(57)【要約】【課題】直近の装置状態を十分反映することができ、寸法のばらつきを十分低減することができるレジスト膜の処理装置およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】半導体製造のリソグラフィ工程で、次に着工する基板の露光量を決定する際に、仕上がり寸法予測処理（ステップＳ１０９）では、現在処理を行っているＰＥＢプロセスパラメータと露光プロセスパラメータに基づいて、これから着工する基板のパターン寸法を予測し、誤差計算処理（ステップＳ１０）でパターン寸法の目標値とステップＳ１０９で予測した予測値の差を計算し、次処理露光量設定処理（ステップＳ１１）で、次に着工する基板の露光量を設定変更する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、感光性樹脂塗布工程と、露光工程と、現像工程とからなるレジストパターン形成方法において、少なくとも２つ以上のプロセスパラメータを取得する工程と、前記取得プロセスパラメータ１に基づいてもう一方の取得プロセスパラメータ２により処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出する工程とを有し、前記予測値算出工程では、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータ１とプロセスパラメータ２の関係により算出されることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
少なくとも、感光性樹脂塗布工程と、露光工程と、現像工程とからなるレジストパターン形成方法において、露光工程における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得する工程と、前記取得プロセスパラメータに基づいて露光処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出する工程とを有し、前記予測値算出工程では、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータと露光量の関係により算出されることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】
少なくとも、感光性樹脂塗布工程と、露光工程と、現像工程とからなるレジストパターン形成方法において、露光工程における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得する工程と、前記取得プロセスパラメータに基づいて露光処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出する工程と、前記予測値とあらかじめ設定されている目標値の差から基板の露光工程における露光量を再設定する工程とからなり、前記予測値算出工程では、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータと露光量の関係により算出されることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項４】
少なくとも１つ以上のプロセスパラメータが、ベークユニットのプロセスパラメータであって、ベークユニットの排気圧力、ベークユニットの排気流量、ベークユニットでの基板加熱時における基板表面温度のいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】
ベークユニットの排気配管へ設置した圧力計を測定する工程と、前記圧力計の圧力から排気流量を算出する工程と、前記排気流量の算出値を用いてベーク時の基板表面温度を算出する工程とを有することを特徴とする基板表面温度の測定方法。
【請求項６】
ベークユニットの排気配管を２つ以上に分岐し、少なくとも１つ以上の配管へ制御弁を設け、流量計を接続した配管１と流量計を接続しない配管２を設け、基板のベーク処理時前記流量計を接続しない配管２によって排気を行う工程と、基板のベーク処理が終わると制御弁を切り替える工程と、前記制御弁を切り替える工程によって、流量計を接続した配管１により排気流量を測定する工程とを有することを特徴とする基板表面温度の測定方法。
【請求項７】
ベークユニット内に、フッ化カルシウム製のガラス素材を用いた整流板を基板加熱処理位置の上方に配置し、前記整流板の上方に放射温度計を配置し、前記放射温度計で加熱処理時の基板の温度を計測する工程からなるレジストパターン形成方法において、基板処理位置の上方に設置した供給配管から一定流量の清浄な気体を供給する工程と、前記基板処理位置より下方に排気口を設置し排気を行う工程と、ベークユニットで基板を処理した後次の基板処理を開始するまでの間に前記基板処理位置の上方に設置した供給配管からレジスト昇華物を分解する清浄な気体を供給する工程とからなることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項８】
レジスト昇華物を分解する清浄な気体がオゾンを主成分とする気体であり、水蒸気供給工程または紫外光放射工程の少なくとも１つ以上の工程を含むことを特徴とする請求項７記載のレジストパターン形成方法。
【請求項９】
少なくとも、感光性樹脂塗布工程と、露光工程と、現像工程とからなるレジストパターン形成方法において、既に処理された基板１の露光量とレジスト仕上がり寸法から次に処理する基板２の露光量を設定する工程と、露光工程における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得する工程と、前記取得プロセスパラメータに基づいて基板の露光工程における前記次に処理する基板２の露光量を再設定する工程とからなり、前記露光量再設定工程では、前記再設定する露光量は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータとレジスト仕上がり寸法の関係と露光量とレジスト寸法の関係により算出されることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項１０】
露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータが、ベークユニットのプロセスパラメータであって、ベークユニットの排気圧力、ベークユニットの排気流量、ベークユニットでの基板加熱時における基板表面温度のいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項９記載のレジストパターン形成方法。
【請求項１１】
