(57)【要約】【課題】指定した補正ルールを分断し易いルールベースＯＰＣに適用し、精度を著しく悪化させることなくＯＰＣ出力を簡素化して生成する、光学近接効果補正（ＯＰＣ）に基づくＩＣ設計システムおよび方法を提供する。【解決手段】光学近接効果補正（ＯＰＣ）に基づく集積回路設計システムおよび方法は、可変ルールを導入する。容認可能な結果を生ずる多数の補正作用に関して、ルールを指定する。このルールの分類によって、ルールベースＯＰＣツールが、ＯＰＣの複雑度を最小に抑える、または他の目的を満たす、適正で有効なルールをインテリジェントに選択できるように、実際の用途における自由度を高める。【選択図】図４
2007102207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルールベース光学近接効果補正（ＯＰＣ）に補正ルールを用いる補正ルール指定方法であって、
補正ルールを指定し、各補正ルールが一致条件集合とこれに対応する補正作用集合とから成り、少なくとも１つの補正ルールが少なくとも２つの対応する補正作用を有する、補正ルール指定方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記一致条件は、パラメータ化され、ルール・テーブルに関して指定される、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記補正作用は、パラメータ化され、エッジ移動量に関して指定される、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、少なくとも２つの対応する補正作用を有する前記少なくともつの補正ルールは、離散数の集合において与えられるエッジ移動量に関して指定される、方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法において、少なくとも２つの対応する補正作用を有する前記少なくともつの補正ルールは、少なくとの１つの連続範囲によって与えられるエッジ移動量に関して指定される、方法。
【請求項６】
請求項３記載の方法において、前記補正ルールの適用後における前記補正の結果がセリフとなるように、角の２箇所のエッジのエッジ移動量を表す２つのパラメータによって、補正作用を指定する、方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、少なくとも１つのエッジ移動量は離散数の集合において与えられる、方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法において、少なくとも１つのエッジ移動量は、連続範囲の集合において与えられる、方法。
【請求項９】
請求項３記載の方法において、前記補正ルールの適用後における前記補正の結果がハンマヘッドとなるように、ライン端の３つのエッジのエッジ移動量を表す３つのパラメータによって、補正作用を指定する、方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、少なくとも１つのエッジ移動量は、離散数の集合において与えられる、方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法において、少なくとも１つのエッジ移動量は、連続範囲の集合において与えられる、方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法において、少なくとも２つの対応する補正作用を有する前記少なくとも１つの補正ルールは、前記補正作用の集合から１つの実際の補正作用を選択することにより、ルールベースＯＰＣによって、集積回路レイアウトに適用される、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、補正ルールの前記選択は、出力の複雑度の最小化に基づく、方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、前記出力の複雑度の最小化は、１つよりも多い補正ルールを同じポリゴン・エッジに適用するときに、ジョグの形成を回避することによって、形成される可能性がある頂点の数を最小に抑えることを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の方法において、前記出力の複雑度の最小化は、１つ以上の補正ルールを多数のエッジに適用するときに、元のレイアウト・ジオメトリにおけるジョグを除去することによって、形成される可能性がある頂点の数を最小に抑えることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３記載の方法において、前記出力の複雑度の最小化は、前記エッジ上で形成される頂点をその対向する頂点と位置合わせし、追加の分断図形の形成を回避することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１３記載の方法において、前記出力の複雑度の最小化は、補正ルールに対する例外を許容し、ルールベースＯＰＣによる例外形状に対する補正を拡大して、こうしなければＯＰＣ出力における例外形状によって発生する頂点を排除することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法において、前記例外形状は、予め指定したしきい値を超えない高さまたは幅を有する形状である、方法。
【請求項１９】
請求項１２記載の方法において、補正ルールの前記選択は、該当するエッジに対してエッジ配置誤差（ＥＰＥ）の最小絶対値を得ることに基づく、方法。
【請求項２０】
請求項１２記載の方法において、補正ルールの前記選択は、該当するエッジに対する強度傾斜の最大絶対値を得ることに基づく、方法。
【請求項２１】
請求項１２記載の方法において、補正ルールの前記選択は、該当するエッジに対して最適焦点ラチチュードを得ることに基づく、方法。
【請求項２２】
請求項１２記載の方法において、補正ルールの前記選択は、マスク誤差増大要因（ＭＥＥＦ）の最小値、収差に対する感度の最小値、および最大画像コントラストから成る性能メトリック群のうちの１つを得ることに基づく、方法。
【請求項２３】
ルールベース光学近接効果補正（ＯＰＣ）システムであって、
一致条件集合と、少なくとも２つの対応する補正作用とから成る補正ルールを受け取る手段と、
