(57)【要約】【課題】二つの電子源間に走査信号配線を配置し、この走査信号配線と前記二つの電子源の一方との電気的絶縁を確実に行い、素子分離の信頼性を確保する。【解決手段】走査信号配線及び電子源ＥＬＳ上に連続した上部電極ＡＥＤを備え、この上部電極ＡＥＤの一部に素子分離用の切欠部ＮＯＴを備えた構成で、この切欠部ＮＯＴの幅方向の輪郭の一部を前記走査信号配線Ｓが他の成膜と重畳した部分に配置した。【選択図】図４
2007134256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源及び前記走査信号配線上に設けられ一部に切欠部を有する上部電極とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極とを形成した前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び前記背面基板間に配置された封着部材とを備えた画像表示装置であって、
前記走査信号配線はこの走査信号配線下部側壁に前記電子源方向へ張り出す延在部を有し、
前記延在部の前記電子源側端部に前記上部電極の切欠部を配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記走査信号配線は多層膜からなり、
前記延在部は前記多層膜中の最下層膜からなることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記前面基板と前記背面基板間で前記枠体に囲まれた表示領域に前記枠体と略平行に複数のスペーサを配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源及び前記走査信号配線上に設けられ一部に切欠部を有する上部電極とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極とを形成した前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び前記背面基板間に配置された封着部材とを備えた画像表示装置であって、
前記走査信号配線の上面の一部及びこの上面から前記層間絶縁膜方向へ略垂直に延びる側壁にかけて前記上部電極の切欠部を配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
前記前面基板と前記背面基板間で前記枠体に囲まれた表示領域に前記枠体と略平行に複数のスペーサを配置したことを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源及び前記走査信号配線上に設けられ一部に切欠部を有する上部電極とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極とを形成した前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び前記背面基板間に配置された封着部材とを備え、
前記走査信号配線はこの走査信号配線下部側壁に前記電子源方向へ張り出して設けられた延在部を有する画像表示装置の製造方法であって、
前記上部電極を前記電子源から前記走査信号配線上に連続して形成する工程と、
形成された前記上部電極を、前記走査信号配線の前記延在部の前記電子源側端部から前記電子源端部にかけて連続して除去して切欠部を形成する工程とを備えたことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記切欠部を前記上部電極の外面側からレーザビームを照射することにより形成することを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に関し、特に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
【０００３】
自発光型ＦＰＤは、上記のような電子源を備えた背面パネルと、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧が印加される陽極を備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の真空状態に封止する枠体とで構成される表示パネルを有する。背面パネルは背面基板上に形成された上記の電子源を有し、前面パネルは前面基板上に形成された蛍光体層と電子源から放出された電子を蛍光体層に射突させる電界を形成するための加速電圧が印加される陽極を有する。この表示パネルに駆動回路を組み合わせて自発光型ＦＰＤが構成される。
【０００４】
個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００５】
