(57)【要約】【課題】複数のＬＥＤドライブ用トランジスタを備えた半導体装置においてＬＥＤドライブ用トランジスタに接続されるＬＥＤの輝度ムラを減少させる。【解決手段】複数のＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６と、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６に電力を供給するための電源パッド３１，３２を備えている。電源パッド３１にはＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のソースが配線１１ａ〜１４ａを介して接続され、電源パッド３２にはＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６のソースが配線１５ａ，１６ａを介して接続されている。配線１１ａ〜１６ａの抵抗値は同じ値に設定されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤドライブ用トランジスタと、それらのＬＥＤドライブ用トランジスタに電力を供給するための電源パッドを備えた半導体装置において、
前記電源パッドには複数の前記ＬＥＤドライブ用トランジスタのソースが接続されており、前記電源パッドから前記ソースのまでの配線が前記ＬＥＤドライブ用トランジスタごとに個別に設けられており、かつ、それらの配線の抵抗値が同じ値に設定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線は、配線幅と配線長を設定することで、それぞれ同じ抵抗値に設定されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の前記配線のうち、前記電源パッド、前記ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も長い配線の配線幅が最も広くされている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の前記配線のうち、前記電源パッド、前記ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も短い配線の配線幅が最も狭くされている請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
いずれかの前記配線は迂回させることによって配線長が長くされている請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の前記ＬＥＤドライブ用トランジスタは同一サイズで同一特性のトランジスタである請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
複数の前記ＬＥＤドライブ用トランジスタはゲートが共通接続されており、前記ゲートに所定のバイアス電圧が印加されることによって定電流回路を構成している請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ＬＥＤドライブ用トランジスタと同じ導電型でサイズの小さいトランジスタを備え、そのトランジスタのゲート−ドレイン間を接続し、そのドレインに定電流を供給した回路のゲート−ソース間電圧を前記バイアス電圧として用いる請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）ドライブ用トランジスタと、それらのＬＥＤドライブ用トランジスタに電力を供給するための電源パッドを備えた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年ＬＥＤの高輝度化が進み、ＬＣＤなどのバックライト用光源や、自動車のストップライト等に用いられるようになってきた。また、高輝度の青色ＬＥＤが開発され、ＲＧＢ色のＬＥＤによるフルカラー表示も可能となってきた。これら複数のＬＥＤからなる照明や表示器等を駆動させる際に重要なことはＬＥＤ毎の輝度ムラが少ないことである。
【０００３】
複数の白色ＬＥＤを用いたＬＣＤのバックライト光源で、輝度ムラが発生するとＬＣＤの表示品質を低下させてしまう。ＲＧＢのフルカラーの場合では、正確な色再現ができなくなってしまうなどの問題が発生する。輝度ムラを少なくするためには、すべてのＬＥＤに正確に同じ電流を供給することが重要である。
【０００４】
図３は、従来の半導体装置上における電源パッドとＬＥＤドライブ用トランジスタの配線の例を示す平面図である。
半導体装置１の１辺の近傍に４つのＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４が配置されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４にはＬＥＤ接続用パッド２１〜２４が設けられている。また、半導体装置１の上記１辺とは異なる辺の近傍にもＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６が配置されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６にはＬＥＤ接続用パッド２５，２６が設けられている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６は例えばＮチャネル型である。ＬＥＤ接続用パッド２１〜２６はＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のドレインに接続されている。
【０００５】
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１４とＬＥＤドライブ用トランジスタ１５の間に２つのＧＮＤ側の電源パッド３１，３２が配置されている。両パッド３１，３２は太い配線３３で接続されている。
