(57)【要約】【課題】  加工対象物内の任意の位置に改質層を形成し得るレーザ加工装置を提供する。【解決手段】レーザ加工装置２０では、所定波長のレーザ光Ｌを発生可能なレーザ光源と、レーザ光源から発生するレーザ光Ｌを導光可能に設けられるとともに先端ｔ１に向かって縮径する先細形状に形成された先端部Ｆｔ１からレーザ光Ｌ’をウェハＷに向けて出射可能な光ファイバＦＢ１と、光ファイバＦＢ１の先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更可能な光ファイバ先端部移動機構と、を備える。これにより、先細形状の先端ｔ１から出射されたレーザ光Ｌ’は、先端部Ｆｔ１により集光されて所定位置Ｄｐ１に集光点Ｐａを形成するので、光ファイバ先端部移動機構により先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更することで、ウェハＷの内部においても、集光点Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃの形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物の表面からレーザ光を入射し当該加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し得るレーザ加工装置であって、
所定波長のレーザ光を発生可能なレーザ光源と、
前記レーザ光源から発生するレーザ光を導光可能に設けられるとともに先端に向かって縮径する先細形状に形成された先端部からレーザ光を前記加工対象物に向けて出射可能な光ファイバと、
前記光ファイバの先端と前記加工対象物との離隔距離を連続的に変更可能な第１の離隔距離変更手段と、
を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記光ファイバから出射されるレーザ光の光軸上に設けられる集光レンズと、
前記光ファイバの先端と前記集光レンズとの離隔距離を連続的に変更可能な第２の離隔距離変更手段と、
を備えることを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象物の表面からレーザ光を入射し当該加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し得るレーザ加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加工対象物の表面からレーザ光を入射し当該加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し得るレーザ加工装置では、通常、図６(A) に示すように、図略のレーザ光源から出射されるレーザ光Ｌを集光レンズＣＶにより集光して予め設定された範囲で加工対象物ｗ内に集光点Ｐａを形成し、これにより改質層を形成している。
【０００３】
ところが、当該加工対象物ｗの表面に形成される構造物Ｒ（例えば加工対象物ｗが半導体ウェハの場合には配線パターン（Ａｌ）等）同士の隙間d1を通してレーザ光Ｌ’を照射する場合には、図６(B) に示すように、当該加工対象物ｗの深い位置に集光点Ｐｃを合わせようとすると当該隙間d1を形成する構造物Ｒがレーザ光Ｌ’の入射を遮る場合がある。
【０００４】
すると、本来予定したレーザ光LLは構造物Ｒによって遮断されるため、それよりも狭い範囲を通過するレーザ光LL’によって集光点Ｐｂができ、その位置で改質層が形成される。つまり、予定した深度よりも浅い位置に集光点Ｐｂが合ってしまうため、予定外の位置に改質層が形成されることになる。
【０００５】
したがって、このような場合には、図６(C) に示すように、当該加工対象物ｗの表面に形成される構造物Ｒ同士の間隔d1を、間隔d2に拡げた構造物Ｒ’を設けない限り、予定した深度に集光点Ｐｃを合わせて改質層を形成することは難しい。
【０００６】
つまり、所定の集光レンズＣＶを用いた場合、それにより集光されたレーザ光Ｌ’が通る光路上に対向する構造物Ｒが存在すると、その隙間d1の間隔によって改質層を形成可能な深さが制限されてしまうという問題が生じる。また、レーザ光Ｌ’の入射に要する範囲の最大幅（以下「加工幅」という）dnは、レーザエネルギーの損失を最小限に抑える観点から可能な限り狭い方が望ましい。
