(57)【要約】【課題】太陽電池に生じる反りを低減することができるインターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、が備えられ、バスバー電極にインターコネクタが接続されたインターコネクタ付き太陽電池であって、インターコネクタは、インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、インターコネクタの小断面積部以外の箇所においてインターコネクタがバスバー電極に接続されているインターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールである。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、前記バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、が備えられ、前記バスバー電極にインターコネクタが接続されたインターコネクタ付き太陽電池であって、
前記インターコネクタは、前記インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、
前記インターコネクタの前記小断面積部以外の箇所において前記インターコネクタが前記バスバー電極に接続されていることを特徴とする、インターコネクタ付き太陽電池。
【請求項２】
半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、前記バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、が備えられ、
前記半導体基板の前記第１主面とは反対側の第２主面上の電極において、インターコネクタに接続するための接続部と、インターコネクタに接続されない非接続部と、が交互に配列されており、前記接続部にインターコネクタが接続されたインターコネクタ付き太陽電池であって、
前記インターコネクタは、前記インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、
前記小断面積部が前記非接続部に配置されていることを特徴とする、インターコネクタ付き太陽電池。
【請求項３】
半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、前記バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、を備えた太陽電池がインターコネクタにより複数接続されてなる太陽電池ストリングであって、
前記インターコネクタは、前記インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、
前記インターコネクタの前記小断面積部以外の箇所において前記インターコネクタが前記バスバー電極に接続されていることを特徴とする、太陽電池ストリング。
【請求項４】
前記太陽電池の前記半導体基板の前記第１主面とは反対側の第２主面上の電極において、インターコネクタに接続するための接続部と、インターコネクタに接続されない非接続部と、が交互に配列されており、
前記インターコネクタの前記小断面積部以外の箇所において前記インターコネクタが前記接続部に接続されており、前記小断面積部が前記非接続部に配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の太陽電池ストリング。
【請求項５】
請求項３または４に記載の太陽電池ストリングを含む、太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類があるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
【０００３】
図９に、従来の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。ここで、太陽電池においては、ｐ型シリコン基板１０の受光面にｎ+層１１が形成されることによって、ｐ型シリコン基板１０とｎ+層１１とによりｐｎ接合が形成されており、ｐ型シリコン基板１０の受光面上には反射防止膜１２および銀電極１３がそれぞれ形成されている。また、ｐ型シリコン基板１０の受光面と反対側の裏面にはｐ+層１５が形成されている。そして、ｐ型シリコン基板１０の裏面上にはアルミニウム電極１４および銀電極１６がそれぞれ形成されている。ここで、ｐ型シリコン基板１０の受光面上の銀電極１３は、インターコネクタに接続するためのバスバー電極とバスバー電極から伸びるフィンガー電極とからなる。また、ｐ型シリコン基板１０の裏面上の銀電極１６は、インターコネクタに接続するための裏面電極となる。
