(57)【要約】【課題】ＳＡＷフィルタモジュールのマッチング用部品の必要個数を削減する。【解決手段】ＳＡＷフィルタモジュール１０は、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０ＤとＲＦ−ＩＣ２０との間の結合に、インピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄでマッチングを得る。ＳＡＷフィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、ＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスＺｉｃの実部にほぼ合わせる。インピーダンスマッチング回路は、ＳＡＷフィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍの虚部を、ＲＦ−ＩＣ２０の入力インピーダンスＺｉｃの虚部に合わせて変更する。インピーダンスマッチング回路は、１つのインダクタまたはコンデンサで構成、または複数のインダクタまたはコンデンサの並列接続で構成、モジュールの基板上にプリントパターンとして形成、実部Ｒｓａｗと実部Ｒｉｃはほぼ０.８Ｒｉｃ＜Ｒｓａｗ＜１.２Ｒｉｃとすることを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線端末における受信高周波信号を弁別する弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合にインピーダンスマッチングを得るインピーダンスマッチング回路とを備えた弾性表面波フィルタモジュールであって、
前記弾性表面波フィルタは、その出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部に合わせた構成とし、
前記インピーダンスマッチング回路は、前記弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍと前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃとが複素共役の関係になるように弾性表面波フィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタモジュール。
【請求項２】
無線端末における受信高周波信号を弁別する弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合にインピーダンスマッチングを得るインピーダンスマッチング回路と、を含む系統を複数備えた弾性表面波フィルタモジュールであって、
各系統の弾性表面波フィルタは、その出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部に合わせた構成とし、
各系統のインピーダンスマッチング回路は、前記弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍと前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃとが複素共役の関係になるように弾性表面波フィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタモジュール。
【請求項３】
前記弾性表面波フィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部Ｒｓａｗは、前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部Ｒｉｃに対して、０.８Ｒｉｃ＜Ｒｓａｗ＜１.２Ｒｉｃとしたことを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタモジュール。
【請求項４】
前記弾性表面波フィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部の調整は、ＩＤＴ及び反射器の少なくとも一方について、電極の本数、交差幅、電極の膜厚、ピッチ及び電極の形状の少なくとも一つを調整することにより行われることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタモジュール。
【請求項５】
前記インピーダンスマッチング回路のマッチング素子は、インダクタ素子及びコンデンサ素子の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタモジュール。
【請求項６】
無線端末における受信高周波信号を弁別する弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合にインピーダンスマッチングを得るインピーダンスマッチング回路とを備えた弾性表面波フィルタモジュールを製造する方法であって、
前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部および虚部のデータを取得する過程と、