前記少なくとも２つの補正作用から１つの補正作用を選択することにより、実際の補正作用を決定する手段と、
を備えた、光学近接効果補正システム。
【請求項２４】
請求項２３記載のシステムにおいて、前記一致条件は、パラメータ化され、ルール・テーブルに関して指定される、システム。
【請求項２５】
請求項２３記載のシステムにおいて、前記補正作用は、パラメータ化され、エッジ移動量に関して指定される、システム。
【請求項２６】
請求項２５記載のシステムにおいて、前記補正ルールは、離散数の集合において与えられるエッジ移動量に関して指定される、システム。
【請求項２７】
請求項２５記載のシステムにおいて、前記補正ルールは、少なくとの１つの連続範囲によって与えられるエッジ移動量に関して指定される、システム。
【請求項２８】
請求項２５記載のシステムにおいて、前記補正ルールの適用後における前記補正の結果がセリフとなるように、角の２箇所のエッジのエッジ移動量を表す２つのパラメータによって、補正作用を指定する、システム。
【請求項２９】
請求項２８記載のシステムにおいて、エッジ移動量は離散数の集合において与えられる、システム。
【請求項３０】
請求項２８記載のシステムにおいて、エッジ移動量は、連続範囲の集合において与えられる、システム。
【請求項３１】
請求項２５記載のシステムにおいて、前記補正ルールの適用後における前記補正の結果がハンマヘッドとなるように、ライン端の３つのエッジのエッジ移動量を表す３つのパラメータによって、補正作用を指定する、システム。
【請求項３２】
請求項３１記載のシステムにおいて、少なくとも１つのエッジ移動量は、離散数の集合において与えられる、システム。
【請求項３３】
請求項３１記載のシステムにおいて、エッジ移動量は、連続範囲の集合において与えられる、システム。  
【請求項３４】
請求項２３記載のシステムであって、更に、集積回路レイアウトを受け取る手段を備えており、前記集積回路レイアウトにルールベースＯＰＣ補正を適用する、システム。
【請求項３５】
請求項３４記載のシステムにおいて、補正ルールの選択は、出力の複雑度の最小化に基づく、システム。
【請求項３６】
請求項３５記載のシステムにおいて、前記出力の複雑度の最小化は、１つよりも多い補正ルールを同じポリゴン・エッジに適用するときに、ジョグの形成を回避することによって、形成される可能性がある頂点の数を最小に抑えることを含む、システム。
【請求項３７】
請求項３５記載のシステムにおいて、前記出力の複雑度の最小化は、１つ以上の補正ルールを多数のエッジに適用するときに、元のレイアウト・ジオメトリにおけるジョグを除去することによって、形成される可能性がある頂点の数を最小に抑えることを含む、システム。
【請求項３８】
請求項３５記載のシステムにおいて、前記出力の複雑度の最小化は、前記エッジ上で形成される頂点をその対向する頂点と位置合わせし、追加の分断図形の形成を回避することを含む、システム。
【請求項３９】
請求項３５記載のシステムにおいて、前記出力の複雑度の最小化は、補正ルールに対する例外を許容し、ルールベースＯＰＣによる例外形状に対する補正を拡大して、こうしなければＯＰＣ出力における例外形状によって発生する頂点を排除することを含む、システム。
【請求項４０】
請求項３９記載のシステムにおいて、前記例外形状は、予め指定したしきい値を超えない高さまたは幅を有する形状である、システム。
【請求項４１】
請求項３４記載のシステムにおいて、補正ルールの前記選択は、該当するエッジに対してエッジ配置誤差（ＥＰＥ）の最小絶対値を得ることに基づく、システム。
【請求項４２】
請求項３４記載のシステムにおいて、補正ルールの前記選択は、該当するエッジに対する強度傾斜の最大絶対値を得ることに基づく、システム。
【請求項４３】
請求項３４記載のシステムにおいて、補正ルールの前記選択は、該当するエッジに対して最適焦点ラチチュードを得ることに基づく、システム。
【請求項４４】
請求項３４記載のシステムにおいて、前記補正ルールの選択は、マスク誤差増大要因（ＭＥＥＦ）の最小値、収差に対する感度の最小値、および最大画像コントラストから成る性能メトリック群のうちの１つを得ることに基づく、システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、半導体製造プロセスによる製作のための集積回路の設計、または集積回路設計の技術ノード間の移転のためのシステムおよび方法に関し、更に特定すれば、集積回路設計レイアウトのために光学近接効果補正を行うシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願は、METHOD FOR CREATING AND APPLYING VARIABLE BIAS RULES IN RULE-BASED OPTICAL PROXIMITY CORRECTION FOR REDUCED COMPLEXITY（複雑度を低減するためのルールベース光学近接効果補正において可変バイアス・ルールを作成および適用するための方法）と題し、２００４年１０月１５日に出願した米国仮特許出願第６０／６１９，１６０号に関係する。
【０００３】
半導体製造業界は、半導体の設計および製作プロセスを発展させ、製造する設計の外形を増々小型化して生産するためのプロセスを開発し続けている。半導体デバイスは、構成するジオメトリが小さい程、大きなジオメトリを有するデバイスよりも消費電力が少なく、発生する熱が少なく高速で動作する。更に、ジオメトリが小さい程、多くの回路エレメントをシリコン・チップに内蔵することができ、したがって集積回路（ＩＣ）を複雑化することができ、単一のシリコン・ウェハ上に生産することができる同一ダイのコピー数を増加させることができる。現在、単一の半導体チップは１０億パターン以上を内蔵するものもある。その結果、数百の処理ステップが関与する場合もあるため、ＩＣの設計および半導体製作プロセスは、過度に複雑となっている。設計またはプロセス・ステップのいずれにおいける間違いや小さな誤差の発生も再設計を必要とし、さもなければ最終半導体生産物における歩留まり低下の原因となり得る。歩留まりとは、プロセスによって生産される機能デバイスの数の不良デバイスがないと仮定した場合に生産することができる理論的なデバイス数に対する比較と定義することができる。
【０００４】
市場までの時間および歩留まりを改善することは、半導体製造業界においては死活問題であり、半導体業界に対して直接的な経済的な影響がある。即ち、市場までの時間の短縮、および歩留まりの向上は、早期に入手できること、および製造業者が販売できるデバイスが増加することと解釈することができる。
