(57)【要約】      （修正有）【課題】低暗電流で安定動作が可能な電子注入形アバランシ・フォトダイオードの製造技術を提供する。【解決手段】  ＩｎＰバッファ層２２内に、光吸収層によって規定される領域の内側にｎ形ドーピング領域２２−１，２２−２を設け、イオン注入法により所定のドーピングプロファイルとすることによって、なだれ増倍層２３における電界集中を緩和した。さらに、低濃度の第２の光吸収層２６−２を光吸収層２６−１となだれ増倍層２３の間に設けて、受光効率を最大化し、光吸収層の側面の空乏化を抑制して電界集中を防止する。エッジブレークダウン抑制し、素子の信頼性を向上させた。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形電極層、なだれ増倍層、電界制御層およびバンドギャップ傾斜層が順次積層して形成され、前記バンドギャップ傾斜層上に、メサ構造を形成する光吸収層およびｐ形電極層が順次積層されたアバランシ・フォトダイオードにおいて、
前記ｎ形電極層と前記なだれ増倍層との間に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の内部であって、前記ｎ形電極層に接し、前記積層面内において前記メサ構造の形成される領域の内部側に形成され、前記積層面に垂直な断面が略台形状のｎ形ドーピング領域とを備え、
前記ｐ形電極層と前記ｎ形電極層間が逆バイアスされた状態において、前記ｎ形ドーピング領域の前記略台形状の断面の上辺近傍部分をおおむね空乏化することを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。
【請求項２】
前記ｎ形ドーピング領域は、前記なだれ増倍層から前記ｎ形電極層に向かって、並びに、前記ｎ形ドーピング領域の外周部から中心部に向かって、それぞれ単調増加する濃度分布を有することを特徴とする請求項１に記載のアバランシ・フォトダイオード。
【請求項３】
前記光吸収層は、
前記ｐ形電極層の下に形成されたｐ形の第１の光吸収層と、
前記第１の光吸収層および前記バンドギャップ傾斜層との間に形成され、前記ｐ形電極層と前記ｎ形電極層間が逆バイアスされた状態で空乏化する低濃度の第２の光吸収層と、
を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のアバランシ・フォトダイオード。
【請求項４】
前記第２の光吸収層の厚さは、なだれ増倍係数の素子面内分布が前記ｎ形ドーピング領域の中心部から周辺方向に向かって単調減少する条件を満たすような最大の厚さに設定することを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載のアバランシ・フォトダイオード。
【請求項５】
前記なだれ増倍層、前記光吸収層、前記第１の光吸収層、並びに前記第２の光吸収層は、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ系、またはＩｎＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載のアバランシ・フォトダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は長波長帯の超高速アバランシ・フォトダイオードに関する。より詳細には、高速動作アバランシ・フォトダイオードの安定動作を確保するガードリング構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のインターネットやマルチメディアの普及に対応するため、高速大容量の光通信システムが要求されている。このような要求の中で、チャネル伝送速度の高速化とＷＤＭの多チャネル化により、伝送速度４０Ｇbit/sシステムの実現が期待されている。
【０００３】
光通信システムにおいて、システムの性能を左右する最も重要なキー部品に、光信号から電気信号の変換を行うアバランシ・フォトダイオードがある。アバランシ・フォトダイオード（以下ＡＰＤ）は、光吸収で発生したキャリア（電子とホール）を、なだれ機構により増倍させ、その出力電流を取り出すことによりノイズの低い光レシーバとして用いるデバイスである。
【０００４】
長波長帯のＡＰＤは、すでに２．５ Gbit/s 及び１０ Gbit/s システムに広く導入され、さらに次世代の４０ Gbit/s システム向けの素子も開発されつつある。比較的低速向けのＡＰＤ構造として、ＩｎＰをなだれ増倍層とするホール注入形ＡＰＤが典型的に使われて来た。最近は、動作速度の点でさらに有利な電子注入形ＡＰＤが注目されている。
ＩｎＧａＡｓを光吸収層に用いる長波長帯のＡＰＤは、狭いギャップ半導体に起因する暗電流の増大を抑制するため、光吸収層となだれ増倍層（アバランシ層）を分離したＳＡＭ（Separated Absorption and Multiplication)構造が一般的である。光吸収層となだれ増倍層の電界強度を独立に制御するために、光吸収層となだれ増倍層の間に電界制御層とバンドギャップ傾斜層が設けられている。
【０００５】
図４は、従来のメサ形ＡＰＤの断面構造を示す図である。図４に示す電子注入形ＡＰＤは、空乏化ＩｎＧａＡｓからなる光吸収層４６と、ＩｎＡｌＡｓもしくはＩｎＰからなるなだれ増倍層４３を備える構造を持つ。より詳細には、ｎ−ＩｎＰ電極層４１上に形成されたなだれ増倍層４３とＩｎＧａＡｓ光吸収層４６の間に、電界制御層４４とバンドギャップ傾斜層４５を備えている。光吸収層４６の上にはＩｎＧａＡｓ電極層４７が形成され、さらに電極４９が形成される。ｎ−ＩｎＰ電極層４１上には、電極４８も設けられる。ホール注入形ＡＰＤの場合とは異なりＺｎ拡散技術を用いたガードリング構造が使えないため、典型的な電子注入形ＡＰＤは図４に示したようなメサ形の素子形状を取らざるを得ない。その結果、素子の接合周辺の暗電流が大きくなってしまうという、基本的な問題がある。
