(57)【要約】【課題】熱を効率的に伝達することができる電子部品パッケージを提供する。【解決手段】接合材２６はＩｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される。本発明者の検証によれば、接合材２６の全重量に対するＡｇの含有量が増大すればするほど、接合材２６では電子部品２１や熱伝導部材１５との接合面でボイドが減少することが確認された。しかも、Ｉｎ−Ａｇは、これまでの例えばＳｎ−Ｐｂといったはんだ材料に比べて低い熱抵抗値を示す。これまでのはんだ材料に比べて熱伝導率は向上する。その結果、本発明の接合材２６によれば、電子部品２１の熱は熱伝導部材１５に効率的に伝達されることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板の表面に実装される電子部品と、基板上で電子部品の表面に受け止められる熱伝導部材と、電子部品および熱伝導部材の間に挟み込まれて、Ｉｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される接合材とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージにおいて、前記接合材の融点は、前記基板および前記電子部品を接続する端子の融点よりも低いことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項３】
請求項１に記載の電子部品パッケージにおいて、前記接合材の融点は前記電子部品の耐熱温度よりも低いことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項４】
少なくとも部分的に表面で第１金属体を露出させる第１部材と、少なくとも部分的に表面で第２金属体を露出させ、この第２金属体で第１金属体に受け止められる第２部材と、第１および第２金属体の間に挟み込まれて、Ｉｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される接合材とを備えることを特徴とする接合組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、基板の表面に実装されるＬＳＩ（大規模集積回路）チップといった電子部品と、基板上で電子部品の表面に受け止められる熱伝導部材とを備える電子部品パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品パッケージではパッケージ基板上にＬＳＩチップが実装される。ＬＳＩチップの表面にはヒートシンクといった熱伝導部材が受け止められる。例えば特許文献４に開示されるように、ＬＳＩチップおよびヒートシンクの間には接合材が挟み込まれる。接合材は例えばはんだ材料から形成される。はんだ材料には例えばＳｎ−Ｐｂが用いられる。
【特許文献１】特開平０４−３５９２０７号公報
【特許文献２】特開平１０−３１１３６号公報
【特許文献３】特開平１０−１８９８３９号公報
【特許文献４】特開２０００−１２７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えばＳｎ−Ｐｂといったはんだ材料には、濡れ性の改善にあたってフラックスといった活性剤が添加される。しかしながら、こうしたフラックスの添加の影響で、接合材ではヒートシンクとの接触面やＬＳＩチップとの接触面にいわゆるボイドが形成されてしまう。ボイドに基づき接合材とヒートシンクやＬＳＩチップとの間で接触面積は減少してしまう。熱は効率的に伝達されることができない。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、熱を効率的に伝達することができる電子部品パッケージを提供することを目的とする。本発明はさらに、電子部品パッケージの実現に大いに寄与する接合組立体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明によれば、基板と、基板の表面に実装される電子部品と、基板上で電子部品の表面に受け止められる熱伝導部材と、電子部品および熱伝導部材の間に挟み込まれて、Ｉｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される接合材とを備えることを特徴とする電子部品パッケージが提供される。
