(57)【要約】【課題】ＳＡＷフィルタ用電極を十分に気密封止できるＳＡＷフィルタ装置を提供する。【解決手段】表面に複数のＳＡＷフィルタ用電極２１、２２を有する圧電基板２が、封止枠３により所定間隔をあけてベース基板１上に接合されており、封止枠３により、圧電基板２のベース基板側面に形成されたＳＡＷフィルタ用電極２１、２２が気密封止されたＳＡＷフィルタ装置であって、圧電基板２よりも−４０〜１２５℃における熱膨張係数が大きい封止用樹脂層４を、ベース基板１上に、圧電基板２の少なくとも側面が被覆されるように形成されており、圧電基板２の上面に封止用樹脂層４が存在しないか、もしくは圧電基板２の上面に封止樹脂層４が厚み５０μｍ以下で存在する。【選択図】図１
2007067580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のＳＡＷフィルタ用電極を有する圧電基板が、封止枠により所定間隔をあけてベース基板上に接合されており、前記封止枠により、前記圧電基板のベース基板側面に形成されたＳＡＷフィルタ用電極が気密封止されたＳＡＷフィルタ装置であって、−４０〜１２５℃における熱膨張係数が前記圧電基板よりも大きい封止用樹脂層が、前記ベース基板上に、前記圧電基板の少なくとも側面が被覆されるように形成されており、前記圧電基板の上面に前記封止用樹脂層が存在しないか、もしくは前記圧電基板の上面に封止用樹脂層が厚み５０μｍ以下で存在することを特徴とするＳＡＷフィルタ装置。
【請求項２】
前記圧電基板の周りにおける前記封止用樹脂層の上面は、前記圧電基板の上面よりも低いことを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷフィルタ用電極を有する圧電基板を、封止枠によりベース基板に接合するとともに、ＳＡＷフィルタ用電極を気密封止したＳＡＷフィルタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板を用いたＳＡＷフィルタ装置は小型であること、高減衰が得られること等の理由から、移動体通信機のフィルタとして広く用いられている。また、近年の携帯端末等の小型の無線通信機器の急激な増加に伴い、ＳＡＷフィルタ装置にも小型化、低背化、低コスト化が要求されている。
【０００３】
そこで、従来、１枚の圧電基板上に一対の入出力電極からなるＳＡＷフィルタ用電極を２個形成し、この２個のＳＡＷフィルタ用電極を取り囲むとともにこの２個のＳＡＷフィルタ用電極を区画するように導体パターンを形成してなる圧電基板を、ＳＡＷフィルタを気密に封止するように、導体パターンと同様のパターンに形成された封止枠を介してベース基板に実装したＳＡＷフィルタ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図４は、圧電基板を、封止枠によりベース基板に実装したＳＡＷフィルタ装置を示すもので、このＳＡＷフィルタ装置には、図４（ｂ）に示すように、圧電基板６のベース基板５に実装される側の面上に、所定の間隔を有する一対の入出力電極６１１、６１３からなるＳＡＷフィルタ用電極６１が設けられるとともに、このＳＡＷフィルタ用電極６１とほぼ同一形状のＳＡＷフィルタ用電極６２、即ち、一対の入出力電極６２１、６２３からなるＳＡＷフィルタ用電極６２が形成されており、さらにそれぞれのＳＡＷフィルタ用電極６１、６２を取り囲むように導体パターン６３が形成されている。ここで、圧電基板６に形成されたＳＡＷフィルタ用電極６１及びＳＡＷフィルタ用電極６２がそれぞれＳＡＷフィルタを形成している。
【０００５】
そしてこの圧電基板６は、図４（ｃ）に示すように、それぞれのＳＡＷフィルタ用電極６１、６２を気密に封止するように、導体パターン６３と同様のパターンに形成された半田からなる封止枠７を介してベース基板５に実装されている。入出力電極６１１、６１３からはリード電極６１２、６１４が引き出され、同様に入出力電極６２１、６２３からもリード電極６２２、６２４が引き出されており、これらのリード電極６１２、６１４、６２２、６２４とベース基板５に設けられた電極パッド（図示しない）とをフリップチップボンディングにより導通させるようになっている。このとき、入出力電極６１１、６１３（入出力電極６２１、６２３）は図示しない導体パターンで接続され、ベース基板５の電極から送られてきた交流電流がこれらを通過して再びベース基板５の他の電極に返されるようになっている。
