(57)【要約】【課題】良好なギャップフィルを提供可能な成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１１は、シャワーヘッド１３と、ステージ１５と、ホルダ１７と、チャンバ１９とを備える。シャワーヘッド１３は、原料ガスＧを供給するものである。ステージ１５は、基板Ｗを搭載するものである。ホルダ１７は、ステージ１５上に基板Ｗを取り付けるために用いられる。チャンバ１９は、シャワーヘッド１３、ステージ１５およびホルダ１７を収容する。ステージ１５およびシャワーヘッド１３は、この順に所定の軸Ａｘに沿って配置されており、ステージ１５は、基板Ｗの裏面ＷＢを支持するための支持面１５ａを有している。支持面１５ａは、所定の軸Ａｘの方向に盛り上がる曲面を含む。【選択図】図４
2007067296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に絶縁物を堆積して前記表面に設けられたギャップを満たすための成膜装置であって、
原料ガスを供給するためのシャワーヘッドと、
前記基板のためのステージと、
前記シャワーヘッドおよび前記ステージを収容するチャンバと
を備え、
前記ステージおよび前記シャワーヘッドは、この順に所定の軸に沿って配置されており、
前記ステージは、前記基板の裏面を支持するための支持面を有しており、
前記支持面は、前記ステージから前記シャワーヘッドに向かう方向に盛り上がる曲面を含む、ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記ステージに前記基板を取り付けるためのホルダを更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載された成膜装置。
【請求項３】
前記所定の軸の方向に伸びており前記支持面のエッジ上の第１および第２の点を通過する第１の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線であり、
前記所定の軸の方向に伸びており前記支持面のエッジ上の第３および第４の点を通過する第２の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線または線分であり、
前記シャワーヘッドは、前記原料ガスを供給するための複数の供給口を有するフェイスプレートを有しており、
前記フェイスプレートの表面は、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面に沿って伸びる、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された成膜装置。
【請求項４】
前記支持面は円筒形の側面の一部分からなるエリアを有する、ことを特徴とする請求項１に記載された成膜装置。
【請求項５】
前記シャワーヘッドは、前記原料ガスを供給するための複数の供給口を有するフェイスプレートを有しており、
前記フェイスプレートの表面は、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面に沿って伸びており、
前記フェイスプレートは円筒形の側面の一部分からなるエリアを有する、ことを特徴とする請求項４に記載された成膜装置。
【請求項６】
前記支持面は球形の表面の一部分からなるエリアを有する、ことを特徴とする請求項１に記載された成膜装置。
【請求項７】
前記シャワーヘッドは、前記原料ガスを供給するための複数の供給口を有するフェイスプレートを有しており、
前記フェイスプレートの表面は、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面に沿って伸びており、
前記フェイスプレートは球形の表面の一部分からなるエリアを有する、ことを特徴とする請求項６に記載された成膜装置。
【請求項８】
ステージおよびシャワーヘッドを有する成膜装置を用いて、基板上に設けられたギャップを埋め込むための絶縁物を堆積する方法であって、前記ステージおよび前記シャワーヘッドは、この順に所定の軸の方向に配置されており、前記ステージは、前記所定の軸の方向に盛り上がる曲面を有する支持面を含み、
前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける工程と、
前記成膜装置のシャワーヘッドから原料ガスを供給して、前記支持面に沿って反った基板上に堆積物を形成する工程と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける前記工程では、前記基板は、前記成膜装置のホルダを用いて前記ステージの前記支持面に取り付けられる、ことを特徴とする請求項８に記載された方法。
【請求項１０】
前記支持面の前記曲面は円筒形の側面の一部分からなる、ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載された方法。
【請求項１１】
前記支持面の前記曲面は球形の表面の一部分からなる、ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載された方法。
【請求項１２】
前記原料ガスは、前記シャワーヘッドのフェイスプレートに設けられた複数の供給口を介して供給されており、
前記フェイスプレートは、前記支持面の盛り上がりに合わせて窪む曲面に沿って伸びる、ことを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項に記載された方法。
【請求項１３】
前記ギャップは、前記基板に設けられた複数のトランジスタの一方を他方から分離するためのトレンチである、ことを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載された方法。
【請求項１４】
前記ギャップは、前記基板に設けられた複数のトランジスタのゲート間に位置する、ことを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載された方法。
【請求項１５】
前記ギャップは、前記基板に設けられた複数の導電ライン間に位置する、ことを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載された方法。
