(57)【要約】【課題】  誘電体とそれを挟持する２つの電極からなるキャパシタのサイズの微小化が求められており、それにともなって、誘電体の結晶粒の粒径の微細化の必要性が高まってきた。【解決手段】  本発明では、誘電体とそれを狭持する上部電極と下部電極とを基板上に有するキャパシタにおいて、領域を画定する複数の条痕からなるテクスチャを形成している。これにより、条痕によって画定された領域内で誘電体の結晶粒は成長することになり、それによって、結晶粒径はこの領域の面積と同程度またはそれより小さくなる可能性が高くなる。従って、誘電体の結晶粒径をより微細化することが可能となる。【選択図】      図１
2007053190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体とそれを狭持する上部電極と下部電極とを基板上に有するキャパシタにおいて、領域を画定する複数の条痕からなるテクスチャを有することを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記下部電極は、前記テクスチャ上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記テクスチャは、下部電極上に形成されることを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項４】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、マトリクス状に条痕を形成してテクスチャとする工程と、
前記テクスチャ上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極を形成する工程と、
を行うことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項５】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に、マトリクス状に条痕を形成してテクスチャとする工程と、
前記テクスチャ上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極を形成する工程と、
を行うことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体とそれを挟持する２つの電極からなるキャパシタに関し、特に、不揮発性メモリとして知られる強誘電体ランダムアクセスメモリ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ：ＦｅＲＡＭ）を構成するのに好適なキャパシタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦｅＲＡＭは、キャパシタの誘電体に強誘電体を用いた不揮発性の半導体メモリである。ＦｅＲＡＭは、動作速度が高速で、消費電力が低いことから大きな注目を集めている。
【０００３】
特許文献１に開示されているように、ＦｅＲＡＭを構成するキャパシタは、下部電極と上部電極で強誘電体膜を挟むような構造となっており、下部電極上に形成される強誘電体膜は、ＰｂＺｒＸＴｉ１−ＸＯ３（ＰＺＴ）やＳｒＢｉＴａ２Ｏ９（ＳＢＴ）などの強誘電体からなり、強誘電体膜を挟む下部電極や上部電極は、Ｐｔ、ＩｒＯ２、ＳｒＲｕＯＸ（ＳＲＯ）などからなる。
【特許文献１】特開２００１−１９６５４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、誘電体膜は、多結晶の配向膜であり、複数の誘電体の結晶粒からなる。そして、キャパシタの分極量などの特性は、複数の結晶粒それぞれの配向などによって決定され、その特性は、複数のキャパシタ間でバラツキの小さい方が好ましい。
【０００５】
複数のキャパシタの特性を一様とする、つまり複数のキャパシタ間で特性のバラツキを小さくするには、１つのキャパシタ内に多くの誘電体の結晶を含むようにすれば良い。
【０００６】
一方、近年、ＦｅＲＡＭなどの高集積化の要望から、キャパシタの微細化が望まれている。キャパシタを微細化すると、キャパシタ内の結晶粒数が減少し、その結果、複数のキャパシタ間の特性のバラツキが大きくなってしまう。