【０００４】
図１０（ａ）〜（ｉ）に、従来の太陽電池の製造方法の一例を示す。まず、図１０（ａ）に示すように、ｐ型シリコン結晶の原料を坩堝で溶解した後に再結晶化して得られたシリコンインゴッド１７をシリコンブロック１８に切断する。次に、図１０（ｂ）に示すように、シリコンブロック１８をワイヤソーで切断することにより、ｐ型シリコン基板１０が得られる。
【０００５】
次いで、アルカリまたは酸によってｐ型シリコン基板１０の表面をエッチングすることによって、図１０（ｃ）に示すｐ型シリコン基板１０のスライス時のダメージ層１９を除去する。このとき、エッチング条件を調整すると、ｐ型シリコン基板１０の表面に微小な凹凸（図示せず）を形成することができる。この凹凸により、ｐ型シリコン基板１０の表面に入射する太陽光の反射が低減されて、太陽電池の変換効率を高めることができる。
【０００６】
続いて、図１０（ｄ）に示すように、ｐ型シリコン基板１０の一方の主面（以下、「第１主面」という）上にリンを含む化合物を含有したドーパント液２０を塗布する。そして、ドーパント液２０の塗布後のｐ型シリコン基板１０を８００℃〜９５０℃の温度で５〜３０分間熱処理することによりｐ型シリコン基板１０の第１主面にｎ型ドーパントであるリンが拡散して、図１０（ｅ）に示すように、ｐ型シリコン基板１０の第１主面にｎ+層１１が形成される。なお、ｎ+層１１の形成方法としては、ドーパント液を塗布する方法以外にも、Ｐ2Ｏ5やＰＯＣｌ3を用いた気相拡散による方法がある。
【０００７】
次いで、リンの拡散時にｐ型シリコン基板１０の第１主面に形成されるガラス層を酸処理により除去した後、図１０（ｆ）に示すように、ｐ型シリコン基板１０の第１主面上に反射防止膜１２を形成する。反射防止膜１２の形成方法としては、常圧ＣＶＤ法を用いて酸化チタン膜を形成する方法やプラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を形成する方法などが知られている。また、ドーパント液を塗布する方法によりリンを拡散する場合には、リンに加えて反射防止膜１２の材料も含ませたドーパント液を用いることによって、ｎ+層１１と反射防止膜１２とを同時に形成することもできる。また、反射防止膜１２の形成は、銀電極の形成後に行なう場合もある。
【０００８】
そして、図１０（ｇ）に示すように、ｐ型シリコン基板１０の他方の主面（以下、「第２主面」という）上にアルミニウム電極１４を形成するとともにｐ型シリコン基板１０の第２主面にｐ+層１５を形成する。アルミニウム電極１４およびｐ+層１５は、たとえば、アルミニウム粉末、ガラスフリット、樹脂および有機溶剤からなるアルミニウムペーストをスクリーン印刷などにより印刷した後に、ｐ型シリコン基板１０を熱処理することによって、アルミニウムが溶融してシリコンと合金化することにより形成されたアルミニウム−シリコン合金層下にｐ+層１５が形成されるとともに、ｐ型シリコン基板１０の第２主面上にアルミニウム電極１４が形成される。また、ｐ型シリコン基板１０とｐ+層１５のドーパント濃度差が、ｐ型シリコン基板１０とｐ+層１５の界面に電位差（電位障壁として働く）をもたらし、光生成されたキャリアがｐ型シリコン基板１０の第２主面付近で再結合するのを防いでいる。これにより、太陽電池の短絡電流（Ｉｓｃ：short circuit current）および開放電圧（Ｖｏｃ：open circuit voltage）が共に向上する。
【０００９】
その後、図１０（ｈ）に示すように、ｐ型シリコン基板１０の第２主面上に銀電極１６を形成する。銀電極１６は、たとえば、銀粉末、ガラスフリット、樹脂および有機溶剤からなる銀ペーストをスクリーン印刷などにより印刷した後に、ｐ型シリコン基板１０を熱処理することによって得ることができる。
【００１０】
そして、図１０（ｉ）に示すように、ｐ型シリコン基板１０の第１主面上に銀電極１３を形成する。銀電極１３は、ｐ型シリコン基板１０との接触抵抗を含む直列抵抗を低く抑えるとともに銀電極１３の形成面積を少なくして太陽光の入射量を減少させないようにするため、銀電極１３の線幅、ピッチおよび厚さなどのパターン設計が重要である。銀電極１３の形成方法としては、たとえば、反射防止膜１２の表面上に銀粉末、ガラスフリット、樹脂および有機溶剤からなる銀ペーストをスクリーン印刷などにより印刷した後に、ｐ型シリコン基板１０を熱処理することによって、銀ペーストが反射防止膜１２を貫通してｐ型シリコン基板１０の第１主面と良好な電気的接触が可能なファイアスルー方式が量産ラインで用いられている。