【０００６】
こういった電子部品パッケージでは、接合材はＩｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される。本発明者の検証によれば、接合材の全重量に対するＡｇの含有量が増大すればするほど、接合材では電子部品や熱伝導部材との接合面でボイドが減少することが確認された。しかも、Ｉｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料は、これまでの例えばＳｎ−Ｐｂといったはんだ材料に比べて低い熱抵抗値を示す。これまでのはんだ材料に比べて熱伝導率は向上する。その結果、本発明の接合材によれば、電子部品の熱は熱伝導部材に効率的に伝達されることができる。
【０００７】
加えて、特にＩｎの弾性率はＰｂの弾性率よりも低く設定される。熱伝導部材および電子部品の熱膨張率の差に基づき熱伝導部材と接合材との間や接合材と電子部品との間で応力が生成されても、そういった応力は接合材で十分に吸収されることができる。熱伝導部材および接合材の間、接合材および電子部品の間で接合材の剥離はできる限り回避されることができる。
【０００８】
こうした電子部品パッケージでは、接合材の融点は、基板および電子部品を接続する端子の融点よりも低く設定されればよい。電子部品パッケージの組み立てにあたって、端子に基づき電子部品は基板に実装される。実装にあたって、端子は加熱に基づき溶融する。電子部品の実装後、接合材に基づき熱伝導部材が電子部品上に実装される。このとき、接合材は加熱に基づき溶融する。接合材の融点が端子の融点よりも低く設定されれば、端子のいわゆる二次溶融は回避されることができる。
【０００９】
こういった電子部品パッケージでは、接合材の融点は電子部品の耐熱温度よりも低く設定されればよい。前述されるように、熱伝導部材の実装にあたって、接合材は加熱に基づき溶融する。接合材の融点が電子部品の耐熱温度よりも低ければ、接合材の溶融にあたって、電子部品の破壊は回避されることができる。接合材の融点は例えば基板の耐熱温度よりも低く設定されてもよい。こうして接合材の溶融にあたって基板の破壊は回避されることができる。
【００１０】
Ｉｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料では、接合材の全重量に対するＡｇの含有量が増大すれば、液相点すなわち融点の温度は上昇する。したがって、Ａｇの含有量は、基板および電子部品を接続する端子の融点や、電子部品の耐熱温度、基板の耐熱温度に応じて適宜設定されればよい。Ａｇの含有量は接合材の全重量に対して例えば２０重量％以下に設定されればよい。
【００１１】
以上のような電子部品パッケージの実現にあたって接合組立体が提供されてもよい。接合組立体は、少なくとも部分的に表面で第１金属体を露出させる第１部材と、少なくとも部分的に表面で第２金属体を露出させ、この第２金属体で第１金属体に受け止められる第２部材と、第１および第２金属体の間に挟み込まれて、Ｉｎおよび３重量％を超える範囲でＡｇを含む材料から形成される接合材とを備えればよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明によれば、熱を効率的に伝達することができる電子部品パッケージが提供されることができる。本発明によれば、電子部品パッケージの実現に大いに寄与する接合組立体が提供されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
図１はマザーボード１１の構造を概略的に示す。このマザーボード１１は大型のプリント配線基板１２を備える。プリント配線基板１２の表面には１または複数の電子部品パッケージ１３が実装される。電子部品パッケージ１３は、プリント配線基板１２の表面に実装されるパッケージ基板１４を備える。パッケージ基板１４には例えば樹脂製基板やセラミック基板が用いられればよい。
【００１５】
パッケージ基板１４上には熱伝導部材すなわちヒートシンク１５が受け止められる。ヒートシンク１５には、平板状の本体すなわち受熱部１５ａと、この受熱部１５ａから垂直方向に立ち上がる複数枚のフィン１５ｂとが形成される。隣接するフィン１５ｂ同士の間には同一方向に延びる通気路１６が区画される。こういった電子部品パッケージ１３では、例えば送風ユニット（図示されず）の働きで通気路１６を通過する気流が生み出されると、フィン１５ｂから効率的に放熱されることができる。ヒートシンク１５は例えばＣｕやＡｌ、ＣｕやＡｌを主成分とする複合材料、カーボン複合材料といった高い熱伝導性の材料から成型されればよい。
