(57)【要約】【課題】書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに記録する際の適切な光源の発光パワーを決定する。【解決手段】記録パワーＰｐと消去パワーＰｅとの比εを一定として試し書きを行い、目標変調度に対応するＰｐに係数ρを乗算してＰｐの最適値を求め、最適値の記録パワーでＰｅのみを変化させて試し書きを行い（ステップ４３１〜４４１）、目標アシンメトリに対応するＰｅをＰｅの最適値とする（ステップ４４３〜４４７）。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する際の、光源の発光パワーを決定するパワー決定方法であって、
前記光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める工程；を含むパワー決定方法。
【請求項２】
前記消去パワーの最適値を求める工程では、前記最適値の記録パワーで前記テスト用データを記録した後、種々の消去パワーで前記テスト用データの消去処理を行い、該消去処理された領域から得られる信号の振幅に基づいて、前記消去パワーの最適値を求めることを特徴とする請求項１に記載のパワー決定方法。
【請求項３】
前記消去パワーの最適値は、前記消去処理された領域から得られる信号の振幅が、前記光ディスクの未記録領域から得られる信号の振幅に対して予め設定された関係にある振幅となるときの、消去パワー値であることを特徴とする請求項２に記載のパワー決定方法。
【請求項４】
前記消去パワーの最適値を求める工程では、記録パワーを前記最適値の記録パワーとし、消去パワーのみを変化させつつ前記テスト用データを記録し、該記録結果に基づいて、予め設定されたアシンメトリに対応する消去パワー値を取得し、該消去パワー値を最適値とすることを特徴とする請求項１に記載のパワー決定方法。
【請求項５】
前記消去パワーの最適値を求める工程に先立って、記録パワーと消去パワーとの比が予め設定された値となる条件で、記録パワー及び消去パワーをそれぞれ変化させつつ前記光ディスクに試し書きを行い、該試し書きの結果に基づいて、予め設定された変調度に対応する記録パワー値を求め、該記録パワー値に予め設定された係数を乗算して前記記録パワーの最適値を求める工程を、更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のパワー決定方法。
【請求項６】
前記消去パワーの最適値を求める工程に先立って、記録パワーと消去パワーとの比が予め設定された値となる条件で、記録パワー及び消去パワーをそれぞれ変化させつつ前記光ディスクに試し書きを行い、該試し書きの結果に基づいて、予め設定されたガンマ値に対応する記録パワー値を求め、該記録パワー値に予め設定された係数を乗算して前記記録パワーの最適値を求める工程を、更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のパワー決定方法。
【請求項７】
前記消去パワーの最適値を求める工程では、前記複数の記録層のうち、前記光源からの光が入射される入射面から最も離れた位置にある記録層以外の一の記録層に前記テスト用データが記録されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のパワー決定方法。
【請求項８】
書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する記録方法であって、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のパワー決定方法で得られた消去パワーの最適値を用いて前記光ディスクに情報を記録する工程を含む記録方法。
【請求項９】
書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する光ディスク装置に用いられるプログラムであって、
前記光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める手順；を前記光ディスク装置の制御用コンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する光ディスク装置であって、
前記光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める最適パワー取得手段と；
前記最適パワー取得手段で得られた消去パワーの最適値を用いて前記光ディスクに情報を記録する記録手段と；を備える光ディスク装置。
【請求項１２】
書き換え可能な複数の記録層を有する片面多層光ディスクにおいて、
前記複数の記録層のうちの少なくとも１つの記録層に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のパワー決定方法で消去パワーの最適値を求める際に用いられる設定値情報が、プリフォーマットされていることを特徴とする片面多層光ディスク。
【請求項１３】
前記設定値情報は、リードイン領域及びリードアウト領域の少なくとも一方にプリフォーマットされていることを特徴とする請求項１２に記載の片面多層光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー決定方法、片面多層光ディスク、記録方法、プログラム及び記録媒体、並びに光ディスク装置に係り、更に詳しくは、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する際のレーザ光の発光パワーを決定するパワー決定方法、該パワー決定方法に好適な片面多層光ディスク、前記パワー決定方法で決定された発光パワーで光ディスクに情報を記録する記録方法及び光ディスク装置、該光ディスク装置で用いられるプログラム及び該プログラムが記録された記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル技術の進歩及びデータ圧縮技術の向上に伴い、音楽、写真及びコンピュータソフトなどの情報（以下「コンテンツ」ともいう）を記録するための媒体として、ＣＤ（compact disc）やＤＶＤ（digital versatile disc）などの光ディスクが注目されるようになり、その低価格化とともに、光ディスクを情報記録の対象媒体とする光ディスク装置が普及するようになった。
【０００３】
この光ディスク装置では、光源からレーザ光を出射し、スパイラル状又は同心円状のトラックが形成された光ディスクの記録層に微小スポットを形成して情報の記録及び消去を行い、記録層からの反射光に基づいて情報の再生などを行っている。そこで、光ディスク装置は、対物レンズを含み、光源から出射される光束を記録層に導くとともに、記録層で反射された戻り光束を所定の受光位置まで導く光学系、及び該受光位置に配置された光検出器などから構成される光ピックアップ装置を備えている。
【０００４】
光ディスクでは、互いに反射率の異なるマーク領域及びスペース領域のそれぞれの長さとそれらの組み合わせとによって情報が記録される。そこで、光ディスクに情報を記録する際には所定の位置にマーク領域及びスペース領域がそれぞれ形成されるように、光源の発光パワーが制御される。
【０００５】
例えば、記録層に記録材料として特殊合金を含むＣＤ−ＲＷ（ＣＤ−rewritable）、ＤＶＤ−ＲＷ（ＤＶＤ−rewritable）、及びＤＶＤ＋ＲＷ（ＤＶＤ＋rewritable）などの書き換え可能な光ディスクでは、マーク領域を形成する時には、特殊合金を第１の温度に加熱したのち急冷し、アモルファス（非晶質）状態にしている。一方、スペース領域を形成する時には、特殊合金を第２の温度（＜第１の温度）に加熱したのち徐冷し、結晶状態にしている。これにより、マーク領域ではスペース領域よりも反射率が低くなる。このような特殊合金の温度制御は光源の発光パワーを制御することによって行なわれる。なお、蓄熱の影響を除去するために、マーク領域を形成するときの発光パワーを複数のパルスに分割（マルチパルス化）することが行なわれている。このような発光パワーの制御方式はマルチパルス記録方式とも呼ばれている。マルチパルス化された発光パワーの最大値は記録パワー、最小値はバイアスパワーとも呼ばれている。また、スペース領域を形成するときの発光パワーは消去パワー（記録パワー＞消去パワー＞バイアスパワー）とも呼ばれている。
【０００６】
そして、光ディスク装置では、記録に際して、光ディスクの目標位置に目標長さのマーク及びスペースがそれぞれ形成されるように、情報の記録に先立って、予め設定されているＰＣＡ（Power Calibration Area）と呼ばれる試し書き領域に試し書きを行って、最適な記録パワーを取得している（例えば、特許文献１〜特許文献３参照）。この処理は、ＯＰＣ（Optimum Power Control）処理と呼ばれている。
【０００７】
ところで、コンテンツの情報量は、年々増加する傾向にあり、光ディスクの記録容量の更なる増加が期待されている。そして、光ディスクの記録容量を増加させる手段の一つとして、一方から光が入射され複数の記録層を有する光ディスク（以下、「片面多層光ディスク」ともいう）及び該片面多層光ディスクをアクセス対象とする光ディスク装置の開発が盛んに行われている。
【０００８】
この片面多層光ディスクにおいて、特にレーザ光照射側から見て一番奥側以外の記録層は、一番奥側の記録層の記録再生を行いやすくするために光を透過させる必要があるため、層構成上、光ディスクの放熱効果が一番奥側よりも得られにくい。そのため、一番奥側以外の記録層の信号品質を高めるためには従来のような単層の書き換え型光ディスクよりも、発光パワーを更に精度良く制御する必要がある。しかしながら、今後記録速度が更に高速化すると、特許文献１〜特許文献３に開示されている方法で得られる発光パワーでは、片面多層光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが困難となることが予想される。
【０００９】
【特許文献１】特許第３２５９６４２号公報
【特許文献２】特許第３１２４７２１号公報
