(57)【要約】    【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。    【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとのモル濃度比ｘ／ｙが３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極６ａ、６ｂ上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜７ａ、７ｂが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜７ａ、７ｂ上にスズ皮膜８ａ、８ｂを形成する。  【選択図】図１
2007270160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル塩とハロゲン化合物とｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．５〜５．５に調整されたニッケルめっき液において、
ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、
かつ、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０であることを特徴とするニッケルめっき液。
【請求項２】
前記ニッケル塩は、主成分が硫酸ニッケルであることを特徴とする請求項１記載のニッケルめっき液。
【請求項３】
前記ハロゲン化合物は、塩化ニッケル及び臭化ニッケルのうちの一種以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のニッケルめっき液。
【請求項４】
前記ｐＨ緩衝剤は、ホウ酸、オキシカルボン酸、これらの塩、及びラクトン化合物から選択された１種以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３にいずれかに記載のニッケルめっき液。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のニッケルめっき液を使用して導電部の形成された部品素体にめっき処理を施し、前記導電部の表面にニッケル皮膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はニッケルめっき液、及び該ニッケルめっき液を使用した電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック電子部品等の電子部品では、はんだ付き性の向上等を目的として導電部上にスズ皮膜やスズ基合金皮膜、金皮膜等のめっき皮膜が形成されるが、通常、その下地皮膜としてはんだ接合性及びはんだ耐熱性に優れたニッケル皮膜が形成されている。
【０００３】
そして、この種のニッケル皮膜形成用のめっき液としては、従来より、ワット浴が知られている。このワット浴は、一般的には、硫酸ニッケルを０．４９〜１．４５mol／Ｌ、塩化ニッケルを０．１９〜０．２５mol／Ｌ、ｐＨ緩衝剤としてのホウ酸を０．４８〜０．６５mol／Ｌ含有し、ｐＨが２．５〜５．５、浴温が４０〜６５℃となるように組成調整されている。
【０００４】
また、特許文献１には、スルファミン酸ニッケル又はその複合剤を主成分とし、ニッケルの不動態化を防止するためのハロゲン化合物と、ｐＨ安定剤とが添加されたニッケルめっき液が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−９２９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記ワット浴を使用してニッケルめっきを行った場合、ニッケル皮膜の表面粗さが大きく平滑性を欠き、このため表面が酸化し、その後工程で形成されるスズ皮膜等の上層皮膜の緻密性が低く、特に高温多湿の厳しい環境下でははんだ付き性が低下するという問題点があった。
【０００７】
ニッケル皮膜の表面を平滑化する方策としては、ワット浴中へのハロゲン化合物を不添加とすることも考えられるが、この場合は、被めっき物上の導電部以外の部品素体上にもめっき金属であるニッケルが析出し、さらにはアノードの溶解効率が低下するため、めっき処理中に頻繁にめっき液の濃度調整を行う必要が生じるなど、浴管理の煩雑さを招くという問題点が新たに生じる。
【０００８】
部品素体へのニッケルの析出を防ぐ方法としては、ニッケルイオンとハロゲンイオンとの濃度比を制御する方法も考えられるが、特許文献１では、ニッケル源としてスルファミン酸ニッケルを使用しているため、部品素体へのニッケルの析出を防止することができず、所謂めっき成長を十分に抑制することができないという問題点があった。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を提供することを目的とし、さらに該ニッケルめっき液を使用した良好なはんだ付き性を有する電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究したところ、ニッケルめっき液中のニッケルイオンのモル濃度を１．７１mol／Ｌ以上、ニッケルイオンとハロゲンイオンとのモル濃度比が３．０を超え１０．０以下となるようにめっき液組成を定量的に制御することにより、良好な平滑性を有するニッケル皮膜を形成することが可能になると共に、めっき成長も極力抑制することができ、かつアノード溶解性も良好であるという知見を得た。
