(57)【要約】【課題】絶縁層中に埋設された配線上のマスクに位置ずれが発生した場合であっても、短絡事故を防止する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  下地層１１表面に第１絶縁層１２を形成し、この第１絶縁層表面に複数の配線１３、１４を形成し、配線１３、１４が埋め込まれる如く第２絶縁層１５を形成し、配線１３、１４の上面を露出させ、かつ配線１３、１４の側面を残存絶縁層１６として被覆する如く第２絶縁層１５を除去し、複数の配線１３、１４並びに残存絶縁層１６が埋め込まれる如く第３絶縁層１７を形成し、第３絶縁層１７に複数の配線１３、１４の少なくとも上面に達するスルーホール１８、１９を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層表面に形成された第1絶縁層と、この第1絶縁層表面に隣接して形成された第1配線並びに第２配線と、前記第１絶縁層表面であって前記第１配線並びに第２配線の側壁に形成された側壁絶縁層とを具備し、前記第１配線並びに第２配線間に形成された前記側壁絶縁層は連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
各々前記第１、第２配線上に形成された第３絶縁層を具備し、前記第１並びに第２配線の中心間の距離を、これら配線上に形成される前記スルーホールの中心間の距離より大なる如く設定されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３絶縁層のエッチング速度を前記側壁絶縁層のエッチング速度より大なる如く設定されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１、第２配線は、多層配線からなる半導体装置の２層目以上の層に形成される配線であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
下地層表面に第１絶縁層を形成する工程と、この第１絶縁層表面に第１配線並びに第２配線を形成する工程と、前記第１絶縁層表面に前記配線が埋め込まれる如く第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層を前記配線の上面を露出させ、かつ前記配線の側面を側壁絶縁層として残存させる如く除去する工程と、前記第１絶縁層表面に前記第１並びに第２配線及び前記側壁絶縁層が埋め込まれる如く第３絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層に前記第１並びに第２配線の少なくとも上面に達するスルーホールを形成する工程とを具備し、前記第１並びに第２配線層間の前記側壁絶縁層は連続して形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板上の絶縁層からこの絶縁層中に埋設された配線に至る埋め込み導電路を形成する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板（あるいは下地配線層）の表面上に第1の絶縁層を介して配線が形成されており、この配線が更に第２の絶縁層に埋設されている状態から、この第２の絶縁層表面から直下の配線にスルーホールを形成し、このスルーホールの中に導電体を充填することにより配線上に埋め込み動電路を形成することは、各種の半導体集積回路製造過程にてよく行われるところである（特許文献１参照）。
【０００３】
スルーホール形成にあたっては、第２の絶縁層表面にマスクを設置し、リソグラフィ技術を用いて所定の位置にスルーホールをエッチング形成することが行われる。マスクの位置合わせが正しく行われている場合には、配線上のみに達するスルーホールが形成され、埋め込み動電路は配線と正しく接続される。
【０００４】
しかしながら、より一層微細化傾向が進むにつれてマスクの位置合わせの困難度も増大しており、ときとして位置ずれが発生してしまう。この結果、スルーホールがずれて形成されてしまうと、配線上に開孔するとともに配線に隣接する第２の絶縁層をエッチングし、更に、その下の第１の絶縁層をもエッチングして半導体基板あるいは下地配線層の下地層を露出してしまうことになる。
【０００５】
このようにずれて形成されたスルーホール中に導電体を充填すると、導電体は配線上のみならず半導体基板あるいは下地配線層上にも達してしまい、本来絶縁されるべき配線と半導体基板や下地配線層と短絡してしまう。
【０００６】
また、半導体基板上に複数の配線が隣接して形成されている場合に、各々の配線に対応してスルーホールを形成することになるが、隣接するスルーホールの中心間の距離は、隣接する配線の中心間の距離と同一に形成されている。このため、マスクの位置ずれの影響は１箇所に止まらず隣接する配線まで短絡発生の影響が及ぶことになる。
【特許文献１】特開平５−２９３１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、絶縁層中に埋設された配線上のマスクに位置ずれが発生した場合であっても、短絡事故を防止する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明の一態様によれば、下地層表面に形成された第1絶縁層と、この第1絶縁層表面に隣接して形成された第1配線並びに第２配線と、前記第１絶縁層表面であって前記第１配線並びに第２配線の側壁に形成された側壁絶縁層とを具備し、前記第１配線並びに第２配線間に形成された前記側壁絶縁層は連続して形成されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、マスクの位置がずれスルーホールが配線上からずれて開孔されても、スルーホール中に充填された導電体は配線側壁の絶縁膜上で止まり、下層の半導体基板などとの短絡を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に本発明に係わる第１の実施形態を図１を参照して説明する。図１（ａ）に示すように、半導体基板あるいは下地配線層である下地層１１表面には第１絶縁層１２が形成され、この第１絶縁層１２表面に導電体からなる第１配線１３並びに隣接して第２配線１４が形成されている。
