(57)【要約】  【課題】  試料を高精度に均一処理を行い、例えばプロセス性能において、現状のＣＤロス約３ｎｍから約１ｎｍに改善することにより、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現することのできる真空処理装置を提供する。  【解決手段】  試料をプラズマ処理する処理装置において、前記試料台の温度分布、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアスの制御方法において、前記試料台を円周方向即ち同心円状あるいは、放射線状で複数に分割した電気的、かつ、熱伝導的に独立構造で形成された複数の前記試料台ブロックによって構成し、前記各試料台ブロックはそれぞれ単独に、温度、ＲＦバイアス又は、ウエハ裏面圧力の独立した制御を行う機能を具備している。【選択図】  図１
2007067037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングガスを真空容器内に供給する手段と、該供給されたエッチングガスをプラズマ化させる手段と、前記真空容器内のウエハを試料台に静電吸着電源で静電吸着する手段と、前記試料に商周波電源でバイアスを印加する手段と、ウエハの裏面と試料台のウエハ設置面との間に伝熱ガスを供給するガス供給手段と、制御手段とを有し、ウエハをエッチング処理する真空処理装置において、
前記試料台を、円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割され各々独立した構造として形成された複数の試料台ブロックによって構成し、前記各試料台ブロックは、温度、ＲＦバイアス及び、ウエハ裏面圧力の各々について独立した制御を行う機能を具備していることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置において、前記試料台を円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割した独立構造で形成された複数の試料台ブロックは、分割数が多くなるほどウエハ面内の分割した領域で、温度、ＲＦバイアス等をそれぞれ単独に、高精度且つ、均一の制御をすることを可能にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の真空処理装置において、前記試料台を円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割した独立構造で形成された複数の試料台ブロックに、エッチング処理する前記ウエハのデバイス膜仕様(粗密差等)及び、前記真空容器内の反応生成物の密度分布に合わせ、前記ウエハ中央部の第１の試料台ブロック、前記ウエハ外周部の第２の試料台ブロック等に、複数に分割した領域において、それぞれ単独に、温度分布を高精度且つ、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項１記載の真空処理装置において、前記試料台を円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割した独立構造で形成された複数の試料台ブロックに、エッチング処理する前記ウエハのデバイス膜仕様(粗密差等)及び、前記真空容器内のイオンの密度分布に合わせ、前試料中央部の第１の試料台ブロック、前記試料外周部の第２の試料台ブロック等に、複数に分割した領域において、それぞれ単独に、ＲＦバイアス分布を高精度且つ、均一にしたことを特微とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項１記載の真空処理装置において、前記試料台を円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割した独立構造で形成された複数の試料台ブロックに、エッチング処理する前記ウエハの試料台への設置状態やウエハの変形状態及び、前記真空容器内の静電吸着時におけるウエハ裏面圧力分布に合わせ、前記ウエハ外周部の第１の試料台ブロック、前記ウエハ中央部の第２の試料台ブロック等に、複数に分割した領域において、それぞれ単独に、静電吸着バイアス分布を高精度且つ、均一にしたことを特微とする真空処理装置。
【請求項６】
