(57)【要約】【課題】反射表示領域を形成する光反射膜に付与する凹凸パターンを改良することにより、高い品質の表示を行うことができる液晶装置を提供する。【解決手段】基板７，８上に設けられていて表示の最小単位の領域であるサブ画素Ｄと、サブ画素Ｄ内に設けられ光反射膜３２を有し光反射膜３２によって反射した反射光を用いて表示を行う領域である反射表示領域Ｒと、サブ画素Ｄ内であって反射表示領域Ｒ以外の領域に設けられ基板８を透過する透過光を用いて表示を行う領域である透過表示領域Ｔとを有する液晶装置である。光反射膜３２の表面には複数の凸部３６が平面的に並ぶことにより凹凸パターンが設けられ、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にある凸部３６ａは、境界線Ｌ２によって形状切断されることなく、その形状の外縁線が境界線Ｌ２接するか又は境界線Ｌ２よりも反射領域Ｒ側に入っている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板と、
照明装置と、
前記一対の基板のうち一方の基板に形成された光反射膜と、
前記光反射膜の表面に設けられ、複数の凸部又は複数の凹部によって構成された凹凸パターンと、を有し、
表示の最小単位となる１つのサブ画素領域内に、前記照明装置から出射される光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜によって反射した反射光を用いて表示を行う反射表示領域とを備えた液晶装置であって、
前記光反射膜の表面に形成された前記凸部又は前記凹部の形状の外縁線が、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジに接するか、又はエッジよりも前記光反射膜上に離間して配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、複数の凸部又は複数の凹部によって構成された前記凹凸パターンは前記透過表示領域には設けられておらず、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジにおいて、前記凸部又は前記凹部の形状が切断・欠除されていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置において、前記光反射膜には前記透過表示領域に対応した開口が設けられており、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジは前記開口の縁であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置において、前記反射表示領域は前記サブ画素の領域を二分した一方の領域であり、前記透過表示領域は当該サブ画素の領域を二分した他方の領域であり、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジは前記サブ画素の領域を二分した線であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶装置において、前記光反射膜は前記サブ画素毎に対応して該サブ画素の領域内に形成された島状の反射電極であることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記基板上に設けられたスイッチング素子と、
該スイッチング素子を覆って前記基板上に設けられた樹脂膜と、
該樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンと、
前記樹脂膜の上に設けられた電極と、
前記スイッチング素子と前記電極とを導電接続する前記樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、を有し、
前記光反射膜の表面に設けられた凹凸パターンは、表面に凹凸パターンを備えた前記樹脂膜上に前記光反射膜を設けることによって形成され、
前記樹脂膜の表面に開口する前記コンタクトホールの開口縁の近傍の前記光反射膜上にある前記凸部又は前記凹部の形状の外縁線が前記開口縁に接するか、又は前記開口縁よりも離れた前記光反射膜上に入って配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記エッジ近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状と同じ大きさであることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項６記載の液晶装置において、前記コンタクトホールの開口縁の近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記コンタクトホールの開口縁の近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状と同じ大きさであることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記エッジ近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状よりも小さいことを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項６記載の液晶装置において、前記コンタクトホールの開口縁の近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記コンタクトホールの開口縁の近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状よりも小さいことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記凹凸パターンを形成する前記凸部又は前記凹部は球の一部分の形状であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記凹凸パターンを形成する前記凸部又は前記凹部は３次元の多角体の一部分の形状であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶層を通過する光を変調して像を形成する液晶装置に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置が広く用いられている。液晶装置は、一般に、互いに対向する一対の基板間に液晶層を配置し、その液晶層を通過する光をサブ画素ごとに変調することにより、光の進行方向の下流側に在る基板の外側に、文字、数字、図形等といった像を表示する。
【０００３】
ここで、サブ画素とは、表示の最小単位となるドット状の領域のことである。仮に、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）等といった３原色を用いてフルカラー表示を行う場合は、３原色の個々の色に対応するサブ画素が３個集まって１つの画素が構成される。また、白黒表示又はその他の２色を用いたモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素によって１つの画素が構成される。
【０００４】
液晶層を通過する光としては、反射光及び透過光の２種類が考えられる。反射光は、太陽光、室内光等といった外部光が液晶装置の内部で反射して液晶層へ供給される光である。透過光は、液晶装置の構成要素である液晶パネルの背面に設けられた照明装置から出射して液晶層へ供給される光である。反射光を用いた表示は反射型表示と呼ばれ、透過光を用いた表示は透過型表示と呼ばれている。
【０００５】
反射型表示を行うためには、通常、液晶装置の内部に光反射膜を設け、その光反射膜で反射した外部光を用いて表示を行う。この場合、光反射膜の光反射面が鏡面状態であるとそこで反射する光は鏡面反射するので、液晶装置の表示領域に表示される像に鏡面反射像が写り込んでしまい、正常な表示を行うことが難しくなる。この現象を回避するため、光反射膜の表面に凹凸パターンを設け、反射光を適度に散乱させるという光処理技術が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００６】
凹凸パターンは、例えば、樹脂膜の表面にフォトリソグラフィ処理によって複数の凸部を形成したり、あるいは複数の凹部を形成することによって作成できる。特許文献１の図１では、光反射膜の下層である層間絶縁膜の表面に凹凸パターンを形成することにより、その上層の光反射膜に凹凸パターンを形成することが開示されている。また、特許文献２の図２から図４では、複数のサブ画素間にわたって凹凸パターンを形成することが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−０７５２３７号公報（第４頁、図１）
【特許文献２】特開２００３−０７５９８７号公報（第８頁、第１１頁、図２〜図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２の図２３及び図２４には、１つの表示ドット領域（すなわち、サブ画素）内に反射表示領域及び透過表示領域を備えた液晶装置が開示されている。反射表示領域は、光反射膜で反射した光Ｆ１を用いて表示を行う領域である。また、透過表示領域は、観察側から見て液晶層の裏側にある基板を透過する光Ｆ２を用いて表示を行う領域である。
【０００９】
この従来の液晶装置において、反射表示領域を構成する光反射膜の表面には凹凸パターンが設けられている。図１７（ａ）はその凹凸パターンを平面的に示している。凹凸パターンは、例えば、複数の凸部１５１を平面内でランダム（すなわち、無秩序）に配列することによって形成されている。凹凸パターンは反射表示領域Ｒに設けられ、透過表示領域Ｔには設けられていない。
【００１０】
反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔは、一般に、フォトリソグラフィ処理を含む処理によって形成されるので、図１７（ｂ）に示すように、その境界線の近傍にある凸部１５１のうちのいくつかの形状は、境界線によって切断されることがある。このように境界線のところで凸部１５１が形状切断される場合には、図１７（ｃ）に示すように、切断された部分の凸部１５１の面１５１ａが鋭角的に起立した状態になり、そのため、図１７（ｄ）に示すように、表示に寄与する所望の光反射ｒ１でない異常な光反射ｒ２が発生し、表示品質が低下するおそれがあった。
