(57)【要約】【課題】  エッジ研磨時にデバイス面に薬液やスラリーが一切触れることがなく、被処理基板の移動を少なくして処理効率を上げるとともに小型で安価に実現できるベベル研磨方法及びベベル研磨装置を提供すること。【解決手段】  被処理基板Ｗを保持して回転させる回転テーブル２と、回転テーブル２に保持された被処理基板Ｗのベベル部を含むエッジ部に接触して研磨を行うベベル研磨部１１と、を備えたベベル研磨装置１において、ベベル研磨部１１は、エッジ部の一部が挿入できる隙間２１を設けて対向配置された一対の第１、第２アーム部材１４、１８と、隙間２１内に装着されてエッジ部を研磨する研磨部材２２と、を備え、第１、第２アーム部材１４、１８の少なくとも一方には研磨部材２２に洗浄液を供給する供給口１５が設けられ、研磨部材２２の近傍には被処理基板Ｗに供給される液滴及び研磨カス等の種々の物質を吸引排出する吸引口１９が設けられている。【選択図】      図３
2007005661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板のベベル部を含むエッジ部を研磨するベベル研磨手段を用いたベベル研磨方法において、
前記ベベル研磨手段により前記エッジ部の一部を覆い、前記エッジ部が覆われた状態で前記被処理基板を１周又は複数周回転させることで前記エッジ部を研磨するとともに、前記ベベル研磨手段により覆われたエッジ部に洗浄液を供給し、かつ前記洗浄液及び前記被処理基板から解離したカス等の種々の物質を吸引し、
前記ベベル研磨手段により研磨されたエッジ部が前記ベベル研磨手段内から抜け出る際に前記種々の物質を吸引することにより乾燥状態としたことを特徴とするベベル研磨方法。
【請求項２】
被処理基板を保持するとともに回転させる被処理基板回転部と、前記被処理基板回転部に保持された被処理基板のベベル部を含むエッジ部に接触して前記エッジ部の研磨を行うベベル研磨部と、を備えたベベル研磨装置において、
前記ベベル研磨部は、被処理基板のエッジ部の一部が挿入できるように隙間を設けて対向配置された一対の第１、第２アーム部材と、前記隙間内に装着されて被処理基板のエッジ部に接触し研磨する研磨部材と、を備え、
前記第１、第２アーム部材の少なくとも一方には前記研磨部材に洗浄液を供給する供給口が設けられており、前記研磨部材の近傍には前記被処理基板に供給される液滴及び前記被処理基板から解離したカス等の種々の物質を吸引排出する吸引口が設けられていることを特徴とするベベル研磨装置。
【請求項３】
前記供給口は、前記第１、第２アーム部材の対向する面に設けられており、前記第１、第２アーム部材の先端部と前記研磨部材との間に位置していることを特徴とする請求項２に記載のベベル研磨装置。
【請求項４】
前記吸引口は、前記隙間の前記被処理基板のエッジ部の一部が挿入される位置に前記研磨部材を介して対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のベベル研磨装置。
【請求項５】
前記研磨部材は、前記第１、第２アーム部材に回転自在に装着されるとともに、回転機構に連結されていることを特徴とする請求項２に記載のベベル研磨装置。
【請求項６】
前記研磨部材は回転砥石からなり、前記回転砥石は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、セラミックス、合成樹脂、ダイヤモンド又はこれらの複合材からなることを特徴とする請求項２に記載のベベル研磨装置。
【請求項７】
前記研磨部材は、剛体、柔軟性部材、ブラシ体、スポンジ体のいずれか１つ又はこれらの複合材からなることを特徴とする請求項２に記載のベベル研磨装置。
【請求項８】
前記回転砥石は、中央部に被処理基板のエッジと接触する窪みを有する円柱体で形成されていることを特徴とする請求項６に記載のベベル研磨装置。
【請求項９】
前記供給口から供給される洗浄液は、純水であることを特徴とする請求項２に記載のベベル研磨装置。
【請求項１０】