【０００７】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであって、誘電体の結晶粒径をより微細化することで、１つのキャパシタ内により多くの誘電体の結晶粒を含ませ、複数のキャパシタ間の特性のバラツキを低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、誘電体とそれを狭持する上部電極と下部電極とを基板上に有するキャパシタにおいて、領域を画定する複数の条痕からなるテクスチャを有することを特徴とするキャパシタにより達成される。これにより、条痕によって画定された領域内で誘電体の結晶粒は成長することになり、それによって、結晶粒径はこの領域の面積を超えて大きくなる可能性は小さくなる。従って、誘電体の結晶粒径をより微細化することが可能となる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、誘電体の結晶粒は、予め条痕によって画定された領域より大きく成長することを制限される。例えば、マトリクス状に画定された領域内で誘電体の結晶粒は成長することになり、それによって、結晶粒径はこの領域より小さくなる可能性が高い。従って、誘電体の結晶粒径をより微細化することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本願発明者らは、キャパシタの誘電体の結晶粒径を微細化することについて検討したところ、条痕を形成した下地上に結晶粒を成長させた場合、条痕により画定された領域の内部で結晶粒が成長し、その領域を跨って結晶粒が成長しにくいことを見出した。
【実施例１】
【００１１】
本発明の第１実施例によるキャパシタ及びその製造方法について図１乃至図６を用いて説明する。本実施例では、誘電体に強誘電体を用いた強誘電体キャパシタを例に以下説明をする。
【００１２】
図１は、本実施例による強誘電体キャパシタを示す概略断面図である。
図１に示すように、本実施例における強誘電体キャパシタは、Ｓｉなどからなる半導体基板１上に、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮなどの絶縁膜２が形成され、絶縁膜２上に、複数の条痕からなるテクスチャ３が形成されている。ここで、テクスチャ３の概略図を図２に示す。
本実施例におけるテクスチャ３は、マトリクス状に溝のような条痕を形成された絶縁膜２の表面のことであり、複数の条痕３１と条痕３１に交わるように形成された複数の条痕３２とで画定される複数のセル３３を有する。セル３３のそれぞれは、一辺が３０〜５０ｎｍに区画されており、セル３３を画定する条痕３１、条痕３２の深さは、５ｎｍ以上が好ましい。尚、本実施例では、テクスチャ３をマトリクス状に形成するように説明しているが、条痕によって領域を確定できればどのような形状でもよく、これに限定するものではない。
図１に戻り、テクスチャ３上には、自然配向性を有する下部電極４が形成されている。ここで、自然配向とは、下地に影響を受けずに結晶配向することを意味し、例えば、下部電極４として、（１１１）に自然配向するＰｔやＩｒなどが用いられる。また、下部電極４は、複数の結晶粒からなり、つまり多結晶構造であり、下地となるテクスチャ３のセル３３の領域内に少なくとも１つの結晶粒を有し、かつ、複数のセル３３を跨って成長した結晶粒はない、または殆どない。
下部電極４上には、強誘電体、例えば、ペロブスカイト結晶構造を有するＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、あるいはＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）、などからなる強誘電体膜５が形成されている。ここで、強誘電体膜５は、下部電極４と同様に、多結晶構造であり、テクスチャ３のセル３３の領域内に少なくとも１つの結晶粒を有し、かつ、複数のセル３３を跨って成長した結晶粒は殆どない。更に、強誘電体膜５の結晶粒は、下地となる下部電極４とエピタキシャルな関係となり、下部電極４と同様の配向を示すことになる。例えば、上述のように、下部電極４にＰｔを用いた場合、強誘電体膜５もまた（１１１）配向を示すことになる。
強誘電体膜５上には、上部電極６が形成されている。上部電極６は、２層で構成しても、１層で構成してもよく、２層の場合、例えば、ＳＲＯ／ＩｒＯ２、ＳＲＯ／Ｐｔなどで構成され、１層の場合、下部電極４と同様の構成、例えば、Ｐｔなどで構成される。
本実施例による強誘電体キャパシタは、絶縁膜２上にテクスチャ３を設け、そしてそのテクスチャ３上に下部電極４、強誘電体膜５、及び上部電極６を順次形成したことに特徴がある。このように、条痕３１、条痕３２により画定されたセル３３を有するテクスチャ３上に下部電極４、強誘電体膜５、及び上部電極６を形成した場合、セル３３の領域内で少なくとも１つの結晶粒が成長しはじめ、複数のセル３３を跨って結晶粒が成長しはじめる可能性は小さい。従って、多くの結晶粒は、セル３３の面積と同等または小さくなる可能性が高く、結晶粒径をより微細化することができる。
【００１３】
次に、本実施例による強誘電体キャパシタの製造方法について説明する。
【００１４】
まず、図３（ａ）に示すように、熱酸化法或はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学気相堆積）法により、半導体基板１上に、絶縁膜２を形成する。本実施例では、シリコン基板に０．４μｍ程度の膜厚の酸化シリコン膜を形成した。尚、図３（ａ）の上図は、強誘電体キャパシタの平面図であり、下図は、概略断面図である。以下に説明する強誘電体キャパシタの製造工程では、図３（ａ）と同様に、平面図とその概略断面図を示す。