背面パネルと前面パネルの間隔は前記枠体に加えて隔壁（スペーサ）と称する部材で所定間隔に保持される。このスペーサはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【０００６】
背面パネルは絶縁材の背面基板を有し、この背面基板上には一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線が形成されている。また、この背面基板上には、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線が形成されている。走査信号配線と画像信号配線の各交差部付近に上記の電子源が設けられ、走査信号配線と電子源とは給電電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される。
【０００７】
前記電子源としては、例えば図１５に示すＭＩＭ型電子放出素子が知られている。この図１５に示す素子は特許文献１の図１１（ｂ）に開示されたものである。図１５において、ガラス等の絶縁性の基板１０上に例えばＡｌやＡｌ−Ｎｄ合金の下部電極１１が例えば３００ｎｍの膜厚でＹ方向にストライプ状に形成されている。下部電極１１上には、下部電極１１のエッジで電界が集中するのを防止するとともに電子放出部を制限乃至規定する保護絶縁層１４(例えば膜厚１４０ｎｍ)と、トンネル絶縁層である絶縁層１２(例えば膜厚１０ｎｍ)が形成されている。保護絶縁層１４の上部に、電子放出部を避けて、上部電極バスライン下層１５Ａと上部電極バスライン上層１５Ｂの２層構造からなる上部電極バスライン１５が下部電極１１とは直交するＸ方向にストライプ状に形成されている。
【０００８】
上部電極バスライン下層１５Ａとしては基板１０や保護絶縁層１４との接着性が強い金属膜である例えばＷやＭｏ等の高融点金属薄膜を例えば膜厚１０ｎｍ程度形成し、上部電極バスライン上層１５Ｂとしては後述する上部電極１３への低抵抗の給電部となるＡｌ−Ｎｄ膜を膜厚２００ｎｍ形成する。上部電極バスライン下層１５Ａの金属膜は上部電極１３の断線を防止するため、できるだけ薄くすることが望ましい。
【０００９】
上部電極バスライン１５、保護絶縁層１４や基板１０上には、電子放出素子を保護するため、電子放出部を除いて、絶縁膜となるパシベーション膜１７が例えばＳiＯ2、リン珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス類やＳｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ポリイミドなどで成膜されている。Ｓｉ3Ｎ4を用いた場合、膜厚は０．３乃至１μｍ程度である。絶縁層１２の上には電子放出部となる上部電極１３が、例えば耐熱性のよいＩｒを下層、Ｐｔを中間層、電子放出効率のよいＡｕを上層とする３層の金属膜を用いて、例えばスパッタリングで形成されている。このとき、同時に、上部電極１３を構成する３層の金属膜１３´はパシベーション膜１７の上部表面にもスパッタ成膜されるが、図１５で示すように、上部電極バスライン上層１５Ｂがパシベーション膜１７に対して内側に後退し、パシベーション膜１７が庇状となっているので、パシベーション膜１７上の金属膜１３´と上部電極１３とは切断されている。
【００１０】
このように構成されたＭＩＭ型電子放出素子の下部電極１１と上部電極１３との間に、真空中で、所定の印加電圧Ｖｄを加えると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過して、絶縁層１２、上部電極１３の伝導帯へ注入され、ホットエレクトロンとなるが、そのうち、上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーを有するものは、真空中に放出される。
【００１１】
図１３及び図１４は従来の電子源の一例を説明する図で、図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図１４は図１３の要部拡大図である。この電子源はＭＩＭ電子源であり、特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１７１９６８号公報
【特許文献２】特開２００４−３６３０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
図１３及び図１４において、ＳＵＢ１は背面基板、ＤＥＤは下部電極、ＩＮＳ１は保護絶縁層、ＩＮＳ２は絶縁層、ＩＮＳ３は層間絶縁膜、ＡＥＤは上部電極、Ｓは走査信号配線（上部バス電極）、ＥＬＳは電子源であり、前記層間絶縁膜ＩＮＳ３としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。又、電子放出については前述と同様である。
