(57)【要約】【課題】主磁極層がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成され、歩留まりが良好になるようにする。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、次のようにして製造されている。まず、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成し、ＣＭＰで研磨するときの停止膜を、磁極形成用凹部を埋めるようにして形成した後、停止膜の上に磁性層を形成する。次に、磁極形成用凹部の外側に磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成することによって磁性層を分離し、分離された磁性層に上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する。また、停止膜が現われるまで表面をＣＭＰで研磨して、磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とする。さらに、記録ギャップ層、ライトシールド層および薄膜コイルをそれぞれ形成する。【選択図】図１
2007287313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、
前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ベース絶縁層の表面上の前記磁極形成用凹部と前記残存絶縁膜との間の部分に、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ、Ｔｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒなどからなる残存被膜が形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、
前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、該残存絶縁膜の表面と、前記主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、
前記残存絶縁膜の表面および前記主磁極層の表面上に前記記録ギャップ層が形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記ベース絶縁層の表面上の前記磁極形成用凹部と前記残存絶縁膜との間の部分に、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ、Ｔｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒなどからなる残存被膜が形成され、該残存被膜の上に前記記録ギャップ層が形成されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離が１０〜１０００μｍの範囲に設定されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離が１０〜１０００μｍの範囲に設定されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、
前記磁極形成用凹部に入り込むようにして、ＣＭＰで研磨するときの停止膜を前記ベース絶縁層に形成した後、前記停止膜の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁極形成用凹部の外側に前記磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成することによって前記磁性層を分離する工程と、
前記分離用溝部で分離された前記磁性層に上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、
前記停止膜が現われるまで表面をＣＭＰで研磨して、前記磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とする工程と、
前記記録ギャップ層、前記ライトシールド層および前記薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、
前記磁極形成用凹部に入り込むようにして、ＣＭＰで研磨するときの停止膜を前記ベース絶縁層に形成した後、前記停止膜の上に磁性層を形成する工程と、
前記磁極形成用凹部の外側に前記磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成し、該分離用溝部で分離された前記磁性層のうちの前記分離用溝部の内側部分を残存磁性層とし、前記分離用溝部の外側部分を外郭磁性層とする工程と、
前記外郭磁性層を除去して前記残存磁性層を残す工程と、
前記残存磁性層および前記分離用溝部を含む上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、
前記停止膜が現われるまで表面をＣＭＰで研磨して、前記残存磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とする工程と、
