(57)【要約】【課題】  インナーチューブの無い装置構成でガス供給ノズルを介してガスを供給させる場合に、成膜均一性がさらに向上する基板処理装置の構造を提供することにある。【解決手段】  基板（ウエハ１０）の処理空間を形成する処理室２０と、前記処理室に少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する加熱手段（ヒータ１８）とを有し、前記基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置において、前記ガス供給手段は、前記処理室２０内に挿入される複数のガス供給ノズル１６、１７を含み、前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズル１７から構成されていることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理空間を形成する処理室と、
前記処理室に少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する加熱手段と、
を有し、
前記基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置であって、
前記ガス供給手段は、前記処理室内に挿入される複数のガス供給ノズルを含み、
前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズルから構成されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体基板をバッチ処理する縦型又は横型の基板処理装置に係り、特に汚染のない高清浄な反応雰囲気で膜厚の面内均一性に優れた良質な膜成長を可能とする基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程における熱拡散工程や成膜工程にて使用される基板処理装置として、無塵化及び省スペース化等を図ることができる縦型減圧ＣＶＤ装置が用いられている。
【０００３】
従来の縦型減圧ＣＶＤ装置の処理炉１は、図５に示す通り、インナーチューブ２Ａとアウターチューブ２Ｂで二重管構造の反応管として構成され、その下部に、ガス導入管５及びガス排気管６が溶接された炉口フランジ４を具備している。この炉口フランジ４の下方の開放口を、エレベータ機構により昇降可能なシールキャップ７で封止することにより、１つの閉じられた基板処理空間である処理室２０が形成されるようになっている。なお図示してないが、反応管の周囲にはヒータが設けられている。
【０００４】
シールキャップ７上にはボート載置台８上にボート９が立設される。ボート９には被処理体であるシリコン等のウエハ１０が水平姿勢で多段に装填され、処理室２０内に挿入されてバッチ処理される。
【０００５】
すなわち、炉口フランジ４の炉口は、円板７ａ及びリング７ｂから成るシールキャップ７により、Ｏリング１４を介して気密に閉塞される。そして、この処理室２０内に、ガス導入管５から処理ガスを導入し、この処理ガスにより、ウエハ１０上に例えばＳｉ又はＳｉＧｅを成膜する。なお、均一な処理を目的として、ボート９はその下部に設けた断熱板１１を有し、またボート９は、シールキャップ７の裏面に取り付けられたボート回転機構１３によって回転軸１２を介して回転される。
【０００６】
上記の基板処理において、ＣＶＤ反応の原料となるガスは炉口フランジ４から導入され、そのガスは、図５中に矢印２１で示すように、下部から上部へインナーチューブ２Ａの内側を通り、そして上部でインナーチューブ２Ａとアウターチューブ２Ｂの間を介して、インナーチューブ２Ａの外側を通って下部から排気される。よってウエハ１０の存在する反応雰囲気でのガスの流れは下から上となる。
【０００７】
ここで、炉口フランジ４及びシールキャップ７の部分には真空シールのためのＯリング１４が多用され、減圧時にそこからＯリング成分が脱ガスしたり、あるいはそこから外部リークする可能性があり、反応雰囲気が汚染されることがある。また、ボート回転機構１３が取り付けられている装置においては、この回転機構も汚染源となる。これら汚染源は処理炉１の下部に集中している。図中の斜線部は汚染領域を誇張して示したものである。
