(57)【要約】【課題】  受光手段の取り付け精度が高い光集積ユニットの製造方法と、光集積ユニットと対物レンズとの相対位置の精度が高い光ピックアップ装置の製造方法を提供する。【解決手段】  回折手段により戻り光を分離して生じる非回折光と回折光とのうち、非回折光よって第１の受光部において生成される検出信号に基づいて受光手段の取り付け位置を調整する工程を備える。【選択図】  図１
2007102965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを出射する光源と、
光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、
上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、
上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて上記受光手段を移動し、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴とする光集積ユニットの製造方法。
【請求項２】
光ビームを出射する光源と、
光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、
上記光ビームを透過させ、かつ、上記回折手段により分離された非回折光および回折光を上記光源とは異なる方向へ導く導光手段と、
上記導光手段により導かれた非回折光を受光する第１の受光部および上記導光手段により導かれた回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、
上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段を上記導光手段と一体で移動し、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴とする光集積ユニットの製造方法。
【請求項３】
光ビームを出射する光源と、
光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、
上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、
上記光集積ユニットに上記回折手段を取り付けるより前に、上記非回折光と同一の光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて上記受光手段を移動し、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴とする光集積ユニットの製造方法。
【請求項４】
光ビームを出射する光源と、
光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、
上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、
上記光集積ユニットに上記回折手段を取り付けるより前に、上記回折手段と同じ屈折率および同じ厚みを有する透明部材を上記回折手段と同じ位置に配置し、上記透明部材を透過し上記非回折光と同じ光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて上記受光手段を移動し、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴とする光集積ユニットの製造方法。
【請求項５】
上記受光手段の取り付け位置を調整する工程において、上記受光手段は該受光手段に入射する非回折光あるいは戻り光の光軸に垂直な面内で移動されることを特徴とする請求項１から４のうち何れか一項に記載の光集積ユニットの製造方法。
【請求項６】
上記第１の受光部は互いに直交する２本の直線により分割された４つの受光セルからなり、
上記第１の受光部において生成される検出信号は、上記４つの受光セルから出力される４つの出力信号を含む検出信号であることを特徴とする請求項１から５のうち何れか一項に記載の光集積ユニットの製造方法。
【請求項７】
上記受光手段の取り付け位置を調整する工程は、上記４つの受光セルから出力される４つの出力信号が概ね均等であるかを判定する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の光集積ユニットの製造方法。
【請求項８】
上記受光手段の取り付け位置を調整する工程に引き続き、上記第１の受光部において生成される検出信号を調整誤差として記録する工程を含むことを特徴とする請求項１から７のうち何れか一項に記載の光集積ユニットの製造方法。
【請求項９】
上記回折光によって上記第２の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸に垂直な面内で平行移動し、上記回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸を中心に回転し、上記回折手段の取り付け位置および取り付け角度を調整する工程を含むことを特徴とする請求項１から８のうち何れか一項に記載の光集積ユニットの製造方法。
【請求項１０】
上記回折手段の取り付け位置を調整する工程は、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程より後に行われることを特徴とする請求項９に記載の光集積ユニットの製造方法。
【請求項１１】
光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットと、
上記光集積ユニットから出射される光ビームを平行光に変える、上記光ビームの光軸上に配置されたコリメータレンズと、
上記コリメータレンズにより平行光に変えられた光ビームを集光する、上記光ビームの光軸上に配置された対物レンズと、を備えた光ピックアップの製造方法であって、
上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、かつ／または、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴とする光ピックアップ装置の製造方法。
【請求項１２】
上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程において、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動する方向と、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動する方向とは、互いに直交する方向であることを特徴とする請求項１１に記載の光ピックアップ装置の製造方法。
【請求項１３】
上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程は、上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号が上記光集積ユニット製造時に記録された調整誤差と同一になるように、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、かつ／または、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の光ピックアップ装置の製造方法。
【請求項１４】
光ビームを出射する光源と、
光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、
上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットを製造する製造装置であって、
上記光集積ユニットに接続され、上記第１の受光部において生成される検出信号を入力する入力部と、
上記検出信号から上記受光手段の取り付け位置を調整するための誤差信号を演算する演算部と、
上記誤差信号を出力する出力部とを備えることを特徴とする光集積ユニット製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光集積ユニットの製造方法および光ピックアップ装置の製造方法に関するものである。より詳細には、光集積ユニットにおける受光素子の取り付け位置精度の向上により安定した信号検出が可能な光集積ユニットの製造方法、および、光ピックアップに搭載される光集積ユニットの取り付け位置精度の向上により安定した信号検出が可能な光ピックアップ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高画質の動画等を記録するために光ディスクなどの光記録媒体の情報記録容量を高密度化、大容量化すること、さらに、この光ディスクをモバイル用途で使用するために光ピックアップ装置を小型軽量化することが強く望まれている。
【０００３】
そこで、小型軽量化の要求に対応して様々な集積化ピックアップが提案されている。例えば、特許文献１には、ホログラム素子とビームスプリッタとを備えた光集積ユニットおよび、それを備えた光ピックアップ装置が提案されている。
【０００４】
はじめに、図１９〜図２１に基づいて、この光集積ユニットと光ピックアップ装置の原理を説明する。
【０００５】
図１９は、この光ピックアップ装置の構成図である。光集積ユニット１０１に搭載された光源からの出射光がコリメータレンズ１０２により平行光にされた後、対物レンズ１０３を介して光ディスク１０４上に集光される。そして、光ディスク１０４から反射した戻り光は再び対物レンズ１０３、コリメータレンズ１０２を介して、光集積ユニット１０１に搭載された受光素子１１０上に集光される。光ディスク１０４は、基板１０４ａ、光ビームが透過するカバー層１０４ｂ、情報の記録再生に用いられる記録層１０４ｃで構成されている。
【０００６】
図２０は、この光集積ユニット１０１の詳細な構造を示す図である。半導体レーザ（光源）１０５から出射した光１２０（光軸中心１２２）は３ビーム用回折格子１０６によってメインビーム（０次回折光）と２つのサブビーム（±１次回折光）に分割され、複合プリズム１０７の偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）面１０７ａを通過し、１／４波長板１０８を透過して、コリメータレンズ１０２に向かう。なお、図の煩雑を避けるため、サブビーム（±１次回折光）は図示していない。
【０００７】
そして、戻り光１２１は１／４波長板１０８を透過してＰＢＳ面１０７ａおよび、反射ミラー面１０７ｂで反射され、ホログラム素子１０９に入射する。ホログラム素子１０９に入射した戻り光１２１は回折されて＋１次回折光（光軸中心１２５ａ）と−１次回折光（光軸中心１２５ｂ）に分割され、受光素子１１０に入射する。なお、図の煩雑を避けるため、戻り光１２１については光軸中心の光線のみを図示している。
【０００８】
ここで、半導体レーザ１０５から出射した光は偏光方向がｘ方向の直線偏光（Ｐ偏光）であり、ＰＢＳ面１０７ａを透過後、１／４波長板１０８で円偏光にされ、光ディスク１０４に入射する。光ディスク１０４からの戻り光は再び１／４波長板１０８に入射してｙ方向の直線偏光（Ｓ偏光）になってＰＢＳ面１０７ａで反射される。
【０００９】
したがって、半導体レーザ１０５から出射した光を、メインビーム・サブビーム共にほとんど全て光ディスク１０４に導くとともに、戻り光もほとんど全て受光素子１１０に導くことができるため光利用効率が高い。
【００１０】
図２１は、ホログラム素子１０９のホログラムパターンと受光素子１１０の受光部パターンを説明する図である。ホログラム素子１０９は光ディスク１０４の半径方向に相当するｘ方向の分割線１０９ｘとトラックに沿った方向に相当するｙ方向の分割線１０９ｙによって、１０９ａ〜１０９ｃの３つの領域に分割されている。受光素子１１０はホログラム素子１０９による＋１次回折光を検出する１１０ａ〜１１０ｆの６つの受光部と−１次回折光を検出する１１０ｇ〜１１０ｉの３つの受光部から構成されている。そして、＋１次回折光でシングルナイフエッジ法によるフォーカス誤差信号（ＦＥＳ）と差動プッシュプル（ＤＰＰ）法によるトラッキング誤差信号（ＴＥＳ）とを検出し、−１次回折光で情報信号（ＲＦ信号）と位相差（ＤＰＤ）法によるＴＥＳとを検出するようになっている。
【００１１】
ＦＥＳ検出やＤＰＰ法によるＴＥＳ検出のようなサーボ信号検出に要求される受光素子の周波数応答は、一般的に、ＲＦ信号に比べて十分低い周波数でも検出可能である。一方、ＲＦ信号や位相差（ＤＰＤ）法を用いたＴＥＳ検出には高速応答の受光素子が必要とされている。
【００１２】
また、受光素子１１０の設計には、ＲＦ信号検出用の受光部にはＲＦ信号の高速再生に対応するため受光部面積をより小さくする必要がある一方で、ＦＥＳ検出用の受光部には応答は遅くても良いが、その引き込み範囲を十分確保するために受光部の面積を大きく保つ必要があるという両立が困難な２つの要求があった。従来技術では、＋１次回折光と−１次回折光の両方を利用して、それぞれに信号生成の役割分担をさせることで、ＲＦ信号の高速化とＦＥＳ信号の引き込み範囲の確保を両立している。
【００１３】
光集積ユニットにおいて安定した検出信号を得るためには、該光集積ユニットの製造工程において、受光手段に入射する戻り光が該受光手段に備えられた受光部に正確に入射するよう、光源から受光手段に至る光路上に存在する光学系構成要素を配置する必要がある。上記光集積ユニット１０１に即して言えば、受光素子１１０に備えられた各受光部（１１０ａ〜１１０ｉ）に、ホログラム素子１０９で回折された＋１次回折光（光軸中心１２５ａ）と−１次回折光（光軸中心１２５ｂ）が正しく入射するよう、受光素子１１０、あるいは、戻り光を受光素子１１０に導くビームスプリッタ１０７を取り付ける必要がある。
【００１４】
また、上記ホログラム素子１０９のように、ホログラムパターンを有する回折手段を備えた光集積ユニットにおいては、その製造工程において、回折手段に入射する戻り光が上記ホログラムパターンにより正しく分割されるよう、回折手段を戻り光の光軸に対して正しい位置に取り付ける必要がある。回折手段が所定の位置に取り付けられていない場合、回折光を受光する受光部において、回折光が正しく受光部に入射しないという問題を生じる。
【００１５】