【請求項１６】
基板の表面上に絶縁物を堆積して前記表面に設けられたギャップを満たすための成膜装置用のステージであって、
前記基板の裏面を支持するための支持面を備え、
前記支持面は、前記ステージの内部から外部に向かう方法に盛り上がる曲面を含む、ことを特徴とするステージ。
【請求項１７】
前記支持面のエッジ上の第１および第２の点を通過する第１の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線であり、
前記支持面のエッジ上の第３および第４の点を通過する第２の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線または線分である、ことを特徴とする請求項１６に記載されたステージ。
【請求項１８】
前記支持面の曲面は円筒形の側面の一部分からなる、ことを特徴とする請求項１６または１７に記載されたステージ。
【請求項１９】
前記支持面の曲面は球形の表面の一部分からなる、ことを特徴とする請求項１６または１７に記載されたステージ。
【請求項２０】
基板の表面上に絶縁物を堆積して前記表面に設けられたギャップを満たすための絶縁膜ＣＶＤ装置であって、
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載されたステージと、
前記ステージを収容するチャンバと
を備える、ことを特徴とする絶縁膜ＣＶＤ装置。
【請求項２１】
前記ステージに前記基板を取り付けるためのホルダを更に備える、ことを特徴とする請求項２０に記載された絶縁膜ＣＶＤ装置。
【請求項２２】
絶縁膜ＣＶＤ装置を用いて、基板上に設けられたギャップを埋め込むための絶縁物を堆積する方法であって、前記絶縁膜ＣＶＤ装置は、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載されたステージを含み、
前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける工程と、
前記絶縁膜ＣＶＤ装置に原料ガスを供給して、前記支持面に沿って反った基板上に堆積物を形成する工程と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける前記工程では、前記基板は、前記絶縁膜ＣＶＤ装置のホルダを用いて前記ステージの前記支持面に取り付けられる、ことを特徴とする請求項２２に記載された方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、ステージ、絶縁膜ＣＶＤ装置および絶縁物を堆積する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、厚さの均一性、良好なギャップフィル性能、高密度、低水分を有する誘電膜を形成する高温堆積のための方法及び装置が記載されている。この方法では、約１００〜７６０トルの圧力のチャンバ内で、シリコン、酸素及びドーパントの反応から少なくとも温度約５００℃のヒータ上の基板上に、ドーパント原子を含むドープ酸化シリコン膜を堆積させる工程と、ドーパント原子を基板内に拡散させるためにドープ酸化シリコン膜を加熱して超薄ドープ領域を形成する工程とを含む。
【特許文献１】特開平１０−１５４７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
良好なギャップフィル性能を有する誘電膜を形成する高温堆積のための方法及び装置が求められている。基板上のギャップの物理的な寸法は、設計ルールの微細化に伴って小さくなる。ギャップフィルは、ギャップの開口をボトムに比べて僅かに大きくすることによって改善されるので、良好なギャップフィルを得るためには、ギャップの開口の寸法は重要な値である。
【０００４】
良好なギャップフィルを得るためのこれまでの手法は、製造プロセスの条件を最適化することに依っている。しかしながら、近い将来において、設計ルールの微細化に伴って増加するギャップフィルへの負担は、製造プロセスの条件の最適化のみでは応じることができなくなる可能性がある。また、現在においても、良好なギャップフィルを実現するための製造プロセスの条件を見出すことは決して容易なことではない。
【０００５】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、良好なギャップフィルを提供可能な成膜装置および絶縁膜ＣＶＤ装置、この成膜装置および絶縁膜ＣＶＤ装置のためのステージ、および成膜装置および絶縁膜ＣＶＤ装置を用いて絶縁物を堆積する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、基板の表面上に絶縁物を堆積して前記表面に設けられたギャップを満たすための成膜装置である。この装置は、（ａ）原料ガスを供給するためのシャワーヘッドと、（ｂ）前記基板のためのステージと、（ｃ）前記シャワーヘッドおよび前記ステージを収容するチャンバとを備え、前記ステージおよび前記シャワーヘッドは、この順に所定の軸に沿って配置されており、前記ステージは、前記基板の裏面を支持するための支持面を有しており、前記支持面は、前記ステージから前記シャワーヘッドに向かう方向に盛り上がる曲面を含む。
【０００７】
この成膜装置によれば、基板がステージの支持面に取り付けられるので、基板の裏面は、所定の軸の方向に盛り上がる曲面に沿って延在する。これ故に、基板はステージの曲面に応じて反る。チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、ギャップへの原料ガスの供給が良好になり好適なギャップフィルが提供される。
【０００８】
本発明に係る成膜装置は、（ｄ）前記ステージ上に前記基板を取り付けるためのホルダを更に備えることができる。ホルダを用いれば、基板をステージに十分にしっかりと取り付けることができる。
【０００９】
