(57)【要約】【課題】  エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復すること。【解決手段】  本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法では、基板１表面に、陽極配線２と、陰極配線５と、陽極配線２および陰極配線５の交差部の間に配置された有機発光層７とを有する素子基板１００を製造し（Ｓ２０１）、第１エージング条件下で、陽極配線２と陰極配線５の交差部の間にエージング電圧を印加し（Ｓ２０３）、第１エージング条件よりも厳しい第２エージング条件下で、陽極配線２と陰極配線５の交差部の間にエージング電圧を印加する（Ｓ２０４）。エージング条件を厳しくするのに、例えば、エージング電圧を上昇させるか、素子基板の周囲温度を上昇させる。【選択図】  図２
2007005159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、上記陽極および上記陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする有機ＥＬ装置の製造方法であって、
第１のエージング条件下において、上記陽極と上記陰極との間にエージング電圧を印加して上記素子基板をエージングする第１エージングステップと、
上記第１のエージング条件よりも厳しい第２のエージング条件下において、上記陽極と上記陰極との間にエージング電圧を印加して上記素子基板をエージングする第２エージングステップと、を備え、
上記第２エージングステップを上記第１エージングステップの後に行うことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
上記エージング電圧を上昇させて、上記エージング条件を厳しくする、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
エージングにおける上記素子基板の周囲温度を上昇させて、上記エージング条件を厳しくする、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
上記第２のエージング条件下でのエージング時間は、上記第１のエージング条件下でのエージング時間よりも短い、請求項１、２または３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関し、特にその製造工程におけるエージングの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ(Flat Panel Display)として有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光表示素子であり、液晶表示装置と比較して視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、次世代の表示装置として期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した有機ＥＬ表示素子を備えている。たとえば、パッシブ型の有機ＥＬ表示素子は、ストライプ状に配列された陽極配線と、当該陽極配線に交差するようにストライプ状に配列された陰極配線との交差部の間に有機発光層が挟持された構造となっている。この一つの交差部に、発光素子としての画素が形成されている。有機ＥＬ表示素子は、このような画素がマトリックス状に配列されることにより構成されている。この有機ＥＬ表示素子は、携帯電話機などの表示装置や光源装置などとしての利用が期待されている。
【０００４】
しかしながら、有機ＥＬ表示素子の実用化における問題として、異物の混入、有機発光層の膜厚不均一性などによる素子特性の低下が挙げられる。これらは有機ＥＬ表示装置の輝度ムラ、画素の非発光や非選択画素の発光を引き起こし、表示品質を低下させる。また、これらの不良は有機ＥＬ表示装置の使用とともに拡大し、有機ＥＬ表示素子を表示不良に至らせることもある。従って有機ＥＬ表示素子は製造段階から高い信頼性レベルが要求されている。
【０００５】
このような有機ＥＬ表示素子を実用に供するのに、初期の発光時における発光特性の変化を取り除くために、数時間から数百時間に亘って発光を行わせ、発光特性の安定化を図る必要がある。この工程はエージングと呼ばれている。
例えば、有機ＥＬ表示素子の陽極配線の全てを、接続線を介して共通配線に短絡し、さらに、全ての陰極配線を、他の接続線を介して別の共通配線に短絡する。このエージング工程において、各共通配線から陽極配線の全てと陰極配線の全ての間に電圧パルスを印加する（たとえば、特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１４６２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の従来のエージング処理は、発光特性の安定化に有効であるが、エージング電圧が低かったりすることにより、エージング処理が不十分であると、時間が経つにつれて非発光や非選択画素の発光が生じる場合があった。この現象は遅れ短絡と言われる。