上記光集積ユニット１０１においては、ホログラム素子１０９とビームスプリッタ１０７とは一体化されている。一体化されたホログラム素子１０９とビームスプリッタ１０７とを、光源１０５から出射した光１２０の光軸１２２を軸に回転調整することよって、受光素子１１０へ入射する戻り光の集光スポットを、図示したｙ軸方向へ移動させることができる。これにより、ＦＥＳオフセットを補正することが可能である。
【００１６】
また、例えば、特許文献２には、受光素子の出力信号をモニタリングしながら受光素子の位置調整を行うことで、半導体レーザと受光素子との相対位置を精密に調整する光ピックアップデバイスの製造方法が開示されている。
【００１７】
図２２に基づいて、この光ピックアップデバイスの構成とその製造方法の原理とを説明する。
【００１８】
図２２は、特許文献２に示された光ピックアップデバイス２０１の構造を示す構成図である。
【００１９】
半導体レーザ（光源）２０５から出射した光ビーム２２０は３ビーム用回折格子２３１によってメインビーム（０次回折光）と２つのサブビーム（±１次回折光）に分割され、ホログラム素子２３２を透過して光ディスクに向けて出射される。なお、図の煩雑を避けるため、サブビーム（±１次回折光）は図示していない。光ディスクからの戻り光２２１はホログラム素子２３２で回折されて、回折光２２１が受光素子２１０に入射する。
【００２０】
半導体レーザ２０５は、回折光が透過する開口部が形成されたキャップ２１７ｂとベース２１７ａとにより構成されるパッケージ２１７に収納されている。３ビーム用回折格子２３１およびホログラム素子２３２は透明基板２１５に形成されており、該透明基盤２１５はキャップ２１７上に機械精度により無調整で接着固定されている。
【００２１】
受光素子２１０は基板２１９を介してベース２１７ａに取り付けられる。受光素子２１０と基板２１９とのベース２１７aに対する位置は、ホログラム素子２３２により回折された回折光２２１を検出する受光素子２１０から出力される出力信号に基づいて調整される。すなわち、受光素子２１０からの出力信号をモニタリングし、該出力信号が所定の値になった状態で基板２１９とベース２１７ａとが固定される。その結果、受光素子２１０と戻り光の相対位置を正確に位置決めすることができるようになる。
【００２２】
また、特許文献３には、回折手段により分離された非回折光および回折光を受光する光ヘッド装置が開示されている。上記光ヘッド装置の製造方法においては、回折光から検出される出力信号からＲＯＴ信号（回転誤差信号）を生成し、このＲＯＴ信号に基づいて回折手段を回転し、該回折手段の取り付け角度が調整される。
【特許文献１】特開２００１−２７３６６６号公報（２００１年１０月５日公開）
【特許文献２】特開２００３−  ５９０９４号公報（２００３年２月２８日公開）
【特許文献３】特開２００２−１９０１２５号公報（２００２年７月５日公開）
【特許文献４】特開２００１−２５０２５０号公報（２００１年９月１４日公開）
【特許文献５】特開２００２−１５７７７１号公報（２００２年５月３１日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、従来の光集積ユニットの製造方法において、受光手段は、回折手段により回折された回折光を受光する受光部において該回折光によって生成される検出信号に基づいて、その取り付け位置を調整されていた。このため、受光手段の取り付け位置は、回折手段の公差の影響（格子間隔のばらつきによる回折角の変動など）、あるいは、回折手段の取り付け位置の誤差の影響により変化してしまうという問題があった。従って、非回折光が上記受光手段に備えられた非回折光を受光する受光部に正しく受光されるよう受光手段の取り付け位置を調整することは困難であった。
【００２４】
このため、非回折を受光する受光部に入射する非回折光の引き込み範囲を十分確保するために、該受光部の面積を十分大きくする必要があった。換言すれば、従来の製造方法によって、非回折光を受光する受光部においてＲＦ信号などの高速信号を生成する光集積ユニットであって、非回折光を受光する受光部が小さく設計された光集積ユニットを製造することは困難であった。
【００２５】
上記問題に関して、より具体的に述べれば以下のとおりである。
【００２６】
特許文献１に示された従来の光集積ユニットである上記光集積ユニット１０１の受光素子１１０は、上述したように、ホログラム素子１０９による＋１次回折光を検出する１１０ａ〜１１０ｆの６つの受光部と−１次回折光を検出する１１０ｇ〜１１０ｉの３つの受光部とから構成されており、受光素子１１０の取り付け位置は±１次回折光によって上記受光部において生成された検出信号に基づいて調整されていた。このため、ホログラム素子１０９の取り付け位置の誤差、あるいは、ホログラム素子１０９におけるホログラムパターンの公差により、受光手段に集光される非回折光の集光スポット位置が変化する。従って、ホログラム素子１０９を透過し受光素子１１０に入射する非回折光に対して、受光素子１１０の取り付け位置を正確に調整することは困難であった。
【００２７】
また、上記光集積ユニット１０１における受光素子１１０とホログラム素子１０９の取り付け位置調整に関しては、以下に述べる問題も同時に存在していた。
【００２８】
上記光集積ユニット１０１においては、ＰＢＳ面１０７aと反射ミラー面１０７ｂが平行に配置されている。このため、一体化したホログラム素子１０９とビームスプリッタ１０７とを光軸１２２に垂直な面内で（図示した）ｘ軸方向あるいは（図示した）ｙ軸方向に平行移動させても、受光素子１１０へ入射する戻り光の集光スポットの位置は移動しない。すなわち、上記光集積ユニット１０１においては、受光素子１１０へ入射する戻り光の集光スポットをｘ軸方向に移動することは不可能であった。
【００２９】
また、上記光集積ユニット１０１においては、一体化したホログラム素子１０９とビームスプリッタ１０７との取り付け位置の調整により受光素子１１０へ入射する戻り光の集光スポットをｘ軸方向に移動できないことを考慮し、受光素子１１０に設けられた受光部から戻り光の集光スポットがはみ出すことの無いように、各受光部のｘ方向の寸法を十分確保する必要があった。すなわち、受光素子１１０における受光部の面積を大きくする必要があった。従って、該受光部においてＲＦ信号などの高速信号を検出することが困難になるという問題があった。
【００３０】
換言すれば、受光素子１１０における受光部においてＲＦ信号などの高速信号を検出可能な光集積ユニットを製造するためには（すなわち、受光部面積の小さい光集積ユニットを製造するためには）、戻り光が正確に該受光部に入射するよう、半導体レーザ１０５、ホログラム素子１０９、およびビームスプリッタ１０７の加工精度、並びに、これらの部材の取り付け誤差を厳しく管理する必要が生じる。すなわち、ＲＦ信号の高速再生を可能な光集積ユニット１０１の製造に際しては、高精度の製造設備や高精度の部品を用いる必要があり、光集積ユニットの製造コストが高くなるという問題があった。
【００３１】
また、光集積ユニット１０１において、３ビーム用回折格子１０６およびホログラム素子１０９は偏光ビームスプリッタ１０７と一体化されている。このため、戻り光が受光素子１１０の受光部に正確に入射するようホログラム素子１０９を戻り光の光軸に直交する面内で移動すると、同時に３ビーム用回折格子１０６も移動し、光源１０５から出射された光ビーム１２０の光軸中心に対する３ビーム用回折格子１０６の位置ずれが生じる。
【００３２】
３ビーム用回折格子にはその中心を通る境界線により分割されたいくつかの領域が形成されている。トラッキング誤差信号（ＴＥＳ）を検出するために位相シフトＤＰＰ法を用いる場合、上記境界線により分割される光ビーム１２０の断面積比が性能を決める重要なパラメータとなる。
【００３３】
ところが、光集積ユニット１０１においては、上述したように、ホログラム素子１０９の位置を調整すると、同時に3ビーム回折格子も移動して往路の光軸中心と3ビーム用回折格子１０６の中心とがずれる。このため、ＴＥＳを検出するために位相シフトＤＰＰ法を用いることが困難であるという問題があった。
【００３４】
特許文献２に示すような光ピックアップデバイスの製造方法においても、受光手段の取り付け位置は回折光の受光状態に基づいて調整する必要があった。すなわち、ホログラム素子２３２により回折された戻り光２２１を基準にして受光素子２１０の位置を決定する必要があった。
【００３５】
このため、ホログラム素子２３２の取り付け位置やホログラム素子２３２におけるホログラムパターンの作製誤差によって、戻り光２２１を正しく受光するための受光素子２１０の位置が変化してしまうという問題があった。
【００３６】
また、ホログラム素子２３２により回折された回折光を受光するための受光部は、光源の波長変動に伴う回折角の変化の影響を受けないよう、回折方向と平行な境界により分割された領域からなる。したがって、上記受光部へ入射する回折光の、上記境界をなす分割線に沿った方向への位置ずれについては、該受光部から集光スポットがはみ出した状態を検出し、その中間点に設定することで集光スポットと受光素子２１０の位置決めを行う必要がある。したがって、位置決め精度が悪いという問題があった。
【００３７】
また、特許文献３においては、戻り光を非回折光および回折光に分岐する回折手段と、非回折光を検出する光検出領域および回折光を検出する光検出領域を有する光検出手段とを備えた光ヘッド装置が開示されており、上記回折手段の調整方法に関して記載されている。しかしながら、特許文献３においては、回折手段の回転調整については記載されているものの、受光手段の取り付け位置を調整することに関しては特に考慮されていなかった。
【００３８】
さらに、近年の光記録媒体の高密度化に伴い、光集積ユニットに対しては、光出力の高出力化、および、ＲＦ信号再生の高速化が要求されている。このため、光出力の高出力化には光源の交換で、また、ＲＦ再生信号の高速化には受光素子の交換で対応できる、汎用光源と汎用受光素子とを用いることが可能な光集積ユニットの構造が求められている。しかしながら、このような構造の光集積ユニットに、汎用部品を無調整で搭載した場合、光源に対する受光素子の取り付け位置誤差の拡大を招来するという問題があった。
【００３９】
また、従来技術では光集積ユニットを光ピックアップ装置に搭載する際に、光ピックアップ装置において光集積ユニットの調整状態を再現させる方法について一切考慮されていなかった。そこで、光ピックアップ装置上で光集積ユニットの調整（製造）をしようとすると、光ピックアップ装置内に調整のための機構部品を設けるか、あるいは、外部から調整治具で光集積ユニット構成部品を保持するための空間を確保しなければならず、光ピックアップ装置の小型化や低コスト化を阻害するという問題があった。
【００４０】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、受光素子の位置決め精度を上げることで受光部面積のより小さい光集積ユニットの製造を可能にし、ＲＦ信号の高速再生が実現できる光集積ユニットの製造方法を提供することにある。また、光集積ユニット製造時の調整状態を光ピックアップ装置に搭載する際に再現することで信号品質の向上を実現できる光ピックアップ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４１】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法は、光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴としている。
【００４２】
上記構成によれば、上記受光手段の取り付け位置は、上記回折手段を透過した非回折光を用いて調整される。このため、回折手段に影響されない、受光手段の正確な位置調整が可能になる。すなわち、格子間隔のばらつきによる回折角の変動など、回折手段の公差による影響を受けずに、上記回折手段を透過した非回折光が上記受光部に正確に受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能になる。
【００４３】
このため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、より安定した検出信号が得られる光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００４４】
また、上記構成によれば、上記回折手段を透過した非回折光が上記受光部に正確に受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能であるため、受光手段に入射する非回折光の入射位置誤差を考慮して、受光手段の有する受光部の面積を大きく確保する必要がない。
【００４５】
このため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、高精度の構成部材、あるいは、高精度の製造設備を用いることなく、より小さい受光部面積を有する受光手段を備える光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００４６】
従って、ＲＦ信号やＤＰＤ信号のような高速信号を上記受光部で検出する光集積ユニットの製造においては、製造コストの上昇を招来することなく、より高速な再生が可能な光集積ユニットの製造が可能になる。さらに、受光部面積が小さくなることにより、多層光記録媒体の再生に際して他層迷光の影響を受けにくくなる。すなわち、多層光記録媒体に対応した光集積ユニットであって、他層迷光による検出信号の汚染を受けにくい光集積ユニットの製造が可能になる。
【００４７】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法は、光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記光ビームを透過させ、かつ、上記回折手段により分離された非回折光および回折光を上記光源とは異なる方向へ導く導光手段と、上記導光手段により導かれた非回折光を受光する第１の受光部および上記導光手段により導かれた回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段を上記導光手段と一体で移動し、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴としている。
【００４８】
上記構成によれば、上記受光手段の取り付け位置は、上記回折手段を透過した非回折光を用いて調整される。このため、回折手段に影響されない、受光手段の正確な位置調整が可能になる。すなわち、格子間隔のばらつきによる回折角の変動など、回折手段の公差による影響を受けずに、上記受光部に正確に上記回折手段を透過した非回折光が受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能になる。
【００４９】
このため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、より安定した検出信号が得られる光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００５０】
また、上記構成によれば、上記回折手段を透過した非回折光が上記受光部に正確に受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能であるため、受光手段に入射する非回折光の入射位置誤差を考慮して、受光手段の有する受光部の面積を大きく確保する必要がない。
【００５１】
このため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、高精度の構成部材、あるいは、高精度の製造設備を用いることなく、より小さい受光部面積を有する受光手段を備える光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００５２】
従って、ＲＦ信号やＤＰＤ信号のような高速信号を上記受光部で検出する光集積ユニットの製造においては、製造コストの上昇を招来することなく、より高速な再生が可能な光集積ユニットの製造が可能になる。さらに、受光部面積が小さくなることにより、多層光記録媒体の再生に際して他層迷光の影響を受けにくくなる。すなわち、多層光記録媒体に対応した光集積ユニットであって、他層迷光による検出信号の汚染を受けにくい光集積ユニットの製造が可能になる。
【００５３】
また、上記構成によれば、上記受光手段と上記導光手段とが一体化された状態で調整されるため、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程において、上記受光手段と上記導光手段との相対位置が変化しない。このため、上記導光手段に上記受光素子の取り付け位置の変動を考慮したマージンを確保する必要がなく、上記導光手段をより小さくすることが可能になる。すなわち、より小型軽量な光集積ユニットを製造することが可能になるという更なる効果を奏する。
【００５４】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法は、光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、上記光集積ユニットに上記回折手段を取り付けるより前に、上記非回折光と同一の光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴としている。
【００５５】
上記構成によれば、上記受光手段の取り付け位置は、上記非回折光と同一の光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光を用いて調整される。すなわち、上記回折手段が取り付けられた光集積ユニットにおいては、取り付けられた回折手段を透過した非回折光は、上記受光手段の取り付け位置を調整するために用いられる戻り光と同一の光路を通り、受光手段に入射される。このため、回折手段の影響を完全に排除した状態で、上記受光部に正確に上記回折手段を透過した非回折光が受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能になる。
【００５６】
このため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、より安定した検出信号が得られる光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００５７】
また、受光手段に入射する非回折光の入射位置誤差を考慮して、受光手段の有する受光部の面積を大きく確保する必要がないため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、高精度の構成部材、あるいは、高精度の製造設備を用いることなく、より小さい受光部面積を有する受光手段を備える光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００５８】
従って、ＲＦ信号やＤＰＤ信号のような高速信号を上記受光部で検出する光集積ユニットの製造においては、製造コストの上昇を招来することなく、より高速な再生が可能な光集積ユニットの製造が可能になる。さらに、受光部面積が小さくなることにより、多層光記録媒体の再生に際して他層迷光の影響を受けにくくなる。すなわち、多層光記録媒体に対応した光集積ユニットであって、他層迷光による検出信号の汚染を受けにくい光集積ユニットの製造が可能になる。
【００５９】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法は、光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットの製造方法であって、上記光集積ユニットに上記回折手段を取り付けるより前に、上記回折手段と同じ屈折率および同じ厚みを有する透明部材を上記回折手段と同じ位置に配置し、上記透明部材を透過し上記非回折光と同じ光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴とする光集積ユニットの製造方法。
【００６０】
上記構成によれば、上記受光手段の取り付け位置は、上記非回折光と同一の光路を通り上記第１の受光部に入射する上記透明部材を透過した戻り光を用いて調整される。すなわち、上記回折手段が取り付けられた光集積ユニットにおいては、取り付けられた回折手段を透過した非回折光は、上記受光手段の取り付け位置を調整するために用いられる戻り光と同一の光路を通り、受光手段に入射される。このため、球面収差は同じ状態を保ちながら、回折手段の影響を完全に排除した状態で、上記受光部に正確に上記回折手段を透過した非回折光が受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能になる。
【００６１】
このため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、より安定した検出信号が得られる光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００６２】
また、受光手段に入射する非回折光の入射位置誤差を考慮して、受光手段の有する受光部の面積を大きく確保する必要がないため、無調整で、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し、受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、高精度の構成部材、あるいは、高精度の製造設備を用いることなく、より小さい受光部面積を有する受光手段を備える光集積ユニットの製造が可能になるという効果を奏する。
【００６３】
従って、ＲＦ信号やＤＰＤ信号のような高速信号を上記受光部で検出する光集積ユニットの製造においては、製造コストの上昇を招来することなく、より高速な再生が可能な光集積ユニットの製造が可能になる。さらに、受光部面積が小さくなることにより、多層光記録媒体の再生に際して他層迷光の影響を受けにくくなる。すなわち、多層光記録媒体に対応した光集積ユニットであって、他層迷光による検出信号の汚染を受けにくい光集積ユニットの製造が可能になる。
【００６４】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程において、上記受光手段は該受光手段に入射する非回折光あるいは戻り光の光軸に垂直な面内で移動されることが好ましい。
【００６５】
上記構成によれば、上記受光手段の受光面において、該受光面に入射する非回折光あるいは戻り光の集光スポットの大きさおよび形状を変化させることなく、該集光スポットの位置を調整することが可能になる。このため、非回折光あるいは戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて上記受光手段の取り付け位置を調整することが容易になるという更なる効果を奏する。さらに、上記構成によれば、上記受光手段を保持するホルダと上記光源を保持するホルダとを互いに摺動することにより、上記受光手段の取り付け位置調整が行えるホルダ構成が容易になる。また、受光手段を光軸方向に移動して位置調整を行う必要がないので、経時変化や衝撃に対して、受光手段の光軸方向のズレが生じないホルダ構成にすることが可能である。
【００６６】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上記非回折光を受光する受光部は互いに直交する２本の直線により分割された４つの受光セルからなり、上記非回折光を受光する受光部によって生成される検出信号は、上記４つの受光セルから出力される４つの出力信号からなる検出信号であることが好ましい。
【００６７】
上記構成によれば、上記受光手段の取り付け位置の誤差を、上記受光手段に入射する非回折光の光軸に垂直な面における第１の方向の誤差、および、該面内において第１の方向に直交する第２の方向の誤差として独立して検出することが可能である。従って、上記構成によれば、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程において、上記受光手段を移動する方向が簡単かつ正確に求められ、上記受光手段の取り付け位置の調整が容易になるという更なる効果を奏する。
【００６８】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程は、上記４つの受光セルから出力される４つの出力信号が概ね均等であるかを判定する工程を含むことが好ましい。
【００６９】
上記構成によれば、上記受光手段に入射する非回折光の光軸中心と、上記受光部における該受光部を分割する２本の直線の交点とが正確に一致しているかを判定することが可能になる。このため、より安定した検出信号が得られる光ピックアップ装置の製造が可能になるという更なる効果を奏する。
【００７０】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程に引き続き、上記第１の受光部において検出される検出信号を調整誤差として記録する工程を含むことが好ましい。
【００７１】
上記構成によれば、第１の受光部において検出される検出信号を調整誤差として記録することは、光集積ユニット製造時に定まる、受光手段の取り付け位置誤差を記録することを意味する。したがって、該光集積ユニットを光ピックアップ装置に組み込むときに、記録しておいた調整誤差を利用して光ピックアップ装置の調整を最適化することが可能になる。すなわち、光集積ユニット製造時には、調整誤差を最小化するように受光手段の取り付け位置を調整しているから、該光集積ユニットを光ピックアップ装置に組み込むときに、光集積ユニット製造時の調整誤差を再現すれば、光ピックアップ装置における光集積ユニットの取り付け誤差を最小化するよう、光ピックアップ装置を調整することが可能になるという更なる効果を奏する。
【００７２】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上記回折光によって上記第２の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸に垂直な面内で平行移動し、上記回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸を中心に回転し、上記回折手段の取り付け位置および取り付け角度を調整する工程を含むことが好ましい。
【００７３】
上記構成によれば、上記戻り光の光軸に対する上記回折手段の位置、および、上記回折手段の角度を調整することが可能である。このため、上記回折光を受光する受光部に、上記回折手段により回折された回折光が正確に入射するよう回折手段が調整された光集積ユニットの製造が可能になるという更なる効果を奏する。従って、サーボ信号を上記回折光を受光する受光部で検出する光集積ユニットの製造においては、安定したサーボ信号が生成できる光集積ユニットの製造が可能になる。
【００７４】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上記回折手段の取り付け位置を調整する工程は、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程の後に行われることが好ましい。
【００７５】
上記構成によれば、受光手段が正確に位置決めされた状態で回折手段の取り付け位置の調整が行われる。このため、受光手段に対する回折手段の取り付け位置の調整精度をより高めることが可能になるという更なる効果を奏する。従って、サーボ信号を上記回折光を受光する受光部で検出する光集積ユニットの製造においては、より安定したサーボ信号が生成できる光集積ユニットの製造が可能になる。
【００７６】
本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法であって、光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットと、上記光集積ユニットから出射される光ビームを平行光に変える、上記光ビームの光軸上に配置されたコリメータレンズと、上記コリメータレンズにより平行光に変えられた光ビームを集光する、上記光ビームの光軸上に配置された対物レンズと、を備えた光ピックアップ装置の製造方法は、上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、かつ／または、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴としている。
【００７７】
上記構成によれば、当該光ピックアップによる光記録媒体に対する情報の記録時あるいは再生時における上記受光部に対する非回折光の受光状態に即して、上記光集積ユニット、上記コリメータレンズ、および、上記対物レンズの取り付け位置を調整することが可能になる。このため、機械精度で上記光集積ユニット、上記コリメータレンズ、および、上記対物レンズを光ピックアップ装置に取り付ける場合と比べ、安定した検出信号が得られる光ピックアップ装置の製造が可能になるという効果を奏する。
【００７８】
本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法においては、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程において、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動する方向と、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動する方向とは、互いに直交する方向であることが好ましい。
【００７９】
上記構成によれば、上記対物レンズと上記光集積ユニットおよび上記コリメータレンズが一体化された部材との相対位置の調整に関して、調整可能な範囲に限定を加えることなく、上記光集積ユニットと上記コリメータレンズとを一体で移動する方向を一軸方向に限定することができる。このため、上記製造方法により製造される光ピックアップ装置においては、上記一軸方向と直交する方向に上記コリメータレンズおよび上記光集積ユニットの取り付け位置調整を考慮した空間を確保する必要がなく、従って、該光ピックアップ装置の小型軽量化が可能になる。すなわち、上記構成によれば、より小型軽量な光ピックアップ装置の製造が可能になるという更なる効果を奏する。
【００８０】
本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法においては、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程は、上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号が上記光集積ユニット製造時に記録された調整誤差と同一になるように、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、かつ／または、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程であることが好ましい。
【００８１】
上記構成によれば、光集積ユニット製造時の調整誤差を再現する光ピックアップ装置の製造が可能になる。すなわち、与えられた光集積ユニットに対して、光集積ユニットの取り付け誤差を最小にする光ピックアップ装置の製造が可能になる。
【００８２】
本発明に係る光集積ユニットの製造装置は、光ビームを出射する光源と、光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光の光軸上に設けられ、上記戻り光を非回折光と回折光とに分離する回折手段と、上記回折手段により分離された非回折光を受光する第１の受光部および上記回折手段により分離された回折光を受光する第２の受光部を有する受光手段と、を備えた光集積ユニットを製造する製造装置であって、上記光集積ユニットに接続され、上記第１の受光部において生成される検出信号を入力する入力部と、上記検出信号から誤差信号を演算する演算部と、上記誤差信号を出力する出力部とを備えることを特徴としている。
【００８３】
上記構成によれば、上記出力部に出力される誤差信号に基づいて、手動で、あるいは、他に設けられた調整装置によって、上記受光手段の取り付け位置調整が可能になる。また、上記受光手段の取り付け位置は、上記回折手段を透過した非回折光を用いて調整される。このため、回折手段に影響されない、受光手段の正確な位置調整が可能になる。すなわち、格子間隔のばらつきによる回折角の変動など、回折手段の公差による影響を受けずに、上記回折手段を透過した非回折光が上記受光部に正確に受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能になる。
【発明の効果】
【００８４】
本発明に係る光集積ユニットの製造方法は、以上のように、上記非回折光を受光するための受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段に入射する非回折光の光軸に垂直な面内で上記受光手段を移動し、上記受光手段の取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴としている。
【００８５】
上記構成によれば、回折手段に影響されない、受光手段の正確な位置調整が可能になる。すなわち、格子間隔のばらつきによる回折角の変動など、回折手段の公差による影響を受けずに、上記受光部に正確に上記回折手段を透過した非回折光が受光されるよう上記受光手段の取り付け位置を調整することが可能になる。
【００８６】
このため、無調整、あるいは、回折光の受光状態に基づいて受光手段の取り付け位置を調整し受光手段を取り付ける従来の光集積ユニットの製造方法と比べ、より安定した信号検出が可能な光集積ユニットが製造可能になるなどの効果を奏する。
【００８７】
本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法は、以上のように、上記非回折光を受光するための受光部において生成される検出信号に基づいて、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、かつ／または、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程を含むことを特徴としている。
【００８８】
上記構成によれば、当該光ピックアップによる光記録媒体に対する情報の記録時あるいは再生時における上記受光部に対する非回折光の受光状態に即して、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整することが可能になる。このため、機械精度で上記光集積ユニット、上記コリメータレンズ、および、上記対物レンズを光ピックアップ装置に取り付ける場合と比べ、安定した検出信号が得られる光ピックアップ装置の製造が可能になるなどの効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８９】
〔実施の形態１〕
本発明に係る実施の形態について、図１〜図１５にもとづいて説明すれば以下のとおりである。なお、以下の説明では、本発明に係る、光集積ユニットの製造方法を、光ディスク（光情報記録媒体）に対して光学的に情報の記録および再生を行う光情報記録再生装置に備えられる光ピックアップ装置に相当する製造装置に搭載した状態で説明する。
【００９０】
図１５は、光集積ユニット１を搭載した光ピックアップ装置８の構成図である。上記光ピックアップ装置８は光集積ユニット１と、コリメータレンズ２と、対物レンズ３と、１／４波長板５とを備えており、光ディスク４に対して光学的に情報の記録および再生を行うようになっている。
【００９１】
一方、図３は、光集積ユニットの製造装置９の構成を示した概略図である。上記製造装置９は、光集積ユニットが光ピックアップ装置８に搭載された状態を再現するよう、上記光ピックアップ装置８と同一の部品を備えている。すなわち、光集積ユニットの製造装置９は、コリメータレンズ２と、対物レンズ３と、光ディスク４と、１／４波長板５とを備えている。光集積ユニット１は着脱可能な状態で上記製造装置９に保持されている。
【００９２】
上記製造装置９において、光集積ユニット１に搭載された光源１１から出射した光ビームは、コリメータレンズ２により平行光にされた後、対物レンズ３を介して光ディスク４に集光される。そして、光ディスク４から反射した光（以下、これを「戻り光」を呼ぶ）は、再び対物レンズ３とコリメータレンズ２を通過して、光集積ユニット１に搭載された受光素子１２上に受光される。
【００９３】
また、上記製造装置９においては、光集積ユニット１に搭載された光源１１から出射された光ビームの光軸上、コリメータレンズ２と対物レンズ３との間に１／４波長板５が設けられている。上記１／４波長板５によって、光ディスク４への入射光と光ディスク４からの戻り光とは偏光方向が９０度異なるようになっている。
【００９４】
光ディスク４は、基板４ａと、光ビームが透過するカバー層４ｂと、基板４ａとカバー層４ｂとの境界に形成された記録層４ｃと、によって構成されており、スピンドルモータ（図示せず）によって回転制御がなされる。そして、対物レンズ３は、対物レンズ駆動機構（図示せず）によってフォーカス方向（ｚ方向）とトラッキング方向（ｘ方向）に駆動されるようになっており、光ディスク４の面振れや偏心があっても集光スポットが記録層４ｃの所定位置を追従するようになっている。
なお、上記トラッキング方向は、光ディスク４の半径方向に等しく、図３ではｘ方向にて図示している。また、製造装置９に装着された状態の光ディスク４に平行な面内において、ｘ方向に垂直な方向、すなわち光ディスク４の円周における接線方向を、図３ではｙ方向にて図示している。さらに、これらｘ・ｙ方向に垂直な方向、すなわち上記フォーカス方向を、図３ではｚ方向にて図示している。
【００９５】
本実施の形態では、光集積ユニット１の上記光源１１が波長４０５ｎｍ程度の短波長光源であり、製造装置９が開口数ＮＡ０．８５程度の高ＮＡ対物レンズを備えている場合について説明する。本発明はこれに限定されるものではないが、これにより高密度の光記録媒体に対する書き込み、および、読み出しが可能な光集積ユニットの製造が可能になる。
【００９６】
以下、光集積ユニット１の構成について詳細に説明する。図２は、図３において図示した光集積ユニット１の構成を示した構成図である。上記光集積ユニット１は、図２に示すように、光源１１としての半導体レーザ（以下、半導体レーザ１１と呼称替えする）と、受光素子（受光手段）１２と、偏光ビームスプリッタ（導光手段）１４と、偏光回折素子（回折手段）１５と、ホルダ５１と、ホルダ５２とを備えている。半導体レーザ１１はパッケージ１８に収納されており、受光素子１２はパッケージ１９に収納されている。
【００９７】
次に、図２に基づいて、各構成部材の配置を説明する。なお、以下の説明において、説明の便宜上、偏光ビームスプリッタ１４における半導体レーザ１１から出射する光ビーム２０が入射する面を、偏光ビームスプリッタ１４の光ビーム入射面とし、偏光ビームスプリッタ１４における戻り光が入射する面を、偏光ビームスプリッタ１４の戻り光入射面とする。また、偏光回折素子１５における半導体レーザ１１から出射する光ビーム２０が入射する面を、偏光回折素子１５の光ビーム入射面とし、偏光回折素子１５における戻り光が入射する面を、偏光回折素子１５の戻り光入射面とする。
【００９８】
偏光ビームスプリッタ１４とパッケージ１８に収納された半導体レーザ１１とはホルダ５１に固定されている。
【００９９】
一方、受光素子１２は偏光ビームスプリッタ１４から出射した戻り光の光軸に対して直交する面内で移動できるようにホルダ５１に保持されている。
【０１００】
より具体的には、以下のとおりである。パッケージ１９に収納された受光素子１２はホルダ５２に固定されている。ホルダ５１には、偏光ビームスプリッタ１４に入射した戻り光が、再び偏光ビームスプリッタ１４から射出する位置に、受光素子１２を収めるための空間が設けられており、該空間に受光素子１２、パッケージ１９、および、ホルダ５２が一体化して配置される。ホルダ５２はホルダ５１に対して摺動することができるようになっている。すなわち、受光素子１２を図示したｘｙ面内で移動することが可能になっている。
【０１０１】
上記偏光回折素子１５は、その光ビーム入射面が、上記偏光ビームスプリッタ１４の戻り光入射面に対向するように、かつ、半導体レーザ１１から出射する光ビームの光軸２１上に、配置されている。このため、偏光回折素子１５を偏光ビームスプリッタ１４上で摺動することにより、偏光回折素子１５を図示したｘｙ面内で移動することが可能になっている。すなわち、偏光回折素子１５は光ディスクで反射された戻り光の光軸に対して直交する面内で移動できるように保持されている。
【０１０２】
上記半導体レーザ１１は、上述したように、波長λ＝４０５ｎｍの光ビーム２０を出射するものを使用している。光ビーム２０は、図示した光軸方向（ｚ方向）に対してｘ方向の偏光振動面を有する直線偏光（Ｐ偏光）である。半導体レーザ１１から出射された光ビーム２０は、偏光ビームスプリッタ１４に入射する。
【０１０３】
上記偏光ビームスプリッタ１４は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）面（機能面）１４ａと、反射ミラー（反射面）１４ｂとを有している。上記ＰＢＳ面１４ａは、上記半導体レーザ１１から出射されたＰ偏光を有する光ビームの上記光軸２１と交差し、該光ビーム２０が透過するように配置されている。上記反射ミラー１４ｂは、ＰＢＳ面１４ａに対して平行になるように、かつ、受光素子１２の受光面と対向するように配置されている。
【０１０４】
上記ＰＢＳ面１４ａは、図示した光軸方向（ｚ方向）に対してｘ方向の偏光振動面を有する直線偏光（Ｐ偏光）を透過し、該偏光振動面に垂直な偏光振動面を有する、すなわち、図示した光軸方向（ｚ方向）に対してｙ方向の偏光振動面を有する直線偏光（Ｓ偏光）を反射するような特性をもつ。
【０１０５】
一方、上記反射ミラー１４ｂは、少なくともＳ偏光を反射する特性を持ち、上記ＰＢＳ面１４ａにより反射され上記反射ミラーに入射するＳ偏光は、さらに上記反射ミラー１４ｂにより反射される。
【０１０６】
ＰＢＳ面１４ａを透過した上記光ビーム２０（Ｐ偏光）は、次に、上記偏光回折素子１５に入射する。
【０１０７】
次に、上記偏光回折素子１５について詳細に説明する。上記偏光回折素子１５は、第１の偏光ホログラム素子３１および第２の偏光ホログラム素子３２を備えている。上記第１の偏光ホログラム素子３１および上記第２の偏光ホログラム素子３２はともに、光ビーム２０の光軸２１上に配置されており、上記第１の偏光ホログラム素子３１は、上記第２の偏光ホログラム素子３２よりも半導体レーザ１１側に配置された構成となっている。