前記記録ギャップ層、前記ライトシールド層および前記薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、前記カバー絶縁膜の前記分離用溝部の内側に残された部分を残存絶縁膜とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記残存磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、前記カバー絶縁膜の前記分離用溝部の内側に残された部分を残存絶縁膜とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、ＩＢＥによって前記主磁極層の高さの微調整を行い、前記停止膜を除去する請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記残存磁性層のうちの前記磁極形成用凹部の内側に残された部分を前記主磁極層とするときに、ＩＢＥによって前記主磁極層の高さの微調整を行い、前記停止膜を除去する請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記外郭磁性層を除去して前記残存磁性層を残す工程において、前記停止膜が残るようにする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記磁極形成用凹部と、前記分離用溝部との間隔を示す外周距離を１０〜１０００μｍの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記磁極形成用凹部と、前記分離用溝部との間隔を示す外周距離を１０〜１０００μｍの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離を１５〜２００μｍの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記磁極形成用凹部と、前記残存絶縁膜との間隔を示す外周距離を１５〜２００μｍの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記分離用溝部の幅を５〜２０μｍの範囲に設定して、前記分離用溝部を形成する請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、
前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、
前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、該残存絶縁膜の表面と、前記主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、
前記残存絶縁膜の表面および前記主磁極層の表面上に前記記録ギャップ層が形成されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２０】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、
前記主磁極層は、該主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の前記磁極形成用凹部に組み込まれ、
前記磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして前記磁極形成用凹部の外側に形成され、前記ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、該残存絶縁膜の表面と、前記主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、
前記残存絶縁膜の表面および前記主磁極層の表面上に前記記録ギャップ層が形成されているハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、ハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向に情報を記録する長手記録方式と、ハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、特許文献１，２，３，４等に開示されている。
【特許文献１】米国特許第６，５０４，６７５号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献３】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【特許文献４】特開２００４−９４９９７号公報
【特許文献５】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献６】特開２００３−２０３３１１号公報
【０００５】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドはハードディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）の側に配置された磁極端部がある角度での傾き(Skew Angle）を生じる。垂直記録方式の磁気ヘッド（perpendicular magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）で書き込み能力が高い場合は、このSkewAngleが生じることによって、隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題があった。この書きにじみが生じると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす。そのため、従来のＰＭＲは、主磁極層におけるＡＢＳ側の磁極端部を一方向に向って漸次幅の狭まるベベル形状にしている（この点に関しては、例えば、特許文献５，特許文献６参照）。
【０００６】
また、従来のＰＭＲは、記録媒体にデータを書き込む際に磁気ヘッドを動かす必要がある点や、上述の書きにじみの問題および隣接するトラックのデータ消去といった問題を回避する必要がある点等から、ベベル角（図１９に示すθ）は５〜１２度の範囲に設定されていた。
【０００７】
このようなＰＭＲは例えば次のようにして形成されている。従来のＰＭＲの製造方法について図１８〜図２１を参照して説明する。まず、図１８に示すようにアルミナ等からなる絶縁層４００の上にシード層４０１を形成する。次にベベル角に対応したテーパ状凹部を備えたレジストパターン４０２を選択的に形成し、そのテーパ状凹部に埋め込むようにしてＦｅＮｉ，ＣｏＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ等の磁性材を用いためっきによる磁性層４０３を形成する。続いてレジストパターン４０２を除去し、さらにイオンビームエッチング（以下「ＩＢＥ」という）によりシード層４０１のエッチングを行うと、図１９に示すような磁極端部４０４を有する主磁極層が形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のとおり、従来のＰＭＲでは、磁極端部４０４がベベル形状に形成されているため、磁極端部４０４の高さやベベル角によって、トラック幅が変わる。したがって、トラック幅が想定した大きさになるように、磁極端部４０４の高さを化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）で決め、幅をフォトリゾグラフィで決めるようにしており、磁極端部４０４の高さや幅を適切な値に調節することが必要であった。
