(57)【要約】【課題】半導体レーザ用バーの形成直前までウェハ分割をすることなく、製造工程を進めて、レーザチップ取れ数を増やすことができる半導体レーザ用ウェハを提供する。【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。このＮ型電極Ｎｉ層を厚さ１５μｍの金メッキ膜６で被覆する。【選択図】図１Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ５０μｍ以上１２０μｍ以下のエピタキシャルウェハと、
上記エピタキシャルウェハの裏面に形成された厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の第１の金メッキ膜と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ用ウェハにおいて、
上記第１の金メッキ膜は上記エピタキシャルウェハの裏面全面に形成されていることを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ用ウェハにおいて、
上記エピタキシャルウェハの表面にはアライメントマークが形成され、
上記エピタキシャルウェハの裏面には、上記アライメントマークを観察するための第１の非メッキ部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体レーザ用ウェハにおいて、
上記アライメントマークは所定のピッチで複数形成され、
上記第１の金メッキ膜は上記ピッチと略同じピッチでストライプ状に複数形成されていることを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ用ウェハにおいて、
上記エピタキシャルウェハの裏面に関してチップ分離のためのスクライブを行う部分に略矩形状の第２の非メッキ部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体レーザ用ウェハにおいて、
上記エピタキシャルウェハの表面に、上記エピタキシャルウェハの発光波長に対して透明な窓領域が形成され、
上記アライメントマークは上記窓領域の一部に形成されていることを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体レーザ用ウェハにおいて、
上記エピタキシャルウェハの表面全面に第２の金メッキ膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ用ウェハ。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体レーザ用ウェハを拡張シートに貼り付けた後、上記拡張シートを拡張することにより、上記半導体レーザ用ウェハを劈開することを特徴とする半導体レーザ用バーの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体レーザ用バーの製造方法において、
上記半導体レーザ用ウェハを劈開して得た半導体レーザ用バーの劈開面に誘電体膜を形成することを特徴とする半導体レーザ用バーの製造方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の半導体レーザ用ウェハを分割して得た半導体レーザ用バーを拡張シートに貼り付けた後、上記第２の非メッキ部にスクライブを行い、上記拡張シートを拡張することにより、レーザチップを得ることを特徴とするレーザチップの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のレーザチップの製造方法によって形成されたレーザチップを搭載したことを特徴とする光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体レーザ用バー等の製造方法に用いる半導体レーザ用ウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクシステムや光通信システムの光源として使用される半導体レーザ（レーザチップ）の製造方法では、半導体レーザ用ウェハ、例えば直径２インチ以下の化合物半導体ウェハが使用されてきたが、最近、レーザチップの取れ数を増加させるために直径３インチ以上の化合物半導体ウェハが使用されるようになってきた。
【０００３】
半導体レーザの共振器は、通常、結晶（半導体レーザ用ウェハ）の劈開により形成される。この劈開は、半導体レーザ用ウェハの厚みが１００μｍ以上の場合、困難となる。このため、通常、３００μｍ〜４５０μｍの厚さの半導体レーザ用ウェハは、裏面を研磨等により削ることにより、厚さを１００μｍ未満にする。このように薄くした半導体レーザ用ウェハは、直径が２インチを越えると、レーザ製造プロセス中に半導体レーザ用ウェハが割れやすくなる。
