(57)【要約】【課題】コート材料によりレジスト層からのクエンチャーを中和し、クエンチャーの活性と流動性を低減させ、レジスト内にあるクエンチャーが水滴に入る可能性を大幅に下げ、ウォータマークの発生を防ぐ。【解決手段】コート材料層１３０が、感応層からのアルカリ性クエンチャー１２４を中和させる酸１３４と、酸１３４のキャリアであり、液浸リソグラフィ工程で用いられる液浸流体に溶解しないポリマー１３２とを含む。酸１３４は、ポリマー１３２へ化学的に結合される。酸１３４は、有機酸を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応層からのアルカリ性クエンチャーを中和する酸と、
前記酸のキャリアであり、液浸リソグラフィ工程で用いられる液浸流体に溶解しないポリマーと、を含むことを特徴とする、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項２】
前記酸が、前記ポリマーへ化学的に結合されたことを特徴とする、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項３】
前記酸が、有機酸を含むことを特徴とする、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項４】
前記有機酸が、スルホニル酸基を含むことを特徴とする、請求項３に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項５】
前記コート材料が、アルカリ性溶液に溶解することを特徴とする、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項６】
前記アルカリ性溶液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を含むことを特徴とする、請求項５に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項７】
前記コート材料が、溶剤に溶解することを特徴とする、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項８】
前記溶剤がシクロヘキサノールを含むことを特徴とする、請求項７に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項９】
感応層からのクエンチャーを結合するハロゲンアルカン化合物と、
液浸リソグラフィ工程で用いられる液浸流体に溶解しないポリマーと、を含むことを特徴とする、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項１０】
前記ハロゲンアルカン化合物が、前記ポリマーへ化学的に結合されたことを特徴とする、請求項９に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料。
【請求項１１】
基板上に、酸を中和するクエンチャーを含む感応層を形成する工程と、
前記感応層上に、コート材料層を形成する工程と、
液浸レンズシステムを用いてフォトマスク及び液浸流体を介して前記感応層を露光する工程と、
前記感応層をベークする工程と、
露光された前記感応層を現像する工程と、を含む液浸リソグラフィの方法であって、
前記コート材料層が、前記感応層からの前記クエンチャーを中和する酸と、前記酸のキャリアであって、前記液浸リソグラフィで用いられる前記液浸流体に溶解しないポリマーとを含むことを特徴とする、液浸リソグラフィの方法。
【請求項１２】
前記液浸レンズシステムの開口率が０．８５よりも大きいことを特徴とする、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法。
【請求項１３】
前記酸が、前記ポリマーへ化学的に結合することを特徴とする、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法。
【請求項１４】
前記コート材料が、アルカリ性溶液に溶解することを特徴とする、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法。
【請求項１５】
前記コート材料が、溶剤に溶解することを特徴とする、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は上部反射防止膜の材料に関し、特にレジスト層上に塗布する液浸リソグラフィ工程に使用する上部反射防止膜の材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術が継続的に発展し、フィーチャサイズが６５ナノメートルや４５ナノメートル以下にまで小さくなるに従い、液浸リソグラフィ工程が採用され始めている。しかし、液浸リソグラフィ工程は、露光工程の後に水滴を残留させることがあった。そして、残留水滴などがウォータマークの欠陥を発生させ、半導体製造の品質を下げたりエラーを発生させたりすることがあった。
【０００３】