感光性樹脂塗布手段と、露光手段と、現像手段の少なくとも１つ以上からなるレジスト膜の処理装置において、少なくとも２つ以上のプロセスパラメータを取得する手段と、前記取得プロセスパラメータ１に基づいてもう一方の取得プロセスパラメータ２により処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出する手段とを有し、前記予測値算出手段では、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータ１とプロセスパラメータ２の関係により算出されることを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項１２】
感光性樹脂塗布手段と、露光手段と、現像手段の少なくとも１つ以上からなるレジスト膜の処理装置において、露光手段における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得する手段と、前記取得プロセスパラメータに基づいて露光処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出する手段とを有し、前記予測値算出手段では、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータと露光量の関係により算出されることを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項１３】
感光性樹脂塗布手段と、露光手段と、現像手段の少なくとも１つ以上からなるレジスト膜の処理装置において、露光手段における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得する手段と、前記取得プロセスパラメータに基づいて露光処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出する手段と、前記予測値とあらかじめ設定されている目標値の差から基板の露光手段における露光量を再設定する手段とからなり、前記予測値算出手段では、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータと露光量の関係により算出されることを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項１４】
露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータが、ベークユニットのプロセスパラメータであって、ベークユニットの排気圧力、ベークユニットの排気流量、ベークユニットでの基板加熱時における基板表面温度のいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれかに記載のレジスト膜の処理装置。
【請求項１５】
ベークユニットの排気配管へ設置した圧力計を測定する手段と、前記圧力計の圧力から排気流量を算出する手段と、前記排気流量の算出値を用いてベーク時の基板表面温度を算出する手段とを有することを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項１６】
ベークユニットの排気配管を２つ以上に分岐し、少なくとも１つ以上の配管へ制御弁を設け、流量計を接続した配管１と流量計を接続しない配管２を設け、基板のベーク処理時前記流量計を接続しない配管２によって排気を行う手段と、基板のベーク処理が終わると制御弁を切り替える手段と、前記制御弁を切り替える手段によって、流量計を接続した配管１により排気流量を測定する手段とを有することを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項１７】
ベークユニット内に、基板温度測定手段と、基板処理位置の上方に設置した供給配管から一定流量の清浄な気体を供給する手段と、前記基板処理位置より下方に排気口を設置し排気を行う手段とを有することを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項１８】
基板温度測定手段は放射温度計からなり、前記基板温度測定手段と処理基板間に設置された整流板はフッ化カルシウム製のガラス素材を用いることを特徴とし、ベークユニットで基板を処理した後次の基板処理を開始するまでの間に前記基板処理位置の上方に設置した供給配管からレジスト昇華物を分解する清浄な気体を供給する手段を有することを特徴とする請求項１７記載のレジスト膜の処理装置。
【請求項１９】
レジスト昇華物を分解する清浄な気体がオゾンを主成分とする気体であり、水蒸気供給手段または紫外光放射手段の少なくとも１つ以上を含むことを特徴とする請求項１８記載のレジスト膜の処理装置。
【請求項２０】
感光性樹脂塗布手段と、露光手段と、現像手段の少なくとも１つ以上からなるレジスト膜の処理装置において、既に処理された基板１の露光量とレジスト仕上がり寸法から次に処理する基板２の露光量を設定する手段と、露光手段における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得する手段と、前記取得プロセスパラメータに基づいて基板の露光手段における前記次に処理する基板２の露光量を再設定する手段とからなり、前記露光量再設定手段では、前記再設定する露光量は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータとレジスト仕上がり寸法の関係と露光量とレジスト寸法の関係により算出されることを特徴とするレジスト膜の処理装置。
【請求項２１】
露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータが、ベークユニットのプロセスパラメータであって、ベークユニットの排気圧力、ベークユニットの排気流量、ベークユニットでの基板加熱時における基板表面温度のいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項２０記載のレジスト膜の処理装置。
【請求項２２】
少なくとも、感光性樹脂塗布工程と、露光工程と、現像工程とからなるレジストパターン形成方法において、少なくとも２つ以上のプロセスパラメータを取得するステップと、前記取得プロセスパラメータ１に基づいてもう一方の取得プロセスパラメータ２により処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出するステップとを有し、前記予測値算出ステップでは、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータ１とプロセスパラメータ２の関係により算出されることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項２３】