【００１１】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、有効表示領域を構成する反射表示領域と透過表示領域のうちの反射表示領域を形成する光反射膜に付与する凹凸パターンを改良することにより、高い品質の表示を行うことができる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板と、照明装置と、前記一対の基板のうち一方の基板に形成された光反射膜と、前記光反射膜の表面に設けられ、複数の凸部又は複数の凹部によって構成された凹凸パターンとを有し、表示の最小単位となる１つのサブ画素領域内に、前記照明装置から出射される光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜によって反射した反射光を用いて表示を行う反射表示領域とを備えた液晶装置であって、前記光反射膜の表面に形成された前記凸部又は前記凹部の形状の外縁線が、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ（縁）に接するか、又はエッジ（縁）よりも前記光反射膜上に離間して配置されていることを特徴とする。
【００１３】
この液晶装置によれば、凹凸パターンを形成する凸部又は凹部のうち反射表示領域と透過表示領域との境界線の近傍の反射表示領域内にあるものが、反射表示領域と透過表示領域との境界線によって形状切断されることなく、その凸部又は凹部の形状の外縁線がその境界線に接するか、又はその境界線よりも反射領域側に入って離間されているので、境界線近傍の凹凸パターンで光の反射不良が発生することが無くなり、その結果、反射型表示の品質が低下することを防止できる。
【００１４】
次に、本発明に係る液晶装置において、複数の凸部又は複数の凹部によって構成された前記凹凸パターンは前記透過表示領域には設けられておらず、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ（縁）において、前記凸部又は前記凹部の形状が切断・欠除されていないことが望ましい。
【００１５】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記光反射膜には前記透過表示領域に対応した開口が設けられており、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ（縁）は前記開口の縁であることが望ましい。この構成の液晶装置に本発明を適用すれば、凹凸パターンの形状が開口の縁によって切断されることがなくなり、それ故、開口の縁の近傍における光反射特性が低下することを防止できる。
【００１６】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記反射表示領域は前記サブ画素の領域を二分した一方の領域であり、前記透過表示領域は当該サブ画素の領域を二分した他方の領域であり、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジは前記サブ画素の領域を二分した境界線に対応していることが望ましい。この構成の液晶装置に本発明を適用すれば、サブ画素を横切る反射表示領域と透過表示領域の境界線によって凹凸パターンの形状が切断されることがなくなり、それ故、当該境界線の近傍における光反射特性が低下することを防止できる。
【００１７】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記光反射膜は前記サブ画素毎に対応して該サブ画素の領域内に形成された島状の反射電極であることが望ましい。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶装置は、前記基板上に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆って前記基板上に設けられた樹脂膜と、該樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンと、前記樹脂膜の上に設けられた電極と、前記スイッチング素子と前記電極とを導電接続する前記樹脂膜に設けられたコンタクトホールとを有し、前記光反射膜の表面に設けられた凹凸パターンは、表面に凹凸パターンを備えた前記樹脂膜上に前記光反射膜を設けることによって形成され、前記樹脂膜の表面に開口する前記コンタクトホールの開口縁の近傍の前記光反射膜上にある前記凸部又は前記凹部の形状の外縁線が前記開口縁に接するか、又は前記開口縁よりも離れた前記光反射膜上に入って配置されていることが望ましい。
【００１９】
この構成の液晶装置によれば、反射表示領域と透過表示領域との境界線部分における光反射特性を良好に維持できることに加え、コンタクトホールの開口縁部分における光反射特性も良好に維持できることになり、それ故、表示領域の全体にわたって良好な光反射特性が得られる。
【００２０】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記エッジ近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状と同じ大きさであることが望ましい。この構成は、透過表示領域と反射表示領域との境界線部分に設けられた凸部又は凹部の形状の大きさは境界線部分から離れた部分の形状のままで、凸部の位置又は凹部の位置が境界線から離れるように移動させることにより実現できる。こうすれば、凸部の形状又は凹部の形状が境界線によって切断されることを防止できる。
【００２１】
上記のように、凸部又は凹部の平面的な形状が全て同じ大きさであって、凸部の形状又は凹部の形状が境界線によって切断されることを防止する方法としては、境界線近傍の凸部又は凹部を移動することに応じてその他の領域にある凸部又は凹部を連動して移動させる方法が考えられる。また、境界線の近傍にある凸部のみ又は凹部のみを移動させる方法も考えられる。なお、後者の方法を用いた場合には、境界線近傍における隣接する凸部間の間隔又は隣接する凹部間の間隔が、その他の領域における隣接する凸部間の間隔又は隣接する凹部間の間隔に比べて狭くなる。
【００２２】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記コンタクトホールの開口縁の近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記コンタクトホールの開口縁の近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状と同じ大きさであることが望ましい。こうすれば、凸部の形状又は凹部の形状がコンタクトホールの開口縁によって切断されることを防止できる。
【００２３】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記透過表示領域に隣接した前記光反射膜のエッジ近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記エッジ近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状よりも小さいことが望ましい。このように凸部又は凹部を小さく形成することにより、凸部の形状又は凹部の形状が境界線によって切断されることを防止できる。
【００２４】
凸部の形状又は凹部の形状が境界線によって切断されることを防止する方法としては、本発明態様のように凸部の形状又は凹部の形状を小さくすること以外に、凸部の形状の大きさ又は凹部の形状の大きさはそのままで、凸部の位置又は凹部の位置を境界線から離れるように移動させることが考えられる。この方法を用いた場合には、境界線近傍の凸部又は凹部を移動することに応じてその他の領域にある凸部又は凹部を連動して移動させることがある。この場合には、凹凸パターンの設計が非常に複雑になってコストアップを招来する。
【００２５】
これに対し、凸部又は凹部が境界線によって切断されることをそれらの凸部又は凹部を小さく形成することによって防止する方法を採用する場合には、境界線から離れた領域にある凸部又は凹部を移動させる必要がなくなるので、凹凸パターンの設計が非常に簡単になり、コストを低く押えることができる。
【００２６】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記コンタクトホールの開口縁の近傍に設けられた前記光反射膜上の前記凸部又は前記凹部の平面的な形状は、前記サブ画素内で前記コンタクトホールの開口縁の近傍から離間した位置の前記光反射膜上に設けられた前記凸部又は前記凹部の平面的な形状よりも小さいことが望ましい。このように凸部又は凹部を小さく形成することにより、凸部の形状又は凹部の形状がコンタクトホールの開口縁によって切断されることを防止できる。
【００２７】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記凹凸パターンを形成する前記凸部又は前記凹部は球の一部分の形状であることが望ましい。こうすれば、均一な形状の凹凸パターンを簡単且つ確実に形成できる。また、前記凹凸パターンを形成する前記凸部又は前記凹部は３次元の多角体の一部分の形状とすることもできる。この場合でも、均一な形状の凹凸パターンを簡単且つ確実に形成できる。なお、球は、多角体の角部（すなわち、頂点）を完全に無くして滑らかな曲面とした形状である。
【００２８】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶装置によれば、凹凸パターンを形成する凸部又は凹部のうち反射表示領域と透過表示領域との境界線の近傍の反射表示領域内にあるものが、反射表示領域と透過表示領域との境界線によって形状切断されることなく、その凸部又は凹部の形状の外縁線がその境界線に接するか、又はその境界線よりも反射領域側に入っているので、境界線近傍の凹凸パターンで光の反射不良が発生することが無くなり、その結果、反射型表示の品質が低下することを防止できる。従って、この液晶装置を用いて電子機器を形成すれば、その電子機器においても、高い品質の表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置を一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。
【００３０】