【００１１】
以上のようにして、図９に示す構成の太陽電池を製造することができる。なお、銀電極１３および銀電極１６の形成後のｐ型シリコン基板１０を溶融半田槽に浸漬することによって銀電極１３および銀電極１６の表面に半田をコーティングすることもできる。この半田のコーティングは、プロセスによっては省略される場合もある。また、上記のようにして製造された太陽電池にソーラシミュレータを用いて擬似太陽光を照射し、太陽電池の電流−電圧（ＩＶ）特性を測定してＩＶ特性を検査することもできる。
【００１２】
太陽電池は、その複数が直列に接続されて太陽電池ストリングとされた後、太陽電池ストリングを封止材によって封止して太陽電池モジュールとして販売および使用されることが多い。
【００１３】
図１１（ａ）〜（ｅ）に、従来の太陽電池モジュールの製造方法の一例を示す。まず、図１１（ａ）に示すように、上記のようにして製造された太陽電池の第１主面の銀電極上に導電性部材であるインターコネクタ３１を接続して、インターコネクタ付き太陽電池３０を作製する。
【００１４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、インターコネクタ付き太陽電池３０を一列に配列し、インターコネクタ付き太陽電池３０の第１主面の銀電極に接続されているインターコネクタ３１の他端を他のインターコネクタ付き太陽電池３０の第２主面の銀電極に接続して、太陽電池ストリング３４を作製する。
【００１５】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、太陽電池ストリングを並べて、太陽電池ストリングの両端から突出しているインターコネクタ３１と、他の太陽電池ストリングの両端から突出しているインターコネクタ３１とを導電性部材である配線材３３を用いて直列に接続することによって、太陽電池ストリング同士を互いに接続する。
【００１６】
続いて、図１１（ｄ）に示すように、接続された太陽電池ストリング３４を封止材としてのＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）フィルム３６で挟み込み、その後、ガラス板３５とバックフィルム３７との間に挟む。そして、ＥＶＡフィルム３６間に入った気泡を減圧して抜き、加熱すると、ＥＶＡフィルム３６が硬化して、太陽電池ストリングがＥＶＡ中に封止される。これにより、太陽電池モジュールが作製される。
【００１７】
その後、図１１（ｅ）に示すように、太陽電池モジュールは、アルミニウム枠４０内に配置され、ケーブル３９を備えた端子ボックス３８が太陽電池モジュールに取り付けられる。そして、上記のようにして製造された太陽電池モジュールにソーラシミュレータを用いて擬似太陽光を照射し、太陽電池の電流−電圧（ＩＶ）特性を測定してＩＶ特性が検査される。
【特許文献１】特開２００５−１４２２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
太陽光発電システムが急速に普及するにつれ、太陽電池の製造コストの低減は必要不可欠となっている。太陽電池の製造コストの低減において、半導体基板であるシリコン基板の大型化および薄型化は非常に有効な手段である。しかしながら、シリコン基板の大型化および薄型化に伴い、インターコネクタ付き太陽電池を形成する際、太陽電池の受光面のバスバー電極と銅からなるインターコネクタとを半田などによって固定して接続する加熱工程後の冷却工程において、太陽電池のシリコン基板とインターコネクタとの熱膨張係数差（シリコンの熱膨張係数３．５×１０-6／Ｋに対し、銅は１７．６×１０-6／Ｋであり５倍程度の差がある）により、太陽電池に反りが生じるという問題があった。
【００１９】
これは、上記の加熱工程において、太陽電池とインターコネクタとを固定した後、加熱状態にあった太陽電池とインターコネクタとを室温まで冷却すると、インターコネクタが太陽電池よりも大きく収縮するため、太陽電池に凹状の反りが発生したものと考えられる。太陽電池に生じた反りは、自動化された太陽電池モジュールの作製ラインの搬送系において搬送エラーや太陽電池の割れを引き起こす原因となる。また、インターコネクタ付き太陽電池を構成する太陽電池に反りが生じている場合には、太陽電池ストリングの形成工程や太陽電池モジュールの作製のための封止材による封止工程などにおいて太陽電池に局部的に強い力が加わり、太陽電池に割れが生じる原因となる。
