(57)【要約】【課題】発光チップと、発光チップが発する光を他の波長の光に変換する蛍光体とを使用した発光ダイオードにおいて、高輝度の白色光を実現可能な発光ダイオードを提供する。【解決手段】基礎基板、基礎基板の上面に配置されており、互いに並列に接続されている複数個の発光チップ、前記発光チップを覆っている蛍光物質層を含む発光ダイオードを用意する。【選択図】図３
2007134722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面と上面を有する基礎基板と、
前記基礎基板の上面に配置されており、互いに並列に接続されている複数個の発光チップと、
前記発光チップを覆っている蛍光物質層と、
を含む発光ダイオード。
【請求項２】
前記基礎基板の下面に形成されており、前記複数個の発光チップを電気的に接続する配線をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記基礎基板は貫通口を有し、
前記基礎基板の前記貫通口を介して前記発光チップの電極と前記配線とを接続するプラグをさらに含む、請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記基礎基板は、ＰＣＢ基板と、前記ＰＣＢ基板の上に取り付けられている放熱基板を含み、前記配線は前記ＰＣＢ基板の下面に形成されており、前記発光チップは前記放熱基板の上面に位置する、請求項３に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記放熱基板は金属で構成されている、請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記放熱基板上に形成されており、前記発光チップの電極を前記放熱基板と絶縁するチップベース膜をさらに含む、請求項５に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
少なくとも前記放熱基板の貫通口内壁に形成されており、前記プラグと前記放熱基板を絶縁する貫通口被膜をさらに含む、請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記発光チップは青色光を発する、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記蛍光物質層は赤色蛍光物質と緑色蛍光物質を含む、請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記発光チップは青色光及び紫外線光を発する、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記蛍光物質層は赤色蛍光物質と緑色蛍光物質を含む、請求項１０に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記蛍光物質層を覆っている成形樹脂層をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記基礎基板の上面には溝が形成されており、前記発光チップは前記溝内部に配置されている、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記基礎基板の上面に形成されている反射層をさらに含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
下面と上面を有し貫通口を有するＰＣＢ、前記ＰＣＢの下面に形成されている配線、下面と上面を有し前記ＰＣＢの上面に下面が取り付けられており、貫通口を有する放熱基板、前記放熱基板の上面に配置されている複数個の発光チップ、前記ＰＣＢ及び前記放熱基板の前記貫通口を介して前記発光チップの電極と前記配線とを接続するプラグ、前記発光チップを覆っている蛍光物質層、前記蛍光物質層の上に形成されている成形樹脂層を含む発光ダイオードと、
前記発光ダイオード上に配置されており、２つのパネルと２つのパネルとの間に挿入されている液晶層を含む液晶パネルと、
を含む液晶表示装置。
【請求項１６】
