(57)【要約】  【課題】    配線基板上の任意の位置に配向性カーボンナノチューブ配線を設置する方法を提供する。  【解決手段】  第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成する工程と、第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成し、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着する工程と、該接着スポットに接着した配向性カーボンナノチューブを第一の基体から剥離する工程を経ることにより、第二の基体上の該接着スポットに配向性カーボンナノチューブ集合体を形成させる工程と、該第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体上に第三の基体を設置し、第三の基体の導電部と該配向性カーボンナノチューブを接触させることを特徴とする配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。  【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成する工程と、第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成し、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着する工程と、該接着スポットに接着した配向性カーボンナノチューブを第一の基体から剥離する工程を経ることにより、第二の基体上の該接着スポットに配向性カーボンナノチューブ集合体を形成させる工程と、該第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体上に第三の基体を設置し、第三の基体の導電部と該配向性カーボンナノチューブを接触させることを特徴とする配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項２】
第一の基体が配向性カーボンナノチューブ成長基板である請求項１記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項３】
第一の基体が可撓性基体である請求項１記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項４】
第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成する工程が、配向性カーボンナノチューブを成長基板上で製造する工程と、該配向性カーボンナノチューブ表面に、接着、再剥離可能な可撓性基体を貼り付ける工程と、該配向性カーボンナノチューブを成長基板から剥離し、可撓性基体に移す工程からなる請求項１記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項５】
第二の基体上の接着スポットの１個のスポット面積が０．０１ｍｍ２以下である請求項１記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項６】
第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成する方法が、該第二の基体上に導電性の接着性バインダーを任意の位置に塗布する方法である請求項１から５のいずれか１項に記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項７】
導電性の接着性バインダーを任意の位置に塗布する方法が、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、またはインクジェット法である請求項６記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項８】
第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成する方法が、任意の凸凹形状とした第二の基体の表面上に接着性バインダーを塗布し、該基体表面の凸の位置に選択的に接着する請求項１から５のいずれか１項に記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項９】
第二の基体を凸凹形状とする方法が、第二の基体のプレス加工法、レーザ加工法、メッキ法、蒸着法、エッチング法またはリソグラフィー法である請求項８記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項１０】