【０００８】
これら汚染源がウエハの存在する反応雰囲気中でガスの流れに対して上流に位置するため、下部から導入されたガスはこれら汚染物を含有し、そして汚染物を含有したままガスはウエハまで飛来し、汚染物質がウエハに付着し、ＣＶＤ反応の膜成長不良の原因となっていた。特にＳｉ及びＳｉＧｅのエピタキシャル成長などの高清浄な反応雰囲気が要求されるプロセスにおいては、そのウエハに付着する汚染物質が原因で、成膜表面を曇らす「ヘイズ」が発生し、良好なエピタキシャル膜が得られないという問題があった。
【０００９】
そこでＳｉやＳｉＧｅのエピタキシャル成長では、図６に示すように、インナーチューブ２Ａを廃止してアウターチューブ２Ｂに相当する反応管３のみの一重管構造とすると共に、反応管３内に、下端をガス導入管５に接続し上端をボート９の上部付近で解放としたガス供給ノズル１５を配置し、このガス供給ノズル１５にてガスを処理炉１内の上部より導入する構成が提案された。この場合、処理炉１内の上部では反応管３が密閉されているため、汚染源は存在しない。そのため処理炉１内の上部から導入されたガスは汚染されず、高清浄なままウエハ１０に到達できる。さらに炉口部の汚染源は、矢印２２で示すガスの流れに対して下流となり、汚染物質は上流から流れてくるガスによって押し戻されることになり、反応雰囲気に持ち込まれることなくそのまま下側から排気されるので、ウエハ１０は汚染されずに済む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図６の如く、ガス供給ノズル１５にてガスを処理炉１内の上部に導いて解放する構造の処理炉においては、次のような課題があった。
【００１１】
すなわち、ＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ2Ｃｌ2やＧｅＨ4等の原料ガスや、ＰＨ3やＢ2Ｈ6等のようなドーピングガスや、ＨＣｌやＣｌ2等のエッチング性ガスは、Ｈ2やＡｒやＨｅなどのキャリアガスと一緒に、ガス供給ノズル１５を介して処理炉１内に導入される。
【００１２】
しかし、ガス供給ノズル１５を介してガスが供給される場合は、ガス供給ノズル１５の内径が細く、単位面積あたりに通過するガスの量が多いため、ガスの流速が著しく速い。縦型ＣＶＤ装置の場合、熱エネルギーによるＣＶＤ反応によって成膜が行われるが、ガスの流速が速いとガスが十分に熱エネルギーが得られないままウエハに到達してしまい、成膜均一性つまり膜厚の面内均一性が悪くなってしまう。
【００１３】
ちなみにインナーチューブ２Ａが有り炉口フランジ４からガスが供給される図５の処理炉の場合は、インナーチューブ２Ａの径が太いため、ガスの流速は遅く、また断熱板１１の領域を通って来るため、ガスは十分な熱エネルギーを得てウエハまで到達することができる。
【００１４】
そこで本発明の目的は、上記課題を解決し、インナーチューブの無い装置構成でガス供給ノズルを介してガスを供給させる場合に、成膜均一性がさらに向上する基板処理装置の構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１６】
本発明に係る基板処理装置は、基板の処理空間を形成する処理室と、前記処理室に少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気および前記基板を加熱する加熱手段と、を有し、前記基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置であって、前記ガス供給手段は、前記処理室内に挿入される複数のガス供給ノズルを含み、前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズルから構成されていることを特徴とする。
【００１７】
なお、本発明に関連した、好ましい半導体デバイスの製造方法を付記すれば下記のようになる。
【００１８】