前記ベベル研磨部は、前記被処理基板の外周囲に沿って複数個配設されていることを特徴とする請求項２〜９のいずれかに記載のベベル研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の各種基板を研磨するベベル研磨方法及びベベル研磨装置に係り、特に、半導体ウェーハのエッジ部に付着した不要な成膜を研磨することにより除去するベベル研磨方法及びベベル研磨装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体素子は、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハという）の表面に各種の成膜を施す成膜工程、成膜した薄膜から不要な部分を除去するエッチング工程、ウェーハ表面を洗浄する洗浄工程及び乾燥する乾燥工程等の各種工程を繰り返して、ウェーハ表面に微細パターンを形成することによって製造されている。
【０００３】
ところが成膜されたウェーハの周縁部、すなわちエッジ部には、絶縁膜やメタル膜等の不要な膜が形成され、また、エッジ端部はこれらの成膜がめくりあがり或いは一部が剥離しかかっている等の不安定な状態になっている。この状態をそのまま放置すると、次工程への搬送過程中等において端部が欠け或いは剥離して剥離片等が粉塵となって飛散する。このような粉塵が飛散すると、処理済みのウェーハに再付着してパーティクルの原因となる。
そこで、このような発塵をなくするために、エッチング、研磨等によりエッジ部から不必要な加工膜を除去することが行われている（例えば、下記特許文献１〜３参照）。
【０００４】
図４は下記特許文献１に記載されたウェーハエッジ研磨処理装置を示し、図４（ａ）はエッジ研磨の工程図、図４（ｂ）は研磨処理装置の概要図である。
このウェーハエッジ研磨処理装置によるエッジ研磨法は、図４（ａ）に示すように、ウェーハのエッジを研磨する研磨工程３０、研磨されたウェーハを酸性の洗浄液で洗浄する第１洗浄工程３１、次いでアルカリ性の洗浄液で洗浄する第２洗浄工程３２、更に洗浄されたウェーハを高速回転させ、純水を吹付けて洗浄液及び純水を遠心力によって飛散させて乾燥する乾燥工程３３により行われている。
【０００５】
これらの工程のうち、研磨工程３０を実施するエッジ研磨装置は、図４（ｂ）に示すように、ウェーハを挟持し回転する回転テーブル（図示省略）と、この回転テーブルの外周縁に配設された３本の研磨ドラム４０Ａ〜４０Ｃを備え、これらの研磨ドラム４０Ａ〜４０Ｃには、その表面にそれぞれ圧縮性のある柔軟な研磨パッド４１Ａ〜４１Ｃを貼付して、各研磨ドラムをウェーハＷに対してそれぞれ異なる角度で押し付け接触させて、ウェーハエッジの異なる箇所を研磨する構成となっている。
具体的には、研磨ドラム４０Ａは、ウェーハＷと４５°で接触させてウェーハの上面エッジを研磨し、研磨ドラム４０ＢはウェーハＷに９０°で接触させてウェーハの側面エッジを研磨し、研磨ドラム４０ＣはウェーハＷと１３５°で接触させてウェーハの下面エッジを研磨するようになっている。研磨時には、研磨ドラム４０Ａ〜４０Ｃとウェーハとの間に研磨スラリーが供給されている。
【０００６】
図５は下記特許文献２に記載された周辺部不要膜除去装置を模式的に示した上面図である。
この不要膜除去装置４２は、ウェーハＷをチャックしてその軸線の回りに回転させるチャック手段４３と、このチャック手段に保持されたウェーハＷの上下ベベル面を研磨する一対のベベル面研磨部材４４ａ、４４ｂと、ウェーハＷの端面を研磨する端面研磨部材４５と、これらの隅角部を研磨する隅角研磨部材４６とを備え、ウェーハＷを回転させ、この回転するウェーハエッジにそれぞれの研磨部材を押し当て接触させることにより、ウェーハエッジを研磨して不要膜を除去する構成となっている。符号４７、４８は、ウェーハの搬送装置である。
【０００７】
図６は下記特許文献３に記載されたウェーハ洗浄装置を示し、図６（ａ）は概要斜視図、図６（ｂ）は支持具に支持されたウェーハの側面図である。
このウェーハ洗浄装置は、ウェーハＷを支持、回転させる複数個のコロ４９と、このコロにより回転されているウェーハＷに接触して処理液を供給するロール５０とを備え、ロール５０をウェーハＷの裏面に回転させながら押し付け、回転するロール５０にパイプ５１から薬液を供給して洗浄する構成となっている。このコロ４９には、その溝内にスポンジ５２を装着し、ウェーハの回転中に、薬液の表面張力を利用してコロ内のスポンジに薬液をしみ込ませて、薬液をしみ込んだスポンジ５２によりエッジ部分のエッチングを行っている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１５１９２５号公報（図２、図３、図６、段落〔００１１〕〜〔００１３〕）