【０１０８】
上記第１の偏光ホログラム素子３１はＰ偏光を回折させてＳ偏光を透過させ、上記第２の偏光ホログラム素子３２はＳ偏光を回折させてＰ偏光を透過させる。これら偏光の回折は、各偏光ホログラム素子３１・３２に形成された溝構造（格子）によって行われ、回折角度は、上記格子のピッチ（以下、これを格子ピッチとよぶ）によって規定される。
【０１０９】
上記第１の偏光ホログラム素子３１は、トラッキング誤差信号（ＴＥＳ）を検出するための３ビーム生成用のホログラムパターンが形成されている。
【０１１０】
すなわち、ＰＢＳ面１４ａを透過したＰ偏光の光ビーム２０は、第１の偏光ホログラム素子３１に入射すると、回折されてトラッキング誤差信号（ＴＥＳ）を検出するための３ビーム（メインビームおよび、２つのサブビーム）となって該第１の偏光ホログラム素子３１から出射する。なお、上記第１の偏光ホログラム素子３１の詳細なホログラムパターンについては、後述する。なお、３ビームを用いたＴＥＳ検出方法としては、３ビーム法や、差動プッシュプル（ＤＰＰ）法や、位相シフトＤＰＰ法等を用いることができる。
【０１１１】
上記第２の偏光ホログラム素子３２は、入射した光のうち、Ｓ偏光は回折させ、Ｐ偏光はそのまま透過させる。具体的には、上記第２の偏光ホログラム素子３２は、入射したＳ偏光を回折し、０次回折光（非回折光）と、±１次回折光（回折光）とに分離する。
【０１１２】
すなわち、第１の偏光ホログラム素子３１を出射したＰ偏光の光ビーム２０は、上記第２の偏光ホログラム素子３２に入射し、そのまま透過する。なお、第２の偏光ホログラム素子３２の詳細なホログラムパターンについては、後述する。
【０１１３】
光集積ユニット１から出射したＰ偏光の光ビーム２０は、図３に示すように、コリメータレンズ２により平行光にされた後、１／４波長板５に入射する。上記Ｐ偏光の光ビーム２０は１／４波長板５により円偏光に変換され、対物レンズ３により光ディスク４の記録層上に集光される。
【０１１４】
光ディスク４によって反射された光ビーム、すなわち戻り光は、再び対物レンズ３を通過して再び１／４波長板５に入射する。上記戻り光は１／４波長板５によって図示した光軸方向（ｚ方向）に対してｙ方向の偏光振動面を有する直線偏光（Ｓ偏光）に変換される。そして、コリメータレンズ２により集光されて光集積ユニット１の第２の偏光ホログラム素子３２に入射する。
【０１１５】
上記第２の偏光ホログラム素子３２に入射したＳ偏光の戻り光は、上述したように、０次回折光（非回折光）と、±１次回折光（回折光）とに分離されて出射する。該回折されたＳ偏光の戻り光（０次回折光および±１次回折光）は、上記第１の偏光ホログラム素子３１に入射し、そのまま透過する。次に、該Ｓ偏光の戻り光は、上記偏光ビームスプリッタ１４に入射し、上記ＰＢＳ面１４ａによって反射され、反射ミラー１４ｂによってさらに反射されて偏光ビームスプリッタ１４から出射する。偏光ビームスプリッタ１４から出射した該Ｓ偏光の戻り光は、上記受光素子１２に受光される。なお、上記受光素子１２の受光部パターンについては、後述する。
【０１１６】
次に、図４を用いて、第１の偏光ホログラム素子３１に形成されるホログラムパターンについて説明する。
【０１１７】
第１の偏光ホログラム素子３１における格子ピッチは、受光素子１２上で３ビームが十分分離されるように設計されている。これは、上記３ビームを受光する受光部間での信号クロストークを小さくするためである。
【０１１８】
一方、光ディスク４上でのメインビームとサブビームとの間隔は、狭いほど組立誤差の影響で発生するトラッキング誤差信号のオフセットが小さくなるので好ましいが、上記の受光素子１２上でのメインビームとサブビームとの間隔を決定すると同時に決定してしまう。したがって、光ディスク４上でのメインビームとサブビームとの間隔を十分狭くすることができない場合は、３ビーム法やＤＰＰ法に対して組立誤差の影響で発生するトラッキング誤差信号のオフセットが小さいという特徴を持つ位相シフトＤＰＰ法をトラッキング誤差信号検出方式として採用することが好ましい。
【０１１９】
図４は、第１の偏光ホログラム素子３１に形成されるホログラムパターンを示した模式図である。ホログラムパターンとしては、３ビーム法または差動プッシュプル法（ＤＰＰ法）を用いたトラッキング誤差信号（ＴＥＳ）の検出のための規則的な直線格子でもよいが、ここでは特許文献４に開示されている位相シフトＤＰＰ法を採用した場合について説明する。
【０１２０】
図４における第１の偏光ホログラム素子３１のホログラムパターンは、領域３１ａと領域３１ｂの２つの領域で構成されている。領域３１ａと領域３１ｂは、周期構造の位相が１８０度異なっている。このような周期構造とすることでサブビームのプッシュプル信号振幅がほぼ０となり、対物レンズシフトやディスクチルトに対してオフセットがキャンセル可能になる。第１の偏光ホログラム素子３１上の光ビーム２０は、領域３１ａと領域３１ｂに対して正確な位置あわせをするほど、良好なオフセットキャンセル性能が得られる。
【０１２１】
次に、図５を用いて、第２の偏光ホログラム素子３２に形成されるホログラムパターンについて説明する。
【０１２２】
図５は、第２の偏光ホログラム素子３２に形成されるホログラムパターンを示した模式図である。第２の偏光ホログラム素子３２のホログラムパターンは、３つの領域３２ａ、３２ｂ、３２ｃから構成される。具体的には、トラッキング方向に対応するｘ方向の境界線３２ｘによって２分割された一方の半円領域３２ｃと、他方の半円領域がさらに円弧状の境界線によって分割された内周領域３２ａおよび外周領域３２ｂである。なお、図中において、戻り光を点線で示している。
【０１２３】
上記第２の偏光ホログラム素子３２の各領域における格子ピッチは、領域３２ｂが一番小さく（回折角度が最大）、領域３２ａが一番大きく（回折角度が最小）、領域３２ｃはこれらの中間の数値となっている。
【０１２４】
球面収差を補正するために用いられる球面収差誤差信号（ＳＡＥＳ）は、後述するように、領域３２ａからの−１次回折光と領域３２ｂと領域３２ｃからの＋１次回折光を、受光素子１２に備えられた受光部により受光し、該受光部で生成される検出信号を演算することにより検出できる。
【０１２５】
また、焦点位置ずれを補正するために用いられる焦点誤差信号（ＦＥＳ）は、領域３２ｃからの−１次回折光と領域３２ａと領域３２ｂからの＋１次回折光を用いたダブルナイフエッジ法によって検出できる。
【０１２６】
また、本実施の形態では、０次回折光（非回折光）を、ＲＦ信号とＤＰＤ法のＴＥＳ信号等の高速信号との検出に用いる。
【０１２７】
なお、第１の偏光ホログラム素子３１と第２の偏光ホログラム素子３２とは、マスク精度で正確な位置決めをして一体的に作製することが可能である。偏光回折素子１５偏光回折素子１５したがって、所定のサーボ信号が得られるように第２の偏光ホログラム素子３２の位置調整を行うと同時に、第１の偏光ホログラム素子の位置調整が完了する。すなわち、光集積ユニット１の組立調整が容易になる共に、調整精度が高いという効果が得られる。
【０１２８】
図６（ａ）・（ｂ）は、本実施の形態の光集積ユニットに備えられた第２の偏光ホログラム素子３２の分割パターンと受光素子１２の受光部パターンの関係を説明する説明図である。図６（ａ）は、図３における光ディスク４のカバー層４ｂの厚みに対して、対物レンズ３による集光ビームに球面収差が発生しないように、コリメータレンズ２の光軸方向の位置調整がなされている状態で記録層４ｃ上に合焦状態に集光している場合の、受光素子１２上での光ビームを示している。
【０１２９】
光記録媒体によって反射された上記光ビームの戻り光は、該戻り光の光軸上に設けられた回折手段により、非回折光と回折光とに分離される。すなわち、図２に示したように、往路光学系において第１の偏光ホログラム素子３１で形成された３つの光ビーム（メインビーム、および、２つのサブビーム）は、光ディスク４で反射して復路光学系において、それぞれ第２の偏光ホログラム素子３２により非回折光２２（０次回折光）と回折光２３（±１次回折光）とに分離される。
【０１３０】
なお、第２の偏光ホログラム素子３２にはホログラムパターンがブレーズされている。すなわち、特定次数の回折光の光強度が強くなるように、格子の断面形状が斜面形状または階段形状に形成されている。本実施の形態では、領域３２ａと領域３２ｂとは＋１次回折光に、領域３２ｃは−１次回折光に光強度が集中するような断面形状となっている。
【０１３１】
受光素子１２には、上記非回折光２２（０次回折光）および回折光２３（±１次回折光）を受光する受光部が備えられている。なお、上記受光素子には必ずしも第２の偏光ホログラム素子３２により分離された全ての回折光および非回折光を受光する受光部を備える必要はなく、これらのうちＲＦ信号やサーボ信号の検出に必要な光ビームを受光するための受光部が備えられていれば良い。
【０１３２】
本実施の形態においては、図６（ａ）に示すように、第２の偏光ホログラム素子３２により、３つの０次回折光４０と、６つの＋１次回折光４１と、３つの−１次回折光４２との合計１２個のビームが形成される。これら光ビームのうちＲＦ信号やサーボ信号の検出に用いられる光ビームを受光するために、上記受光素子１２は、０次回折光を受光する３つの受光部１２Ａ〜１２Ｃと、＋１回折光を受光する２つの受光部１２Ｄおよび１２Ｅと、−１次回折光を受光する受光部１２Ｆとの６つの受光部を備えている。
【０１３３】
上記各受光部のうち、非回折光を受光する受光部１２Ａ（第１の受光部）は、該受光部の中心を通り直交する２本の直線によって４つの受光セル１２ａ〜１２ｄに分割されている。この４つの受光セル１２ａ〜１２ｄから出力される４つの出力信号を含む検出信号は、後で詳述するように、受光素子１２の取り付け位置を調整するための検出信号として用いられる。一方受光部１２Ｂ〜１２Ｆは、それぞれ、該受光部を横断する直線により２つの受光セルに分割されている。従って、上記受光素子１２は、１２ａ〜１２ｎの合計１４個の受光セルが備えられている。
【０１３４】
第２の偏光ホログラム素子３２により形成された上記光ビームのうち、０次回折光４０は、プッシュプル法によるＴＥＳ検出を可能にするために十分なビーム径を有した光ビームとなるように設計される。本実施の形態では、０次回折光４０のビーム径がある程度の大きさを有するように、受光素子１２を、０次回折光４０の集光点に対して若干奥側（０次回折光４０の進行方向に沿って奥側）にずらした位置に設置している。なお、本発明はこれに限定されるものではなく、受光素子１２を０次回折光４０の集光点に対して上記進行方向の手前側にずらした位置に設置するものであってもよい。
【０１３５】
このように、ある程度の大きさの光ビーム径を有した光ビームが、受光部１２Ａの中心（すなわち、４つの受光セル１２ａ〜１２ｄに分割する直線の交点）付近に集光されるので、後述する調整方法によりこれらの４つの受光セル１２ａ〜１２ｄから出力される出力信号が均等になるように調整することで、非回折光２２に対する受光素子１２の位置調整が可能である。
【０１３６】
図６（ｂ）は、図６（ａ）の状態から、図３における対物レンズ３が光ディスク４に近づいた場合の、受光素子１２上での光ビームを示している。対物レンズ３が光ディスク４に近づくことによって、光ビームのビーム径が大きくなる。しかしながら、受光部からの光ビームのはみ出しは発生していない。
【０１３７】
このように、＋１次回折光と−１次回折光の両方を用いることによって、偏光回折素子１５の光軸中心の回転調整によりダブルナイフエッジ法のＦＥＳ信号のオフセット調整を確実に行うことができるという効果がある。
【０１３８】
次に、図５と図６（ａ）・（ｂ）を用いて、ＲＦ信号およびサーボ信号生成の動作について説明する。なお、ここでは受光セル１２ａ〜１２ｎの出力信号をＳａ〜Ｓｎと表す。
【０１３９】
ＲＦ信号（ＲＦ）は、非回折光を用いて検出する。すなわち、ＲＦ信号（ＲＦ）は、
ＲＦ＝Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ
で与えることができる。
【０１４０】
ＤＰＤ法によるトラッキング誤差信号（ＴＥＳ１）は、Ｓａ〜Ｓｄの位相比較を行うことにより検出される。具体的には、以下の原理が利用される。光ディスク４の記録層４ｃに形成されたピット列を対物レンズ３により集光された光ビームが走査する場合、ピット列と光ビームの位置関係により反射ビームの強度分布パターンが変化する。そこで、（Ｓａ＋Ｓｃ）と（Ｓｂ＋Ｓｄ）を検出すると、光ビームがピット列の中央を走査している場合には同位相であるのに対して、光ビームがピット列の中央からずれた位置を走査している場合には、ずれの方向により逆方向となる位相差が生じる。したがって、（Ｓａ＋Ｓｃ）と（Ｓｂ＋Ｓｄ）の位相差を検出することによりトラッキング誤差信号が得られる。
【０１４１】
位相シフトＤＰＰ法によるトラッキング誤差信号（ＴＥＳ２）は、
ＴＥＳ２＝｛（Ｓａ＋Ｓｂ）−（Ｓｃ＋Ｓｄ）｝
−α｛（Ｓｅ−Ｓｆ）＋（Ｓｇ−Ｓｈ）｝
で与えられる。なお、ここで、αは対物レンズシフトや光ディスクチルトによるオフセットをキャンセルするのに最適な係数に設定される。
【０１４２】
フォーカス誤差信号（ＦＥＳ）は、ダブルナイフエッジ法を用いて検出する。すなわち、ＦＥＳは、
ＦＥＳ＝（Ｓｍ−Ｓｎ）−｛（Ｓｋ＋Ｓｉ）−（Ｓｌ＋Ｓｊ）｝
で与えられる。
【０１４３】
上述したように、本実施の形態では、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズと、波長が４０５ｎｍのレーザ光を用いて大容量化を実現している。しかし、大容量化が図られた光ディスクでは、対物レンズの開口数ＮＡが大きくなるに従って、収差の影響が問題となる。
【０１４４】
光ディスクの記録領域にレーザ光が照射された際に、情報が記録された記録層上に照射されるレーザ光が透過される距離であるレーザ光の入射面と記録層との間のカバー層の厚さｔ（以下、ディスク基板厚さｔと称する）の誤差によって発生する球面収差は、開口数ＮＡの４乗に比例して増加する。この球面収差を抑制するためには、ディスク基板厚さｔの寸法公差を小さくすることが効果的である。例えば、レーザ光の波長が７８０ｎｍ、開口数ＮＡが０．４５であるＣＤのディスク基板厚さｔの寸法公差は±１００μｍ、レーザ光の波長が６５０ｎｍ、開口数ＮＡが０．６であるＤＶＤのディスク基板厚さｔの寸法公差は±３０μｍであるのに対して、本実施の形態と同様、レーザ光の波長が４０５ｎｍ、開口数ＮＡが０．８５である次世代高密度光ディスクのディスク基板厚さｔの寸法公差は±３μｍになる。このように、大容量化が図られるに従って、ディスクの製作精度は加速度的に厳しくなる。