【０００４】
従って、直径２インチを越える半導体レーザ用ウェハを使用する場合は、電極形成以後の工程で、半導体レーザ用ウェハを適当な大きさに分割することが行われている。
【０００５】
しかしながら、上記分割された適当な大きさの半導体レーザ用ウェハの周辺部は半導体レーザとして使用できず、廃棄されている。
【０００６】
その結果、１枚の半導体レーザ用ウェハから取れるチップの個数が少なくなり、半導体レーザ用ウェハの大口径化のメリットが出なくなっている。このことが半導体レーザ用ウェハの大口径化の進歩を阻んでいる原因である。
【特許文献１】特開平６−２０９０５８号公報
【特許文献２】特開平３−２３２２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の課題は、半導体レーザ用バーの形成直前までウェハ分割をすることなく、製造工程を進めて、レーザチップ取れ数を増やすことができる半導体レーザ用ウェハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、研磨等によって１００μｍ未満に薄くした化合物半導体基板の裏面に厚さ１０μｍ以上の金メッキ膜を形成すると、その化合物半導体基板および金メッキ膜から成るウェハが直径３インチ以上の大口径であっても、半導体レーザの製造プロセス中に割れないことを利用したものである。
【０００９】
上記半導体レーザの２つの共振面は、結晶の劈開面が利用されるので、上記ウェハは共振器長となる所定のピッチで劈開され、レーザバーと呼ばれるものが作製される。この劈開される部分に厚い金膜が存在すると、劈開プロセス中にレーザバーが途中で折れる、金膜が剥がれる等の不具合が発生する。
【００１０】
従って、本発明では、ウェハの劈開される部分の金メッキ膜をレーザ共振器長のピッチと略等しいピッチでフォトエッチングにより除去し、例えば１０〜２０μｍの幅の溝を金メッキ膜間に形成する。この溝にウェハ全体の歪が集中するので、ウェハ端部においてメッキ膜が除去された溝の中央部にケガキ線を入れるだけで、容易にウェハの端から端まで劈開が進み、レーザバーが形成される。
【００１１】
上記レーザバーからチップ分離工程により、レーザチップ単体が作製される。このチップ分離工程においては、ブレードによるダイシングカットを行う場合は金メッキ膜が障害になることがないが、スクライブによるカットを行う場合は金メッキ膜の存在が障害となって結晶表面にスクライブの傷が届かない。
【００１２】
従って、本発明では、スクライブする部分に金メッキ膜を形成しないことにより、スクライブによるカットを可能にした。この時、チップ分離線全体で金メッキ膜が除去されていると、レーザバー形成時にチップ分離が不規則に起ってしまうので、レーザバー補強のためにチップスクライブ部以外の金メッキ膜を残すようにする。
【００１３】
すなわち、本発明の半導体レーザ用ウェハは、
厚さ５０μｍ以上１２０μｍ以下のエピタキシャルウェハと、
上記エピタキシャルウェハの裏面に形成された厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の第１の金メッキ膜と
を備えたことを特徴としている。
【００１４】
上記構成の半導体レーザ用ウェハから半導体レーザ用バーを形成する場合、上記エピタキシャルウェハの裏面に厚さ１０μｍ以上の第１の金メッキ膜を形成することによって、エピタキシャルウェハが直径３インチ以上であっても、エピタキシャルウェハが金メッキ膜で補強されるから、半導体レーザ用バーの形成直前までウェハ分割をすることなく、半導体レーザ用バーの製造工程を進めることができ、レーザチップ取れ数を増やすことができる。
【００１５】
また、上記第１の金メッキ膜の厚さを５０μｍ以下とすることによって、製造コストの増大を防ぐことができる。
【００１６】
一実施形態の半導体レーザ用ウェハでは、
上記第１の金メッキ膜は上記エピタキシャルウェハの裏面全面に形成されている。
【００１７】
上記実施形態の半導体レーザ用ウェハによれば、上記第１の金メッキ膜をエピタキシャルウェハの裏面全面に形成するので、第１の金メッキ膜をエピタキシャルウェハの裏面一部に形成する場合に比べ、金メッキ膜によるエピタキシャルウェハの補強効果を高めることができる。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザ用ウェハでは、
