(57)【要約】【課題】  表示装置などの半導体装置において、配線などの導電膜を安定的に修復することが可能な加工方法を提供する。【解決手段】  基板３上に設けられた多数の導電膜のうち、互いに分離された第１及び第２の導電膜１０及び１１を、それぞれ、第１及び第２の結線部材１２及び１３の被着によって第３導電膜１４と結合させる結合工程と、この第３導電膜の少なくとも一部を、第１の結線部材１２から第２の結線部材１３に至る連結部１５を残して除去する除去工程とによって加工を行う。【選択図】        図１
2007005706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた多数の導電膜のうち、互いに分離された第１及び第２の導電膜を、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合させる結合工程と、
前記第３導電膜の少なくとも一部を、前記第１の結線部材から前記第２の結線部材に至る連結部を残して除去する除去工程とを有する
ことを特徴とする加工方法。
【請求項２】
前記多数の導電膜の少なくとも一部を被覆する絶縁層の形成に先立って、前記結合工程及び前記除去工程を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の導電膜の少なくとも一方を被覆する絶縁層の形成に先立って、前記結合工程及び前記除去工程を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の導電膜が、１００μΩｃｍ以下の抵抗値を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の導電膜が、片側駆動による配線の構成部材である
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項６】
前記第３導電膜が、両側駆動による配線の構成部材である
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項７】
前記基板が、表示装置用の基板であって、
前記第１及び第２の導電膜と前記第３の導電膜とが、それぞれ、各画素を規定する信号配線の構成部材と、電源供給線の構成部材である
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項８】
前記結合工程及び前記除去工程に先立って、前記第１〜第３の導電膜のうち少なくとも１つについて、前記結線部材の被着位置をテーパー形状とする
ことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項９】
基板上に多数の導電膜が設けられた表示装置であって、
第１及び第２の導電膜が、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合され、
前記第３導電膜が、前記第１導電膜と前記第２導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去され、
前記第１及び第２の導電膜と前記第３の導電膜とが、それぞれ、各画素を規定する信号配線の構成部材と、電源供給線の構成部材である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記信号配線が片側駆動であり、前記電源供給線が両側駆動である
ことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１導電膜及び第２導電膜と、前記第３導電膜の少なくとも前記連結部とが、絶縁層によって被覆される
ことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
基板上に多数の導電膜が設けられた半導体装置であって、
第１及び第２の導電膜が、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合され、
前記第３導電膜が、前記第１導電膜と前記第２導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去されて成る
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工方法と、この加工方法により得られる表示装置及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置などの半導体装置においては、所定の経路による電気的導通を、配線などを構成する導電膜の位置及び形状を選定することによって図ることが求められている。
例えば、多数の画素が２次元マトリクス状に配置される表示装置においては、各画素における発光の制御のために設けられるＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）素子の、配線に用いられる導電膜が、多数の画素の配列に対応した位置形状によって、所定の導通経路を形成して設けられている。
このような表示装置の場合には、目的とするＴＦＴ素子の素子特性に応じて、複数種の配線が設けられる。
