(57)【要約】【課題】  基板に関する情報の管理に伴う負担を軽減する。【解決手段】  ウエハ計測器４００にてウエハＷに関する情報を計測して事前計測情報として、無線通信によりウエハＷに取り付けられたＩＣタグに書込／読出装置ＲＷ１を介して書き込み、ウエハＷが露光装置２００に搬入された後、書込／読出装置ＲＷ２を介して該ウエハＷに取り付けられたＩＣタグから事前計測情報を読み込み、露光装置２００は、読み込んだ事前計測情報に基づいて、露光に関する処理を行う。【選択図】  図４
2007115784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板ステージ上に載置された基板上にパターンを露光形成する露光装置と、該基板が該基板ステージ上に載置されるよりも前に該基板に関する情報を事前計測する事前計測装置と、を備える露光システムにおいて、
前記基板に取り付けられた無線通信式の情報記憶部材と、
前記事前計測装置により計測された事前計測情報を、当該事前計測に係る基板に取り付けられた前記情報記憶部材に対して無線通信により書き込む書込装置と、
前記基板に取り付けられた前記情報記憶部材から、前記事前計測情報を無線通信により読み出す読出装置と、
前記露光装置に設けられ、前記読出装置により読み出された前記事前計測情報の内容に基づいて、露光に関する処理を行う処理装置と、
を備えることを特徴とする露光システム。
【請求項２】
前記事前計測装置により計測され、前記書込装置により前記情報記憶部材に書き込まれる事前計測情報は、
前記基板に形成されたマークの適否、該マークの評価結果、該マーク計測により得られた波形信号情報、グリッド補正情報、ディストーション補正情報、ショットフラットネス補正情報、フォーカス補正情報、同期精度情報、露光量補正情報、リジェクト判定結果、基板外形情報、予備アライメント情報、最適計測条件、及び前記基板の平坦度情報のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
【請求項３】
マスクステージ上に載置されたマスク上に形成されたパターンを介して基板を露光する露光装置と、該マスクが該マスクステージ上に載置されるよりも前に該マスクに関する情報を事前計測する事前計測装置と、を備える露光システムにおいて、
前記マスクに取り付けられた無線通信式の情報記憶部材と、
前記事前計測装置により計測された事前計測情報を、当該事前計測に係るマスクに取り付けられた前記情報記憶部材に対して無線通信により書き込む書込装置と、
前記マスクに取り付けられた前記情報記憶部材から、前記事前計測情報を無線通信により読み出す読出装置と、
前記露光装置に設けられ、前記読出装置により読み出された前記事前計測情報の内容に基づいて、露光に関する処理を行う処理装置と、
を備えることを特徴とする露光システム。
【請求項４】
前記事前計測装置により計測され、前記書込装置により前記情報記憶部材に書き込まれる事前計測情報は、前記マスクの平坦度情報、該マスクの欠陥情報、及び該マスク表面への異物検査結果の少なくとも一方であることを特徴とする請求項３に記載の露光システム。
【請求項５】
前記事前計測装置は、前記露光装置とは独立して設けられており、
前記書込装置は、前記事前計測装置に設けられており、
前記読出装置は、前記露光装置に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のうちの何れか一項に記載の露光システム。
【請求項６】
基板を露光する露光装置に設けられた、該基板が載置される基板ステージ上に、該基板が搬入されるよりも前に、該基板ステージ上に搬入される該基板に関する情報を事前計測する第１工程と、
前記第１工程で計測された情報を、前記基板に取り付けられた無線通信式の情報記憶部材に対して無線通信により書き込む第２工程と、
前記情報記憶部材から無線通信により情報を読み出して、該読み出された情報に基づいて、前記基板ステージ上の基板に対する処理を行う第３工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】
マスク上に形成されたパターンを介して基板を露光する露光装置に設けられた、該マスクが載置されるマスクステージ上に、該マスクが搬入されるよりも前に、該マスクステージ上に搬入される該マスクに関する情報を事前計測する第１工程と、
前記第１工程で計測された情報を、前記マスクに取り付けられた無線通信式の情報記憶部材に対して無線通信により書き込む第２工程と、
前記情報記憶部材から無線通信により情報を読み出して、該読み出された情報に基づいて、前記マスクステージ上のマスクを用いた露光に関する処理を行う第３工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項８】
基板を処理する、露光装置、測定装置、検査装置、リペア装置、エッチング装置、成膜装置、酸化・イオン注入装置、ＣＭＰ装置、レジスト塗布装置、及び現像装置のうちの少なくとも２つを含む複数のデバイス関連装置を備える露光システムにおいて、
前記基板のレイアウト情報、品質管理情報、及び前記デバイス関連装置の処理情報のうちの少なくとも１つが記憶されるとともに、前記基板に取り付けられた無線通信式の情報記憶部材と、
前記デバイス関連装置に設けられ、前記基板に取り付けられた前記情報記憶部材から前記情報を無線通信により読み出す読出手段とを備え、
前記デバイス関連装置において前記読出手段により読み出された前記情報の内容に従って所定の処理を行うようにしたことを特徴とする露光システム。
【請求項９】
基板に所定の処理を施してデバイスを製造するデバイス製造工場であって、
請求項１〜５，８のうちの何れか一項に記載の露光システムを備えることを特徴とするデバイス製造工場。
【請求項１０】
基板を処理する処理装置と、前記処理装置での処理後に前記基板を計測処理、又は検査処理する観測装置とを備える処理システムであって、
前記処理装置での処理結果に関する情報を、前記基板に取り付けられた無線通信式の情報記憶部材に対して無線通信により書き込む書込装置と、
前記基板に取り付けられた前記情報記憶部材から、前記処理結果に関する情報を、無線通信により読み出す読出装置とを備え、
前記観測装置は、前記読出装置により読み出された前記情報の内容に基づいて、前記計測処理又は検査処理を行うことを特徴とする処理システム。
【請求項１１】
前記処理装置は、前記基板上にパターンを露光する露光装置であり、
前記処理結果に関する情報は、前記露光装置により露光形成された前記基板上の複数の被露光領域における露光状態に関する情報であることを特徴とする請求項１０に記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するための工程において用いられる露光システム、露光方法、及び該デバイスを製造する製造工場に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程の１つであるフォトリソグラフィ工程においては、露光処理、現像処理、及び各種のウエハ処理が繰り返し行われる。上記の露光処理は、露光装置を用いてマスクやレチクル（以下、これらを総称する場合にはマスクという）に形成されたパターンを、フォトレジスト等の感光剤が塗布されたウエハ（基板）に転写する処理であり、現像処理は露光処理を終えたウエハ上の感光剤を現像してウエハ上にレジストパターンを形成する処理である。また、上記のウエハ処理は、例えばレジストパターンの形状にウエハをエッチングする処理、ウエハに不純物をドープする処理、ウエハ上に配線を形成する処理、その他の処理である。
【０００３】
上記の露光処理、現像処理、及び各種のウエハ処理を行うことによりウエハ上には１つの層（レイヤ）が形成される。一般的に半導体素子は、複数のマスクを交換しながら上記露光処理、現像処理、及び各種のウエハ処理を数回〜数十回程度繰り返し行い、複数のレイヤを重ね合わせることにより製造される。
【０００４】
ところで、露光処理を行う露光装置においては、前工程において基板に形成されているパターン（ショット）に対して、これから露光形成するパターン（ショット）を正確に重ね合わせるため、露光装置が備えるステージ装置に基板が搬入された後に、ＥＧＡ計測処理やその他の計測処理が行われる。
【０００５】
しかし、露光処理ではスループットの低下を避ける必要があり、このような計測処理の合理化、高速化を図るため、基板が当該ステージ装置に搬入されるより以前に、露光装置で行われる計測処理の一部若しくは全部を事前に行う事前計測装置が設けられる場合がある。このような事前計測装置では、上述のような露光装置で行われる計測処理の他にも、露光精度やスループットの向上、あるいは露光装置が備える制御装置の処理負担の軽減等の観点から、様々な計測処理や当該計測結果に基づく解析処理等の事前処理が行われる。なお、このような解析処理等の事前処理は、事前計測装置とは別に設けられた解析装置等により行われる場合もある。
【０００６】
事前計測装置による計測結果や事前計測装置又は解析装置等による解析結果等を含む事前計測情報の管理は、露光装置や事前計測装置を含む露光システムを全体的に管理する上位の管理コンピュータ、あるいは当該露光システムを含む複数の製造ラインを統括的に管理するさらに上位のホストコンピュータ等により行われる。即ち、露光装置、事前計測装置、解析装置、管理コンピュータやホストコンピュータ（以下、上位コンピュータということがある）を、ＬＡＮ等のネットワークを介して接続し、事前計測情報は上位コンピュータに転送されて、該上位コンピュータが当該基板に付与されている、該基板を他の基板から識別するための識別情報とともに管理している。そして、露光装置では、基板に形成されたバーコード等に設定された該識別情報を読み取って、該上位コンピュータに照会することにより、必要とするデータを取得している。
【０００７】
しかしながら、上述した従来のシステムでは、上位コンピュータが事前計測情報等の情報を管理しており、管理する基板の枚数は膨大であることもあり、このような情報の送受信や情報管理に伴う上位コンピュータやネットワークの処理負担が大きいという問題があった。特に、比較的に小規模な製造システムにおいては、上位コンピュータを設けて、統括的に管理することがコスト等の観点から不利である場合があり、このような小規模システムにおいても容易に対応できることが望ましい。
【０００８】
なお、本発明に関連する技術として、特許文献１に示されているように、ウエハの表面に、基板を識別するための識別情報を無線式非接触識別タグに設定する技術が開示されている。この技術は、従来、基板の識別情報を設定していたバーコードに代えて、該タグに該識別情報を設定するものであり、事前計測情報等の情報の管理は、やはり上位コンピュータにより行う必要があるため、上述した問題点を解決するものではない。
【０００９】
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、基板に関する情報の管理に伴う負担を軽減することを目的とする。
【特許文献１】特開２００４−１５７７６５号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によると、基板ステージ上に載置された基板上にパターンを露光形成する露光装置と、該基板が該基板ステージ上に載置されるよりも前に該基板に関する情報を事前計測する事前計測装置と、を備える露光システムにおいて、前記基板に取り付けられた無線通信式の情報記憶部材と、前記事前計測装置により計測された事前計測情報を、当該事前計測に係る基板に取り付けられた前記情報記憶部材に対して無線通信により書き込む書込装置と、前記基板に取り付けられた前記情報記憶部材から、前記事前計測情報を無線通信により読み出す読出装置と、前記露光装置に設けられ、前記読出装置により読み出された前記事前計測情報の内容に基づいて、露光に関する処理を行う処理装置と、を備える露光システムが提供される。
【００１１】
本発明によると、事前計測装置により計測された基板に関する情報を、基板に取り付けられた情報記憶部材に無線通信により書き込んで、露光装置において該情報記憶部材から該基板に関する情報を無線通信により読み出すようにしたので、当該基板に関する情報を、識別情報等とともに上位コンピュータ等により管理する必要がなくなる。従って、上位コンピュータにおける該基板に関する情報の管理負担がなくなるとともに、上位コンピュータと事前計測装置又は露光装置間の当該基板に関する情報の管理のための通信をなくすこともできる。また、情報記憶部材、書込装置、読出装置は、製造システム全体を統括的に管理する上位コンピュータを導入することに比較して、安価に導入可能であり、比較的に小規模な製造システムにおいても容易に導入することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、基板に関する情報の管理に伴う負担を軽減することをができるようになるという効果がある。また、比較的に小規模な製造システムにおいても、低コストで導入可能であるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
［露光システム］
まず、本実施形態に係る露光システムの全体構成について、図１を参照して説明する。
【００１４】
この露光システム１００は、半導体ウエハやガラスプレート等の基板を処理して、マイクロデバイス等の装置を製造するデバイス製造工場に設置され、レーザ光源等を備えた露光装置２００、該露光装置２００に隣接して配置された塗布現像装置（同図ではトラックと表示）３００及び該塗布現像装置３００内に配置された、事前計測装置の一つとしてのウエハ計測器４００を備えている。同図では、図示の都合上、露光装置２００及び塗布現像装置３００は、これらを一体化した基板処理装置として、一つだけを表示しているが、実際には基板処理装置は複数設けられている。基板処理装置は、基板に対して、フォトレジスト等の感光剤を塗布する塗布工程、感光剤が塗布された基板上にマスク又はレチクルのパターンの像を投影露光する露光工程、及び露光工程が終了した基板を現像する現像工程等を行う。
