(57)【要約】【課題】ＤＴＲ構成による磁気ディスクを、簡便に、高い生産性をもって製造する。【解決手段】データエリア間に分離溝が形成されて成る磁気ディスクの製造方法であって、分離溝形成工程は、分離溝のパターンに対応する開口１０４を有するレジスト層１０３をフォトリソグラフィによって形成する工程と、レジスト層１０３の開口１０４を通じて基板面上の材料層１０２上に、所要の深さの分離溝を形成するエッチング工程とを有し、分離溝形成を基板１０１の表裏両面１０１Ａ及び１０１Ｂにおいて行う。【選択図】図９
2007115323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ情報記録領域と、コントロール情報記録領域とによるセクタが複数配置される複数の磁気記録トラックが同心的に配置され、上記各磁気記録トラックの上記データ情報記録領域におけるデータ書き込みがなされるデータエリア間に分離溝が形成されて成る磁気ディスクの製造方法であって、
上記分離溝形成工程は、上記分離溝のパターンに対応する開口を有するレジスト層をフォトリソグラフィによって形成する工程と、該レジスト層の開口を通じて上記基板面もしくは基板面上に形成された材料面上に、上記所要の深さの分離溝を形成するエッチング工程とを有し、
上記分離溝形成工程において、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を、上記基板の表裏両面において行う
ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項２】
上記分離溝形成工程の上記フォトリソグラフィにおける露光は、電子ビームまたはレーザービームのパターン露光によるリソグラフィによって形成した露光マスク盤を用いた縮小投影露光とする
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
１枚の上記基板上に複数の磁気ディスクに対応する分離溝パターンを形成する
ことを特徴とする請求項２記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項４】
上記磁性層が成膜された上記基板を複数の磁気ディスクに対応するパターンの外周に沿って上記基板から刳り貫いて、１枚の上記基板から複数の磁気ディスクを作製する
ことを特徴とする請求項３記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項５】
上記基板の表裏両面において、複数の磁気ディスクに対応するパターンの位置合わせ用のマークが上記基板に設けられて成る
ことを特徴とする請求項３記載の磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶装置において大容量を実現するために、より高密度化が求められている。
代表的な磁気記憶装置であるハードディスクドライブ装置においては、すでに面記録密度が、数１０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２を超えるものが商品化されている。
図１０は、通常のハードディスクの概略断面図であり、このハードディスクは、例えば表面にＮｉ層が形成されたＡｌ基板による平坦面による基板１上に、磁性層２、保護層３、潤滑層４が順次被着形成されて成り、その中心孔５の一点鎖線ｃで示す中心軸に対し同心上に、環状の記録トラックが、平坦な連続した磁性層に配列され、隣接する記録トラック間は物理的に独立することなく、連続した領域によって形成されている。
したがって、このようなハードディスクにおいては、半径方向の密度、つまりトラックピッチは、再生信号のＳ／Ｎに影響を及ぼす。
【０００３】
このように隣接する記録トラックが連続した構成による場合において、再生信号のＳ／Ｎへの影響を考慮すると、記録磁気ヘッドの磁気ギャップのトラック幅（以下単に記録磁気ヘッド幅という）Ｗｗは、記録トラック幅Ｗより小（Ｗｗ＜Ｗ）に選定することが必要となる。
