(57)【要約】【課題】ソフトモールドを形成するために使用するマスターモールドのサイズに依存せずに、工程整合性の高いソフトモールドの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のソフトモールドの製造方法は、ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、ジグ内にプレポリマー層を形成する段階と、プレポリマー層の上にバッグプレーン用基板を付着させる段階と、プレポリマー層を選択的に硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、ジグ及びマスターモールドからポリマー層及びプレポリマー層を取り外す段階と、硬化していないプレポリマー層をとり除く段階とを含み、プレポリマー層は熱硬化またはＵＶ硬化させられ、熱硬化は、マイクロウェーブオーブン内で行われ、ＵＶ硬化は、透過領域と遮光領域とが定義されたマスクを利用して行われることを特徴とする。【選択図】図３Ｄ
2007001289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、
前記ジグ内にプレポリマー層を形成する段階と、
前記プレポリマー層の上にバッグプレーン用基板を付着させる段階と、
前記プレポリマー層を選択的に硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、
前記ジグ及び前記マスターモールドから前記ポリマー層及び前記プレポリマー層を取り外す段階と、
硬化していない前記プレポリマー層をとり除く段階と、を含むことを特徴とするソフトモールドの製造方法。
【請求項２】
前記プレポリマー層は、熱硬化またはＵＶ硬化させることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項３】
前記熱硬化は、マイクロウェーブオーブン内で行われることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項４】
前記ＵＶ硬化は、透過領域と遮光領域とが定義されたマスクを利用して行われることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項５】
ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、
前記ジグ内に熱硬化が可能なプレポリマー層を形成する段階と、
前記プレポリマー層の上にバッグプレーン用基板を付着させる段階と、
前記マスターモールド及び前記プレポリマー層が形成されて前記バックプレーン用基板を付着ささせた前記ジグを、マイクロウェーブオーブン内にローディングする段階と、
前記マイクロウェーブオーブン内で前記プレポリマー層を選択的に熱硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、
前記ジグ及び前記マスターモールドから前記ポリマー層及び前記プレポリマー層を取り外す段階と、
硬化していない前記プレポリマー層をとり除く段階と、を含むことを特徴とするソフトモールドの製造方法。
【請求項６】
前記プレポリマー層は、ポリジメチルシロキサン、ポリイミド、及びエポキシのうちから選択した１つの物質で形成されることを特徴とする請求項５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項７】
前記バッグプレーン用の基板を前記プレポリマー層に付着させる前に、
前記バッグプレーン用の基板の上部にカップリングエージェント処理をすることをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項８】
前記カップリングエージェント処理は、汎用プライマーを使用して行われることを特徴とする請求項５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項９】
前記硬化していないプレポリマー層は、ノーマルへキサン溶液に浸漬させて除去することを特徴とする請求項５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１０】
前記マスターモールドは、絶縁基板の上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、前記先行層を所望の形状にパターン化させる工程を行うことにより形成されることを特徴とする請求項５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１１】
前記先行層は、金属、フォトレジスト、及びワックスのうち何れか1つを使用して形成されることを特徴とする請求項１０に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１２】
ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、
前記ジグ内にＵＶ硬化が可能なプレポリマー層を形成する段階と、
前記プレポリマー層の上にバッグプレーン用基板を付着させる段階と、
透過領域と遮光領域とが構成されたマスクを利用して、前記プレポリマー層を選択的にＵＶ硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、
前記ジグ及び前記マスターモールドから前記ポリマー層及び前記プレポリマー層を取り外す段階と、
硬化していない前記プレポリマー層をとり除く段階と、を含むことを特徴とするソフトモールドの製造方法。
【請求項１３】
前記プレポリマー層は、ポリウレタン、ポリウレタン−アクリレート、エポキシ、及びノボラックのうちから選択した１つの物質で形成されることを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１４】
前記硬化していないプレポリマー層は、ノーマルへキサン溶液に浸漬させて除去することを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１５】
前記マスターモールドは、絶縁基板の上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、前記先行層を所望の形状にパターン化させる工程を行うことにより形成されることを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１６】
前記先行層は、金属、フォトレジスト、及びワックスのうち何れか1つを使用して形成されることを特徴とする請求項１５に記載のソフトモールドの製造方法。
【請求項１７】
前記バッグプレーン用の基板を前記プレポリマー層に付着させる前に、
前記バッグプレーン用の基板の上部にカップリングエージェント処理をするか否かが選択可能であることをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソフトモールド(ｓｏｆｔ  ｍｏｌｄ)に係り、特に、マスターモールドのサイズがパターニングしようとする基板のサイズより小さい場合に適用するのに適当なソフトモールドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ソフトモールドは、弾性を有するゴムを任意の型に注いで、その型の形状によって任意のパターンを陰刻または陽刻して製作する。
【０００３】
このようなソフトモールドは、マイクロ単位の微細なパターン(ソフトモールドの陰刻または陽刻によって形成されたパターン)を形成するのに使用されるが、例えば、液晶表示装置に含まれるカラーフィルタ基板にカラーフィルタを形成するか、有機電界発光素子で電極を形成するのに使用できる。
【０００４】
上記ソフトモールドは、弾性重合体を硬化して製作でき、このような弾性重合体としては、代表的にポリジメチルシロキサン（以下、「ＰＤＭＳ」という。；ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）が広く使用される。
【０００５】
ＰＤＭＳの他にもポリウレタン、ポリイミドなどが使用できる。
【０００６】
以下、添付の図面を参照してソフトモールドの製造工程を説明する。
【０００７】
図１Ａ〜図１Ｃは、従来のソフトモールドの製造工程の手順を示した工程断面図である。  
【０００８】
図１Ａに示したように、ソフトモールドの表面に所定の形状を陰刻、または陽刻するための原板(マスター)Ａを準備する。
【０００９】
原板Ａは、シリコン基板などの絶縁基板１０の上に窒化シリコン(Ｓｉ３Ｎ４)または酸化シリコン(ＳｉＯ２)などの絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、その先行層を所望の形状にパターン化させたパターン１２を形成する工程が行われることにより形成される。
【００１０】
この時、絶縁基板１０の上部のパターン１２は、窒化シリコンまたは酸化シリコンの他に、金属や、フォトレジストまたはワックスなどを使用して形成できる。
【００１１】
図１Ｂに示したしたように、原板Ａが完成した後、原板Ａの上部にプレポリマー(ｐｒｅｐｏｌｙｍｅｒ)状態の弾性重合体(弾性ゴム)溶液を注いでプレポリマー層１４を形成する。このような弾性重合体としては、代表的なものであるＰＤＭＳが使用される。
【００１２】
次いで、プレポリマー層１４を硬化させる工程が行われる。
【００１３】
次に、図１Ｃに示したように、硬化工程が完了した状態のポリマー層１４を図１Ｂの原板Ａから取り外す工程が行われて、表面に所定の形状が陽刻、または陰刻されたソフトモールド１６が形成される。
【００１４】
上記のような工程を通じて従来技術によるソフトモールドが製造される。
【００１５】