【特許文献３】特開２００５−１９０６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに記録する際の適切な光源の発光パワーを決定することができるパワー決定方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の第２の目的は、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことができる記録方法及び光ディスク装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第３の目的は、光ディスク装置の制御用コンピュータにて実行され、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことができるプログラム及びそのプログラムが記録された記録媒体を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の第４の目的は、本発明のパワー決定方法に好適な片面多層光ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、第１の観点からすると、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する際の、光源の発光パワーを決定するパワー決定方法であって、前記光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める工程；を含むパワー決定方法である。
【００１５】
これによれば、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する際に、光ディスクにテスト用データが記録され、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値が求められる。すなわち、光ディスクに対して記録パワー及び消去パワーのいずれも最適値とすることができる。従って、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに記録する際の適切な光源の発光パワーを決定することが可能となる。
【００１６】
本発明は、第２の観点からすると、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する記録方法であって、本発明のパワー決定方法で得られた消去パワーの最適値を用いて前記光ディスクに情報を記録する工程を含む記録方法である。
【００１７】
これによれば、光ディスクに対して最適な記録条件で記録することができるため、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが可能となる。
【００１８】
本発明は、第３の観点からすると、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する光ディスク装置に用いられるプログラムであって、前記光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める手順；を前記光ディスク装置の制御用コンピュータに実行させるプログラムである。
【００１９】
これによれば、本発明のプログラムが所定のメモリにロードされ、その先頭アドレスがプログラムカウンタにセットされると、光ディスク装置の制御用コンピュータは、光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める。すなわち、本発明のプログラムによれば、光ディスク装置の制御用コンピュータに本発明のパワー決定方法を実行させることができ、その結果として書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが可能となる。
【００２０】
本発明は、第４の観点からすると、本発明のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【００２１】
これによれば、本発明のプログラムが記録されているために、コンピュータに実行させることにより、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが可能となる。
【００２２】
本発明は、第５の観点からすると、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに情報を記録する光ディスク装置であって、前記光ディスクにテスト用データを記録して、記録パワーの最適値における消去パワーの最適値を求める最適パワー取得手段と；前記最適パワー取得手段で得られた消去パワーの最適値を用いて前記光ディスクに情報を記録する記録手段と；を備える光ディスク装置である。
【００２３】
これによれば、最適パワー取得手段により、光ディスクに対して最適な記録パワーにおける最適な消去パワーが取得されるため、記録手段により、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが可能となる。
【００２４】
本発明は、第６の観点からすると、書き換え可能な複数の記録層を有する片面多層光ディスクにおいて、前記複数の記録層のうちの少なくとも１つの記録層に、本発明のパワー決定方法で消去パワーの最適値を求める際に用いられる設定値情報が、プリフォーマットされていることを特徴とする片面多層光ディスクである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図３４に基づいて説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置２０の概略構成が示されている。
【００２６】
この図１に示される光ディスク装置２０は、本発明の一実施形態に係る片面多層光ディスクとしての光ディスク１５を回転駆動するためのスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、該光ピックアップ装置２３をスレッジ方向に駆動するためのシークモータ２１、レーザ制御回路２４、エンコーダ２５、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、フラッシュメモリ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図１における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態では、光ディスク装置２０は片面多層光ディスクに対応しているものとする。
【００２７】
ここでは、光ディスク１５は、書き換え可能な片面２層光ディスク（以下では、「２層相変化型光ディスク」ともいう。）であり、一例として図２に示されるように、レーザ光の入射側から順に、第１基板１５ａ、第１情報層１５ｂ、中間層１５ｃ、第２情報層１５ｄ、及び第２基板１５ｅを有しているものとする。さらに、一例として、光ディスク１５はＤＶＤ系の情報記録媒体であるものとする。
【００２８】
上記第１情報層１５ｂは、第１基板１５ａに近い方から順に、第１下部保護層ｂ１、第１記録層ｂ２、第１上部保護層ｂ３、第１反射層ｂ４及び熱拡散層ｂ５を有している。また、上記第２情報層１５ｄは、中間層１５ｃに近い方から順に、第２下部保護層ｄ１、第２記録層ｄ２、第２上部保護層ｄ３及び第２反射層ｄ４を有している。
【００２９】
ところで、片面多層光ディスクでは、特に、レーザ光の入射側から見て一番奥側以外の情報層は、透過率が高いことが要求され、金属層での光の吸収を少なくする取り組みと並行して記録層を薄膜化することが行われている。そのため、一番奥側以外の情報層では放熱が充分ではなく、記録材料の結晶化速度が速いとアモルファス状態であるマークを形成させにくくなる。そこで、一番奥側以外の情報層の記録層に用いられる記録材料としてはＳｂ（アンチモン）の含有量が７０％前後となるＳｂとＴｅ（テルル）の共晶組成であることが好ましい。そこで、Ｇｅ（ゲルマニウム）−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ（インジウム）−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ（銀）−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ（スズ）−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅなどが用いられる。なお、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ（ガリウム）−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂなどを用いても良い。
【００３０】
第１記録層ｂ２の膜厚は、４〜１２ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第１記録層ｂ２の膜厚が４ｎｍよりも薄いと、光が透過しすぎてしまい、第１記録層ｂ２の記録感度が低下するとともに、繰り返し記録に対する耐久性も低下する。一方、第１記録層ｂ２の膜厚が１２ｎｍよりも厚いと、第１情報層１５ｂの光透過率が下がりすぎてしまい、第２情報層１５ｄの記録感度が低下する。
【００３１】
第２記録層ｄ２の膜厚は、１０〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００３２】
第１反射層ｂ４の膜厚は、５〜１２ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第１反射層ｂ４の膜厚が５ｎｍよりも薄いと、反射率が低下し、所定の信号振幅の確保が困難になる。また、第１反射層ｂ４の膜厚が１２ｎｍよりも厚いと、第１情報層１５ｂの光透過率が下がりすぎてしまい、第２情報層１５ｄの記録感度が低下する。なお、第１反射層ｂ４は、Ｃｕ、Ａｇで構成されていることによって、第１記録層ｂ２での記録特性が良好となる。それらを合金として用いることもできる。また、特にＣｕに０．２〜５．０重量％の微量の不純物元素（Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ａｕなど）から選ばれる少なくとも１つの金属元素を含有させることで、第１情報層１５ｂの再生安定性や信頼性を向上させることが可能となる。
【００３３】
第２反射層ｄ４は、第１反射層ｂ４のように半透明である必要は無く、適当な金属反射膜とすればよい。第２反射層ｄ４の膜厚は、従来の単層の相変化型光ディスクの反射層と同じような膜厚で良く、１００〜２００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第２反射層ｄ４の膜厚が１００ｎｍよりも薄いと、充分な放熱効果が得られにくくなりジッタが悪化する。一方、第２反射層ｄ４の膜厚が２００ｎｍよりも厚いと、成膜したときに基板の反りが大きくなり、光ディスクの機械特性（mechanical characteristics）が悪化する。