【０００８】
一方、十分なエージング処理を行うため、例えば、エージング電圧を高くすると、エージング処理後に発生する修復痕、すなわち陽極、陰極および有機発光層の破壊痕が大きく形成されてしまうことがあった。特に、大きな修復痕は表示ライン切れや表示画素欠けになるため、エージング処理における歩留りを低下させる欠点を有していた。
【０００９】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に配置された有機発光層とを有する素子基板をエージングする有機ＥＬ装置の製造方法であって、第１のエージング条件下において、陽極と陰極との間にエージング電圧を印加して素子基板をエージングする第１エージングステップと、第１のエージング条件よりも厳しい第２のエージング条件下において、陽極と陰極との間にエージング電圧を印加して素子基板をエージングする第２エージングステップと、を備え、第２エージングステップを第１エージングステップの後に行うことを特徴とするものである。
このようにしたことにより、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復することができる。
【００１１】
また、好ましくは、エージング電圧を上昇させて、エージング条件を厳しくすることもできる。また、好ましくは、エージングにおける素子基板の周囲温度を上昇させて、エージング条件を厳しくすることもできる。
これにより、確実に、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復することができる。
【００１２】
また、更に好ましくは、第２のエージング条件下でのエージング時間は、第１のエージング条件下でのエージング時間よりも短くすることもできる。
これにより、より確実に、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図に基づいて説明する。
まず、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図に基づいて説明する。
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を示す図であって、図１（ａ）は電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘにおける断面図である。なお、図１（ａ）では封止基板８および捕水剤１０を省略している。
【００１５】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子基板１００は、基板１上に陽極配線２、陰極配線５、有機発光層７、絶縁膜４、陰極隔壁６等が形成されて構成されている。
基板１上に陽極配線２がストライプ状に形成される。基板１には例えばガラス基板が用いられる。陽極配線２の材料には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【００１６】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陽極配線２上に積層して、開口部３を有する絶縁膜４が形成される。開口部３は、陽極配線２と陰極配線５との交差部に設けられる。
図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、有機発光層７は陽極配線２上に積層して形成される。なお、有機発光層７は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数層により形成されるが、図１では、これらの複数層をまとめて有機発光層７として示している。
図１（ｂ）に示されるように、陰極配線５は、有機発光層７上に形成される。
【００１７】
また、図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６が、陽極配線２と直交するように、絶縁膜４上に形成されている。陰極隔壁６が有機発光層７や陰極配線５を分離することにより、陰極隔壁６間に有機発光層７が形成され、ストライプ状にされた陰極配線５が形成される。陰極配線５の材料には、通常はアルミニウムＡｌまたはアルミニウム合金が用いられる。なお、ＡｌやＡｌ合金の他に、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやこれらを含む合金を、陰極配線５の材料に用いてもよい。陽極配線２と陰極配線５の交差部では、陽極配線２は陽極として、陰極配線５は陰極として機能する。
【００１８】
ここで、図１（ａ）および図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６は、陰極配線５と平行に配設される。陰極隔壁６は、陰極配線５の配線同士が導通しないように、複数の陰極配線５を空間的に分離する役割を担っている。