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４の配列に沿って、電源パッド３１に接続された太い配線３４が形成されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のソースは、それぞれ短い配線１１ｂ〜１４ｂを介して配線３４に接続されており、短い配線１１ｂ〜１４ｂ及び配線３４を介して電源パッド３１に接続されている。
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６の配列に沿って、電源パッド３２に接続された太い配線３５が形成されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６のソースは、それぞれ短い配線１５ｂ，１６ｂを介して配線３５に接続されており、短い配線１５ｂ，１６ｂ及び配線３５を介して電源パッド３１に接続されている。
【０００６】
図４は、従来の半導体装置上における電源パッドとＬＥＤドライブ用トランジスタの配線の他の例を示す平面図である。図３と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６、ＬＥＤ接続用のパッド２１〜２６及び電源パッド３１，３２の配置は図３と同じである。
【０００７】
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のソースは、線幅が同じ配線１１ｃ〜１４ｃを介してそれぞれ電源パッド３１に接続されている。同様に、トランジスタ１５及び１６のソースは、線幅が同じ配線１５ｃ，１６ｃを介してそれぞれ電源パッド３２に接続されている。配線１１ｃ〜１６ｃの線幅は同じである。
【０００８】
図５は、ＬＥＤドライブ回路の例を示す回路図である。図３及び図４と同じ回路要素については同じ符号を付す。
符号１〜６はＬＥＤ、符号Ｒ１１〜Ｒ２６はＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のソースと電源パッド３１及び３２との配線抵抗を表している。ＶｂはＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のゲートバイアス電圧である。ＬＥＤ１〜６のアノードは電源Ｖｄｄに接続され、カソードはＬＥＤ接続用パッド２１〜２６に接続されている。
【０００９】
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６はＮチャネル型ＭＯＳトランジスタで構成されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のゲートはすべて共通接続され、バイアス電圧Ｖｂが印加されているので、バイアス電圧Ｖｂに応じたドレイン電流がＬＥＤ１〜６に供給される。
【００１０】
ＬＥＤ１に流れる電流は、ＮＭＯＳトランジスタ１１と抵抗Ｒ１１、それにＲ２１〜Ｒ２４を通って電源パッド３１に流れる。同様に、ＬＥＤ２に流れる電流は、ＮＭＯＳトランジスタ１２と抵抗Ｒ１２、Ｒ２２〜Ｒ２４を通って電源パッド３１に流れる。このように、ＬＥＤ１〜４の電流は抵抗Ｒ１１〜１４のいずれか１つと、抵抗Ｒ２１〜２４の抵抗のうち最低１つ以上を介して電源パッド３１に流れる。すなわち電源パッドから遠くにあるＬＥＤドライバ用トランジスタで駆動されるＬＥＤ電流ほど多くの抵抗を通ることになる。ＬＥＤ５，６についても同様に電源パッド３２より遠いほど多くの抵抗を通る。
【００１１】
配線抵抗Ｒ１１〜２６は金属で形成されておりそれほど大きい抵抗ではないが、ＬＥＤ電流が数１００ｍＡと大きな電流になると、その配線抵抗によって生ずる電圧降下は無視できなくなってくる。特に図５のような定電流回路では、配線抵抗の電圧降下の違いによって、ＬＥＤドライブ用トランジスタのゲート−ソース間電圧が変動してしまう。周知のように、ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧変動はドレイン電流に大きく影響するため、配線抵抗の違いによりドレイン電流、言い換えればＬＥＤ駆動電流は大きく変化してしまう。これは結果として輝度ムラとなって現れる。
【００１２】
図３に戻って考察すると、太い配線３４，Ｂに各ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のソースから短い配線１１ｂ〜１６ｂで接続された構成になっている。図５の抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４はＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のソースと太い配線３４を接続している配線１１ｂ〜１４ｂの配線抵抗である。図５の抵抗Ｒ１５，Ｒ１６はＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６のソースと太い配線３５を接続している配線１５ｂ，１６ｂの配線抵抗である。配線１１ｂ〜１６ｂの配線長は極めて短くしかもほぼ同じ長さなので、その抵抗は小さく、抵抗値もほぼ等しい。しかも抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６にはＬＥＤ１個分の電流しか流れないので、その電圧降下もほぼ等しく、ＬＥＤドライブ用トランジスタのゲート−ソース間電圧に与える影響は等しくなるので、ドレイン電流（ＬＥＤ電流）のバラツキにはほとんど影響しない。
【００１３】
しかし、太い配線３４には抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４に示す抵抗が存在し、太い配線３５には抵抗Ｒ２５，Ｒ２６に示す抵抗が存在する。