【００１５】
また、露光システム１００は、各露光装置２００により実施される露光工程を集中的に管理する露光工程管理コントローラ５００、各種演算処理や解析処理を行う解析システム６００、工場内生産管理ホストシステム７００、及び事前計測装置の一つとしてのレチクル計測器８００をも備えている。この露光システム１００を構成している各装置のうち、少なくとも各基板処理装置（２００、３００）及びレチクル計測器８００は、気温及び湿度が管理されたクリーンルーム内に設置されている。また、各装置は、デバイス製造工場内に敷設されたＬＡＮ(Local Area Network)等のネットワーク又は専用回線（有線又は無線）を介して接続されており、これらの間で適宜にデータ通信できるようになっている。
【００１６】
各基板処理装置において、露光装置２００及び塗布現像装置３００は相互にインライン接続されている。ここでのインライン接続とは、装置間及び該装置内の処理ユニット間を、ロボットアームやスライダー等の基板を自動搬送する搬送装置を介して接続することを意味する。ウエハ計測器４００は、塗布現像装置３００内に配置される複数の処理ユニットのうちの一つとして設けられており、露光装置２００のウエハステージに基板を搬入する前に、予め基板に関する各種の情報を計測する装置である。レチクル計測器８００は、露光装置１００のレチクルステージにレチクルを搬入する前に、予めレチクルに関する情報を計測する装置である。なお、ウエハ計測器４００は、ここではトラック３００内にインライン接続されたものを例示したが、オフラインで設けてもよい。レチクル計測器８００についても、オンライン、オフラインの何れでもよい。
【００１７】
［露光装置］
図２に露光装置２００の概略構成が示されている。露光装置２００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（走査型露光装置）であり、照明光学系１２、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴ及びこれらの制御系等を備えている。照明光学系１２は後述する主制御装置２０から露光光出射を指示する制御信号が出力された場合に、スキャン方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に長手方向を有するスリット状のほぼ均一の照度を有する照明光ＩＬを出射してレチクルＲを照明する。照明光ＩＬとしては、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２  レーザ（波長１５７ｎｍ）等が用いられる。
【００１８】
レチクルステージＲＳＴは、レチクルベース盤１３上に配置され、その上面にはレチクルＲが真空吸着により固定される。レチクルステージＲＳＴは、リニアモータ、ボイスコイルモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動部によって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内（ＸＹ平面内）でＸ及びＹ方向並びに回転方向に微小駆動可能であるとともに、走査方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージＲＳＴの側面は鏡面加工が施され、レチクル干渉計１６からのレーザビームを反射する反射面となっている。レチクル干渉計１６は、該反射面からの反射光と所定の参照光とを干渉させた干渉光に基づき、レチクルステージＲＳＴの位置を検出する。レチクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置情報は、ステージ制御装置１９及びこれを介して主制御装置２０に送られ、ステージ制御装置１９では、主制御装置２０からの指示に応じて、レチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部（図示省略）を介してレチクルステージＲＳＴを駆動する。
【００１９】
レチクルステージＲＳＴの下方には投影光学系ＰＬが配置され、その投影倍率は、例えば１／５又は１／４に設定される。照明光学系１２からの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介して照明領域ＩＡＲのレチクルＲの回路パターンの縮小像（部分倒立像）がウエハステージＷＳＴ上に保持されたウエハＷ上に形成される。
【００２０】
ウエハステージＷＳＴはウエハベース盤１７上に配置され、ウエハＷを真空吸着により保持するウエハホルダ１８を備えている。ウエハホルダ１８は不図示の駆動部により、投影光学系ＰＬの最良結像面に対し、任意方向に傾斜可能で、かつ投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に微動できるとともに、Ｚ軸回りの回転動作もできるように構成されている。ウエハステージＷＳＴは、ウエハ駆動装置１５によりＸ軸及びＹ軸の２次元方向にステップ移動可能であるとともに、Ｙ方向に走査移動される。ウエハステージＷＳＴの位置は、ウエハ干渉計２４から、ウエハステージＷＳＴの鏡面加工された側面にレーザ光が照射され、上述したレチクル干渉系１６と同様に計測される。ウエハホルダ１８の中心部近傍には、ウエハＷの搬出入を行うための、ウエハＷを吸着保持して上下動可能なセンタテーブル（不図示）が設けられている。
【００２１】
ウエハ干渉計２４の各測長軸における計測値は、ステージ制御装置１９及びこれを介して主制御装置２０に送られ、ステージ制御装置１９は、主制御装置２０からの指示に応じてウエハステージＷＳＴの位置を制御する。ウエハステージＷＳＴ上には、基準マーク板ＦＭが設けられており、基準マーク板ＦＭの表面には、例えば後述するアライメント系ＡＬＧの検出中心の位置とレチクルパターンの投影像の位置との相対位置関係を計測するためのベースライン計測用基準マークその他の基準マークが形成されている。
【００２２】
投影光学系ＰＬの側方には、ウエハＷ上の各ショット領域に付設されたアライメントマーク（ウエハマーク）の位置を検出するためのオフアクシス方式のアライメント系ＡＬＧが設けられている。アライメント系ＡＬＧとしては、例えば特開平２−５４１０３号公報に開示されているようなＦＩＡ（Field Image Alignment)系のアライメントセンサが用いられている。このアライメント系ＡＬＧは、ウエハＷ上に塗布されたフォトレジストを感光しない波長域内の光であり、所定の波長幅（例えば５００〜８００ｎｍ程度）を有する照明光（例えば白色光）を、ウエハに照射し、ウエハＷ上のアライメントマークの像と、ウエハＷと共役な面内に配置された指標板上の指標マークの像とを、撮像素子（ＣＣＤカメラ等）の受光面上に結像して検出するものである。アライメント系ＡＬＧはアライメントマーク（又は基準マーク板ＦＭ上の基準マーク）の撮像結果を、主制御装置２０へ供給する。
【００２３】
また、投影光学系ＰＬの最良結像面に向けて複数のスリット像を形成するための結像光束（検出ビームＦＢ）を光軸ＡＸ方向に対して斜め方向より供給する照射光学系ＡＦ１と、その結像光束のウエハＷの表面での各反射光束を、それぞれスリットを介して受光する受光光学系ＡＦ２とを有する斜入射方式の多点焦点位置検出系ＡＦが設けられている。この多点焦点位置検出系ＡＦにより、ウエハＷのＺ方向の位置及びＺ軸に対する傾斜が計測され、主制御装置２０及びステージ制御装置１９を介して、ウエハホルダ１８のＺ方向の位置及び傾斜が制御される。
【００２４】
また、この露光装置２００は、ウエハロード位置に配置されたウエハプリアライメント装置３２を備えている。ウエハプリアライメント装置３２は、本体３４と、本体３４の下方に設けられ、ウエハ搬入アーム３６を吊り下げ支持して上下動及び回転駆動可能な上下動・回転機構３８と、搬入アーム３６の上方に配置された３つの計測ユニット４０ａ，４０ｂ，４０ｃとを備えている。計測ユニット４０ａ〜４０ｃは、詳細図示は省略するが、光源、コリメータレンズ、拡散板、ハーフミラー、ミラー、結像光学系及び撮像素子を含んで構成されている。本体３４の内部には、計測ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃから送られる信号を処理する信号処理系や上下動・回転機構３８の制御系などを含む制御装置が内蔵されている。
【００２５】
ウエハプリアライメント装置３２は、主制御装置２０からの指示に基づきステージ制御装置１９によって制御され、ウエハＷのノッチの位置が図３（Ａ）で６時の位置に設定される場合には、３つの計測ユニット４０ａ，４０ｂ，４０ｃの撮像視野は図３（Ａ）でＶＡ，ＶＢ，ＶＣの位置に設定され、ノッチの位置が図３（Ａ）で３時の位置に設定される場合には、撮像視野は図３（Ａ）でＶＣ，ＶＤ，ＶＥの位置に設定される。各撮像視野でウエハＷの外縁（外形）を検出し、各計測ユニット４０ａ，４０ｂ，４０ｃからの撮像信号を本体３４に内蔵された制御装置によって処理し、この制御装置からの信号に基づきステージ制御装置１９によってウエハＷの中心位置の誤差Ｘ，Ｙ、及び回転誤差θｚが求められる。なお、上述したノッチの位置のそれぞれに対応するため、各撮像視野ＶＡ〜ＶＥに対応して計測ユニットを５つ設置してもよく、３つの計測ユニットに対してウエハＷを回転させて、両者に対応できるようにしてもよい。また、オリエンテーションフラット（以下、オリフラという）が設けられているウエハについては、図３（Ｂ）に示すように、計測ユニットの撮像視野を設定する。
【００２６】
ウエハプリアライメント装置３２によりウエハＷの外形計測に基づいて求められた誤差のうちの回転誤差θｚは、搬入アーム３６の回転機構３８によりウエハを回転駆動させることにより補正され、位置誤差Ｘ，Ｙは、ステージ制御装置１９を介して主制御装置２０に送られて、ステージ制御装置１９により、主制御装置２０からの指示に基づき、ウエハＷのウエハホルダ１８への搬入時（ロード時）にその位置誤差Ｘ，Ｙ分だけウエハステージＷＳＴを微小駆動することにより補正される。この位置誤差Ｘ，Ｙは、これらをオフセットとして、後述のサーチアライメントの際のウエハステージＷＳＴの移動量に加えることで補正するようにしてもよい。
【００２７】
搬入アーム３６は、上下動・回転機構３８によって駆動される駆動軸の下端に水平に取り付けられた水平部材と、この水平部材の端部から下方に突設された３つのＬ字状のフック部とを有している。搬入アーム３６には、後述するウエハ搬送アーム５２（図４）によって−Ｙ方向からウエハＷを該水平部材とＬ字状フックで形成される空間部内に搬入できるように構成されている。また、この搬入アーム３６は、上下動・回転機構３８の駆動により、フック部の吸気孔を介してウエハＷの裏面を吸着保持した状態で、ウエハＷを上下に搬送できるようになっている。
【００２８】
図４において、ウエハ搬送アーム５２には、ロードアームとアンロードアームとが上下に個別に設けられており、それぞれアーム駆動機構５３によってＹ軸方向に沿って所定ストロークで駆動されるようになっている。アーム駆動機構５３は、Ｙ軸方向に延びるリニアガイドと、このリニアガイドに沿ってＹ軸方向に往復移動するスライド機構とを備えている。ウエハ搬送アーム５２のロードアームからウエハＷを搬入アーム３６に受け渡すときには、搬入アーム３６が上下動することによりウエハＷの受け渡しが行われる。また、ウエハステージＷＳＴ上の露光済みのウエハＷを搬出する際には、ウエハステージＷＳＴ上のセンタテーブル（不図示）の上下動により、センタテーブルから搬送アーム５２のアンロードアームへウエハＷが受け渡されるようになっている。これらの駆動機構は、図２のステージ制御装置１９によって制御される。
【００２９】
図２中、主制御装置２０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）等からなるいわゆるマイクロコンピュータ（又はワークステーション）を含んで構成され、露光装置２００を全体的に制御する。主制御装置２０には、例えば不図示のキーボード等の入力装置、及びＣＲＴディスプレイ（又は液晶ディスプレイ）等の表示装置（いずれも図示省略）が接続されている。また、主制御装置２０には、装置パラメータ等を格納するための記憶装置２１が接続されている。主制御装置２０のＣＰＵが実行するプログラム等は、記憶装置２１にインストールされているものとする。
【００３０】
［塗布現像装置］
次に、各基板処理装置が備えるトラック３００について、図４を参照して説明する。トラック３００は、露光装置２００を囲むチャンバ内に、露光装置２００にインライン方式で接続可能となるように設置されている。トラック３００には、その中央部を横切るようにウエハＷを搬送する搬送ライン３０１が配置されている。この搬送ライン３０１の一端に未露光若しくは前工程の基板処理装置で処理がなされた多数のウエハＷを収納するウエハキャリア３０２と、本基板処理装置で露光工程及び現像工程を終えた多数のウエハＷを収納するウエハキャリア３０３とが配置されており、搬送ライン３０１の他端に露光装置２００のチャンバ側面のシャッタ付きの搬送口（不図示）が設置されている。
【００３１】
また、トラック３００に設けられた搬送ライン３０１の一側に沿ってコータ部（塗布部）３１０が設けられており、他側に沿ってデベロッパ部（現像部）３２０が設けられている。コータ部３１０は、ウエハＷにフォトレジストを塗布するレジストコータ３１１と、そのウエハＷ上のフォトレジストをプリベークするためのホットプレートからなるプリベーク装置３１２と、プリベークされたウエハＷを冷却するためのクーリング装置３１３を