そのため、ウォータマークの欠陥によるダメージの発生を防いだりダメージを低減させる上部反射防止膜（top anti-reflection coating：ＴＡＲＣ）など、基板の露光に用いる改良された材料が望まれていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の第１の目的は、コート材料によりレジスト層からのクエンチャーを中和し、クエンチャーの活性と流動性を低減し、レジスト内にあるクエンチャーが水滴に入る可能性を大幅に下げることによりウォータマークの発生を防ぐ、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層（感光層）上に形成されたコート材料を提供することにある。
本発明の第２の目的は、レジスト上に、レジスト層と水滴を隔離するコート材料層を形成し、レジスト層内のクエンチャーがコート材料層に入ると、コート材料層内の成分と中和し、水滴に入らないようにしてウォータマークの発生を防ぐ、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、感応層からのアルカリ性クエンチャーを中和する酸と、前記酸のキャリアであり、液浸リソグラフィ工程で用いられる液浸流体に溶解しないポリマーと、を含むことを特徴とする、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料としている。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記酸が、前記ポリマーへ化学的に結合されたことを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記酸が、有機酸を含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項４の発明は、請求項３に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記有機酸が、スルホニル酸基を含むことを特徴とする。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記コート材料が、アルカリ性溶液に溶解することを特徴とする。
【００１０】
請求項６の発明は、請求項５に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記アルカリ性溶液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を含むことを特徴とする。
【００１１】
請求項７の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記コート材料が、溶剤に溶解することを特徴とする。
【００１２】
請求項８の発明は、請求項７に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記溶剤がシクロヘキサノールを含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項９の発明は、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、感応層からのクエンチャーを結合するハロゲンアルカン化合物と、液浸リソグラフィ工程で用いられる液浸流体に溶解しないポリマーと、を含むことを特徴とする、液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料である。
【００１４】
請求項１０の発明は、請求項９に記載の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料であって、前記ハロゲンアルカン化合物が、前記ポリマーへ化学的に結合されたことを特徴とする。
【００１５】
請求項１１の発明は、液浸リソグラフィの方法であって、基板上に、酸を中和するクエンチャーを含む感応層を形成する工程と、前記感応層上に、コート材料層を形成する工程と、液浸レンズシステムを用いてフォトマスク及び液浸流体を介して前記感応層を露光する工程と、前記感応層をベークする工程と、露光された前記感応層を現像する工程と、を含む液浸リソグラフィの方法であって、前記コート材料層が、前記感応層からの前記クエンチャーを中和する酸と、前記酸のキャリアであって、前記液浸リソグラフィで用いられる液浸流体に溶解しないポリマーとを含むことを特徴とする、液浸リソグラフィの方法である。
【００１６】
請求項１２の発明は、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法であって、前記液浸レンズシステムの開口率が０．８５よりも大きいことを特徴とする。
【００１７】
請求項１３の発明は、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法であって、前記酸が、前記ポリマーへ化学的に結合されたことを特徴とする。
【００１８】
請求項１４の発明は、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法であって、前記コート材料が、アルカリ性溶液に溶解することを特徴とする。
【００１９】