図１（ｂ）に示されるように、陰極隔壁６の断面形状は逆テーパ形状となっており、陰極隔壁６を逆テーパ形状にすることにより、陰極隔壁６の側壁およびの立ち上がり部分が影となり、製造工程において、複数の陰極配線５を空間的に分離することができる。
【００１９】
図１（ｂ）に示されるように、有機ＥＬ素子基板１００の表面、すなわち基板１の有機発光層７等が配置された面上には、封止基板８が対向するように配置され、基板１上の有機発光層７等が外気と遮断されるように封止されている。図１（ｂ）に示されるように、封止基板８の基板１との対向側の中央部には、凹部８ａが形成されている。
また、図１（ｂ）に示されるように、封止基板８と基板１とは、封止基板８の外周に塗布されたシール材９により貼り合わされる。
基板１上の有機発光層７等は、両基板１、８およびシール材９によって封止されることで、空気中の酸素や水分にさらされないように保たれる。
【００２０】
また、基板１と封止基板８との間の封止空間には、酸素や窒素等の支燃性ガスが封入されている。
図１（ｂ）に示されるように、捕水剤１０が、基板１上に形成された陽極配線２や陰極配線５や有機層７等と隙間を空けて、封止空間内に設けられている。捕水剤１０は、封止基板８に、基板１の表面に対して対向するように取り付けられている。
【００２１】
捕水剤１０は、吸水剤および不活性液体を主成分とする。吸水剤には、例えば、酸化カルシウムＣａＯ、酸化バリウムＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物、ゼオライト、珪藻土等が用いられる。
また、不活性液体には、例えば、不活性潤滑油が用いられる。捕水剤１０に含まれる吸水剤や不活性液体は、それぞれ１種類だけ用いてもよいし、複数種類用いてもよい。
【００２２】
次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を図に基づいて説明する。図２は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）では、基板１の表面に、複数の陽極配線２と、複数の陽極配線２に対して交差して配置された複数の陰極配線５と、陽極配線２および陰極配線５の交差部の間に配置された有機発光層７とを有する有機ＥＬ素子基板１００を製造する。
【００２３】
具体的には、基板１の表面上にＩＴＯを成膜し、感光性樹脂をＩＴＯ上に塗布し、露光、現像、エッチングをして、複数の陽極配線２を形成する。このとき、同時に、複数の陽極配線２の全てを接続する陽極用共通配線（不図示）を形成する。この陽極用共通配線２は、陽極配線２の全てを短絡させるために設け、後述の第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で用いられる。
【００２４】
また、各有機ＥＬ表示素子内の引き回し配線を、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成する。このとき、同時に、この複数の陰極配線５の全てを接続する陰極用共通配線（不図示）を形成する。この陰極用共通配線は、陰極配線５の全てを短絡させるために設け、陽極用共通配線と同様に、後述の第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で用いられる。
【００２５】
次に各有機ＥＬ表示素子内の引き回し配線や陽極配線２などの上に、絶縁膜４を塗布し露光、現像を行って開口部３を形成する。さらに、陰極隔壁６を形成した後、有機発光層７を積層する。最後に、陰極配線５を形成し、陰極配線５を引き回し配線に接続する。このとき、陰極隔壁６が有機発光層７や陰極配線５を分離することにより、陰極隔壁６間に有機発光層７が形成され、ストライプ状にされた陰極配線５が形成される。
【００２６】
有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）が終了すると、基板１上に形成された複数のパッシブ型の有機ＥＬ表示素子における各陽極配線２が陽極用共通配線（不図示）に接続され、複数の陽極配線２の全てに陽極用共通配線から同じ信号を供給することができる。また、複数の有機ＥＬ表示素子における各陰極配線５が陰極用共通配線（不図示）に接続され、複数の陰極配線５の全てに、陰極用共通配線から同じ信号を供給することができる。
【００２７】
封止工程（Ｓ２０２）では、有機ＥＬ素子基板製造工程（Ｓ２０１）で基板１上に形成された有機発光層７を空気中の水分から守るために、封止基板８を基板１に対して対向配置し、シール材９によって双方の基板１、８を接合する。このとき、２枚の基板１、８とシール材９により形成された封止空間内に、酸素や窒素等の支燃性ガスを封入する。酸素や窒素等の支燃性ガスを封入することにより、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程の際に、陽極配線２や陰極配線５や有機層７を効率よく燃焼させることができる。