含んで構成されている。
【００３２】
デベロッパ部３２０は、露光処理後のウエハＷ上のフォトレジストをベーキングする、いわゆるＰＥＢ（Post-Exeposure Bake）を行うためのポストベーク装置３２１、ＰＥＢ
が行われたウエハＷを冷却するためのクーリング装置３２２及びウエハＷのフォトレジストの現像を行うための現像装置３２３を備えて構成されている。さらに、ウエハＷを露光装置２００に搬送する前に、当該ウエハＷに関する情報を事前計測するインライン計測器としてのウエハ計測器４００がインライン設置されている。ウエハ計測器４００の詳細については後述する。
【００３３】
なお、図４に示される、コータ部３１０を構成する各ユニット（レジストコータ３１１、プリベーク装置３１２、クーリング装置３１３）、デベロッパ部３２０を構成する各ユニット（ポストベーク装置３２１、クーリング装置３２２、現像装置３２３）、及びインライン計測器４００の構成及び配置は、一例であって、実際にはさらに複数の他の処理ユニットやバッファユニット等が設けられるとともに、各ユニットは空間的に配置され、各ユニット間でウエハＷを搬送するロボットアームや昇降機等も設けられている。また、処理の順番も常に同一というわけではなく、ウエハＷが各ユニット間をどのような経路で通過して処理されるかは、処理ユニットの処理内容や全体としての処理時間の高速化等の観点から最適化され、動的に変更される場合がある。
【００３４】
露光装置２００が備える主制御装置２０、コータ部３１０及びデベロッパ部３２０、ウエハ計測器４００並びに解析システム６００は、前述のように、有線又は無線で接続されており、各々の処理開始又は処理終了を示す信号が送受信される。露光装置２００内には、トラック３００に設けられた搬送ライン３０１の中心軸の延長線にほぼ沿うようにテーブル５１が配置され、さらにその＋Ｙ側に搬入アーム３６にウエハＷを搬送するウエハ搬送アーム５２等が配置されている。また、テーブル５１の−Ｘ側には、その先端部にウエハＷを保持して搬送可能な搬送ロボット５４が設置されている。また、露光装置２００のチャンバ内部の温度、湿度、気圧、基板処理装置外部の温度、湿度、気圧を計測するためのセンサが設置されており、これらのセンサの検出信号は、主制御装置２０に供給され、記憶装置２１に一定期間記録される。
【００３５】
［レチクル計測器］
レチクル計測器８００は、レチクルＲに関する情報を事前計測する装置であり、計測すべきレチクルに関する情報の種類に対応して少なくとも一つが設けられる。レチクル計測器８００としては、例えば、レチクルの表面形状（フラットネス）を計測する計測装置、レチクルＲの表面に付着した異物やパターン欠陥を検査する検査装置、レチクルＲに形成されたパターンの描画誤差を計測する計測装置等が例示される。レチクル計測器８００は計測項目、ウエハの状態、解像度、その他に応じて柔軟に対応するため、複数種類設けて、状況に応じて選択して使用できるようにすることが望ましい。レチクル計測器８００は上述のようなセンサの他、計測されたデータを処理するための計測制御装置も備えている。なお、ここでは、レチクル計測器８００は、レチクルＲをレチクルステージＲＳＴに搬送するレチクル搬送装置内にインラインで設けられているものとするが、オフラインで設けられていてもよい。
【００３６】
（１）レチクル面形状計測器
レチクル計測器の一例として、レチクルＲの面形状を計測するレチクル計測器について説明する。図５に示されているように、レチクル計測器８００は、露光装置２００におけるレチクルステージＲＳＴに相当するレチクルステージＲＳＴ’と、レチクルホルダと同型のホルダであるレチクルホルダＲＨ’と、フィゾー干渉計６０とを備えている。レチクル計測器８００は、露光システム１００のレチクルＲを搬送する不図示のレチクル搬送系による搬送経路中に設置されている。露光システム１００では、例えば露光工程管理コントローラ５００の管理の下、この露光装置２００にレチクルＲを搬入する前に、不図示のレチクル搬送系により、レチクル計測器８００にレチクルＲが搬入され、レチクルホルダＲＨ’上に適切なバキューム圧で、真空吸着保持される。レチクル計測器８００は、レチクルホルダＲＨ’上に吸着保持された状態でのレチクルＲのパターン面の面形状を計測する。
【００３７】
このとき、レチクルＲは、そのパターン面が−Ｚ側を向くように保持されるものとする。レチクルＲのパターン面の面形状の計測を可能とするために、レチクル計測器８００においては、レチクルホルダＲＨ’の−Ｚ側、すなわちレチクルホルダＲＨ’上に保持されたレチクルＲのパターン面側に、フィゾー干渉計６０が設けられている。フィゾー干渉計６０は、レーザ光源６１、レンズ６２、絞り６３、ビームスプリッタ６４、λ／４波長板６５、コリメータレンズ６６、参照面６７Ａ、６８Ａが形成された参照面用部材６７、６８、レンズ６９、干渉縞検出部７０及び処理装置７１などを含んで構成されている。
【００３８】
図５に示されるように、例えば発振波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ等のレーザ光源６１から発した光は、可干渉性を有し、紙面に平行な偏光方位（Ｘ軸方向）を有する直線偏光の光束となるように設定されている。この光束は、レンズ６２及び迷光等を除去するための絞り６３を経た後、ビームスプリッタ６４に入射する。ビームスプリッタ６４は、Ｘ軸方向に偏光方位を有する直線偏光の光束を透過させる。透過した光束は、λ／４波長板６５に入射し、円偏光に変換されて、コリメータレンズ６６で平行光に変換された後、参照面用部材６７に入射する。参照面用部材６７に形成された参照面６７Ａでは、この平行光が一部反射し、残りが透過する。この透過した光束は、レチクルホルダＲＨ’に保持されたレチクルＲのパターン面全面に照射され、例えば、レチクルＲのパターン面全面がクロム蒸着されている場合には、照射された平行光はそのパターン面で反射する。
【００３９】
参照面用部材６７の参照面６７Ａで反射された光（参照光）と、レチクルＲのパターン面で反射された光（測定光）とは、λ／４波長板６５によりＹ軸方向に偏光変位を有する直線偏光に変換され、コリメータレンズ６６を通って集光されながらビームスプリッタ６４で反射される。ビームスプリッタ６４で反射された光束は、レンズ６９で平行光に変換されてＣＣＤ（電荷結合素子：Charge Coupled Device）からなる干渉縞検出部７０に導かれる。この干渉縞検出部７０の受光面には、参照面用部材６７の参照面６７Ａと、レチクルＲのパターン面の両方の反射面から反射されて合成された光の干渉縞が形成され、干渉縞検出部７０により、この干渉縞が検出される。
【００４０】
すなわち、参照面用部材６７の参照面６７Ａと、レチクルＲのパターン面との距離をｄとすると、１回の往復で２ｄの光路差で参照光と測定光が干渉し、その光路差がレーザ波長の１／２の奇数倍であるときには、互いに打ち消し合って暗線を生じさせ、光路差がレーザ波長の整数倍であるときには、互いに強め合って明線を生じさせ、この結果、干渉縞検出部７０の受光面上に干渉縞が生じる。
【００４１】
この干渉縞の検出結果は、処理装置７１に送られる。処理装置７１は、この干渉縞の検出結果に基づいてレチクルホルダＲＨ’に保持されたレチクルＲのパターン面の面形状を算出する。具体的には、処理装置７１は、干渉縞の検出結果に基づいて、干渉縞の明線及び暗線の数を累積演算することにより、その干渉縞の分布状態に従ったレチクルＲのパターン面の勾配に応じた「面形状データ」を仮決定する。そして、その累積演算に伴い、仮決定された面形状データに含まれる一定の勾配や一定のデフォーカス（オフセット成分）を、面形状データに内在する累積誤差として除去し、最終的なレチクルＲの面形状データを算出する。この面形状データは、例えば、ある面内位置（ＸＹ位置）に対する面高さ（Ｚ位置）のデータなどのディジタルデータとして算出される。
【００４２】
一方、レチクルＲが、そのパターン面にクロム蒸着が施されていない透過レチクルであった場合、レチクルＲのパターン面全面に照射された光束の一部はそのパターン領域で反射するものの、残りの光束は、レチクルＲのパターン面とは反対側の面まで達し、その面を一部は反射し、残りは透過する。レチクルＲを透過した光束は、もう１つの参照面用部材６８の参照面６８Ａまで達する。この参照面６８Ａは、反射率が高い面であり、この面でこの光束が反射し、レチクルＲまで戻るようになる。そして、上述したのと同様の光路で、参照面用部材６７、６８の参照面６７Ａ、６８Ａをそれぞれ反射した参照光と、レチクルＲのパターン面を反射した、あるいは、その反対側の面を反射した測定光との干渉縞が、干渉縞検出部７０において検出される。
【００４３】
このように、このレチクル計測器８００においては、パターン面にクロムが全面蒸着されたレチクルをレチクルホルダＲＨ’に保持させた場合には、参照面用部材６７の参照面６７Ａで反射した参照光とパターン面で反射した測定光との干渉縞が、干渉縞検出部７０で観測されるようになり、レチクルＲとして透過レチクルをレチクルホルダＲＨ’に保持させた場合には、参照面用部材６８の参照面６８Ａでそれぞれ反射した参照光と、パターン面とその裏面で反射した測定光との干渉縞が観測されるようになる。これにより、レチクル計測器８００では、全面がクロム蒸着されたレチクルであっても、透過レチクルであっても、そのパターン領域に回路パターンが形成されたレチクルであっても、そのパターン面全面の面形状を計測することが可能である。ここで、レチクル平坦度の計測は、パターン全面について行う必要はなく、レチクルパターン設計データに基づき、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に所定のピッチで均等に、レチクル面の透過、又は反射部分の複数の計測点から近似的に求めてもよい。例えば、Ｙ軸方向（スキャン方向）に７点、Ｘ軸方向に５点で、レチクル面内３５点の計測点における計測値より近似的にレチクル平坦度を求める。
【００４４】
なお、このレチクルステージＲＳＴ’には、レチクルステージＲＳＴと同様に、レチクルマーク板に相当するマーク板が設けられている。フィゾー干渉計６０によりレチクルホルダＲＨ’に保持されたレチクルＲのパターン面の面形状を計測する際には、このマーク板の面形状もあわせて計測されるようになる。すなわち、レチクル計測器８００の計測結果によれば、マーク板の面位置を基準としたレチクルＲのパターン面の面形状データが得られることになる。また、レチクル計測器８００では、このフィゾー干渉計６０を、レーザ光束が被検体を２度通過するダブルパス型の干渉計とすることにより、その検出精度を向上させることが可能である。
【００４５】
（２）レチクル異物、パターン欠陥計測器
レチクル計測器の他の例として、レチクルＲの表面に付着した異物の検出及びレチクルＲに形成されたパターンの欠陥を検出する計測器について、図６を参照して説明するレチクル計測器８００は、光源８０１と、振動ミラー８０２と、走査レンズ８０３と、受光器８０８、８０９、８１０とを含んで構成されている。また、レチクルＲのパターン面（被検面８０４）上には、回路パターンが形成されているものとし、その一部に異物８０６が付着しているものとする。
【００４６】
光源８０１から射出された光ビームＬ１は、振動ミラー（ガルバノスキャナーミラー又はポリゴンスキャナーミラー）８０２により偏向させられて走査レンズ８０３に入射し、この走査レンズ８０３から射出された光ビームＬ２が、被検面８０４上の走査線８０５上を走査する。この際に、光ビームＬ２の走査周期よりも遅い速度で被検面８０４をその走査線８０５に直交する方向に移動させると、光ビームＬ２により被検面８０４上の全面を走査することができる。この場合、被検面８０４の表面上に異物８０６が存在する領域に光ビームＬ２が照射されると散乱光Ｌ３が発生する。また、被検面８０４上に付着した異物やパターン欠陥とは異なる、例えばレチクルＲ上の回路パターン、ウエハＷ上の回路パターン等の周期的な構造（以下、パターンと総称する）８０７が存在する領域に光ビームＬ２が照射されると、そのパターン８０７からは回折光Ｌ４が発生する。
【００４７】
図６においては、受光器８０８、８０９及び８１０が相異なる方向から走査線８０５に対向するように配置されている。異物８０６から発生する散乱光Ｌ３はほとんど全方向に向かって発生する等方的散乱光であるのに対して、パターン８０７から発生する回折光Ｌ４は回折によって生じるために空間的に離散的な方向に射出される光（指向性の強い光）である。この散乱光Ｌ３と、回折光Ｌ４との性質の違いを用いて、受光器８０８、８０９及び８１０の全てで光を検出した場合には、その光は欠陥からの散乱光であり、受光器８０８、８０９及び８１０の内で１つでも光を検出しない受光器が存在する場合には、その光はパターンからの回折光であると判断する。これにより、パターン８０７と異物８０６とを区別して検出することができる。
【００４８】
［ウエハ計測器］
ウエハ計測器４００は、ウエハＷに関する情報を事前計測する装置であり、計測すべきウエハに関する情報の種類に対応して少なくとも一つが設けられる。例えば、ウエハ上に形成されたマーク（パターン）を計測するセンサ、ウエハ上に形成されたアライメントマークやその他のマーク、パターンの線幅・形状・欠陥を計測するセンサ、ウエハの表面形状（フラットネス）を計測するセンサ、フォーカスセンサ等が例示される。センサは計測項目、ウエハの状態、解像度、その他に応じて柔軟に対応するため、複数種類設けて、状況に応じて選択して使用できるようにすることが望ましい。なお、ここでは、塗布現像装置にインラインで設けられたインライン計測器としてのウエハ計測器４００について説明するが、ウエハ計測器４００はオフラインで設けられていてもよい。
【００４９】
（１）アライメントマーク・エッジ計測器