上記エピタキシャルウェハの表面にはアライメントマークが形成され、
上記エピタキシャルウェハの裏面には、上記アライメントマークを観察するための第１の非メッキ部が形成されている。
【００１９】
上記実施形態の半導体レーザ用ウェハによれば、上記アライメントマークを観察するための第１の非メッキ部をエピタキシャルウェハの裏面に形成しているので、例えば赤外線透過法等によって、エピタキシャルウェハの裏面側からでも第１の非メッキ部を通してアライメントマークの位置を確認することができる。
【００２０】
一実施形態の半導体レーザ用ウェハでは、
上記アライメントマークは所定のピッチで複数形成され、
上記第１の金メッキ膜は上記ピッチと略同じピッチでストライプ状に複数形成されている。
【００２１】
上記実施形態の半導体レーザ用ウェハによれば、上記複数のアライメントマークを形成する所定のピッチと略同じピッチで、複数のストライプ状の第１の金メッキ膜を形成することによって、アライメントマーク膜に重なる第１の金メッキ膜を無くすることができる。
【００２２】
従って、上記エピタキシャルウェハの裏面側からのアライメントマークの位置確認を容易かつ確実にすることができる。
【００２３】
一実施形態の半導体レーザ用ウェハでは、
上記エピタキシャルウェハの裏面に関してチップ分離のためのスクライブを行う部分に略矩形状の第２の非メッキ部が形成されている。
【００２４】
上記実施形態の半導体レーザ用ウェハによれば、上記エピタキシャルウェハの裏面に関してチップ分離のためのスクライブを行う部分に略矩形状の第２の非メッキ部を形成することによって、第２の非メッキ部から露出するエピタキシャルウェハの裏面にスクライブを確実に行えるので、チップ分離を容易かつ確実にできる。
【００２５】
一実施形態の半導体レーザ用ウェハでは、
上記エピタキシャルウェハの表面に、上記エピタキシャルウェハの発光波長に対して透明な窓領域が形成され、
上記アライメントマークは上記窓領域の一部に形成されている。
【００２６】
上記実施形態の半導体レーザ用ウェハを劈開する場合、上記アライメントマークは窓領域の一部に形成されていることによって、アライメントマークの位置に基づいて、窓領域の一部を劈開面近傍に容易かつ確実に形成することができる。
【００２７】
一実施形態の半導体レーザ用ウェハでは、
上記エピタキシャルウェハの表面全面に第２の金メッキ膜が形成されている。
【００２８】
上記実施形態の半導体レーザ用ウェハによれば、上記エピタキシャルウェハの表面全面に第２の金メッキ膜を形成することによって、第２の金メッキ膜でエピウエハをさらに補強することができる。
【００２９】
本発明の半導体レーザ用バーの製造方法は、
上記半導体レーザ用ウェハを拡張シートに貼り付けた後、上記拡張シートを拡張することにより、上記半導体レーザ用ウェハを劈開することを特徴としている。
【００３０】
上記構成の半導体レーザ用バーの製造方法によれば、上記半導体レーザ用ウェハを拡張シートに貼り付けた後、拡張シートを拡張することにより、上記半導体レーザ用ウェハを劈開するから、アライメントマークの位置に基づいて、上記窓領域の一部を半導体レーザ用バーの劈開面近傍に容易かつ確実に形成することができる。
【００３１】
一実施形態の半導体レーザ用バーの製造方法では、
上記半導体レーザ用ウェハを劈開して得た半導体レーザ用バーの劈開面に誘電体膜を形成する。
【００３２】
上記実施形態の半導体レーザ用バーの製造方法によれば、上記半導体レーザ用バーの劈開面に誘電体膜を形成するので、半導体レーザ用バーの劈開面の光学損傷を抑制することができる。
【００３３】
本発明のレーザチップの製造方法は、
上記半導体レーザ用ウェハを分割して得た半導体レーザ用バーを拡張シートに貼り付けた後、上記第２の非メッキ部にスクライブを行い、上記拡張シートを拡張することにより、レーザチップを得ることを特徴としている。
【００３４】
上記構成のレーザチップの製造方法によれば、上記半導体レーザ用ウェハを分割して得た半導体レーザ用バーを拡張シートに貼り付けた後、第２の非メッキ部にスクライブを行い、拡張シートを拡張することにより、レーザチップを得るので、レーザチップを容易かつ確実に得ることできる。
【００３５】
本発明の光ピックアップは、
上記レーザチップの製造方法によって形成されたレーザチップを搭載したことを特徴としている。
【００３６】