【０００３】
具体的には、例えば図４Ａ及び図４Ｂに示すように、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）を用いた表示装置１０１では、基板１０３上に、陽極１０４とその駆動素子であるＴＦＴ素子１０５を有する画素１０６が設けられ、この画素１０６を区画するように、それぞれ独立して縦方向に延在する信号線１０７及び電流供給線１０８と、これらとは絶縁されて横方向に延在する走査線１０９（破線図示）とが、それぞれ画素の配列に応じて多数設けられる。
各画素１０６においては、前述した陽極１０４上に、少なくとも有機発光材料からなる有機層１１７と陰極１１８が積層形成され、これによって主たる発光構造が形成される。
【０００４】
この表示装置１０１における、各配線１０７〜１０９による画素１０６の動作について、図５に示す単位画素の等価回路を用い、信号線１０７をＹ１、電流供給線１０８をＹ２、走査線１０９をＸ１及びＸ２として説明する。
この等価回路は、有機ＥＬの発光部ＥＬと、第１のＴＦＴトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ１と、第２のＴＦＴトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ２と、容量Ｃとを有して成る。第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２の一方の主電極（例えばソース）が信号線Ｙ１に接続され、他方の主電極（例えばドレイン）が容量Ｃを介して電流供給線Ｙ２に接続され、ゲート電極が走査線Ｘ１に接続される。一方、発光部ＥＬの陽極が第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１を介して電流供給線Ｙ２に接続され、第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１のゲート電極が第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２と容量Ｃの接続中点に接続される。
【０００５】
この等価回路の動作は次の通りである。
電流供給線Ｙ２には常時電流が供給されている。走査線Ｘ１に走査パルスが印加され、信号線Ｙ１に所要の信号が供給されると、第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２がオン状態になり、容量Ｃに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１がオン状態になり、信号量に応じた電流が電流供給部Ｙ２を通して発光部ＥＬに供給されて、発光部ＥＬが発光表示される。
この単位画素が複数個、ＸＹマトリックス状に配列されて表示装置１０１が構成される。
【０００６】
ところで、この表示装置１０１の製造において、例えば基板表面における傷（クラック）や異物の付着などによって、配線を構成する導電膜に断線が生じてしまうことがある。具体的には、例えば図６に示すように、配線を構成する導電膜、すなわち本例では信号線１０７が、分離箇所１１６を挟んで第１導電膜１１０と第２導電膜１１１に分離されてしまう。
このような、多数の画素の駆動が共通の配線によってなされる表示装置において、断線の生じた配線が例えば電流供給線１０８のような両側駆動配線である場合には、この断線によって発光しなくなる画素（滅点）が生じるおそれはあるものの、その数は１画素程度にとどまり、分離箇所１１６の位置によっては、発光に支障を生じることなく滅点の発生を回避できる場合もある。
【０００７】
しかし図６に示して前述したように、断線の生じた配線が、信号線１０７のような片側駆動配線である場合には、例えば分離箇所１１６を挟んで対向する第１導電膜１１０と第２導電膜１１１とが電気的に分離されてしまい、下流側の第２導電膜１１１に対する導通がとれなくなってしまう。
この場合、断線位置つまり分離箇所１１６に対応する画素よりも電気的に下流側に位置する画素は、信号線１０７についての電気的導通がなされないために全て滅点となってしまい、滅点の集合体として所謂滅線が発生してしまう。滅線は、個々に生じる滅点に比べて、表示装置の使用時に故障箇所として視認されやすいことから、その発生は著しく深刻な問題となる。
【０００８】
これに対し、図７Ａに示すように、分離箇所（欠陥）に対してレーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法による導電性の補助部材１１９を直接的に被着形成することによって修復を図る手法が知られている。しかし、分離箇所１１６には前述したクラックや異物などの断線原因が残存している場合が多く、修復作業による電気的導通の復旧はクラックの深さや異物の形状に大きく影響されることから、図７Ｂに示すように、修復作業を行ったにも関わらず、段差による断線を補いきれずに電気的導通を形成できない事態が生じるほか、過度の修復作業によって配線への各種悪影響が生じるおそれもある。
【０００９】