【００３４】
ところで、上部保護層は、記録層の劣化及び変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、それに用いられる材料は、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層よりも高い材料であることが好ましく、単層の相変化型光ディスクでは、特にＺｎＳ-ＳｉＯ２が良く用いられ、その場合の混合比としてはＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０が最も好ましいとされている。しかしながら、２層相変化型光ディスクでは、第１記録層に情報の記録を行なう際に、第１反射層の膜厚が薄いために放熱性が悪くなり記録しづらくなる。そのため、第１上部保護層はできるだけ熱伝導性の良い材料を用いた方が良い。従って、ＺｎＳ-ＳｉＯ２よりも放熱性の高い酸化物を用いることが好ましい。具体的にはＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＴａＯ、Ｔａ２Ｏ５などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。ただし、第１反射層にＡｇが用いられる場合には、ＡｇとＳとが反応し不具合が生じるため、硫化物を積層するのは好ましくない。
【００３５】
第１上部保護層ｂ３の膜厚は、３〜３０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第１上部保護層ｂ３の膜厚が３ｎｍよりも薄いと、光の反射率が高くなり、所定の変調度の確保が困難となる。また、第１上部保護層ｂ３の膜厚が３０ｎｍよりも厚いと、光の反射率が下がり、所定の信号振幅の確保が困難となるとともに、信頼性が低下する。
【００３６】
なお、第２上部保護層ｄ３については、従来と同様にＺｎＳ-ＳｉＯ２を用いても良いし、他の酸化物、窒化物、硫化物を用いても良い。その理由は、第２反射層ｄ４を充分厚く成膜できるため、第２記録層ｄ２に記録する際に充分な放熱性が得られるためである。但し、第２反射層ｄ４にＡｇが用いられる場合は、ＡｇとＳとが反応し不具合が生じるため、硫化物を積層するのは好ましくない。第２反射層ｄ４にＡｇが用いられる場合は、ＴｉＯＣなどの界面層（例えば膜厚４ｎｍ）を第２上部保護層ｄ３と第２反射層ｄ４の間に挟みこむのが良い。
【００３７】
第２上部保護層ｄ３の膜厚は、３〜３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。第２上部保護層ｄ３の膜厚が３ｎｍよりも薄いと、記録感度が低下する。一方、第２上部保護層ｄ３の膜厚が３０ｎｍよりも厚いと、熱がこもりすぎてしまいジッタが悪くなる。
【００３８】
各下部保護層は、記録層の劣化及び変質を防ぎ、記録層との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層よりも高い材料からなるものが好ましく、金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。例として、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＴａＯ、Ｔａ２Ｏ５などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で用いることもできるが、互いの混合物を用いても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。良く用いられる材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ-ＳｉＯ２が挙げられる。特にその場合の混合比としてはＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０が最も好ましい。ＺｎＳ-ＳｉＯ２は、屈折率ｎが高く消衰係数ｋがほぼゼロであるために記録層の光の吸収効率を上げ、かつ熱伝導率が小さいために光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができる。これにより、記録層を溶融可能な温度まで昇温することができる。
【００３９】
第１下部保護層ｂ１の膜厚は、４０〜８０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第１下部保護層ｂ１の膜厚が４０ｎｍよりも薄いと、第１情報層１５ｂの光透過率が低下するとともに、繰り返し記録に対する耐久性が低下する。一方、第１下部保護層ｂ１の膜厚が８０ｎｍよりも厚いと、繰り返し記録耐久性は良いが第１情報層１５ｂの光透過率が低下するとともに、成膜したときに基板の反りが大きくなり光ディスクの機械特性が悪くなる。
【００４０】
第２下部保護層ｄ１の膜厚は、１１０ｎｍ〜１６０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。第２下部保護層ｄ１の膜厚が１１０ｎｍよりも薄いと、第２情報層１５ｄの反射率が低下し、再生時に所定の信号振幅が得られにくい。一方、第２下部保護層ｄ１の膜厚が１６０ｎｍよりも厚いと、第２情報層１５ｄの光透過率が低下するとともに、成膜したときに基板の反りが大きくなり光ディスクの機械特性が悪くなる。
【００４１】
熱拡散層ｂ５は、光が照射された第１記録層ｂ２を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、第２情報層ｄ２に対して記録及び再生ができるよう、照射された光の波長での吸収率が小さいこと、すなわち照射された光に対して透明であることも望まれる。以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、炭化物、弗化物の少なくとも一種を含んでいることが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＩＺＯ、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３-ＳｎＯ２）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、及びＢＮなどが挙げられる。中でも、ＩＺＯ、若しくはＩＴＯが最も好ましい。また、ＩＴＯに含まれている酸化スズは１〜１０重量％であることが好ましく、これより少ない、若しくは多いと、熱伝導率および透過率が低下してしまう。また、信頼性を向上させるため０．１〜５．０重量％の範囲で他の元素を添加しても良い。これよりも少ないと信頼性向上の効果が得られなくなり、多いと光吸収が大きくなり、透過率が減少してしまう。
【００４２】
また、ＩＴＯに代えてＩＺＯを用いると、光ディスク中での内部応力が小さくなるため、膜厚の経時変化が極めて起こりにくくなる。なお、ＩＺＯおよびＩＴＯ中に含まれているＩｎ２Ｏ３は９０モル％程度であることが好ましい。
【００４３】
熱拡散層ｂ５の膜厚は、４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。熱拡散層ｂ５の膜厚が４０ｎｍよりも薄いと、第１情報層１５ｂの光透過率が低下し、充分な放熱効果が得られにくい。一方、熱拡散層ｂ５の膜厚が８０ｎｍよりも厚いと、第１情報層１５ｂの光透過率が低下する。
【００４４】
第１基板１５ａは、記録及び再生のために照射する光を十分に透過させるものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものが適用される。すなわち、ガラス、セラミックスあるいは樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性及びコストの点で好適である。樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性及びコストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。第１基板１５ａ上の第１情報層１５ｂが積層される面には、スパイラル状又は同心円状のグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは、通常、射出成形法またはフォトポリマー法などによって成形される。第１基板１５ａの厚さは、１０μｍ〜６００μｍが好ましい。
【００４５】
第２基板１５ｅの材料としては、第１基板１５ａと同様の材料を用いても良いが、記録及び再生を行なうために照射される光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板１５ａとは材質や溝形状が異なってもよい。第２基板１５ｅの厚さは特に限定されないが、第１基板１５ａの厚さとの合計が約１．２ｍｍになるように第２基板１５ｅの厚さを選択することが好ましい。
【００４６】
中間層１５ｃは、記録及び再生を行なうために照射される光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。第２基板１５ｅ及び中間層１５ｃには、第１基板１５ａと同様な、射出成形法またはフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていても良い。中間層１５ｃは、記録及び再生を行なう際に、第１情報層１５ｂと第２情報層１５ｄとを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０μｍ〜７０μｍが好ましい。中間層１５ｃの厚さが１０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じやすくなる。一方、中間層１５ｃの厚さが７０μｍより厚いと、第２記録層ｄ２に対して記録及び再生を行うときに球面収差が発生し、記録及び再生が困難になる。
【００４７】
また、本実施形態では、光ディスク１５における前記案内溝は、ＤＶＤ＋ＲＷと同様に所定の周期で蛇行しており、位相変調によって各種情報がＡＤＩＰ情報として記録されているものとする。そして、このＡＤＩＰ情報には、後述する記録処理で用いられる各種情報が含まれているものとする。すなわち、記録パワーの最適値及び消去パワーの最適値を求める際に用いられる設定値情報が、光ディスク１５のリードイン領域及びリードアウト領域の少なくとも一方にプリフォーマットされている。