すなわち、記録磁気ヘッドによって記録される記録マークの幅は、記録磁気ヘッドの磁気ギャップからのハードディスクの半径方向への漏洩磁界によるにじみ現象によって、実際には、記録磁気ヘッド幅Ｗｗ以上の幅となる。このため、記録マークの幅は、記録ヘッドによって形成される部分（記録ヘッド幅と同等程度の幅）と、にじみ現象によって形成される部分とからなり、このにじみ現象により形成されている記録マーク部分からは正確な再生信号を得ることはできないことになる。
したがって、記録磁気ヘッド幅Ｗｗを記録トラック幅Ｗと同等程度にすると、隣接する記録トラックに対して余分な信号を書き込むことになり、隣接する記録トラックに形成されている記録マークを侵食することになる。
そして、このように記録マークの侵食が生じると、再生ヘッドによってこの記録マークからの漏れ磁界の検出、すなわち記録情報データの再生を行うと、再生信号のＳ／Ｎが劣化する。
そこで、記録ヘッドの磁気ヘッド幅Ｗｗは、上述したように、記録トラック幅Ｗより小（Ｗｗ＜Ｗ）に選定することが必要となる。
【０００４】
一方、記録マークの漏れ磁界から高感度な再生信号を得るためには、上述した記録時のにじみ現象により形成された部分からの漏れ磁界を検出しないようにする必要があり、このため、記録マークの幅に対して再生ヘッドの幅Ｗｒを等しいか、若しくはそれよりも狭くする必要がある。特に、再生動作時のサーボの偏差により記録トラックの中心を常にトレースできるわけではないので、その分を見込んだ再生ヘッド幅Ｗｒに選定する必要がある。
しかし、再生ヘッドの幅Ｗｒを狭くすると、得られる再生信号が小さくなるため、Ｓ／Ｎが低下してしまうことから、この幅Ｗｒはできるだけ大とすることが望ましい。
【０００５】
以上のことから、再生ヘッドの幅Ｗｒと、記録磁気ヘッドＷｗと、記録トラック幅Ｗの関係は、
Ｗｒ＜Ｗｗ＜Ｗ
に選定することになる。
つまり、記録トラック幅Ｗのすべてを使った記録マークの形成はできないものであり、一方で、形成された記録マークの幅をすべて再生対象にできるわけではない。
【０００６】
そこで、現在、ハードディスクの高密度化の技術としてＤＴＲ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ  Ｔｒａｃｋ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）といわれる手法が提案されている（例えば非特許文献１参照）。
ＤＴＲによれば、上述した記録トラックのピッチに対する問題を軽減することができる。具体的には、隣接する記録トラック間に物理的な分離溝を設けて隣接する記録トラック同士をそれぞれ独立分離させ、溝内からの漏れ磁界が再生ヘッドに届かないように、すなわち再生ヘッドが漏れ磁界を検出しない程度の溝深さ及び溝形状となるように形成されたハードディスクである。
【０００７】
このＤＴＲにより、隣接する記録トラック間に分離溝が形成されて成るハードディスクにおいては、上述したにじみ現象を考慮する必要がないため、記録磁気ヘッド幅Ｗｗは、記録トラックの分離溝間のランド幅よりも大きくすることができるものであり、記録マーク幅は、分離溝間のランド部の全幅に渡って形成することができる。
また同時に、上述したにじみ現象に対する考慮の必要がないことから、再生磁気ヘッド幅Ｗｒは、分離溝間のランド部の全幅に渡る幅、すなわちランド幅よりも大きくすることができる。したがって、サーボの偏差があってもランド部の全幅をすべて再生することができる。
つまり、ＤＴＲ構成では、記録マークの幅は、ランド部幅できまり、記録マーク幅を大きく形成できるため、トラックピッチに対するＳ／Ｎを高めることができる。
【０００８】
ところで、このようなＤＴＲ構造、即ち凹凸の分離溝を有する磁気ディスク基板を作製するプロセスとして従来は文献１に示されるように、磁性膜が成膜された磁気ディスク基板上に電子ビームを用いたリソグラフィープロセスまたはナノインプリント方式のリソグラフィープロセスを適用して、磁性膜をエッチングにより分離溝で区切り、更にシリコン酸化膜の平坦化層で分離溝を埋め込んで磁気ディスクを作製している（非特許文献２参照）。
【０００９】
【非特許文献１】IEEE TRANSACTION ON MAGNETICS, Vol.40, No.4, JULY 2004 pp.2510-2515
【非特許文献２】TMRC 2004 Paper F5 Submitted for Publication in IEEE Transaction on Magnetics, pp.1-6