【００１１】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るニッケルめっき液は、ニッケル塩とハロゲン化合物とｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．５〜５．５に調整されたニッケルめっき液において、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、かつ、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０であることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明のニッケルめっき液は、前記ニッケル塩は主成分が硫酸ニッケルであることを特徴としている。
【００１３】
さらに、本発明のニッケルめっき液は、前記ハロゲン化合物は、塩化ニッケル及び臭化ニッケルのうちの一種以上であることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明のニッケルめっき液は、前記ｐＨ緩衝剤は、ホウ酸、オキシカルボン酸、これらの塩、及びラクトン化合物から選択された少なくとも１種以上であることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記ニッケルめっき液を使用して導電部の形成された部品素体にめっき処理を施し、前記導電部の表面にニッケル皮膜を形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のニッケルめっき液によれば、少なくとも硫酸ニッケル等のニッケル塩と塩化ニッケルや臭化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸やオキシカルボン酸、ラクトン化合物等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．５〜５．５に調整されたニッケルめっき液において、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、かつ、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０であるので、平滑性の良好なニッケル皮膜を形成することができ、したがって厳しい使用環境下に晒されても良好なはんだ付き性を得ることができる。また、導電部上に優先的にニッケルをめっき析出させることができ、これにより部品素体へのめっき成長を大幅に抑制することができ、さらにはアノード溶解性が良好で浴管理も簡便なニッケルめっき液を得ることができる。
【００１７】
すなわち、ニッケルイオンのモル濃度を１．７１mol／Ｌ以上としているので、導電部上に優先的にニッケルが析出し、導電部以外の部品素体上へのめっき成長を抑制することができる。
【００１８】
また、ニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとの比ｘ／ｙが、３．０を超えるようにめっき液を調製しているので、電解めっきにより形成されたニッケル皮膜の平滑性が向上し、したがって後工程でニッケル皮膜上に形成されるスズ皮膜等の上層皮膜は緻密なものとなり、高温多湿の厳しい環境下に晒されても良好なはんだ付き性を得ることができる。
【００１９】
さらに、前記比ｘ／ｙを１０．０以下としているので、アノード溶解効率が低下することもなく、所望の良好なアノード溶解性を得ることが可能となり、したがってめっき処理中にめっき液の濃度調整を行う必要もなくなり、浴管理も簡便なものとなる。
【００２０】
また、本発明の電子部品の製造方法によれば、上記ニッケルめっき液を使用して導電部の形成された部品素体にめっき処理を施し、前記導電部の表面にニッケル皮膜を形成しているので、部品素体へのめっき成長が抑制されて導電部上にのみニッケル皮膜が形成され、しかもニッケル皮膜上にスズ皮膜等の上層皮膜が形成された場合であっても、該上層皮膜は緻密化されたものとなり、したがって、高温多湿の厳しい環境下でもはんだ付き性が良好で、かつめっき成長の抑制されたセラミック電子部品等の各種電子部品を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００２２】
