(57)【要約】【課題】容易、かつ、安価に製造でき、小型で高出力なサブミリ波帯発振器を実現できるようにする。【解決手段】サブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔１を有する基板２と、複数の貫通孔１に設けられた複数の導電性材料製の空洞共振器３と、複数の空洞共振器３のそれぞれに電気的に接続された複数の負性抵抗素子４と、複数の負性抵抗素子４に電気的に接続されたバイアス線路５とを備える。【選択図】図１
2007295350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔を有する基板と、
前記複数の貫通孔に設けられた複数の導電性材料製の空洞共振器と、
前記複数の空洞共振器のそれぞれに電気的に接続された複数の負性抵抗素子と、
前記複数の負性抵抗素子に電気的に接続されたバイアス線路とを備えることを特徴とする、サブミリ波帯発振器。
【請求項２】
前記空洞共振器が、前記基板の裏面にレジストを塗布し、前記レジストに前記貫通孔に連なる空間部を形成し、前記貫通孔及び前記空間部の内周面に導電膜を成膜することによって形成されることを特徴とする、請求項１記載のサブミリ波帯発振器。
【請求項３】
前記空洞共振器が、前記貫通孔の内側に形成されたＭＥＭＳスイッチによって構成されることを特徴とする、請求項１記載のサブミリ波帯発振器。
【請求項４】
対象とする波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔を有する基板と、
前記基板の裏面から突出するように前記複数の貫通孔の内周面に設けられた袋状の導電膜によって構成される複数のアンテナ素子と、
前記複数のアンテナ素子間を電気的に接続するように前記基板の表面に設けられた給電線と、
前記基板の裏面の前記アンテナ素子が形成されている部分以外の部分に設けられた接地用導電パターンとを備えることを特徴とする、アレイアンテナ。
【請求項５】
複数の貫通孔を有する基板の裏面にレジストを塗布し、前記レジストに前記貫通孔に連なる空間部を形成し、前記貫通孔及び前記空間部の内周面に導電膜を成膜することによって形成されることを特徴とする、空洞共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばイメージング、高速通信システムなどに用いることができ、サブミリ波帯で動作するサブミリ波帯発振器、アレイアンテナ及び空洞共振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発振器としては、（１）ファブリペロー共振器を利用した構成、（２）基板上に周期的に金属膜又は半導体膜を形成した構成（例えば特許文献１）、（３）例えばダイオードなどの負性抵抗素子及び導波管を用いた構成（例えば特許文献２の第４図参照）などが報告されている。
また、上記（３）の構成のものとして、マイクロ波帯発振器において、負性抵抗素子とショートスタブとの間隔を調整することによって発振周波数を調整できるようにしたものもある。
【０００３】
なお、非特許文献１には、２個のガンダイオードを用いた発振器において、素子間の距離を最適化することにより素子の固有出力の和に等しい出力が得られることが記載されている。
【特許文献１】特許第２７２８２００号公報
【特許文献２】特開平１−２７２３０１号公報
【非特許文献１】佐薙稔ほか，“ＨＮＲＤガイドを用いたガンダイオード多素子発振器”，信学技報，TECHNICAL REPORT OF IEICE，ＥＤ９９−２２０，ＭＷ９９−１５２，１９９９−１１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記（１）の構成は、準光学的な設計手法を用いて構成したものであるが、波長に対して共振器長が大きいため、機械的振動に対して弱く、また、放熱もしにくいという課題がある。
上記（２）の構成は、金属膜又は半導体膜の膜厚や性質が変わってしまうと、発振周波数が変化してしまうという課題がある。
【０００５】
上記（３）の構成は、放熱性が良く、マイクロ波帯発振器ではよく用いられてきた手法であるが、サブミリ波帯発振器では波長が短いため、組み立てが難しく、組み立てにかかるコストが高くなってしまうという課題がある。例えば、発振周波数を３００ＧＨｚにするためには、共振器長（発振波長の半分に相当する長さ）を０．５ｍｍ程度に短くすることになる。さらに、発振周波数をテラヘルツ帯の所望の周波数にするためには、より短い数１０μｍ程度に共振器長を合わせる必要がある。このため、組み立てが難しく、組み立てにかかるコストが高くなってしまう。