【０１４５】
しかし、ディスク基板厚さｔの誤差は光ディスクの製造方法に依存するため、ディスク基板厚さｔの寸法精度を高めることが非常に困難であるという問題がある。また、ディスク基板厚さｔの寸法精度を高めることは、光ディスクの製造コストを増加させてしまうという不都合がある。したがって、光ピックアップ装置に、光ディスクを再生する際に生じる球面収差を補正する機能を有することが求められる。
【０１４６】
一般的には、ビームエキスパンダ等のレンズを機械的に移動させることで球面収差補正が行われる。この球面収差補正を正確かつ高速に行うために、球面収差補正の目標となる球面収差誤差信号の検出が必要になる。
【０１４７】
本実施の形態においても、カバー層４ｂの厚み誤差で生じる球面収差を補正するために、コリメータレンズ２をコリメータレンズ駆動機構（図示せず）により光軸方向に位置調整をするようになっている。
【０１４８】
このような駆動機構を制御する球面収差補正信号の検出には、様々な方法が提案されている。例えば、戻り光をホログラム素子により２つの光ビームに分離して、光ビームの焦点位置に基づいて球面収差誤差信号を検出する方法がある（特許文献５を参照）。
【０１４９】
本実施の形態においても、球面収差誤差信号（ＳＡＥＳ）は内外周に分離した光ビームからの検出信号を利用して検出する。すなわち、ＳＡＥＳは、
ＳＡＥＳ１＝（Ｓｋ−Ｓｌ）−β（Ｓｉ−Ｓｊ）
ＳＡＥＳ２＝（Ｓｋ−Ｓｌ）−β（Ｓｍ−Ｓｎ）
ＳＡＥＳ３＝（Ｓｉ−Ｓｊ）−β（Ｓｍ−Ｓｎ）
のいずれかで与えられる。なお、ここで、βはＳＡＥＳのオフセットをキャンセルするのに最適な係数に設定される。
【０１５０】
図７は光ディスク４におけるカバー層４ｂの厚み誤差の影響で対物レンズ３の集光ビームに球面収差が発生している状態で、光ディスク４が対物レンズ３の焦点に位置している場合の受光素子１２上での光ビームの形状を説明する図である。
【０１５１】
なお、本実施の形態に係る光集積ユニット１においては、パッケージ１９に収納された受光素子１２はホルダ５２を介してホルダ５１に保持されていたが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではない。すなわち、例えば、図８に示すように受光素子１２（受光手段）と偏光ビームスプリッタ１４（導光手段）とを一体化した構成とすることも可能である。
【０１５２】
上記光集積ユニットに関して、図８を用いて説明する。なお、図２と同じ部材には同じ符号を付して説明は省略する。
【０１５３】
図８に示すように、パッケージ１８に収納された半導体レーザ１１はホルダ５１に固定されている。一方、パッケージ１９に収納された受光素子１２は偏光ビームスプリッタ１４に固定されている。さらに、偏光ビームスプリッタ１４はホルダ５２に固定されている。従って、ホルダ５２をホルダ５１上で摺動することにより、一体化した受光素子１２と偏光ビームスプリッタ１４とを図示したｘｙ面内で移動することが可能となる。
【０１５４】
図８に示した上記光集積ユニット１においては、受光素子１２と偏光ビームスプリッタ１４とを一体で移動し、受光素子１２の取り付け位置が調整される。このため、上記光集積ユニット１の調整時に受光素子１２と偏光ビームスプリッタ１４との相対位置が変化しない。従って、偏光ビームスプリッタ１４に受光素子１２の取り付け位置の変動を考慮したマージンを確保する必要がなく、受光素子１２と偏光ビームスプリッタ１４との一体化時の精度を上げれば、偏光ビームスプリッタ１４を小さくすることが可能になる。すなわち、光集積ユニット１を小型軽量化することが可能になる。
【０１５５】
さらに、偏光ビームスプリッタ１４が受光素子１２のカバーガラスとしての機能を兼ねることができるので、厚み寸法を増やすことなく受光素子１２の受光面を保護することができる。
【０１５６】
次に、本実施の形態に係る、光集積ユニットの一製造方法を、図１に示すフローチャートに基づいて説明する。本実施の形態に係る、光集積ユニットの該製造方法においては、光集積ユニット１は光ピックアップ装置への搭載に先立って、図３に示した製造装置９においてあらかじめ調整される。
【０１５７】
図３に示した光集積ユニットの製造装置９は、図１５に示した光ピックアップ装置８と共通の部材で構成されている。ただし、対物レンズ３、コリメータレンズ２、１／４波長板５、光ディスク４が光集積ユニット製造装置側に組み込まれており、光集積ユニット１のみ調整と着脱が可能になっている。
【０１５８】
光集積ユニット１を、該光集積ユニット１が搭載される光ピックアップ装置８に相当する製造装置９によってあらかじめ調整することにより、光ピックアップ装置８に光集積ユニット１を調整するための機構部品や調整のための余分なスペースを確保する必要が無くなる。これにより、光ピックアップ装置８の部品配置の自由度が増えるとともに、小型軽量化が可能になる。
【０１５９】
なお、半導体レーザ１１のｘｙ軸方向の２次元位置調整とコリメータレンズ２のｘ軸方向の位置調整を行い基準軸方向の平行光が出射するように調整するのは通常の光ピックアップ装置の調整工程と同じである。以下の説明では上記工程に関する記載は省略し、それ以降の調整工程、すなわち、非回折光によって第１の受光部（受光部１２Ａ）において生成される第１の検出信号（出力信号Ｓａ〜Ｓｄ）に基づいて受光手段（受光素子１２）の取り付け位置を調整する工程、および、回折光によって第２の受光部（受光部１２Ｄ〜１２Ｆ）において生成される第２の検出信号（出力信号Ｓｉ〜Ｓｎ）を用いて回折手段（偏光回折素子１５）の取り付け位置を調整する工程について説明する。
【０１６０】
上記非回折光によって第１の受光部において生成される第１の検出信号に基づいて受光手段の取り付け位置を調整する工程は、以下のステップＳ１〜Ｓ３よりなる。
【０１６１】
（１）受光手段を該受光手段に入射する非回折光あるいは戻り光の光軸に垂直な面内で移動する（ステップＳ１）。より具体的には、ホルダ５２をホルダ５１に対して摺動し、パッケージ１９に収納された受光素子１２を移動する。
【０１６２】
（２）第１の検出信号に基づいて非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定する（ステップＳ２）。具体的には、上記非回折光を受光する受光部１２Ａに含まれる４つの受光セル１２ａ〜１２ｄから出力される４つの出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが均等になるか判定する。さらに具体的には、上記４つの出力信号の差、｜Ｓａ−Ｓｂ｜、｜Ｓａ−Ｓｄ｜、｜Ｓｂ−Ｓｃ｜、および、｜Ｓｃ−Ｓｄ｜が定められた閾値以下になるか判定する。
【０１６３】
なお、上記判定は必ずしも出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが均等になるかを判定するものに限らず、上記非回折光が上記第１の受光部に正しく入射しているかを判定できるものであれば良い。すなわち、例えば、ｘ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｂ）−（Ｓｃ＋Ｓｄ）、および、ｙ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｄ）−（Ｓｂ＋Ｓｃ）がそれぞれ概ねゼロになる（すなわち、上記ｘ方向調整信号とｙ方向調整信号とがそれぞれ定められた閾値以下になる）か判定することによって、上記非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定しても良い。
【０１６４】
（３）上記ステップＳ２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射していると判定された場合、受光手段の位置を固定する（ステップＳ３）。より具体的には、パッケージ１９に収められた受光素子１２が固定されたホルダ５２を、ホルダ５１との接合面にＵＶ接着剤等を塗布してホルダ５１に仮止めした状態で上記位置調整を行い、第1の検出信号が目標範囲にあるとき、ホルダ５２とホルダ５１との接合面に紫外線を照射することによりＵＶ接着剤を硬化させて、受光素子１２をホルダ５２を介してホルダ５１に対し固定すれば良い。
【０１６５】
上記ステップＳ２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていないと判定された場合は、ステップＳ１に戻り、ステップＳ２において第１の受光部により検出された検出信号に基づき、再び受光手段を戻り光の光軸に垂直な面内で移動する。すなわち、ステップＳ２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていると判定されるまで、上記ステップＳ１とステップＳ２とを繰り返す。
【０１６６】
回折光によって第２の受光部において生成される第２の検出信号に基づいて回折手段の取り付け位置を調整する工程は、以下のステップＳ４〜Ｓ６よりなる。
【０１６７】
（４）回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸に垂直な面内で平行移動し、回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸を中心に回転する（ステップＳ４）。より具体的には、偏光回折素子１５を偏光ビームスプリッタ１４上で摺動し、偏光回折素子１５の、ｘｙ面内における位置調整と、偏光ビームスプリッタ１４に入射する戻り光の光軸を回転軸とした角度調整とを行う。
【０１６８】
（５）第２の検出信号に基づいて、戻り光が正しく回折手段に入射しているかを判定する（ステップＳ５）。具体的には、第２の偏光ホログラム素子３２による回折で生じた回折光２３を受光する受光セル１２ｉ、１２ｊ、１２ｋ、１２ｌ、１２ｍ、および、１２ｎにおいて生成される出力信号Ｓｉ、Ｓｊ、Ｓｋ、Ｓｌ、Ｓｍ、および、Ｓｎから演算により求められる、ＦＥＳおよびＳＡＥＳが所定の信号になっているかを判定する。本ステップにおいて演算により求められるＦＥＳおよびＳＡＥＳの具体形については、後述する。
【０１６９】
（６）上記ステップＳ５において、戻り光が正しく回折手段に入射していると判定された場合、回折手段の位置を固定する（ステップＳ６）。より具体的には、偏光回折素子１５にＵＶ接着剤を塗布して偏光ビームスプリッタ１４に仮止めした状態で上記位置調整および角度調整を行い、第２の検出信号が目標範囲内にあるとき、偏光回折素子１５と偏光ビームスプリッタ１４との接合面に紫外線を照射することでＵＶ接着剤を硬化させて、偏光回折素子１５を偏光ビームスプリッタに対して固定すれば良い。
【０１７０】
上記ステップＳ６において、戻り光が第２の受光部に正しく入射されていないと判定された場合は、ステップＳ４に戻り、ステップＳ５において第２の受光部により検出された検出信号に基づき、再び回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸に垂直な面内で平行移動し、回折手段を上記回折手段に入射する戻り光の光軸を中心に回転する。
【０１７１】
上記各ステップについて、図９および図１０を用いて、さらに詳細に説明する。
【０１７２】
はじめに、受光手段の位置調整について、図９を用いて説明する。
【０１７３】
受光素子１２の位置調整および偏光回折素子１５の位置調整と角度調整がなされていない初期状態においては、受光素子１２と戻り光の位置関係がずれており、偏光回折素子１５の取り付け角度もずれている。この状態における、受光素子１２に入射する非回折光２２（０次回折光）および回折光２３（±１次回折光）の集光スポットと該受光素子１２に備えられた受光部との位置関係は、例えば、図９（ａ）に示すようになる。
【０１７４】
ステップＳ１およびステップＳ２において、偏光回折格子３２を透過した非回折光を検出して受光素子１２の戻り光に垂直な面内での位置調整を行うと、受光素子１２に入射する非回折光２２（０次回折光）および回折光２３（±１次回折光）の集光スポットと該受光素子１２に備えられた受光部との位置関係は、例えば、図９（ｂ）に示すようになる。すなわち、ステップＳ２を終了した段階で、戻り光の光軸中心と受光素子１２の中心とは正しく一致する。
【０１７５】
次に、回折手段の回転調整について、図１０を用いて説明する。
【０１７６】
ステップＳ３を終了した段階では偏光回折素子１５の取り付け角度が調整されていないため、受光素子１２に入射する回折光２３（±１次回折光）の集光スポットは、所定の位置からずれている。この状態を図１０（ａ）に示した。ステップＳ４およびステップＳ５において、偏光回折素子１５により回折された回折光を検出し、偏光回折素子１５の取り付け角度を調整すると、受光素子１２に入射する非回折光２２（０次回折光）および回折光２３（±１次回折光）の集光スポットと該受光素子１２に備えられた受光部との位置関係は図１０（ｂ）に示すようになる。すなわち、受光素子１２に備えられた各受光部に、偏光回折素子１５により分離された非回折光が正確に入射している。
【０１７７】
また、ステップＳ５における戻り光が偏光回折素子１５に正しく入射しているかの判定は、図３に示したｘ方向、ｙ方向、および、角度に対して独立におこなわれる。すなわち、ｘ方向に関する判定は、
受光セル１２ｉ〜１２ｌにおいて生成される検出信号を用い、
Ｓｉ＋Ｓｊ＝γ（Ｓｋ＋Ｓｌ）
が成り立つかにより判定される。ここで、γは領域３２ａの大きさと戻り光の大きさの比率と、戻り光の強度分布で決まる定数である。また、ｙ軸方向に関しては、受光セル１２ｉ〜１２ｎにおいて生成される検出信号を用い、
Ｓｍ＋Ｓｎ＝Ｓｉ＋Ｓｊ＋Ｓｋ＋Ｓｌ
が成り立つかにより判定される。さらに、取り付け角度に関しては、ＲＦ信号最良状態（すなわち、フォーカスサーボとトラッキングサーボとをかけた状態で最大のＲＦ信号信号振幅となる状態）で、
ＦＥＳ＝（Ｓｍ−Ｓｎ）−｛（Ｓｉ−Ｓｊ）＋γ（Ｓｋ−Ｓｌ）｝＝０
が成り立つかを判定すれば良い。
【０１７８】