ウエハ計測器の一例として、ウエハＷ上に形成されたアライメントマーク（サーチマーク、ファインマーク）及びウエハＷのエッジを計測する計測器について、図７及び図８を参照して説明する。ウエハ計測器４００は、ＸＹ平面内を移動可能なステージ装置ＩＳＴと、センサ４１０と、ステージ駆動装置４１５と、背景板４２０と、レーザ干渉計システム４２４と、事前計測制御装置４５０とを含んで構成されている。
【００５０】
ステージ装置ＩＳＴは、ＸＹステージ、Ｚステージを含んで構成されており、ステージ駆動装置４１５により、ＸＹ面内方向、Ｚ軸方向、ＸＹ面に対する傾斜方向にその位置及び姿勢を調整可能である。また、ステージ装置ＩＳＴの各方向に関する位置を計測するためのレーザ干渉計システム４２４が備えられている。このレーザ干渉計システム４２４は、露光装置２００のウエハレーザ干渉計２４と同様の構成を有しており、少なくともステージ装置ＩＳＴのＸＹ面位置を計測可能となっている。ステージ装置ＩＳＴの中央部には、その回転軸を中心に回転可能なターンテーブルＴＴが設けられており、このターンテーブルＴＴ上にウエハＷを吸着保持することが可能となっている。ステージ装置ＩＳＴの上面には、直径がウエハＷよりも大きい円板状の背景板４２０が設置されている。ターンテーブルＴＴに載置されたウエハＷを上方から見ると、そのウエハＷのエッジ全体を背景板４２０がカバーするようになっている。
【００５１】
センサ４１０は、ウエハＷのエッジの少なくとも一部及びウエハＷ上に形成されたアライメントマークの位置を両方検出可能なセンサであり、露光装置２００が備えるアライメント系ＡＬＧなどと基本的に同じ構成のセンサを用いることができる。すなわち、センサ４１０は、落斜照明方式により、検出対象を照明し、その照明の反射光により検出対象を撮像する撮像式のセンサである。なお、このセンサ４１０は、光学変倍系を採用しており、ウエハＷのエッジを検出する場合と、ウエハＷ上のサーチマークを検出する場合と、ファインマークを検出する場合とで、その検出対象に合わせて撮像倍率を変更することができるようになっている。
【００５２】
事前計測制御装置４５０は、センサ４１０の検出結果と、その検出時のレーザ干渉計システム４２４によって検出されるステージ装置ＩＳＴの位置情報とに基づいて、ウエハＷの外形形状、ウエハＷ上のサーチマーク及びファインマークの位置座標を計測することができる。ウエハ計測器４００は、上述のような構成により、露光装置２００に搬入される前のウエハＷに対する事前計測を行う。ウエハ計測器４００における事前計測結果は、後述する書込／読出装置を介してウエハＷに取り付けられたＩＣタグに書き込まれ、露光装置２００の主制御装置２０へ送られる。
【００５３】
なお、ウエハ計測器４００による事前計測工程は、ウエハＷの前層のマーク形成が完了した後であれば行うことができるが、ウエハＷがトラック３００に搬入された後、望ましくはレジスト塗布後であって、かつ、露光装置２００への搬入前、すなわち露光装置２００内でのプリアライメント処理前までに行われる。なお、ウエハ計測器４００の設置場所としては、本実施形態のものに限られず、例えばトラック３００内の他、露光装置２００のチャンバ内でもよく、あるいはこれらの装置とは独立した計測専用の装置を設けて搬送装置で接続するようにしてもよい。しかし、ウエハ計測器４００をトラック３００内に設置した場合には、露光レジストパターンの寸法形状をすぐに測定できるという利点がある。
【００５４】
（２）ウエハ面形状計測器
次に、ウエハ計測器の他の例として、ウエハＷの平坦度に関する情報（面形状）を事前計測する計測器について、図９を参照して説明する。ウエハ計測器４００は、ウエハステージＷＳＴ’と、ウエハホルダＷＨ’と、フィゾー干渉計６０’とを含んで構成されている。ウエハステージＷＳＴ’は、ウエハステージＷＳＴとほぼ同型のステージであるが、移動可能でない固定のステージであってもよい。また、ウエハホルダＷＨ’は、ウエハホルダＷＨと同型のホルダであり、ウエハＷを真空吸着することにより（すなわち露光装置２００のウエハホルダＷＨと同じようにして）、これを保持する。
【００５５】
このウエハ計測器４００では、レチクル計測器８００と同様に、ウエハホルダＷＨ’に吸着保持された状態でのウエハＷの面形状を、フィゾー干渉計６０’を用いて計測する。このフィゾー干渉計６０’は、参照面用部材６８を備えていないほかは、フィゾー干渉計６０と同等の構成とすることができるので、その構成については、詳細な説明を省略する。すなわち、このフィゾー干渉計６０’は、反射計測型の干渉計である。
【００５６】
なお、ウエハステージＷＳＴ’には、ウエハステージＷＳＴと同様に、基準マーク板ＦＭに相当するマーク板が設けられている。このマーク板の面は、厳格にほぼ平面として規定されているので、マーク板の面形状に相当する信号は、そのマーク板の高さを示す信号となる。したがって、このマーク板の面形状に相当する信号と、ウエハＷの面形状に相当する信号とを比較すれば、マーク板の面の高さとウエハＷの面形状の計測対象面の高さとの相対的関係が明らかとなり、それらの差分を求めることができるようになる。すなわち、マーク板の面を基準として、フィゾー干渉計６０’によりウエハホルダＷＨ’に保持されたウエハＷの面形状を計測することができる。
【００５７】
［事前情報通信システム］
事前計測装置としてのウエハ計測器４００、レチクル計測器８００で計測された事前計測情報（ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００で該計測情報に基づき何らかの処理が行われた場合には、該処理結果等の情報を含む）は、ウエハＷに取り付けられるＩＣタグ及び該ＩＣタグに対して無線通信により情報を書き込み及び／又は読み出す書込／読出装置を備える事前情報通信システムを介して、露光装置２００の主制御装置２０に送られる。なお、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００で行われる処理（計測処理を除く演算、評価、判定等の処理）の一部又は全部は、解析システム６００で行われる場合があるが、解析システム６００で行われた処理の処理結果も事前計測情報という。
【００５８】
この事前情報通信システムを実現するため、ウエハＷの端部にはＩＣタグが取り付けられる。ＩＣタグは、極小型ＩＣチップ及びアンテナを搭載したタグ（荷札）であり、各種の情報を記憶保持することができ、該アンテナを通じて、書込／読出装置（リーダ／ライタ）で情報を非接触で情報を読み書きすることができる。ＩＣタグはバッテリを搭載せず、書込／読出装置が発する電波を受信し、電磁誘導などの仕組みで電流を発生させるタイプと、バッテリを搭載したタイプとがあるが、いずれを用いてもよい。また、ＩＣタグはラベル化されて物体に簡単に貼付できるタイプのものも開発されている。
【００５９】
ＩＣタグのウエハＷに対する取り付け場所としては、ウエハＷの端縁部（側面）が望ましい。このような端縁部に取り付けるのは、ウエハＷの表面に取り付けた場合には、ウエハ表面には成膜、研磨、レジスト塗布・現像、イオン注入等の各種の処理が施されるため、これらの処理の障害となる可能性があり、裏面に取り付けた場合には、ウエハ搬送装置やウエハホルダにおいて、ウエハＷは裏面側で保持されるため、ウエハ平坦度（フラットネス）に悪影響がある可能性があるからである。また、ウエハＷの外縁部であっても、例えば、ウエハプリアライメントにおいては、ウエハＷの外縁部の所定箇所で外形計測が行われることは先に説明したが、このような外形計測が行われる部分以外の部分に取り付けることが望ましい。ウエハＷの厚さは例えばシリコンウエハの場合には、８００μｍ〜１０００μｍ程度であり、現在開発されているＩＣタグは、一辺が５００μｍ以下で、厚さが１００μｍ以下と非常に小型になっており、今後さらに小型化、薄型化されるものと予想されるので、その端縁部に取り付けることは十分に可能である。
【００６０】
ウエハＷの上述のような各種の処理前に一旦ＩＣタグを取り外して、処理後に再度取り付ける場合には、例えば、図１０に示されているように、ＩＣタグＴａｇはウエハＷの端縁部の下側に斜めに直接取り付けることができる。この場合、ダイアタッチフィルム等の接着フィルムより貼着するようにすれば、ウエハＷに対する取り付け、取り外しが容易にできて便宜である。ウエハＷの端縁部が同図に示すように丸みを帯びている場合には、ウエハＷの対応箇所を斜めに研磨加工し、その研磨面に貼付するようにできる。また、処理前後においてＩＣタグＴａｇを着脱するのは、手間がかかるため、処理中も取り付けたままにしたい場合には、例えば、図１１に示されているように、ウエハＷの端縁部の下側（上側も可）を切り欠いて切欠部とし、その切欠部内の側面等に、高接着性、高耐久性、高温安定性にすぐれたシリコーン接着剤あるいはポリイミドハイブリッドのダイアタッチ接着剤等を用いて接着し、その後に、シリコーンレジン等のコーティング材ＣｏでＩＣタグＴａｇを保護するようにするとよい。
【００６１】
また、この事前情報通信システムを実現するため、レチクルＲにもＩＣタグが取り付けられる。この場合のＩＣタグも上述したウエハＷについてのものと同様である。レチクルＲは、図１２に示すように、例えば透明ガラス基板の一面にＣｒ（クロム）等によって所望のパターンが形成されたパターン形成面ＰＦを有し、このパターン形成面ＰＦの周囲に、レチクルＲを不要な光が透過するのを防止するために、Ｃｒ（クロム）等によって遮光帯ＢＰが形成されている。ＩＣタグＴａｇは、レチクルＲの一側面に取り付けられている。なお、レチクルＲの搬送機構による搬送に支障を来さないようにするため、ＩＣタグＴａｇはレチクルＲの一側面において内部に埋め込まれるように設けることが望ましい。
【００６２】
ＩＣタグ及びその書込／読取装置の概略構成について、図１３を参照して説明する。ＩＣタグＴａｇは、通信部８１、通信制御部８２、制御部８３、及びメモリ８４を含んで構成される。また、書込／読出装置ＲＷ（ＲＷ１，ＲＷ２）は、通信部８５及び制御部８６を含んで構成される。ＩＣタグＴａｇの通信部８１は、書込／読出装置ＲＷの通信部８５との間で無線通信により情報の送受信を行うものであり、例えば電波にて通信を行う場合にはアンテナが設けられ、赤外線にて通信を行う場合には赤外線の発光部及び受光部が設けられる。書込／読出装置ＲＷの制御部８６は、当該書込／読出装置ＲＷが設けれる位置（対象装置）に応じて、ウエハ計測器４００、レチクル計測器８００、露光装置２００の主制御系２０、解析システム６００等に接続される。
【００６３】
ＩＣタグＴａｇの通信制御部８２は、通信部８１を介して行われる通信を制御するものである。具体的には書込／読出装置ＲＷの通信部８５からアンテナ（不図示）を介して無線送信される情報（事前計測情報等）を、通信部８１のアンテナ（不図示）で受信した場合には、受信した情報を制御部８３へ出力し、制御部８３から出力された情報を通信部８１からアンテナを介して、書込／読出装置ＲＷに送信する。
【００６４】
制御部８３は、通信制御部８２との間で情報の入出力制御を行うとともに、メモリ８４に記憶された情報を読み出し、新たな情報を受信した場合にはこれをメモリ８４に書き込む制御を行う。メモリ８４は、例えば半導体メモリから構成される。ここで、メモリ８４として用いられる半導体メモリとしては、ＤＲＡＭ等の揮発性メモリ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭ(Magnetic RAM)等の不揮発性のメモリの何れであってもよい。
【００６５】
書込／読出装置ＲＷは、この露光システム内に必要に応じて複数設けられており、ここでは、図４に示すように、ウエハ計測器４００（又はその近傍）に書込／読出装置ＲＷ１が設けられ、露光装置２００のウエハステージＷＳＴ（又はその近傍）に書込／読出装置ＲＷ２が設けられている。また、図示はしていないが、レチクル計測器８００及び露光装置２００のレチクルステージＲＳＴに書込／読出装置ＲＷがそれぞれ設けられている。書込／読出装置ＲＷ，ＲＷ１，ＲＷ２の制御部８６は、ウエハ計測器４００、レチクル計測器８００、露光装置２００の主制御装置２０にそれぞれ電気的にデータ通信可能に接続されている。なお、ウエハ計測器４００及びレチクル計測器８００で、ＩＣタグＴａｇへの情報の書き込みのみで、情報の読み出しを行わない場合には、読出機能のない書込装置とし、露光装置２００で、ＩＣタグＴａｇからの情報の読み出しのみで、情報の書き込みを行わない場合には、書込機能のない読出装置としてもよい。
【００６６】
なお、解析システム６００がウエハ計測器４００及びレチクル計測器８００による処理（計測処理を除く）の一部又は全部を行うため、ここでは、ＬＡＮ等のネットワークを介して、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００と解析システム６００が通信を行うものとするが、解析システム６００にも書込／読出装置ＲＷを設けて、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００にてウエハＷのＩＣタグＴａｇに書き込まれた事前計測情報を該書込／読出装置ＲＷで読み出して、必要な処理を行い、その処理結果を事前計測情報として、該ウエハＷのＩＣタグＴａｇに書き込むようにしてもよい。
【００６７】
［ウエハプロセス］
次に、ウエハＷに対するプロセスについて、図１４を参照して簡単に説明する。まず、図１中の工場内生産管理ホストシステム７００からネットワーク及び露光工程管理コントローラ５００を介して、主制御装置２０に処理開始命令が出力される。主制御装置２０はこの処理開始命令に基づいて、露光装置２００、コータ部３１０、デベロッパ部３２０、及びウエハ計測器４００に各種の制御信号を出力する。この制御信号が出力されると、ウエハキャリア３０２から取り出された１枚のウエハは、搬送ライン３０１を経て、レジストコータ３１１に搬送されてフォトレジストが塗布され、順次搬送ライン３０１に沿ってプリベーク装置３１２及びクーリング装置３１３を経た後（Ｓ１０）、インライン計測器４００のステージ装置に搬入されて、アライメントマークの事前計測処理が行われる（Ｓ１１）。但し、ここでは、レジスト処理（Ｓ１０）を行った後に事前計測処理（Ｓ１１）を行うものとしたが、この順番は逆であってもよい。