【００１５】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学的機械的研磨）法により、絶縁膜２の表面を平坦化した。
【００１６】
次に、図３（ｃ）に示すように、ラビング法を用いて、Ｙ方向に対して、絶縁膜２の表面に条痕３１を形成する。続いて、図４（ａ）に示すように、ラビング法を用いて、Ｘ方向に対して、条痕３２を形成し、条痕３１及び条痕３２により、マトリクス状にセル３３を画定し、テクスチャ３を形成する。
【００１７】
ここで、本実施例におけるラビング法について詳述する。本実施例におけるラビング法では、水酸基を有する溶液を含有した砥粒懸濁液を絶縁膜２の表面に供給しつつ、プラスチック繊維などからなる織布テープをゴムローラで絶縁膜２の表面に押し付けながらＸＹそれぞれの方向に走行させる。尚、本実施例におけるラビング法は、絶縁膜２に条痕３１、３２を形成することが目的であり、砥粒懸濁液なしで、織布テープを絶縁膜２に押し付けながら走行させても構わない。また、織布テープは、ポリエステル、ナイロン、ポリエチレン、等の高引張力及び耐薬品性があるプラスチック繊維からなる織物又は編物をテープ状にスリットしたものであり、織布テープの厚さは５μｍ〜５０００μｍの範囲のものを利用出来る。また、砥粒懸濁液は、砥粒を分散した水溶液に、水酸基を有する溶液を添加したものであり、水酸基を有する溶液には、水酸化カリウム溶液等が使用される。また、織布テープをＸＹそれぞれの方向に走行させる際、織布テープを押し付ける押圧力をＸ方向とＹ方向とで異なるようにして、形成される条痕３１、３２の溝の深さを異なるようにしても良い。例えば、先に形成する条痕を、後に形成する条痕より大きな押圧力で形成すると、先に形成した条痕が、後のラビング処理で除去されることを防ぐことが可能となる。もしくは、押圧力を一定にし、ゴムローラの走行速度によって、条痕の溝の深さを異ならせるようにしても良い。
【００１８】
本実施例では、粒径０．２μｍのダイヤモンド微粉を含有した水溶液（ダイヤモンド微粉０．５重量％、純水９９．５重量％）（９５重量％）に水酸化カリウム（５重量％）を添加したものを砥粒縣濁液として使用した。尚、本実施例では、ダイヤモンド微粉を例に説明しているが、これに限定するものでなく、コロイダルシリカ、酸化セリウムなどを用いても構わない。また、本実施例では、織布テープを絶縁膜２に押圧力２．２７ｋｇで押し付け、条痕３１及び条痕３２を３０〜５０ｎｍの間隔で形成した。また、ゴムローラの走行時間を制御して、条痕３１の深さを１０ｎｍ、条痕３２の深さを５ｎｍとした。
【００１９】
次に、図４（ｂ）に示すように、スパッタリング法などにより、自然配向性を有する下部電極４を形成する。本実施例では、（１１１）に自然配向するＰｔを用いて、１５０ｎｍの下部電極４を形成した。ここで、下部電極４は、多結晶構造であり、結晶粒のそれぞれは、テクスチャ３のセル３３を跨って成長することは殆どない。つまり、１つの結晶粒は、セル３３よりも小さい粒径となりやすい。このテクスチャ３上に結晶粒を成長させる概念を図６に示す。図６に示すように、テクスチャ３上で結晶粒を成長させようとすると、セル３３内で１または複数の結晶粒３４が成長し、セル３３を跨って結晶粒３４が成長することは殆どない。そして、それぞれのセル３３において、結晶粒３４が成長をした結果、テクスチャ３上に多結晶層３５が形成されることになる。
【００２０】
次に、図５（ａ）に示すように、ゾルゲル法で作成された強誘電体材料を含む溶剤をスピンコートで下部電極４に塗布し、温度３００℃で２分間のベークを行った。これを３回繰り返し、その後、ＲＴＡ（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌ）により、酸素雰囲気で温度６５０℃で１分間の熱処理を行い、強誘電体材料を結晶化して、厚さ１５０ｎｍの強誘電体膜５を形成する。本実施例では、強誘電体材料として、ＰＺＴを用いるが、これに限るものでもなく、下地の下部電極４上にエピタキシャル成長できる材料であれば何でもよい。また、強誘電体膜５は、上述した下部電極４と同様に、多結晶構造であり、結晶粒のそれぞれは、テクスチャ３のセル３３に相当する領域を跨って成長することはない。更に、強誘電体膜５の結晶粒のそれぞれは、下地となる下部電極４とエピタキシャルな関係にあり、下部電極４の結晶粒のそれぞれと同様の配向を示す。
【００２１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、スパッタリング法により、上部電極６を形成する。本実施例では、ＳＲＯからなる酸化物電極を１５ｎｍ形成した上で、ＩｒＯ２電極をその上に１５０ｎｍ形成した。また、上部電極６は、上述した下部電極４や強誘電体膜５と同様に、多結晶構造であり、結晶粒のそれぞれは、テクスチャ３のセル３３に相当する領域を越えて成長することは殆どなく、下地となる強誘電体膜５とエピタキシャルな関係にある。
