(57)【要約】【課題】複数の半導体集積回路を１つのパッケージの中に一体に組み込む場合であっても不良検出時の部分的な半導体集積回路の交換を可能とし製造コストの低減を可能にする。【解決手段】薄板形状の半導体集積回路１５０を内部に収容して保持するための半導体パッケージ装置であって、側面に形成された開口部５１を有し、開口部５１から収容する半導体集積回路１５０の外形と同等もしくは少し大きいスロット形状の内空間が形成された少なくとも１つのスロット部５０を備えるパッケージ本体１００と、パッケージ本体１００の側面から前記開口部を閉塞する側面封止部１０５と、パッケージ本体１００の内部で挿入された半導体集積回路１５０と電気的に接続される電極を形成する電気接続部１０１とを設けた。【選択図】図５
2007134544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板形状の半導体集積回路を収容して保持するための半導体パッケージ装置であって、
前記半導体集積回路を収容するスロット部を有するパッケージ本体と、
前記スロット部の開口を閉塞する閉塞手段と、
前記スロット部に収容された半導体集積回路と電気的に接触する接触手段とを備える半導体パッケージ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体パッケージ装置において、厚み方向に配設された複数のスロット部のそれぞれに設けられた接触手段同士を互いに電気的に接続する接続部を備える半導体パッケージ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体パッケージ装置において、前記接触手段は前記半導体集積回路を挟持する湾曲形状の一対の導電体素子である半導体パッケージ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体パッケージ装置において、前記半導体集積回路と嵌合する窪みを前記パッケージ本体の内壁に形成した半導体パッケージ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体パッケージ装置において、前記接触手段は前記半導体集積回路と接触する針状の導電体素子である半導体パッケージ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体パッケージ装置において、前記接触手段は前記パッケージ本体に形成した充填孔に充填された熱流動性導電体である半導体パッケージ装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体パッケージ装置において、前記充填孔に充填された熱流動性導電体を排出する排出孔を前記充填孔とは異なる向きに前記パッケージ本体に形成した半導体パッケージ装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体パッケージ装置において、収容された半導体集積回路の接続端子部に形成されたスルーホールと整合する孔を前記パッケージ本体に形成した半導体パッケージ装置。
【請求項９】
薄板形状の少なくとも１つの半導体集積回路を収容して保持するための半導体パッケージ装置であって、
前記半導体集積回路を収容するパッケージ本体と、
前記パッケージ本体の開口部を閉塞する閉塞手段と、
前記パッケージ本体に押圧力を付与する押圧手段とを備える半導体パッケージ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体パッケージ装置において、前記押圧手段はバネ状の導電体素子である半導体パッケージ装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体パッケージ装置において、前記接触手段は前記閉塞手段を前記パッケージ本体に螺止する螺子部材である半導体パッケージ装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の半導体パッケージ装置において、前記接触手段は前記閉塞手段を前記パッケージ本体に挟持するクリップ部材である半導体パッケージ装置。
【請求項１３】
請求項１から１２の何れか一項記載の半導体パッケージ装置に収容した半導体集積回路に対する不良検査を行う方法において、
不良判定された半導体集積回路を交換した後に再度不良検査を行う検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄板形状の半導体集積回路を収容して保持するための半導体パッケージ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス（集積回路）は微細化技術の進歩により高密度化が進み、現在では１つの半導体デバイス上に複数の処理機能を実現する回路を集積化した大規模な半導体集積回路デバイスが製品化されている。しかし、セットとして要求される半導体デバイス機能の需要は、半導体デバイスの開発スピードを上回っているのが実情であり、セットに必要な機能全てを１つの半導体デバイスで作成することは困難である。
【０００３】
そのような中、近年ではＳｉＰ(Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ)技術が注目されている。ＳｉＰ技術は、複数の半導体デバイスを１つの半導体パッケージ内で結線し封止するものである。従って、ＳｉＰ技術で作成された集積回路は、１つのパッケージ内に複数の半導体デバイスが収容されているにもかかわらず、外部からはあたかも１つの高機能な半導体デバイスのような振る舞いをすることになる。しかし、ＳｉＰ技術では高度な組立て技術が必要とされるため、組立て時の不良が多発する恐れがある。しかも、封止後に不良が検出された場合には、半導体パッケージ内に含まれる正常な半導体デバイスも全て不良扱いとせざるを得ないので、歩留まりの低下が避けられず、製造コストの増大につながる懸念がある。そこで、例えば特許文献１においては、半導体デバイス間をワイヤーボンディングのように直接結線するのではなく、半導体デバイスに他デバイスとの接続を可能にするコンタクト冶具（コンタクト基板）を装着し、これらコンタクト冶具を装着した半導体デバイスを、積層することにより接続することを提案している。
【０００４】
図２４は上記コンタクト冶具を用いた多層の半導体パッケージの構成を示す図であり、接続パターン４を設けた第１の回路基板３上に単体の電子部品５を実装し、下面に半田電極７を接続してなる第１の単体実装基板１上に、接続パターン４に第２の単体実装基板２の半田電極１１を位置合わせして実装し、単体実装基板を多層化した構造を採る。
【特許文献１】特開平１０−１３５２６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された技術では、半導体デバイス個別に配線基板との接続を行うため、半導体デバイスと配線基板との間の接続検査は半導体デバイス個別で行うことができ、最終積層時に発生する可能性がある半導体デバイス個別の不良を低減することが可能である。しかし、従来技術では最終積層時の個別半導体デバイスとの接続不良の可能性がある。また、半導体デバイスへの配線基板の接続、積層化という２工程を必要とし、それぞれにおいて検査を実施することは、検査コストの増大を招く。また、最終積層を半田などにより接続するため、積層後の検査実施により半導体デバイス間の接続不良を検出した場合、半導体デバイス交換が容易でないため、すべての半導体デバイスを破棄せざるを得ない場合もある。