前記液晶パネルの両側に配置されている２つの偏光板をさらに含む、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記発光ダイオードと前記液晶パネルとの間に配置されている光学フィルムをさらに含む、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードに係り、特に、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる高輝度発光ダイオードとこれを利用した液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのモニターやＴＶなどに使用される表示装置には、自ら発光する発光ダイオード（light  emitting  diode、ＬＥＤ）、ＥＬ（electroluminescence）、真空蛍光表示装置（vacuum  fluorescent  display、ＶＦＤ）、電界発光素子（field  emission  display、ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（plasma  display  panel、ＰＤＰ）などと、自ら発光できずに別途の光源を必要とする液晶表示装置（liquid  crystal  display、ＬＣＤ）などがある。
【０００３】
一般的な液晶表示装置は、電界生成電極を備える２つの表示板とその間に入っている誘電率異方性を有する液晶層を含む。電界生成電極に印加する電圧を変化させることで、液晶層に生成される電場の強さを調節し、これにより液晶層を通過する光の透過率を調節して、所望の画像を得るように構成されている。
この時の光は、別途設けられた人工光源により提供するように構成することもでき、自然光を利用することもできる。
【０００４】
液晶表示装置用人工光源、つまり、バックライト装置は、光源としてＣＣＦＬ（cold  cathode  fluorescent  lamp）やＥＥＦＬ（external  electrode  fluorescent）などの多数個の蛍光ランプを使用したり、複数の発光ダイオードを使用する。
このうち、発光ダイオードは、水銀を使用しないので環境親和的であり、機構的に安定していて寿命が長いという長所があって、次世代バックライト装置の光源として注目されている。
【特許文献１】特開2002-050798号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、発光ダイオードを利用して白色光を実現するためには、発光チップと、発光チップが発する光を他の波長の光に変換する蛍光体とを使用するが、１つの発光チップが発する光をいろいろな波長の光に変換して使用するため、全体的な輝度が低いという問題がある。
本発明が目的とする技術的課題は、高輝度発光ダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような技術的課題を解決するために本発明は、下面と上面を有する基礎基板、前記基礎基板の上面に配置されており、互いに並列に接続されている複数個の発光チップ、前記発光チップを覆っている蛍光物質層を含む発光ダイオードを用意する。
本発明の１実施例によれば、前記基礎基板の下面に形成されており、前記複数個の発光チップを電気的に連結する配線をさらに含む。
【０００７】
本発明の１実施例によれば、前記基礎基板は貫通口を有し、前記基礎基板の前記貫通口を介して前記発光チップの電極と前記配線とを接続するプラグをさらに含む。
本発明の１実施例によれば、前記基礎基板は、ＰＣＢ基板と、前記ＰＣＢ基板の上に取り付けられている放熱基板とを含み、前記配線は前記ＰＣＢ基板の下面に形成されており、前記発光チップは前記放熱基板の上面に位置する。
【０００８】
本発明の１実施例によれば、前記放熱基板は金属で構成される。
本発明の１実施例によれば、前記放熱基板上に形成されており、前記発光チップの電極を前記放熱基板と絶縁するチップベース膜をさらに含む。
本発明の１実施例によれば、少なくとも前記放熱基板の貫通口内壁に形成されており、前記プラグと前記放熱基板を絶縁する貫通口被膜をさらに含む。
【０００９】
本発明の１実施例によれば、前記発光チップは青色光を発する。
本発明の１実施例によれば、前記発光チップは青色光及び紫外線光を発する。
本発明の１実施例によれば、前記蛍光物質層は赤色蛍光物質と緑色蛍光物質を含む。
本発明の１実施例によれば、前記蛍光物質層を覆っている成形樹脂層をさらに含む。
本発明の１実施例によれば、前記基礎基板の上面には溝が形成されており、前記発光チップは前記溝内部に配置されている。
【００１０】
本発明の１実施例によれば、前記基礎基板の上面に形成されている反射層をさらに含む。
また、下面と上面を有し貫通口を有するＰＣＢ、前記ＰＣＢの下面に形成されている配線、下面と上面を有し前記ＰＣＢの上面に下面が取り付けられており、貫通口を有する放熱基板、前記放熱基板の上面に配置されている複数個の発光チップと、前記ＰＣＢ及び前記放熱基板の前記貫通口を介して前記発光チップの電極と前記配線とを接続するプラグと、前記発光チップを覆っている蛍光物質層、前記蛍光物質層の上に形成されている成形樹脂層を含む発光ダイオードと、前記発光ダイオード上に配置されており、２つのパネルと２つのパネルとの間に挿入されている液晶層を含んだ液晶パネルとを含む液晶表示装置を用意する。
