(57)【要約】  【課題】反応管に保護管付き熱電対を熱電対の倒れを防止可能に取り付ける。  【解決手段】保護管付き熱電対５０のエルボ管形状の保護管５２の横管部分に水平部６０を突設し、縦管部分に垂直部６１を突設する。保護管５２の横管部分の下側半分を被覆する保持部材５４を準備し、保持部材５４に貫通孔５７と切欠き部５８とを開設する。保護管５２の横管部分に保持部材５４を当てがい水平部６０を貫通孔５７に嵌入し、垂直部６１を切欠き部５８に嵌入する。酸化・拡散装置の反応管２４の側壁に大きく開口した取付口６２に保持部材５４を当てがった保護管付き熱電対５０を内側から挿入し、管継手６５によって反応管２４に固定する。保護管付き熱電対５０の倒れは保持部材５４によって防止できる。  【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応管と、
前記反応管内を加熱するヒータと、
前記反応管内に設けられ前記反応管内の温度を測定する熱電対と、
前記反応管に取り付けられ前記熱電対を被覆するように設けられた保護管と、
前記反応管に取り付けられ前記保護管を保持する保持部材と、を備えており、
前記保護管には凸部が設けられ、前記保持部材には前記凸部に対応する凹部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化や拡散等を施すのに利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化や拡散を施すのにバッチ式ホットウオール形熱処理装置の一例であるバッチ式ホットウオール形酸化・拡散装置（以下、酸化・拡散装置という。）が、使用されている。
従来のこの種の酸化・拡散装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成する反応管と、反応管の外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のために反応管とヒータとの間に敷設された均熱管と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートと、均熱管と反応管との間に設置された熱電対とを備えている。
そして、複数枚のウエハを保持したボートが処理室内に搬入され、処理室内の温度を熱電対によって測定しながら、処理室内がヒータによって加熱されることにより、ウエハ群に酸化や拡散が一括して施される。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】ＷＯ  ２００４／０２７８４９  Ａ１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、酸化・拡散装置においては、昇降温レートを大きくすることが行われている。
このように酸化・拡散装置において昇降温レートを大きくした場合には、熱電対によって測定した温度と、実際のウエハの温度との差が大きくなるために、熱履歴やスループット短縮等で問題がある。
そこで、 反応管の内部に保護管付き熱電対を設置することにより、ウエハにより近い温度をモニタする方法がある。
この場合には、 熱電対は一箇所の継ぎ手によって反応管に固定される。
【０００４】
しかし、この固定構造では、処理時に反応管内を圧力変化（大気圧から真空および真空から大気圧）や温度変化（昇降温の繰り返し）によって保護管付き熱電対の位置がずれることがある。
この保護管付き熱電対の位置ずれが発生することにより、継ぎ手のＯリングずれや捩れによる真空度の低下、保護管付き熱電対とボートとの接触によるパーティクル発生、保護管の破損、反応管内真空度の維持不能等の問題が発生する。
【０００５】
このような保護管付き熱電対の位置ずれには、保護管付き熱電対が減圧時に反応管内に引っ張られる現象と、保護管付き熱電対が周方向に倒れる現象との二通りがある。
保護管付き熱電対が減圧時に反応管内に引っ張られる現象および保護管付き熱電対が周方向に倒れる現象に対しては、保護管付き熱電対の固定部にボルトを追加する方法で対応することが、考えられる。
この対策方法を実施することにより、ＴＣの位置ずれ量は減少する。
しかし、このボルトを追加する対策だけでは充分ではなく、保護管付き熱電対が位置ずれを徐々に起こす。
その保護管付き熱電対の位置ずれの応力は、保護管付き熱電対のボルト固定部に加わるために、固定部が破損してしまい、その結果、反応管内の低圧を維持することができない問題が発生する。
【０００６】
ところで、ホットウオール形熱処理装置の一例であるバッチ式ホットウオール形ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）においては、金属製のマニホールド（炉口フランジ）が反応管（プロセスチューブ）の下部にあり、その部分にノズルや熱電対が設置されているのが、一般的である。
しかし、この金属製のマニホールドに熱電対が設置される構造においては、温度が高く（約８００℃程度）なると、金属汚染の問題がある。
したがって、酸化・拡散装置等のように比較的高温で処理する場合は、この金属汚染の問題を回避するために、石英製の反応管に熱電対の取付口およびノズルの固定ポートが設置されている。
【０００７】
また、 熱電対の脱着時に反応管内で正規の位置で熱電対を保持しつつ、 脱着作業を実施する必要があるために、脱着作業時に反応管の熱電対の取付口や熱電対を破損したりするという問題点もある。
【０００８】
本発明の目的は、前述した問題点を解決し、反応管内に熱電対を設置することができる基板処理装置を提供することにある。 