上記のように製作されたソフトモールドは、ソフトリソグラフィ、ソフトモールディング、キャピラリー・フォース・リソグラフィとインプレーンプリンティング用など多様な分野において適用されている。
【００１６】
このように多様な分野に適用されるソフトモールドを利用して製品を大量生産するためには、使用されるソフトモールドを正確にアライン（整列）する必要がある。
【００１７】
特に、インプレーンプリンティング用のモールドとして使用される場合、マスターモールドがパターニングしようとする基板より小さい場合には、モールドにスレショルド（threshold）が形成されて、微細にパターン化させる時に問題が発生する。
【００１８】
これについて、図面を参考して説明すれば、次の通りである。
【００１９】
図２Ａと図２Ｂは、パターニングしようとする基板よりマスターモールドが小さい場合を示した構造断面図である。
【００２０】
図２Ａに示したように、直方体のフレームの形状をしたジグ２１の上部にマスターモールド２２を載せた後、マスターモールド２２を含むジグ２１内に硬化したポリマー層２３を形成する。そして、硬化したポリマー層２３の上部にバッグプレーン（ｂａｃｋ  ｐｌａｎｅ）用基板２４を付着させる。
【００２１】
そして、図２Ｂに示したように、バッグプレーン用基板２４を付着させている状態で、ジグ２１及びマスターモールド２２をポリマー層２３から取り外して、バッグプレーンが付着されたソフトモールドを形成する。
【００２２】
次いで、ソフトモールドの下部に微細パターンを形成しようとする基板２５を位置させる。
【００２３】
この時、マスターモールドのサイズがパターニングしようとする基板のサイズより大きくならねばならないが、図２Ｂに示したように微細パターンを形成しようとする基板２５がマスターモールドより大きくなれば、すなわち、マスターモールドが微細パターンを形成しようとする基板２５のサイズより小さくなれば、モールドの縁にスレショルドが生じてしまう。
【００２４】
しかし、上記のようにスレショルドが生じた場合には、スレショルドによってモールドが基板２５に密着されず、一定間隔を有するようになるので、特にインプレーンプリンティング用のモールドとして使用される場合、微細パターンが形成できない問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
本発明は上記の問題点を解決するために案出したものであって、本発明の目的は、ソフトモールドの形成のためのマスターモールドのサイズに依存せずに、工程整合性の高いソフトモールドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記の目的を達成するための本発明によるソフトモールドの製造方法は、ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、ジグ内にプレポリマー層を形成する段階と、プレポリマー層の上にバッグプレーン用の基板を付着させる段階と、プレポリマー層を選択的に硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、ジグ及びマスターモールドからポリマー層及びプレポリマー層を取り外す段階と、 硬化していないプレポリマー層をとり除く段階とを含むことを特徴とする。
【００２７】
プレポリマー層は、熱硬化またはＵＶ硬化させることにより形成されることを特徴とする。
【００２８】
熱硬化は、マイクロウェーブオーブン内で行われることを特徴とする。
【００２９】
ＵＶ硬化は、透過領域と遮光領域とが定義されたマスクを利用して行われることを特徴とする。
【００３０】
本発明のソフトモールドの製造方法は、ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、ジグ内に熱硬化が可能なプレポリマー層を形成する段階と、プレポリマー層の上にバッグプレーン用の基板を付着させる段階と、マスターモールドとプレポリマー層及び基板が形成されたジグをマイクロウェーブオーブン内にローディングする段階と、マイクロウェーブオーブン内でプレポリマー層を選択的に熱硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、ジグ及びマスターモールドからポリマー層及びプレポリマー層を取り外す段階と、硬化していないプレポリマー層をとり除く段階とを含むことを特徴とする。
【００３１】
プレポリマー層は、ＰＤＭＳ、ポリイミド、及びエポキシのうちから選択された１つの物質で形成されることを特徴とする。
【００３２】
バッグプレーン用の基板をプレポリマー層に付着させる前に、バッグプレーン用の基板の上部にカップリングエージェント処理をすることをさらに含むことを特徴とする。
【００３３】
カップリングエージェント処理は、汎用プライマーを使用して行われることを特徴とする。
【００３４】
硬化していないプレポリマー層は、ノーマルへキサン(n-Hxan)溶液に浸漬させて除去することを特徴とする。