本発明に係る成膜装置では、前記所定の軸の方向に伸びており前記支持面のエッジ上の第１および第２の点を通過する第１の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線であり、前記所定の軸の方向に伸びており前記支持面のエッジ上の第３および第４の点を通過する第２の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線または線分である。また本発明に係る成膜装置では、前記シャワーヘッドは、前記原料ガスを供給するための複数の供給口を有するフェイスプレートを有しており、前記フェイスプレートの前記曲面は、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面に沿って伸びる。この成膜装置によれば、支持面が盛り上がる形状を有する場合でも、成膜の均一性を保つことができる。
【００１０】
本発明に係る成膜装置では、前記支持面は円筒形の側面の一部分からなるエリアを有することができる。この支持面によれば、円筒形が伸びる方向に基板の反りが形成される。或いは、本発明に係る成膜装置では、前記支持面は球形の表面の一部分からなるエリアを有することができる。この支持面によれば、基板の中心から外側に向けて基板の反りが形成される。
【００１１】
本発明に係る成膜装置の好適な実施例では、前記支持面は円筒形の側面の一部分からなるエリアを有する。また、前記シャワーヘッドは、原料ガスを供給するための複数の供給口を有するフェイスプレートを有しており、前記フェイスプレートは、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面を含み、前記フェイスプレートは円筒形の側面の一部分からなるエリアを有する。この成膜装置によれば、フェイスプレートが、支持面の盛り上がりに合わせて窪む曲面を含むので、所定の軸の方向に盛り上がる支持面のステージを用いても、良好な成膜均一性が提供される。
【００１２】
或いは、本発明に係る成膜装置の好適な実施例では、前記支持面は球形の表面の一部分からなるエリアを有する。前記シャワーヘッドは、前記原料ガスを供給するための複数の供給口を有するフェイスプレートを有しており、前記フェイスプレートは、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面を含み、前記フェイスプレートは球形の表面の一部分からなるエリアを有する。この成膜装置によれば、フェイスプレートが、支持面の盛り上がりに合わせて窪む曲面を含むので、所定の軸の方向に盛り上がる支持面のステージを用いても、良好な成膜均一性が提供される。
【００１３】
本発明の別の側面は、ステージおよびシャワーヘッドを有する成膜装置を用いて、基板上に設けられたギャップを埋め込むための絶縁物を堆積する方法である。前記ステージおよび前記シャワーヘッドは、この順に所定の軸の方向に配置されており、前記ステージは、前記所定の軸の方向に盛り上がる曲面を有する支持面を含む。この方法は、（ａ）前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける工程と、（ｂ）前記成膜装置のシャワーヘッドから原料ガスを供給して、前記支持面に沿って反った基板上に堆積物を形成する工程とを備える。
【００１４】
この方法によれば、ステージ上において、基板の裏面は盛り上がる曲面に沿って延在するので、基板はステージの支持面に沿って反る。これ故に、チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、良好なギャップフィルが提供される。
【００１５】
本発明に係る方法では、前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける前記工程において、前記基板は、前記成膜装置のホルダを用いて前記ステージの前記支持面に取り付けられる。ホルダを用いれば、基板をステージに十分にしっかりと取り付けることができる。
【００１６】
本発明に係る方法の好適な実施例では、前記支持面の前記曲面は円筒形の側面の一部分からなることが好ましい。この支持面によれば、円筒形の側面に沿って基板の反りが形成される。或いは、本発明に係る方法では、前記支持面は球形の表面の一部分からなるエリアを有することが好ましい。この支持面によれば、基板の中心から外側に向けて基板の反りが形成される。
【００１７】
本発明に係る方法では、前記原料ガスは、前記シャワーヘッドのフェイスプレートに設けられた複数の供給口を介して供給されており、前記フェイスプレートは、前記ステージから前記シャワーヘッドへの向きに窪む曲面に沿って伸びる。この方法によれば、フェイスプレートがステージからシャワーヘッドへの向きに窪む曲面に沿って伸びるので、盛り上がる支持面のステージを用いても良好な成膜均一性が提供される。
【００１８】
本発明に係る方法では、前記ギャップは、前記基板に設けられた複数のトランジスタの一方を他方から分離するためのトレンチであることができる。この方法によれば、トレンチによるギャップに対して良好なギャップフィルが提供される。また、本発明に係る方法では、前記ギャップは、前記基板に設けられた複数のトランジスタのゲート間に位置することができる。この方法によれば、ゲートによるギャップに対して良好なギャップフィルが提供される。さらに、本発明に係る方法では、前記ギャップは、前記基板に設けられた複数の導電ライン間に位置する。この方法によれば、導電ラインによるギャップに対して良好なギャップフィルが提供される。
【００１９】
本発明の更なる別の側面は、基板の表面上に絶縁物を堆積して前記表面に設けられたギャップを満たすための成膜装置用のステージである。このステージは、前記基板の裏面を支持するための支持面を備え、前記支持面は、前記ステージの内部から外部に向かう方向に盛り上がる曲面を含む。
【００２０】
本発明に係るステージでは、前記支持面のエッジ上の第１および第２の点を通過する第１の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線であり、前記支持面のエッジ上の第３および第４の点を通過する第２の基準面と前記支持面との交差線は、凸曲線または線分である。また、本発明に係るステージでは、前記支持面は円筒形の側面の一部分からなることが好ましい。さらに、本発明に係るステージでは、前記支持面は球形の表面の一部分からなることが好ましい。
【００２１】
本発明の更なる別の側面は、基板の表面上に絶縁物を堆積して前記表面に設けられたギャップを満たすための絶縁膜ＣＶＤ装置である。絶縁膜ＣＶＤ装置は、（ａ）上記のステージと、（ｂ）前記ステージを収容するチャンバとを備える。
【００２２】
