(57)【要約】【課題】  短絡や断線を生じにくい導体パターンやピンホールを生じにくいカバー絶縁層を形成することができながら、搬送孔を形成することができる、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供すること。【解決手段】  補強層４の上に、ベース絶縁層２を形成し、そのベース絶縁層２の上に、導体パターン７を形成し、その導体パターン７を被覆するように、カバー絶縁層１２を形成し、その後、送り孔１５を穿孔する。送り孔１５を穿孔する際に打ち抜き屑が生じても、導体パターン７やカバー絶縁層１２を形成する際の露光工程において、異物となることがない。そのため、異物に起因する露光不良により、短絡や断線を生じることのない導体パターン７や、ピンホールを生じることのないカバー絶縁層１２を形成することができながら、送り孔１５を形成することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層上に、複数の導体パターンを互いに間隔を隔てて連続的に形成する工程と、
前記導体パターンの形成工程後に、前記ベース絶縁層を搬送するための搬送孔を穿孔する工程と
を含むことを特徴とする、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記ベース絶縁層上に、前記導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程を含み、
前記搬送孔を、前記カバー絶縁層の形成工程後に、穿孔することを特徴とする、請求項１に記載のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法、詳しくは、搬送孔を穿孔する工程を含むＴＡＢ用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子が実装されるテープキャリアであって、電子部品の分野において広く用いられている。
ＴＡＢ用テープキャリアは、ベース絶縁層と、そのベース絶縁層の上に配線回路パターンとして形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えている。
【０００３】
このようなＴＡＢ用テープキャリアには、そのベース絶縁層の両側縁に、長手方向に間隔を隔てて設けられるスプロケットホールやパーホレーションなどの搬送孔が、プレス加工やパンチング加工などの穿孔加工により、形成されている。
このようなＴＡＢ用テープキャリアの製造工程において、通常、まず、ベース絶縁層に搬送孔を形成して、その後、そのベース絶縁層の上に、導体パターンを形成している。
【０００４】
例えば、まず、プレス加工により、補強用絶縁性フィルムに、スプロケットホールを形成し、その後、補強用絶縁性フィルムに導電層を接着して、その導電層をエッチングすることにより配線部を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、例えば、まず、パンチングにより、銅箔およびベースフィルムに、パーホレーションを形成し、その後、銅箔をエッチングして配線パターンを形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平９−１７２０４１号公報
【特許文献２】特開２０００−３３２０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記した搬送孔をベース絶縁層に形成する場合には、その穿孔工程において、打ち抜き屑が発生する。特許文献１および２に記載されるような搬送孔を形成した後、導体パターンを形成する方法では、搬送孔を形成する際に発生する打ち抜き屑が、その後、導体パターンを形成する際のフォトレジストの露光工程において異物となる。そうすると、フォトレジストの露光不良を引き起こすため、露光不良によって形成された導体パターンに、短絡や断線を生じるおそれがある。
【０００６】
また、ベース絶縁層に搬送孔を形成した後、カバー絶縁層を形成する場合にも、カバー絶縁層を形成する際の感光性樹脂の露光工程において異物となる。そうすると、フォトレジストの露光不良を引き起こすため、露光不良によって形成されたカバー絶縁層に、ピンホールを生じるおそれがある。
本発明の目的は、短絡や断線を生じにくい導体パターンやピンホールを生じにくいカバー絶縁層を形成することができながら、搬送孔を形成することができる、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法は、ベース絶縁層上に、複数の導体パターンを互いに間隔を隔てて連続的に形成する工程と、前記導体パターンの形成工程後に、前記ベース絶縁層を搬送するための搬送孔を穿孔する工程とを含むことを特徴としている。
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法では、前記ベース絶縁層上に、前記導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程を含み、前記搬送孔を、前記カバー絶縁層の形成工程後に、穿孔することが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法によれば、導体パターンの形成工程後に、ベース絶縁層を搬送するための搬送孔を穿孔するため、搬送孔を形成する際に打ち抜き屑が生じても、それが、導体パターンを形成する際のフォトレジストの露光工程において異物となることはなく、そのため、短絡や断線を生じにくい導体パターンを形成することができながら、搬送孔を形成することができる。
【０００９】
また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法において、搬送孔を、カバー絶縁層の形成工程後に、穿孔すれば、カバー絶縁層を形成した後、搬送孔を形成する際に打ち抜き屑が生じても、それが、カバー絶縁層を形成する際の露光工程において異物となるはなく、そのため、ピンホールを生じにくいカバー絶縁層を形成することができながら、搬送孔を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法により製造されるＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの配線部の拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図、図５（ｊ）は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの断面図である。
図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状の基材としてのベース絶縁層２と、そのベース絶縁層２の表面に形成され、導体パターン７が設けられる複数の配線部３と、そのベース絶縁層２の裏面に形成される補強層４（図３参照）と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とを備えている。
【００１１】
配線部３は、ベース絶縁層２の表面において、ベース絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに間隔を隔てて、連続的に複数設けられている。