【特許文献２】特開２００２−３６７９３９号公報（図１、図２、段落〔００２２〕〜〔００２５〕）
【特許文献３】特開２００２−２３１６７６号公報（図６、図７、段落〔００１８〕〜〔００２２〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１〜３に記載された処理装置によれば、いずれもウェーハエッジ部の不要な成膜を除去できるが、これらの研磨処理装置によると、ウェーハ面の半導体素子が形成された領域、いわゆるデバイス面も洗浄液により汚染されてしまうので、パターン欠陥の原因となる恐れがあり、さらに次工程において洗浄及び乾燥工程が必要となり、これらの工程を実施するために洗浄及び乾燥装置の設置が必須となっている。
【００１０】
すなわち、上記特許文献１に記載された研磨処理装置は、ウェーハエッジを研磨する研磨工程、研磨されたウェーハを酸性の洗浄液で洗浄する第１洗浄工程、次いでアルカリ性の洗浄液で洗浄する第２洗浄工程、更に洗浄されたウェーハを乾燥する乾燥工程を実施するそれぞれの装置、すなわちエッジ研磨装置、第１洗浄装置及び第２洗浄装置及び乾燥装置を備え、これらの装置は、何れも区画された処理室に収容され、ウェーハは各処理室へ個別の搬送装置によって搬送されるようになっている。この研磨処理装置によると、第１、第２洗浄装置及び乾燥装置並びに各装置間でウェーハを搬送するロボットアーム等の搬送装置が必要となり、研磨処理装置が大型化するとともに高価になる。加えて、上記特許文献２に記載された処理装置においてもほぼ同じ構成を有しているので同様の課題がある。
【００１１】
更に、上記特許文献３に記載された処理装置は、ウェーハ裏面処理と同時にウェーハを支持する支持具のコロにスポンジを装着し、このコロ内のスポンジに薬液をしみ込ませ、この薬液がしみ込んだスポンジによりエッジ部分のエッチングをしている。この装置によってもウェーハのデバイス面に薬液が付着し、エッジや裏面から剥がれた物質がデバイス面を汚染する恐れがあるので、上記特許文献１、２の装置と同じように洗浄及び乾燥装置が別途必要となる。
【００１２】
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたもので、本発明の目的は、エッジ研磨時にデバイス面に薬液やスラリーが一切触れることがないので洗浄を不要にして被処理基板の移動を少なくし、処理効率を上げるとともに小型で安価に実現できるベベル研磨方法及びベベル研磨装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本願の請求項１に記載のベベル研磨方法の発明は、被処理基板のベベル部を含むエッジ部を研磨するベベル研磨手段を用いたベベル研磨方法において、
前記ベベル研磨手段により前記エッジ部の一部を覆い、前記エッジ部が覆われた状態で前記被処理基板を１周又は複数周回転させることで前記エッジ部を研磨するとともに、前記ベベル研磨手段により覆われたエッジ部に洗浄液を供給し、かつ前記洗浄液及び前記被処理基板から解離したカス等の種々の物質を吸引し、
前記ベベル研磨手段により研磨されたエッジ部が前記ベベル研磨手段内から抜け出る際に前記種々の物質を吸引することにより乾燥状態としたことを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するために、本願の請求項２に記載のベベル研磨装置の発明は、被処理基板を保持するとともに回転させる被処理基板回転部と、前記被処理基板回転部に保持された被処理基板のベベル部を含むエッジ部に接触して前記エッジ部の研磨を行うベベル研磨部と、を備えたベベル研磨装置において、
前記ベベル研磨部は、被処理基板のエッジ部の一部が挿入できるように隙間を設けて対向配置された一対の第１、第２アーム部材と、前記隙間内に装着されて被処理基板のエッジ部に接触し研磨する研磨部材と、を備え、