本発明に係るニッケルめっき液は、ニッケル塩とハロゲン化合物とｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．５〜５．５に調整され、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、かつニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０となるように調製されている。
【００２３】
ニッケルイオンのモル濃度ｘ、及びニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙを上述のように限定したのは以下の理由による。
【００２４】
（１）ニッケルイオンのモル濃度ｘ
表面所定個所に導電部が形成された被めっき物にニッケルめっきを施す場合、導電部以外の部分、すなわち部品素体へのめっき成長を抑制するためには、導電部上に優先的にめっき析出させる必要がある。
【００２５】
そして、本発明者らが鋭意研究したところ、導電部上に優先的にめっき析出させるには、ニッケルイオンのモル濃度ｘを増加させて該モル濃度ｘを少なくともを１．７１mol／Ｌ以上とするのが効果的であることが分かった。
【００２６】
そこで、本実施の形態では、ニッケルイオンのモル濃度ｘの下限値を１．７１mol／Ｌとし、ニッケルイオンのモル濃度ｘが少なくとも１．７１mol／Ｌ以上となるようにニッケルめっき液を調製している。
【００２７】
（２）ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙ
ニッケルめっき液ではアノードの不動態化を避けるためにハロゲン化合物を含有させているが、このハロゲン化合物を多量に含有させるとめっき形成されたニッケル皮膜の表面粗さが大きくなって平滑性に欠け、このためニッケル皮膜上に形成されるスズ皮膜等の上層皮膜が緻密さを欠き、はんだ付き性の低下を招く。
【００２８】
そこで、本発明者らが鋭意研究したところ、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとのモル濃度比ｘ／ｙが３．０以上となるようにハロゲンイオンのモル濃度ｙを小さくすることにより、良好な平滑性を有するニッケル皮膜を得ることが分かった。
【００２９】
そしてこれによりスズ皮膜等の上層皮膜を緻密化させることができ、高温多湿下に晒されても良好なはんだ付き性を得ることができる。
【００３０】
一方、ハロゲンイオンのモル濃度ｙを過度に減少させて比ｘ／ｙが１０．０を超えると、アノードの溶解効率が低下し、めっき処理中に頻繁に濃度調整を行う必要が生じるなど、めっき液の浴管理が煩雑になる。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、ニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０となるようにニッケルめっき液を調製している。
【００３２】
ニッケルイオンの供給源としては、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩を使用するのが好ましく、またハロゲン化化合物としては、塩化ニッケルや臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルを使用するのが好ましい。
【００３３】
尚、ハロゲンイオン源、ニッケルイオン源となる化合物は、本発明の目的を妨げない限り、上記以外の化合物を含んでいても構わない。
【００３４】
また、ニッケルめっき液のｐＨを２．５〜５．５に調整したのは、ｐＨが２．５未満では、ニッケルめっき液が過度に酸性となり、このため部品素体を構成する成分元素の溶出が顕著となるからであり、一方、ｐＨが５．５を超えると、ニッケルイオンがイオン状態で安定して存在するのが困難となるからである。尚、ニッケルめっき液のｐＨの好ましい範囲は、３．０〜４．５である。
【００３５】
また、ｐＨ緩衝剤としては、錯化作用を示さないホウ酸を使用するのが好ましいが、ホウ酸以外のオキシカルボン酸類、例えば、クエン酸等のオキシトリカルボン酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸、サリチル酸、乳酸、グリコール酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸、酒石酸等のオキシジカルボン酸を使用することができ、さらにはグルコノラクトンやグルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物を使用することもできる。
【００３６】
ただし、オキシカルボン酸類やラクトン化合物をｐＨ緩衝剤として使用する場合は、所定量以上添加させると錯化作用を強く示すおそれがあることから、添加量を制限する必要がある。
【００３７】