【００６８】
ウエハ計測器４００における事前計測処理（Ｓ１１）では、ウエハＷのエッジ計測及びサーチアライメントマークの位置計測、ファインアライメントマークの位置の計測、ウエハＷの平坦度の計測等が実施される。また、必要に応じて、ウエハ計測器４００が備える撮像素子から出力されるマーク生信号波形データ若しくはこれを信号処理したデータに基づいて、当該マークの露光装置２００で検出するマークとしての適性を所定の評価基準に従って評価し、その評価のレベルを示すスコアを算出する。この事前計測処理（Ｓ１１）における計測結果、マークの適否、スコアは、必要に応じて当該生信号波形データとともに、当該計測が行われたウエハＷに取り付けられたＩＣタグに書込／読出装置ＲＷ１を介して書き込まれる（Ｓ１２）。
【００６９】
なお、ウエハ計測器４００において、露光装置２００の主制御装置２０等の処理負担の軽減のため、その演算処理の一部又は全部を行うようにして、その演算結果をＩＣタグに書き込むようにしてもよい。例えば、露光装置２００で当該ウエハＷのアライメントマークを計測する際のマーク（計測対象とすべきマーク）、マーク数、照明条件（例えば、照明波長、照明強度、暗視野照明か明視野照明か、位相差板を介した照明とするか否か等）などを最適化する処理を例示することができる。このような演算処理は、ウエハ計測器４００ではなく、その一部又は全部を解析システム６００に実施させるようにしてもよい。なお、事前計測処理には、実際の計測処理のみならず、このような演算処理も含まれ、事前計測結果には、実際の計測結果のみならず、演算処理結果も含まれる。
【００７０】
事前計測処理が終了したウエハＷは、搬送ライン３０１上を、露光装置２００近傍まで搬送されて、搬送ロボット５４に受け渡される。搬送ロボット５４は、受け取ったウエハＷを、テーブル５１上に受け渡し、テーブル５１はウエハＷを吸着保持する。この時点で、ウエハＷは、不図示の位置合わせ装置により、そのＸ軸方向、Ｙ軸方向の位置やノッチ（又はＯＦ）の方向がラフに調整されているものとする。ウエハ搬送アーム５２は、アーム駆動機構５３の駆動により、ターンテーブル５１の−Ｙ側に回り込み、テーブル５１上に保持されたウエハＷを受け取る。そして、ウエハＷを保持したウエハ搬送アーム５２が、ウエハロード位置の上方に待機している搬入アーム３６の空間部内の所定位置（ウエハＷを受け渡すことが可能な位置）まで駆動され、ウエハ搬送アーム５２に保持されたウエハＷは、前述の搬入アーム３６の空間部に搬入される。
【００７１】
この状態で、ステージ制御装置１９は、上下動・回転機構３８を駆動することにより、搬入アーム３６を所定量上昇させ、搬入アーム３６が所定の位置に到達した時点で、ウエハ搬送アーム５２によるウエハＷの吸着を適切なタイミングで解除し、搬入アーム３６によるウエハＷの真空吸引を適切なタイミングで開始させる（バキュームをオンにする）。ウエハＷが搬入アーム３６によって完全に支持された状態となるまで搬入アーム３６が上昇すると、ステージ制御装置１９は、ウエハ搬送アーム５２を−Ｙ側に退避させる。これにより、ウエハＷのウエハ搬送アーム５２から搬入アーム３６への受け渡しが完了する（Ｓ１３）。
【００７２】
主制御装置２０は、このウエハＷの受け渡しの完了を、例えば搬入アーム３６に接続された真空吸引路内の圧力の変化を検知する不図示のセンサの出力に基づいて確認すると、ステージ制御装置１９に対し、背景板をウエハＷの下方に移動（挿入）させるよう指示する。
【００７３】
主制御装置２０は、不図示のセンサの出力に基づいて、背景板のウエハ下方への挿入が完了したことを確認し、ステージ制御装置１９に対してウエハＷのプリアライメント計測を指示する。この指示に基づき、ステージ制御装置１９は、プリアライメント装置３２を構成する計測ユニット４０ａ〜４０ｃを用いた前述のウエハＷの外形エッジ計測を開始する。すなわち、このようしてウエハプリアライメント装置３２を用いたウエハＷのプリアライメントが開始される（Ｓ１４）。
【００７４】
このプリアライメントでは、計測ユニット４０ａ〜４０ｃによって、図３（Ａ）に示されるウエハＷの外縁近傍の３つの領域（ＶＡ，ＶＢ，ＶＣ）がそれぞれ撮像される。その撮像結果は、プリアライメント装置本体３４に送られ、プリアライメント装置本体３４は、その撮像データに基づいて、搬入アーム３６に保持されたウエハＷの中心位置及び回転量を算出してステージ制御装置１９を介して主制御装置２０に送る。このプリアライメント処理終了後、ステージ制御装置１９は、上記プリアライメント装置本体３４によって算出されたウエハＷの中心位置、ノッチの位置、及び半径に関する情報を、主制御装置２０に通知するとともに、主制御装置２０からの指示に基づいて背景板を退避させる。
【００７５】
一方、主制御装置２０は、ステージ制御装置１９に対し、ウエハステージＷＳＴのウエハロード位置への移動を指示する（Ｓ１５）。これにより、ステージ制御装置１９は、ウエハレーザ干渉計２４の計測値をモニタしつつ、ウエハ駆動装置１５を介してウエハステージＷＳＴをウエハロード位置へ移動させる。以上の動作により、搬入アーム３６及びウエハステージＷＳＴは、ウエハロード位置及びその上方で、上下方向に重なった状態となる。なお、このとき、ステージ制御装置１９は、前述したウエハＷのＸ、Ｙ、θｚ誤差の情報のうち、Ｘ、Ｙの誤差の情報に基づいて、それらの誤差がキャンセルされるような位置にウエハステージＷＳＴを位置決めしているものとしてもよい。なお、この時点でプリアライメントの結果（オフセット）を考慮せず、ウエハステージＷＳＴの位置を設計値どおりとする場合には、後述するサーチアライメントマークの計測時のウエハステージＷＳＴの位置を、上記Ｘ，Ｙの誤差の情報に基づいて調整するようにしてもよい。また、このとき、ここで、後述するように、ウエハ計測器４００で計測された、ウエハＷの外形基準座標系におけるサーチアライメントマークの位置ずれ量がキャンセルされるように、ウエハステージＷＳＴの位置をさらに補正するようにしてもよい。
【００７６】
ウエハステージＷＳＴがウエハロード位置に到達すると、主制御装置２０は、センタテーブルを上昇させるとともに、センタテーブルにウエハＷが載置される位置まで、搬入アーム３６を下降させる。このとき、ステージ制御装置１９は、搬入アーム３６が所定位置まで到達したときに、搬入アーム３６に対するウエハＷに対する真空吸着を解除させ、その直後に適切なタイミングでセンタテーブルによるウエハＷに対する真空吸着を開始させる。搬入アーム３６は、ウエハＷがセンタテーブルのみに支持されるようになるまで、すなわち、搬入アーム３６のフック部がウエハＷから完全に離れるまで引き続き下降する。その後、ステージ制御装置１９は、センタテーブルの真空吸着力によりウエハＷが完全に保持された状態となったときに、ウエハステージＷＳＴを＋Ｙ方向に移動させる。
【００７７】
さらに、ステージ制御装置１９は、センタテーブル３０をウエハホルダ１８内に没するようになるまで下降させ、ウエハホルダ１８にウエハＷを載置させる。このとき、ステージ制御装置１９は、センタテーブル３０が所定の位置に到達したときに、センタテーブル３０の真空吸着を解除させ、適当なタイミングでウエハホルダ１８による真空吸着を開始させることによって、ウエハホルダ１８によりウエハＷを吸着保持するようにする。なお、前述のように、プリアライメント装置３２によって計測されたウエハＷのＸ、Ｙ、θｚの誤差は、前述した搬入アーム３６の回転やウエハステージＷＳＴの位置の補正によってキャンセルされるため、ウエハＷは、ウエハステージＷＳＴ上の所望の位置に保持されるようになる。一方、搬入アーム３６については、元の位置まで上昇させておく。
【００７８】
ウエハロード（Ｓ１５）が終了したならば、主制御装置２０は書込／読出装置ＲＷ２を介して、ウエハＷに取り付けられているＩＣタグから事前計測情報を読み出す（Ｓ１６）。次いで、ステージ制御装置１９から「露光準備終了コマンド」が主制御装置２０に送られると、主制御装置２０は、この「露光準備終了コマンド」を受け、上記のウエハ交換の終了を確認した時点で、ステージ制御装置１９に対してウエハアライメント開始位置へのウエハステージＷＳＴの移動を指示する。その後、処理はウエハＷのアライメントシーケンスに移行する。ステージ制御装置１９は、上記の指示に基づき、ウエハレーザ干渉計２４の計測値をモニタしつつ、ウエハ駆動装置１５を介して、ウエハステージＷＳＴを所定の経路に沿ってウエハアライメント開始位置へ移動させる。このとき、ウエハステージＷＳＴは待機位置から所定距離だけ−Ｘ方向に、すなわちウエハロード位置への移動の際と同じ経路を逆向きに移動する。
【００７９】
上記のウエハアライメント開始位置へのウエハステージＷＳＴの移動終了後、サーチアライメントが実施される（Ｓ１７）。サーチアライメントは、後に高倍率で行われるファインアライメントにおいて、ファインアライメントマークがアライメント系ＡＬＧの撮像視野内に入るように行われる大まかなアライメントであり、アライメント系ＡＬＧを低倍率に設定してウエハＷ上のサーチアライメントマークを計測することにより行われる。
【００８０】
次に、ファインアライメントが行われる（Ｓ１８）。主制御装置２０は、ステージ制御装置１９を介してウエハステージＷＳＴを順次移動させ、ウエハＷ上の予め定められた特定のショット領域（サンプルショット）に付設されたアライメントマーク（ウエハマーク）を、アライメント系ＡＬＧを用いて順次検出する。この検出結果（各マークとアライメント系ＡＬＧの検出中心との相対位置）とそれぞれのマーク検出時のウエハレーザ干渉計２４の計測値とを用いて、上記サンプルショットのファインアライメントマークの位置を求め、この求めた位置に基づいて、ＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウエハ全体のローテーション、直交度、Ｘ，Ｙ方向のスケーリング（倍率誤差）、Ｘ，Ｙ方向のオフセットで代表される線形誤差等を算出して配列座標系を求め、この算出結果に基づきウエハＷ上のショット領域の配列座標を算出する。ここで、ウエハアライメントの際のウエハステージＷＳＴのＸ位置及びＹ位置は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ及びアライメント系ＡＬＧの検出中心を通るＹ軸方向の測長軸における計測値と、アライメント系ＡＬＧの検出中心を通るＸ軸方向の測長軸における計測値とに基づいて管理される。
【００８１】
ファインアライメントの後、主制御装置２０は、求められた配列座標に従ってウエハステージＷＳＴを移動させることにより、ウエハＷ上の各ショット領域を正確にレチクルパターンの投影位置に重ね合わせて露光を行う（Ｓ１９）。但し、露光装置２００では走査露光が行われるので、後述する実際の露光の際には、ウエハステージＷＳＴの移動は、求められた配列座標位置からベースライン量だけウエハステージＷＳＴを移動したショット中心の位置から所定距離だけ走査方向にずれた各ショットの露光のための走査開始位置（加速開始位置）への移動となる。露光終了後、ウエハＷは不図示のウエハアンローダを用いてウエハステージＷＳＴからアンロードされる（Ｓ２０）。
【００８２】
ウエハステージＷＳＴからアンロードされたウエハＷは、不図示のウエハアンローダ、アンロードロボットにより、トラック３００の搬送ライン３０１まで搬送された後、搬送ライン３０１に沿って順次ポストベーク装置３２１及びクーリング装置３２２を経て現像装置３２３に送られる。そして、現像装置３２３において、ウエハＷの各ショット領域上に、レチクルのデバイスパターンに対応したレジストパターン像が現像される（Ｓ２１）。現像が完了したウエハＷは、必要に応じて形成されたパターンの線幅、重ね合わせ誤差等のインライン計測器４００又は別途測定装置を設けた場合には該測定装置で検査され、搬送ライン３０１によってウエハキャリア３０３内に収納される。
【００８３】
この後、ウエハキャリア３０３に収納されたウエハＷは、他の処理装置に搬送され、エッチング（Ｓ２２、レジストで保護されていない部分を削り取る）、レジスト剥離（Ｓ２３、不要となったレジストを取り除く）等が実行される。上述したＳ１０〜Ｓ２３の処理を繰り返し行うことにより、ウエハキャリア３０２に収納された例えば１ロットのウエハに対し、多重に回路パターンが形成される。
【００８４】
上述したウエハプロセス処理は、各基板処理装置でそれぞれ行われており、各基板処理装置は、露光工程管理コントローラ５００により統括的に制御・管理される。露光工程管理コントローラ５００は、これに付属する記憶装置に、露光システム１００で処理する各ロットあるいは各ウエハについてのプロセスを制御するための種々の情報、そのための種々のパラメータあるいは露光履歴データ等の種々の情報を蓄積する。そして、これらの情報に基づいて、各ロットに適切な処理が施されるように、各露光装置２００を制御・管理する。また、露光工程管理コントローラ５００は、各露光装置２００におけるアライメント処理に用いられるアライメント条件（アライメント計測の際に使用される様々な条件（サンプルショット数と配置、ショット内多点方式か１点方式か、信号処理の際に使用されるアルゴリズムなど））を求め、これを各露光装置２００に登録する。露光工程管理コントローラ５００は、露光装置２００で計測されたＥＧＡログデータ等の各種データも蓄積しており、これらに基づいて、各露光装置２００を適切に制御・管理する。
【００８５】
［レチクル事前計測及び搬送処理］