【００４８】
次に、光ディスク１５の製造方法について簡単に説明する。製造方法は、成膜工程、初期化工程及び密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程が行なわれる。
【００４９】
成膜工程では、第１基板１５ａの凹凸パターンが形成されている面に、順に第１下部保護層ｂ１、第１記録層ｂ２、第１上部保護層ｂ３、第１反射層ｂ４及び熱拡散層ｂ５を成膜する。このようにして第１基板１５ａ上に第１情報層１５ｂが形成されたものを以下では便宜上、「第１記録部材」という。また、第２基板１５ｅの凹凸パターンが形成されている面に、順に第２反射層ｄ４、第２上部保護層ｄ３、第２記録層ｄ２及び第２下部保護層ｄ１を成膜する。このようにして第２基板１５ｅ上に第２情報層１５ｄが形成されたものを以下では便宜上、「第２記録部材」という。各層はそれぞれ、各種気相成長法（例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法など）によって成膜される。中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法では、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させて、いわゆる反応スパッタリングさせても良い。
【００５０】
初期化工程では、上記第１記録部材及び第２記録部材に対して、それぞれレーザ光などのエネルギー光を照射し、各記録層の全面を初期化、すなわち結晶化させる。この初期化工程の際に、レーザ光のエネルギーによりいずれかの膜が浮いてくる（剥離する）恐れのある場合には、エネルギー光を照射する前に、熱拡散層ｂ５及び第２下部保護層ｄ１の上にそれぞれＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。
【００５１】
密着工程では、第１記録部材と第２記録部材とを中間層１５ｃを介して貼り合わせる。例えば、熱拡散層ｂ５及び第２下部保護層ｄ１のいずれか一方の面にＵＶ樹脂を塗布した後、熱拡散層ｂ５と第２下部保護層ｄ１とを対向させて、第１記録部材と第２記録部材とを密着させ、紫外線を照射してＵＶ樹脂を硬化させる。これにより、第１記録部材と第２記録部材とが中間層１５ｃを介して一体化され、光ディスク１５となる。
【００５２】
なお、密着工程を初期化工程よりも先に行っても良い。この場合には、第１記録部材と第２記録部材とが中間層１５ｃを介して一体化された後に、第１基板１５ａ側から各記録層をそれぞれ初期化することとなる。
【００５３】
図１に戻り、前記光ピックアップ装置２３は、光ディスク１５の２つの記録層のうちアクセス対象の記録層（以下「対象記録層」と略述する）にレーザ光を照射するとともに、光ディスク１５からの反射光を受光するための装置である。この光ピックアップ装置２３は、一例として図３に示されるように、光源ユニット５１、カップリングレンズ５２、ビームスプリッタ５４、対物レンズ６０、集光レンズ５８、受光器ＰＤ、及び対物レンズ６０を駆動するための不図示の駆動系（フォーカシングアクチュエータ及びトラッキングアクチュエータ）などを備えている。
【００５４】
上記光源ユニット５１は、波長が６６０ｎｍのレーザ光を発光する光源としての半導体レーザＬＤを含んで構成されている。なお、本実施形態では、光源ユニット５１から出射されるレーザ光の最大強度出射方向を＋Ｘ方向とする。この光源ユニット５１の＋Ｘ側には、前記コリメートレンズ５２が配置され、光源ユニット５１から出射された光を略平行光とする。
【００５５】
前記ビームスプリッタ５４は、コリメートレンズ５２の＋Ｘ側に配置され、コリメートレンズ５２からの光をそのまま透過させ、かつ光ディスク１５からの反射光（戻り光）を−Ｚ方向に分岐する。このビームスプリッタ５４の＋Ｘ側には、ＮＡ＝０．６５の前記対物レンズ６０が配置され、ビームスプリッタ５４を透過した光を光ディスク１５の対象記録層に集光する。
【００５６】
前記検出レンズ５８は、ビームスプリッタ５４の−Ｚ側に配置され、ビームスプリッタ５４で−Ｚ方向に分岐された戻り光を前記受光器ＰＤの受光面に集光する。受光器ＰＤは、通常の光ディスク装置と同様に、ウォブル信号情報、再生データ情報、フォーカスエラー情報及びトラックエラー情報などを含む信号を出力する複数の受光素子を含んで構成されている。各受光素子はそれぞれ光電変換により受光量に応じた信号を生成し再生信号処理回路２８に出力する。
【００５７】
前記フォーカシングアクチュエータ（図示省略）は、対物レンズ６０の光軸方向であるフォーカス方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのアクチュエータである。ここでは、便宜上、対象記録層が第１記録層ｂ２のときのフォーカス方向に関する対物レンズ６０の最適位置を「第１レンズ位置」といい、対象記録層が第２記録層ｄ２のときのフォーカス方向に関する対物レンズ６０の最適位置を「第２レンズ位置」ということとする。
【００５８】
前記トラッキングアクチュエータ（図示省略）は、トラックの接線方向に直交する方向であるトラッキング方向に対物レンズ６０を微少駆動するためのアクチュエータである。
【００５９】
ここで、光ディスク１５からの戻り光について説明する。
【００６０】
対象記録層が第１記録層ｂ２のときには、対物レンズ６０は前記第１レンズ位置に位置決めされる。これにより、光源ユニット５１から出射された光は、対物レンズ６０によって第１記録層ｂ２に集光される。そして、第１反射層ｂ４で反射された光が信号光として対物レンズ６０に入射する。
【００６１】
対象記録層が第２記録層ｄ２のときには、対物レンズ６０は前記第２レンズ位置に位置決めされる。これにより、光源ユニット５１から出射された光は、対物レンズ６０によって第２記録層ｄ２に集光される。そして、第２反射層ｄ４で反射された光束が信号光として対物レンズ６０に入射する。
【００６２】
図１に戻り、前記再生信号処理回路２８は、前記受光器ＰＤの出力信号（複数の光電変換信号）に基づいて、サーボ信号（フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など）、アドレス情報、同期情報、ＲＦ信号、変調度（Modulation）情報、ガンマ値（gamma）情報、アシンメトリ（Asymmetry）情報、及び和信号の振幅情報などを取得する。
【００６３】
ここで得られたサーボ信号は前記駆動制御回路２６に出力され、アドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５や駆動制御回路２６などに出力される。さらに、再生信号処理回路２８は、ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとして前記バッファマネージャ３７を介して前記バッファＲＡＭ３４に格納する。また、再生データに含まれるアドレス情報はＣＰＵ４０に出力される。
【００６４】
また、再生信号処理回路２８は、前記変調度情報、ガンマ値情報、アシンメトリ情報、及び和信号の振幅情報をＣＰＵ４０に通知する。
【００６５】
なお、変調度Ｍは、図４に示されるように、１４Ｔスペースに対応する結晶状態の反射率をＩ１４Ｈ、１４Ｔマークに対応するアモルファス状態の反射率をＩ１４Ｌとすると、次の（１）式で求めることができる。
【００６６】
変調度Ｍ＝（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）/Ｉ１４Ｈ  ……（１）
【００６７】
また、アシンメトリＡは、３Ｔスペースに対応する結晶状態の反射率をＩ３Ｈ、３Ｔマークに対応するアモルファス状態の反射率をＩ３Ｌとすると（図４参照）、次の（２）式で求めることができる。つまり、アシンメトリＡは、最長マークと最長スペースの反射率の平均値と、最短マークと最短スペースの反射率の平均値とずれを数値的に表したものである。
【００６８】
アシンメトリＡ＝（Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ−Ｉ３Ｈ−Ｉ３Ｌ）／２（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）  ……（２）
【００６９】
図１に戻り、前記駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのサーボ信号に基づいて、前記駆動系の駆動信号を生成し、光ピックアップ装置２３に出力する。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。また、駆動制御回路２６は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、シークモータ２１を駆動するための駆動信号、及びスピンドルモータ２２を駆動するための駆動信号を生成する。各モータの駆動信号は、それぞれシークモータ２１及びスピンドルモータ２２に出力される。
【００７０】
前記バッファＲＡＭ３４には、光ディスク１５に記録するデータ（記録用データ）、及び光ディスク１５から再生したデータ（再生データ）などが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ３４へのデータの入出力は、前記バッファマネージャ３７によって管理されている。
【００７１】
前記エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、バッファＲＡＭ３４に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ３７を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク１５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路２４に出力される。
【００７２】
前記レーザ制御回路２４は、前記半導体レーザＬＤの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、前記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザＬＤの発光特性などに基づいて、半導体レーザＬＤの駆動信号がレーザ制御回路２４にて生成される。
【００７３】