本実施形態は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。また、本実施形態は、観察側に素子基板が配置され、その対向側にカラーフィルタ基板が配置され、そのカラーフィルタ基板に液晶層厚を調整するための樹脂層が設けられる構成の液晶装置に本発明を適用するものである。
【００３１】
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態の側面構造を示している。図２は、図１の液晶装置における１つの画素部分を拡大して、特に光反射膜の構造を示している。また、図３は、図２のＺ１−Ｚ１線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図１の矢印Ｚ２で示す部分を示している。
【００３２】
図１において、液晶装置１Ａは、電気光学パネルである液晶パネル２Ａと、この液晶パネル２Ａに付設された照明装置３とを有する。この液晶装置１Ａに関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２Ａに関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００３３】
液晶パネル２Ａは、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側に素子基板７が配置され、観察側から見て背面にカラーフィルタ基板８が配置される。
【００３４】
シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００３５】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３６】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２Ａに対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００３７】
素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ２で示す部分の拡大図である図３にも示すように、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子２１がデータ線１９に接続して形成されている。データ線１９は複数本が紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に間隔を空けて互いに平行に設けられている。また、ＴＦＤ素子２１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。
【００３８】
ＴＦＤ素子２１に接続して画素電極２２が形成されている。１つの画素電極２２は矢印Ａ方向から見てドット状に形成されており、さらに、複数の画素電極２２が図１の矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。これらの画素電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によって所定のドット形状にパターニングすることによって形成されている。
【００３９】
図３において、ＴＦＤ素子２１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素２３ａ及び２３ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素２３ａは、第１素子電極２４、絶縁膜２５、そして第２素子電極２６ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素２３ｂは、第１素子電極２４、絶縁膜２５、そして第２素子電極２６ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極２４は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜２５は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極２６ａ，２６ｂは、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）合金によって形成される。
【００４０】
第１ＴＦＤ要素２３ａ内の第２素子電極２６ａは図２に示すようにデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素２３ｂ内の第２素子電極２６ｂは画素電極２２に接続されている。データ線１９から画素電極２２へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素２３ａと第２ＴＦＤ要素２３ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００４１】
図３において、データ線１９、ＴＦＤ素子２１、及び画素電極２２を覆うように第１透光性基板７ａの上に配向膜２７ａが、例えば、ポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。そして、この配向膜２７ａにラビング処理が施されて、素子基板７の近傍の液晶層１２の配向が決められる。
【００４２】
図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００４３】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図３にも示すように、樹脂膜３１が形成され、その上に光反射膜３２が形成されている。樹脂膜３１は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によって所定パターンに形成することによって形成される。また、光反射膜３２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。樹脂膜３１の表面には複数の凸部３６が上記のフォトリソグラフィ処理の際に形成され、これらの凸部３６によって凹凸パターンが形成されている。
【００４４】
この凹凸パターンは、複数の凸部に代えて複数の凹部を平面的に並べて形成することによって形成することもできる。凹凸パターンを形成する凸部又は凹部は、球の一部の形状や、３次元の多角体の一部分の形状とすることができる。表面に凹凸パターンを備えた樹脂膜３１のその表面上に一定の膜厚の光反射膜３２を設けることにより、その光反射膜３２に凹凸パターンを付与できる。こうして光反射膜３２に凹凸パターンを付与することにより、光反射膜３２で反射する光に散乱性、指向性等といった光学特性を付与できる。
【００４５】
光反射膜３２を覆う状態で基板８ａ上に遮光膜３３及び着色膜３４が形成されている。１つの着色膜３４は矢印Ａ方向から見て列方向Ｙに長い長方形のドット状に形成され、さらに、複数個の着色膜３４が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。そして、それらの着色膜３４を囲むように遮光膜３３が矢印Ａ方向から見て格子状に設けられている。すなわち、遮光膜３３は行方向Ｘに延びるものと列方向Ｙに延びるものとが直交する状態に形成されている。
【００４６】
また、遮光膜３３及び着色膜３４の上に樹脂膜３７が例えばフォトリソグラフィ処理によって平坦化膜として設けられ、さらにその平坦化膜３７の上に樹脂膜３８が例えばフォトリソグラフィ処理によって層厚調整膜として設けられている。平坦化膜３７と層厚調整膜３８は同じ材料の感光性樹脂によって形成できる。
【００４７】
層厚調整膜３８及び平坦化膜３７の上にストライプ電極（すなわち、帯状電極）３９が設けられ、その上に配向膜２７ｂが、例えば印刷等によって形成されている。そして、この配向膜２７ｂにラビング処理が施されて、カラーフィルタ基板８の近傍の液晶層１２の配向が決められる。ストライプ電極３９は、例えば、ＩＴＯをフォトエッチング処理によって所定の帯形状にパターニングすることによって形成されている。１本のストライプ電極３９は行方向Ｘ（すなわち、図３の紙面垂直方向）に延びている。そして、複数のストライプ電極３９が列方向Ｙ（すなわち、図３の左右方向）に所定間隔をおいて互いに平行に並べられている。
【００４８】
液晶パネル２Ａを矢印Ａ方向から見た場合、素子基板７上において行方向Ｘに並ぶ複数のドット状の画素電極２２と、カラーフィルタ基板８上において行方向Ｘへ延びるストライプ電極３９とは、平面的に重なっている。両電極がこうして重なる領域は表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを構成する。図１において、複数のサブ画素Ｄが平面内で行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、表示領域Ｖが形成される。この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示され、矢印Ａ方向から観察者によって視認される。
【００４９】
複数の着色膜３４のそれぞれは、１つのサブ画素Ｄに対応して配置され、さらにＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定されている。また、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜３４は矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、それと直交する行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００５０】
なお、着色膜３４の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜３４の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜３３は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜３３は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理又はフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった遮光性の材料が考えられる。
【００５１】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜３４を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜３４に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５２】
