールのテーパ角が急峻になったり、中継電極ＡＤ２、第３補助電極ＳＵＰ３及び上部電極ＣＤで接続不良が生じたりする可能性があるが、このように平面方向でずらすことで、接続信頼性を向上できる。
【００８５】
図１３が図１２と異なる点は、第１コンタクトホールＣＨ１の直前まで上部電極ＣＤを形成している点です。図１４が図９と異なる点は、機能層ＯＬＢＦのうち少なくとも１層をはみ出させた構造をしている点と、そのはみ出した位置まで上部電極ＣＤを覆っている点である。図１５が図１２と異なる点は、第２電極層ＳＤにカソードバスラインＣＢＬを形成するのではなく、第１電極層ＳＧにカソードバスラインＣＢＬを形成している点である。図１６が図９と異なる点は、第２電極層ＳＤにカソードバスラインＣＢＬを形成するのではなく、第１電極層ＳＧにカソードバスラインＣＢＬを形成している点である。図１７が図９と異なる点は、上部電極ＣＤをカソードコンタクトＣＨの手前まで形成し、その上に補助電極を形成している点である。
【００８６】
図１８、図１９に、ダミー画素ＤＰＸＬがある場合の第１基板ＳＵＢ１のブロック図を示す。図１８が図７と異なる点は、最外周の画素がダミー画素ＤＰＸＬになっている点である。図１９が図８と異なる点も、最外周の画素がダミー画素ＤＰＸＬになっている点である。両図とも、ダミー画素ＤＰＸＬには開口がありません。
【００８７】
図２０に、図１９のＧ−Ｈにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造例を示す。図２０は、水平方向に隣接したダミー画素ＤＰＸＬと表示画素ＰＸＬの２画素ＰＸＬ分の断面図である。図２１に、図１９のＩ−Ｊにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造例を示す。
【００８８】
図２２から図３１は、補助電極の平面レイアウトを説明する平面図である。図２２の構造は、有効表示領域（ＡＲ）の周囲に第３補助電極ＳＵＰ３を枠状に形成してその垂直方向、水平方向の４辺にそれぞれコンタクトホール（カソードコンタクト）ＣＨ（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４）でカソードバスラインＣＢＬ（例えば、図１８参照）に接続されている。カソードコンタクトＣＨは有効表示領域（ＡＲ）に配列された矩形の画素ＰＸＬ（図７参照）の行、列単位に形成されている。また、各画素ＰＸＬの間に第１補助電極ＳＵＰ1と第２補助電極ＳＵＰ２を形成されている。第１補助電極ＳＵＰ1は、垂直方向（図の上下方向）に隣接した画素ＰＸＬの間のバンク上に形成された補助電極で、水平方向に延在した矩形の電極である。各画素ＰＸＬの上下、および左右（水平方向）の位置で画素ＰＸＬ単位に独立している。第２補助電極ＳＵＰ２は、水平方向に隣接した画素ＰＸＬの間のバンク上に形成された補助電極で、垂直方向に延在した矩形の電極で、各画素ＰＸＬの上下左右の位置で画素ＰＸＬ単位に独立している。ただし、全ての画素ＰＸＬ間にある必要はなく、形成単位もバンク上であれば、発光領域間にある必要はない。つまり、発光領域間に第１補助電極ＳＵＰ1がない領域と、発光領域間に第１補助電極ＳＵＰ1がある領域を並存させるレイアウトとしてもよい。
【００８９】
図２３が図２２と異なる点は、図２２に示した第２補助電極ＳＵＰ２を形成していない点である。図２４が図２３と異なる点は、全ての第１補助電極ＳＵＰ1を接続している点である。なお、全て接続しなくとも、任意の第１補助電極ＳＵＰ1を接続してもよい。つまり、垂直方向にｘ個の画素ＰＸＬがあり、垂直方向に第１補助電極ＳＵＰ1がｙ個あるとすると、ｘ＞ｙの関係となるようにしてもよい。
【００９０】
図２５が図２４と異なる点は、全ての第１補助電極ＳＵＰ1と第３補助電極ＳＵＰ３を接続している点である。図２５では、全ての第１補助電極ＳＵＰ1と第３補助電極ＳＵＰ３を接続しているが、必ずしも全てである必要はなく、少なくとも一つの第１補助電極ＳＵＰ1と第３補助電極ＳＵＰ３が接続されていればよい。
【００９１】
図２６が図２２と異なる点は、図２２に示した第１補助電極ＳＵＰ1を形成していない点である。
【００９２】
図２７が図２６と異なる点は、全ての第２補助電極ＳＵＰ２を接続している点である。なお、全て接続しなくとも、任意の第２補助電極ＳＵＰ２を接続してもよい。つまり、水平方向にｖ個の画素ＰＸＬがあり、水平方向に第２補助電極ＳＵＰ２がｗ個あるとすると、ｖ＞ｗの関係となるようにしてもよい。
【００９３】