太い配線３４の幅は十分太くしてあるが配線長が長いため、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４に比べ抵抗値は数倍から十数倍大きい。さらに、抵抗Ｒ２１に流れる電流はＬＥＤ１の分だけであるが、抵抗Ｒ２２にはＬＥＤ１と２の合計電流が流れ、抵抗Ｒ２３にはＬＥＤ１〜３、抵抗Ｒ２４にはＬＥＤ１〜４の合計電流が流れるので、同じ抵抗値であっても、電源パッド３１に近づくほどその抵抗による電圧降下は大きくなる。その結果、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１〜４のゲート−ソース間電圧には大きな差が生じ、ＬＥＤ１の供給電流とＬＥＤ４の供給電流では大きな差が出てしまう。すなわちＬＥＤの輝度に差が出てしまい輝度ムラを生じることになる。この現象は、駆動するＬＥＤが多くなり、ＬＥＤドライブ用トランジスタが増えるほど顕著になる。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５と１６でも同じことが言える。
【００１４】
ＬＥＤドライブ回路ではないが、特許文献１には、信号源から多くの回路にクロック信号を供給する配線において、信号の発生源から近い位置における配線幅を広くする内容の発明が開示されている。
このように、配線３４を電源パッド３１に近づくほど配線幅を広げると、抵抗Ｒ２１からＲ２４に番号が増えるほど抵抗値が小さくなるので、上記問題を軽減することはできるが抵抗値が残るので、完全に問題を解決することはできない。
各ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のゲート−ソース間電圧を揃えるためには、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１４の抵抗値を同じにし、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４を０Ωにすればよいことが分かる。
【００１５】
図４の配線方法では、図５の抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４の抵抗値を０Ω、もしくは極力小さくすることが可能となる。しかし、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４と電源パッド３１の間の距離がＬＥＤドライブ用トランジスタ毎に異なるため、配線１１ｃ〜１４ｃの配線長もそれに応じて異なっている。すなわち配線１１ｃ〜１４ｃの長さが長くなるにしたがって配線抵抗が増えてしまう。その結果、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のゲート−ソース間電圧に差が出てしまい、完全には輝度ムラを解消することはできない。
【００１６】
特許文献２には、ＬＣＤ（liquid crystal display）表示パネル内における端子群間の配線において、遅延時間をそろえるために、スルーホールを含め配線抵抗が同じになるようにレイアウトを行なう旨の記述がなされている。しかし、複数のＬＥＤドライブ用トランジスタについて配線抵抗の差異に起因して駆動電流がばらつき、ＬＥＤの輝度ムラが発生することについては何も記載されていない。
【００１７】
【特許文献１】特開平２−２２４３７０号公報
【特許文献２】特開２００４−１４７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、上述した実情を考慮してなされたものであって、複数のＬＥＤドライブ用トランジスタを備えた半導体装置において、ＬＥＤドライブ用トランジスタに接続されるＬＥＤの輝度ムラを減少させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、複数のＬＥＤドライブ用トランジスタと、それらのＬＥＤドライブ用トランジスタに電力を供給するための電源パッドを備えた半導体装置であって、上記電源パッドには複数の上記ＬＥＤドライブ用トランジスタのソースが接続されており、上記電源パッドから上記ソースのまでの配線が上記ＬＥＤドライブ用トランジスタごとに個別に設けられており、かつ、それらの配線の抵抗値が同じ値に設定されているものである。
【００２０】
本発明の半導体装置において、上記配線は、配線幅と配線長を設定することで、それぞれ同じ抵抗値に設定されているようにしてもよい。
【００２１】
さらに、複数の上記配線のうち、上記電源パッド、上記ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も長い配線の配線幅が最も広くされている例を挙げることができる。
【００２２】
また、複数の上記配線のうち、上記電源パッド、上記ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も短い配線の配線幅が最も狭くされている例を挙げることができる。
【００２３】
また、いずれかの上記配線は迂回させることによって配線長が長くされているようにしてもよい。
【００２４】
また、複数の上記ＬＥＤドライブ用トランジスタは同一サイズで同一特性のトランジスタである例を挙げることができる。
【００２５】
また、複数の上記ＬＥＤドライブ用トランジスタはゲートが共通接続されており、上記ゲートに所定のバイアス電圧が印加されることによって定電流回路を構成している例を挙げることができる。
【００２６】
さらに、上記ＬＥＤドライブ用トランジスタと同じ導電型でサイズの小さいトランジスタを備え、そのトランジスタのゲート−ドレイン間を接続し、そのドレインに定電流を供給した回路のゲート−ソース間電圧を上記バイアス電圧として用いるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
従来、複数のＬＥＤドライブ用トランジスタから１個所の電源パッドに接続する際の配線をすべて同じ抵抗値にするようなことは行われていなかった。
