(57)【要約】【課題】制御可能な周波数を生成するための半導体チップにおいて、熱源を有するチップ領域と電圧制御式の発振回路のチップ領域との間で妨害となる熱結合が可能な限り小さくなる半導体チップを提供すること。【解決手段】第１のチップ領域と第２のチップ領域との間のコンタクトの少なくとも一部が、第１のチップ領域と第２のチップ領域との間で熱遮蔽部として機能するように配置される構成。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御可能な周波数を生成するための半導体チップ（１，１’）であって、
・該半導体チップ（１，１’）の第１のチップ領域（２）に配置された電圧制御式の発振回路と、
・該半導体チップ（１，１’）の第２のチップ領域（３）に配置された、たとえばパワーアンプおよび／または位相同期ループの形態の熱源と、
・該半導体チップ（１，１’）をボンディングプロセスでコンタクトするためのコンタクト（４ａ，４ｂ）とを有する形式のものにおいて、
第１のチップ領域（２）と第２のチップ領域（３）との間のコンタクト（４ｂ）の少なくとも一部が、第１のチップ領域（２）と第２のチップ領域（３）との間で熱遮蔽部として機能するように配置されることを特徴とする、半導体チップ。
【請求項２】
前記コンタクト（４ｂ）の少なくとも一部は、電圧制御式の発振回路を電気的にコンタクトするために使用される、請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
該半導体チップの平面図は、矩形の形状を有しており、
第１のチップ領域（２）は、前記矩形のコーナの領域に配置されている、請求項１または２記載の半導体チップ。
【請求項４】
周波数は５ＧＨｚ〜７ＧＨｚの領域内にある、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【請求項５】
ＩＳＭトランシーバを構成する、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御可能な周波数を生成するための次の形式の半導体チップに関する。すなわち、
・該半導体チップの第１のチップ領域に配置された電圧制御式の発振回路と、
・該半導体チップの第２のチップ領域に配置された、たとえばパワーアンプおよび／または位相同期ループの形態の熱源と、
・該半導体チップをボンディングプロセスでコンタクトするためのコンタクト
とを有する形式の半導体チップに関する。
【０００２】
半導体チップは「ダイ」または「ダイス」とも称され、通常はウェハから分離ステップによって形成される。完成品の集積回路を製造する際には、半導体チップの導電性のコンタクトがいわゆるボンディングプロセスで、ケーシングまたはサブストレートの所属のコンタクトと接続される。その後に続いて、パッケージングプロセスが行われる。
【０００３】
このような半導体チップを完成された状態で、制御可能な周波数を生成するために使用し、たとえばいわゆる送受信器またはトランシーバとして使用する場合、通常は電圧制御式の発振回路（ＶＣＯ）が設けられる。この電圧制御式の発振回路（ＶＣＯ）は、半導体チップの所定の第１のチップ領域に配置ないしは実装される。
【０００４】
しかしトランシーバ機能を実現するためには、さらに別の回路部分が必要であり、たとえばパワーアンプおよび／または位相同期ループ（ＰＬＬ）が必要である。このような回路部分は通常、半導体チップにおいて前記第１のチップ領域に隣接するチップ領域内に配置される。その理由は、前記回路部分の相互間に密な機能的結合が生じるからである。
【０００５】
ＶＣＯは通常、温度変動に影響を受けやすい。すなわち、ＶＣＯによって出力される周波数は該ＶＣＯの温度に依存する。ＰＬＬないしはパワーアンプは動作中に著しい熱出力を発生するので、異なるチップ領域間に熱結合が発生し、ＶＣＯ動作を妨害する影響が生じてしまう。このような影響はとりわけ、タイムスロット方式が使用される際にＶＣＯが熱源とともにそのつど短時間だけ作動され、それによって加熱と冷却とが常に交代する場合に妨害となる。
【０００６】
このような熱による作用を低減するためには、熱源とＶＣＯとの間ないしは熱源と熱の影響を受けやすい回路部分との間の間隔を可能な限り大きく選択する。しかし、チップ面積は常に小さくなり、高い動作周波数によって、結合される回路部分の相互間の間隔が小さく制限されるので、前記のようにして得られる分離作用は不十分であることが多い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって本発明の課題は、制御可能な周波数を生成するための、冒頭に挙げた形式の次のような半導体チップを提供することである。すなわち、熱源を有するチップ領域と電圧制御式の発振回路のチップ領域との間で妨害となる熱結合が可能な限り小さくなる半導体チップを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では前記課題は、請求項１記載の半導体チップによって解決される。すなわち、第１のチップ領域と第２のチップ領域との間のコンタクトの少なくとも一部が、第１のチップ領域と第２のチップ領域との間で熱遮蔽部として機能するように配置されることを特徴とする半導体チップによって解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明では、第１のチップ領域と第２のチップ領域との間のコンタクトの少なくとも一部が次のように配置される。すなわち、該少なくとも一部が第１のチップ領域と第２のチップ領域との間で完全な熱遮蔽部または少なくとも部分的な熱遮蔽部として機能するように配置される。このコンタクトによってヒートシンクが構成され、このヒートシンクに、熱源によって生成された熱が流出される。このことによって、電圧制御式の発振回路のチップ領域に侵入する熱がなくなるか、ないしはごく僅かになる。このようにして、熱を生成する回路部分の妨害となる影響は効果的に低減ないしは阻止される。