この問題に対し、導電膜によって配線を形成し、この配線に断線箇所が生じた場合に、配線の上に絶縁層を形成した後で、この絶縁層にコンタクトホールを形成して絶縁層越しに結線部材を被着形成することにより、電気的導通を図る手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開2003-280021号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、この特許文献１に記載の手法による場合、絶縁層上に露出した結線部材が剥き出しになるため、この結線部材の導電特性が酸化などによって劣化するおそれがあり、長期信頼性の低下にもつながる。
また、コンタクトホールを極端に広く形成することはかえって歩留まりを低下させてしまうため、コンタクトホールを通じての結線部材の被着は狭いコンタクトホールを通じて行わざるを得ないが、これは難度の高い作業であって製造期間が長期化するほか、細く形成される結線部材自体の断線も発生しやすいという問題が残る。
【００１１】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、配線等を構成する導電膜を安定的に修復する加工方法と、この加工方法によって得られる信頼性の高い表示装置及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る加工方法は、基板上に設けられた多数の導電膜のうち、互いに分離された第１及び第２の導電膜を、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合させる結合工程と、前記第３導電膜の少なくとも一部を、前記第１の結線部材から前記第２の結線部材に至る連結部を残して除去する除去工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る表示装置は、基板上に多数の導電膜が設けられた表示装置であって、第１及び第２の導電膜が、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合され、第３導電膜が、第１導電膜と前記第２導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去され、第１及び第２の導電膜と第３の導電膜とが、それぞれ、各画素を規定する信号配線の構成部材と、電源供給線の構成部材であることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る半導体装置は、基板上に多数の導電膜が設けられた半導体装置であって、第１及び第２の導電膜が、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合され、前記第３導電膜が、前記第１導電膜と前記第２導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去されて成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る加工方法によれば、多数の導電膜のうち、互いに分離された第１及び第２の導電膜を、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合させる結合工程と、前記第３導電膜の少なくとも一部を、前記第１の結線部材から前記第２の結線部材に至る連結部を残して除去する除去工程とを有することから、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）などの表示装置等の半導体装置の配線を、安定的に修復することが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係る表示装置によれば、基板上の第１及び第２の導電膜が、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合され、前記第３導電膜が、前記第１導電膜と前記第２導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去されたことから、基板上に残存しているクラックや異物などの断線原因を回避して電気的導通を図ることができる。したがって、滅線の発生を抑制して、表示品質の維持向上を図ることが可能となり、信頼性の高い表示装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明に係る半導体装置によれば、基板上の第１及び第２の導電膜が、それぞれ、第１及び第２の結線部材の被着によって第３導電膜と結合され、前記第３導電膜が、前記第１導電膜と前記第２導電膜の連結部を残して、少なくとも一部除去されたことから、基板上に残存しているクラックや異物などの断線原因を回避して電気的導通の修復を図ることができる。したがって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
＜表示装置の実施形態＞
まず、本発明に係る半導体装置及び表示装置の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る表示装置の、要部の概略斜視図を示す。