（１）基板の処理空間として形成され外周囲から加熱された処理室に、少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る処理ガスを供給し、処理室内のボートの加熱された基板上に所望のエピタキシャル膜を成長させる半導体デバイスの製造方法において、前記処理室内に複数本のガス供給ノズルを上下に配設し、これにより各ガス供給ノズル中を流れる処理ガスの流速をガス供給ノズルが１本の場合より低減して、処理ガスを処理炉内の上部より導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
（２）基板の処理空間として形成され外周囲から加熱された処理室に、少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る処理ガスを供給し、処理室内のボートの加熱された基板上に所望のエピタキシャル膜を成長させる半導体デバイスの製造方法において、前記処理室内に、前記原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスのうちの特定のガスのみを供給するガス供給ノズルとそれ以外のガスを供給するガス供給ノズルとを上下に配設し、これにより各ガス供給ノズル中を流れる処理ガスの流速をガス供給ノズルが１本の場合より低減して、処理ガスを処理炉内の上部より導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
（３）基板の処理空間を形成する処理室に、少なくとも原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る所望の処理ガスを供給し、処理室内の加熱された基板上に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体デバイスの製造方法において、前記処理室内に複数のガス供給ノズルを有し、前記複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、前記エッチング性ガスのみを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、ガス供給手段として処理室内に複数のガス供給ノズルが挿入され、その複数のガス供給ノズルの少なくとも一つが、エッチング性ガスのみを供給するガス供給ノズルとなっていることから、各ガス供給ノズル中を流れる処理ガスの流速は、ガス供給ノズルが１本の場合より低減される。従って、処理室内のガス供給ノズルを通過中に十分な熱エネルギーが与えられてからガスが基板に到達するため、基板に形成される成膜は、その膜厚の面内均一性が高くなり、成膜均一性が向上する。
【００２０】
また、インナーチューブを無くし、処理室内にガス供給ノズルを上下に配設した処理炉では、ガス供給ノズルで処理炉下部の汚染源を迂回して、処理ガスをボートの上部付近まで導き解放する構造となるので、処理炉内の上部から導入されたガスは汚染されず、高清浄なまま基板に到達できる。さらに炉口部の汚染源は、ガスの流れに対して下流となるので、この汚染物質が回り込んで基板が汚染されることもない。従って、Ｓｉウエハ等の基板にＳｉ又はＳｉＧｅ成長膜を形成する製造装置として適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【００２２】
本発明は縦型ＣＶＤ装置により、Ｓｉウエハ等の基板に、例えばＳｉ又はＳｉＧｅの成長膜を形成するに際して、原料ガスやドーピングガスやエッチング性ガス性ガスから成る処理ガスをガス供給ノズルを介して供給する際、その処理ガスを複数本のガス供給ノズルに分けて供給するか、処理ガスのうちエッチング性ガスの如き特定のガスを別のガス供給ノズルに分けて供給するものである。
【００２３】
図１に、本実施形態に係る縦型減圧ＣＶＤ装置の処理炉の構成を示す。ここでは処理炉は一重管構造となっている。
【００２４】
上部が閉じた円筒状のヒータ１８（図２参照）の内側に、上部が閉じた円筒状の石英製反応管３（アウターチューブ２Ｂに相当する）がヒータ１８と同心状に設けられる。反応管３は短筒状のステンレス製の炉口フランジ４上に立設され、反応管３の開口と炉口フランジ４の上端との間はＯリング１４によりシールされている。炉口フランジ４の下端の炉口はＯリング１４を介してシールキャップ７により気密に閉塞される。シールキャップ７上にボート９が立設されて反応管３内に挿入される。ボート９にはシリコン等のウエハ１０が水平姿勢で多段に装填され、これらのウエハ１０はバッチ処理される。炉口フランジ４がシールキャップ７により気密に閉塞されることにより、反応管３と炉口フランジ４とで相互に連通した１つの閉じた空間（処理室２０）が構成される。