請求項１記載の真空処理装置において、前記真空容器内の反応生成物の状態が、前記ウエハ中央部が高密度で前記ウエハ外周部が低密度の場合に、前記ウエハ外周部の第１試料台ブロックの温度を、前記ウエハ中央部の第２試料台ブロックよりも低くなるように、前記分割された複数の試料台ブロックを温度制御することにより、試料台上に載置されたウエハ面内の反応生成物分布を、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】
請求項１記載の真空処理装置において、前記真空容器内のイオンの状態が、前記ウエハ中央部が高密度で前記ウエハ外周部が低密度の場合に、前記ウエハ外周部の第１試料台ブロックのＲＦバイアスを、前記ウエハ中央部の第２試料台ブロックよりも大きくなるように、前記分割された複数の試料台ブロックをＲＦバイアス制御することにより、試料台上に載置されたウエハ面内のイオン分布を、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
請求項１記載の真空処理装置において、前記真空容器内の前記伝熱ガスによるウエハ裏面圧力が、前記試料中央部が高く、前記試料外周部が低い場合に、前記ウエハ外周部の第１試料台ブロックの静電吸着バイアスを、前記ウエハ中央部の第２試料台ブロックよりも大きくなるように、前記分割された複数の試料台を静電吸着バイアス制御することにより、試料台上に設置されたウエハ裏面圧力の分布を、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項９】
請求項６に記載の前記ウエハのプロセス処理条件により、前記真空容器内の前記分割された複数の試料台ブロックを温度、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアス制御することにより、試料台上に設置されたウエハ面内の反応生成物分布、イオン分布及びウエハ裏面圧力の分布を、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の前記ウエハのプロセス処理条件により、前記真空容器内の前記分割された複数の試料台ブロックを温度、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアス制御することにより、試料台上に設置されたウエハ面内の反応生成物分布、イオン分布及びウエハ裏面圧力の分布を、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の前記ウエハのプロセス処理条件により、前記真空容器内の前記分割された複数の試料台ブロックを温度、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアス制御することにより、試料台上に設置されたウエハ面内の反応生成物分布、イオン分布及びウエハ裏面圧力の分布を、均一にしたことを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
木発明は、真空処理装置に係り、特に複数の試料台を有する真空処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを用いた試料の処理においては、処理台の温度分布、プラズマの密度分布及び反応生成物分布等の均一性要因によって、これらが均一でないために生じるウエハ面内の処理の不均一が問題となっている。この問題を解決するための一つの手段としてウエハ面内の温度分布を制御することからのアプローチが提案されている。
【０００３】
例えば、試料台の温度を制御するものとして、特許文献１に記載のように、試料台を複数の温度制御ブロックに分割し、試料台の周辺と中心とを独立して温度調節できるようにし、ウエハが密着固定される面に所望の温度分布を発生させられるようにしたものがある。
【０００４】
また、特許文献２に記載のように、ウエハを保持する試料台を複数個の電極に分割し試料台の各分割電極同士を絶縁体により電気的に分離して構成し、分割された電極のそれぞれに異なる電力を供給し、試料台の外周と中央部とのエッチング速度を、制御させるようにしたものがある。
【０００５】
さらに、試料台の温度を制御するものとして、特許文献３に記載のように、試料台として一体構造の電極ブロック内に内周と外周で独立した冷媒流通用のスリットを設けて、試料台の周辺と中心とを独立して温度調節できるようにしたものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−４５９０９号公報
【特許文献２】特開２００２−９０４３号公報