【０００７】
そこで、このような問題を解決可能な先行技術として、例えば、下記、特許文献１に開示される「レーザ加工装置」がある。このレーザ加工装置では、開口数の異なる集光レンズを複数備え、所定の選択手段によりこれら複数の集光レンズを適宜選択可能にすることで、加工対象物の異なる位置（深さ）に集光点を合わせ得るものである。
【特許文献１】特開２００３−１４４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような開示技術によると、所定の選択手段により選択可能な集光レンズは複数枚ではあるが、その枚数には構造的に制限がある。そのため、集光点の位置を大きく変化させたり、また微調整したい場合には、その分だけ集光レンズを装備しなければならず、装置構成の複雑化やその体格の大型化を招き得る。また、たとえ集光レンズを多数装備したとしても、その数には限度があるため、必ずしも必要な集光点を得られるとは限らず、また連続的に集光点を可変させることは難しい。
【０００９】
つまり、上記特許文献１に開示される技術では、集光点をディジタル（不連続）的に変更することはできても、それをアナログ（連続）的に変更することはできない。このため、加工対象物内の任意の位置（深さ）に改質層を形成しようとすると、上記特許文献１の開示技術では困難になるという問題がある。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、加工対象物内の任意の位置に改質層を形成し得るレーザ加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１のレーザ加工装置では、加工対象物［Ｗ］の表面からレーザ光を入射し当該加工対象物［Ｗ］の内部に多光子吸収による改質領域［α］を形成し得るレーザ加工装置であって、所定波長のレーザ光［Ｌ］を発生可能なレーザ光源と、前記レーザ光源から発生するレーザ光［Ｌ］を導光可能に設けられるとともに先端［ｔ１，ｔ２］に向かって縮径する先細形状に形成された先端部［Ｆｔ１，Ｆｔ２］からレーザ光［Ｌ’］を前記加工対象物［Ｗ］に向けて出射可能な光ファイバ［ＦＢ１，ＦＢ２］と、前記光ファイバ［ＦＢ１，ＦＢ２］の先端［ｔ１，ｔ２］と前記加工対象物［Ｗ］との離隔距離［Ｄ１，Ｄ１’］を連続的に変更可能な第１の離隔距離変更手段と、を備えることを技術的特徴とする。なお、［  ］内の数字等は、［発明を実施するための最良の形態］の欄で説明する符号に対応し得るものである（以下同じ）。
【００１２】
特許請求の範囲に記載の請求項２のレーザ加工装置では、請求項１記載のレーザ加工装置において、前記光ファイバ［ＦＢ２］から出射されるレーザ光［Ｌ’］の光軸上［Ｌｏ］に設けられる集光レンズ［ＣＶ］と、前記光ファイバ［ＦＢ２］の先端［ｔ２］と前記集光レンズ［ＣＶ］との離隔距離［Ｄ２，Ｄ２’］を連続的に変更可能な第２の離隔距離変更手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明では、レーザ光源から発生するレーザ光［Ｌ］を導光可能に設けられる光ファイバ［ＦＢ１，ＦＢ２］は、その先端部［Ｆｔ１，Ｆｔ２］が先端［ｔ１，ｔ２］に向かって縮径する先細形状に形成され、先端部［Ｆｔ１，Ｆｔ２］からレーザ光［Ｌ’］を加工対象物［Ｗ］に向けて出射し、この光ファイバ［ＦＢ１，ＦＢ２］の先端［ｔ１，ｔ２］と加工対象物［Ｗ］との離隔距離［Ｄ１，Ｄ１’］は、第１の離隔距離変更手段により連続的に変更できる。
【００１４】
これにより、先細形状の先端［ｔ１，ｔ２］から出射されたレーザ光［Ｌ’］は、先端部［Ｆｔ１，Ｆｔ２］により集光されて所定位置［Ｄｐ１］に集光点［Ｐａ］を形成するので、第１の離隔距離変更手段により先端［ｔ１，ｔ２］と加工対象物［Ｗ］との離隔距離［Ｄ１，Ｄ１’］を連続的に変更することで、加工対象物［Ｗ］の内部においても、集光点［Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃ］の形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる。したがって、加工対象物［Ｗ］内の任意の位置に改質層［Ｋａ，Ｋｂ，Ｋｃ］を形成することができる。
【００１５】
