(57)【要約】【課題】対象物の磁気誘導加熱に関する装置であって、特に対象物を所定の温度またはそれに近い温度に、温度制御する磁気誘導加熱の装置を提供する。【構成】誘導加熱デバイスは、対象物を加熱するために磁場を発生する構成部品と、磁場を発生する構成部品を、加熱サイクル中のある期間の間、選択的に動作させるために構成部品に動作可能に接続された調節回路と、対象物に取り付けられたＲＦＩＤタグから、対象物に関する情報を受け取る情報受け取り装置と、を含む。情報受け取り装置は、加熱サイクル中時々、ＲＦＩＤタグに対して、情報を提供させるＲＦＩＤリーダを含み、誘導加熱デバイスの動作が、ＲＦＩＤタグから時々受ける情報に少なくとも一部対応して行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を加熱するために磁場を発生する構成部品と、前記磁場を発生する構成部品を、加熱サイクル中のある期間の間、選択的に動作させるために該構成部品に動作可能に接続された調節回路と、前記対象物に取り付けられたＲＦＩＤタグから、前記対象物に関する情報を受け取る情報受け取り装置と、を含む誘導加熱デバイスであって、
前記情報受け取り装置は、加熱サイクル中時々、前記ＲＦＩＤタグに対して、前記情報を提供させるＲＦＩＤリーダを含み、
前記誘導加熱デバイスの磁場による加熱の動作は、前記ＲＦＩＤタグから時々受ける前記情報に少なくとも一部対応して行われることを特徴とする誘導加熱デバイス。
【請求項２】
さらに、前記ＲＦＩＤタグに動作可能に接続された少なくとも１つのサーマルスイッチを含み、前記サーマルスイッチが前記対象物の所定の温度条件を経験したとき、前記サーマルスイッチは、前記情報を提供する前記ＲＦＩＤタグの動作を変更する請求項１に記載の誘導加熱デバイス。
【請求項３】
前記ＲＦＩＤリーダは、前記ＲＦＩＤタグの動作が変更されることにより、前記サーマルスイッチが前記対象物の所定の温度条件を経験したことを、前記情報として提供される請求項２に記載の誘導加熱デバイス。
【請求項４】
前記加熱サイクルは、異なる加熱パワーを備える加熱ステップの順番が設定されている加熱アルゴリズムで実行され、
前記調節回路は、前記ＲＦＩＤタグの動作の変更に応じて、前記加熱アルゴリズムを較正する請求項２又は３に記載の誘導加熱デバイス。
【請求項５】
前記加熱サイクルは、異なる加熱パワーを備える加熱ステップの順番が設定されている加熱アルゴリズムで実行され、
前記情報受け取り装置は、さらに、前記ＲＦＩＤタグが最新の加熱パワーの情報を書き込むように、前記加熱サイクル中時々、前記ＲＦＩＤタグに前記加熱パワーの情報を送信する請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘導加熱デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連する出願] 
本特許出願は、１９９９年９月７日に出願された仮特許出願番号６０／１５２，５５９号の利益を主張する。
【０００２】
発明の背景
［発明の分野］
本発明は、概して、高周波識別（ＲＦＩＤ）を用いて、磁気誘導加熱器に物理的に接続されていない誘導加熱可能な対象物を加熱し、温度を制御することが可能な磁気誘導加熱システムおよび方法に関するものである。より具体的には、本発明は、そのようなシステムに加えて、個々の構成部品、ＲＦＩＤタグが取り付けられた加熱対象物、ＲＦＩＤリーダを含む誘導加熱器に関する。食器等のタグが取り付けられた対象物が加熱器に配置されると、タグは加熱対象物の種類などの情報を送信し、加熱器調節回路は、その情報を用いて適切な加熱サイクルを開始および実行し、対象物の加熱および温度制御を行う。好適な形態では、タグおよびリーダ／ライタが、それぞれ関連する加熱情報を記憶する電子メモリ（記憶）装置を有し、タグとリーダ／ライタ間に、双方向送信を確立する。スイッチが経験した（感知した）温度等の外的状況に応答する関連したスイッチを有するＲＦＩＤタグを用いて、より厳密な制御が実現される。本発明は事実上、食器などの誘導加熱可能なあらゆる対象物に適用可能である。
【背景技術】
【０００３】
［従来技術の説明］
ＳｍｒｋｅのＵＳ特許第５，９５１，９００号公報、Ａｎｄｒｅの同第４，５８７，４０６号公報、およびＨａｒｎｄｅｎ，Ｊｒ．の同第３，７４２，１７８号公報には、磁気誘導加熱を用いた非接触温度制御方法およびデバイスが記載されている。これらの従来のデバイスでは、加熱対象物と誘導電気機器の間を送信する高周波が、誘導加熱工程を調節する目的で採用されている。
【０００４】
Ｓｍｒｋｅ、Ａｎｄｒｅ、およびＨａｒｎｄｅｎの公報では、ある種類の温度センサが加熱対象物に取り付けられ、誘導電気機器に送信されるフィードバック情報を与える。それぞれの場合、誘導電気機器のコントローラによる出力変更は、ユーザによる手動入力に加えて、温度センサによって集められ送信される情報のみに基づく。温度制御される対象物のほとんどは同種のものではないため、このように温度センサからのフィードバックにのみ頼ることで、たびたび対象物の特定部分が望ましくない温度になる。例えば、密度の濃い食品で満たされた鍋をクックトップに乗せ、パワーを一定レベルに保つと、鍋の温度は急速に上がるが、鍋から最も遠い食品の層はまだ周辺温度のままである。温度センサが鍋の表面に置かれた場合、このポイントで測定される温度は、離れた食品の層の温度に対して未知、または変動する関係性を持つことになる。従って、誘導電気機器の調節ユニットが維持しようとする予め設定した温度にセンサが達しても、食品のほとんどが冷たいままである。逆に、温度センサが食品の最上層近くに置かれた場合、食品が所望の温度に達する前に、鍋表面が過度に熱くなり、鍋表面近くの食品が焦げるという結果になる。
【０００５】
Ｓｍｒｋｅの公報では、温度センサを鍋の蓋に配置することを要求することで、この問題を解決しようとしている。Ｈａｒｎｄｅｎの公報では、鍋の強磁性体の内壁との直接熱接触部分に温度センサを置くことを教示している。しかしながら、センサの位置に関わらず、異種の対象物を加熱することに関わる問題は残る。その上、どちらの解決策も、温度センサが意図された表面との熱接触に失敗し、ひどく不正確な温度調節に陥るのを防ぐことができない。１つ又は複数の温度センサを、完璧な熱接触の状態に配置する装置を製造するのは困難な場合が多い。また、時間の経過と共に、センサ／対象物の接触面がさらされる熱の拡大および縮小が、不完全な熱接触をもたらす。
【０００６】
温度センサを加熱対象物上に、または隣接して配置することが必要な上、従来技術の装置は、対象物の定期的または連続的な温度測定をも必要とし、従って、対象物から、誘導電気機器に接続された受信装置へ、定期的または連続的な送信を必要とする。Ｈａｒｎｄｅｎ、Ａｎｄｒｅ、Ｓｍｒｋｅの公報はいずれも、これらの定期的または連続的ＲＦ送信と、誘導電気機器によって作られた一次磁場との干渉を回避し、フィードバック情報の適切な受信を確実にする、実際的な方法を教示していない。
【０００７】
Ｈａｒｎｄｅｎの公報では、サーミスタなどの温度センサが、検知された温度に応じて、連続的な可変電圧信号を、対象物内にある電圧調節発振器に送る。電圧調節発振器は、検知された温度に応じた可変周波数信号を発生する。この可変高周波信号は、誘導調理用レンジに接続された受信ユニットに送信される。Ａｎｄｒｅの公報では、対象物の温度測定は、一定の時間の間隔をおいて、定期的に受信／調節ユニットに送信される。各温度の値は、調節ユニットのメモリ装置に記憶される。その後、微分回路が、温度差を計算し、この情報を利用して加熱素子を調節する。
【０００８】
このように温度に基づいた高周波フィードバック情報の適切な受信を確実にするため、Ｈａｒｎｄｅｎの公報は、フィードバック信号の出力周波数は、少なくとも１メガヘルツか、その倍量であるべきと教示している。これは、実際的な解決方法ではない。ＡｎｄｒｅおよびＳｍｒｋｅの公報は、ＲＦ温度信号と一次磁場の干渉を回避するいかなる方法も考慮していない。
【０００９】
また、対象物からの温度情報は重要だが、適切な加熱を行って、所望の期間内に所望の制御温度にするには不十分である場合が多い。例えば、クックトップに置かれた対象物に加えられるパワーは、対象物の強磁性材料とクックトップのワークコイルとの間の距離に大きく依存する。前述の鍋の例の通り、対象物全体が所望の制御温度に達する間に、対象物の一部が過熱することを防ぐよう、対象物がある特定の段階的な加熱を必要とする場合、それぞれの段階で、対象物に適切なパワーを加えることが必須となる。また、最も実際的な加熱動作は、指示された規定温度が、指示された最長時間内に達成される必要があった。この制限により、それぞれの温度段階において、適切なパワーが加えられることが、よりいっそう重要である。パワー測定と記憶されたパワー結合データとの比較に基づく、不調和なパワー結合を修正する手段が、安定した加熱動作と厳密な温度制御を達成するには不可欠である。Ｓｍｒｋｅ、Ａｎｄｒｅ、およびＨａｒｎｄｅｎの公報は、いずれも温度情報以外の送信または使用について検討していない。
【００１０】
最後に、ＳｍｒｋｅおよびＡｎｄｒｅは、多重誘導機器の操作に関して、同種の対象物を与えることを試みているが、そのどちらも、単独の誘導機器がその上に乗せられた対象物を自動的に種類ごとに差別化し、それぞれの種類に独特の加熱動作を行うことを教示していない。Ａｎｄｒｅの公報は、意図していない異なった加熱素子の上に乗せられた対象物を過熱しないよう、差別化した温度測定を採用している。Ｓｍｒｋｅの公報では、複数の誘導機器がある場合、全ての誘導機器に接続された中央電子ユニットが、それぞれの鍋に取り付けられた送信機からの信号を受信し、どの誘導機器の鍋が最も熱いかを判断することができる。どちらのケースにおいても、各種類の対象物を加熱開始前に、単独の誘導機器が各種の対象物を差別化できない。
【００１１】
ＲＦＩＤは、バーコードに用いられる技術に類似した自動識別技術だが、光信号の代わりに高周波を利用する。ＲＦＩＤシステムは、読取り専用または読取り／書込み可能のどちらであっても構わない。ＭｏｔｏｒｏｌａのＯＭＲ−７０５＋リーダおよびＩＴ−２５４Ｅタグのような読取り専用システムの場合、ＲＦＩＤシステムは、２つの主要構成部品であるリーダと特殊「タグ」を備える。このリーダは複数の機能を持ち、その１つは、通常１２５ｋＨｚあるいは１３．５６ＭＨｚの低レベル高周波磁場を生じさせる。ＲＦ磁場は、通常、コイル形状の送信アンテナの手段によるリーダから発生する。リーダは、無線処理ユニットおよびデジタル処理ユニットを含むＲＦＩＤ結合器と、分離可能なアンテナの、２つの独立部品として販売される。ＲＦＩＤタグは、同じく通常、コイル形状をしたアンテナと、集積回路（ＩＣ）を備える。読取り／書込みシステムでは、タグとリーダ／ライタ間の双方向通信が可能で、どちらの構成部品も、通常、受信した情報を記憶する電子メモリ装置を備える。
【発明の開示】
【００１２】
［発明の概要］
本発明は、大幅に改善された対象物の磁気誘導加熱に関する方法および装置であって、特に対象物を所定の温度またはそれに近い温度に、温度制御する磁気誘導加熱の方法および装置を提供する。概して、本発明は、誘導加熱デバイスと、誘導加熱可能な対象物の組み合わせを意図し、対象物は、ＲＦＩＤタグが取り付けられ、加熱デバイスは、ＲＦＩＤタグからの情報を受信する装置を備える。使用の際は、対象物を加熱機器の近傍に配置し、ＲＦＩＤタグは加熱デバイスに接続された情報受信装置に情報（通常、対象物の加熱特性に関する）を送信する。この情報は、加熱装置の一部を形成する磁場発生器の調節に用いられる。
【００１３】
好適な形態では、この誘導加熱デバイスは、対象物を電磁誘導によって加熱するため磁場を発生するコンポーネント（構成部品）（例えば、超音波周波数インバータ）と、磁場発生コンポーネント（構成部品）と結合し、磁場の発生を選択的に開始し、および終了するマイクロプロセッサベースの調節回路とを備える。情報受信装置は、調節回路と動作可能に接続され、通常、ＲＦＩＤ信号リーダ（好ましくはリーダ／ライタ）およびＲＦＩＤパワー送信アンテナを含む。加熱対象物に取り付けられるＲＦＩＤタグは、送信回路及びアンテナを備える。より好適な本発明の双方向システムにおいては、リーダ／ライタとＲＦＩＤタグの両方が、情報を記憶する電子メモリ装置を有する。また、加熱装置の調節回路は、デバイスに加えられる負荷のインピーダンスに関する回路パラメータを測定するよう動作可能なセンサを備えることが好ましい。このセンサは、加熱対象物が磁場内に置かれているかどうか判断するため、定期的または連続的にこのようなパラメータ（電流など）を測定する。
【００１４】
本発明の具体的な特徴の１つは、個々の加熱対象物の種類に関連付けられたＲＦＩＤタグにより、ＲＦＩＤリーダおよび関連する回路を備えていれば、異なる誘導加熱装置が使用可能なことである。さらに、与えられた誘導加熱デバイスは、異なる種類の対象物を加熱するよう設計された複数の加熱アルゴリズムを記憶してもよい。ある種類の対象物がデバイスに載置されたとき、その対象物のタグはその種類の個別情報をリーダに送信する。さらに、本発明の好適なシステムでは、対象物タグが、リーダ／ライタからの送信により定期的に更新される記憶された情報を含有し、それにより特定の対象物に関連する誘導加熱の履歴をタグに記憶する。このようにして、特定の対象物が短時間、誘導加熱器から取り去られ、再び配置されたとき、更新されたＲＦＩＤタグ情報が誘導加熱器に伝えられ、適切な加熱アルゴリズムが再開される。
【００１５】
ＲＦＩＤタグとリーダ／ライタとの間の干渉の無い、一貫性の高い送信を確実にするために、誘導加熱デバイスは、ヒータの一次磁場発生器の動作の一時的中断中にこれらの送信が行われるよう設計されている。
【００１６】
さらに優れた温度制御を可能にするために、加熱対象物に取り付けられたＲＦＩＤタグは、スイッチが経験した外部条件に応じて、回路が形成された状態および回路が遮断された状態を切り替えるスイッチを備え、これによりＲＦＩＤタグの動作を変更する。例えば、１つまたは複数のサーマル（熱動）スイッチを動作可能なようにタグに取り付け（通常、アンテナまたはタグのＥＥＰＲＯＭ）、サーマルスイッチは、所定の温度条件を経験すると、それに応じてタグからの情報の伝達を防止、または変更するように動作する。
【００１７】
本発明のＲＦＩＤタグを備えた誘導加熱可能な対象物、適切な調節回路とＲＦＩＤタグ情報を受信する装置を備える誘導ヒータ、それに応じた方法、そしてＲＦＩＤタグ−スイッチの複合体は、本発明の独立した、単一の態様である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［好ましい実施形態の詳細な説明］
図１の実施形態
概して、本発明の加熱装置は、専用の磁気誘導加熱デバイスと、ＲＦＩＤリード／ライトタグを有し、温度制御される誘導加熱可能な対象物とを含む。この目的のため、加熱デバイスは、ＲＦＩＤタグに記憶されたデジタル情報を読取り可能であることが好ましく、また、定期的に新たなデジタル情報をタグに書き込んでもよい。加熱デバイスのマイクロプロセッサの調節には、適切なソフトウェアアルゴリズムが与えられ、該アルゴリズムは、ＲＦＩＤタグおよび／または測定された誘導加熱デバイスの回路パラメータから読取られた情報に基づいて、修正が可能である。
【００１９】
本発明の、食器および調節された誘導加熱に関する好ましい形態は、引用することにより本明細書の一部をなす米国特許第５，９５４，９８４号公報および継続中の１９９９年２月１９日出願のＵＳ特許出願第０９／３１４，８２４号に記載された特徴を一部取り入れている。
【００２０】
図１は、クックトップ２０の形状をした好適な誘導加熱デバイスと、誘導加熱可能な食器２２、例としてここではレストランで使用されるいわゆる「シズルプレート」を表している。加熱デバイス２０は、交流電流を直流電流に変換するため、電気アウトレット２６からの商業利用可能な交流電流に接続される整流器２４を備える。この整流器は、半導体インバータ２８に接続され、誘導ワークコイル３０に送られる直流電流を、超音波周波数電流（好ましくは約２０−１００ｋＨｚ）に変換する。マイクロプロセッサ３２を含むマイクロプロセッサベースの調節回路は、インバータ２８に動作可能に接続され、該インバータの調節を行う。この回路は、その他のクックトップ内部やユーザインターフェイス機能を調節してもよい。また、調節回路は、使用の際、加熱デバイス２０に加わる負荷に関連する、または依存するパラメータを測定するため、マイクロプロセッサ３２に接続された回路パラメータセンサ３１を有する。実際には、この回路パラメータセンサは、インバータの切り替え用のトランジスタを通る電流を測定する、インバータ２８内の電流センサでもよい。また、加熱デバイス２０は、コイル３０の上に配置された対象物支持体３４も備える。項目２４、２８、３０、３２および３４は、多数の市販の誘導クックトップの主要構成部品よりなる。本発明に有用な、好適な誘導クックトップの一例として、ＣｏｏｋＴｅｋ  Ｍｏｄｅｌ  ＣＤ−１８００が挙げられるが、この他にも、市販の機器各種が使用可能である。
【００２１】
加熱デバイス２０は、マイクロプロセッサ３２に接続されるＲＦＩＤリーダ／ライタ接合具３６を含む。この接続により、ＲＳ−２３２プロトコル通信が可能になるのが好ましい。好適な接合具３６として、ＧｅｍｐｌｕｓのＧｅｍＷａｖｅ（商標名）Ｍｅｄｉｏ  ＳＯ１３が挙げられる。この接合具は、ＲＳ−２３２、ＲＳ４８５、およびＴＴＬ交信プロトコルを有し、最大２６ｋｂ／ｓで送信できる。さらに、ＲＦＩＤアンテナ３８は加熱デバイス２０の一部を構成し、同軸ケーブル４０を経由して接合具３６に接続する。ＧｅｍｐｌｕｓのＭｏｄｅｌ１アンテナは、そのサイズが小型な事や、接地面を持たない事、リード／ライト幅が約２インチであることなどから、好適に用いられる。また、ＧｅｍｐｌｕｓのＭｏｄｅｌ  Ｍｅｄｉｏ  Ａ−ＳＡも良好に機能する。
【００２２】
また、加熱デバイス２０は通常、長期間に渡って正確な時刻を維持することが可能なリアルタイム時計４２を持つ。この時計は、マイクロプロセッサ対応で、好ましくは、誘導加熱デバイス２０の電源プラグが抜かれた場合でも、延長されたしばらくの時間、動作可能なバックアップ電力供給装置を備える。対応可能な時計には、Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍｏｄｅｌ  ＭＭ５８２７４ＣやＤａｌｌａｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍｏｄｅｌ  ＤＳ−１２８６などが含まれる。
【００２３】