次に、レチクルＲの事前計測処理及び搬送処理について、図１５を参照して簡単に説明する。なお、一例として、レチクル計測器８００では、レチクルＲの平坦度が計測されるものとして説明する。図１５に示されるように、まず、工場内生産管理システム７００の管理の下、露光工程管理コントローラ５００が、不図示のレチクル搬送系により、露光装置２００にロードされることになるレチクルＲを、レチクル計測器８００まで搬送させ、レチクルホルダＲＨ’上にロードさせる（Ｓ３０）。次いで、レチクル計測器８００が、レチクルホルダＲＨ’に保持された状態でのレチクルＲのパターン面に相当する面形状を計測する。この計測された面形状データＲ（ｘ，ｙ）（ｘ、ｙは、レチクルＲのパターン中心を原点とするＸ軸方向、Ｙ軸方向の位置座標）は、書込／読出装置ＲＷを介して、レチクルＲに取り付けられたＩＣタグに書き込まれる（Ｓ３１）。
【００８６】
次いで、不図示のレチクル搬送系により、レチクルＲをレチクル計測器８００からアンロードさせ、レチクル搬送系は、このレチクルＲを、露光装置２００に搬送する（Ｓ３３）。その後、レチクルＲをレチクルホルダ上に吸着保持させる。露光装置２００の主制御装置２０は、書込／読出装置ＲＷを介して、レチクルＲに取り付けられたＩＣタグから事前計測情報を読み出し（Ｓ３４）、露光装置２００に対し、不図示のレチクルアライメント系によるレチクルアライメント及びベースライン計測などのレチクルＲに関する準備作業を、不図示のレチクルアライメント系及びアライメント系ＡＬＧなどを用いて行うように指示する（Ｓ３５）。
【００８７】
なお、レチクル計測器８００は、レチクルＲのパターン面の平坦度が異常であるか否か、換言すれば、平坦度に関する要求精度を満たすことができないレチクルＲであるか否かを判断する。ここでは、上述のようにして求められたレチクルＲのパターン面の面形状データから、その平坦度に関する指標値を算出し、上記判断を、その値に基づいて行う。例えば、ここでは、面形状データにおける面位置の最大値と最小値との差が、許容範囲内になければ、レチクルＲは平坦度異常であると判断する。この判断が肯定された場合には、工場内生産管理ホストシステム７００に通知し、ホストシステム７００は、そのレチクルＲをリジェクトするように指示し、処理を終了する。
【００８８】
［事前計測処理及びこれに対応する露光装置における処理］
（１）アライメント最適化
ウエハ計測器４００は、露光装置２００又は工場内生産管理ホストシステム７００から、露光装置内（アライメントセンサＡＬＧ）で計測を行うべきアライメントマークの設計位置情報とマーク検出パラメータ（信号波形の処理アルゴリズムに関するパラメータであって、例えばスライスレベルなど）を取得する。次いで、ステージ装置を駆動して、ウエハＷのアライメント対象のマークをウエハ計測器４００の検出位置の近傍に順次位置決めしつつ、該アライメントマークの位置の計測を実施する。
【００８９】
次いで、撮像素子から出力されるマーク生信号波形データ若しくはこれを信号処理したデータに基づいて、当該マークの露光装置２００で検出するマークとしての適性を所定の評価基準に従って評価し、その評価のレベルを示すスコアを算出する。当該スコアが予め決められた閾値よりも良好である場合には、当該スコア及び当該マークが露光装置２００で計測するマークとして適正であることを示す情報を、当該ウエハＷのＩＣタグに書き込み、当該スコアが予め決められた閾値より不良である場合には、当該スコア及び当該マークが露光装置２００で計測するマークとして不適であることを示す情報を事前計測情報として、書込／読出装置を介してＩＣタグに書き込む。なお、不良と判断された場合には、当該スコア及び不良を示す情報とともに、マーク生信号波形データをＩＣタグに書き込むことが望ましい。また、ウエハ計測器４００で計測した全てのマークの信号波形データをＩＣタグに書き込んでもよいが、信号波形データを全計測マークについて書き込むとなると、ＩＣタグの記憶容量と通信時間の観点から問題があるおそれがあるため、不適と判断されたマーク又は計測不能と判断されたマーク（計測エラーマーク）に関してのみ、計測したマーク信号波形データをＩＣタグに書き込むようにするとよい。
【００９０】
露光装置２００において、当該ウエハＷのＩＣタグに書き込まれた事前計測情報が書込／読出装置を介して主制御装置２０により読み出され、該事前計測情報に基づいて、ＥＧＡ計測で計測対象とする最適なサンプルショットが選択され、あるいはマーク検出パラメータの最適化処理等が行われる。なお、マーク検出パラメータの最適化処理が、ウエハ計測器４００で行われ、その処理結果がＩＣタグに書き込まれている場合には、露光装置２００はその処理結果を読み出せば足りる。
【００９１】
ここで、上述した検出結果スコアについて説明する。マーク信号パターンにおける特徴量であるマークパターン幅誤差等の複数の特徴量を各パターン毎に求めた後、各特徴量に最適化された重み付けを行い和をとって求めたトータル値を検出結果スコアとして定義し、予め設定された閾値と比較してマークの有無（あり／なし）を判定する。ここで、マーク生信号波形データの適・不適を正しく判定するためには、複数の特徴量それぞれの重み付けを露光プロセスやロット、マーク構造毎に最適化することが望ましい。より具体的には、マーク生信号波形データのエッジ部を検出してマークの特徴であるパターン幅の規則性（例えば、均一性）やパターン間隔の規則性（例えば、均一性）を特徴量として求める。ここで、「エッジ」とは、例えばライン・アンド・スペースマークにおけるライン部とスペース部との境界のように、マークを形成するパターン部と非パターン部との境界をいう。
【００９２】
ウエハ計測器４００による事前計測処理では、マークとマーク検出パラメータの最適化以外に、マーク数、マーク配置、アライメントフォーカスオフセット、アライメント照明条件（照明波長、明／暗視野、照明強度、位相差照明の有無など）、ＥＧＡ計算モードについても最適化対象に指定できる。この場合、各処理条件毎のＥＧＡ残留誤差成分を求め、この残留誤差成分が最小になる処理条件を採用する。
【００９３】
［ショット配列変形補正（ＧＣＭ）］
ＧＣＭ(Grid Compensation for Matching)は、研磨等のプロセス処理や熱膨張によるウエハの非線形な変形、露光装置間のステージグリッドの相違、ウエハの吸着状態の相違などにより生じる非線形なショット配列誤差を補正するものである。
【００９４】
まず、ＥＧＡに用いるショット配列変形計算モデルを以下に示す。
（ａ）通常ＥＧＡ（１次まで）でのショット配列変形計算モデルは以下の通り。
ΔX = Cx_10 Wx + Cx_01 Wy + Cx_sx Sx + Cx_sy Sy + Cx_00  （式１）
ΔY = Cy_10 Wx + Cy_01 Wy + Cy_sx Sx + Cy_sy Sy + Cy_00  （式２）
各変数の意味は以下の通り。
Wx, Wy: ウェハ中心を原点とした計測点の位置
Sx, Sy: ショット中心を原点とした計測点の位置
Cx_10: ウェハスケーリングＸ
Cx_01: ウェハ回転（Ｙ軸）
Cx_sx: ショットスケーリングＸ
Cx_sy: ショット回転（Ｙ軸）
Cx_00: オフセットＸ
Cy_10: ウェハ回転（Ｘ軸）
Cy_01: ウェハスケーリングＹ
Cy_sx: ショット回転（Ｘ軸）
Cy_sy: ショットスケーリングＹ
Cy_00: オフセットＹ
なお、上記の変数を用いて表現すれば、ウエハ直交度は-(Cx_01 + Cy_10)、ショット直交度は -(Cx_sy + Cy_sx)である。
【００９５】
なお、上記パラメータのうちのどれを使うかによって、ＥＧＡ演算モデル（統計処理モード）を、６パラメータモデル（通常ＥＧＡモデル）、１０パラメータモデル（ショット内多点モデル）、ショット内平均モデルと称されることがある。６パラメータモデルとは、上述のパラメータのうち、ウエハスケーリングＸ，Ｙと、ウエハ回転Ｘ軸，Ｙ軸と、オフセットＸ，Ｙとを使用するモデルである。１０パラメータモデルとは、６パラメータモデルに、ショットスケーリングＸ，Ｙとショット回転Ｘ軸，Ｙ軸の計４つのパラメータを加えたものを使用するモデルである。ショット内平均モデルとは、ショット内の複数のマークの計測値を平均してそのショットとしての代表値を１つ算出し、これを用いて上記６パラメータモデルと同様のパラメータ（６パラメータ）を使って各ショット位置のＥＧＡ演算を行うモデルである。
【００９６】
（ｂ）ステージ座標２次までのショット配列変形計算モデルは以下の通り。
【００９７】
ΔX = Cx_20 Wx2 + Cx_11 Wx Wy + Cx_02 Wy2
+ Cx_10 Wx   + Cx_01 Wy
+ Cx_00
+ Cx_sx Sx + Cx_sy Sy      （式３）
ΔY = Cy_20 Wx2 + Cy_11 Wx Wy + Cy_02 Wy2
+ Cy_10 Wx   + Cy_01 Wy
+ Cy_00
+ Cy_sx Sx + Cy_sy Sy      （式４）
【００９８】
（ｃ）ステージ座標３次までのショット配列変形計算モデルは以下の通り。
ΔX = Cx_30 Wx3 + Cx_21 Wx2 Wy + Cx_12 Wx Wy2 + Cx_03 Wy3
+ Cx_20 Wx2 + Cx_11 Wx Wy   + Cx_02 Wy2
+ Cx_10 Wx   + Cx_01 Wy
+ Cx_00
+ Cx_sx Sx + Cx_sy Sy      （式５）
ΔY = Cy_30 Wx3 + Cy_21 Wx2 Wy + Cy_12 Wx Wy2 + Cy_03 Wy3
+ Cy_20 Wx2 + Cy_11 Wx Wy   + Cy_02 Wy2
+ Cy_10 Wx   + Cy_01 Wy
+ Cy_00
+ Cy_sx Sx + Cy_sy Sy      （式６）
【００９９】
なお、ショット内１点計測の場合は、（式１）〜（式６）のショット補正係数Cx_sx、Cx_sy、Cy_sx、Cy_syを除外（即ち「０」とおく）する。
【０１００】
対象とするウエハＷがＧＣＭ計測対象ウエハである場合には、ウエハ計測器４００において予め指定された計測ショットに対して、露光装置２００におけるアライメント計測と同様の計測を事前計測処理として実行し、その計測結果又は該計測結果に基づいて最適化された高次補正係数を当該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００においては、ＩＣタグから当該高次補正係数を読み出すとともに、ＥＧＡ計測／演算を別途実施し、このＥＧＡ計測／演算結果にＩＣタグから読み出した高次補正係数を適用して、ショット配列を算出し、この配列に従って露光処理を行う。即ち、露光装置２００において計測ショットに対して通常ＥＧＡ計算を行った結果でウエハ変形の線形補正（線形成分の補正）を行い、ウエハ計測器４００で求められ、ＩＣタグに書き込まれた高次補正係数によるウエハ変形の非線形補正（非線形成分誤差の補正）と合わせてショット配列変形補正を行い露光処理を実行する。
【０１０１】
インライン計測器４００と露光装置２００との間における、装置起因による非線形成分（ウエハ変形（ウエハマーク）の計測から求められるウエハ変形の非線形成分）の相違については、事前に基準ウエハを用いて、合わせ込み補正値を算出しておく。この際、基準ウエハについて計測されたＥＧＡ計測結果又は重ね合わせ計測結果のどちらかを使用する。なお、ウエハ計測器４００による事前計測工程で算出されたショット配列変形の凡その傾向に基づいて、予め露光装置２００側に対応次数毎（通常は３次までであるが、４次以上でもよい）に登録された複数の高次補正係数のうち、最適な次数と補正係数に対応した高次補正係数を選択するようにしてもよい。
【０１０２】
［ディストーション補正（ＳＤＭ）］
ＳＤＭ(Super Distortion Matching)は、データベースに登録された各露光装置の投影光学系のディストーションデータとロット履歴からそれぞれのロットについて、過去に露光された装置のディストーションを取得し、これから露光する装置のディストーションとを比較して、露光エリア（ブラインド位置・オフセット）毎に、そのロットに対して最適なディストーションマッチングを行うものである。
【０１０３】
ディストーション補正を行う上で各露光装置２００毎のレンズ等の光学素子のパラメータファイルやステージパラメータファイル、レチクル製造誤差ファイルを取得する。露光装置の投影光学系の結像特性の制御のために搭載される、投影光学系内のレンズ等の光学素子の位置及び傾きを調整する結像特性調整装置（ＭＡＣ１）を制御して、ディストーション形状を変え、装置間のマッチングを最適にする。なお、露光装置がスキャンタイプである場合には、ステージパラメータの変更により結像特性を調整することもできる。
【０１０４】
ウエハ計測器４００では、このディストーション計測を事前計測処理として行う。これにより、前工程と次工程の露光装置間比較によるロット単位でのディストーション補正以外に、指定ウエハ数、指定ショット数単位でのディストーション補正が可能である。
【０１０５】
インライン事前計測によるディストーション補正（ＳＤＭ）は具体的には以下のように行われる。ＳＤＭサーバ（ここでは、図１の露光工程管理コントローラ５００の一部とする）で指定された（準備された）ディストーション補正係数を使用するものとする。まず、露光装置２００におけるＥＧＡ計測を実施し、このＥＧＡ計測結果に当該ディストーション補正係数を適用して露光処理を行う。なお、前記ディストーション補正係数は、他号機（前層のパターンをウエハ上に焼き付けした露光装置）の投影光学系のディストーションと、自号機（これから前層に重ね焼きをしようとする現工程で使用する露光装置）の投影光学系のディストーションとの差異を鑑みて、自号機で重ね露光するに際して最適化されたディストーション補正係数である。
【０１０６】