【０００６】
本発明は、複数の半導体集積回路を１つのパッケージの中に一体に組み込む場合であっても、不良検出時の部分的な半導体集積回路の交換を可能とし、製造コストを低減することが可能な半導体パッケージ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体パッケージ装置は、薄板形状の半導体集積回路を収容して保持するための半導体パッケージ装置であって、前記半導体集積回路を収容するスロット部を有するパッケージ本体と、前記スロット部の開口を閉塞する閉塞手段と、前記スロット部に収容された半導体集積回路と電気的に接触する接触手段とを備える。この構成によれば、スロット部に収容された半導体集積回路と電気的に接触させる構成を備えることにより、１つのパッケージに複数の半導体集積回路を積層状態で同時に組み込む場合であっても、完全な封止を行う前に、すなわち仮止め状態で前記パッケージ本体に組み込まれた半導体集積回路の検査を実施することができる。仮止め状態における検査の結果、不良が検出された場合には、スロット部に装着された半導体集積回路を取り出して交換することができるので、不良の原因が半導体集積回路とパッケージ側とのどちらにあるのかを区別することができる。従って、検査で不良が検出された場合に半導体集積回路とパッケージとの全体を不良品として廃棄する必要がなく、歩留まりを改善し製造コストの増大を抑制できる。仮止め状態における検査の結果、良品であることが確認できた段階で、前記側面封止部により前記パッケージ本体の側面の開口部を閉塞し、最終的な製品として封止することができる。
【０００８】
本発明において、厚み方向に配設された複数のスロット部のそれぞれに設けられた接触手段同士を互いに電気的に接続する接続部を備える。また、前記接触手段を前記半導体集積回路を挟持する湾曲形状の一対の導電体素子とした。また、前記半導体集積回路と嵌合する窪みを前記パッケージ本体の内壁に形成したものである。また、前記接触手段を前記半導体集積回路と接触する針状の導電体素子とした。また、前記接触手段を前記パッケージ本体に形成した充填孔に充填された熱流動性導電体とした。さらに、前記充填孔に充填された熱流動性導電体を排出する排出孔を前記充填孔とは異なる向きに前記パッケージ本体に形成した。また、収容された半導体集積回路の接続端子部に形成されたスルーホールと整合する孔を前記パッケージ本体に形成した。
【０００９】
本発明の半導体パッケージ装置は、薄板形状の少なくとも１つの半導体集積回路を収容して保持するための半導体パッケージ装置であって、前記半導体集積回路を収容するパッケージ本体と、前記パッケージ本体の開口部を閉塞する閉塞手段と、前記パッケージ本体に押圧力を付与する押圧手段とを備える。
【００１０】
本発明において、前記押圧手段をバネ状の導電体素子とした。また、前記接触手段を前記閉塞手段を前記パッケージ本体に螺止する螺子部材とした。また、前記接触手段を前記閉塞手段を前記パッケージ本体に挟持するクリップ部材とした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数の半導体集積回路を積層した状態でパッケージに組み込む場合であっても、不良が検出された場合に、全ての部品を廃棄する必要はなく、不良の発生している半導体集積回路又はパッケージを交換して良品を製造することができるので、歩留まりを改善することができ、製造コストの増大を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部外観を示す斜視図である。図２は第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。図３は第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す横断面図である。図４は第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を右側面側から見た縦断面図である。図５は図４に示す半導体パッケージ装置の一部分を拡大して詳細に示す縦断面図である。
【００１３】
図１から図５に示す半導体パッケージ装置は、薄板形状に構成された複数の半導体デバイス１５０を内部に収容すると共に、複数の半導体デバイス１５０の回路を内部で互いに結線して所望の機能を実現する電子回路を構成するものである。また、最終的には製品として出荷できるように本封止され、半導体デバイス１５０が外気に触れないように気密性を持たせると共に、外部からの力による振動や衝撃に耐えうるように十分な強度で半導体デバイス１５０を保持する。
【００１４】
パッケージ本体１００は、図１に示すように箱状に形成されており、内部に空間を有している。具体的には、パッケージ本体１００の１つの面に設けた開口部５１とつながる複数のスロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)が縦方向に並んで配置されている。各スロット状空間５０は、形状がスロット状、すなわち断面形状が矩形であり、各スロット状空間５０の厚みは収容される各半導体デバイス１５０の厚みよりも少し大きな寸法に形成されている。パッケージ本体１００の材質としては、例えば樹脂のような絶縁体が用いられる。複数のスロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)の間には隔壁が設けられている。各半導体デバイス１５０(1)、１５０(2)は、図１に示すように開口部５１から矢印で示す向きで各スロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)に挿入され、図４に示すようにパッケージ本体１００の内部に収容される。なお、図１においてはパッケージ本体１００に３つのスロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)を形成した場合を示しており、図２から図４においてはパッケージ本体１００に２つのスロット状空間５０(1)、５０(2)を形成した場合を示している。
【００１５】
図３に示すように、各半導体デバイス１５０には、その表面及び裏面の周辺部に沿って多数の端子（又は電極、あるいはコンタクト用パッドと呼ばれる）１５０ａが形成されている。また、パッケージ本体１００の内壁から各スロット状空間５０に突出する形で、多数のコンタクト用導電性素子１０１がほぼ一定の間隔で並んで配置されている。各コンタクト用導電性素子１０１は、半導体デバイス１５０上の端子１５０ａと対をなすように位置決めされている。
【００１６】
各コンタクト用導電性素子１０１は、導電性の材料で構成され、湾曲した形状に形成され、弾性を有している。また、図４に示すよう各コンタクト用導電性素子１０１はスロット状空間５０内に挿入された半導体デバイス１５０の表面又は裏面の端子１５０ａと接触する。すなわち、半導体デバイス１５０は表面及び裏面の両面がコンタクト用導電性素子１０１によって上下に挟まれる形で安定して支持され、同時に半導体デバイス１５０の電気回路とコンタクト用導電性素子１０１とが電気的に確実に接続される。
【００１７】