本発明の半導体装置では、電源パッドには複数の上記ＬＥＤドライブ用トランジスタのソースが接続されており、上記電源パッドから上記ソースのまでの配線が上記ＬＥＤドライブ用トランジスタごとに個別に設けられており、かつ、それらの配線の抵抗値が同じ値に設定されているようにしたので、それらのＬＥＤドライブ用トランジスタのゲート−ソース間電圧を同じにすることができ、ＬＥＤ駆動電流の差異も小さくでき、ＬＥＤの輝度ムラを少なくすることができる。
【００２８】
本発明の半導体装置において、上記配線は、配線幅と配線長を設定することで、それぞれ同じ抵抗値に設定されているようにすれば、配線幅と配線長のいずれか一方により配線抵抗を設計する場合に比べて設計の自由度が増す。
【００２９】
複数の上記配線のうち、上記電源パッド、上記ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も長い配線の配線幅が最も広くされているようにすれば、配線長さを変更することなく、長い配線の配線抵抗を小さくして他の配線の抵抗値に合わせることができる。
【００３０】
複数の上記配線のうち、上記電源パッド、上記ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も短い配線の配線幅が最も狭くされているようにすれば、配線長さを変更することなく、短い配線の配線抵抗を小さくして他の配線の抵抗値に合わせることができる。
【００３１】
いずれかの上記配線は迂回させることによって配線長が長くされているようにすれば、配線幅を変更することなく、他の配線の抵抗値に合わせることができる。また、電源パッドに近い上記配線を長くして配線抵抗を大きくすることにより、他の配線を必要以上に太くして抵抗値を下げる必要がなくなる。
【００３２】
複数の上記ＬＥＤドライブ用トランジスタは同一サイズで同一特性のトランジスタであるようにすれば、それらのＬＥＤドライブ用トランジスタのＬＥＤ駆動電流が同じになる。
【００３３】
複数の上記ＬＥＤドライブ用トランジスタはゲートが共通接続されており、上記ゲートに所定のバイアス電圧が印加されることによって定電流回路を構成しているようにすれば、それらのＬＥＤドライブ用トランジスタに同じバイアス電圧を印加することができる。
【００３４】
上記ＬＥＤドライブ用トランジスタと同じ導電型でサイズの小さいトランジスタを備え、そのトランジスタのゲート−ドレイン間を接続し、そのドレインに定電流を供給した回路のゲート−ソース間電圧を上記バイアス電圧として用いるようにすれば、簡単な構成でＬＥＤドライブ用トランジスタにバイアス電圧を供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、一実施例の電源パッドとＬＥＤドライブ用トランジスタの配線を示す平面図である。
半導体装置１の１辺の近傍に４つのＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４が配置されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４にはＬＥＤ接続用パッド２１〜２４が設けられている。また、半導体装置１の上記１辺とは異なる辺の近傍にＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６が配置されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６にはＬＥＤ接続用パッド２５，２６が設けられている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６は例えばＮチャネル型である。ＬＥＤ接続用パッド２１〜２６はＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のドレインに接続されている。
【００３６】
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１４とＬＥＤドライブ用トランジスタ１５の間に２つのＧＮＤ側の電源パッド３１，３２が配置されている。両パッド３１，３２は太い配線３３で接続されている。
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のソースはそれぞれ配線１１ａ〜１４ａを介して電源パッド３１に接続されている。ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５，１６のソースはそれぞれ配線１５ａ，１６ａを介して電源パッド３２に接続されている。
【００３７】
配線１１ａ〜１４ａのうち、電源パッド３１、ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが最も長い配線１１ａの配線幅が最も広くされている。配線長さが２番目の配線１２ａは配線幅が配線１１ａよりもやや狭くされている。配線長さが一番短い配線１３ａの配線幅が最も狭くされている。
【００３８】
また、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１４のうち電源パッド３１に最も近いＬＥＤドライブ用トランジスタ１４のソースに接続されている配線１４ａは、配線を迂回させて長くされて、例えば配線１２ａと同じ長さにされている。配線１２ａ，１４ａの配線幅は同じである。ただし、迂回させる配線を必ずしも他の配線と同じ長さ及び配線幅に設定しなくてもよい。また、必ずしも配線を迂回させなくてもよい。
【００３９】
配線の最小幅は、ＬＥＤ接続用パッド２１〜２６に接続されるＬＥＤに供給する最大電流値や、集積回路の設計ルールによって制限され、あまり細い幅にはできない。そのため、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１４が電源パッド３１に近すぎる場合に最短距離で接続すると、最小線幅のパターンを用いても配線抵抗が小さくなりすぎ、配線１１ａ〜１４ａを同じ抵抗値にしようとする場合に遠くにあるＬＥＤドライブ用トランジスタ１１に接続された配線１１ａの配線幅が実用限界を超える広さになってしまう。