【特許文献１】特開平４−２９３３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に圧電基板６はＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、水晶等の単結晶を用い、このような単結晶からなる圧電基板６の−４０〜１２５℃の熱膨張係数は、異方性はあるが大きい方向では１４〜１６×１０−６／℃程度であり、また、ベース基板５としては、通常ＬＴＣＣ（ガラスセラミックス）等が用いられ、このようなベース基板５の−４０〜１２５℃の熱膨張係数は３〜１１×１０−６／℃程度であるため、圧電基板６の熱膨張係数はベース基板５よりも大きい。
【０００７】
従って、１枚の圧電基板６上に２個以上のＳＡＷフィルタ用電極６１、６２を配置すると、圧電基板６のサイズが大きくなるため、圧電基板６とベース基板５との熱膨張係数差による熱応力の影響が大きくなり、市場環境に晒された際、また−４０〜１２５℃の温度サイクル試験に投入した際等に、ＳＡＷフィルタ用電極を封止している半田からなる封止枠７に疲労破壊が生じる虞があった。これにより、ＳＡＷフィルタ用電極６１、６２を気密封止できず、水分や埃等がＳＡＷフィルタの振動部に付着し、振動数が変わるという問題があった。
【０００８】
これに対し、それぞれに１個のＳＡＷフィルタ用電極を配置した小さな（２個のＳＡＷフィルタを配置した圧電基板の半分の大きさである）２枚の圧電基板を用いることにより、封止枠の疲労を低減する方法も考えられるが、製造工数が増加するためコスト的に不利であり、また寸法マージンが削られてしまうため、小型化にも不利である。
【０００９】
さらに、半田に生じる疲労破壊を抑制するために、圧電基板上面、封止枠の外面に封止用樹脂層を形成し、圧電基板周囲を封止樹脂層で被覆し、これにより封止信頼性を向上することが考えられるが、この場合には、通常、樹脂の−４０〜１２５℃の熱膨張係数は３０×１０−６／℃程度と、圧電基板よりも大きいため、圧電基板上面の封止用樹脂層により、圧電基板の熱変形（ひずみ）が助長され、温度変化によって封止枠に疲労破壊が生じ、ＳＡＷフィルタ用電極６１、６２を十分に気密封止することができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、ＳＡＷフィルタ用電極を十分に気密封止できるＳＡＷフィルタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のＳＡＷフィルタ装置は、表面に複数のＳＡＷフィルタ用電極を有する圧電基板が、封止枠により所定間隔をあけてベース基板上に接合されており、前記封止枠により、前記圧電基板のベース基板側面に形成されたＳＡＷフィルタ用電極が気密封止されたＳＡＷフィルタ装置であって、−４０〜１２５℃における熱膨張係数が前記圧電基板よりも大きい封止用樹脂層が、前記ベース基板上に、前記圧電基板の少なくとも側面が被覆されるように形成されており、前記圧電基板の上面に前記封止用樹脂層が存在しないか、もしくは前記圧電基板の上面に封止用樹脂層が厚み５０μｍ以下で存在することを特徴とする。言い換えれば、−４０〜１２５℃における熱膨張係数が圧電基板よりも大きい封止用樹脂層を、封止枠の外周面を取り囲むように形成し、かつ、圧電基板の上面に、封止用樹脂層が存在しないか、もしくは圧電基板の上面の封止樹脂層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
このようなＳＡＷフィルタ装置では、熱膨張係数が圧電基板よりも大きい封止用樹脂層が、圧電基板の上面に存在しないか、もしくは圧電基板の上面の封止樹脂層の厚みが５０μｍ以下であるため、封止用樹脂層による圧電基板の熱変形助長が殆どなく、これにより、封止枠の疲労を軽減することができ、かつ、封止枠の外周面の封止用樹脂層による封止性との相乗効果により、ＳＡＷフィルタ用電極を十分に気密封止できる。