前記第１、第２アーム部材の少なくとも一方には前記研磨部材に洗浄液を供給する供給口が設けられており、前記研磨部材の近傍には前記被処理基板に供給される液滴及び前記被処理基板から解離したカス等の種々の物質を吸引排出する吸引口が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
また、本願の請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のベベル研磨装置において、前記供給口は、前記第１、第２アーム部材の対向する面に設けられており、前記第１、第２アーム部材の先端部と前記研磨部材との間に位置していることを特徴とする。
【００１６】
また、本願の請求項４に記載の発明は、請求項２に記載のベベル研磨装置において、前記吸引口は、前記隙間の前記被処理基板のエッジ部の一部が挿入される位置に前記研磨部材を介して対向する位置に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また、本願の請求項５に記載の発明は、請求項２に記載のベベル研磨装置において、前記研磨部材は、前記第１、第２アーム部材に回転自在に装着されるとともに、回転機構に連結されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本願の請求項６に記載の発明は、請求項２に記載のベベル研磨装置において、前記研磨部材は回転砥石からなり、前記回転砥石は、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、セラミックス、合成樹脂、ダイヤモンド又はこれらの複合材からなることを特徴とする。
【００１９】
また、本願の請求項７に記載の発明は、請求項２に記載のベベル研磨装置において、前記研磨部材は、剛体、柔軟性部材、ブラシ体、スポンジ体のいずれか１つ又はこれらの複合材からなることを特徴とする。
【００２０】
また、本願の請求項８に記載の発明は、請求項６に記載のベベル研磨装置において、前記回転砥石は、中央部に被処理基板のエッジと接触する窪みを有する円柱体で形成されていることを特徴とする。
【００２１】
また、本願の請求項９に記載の発明は、において、請求項２に記載のベベル研磨装置前記供給口から供給される洗浄液は、純水であることを特徴とする。
【００２２】
また、本願の請求項１０に記載の発明は、請求項２〜９のいずれかに記載のベベル研磨装置において、前記ベベル研磨部は、前記被処理基板の外周囲に沿って複数個配設されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は上記構成を備えることにより、以下に示すような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１の発明によれば、被処理基板のエッジ部をベベル研磨手段で研磨する際に、洗浄液を供給し、ベベル研磨手段の範囲内にて研磨・洗浄を行ない、この洗浄液及び基板のカス等の被処理基板に影響を与える全ての物質を吸引し、乾燥させるので、回転される被処理基板のベベル研磨手段に覆われるエッジ部は、このベベル研磨手段から抜け出る際には乾燥状態となっている。すなわち、ベベル研磨手段に覆われていないデバイス面を含む平面部及びエッジ部は常に乾燥状態を維持し、ベベル研磨手段からの飛沫の飛散等もないので、デバイス面に悪影響を生じることなく一連のベベル研磨処理を行うことができるようになる。
【００２４】
また、請求項２の発明によれば、被処理基板のエッジ部の研磨はベベル研磨部内で処理され、吸引により供給された液滴及び基板から剥がされたカスのようなデバイス面に影響を及ぼすような全ての物質を排出することにより研磨部材に供給された洗浄液等がベベル研磨部から外へ飛散することがなくなり、従来技術で必要としていたデバイス面の洗浄・乾燥処理が不要となる。その結果、洗浄・乾燥処理装置及びこれらの処理に必要な搬送装置も不要になり、ベベル研磨時間を大幅に短縮でき、且つ装置を簡単に小型化でき、しかも安価に製作できる。それに加えて、ベベル研磨部内で研磨されたエッジ部は、このベベル研磨部を抜け出るときには吸引口により洗浄液及び被処理基板の研磨カス等の被処理基板に影響を与える全ての物質が吸引されているため、乾燥した状態となっている。これにより、ベベル研磨部内でエッジ部に供給された洗浄液が被処理基板のデバイス面等に及ぶことがなく、ベベル研磨部に覆われている部分を除く被処理基板の表面の全てが乾燥状態を維持して処理がなされるため、デバイス面等に影響を与えることなく一連の研磨処理を行うことができるようになる。