【０００６】
また、上記（３）の構成では、例えばダイオードなどの負性抵抗素子（半導体素子）は一般に周波数が高くなるにつれて増幅度が低くなるため、発振出力が小さくなってしまうという課題もある。さらに、導波管を用いるため、小型化を図るのも難しい。このため、このような構造の発振器では小型で高出力なサブミリ波帯発振器を実現することができなかった。
【０００７】
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、容易、かつ、安価に製造でき、小型で高出力なサブミリ波帯発振器を提供することを目的とする。また、容易、かつ、安価に製造でき、アンテナ利得を向上させたアレイアンテナを提供することも目的とする。さらに、容易、かつ、安価に製造できる空洞共振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このため、本発明のサブミリ波帯発振器は、サブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔を有する基板と、複数の貫通孔に設けられた複数の導電性材料製の空洞共振器と、複数の空洞共振器のそれぞれに電気的に接続された複数の負性抵抗素子と、複数の負性抵抗素子に電気的に接続されたバイアス線路とを備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明のアレイアンテナは、対象とする波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔を有する基板と、基板の裏面から突出するように複数の貫通孔の内周面に設けられた袋状の導電膜によって構成される複数のアンテナ素子と、複数のアンテナ素子間を電気的に接続するように基板の表面に設けられた給電線と、基板の裏面のアンテナ素子が形成されている部分以外の部分に設けられた接地用導電パターンとを備えることを特徴としている。
【００１０】
本発明の空洞共振器は、複数の貫通孔を有する基板の裏面にレジストを塗布し、レジストに貫通孔に連なる空間部を形成し、貫通孔及び空間部の内周面に導電膜を成膜することによって形成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
したがって、本発明のサブミリ波帯発振器によれば、容易、かつ、安価に製造でき、小型で高出力なサブミリ波帯発振器を実現できるという利点がある。
また、本発明のアレイアンテナによれば、容易、かつ、安価に製造でき、アンテナ利得を向上させることができるという利点がある。
さらに、本発明の空洞共振器によれば、容易、かつ、安価に製造できる空洞共振器を実現できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるサブミリ波帯発振器、アレイアンテナ及び空洞共振器について説明する。
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器及び空洞共振器について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００１３】
本実施形態にかかるサブミリ波帯発振器は、例えば図１（Ａ）の模式的斜視図，図１（Ｂ）の模式的平面図に示すように、複数の貫通孔（貫通ビア）１を有する基板２と、複数の貫通孔１の基板２の裏面側に設けられた複数の金属製（導電性材料製）の空洞共振器３と、複数の空洞共振器３のそれぞれに電気的に接続された複数の負性抵抗素子（例えばダイオードなど）４と、複数の負性抵抗素子４に電気的に接続されたバイアス線路（バイアス供給線；電源回路）５とを備える。なお、図１（Ａ）中、符号７はレジスト（感光性樹脂）である。
【００１４】
なお、本サブミリ波帯発振器は、例えばテラヘルツ帯の発振周波数の電磁波を出力しうるテラヘルツ・サブミリ波帯発振器（テラヘルツ・サブミリ波帯信号発生器）と呼ぶこともできる。
ここで、複数の貫通孔１は、サブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられている。また、複数の負性抵抗素子４及びバイアス線路５は、いずれも基板２の表面に設けられている。
【００１５】
また、空洞共振器３は、図２（Ｅ）に示すように、基板２の裏面から突出するように貫通孔１の内周面に設けられた袋状の金属膜（導電膜）３Ａによって構成される。なお、この空洞共振器３を構成する金属膜３Ａは接地されている。