【０００５】
ＩＣ設計レイアウトは、ポリゴンの形態とした多数のジオメトリから成る。ポリゴンは、寸法のような所要の幾何学的特性によって通例特徴付けられるポリゴン全体またはその一部から成る異なるフィーチャ(feature)を構築するために用いられる。各フィーチャは、フィーチャの１つ以上のエッジを表す１つ以上の形状を構成する。互いに隣接するフィーチャの組み合わせにより、トポロジ構成を形成する。これは、パターンまたは構造と呼ばれることが多い。したがって、ＩＣレイアウトは、多数の繰り返しパターンを構成すると見なすこともでき、このようなパターンは、いずれの数であっても、ＩＣレイアウトの一部を構成する。ＩＣレイアウトのこれらのパターンは、主にリソグラフィと呼ばれるプロセスによってシリコン・ウェアはに転写する。フォトリソグラフィと呼ばれている、最も一般的に用いられているリソグラフィ・プロセスでは、１つのＩＣレイアウトにおける構造を表す透明および不透明領域を有するマスクまたはレティクル(reticle)を、光源によって照明する。次いで、マスクから出射する光をウェハ上に被着したフォトレジスト層上に合焦させる。次いで、除去したレジストの部分およびエッチングしたウェハの部分を有するようにウェハを現像し、所望の幾何学的パターンを形成する。通例、フィーチャの寸法が大きなＩＣの設計では、設計上のパターンは精度高くマスクに転写され、次いでリソグラフィ・プロセスによってウェハに精度高く転写され、一般にＷＹＳＩＷＹＧ（"What you see is what you get")と呼ばれている現象に到達する。
【０００６】
フィーチャのサイズの絶え間ない縮小、パターンの高密度化、およびＩＣ製造機器の発達において生ずる困難さにより、最新のＩＣ設計の製造には、フィーチャの寸法が光源の波長以下となる、波長近傍および波長未満領域において大きな傷害、ならびに付随する歩留まりの問題に直面している。波長近傍および波長未満領域において、撮像の回折が制限されることが、以前からのＷＹＳＩＷＹＧの枠組みが消失する原因となった。波長近傍および波長未満のリソグラフィの出現により、リソグラフィ・プロセスを通じてウェハに投射されるパターンが激しく歪むようになっている。図１（ａ）に示すように、典型的な歪みは、ライン・エッジ形状には希ではないライン・エッジの変位、角の形状が呈する角の丸み、およびライン終端形状に生ずるライン終端短縮を含む。
【０００７】
波長近傍および波長未満領域における設計の製造可能性との間のギャップが広がりつつあることに鑑み、光学近接効果補正（ＯＰＣ）のような光学分解能向上技法（ＲＥＴ）の使用が、０．１８μｍ以下のフィーチャ・サイズを生産するために、設計および生産方式の多くにおいて普及している。通例、例えば、ＧＤＳＩＩの形態の設計テープ・アウト(design tape-out)がＲＥＴ実施(RET implementation)、例えば、ＯＰＣデータ変換に入力され、入力されたＧＤＳＩＩ設計テープ・アウトを基準として用いて、新たなＧＤＳＩＩデータを発生する。
【０００８】
ＯＰＣは、設計テープ・アウトからの物理的レイアウトを修正して、光回折、レジスト現像、エッチング、およびリソグラフィ・プロセスの間に発生するその他の望ましくない影響によって生ずるパターンの歪みを補正するプロセスである。ＯＰＣには２種類の手法が知られている。１つは、ルールベースＯＰＣであり、この場合、予め補正ルールを決定しておき、考慮する形状、例えば、幅および間隔を有するフィーチャに関連する何らかの単純な尺度に応じて、どのようにして異なる幾何学的形状を修正すればよいか指定する。ルールベースＯＰＣには主に３つの種類がある。１つめの種類は、ハンマヘッド(hammerhead)であり、図１（ｄ）に示すように、ライン端形状に適用され、ライン端短縮を補正する。別の種類にセリフ(serif)があり、図１（ｅ）に示すように、角に適用し、角の丸みを補正する。最後の種類はエッジ・バイアス(edge bias)であり、図１（ｆ）に示すように、ライン・エッジ変位を補正する。更に複雑な補正は個々のエッジ・バイアスの集合体によって表されるので、バイアス補正はより包括的な補正形態である。例えば、セリフまたはハンマヘッド補正は、個々のバイアスを２つ以上の連続するエッジ・セグメントに適用することと見なすことができ、セリフの場合には、図１（ｇ）に示すように、コーナを塗りつぶす。１つのポリゴンが多数の形状を内包する可能性があり、図１（ｂ）に示す例において実証するように、３つの種類の補正全てが必要となる可能性がある。ルールベースＯＰＣは、通常ジオメトリに基づき、単純で高速である。しかしながら、ルールベースＯＰＣは非常に正確という訳ではなく、したがって、０．２５μｍ以上の技術ノード、または精度要件が緩い、比較的大きなジオメトリのみを内包する金属または層のような、更に高度な技術ノード（０．１８μ以下）の重要でない層上でしか用いられない。更に、補正ルールの生成は体系的でなく、経験が必要となる場合が多く、ジオメトリの複雑度が高くなるに連れて、ルールの数が増加し、そして恐らくはルールの複雑度も高くなり、これらを維持するのが困難となる。
【０００９】
他のＯＰＣ手法に、モデルベースＯＰＣがある。モデルベースＯＰＣでは、光学部品の影響および全体的なレイアウトをシリコン・パターン転写プロセスに取り込むリソグラフィ・モデルを用いて、レイアウト・パターンをシミュレートし、ウェハ上における対応するパターンを予測し、これに基づいて、各ジオメトリ形状に対して必要な補正を計算し適用する。リソグラフィ・モデルは、ａ）光学モデル、およびｂ）化学薬品、エッチング、およびその他の要因を含むその他のプロセスの影響から成る。光学モデルは、通例、近接範囲と呼ばれる有限範囲内において動作する。光学画像を、一般に評価点と呼ばれる位置についてシミュレートする場合、評価点を中心とする近接範囲の半径以内にあるレイアウト・ジオメトリのみを考慮し、この範囲の外側にあるジオメトリを無視する。較正したリソグラフィ・モデルは、光学モデルおよびその他のプロセスの影響を組み込む。較正したモデルを得るために、検査マスクを照明し、ウェハ画像を形成し、測定を行い、次いでデータをはめ込む。リソグラフィ・モデルは、物理的レイアウトとは独立している。
【００１０】