導電性の接着性バインダーが、導電性銀ペースト、導電性金ペースト、導電性カーボンペースト、導電性銅ペースト、導電性錫ペースト、導電性パラジウムペーストからなる群から選択された１種または２種以上の混合物であることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項１１】
該配向性カーボンナノチューブを接触させる第三の基体の導電部の選択された位置に接触スポットを配置することを特徴とする請求項1記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項１２】
第三の基体上の接触スポットが導電性バインダーである請求項１１記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項１３】
第三の基体上の接触スポットが凹構造である請求項１１または１２記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項１４】
第三の基体上の接触スポットを凹構造とする方法が、第三の基体のプレス加工法、レーザ加工法、メッキ法、蒸着法、エッチング法またはリソグラフィー法である請求項１３記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【請求項１５】
導電性の第二の基体と導電性の第三の基体の両方あるいはいずれか一方に配線が施してあり、接着スポット上のカーボンナノチューブを介して第二の基体と第三の基体が接続されている配線基板である請求項１から１４のいずれか１項に記載の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向性カーボンナノチューブからなる配線の製造方法に関する。さらに詳しくは、基板上で配向性カーボンナノチューブをパターン形成することによる配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法に関する。本発明の配向性カーボンナノチューブ配線は、電子放出素子、燃料電池、二次電池、キャパシタ、トランジスタ、ＣＰＵ、ＬＳＩ等に用いることができる。
【背景技術】
【０００２】
集積回路等の配線には一般的に、アルミニウム、銅あるいは銀等の金属配線が用いられている。また、その接続にはハンダ類が用いられる。回路の高集積化に伴い、配線も微細化しており、また微細線に電流を高密度に流す必要があり、これら金属配線やハンダ類の抵抗値も無視できないものとなっている。また、大電流を流す際に、エレクトロマイグレーションにより断線してしまうおそれがある。また、金属製の微細な配線では、弾性が少ないため、変形にも弱い。
【０００３】
上記を解決する新しい材料として、カーボンナノチューブが期待されている。カーボンナノチューブはグラフェンシートが円筒状に巻かれた形状であり、一般的に直径０．５〜１００ｎｍ、長さ１〜１００μｍといった非常に細長い中空のチューブ状である。一層のグラフェンシートからなるものを単層カーボンナノチューブ、同心円状に多層のグラフェンシートが巻かれたものを多層カーボンナノチューブと一般的に呼ばれる。カーボンナノチューブは機械的、化学的に強く、また電気抵抗が小さく、弾性力があるため、新規の微細線材料として期待されている。
【０００４】
カーボンナノチューブは非常に微細な繊維であるために、任意の位置に配線するのは困難である。カーボンナノチューブを配線する方法としては、いくつかの方法が提案されている。多数のカーボンナノチューブを電極間にばらまき偶発的に電極に接触させる（特許文献１）、カーボンナノチューブ触媒を電極上に形成し電極上でカーボンナノチューブを成長させる（特許文献２）、炭化珪素基板上の任意の位置からカーボンナノチューブを成長させる（特許文献３）、電顕で観察しながら針状体で移動させて配置する（特許文献４）などが報告されている。
【０００５】
しかし、いずれの方法にしても、偶発性に頼り制御性がない、基板がカーボンナノチューブ成長条件下に暴露されるため基板に制約がある、といったいずれかの欠点がある。
一方、我々は、大面積で一様に高さの揃った配向性カーボンナノチューブ膜を製造する方法として、支持基体上にアルミニウムを蒸着して作製した基礎基体に、カーボンナノチューブ生成触媒を担持してカーボンナノチューブ成長基板を作製し、該基板上で炭素化合物を分解する方法を開示した（特許文献５）。また、支持基体上に０．１〜５０ｎｍの細孔を有するゾルゲル法多孔質担体を作製した基礎基体に、カーボンナノチューブ生成触媒を担持してカーボンナノチューブ成長基板を作製し、該基板上で炭素化合物を分解する方法も開示した（特許文献６）。このような方法により、大面積で一様に高さの揃った多層カーボンナノチューブからなる配向性カーボンナノチューブ膜を製造することができる。