ここで、空洞共振器３の共振器長（袋状の金属膜３Ａの内周面の最下端から負性抵抗素子４が設けられている位置までの距離）は、サブミリ波帯の発振波長の半分（１／２波長）又はほぼ半分（ほぼ１／２波長）に相当する長さになっている。
【００１６】
本実施形態では、図１（Ａ）に示すように、一の基板２上に設けられた複数の空洞共振器３のそれぞれに負性抵抗素子４を電気的に接続することで、一の基板２上にサブミリ波帯の発振波長を持つ複数の発振素子６を形成している。このため、本サブミリ波帯発振器をサブミリ波帯多素子発振器ともいう。
本実施形態では、複数の発振素子６は、基板２上にサブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて並んでいる。これにより、ある発振素子６が発振すると隣の発振素子６に同期がかかり、同位相で発振することになり、個々の発振素子６から出力された電力が空間合成（電力合成）されるため、小型な構造でありながら、発振出力として大きな電力（高出力の発振電力）を得ることが可能となる。
【００１７】
次に、本実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の製造方法について説明する。
まず、本サブミリ波帯発振器を構成する空洞共振器３は、以下のようにして形成される。
まず、図２（Ａ）の模式的平面図に示すように、複数の貫通孔１を有する基板２を用意し、図２（Ｂ）の模式的断面図に示すように、この基板２の裏面にレジスト（厚膜レジスト）７を塗布する。
【００１８】
次いで、図２（Ｃ）の模式的断面図に示すように、例えばエッチングによって、レジスト７に貫通孔１に連なる空間部８を形成する。つまり、複数の空洞共振器３を構成する複数の袋状金属膜（導電膜）３Ａを形成するために用いられる複数の空間部８をレジスト７にパターニングする。
次に、図２（Ｄ）の模式的断面図に示すように、例えばスパッタ，蒸着，めっきのいずれか、又は、これらの組み合わせによって、貫通孔２及び空間部８の内周面に金属膜３Ａを成膜して、袋状の金属膜（導電膜）３Ａからなる空洞共振器３を形成する。
【００１９】
なお、ここでは、レジスト７はそのまま残しているが、例えば図３に示すように、金属膜３Ａを成膜して、袋状の金属膜（導電膜）３Ａからなる空洞共振器３を形成した後、レジスト７を除去しても良い。
本実施形態にかかる空洞共振器３は、容易、かつ、安価に製造できるという利点がある。また、上述のようにして形成される空洞共振器は、表面積が大きいため、放熱しやすいという利点がある。
【００２０】
なお、パターンニングの条件（例えばエッチング条件など）、及び、金属膜３Ａの成膜条件によって、共振器長がサブミリ波帯の発振波長の半分程度の長さとなる空洞共振器３を形成することができる。例えば、発振周波数を３００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚとするには、空洞共振器３の共振器長は数１５μｍ〜０．５ｍｍ程度にすることになる。
このようにして空洞共振器３を形成した後、図２（Ｅ）に示すように、基板２の表面（空洞共振器３を形成した面とは反対側の面）の貫通孔１の周辺に負性抵抗素子４を設け、さらに、図１（Ｂ）に示すように、負性抵抗素子４のバイアス供給線５を設ける。
【００２１】
したがって、本実施形態にかかるサブミリ波帯発振器によれば、容易、かつ、安価に製造でき、小型で高出力なサブミリ波帯発振器を実現できるという利点がある。特に、簡単なプロセスで、一の基板２上に複数の空洞共振器３及び複数の負性抵抗素子４（固体発振素子）を設けることができるため、低価格化が可能であり、実用的なサブミリ波帯固体発振器を実現できることになる。
【００２２】
なお、例えば、図４の等価回路に示すように、上述の実施形態にかかるサブミリ波帯発振器を構成する負性抵抗素子４に、例えばバラクタダイオード（可変容量ダイオード）などのリアクタンス成分を変えられるリアクタンス素子９を並列に接続することで、発振周波数を可変にできるように構成しても良い。
また、例えば、図５に示すように、上述の実施形態にかかるサブミリ波帯発振器を構成する空洞共振器３に接続されるように、基板２の裏面側に金属材料又は所望の熱伝導率を有する樹脂材料からなる層１０を介してヒートシンク（放熱部材；放熱素子）１１を設けても良い。なお、空洞共振器３を形成するために用いたレジスト７が所望の熱伝導率を有するものであれば、このレジスト７を介してヒートシンク１１を設ければ良い。これにより、負性抵抗素子４が発生する熱を、空洞共振器３を介してヒートシンク１１に効率良く逃がすことができるようになり、良好な放熱性が得られることになる。