【００１６】
図２に示されるように、パッケージ基板１４の実装にあたってパッケージ基板１４にはボールグリッドアレイ１７が形成される。ボールグリッドアレイ１７は、所定のパターンに従って配列される複数のボール形導電端子１８から構成される。個々の導電端子１８はプリント配線基板１２上の端子すなわち導電パッド１９に受け止められる。こうしてパッケージ基板１４およびプリント配線基板１２の間で電気接続は確立される。ここでは、導電端子１８には例えばＳｎ−３７Ｐｂ（重量％）が用いられればよい。
【００１７】
パッケージ基板１４上には電子部品すなわちＬＳＩチップ２１が実装される。実装にあたって、ＬＳＩチップ２１にはボールグリッドアレイ２２が形成される。ボールグリッドアレイ２２は、前述と同様に、所定のパターンに従って配列される複数のボール形導電端子２３から構成される。個々の導電端子２３はパッケージ基板１４上の端子すなわち導電パッド２４に受け止められる。こうしてＬＳＩチップ２１およびパッケージ基板１４の間で電気接続は確立される。ここでは、導電端子１８と同様に、導電端子２３には例えばＳｎ−３７Ｐｂ（重量％）が用いられればよい。
【００１８】
パッケージ基板１４の表面には、ＬＳＩチップ２１に加えて例えばキャパシタやチップ抵抗（ともに図示されず）といった電子素子が実装されてもよい。電子素子はたとえばパッケージ基板１４の裏面に実装されてもよい。ＬＳＩチップ２１およびパッケージ基板１４の間にはアンダーフィル材膜２５が挟み込まれる。アンダーフィル材膜２５は導電端子２３同士の隙間で広がる。こうして導電端子２３同士は確実に絶縁されることができる。アンダーフィル材膜２５は、例えばエポキシを主成分とする樹脂材料から形成されればよい。
【００１９】
ＬＳＩチップ２１の表面には前述のヒートシンク１５が受け止められる。ヒートシンク１５およびＬＳＩチップ２１の間には接合材２６が挟み込まれる。接合材２６は、Ｉｎと、接合材２６全体に対して３重量％を超える範囲でＡｇとを含む材料から形成されればよい。ここでは、接合材２６はＩｎ−Ａｇから形成される。Ａｇの含有量は接合材２６の全重量に対して例えば２０重量％以下の範囲で設定されればよい。
【００２０】
図３の表に示されるように、共晶を示すＩｎ−３Ａｇ（重量％）では、液相点および固相点はともに摂氏１４１度を示す。Ａｇの含有量が増大するにつれて、液相点は摂氏１４１度から上昇する。その一方で、Ａｇの含有量が増大しても、固相点は摂氏１４１度で維持される。その結果、Ａｇの含有量が増大するにつれて、液相点および固相点の差は増大する。
【００２１】
ＬＳＩチップ２１の表面には第１金属体すなわち第１金属膜２７が形成される。こうして第１部材すなわちＬＳＩチップ２１は少なくとも部分的に表面で第１金属膜２７を露出させる。ここでは、第１金属膜２７はＬＳＩチップ２１の表面の全面に形成されればよい。第１金属膜２７は例えばＴｉ膜と、Ａｕ膜やＣｕ膜との積層体から形成されればよい。こうしてＬＳＩチップ２１は第１金属膜２７で接合材２６を受け止める。
【００２２】
その一方で、ＬＳＩチップ２１に向き合わせられるヒートシンク１５の表面すなわち対向面には第２金属体すなわち第２金属膜２８が形成される。こうして第２部材すなわちヒートシンク１５は少なくとも部分的に対向面で第２金属膜２８を露出させる。第２金属膜２８は例えばＮｉ膜およびＡｕ膜の積層体から形成されればよい。こうして接合材２６は第２金属膜２８でヒートシンク１５を受け止める。
【００２３】
こうして接合材２６は第１および第２金属膜２７、２８の間に挟み込まれる。言い換えれば、ヒートシンク１５は第２金属膜２８でＬＳＩチップ２１の第１金属膜２７に受け止められる。こうしてＬＳＩチップ２１およびヒートシンク１５は接合材２６で接合される。ここでは、第１部材すなわちＬＳＩチップ２１と、第２部材すなわちヒートシンク１５と、接合材２６とは本発明の接合組立体を構成する。
【００２４】