請求項１５の発明は、請求項１１に記載の液浸リソグラフィの方法であって、前記コート材料が、溶剤に溶解することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料は、レジスト層からのクエンチャーを中和し、クエンチャーの活性と流動性を低減し、レジスト内にあるクエンチャーが水滴に入る可能性を大幅に下げることによりウォータマークの発生を防ぐことができる。
【００２１】
また、本発明の液浸リソグラフィ工程で用いられる感応層上に形成されたコート材料は、レジスト上に、レジスト層と水滴を隔離するコート材料層を形成し、レジスト層内のクエンチャーがコート材料層に入ると、コート材料層内の成分と中和して水滴に入らないようにしてウォータマークの発生を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、半導体ウェーハなどの半導体デバイス１００を示す断面図である。半導体デバイス１００は、有機ＢＡＲＣ（Bottom Anti Reflecting Coating）、無機ＢＡＲＣ、耐腐蝕有機層、密着強化有機層、様々なドープト領域、誘電体層及び／又は多層配線を有する基板１１０を含む。本実施形態の基板はシリコンを含むが、他の実施形態の基板はＧｅ、ＳｉＧｅやＧａＡｓなどを含んでもよい。また基板は、薄膜トランジスタ液晶表示（ＴＦＴ−ＬＣＤ）デバイスのガラス基板などの非半導体材料を選択的に含んでもよい。半導体デバイス１００は、パターニングされた一つ以上の材料層をさらに含んでもよい。
【００２３】
半導体デバイス１００は、感応層（フォトレジスト又はレジスト）１２０を含む。本実施形態において、レジスト層１２０は厚みが約５０から５０００Åの間でもよい。他の実施形態では、レジスト層１２０の厚みは約５００から２０００Åの間でもよい。レジスト層１２０には、化学増幅型（Chemical Amplification：ＣＡ）レジスト材料を使用する。レジスト層１２０は、ポリマーが酸と反応すると、現像液に溶解するように変化するアルカリ性溶液などのポリマー材料を含む。レジスト層１２０は、ポリマー内に充填される溶剤をさらに含む。この溶剤は、ベーク工程を行うときに部分的に蒸発されてもよい。このレジスト層１２０は、ＰＡＧ（Photo-acid generator）１２２材料をさらに含む。ＰＡＧ分子は、溶剤及びポリマー内に分散される。光エネルギーを吸収すると、ＰＡＧ１２２は分解して少量の酸を生成する。ＰＡＧ１２２は、レジストポリマー１２０の約１から１５重量％の間の濃度を有してもよい。
【００２４】
本発明の他の実施形態において、レジスト層１２０は、溶剤及びポリマー内に分布されたクエンチャー１２４をさらに含む。クエンチャー１２４はアルカリ性であり、酸を実質上中和することができる。或いは任意に、クエンチャーは、例えばＰＡＧの反応を抑制するなど、レジスト層１２０の他の活性成分を抑制するものでもよい。クエンチャー１２４は、レジストポリマーの約１重量％よりも高い濃度を有してもよい。或いは、露光工程を行う前のクエンチャー１２４の濃度は、ＰＡＧ１２２の約四分の一でもよい。一実施形態において、クエンチャー１２４の各分子は、酸を中和させる不対電子を有する窒素原子を含む。レジスト層１２０は、スピンコートなどの方法により基板１１０上に形成してもよい。他の工程は、コート工程の後に行うソフトベーク工程を含んでもよい。
【００２５】
本実施形態においてコート材料層１３０は、レジスト層１２０上に形成される。コート材料層１３０は、液浸流体に実質上溶解しない。一実施形態において、ポリマー１３２はフッ化物を含む。コート材料層１３０は酸１３４を含む。コート材料層１３０は、約５よりも小さいｐＨ値を有してもよい。酸１３４は、ポリマー１３２と化学的に結合されてもよい。化学的に結合された酸１３４とポリマー１３２は、有機酸官能基（organic acid functional group）を有するコポリマーを形成してもよい。有機酸官能基は、カルボキシル基、水酸基、チオール基、エノール基、フェノール基、スルホニル酸基、ＳＯ２ＯＨ基、及びこれらの組み合わせからなる群を含んでもよい。酸１３４は、ポリマーに混合されたコート材料層１３０内に選択的に分布されてもよい。この目的に適する酸は、界面活性剤、添加剤、緩衝剤、及びその他適当な化学物質を含んでもよい。酸添加剤は、有機酸又は無機酸を含んでもよい。有機酸は、カルボキシル基、水酸基、チオール基、エノール基、フェノール基、スルホニル酸基、ＳＯ２ＯＨ基、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されてもよい。無機酸は、過塩素酸、ヨウ化水素、臭化水素、塩化水素、硝酸、チオシアン酸、塩素酸、ヨウ素酸、次亜リン酸、フッ化水素、亜硝酸、シアン酸、アジ化水素酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、シアン化水素酸、次亜ヨウ素酸、硫酸、クロム酸、亜硫酸、リン酸、亜リン酸、ピロリン酸、炭酸、硫化水素、ホウ酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されてもよい。他の実施形態において、有機酸は、ポリマー１３２に結合されたか結合されていないコート材料層内のＰＡＧを含んでもよい。コート材料層１３０内のＰＡＧは、レジストパターンの露光工程などの露光工程において酸に変換させてもよい。コート材料層１３０は、ポリマー内の溶剤をさらに含んでもよい。その溶剤は、パーフルオロ溶剤（hydrofluoroether、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３など）を含んでもよい。溶剤は、ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡの混合溶剤を選択的に含んでもよい。その混合比は約１０対１から１対１０の間でもよい。例えば、一実施形態の混合比は約７対３である。溶剤は、シクロヘキサノール、ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、イソペンタノールなどのアルコール溶媒を含んでもよく、選択的に水系溶媒を含んでもよい。