【特許文献３】特開２００３−２４３３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の例では、試料台が複数の温度制御ブロックに分割されており、異なる温度の冷媒を流した際に、分割の境界部分で急激な温度差が生じ、ウエハ処理に悪影響を及ぼす恐れがある。また、試料を真空処理するには、温度制御による反応生成物とプラズマ中のイオンの両方を精度よく制御しないと処理性能は向上しないが、この点に関する配慮がされていないので、高精度なプロセス性能を得ることが難しいと言う問題が有る。
【０００８】
特許文献２に記載の例では、試料を真空処理するには、プラズマ中の反応生成物も精度よく制御しないと処理性能は向上しないが、この点に関し試料台を複数個の電極に分割した場合の配慮がされていないので、高精度なプロセス性能を得ることが難しいと言う問題が有る。
【０００９】
特許文献３に記載の例では、内周と外周それぞれの電極スリットに、異なる温度の冷媒を流して試料台の温度分布を制御しているが、試料台が一体構造のため、各冷媒の熱伝導により高精度な温度制御が難しいという問題がある。
【００１０】
そして、前記各従来技術を組合せた場合にも、静電吸着バイアスによるウエハ裏面圧制御に関する配慮がされていないので、高精度な試料台の温度制御が難しいと言う問題が有る。
【００１１】
そのため、以上説明した従来技術では、いずれの場合で現状のプロセス性能において、最も重要な形状制御性の結果であるＣＤロスが約３ｎｍで、これ以上ＣＤロスを小さくできないことが、大きな問題となっている。
【００１２】
また、ウエハの面内での半径方向の条件を多くの特性に対応して適切、迅速に調節、設定する点について考慮が不十分であった。
【００１３】
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、試料を高精度に均一処理を行うために、試料面内の温度分布、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアス分布を高精度に制御することにより、例えばプロセス性能において、現状のＣＤロス約３ｎｍから約１ｎｍに改善することにより、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現することのできる真空処理方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記目的を達成するために、エッチングガスを真空容器内に供給する手段と、該供給されたエッチングガスをプラズマ化させる手段と、前記真空容器内のウエハを試料台に静電吸着電源で静電吸着する手段と、前記試料に商周波電源でバイアスを印加する手段と、ウエハの裏面と試料台のウエハ設置面との間に伝熱ガスを供給するガス供給手段と、制御手段とを有し、ウエハをエッチング処理する真空処理装置において、
前記試料台を、円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割され各々独立した構造として形成された複数の試料台ブロックによって構成し、前記各試料台ブロックは、温度、ＲＦバイアス及び、ウエハ裏面圧力の各々について独立した制御を行う機能を具備していることに特徴がある。
【００１５】
本発明によれば、前記試料台を円周方向即ち同心円状あるいは、放射線状で複数に分割した独立構造で形成された複数の試料台ブロックに、プラズマ処理する前記試料のデバイスパターンに合わせて、前記試料中央部の第１の試料台ブロック、前記試料外周部の第２の試料台ブロック等にそれぞれ単独に最適な温度分布、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアス分布の制御を行うことが可能である。そのため、試料を高精度に均一処理ができるために、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現することのできる真空処理方法及び装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、全ての種類のウエハを高精度に均一処理可能なので、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置を提供することができるという効果が有る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００１８】
