(57)【要約】【課題】内部雰囲気の外部への漏洩を十分に防止するとともに、基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理チャンバＣＨｃにおいて、チャンバ外部空間ＣＬＳに面する外壁には開口部ＭＯおよびその開口部ＭＯを開閉可能なメンテナンス用カバーＭＤが設けられている。また、クリーンルームＣＬ内の空間に面する外壁の内側には、内壁ＩＷが設けられている。この内壁ＩＷには開口部ＩＯおよびその開口部ＩＯを開閉可能な内壁用カバーＩＩＤが設けられている。作業者がメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤを取り外すことにより開口部ＭＯ，ＩＯを開くことができる。制御部は、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により得られるチャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を比較して、遮断空間ＡＴ１の圧力が最も高くなるように、第１の吸引装置２２０の動作を制御する。【選択図】図４
2007266333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁により取り囲まれた処理部において基板に処理を行う基板処理装置であって、
前記隔壁の少なくとも一部に設けられ、第１の開口部が形成された内壁と、
前記内壁の外側に設けられ、前記第１の開口部の外側に第２の開口部が形成された外壁と、
前記第１の開口部および前記第２の開口部の少なくとも一方を閉塞および開放可能な開閉部材と、
前記内壁と前記外壁との間に形成された遮断空間の圧力を、前記隔壁および前記内壁により取り囲まれて形成された処理空間の圧力ならびに前記外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整する圧力調整手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記圧力調整手段は、前記開閉部材が閉塞および開放可能な前記第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を閉塞する状態で、前記遮断空間の圧力を前記処理空間の圧力および前記外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記圧力調整手段は、前記開閉部材が閉塞および開放可能な前記第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を閉塞する状態で、前記処理空間の圧力を前記外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記圧力調整手段は、前記開閉部材が閉塞および開放可能な前記第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を開放する状態で、前記処理空間の圧力を前記外壁の外側の空間の圧力よりも低く調整することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記圧力調整手段は、前記遮断空間および前記処理空間に下降流を発生させることにより、前記遮断空間および前記処理空間の圧力を上昇させる気流発生手段を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記圧力調整手段は、前記遮断空間の雰囲気を吸引することにより、前記遮断空間の圧力を下降させる第１の吸引手段を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記圧力調整手段は、前記処理空間の雰囲気を吸引することにより、前記処理空間の圧力を下降させる第２の吸引手段を含むことを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記開閉部材が閉塞および開放可能な前記第１および第２の開口部のうち少なくとも一方の開放を検出する開放検出手段と、
前記開閉部材が閉塞および開放可能な前記第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を開放する状態において、前記第２の吸引手段を動作させるとともに、前記開放検出手段による前記少なくとも一方の開放の検出に基づいて前記気流発生手段を停止させる制御手段とをさらに備えることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記遮断空間の圧力を検出する第１の圧力検出手段と、
前記処理空間の圧力を検出する第２の圧力検出手段と、
前記外壁の外側の空間の圧力を検出する第３の圧力検出手段とをさらに備え、
前記圧力調整手段は、前記第１、第２および第３の圧力検出手段により検出される圧力に基づいて前記遮断空間の圧力および前記処理空間の圧力を調整することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記外壁は、前記隔壁と一体的に構成されたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記内壁は、前記隔壁と一体的に構成されたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記開閉部材は、前記第１の開口部および前記第２の開口部のいずれも閉塞および開放可能であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記開閉部材は、前記第１の開口部を閉塞および開放可能とする第１の蓋部材と、前記第２の開口部を閉塞および開放可能とする第２の蓋部材とを有し、前記第１の蓋部材は前記第２の開口部を通過可能な形状で構成されていることを特徴とする請求項１２記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
基板処理装置では、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の薬液またはそれらの混合溶液（以下、薬液と総称する）を基板に供給することにより、その基板の表面処理を行う（以下、薬液処理と呼ぶ）。このような薬液処理は、基板処理装置に設けられ、処理対象となる基板周辺の雰囲気を取り囲むように形成された処理チャンバ内で行われる。
【０００４】
薬液処理は、例えば、処理チャンバ内で回転される基板上に薬液ノズルから薬液を吐出することにより行われる。この場合、基板の回転により薬液が飛散し、薬液のミストが発生する。
【０００５】
このような薬液を含む雰囲気（以下、薬液雰囲気と呼ぶ。）が、処理チャンバから外部に漏れると、基板処理装置の周辺で作業する作業者の人体に悪影響を与える。また、処理チャンバの外部に設けられる周辺機器が、薬液雰囲気により腐食される。さらに、薬液雰囲気が、処理チャンバの外部で搬送される基板に接触すると、基板の処理不良が発生する。
【０００６】
処理チャンバから外部への薬液雰囲気の漏洩を防止するために、処理チャンバ内の雰囲気を外部の雰囲気に対して陰圧にする方法がある。処理チャンバ内の雰囲気を陰圧にする構成として、ファンフィルタユニットおよび吸引装置がある。
【０００７】
この場合、処理チャンバの上方にダウンフロー（下降流）を形成するファンフィルタユニットを設け、処理チャンバの下方にその内部雰囲気を吸引する吸引装置を設ける。このようにダウンフローを形成することにより、処理チャンバ内でのパーティクルの飛散が防止される。
【０００８】
これらの構成において、ファンフィルタユニットによって処理チャンバ内に送り込むダウンフロー流量に対して吸引装置の吸引量が大きくなるように調整する。それにより、処理チャンバ内の雰囲気が外部の雰囲気に対して陰圧となるように制御することができる。以下、処理チャンバ内の雰囲気を外部の雰囲気に対して陰圧となるように制御することを陰圧制御と呼ぶ。
【０００９】
特許文献１の基板処理装置では、上述の処理チャンバにより取り囲まれる洗浄処理部の上方にファンフィルタユニットが設けられている。ここで、洗浄処理部の下方にその内部雰囲気を外部に排出するファンユニットを設ける。これにより、ファンフィルタユニットおよびファンユニットの動作を制御して洗浄処理部内の雰囲気が陰圧となるように陰圧制御することができる。
【００１０】
このように、処理チャンバ内の雰囲気を外部の雰囲気に対して陰圧にすることにより、処理チャンバから外部に薬液雰囲気が漏洩することが防止される。それにより、薬液雰囲気の漏洩に起因する作業者の人体への悪影響、処理チャンバの周辺機器の腐食、および基板の処理不良の発生が防止される。
【特許文献１】２００５−１６６９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上記の処理チャンバには、例えばその外部から処理チャンバ内のメンテナンスを行うための開口部が形成され、その開口部に開閉扉が設けられている。以下、処理チャンバにおいて、このように外部空間と内部空間とを連通させるための部位を連通部と総称する。
【００１２】
基板処理装置の組み立て時においては、開口部が開閉扉で密閉できるように組み立てたとしても、熱による変形または経時変化等により処理チャンバの連通部に隙間が発生する場合がある。実際には、このような隙間の発生を完全に防止することは困難である。
【００１３】
基板処理装置は、クリーンルーム内に設けられるが、上記のように処理チャンバに隙間が発生した場合には、クリーンルーム内の雰囲気（以下、外部雰囲気と呼ぶ。）がその隙間を通じて陰圧制御された処理チャンバ内に流入する。
