(57)【要約】【課題】本発明は、磁気共鳴イメージング装置において、アクティブシールド方式の傾斜磁場発生部の厚さを傾斜磁場性能を落とさずに薄くすることを課題にする。【解決手段】静磁場に傾斜磁場を付与する傾斜磁場コイル(51)が、前記傾斜磁場を発生する複数のメイン導体(61)の群と、前記メイン導体(61)の終端を折り返して前記傾斜磁場の反対側に配線され他のメイン導体(61)の始端に接続するシールド導体(62)と、を備えることを解決手段とする。【選択図】図４
2007175438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体が挿入される貫通孔部が形成されて、この貫通孔部を取り囲む静磁場発生装置、及び前記貫通孔部を取り囲んで複数の傾斜磁場コイルを含む傾斜磁場装置を有し、被検体を支持するベッドが挿入される貫通孔部を形成しているガントリーを備え、
前記傾斜磁場コイルは螺旋状の導電性経路を有し、
前記導電性経路は、傾斜磁場を発生する複数の第１導体部と、前記第１導体部から前記静磁場発生装置への漏洩磁場を遮蔽する複数の第２導体部を有して、前記第２導体部と前記第１導体部が交互に接続されて構成され、
前記軸方向において前記導電性経路よりも前記ガントリーの一方の端部側に配置された他の前記第１導体部の始端に、前記軸方向において前記他の第１導体部と並べられた退避導体部が接続され、前記他の第１導体部の終端に、他の前記退避導体部が接続されていることを特徴とする核磁気イメージング装置。
【請求項２】
前記第１導体部は前記第２導体部よりも前記貫通孔部が輪に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記傾斜磁場コイルは、前記貫通孔部を間に挟んで配置された一対の第１傾斜磁場コイル、及び前記貫通孔部を間に挟んで配置された一対の第２傾斜磁場コイルを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記傾斜磁場コイルは、前記貫通孔部の軸と直交する第１の方向において配置された複数の第１傾斜磁場コイル、及び前記第１の方向と直交する第２の方向において配置された複数の第２傾斜磁場コイルを含んでいることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記ガントリーは、前記静磁場発生装置及び前記傾斜磁場発生装置よりも前記貫通孔部側に位置し、前記貫通孔部を画定する内側部材を有し、
前記内側部材の、前記貫通孔部の軸と直交する断面の形状が、円形、楕円形、及びレーストラック状の形状のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記ガントリーは、前記静磁場発生装置及び前記傾斜磁場発生装置よりも前記貫通孔部側に位置し、前記貫通孔部を画定する内側部材を有し、
前記貫通孔部は上下方向における幅よりも前記貫通孔部の軸と直交する水平方向における幅が大きくなっており、
前記内側部材は、前記上下方向で対向して互いにつながっている第１面及び第２面を有し、
前記第１面及び前記第２面は、それぞれ、前記水平方向において、一対の第１曲線部と、及び前記一対の第１曲線部に挟まれてこれらの第１曲線部につながる、直線部及び第２曲線部のいずれかとによって形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記内面は、前記第１面及び前記第２面と、前記水平方向で対向し、前記第１面と前記第２面とをそれぞれつなぐ一対の他の直線部及び第３曲線部のいずれかとによって形成される請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記第２曲線部の曲率は前記第１曲線部の曲率よりも小さくなっている請求項６または請求項７に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記ガントリーは、前記静磁場発生装置及び前記傾斜磁場発生装置よりも前記貫通孔部側に位置し、前記貫通孔部を画定する内側部材を有し、
前記貫通孔部は上下方向の幅よりも前記貫通孔部の軸と直交する水平方向の幅が大きくなっており、
前記内側部材は、前記上下方向で対向して前記水平方向において直線部及び第１曲線部のいずれかが形成される一対の第１面、及び前記一対の第１面にそれぞれつながり前記水平方向で対向して前記上下方向において第２曲線部を形成している一対の第２面を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
前記第２面を形成するそれぞれの第２曲線部は円弧部である請求項９に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】
前記他の第１導体部の終端に接続された前記他の退避導体部が、前記導電性経路の始点に接続されている請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気共鳴イメージング装置に係り、特に、静磁場中に置かれた被検体に傾斜磁場を付与する機構有し、水平方向に延びる水平型又はトンネル型と称される磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置という。）は、均一な静磁場中に置かれた被検体に高周波磁場を照射したときに生じる核磁気共鳴現象を利用して被検体の物理的、化学的性質を表す断層画像を得る装置である。このＭＲＩ装置は、特に医療分野で利用されている。
【０００３】
従来のＭＲＩ装置に使用される電磁石装置（例えば、特許文献１の図２参照）について説明する。電磁石装置は、被検体に静磁場を付与する静磁場発生部、Ｚ軸傾斜磁場コイル、Ｙ軸傾斜磁場コイル、Ｘ軸傾斜磁場コイル及びＲＦコイルを備えている。Ｙ軸傾斜磁場コイル及びＸ軸傾斜磁場コイルは、渦巻き型のサドルコイルであって、向きが互いに９０°ずれて配置される。Ｚ軸傾斜磁場コイルは、Ｙ軸傾斜磁場コイル及びＸ軸傾斜磁場コイルを取り囲んで配置される。Ｚ軸傾斜磁場コイルは、Ｚ軸メイン傾斜磁場コイル及びＺ軸シールド傾斜磁場コイルを含んでいる。Ｙ軸傾斜磁場コイルは、Ｙ軸第１メイン傾斜磁場コイル及びＹ軸第１シールド傾斜磁場コイルを含むＹ軸第１傾斜磁場コイルと、Ｙ軸第２メイン傾斜磁場コイル及びＹ軸第２シールド傾斜磁場コイルを含むＹ軸第２傾斜磁場コイルを有する。Ｘ軸傾斜磁場コイルは、Ｘ軸第１メイン傾斜磁場コイル及びＸ軸第１シールド傾斜磁場コイルを含むＸ軸第１傾斜磁場コイルと、Ｘ軸第２メイン傾斜磁場コイル及びＸ軸第２シールド傾斜磁場コイルを含むＸ軸第２傾斜磁場コイルを有している。