上記構成の光ピックアップによれば、上記レーザチップの製造方法によって形成された半導体チップを搭載するので、価格を下げることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の半導体レーザ用ウェハから半導体レーザ用バーを形成する場合、エピタキシャルウェハの裏面に厚さ１０μｍ以上の第１の金メッキ膜を形成することによって、エピタキシャルウェハが直径３インチ以上であっても、エピタキシャルウェハが金メッキ膜で補強されるから、半導体レーザ用バーの形成直前までウェハ分割をすることなく、半導体レーザ用バーの製造工程を進めることができ、レーザチップ取れ数を増やすことができる。
【００３８】
つまり、本発明を利用すれば、直径３インチ以上の大口径ＧａＡｓウェハを用いた半導体レーザ製造プロセスにおいて、プロセス途中で分割する必要がないので、破棄するレーザバーやレーザチップが少なくなり、チップ取れ数が増大する。
【００３９】
また、２インチ以下の小口径ウェハや大口径を分割して製造する場合に比較して、工数が大幅に減少するので、半導体レーザ、さらに光ピックアップの低価格化に寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の半導体レーザ用ウェハを図示の実施の形態により詳細に説明する。また、以下の実施の形態では、赤色高出力レーザチップの製造工程を例にとって説明するが、本発明は赤色高出力レーザチップに関するものに限られないことは言うまでもない。
【００４１】
（第１実施形態）
本実施形態では、直径３インチのＧａＡｓ基板を使用して、劈開によるレーザバー作製直前まで、ウェハ分割を行わずにＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザチップを製作した例について、図１を用いて説明する。
【００４２】
上記赤色半導体レーザチップの製造方法では、まず、図１Ａに示すように、直径３インチ、厚さ４５０μｍのＮ型ＧａＡｓ基板１の表面に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によってＡｌＧａＩｎＰ系のエピタキシャル成長層２を形成する。そして、上記エピタキシャル成長層２に、図１Ａの左右方向に延びる幅２μｍの光導波路リッジストライプを２３０μｍのピッチで複数形成し、このリッジ光導波路を覆うＰ型電極３を形成する。
【００４３】
次に、図１Ｂに示すように、Ｐ型電極３を覆う接着用ワックス４を塗布した。
【００４４】
次に、図１Ｃに示すように、平坦な石英ガラス製の支持基板５にＮ型ＧａＡｓ基板１を貼り付ける。この時、上記支持基板５をあらかじめ１００℃程度に加熱しておくと、接着用ワックス４が溶け、Ｎ型ＧａＡｓ基板１を均等に押さえつけることにより、Ｐ型電極３と支持基板４との間に気泡を生じさせずにＮ型ＧａＡｓ基板１の貼り付けを行える。そして、上記支持基板５にＮ型ＧａＡｓ基板１を貼り付けた後、支持基板５を室温まで冷却することにより、接着用ワックス４が固まり、Ｎ型ＧａＡｓ基板１を支持基板５に固定することができる。
【００４５】
次に、図１Ｄに示すように、Ｎ型ＧａＡｓ基板１、エピタキシャル成長層２およびＰ型電極３を合わせた厚みが８０μｍになるまで、Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面をバックグラインダで削る。その後、上記バックグラインダによるダメージ層を化学エッチングで除去する。
【００４６】
次に、図１Ｅに示すように、Ｎ型ＧａＡｓ基板１を支持基板５に固定した状態のままで、Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、例えば厚み５０ｎｍのＮ型電極Ａｕ−Ｇｅ層（図示せず）と例えば厚み１０ｎｍのＮ型電極Ｎｉ層（図示せず）とをスパッタにより順次蒸着する。そして、上記Ｎ型電極Ｎｉ層の裏面に、第１の金メッキ膜の一例としての例えば厚さ１５μｍの金メッキ膜６をメッキで形成する。
【００４７】
次に、上記金メッキ膜６に、図１Ｆに示すように、Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に達する溝７をフォトエッチングで複数形成する。このとき、隣り合う溝７同士の間隔はレーザ共振器長Ｌと略等しくする。つまり、上記複数の溝７はレーザ共振器長Ｌと略等しいピッチで形成する。これにより、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１、エピタキシャル成長層２、Ｐ型電極３、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層、Ｎ型電極Ｎｉ層および金メッキ膜６からなる半導体レーザ用ウェハ８が得られる。なお、上記レーザ共振器長Ｌは例えば１．２ｍｍ、溝７の幅は例えば２５μｍとする。また、上記Ｎ型ＧａＡｓ基板１、エピタキシャル成長層２、Ｐ型電極３、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層、Ｎ型電極Ｎｉ層がエピタキシャルウェハの一例を構成している。