また、実際には図５に示すように、パッケージ本体１００の内部の壁面に窪み１０４が形成してある。この窪み１０４の大きさは、半導体デバイス１５０の幅及び厚みと同等になっているので、パッケージ本体１００のスロット状空間５０に挿入された半導体デバイス１５０の端部を窪み１０４に差し込んで固定することができる。これにより、半導体デバイス１５０はより確実にパッケージ本体１００に支持され、同時に半導体デバイス１５０上の端子１５０ａとコンタクト用導電性素子１０１との間でより安定した接触状態を維持することができる。
【００１８】
各コンタクト用導電性素子１０１は、パッケージ本体１００の内壁に組み込まれたパッケージ内配線１０３と接続されている。パッケージ内配線１０３としては、複数のスロット状空間５０のコンタクト用導電性素子１０１同士を接続する配線や、各コンタクト用導電性素子１０１とパッケージ外側に露出する端子（図示せず）とを接続するための配線が含まれている。
【００１９】
従って、図４に示すようにパッケージ本体１００の中に複数の半導体デバイス１５０を差し込んで装着することにより、複数の半導体デバイス１５０の必要な回路部分をコンタクト用導電性素子１０１及びパッケージ内配線１０３を介して互いに接続し、複雑な機能を有する所望の電子回路を構成することができる。
【００２０】
パッケージ本体１００の中に複数の半導体デバイス１５０を差し込んで装着した状態、すなわち仮止め状態（仮封止状態）で製品と同様に所望の電子回路が構成されるので、パッケージ本体１００の外側に所定の検査装置を接続し、パッケージ本体１００内部の電子回路を検査することができる。この検査において不良を検出した場合には、まだ完全に封止されていないので、いずれかの半導体デバイス１５０をパッケージ本体１００のスロット状空間５０から取り出して別の半導体デバイス１５０と交換することができる。
【００２１】
検査の結果、良品であることが確認できた場合には、パッケージ本体１００の開口部５１を図５に示すような形状の本封止部品１０５を用いて閉塞し、本封止部品１０５をパッケージ本体１００に固定する。これにより、パッケージ本体１００の内部の気密性を保つことができるので、半導体デバイス１５０に関する封止が完了する。
【００２２】
また、図５に示すように本封止部品１０５の内側の壁面にも、半導体デバイス１５０と対向する位置に窪み１０６が形成されている。窪み１０６の大きさは、半導体デバイス１５０の幅及び厚みと同等であり、半導体デバイス１５０の一端を窪み１０６に差し込んでしっかりと固定することができる。
【００２３】
（第２の実施の形態）
図６は第２の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。図７は第２の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す横断面図である。図８は第２の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を右側面側から見た縦断面図である。この形態は、第１の実施の形態の変形例であり、図６から図８において第１の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。第１の実施の形態と異なる部分について以下に説明する。
【００２４】
図６から図８に示すように、この形態でもパッケージ本体１００Ｂの内空間には複数のスロット状空間５０が厚み方向に並んで形成されている。従って、これらのスロット状空間５０に図８に示すように半導体デバイス１５０を挿入することができる。また、パッケージ本体１００Ｂ内部のスロット状空間５０には、第１の実施の形態におけるコンタクト用導電性素子１０１の代わりに、ピン状コンタクト用導電性素子１１１が半導体デバイス１５０の上側の面と対向する位置に設けてある。
【００２５】
ピン状コンタクト用導電性素子１１１は、導電体で形成された多数のピンで構成されており、各々のピンは互いに絶縁され独立している。また、ピン状コンタクト用導電性素子１１１を構成する各ピンは、その基部にある軸を中心として蝶番のように向きを変えることができるように構成されている。ピン状コンタクト用導電性素子１１１のピンの数及び配置間隔は、対応する半導体デバイス１５０上の端子１５０ａの数及び配置間隔と同じになっている。
【００２６】
パッケージ本体１００Ｂの内壁には、各スロット状空間５０の周辺部に沿って、スロット状空間５０と対向するように溝状のピン収納空間１１０が形成されている。そして、このピン収納空間１１０の内部でピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンの基部が支持されている。
【００２７】
この形態では、各スロット状空間５０の厚みはピン収納空間１１０の部分を除いて半導体デバイス１５０の厚みと同等の寸法になるように形成されている。従って、半導体デバイス１５０をスロット状空間５０に挿入するとスロット状空間５０内に空いている空間がほとんどなくなるが、ピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンは向きを変えてピン収納空間１１０の内部に退避することができるので、半導体デバイス１５０の挿入動作を妨げることはない。
【００２８】
実際には、半導体デバイス１５０を挿入する際には、図８に示す下段のスロット状空間５０(2)と対向するピン状コンタクト用導電性素子１１１(B)のように、ピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンは大きく傾いてピン収納空間１１０内に退避するので、半導体デバイス１５０と接触せず、半導体デバイス１５０の移動を妨げない。これにより、半導体デバイス１５０及び端子１５０ａの破損が防止される。
【００２９】
また、スロット状空間５０内に半導体デバイス１５０が装着された後は、図８に示す上段のスロット状空間５０(1)と対向するピン状コンタクト用導電性素子１１１(A)のように、ピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンは傾きが垂直に近づくように起きあがり、半導体デバイス１５０上の各端子１５０ａと接触する。これにより、ピン状コンタクト用導電性素子１１１と半導体デバイス１５０との確実な電気接続が実現する。なお、ピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンに弾性を持たせても良い。
【００３０】
第１の実施の形態と同様に、ピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンはパッケージ内配線１０３と電気的に接続されている。この形態では、スロット状空間５０の寸法が半導体デバイス１５０と同等であるため、半導体デバイス１５０をスロット状空間５０に挿入するだけで安定した状態で半導体デバイス１５０を保持することができる。
【００３１】
従って、第１の実施の形態と同様に仮止め状態で検査を実施することができる。検査の結果、不良が検出された場合には、図８に示す下段のスロット状空間５０(2)と対向するピン状コンタクト用導電性素子１１１(B)のように、再びピン状コンタクト用導電性素子１１１の各ピンを大きく傾けてピン収納空間１１０内に退避させることにより、半導体デバイス１５０との接触が解除されるので、不良の半導体デバイス１５０を取り外し、交換することができる。検査の結果、良品であることが判明した後で、第１の実施の形態と同様に本封止部品１０５を装着して封止すればよい。
【００３２】
（第３の実施の形態）