【００２２】
このような工程を実行した後、フォトリソグラフィー法及びＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ、反応性イオンエッチング）などで下部電極４と接続する配線や上部電極６と接続する配線を作成する。そして、酸素雰囲気で、６００℃、１時間の最終熱処理をし、強誘電体キャパシタを得る。
【００２３】
このように、本実施例の強誘電体キャパシタの強誘電体膜５の結晶粒の粒径は、テクスチャ３のセルの面積によって制御することが可能である。従って、強誘電体キャパシタの強誘電体膜５の結晶粒の粒径は、テクスチャ３を形成せずに下部電極４、強誘電体膜５、及び上部電極６を形成した従来のものに比して、微細化することができる。
【００２４】
ここで、本実施例の手順で作製した強誘電体キャパシタをＸ線解析装置で調べたところ、下部電極４、強誘電体膜５、及び上部電極６共に（１１１）配向を示しており、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、透過型電子顕微鏡）でそれぞれの界面を観察したところ、エピタキシャルな構造となっていることが確認できた。
【００２５】
また、本実施例の手順で作成した１μｍ角の強誘電体キャパシタの分極特性を、図７に示すような強誘電体テスタ及びＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、原子間力顕微鏡）を用いて、カンチレバーを介して、上部電極６と下部電極４に電位差を与えて測定したところ、試料２０個のスイッチング分極量（ヒステリシス曲線の２Pｒ（Ｐｒは、残留分極を示す））のバラツキは、±５％以内であった。また、比較例として従来の手順で作製した同サイズの強誘電体キャパシタでは、２０個のスイッチング分極量のバラツキは、±２０％以内であった。
【００２６】
このように、本実施例の強誘電体キャパシタは、強誘電体膜の結晶粒径を微細化することができ、それによって、１つの強誘電体キャパシタ内に多くの結晶粒を詰め込むことが可能となり、その特性のバラツキを小さくすることができる。
【実施例２】
【００２７】
本発明の第２実施例による強誘電体キャパシタ及びその製造方法について、図８乃至図１１を用いて説明する。
【００２８】
図８は、本実施例による強誘電体キャパシタを示す概略断面図である。図１に示す第１実施例による強誘電体キャパシタと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００２９】
本実施例による強誘電体キャパシタは、下部電極４上にアモルファス状態のテクスチャ３を形成したことに主な特徴がある。すなわち、強誘電体膜５の下地をアモルファス状態とし、強誘電体膜５をランダム配向としたことに特徴がある。
【００３０】
本実施例の強誘電体キャパシタは、図８に示すように、Ｓｉなどからなる半導体基板１上に、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮなどからなる絶縁膜２が形成され、絶縁膜２上にＰｔやＩｒなどの下部電極４が形成されている。ここで、第１実施例の下部電極４は、自然配向性を有するものを用いたが、本実施例においては、下部電極４の表面はアモルファス状態であるため、自然配向性を有するものを用いなくても良い。
【００３１】
下部電極４の表面には、図２に示すように、条痕３１、３２で画定された複数のセル３３を有するアモルファス状態のテクスチャ３が形成されている。
【００３２】
そして、テクスチャ３上には、強誘電体膜５が形成されており、強誘電体膜５上には、上部電極６が形成されている。ここで、強誘電体膜５は、第１実施例で説明したように、多結晶構造であり、結晶粒のそれぞれは、テクスチャ３のセル３３に相当する領域を跨って成長することは殆どない。また、テクスチャ３は、アモルファス状態であり、その上に直接形成される強誘電体膜５の結晶粒それぞれの配向はランダムである。そして、強誘電体膜５上に形成される上部電極６も同様に、多結晶構造であり、結晶粒のそれぞれはテクスチャ３のセル３３に相当する領域を跨って成長することは殆どない。また、上部電極６の結晶粒のそれぞれは、下地となる強誘電体膜５の結晶粒とエピタキシャルな関係であり、上部電極６全体としては、強誘電体膜５同様にランダムな配向となる。
本実施例による強誘電体キャパシタは、下部電極４上にアモルファス状態のテクスチャ３を設けたことに特徴がある。このように、条痕３１、条痕３２により画定されたセル３３を有するテクスチャ３上に、強誘電体膜５、及び上部電極５を形成した場合、セル３３の領域内でのみ結晶粒が成長し、セル３３を跨って結晶粒が成長することは殆どない。従って、結晶粒は、通常、セル３３の面積より小さくなり、結晶粒径をより微細化することができる。更に、本実施例では、テクスチャ３がアモルファス状態であるため、強誘電体膜５の結晶粒それぞれをランダムに配向させることが可能となる。従って、強誘電体キャパシタの特性のバラツキを低減することができる。
