(57)【要約】【課題】  ダイパッドが封止時等に外力を受けて傾斜することがある。【解決手段】  リードフレームにおいて、ダイパッド１１にリード１３、１３を一体的に連結し、吊りピン１８、１８と共に支持することで、ダイパッド１１の傾斜を防止する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠部にその内方で支持される複数のリードと、前記枠部にその中央で吊りピンを介して支持されるダイパッドとを備えるリードフレームであって、
前記ダイパッドに少なくとも一以上の前記リードが一体的に連結されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１記載のリードフレームを備える半導体装置であって、
前記ダイパッド上に配される半導体チップと、
該半導体チップの複数の電極と前記ダイパッドに対し非連結の複数のリードとをそれぞれ電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤ、前記ダイパッド及び前記複数のリードを一体的に封止する封止樹脂部とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記封止樹脂部はエポキシ系樹脂から成り、
前記半導体チップはエポキシ系の接着材層を介して前記ダイパッドに接着されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダイパッドは前記封止樹脂部から下面が露出し、かつ前記半導体チップよりも小さな寸法に設定されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
枠部にその内方で支持され、半導体チップが直接的に固着される複数のリードを備えるリードフレームであって、
前記各リードを前記枠部にそれぞれ連結する連結片を含むことを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
請求項５記載のリードフレームを備える半導体装置であって、
前記半導体チップの各電極と前記各リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記各リード及び前記各ボンディングワイヤを一体的に封止する封止樹脂部とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記封止樹脂部はエポキシ系樹脂から成り、
前記半導体チップはエポキシ系の接着材層を介して前記各リードに接着されていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型の半導体装置用リードフレーム及び該リードフレームを用いて製造される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２には従来のこの種の半導体装置の断面が図示されている。この半導体装置は、半導体チップ１が載置、固着されているダイパッド２と、ダイパッド２の両側に配されている複数のリード３と、半導体チップの各電極と各リードとを電気的に接続するボンディングワイヤ４と、これらを一体的に封止する封止樹脂部５とから成る。
【０００３】
このような半導体装置を製造するためのリードフレームとしては、例えば、下記特許文献１に示されるものが知られている。即ち、このリードフレームは、枠部（ダイバー）の内方で支持される複数のリードと枠部の中央に位置するダイパッドとを備え、ダイパッドの両側はハーフエッチングされている幅の小さい吊りピン（接続線）を介して枠部により一方向で支持されている。
【特許文献１】特開２０００−１５０７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記したリードフレームでは、ダイパッドを上記吊りピンにより一方向から支持するだけなので、搬送時や封止装置への装着時に外力を受けるとリード及びダイパッドを含む面（フレーム面）に対しダイパッドの面が僅かに角度を有して傾斜したり変形することがある。また、封止装置により樹脂封止する際にダイパッドに樹脂圧が加わった場合、同様に傾斜したり変形する虞れがあった。
【０００５】
そして、ダイパッドが傾斜等した状態で樹脂封止されると、ダイパッドの壁面と樹脂との密着性が劣るため、例えば、図２に矢印で示すように、ダイパッドの側面と樹脂との界面から水分が侵入してしまう。
【０００６】
このため、従来はダイパッドの傾斜等している半導体装置は不良品として廃棄されており、非常に不経済であった。
【０００７】
ダイパッドに対し密着性を有する機能樹脂を用いることも行われているが、該機能樹脂は高価なため装置自体も高価になってしまう。
【０００８】
尚、複数のリード上に直接的に半導体チップを固着する構成の半導体装置においてもリードが枠部に一方向で支持されるだけなので、リードが傾斜する虞れがあり、このため同様に不良品の生じることが多くなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記した課題を解決すべく次の構成を具備している。
【００１０】
〈構成１〉
本発明は、枠部にその内方で支持される複数のリードと、枠部にその中央で吊りピンを介して支持されるダイパッドとを備えるリードフレームであって、ダイパッドに少なくとも一以上のリードが一体的に連結されていることを特徴とする。
【００１１】
〈構成２〉
他の発明は、構成１のリードフレームを備える半導体装置であって、ダイパッド上に配される半導体チップと、該半導体チップの複数の電極とダイパッドに対し非連結の複数のリードとをそれぞれ電気的に接続するボンディングワイヤと、これらを一体的に封止する封止樹脂部とを含むことを特徴とする。
【００１２】
〈構成３〉
また、他の発明のリードフレームは、枠部にその内方で支持され、半導体チップが直接的に固着される複数のリードを備え、各リードを枠内にそれぞれ連結する連結片を含むことを特徴とする。
【００１３】
〈構成４〉