この絶縁膜ＣＶＤ装置によれば、基板がステージの支持面に取り付けられるので、基板の裏面は、所定の軸の方向に盛り上がる曲面に沿って延在する。これ故に、基板はステージの曲面に応じて反る。チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、ギャップへの原料ガスの供給が良好になり好適なギャップフィルが提供される。
【００２３】
本発明に係る絶縁膜ＣＶＤ装置は、（ｃ）前記ステージ上に前記基板を取り付けるためのホルダを更に備えることができる。ホルダを用いれば、基板をステージに十分にしっかりと取り付けることができる。
【００２４】
本発明のまた更なる別の側面は、絶縁膜ＣＶＤ装置を用いて、基板上に設けられたギャップを埋め込むための絶縁物を堆積する方法である。前記絶縁膜ＣＶＤ装置は、上記のステージを含む。この方法は、（ａ）前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける工程と、（ｂ）前記絶縁膜ＣＶＤ装置に原料ガスを供給して、前記支持面に沿って反った基板上に堆積物を形成する工程とを備える。
【００２５】
この方法によれば、ステージ上において、基板の裏面は盛り上がる曲面に沿って延在するので、基板はステージの支持面に沿って反る。これ故に、チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、良好なギャップフィルが提供される。
【００２６】
本発明に係る方法では、前記ステージの前記支持面に前記基板を取り付ける前記工程において、前記基板は、前記絶縁膜ＣＶＤ装置のホルダを用いて前記ステージの前記支持面に取り付けられる。ホルダを用いれば、基板をステージに十分にしっかりと取り付けることができる。
【００２７】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、良好なギャップフィルを提供可能な成膜装置が提供され、この成膜装置のためのステージが提供され、また成膜装置を用いて絶縁物を堆積する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の成膜装置、および基板上に設けられたギャップを埋め込む方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３０】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る成膜装置を概略的に示す図面である。成膜装置１１は、基板の表面上に絶縁物を堆積してこの表面に設けられたギャップを満たすために用いられる絶縁膜ＣＶＤ装置であることができる。成膜装置１１は、例えば平行平板型のＣＶＤ（化学的気相成長）装置として用いられる。図２は、ステージ、ホルダおよび基板を示す図面である。図３（Ａ）は、ホルダでステージにしっかりと取り付けられた基板Ｗを示す図面であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示された破線ＢＯＸの拡大図である。図４（Ａ）は、図２に示されたI−I線に沿ってとられたステージの断面図であり、図４（Ｂ）は、図２に示されたII−II線に沿ってとられたステージの断面図である。
【００３１】
図１および図２を参照すると、成膜装置１１は、シャワーヘッド１３と、ステージ１５と、ホルダ１７と、チャンバ１９とを備える。シャワーヘッド１３は、原料ガスＧを供給するものであり、また電極を含む。ステージ１５は、基板Ｗを搭載するものであり、また電極を含む。チャンバ１９は、シャワーヘッド１３、ステージ１５およびホルダ１７を収容する。ステージ１５およびシャワーヘッド１３は、この順に所定の軸Ａｘに沿って配置されており、ステージ１５は、基板Ｗの裏面ＷＢを支持するための支持面１５ａを有している。支持面１５ａは、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示されるように、所定の軸Ａｘの方向に盛り上がる曲面を含む。ホルダ１７は、ステージ１５上に基板Ｗをしっかりと取り付けるために用いられる。なお、ホルダ１７に替えて、ステージ１５上に基板Ｗをしっかりと取り付けるために静電チャックを用いることができる。
【００３２】
この成膜装置１１によれば、図３（Ａ）に示されるように、基板Ｗがステージ１５の支持面１５ａにホルダ１７を用いて固定されるので、基板Ｗの裏面ＷＢは、所定の軸の方向に盛り上がる曲面に沿って延在する。これ故に、図４（Ｂ）に示されるように、基板はステージの曲面に応じて反る。チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、原料ガスはギャップＧａｐに容易に供給されるので良好なギャップフィルが提供される。
【００３３】
再び図１を参照すると、成膜装置１１は、原料供給システム２１を有する。原料供給システム２１は、成膜のための原料を供給する原料源２１ａ、２１ｂ、２１ｃを有する。例えば、原料供給システム２１は、シリコンソース２１ａ、酸素ソース２１ｂ、フッ素ソース２１ｃを含み、必要な場合には、窒素ソース、水素ソースを含むことができる。これらの原料源２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、配管系２３（２３ａ。２３ｂ、２３ｃ）を介して成膜装置１１に接続されており、シャワーヘット１３に成膜のためのガスＧＳを供給している。また、シャワーヘッド１３には、高周波電源２５が接続されており、ステージ１５はキャパシタ２７を介して接地線に接続されている。高周波電源２５からの高周波電力を用いて、原料ガスのプラズマがシャワーヘッド１３とステージ１５との間に形成される。チャンバ１９には、減圧のためのポンプ２９が接続されている。ポンプ２９は、チャンバ１９内を排気するだけでなく、成膜の反応生成物および原料ガスの残りを排気する。
【００３４】