また、加熱デバイス２０は、マイクロプロセッサ３２によってアクセス可能な追加メモリ装置４４を持つことが好ましい。このメモリ装置４４は、容易に書込みまたは上書き可能で、それにより、新しい種類の対象物が、事前にプログラムされていなくても、この加熱デバイス２０を用いて加熱されるよう、ユーザがソフトウェアアルゴリズムを追加することができることが望ましい。好適なメモリユニットの一例として、ＭｉｃｒｏｎのＣｏｍｐａｃｔＦｌａｓｈカードなどのフラッシュカードが挙げられる。その他の例として、モデム接続を持ち、電話回線を通じて遠隔地からプログラミングを可能にする、ＥＥＰＲＯＭ装置やフラッシュメモリ装置が挙げられる。
【００２４】
「シズルプレート」の形状に表される食器２２の例には、通常、木材、プラスチック、またはセラミック材料で形成される基板４８にセットされる金属製（例えば鋳鉄製）の平鍋４６が含まれる。ＲＦＩＤタグ５０は、基板４８に形成されたくぼみ内で食器２２に動作可能に取り付けられ、接着剤５１またはその他の適切な接着媒体によって固定される。好適なＲＦＩＤタグの一例として、ＧｅｍｐｌｕｓのＧｅｍＷａｖｅ  Ａｒｉｏ  ４０−ＳＬ  Ｓｔａｍｐが挙げられ、これは１７ｘ１７ｘ１．６ｍｍの寸法を持ち、極端な温度、湿度、および圧力条件にも耐え得るよう設計されている。このタグは、メモリの０ページ、０ブロックに製造時に埋め込まれた８バイトコードを持ち、各ブロックが４ページ分のデータを持つブロックの、４ブロックに配備された２キロバイトのＥＥＰＲＯＭメモリを持つ。８バイトの各ページは、リーダにより独立に書込みが可能である。その他の適切なＲＦＩＤタグとして、ＧｅｍｐｌｕｓのＡｒｉｏ  ４０−ＳＬモジュールや、Ｇｅｍｐｌｕｓの超小型Ａｒｉｏ  ４０−ＳＤＭなどがある。
【００２５】
図示されるように、ＲＦＩＤタグ５０は、食器２２の金属プレート４６のように、電流が誘導される対象物の一部に直接熱接触する必要は無い。事実、ほとんどのＲＦＩＤタグの動作温度が制限されているので（Ｍｏｔｏｒｏｌａ  ＩＴ−２５４Ｅタグは最大２００°Ｃまでの連続動作に耐え、Ｇｅｍｐｌｕｓ  Ａｒｉｏ−４０ＳＬＳｔａｍｐタグは、３５０°Ｆまでの耐久性を持つ）、タグは金属製加熱素子から、ある程度熱的に隔離されていることが好ましい。重要な点は、タグ５０が対象物の個別情報と、その誘導加熱履歴を保有することである。またタグは、その情報を、情報に対する応答信号を発するＲＦＩＤリーダ／ライタに送信する。タグがリーダの磁場エネルギを受け取ると、ＩＣ内のプログラムされたメモリ情報をリーダに送信し、リーダはその信号を確認し、データを解読し、所望の出力装置に所望の形式でデータを送信する。このプログラムされたメモリ情報は、普通、独自に対象物を識別するデジタルコードを含有する。ＲＦＩＤタグはＲＦＩＤリーダのアンテナから数インチ離れていても、リーダとの通信を行う。
【００２６】
図１に表される食器２２は、随意のサーマルスイッチ５２の使用を示している。このスイッチは必須ではないが、しばしば好適に利用される。サーマルスイッチの特定の設計および使用について、後ほど詳細に説明する。
【００２７】
以下、好適実施例における誘導加熱デバイス２０およびシズルプレート食器２２のハードウェア構造とソフトウェア調節を詳細に説明する。この説明は、もちろん、図２および図３に図示するその他の全ての種類の食器や、図４に表す加熱ペレットのような幅広い種類の誘導加熱可能な対象物に（所望の最終用途に基づき適切な変更を行うことで）等しく適用可能である。従って、この記載は広義に捉え、本発明の一つの可能な活用方法として考慮されるべきである。
【００２８】
ハードウェアの統合  −  ＲＦＩＤリーダ／ライタ
上述したように、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６は、誘導加熱機器２０のマイクロプロセッサベースの調節回路に、動作可能なように接続される。食器２２が加熱対象物であるとき、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６のアンテナ３８は、食器２２がＲＦＩＤリーダ／ライタ３６から読取り／書込み可能な距離にあるよう配置される。１つの好適なアンテナ形状として、ＲＦＩＤアンテナの平面らせん状アンテナコイルは、二次元的に、ワークコイル３０の中央の開口部分に置かれる。図１に関して、検査ではＲＦＩＤアンテナは、誘導ワークコイル３０の面とクックトップ支持面３４の間に配置してもよく、クックトップ動作中に、ＲＦＩＤアンテナに有害な電流が誘導されないことが示された。
【００２９】
アンテナの正確な配置とは関係なく、アンテナ３８はワークコイル３０の中央に置かれるのが好ましい。同一のワークコイル３０の上で、数種類の対象物を均一に加熱するには、ワークコイル３０の中央にそれぞれの品目を置くことが望ましい。また、単独のＲＦＩＤアンテナ３８はできるだけ多くの誘導可能な異種対象物のうちの１つに配置されたタグ５０に接続されるのが好ましい。
【００３０】
リーダ／ライタ３６、アンテナ３８、およびＲＦＩＤタグ５０からなるＲＦＩＤリーダ／ライタおよびタグシステムは、少なくとも次の種類の情報を送信および受信する：１）対象物の種別または種類（以下、ＣＯＢと呼ぶ）；２）対象物の、加熱アルゴリズムの最新の既知のパワーステップ（以下、ＬＫＰＳ）；および、３）加熱アルゴリズムの最新の既知のパワーステップの実行時刻（以下、ｔ（ＬＫＰＳ）とする）。この情報は、加熱デバイス２０上に食器２２などの対象物が配置されると、ＲＦＩＤタグ５０により送信され、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６によって読み取られる。さらに、この情報（ＣＯＢを除く）は、場合によっては他の情報とともに、食器２２が加熱デバイス２０により、選択された制御温度に達するまで間中、選択された時間間隔Δｔbetween transmitごとにＲＦＩＤ５０タグで書き換えされるのが好ましい。読み取り／書き込み動作に必要な時間は、Δｔtransmitで表される。ＧｅｍｐｌｕｓのＧｅｍＷａｖｅ  Ｍｅｄｉｏ（商標名）  ＳＯ１３リーダ／ライタやＡｒｉｏ  ４０−ＳＬ読み取り／書き込みタグなどの読み取り／書き込みシステムを用いて、量産試作型のΔｔtransmitがおよそ１５０ミリ秒であることが発見された。
【００３１】
リーダ／ライタ３６とタグ５０との通信は、加熱機器２０による磁場発生の中断の際に生じるのが好ましい。つまり、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６とタグ５０との間の情報送信の直前に一次磁場の発生を中断し、ＲＦＩＤ送信の中断後、一次磁場の発生が再開されるのが望ましい。この中断は、Ｇｅｍｐｌｕｓ  Ｍｅｄｉｏ  ＳＯ−１３接合具にビルトインされた３つのポートの１つから発せられる５ボルトの出力信号を使って引き起こすことが可能である。あるいは、ほとんどのクックトップのマイクロプロセッサと、ＲＦＩＤ接合具と該マイクロプロセッサとの間の利用可能な通信により、中断をマクロプロセッサ３２を介して同期させてもよい。
【００３２】
例えば、通常動作中、ＣｏｏｋＴｅｋ  Ｍｏｄｅｌ  Ｃ−１８００クックトップのインバータは、最大出力パワーレベルが用いられていても、６０回のパワー供給（ライン）サイクルのうち５９サイクルにのみ「オン」となる（電流は切り替え素子を通してワークコイルに流れるため、負荷に転換されたエネルギを補充する）。通常動作時のより低い出力レベルでは、インバータでは５９回より少ない「オン」サイクルが用いられる。
【００３３】
インバータの「オフ」時間中は、整流電流は、ＡＣ電源から切り替え素子を介してワークコイル３０に供給されない。これらの「オフ」時間中は、発生する磁場の強度はゼロに近く、ＲＦＩＤタグ５０とリーダ／ライタ３６との間の通信に干渉を生じない。従って、マクロプロセッサ３２は、インバータの「オン」および「オフ」サイクルの回数とタイミングを調節することができ、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６は情報を送信し、ＲＦＩＤタグ５０からの情報を受信する時間を調節することができる。そのため、磁場の干渉が最小限のとき、インバータの「オフ」時間中にＲＦＩＤリーダ／ライタ３６からＲＦＩＤタグ５０への情報を、「通常動作」パワーレベルの効率サイクルを修正することなく、うまく読み取りおよび書き込みすることが可能である。
【００３４】
また、マイクロプロセッサ３２のプログラミングは柔軟で容易であることにより、「通常動作」パワーレベルの効率サイクルは、選択された６０サイクルあるいは別のインターバルの間、インバータを任意のサイクル数で「オフ」に保つよう、修正が可能である。これらの「オフ」サイクルは、ある所望のインターバルで定期的に起こるよう時間設定されてもよい。例えば、以下、本明細書において、「送信開始間の経過時間」、あるいはΔｔbetween transmitと称する、連続したインターバルで、マイクロプロセッサは、切り替え用のトランジスタを通ってワークコイル３０に流れる電流が、Δｔtransmit時間の間、確実に中断させることができる。この例において、インバータの「オン」時間の実現可能な最大有効パーセンテージは｛（Δｔbetween transmit−Δｔtransmit）／（Δｔbetween trasmit ）｝である。なお、Δｔtransmitは一定であるため、Δｔbetween transmitは送信終了までの所要時間でもある。選択された周期性に関わらず、ＲＦＩＤリーダ／ライタ／タグシステム３６、３８、５０の送信／受信周期を、ワークコイル３０のゼロに近い磁場発生時間と同期させることで、十分干渉の無い送信／受信周期が得られる。
【００３５】
ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６は、誘導クックトップ（普通２０−６０ｋＨｚ）の出力周波数と大きく異なる出力周波数（１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、またはその他の周波数）を有するように選択してもよく、接続するアンテナ３８は、ＲＦＩＤタグからのデータを、これらのインバータ「オフ」時間中に確実に送信および受信を行う。また、磁気誘導クックトップによって作られた磁場は十分低いワット密度なので、リーダ／ライタ３６およびタグ５０のアンテナは、インバータオン時間中に前記磁場に晒されることで有害な電流を発生することはない。
【００３６】
ソフトウェア統合
ソフトウェア統合の主な目的は、磁気誘導加熱デバイス２０がそれに従うソフトウェアアルゴリズムを実行し、与えられた温度から所望の制御温度までの加熱サイクルを開始し、不定期にわたってその温度で維持するように対象物を加熱させることである。ソフトウェア統合とは、好ましくはソフトウエアアルゴリズムに、以下の３つの情報源を用いて、加熱の開始時に存在する具体的な開始時条件に予めプログラムされた加熱アルゴリズムを適応させる事実をいう。３つの情報源とは、１）ＲＦＩＤタグから回収した情報、２）電流、電圧のような回路パラメータをモニタする、デバイス２０の回路センサからの情報、３）マイクロプロセッサ３２にアクセス可能なメモリ装置に記憶された情報である。
【００３７】
ソフトウェアアルゴリズムの別の目的は、各々異なる制御温度および加熱要件を有する多くの異なる種類の対象物を同一のデバイス２０を用いて温度制御することである。これは、個々の対象物のＲＦＩＤタグ５０が対象物の識別情報を記憶し、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６が識別情報を読み取り、このソフトウェアアルゴリズムが該情報を使用し、特定の種類の対象物用に設計された適切な予めプログラムされた加熱アルゴリズムにアクセスして、該アルゴリズムを修正することにより容易に達成される。
【００３８】
要するに、デバイス２０のマイクロプロセッサ３２は、特定のＲＦＩＤタグの識別情報に基づき、多くの予めプログラムされた加熱アルゴリズムの１つにアクセスするオーバーライディングソフトウェアを有する。予めプログラムされた加熱アルゴリズム（以下、本明細書において、対象物の特定の種類に対する加熱アルゴリズム、またはＨＡ（ＣＯＢ）と呼ぶ）は、データ、必要な変数を計算する式、特定の種類の対象物（ＣＯＢ）の加熱および温度制御を行うためにクックトップに使用される、記憶装置に記憶された命令の具体的なセットである。ＨＡ（ＣＯＢ）の基本タスクは、以下のタスクを実行することである。
タスク１：対象物の現在の温度の推定、ＥＰＴ
タスク２：ＥＰＴの計算された値を用いて、具体的な経過時間に関して、補正されたパワーレベルを用いて対象物の加熱を開始し（適正な補正されたパワーレベルで開始し、パワーレベルでの適正な経過時間実行する）、対象物をそのＥＰＴから所望される制御温度にもたらし、その温度で維持する。
タスク３：対象物に取り付けられたＲＦＩＤタグ５０を、対象物の、加熱アルゴリズムの最新の既知のパワーレベルＬＫＰＳおよび加熱アルゴリズムのこのステップの適用時刻ｔ（ＬＫＰＳ）および所望の制御温度に到達するまでの全ての時間間隔Δｔbetween transmitを用いて更新する。
【００３９】
これらの基本タスクを達成するため、以下に示す方法でＨＡ（ＣＯＢ）を作成し、実行してもよい。実施例の目的のため、デバイス２０を用いて、図１に示すシズルプラター（大皿）を適切に加熱するために必要とされるソフトウェアを以下に記載する。ここで鋳鉄製の平鍋４６の食品接触面の所望の制御温度は、２５０°Ｆ±２０°Ｆである。
【００４０】
加熱アルゴリズム
タスク１および２を達成するため、理想動作条件下での、対象物の温度制御に必要な固定記憶データは、最初に収集される。このデータは、理想動作条件で収集した加熱情報および冷却情報のいずれをも含む。固定記憶データは、定期的に収集されないが、ＨＡ（シズルプレート）に対応する記憶装置の位置に記憶されるか、または容易に利用できるようにされている。固定記憶データは、誘導加熱デバイスの一部をなす記憶デバイス（図１の追加メモリデバイス４４のような）に記憶されることが好ましいが、この情報をＲＦＩＤタグのＥＥＰＲＯＭメモリに記憶することもできる。この場合において、この固定記憶データに対応するＥＥＰＲＯＭメモリの位置は、ＲＦＩＤタグが供用に置かれた後、書き換えする必要はない。固定記憶データの物理的位置とは関係なく、データは加熱動作の実行前及び実行中にマイクロプロセッサ３２が利用可能でなければならない。
【００４１】
その後理想動作条件がほぼ生じないことが明らかになった場合、加熱アルゴリズム内で使用される変更用の式および命令を作成して、システムを実際の動作条件下で動作できるようにする。最後に、加熱アルゴリズム内で使用される式および命令に関して、ＲＦＩＤリーダ／ライタ３６およびクックトップ回路センサにより情報が定期的に収集される。この収集された情報は、一時記憶メモリに記憶され、加熱動作を通して定期的に更新される。
【００４２】
得られた変更用の命令、式、記憶された固定記憶情報、一時記憶情報のセットは、統合されたマイクロプロセッサ３２に使用されるようにプログラムされたビルディングブロックを含む。実際のソフトウェアアルゴリズムおよびＨＡ（シズルプレート）アルゴリズムは行ごと（ｌｉｎｅ−ｂｙ−ｌｉｎｅ）に記載され、これらビルディングブロックは以下に記載される。
【００４３】
ビルディングブロック１：理想条件下での固定記憶データ
シズルプレートに関する理想動作条件は、以下のように仮定される。
１）シズルプレートは、室温未満の初期プレート温度からは決して加熱されない。
２）シズルプレートは、その上面に食品が存在しない状態で常に加熱される。
３）シズルプレートは、ピーク効率で磁気的に結合するように、デバイス２０上に配置される。
４）シズルプレートは、常に所望される制御温度に到達した場合にのみクックトップから取り除かれる。
これらの制御された理想条件により、代表的なシズルプレートは、代表的な磁気誘導クックトップ上で加熱される。シズルプレートに取り付けられた熱電対およびその測定は、クックトップのマイクロプロセッサによりフィードバックとして使用され、対象物を所望の期間で、所望の温度まで加熱する。同じフィードバックは、平衡が存在し、必要とされるクックトップの昇温動作の明確なパターンが発生するまでの期間、所望の制御温度を維持するために使用される。クックトップは、規定内での加熱および昇温動作中、シズルプレートをその制御温度まで加熱し、その温度を維持しつつ、全ての有意な対象物温度およびクックトップ回路パラメータに関する測定値が得られる。
【００４４】
以下の情報は、収集され、ＨＡ（シズルプレート）内で使用されるクックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な固定メモリ（記憶装置）に記憶される。
【００４５】
表  １
情報                                          識別コード
１）ＲＦＩＤタグから、またはタグへの読み取り    Δｔbetween transmit
または書き込みの開始の間の期間
２）理想パワーレベル１                          ＩＰＬ１
（インバータ「オン」時間９３％）
コマンド  「オン」サイクル１１１回、「オフ」
サイクル９回の繰り返し
３）理想パワーレベル２                          ＩＰＬ２
（インバータ「オン」時間８３％）
コマンド  「オン」サイクル１００回、「オフ」
サイクル２０回の繰り返し
４）理想パワーレベル３                          ＩＰＬ３
（インバータ「オン」時間７４％）
コマンド  「オン」サイクル８９回、「オフ」
サイクル３１回の繰り返し
５）理想パワーレベル４                          ＩＰＬ４
（インバータ「オン」時間６５％）
コマンド  「オン」サイクル７８回、「オフ」
サイクル４２回の繰り返し
６）理想パワーレベル５                          ＩＰＬ５
（インバータ「オン」時間５５％）
コマンド  「オン」サイクル６６回、「オフ」
サイクル５４回の繰り返し
７）予想される動作時の最低温度                  Ｔ（０）
８）理想パワーステップ１実行後の温度            Ｔ（１）
９）理想パワーステップ２実行後の温度            Ｔ（２）
１０）理想パワーステップ３実行後の温度          Ｔ（３）
１１）理想パワーステップ４実行後の温度          Ｔ（４）