本発明の基本構成図を図１に示す。まず、本発明例を以下２分割の試料台１０、即ち図２の試料台を備えた真空処理装置について説明する。
【００１９】
試料台１０は、円周方向即ち同心円状に２分割され各々独立した構造として形成された第１の試料台ブロック１１と、第２の試料台ブロック１２によって構成されている。各試料台ブロック１１，１２は、温度、ＲＦバイアス、静電吸着バイアス、及び、ウエハ裏面圧力の各々について独立した制御を行う機能を具備している。
【００２０】
すなわち、試料台１０内の外周部に第１の冷媒路２１を設け、その内側に第２の冷媒流路２２を設ける。第１の冷媒流路２１の一端は流路を介して温度制御装置３１に接続し、第２の冷媒流路２２の他端は流路を介して温度制御装置３２に接続してある。温度制御装置３１、３２には図示を省略されたタンクとポンプが設置してあり、タンク内で冷媒が温調され、ポンプで冷媒を循環している。
【００２１】
この構成により、タンク内で温度調節された冷媒は、第１の冷媒流路２１に導入され、第１の冷媒流路２１を流れることによって、試料台１０の外周辺即ち第１の試料台ブロック１１を最適温度に冷却する。また、第２の冷媒流路２２を流れることによって、試料台１０の中央部即ち第２の試料台ブロック１２を異なる最適温度に冷却する。第２の冷媒流路２２を出た冷媒は、温度制御装置３２の冷却装置によって最適の温度に冷却されて、再度、温度制御装置３２より出て第２の冷媒流路２２を介して第２の試料台ブロック１２を最適温度に冷却する。第１の冷媒についても同様である。
【００２２】
このように、試料台１０に導入された冷媒は、一定区間を通り温度制御装置３１、３２により温度変更されて再度、試料台１０に導入される。このときの第１の試料台ブロック１１と第２の試料台ブロック１２の温度差によって試料台１０の表面に最適な温度分布が形成される。
【００２３】
上記構成の試料台１０での表面温度の分布設定は、例えば、図８に示すように、ウエハ９のプラズマ処理時における反応生成物の発生分布に合わせ、その温度分布を調整する。すなわち、反応生成物の多い部分では試料温度を高くして反応生成物の再付着を抑制し、ウエハ９全体での処理速度を均一化させる。
【００２４】
実施例として、ウエハ９をプラズマエッチングするときの反応生成物の発生する分布がウエハ９中央部で多く、ウエハ９周辺に向かうに従い徐々に反応生成物の発生が少なくなる分布の場合には、この反応生成物分布に合わせプラズマ処理されるウエハ９の温度分布を合わせるようにする。したがって、試料台１０のウエハ９載置面の温度分布を、中央部で温度を高くし、ウエハ９の外周部に向かうに従い徐々に温度が下がる分布とする。
【００２５】
このような温度分布を得るために、本実施例では、中央部の温度が高い部分の範囲に対応して第２の冷媒流路２２を設け、ウエハ９の外周より外側に対応する部分に第１の冷媒流路２１を設ける。第２の冷媒流路２２と第１の冷媒流路２１との間は、遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されているので、温度の高い中央部から周辺に向かって最適な温度勾配ができ、温度制御することができる。
【００２６】
以上、本実施例によれば、試料台１０を同心円状に２分割され各々独立した構造として形成された第１の試料台ブロック１１と第２の試料台ブロック１２によって構成している。各試料台ブロックは、温度や圧力などの各制御を独立して行う機能を具備しているので、試料台１０の試料配置面に処理されるそれぞれのウエハ９の膜仕様に合わせた最適の温度分布を形成することにより、ウエハ９上の反応生成物２の分布を高精度且つ、均一に分布させることができる。
【実施例２】
【００２７】
次に、上述の図１の基本構成を用いた試料台１０をプラズマエッチング装置に適用した実施例２を、説明する。１は処理室であり、内部に被処理物である試料、例えば、ウエハ９が載置される試料台１０を備えている。試料台１０は、この場合、ウエハ９配置面が形成され冷媒流路の溝が加工された試料台１０と、該溝を覆って冷媒流路を形成するウエハ９外周の第１試料台ブロック１１と中央部の第２の試料台ブロック１２と、試料台１０の側面及び上面を覆うカバー３、電極を支持する電極支持軸(図示省略)とから成る。処理室１は、真空雰囲気を保っている。処理室１内には、処理ガス導入口(図示省略)から処理用ガスが供給され、また、処理室１内は、排気口(図示省略)に連結された真空ポンプ(図示省略)により排気される。