【００１４】
クリーンルーム内において、基板処理装置に対する基板の搬入および搬出はキャリアにより行われる。近年、キャリアとしては、例えば複数の基板を密閉した状態で収容可能な密閉式のポッド（ＦＯＵＰ： front Opening Unified Pod ）が用いられている。特許文献１の基板処理装置においても、このようなキャリアが用いられている。
【００１５】
このように、基板処理装置に対する基板の搬入および搬出にＦＯＵＰを用いることにより、クリーンルーム内に多少のパーティクルが発生していても、そのパーティクルが搬送中の基板に付着することはない。
【００１６】
したがって、近年のクリーンルームでは、その内部雰囲気の清浄度は厳しく管理されなくなっている。
【００１７】
しかしながら、上記のように処理チャンバ内にクリーンルーム内の雰囲気が流入すると、その流入とともに処理チャンバ内にパーティクルも流入する。この場合、処理チャンバ内で基板の処理不良が発生するおそれがある。
【００１８】
また、上記のように処理チャンバの陰圧制御を行う基板処理装置においては、処理チャンバの内部雰囲気を吸引する吸引装置として工場内の排気吸引設備（用力設備）を用いる場合がある。この排気吸引設備は、工場全体の稼動状況等に応じてその吸引流量を十分に確保できない場合がある。
【００１９】
したがって、排気吸引設備による吸引流量が低下した場合には、処理チャンバ内の雰囲気を陰圧に維持するため、処理ユニットに設けられたファンフィルタユニットの動作を制御し、ダウンフロー流量をその吸引流量に応じて低下させる必要がある。
【００２０】
しかしながら、この場合、処理チャンバ内のダウンフロー流量が、最低限必要とされる流量よりも小さくなる場合がある。このように、十分なダウンフロー流量が得られない場合、処理チャンバ内でパーティクルが飛散し、基板の処理不良が発生するおそれがある。
【００２１】
本発明の目的は、内部雰囲気の外部への漏洩を十分に防止するとともに、基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
（１）  本発明に係る基板処理装置は、隔壁により取り囲まれた処理部において基板に処理を行う基板処理装置であって、隔壁の少なくとも一部に設けられ、第１の開口部が形成された内壁と、内壁の外側に設けられ、第１の開口部の外側に第２の開口部が形成された外壁と、第１の開口部および第２の開口部の少なくとも一方を閉塞および開放可能な開閉部材と、内壁と外壁との間に形成された遮断空間の圧力を、隔壁および内壁により取り囲まれて形成された処理空間の圧力ならびに外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整する圧力調整手段とを備えるものである。
【００２３】
この発明に係る基板処理装置においては、処理部が隔壁により取り囲まれており、隔壁の少なくとも一部に第１の開口部が形成された内壁が設けられている。また、内壁の外側には第１の開口部の外側に第２の開口部が形成された外壁が設けられている。開閉部材は、第１の開口部および第２の開口部のうち少なくとも一方を閉塞および開放可能である。
【００２４】
第１および第２の開口部のうち開閉部材が閉塞および開放可能な少なくとも一方を開放することにより、作業者は外壁の外側から第１および第２の開口部を通して、例えば処理部内のメンテナンスを行うことができる。
【００２５】
圧力調整手段によって、内壁と外壁との間に形成された遮断空間の圧力は隔壁および内壁により取り囲まれて形成された処理空間の圧力および外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整される。処理空間内では、基板に処理が行われる。
【００２６】
これにより、処理空間の雰囲気および外壁の外側の空間の雰囲気が遮断空間に流入しない。それにより、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間により遮断される。
【００２７】
したがって、処理空間の雰囲気が外壁の外側の空間に漏れ出ることが十分に防止される。その結果、処理空間の雰囲気が、基板処理装置の周辺で作業する作業者の人体に悪影響を与えることが防止される。
【００２８】
また、外壁の外側に設けられる基板処理装置の周辺機器が、処理空間の雰囲気により腐食されることが防止される。さらに、処理空間の雰囲気が、外壁の外側で搬送される基板に接触して、その基板に悪影響を与えることが防止される。
【００２９】
上記に加えて、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間により遮断されるので、外壁の外側の雰囲気が処理空間に流入することが防止される。それにより、外壁の外側の雰囲気に含まれる塵埃等のパーティクルが処理空間内に侵入することが防止される。その結果、基板の処理不良が十分に防止される。
【００３０】
（２）  圧力調整手段は、開閉部材が閉塞および開放可能な第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を閉塞する状態で、遮断空間の圧力を処理空間の圧力および外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整してもよい。
【００３１】
第１および第２の開口部のうち閉塞および開放可能な少なくとも一方が開閉部材により閉塞される状態で、基板に処理が行われる。このとき、処理空間の雰囲気が人体および外壁の外側に設けられた基板処理装置の周辺機器に対して非常に有害となる場合がある。
【００３２】
これに対して、上記のように、第１および第２の開口部のうち閉塞および開放可能な少なくとも一方が開閉部材により閉塞される状態で、遮断空間の圧力が処理空間の圧力および外壁の外側の空間の圧力よりも高くなるように調整されることにより、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間により遮断される。したがって、処理空間の雰囲気が処理室の外部の空間に漏れ出ることが十分に防止される。
【００３３】
（３）  圧力調整手段は、開閉部材が閉塞および開放可能な第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を閉塞する状態で、処理空間の圧力を外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整してもよい。
【００３４】
この場合、外壁の外側の雰囲気が処理空間に流入することが確実に防止される。それにより、処理室の外部の雰囲気に含まれるパーティクルが処理空間内に侵入することが防止される。その結果、基板の処理不良が十分に防止される。
【００３５】
上記に加えて、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間によって遮断されることにより、処理空間の雰囲気が外壁の外側の空間に漏れ出ることが防止される。つまり、従来のように、処理空間内を外部の空間に対して陰圧にする必要がなくなる。
【００３６】
したがって、工場内の排気吸引設備の吸引流量に関わらず、処理チャンバ内に十分なダウンフロー流量を送り込むことができる。したがって、処理チャンバ内でパーティクルが飛散し、基板の処理不良が発生することを防止することができる。
【００３７】
（４）  圧力調整手段は、開閉部材が閉塞および開放可能な第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を開放する状態で、処理空間の圧力を外壁の外側の空間の圧力よりも低く調整してもよい。
【００３８】
第１および第２の開口部のうち閉塞および開放可能な少なくとも一方が開閉部材により
開放されることにより、作業者は外壁の外側から例えば処理部内のメンテナンスを行うことができる。
【００３９】
また、開口部が開放されるときには、処理空間と外壁の外側の空間とが連通する。ここで、処理空間の圧力が、外壁の外側の空間の圧力よりも低く調整されることにより、外壁の外側の空間の雰囲気が処理空間に流入し、処理空間の雰囲気が外壁の外側の空間に漏れ出ることが確実に防止される。
【００４０】
（５）  圧力調整手段は、遮断空間および処理空間に下降流を発生させることにより、遮断空間および処理空間の圧力を上昇させる気流発生手段を含んでもよい。この場合、気流発生手段により遮断空間および処理空間に下降流が発生される。これにより、遮断空間および処理空間の圧力を容易に上昇させることができる。
【００４１】
また、このような下降流が発生されることにより、遮断空間および処理空間で飛散するパーティクルが下方に流れる。それにより、遮断空間および処理空間の清浄度を高く維持することができる。
【００４２】
（６）  圧力調整手段は、遮断空間の雰囲気を吸引することにより、遮断空間の圧力を下降させる第１の吸引手段を含んでもよい。この場合、遮断空間の雰囲気が第１の吸引手段により吸引される。それにより、遮断空間の圧力を容易に下降させることができる。
【００４３】
（７）  圧力調整手段は、処理空間の雰囲気を吸引することにより、処理空間の圧力を下降させる第２の吸引手段を含んでもよい。この場合、処理空間の雰囲気が第２の吸引手段により吸引される。それにより、処理空間の圧力を容易に下降させることができる。
【００４４】
（８）  基板処理装置は、開閉部材が閉塞および開放可能な第１および第２の開口部のうち少なくとも一方の開放を検出する開放検出手段と、開閉部材が閉塞および開放可能な第１および第２の開口部のうち少なくとも一方を開放する状態において、第２の吸引手段を動作させるとともに、開放検出手段による少なくとも一方の開放の検出に基づいて気流発生手段を停止させる制御手段とをさらに備えてもよい。