【０００９】
しかし、従来の技術では、ウエハ内での磁性層４０３の厚さにばらつきがあるため、ウエハ内での各主磁極層における磁極端部４０４の高さがばらついて均一にならなかった。そのため、ウエハ全体を研磨して各磁極端部４０４の高さを均一にする必要があった。そのための手順は例えば次のとおりである。
【００１０】
まず、図２０に示すように、選択的ウェットエッチングを施して磁極端部４０４の両側に配置されているフィールドエリアｆの磁性層４０３とシード層４０１を除去する。次に、アルミナ膜４０５を０．３５μｍ程度の厚さで形成する。次に、ＣＭＰのストッパとしてのＴａ膜４０６を４００〜６００Åで磁極端部４０４の両側に形成する。その後、さらに６０００Å程度の厚さでアルミナ膜４０７を形成する。
【００１１】
次に、ストッパとしてのＴａ膜４０６が現れるまでアルミナ膜４０７をＣＭＰで研磨する。ところが、アルミナ膜４０５の厚さの均一性が良好でないため、図２１に示すように、研磨が進みすぎて磁極端部４０４およびその周囲の高さがＴａ膜４０６から１５００Å程度落ち込んでしまうことがあった。このような高さの落ち込みは、ＣＭＰの過度の研磨（over polish of ＣＭＰ）によって形成される。しかし、Ｔａ膜４０６が磁極端部４０４から離れて配置され、Ｔａ膜４０６同士の間隔が大きくなっていると、高さの落ち込みを調整することが難しくなってしまう。
【００１２】
そのため、従来のＰＭＲは、図２２（Ａ）に示す状態からＣＭＰによる研磨が行われたときに、図２２（Ｂ）に示すように、過度の研磨が行われたために磁極端部４０４の高さが想定していた高さよりも低くなったり、逆に、図２２（Ｃ）に示すように研磨が不足して高くなることもあり、磁極端部４０４の高さにばらつきを生じやすかった。そうすると、磁極端部４０４の幅も、Ｗ１（図２２（Ｂ）の場合）になったり、Ｗ２（図２２（Ｃ）の場合）になったりしてばらつきが発生してしまう。図２２（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、磁極端部４０４の高さが高ければ磁極端部４０４の幅が広くなり、トラック幅も大きくなるが、磁極端部４０４の高さが低くなると磁極端部４０４の幅が狭まり、トラック幅が小さくなってしまう。
【００１３】
以上のように、従来の技術では、上記のように、磁極端部４０４の高さを均一にしようとＣＭＰによる研磨を行っても、磁極端部４０４の高さにばらつきが出やすいという問題があった。磁極端部４０４の高さにばらつきが出ると、磁極端部４０４の幅もばらつき、トラック幅もばらついてしまう。したがって、従来のＰＭＲは、ばらつきを生じないように磁極端部４０４を均一の寸法で形成するのが難しく、結果として歩留まりが非常に悪いという問題があった
【００１４】
上記のような磁極端部の寸法の不均一性を解消するためには、例えば次のような製造方法が考えられる。すなわち、磁性層を形成するのに先立って、主磁極層の寸法に適合した凹部を予め絶縁層に形成しておき、その凹部の中に磁性材が埋め込まれるようにして、絶縁層の上側全面にめっきによる磁性層を形成するという製造方法である。
【００１５】
ところが、この製造方法によりＰＭＲを形成するときは、凹部の外側にも必要のない余分な磁性層が形成されるので、その余分な磁性層をＣＭＰによる研磨などによって除去する必要がある。しかし、ＣＭＰによる研磨を行うときは、磁性層が絶縁層の上側全面に残ったままなので、ＣＭＰによる研磨の対象となる磁性層の面積が大きい。そのため、磁性層がＣＭＰによる研磨で除去される速度が遅く、研磨量を細かく調整することが難しくなり、余分な磁性層を均一に除去することがほぼ不可能であった。したがって、ウエハ上に形成される各ＰＭＲについて、研磨量の多少が発生し得るため、磁極端部の寸法均一性を得ることができなかった。よって、この製造方法でも、想定した寸法どおりに、しかもばらつきを生じることのない均一な寸法で磁極端部を形成する、という課題を解決することができなかった。
【００１６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、主磁極層がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成され、歩留まりが良好になるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００１８】
ベース絶縁層の表面上の磁極形成用凹部と残存絶縁膜との間の部分に、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ、Ｔｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒなどからなる残存被膜が形成されているようにしてもよい。
【００１９】
また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、その残存絶縁膜の表面と、主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、残存絶縁膜の表面および主磁極層の表面上に記録ギャップ層が形成されている薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００２０】
この薄膜磁気ヘッドも、ベース絶縁層の表面上の磁極形成用凹部と残存絶縁膜との間の部分に、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ、Ｔｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒなどからなる残存被膜が形成され、その残存被膜の上に記録ギャップ層が形成されていてもよい。