次に、光反射膜３９はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。図２に示すように、領域Ｒは領域Ｔを囲む領域である。光反射膜３９が存在する領域Ｒが反射表示領域であり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。本実施形態では、透過表示領域Ｔは反射表示領域Ｒの中に含まれる四角の開口形状となっており、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２はその開口形状の開口縁となっている。図３において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。こうして得られた反射光Ｌ０は光反射膜３２の凹凸パターンに従って散乱性又は指向性を有する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図３の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５３】
層厚調整膜３８は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００５４】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４１を有している。この張出し部４１の表面には、配線４２がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４２は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４１の辺端には複数の外部接続用端子４３が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４８が設けられた張出し部４１の辺端には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板（図示せず）が接続される。
【００５５】
複数の配線４２の一部は、シール材６によって囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びてデータ線１９となっている。また、複数の配線４２の他の一部は、シール材６の中に含まれる導通材４４を介してカラーフィルタ基板８上の各ストライプ電極３９につながっている。
【００５６】
張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４６を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ４７が実装されている。駆動用ＩＣ４７は、例えば、データ線１９へデータ信号を伝送し、ストライプ電極３９へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４７は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４７を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４１上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００５７】
以上のように構成された液晶装置１Ａによれば、液晶装置１Ａが明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１Ａが暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００５８】
上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向から素子基板７を通して液晶パネル２Ａ内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過してカラーフィルタ基板８内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜３２で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜３２が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００５９】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２２とカラーフィルタ基板８側のストライプ電極３９との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板７側の偏光板１８ａ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ａの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を規制され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６０】
以下、カラーフィルタ基板８上の樹脂膜３１の表面に形成される凹凸パターンを形成する凸部３６について説明する。図２において、凸部３６は球の一部分の形状として形成されている。また、個々のサブ画素Ｄ内にある複数の凸部３６は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にあるもの、及び境界線Ｌ２から離れた部分の反射表示領域Ｒ内にあるものが、互いに略同じ大きさの平面形状に形成されている。ここで、「略」とは製造誤差に起因して寸法が異なる場合を含む意味である。
【００６１】
透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内に存在する凸部３６ａは、図４（ｂ）に示すように、その形状が境界線Ｌ２によって切断されることなく、その形状の外縁線が境界線Ｌ２に接するか、又は境界線Ｌ２よりも反射表示領域Ｒ側に入る状態に形成されている。つまり、光反射膜の表面に形成された凸部の形状の外縁線は、透過表示領域に隣接した光反射膜のエッジ（縁）に接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されている。つまり、本実施形態では、境界線Ｌ２の近傍領域内の凸部３６ａに、図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す従来の凸部１５１に見られるような端面１５１ａが形成されることがない。この結果、異常な光反射ｒ２が発生することがなくなり、液晶装置１Ａによって行われる表示の品質を高く維持できるようになった。
【００６２】
次に、境界線Ｌ２の近傍領域に設けられる凸部３６ａの形成方法について、その一例を挙げて説明する。一般に、図３の樹脂膜３１の表面に図２の凸部３６を形成する場合には、例えば、凹凸を持たない所定膜厚の樹脂膜をスパッタ等によって基板８ａ上に形成し、次に、凸部３６に対応する形状のマスクパターンを持った露光用マスクをその樹脂膜の表面に配置し、次に、その露光用マスクを通して樹脂膜を露光し、次に現像処理を行ってサブ画素Ｄの全面に複数の凸部３６を平面内でランダムに形成して露光パターンを形成する。
【００６３】
従来の凹凸パターンの形成処理においては、境界線Ｌ２の近傍領域の凸部１５１が透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２によって途中で切断されるようなマスクパターンが露光マスク内に形成されていた。これに対し、本実施形態の凸部３６を形成するための露光マスクにはそのように凸部を形状切断するようなマスクパターンは露光マスク内に形成されておらず、図４（ｂ）に示す凸部３６ａに対応するマスクパターン、すなわち凸部の外縁線が境界線Ｌ２に接するか又は反射表示領域Ｒ側に位置するようなマスクパターンが露光マスク内に形成される。
【００６４】
このようなマスクパターンは、マスクパターンの設計の段階で、図４（ａ）に示すように、反射表示領域Ｒ内の全域に形成する標準の大きさの凸部３６に対応するマスクパターン３６’をマスク基板上に形成し、さらに透過表示領域Ｔに対応するマスクパターンＴ’をマスク基板上に形成したときに、そのマスクパターンＴ’の境界線Ｌ２によって形状切断される凸部パターン３６’’に関して改変を加えることによって形成できる。
【００６５】
具体的には、形状切断されることになる凸部パターン３６’’を反射表示領域Ｒに対応するマスク上の領域Ｒ’内に移動する。この領域Ｒ’内に移動した凸部パターンは、図４（ａ）において破線で示すパターン３６ａ’である。この凸部パターン３６ａ’は、境界線Ｌ２に接するか、又はその境界線Ｌ２よりも領域Ｒ’側であって境界線Ｌ２から少し離した位置に形成する。この際、凸部パターン３６ａ’は、形状切断されることがない凸部パターン３６’に重ならない位置に移動する。このようなパターンの露光マスクを用いて樹脂膜を露光し、現像処理を行うことにより、図４（ｂ）に示すように、凸部３６ａの形状が境界線Ｌ２によって切断されることなく、その形状の外縁線が境界線Ｌ２に接するか、又は境界線Ｌ２よりも反射表示領域Ｒ側に入る状態に形成することができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、図４（ａ）に示すように、境界線Ｌ２の近傍にある凸部パターン３６’’のみを領域Ｒ’内に移動し、その他の領域にある凸部パターン３６’は移動しない方法を用いている。この方法によれば、図２において、境界線Ｌ２の近傍において隣接する凸部３６ａ，３６ａの間隔が、境界線Ｌ２から離れた位置において隣接する凸部３６，３６の間隔に比べて狭い部分が生じることがある。
【００６７】
（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の実施形態を説明する。この実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図１に示した液晶装置１Ａと略同じである。本実施形態では、図２の境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にある凸部３６ａに関して、先の第１実施形態とは異なる形状が用いられている。図５は、本実施形態に係る図１の液晶装置における１つの画素部分を拡大して、特に光反射膜の構造を示している。図５に示す本実施形態は図２に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【００６８】