モデルベースＯＰＣプロセスは、通例、ディセクション(dissection)と呼ばれる工程を伴い、この工程では、ポリゴンをエッジ・セグメントに分解し、これらを個別に移動させて、各セグメントを補正することができる。セグメント上において評価点を指定し、そこでモデルを評価して、図１（ｃ）に示すように、エッジ変位のような、ある主のウェハ特性を計算する。シミュレートしたエッジ変位を最小化するように、必要なエッジの移動を現場で計算する。モデルおよび補正アルゴリズムの使用のために、補正は先験的に補正ルールを必要とせず、通常ルールベース手法によって補正したものよりは精度が高い。他方、補正の粒度が高いため、モデルベース手法によって得られた補正レイアウトは、通例、ルールベース手法によるものよりも複雑である。したがって、一般には、０．１８μｍ以下の設計の重要な層に、完全にモデルベースＯＰＣが用いられる。
【００１１】
ＯＰＣ工程に続いて、データにはマスク・データ準備（ＭＤＰ）ステップが実行され、データを分断し、その結果を用いてマスクを書く。今日では、マスク製造には２つの主要な書き込み手法が用いられている。第１の手法は、「ラスタ・スキャン」と呼ばれており、マスク全体にわたって電子または光ビームを走査し、マスクを露光するときにオンにする。第２の手法は、「ベクトル・スキャン」と呼ばれており、マスクを露出すべきマスク上のデータを表す所要の座標において、有形ビームを露光する。有形ビーム露光ツールでは、通常、データはある１組の角度のみを含めばよい。通例、露光ツールによって生成することができる形状の制約のために、これらの角度は４５度、９０度、および１３５度の角度である。この書き込み手法では、ＭＤＰ工程は、複雑な形状のポリゴンを取り込み、これらを更に小さいプリミティブ、通例、台形に分割することを伴う分断(fracturing)であり、プリミティブをマスク・ライタによって書き込むことができる。図２は、ポリゴンを矩形の組み合わせに破壊する例を示す。ＩＣレイアウトのための破壊後におけるプリミティブの数を「ショット・カウント」または「フィギャー・カウント」と呼ぶ。有形ビーム露光ツールでは、全マスク書き込み時間の大部分は、ショット・カウントに直接比例する。マスク書き込み時間が長い程、長いターンアラウンド時間、露光ツールの長い使用および磨耗、したがって高いマスク・コストを意味する。その結果、マスク・コストの観点からは、ショット・カウントが少ない程良い。他方では、ＯＰＣは、通例、レイアウト・ジオメトリを一層複雑化するので、劇的なショット・カウントの増加を招く。図２において、例えば、元のポリゴン１１００は６つの頂点を有し、これを２つの矩形１１０１および１１０２に分断することができる。ＯＰＣの後、得られるポリゴン１２００は、２８個の頂点を有し、これを１２個の矩形１２０１ないし１２１２に分断するので、６倍に増加する。更に、２つのスライバ(sliver)も作成する。これら小さなスライバのために、マスクを露光するときに露光量が不正確となり、このために寸法の精度が低下する結果となる。精度を著しく悪化させることなく、ＯＰＣを簡素化して適用することができれば、ショット・カウントを減らすことができ、スライバを除去することができる。再度図２を参照すると、小さな補正ジョグ１００１、１００２、および１００３を除去することができるようにＯＰＣを簡素化することができれば、得られるＯＰＣ出力１３００は、２２箇所の頂点を含み、９個の矩形に分断され、スライバを生成することなく、ショット・カウントが２５％減少する。
【００１２】
ルールベースＯＰＣの方がモデルベースＯＰＣよりも関心をそそる理由の一部に、ルールベースＯＰＣの方がモデルベースＯＰＣよりも、作成されるポリゴンの複雑度が低く、このためショット・カウントが少なく、結果的にマスク・コストが低くなることがあげられる。しかしながら、ルールベースＯＰＣであっても、環境構成(environmental configuration)によっては、得られるＯＰＣ出力が相変わらず分断し難い場合もあり得る。図２は、３つの隣接フィーチャ１４１０、１４１１、および１４１２を有するポリゴン１４００を示す。幅−空間式を用いる典型的なルールベースＯＰＣは、以下のＯＰＣフィーチャを作成する。ハンマヘッド１４０１、外側セリフ１４０２、１４０３、および１４０４、内側セリフ１４０５、ならびにバイアス１４０６、１４０７、１４０８、および１４０９。バイアス１４０６および１４０７が異なるのは、ジオメトリ１４１０によって生ずる間隔の変化のためであり、一方バイアス１４０８および１４０９が異なるのは、ジオメトリ１４１１によって生ずる間隔の変化のためである。更に、ジオメトリ１４１２の存在により、セリフ１４０４がセリフ１４０２および１４０３が異なってしまう。このＯＰＣの結果、図２に示すように、分断により矩形１５０１〜１５１１が生ずる。スライバ１５０３は、１４０６から１４０７へのバイアス・ジャンプと１４０８から１４０９へのバイアス・ジャンプとの間の不整合の結果生ずる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このようにルールベースＯＰＣでは分断が難しいのは、最も精度が高い結果を得ようとする補正ルールにしたがって「最良の」補正またはバイアス量を厳格に適用するためであり、近隣環境の変化がある場合には、補正ジョグを導入することが不可避となる。ＯＰＣ出力を更に簡素化する現行の技法では、スムージング工程を伴い、非平滑補正は、図３（ａ）に示すように、ある許容誤差バンド内の多数の補正ジョグから成り、図３（ｂ）に示すように、ジョグがなくなるように平坦化する。この技法は、補正の精度を制御する方法を提供するのではないので、その場限りである。実際、このようなＯＰＣ出力の変更の後、補正精度が著しい影響を受ける可能性がある。補正ルールを指定し、分断し易いルールベースＯＰＣにこれらのルールを適用し、精度を著しく悪化させることなくＯＰＣ出力を簡素化して生成する方法が求められている。
【００１４】
本発明はこれを目的とする。本発明の種々の実施形態は、従来のＩＣ設計方法およびシステムに対して数多くの利点を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による光学近接効果補正（ＯＰＣ）に基づくＩＣ設計システムおよび方法の一実施形態は、従来の設計システムおよび技法に対して、多数の利点を提供するので、本発明によるＯＰＣを行うＩＣ設計システムおよび方法は、半導体製造業者にとって一層有用となる。本発明の種々の実施形態によれば、可変バイアス・ルールを導入し、例えば、容認可能な結果が得られるある種の格子上においてバイアスが必要な場合に、変化するバイアス範囲または離散バイアス値の集合に関してルールを指定する。このルールの分類により、ルールベースＯＰＣツールが、ＯＰＣの複雑度を最小に抑える適正な有効ルールをインテリジェントに選択することができるように、実際の適用において自由度を高める。