７はプラズマ発生源であり、処理室１内にプラズマを発生させる。電極支持軸には試料台１０のウエハ９配置面につながる伝熱ガス供給路１６が形成してあり、伝熱ガス供給源１５がつながる。伝熱ガスは、例えば、Ｈｅガスであり、ウエハ９裏面と試料台１０と間の伝熱ガス圧力が所定値になるように、伝熱ガス圧力制御系(図示省)によってその供給量を制御される。また、第１、２の試料台ブロック１１、１２には、プラズマ中のイオンに入射エネルギを与えるための第１、２の高周波電源４１、４２と、ウエハ９を試料台１０上に静電吸着するための第１、２の直流電源（バイアス回路）５１、５２とが接続されている。試料台１０はアルミ、または、チタン製の材料で成り、上面にはアルミナセラミックス等の溶射膜が設けられ静電吸着用の誘電体膜を形成する。
【００２８】
なお、ここで、試料台１０の温度制御を行う温度制御装置３１、３２を用いた冷媒の供給は、前述した基本構成に基づくものであり、説明を省略する。
【００２９】
また、プラズマ発生源としては、容量結合方式、誘導結合方式及びマイクロ波又はＵＨＦ波を用いたＥＣＲ方式等があり、プラズマの発生方法に限定されるものではない。
【００３０】
本実施例によれば、独立構造で形成された複数の試料台ブロックに、プラズマ処理する前記試料のデバイスパターンに合わせて、試料中央部の第１の試料台ブロック、試料外周部の第２の試料台ブロックに対して、それぞれ単独に最適な温度分布（冷媒温度、Ｈｅ圧力）、ＲＦバイアス及び、静電吸着バイアス分布の制御を行うことが可能である。
【００３１】
そのため、試料を高精度に均一処理ができるために、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現することのできる真空処理方法及び装置を提供することができる。
【実施例３】
【００３２】
本発明は、試料台を円周方向即ち同心円状、あるいは、放射線状で複数に分割した独立構造で形成された複数の試料台ブロック(第１、２、３、nの試料台ブロック)にそれぞれ単独に、高精度の温度、ＲＦバイアス及び、ウエハ裏面圧力の各制御を行うことを可能にしたものである。分割試料台ブロックとして、例えば図３〜図７に示すいずれの試料台１０の場合も、本発明の適用は可能である。
【００３３】
図３の例では、試料台が、円周方向即ち同心円状に分割された独立構造の第１、２、３の試料台ブロック１１、１２、１３で形成されており、各試料台ブロック間は遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されている。
【００３４】
図４の例では、試料台が、円周方向即ち同心円状にｎ個、例えば５つに分割された独立構造の試料台ブロック１１、１２、１３、n1、ｎで形成されており、各試料台ブロック間は遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されている。
【００３５】
図５の例では、試料台が、放射線状にｎ個、例えば４つに分割された独立構造の試料台ブロック１１、１２、１３、n1で形成されており、各試料台ブロック間は遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されている。
【００３６】
図６の例では、試料台が、放射線状にｎ個、例えば８つに分割された独立構造の試料台ブロック１１、１２、１３、n1で形成されており、各試料台ブロック間は遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されている。
【００３７】
図７の例では、試料台が、円周方向即ち同心円状に第１、２、３の３つに分割された独立構造の試料台ブロックで形成されており、各試料台ブロック間は遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されている。さらに、最外周の試料台ブロックは、放射線状にｎ個、例えば８つに分割された独立構造の試料台ブロック１１、１２、１３、n1で形成されており、各試料台ブロック間は遮蔽層６にて熱伝導、電気的に完全に断絶されている。
【実施例４】
【００３８】
次に、上述のプラズマエッチング装置を用いたＡｌ配線膜のエッチング処理を例に説明する。ここでは、図１の実施例の試料台１０に適用した場合について説明する。この実施例４の制御方式を、模式的に示したのが図８である。図８には、プラズマエッチングによって発生する反応生成物２の分布も示している。
【００３９】