【００１１】
本発明の１実施例によれば、前記液晶パネルの両側に配置されている２つの偏光板をさらに含む。
本発明の１実施例によれば、前記発光ダイオードと前記液晶パネルとの間に配置されている光学フィルムをさらに含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数個の発光ダイオードチップを１つの基礎基板上に共に実装し、その上に蛍光物質層を積層して発光ダイオードを製造することによって、高輝度の発光ダイオードを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。
図面において、層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とする場合、これは他の部分の直上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。
【００１４】
まず、本発明の実施例による表示装置用光源について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の１つの実施例による液晶表示装置の分解斜視図である。
図１に示したように、本発明による液晶表示装置は、光を利用して映像を表示する液晶表示パネルアセンブリ３３０、光を発生するバックライトアセンブリ３４０、液晶表示パネルアセンブリ３３０とバックライトアセンブリ３４０との間に配置されている選択反射フィルム３４７、液晶表示パネルアセンブリ３３０、選択反射フィルム３４７、及びバックライトアセンブリ３４０を収納するモールドフレーム３６４、並びにこれらを囲んで固定する上部及び下部シャーシ３６１、３６２を含む。
【００１５】
液晶表示パネルアセンブリ３３０は、映像を表示する液晶表示パネル３００、駆動チップ５１０、及びフレキシブル回路基板５５０を含む。
液晶表示パネル３００は、さらに、薄膜トランジスタ表示板（以下、ＴＦＴ表示板という）１００、ＴＦＴ表示板１００と互いに対向して結合する色フィルター表示板２００、及びＴＦＴ表示板１００と色フィルター表示板２００との間に注入された液晶層（図示せず）を含む。
【００１６】
ＴＦＴ表示板１００は、マトリックス状に形成された複数の画素（図示せず）を備えている。各々の画素は、第１方向に延長されたゲート線（図示せず）、第１方向と直交する第２方向に延長されゲート線と絶縁して交差するデータ線（図示せず）によって定義され、それぞれ画素電極を備える。また、各画素には、ゲート線、データ線、及び画素電極に接続されている薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）（図示せず）が形成されている。
【００１７】
色フィルター表示板２００には、白色光を利用して所定の色を発現する赤色、緑色、及び青色色フィルター（図示せず）が薄膜工程によって形成されており、画素電極と対向する共通電極が形成されている。
液晶層は、画素電極及び共通電極に印加される電圧に基づいて配列され、バックライトアセンブリ３４０から提供される光の偏光状態を変化させる。
【００１８】
ＴＦＴ表示板１００の第１端部には、データ線及びゲート線に駆動信号を印加するための駆動チップ５１０が実装される。この駆動チップ５１０は、データ線用チップとゲート線用チップとに分離された２つ以上のチップで構成することができ、これらを統合した１つのチップで構成することもできる。駆動チップ５１０は、ＣＯＧ（Chip  On  Glass）工程によってＴＦＴ表示板１００上に実装される。
【００１９】
ＴＦＴ表示板１００の第１端部には、駆動チップ５１０を制御するための制御信号を印加するフレキシブル回路基板５５０が取り付けられている。フレキシブル回路基板５５０には、駆動信号のタイミングを調節するためのタイミングコントローラやデータ信号を格納するためのメモリなどが実装されている。フレキシブル回路基板５５０は、異方性導電フィルムを媒介としてＴＦＴ表示板１００と電気的に接続される。
【００２０】
液晶表示パネルアセンブリ３３０の下には、液晶表示パネル３００に均一な光を提供するためのバックライトアセンブリ３４０が設けられる。
バックライトアセンブリ３４０は、光を発生させる発光ダイオード３４５を内蔵する光源体３４４、光の経路をガイドするための導光板３４２、導光板３４２から射出した光の輝度を均一にする光学シート３４３、導光板３４２から漏洩した光を反射するための反射板３４１を含む。
【００２１】