【００２８】
次に、第１エージング工程（Ｓ２０３）、第２エージング工程（Ｓ２０４）を実施する。ここで、第２エージング工程（Ｓ２０４）のエージング条件（第２のエージング条件）は、第１エージング工程（Ｓ２０３）のエージング条件（第１のエージング条件）よりも厳しい条件にして、陽極配線２と陰極配線５との間に、エージング電圧（逆バイアス電圧の絶対値）を印加する。第１エージング工程（Ｓ２０３）、第２エージング工程（Ｓ２０４）の詳細については、後述する。
【００２９】
次に、切断工程（Ｓ２０５）を実施する。表示領域を囲むように切断線を設定し、切断線に沿って基板１および封止基板８を切断して複数の有機ＥＬ表示素子に分離する。次に光学フイルム貼付工程（Ｓ２０６）で偏光板等の光学フイルムを有機ＥＬ表示素子に貼り付ける。そして、実装工程（Ｓ２０７）で、駆動回路などの周辺回路を各有機ＥＬ表示素子に実装して有機ＥＬ表示装置を得る。
【００３０】
次に、第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）について、詳細に説明する。
第１エージング工程（Ｓ２０３）では、全ての陽極配線２が接続されている陽極用共通配線（不図示）と、全ての陰極配線５が接続されている陰極用共通配線（不図示）との間に、エージング用の電圧印加装置を接続し、基板１の周囲温度を室温以上、好ましくは８０℃以上の高温に設定（一定値）して、第１エージング電圧を陽極配線２と陰極配線５との間に印加することにより通電処理を行ない、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去する。第１エージング工程（Ｓ２０３）におけるエージング条件を第１のエージング条件とする。このとき、欠陥部の陽極配線２や、陰極配線５や、陽極配線２および陰極配線５の交差部の有機発光層７、またはこれらの組合せが、封止空間内に封入された酸素や窒素等の支燃性ガスを用いて燃焼され、また、飛散される。
【００３１】
第２エージング工程（Ｓ２０４）は、第１エージング工程（Ｓ２０３）の後に行う。第２エージング工程（Ｓ２０４）のエージング条件（第２のエージング条件）は、第１エージング工程（Ｓ２０３）のエージング条件（第１のエージング条件）よりも厳しい条件にして、陽極配線２と陰極配線５との間に、エージング電圧（逆バイアス電圧の絶対値）を印加する。すなわち、第２エージング工程（Ｓ２０４）では、第１エージング工程（Ｓ２０３）と同一の温度条件下（基板１の周囲温度を室温以上、好ましくは８０℃以上の高温に設定）で、第１エージング電圧より大きい第２エージング電圧で、再度、通電処理を行ない、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部を破壊し除去する。このときも、欠陥部の陽極配線２や、陰極配線５や、陽極配線２および陰極配線５の交差部の有機発光層７、またはこれらの組合せが、封止空間内に封入された酸素や窒素等の支燃性ガスを用いて燃焼され、また、飛散される。
【００３２】
このように、エージング工程を２段階とし、第２エージング工程（Ｓ２０４）で陽極および陰極の間に印加する第２エージング電圧を、第１エージング工程（Ｓ２０３）で印加する第１エージング電圧よりも大きくすることにより、第２のエージング条件を第１のエージング条件より厳しくして陽極および陰極の間にエージング電圧を印加するので、最初の第１エージング工程（Ｓ２０３）で除去できなかった欠陥部を、第２エージング工程（Ｓ２０４）で破壊し除去することができる。また、第１のエージング条件で第１エージング工程（Ｓ２０３）を行った後に、修復痕の大きさを確認しつつ、次の第２エージング条件で第２エージング工程（Ｓ２０４）を行うので、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えることができる。
【００３３】
また、更に、好ましくは、第２のエージング条件下でのエージング時間は、第１のエージング条件下でのエージング時間よりも短くすることができる。すなわち、第２エージング工程（Ｓ２０４）の電圧印加時間を、第１エージング工程（Ｓ２０３）の電圧印加時間よりも短くする。
このようにすることにより、大きなエージング電圧が長時間にわたり印加されるのを防止でき、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部の破壊痕、すなわちエージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えることができる。
【００３４】
発明者は、実際に第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で、印加するエージング電圧およびこのエージング電圧の印加時間を変化させて、エージング処理後の修復痕の数と修復痕の大きさについて評価する試験を行った。