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このような磁気ディスク基板毎に、電子ビームリソグラフィーまたはナノインプリントプロセスで処理して作製する場合は、生産性が著しく低くなってしまう問題点があった。
本発明は、ＤＴＲ構成による磁気ディスクを、簡便に、高い生産性をもって製造することができる磁気ディスクの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、データ情報記録領域と、コントロール情報記録領域とによるセクタが複数配置される複数の磁気記録トラックが同心的に配置され、各磁気記録トラックのデータ情報記録領域におけるデータ書き込みがなされるデータエリア間に分離溝が形成されて成る磁気ディスクの製造方法であって、分離溝形成工程は、分離溝のパターンに対応する開口を有するレジスト層をフォトリソグラフィによって形成する工程と、このレジスト層の開口を通じて基板面もしくは基板面上に形成された材料面上に、所要の深さの分離溝を形成するエッチング工程とを有し、分離溝形成工程において、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を、基板の表裏両面において行う。
【００１２】
また、本発明は、上述の磁気ディスクの製造方法において、分離溝形成工程のフォトリソグラフィにおける露光として、電子ビームまたはレーザービームのパターン露光によるリソグラフィによって形成した露光マスク盤を用いた縮小投影露光とする。
【００１３】
上述したように、本発明による磁気ディスクの製造方法は、データ情報記録領域におけるデータ書き込みがなされるデータエリア間が分離溝によって分離されたＤＴＲ構成の磁気ディスクの製造方法であって、特にその分離溝形成工程において、基板の表裏両面にフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行うことから、ＤＴＲ構成の磁気ディスクを、その記録用量を片面のみの磁気ディスクと比べて２倍に高めて製造することができ、いわば２枚分の磁気ディスクを簡便に量産できる。
【００１４】
また、本発明の磁気ディスクの製造方法において、分離溝形成工程のフォトリソグラフィにおいて、露光マスク盤を用いた縮小投影露光を行うことにより、１枚のウェハー基板上に多数の磁気ディスクを形成することができることから、一連の共通のフォトリソグラフィ工程、エッチング工程、成膜工程等の処理を行うことにより、同時に多数の磁気ディスクを同時に製造することができ、更に量産化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、磁気ディスクの両面にこの分離溝を形成することにより、簡便に、高い生産性をもって磁気ディスクを製造することが可能となる。
また、本発明の磁気ディスクの製造方法において、分離溝形成工程のフォトリソグラフィにおいて、露光マスク盤を用いた縮小投影露光を行うことにより、同時に多数の磁気ディスクを製造することができて、量産化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
〔１〕磁気ディスクの実施の形態例
図１は、本発明による磁気ディスク製造方法に適用して好適な磁気ディスクの一例としてのハードディスクの概略平面構成図である。この磁気ディスク１０は、磁気ディスクのドライブ装置（図示せず）に装着される中心孔１２を有する円盤状の例えば、Ａｌ、ガラス、Ｓｉ等によるディスク基板１１上に、中心孔１２を中心としてその周囲に磁性層１３が形成され、磁気記録領域１４が形成されて成る。
【００１７】
磁気記録領域１４には、中心孔１２を中心としてその周囲に、多数の磁気記録トラック１５(図１においては1本のトラックのみを示している)が同心的に配置形成される。各磁気記録トラック１５には、データ情報記録領域１６及びコントロール情報記録領域１７によるセクタＳが複数配置され、データ情報記録領域１６が、コントロール情報記録領域１７によって区分された構成とされる。
【００１８】