図９は第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。図１０は第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す平面図である。図１１は第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す右側面図である。図１２は第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を右側面側から見た縦断面図である。図１３は図９の内容を拡大して詳細に示す縦断面図である。この形態は、第２の実施の形態の変形例であり、図９から図１３において第２の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。第２の実施の形態と異なる部分について以下に説明する。
【００３３】
図９及び図１２に示すように、この形態でもパッケージ本体１００Ｃの内空間には複数のスロット状空間５０が厚み方向に並んで形成されている。従って、これらのスロット状空間５０に図１２に示すように半導体デバイス１５０を挿入することができる。この形態では、第２の実施の形態におけるピン状コンタクト用導電性素子１１１と同様の電気接続機能を実現するために、半田のような熱流動性材料を用いて多数の電極を形成する。これらの電極を形成するために、パッケージ本体１００Ｃの壁面には、各スロット状空間５０の周辺部と対向する位置に多数のコンタクト用上面スルーホール１２１及び多数のコンタクト用側面スルーホール１２３が形成されている。
【００３４】
コンタクト用上面スルーホール１２１及びコンタクト用側面スルーホール１２３の各ホールの数及び形成された位置は、挿入される半導体デバイス１５０上の端子１５０ａの数及び位置と一致するように形成されている。また、コンタクト用上面スルーホール１２１及びコンタクト用側面スルーホール１２３の各ホールは、パッケージ本体１００Ｃの外側表面からスロット状空間５０までの壁面を貫通するように形成されている。コンタクト用上面スルーホール１２１の各ホールは厚み方向に向かって形成されており、コンタクト用側面スルーホール１２３の各ホールは、水平方向に伸びた開口部分と厚み方向に伸びた開口部分とで構成されている。
【００３５】
従って、図１２に示すようにスロット状空間５０に半導体デバイス１５０を挿入した状態で、パッケージ本体１００Ｃの上面（表面）に開口したコンタクト用上面スルーホール１２１及びパッケージ本体１００Ｃの側面（表面）に開口したコンタクト用側面スルーホール１２３に外側から、熱により溶かし流動性を持たせた半田のような熱流動性材料を注入し、各ホールの内空間を満たすように電極を形成することができる。
【００３６】
各スロット状空間５０の大きさは、挿入する半導体デバイス１５０の大きさと同等の寸法に形成してあるので、半導体デバイス１５０をスロット状空間５０に挿入するだけでしっかりと半導体デバイス１５０を保持することができる。また、コンタクト用上面スルーホール１２１及びコンタクト用側面スルーホール１２３から注入された熱流動性材料によって形成される各電極は、先端が半導体デバイス１５０上の端子１５０ａと接触する位置まで伸びるので、半導体デバイス１５０はコンタクト用上面スルーホール１２１又はコンタクト用側面スルーホール１２３に形成された各電極と電気的に接続される。
【００３７】
また、コンタクト用上面スルーホール１２１及びコンタクト用側面スルーホール１２３に形成される各電極がパッケージ内配線１０３と電気的に接続されるように、パッケージ内配線１０３はコンタクト用上面スルーホール１２１及びコンタクト用側面スルーホール１２３に面する位置まで伸びている。従って、スロット状空間５０内に半導体デバイス１５０を挿入し、コンタクト用上面スルーホール１２１及びコンタクト用側面スルーホール１２３の各ホールに熱流動性材料を注入して各電極を形成すると、第２の実施の形態と同様に仮止め状態で検査を実施することができる。検査の結果、不良が検出された場合には、不良品の半導体デバイス１５０をスロット状空間５０から取り外して交換する必要があるが、その場合、コンタクト用上面スルーホール１２１又はコンタクト用側面スルーホール１２３に形成された電極を除去することにより交換が容易になる。
【００３８】
図１３に示すように、パッケージ本体１００Ｃには、コンタクト用上面スルーホール１２１から熱流動性材料を除去するために半田取り出し口１２４が設けてあり、コンタクト用側面スルーホール１２３から熱流動性材料を除去するために半田取り出し口１２５が設けてある。半田取り出し口１２４は、各コンタクト用上面スルーホール１２１の下端（端子１５０ａと対向する位置）とパッケージ本体１００Ｃの表面とを連通するようにパッケージ本体１００Ｃの壁面を貫通する穴であり、コンタクト用上面スルーホール１２１とは違う向きに形成してある。また、半田取り出し口１２５は各コンタクト用側面スルーホール１２３の下端（端子１５０ａと対向する位置）とパッケージ本体１００Ｃの表面（側面）とを連通するようにパッケージ本体１００Ｃの壁面を貫通する穴であり、コンタクト用側面スルーホール１２３とは違う位置に形成してある。
【００３９】
コンタクト用上面スルーホール１２１から熱流動性材料を除去する時以外は、半田取り出し口１２４は適当な栓によって内空間が閉塞されているので、半田取り出し口１２４に熱流動性材料が流入することはない。同様に、コンタクト用側面スルーホール１２３から熱流動性材料を除去する時以外は、半田取り出し口１２５は適当な栓によって内空間が閉塞されているので、半田取り出し口１２５に熱流動性材料が流入することはない。
【００４０】
コンタクト用上面スルーホール１２１内から熱流動性材料を除去する際には、半田取り出し口１２４の栓を外し、コンタクト用上面スルーホール１２１に形成された電極に熱を加えて流動性を持たせた熱流動性材料を半田取り出し口１２４から吸引などの方法を用いて除去することができる。同様に、コンタクト用側面スルーホール１２３内から熱流動性材料を除去する際には、半田取り出し口１２５の栓を外し、コンタクト用側面スルーホール１２３に形成された電極に熱を加えて流動性を持たせた熱流動性材料を半田取り出し口１２５から吸引などの方法を用いて除去することができる。検査の結果、良品であることが判明した場合には、第１の実施の形態と同様に本封止部品１０５を装着して封止すれば製品として出荷することができる。
【００４１】
（第４の実施の形態）
図１４は第４の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。この形態は、第１の実施の形態の変形例である。図１４に示すパッケージ本体２１２は、第１の実施の形態のパッケージ本体１００と同様に、複数のスロット状空間５０(1)及び５０(2)を備えている。従って、スロット状空間５０(1)及び５０(2)には、図１４に示すようにそれぞれ半導体デバイス２０１及び半導体デバイス２０２を挿入して装着することができる。この形態では、半導体デバイス２０１にはその基板を貫通するスルーホール２０１ａ、２０１ｂが形成され、半導体デバイス２０２にはその基板を貫通するスルーホール２０２ａ、２０２ｂが形成されている。各スルーホール２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０２ｂは、導電性の材料で覆われている。
【００４２】