図３は、エージング電圧および電圧印加時間を変化させたときのエージング処理の評価結果を示す図である。
【００３５】
図３に示されるように、１２５℃の環境下で、第１エージング工程（Ｓ２０３）では、ＡＣ＋７Ｖ/−３５Ｖ（１０％ｄｕｔｙ）、２０Ｈｚの第１エージング電圧を陽極および陰極の間に印加し、第２エージング工程（Ｓ２０４）では、ＡＣ＋７Ｖ/−４０Ｖ（１０％ｄｕｔｙ）、２０Ｈｚの第２エージング電圧を陽極および陰極の間に印加した。
【００３６】
図３に示されるように、第１エージング電圧および第２エージング電圧の印加時間を０分〜１２０分の間で変動させて実験した。第１エージング電圧の印加時間と第２エージング電圧の印加時間の合計は１２０分である。実験サンプル１から実験サンプル５にかけて、第１エージング電圧の印加時間を徐々に減らし、第２エージング電圧の印加時間を徐々に増やしていった。なお、実験サンプル１の各条件は発明者が従来実施していた条件と同一のものである。
【００３７】
まず、エージング後の修復痕の数について考察する。エージング後の修復痕の数により、陽極と陰極とが短絡した欠陥部の修復度合を確認することができる。
実験サンプル１に対しては、図３に示されるように、第１エージング電圧の印加時間を１２０分、第２エージング電圧の印加時間を０分としたが、エージング後の修復痕の数は５４ヶ所しかなかった（評価：×（不可））。図３に示されるように、第１エージング電圧の印加時間を段階的に減らし、第２エージング電圧の印加時間を段階的に増した結果、実験サンプル２〜５では、修復痕の数も１００ヶ所以上となり、安定する（評価：◎（良））。なお、修復痕の数が少な過ぎるということは、製品になった後に表示不良、欠陥になりやすいということとなり、評価を×としている。
【００３８】
次に、エージング後の修復痕の大きさについて、歩留まりも考慮して考察する。エージング後の修復痕の大きさにより、陽極と陰極とが短絡した欠陥部の破壊後の仕上がり品質を確認することができる。修復痕の最大径が５０μｍよりも大きいと、表示ライン切れや表示画素欠けが生じるため、良品の評価基準を修復痕の最大径を５０μｍ以下とした。
図３に示されるように、第１エージング電圧の印加時間０分、第２エージング電圧の印加時間１２０分である実験サンプル５以外の実験サンプル１〜実験サンプル４については、修復痕の最大径が５０μｍ以下であった（評価：○（可）または評価：◎（良））。
【００３９】
また、第１エージング電圧の印加時間を減少させ、第２エージング電圧の印加時間を増加させるにつれて、修復痕が大きくなり、修復痕の大きさに対する評価が◎（良）、○（可）、×（不可）へと変化している。なお、実験サンプル１および実験サンプル２については、実験サンプル３および実験サンプル４と比較して、各サンプルと同一レベルのものを同一条件で製作できる歩留まりが優れていたため、評価を◎（良）とした。
以上の実験から、例えば、第１エージング電圧の印加時間を１１５分、第２エージング電圧の印加時間を５分としたとき（実験データ２に相当）、極めて、陽極と陰極とが短絡した欠陥部の修復度合も、欠陥部の破壊後の仕上がり品質も、良好であることがわかった。
【００４０】
実験サンプル１（従来の実施品）と実験サンプル２とを、各々６モジュール分、＋８５℃の高温環境下で２４０時間放置した後、各実験サンプルに駆動電圧を印加して点灯させたところ、実験サンプル１では６モジュール中２モジュールに表示ライン切れや表示画素欠けが生じたのに対して、実験サンプル２では６モジュールの全てに表示ライン切れや表示画素欠けが生じなかった。
【００４１】
以上のように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を採用することにより、確実に、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えつつ、欠陥部を修復することができる。
【００４２】
次に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の変形例について、説明する。
上記本発明の実施の形態では、第２のエージング条件下において、第１のエージング条件よりも厳しくするのに、エージング電圧を上昇させるのに対し、本発明の実施の形態の変形例では、エージングにおける素子基板の周囲温度を上昇させる点で相違する。
【００４３】
発明者は、実際に第１エージング工程（Ｓ２０３）および第２エージング工程（Ｓ２０４）で、基板周囲温度および各エージング工程の時間を変化させて、エージング処理後の遅れ短絡の有無について評価する試験を行った。
図４は、基板周囲温度および各エージング工程の時間を変化させたときのエージング処理の評価結果を示す図である。