前記弾性表面波フィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部を前記データの実部に合わせて該弾性表面波フィルタを作成する過程と、
前記弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍと前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃとが複素共役の関係になるように弾性表面波フィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続する過程と、を有することを特徴とする弾性表面波モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話などの無線端末に実装されて高周波信号を弁別する弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタモジュールに係り、特にトランシーバＩＣ（ＲＦ−ＩＣ）とのインピーダンスマッチング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８にクアッドバンドＧＳＭ方式携帯電話のフロントエンド部の構成例を示す。本例では、アンテナ１の直下にアンテナスイッチＩＣ２が配置され、受信側は圧電基板上に形成された受信ＳＡＷフィルタ（以下、ＲｘＳＡＷフィルタと呼ぶ）を複数個内蔵したフィルタバンク（４系統）３００がアンテナスイッチ２に接続され、送信側は高周波送受信デバイスとしてのトランシーバＩＣ４からの送信信号がパワーアンプ５を通して、アンテナスイッチ２に入力される構成となっている。
【０００３】
一般に、無線端末では、高周波信号系でのインピーダンスの不整合によって発生する反射現象を抑制するため、回路要素間の結合にインピーダンスマッチング手段を設ける（例えば、特許文献１参照）。図８の例では、トランシーバＩＣ４と受信ＳＡＷフィルタ３（以下、ＲｘＳＡＷフィルタと呼ぶ）の入出力インピーダンスが異なるため、単純にＲｘＳＡＷフィルタ３をトランシーバＩＣ４に直結することはできず、インダクタンスやコンデンサや抵抗にて構成したインピーダンスマッチング回路６をＲｘＳＡＷフィルタ３とトランシーバＩＣ４との間に設ける。
【０００４】
このインピーダンスマッチング回路６は、ディスクリート部品を用いて実現する場合、その調整に多くの手間がかかり、さらに携帯端末メーカ側での設計工数の増大に繋がっていた。また、一般的にマッチング回路部品として複数個の部品を必要とするので、その分の材料費のコストアップも招くものであった。
【０００５】
そこで、図９の構成例で示されるような、フィルタバンクモジュールというものが登場した。このフィルタバンクモジュール７は、モジュール基板上もしくは内部に、ＲｘＳＡＷフィルタ３とインピーダンスマッチング回路を一括搭載または形成しておき、そのモジュールの出力インピーダンスをトランシーバＩＣ４の入力インピーダンスとマッチングさせ、トランシーバＩＣ４と直結できるようにしている。
【０００６】
【特許文献１】特開平０９−２７０６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記の図９等のモジュールの登場により、携帯端末メーカ側でのインピーダンスマッチング作業は不要となるため、その開発工数を低減できる。しかし、図９に示すモジュールでは、複数個の受動素子で構成されたインピーダンスマッチング回路とＲｘＳＡＷフィルタ３を基板に複数個搭載する構造のため、部品点数が多くなり、モジュールの総合特性のばらつきも一般に大きくなるといった問題がある。このインピーダンスマッチング回路をディスクリート部品でなく、たとえＬＴＣＣ（Low temperature co-fired ceramics）基板内部に構成した内層部品にて実現した場合においても、それらのばらつきにより、モジュール全体の特性ばらつきが問題となる。
【０００８】
また、図８や図９に例を示すように、従来のインピーダンスマッチング回路は、１系統につき複数個のインピーダンスマッチング用回路部品が必要となり、コストアップを招く問題があった。この理由を図１０、図１１を参照して詳細に説明する。
【０００９】
図１０は、ＳＡＷフィルタが１つの不平衡入力ポートと１つの平衡出力ポートを有する場合の例である。本例において、ＳＡＷフィルタ３の出力インピーダンスをＺｓａｗ（＝Ｒｓａｗ＋ｊＸｓａｗ）、フィルタバンクモジュールの出力インピーダンスをＺｍ（＝Ｒｍ＋ｊＸｍ）、ＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスをＺｉｃ（＝Ｒｉｃ＋ｊＸｉｃ）とする。ここで、Ｚｓａｗ＝Ｚｉｃ＊の関係（複素共役）であれば、インピーダンスマッチング回路も不要でかつ両者間のエネルギー伝達ロス（反射ロス）を最小にできるが、一般的なＳＡＷフィルタ３とＲＦ−ＩＣ４の組み合わせにおいては、両者が上記のような複素共役の関係であることは極めて少なく、一般的にはＺｓａｗ≠Ｚｉｃ（Ｒｓａｗ≠ＲｉｃかつＸｓａｗ≠−Ｘｉｃ）であるため、複雑な特性をもつインピーダンスマッチング回路の設計および構成を必要とする。
【００１０】