【０００４】
Ｚ軸メイン傾斜磁場コイルは、その静磁場に対し同一方向、すなわち特許文献１の図２のＺ軸方向に傾斜磁場を付与する。Ｚ軸シールドコイルは、Ｚ軸メイン傾斜磁場コイルから静磁場発生部への漏洩磁場を遮蔽する。Ｙ軸第１メイン傾斜磁場コイル及びＹ軸第２メイン傾斜磁場コイルは、その静磁場に対し特許文献１の図２のＹ軸方向に傾斜磁場を付与する。Ｙ軸第１シールド傾斜磁場コイル及びＹ軸第２シールド傾斜磁場コイルは、Ｙ軸第１メイン傾斜磁場コイル及びＹ軸第２メイン傾斜磁場コイルから静磁場発生部への漏洩磁場を遮蔽する。Ｘ軸第１メイン傾斜磁場コイル及びＸ軸第２メイン傾斜磁場コイルは、その静磁場に対し特許文献１の図２のＸ軸方向に傾斜磁場を付与する。Ｘ軸第１シールド傾斜磁場コイル及びＸ軸第２シールド傾斜磁場コイルは、Ｘ軸第１メイン傾斜磁場コイル及びＸ軸第２メイン傾斜磁場コイル１１による静磁場発生部への漏洩磁場を遮蔽する。ＲＦコイルは、前記傾斜磁場コイル群よりも撮像領域側に設置される。
【０００５】
このようにして電磁石装置は、前記した傾斜磁場コイル群（それぞれのＺ軸傾斜磁場コイル、Ｙ軸傾斜磁場コイル及びＸ軸傾斜磁場コイルを含む）の各コイルが同心円状に積層されて構成されるものである。そして、被検体が挿入される電磁石装置の空洞（ボア）には、静磁場発生部により均一な静磁場が形成されている。そして、各傾斜磁場コイルによりボア内の撮像領域に傾斜磁場が形成され、撮像領域と反対側、すなわち静磁場発生部側に形成される磁場は、近傍に配置される各シールド傾斜磁場コイルが形成する磁場によって打ち消されている。このように、各メイン傾斜磁場コイルに流れる電流の向きとは反対の方向に電流が流れる各シールド傾斜磁場コイルを、メイン傾斜磁場コイル近傍に配置して傾斜磁場ｈの形成に寄与しない不要な漏洩磁場を打ち消している。この方式をアクティブシールド方式という。
【０００６】
また、特許文献２には、音響遮蔽に特に適した形状の傾斜磁場コイルが記載されている。この傾斜磁場コイルは、特許文献２の図３０ｂに示すように、メイン導体とシールド導体に発生するローレンツ力が相殺されるようにメイン導体とシールド導体で電流の閉ループを構成し、さらに、その閉ループを構成するメイン導体及びシールド導体が設けられた複数の支持基板を機械的に結合している。メイン導体及びシールド導体の閉ループは、軸方向に複数個配置され、隣り合う閉ループのシールド導体同士が電気的に結合されている。
【特許文献１】特開平７−１７８０６９号公報（図２）
【特許文献２】特表平８−５１０６５９号公報（図３０ｂ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、アクティブシールド方式を採用してＸＹＺの異なる三方向に傾斜磁場を付与しようとすれば、一つの傾斜磁場コイルが周回方向１８０°を占有するために合計６層のコイル構成が必要とされる。
一方において、これら傾斜磁場を付与する６層のコイル構成の外側に位置する静磁場発生部は、所望の高強度の静磁場を被検体に付与するために、円形断面の直径が小さいことが望まれる。これは、円形断面の直径が大きい程、その中心部までの距離が大きくなり磁気エネルギーが減衰するためである。もしこの中心部に所望の磁気エネルギーを付与しとうとすれば、出力の大きな静磁場発生部２を採用せざるをえず、ＭＲＩ装置の大規模化が避けられないことになる。
【０００８】
またＭＲＩ装置は、被検体を均一な静磁場中において測定を実施する必要性から、ボアの開口部は被検体よりも充分大きくする必要がある。特に医療用においては、被検体の閉所感を和らげることや検査者が被験者の状態を外部から確認する必要などから、開口部が広いことが要求されている。さらに、医療現場からは建屋による制限からＭＲＩ装置は小規模化であることが要求されている。
【０００９】
このように、電磁石装置においては、ボアを大きくすることと、電磁石装置を小さくすることとの両立を達成することが課題となっている。しかし、傾斜磁場を付与させる合計６層もの分厚いコイル構成をボアと静磁場発生部との間に配置させなければならないことが課題の達成を困難にしている。なお、これら合計６層のコイル構成のコイル導体を薄く形成する試みもなされているがコイル導体を薄くすることは電流密度を増大すると発熱温度上昇の問題もあり十分な成果が挙げられていない。
【００１０】
さらに、各メイン傾斜磁場コイル及び各シールド傾斜磁場コイルは、それぞれが円筒形状の片半分の形状を有しており、これらの電磁石装置１への取り付けや交換を容易にすることも達成が困難な課題であった。
しかしながら、特許文献２に記載された傾斜磁場コイルは、メイン導体とシールド導体の個数が同じであるため、メイン導体から静磁場発生部への漏洩磁場を遮蔽する効果を阻害する現象が生じる。すなわち、シールド導体の数が必要以上に多くなるため、シールド導体自体で発生する磁場が静磁場発生部に悪影響を与えることになる。
【００１１】
本発明は、より鮮明なＭＲＩ像を得ることができる磁気共鳴イメージング装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記した課題を解決するために本発明は、傾斜磁場コイルが螺旋状の導電性経路を有し、その導電性経路は、傾斜磁場を発生する複数の第１導体部と、第１導体部から静磁場発生装置への漏洩磁場を遮蔽する複数の第２導体部を有して、第２導体部と第１導体部が交互に接続されて構成され、貫通孔部の軸方向において導電性経路よりもガントリーの一方の端部側に配置された他の第１導体部の始端に、軸方向において前記他の第１導体部と並べられた退避導体部が接続され、前記他の第１導体部の終端に、他の前記退避導体部が接続されていることを特徴とする。
【００１３】