図２は、図１の磁気ディスク１０の要部の模式的平面図で、鎖線Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３・・は、同心的に配置された互いに隣り合う一部の磁気トラック１５の中心線を示す。また、図３は、図２のＡ−Ａ線の概略断面図である。
図２に示すように、隣接する磁気記録トラック１５のデータ情報記録領域１６における情報データの書き込みがなされるデータエリア１８間には、データエリア１８の上面に対して所要の深さを有する分離溝１９が形成され、これら分離溝１９によってデータエリア１８が短冊状パターンとされる。
【００１９】
コントロール情報記録領域１７は、位相信号検出用のクロック信号が書き込まれるクロックエリア２０と、情報データの、再生時にトラッキング・サーボコントロール用情報を得るサーボ信号が書き込まれるサーボエリア２１と、アドレス情報ないしはＩＤ（識別）情報が書き込まれるアドレスエリア２２とを有する。
コントロール情報記録領域１７の各クロッキングエリア２０と、サーボエリア２１と、アドレスエリア２２には、それぞれクロック信号、サーボ信号、アドレス情報ないしはＩＤ情報が記録されるものであるが、コントロール情報信号は、図２と図３で示すように、データエリア１８面すなわちランド部２４の上面に対して所定の深さを有する凹状ピット２３によって形成されていてもよい。
【００２０】
磁性層１３は、少なくとも凹状ピット２３内と、これら凹状ピット２３や分離溝１９の形成部外のランド部２４上に形成され、この磁性層１３に対し、凹状ピット２３内と、ランド部２４とにおいて、例えば互いに逆向きの磁化がなされることによって、凹状ピット２３のエッジにおける磁化の反転によって、各コントロール情報信号の記録再生が行われる。
すなわち、例えば図２に、白抜き矢印ａで示すように、ランド部において、磁気記録トラック方向に沿う一方向の例えば面内磁化がなされる場合、白抜き矢印ｂで示す逆向きの磁化によってコントロール情報の記録がなされる。
【００２１】
データ情報記録領域１６の分離溝１９の深さは、図３に示されるように、凹状ピット２３の深さより十分大に選定され、分離溝１９によって分離されるランド部２４上のデータ情報が、このデータ情報の書込みおよび読み取り時に干渉することを阻止する深さとされる。
【００２２】
このようにして、図１で示す磁性層１３が形成された磁気記録領域部において、多数の同心円状に形成された記録トラック１５のそれぞれが、コントロール情報記録領域１７を遮断部分として断続するデータ情報記録領域１６による複数のセクタＳによって構成される。
【００２３】
この構成において、磁気ディスク１０を回転させて、再生磁気ヘッドを磁気トラック１５上に走行させる。このとき、磁気ヘッドによって、凹状ピット２３のエッジ位置で、検出磁界が反転するため、これによってクロック、サーボ、およびアドレス信号の読み出しを行うことができるものである。
このようにして、磁気トラック１５に対する磁気ヘッドのトラッキングを高精度で行って、データ情報エリア１８のデータ情報を読み出すことができる。
【００２４】
そして本発明による磁気ディスクの製造方法においては、上述した分離溝の形成を基板の表裏両面に行うものであるが、先ず、縮小投影露光方式を利用して、上述した分離溝１９をフォトリソグラフィ工程とエッチング工程によって形成する例について説明する。
この場合、複数個分の磁気ディスクを作製することができる大面積の基板が用意され、この大面積の基板に複数の磁気ディスクを同時に作製し、その後、複数の磁気ディスクに分断することによって、同時に複数の磁気ディスクを得ることができるものである。
【００２５】
そしてこれらの個々の磁気ディスクのフォトリソグラフィ工程における露光は、上述した分離溝１９の形成のための露光マスク盤を作成し、これを用いてそれぞれ縮小投影露光によるステップ露光法によって行う。
またこの縮小投影露光に用いる露光マスク盤の作製は、それぞれ例えば最終的に得る目的とする磁気ディスク１０における磁気ディスク基板１１の例えば４倍または５倍の相似なパターンを有する露光マスク盤として作製する。
【００２６】