【００１６】
したがって、本発明の一実施形態は、ＯＰＣの複雑度を低下させるために、ルールベースＯＰＣにおいて可変バイアス・ルールを作成し適用するＩＣ設計システムおよび方法を提供する。本発明によれば、ルールベースＯＰＣを適用するシステムを提供し、各ルールは、従属変数の範囲、および対応するバイアス値の範囲によって記述され、この範囲は、全ての有効バイアス値の集合であり、各々、補正したフィーチャが、予め指定されている許容の範囲内となるようにする。加えて、ルールベースＯＰＣを適用する方法を提供し、各ルールは、従属変数の範囲、および対応するバイアス値の範囲によって記述され、各々、補正したフィーチャが、要求性能目的を満たすようにし、形成される追加のジョグの数を最小に抑えるように、バイアス値を値の範囲または集合内から選択することが好ましい。
【００１７】
本発明の前述のそしてその他の目的、形態、および利点は、添付図面を参照しながら進める、以下の種々の実施形態の詳細な説明から一層容易に明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の理解を促進するために、図面の添付図と関連付けながら、本発明の種々の実施形態について説明する。図においては、同様の参照番号は同様の要素を示すものとする。
本発明は、特に、ＩＣ設計レイアウトを補正するために、ルールベース光学近接効果補正（ＯＰＣ）を用いてＩＣ設計を生成するための、コンピュータ上に実装するソフトウェアに基づくＩＣ設計システムに適用可能であり、本発明の種々の実施形態について説明するのはこの文脈においてである。しかしながら、本発明の種々の実施形態による、複雑度を低減するためのルールベースＯＰＣを提供するＩＣ設計システムおよび方法は、ハードウェアでも実施可能であり、ここに記載しない他のモジュールまたは機能性も組み込むことができるので、それ以上の有用性があることは認められよう。
【００１９】
図４は、本発明の一実施形態による複雑度を低減するためのルールベースＯＰＣを提供するＩＣ設計システム１０をパーソナル・コンピュータ１２上に実装した場合の一例を示すブロック図である。即ち、パーソナル・コンピュータ１２は、陰極線管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ等とすることができるディスプレイ・ユニット１４、処理ユニット１６、およびパーソナル・コンピュータが実行するソフトウェア・アプリケーションとユーザが双方向処理を行うことを可能にする１つ以上の入出力デバイス１８を備えている。図示の例では、入出力デバイス１８は、キーボード２０およびマウス２２を含むことができるが、他の周辺デバイス、例えば、プリンタ、スキャナ等も含むことができる。処理ユニット１６は、更に、中央演算装置（ＣＰＵ）２４、ハード・ディスク、テープ・ドライブ、光ディスク・システム、リムーバブル・ディスク・システムなどのような永続的記憶装置２６、およびメモリ２８も含むことができる。ＣＰＵ２４は、永続的記憶装置２６およびメモリ２８を制御することができる。通例、ソフトウェア・アプリケーションを永続的記憶装置２６内に永続的に格納することができ、次いでこのソフトウェア・アプリケーションをＣＰＵ２４によって実行するときに、メモリ２８内にロードすることができる。図示の例では、メモリ２８は、ルールベースＯＰＣを行うＩＣ設計ツール３０を収容することができる。ＩＣ設計ツール３０は、ＣＰＵ２４が実行する１つ以上のソフトウェア・モジュールとして実施することができる。
【００２０】
本発明によれば、複雑度を低減するためのルールベースＯＰＣを提供するＩＣ設計システム１０は、ハードウェアを用いて実施することもでき、クライアント／サーバ・システム、ウェブ・サーバ、メインフレーム・コンピュータ、ワークステーション等のような異なる種類のコンピュータ・システム上で実施することもできる。これより、フトウェアとしたＩＣ設計システム１０の実現例について、更に詳細に説明する。
【００２１】
本発明の一実施形態は、ＩＣ設計テープ・アウトのためにハイブリッドＯＰＣを行う。例えば、ＩＣ設計テープ・アウトは、ＧＤＳまたはＯＡＳＩＳファイル、あるいはその他のフォーマットを有するファイルとすることができる。
【００２２】
本発明の種々の実施形態は、決定論的な補正またはバイアス値に関してではなく、実際のルールベースＯＰＣプロセッサが選択することができる有効な補正またはバイアス値の集合に関して、補正ルールを指定する方法を提供する。本発明の一実施形態では、ルールベースＯＰＣプロセッサは、使用可能な値の集合から補正またはバイアス値を選択し、ＯＰＣ出力の複雑度を最小に抑えるように補正を適用する。即ち、ルールベースＯＰＣプロセッサは、ＯＰＣ出力における頂点数を極力少なくするように補正を適用する。
【００２３】
補正ルールは、数学的には、Ｒ＝Ｆ（Ｃ１，Ｃ２，．．．）と表すことができ、ここで、Ｃ１，Ｃ２，．．．は「条件」である。可能な条件は、パターン形状（ライン端または逆ライン端、内側または外側角、ジョグ等）、パターン寸法（幅、間隔、高さ等）、回路特性（ゲート、エンドキャップ、コンタクト・エンクロージャ等）、および前述のいずれでも、そして全てを組み合わせた一層複雑な特徴化である。ルールＲ自体は、ある量（バイアス）だけエッジを外側に向けて移動させる、あるサイズのセリフ（セリフは２つのバイアス値を収容する）を追加する、あるサイズのハンマヘッド（ハンマヘッドは３つのバイアス値を収容する）を追加する、あるいはこれらの行為の１つ以上を組み合わせた一層複雑な行為（例えば、ポリ・ライン(poly line)のバイアスを上げ、同量だけ拡散のバイアスを下げる）というような、パターンに対して行われる行為を指令する。完全なルール集合は、異なる定式化（異なるｃｉの指定、ｆの異なる形式、および異なるＲ）を有する複雑なルールを含む場合もある。完全なルール集合は、表形式で容易に表すことができ、ｃｉは「キー」の列であり、Ｒは値の列である（データベースにおけると同様）。
【００２４】