さらに、我々は、配向性カーボンナノチューブを任意の位置に柱形状にパターン形成する方法およびその電界放出型冷陰極への応用について開示した（特許文献７）。
【特許文献１】特開２００３−３３２２６６号公報
【特許文献２】特開２００４−２１７４５６号公報
【特許文献３】特開２００４−０１３６７９号公報
【特許文献４】特開２００６−０５１５７４号公報
【特許文献５】特開２００２−３３８２２１号公報
【特許文献６】特開２００４−００２１８２号公報
【特許文献７】特願２００４−２５６４２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記に鑑み、配線基板上の任意の位置に配向性カーボンナノチューブ配線を設置する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、カーボンナノチューブ配線の製造方法について鋭意研究を重ねた結果、第一の基体上に均一で高さが一定の配向性カーボンナノチューブ膜を準備し、第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成したものを準備し、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着し、第二の基体の接着スポット部分のみ配向性カーボンナノチューブ膜を残して第一の基体を剥離することにより、第二の基体上に垂直配向性があり高さが一定であるカーボンナノチューブからなる配向性カーボンナノチューブ集合体をパターン形成し、さらに第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体上に第三の基体を設置し、第三の基体の導電部と該配向性カーボンナノチューブを接触させることにより、配向性カーボンナノチューブからなる配線を任意の位置に設置することができ、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成する工程と、第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成し、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着する工程と、該接着スポットに接着した配向性カーボンナノチューブを第一の基体から剥離する工程を経ることにより、第二の基体上の該接着スポットに配向性カーボンナノチューブ集合体を形成させる工程と、該第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体上に第三の基体を設置し、第三の基体の導電部と該配向性カーボンナノチューブを接触させることを特徴とする配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法によれば、基板上の任意の位置に配向性カーボンナノチューブからなる配線を設置できる。また、配線に用いる基板も、カーボンナノチューブ生成工程に暴露されることがないため、制約を受けない。また、製造方法が容易なために生産性にも優れる。さらに、第二の基体または第三の基体のいずれか一方のみを交換することも容易であるため、製品検査も容易に行える。
このようにして製造した配向性カーボンナノチューブ配線は、低抵抗の微細な配線であり、大電流を流すことが可能であり、エレクトロマイグレーションのおそれもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に本発明を詳しく説明する。
本実施形態における配向性カーボンナノチューブ配線の製造方法は、工程（ａ）第一の基体上に均一で高さが一定の配向性カーボンナノチューブ膜を準備し、工程（ｂ）第二の基体上の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成したものを準備し、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着し、工程（ｃ）第二の基体の接着スポット部分のみ配向性カーボンナノチューブ膜を残して第一の基体を剥離することにより、第二の基体上に垂直配向性があり高さが一定であるカーボンナノチューブからなる配向性カーボンナノチューブ集合体をパターン形成し、工程（ｄ）第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体上に第三の基体を設置し、第三の基体の導電部と該配向性カーボンナノチューブを接触させる方法である。
【００１１】
工程（ａ）における第一の基体上にある配向性カーボンナノチューブ膜としては、高さが均一であれば特に限定されない。また、第一の基体上にある配向性カーボンナノチューブ膜としては、後に第一の基体から剥離する操作を行うため、第一の基体と該基体上のカーボンナノチューブの密着力が弱い方が好ましい。また、各々のカーボンナノチューブの層数は特に限定されないが、多層のものが強度、寿命の点で好ましい。