このように上記ニッケルめっき液は、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、かつニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとの比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０となるように調製されているので、導電部上に優先的にニッケルをめっき析出させることができ、これにより部品素体へのめっき成長を大幅に抑制することができる導電部上に優先的にニッケルをめっき析出させることができる。また、ニッケル皮膜の平滑性が向上することから、後工程でニッケル皮膜上に形成されるスズ皮膜等の上層皮膜が緻密なものとなり、したがって高温多湿の厳しい環境下に晒されても良好なはんだ付き性を得ることができる。しかもアノード溶解効率が低下することもなく、所望の良好なアノード溶解性を得ることが可能となることから、めっき処理中にめっき液の濃度調整を行う必要もなくなり、浴管理も簡便なニッケルめっき液を得ることができる。
【００３８】
次に、上記ニッケルめっき液を使用して製造した電子部品について詳述する。
【００３９】
図１は電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【００４０】
該積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウム等の誘電体材料で形成されたセラミック素体（部品素体）１に内部電極２〜５が埋設されると共に、前記セラミック素体１の両端部には外部電極（導電部）６ａ、６ｂが形成され、さらに外部電極６ａ、６ｂの表面にはニッケル皮膜７ａ、７ｂ及びスズ皮膜８ａ、８ｂが順次形成されている。
【００４１】
そして、内部電極２、４の引出部２ａ、４ａは一方の外部電極６ａと電気的に接続されると共に、内部電極３、５の引出部３ａ、５ａは他方の外部電極６ｂと電気的に接続され、内部電極２、４と内部電極３、５との間に静電容量が形成されている。
【００４２】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。
【００４３】
まず、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等の所定の誘電体セラミック材料を混合し、粉砕、乾燥、仮焼等の工程を経、ドクターブレード法によりセラミックグリーンシートを作製する。
【００４４】
次いで、ＰｄやＮｉ等の導電性材料にガラス粒子やワニス等の有機成分が含有された内部電極用導電性ペーストを作製する。そして、該導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷を施し、導電パターンを形成し、この後、前記導電パターンの形成されたセラミックグリーンシートを積層した後、導電パターンの形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、これらを圧着して積層体を形成する。その後、所定温度（例えば、９００〜１３００℃）で前記積層体に焼成処理を施し、バレル研磨を行い、これによりセラミック素体１が作製される。
【００４５】
次に、ＡｇやＣｕ等の導電性材料にガラス粒子、ワニス等の有機成分が含有された外部電極用導電性ペーストを作製する。次いで、該導電性ペーストをディップ方式によりセラミック素体１の両端部に塗布した後、温度６００〜８００℃で焼付処理を行なう。これによりワニス等の有機成分が燃焼して焼失し、導電性材料とガラス粒子との混合体からなる外部電極６ａ、６ｂが前記両端部に形成される。
【００４６】
そしてこの後、外部電極６ａ、６ｂの形成されたセラミック素体１を被めっき物とし、例えば電解バレルめっき法によりニッケルめっきを行なってニッケル皮膜７ａ、７ｂを形成する。
【００４７】
すなわち、まず、上記ニッケルめっき液を用意する。
【００４８】
そして、ニッケルをアノードに配し、カソード板、被めっき物、及び導電性媒体が内有されたバレルをカソードに配して上記ニッケルめっき液に浸漬し、バレルを回転、揺動等させながらアノード、カソード間に所定時間通電し、外部電極６ａ、６ｂの表面にニッケル皮膜７ａ、７ｂを形成する。
【００４９】
このようにしてニッケル皮膜７ａ、７ｂを形成した後、所定組成に調製されたスズめっき液を使用し、上述と同様、例えば電解バレルめっき法によりニッケル皮膜７ａ、７ｂ上にスズ皮膜８ａ、８ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００５０】
このように本積層セラミックコンデンサは、上記ニッケルめっき液を使用して製造されているので、セラミック素体１へのめっき成長が抑制されて外部電極６ａ、６ｂ上にのみ平滑性の良好なニッケル皮膜７ａ、７ｂが形成され、したがってニッケル皮膜７ａ、７ｂ上のスズ皮膜８ａ、８ｂは緻密化されたものとなり、したがって、高温多湿の厳しい環境下でもはんだ付け性が良好で、かつめっき成長の抑制された積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００５１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態ではニッケルめっき液の適用例として積層セラミックコンデンサを例示したが、他の電子部品にも広く適用でき、例えば、単板コンデンサ、積層インダクタ、正特性サーミスタ、負特性サーミスタ等に適用できるのはいうまでもない。