【００４５】
この場合、制御手段は、開閉部材が閉塞および開放可能な第１および第２の開口部のうち少なくとも一方が開放された状態において、第２の吸引手段を動作させるとともに、第１および第２の開口部の少なくとも一方の開放が検出されると、気流発生手段を停止させる。
【００４６】
これにより、第１および第２の開口部の少なくとも一方の開放時に、処理空間の圧力が外壁の外側の空間の圧力よりも低くなる。その結果、処理空間の雰囲気が外壁の外側の空間に漏れ出ることが確実に防止される。
【００４７】
（９）  基板処理装置は、遮断空間の圧力を検出する第１の圧力検出手段と、処理空間の圧力を検出する第２の圧力検出手段と、外壁の外側の空間の圧力を検出する第３の圧力検出手段とをさらに備え、圧力調整手段は、第１、第２および第３の圧力検出手段により検出される圧力に基づいて遮断空間の圧力および処理空間の圧力を調整してもよい。
【００４８】
この場合、第１の圧力検出手段により遮断空間の圧力が検出され、第２の圧力検出手段により処理空間の圧力が検出され、第３の圧力検出手段により外壁の外側の空間の圧力が検出される。
【００４９】
第１、第２および第３の圧力検出手段により検出される圧力に基づいて、遮断空間の圧力および処理空間の圧力が圧力調整手段により調整される。これにより、遮断空間の圧力および処理空間の圧力の調整が、容易かつ確実に行われる。
【００５０】
（１０）  外壁は、隔壁と一体的に構成されてもよい。この場合、基板処理装置を簡単な構成とすることができる。
【００５１】
（１１）  内壁は、隔壁と一体的に構成されてもよい。この場合、基板処理装置を簡単な構成とすることができる。
【００５２】
（１２）  開閉部材は、第１の開口部および第２の開口部のいずれも閉塞および開放可能であってもよい。この場合、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間により確実に遮断されるので、外壁の外側の雰囲気が処理空間に流入することが確実に防止される。それにより、外壁の外側の雰囲気に含まれる粉塵等のパーティクルが処理空間内に侵入することが確実に防止される。その結果、基板の処理不良がより十分に防止される。
【００５３】
（１３）  開閉部材は、第１の開口部を閉塞および開放可能とする第１の蓋部材と、第２の開口部を閉塞および開放可能とする第２の蓋部材とを有し、第１の蓋部材は第２の開口部を通過可能な形状で構成されてもよい。この場合、作業者は、第１の開口部を閉塞および開放可能とする第１の蓋部材を外壁の外部の空間から容易に外壁の外側の空間に取り出すことができる。
【発明の効果】
【００５４】
本発明によれば、遮断空間の圧力は、圧力調整手段により処理空間の圧力および外壁の外側の空間の圧力よりも高く調整される。これにより、処理空間の雰囲気および外壁の外側の空間の雰囲気が遮断空間に流入しない。それにより、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間により遮断される。
【００５５】
したがって、処理空間の雰囲気が外壁の外側の空間に漏れ出ることが十分に防止される。その結果、処理空間の雰囲気が、基板処理装置の周辺で作業する作業者の人体に悪影響を与えることが防止される。
【００５６】
また、処理室の外部に設けられる基板処理装置の周辺機器が、処理空間の雰囲気により腐食されることが防止される。さらに、処理空間の雰囲気が、処理室の外部で搬送される基板に接触して、その基板に悪影響を与えることが防止される。
【００５７】
上記に加えて、処理空間の雰囲気と外壁の外側の空間の雰囲気とが遮断空間により遮断されるので、外壁の外側の雰囲気が処理空間に流入することが防止される。それにより、外壁の外側の雰囲気に含まれる塵埃等のパーティクルが処理空間内に侵入することが防止される。その結果、基板の処理不良が十分に防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。
【００５９】
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００６０】
また、薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。
【００６１】
リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【００６２】
（１）  基板処理装置の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、クリーンルームＣＬ内に設けられる。基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００６３】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。洗浄処理部５ａ，５ｂの各々は、複数の外壁（図１の太線部）を備える処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂにより形成される。チャンバＣＨａ，ＣＨｂの各々の内部空間は、外壁により外部（例えばクリーンルームＣＬおよび搬送領域Ｃ等）から遮断される。
【００６４】
処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂにおいて、搬送領域Ｃに面する外壁には図示しない開口部ＣＯ（図４参照）およびその開口部ＣＯを開閉可能な搬入搬出用シャッタＣＤが設けられている。
【００６５】
また、処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂにおいて、クリーンルームＣＬ内の空間に面する外壁には図示しない開口部ＭＯ（図４参照）およびその開口部ＭＯを開閉可能なメンテナンス用カバーＭＤが設けられている。
【００６６】
さらに、処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂにおいて、クリーンルームＣＬ内の空間に面する外壁の内側には、内壁ＩＷが設けられている。この内壁ＩＷには図示しない開口部ＩＯ（図４参照）およびその開口部ＩＯを開閉可能な内壁用カバーＩＩＤが設けられている。
【００６７】
これらの処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂに設けられる、搬入搬出用シャッタＣＤ、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤの構成および動作の詳細は後述する。
【００６８】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃液および排気等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク、吸引装置等の流体関連機器を収納する。
【００６９】
洗浄処理部５ａ，５ｂでは、薬液による基板Ｗの洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）およびリンス液による基板Ｗの洗浄処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。本実施の形態において、例えば洗浄処理部５ａ，５ｂで用いられる薬液はフッ化アンモニウムとフッ化水素との混合溶液であるＢＨＦであり、リンス液は純水である。
【００７０】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００７１】
以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００７２】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００７３】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００７４】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００７５】
本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００７６】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００内の各構成部の動作等を制御する。例えば、制御部４は処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。制御部４により制御される具体的な構成の詳細は後述する。
【００７７】
本実施の形態において、図１の構成を有する基板処理装置１００の上には、基板処理装置１００内にダウンフロー（下降流）を形成するためのファンフィルタユニットが設けられている。ファンフィルタユニットは、ファンおよびフィルタからなる。
【００７８】
図２は、図１の基板処理装置１００の組み立て状況を示す外観斜視図である。図２に示すように、図１の基板処理装置１００は、金属フレーム等により予め組み立てられた外枠Ｆ（図２太線部）内に複数の処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｃ，ＣＨｄを嵌め込むことにより作製される。図２では、外枠Ｆ内に処理チャンバＣＨｃを嵌め込む様子が示されている。
【００７９】