【００２１】
さらに、磁極形成用凹部と、残存絶縁膜との間隔を示す外周距離が１０〜１０００μｍの範囲に設定されていることが好ましい。
【００２２】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、磁極形成用凹部に入り込むようにして、ＣＭＰで研磨するときの停止膜をベース絶縁層に形成した後、停止膜の上に磁性層を形成する工程と、磁極形成用凹部の外側に磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成することによって磁性層を分離する工程と、分離用溝部で分離された磁性層に上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、停止膜が現われるまで表面をＣＭＰで研磨して、磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とする工程と、記録ギャップ層、ライトシールド層および薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【００２３】
この製造方法では、磁性層をＣＭＰで研磨する前に、その磁性層が分離用溝部を形成することによって分離されている。
【００２４】
また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、磁極形成用凹部に入り込むようにして、ＣＭＰで研磨するときの停止膜をベース絶縁層に形成した後、停止膜の上に磁性層を形成する工程と、磁極形成用凹部の外側に磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成し、その分離用溝部で分離された磁性層のうちの分離用溝部の内側部分を残存磁性層とし、分離用溝部の外側部分を外郭磁性層とする工程と、外郭磁性層を除去して残存磁性層を残す工程と、残存磁性層および分離用溝部を含む上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する工程と、停止膜が現われるまで表面をＣＭＰで研磨して、残存磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とする工程と、記録ギャップ層、ライトシールド層および薄膜コイルをそれぞれ形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【００２５】
この製造方法では、磁性層をＣＭＰで研磨する前に、その磁性層が分離用溝部を形成することによって分離され、さらに、その分離された磁性層のうちの分離用溝部の外側部分が除去されている。
【００２６】
また、上記製造方法では、残存磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とするときに、カバー絶縁膜の分離用溝部の内側に残された部分を残存絶縁膜とすることができる。
【００２７】
さらに、磁性層のうちの磁極形成用凹部の内側に残された部分を主磁極層とするときに、ＩＢＥによって主磁極層の高さの微調整を行い、停止膜を除去することもできる。
【００２８】
そして、外郭磁性層を除去して残存磁性層を残す工程において、停止膜が残るようにすることもできる。
【００２９】
磁極形成用凹部と、分離用溝部との間隔を示す外周距離を１０〜１０００μｍの範囲に設定して、分離用溝部を形成することが好ましい。
また、磁極形成用凹部と、残存絶縁膜との間隔を示す外周距離を１５〜２００μｍの範囲に設定して、分離用溝部を形成することがより好ましい。
【００３０】
さらに、分離用溝部の幅を５〜２０μｍの範囲に設定して、分離用溝部を形成することもできる。
【００３１】
そして、本発明は基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、その残存絶縁膜の表面と、主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、残存絶縁膜の表面および主磁極層の表面上に記録ギャップ層が形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３２】
さらに、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、その主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層の磁極形成用凹部に組み込まれ、磁極形成用凹部を概ね取り囲むようにして磁極形成用凹部の外側に形成され、ベース絶縁層を被覆している残存絶縁膜を有し、その残存絶縁膜の表面と、主磁極層の表面とが段差のない平面状に形成され、残存絶縁膜の表面および主磁極層の表面上に記録ギャップ層が形成されているハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３３】
以上詳述したように、本発明によれば、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、主磁極層がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成され、歩留まりが良好になるようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００３５】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
図１〜図１６を参照して、本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００３６】
本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは薄膜コイルが主磁極層の周りに巻回されているタイプ（タイプ１）と、ライトシールド層の周りに巻回されているタイプ（タイプ２）とがある。
【００３７】