【００２０】
そこで、特許文献１には、太陽電池を接続するインターコネクタに断面積が局部的に縮小された小断面積部を設ける方法が開示されている。上述したように、上記の加熱工程により加熱状態にあったインターコネクタおよび太陽電池は室温まで冷却する際に太陽電池に凹状の反りが発生する。その際、太陽電池には元の形状に戻ろうとする力（復元力）が発生し、この復元力はインターコネクタに対して引張り応力を加える。特許文献１に開示された方法によれば、インターコネクタに引張り応力が加えられたときに他の部分と比べて比較的強度の弱い小断面積部が延伸して、インターコネクタ付き太陽電池を構成する太陽電池の反りを低減することができるが、さらなる改善が望まれている。
【００２１】
そこで、本発明の目的は、太陽電池に生じる反りを低減することができるインターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、が備えられ、バスバー電極にインターコネクタが接続されたインターコネクタ付き太陽電池であって、インターコネクタは、インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、インターコネクタの小断面積部以外の箇所においてインターコネクタがバスバー電極に接続されているインターコネクタ付き太陽電池である。
【００２３】
また、本発明は、半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、が備えられ、半導体基板の第１主面とは反対側の第２主面上の電極において、インターコネクタに接続するための接続部と、インターコネクタに接続されない非接続部と、が交互に配列されており、接続部にインターコネクタが接続されたインターコネクタ付き太陽電池であって、インターコネクタは、インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、小断面積部が非接続部に配置されているインターコネクタ付き太陽電池である。
【００２４】
また、本発明は、半導体基板の第１主面上に、バスバー電極と、バスバー電極から伸びるフィンガー電極と、を備えた太陽電池がインターコネクタにより複数接続されてなる太陽電池ストリングであって、インターコネクタは、インターコネクタの長手方向に垂直な断面が局所的に小さくなっている小断面積部を有しており、インターコネクタの小断面積部以外の箇所においてインターコネクタがバスバー電極に接続されている太陽電池ストリングである。
【００２５】
ここで、本発明の太陽電池ストリングにおいては、太陽電池の半導体基板の第１主面とは反対側の第２主面上の電極において、インターコネクタに接続するための接続部と、インターコネクタに接続されない非接続部と、が交互に配列されており、インターコネクタの小断面積部以外の箇所においてインターコネクタが接続部に接続されており、小断面積部が非接続部に配置されていることが好ましい。
【００２６】
さらに、本発明は、上記の太陽電池ストリングを含む、太陽電池モジュールである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、太陽電池に生じる反りを低減することができるインターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２９】
図１に、本発明に用いられる太陽電池の半導体基板の第１主面となる受光面側の電極構造の好ましい一例の模式的な平面図を示す。図１に示すように、太陽電池の半導体基板の受光面上の銀電極１３は、紙面の左右方向に伸びる比較的幅の大きい連続した直線状のバスバー電極１３ａとバスバー電極１３ａから紙面の上下方向に伸びる比較的幅の小さい複数の直線状のフィンガー電極１３ｂと、から構成されている。
【００３０】
図２に、本発明に用いられる太陽電池の半導体基板の第２主面となる裏面側の電極構造の好ましい一例の模式的な平面図を示す。図２に示すように、太陽電池の半導体基板の裏面上の電極はアルミニウム電極１４によって半導体基板の裏面のほぼ全面に形成されており、銀電極１６は半導体基板の裏面の一部のみに形成されている。
【００３１】
ここで、銀電極１６はインターコネクタに固定して接続するための接続部となり、銀電極１６の間に位置するアルミニウム電極１４はインターコネクタに接続されない非接続部１４ａとなる。そして、接続部としての銀電極１６と非接続部１４ａとから裏面電極６０が形成されており、裏面電極６０の長手方向に沿って接続部としての銀電極１６と非接続部１４ａとが交互に配列されている。なお、半導体基板の第２主面は、半導体基板の第１主面の反対側の主面となる。