具体的に、Ｚｓａｗ≠Ｚｉｃ（Ｒｓａｗ≠ＲｉｃかつＸｓａｗ≠−Ｘｉｃ）である場合の、インピーダンスマッチング回路の合成の様子を図１１に示す。図１１（ａ）はマッチング素子がない場合、図１１（ｂ）は出力ポート３ａに対して並列にマッチング素子としてインダクタを接続した場合、図１１（ｄ）は出力ポート３ａに対して直列及び並列に夫々マッチング素子としてコンデンサ及びインダクタを接続した場合である。各図の左側の図はスミスチャート、中央の図は通過特性、右側の図はフィルタバンクモジュールの構成を夫々示している。  
図１１中のスミスチャートの中心がＲＦ−ＩＣの整合インピーダンスであるとし、太い実線で示す部分はＺｍ（フィルタバンクモジュールのインピーダンス）である。図中●印は、マッチングを行わない場合においてフィルタの中心周波数付近におけるインピーダンスであり、これをスミスチャートの中央付近に近づくように整合部品の定数や回路構成を選び、マッチングを行う。同図の（ａ）〜（ｃ）からわかるように，Ｒｓａｗ≠ＲｉｃかつＸｓａｗ≠−Ｘｉｃであると、ＲｍとＸｍの双方を同時にマッチング回路によって調整する必要があり、これはマッチングには少なくとも２つ以上の部品が必要であることを意味する。
【００１１】
このように、マッチング回路用に複数個の部品を必要とするＳＡＷフィルタでは、それらの部品コストが高くなり、また部品点数が多くなることにより、個々の部品のばらつきの自由度が増えるため、モジュールの総合特性もばらつきやすいという問題点を有する。しかも、部品点数が多いと、モジュールの出力インピーダンスを最適にするための特性調整に多くの工数を必要とする問題もある。
【００１２】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、調整工数の低減を図ることのできる弾性表面波フィルタモジュールおよびこのフィルタモジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、前記の課題を解決するため、ＳＡＷフィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部（＝Ｒｓａｗ）を、トランシーバＩＣの入力インピーダンスＺｉｃの実部（＝Ｒｉｃ）に合わせるようにしたもので、具体的には以下の通りである。
【００１４】
本発明の弾性表面波フィルタモジュールは、無線端末における受信高周波信号を弁別する弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合にインピーダンスマッチングを得るインピーダンスマッチング回路とを備えた弾性表面波フィルタモジュールであって、
前記弾性表面波フィルタは、その出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部に合わせた構成とし、
前記インピーダンスマッチング回路は、前記弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍと前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃとが複素共役の関係になるように弾性表面波フィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続したことを特徴とする。
【００１５】
他の発明の弾性表面波フィルタモジュールは、無線端末における受信高周波信号を弁別する弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合にインピーダンスマッチングを得るインピーダンスマッチング回路と、を含む系統を複数備えた弾性表面波フィルタモジュールであって、  各系統の弾性表面波フィルタは、その出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部に合わせた構成とし、  各系統のインピーダンスマッチング回路は、前記弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍと前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃとが複素共役の関係になるように弾性表面波フィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続したことを特徴とする。
【００１６】
「弾性表面波フィルタは、その出力インピーダンスＺｓａｗの実部を、前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部に合わせた構成」とは、Ｚｓａｗの実部とＺｉｃの実部とが一致していることは勿論のこと、弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスの実部と高周波受信処理デバイスの入力インピーダンスの実部とを整合させるためにインピーダンスマッチング回路にマッチング素子（実部調整用のマッチング素子）を設けなくても、実用上特性に影響がないつまり製品として使用できる程度に近い値である場合も含む意味である。ここでいう近い値とは、例えば０.８Ｒｉｃ＜Ｒｓａｗ＜１.２Ｒｉｃである。即ち、弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合を行うにあたって、実部調整用のマッチング素子が不要である場合には、本発明の技術的範囲に属することになる。