【００２５】
請求項３の発明によれば、この位置に供給口を設けることで洗浄液を被処理基板のエッジ部と研磨部材との間に効率よく供給できる。
【００２６】
請求項４の発明によれば、この位置に吸引口を設けることで使用済みの洗浄液及び研磨カスを被処理基板のエッジ部外へ飛散させることなく効率よく回収し、外部へ排出できる。
【００２７】
請求項５の発明によれば、研磨部材を回転自在とするとともに回転機構により回転させることができるので、被処理基板エッジ部の研磨を効率よく行うことができる。
【００２８】
請求項６の発明によれば、研磨部材として種々の材料からなる回転砥石を使用することで、被処理基板の状態及び研磨工程等に応じて研磨部材の材料を変更できるため、効率よく研磨することができる。
【００２９】
請求項７の発明によれば、この研磨部材を剛体だけでなく樹脂材、バフ等からなる柔軟性部材や、ブラシ体、スポンジ体等を用いることで、エッジ部の状態に応じた研磨を行うことができるようになる。
【００３０】
請求項８の発明によれば、回転砥石の研磨面が被処理基板エッジ部の斜め上面、斜め下面及びエッジ側面に合致した形状に形成でき、研磨を効率よく的確に行うことが可能になる。
【００３１】
請求項９の発明によれば、洗浄液として薬液を用いなくても良好なエッジ部の研磨を行うことができることから、高価な薬液を用いることなく基板の処理を行うことができる。
【００３２】
請求項１０の発明によれば、ベベル研磨部が被処理基板の外周囲に複数個配設されているため、被処理基板のエッジ部の研磨を効率よくでき、処理スピードを上げることができる。また、１つの装置で異なる研磨部材を使用することでエッジ部の状態に応じて効率よく研磨することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのベベル研磨方法及びベベル研磨装置を例示するものであって、本発明をこのベベル研磨方法及びベベル研磨装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【実施例】
【００３４】
図１は本発明の実施形態に係るベベル研磨装置を示す概略断面図、図２はベベル研磨部とウェーハとの関係を示す平面図、図３はベベル研磨部を示し、図３（ａ）は縦断面図、図３（ｂ）は平面図である。なお、図１のベベル研磨装置はその構造が分かりやすいように、その一部を後述する回転駆動機構５に連結されたウェーハ回転部４が設けられた位置で切断した状態を示したものである。
【００３５】
ベベル研磨装置１は、図１に示すように、ウェーハＷをほぼ水平に保持して回転させる回転テーブル２と、このウェーハＷの外周縁の一部に位置してエッジ部を研磨するベベル研磨部１１と、を備え、回転テーブル２及びベベル研磨部１１は、処理カップ６内に収容されている。
ベベル研磨部１１は、図２に示すように、所定長さの支持腕１２と、この支持腕１２の一端に結合された研磨ヘッド１３を備え、支持腕１２の他端は支持台（図示省略）に回動自在に固定されている。この支持腕１２は、駆動機構（図示省略）により回動されて研磨ヘッド１３をウェーハＷのエッジ部に所定の圧力で押圧することで接触させるようになっている。
【００３６】
回転テーブル２は、ウェーハＷが載置される保持台３と、この保持台３に連結された回転軸４と、この回転軸４に連結されて保持台３とともに回転させる回転駆動機構５と、を有している。この保持台３は、図２に示すように、ウェーハＷより小さい円盤状をなし、この保持台３上に同軸上に載置されたウェーハＷを真空チャックにより固定するものである。
【００３７】
研磨ヘッド１３は、支持腕１２から延設され、上下に対向配置された板体からなる一対の第１、第２アーム部材１４、１８を備え、この両アーム部材１４、１８間には水平方向に延設されウェーハＷのエッジ部の一部が挿入されるコ字状溝２１が形成され、このコ字状溝２１の奥部には、回転自在に装着された回転砥石２２が設けられている。なお、この第１、第２アーム部材１４、１８の互いに対向する一面には、このコ字状溝２１内に生じる気流を整流するために複数のスジ状の凹凸が設けられていても良い。