上記の条件を満たす配向性カーボンナノチューブ膜として、例えば、本発明者らが発明した特開２００２−３３８２２１号公報や特開２００４−００２１８２号公報で開示した配向性カーボンナノチューブ膜が挙げられる。該カーボンナノチューブ膜は特開２００２−３３８２２１号公報に記載されているように、支持基体上にアルミニウムを蒸着して作製した基礎基体に、カーボンナノチューブ生成触媒を担持してカーボンナノチューブ成長基板を作製し、該基板上で炭素化合物を分解することにより製造できる。また、該カーボンナノチューブ膜は特開２００４−００２１８２号公報に記載されているように、支持基体上に０．１〜５０ｎｍの細孔を有するゾルゲル法多孔質担体を作製した基礎基体に、カーボンナノチューブ生成触媒を担持してカーボンナノチューブ成長基板を作製し、該基板上で炭素化合物を分解することにより製造できる。
【００１２】
ここで用いられるカーボンナノチューブ生成触媒としては、カーボンナノチューブを形成する触媒であればいずれでも良く、例えば鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、またはこれらの化合物が用いられる。これらの触媒は単独または混合物として用いることができる。触媒の担持法としては、担体に触媒を担持させる方法であればいずれでも良く、含浸法、浸漬法、ゾルゲル法等が挙げられる。また、触媒を担持後に、該カーボンナノチューブ成長基板を加熱する場合もある。
【００１３】
該カーボンナノチューブ成長基板を用いて炭素化合物を分解することにより、該基板上に配向性カーボンナノチューブ膜が生成する。使用される炭素化合物は、適当な触媒の存在下で、カーボンナノチューブを生じさせるものなら何でも良く、例えば、メタン、エタン、プロパンなどの飽和炭化水素化合物、エチレン、プロピレン、アセチレンなどの不飽和炭化水素化合物、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素化合物、メタノール、エタノール、アセトンなどの含酸素炭化水素化合物などが挙げられ、好ましくは、メタン、エチレン、プロピレン、アセチレン、メタノール、エタノール、プロパノールである。該炭素化合物の導入形態としては、ガス状のまま導入しても良いし、アルゴンのような不活性ガスと混合して導入しても良いし、あるいは不活性ガス中の飽和蒸気として導入しても良い。また、ナノチューブに組み込まれるホウ素、窒素などのヘテロ元素を含む化合物を混ぜることで、ヘテロ元素含有ナノチューブとすることも可能である。
【００１４】
該炭素化合物の分解反応としては、熱分解が最も一般的で、好ましい反応温度は４００〜１１００℃、より好ましくは５００〜９００℃、好ましい反応圧力は１ｋＰａ〜１ＭＰａ、より好ましくは０．０１〜０．１２ＭＰａである。
本実施形態において、触媒粒子は、カーボンナノチューブの生成後には各カーボンナノチューブの先端部分すなわち配向性カーボンナノチューブ膜の先端側に内包されていることが多い。本発明の製造方法によると、高さ１〜１５０μｍの配向性カーボンナノチューブ膜を成長基板上に一様に生成させることができる。また、該成長基板と成長基板上の該カーボンナノチューブ膜は物理的に接触しているのみであり、成長基板と該基体上のカーボンナノチューブ膜の密着力は弱い。
【００１５】
本発明に用いられる第一の基体としては、配向性カーボンナノチューブ膜を製造する際に用いた基板、すなわちカーボンナノチューブ成長基板をそのまま用いることができる。ただし、該成長基板としては、通常セラミックスや石英など変形不可能な材料を基体としている。そのため、第二の基体が第一の基体と同様に変形不可能な材料である場合、第一の基体上の配向性カーボンナノチューブの全面を均一に第二の基体へ接触することが困難になる場合がある。これを補う手段として、変形可能な可撓性の基体上に転写した配向性カーボンナノチューブ膜を用いることが好ましい。変形可能なシートを使用することによって、可撓性基体に転写された該配向性カーボンナノチューブ膜の表面と変形不可能な第二の基体表面とを均一に密着させることができ、良好に接着することができる。
【００１６】
該可撓性基体上の配向性カーボンナノチューブ膜の作製は、カーボンナノチューブ成長基板上に配向性カーボンナノチューブ膜を作製し、該配向性カーボンナノチューブ膜の表面を接着と剥離の可能な表面を有する可撓性基体の表面に接着後、該接着と剥離の可能な表面と接着した配向性カーボンナノチューブ膜を残して基礎基体を剥離し、配向性カーボンナノチューブ膜を可撓性基体に移すことにより行うことができる。具体的な実施方法としては、カーボンナノチューブ成長基板上に成長させた配向性カーボンナノチューブ膜の表面を変形可能なシートからなる可撓性基体の表面と接触させ、乾燥、圧着、加熱、あるいは熱圧着を施して接触面を接着し、該配向性カーボンナノチューブ膜を該成長基板から剥離し、可撓性基体に移すことにより、該可撓性基体シート上に配向性カーボンナノチューブ膜を作製する。