【００１３】
即ち、圧電基板をベース基板に熱処理して半田で接合した後の冷却工程や、ＳＡＷフィルタ装置が高温雰囲気に晒された場合等に、ベース基板に対して、圧電基板、封止用樹脂の熱変形が大きいため、圧電基板上面に封止用樹脂がある一定以上の厚みで存在すると、この封止用樹脂層により圧電基板の熱膨張（収縮）が助長され、ベース基板との熱膨張（収縮）差が大きくなり、封止枠の疲労が大きくなり、最悪の場合には、ＳＡＷフィルタ装置が加熱された際に、圧電基板のベース基板への接合が解除される虞があったが、本発明では、圧電基板の上面に封止用樹脂層が存在しないか、もしくは圧電基板の上面の封止用樹脂層の厚みが５０μｍ以下であるため、封止用樹脂層による圧電基板の熱膨張（収縮）助長が殆どなく、ベース基板との熱膨張（収縮）差を小さくでき、これにより、封止枠の疲労を軽減することができるとともに、封止枠、さらには封止用樹脂層により、十分に気密封止できる。
【００１４】
本発明では、圧電基板の上面に封止用樹脂層が存在しないか、もしくは圧電基板の上面の封止用樹脂層の厚みが５０μｍ以下であり、圧電基板の周辺においては、圧電基板上面よりも高い樹脂層が存在していてもよい。また、圧電基板の周りにおいては、封止という機能を有する限り、圧電基板の上面よりも封止用樹脂層の上面が低い場合でも良い。この場合には、コストをさらに低減でき、また、低背化を達成できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、封止枠の疲労を軽減し、ＳＡＷフィルタ用電極を十分に気密封止できるＳＡＷフィルタ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は本発明に係るＳＡＷフィルタ装置の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す圧電基板２の裏面側（ベース基板側）から見た図、（ｃ）はＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１７】
本発明のＳＡＷフィルタ装置では、一対の入出力電極２１１、２１３からなるＳＡＷフィルタ用電極２１と一対の入出力電極２２１、２２３からなるＳＡＷフィルタ用電極２２を設け、２個のＳＡＷフィルタ用電極２１、２２を取り囲むように導体パターン２３を形成してなる圧電基板２を、ＳＡＷフィルタ用電極２１、２２を気密に封止するように、導体パターン２３と同様のパターンに形成された封止枠３を介してベース基板１に実装している。
【００１８】
即ち、図１（ｂ）に示すように、圧電基板２のベース基板１に実装される側の面上には、所定の間隔を有する一対の入出力電極２１１、２１３からなるＳＡＷフィルタ用電極２１が設けられるとともに、このＳＡＷフィルタ用電極２１とほぼ同一形状のＳＡＷフィルタ用電極２２、つまり、一対の入出力電極２２１、２２３からなるＳＡＷフィルタ用電極２２が形成されており、さらにＳＡＷフィルタ用電極２１、２２を取り囲むように導体パターン２３が形成されている。
【００１９】
入出力電極２１１、２１３、２２１、２２３は、それぞれが、蒸着法やスパッタリングによりアルミニウム薄膜などの金属薄膜層を形成し、フォトリソグラフィー手法を用いて櫛歯状電極を対向配置させてなるＩＤＴ（インタデジタル・トランスデューサ）電極やその両側に反射器電極、及び接続用のバスバー電極からなる振動電極と電極パッドをパターン形成した構造のものである。そして、ＩＤＴ電極に所定の信号電圧を印加し、圧電基板の一主面上でＩＤＴ電極の電極指ピッチに対応した所定の共振周波数で表面波振動することによって弾性表面波フィルタとして機能するようになっている。
【００２０】