パッケージ本体２１２には各スルーホール２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０２ｂと対向する位置に壁面を貫通するように穴２１２ａ及び２１２ｂが形成してある。また、図１４に示すように穴２１２ａ及び２１２ｂには、それぞれパッケージ本体２１２の外側から挿入した棒状コンタクト用導電性素子２０３が通してある。これらの棒状コンタクト用導電性素子２０３は、半導体デバイス２０１のスルーホール２０１ａ、２０１ｂと、半導体デバイス２０２のスルーホール２０２ａ、２０２ｂとを貫通するように装着される。
【００４３】
棒状コンタクト用導電性素子２０３の直径は各スルーホール２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０２ｂの大きさと同等になっているので、棒状コンタクト用導電性素子２０３を通すことにより、棒状コンタクト用導電性素子２０３と各スルーホール２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０２ｂとが電気的に接続される。従って、一方の棒状コンタクト用導電性素子２０３によって半導体デバイス２０１のスルーホール２０１ａと半導体デバイス２０２のスルーホール２０２ａとが電気的に接続され、もう一方の棒状コンタクト用導電性素子２０３によって半導体デバイス２０１のスルーホール２０１ｂと半導体デバイス２０２のスルーホール２０２ｂとが電気的に接続される。つまり、半導体デバイス２０１上の回路と半導体デバイス２０２上の回路とを棒状コンタクト用導電性素子２０３を介して互いに電気的に接続することができる。従って、棒状コンタクト用導電性素子２０３を用いることにより、第１の実施の形態のパッケージ内配線１０３やコンタクト用導電性素子１０１の一部を省略することができる。
【００４４】
（第５の実施の形態）
図１５は第５の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。  この形態は、第４の実施の形態の変形例であり、図１５において第４の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。
【００４５】
図１５に示すパッケージ本体２１２は、第１の実施の形態のパッケージ本体１００と同様に、複数のスロット状空間５０(1)及び５０(2)を備えている。従って、スロット状空間５０(1)及び５０(2)には、図１５に示すようにそれぞれ半導体デバイス２０１及び半導体デバイス２０５を挿入して装着することができる。この形態では、半導体デバイス２０１にはその基板を貫通するスルーホール２０１ａ、２０１ｂが形成され、半導体デバイス２０５にはその基板の表面にコンタクトパッド２０４が形成されている。コンタクトパッド２０４は、例えば半田ボールのように導電性を有する電極であり、半導体デバイス２０５上の回路と電気的に接続されている。
【００４６】
パッケージ本体２１２には各スルーホール２０１ａ、２０１ｂ及びコンタクトパッド２０４と対向する位置に、壁面を貫通するように穴２１２ａ及び２１２ｂが形成してある。また、図１５に示すように穴２１２ａ及び２１２ｂには、それぞれパッケージ本体２１２の外側から挿入した棒状コンタクト用導電性素子２０３が通してある。これらの棒状コンタクト用導電性素子２０３は、半導体デバイス２０１のスルーホール２０１ａ、２０１ｂを貫通し、半導体デバイス２０５表面のコンタクトパッド２０４と接触するように装着される。
【００４７】
棒状コンタクト用導電性素子２０３の直径は各スルーホール２０１ａ、２０１ｂの大きさと同等になっているので、棒状コンタクト用導電性素子２０３を通すことにより、棒状コンタクト用導電性素子２０３と各スルーホール２０１ａ、２０１ｂとが電気的に接続される。従って、一方の棒状コンタクト用導電性素子２０３によって半導体デバイス２０１のスルーホール２０１ａと半導体デバイス２０５の一方のコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、もう一方の棒状コンタクト用導電性素子２０３によって半導体デバイス２０１のスルーホール２０１ｂと半導体デバイス２０５のもう一方のコンタクトパッド２０４とが電気的に接続される。
【００４８】
つまり、半導体デバイス２０１上の回路と半導体デバイス２０５上の回路とを棒状コンタクト用導電性素子２０３を介して互いに電気的に接続することができる。従って、棒状コンタクト用導電性素子２０３を用いることにより、第１の実施の形態のパッケージ内配線１０３やコンタクト用導電性素子１０１の一部を省略することができる。なお、コンタクトパッド２０４については弾性を有する電極を用いることにより、より安定した接続状態を維持することが可能になる。
【００４９】
（第６の実施の形態）
図１６は第６の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。この形態は、第５の実施の形態の変形例であり、図１６において第５の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。図１６に示すパッケージ本体２１２は、第１の実施の形態のパッケージ本体１００と同様に、複数のスロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)を備えている。従って、各スロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)には、図１６に示すようにそれぞれ半導体デバイス２０１と半導体デバイス２１０と半導体デバイス２０６とを挿入して積層状態で装着することができる。この形態では、半導体デバイス２０１にはその基板を貫通するスルーホール２００(1)、２００(2)が形成され、半導体デバイス２０６にはその基板を貫通するスルーホール２００(3)、２００(4)が形成され、半導体デバイス２０８にはその基板の表面及び裏面にそれぞれコンタクトパッド２０４が形成されている。コンタクトパッド２０４は、例えば半田ボールのように導電性を有する電極であり、半導体デバイス２０８上の回路と電気的に接続されている。
【００５０】
パッケージ本体２１２には各スルーホール２００(1)、２００(2)、２００(3)、２００(4)及びコンタクトパッド２０４と対向する位置に、壁面を貫通するように穴２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃ、２１２ｄが形成してある。また、図１６に示すように穴２１２ａ及び２１２ｂには、それぞれパッケージ本体２１２の上方から下方に向かって挿入した棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)及び２０３(2)が通してある。これらの棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)及び２０３(2)は、半導体デバイス２０１のスルーホール２００(1)、２００(2)を貫通し、半導体デバイス２０８表面のコンタクトパッド２０４と接触するように装着される。
【００５１】
更に、図１６に示すように穴２１２ｃ及び２１２ｄには、それぞれパッケージ本体２１２の下方から上方に向かって挿入した棒状コンタクト用導電性素子２０７(1)及び２０７(2)が通してある。これらの棒状コンタクト用導電性素子２０７(1)及び２０７(2)は、半導体デバイス２０６のスルーホール２００(3)、２００(4)を貫通し、半導体デバイス２０８裏面のコンタクトパッド２０４と接触するように装着される。
【００５２】
棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)、２０３(2)の直径は各スルーホール２００(1)、２００(2)の大きさと同等になっているので、棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)、２０３(2)を通すことにより、棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)、２０３(2)と各スルーホール２００(1)、２００(2)とが電気的に接続される。また、棒状コンタクト用導電性素子２０７(1)、２０３(2)の直径は各スルーホール２００(3)、２００(4)の大きさと同等になっているので、棒状コンタクト用導電性素子２０７(1)、２０７(2)を通すことにより、棒状コンタクト用導電性素子２０７(1)、２０７(2)と各スルーホール２００(3)、２００(4)とが電気的に接続される。
【００５３】
従って、棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)によって半導体デバイス２０１のスルーホール２００(1)と半導体デバイス２０８上の１つのコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、棒状コンタクト用導電性素子２０３(2)によって半導体デバイス２０１のスルーホール２００(2)と半導体デバイス２０８上の１つのコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、棒状コンタクト用導電性素子２０７(1)によって半導体デバイス２０６のスルーホール２００(3)と半導体デバイス２０８上の１つのコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、棒状コンタクト用導電性素子２０７(2)によって半導体デバイス２０６のスルーホール２００(4)と半導体デバイス２０８上の１つのコンタクトパッド２０４とが電気的に接続される。
【００５４】
つまり、半導体デバイス２０１上の回路と、半導体デバイス２０８上の回路と、半導体デバイス２０６上の回路とを棒状コンタクト用導電性素子２０３及び２０７を介して互いに電気的に接続することができる。従って、棒状コンタクト用導電性素子２０３及び２０７を用いることにより、第１の実施の形態のパッケージ内配線１０３やコンタクト用導電性素子１０１の一部を省略することができる。
【００５５】
（第７の実施の形態）
図１７は第７の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。この形態は、第６の実施の形態の変形例であり、図１７において第６の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。図１７に示すパッケージ本体２１２は、第１の実施の形態のパッケージ本体１００と同様に、複数のスロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)を備えている。従って、各スロット状空間５０(1)、５０(2)、５０(3)には、図１７に示すようにそれぞれ半導体デバイス２０１と半導体デバイス２１０と半導体デバイス２０９とを挿入して積層状態で装着することができる。この形態では、半導体デバイス２０１にはその基板を貫通するスルーホール２００(1)から２００(4)が形成され、半導体デバイス２１０にはその基板を貫通するスルーホール２００(5)、２００(6)が形成されている。また、半導体デバイス２１０の基板の表面及び半導体デバイス２０９の基板の表面にはそれぞれコンタクトパッド２０４が形成されている。コンタクトパッド２０４は、例えば半田ボールのように導電性を有する電極であり、各半導体デバイス２１０、２０９上の回路と電気的に接続されている。
【００５６】
パッケージ本体２１２には各スルーホール２００(1)、２００(2)、２００(3)、２００(4)及びコンタクトパッド２０４と対向する位置に、壁面を貫通するように穴２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃ、２１２ｄが形成してある。また、図１７に示すように穴２１２ａから２１２ｄには、それぞれパッケージ本体２１２の上方から下方に向かって挿入した棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)から２０３(4)が通してある。棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)及び２０３(2)は、それぞれ半導体デバイス２０１のスルーホール２００(1)、２００(2)を貫通し、半導体デバイス２１０表面のコンタクトパッド２０４と接触するように装着される。また、棒状コンタクト用導電性素子２０３(3)及び２０３(4)は、それぞれ半導体デバイス２０１のスルーホール２００(3)、２００(4)を貫通し、更に半導体デバイス２１０のスルーホール２００(5)、２００(6)を貫通し、半導体デバイス２０９表面のコンタクトパッド２０４と接触するように装着される。
【００５７】
棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)から２０３(4)の直径は各スルーホール２００(1)から２００(6)の大きさと同等になっているので、棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)から２０３(4)を通すことにより、棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)から２０３(4)と各スルーホール２００(1)から２００(4)とが電気的に接続される。但し、棒状コンタクト用導電性素子２０３(3)、２０３(4)の周面とスルーホール２００(5)、２００(6)の内壁との間には絶縁体２１１が配置されているので、棒状コンタクト用導電性素子２０３(3)とスルーホール２００(5)との間は電気的に接続されず、棒状コンタクト用導電性素子２０３(4)とスルーホール２００(6)との間も電気的に接続されない。
【００５８】
従って、図１７に示す構成例においては、棒状コンタクト用導電性素子２０３(1)によってスルーホール２００(1)と半導体デバイス２１０表面のコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、棒状コンタクト用導電性素子２０３(2)によってスルーホール２００(2)と半導体デバイス２１０表面のコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、棒状コンタクト用導電性素子２０３(3)によってスルーホール２００(3)と半導体デバイス２０９表面のコンタクトパッド２０４とが電気的に接続され、棒状コンタクト用導電性素子２０３(4)によってスルーホール２００(4)と半導体デバイス２０９表面のコンタクトパッド２０４とが電気的に接続される。
【００５９】