光源として用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ）３４５としては、複数の青色発光ダイオードチップの上に緑色と赤色蛍光体を塗布して製造した白色発光ダイオードを使用する。または、白色発光ダイオードを基本とし、赤色発光ダイオードなどを補助的に使用することもできる。
光源体３４４は導光板３４２の一側に位置し、光を導光板３４２に提供する。光源体３４４の一側には、発光ダイオード３４５を制御するためのフレキシブル回路基板（図示せず）を取り付けることができる。本実施例では、光源体３４４が導光板３４２の一側に配置されているが、必要に応じて導光板３４２の両側に配置したり、導光板３４２の下に複数配置することができ、後者の場合には導光板３４２を省略することもできる。
【００２２】
導光板３４２は、画像が表示される液晶表示パネル３００の表示領域へ光をガイドするための塗光パターン（図示せず）を有する。
導光板３４２と液晶表示パネル３００との間には光学シート３４３が介される。光学シート３４３は、導光板３４２から提供された光の輝度を均一にして液晶表示パネル３００に提供する。
【００２３】
導光板３４２の下には反射板３４１が設けられる。反射板３４１は、導光板３４２から漏洩した光を再び導光板３４２に反射させて、光の利用効率を向上させる。
モールドフレーム３６４は、反射板３４１、導光板３４２、光学シート３４３、及び液晶表示パネル３００を順に収納する。モールドフレーム３６４は、開口した底面２５１、及びこの底面２５１から延長された側壁２５２を含み、合成樹脂材料で構成される。
【００２４】
フレキシブル回路基板５５０は、モールドフレーム３６４の外側壁２５２に沿って折り曲げられる。モールドフレーム３６４の側壁２５２には、下部シャーシ３６２と結合するための複数の第１結合突起５１が形成されている。
モールドフレーム３６４は、金属材質からなる下部シャーシ３６２に収納される。下部シャーシ３６２は、ベースプレート２６１、及びベースプレート２６１のエッジから収納空間を形成するように延長された側板２６２を備える。側板２６２には、複数の第１結合突起５１に対応する複数の結合溝６１が形成されている。
【００２５】
モールドフレーム３６４と下部シャーシ３６２は、結合時、下部シャーシ３６２の側板２６２が部分的にモールドフレーム３６４の側壁２５２の外側に位置する。複数の第１結合突起５１は、複数の結合溝６１に挿入されてモールドフレーム３６４と下部シャーシ３６２とを結合する。この時、モールドフレーム３６４は、液晶表示装置の全体的大きさを小さくするために、下部シャーシ３６２の側板２６２と接する部分が、部分的に下部シャーシ３６２の側板２６２の厚さだけ削除されている。
【００２６】
一方、液晶表示パネル３００の上部には上部シャーシ３６１が設けられている。上部シャーシ３６１は、液晶表示パネル３００のうち、映像が表示される有効表示領域に開口部が位置するように、液晶表示パネル３００の周縁部を覆うとともに、下部シャーシ３６２と結合される。上部シャーシ３６１は液晶表示パネル３００の位置決めを行うために周縁部をガイドし、液晶表示パネル３００をモールドフレーム３６４内に固定する。
【００２７】
以下では、本発明の１つの実施例によるバックライト装置を構成する光源体３４４の発光ダイオード３４５について、図２及び図３を参照して詳細に説明する。
図２は、本発明の１つの実施例による発光ダイオードの配置図であり、図３は、図２のIII-III線による断面図である。
本発明の実施例による発光ダイオードは、下部ＰＣＢ（printed  circuit  board）基板１１０と上部放熱基板１２０の二重構造の基板で構成される基礎基板１１１、基礎基板１１１の上に形成されているチップベース膜１６０、チップベース膜１６０の上に位置する複数個の発光ダイオードチップ１３０、発光ダイオードチップ１３０を覆っている蛍光物質層１４０、蛍光物質層１４０の上に形成されている成形樹脂層１５０を含んで構成される。
【００２８】
基礎基板１１１の下部を構成するＰＣＢ基板１１０は、その下面に、発光ダイオードチップ１３０に電力を供給するための配線を始めとして、本発明の実施例による発光ダイオードを駆動するための各種配線１８１、１８２を有する。
基礎基板１１１の上部を構成する放熱基板１２０は、アルミニウムなどの熱伝導性に優れた金属から形成されており、その下面がＰＣＢ基板１１０の上面に付着されている。放熱基板１２０の上面には溝１２１が形成されており、チップベース膜１６０と発光ダイオードチップ１３０が溝１２１の底面に位置している。ここで、放熱基板１２０は、金属以外に熱伝導性に優れた他の物質で形成することもできる。
【００２９】