本実施形態に係る表示装置は、後述する加工方法により得られる主要基板、すなわち主面上に陽極、ＴＦＴ素子及び各配線が形成された基板によって構成される表示装置である。
【００２０】
本実施形態に係る表示装置１は、図１に示すように、基板３上に、陽極４とその駆動素子であるＴＦＴ素子５を有する画素６が、複数個２次元マトリクス状に設けられ、これらの各画素６を区画するように、縦方向に延在する信号線７及び電流供給線８と、これらの配線とは絶縁されて横方向に延在する走査線９（破線図示）とが、それぞれ設けられた主要基板２を有して成る。この主要基板２上に、後述の図２で示す有機層及び陰極が積層される。
【００２１】
本実施形態においては、複数個の画素６の配置に対応して設けられた、導電膜による多数の配線である信号線７、電流供給線８、走査線９のうち、例えば片側駆動の信号線７において断線により分離箇所１６が生じており、この分離箇所１６を挟んで、電気的導通の上流側つまり電源に近い側の第１導電膜１０と、より電気的導通の下流側に位置する第２導電膜１１とが対向する構成となっている。
しかしながら、本実施形態に係る表示装置においては、後述する加工方法により、第１及び第２の導電膜１０及び１１が、それぞれ、第１及び第２の結線部材１２及び１３の被着によって、両側駆動による電流供給線を構成する第３導電膜１４と結合される。更に、この第３導電膜１４のうち、第１導電膜１２と第２導電膜１３の連結部１５を残して、少なくとも一部、例えば第１結線部材１２及びと第２結線部材１３の、前記連結部１５に対する外側２箇所が除去された構成を有する。これにより、第１及び第２の導電膜１０及び１１と、連結部１５を除く第３の導電膜１４との短絡が回避される。
【００２２】
また、本実施形態においては、前述の第１及び第２の導電膜１０及び１１と、第３の導電膜１４とを結合する第１及び第２の結線部材１２及び１３が、分離箇所１６の発生要因となった前述のクラックや異物などとは離れて設けられることから、結線部材自体の断線による新たな分離箇所の発生を抑制することができる。
また、これらの第１及び第２の結線部材１２及び１３は、第１及び第２の導電膜１０及び１１が構成する信号線７や、その他の導電膜による電流供給線８などの少なくとも一部を被覆する絶縁層（図示せず）に先立って形成されている。
【００２３】
したがって、本実施形態に係る半導体装置２においては、これらの第１及び第２の導電膜１０及び１１と、第３の導電膜１２の少なくとも連結部１５、そして更に第１及び第２の結線部材１２及び１３までもが共通の絶縁層によって被覆された構成となることから、従来におけるようなコンタクトホールの形成による場合に比して、安定的な電気的導通を図ることが可能となる。
【００２４】
図２は、この本実施形態に係る表示装置１の概略斜視図を示す。表示装置１は、前述の図１に示す、陽極４及びＴＦＴ素子５による多数の画素６が、信号線７、電流供給線８、走査線９によって区画された主要基板２上に、各画素に共通するように有機層１７及び陰極１８が積層されて構成される。
前述したように、本実施形態に係る表示装置１は、少なくとも第１及び第２の導電膜１０及び１１と第３の導電膜１４とが、図示しない共通の絶縁層によって被覆された構成を有することから、コンタクトホールを通じて結線部材が露出することを回避することができる。
【００２５】
したがって、例えば本実施形態におけるように、第１及び第２の導電膜１０及び１１が片側駆動による信号配線の構成部材であり、第３の導電膜１４が両側駆動による電源供給線の構成部材である場合においても、結線部材の露出を回避できることから、図２に示すように、この半導体装置２の表面の絶縁層（図示せず）に形成される、画素６を構成する陽極４に対応する開口を通じて、少なくとも有機発光材料からなる有機層１７と陰極１８とが、直接に積層された構成による発光構造が可能となる。
【００２６】
＜加工方法の実施形態＞
続いて、本発明に係る加工方法の実施形態について説明する。
図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、本発明に係る加工方法に用いて好適な加工装置の一例を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略断面図を示す。
【００２７】
この加工装置２１は、所謂レーザリペア装置であり、液晶や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの表示装置の製造において、断線部に対してレーザＣＶＤ法により例えばタングステン（Ｗ）膜を形成して結線を施すことや、短絡部に対してレーザ光照射により一部の除却を施すことによって、所謂欠陥となるおそれのある箇所を修正するために用いられるものである。
【００２８】
本実施形態のレーザ加工装置２１は、少なくとも図３Ａに示すように、パルスレーザ光源部２２と、ＣＷ（Continuous Wave；連続発振）レーザ光源部２３と、共通のチャンバー内に設けられる局所排気装置２４及び支持台２５とを有する。