【００２５】
ボート９を立設するシールキャップ７には、さらにボート回転機構１３、回転軸１２、及びボート載置台８が取り付けられる。シールキャップ７は二段構造をしており、反応管３と略同径の円板７ａと、その円板７ａの外周上にＯリング１４を介して段積みされたヒータ１８と略同径のリング７ｂとで構成される。円板７ａと中空のリング７ｂとがＯリング１４を介して炉口フランジ４の炉口を気密に閉塞している。このようにシールキャップ７には真空シールのためのＯリング１４が多用されている。
【００２６】
シールキャップ７に裏面より挿通された回転軸１２の上端には、反応管３の径とボート９の径との略中間の径をもつ円板状のボート載置台８が取り付けられ、その上にボート９が立設されている。回転軸１２はシールキャップ７の裏面に取り付けられたボート回転機構１３によって回転し、円板状のボート載置台８に立設したボート９を反応管３内で回転させる。
【００２７】
炉口フランジ４において、処理室２０の雰囲気を排気するとともに、処理室２０の上部に反応ガスを導入するようにしている。
【００２８】
すなわち、炉口フランジ４の側壁の上部に、処理室２０と連通して処理室２０を排気するガス排気管６を設ける。このガス排気管６は図示しないバルブ、ポンプとともにガス排気系を構成する。
【００２９】
一方、炉口フランジ４の側壁の下部には、周方向に離れた位置にガス導入管５とガス導入管１９を設ける。また、反応管３の処理室２０内に、複数本のガス供給ノズルとして、第一ガス供給ノズル１６と第二ガス供給ノズル１７とを上下に配設する。第一ガス供給ノズル１６は、その上端をボートの上部付近で上向きに開口させ、また下端をガス導入口５に接続し、このガス導入口５に、原料ガス及びキャリアガスから成る処理ガスを供給する。同様に、第二ガス供給ノズル１７は、その上端をボートの上部付近で上向きに開口させ、また下端をガス導入管１９に接続し、このガス導入管１９に、エッチング性ガスから成る処理ガスのみを供給する。
【００３０】
すなわち、従来（図６）ではガス供給ノズルが１本であることから、原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスから成る処理ガスは、これらを一緒に供給することになる。しかし、この実施形態ではガス供給ノズルは複数本であり、原料ガス、キャリアガス、エッチング性ガスのうちの特定のガスとして、エッチング性ガスのみを第二ガス供給ノズル１７により供給し、それ以外のガスとして、原料ガス及びキャリアガスを第一ガス供給ノズル１６により供給する。つまり、処理ガスを二系統に分け、その処理ガスを別々のガス供給ノズル１６、１７によりボート９の上部付近まで導き、そこで解放する。この二系統のガス流は、図１中に矢印２３、２４で示すように合流してボート９の中を流下し、ガス排気管６から排気される。
【００３１】
ここで各ガス供給ノズル１６、１７中を流れる処理ガスの流速は、ガス供給ノズルが１本の場合より低速となり、反応管３内の上部より導入される。従って、処理ガスはガス供給ノズル１６、１７を通過中に十分な熱エネルギーを与えられた後にウエハ１０に到達する。このため、ウエハ１０に形成される成膜は、その膜厚の面内均一性が高くなる。
【００３２】
また、ガス供給ノズル１６、１７で処理炉下部の汚染源を迂回して、処理ガスをボート９の上部付近まで導く構造であるので、汚染されていない高清浄なままの処理ガスが基板に到達する。さらに炉口部の汚染源は、ガスの流れに対して下流となるので、この汚染物質が回り込んで基板が汚染されることもない。従って、例えばＳｉウエハにＳｉ又はＳｉＧｅ成長膜を形成するのに適する。
【００３３】
図２に成膜処理を行う場合のホットウオール式縦型減圧ＣＶＤ装置の全体を概略的に示す。
【００３４】