【００３２】
図３に、本発明に用いられるインターコネクタの好ましい一例の模式的な平面図を示す。ここで、インターコネクタ３１は、インターコネクタ３１の長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小さくなっている複数の小断面積部４１を有している。また、小断面積部４１の間には、インターコネクタ３１の長手方向に垂直な断面の断面積が小断面積部４１よりも大きい非小断面積部６１が位置している。なお、本発明において、インターコネクタは、導電性を有する部材であって、その長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小さくなっている小断面積部を有していれば、その形状および材質は特に限定されない。
【００３３】
図４に、本発明のインターコネクタ付き太陽電池の好ましい一例の受光面側の電極構造の模式的な平面図を示す。図４に示すように、本発明のインターコネクタ付き太陽電池は、図１に示す太陽電池の半導体基板の第１主面となる受光面上のバスバー電極１３ａに図３に示すインターコネクタ３１が固定されて接続された構成となっている。ここで、本発明のインターコネクタ付き太陽電池は、インターコネクタ３１の小断面積部４１以外の箇所（非小断面積部６１）でインターコネクタ３１がバスバー電極１３ａに接続されていることを特徴としている。
【００３４】
図５に、本発明のインターコネクタ付き太陽電池の好ましい他の一例の裏面側の電極構造の模式的な平面図を示す。図５に示すように、本発明のインターコネクタ付き太陽電池は、図２に示す太陽電池の半導体基板の第２主面となる裏面上の接続部となる銀電極１６に図３に示すインターコネクタ３１が固定されて接続された構成となっている。ここで、本発明のインターコネクタ付き太陽電池は、インターコネクタ３１の小断面積部４１が非接続部１４ａに配置されていることを特徴としている。
【００３５】
このように、本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、インターコネクタ３１の他の部分と比べて比較的強度が弱い小断面積部４１は固定されずにフリーな状態となっていることから、その小断面積部４１が自由に変形して応力を緩和することにより太陽電池の反りを低減することができる。
【００３６】
また、本発明のインターコネクタ付き太陽電池の製造に際しては、インターコネクタ３１と、太陽電池のバスバー電極１３ａまたは銀電極１６と、を半田などによって固定するために加熱する場合があるが、インターコネクタ３１の小断面積部４１については加熱を行なわないことによって、インターコネクタ３１の小断面積部４１は固定されずにフリーな状態とすることができる。
【００３７】
なお、上記においては、太陽電池の受光面のバスバー電極１３ａまたは裏面の銀電極１６のいずれか一方にインターコネクタ３１が接続された構成について説明したが、本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、太陽電池の受光面のバスバー電極１３ａおよび裏面の銀電極１６の双方にインターコネクタ３１が接続されていてもよい。
【００３８】
図６に、本発明の太陽電池ストリングの好ましい一例の模式的な断面図を示す。また、図７に、図６に示す本発明の太陽電池ストリングの受光面側の電極構造の模式的な平面図を示し、図８に、図６に示す本発明の太陽電池ストリングの裏面側の電極構造の模式的な平面図を示す。
【００３９】
ここで、本発明の太陽電池ストリングにおいては、半導体基板としてのｐ型シリコン基板１０の第１主面上に、バスバー電極１３ａと、バスバー電極１３ａから伸びるフィンガー電極と、を備えた太陽電池８０、８１がインターコネクタにより接続されている。そして、インターコネクタ３１の小断面積部４１以外の箇所（非小断面積部６１）でインターコネクタ３１がバスバー電極１３ａに接続されている。
【００４０】
このように、本発明の太陽電池ストリングにおいては、インターコネクタ３１の他の部分と比べて比較的強度が弱い小断面積部４１は固定されずにフリーな状態となっていることから、その小断面積部４１が自由に変形して応力を緩和することにより太陽電池の反りを低減することができる。
【００４１】