【００１７】
前記弾性表面波フィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部の調整は、例えばＩＤＴ及び反射器の少なくとも一方について、電極の本数、交差幅、電極の膜厚、ピッチ及び電極の形状の少なくとも一つを調整することにより行われる。  
前記インピーダンスマッチング回路のマッチング素子は、インダクタ素子及びコンデンサ素子の少なくとも一方であり、これら素子は、ディスクリート部品であってもよいし、あるいはプリントパターンにより構成されていてもよい。
【００１８】
本発明の弾性表面波モジュールの製造方法は、無線端末における受信高周波信号を弁別する弾性表面波フィルタと、この弾性表面波フィルタと高周波受信処理デバイスとの間の結合にインピーダンスマッチングを得るインピーダンスマッチング回路とを備えた弾性表面波フィルタモジュールを製造する方法であって、
前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃの実部および虚部のデータを取得する過程と、
前記弾性表面波フィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部を前記データの実部に合わせて該弾性表面波フィルタを作成する過程と、
前記弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍと前記高周波受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃとが複素共役の関係になるように弾性表面波フィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続する過程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上のとおり、本発明によれば、以下の効果がある。
【００２０】
（１）ＳＡＷフィルタモジュールのインピーダンスマッチング用部品の必要個数を削減でき、インピーダンス調整工数も低減でき、部品コストの低減と全体の特性のばらつきの低減に繋がる。
【００２１】
（２）ＳＡＷフィルタとＬＴＣＣ基板やプリント基板との組み合わせ構成の場合でも、インピーダンスマッチング素子構成のための内層部品点数が少なくできるため、基板の層数が少なく、そして全体特性のばらつきが小さく、より低コストのモジュールを実現できる。
【００２２】
（３）ＳＡＷフィルタモジュールの作成には、高周波送受信デバイスの入力インピーダンスＺｉｃのデータを取得することで、ＳＡＷフィルタおよびインピーダンスマッチング回路の設計、製作ができ、高周波送受信デバイスの仕様変更などに容易に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は、本発明の実施形態を示す弾性表面波フィルタモジュールをＲＦ−ＩＣに接続した構成を示す。
【００２４】
弾性表面波フィルタモジュール１０は、１つの不平衡入力ポートと１つの平衡出力ポートをそれぞれ有する４つのＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄを実装し、これらＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄの平衡出力ポートにはインピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄをそれぞれ実装した構成とする。インピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄの出力端になるモジュール１０の４つの出力ポートＯＰＡ〜ＯＰＤはＲＦ−ＩＣ２０の４つの入力ポートとそれぞれ接続される。即ちこの例では、４系統の信号路が存在することになる
ここで、インピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄは、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄの平衡出力ポートに並列にのみマッチング用素子（インダクタまたはコンデンサ）を設けた構成とすることで、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０ＤとＲＦ−ＩＣ２０との間のインピーダンスマッチングを得る。このようなインピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄによってインピーダンスマッチングが得られる理由を、図２を参照して詳細に説明する。
【００２５】