貫通孔部の軸方向に並んだ他の第１導体部と退避導体部を接続する構成を採用しているため、第２導体部の個数を第１導体部の個数よりも少なくすることができ、傾斜磁場コイルから静磁場発生装置への漏洩磁場の抑制を効果的に行うことができる。このため、第２導体部で発生する磁場が静磁場に悪影響を与えることを防止できるため、より鮮明なＭＲＩ像を得ることができる。
【００１４】
好ましくは、ガントリーは、静磁場発生装置及び傾斜磁場発生装置よりも貫通孔部側に位置し、貫通孔部を画定する内側部材を有し、貫通孔部は上下方向における幅よりも貫通孔部の軸と直交する水平方向における幅が大きくなっており、内側部材は、上下方向で対向して互いにつながっている第１面及び第２面を有し、第１面及び第２面は、それぞれ、前記水平方向において、一対の第１曲線部と、及び前記一対の第１曲線部に挟まれてこれらの第１曲線部につながる、直線部及び第２曲線部のいずれかとによって形成されていることが望ましい。
また、好ましくは、上記内側部材は、上下方向で対向して前記水平方向において直線部及び第１曲線部のいずれかが形成される一対の第１面、及び一対の第１面にそれぞれつながり前記水平方向で対向して上下方向において第２曲線部を形成している一対の第２面を有することが望ましい。
このような内側部材の構成によって、貫通孔部に挿入された被検体の左右に十分な空間を確保することができる。したがって、通常撮像し難い肩部、特に、腕と肩との関節付近（例えば、腋の下）を貫通孔部内の撮像領域の中心に合わせるように被検体を水平方向に移動でき、その部位の撮像が可能になり、腕と肩との関節付近の鮮明なＭＲＩ像を得ることができる。このように、被検体の撮像範囲を拡大することができ、拡大された撮像範囲において更に鮮明なＭＲＩ像を得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、磁気共鳴イメージング装置において、より鮮明なＭＲＩ像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の好適な一実施形態である磁気共鳴イメージング装置を、図１〜図５を用いて説明する。
本実施形態の磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）１０は、水平方向に延びるトンネル型であり、図１に示すように、水平方向に延びる貫通孔部である空洞部（ボア）Ｂが形成されたガントリー３０、及び被検体２２を載置してスライドさせてボアＢ内に挿入されるベッド２３を有する。ガントリー３１は、図２及び図３に示す円筒状でボアＢを取り囲む電磁石装置２０、電磁石装置２０を支持する支持部材３６、及び電磁石装置２０の周囲を取り囲むカバー３２を有する。カバー３２は、電磁石装置２０の環状容器（円筒容器）である真空容器２１（図３参照）の内側を覆う円筒状の内カバー３３、真空容器２１の外側を取り囲む円筒状の外カバー３４、及び真空容器２１の両側面を覆って内カバー３３及び外カバー３４の両端にそれぞれ取り付けられた一対の側面カバー３５を含んでいる。ボアＢは内カバー３３の内側に形成される。電磁石装置２０は、ボアＢに挿入された被検体２２に核磁気共鳴現象を生じさせるように動作する。ＭＲＩ装置１０は、更に、その核磁気共鳴現象により発生した画像信号を受信する受信コイル（図示せず）、電磁石装置２０の動作を制御する制御装置（図示せず）、及び画像信号を処理して画像化して表示するモニタ（図示せず）を備えている。説明の便宜のため、図１に示すようにボアＢの中心軸が延びている水平方向をＺ軸、この中心軸と直交する水平方向をＸ軸、中心軸に垂直でかつ水平面に垂直な方向をＹ軸とする。
【００１７】
電磁石装置２０は、図２に示されるように、静磁場発生部（静磁場発生装置）３０、傾斜磁場発生部（傾斜磁場発生装置）及び高周波磁場発生部（高周波磁場発生装置）６０を備えている。傾斜磁場発生部は、第１傾斜磁場発生部（第１傾斜磁場発生装置）４０及び第２傾斜磁場発生部（第２傾斜磁場発生装置）５０を有する。電磁石装置２０は、図２に示す一点鎖線上の上流に位置する構成要素が下流に位置する構成要素の内側に順繰りに嵌って、ボアＢの中心軸と直交する縦断面（ＸＹ断面）が図３（ａ）に示すように、ＹＺ断面が図３（ｂ）に示すように同軸円筒形状となるように配置される。真空容器２１は、図３（Ｂ）に示すようにボアＢを取り囲む内筒３７、内筒３７を取り囲む外筒３８及び内筒３７及び外筒３８の両端に取り付けられる一対の側板３９を有する。内筒３７は、軸方向の中央部において半径方向の外側に向かって凹部４３を形成している。ボアＢは、貫通孔部であり、被検体が挿入される観測空間である。
なお図３は、断面を概念的に表したものであって、ボアＢの半径及び各コイル層の厚みの実際の関係を示しているものではない。
【００１８】
静磁場発生部３０は、図３（ｂ）に示すように、ボアＢの中心軸方向において、ガントリー３１、すなわち電磁石装置２０の一端部に超電導第１メインコイル（以下、第１メインコイルという）３１ａ及び超電導第１シールドコイル（以下、第１シールドコイルという）３２ａを配置し、電磁石装置２０の他端部に超電導第２メインコイル（以下、第２メインコイルという）３１ｂ及び超電導第２シールドコイル（以下、第２シールドコイルという）３２ｂを配置して構成される。静磁場発生部３０は、支持部材３６によって支持されて、環状の冷媒容器（図示せず）を内部に設置している環状の真空容器２１を、更に備えている。静磁場発生部３０を構成する各コイルは、環状の真空容器２１内に配置された環状の冷媒容器（図示せず）内に設置される。このような静磁場発生部３０は、ボアＢの軸方向（Ｚ軸方向）に均一で強力な静磁場Ｈを発生させるものである。
冷媒容器内に充填された冷媒（液体ヘリウム等）によって、内部に配置されたコイル３１ａ，３１ｂ，３２ａ及び３２ｂが超電導状態に保持される。これらのコイル、真空容器２１及び冷媒容器は、同心円状に配置され、ボアＢを取り囲んでいる。
【００１９】
第１メインコイル３１ａ及び第２メインコイル３１ｂは、互いに同じ形状でボアＢの周回方向（Ｚ軸周り）に電流が流れる円形導体から構成されている。そして、両コイルには同方向の電流が流れていることにより、均一な静磁場ＨがボアＢに形成される。なお、以降において第１メインコイル３１ａ及び第２メインコイル３１ｂが対である状態を指して、単に超電導メインコイル（以下、メインコイルという）３１という。