すなわち、この構成によるレーザ加工装置２１は、最終的に前述の表示装置を構成する主要基板となる被加工基板２６に対して、例えばパルスレーザ光源部２２による光照射に基づいて前述の短絡部に対する除却を行うことが可能とされながらも、ＣＷレーザ光源部２３による光照射に基づいて前述の断線部に対する結線を行うことも可能とされた構成を有する。
パルスレーザ光源部２２及びＣＷレーザ光源部２３からのレーザ光は、それぞれミラー２７及びレンズ２８を介し、光路を規定する透過孔４０内の透明窓３８を経て、局所排気装置２４内に導入される。
【００２９】
局所排気装置２４には、圧縮した窒素を支持台２５に向けて噴射することによって局所排気装置２４を静圧浮上させる圧縮ガス供給手段２９と、支持台２５に向けて噴射された圧縮ガスをリング状の排気流路（吸引溝）３６から排気する排気手段３０と、レーザ光の主たる被照射部となる局所排気部３８にパージガスを供給するパージガス供給手段３１と、局所排気部３８におけるレーザＣＶＤの原料ガスとなる材料ガスの供給手段３２とが設けられる。
圧縮ガス供給手段３１からの圧縮ガスは、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路３４及びその開口部に配置された多孔質通気膜３３により、局所排気装置２４に対向する支持台２５に向けて出射され、所謂静圧浮上パッド構成による浮上がなされる。
また、パージガス供給手段３１及び材料ガス供給手段３２に対応して、それぞれ局所排気部３８につながる流路３６及び３７が設けられる。
【００３０】
一方、図３Ｂに示すように、排気流路３５の端部を構成する吸引溝によって囲まれた領域内で、透明窓３９と被加工基板２６の配置部との間に局所排気部３８が形成される。この局所排気部３８は、局所排気装置２４内の透明窓３９から支持台２５上に載置された被加工基板２６までの高さを有し、かつ吸引溝３５が形成する同心環に比して内側に、略円筒状空間として形成されると考えられる。
局所排気部３８には主に、材料ガス供給手段３２による原料ガスのほか、パージガス供給手段３１によるパージガスが導入され、このパージガスを導入する圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、透明窓３９の表面における付着物の発生を抑制することなどが可能となる。
【００３１】
また、局所排気装置２４は、支持台２５上の被加工基板２６に対して相対的に変位可能とされ、材料ガス供給手段３２と、パージガス供給手段３１と、排気手段３０とによって、浮上剛性の向上が図られる。
なお、ここで浮上剛性とは、局所排気装置２４と被加工基板２６との間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置２４の被加工基板２６に対する高さ（ギャップ）の安定性が不十分となるとか、局所排気装置２４の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、浮上剛性を十分に確保しておくことが望ましい。
【００３２】
このような加工装置２１を用いて、本実施形態に係る加工方法の実施形態を説明する。
まず、支持台２５上に、パルスレーザ光源部２２及びＣＷレーザ光源部２３からのレーザ光Ｌの照射対象となる被加工基板２６を載置した後、局所排気装置２４の下へと移動させる。
このとき、予め圧縮ガス供給手段２９によって、例えば０．２ＭＰａの圧縮窒素を圧縮ガス供給路３４及び多孔質通気膜３３を経て噴射するとともに、排気手段３０からの排気を開始して、局所排気装置２４を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた被加工基板２６との衝突回避を図ることが好ましい。
【００３３】
次に、パージガス供給手段３１からアルゴンガスを５０ｓｃｃｍ導入するとともに、排気手段３０と局所排気部２４の主たる圧力調整手段となる局所排気手段（図示せず）によって、最終的に行うレーザ光Ｌの照射における被照射部となる被加工基板２６の所定位置の雰囲気、すなわち局所排気部３８の雰囲気を十分減圧する。同時に、局所排気部３８以外すなわち周辺部の圧力の調整を行って、局所排気装置２４と被加工基板２６との間の高さ及び剛性を確保する。高さは、例えば１０μｍの距離とすることができる。
【００３４】
次に、レーザＣＶＤ用の材料ガスである気体状態のタングステンカルボニルを、材料ガス供給源３２に、アルゴン（Ａｒ）ガス５０ｓｃｃｍと共に、例えば７×１０−３ｓｃｃｍ導入し、更にＣＷレーザ光源部２３からレーザ光Ｌを照射してレーザＣＶＤを行う。このレーザＣＶＤ法によって、第１及び第２の結線部材１２及び１３を被着形成し、互いに分離された第１及び第２の導電膜１０及び１１と第３導電膜１４を、それぞれ、第１及び第２の結線部材１２及び１３を介して結合する。
このようにして、第１導電膜１０と第２導電膜１１との間の分離箇所１６による断線を、第３導電膜１４との結線によって修正する結合工程を行う。
【００３５】