つまり、各棒状コンタクト用導電性素子２０３が貫通する位置に絶縁体２１１を配置することにより、各半導体デバイスを通過する位置で棒状コンタクト用導電性素子２０３が各半導体デバイスのスルーホール２００と電気的に接触するのを避けることができる。なお、絶縁体２１１については、各半導体デバイスの該当するスルーホール２００の表面に予め装着しておいても良いし、逆に棒状コンタクト用導電性素子２０３の周面の該当する位置を覆うように棒状コンタクト用導電性素子２０３に予め装着しておいても良い。つまり、半導体デバイス２０１上の回路と、半導体デバイス２１０上の回路と、半導体デバイス２０９上の回路とを複数の棒状コンタクト用導電性素子２０３を介して互いに電気的に接続することができる。従って、棒状コンタクト用導電性素子２０３を用いることにより、第１の実施の形態のパッケージ内配線１０３やコンタクト用導電性素子１０１の一部を省略することができる。
【００６０】
（第８の実施の形態）
図１８は第８の実施の形態における半導体装置の主要部の構成を示す斜視図である。この形態は、第４の実施の形態の変形例であり、図１８において第４の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。図１８に示すように、この形態では図１４に示されたパッケージ本体２１２が存在しない。つまり、パッケージを用いることなく仮止め状態の半導体装置を構成する。
【００６１】
図１８に示す構成においては、パッケージは存在しないが、第４の実施の形態と同様に、半導体デバイス２０１に形成されたスルーホール２０１ａから２０１ｄと半導体デバイス２０２に形成されたスルーホール２０２ａから２０２ｄとにそれぞれ棒状コンタクト用導電性素子２０３を通して固定することにより、半導体デバイス２０１の回路と半導体デバイス２０２の回路とを電気的に接続した状態を実現することができる。従って、図１８に示すような状態に構成した仮止め状態の半導体装置に所定の検査装置を接続し、検査を実施することができる。検査で不良が見つかった場合には、棒状コンタクト用導電性素子２０３を取り外した後で、不良の半導体デバイス２０１又は半導体デバイス２０２を容易に交換することができる。
【００６２】
（第９の実施の形態）
図１９は第９の実施の形態における半導体パッケージ装置の一部分を示す斜視図である。図２１は第９の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す縦断面図である。この形態では、図２１に示すように薄板形状の２つの半導体デバイス３００、３０１を厚み方向に積層した状態でそれらの回路を相互に電気的に接続し、所望の機能を有する半導体装置を構成する場合を想定している。この形態では、図２１に示すように、２つの半導体デバイス３００、３０１を積層して収容できる程度の大きさの内空間を有し、上部に開口部３０５ａが形成されたパッケージ本体３０５を用いている。すなわち、図２１に示すように、上方の開口部３０５ａからパッケージ本体３０５の内空間に２つの半導体デバイス３００、３０１を挿入し、積層した後、プレート形状の封止部材３０８を上からかぶせて仮止めを行う。仮止めを行うために、図２１に示すようにねじ状の仮止め用固定部材３０６を用いて、封止部材３０８とパッケージ本体３０５とを固定する。この仮止めにより、積層された２つの半導体デバイス３００、３０１の部分に圧縮力を加えた状態で保持することができる。
【００６３】
図１９に示すように、各半導体デバイス３００、３０１の表面にはそれぞれコンタクトパッド３０３が形成されている。そして、２つの半導体デバイス３００、３０１のコンタクトパッド３０３間と、上側の半導体デバイス３００の上面のコンタクトパッド３０３と封止部材３０８との間と、下側の半導体デバイス３０１の下面のコンタクトパッド３０３とパッケージ本体３０５との間には、コイルバネ状に形成され弾性を有するコンタクト用導電性素子３０２がそれぞれ配置されている。
【００６４】
図２１に示すように、仮止め用固定部材３０６を締め付けて仮止めした状態では、パッケージ本体３０５と封止部材３０８との間に圧縮力が加わるので、各コンタクト用導電性素子３０２は厚み方向に押し縮められて圧縮され反発力を発生する。この反発力により、各コンタクト用導電性素子３０２は半導体デバイス３００上のコンタクトパッド３０３及び半導体デバイス３０１上のコンタクトパッド３０３と安定した状態で接触し、電気的に接続された状態を維持する。つまり、コイルバネ状のコンタクト用導電性素子３０２を用いることにより、半導体デバイス３０１と３０２との間の回路の接続、並びに各半導体デバイス３００、３０１とパッケージ本体３０５や仮止め用固定部材３０６との間の電気的接続状態を確保することができる。
【００６５】
図２１に示すような仮止め状態において、パッケージ本体３０５の内部では半導体デバイス３００の回路と半導体デバイス３０１とが互いに接続され、所望の機能を実現する電子回路が形成されるので、パッケージ本体３０５の外側に所定の検査装置を接続し、半導体装置全体としての検査を実施することができる。この検査において不良が検出された場合には、仮止め用固定部材３０６のねじを緩めてそれを取り外し、封止部材３０８も取り外すことにより、不良の半導体デバイス３００又は半導体デバイス３０１を容易に交換することができる。なお、不良が検出されなかった場合には、図２１に示すような仮止め状態を最終製品形態とすることもできるし、仮止め用固定部材３０６の代わりにそれを装着するための穴から樹脂のような封止材料を流し込み、樹脂封止された最終製品形態の半導体装置を形成することもできる。
【００６６】
（第１０の実施の形態）
図２０は第１０の実施の形態における半導体パッケージ装置の一部分を示す斜視図である。図２２は第１０の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す縦断面図である。この形態は、第９の実施の形態の変形例である。図２０及び図２２において第９の実施の形態と対応する要素は同一の符号を付けて示してある。この形態では、図２２に示すように薄板形状の２つの半導体デバイス３００、３０１を厚み方向に積層した状態でそれらの回路を相互に電気的に接続し、所望の機能を有する半導体装置を構成する場合を想定している。この形態では、図２２に示すように、２つの半導体デバイス３００、３０１を積層して収容できる程度の大きさの内空間を有し、上部に開口部３０５ａが形成されたパッケージ本体３０５を用いている。すなわち、図２２に示すように、上方の開口部３０５ａからパッケージ本体３０５の内空間に２つの半導体デバイス３００、３０１を挿入し、積層した後、プレート形状の封止部材３０８を上からかぶせて仮止めを行う。仮止めを行うために、図２２に示すようにクリップ状の仮止め用固定部材３０７を用いて、封止部材３０８とパッケージ本体３０５とを外側から厚み方向に挟み込み固定する。この仮止めにより、積層された２つの半導体デバイス３００、３０１の部分に圧縮力を加えた状態で保持することができる。仮止め用固定部材３０７は、一般的なクリップと同様に弾性を有する材料で構成され、挟み込む物に対して押し縮める力を与える。
【００６７】
図２０に示すように、半導体デバイス３０１の表面には、電気的に接続すべき各端子の位置に表面から突出した突起状のコンタクト用導電性素子３０４がそれぞれ形成されている。図２２に示すような仮止め状態においては、２つの半導体デバイス３００、３０１が積層状態になり、しかもクリップ状の仮止め用固定部材３０７によって厚み方向の圧縮力が加わるので、半導体デバイス３０１上の各コンタクト用導電性素子３０４の突起が半導体デバイス３００上の端子と確実に接触し、電気的に接続された状態になる。各半導体デバイス３００、３０１とパッケージ本体３０５との間についても、コンタクト用導電性素子３０４と同様の突起状のコンタクト素子を用いることにより、電気的に接続することができる。
【００６８】