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する反応管と、
前記反応管内を加熱するヒータと、
前記反応管内に設けられ前記反応管内の温度を測定する熱電対と、
前記反応管に取り付けられ前記熱電対を被覆するように設けられた保護管と、
前記反応管に取り付けられ前記保護管を保持する保持部材と、を備えており、
前記保護管には凸部が設けられ、前記保持部材には前記凸部に対応する凹部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記（１）において、前記凸部は前記保護管の少なくとも２箇所以上に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記（２）において、前記保護管は水平方向に延びる水平部と、垂直方向に延びる垂直部とを有し、前記凸部は前記水平部に少なくとも一つ、前記垂直部に少なくとも一つ設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（４）前記（１）において、前記保持部材は半筒形状に形成されており、この保持部材には前記凸部の一つに嵌合する貫通孔と、前記凸部の他の一つに嵌合する切欠き部が開設されていることを特徴とする基板処理装置。
（５）前記（１）において、前記保持部材は筒形状の取付部と半筒形状の保持部とを備えており、この保持部には前記凹部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
（６）前記（１）において、前記保持部材の前記反応管との取付部には、シール部材が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【００１０】
前記した（１）によれば、熱電対を被覆した保護管の位置ずれを保護管の凸部と保持部材の凹部とによって防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１２】
本実施の形態において、図１および図２に示されているように、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法のフロントエンドにおける酸化や拡散工程を実施する酸化・拡散装置（バッチ式ホットウオール形酸化・拡散装置）１０として構成されている。
【００１３】
図１に示された酸化・拡散装置１０は、気密室を形成する箱形状に構築された筐体１１を備えており、筐体１１の気密室はボートが処理室への搬入搬出に対して待機する待機室１２を構成している。
筐体１１の正面壁にはウエハ搬入搬出口１３が開設されており、ウエハ搬入搬出口１３はゲートバルブ１３ａによって開閉されるようになっている。
【００１４】
待機室１２には昇降機構としてのボートエレベータ１４が垂直に設備されている。
ボートエレベータ１４のアーム１４ａの先端部には、炉口蓋体としてのシールキャップ１５と、後記する反応管２４の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース１６とが設けられている。
シールキャップ１５は例えばステンレス等の金属からなり円盤状に形成されている。
ベース１６は例えば石英からなり円盤状に形成され、シールキャップ１５の上に取付けられている。ベース１６の上面には反応管２４の下端と当接するシール部材としてのＯリング１６ａ（図２参照）が設けられている。
【００１５】
シールキャップ１５のベース１６と反対側には、ボートを回転させる回転機構１７が設置されている。回転機構１７の回転軸１７ａはシールキャップ１５とベース１６を貫通して、断熱筒１８とボート１９に接続されており、断熱筒１８およびボート１９を回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。
図１に示されているように、ボートエレベータ１４および回転機構１７には駆動制御部４１が、電気配線Ａによって電気的に接続されており、所望の動作をさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１６】
基板保持具としてのボート１９は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて保持するように構成されている。
ボート１９の下方には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材としての断熱筒１８がボート１９を支持するように設けられており、後記するヒータ２２からの熱が反応管２４の下端側に伝わりにくくなるように構成されている。
【００１７】
図１および図２に示されているように、筐体１１の上には処理炉２０が設置されている。処理炉２０は加熱機構としてのヒータ２２を有する。ヒータ２２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１８】
ヒータ２２の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である均熱管（外管）２３が、ヒータ２２と同心円状に配設されている。
また、均熱管２３の内側には、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である反応管（内管）２４が、均熱管２３と同心円状に配設されている。
反応管２４の筒中空部には処理室２５が形成されており、基板としてのウエハ１をボート１９によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容することができるように構成されている。
【００１９】