【００１３】
この層間絶縁膜ＩＮＳ３は、例えば陽極酸化で形成する保護絶縁層ＩＮＳ１にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極ＤＥＤと走査信号配線となるバス電極Ｓ（金属膜下層ＭＤＬと金属膜上層ＭＡＬの間に金属膜中間層ＭＭＬとしてＣｕを挟んだ３層の積層膜）間の絶縁を保つ役割を果たしている。この上部バス電極Ｓは、上記の３層積層膜とは限らず、それ以上やそれ以下の層数とすることもできる。
【００１４】
この走査信号配線となる上部バス電極Ｓは、前記電子源ＥＬＳと導通する側のエッジＥＧ１と非導通側となるエッジＥＧ２との形状が異なり、厚さ方向の断面形状が中心軸の左右で非対称形状となっている。
【００１５】
導通側のエッジＥＧ１は前記金属膜下層ＭＤＬがテーパーエッチングによってテーパー形状を呈し，反対側の非道通側エッジＥＧ２は前記金属膜下層ＭＤＬがアンダーエッチングで凹み、前記金属膜中間層ＭＭＬが庇状を呈する形状となっている。
【００１６】
このエッジ形状の差により、導通側エッジＥＧ１では前記上部電極ＡＥＤが上部バス電極Ｓから電子源ＥＬＳまで連続して形成されるのに対し、非道通側エッジＥＧ２部分では前記上部電極ＡＥＤが庇部分で分断され、隣接する電子源ＥＬＳと非導通とする素子分離の構成となっている。
【００１７】
この様に導通側エッジＥＧ１と非道通側エッジＥＧ２とで、片方が素子分離用のアンダーエッチング、他方がコンタクト用のテーパーエッチングと複雑な作成方法となっている。又、庇部分の形状の変動により、素子分離に支障を来たす恐れもあった。
【００１８】
本発明の目的は、上部バス電極に庇部分を無くすと共に上部バス電極の厚さ方向の断面形状を中心軸の左右で略対称形状となし、製造工程の簡易化と素子分離の信頼性の確保を可能とし、表示特性の優れた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するため、本発明は、走査信号配線を挟んで電子源を配置し、前記走査信号配線と一方の電子源とを上部電極を介して接続し、他方の電子源とは前記上部電極の切欠部により絶縁して素子分離してなる画像表示装置において、前記走査信号配線を複数層の金属膜の積層構造とし、下層金属膜に前記各電子源方向へ張り出す（突出する）延在部を設け、前記素子分離する電子源側へ突出した延在部上に前記上部電極の切欠部を配置したことを特徴とする。
【００２０】
又、本発明は走査信号配線を挟んで電子源を配置し、前記走査信号配線と一方の電子源とを上部電極を介して接続し、他方の電子源とは前記上部電極の切欠部により絶縁して素子分離してなる画像表示装置において、前記走査信号配線の天頂面から側壁にかけて前記上部電極の切欠部を配置して素子分離したことを特徴とする。
【００２１】
更に、本発明は走査信号配線を挟んで電子源を配置し、前記走査信号配線と一方の電子源とを上部電極を介して接続し、他方の電子源とは前記上部電極の切欠部により絶縁して素子分離してなる画像表示装置の製造方法において、前記上部電極の前記切欠部を背面基板と走査信号配線間に他の成膜が介在する部位で前記上部電極の一部を除去して形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
走査信号配線と電子源との素子分離を配線の庇形状に依存しない構成としたことにより信頼性の高い素子分離が可能となり、表示特性の優れた画像表示装置を実現できる。
【００２３】
又、上部電極と他の成膜との重畳部に前記上部電極の切欠部を配置したことにより、切欠部の形成が容易となると共に切欠部輪郭（境界）の凹凸を小さくして素子分離の信頼性の確保が可能となり、表示特性の優れた画像表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１乃至図５は、本発明による画像表示装置の第1実施例の構成を説明する図で、図１は模式平面図、図２は電子源の一例を説明する図で、図２（ａ）は模式平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う模式断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う模式断面図、図３は図１の一部拡大模式平面図、図４は図３のＥ１−Ｅ１線に沿う模式断面図、図５は図３のＥ２−Ｅ２線に沿う模式断面図である。
【００２６】