再び図２を参照すると、ステージ１５は、基板Ｗをガイドするためのガイド面１５ｂを有する。ガイド面１５ｂは、支持面１５ａの外周に沿って設けられている。ステージ１５は、ホルダ１７を支持する別の支持面１５ｃを有する。ガイド面１５ｂは、支持面１５ａと別の支持面１５ｃとの間に位置しており、段差１５ｄを形成している。段差１５ｄは、支持面１５ａを別の支持面１５ｃから区別している。段差１５ｄの深さは、基板Ｗの厚みにほぼ等しい。ガイド面１５ｂは、支持面１５ａに基板Ｗを配置したときに基板Ｗを受け入れる収容領域１５ｅの周縁を規定している。一実施例のステージ１５では、ガイド面１５ｂは、支持面１５ａと別の支持面１５ｃとを接続している。ステージ１５の表面は、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ、ステンレス（ＳＵＳ）といった材料から成る。
【００３５】
ホルダ１７は、ステージ１５の収容領域１５ｅに位置する基板Ｗを押さえるための支持面１７ａを有している。ホルダ１７は、基板Ｗの表面ＷＦ上に成膜を可能にする開口１７ｂを有する。開口１７ｂのサイズＤ１ＩＮは基板ＷのサイズＤＷより僅かに小さい。開口１７ｂは、所定の軸Ａｘの回りを周回する内側面１７ｃによって規定される。ホルダ１７のサイズＤ１ＯＵＴは、所定の軸Ａｘの回りを周回する外側面１７ｄによって規定される。ホルダ１７のサイズは基板ＷのサイズＤＷより僅かに大きい。一実施例のホルダ１７は、リング状部材である。ホルダ１７はＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ、ステンレス（ＳＵＳ）といった材料から成る。ホルダ１７を用いると、支持面１７ａが基板Ｗの周囲を押さえることができる。
【００３６】
図３（Ａ）に示されるように、基板Ｗのエッジは、ステージ１５上においてホルダ１７によってしっかりと固定される。この固定により、基板Ｗの裏面ＷＢは、支持面１５ａに沿って伸びることになると共に、基板Ｗはステージ１５上において移動できなくなる。
【００３７】
ステージ１５の支持面１５ａの盛り上がりを説明する。図４（Ａ）は、図２に示されたI−I線に沿ってとられた断面図であり、支持面１５ａのエッジ上の第１の点Ａ１および第２の点Ａ２を通過しており所定の軸Ａｘに沿って伸びる第１の基準面と支持面１５ａとの交差線を表している。この交差線は、ステージ１５の支持面１５ａの盛り上がりを表しており、図４（Ａ）に示されるように凸曲線である。図４（Ｂ）は、図２に示されたII−II線に沿ってとられた断面図であり、支持面１５ａのエッジ上の第３の点Ａ３および第４の点Ａ４を通過しており所定の軸Ａｘに沿って伸びる第２の基準面と支持面１５ａとの交差線を表している。この交差線は、ステージ１５の支持面１５ａの盛り上がりを表しており、図４（Ｂ）に示されるように凸曲線である。
【００３８】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照すると、ステージ１５の支持面１５ａは、所定の軸Ａｘに直交する仮想平面Ｒｒｅｆを基準にして凸状に湾曲している。図４（Ａ）に示されるように、支持面１５ａのエッジ上の点Ａ１から点Ａ２に支持面１５ａ上を移動する点と仮想平面Ｒｒｅｆとの距離は、まず、支持面１５ａのエッジ上の点Ａ１から離れるにつれて大きくなり、ある位置で最大値をとり、次いで、支持面１５ａのエッジ上の点Ａ２に近づくにつれて小さくなる。また、図４（Ｂ）に示されるように、支持面１５ａのエッジ上の点Ａ３から点Ａ４に支持面１５ａ上を移動する点と仮想平面Ｒｒｅｆとの距離は、まず、支持面１５ａのエッジ上の点Ａ３から離れるにつれて大きくなり、ある位置で最大値をとり、次いで、支持面１５ａのエッジ上の点Ａ４に近づくにつれて小さくなる。
【００３９】
一実施例では、図４（Ａ）に示される凸曲線は曲率半径Ｒ１を有しており、図４（Ｂ）に示される凸曲線は曲率半径Ｒ２を有している。好適な実施例では、支持面１５ａは、曲率半径Ｒ３（＝Ｒ１、Ｒ２）を有する球面の一部であることが好ましい。ほぼ等しい曲率で基板Ｗを反らせることができる。この支持面によれば、基板の中心から外側に向けて基板の反りが形成される。
【００４０】
次いで、シャワーヘッド１３を説明する。図１に示されるように、シャワーヘッド１３はフェイスプレート１３ａを有しており、フェイスプレート１３ａは原料ガスＧを供給するための複数の供給口１３ｂを有する。また、フェイスプレート１３ａは、ステージ１５からシャワーヘッド１３への向きに窪む曲面に沿って伸びる。この成膜装置１１によれば、支持面１５ａの盛り上がりに対応して、フェイスプレート１３ａの表面は窪む。これ故に、盛り上がる支持面１５ａのステージを用いることに起因する成膜の均一性の低下を縮小できる。例えば、支持面１５ａが曲率半径Ｒ３（＝Ｒ１、Ｒ２）を有する球面の一部である場合、フェイスプレート１３ａの表面は、支持面１５ａが曲率半径Ｒ３に対応した凹面に沿って伸びることが好ましい。ほぼ等しい曲率で基板Ｗを反らせることができると共に、成膜の均一性が維持される。
【００４１】
第１の実施の形態において、基板Ｗを反らせて基板Ｗの表面ＷＦを凸状に変形させると、基板Ｗ上にギャップＧａｐの開口のサイズがやや広がる。この広がりにより原料ガスがギャップＧａｐ内に導入されやすくなる。これにより、ギャップＧａｐの開口部における堆積物が減り、オーバハング量が小さくなる。結果として、シリコン酸化物、ＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ＆Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＢＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ａ−Ｃ（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｃａｔｒｂｏｎ）、ＳｉＮ、ＳｉＯＮといった絶縁物による良好なギャップフィルが提供される。特に、アスペクト比が大きなギャップでは、ギャップフィルのための時間も相対的に長くなり、ギャップＧａｐの開口部は長時間の成膜中に原料ガスに晒される。僅かではあるがギャップＧａｐの開口の物理的な変形により、大きなアスペクト比のギャップＧａｐにおいて原料ガスがギャップＧａｐ内に侵入しやすくなる。
【００４２】
（第２の実施の形態）