【００２０】
第１シールドコイル３２ａ及び第２シールドコイル３２ｂも、互いに同じ形状でボアＢの周回方向（Ｚ軸周り）に電流が流れる円形導体から構成されている。そして、両コイルは、前記したメインコイル３１よりも直径が大きく構成され、さらに同軸となるように配置されている。なお、以降において第１シールドコイル３２ａ及び第２シールドコイル３２ｂが対である状態を指して、単に超電導シールドコイル（以下、シールドコイルという）３２という。
そして、シールドコイル３２には、前記したメインコイル３１とは逆方向の電流が流れている。これにより、シールドコイル３２は、メインコイル３１がボアＢ以外の箇所に形成する磁場を打ち消す働きをする。
【００２１】
第１傾斜磁場発生部４０、第２傾斜磁場発生部５０及び高周波磁場発生部６０は、真空容器２１の外側で凹部４３内に配置される。凹部４３が第１メインコイル３１ａと第２コイル３１ｂとの間に位置するため、第１傾斜磁場発生部４０、第２傾斜磁場発生部５０及び高周波磁場発生部６０も、Ｚ軸方向において第１メインコイル３１ａと第２コイル３１ｂとの間に位置している。
【００２２】
第１傾斜磁場発生部４０は、ボアＢ内の撮像領域ＲにおいてボアＢの軸方向（Ｚ軸方向）に傾斜磁場を発生させるものである。このＺ軸方向の傾斜磁場は、被検体から発生した画像信号に対し、撮像領域ＲのＺ軸方向の位置情報を付与するものである。このような第１傾斜磁場発生部４０は、図３（ａ）（適宜、図２参照）に示されるように、Ｚ軸メイン傾斜磁場コイル（以下、Ｚメイン傾斜磁場コイルという）４１（４１ａ，４１ｂ）と、Ｚ軸シールド傾斜磁場コイル（以下、Ｚシールド傾斜磁場コイルという）４２（４２ａ，４２ｂ）を含んでいる。Ｚシールド傾斜磁場コイル４２ａは、ボアＢの半径方向においてＺメイン傾斜磁場コイル４１ａと真空容器２１との間に配置され、Ｚメイン傾斜磁場コイル４１ａから静磁場発生部３０への漏洩磁場を遮蔽する。Ｚシールド傾斜磁場コイル４２ｂは、その半径方向においてＺメイン傾斜磁場コイル４１ｂと真空容器２１との間に配置され、Ｚメイン傾斜磁場コイル４１ｂから静磁場発生部３０への漏洩磁場を遮蔽する。
【００２３】
Ｚメイン傾斜磁場コイル４１ａとＺメイン傾斜磁場コイル４１ｂは、図３（ｂ）に示されるように、撮像領域Ｒを挟むようにして、同軸状に配置されている。Ｚ第１メイン傾斜磁場コイル４１ａ及びＺ第２メイン傾斜磁場コイル４１ｂは、ともに円環状に構成された導体によって構成され、互いに逆方向の電流が流れている。このようにして、Ｚメイン傾斜磁場コイル４１（４１ａ，４１ｂ）は、撮像領域ＲにおいてボアＢの長手方向（Ｚ軸方向）に傾斜磁場ｈを発生させるのである。
Ｚシールド傾斜磁場コイル４２ａ，４２ｂは、図３（ａ）、図３（ｂ）に示されるように、Ｚメイン傾斜磁場コイル４１ａ，４１ｂを取り囲んで配置されている。Ｚ第１シールド傾斜磁場コイル４２（４２ａ，４１ｂ）は、Ｚメイン傾斜磁場コイル４１（４１ａ，４１ｂ）とは逆方向の電流が流れている。
【００２４】
第２傾斜磁場発生部５０は、図３、図５に示すように、Ｘ軸第１傾斜磁場コイル（以下、Ｘ第１傾斜磁場コイルという）５１（５１ａ，５１ｂ）、Ｘ軸第２傾斜磁場コイル（以下、Ｘ第２傾斜磁場コイルという）５２（５２ａ，５２ｂ）、Ｙ軸第１傾斜磁場コイル（以下、Ｙ第１傾斜磁場コイルという）５３（５３ａ，５３ｂ）及びＹ軸第２傾斜磁場コイル（以下、Ｙ第２傾斜磁場コイルという）５４（５４ａ，５４ｂ）を含んでいる。これらのコイルは、同一のコイル形状を有し、ボアＢの中心軸と直交する縦断面（ＸＹ断面）において一つの円上に配置されている。第２傾斜磁場発生部５０は、撮像領域ＲにおいてＸＹ断面に傾斜磁場を発生させるものである（図３（ｂ）にはＹ軸方向の傾斜磁場が示されている）。このＸＹ断面の傾斜磁場は、被検体から発生した画像信号に対し、撮像領域ＲのＸＹ断面内の位置情報を付与するものである。
【００２５】
Ｘ軸方向において、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１（５１ａ，５１ｂ）とＸ第２傾斜磁場コイル５２（５２ａ，５２ｂ）は、ボアＢを間に挟むように配置されている。Ｘ第１傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂは、図５に示すように、Ｚ軸方向に並んで配置されている。Ｘ第２傾斜磁場コイル５２ａ，５２ｂも、Ｚ軸方向に並んで配置されている。このようなＸ第１傾斜磁場コイル５１及びＸ第２傾斜磁場コイル５２により、撮像領域Ｒにおける静磁場Ｈに対してＸ軸方向の傾斜磁場ｈが付与されることになる。
【００２６】
Ｙ軸方向において、Ｙ第１傾斜磁場コイル５３（５３ａ，５３ｂ）とＹ第２傾斜磁場コイル５４（５４ａ，５４ｂ）は、ボアＢを間に挟むように配置され、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１、Ｘ第２傾斜磁場コイル５２に対し、ボアＢの周方向に９０°ずれて配置されている。Ｙ第１傾斜磁場コイル５３ａ，５３ｂは、図３（ｂ）、図５に示すように、Ｚ軸方向に並んで配置されている。Ｙ第２傾斜磁場コイル５４ａ，５４ｂも、同様に、Ｚ軸方向に並んで配置されている。このようなＹ第１傾斜磁場コイル５３及びＹ第２傾斜磁場コイル５４により、撮像領域Ｒにおける静磁場Ｈに対してＹ軸方向の傾斜磁場ｈが付与されることになる。
【００２７】
Ｘ第１傾斜磁場コイル５１，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３及びＹ第２傾斜磁場コイル５４は、ボアＢの周方向、すなわち真空容器２１の周方向において交互に配置されている。
なお、以降において、これらの傾斜磁場を付与するコイルのうち一つを指す場合、単に傾斜磁場コイル５４ａのようにいう場合がある。
【００２８】
傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂは、それぞれ、サドル型コイルであり、図４に示すように、複数のメイン導体（第１導体部）６１の群（図では４本）、シールド導体（第２導体部）６２の群（図では３本）、退避導体（第３導体部）６３、イン導体６４、アウト導体６５及び送電導体（第４導体部）６６を備えている。