【００２３】
さらに、上述の実施形態では、空洞共振器３を構成する袋状の金属膜３Ａによって形成される空洞は空気で満たされているが、これに限られるものではなく、例えば誘電体材料又は気体で満たされていれば良い。これにより、空洞共振器３の実効的な共振器長を長くし、共振周波数を低くすることができるため、共振周波数の微調整を行なえるようになる。
【００２４】
また、上述の実施形態では、空洞共振器３を袋状の金属膜３Ａによって形成しているが、これに限られるものではない。
例えば、空洞共振器３をＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)スイッチ３Ｂによって構成しても良い。例えば図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、空洞共振器３を、ＭＥＭＳスイッチ３Ｂと、基板２の貫通孔１の内周面に形成された金属膜３Ｃとによって構成することができる。
【００２５】
ここで、ＭＥＭＳスイッチ３Ｂは、図６（Ｂ）［図６（Ａ）のＡ部の部分拡大図］に示すように、円盤状の金属膜３Ｂａと、この円盤状金属膜３Ｂａを支持する一対の金属膜３Ｂｂと、これらの金属膜３Ｂｂのそれぞれに接続されたバイアス端子３Ｂｃとを備えるものとして構成される。このため、貫通孔１の内側に、円盤状の金属膜（導電膜）３Ｂａと、貫通孔１の内周面に形成された金属膜（導電膜）３Ｃとからなる導電性材料製の空洞共振器３が形成されることになる。この場合、基板２の裏面側から発振出力が得られることになる。なお、空洞共振器３を構成する金属膜３Ｃは接地されている。また、図示しないが、バイアス端子３Ｂｃにはバイアス供給線が接続されている。
【００２６】
ここでは、基板２の厚さを、サブミリ波帯の発振波長の半分程度の長さとし、円盤状金属膜３の位置を貫通孔１の最も下側の位置にすることで、共振器長がサブミリ波帯の発振波長の半分程度の長さとなる空洞共振器３を形成するようにしている。
なお、このように構成する場合、基板２の表面側の貫通孔１の周辺にＭＥＭＳスイッチ３Ｂのバイアス端子を設けることになるため、負性抵抗素子４及び図示しないバイアス供給線は基板２の裏面側に設けることになる。
【００２７】
このように、ＭＥＭＳスイッチ３Ｂによって空洞共振器３を構成することによって、図６（Ｂ）中、矢印で示すように、ＭＥＭＳスイッチ３Ｂを構成する円盤状金属膜３Ｂａの位置を上下に移動させ、円盤状金属膜３Ｂａを貫通孔１の内周面に沿って上下に移動させることで［図６（Ａ）参照］、空洞共振器３の共振器長を変化させることができるようになり、これにより、発振周波数を可変にできるようになる。
【００２８】
また、ＭＥＭＳスイッチ３Ｂを構成する円盤状金属膜３Ｂａを移動させて、貫通孔１の最も下側の位置（基板裏面位置；共振器長は半波長程度）と、貫通孔１の最も上側の位置（基板表面位置；共振器長はゼロ）とに交互に位置させることで、発振出力をＯＮ／ＯＦＦさせることができ、これにより、振幅変調をかけることもできるようになる。
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態にかかるアレイアンテナについて、図７，図８を参照しながら説明する。
【００２９】
本実施形態にかかるアレイアンテナは、アンテナ素子の構成が、上述の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の空洞共振器の構成と共通している。
本アレイアンテナは、図７（Ａ）の模式的断面図に示すように、複数の貫通孔（貫通ビア）２１を有する基板２２と、基板２２の裏面から突出するように貫通孔２１の内周面に設けられた袋状の金属膜（導電膜）２３Ａによって構成される複数のアンテナ素子２３と、複数のアンテナ素子２３間を電気的に接続するように基板２２の表面に設けられた給電線２４とを備える。
【００３０】
ここで、複数の貫通孔２１は、図７（Ａ）に示すように、対象する波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられている。
ここで、アンテナ素子２３の長さ（袋状の金属膜２３Ａの内周面の最下端から接地用金属パターン２５が形成されている基板裏面までの距離）は、対象とする波長に対して１／４波長又はほぼ１／４波長になっている。これにより、袋状の金属膜２３Ａによって構成されるアンテナ素子２３は、図７（Ｄ）に示すような１／４波長接地アンテナとして機能することになる。