図２は１つのＳＡＷフィルタのみを即ち１系統の信号路のみを代表して示し、このＳＡＷフィルタの出力インピーダンスをＺｓａｗ、ＳＡＷモジュールの出力インピーダンスをＺｍ、ＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスをＺｉｃとする。ここで、Ｚｓａｗの実部（＝Ｒｓａｗ）がＺｉｃの実部に合わせて、つまり一致あるいはほぼ一致するように設計、製作されていれば、インピーダンスマッチング回路では実部の操作を施す必要がないので、弾性表面波フィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍの虚部のみを、ＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスＺｉｃの虚部に合わせて変化させればよいことになる。つまり、インピーダンスマッチング回路としては並列に１素子のインダクタまたはコンデンサを挿入した構成で済む。
【００２６】
したがって、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄの出力インピーダンスＺｓａｗ（＝Ｒｓａｗ＋ｊＸｓａｗ）の実部（＝Ｒｓａｗ）をＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスＺｉｃ（＝Ｒｉｃ＋ｊＸｉｃ）の実部（＝Ｒｉｃ）とほぼ一致させた構成とし、インピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１ＤをＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄの出力ポートに並列に１素子のみを設けたフィルタモジュール構成とする。
【００２７】
図３は、縦結合型ＳＡＷフィルタの構成を示す図であり、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄの各々は実際には、例えば縦結合型ＳＡＷフィルタが複数個組み合わされて構成されている。図３において、３０は入力側のＩＤＴ（インターディジタルトランスデューサー）であって、櫛歯電極３１、３２が互いにかみ合うように配置されて構成されると共に、４０は出力側のＩＤＴであって、櫛歯電極４１、４２が互いにかみ合うように配置されて構成されている。５０はグレーティング反射器である。ここでＺｓａｗの実部Ｒｓａｗの調整は，ＳＡＷフィルタを構成するＩＤＴ３０、４０や反射器５０について、それらの電極の本数（対数）、交差幅Ｗ、電極膜厚、電極ピッチ、電極構造を調整することにより行うことができるし、また圧電材料を選定すること、及び電極の本数などの調整と圧電材料の選定との組み合わせなどで実現される。
Ｚｓａｗの実部（＝Ｒｓａｗ）をＺｉｃの実部に合わせる場合、Ｒｓａｗ＝Ｒｉｃが最も望ましいが、完全に一致していなくてもよい。即ちインピーダンスマッチング回路に実部調整用のマッチング素子を設けなくても、実用上特性に影響がないつまり製品として使用できる程度に近い値であればよく、０.８Ｒｉｃ＜Ｒｓａｗ＜１.２Ｒｉｃでも十分有効である。これは、±２０％程度のインピーダンスのずれであれば、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）の劣化は０.２０〜０.２５程度であり、それによるモジュール全体の挿入損失の増分は０.１ｄＢ以下であるので、特性の大きな劣化には繋がらないからである。
【００２８】
ＳＡＷフィルタモジュールメーカはこのようなＳＡＷフィルタモジュールを例えば次のようにして製造する。先ずＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスＺｉｃの実部および虚部のデータをＲＦ−ＩＣメーカから取得し、前記データに基づいてＳＡＷフィルタの出力インピーダンスＺｓａｗの実部が前記入力インピーダンスＺｉｃの実部に合うように既述のようにＩＤＴの電極の本数などを調整する。そしてＳＡＷフィルタモジュールの出力インピーダンスＺｍの虚部を、ＲＦ−ＩＣの入力インピーダンスＺｉｃの虚部に合わせる（ＺｍとＺｉｃとは複素共役の関係とするので、両虚部の正負の符号は逆である）ためにＳＡＷフィルタモジュールの出力ポートに対して並列にのみマッチング素子を接続し、こうしてＳＡＷフィルタモジュールが製造される。
【００２９】
図４に本実施形態を基にしたインピーダンスマッチングの実験結果を示す。同図の（ａ）はインピーダンスマッチング回路を設けない場合の特性を示し、（ｂ）は１つのインダクタをＳＡＷフィルタに並列に設けたインピーダンスマッチング回路とした場合の特性を示す。各図の左側の図はスミスチャート、中央の図は通過特性、右側の図はフィルタバンクモジュールの構成を夫々示している。スミスチャート中、●印は、マッチングを行わない場合においてフィルタの中心周波数付近におけるインピーダンスであり、Ｚｍを示す太線からわかるように、Ｚｍは●印からＲＦ−ＩＣ２０の整合インピーダンスに近づいていく。図１１の従来手法では、実部と虚部の両方のインピーダンス操作が必要であったため、インピーダンスマッチングには複数個（図１１の場合、インダクタとコンデンサ）必要であったのに対し、本実施形態による場合はＲｓａｗ＝Ｒｉｃであるため、インピーダンスマッチング回路は１個の並列インダクタを設けるのみで所期のインピーダンスマッチングを得ることができる。