以下の説明では、図１に示す前者（タイプ１）の薄膜磁気ヘッド３００を例にとって、その製造方法について説明する。
【００３８】
薄膜磁気ヘッド３００は、図１に示すように、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ１５の側に磁極端部１１を有する主磁極層１０と、記録ギャップ層１２を有し、ＡＢＳ１５の側において、記録ギャップ層１２を形成するようにして磁極端部１１に対向するライトシールド層１３と、主磁極層１０および主磁極層１０の上側に接続された上部磁極層１４の周りに巻回された薄膜コイル１００とが積層された構成を有している。
【００３９】
この薄膜磁気ヘッド３００を本発明に係る製造方法によって製造するときは、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる図示しない基板の上に、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等の再生ヘッドと、複数のシールド層等を備えた積層構造部６０（図１参照）を形成する。その上に、アルミナからなる絶縁層６１を形成し、絶縁層６１の上側に、薄膜コイル１００のうちの主磁極層１０の下側部分を形成する。次に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や非磁性材を用いて絶縁層１を形成する。この絶縁層１を形成した後の工程が図２〜図９に示されている。ただし、図２〜図９では、絶縁層１よりも下側の構成（積層構造部６０など）が省略されている。
【００４０】
ここで、図１は、薄膜磁気ヘッド３００の薄膜コイルに交差する方向の断面図である。また、図２〜図９は、薄膜磁気ヘッド３００を製造する途中におけるＡＢＳ１５で切断した状態を想定した断面図を示している。図１０は薄膜磁気ヘッド３００を製造する途中における図４に対応した平面図、図１１は同じく図５に対応した平面図である。さらに、図１２は図２に対応した絶縁層を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図、図１３は図１２の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡＢＳ１５で切断した状態を想定した断面図、（Ｃ）は（Ｂ）における要部を拡大して示す断面図である。
【００４１】
次に、絶縁層１にＴａまたはＲｕからなる被膜２を厚さ２００〜１０００Åで形成する（被膜２は、Ｔａ、Ｒｕのほか、Ｗ、Ｔｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒなどで形成してもよい）。さらに、フォトレジストを全面に塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、絶縁層１の表面を後述するキャビティ２０に対応した形状に露出させるレジストパターン３を形成する。そして、そのレジストパターン３をマスクにして、ＩＢＥまたは反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行って、被膜２のレジストパターン３で被覆されない部分を除去し、さらに、絶縁層１についてもレジストパターン３で被覆されない部分を除去する。こうすることによって、絶縁層１に図１２、図１３に示すキャビティ２０が形成される。この場合、被膜２がＴａからなる場合はＲＩＥのみを行い、被膜２がＲｕからなる場合は、被膜２をＩＢＥで除去し、絶縁層１をＲＩＥで除去する。ＲＩＥを行う場合は、Ｃｌ２、ＢＣＬ３およびＣＦ４の混合ガスを用い、キャビティ２０における磁極端部１１に対応した部分を７〜１０度程度のベベル角を有するテーパ状に形成する。こうして、キャビティ２０が形成されることによって、絶縁層１は本発明におけるベース絶縁層となる。
【００４２】
キャビティ２０は本発明における磁極形成用凹部であって、図１２、図１３に示すように、主磁極層１０を設定通りの寸法および形状で形成するため、絶縁層１の一部を主磁極層１０の外形形状に対応する形状に窪ませたものである（図１２の（Ａ），図１３の（Ａ）における斜線部分がキャビティ２０を示している）。すなわち、キャビティ２０は、詳しくは後述するが主磁極層１０よりも先に形成されていて、深さがｄ１（約０・２５〜０．３５μｍ、好ましくは０．３μｍ）で、幅、奥行きを含む寸法および形状が想定している主磁極層１０の厚さ、幅、奥行きに一致するように形成されている。
【００４３】
キャビティ２０は薄膜磁気ヘッド３００のトラック幅が決まるように形成された極細溝部２３と、極細溝部２３に接続され、幅方向の溝幅が漸次広がっている可変幅凹部２４と、可変幅凹部２４に接続され、幅方向の溝幅が一定の定幅凹部２５と、極細溝部２３の可変幅凹部２４と反対側の端部に接続されている張出凹部２６とを有している。このキャビティ２０は、中に埋め込まれる後述の残存磁性層３１によって、主磁極層１０が形成されるようになっている。
【００４４】
次に、図３に示すように、トラック幅調整のため、キャビティ２０に入り込むようにして、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるＣＶＤ膜４をアトミックレイヤー法により形成する（ＣＶＤ膜４の代わりにＴａ，Ｒｕ，Ｗ，ＴｉＷ，ＴｉＮ等の導電膜をアトミックレイヤー法で形成することもできる）。なお、ＣＶＤ膜４または導電膜の厚さはトラック幅に応じた厚みで通常は約２００〜５００Åとする。さらに、ＣＶＤ膜４または導電膜の上側に、後にＣＭＰで研磨するときの停止膜として用いられるストッパ５をＴａまたはＲｕなどで形成する（厚さは約３００〜６００Å）。なお、トラック幅調整のため、Ｔａ，Ｒｕ等のストッパ５と同じ種類の導電膜を形成するときは、その導電膜がストッパ５の代わりになるので、新たにストッパ５を形成しなくてもよい。この場合はその導電膜が停止膜として用いられる。また、ストッパ５の上に、スパッタリングにより、ＣｏＦｅ（２４Ｔ）、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅを用いてめっきのシード層６を形成する。その上で、基板の全面にＣｏＮｉＦｅまたはＣｏＦｅ等の磁性材を用いて電解めっきを施し、厚さ０．５〜１．２μｍ程度のめっき磁性層７を形成する。電解めっきを全面に施すことによって、キャビティ２０内の先端部分までめっき磁性層７の組成コントロールを正確に行える。