なお、図２の処理チャンバＣＨｃには、搬送領域Ｃに面する外壁に開口部ＣＯおよび搬入搬出用シャッタＣＤが示されている。図２では図示しないが、他の処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｄも同じ構造を有する。
【００８０】
ここで、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの上部は開口している。組み立て時においては、この開口部ＣＵＯにファンフィルタユニットＦＦＵが取り付けられる。また、基板処理装置１００におけるインデクサＩＤ（図１）および搬送領域Ｃ（図１）の上部にもファンフィルタユニットＦＦＵが取り付けられる。
【００８１】
（２）  洗浄処理部の構成
図３は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置１００の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。
【００８２】
図３の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、薬液処理により基板Ｗの表面に付着した有機物等の不純物を除去した後、リンス処理を行う。
【００８３】
図３に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。
【００８４】
基板Ｗは、薬液処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転される。なお、図３に示すように、本実施の形態では、吸着式のスピンチャック２１を用いているが、基板Ｗの周縁部を把持するスピンチャックを用いてもよい。
【００８５】
スピンチャック２１の外方に、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に薬液処理用ノズル５０が設けられている。
【００８６】
モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、薬液処理用ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００８７】
モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように薬液処理用供給管６３が設けられている。薬液処理用供給管６３は流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００８８】
洗浄処理部５ａ〜５ｄの薬液処理用ノズル５０には、薬液処理用供給管６３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄから薬液（ＢＨＦ）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を供給することができる。
【００８９】
基板Ｗの表面へ薬液を供給するときには、薬液処理用ノズル５０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へ薬液を供給しないときには、薬液処理用ノズル５０は所定の位置に退避される。
【００９０】
また、スピンチャック２１の外方には、モータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続されている。また、回動軸７２には、アーム７３が水平方向に延びるように連結され、アーム７３の先端にリンス処理用ノズル７０が設けられている。
【００９１】
モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、リンス処理用ノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【００９２】
モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス処理用供給管７４が設けられている。リンス処理用供給管７４は流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。
【００９３】
洗浄処理部５ａ〜５ｄのリンス処理用ノズル７０には、リンス処理用供給管７４を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄからリンス液（純水）が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を供給することができる。
【００９４】
基板Ｗの表面へリンス液を供給するときには、リンス処理用ノズル７０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へリンス液を供給しないときには、リンス処理用ノズル７０は所定の位置に退避される。
【００９５】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、スピンチャック２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００９６】
さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの薬液処理に用いられた薬液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。
【００９７】
廃棄空間３１には、図示しない廃棄設備に接続された廃棄系配管へリンス液を導くための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、図示しない循環装置に接続された循環系配管へ薬液を導くための回収管３５が接続されている。
【００９８】
なお、これらの廃棄系配管、循環装置および循環系配管は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに設けられている。
【００９９】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの薬液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。
【０１００】
また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【０１０１】
スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構３７により支持されている。ガード昇降駆動機構３７は、スプラッシュガード２４を、その上端部がスピンチャック２１の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック２１の上端部よりも低い搬入搬出位置Ｐ１と、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置Ｐ２と、廃棄案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置Ｐ３との間で上下動させる。
【０１０２】
スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入される際、およびスピンチャック２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置Ｐ１に下降する。
【０１０３】
スプラッシュガード２４が循環位置Ｐ２にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した薬液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５を通して循環系配管に送られる。
【０１０４】
一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置Ｐ３にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれ、廃棄管３４を通して廃棄される。
【０１０５】
上記のように、洗浄処理部５ａ〜５ｄ内では、薬液処理時に基板Ｗ上に薬液が供給される。それにより、薬液処理時には、背景技術において説明したように、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄ内で薬液が飛散して、薬液のミストが発生する。このような薬液を含む雰囲気を薬液雰囲気と呼ぶ。
【０１０６】
本実施の形態に係る基板処理装置１００によれば、薬液処理時に処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄから外部（図１のクリーンルームＣＬの内部空間）への薬液雰囲気の漏洩が防止される。また、図１のクリーンルームＣＬの内部空間から処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの内部空間への雰囲気の流入が防止される。
【０１０７】
なお、搬送領域Ｃの圧力は、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄ内の圧力よりも高く調整されており、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄ内の薬液雰囲気が搬送領域Ｃへ漏洩することが防止されている。
【０１０８】
このような、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄと図１のクリーンルームＣＬの内部空間との間の雰囲気の遮断は、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄ内の雰囲気の圧力を調整することにより行われる。以下、この圧力調整について説明する。