ルールベースＯＰＣにおいて用いられるルールの更に緻密で一般に用いられる形式では、補正ルールの形式が多変数の関数として表すことができ、すなわち（ｂ１，ｂ２,．．．，ｃ１，ｃ２，．．．）＝ｆ（ｇ１，ｇ２，．．．，ｄ１，ｄ２，．．．）であり、ｇｉは、ライン・エッジ、ライン端、角、ゲート、コンタクト・エンクロージャ(contact enclosure)、あるいは多数の設計層にまがたる複素ブーリアンまたは幾何学的演算によって特定される形状というような、形状の種類であり、ｄｉは、幅、間隔、高さ、エンクロージャ・マージン、あるいは複素式によって測定した多数の寸法の関数である。ルールの出力は、パターン形状に適用される補正を与える１つ以上のバイアス補正量ｂｉと、バイアスを適用する形状の部分を正確に特定する補助パラメータｃｉとから成る。通例、形状を予め選択しておき（例えば、エッジまたはエッジの一部）、その形状をそれ以上分解させず、ルール関数が（ｂ１，ｂ２，．．．）＝ｆ（ｇ１，ｇ２，．．．，ｄ１，ｄ２，．．．）に簡略化するようにしている。形状が単一のエッジ・セグメントから成る場合、ルール関数はｂ＝ｆ（ｇ１，ｇ２，．．．ｄ１，ｄ２，．．．）に簡略化する。ここで、ｂはエッジ・セグメントに適用されるバイアスである。これは、従来技術の章で説明したように、それ以外のもっと複雑な形状を単一のエッジ・セグメントの集合体に分解することができるので、包括的表現である。テーブル・フォーマットで表すと、各ルールは、ｇ１，ｇ２，．．．，ｄ１，ｄ２，．．．から成る「キー」の列を収容し、「値」の列はｂを含む。言い換えると、各ルールは、従属変数の値とバイアス値との間のマッピングとなる。間隔が狭い程、ルールは正確になるが、ルール・テーブルは大きくなる。このようなルール・テーブルの一例は、以下のようになる。
【００２５】
【表１】
2007102207.tif 000003
【００２６】
ＩＣレイアウトに適用すべき完全なルールは、多数のルール集合から成り、ルール集合毎に異なる条件が指定される。例えば、ポリ層を補正するためのルールは、３つのルール集合から成ることができ、１つはトランジスタ・ゲートに適用し（適用可能なポリ・パターンを特定する条件）、別の１つは、拡散から少なくともある距離だけ離れているポリ・ライン（適用可能なポリ・パターンを特定する別の条件）、およびポリ・パターンの残り（適用可能なポリ・パターンを特定する第３の条件）に適用する。次いで、これらの条件を用いて異なるパターンを特定し、これらのパターンにルールベースＯＰＣを適用するときに、対応するルール集合を用いる。
【００２７】
従来のルールベースＯＰＣ解法は、一致条件毎に１つの決定論敵作用に基づき、通例ＯＰＣ出力の複雑度を考慮しない。例えば、補正がバイアス量であるルールでは、先の例において例証したように（前述のルール・テーブル）、補正ルールに付随する単一のバイアス値がある。テーブル・フォーマットの場合、各ルール・エントリは、単一の補正値を有する。このため、図５（ａ）に示すように、エッジに幅または空間の遷移が生ずると、補正出力にジョグを誘発する可能性がある。
【００２８】
本発明によれば、少なくとも１つの補正ルールは、条件指定集合に対して、少なくとも２つであるが恐らくは更に多い補正作用によって特徴付けられる。更に汎用的な形式では、このような多値ルールは、（｛Ｒ｝）＝ｆ（Ｃ１，Ｃ２，．．．）によって表すことができ、｛Ｒ｝は可能な全ての補正の集合である。例えば、｛Ｒ｝＝｛Ｒ１，Ｒ２，．．．｝は、補正作用の集合が別個の補正作用Ｒ１，Ｒ２，．．．．の集合体であることを意味する。別の例として、｛Ｒ｝＝［ｂｍｉｎ，ｂｍａｘ］であり、この場合、補正作用は、ｂｍｉｎからｂｍａｘまでの任意の値を有することができるバイアス量である。実際の補正の間、予め設定した目的、通例、マスクの複雑度低下を達成するために、１つの作用を選択する。
【００２９】
ルールの決定は、シミュレーションに基づくか、または手作業とすることもできる。シミュレーションに基づく手法は、バイアスを得るための自動化方法である。本願と同一日に出願され、MODEL-BASED PATTERN CHARACTERIZATION TO GENERATE RULES FOR RULE-MODEL-BASED HYBRID OPTICAL PROXIMITY CORRECTION（ルールモデルベース・ハイブリッド光学近接効果補正に対するルールを発生するためのモデルベースパターンの特徴化）と題する同時係属中の米国特許出願は、シミュレーションを用いてルールを生成する系統的な方法について記載している。その内容は、ここで引用したことにより、その全体が本願にも含まれるものとする。例えば、この手法は、指定した幅および間隔を有するパターンをシミュレートし、最も小さいエッジ配置誤差（ＥＰＥ）が得られるバイアス値を設定する。１つがＥＰＥ許容誤差範囲を指定し、上記特許出願において説明されているように、オプションとして更に厳格化することができる場合、図６に示すように、オプションとして厳格化した許容誤差の範囲内にあるＥＰＥを得ることができるバイアス値の範囲がある。この範囲を「可変バイアス範囲」と呼ぶ。原理上、この範囲内に入るいずれのバイアス値でも、ルールベースＯＰＣプロセッサによって選択し適用することができる。実際には、この範囲をいくつかの別個の値（例えば、この範囲内にある全ての整数値）に制限する追加の制約（補正格子等）がある場合もある。この可変バイアス範囲内では、「最適」と見なされる１つの値がある。このような最適バイアスは、通常、ＥＰＥ（最適バイアスは、図６に示すように、ＥＰＥの最小絶対値をもたらす）、画像傾斜、マスク誤差増大要因（ＭＥＥＦ）のようなメトリックに基づく。従来のルールベースＯＰＣは、単一のバイアス値に基づき、通例、このような１つの最適バイアスである。本発明の実施形態は、可変バイアス範囲内のバイアス値、または多数のバイアス値の集合体からの選択を可能にする、可変バイアス・ルール・フォーマットを導入する。このルールベースＯＰＣを選択する自由度の向上は、ＯＰＣ結果の複雑度を最小に抑えるために適用することができる。
【００３０】