１２）理想パワーステップ５実行後の温度          Ｔ（５）
１３）理想パワーステップ６実行後の温度          Ｔ（６）
１４）理想パワーステップ７実行後の温度          Ｔ（７）
１５）理想パワーステップ８実行後の温度          Ｔ（８）
１６）理想パワーステップ９実行後の温度          Ｔ（９）
１７）制御温度（２５０°Ｆ）                    Ｔ（１０）
１８）線形冷却速度１（Ｔ（１０）→Ｔ（６））    ＣＲ1 
１９）線形冷却速度２（Ｔ（６）→Ｔ（２））      ＣＲ2 
２０）線形冷却速度３（Ｔ（２）→Ｔ（０））      ＣＲ3 
２１）インバータ「オン」時間中に、負荷が理想    Ｉtransistor max ideal
的に接続されたクックトップの切り替え用トラン
ジスタを通過して流れる電流の強度
２２）最大遅延時間                              ＭＸＤＴ
【００４６】
加熱プロセス用の、Δｔbetween transmitが効果的な時間軸は、顧客の要求に応じて選択される。その時間軸は、顧客が、クックトップ上に食品を載置した後、シズルプレートが室温から２５秒以内にその上部の食品接触面の温度が２５０°Ｆ±２５°Ｆまで加熱されること要求していると想定している。計算および実験を通して、ＣｏｏｋＴｅｋ  Ｍｏｄｅｌ  ＣＤ−１８００クックトップのパワー調節方法を使用した５．０ｋＷ誘導クックトップが、このタスクを実行することができると判断した。なお、Δｔbetween transmitの値は、温度センサを使用しないこの好ましい制御方法に関して、与えられた温度制御動作の確度および精度を決定する。より小さい効果的な加熱の時間軸を選択すると、制御温度はより正確になり、該制御温度に対する温度のばらつきはより小さくなる。しかし、より小さなタ時間軸を選択すると、交換することが必要となるまでにＲＦＩＤタグが耐え得る加熱サイクルの完了回数が少なくなる。通常のＲＦＩＤタグは故障するまでに少なくとも１００，０００回読み取り／書き込み動作を行うように設計されている。
【００４７】
想定された顧客要件と、確度、精度およびシステム寿命間での選択されたバランスに基づき、シズルプレート用のΔｔbetween transmitは、２．０秒に選択される。この値は、クックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な固定メモリに記憶され、ＨＡ（シズルプレート）内で使用される。
【００４８】
上部の食品接触面が均一に温度２５０°Ｆになるようにクックトップを誘導加熱する最も単純な方法は、全加熱期間にわたって、クックトップから全ての利用可能な結合されたパワーを適用することである。しかし、シズルプレートを含む多くの対象物に関して、対象物自体の最終的な熱伝導度と結びつく表皮効果は、食品接触面および誘導ワークコイルに最も近い面の間での温度平衡に遅れを生じさせる。そのため、この場合において、著しい行過ぎを生じることなく、またはワークコイルに最も近い面の温度を２５０°Ｆよりもはるかに高い温度に到達させることなしに、加熱サイクルの終了時に、均一な食品接触面の温度２５０°Ｆを達成する最良の方法は、食品接触面の温度の上昇に応じて、シズルプレートに適用するパワーレベルをステップダウンすることである。
【００４９】
図５は、２５秒以内で食品接触面の温度を均一に２５０°Ｆにするために、室温のシズルプレートに適用される理想パワーレベルの所望のシーケンスを図示している。１つの時間間隔Δｔbeteween transmit に等しい時間単位における個々の理想パワーレベルの適用を、以下、本明細書において、理想パワーステップと呼ぶ。本実施例では、シズルプレートを室温から均一に表面温度２５０°Ｆにするために、１０ステップの理想パワーステップが存在する。なお、シズルプレートの食品接触面の平均温度は、理想パワーステップ１０の終了時にのみ２５０°Ｆに到達するが、その後上昇し続けてもよい。表２は、図５に示す理想パワーステップのシーケンスのリストである。この理想パワーステップのシーケンスは、個々の理想パワーステップ内で理想パワーステップが補正されたパワーレベルに置換される場合を除いて、シズルプレートの加熱動作時にクックトップの動作を命令するための青写真として使用される。
【００５０】
表  ２
ステップ番号                          クックトップへのコマンド
理想パワーステップ１                  ＩＰＬ１を２秒間適用* 
理想パワーステップ２                  ＩＰＬ１を２秒間適用* 
理想パワーステップ３                  ＩＰＬ１を２秒間適用* 
理想パワーステップ４                  ＩＰＬ１を２秒間適用* 
理想パワーステップ５                  ＩＰＬ２を２秒間適用* 
理想パワーステップ６                  ＩＰＬ２を２秒間適用* 
理想パワーステップ７                  ＩＰＬ３を２秒間適用* 
理想パワーステップ８                  ＩＰＬ３を２秒間適用* 
理想パワーステップ９                  ＩＰＬ４を２秒間適用* 
理想パワーステップ１０                ＩＰＬ４を２秒間適用* 
期間ＭＸＤＴ                          クックトップを待機モードにし、インピーダン
ス限界内の負荷をチェックするため試験パルス
を１サイクル実施**
理想パワーステップ１１                ＩＰＬ５を２秒間適用**
期間（０．５０）（ＭＸＤＴ）          クックトップを待機モードにし、インピーダン
ス限界内の負荷をチェックするため試験パルス
を１サイクル実施**
理想パワーステップ１１                ＩＰＬ５を２秒間適用**
期間（０．５０）（ＭＸＤＴ）          クックトップを待機モードにし、インピーダン
ス限界内の負荷をチェックするため試験パルス
を１サイクル実施**
先行する２ステップを不定期繰り返す**
* 各理想パワーステップの最後の０．１５秒間、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＲＦＩＤタグと通信する。
**ＬＫＰＳ値は１０以上の数を割り当てられることはない。しかし、実際の電力ステップ１１の実際の完了時刻は、ｔ（ＬＫＰＳ）の更新に用いられる。
【００５１】
理想パワーステップのシーケンスにおける各理想パワーレベルの強度は、対象物および誘導クックトップのワークコイル間での所望（理想）のパワー結合効率に基づく、すなわちワークコイル上の中心に配置されるシズルプレートの鋳鉄部分、ワークコイル上方の標準的な高さにあるシズルプレートの鋳鉄部分、および標準として選択される値である、商業用パワー供給の線間電圧に基づくため、“理想”である。ＣｏｏｋＴｅｋ  Ｍｏｄｅｌ  ＣＤ−１８００クックトップ、またはその５ｋＷ相手側部品のパワーレベルは、６０回のラインサイクルのうち５９回が「オン」サイクルであってもよく、ワークコイル上の中心に配置されていないシズルプレートに関して、シズルプレートに接続する実際のパワーは、６０回の利用可能なサイクルのうち、４０サイクルのみ「オン」する同一のクックトップの理想カップリング効率を有するシズルプレートよりも少なくてもよい。そのように、“パワーレベル”と負荷（シズルプレート）に接続する実際のパワーの間でなされた区別は重要である。したがって、クックトップのパワーアウトプットが、インバータの「オン」時間のパーセントで調節される本実施例において、“パワーレベル”は、以下、本明細書において、インバータの「オン」時間のパーセントで表される。与えられた“パワーレベル”に対するシズルプレートに接続する実際のパワーはｌまたは複数の種々のクックトップ回路パラメータを測定することで推定することができる（以下、本明細書において、実際のパワーは、これで表す）。
【００５２】
理想パワーステップのこのシーケンスを決定するための最終的なモデリング時に使用される理想パワーレベルの最大値（最大パワーレベル１、以下、本明細書において、ＩＰＬ１と呼ぶ）は、理想条件下での加熱アルゴリズムに利用可能な最大値である。したがって、インバータの「オン」時間の有効パーセントが、（Δｔbetween transmit−Δｔtransmit／Δｔbetween transmit）のパワーレベルである。続いて適用される、より低い理想パワーレベル（理想パワーレベル２（ＩＰＬ２）、理想パワーレベル３（ＩＰＬ３）、理想パワーレベル４（ＩＰＬ４）、理想パワーレベル５（ＩＰＬ５））もまた、インバータ「オン」時間のパーセントで表される。シズルプレートの実施例のこれらのパーセントは、本明細書において後で記載する。
【００５３】
図５は、またシズルプレートを２５０°Ｆに到達させ、不定期にわたってその温度（２０°Ｆ以内）で保持するために適用される理想パワーステップの第１のシーケンスを示している。理想パワーステップ１１では、処理待ちの対象物に対して、環境損失に打ち勝つのに十分なエネルギーを１つの時間間隔Δｔbetween transmitに印加する。シズルプレートに関して、理想パワーステップ１１は、５５％インバータ「オン」時間の理想パワーレベルで、１つの時間間隔Δｔbetween transmitに適用される。なお、理想パワーステップ１０の終了後、ｔを更新するために、ＲＦＩＤリーダ／ライタおよびＲＦＩＤタグ間で実際のＬＫＰＳ値ではない送信（ＬＫＰＳ）も実行される。そのようにして、理想パワーステップ１１実行時、ＬＫＰＳの値は１０のままであるが、ｔ（１０）の値は最新の理想パワーステップ１１の終了時を反映するために更新される。
【００５４】
理想パワーステップ１１は、対象物がクックトップから取り除かれるまで不定期繰り返される。しかし、理想パワーステップ１１は、必ずしもステップの適用間の時間と等間隔で繰り返されない。理想パワーステップ１１の連続した実行間の時限は、以下、本明細書において遅延時間またはＤＴと呼ぶ。遅延時間は、変化してもよいが、遅延時間の最大値（以下、本明細書において、ＭＸＤＴと呼ぶ）は決定され、固定メモリに記憶される。本実施例のシズルプレートにおいて、ＭＸＤＴは２分間であると決定される。シズルプレートにおいて、理想パワーステップ１０の終了後、理想パワーステップ１１は、初めにＭＸＤＴの遅延時間適用される。その後、理想パワーステップ１１は、相等しい連続する遅延時間（５０％  ＭＸＤＴ）または１分間適用される。
【００５５】
室温から平均表面温度２５０°Ｆ±２０°Ｆまで上昇させ、その温度を維持するために、理想条件下でシズルプレートに適用した理想パワーステップの上記のシーケンスは、以下に要約される。
【００５６】
理想パワーステップ１を、ＩＰＬ１で適用した。理想パワーステップ１の際、シズルプレートの食品接触面の平均温度は、室温（Ｔ（０）と表す）から、Ｔ１＝１００°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ２をその後直ちにＩＰＬ１で適用した。パワーステップ２の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（１）＝１００°ＦからＴ（２）＝１３０°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ３をその後直ちにＩＰＬ１で実行した。理想パワーステップ３の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（２）＝１３０°Ｆから温度Ｔ（３）＝１６０°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ４をその後直ちにＩＰＬ１で実行した。理想パワーステップ４の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（３）＝１６０°Ｆから温度Ｔ（４）＝１９０°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ５をその後直ちにＩＰＬ２で実行した。理想パワーステップ５の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（４）＝１９０°Ｆから温度Ｔ（５）＝２１０°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ６をその後直ちにＩＰＬ２で適用した。理想パワーステップ６の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（５）＝２１０°ＦからＴ（６）＝２２４°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ７をその後直ちにＩＰＬ３で適用した。理想パワーステップ７の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（６）＝２２４°ＦからＴ（７）＝２３２°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ８をその後直ちにＩＰＬ３で適用した。理想パワーステップ８の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（７）＝２３２°ＦからＴ（８）＝２４０°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ９をその後直ちにＩＰＬ４で適用した。理想パワーステップ９の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（８）＝２４０°ＦからＴ（９）＝２４６°Ｆまで上昇した。理想パワーステップ１０をその後直ちにＩＰＬ４で実行した。理想パワーステップ１０の際、シズルプレートの表面温度は、温度Ｔ（９）＝２４６°ＦからＴ（１０）＝２５０°Ｆまで上昇した。
【００５７】
この時点で、期間ＭＸＤＴにおける適切な負荷をサーチするために磁場の短いサイクルの負荷試験パルスを実施する以外は、インバーターは「オフ」の状態で維持される。クックトップの上部への適切な負荷をサーチするために使用されるこれらの短いサイクル（通常利用可能な６０サイクル当たり１回）の負荷試験パルスは、動作の待機モードに実施され、大半のクックトップの標準動作手順である。ＭＸＤＴのうちの約１分間で、シズルプレートの平均表面温度は、２５５°Ｆまで漸増し、シズルプレートの鋳鉄壁面の内側の温度と平衡になる。ＭＸＤＴ後、理想パワーステップ１１の第１のシーケンスが、その後直ちにＩＰＬ５で適用される。理想パワーステップ１１の際、シズルプレートの表面温度は、約２４５°Ｆから２５５°Ｆまで上昇する。理想パワーステップ１１の最初の実行後直ちに、理想パワーステップが再度適用される（０．５）（ＭＸＤＴ）のＤＴまでの間、インバータは再び「オフ」の状態に維持される。その後、シズルプレートがクックトップ上に存在する限り、（０．５）（ＭＸＤＴ）後に理想パワーステップ１１を適用した。シズルプレートを取り外した場合、クックトップは、周期的な低負荷サイクル試験パルスを生じる待機モードに戻される。ここで、待機モードを脱し、別の加熱モードが開始されるまで、好適な負荷インピーダンスおよび好適なＲＦＩＤタグを有する対象物を待つ。
【００５８】
図５に示すように、ＲＦＩＤリーダ／ライタと、対象物に取り付けられたＲＦＩＤタグ間での読み取り・書き込み送信は、時間間隔ΔＴtransmitの間に生じ、時間間隔ΔＴtransmitは個々の時間間隔Δｔbetween transmit内の、終了時に生じる。さらに、Δｔbetween transmitに等しい期間は、各理想パワーステップの全期間を構成する。ＩＰＬ２、ＩＰＬ３、ＩＰＬ４またはＩＰＬ５の実行によるインバータの「オン」サイクルの回数の減少は、既存のインバータの「オフ」期間Δｔtransmitを減少させず、さらなる「オフ」期間を追加するのみである。
【００５９】
上記の理想パワーステップのシーケンスは、理想パワーレベルが、パワーレベルの補正により各理想パワーステップ内で置換された場合を除いて、シズルプレートの加熱動作時にクックトップの動作を開始するための青写真として使用される。しかし、適切な補正されたパワーレベルを計算するため、理想パワーレベルは、計算用に固定メモリに記憶される。
【００６０】
シズルプレートの本実施例に関して、理想動作条件下で使用される最高値ＩＰＬ１から最低値ＩＰＬ５までの５つの理想パワーレベルが存在する。ＩＰＬ１は、インバータの「オン」時間の有効パーセントが｛（Δｔbetween transmit−Δｔtransmit／Δｔbetween transmit）｝のパワーレベルであり、一方シズルプレートに磁気的に接続される実際のパワーは、上記の要因に依存する。シズルプレートの本実施例において、Δｔbetween transmitは２．０秒であり、Δｔtransmitは０．１５０秒である。そのため、ＩＰＬ１におけるインバータの「オン」時間の有効パーセントは、９３％である。ＩＰＬ１を実行するため、クックトップのマイクロプロセッサ（またはＲＦＩＤ接合部のパワーポート）は、インバータに対して、１２０サイクル中１１１サイクルで「オン」状態（電流が切り替え用のトランジスタを介してワークコイルに流れる）に保持し、残りの９サイクルで「オフ」の状態を保持するようにコマンドを出す。これら９サイクルの際に、ＲＦＩＤシステムの送信および受信動作が行われる。
【００６１】
ＩＰＬ２は、インバータ「オン」時間の有効パーセント８３％を有するパワーレベルである。そのため、ＩＰＬ２を実行するため、クックトップのマイクロプロセッサ（またはＲＦＩＤ接合具のパワーポート）は、インバータに対して、１２０サイクル中１００サイクルで「オン」状態（電流が切り替え用のトランジスタを介してワークコイルに流れる）に保持し、残りの２０サイクルで「オフ」の状態を保持するようにコマンドを出す。これら２０サイクル中の９サイクルの際に、ＲＦＩＤシステムの送信および受信動作が行われる。
【００６２】
ＩＰＬ３は、インバータ「オン」時間の有効パーセント７４％を有するパワーレベルである。そのため、ＩＰＬ３を実行するため、クックトップのマイクロプロセッサ（またはＲＦＩＤ接合具のパワーポート）は、インバータに対して、１２０サイクル中８９サイクルで「オン」状態（電流が切り替え用のトランジスタを介してワークコイルに流れる）に保持し、残りの３１サイクルで「オフ」の状態を保持するようにコマンドを出す。これら３１サイクル中の９サイクルの際に、ＲＦＩＤシステムの送信および受信動作が行われる。