第１アーム部材１４及び第２アーム部材１８には、その内面に洗浄液が供給される供給口１５、１５がそれぞれ形成されており、また、回転砥石２２の更に奥部には、回転砥石２２の側壁面の一部を覆うように吸引口１９が設けられている。なお、第１アーム部材１４及び第２アーム部材１８に設けられた供給口１５、１５は、図３に示すようにウェーハＷを挟んで対峙する位置にあるとは限らず、エッジ面への洗浄液の供給が行いやすい位置に適宜配設されている。
【００３８】
供給口１５は供給路１６により途中にバルブ１６ａを介して洗浄液供給源１７ａに接続されている。洗浄液供給源１７ａから供給される洗浄液としては、例えば純水を用いる。なお、洗浄液としては、この他にイオン水（機能水）、オゾン水、薬液等を使用してもよい。また、吸引口１９は、吸引路２０により途中にバルブ２０ａを介して吸引排出設備１７ｂに接続されている。吸引は工場排気圧を利用してバルブ２０ａにて調整する。このとき吸引路２０の途中に補助のためのポンプを介してもよい。
この研磨ヘッド１３は所定の幅長を有しているので、コ字状溝２１内にウェーハＷの外周縁の一部が挿入されたとき、ウェーハエッジの上下面を所定範囲で覆い、この覆われた箇所で研磨、洗浄及び使用済み洗浄液等の吸引排出がなされ乾燥状態に戻されるので、ウェーハＷのデバイス面へ洗浄液が飛び出ることを阻止できる。
【００３９】
また、コ字状溝２１の開口幅は、図３（ａ）に示すように、ウェーハＷが挿入された状態においてウェーハＷの上面あるいは下面と第１アーム部材１４あるいは第２アーム部材１８間の隙間Ｄが０．１ｍｍ〜５．０ｍｍに設定される。この範囲であると、研磨中にウェーハＷのデバイス面を汚染することなく、溝内で研磨カスによる目詰まり等が発生することがない。また、実験により確認したところ、上記隙間Ｄは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍが好ましく、この範囲でも特に１．０ｍｍ前後が最もよい結果が得られた。
【００４０】
回転砥石２２は、中央部がくびれたコロ状をなし、この回転砥石２２の軸心方向に貫通孔が形成されている。この回転砥石２２のくびれ部分２２ａは、ウェーハＷの斜め上面と斜め下面とのベベル部及びエッジ側面を研磨できるように湾曲形状となっている。この回転砥石２２は、貫通孔に支軸２２ｂを回り止めして固定し、支軸２２ｂの両端を第１、第２アーム部材１４、１８に回転自在に結合されている。また、支軸２２ｂの一端は、回転機構２４に連結されており、この回転機構２４としては、エアにより回転される回転機構が好ましい。このエア回転機構２４は、パイプ２５を介してエア供給源（図示省略）に接続されている。また、図示していないが、エアの排出によってデバイス面に影響がないように配慮した構造になっている。また、回転砥石２２のウェーハに接する面の反対面には、この回転砥石２２の側壁面を覆うようにその先端部が拡径された吸引口１９が配設されており、これにより、回転砥石２２及びウェーハＷのエッジ部に付着した液滴及び研磨カスが吸引されるようになっている。なお、吸引口１９の形状は図３（ｂ）に示すものに限らず、例えば回転砥石２２のくびれ部分２２ａに近接するようにその中央部が湾曲していても良いなど、吸引効率の高い形状に適宜変更することができる。
【００４１】
このベベル研磨装置１の使用は、図３（ｂ）に示すように、先ず、回転テーブル２の保持台３上にウェーハＷの中心を回転軸４の軸線の延長線上に位置するように載置し、この載置面を真空引きすることによりウェーハＷを固定する。そして、回転軸４に接続された回転駆動機構５によりウェーハＷを反時計方向へ回転させる。次いで、ベベル研磨部１１の駆動機構により、支持腕１２を回動させて研磨ヘッド１３をウェーハＷのエッジ部に接触させる。
【００４２】