各配線部３には、図２に示すように、その中央に、半導体素子を実装（載置）するための平面視略矩形状の実装部６が設けられている。また、実装部６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。
【００１２】
この導体パターン７は、ベース絶縁層２の表面において、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を一体的に備えている。
各インナリード９は、実装部６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）に並列配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅（底面幅）と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰは、４０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下で、通常、２０μｍ以上に設定されている。
【００１３】
また、各インナリード９の幅（底面幅）は、５〜１５μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜３５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍに設定されている。
各アウタリード１０は、配線部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔てて幅方向に並列配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅（底面幅）と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅に設定してもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定することもできる。
【００１４】
各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、各アウタリード１０のピッチＯＰが各インナリード９のピッチＩＰに対して広幅に設定されている場合には、ピッチの狭いインナリード９側からピッチの広いアウタリード１０側に向かって、次第に幅方向に広がる放射状で配置されている。
【００１５】
また、各中継リード１１が配置される部分には、ソルダレジストなどのカバー絶縁層１２が設けられている。すなわち、カバー絶縁層１２は、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。
なお、導体パターン７が、アディティブ法により形成される場合には、図５（ｊ）に示すように、ベース絶縁層２と導体パターン７との間には、金属薄膜１６が介在されている。
【００１６】
また、カバー絶縁層１２から露出するインナリード９およびアウタリード１０には、図示しない金属めっき層が形成されている。
補強層４は、図３に示すように、ベース絶縁層２の裏面に積層されている。補強層４には、図１および図３に示すように、各配線部３との対向位置に、開口部１４が形成されている。各開口部１４は、各配線部３に対応して、補強層４が底面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。この補強層４は、ベース絶縁層２を下側から補強している。
【００１７】
搬送部５は、図１および図３に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。搬送部５には、搬送孔としての送り孔１５が開口されている。
送り孔１５は、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどを噛合させることができるように形成されている。送り孔１５は、図５（ｊ）に示すように、ベース孔２１と、補強孔２２とから形成されている。
【００１８】
ベース孔２１は、図１および図５（ｊ）に示すように、ベース絶縁層２の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各ベース孔２１は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各送り孔１５は、ベース絶縁層２が平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。
補強孔２２は、補強層４の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各補強孔２２は、各ベース孔２１と対向して配置され、補強層４が、各ベース孔２１と同一の形状に開口されることにより、形成されている。
【００１９】
図４および図５は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法を、図４および図５を参照して説明する。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４としては、例えば、銅箔やステンレス箔などの金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレス箔としては、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが用いられる。また、補強層４の厚みは、例えば、３〜１００μｍ、さらには、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。
【００２０】
なお、図１〜図３においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１を示しているが、通常は、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。例えば、幅２５０ｍｍの補強層４では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製し、幅３００ｍｍの補強層４では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製する。
【００２１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、その補強層４の上に、ベース絶縁層２を形成する。
ベース絶縁層２の形成は、ポリイミド樹脂前駆体を含有する樹脂溶液を、補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、形成することができる。
ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンとの反応により得られるポリアミック酸樹脂が用いられる。樹脂溶液は、例えば、ポリアミック酸樹脂を有機溶媒に溶解して、ワニスとして調製する。
【００２２】
また、樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の方法が用いられる。そして、乾燥後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、補強層４の上に、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層２が形成される。
なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布した後に、露光および現像することにより、ベース絶縁層２をパターンとして形成することもできる。
【００２３】
なお、ベース絶縁層２は、予め加工されたポリイミド樹脂のドライフィルムを、補強層４の上に、必要により接着剤を介して貼着することによって、形成することもできる。
このようにして形成されたベース絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、ベース絶縁層２の表面の全面に、種膜（下地）となる金属薄膜１６を形成する。
【００２４】
金属薄膜１６の形成は、真空蒸着法、好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。また、金属薄膜１６を形成する金属は、好ましくは、クロムや銅などが用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層２の表面の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、金属薄膜１６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
【００２５】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、金属薄膜１６の表面および補強層４の裏面に、めっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストを用いて、露光および現像する公知の方法により、金属薄膜１６の上に配線８と反転するレジストパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、めっきレジスト１７から露出する金属薄膜１６の表面に、めっきにより、配線８からなる導体パターン７を形成する。導体パターン７は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などから形成される。好ましくは、銅から形成される。また、導体パターン７を形成するには、電解めっきや無電解めっき、好ましくは、電解めっき、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。これによって、ベース絶縁層２の上に、導体パターン７が、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１が一体的に形成される配線８のパターンとして、形成される。このようにして形成される導体パターン７の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８〜１５μｍである。
【００２６】
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、配線８から露出する金属薄膜１６（つまり、めっきレジスト１７が形成されていた部分の金属薄膜１６）を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。
【００２７】
次いで、この方法では、図５（ｈ）に示すように、各配線８の中継リード１１を被覆するカバー絶縁層１２を、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層１２は、感光性ソルダレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。カバー絶縁層１２の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００２８】
次いで、この方法では、図示しないが、各配線８のインナリード９およびアウタリード１０の表面に、金属めっき層を形成する。金属めっき層としては、例えば、ニッケル、金などが用いられる。金属めっき層は、例えば、各配線８のインナリード９およびアウタリード１０の表面を被覆するように、無電解金属めっきすることにより、形成する。
次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、補強層４に、開口部１４を形成する。
【００２９】
補強層４に開口部１４を形成するには、補強層４における配線部３と対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチング加工、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知の方法によって、開口する。例えば、エッチングする場合には、開口部１４の形成部分以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去する。
【００３０】
次いで、この方法では、図５（ｊ）に示すように、搬送部５に、送り孔１５を穿孔して、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
送り孔１５を穿孔するには、ベース絶縁層２の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、ベース絶縁層２と補強層４とがともに貫通するように、ベース絶縁層２のベース孔２１と補強層４の補強孔２２とを穿孔して、開口する。送り孔１５の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工などの公知の加工方法を用いることができ、好ましくは、金型を用いるパンチング加工が用いられる。
【００３１】
上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法では、導体パターン７を、金属薄膜１６とめっきレジスト１７とを形成して電解めっきするアディティブ法により形成したが、導体パターン７を、導体層１８とエッチングレジスト１９とを形成してエッチングするサブトラクディブ法により形成することもできる。
図６は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す製造工程図である。
【００３２】
次に、サブトラクディブ法により、ＴＡＢ用テープキャリア１を製造する場合の、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法について、図６を参照して説明する。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、補強層４と、補強層４の上に形成されたベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成された導体層１８とからなる三層基材を用意する。
【００３３】
三層基材を形成する補強層４は、上記と同様の金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、５〜３０μｍ、さらに好ましくは、８〜２０μｍである。
三層基材を形成するベース絶縁層２は、上記と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、１０〜４０μｍ、さらに好ましくは、２０〜３０μｍである。