試料台１０は、同心円状に２分割された第１の試料台ブロック１１と、第２の試料台ブロック１２によって構成されている。各試料台ブロック１１，１２は、それぞれ単独に、温度の制御を行う機能を具備している。
【００４０】
まず、処理室１内に処理用ガスとしてＢＣｌ３/Ｃｌ２の混合ガスを所定の流量で処理ガス供給口から導入し、これとともに真空ポンプによって真空排気し、処理圧力を２Ｐａに保持する。次に、プラズマ発生源２としてマイクロＥＣＲ源を用いて処理室１内の処理期ガスをプラズマ化しプラズマを発生させる。また、この場合の真空排気によるガス流れは、試料台下方に排気され、試料台周辺では均等に排気されることが望ましい。
【００４１】
また、試料台１０では、ウエハ９の周辺が２０℃になるように第１の試料台ブロック１１の第１の冷媒流路２１を流れる冷媒温度を温度制御装置３１によって設定し、ウエハ中央部が６０℃になるように第２の試料台ブロック１２の第２の冷媒流路２２を流れる冷媒温度を温度制御装置３２によって設定する。これにより、ウエハ９中央部と外周部との間には４０℃の温度差が設定される。ウエハ９中央部の６０℃の範囲は、この場合、ウエハ直径の約１/３が設定されている。
【００４２】
このように温度設定されている試料台１０上には、ウエハ９が配置されて静電吸着保持され、伝熱ガス供給路１６よりＨｅガスが供給される。静電吸着装置はウエハ外周部からＨｅガスの漏洩を抑制するように全周囲が静電吸着されるとともに、伝熱ガス圧力によるウエハ９中央部の浮上りを防止するように部分吸着される。これにより、試料台１０に形成された温度分布に合わせ、ウエハ９を冷却できる。
【００４３】
ウエハ９は、Ａｌ合金とＴｉＮのバリヤメタルを積層した配線膜用の膜とパターン化されたレジスト膜とが形成されるものであり、上述の条件によりエッチング処理した場合、試料台１０に温度差を設けない場合と比較すると、ウエハ中央部と外周部におけるＣＤロスは過去の処理実績より、大幅に改善できる。また、ウエハ９処理時の歩留りに大きく影響をおよぼすゲート材エッチング等では、特に有効である。
【００４４】
尚、本実施例は、試料台１０が２分割の場合での、効果例であるが、図３〜図７に示す他の試料台１０にも同様に適用できる。
【００４５】
例えば、試料台１０をもっと分割し面積を小さくすると、ウエハ９処理時のＣＤロスは、さらに小さくなり高歩留まりになることは、言うまでもない。即ち、本発明は、ウエハ(試料台)９のある部分を高精度かつ、均一に温度分布制御により最適な反応生成物２の分布を得ることができる。
【００４６】
これはすなわち、プラズマエッチングによって発生する反応生成物２の分布が、プラズマの発生によるプラズマ密度の分布や真空排気流れ等の要因によって、ウエハ９中央部で多く存在し、ウエハ９外周部で少なくなる分布となっていることに対して、この反応生成物の分布に合わせて前記ウエハ９中央部の第１の試料台ブロック１１、前記ウエハ９外周部の第２の試料台ブロック１２に最適の温度差が形成してあるので、反応生成物の多く存在する中央部ではウエハ９の温度が高く反応生成物の再付着が抑制されて、ＣＤロスの増大を抑制できるものである。
【００４７】
また、ウエハ９外周部即ち、第２試料台ブロック１２上部の反応生成物の存在量減少に合わせてウエハ９温度を低下させるので、反応生成物の再付着量が徐々に少なくなるに従いウエハ温度も低下して反応生成物の再付着確立を増やすことにより、高精度にウエハ中央部と同様のＣＤロスとすることが有能となる。
【００４８】
これにより、ウエハ面内でのＣＤロスを小さくし、改善することができプロセス性能の向上ができる。尚、この方法は、形成されるパターンに粗密がある場合は、特に効果的である。
【実施例５】
【００４９】
次に、本実施例の温度分布と同様の要領により、試料台１０の試料配置面に処理されるそれぞれのウエハ９の膜仕様に合わせた最適のＲＦバイアス分布を形成することもできる。ここでは、図１の実施例の試料台１０に適用した場合について説明する。この実施例５の制御方式を、模式的に示したのが図９である。図９には、プラズマ（イオン）３の分布も示している。
【００５０】
試料台１０は、同心円状に２分割された第１の試料台ブロック１１と、第２の試料台ブロック１２によって構成されている。各試料台ブロック１１，１２は、それぞれ単独に、ＲＦバイアスの制御を行う機能を具備している。
【００５１】