続いて、回転機構２４を作動させて、回転砥石２２を反時計方向へ回転させ、同時に供給口１５から洗浄液を供給し、この回転砥石２２でウェーハのエッジ部を研磨し、吸引口１９から使用済みの洗浄液及び研磨カス等を吸引する。この吸引により、ウェーハエッジ部と回転砥石との接触研磨部において、洗浄液の噴霧、エッジ部の洗浄及び乾燥処理が行われ、洗浄液等が研磨ヘッドから外へ飛散されることがない。また、乾燥が足りない場合は、乾燥専用の吸引口を第１、第２アーム部材１４、１８等に１つ又は複数設けておき、完全なドライ状態にして研磨ヘッド１３内をウェーハが通過して抜け出るようにしてもよい。このように、本発明のベベル研磨装置は研磨ヘッドにウェーハがドライ状態で侵入し、ウェット研磨し、ドライ状態で抜け出てくること、つまりドライイン・ドライアウトを特徴としている。
【００４３】
この実施形態では、研磨部材として回転砥石を使用したが、この砥石は金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、セラミックス、合成樹脂、ダイヤモンド又はこれらの複合材から形成されているものを適宜選択して使用し得る。また、ここでは研磨部材として中央部がくびれた円柱状の剛体からなる回転砥石を用いた場合について説明したが、この研磨部材として、樹脂やバフ等の比較的柔軟な柔軟性部材や、ブラシ、スポンジ、あるいはこれらの複合材等を使用して研磨してもよく、このような研磨部材はウェーハエッジの状態に応じて選択すればよい。また、ベベル研磨部１１は、図２に示すように、ウェーハの外周囲に１個設けた実施形態を説明したが、図２で点線で示したように、２個あるいはそれ以上の個数設けてもよい。ベベル研磨部１１を複数個配設することにより、処理能率を上げることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は本発明の実施形態に係るベベル研磨装置を示す概略断面図、
【図２】図２はベベル研磨部とウェーハとの関係を示す平面図、
【図３】図３はベベル研磨部を示し、図３（ａ）は縦断面図、図３（ｂ）は平面図、
【図４】図４は従来技術のエッジ研磨法及び研磨装置を示し、図４（ａ）はエッジ研磨工程の工程図、図４（ｂ）は研磨装置の概要図、
【図５】図５は他の従来技術の周辺部不要膜除去装置を模式的に示した上面図、
【図６】図６は更に他の従来技術のウェーハ洗浄装置を示す支持具に支持されたウェーハの断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１          ベベル研磨装置
２          回転テーブル（被処理基板回転部）
３          保持台
４          回転軸
５          回転駆動機構
６          処理カップ
１１        ベベル研磨部
１４        第１アーム部材
１５        供給口
１６        供給路
１８        第２アーム部材
１９        吸引口
２０        吸引路
２１        コ字状溝
２２        回転砥石（研磨部材）
Ｗ          ウェーハ（被処理基板）
【図１】
2007005661.tif 000003
【図２】
2007005661.tif 000004
【図３】
2007005661.tif 000005
【図４】
2007005661.tif 000006
【図５】
2007005661.tif 000007
【図６】
2007005661.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月21日(2006.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、コ字状溝２１の開口幅は、図３（ａ）に示すように、ウェーハＷが挿入された状態においてウェーハＷの上面あるいは下面と第１アーム部材１４あるいは第２アーム部材１８間の隙間Ｄが０．１ｍｍ〜５．０ｍｍに設定される。この範囲であると、研磨中にウェーハＷのデバイス面を汚染することなく、溝内で研磨カスによる目詰まり等が発生することがない。また、実験により確認したところ、上記隙間Ｄは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍとするとウェーハＷを良好に乾燥させる上で好ましく、この範囲でも特に１．０ｍｍ前後が最も良好な乾燥結果が得られた。