(57)【要約】【課題】ウエハ面内およびウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性を向上する。【解決手段】処理室３２に複数枚のウエハ１を搬入搬出するボート４３の保持部材４６に複数段のサセプタ電極４７を架設し、複数枚のウエハ１を複数段のサセプタ電極４７に対して一括して授受するウエハ授受装置５０を処理室３２外に設置する。ウエハ授受装置５０はウエハ１を授受する複数のウエハ受け５５と、複数のウエハ受け５５を一括して昇降させるエレベータ５３と、複数のウエハ受け５５を一括してサセプタ電極４７に対して接近離間移動させるリニアアクチュエータ５１とから構成する。プラズマ雰囲気がウエハ毎に生成されるので、プラズマ処理状況はウエハ面内およびウエハ相互間で均一になる。ウエハ授受装置は処理室外に設置され、処理室内に搬入されないために、処理室内が汚染されるのを防止できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔をとって多段に配置された複数のサセプタ電極に被処理基板がそれぞれ載置されて処理室内に搬入され、この処理室内が所定の温度および所定の圧力に維持された状態で、前記被処理基板に処理ガスが供給されて、被処理基板に処理が施される基板処理装置であって、
前記被処理基板が前記サセプタ電極に授受される際に、前記サセプタ電極の上方で前記被処理基板をそれぞれ保持する複数の基板受けと、前記複数の基板受けを一括して昇降させる昇降装置と、前記複数の基板受けを一括して前記複数のサセプタ電極に対して接近離間移動させる移動装置とを、備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施す場合には、枚葉式プラズマ処理装置を使用するのが一般的である。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。
【０００３】
そこで、複数枚のウエハが搬入される処理室を備え、かつ、ヒータによって加熱されるプロセスチューブの処理室に一対の電極が配置されたバッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００２−２８０３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、プラズマが各ウエハに遠隔的にそれぞれ供給されるために、バッチ内のウエハ相互間の処理状況が不均一になる可能性が有ると、考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、従来の技術のこれらの問題点を解決し、被処理基板内の処理状況の均一性および被処理基板相互間の処理状況の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）間隔をとって多段に配置された複数のサセプタ電極に被処理基板がそれぞれ載置されて処理室内に搬入され、この処理室内が所定の温度および所定の圧力に維持された状態で、前記被処理基板に処理ガスが供給されて、被処理基板に処理が施される基板処理装置であって、
前記被処理基板が前記サセプタ電極に授受される際に、前記サセプタ電極の上方で前記被処理基板をそれぞれ保持する複数の基板受けと、前記複数の基板受けを一括して昇降させる昇降装置と、前記複数の基板受けを一括して前記複数のサセプタ電極に対して接近離間移動させる移動装置とを、備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記移動装置が前記基板受けを前記サセプタ電極の法線方向に進退するように構成されていることを特徴とする（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記移動装置が前記基板受けを前記サセプタ電極の法線と交差する方向に進退するように構成されていることを特徴とする（１）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、被処理基板がサセプタ電極のそれぞれに載置されて処理されることにより、プラズマ雰囲気が被処理基板のそれぞれに専用的に生成されるために、プラズマ処理状況は被処理基板内および被処理基板相互間のいずれにおいても均一になる。
また、被処理基板のサセプタ電極への授受は処理室外において基板受けによって一括して実施され、しかも、基板受けを昇降させる昇降装置および基板受けとサセプタ電極との干渉を防止するための移動装置は、処理室内に搬入されないために、処理室内が汚染されるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置（以下、バッチ式プラズマ処理装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が４枚の場合について説明しているが、実際上は４枚〜１５０枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
【００１０】
図１に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、カセット２が使用されている。
バッチ式プラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。筐体１１の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口１２が開設されており、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。
【００１１】
カセット搬入搬出口１４の筐体１１の内部にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置により、カセットステージ１６にはカセット２が、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１６はカセット２を筐体後方に右回り縦方向９０度回転させ、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体後方を向く動作が可能となるように構成されている。
【００１２】
筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。すなわち、カセット棚１７には複数のカセット２が収納される移載棚１８が複数段設けられている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。