成膜処理を行う場合、ウエハカセット２５に収納されて装置内に投入されたウエハ１０（Ｓｉ基板）は、制御系３０による制御の下に、移載機２６によりウエハカセット２５からボート９へ移載される。全てのウエハ１０の移載が完了すると、ゲートバルブ２７が開かれて、ボート９は下方の準備室から処理炉１の反応管３内へ挿入される。次に、ガス排気管６に接続されている図示しないバルブ及びポンプを含むガス排気系２８が作動され、反応管３内が減圧される。そして所望の温度に加熱し、温度が安定したところで、ガス導入管５、１９に接続されている図示しないバルブ及びガス供給源を含むガス供給系２９が作動され、原料ガスが、第一ガス供給ノズル１６及び第二ガス供給ノズル１７を通して処理室２０内の上部に供給される。これによりウエハ１０（Ｓｉ基板）上にＣＶＤ反応によりＳｉ等の半導体膜が成長する。
【００３５】
次に、上記縦型減圧ＣＶＤ装置を用いてＳｉの選択成長をする場合について説明する。
【００３６】
ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）において、ゲート長の微細化に伴う短チャネル効果抑制のため、エレベイテッドソース／ドレイン（またはライズドソース／ドレイン）と呼ばれる技術が注目を集めている。
【００３７】
エレベイテッドソース／ドレインが形成されたＭＯＳＦＥＴの構造の概略を図３に示す。図３において、３１は上記ウエハ１０に相当するシリコン基板であり、このシリコン基板３１に設けた素子分離絶縁膜３２、３２間には、シリコン基板３１内の表面側に、例えばｎ+拡散層から成るソース領域３３とドレイン領域３４が形成されている。またソース領域３３とドレイン領域３４の間には、ＳｉＯ2から成るゲート絶縁膜３５を介してゲート電極３６が形成され、そのゲート電極３６の周囲は、ＳｉＮから成る絶縁膜３７で覆われている。そして、ソース領域３３とドレイン領域３４の上には、それぞれＳｉ又はＳｉＧｅがエピタキシャル成長されて、エレベイテッドソース領域３８とエレベイテッドドレイン領域３９（両者を合わせてエレベイテッドソース／ドレイン領域という）が形成されている。
【００３８】
このように、Ｓｉが露出しているソース／ドレイン領域３３、３４にのみＳｉ又はＳｉＧｅをエピタキシャル成長させ、その他のＳｉＯ2やＳｉＮ等が露出している領域には何も成長させない技術で、一般的には選択成長とも呼ばれている。
【００３９】
Ｓｉ又はＳｉＧｅを選択成長する原料ガスとしては、ＳｉＨ4やＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2等のＳｉ含有ガスが用いられ、ＳｉＧｅの場合にはさらにＧｅＨ4やＧｅＣｌ4等のＧｅ含有ガスが加えられる。
【００４０】
ＣＶＤ反応において原料ガスが導入されると、Ｓｉ上ではただちに成長が開始されるのに対して、ＳｉＯ2やＳｉＮ上では潜伏期間と呼ばれる成長遅れが生じる。この潜伏期間の間、Ｓｉ上のみにＳｉ又はＳｉＧｅを成長させるのが選択成長である。なお選択成長させる膜厚を厚くしたい場合、ＳｉＯ2やＳｉＮ上での潜伏期間を長くする目的で、ＨＣｌやＣｌ2などのエッチング性ガスがしばしば添加される。
【００４１】
選択成長では汚染物質が核となって選択成長を阻害することがあるため、反応雰囲気の高清浄化が重要であり、インナーチューブ２Ａの無い一重管構造の処理炉の方が有利である。また排気系からの汚染の逆拡散を防ぐため、キャリアガスであるＨ2を大流量流すことことが多い。
【００４２】
ここでは、原料ガスにＳｉＨ2Ｃｌ2、エッチング性ガスにＨＣｌ、キャリアガスにＨ2を用いたＳｉの選択成長において、ＨＣｌを別ガス供給ノズルに分けて供給する構成とした。すなわち、原料ガスのＳｉＨ2Ｃｌ2、エッチング性ガスのＨＣｌ、キャリアガスのＨ2のうちの特定のガス、ここではエッチング性ガスのＨＣｌのみを第二ガス供給ノズル１７で供給し、それ以外のガス（原料ガスのＳｉＨ2Ｃｌ2、キャリアガスのＨ2）を第一ガス供給ノズル１６で供給する構成とした。
【００４３】
次に、本実施形態（本発明）の縦型減圧ＣＶＤ装置を用いて、すなわちＨＣｌを別ガス供給ノズルに分けて供給する構成の下で、Ｓｉ膜を選択成長し、その成長したＳｉ膜のウエハ面内の膜厚を、図７に示す互いにウエハ中心にて直交する直線上の計９箇所について測定した。同様に、従来技術の縦型減圧ＣＶＤ装置を用いて、すなわち全てのガスを同一ガス供給ノズルにて供給する構成の下でＳｉ膜を選択成長し、その成長したＳｉ膜のウエハ面内の膜厚を、図７に示す互いに直交する直線上の計９箇所について測定した。