尚、本発明においては、一対の入出力電極２１１と２１３をＳＡＷフィルタ電極２１と定義し、一対の入出力電極２２１と２２３をＳＡＷフィルタ電極２２と定義しており、圧電基板２に形成されたＳＡＷフィルタ用電極２１及びＳＡＷフィルタ用電極２２がそれぞれＳＡＷフィルタを形成している。ここでは、入出力電極２１１、２１３（２２１、２２３）はベース基板１からみて、それぞれ入力と出力にあたるため、このように表現したものである。入出力電極２１１と入出力電極２１３の２個をもってＳＡＷフィルタ用電極２１としたが、本発明においては１個の入出力電極２１１をＳＡＷフィルタ用電極とみなしてもよく、さらに３個以上の入出力電極をもってＳＡＷフィルタ用電極とみなしてもよい。
【００２１】
この圧電基板２は、図１（ｃ）に示すように、ＳＡＷフィルタ用電極２１、２２を気密に封止するように、導体パターン２３と同様のパターンに形成された封止枠３を介してベース基板１に接合、すなわち実装されており、このＳＡＷフィルタ用電極２１、２２が接する空間（封止枠３、圧電基板２、ベース基板１により封止された内部空間）は密閉されている。
【００２２】
ここで封止枠３としては、半田またはＡｕからなるのが好ましく、これにより、上記内部空間を密閉することができる。尚、封止枠３が導体パターン２３と同様のパターンに形成されているとは、導体パターン２３と封止枠３が接しており接合封止できるようになっていればよく、その形状については相似形あるいは若干異なっていてもよい。
【００２３】
また、入出力電極２１１、２１３からはリード電極２１２、２１４が引き出され、同様に入出力電極２２１、２２３からもリード電極２２２、２２４が引き出されており、これらのリード電極２１２、２１４、２２２、２２４とベース基板１に設けられた電極パッド（図示しない）とをフリップチップボンディングにより導通させるようになっている。このとき、入出力電極２１１、２１３（入出力電極２２１、２２３）は図示しない導体パターンで接続され、ベース基板１の電極から送られてきた交流電流がこれらを通過して再びベース基板１の他の電極に返されるようになっている。
【００２４】
本発明のＳＡＷフィルタ装置では、圧電基板材料として、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、水晶等の単結晶からなる圧電基板２が用いられる。例えば、ＬｉＴａＯ３では長さ方向に対して熱膨張係数が高くなるように結晶が配向するように加工されて使用されており、熱膨張係数が大きい方向における圧電基板２の熱膨張係数は、−４０〜１２５℃で１４〜１６×１０−６／℃の熱膨張係数を有している。圧電基板の寸法は、厚み０．３ｍｍ以下、長さは２ｍｍ以上とされている。
【００２５】
また、ベース基板１については、構成材料としては、いわゆるガラスセラミックスを用いることができ、このようなベース基板１の圧電基板の長さ方向における熱膨張係数は、−４０〜１２５℃で、通常３〜１１×１０−６／℃の熱膨張係数を有している。
【００２６】
そして、本発明では、図１（ｃ）に示すように、−４０〜１２５℃における熱膨張係数が圧電基板２よりも大きい封止用樹脂層４が、封止枠３の外周面を取り囲むように形成されており、この封止用樹脂層４の上面は、圧電基板２の上面とほぼ同一面であり、圧電基板２の上面には、封止用樹脂層４が存在しておらず、露出している。
【００２７】
即ち、樹脂は、通常、−４０〜１２５℃における熱膨張係数が、３０×１０−６／℃程度であり、ベース基板１が３〜１１×１０−６／℃、圧電基板２が１４〜１６×１０−６／℃、封止用樹脂層４が３０×１０−６／℃と次第に大きくなっているため、圧電基板の上面に厚く封止用樹脂層を形成すると、高温雰囲気では、封止用樹脂層により圧電基板２の膨張（収縮）が助長され、圧電基板のベース基板への接合部分である封止枠３に熱応力が発生し、接合が解除される等の不具合が発生する虞があったが、本発明では、圧電基板２上面には封止用樹脂層４が存在しないため、封止用樹脂層４が圧電基板２に与える影響を殆どなくすことができ、これにより、封止枠３に発生する熱応力を抑制することができる。
【００２８】
また、圧電基板２の周囲に存在する封止用樹脂層４には圧電基板２とベース基板１を接合することで圧電基板２とベース基板１の熱変形を近づける効果がある。これにより、圧電基板２とベース基板１の熱膨張差による半田の疲労を抑制することができる。