前記インターフェース３８は、上位装置９０（例えば、パソコン）との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（AT Attachment Packet Interface）、ＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）及びＵＳＢ（Universal Serial Bus）などの標準インターフェースに準拠している。
【００７４】
前記フラッシュメモリ３９には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述された本発明に係るプログラムを含む各種プログラム、及び半導体レーザＬＤの発光特性などが格納されている。
【００７５】
前記ＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３９に格納されている上記プログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ４１及びバッファＲＡＭ３４に保存する。
【００７６】
《記録処理》
次に、上位装置９０から記録要求があったときの、光ディスク装置２０における処理（記録処理）について図５及び図６を用いて説明する。図５及び図６のフローチャートは、ＣＰＵ４０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。
【００７７】
上位装置９０から記録要求コマンドを受信すると、フラッシュメモリ３９に格納されている図５及び図６のフローチャートに対応するプログラムの先頭アドレスがＣＰＵ４０のプログラムカウンタにセットされ、記録処理がスタートする。
【００７８】
最初のステップ４０１では、所定の線速度（又は角速度）で光ディスク１５が回転するように駆動制御回路２６に指示するとともに、上位装置９０から記録要求コマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。
【００７９】
次のステップ４０３では、記録要求コマンドから指定アドレスを抽出し、その指定アドレスから、対象記録層が第１記録層ｂ２であるか第２記録層ｄ２であるかを特定する。
【００８０】
次のステップ４０５では、光ディスク１５からＡＤＩＰ情報を取り出し、消去パワー（Ｐｅとする）と記録パワー（Ｐｐとする）との比（εとする）、目標変調度（Ｍtargetとする）、最適な記録パワーを求める際の乗算係数（ρとする）、及び目標アシンメトリ（Ａtargetとする）などを求める。ここで得られた比ε、目標変調度Ｍtarget、乗算係数ρ及び目標アシンメトリＡtargetは、それぞれＲＡＭ４１に保存される。
【００８１】
次のステップ４０７では、記録パワーＰｐの初期値を設定し、レーザ制御回路２４に通知する。
【００８２】
次のステップ４０９では、消去パワーＰｅと記録パワーＰｐとの比がεとなるように、消去パワーＰｅを算出し、レーザ制御回路２４に通知する。
【００８３】
次のステップ４１１では、対象記録層に予め設けられている試し書きの領域にテスト用データの記録を指示する。これにより、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して試し書きの領域にテスト用データが記録される。
【００８４】
次のステップ４１３では、試し書きが完了したか否かを判断する。試し書きが完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ４１５に移行する。
【００８５】
このステップ４１５では、記録パワーＰｐに予め設定されている変分Δｐを加算する。そして、上記ステップ４０９に戻る。
【００８６】
以下、ステップ４１３での判断が肯定されるまで、ステップ４０９→ステップ４１１→ステップ４１３→ステップ４１５の処理を繰り返し行う。
【００８７】
予め設定されている互いに異なる複数の記録パワーＰｐでの試し書きが完了すると、ステップ４１３での判断が肯定され、ステップ４１７に移行する。
【００８８】
このステップ４１７では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記変調度情報を取得する。
【００８９】
次のステップ４１９では、変調度情報から、一例として図７に示されるように、記録パワーＰｐと変調度Ｍとの関係を求める。
【００９０】
次のステップ４２１では、記録パワーＰｐと変調度Ｍとの関係から目標変調度Ｍtargetに対応する記録パワー値（Ｐtargetとする）を求める（図７参照）。
【００９１】
次のステップ４２３では、次の（３）式に基づいて、記録パワーの最適値（Ｐpoとする）を算出する。
【００９２】
Ｐpo＝ρ×Ｐtarget  ……（３）
【００９３】
次のステップ４３１では、記録パワーを最適値Ｐpoとし、レーザ制御回路２４に通知する。
【００９４】
次のステップ４３３では、εの初期値を設定する。
【００９５】
次のステップ４３５では、ε×Ｐpoを演算し、消去パワーＰｅとしてレーザ制御回路２４に通知する。
【００９６】
次のステップ４３７では、対象記録層に予め設けられている試し書きの領域にテスト用データの記録を指示する。これにより、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して試し書きの領域にテスト用データが記録される。
【００９７】
次のステップ４３９では、試し書きが完了したか否かを判断する。試し書きが完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ４４１に移行する。
【００９８】
このステップ４４１では、εに予め設定されている変分Δεを加算する。そして、上記ステップ４３５に戻る。
【００９９】
以下、ステップ４３９での判断が肯定されるまで、ステップ４３５→ステップ４３７→ステップ４３９→ステップ４４１の処理を繰り返し行う。
【０１００】
予め設定されている互いに異なる複数のεでの試し書きが完了すると、ステップ４３９での判断が肯定され、ステップ４４３に移行する。
【０１０１】
このステップ４４３では、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記アシンメトリ情報を取得する。
【０１０２】
次のステップ４４５では、アシンメトリ情報から、一例として図８に示されるように、消去パワーＰｅとアシンメトリＡとの関係を求める。
【０１０３】
次のステップ４４７では、消去パワーＰｅとアシンメトリＡとの関係から目標アシンメトリＡtargetに対応する消去パワー値（Ｐeoとする）を求める（図８参照）。この消去パワー値Ｐeoを消去パワーの最適値とする。
【０１０４】
次のステップ５０１では、指定アドレスに対応する目標位置近傍に光スポットが形成されるように、駆動制御回路２６に指示する。これにより、シーク動作が行なわれる。なお、シーク動作が不要であれば、ここでの処理はスキップされる。
【０１０５】
次のステップ５０３では、記録条件を設定する。ここでは、記録パワーはＰpo、消去パワーはＰeoとする。すなわち、いずれも最適値をセットする。
【０１０６】
次のステップ５０５では、記録を許可する。これにより、エンコーダ２５、レーザ制御回路２４及び光ピックアップ装置２３を介して指定アドレスに、最適な記録条件でユーザデータが記録される。
【０１０７】
次のステップ５０７では、記録が完了したか否かを判断する。完了していなければ、ここでの判断は否定され、所定時間経過後に再度判断する。完了していれば、ここでの判断は肯定され、記録処理を終了する。
【０１０８】
なお、上記記録処理では、変調度を用いて記録パワーＰｐの最適値を求めているが、図９及び図１０のフローチャートに示されるように、変調度に代えてガンマ値（γとする）を用いて記録パワーＰｐの最適値を求めても良い。なお、図９及び図１０のフローチャートにおける上記記録処理と同じ符号のステップでは、上記記録処理と同様な処理を行う。そこで、上記記録処理との相違点のみを以下に説明する。
【０１０９】
ステップ４０５Ａでは、光ディスク１５からＡＤＩＰ情報を取り出し、消去パワーＰｅと記録パワーＰｐとの比ε、目標ガンマ値（γtargetとする）、乗算係数ρ、及び目標アシンメトリＡtargetなどを求める。なお、目標ガンマ値γtargetは、ＡＤＩＰ情報の一部として、光ディスク１５にプリセットされているものとする。
【０１１０】
ステップ４１７Ａでは、再生信号処理回路２８を介して、テスト用データが記録された試し書きの領域を再生し、前記ガンマ値情報を取得する。
【０１１１】
次のステップ４１９Ａでは、ガンマ値情報から、一例として図１１に示されるように、記録パワーＰｐとガンマ値γとの関係を求める。
【０１１２】
次のステップ４２１Ａでは、記録パワーＰｐとガンマ値γとの関係から目標ガンマ値γtargetに対応する記録パワーＰtargetを求める（図１１参照）。
【０１１３】
また、上記記録処理では、アシンメトリを用いて消去パワーＰeの最適値を求めているが、図１２及び図１３のフローチャートに示されるように、受光器Ｐｄの出力信号から得られる和信号の振幅を用いて消去パワーＰｅの最適値を求めても良い。なお、図１２及び図１３のフローチャートにおける上記記録処理と同じ符号のステップでは、上記記録処理と同様な処理を行う。そこで、上記記録処理との相違点のみを以下に説明する。
【０１１４】
ステップ４０５Ｂでは、光ディスク１５からＡＤＩＰ情報を取り出し、消去パワーＰｅと記録パワーＰｐとの比ε、目標変調度Ｍtarget、乗算係数ρ、係数α及びβなどを求める。なお、係数α及びβは、ＡＤＩＰ情報の一部として、光ディスク１５にプリセットされているものとする。
【０１１５】
ステップ４５１では、記録パワーＰｐに最適値Ｐpoをセットし、レーザ制御回路２４に通知する。
【０１１６】
次のステップ４５３では、対象記録層に予め設けられている試し書きの領域に、テスト用データの記録を指示する。これにより、最適な記録パワーＰpoでテスト用データが記録される。
【０１１７】
次のステップ４５５では、εの初期値を決定する。
【０１１８】
次のステップ４５７では、ε×Ｐpoを演算し、消去パワーＰｅとしてレーザ制御回路２４に通知する。
【０１１９】
次のステップ４５９では、テスト用データが記録されている試し書きの領域の一部の消去処理を指示する。ここでは、消去パワーＰｅによるいわゆるＤＣ消去が行われる。
【０１２０】
次のステップ４６１では、消去処理が完了したか否かを判断する。消去処理が完了していなければ、ここでの判断は否定され、ステップ４６３に移行する。