【０１０９】
（３）処理チャンバ内の雰囲気の圧力調整
（３−ａ）処理チャンバの構成
図４は図１の基板処理装置１００における洗浄処理部５ｃのＳ−Ｓ線断面図である。なお、図４では、洗浄処理部５ｃに接続される流体ボックス部２ｃの内部構成の一部が示されている。
【０１１０】
図４に示すように、図１のＳ−Ｓ線断面において、処理チャンバＣＨｃの上部には、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。ファンフィルタユニットＦＦＵが動作することにより、処理チャンバＣＨｃ内で一定流量のダウンフローが形成される。
【０１１１】
以下の説明では、図１の基板処理装置１００を取り巻くクリーンルームＣＬの内部空間をチャンバ外部空間と呼ぶ。図４では、チャンバ外部空間が符号ＣＬＳにより示されている。
【０１１２】
また、以下の説明においては、処理チャンバＣＨｃのチャンバ外部空間ＣＬＳに面する外壁を第１の外壁ＯＷ１と呼び、搬送領域Ｃに面する外壁を第２の外壁ＯＷ２と呼び、処理チャンバＣＨｃの底面を形成する外壁を第３の外壁ＯＷ３と呼ぶ。
【０１１３】
図４に示すように、チャンバ外部空間ＣＬＳに面する第１の外壁ＯＷ１の略中央部には、開口部ＭＯが形成されている。第１の外壁ＯＷ１において、その開口部ＭＯの周辺を取り囲むように、メンテナンス用カバーＭＤが取り付けられている。
【０１１４】
第１の外壁ＯＷ１の内側に設けられた内壁ＩＷの略中央部には、開口部ＩＯが形成されている。内壁ＩＷにおいて、その開口部ＩＯの周辺を取り囲むように、内壁用カバーＩＩＤが取り付けられている。
【０１１５】
これらのメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤは、それぞれ第１の外壁ＯＷ１および内壁ＩＷに対して取り外しが可能である。
【０１１６】
したがって、作業者は、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤを取り外すことにより開口部ＭＯ，ＩＯを開くことができる。
【０１１７】
なお、開口部ＩＯは開口部ＭＯよりも小さく構成されており、内壁用カバーＩＩＤは開口部ＭＯを通過可能な大きさとなっている。これにより、作業者は、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤのいずれもチャンバ外部空間ＣＬＳから容易に取り付け、取り外しができる。
【０１１８】
これにより、作業者は、チャンバ外部空間ＣＬＳから処理チャンバＣＨｃ内の構成（図３のスピンチャック２１、チャック回転駆動機構３６およびガード昇降駆動機構３７等）のメンテナンスを行うことができる。
【０１１９】
上記のメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤの近傍には、それぞれに対応する開口部ＭＯ，ＩＯの開閉状態を検出する開閉センサｄｓ１，ｄｓ２が設けられている。開閉センサｄｓ１，ｄｓ２は、接触式のセンサであってもよいし、レーザ光または赤外線等を利用した非接触式のセンサであってもよい。
【０１２０】
搬送領域Ｃに面する第２の外壁ＯＷ２の略中央部には、開口部ＣＯが形成されている。第２の外壁ＯＷ２において、その開口部ＣＯの近傍には、搬入搬出用シャッタＣＤおよびシャッタ駆動部ＳＤ３が取り付けられている。シャッタ駆動部ＳＤ３は、搬入搬出用シャッタＣＤを駆動することにより開口部ＣＯの開閉を行う。
【０１２１】
図４の処理チャンバＣＨｃにおいて、開口部ＣＯが開かれることにより、搬送領域Ｃから処理チャンバＣＨｃ内に基板Ｗが搬入され、または処理チャンバＣＨｃ内から搬送領域Ｃに基板Ｗが搬出される。
【０１２２】
上記のように、処理チャンバＣＨｃの内部では、内壁ＩＷにより２つの空間が形成されている。以下の説明では、処理チャンバＣＨｃ内における第１の外壁ＯＷ１と内壁ＩＷとの間の空間を遮断空間ＡＴ１と呼び、内壁ＩＷと第２の外壁ＯＷ２との間の空間を処理空間ＡＴ２と呼ぶ。
【０１２３】
処理チャンバＣＨｃの底面を形成する第３の外壁ＯＷ３には、遮断空間ＡＴ１と接続されるように第１の吸引用配管２１０が取り付けられている。また、処理空間ＡＴ２と接続されるように第２の吸引用配管２３０が取り付けられている。
【０１２４】
遮断空間ＡＴ１と接続される第１の吸引用配管２１０は、流体ボックス部２ｃに延びている。流体ボックス部２ｃにおいて、第１の吸引用配管２１０は第１の吸引装置２２０に接続されている。第１の吸引装置２２０は、例えばポンプ等を備え、遮断空間ＡＴ１の雰囲気を吸引し、クリーンルームＣＬの外部へ排出する。
【０１２５】
なお、第１の吸引装置２２０は、図示しない工場内の排気吸引設備（用力設備）および第１の吸引用配管２１０の吸引流量を調整する流量調整弁により構成されてもよい。この場合、第１の吸引用配管２１０を工場内の排気吸引設備に接続するとともに、第１の吸引用配管２１０に流量調整弁を介挿する。
【０１２６】
処理空間ＡＴ２と接続される第２の吸引用配管２３０は、処理空間ＡＴ２の下方に配置された気液分離装置２４０に接続されている。この気液分離装置２４０には、気体排出用配管２５０および液体排出用配管２４１が接続されており、気体排出用配管２５０および液体排出用配管２４１は流体ボックス部２ｃに延びている。
【０１２７】
気体排出用配管２５０は、第２の吸引装置２６０に接続されている。第２の吸引装置２６０は、例えばポンプ等を備え、第２の吸引用配管２３０および気液分離装置２４０を介して処理空間ＡＴ２の雰囲気を吸引し、クリーンルームＣＬの外部へ排出する。
【０１２８】
気液分離装置２４０は、第２の吸引装置２６０により吸引される処理空間ＡＴ２の雰囲気に含まれる気体と液体とを分離する。
【０１２９】
気液分離装置２４０により分離される気体は、上記のように、気体排出用配管２５０を通じてクリーンルームＣＬの外部に排出される。
【０１３０】
一方、気液分離装置２４０により分離される液体は、液体排出用配管２４１を通じてクリーンルームＣＬの外部に排出される。
【０１３１】
第２の吸引装置２６０も第１の吸引装置２２０と同様に、図示しない工場内の排気吸引設備および気体排出用配管２５０の吸引流量を調整する流量調整弁により構成されてもよい。この場合、気体排出用配管２５０を工場内の排気吸引設備に接続するとともに、気体排出用配管２５０に流量調整弁を介挿する。
【０１３２】
上記の構成において、ファンフィルタユニットＦＦＵが動作することにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２にダウンフローが形成される。それにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を上昇させることができる。
【０１３３】
一方、第１の吸引装置２２０が動作することにより、遮断空間ＡＴ１の圧力を下降させることができる。また、第２の吸引装置２６０が動作することにより、処理空間ＡＴ２の圧力を下降させることができる。
【０１３４】
図４に示すように、遮断空間ＡＴ１、処理空間ＡＴ２およびチャンバ外部空間ＣＬＳには、それぞれの空間の圧力を検出する圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３が配置されている。
【０１３５】
図４の処理チャンバＣＨｃ内の圧力は、開閉センサｄｓ１，ｄｓ２により検出されるメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤによる開口部ＭＯ，ＩＯの開閉状態、ならびに圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により検出される遮断空間ＡＴ１、処理空間ＡＴ２およびチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力に基づいて調整される。
【０１３６】
処理チャンバＣＨｃ内の圧力調整の詳細およびその効果を図５に基づき説明する。図５は、図４の処理チャンバＣＨｃ内の圧力調整の詳細およびその効果を説明するための図である。以下の説明において、開口部ＣＯは搬入搬出用シャッタＣＤにより常に閉じられているものとする。したがって、図５では、開口部ＣＯおよび搬入搬出用シャッタＣＤを図示しない。
【０１３７】
（３−ｂ）全てのカバーにより開口部が閉じられているときの圧力調整
図５（ａ）にメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤにより開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられているときの処理チャンバＣＨｃが示されている。図５（ａ）に示すように、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤにより開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられることにより、チャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２がそれぞれ分離される。
【０１３８】
全てのカバー（メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤ）により開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられているときに、ファンフィルタユニットＦＦＵが動作する。それにより、矢印ｄｆで示すように遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２内に一定流量のダウンフローが形成される。