【００６３】
ＩＰＬ４は、インバータ「オン」時間の有効パーセント６５％を有するパワーレベルである。そのため、ＩＰＬ４を実行するため、クックトップのマイクロプロセッサ（またはＲＦＩＤ接合具のパワーポート）は、インバータに対して、１２０サイクル中７８サイクルで「オン」状態（電流が切り替え用のトランジスタを介してワークコイルに流れる）に保持し、残りの４２サイクルで「オフ」の状態を保持するようにコマンドを出す。これら４２サイクル中の９サイクルの際に、ＲＦＩＤシステムの送信および受信動作が行われる。
【００６４】
ＩＰＬ５は、インバータ「オン」時間の有効パーセント５５％を有するパワーレベルである。そのため、ＩＰＬ５を実行するため、クックトップのマイクロプロセッサ（またはＲＦＩＤ接合具のパワーポート）は、インバータに対して、１２０サイクル中６６サイクルで「オン」状態（電流が切り替え用のトランジスタを介してワークコイルに流れる）に保持し、残りの５４サイクルで「オフ」の状態を保持するようにコマンドを出す。これら５４サイクル中の９サイクルの際に、ＲＦＩＤシステムの送信および受信動作が行われる。
【００６５】
式および命令の変更を実施し、ＨＡ（シズルプレート）に非理想パワー結合を補償させるため、理想結合条件下でシズルプレートに磁気的に結合する実際のパワーを表わす、クックトップの回路のパラメータの代表値を固定メモリに記憶する。このメモリ項目における好ましい記憶位置は、ＲＦＩＤタグであるが、クックトップのマイクロプロセッサのメモリまたは追加のメモリデバイスを使用してもよい。
【００６６】
ＩＰＬ１および理想条件下でシズルプレートに結合するパワーの回路パラメータの代表値は、多くの可能性（負荷が接続され、インバータ「オン」時におけるクックトップの切り替え用トランジスタを介して流れる電流の強度（以下、本明細書において、Ｉtransistor idealと呼ぶ。）、負荷が接続され、インバータ「オン」時における共振電流の強度（以下、本明細書において、Ｉresonantと呼ぶ。）、負荷が接続された、切り替え用トランジスタに商業用パワー供給から流れる整流線電流の強度（以下、本明細書において、Ｉlineと呼ぶ。）、またはその他）から選択してもよい。ＩＰＬ１のクックトップ回路パラメータの代表値は、Ｉtransistor max idealと呼ばれる。しかし、ＩＰＬ１での結合されたパワーの指標をなす他のいずれかのクックトップパラメータも本発明に十分であると理解される。そのため、Ｉtransistor max idealの値は、その一次側をインバータの平均的な「オン」サイクル時に切り替え用のトランジスタの１つを通過する電流が流れ、その二次側に誘導された電流が流れる変圧器により測定してもよい。この誘導された電流は、その後整流され、クックトップのマイクロプロセッサ制御ユニットに供給される。ＩＰＬ１および理想条件下で、シズルプレートに結合されたパワーに対応する、この誘導され、整流された二次電流の強度は、Ｉtransistor max idealと呼び、表１中に示された固定メモリの位置に記憶される。
【００６７】
図５に関して、時間に対するシズルプレートの表面に接触する食品の平均温度は、理想パワーステップのシーケンスを表すグラフ上に外挿される。各理想パワーステップの終了時、シズルプレートの表面に接触する食品の平均温度を測定し、固定メモリに記憶した。通常動作時の最低温度に対応する値Ｔ（０）は、シズルプレートの事例においては、室温７２°Ｆである。理想パワーステップ１後の温度Ｔ（１）は、１００°Ｆであり、理想パワーステップ２後の温度Ｔ（２）は１３０°Ｆであり、理想パワーステップ３後の温度Ｔ（３）は、１６０°Ｆであり、理想パワーステップ４後の温度は１９０°Ｆであり、理想パワーステップ５後の温度は、２１０°Ｆであり、理想パワーステップ６後の温度Ｔ（６）は、２２４°Ｆであり、理想パワーステップ７後の温度Ｔ（７）は、２３２°Ｆであり、理想パワーステップ８後の温度Ｔ（８）は、２４０°Ｆであり、理想パワーステップ９後の温度Ｔ（９）は、２４６°Ｆであり、理想パワーステップ１０後の温度Ｔ（１０）は、所望の制御温度２５０°Ｆである。
ＭＸＤＴと呼ばれる、同一のパワーの供給の間の最大遅れ時間は、理想パワーステップ１０の終わりと理想パワーステップ１１の始めとの間の時間である。シズルプレートを例に取れば、ＭＸＤＴは１２０秒に等しい。
【００６８】
シズルプレートの現在の温度を評価するため、理想条件下でのシズルプレートの冷却挙動を測定した。得られた温度／時間曲線は、後に変更ステップで使用される。図６は、２５０°Ｆまでうまくチャージした後、クックトップから取り外し、理想条件下で冷却させた平均的なシズルプレートの温度／時間特性を示すグラフである。このグラフにプロットされたデータは、単に食品接触面上の数ヵ所に熱電対を取り付けたシズルプレートを用いて、所望の制御温度まで加熱し、理想条件で冷却させて得た。シズルプレートに関する理想条件は、通常の動作時に最も一般的に生じる。本実施例において、最初の数分間は食品を載せず、次の２０分間は食品を載置を減少させて（ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ）、その後の４０分間は、シズルプレートの食品接触面の温度が再度室温になるまで食品を載せずにおく。シズルプレートは、表面積が大きく、伝熱性が高く、放射率が高いため、冷却時にその温度／時間特性に実質的に影響を与えることなしに、外側の食品積載量は大きく変化してもよい。
【００６９】
データを得て、プロットした後、シズルプレートを温度Ｔ（１０）から温度Ｔ（９）、Ｔ（８）、Ｔ（０）まで冷却するのに要した時間を記録した。これらの時間を図６に示した。次に、冷却曲線を、群Ｔ（０）からＴ（９）の中の温度で実際の冷却曲線を交差する３本の線によりモデル化した。本実施例において、その傾斜が冷却速度１（ＣＲ1 ）と呼ばれる第１の線形セグメントは、Ｔ（１０）およびＴ（６）で冷却曲線を交差する。その傾斜がＣＲ2 と呼ばれる第２の線形セグメントは、Ｔ（６）およびＴ（２）で冷却曲線を交差する。最後に、その傾斜がＣＲ3 と呼ばれる第３の線形セグメントは、Ｔ（２）およびＴ（０）で冷却曲線を交差する。
【００７０】
モデル化された冷却曲線がより現実的なものであれば、シズルプレートの現在の温度ＥＰＴがより正確に推定され、評価される。さらに、冷却時の理想熱負荷からの偏差がより大きくなると、推定されるＥＰＴの正確さがより低くなる。理解されるように、シズルプレートのＥＰＴを決定するよう設計された提案する変更ステップは、非常に保守的である。
【００７１】
ビルディングブロック２：ＨＡ（シズルプレート）の非理想条件下で動作させる“変更ステップ”
既知のシズルプレートが、上記の理想条件下でほぼ動作しない限りにおいて、理想アルゴリズム内で使用される、変更ステップと呼ばれる式および命令は、開始条件または作業条件に関係無く、各シズルプレートの加熱動作が、２５秒間以内のクックプレートの加熱で到達目標温度２５０°Ｆ±２０°Ｆを達成するように設計されている。日々の動作において、無数の非理想条件に遭遇する可能性がある。しかし、何らかの系において、加熱動作の結果に最も影響をおよぼす非理想条件は通常特定することができる。シズルプレートの実施例において、変更ステップは、以下の２つの非理想条件の補正を試みるように準備されている。
１）クックトップおよびシズルプレート間での非理想パワー接続。
２）室温とは異なる温度でのシズルプレートの加熱動作の開始。
【００７２】
非理想パワー結合を補償するため、ＩＰＬ１および理想条件下でシズルプレートに磁気的に結合する実際のパワーを代表するクックトップ回路パラメータを固定メモリに記憶した。この回路パラメータは、理想条件下での試験により前もって決定したＩtransistor max idealである。
【００７３】
クックトップの切り替え用トランジスタを通過して流れる電流の強度を代表する他の値を、各シズルプレートの加熱動作の開始時に測定し、一時記憶として記憶した。この値は、以下、本明細書において、Ｉtransistor max actual と呼ぶ。Ｉtransistor max actual は、クックトップの各待機モードの終了時の試験パルス送信時および結果的に個々の加熱動作の開始時に測定される点以外は、Ｉtransistor max idealと同一の方法で測定される。
【００７４】
各加熱動作の開始時とは、予め待機モード（適切なインピーダンス負荷を探すため磁場の試験パルスが送信されている。）の状態にあったクックトップに、所定の感知限界以内のＩtransistor max actual 値を生じる負荷インピーダンスを有するだけではなく、クックトップの調節回路に組み込まれたＲＦＩＤリーダに適切な識別信号を送信するＲＦＩＤタグを持った対象物を載置することを意味する。対象物からの適切な負荷インピーダンスおよび適切なＲＦＩＤ識別信号は、いずれもクックトップに感知され、対象物の誘導加熱を開始する。与えられたシズルプレートは、温度が２５０°Ｆに到達するまでに多数回クックプレートから取り外し、または交換してもよく、シズルプレートを交換する度にＩtransistor max actual の新たな値が、メモリに記憶される。
【００７５】
クックトップのマイクロプロセッサに利用可能なこのＩtransistor max actual 値を用いて、理想パワーレベルをベースラインとして使用する、補正されたパワーレベルのセットを、加熱動作の非常に初期の段階にリアルタイムで計算した。シズルプレートの本実施例において、５つの補正されたパワーレベル；補正されたパワーレベル１（ＣＰＬ１）、補正されたパワーレベル２（ＣＰＬ２）、補正されたパワーレベル３（ＣＰＬ３）、補正されたパワーレベル４（ＣＰＬ４）、補正されたパワーレベル５（ＣＰＬ５）がリアルタイムで計算された。以下の表３は、各補正された出力レベルに関するインバータ「オン」時間のパーセントを計算するために使用した式を示している。
【００７６】
表  ３
補正された        インバータ「オン」時間のパーセントで
パワーレベル      表現されるパワーレベルの式
ＣＰＬ１      ＣＰＬ１＝｛（Δｔbetween transmit−Δｔtransmit）｝
／（Δｔbetween transmit）＝９３％
ＣＰＬ２      ＣＰＬ２＝（ＩＰＬ２）×［（Ｉtransistor max ideal）2 
／（Ｉtransistor max actual ）2 ］
ＣＰＬ３      ＣＰＬ３＝（ＩＰＬ３）×［（Ｉtransistor max ideal）2 
／（Ｉtransistor max actual ）2 ］
ＣＰＬ４      ＣＰＬ４＝（ＩＰＬ４）×［（Ｉtransistor max ideal）2 
／（Ｉtransistor max actual ）2 ］
ＣＰＬ５      ＣＰＬ５＝（ＩＰＬ５）×［（Ｉtransistor max ideal）2 
／（Ｉtransistor max actual ）2 ］
【００７７】
全ての利用可能な、結合されたパワーが、加熱動作を開始することが望ましいため、ＣＰＬ１はＩＰＬ１に等しい。ＩＰＬ１を補正するためのいずれの式も、決して、インバータの「オン」時間９３％を用いることで利用可能なパワー以上の結合されたパワーを与えない。ＣＰＬ１はＩＰＬ１に等しい一方で、残りの各ＣＰＬは、それぞれのＩＰＬよりも大きい「オン」時間パーセントで補正してもよく、またはより小さい「オン」時間パーセントで補正してもよい。
【００７８】
Δｔbetween transmit当たりの「オン」サイクルの回数は、上記した方法でその後計算される。一度計算が行われると、クックトップの個々のパワーレベルを実行するためのパワーレベル値および命令は、一時記憶メモリに記憶される。
【００７９】
各加熱動作の開始時にＣＰＬ１からＣＰＬ５までの値が計算されると、これらの値は一時記憶メモリに記憶され、それらは以下、本明細書において、実際のパワーステップと呼ぶ、パワーステップの実際のシーケンスを実行するために使用される。実際のパワーステップのシーケンスを以下の表４に示した。
【００８０】
表  ４
ステップ番号                    クックトップへのコマンド
実際のパワーステップ１        ２秒間ＣＰＬ１を適用* 
実際のパワーステップ２        ２秒間ＣＰＬ１を適用* 
実際のパワーステップ３        ２秒間ＣＰＬ１を適用* 
実際のパワーステップ４        ２秒間ＣＰＬ１を適用* 
実際のパワーステップ５        ２秒間ＣＰＬ２を適用* 
実際のパワーステップ６        ２秒間ＣＰＬ２を適用* 
実際のパワーステップ７        ２秒間ＣＰＬ３を適用* 
実際のパワーステップ８        ２秒間ＣＰＬ３を適用* 
実際のパワーステップ９        ２秒間ＣＰＬ４を適用* 
実際のパワーステップ１０      ２秒間ＣＰＬ４を適用* 
期間ＭＸＤＴ                  クックトップに待機モードを指令。待機モードでは、
インピーダンス限界内の負荷をチェックするため
試験パルスを１サイクル送信する**。
実際のパワーステップ１１      ２秒間ＣＰＬ５を適用**
期間（０．５０）（ＭＸＤＴ）  クックトップに待機モードを指令。待機モードでは、
インピーダンス限界内の負荷をチェックするため
試験パルスを１サイクル送信する**。
実際のパワーステップ１２      ２秒間ＣＰＬ５を適用**
先の２つのステップを不定期繰り返す。
＊各実際のパワーステップの最後の０．１５秒間、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＲＦＩＤタグと連絡する。
＊＊ＬＫＰＳの値は、決して１０以上の数を割り当てられない。しかし、各実際のパワーステップ１１の実際の終了時刻は、ｔ（ＬＫＰＳ）の更新に使用される。
【００８１】
したがって、ＩＰＬの使用を除く理想パワーステップの全ての特徴（パワーステップの継続期間、パワーステップの数、遅れ時間等）は守られている。ＩＰＬの代わりにＣＰＬが挿入された理想パワーステップのシーケンスを実行する上での目標は、理想パワー結合を除いた他の全ての理想動作条件下で、実際のパワーシーケンスを実行した際に、図５に重ね合わせて示したのとほぼ同一の温度／時間曲線を保証することである。別の理想動作条件下で適用された各実際のパワーステップの終了時に到達した実際の温度は、より低いパワー結合効率に対してＩＰＬ１を補正できないため、Ｔ（１）からＴ（１０）までに等しくないかもしれないが、各々到達する温度は、決してより高い温度にはならないが、非常に近い値となる。
【００８２】
上記概略を示した手順は、この要因によりＩtransistor max actual もまたＩtransistor max idealと異なるので、商業用パワー供給の非理想線電圧をも補正する。
【００８３】
加熱開始時の実際の温度にかかわらず、ＨＡ（シズルプレート）が、シズルプレートを所望の制御温度に到達できるためには、まず最初に現在の温度を評価し、その後クックトップは適切な実際のパワーステップで実際のパワーステップのシーケンスを開始しなければならない。また、シズルプレートは、決して室温未満に冷却されないと仮定される。シズルプレートをクックトップ上に載置した際、シズルプレートが室温未満である場合、ＨＡ（シズルプレート）は、シズルプレートを所望の２５０°Ｆ未満の温度に到達させる。これは安全な結論である。また、シズルプレートは、本発明のクックトップ以外の熱源（その上部表面に載置された食品以外のもの）を決して対象としないと仮定される。
【００８４】
実際のパワーステップ１からステップ１０の終了後に達成されると仮定された温度Ｔ（１）からＴ（１０）は、理想冷却線上の様々な位置で図６に示されたものと同一の温度である。冷却曲線上で、これらの温度Ｔ（０）〜Ｔ（１０）の各々が対応するものは、完全に加熱されたシズルプレートをそれぞれの温度に冷やすために必要とされる秒単位の時間である。ＥＰＴを決定するように設計された加熱アルゴリズムＨＡ（シズルプレート）のこの部分の第１のステップは、シズルプレートをＴ（１０）（実際のパワーステップ１１後になることが仮定される同一の温度）からＴ（ＬＫＰＳ）のうちの与えられた温度まで冷却するのに必要な秒数に対応するｎと呼ばれる値を一時記憶位置に割り当てることである。
以下の表５は、”ｎ”を値に割り当てる手段を記述している。シズルプレートがクックトップ上に置かれ、最初のＲＦＩＤタグの伝送が、ＬＫＰＳとｔ（ＬＫＰＳ）の値をＲＦＩＤリーダー／ライター、およびこのようにそれらの各々の一時メモリの位置に伝送した後、”ｎ”の値は直ちに可変メモリに割り当てられる。このように、ＲＦＩＤタグから回収するＬＫＰＳの値に基づいて、理想条件でＴ（１０）からＴ（ＬＫＰＳ）に冷却するために必要な秒数は、”ｎ”として記憶される（ＲＦＩＤタグ内のメモリには、１０より大きい値はＬＫＰＳとして記憶されないことを覚えているので）。
【００８５】
表  ５
加熱動作の開始時のＬＫＰＳの              割り当て値ｎは以下である。
ＲＦＩＤタグ値が以下である場合
ＬＫＰＳ＝１０である場合              ｎ＝０である。
ＬＫＰＳ＝９である場合                ｎ＝１２０である。
ＬＫＰＳ＝８である場合                ｎ＝３６０である。
ＬＫＰＳ＝７である場合                ｎ＝７２０である。
ＬＫＰＳ＝６である場合                ｎ＝１２００である。
ＬＫＰＳ＝５である場合                ｎ＝１４４０である。
ＬＫＰＳ＝４である場合                ｎ＝１８００である。
ＬＫＰＳ＝３である場合                ｎ＝２１００である。
ＬＫＰＳ＝２である場合                ｎ＝２４００である。
ＬＫＰＳ＝１である場合                ｎ＝３０００である。
ＬＫＰＳ＝０である場合                ｎ＝３６００である。
【００８６】
ＥＰＴを決定するように設計された加熱アルゴリズムＨＡ（シズルプレート）のこの部分における第２のステップは、累積冷却時間ＥＬＣＬＴを決定して、一時記憶部位にその値を秒単位で記憶することである。ＥＬＣＬＴは、単純にリアルタイム時計により決定されるか、またはクックトップのマイクロプロセッサの時計を反映した現在の時刻Ｐｔから適用された最新の既知のパワーステップの終了時刻ｔ（ＬＫＰＳ）を差し引いた時間に等しい。