【００４５】
続いて、めっき磁性層７の上側全面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図３に示すようにめっき磁性層７の表面が後述する分離用溝部３０に対応した形状に露出するようにしてレジストパターン８を形成する。
【００４６】
次に、レジストパターン８をマスクにしてＩＢＥを行い、めっき磁性層７から被膜２までの各層（被膜２、ＣＶＤ膜４、ストッパ５およびシード層６）のレジストパターン８で被覆されない部分を除去する、すると、図４および図１０に示すように分離用溝部３０が形成される。この分離用溝部３０はキャビティ２０の外側にキャビティ２０の外形に沿って、キャビティ２０の周囲を概ね取り囲むようにして形成され、幅Ｗ３０（例えば、５〜２０μｍ程度）の帯状に形成されている。この分離用溝部３０の幅Ｗ３０を５〜２０μｍ程度にすると、ストッパ５の間隔が大きくならないようにすることができる。
【００４７】
この分離用溝部３０は、キャビティ２０の外形に沿って形成されているので、極細溝部２３に対応している部分の間隔Ｗ５が、他の部分の間隔Ｗ６よりも狭くなっている（Ｗ５＜Ｗ６）。こうして分離用溝部３０を形成することにより、めっき磁性層７がキャビティ２０に近い内側部分と、キャビティ２０の外側部分とに分離される（図１０の斜線部分がめっき磁性層７、それ以外は分離用溝部３０によって露出している絶縁層１の表面を示している）。分離されためっき磁性層７のうちの前者が本発明における残存磁性層３１となり、後者が本発明における外郭磁性層３２となる。また、分離用溝部３０は、めっき磁性層７から被膜２までの各層を除去することによって形成されているので、分離用溝部３０の形状に対応した形で絶縁層１の表面が露出している。さらに、残存磁性層３１が残存していることによって、残存磁性層３１の下側に被膜２の一部が残存被膜２２として残されている。この残存被膜２２は、絶縁層１の表面上におけるキャビティ２０と分離用溝部３０との間の部分に形成されている。なお、残存磁性層３１は主磁極層１０を形成するために必要な磁性層であるが、外郭磁性層３２は主磁極層１０を形成するのに必要のない磁性層である。
【００４８】
そして、分離用溝部３０を形成する場合は、キャビティ２０と、分離用溝部３０との間隔を示す外周距離ｄ１〜ｄ４（図１０参照）が必要十分な大きさで確保されるように位置決めして、レジストパターン８を形成する必要がある。外周距離ｄ１〜ｄ４が短くなるとそれに応じて残存磁性層３１の面積が小さくなる。そうすると、後の工程において、ＣＭＰで研磨したときに残存磁性層３１の除去される時間が速くなって、研磨により単位時間あたりに除去される大きさ（以下「研磨スピード」という）が残存磁性層３１については、めっき磁性層７の全体よりも速くなりすぎるおそれがある。
【００４９】
この場合、例えば、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように残存磁性層３１における研磨スピードが速くなり、ストッパ５が早めに露出してしまう。ところが、外郭磁性層３２についてはまだ残っているので、更なる研磨が行われ、外郭磁性層３２の除去が完了しないうちに、残存磁性層３１が消失するおそれがある。そのため、残存磁性層３１についてのＣＭＰによる研磨が進み過ぎてしまい、キャビティ２０内の落ち込みが大きくなりやすくなる。したがって、ウエハ内での磁極端部１１の高さ調整がうまく行えなくなり、トラック幅の不均一な箇所が生じる。逆に外周距離ｄ１〜ｄ４が大きくなると残存磁性層３１が大きくなるため、ＣＭＰによる研磨が遅れて部分的に研磨残りが発生し、研磨量のばらつきが生じる。この場合も、研磨量を調整することが難しくなる。したがって、磁極端部１１をばらつきのない均一な寸法で形成するためには、外周距離ｄ１〜ｄ４を適切な範囲に調節する必要がある。
【００５０】
この点を考慮し、本実施の形態では、外周距離ｄ１〜ｄ４を４０〜５０μｍ程度の範囲に設定している。外周距離ｄ１〜ｄ４は２００μｍ程度あるいは１５μｍ程度であっても、実用上問題ないことが確認されている。しかし、１０００μｍ程度を越えると、研磨スピードを調節することが難しくなるため、１０００μｍ程度が上限と考えられる。また、外周距離ｄ１〜ｄ４が１０μｍ程度を下回ると、ストッパ５が早く露出してしまうことがあるため、１０μｍ程度が下限と考えられる。これらの点から、外周距離ｄ１〜ｄ４は、１０μｍ程度〜１０００μｍ程度の範囲に設定するのがよい。外周距離ｄ１〜ｄ４は、この範囲のうち、特に１５μｍ程度から２００μｍ程度の範囲に設定するのがよく、さらに、４０〜５０μｍ程度の範囲に設定するのが一層好ましい。外周距離ｄ１〜ｄ４を少なくとも１０μｍ程度〜１０００μｍ程度の範囲に設定することによって、主磁極層１０をばらつきのない均一な寸法で形成し得る大きさの残存磁性層３１が得られる。
【００５１】
こうして、分離用溝部３０を形成することによって、めっき磁性層７を残存磁性層３１と外郭磁性層３２とに分離した後は、ＣＭＰによる研磨で主磁極層１０を形成するのに先立ち、予め硝酸を用いたウェットエッチングを行い、主磁極層１０を形成するのに必要のない外郭磁性層３２をその下のシード層６とともに除去する。すると、図５および図１１に示すように、外郭磁性層３２が除去され、残存磁性層３１とストッパ５とが残された状態となる。外郭磁性層３２が除去されると、ＣＭＰによる研磨の対象となる磁性層が残存磁性層３１だけになって小さくなるため、ＣＭＰによる研磨スピードが増し、研磨量を正確に調整することが可能となる。また、外郭磁性層３２は主磁極層１０を形成するには不要であるが、ＣＭＰによる研磨スピードに大きな影響を与える。このような外郭磁性層３２をＣＭＰによる研磨の前に除去することによって、ＣＭＰによる研磨スピードが安定する。
【００５２】