【０１２１】
このステップ４６３では、εに予め設定されている変分Δεを加算する。そして、上記ステップ４５７に戻る。
【０１２２】
以下、ステップ４６１での判断が肯定されるまで、ステップ４５７→ステップ４５９→ステップ４６１→ステップ４６３の処理を繰り返し行う。
【０１２３】
予め設定されている互いに異なる複数のεでの消去が完了すると、ステップ４６１での判断が肯定され、ステップ４６５に移行する。
【０１２４】
このステップ４６５では、再生信号処理回路２８を介して、消去処理された試し書きの領域を再生し、前記和信号の振幅情報を取得する。
【０１２５】
次のステップ４６７では、和信号の振幅（Ｗdcとする）と消去パワーＰｅとの関係を求める。
【０１２６】
次のステップ４６９では、再生信号処理回路２８を介して、未記録領域における和信号の振幅（Ｗｏとする）を求める。
【０１２７】
次のステップ４７１では、和信号の振幅（Ｗdcとする）と消去パワーＰｅとの関係から、α×Ｗｏに対応する消去パワー（Ｐedcとする）を求める。
【０１２８】
次のステップ４７３では、β×Ｐedcを演算し、その結果を最適な消去パワー値Ｐeoとする。そして、前記ステップ５０１に移行する。
【０１２９】
なお、α及びβは、光ディスクの種類あるいはテスト用データの消去処理結果から光ディスク装置２０側で設定しても良い。
【０１３０】
《実施例》
以下、実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。情報の記録は、いわゆる１Ｔ周期ストラテジ（図１４参照）を用いて行い、記録線速は９．２ｍ／ｓ、再生線速は３．８３ｍ／ｓ、再生パワーは１．４ｍＷとした。スパッタ装置は、バルザース社製のＤＶＤスプリンター（枚葉スパッタ装置）を用いた。
【０１３１】
１．実施例１
第１基板１５ａとしての直径１２ｃｍ、厚さ０．５７５ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂の上に、第１下部保護層ｂ１としての膜厚が６０ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)、第１記録層ｂ２としての膜厚が８ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ４．５Ｓｂ６９Ｔｅ２４Ｇｅ２．３、第１上部保護層ｂ３としての膜厚が７．５ｎｍのＩｎ２Ｏ３（７．５ｍoｌ％）−ＺｎＯ（２２．５ｍoｌ％）−ＳｎＯ２（６０ｍoｌ％）−Ｔａ２Ｏ５（１０ｍoｌ％）、第１反射層ｂ４としての膜厚が１０ｎｍのＣｕ（９８．９重量％）−Ｍｏ（１．１重量％）、熱拡散層ｂ５としての膜厚が６０ｎｍのＩｎ２Ｏ３（９０ｍoｌ％）−ＺｎＯ（１０ｍoｌ％）を、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１３２】
第２基板１５ｅとしての直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂上に、第２反射層としての膜厚が１４０ｎｍのＡｇ、第２上部保護層ｄ３としての膜厚が１５ｎｍのＩｎ２Ｏ３（７．５ｍoｌ％）−ＺｎＯ（２２．５ｍoｌ％）−ＳｎＯ２（６０ｍoｌ％）−Ｔａ２Ｏ５（１０ｍoｌ％）、第２記録層ｄ２としての膜厚が１５ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ４．５Ｓｂ６９Ｔｅ２４Ｇｅ２．３、第２下部保護層ｄ１としての膜厚が１４０ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)を、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１３３】
熱拡散層ｂ５の表面に紫外線硬化樹脂（日本化薬社製カヤラッドＤＶＤ００３Ｍ）を塗布し、第２下部保護層ｄ１と貼り合わせた。そして、第１基板１５ａ側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層１５ｃとし、２つの情報層を有する２層相変化型光ディスクを作成した。中間層１５ｃの厚さは５５μｍとした。
【０１３４】
次に、初期化処理の専用装置を用いて、第１基板１５ａ側からレーザ光を照射し、第２記録層ｄ２、第１記録層ｂ２の順に初期化処理を行なった。初期化は、半導体レーザ（発振波長８１０±１０ｎｍ）から出射されるレーザ光を、ＮＡ＝０.５５の対物レンズで各記録層にそれぞれ集光することにより行なった。第２記録層ｄ２の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光ディスクを回転させ、線速３ｍ/ｓ、送り量３６μｍ/回転、半径位置（回転中心からの距離）２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー１０５０ｍＷとした。第１記録層ｂ２の初期化条件は、ＣＬＶ（線速度一定）モードにより光ディスクを回転させ、線速３ｍ/ｓ、送り量５０μｍ/回転、半径位置（回転中心からの距離）２３ｍｍ〜５８ｍｍ、初期化パワー７００ｍＷとした。初期化後の第１情報層１５ｂの光透過率は３７．４％であった。
【０１３５】
第１情報層１５ｂに対して、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ＝０．１８８Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０．６Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔとして１Ｔ周期ストラテジを用いて試し書きを行なったところ、図１５に示される変調度（Modulation）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。Ｍtarget＝０．４７、ρ＝１．３６と決めておくと、Ｐtarget＝２２ｍＷ、Ｐpo＝２９．２ｍＷとなった。そして、記録パワーをこのＰpoに固定し、εを振ってアシンメトリ（Asymmetry）を測定したところ、図１６に示されるデータが得られた。Ａtarget＝０．０５と決めておくと、そのときの消去パワーの値でのジッタ（jitter）は７．６％と良好な値を示した。ここでジッタとは、マークとスペースの反射率をスライスレベルで２値化したとき、その境界とクロックとの時間的なずれを表したものである。
【０１３６】
２．実施例２
実施例１と同様の２層相変化型光ディスクを用い、実施例１と同様にして第１情報層１５ｂに試し書きを行なったところ、図１５に示されるガンマ値（gamma）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。γtarget＝１．９、ρ＝１．３６と決めておくと、実施例１と同様にＰtarget＝２２ｍＷ、Ｐpo＝２９．２ｍＷとなり、ジッタは７．６％と良好な値を示した。
【０１３７】
３．実施例３
第１下部保護層ｂ１の膜厚を７５ｎｍに、第１記録層ｂ２の膜厚を７．５ｎｍに、第１上部保護層ｂ３の膜厚を３ｎｍに、第１反射層ｂ４の膜厚を７ｎｍにした点以外は、上記実施例１と同様の層構成を有する２層相変化型光ディスクを用いた。初期化後の第１情報層１５ｂの光透過率は４３．７％であった。
【０１３８】
第１情報層１５ｂに対して、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ＝０．２Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔとして１Ｔ周期ストラテジを用いて試し書きを行なったところ、図１７に示される変調度と記録パワーＰｐとの関係が得られた。Ｍtarget＝０．４６、ρ＝１．２９と決めておくと、Ｐtarget＝２４ｍＷ、Ｐpo＝３１．０ｍＷとなった。そして、記録パワーをこのＰpoに固定し、εを振ってアシンメトリ（Asymmetry）を測定したところ、図１８に示されるデータが得られた。Ａtarget＝−０．０７と決めておくと、そのときの消去パワーの値でのジッタは８．１％と良好な値を示した。
【０１３９】
４．実施例４
実施例３と同様の２層相変化型光ディスクを用い、実施例３と同様にして第１情報層１５ｂに試し書きを行なったところ、図１７に示されるガンマ値（gamma）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。γtarget＝１．７、ρ＝１．２９と決めておくと、実施例３と同様にＰtarget＝２４ｍＷ、Ｐpo＝３１．０ｍＷとなり、ジッタは８．１％と良好な値を示した。
【０１４０】
５．実施例５
第１下部保護層ｂ１の膜厚を７５ｎｍに、第１記録層ｂ２の膜厚を７．５ｎｍに、第１上部保護層ｂ３の膜厚を５ｎｍに、第１反射層ｂ４の膜厚を７ｎｍにした点以外は、上記実施例１と同様の層構成を有する２層相変化型光ディスクを用いた。初期化後の第１情報層１５ｂの光透過率は４３．４％であった。
【０１４１】
第１情報層１５ｂに対して、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ＝０．２Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔとして１Ｔ周期ストラテジを用いて試し書きを行なったところ、図１９に示される変調度（Modulation）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。Ｍtarget＝０．４８、ρ＝１．２６と決めておくと、Ｐtarget＝２３ｍＷ、Ｐpo＝２９．０ｍＷとなった。そして、記録パワーをこのＰpoに固定し、εを振ってアシンメトリ（Asymmetry）を測定したところ、図２０に示されるデータが得られた。Ａtarget＝−０．０５と決めておくと、そのときの消去パワーの値でのジッタは８．６％と良好な値を示した。
【０１４２】
６．実施例６
実施例５と同様の２層相変化型光ディスクを用い、実施例５と同様にして第１情報層１５ｂに試し書きを行なったところ、図１９に示されるガンマ値（gamma）と記録パワーＰｐとの関係が得られた。γtarget＝１．７、ρ＝１．２６と決めておくと、実施例５と同様にＰtarget＝２３ｍＷ、Ｐpo＝２９．０ｍＷとなり、ジッタは８．６％と良好な値を示した。
【０１４３】
７．実施例７