【０１３９】
また、第１の吸引用配管２１０に接続される図４の第１の吸引装置２２０、および第２の吸引用配管２３０に接続される図４の第２の吸引装置２６０も動作する。それにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の雰囲気が吸引される。
【０１４０】
ここで、本実施の形態において、第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０は、それぞれ遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の雰囲気を吸引するが、その吸引流量が調整可能である。
【０１４１】
これにより、全ての開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられているときには、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により検出される圧力に基づいて、第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０による遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の雰囲気の吸引流量が調整される。例えば、ファンフィルタユニットＦＦＵから遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２内に同じ流量が送風された場合、第１の吸引装置２２０による遮断空間ＡＴ１の雰囲気の吸引流量が、第２の吸引装置２６０による処理空間ＡＴ２の雰囲気の吸引流量よりも小さくなるように調整される。
【０１４２】
それにより、遮断空間ＡＴ１の圧力が処理空間ＡＴ２の圧力よりも高く設定される。なお、遮断空間ＡＴ１の圧力をチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高くする場合には、図４の第１の吸引装置２２０の吸引流量をファンフィルタユニットＦＦＵからのダウンフロー流量に比べて小さくなるように制御する。これにより、遮断空間ＡＴ１の圧力がチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高くなる。
【０１４３】
ところで、発明が解決しようとする課題において説明したように、処理チャンバの開口部とカバーは熱による変形や経時変化などにより、処理チャンバの連通部に隙間が発生する場合がある。
【０１４４】
例えば、図５（ａ）の点線で示すように第１の外壁ＯＷ１とメンテナンス用カバーＭＤとの間および内壁ＩＷと内壁用カバーＩＩＤとの間に隙間ｇが生じる場合がある。
【０１４５】
この場合、上記のように、遮断空間ＡＴ１の圧力をチャンバ外部空間ＣＬＳおよび処理空間ＡＴ２の圧力よりも高くすることで、遮断空間ＡＴ１の雰囲気が太い矢印で示すように隙間ｇを通じてチャンバ外部空間ＣＬＳおよび処理空間ＡＴ２に流出する。そして、チャンバ外部空間ＣＬＳと処理空間ＡＴ２とが、遮断空間ＡＴ１により完全に遮断される。
【０１４６】
これにより、処理空間ＡＴ２で薬液処理が行われ、有害な薬液の成分がその雰囲気中に拡散する場合でも、その雰囲気、すなわち薬液雰囲気がチャンバ外部空間ＣＬＳへと漏れ出すことが確実に防止される。
【０１４７】
それにより、薬液雰囲気が、基板処理装置１００の周辺で作業する作業者の人体に悪影響を与えることが防止される。
【０１４８】
また、処理チャンバの外部に設けられる周辺機器が、薬液雰囲気により腐食されることが防止される。さらに、チャンバ外部空間ＣＬＳに面する第１の外壁ＯＷ１は薬液雰囲気に接するおそれがないので、第１の外壁ＯＷ１は耐薬品性に優れた材料とする必要がなくなる。
【０１４９】
さらに、薬液雰囲気が、チャンバ外部空間ＣＬＳで搬送される基板に接触して、その基板に悪影響を与えることが防止される。
【０１５０】
その上、チャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気に塵埃等のパーティクルが存在する場合でも、その雰囲気が、チャンバ外部空間ＣＬＳから処理空間ＡＴ２内に流入することが防止される。その結果、基板Ｗの処理不良が防止される。
【０１５１】
なお、遮断空間ＡＴ１の雰囲気は、ファンフィルタユニットＦＦＵにより清浄に維持されている。したがって、遮断空間ＡＴ１の雰囲気が処理空間ＡＴ２に流出しても処理空間ＡＴ２の雰囲気は清浄に維持される。
【０１５２】
さらに、本実施の形態においては、全ての開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられている際に、処理空間ＡＴ２の圧力が、チャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高く設定されることが好ましい。この理由について説明する。
【０１５３】
上述のように、処理空間ＡＴ２の圧力調整は、ファンフィルタユニットＦＦＵにより形成されるダウンフロー流量に対して、第２の吸引装置２６０による雰囲気の吸引流量を調整することにより行う。
【０１５４】
ここで、逆に、処理空間ＡＴ２の圧力をチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも低くなるように設定する際には、第２の吸引装置２６０による雰囲気の吸引流量をダウンフロー流量に比べて大きくする必要がある。
【０１５５】
そのためには、処理空間ＡＴ２の雰囲気が吸引される第２の吸引用配管２３０および気体排出用配管２５０の抵抗を少なくするために、それらの管径を大きくする必要がある。
【０１５６】
したがって、処理空間ＡＴ２の圧力がチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも低くなるように設定するためには、第２の吸引用配管２３０、気体排出用配管２５０および第２の吸引装置２６０の構成が大型化する。それにより、基板処理装置１００も大型化してしまう。
【０１５７】
これに対して、処理空間ＡＴ２の圧力をチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高く設定する際には、第２の吸引装置２６０による雰囲気の吸引流量をダウンフロー流量に比べて小さくする。
【０１５８】
この場合、第２の吸引装置２６０は大きい吸引流量は要求されない。したがって、第２の吸引用配管２３０および気体排出用配管２５０の管径も大きくする必要がない。その結果、第２の吸引用配管２３０、気体排出用配管２５０および第２の吸引装置２６０の構成を小型化することができ、基板処理装置１００の小型化も実現する。
【０１５９】
本実施の形態では、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２は共通のファンフィルタユニットＦＦＵを使用することにより、形成されるダウンフロー流量が一定であるとしているが、遮断空間ＡＴ１と処理空間ＡＴ２に対して別々のファンフィルタユニットＦＦＵを設置し、第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０による雰囲気の吸引流量を一定として、それぞれのファンフィルタユニットＦＦＵのダウンフロー流量を調整することにより、各雰囲気の圧力を調整してもよい。また、遮断空間ＡＴ１の圧力は処理空間ＡＴ２およびチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高ければよいので、第１の吸引装置２２０は省略されてもよいが、遮断空間ＡＴ１内の雰囲気が清浄に維持されるためには、第１の吸引装置２２０が設置されることが好ましい。
【０１６０】
このように、ダウンフロー流量を調整する場合に、上記のように処理空間ＡＴ２の圧力をチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高く設定する際には、吸引流量に比べてダウンフロー流量を大きくする。つまり、処理空間ＡＴ２の圧力をチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも低く設定する場合に比べて、第２の吸引装置２６０の吸引流量は少なく設定できる。したがって、処理チャンバＣＨｃ内で十分なダウンフロー流量を得ることができ、処理空間ＡＴ２の清浄度を十分に高く保つことができる。
【０１６１】
特に、第２の吸引装置２６０を工場内の排気吸引設備および気体排出用配管２５０内の吸引流量を調整する流量調整弁により構成するときには、工場全体の稼動状況等に応じて十分な吸引流量を得ることができない場合がある。
【０１６２】
このような場合であっても、処理空間ＡＴ２の圧力はチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高く設定されるので、常に十分なダウンフロー流量を得ることができる。
【０１６３】
なお、全ての開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられている際に、処理空間ＡＴ２の圧力がチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも低くなるように設定する場合には、処理空間ＡＴ２の雰囲気が遮断空間ＡＴ１を通じてチャンバ外部空間ＣＬＳに漏れ出すことが確実に防止できる。
【０１６４】