【００８７】
ＥＰＴを決定するように設計された加熱アルゴリズムＨＡ（シズルプレート）のこの部分における最後のステップは、表６に記載したｉｆ，ｔｈｅｎの命令に従う。
【００８８】
表  ６
６≦ＬＫＰＳ≦１０であって、
０≦ＥＬＣＬＴ≦（１２００−ｎ）である場合、
ＥＰＴ＝Ｔ（ＬＫＳ）−｛（ＣＲ1 ）・（ＥＬＣＬＴ）｝である。
（１２００−ｎ）＜ＥＬＣＬＴ≦（２４００−ｎ）である場合、
ＥＰＴ＝Ｔ（ＬＫＳ）−｛（ＣＲ1 ）・（１２００−ｎ）｝＋
｛（ＣＲ2 ）・（ＥＬＣＬＴ）−（１２００−ｎ）｝である。
（２４００−ｎ）＜ＥＬＣＬＴ≦（３６００−ｎ）である場合、
ＥＰＴ＝Ｔ（ＬＫＳ）−｛（ＣＲ1 ）・（１２００−ｎ）｝＋
｛（ＣＲ2 ）・（１２００）｝＋｛（ＣＲ2 ）・（ＥＬＣＬＴ）
−（２４００−ｎ）｝である。
（３６００−ｎ）＜ＥＬＣＬＴである場合、ＥＰＴ＝Ｔ（０）である。
２≦ＬＫＰＳ≦６であって、
０≦ＥＬＣＬＴ≦（２４００−ｎ）である場合、
ＥＰＴ＝Ｔ（ＬＫＳ）−｛（ＣＲ2 ）・（ＥＬＣＬＴ）｝である。
（２４００−ｎ）＜ＥＬＣＬＴ≦（３６００−ｎ）である場合、
ＥＰＴ＝Ｔ（ＬＫＳ）−｛（ＣＲ2 ）・（２４００−ｎ）｝＋
｛（ＣＲ3 ）・ＥＬＣＬＴ−（２４００−ｎ）｝である。
（３６００−ｎ）＜ＥＬＣＬＴである場合、ＥＰＴ＝Ｔ（０）である。
０≦ＬＫＰＳ＜２であって、
０≦ＥＬＣＬＴ≦（３６００−ｎ）である場合、
ＥＰＴ＝Ｔ（ＬＫＳ）−｛（ＣＲ3 ）・（ＥＬＣＬＴ）｝である。
（３６００−ｎ）＜ＥＬＣＬＴである場合、ＥＰＴ＝Ｔ（０）である。
【００８９】
したがってＥＰＴを決定するための式は、値ＥＬＣＬＴ、ｎ、Ｔ（ＬＫＰＳ）および線形冷却速度ＣＲ1 、ＣＲ2 、ＣＲ3 を必要とする。例えば、シズルプレートに取り付けたＲＦＩＤタグから回収したＬＫＰＳ値が８である場合、対応するＥＰＴ値は、｛Ｔ（８）−［（ＣＲ1 ）（Ｐｔ−ｔ（８））］｝に等しい。
【００９０】
表６に示した加熱アルゴリズムの部分を用いてＥＰＴが決定されると、クックトップのマイクロプロセッサ内にこのＥＰＴ値を用いる命令がプログラムされ、表４に示したシーケンスの適切な実際のパワーステップで加熱動作が開始される。以下の表７は、クックトップのマイクロプロセッサ内にプログラムされ、ＥＰＴと等しい実際のパワーステップで加熱動作を開始させる命令を示している。与えられた加熱動作の開始時に計算されたＥＰＴ値が与えられたＴ（ＬＫＰＳ）未満の場合、クックトップは、シズルプレートは実質的に前記Ｔ（ＬＫＰＳ）に非常に近いという仮定に対応する実際のパワーステップで加熱動作を開始する。このようにして、いずれのシズルプレートの実際の制御温度は、常に所望される制御温度以下である。これは最も安全な方法である。例えば、ＥＰＴがＴ（３）超Ｔ（４）未満の温度であると計算された場合、加熱アルゴリズムＨＡ（シズルプレート）は、実際のパワーステップ５で加熱動作を開始する。
【００９１】
表  ７
ＥＰＴ＝Ｔ（０）である場合、
実際のパワーステップ１に進み（ＧＯＴＯ）、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了（実行）する。
Ｔ（０）＜ＥＰＴ≦Ｔ（１）である場合、
実際のパワーステップ２に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（１）＜ＥＰＴ≦Ｔ（２）である場合、
実際のパワーステップ３に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（２）＜ＥＰＴ≦Ｔ（３）である場合、
実際のパワーステップ４に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（３）＜ＥＰＴ≦Ｔ（４）である場合、
実際のパワーステップ５に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（４）＜ＥＰＴ≦Ｔ（５）である場合、
実際のパワーステップ６に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（５）＜ＥＰＴ≦Ｔ（６）である場合、
実際のパワーステップ７に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（６）＜ＥＰＴ≦Ｔ（７）である場合、
実際のパワーステップ８に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（７）＜ＥＰＴ≦Ｔ（８）である場合、
実際のパワーステップ９に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（８）＜ＥＰＴ≦Ｔ（９）である場合、
実際のパワーステップ１０に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
Ｔ（９）＜ＥＰＴ≦Ｔ（１０）である場合、
実際のパワーステップ１１に進み、実際のパワーステップの残りのシーケンスを完了する。
【００９２】
ビルディングブロック３：一時データ記憶位置および各位置に現在の情報を入力する手段
上記したように、情報のいくつかの部分が、シズルプレートに取り付けられたＲＦＩＤタグから回収されるか、またはＨＡ（シズルプレート）を正確に動作させるためにクックプレートの回路センサで実施された測定から決定される。これらの情報の必要とされる部分の大半、それらを決定する手段、およびそれらに与えられた名称については上記した。表８は、クックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶メモリ位置に記憶されなければならないこれら必要なデータ項目のリストである。
【００９３】
表  ８
情報                                            識別コード
１）適用された加熱アルゴリズムの最近の        ＬＫＰＳ
既知のパワーステップ
２）適用された加熱アルゴリズムの最新の        ｔ（ＬＫＰＳ）
既知のパワーステップの終了時刻
３）最近の既知のパワーステップの終了時        Ｔ（ＬＫＰＳ）
の温度
４）経過した冷却時間                          ＥＬＣＬＴ
＝（Ｐｔ−ｔ（ＬＫＰＳ））
５）推定現在温度                              ＥＰＴ
６）実際のパワーステップの繰り返し間での      ＤＴ
遅延時間
７）補正されたパワーレベル１                  ＣＰＬ１
（インバータ「オン」時間のパーセント）
８）補正されたパワーレベル２                  ＣＰＬ２
（インバータ「オン」時間のパーセント）
９）補正されたパワーレベル３                  ＣＰＬ３
（インバータ「オン」時間のパーセント）
１０）補正されたパワーレベル４                ＣＰＬ４
（インバータ「オン」時間のパーセント）
１１）補正されたパワーレベル５                ＣＰＬ５
（インバータ「オン」時間のパーセント）
１２）クックトップの待機モードでインバータ    Ｉtransistor max actual
「オン」状態、試験パルス送信時にクックトップ
の切り替え用トランジスタを通過して流れる電流
の強度
１３）現在の時間（リアルタイムの時計または    Ｐｔ
クックトップのマイクロプロセッサの時計から
決定される）
１４）Ｔ（１０）から与えられた実際のパワー    ｎ
レベルの結果に対応する温度まで冷却するのに
必要とされる秒数
【００９４】
包括的ソフトウェアアルゴリズムおよびＨＡ（シズルプレート）の実行
図７は、下記の表９に説明される情報の少なくとも３つの必須項目がＲＦＩＤタグの記憶装置に記憶されていると仮定して、クックトップに対してＨＡ（シズルプレート）にアクセスするように命令する好ましい包括的ソフトウェアアルゴリズムを示すフローチャートである。
【００９５】
表  ９
必須情報
情報                                コード      Ａｒｉｏ４０−ＳＬタグ
イニシャル  で要求されるバイト数
１）対象物の種類                    ＣＯＢ                １
２）加熱アルゴリズムの最新の既知    ＬＫＰＳ              １
のパワーステップ
３）アルゴリズムの最新の既知の時間  ｔ（ＬＫＰＳ）
随意の情報
情報                                                コードイニシャル
４）固定記憶装置の変数のいずれか                    同左
１〜２２
５）完全な加熱サイクルの合計数                      サイクル番号
タグの完了
６）第１の温度スイッチでの実際の温度                ＴＳ１
温度上昇時にＲＦＩＤタグへの接続を動作させる。
７）第２の温度スイッチでの実際の温度                ＴＳ２
温度上昇時にＲＦＩＤタグへの接続を動作させる。
８）ＴＳ１およびＴＳ２間での経過時間                ＴＳ１／ＴＳ２＿時間
理想冷却負荷
記：これらの項目は、１またはそれ以上の温度スイッチがＲＦＩＤタグに接続された代替態様に好ましい。
【００９６】
上記３つの必要とされる情報の項目の内最初のものは、" 対象物の種類又はＣＯＢ" である。この情報の項目は、ＲＦＩＤタグのマイクロプロセッサメモリに固定記憶される。そして、クックトップのＲＦＩＤリーダ／ライタからの情報を用いて書き換えされることはない。シズルプレートに固定されたＲＦＩＤタグに対して、ＣＯＢのディジタルコードはシズルプレートの種類に対して一意である。対象物についての異なる種類のために、ディナープレートを例に取れば、異なるディジタルコードがそのＲＦＩＤタグ上に存在する。そのＣＯＢは、すべてのシズルプレートから付されたシズルプレートを、さらに一意に識別するコード部を含んでもよいし、含まなくてもよい。
【００９７】
必要とされる情報のその他の２つの項目、すなわち加熱アルゴリズムの最新の既知のパワーステップＬＫＰＳ及びアルゴリズムの最新の既知のパワーステップの時刻ｔ（ＬＫＰＳ）は、ＨＡ（シズルプレート）の一時記憶メモリの中に対応するメモリ領域を持つ。（さらに、対象物の他の種類には、上述のＨＡ（ＣＯＢ）の対応する一時記憶メモリの中に対応するメモリ領域を持つ。）ＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）の値は、新しく使うシズルプレートに付された新たに製造されたＲＦＩＤタグ上では０としてプログラムされる。以降、これらの値はＲＦＩＤリーダ／ライタによって定期的に書き換えられる。
【００９８】
さらに、表９はＲＦＩＤタグに記憶してもよい付加情報を示している。例えば、固定メモリの変数のいずれかがＲＦＩＤタグを記憶してもよい。さらにＲＦＩＤタグが完了した全加熱サイクルの合計数を記憶してもよい。この情報は当該タグの交換時期を、ユーザに気づかせるために使用することができる。
【００９９】
図７を参照して、包括制御アルゴリズムの動作は次のように説明する。このときクックトップへのパワーはステップ５４で供給されているものとする。まず、クックトップは待機モードであるステップ５６に戻る。そして、テストパルスが毎秒送られる。これは対象物がクックトップ上に置かれているかどうか決定するためであり、この目的用のセンサ３１を用いて、各パルスでのＩtransistorが測定される。次に、ステップ５８で、ＩtransistorがＩ1 以上かどうか、及びＩ2 以下かどうかが測定される（これらの電流値は、トランジスタが電流低および電流高での効率に基づき、具体的なクックトップ用にプリセットされる。）。さらに、表８に示されているように、マイクロプロセッサメモリ中の全ての一時記憶メモリの項目に値０が付与される。但し、リアルタイムクロック上、または、マイクロプロセッサの時刻基準に登録されている現在時刻を常に含むＰｔ（現在時刻）はその対象から除く。問合せ５８への応答が" いいえ（ＮＯ）" である場合、この場合は適正な誘導加熱可能な対象物がクックトップ上にないことを意味し、プログラムはステップ５６へと戻る。ステップ５８の中での応答が" はい（ＹＥＳ）" の場合は、プログラムはステップ６０へと進む。ステップ６０では、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、互換性のあるＲＦＩＤタグからの応答をサーチするための信号を送る。次のステップ６２では、ＲＦＩＤリーダ／ライタがＲＦＩＤタグから有効なＣＯＢコードを受けとるかどうかの決定が行われる。当該質問に対する回答が" いいえ（ＮＯ）" の場合は、（例えば、この" いいえ（ＮＯ）" の場合は、ＲＦＩＤタグが付されていない鋳鉄のプレートがクックトップ上に置かれる場合に生じ得る）、当該プログラムはステップ５６へ戻り、クックトップは待機モードのままの状態にされる。このようにして、望まれない対象物が著しい程度まで熱が加えられることはなくなる。
【０１００】
有効なＣＯＢコードが受けとられ、ステップ６２における回答が" はい（ＹＥＳ）" であり、かつリード／ライタが適当なＣＯＢコードをクックトップのマイクロプロセッサへ送ることを前提としてプログラムがステップ６４へ進んだ場合、ＨＡ（シズルプレート）の当該場合には、このことがソフトウエアのアルゴリズムを適当なＨＡ（ＣＯＢ）へと向かわせる。ＨＡ（シズルプレート）の実行中、ステップ６６で、ステップ６８に反映されているように、クックトップは負荷インピーダンスを定期的に測定し、かつそれが制限以内にあるということを確かめることを続行する。Ｉtransistorの値が境界の限界内にある限り、ＨＡ（シズルプレート）のアルゴリズムのステップは順番に続けられる。しかし、（このシズルプレートがクックトップから取り外される場合に生じるであろうような）これらの限界外に、Ｉtransistorの値が当てはまる場合には、当該アルゴリズムはＨＡ（シズルプレート）から抜け出し、図７の包括的アルゴリズムは、クックトップが待機モードにあるステップ５６にリターンする。
【０１０１】
次に、注意を図８に向ける。図８は、ＨＡ（ＣＯＢ）、特にはＨＡ（シズルプレート）のための重要なアルゴリズム命令を例示している。ここでの議論では、図７のステップ６４が図８のアルゴリズムを初期化しており、さらに室温で新たなシズルプレートが加熱デバイス上に配置され、２つの実際のパワーステップ１１を介してそこに維持されているものとする。従って、ステップ７０では、リーダ／ライタがシズルプレート上のＲＦＩＤに応答信号を発した際に、ＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）は値０を持ち、ＨＡ（シズルプレート）内のＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に対応する一時記憶メモリ位置が値０を受け取る。次に、ステップ７２では、Ｉtransistorの値が測定され、（クックトップがまだその待機モードにあるときに）Ｉtransistor max actual のＨＡ（シズルプレート）の一時記憶メモリ位置に記憶される。表３で挙げられている式を用いて、ステップ７４で加熱操作のためのＣＰＬの値が計算される。ユーザが該シズルプレートをクックトップ上の適当な位置に配置したならば、これらのＣＰＬの値は、これらの値に対応する値ＩＰＬに略等しくなるであろう。ステップ７６で、ＬＫＰＳがゼロに等しいので、値３６００がｎに割り当てられる。ステップ７８で、ＥＬＣＬＴの値は３６００秒よりもずっと大きくなるように計算され、一時記憶メモリに記憶される。次に、ステップ８０で、ＥＰＴは、Ｔ（０）又は７２°Ｆに等しいとして計算される。このＥＰＴの値はさらに一時記憶メモリに記憶される。ステップ８２では、この記憶されたＥＰＴの値を使用して、クックトップのマイクロプロセッサが表７に挙げられた命令に従い、実際のパワーステップ１で、表４に記載されたような実際のパワーステップのシーケンスを開始する。
【０１０２】
ステップ８４では、クックトップがすべての残りの実際のパワーステップ（１から１０及び２つの１１のステップ）を完了するように命令される。各実際のパワーステップの終了時、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、まさに完了されたＬＫＰＳの値（値１０まで）を伝送する。例えば、実際のパワーステップ１の終了時において、時間間隔Δｔtransmitの間に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＬＫＰＳとして値１を送信し、ＲＦＩＤタグは、ＬＫＰＳの専用のメモリの位置に当該値を記憶する。同時に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはさらに、好適にはＵＴＣフォーマットで伝送時刻を送信する。この情報は、ｔ（ＬＫＰＳ）用に設定されたＲＦＩＤタグメモリの位置に記憶される。各連続した実際のパワーステップの終了時において、ＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）用に設定されたＲＦＩＤタグのメモリの位置は２つの新しい値を受け取る。
【０１０３】
さらに、ＩtransistorがＩ1 とＩ2 との間にあることを確証しながら、ステップ６８（図７）の問合せがステップ８４において繰り返されることがわかる。すなわちこれが得られる限り、ステップ８４が続行され、残りの実際のパワーステップが実行される。しかし、ステップ６８の問合せに対する応答が" いいえ（ＮＯ）" であるならば、一時記憶メモリの値は０に設定され（ステップ８６）、当該ソフトウエアは図７のステップ５６の待機モード（すなわち、テストパルスを除いてインバータ「オフ」の状態）に戻る。
【０１０４】
このシナリオでは、シズルプレートがクックトップから取り除かれて初めて、実際のパワーステップ１１の２つの適用が完了され、それゆえに当該プレートは華氏２５０度±２０度の所望の制御温度に達する。一旦取り除かれると、当該プレートのＲＦＩＤタグはそのメモリ内に次の情報（ＬＫＰＳ＝１０、ｔ（ＬＫＰＳ）＝実際のパワーステップ１１の第２の適用が完了された時間、及びＣＯＢ＝シズルプレート）が記憶される。許容されるＬＫＰＳの最高値が１０であるために、ＲＦＩＤタグのメモリは、ｔ（ＬＫＰＳ）により更新され、実際のパワーステップ１１の最新の適用の時間を反映する一方、シズルプレートは過去のチャージ履歴に関する情報を備える。