少なくとも２つ以上のプロセスパラメータを取得するステップと、前記取得プロセスパラメータ１に基づいてもう一方の取得プロセスパラメータ２により処理を行う基板のレジスト仕上がり寸法の予測値を算出するステップとを有し、前記予測値算出ステップでは、前記予測値は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータ１とプロセスパラメータ２の関係により算出されるコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータプログラム記憶媒体。
【請求項２４】
少なくとも、感光性樹脂塗布工程と、露光工程と、現像工程とからなるレジストパターン形成方法に使用されるプログラムにおいて、既に処理された基板１の露光量とレジスト仕上がり寸法から次に処理する基板２の露光量を設定するステップと、露光工程における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得するステップと、前記取得プロセスパラメータに基づいて基板の露光工程における前記次に処理する基板２の露光量を再設定するステップとからなり、前記露光量再設定ステップでは、前記再設定する露光量は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータとレジスト仕上がり寸法の関係と露光量とレジスト寸法の関係により算出されることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項２５】
既に処理された基板１の露光量とレジスト仕上がり寸法から次に処理する基板２の露光量を設定するステップと、露光工程における露光量以外の少なくとも１つ以上のプロセスパラメータを取得するステップと、前記取得プロセスパラメータに基づいて基板の露光工程における前記次に処理する基板２の露光量を再設定するステップとからなり、前記露光量再設定ステップでは、前記再設定する露光量は、あらかじめ測定された前記プロセスパラメータとレジスト仕上がり寸法の関係と露光量とレジスト寸法の関係により算出されるコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータプログラム記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程のフィードバック技術に関し、詳しくはリソグラフィ工程におけるフィードバック技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い、ゲート電極形成、配線加工等に求められる加工精度の要求は非常に厳しくなってきた。特に、ゲート電極の加工寸法とトランジスタのしきい値電圧Ｖｔの間には線形相関がある事がよく知られており、しきい値電圧Ｖｔの要求仕様を満足するために、ゲート電極の加工寸法を精度良く仕上げる事が要求されている。
【０００３】
現在、半導体装置の製造において、素子領域形成、ゲート電極形成、配線加工等のマスクに、リソグラフィ工程によるレジストパターンが広く用いられている。したがって、ゲート電極の加工寸法精度を向上するためには、レジスト仕上がり寸法のばらつきを極力低減する必要がある。これまでその手段の１つとして、基板の先行処理を行って事前に仕上がり寸法を確認した後、その結果に基づいて露光エネルギーを再度調整し、残りの基板を処理する方法があった。このとき先行処理基板は、一旦再生を行って、再度処理を行う。しかしながらこの方法では、リソグラフィ工程の生産性を著しく低下させる課題がある。
【０００４】
一方、先行処理を廃止する目的で、加工済みの数ロットの仕上がり寸法データを用いて露光エネルギーを決定するフィードバックシステムが採用されてきている。例えば、ＩＢＭ社のＰＨＡＬＣＯＮなどに代表されるフィードバックシステムが、その一例として挙げられる。
【０００５】
しかし、ＰＨＡＬＣＯＮなどに代表されるフィードバックシステムでは、数日あるいは、数週間に１ロットが流れるような少量多品種の製造ラインには向かない為、既に処理された数ロットの工程内プロセスデータに基づいて、ロットの処理条件を加重平均により決定する方法（例えば、特許文献１を参照）が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−１６８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来のフィードバックシステムは、加工済みの数ロットのレジスト仕上がり寸法データを用いて、露光条件を決定するが、リソグラフィの処理後から現像後のマクロ検査、重ね合わせ測定、レジスト仕上がり寸法測定と複数の工程を通る為、その寸法測定データを利用して、露光量の設定ができるまでに数時間程度の比較的長時間を要する。したがって、その時間差の間にリソグラフィ装置は基板の処理を続けており、装置状態が変化してしまう可能性があった。
【０００７】
また、メンテナンスを行った後に装置状態が変わった後の処理時も過去のデータを用いる為、装置状態の変化に露光条件が追従しきれない課題があった。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）を露光光源とするＫｒＦステッパーを使って、レジスト材料に、化学増幅型レジストを用いた場合、露光工程の後にＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）と呼ばれる加熱処理工程が必要とされる。ＰＥＢは、露光工程で発生した酸を拡散させるためにベークユニットを使って行われているが、ベークユニットからの排気配管が、レジストの昇華物によって、目詰まりを生じ、排気流量が時間と共に変化してくる。
【０００８】
ベークユニットの排気配管には、レジストの蒸発物質が排気される為、通常オリフィスを使った流量計の常時接続や監視は、目詰まりが懸念される為行う事が出来ず、装置によっては、圧力計を取り付け、概ねパーティクル発塵に影響を与えない程度の粗い監視を行う場合もあったが、寸法制御の為に、積極的に管理される例は見られない。
【０００９】
上記、従来のフィードバックシステムでは、リソグラフィ工程後のレジスト仕上がり寸法のデータに基づいて、ロット単位で露光エネルギーを変更する。しかし、上記の理由により、リソグラフィ後にレジスト仕上がり寸法データを取得し活用できるようになるまでに数時間がかかり、特に、１台のリソグラフィ装置に着目した場合、量産工場においては、数ロットの処理が既に進行している可能性が高い。
【００１０】
従って、数ロット前の処理状態に基づいてフィードバックを行うため、直近の装置状態を十分反映できず、結果として、レジスト仕上がり寸法のばらつきを十分低減できない課題がある。さらに、フィードバックを行うための情報源がレジストの仕上がり寸法のみを採用している事から、装置の状態変化に対して追従が遅れ、プロセスパラメータの変化に対する影響を次の基板やロットでキャンセルする事が出来ない課題がある。また、従来のフィードバックシステムで、例えば、装置のメンテナンス後のみ、先行処理を行った場合は、先行処理結果がでるまでリソグラフィ装置が稼動できないため、生産性が低下するという課題があった。