【００３１】
本実施形態では、図７（Ａ），図７（Ｂ）の模式的平面図に示すように、一の基板２２に設けられた複数のアンテナ素子２３（ここでは袋状の金属膜２３Ａ）のそれぞれに、基板２２の表面に形成された給電線２４を接続している。また、図７（Ａ），図７（Ｃ）の模式的裏面図に示すように、基板２２の裏面のアンテナ素子２３が形成されている部分以外の部分に接地用導電パターン（ここでは金属パターン）２５を形成している。
【００３２】
本実施形態では、複数のアンテナ素子２３は、一の基板２２に、対象とする波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて並んでいる。これにより、基板２２の裏面側に設けられた個々のアンテナ素子２３から同相で放射された電力が空間合成（電力合成）されるため、小型な構造でありながら、アンテナ利得を向上させることができる。
次に、本実施形態にかかるアレイアンテナの製造方法について説明する。
【００３３】
まず、本アレイアンテナを構成するアンテナ素子２３は、上述の第１実施形態の空洞共振器と同様に（図２参照）、以下のようにして形成される。
まず、複数の貫通孔２１を有する基板２２の裏面にレジスト（厚膜レジスト）を塗布する。
次いで、例えばエッチングによって、レジストに貫通孔２１に連なる空間部を形成する。つまり、複数のアンテナ素子２３を構成する複数の袋状金属膜（導電膜）２３Ａを形成するために用いられる複数の空間部をレジストにパターニングする。
【００３４】
次に、例えばスパッタ，蒸着，めっきのいずれか、又は、これらの組み合わせによって、貫通孔２１及び空間部の内周面に金属膜（導電膜）２３Ａを成膜して、袋状の金属膜（導電膜）２３Ａからなるアンテナ素子２３を形成する。
なお、パターンニングの条件（例えばエッチング条件など）、及び、金属膜２３Ａの成膜条件によって、アンテナ素子２３の長さが、対象とする波長の１／４程度となるアンテナ素子２３を形成することができる。
【００３５】
このようにしてアンテナ素子２３を形成し、レジストを除去した後、図７（Ｂ）に示すように、基板２２の表面（アンテナ素子２３を形成した面とは反対側の面）の貫通孔２１間（アンテナ素子２３間）を接続するように給電線２４（信号線）を設ける。また、図７（Ｃ）に示すように、基板２２の裏面のアンテナ素子２３が形成されている部分以外の部分に接地用導電パターン（ここでは金属パターン）２５を設ける。これにより、複数のアンテナ素子２３（１／４波長接地アンテナ）を備えるアレイアンテナが製造される。
【００３６】
したがって、本実施形態にかかるアレイアンテナによれば、容易、かつ、安価に製造でき、アンテナ利得を向上させることができるという利点がある。
なお、図８に示すように、上述のアレイアンテナを構成する複数のアンテナ素子２３間を接続している給電線２４の途中に位相を制御する位相器２７を設けてもよい。これにより、各アンテナ２３に給電される電磁界の位相を変えることができ、アンテナ２３から放射される主ビームの方向（放射方向）を変えることができるようになる。
［その他］
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
【００３７】
（付記１）
サブミリ波帯の発振波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔を有する基板と、
前記複数の貫通孔に設けられた複数の導電性材料製の空洞共振器と、
前記複数の空洞共振器のそれぞれに電気的に接続された複数の負性抵抗素子と、
前記複数の負性抵抗素子に電気的に接続されたバイアス線路とを備えることを特徴とする、サブミリ波帯発振器。
【００３８】
（付記２）
前記空洞共振器が、前記基板の裏面にレジストを塗布し、前記レジストに前記貫通孔に連なる空間部を形成し、前記貫通孔及び前記空間部の内周面に導電膜を成膜することによって形成されることを特徴とする、付記１記載のサブミリ波帯発振器。
（付記３）
前記空洞共振器が、前記基板の裏面から突出するように前記貫通孔の内周面に設けられた袋状の導電膜によって構成されることを特徴とする、付記１記載のサブミリ波帯発振器。
【００３９】
（付記４）
前記負性抵抗素子に並列に接続されたリアクタンス素子を備えることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載のサブミリ波帯発振器。