図４Ａ〜Ｃは、この露光マスク盤の製造方法の一例の製造工程図である。図４Ａに示すように、例えばガラス基板、石英ガラス基板等より成る、露光マスク盤を構成する露光マスク基板３１が用意され、その表面に例えばＣｒによる遮光金属膜３２と、この上に例えばポジ型のこの例ではフォトレジストによるレジスト層３３が塗布される。
このレジスト層３３に対してパターン露光を行った後、レジスト層３３の現像処理を行うことによって、図４Ｂに示すように、ポジ形のフォトレジスト層にあっては、露光部が除去され、開口３４が形成される。
レジスト層３３の開口３４を通じて遮光金属層３２をエッチングすることによって、図４Ｃに示すように、残された遮光金属層３２によって遮光部が形成された露光マスク盤３５を作製する。
【００２７】
この露光マスク盤３５の作製におけるレジスト層３３に対するパターン露光は、例えばレーザーザビーム走査によって行うことができる。
レーザービーム露光は、図５にその一例の概略構成図を示すような、いわゆるレーザービームレコーダー（ＬＢＲ）を利用することができる。
このＬＢＲは、例えば波長３５１ｎｍのＡｒレーザー、波長２６６ｎｍのＹＡＧ第４高調波レーザーなどの紫外線レーザー光を出射するレーザー光源４１と、音響光学変調器４２と、ビームエキスパンダー４３と、例えば開口数（Ｎ．Ａ．）が０．９前後の対物レンズ４４とを有する。
【００２８】
一方、前述した図４Ａで示した遮光金属膜３２と、この上にレジスト層３３が形成された露光マスク基板３１は、高速回転可能なエアースピンドル（図示せず）等の上に固定される。
そして、露光マスク基板３１を高速回転させた状態で、その上のレジスト層３３に対して、レーザー光源４１からのレーザーのオンオフを、音響光学変調器４２によって、目的とするマスク盤のパターンに応じて高速に行い、ビームエキスパンダー４３で数ｍｍ径に拡大されたレーザービームを対物レンズ４４によりレジスト層３３上に集光し、露光を行う。この露光マスク３１基板を半径方向にゆっくりとスライドさせながら、同心円状に一定のトラックピッチで露光し、整列したＤＴＲディスク用の拡大されたパターンをもって露光することができる。
【００２９】
その後、レジスト層３３の専用現像液に浸漬することによって、これが例えばポジ型レジストの場合は、露光された部分が現像液に溶解し、分離溝１９の拡大パターンによる開口３４が図４Ｂに示すように形成される。
この場合、例えば波長２６６ｎｍのレーザー光源４１を使用すればトラックピッチで４００ｎｍ、例えば分離溝１９のパターンが、十分なマージンを有する程度の解像が得られる。
【００３０】
そして、このようにして開口３４が形成されたレジスト層３３をマスクとして、前述したように、図４Ｃに示すように、Ｃｒ膜等の遮光金属膜３２をエッチングし、その後、レジスト層３３を除去する。このようにして、露光マスク盤３５を作製することができる。
【００３１】
また、レジスト層３３に対する露光は、上述したレーザービーム露光に代えて電子ビーム露光によることができる。
図６は、電子ビーム露光を行う電子ビームレコーダー（ＥＢＲ）の概略構成図である。
この場合、露光マスク基板３１上の遮光金属膜３２上のレジスト層３３は、電子ビーム用レジストによって構成する。
ＥＢＲは、除振テーブル５１を有し、この上に、電子ビームの被照射体の配置部、すなわち遮光金属膜３２とこの上にレジスト層３３が塗布された露光マスク基板３１の配置部が構成される。
露光マスク基板３１の配置部は、エアスライド５２上に、露光マスク基板３1をその軸
心を中心に回動させるスピンドル５３を有する。
そして、エアスライド５２によって、基板３１の軸心と直交する面内において、互いに直交する２軸方向にスライドさせることができるようになされる。
【００３２】
この電子ビームの被照射体、すなわち露光マスク基板３１の配置部上に、電子ビームカラム５４が配置される。
この電子ビームカラム５４は、電子銃５５と、コンデンサーレンズ５６と、ブランキング電極(ビーム変調部)５７と、アパーチャ５８と、ビーム偏向電極５９と、フォーカス調整レンズ９０と、対物レンズ９１等を有して成る。
【００３３】
この構成によって、電子銃５５から発生した電子ビームをブランキング電極５７とアパーチャ５８によって、電子ビーム９２のオンオフを高速で行うようになされる。