【００１３】
カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０は、カセット２を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂとによって構成されており、カセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続動作により、カセットステージ１６、カセット棚１７、予備カセット棚１９との間でカセット２を搬送するように構成されている。
【００１４】
カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２２と、ウエハ移載装置エレベータ２２によって昇降されるウエハ移載装置２３とを備えている。ウエハ移載装置エレベータ２２は筐体１１の右側端部に設置されている。ウエハ移載装置２３はウエハ１をツィーザ２４によって保持して回転ないし直線運動させるように構成されている。
ウエハ移載装置エレベータ２２およびウエハ移載装置２３の連続動作により、ウエハ移載機構２１はウエハ１の授受作動を実行するように構成されている。
【００１５】
図１に示されているように、カセット棚１７の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット２５が設置されており、クリーンユニット２５は清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体１１内の後部空間に流通させるように構成されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３０が垂直に設置されている。
図２に示されているように、処理炉３０は処理室３２を形成するプロセスチューブ３１を備えている。プロセスチューブ３１は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１７】
プロセスチューブ３１の下端面にはマニホールド３３が当接されており、マニホールド３３は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。マニホールド３３はプロセスチューブ３１についての保守点検作業や清掃作業のためにプロセスチューブ３１に着脱自在に取り付けられている。そして、マニホールド３３が筐体１１に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド３３の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３４を形成している。炉口３４は通常時には炉口シャッタ３５によって閉塞されるようになっている。
【００１８】
マニホールド３３の側壁には排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
【００１９】
マニホールド３３の排気管３６と異なる位置（図示例では１８０度反対側の位置）には、処理ガスを供給するためのガス供給管３７が垂直に立脚されており、ガス供給管３７は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管３７には複数個の吹出口３８が垂直方向に並べられて開設されており、これら吹出口３８の個数は処理されるウエハ１の枚数に対応されている。吹出口３８の個数は処理されるウエハ１の枚数に一致されており、各吹出口３８の高さ位置は上下で隣合うウエハ１と１との間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【００２０】
プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３９が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３９は筐体１１の上に垂直に据え付けられた状態になっている。
【００２１】
図１に示されているように、筐体１１内における処理炉３０の真下近傍にはボートエレベータ４０が設置されており、ボートエレベータ４０のアーム４１には、処理に際して炉口３４を閉塞するシールキャップ４２が水平に支持されている。
シールキャップ４２はマニホールド３３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ４０によって上昇されることにより、炉口３４を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２２】
シールキャップ４２の上には複数枚のウエハ１を保持して処理室３２の内外に搬送する搬送治具（以下、ボートという。）４３が垂直に立脚されて支持されている。
ボート４３は上下で一対の端板４４、４５と、両端板４４、４５間に架設されて垂直に配設された一対の保持部材４６、４６とを備えている。両端板４４、４５および両保持部材４６、４６は石英等の誘電体が使用されて形成されている。
各保持部材４６間にはウエハ１の保持と平行平板電極とを兼用するサセプタ電極４７が複数枚（本実施の形態では４枚）、長手方向に等間隔に配されてそれぞれ水平に架設されている。上下で隣り合うサセプタ電極４７、４７の間隔は、ウエハ１の授受に必要な寸法とプラズマ放電に必要な絶縁ギャップとを考慮して定められている。
サセプタ電極４７は石英等の誘電体が使用されて円形の平盤形状に形成されており、外径はウエハ１の外径よりも若干だけ大きめに設定されている。サセプタ電極４７の外周には複数個の切欠部４８がそれぞれ開設されており、切欠部４８は後記するウエハ受けの先端部を逃げるように形成されている。
図示は省略するが、サセプタ電極４７には平行平板電極の陰極と陽極とが上下に内蔵されており、陰極と陽極とには両保持部材４６、４６の内部に敷設された一対の電線４９、４９がそれぞれ接続されている。図示は省略するが、両電線４９、４９間には高周波電力を印加する高周波電源が整合器を介して電気的に接続されており、各サセプタ電極４７には高周波電力がそれぞれ印加されるようになっている。
【００２３】
図１および図２に示されているように、筐体１１内におけるシールキャップ４２の待機位置には、複数枚のウエハ１を一括してボート４３に授受するウエハ授受装置５０が設置されている。