次に、局所排気装置２４の透明窓３９を通してレーザ照射部を観察しながら、支持台２５を移動させて、被加工基板２６を所望の位置に移動させる。その後、局所排気手段による局所排気部３８に対する局所排気を継続しながら、パルスレーザ光源部２２から短パルス幅レーザ光Ｌを出射することにより、第３導電膜１４のうち、第１導電膜１２と第２導電膜１３の連結部１５を残して、少なくとも一部、例えば第１結線部材１２及び第２結線部材１３の連結部１５に対する外側２箇所を除去する。
このようにして、第１及び第２の導電膜１０及び１１と、連結部１５を除く第３の導電膜１４との短絡が回避されるように、第３導電膜１４の少なくとも一部を、第１の結線部材１２から第２の結線部材１３に至る連結部１５を残して除去する除去工程を行う。
【００３６】
なお、これらの結合工程及び除去工程を、最終的に設けられる多数の導電膜の少なくとも一部、例えば第１導電膜１０と第２導電膜１１の少なくとも一部を被覆する絶縁層の形成に先立って行うことにより、第１及び第２の導電膜１０及び１１の間の電気的導通を確保しながらも、例えばコンタクトホールを通じて結線部材が露出することによる信頼性の低下や、この露出した結線部材を被覆するために再度絶縁層を設ける必要性の発生などを回避することができる。
【００３７】
また、本実施形態では、構成する第１及び第２の導電膜が１０及び１１が片側駆動による信号線の構成部材として形成され、第３の導電膜が両側駆動による電流供給線の構成部材として形成される。したがって、前述の除去工程によって第３導電膜１４に断線を生じても、第３導電膜１４による電流供給線のうち、連結部１５を除く全域に必要な電流供給がなされることから、最終的に得る表示装置で滅線の発生を抑制しながらも、滅点の発生を最大でも連結部１５に対応する画素に限ることが可能となる。
【００３８】
更に、電流供給線などの第３導電膜のうち、どの部分を連結部１５に用いるかは適宜選定することが好ましい。すなわち第３導電膜については、隣接する画素間部など、前述の除去工程による除去をなされても最終的に滅点の発生をきたさない部分を選定して第１及び第２の結線部材１２及び１３を被着形成することによって連結工程を行い、その連結部１５の近傍の第３導電膜１４のみを除去して連結部１５を残すように除去工程を行うことができる。
すなわち、このように、第３導電膜１４のうち、分離箇所１６に直近の部分以外を連結部１５に用いることにより、滅点の発生をより低減させられると考えられる場合などには被着される結線部材の形状を長大化させるなど、被着位置を選定することによって、より適切な加工を行うことができ、例えば表示装置における滅点の発生を完全に抑制することも可能となる。
【００３９】
更に、結合工程及び除去工程に先立って、第１及び第２の導電膜１０及び１１と、第３導電膜１４との、少なくともいずれかにおける結線部材の被着位置をテーパー形状とすることが好ましい。
これにより、各配線を構成する導電膜と基板面との高低差によって結線部材に段差が生じることを回避することができる。
【００４０】
なお、本実施形態においては、片側駆動による配線部材である第１導電膜１０と第２導電膜１１との間の分離箇所１６による電気的導通不良を、両側駆動による配線部材である第３導電膜１４内に選択的に設ける連結部１５との結線によって修正する例を説明したが、この場合、少なくとも第１導電膜１０及び第２導電膜１１の抵抗値は１００μΩｃｍ以下とすることが好ましく、第３導電膜１４の抵抗値も可能な限り同程度に揃えることが好ましい。
また、このような抵抗値を有する、前述の各導電膜及び各結線部材を構成するのに適した材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム・ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）などに例示される金属を少なくとも一部含む材料を用いることが好ましく、これによって配線などを構成することができる。
【００４１】
＜実施例＞
続いて、本発明に係る加工方法の実施例を説明する。
【００４２】
まず、局所排気装置２４の透明窓３９を通して観察しながら、支持台２５上を操作して所定の位置に移動させる。
次に、ミラー２７とレンズ２８の間に設けられるスリット（図示せず）のサイズを５μｍ□に合わせ、パルスレーザ光源部２２のアッテネーターを、波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒、加工パワー（レーザパワー）０．５Ｊ／ｃｍ２以上として設定する。
所定の条件で、パルスレーザ光源部２２によって複数回レーザーパルスを照射し、第１及び第２の導電膜１０及び１１と第３の導電膜１４における結線部材の被着位置に、低角度（９０°未満）のテーパーを形成する。
【００４３】
次に、波長３５５ｎｍのＣＷレーザ光源部２３のアッテネーターを、波長３５５ｎｍ、２００００Ｈｚ、０．１Ｗに設定する。前述のスリットサイズを１０μｍ□とし、スキャン速度１０μｍ／ｓｅｃでレーザ照射を行って、例えばタングステンカルボニルなどの材料ガスを流したレーザＣＶＤ法により、タングステンなどの金属膜による第１及び第２の結線部材１２及び１３を２箇所に被着形成して、結合工程を行う。
【００４４】