各メイン導体６１は、真空容器２１の周方向で円弧状になっており、Ｚ軸方向に等間隔に配置されている。これらのメイン導体６１には、同じ方向の電流が流れることにより、ボアＢに形成されている静磁場Ｈに対して傾斜磁場ｈ（図３（ｂ））を付与することになる。
【００２９】
各シールド導体６２は、真空容器２１の周方向で円弧状になっており、メイン導体６１と真空容器２１との間に配置される。すなわち、シールド導体６２は、メイン導体６１と接触しないでメイン導体６１に重ねられて配置される。１つのシールド導体６２は、あるメイン導体６１の終端と、Ｚ軸方向でそのメイン導体６１に隣接する他のメイン導体６１の始端とを接続する。メイン導体６１の始端とはメイン導体６１の、電流の供給を受け入れる一端であり、メイン導体６１の終端とはメイン導体６１の、電流が流れ終わる他端である。各シールド導体６２が上記のようにＺ軸方向で隣り合うメイン導体６１を接続するため、ボアＢの軸方向に延びる扁平な螺旋状の電流経路が、３本のメイン導体６１と３本のシールド導体６２によって形成される。このような電流経路を形成しやすくために、一部のシールド導体６２は、図４に示されるようにＺ軸方向に折れ曲がった形状になっている。前述したメイン導体６１とシールド導体６２との接続により、シールド導体６２に流れる電流のベクトルが、そのシールド導体６２に接続される前後のメイン導体６１に流れる電流のベクトルと反対方向になる。シールド導体６２は、真空容器２１の半径方向においてメイン導体６１から真空容器２１に向かう漏洩磁場を打ち消す働きを有している。
【００３０】
１本の退避導体６３（図４に示す１／２本の退避導体６３の２本が該当）が、真空容器２１の軸方向（Ｚ軸方向）において、メイン導体６１の群に隣接して配置されている。１本の退避導体６３が前述の扁平な螺旋状の電流経路の形成に用いられていない１本のメイン導体６１の始端に、他の１／２本の退避導体６３がそのメイン導体６１の終端に接続されている。各退避導体６３にはメイン導体６１とは反対方向に電流が流れる。これらの退避導体６３は、シールド導体６２とは異なり、メイン導体６１に重ねられて配置されていないため、メイン導体６１からの漏洩磁場を打ち消すのに寄与していない。傾斜磁場コイル５１，５２，５３，５４において、それぞれメイン導体６１と同じ本数の反対電流の流れる導体を全てシールド導体６２にすると、メイン導体６１からの漏洩磁場を打ち消す働きが過剰になる可能性がある。そこで、反対電流の流れる導体の一部（本実施形態では図４に示すように１本）を、退避導体６３として、傾斜磁場の形成にも漏洩磁場を打ち消ことにも寄与しない位置、すなわちメイン導体６１の群の外でメイン導体６１に隣接させて配置したものである。
【００３１】
イン導体６４は、上記の螺旋状の電流経路の終点となる１／２本の退避導体６３に接続される。送電導体６６は、このメイン導体６１の終端に接続された他の退避導体６３に接続されている。送電導体６６は、扁平な螺旋状の電流経路の内側、すなわち、その電流経路を構成する各メイン導体６１と各シールド導体６２の間を通ってＺ軸方向に延びており、上記の螺旋状の電流経路の始点となるシールド導体６２に接続されている。アウト導体６５は、上記の螺旋状の電流経路の終点となる１／２本のシールド導体６２に接続され、Ｚ軸方向に延びている。イン導体６４は、メイン導体６１及びシールド導体６２に流す電流が入力されるものである。このイン導体６４に入力した電流は、図４に矢印で示されるように、まず、退避導体６３、メイン導体群の一端に位置する１つのメイン導体６１（図４の右側）及び他の退避導体６３によって構成される電流経路を流れ、送電導体６６に導かれる。この電流は、扁平な螺旋状の電流経路を構成する始点のシールド導体６２に供給され、その後、その電流経路を構成するメイン導体６１及びシールド導体６２を交互に順次流れて行く。扁平な螺旋状の電流経路の終点からアウト導体６５に電流が導かれる。各シールド導体６２は、各メイン導体６１から静磁場発生部３０への漏洩磁場を遮蔽する。
【００３２】
Ｙ第２傾斜磁場コイル５４ａ，５４ｂは、図５に示すように、相互の扁平な螺旋状の電流経路が向き合うようにＺ軸方向に並んで配置される。Ｙ第１傾斜磁場コイル５３ａ，５３ｂ、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ及びＸ第２傾斜磁場コイル５２ａ，５２ｂも、Ｙ第２傾斜磁場コイル５４ａ，５４ｂと同様に配置される。
【００３３】
高周波磁場発生部（ＲＦコイル）６０は、第１傾斜磁場発生部４０に取り囲まれており、高周波の磁場を発生するものである。高周波磁場発生部（ＲＦコイル）６０は、ガントリー３１の内カバー３３（図３（ａ）、図３(ｂ)には図示せず）を取り囲んでいる。このように構成されて高周波磁場発生部（ＲＦコイル）６０は、撮像領域Ｒに置かれた被検体に高周波の磁場を照射して核磁気共鳴現象を起こさせて、位置情報を伴った画像信号を発生させるものである。
【００３４】
このように傾斜磁場コイル５１，５２，５３，５４は、メイン導体６１及びシールド導体６２によって扁平な螺旋状の電流経路を構成し、電流がメイン導体６１の終端まで流れて反対方向に折り返してシールド導体６２に流れるため、図９に示される従来例のように、専用のシールド傾斜磁場コイル７，８，１２，１３を設ける必要がない。さらに，シールド導体６２は、電流をメイン導体６１に帰還させる働きも有しているので、従来例のように、ボアＢの半径方向において、Ｙ第１メイン傾斜磁場コイル５ａ，５ｂ、Ｙ第２メイン傾斜磁場コイル６ａ，６ｂ、Ｙ第１シールド傾斜磁場コイル７ａ，７ｂ、Ｙ第２シールド傾斜磁場コイル８ａ，８ｂ、Ｘ第１メイン傾斜磁場コイル９ａ，９ｂ、Ｘ第２メイン傾斜磁場コイル１１ａ，１１ｂ、Ｘ第１シールド傾斜磁場コイル１２ａ，１２ｂ、及びＸ軸方向第２シールド傾斜磁場コイル１３ａ，１３ｂの、電流の各帰還導体を設ける必要がない。これらの帰還導体を含めてその半径方向に７層に配置されている、その従来例のコイル配置を、本実施形態では高周波磁場発生部６０からＺシールド傾斜磁場コイル４２までの５層のコイル配置に低減することができる。これによって、傾斜磁場発生部の厚みを薄くすることができるため、ボアＢの内径の増大、及び真空容器２１の外筒３８の半径の低減を図ることができる。このため、被検体が挿入されるボアＢを広くすることができる。また、真空容器２１を小型化でき、ガントリー３１を小型にすることができる。