【００３５】
マスターモールドは、絶縁基板の上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、先行層を所望の形状にパターン化させる工程を行うことにより形成されることを特徴とする。
【００３６】
先行層は、金属、フォトレジスト、及びワックスのうち何れか１つを使用して形成されることを特徴とする。
【００３７】
本発明の他の製造方法は、ジグの上部にマスターモールドを載せる段階と、ジグ内にＵＶ硬化が可能なプレポリマー層を形成する段階と、プレポリマー層の上にバッグプレーン用の基板を付着させる段階と、透過領域と遮光領域とが構成されたマスクを利用してプレポリマー層を選択的にＵＶ硬化させて選択的にポリマー層を形成する段階と、ジグ及びマスターモールドからポリマー層及びプレポリマー層を取り外す段階と、硬化していないプレポリマー層をとり除く段階とを含むことを特徴とする。
【００３８】
プレポリマー層は、ポリウレタン、ポリウレタン−アクリレート、エポキシ、及びノボラックのうちから選択された１つの物質で形成することを特徴とする。
【００３９】
硬化していないプレポリマー層は、ノーマルへキサン溶液に浸漬させてとり除くことを特徴とする。
【００４０】
マスターモールドは、絶縁基板の上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含む絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、先行層を所望の形状にパターン化させる工程を行うことにより形成されることを特徴とする。
【００４１】
先行層は、金属、フォトレジスト、及びワックスのうち何れか１つを使用して形成することを特徴とする。
【００４２】
バッグプレーン用の基板をプレポリマー層に付着させる前に、バッグプレーン用の基板の上部にはカップリングエージェント処理をするか否かが選択可能であることをさらに含むことを特徴とする。
【００４３】
本発明は、マスターモールドが微細パターンを形成しようとする基板より小さい場合に、モールドの縁にスレショルドが生じて、モールドが基板に密着されず、一定間隔を有するようになって、微細パターンが形成できなくなる問題を解決するためのものであって、マスターモールドのサイズに依存せずにモールドのサイズを調節して微細パターンを形成する基板と、接触時にスレショルドが存在しないようにするモールドの製造方法とにその特徴がある。
【発明の効果】
【００４４】
前述した本発明によるソフトモールドの製造方法は、次のような效果がある。
【００４５】
プレポリマー層を選択的に熱硬化またはＵＶ硬化させた後、硬化していないプレポリマー層をとり除く工程を使用してソフトモールドを形成することによって、マスターモールドが微細パターンを形成するための基板に比べそのサイズが小さい場合であっても、ソフトモールドと基板との間にスレショルドを発生させないようにソフトモールドを形成しうる。
【００４６】
これによって、より円滑に微細パターン形成工程を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好ましい実施形態による実施例のソフトモールドの製造方法について説明すれば、次の通りである。
【００４８】
＜第１実施例＞
本発明の第１実施例によるソフトモールドの製造方法について説明する。
【００４９】
図３Ａ〜図３Ｆは、本発明における第１実施例のソフトモールドの製造方法を示した工程断面図である。
【００５０】
本実施例は、マスターモールドのサイズが、微細パターンを形成するために使用する基板より小さい場合において、ソフトモールドの材料を熱硬化が可能な材料を使用して、マイクロウェーブオーブンで所望の領域を選択的に熱硬化させた後、硬化していないソフトモールドの領域をとり除いて、ソフトモールドを製造することにその特徴がある。
【００５１】
図３Ａに示したように、直方体のフレーム形状をなすジグ３０の上部に、ソフトモールドの表面に所定の形状を陰刻または陽刻するためのマスターモールド３１を載せる。
【００５２】
マスターモールド３１は、シリコン基板などの絶縁基板の上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、その先行層を所望の形状にパターン化させる工程を行うことにより形成される。
【００５３】
この時、絶縁基板の上部のパターンは、窒化シリコンまたは酸化シリコンの他に、金属、フォトレジスト、及びワックスのうち何れか１つを使用して形成することもできる。
【００５４】
図３Ｂに示したように、マスターモールド３１の上部を含むジグ３０内に熱硬化が可能なプレポリマー層３２を形成する。
【００５５】
プレポリマー層３２は、ＰＤＭＳ、ポリイミド、及びエポキシのうちから選択された１つの物質で形成されることができる。
【００５６】
次いで、図３Ｃに示したように、バッグプレーン用基板３３をプレポリマー層３２の上に付着させる。