電子ビーム９２は、対物レンズ９１によって直径１００ｎｍ以下に収束され、露光マスク基板３１上の電子ビーム用レジストに集束させ、スピンドル５３によって回転され、エアスライド５２によって半径方向に移動する露光マスク基板３１上のレジスト層３３に対する電子ビームのパターン照射により、所要のパターンをもって電子ビーム露光する。
このようにしてパターン露光されたレジスト層３３は、前述したように現像されて、前述の図４Ｂに示すように、開口３４が形成され、この開口３４を通じて遮光金属膜３２がエッチングされて図４Ｃに示すような露光用のマスク盤３５が作製される。
【００３４】
次に、このようにして形成した露光マスク盤を用いて縮小露光を行う実施形態例について説明する。
図６は、この縮小投影露光がなされるステッパー型縮小投影露光装置の概略構成図である。図７は、この縮小露光の露光状態の説明図である。
この場合、光出射ユニット７１と、光照射ユニット７２と、露光マスク盤３５の配置部と、この露光マスク盤３５の露光パターンを例えば１／４に縮小する対物レンズ（図示せず）を有する縮小投影ユニット７３と、磁気ディスクを構成する基板６１が載置され、光軸方向Ｚと、これに直交する面内で互いに直交するＸおよびＹ方向に移動するＸＹＺ駆動ステージ７４を有する。
【００３５】
この縮小投影露光装置によって、露光マスク盤３５の露光パターンを縮小したパターンをもって基板６１上のフォトレジスト層６３に対して、露光処理を行う。
またこの場合、基板６１をＸＹＺ駆動ステージ７４によってＸおよびＹ方向にステップ移動させることによって、最終的に複数の磁気ディスクを構成する部分にステップ露光を行うことが可能である。
【００３６】
例えばこの場合、複数の磁気ディスクを得るＳｉＯ２層等より成る表面材料層が表裏両面に成膜されたガラス、Ｓｉ、Ａｌ等より成る例えば直径３００ｍｍの大面積の基板が用意され、この基板の表面にフォトレジスト層が塗布形成される。
このフォトレジスト層に対して、ＤＴＲ用分離溝の露光パターンを有する露光マスク盤３５を用いて縮小投影露光を、上述したように基板６１に対してステップ露光することによって、複数のディスクに対応する露光がなされる。
このようにして、基板６１のフォトレジスト層６３に、図７に示すように、複数の磁気ディスクに対応する露光処理部７５を形成することができる。
【００３７】
なお、この縮小投影露光装置の光源ユニット７１としては、例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを用いることが可能であり、縮小投影ユニット７３の対物レンズは開口数（Ｎ．Ａ．）が例えば０．９２のもの、また露光範囲が２６ｍｍ×３３ｍｍのステッパーを用いることができる。この場合、６５ｎｍ以下の解像力が得られるので、トラックピッチ１３０ｎｍの分離溝を容易に形成することが可能となる。
また露光範囲が１インチ（２５．４ｍｍ）直径の円をカバーしているため、１インチ径のＤＴＲ方式ハードディスクのパターン露光が可能である。例えば半径３００ｍｍの１枚のウェハー基板に５０個程度の１インチ径のパターンを露光することが可能である。
【００３８】
次に、このような露光方法によって、基板の表裏両面に磁気ディスクを構成するＤＴＲ用分離溝を形成する具体的な製造工程の一例について説明する。
図８Ａ〜Ｈは、基板の表裏両面へのレジスト塗布、上述したパターン露光、ＳｉＯ２層等より成る表面材料層のエッチング、磁性膜の成膜、及び保護膜塗布などの一連の処理工程を、基板の断面構成により示した製造工程図である。
【００３９】
先ず、上述したように、比較的大面積のウェハー等の基板１０１を用意し、この一方の面を第１の面１０１Ａ、その裏面を第２の面１０１Ｂとすると、図８Ａに示すように、予め例えば第１及び第２の面１０１Ａ及び１０１Ｂに、熱酸化等によりＳｉＯ２層等より成る表面材料層１０２及び１１１を形成した後、第２の面１０１Ｂ上の表面材料層１１１をポリイミドなどの保護層１１２で覆っておく。そして、第１の面１０１Ａ上の表面材料層１０２の上に、フォトレジスト層１０３を塗布する。
【００４０】
次に、例えば上述の縮小露光装置によるパターン露光、現像処理を行い、このフォトレジスト層１０３に、ＤＴＲ用分離溝の開口１０４を形成する。