ウエハ授受装置５０は移動装置としての一対のリニアアクチュエータ５１、５１を備えており、両リニアアクチュエータ５１、５１はシールキャップ４２の両脇におけるボートエレベータ４０に干渉しない位置に互いに対向するように配置されている。両リニアアクチュエータ５１、５１は一対の移動台５２、５２をボート４３の径方向にそれぞれ進退させるように構成されている。
両移動台５２、５２には昇降装置としての一対のエレベータ５３、５３がそれぞれ設置されており、両エレベータ５３、５３は一対の支柱５４、５４をそれぞれ垂直方向に進退させるように構成されている。一対の支柱５４、５４は互いに対向してそれぞれ垂直に立設されている。
両支柱５４、５４には基板受けとしてのウエハ受け５５がそれぞれ複数個（本実施の形態では４個）、長手方向に等間隔に配されて同一平面内で互いに対向するように突設されている。
ウエハ受け５５は二股形状に形成されており、先端部の二股形状部はサセプタ電極４７の切欠部４８にそれぞれ挿入可能に形成されている。すなわち、ウエハ受け５５は切欠部４８に挿入した状態でサセプタ電極４７に対して昇降し得るようになっている。
【００２４】
次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置１０の作用を説明する。
【００２５】
図１に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向に９０度回転させられる。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へ、カセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡される。
【００２６】
一時的に保管された後、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載されるか、もしくは、直接、移載棚１８に搬送される。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ移載装置２３はツイーザ２４によってカセット２内のウエハ１をカセット２のウエハ出し入れ口を通じてピックアップし、ウエハ１をカセット２内からウエハ授受装置５０に搬送する。
ツィーザ２４によって搬送したウエハ１をウエハ授受装置５０に受け渡すと、ウエハ移載装置２３はツィーザ２４をカセット２に戻し、次のウエハ１をピックアップする。
【００２７】
一方、ウエハ授受装置５０においては、カセット２が移載棚１８に搬送されて来るまでは、一対の移動台５２、５２は図２に示された待機位置で待機している。
ウエハ移載装置２３の移載作業の準備が整うと、図３に示されているように、一対の移動台５２、５２はリニアアクチュエータ５１、５１によってボート４３に接近する方向に移動される。この移動により、全ての段の一対のウエハ受け５５、５５の先端の二股形状部が、全ての段のサセプタ電極４７の切欠部４８に上方からそれぞれ重なり合った状態になる。
【００２８】
このウエハ授受装置５０の状態で、ウエハ移載装置２３はウエハ１を保持したツィーザ２４をボート４３に向かって前進させて、ウエハ１を一対のウエハ受け５５、５５の上方に搬入し、続いて、ツィーザ２４を下降させることにより、図４に示されているように、ウエハ１を一対のウエハ受け５５、５５の上に移載する。
ウエハ１を一対のウエハ受け５５、５５の上に移載すると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２４を後退させ、カセット２に戻り、カセット２内の次のウエハ１をピックアップする。
ウエハ移載装置２３は以上の作動を繰り返すことにより、四段のウエハ受け５５、５５の全てにウエハ１を移載する。
【００２９】
全ての段の一対のウエハ受け５５、５５がウエハ１をそれぞれ受け取ると、図５に示されているように、一対のエレベータ５３、５３が下降されることにより、各段の一対のウエハ受け５５、５５がそれぞれ対応する段のサセプタ電極４７の切欠部４８に上から同時に挿入される。
各段のウエハ受け５５、５５が切欠部４８、４８に上から挿入されると、各段ウエハ受け５５、５５に保持されたウエハ１は、対応する各段のサセプタ電極４７のそれぞれに同時に移載される。
【００３０】
全ての段のサセプタ電極４７にウエハ１がそれぞれ移載されると、図６に示されているように、一対の移動台５２、５２はリニアアクチュエータ５１、５１によってボート４３から離間する方向に移動される。これにより、全ての段の一対のウエハ受け５５、５５の先端の二股形状部が全ての段のサセプタ電極４７の切欠部４８からそれぞれ抜け出た状態になる。この状態においては、ウエハ授受装置５０はボート４３およびシールキャップ４２の上昇と干渉しないようになっている。
【００３１】
全ての段のサセプタ電極４７にウエハ１が移載されたボート４３は、ボートエレベータ４０によって上昇されて、図７に示されているように、処理炉３０の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
ボート４３が上限に達すると、シールキャップ４２が炉口３４をシール状態に閉塞するために、処理室３２は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３２は排気管３６によって排気され、ヒータ３９によって所定の温度（例えば、４００℃程度）に加熱される。
この際、ヒータ３９がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４３に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００３２】
処理室３２の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガスが処理室３２にガス供給管３７から供給されて、圧力が予め設定された値に達すると、各段のサセプタ電極４７には高周波電力が高周波電源および整合器によって印加される。
ガス供給管３７に供給された処理ガスは各吹出口３８から上下で隣り合うサセプタ電極４７、４７の間に吹き出し、上下のサセプタ電極４７、４７の間に印加された高周波電力によって生成されたプラズマにより、反応が活性な状態になる。
【００３３】
各段のサセプタ電極４７の上で活性化した粒子（以下、活性粒子という。）は、各段のサセプタ電極４７が保持したウエハ１にそれぞれ直接的に接触するため、各段のウエハ１に対する接触分布は互いに均一になり、また、各ウエハ１のウエハ面内の接触分布も均一になる。