【０１０５】
次に、シズルプレートが顧客へ供され、その後、洗われ、棚にしまわれ、再び６０分の時間の後にクックトップ上に配置されることになるが、6 秒後には取り除かれるものとする。上記に注釈したように、プレートのＲＦＩＤタグメモリはＬＫＰＳに値１０及びｔ（ＬＫＰＳ）の値を持つ。このｔ（ＬＫＰＳ）の値は、図８のステップ７０においてＲＦＩＤリーダ／ライタがＲＦＩＤタグに応答信号を送信する時刻より一時間前の第２の実際のパワーステップ１１の適用の終了時に対応する。
【０１０６】
したがって、ＨＡ（シズルプレート）内のＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に対応し、クックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶メモリ位置は、ちょうど述べたところの１０の値とｔ（ＬＫＰＳ）の値とを受け取る。次に、ステップ７２において、クックトップからの磁場の次のテストパルスの時に（クックトップがまだその待機モードにある時に）、Ｉtransistorの値は、測定され、I transisor max actualのＨＡ（シズルプレート）の一時記憶メモリ位置に記憶する。表３の式を用いて、この加熱操作のためのＣＰＬの値はステップ７４で計算される。もしユーザがクックトップ上部の適当な場所にシズルプレートを配置するならば、ＣＰＬのこれらの値は、これらの値に対応するＩＰＬの値に略等しくなるであろう。ステップ７６において、値０は、ｎに割り当てられる。その理由は、ＬＫＰＳが１０に等しいからである。ステップ７８においては、ＥＬＣＬＴの値が３６００秒に等しくなるように計算され、一時記憶メモリに記憶される。その結果、ステップ８０では、ＥＰＴの値がＴ（０）又は７２°Ｆに等しくなるように（表６の命令によって）計算される。ＥＰＴのこの値は一時記憶メモリに記憶される。ＥＰＴのこの記憶された値を用いて、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記述されているような命令に従い、実際のパワーステップ１で記載されたような実際のパワーステップのシーケンスを開始する。
【０１０７】
ステップ８４は、クックトップにすべての残りの実際のパワーステップ（１から１０および１１）を完了するように命令する。各実際のパワーステップの終了時において、ＲＦＩＤリーダ／ライタはちょうど完了された（値１０は超えない）ＬＫＰＳの値を送信する。例えば、時間間隔Δｔtransmitの間に実際のパワーステップ４の終了時において、R ＦＩＤリーダ／ライタは、ＬＫＰＳとして値４を送信し、ＲＦＩＤタグはＬＫＰＳの専用のメモリ位置に当該値を記憶する。同時に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはさらに送信の日の時刻も送信する。この情報はｔ（ＬＫＰＳ）用に設定されたＲＦＩＤタグのメモリ位置に記憶される。個々の連続した実際のパワーステップの終了時において、ＲＦＩＤタグのメモリはＬＫＰＳ（１０までの値）及びｔ（ＬＫＰＳ）に関する２つの新たな値を受けとる。
【０１０８】
シズルプレートが６秒後にクックトップから取り除かれるという事実に鑑みて、実際のパワーステップ３の適用がまさに完了されることになるであろう。このようにして、略Ｔ（３）の温度に達成されることになるであろう。さらに、ＲＦＩＤタグはクックトップから取り除かれるときにそのメモリに次の情報（ＬＫＰＳ＝３、ｔ（ＬＫＰＳ）＝実際のパワーステップ３のアプリケーションがまさに完了した時刻、及びＣＯＢ＝シズルプレート）が記憶される。このようにして、シズルプレートは過去にチャージされた履歴に関する情報を備え、再び蓄電部（チャージャ）上に置かれるような準備される。
【０１０９】
次に、略Ｔ（３）の温度でシズルプレートがクックトップ上に直ちに再び配置されるものとした場合、シズルプレートは、ＬＫＰＳには値３を、第２の実際のパワーステップ３の適用の終了時に対応するｔの値（ＬＫＰＳ）を持つ。ｔ（ＬＫＰＳ）の値がマイクロプロセッサの値と一致するとみなすと、一旦、それはクックトップ上で置換され、ステップ７０において、ＨＡ（シズルプレート）におけるＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に対応し、かつクックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な一時メモリ位置は、まさに述べたように、３の値及びｔ（３）の値を受け取る。次に、ステップ７２において、クックトップからの磁場の次のテストパルスのときに（クックトップがまだ待機モードのときに）、Ｉtransistorの値は測定されて、Ｉtansistor max actualのＨＡ（シズルプレート）の一時記憶メモリ位置に記憶される。表３の式を用いて、当該熱処理操作のためのＣＰＬの値がステップ７４で計算される。もしユーザがクックトップの上部の適当な位置にシズルプレートを配置した場合には、ＣＰＬの値はこれらに対応するＩＰＬ値に略等しくなるであろう。ステップ７６においては、値２１００はｎに割り当てられる。その理由はＬＫＰＳは、３に等しいからである。ステップ７８において、ＥＬＣＬＴの値は、1 秒等に等しくなるように計算され、それは一時記憶メモリに記憶される。その結果、ステップ８０では、ＥＰＴの値はＴ（３）を僅かに下回るが、Ｔ（２）よりも大きい温度に等しいように（表６の命令を介して）計算される。ＥＰＴのこの値は一時記憶メモリに記憶される。この記憶されたＥＰＴの値を用いて、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記載されているような命令に従い、実際のパワーステップ４において、表４に記載されたような実際のパワーステップのシーケンスを開始する。
【０１１０】
ステップ８４は、クックトップにすべての残りの実際のパワーステップ（ステップ４から１０および１１）を完了するように命令する。個々の実際のパワーステップの終了時には、ＲＦＩＤのリーダ／ライタが、それが完了する（ＬＫＰＳの値が１０に達するまで）ＬＫＰＳの値を送信する。例えば、実際のパワーステップ４の終了時においては、時間間隔Δｔtranmit の間に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＬＫＰＳとして値４を送信し、ＲＦＩＤタグはＬＫＰＳの専用のメモリ位置に当該値を記憶する。同時に、ＲＩＦＤリーダ／ライタはさらに送信の日の時刻を送信する。この情報はｔ（ＬＫＰＳ）用に設定されたＲＦＩＤタグのメモリ位置に記憶される。個々の連続した実際のパワーステップの終了時においては、ＲＦＩＤタグのメモリがＬＫＰＳ（１０を超えない）及びｔ（ＬＫＰＳ）に関する２つの新たな値を受け取る。
【０１１１】
このシナリオでは、クックトップは、シズルプレートを略２５０°Ｆに不定期保持する。ＲＦＩＤメモリ内のＬＫＰＳの値は１０のままで維持され続けており、ｔ（ＬＫＰＳ）の値は、個々の実際のパワーステップ１１の終了時に連続して更新される。
【０１１２】
前述したように、図１に示された給仕用シズルプレート２２は、更なる特徴としてサーマルスイッチ５２を含んでもよい。さらに、図９及び図１０は、それぞれ１個又は２個のサーマルスイッチを備えたＲＦＩＤタグを例示している。図１の実施例の場合には、サーマルスイッチ５２は、好適には鋳鉄プレート４６の下表面に接触している。
【０１１３】
ここでのサーマルスイッチの目的は、特定の温度におけるいくつかの態様でタグからのデータの送信を変更することである。ここでサーマルスイッチは作動し、ＲＦＩＤリーダは、サーマルスイッチが作動した後、タグからそのような作動の前に受け取ったものとは異なる情報を受け取る。本質的に、１または複数のサーマルスイッチとＲＦＩＤタグの組み合わせは、無線周波数の応答信号をＲＦＩＤリーダ／ライタへ送信することができるスイッチ自体になる。これによって、ＲＦＩＤリーダ／ライタは切り替え動作が起こったことを知る。しかし、この新たな組み合わせのスイッチは、" インテリジェントである（高度な処理能力を持っている）" 。その理由は、このスイッチはさらに好適実施例に記載されたようなディジタル情報、すなわちＲＦＩＤリーダ／ライタによって読み取りおよび更新が可能な情報、のすべてを記憶することができる。
【０１１４】
次に図９に戻ると、組み合わされたＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチ複合体８８が例示されている。この例では、ＲＦＩＤタグ９０は、型彫りされた銅製アンテナ９４がその上に備わったエポキシベース（基台）９２で作成されているＧｅｍｐｌｕｓ  ＡＲＩＯ４０−ＳＬ  Ｓｔａｍｐである。このアンテナ９４は集積回路（この集積回路はタグの裏面上にあるため図９では示されていないが）に接続されている。銅製アンテナ９４は２枚の" 終端プレート" ９６及び９８で末端部を成している。これらのプレートは、アンテナ線の他の残部よりも寸法がずっと大きな矩形片である。このＡＲＩＯ  ４０−ＳＬ  ＳＴＡＭＰの構成は、ＡＲＩＯ  ４０−ＳＭモジュールやさらに小さなＡＲＩＯ  ４０−ＳＭＤと同様であるが、サーマルスイッチへの接続を、簡易なタスクにしている。しかし、いかなるＲＦＩＤタグも、本発明による複合体を作るのに適当である。その理由は、すべてのこのようなタグはアンテナと集積回路との両方を含むからである。
【０１１５】
ＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチの複合体又は" インテリジェントスイッチ" のその他の構成部品はサーマルスイッチ１００自体である。開接点から閉接点へ、又は閉接点から開接点へ、プリセットした温度又は可変の温度で切り替える従来のスイッチのいずれもが、そのスイッチに適当である。適当なスイッチは以下の特徴を持つ：小さなサイズ、成形性、高い動作温度、磁場内での動作能力、プリセットされた切り替え温度の小さな許容差、及びばらつきの狭さである。±５°Ｆの許容差を有し、１５０°Ｆの温度で開接点から閉接点へ作動するように工場で設定されるサーマルスイッチは、１４５°Ｆと１５５°Ｆとの間のどこかで閉接点となる。しかし、切り替えが閉じられた後で、それはある有限時間で、結果として有限の温度範囲において、スイッチが再び開放する温度まで冷却されるまで、閉接点の状態のままとされる。この有限の温度範囲は前述の差として規定される。例えば、４０°Ｆ±２０°Ｆの差を持つ、上述したような完全な動作をする（通常は開状態の）スイッチは１３０度に達するまでに再び開放する。そして再び開放する前に９０°Ｆ程の低い温度に冷却され得るであろう。
【０１１６】
本発明で使用される好適なサーマルスイッチ１００は、小型のバイメタルサーモスタットであり、ときにはよくサーマルプロテクタとも呼ばれる。これらは調節目的又は温度規制目的のいずれかの用途で通常使用される。これらは、次の２つの形態、すなわち、１）温度上昇時（通常は開状態であるが）閉状態、又は２）温度上昇時（通常は閉状態であるが）開状態のうちいずれかの形態で購入され得る。この発明のための好適なスイッチモデルはＴｈｅｍａｌ  ＳｅｎｓｉｎｇＰｒｏｄｕｃｔｓのＡｉｒｐａｘ（登録商標）によって製造される５００３シリーズの小型バイメタルサーモスタットである。このサーモスタットは本発明のための利益であるスイッチング温度範囲のために１５°Ｆの差を持つ。他の適当なサーマルスイッチは、Ｔｅｘａｓ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓにより製造されるバイメタルスナップアクションのサーモスタットのＫｌｉｘｏｎ（登録商標）や、Ａｉｒｐａｘシリーズ６６００の小型バイメタルスナップアクションサーモスタット、及びＵＣＨＩＹＡによって製造され、カリフォルニア州のＳｅｌｃｏ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社によって販売されるＯＰ６及びＵＰ７シリーズのバイメタルサーモプロテクタである。これらの後者に述べたスイッチは、５００３よりも小さいけれども、通常は５０°Ｆの差を持つ。
【０１１７】
ＲＦＩＤタグを、インテリジェント無線周波数スイッチ又は複合体に転用する最もシンプルな方法は、サーマルスイッチの各端部を終端プレート９６及び９８におけるアンテナの各端部に接続することである。シンプルなはんだ付けで十分である。勿論、この接続は、ユーザ又はＲＦＩＤタグ製造者によって製造工程の後工程として成され得る。
【０１１８】
１個のサーマルスイッチ１００がこの態様で接続されているとき、このスイッチは（通常は開状態であるが）温度上昇時に閉状態となるスイッチであるべきである。このことはＲＦＩＤタグと、（ここではＴＳ１として規定される）スイッチング温度未満の温度でＲＦＩＤリーダとの通信を通常可能とさせる。その理由は、アンテナ９４がその本来のインピーダンス特性を維持しているからである。ＴＳ１より上の温度では、サーマルスイッチ１００は閉じられている。このことは、そのインピーダンス特性を変えながら、アンテナ９４を短絡させ、それとＲＦＩＤリーダ／ライタとの通信を妨げる。勿論、バイメタルサーモスタットのために冷却している間に存在する" 差" の温度の範囲の間では（例えば、Ａｉｒｐａｘ５００３シリーズのサーモスタットに対するＴＳ1 よりも低い１５°Ｆ）図９に示されているように構成されたＲＦＩＤアンテナ９４は、ＲＦＩＤリーダ／ライタと通信ができない。小さな差を持つサーマルスイッチ１００に関して、この事実は後述される交互の温度制御方法の精度及び正確を大きく損ねることはない。しかし、サーマルスイッチにより大きな差があればある程、" ミュートネス（ｍｕｔｅｎｅｓｓ）" の温度範囲はずっと大きくなり損失となる。
【０１１９】
図１０は、ＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチの複合体１０２を示す。この複合体１０２は大きな差を持つ１個のバイメタルスイッチによって生じ得る上記" ミュートネス" の問題を克服する。この複合体１０２は、ベース９２、アンテナ９４、及びプレート９６、９８を持つ同じＲＦＩＤタグ９０を含む。しかし、この例では、２つの直列関係にあるサーマルスイッチ１０４、１０６が、図示されているように終端プレートへ接続されている。スイッチ１０６は通常は開状態にあるが昇温スイッチが入った時には閉じる。一方、その他のスイッチ１０４は通常は閉状態にあるが昇温スイッチが入った時には開状態にある。スイッチ１０６は、通常閉であるスイッチ１０４のスイッチング温度ＴＳ２より低い、スイッチング温度ＴＳ１を持たなければならない。このようにして、昇温の間、ＴＳ１前に、ＲＦＩＤタグは通常ＲＦＩＤリーダと通信することができる。ＴＳ１とＴＳ２との間では、ＲＦＩＤタグはＲＦＩＤリーダと通信することはできない。上記のＴＳ２の通信は再び通常状態である。冷却の間、上記" ミュートネス" 温度の期間はもはや１個のバイメタルサーモスタットの上記差ではないが、今はＴＳ１とＴＳ２との間の温度差である。この温度間隔は、ＴＳ２の値は制御温度として選択される場合は、設計者によって小さく選択され得る。しかし、ＴＳ１が較正温度として選択され、上記制御温度としては選択されない場合には、ＴＳ１とＴＳ２との間のより大きな温度間隔が選択され、理想的でない冷却負荷を補償するのに使用可能である。
【０１２０】
" インテリジェントな" スイッチ又は複合体に提供する、1 個以上のサーマルスイッチをＲＦＩＤタグと接続するもっともシンプルな方法は、上記アンテナを短絡するように上記サーマルスイッチを接続することであるという事実にかかわらず、タグのＥＥＰＲＯＭ部のみを短絡するように、１個以上のサーマルスイッチをＲＦＩＤタグに接続することも可能である。この接続態様では、スイッチ温度ＴＳ１未満の温度で（又はデュアル（２個）スイッチの構成のためのＴＳ２よりも上の温度で）ＲＦＩＤタグは十分な通信能力、すなわち読み取りおよび書き込み能力をもつであろう。しかし、ＴＳ１よりも上の温度で（又は上記デュアルスイッチの構成に対するＴＳ１とＴＳ２との間の温度で）、タグは読取り専用タグとして挙動するであろう。このようにして、ＲＦＩＤリーダ／ライタ及び本発明の誘導加熱デバイスは、タグがリーダ／ライタのフィールドにあるすべての時でＣＯＢのような対象物から情報を読み取ることができるであろう。他の接続方法がさらに使用され得る。上記サーマルスイッチ（複数の場合も含む）の接続の手段又は位置に関わらず、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、そのスイッチ（複数の場合も含む）が１つの条件の下にあるタグとその他の条件の下にあるタグとの間の差異を検知することが可能となる。
【０１２１】
以下の議論では、図９に示されたような複合体８８及び図１０に示されたようなデュアルスイッチ複合体１０２が説明される。ＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチの複合体は、あたかも、タグが" 変更された" 状態の間（１個以上のサーマルスイッチが図９及び図１０で示されているようにＲＦＩＤアンテナと短絡している場合に）1 つもタグが磁場の中に存在しないかのようにＲＦＩＤリーダ／ライタには見えるが、一方で通常のリード／ライタＲＦＩＤタグと見える。ＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチの複合体の" 変更された状態" の間は、タグとリーダとの間の通信は不可能である。しかし、後述した代替方法は他のＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチ複合体のために遂行される。そこでは、ＲＦＩＤタグは同様に変更された状態ではなお通信手段である。
【０１２２】
「１個または複数の温度スイッチに結合されたＲＦＩＤタグから送信された情報を用いる温度制御であって、温度スイッチ（複数の場合も含む）が制御温度を規定する。」
1 個のサーマルスイッチ５２を持つ給仕用容器２２を備えた図１に示された装置でまず考慮して、スイッチ５２（ＴＳ１）の例示的な切り替え温度はＴ（１０）、すなわち図５に示された予めプログラムされた制御温度に等しくなるように選択される。図７の包括的ソフトウエアアルゴリズムはまた、変更することなくこのような構成を採用することを許容する。しかし、ＨＡ（シズルプレート）の場合には、ソフトウエアＨＡ（ＣＯＢ）において変更がなされる。それゆえに、誘導加熱装置のパワーをアップすることに基づいて、図７のすべてのステップは前述したように追従される。マイクロプロセッサが異なるアルゴリズムに追従することは、ＨＡ（ＣＯＢ）が実行されるステップ６６の中でのみ行われる。