ヒートシンク１５は支持部品２９でパッケージ基板１４に固定される。支持部品２９は、例えばＣｕやステンレス鋼といったパッケージ基板１４の熱膨張率に近い材料から形成されればよい。固定にあたってヒートシンク１５および支持部材２９の間、支持部材２９およびパッケージ基板１４の間には例えば接着シート（図示されず）が挟み込まれる。接着シートには例えばエポキシ系の接着シートが用いられればよい。接着シートには例えばガラス繊維や無機フィラーが含まれればよい。こうしたガラス繊維や無機フィラーの働きで接着シートの厚みはできる限り均一に保持されることができる。
【００２５】
以上のようなマザーボード１１では、ＬＳＩチップ２１の動作中にＬＳＩチップ２１は発熱する。ＬＳＩチップ２１の熱は第１金属膜２７、接合材２６、第２金属膜２８からヒートシンク１５の受熱部１５ａに伝達される。受熱部１５ａに伝達された熱はフィン１５ｂに伝達される。ヒートシンク１５はフィン１５ｂの働きで大きな表面積の表面から大気中に熱を放散する。例えば送風ユニットの働きで通気路１６には気流が流通する。こうしてＬＳＩチップ２１の温度上昇は効果的に抑制される。
【００２６】
次に、以上のような電子部品パッケージ１３の製造方法を簡単に説明する。まず、パッケージ基板１４が用意される。パッケージ基板１４には例えば０．４〜０．７ｍｍの厚みのセラミック基板や有機基板が用いられればよい。セラミック基板には例えばＡｌ２Ｏ３やＡｌＮ、ガラスといった材料が含まれてもよい。こうしたパッケージ基板１４の表面には支持部品２９が固定される。固定にあたって、パッケージ基板１４および支持部品２９の間には接着シートが挟み込まれる。支持部品２９はパッケージ基板１４の表面に向かって押し付けられる。押し付け力は例えば２．０ｋｇ／ｃｍ３以下に設定されればよい。
【００２７】
続いて、パッケージ基板１４の表面にはＬＳＩチップ２１が実装される。導電端子２３には例えばＳｎ−３７Ｐｂといったはんだ材料が用いられればよい。導電端子２３は予めＬＳＩチップ２１に取り付けられる。各導電端子２３はパッケージ基板１４上の導電パッド１９に位置決めされる。導電端子２３は加熱される。加熱にあたって、例えば摂氏２３０度以下のピーク温度が設定される。導電端子２３は溶融する。その後、冷却に基づき導電端子２３は硬化する。こうしてＬＳＩチップ２１はパッケージ基板１４に実装される。
【００２８】
続いて、ＬＳＩチップ２１およびパッケージ基板１４の間にはアンダーフィル材膜２５が挟み込まれる。アンダーフィル材膜２５の挟み込みにあたってエポキシを主成分とする液体状の樹脂材料が用意される。樹脂材料はＬＳＩチップ２１およびパッケージ基板１４の間に充填される。樹脂材料の充填後、樹脂材料には例えば摂氏１５０度の熱が加えられる。熱に基づき樹脂材料は硬化する。こうして硬化する樹脂材料に基づきＬＳＩチップ２１およびパッケージ基板１４の間にはアンダーフィル材膜２５が形成される。
【００２９】
続いて、ヒートシンク１５の対向面には所定の領域で第２金属膜２８が積層形成される。ヒートシンク１５の対向面には例えば膜厚３μｍ程度のＮｉ膜が形成される。その後、Ｎｉ膜の表面には例えば膜厚０．３μｍ程度のＡｕ膜が形成される。Ｎｉ膜やＡｕ膜の形成にあたって例えば電解めっきが実施される。こうしたＮｉ膜およびＡｕ膜に基づき前述の第２金属膜２８が積層形成される。
【００３０】
その一方で、ＬＳＩチップ２１の表面には第１金属膜２７が積層形成される。ＬＳＩチップ２１の表面には例えば膜厚５０００Å程度のＴｉ膜が形成される。その後、Ｔｉ膜の表面には例えば膜厚０．３μｍ程度のＡｕ膜が形成される。Ｔｉ膜やＡｕ膜の形成にあたって例えばスパッタリングが実施される。こうしたＴｉ膜およびＡｕ膜に基づき前述の第１金属膜２７が積層形成される。
【００３１】
ここでは、ヒートシンク１５には例えば無酸素Ｃｕが用いられればよい。ヒートシンク１５の対向面では、Ｎｉ膜およびＡｕ膜といった第２金属膜２８の働きで酸化は回避される。その一方で、第１および第２金属膜２７、２８の働きで接合材２６の濡れ性は向上することができる。
【００３２】
続いて、ヒートシンク１５がＬＳＩチップ２１の表面に実装される。実装にあたって、第１および第２金属膜２７、２８の間には接合材２６が挟み込まれる。接合材２６は例えばシート状に形作られる。ここでは、接合材２６には例えばＩｎ−１０Ａｇが用いられればよい。同時に、ヒートシンク１５および支持部品２９の間には、前述と同様に、接着シートが挟み込まれる。ヒートシンク１５は支持部品２９はパッケージ基板１４の表面に向かって押し付けられる。押し付け力は例えば２．０ｋｇ／ｃｍ３以下に設定されればよい。このとき、ヒートシンク１５およびＬＳＩチップ２１は加熱される。加熱に基づき接合材２６は溶融する。その後、冷却に基づき接合材２６は硬化する。こうして、ヒートシンク１５はＬＳＩチップ２１の表面に実装される。