図５は、本実施の形態に係る成膜装置を概略的に示す図面である。成膜装置３１は、基板の表面上に絶縁物を堆積してこの表面に設けられたギャップを満たすために用いられる。成膜装置３１は、例えば化学的気相成長（ＣＶＤ）装置として用いられる。図６は、ステージ、ホルダおよび基板を示す図面である。図７（Ａ）は、ホルダでステージにしっかりと取り付けられた基板Ｗを示す図面であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示された破線ＢＯＸ１の拡大図である。図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示された破線ＢＯＸ２の拡大図である。図８（Ａ）は、図６に示されたIII−III線に沿ってとられたステージの断面図であり、図８（Ｂ）は、図６に示されたIＶ−IＶ線に沿ってとられたステージの断面図である。
【００４３】
図５および図６を参照すると、成膜装置３１は、シャワーヘッド３３と、ステージ３５と、ホルダ３７と、チャンバ１９とを備える。シャワーヘッド３３は、原料ガスＧ２を供給するものであり、また電極を含む。ステージ３５は、基板Ｗを搭載するものであり、また電極を含む。チャンバ１９は、シャワーヘッド３３、ステージ３５およびホルダ３７を収容する。ステージ３５およびシャワーヘッド３３は、この順に所定の軸Ａｘに沿って配置されており、ステージ３５は、基板Ｗの裏面ＷＢを支持するための支持面３５ａを有している。支持面３５ａは、図８（Ａ）および図７（Ｂ）に示されるように、所定の軸Ａｘの方向に盛り上がる曲面を含む。ホルダ３７は、ステージ３５上に基板Ｗを取り付けるために用いられる。なお、ホルダ３７に替えて、ステージ３５上に基板Ｗをしっかりと取り付けるために静電チャックを用いることができる。
【００４４】
また、成膜装置３１は、原料供給システム２２を有する。原料供給システム２２は、成膜のための原料を供給する原料源２２ａ、２２ｂ、２２ｃを有する。例えば、原料供給システム２２は、ソース２２ａ（例えば、メインガスとしてＳｉＨ４、ＴＥＯＳ、Ｃ３Ｈ６）、ソース２２ｂ（例えば、添加ガスとしてＳｉＦ４、ＮＦ３、Ｏ３）、ソース２２ｃ（例えば、添加ガスとしてＴＥＢ、ＴＥＰＯ）を含み、必要な場合には、追加のソースを含むことができる。これらの原料源２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、配管系２４を介して成膜装置１１に接続されており、シャワーヘット３３に成膜のためのガスＧＳ２を供給している。
【００４５】
この成膜装置３１によれば、図８（Ａ）に示されるように、基板Ｗがステージ３５の支持面３５ａにホルダ３７を用いて取り付けられるので、基板Ｗの裏面ＷＢは、所定の軸の方向に盛り上がる曲面に沿って延在する。これ故に、図８（Ｂ）に示されるように、基板Ｗはステージ３５の曲面に応じて反る。チャンバ１９内に原料ガスＧ２を供給して支持面３５ａ上の基板Ｗの表面ＷＦに成膜すれば、原料ガスはギャップに容易に供給されるので良好なギャップフィルが提供される。
【００４６】
成膜装置３１は、第１の実施の形態と同様に、シャワーヘット１３に成膜のためのガスＧＳを供給するための原料供給システム２１と、シャワーヘッド３３に接続された高周波電源２５と、ステージ１５に接続されたキャパシタ２７、チャンバ１９に接続されたポンプ２９とを有する。
【００４７】
再び図６を参照すると、ステージ３５は、基板Ｗをガイドするためのガイド面３５ｂを有する。ガイド面３５ｂは、支持面３５ａの外周に沿って設けられている。ステージ３５は、ホルダ３７を支持する別の支持面３５ｃを有する。ガイド面３５ｂは、支持面３５ａと別の支持面３５ｃとの間に位置しており、段差３５ｄを形成している。段差３５ｄは、支持面３５ａを別の支持面３５ｃから区別している。段差３５ｄの深さは、基板Ｗの厚みにほぼ等しい。ガイド面３５ｂは、支持面３５ａに基板Ｗを配置したときに基板Ｗを受け入れる収容領域３５ｅの周縁を規定している。一実施例のステージ３５では、ガイド面３５ｂは、支持面３５ａと別の支持面３５ｃとを接続している。
【００４８】
ホルダ３７は、ステージ３５の収容領域３５ｅに位置する基板Ｗを押さえるための支持面３７ａを有している。ホルダ３７は、基板Ｗの表面ＷＦ上に成膜を可能にする開口３７ｂを有する。開口３７ｂのサイズＤ２ＩＮは基板ＷのサイズＤＷより僅かに小さい。開口３７ｂは、所定の軸Ａｘの回りを周回する内側面３７ｃによって規定される。ホルダ３７のサイズＤ２ＯＵＴは、所定の軸Ａｘの回りを周回する外側面３７ｄによって規定される。ホルダ３７のサイズは基板ＷのサイズＤＷより僅かに大きい。一実施例のホルダ３７は、板状部材である。ホルダ３７を用いると、支持面３７ａが基板Ｗの縁部を押さえる。
【００４９】
図７（Ａ）に示されるように、基板Ｗのエッジは、ステージ３５上においてホルダ３７によってしっかりと固定される。この固定により、基板Ｗの裏面ＷＢは、支持面３５ａに沿って伸びることになると共に、基板Ｗはステージ３５上において移動できなくなる。
【００５０】
ステージ３５の支持面３５ａの盛り上がりを説明する。図８（Ａ）は、図６に示されたIII−III線に沿ってとられた断面を示しており、支持面３５ａのエッジ上の第１の点Ｂ１および第２の点Ｂ２を通過しており所定の軸Ａｘに沿って伸びる第１の基準面と支持面３５ａとの交差線を表している。この交差線は、ステージ３５の支持面３５ａの盛り上がりを表しており、図８（Ａ）に示されるように凸曲線である。図８（Ｂ）は、図６に示されたIＶ−IＶ線に沿ってとられた断面を示しており、支持面３５ａのエッジ上の第３の点Ｂ３および第４の点Ｂ４を通過しており所定の軸Ａｘに沿って伸びる第２の基準面と支持面３５ａとの交差線を表している。この交差線は、ステージ３５の支持面３５ａの盛り上がりを表しており、図８（Ｂ）に示されるように線分（直線）である。この実施例は、一様に盛り上がっている。
【００５１】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照すると、ステージ３５の支持面３５ａは、所定の軸Ａｘに直交する仮想平面Ｒｒｅｆを基準にして凸状に湾曲している。図８（Ａ）に示されるように、支持面３５ａのエッジ上の点Ｂ１から点Ｂ２に支持面３５ａ上を移動する点と仮想平面Ｒｒｅｆとの距離は、まず、支持面３５ａのエッジ上の点Ｂ１から離れるにつれて大きくなり、ある位置（以下、点Ｂ５として参照する）で最大値をとり、次いで、支持面３５ａのエッジ上の点Ｂ２に近づくにつれて小さくなる。また、図８（Ｂ）に示されるように、支持面３５ａのエッジ上の点Ｂ３から点Ｂ４に支持面３５ａ上を移動する点と仮想平面Ｒｒｅｆとの距離は、一定である。その距離は、点Ｂ５における値に等しい。
【００５２】