（３−ｃ）全てのカバーにより開口部が開かれているときの圧力調整
図５（ｂ）にメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤにより開口部ＭＯ，ＩＯが開かれているときの処理チャンバＣＨｃが示されている。図５（ｂ）に示すように、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤにより開口部ＭＯ，ＩＯが開かれることにより、チャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２が、開口部ＭＯ，ＩＯを通じて連通される。
【０１６５】
全てのカバー（メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤ）により開口部ＭＯ，ＩＯが開かれているときに、ファンフィルタユニットＦＦＵが停止する。それにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２内にはダウンフローが形成されない。
【０１６６】
一方、第１の吸引用配管２１０に接続される図４の第１の吸引装置２２０、および第２の吸引用配管２３０に接続される図４の第２の吸引装置２６０は動作する。それにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の雰囲気が吸引される。
【０１６７】
この場合、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力が、チャンバ外部空間ＣＬＳの圧力に対して低くなる。そして、図５（ｂ）の太い矢印で示すように、チャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気が、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２内に流入し、第１の吸引用配管２１０および第２の吸引用配管２３０へ吸引される。
【０１６８】
それにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２内の雰囲気が、チャンバ外部空間ＣＬＳに対して陰圧となり、チャンバ外部空間ＣＬＳに漏れ出すことが確実に防止される。
【０１６９】
上記では、処理チャンバＣＨｃ内の雰囲気の圧力調整について説明したが、処理チャンバＣＨａ，ＣＨｂ，ＣＨｄについても同様に、内部雰囲気の圧力調整が行われる。
【０１７０】
（４）基板処理装置の制御系
基板処理装置１００の制御系について説明する。図６は、図１の基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。
【０１７１】
制御部４は、図１のインデクサロボットＩＲ、基板搬送ロボットＣＲおよびファンフィルタユニットＦＦＵの動作を制御するとともに、洗浄処理部５ａ〜５ｄおよび流体ボックス部２ａ〜２ｄの各構成部を制御する。
【０１７２】
特に、制御部４は、洗浄処理部５ａ〜５ｄの回転駆動機構３６、モータ６０，７１、ガード昇降駆動機構３７およびシャッタ駆動部ＳＤ３の動作を制御する。
【０１７３】
また、制御部４は、開閉センサｄｓ１，ｓｄ２により検出される図４のメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤによる開口部ＭＯ，ＩＯの開閉状態、ならびに圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により検出される図４のチャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力に基づいて、流体ボックス部２ａ〜２ｄの第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０の動作を制御する。
【０１７４】
例えば、制御部４は、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤが第１の外壁ＯＷ１および内壁ＩＷに取り付けられているときに、開閉センサｄｓ１，ｄｓ２によりメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤにより開口部ＭＯ，ＩＯが閉じられている旨の信号を受ける。
【０１７５】
これにより、制御部４は、ファンフィルタユニットＦＦＵを動作させる。また、制御部４は、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により得られるチャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を比較して、遮断空間ＡＴ１の圧力が最も高くなるように、流体ボックス部２ａ〜２ｄの第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０の動作を制御する。
【０１７６】
さらに、制御部４は、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により得られるチャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を比較して、処理空間ＡＴ２の圧力がチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高くなるように、流体ボックス部２ａ〜２ｄの第２の吸引装置２６０の動作を制御する。
【０１７７】
また、例えば、制御部４は、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤが第１の外壁ＯＷ１および内壁ＩＷから取り外されているときに、開閉センサｄｓ１，ｄｓ２によりメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤにより開口部ＭＯ，ＩＯが開かれている旨の信号を受ける。
【０１７８】
これにより、制御部４は、ファンフィルタユニットＦＦＵの動作を停止させる。また、制御部４は、流体ボックス部２ａ〜２ｄの第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０を動作させる。
【０１７９】
（５）他の構成例
本実施の形態では、図４に示すように処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの上部に１つのファンフィルタユニットＦＦＵが設けられる。このファンフィルタユニットＦＦＵにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２に共通のダウンフローが形成される。
【０１８０】
これに対して、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の各々に対応する複数のファンフィルタユニットＦＦＵまたは他のダウンフロー形成手段を基板処理装置１００に設けてもよい。
【０１８１】
この場合、複数のファンフィルタユニットＦＦＵまたは他のダウンフロー形成手段を個別に制御することにより、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２ごとにダウンフローを形成することができる。
【０１８２】
また、これらのファンフィルタユニットＦＦＵまたは他のダウンフロー形成手段によりダウンフロー流量が調整できる場合、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２ごとにダウンフロー流量を調整し、各空間の圧力を調整することができる。
【０１８３】
なお、他のダウンフロー形成手段としては、例えばファンフィルタユニットＦＦＵと、所定形状を有するダクトとを含む構成が考えられる。
【０１８４】
図４に示すように、チャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２には、それぞれ圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３が設けられているが、これに代えて、各空間の圧力の差分を検出する差圧センサを設けてもよい。
【０１８５】
この場合、制御部４は、差圧センサにより検出される各空間の差圧に基づいて流体ボックス部２ａ〜２ｄの第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０を制御する。
【０１８６】
また、チャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を検出するセンサは必ずしも設置する必要はない。遮断空間ＡＴ１の圧力が最も高くなるように、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２に供給するダウンフローの流量や、第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０による吸引流量が予め調整されておいてもよい。
【０１８７】
本実施の形態において、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄは、複数の外壁（第１の外壁ＯＷ１、第２の外壁ＯＷ２および第３の外壁ＯＷ３）を備えるが、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの構成はこれに限定されない。例えば、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄは、円筒形状または球形状の外壁により一体的に形成されてもよい。
