(57)【要約】【課題】  回路基板の配線間隔の増大を抑制しつつ、配線層を厚膜化できるようにする。【解決手段】  基材１上には下層導電膜２および上層導電膜３が順次積層され、下層導電膜２のエッチングレートは上層導電膜３のエッチングレートよりも大きくなるように設定し、レジストパターン４をマスクとして上層導電膜３をエッチングすることにより上層配線層３ａを形成し、さらにレジストパターン４をマスクとして下層導電膜２をエッチングすることにより下層配線層２ａを形成し、下層配線層２ａ上に上層配線層３ａが積層された配線パターンを形成する。【選択図】      図１
2007067191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に形成された下層配線層と、
前記下層配線層上に形成され、前記下層配線層よりもエッチングレートの小さな材料で構成されるとともに、前記下層配線層よりも傾斜角の大きな上層配線層とを備えることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記下層配線層の膜厚は前記上層配線層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記下層配線層の膜厚は前記上層配線層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
絶縁性基材上に積層された下層導電膜上に形成された前記下層導電膜よりもエッチングレートの小さな上層導電膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記上層導電膜および前記下層導電膜をエッチングすることにより、前記下層導電膜上に前記上層導電膜が積層された配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上の前記レジストパターンを除去する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁性基材上に積層された導電膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして第１エッチング液にて前記導電膜を途中の深さまでエッチングする工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記第１エッチング液よりもエッチングレートの大きな第２エッチング液にて前記導電膜をエッチングすることにより配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上の前記レジストパターンを除去する工程とを備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板および回路基板の製造方法に関し、特に、回路基板の配線形成方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路基板の配線形成方法では、絶縁性基板上に積層された銅箔上にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして銅箔をエッチングすることにより、絶縁性基板上に配線パターンを形成することが行われている。
また、例えば、特許文献１には、コネクタ部品を介することなく、実装部品を交換可能に低コストで取り付けることが可能なコネクタ付きフレキシブルプリント配線板を製造する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３１１８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の回路基板の配線形成方法では、耐屈曲性を向上させるために、配線パターンを厚膜化すると、配線パターンの断面形状が台形状になり、配線間隔が広くなるため、配線の細密化に支障をきたすという問題があった。一方、配線間隔を狭くするために、配線パターンを薄膜化すると、耐屈曲性が劣化し、断線不良の増大を招くという問題があった。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、配線間隔の増大を抑制しつつ、配線層を厚膜化することが可能な回路基板および回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る回路基板によれば、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上に形成された下層配線層と、前記下層配線層上に形成され、前記下層配線層よりもエッチングレートの小さな材料で構成されるとともに、前記下層配線層よりも傾斜角の大きな上層配線層とを備えることを特徴とする。
これにより、傾斜角の小さな下層配線層上に上層配線層を積層することができる。このため、配線層を厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となり、耐屈曲性を向上させつつ、配線の細密化を図ることができる。
【０００６】
また、本発明の一態様に係る回路基板によれば、前記下層配線層の膜厚は前記上層配線層の膜厚よりも大きいことを特徴とする。
これにより、傾斜角の小さな下層配線層の膜厚を大きくすることができ、配線ピッチを小さくすることを可能として、配線の細密化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る回路基板によれば、前記下層配線層の膜厚は前記上層配線層の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
【０００７】
これにより、傾斜角の小さな下層配線層上に上層配線層を積層しつつ、上層配線層の先端を細くすることができる。このため、このため、配線層を厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となるとともに、配線層をバンプに食い込ませることができ、バンプ接合時の荷重を低減することができる。
また、本発明の一態様に係る回路基板の製造方法によれば、絶縁性基材上に積層された下層導電膜上に形成された前記下層導電膜よりもエッチングレートの小さな上層導電膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記上層導電膜および前記下層導電膜をエッチングすることにより、前記下層導電膜上に前記上層導電膜が積層された配線パターンを形成する工程と、前記配線パターン上の前記レジストパターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、傾斜角の小さな下層導電膜上に上層導電膜が積層された配線パターンを形成することができる。このため、配線パターンを厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となり、耐屈曲性を向上させつつ、配線パターンの細密化を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る回路基板の製造方法によれば、絶縁性基材上に積層された導電膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして第１エッチング液にて前記導電膜を途中の深さまでエッチングする工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第１エッチング液よりもエッチングレートの大きな第２エッチング液にて前記導電膜をエッチングすることにより配線パターンを形成する工程と、前記配線パターン上の前記レジストパターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、配線パターンの先端を細くすることを可能としつつ、配線パターンの下層の傾斜角の増大を抑制することができる。このため、このため、配線層を厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となるとともに、配線層をバンプに食い込ませることができ、バンプ接合時の荷重を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法を示す断面図である。