【００５２】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例】
【００５３】
まず、表１に示すような成分組成となるようにニッケル塩としての硫酸ニッケル・６水和物（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）、ハロゲン化合物としての塩化ニッケル・６水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）又は臭化ニッケル（ＮｉＢｒ２）、ホウ酸を配合し、ｐＨ及び浴温を調整し、実施例１〜４及び比較例１〜９のニッケルめっき液を作製した。
【００５４】
【表１】
2007270160.tif 000003
次に、外形寸法が縦２．０ｍｍ、横１．２５ｍｍ、厚み１．２５ｍｍであって、ニッケルからなる内部電極が埋設されると共に、焼付け処理により銅からなる外部電極が両端部に形成された第１の被めっき物（セラミック素体（主成分：チタン酸バリウム系））を用意した。
【００５５】
次いで、実施例１〜４及び比較例１〜９のニッケルめっき液を使用して第１の被めっき物に電解バレルめっきを施し、外部電極上に膜厚３μｍのニッケル皮膜を形成した。尚、電解バレルめっきは１０Ａの電流（平均カソード電流密度０．２０Ａ／ｄｍ２）を１２０分間通電して行った。
【００５６】
次に、下記組成を有するスズめっき液を用意した。
【００５７】
〔スズめっき液の浴組成〕
硫酸第１スズ  ４３ｇ／Ｌ
クエン酸アンモニウム  １２２ｇ／Ｌ
硫酸アンモニウム  １３２ｇ／Ｌ
ラウリルジエタノールアミン  １ｇ／Ｌ
ｐＨ  ５．０
浴温  ３０℃
次いで、このスズめっき液を使用して電解バレルめっきを施し、ニッケル皮膜上に膜厚４μｍのスズ皮膜を形成し、これにより実施例１〜４及び比較例１〜９の積層セラミックコンデンサを得た。尚、電解バレルめっきは８Ａの電流（平均カソード電流密度０．１６Ａ／ｄｍ２）を３０分間通電して行った。
【００５８】
次に、外形寸法が縦２．０ｍｍ、横１．２５ｍｍ、厚み１．２５ｍｍであって、ニッケル−パラジウム合金からなる内部電極が埋設されると共に、焼付け処理により銀からなる外部電極が両端部に形成された第２の被めっき物（セラミック素体（主成分：フェライト系））を用意した。
【００５９】
次いで、上記実施例１〜４及び比較例１〜９のニッケルめっき液を使用し、上述と同様の方法・手順で、前記第２の被めっき物の外部電極上に膜厚３μｍのニッケル皮膜を形成し、さらに上記スズめっき液を使用して前記ニッケル皮膜上に膜厚１μｍのスズ皮膜を形成し、これにより実施例１〜４及び比較例１〜９の積層インダクタを得た。
【００６０】
次に、実施例１〜４及び比較例１〜９の各積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのそれぞれ１０個について、マイクロスコープを使用し、セラミック素体上に析出しためっき皮膜の伸びを測定してその平均値を算出し、めっき成長の程度を評価した。
【００６１】
また、実施例１〜４及び比較例１〜９の各積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのそれぞれ１０個について、はんだ付き性を評価した。
【００６２】
ここで、はんだ付き性は、温度１０５℃、相対湿度１００％の高温多湿下で各試料を４時間放置した後、浴温２１０℃の共晶はんだ溶融槽に２秒浸漬し、スズ皮膜上のはんだ被覆面積を測定し、その被覆率によってはんだ付き性を評価した。
【００６３】
さらに、実施例１〜４及び比較例１〜９の各積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのそれぞれ２個について、アノードの溶解効率を算出し、アノード溶解性を評価した。
【００６４】
尚、アノードの溶解効率は、析出量の実測値を印加電流に対する理論析出量で除算して得た。
【００６５】
表２は積層セラミックコンデンサの測定結果を示し、表３は積層インダクタの測定結果を示している。
【００６６】
【表２】
2007270160.tif 000004
【００６７】
【表３】
2007270160.tif 000005
表中、めっき成長については、積層セラミックコンデンサの場合は、セラミック素体上のめっき皮膜の伸びが２μｍ未満の場合を良（○）、２μｍ以上の場合を不良（×）と判断し、積層インダクタの場合は、セラミック素体上のめっき皮膜の伸びが８０μｍ未満の場合を良（○）、８０μｍ以上の場合を不良（×）と判断した。
【００６８】
はんだ付き性については、スズ皮膜上のはんだ被覆率が９５％以上を良品、９５％未満を不良品とし、不良品が全く発生しなかった場合を良（〇）、不良品が１個でも発生した場合を不良（×）と判断した。
【００６９】
アノード溶解性については、溶解効率が９０％以上の場合を良（○）、９０%未満の場合を不良（×）と判断した。
【００７０】