ウエハ１に接触した活性粒子（ラジカル）はウエハ１にプラズマ処理を施す。この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート４３の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、活性粒子のウエハ１との接触分布が各段のサセプタ電極４７同士で同等かつ各段のウエハのウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ１におけるプラズマ処理状況は各段のサセプタ電極４７同士で、かつ、各段のサセプタ電極４７のウエハ１のウエハ面内において均一な状態になる。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガスの供給、ヒータ３９の加熱、高周波電力の印加および排気管３６の排気等が停止された後に、ボートエレベータ４０によってシールキャップ４２が下降されることにより、炉口３４が開口されるとともに、ボート４３が炉口３４から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３５】
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ授受装置５０およびウエハ移載装置２３の作動とは逆の手順により、カセット２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１が一括してバッチ処理される。
【００３６】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３７】
1)  複数枚のウエハが複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置されてプラズマ処理されることにより、プラズマ雰囲気を各段のサセプタ電極のウエハのそれぞれにおいて専用的に生成することができるために、プラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００３８】
2)  ボートの複数段のサセプタ電極のそれぞれに保持されて処理室に搬入された複数枚のウエハをホットウオール形のヒータによって加熱することにより、ウエハのボート全長および各ウエハ面内の温度を均一に分布させることができるため、ウエハのプラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００３９】
3)  複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。
【００４０】
4)  ウエハのサセプタ電極への授受を実施するウエハ授受装置を処理室外に設置することにより、ウエハ授受装置を処理室内へ搬入しないで済むので、処理室内が汚染されるのを防止することができる。
【００４１】
5)  複数枚のウエハの複数段のサセプタ電極への授受を一括して実施することにより、複数枚のウエハの複数段のサセプタ電極への授受の作業効率を向上させることができるので、スループットを大幅に向上させることができ、また、複数枚のウエハの複数段のサセプタ電極における位置合わせを適正に維持することができるので、ウエハ面内および各ウエハ相互間のプラズマ処理状況の均一性をより一層向上させることができる。
【００４２】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４３】
例えば、ウエハ受けをサセプタ電極に対して接近離間移動させる移動装置は、リニアアクチュエータによってウエハ受けをサセプタ電極の法線方向に進退するように構成するに限らず、図８に示されているように、各ターンテーブル５２Ａ、５２Ａをそれぞれ回動させる一対のロータリーアクチュエータ５１Ａ、５１Ａを使用して、ウエハ受け５５、５５をボート４３に対してそれぞれ回動させるように構成し、一対のウエハ受け５５、５５をサセプタ電極４７の法線と交差する方向に進退するように構成してもよい。
図８に示されたウエハ授受装置５０Ａの実施の形態によれば、ウエハ授受装置５０Ａの全幅Ｗを減少させることができる。
【００４４】
本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。
【００４５】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式プラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う正面断面図である。
【図３】ウエハ授受装置のウエハ受けの内側方向への移動を示しており、（ａ）は（ｂ）のａ−ａ線に沿う断面図、（ｂ）は正面図である。
【図４】ウエハのウエハ受けへの移載を示しており、（ａ）は（ｂ）のａ−ａ線に沿う断面図、（ｂ）は正面図である。
【図５】ウエハのサセプタ電極への移載を示しており、（ａ）は（ｂ）のａ−ａ線に沿う断面図、（ｂ）は正面図である。
【図６】ウエハ受けの外側方向への移動を示しており、（ａ）は（ｂ）のａ−ａ線に沿う断面図、（ｂ）は正面図である。
【図７】プラズマ処理ステップを示す正面断面図である。
【図８】ウエハ授受装置の他の実施の形態を示す各平面断面図であり、（ａ）はウエハ受けの待機位置を示しており、（ｂ）はウエハ受けのウエハ授受位置を示している。
【符号の説明】
【００４７】
１…ウエハ（基板）、２…カセット、１０…バッチ式プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２２…ウエハ移載装置エレベータ、２３…ウエハ移載装置、２４…ツィーザ、２５…クリーンユニット、３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…炉口、３５…炉口シャッタ、３６…排気管、３７…ガス供給管、３８…吹出口、３９…ヒータ、４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…シールキャップ、４３…ボート（搬送治具）、４４、４５…端板、４６…保持部材、４７…サセプタ電極、４８…切欠部、４９…電線、５０…ウエハ授受装置、５１…リニアアクチュエータ（移動装置）５２…移動台、５３…エレベータ（昇降装置）、５４…支柱、５５…ウエハ受け（基板受け）。
【図１】
2007115822.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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