（付記５）
前記基板の裏面側に金属材料又は所望の熱伝導率を有する樹脂材料を介して設けられた放熱部材を備えることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載のサブミリ波帯発振器。
【００４０】
（付記６）
前記空洞共振器が、前記貫通孔の内側に形成されたＭＥＭＳスイッチによって構成されることを特徴とする、付記１記載のサブミリ波帯発振器。
（付記７）
前記空洞共振器を構成する空洞が誘電体材料又は気体で満たされていることを特徴とする、付記１〜６のいずれか１項に記載のサブミリ波帯発振器。
【００４１】
（付記８）
対象とする波長の１波長又はほぼ１波長に相当する間隔をあけて設けられた複数の貫通孔を有する基板と、
前記基板の裏面から突出するように前記複数の貫通孔の内周面に設けられた袋状の導電膜によって構成される複数のアンテナ素子と、
前記複数のアンテナ素子間を電気的に接続するように前記基板の表面に設けられた給電線と、
前記基板の裏面の前記アンテナ素子が形成されている部分以外の部分に設けられた接地用導電パターンとを備えることを特徴とする、アレイアンテナ。
【００４２】
（付記９）
前記アンテナ素子が、前記基板の裏面にレジストを塗布し、前記レジストに前記貫通孔に連なる空間部を形成し、前記貫通孔及び前記空間部の内周面に導電膜を成膜し、前記レジストを除去することによって形成されることを特徴とする、付記８記載のアレイアンテナ。
【００４３】
（付記１０）
前記複数のアンテナ素子間を接続している給電線の途中に設けられ、位相を制御する位相器を備えることを特徴とする、付記８又は９記載のアレイアンテナ。
（付記１１）
複数の貫通孔を有する基板の裏面にレジストを塗布し、前記レジストに前記貫通孔に連なる空間部を形成し、前記貫通孔及び前記空間部の内周面に導電膜を成膜することによって形成されることを特徴とする、空洞共振器。
【００４４】
（付記１２）
複数の貫通孔を有する基板の裏面にレジストを塗布し、前記レジストに前記貫通孔に連なる空間部を形成し、前記貫通孔及び前記空間部の内周面に導電膜を成膜して、空洞共振器を製造することを特徴とする、空洞共振器の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の構成を示す模式図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の他の構成例を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の変形例を説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の他の変形例を説明するための図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施形態にかかるサブミリ波帯発振器の他の変形例を説明するための図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第２実施形態にかかるアレイアンテナの構成を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかるアレイアンテナの変形例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４６】
１，２１  貫通孔
２，２２  基板
３  空洞共振器
３Ａ，２３Ａ  金属膜（導電膜）
３Ｂ  ＭＥＭＳスイッチ
３Ｂａ  円盤状金属膜（導電膜）
３Ｂｂ  金属膜
３Ｂｃ  バイアス端子
３Ｃ  金属膜（導電膜）
４  負性抵抗素子
５  バイアス線路（バイアス供給線；電源回路）
６  発振素子
７  レジスト
８  空間部
９  リアクタンス素子
１０  金属材料又は所望の熱伝導率を有する樹脂材料からなる層
１１  ヒートシンク
２３  アンテナ素子
２４  給電線
２５  接地用導電パターン（金属パターン）
２７  位相器
【図１】
2007295350.tif 000003
【図２】
2007295350.tif 000004
【図３】
2007295350.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2007295350.tif 000008
【図７】
2007295350.tif 000009
【図８】
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