【００２９】
また、全体を樹脂で封止する場合よりも樹脂の使用量を節約でき、さらには、ＳＡＷフィルタ装置の低背化を図ることができる。
【００３０】
上述のように、本発明は圧電基板２の熱膨張係数とベース基板１の熱膨張係数との差によって封止枠３に生じる疲労破壊を防止するためのものであるが、特に圧電基板２とベース基板１の熱膨張係数の差が５×１０−６／℃以上である場合に、本発明を好適に用いることができる。さらに、圧電基板２の熱膨張係数が大きい方向の長さが２ｍｍ以上ある方が、本発明の効果が発揮される。
【００３１】
尚、圧電基板２、ベース基板１の熱膨張係数は、ＴＭＡ（試験片の温度変化による変位を測定）、レーザー熱膨張（試験片の温度変化による変位をレーザーの干渉により測定、ＴＭＡに比べて精度がよい）により測定することができる。封止用樹脂層４の熱膨張係数は、樹脂がある程度以上の長さ（例えば３ｍｍ以上）で断面形状が同じに切り出せる場合はＴＭＡで、ある程度以上の厚み（例えば５０μｍ以上）があって一定の厚みの試験片を切り出せる場合はレーザー熱膨張で、これらが無理な場合は樹脂の試験片をヒーターに載せ、温度変化による試験片の伸びをレーザー変位計で測定することにより、測定することができる。
【００３２】
本発明では、圧電基板２の上面にごく薄層、５０μｍ以下の封止用樹脂層４を形成した場合であっても良い。この場合には、封止枠３に発生する熱応力を抑制するという効果は僅かに低下するものの、例えば、封止用樹脂層４を形成する際の製造工程が容易となる。
【００３３】
本発明のＳＡＷフィルタ装置では、図２（ａ）に示すように、圧電基板２の上面に、封止用樹脂層４を形成しないように、圧電基板２の周囲の封止用樹脂層４の上面が圧電基板２の上面よりも上方である場合であっても良い。この場合には図１と同等の、温度変化によって封止枠に生じる熱応力を抑制する効果が得られる。
【００３４】
また本発明のＳＡＷフィルタ装置では、図２（ｂ）に示すように、封止用樹脂層４の上面は、圧電基板２の上面よりも下方であり、圧電基板２の下面よりも少々上方であっても良い。即ち、封止用樹脂層４の形成領域は、封止枠３を覆う程度でもよい。この場合は、図１と同等とまではいかないが、温度変化によって封止枠に生じる熱応力を抑制するとともに、樹脂の使用量を一層節約できる。
【００３５】
また、本発明のＳＡＷフィルタ装置では、図２（ｃ）に示すように、圧電基板２上面の外周囲にも、僅かな厚みで樹脂層が形成されていても良い。ここで、圧電基板２上面の外周囲とは、封止枠３の内部空間側の面よりも外側に位置する圧電基板上面であることが、樹脂層による圧電基板の熱膨張助長を抑制するという点から望ましい。このような構造は、図２（ａ）に示すように、圧電基板２の周囲の封止用樹脂層４の上面を圧電基板２の上面よりも高くなるように、樹脂を塗布した際に、圧電基板２の周囲の樹脂が圧電基板上に流れ込むことにより、図２（ｃ）のような構造になることがある。
【００３６】
また、本発明のＳＡＷフィルタ装置では、図２（ｄ）に示すように、圧電基板２上面にも、５０μｍ以下の厚みで樹脂層が形成されていても良い。このような構造は、圧電基板２の上面に塗布した樹脂が周囲に流れていった場合に、図２（ｄ）のような構造になることがある。
【００３７】
本発明のＳＡＷフィルタ装置において、封止用樹脂層４の形成方法は、先ず、樹脂を印刷する際にスクリーンにマスクをつけ、圧電基板２の上部に樹脂が印刷されないようにすればよい。また、流動性が高く、圧電基板２の上部に印刷しても周囲に流れてしまうような樹脂であれば、圧電基板２の上部に印刷してもよい。
【００３８】
尚、実際にはベース基板１にＳＡＷフィルタ用電極２１としての一対の入出力電極２１１、２１３及びＳＡＷフィルタ用電極２２としての一対の入出力電極２２１、２２３と導通するための電極が形成されているが、図１では図示を省略している。
【実施例】
【００３９】
図１（ｃ）、図２（ｄ）、図２（ｅ）、図４のＳＡＷフィルタ装置について応力シミュレーションを行い、封止枠に生じる塑性ひずみを求めた。
【００４０】