第１基板１５ａとしての直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂の上に、第１下部保護層ｂ１としての膜厚が６０ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)、第１記録層ｂ２としての膜厚が８ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ４Ｓｂ６９Ｔｅ２３Ｇｅ３．８、第１上部保護層ｂ３としての膜厚が５ｎｍのＩｎ２Ｏ３、第１反射層ｂ４としての膜厚が８ｎｍのＣｕ９５Ａｇ５、熱拡散層ｂ５としての膜厚が６０ｎｍのＩｎ２Ｏ３（９０ｍoｌ％）−ＺｎＯ（１０ｍoｌ％）を、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。
【０１４４】
第２基板１５ｅとしての直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．７４μｍの連続した蛇行溝が形成されたポリカーボネート樹脂上に、第２反射層としての膜厚が１２０ｎｍのＡｇ、界面層としての膜厚が４ｎｍのＴｉＯＣ、第２上部保護層ｄ３としての膜厚が１５ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)、第２記録層ｄ２としての膜厚が１５ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ４Ｓｂ６９Ｔｅ２３Ｇｅ３．８、第２下部保護層ｄ１としての膜厚が１４０ｎｍのＺｎＳ（８０ｍoｌ％）−ＳｉＯ２(２０ｍoｌ％)を、順にＡｒガス雰囲気中のマグネトロンスパッタリング法で成膜した。密着工程及び初期化工程は前記実施例１と同様にして行った。
【０１４５】
第１情報層１５ｂに対して、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ＝０．２２Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔとして１Ｔ周期ストラテジを用いて試し書きを行なったところ、Ｐpo＝２８ｍＷであった。次に、記録パワーをＰpo（＝２８ｍＷ）にして試し書きを行い、消去パワーＰｅを、ε＝０．１９６と決められている値の±１０％で与えられるＰｅの範囲で変化させつつ試し書きの領域をＤＣ消去した。そして、試し書きの領域からの反射光から得られる受光器ＰＤの出力信号の和信号の振幅Ｗdcを測定したところ、図２１及び図２２に示されるデータが得られた。なお、未記録部に対応する和信号の振幅Ｗｏは８ｍＶであった。信号振幅Ｗdcが２×Ｗｏ（α＝２とした）となるときのε（＝０．１８６）に対応する消去パワーをＰedc（＝５．２２ｍＷ）とし、このＰedcを１．１倍（β＝１．１とした）した値を、最適な消去パワーＰeo（＝５．７ｍＷ（ε＝０．２０４））とした。この条件で複数トラックに繰り返し１０回記録を行なったところ、図２３及び図２４に示されるように、ジッタは８％と良好な値を示した。
【０１４６】
図２５には、Ｐｅが一定（＝５．７ｍＷ）の場合（条件Ａとする）とＰｅがＰｐ×ε（ε＝０．２）の場合（条件Ｂとする）とにおける記録パワーマージンが示されている。記録パワーが最適な記録パワー（＝２８ｍＷ）からずれると、条件Ｂでは条件Ａよりもジッタが悪化している。
【０１４７】
８．実施例８
実施例１と同様の２層相変化型光ディスクを用いた。第１情報層１５ｂに対して、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ＝０．１８８Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０．６Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３Ｔとして１Ｔ周期ストラテジを用いて試し書きを行なったところ、Ｐpo＝２９．２ｍＷであった。次に、記録パワーをＰpo（＝２９．２ｍＷ）にして試し書きを行い、消去パワーＰｅを、ε＝０．２２６と決められている値の±１０％で与えられるＰｅの範囲で変化させつつ試し書きの領域をＤＣ消去した。そして、信号振幅Ｗdcを測定したところ、図２６に示されるデータが得られた。なお、信号振幅Ｗｏは８ｍＶであった。信号振幅Ｗdcが２×Ｗｏ（α＝２とした）となるときのε（＝０．２１２）に対応する消去パワーをＰedc（＝６．２ｍＷ）とし、このＰedcを１．１倍（β＝１．１とした）した値を、最適な消去パワーＰeo（＝６．８ｍＷ（ε＝０．２３３））とした。この条件で複数トラックに繰り返し１０回記録を行なったところ、図２７に示されるように、ジッタは７．８％と良好な値を示した。
【０１４８】
９．実施例９
第１記録層ｂ２を膜厚が７．５ｎｍのＡｇ０．２Ｉｎ３．５Ｓｂ６９．８Ｔｅ２２Ｇｅ４．５とし、第１上部保護層ｂ３の膜厚を３ｎｍ、第１反射層ｂ４の膜厚を７．５ｎｍとした点以外は実施例１と同様の２層相変化型光ディスクを用いた。第１情報層１５ｂに対して、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ＝０．１８８Ｔ、ｄＴｔｏｐ＝０．３７５Ｔ、ｄＴlast＝−０．４３８Ｔ、ｄＴｅｒａ＝０．３７５Ｔとして１Ｔ周期ストラテジを用いて試し書きを行なった。なお、ｄＴlastにおける「−」符号は、基準から時間的に遅れていることを意味している（図３５参照）。
【０１４９】
試し書きの領域（ＰＣＡ）内にある３トラックに最適な記録パワーＰｐｏ（＝３８ｍＷ）で１回記録し、該記録が行われた領域を、予めディスクの所定領域にフォーマット（記録）されているε（＝０．１８２）から算出された消去パワーＰｅで消去した。そして、そのトラック上でＰｅを逐次変化させて１回記録、１０回記録、及び１００回記録を行ない、それぞれのアシンメトリを測定した。図３６に示されるように、試し書きの領域の使用頻度によりアシンメトリに差が生じた。一方、アシンメトリがほぼ０に対応するεを用いて試し書きの領域以外の記録領域に記録し、Ｐｐｏ＝３８ｍＷ、ε＝０．１７２および０．１８２（Ｐｅｏ＝６．５ｍＷおよび６．９ｍＷ）でのジッタを確認したところ、図３７に示されるように、試し書きの領域の使用頻度が異なっていても、いずれも良好な値が得られた。
【０１５０】
すなわち、いずれの実施例においても、ジッタは良好な値を示しており、光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが可能である。
【０１５１】
ところで、図２８には、Ｐｅが一定（＝６ｍＷ）の場合（条件Ａとする）とＰｅがＰｐ×ε（ε＝０．２１４）の場合（条件Ｂとする）とにおいて、第１情報層１５ｂに１Ｔ周期ストラテジで繰り返し１０回の記録を行ったときの記録パワーマージンが示されている。また、図２９には、そのときのアシンメトリが示されている。記録パワーが最適な記録パワー（＝２８ｍＷ）からずれると、条件Ｂでは条件Ａよりもジッタが悪化している。また、記録パワーが最適な記録パワー（＝２８ｍＷ）よりも大きくなると、条件Ｂでは条件Ａよりもアシンメトリが悪化している。
【０１５２】
図３０には、Ｐｅが一定（＝６ｍＷ）の場合とＰｅがＰｐ×ε（ε＝０．２１４）の場合とにおいて、第１情報層１５ｂに２Ｔ周期ストラテジで繰り返し１０回の記録を行ったときの記録パワーマージンが示されている。また、図３１には、そのときのアシンメトリが示されている。この場合も１Ｔ周期ストラテジのときと同様な傾向であった。
【０１５３】
すなわち、１Ｔ周期ストラテジ、２Ｔ周期ストラテジのいずれにしても、Ｐｅ＝一定で記録した方が、Ｐｅ＝Ｐｐ×εで記録するよりも、記録パワーＰｐに対するジッタのマージンを広く取ることができ、良好な記録品質を得ることができる。このことは、最適な消去パワーＰｅｏが確実に決定されていれば、最適な記録パワーＰｐが万一ある程度ずれた場合でも、安定した情報の記録を行なうことができることを意味している（図２８、図３０参照）。
【０１５４】
また、図３２には、ＰｐとＰｅとジッタとの関係が示されている。ＰｅがＰｐ×εの場合とジッタの最小値とは一致していない。図３３には、ＰｐとＰｅと変調度との関係が示されている。図３４には、ＰｐとＰｅとアシンメトリとの関係が示されている。
【０１５５】
以上の説明から明らかなように、本実施形態に係る光ディスク装置２０では、ＣＰＵ４０及び該ＣＰＵ４０によって実行されるプログラムによって、最適パワー取得手段が構成されている。なお、ＣＰＵ４０によるプログラムに従う処理の少なくとも一部をハードウェアによって構成することとしても良いし、あるいは全てをハードウェアによって構成することとしても良い。
【０１５６】
また、エンコーダ２５とレーザ制御回路２４と光ピックアップ装置２３とによって、記録手段が構成されている。
【０１５７】
また、本実施形態では、記録媒体としてのフラッシュメモリ３９に記録されているプログラムのうち、図５と図６又は図９と図１０又は図１２と図１３に対応するプログラムによって、本発明に係るプログラムが実行されている。
【０１５８】
そして、上記記録処理にて、本発明に係るパワー決定方法及び記録方法が実施されている。
【０１５９】
以上説明したように、本実施形態に係る光ディスク装置２０によると、先ず、記録パワーと消去パワーとの比εが予め設定された値となる条件で、記録パワー及び消去パワーをそれぞれ変化させつつ光ディスク１５に試し書きを行い、該試し書きの結果に基づいて、目標変調度Ｍtarget（予め設定された変調度）あるいは目標ガンマ値γtarget（予め設定されたガンマ値）に対応する記録パワーを求め、該記録パワーに乗算係数ρ（予め設定された係数）を乗算して記録パワーの最適値Ｐpoを求めている。
【０１６０】
次に、記録パワーを最適値の記録パワーＰpoとし、消去パワーのみを変化させつつ光ディスク１５に試し書きを行い、該試し書きの結果に基づいて、目標アシンメトリＡtarget（予め設定されたアシンメトリ）に対応する消去パワーＰeoを取得し、該消去パワーＰeoを最適値としている。
【０１６１】
あるいは、最適値の記録パワーＰpoで光ディスク１５の試し書き領域にテスト用データを記録した後、種々の消去パワーで前記試し書き領域を消去し、該試し書き領域から得られる和信号の振幅Ｗdcに基づいて、α×（未記録領域から得られる和信号の振幅Ｗｏ）に対応する消去パワーＰedcを求め、β×Ｐedcを消去パワーの最適値としている。
【０１６２】
そして、得られた記録パワーの最適値Ｐpo及び消去パワーの最適値Ｐeoを用いて光ディスク１５にユーザデータを記録している。従って、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうことが可能となる。特に、対象記録層が光源ユニット５１からのレーザ光の入射面に近い第１記録層ｂ２の場合には、より大きな効果が得られる。