図２に示されているように、反応管２４の天井壁には複数個のガス導入口２６が開設されており、反応管２４の天井壁の上にはガス溜め２７がガス導入口２６を被覆するように設けられている。
反応管２４の下端部にはガス導入部２９が設けられており、ガス導入部２９から反応管２４のガス溜め２７に至るまで反応管２４の外壁に添ってガス導入管としての細管２８が配設されている。
ガス導入部２９から導入されたガスは細管２８内を流通してガス溜め２７に至り、ガス溜め２７に設けられた複数のガス導入口２６から処理室２５内に導入される。
【００２０】
ガス導入部２９にはガス供給管３０が接続されている。
図１に示されているように、ガス供給管３０のガス導入部２９との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）３１を介して、図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源および不活性ガス供給源が接続されている。
ＭＦＣ３１にはガス流量制御部４２が電気配線Ｂによって電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
なお、処理室２５内に水蒸気を供給する必要がある場合には、ガス供給管３０のＭＦＣ３１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
【００２１】
また、図２に示されているように、反応管２４の下端部のガス導入部２９と異なる位置には、反応管２４内の雰囲気を排気口３２から排気するガス排気部３３が設けられている。ガス排気部３３にはガス排気管３４が接続されている。
図１に示されているように、ガス排気管３４のガス排気部３３との接続側とは反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ３５および圧力調整装置３６を介して排気装置３７が接続されており、処理室２５内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。
圧力センサ３５および圧力調整装置３６には圧力制御部４３が電気配線Ｃによって電気的に接続されており、圧力制御部４３は圧力センサ３５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置３６により処理室２５内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２２】
反応管２４の下端部には、反応管２４内の温度を測定する熱電対（以下、温度計という。）５１と、温度計５１とを被覆する保護管５２を備えた保護管付き熱電対５０が、図３に示された保護管付き熱電対取付構造５３によって設置されている。
図１に示されているように、ヒータ２２と保護管付き熱電対５０の温度計５１（図３参照）とには温度制御部４４が電気配線Ｄによって電気的に接続されており、保護管付き熱電対５０の温度計５１によって検出された温度情報に基づきヒータ２２への通電具合を調整することにより、処理室２５内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２３】
駆動制御部４１、ガス流量制御部４２、圧力制御部４３および温度制御部４４は、操作部および入出力部をも構成しており、酸化・拡散装置１０全体を制御する主制御部４５に電気的に接続されている。
これら、駆動制御部４１、ガス流量制御部４２、圧力制御部４３、温度制御部４４、主制御部４５はコントローラ４６として構成されている。
【００２４】
図２に示されているように、保護管付き熱電対５０の保護管５２は石英が使用されて細長い円筒形状で下端部が直角に屈曲されたエルボ管（Ｌ字管）形状に形成されており、その屈曲下端部（以下、横管部分とする。）が反応管２４の側壁に図３に示された保護管付き熱電対取付構造５３によって保持されるようになっている。
【００２５】
図３に示された保護管付き熱電対取付構造５３は反応管２４に取り付けられ保護管付き熱電対５０を保持する保持部材５４を備えている。保持部材５４は取付部５５と保持部５６とを備えており、石英が使用されて一体成形されている。
取付部５５は内径が保護管５２の外径と略等しい半円筒形状に形成されており、その半円筒の内周上に保護管５２の横管部分が載置されている。
保持部５６は取付部５５と連続する半円筒形状に形成されており、取付部５５に横管部分が嵌入された保護管５２の縦管部分が上向きに立脚されている。
保持部５６の取付部５５側の端部には、第一の凹部としての貫通孔５７が開設されており、貫通孔５７には保護管５２の横管部分における対向部位に水平方向に延びるように突設された水平部６０が嵌入されている。
保持部５６の取付部５５と反対側の端部には、第二の凹部としての切欠き部５８が開設されており、切欠き部５８には保護管５２の縦管部分における横管部分と反対側の側面にに垂直方向に延びるように突設された垂直部６１が嵌入されている。
【００２６】
図３に示されているように、反応管２４の下端開口の付近の側壁における所定の位置には、保持部材５４の外径よりも大口径の取付口６２が円形形状に開設されており、取付口６２には取付口部６３が径方向外向きに同心円に突設されている。
取付口部６３の外側端にはパイプ６４が同心円に配されて溶着されている。パイプ６４は石英が使用されて、内径が保持部材５４の取付部５５の外径と等しい円筒形状に形成されており、先端部には取付部５５の上面に係合する切欠き部６４ａが形成されている。
パイプ６４の中空部（内径）内には保護管付き熱電対５０に装着された保持部材５４の取付部５５が反応管２４の内側から挿入されており、取付部５５の上面は切欠き部６４ａに下から係合している。