後述するように、外郭磁性層３２を残したまま製造する方法でもよいが、外郭磁性層３２を残すと、ＣＭＰによる研磨の対象となる磁性層が大きくなるためＣＭＰによる研磨スピードが低下する。すると、研磨量を正確に調整することが難しくなるため、部分的に研磨残りが発生してキャビティ２０の周囲が不均一に研磨されるおそれがある。したがって、ＣＭＰによる研磨の前に、ウェットエッチングを行うなどして外郭磁性層３２を除去することが望ましい。
【００５３】
さらに、分離用溝部３０で分離されためっき磁性層７（残存磁性層３１、外郭磁性層３２）に対し、上側全面をカバーし得るアルミナからなるカバー絶縁膜１６を０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成すると、図６に示す状態となる。その上で、基板表面の全体をストッパ５が現われるまでＣＭＰで研磨して残存磁性層３１のうちのキャビティ２０の外側部分をその下のシード層６とともに除去すると、図７に示す状態となる。
【００５４】
その後、ＩＢＥにて微調整を行い、さらに、ストッパ５を除去すると、残存磁性層３１のうちのキャビティ２０の内側に残された部分によって、主磁極層１０が形成され、図８に示す状態となる。このとき、分離用溝部３０の内側にカバー絶縁膜１６の一部が残る。カバー絶縁膜１６のうちの分離用溝部３０の内側に残された部分が本発明における残存絶縁膜１７となる。しかも、基板表面の全体をストッパ５が現れるまでＣＭＰで研磨したことによって、残存絶縁膜１７の表面と、主磁極層１０の表面とが段差のない平面状になっている。こうして形成される主磁極層１０は、キャビティ２０が事前に想定した寸法どおりに形成されているから、正確な寸法で形成される。
【００５５】
しかも、上述のようにして、分離用溝部３０を形成してめっき磁性層７を残存磁性層３１と外郭磁性層３２とに分離しておき、主磁極層１０の形成に要しない外郭磁性層３２を予め除去してから、基板表面全体をＣＭＰで研磨することによって、主磁極層１０を形成している。外郭磁性層３２を予め除去したことで、ＣＭＰによる研磨の対象となる磁性層が小さくなるため、ＣＭＰによる研磨量を正確に調整することが可能となる。また、分離用溝部３０を形成する際に、上述のようにして外周距離が規定されていることにより、残存磁性層３１が主磁極層１０の寸法均一性を阻害しない範囲の大きさで形成されている。これらにより、ＣＭＰによる研磨スピードのばらつきが発生しないようになっている。したがって残存磁性層３１がＣＭＰで研磨されすぎたり、逆に研磨不足によって残存磁性層３１の研磨残りが発生するようなことがなくなるため、主磁極層１０の高さ調整を正確に行える。よって、磁極端部１１のトラック幅を正確でばらつきのない均一な寸法にすることができ、主磁極層１０がばらつきのない均一な寸法で形成されるようになる。
【００５６】
続いて、図９に示すようにして、主磁極層１０の上に記録ギャップ層１２を形成したのち、図１に示すようにして、主磁極層１０の上に重ねてＣｏＮｉＦｅまたはＣｏＦｅを磁性材に用いてシールド部１３ａとともに上部磁極層１４を形成する。その上で、薄膜コイル１００のうちの主磁極層１０の上側部分を形成し、ＣｏＮｉＦｅまたはＣｏＦｅを磁性材に用いてシールド部１３ｂを形成してシールド部１３ａ、１３ｂによってライトシールド層１３を形成する。さらに、上部絶縁層１８を形成すると、図１に示す薄膜磁気ヘッド３００が得られる。
【００５７】
（変形例１）
上記の製造方法では、主磁極層１０の形成に要しない外郭磁性層３２を除去する工程を実行して図５のようにし、次にカバー絶縁膜１６を形成した後、基板表面全体をＣＭＰで研磨しているが、外郭磁性層３２を除去する工程を実行しないで薄膜磁気ヘッド３００を製造してもよい。すなわち、分離用溝部３０を形成することによってめっき磁性層７を分離する工程を実行して、図４、図１０の状態とした後、図１６に示すようにしてもよい。図１６では、外郭磁性層３２を除去せずに残したまま、分離用溝部３０で分離されためっき磁性層７（残存磁性層３１と外郭磁性層３２）にカバー絶縁膜１６を形成している。その後、基板表面全体をＣＭＰで研磨すればよい。この場合も、上記の製造方法と同様に分離用溝部３０を形成することによって、めっき磁性層７が残存磁性層３１と外郭磁性層３２とに分離されている。そのため、基板表面全体をＣＭＰで研磨したときに、キャビティ２０の端部２０ａと、分離用溝部３０の端部３０ａの両側からＣＭＰによる研磨が進行するため、ＣＭＰの研磨によってめっき磁性層７の除去される速度が安定し、残存磁性層３１をＣＭＰで研磨しすぎたり、研磨不足で研磨残りが発生し難くすることができる。したがって、この製造方法でも、磁極端部１１の高さ調整を正確に行え、磁極端部１１のトラック幅を正確で、ばらつきのない均一な寸法にすることができる。
【００５８】
（変形例２）
上記の分離用溝部３０はキャビティ２０の外形に沿って形成されているため、キャビティ２０の極細溝部２３に対応している部分の間隔Ｗ５が、他の部分の間隔Ｗ６よりも狭くなっている。分離用溝部は、このような形状で形成する他に、図１５に示すように、極細溝部２３に対応している部分の間隔が間隔Ｗ６とほぼ等しい間隔Ｗ７になっている形状の分離用溝部４０として形成してもよい。分離用溝部４０を形成することによってめっき磁性層７を分離すると、残存磁性層３１のうちの極細溝部２３付近に配置される部分の大きさが分離用溝部３０を形成した場合よりも大きくなる。そのため、めっき磁性層７をＣＭＰで研磨するときに、磁極端部１１となる部分を保護することができるという効果がある。
【００５９】
（薄膜磁気ヘッド３００の構造の特徴）
薄膜磁気ヘッド３００は、以上の製造方法によって製造されているので、以下のような特徴がある。すなわち、薄膜磁気ヘッド３００は、以上の製造方法において、残存磁性層３１のうちのキャビティ２０の内側に残された部分によって、主磁極層１０が形成されるため、主磁極層１０が正確な寸法で形成されている。しかも、分離用溝部３０を形成することによって、めっき磁性層７を残存磁性層３１と、外郭磁性層３２とに分離し、外郭磁性層３２を予め除去するか、または外郭磁性層３２を残したままカバー絶縁膜１６を形成した後、基板表面全体をＣＭＰで研磨することによって、主磁極層１０が形成されている、そのため、磁極端部１１のトラック幅が正確でばらつきのない均一な寸法であり、主磁極層１０がばらつきを生じることなく均一の寸法で形成されている。