なお、上記ステップＳ１においては、上述したように、受光素子１２は該受光素子１２に入射する非回折光あるは戻り光の光軸に垂直な面内で移動されることが好ましい。本発明は必ずしもこれに限定されるものではないが、受光素子１２を該受光素子１２に入射する非回折光あるいは戻り光の光軸に垂直な面内で移動することにより、受光部１２Ａ〜１２Ｆが配置された受光面において、該受光面に入射する非回折光あるいは戻り光の集光スポットの大きさおよび形状を変化させることなく、各受光部に集光される集光スポットの位置を調整することが可能になる。このため、上記第１の検出信号に基づいて受光素子１２の取り付け位置を調整することが容易になる。また、非回折光あるいは戻り光の光軸と上記受光面が直交していれば、上記光軸と上記受光面の直交性を保ったまま、受光素子１２の取り付け位置を調整することが可能になる。このため、受光手段の取り付け位置精度を更に向上させるという効果を奏する。
【０１７９】
なお、本発明に係る光集積ユニットの製造方法においては、上述したように、上記回折手段の取り付け位置を調整する工程（Ｓ４〜Ｓ６）は、受光手段の取り付け位置を調整する工程（Ｓ１〜Ｓ３）の後に行われることが好ましい。本発明は必ずしもこれに限定されるものではないが、回折手段の取り付け位置を調整する工程（Ｓ４〜Ｓ６）を、受光手段の取り付け位置を調整する工程（Ｓ１〜Ｓ３）の後に行なうことにより、受光手段が正確に位置決めされた状態で回折手段の取り付け位置の調整を行うことが可能になる。このため、受光手段に対する回折手段の取り付け位置の調整精度をより高めることが可能になる。
【０１８０】
次に、本実施の形態に係る、光集積ユニットの他の製造方法に関して、図１１に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０１８１】
図１１に示すフローチャートと図１に示したフローチャートとの相違点は、ステップＳ３とステップＳ４との間に、第１の検出信号を調整誤差として記録する工程をステップＳ７として追加したことにある。図１１に示した光集積ユニットの製造方法によれば、該製造方法により製造された光集積ユニットを含む光ピックアップ装置の製造に際し、上記ステップＳ７において受光手段の調整誤差として記録された検出信号を参照し、該検出信号を再現するように光ピックアップ装置を調整することにより、光ピックアップ装置の製造精度を向上することが可能になる。
【０１８２】
さらに、本実施の形態に係る、光集積ユニットの他の製造方法に関して、図１２に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０１８３】
図１２に示すフローチャートと図１に示したフローチャートとの相違点は、ステップＳ３とステップＳ４との間にステップＳ８を追加したことにある。上記ステップＳ８は、光集積ユニットに回折手段を取り付ける工程である。すなわち、図１２に示す光集積ユニットの製造方法においては、上記光集積ユニットに上記回折手段を取り付けるより前に（すなわち回折手段が取り付けられていない状態で）、上記非回折光と同一の光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段の取り付け位置が調整される。なお、図１３には、回折手段である偏光回折素子１５が取り付けられていない状態の光集積ユニット１を示した。
【０１８４】
上記製造方法によれば、ステップＳ１〜ステップＳ３における受光手段の位置調整を、回折手段の影響を確実に排除した上で行うことが可能になる。このため、回折手段の回折効率ばらつきによる強度分布変化の影響が無くなり、受光手段のより正確な位置調整ができる。
【０１８５】
また、上記ステップＳ１〜Ｓ３までの工程は、図１４に示すように、上記回折手段と同じ屈折率および同じ厚みを有する透明基板５３（透明部材）を偏光回折素子１５（回折手段）と同じ位置に配置した状態で行われることも好ましい。すなわち、上記光集積ユニットに上記回折手段を取り付けるより前に、上記回折手段と同じ屈折率および同じ厚みを有する透明部材を上記回折手段と同じ位置に配置し、上記透明部材を透過し上記非回折光と同じ光路を通り上記第１の受光部に入射する戻り光によって上記第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、上記受光手段の取り付け位置が調整されることも好ましい。
【０１８６】
上記製造方法によれば、光集積ユニットに回折手段の取り付けた場合と同等の球面収差が発生する状態を維持しながら、回折手段の影響を排除して受光手段の正確な位置調整をすることが可能になる。
【０１８７】
上記で説明をしたように、本実施の形態に係る製造方法により製造される光集積ユニットにおいては、受光素子１２と偏光ビームスプリッタ１４とを半導体レーザ１１に対して正確に位置調整することが可能である。従って、光源、および、受光手段としてパッケージ１８に収納された汎用の半導体レーザ１１やパッケージ１９に収納された汎用の受光素子１２を用いた場合においても、戻り光を確実に受光素子１２に入射させるよう受光素子１２と偏光ビームスプリッタ１４との取り付け位置を調整し、高精度の光集積ユニットを製造することが可能である。
【０１８８】
したがって、汎用の半導体レーザ、および、汎用の受光素子を用いる場合であっても、非回折光を受光する受光部の面積がより小さい受光素子を採用することが可能になる。このため、高速信号の検出が良好に行えるようになる。また、この場合、汎用の半導体レーザ１１や汎用の受光素子１２を用いているので、これらが故障した場合の修理も容易になる。
【０１８９】
さらに、回折手段の位置は、戻り光に対して正確に位置決めされると同時に往路の光ビームに対しても正確に位置決めされるので、回折手段として光ビームとの位置決めが重要となる位相シフトＤＰＰ法用のパターンや強度分布補正用のパターンを設けても良好な特性が得られる。
【０１９０】
なお、本発明に係る光集積ユニットの製造方法により光集積ユニットを製造する製造装置９は、上記光集積ユニットに接続され、上記光集積ユニットが備える第１の受光部において生成される検出信号を入力する入力部と、上記検出信号から誤差信号を演算する演算部と、上記誤差信号を出力する出力部とを備えることが好ましい。
【０１９１】
これにより、上記出力部に出力部に出力される誤差信号に基づいて、手動で、あるいは、他に設けられた調整装置によって、受光手段、および、回折手段の取り付け位置調整が可能になる。
〔実施の形態２〕
本実施の形態に係る、光ピックアップ装置の製造方法について、図１５〜図１８に基づいて説明すれば以下のとおりである。なお、以下の説明では、光ピックアップ装置には、実施の形態１で説明した、図２に示す光集積ユニット１が搭載されているものとし、該光ピックアップ装置に搭載される光集積ユニットに関する説明は繰り返さない。
【０１９２】
上述したとおり、図１５は光ピックアップ装置８の構造を説明する図である。図３に示した光集積ユニット製造装置との違いは、光集積ユニット１とコリメータレンズ２により発光ユニット６が構成され、対物レンズ３と対物レンズ駆動機構（図示せず）とにより対物レンズ駆動ユニット７が構成されている点である。
【０１９３】
発光ユニット６と対物レンズ駆動ユニット７は、後述する光ピックアップ装置の製造方法に基づいて、該発光ユニット６と該対物レンズ駆動ユニット７との相対位置が調整可能であるように保持されている。
【０１９４】
本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法について、特に、非回折光によって第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、対物レンズ３と光集積ユニット１との相対的な取り付け位置を調整する工程について説明する。
【０１９５】
はじめに、対物レンズ３を光集積ユニット１から射出される光ビームの光軸２１に垂直な面内で移動することにより、対物レンズ３と光集積ユニット１との相対的な取り付け位置を調整する工程に関して、図１６に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０１９６】
（１）対物レンズを光ビームの光軸に垂直な面内で移動する（ステップＳ１１）。上記光ピックアップ装置８に即して言えば、対物レンズ３および対物レンズ駆動機構を備える対物レンズ駆動ユニット７を、光集積ユニットから出射される光ビームの光軸２１に垂直な面内で移動する。
【０１９７】
（２）非回折光によって第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定する（ステップＳ１２）。具体的には、非回折光を受光する受光部１２Ａに含まれる４つの受光セル１２ａ〜１２ｄから出力される４つの出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが均等になるか判定する。さらに具体的には、上記４つの出力信号の差、｜Ｓａ−Ｓｂ｜、｜Ｓａ−Ｓｄ｜、｜Ｓｂ−Ｓｃ｜、および、｜Ｓｃ−Ｓｄ｜が定められた閾値以下になるか判定する。
【０１９８】
なお、上記判定は必ずしも出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが均等になるかを判定するものに限らず、上記非回折光が上記第１の受光部に正しく入射しているかを判定できるものであれば良い。例えば、ｘ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｂ）−（Ｓｃ＋Ｓｄ）、および、ｙ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｄ）−（Ｓｂ＋Ｓｃ）がそれぞれ概ねゼロになる（すなわち、上記ｘ方向調整信号とｙ方向調整信号とがそれぞれ定められた閾値以下になる）かを判定することによっても、上記非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定することが可能である。
【０１９９】
（３）上記ステップＳ２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射していると判定された場合、対物レンズの位置を固定する（ステップＳ１３）。より具体的には、対物レンズ駆動ユニット７にＵＶ接着剤を塗布して光ピックアップ装置８の筐体に仮止めした状態で上記位置調整を行い、第1の検出信号が目標範囲にあるとき、ＵＶ接着剤を塗布した接合面に紫外線を照射することによりＵＶ接着剤を硬化させて、対物レンズ駆動ユニット７を光ピックアップ装置８の筐体に固定すれば良い。
【０２００】
上記ステップＳ１２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていないと判定された場合は、ステップＳ１１に戻り、ステップＳ２において第１の受光部により検出された検出信号に基づき、再び対物レンズを光ビームの光軸に垂直な面内で移動する。すなわち、ステップＳ１２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていると判定されるまで、上記ステップＳ１１とステップＳ１２とを繰り返す。
【０２０１】
上記製造方法を用いることにより、当該光ピックアップ装置による光記録媒体に対する情報の記録あるいは再生時のサーボ信号の状態に即して、対物レンズ駆動ユニット７の取り付け位置調整を行うことが可能になる。このため、機械精度で対物レンズ駆動ユニット７の取り付けを行う場合と比べて、安定したサーボ信号が得られる光ピックアップ装置の製造が可能になる。
【０２０２】
特に、位相シフトＤＰＰ法を用いた３ビーム回折格子や強度分布補正手段のような光軸中心に対する位置決め精度が必要な機能が回折素子と一体化されている場合に、特に効果がある。
【０２０３】
次に、光集積ユニット１をコリメータレンズ２と一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動することにより、対物レンズ３と光集積ユニット１との相対的な取り付け位置を調整する工程について、図１７に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０２０４】
（１）光集積ユニットをコリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動する（ステップＳ２１）。上記光ピックアップ装置８に即して言えば、光集積ユニット１とコリメータレンズ２とからなる発光ユニット６を光集積ユニットから出射される光ビームの光軸２１に垂直な面内で移動する。
【０２０５】
（２）非回折光によって第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定する（ステップＳ２２）。具体的には、非回折光を受光する受光部１２Ａに含まれる４つの受光セル１２ａ〜１２ｄから出力される４つの出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが均等になるか判定する。さらに具体的には、上記４つの出力信号の差、｜Ｓａ−Ｓｂ｜、｜Ｓａ−Ｓｄ｜、｜Ｓｂ−Ｓｃ｜、および、｜Ｓｃ−Ｓｄ｜が定められた閾値以下になるか判定する。
【０２０６】
なお、上記判定は必ずしも出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが均等になるかを判定するものに限らず、上記非回折光が上記第１の受光部に正しく入射しているかを判定できるものであれば良い。例えば、ｘ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｂ）−（Ｓｃ＋Ｓｄ）、および、ｙ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｄ）−（Ｓｂ＋Ｓｃ）がそれぞれ概ねゼロになる（すなわち、上記ｘ方向調整信号とｙ方向調整信号とがそれぞれ定められた閾値以下になる）かを判定することによっても、上記非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定することが可能である。
【０２０７】
（３）上記ステップＳ２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射していると判定された場合、光集積ユニットおよびコリメータレンズの位置を固定する（ステップＳ２３）より具体的には、光集積ユニット１とコリメータレンズ２とからなる発光ユニット６にＵＶ接着剤を塗布して光ピックアップ装置８の筐体に仮止めした状態で上記位置調整を行い、第1の検出信号が目標範囲にあるとき、ＵＶ接着剤を塗布した接合面に紫外線を照射することにより硬化させて、発光ユニット６を光ピックアップ装置８の筐体に固定すれば良い。