基礎基板１１１には、ＰＣＢ基板１１０の下面から放熱基板１２０の上面を貫通する貫通口が形成されており、貫通口内には、発光ダイオードチップ１３０の電極と配線１８１、１８２とを電気的に接続するためのプラグ１７１、１７２が形成されている。また、貫通口の内部表面には、プラグ１７１、１７２を放熱基板１２０から絶縁するための貫通口被膜１９０が形成されている。貫通口被膜１９０は、貫通口内部全体に形成する必要はないが、少なくとも放熱基板１２０を通過する部分に形成することが好ましく、放熱基板１２０を絶縁物質で形成する場合には省略することもできる。
【００３０】
チップベース膜１６０は絶縁物質で形成されており、発光ダイオードチップ１３０と放熱基板１２０との間を絶縁している。チップベース膜１６０にも貫通口が形成されており、この貫通口にもプラグ１７１、１７２が満たされている。
チップベース膜１６０の上に位置する発光ダイオードチップ１３０の陽電極と陰電極は、フリップチップボンディング（flip  chip  bonding）、ワイヤーボンディング（wire  bonding）などの方法でプラグ１７１、１７２と電気的に接続されている。これについては後述する。
【００３１】
発光ダイオードチップ１３０は、電気を加えた時に青色光を発する青色発光ダイオードを用いることができ、又は青色光と紫外線光を共に発する青色発光ダイオードを用いることもできる。場合によっては、紫外線光のみを発する紫外線発光ダイオードを用いることもできる。
発光ダイオードチップ１３０は、複数個が１つの基礎基板１１１の上に共に実装されており、互いに並列に接続されている。したがって、１つの発光ダイオードチップ１３０を実装した場合に比べて高い輝度を示す。
【００３２】
蛍光物質層１４０は、赤色蛍光物質と緑色蛍光物質が混合されており、発光ダイオードチップ１３０を覆っている。蛍光物質層１４０は、発光ダイオードチップ１３０が発する青色光又は紫外線光を緑色光と赤色光に変換する。発光ダイオードチップ１３０が紫外線発光ダイオードである場合には、蛍光物質層１４０として青色蛍光物質をさらに含むように構成できる。
【００３３】
成形樹脂層１５０は蛍光物質層１４０を覆って保護する。
以上のように、複数個の発光ダイオードチップ１３０を１つの基礎基板上に実装し、成形して発光ダイオードを製造すれば、高輝度の発光ダイオードを得ることができる。したがって、発光ダイオードチップ１３０が発する青色又は紫外線光の一部を緑色光及び赤色光に変換しても、充分な輝度を確保することができる。
【００３４】
図４〜図６は、本発明の実施例による２次元光源に使用される発光ダイオードの多様な構造を示す垂直断面図である。
まず、図４に示すように、放熱基板１２０の上に反射膜１１２がコーティングされており、放熱基板１２０の溝内部の反射膜１１２の上にチップベース膜１６０が形成されている。また、貫通口を介してチップベース膜１６０の上に突出したプラグヘッド１７３、１７４の上に、発光ダイオードチップがフリップチップボンディング（flip  chip  bonding）により固定されている。
【００３５】
ここで、発光ダイオードチップは、絶縁基板１３１、絶縁基板１３１の上に形成されているｎ型半導体層１３２、ｎ型半導体層１３２の上に形成されている活性層１３３、活性層１３３の上に形成されているｐ型半導体層１３４、ｐ型半導体層１３４とｎ型半導体層１３２の上に各々形成されている２つの電極１３５、１３６を含み、２つの電極１３５、１３６は、導電性バンパー１７５、１７６を介してプラグヘッド１７３、１７４に接続されている。このように、発光ダイオードチップをひっくり返して導電性バンパー１７５、１７６を介して発光ダイオードの２つの電極１３５、１３６とプラグヘッド１７３、１７４とを直接接続する方式をフリップチップボンディング（flip  chip  bonding）という。
【００３６】
次に、図５に示すように、放熱基板１２０の上に反射膜１１２がコーティングされており、放熱基板１２０の溝内部の反射膜１１２の上にチップベース膜１６０が形成されている。また、貫通口を介してチップベース膜１６０の上に突出したプラグヘッド１７３、１７４の上に、発光ダイオードチップがワイヤーボンディング（wire  bonding）により固定されている。
【００３７】
ここで、発光ダイオードチップは、絶縁基板１３１、絶縁基板１３１の上に形成されているｎ型半導体層１３２、ｎ型半導体層１３２の上に形成されている活性層１３３、活性層１３３の上に形成されているｐ型半導体層１３４、ｐ型半導体層１３４とｎ型半導体層１３２の上に各々形成されている２つの電極１３５、１３６を含み、２つの電極１３５、１３６は、ワイヤー１７７、１７８を介してプラグヘッド１７３、１７４に接続されている。このように、発光ダイオードチップの絶縁基板１３１をチップベース膜１６０と接触させ、ワイヤー１７７、１７８を介して２つの電極１３５、１３６とプラグヘッド１７３、１７４とを接続する方式をワイヤーボンディング（wire  bonding）という。