【００１７】
ここで使用する可撓性基体シートとしては、接着と剥離の可能な表面を有する可撓性基体が使用できる。接着と剥離の可能な表面とは、その表面に弱い粘着性または接着性があれば良く、粘着剤または接着剤がシートの全面に塗布されている。特に、ＥＶＡ系またはアクリル系の粘着剤を印刷したシートが好ましい。その他、通常の環境下では接着性や粘着性がないシートでも、湿潤雰囲気や高温など特殊な環境下で接着性や粘着性を発現するシートも使用できる。具体的な可撓性基体としては、熱可塑性樹脂からなる単層シート、粘着性アクリル樹脂／熱可塑性樹脂の二層構造シート及び粘着性ＥＶＡ／熱可塑性樹脂の接着性二層構造シートが挙げられ、熱可塑性樹脂としてはポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミドが例示される。また、エポキシ樹脂、フェノール樹脂に例示される熱硬化性樹脂からなるシート、ポリビニルアルコールに例示される水溶性樹脂からなるシートも使用できる。これら接着と剥離の可能な表面を有する二層以上からなる多層シートも使用できる。
【００１８】
続いて、工程（ｂ）において、第二の基体としては、その表面の一部または全部に導電部のある基板を用いる。また、予め配線の施してある基体とすることもできる。この基体の導電部の任意の位置に接着スポットをパターン形成し、該接着スポットに配向性カーボンナノチューブを接着する。
工程（ｂ）の具体的な方法を以下に二通り記述する。これらの方法を用いれば、ひとつの接着スポットの面積を０．０１ｍｍ２以下にすることも可能である。配線の断面積が０．０１ｍｍ２以下の際には、カーボンナノチューブ配線とする効果が大いに現れる。
【００１９】
接着スポットを任意の位置にパターン形成する第一の方法として、該第二の基体上の導電部の任意の位置に接着性バインダーを塗布し、該接着性バインダー塗布部分のみ接着する方法がある。この様子を図１に示す。このような塗布パターンを可能とする方法としては、スクリーン印刷法およびディスペンサー法あるいはインクジェット法が挙げられる。これらの方法で接着性バインダーを任意の位置に塗布した第二の基体を用い、第一の基体上にある配向性カーボンナノチューブ膜の表面を該第二の基体へ接着することにより、接着性バインダーの塗布部分のみカーボンナノチューブが接着し、第二の基体上の任意の位置にパターン形成することができる。なお、必ずしも接着性バインダーの１スポット全面にカーボンナノチューブが貼り付く必要はなく、１スポットの一部にのみ貼り付くこともありうる。
【００２０】
接着スポットを任意の位置にパターン形成する第二の方法として、第二の基体表面を凸凹形状にし、凸の位置に選択的に接着する方法がある。第二の基体表面が、凸凹形状であれば、第一の基体上の配向性カーボンナノチューブ膜と接触する際に、凸の部分のみ接触することができ、凸の部分のみ選択的に接着される。または、凹の部分とカーボンナノチューブが接触する場合であっても、凸の部分のみ接着圧力が強くなるため、凸の部分のみ選択的に接着される。そのため、凸凹形状とした第二の基体全面に接着性バインダーを塗布しても、凸の位置のみ選択的に配向性カーボンナノチューブ膜を接着することが可能である。なお、凹の位置に接着性バインダーが塗布されない場合もある。この様子を図２に示す。
【００２１】
このような凸凹形状を作製する方法としては、プレス加工法のような機械的加工法、メッキ法、蒸着法、レーザ、薬品等によるエッチング法、電子線、イオンビームによるリソグラフィー等が挙げられる。また、微細なパターニングを行う方法としては、ＣＡＤ、フォトリソグラフィーパターンを利用した方法等を用いることができる。凸凹の段差は、好ましくは１００〜１μｍ、より好ましくは５０〜５μｍである。これらの凸凹形状の作製は、接着性を有する第二の基体表面に直接行うこともできるし、第二の基体表面をこれらの方法で凸凹形状にした後に、接着性バインダーを全面に塗布することもできる。これらの方法により、配向性カーボンナノチューブ膜の選択的接着がより確実になる。ただし、接着スポット間のショートを防ぐため、各スポット間を断線する必要がある場合もある。
【００２２】