【０００６】
この暗電流の問題を解決するために、様々な提案がなされている。例えば、素子のメサ周辺をＩｎＰの再成長層で覆う構造（非特許文献１参照）が提案され、良好な特性が報告されている。また、イオン注入で動作領域周辺の電界分布を変調する構造（非特許文献２)も報告されている。さらに、動作時にメサ周辺の電界強度が内部よりも低くなる様、その面内で部分的にｎ形ドーピングされた領域を持つバッファ層が、なだれ増倍層とｎ電極層との間に挿入された構造（特許文献１）も提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特願２００３−３１８７８３（未公開）
【特許文献２】特願２００４−０２７３０２（未公開）
【非特許文献１】S. Tanaka, S. Fujisaki, Y. Matsuoka, T. Tsuchiya, S. Tsuji, “10Gbit/s Avalanche Photodiodes Applicable to Non-Hermetic Receiver Modules,”OFC2003, Vol.1, MF55, p67,
【非特許文献２】正野，遠藤，井元，渡辺，牧田，中田，“ 10Gbit/s 小型光受信モジュール用高感度プレーナ型 APD”2004年電子情報通信学会総合大会 C-4-37 ，p365
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記に提案されている技術においても、依然として、次のような問題があった。非特許文献１の技術においては、半導体のメサ構造を再成長により埋め込むのは、面指数により成長の振る舞いが異なるために、一般には難しい技術である。製造コストの点でも不利である。また、非特許文献２の、イオン注入によって動作領域周辺の電界分布を変調する構造は、注入イオンのダメージによるトラップ凖位を発生させる。トラップ順位により不純物を活性化させるため、素子の安定性に懸念が残る。また特許文献１の構造については、この部分的にｎ形ドーピングされた領域を持つバッファ層をどのように設計するかに関しては、具体的な指針はまだ開示されていないのが現状である。
【０００９】
以上に述べたように、電子注入形ＡＰＤは、従来のホール注入形ＡＰＤに優る特性が期待されるが、暗電流の増大と素子の寿命確保の面で問題があった。ＡＰＤのメサを半導体で埋め込む構造も提案されているが、製造技術の困難性や製造コストの点で問題は解決されていない。本発明はこの様な問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、拡散技術を用いることなしに、低暗電流で安定動作な可能な電子注入形ＡＰＤの製造技術を提供することにある。本発明では、この電子注入形ＡＰＤの安定動作を目的とした「ガードリング構造」に関する技術に適用される。以下、詳細に説明する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ｎ形電極層、なだれ増倍層、電界制御層およびバンドギャップ傾斜層が順次積層して形成され、前記バンドギャップ傾斜層上に、メサ構造を形成する光吸収層およびｐ形電極層が順次積層されたアバランシ・フォトダイオードにおいて、前記ｎ形電極層と前記なだれ増倍層との間に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の内部であって、前記ｎ形電極層に接し、前記積層面内において前記メサ構造の形成される領域の内部側に形成され、前記積層面に垂直な断面が略台形状のｎ形ドーピング領域とを備え、前記ｐ形電極層と前記ｎ形電極層間が逆バイアスされた状態において、前記ｎ形ドーピング領域の前記略台形状の断面の上辺近傍部分をおおむね空乏化することを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記ｎ形ドーピング領域は、前記なだれ増倍層から前記ｎ形電極層に向かって、並びに、前記ｎ形ドーピング領域の外周部から中心部に向かって、それぞれ単調増加する濃度分布を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記光吸収層は、ｐ形電極の下に形成されたｐ形の第１の光吸収層と、前記第１の光吸収層および前記バンドギャップ傾斜層との間に形成され、前記ｐ形電極層と前記ｎ形電極層間を逆バイアスされた状態で空乏化する低濃度の第２の光吸収層とを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記第２の光吸収層の厚さは、なだれ増倍係数の素子面内分布が前記ｎ形ドーピング領域の中心部から周辺方向に向かって単調減少する条件を満たすような最大の厚さに設定することを特徴とする。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記なだれ増倍層、前記光吸収層、前記第１の光吸収層、並びに前記第２の光吸収層は、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ系、またはＩｎＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体から成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、拡散技術を用いることなくなだれ増倍領域周辺部のエッジ電界を緩和し、暗電流が低い電子注入形のＡＰＤを制御性良く製作することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施形態にかかるＡＰＤの構造図である。