【００６０】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、絶縁層１の表面を露出させるようにして分離用溝部３０を形成した後にカバー絶縁膜１６を形成し、分離用溝部３０にカバー絶縁膜１６の一部が入り込むような工程を経て形成されている。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は上記の残存絶縁膜１７を有している。この残存絶縁膜１７は、製造途中の工程で分離用溝部３０が形成されていた箇所に形成されるため、分離用溝部３０と同様にキャビティ２０の外側の外周距離を置いた箇所に、キャビティ２０の外形に沿ってキャビティ２０の周囲を取り囲むように配置されている。また、残存絶縁膜１７の幅は、分離用溝部３０の幅Ｗ３０と同様になっている。
【００６１】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は、残存磁性層３１が残存するような工程を経て形成されている。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は上記の残存被膜２２も有している。さらにまた、主磁極層１０を形成するときに、基板表面の全体をＣＭＰで研磨する工程を経て形成されているため、残存絶縁膜１７の表面と、主磁極層１０の表面とが段差のない平面状になっている。こうして形成された主磁極層１０と、残存絶縁膜１７および残存被膜２２の上に記録ギャップ層２４が形成されている。
【００６２】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。
【００６３】
図１７は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head  Gimbals  Assembly）２１５とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１５を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では３枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。ＨＧＡ２１５は、薄膜磁気ヘッド３００が形成された基台を有するヘッドスライダ２１１を搭載したジンバル２１２と、ジンバル２１２を支えるサスペンションアーム２１３とがディスクの各記録面に配置され、支軸２１４の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、ＨＧＡ２１５を回転させると、ヘッドスライダ２１１がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【００６４】
このようなＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１はいずれも薄膜磁気ヘッド３００を有するから、主磁極層１０が正確な寸法で形成されており、しかも、主磁極層１０の高さが正確で均一な値になっている。
なお、上記の実施の形態では、薄膜コイルが主磁極層の周りに巻回されているタイプ（タイプ１）を例にとって説明しているが、本発明は、ライトシールド層の周りに巻回されているタイプ（タイプ２）の薄膜磁気ヘッドについても適用がある。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する途中におけるＡＢＳで切断した状態を想定した断面図である。
【図３】図２の後続の工程を示す断面図である。
【図４】図３の後続の工程を示す断面図である。
【図５】図４の後続の工程を示す断面図である。
【図６】図５の後続の工程を示す断面図である。
【図７】図６の後続の工程を示す断面図である。
【図８】図７の後続の工程を示す断面図である。
【図９】図８の後続の工程を示す断面図である。
【図１０】図４に対応した平面図である。
【図１１】図５に対応した平面図である。
【図１２】図２に対応した絶縁層を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。
【図１３】図１２の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡＢＳ１５で切断した状態を想定した断面図、（Ｃ）は（Ｂ）における要部を拡大して示す断面図である。
【図１４】外周距離を短くして薄膜磁気ヘッドを製造する場合の製造途中を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。
【図１５】形状の異なる分離用溝部を形成して薄膜磁気ヘッドを製造する場合の図１０に対応した平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを別の製造方法で製造する途中における図６に対応した工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図１８】従来の製造方法により、薄膜磁気ヘッドを製造する途中におけるＡＢＳで切断した状態を想定した断面図である。
【図１９】図１８の後続の工程を示す断面図である。
【図２０】従来の製造方法により、磁極端部の高さを均一にする手順を示し、ＡＢＳで切断した状態を想定した断面図である。
【図２１】図２０の後続の工程を示す断面図である。
【図２２】従来の製造方法により、磁極端部の高さを均一にする手順を示し、ＡＢＳで切断した状態を想定した断面図であり、（Ａ）はＣＭＰによる研磨が行われる前、（Ｂ）ＣＭＰによる研磨が進みすぎた場合、（Ｃ）はＣＭＰによる研磨が不足した場合を示している。
【符号の説明】
【００６６】
２…キャビティ、３…極細溝部
１０…主磁極層、１１…磁極端部、１２…記録ギャップ層
１３…ライトシールド層、１５…ＡＢＳ、１７…残存絶縁膜
２０…キャビティ、６０…積層構造部、６１…絶縁層
１００…薄膜コイル、３００…薄膜磁気ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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