図５は、ルールベースＯＰＣを適用する場合に、新たな多値ルールと従来の単一値ルールの使用を比較した例を示す。幅ｗ０を有するパターンは、変化する近隣間隔ｓ１およびｓ２を有する。ｓ１およびｓ２は十分離れており、これらはルール・テーブルにおける異なる間隔(spacing interval)の範疇に入ると仮定する。図５（ａ）における単一値ルールを適用する際、（ｗ０，ｓ１）および（ｗ０，ｓ２）に対応するバイアス値は異なり、ルールベースＯＰＣの適用後に、間隔遷移位置においてジョグが生ずる結果となる。このために、出力には２つの新たな頂点が加わる。しかしながら、ｓ１およびｓ２が異なる場合でも、（ｗ０，ｓ１）および（ｗ０，ｓ２）に対応する変数バイアス範囲は、図５（ｂ）に示すように重複する可能性がある。その結果、本発明の一実施形態によるルールベースＯＰＣは、双方のバイアス範囲に入る単一バイアス値を選択する。このバイアス値は、双方の状況に対して有効である。この結果、新たな頂点を全く加えることなく、単一のバイアス値が得られる。このため、ＯＰＣが簡略化されることになる。
【００３１】
図７は、ＯＰＣ前における元のジオメトリにジョグが存在していても、本発明の一実施形態によるルールベースＯＰＣを適用した後に、これらのジョグを除去することができる例を示す。図７に示すように、ジョグは、パターン幅および間隔双方の遷移の原因となり、２つの幅／間隔対（ｗ１，ｓ１）および（ｗ２，ｓ２）が生ずる。これは、ルール・テーブルにおける２つの異なるルールに対応する。バイアスｂ１は、［ｂ１ｍｉｎ，ｂ１ｍａｘ］から選択することができ、バイアスｂ２は［ｂ２ｍｉｎ，ｂ２ｍａｘ］から選択することができ、ｂ１およびｂ２の間の差が、図７に示すように、ジョグのサイズと等しくなり、これらのバイアスの適用により、ジョグが無くなるようにする。その結果、ＯＰＣ出力は、実際に、２つのジョグを構成する元からある４つの頂点を除去する。
【００３２】
図８は、完全に平滑な出力を得ることはできないが、フィギャー・カウントを最小に抑える出力が可能な別の例を示す。元のフィーチャには、ｗ１からｗ２への幅の遷移、およびｓ１からｓ２への間隔の遷移がある。その結果、（ｗ１，ｓ１）、（ｗ２，ｓ１）、（ｗ２，ｓ２）に対応する３つのルール・エントリが得られ、バイアスの範囲は、それぞれ、［ｂ１ｍｉｎ，ｂ１ｍａｘ］、［ｂ２ｍｉｎ，ｂ２ｍａｘ］、および［ｂ３ｍｉｎ，ｂ３ｍａｘ］となる。３つのバイアス範囲が重複し、３つの範囲全てに入る単一のバイアス値が存在するのであれば、このようなバイアスを選択し適用すれば、ジョグの発生を回避することができる。しかしながら、この例では、可変バイアス範囲［ｂ１ｍｉｎ，ｂ１ｍａｘ］および［ｂ３ｍｉｎ，ｂ３ｍａｘ］が重複しないが、バイアス範囲［ｂ２ｍｉｎ，ｂ２ｍａｘ］が双方と重複する。次いで、対向エッジによって生ずる幅の変化を考慮して、本発明の一実施形態によるルールベースＯＰＣは、［ｂ２ｍｉｎ，ｂ２ｍａｘ］および［ｂ３ｍｉｎ，ｂ３ｍａｘ］の交点から、そして［ｂ３ｍｉｎ，ｂ３ｍａｘ］から任意のバイアスを選択して、３つのエッジに適用する。ジョグが出力において生ずるが、このジョグは、図８（ｃ）に示すように対向側のジョグと整合するので、分断後に追加の図形は作成されない。従来のルールベースＯＰＣ（図８（ａ）において破線で示す）におけるように、３つの幅および間隔条件に対して３つの異なるバイアス値を用いる場合、図８（ｂ）に示すように、分断の後追加の図形が作成されることになる。
【００３３】
図９は、ＯＰＣ出力の複雑度を最小に抑える可変ルール集合からルールベースＯＰＣを適用する際のフロー図である。重要なのは、各ルールが性能目的を最適化する、即ち、ＥＰＥを最小に抑える単一の補正作用から成るルール・テーブルを選定する代わりに、ルールベースＯＰＣが、各ルールがルールベースＯＰＣが選択することができ、全て許容誤差の範囲内で性能目的を達成する数個の補正作用から成る可変ルール集合を用い、最も単純なＯＰＣ出力が得られる補正作用を選択することである。図９に示すように、第１ステップ８００１において、レイアウトにおける形状毎にパターン特性（幅、間隔、パターンの種類等のような）を抽出する。次いで、ステップ８００２において、ルール・テーブルにおいて補正作用をルックアップするか、またはルール式に応じて計算する。ステップ８００３において、補正作用の異なる選択の組み合わせによって可能な異なる出力を検査する。形状毎に補正作用を決定すると、一部または全ての形状が１つよりも多い補正作用を有することになる。最初に、ステップ８００４において、ルールを適用した後に新たなジョグを生じない、または元のレイアウトにおけるジョグを除去する補正作用を、これらの形状に対して決定する。残りの形状については、補正ジョグは、補正作用をどのように選択しても、不可避である。任意の次のステップ８００５において、残りの形状に対して補正作用を決定し、ルールを適用後、生じたジョグは、対向する形状の頂点と整合する（分断において追加の図形の作成を回避する）。残りの形状については、補正作用の選択によってＯＰＣ出力は簡略化されず、したがって従来のルールベースＯＰＣにおけるように、最適な補正作用をこれらの形状に適用する。例えば、ＥＰＥの最も小さい絶対値が得られる補正作用を適用する。図９に示すように、新たに導入したステップ８００３〜８００５は、従来のルールベースＯＰＣと比較すると、複雑度が低下したＯＰＣ出力を生成する補正ルールの選択を利用する。
【００３４】
この方法について考えられる１つの変更は、補正のばらつきを低減しジョグの形成を回避することを目的としたルール融合によって、可変バイアス・ルールを単一のバイアス・ルールに縮小することである。例えば、以下のようなテーブル形式で示すルール集合からの４つのルールがあると仮定する。
【００３５】
【表２】
2007102207.tif 000004
【００３６】
これら４つのルールを融合して以下のような単一のルールとすることができる。
【００３７】
【表３】
2007102207.tif 000005
【００３８】
このルールは、幅のばらつきが３００〜４００ｎｍの範囲内であり、間隔のばらつきが４００〜６００ｎｍ以内であり、高さ範囲が８００〜９００ｎｍにおけるいずれのフィーチャでも同じ６ｎｍのバイアスが得られることを例証する。したがって、これらの範囲以内の幅または間隔の遷移を有するフィーチャについては、ルールベースＯＰＣの後追加のジョグは発生しない。
【００３９】