図４に示されるように、第１エージング電圧と第２エージング電圧をＡＣ＋７Ｖ/−３５Ｖ（１０％ｄｕｔｙ）、２０Ｈｚで一定とし、第１エージング工程（Ｓ２０３）では、１００℃の環境下で第１エージング電圧を陽極および陰極の間に印加し、第２エージング工程（Ｓ２０４）では、１００℃よりも高い温度環境下で第２エージング電圧を陽極および陰極の間に印加した。第１エージング電圧の印加時間と第２エージング電圧の印加時間の合計は１２０分である。
【００４４】
実験サンプル６から実験サンプル８にかけて、第２エージング工程（Ｓ２０４）の基板周囲温度を高くした。また、実験サンプル７および実験サンプル８における第２エージング工程（Ｓ２０４）の処理時間を３０分とした。なお、実験サンプル６の各条件は発明者が従来実施していた条件と同一のものである。
実験サンプル６〜８の各々に対して、６モジュール分、＋８５℃の高温環境下で２４０時間放置した後、各実験サンプルに駆動電圧を印加して点灯させたところ、実験サンプル６（従来品）では６モジュール中６モジュールに表示ライン切れや表示画素欠けが生じたのに対して、実験サンプル７では６モジュール中４モジュールに表示ライン切れや表示画素欠けが生じ、実験サンプル８では６モジュール中１モジュールしか表示ライン切れや表示画素欠けが生じなかった。
【００４５】
このように、エージング工程を２段階とし、第２エージング工程（Ｓ２０４）での素子基板の周囲温度を、第１エージング工程（Ｓ２０３）での素子基板の周囲温度も大きくすることにより、第２のエージング条件を第１のエージング条件より厳しくして陽極および陰極の間にエージング電圧を印加するので、最初の第１エージング工程（Ｓ２０３）で除去できなかった欠陥部を、第２エージング工程（Ｓ２０４）で破壊し除去することができる。また、第１のエージング条件でエージングを行った後に、修復痕の大きさを確認しつつ、次の第２エージング条件で第２エージング工程（Ｓ２０４）を行うので、エージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えることができる。
【００４６】
また、更に、好ましくは、第２のエージング条件下でのエージング時間は、第１のエージング条件下でのエージング時間よりも短くすることができる。すなわち、第２エージング工程（Ｓ２０４）の電圧印加時間を、第１エージング工程（Ｓ２０３）の電圧印加時間よりも短くする。
このようにすることにより、有機ＥＬ素子基板１００が長時間にわたり高温条件下に置かれるのを防止でき、陽極配線２と陰極配線５が短絡した欠陥部の破壊痕、すなわちエージング処理後に発生する修復痕の大きさを小さく抑えることができる。
【００４７】
以上の説明は、本発明を実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。
上記発明の実施態様では、エージング工程を２段階として説明したが、陽極と陰極との間にエージング電圧を上昇させて印加するか、または有機ＥＬ素子基板１００の周囲温度を上昇させて、陽極と陰極との間にエージング電圧を印加する限りにおいて、エージング工程は３段階以上であってもよい。また、エージング電圧および有機ＥＬ素子基板１００の周囲温度の双方を上昇させて、陽極と陰極との間にエージング電圧を印加してもよい。
【００４８】
また、上記発明の実施態様では、パッシブ型有機ＥＬ表示装置として説明したが、アクティブ型有機ＥＬ表示装置にも本発明を適用できる。また、上記発明の実施態様では、有機ＥＬ表示装置として説明したが、有機ＥＬ照明装置等の表示以外の目的で製造された有機ＥＬ装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】有機ＥＬ表示素子の構成を示す図であって、図１（ａ）は電極が形成される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘにおける断面図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の工程を示すフロー図である。
【図３】エージング電圧および電圧印加時間を変化させたときのエージング処理の評価結果を示す図である。
【図４】基板周囲温度および各エージング工程の時間を変化させたときのエージング処理の評価結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    基板
２    陽極配線
３    開口部
４    絶縁膜
５    陰極配線
６    陰極隔壁
７    有機発光層
８    封止基板
９    シール材
１０    捕水剤
１００    有機ＥＬ素子基板
１００ａ  表示領域
【図１】
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【図２】
2007005159.tif 000004
【図３】
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【図４】
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