試料台１０上にウエハ９を載せ、ウエハ９上の空間にエッチング用のガスを供給し、ウエハ９上の空間に供給された気体をプラズマにする手段を有し、前記試料台１０に電力を供給して、前記プラズマの気体と前記半導体ウエハ９の表面を化学反応させ、前記ウエハ９をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、２つの試料台ブロックに分割された試料台１０上にウエハ９を載せ、第１の試料台ブロックの外周付近に印加されるＲＦバイアスと、第２の試料台ブロックの中心付近に印加されるＲＦバイアスを高精度に制御できるものである。
【００５２】
前記プラズマは、一般的に処理室１内のウエハ９上で均一状態でなく、ウエハ９の中央付近がウエハ９周辺に比べて高密度になるため、従来の一体型試料台１０のように、均一にＲＦバイアスを印加すると、ウエハ９の中央と外周でエッチング速度が異なる現象(マイクロローディング効果)等が発生し、形状不良とかＣＤロスが大きくなり歩留り低下の原因となる、
そこで、本発明では、ウエハ９上のプラズマ状態と半導体デバイスパターン(粗密)に合わせて、第１の試料台ブロック１１、第２の試料台ブロック１２にそれぞれ高精度かつ、均一にＲＦバイアスを印加することにより、ウエハ９面内のエッチング速度を、高精度に制御可能になり歩留り向上させることができる。
【００５３】
前記の一般的な実施例の場合、ウエハ９の中央付近がウエハ９周辺に比べてプラズマ３が高密度になるため、ウエハ９の中央部の第２の試料台ブロック１２のＲＦバイアスを、ウエハ９の外周部の第１の試料台ブロック１１のＲＦバイアスより小さくすることで、簡単にウエハ９面内のプラズマ/イオンを均一にすることが可能である。また、処理室１のプラズマ状態が逆の場合、つまり、ウエハ９の周辺付近がウエハ９中央付近に比べてプラズマが高密度になる場合は、前記と逆の要領で処理できることは、言うまでもない。
【００５４】
本発明は、ウエハ(試料台)９のある部分を高精度かつ、均一にＲＦバイアス制御することにより、最適なプラズマ/イオン３分布を得ることができる。
【００５５】
本発明は、図３〜図７に示す他の試料台１０にも同様に適用できることは言うまでもない。
【実施例６】
【００５６】
更に、本実施例のＲＦバイアス分布と同様により、試料台１０の試料配置面に処理されるそれぞれのウエハ９の膜仕様とウエハ裏面圧分布の状態に合わせた最適の静電吸着バイアス分布を形成することもできる。ここでは、図１の実施例の試料台１０に適用した場合について説明する。この実施例６の制御方式を、模式的に示したのが図１０である。
【００５７】
試料台１０は、同心円状に２分割された第１の試料台ブロック１１と、第２の試料台ブロック１２によって構成されている。各試料台ブロック１１，１２は、それぞれ単独に、静電吸着バイアスの制御を行う機能を具備している。
【００５８】
前記と同様にウエハ９をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、複数の試料台１０に分割された試料台１０上にウエハ９を載せ、前記第１の試料台ブロック１１の外周付近に印加される静電吸着バイアスと、前記第２の試料台ブロック１２の中心付近に印加される静電吸着バイアスを高精度かつ、均一に制御できるものである。
【００５９】
前記ウエハ９裏面の圧力分布において、ウエハ９の最外周のＨｅガスの圧力は前記プラズマ生成中の処理室内の圧力より高いので、ウエハ９の外周部で急激に低くなる。つまりウエハ９外周部の表面温度は、Ｈｅガスの圧力が低くなることに起因して、中心部より表面温度が高くなる。従って、試料台１０の設定温度をウエハ９裏面のＨｅガスによりウエハ９中央部と外周部に均等に温度分布させるには、ウエハ９外周面を中央部より強く押さえる、即ち、第１の試料台ブロック１１の静電吸着バイアスを、策２の試料台ブロック１２に比べて大きくすることにより、ウエハ９の裏面圧力をウエハ９の外周面と中央部で、均等に削御できることにより、本発明では容易に、ウエハ９表面の高精度な温度制御が可能になる。
【００６０】
また、最近のウエハ９の大口径化に伴い、ウエハ９上に前記半導体デバイスを製作する工程中に熱応力等により、ウエハ９外周部が上側あるいは、下側に変形することに起因するウエハ９処理時におけるウエハ９吸着あるいは、取外しエラー等の信頼性が問題になっている。そこで、本発明では、前記ウエハ９の変形状態により、第１、第２の試料台ブロック１１、１２の静電吸着バイアスの最適化により、ウエハ９をフラット状態に簡単にできるので、信頼性の向上にも寄与できる。
【００６１】