図１乃至図５において、背面パネルを構成する背面基板ＳＵＢ１の内面上には前述した下部電極ＤＥＤの画像信号配線ｄ（ｄ１，ｄ２，・・・ｄｎ）がＹ方向に延在し、Ｘ方向に並設されて形成され、その上に走査信号配線Ｓ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・Ｓｍ）が交差してＸ方向に延在し、Ｙ方向に並設されて形成されている。
【００２７】
この各走査信号配線Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・Ｓｍに対して各１行の電子源ＥＬＳが後述する上部電極ＡＥＤで接続され、垂直走査方向ＶＳへの順次走査で選択された走査信号配線に接続する電子源ＥＬＳに画像信号配線から画像信号が印加される。各走査信号配線Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・Ｓｍへの走査信号は走査信号線駆動回路（走査ドライバ）ＳＤＲから供給され、画像信号配線ｄ１，ｄ２，・・・ｄｎへの画像信号は画像信号線駆動回路（データドライバ）ＤＤＲから供給される。
【００２８】
前記走査信号配線Ｓ１上には、その延在方向（Ｘ方向）にスペーサ（隔壁）ＳＰＣが前面パネル方向すなわちＺ方向に植立して設置されている。スペーサＳＰＣは全ての走査信号配線の上に設置することも考えられるが、実際には複数の走査信号配線ごとに設置される。又、このスペーサＳＰＣは走査信号配線に沿って一つでなく、幾つかに分割して設置するのが製造の容易性から好ましい。図１では、スペーサＳＰＣは走査信号配線Ｓ１の上に２分割して設置されているものとして示した。
【００２９】
前面パネルを構成する前面基板ＳＵＢ２の内面上には蛍光体層ＰＨ（ＰＨ（Ｒ）、ＰＨ（Ｇ）、ＰＨ（Ｂ））が形成されている。この構成では、蛍光体ＰＨ（ＰＨ（Ｒ）、ＰＨ（Ｇ）、ＰＨ（Ｂ））が遮光層（ブラックマトリクス）ＢＭで区画されている。この蛍光体層ＰＨ及び遮光層（ブラックマトリクス）ＢＭを覆うように陽極電極ＡＤが形成されている。なお、この陽極電極ＡＤはベタ電極として示してあるが、走査信号配線Ｓ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・Ｓｍ）と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。
【００３０】
この陽極電極ＡＤは前記電子源ＥＬＳから放射される電子を加速し、対応する副画素を構成する蛍光体層ＰＨ（ＰＨ（Ｒ）、ＰＨ（Ｇ）、ＰＨ（Ｂ））に射突させる。これにより、該蛍光体層ＰＨが所定の色光で発光し、他の副画素の蛍光体の発光色と混合されて所定の色のカラー画素を構成する。
【００３１】
この前面基板ＳＵＢ２と背面基板ＳＵＢ１とを対向させ、対向間を所定の間隔を保つために例えばガラスからなる枠体（図示せず）を両基板の周辺部に介挿し、両基板に挟まれた内部空間が外部と隔絶された構造となるように図示しない例えばフリットガラスを用いて固定する。又、前記スペーサＳＰＣを例えば走査信号配線の上、かつ走査信号配線の延在方向に沿って介在させて固定する。
【００３２】
フリットガラスを用いた固着の際には、約４００℃程度での加熱を行なう。その後、装置内部を約１μＰａまで排気管を通して排気した後に封止する。動作の際には、前面基板ＳＵＢ２上の陽極電極ＡＤに約１０ｋＶ程度の電圧を印加する。
【００３３】
前記背面基板ＳＵＢ１上の上部電極ＡＥＤは一部に切欠部ＮＯＴを備えて前記走査信号配線Ｓ及び電子源ＥＬＳを覆う構成となっている。
【００３４】
この電子源ＥＬＳ、上部電極ＡＥＤ及び切欠部ＮＯＴ等の構造について図２乃至図５を基にその製造工程で説明する。この電子源はＭＩＭ電子源である。先ず、背面基板ＳＵＢ１上に下部電極ＤＥＤ、保護絶縁層ＩＮＳ１、絶縁層ＩＮＳ２を形成する。次に、層間絶縁膜ＩＮＳ３と、上部電極ＡＥＤへの給電線となる上部バス電極とスペーサを配置するためのスペーサ電極となる金属膜を、例えばスパッタリング法等で成膜する。層間絶縁膜ＩＮＳ３としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜、シリコンなどを用いることができる。ここでは、シリコン窒化膜を用い膜厚は１００ｎｍ程度とした。この層間絶縁膜ＩＮＳ３は、陽極酸化で形成する保護絶縁層ＩＮＳ１にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極ＤＥＤと走査信号配線Ｓとなる上部バス電極｛金属膜下層ＭＤＬと金属膜上層ＭＡＬの間に金属膜中間層ＭＭＬとして銅（Ｃｕ）を挟んだ３層の積層膜｝間の絶縁を保つ役割を果たす。
【００３５】