ｎ形のＩｎＰ電極層１１の上に、ＩｎＰバッファ層１２、ＩｎＰなだれ増倍層１３、ＩｎＰ電界制御層１４、ＩｎＧａＡｓＰバンドギャップ傾斜層１５が、順次形成されている。さらに、ＩｎＧａＡｓＰバンドギャップ傾斜層１５上には、メサ構造をなすｐ形のＩｎＧａＡｓ光吸収層１６、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極層１７、および金属電極１８が形成されている。ｎ形のＩｎＰ電極層１１の上には、金属電極１９も設けられている。
さらに、ＩｎＰバッファ層１２の一部には、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１、１２−２が形成されている。ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−２は、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１の中に包含される関係となっている。さらに、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１、１２−２は、そのドーピング濃度が異なる。詳細の構造、製造方法は後述する。以下に説明する様に，このｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１、１２−２を配置することにより、その周りの領域が「ガードリング」として機能するＡＰＤ構造となる。
【００１７】
本発明においては、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１が、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６のメサ構造外周よりも内側にあるようにｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１が配置されていることが、重要な点である。図１は、デバイスの断面構造であるが、図１の上方より見た（上面図）場合、すなわちデバイス各層の積層面に垂直の方向から見た場合には、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１は概ね、円形または楕円形である。ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１の外周が、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６で規定されるメサ構造領域の内側にあるように形ＩｎＰドーピング領域１２−１が配置されている。この配置構造により、一定の印加電圧において、直下にｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１が無いＩｎＰなだれ増倍領域１３部分の電界強度を低下させることで、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６のメサ側面の空乏化を抑え、電界発生を抑えることができる。電界発生を抑えることにより、メサ構造側面の表面に起因する暗電流を著しく低減すことができ、さらにデバイスの信頼性の向上に寄与できる。
【００１８】
このｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１を備えた、本発明のガードリング構造付きＡＰＤは、例えば、以下のように製作することができる。最初に、ＩｎＰ基板上に、ｎ形ＩｎＰ電極層１１に相当するｎ−ＩｎＰ層を成長させ、その上にアンドープＩｎＰ層を結晶成長させてＩｎＰバッファ層１２を形成する。バッファ層１２を形成後、Ｓｉのイオン注入法により、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１、１２−２を形成する。注入イオンの活性化熱処理を行った後、さらに残りの各層、すなわちＩｎＰなだれ増倍層１３からｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極層１７までを順次積層して成長させる。メサ加工により、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１６となだれ増倍層１３の構造を規定し、最後にオーミック電極である金属電極１８、１９の蒸着および熱処理を施す。
【００１９】
金属電極１８と金属電極１９に逆バイアス電圧を印加すると、ＩｎＰなだれ増倍層１３に高電界が発生し、ＩｎＰ電界制御層１４は、バンドギャップ傾斜層１５およびバンドギャップ傾斜層１５に近接するＩｎＧａＡｓ光吸収層１４部分の電界差を所定の値に調整する機能を果たす。ＩｎＰなだれ増倍層１３の一部、すなわち、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１、１２−２の上部は、空乏層の厚さがその周辺よりも薄く、なだれ増倍活性領域（高電界領域）となる。
【００２０】
ｎ形ドーピング領域１２−１は、ＡＰＤ各層の積層面に垂直な断面を見ると、図１のように、上辺近傍が丸まった概ね台形状となる。しかしながら、凸型の台形形状をしたｎ形ドーピング領域１２−１を導入すると、ＩｎＰなだれ増倍層１３側の一部に局所的な電界集中が起こりやすい。