図５において、凸部３６は球の一部分の形状として形成されている。また、複数の凸部３６は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にあるものを除いて、互いに略同じ大きさの平面形状に形成されている。ここで、「略」とは製造誤差に起因して寸法が異なる場合を含む意味である。
【００６９】
透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内に存在する凸部３６ａは、図６（ｂ）に示すように、その形状が境界線Ｌ２によって切断されることなく、その形状の外縁線が境界線Ｌ２に接するか、又は境界線Ｌ２よりも反射表示領域Ｒ側に入る状態に形成されている。つまり、光反射膜の表面に形成された凸部の形状の外縁線は、透過表示領域に隣接した光反射膜のエッジに接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されている。つまり、本実施形態では、境界線Ｌ２の近傍領域内の凸部３６ａに、図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す従来の凸部１５１に見られるような端面１５１ａが形成されることがない。この結果、異常な光反射ｒ２が発生することがなくなり、液晶装置１Ａによって行われる表示の品質を高く維持できるようになった。
【００７０】
次に、境界線Ｌ２の近傍領域に設けられる凸部３６ａの形成方法について、その一例を挙げて説明する。本実施形態においても、先の第１実施形態と同様に、図３において、凹凸を持たない所定膜厚の樹脂膜をスパッタ等によって基板８ａ上に形成し、次に、凸部３６に対応する形状のマスクパターンを持った露光用マスクをその樹脂膜の表面に配置し、次に、その露光用マスクを通して樹脂膜を露光し、次に現像処理を行ってサブ画素Ｄの全面に複数の凸部３６を平面内でランダムに形成して露光パターンを形成する場合を例示する。
【００７１】
本実施形態において用いる露光マスクにおいても、凸部を形状切断するようなマスクパターンは形成されておらず、図６（ｂ）に示す凸部３６ａに対応するマスクパターン、すなわち凸部の外縁線が境界線Ｌ２に接するか又は反射表示領域Ｒ側に位置するようなマスクパターンが露光マスク内に形成される。このようなマスクパターンは、マスクパターンの設計の段階で、図６（ａ）に示すように、反射表示領域Ｒ内の全域に形成する標準の大きさの凸部３６に対応するマスクパターン３６’をマスク基板上に形成し、さらに透過表示領域Ｔに対応するマスクパターンＴ’をマスク基板上に形成したときに、そのマスクパターンＴ’の境界線Ｌ２によって形状切断される凸部パターン３６’’に関して改変を加えることによって形成できる。
【００７２】
具体的には、形状切断されることになる凸部パターン３６’’よりも小さい径を有していてその凸部パターン３６’’及び境界線Ｌ２に内接する凸部パターン３６ａ’を凸部パターン３６’’の内部に１つ又は複数、形成する。また、符号３６ａ’’に示すように、標準の大きさの凸部パターン３６’よりも小さい形状の凸部パターン３６ａ’’を境界線Ｌ２から少し離して形成することもできる。
【００７３】
境界線Ｌ２の近傍に存在していてその境界線Ｌ２によって形状切断されるおそれのある凸部パターン３６’’を、その境界線Ｌ２に接するか、又はその境界線Ｌ２よりも反射表示領域Ｒ側に存在させるようにする方法として、本実施形態のように形状の小さな凸部パターン３６’’を形成することに代えて、第１実施形態と同様に、標準の大きさの凸部パターン３６’を反射表示領域Ｒ側へ平行移動させるという方法が考えられる。また、このような平行移動方法を採用する場合には、図４（ａ）に示した第１実施形態のように境界線Ｌ２の近傍にある凸部パターン３６’’のみを領域Ｒ’内に移動し、その他の領域にある凸部パターン３６’は移動しないという第１の方法を併せて採用する場合と、境界線Ｌ２から離れた位置に存在する凸部パターン３６’を、平行移動した境界線Ｌ２近傍の凸部パターン３６’’に追従させて連鎖的に平行移動させるという第２の方法を併せて採用する場合とが考えられる。
【００７４】
第２の方法を採用した場合には、マスクの設計が極めて複雑になってコストが高くなる、という問題が発生する。これに対し、本実施形態のように、図６（ａ）において境界線Ｌ２の近傍にある凸部パターン３６’’の形状を小さくすることによって凸部パターンの形状切断を回避することにすれば、境界線Ｌ２から離れた所に存在する凸部パターン３６’は平行移動させる必要がなくなり、それ故、マスクの設計が非常に簡単になる。
【００７５】
（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、特にアモルファスＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。また、本実施形態は、観察側にカラーフィルタ基板が配置され、その対向側に素子基板が配置され、観察側のカラーフィルタ基板に液晶層厚を調整するための樹脂層が設けられる構成の液晶装置に本発明を適用するものである。
【００７６】
図７は本発明に係る液晶装置の他の実施形態を示している。また、図８は、図５の液晶装置における１つの画素部分を拡大して、特に光反射膜の構造を示している。また、図９は、図８のＺ３−Ｚ３線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図７の矢印Ｚ４で示す部分を示している。
【００７７】
図７において図１に示した要素と同じ要素は同じ符号を用いて示すことにして、その要素の説明は省略するものとする。図７において、本実施形態に係る液晶装置１Ｂは、電気光学パネルである液晶パネル２Ｂと、この液晶パネル２Ｂに付設された照明装置３とを有する。この液晶装置１Ｂに関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２Ｂに関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００７８】
液晶パネル２Ｂは、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に素子基板７が配置される。素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に形成されるセルギャップＧ内に液晶が封入され、この液晶によって液晶層１２が形成されている。
【００７９】
素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ４で示す部分の拡大図である図９にも示すように、ソース電極線４９が列方向Ｙ（すなわち、図９の左右方向）に延びている。また、ゲート電極線５１が行方向Ｘ（すなわち、図９の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６１がソース電極線４９及びゲート電極線５１に接続して形成されている。
【００８０】
それらのＴＦＤ素子６１、ソース電極線４９及びゲート電極線５１の上に、それらを覆う樹脂膜としての層間絶縁膜５２が形成され、その上に光反射膜５３が形成され、その上に画素電極５４が形成され、その上に配向膜５６ａが形成されている。この配向膜５６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８１】
層間絶縁膜５２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。光反射膜５３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極５４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、配向膜５６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。
【００８２】
光反射膜５３及び画素電極５４は、図７の素子基板７上に矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜５３及び画素電極５４は、各ソース電極線４９と各ゲート電極線５１とが交差する位置に設けられていて、個々のＴＦＴ素子６１に接続されている。
【００８３】
図９において、層間絶縁膜５２には、光反射膜５３とＴＦＴ素子６１とを電気的に接続するための開口部としての貫通穴であるコンタクトホール５５が形成されている。このコンタクトホール５５は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＴ素子６１の素子本体部分に重ならない位置であって、光反射膜５３と重なる位置に形成される。
【００８４】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子６１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子６１は、ゲート電極６２、ゲート絶縁層６３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層６４、ソース電極６５、そしてドレイン電極６６を有する。ドレイン電極６６は、その一端が半導体層６４に接続し、その他端がコンタクトホール５５を介して光反射膜５３及び画素電極５４に接続する。ソース電極６５はソース電極線４９の一部として形成されている。また、ゲート電極６２は、ソース電極線４９と直角の方向（すなわち、行方向Ｘ）に延びるゲート電極線５１から延びている。
【００８５】
画素電極５４の下に層間絶縁膜５２を設けることにより、画素電極５４の層とＴＦＴ素子６１の層は別々の層に分けられている。これにより、画素電極５４とＴＦＴ素子６１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用できるようになっている。例えば、画素電極５４の層とＴＦＴ素子６１の層とを別層とすることにより、画素電極５４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶装置１Ｂにおいて鮮明な表示を行うことができる。
【００８６】