次いで、予め指定された計測ショットに対して、ウエハ計測器４００において事前計測を実行し、最適化された高次補正係数（他の露光装置（他号機）の投影光学系の像歪みに関する情報）を算出し、該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ウエハＷのＩＣタグから当該高次補正係数を読み出すとともに、露光装置２００の内部メモリ、或いは管理コントローラ５００に付随したメモリ（上述のＳＤＭサーバ）、或いはホストシステム７００に付随したメモリに予め保存管理されている、現在の工程で使用する露光装置２００の投影光学系のディストーション情報（現工程で使用する投影光学系の像歪みに関する情報）を読み出す。
【０１０７】
次いで、ＩＣタグから読み出した高次補正係数（他号機のディストーションに関する情報）と、ＳＤＭサーバ等から読み出した自号機のディストーション情報とに基づいて（両情報を比較して）、自号機で重ね露光する際に最適なディストーション補正係数（自号機の露光によってウエハ上に形成されるパターンの歪み具合が、他号機でウエハ上に既に形成されているパターン（前層のパターン）の歪み具合に合致させるために最適化された補正係数、像歪み補正情報）を算出する。
【０１０８】
次いで、露光装置（自号機）２００で、最適化されたディストーション補正係数を適用して、投影光学系の結像特性を調整する手段（投影光学系内のレンズを駆動したり、レンズ間の気圧を制御したりする手段）の駆動量（パラメータ）を設定したり、或いはスキャン露光装置であればパターン転写中におけるステージのスキャン速度などのステージパラメータの設定をしたりして補正を行いながら、その設定されたパラメータのもとで露光処理を行う。
【０１０９】
ウエハ計測器４００によるディストーション補正係数（ＳＤＭ補正値）の最適化処理について説明する。まず、ウエハ計測器４００において事前計測処理を実施し、ディストーション補正で最適化する次数と補正係数を指定して、補正係数を算出する。最適化する次数の指定としては、３次であれば計算式（式５）と（式６）に示される計算モデルを使用し、２次であれば計算式（式３）と（式４）に示される計算モデルを使用する。但し、ディストーション補正の場合、（式１）〜（式６）のショット補正係数Cx_sx、Cx_sy、Cy_sx、Cy_syを除外（＝０）とし、Ｗｘ，Ｗｙはショット中心を原点とした計測点の位置とする。
【０１１０】
最適化する補正係数の指定とは、補正結果を安定させるため相関の高い補正係数を除外（＝０）することである。例えば３次項の場合、Wx3、Wx2 Wy、Wx Wy2、Wy3の各係数のうち、Wx2 WyとWx Wy2の補正係数を除外することにより、高次補正の安定した結果が得られる場合がある。高次の次数が上がるほど、相関の高い補正係数の除外指定が有効となる。
【０１１１】
次いで、跳びデータをリジェクトした後、事前計測済みのウエハ、ショット間（跳びデータはリジェクト）で、対応次数（２次、３次、４次、５次、〜）毎に、平均化された高次補正係数について、最適化条件の組み合わせの中で、高次補正後の残差２乗和が最小となる高次補正係数をディストーション補正に用いる係数として選択する。跳びデータのリジェクトでは、ショット毎の高次補正後の残差２乗和が閾値を超えたデータを除外する。残差２乗和の代わりに高次補正位置の分散を計測結果位置の分散で除算した値（決定係数といい０〜１の値をとる。０に近いほど残差が大きくなる。計測結果位置の分散は、高次補正位置の分散と残差の分散を加味したものになる。）を閾値にしてもよい。
【０１１２】
［フォーカス段差補正］
ウエハ計測器４００による事前計測によるフォーカス段差補正は、以下のように行う。まず、１ＳＴ露光（第１層目についての露光）か否かを判断し、１ＳＴ露光の場合は、デバイス段差補正なしでフォーカシングして露光を行う。１ＳＴ露光でない場合には、段差データの更新（前データがない場合は、段差データ新規作成）か否かを判断し、段差データ更新を行う場合には、ウエハ計測器４００にてアライメント実行後、計測ショット数分のデバイス段差計測を行う。次いで、段差補正量（データ）を計算し、当該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから、各計測ショットの段差データを測定回数分読み出し、ショット内座標系に変換し、同一ショット内の平均化を行う。このとき、検知ポイントの位置ずれを、最小２乗近似、スプラインあるいはフーリエ級数等により補間し、段差データにおける位置の合わせ込みを行う。各計測ショット毎に、ショット中心位置を基準としてＸ，Ｙ方向に指定ピッチで並ぶ格子状のデータを求める。このときにも、必要に応じた補間関数が用いられる。
【０１１３】
格子状のデータ中の選択された位置のデータに対し、適宜なオフセットと重みを設定し、計測ショット単位で近似面を算出する。この近似面は、平面でも曲面でもよい。そして、各計測ショット毎の段差データを、近似面からの差分データ（オフセットデータ）に変換する。但し、近似面からパラメータによって指定された第１の閾値以上離れた段差データは、近似面計算対象から除外する。
【０１１４】
また、近似面からパラメータとして指定された第２の閾値以上離れたデータ（異常値データ）を検出し、該異常値データがパラメータとして指定された個数以上ある計測ショットは不成功ショットとし、残りの成功ショットのみの段差データを平均化し、デバイス段差補正量を算出する。露光装置２００は、この段差データ補正量に基づきフォーカス調整を実施した後、露光処理を実施する。
【０１１５】
［フォーカス、同期精度、露光量補正等］
ウエハ計測器４００にて、ウエハＷ上に前工程で形成された露光パターンの線幅や形状、その他パターン欠陥に関する情報を計測し、該計測結果に基づきパターンの良否を評価し、該評価結果に基づきパターンの不良ショット及び不良に近いショットを特定する。次いで、当該ショットについてのログデータ（フォーカストレースデータ、露光量トレースデータ、同期精度トレースデータ等）、重ね合わせ計測結果、及びＥＧＡ計算結果を露光装置から取得し、これらのデータを解析する。なお、重ね合わせ計測結果は露光装置以外の測定装置から取得してもよい。解析内容としては、フォーカストレースデータ、露光量トレースデータ、同期精度トレースデータを各々個別に解析し、パターン寸法制御性能を予測する。また、重ね合わせ計測データとＥＧＡ（アライメント）計算結果からは、重ね合わせ制御性能を予測する。これらの予測結果に基づいて、次ロット工程におけるフォーカス／同期精度／露光量等についての補正量を算出するとともに、リジェクトすべきショット、ウエハ又はロットを判定し、当該補正量及びリジェクト判定結果を該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ウエハＷのＩＣタグから該補正量及びリジェクト判定結果を読み出し、フォーカス補正、ステージ同期補正、露光量補正を行うとともに、リジェクト判定結果に基づいて、リジェクト処理を行う。
【０１１６】
［サーチアライメント計測位置補正、及びプリアライメント計測条件］
サーチアライメントマークの計測位置がずれることが原因でサーチアライメントエラー、及びサーチアライメント精度の低下が発生することがある。これは、後工程（セカンド露光）を行う露光装置にてプリアライメント後、サーチアライメントを行う際に前工程（ファースト露光）を行った露光装置における、（１）オフセット（例えば約４０［ｕｍ］）、（２）プリアライメント再現性（プリアライメント計測誤差とウエハ投入誤差とで３σで例えば約１５［ｕｍ］）、セカンド露光に係る露光装置における、（３）オフセット（例えば約４０［ｕｍ］）、（４）プリアライメント再現性（プリアライメント計測誤差とウエハ投入誤差とで３σで例えば約１５［ｕｍ］）、（５）アライメントセンサ（ＦＩＡセンサ）の製造誤差やアライメント光学系倍率公差等（例えば約１０［ｕｍ］）の影響により、サーチアライメントマークを計測する位置にずれが生じるためである。
【０１１７】
必要なサーチアライメントマークの計測範囲は、上記内容に基づき次のようになる。
（１）＋（３）＋√（（２）２＋（４）２）＋（５）＝１３３μｍ（±６６．５μｍ）
ウエハのそりやウエハ外形エッジ形状のばらつき、プリアライメント装置の調整不良（プリアライメント装置のアームのバキュームオフ位置の調整値、センターテーブルの上昇位置の調整値等）、センターテーブルの耐久性などによるプリアライメント再現性（（プリアライメント計測精度とウエハ投入精度）の悪化により、サーチアライメントマークがアライメントセンサの計測視野（例えば、２０４×１５３［ｕｍ］）から外れる場合がある。このため、前記（１）〜（５）の各変動要因を減らして、サーチアライメントマークをサーチ計測視野内に入れることが求められる。
【０１１８】
ウエハ計測器４００にて、事前計測情報として、ウエハ外形（通常、ノッチ部を含めた３箇所）を計測し、ウエハ外形から求まる中心位置と回転量に基づく座標系でサーチアライメントマークの位置を計測し、ウエハ外形基準でのサーチアライメントマークの設計座標からのずれ量を算出し、該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該ずれ量を読み出して、これに基づきサーチアライメントマークの計測位置を補正する。その結果、前記ファースト露光に係る露光装置における（１）オフセットや（２）プリアライメント再現性によるずれ分が、セカンド露光に係る露光装置におけるサーチアライメント時に補正することができ、アライメントマークの計測位置ずれに起因するアライメントエラーの低減、及びサーチアライメント精度の向上を図ることができる。
【０１１９】
また、ウエハ計測器４００にて、事前計測情報として、プリアライメント計測と同様の計測を行い、最適なプリアライメント条件を求めて、これを該ウエハＷのＩＣタグに書き込み、露光装置にて、該ＩＣタグから該最適なプリアライメント条件を読み出して、該条件に従ってプリアライメントを行うことにより、プリアライメント計測再現性が向上し、アライメントエラーの低減、及びアライメント精度の向上を図ることができる。なお、この場合には、図１４のＳ１６におけるＩＣタグからの事前計測情報の読み出しは、Ｓ１４のプリアライメントの前に行う必要がある。
【０１２０】
［ウエハ平坦度］
ウエハ計測器４００にて、事前計測情報として、ウエハＷの平坦度（フラットネス）を計測し、その計測結果を、該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該計測結果としての平坦度情報を読み出す。そして、読み出した平坦度情報に従って、露光時にフォーカス補正を行う。また、ウエハＷの平坦度がフォーカス補正によって補正できる範囲を越えていると判断される場合には、異常ウエハとしてリジェクト処理を行う。なお、後述するレチクル計測器８００によるレチクルＲの平坦度の計測がなされている場合には、ウエハ平坦度とレチクル平坦度との差分に応じたフォーカス補正を行うことにより、より適切な補正を行うことができる。
【０１２１】
［ウエハ異物検査］
ウエハ計測器４００にて、事前計測情報として、ウエハＷの表面への異物の付着の有無を検査し、その計測結果を、該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該検査結果としての異物情報を読み出し、読み出した異物情報が異物の付着を内容としている場合には、異常ウエハとしてリジェクトし、あるいは異物の付着しているショットをスキップして正常なショットに対する露光処理を行い、又は該異物を除去すべくウエハの表面のクリーニング処理を行う。
【０１２２】
［ウエハ欠陥検査］
ウエハ計測器４００にて、事前計測情報として、ウエハＷに形成されたパターンに欠陥にあるか否かを検査し、その検査結果を、該ウエハＷのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該検査結果としての欠陥情報を読み出し、読み出した欠陥情報が欠陥有りを内容としている場合には、異常ウエハとしてリジェクトし、あるいは欠陥のあるショットをスキップして正常なショットに対する露光処理を行う。
【０１２３】
［レチクル平坦度］
レチクル計測器８００にて、事前計測情報として、レチクルＲの平坦度（たわみを含む）を計測し、その計測結果を、該レチクルＲのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該計測結果としての平坦度情報を読み出す。そして、読み出した平坦度情報に従って、露光時にフォーカス補正、位置ずれ補正、像面湾曲補正、ディストーション補正のうちの何れか若しくは複数又は全部を行う。また、レチクルＲの平坦度がこれらの補正によって補正できる範囲を越えていると判断される場合には、異常レチクルとしてリジェクト処理を行う。なお、上述したウエハ計測器４００によるウエハＷの平坦度の計測がなされている場合には、レチクル平坦度とウエハ平坦度との差分に応じたフォーカス補正を行うことにより、より適切な補正を行うことができる。
【０１２４】
［レチクル異物検査］
レチクル計測器８００にて、事前計測情報として、レチクルＲの表面への異物の付着の有無を検査し、その検査結果を、該レチクルＲのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該検査結果としての異物情報を読み出し、該異物情報が異物の付着を内容としている場合には、異常レチクルとしてリジェクトする。該レチクルＲが１ショット内に複数のチップを形成するレチクルである場合、即ち複数のチップに対応するパターンがそれぞれ形成されている場合には、異常箇所に対応するチップ領域をブランドで遮蔽して正常なチップ領域のみに限定して露光処理を行う。あるいは該異物を除去すべくウエハの表面のクリーニング処理を行う。
【０１２５】
［レチクル欠陥検査］