【００３３】
次に、本実施例による強誘電体キャパシタの製造方法について説明する。
【００３４】
本実施例による強誘電体キャパシタの製造方法は、テクスチャ３を形成するラビング処理を行う手順が第１実施例と異なる。すなわち、図９（ａ）に示すように、半導体基板１上に絶縁膜２を形成した後、絶縁膜２上に下部電極４を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、下部電極４をＣＭＰ処理することで、下部電極４表面の結晶構造を崩し、アモルファス化する。そして、下部電極４の表面をアモルファス化した上で、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、下部電極４の表面にラビング処理を行う。図１０（ａ）、（ｂ）に示すラビング処理は、第１実施例と同様の処理である。このようにして、アモルファス状態のテクスチャ３を下部電極４上に形成する。
【００３５】
次に、図１１（ａ）に示すように、テクスチャ３上に第１実施例で説明したような強誘電体膜５を形成する。ここで、本実施例の強誘電体膜５は、それぞれの結晶粒がセル３３を跨って成長する可能性は小さく、セル３３の面積より結晶粒径が小さいことについては、第１実施例と同様であるが、下地のテクスチャ３がアモルファス状態であるため、それぞれの結晶粒の配向はランダムである。
【００３６】
次に、図１１（ｂ）に示すように、強誘電体膜５上に第１実施例で説明したような上部電極６を形成する。本実施例の上部電極６は、強誘電体膜５と同様に、それぞれの結晶粒がセル３３に相当する領域を跨って成長する可能性は小さく、セル３３の面積より結晶粒径が小さくなる可能性が高くなり、更に、下地となる強誘電体膜５とエピタキシャル関係となることについては、第１実施例と同様であるが、下地となる強誘電体膜５の結晶粒それぞれの配向はランダムであるため、上部電極６の結晶粒それぞれの配向もランダムであるが、強誘電体膜５の結晶粒の夫々とその上に形成された上部電極６の結晶粒の夫々とはエピタキシャルな関係となっている。
【００３７】
最後に、第１実施例と同様に、ＲＩＥなどでパターニングし、酸素雰囲気で、６００℃、１時間の最終熱処理をし、本実施例の強誘電体キャパシタを得る。
【００３８】
このように、本実施例の強誘電体キャパシタの強誘電体膜５の結晶粒の粒径は、テクスチャ３のセルの大きさによって制御することが可能である。従って、強誘電体キャパシタの強誘電体膜５の結晶粒の粒径は、テクスチャ３を形成せずに下部電極４、強誘電体膜５、及び上部電極６を形成した従来のものに比して、微細化することができる。また、アモルファス状態のテクスチャ３上に強誘電体膜５を形成するため、強誘電体膜５の結晶粒それぞれをランダム配向することが可能となる。
【００３９】
ここで、本実施例の手順で作製した強誘電体キャパシタをＸ線解析装置で調べたところ、強誘電体膜５、及び上部電極６共にランダムな配向を示しており、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、透過型電子顕微鏡）でそれぞれの界面を観察したところ、エピタキシャルな構造となっていることが確認できた。
【００４０】
また、本実施例の手順で作成した１μｍ角の強誘電体キャパシタの分極特性を、図７に示すような強誘電体テスタ及びＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、原子間力顕微鏡）を用いて、カンチレバーを介して、上部電極６と下部電極４に電位差を与えて測定したところ、試料２０個のスイッチング分極量のバラツキは、±７％以内であった。また、比較例として従来の手順で作製した同サイズの強誘電体キャパシタでは、２０個のスイッチング分極量のバラツキは、±２０％以内であった。
【００４１】
このように、本実施例の強誘電体キャパシタは、強誘電体膜の結晶粒径を微細化することができ、それによって、１つの強誘電体キャパシタ内に多くの結晶粒を詰め込むことが可能となり、更に、それぞれの結晶粒の配向をランダムとしたことにより、全体としての特性のバラツキを小さくすることができる。
【００４２】
以上の実施例１及び実施例２において、本発明の好ましい実施例を詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００４３】
以上の実施例１及び実施例２を含む実施例に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  誘電体とそれを狭持する上部電極と下部電極とを基板上に有するキャパシタにおいて、領域を画定する複数の条痕からなるテクスチャを有することを特徴とするキャパシタ。（１）
（付記２）  前記領域は、マトリクス状に確定されることを特徴とする付記１記載のキャパシタ。
（付記３）  前記誘電体は、強誘電体であることを特徴とする付記１記載のキャパシタ。