【００４８】
図２に、上記半導体レーザ用ウェハ８を裏面側から見た概略図を示す。
【００４９】
上記半導体レーザ用ウェハ８を裏面側では、リッジストライプ形状の金メッキ膜６が複数形成されている。各金メッキ膜６は半導体レーザ用ウェハ８のオリエンタルフラット面に対して略垂直な方向に延びている。また、上記複数の金メッキ膜６の幅は略等しくなっている。
【００５０】
次に、図１Ｇに示すように、支持基板５を１００℃程度に加熱して、接着用ワックス４を溶かした後、半導体レーザ用ウェハ８をステンレス製の真空吸着板９で吸い付けて、支持基板５から剥離する。上記真空吸着板９には小さい吸着孔が１ｍｍ程度のピッチで均一に設けられている。なお、図１Ｇの１０は真空バルブである。この真空バルブ１０は、ウェハを真空吸着した後、閉栓するためのものである。上記真空バルブ１０を閉栓した後、真空吸着板９は真空ポンプ１０と分離する。ここで真空といっても、０.５気圧程度の負圧であればよい。
【００５１】
次に、上記半導体レーザ用ウェハ８と真空吸着板９が一体化したまま、半導体レーザ用ウェハ８に付着している接着用ワックス４を溶剤中で超音波洗浄して洗い落とす。その後、上記半導体レーザ用ウェハ８を熱処理炉に入れ、４４０℃で１０分間熱処理することにより、先にＧａＡｓ基板１の裏面に蒸着されているＮ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極ＧａＡｓ層とを合金化する。この合金化は、接触抵抗を低くするために、半導体レーザの製造工程では必ず必要なものである。
【００５２】
次に、図１Ｈに示すように、半導体レーザ用ウェハ８を拡張シート１１に貼り付けた後、真空バルブ１０を開栓し、半導体レーザ用ウェハ８から真空吸着板９を外す。
【００５３】
次に、図１Ｉに示すように、各溝７の底面の中央部にダイヤモンドスクライバ５０によってケガキ線１２を入れる。つまり、上記金メッキ膜６間から露出するＮ型ＧａＡｓ基板１の裏面にケガキ線１２を入れる。
【００５４】
次に、図３に示すように、半導体レーザ用ウェハ８を２分割する。
【００５５】
次に、図１Ｊに示すように、拡張シート１１を図中矢印方向に拡張すると、ケガキ線１２を起点として容易に劈開が進み、複数の半導体レーザ用バー１３が得られる。
【００５６】
図４に、上記半導体レーザ用バー１３を裏面側から見た概略図を示す。
【００５７】
次に、図示しないが、上記半導体レーザ用バー１３をダイシングシートに貼り付けて、ブレードによってチップダイシングを行う。
【００５８】
図５Ａに、上記チップダイシングにより得たレーザチップ１５を裏面側から見た概略図を示す。また、図５Ｂに、上記レーザチップ１５を側方から見た概略図を示す。
【００５９】
以上のようにして、複数のレーザチップ１５を形成したが、半導体レーザ用ウェハ８を図３に示すように２分割するまでに、半導体レーザ用ウェハ８は割れなかった。
【００６０】
これに対して、図１Ｅに示す工程で形成する金メッキ膜６の厚みを例えば９μｍにしたところ、半導体レーザ用ウェハ８を図３に示すように２分割する前に、半導体レーザ用ウェハ８の反りが大きくなり、半導体レーザ用バーウェハ８が割れてしまった。
【００６１】
従って、上記金メッキ６の厚みは少なくとも１０μｍは必要である。上記金メッキ膜６を厚くする程、半導体レーザ用ウェハ８を丈夫にすることができるが、金材料コストとの兼ね合いがあるので、金メッキ厚６の膜厚は５０μｍ以下にする。
【００６２】
また、図１Ｅに示す工程で形成する金メッキ膜６の膜厚を１５μｍとして形成した半導体レーザ用ウェハ８を用いて工程を進める場合は、従来の３インチの半導体レーザ用ウェハを７分割して工程を進めた場合に比べ、チップ取れ数が約１．５倍となった。
【００６３】
上記第１実施形態では、金メッキ膜６の厚さは１５μｍであったが、第１の金メッキ膜の一例である金メッキ膜の厚さは１５μｍ以外であってもよい。つまり、厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の金メッキ膜をＮ型電極Ｎｉ層の裏面に形成してもよい。
【００６４】
また、上記Ｐ型電極３の表面全面に第２の金メッキ膜の一例としての金メッキ膜を形成してもよい。
【００６５】
（第２実施形態）
チップ分離をスクライバによるケガキで行う場合、通常、ケガキ線は半導体レーザ用バーの中央部のみに入れる。これは、半導体レーザ用バーの劈開面付近にクラックが発生するのを防ぐためである。しかし、金メッキ膜の上からケガキ線を入れると、スクライバの先端がＧａＡｓ結晶面（Ｎ型ＧａＡｓ基板）まで届かず、チップ分離が困難となる。