請求項２の発明では、光ファイバ［ＦＢ２］から出射されるレーザ光［Ｌ’］の光軸上［Ｌｏ］に集光レンズ［ＣＶ］を設け、この集光レンズ［ＣＶ］と光ファイバ［ＦＢ２］の先端［ｔ２］との離隔距離［Ｄ２，Ｄ２’］を第２の離隔距離変更手段により連続的に変更する。これにより、光ファイバ［ＦＢ２］から出射されたレーザ光［Ｌ’］は、集光レンズ［ＣＶ］によりさらに集光されるので、光ファイバ［ＦＢ２］の先端部［Ｆｔ２］による集光だけでは、出射したレーザ光［Ｌ’］を十分に絞れない場合に、集光レンズ［ＣＶ］を組み合わせることで、当該集光レンズ［ＣＶ］による集光によって、所望の形成位置［Ｄｐ２］に集光点を形成することができる。
【００１６】
また、第２の離隔距離変更手段により光ファイバ［ＦＢ２］の先端［ｔ２］と集光レンズ［ＣＶ］との離隔距離［Ｄ２，Ｄ２’］を連続的に変更することで、加工対象物［Ｗ］の内部においても、集光点［Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃ］の形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる。したがって、加工対象物［Ｗ］内の任意の位置に改質層［Ｋａ，Ｋｂ，Ｋｃ］を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のレーザ加工装置をシリコンウェハ（以下「ウェハ」という）のダイシングに適用した一実施形態を各図に基づいて説明する。
図１および図２に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置２０は、ウェハＷの表面Ｗａからレーザ光を入射し該ウェハＷの内部に多光子吸収による改質領域αを形成し得るもので、主に、所定波長のレーザ光Ｌを発生可能な図略のレーザ光源と、このレーザ光源から発生するレーザ光Ｌを導光可能に設けられるとともに先端ｔ１に向かって縮径する先細形状に形成された先端部Ｆｔ１からレーザ光Ｌ’をウェハＷに向けて出射可能な光ファイバＦＢ１と、この光ファイバＦＢ１の先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更可能な図略の光ファイバ先端部移動機構（第１の離隔距離変更手段）と、を備えている。
【００１８】
レーザ光源は、「多光子吸収」と呼ばれる物質の相互作用の発生に適した超短パルスを所定出力で発生可能な、例えばフェムト秒レーザシステムで、レーザ光Ｌを発生させる。なお、「多光子吸収」とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいい、この多光子吸収によって集光点およびその近傍では光学的損傷という現象が発生する。これにより熱歪みが誘起され、その部分においてクラックが生じ、このクラックが集合した範囲を一般に「改質領域」または「改質層」と呼んでいる。なお、本明細書では、「改質層」の集まりを「改質領域」と称することにする。
【００１９】
図１(A) に示すように、光ファイバＦＢ１は、レーザ光源から発生するレーザ光ＬをウェハＷに向けて導光可能に構成される、例えば石英系光ファイバで、高い屈折率で導光部分を構成するコアと、低い屈折率でコアの周囲を覆うクラッドとから構成されている。
【００２０】
この光ファイバＦＢ１は、その先端部Ｆｔ１が先端ｔ１に向かって縮径する先細形状、つまり円錐形状または円錐台形状に形成されており、またこのような外形に形成される先端部Ｆｔ１中のコアも、先端ｔ１に向かって縮径する先細形状に形成され、レーザ光Ｌがコアの軸中心に集まるように当該コアの屈折率およびその分布が設定されている。これにより、光ファイバＦＢ１から出射されるレーザ光Ｌ’がウェハＷに入射する角度（以下「入射角」という。））を集光レンズを用いた場合と比べ小さくすることができる。なお、本実施形態では、光ファイバＦＢ１として、石英系のものを用いたが、これに限られず、例えば、ガラス系光ファイバやプラスチック光ファイバでも良い。
【００２１】
光ファイバ先端部移動機構は、光ファイバＦＢ１の先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更し得る機構で、例えば、ラックアンドピニオンのような回転運動を往復運動に変換可能な機構によりモータやハンドルの回転によって光ファイバＦＢ１の先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に可変可能に構成している。