【０１２３】
１個のサーマルスイッチが取り付けられたＲＦＩＤタグ上の対象物（ＣＯＢ）コードの種類は上記誘導加熱装置のマイクロプロセッサのコントローラを、図１１で概略的に示されるＨＡ（制御温度を規定する１つのサーマルスイッチを有するＣＯＢ）に追従するよう命令する。この図１１のフローチャートは、図８のフローチャートとはひとつだけ異なっている。すなわちステップ８４ａの部分である。この差異は以下のように単純である。パワーステップの最後の０．１５秒の間になされた読み取り／書き込み動作の間に、" 変更された状態" のＲＦＩＤタグが検知される場合には、プログラムは（０．５）（ＭＸＤＴ）に等しい時間の間、ステップ８６とステップ５６とを介して動作の待機モードに戻る。この状態に基づいて当該プログラムはそれから実際のパワーステップ１１へと進む。
【０１２４】
この差異を明確にするために、ＲＦＩＤタグ／サーマルスイッチの複合体（このスイッチ温度ＴＳ１はＴ（１０）と一致している）が取り付けられたシズルプレートは、誘導加熱デバイス２０上に配置されているものとする。またＲＦＩＤタグは新しいものであるものとする。図７を参照すると、クックトップのマイクロプロセッサは、ステップ６６でＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを有するシズルプレート）を実行し始める。図１１を参照すると、ＲＦＩＤリーダ／ライタがステップ７０でＲＦＩＤタグに応答信号を送信するときに、シズルプレートはＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に対して値０を持つ。それゆえに、ＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを有するシズルプレート）内のＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に対応し、クックトップマイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶メモリ位置は値０を受け取る。次に、ステップ７２において、（クックトップがまだ待機モードにあるときに）クックトップからの磁場の次のテストパルスの時に、Ｉtransistorの値が測定され、Ｉtransistor max actual のＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを有するシズルプレート）の一時記憶メモリ位置に記憶される。表３における式を用いて、当該加熱動作のためのＣＰＬの値がステップ７４で計算される。ユーザがクックトップの上部の適当な位置でシズルプレートを配置したならば、ＣＰＬのこれらの値は、これらに対応するＩＰＬ値に略等しくなるであろう。ステップ７６では、値３６００が、ｎに割り当てられる。その理由はＬＫＰＳが０に等しいからである。ステップ７８では、ＥＬＣＬＴの値は、３６００秒よりもずっと大きいように計算され、一時記憶メモリに記憶される。その結果、ステップ８０でＥＰＴの値はＴ（０）又は７２°Ｆに等しくなるように（表６の最後の２行を介して）計算される。この記憶されたＥＰＴの値を使用して、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記載されたような命令に従い、実際のパワーステップ１において、表４に記載されているように実際のパワーステップのシーケンスを開始する。
【０１２５】
ステップ８４ａ（図１１）は、クックトップに全ての残りの実際のパワーステップ（１から１０および１１）を完了するように命令する。個々の実際の実際のパワーステップの終了時に、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、それがちょうど完了するＬＫＰＳの値（値１０まで）を送信する。しかし、動作のモードと図８に関連して前述したモードとの間で１つの発生しうる差がある。シズルプレートは、実際のパワーステップ１０の終了に達し、ＬＫＰＳの新しい値及びｔ（ＬＫＰＳ）をＲＦＩＤタグへと書き込もうとした際に、ＲＦＩＤタグは、変更状態にあるために、通信を送り返さなくてもよい。この場合は、実際のパワーステップ１０の終了前にサーマルスイッチがＴＳ１に到達する場合である（実際のパワーステップ１０の終了が、ＴＳ１に到達する前の場合、クックトップはあたかもＲＦＩＤタグがサーマルスイッチが全く取り付けられていないかのように、挙動するであろう。）。この場合が起こるものとすると、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、ステップ６８における質問に対する答えがまだ" イエス（ＹＥＳ）" であるので、シズルプレートはまだ蓄電器（チャージャ）上にあるということを知るだろう。それゆえに、クックトップマイクロプロセッサは、クックトップに、ステップ８４ａの命令に従い、（０．５）（ＭＸＤＴ）に等しい期間、待機モードに戻るようにさせる。この時、クックトップは実際のパワーステップ１１を適用するだろう。これにより、表４に従って、２秒間ＣＰＬ５を適用するだろう。しかし、ＣＰＬ５の最後の０．１５秒の間、リーダ／ライタはＲＦＩＤタグが変更状態にあることを再び確認し、その結果、（０．５）（ＭＸＤＴ）期間及び第２回目の実際のパワーステップ１１の適用を繰り返す。
【０１２６】
この場合には、シズルプレートがクックトップから取り外されて初めて、実際のパワーステップ１１の２回の適用を完了するので、シズルプレートは、２５０°Ｆ±２０°Ｆの所望の制御温度に達したことであろう。しかし、図８の方法とは異なり、当該ＲＦＩＤタグはそのメモリに次の情報を記憶する。ＬＫＰＳ＝９、ｔ（ＬＫＰＳ）＝実際のパワーステップ９が最近完了した時刻、ＣＯＢ＝制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを備えたシズルプレートである。その結果、シズルプレートは過去のチャージ履歴に関する情報が備えられ、再び蓄電器（チャージャー）上に配置される準備がなされる。
【０１２７】
次に、シズルプレートが顧客へのサービスのために使用され、それからシズルプレートが洗われ、棚にしまわれ、再び６０分の時間の後に、クックトップ上に配置され、6 秒後にそれが取り除かれるものとする。この場合には、シズルプレートは、実際のパワーステップ９の適用の終了時に対応するＬＫＰＳへの値９及びｔ（ＬＫＰＳ）の値を持つ。ｔ（ＬＫＰＳ）のこの値は、ＲＦＩＤリーダ／ライタがステップ７０でＲＦＩＤタグに応答信号を送信する時の前であって１時間を少し超えた値である。それゆえに、ＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを備えたシズルプレート）内で、クックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な、ＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に対応する一時記憶メモリ位置がちょうど述べたところの値９及びｔ（ＬＫＰＳ）の値を受け取る。次に、ステップ７２で、クックトップからくる磁場の次のテストパルスの時に（クックトップがまだ待機モードにある時に）、Ｉtransistorが測定され、Ｉtransistor max actual のＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを備えたシズルプレート）の一時記憶メモリ位置に記憶される。表３の式を用いて、この加熱動作のためのＣＰＬの値はステップ７４で計算される。ユーザがクックトップの上部の適当な位置にシズルプレートを配置したならば、ＣＰＬの値はこれらの値に対応するＩＰＬの値に略等しくなるであろう。
【０１２８】
ステップ７６では、１２０の値がｎに割り当てられる。この理由はＬＫＰＳは９に等しいからである。ステップ７８では、ＥＬＣＬＴの値は、例えば３７００秒に等しくなるように計算され、一時記憶メモリに記憶される。その結果、ステップ８０で、ＥＰＴの値はＴ（０）又は７２°Ｆに等しくなるように、（表６の命令を介して）計算される。ＥＰＴのこの値は一時記憶メモリに記憶される。ＥＰＴのこの記憶された値を用いて、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記載されたような命令に従い、実際のパワーステップ１で表４に記載されたような実際のパワーステップのシーケンスを開始させる。
【０１２９】
ステップ８４ａは、クックトップにすべての残りの実際のパワーステップ（１から１０及び１１）を完了するように命令する。個々の実際のパワーステップの終了時において、ＲＦＩＤリーダ／ライタはそれがちょうど完了したＬＫＰＳの値（値１０を超えない値）を送信する。例えば、実際のパワーステップ１の終了時では、時間間隔Δｔtransmitの間、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＬＫＰＳとして値１を送信する。ＲＦＩＤタグはＬＫＰＳに与えられたメモリ位置に当該値を記憶する。同時に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはさらに送信の日の時刻を送信する。この情報はｔ（ＬＫＰＳ）用に設定されたＲＦＩＤタグメモリ位置に記憶される。個々の連続する実際のパワーステップの終了時、ＲＦＩＤタグのメモリは、（最大値１０までの）ＬＫＰＳ及びｔ（ＬＫＰＳ）に関する２つの値を受け取る。
【０１３０】
シズルプレートが６秒後にクックトップから取り除かれると、パワーステップ３の適用はまさに完了する。その結果、シズルプレートは略Ｔ（３）の温度に達することであろう。さらに、ＲＦＩＤタグは、クックトップから取り除かれたときに、そのメモリ内に次の情報が記憶される。ＬＫＰＳ＝３、ｔ（ＬＫＰＳ）＝実際のパワーステップ３の適用の最新の完了時刻、ＣＯＢ＝制御温度を規定する1 個のサーマルスイッチを持つシズルプレートである。このようにして、シズルプレートは過去のチャージング履歴に関する情報を備え、再びチャージャ上に配置される用意がなされる。
【０１３１】
次に、シズルプレートは直ちにクックトップ上に戻され、不定期そこに維持される。シズルプレートはまさに略温度Ｔ（３）に達した時、シズルプレートはＬＫＰＳに値３と、ｔ（ＬＫＰＳ）に該温度到達時の直前（数秒前）の、第２の実際のパワーステップ３の適用の終了時に対応する値とを持つ。ｔ（ＬＫＰＳ）の値は、一旦クックトップ上でそれが置き換えられると、コンピュータの値と一致する場合は、ステップ７０で、ＨＡ（制御温度を規定するサーマルスイッチを持つシズルプレート）内のＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）に対応し、かつクックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶メモリ位置は、まさに記載された上記３の値及びＴ（３）の値を受け取る。次に、ステップ７２で、クックトップからの磁場の次のパルスの時に（クックトップがまだ待機動作モードにある時に）、Ｉtransistorの値が測定され、ＨＡ（制御温度を規定するサーマルスイッチを持つシズルプレート）のＩtransistor max actual の一時記憶メモリ位置に記憶される。表３の式を用いて、当該加熱操作のためのＣＰＬの値はステップ７４で計算される。ユーザがクックトップの上部の適当な位置にシズルプレートを配置する場合には、ＣＰＬの値はこれらと対応するＩＰＬ値に略等しくなるであろう。ステップ７６では、２１００の値がｎに割り当てられる。その理由はＬＫＰＳＳが３に等しいからである。ステップ７８では、ＥＬＣＬＴの値は１秒等に等しくなるように計算され、一時記憶メモリに記憶される。このようにして、ステップ８０では、ＥＰＴの値が（表６の命令を介して）Ｔ（３）よりも僅かに小さく、Ｔ（２）よりも大きい温度に等しくなるように計算される。ＥＰＴのこの値は一時記憶メモリに記憶される。ＥＰＴのこの記憶された値を用いて、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記載された命令に従い、実際のパワーステップ４で、表４に記載されたような実際のパワーステップのシーケンスを開始させる。
【０１３２】
ステップ８４ａは、クックトップにすべての残りの実際のパワーステップ（ステップ４から１０および１１）を完了するように命令する。個々の実際のパワーステップの終了時、ＲＩＦＤリーダ／ライタは（最大１０に達するまでに）それがちょうど完了したＬＫＰＳの値を送信する。例えば、実際のパワーステップ４の終了時では、時間間隔Δｔtransmitの間に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＬＫＰＳとして値４を送信し、ＲＦＩＤタグはＬＫＰＳに与えられたメモリ位置に当該値を記憶する。同時に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはさらに送信の日の時刻を送信する。この情報はｔ（ＬＫＰＳ）用に設定されたＲＦＩＤのタグメモリ位置に記憶される。個々の連続する実際のパワーステップの終了時には、ＲＦＩＤタグのメモリは（１０を超えない）ＬＫＰＳとｔ（ＬＫＰＳ）の２つの新しい値を受け取る。
【０１３３】
１１番目までのすべての実際のパワーステップが完了される可能性がある。さらにサーマルスイッチがＲＦＩＤタグを変更状態に置くようにはさせないという可能性もある。このようにして、パワーステップ１１の好適方法のシーケンスの実施は、ちょうど表４に示されたものに従う。クックトップは、シズルプレートを略２５０°Ｆに不定期維持する。ＲＦＩＤメモリにおけるＬＫＰＳの値は１０のままで維持され続け、ｔ（ＬＫＰＳ）の値は個々の実際のパワーステップ１１の終了時に継続的に更新される。
【０１３４】
次に、同じシズルプレートがクックトップから取り除かれ、洗浄され、オーブンで１５０°Ｆまで加熱され、６０分の時間間隔の後でクックトップ上に戻されるものとする。
【０１３５】
この場合には、サーマルスイッチによって付加された安全に関する特徴が発揮される。シズルプレートは、ＬＫＰＳには値１０、及びｔ（ＬＫＰＳ）には実際のパワーステップ１１の終了時に対応する値を持つ。ｔ（ＬＫＰＳ）の値は、ステップ７０でＲＦＩＤリード／ライタがＲＦＩＤタグに応答信号を送信する時の前の略１時間である。それゆえに、ＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを持つシズルプレート）内の、ＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）に対応し、かつクックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶位置は、ちょうど記載した値１０およびｔ（ＬＫＰＳ）を受け取る。次に、ステップ７２で、クックトップからの磁場の次のパルスの時に（クックトップがまだ待機モードにある時に）、Ｉtransistorの値が測定され、ＨＡ（制御温度を規定する１個のサーマルスイッチを持つシズルプレート）のＩtransistor max actual の一時記憶位置に記憶される。表３の式を用いて、この加熱動作のためのＣＰＬの値はステップ７４で計算される。ユーザがクックトップの上部の適当な位置にシズルプレートを配置したならば、ＣＰＬの値はこれらの値に対応するＩＰＬの値に略等しくなるであろう。ステップ７６では、値０はｎに割り当てられる。その理由はＬＫＰＳが１０に等しいからである。ステップ７８では、ＥＬＣＬＴの値が３６００秒に等しくなるように計算され、一時記憶メモリに記憶される。このようにして、ステップ８０において、ＥＰＴの値がＴ（０）又は７２°Ｆに等しくなるように（表６の命令を介して）計算される。ＥＰＴのこの値は一時記憶メモリに記憶される。
【０１３６】
オーブンにおけるシズルプレートの１５０°Ｆまでの許可されていない（オーソライズされていない）加熱のために、ＥＰＴのこの値は正しくない。しかし、それにもかかわらず、表７の命令に従う。このようにして、ＥＰＴのこの記憶された値を使用して、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記載されたように、実際のパワーステップ１において実際のパワーステップのシーケンスを開始させる。
【０１３７】
ステップ８４ａは、クックトップにすべての残りの実際のパワーステップ（１から１０および１１）を完了するように命令する。しかし、サーマルスイッチは実際のパワーステップ１０の前に、十分良好にＴＳ１に達する。このようにして、ある実際のパワーステップの最後の０．１５秒間、ＲＦＩＤタグはＲＦＩＤリーダに通信を戻さない。その理由はそれが変更状態にあるからである。ＲＦＩＤリーダは、シズルプレートがチャージャ上に配置されていることを尚認識する。その理由はステップ６８における質問の応答がまだ" イエス" だからである。それゆえに、クックトップのマイクロプロセッサはステップ８４ａの命令に従い、クックトップを（０．５）（ＭＸＤＴ）に等しい時間間隔で待機モードへと戻させる。この時に、クックトップは実際のパワーステップ１１を適用する。これにより、表４に従い、ＣＰＬ５を2 秒間適用する。しかし、ＣＰＬ５の最後の０．１５秒間に、リーダはＲＦＩＤタグが変更状態にあることを再び確認し、このようにして、（０．５）（ＭＸＤＴ）の期間と、第２回目の実際のパワーステップ１１の適用を繰り返す。
【０１３８】
シズルプレートを本発明の誘導加熱デバイス上に置く前に、本発明の誘導加熱デバイス以外のデバイスによって不用意に、シズルプレートが加熱されるならば、ＲＦＩＤタグに取り付けられたサーマルスイッチは、シズルプレートの過熱を防ぐべきであることは自明であろう。図１０に示す２個のサーマルスイッチを持つＲＦＩＤタグが、わずかな改良のみで同一の目的を達成するために使用できることが自明であろう。２個のサーマルスイッチを持つＲＦＩＤタグの変更された状態は、ＲＦＩＤリーダに検知された際に、制御温度を規定するために使用されるであろう。このようにして、制御温度はＴＳ１とＴＳ２との間のある温度となるだろう。
【０１３９】