【００４０】
そこで、最も長い配線１１ａに用いる幅を設定し、その配線抵抗を求めておいて、少なくともその抵抗値は確保できる長さまで配線１４ａ迂回させている。
ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５、１６と電源パッド３２との配線も上記と同様、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１５、１６と電源パッド３２の配線抵抗が同一になるようにしている。
【００４１】
配線１５ａ，１６ａのうち、電源パッド３２、ＬＥＤドライブ用トランジスタ間の配線長さが長い配線１５ａは配線幅が配線１６ａよりも広くされている。
配線１１ａ〜１６ａは配線幅及び配線長さを設定することにより同じ抵抗値に設定されている。
【００４２】
配線に用いるメタルの単位面積あたりの抵抗値をＲｓ、ＬＥＤドライブ用トランジスタのソースから電源パッド３１又は３２までの配線距離をＬ、配線幅をＷとすると、配線抵抗Ｒは、
Ｒ＝Ｒｓ・Ｌ／Ｗ  ・・・（１）
で表される。
【００４３】
すなわち、ＬＥＤドライブ用トランジスタのソースと電源パッド間を接続するすべての配線を同じ抵抗値にするには、上記式（１）に示すように、配線距離（Ｌ）が大きい場合は配線幅（Ｗ）を広くすればよく、配線距離（Ｌ）が短い場合は配線幅（Ｗ）を狭くすればよい。また、配線幅（Ｗ）を最小線幅まで狭くしても配線抵抗が小さい場合は、配線長（Ｌ）を必要な分だけ長くすればよい。
【００４４】
本発明の半導体装置は、例えば図５に示したＬＥＤドライブ回路に適用することができる。このように、ＬＥＤドライブ用トランジスタと電源パッド間の配線抵抗を等しくすることは、図５に示したような定電流回路構成に適用した場合に特に有効である。
【００４５】
図２は本発明が適用されるＬＥＤドライブ回路の他の例を示す回路図である。図１及び図５と同じ回路要素については同じ符号を付す。
この回路が図５に示した回路と異なる点は、バイアス電圧Ｖｂを定電流源３０とＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０で構成している点である。
【００４６】
ＭＯＳトランジスタ１０はＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６と同一プロセスで作られているが、素子サイズが数十分の１〜数千分の１と小さくしてある。トランジスタ１０のソースは接地され、ドレインは電流源３０を介して電源Ｖｄｄに接続されている。ゲートはドレインに接続されると共に、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のすべてのゲートと共通接続されている。
【００４７】
これにより、ＬＥＤ１〜６に供給される電流は、電流源３０の電流値に対し、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６とＮＭＯＳトランジスタ１０の素子サイズの比の逆数を乗じた電流（数十から数千倍）が供給されることになる。
また、図１を参照して説明した実施例の配線１１ａ〜１６ａにより、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６の抵抗値はほぼ同一であり、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２６の抵抗値はほぼ０となるので、ＬＥＤドライブ用トランジスタ１１〜１６のゲート−ソース間電圧はＬＥＤ電流に因らずほぼ一定となるので、輝度ムラを無くすことができる。
【００４８】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、形状、配置などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
例えば、図２ではＬＥＤドライブ回路をＮチャネル型ＭＯＳトランジスタで構成した回路を示したが、カソードコモンのＬＥＤアレイを駆動する場合など、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタに代えてＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを用いることができる。この場合、配線抵抗が電源Ｖｄｄ側に移動するだけで、全く同様の構成が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一実施例の電源パッドとＬＥＤドライブ用トランジスタの配線を示す平面図である。
【図２】本発明が適用されるＬＥＤドライブ回路の一例を示す回路図である。
【図３】従来の半導体装置上における電源パッドとＬＥＤドライブ用トランジスタの配線の例を示す平面図である。
【図４】従来の半導体装置上における電源パッドとＬＥＤドライブ用トランジスタの配線の他の例を示す平面図である。
【図５】本発明が適用されるＬＥＤドライブ回路の他の例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    半導体装置
１０    Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ
１１〜１６    ＬＥＤドライブ用トランジスタ
１１ａ〜１６ａ    配線
２１〜２６    ＬＥＤ接続用パッド
３１，３２    ＧＮＤ側電源パッド
３３    太い配線
Ｒ１１〜Ｒ２６    配線抵抗
３０    電流源
【図１】
2007287842.tif 000003
【図２】
2007287842.tif 000004
【図３】
2007287842.tif 000005
【図４】
2007287842.tif 000006
【図５】
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