【００３０】
以上のように、本実施形態を適用することにより，ＳＡＷモジュール上のマッチング用部品の個数が削減され、インピーダンス調整工数も低減でき、しかも部品コストの低減と全体の特性のばらつきの低減に繋がる。
【００３１】
また、本実施形態によるＳＡＷフィルタをＬＴＣＣ基板に搭載した場合において、ＬＴＣＣ内部に形成する部品点数が少なくできるため、基板層数が少なく、そして全体特性のばらつきが小さく、より低コストのモジュールを実現できる。
【００３２】
また、本実施形態は、ＳＡＷフィルタおよびインピーダンスマッチング回路の変形に応じて適宜設計変更して同等の作用効果を得ることができる。
【００３３】
例えば、図５は、出力ポートＯＰが不平衡のＳＡＷフィルタの場合の例であり、ＳＡＷフィルタ１０Ａ〜１０Ｄの出力ポートＯＰＡ〜ＯＰＤと基準電位間に１つの素子構成のインピーダンスマッチング回路１１Ａ〜１１Ｄを設けた場合であり、本発明はポートの種類は平衡または不平衡のどちらでも厭わない。
【００３４】
また、図６は、インピーダンスマッチング回路として、並列に２個の素子を設けた場合である。モジュール全体の通過挿入損失を低減するために、マッチング部品のＱ値が低い場合、例えば、インダクタの等価回路に含まれる抵抗値が高い場合、このように２個並列にして電流を分流させて実効的な抵抗成分を下げることができる。
【００３５】
また、図７は、インピーダンスマッチング部品をＬＴＣＣやプリント板などの基板に内層化した場合の例である。同図では、１層目（下から数えた１層目）の基板１００の裏面に、ＲＦ−ＩＣとの接続のための出力ポート端子１０１を形成すると共に、２層目の基板２００の裏面にインピーダンスマッチング回路の構成要素である内層部品２０１例えばインダクタをプリントパターンとして形成し、１層目の基板１００のスルーホールの導電層であるメッキ層を介して出力ポート端子１０１と内層部品２０１とが電気的に接続されている。また２層目の基板２００の表面には、例えば４つのＳＡＷフィルタ２０２が実装され、各ＳＡＷフィルタ２０２の出力ポートと内層部品２０１とが当該基板２００に形成されたスルーホールの導電層メッキ層を介して互いに接続され、こうしてＳＡＷフィルタモジュールが構成されている。なお図７では、１系統についてのみ、出力ポート端子１０１と内層部品２０１とを示してある。
【００３６】
このように、本発明では付加するインピーダンスマッチング回路用の部品をＳＡＷフィルタの出力ポートに並列にのみ挿入した構造を特徴とするが、その部品の形態に関しては、前述のような個別部品（ディスクリート部品）で構成、または基板に内層化したものなど、どのような形態のものでも厭わない。
【００３７】
また、ＳＡＷフィルタの回路構成、およびモジュールの基板の種類については任意のものに適用できる。また、ＳＡＷフィルタの圧電基板としては，ＬｉＴａＯ３，ＬｉＮｂＯ３、水晶を初めとする、圧電作用のあるＳＡＷデバイス用ウェハを利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態を示す弾性表面波フィルタモジュールの構成図。
【図２】実施形態における弾性表面波フィルタモジュールとＲＦ−ＩＣのインピーダンス関係を示す図。
【図３】縦結合型ＳＡＷフィルタを示す構成図である。
【図４】実施形態を基にしたインピーダンスマッチングの実験結果を示す図。
【図５】出力ポートが不平衡のＳＡＷフィルタの実施形態を示す図。
【図６】インピーダンスマッチング素子を並列構成とした実施形態を示す図。
【図７】インピーダンスマッチング部品を基板に内層化した実施形態を示す図。
【図８】クアッドバンドＧＳＭ方式携帯電話のフロントエンド部の構成例（従来）。
【図９】クアッドバンドＧＳＭ方式携帯電話のフィルタバンクモジュール構成例（従来）。
【図１０】弾性表面波フィルタモジュールとＲＦ−ＩＣのインピーダンス関係を示す図。
【図１１】インピーダンスマッチング素子による特性変化の例を示す図。
【符号の説明】
【００３９】
１  アンテナ
２  アンテナスイッチＩＣ
３  ＳＡＷフィルタバンク
４  トランシーバＩＣ
５  パワーアンプ
６  インピーダンスマッチング回路
７  フィルタバンクモジュール
１０  ＳＡＷフィルタモジュール
１０Ａ〜１０Ｄ  ＳＡＷフィルタ
１１Ａ〜１１Ｄ  インピーダンスマッチング回路
２０  ＲＦ−ＩＣ
【図１】
2007053563.tif 000003
【図２】
2007053563.tif 000004
【図３】
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【図４】
2007053563.tif 000006
【図５】
2007053563.tif 000007
【図６】
2007053563.tif 000008
【図７】
2007053563.tif 000009
【図８】
2007053563.tif 000010
【図９】
2007053563.tif 000011
【図１０】
2007053563.tif 000012
【図１１】
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