保護管付き熱電対５０は保持部材５４ごとパイプ６４の内周に嵌入されることにより、横管部分が水平に支承されて縦管部分が垂直に立脚された状態になっているとともに、保持部材５４がパイプ６４に係合することにより、回り止めされている。
【００２７】
パイプ６４の取付口部６３と反対側の端部には、保護管付き熱電対５０を取付口部６３に固定する管継手６５が設けられている。
すなわち、パイプ６４の外周にはスペーサ６６とシールリング６７とが収納されたキャップ６８が嵌合されており、パイプ６４の取付口部６３と反対側の端部には異径ウルトラトール６９が嵌合されている。
シールリング６７は異径ウルトラトール６９とキャップ６８との結合によって圧縮されることにより、パイプ６４の外周面と異径ウルトラトール６９の内周面との間すなわち取付口６２を気密シールした状態になっている。
【００２８】
異径ウルトラトール６９のパイプ６４と反対側の端部には、スペーサ７０およびシールリング７１が収納されたキャップ７２が嵌合されている。シールリング７１は異径ウルトラトール６９とキャップ７２との結合によって圧縮されることにより、保護管５２の外周面と異径ウルトラトール６９の内周面との間すなわち取付口６２を気密シールした状態になっている。
【００２９】
以上の構成に係る保護管付き熱電対取付構造５３により、保護管付き熱電対５０は垂直姿勢を維持した状態で反応管２４に固定的に取り付けられている。
すなわち、円筒形状の保護管５２は水平部６０と保持部材５４の貫通孔５７との嵌合によって回り止めされているとともに、垂直部６１と保持部材５４の切欠き部５８との嵌合によって反応管２４の径方向内側への倒れ込みを阻止されている。
【００３０】
次に、上記構成に係る処理炉２０を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ１に酸化や拡散等の処理を施す方法について説明する。
以下の説明において、酸化・拡散装置１０を構成する各部の動作はコントローラ４６により制御される。
【００３１】
複数枚のウエハ１がボート１９に装填（ウエハチャージ）されると、図２に示されているように、複数枚のウエハ１を保持したボート１９はボートエレベータ１４によって持ち上げられて処理室２５に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ１５はベース１６やＯリング１６ａを介して反応管２４の下端開口をシールした状態となる。
【００３２】
処理室２５内が所望の圧力となるように排気装置３７によって排気される。
この際、処理室２５内の圧力は圧力センサ３５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置３６がフィードバック制御される。
また、処理室２５内が所望の温度となるようにヒータ２２によって加熱される。
この際、処理室２５内が所望の温度分布となるように保護管付き熱電対５０が検出した温度情報に基づきヒータ２２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、断熱筒１８およびボート１９が回転機構１７によって回転されることにより、ウエハ１が回転される。
【００３３】
次いで、処理ガス供給源およびキャリアガス供給源から供給され、ＭＦＣ３１によって所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管３０からガス導入部２９および細管２８を流通してガス溜め２７に至り、複数のガス導入口２６から処理室２５内にシャワー状に導入される。
なお、ウエハ１に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、ＭＦＣ３１にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を含むガスが処理室２５に導入される。
導入されたガスは処理室２５内を流下し、排気口３２を流通してガス排気部３３から排気される。
ガスは処理室２５内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、ウエハ１に対して酸化や拡散等の処理がなされる。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２５内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２５内の圧力が常圧に復帰される。
【００３５】
その後、ボートエレベータ１４によりシールキャップ１５が下降されて、反応管２４の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ１がボート１９に保持された状態で反応管２４の下端から反応管２４の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
その後、処理済ウエハ１はボート１９より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３６】
本実施の形態によれば、次の効果を得ることができる。
【００３７】
1)  保護管を水平部と垂直部とを貫通孔と切欠き部とに嵌入させて保持部材に載置した状態で、反応管の取付口に内側から挿入して取り付けることにより、保護管を水平部と貫通孔との嵌合によって回り止めすることができるとともに、垂直部と切欠き部との嵌合によって反応管の径方向内側の倒れ込みを阻止することができるので、保護管付き熱電対の反応管に対する位置ずれを防止することができる。
【００３８】