更に他の発明は、構成３のリードフレームを備える半導体装置であって、半導体チップの各電極と各リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体チップ、複数のリード及び各ボンディングワイヤを一体的に封止する封止樹脂部とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本願の発明によれば、ダイパッド又はリードの傾斜、変形を防止することができるので、ダイパッド等と封止樹脂部との密着性を確保することができ、従って、半導体装置を歩留まりよく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１（Ａ）は本発明に係る半導体装置の横断面図、同（Ｂ）は同装置の縦断面図である。この半導体装置１０は、中央に位置するダイパッド１１を備えている。ダイパッド１１の両側には、それぞれ４つのリード１２、１３が対向して配されている。これらのリードの内、特に一対のリード１３，１３は、ダイパッド１１と一体的に形成されている。
【００１７】
ダイパッド１１上には絶縁性の接着材層１４を介して半導体チップ１５が固着されている。この接着材層１４はエポキシ系の樹脂層から形成されている。半導体チップ１５は、ダイパッド１１よりも大きな長さ寸法を有し、下面の縁部がリードのインナーリード部上に係止している。また、半導体チップ１５上の各電極１５ａは、各リード１２のアウターリード部にボンディングワイヤ１６を介して電気的に接続されている。
【００１８】
上記半導体チップ１５、ダイパッド１１、ボンディングワイヤ１６及びリード１２，１３はエポキシ系樹脂から成る封止樹脂部１７により封止されている。この封止状態において、ダイパッド１１の下面、各リード１２，１３のアウターリード部の側面及び下面は封止樹脂部１７から露出している。
【００１９】
以上の構成を有する半導体装置１０は、上記ダイパッド１１及びリード１２，１３の組を多数設けられているリードフレームを用いて製造される。即ち、このリードフレームにおいて、ダイパッド１１の短辺側の中央は図示しない枠部に吊りピン１８を介して支持され、又各リード１２，１３は枠部にその内方で支持されている。そして、特に一対のリード１３は、ダイパッド１１の長辺側と一体的に形成されている。
【００２０】
このようなリードフレームを図示しない樹脂封止装置に装着し、樹脂（１７）を封止した場合、ダイパッド１１に樹脂圧が加わる。しかし、上記したように、ダイパッド１１は吊りピン１８，１８により一方向で支持されるだけでなく、一対のリード１３，１３によっても直交する方向から支持されているので、樹脂圧が加わってもダイパッド１１が角度を有して傾斜することがない。従って、ダイパッド１１の周壁と封止樹脂部１７との密着性を確保することができる。
【００２１】
また、本実施例では、封止樹脂部１７及び接着材層１４としてエポキシ系の樹脂を用いているので、更に相互の密着性が向上する。
【００２２】
また、半導体チップ１５よりもダイパッド１１の寸法を小さく設定しているので、例えば、図１（Ｂ）の矢印Ｓで示すように、ダイパッド１１の側面と樹脂との界面から水分が侵入したとしても、密着している接着材層に沿って半導体チップ１５の側壁に至る大きな沿面距離が確保されているので、電極１５ａまで水分が侵入することがなく、従って、耐湿性が大幅に向上する。
【００２３】
尚、リード１３はグランドピン又は電源ピンとして利用される。
【００２４】
図３及び図４には本実施例の変形例が示されている。これらの変形例では、ダイパッド１１の一方の長辺側に一つのリード１３が一体的に形成されている。従って、ダイパッド１１の傾斜を防止することができる。
【００２５】
尚、これらの変形例では、リード１２，１３のアウターリード部の形状を異ならせている。
【実施例２】
【００２６】
図５には実施例２に係る半導体装置の横断面が示されている。
【００２７】
この半導体装置に用いられたリードフレームは、中央のダイパッド１１の各角部が図示しない枠部により吊りピン１８を介して支持され、かつダイパッド１１の各辺部が４本のリード１９を介して枠部により支持されている。
【００２８】
このリードフレームを樹脂封止装置に装着して樹脂を封止すると封止樹脂部１７を有する半導体装置が得られるが、このリードフレームにおいてダイパッド１１が吊りピン１８以外に更にリード１９により支持されているので、樹脂圧によりダイパッド１１が傾斜するのを防止することができる。
【００２９】
尚、封止対象の半導体チップは本実施例では、ダイパッド１１よりも長さ寸法が大きく、接着材層１４を介して下面の外側が各リード１２，１９のインナーリード部上に係止される。
【００３０】
図６には、本実施例の変形例が示されている。この変形例では、ダイパッド１１が枠部に１つのリード１９により支持されている。
【実施例３】
【００３１】
図７は本発明の更に他の実施例を示している。この実施例３において、用いられるリードフレームは図示しない枠部に４つのリード２０が支持されている。そして、各リード２０はその支持とは直交する連結片２１を介して更に枠部により支持されている。
【００３２】
このようなリードフレームを樹脂封止装置に装着して樹脂圧を受けた場合、各リード２０が枠部に二方向から支持されているので、傾斜することがない。従って、各リード２０と封止樹脂部１７との密着性を確実に確保することができる。
【００３３】
尚、本実施例では、各リード２０のインナーリード部上に接着材層１４を介して半導体チップ１５が直接的に固着される。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の横断面図（Ａ）と縦断面図（Ｂ）である。
【図２】従来の半導体装置の断面図である。
【図３】実施例１の変形例に係る横断面図である。
【図４】実施例１の他の変形例に係る横断面図である。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体装置の横断面図である。
【図６】実施例２の変形例に係る横断面図である。
【図７】本発明の実施例３に係る半導体装置の横断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１        ダイパッド
１２        リード
１３、１９  リード
１４        接着材層
１５        半導体チップ
１７        封止樹脂部
１８        吊りピン
２１        連結片
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007266506.tif 000007
【図６】
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【図７】
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