【００５７】
図３Ｃに図示されていないが、バッグプレーン用基板３３の上部にカップリングエージェント処理をする。
【００５８】
このカップリングエージェント処理は、プレポリマー層３２とバックプレーン用基板３３との間の接着力を向上させるために行う処理であって、汎用プライマーを使用して行うことができうる。
【００５９】
次に、上記構成の結果物をマイクロウェーブオーブン内にローディングする。
【００６０】
次いで、図３Ｄに示したように、熱硬化させる領域の座標を設定してマイクロウェーブオーブン内でプレポリマー層３２に選択的に熱を加えて硬化工程を実施する。これによって、熱が加えられたプレポリマー層３２はポリマー層３２ａに変化する。この時、熱硬化させる領域は微細パターンを形成する基板より小さく形成される。
【００６１】
上記によってマイクロウェーブオーブンで熱が伝わっていない領域は硬化せず、プレポリマー層３２の状態で存在する。
【００６２】
次に、図３Ｅに示したように、ジグ３０及びマスターモールド３１からポリマー層３２ａ及びプレポリマー層３２を取り外す工程を行う。
【００６３】
次いで、図３Ｆに示したように、硬化していないプレポリマー層３２をノーマルへキサン溶液に浸漬させてとり除き、バッグプレーン用基板３３を付着させたソフトモールドが完成する。
【００６４】
前述したように、プレポリマー層３２を選択的に熱硬化させてポリマー層３２ａを形成させた後、硬化していないプレポリマー層３２をとり除けば、マスターモールド３１のサイズが微細パターンを形成するための基板３４より小さい場合であっても、ソフトモールドと微細パターンを形成するために使用する基板３４との間にスレショルドを発生させないようにできる。これによって、より円滑に微細パターンの形成工程を進めることができる。
【００６５】
＜第２実施例＞
本発明の第２実施例によるソフトモールドの製造方法について説明する。
【００６６】
図４Ａ〜図４Ｆは、本実施例によるソフトモールドの製造方法を示した工程断面図である。
【００６７】
本実施例は、マスターモールドのサイズが微細パターンを形成するために使用する基板のサイズより小さい場合において、ソフトモールドの材料をＵＶ硬化が可能な材料を使用するとともにマスクを使用して、所望の領域にのみ選択的にＵＶを照射して、所望の領域を選択的にＵＶ硬化させた後、硬化していないソフトモールドの領域をとり除いて、ソフトモールドを製造することにその特徴がある。
【００６８】
図４Ａに示したように、直方体のフレーム形状をなすジグ５０の上部に、ソフトモールドの表面に所定の形状を陰刻または陽刻するためのマスターモールド５１を載せる。
【００６９】
マスターモールド５１は、シリコン基板などの絶縁基板の上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの絶縁物質を蒸着させて先行層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経て、その先行層を所望の形状にパターン化させる工程を行うことにより形成される。
【００７０】
この時、絶縁基板の上部のパターンは、窒化シリコンまたは酸化シリコンの他に、金属、フォトレジスト、及びワックスのうち何れか１つを使用して形成しうる。
【００７１】
図４Ｂに示したように、マスターモールド５１の上部を含むジグ５０内にＵＶ硬化させることができるプレポリマー層５２を形成する。
【００７２】
プレポリマー層５２は、例えば、ポリウレタン、ポリウレタン−アクリレート、エポキシ、及びノボラックのうちから選択された１つの物質で形成しうる。
【００７３】
次いで、図４Ｃに示したように、バッグプレーン用基板５３をプレポリマー層５２の上に付着させる。
【００７４】
図４Ｃに図示してはいないが、バッグプレーン用の基板５３をプレポリマー層５２の上に付着させる前に、バッグプレーン用基板５３の上部にカップリングエージェント処理をすることもできる。
【００７５】
このカップリングエージェント処理は、汎用プライマーを使用して行うことができ、プレポリマー層５２とバッグプレーン用基板５３との間の接着力を向上させるために行う処理である。
【００７６】
尚、プレポリマー層を上記のようにＵＶ硬化可能な材料で形成する場合には、カップリングエージェント処理の工程を省略することもできる。
【００７７】
次いで、図４Ｄに示したように、ＵＶ硬化させる領域のみ光を透過させ、そのほかの領域を遮光するマスク５４を、上記結果物の上部に配置し、ＵＶランプ５５でＵＶを照射すれば、マスク５４によってＵＶを選択的に照射してプレポリマー層５２を選択的に硬化させる。上記工程によってＵＶが照射されたプレポリマー層５２はポリマー層５２ａをなす。この時、ＵＶ硬化させる領域は、後の工程で微細パターンを形成するために使用する基板より小さく設定する。
【００７８】
上記工程によってＵＶが照射されていない領域は硬化せず、プレポリマー層５２として残る。