続いて、図８Ｃに示すように、この開口１０４を通じてＳｉＯ２層等の表面材料層１０２に対するドライエッチングを行って、この材料面上に例えば深さ数１０ｎｍの凹状の分離溝を形成する。その後、フォトレジスト層を除去し、表面のクリーニングを行う。
【００４１】
次に、分離溝が形成された基板１０１の第１の面１０１Ａに対して、図８Ｄに示すように、例えば垂直磁気記録膜を構成する磁性層１０５スパッタ等により成膜する。垂直磁気記録膜は例えば上記非特許文献１にも示されているように、軟磁性層（ＳＵＬ；Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）とＣｏＣｒＰｔ系磁性膜の積層構造により構成してもよい。更にこの上に、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  ｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎ）等より成る保護層１６を形成する。ここまでのプロセスにより基板１０１の片面である第１の面１０１Ａに、ＤＴＲ用分離溝を有する磁気ディスク構造が複数形成されたことになる。
そしてこの保護層１６の上に、後の裏面側、すなわち第２の面１０１Ｂ上の製造工程中の損傷を回避するためのポリイミド等より成る保護層１７を被着する。
【００４２】
次に、上述した分離溝パターン露光、エッチング、磁性膜及び保護膜の積層までの一連の工程を、裏面側、すなわち基板１０１の第２の面１０１Ｂに対して行う。
すなわち、図８Ｆに示すように、第２の面１０１Ｂ上のポリイミド等より成る保護膜１１２を除去し、続いて図８Ｇに示すように、この上にフォトレジスト層１１３を塗布する。そして、同様の縮小露光等によるパターン露光、現像、ドライエッチングによる例えば深さ数１０ｎｍの凹状分離溝を形成し、図８Ｈに示すように、軟磁性層とＣｏＣｒＰｔ系磁性層膜の積層構造等より成る磁性層１１５、更にＤＬＣ等より成る保護層１１６を形成する。これにより、第２の面１０１Ｂ側においても、第１の面１０１Ａ上と同様に、ＤＴＲ用分離溝を有する磁気ディスク構造が複数形成される。
【００４３】
この場合において、磁気ディスク構造を作製する側の面とは反対側の面に対しては、図Ａ乃至図８Ｅに示すように、適切な保護膜を形成し、反対側の表面にプロセス処理を行っている時にダメージが生じることを確実に回避することができる。
【００４４】
また、分離溝パターンの露光においては、既に形成された分離溝パターンに対して同じ位置に重ね合わせるように、精確なアライメントを行い、露光を行う。
このアライメントの方法としては、例えば基板１０１の縁部に切り欠きを設けるなどの表裏両面側から確認できるマーク、或いはこの切り欠きなどを目印に中央部に形成した位置合わせ用のマークを予め形成しておくことが挙げられる。
具体的には、例えば基板１０１がガラス等の透明な材料より成る場合は、予めアライメント用のマークをエッチング等によりどちらか一方の面に形成しておくと、反対側からも光学的に位置検出可能である。
また、基板１０１が不透明なＳｉやＡｌ等より成る場合は、上述した切り欠きなどの他、予めエッチングやレーザー加工等により貫通穴を外縁近傍に形成し、それを位置検出してアライメントを行う方法が挙げられる。
このようなアライメント方法を採用することによって、精度良く表裏において位置合わせを行うことが可能となる。
【００４５】
このようにして、基板両面に対してＤＴＲ用分離溝が形成された磁気ディスク構造が複数形成された基板から、所望にディスク形状を刳り貫き、磁気ディスクを複数切り出す。この切断には例えば大出力の加工用レーザーを使用することができる。また、その他エッチング処理による切断も可能である。そして最後にこれら切り出された磁気ディスクの表面にクリーニング処理及び端面処理を施した後、ディスク両面の表面に潤滑剤を塗布することにより、ＤＴＲ構造磁気ディスクが完成する。
【００４６】