【００３５】
特に、本実施形態において、各Ｘ軸傾斜磁場コイル及び各Ｙ軸傾斜磁場コイルにおいて、送電導体６６を扁平な環状電流経路の内側、すなわちメイン導体６１とシールド導体６２の間を通して配置していることは、傾斜磁場発生部の厚みを薄くすることに貢献している。扁平な環状電流経路の外側に送電導体６６を配置した場合には、少なくとも送電導体６６の厚みだけ傾斜磁場発生部の厚みが増大することになる。
また、本実施形態は、メイン導体６１とシールド導体６２を接続して連続した扁平な螺旋状の電流経路を構成し、ボアＢの軸方向に並んだ１本のメイン導体６１と退避導体６３を接続しているため、各Ｘ軸傾斜磁場コイル及び各Ｙ軸傾斜磁場コイルのボアＢの軸方向の長さを短くすることができる。したがって、電磁石装置２０の軸方向の長さを短くすることができる。本実施形態は、ボアＢの軸方向におけるガントリー３１の長さを短くすることができ、ＭＲＩ装置のガントリーを小型化することができる。
【００３６】
本実施形態は、ボアＢの軸方向に並んだメイン導体６１と退避導体６３を接続する構成を採用することによって、シールド導体６２の本数をメイン導体６１の本数よりも少なくすることができ（本実施形態では、シールド導体６２は、メイン導体６１よりも１本少ない）、Ｘ軸傾斜磁場コイル及び各Ｙ軸傾斜磁場コイルから静磁場発生部３０への漏洩磁場の抑制を効果的に行うことができる。特許文献２に記載された傾斜磁場コイルは、メイン導体とシールド導体の個数が同じであるため、メイン導体から静磁場発生部への漏洩磁場を遮蔽する効果を阻害する現象が生じる。すなわち、シールド導体の数が必要以上に多くなるため、シールド導体自体で発生する磁場が静磁場発生部に悪影響を与えることになる。この悪影響によって、静磁場発生部の作用によってボアＢに発生する静磁場Ｈが揺れ、得られる断層像に乱れが生じることになる。本実施形態では、上記したように、シールド導体６２の本数をメイン導体６１の本数よりも少なくできるため、特許文献２に記載された傾斜磁場コイルを用いたＭＲＩ装置で生じる課題を解消できる。
【００３７】
本実施形態は、イン導体６４及びアウト導体６５の両方を、ボアＢの周方向においてメイン導体６１の中央部に配置しているので、発生する傾斜磁場の分布をより均一化することができる。また、イン導体６４を中心にしてボアＢの周方向に延びる各退避導体を設けていることも、発生する傾斜磁場の分布を均一化することに貢献する。
【００３８】
次に、図５を参照して、第２傾斜磁場発生部５０の磁石装置２０への取り付け方法について説明する。傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂは、周回方向９０°で分割出来る構造になっているので、磁石装置２０の開口部２０ａを通して分解、取り付けが可能な構造となっている。これにより磁石装置２０のメンテナンス、製造組立が容易になる。
【００３９】
＜第２実施形態＞
次に、図６（ａ）を参照して、本発明の他の実施形態であるＭＲＩ装置を説明する。本実施形態のＭＲＩ装置は、図示されていないが、ガントリー１の内カバー３３の、ボアＢの中心軸に直交する断面形状が楕円形をしている。このため、本実施形態においては、図示されていないが、静磁場発生部（静磁場発生装置）、傾斜磁場発生装置及び高周波磁場発生部（高周波磁場発生装置）も、ボアＢの中心軸に直交する断面形状が楕円形をしている。
【００４０】
本実施形態に用いられる電磁石装置は、図２、図３に示す電磁石装置２０の円形断面が楕円形断面に変えただけであり、電磁石装置２０の各構成要素を備えている。これらの構成要素は、楕円形断面に合せた形状の変更が行われているだけである。
【００４１】
本実施形態のＭＲＩ装置に用いられる第２傾斜磁場発生部５０Ａを、図６(ａ)を用いて説明する。第２傾斜磁場発生部５０Ａは、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ａ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ａ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ａ，Ｙ第２傾斜磁場コイル５４Ａの順に真空容器の周方向に９０°ずつずれて配置されたそれらの傾斜磁場コイルを含んでいる。コイル等の構成の変更はない。ボアＢの軸心と直交する縦断面において、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ａ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ａ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ａ及びＹ第２傾斜磁場コイル５４Ａの内面を結んで形成される形状は、楕円形となっている。Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ａ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ａ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ａ及びＹ第２傾斜磁場コイル５４Ａが形成する傾斜磁場の軸は、Ｘ軸又はＹ軸に平行になっている。
【００４２】
Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ａ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ａ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ａ，Ｙ第２傾斜磁場コイル５４Ａは、それぞれ、第１実施形態と同様に、図４に示す傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂのうち該当する２つの傾斜磁場コイルを含んでいる。但し、傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂは、ボアＢの軸と直交する縦断面において、配置される位置での楕円の曲線と同じ曲線で曲げられている。