図２２に示すような仮止め状態において、パッケージ本体３０５の内部では半導体デバイス３００の回路と半導体デバイス３０１とが互いに接続され、所望の機能を実現する電子回路が形成されるので、パッケージ本体３０５の外側に所定の検査装置を接続し、半導体装置全体としての検査を実施することができる。この検査において不良が検出された場合には、仮止め用固定部材３０７を取り外し、封止部材３０８も取り外すことにより、不良の半導体デバイス３００又は半導体デバイス３０１を容易に交換することができる。
【００６９】
（第１１の実施の形態）
図２３は第１１の実施の形態における半導体組立て方法を示すフローチャートである。この形態では、第１の実施の形態から第１０の実施の形態の中で説明したように、仮止めした状態で内部の半導体デバイスを交換することが可能な半導体パッケージ装置を用いて半導体装置の製品を作成する場合の製造工程の一部分を想定している。いずれの実施の形態で説明した半導体パッケージ装置を用いてもよい。図２３に示す製造工程においては、最初のステップ４００でパッケージ装置に半導体デバイスを挿入する。そして、パッケージと半導体デバイス、または、複数の半導体デバイス相互の仮コンタクト（電気的な接続）が取れた状態で、ステップ４０１としてパッケージの仮止めを行う。仮止めが完了したら、次のステップ４０２で検査を実施する。この検査の結果に応じてステップ４０３又はステップ４０４の行程に進む。すなわち、検査によって不良が検出された場合には、ステップ４０３に進み、不良の半導体デバイスもしくは不良のパッケージを交換する。交換が終了した後、ステップ４０１に戻って同じ行程を繰り返す。ステップ４０２の検査によって不良が検出されなかった場合には、ステップ４０４に進み、パッケージ及びその内部の半導体デバイスの本封止を実施する。本封止が完了した後、ステップ４０５で最終出荷検査を実施し、問題がなれければ良品として出荷する。図２３に示すような製造工程で製造を実施することにより、本封止後の不良発生を大幅に低減できるため、製造コストの増大を抑制できる。また、一部の半導体デバイスが不良であった場合に、不良の半導体デバイスだけを交換することができるので、製造コストの増大を抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明の半導体パッケージ装置は、複数の半導体集積回路を積層した状態でパッケージに組み込む場合であっても、不良が検出された場合に、全ての部品を廃棄する必要はなく、不良の発生している半導体集積回路又はパッケージを交換して良品を製造することができるので、歩留まりを改善することができ、製造コストの増大を抑制できるという効果を有し、薄板形状の半導体集積回路を収容して保持するための半導体パッケージ装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部外観を示す斜視図である。
【図２】第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図３】第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す横断面図である。
【図４】第１の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を右側面側から見た縦断面図である。
【図５】図４に示す半導体パッケージ装置の一部分を拡大して詳細に示す縦断面図である。
【図６】第２の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図７】第２の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す横断面図である。
【図８】第２の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を右側面側から見た縦断面図である。
【図９】第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図１０】第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す平面図である。
【図１１】第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す右側面図である。
【図１２】第３の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を右側面側から見た縦断面図である。
【図１３】図９の内容を拡大して詳細に示す縦断面図である。
【図１４】第４の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図１５】第５の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図１６】第６の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図１７】第７の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を正面側から見た縦断面図である。
【図１８】第８の実施の形態における半導体装置の主要部の構成を示す斜視図である。
【図１９】第９の実施の形態における半導体パッケージ装置の一部分を示す斜視図である。
【図２０】第１０の実施の形態における半導体パッケージ装置の一部分を示す斜視図である。
【図２１】第９の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す縦断面図である。
【図２２】第１０の実施の形態における半導体パッケージ装置の主要部を示す縦断面図である。
【図２３】第１１の実施の形態における半導体組立て方法を示すフローチャートである。
【図２４】従来技術の半導体装置の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
５０  スロット状空間
５１  開口部
１００，１００Ｂ  パッケージ本体
１０１  コンタクト用導電性素子
１０３  パッケージ内配線
１０４  窪み
１０５  本封止部品
１０６  窪み
１１０  ピン収納空間
１１１  ピン状コンタクト用導電性素子
１２１  コンタクト用上面スルーホール
１２３  コンタクト用側面スルーホール
１２４，１２５  半田取り出し口
１５０  半導体デバイス
２００  スルーホール
２０１，２０２，２０５，２０６，２０８，２０９，２１０  半導体デバイス
２０３，２０７  棒状コンタクト用導電性素子
２０４  コンタクトパッド
２１１  絶縁体
２１２  パッケージ本体
３００，３０１  半導体デバイス
３０２，３０４  コンタクト用導電性素子
３０３  コンタクトパッド
３０５  パッケージ本体
３０６，３０７  仮止め用固定部材
３１０  封止部品
【図１】
2007134544.tif 000003
【図２】
2007134544.tif 000004
【図３】
2007134544.tif 000005
【図４】
2007134544.tif 000006
【図５】
2007134544.tif 000007
【図６】
2007134544.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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