ここで、カーボンナノチューブを配線として用いるため、カーボンナノチューブと第二の基体を接着するバインダーとしては導電性であることが好ましい。また、微細なパターニングを行う場合は特に、導電性ペーストを用いるのが好ましい。本発明に用いられる導電性ペーストとしては、その導電性や加工性能から、導電性銀ペースト、導電性金ペースト、導電性カーボンペースト、導電性銅ペーストあるいはこれらの混合物を用いるのが好ましい。また、エレクトロマイグレーションを防ぐペーストとして、これらの導電性ペーストに、導電性錫ペーストあるいは導電性パラジウムペーストを混合したものを用いるのが好ましい。
【００２３】
上述の工程（ｂ）で第二の基体上に接着スポットを任意の位置にパターン形成したものを準備し、第一の基体上の該配向性カーボンナノチューブ膜表面に該第二の基体上の接着スポットを重ねて接着し、さらに工程（ｃ）において、第二の基体の接着スポット部分のみ配向性カーボンナノチューブ膜を残して第一の基体を剥離することにより、第二の基体上に垂直配向性があり高さが一定であるカーボンナノチューブからなる配向性カーボンナノチューブ集合体をパターン形成できる。
【００２４】
続いて、工程（ｄ）において、上記第二の基体上にパターン形成したカーボンナノチューブ上に第三の基体を設置することにより、第二の基体と第三の基体を結ぶ配向性カーボンナノチューブ配線が完成する。ここで、第三の基体としては、該基体表面のカーボンナノチューブ配線を設置したい位置に導電部があるものを用いる。
第三の基体とカーボンナノチューブを接触させる方法としては、上記の導電性ペーストを用いて接着する方法がある。その場合、第三の基体の任意の位置に、あらかじめ導電性ペーストをパターニングしておく。これに第二の基体上のパターニングされた配向性カーボンナノチューブ集合体を接着することにより、第二の基体と第三の基体を接続する配向性カーボンナノチューブ配線を製造することができる。この様子を図３に示す。
【００２５】
また、他の第三の基体とカーボンナノチューブを接触させる他の方法としては、第三の基体の接触スポットを凹構造にしておく方法もある。第二の基体上のパターニングされた配向性カーボンナノチューブ集合体を、第三の基体の凹構造にはめ込めば良い。この様子を図４に示す。この際、接触部に接着性バインダーは特に必要なく、第二の基体と第三の基体を何かの方法で固定さえすれば、配向性カーボンナノチューブ配線が断線することはない。また、カーボンナノチューブは弾性があるので、配向性カーボンナノチューブの高さより短い距離に第二の基体と第三の基体が近づいても問題ない。さらに、カーボンナノチューブが強固に接着してないため、基体の交換も容易にできる。
【００２６】
このような凸凹形状を作製する方法としては、プレス加工法のような機械的加工法、メッキ法、蒸着法、レーザ、薬品等によるエッチング法、光、電子線、イオンビームによるリソグラフィー等が挙げられる。また、微細なパターニングを行う方法としては、ＣＡＤ、フォトリソグラフィーパターンを利用した方法等を用いることができる。このようにして、第二の基体と第三の基体を接続する配向性カーボンナノチューブ配線を製造することができる。また、これらの操作を繰り返すことにより、第四の基体、第五の基体を積層することも可能である。
【実施例】
【００２７】
以下に実施例をあげて本発明の方法を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
実施例１
（工程（ａ）第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成）
支持基体として、シリカ２５％、アルミナ７５％の組成で、厚さ２ｍｍ、一辺３０ｍｍの角型シリカアルミナ板を用い、真空蒸着法にてアルミニウムを０．１３μｍの厚みで被覆して基礎基体を得た。次いで、濃度０．２ｍｏｌ／ｌの硝酸コバルト水溶液に１０分間浸漬した。該基体を引き上げた後、４００℃、３時間空気中で焼成し、カーボンナノチューブ成長基板を得た。
【００２８】
焼成後、アルミニウム蒸着側を水平上向きにして、カーボンナノチューブ成長基板を内径３６ｍｍ、加熱領域２５０ｍｍの石英管状炉内中央に設置した。水平方向にアルゴンを３６０ｍｌ／ｍｉｎで送気しながら管状炉を７００℃まで昇温した。続いて、７００℃に保持したまま、３６０ｍｌ／ｍｉｎのアルゴンにプロピレンを１２０ｍｌ／ｍｉｎで混合させて管状炉内に送気した。プロピレン／アルゴン混合ガスを４分間流した後、再びアルゴンのみに切り替えて流しながら、管状炉の加熱を止めて、室温まで放冷した。反応終了後、成長基板表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察した結果、シリカアルミナ上に厚さ２０μｍの配向性カーボンナノチューブ膜が形成されたことが確認できた。
【００２９】