詳しくは、以下は、図１０に図示するようなデュアル（２個の）スイッチＲＦＩＤタグ複合体を用いた、別の温度制御スキームである。このスキームは、２つの目標を達成する：１) 加熱中の対象物の中間温度を測定し、適切な加熱ステップにするための加熱アルゴリズムを送信し、実質的に加熱アルゴリズムを「較正する」、および、２）ＴＳ１とＴＳ２との間の時間を測定し、メモリに記憶された理想時間と比較し、それに応じて残りのＣＰＬを調整し、より正確に所望の制御温度に到達するようにする。
【０１４０】
温度制御された対象物には、上述の通り、２つ以上のサーマルスイッチが接続されたＲＦＩＤタグが取り付けられる。以下の検討を簡略にするため、図１のシズルプレートを用いるが、シングル（１個の）サーマルスイッチ５２の代わりに、図１０に基づくＲＦＩＤタグ／デュアル（２個の）スイッチ複合体を使う。サーマルスイッチ１０６（ＴＳ１）の切り替え温度はＴ（２）と同じ温度が選択され、一方、サーマルスイッチ１０４（ＴＳ２）の切り替え温度はＴ（４）に選択される。これら２つの温度は、ＩＰＬ１に等しいＣＰＬ１が適用される領域内にある。
【０１４１】
誘導加熱デバイス２０は、温度センサを持たず、従って好適な温度制御方法を採用する対象物と、サーマルスイッチを用い、自動的に適切な温度制御方法を実施する対象物とを自動的に差別化できるのが好ましい。
【０１４２】
従って、図７の包括的ソフトウェアアルゴリズムは、選択可能な制御スキームの採用を可能にし、従って好適な実施態様についての全ての変更は、ＨＡ（ＣＯＢ）自身（図７、包括的アルゴリズムのステップ６６内）においてのみ認められる。そのため、誘導加熱デバイスのパワーをアップさせることより、図７の全てのステップが同様に続けられる。これは、ＨＡ（ＣＯＢ）が実行され、マイクロプロセッサが異なるアルゴリズムに従う、ステップ６６においてのみに限定される。２つのサーマルスイッチが取り付けられたＲＦＩＤタグに記録された対象物（ＣＯＢ）コードの種類は、誘導加熱デバイスのマイクロプロセッサコントローラに対し、ＨＡ（中間温度を判断する２つサーマルスイッチを持つシズルプレート）に従うよう命令する。
【０１４３】
この場合、３つの新たな記憶項目がＲＦＩＤタグのメモリリストに追加される。表９において、それらの記憶項目はＴＳ１、ＴＳ２、そしてＴＳ１／ＴＳ２  時間（ＴＳ１／ＴＳ２所要時間）である。ＴＳ１は、サーマルスイッチ１が切り替わり、取り付けられたＲＦＩＤタグからの送信状態を変更する温度である。ＴＳ２は、サーマルスイッチ２が切り替わり、ＲＦＩＤタグを変更した状態から通常の通信モードに戻す温度である。“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”は、理想動作状態に置かれたシズルプレートのＴＳ１とＴＳ２との間の所要時間である。これらの項目は、そのシズルプレート固有のものであるので、ＲＦＩＤタグメモリに記憶される必要があり、かつあらゆる独立した誘導加熱デバイスが読み取り可能であるべきである。
【０１４４】
本実施例において、Ｔ（４）に等しいＴＳ２値は、加熱中にサーマルスイッチ２が稼動しているとＲＦＩＤリーダ／ライタが判断した場合、クックトップのマイクロプロセッサが実際のパワーステップ５を開始するような、較正温度として使われる。例えば、オーブンに過って入れられ、１２５°Ｆに熱された新品のシズルプレートが誘導加熱デバイスに載せられた場合、ＨＡ（中間温度を判断する２個のサーマルスイッチを持つシズルプレート）が推定現在温度（ＥＰＴ）を７２°Ｆであると計算し、実際のパワーステップ１で加熱アルゴリズムを開始する。ＲＦＩＤリーダは、ＴＳ２が（１９０°Ｆ）起こったと判断すると同時に、クックトップのマイクロプロセッサは中間の実際のパワーステップをバイパスし、自動的に実際のパワーステップ５を開始する。従って、このような選択可能な方法２の特性は、シズルプレートの真の開始状態に加熱アルゴリズムを「較正する」。
【０１４５】
第１の目標（加熱中の中間温度を測定し、適切な加熱ステップへの加熱アルゴリズムを送信する）を達成するために、ＴＳ２で起こる、ＲＦＩＤタグの、通信の変更状態から通常状態への移行を判断する能力のみが必要となる。しかし、第２の目標（ＴＳ１とＴＳ２との間の時間を測定し、メモリに記憶された理想時間と比較する）を達成するためには、２つの経過時間、ＴＳ１からＴＳ２へ通過するのにシズルプレートが要した時間であって、理想的な状態での試験的な加熱の場合の経過時間（以下、“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”と定義する。）と、各々の実際の加熱動作の場合の経過時間（以下、ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間と定義する。）をリアルタイム時計で測定して判断する必要がある。
【０１４６】
特定のシズルプレートのＲＦＩＤメモリに記憶される“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”の値は、固定記憶情報に関して上述したように、理想動作条件に基づいて試験的に判断される。これらの理想動作条件には、通常の線間電圧で動作するレファランス標準誘導加熱デバイスが含まれる。また、クックトップは、試験的判断の間、ＩＰＬ１に等しく、ＣＰＬ１を適用しなければならない。それにより、“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”は理想時間となる。
【０１４７】
ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間には、その表示がなされた、対応する一時記憶位置が与えられる必要がある。この値は、各加熱動作中にクックトップマイクロプロセッサによって計測され、ＨＡ（中間温度を判断する２つサーマルスイッチを持つシズルプレート）内の一時記憶メモリに記憶される。さらに、この他に２つの一時記憶位置を、以下の目的で設けなければならない：“ＴＳ１  時刻”（ＲＦＩＤタグが通信の通常状態から変更状態へ移行したことをＲＦＩＤリーダが最初に検知した時に、リアルタイム時計で測定される時刻）と、“ＴＳ２  時刻”（ＲＦＩＤタグが通信の変更状態から通常状態へ移行したことをＲＦＩＤリーダが最初に検知した時に、リアルタイム時計で測定される時刻）。これらの３つの新たな一時記憶位置は、それぞれ加熱動作中、クックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能でなければならない。
【０１４８】
最後に、クックトップのマイクロプロセッサは“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”とＴＳ１／ＴＳ２  実際時間の値を用いる変更ステップによって、加熱中の不適切な熱負荷を補正するようプログラムされる。この新たな変更ステップのコマンドは、新規ステップ８４ｂでのＨＡ（中間温度を判断する２つサーマルスイッチを持つシズルプレート）内に適用され、このステップ８４ｂは、変更ステップコマンドの追加を除き、図８のステップ８４と等しい。この新たな変更ステップのコマンドは、測定値であるＴＳ１／ＴＳ２  実際時間と、理想時間である“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”との比較に基づきＣＰＬ２、ＣＰＬ３、ＣＰＬ４およびＣＰＬ５の値を変更するように作用する。なお、好適な実施態様との関連で前述した通り、加熱アルゴリズムは、加熱動作開始前に、既に理想パワーレベルを補正しているので、変更は補正済みのパワーレベル２から５に対して行われる。ＣＰＬ２、ＣＰＬ３、ＣＰＬ４、およびＣＰＬ５に対するこの新たな補正は、クックトップのマイクロプロセッサが実際のパワーステップ５を開始する時点で行われる。
【０１４９】
この新たな変更ステップの目的は、加熱中に生じる好ましくない食品の負荷に対して、適用されるパワーレベルを補正することである。例えば、シズルプレートに好適な加熱アルゴリズムに対する補正済みパワーレベルは、その表面に食品が載っていないシズルプレートの加熱に基づいている。表面に相当な大きさの食品を載せたシズルプレートが過って加熱された場合、好適な加熱アルゴリズムは、目標制御温度の２５０°Ｆを大きく下回る平均表面温度にシズルプレートを熱することになる。温度をＴ（２）からＴ（４）に移すための実際の時間と、同じ温度範囲を移行するための理想時間を比較することで、シズルプレートの冷却負荷が理想的かどうかをおよそ判断できる。一例として、ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間が“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”よりはるかに大きい場合、食品またはその他の吸熱源がシズルプレートとの熱接触にあることになる。従って、所望の表面温度を達成するには、ＣＰＬ２からＣＰＬ５にかけてパワーを増強しなければならない。ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間が“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”よりはるかに小さい場合は、その反対が言える。
【０１５０】
このパワー補正を実現するには、シズルプレートの例における好適な変更ステップの式が式１で表され、以下の通りとなる：
ＣＰＬ（ｎ）＝ＣＰＬ（ｎ）×｛１＋（０．１×（（ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間）−（“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”）））｝、このとき、このシズルプレートの例ではｎ＝２、３、４、および５となる。
【０１５１】
その他の対象物については、異なる変更ステップの式がより適切であるのはもちろんだが、それでも同じ比較値は使用される。
【０１５２】
次の加熱動作の実施例は、２つのサーマルスイッチで中間温度を判断する本発明の実施態様を説明する。新たな同一のシズルプレートは、熱せられたオーブンで１２５°Ｆまで加熱され、食品を載せられた後、クックトップに載せられ、不定期その状態に保たれると仮定する。以下の説明では、ステップ８４における全ての命令を用いるが、上述の変更ステップを追加する新規ステップ８４ｂが図８のステップ８４に代わることに留意しながら、図８を参照して欲しい。
【０１５３】
この場合では、ステップ７０においてＲＦＩＤリーダ／ライタがＲＦＩＤタグに応答信号を送信するとき、シズルプレートは、ＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）にゼロの値を持つ。また、ＲＦＩＤリーダは、ＲＦＩＤタグに記憶された“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”の値を読み取る。それにより、ＨＡ（中間温度を判断する２つサーマルスイッチを持つシズルプレート）内のＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）に応じ、かつクックトップの、マイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶位置は、ゼロの値を受け取る。さらに、“ＴＳ１／ＴＳ２  時間”に応じた、クックトップのマイクロプロセッサにアクセス可能な一時記憶位置は、チップに記憶された値を受け取る。このシズルプレートの実施例では、この値は４秒間である。次に、ステップ７２において、クックトップが発生する磁場の次の試験パルス時に（このとき、クックトップはまだ待機モードにある）、Ｉtransistorの値が測定され、Ｉtransistor max actual のＨＡ（中間温度を判断する２つサーマルスイッチを持つシズルプレート）の一時記憶位置に記憶される。表３に見られる式を用いて、この加熱動作に対するＣＰＬはステップ７４にて計算される。ユーザがクックトップの上の適切な位置にシズルプレートを載せた場合、これらのＣＰＬ値は、それらに対応するＩＰＬ値にほぼ等しくなるはずである。ステップ７６では、ＬＫＰＳは０に等しいので、３６００の値がｎに与えられる。ステップ７８では、ＥＬＣＬＴの値が計算され３６００秒よりはるかに大きくなり、一時記憶メモリに記憶される。従って、ステップ８０では、ＥＰＴ値は（表６の最後の２行を介して）計算され、Ｔ（０）または７２°Ｆに等しくなる。このＥＰＴ値は、一時記憶メモリに記憶される。この記憶されたＥＰＴ値を用いて、クックトップのマイクロプロセッサは表７に記載された命令に従い、実際のパワーステップ１において表４に述べられる通り、実際のパワーステップのシーケンスを開始する。残念ながら、シズルプレートの上部表面は、食品を載せた状態で実際に１２５°Ｆである。
【０１５４】
幸い、クックトップのマイクロプロセッサが実際のパワーステップ５を開始する時点のＴＳ２において、ＲＦＩＤタグが変更状態から通常状態に移行していることを、ＲＦＩＤリーダが検知しない限り、ステップ８４ｂは、全ての残りの実際のパワーステップ（１から１０および１１）を完了するようクックトップに命令する。また、ステップ８４ｂは、クックトップのマイクロプロセッサおよびＲＦＩＤリーダに“ＴＳ１  時刻”と“ＴＳ２  時刻”を読み取って記憶するよう命令し、その後、“ＴＳ１  時刻”と“ＴＳ２  時刻”の両方が同一の加熱動作中に記録された場合は、それらを使ってＴＳ１/ ＴＳ２  実際時間を計算するよう命令する。最後に、ステップ８４ｂは、クックトップのマイクロプロセッサに式１を適用して、ＣＰＬ２、３、４、および５を補正するよう指示し、ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間の値が適切に計算される。
【０１５５】
従って、実際のパワーステップ１を適用して間もなく、シズルプレートは１３０°Ｆに達し、このときサーマルスイッチ１が閉じて、リーダ／ライターがＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）の新しい値を書き込もうとした際に、ＲＦＩＤタグとリーダ／ライターとの通信を変更状態にする。従って、クックトップのマイクロプロセッサは、ＴＳ１が達せられたことを認識し、現時刻を“ＴＳ１  時刻”として記憶する。実際のパワーステップ３が次いで起こる、実際のパワーステップ２が適用される。実際のパワーステップ３の終了時に、シズルプレート表面は恐らく、ＴＳ２にはまだ届かない温度である１８０°Ｆに達している。そのため、実際のパワーステップ４が適用される。実際のパワーステップ４の最後の０．１５秒間に、ＲＦＩＤリーダ／ライタはＬＫＰＳおよびｔ（ＬＫＰＳ）の新しい値を送信しようとする。しかし、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、ＲＦＩＤタグが通信の変更状態から通常状態に、そのとき移行したことを判断する。それにより、クックトップのマイクロプロセッサは、ＴＳ２が達せられせられたことを認識し、現時刻を“ＴＳ２  時刻”として記憶する。従って、クックトップのマイクロプロセッサは、ＴＳ１／ＴＳ２  実際時間を計算し、変更式１を適用する手続きを行う。式１は現ＣＰＬ２、 3、４、および５のそれぞれを（１．２）で乗じ、それらの新しいＣＰＬ２、 3、 4、および５の値を記憶する。最後に、クックトップのマイクロプロセッサは、実際のパワーステップ５を開始し、ＣＰＬ２の新しい値を適用する。
【０１５６】
次に、クックトップは、実際のパワーステップ５から１０を適用し、上述したように、実際のパワーステップ１１を不定回数を適用することを続行する。それぞれの実際のパワーステップの終了時に、ＲＦＩＤリーダ／ライタは、完了したばかりの（最大１０までの値の）ＬＫＰＳ値を送信し、対応するそれぞれのｔ（ＬＫＰＳ）値を送信する。
【０１５７】
図２〜図４の実施態様
上述の説明では、好適な実施例として食器であるシズルプレート２２の構造および動作について述べたが、本発明は、特定の食器または加熱対象物に限定されることはない。例えば、図２は、適切なエポキシまたはその他の合成樹脂体１１４に包まれたＲＦＩＤタグ１１２がその下面に取り付けられる金属層１１０を配した、従来デザインのプレート１０８を示す。同様に、図３は、その底部に金属層１１８と、合成樹脂マトリクス１２２で配置されるＲＦＩＤタグ１２０を持つエスプレッソカップ１１６を図示する。最後に、図４は、誘導加熱され、食品配達バッグ（例えばピザバッグ）などと接続して使用されるよう設計された加熱ペレット１２４を図示する。ペレット１２４は、誘導加熱コア１２６と囲いの合成樹脂体１２８を供える。また、このペレットは、中央に配置されるＲＦＩＤタグ１３０を備える。これらの装置やその他の無数の誘導加熱対象物が、本発明に使用できることが認識される。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】加熱デバイスを用いて加熱されるように設計された食器を保持する本発明による誘導加熱デバイスの概略図である。
【図２】底面に金属コーティングを施し、その金属コーティングの中心にＲＦＩＤタグを接着した磁器製食器皿の断面概略図である。
【図３】底面に金属コーティングを施し、その金属コーティングの中心にＲＦＩＤタグを接着した磁器製エスプレッソカップの断面概略図である。
【図４】上部表面の中央にＲＦＩＤタグを取り付けた保温ペレットを図示した透視図である。
【図５】図１に示す食器用の加熱アルゴリズムの一部を含む、理想パワーステップのシーケンスを表す、経過時間に対するクックトップのグラフであり、同一時間軸上にプロットした食器の平均表面温度のグラフがオーバーレイにて示されている。
【図６】理想的な冷却挙動を示した、経過時間に対する図１の食器の平均表面温度のグラフである。
【図７】本発明の加熱機器に対する好ましい包括的ソフトウェアアルゴリズムのフローチャートである。
【図８】図１に示す食器に関連した具体的なソフトウェア加熱アルゴリズムのフローチャートである。
【図９】１つのサーマルスイッチが取り付けられたＲＦＩＤアンテナを表す概略図である。
【図１０】図９に類似しているが、２つのサーマルスイッチが取り付けられたＲＦＩＤアンテナを表す概略図である。
【図１１】１つまたは複数のサーマルスイッチが取り付けられたＲＦＩＤタグを用いた加熱動作を表した代表的な命令のリストであり、該命令では、温度情報が制御温度を定義するために使用される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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