【００１１】
例えば、設備状態を監視したいユニットとしてＰＥＢを行うベークユニットがある。化学増幅型レジストを使った場合の多くは、露光の後にベークユニットで基板を加熱し、露光によってレジスト内に発生した酸を拡散する。この酸は樹脂を分解したり（ポジ型）、架橋させたり（ネガ型）する為、ベークユニットでの基板加熱温度は、リソグラフィの仕上がり寸法に影響する重要なパラメータである。
【００１２】
図１７は従来のベークユニットの構成図である。以下、図１７を参照しながら従来のＰＥＢ処理方法について説明する。
従来のＰＥＢ処理方法ではベークユニット内に設置されたヒーター２を温度一定に加熱し、基板支持台８の上に基板１を搬送して、基板１とヒーター２との間隔を一定に保った状態で基板加熱が行われる。このときベークユニット内には一定流量のＮ２ガスまたはクリーンエアー５を供給配管４を介して供給し、基板１の周辺、整流板１０を通って排気管７から排気される。基板１への加熱は基板支持台８によってヒーター２との距離を一定間隔離れた状況下で、間接的に行われ、基板表面温度の監視は行われていない。そのため、メンテナンス毎のベークユニット組み立て状況によって、整流板１０、基板１の位置関係がごく僅かずれることにより、基板表面温度は変化する可能性があった。
【００１３】
一方、基板の処理枚数と共に、整流板１０の空孔や排気配管７の排気供給部周辺には、レジストの昇華物が徐々に堆積し、排気配管内の排気流量が低下してくる。たとえ装置の管理規格内であっても排気流量が低下すると、ユニット内のクリーンエアー５の流れが悪くなり、基板表面温度がその影響を受けて上昇する傾向となる。その結果、化学増幅型レジスト内に発生した酸は拡散が加速され、より分解する方向に働き（ポジ型）、同じ露光エネルギー下においての配線幅は細くなる傾向を示すという課題があった。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、第１の目的とするところは、過去の処理データすなわち、過去に処理したロットのレジスト仕上がり寸法データを用いて時間的に遅れた情報を使って、露光エネルギーにフィードバックを行う事によって、リソグラフィ後の仕上がり寸法がばらつく事に対して、リソグラフィ装置の現在処理中の基板のプロセスパラメータを測定し、即座にレジスト仕上がり寸法を予測する事によって、目標値と予測値の差を検出し、この差に基づいて次の基板の露光エネルギー条件に反映させる事により、レジスト仕上がり寸法のばらつきを低減できるレジスト膜の処理装置およびレジストパターン形成方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の第２の目的は、ベークユニット内において、被処理基板から蒸発するレジストの昇華物が排気配管へ目詰まりする事を、低減可能なレジスト膜の処理装置およびレジストパターン形成方法を提供することにある。
【００１６】
また、本発明の第３の目的は、過去に処理したロットのレジスト仕上がり寸法データを用いた、従来の露光エネルギーのフィードバックシステムに対して、リソグラフィ装置の現在処理中基板のプロセスパラメータに基づいて、次の基板の露光エネルギー条件を逐次補正する事によって、レジスト仕上がり寸法のばらつきを低減できるレジスト膜の処理装置およびレジストパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１の視点によるレジスト膜の処理装置は、上記課題を解決するため、半導体装置の製造プロセスのリソグラフィ工程で、既に処理された基板のレジスト仕上がり寸法を用いずに、現在処理を行っている装置プロセスパラメータの状態に基づいて、レジスト仕上がり寸法を予測し、目標値と予測値の差から、これから着工する基板の露光エネルギーを決定することを特徴とする。
【００１８】
これにより、ＰＥＢ処理を行うベークユニットで現在処理を行っている基板表面温度を測定した結果、あるいは基板表面温度を推定した結果に基づき、これから処理する基板の仕上がり寸法を予測し、仕上がり寸法の目標値と予測値の差から処理条件を決定するため、装置のプロセスパラメータが与える寸法変動要因、例えばＰＥＢ処理を行うベークユニットで発生する昇華物がユニット内に堆積することで生じる排気流量変動の影響により、基板表面温度の変動が与える仕上がり寸法のばらつきを防止できる。
【００１９】
従って、リソグラフィ工程後の仕上がり寸法のデータのみに基づいて露光量を変更する既存のフィードバックシステムより、寸法精度を向上することができる。
また、本発明の第２の視点によるレジスト膜の処理装置は、前記ＰＥＢ処理を行うベークユニットにおいて、供給配管を分岐し、一方の供給配管よりＯ３ガス等のレジスト分解ガスを供給可能とすることを特徴とする。この場合、ベークユニットの構成部材にはＰＦＡ、石英ヒータ−などの耐酸化性の部材を適用することが望ましい。
【００２０】
これにより、基板のベーク処理中はレジスト分解ガスを供給する制御弁は閉じており、供給配管にはクリーンエアーが供給される。基板の処理が完了し、ユニット内に基板が存在しない状態で、クリーンエアー供給の制御弁とレジスト分解ガス供給の制御弁を自動で切り替え、ベークユニットへレジスト分解ガスを供給する事で、ベークユニット内や整流板、排気管等に堆積するレジスト昇華物を分解し、ベークユニットの排気流量を一定にし、基板の表面温度を処理枚数に依存せず一定に保つ事が可能になる。
【００２１】
以上により、装置のプロセスパラメータが与える寸法変動要因を防ぐことができ、リソグラフィ工程の寸法精度を向上することができる。
また、本発明の第３の視点によるレジスト膜の処理装置は、上記課題を解決するため、半導体装置の製造プロセスのリソグラフィ工程で、既に処理された基板のレジスト仕上がり寸法を用いて、露光エネルギーを調整するフィードバック方法を活用し、これに加えて、現在処理を行っている装置プロセスパラメータの状態に基づいて、これから着工する基板の露光エネルギーを補正することを特徴とする。
【００２２】
これにより、ＰＥＢ処理を行うベークユニットで現在処理を行っている基板表面温度を測定した結果、あるいは基板表面温度を推定した結果を次の処理の基板に反映することが出来るため、例えばＰＥＢ処理を行うベークユニットで発生する昇華物がユニット内に堆積することで生じる排気流量変動の影響による基板表面温度の変動が与える仕上がり寸法のばらつきを低減できる。
【００２３】
従って、リソグラフィ工程後の仕上がり寸法のデータのみに基づいて露光エネルギーを変更する既存のフィードバックシステムよりも、寸法精度を向上することができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上のように本発明によれば、リソグラフィの寸法変動要因となる装置のプロセスパラメータをフィードバックシステムに取り入れることで、直近の装置状態が十分に反映され、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することができる。