【０２０８】
上記ステップＳ２２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていないと判定された場合は、ステップＳ２１に戻り、ステップＳ２２において第１の受光部により検出された検出信号に基づき、再び対物レンズを光ビームの光軸に垂直な面内で移動する。すなわち、ステップＳ２２において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていると判定されるまで、上記ステップＳ２１とステップＳ２２とを繰り返す。
【０２０９】
上記製造方法を用いることによって、当該光ピックアップ装置による光記録媒体に対する情報の記録あるいは再生時のサーボ信号の状態を再現して光集積ユニットおよびコリメータレンズの取り付け位置調整を行うことが可能になる。
【０２１０】
さらに、光集積ユニットをコリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で第１の方向に移動し、対物レンズを光ビームの光軸に垂直な面内で上記第１の方向に直交する第２の方向に移動することにより、対物レンズ３と光集積ユニット１との相対的な取り付け位置を調整する工程について、図１８に示すフローチャートに基づいて説明する。
【０２１１】
（１）光集積ユニットをコリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で第１の方向に移動する（ステップＳ３１）。光ピックアップ装置４１に即して言えば、光集積ユニット１とコリメータレンズ２とからなる発光ユニット６をｘ軸方向に移動する。
【０２１２】
（２）対物レンズを光ビームの光軸に垂直な面内で、上記第１の方向に直交する第２の方向に移動する（ステップＳ３２）。光ピックアップ装置４１に即して言えば、対物レンズ駆動ユニット７をｙ軸方向に移動する。
【０２１３】
（３）非回折光によって第１の受光部において生成される検出信号に基づいて、非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかを判定する（ステップＳ３３）。具体的には、例えば、ｘ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｂ）−（Ｓｃ＋Ｓｄ）、および、ｙ方向調整信号＝（Ｓａ＋Ｓｄ）−（Ｓｂ＋Ｓｃ）がそれぞれ概ねゼロになる（すなわち、上記ｘ方向調整信号とｙ方向調整信号とがそれぞれ定められた閾値以下になる）かを判定することによって非回折光が第１の受光部に正しく入射されているかを判定すれば良い。
【０２１４】
（４）上記ｘ方向調整信号が概ねゼロになる場合、一体化された光集積ユニットおよびコリメータレンズの位置を固定する（ステップＳ３４）。より具体的には、発光ユニット６にＵＶ接着剤等を塗布して光ピックアップ装置８の筐体に仮止めした状態で上記位置調整を行い、第1の検出信号が目標範囲にあるとき、ＵＶ接着剤を塗布した接合面に紫外線を照射することにより硬化させて、発光ユニット６を光ピックアップ装置８の筐体に固定すれば良い。
【０２１５】
（５）上記ｙ方向の調整信号が概ねゼロになる場合、対物レンズの位置を固定する（ステップＳ３５）。より具体的には、対物レンズ駆動ユニット７にＵＶ接着剤を塗布して光ピックアップ装置８の筐体に仮止めした状態で上記位置調整を行い、第1の検出信号が目標範囲にあるとき、ＵＶ接着剤を塗布した接合面に紫外線を照射することにより硬化させて、対物レンズ駆動ユニット７を光ピックアップ装置８の筐体に固定すれば良い。
【０２１６】
上記ステップＳ３３において、非回折光が第１の受光部に正しく入射されていないと判定された場合は、ステップＳ３１に戻り、上記ｘ方向調整信号に基づき、再び光集積ユニット１とコリメータレンズ２とからなる発光ユニット６をｘ軸方向に移動し、あるいは、上記ｙ方向調整信号に基づき、対物レンズ駆動ユニット７をｙ軸方向に移動する。すなわち、ステップ３３において非回折光が第１の受光部に正しく入射されていると判定されるまで、上記ステップＳ３１からステップＳ３３を繰り返す。
【０２１７】
上記製造方法によれば、光集積ユニット１とコリメータレンズ２とからなる発光ユニット６の調整方向を一軸方向に限定することができる。このため、厚み方向（図１５に図示したｙ軸方向）に発光ユニット６の取り付け位置調整のための空間を確保する必要がない。すなわち、上記製造方法により製造される光ピックアップ装置においては、厚み方向の寸法を増やさない設計が可能になるので、光ピックアップ装置の小型軽量化が実現できるという効果がある。
【０２１８】
また上記各製造方法において、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程は、上記非回折光によって上記第１の受光部において生成される検出信号が上記光集積ユニット製造時に記録された調整誤差と同一になるように、上記対物レンズを上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、かつ／または、上記光集積ユニットを上記コリメータレンズと一体で上記光ビームの光軸に垂直な面内で移動し、上記対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程であることが好ましい。
【０２１９】
すなわち、上記ステップＳ１２、ステップＳ２２、あるいは、ステップＳ３３においてなされる非回折光が第１の受光部に正しく入射しているかの判定は、該ステップにおいて検出される出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄが、該光ピックアップ装置８に搭載された光集積ユニット４１の製造時に調整誤差として記録された出力信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、および、Ｓｄと同一になるかを判定するものであることが好ましい。
【０２２０】
このように、光ピックアップ装置時に、実施の形態１で示した光集積ユニットの製造方法において調整誤差として記録された検出信号を再現するよう、対物レンズと光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整することで、より正確な位置調整が可能になる。
【０２２１】
なお、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２２２】
本発明は、光ディスクなどの光記録媒体に情報を記録または再生する際に用いられる光ピックアップの小型化を実現するための光集積ユニットの製造方法およびそれを備えた光ピックアップ装置の製造方法に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２２３】
【図１】本発明に係る光集積ユニットの製造方法に含まれる、受光手段の取り付け位置を調整する工程、および、回折手段の取り付け位置を調整する工程を説明するフローチャートである。
【図２】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される光集積ユニットの構成を示した構成図である。
【図３】本発明に係る光集積ユニットの製造方法を適用し光集積ユニットを製造するための製造装置の構成図である。
【図４】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される図２に示した光集積ユニットに用いる第１の偏光ホログラム素子のホログラムパターンを示す構成図である。
【図５】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される図２に示した光集積ユニットに用いる第２の偏光ホログラム素子のホログラムパターンを示す構成図である。
【図６】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される図２に示した光集積ユニットに用いる受光素子の受光部パターンを説明する図であり、図６（ａ）は球面収差が発生していない場合における光ビームの受光状態を示し、図６（ｂ）は対物レンズが図６（ａ）の場合と比べ光ディスクに近づいた場合における光ビームの受光状態を示した図である。
【図７】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される図２に示した光集積ユニットに用いる受光素子の受光部パターンを説明する図であり、球面収差が発生した場合の光ビームの受光状態を示した図である。
【図８】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される他の光集積ユニットの構成を示した構成図である。
【図９】本発明に係る光集積ユニットの製造方法に含まれる受光手段の取り付け位置を調整する工程における、回折光および非回折光の受光状態の変化を説明する説明図である。
【図１０】本発明に係る光集積ユニットの製造方法に含まれる回折手段の取り付け位置を調整する工程における、回折光および非回折光の受光状態の変化を説明する説明図である。
【図１１】本発明に係る他の光集積ユニットの製造方法を説明するフローチャートであって、受光手段の取り付け位置を調整する工程、第１の受光部において検出される検出信号を調整誤差として記録する工程、および、回折手段の取り付け位置を調整する工程を示すフローチャートである。
【図１２】本発明に係る他の光集積ユニットの製造方法を説明するフローチャートであって、回折手段が取り付けられるより前に、受光手段の取り付け位置を調整する工程が含まれる製造方法を説明するフローチャートである。
【図１３】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される光集積ユニットを示す構成図であって、受光手段の取り付け位置を調整する工程において、回折手段を取り外した状態を示す構成図である。
【図１４】本発明に係る光集積ユニットの製造方法により製造される光集積ユニットを示す構成図であって、受光手段の取り付け位置を調整する工程において、回折手段の代わりに透明部材を取り付けた状態を示す構成図である。
【図１５】本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法により製造される光ピックアップ装置の構成を示す構成図である。
【図１６】本発明に係る光ピックアップ装置の製造方法に含まれる対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程を説明するフローチャートである。
【図１７】本発明に係る光ピックアップ装置の他の製造方法に含まれる対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程を説明するフローチャートである。
【図１８】本発明に係る光ピックアップ装置の他の製造方法に含まれる対物レンズと上記光集積ユニットとの相対的な取り付け位置を調整する工程を説明するフローチャートである。
【図１９】従来技術における光ピックアップ装置の構成図である。
【図２０】従来技術における光集積ユニットの構成図である。
【図２１】従来技術における光集積ユニットに備えられたホログラム素子のホログラムパターンと、受光素子の受光部パターンを説明する説明図である。
【図２２】従来技術における他の光集積ユニットの構成図である。
【符号の説明】
【０２２４】
１          光集積ユニット
２          コリメータレンズ
３          対物レンズ
４          光ディスク（光情報記録媒体）
５          １／４波長板
６          発光ユニット
７          対物レンズ駆動ユニット
８          光ピックアップ装置
９          光集積ユニットの製造装置
１１        半導体レーザ（光源）
１２        受光素子（受光手段）
１２Ａ      受光部（第１の受光部）
１２Ｄ〜１２Ｆ  受光部（第２の受光部）
１２ａ〜１２ｄ  受光セル
１４        偏光ビームスプリッタ（導光手段）
１５        偏光回折素子（回折手段）
１８、１９  パッケージ
２０、２１  光ビーム
２２        非回折光
２３        回折光
３１        第１の偏光ホログラム素子
３２        第２の偏光ホログラム素子
４０        ０次回折光（非回折光）
４１        ＋１次回折光（回折光）
４２        −１次回折光（非回折光）
５１、５２  ホルダ
５３        透明基板 
【図１】
2007102965.tif 000003
【図２】
2007102965.tif 000004
【図３】
2007102965.tif 000005
【図４】
2007102965.tif 000006
【図５】
2007102965.tif 000007
【図６】
2007102965.tif 000008
【図７】
2007102965.tif 000009
【図８】
2007102965.tif 000010
【図９】
2007102965.tif 000011
【図１０】
2007102965.tif 000012
【図１１】
2007102965.tif 000013
【図１２】
2007102965.tif 000014
【図１３】
2007102965.tif 000015
【図１４】
2007102965.tif 000016
【図１５】
2007102965.tif 000017
【図１６】
2007102965.tif 000018
【図１７】
2007102965.tif 000019
【図１８】
2007102965.tif 000020
【図１９】
2007102965.tif 000021
【図２０】
2007102965.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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