【００２１】
図５は、バッファ層内に埋め込み型ｎ形ＩｎＰ領域を設けた場合の、電界集中の様子を説明する図である。図５のＡＰＤの基本的な構造は、図１と同じである。バッファ層５２の中に、埋め込みｎ形ＩｎＰ領域５２−１が設けられている点が図１と異なる。この場合、埋め込みｎ形ＩｎＰ領域５２−１のなだれ倍増層５３側の周辺部に、矢印で示したような、局所的な電界の集中が発生する。
【００２２】
本発明のドーピング領域の構造においても、この電界集中のために所望のＡＰＤ動作を実現できない場合がある。そこで、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１にドーピング濃度分布を持たせ、ｎ形ドーピング領域１２の周辺部において、空乏化した領域をｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１内部に十分深く侵入させることを、大きな特徴としている。この空乏化した領域の侵入部分に電位降下を発生させる。この電位降下によって、この電位降下発生部分の上方側、すなわち、ＩｎＰなだれ増倍層１３側における電界上昇を抑え、いわゆる局所ブレークダウン（エッジブレークダウン）の原因となる「エッジ部分の電界集中」を緩和することができる。図１においては、ドーピング領域の内部に、ドーピング濃度の差異があることを示すために、２つのｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１、１２−２が示されている。したがって、この２つのドーピング領域が、性質の異なる領域が不連続に形成されていることを必ずしも意図していない点に留意する必要がある。
【００２３】
したがって、より効果的に局所ブレークダウン（エッジブレークダウン）を防止するためには、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１のドーピングプロファイルを、なだれ増倍層１３側からｎ形の電極層１１に向かって、および、ｎ形ＩｎＰドーピング領域１２−１の周囲から中心部の内側に向かって、それぞれ単調増加するようにすれば良い。このドーピングプロファイルは、いわゆる傾斜濃度分布と呼ばれる。傾斜濃度分布は、イオン注入の深さ方向と横方向の広がりを利用して形成することができる。すなわち、注入イオンのProjection長をｎ形のＩｎＰ電極層１１層とＩｎＰバッファ層１２層との界面付近に設定することによって、横方向の電界変化は緩やかとすることができる。したがって、ｎ形ドーピング領域１２−１に電界の局所集中を抑え、局所ブレークダウンを効果的に抑えることができる。拡散技術を使用しないで、比較的簡単なイオン注入法により実現可能である。
【００２４】
以上述べたように、本発明特有のガードリング構造を採用することにより、なだれ増倍領域周辺部のエッジ電界を緩和し、暗電流が低い電子注入形ＡＰＤを制御性良く製作することができる。
【００２５】
（第二の実施形態）
図２は、本発明の第二の実施形態にかかるＡＰＤの構造図である。ｎ形のＩｎＰ電極層２１の上に、ＩｎＰバッファ層２２、ＩｎＰなだれ増倍層２３、ＩｎＰ電界制御層２４、ＩｎＧａＡｓＰバンドギャップ傾斜層２５が順次形成されている。さらに、ＩｎＧａＡｓＰバンドギャップ傾斜層２５の上には、メサ構造をなす光吸収層他が形成されるが、本実施形態においては、第２の光吸収層を設けている点に特徴がある。
【００２６】
すなわち、ＩｎＧａＡｓＰバンドギャップ傾斜層２５の上には、まず、動作状態において空乏化する低濃度の第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２が形成される。この上に、第１の実施形態と同じく、第１のｐ形ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−１、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極層２７、金属電極２９が設けられている。ｎ形のＩｎＰ電極層２１の上には、金属電極２９も設けられている。
【００２７】
第１の実施形態同様、ＩｎＰバッファ層２２の一部には、ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２−１、２２−２が形成されている。ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２−２は、ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２−１の中に包含される関係となっており、ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２−１、２２−２は、そのドーピング濃度が異なる。ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２−１の外周が、第１のｐ形ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−１のメサ構造外周の内側に配置されているのも、第１の実施形態と同じである。この構造のＡＰＤは、第１の実施形態と同様の方法により製作可能である。ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２−１、２２−２が、ＡＰＤの各積層面に垂直な方向から見た場合に、メサ構造領域の外周より内側に形成されているので、第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２内には、空乏化領域３０が生じる。