次に、配向性カーボンナノチューブ膜の表面を、粘着性アクリル樹脂／ポリオレフィンから成る接着性シート（第一の可撓性基体）の表面に接触させ、プレス機で２ＭＰａかけて圧着し、シリカアルミナ基板を配向性カーボンナノチューブ膜から剥離することにより、接着性シート表面に配向性カーボンナノチューブ膜を転写により作製し、第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成した。
【００３０】
（工程（ｂ）、（ｃ）第二の基体上に配向性カーボンナノチューブ集合体を形成）
２．５ｃｍ＊７．５ｃｍのガラス板にアルミニウムを蒸着して導電層を形成することにより導電性の基板（第二の基体）を準備した。導電層表面に導電性銀ペーストを１個のスポット径５０μｍ、１５０μｍピッチのスクリーン製版を用いて１０ｍｍ四方角にスクリーン印刷した。その結果、直径５０μｍ、厚さ８μｍで導電性銀ペーストをパターニングできた。ここで、接着性シート上に前記作製した配向性カーボンナノチューブ膜の表面とスクリーン印刷した前記導電性銀ペーストを接触させ、ＭＰａでプレス後に、アルゴン雰囲気下で１００℃まで加熱した。冷却後、導電性銀ペーストに接着した配向性カーボンナノチューブ膜を残して接着性シートを剥離することにより、第二の基体上に配向性カーボンナノチューブのパターン化された集合体を得た。
【００３１】
（工程（ｄ）第三の基体の設置）
２．５ｃｍ＊７．５ｃｍのガラス板にアルミニウムを蒸着して導電層を形成することにより導電性の基板（第三の基体）を準備した。導電層表面に導電性銀ペーストを１個のスポット径１００μｍ、１５０μｍピッチのスクリーン製版を用いて１０ｍｍ四方角にスクリーン印刷した。その結果、直径１００μｍ、厚さ８μｍで導電性銀ペーストをパターニングできた。ここで、第三の基体を、上記第二の基体上の配向性カーボンナノチューブのパターン化された集合体上に重ね合わせ、アルゴン雰囲気下で１００℃まで加熱した。これにより、第二の基体と第三の基体を接合する配向性カーボンナノチューブ配線が完成した。
【００３２】
実施例２
（工程（ａ）第一の基体上に配向性カーボンナノチューブ膜を形成）
実施例１と同様に行った。
（工程（ｂ）、（ｃ）第二の基体上に配向性カーボンナノチューブ集合体を形成）
リソグラフィー法で、凸凹形状をパターニングした２．５ｃｍ＊７．５ｃｍのアルミニウム板（第二の基体）を準備した。凸のパターニング形状は、１０ｍｍ四方角内に、１個の径５０μｍ、１５０μｍピッチで、高さは１０μｍとした。
このアルミニウム板の凸凹形状をパターニングした部分に導電性銀ペーストをスクリーン印刷した。
【００３３】
ここで、接着性シート上に前記作製した配向性カーボンナノチューブ膜の表面と前記導電性銀ペーストをスクリーン印刷したアルミニウム板表面を接触させ、０．５ＭＰａでプレス後に、アルゴン雰囲気下で１００℃まで加熱した。冷却後、導電性銀ペーストに接着した配向性カーボンナノチューブ膜を残して接着性シートを剥離することにより、第二の基体上に１０ｍｍ四方角内に、１個の径５０μｍ、１５０μｍピッチで配向性カーボンナノチューブのパターン化された集合体を得た。
【００３４】
（工程（ｄ）第三の基体の設置）
２．５ｃｍ＊７．５ｃｍ銅板（第三の基体）に、絶縁層としてガラスペーストを１０μｍの厚さで塗布したものを準備した。これに、エッチングを行い、１０ｍｍ四方角内に、１個の径１００μｍ、１５０μｍピッチでガラスペーストを除去し、銅板を露出させた。
ここで、第三の基体を、上記第二の基体上の配向性カーボンナノチューブのパターン化された集合体上に重ね合わせ、第二の基体と第三の基体をクリップで繋ぎ止めた。これにより、第二の基体と第三の基体を接合する配向性カーボンナノチューブ配線が完成した。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】接着性バインダーのパターニング塗布による第二の基体上への配向性カーボンナノチューブ集合体のパターニング方法。
【図２】凸凹形状のパターニングによる第二の基体上への配向性カーボンナノチューブ集合体のパターニング方法。
【図３】第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体と導電性ペーストをスクリーン印刷した第三の基体との貼り合わせ。
【図４】第二の基体上の配向性カーボンナノチューブ集合体と凹構造とした第三の基体との貼り合わせ。
【符号の説明】
【００３６】
１  第一の基体
２  配向性カーボンナノチューブ膜
３  第二の基体
４  配向性カーボンナノチューブ集合体
５  接着性バインダー
６  凸部分
７  第三の基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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