即ち、本発明は、ウエハ(試料台〉９のある部分を高精度かつ、均一に静電吸着バイアス制御することにより、最適なウエハ９裏面圧分布を得ることができる。
【００６２】
本発明は、図３〜図７に示す他の試料台１０にも同様に適用できることは言うまでもない。
【実施例７】
【００６３】
次に、実施例４で説明したウエハ９上での反応生成物２と実施例５で説明したイオン分布制御を組み合わせることにより、高精度、かつ、均一なエッチング速度を得ることができる。
【００６４】
ここでは、図１の実施例の試料台１０に適用した場合について説明する。この実施例７の制御方式を、模式的に示したのが図１１である。
【００６５】
試料台１０は、同心円状に２分割された第１の試料台ブロック１１と、第２の試料台ブロック１２によって構成されている。各試料台ブロック１１，１２は、それぞれ単独に、温度の制御を行う機能とＲＦバイアスの制御を行う機能とを具備している。
【００６６】
本発明は、図３〜図７に示す他の試料台１０にも同様に適用できることは言うまでもない。
【実施例８】
【００６７】
更には、以上説明したウエハ９上での反応生成物２とイオン分布及び、ウエハ９裏面圧分布制御を組み合わせることにより、高精度且つ、均一なエッチング速度を得ることができることは、言うまでもない。
【００６８】
ここでは、図１の実施例の試料台１０に適用した場合について説明する。この実施例８の制御方式を、模式的に示したのが図１２である。
【００６９】
試料台１０は、同心円状に２分割された第１の試料台ブロック１１と、第２の試料台ブロック１２によって構成されている。各試料台ブロック１１，１２は、それぞれ単独に、温度、ＲＦバイアス及び、ウエハ裏面圧力の各制御を行う機能を具備している。
【００７０】
以上説明したように、前記半導体ウエハ９を処理する際に、試料台の温度分布、ＲＦバイアス及び、静電吸着デバイスのそれぞれの組合せ、高精度かつ、均一制御により、処理室１内のウエハのデバイスパターン、プラズマ状態、ウエハ裏面圧分布、及びウエハの変形状態に整合するように最適化することにより、従来に比べＣＤロス約１ｎｍ等の高精度なウエハ９処理が可能になり高い生産効率と高い製品歩留りを実現できるものである。
【００７１】
本発明は、図３〜図７に示す他の試料台１０にも同様に適用できることは言うまでもない。
【００７２】
なお、上述の各実施例では、プラズマエッチング装置を例に説明したが、減圧雰囲気内でウエハ等の被処理物が加熱されながら処理される処理装置に広く適用することができる。例えば、プラズマを利用した処理装置としては、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置等が挙げられる。また、プラズマを利用しない処理装置としては、イオン注入、ＭＢＥ、蒸着、減圧ＣＶＤ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の概略図(断面図)である。
【図２】本発明の一実施例の試料台の平面図である。
【図３】本発明の一実施例の試料台の平面図である。
【図４】本発明の一実施例の試料台の平面図である。
【図５】本発明の一実施例の試料台の平面図である。
【図６】本発明の一実施例の試料台の平面図である。
【図７】本発明の一実施例の試料台の平面図である。
【図８】本発明の一実施例(反応生成物制御)の模式図である。
【図９】本発明の一実施例(プラズマ／イオン制御)の模式図である。
【図１０】本発明の一実施例(ウエハ裏面圧制御)の模式図である。
【図１１】本発明の一実施例(エッチング温度制御)の模式図である。
【図１２】本発明の一実施例(エッチング速度制御)の模式図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…処理室、２…反応生成物、３…プラズマ（イオン）、６…遮蔽層、９…ウエハ、１０…試料台、１１…第１の試料台ブロック、１２…第２の試料台ブロック、１３…第３の試料台ブロック、Ｉｎ…第ｎの試料台ブロック、２１…第１の冷媒流路、２２…第２の冷媒流路、３１…第１の温度制御装置、３２…第２の温度制御装置、４１…第１のＲＦバイアス回路、４２…第２のＲＦバイアス回路、５１…第１の静電吸着（直流）バイアス回路、５２…第１の静電吸着（直流）バイアス回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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