図２８が図２７と異なる点は、全ての第２補助電極ＳＵＰ２と第３補助電極ＳＵＰ３を接続している点である。この図２８では、全ての第２補助電極ＳＵＰ２と第３補助電極ＳＵＰ３を接続しているが、必ずしも全てである必要はなく、少なくとも一つの第１補助電極ＳＵＰ1と第３補助電極ＳＵＰ３が接続されていればよい。
【００９４】
図２９が図２２と異なる点は、第３補助電極ＳＵＰ３を分離している点である。この分離箇所は、図２９の場合、４つの辺全てで分離しているが、いずれかの辺で分離されていればよい。また、分離箇所も２画素ＰＸＬにつき１箇所としているが、必ずしもこれに限らず、１画素ＰＸＬにつき１箇所、複数画素ＰＸＬにつき１箇所の割合でも構わない。また、分離箇所も発光領域間の水平垂直方向の位置ではなく、発光領域の水平垂直方向の位置でもよい。
【００９５】
図３０が図２２と異なる点は、第３補助電極ＳＵＰ３を形成していない点である。
【００９６】
図３１が図２８と異なる点は、第３補助電極ＳＵＰ３に設ける分離部を第２補助電極ＳＵＰ２の延在方向、つまり、有効表示領域ＡＲの垂直方向にのみ設けている点である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】ＯＬＥＤの外観斜視図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２のブロック図を示す。
【図４】第１基板ＳＵＢ１上のブロック構成図である。
【図５】第１基板ＳＵＢ１の層構造図である。
【図６】有機ＥＬ素子の概念図である。
【図７】第１基板ＳＵＢ１上のブロック構成図である。
【図８】補助電極を印した第１基板ＳＵＢ１上のブロック構成図である。
【図９】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１０】図７のＧ−Ｈ、Ｉ−Ｊにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１１】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１２】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１３】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１４】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１５】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１６】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１７】図７のＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造図である。
【図１８】ダミー画素ＤＰＸＬＰＸＬがある場合の第１基板ＳＵＢ１のブロック図である。
【図１９】補助電極を印した第１基板ＳＵＢ１のブロック図である。
【図２０】図１９のＧ−Ｈ、Ｉ−Ｊにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造例である。
【図２１】図２０のＩ−ＪＣ−Ｄ、Ｅ−Ｆにおける第１基板ＳＵＢ１の断面構造例である。
【図２２】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２３】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２４】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２５】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２６】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２７】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２８】補助電極の平面レイアウト図である。
【図２９】補助電極の平面レイアウト図である。
【図３０】補助電極の平面レイアウト図である。
【図３１】補助電極の平面レイアウト図である。
【符号の説明】
【００９８】
ＳＵＢ１・・・第１基板、ＳＵＢ２・・・・第２基板と、ＦＦ・・・前フレーム、ＢＦ・・・裏フレームＢＦ、ＦＰＣ１・・・フレキシブル回路基板、ＳＵＢ３・・・第３基板、ＯＬＢＦ・・・機能層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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