（付記４）  前記誘電体は、前記領域内に１または複数の結晶粒を有することを特徴とする付記１記載のキャパシタ。
（付記５）  前記複数の条痕は、３０〜５０ｎｍ間隔で形成されていることを特徴とする付記１記載のキャパシタ。
（付記６）  前記条痕は、互いに交わるもの同士で深さが異なることを特徴とする付記１記載のキャパシタ。
（付記７）  前記下部電極は、前記テクスチャ上に形成されていることを特徴とする付記１記載のキャパシタ。（２）
（付記８）  前記下部電極は、自然配向性を有するものであることを特徴とする付記７記載のキャパシタ。
（付記９）  前記下部電極、誘電体、及び上部電極は、互いにエピタキシャルな関係であることを特徴とする付記８記載のキャパシタ。
（付記１０）  前記上部電極、下部電極、及び誘電体の結晶粒のそれぞれは、前記領域内でのみ成長することを特徴とする付記７記載のキャパシタ。
（付記１１）  前記テクスチャは、下部電極上に形成されることを特徴とする付記１記載のキャパシタ。（３）
（付記１２）  前記テクスチャは、アモルファスであり、前記上部電極、及び誘電体は、互いにエピタキシャルな関係であることを特徴とする付記１１記載のキャパシタ。
（付記１３）  前記上部電極、及び誘電体の結晶粒のそれぞれは、前記領域内でのみ成長することを特徴とする付記１１記載のキャパシタ。
（付記１４）  基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、条痕を形成してテクスチャとする工程と、
前記テクスチャ上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極を形成する工程と、
を行うことを特徴とするキャパシタの製造方法。（４）
（付記１５）  前記下部電極は、自然配向性を有することを特徴とする付記１４記載のキャパシタの製造方法。
（付記１６）  基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に、条痕を形成してテクスチャとする工程と、
前記テクスチャ上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極を形成する工程と、
を行うことを特徴とするキャパシタの製造方法。（５）
（付記１７）  前記下部電極を形成した後、該下部電極の表面をアモルファス化することを特徴とする付記１６記載のキャパシタの製造方法。
（付記１８）  前記テクスチャを形成する工程は、織布テープを押し付けて条痕を形成することを特徴とする付記１４または１６記載のキャパシタの製造方法。
（付記１９）  前記テクスチャを形成する工程は、砥粒縣濁液を供給しながら行うことを特徴とする付記１８記載のキャパシタの製造方法。
（付記２０）  前記砥粒縣濁液は、０．２μｍ以下の砥粒を含むことを特徴とする付記１９記載のキャパシタの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施例による強誘電体キャパシタを示す概略断面図である。
【図２】本発明のテクスチャを示す概略図である。
【図３】本発明の第１実施例による強誘電体キャパシタの製造工程を示す図である。
【図４】図３に続く工程を示す図である。
【図５】図４に続く工程を示す図である。
【図６】テクスチャ上に結晶を成長させる概念を示す図である。
【図７】強誘電体キャパシタの特性を測定する概念を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例による強誘電体キャパシタを示す概略断面図である。
【図９】本発明の第２実施例による強誘電体キャパシタの製造工程を示す図である。
【図１０】図９に続く工程を示す図である。
【図１１】図１０に続く工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１            半導体基板
２            絶縁膜
３            テクスチャ
３１、３２    条痕
３３          セル
３４          結晶粒
３５          多結晶層
４            下部電極
５            強誘電体膜
６            上部電極
【図１】
2007053190.tif 000003
【図２】
2007053190.tif 000004
【図３】
2007053190.tif 000005
【図４】
2007053190.tif 000006
【図５】
2007053190.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007053190.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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