【００２６】
或いは、コート材料層１３０は、酸の替わりにキレート化合物を含んでもよい。キレート化合物はクエンチャーと反応し、それらと化学的に結合することができる。キレート化合物とクエンチャーを反応させ、分子の増大、クエンチャーの移動性の低減、及び／又はクエンチャーの窒素の中和によりクエンチャーを不活性化させてもよい。キレート化合物は、ポリマーと化学的に結合されてもよい。そのため、クエンチャーとキレート化合物との反応により、クエンチャーはポリマーに結合させることができる。
【００２７】
図２は、本発明の実施形態によるクエンチャーとキレート化合物との反応を示す模式図である。第３級アミンを有するクエンチャー２０２は、ハロゲンアルカン（halogenalkane）を有するキレート化合物２０４と反応させて第四級アンモニウム塩２０６を形成してもよい。
【００２８】
再び図１を参照する。図１に示すように、コート層は、上部反射防止膜（ＴＡＲＣ）と組合わせて、露光工程における放射エネルギーに対する反射を増大させてもよい。コート材料層１３０は、分離されたＴＡＲＣ層の上方や下方に選択的に形成してもよい。コート材料層１３０は、多層構造（複合層）を含んでもよい。例えば、コート材料層１３０は、第１のコート層と、第１のコート層上に形成された第２のコート層を有する２層構造を含んでもよい。第１のコート層及び第２のコート層は、所望する所定の機能により異なる材料を含んでもよい。第１のコート層は、レジスト層１２０の上面に形成され、捕捉層として機能するようにしてレジスト層１２０から拡散されたクエンチャーを中和してもよい。コーティング中にレジストがインターミキシングされないように、第１のコート層の溶剤は、レジスト層の溶剤と異なってもよい。例えば、レジスト層がＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ溶剤の場合、第１のコート層はアルコール溶媒を使用してもよい。第２のコート層は、ベーク工程でポリマー網目状架橋にしたり、ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ溶剤などの一般の溶剤にしてインターミキシングを無くしたりしてもよい。或いは、第１のコート層は、架橋され、第２のコート層は、ＰＧＭＥ／ＰＧＭＥＡ溶剤などの一般の溶剤を使用したものでもよい。第２のコート層は、レジスト層を液浸流体から隔離させ、脱イオン水などの液浸流体が入ることを防いでもよい。この他、第２のコート層によりレジスト層１２０内にレジスト組成物が浸入することを防いでもよい。第１のコート層と第２のコート層は、その機能を交換して第１の層を隔離層にし、第２の層を中和剤層にしてもよい。
【００２９】
コート材料層１３０は、アルカリ性溶液、現像液又は溶剤に実質上溶けやすくてもよい。一実施形態において、アルカリ性溶液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を含んでもよい。また溶剤は、例えばシクロヘキサノール、ブタノール、イソブタノール、ペンタノール又はイソペンタノールを含んでもよい。レジスト層１２０は、ＰＧＭＥＡやＰＧＭＥなどの溶液を含んでもよい。コート材料層１３０は、その上がスピンコートされ、さらにベークされてもよい。ベーク工程は、レジスト層１２０のベーク工程と組合わされたり、レジスト層ベークと別に行ったりしてもよい。
【００３０】
露光工程において、予め定義されたパターン及び液浸流体を有するフォトマスク（マスク又はレチクル）により、ディープＵＶ（Deep Ultra Violet：ＤＵＶ）などの照射エネルギーをレジスト層１２０及びコート材料層１３０へ照射し、１２０ａなどの複数の未露光領域と、１２０ｂなどの複数の露光領域を有するレジストパターンを形成する。この照射エネルギーは、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザによる２４８ｎｍビームやフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザによる１９３ｎｍビームを含んでもよい。液浸流体は脱イオン水（de-ionized water：ＤＩＷ）を含んでもよい。この液浸流体は、酸などの化学添加剤をさらに含んでもよい。また、この液浸流体は、水の反射率である１．４４を超える屈折率を有するその他適当な流体から選択してもよい。そして、露光工程を行うと、水滴１４０などの残留水滴がコート材料層上に残留することがあった。
【００３１】