【００２８】
一般に、単にＩｎＰバッファ層２２の厚さを適度に厚くすることによっても、光吸収層側面の空乏化を抑え、なだれ倍増層における電界発生を抑える効果がある。第１の実施形態のガードリンク構造を導入する場合と比べればその効果は小さいが、空乏化を抑える効果が存在する。
【００２９】
本第２の実施形態は、第１の実施形態のガードリンク構造とともに、２つの光吸収層を備えるところに特徴がある。すなわち、従来の第１のｐ形ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−１とＩｎＰなだれ倍増層２３との間に、さらに、低濃度の第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２を追加している点に大きな特徴がある。この構成により、光吸収層全体の厚さが増大した分だけ、光吸収層の受光効率を改善でき、動作帯域を低下させることもない。これは、本願発明者らによる特願２００４−０２７３０２（特許文献２）においても、詳細に述べられている通りである。
【００３０】
第一の実施形態において示されたガードリング構造、すなわち「電界集中緩和構造」を導入しても、任意の厚さの低濃度の第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２に対して、常にエッジブレークダウンが避けられるわけではない。本発明においては、エッジブレークダウンが発生しない範囲で、第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２の厚さを可能なかぎり厚く設定する。次に、第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層の厚さの決定方法について説明する。
【００３１】
図３は、低ドーピング濃度の第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２の層厚を変えたときに、なだれ増倍係数Ｍが、素子内においてどの様な変化を示すかを、模式的に示したものである。ＷAdepが閾値ＷAdep(critical)よりも厚いと、素子のメサ構造の中心点から外側に向かって、なだれ増倍係数Ｍ値は一旦増加し、その後減少する。すなわち、エッジブレークダウンが発生してしまう。この状態では、ＩｎＰなだれ増倍層２３の電界が下がり、イオン化率が低下しても、実効的なだれ増倍層の厚さが拡がる効果の方が支配的となり、なだれ増倍係数Ｍ値は増加してしまう。
【００３２】
したがって、低濃度の第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層２６−２の層厚を、なだれ増倍係数Ｍがメサ構造中心点から外周部に向かって単調減少するような最大の厚さとすることにより、エッジブレークダウンを回避することができる。
層厚がＷAV＝２５００Ａの典型的なＩｎＰなだれ増倍層を持つＡＰＤ構造では、ｎ形ＩｎＰドーピング領域２２の濃度を２×１０１７／ｃｍ３として、ＷAdep(critical)はおおよそ４０００Ａと計算される。もちろん、ＷAVによってＷAdep(critical)は変化し、ＷAVが厚いほどＷAdep(critical)も大きくなる。
【００３３】
以上、詳細に述べてきたように、従来、電子注入形ＡＰＤは、従来のＩｎＰをなだれ増倍層とするホール注入形ＡＰＤに比べ、原理的に優れた性能が期待されるものの、安定で信頼性の高い素子を実現するには高度な製造技術が必要とされていた。コスト的にも解決すべき問題があった。本発明によれば、「ガードリンク構造」を導入することにより、イオン注入などの比較的容易な製造技術を用い、エッジブレークダウンが発生せず、受光効率を最大とする電子注入形ＡＰＤを製作することができる。拡散技術を必要としないので製造コストの面で有利となるのみならず、次世代の４０Ｇｂ／ｓシステムに適用可能なＡＰＤ素子を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１の実施形態にかかるＡＰＤの構造を示す断面図である。
【図２】第２の実施形態にかかるＡＰＤの構造を示す断面図である。
【図３】低ドーピング光吸収層の厚さをパラメータとしたＭの位置変化を示す図である。
【図４】従来のメサ形ＡＰＤの構造を示す断面図である。
【図５】バッファ層における電界集中を説明する図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１、２１、４１、５１  ｎ形ＩｎＰ電極層
１２、２２、５２  ＩｎＰバッファ層
１２−１、１２−２、２２−１、２２−２  ｎ形ＩｎＰドーピング領域
１３、２３、４３、５３  ＩｎＰなだれ増倍層
１４、２４、４４、５４  ＩｎＰ電界制御層
１５、２５、４５、５５  バンドギャップ制御層
１６、２６−１、４６、５６  ＩｎＧａＡｓ光吸収層
２６−２  第２のＩｎＧａＡｓ光吸収層
１７、２７、４７、５７  ｐ形ＩｎＧａＡｓ電極層
８、１８、１９、２８，２９、４８、４９、５８、５９  金属電極
３０  空乏化した領域
５２−１  埋め込みｎ形ＩｎＰ領域
【図１】
2007005697.tif 000003
【図２】
2007005697.tif 000004
【図３】
2007005697.tif 000005
【図４】
2007005697.tif 000006
【図５】
2007005697.tif 000007