矩形状の圧電基板の材料にはＬｉＴａＯ３単結晶基板を用い、矩形状のベース基板としてガラスセラミックスからなる低温焼成基板を用い、封止枠の材料として、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ半田を用いた。圧電基板のサイズは、幅Ｗ＝１．７ｍｍ、長さＤ＝２．２ｍｍ、厚みｔ＝０．３ｍｍとした。
【００４１】
圧電基板とベース基板の間隔（封止枠の高さ）は、２０μｍとした。また、封止枠の圧電基板への接合位置は、圧電基板の外面から０．０５ｍｍの位置とした。また封止枠の幅は０．１ｍｍとした。従って、圧電基板の長さ方向における封止枠の内側間隔は１．９ｍｍとした。
【００４２】
圧電基板の長さ方向における熱膨張係数（−４０〜１２５℃）を１６×１０―６／℃、ベース基板の圧電基板長さ方向における熱膨張係数（−４０〜１２５℃）を９×１０―６／℃とした。さらに、封止用樹脂層の熱膨張係数（−４０〜１２５℃）を３０×１０―６／℃とした。
【００４３】
図２（ｄ）の形状では、圧電基板４上面の封止用樹脂層４の厚さは５０μｍとした。また図２（ｅ）の形状では、圧電基板上に０．４ｍｍの厚みで樹脂層を形成したものとした。
【００４４】
応力シミュレーションの温度条件としては、温度サイクル試験を想定し、１２５℃を応力０の状態として、１２５℃から−４０℃に温度を降下させた場合の半田の相当塑性ひずみを求めた。相当塑性ひずみとは、３次元応力状態での塑性ひずみを１軸応力状態での塑性ひずみに換算したもので、疲労の程度の指標になる。
【表１】
2007067580.tif 000003
【００４５】
表１より、本発明の実施例である図１（ｃ）及び図２（ｄ）の形状の半田の相当塑性ひずみは、図４の従来形状及び図２（ｅ）に比べて小さくなっており、半田の疲労が低減されていることがわかる。
【００４６】
また、図１（ｃ）についての解析モデルを図３（ａ）に、解析結果である封止枠３の相当塑性ひずみ分布を図３（ｂ）に記載した。解析モデルは１／４モデルであり、（ａ）は、ベース基板の斜め下方から見た図である。この図３から、圧電基板２の短辺側の封止枠３に大きな相当塑性ひずみが生じていることがわかる。すなわち、圧電基板２の長辺方向の、圧電基板２とベース基板１の熱膨張差により、封止枠３に大きな疲労が生じている。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係るＳＡＷフィルタ装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す圧電基板の裏面側（ベース基板側）から平面図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図２】封止用樹脂層の形成厚みを変更したもので、（ａ）は圧電基板上面よりも高く形成した状態を示す断面図、（ｂ）は圧電基板上面よりも低く形成した状態を示す断面図、（ｃ）は圧電基板の周辺部に封止用樹脂層を薄く形成した状態を示す断面図、（ｄ）は圧電基板の上部に封止用樹脂層を薄く形成した状態を示す断面図、（ｅ）は圧電基板の上部に封止用樹脂を厚く形成した状態を示す断面図である。
【図３】（ａ）は図１の解析モデルを記載した説明図、（ｂ）は半田の相当塑性ひずみ分布の解析結果を示す図である。
【図４】従来のＳＡＷフィルタ装置を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す圧電基板の裏面側（ベース基板側）から平面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１・・・ベース基板
２・・・圧電基板
３・・・封止枠
４・・・封止用樹脂層
２１、２２・・・ＳＡＷフィルタ用電極
２１１、２１３、２２１、２２３・・・入出力電極
２１２、２１４、２２２、２２４・・・リード電極
２３・・・導体パターン
【図１】
2007067580.tif 000004
【図２】
2007067580.tif 000005
【図３】
2007067580.tif 000006
【図４】
2007067580.tif 000007