又、走査信号配線Ｓとなる上部バス電極は、上記の３層積層膜とは限らず、それ以上や以下とすることもできる。例えば、金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてアルミ（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの耐酸化性の高い金属材料、またはそれらを含む合金やそれらの積層膜を用いることができる。なお、ここでは金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。この他に、金属膜下層ＭＤＬとしてＡｌ合金とＣｒ、Ｗ、Ｍｏなどの積層膜を用い、金属膜上層ＭＡＬとしてＣｒ、Ｗ、ＭｏなどとＡｌ合金の積層膜を用いて、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕに接する膜を高融点金属とした５層膜を用いることで、画像表示装置の製造プロセスにおける加熱工程の際に、高融点金属がバリア膜となってＡｌとＣｕの合金化を抑制できるので、低抵抗化に特に有効である。
【００３６】
Ａｌ−Ｎｄ合金のみ用いる場合の、当該Ａｌ−Ｎｄ合金の膜厚は、金属膜下層ＭＤＬより金属膜上層ＭＡＬを厚くし、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕは配線抵抗を低減するため、できるだけ厚くしておく。ここでは金属膜下層ＭＤＬを３００ｎｍ程度、金属膜中間層ＭＭＬを４μｍ程度、金属膜上層ＭＡＬを４５０ｎｍ程度の膜厚とした。なお、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕはスパッタ以外に電気めっきなどにより形成することも可能である。
【００３７】
高融点金属を用いる上記５層膜の場合は、Ｃｕと同様に、特に燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングが可能なＭｏでＣｕを挟んだ積層膜を金属膜中間層ＭＭＬとして用いるのが特に有効である。この場合、Ｃｕを挟むＭｏの膜厚は５０ｎｍ程度とし、この金属膜中間層を挟む金属膜下層ＭＤＬのＡｌ合金は３００ｎｍ程度、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ合金は５０ｎｍ程度の膜厚とする。
【００３８】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング加工により金属膜上層ＭＡＬを、下部電極ＤＥＤと交差するストライプ形状に加工する。このエッチング加工では、例えば燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。エッチング液に硝酸を加えないことによりＣｕをエッチングせずにＡｌ−Ｎｄ合金のみを選択的にエッチングすることが可能となる。
【００３９】
Ｍｏを用いた５層膜の場合も、エッチング液に硝酸を加えないことによりＭｏとＣｕをエッチングせずに、Ａｌ−Ｎｄ合金のみ選択的にエッチング加工することが可能である。ここでは、金属膜上層ＭＡＬを１ピクセルあたり１本形成したが、２本形成することも可能である。
【００４０】
続いて、同じレジスト膜をそのまま用いるか、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ−Ｎｄ合金をマスクとして金属膜中間層ＭＭＬのＣｕを例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でウェットエッチングする。燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液のエッチング液中でのＣｕのエッチング速度はＡｌ−Ｎｄ合金に比べて十分に速いため、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕのみを選択的にエッチングすることが可能である。Ｍｏを用いた５層膜の場合もＭｏとＣｕのエッチング速度はＡｌ−Ｎｄ合金に比べて十分に速くＭｏとＣｕの３層の積層膜のみを選択的にエッチングすることが可能である。Ｃｕのエッチングにはその他過硫酸アンモニウム水溶液や過硫酸ナトリウム水溶液も有効である。
【００４１】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング加工により金属膜下層ＭＤＬを下部電極ＤＥＤと交差するストライプ形状に加工する。このエッチング加工は燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、印刷するレジスト膜を金属膜上層ＭＡＬ及び金属膜中間層ＭＭＬのストライプ電極の幅より大きくし、金属膜下層ＭＤＬの両端をそれぞれ金属膜中間層ＭＭＬより張り出させて延在部ＥＸＴを備えた構成に形成される。この構成からなる上部バス電極は、図４及び図５にその例を示すように断面形状が中心軸を挟んで左右対称形状となっている。