2)  複数本の温度計を挿通した保護管を反応管の取付口に取り付けることにより、複数本の温度計を支えながら反応管に通す必要がなくなるために、作業時間および設置時の温度計の破損の危険性を低減することができる。
【００３９】
3)  保護管付き熱電対の横管部分を反応管の取付口に内側から挿入するとともに、管継手によって締結することにより、石英製の保護管を石英製の反応管に溶着せずに済むために、反応管のメンテナンスを容易に実施することができる。
【００４０】
4)  保護管付き熱電対を反応管に着脱可能に取り付けることにより、反応管の洗浄に際して、保護管付き熱電対を取り外すことができるので、反応管のメンテナンスの作業性をより一層高めることができる。
【００４１】
図４は保護管付き熱電対取付構造の第二の実施の形態を示している。
本実施の形態が前記第一の実施の形態と異なる点は、保持部材５４は取付部５５Ａの内径が保護管５２の外径と略等しい円筒形状に形成されており、その筒中空部（内径）に保護管５２の横管部分が嵌入されているとともに、取付部５５Ａがパイプ６４の中空部に嵌入されている点である。
本実施の形態によっても、前記第一の実施の形態と同様の作用効果が得られる。
【００４２】
図５は保護管付き熱電対取付構造の第三の実施の形態を示している。
本実施の形態が前記第一の実施の形態と異なる点は、保持部材５４は保持部５６Ｂがエルボ形状に屈曲されており、保持部５６Ｂの垂直部分が保護管５２に突設された半円柱形状の垂直部６１Ｂに保護管５２と反対側から嵌合されている点である。
本実施の形態によっても、前記第一の実施の形態と同様の作用効果が得られる。
【００４３】
図６は保護管付き熱電対取付構造の第四の実施の形態を示している。
本実施の形態が前記第一の実施の形態と異なる点は、管継手６５の外側にチューブ形状のシール部材５９が被せられている点である。
本実施の形態によれば、前記実施の形態と同様の作用効果が得られるばかりでなく、シール部材５９によって管継手６５を保護することができるとともに、そのシール性能や固定性能を高めることができる。
【００４４】
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
保護管の凸部および保持部材の凹部は、２個以上設けるに限らず、１個であってもよい。
【００４６】
保護管付き熱電対取付構造は、前記実施の形態の管継手を使用するに限らない。
【００４７】
本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置に限らず、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置やアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００４８】
基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、ＳＯＧ（システム・オン・ガラス）、光ディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態である酸化・拡散装置を示す一部省略一部切断側面図である。
【図２】ボートローディング後を示す主要部の側面断面図である。
【図３】保護管付き熱電対取付構造の第一の実施の形態を示しており、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図である。
【図４】保護管付き熱電対取付構造の第二の実施の形態を示しており、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図である。
【図５】保護管付き熱電対取付構造の第三の実施の形態を示しており、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図である。
【図６】保護管付き熱電対取付構造の第四の実施の形態を示しており、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…ウエハ（基板）、１０…ホットウオール形酸化・拡散装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…待機室、１３…ウエハ搬入搬出口、１４…ボートエレベータ、１５…シールキャップ、１６…ベース、１７…回転機構、１８…断熱筒、１９…ボート、２０…処理炉、２１…ヒータベース、２２…ヒータ、２３…均熱管（外管）、２４…反応管（内管）、２５…処理室、２６…ガス導入口、２７…ガス溜め、２８…細管、２９…ガス導入部、３０…ガス供給管、３１…ＭＦＣ（ガス流量制御器）、３２…排気口、３３…ガス排気部、３４…ガス排気管、３５…圧力センサ（圧力検出器）、３６…圧力調整装置、３７…排気装置、４１…駆動制御部、４２…ガス流量制御部、４３…圧力制御部、４４…温度制御部、４５…主制御部、４６…コントローラ、５０…保護管付き熱電対、５１…温度計（熱電対）、５２…保護管、５３…保護管付き熱電対取付構造、５４…保持部材、５５…取付部、５６…保持部、５７…貫通孔（第一の凹部）、５８…切欠き部（第二の凹部）、６０…水平部、６１…垂直部、６２…取付口、６３…取付口部、６４…パイプ、６４ａ…切欠き部、６５…管継手、６６…スペーサ、６７…シールリング、６８…キャップ、６９…異径ウルトラトール、７０…スペーサ、７１…シールリング、７２…キャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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