次に、第１及び第２の導電膜１０及び１１と第３の導電膜１４との短絡を回避するために、第３導電膜１４のうち少なくとも一部を、パルスレーザ光源部２２による所定のレーザ光照射によって除去して、除去工程を行う。
これら結合工程及び除去工程により、滅点の発生を最小限に抑えながらも、片側駆動の信号線を修復することで滅線の発生を回避することができる。
【００４５】
以上、本発明に係る加工方法、表示装置の実施形態及び実施例を説明したが、以上の実施形態の説明で挙げた使用材料及びその量などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではなく、種々の変形及び変更をなされうるものである。
【００４６】
例えば、本発明に係る加工方法によって加工を施した後に絶縁層を形成し、絶縁層にコンタクトホールを空ける手法による加工を併せて行うことも可能である。
すなわち例えば、本発明に係る加工方法によって信号線の修復を行った後、更に電流供給線を構成する第３導電膜を、コンタクトホールを介した結線手法によって別途結線することも可能である。
【００４７】
また例えば、本実施形態においては信号線の修復を例として本発明に係る加工方法を説明したが、本発明に係る加工方法によれば、例えば走査線など他の配線を修復することもできる。
また例えば、電流供給線以外の配線等を第３導電膜として用いた連結部の形成によって加工を行うことも可能である。ここで、少なくとも第１導電膜及び第２導電膜に例示される多数の導電膜の形成に先立って行う限り、最終的に連結部となる第３導電膜とは必ずしも接近している必要はなく、前述したように、必要に応じて結線部材の形状が長大化しても良い。
【００４８】
また、上述の実施の形態は、半導体装置としての有機ＥＬ型表示装置に適用した場合であるが、その他、表示装置以外の半導体装置、例えば複数の配線が形成され、更に片側駆動の配線と両側駆動の配線を含む複数の配線を有した半導体装置に対しても適用することができる。
【００４９】
すなわち例えば、半導体装置を構成する片側駆動の所要の配線が一部で断線したときに、前述の本発明による加工方法、すなわちレーザリペア方法を用いて、両側駆動配線と断線した両導電膜とを接続し、接続部分を挟んで両側駆動配線の少なくとも一部を切断するようにして配線の修復加工を行うことができる。この加工がなされた半導体装置によれば、基板上に残存したクラックや異物に起因した配線の断線による不良が再生されたことから、製造の歩留まりと品質の向上を図ることができ、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る加工方法によって作製することのできる、本発明に係る半導体装置により構成される表示装置の一例の、要部の構成を示す概略斜視図である。
【図２】本発明に係る加工方法によって作製することのできる、本発明に係る半導体装置により構成される表示装置の一例の構成を示す概略斜視図である。
【図３】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る加工方法に好適な加工装置の一例の構成を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略断面図である。
【図４】それぞれ、従来の半導体装置による従来の表示装置の構成を示す概略斜視図と、その一部の概略断面図である。
【図５】多数の画素により構成される表示装置の、駆動方法の説明に供する等価回路図である。
【図６】従来の半導体装置による従来の表示装置の構成を示す概略斜視図である。
【図７】従来の半導体装置による従来の表示装置の構成を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・表示装置、２・・・主要基板、３・・・基板、４・・・陽極、５・・・ＴＦＴ素子、６・・・画素、７・・・信号線、８・・・電流供給線、９・・・走査線、１０・・・第１導電膜、１１・・・第２導電膜、１２・・・第１結線部材、１３・・・第２結線部材、１４・・・第３導電膜、１５・・・連結部、１６・・・分離箇所、１７・・・有機層、１８・・・陰極、２１・・・加工装置、２２・・・パルスレーザ光源部、２３・・・ＣＷレーザ光源部、２４・・・局所排気装置、２５・・・支持台、２６・・・被加工基板、２７・・・ミラー、２８・・・レンズ、２９・・・圧縮ガス供給手段、３０・・・排気手段、３１・・・パージガス供給手段、３２・・・材料ガス供給手段、３３・・・多孔質通気膜、３４・・・圧縮ガス供給路、３５・・・排気流路（吸引溝）、３６・・・パージガス流路、３７・・・材料ガス流路、３８・・・局所排気部、３９・・・透明窓、４０・・・透過孔、１０１・・・従来の表示装置、１０３・・・基板、１０４・・・陽極、１０５・・・ＴＦＴ素子、１０６・・・画素、１０７・・・信号線、１０８・・・電流供給線、１０９・・・走査線、１１６・・・分離箇所、１１７・・・有機層、１１８・・・陰極、１１９・・・補助部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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