【００４２】
この際、例えば金属膜上層ＭＡＬを金属膜下層ＭＤＬの膜厚より厚くしておけば、金属膜下層ＭＤＬのエッチングが終了しても、金属膜上層ＭＡＬは金属膜中間層ＭＭＬのＣｕ上に残すことができる。これによりＣｕの表面を保護することが可能となるので、Ｃｕを用いても耐酸化性があり、かつ上部電極ＡＥＤを自己整合的に分離し、かつ給電を行う走査信号配線となる上部バス電極を形成することができる。また、ＣｕをＭｏで挟んだ５層膜の金属膜中間層ＭＭＬとした場合には、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ合金が薄くても、ＭｏがＣｕの酸化を抑制してくれるので、金属膜上層ＭＡＬを金属膜下層ＭＤＬの膜厚より厚くする必要は必ずしもない。
【００４３】
続いて、層間絶縁膜ＩＮＳ３を加工して電子放出部を開口する。電子放出部はピクセル内の１本の下部電極ＤＥＤと、下部電極ＤＥＤと交差する２本の上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜と隣接画素の金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）に挟まれた空間の交差部の一部に形成する。このエッチング加工は、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチングガスを用いたドライエッチングによって行うことができる。
【００４４】
続いて、上部電極ＡＥＤの成膜を行う。この成膜には例えばスパッタ法を用いる。上部電極ＡＥＤとしては、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜を用い、その膜厚は例えば６ｎｍ程度とした。そして、上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）の天頂面から側面及び金属膜下層ＭＤＬの延在部ＥＸＴ、更には電子源を含めて断線を起こさずに成膜されて電子源と上部バス電極とを導通する構成とする。
【００４５】
最後に、成膜された上部電極ＡＥＤに素子分離用の帯状の切欠部ＮＯＴを形成する。この帯状の切欠部ＮＯＴは、所定の幅ＷＩＤを有して前記下部電極ＤＥＤと交差し前記上部バス電極Ｓと並行方向（Ｘ方向）に帯状に伸びて配置されている。
【００４６】
この帯状の切欠部ＮＯＴの幅ＷＩＤ方向の配置位置は、下部電極ＤＥＤ上で電子源ＥＬＳの列側（図３のＥ１−Ｅ１線に添う断面）では、図３の平面図及び図４の断面図にその一例を拡大して示すように、上部電極ＡＥＤの素子分離する電子源ＥＬＳ側との間の前記延在部ＥＸＴの平坦部の一部から層間絶縁膜ＩＮＳ３の平坦部の一部にかけて配置する。
【００４７】
又、下部電極ＤＥＤに挟まれた部位（図３のＥ２−Ｅ２線に添う断面）では、図３の平面図及び図５の断面図にその一例を拡大して示すように、上部電極ＡＥＤの素子分離する電子源ＥＬＳ側との間の前記延在部ＥＸＴの平坦部の一部から層間絶縁膜ＩＮＳ３の平坦部の一部にかけて切欠部ＮＯＴを配置する。
【実施例２】
【００４８】
図６及び図7は、本発明による画像表示装置の第２実施例の構成を説明する図で、図６は前述した図３に対応し、又図7は図6のＥ３−Ｅ３線に添う模式断面図で、かつ前述の図４に対応しており、図6、図7共に前述と同一部分には同一記号を付してある。
【００４９】
図６及び図７に示す実施例では、上部電極ＡＥＤの帯状の切欠部ＮＯＴを上部バス電極Ｓの前記延在部ＥＸＴから離れた位置で、かつ層間絶縁膜ＩＮＳ３上の平坦部の一部に配置した構成である。
【００５０】
この帯状の切欠部ＮＯＴの幅ＷＩＤ方向の配置位置は、延在部ＥＸＴから離れ前記層間絶縁膜ＩＮＳ３とその下部の保護絶縁層ＩＮＳ１及び下部電極ＤＥＤの積層された部位とした。
【００５１】
この配置位置では、前記層間絶縁膜ＩＮＳ３上の平坦部に幅ＷＩＤの終端から始端迄配置したことから切欠部ＮＯＴの幅ＷＩＤの輪郭の凹凸が一層小さくなり、素子分離の信頼性が向上する特徴を備えている。
【実施例３】
【００５２】
図８及び図９は、本発明による画像表示装置の第３実施例の構成を説明する図である。図８は前述した図３に対応し、又図９は図８のＥ４−Ｅ４線に添う模式断面図で、かつ前述の図４に対応しており、図８、図９共に前述と同一部分には同一記号を付してある。
【００５３】
図８及び図９に示す実施例では、上部バス電極Ｓを前述した金属膜中間層ＭＭＬ組成の単層構造とすると共に、幅方向の断面形状を略矩形形状とした。
【００５４】
一方、帯状の切欠部ＮＯＴは、その幅ＷＩＤを上部バス電極Ｓの天頂面の一部に配置した天頂面切欠部ＮＯＴＴと、側壁切欠部ＮＯＴＳ、更には層間絶縁膜ＩＮＳ３上の層間膜切欠部ＮＯＴＦの三部分の連続して合成された構成としたものである。