【００４３】
第２実施形態も、第１実施形態で生じる効果を得ることができる。更に、第２実施形態は、ボアＢの縦断面形状が楕円形の内カバー３３で囲まれた形状を有するので、第１実施形態の縦断面が円形で囲まれたボアＢよりも、ボアＢの軸と直交する水平方向におけるボアＢの幅が大きくなるため、開放感が増大し、被検体の受けるストレスを緩和することができる。
【００４４】
本実施形態のＸ第１傾斜磁場コイル５１Ａ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ａ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ａ及びＹ第２傾斜磁場コイル５４Ａを、図６（ｂ）に示すＸ第１傾斜磁場コイル５１Ｂ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｂ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｂ及びＹ第２傾斜磁場コイル５４Ｂにすることも可能である。Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ｂ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｂ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｂ及びＹ第２傾斜磁場コイルの内面を結んで形成される形状も、楕円形となっている。Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ｂ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｂ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｂ及びＹ第２傾斜磁場コイルが形成する傾斜磁場の軸は、Ｘ軸又はＹ軸に対し４５°傾斜している。
【００４５】
＜第３実施形態＞
本発明の他の実施例であるＭＲＩ装置を、図７、図８（ａ）を用いて説明する。本実施例のＭＲＩ装置は、図７に示すように、ボアＢを形成しているガントリー３１Ａを備える。ガントリー３１Ａは、ボアＢを画定する筒状の内カバー３３Ａ、内カバー３３Ａを取り囲む筒状の外カバー３４Ａ、及び内カバー３３Ａ及び外カバー３４Ａの両端にそれぞれ取り付けられた一対の側面カバー３５Ａを含んでいる。第１実施形態で述べた電磁石装置２０がガントリー３１Ａ内に配置されている。内カバー３３Ａの、ボアＢの軸と直交する縦断面形状は、図７に示すように、レーストラック状の形状をしている。当然のことながら、本実施形態では、電磁石装置２０を構成し、ボアＢを取り囲んでいる各構成部材の、上記縦断面形状もレーストラック状の形状となる。
【００４６】
内カバー３３Ａの、ボアＢの軸に直交する縦断面形状について、詳細に説明する。内カバー３３Ａの、ボアＢの軸と直交する水平方向（単に、水平方向という）で対向する内面３７間の距離は、上下方向で対向する内面３７間の距離よりも長くなっている。内面３７に、図７に示すように、ａ〜ｆの６点の位置を付している。内面３７は、上下方向に対向する一対の第１面（直線部ｂ−ｃ及び直線部ｅ−ｆ）、及び水平方向に対向する一対の第２面（円弧部ｂ−ａ−ｆ及び円弧部ｃ−ｄ−ｅ）を含んでいる。第１面は水平方向に形成され、第２面は上下方向に形成される。一対の第１面は一対の第２面にそれぞれつながっている。円弧部ｂ−ａ−ｆ及び円弧部ｃ−ｄ−ｅは、ボアＢの軸心Ｏから水平方向にずれた位置に中心Ｏ１、Ｏ２を有する半円である。円弧部ｂ−ａ−ｆ及び円弧部ｃ−ｄ−ｅは、曲線部の一種である。直線部ｂ−ｃ及び直線部ｅ−ｆは、円弧部ｂ−ａ−ｆ及び円弧部ｃ−ｄ−ｅよりも曲率の大きな曲線部にすることも可能である。例えば、円弧部ｂ−ａ−ｆ及び円弧部ｃ−ｄ−ｅの半径を半円よりも大きくする。この場合には、直線部ｂ−ｃ及び直線部ｅ−ｆの長さは半円の場合よりも長くする必要がある。
【００４７】
また、内面３７は、水平方向において、円弧部ａ−ｂ、直線部ｂ−ｃ及び円弧部ｃ−ｄによって形成された第１面及び円弧部ｄ−ｅ、直線部ｅ−ｆ及び円弧部ｆ−ａによって形成された第２面を有しているとも言える。これらの第１面及び第２面は、上下方向で対向して配置され、円弧部ａ−ｂと円弧部ｆ−ａでつながり、円弧部ｃ−ｄと円弧部ｄ−ｅでつながっている。直線部ｂ−ｃは、円弧部ａ−ｂと円弧部ｃ−ｄの間に配置され、これらの円弧部とつながっている。直線部ｅ−ｆは、円弧部ｄ−ｅと円弧部ｆ−ａの間に配置され、これらの円弧部とつながっている。なお、内カバー３３Ａの上記縦断面形状を、円弧部ａ−ｂと円弧部ｃ−ｄの間にこれらの円弧部をつなぐ第１直線部を形成し、円弧部ｄ−ｅと円弧部ｆ−ａの間にこれらの円弧部をつなぐ第２直線部を形成したレーストラック状の形状にしてもよい。
【００４８】
本実施形態のＭＲＩ装置に用いられる第２傾斜磁場発生部５０Ｃを、図８(ａ)を用いて説明する。第２傾斜磁場発生部５０Ｃは、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ｃ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｃ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｃ，Ｙ第２傾斜磁場コイル５４Ｃの順に真空容器の周方向に９０°ずつずれて配置されたそれらの傾斜磁場コイルを含んでいる。コイル等の構成の変更はない。ボアＢの軸心と直交する縦断面において、Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ｃ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｃ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｃ及びＹ第２傾斜磁場コイル５４Ｃの内面を結んで形成される形状は、図７に示すレーストラック状の形状となっている。Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ｃ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｃ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｃ及びＹ第２傾斜磁場コイル５４Ｃが形成する傾斜磁場の軸は、Ｘ軸又はＹ軸に平行になっている。