【００６６】
従って、本実施形態では、第１実施形態の図１Ｆで示す金メッキ膜６のフォトエッチングのパターンを工夫して、チップ分離用のケガキ線を入れる部分の金メッキ膜を除去する。このようにして完成した半導体レーザ用バー２１３を裏面側から見た概略図を図６に示す。
【００６７】
上記半導体レーザ用バー２１３は、金メッキ膜２０６の形状のみが上記第１実施形態の半導体レーザ用バー１３と異なっている。
【００６８】
上記金メッキ膜２０６には、フォトエッチングによって第２の非メッキ部の一例としての略矩形状の金メッキ膜除去部２０７を複数形成している。この金メッキ膜除去部２０７からはＮ型ＧａＡｓ基板２０１の裏面が露出している。また、上記金メッキ膜２０６の膜厚は例えば１５μｍとしている。
【００６９】
上記構成の半導体レーザ用バー２１３によれば、金メッキ膜除去部２０７から露出したＮ型ＧａＡｓ基板２０１の裏面にケガキ線２１４を入れた後、チップ分離を行う。これにより、上記半導体レーザ用バー２１３の劈開面付近にクラックが発生するのを防ぐことができる。
【００７０】
図７Ａに、上記半導体レーザ用バー２１３をチップ分離して得られるレーザチップ２１５を裏面側から見た概略図を示す。また、図７Ｂに、上記レーザチップ２１５を側方から見た概略図を示す。
【００７１】
上記レーザチップ２１５のレーザ光出射面付近にはクラックが形成されていないので、レーザチップ２１５の信頼性は高くなっている。
【００７２】
（第３実施形態）
直径４インチのエピタキシャルウェハを、１１０μｍまで薄くし、補強用金メッキ膜の厚さを４０μｍにして、半導体レーザ製造プロセスを遂行したところ、レーザバー作製プロセス直前まで割れることはなかった。
【００７３】
（第４実施形態）
高出力レーザ構造の一つに端面窓レーザ構造と呼ばれるものがある。この端面窓レーザ構造は、劈開面、即ちレーザ光出射面近傍に、レーザ光を吸収しない窓領域を形成して高出力化を図ったものである。この端面窓レーザ構造を有するレーザチップの製造プロセスで重要なことは、幅５０μｍ程度の窓領域内で正確に劈開してレーザバーを作製することである。つまり、半導体レーザ用ウェハを劈開すべき面が窓領域を通過することが重要である。この劈開のためのケガキ線は、通常、半導体レーザ用ウェハの裏面の端部に入れられる。
【００７４】
従って、半導体レーザ用ウェハの表面に形成された窓領域と、半導体レーザ用ウェハの裏面の劈開部とを一致させる方法として、半導体レーザ用ウェハの表面の窓領域の一部にアライメントマーカを形成しておき、そのアライメントマーカを例えば赤外透過法によって半導体レーザ用ウェハの裏面から観測しながら、半導体レーザ用ウェハを劈開するためのケガキ線をアライメントマーカと重なるように半導体レーザ用ウェハの裏面の端部に入れる。この赤外透過法を実行するために、金電極と金メッキ膜とが存在しない領域を半導体レーザ用ウェハの表面、裏面のそれぞれに２箇所ずつ設ける。
【００７５】
図８Ａに、上記端面窓レーザ構造を形成するための３インチの半導体レーザ用ウェハ４０８を表面側から見た概略図を示す。また、図８Ｂに、上記半導体レーザ用ウェハ４０８を裏面側から見た概略図を示す。
【００７６】
上記半導体レーザ用ウェハ４０８の表面側には、図８Ａに示すように、光導波路リッジストライプ４１８を複数形成している。また、上記半導体レーザ用ウェハ４０８の表面側の周縁部には、Ｐ型電極が蒸着されていない２つの電極非蒸着部４１７を形成している。各電極非蒸着部４１７にはアライメントマークの一例としての窓領域アライメントマーク４１６を形成している。この窓領域アライメントマーク４１６は、半導体レーザ用ウェハ４０８の表面に形成された窓領域の一部と重なっている。つまり、上記窓領域の一部に窓領域アライメントマーク４１６を形成している。
【００７７】
一方、上記半導体レーザ用ウェハ４０８の裏面側には、図８Ｂに示すように、ストライプ形状の例えば厚さ１５μｍの金メッキ膜４０６を複数形成している。また、上記半導体レーザ用ウェハ４０８の裏面側には、Ｎ型電極が蒸着されておらず、かつ、金メッキ膜４０６が形成されていない２つのＮ型電極非蒸着・非メッキ部４１９を形成している。各Ｎ型電極非蒸着・非メッキ部４１９から赤外線透過法で観察できる窓領域アライメントマーク４１６に合わせて溝４０７を複数形成している。なお、上記Ｎ型電極非蒸着・非メッキ部４１９が第１の非メッキ部の一例である。
【００７８】