【００４４】
表１に、この実施形態（本発明）の膜厚のウエハ面内分布と、面内均一性を、従来技術の場合と比較して示す。その時のプロセス条件を表２に示す。
【表１】
2007115845.tif 000003
【表２】
2007115845.tif 000004
【００４５】
表２に示すように、本実施形態（本発明）では、第一ガス供給ノズル１６に原料ガスのＳｉＨ2Ｃｌ2を８０ｓｃｃｍ及びキャリアガスのＨ2を２０００００ｓｃｃｍ流し、第二ガス供給ノズル１７にエッチング性ガスのＨＣｌを４０ｓｃｃｍ流した。また堆積圧力１００Ｐａ、堆積温度７２５℃、堆積時間１２０分とした。これに対し、従来技術の場合では、１本のガス供給ノズル１５に、原料ガスのＳｉＨ2Ｃｌ2を８０ｓｃｃｍ、エッチング性ガスのＨＣｌを４０ｓｃｃｍ及びキャリアガスのＨ2を２０００００ｓｃｃｍ流した。また堆積圧力、堆積温度、堆積時間この実施形態（本発明）と同じ１００Ｐａ、７２５℃、１２０分とした。
【００４６】
表１から判るように、Ｓｉ膜の膜厚の面内均一性は、本実施形態（本発明）の場合で±３．１４％、従来技術の場合で±３．９３％である。従って、本実施形態（本発明）の場合、従来技術と比較し、膜厚の面内均一性が±３．９３％から±３．１４％に向上している。これはＨＣｌの流速が遅くなり、十分な熱エネルギーを得たことで熱分解が促進され、膜厚の均一性か向上したものと思われる。
【００４７】
上記実施形態では、ＨＣｌを第二ガス供給ノズル１７により別供給した場合の膜厚のウエハ面内均一性について示したが、ドーピングガスを別供給する構成として、そのドーピングの均一性を向上させることもできる。
【００４８】
また上記実施形態では、原料ガスやドーピングガスやエッチング性ガスをガス供給ノズルを介して供給する際、ある特定のガスを別のガス供給ノズルに分けて供給する形態について述べたが、原料ガスやドーピングガスやエッチング性ガスをガス供給ノズルを介して供給する際、それぞれのガスを複数本のガス供給ノズルに分けて供給する形態とすることもできる。
【００４９】
例えば、原料ガスにＳｉＨ2Ｃｌ2、エッチング性ガスにＨＣｌ、キャリアガスにＨ2を用いたＳｉの選択成長において、図１で説明した２本のガス供給ノズル１５、１６を用い、全体で２０ｓｌｍの処理ガスのうちの１ｓｌｍの処理ガスを、第二ガス供給ノズル１７で分離して供給し、残りの１９ｓｌｍの処理ガスを第一ガス供給ノズル１６で供給する構成とする。かかる構成とすることにより、１本のガス供給ノズルに２０ｓｌｍの処理ガスをまとめて流す場合と比較して、２０ｓｌｍの処理ガスのうちの分離した１ｓｌｍのガスは、２０分の１の流量となるため、流速も２０分の１と遅くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明による縦型減圧ＣＶＤ装置の処理炉の概略を示した図である。
【図２】本発明による縦型減圧ＣＶＤ装置の全体の構成を示す概略図である。
【図３】エレベイテッドソース／ドレインが形成されたＭＯＳＦＥＴの構造を示した概略図である。
【図４】Ｓｉウエハ上の膜厚測定箇所を示した図である。
【図５】従来の縦型減圧ＣＶＤ装置における二重管構造の処理炉の概略図である。
【図６】従来の縦型減圧ＣＶＤ装置における一重管構造の処理炉の概略図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  処理炉
３  反応管
４  炉口フランジ
５  ガス導入管
６  ガス排気管
７  シールキャップ
８  ボート載置台
９  ボート
１０  ウエハ
１３  ボート回転機構
１４  Ｏリング
１６  第一ガス供給ノズル
１７  第二ガス供給ノズル
１８  ヒータ
１９  ガス導入管
２０  処理室
【図１】
2007115845.tif 000005
【図２】
2007115845.tif 000006
【図３】
2007115845.tif 000007
【図４】
2007115845.tif 000008
【図５】
2007115845.tif 000009
【図６】
2007115845.tif 000010