【００３８】
次に、図６を見れば、放熱基板１２０の上に反射膜１１２がコーティングされており、放熱基板１２０の溝内部の反射膜１１２の上にチップベース膜１６０が形成されている。また、貫通口を介してチップベース膜１６０の上に突出したプラグヘッド１７３、１７４の上に、発光ダイオードチップの一側電極３５１は、導電性バンパー１７５を介して直接接続されており、他の一側電極３５７は、ワイヤー１７８を介してワイヤーボンディングされている。
【００３９】
ここで、発光ダイオードチップは、第１電極３５１、第１電極３５１の上に形成されている導電性基板３５４、導電性基板３５４の上に形成されているｎ型半導体層３５５、ｎ型半導体層３５５の上に形成されている活性層３５６、活性層３５６の上に形成されている第２電極３５７を含み、第１電極３５１は、導電性バンパー１７５を介してプラグヘッド１７３に接続されており、第２電極３５７は、ワイヤー１７８を介してプラグヘッド１７４に接続されている。
【００４０】
以上のように、フリップチップボンディング、ワイヤーボンディング又はこれらを混合した方式によって、複数の発光ダイオードチップを１つの基礎基板の上に実装して並列に接続し、その上に蛍光物質層を形成することにより、高輝度の白色発光ダイオードを製造することができる。
図７は、青色発光ダイオードチップに黄色ＹＡＧ蛍光体を適用した場合と、赤色及び緑色蛍光体を適用した場合のスペクトル曲線である。
【００４１】
図７から分かるように、青色発光ダイオードチップに黄色ＹＡＧ蛍光体を適用した場合には、緑色領域と赤色領域の中間範囲である黄色波長領域と青色領域でピークが現れ、青色発光ダイオードチップに赤色と緑色蛍光体を適用した場合には、赤色、緑色、及び青色領域で各々ピークが現れる。したがって、青色発光ダイオードチップに黄色ＹＡＧ蛍光体を適用した場合に比べて、青色発光ダイオードチップに赤色と緑色蛍光体を適用した場合に色再現性が優れている反面、総光量は低いために輝度が不足するおそれがある。しかし、本発明の実施例のように、複数個の発光ダイオードチップを１つの基礎基板上に共に実装し、その上に蛍光物質層を積層して発光ダイオードを製造すれば、充分な輝度を確保することができる。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の１つの実施例による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】本発明の１つの実施例による発光ダイオードの配置図である。
【図３】図２のIII-III線による断面図である。
【図４】本発明の実施例による発光ダイオードの多様な構造を示す垂直断面図である。
【図５】本発明の実施例による発光ダイオードの多様な構造を示す垂直断面図である。
【図６】本発明の実施例による発光ダイオードの多様な構造を示す垂直断面図である。
【図７】青色発光ダイオードチップに黄色ＹＡＧ蛍光体を適用した場合と、赤色及び緑色蛍光体を適用した場合のスペクトル曲線である。
【符号の説明】
【００４４】
５１  第１結合突起
１００  ＴＦＴ表示板
１１１  基礎基板
１１０  ＰＣＢ基板
１１２  反射膜
１２０  上部放熱基板
１２１  溝
１３０  発光ダイオードチップ
１３１  絶縁基板
１３２、３５５  ｎ型半導体層
１３３、３５６  活性層
１３４  ｐ型半導体層
１３５、１３６  電極
１４０  蛍光物質層
１５０  形成樹脂層
１６０  チップベース膜
１７１、１７２  プラグ
１７３、１７４  プラグヘッド
１７５、１７６  導電性バンパー
１７８  ワイヤー
１８１、１８２  配線
１９０  貫通口被膜
２００  色フィルター表示板
２５１  底面
２５２  側壁
２６２  側板
３００  液晶表示パネル
３３０  液晶パネルアセンブリー
３４０  バックライトアセンブリー
３４１  反射板
３４２  導光板
３４３  光学シート
３４４  光源体
３４５  発光ダイオード
３４７  選択反射フィルム
３５１  第１電極
３５７  第２電極
３５４  導電性基板
３６１、３６２  シャーシ
３６４  モールドフレーム
５１０  駆動チップ
５５０  フレキシブル回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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