図７において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００８７】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図９にも示すように、着色膜７１が形成され、その周囲に遮光膜７２が形成され、着色膜７１及び遮光膜７２の上に樹脂膜７３が形成され、その上に共通電極７４が形成され、その上に配向膜５６ｂが形成されている。配向膜５６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。
【００８８】
個々の着色膜７１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜７１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ（図９の紙面垂直方向）及び列方向Ｙ（図９の左右方向）にマトリクス状に配列されている。遮光膜７２はそれらの着色膜７１を囲む格子状に形成されている。すなわち、遮光膜７２は図８に示すように行方向Ｘに延びるとものと、列方向Ｙに延びるものとが直交する状態に形成されている。
【００８９】
図９において、着色膜７１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜７１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。遮光膜７２は、異なる色の着色膜７１を重ねたり、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００９０】
図７において、共通電極７４は、カラーフィルタ基板８の表面の全面に設けられている。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極５４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極５４とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極７４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００９１】
図９において、光反射膜５３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜５３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図８に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素Ｄ内の残りの長方形状の領域である。
【００９２】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜５３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜５３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。反射表示領域Ｒはサブ画素Ｄの片側の領域であり、透過表示領域Ｔはサブ画素Ｄの残りの片側の領域であり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２はサブ画素Ｄを行方向Ｘに横切る線（実施形態では直線）となっている。図９において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図７の照明装置３の導光体１４から出射した図９の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００９３】
層間絶縁膜５２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には複数の凸部３６が矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成されて凹凸パターンが形成されている。光反射膜５３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜５２の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜５３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜５３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００９４】
カラーフィルタ基板８上の樹脂膜７３は反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００９５】
次に、図７において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４１を有している。この張出し部４１の表面には、配線４２がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４２は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４１の辺端には複数の外部接続用端子４３が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４３が設けられた張出し部４１の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００９６】
複数の配線４２は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４２の一部は、素子基板７上のソース電極線４９（図９参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４２の他の一部は、シール材６によって囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。これらの配線４２は、素子基板７上のゲート電極線５１（図９参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【００９７】
図７の張出し部４１の表面には、ＡＣＦ４６を用いたＣＯＧ技術によって、駆動用ＩＣ４７が実装されている。駆動用ＩＣ４７は、ソース電極線４９へデータ信号を伝送し、ゲート電極線５１へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４７は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４７を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４１上で図７の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００９８】
以上のように構成された液晶装置１Ｂによれば、図７において、液晶装置１Ｂが明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１Ｂが暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００９９】
次に、図９において層間絶縁膜５２の表面に形成される凹凸パターンを形成する複数の凸部３６は球の一部分の形状として形成されている。また、図８において、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２はサブ画素Ｄを短手方向に横切る直線となっている。その境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内に存在する凸部３６ａは、その形状が境界線Ｌ２によって切断されることなく、その形状の外縁線が境界線Ｌ２に接するか、又は境界線Ｌ２よりも反射表示領域Ｒ側に入る状態に形成されている。つまり、本実施形態においても、境界線Ｌ２の近傍領域内の凸部３６ａに、図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す従来の凸部１５１に見られるような端面１５１ａが形成されることがない。この結果、異常な光反射ｒ２が発生することがなくなり、液晶装置１Ｂ（図７参照）によって行われる表示の品質を高く維持できるようになった。
【０１００】
次に、図９において、ＴＦＴ素子６１のドレイン電極６６と光反射膜５３は層間絶縁膜５２の中に設けたコンタクトホール５５、すなわち貫通穴を介して電気的につながっている。このコンタクトホール５５の上端の開口は図８に示すように略円形状になっている。このコンタクトホール５５の開口縁の近傍に設けられた凸部３６ｂは、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍に設けられた凸部３６ａと同様に、コンタクトホール５５の上端開口縁によって形状遮断されることなく、その凸部３６ｂの外縁線がコンタクトホール５５の開口縁に接するか、又はその開口縁よりも反射表示領域Ｒ側に入っている。本実施形態で、開口縁は、透過表示領域に隣接した光反射膜のエッジとなっている。
【０１０１】
つまり、コンタクトホール５５の開口縁の近傍領域内の凸部３６ｂにも、図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す従来の凸部１５１に見られるような端面１５１ａが形成されることがなく、その結果、凸部３６ｂにおいて異常な光反射ｒ２が発生することがなくなり、液晶装置１Ｂ（図７参照）によって行われる表示の品質を高く維持できるようになった。
【０１０２】
なお、図８に示すように、光透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２から離れた領域の光反射膜５３の表面に設けられた複数の凸部３６と、境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にある凸部３６ａと、コンタクトホール５５の開口縁の近傍にある凸部３６ｂとは、互いに略同じ大きさの平面形状に形成されている。
【０１０３】
（液晶装置の第４実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を説明する。この実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図７に示した液晶装置１Ｂと略同じである。本実施形態では、図８の境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にある凸部３６ａに関して、図８に示した実施形態とは異なる形状が用いられている。図１０は、本実施形態に係る図７の液晶装置１Ｂにおける１つの画素部分を拡大して、特に光反射膜の構造を示している。なお、図１０に示す本実施形態は図８に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【０１０４】