【００３４】
三層基材を形成する導体層１８は、上記と同様の金属から形成され、好ましくは、銅から形成される。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、導体層１８の上に、エッチングレジスト１９を形成する。
エッチングレジスト１９は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、配線８と同一のレジストパターンとして形成する。
【００３５】
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１９から露出する導体層１８をエッチングして、上記したパターンで、配線８からなる導体パターン７を形成する。導体層１８のエッチングは、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）が用いられる。
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１９を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
【００３６】
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、各配線８の中継リード１１を被覆するカバー絶縁層１２を、実装部６を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層１２は、上記と同様の感光性ソルダレジストから、上記と同様の方法により形成する。カバー絶縁層１２の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００３７】
次いで、この方法では、図示しないが、各配線８のインナリード９およびアウタリード１０の表面に、金属めっき層を形成する。金属めっき層としては、上記と同様の金属が用いられる。金属めっき層は、例えば、上記と同様に、各配線８のインナリード９およびアウタリード１０の表面を被覆するように、無電解金属めっきすることにより形成する。
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、補強層４における配線部３と重なる位置に、開口部１４を形成する。
【００３８】
補強層４に開口部１４を形成するには、補強層４における配線部３と対向する部分を、上記と同様の方法によって、開口する。
次いで、この方法では、図６（ｇ）に示すように、搬送部５に、送り孔１５を穿孔して、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を得る。
送り孔１５を穿孔するには、ベース絶縁層２の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１５を、上記と同様に、ベース絶縁層２と補強層４とがともに貫通するように、穿孔する。送り孔１５の穿孔は、上記と同様の方法が用いられ、好ましくは、金型を用いるパンチング加工が用いられる。
【００３９】
上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法では、導体パターン７の形成工程後に、送り孔１５を穿孔するため、送り孔１５を穿孔加工により形成する際に打ち抜き屑が生じても、その打ち抜き屑が、導体パターン７を形成する際のフォトレジストの露光工程、すなわち、上記したアディティブ法におけるめっきレジスト１７の露光工程、および、上記したサブトラクディブ法におけるエッチングレジスト１９の露光工程において、異物となることがない。その結果、異物に起因する露光不良により、短絡や断線を生じることのない導体パターン７を形成することができながら、送り孔１５を形成することができる。
【００４０】
また、上記したＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法では、カバー絶縁層１２の形成工程後に、送り孔１５を穿孔するため、送り孔１５を穿孔加工により形成する際に打ち抜き屑が生じても、カバー絶縁層１２を形成する際の露光工程、すなわち、感光性ソルダレジストの露光工程において、異物となることがない。その結果、異物に起因する露光不良により、ピンホールを生じることのないカバー絶縁層１２を形成することができながら、送り孔１５を形成することができる。
【００４１】
なお、上記の説明では、ＴＡＢ用テープキャリア１に、補強層４を設けたが、その目的および用途により、補強層４は、設けなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法により製造されるＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの配線部の拡大平面図である。
【図３】図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
【図４】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す製造工程図であって、（ａ）は、補強層を用意する工程、（ｂ）は、補強層の上にベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の表面の全面に、金属薄膜を形成する工程、（ｄ）は、金属薄膜の表面および補強層の裏面に、めっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体パターンを形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、配線から露出する金属薄膜を除去する工程、（ｈ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｉ）は、補強層に、開口部を形成する工程、（ｊ）は、搬送部に、送り孔を穿孔する工程を示す。
【図６】本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す製造工程図であって、（ａ）は、補強層とベース絶縁層と導体層とからなる三層基材を用意する工程、（ｂ）は、導体層の上に、エッチングレジストを形成する工程、（ｃ）は、エッチングレジストから露出する導体層をエッチングして、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、エッチングレジストを除去する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、補強層に、開口部を形成する工程、（ｇ）は、搬送部に、送り孔を穿孔する工程を示す。
【符号の説明】
【００４３】
１      ＴＡＢ用テープキャリア
２      ベース絶縁層
７      導体パターン
１２    カバー絶縁層
１５    送り孔
【図１】
2007067073.tif 000003
【図２】
2007067073.tif 000004
【図３】
2007067073.tif 000005
【図４】
2007067073.tif 000006
【図５】
2007067073.tif 000007
【図６】
2007067073.tif 000008