上記構成の半導体レーザ用ウェハ４０８によれば、図示しないが、溝４０７の底面にケガキ線を入れる。この時、上記Ｎ型電極非蒸着・非メッキ部４１９を通して窓領域アライメントマーク４１６を例えば赤外線透過法で半導体レーザ用ウェハ４０８の裏面側から観察しながら、窓領域アライメントマーク４１６とケガキ線とを重ねる。これにより、上記ケガキ線に沿って劈開することにより、上記窓領域の一部を劈開端面近傍に含む半導体レーザ用バーが確実に得られる。
【００７９】
図９Ａに、上記半導体レーザ用バーをチップ分割して得られるレーザチップ４１５を裏面側から見た概略図を示す。また、図９Ｂに、上記レーザチップ４１５を側方から見た概略図を示す。
【００８０】
上記レーザチップ４１５は、レーザチップ４１５が出射するレーザ光を透過する端面窓領域４２０が形成されている点以外は上記第１実施形態のレーザチップ１５と同様である。
【００８１】
上記端面窓領域４２０は、レーザチップ４１５の光出射端面近傍と、この光出射端面とは反対側の端面近傍に形成されている。
【００８２】
上記第１〜第４実施形態を適宜組み合わせたものを本発明としてもよい。例えば、上記第１実施形態に記載した条件を第２，第４実施形態に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１Ｊ】図１Ｊは上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを用いる赤色高出力レーザの製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２】図２は上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハを裏面側から見た概略図である。
【図３】図３は上記第１実施形態の半導体レーザ用ウェハの２分割したものを裏面側から見た概略図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の半導体レーザ用バーを裏面側から見た概略図である。
【図５Ａ】図５Ａは本発明の第１実施形態のレーザチップを裏面側から見た概略図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは上記第１実施形態のレーザチップを側方から見た概略図である。
【図６】図６は本発明の第２実施形態の半導体レーザ用バーを裏面側から見た概略図である。
【図７Ａ】図７Ａは本発明の第２実施形態のレーザチップを裏面側から見た概略図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは上記第２実施形態のレーザチップを側方から見た概略図である。
【図８Ａ】図８Ａは本発明の第４実施形態の半導体レーザ用ウェハを表面側から見た概略図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは上記第４実施形態の半導体レーザ用ウェハを裏面側から見た概略図である。
【図９Ａ】図９Ａは本発明の第４実施形態のレーザチップを裏面側から見た概略図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは上記第４実施形態のレーザチップを側方から見た概略図である。
【符号の説明】
【００８４】
１，２０１  Ｎ型ＧａＡｓ基板
２  エピタキシャル成長層
３  Ｐ型電極
４  接着用ワックス
５  支持基板
６，２０６，４０６  金メッキ膜
７，４０７  溝
８，４０８  半導体レーザ用ウェハ
９  真空吸着板
１０  真空バルブ
１１  拡張シート
１２，２１４  ケガキ線
１３，２１３  半導体レーザ用バー
１５，２１５，４１５  レーザチップ
２０７  金メッキ膜除去部
４１６  窓領域アライメントマーク
４１７  電極非蒸着部
４１８  光導波路リッジストライプ
４１９  Ｎ型電極非蒸着・非メッキ部
４２０  端面窓領域
【図１Ａ】
2007067274.tif 000003
【図１Ｂ】
2007067274.tif 000004
【図１Ｃ】
2007067274.tif 000005
【図１Ｄ】
2007067274.tif 000006
【図１Ｅ】
2007067274.tif 000007
【図１Ｆ】
2007067274.tif 000008
【図１Ｇ】
2007067274.tif 000009
【図１Ｈ】
2007067274.tif 000010
【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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