【０１６３】
ところで、基板の片面側から光を照射する片面多層光ディスクとして、少なくとも記録層と金属反射層からなる情報層を二つ重ねて、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着して作成される２層相変化型光記録媒体が提案されている。前記情報層間の接着部分である分離層（本発明では「中間層」という）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生に用いるレーザ光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、手前側の情報層はレーザ光をなるべく透過しやすい材料及び膜厚から構成されている。この２層相変化型光記録媒体について、レーザ光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザ光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録しそれを再生することができない。そのため、第１情報層では、反射層を極薄な半透明反射層とし、さらに熱伝導性の高い透明な材料を重ねなければならない。第２情報層は光を透過させる必要が無いため、従来の単層光記録媒体のように金属反射層を厚く成膜できる。相変化型光記録媒体への記録は記録層の相変化記録材料にレーザ光を照射して急冷し、結晶をアモルファスに変化させてマークを形成することにより行なわれる。消去は連続光を照射して徐冷することにより結晶状態にする。２層相変化型光記録媒体では、第２情報層はＡｇのような熱伝導性の高い金属層を設けることで放熱性の良い層構成となるため、アモルファスマークの形成および消去が的確に行なわれる。しかし、２層相変化型光記録媒体の第１情報層に設けられる半透明金属層は、透過率を確保するために膜厚１０ｎｍ程度と非常に薄くしなければならない。また放熱性をできるだけ良くするために、半透明金属層上に透明な熱拡散層を敷く。これによって放熱効果を向上させ記録および消去を行いやすくしている。しかし、金属反射層を充分に厚く成膜することのできる第２情報層と比べると、放熱性は悪くなり余熱が逃げにくいため記録および消去が困難になってしまう（図３８参照）。図３８では、書換え可能な光記録媒体への記録方法として、マークを形成する時は記録パワーＰｐとバイアスパワーＰｂでパルス状に強度変調し、消去する場合は消去パワーＰｅなる連続光を照射し、パワーの比Ｐｅ／Ｐｐ（＝εとする）を一定とした記録方法を用いた。なお、手前側の情報層（第１情報層）ではε＝０．１８、奥側の情報層（第２情報層）ではε＝０．４０９である。第１情報層と第２情報層の層構成上の違い、特に金属層が薄いか厚いかの違いだけで、一例として図３８に示されるように、良好なジッタ特性を与えるパワーの範囲（パワーマージン）が第２情報層の方が広く、第１情報層の方が狭い。従って、第２情報層のパワー条件は、従来のように最適な記録パワーＰｐｏが決定されれば同時にＰｅｏ＝ε×Ｐｐｏも決定することができる。しかし、第１情報層に関してはパワーマージンが狭いため、Ｐｐｏを決定する方法だけでは記録特性を良くすることは容易ではない。そこで、本実施形態では、さらにεを変化させて最適な消去パワーＰｅｏを決定する方法を考えた。
【０１６４】
また、本実施形態に係る光ディスク１５によると、記録パワーの最適値及び消去パワーの最適値を求める際に用いられる設定値情報がプリフォーマットされているため、上記記録処理において、記録パワーの最適値及び消去パワーの最適値をいずれも迅速に精度良く求めることができる。
【０１６５】
なお、上記実施形態では、光ディスク１５がＤＶＤ系の光ディスクの場合について説明したが、これに限らず、例えば波長が４０５ｎｍの光に対応する次世代の光ディスクであっても良い。
【０１６６】
また、上記実施形態では、光ディスクが２つの記録層（情報層）を有する場合について説明したが、これに限らず、３つ以上の記録層（情報層）を有していてもよい。この場合には、特に、対象記録層が光源ユニット５１からのレーザ光の入射面から最も離れた位置にある記録層以外の記録層の場合に、より大きな効果が得られる。
【０１６７】
また、上記実施形態では、本発明に係るプログラムは、フラッシュメモリ３９に記録されているが、他の記録媒体（ＣＤ、光磁気ディスク、ＤＶＤ、メモリカード、ＵＳＢメモリ、フレキシブルディスク等）に記録されていても良い。この場合には、各記録媒体に対応する再生装置（又は専用インターフェース）を介して本発明に係るプログラムをフラッシュメモリ３９にロードすることとなる。また、ネットワーク（ＬＡＮ、イントラネット、インターネットなど）を介して本発明に係るプログラムをフラッシュメモリ３９に転送しても良い。要するに、本発明に係るプログラムがフラッシュメモリ３９にロードされれば良い。
【０１６８】
また、上記実施形態では、光ピックアップ装置が１つの半導体レーザを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば互いに異なる波長の光束を発光する複数の半導体レーザを備えていても良い。この場合に、例えば波長が約４０５ｎｍの光束を発光する半導体レーザ、波長が約６６０ｎｍの光束を発光する半導体レーザ及び波長が約７８０ｎｍの光束を発光する半導体レーザの少なくとも１つを含んでいても良い。すなわち、光ディスク装置が互いに異なる規格に準拠した複数種類の光ディスクに対応する光ディスク装置であっても良い。この場合に、少なくともいずれかの光ディスクが書き換え可能な複数の記録層を有する片面多層光ディスクであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１６９】
以上説明したように、本発明のパワー決定方法によれば、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクに記録する際の適切な発光パワーを決定するのに適している。また、本発明の記録方法及び光ディスク装置によれば、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なうのに適している。また、本発明のプログラム及び記憶媒体によれば、光ディスク装置に、書き換え可能な複数の記録層を有する光ディスクへの記録品質に優れた記録を安定して行なわせるのに適している。また、本発明の片面多層光ディスクによれば、本発明のパワー決定方法の実施に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る片面多層光ディスクの構成を説明するための断面図である。
【図３】図１における光ピックアップ装置を説明するための図である。
【図４】変調度（Modulation）及びアシンメトリ（Asymmetry）を説明するための図である。
【図５】図１の光ディスク装置での記録処理を説明するためのフローチャート（その１）である。
【図６】図１の光ディスク装置での記録処理を説明するためのフローチャート（その２）である。
【図７】図５及び図６の記録処理を説明するための図（その１）である。
【図８】図５及び図６の記録処理を説明するための図（その２）である。
【図９】図５及び図６の記録処理の変形例１を説明するためのフローチャート（その１）である。
【図１０】図５及び図６の記録処理の変形例１を説明するためのフローチャート（その２）である。
【図１１】図９及び図１０の記録処理を説明するための図である。
【図１２】図５及び図６の記録処理の変形例２を説明するためのフローチャート（その１）である。
【図１３】図５及び図６の記録処理の変形例２を説明するためのフローチャート（その２）である。
【図１４】実施例におけるストラテジ（strategy）を説明するための図である。
【図１５】実施例１及び実施例２を説明するための図である。
【図１６】実施例１を説明するための図である。
【図１７】実施例３及び実施例４を説明するための図である。
【図１８】実施例３を説明するための図である。
【図１９】実施例５及び実施例６を説明するための図である。
【図２０】実施例５を説明するための図である。
【図２１】実施例７を説明するための図（その１）である。
【図２２】実施例７を説明するための図（その２）である。
【図２３】実施例７を説明するための図（その３）である。
【図２４】実施例７を説明するための図（その４）である。
【図２５】実施例７を説明するための図（その５）である。
【図２６】実施例８を説明するための図（その１）である。
【図２７】実施例８を説明するための図（その２）である。
【図２８】１Ｔ周期ストラテジのときのジッタに及ぼす消去パワーの影響を説明するための図である。
【図２９】１Ｔ周期ストラテジのときのアシンメトリに及ぼす消去パワーの影響を説明するための図である。
【図３０】２Ｔ周期ストラテジのときのジッタに及ぼす消去パワーの影響を説明するための図である。
【図３１】２Ｔ周期ストラテジのときのアシンメトリに及ぼす消去パワーの影響を説明するための図である。
【図３２】ＰｅとＰｐとジッタ（Jitter）との関係を説明するための図である。
【図３３】ＰｅとＰｐと変調度（Modulation）との関係を説明するための図である。
【図３４】ＰｅとＰｐとアシンメトリ（Asymmetry）との関係を説明するための図である。
【図３５】図１４のストラテジパラメータを補足するための図である。
【図３６】ＰＣＡの使用頻度が１回、１０回、１００回のときに得られたアシンメトリの消去パワーＰｅ依存性を説明するための図である。
【図３７】得られた最適消去パワーＰｅｏに対し、ＰＣＡ以外の領域で測定した記録特性（ジッタ）を説明するための図である。
【図３８】第１情報層（手前側の情報層）の記録特性と第２情報層（奥側の情報層）の記録特性との違いを説明するための図である。
【符号の説明】
【０１７１】
１５…光ディスク（片面多層光ディスク）、２０…光ディスク装置、２３…光ピックアップ装置（記録手段の一部）、２４…レーザ制御回路（記録手段の一部）、２５…エンコーダ（記録手段の一部）、３９…フラッシュメモリ（記録媒体）、４０…ＣＰＵ（最適パワー取得手段、制御用コンピュータ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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