【００１１】
第１絶縁層１２上には、第１配線１３、第２配線１４を覆うように第２絶縁層１５を被着する（図１（ｂ））。その後、図１（ｃ）に示すように、第２絶縁層１５は、第１配線１３、第２配線１４の表面が露出するまでエッチングされる。この結果、第２絶縁層１５は第１絶縁層１２上であって第１配線１３、第２配線１４の側壁に残存し、側壁絶縁層１６が形成される。この例にあっては、図１（ｃ）のように第１配線１３と第２配線１４間の側壁絶縁層１６は、第１、第２配線１３、１４間で第１絶縁層１２が露出しないように、連続して一体に形成されている。
【００１２】
次に、図１（ｄ）に示すように、第１絶縁層１２表面には第１配線１３、第２配線１４並びに側壁絶縁層１６を覆うように第３絶縁層１７を被着する。その後図示しないが、第３絶縁層１７表面にマスクを設置し、選択エッチングを行う。図１（ｅ）には、第１配線１３、第２配線１４上にエッチングによって第１スルーホール１８、第２スルーホール１９が開孔された状態を示してある。
【００１３】
この例においても、第１スルーホール１８、第２スルーホール１９ともそれぞれ第１配線１３、第２配線１４上にのみ開孔するようにマスクを設置しようとしたが、若干ずれて設置された。この結果、第１スルーホール１８は右側にずれてしまい、一部は第１配線１３外にまで至ってしまっている。しかしながら、前述したように第１配線１３と第２配線１４間には側壁絶縁層１６が形成されており、ずれて開孔された第１スルーホール１８はこの側壁絶縁層１６上でとどまっている。このスルーホールを開孔するエッチングに際しては、第３絶縁層１７のエッチング速度が側壁絶縁層１６のエッチング速度より大になるようなエッチング剤を使用するとよい。
【００１４】
なお、実施の形態においては、図１（ｅ）に示してあるように開孔された第１スルーホール１８の中心２０と第２スルーホール１９の中心２１との距離Ｌ１を第１配線１３の中心２２と第２配線１４の中心２３間の距離Ｌ２より小なるように設定してある。この結果、第３絶縁層１７上にずれることなく正しくマスクが設置されると、開孔されたスルーホールは図１（ｅ）に点線で示すように、第１スルーホール１８、第２スルーホール１９ともに第１配線１３、第２配線１４の内側に寄った位置に形成されることになる。
【００１５】
従って、マスクが正確に位置合わせされている場合には、第１スルーホール１８、第２スルーホール１９ともに第１配線１３、第２配線１４上にのみ開孔されることなる。しかしながら、マスクがずれて位置合わせされた場合であっても、スルーホール中心間の距離を配線中心間の距離より小になるよう設定されているため、スルーホールが配線外に及ぶ距離を最小限に止めることが可能である。
【００１６】
次に、本発明に係わる第２の実施形態を図２を参照して説明する。この実施形態においては、半導体基板２４上に第１ゲート部２５、第２ゲート部２６が形成されている。第１ゲート部２５は、ゲート絶縁膜２７、ゲート電極２８並びにゲート側壁絶縁層２９が形成されている。同様にして、第２ゲート部２６は、ゲート絶縁膜３０、ゲート電極３１、ゲート側壁絶縁層３２から形成されている。第１、第２ゲート部２５、２６のそれぞれのゲート側壁絶縁層２９、３２は離隔して形成されている。
【００１７】
半導体基板２４上には、第１、第２ゲート部２５、２６を覆うように第１絶縁層３３が形成されている。第１絶縁層３３上には第１配線３４、第２配線３５が形成されており、この第１、第２配線３４、３５の側壁には側壁絶縁層３６が形成されており、第１、第２配線３４、３５間の側壁絶縁層３６は一体に連続して形成されている。
【００１８】
次に、第１絶縁層３３上に第１、第２配線３４、３５を覆うように第２絶縁層３７を形成し、この第１、第２配線３４、３５上を開口させるべく第２絶縁層３７に第１スルーホール３８、第２スルーホール３９を形成する。このとき、マスクの位置合わせにずれがあると、スルーホールもずれて形成されてしまう。図２では、第１スルーホール３８が第１配線３４の中心より右へずれて形成されてしまい、開口部には第１配線３４とともに側壁絶縁層３６が露出されることになる。
【００１９】
第１スルーホール３８、第２スルーホール３９内に埋込導電膜を形成することにより、第１配線３４、第２配線３５からの電極が第２絶縁層３７表面に引き出される。このとき、図２のように、第１スルーホール３８には第１配線３４のみならず側壁絶縁層３６が露出していることから、第１スルーホール３８内の第1埋込導電膜４０は第１配線３４に接続されるとともに、隣接する側壁絶縁層３６上一部がかかることとなって、他への誤接続や電気的短絡等を回避することを可能とした。第２スルーホール３９には第２埋込導電膜４１が形成され、第1埋込導電膜４０、第２埋込導電膜４１の側壁には側壁絶縁層４２が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態を説明するための工程断面図。
【図２】本発明の第２の実施形態を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００２１】
１１…下地層、１２…第１絶縁層、１３…第１配線、１４…第２配線、１５…第２絶縁層、１６、３６、４２…側壁絶縁層、１７…第３絶縁層、１８…第１スルーホール、１９…第２スルーホール、２０、２１、２２、２３…中心、２４…半導体基板、２５…第１ゲート部、２６…第２ゲート部、２７、３０…ゲート絶縁膜、２８、３１…ゲート電極、２９、３２…ゲート側壁絶縁層、３３…第１絶縁層、３４…第１配線、３５…第２配線、３７…第２絶縁層、３８…第１スルーホール、３９…第２スルーホール、４０…第１埋込導電膜、４１…第２埋込導電膜。
【図１】
2007005533.tif 000003
【図２】
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