【００５５】
この構造では、切欠部ＮＯＴの幅ＷＩＤの始端及び終端をそれぞれ平坦部に配置したことで前述の実施例２と同様に切欠部ＮＯＴの幅ＷＩＤの輪郭の凹凸が一層小さくなり、素子分離の信頼性が向上する特徴を備えている。
【実施例４】
【００５６】
図１０乃至図１２は、本発明による画像表示装置の製造方法を説明する工程別の模式断面図で、前述と同一部分には同一記号を付してある。先ず、図１０に示すように所定の形状に形成された上部バス電極Ｓを含む電極配線上に前述した組成及び膜厚からなる上部電極ＡＥＤを被着形成する。
【００５７】
次に、図１１に示すようにレーザビームＬＡＢを照射しながら上部バス電極Ｓの延在方向（Ｘ方向）と略並行に走査し、この照射部分の上部バス電極Ｓを所定の幅ＷＩＤで帯状に除去して切欠部ＮＯＴを形成する。この切欠部ＮＯＴの幅ＷＩＤ方向の位置は、図１３に示すように前記延在部ＥＸＴの先端部分の平坦部の一部から層間絶縁膜ＩＮＳ３の平坦部の一部にかけて配置する構成とする。又、下部電極ＤＥＤに挟まれた部位も前述と同様に切欠部ＮＯＴを形成することは勿論である。
【００５８】
この製造工程ではレーザビームＬＡＢの照射時、上部電極ＡＥＤの下部に他の成膜が存在することが望ましく、この積層膜部位での照射、切断により上部電極ＡＥＤの切断が安定して行える特徴を有し、しかも切断部の輪郭の凹凸も小さい精緻な形状とすることが出来る。
【００５９】
又、前述した実施例１の各膜厚の下では前記レーザビームＬＡＢのビーム径は数１０μｍ程度のものを用いればよい。
【００６０】
以上の実施例では、電子源にＭＩＭを用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型ＦＰＤに対しても同様に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明による画像表示装置の第１実施例の構成を説明する模式平面図である。
【図２】本発明による画像表示装置の第１実施例における電子源の一例を説明する図で、図２（ａ）は模式平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う模式断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う模式断面図である。
【図３】図１の一部拡大模式平面図である。
【図４】図３のＥ１−Ｅ１線に沿う模式断面図である。
【図５】図３のＥ２−Ｅ２線に沿う模式断面図である。
【図６】本発明による画像表示装置の第２実施例の構成を説明する図３に対応する模式平面図である。
【図７】図６のＥ３−Ｅ３線に沿う模式断面図である。
【図８】本発明による画像表示装置の第３実施例の構成を説明する図３に対応する模式平面図である。
【図９】図７のＥ４−Ｅ４線に沿う模式断面図である。
【図１０】本発明による画像表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１１】本発明による画像表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１２】本発明による画像表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１３】従来の電子源の一例を説明する図で、図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１４】図１３の要部拡大断面図である。
【図１５】従来の電子源の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
ＳＵＢ１・・・背面基板、ＳＵＢ２・・・前面基板、ｓ（ｓ１，ｓ２，・・・ｓｍ）・・・走査信号配線（上部バス電極）、ｄ（ｄ１，ｄ２，ｄ３，・・・）・・・画像信号配線、ＥＬＳ・・・電子源、ＡＤ・・・陽極電極、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＨ（ＰＨ（Ｒ），  ＰＨ（Ｇ），  ＰＨ（Ｂ））・・・蛍光体層、ＳＤＲ・・・走査信号線駆動回路、ＤＤＲ・・・画像信号線駆動回路、ＳＰＣ・・・スペーサ、ＡＥＤ・・・上部電極、ＥＸＴ・・・延在部、ＮＯＴ・・・切欠部、ＷＩＤ・・・切欠部の幅、ＭＤＬ・・・金属膜下層、ＭＭＬ・・・金属膜中間層、ＭＡＬ・・・金属膜上層、ＩＮＳ３・・・層間絶縁膜、ＤＥＤ・・・下部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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