図１（ａ）において、基材１上には、下層導電膜２および上層導電膜３が順次積層されている。なお、基材１としては、例えば、テープ基板またはフィルム基板を用いることができ、基材１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂やアミドイミド樹脂、エステルイミド樹脂、エーテルイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂あるいはこれらの変性樹脂などを用いることができる。また、下層導電膜２および上層導電膜３としては、エッチングレートの互いに異なる材料を用いることができ、下層導電膜２のエッチングレートは上層導電膜３のエッチングレートよりも大きいことが好ましい。ここで、下層導電膜２および上層導電膜３としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉなどの金属を用いることができる。そして、上層導電膜３よりも下層導電膜２のエッチングレートが大きな下層導電膜２および上層導電膜３の組み合わせとしては、例えば、下層導電膜２がＣｕの場合、上層導電膜３としてＣｕとＮｉの合金あるいはＣｕとＣｒの合金を用いることができる。
【００１１】
そして、上層導電膜３上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、上層導電膜３上にレジストパターン４を形成する。
次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン４をマスクとして上層導電膜３をエッチングすることにより、上層配線層３ａを形成する。
次に、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン４をマスクとして下層導電膜２をエッチングすることにより、下層配線層２ａを形成する。そして、図１（ｄ）に示すように、下層配線層２ａ上のレジストパターン４を除去する。なお、下層導電膜２がＣｕ、上層導電膜３がＣｕとＮｉの合金あるいはＣｕとＣｒの合金の場合、下層導電膜２および上層導電膜３のエッチング液として、例えば、塩化第二鉄を用いることができる。ここで、下層導電膜２のエッチングレートは上層導電膜３のエッチングレートよりも大きくすること（例えば、エッチング液として塩化第二鉄を用いる際、下層導電膜２の材料を、上層電膜３の材料よりも塩化第二鉄に対するエッチングレートが大きい材料を用いること）により、上層配線層３ａの傾斜角よりも下層配線層２ａの傾斜角を小さくすることができる。
【００１２】
これにより、傾斜角の小さな下層配線層２ａ上に上層配線層３ａを積層することができる。このため、配線層を厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となり、耐屈曲性を向上させつつ、配線の細密化を図ることができる。
なお、下層配線層２ａ上に上層配線層３ａが積層された基材１は、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などに適用することができる。また、下層配線層２ａ上に上層配線層３ａが積層された基材１は、例えば、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤ、ＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００１３】
図２は、本発明の一実施形態に係るエッチングレートの異なる金属膜の膜厚比に対する断面形状を示す図である。
図２（ａ）において、下層配線層１１ａ上には上層配線層１２ａが積層されている。ここで、例えば、下層配線層１１ａと上層配線層１２ａとの膜厚の比率を８：２とすることができる。
【００１４】
これにより、傾斜角の小さな下層配線層１１ａの膜厚を大きくすることができ、配線ピッチを小さくすることを可能として、配線の細密化を図ることができる。
また、図２（ｂ）に示すように、下層配線層１１ｂ上には上層配線層１２ｂが積層されている。ここで、例えば、下層配線層１１ｂと上層配線層１２ｂとの膜厚の比率を５：５とすることができる。
【００１５】
これにより、傾斜角の小さな下層配線層１１ｂ上に上層配線層１２ｂを積層することができ、配線層を厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となるため、耐屈曲性を向上させつつ、配線の細密化を図ることができる。
また、図２（ｃ）に示すように、下層配線層１１ｃ上には上層配線層１２ｃが積層されている。ここで、例えば、下層配線層１１ｃと上層配線層１２ｃとの膜厚の比率を２：８とすることができる。
【００１６】
これにより、傾斜角の小さな下層配線層１１ｃ上に上層配線層１２ｃを積層しつつ、上層配線層１２ｃの先端を細くすることができる。このため、このため、配線層を厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となるとともに、配線層をバンプに食い込ませることができ、バンプ接合時の荷重を低減することができる。
図３は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法を示す断面図である。
【００１７】
図３において、基材２１上には、導電膜２２が積層されている。なお、基材２１としては、例えば、テープ基板またはフィルム基板を用いることができ、基材２１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂やアミドイミド樹脂、エステルイミド樹脂、エーテルイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂あるいはこれらの変性樹脂などを用いることができる。また、導電膜２２としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉなどの金属を用いることができる。
【００１８】
そして、導電膜２２上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、導電膜２２上にレジストパターン２３を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン２３をマスクとして第１エッチング液にて導電膜２２を途中までエッチングすることにより、導電膜２２に凹部を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン２３をマスクとして凹部が形成された導電膜２２を第２エッチング液にてエッチングすることにより、配線層２２ａを形成する。そして、図３（ｄ）に示すように、配線層２２ａ上のレジストパターン２３を除去する。なお、第２エッチング液としては、第１エッチング液よりもエッチングレートの大きなエッチング液を用いることができ、例えば、導電膜２２がＣｕの場合、第１エッチング液として塩化第二鉄、第２エッチング液として硫酸を用いることができる。あるいは、導電膜２２がＣｕの場合、第１エッチング液として塩化第二鉄、第２エッチング液として塩化第二鉄を水で希釈したエッチング液を用いるようにしてもよい。
【００１９】
これにより、配線層２２ａの先端を細くすることを可能としつつ、配線層２２ａの下層の傾斜角の増大を抑制することができる。このため、このため、配線層２２ａを厚膜化した場合においても、配線間隔の増大を抑制することが可能となるとともに、配線層２２ａをバンプに食い込ませることができ、バンプ接合時の荷重を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法を示す断面図。
【図２】エッチングレートの異なる金属膜の膜厚比に対する断面形状を示す図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００２１】
１、２１  絶縁性基材、２、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  下層導電膜、３、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ  上層導電膜、４、２３  レジストパターン、２ａ、３ａ、２２ａ  配線層、２２  導電膜
【図１】
2007067191.tif 000003
【図２】
2007067191.tif 000004
【図３】
2007067191.tif 000005