【００３３】
その後、パッケージ基板１４の背面には導電端子１８が取り付けられる。導電端子１８には例えばＳｎ−３７Ｐｂといったはんだ材料から形成される。導電端子１８は加熱される。例えば２３０度程度のピーク温度が設定される。導電端子１８は溶融する。その後、冷却に基づき導電端子１８は硬化する。導電端子１８はパッケージ基板１４の背面に取り付けられる。こうして電子部品パッケージ１３は製造される。その後、電子部品パッケージ１３はプリント配線基板１２の表面に実装されればよい。
【００３４】
以上のような電子部品パッケージ１３では、接合材２６に例えばＩｎ−１０Ａｇが用いられる。図３から明らかなように、液相点は摂氏２３１度を示す。したがって、例えば導電端子１８、２３にＳｎ−３７Ｐｂが用いられる場合、Ｓｎ−３７Ｐｂは摂氏２３０度以下の温度で溶融する。したがって、導電端子１８、２３の溶融にあたって接合材２６では二次溶融は回避される。こうして接合材２３の液相点すなわち融点が導電端子１８、２３の融点よりも高く設定されれば、例えば第１金属膜２７ではＮｉ膜の形成は省略されることができる。第１金属膜３７はこれまで以上に簡素化されることができる。
【００３５】
その一方で、接合材２６に例えばＩｎ−５ＡｇやＩｎ−７Ａｇが用いられれば、図３から明らかなように、液相点は摂氏１６０度や摂氏２００度を示す。すなわち、接合材２６の融点は導電端子１８、２３の融点よりも低く設定される。例えばパッケージ基板１４に有機基板が用いられても、接合材２６はパッケージ基板１４の耐熱温度範囲内の温度に基づき溶融することができる。同様に、接合材２６は電子部品すなわちＬＳＩチップ２１の耐熱温度範囲内の温度に基づき溶融することができる。こうして接合材２６の融点が導電端子１８、２３の融点やパッケージ基板１４の耐熱温度、ＬＳＩチップ２１の耐熱温度よりも低く設定されれば、導電端子１８、２３の二次溶融、パッケージ基板１４やＬＳＩチップ２１の破壊は回避されることができる。
【００３６】
しかも、特にＩｎの弾性率は例えばＰｂの弾性率よりも低く設定される。弾性率はＰｂに比べて例えば４分の１〜２分の１程度に低減されることができる。ヒートシンク１５やＬＳＩチップ２１の熱膨張率の差に基づきヒートシンク１５と接合材２６との間や接合材２６とＬＳＩチップ２１との間で応力が生成されても、そういった応力は接合材２６で十分に吸収されることができる。ヒートシンク１５および接合材２６の間、接合材２６およびＬＳＩチップ２１の間で接合材２６の剥離はできる限り回避されることができる。
【００３７】
次に、本発明者は、接合材２６の組成に基づくボイドの発生を検証した。検証にあたって、本発明者は、第１〜第４具体例および比較例を用意した。第１具体例では接合材２６にＩｎ−５Ａｇが用いられた。第２具体例では接合材２６にＩｎ−７Ａｇが用いられた。第３具体例では接合材２６にＩｎ−１０Ａｇが用いられた。第４具体例では接合材２６にＩｎ−１５Ａｇが用いられた。比較例では接合材にＩｎ−３Ａｇが用いられた。第１〜第４具体例に係る接合材２６および比較例に係る接合材は加熱に基づきヒートシンク１５およびＬＳＩチップ２１の間に挟み込まれた。このとき、例えば接合材２６およびヒートシンク１５の間に区画される接合面の様子は観察された。
【００３８】
その結果、図３に示されるように、比較例では接合材の表面に多数のボイドが形成されることが確認された。その一方で、第１具体例では、図４に示されるように、比較例に比べてボイドの数は減少することが確認された。第２具体例では、図５に示されるように、第１具体例に比べてボイドの数は減少することが確認された。第３具体例では、図６に示されるように、第２具体例に比べてボイドの数は減少することが確認された。第４具体例では、図７に示されるように、ボイドはほとんど観察されないことが確認された。
【００３９】