【００１０】
１つの発展形態では、コンタクトの前記少なくとも一部は、電圧制御式の発振回路を電気的にコンタクトするために使用される。こうすることにより、チップのレイアウトが簡単になり、かつ、サブストレートないしはケーシングのコンタクトに対する配属が簡単になる。
【００１１】
１つの発展形態では、半導体チップの平面図は矩形の形状を有し、第１のチップ領域は矩形のコーナの領域に配置されている。このような配置によって、熱源から可能な限り良好に分離される。というのも第１のチップ領域の縁部位置により、熱源に起因する熱入力が低減されるからである。
【００１２】
１つの発展形態では、周波数は５ＧＨｚ〜７ＧＨｚの領域内にある。有利には、周波数は５．８ＧＨｚである。
【００１３】
１つの発展形態では、半導体チップはＩＳＭトランシーバである。ＩＳＭ周波数帯（Industrial, Scientific and Medical Band）は、産業、学問および医療における通信機器の周波数領域である。ＩＳＭ周波数帯の位置は、世界的には画一的に調整されていないので、たとえば９０２ＭＨｚ〜９２８ＭＨｚの周波数領域内にあるＩＭＳ周波数帯、２，４００ＭＨｚ〜２，４８３ＭＨｚの周波数領域内にあるＩＭＳ周波数帯、および５，８００ＭＨｚのＩＭＳ周波数帯が存在し、世界的には２．４ＧＨｚ周波数帯しか許可されていない。
【実施例】
【００１４】
図１は、制御可能な周波数を生成するための矩形の半導体チップ１の第１の実施形態を示している。ボンディングプロセスおよびパッケージングが終了すると、この半導体チップ１はＩＭＳトランシーバ機能を有する集積回路として使用される。
【００１５】
半導体チップ１は、電圧制御式の発振回路と、パワーアンプおよび位相同期ループの形態の熱源と、半導体チップ１をボンディングプロセスでコンタクトするための複数の金属性のコンタクト４ａおよび４ｂとを有する。前記発振回路は第１のチップ領域２内に、該半導体チップ１の右下のコーナに配置されている。前記熱源は該半導体チップ１の第２のチップ領域３に、チップ領域２に隣接して配置されている。コンタクト４ａおよび４ｂの個数、形状および寸法は、概略的にのみ図示されている。半導体チップ１はもちろん、ここでは図示されていない別の機能ユニットないしは回路部分も有する。
【００１６】
電圧制御式の発振回路に配属されたコンタクト４ｂは、第１のチップ領域２と第２のチップ領域３との間に、相互に直角に延在して交差する２つの線に沿って配置されることにより、第１のチップ領域２と第２のチップ領域３との間に熱的な分離が得られるようにされている。第２のチップ領域３に発生する熱エネルギーはコンタクト４ｂを介して流出し、第１のチップ領域２が実質的に加熱されることはない。このようにして、熱源のアクティベートないしはデアクティベートによって発生するＶＣＯのいわゆる周波数ドリフトは、効果的に阻止される。
【００１７】
コンタクト４ａには、集積回路の別の端子も配属されている。もちろん択一的に、これらのコンタクトを付加的または排他的に、熱的分離のために使用することもできる。コンタクト４ａは、半導体チップ１の上方および下方の水平方向の縁部に沿って配置されている。
【００１８】
図２は、制御可能な周波数を生成するための矩形の半導体チップ１’の択一的な第２の実施形態を示している。半導体チップ１’は、トポグラフィが変更されている以外は、図１の半導体チップに相応する。
【００１９】
第１のチップ領域２は半導体チップ１’の左上のコーナに配置されており、第２のチップ領域３はチップ領域２に隣接して配置されている。
【００２０】
電圧制御式の発振回路に配属されているコンタクト４ｂは第１のチップ領域と第２のチップ領域との間で、水平線に対して約４５°傾斜された線に沿って、半導体チップ１’の左方の垂直方向の縁部から上方の水平方向の縁部まで配置されている。このコンタクト配置でも、チップ領域２および３の効果的な熱的結合が実現される。
【００２１】
もちろん実用的には、ここに図示された実施形態の他に任意のトポグラフィも可能である。重要であるのは、分離すべき領域の相互間のコンタクトの配置に基づいて熱的分離を行うことだけである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】制御可能な周波数を生成するための半導体チップの第１の実施形態である。
【図２】制御可能な周波数を生成するための半導体チップの第２の実施形態である。
【図１】
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【図２】
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