【００７９】
次に、図４Ｅに示したように、ジグ５０及びマスターモールド５１からポリマー層５２ａ及びプレポリマー層５２を取り外す工程を行う。
【００８０】
次いで、図４Ｆに示したように、硬化していないプレポリマー層５２をノーマルへキサンでとり除いて、バッグプレーン用基板５３にポリマー層５２ａが付着されたソフトモールドが完成する。
【００８１】
図示したように、プレポリマー層を選択的にＵＶ硬化させた後、硬化していない部分をとり除くことによって、マスターモールド５１のサイズが微細パターンを形成するために使用する基板５６より小さい場合であっても、ソフトモールドと基板との間にスレショルドが発生しないようにソフトモールドを製造できる。後の工程においては、上記工程で製造したソフトモールドを利用して、より円滑に微細パターンの形成工程を進めることができる。
【００８２】
以上、上記の内容を通じて当業者であれば、本発明の技術思想を離脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが理解できる。
【００８３】
したがって、本発明の技術範囲は前述した実施例に記載した内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められねばならない。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１Ａ】従来技術によるソフトモールドの製造方法の工程手順を示した工程断面図である。
【図１Ｂ】従来技術によるソフトモールドの製造方法の工程手順を示した工程断面図である。
【図１Ｃ】従来技術によるソフトモールドの製造方法の工程手順を示した工程断面図である。
【図２Ａ】パターニングする基板よりマスターモールドが小さい場合を示した構造断面図である。
【図２Ｂ】パターニングする基板よりマスターモールドが小さい場合を示した構造断面図である。
【図３Ａ】第１実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図３Ｂ】第１実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図３Ｃ】第１実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図３Ｄ】第１実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図３Ｅ】第１実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図３Ｆ】第１実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図４Ａ】第２実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図４Ｂ】第２実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図４Ｃ】第２実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図４Ｄ】第２実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図４Ｅ】第２実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【図４Ｆ】第２実施例のソフトモールドの製造方法の工程を示した断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
３０、５０    ジグ
３１、５１    マスターモールド
３２、５２    プレポリマー層
３２ａ、５２ａ    ポリマー層
３３、５３    バッグプレーン用基板
５４    マスク
５５    ＵＶランプ
【図１Ａ】
2007001289.tif 000003
【図１Ｂ】
2007001289.tif 000004
【図１Ｃ】
2007001289.tif 000005
【図２Ａ】
2007001289.tif 000006
【図２Ｂ】
2007001289.tif 000007
【図３Ａ】
2007001289.tif 000008
【図３Ｂ】
2007001289.tif 000009
【図３Ｃ】
2007001289.tif 000010
【図３Ｄ】
2007001289.tif 000011
【図３Ｅ】
2007001289.tif 000012
【図３Ｆ】
2007001289.tif 000013
【図４Ａ】
2007001289.tif 000014
【図４Ｂ】
2007001289.tif 000015
【図４Ｃ】
2007001289.tif 000016
【図４Ｄ】
2007001289.tif 000017
【図４Ｅ】
2007001289.tif 000018
【図４Ｆ】
2007001289.tif 000019