好適な実施例では、図８（Ａ）に示される凸曲線は曲率半径Ｒ４を有している。支持面３５ａは、曲率半径Ｒ４を有する円筒側面の一部であることが好ましい。一方向に関して、ほぼ等しい曲率で基板Ｗを反らせることができる。
【００５３】
次いで、シャワーヘッド３３を説明する。図５に示されるように、シャワーヘッド３３はフェイスプレート３３ａを有しており、フェイスプレート３３ａは原料ガスＧ２を供給するための複数の供給口３３ｂを有する。また、フェイスプレート３３ａは、ステージ３５からシャワーヘッド３３への向きに窪む曲面に沿って伸びる。この成膜装置３１によれば、支持面３５ａの盛り上がりに応じて、フェイスプレート３３ａの表面は窪む。これ故に、盛り上がる支持面３５ａのステージを用いても良好な成膜均一性が得られる。例えば、支持面３５ａが曲率半径Ｒ４を有する円筒側面の一部である場合、フェイスプレート３３ａの表面は、支持面３５ａが曲率半径Ｒ４に対応した凹面に沿って伸びることが好ましい。一方向に関してほぼ等しい曲率で基板Ｗを反らせることができると共に、成膜の均一性が維持される。
【００５４】
第２の実施の形態においては、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示されるように、基板Ｗを反らせて基板Ｗの表面ＷＦを凸状に変形させると、基板Ｗ上にギャップＧａｐの開口のサイズがやや広がり、原料ガスがギャップＧａｐ内に導入されやすくなる。これにより、ギャップＧａｐの開口部における堆積物が減り、オーバハング量が小さくなる。結果として、良好なギャップフィルが提供される。特に、アスペクト比が大きなギャップでは、ギャップフィルのための時間も相対的に長くなり、ギャップＧａｐの開口部は長時間の成膜中に原料ガスに晒される。しかしながら、僅かではあるがギャップＧａｐの開口の物理的な変形により、大きなアスペクト比ギャップＧａｐにおいて原料ガスがギャップＧａｐ内に導入されやすくなる。
【００５５】
（第３の実施の形態）
図９〜図１１は、本実施の形態に係る成膜装置を用いて絶縁物を堆積する方法の主要な工程を示す図面である。本実施の形態では、成膜装置を用いて絶縁物を堆積する方法の一例として素子分離用のトレンチに絶縁物を堆積する方法を説明する。
【００５６】
図９を参照すると、トランジスタの素子分離のためのトレンチを基板５１に形成する工程が示されている。基板５１上には、トレンチのためのマスク５３が形成されている。マスク５３の材料は、レジスト、或いはシリコン酸化膜といった誘電体を用いることができる。また、基板５１は、例えばシリコンウエハである。エッチング装置５５を用いて、マスク５３を用いて基板５１をエッチングして、トレンチＴ１、Ｔ２を形成する。トレンチＴ１、Ｔ２のアスペクト比は、例えば３以上２０以下であることが好ましい。また、トレンチＴ１、Ｔ２の開口サイズは例えば５０ナノメートル程度であり、トレンチＴ１、Ｔ２の深さは例えば０．２５マイクロメートル程度である。トレンチＴ１、Ｔ２を形成した後、基板５１をエッチング装置５５から取り出す。
【００５７】
マスク６３を除去した後に、図１０に示されるように、ＣＶＤ装置といった成膜装置１１（或いは成膜装置３１）にセットする。詳述すれば、成膜装置１１のホルダ１７を用いて成膜装置１１のステージ１５に基板５１を取り付ける。次いで、成膜装置１１のシャワーヘッド１７から原料ガスＧ３を供給すると共に、シャワーヘッド１７とステージ１５との間に高周波電力Ｐを印加して、ステージ１５の支持面１５ａに沿って反った基板５１上に堆積物を形成する。原料ガスＧ３としては、例えばＴＥＯＳ、Ｏ２を供給して、ＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）を堆積する。高周波電力Ｐのパワーとしては１３．５６ＭＨｚ、３５０ｋＨｚ帯で１００Ｗから３０００Ｗを用いることができる。図１１に示されるように、トレンチＴ１、Ｔ１のギャップを満たすことができる程度の膜厚、例えば０．５マイクロメートル程度の堆積物５７を形成する。また、本実施例では、ステージ１５は、曲率半径１ｍを有する支持面１５ａを備える。なお、好適な曲率半径の範囲は、０．１ｍ以上１０ｍ以下である。なお、ホルダ１に替えて、ステージ１５上に基板Ｗをしっかりと取り付けるために静電チャックを用いることができる。
【００５８】
この工程によれば、基板５１の裏面５１ａがステージ１５の支持面１５ａ（盛り上がる曲面）に沿って延在するので、基板５１はステージ１５の支持面１５ａに沿って反る。故に、チャンバ内に原料ガスＧ３を供給して支持面１５ａ上の基板５１の表面５１ｂに成膜すれば、良好なギャップフィルが提供される。
【００５９】
また、フェイスプレート１３ａが、ステージ１５の盛り上がりに対応する曲面に沿って伸びていれば、盛り上がる支持面１５ａを有するステージ１５を用いても良好な成膜均一性を得ることができる。
【００６０】
次いで、例えばＣＭＰ法を用いて余敏な堆積物を除去して、トレンチＴ１、Ｔ２を埋め込む。この結果、余分な絶縁物が除去されてシリコンウエハの表面が露出すると共に、トレンチＴ１、Ｔ２に絶縁物が満たされる。この後に、トレンチにより分離された領域にトランジスタを形成する。
【００６１】
図１２は、このように形成された半導体装置の一例を示す図面である。半導体装置６１は、シリコン基板６３に形成されており絶縁物で埋め込まれたトレンチ６５ａ、６５ｂを含む。トレンチ６５ａとトレンチ６５ｂとの間には、電界効果トランジスタ６７ａ、６７ｂが形成されている。電界効果トランジスタ６７ａ、６７ｂは、それぞれ、ゲート６９ａ、６８ｂおよびゲート絶縁膜７１ａ、７１ｂを有する。電界効果トランジスタ６７ａ、６７ｂのために、ソース／ドレイン領域７３ａ、７３ｂ、７３ｃがシリコン基板６３中に形成されている。ソース／ドレイン領域７３ａ、７３ｂ、７３ｃは、それぞれ、金属製の導電体７５ａ、７５ｂ、７５ｃに接続されている。これらの導電体７５ａ、７５ｂ、７５ｃは、絶縁物７７ａ、７７ｂ、７７ｃからなる層間絶縁領域７７により電気的に絶縁されている。
【００６２】