以上説明した本発明による磁気ディスクの製造方法により、トラックピッチ１３０ｎｍで１インチサイズのハードディスクを作製した場合、どの程度の記録容量になるかを概算すると、ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ  ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）は１９５ｋｔｒａｃｋ／ｉｎｃｈであり、またＢＰＩ（Ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）がその７倍とすると、１．３７Ｍｂｉｔ／ｉｎｃｈとなり、面密度は約２００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２になる。１インチ径のディスクでは、有効データエリア、効率等を考慮すると両面で約１６ＧＢ程度の記録容量が獲られることとなる。
【００４７】
上述したように、本発明によれば、ＤＴＲ構成の磁気ディスクの製造方法において、基板の表裏両面に記録層を形成することから、従来に比して、記録容量を２倍に高めることができる。
また縮小投影露光方式を用いたフォトリソグラフィ工程を適用することにより、直径２００ｍｍ〜３００ｍｍのウェハー基板から多数の、例えば直径１．３インチ以下の例えば１インチサイズの小径磁気ディスクを量産的に製造することができ、特にモバイル用の小径ハードディスクを量産的に製造することができるものである。
【００４８】
なお、上述した磁気ディスクの製造方法は、図面を参照して説明した上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱することなく、様々な変更、置換を行うことができることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の磁気ディスクの製造方法に適用可能な磁気ディスクの一例の概略平面構成図である。
【図２】本発明の磁気ディスクの製造方法に適用可能な磁気ディスクの一例の要部の模式的パターン図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線の概略断面図である。
【図４】Ａ〜Ｃは、本発明による磁気ディスクの製造方法に用いる露光マスク盤の製造方法の一例の工程図である。
【図５】本発明による磁気ディスクの製造方法に用いる露光マスク盤を製造するためのレーザービーム露光装置の一例の概略構成図である。
【図６】本発明による磁気ディスクの製造方法に用いる露光マスク盤を製造するための電子ビーム露光装置の一例の概略構成図である。
【図７】本発明による磁気ディスクの製造方法に用いる縮小露光装置の一例の概略構成図である。
【図８】縮小露光の露光状態の説明図である。
【図９】Ａ〜Ｈは本発明による磁気ディスクの製造方法の一例の製造工程図である。
【図１０】通常のハードディスクの一例の概略断面構成図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０．磁気ディスク、１１．ディスク基板、１２.中心孔、１３．磁性層、１４.磁気記録領域、１５．磁気トラック、１６．データ情報記録領域、１７．コントロール情報記録領域、１８．データエリア、１９．分離溝、２０．クロッキングエリア、２１．サーボエリア、２２アドレスエリア、２３．凹状ピット、２４．ランド部、３１．露光マスク基板、３２．遮光金属膜、３３．フォトレジスト層、３４．開口、３５．露光マスク盤、４１．レーザー光源、４２．音響光学変調器、４３．ビームエキスパンダー、４４．対物レンズ、５１．除震テーブル、５２．エアスライド、５３．スピンドル、５４．電子ビームカラム、５５．電子銃、５６．コンデンサーレンズ、５７．ブランキング電極（ビーム変調部）、５８．アパーチャ、５９．ビーム偏向電極、６１．基板、６２．表面材料層、６３．フォトレジスト層、７１．光出射ユニット、７２．光照射ユニット、７３．縮小投影ユニット、７４．ＸＹＺ駆動ステージ、７５．露光処理部、９０．フォーカス調整レンズ、９１．対物レンズ、９２．電子ビーム、１０１．基板、１０１Ａ．第１の面、１０１Ｂ．第２の面、１０２.表面材料層、１０３．フォトレジスト層、１０４.開口、１０５.磁性層、１０６．保護層、１０７.保護層、１１１．表面材料層、１１２.保護層、１１３．フォトレジスト層、１１５．磁性層、１１６.保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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