【０１８８】
また、本実施の形態において、内壁ＩＷは、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄの開口部ＭＯを取り囲むように設けられてもよい。
【０１８９】
図７は、図４の内壁ＩＷの他の構成例を示す図である。図７に示すように、内壁ＩＷは第１の外壁ＯＷ１の開口部ＭＯの周辺を取り囲むように設けられてもよい。
【０１９０】
なお、この場合、遮断空間ＡＴ１内にダウンフローを形成するために、新たにダクト等のダウンフロー形成手段を設ける必要がある。図７では、点線によりダクトＤＵが示されている。
【０１９１】
さらに、本実施の形態において、チャンバ外部空間ＣＬＳと、処理空間ＡＴ２との間に位置する遮断空間ＡＴ１は、第１の外壁ＯＷ１と、その内側に設けられる内壁ＩＷにより形成されているが、第１の外壁ＯＷ１の外側に新たな壁を設けることにより、遮断空間ＡＴ１を第１の外壁ＯＷ１および新たな壁により形成してもよい。
【０１９２】
この場合においても、遮断空間ＡＴ１内にダウンフローを形成するために、新たにダクト等のダウンフロー形成手段を設ける必要がある。また、遮断空間ＡＴ１内の雰囲気を吸引するための配管を接続する必要がある。
【０１９３】
また、上述の実施形態では、メンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤは別々に構成されているが、それらを一体型で構成してもよい。
【０１９４】
また、上述の実施形態においては、第１の外壁ＯＷ１の開口部ＭＯを閉塞可能なメンテナンス用カバーＭＤと、内壁ＩＷの開口部ＩＯを閉塞可能な内壁用カバーＩＩＤの両方が設けられているが、どちらか一方のカバーのみでもよい。カバーがどちらか一方のみの場合でも、ファンフィルタユニットＦＦＵから遮断空間ＡＴ１内に送風することによって、遮断空間ＡＴ１の圧力を処理空間ＡＴ２およびチャンバ外部空間ＣＬＳの圧力よりも高くすることができる。したがって、処理空間ＡＴ２の薬液雰囲気がチャンバ外部空間ＣＬＳに漏れ出すことを防止できる。また、チャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気が処理空間ＡＴ２に流入することが防止される。
【０１９５】
また、上記実施形態においては、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄを形成する第１の外壁の内側のみに内壁ＩＷが形成されているが、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄを形成する外壁全体の内側に内壁を設けるようにしてもよい。
【０１９６】
（６）  効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、作業者がメンテナンス用カバーＭＤおよび内壁用カバーＩＩＤを取り外すことにより開口部ＭＯ，ＩＯを開くことができる。これにより、作業者は、チャンバ外部空間ＣＬＳから処理チャンバＣＨｃ内の構成のメンテナンスを行うことができる。
【０１９７】
制御部４は、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により得られるチャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を比較して、遮断空間ＡＴ１の圧力が最も高くなるように、流体ボックス部２ａ〜２ｄの第１の吸引装置２２０の動作を制御する。
【０１９８】
これにより、処理空間ＡＴ２の雰囲気およびチャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気が遮断空間ＡＴ１に流入しない。それにより、処理空間ＡＴ２の雰囲気とチャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気とが遮断空間ＡＴ１により遮断される。
【０１９９】
したがって、処理空間ＡＴ２の雰囲気がチャンバ外部空間ＣＬＳに漏れ出ることが十分に防止される。その結果、処理空間ＡＴ２の雰囲気が、基板処理装置１００の周辺で作業する作業者の人体に悪影響を与えることが防止される。
【０２００】
また、チャンバ外部空間ＣＬＳに設けられる基板処理装置１００の周辺機器が、処理空間ＡＴ２の雰囲気により腐食されることが防止される。さらに、処理空間ＡＴ２の雰囲気が、チャンバ外部空間ＣＬＳで搬送される基板Ｗに接触して、その基板Ｗに悪影響を与えることが防止される。
【０２０１】
上記に加えて、処理空間ＡＴ２の雰囲気とチャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気とが遮断空間ＡＴ１により遮断されるので、チャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気が処理空間ＡＴ２に流入することが防止される。それにより、チャンバ外部空間ＣＬＳの雰囲気に含まれる塵埃等のパーティクルが処理空間ＡＴ２内に侵入することが防止される。その結果、基板Ｗの処理不良が十分に防止される。
【０２０２】
（７）  基板処理装置に用いられる薬液
本実施の形態では、ＢＨＦは、例えば基板Ｗの表面をエッチングして洗浄するために用いられる。他の薬液例を以下に示す。
【０２０３】
薬液としては、基板Ｗの表面に形成されたポリマーを除去するためのフッ化アンモニウムを含む溶液、例えばフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液を用いることができる。
【０２０４】
また、基板Ｗの現像処理を行うためのＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液または酢酸ブチル等の酸性溶液を薬液として用いることができる。
【０２０５】
さらに、基板Ｗの表面に形成されたレジストを剥離するための硫酸過水またはオゾン水を薬液として用いることができる。
【０２０６】
また、基板Ｗの表面をエッチングまたは洗浄するためのＢＨＦ、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、アンモニア、クエン酸、過酸化水素水もしくはＴＭＡＨ等の水溶液、またはそれらの混合溶液を薬液として用いることができる。
【０２０７】
本実施の形態では、薬液による基板Ｗの洗浄処理について説明しているが、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄで行われる処理は、基板Ｗ上にレジストを塗布する前に、レジストの基板Ｗへの密着性をよくするための密着強化剤を塗布する密着強化処理を含んでもよい。密着強化剤としては、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチレンジシラザン）が用いられる。
【０２０８】
（８）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２０９】
以上、本発明の一実施の形態において、外壁および第１〜第３の外壁ＯＷ１〜ＯＷ３が隔壁または外壁に相当し、処理チャンバＣＨａ〜ＣＨｄが処理部に相当し、制御部４、ファンフィルタユニットＦＦＵ、第１の吸引装置２２０および第２の吸引装置２６０が圧力調整手段に相当する。
【０２１０】
また、メンテナンス用カバーＭＤが開閉部材に相当し、内壁ＩＷが内壁に相当し、チャンバ外部空間ＣＬＳが外壁の外側の空間に相当し、ファンフィルタユニットＦＦＵが気流発生手段に相当し、第１の吸引装置２２０が第１の吸引手段に相当する。
【０２１１】
さらに、第２の吸引装置２６０が第２の吸引手段に相当し、開閉センサｄｓ１が開放検出手段に相当し、制御部４が制御手段に相当し、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３がそれぞれ、第３の圧力検出手段、第１の圧力検出手段および第２の圧力検出手段に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０２１２】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２１３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の組み立て状況を示す外観斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。
【図４】図１の基板処理装置における洗浄処理部のＳ−Ｓ線断面図である。
【図５】図４の処理チャンバ内の圧力調整の詳細およびその効果を説明するための図である。
【図６】図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図７】図４の内壁の他の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【０２１４】
４  制御部
１００  基板処理装置
２２０  第１の吸引装置
２６０  第２の吸引装置
ＡＴ１  遮断空間
ＡＴ２  処理空間
ＣＨａ〜ＣＨｄ  処理チャンバ
ＣＬＳ  チャンバ外部空間
ｄｓ１，ｄｓ２  開閉センサ
ＦＦＵ  ファンフィルタユニット
ＩＷ  内壁
ＭＤ  メンテナンス用カバー
ＭＯ  開口部
ＯＷ１〜ＯＷ３  第１〜第３の外壁
ｐ１，ｐ２，ｐ３  圧力センサ
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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