【００４９】
Ｘ第１傾斜磁場コイル５１Ｃ，Ｙ第１傾斜磁場コイル５３Ｃ，Ｘ第２傾斜磁場コイル５２Ｃ，Ｙ第２傾斜磁場コイル５４Ｃも、それぞれ、第１実施形態と同様に、図４に示す傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂのうち該当する２つの傾斜磁場コイルを含んでいる。但し、傾斜磁場コイル５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂは、ボアＢの軸と直交する縦断面において、配置される位置でのレーストラック状の形状、すなわち直線部または円弧部の形状となっている。楕円の曲線と同じ曲線で曲げられている。
第２実施形態も、第１実施形態で生じる効果を得ることができる。
【００５０】
更に、本実施例のＭＲＩ装置は、内カバー３３Ａの内面の、ボアＢの軸に直交する縦断面形状が、前述したようなレーストラック状の形状をしているため、ボアＢの上下方向の幅を、水平方向におけるボアＢの両端部においても、寝台に載置された被検体を移動できる程度に十分に広くできる。従って、被検体２２のどの位置にある撮像部位でも撮像領域Ｒの中心に位置合せでき、その部位の鮮明なＭＲ像を得ることができる。特に、腕と肩との関節付近でも鮮明なＭＲ像を得ることができる。
【００５１】
第２実施形態の楕円形の撮像空間で本実施形態と同様な撮像範囲を実現しようとすると、楕円形の撮像空間は左右の端部での上下方向の幅が狭くなるため、水平方向における撮像空間の幅を本実施形態でのその幅よりも大きくしないと、腕と肩との関節付近を撮像領域の中心に位置させることができない。換言すれば、本実施形態におけるボアＢの水平方向における幅を、楕円形状のボアＢのそれよりも狭くできる。このため本実施形態は、電磁石装置２０の真空容器２１の大きさが小さくなり、ＭＲＩ装置を小型化できる。
【００５２】
レーストラック状の形状のボアＢを形成できる本実施例のＭＲＩ装置は、撮像空間断面の開放感を持たせることができ、被検体２２がストレスを感じることなく開放的な雰囲気で撮像を行うことができる。また、医師や検査技術者からみても、ボアＢ内の被検体２２にアクセスしやすい開放的なＭＲＩ装置とすることができる。
【００５３】
傾斜磁場コイルは、ボアＢの軸方向に対し、二分割されている物、又は一体物である場合を示したが、軸方向の分割数は特に限定されるものではない。さらに傾斜磁場コイルは、ボアＢの周方向に対し、四等分配置されているものを示したが、磁場コイルの周方向への配列数は特に限定を設けない、ボアＢを挟んで対を形成しないように配置される場合もあるし、一つのみ配置される場合もありうる。
【００５４】
また、第１実施形態では、ＭＲＩ装置１０は、被検体が挿入される略円筒形状のボアＢと、静磁場を発生させるコイル（静磁場発生部３０）と、が同軸である円筒型ＭＲＩ装置について示した。しかし、本発明を適用することができるＭＲＩ装置は、そのような円筒型ＭＲＩ装置に限定されるものではない。つまり、静磁場を発生させる一対のコイルを天地方向に配置して被検体を水平に挿入する方向の自由度を高く設計したオープン型ＭＲＩ装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の好適な一実施形態である第１実施形態の磁気共鳴イメージング装置の全体斜視図である。
【図２】図１に示す第１実施形態に用いられる電磁石装置の分解斜視図である。
【図３】（ａ）は第１実施形態に係る電磁石装置のＰ−Ｐ断面におけるＸＹ断面図であり、（ｂ）はＱ−Ｑ断面におけるＹＺ断面図である。
【図４】図３に示す電磁石装置に用いられる第２傾斜磁場コイルの全体斜視図である。
【図５】図３に示す電磁石装置における第２傾斜磁場発生部の組み立ての実施形態を示す全体斜視図である。
【図６】（ａ）は本発明の他の実施形態である第２実施形態の磁気共鳴イメージング装置の第２傾斜磁場発生部を示す全体斜視図であり、(ｂ)はその第２傾斜磁場発生部の他の実施形態を示す全体斜視図である。
【図７】本発明の他の実施形態である第３実施形態の磁気共鳴イメージング装置の側面図である。
【図８】（ａ）は図７に示す第３実施形態に用いられる第２傾斜磁場発生部を示す全体斜視図であり、(ｂ)はその第２傾斜磁場発生部の他の実施形態を示す全体斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０    磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）
２０    電磁石装置
３０    静磁場発生部
３１，３１Ａ    ガントリー
４０    第１傾斜磁場発生部
５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ  第２傾斜磁場発生部
５１，５１ａ，５１ｂ  Ｘ軸第１傾斜磁場コイル（第１傾斜磁場コイル，Ｘ軸傾斜磁場コイル，傾斜磁場コイル）
５２，５２ａ，５２ｂ  Ｘ軸第２傾斜磁場コイル（第２傾斜磁場コイル，Ｘ軸傾斜磁場コイル，傾斜磁場コイル）
５３，５３ａ，５３ｂ  Ｙ軸第１傾斜磁場コイル（第１傾斜磁場コイル，Ｙ軸傾斜磁場コイル，傾斜磁場コイル）
５４，５４ａ，５４ｂ  Ｙ軸第２傾斜磁場コイル（第２傾斜磁場コイル，Ｙ軸傾斜磁場コイル，傾斜磁場コイル）
６０    高周波磁場発生部
６１    メイン導体
６２    シールド導体
６３    退避導体
Ｂ      ボア（貫通孔部、観測空間）
Ｈ      静磁場
Ｒ      撮像領域
ｈ      傾斜磁場
【図１】
2007175438.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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