また、本発明の太陽電池ストリングにおいては、たとえば図８に示すように、太陽電池８０および太陽電池８１の少なくとも一方の半導体基板１０の第１主面とは反対側の第２主面上の裏面電極６０において、インターコネクタ３１に接続するための接続部としての銀電極１６と、インターコネクタ３１に接続されないアルミニウム電極１４である非接続部１４ａと、が交互に配列されており、インターコネクタ３１の小断面積部４１以外の箇所（非小断面積部６１）においてインターコネクタ３１が接続部としての銀電極１６に接続され、インターコネクタ３１の小断面積部４１が非接続部１４ａに配置されていることが好ましい。この場合には、半導体基板１０の第１主面だけではなく第２主面においてもインターコネクタ３１の小断面積部４１は固定されずにフリーな状態となっていることから、その小断面積部４１が自由に変形して応力を緩和することにより太陽電池の反りをより低減することができる傾向にある。
【００４２】
本発明の太陽電池ストリングを従来から公知の方法によりＥＶＡなどの封止材に封止することによって、本発明の太陽電池ストリングを含む本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。
【００４３】
なお、上記においては、インターコネクタ３１の小断面積部４１がすべての非接続部１４ａに配置されている場合について説明しているが、本発明においては、必ずしも非接続部１４ａのすべてに小断面積部４１を配置する必要はなく、非接続部１４ａの少なくとも一部に小断面積部４１が配置されていればよい。
【００４４】
また、本発明においては、インターコネクタ３１の小断面積部４１以外の箇所の少なくとも一部が太陽電池のバスバー電極１３ａおよび／または銀電極１６と接続されていればよい。
【００４５】
また、上記の以外の説明は、上記の背景技術の欄における説明と同様であるが、その説明に限定されるものではない。たとえば、本発明においては、ｐ型シリコン基板以外の半導体基板を用いてもよく、ｐ型とｎ型の導電型を入れ替えてもよい。また、本発明においては、受光面のバスバー電極およびフィンガー電極ならびに裏面の接続部は必ずしも銀電極である必要はなく、非接続部はアルミニウム電極からなっている必要はない。
【００４６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、太陽電池に生じる反りを低減することができるインターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に用いられる太陽電池の半導体基板の第１主面となる受光面側の電極構造の好ましい一例の模式的な平面図である。
【図２】本発明に用いられる太陽電池の半導体基板の第２主面となる裏面側の電極構造の好ましい一例の模式的な平面図である。
【図３】本発明に用いられるインターコネクタの好ましい一例の模式的な平面図である。
【図４】本発明のインターコネクタ付き太陽電池の好ましい一例の受光面側の電極構造の模式的な平面図である。
【図５】本発明のインターコネクタ付き太陽電池の好ましい他の一例の裏面側の電極構造の模式的な平面図である。
【図６】本発明の太陽電池ストリングの好ましい一例の模式的な断面図である。
【図７】図６に示す本発明の太陽電池ストリングの受光面側の電極構造の模式的な平面図である。
【図８】図６に示す本発明の太陽電池ストリングの裏面側の電極構造の模式的な平面図である。
【図９】従来の太陽電池の一例の模式的な断面図である。
【図１０】従来の太陽電池の製造方法の一例を示す図である。
【図１１】従来の太陽電池モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  ｐ型シリコン基板、１１  ｎ+層、１２  反射防止膜、１３，１６  銀電極、１
３ａ  バスバー電極、１３ｂ  フィンガー電極、１４  アルミニウム電極、１４ａ  非接続部、１５  ｐ+層、１７  シリコンインゴッド、１８  シリコンブロック、２０  ドーパント液、３０，８０，８１  太陽電池、３１  インターコネクタ、３３  配線材、３４  太陽電池ストリング、３５  ガラス板、３６  ＥＶＡフィルム、３７  バックフィルム、３８  端子ボックス、３９  ケーブル、４０  アルミニウム枠、４１  小断面積部、６０  裏面電極、６１  非小断面積部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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