【００２５】
その結果、リソグラフィの寸法精度を向上することができ、高集積回路装置の製造に寄与するところが大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を示すレジスト膜の処理装置およびレジストパターン形成方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能および構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
（実施の形態１）
図１に本手法の基本概念図を示した。本実施の形態では、ロットの投入に先立ち、「レジスト膜の形成」（ステップＳ１）、「露光前の加熱」（ステップＳ２）、「冷却」（ステップＳ３）、「露光」（ステップＳ４）、「露光後の加熱」（ステップＳ５）、「冷却」（ステップＳ６）、「現像」（ステップＳ７）を行い、「検査」（ステップＳ８）でパターン形成後のマクロ検査、重ね合せ測定、レジストパターンの寸法測定等を実施する。
【００２７】
この時、「仕上がり寸法予測」（ステップＳ１０９）では、現在処理を行っているＰＥＢプロセスパラメータと露光プロセスパラメータ、具体的にはベークユニットの排気圧力Ｐ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）、に基づいて、現在の処理基板の仕上がり寸法を予測し、「誤差計算」（ステップＳ１０）で仕上がり寸法の目標値とステップＳ１０９で予測した予測値の差を計算し、「次処理露光量設定」（ステップＳ１１）で次に着工する基板の露光量を変更する。
【００２８】
上記「仕上がり寸法予測」（ステップＳ１０９）のアルゴリズムは（１）式のように表せる。
【００２９】
【数１】
2007115790.tif 000003
（１）式の係数ａ０、ａ１、ａ２は、予め従来の方法で、リソグラフィの処理を行いながら取得した、仕上がり寸法データと排気圧力、露光量のデータセットから重回帰分析を用いて求めている。
【００３０】
次に、上記「誤差計算」（ステップＳ１０）のアルゴリズムは（２）式のようになる。
【００３１】
【数２】
2007115790.tif 000004
次に、「次処理露光量設定」（ステップＳ１１）のアルゴリズムは（３）式のように表せる。
【００３２】
【数３】
2007115790.tif 000005
このように、本発明による実施の形態１では、排気圧力Ｐ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）の２つの装置プロセスパラメータを用いることで、従来のフィードバックシステムでは必須であった寸法測定を実施することなく、次処理基板の露光量を予測し、フィードバックすることが可能になる。
【００３３】
次に、ベークユニットの排気圧力を測定可能とするベークユニット構造の一例を図２に示す。これは図１７の従来のベークユニット構造に対して、排気管７に圧力計２１を有することを特徴とする。このような構造にすることで、ベークユニット内の排気圧力を測定することが可能になる。
【００３４】
ＰＥＢ処理を行うベークユニットは天板９と筐体３によって閉じられる。筐体３の底面には複数に分割されたヒーター２と、ヒーター温度を監視するセンサーを有したホットプレート１１が設けられ、ホットプレート１１の上面には、露光後で現像前のレジスト膜を有する基板１を支持する基板支持台８が設けられている。
【００３５】
そして、基板１はヒーター２により加熱され、その上方に１個以上の空孔を有する整流板１０によって覆われ、Ｎ２ガスまたはクリーンエアー５が供給配管４を通してベークユニット内に供給され、整流板１０の空孔を通して排気管７から排気６される。
【００３６】
一例として、プロセスパラメータに排気圧力Ｐ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）を用いた場合の本フィードバックシステムと、従来の既に処理された数ロットの露光量とレジスト仕上がり寸法に基づくフィードバックシステムとの比較結果を図３に示す。
【００３７】
図３はレジスト寸法のヒストグラムで、Ｘ軸はレジスト寸法のデータ区間、Ｙ軸は各データ区間における頻度を示す。寸法測定に用いたレジストパターンは、Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ  ａｎｄ  Ｓｐａｃｅ）パターンで、レジスト仕上がり寸法の目標値は１２９ｎｍである。図３より、従来のフィードバックシステムでは目標寸法に対し、ピークが１２７ｎｍで２ｎｍ細いのに対し、本フィードバックシステムは目標値である１２９ｎｍがピークとなっている。また、工程能力指数Ｃｐｋは従来システムの０．７７に対し、本フィードバックシステムは１．１７となり、ばらつきも改善している。
【００３８】
図４は、前記図３で比較を行った際のベークユニットの排気圧力と、露光量の関係を示している。Ｘ軸は時間、左のＹ軸は露光量、右のＹ軸はベークユニットの排気圧力を示す。また、図中の黒線は装置の定期的なメンテナンス、例えば、レジスト膜厚確認やパーティクル確認、ベークユニットのクリーニング等、を実施したタイミングを示している。図４より、ベークユニットの排気圧力はメンテ間で経時的に低下することが分かる。これはレジスト膜が形成された基板１をベークする際に、レジストから発生する昇華物がベークユニット内の整流板１０や排気管７等に堆積するためである。
【００３９】
これに対し、ベークユニットをクリーニングすると、堆積していた昇華物が除去されるため、メンテナンス直後の排気圧力は一定値、この場合−１．１ｋＰａ程度に戻る。その後、処理枚数が増加するにつれ、再び排気圧力は低下する。この時、本フィードバックシステムでは、排気圧力と露光量に強い相関が見られるが、従来方式の露光量と排気圧力では相関が弱く、メンテナンス直後の追従性が悪い。
【００４０】
図５は排気圧力と排気流量の関係を示したもので、前記図２のベークユニット構造において、排気管７に直列に流量計を接続し、ベークユニットの排気圧力と排気流量の関係をもとめた。これより、排気圧力が低下すると排気流量も直線的に低下することが分かる。
【００４１】
図６は前記図２のベークユニット構造において、排気流量をパラメータとした時の基板表面温度との関係を示したものである。基板表面温度の測定は、米国ＯｎＷａｆｅｒ社製のワイヤレス温度測定ウエハを用いて実施した。これより、排気流量が低下すると、基板表面温度は上昇することが分かる。ここで注目すべき点は、排気流量が変動しても基板１を加熱するヒーター２は常に設定温度を維持していることである。つまり、従来のベークユニットでは、排気流量の変動による基板表面温度の変化が全く考慮されていない。
【００４２】