この表２及び表３から明らかなように、比較例１のニッケルめっき液は、モル濃度比ｘ／ｙが２．９であり、３．０未満であるため、はんだ付き性の不良発生率が積層セラミックコンデンサの場合で２０％、積層インダクタの場合で１０％となり、製品歩留まりの低下を招くことが分かった。これはニッケルめっき液中のハロゲンイオンのモル濃度ｙが高いため、めっき析出速度が速くなり、このためめっき皮膜が緻密性・平滑性を欠くことになり、はんだ付き性の低下を招いたものと思われる。
【００７１】
比較例２のニッケルめっき液は、モル濃度比ｘ／ｙが１１．４であり、１０．０を超えているため、積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのいずれの場合も、アノードの溶解効率が８５％と低下し、アノード溶解性に劣ることが分かった。
【００７２】
比較例３のニッケルめっき液は、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．４１mol／Ｌであり、１．７１mol／Ｌ未満であるため、セラミック素体上に形成されためっき皮膜の伸びは、積層セラミックコンデンサの場合で３．２μｍ、積層インダクタの場合で９０μｍであり、いずれの場合もめっき成長が顕著であることが分かった。これはニッケルめっき液中のニッケルイオンのモル濃度ｘが低いため、めっき処理中に被めっき物に大きな電位が負荷され、このため外部電極以外のセラミック素体上にもめっき皮膜が形成されてめっき成長が生じたものと思われる。
【００７３】
比較例４のニッケルめっき液は、モル濃度比ｘ／ｙが２．８であり、３．０未満であるため、比較例１と同様の理由から、はんだ付き性の不良発生率が積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのいずれの場合であっても３０％となり、製品歩留まりの低下を招くことが分かった。
【００７４】
比較例５のニッケルめっき液は、モル濃度比ｘ／ｙが３２．１であり、１０．０を大幅に超えているため、積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのいずれの場合も、アノードの溶解効率が６０％と低下し、比較例２と同様、アノード溶解性に劣ることが分かった。
【００７５】
比較例６のニッケルめっき液は、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．５２mol／Ｌであり、１．７１mol／Ｌ未満であるため、比較例３と同様の理由から、セラミック素体上に形成されためっき皮膜の伸びは、積層セラミックコンデンサの場合で３．０μｍ、積層インダクタの場合で１１０μｍであり、いずれの場合もめっき成長が顕著であることが分かった。
【００７６】
比較例７のニッケルめっき液は、モル濃度比ｘ／ｙが２．９であり、３．０未満であるため、比較例１と同様の理由から、はんだ付き性の不良発生率が積層セラミックコンデンサの場合で３０％、積層インダクタの場合で１０％となり、製品歩留まりの低下を招くことが分かった。
【００７７】
比較例８のニッケルめっき液は、モル濃度比ｘ／ｙが１１．２であり、１０．０を超えているため、積層セラミックコンデンサ及び積層インダクタのいずれの場合も、アノードの溶解効率が７１％と低下し、比較例２や比較例５と同様、アノード溶解性に劣ることが分かった。
【００７８】
比較例９のニッケルめっき液は、ニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７０mol／Ｌであり、１．７１mol／Ｌ未満であるため、比較例３と同様の理由から、セラミック素体上に形成されためっき皮膜の伸びは、積層セラミックコンデンサの場合で２．８μｍ、積層インダクタの場合で１００μｍであり、いずれの場合もめっき成長が顕著であることが分かった。
【００７９】
これに対して実施例１〜４のニッケルめっき液はニッケルイオンのモル濃度が１．７１mol／Ｌ以上、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙの比ｘ／ｙが、３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０であるので、高温多湿下に晒されてもはんだ付き性が良好であり、また、セラミック素体上に析出しためっき皮膜の伸びは積層セラミックコンデンサの場合で１μｍ以下、積層インダクタの場合で５０〜７０μｍと良好であり、めっき成長を抑制することができた。さらにアノードの溶解効率も９９％以上となってアノード溶解性が良好で、浴管理も簡便に行うことのできることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明に係るニッケルめっき液を使用して製造された電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１  セラミック素体（部品素体）
６ａ、６ｂ  外部電極（導電部）
７ａ、７ｂ  ニッケル皮膜
【図１】
2007270160.tif 000006