図１０において、凸部３６は球の一部分の形状として形成されている。また、複数の凸部３６は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にあるものを除いて、互いに略同じ大きさの平面形状に形成されている。
【０１０５】
透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内に存在する凸部３６ａは、図１１に示すように、その形状が境界線Ｌ２によって切断されることなく、その形状の外縁線が境界線Ｌ２に接するか、又は境界線Ｌ２よりも反射表示領域Ｒ側に入る状態に形成されている。つまり、本実施形態においても、境界線Ｌ２の近傍領域内の凸部３６ａに、図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す従来の凸部１５１に見られるような端面１５１ａが形成されることがない。この結果、異常な光反射ｒ２が発生することがなくなり、液晶装置１Ｂ（図７参照）によって行われる表示の品質を高く維持できるようになった。
【０１０６】
次に、図１０において、コンタクトホール５５の開口縁の近傍に設けられた凸部３６ｂは、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍に設けられた凸部３６ａと同様に、コンタクトホール５５の上端開口縁によって形状遮断されることなく、その凸部３６ｂの外縁線がコンタクトホール５５の開口縁に接するか、又はその開口縁よりも反射表示領域Ｒ側に入っている。本実施形態で、開口縁は、透過表示領域に隣接した光反射膜のエッジとなっている。
【０１０７】
つまり、コンタクトホール５５の開口縁の近傍領域内の凸部３６ｂにも、図１７（ｃ）及び図１７（ｄ）に示す従来の凸部１５１に見られるような端面１５１ａが形成されることがなく、その結果、凸部３６ｂにおいて異常な光反射ｒ２が発生することがなくなり、液晶装置１Ｂ（図７参照）によって行われる表示の品質を高く維持できるようになった。
【０１０８】
なお、図１１において、光透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの境界線Ｌ２の近傍の反射表示領域Ｒ内にある凸部３６ａの平面的な形状は、境界線Ｌ２から離れた領域の光反射膜５３の表面に設けられた複数の凸部３６の平面的な形状よりも小さくなっている。また、図１０において、コンタクトホール５５の開口縁の近傍にある凸部３６ｂの平面的な形状も、光反射膜５３の表面に設けられた複数の凸部３６の平面的な形状よりも小さくなっている。
【０１０９】
（液晶装置の第５実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子、特に低温ポリシリコンＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。また、本実施形態は、観察側にカラーフィルタ基板が配置され、その対向側に素子基板が配置され、その素子基板に液晶層厚を調整するための樹脂層が設けられる構成の液晶装置に本発明を適用するものである。
【０１１０】
図１２は本実施形態の液晶装置の主要部を示している。この実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図７に示した液晶装置１Ｂと略同じである。また、図１２に示す本実施形態は図９に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【０１１１】
図１２において、液晶パネル２Ｃは矢印Ａが描かれた観察側にカラーフィルタ基板８を有し、観察側から見て背面側に素子基板７を有する。素子基板７は第１透光性基板７ａを有し、その基板７ａの上に低温ポリシリコンＴＦＴ素子８１が形成されている。このＴＦＴ素子８１は、ソース領域Ａｓとドレイン領域Ａｄとを有するポリシリコン半導体層８２と、ゲート絶縁膜８３と、ゲート電極８４と、ソース電極線８５と、ドレイン電極線８６とを有する。
【０１１２】
ソース電極線８５及びドレイン電極線８６は第１層間絶縁膜８７によってゲート電極８４から絶縁されている。また、ソース電極線８５及びドレイン電極線８６の上に第２層間絶縁膜８８が設けられ、その上に光反射膜５３が設けられ、その上に画素電極５４が設けられ、その上に配向膜５６ａが設けられている。第２層間絶縁膜８８の中にはコンタクトホール５５が設けられ、このコンタクトホール５５を介してドレイン電極８６と光反射膜５３とが電気的につなげられている。
【０１１３】
素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、その基板８ａの上に着色膜７１及び遮光膜７２が設けられ、それらの上に平坦化膜８９が設けられ、その上に共通電極７４が設けられ、その上に配向膜５６ｂが設けられている。表示の最小単位であるサブ画素Ｄは、素子基板７上の画素電極５４とカラーフィルタ基板８上の共通電極７４とが矢印Ａ方向から見て平面的に重なる領域として形成されている。また、サブ画素Ｄ内であって光反射膜５３が設けられた領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜５３が設けられない領域が透過表示領域Ｔである。
【０１１４】
第１層間絶縁膜８７及び第２層間絶縁膜８８は反射表示領域Ｒに対応して設けられており、それらは透過表示領域Ｔには設けられていない。そのため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも小さく、すなわちｔ０＜ｔ１になっている。これにより、液晶層１２のリタデーションが反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で均一になり、反射型表示と透過型表示との間で均一な表示ができるようになっている。本実施形態においても、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２は図８又は図１０に示した先の実施形態の場合と同じくサブ画素Ｄを短手方向に横切る直線である。
【０１１５】
反射表示領域Ｒ内に設けられた第１層間絶縁膜８７の表面には複数の凸部３６が形成されて凹凸パターンが形成され、それに従って第２層間絶縁膜８８の表面に同様の凹凸パターンが形成され、それに従って光反射膜５３の表面にも同様の凹凸パターンが形成される。そして、この凹凸パターンを有する光反射膜５３で外部光Ｌ０を反射させることにより、その反射光に所望の散乱性又は指向性を付与できる。
【０１１６】
本実施形態においても図９に示した先の実施形態の場合と同様に、図１２において反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２の近傍にある凸部３６ａと、コンタクトホール５５の上端開口縁の近傍にある凸部３６ｂとを、図８及び図１０にそれぞれ符号３６ａ及び符号３６ｂで示すように、境界線Ｌ２及び開口縁のそれぞれによって形状遮断されることなく、それらの凸部の外縁線が境界線Ｌ２及び開口縁に接するか、又はそれらよりも反射表示領域Ｒ側に入るように形成している。すなわち、光反射膜のエッジに接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されている。そのため、境界線Ｌ２等の近傍領域に存在する凸部３６ａ，３６ｂに急峻な端面が形成されることがなくなり、それ故、その近傍領域において所望の反射特性を得ることができる。
【０１１７】
（液晶装置の第６実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子、特に高温ポリシリコンＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。また、本実施形態は、観察側にカラーフィルタ基板が配置され、その対向側に素子基板が配置され、観察側のカラーフィルタ基板に液晶層厚を調整するための樹脂層が設けられる構成の液晶装置に本発明を適用するものである。
【０１１８】
高温ポリシリコンＴＦＴ素子は低温ポリシリコンＴＦＴ素子の場合に比べて、ＴＦＴ素子の形成を高温雰囲気下で行うものであり、そのため、基板として高温に耐え得る石英基板が用いられたり、ゲート電極としてポリＳｉ膜が用いられたりする。
【０１１９】
図１３は本実施形態の液晶装置を示している。この実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図７に示した液晶装置１Ｂと略同じである。また、図１３に示す本実施形態は図９及び図１２に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【０１２０】
図１３に示す本実施形態が図１２に示した先の実施形態に比べて大きく異なる点は、（１）半導体層１８２、ゲート絶縁膜１８３、ゲート電極１８４、ソース電極線１８５、及びドレイン電極線１８６から成るポリシリコンＴＦＴ素子１８１が高温プロセスによって形成されるポリシリコンＴＦＴ素子であり、（２）カラーフィルタ基板８上に平坦化膜８９（図１２参照）に代えて層厚調整用の樹脂膜７３が設けられ、（３）第２層間絶縁膜８８は全てのサブ画素Ｄにわたって、すなわち表示領域Ｖ（図７参照）の全域にわたって、一様な層厚に形成されていることである。
【０１２１】
本実施形態においても図９に示した先の実施形態の場合と同様に、図１３において反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２の近傍にある凸部３６ａと、コンタクトホール５５の上端開口縁の近傍にある凸部３６ｂとを、図８及び図１０にそれぞれ符号３６ａ及び符号３６ｂで示すように、境界線Ｌ２及び開口縁のそれぞれによって形状遮断されることなく、それらの凸部の外縁線が境界線Ｌ２及び開口縁に接するか、又はそれらよりも反射表示領域Ｒ側に入るように形成している。すなわち、光反射膜のエッジに接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されている。そのため、境界線Ｌ２等の近傍領域に存在する凸部３６ａ，３６ｂに急峻な端面が形成されることがなくなり、それ故、その近傍領域において所望の反射特性を得ることができる。
【０１２２】