図７は基板表面温度と前記Ｌ／Ｓパターンの仕上がり寸法との関係を示したものである。ここで用いたパラメータは基板表面温度のみで、露光量やフォーカス、ベーク時間、現像温度、現像時間等のパラメータは固定である。これより、基板表面温度が上昇するとポジ型レジストの場合、仕上がり寸法は細くなることが分かる。
【００４３】
以上、図５、図６、図７の関係に基づいて、本発明の実施の形態１では、排気圧力Ｐ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）の２つの装置プロセスパラメータを用いることで、従来のフィードバックシステムでは必須であった寸法測定を実施することなく、次処理基板の露光量を予測し、フィードバックすることが可能になる。
【００４４】
そのため、直近の装置状態が十分に反映されており、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することが可能になる。
また、万が一、設備のオーバーホールなどの影響により、想定しているプロセスパラメータ以外の装置状態が大きく変化し、レジストの仕上がり寸法予測値と実際の仕上がり寸法が大きくずれてしまった場合には、例えば、式（２）の
【００４５】
【数４】
2007115790.tif 000006
の値に制限を設けておく事により、これを検出し、もう一度、係数ａ０、ａ１、ａ２の再設定からはじめると良い。
（実施の形態２）
図８に本手法の基本概念図を示した。本実施の形態では、ロットの投入に先立ち、「レジスト膜の形成」（ステップＳ１）、「露光前の加熱」（ステップＳ２）、「冷却」（ステップＳ３）、「露光」（ステップＳ４）、「露光後の加熱」（ステップＳ５）、「冷却」（ステップＳ６）、「現像」（ステップＳ７）を行い、「検査」（ステップＳ８）でパターン形成後のマクロ検査、重ね合せ測定、レジストパターンの寸法測定等を実施する。
【００４６】
この時、「仕上がり寸法予測」（ステップＳ８０９）では、現在処理を行っているＰＥＢプロセスパラメータと露光プロセスパラメータ、具体的にはＰＥＢ処理を行うベークユニットの排気流量Ｌ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）に基づいて、これから着工する基板の仕上がり寸法を予測し、「誤差計算」（ステップＳ１０）で仕上がり寸法の目標値とステップＳ８０９で予測した予測値の差を計算し、「次処理露光量設定」（ステップＳ１１）で次に着工する基板の露光量を変更する。
【００４７】
上記「仕上がり寸法予測」（ステップＳ８０９）のアルゴリズムは（４）式のように表せる。
【００４８】
【数５】
2007115790.tif 000007
（４）式の係数ｂ０、ｂ１、ｂ２は、予め従来の方法で、リソグラフィの処理を行いながら取得した、仕上がり寸法データと排気流量、露光量のデータセットから重回帰分析を用いて求めている。
【００４９】
次に、上記「誤差計算」（ステップＳ１０）のアルゴリズムは（５）式のようになる。
【００５０】
【数６】
2007115790.tif 000008
次に、「次処理露光量設定」（ステップＳ１１）のアルゴリズムは（６）式のように表せる。
【００５１】
【数７】
2007115790.tif 000009
前記図６、図７の関係に基づいて、本発明の実施の形態２では、排気流量Ｌ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）の２つの装置プロセスパラメータを用いることで、従来のフィードバックシステムでは必須であった寸法測定を実施することなく、次処理基板の露光量を予測し、フィードバックすることが可能になる。
【００５２】
そのため、直近の装置状態が十分に反映されており、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することが可能になる。
次に、ベークユニットの排気流量を測定可能とするユニット構成の一例を図９に示す。排気管７は制御弁３４の上流で排気管３７と分岐しており、排気管３７には制御弁３５とその下流に流量計３６を有することを特徴とする。基板１をベーク処理している際は流量計３６の接続されない配管によってベーク時の排気を行い、ベーク処理が終わると制御弁３４と３５を自動で切り替えることによって、流量計３６にて排気流量を測定する事が可能になる。
【００５３】
また、前記ベークユニットにおいて、供給配管を分岐する構成を用いれば、供給配管３８よりＯ３ガス等のレジスト分解ガス３１が供給可能である。この場合、ベークユニットの構成部材にはＰＦＡ、石英ヒーターなどの耐酸化性の部材を適用することが望ましい。基板１のベーク処理中は制御弁３２は閉じており、供給配管４にはＮ２ガスまたはクリーンエアー５が供給される。基板１の処理が完了し、ユニット内に基板が存在しない時、制御弁３３と３２を自動で切り替え、ベークユニットへレジスト分解ガス３１を供給する事で、ベークユニット内、整流板１０、排気管７等に堆積するレジスト昇華物を分解し、ベークユニットの排気流量を一定にし、基板１の表面温度を処理枚数に依存せず一定に保つ事が可能になる。
【００５４】
また、万が一、設備のオーバーホールなどの影響により、想定しているプロセスパラメータ以外の装置状態が大きく変化し、レジストの仕上がり寸法予測値と実際の仕上がり寸法が大きくずれてしまった場合には、例えば、式（５）の
【００５５】
【数８】
2007115790.tif 000010
の値に制限を設けておく事により、これを検出し、もう一度、係数ｂ０、ｂ１、ｂ２の再設定からはじめると良い。
（実施の形態３）
図１０に本手法の基本概念図を示した。本実施の形態では、ロットの投入に先立ち、「レジスト膜の形成」（ステップＳ１）、「露光前の加熱」（ステップＳ２）、「冷却」（ステップＳ３）、「露光」（ステップＳ４）、「露光後の加熱」（ステップＳ５）、「冷却」（ステップＳ６）、「現像」（ステップＳ７）を行い、「検査」（ステップＳ８）でパターン形成後のマクロ検査、重ね合せ測定、レジストパターンの寸法測定等を実施する。
【００５６】
この時、「仕上がり寸法予測」（ステップＳ１００９）では、現在処理を行っているＰＥＢプロセスパラメータと露光プロセスパラメータ、具体的にはＰＥＢ処理を行うベークユニットでベーク処理時の基板表面温度Ｔ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）に基づいて、現在処理中の基板の仕上がり寸法を予測し、「誤差計算」（ステップＳ１０）で仕上がり寸法の目標値とステップＳ１００９で予測した予測値の差を計算し、これに基づいて、「次処理露光量設定」（ステップＳ１１）で次に着工する基板の露光量を変更する。
【００５７】
上記「仕上がり寸法予測」（ステップＳ１００９）のアルゴリズムは（７）式のように表せる。
【００５８】
【数９】
2007115790.tif 000011