以上の検証の結果、接合材２６の全重量に対してＡｇの含有量が増大するにつれて、ボイドは減少することが確認された。言い換えれば、Ａｇの含有量が増大するにつれて、接合材２６の濡れ性は向上することが確認された。図８の表から明らかなように、固相点および液相点の差が増大するにつれてボイドの数は減少することが確認された。こうしてボイドの発生が低減されれば、フラックスといった活性剤の添加なしで、接合材２６はこれまで以上に高い密度でヒートシンク１５やＬＳＩチップ２１に接触することができる。ＬＳＩチップ２１からヒートシンク１５に熱の伝達は効率的に実現されることができる。
【００４０】
次に、本発明者は接合材２６の材料の熱抵抗を計測した。計測にあたって、本発明者は具体例および第１〜第３比較例を用意した。具体例にはＩｎ−１０Ａｇが用意された。第１比較例にはＩｎ−４８Ｓｎが用意された。第２具体例にはＳｎ−２０Ｐｂが用意された。第３具体例にはＳｎ−２０ＰｂとＳｎ−９５ＰｂとＳｎ−２０Ｐｂとの積層体が用意された。具体例および第１〜第３比較例の熱抵抗値［℃／Ｗ］は計測された。
【００４１】
その結果、具体例では０．０３８３［℃／Ｗ］の値が計測された。第１比較例では０．０６９６［℃／Ｗ］の値が計測された。第２比較例では０．０５４３［℃／Ｗ］の値が計測された。第３比較例では０．０５４５［℃／Ｗ］の値が計測された。具体例では第１〜第３比較例に比べて熱抵抗値は低減されることが確認された。これまでのはんだ材料に比べて熱伝導率は向上することが確認された。こうした接合材２６によれば、ＬＳＩチップ２１からヒートシンク１５に熱の伝達は効率的に実現されることができる。
【００４２】
次に、本発明者は接合材２６の厚みと熱抵抗値との関係を検証した。検証にあたって、本発明者は具体例および第１〜第３比較例を用意した。具体例にはＩｎ−１０Ａｇが用意された。第１比較例にはＳｎ−３７ＰｂとＳｎ−９５ＰｂとＳｎ−３７Ｐｂとの積層体が用意された。第２具体例にはＳｎ−２０Ｐｂが用意された。第３具体例にはＩｎ−５２Ｓｎが用意された。具体例および第１〜第３比較例では、１００μｍ、２００μｍ、２５０μｍの厚みを有する３つのサンプルがそれぞれ用意された。３つのサンプルで熱抵抗値［℃／Ｗ］は計測された。
【００４３】
その結果、図９に示されるように、具体例では、第１〜第３比較例に比べていずれのサンプルでも相対的に熱抵抗値は低減されることが確認された。これまでのはんだ材料に比べて熱伝導率は向上することが確認された。ＬＳＩチップ２１からヒートシンク１５に熱は効率的に伝達されることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】マザーボードの構造を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図であり、本発明の電子部品パッケージの構造を概略的に示す。
【図３】比較例で接合材およびヒートシンクの間に区画される接合面の様子を示す
【図４】第１具体例で接合材およびヒートシンクの間に区画される接合面の様子を示すＸ線写真である。
【図５】第２具体例で接合材およびヒートシンクの間に区画される接合面の様子を示すＸ線写真である。
【図６】第３具体例で接合材およびヒートシンクの間に区画される接合面の様子を示すＸ線写真である。
【図７】第４具体例で接合材およびヒートシンクの間に区画される接合面の様子を示すＸ線写真である
【図８】Ａｇの含有量に対する液相点および固相点の関係を示す表である。
【図９】接合材の厚みと熱抵抗との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１３  電子部品パッケージ、１４  基板（パッケージ基板）、１５  熱伝導部材（ヒートシンク）、１５  第２部材（ヒートシンク）、２１  電子部品（ＬＳＩチップ）、２１  第１部材（ＬＳＩチップ）、２６  接合材、２７  第１金属体（第１金属膜）、２８  第２金属体（第２金属膜）。
【図１】
2007005670.tif 000003
【図２】
2007005670.tif 000004
【図３】
2007005670.tif 000005
【図４】
2007005670.tif 000006
【図５】
2007005670.tif 000007
【図６】
2007005670.tif 000008
【図７】
2007005670.tif 000009
【図８】
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【図９】
2007005670.tif 000011