（液晶装置の第７実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子である低温ポリシリコンＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。低温ポリシリコンＴＦＴ素子は高温ポリシリコンＴＦＴ素子に代えることもできる。また、本実施形態は、観察側にカラーフィルタ基板が配置され、その対向側に素子基板が配置され、その素子基板に液晶層厚を調整するための樹脂層が設けられる構成の液晶装置に本発明を適用するものである。また、以上に説明した各実施形態では、光反射膜と画素電極とが一体に積層されていたが、本実施形態は、光反射膜と画素電極とが別々の層として設けられる構成の液晶装置に本発明を適用するものである。
【０１２３】
図１４は本実施形態の液晶装置を示している。この実施形態に係る液晶装置の全体的な構成は図７に示した液晶装置１Ｂと略同じである。また、図１４に示す本実施形態は図９、図１２及び図１３に示した先の実施形態と同じ構成要素を有しており、同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略する。
【０１２４】
本実施形態の液晶装置では、矢印Ａが描かれた観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、その対向側に素子基板７が配置されている。カラーフィルタ基板８の構成は図１２に示した実施形態と同じである。素子基板７の構成も図１２に示した実施形態に近似しているが、次の点で異なっている。すなわち、図１２の実施形態では第２層間絶縁膜８８の表面に光反射膜５３と画素電極５４とを一体に積層したのに対し、図１４の本実施形態では、第１層間絶縁膜８７の表面に凹凸パターンを形成すると共にその表面に光反射膜５３を設け、その光反射膜５３の上に第２層間絶縁膜８８を設け、その第２層間絶縁膜８８の上に画素電極５４を設けている。これにより、画素電極５４と光反射膜５３とが別々の層として設けられている。
【０１２５】
本実施形態においても図９に示した先の実施形態の場合と同様に、図１４において反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線Ｌ２の近傍にある凸部３６ａを図８に符号３６ａで示すように、境界線Ｌ２によって形状遮断されることなく、それらの凸部の外縁線が境界線Ｌ２に接するか、又はそれらよりも反射表示領域Ｒ側に入るように形成している。すなわち、光反射膜のエッジに接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されている。
また、図１４において、コンタクトホール５５の近傍、すなわち素子８１の形成領域と光反射膜５３を設ける領域との境界線Ｌ３の近傍にある凸部３６ｂを図６に符号３６ｂで示すものと同様に、境界線Ｌ３によって形状遮断されることなく、それらの凸部の外縁線が境界線Ｌ３に接するか、又はそれらよりも反射表示領域Ｒ側に入るように形成している。すなわち、光反射膜のエッジに接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されている。
【０１２６】
以上のように、反射表示領域Ｒとそれに隣接する他の領域との境界線Ｌ２，Ｌ３によって凹凸パターンの凸部３６が形状遮断されることをなくしたので、すなわち、凸部の形状を光反射膜のエッジに接するか、又はそのエッジよりも光反射膜上に入って配置されることにしたので、境界線Ｌ２，Ｌ３の近傍領域に存在する凸部３６ａ，３６ｂに急峻な端面が形成されることがなくなり、それ故、その近傍領域において所望の反射特性を得ることができる。
【０１２７】
（液晶装置に関する他の実施形態）
以上、いくつかの実施形態を挙げて本発明に係る液晶装置を説明したが、本発明の液晶装置はそれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では光反射膜に凹凸パターンを付与するために樹脂膜の表面に複数の凸部を形成したが、これに代えて、樹脂膜の表面に複数の凹部を形成することによって光反射膜に凹凸パターンを付与することもできる。
【０１２８】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１２９】
図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。
【０１３０】
表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。
【０１３１】
次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１３２】
液晶装置１０１は、例えば、図２や図８に示すように境界線Ｌ２等によって形状遮断されることのない凸部３６ａ，３６ｂを含む凹凸パターンを備えた液晶装置を用いて構成できる。これらの液晶装置によれば、境界線Ｌ２等の近傍領域における光反射特性が向上して鮮明な反射型表示が得られるので、これらの液晶装置を用いた本実施形態に係る電子機器においても、液晶装置を用いて行われる電子機器に関する表示を高い表示品質で行うことができる。
【０１３３】
次に、図１６は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【０１３４】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【０１３５】
表示装置１１３は、例えば、図２や図８に示すように境界線Ｌ２等によって形状遮断されることのない凸部３６ａ，３６ｂを含む凹凸パターンを備えた液晶装置を用いて構成できる。これらの液晶装置によれば、境界線Ｌ２等の近傍領域における光反射特性が向上して鮮明な反射型表示が得られるので、これらの液晶装置を用いた本実施形態に係る電子機器においても、液晶装置を用いて行われる電子機器に関する表示を高い表示品質で行うことができる。
【０１３６】
（電子機器に関する他の実施形態）
本発明に係る電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す液晶装置の１つの画素部分の平面図である。
【図３】図２のＺ１−Ｚ１線に従って図１の矢印Ｚ２で示す部分を拡大して示す断面図である。
【図４】凹凸パターンの一例を示す平面図であり、（ａ）はその凹凸パターンの形成方法を説明し、（ｂ）は形成された凹凸パターンを示している。
【図５】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の要部を示す平面図である。
【図６】凹凸パターンの他の一例を示す平面図であり、（ａ）はその凹凸パターンの形成方法を説明し、（ｂ）は形成された凹凸パターンを示している。
【図７】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図８】図７に示す液晶装置の１つの画素部分の平面図である。
【図９】図８のＺ３−Ｚ３線に従って図７の矢印Ｚ４で示す部分を拡大して示す断面図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す平面図である。
【図１１】凹凸パターンのさらに他の一例を示す平面図である。
【図１２】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１７】従来の液晶装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１Ａ，１Ｂ．液晶装置、  ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ．液晶パネル、  ３．照明装置、
６．シール材、  ７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、
１８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．データ線、  ２１．ＴＦＤ素子、  ２２．画素電極、
２３ａ，２３ｂ．ＴＦＤ要素、  ２７ａ，２７ｂ．配向膜、  ３１．樹脂膜、
３２．光反射膜、  ３３．遮光膜、  ３４．着色膜、  ３６，３６ａ，３６ｂ．凸部、
３６’．凸部のマスクパターン、  ３７．樹脂膜（平坦化膜）、
３８．樹脂膜（層厚調整膜）、  ３９．ストライプ電極、  ４１．張出し部、
４２．配線、  ４３．外部接続用端子、  ４４．導通材、  ４９．ソース電極線、
５１．ゲート電極線、  ５２．層間絶縁膜、  ５３．光反射膜、  ５４．画素電極、
５５．コンタクトホール、  ５６ａ，５６ｂ．配向膜、  ６１．ＴＦＴ素子、
６２．ゲート電極、  ６３．ゲート絶縁層、  ６４．半導体層、  ６５．ソース電極、
６６．ドレイン電極、  ７１．着色膜、  ７２．遮光膜、  ７３．樹脂膜、
７４．共通電極、  ８１．低温ポリシリコンＴＦＴ素子、  ８２．半導体層、
８３．ゲート絶縁膜、  ８４．ゲート電極、  ８５．ソース電極線、
８６．ドレイン電極線、  ８７．第１層間絶縁膜、  ８８．第２層間絶縁膜、
８９．平坦化膜、  １０１．液晶装置、  １０２．液晶パネル、
１１０．携帯電話機（電子機器）、  １１３．表示装置、
１８１．高温ポリシリコンＴＦＴ、  １８２．半導体層、  １８３．ゲート絶縁膜、
１８４．ゲート電極、  １８５．ソース電極線、  １８６．ドレイン電極線、
Ａｓ．ソース領域、  Ａｄ．ドレイン領域、  Ｄ．サブ画素、  Ｇ．セルギャップ、
Ｌ０．外部光、  Ｌ１．透過光、  Ｌ２，Ｌ３．境界線、  Ｒ．反射表示領域、
Ｔ．透過表示領域、  Ｔ’．透過表示領域のマスクパターン、  ｔ０，ｔ１．層厚、
Ｖ．表示領域
【図１】
2007102169.tif 000003
【図２】
2007102169.tif 000004
【図３】
2007102169.tif 000005
【図４】
2007102169.tif 000006
【図５】
2007102169.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007102169.tif 000009
【図８】
2007102169.tif 000010
【図９】
2007102169.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2007102169.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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