（７）式の係数ｃ０、ｃ１、ｃ２は、予め従来の方法で、リソグラフィの処理を行いながら取得した、仕上がり寸法データとＰＥＢ処理時の基板表面温度、露光量のデータセットから重回帰分析を用いて求めている。
【００５９】
次に、上記「誤差計算」（ステップＳ１０）のアルゴリズムは（８）式のようになる。
【００６０】
【数１０】
2007115790.tif 000012
次に、「次処理露光量設定」（ステップＳ１１）のアルゴリズムは（９）式のように表せる。
【００６１】
【数１１】
2007115790.tif 000013
前記図７の関係に基づいて、本発明の実施の形態３では、基板表面温度Ｔ（ｎ）と露光量Ｘ（ｎ）の２つの装置プロセスパラメータを用いることで、従来のフィードバックシステムでは必須であった寸法測定を実施することなく、次処理基板の露光量を予測し、フィードバックすることが可能になる。
【００６２】
そのため、直近の装置状態が十分に反映されており、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することが可能になる。
次に、ベークユニットの基板ベーク時における基板表面温度を測定可能とするユニット構成の一例を図１１に示す。前記ベークユニットは上方からＮ２ガスまたはクリーンエアー５を供給し、筐体３の下方から排気管４４より排気する構成をとり、例えばフッ化カルシウム製等の１００℃近傍を測定する赤外線放射温度計の赤外線が透過するガラス素材を用いて、かつ１個以上の空孔を有する整流板４３を基板１の加熱部分の上に配置し、整流板４３の上方に基板１の表面温度を計測するための赤外線放射温度計４２を配置することを特徴とする。
【００６３】
このような構成にすることで、ベーク時の基板表面温度を放射温度計４２で測定することが可能になる。このとき、整流板４３に用いるガラス素材の部分は、温度測定を行う為に十分な大きさを備えていれば良い。
【００６４】
また、前記ベークユニットにおいて、供給配管を分岐する構成を用いれば、供給配管４８よりＯ３ガス等のレジスト分解ガス３１が供給可能である。この場合、ベークユニットの構成部材には、ＰＦＡ、石英ヒーターなどの耐酸化性の部材を適用することが望ましい。
【００６５】
基板１のベーク処理中は制御弁４７は閉じており、供給配管４１にはＮ２ガスまたはクリーンエアー５が供給される。基板１の処理が完了し、ユニット内に基板が存在しない時、制御弁４６と４７を自動で切り替え、ベークユニットへレジスト分解ガス３１を供給する事で、ベークユニット内、整流板４３、排気管４４等に堆積するレジスト昇華物を分解し、ベークユニットの排気流量を一定に保つ事ができる。
【００６６】
さらに、排気管４４に可変流量制御弁４５と圧力計４９を設けることで、ベークユニット内の排気圧力を監視、制御することができ、その結果、排気流量を一定に保つ事ができ、基板１の表面温度を処理枚数に依存せず一定に保つ事が可能になる。
【００６７】
また、万が一、設備のオーバーホールなどの影響により、想定しているプロセスパラメータ以外の装置状態が大きく変化し、レジストの仕上がり寸法予測値と実際の仕上がり寸法が大きくずれてしまった場合には、例えば、式（８）の
【００６８】
【数１２】
2007115790.tif 000014
の値に制限を設けておく事により、これを検出し、もう一度、係数ｃ０、ｃ１、ｃ２の再設定からはじめると良い。
（実施の形態４）
図１２に本手法の基本概念図を示した。本実施の形態では、ロットの投入に先立ち、「レジスト膜の形成」（ステップＳ１）、「露光前の加熱」（ステップＳ２）、「冷却」（ステップＳ３）、「露光」（ステップＳ４）、「露光後の加熱」（ステップＳ５）、「冷却」（ステップＳ６）、「現像」（ステップＳ７）を行い、「検査」（ステップＳ８）でパターン形成後のマクロ検査、重ね合せ測定、レジストパターンの寸法測定等を実施する。
【００６９】
この時、「第１の次処理露光量設定」（ステップＳ１２０９）では、既に処理された数ロットの各ロット内の基板１枚以上の露光量Ｘｉと、レジストパターンの寸法測定値Ｓｉに基づいて、これから着工するロットの露光量を設定する。その設定値に対して、「第２の次処理露光量設定」（ステップＳ１２１０）では、現在処理を行っている基板と、１枚前の基板に対するＰＥＢプロセスパラメータ、具体的には、ベークユニットの排気圧力Ｐ（ｎ）に基づいて、露光量の設定値を更に補正する。
【００７０】
上記「第１の次処理露光量設定」（ステップＳ１２０９）は、従来から用いられているフィードバックシステムで、アルゴリズムは（１０）式のように表せる。
【００７１】
【数１３】
2007115790.tif 000015
次に、「第２の次処理露光量設定」（ステップＳ１２１０）のアルゴリズムは（１１）式のように表せる。
【００７２】
【数１４】
2007115790.tif 000016
まず初めに、あらかじめ使用する校正曲線（図５、図６、図７、図１３）を求めた。図１３は前記Ｌ／Ｓパターンの露光量と仕上がり寸法の関係を示したものであり、露光量が増えると仕上がり寸法が細くなることが分かる。（１１）式中の係数、ｊ，ｋ，ｌ，ｍは各々、校正曲線、図５、図６、図７、図１３の傾きである。
【００７３】
このように、本発明の実施の形態４によれば、直近の装置状態が十分に反映されており、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することが可能になる。一例として、プロセスパラメータに排気圧力Ｐ（ｎ）を用いた場合の実施の形態４によるフィードバックシステムと、従来の既に処理された数ロットの露光量とレジスト仕上がり寸法に基づくフィードバックシステムとの比較結果を図１４に示す。
【００７４】
図１４はレジスト寸法のヒストグラムで、Ｘ軸はレジスト寸法のデータ区間、Ｙ軸は各データ区間における頻度を示す。寸法測定に用いたレジストパターンは、Ｌ／Ｓパターンで、レジスト仕上がり寸法の目標値は１２９ｎｍである。図１４より、従来のフィードバックシステムでは、目標寸法に対しピークが１２７ｎｍで２ｎｍ細いのに対し、本フィードバックシステムは目標値である１２９ｎｍがピークとなっている。また、工程能力Ｃｐｋは従来システムの０．７７に対し、本フィードバックシステムは０．８２となり、ばらつきも改善している。
（実施の形態５）
図１５に本手法の基本概念図を示した。本実施の形態では、ロットの投入に先立ち、「レジスト膜の形成」（ステップＳ１）、「露光前の加熱」（ステップＳ２）、「冷却」（ステップＳ３）、「露光」（ステップＳ４）、「露光後の加熱」（ステップＳ５）、「冷却」（ステップＳ６）、「現像」（ステップＳ７）を行い、「検査」（ステップＳ８）でパターン形成後のマクロ検査、重ね合せ測定、レジストパターンの寸法測定等を実施する。
【００７５】