レチクル計測器８００にて、事前計測情報として、レチクルＲの表面の欠陥（キズを含む）の有無を検査し、その検査結果を、該レチクルＲのＩＣタグに書き込む。露光装置２００では、該ＩＣタグから該検査結果としての欠陥情報を読み出し、該欠陥情報が欠陥有りを内容としている場合には、異常レチクルとしてリジェクトする。該レチクルＲが１ショット内に複数のチップを形成するレチクルである場合、即ち複数のチップに対応するパターンがそれぞれ形成されている場合には、異常箇所に対応するチップ領域をブランドで遮蔽して正常なチップ領域のみに限定して露光処理を行う。
【０１２６】
上述した実施形態によると、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００にてその計測結果としての事前計測情報（該計測結果に基づく演算、評価、判定、その他の何らかの処理が行われた場合にはその処理結果を含む）を計測を実施したウエハＷに取り付けられたＩＣタグに、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００に設けられた書込／読出装置ＲＷ（ＲＷ１）を介して書き込み、当該ウエハＷが露光装置２００に搬入された後に、該露光装置２００に設けられた書込／読出装置ＲＷ（ＲＷ２）を介して該ＩＣタグから該事前計測情報を読み出して、該露光装置が露光に関する処理を行うようにしたので、従来技術のように、事前計測情報を上位コンピュータ等により管理する必要がなくなり、該事前計測情報のネットワークを介した送受信や情報管理に伴う上位コンピュータやネットワークの処理負担を小さくすることができる。特に、比較的に小規模な露光システムにおいては、上位コンピュータを設けて、統括的に管理することがコスト等の観点から不利である場合があるが、このような小規模システムにおいても容易にしかも安価に対応することができるようになる。
【０１２７】
［その他の装置又はシステムへの応用］
上述した実施形態では、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００を事前計測処理を行う事前計測装置とし、ウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００で事前計測された事前計測情報を、ウエハＷに取り付けられたＩＣタグに書き込み、露光装置２００において該ＩＣタグから事前計測情報を読み出して、露光に関する処理として上述した各種の処理を行っていた。これらのウエハ計測器４００又はレチクル計測器８００と露光装置２００の関係を他の計測器と他の処理装置に同様に適用することができる。
【０１２８】
（１）レーザリペア装置（テスターとレーザ加工装置）
半導体装置（例えば、半導体メモリ等）の製造においては、上述したリソグラフィ工程の後工程として、レーザリペア装置による処理が行われる。レーザリペア装置は、プローブテストを行うテスターと、テスターによって不良と判断された不良チップを救済すべく、冗長回路のヒューズを溶断するレーザ加工装置とを備えて構成される。対象となるウエハは、テスターで検査された後、レーザ加工装置に搬送され、該レーザ加工装置において該検査結果に従って該当するヒューズが溶断される。本発明は、このようなレーザリペア装置にも適用することができる。即ち、テスターにて検査された検査結果を事前計測情報としてウエハに取り付けられたＩＣタグに書き込み、該ウエハがレーザ加工装置に搬送された後に、レーザ加工装置にて該ＩＣタグから該検査結果を読み出し、該検査結果に従ってヒューズの溶断を行うようにできる。なお、この場合、テスターが事前計測装置であり、レーザ加工装置が他の処理装置ということになる。
【０１２９】
（２）測定・検査装置（露光装置と測定・検査装置）
露光装置による露光工程の後には、ウエハ上に形成されたパターンの欠陥や異物付着の有無等が測定・検査される。露光装置では該ウエハへの露光処理に関して、フォーカス誤差、同期精度、露光量誤差等の各種のトレースデータを採取しているので、このトレースデータに基づいて算出された制御不良位置情報（制御不良ショットを識別する情報）を事前計測情報として該ウエハＷのＩＣタグに書き込み、測定・検査装置にて、該ＩＣタグから事前計測情報を読み出して、当該制御不良位置情報に基づいて不良箇所を予測して該当箇所を測定・検査することにより、短時間で高効率的な測定・検査を行うことができるようになる。また、露光装置にてＥＧＡランダム成分が所定の閾値を越えるウエハ番号、ショット位置の情報を事前計測情報として該ウエハＷのＩＣタグに書き込み、測定・検査装置にて、該ＩＣタグから前記位置情報を読み出して測定・検査を行ってもよい。この場合には、露光装置が事前計測装置となり、ウエハ測定・検査装置が前記他の処理装置となる。また、測定・検査装置にて、異物やパターン欠陥等の異常箇所を事前計測情報としてウエハに取り付けられたＩＣタグに書き込み、露光装置以外の各種の処理装置において、該ＩＣタグから事前計測情報を読み出して、該当する処理を行うようにしてもよい。この場合には、ウエハ測定・検査装置が事前計測装置となり、各種の処理装置が前記他の処理装置となる。
【０１３０】
また、レチクル測定・検査にて、異物やパターン欠陥等の異常個所を事前計測情報としてレチクルに取り付けられたＩＣタグに書き込み、以降の各種処理装置において、該ＩＣタグから事前計測情報を読み込み、該事前計測情報に基づいて、異常部分の詳細検査、異常部分の救済、異常部分を除いた処理、レチクルリジェクト等の処理を行うようにしてもよい。この場合には、レチクル測定・検査装置が事前計測装置となり、各種の処理装置が前記他の処理装置となる。
【０１３１】
（３）その他にも、基板を処理する、露光装置、測定装置、検査装置、リペア装置、エッチング装置、成膜装置、酸化・イオン注入装置、ＣＭＰ装置、レジスト塗布装置、及び現像装置のうちの少なくとも２つを含む複数のデバイス関連装置を備える露光システムにおいて、これらのデバイス関連装置の一つにて、基板のレイアウト情報、品質管理情報、デバイス関連装置の処理情報、及びその他の情報のうちの少なくとも１つを含む情報を事前計測情報として、基板に取り付けられたＩＣタグに書き込み、デバイス関連装置の他の一つにて、該ＩＣタグから事前計測情報を読み出して、該事前計測情報の内容に従って対応する処理を行うようにしてもよい。例えば、膜厚検査装置を事前計測装置とし、成膜装置を前記他の処理装置として、該膜厚検査装置で検査された膜厚情報を事前計測情報として基板に取り付けられたＩＣタグに書き込み、成膜装置にて、該ＩＣタグから事前計測情報を読み出して、該事前計測情報に基づいて、成膜処理を行うようにできる。また、トレンチ測定装置を事前計測装置とし、エッチング装置を前記他の処理装置として、トレンチ測定装置で測定されたトレンチ溝の形状（深さ等）を事前計測情報として、基板に取り付けられたＩＣタグに書き込み、エッチング装置にて該ＩＣタグから事前計測情報を読み出して、該事前計測情報に基づいて、エッチング処理を行うようにしてもよい。
【０１３２】
［デバイス製造方法］
次に、上述した露光システムをリソグラフィー工程において使用した、例えばＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の電子デバイスの製造工程を簡単に説明する。まず、電子デバイスの回路設計等のデバイスの機能・性能設計を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行い、次に、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、シリコン等の材料を用いてウエハ（シリコン基板）を製造する。次に、マスク製作工程で製作したマスク及びウエハ製造工程で製造したウエハを使用して、リソグラフィー技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。具体的には、まず、ウエハ表面に、絶縁膜、電極配線膜あるいは半導体膜等の薄膜を成膜し、次に、この薄膜の全面にレジスト塗布装置（コータ）を用いて感光剤（レジスト）を塗布する。次に、このレジスト塗布後の基板を、露光装置のウエハホルダ上にロードするとともに、レチクル製造工程で製造したマスクをレチクルステージ上にロードして、そのマスクに形成されたパターンをウエハ上に縮小転写する。
【０１３３】
露光が終了したら、ウエハをウエハホルダからアンロードし、現像装置（デベロッパ）を用いて現像する。これにより、ウエハ表面にマスクパターンのレジスト像が形成される。そして、現像処理が終了したウエハに、エッチング装置を用いてエッチング処理を施し、ウエハ表面に残存するレジストを、例えばプラズマアッシング装置等を用いて除去する。これにより、ウエハの各ショット領域に、絶縁層や電極配線等のパターンが形成される。そして、この処理をマスクを変えて順次繰り返すことにより、ウエハ上に実際の回路等が形成される。ウエハ上に回路等が形成されたら、次に、デバイスとしての組み立てを行う。具体的には、ウエハをダイシングして個々のチップに分割し、各チップをリードフレームやパッケージに装着し電極を接続するボンディングを行い、樹脂封止等パッケージング処理を行う。そして、製造したデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行い、デバイス完成品として出荷等する。
【０１３４】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【０１３５】
上述した実施形態においては、露光装置としてステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置に適用することが可能である。また、半導体素子や液晶表示素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、プラズマディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、及び撮像素子（ＣＣＤ等）の製造にも用いられる露光装置、及びレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。即ち本発明は、露光装置の露光方式や用途等に関係なく適用可能である。また、露光装置で用いる露光用照明光（エネルギビーム）は紫外光に限られるものではなく、Ｘ線（ＥＵＶ光を含む）、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線などでもよい。また、ＤＮＡチップなどの製造用に用いられる露光装置でもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】図１は本発明の実施形態に係る露光システムの全体構成を示すブロック図である。
【図２】図２本発明の実施形態に係る露光システムが備える露光装置の概略構成を示す図である。
【図３】図３（Ａ）はノッチウエハにおける計測ユニットによる計測位置を示す図であり、図３（Ｂ）はオリエンテーションフラットが設けられているウエハにおける計測ユニットによる計測位置を示す図である。
【図４】図４は本発明の実施形態における露光装置にインライン接続された塗布現像装置等の概略構成を示す図である。
【図５】図５は本発明の実施形態における面形状計測用のレチクル計測器の概略構成を示す図である。
【図６】図６は本発明の実施形態におけるパターン欠陥・異物検査用のレチクル計測器の概略構成を示す図である。
【図７】図７は本発明の実施形態におけるウエハ外形・マーク計測用のウエハ計測器の概略構成を示す斜視図である。
【図８】図８は本発明の実施形態におけるウエハ外形・マーク計測用のウエハ計測器の概略構成を示す側面図である。
【図９】図９は本発明の実施形態における面形状計測用のウエハ計測器の概略構成を示す図である。
【図１０】図１０は本発明の実施形態におけるウエハへのＩＣタグの取り付けの一例を示す図である。
【図１１】図１１は本発明の実施形態におけるウエハへのＩＣタグの取り付けの他の例を示す図である。
【図１２】図１２は本発明の実施形態におけるレチクルへのＩＣタグの取り付けの一例を示す図である。
【図１３】図１３は本発明の実施形態におけるＩＣタグ及び書込／読出装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１４】図１４は本発明の実施形態におけるウエハについての処理を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は本発明の実施形態におけるレチクルについての処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３７】
Ｗ…ウエハ
１００…露光システム
２００…露光装置
３００…塗布現像装置
４００…ウエハ計測器
５００…露光工程管理コントローラ
６００…解析システム
７００…工場内生産管理ホストシステム
８００…レチクル計測器
Ｔａｇ…ＩＣタグ
ＲＷ（ＲＷ１，ＲＷ２）…書込／読出装置
【図１】
2007115784.tif 000003
【図２】
2007115784.tif 000004
【図３】
2007115784.tif 000005
【図４】
2007115784.tif 000006
【図５】
2007115784.tif 000007
【図６】
2007115784.tif 000008
【図７】
2007115784.tif 000009
【図８】
2007115784.tif 000010
【図９】
2007115784.tif 000011
【図１０】
2007115784.tif 000012
【図１１】
2007115784.tif 000013
【図１２】
2007115784.tif 000014
【図１３】
2007115784.tif 000015
【図１４】
2007115784.tif 000016
【図１５】
2007115784.tif 000017