本発明の別の実施形態は、補正の複雑度を低減するために、補正ルール条件に合わせるまたはこれを適用するときに小さな例外の許容を追加することを伴う。図１０は、いくつかの例を示す。図１０（ａ）は、３つの測定した幅／間隔対（ｗ１，ｓ１）、（ｗ２，ｓ２），および（ｗ３，ｓ３）があるパターンを示し、ここで、（ｗ１，ｓ１）および（ｗ２，ｓ２）にはそれぞれ付随するルールｒ１およびｒ２がある（双方は、破線のボックスで示すようは範囲である）。２つのエッジを分離する（ｗ３，ｓ３）に付随するルールはない。ルールにしたがって厳格にＯＰＣを適用すると、その結果図１０（ｂ）に示す補正が得られ、元の形状のおける１つのジョグが、補正した形状では２つのジョグで置き換えられている。しかしながら、（ｗ３，ｓ３）に付随するエッジの部分が小さい場合（即ち、ｈが予め指定した許容誤差よりも小さい）、ルールベースＯＰＣはこの小さい例外を無視し、この小さなセグメントを含むようにｒ２に合うエッジを延長する。この場合、ルールベースＯＰＣは、図１０（ｃ）に示すように、元の形状におけるジョグを除去するように補正を選択することができる。何故なら、図１０（ａ）に示すように、ｒ１およびｒ２に対するバイアス範囲が重複するからである。図１０（ｄ）は、元のジオメトリ１６０１がエッジ１６０２に沿って小さなジョグ１６０３を有する別の例を示す。エッジ１６０２は、対応するバイアス範囲［ｂｍｉｎ，ｂｍａｘ］を有するルールの条件を満たす幅ｗおよび間隔ｓを有する。ジョグは、幅ｗ１および間隔ｓ１を有し、ルール・テーブルには該当するルールがない。したがって、厳格なルール一致に基づくルールベースＯＰＣ補正は、範囲［ｂｍｉｎ，ｂｍａｘ］からあるバイアス量を選択し、図１０（ｅ）に示す不正１６０４を生成する。この場合、元のジョグは相変わらず存在し補正されていないままである。しかしながら、ジョグのサイズｈが小さい場合、ルールベースＯＰＣはこのジョグをカバーするように補正を延長することができ、その結果、平滑な出力を有しジョグがない、図１０（ｆ）に示す補正１６０５が得られる。図１０（ｇ）に示す更に別の例では、元の図形１６１１は幅ｗを有し、ジョグはないが、隣接するフィーチャ１６２０のために、フィーチャ１６１１に沿ってｓから無限までの間隔の遷移が生ずる。幅がｗで間隔がｓであるエッジ１６１２の部分には、バイアス範囲が［ｂｍｉｎ，ｂｍａｘ］である該当ルールが求まるが、エッジ１６１３の残りの部分は、幅ｗ、無限の間隔および小さいサイズｈを有し、一致するルールが求められない。したがって、厳格なルール一致に基づくルールベースＯＰＣ補正は、範囲［ｂｍｉｎ，ｂｍａｘ］からあるバイアス量を選択し、図１０（ｈ）に示す補正１６１４を生成する。このため、元のフィーチャにはなかったジョグが加わる。しかしながら、一致しないエッジ部分ｈのサイズが小さい場合、ルールベースＯＰＣはこの部分を同じバイアス量でカバーするように補正を延長することができ、その結果、図１０（ｉ）に示す、平滑な出力を有し、ジョグがない補正１６１５が得られる。
【００４０】
これまで、ルール毎の補正作用の選択では、ルールベースＯＰＣはＯＰＣ出力の複雑度を最小に抑えるように選択を行うことを中心とした。しかしながら、選択を行う際に、ルールベースＯＰＣに対して他の目的(objective)の使用を除外する訳ではなく、従前からの「最適」補正作用と調和するものも含む。例えば、ルールベースＯＰＣは、ＥＰＥまたはＣＤ誤差の絶対値の最小化、画像傾斜またはコントラストの最大化、ドーズ量(dose)または焦点外れラチチュード(defocus latitude)の最大化、あるいは収差またはマスク誤差増大要因（ＭＥＥＦ）の最小化に基づいて、補正作用を選択することができる。また、ルールベースＯＰＣは、異なる種類のパターンには異なる目的を選定するように選択することもでき、例えば、トランジスタ・ゲートに対してはＥＰＥを最小に抑え、重要寸法が小さいフィーチャに対しては画像傾斜を最大化し、重要寸法が大きなフィーチャに対してはＯＰＣ出力の複雑度を最小に抑えることができる。
【００４１】
以上の説明は、本発明の特定的な実施形態を参照して行ったが、本発明の原理および精神から逸脱することなく、これらの実施形態に対する変更も可能であることは当業者には認められよう。したがって、本発明の範囲は、添付した特許請求の範囲を参照してのみ確認できるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、図１（ａ）ないし図１（ｇ）から成り、リソグラフィ・プロセスからのパターン歪み、および光学近接効果補正（ＯＰＣ）の適用を示す。
【図２】図２は、ポリゴンを矩形の組み合わせに分断する例、およびＯＰＣを単純なジオメトリに適用することによるフィギャー・カウントの増加およびスライバの混入を示す。
【図３】図３は、図３（ａ）および図３（ｂ）から成り、非平坦補正がある許容誤差バンド内の多数の補正ジョグから成り、ジョグがなくなるようにＯＰＣ出力を平坦化する、簡略化を示す。
【図４】図４は、本発明の一実施形態による、モデルベースパターン特徴化およびルール生成を行うＩＣ設計システム、ならびにハイブリッドＯＰＣの一例を示すブロック図である。
【図５】図５は、図５（ａ）および図５（ｂ）から成り、本発明の種々の実施形態による多値ルールを従来の単一値ルールと比較し、本発明の一実施形態によるルールベースＯＰＣを用いてルールを適用した場合に可能な出力を比較した例を示す。
【図６】図６は、オプションとして厳格化した許容誤差の範囲内のエッジ配置誤差（ＥＰＥ）を招く可能性があるバイアスの値の範囲を示す。
【図７】図７は、本発明の種々の実施形態にしたがってルールベースＯＰＣを適用した後に、ＯＰＣ前のジオメトリに元々存在するジョグであっても除去することができる例を示す。
【図８】図８は、図８（ａ）ないし図８（ｃ）から成り、完全に平滑な出力を得ることはできないが、分断カウントを最小に抑える出力は可能な別の例を示す。
【図９】図９は、本発明のルールベースＯＰＣ方法の一実施形態による変数バイアス・ルール決定のフロー図を示す。
【図１０】図１０は、図１０（ａ）ないし図１０（ｉ）から成り、補正の複雑度を低下するために補正ルール条件を一致させる場合、または補正ルールを適用する場合における小さな例外の処理を示す。
【図１】
2007102207.tif 000006
【図２】
2007102207.tif 000007
【図３】
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【図４】
2007102207.tif 000009
【図５】
2007102207.tif 000010
【図６】
2007102207.tif 000011
【図７】
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【図８】
2007102207.tif 000013
【図９】
2007102207.tif 000014
【図１０】
2007102207.tif 000015
【外国語明細書】
2007102207000001.pdf