この時、「第１の次処理露光量設定」（ステップＳ１５０９）では、既に処理された数ロットの各ロット内の基板１枚以上の露光量Ｘｉと、レジストパターンの寸法測定値Ｓｉに基づいて、これから着工するロットの露光量を設定する。その設定値に対して、「第２の次処理露光量設定」（ステップＳ１５１０）では、現在処理を行っている基板と、１枚前の基板に対するＰＥＢプロセスパラメータ、具体的にはベークユニットの排気流量Ｌ（ｎ）に基づいて、露光量の設定値を更に補正する。
【００７６】
上記「第１の次処理露光量設定」（ステップＳ１５０９）は、従来から用いられているフィードバックシステムで、前記（１０）式となる。
次に、「第２の次処理露光量設定」（ステップＳ１５１０）のアルゴリズムは（１２）式のように表せる。
【００７７】
【数１５】
2007115790.tif 000017
まず初めに、あらかじめ使用する校正曲線（図６、図７、図１３）を求めた。図１３は前記Ｌ／Ｓパターンの露光量と仕上がり寸法の関係を示したものである。（１２）式中の係数、ｋ，ｌ，ｍは各々、校正曲線、図６、図７、図１３の傾きである。
【００７８】
このように、本発明の実施の形態５によれば、直近の装置状態が十分に反映されており、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することが可能になる。
（実施の形態６）
図１６に本手法の基本概念図を示した。本実施の形態では、ロットの投入に先立ち、「レジスト膜の形成」（ステップＳ１）、「露光前の加熱」（ステップＳ２）、「冷却」（ステップＳ３）、「露光」（ステップＳ４）、「露光後の加熱」（ステップＳ５）、「冷却」（ステップＳ６）、「現像」（ステップＳ７）を行い、「検査」（ステップＳ８）でパターン形成後のマクロ検査、重ね合せ測定、レジストパターンの寸法測定等を実施する。
【００７９】
この時、「第１の次処理露光量設定」（ステップＳ１６０９）では、既に処理された数ロットの各ロット内の基板１枚以上の露光量Ｘｉと、レジストパターンの寸法測定値Ｓｉに基づいて、これから着工するロットの露光量を設定する。その設定値に対して、「第２の次処理露光量設定」（ステップＳ１６１０）では、現在処理を行っている基板と、１枚前の基板に対するＰＥＢプロセスパラメータ、具体的にはベークユニットでベーク処理時の基板表面温度Ｔ（ｎ）に基づいて、露光量の設定値を更に補正する。
【００８０】
上記「第１の次処理露光量設定」（ステップＳ１６０９）は、従来より用いられているフィードバックシステムで、前記（１０）式となる。
次に、「第２の次処理露光量設定」（ステップＳ１６１０）のアルゴリズムは（１３）式のように表せる。
【００８１】
【数１６】
2007115790.tif 000018
まず初めに、あらかじめ使用する校正曲線（図７、図１３）を求めた。図１３は前記Ｌ／Ｓパターンの露光量と仕上がり寸法の関係を示したものである。（１３）式中の係数、ｌ，ｍは各々、校正曲線、図７、図１３の傾きである。
【００８２】
このように、本発明の実施の形態６によれば、直近の装置状態が十分に反映されており、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することが可能になる。
なお、上記の実施の形態１から実施の形態６においては、露光量を変更し、次処理基板へフィードバックをかけた例を示したが、ＰＥＢ温度やＰＥＢ時間、現像液の温度、現像時間のいずれかにフィードバックしても同様な効果が得られる。また、本発明の適用範囲は化学増幅型レジストのみに限定するものではなく、従来のノボラック系レジストにおいても適用可能であり、同様な効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明のレジスト膜の処理装置およびレジストパターン形成方法は、直近の装置状態が十分に反映され、装置の状態変化に対する追従遅れによる寸法変動を抑制することができ、微細パターンの寸法精度を向上することができるもので、半導体装置の製造工程のフィードバック技術に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る本手法の基本概念を示すフローチャート
【図２】同実施の形態１に係る基板処理装置および基板処理方法を示す概要図
【図３】同実施の形態１と従来方式での寸法ばらつきを比較した結果を示す図
【図４】同実施の形態１に係るベークユニットの排気圧力と時間の関係を示した図
【図５】同実施の形態１に係るベークユニットの排気圧力と排気流量の関係（校正曲線）を示した図
【図６】同実施の形態１に係るベークユニットの排気流量と基板表面温度の関係（校正曲線）を示した図
【図７】同実施の形態１に係る基板表面温度と仕上がり寸法の関係（校正曲線）を示した図
【図８】本発明の実施の形態２に係る本手法の基本概念を示すフローチャート
【図９】同実施の形態２に係る基板処理装置および基板処理方法を示す概要図
【図１０】本発明の実施の形態３に係る本手法の基本概念を示すフローチャート
【図１１】同実施の形態３に係る基板処理装置および基板処理方法を示す概要図
【図１２】本発明の実施の形態４に係る本手法の基本概念を示すフローチャート
【図１３】同実施の形態４に係る露光量と仕上がり寸法の関係（校正曲線）を示した図
【図１４】同実施の形態４と従来方式での寸法ばらつきを比較した結果を示す図
【図１５】本発明の実施の形態５に係る本手法の基本概念を示すフローチャート
【図１６】本発明の実施の形態６に係る本手法の基本概念を示すフローチャート
【図１７】従来技術の基板処理装置を示す概要図
【符号の説明】
【００８５】
１    基板
２    ヒーター
３    筐体
４    供給配管
５    クリーンエアー
６    排気
７    排気管
８    基板支持台
９    天板
１０    整流板
１１    ホットプレート
２１    圧力計
３５    制御弁
３６    流量計
４２    放射温度計
４３    整流板
４５    可変流量制御弁
４９    圧力計
【図１】
2007115790.tif 000019
【図２】
2007115790.tif 000020
【図３】
2007115790.tif 000021
【図４】
2007115790.tif 000022
【図５】
2007115790.tif 000023
【図６】
2007115790.tif 000024
【図７】
2007115790.tif 000025
【図８】
2007115790.tif 000026
【図９】
2007115790.tif 000027
【図１０】
2007115790.tif 000028
【図１１】
2007115790.tif 000029
【図１２】
2007115790.tif 000030
【図１３】
2007115790.tif 000031
【図１４】
2007115790.tif 000032
【図１５】
2007115790.tif 000033
【図１６】
2007115790.tif 000034
【図１７】
2007115790.tif 000035