従来の液浸リソグラフィパターニング工程では、残留水滴によりウォータマークなどの問題が発生することがあった。レジスト層上に水滴が残留すると、その水滴はＰＡＧ及びクエンチャーへパスが提供された。そして未露光レジスト領域内にあるクエンチャーは水滴内に拡散され、さらに露光レジスト領域内へ拡散されてもよい。そして、これにより光発生酸を中和し、これら露光領域内にある露光効率を低減させてもよい。さらに露光されたＰＡＧは、未露光のＰＡＧよりも水に溶解しやすくなるＰＡＧアニオン及び酸に分解される。光発生酸は、付加的な効果を有する水滴に拡散されるため、それら露光領域が低減された光発生酸を有するようにしてもよい。そのため、レジスト層内にあるこれら露光領域は、露光工程の後に、化学的変換（酸増幅型）を行うための光発生酸が十分でなく、かつ、現像工程において現像溶液内に完全には溶解しないものでもよい。そのため、レジスト層の露光領域上に予期できないＴ形上面レジストフィーチャ（ウォータマーク）が形成され、露光領域の上面レジスト材料は現像溶液に溶解しない。
【００３２】
本発明の一実施形態において、コート材料層は、水滴をレジスト層１２０から隔離させる。クエンチャー１２４がコート材料層１３０内に拡散されると、コート材料層１３０の酸かキレート化合物のどちらかと反応されるため、拡散されたクエンチャーの中和や捕捉、或いは低い移動度及び／又はクエンチング機能がない分子へ変換させてもよい。そして、これにより水滴へのクエンチャーがさらに拡散されることを減らしたり無くしたりする。酸を有するコート材料層１３０により、レジスト層１２０から光発生酸が拡散することをさらに減らしてもよい。液浸リソグラフィを行う際、水滴に浸入する酸は約１０−９モル／ｃｍ２より少なくてもよい。
【００３３】
上述の様々な実施形態では、水滴に対するクエンチャーの拡散を実質上減らすことができるため、ウォータマークの発生を実質上減らすことができる。なお、それら様々な実施形態は、好適なレジストパターニング工程を得るために修正したり結合させたりしてもよい。
【００３４】
図３は、レジストパターンを形成する液浸リソグラフィ方法３００を示す流れ図である。方法３００は、半導体ウェーハ上に感光（レジスト）層を形成するステップ３０２を含む。このレジスト層は、図１に示すレジスト層１２０と実質上似ている。
【００３５】
方法３００は、レジスト層上にコート材料層を形成するステップ３０４をさらに含み、このコート材料層は図１に示すコート材料層１３０と実質上似ている。このコート材料層は、クエンチャー捕捉として機能する酸又はキレート化合物を含んでもよい。酸又はキレート化合物は、コート材料のポリマーへ化学的に結合されてもよい。
【００３６】
方法３００は、フォトマスク及び液浸流体を介してディープＵＶなどの照射エネルギーをレジスト層へ照射するステップ３０６をさらに含む。液浸流体は、脱イオン水、又は高屈折率を有するその他適当な流体であり、半導体ウェーハと液浸リソグラフィシステムのレンズとの間に配置して方法３００を行ってもよく、そのシステムの開口率は０．８５よりも大きい。コート材料層がレジスト層上に形成されるため、クエンチャーは、露光ステップを行うと、コート材料層上に残留した水滴への侵出が低減される。
【００３７】
続いて、ステップ３０８において、レジスト層に対してベーク（露光後ベーク）を行う。そのベーク温度は、約８０から１５０℃の間でもよい。一実施形態のベーク時間は、例えば約１から２０分間でもよい。また、このベークステップは、水滴の除去をさらに含んでもよい。
【００３８】
次に、ステップ３１０において、現像溶液内でレジスト層を現像する。そして、露光されたレジスト領域を実質的に溶解させる。ステップ３１０は、現像工程と別々か一緒に行うコート材料層を除去する除去工程をさらに含んでもよい。例えば、コート材料層は、現像溶液内において露光されたレジスト材料で除去してもよい。上述の材料及び方法は、例としてポジ型レジストを用いているが、当然、ネガ型レジストを用いてもよい。
【００３９】
本発明では好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知するものなら誰でも、本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って本発明の保護の範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の好適な一実施形態による液浸リソグラフィ工程で用いるコート材料層を有する半導体デバイスを示す断面図である。
【図２】本発明の好適な一実施形態によるクエンチャーとキレート化合物の反応を示す模式図である。
【図３】本発明の好適な一実施形態によるレジストパターンを形成する液浸リソグラフィ方法を示す流れ図である。
【符号の説明】
【００４１】
１００  半導体デバイス
１１０  基板
１２０  レジスト層
１２０ａ  未露光領域
１２０ｂ  露光領域
１２２  ＰＡＧ
１２４  クエンチャー
１３０  コート材料層
１３２  ポリマー
１３４  酸
１４０  水滴
２０２  クエンチャー
２０４  キレート化合物
２０６  第四級アンモニウム塩
【図１】
2007102220.tif 000003
【図２】
2007102220.tif 000004
【図３】
2007102220.tif 000005