既に説明したように、ギャップは、基板５１に設けられた複数のトランジスタ６７ａ、６７ｂを別のトランジスタから分離するためのトレンチＴ１、Ｔ２であることができる。この方法によれば、トレンチによるギャップに対して良好なギャップフィルが提供される。また、ギャップは、基板に設けられた複数のトランジスタのためのゲート電極間に位置することができる。この方法によれば、ゲート電極によるギャップに対して良好なギャップフィルが提供される。さらに、ギャップは、前記基板に設けられた複数の導電ライン間に位置する。この方法によれば、導電ラインによるギャップに対して良好なギャップフィルが提供される。
【００６３】
成膜装置は、上記の実施の形態の一例として示された平行平板型ＣＶＤ装置だけでなく、誘導結合型プラズマＣＶＤ装置といった絶縁膜ＣＶＤ装置であることができる。絶縁膜ＣＶＤ装置は、上記のステージと、このステージを収容するチャンバとを備える。この絶縁膜ＣＶＤ装置によれば、基板がステージの支持面に取り付けられるので、基板の裏面は、所定の軸の方向に盛り上がる曲面に沿って延在する。これ故に、基板はステージの曲面に応じて反る。チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、ギャップへの原料ガスの供給が良好になり好適なギャップフィルが提供される。また、この絶縁膜ＣＶＤ装置は、ステージ上に基板を取り付けるためのホルダを更に備えることができる。ホルダを用いれば、基板をステージに十分にしっかりと取り付けることができる。
【００６４】
この絶縁膜ＣＶＤ装置は、基板上に設けられたギャップを埋め込むための絶縁物を堆積するために用いることができる。この堆積の方法は、ステージの支持面に基板を取り付ける。この後に、絶縁膜ＣＶＤ装置に原料ガスを供給して、支持面に沿って反った基板上に堆積物を形成する。この方法によれば、ステージ上において、基板の裏面は盛り上がる曲面に沿って延在するので、基板はステージの支持面に沿って反る。これ故に、チャンバ内に原料ガスを供給して支持面上の基板の表面に成膜すれば、良好なギャップフィルが提供される。また、この方法では、基板は、絶縁膜ＣＶＤ装置のホルダを用いてステージの支持面に取り付けられる。ホルダを用いれば、基板をステージに十分にしっかりと取り付けることができる。
【００６５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるもので              はない。また、本実施の形態では、成膜のための原料ガスを例示的に示しているけれども、これらの限定されること無い。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係る成膜装置を概略的に示す図面である。
【図２】図２は、第１の本実施の形態に係る成膜装置のためのステージおよびホルダ並びに基板を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）は、ホルダでステージにしっかりと取り付けられた基板Ｗを示す図面であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示された破線ＢＯＸの拡大図である。
【図４】図４（Ａ）は、図２に示されたI−I線に沿ってとられたステージの断面図であり、図４（Ｂ）は、図２に示されたII−II線に沿ってとられたステージの断面図である。
【図５】図５は、第２の本実施の形態に係る成膜装置を概略的に示す図面である。
【図６】図６は、第２の本実施の形態に係る成膜装置のためのステージおよびホルダ並びに基板を示す図面である。
【図７】図７（Ａ）は、ホルダでステージにしっかりと取り付けられた基板Ｗを示す図面であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示された破線ＢＯＸ１の拡大図である。図７（Ｃ）は、図７（Ａ）に示された破線ＢＯＸ２の拡大図である。
【図８】図８（Ａ）は、図６に示されたIII−III線に沿ってとられたステージの断面図であり、図８（Ｂ）は、図６に示されたIＶ−IＶ線に沿ってとられたステージの断面図である。
【図９】図９は、トランジスタの素子分離のためのトレンチを形成する工程を示す図面である。
【図１０】図１０は、成膜装置に基板をセットする工程を示す図面である。
【図１１】図１１は、トレンチからなるギャップを絶縁物で満たす工程を示す図面である。
【図１２】図１２は、第３の実施の形態に係る方法で形成された半導体装置の一例を示す図面である。
【符号の説明】
【００６７】
１１…成膜装置、１３…シャワーヘッド、１３ａ…フェイスプレート、１３ｂ…供給口、１５…ステージ、１５ｂ…ガイド面、１５ｃ…別の支持面、１５ｄ…段差、１５ｅ…収容領域、１７…ホルダ、１７ａ…支持面、１７ｂ…開口、１７ｃ…内側面、１７ｄ…外側面、Ｄ１ＯＵＴ…ホルダサイズ、Ｄ１ＩＮ…開口サイズ、１９…チャンバ、Ｇ…原料ガス、Ｗ…基板、ＷＢ…基板の裏面、ＷＦ…基板の表面、ＤＷ…基板サイズ、１５ａ…支持面、Ｇａｐ…ギャップ、２１…原料供給システム、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ…原料源、２３（２３ａ。２３ｂ、２３ｃ）…配管系、２７…キャパシタ、２５…高周波電源、２９…ポンプ、Ｒｒｅｆ…仮想平面、Ｒ３、Ｒ１、Ｒ２…曲率半径、３１…成膜装置、３３…シャワーヘッド、３３ａ…フェイスプレート、３３ｂ…供給口、３５…ステージ、３５ａ…支持面、３５ｂ…ガイド面、３５ｃ…別の支持面、３５ｄ…段差、３５ｅ…収容領域、３７…ホルダ、Ｇ２…原料ガス、２２…原料供給システム、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ…原料源、３７ａ…支持面、３７ｂ…開口、３７ｃ…内側面、３７ｄ…外側面、Ｄ２ＩＮ…開口サイズ、Ｄ２ＯＵＴ…ホルダサイズ、Ｒ４…曲率半径、Ｇ２…原料ガス、５１…基板、５１ａ…基板裏面、５１ｂ…基板表面、５３…マスク、５５…エッチング装置、Ｔ１、Ｔ２…トレンチ、５７…堆積物、６１…半導体装置、６３…シリコン基板、６５ａ、６５ｂ…トレンチ、６７ａ、６７ｂ…電界効果トランジスタ、６９ａ、６８ｂ…ゲート、７１ａ、７１ｂ…ゲート絶縁膜、７３ａ、７３ｂ、７３ｃ…ソース／ドレイン領域、７５ａ、７５ｂ、７５ｃ…導電体、７７ａ、７７ｂ、７７ｃ…絶縁物、７７…層間絶縁領域  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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