【００２２】
このようにレーザ加工装置２０を構成することによって、先細形状の先端ｔ１から出射されたレーザ光Ｌ’は、先端部Ｆｔ１により集光されて集光点位置Ｄｐ１に集光点Ｐａをを形成するので（図１(A) 参照）、ウェハＷに対する入射角を小さく設定することが可能となる。また、光ファイバ先端部移動機構により先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を連続的に変更することで（図１(A) の離隔距離Ｄ１から図１(B) の離隔距離Ｄ１’に変更）、任意の位置に集光点Ｐを形成することが可能となる。これにより、ウェハＷの内部においても、集光点Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃの形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる（図１(B) 参照）。
【００２３】
即ち、図１(A) に示すように、ウェハＷ内の比較的浅い位置において集光点Ｐａを設定したり、また図１(B) に示すように、ウェハＷ内の比較的深い位置において集光点Ｐｃを設定したり、その中間の位置に集光点Ｐｂを設定したりすることができる。つまり、ウェハＷの厚さ（深さ）方向に任意の位置に集光点を連続的に設定することができる。
【００２４】
したがって、図２(A) および図２(B) に示すように、ウェハＷ内の任意の位置に改質層Ｋａ（比較的浅い位置；離隔距離Ｄａ）、Ｋｂ（ほぼ中間の位置；離隔距離Ｄｂ(＜Ｄａ)）、Ｋｃ（比較的深い位置；離隔距離Ｄｃ(＜Ｄｂ)）を形成することができるので、比較的厚いウェハＷにおいてもその厚さ（深さ）方向のほぼ全域に亘って改質領域αを形成することができる（改質工程）。これにより、図２(C) に示すように、当該改質領域αを起点にウェハＷを適正に割断することができる（割断工程）。なお、図２(A) においてウェハＷの平面方向に表されている複数の太実線は、改質層を示すもので、この集まりを改質領域αとしている。
【００２５】
また、光ファイバＦＢ１の先端部Ｆｔ１による集光作用によって、ウェハＷに入射するレーザ光Ｌ’の入射角を鋭角にできることから、当該レーザＬ’の入射に要するウェハＷの表面Ｗａの加工幅dnを狭くすることができる。これにより、例えば、図１や図２(B) に示すように、ウェハＷ上に対向する構造物Ｒが形成されており、その隙間間隔がd1というような狭いものであっても、ウェハＷの深い位置（エキスパンドテープＴが貼着されている裏面の近傍）まで集光点Ｐｃを合わせることができ、改質層Ｋｃを形成することができる。なお、この構成部材Ｒの隙間d1については、［背景技術］の欄で図６を参照して説明した構成部材Ｒ’の隙間d2よりも狭いもので、同図の隙間d1と同等の広さである。
【００２６】
このようにレーザ加工装置２０では、ウェハＷの表面Ｗａに構造物Ｒが形成されていても、狭い隙間d1があればそれを通してウェハＷの深い位置に集光点Ｐｃを形成できるので、ウェハＷの深い位置にも改質層Ｋｃを形成することができる。また、加工幅dnを狭くできることから、レーザエネルギーの損失も少なくすることができる。
【００２７】
ここで、レーザ照射に必要な加工幅と集光点位置との関係およびこの関係による具体的なウェハＷの厚さに対する加工幅dnの例を図３および図４を参照して説明する。
図４に示すように、集光点位置Ｘ、即ちウェハＷの表面Ｗａから集光点Ｐまでの距離Ｘとレーザ照射に必要な加工幅dnとの関係は、屈折率ｎ１の媒質から入射角θ1 で入射した光が屈折率ｎ２の媒質に屈折角θ2 で屈折するときにはｎ１×sinθ1＝ｎ２×sinθ2の関係式が成り立つことから、図３に示す比例関係となる。なお、ＮＡは、屈折率ｎ１の光学系物質に入射角θ1で光が入射した場合において、ＮＡ＝ｎ１×sinθ1で与えられる。
【００２８】
この図３に示す比例関係から、レーザ光の入射角θ1 の値が最大９０度の範囲で大きくなるほどＮＡが増大することから（ＮＡ＝ｎ１×sinθ1）、(1) 入射角θ1 の増加が加工幅dnの増大を招くこと、(2) また集光点位置Ｘが深くなるほど入射角θ1 の増加が加工幅dnの増大を招くこと、がそれぞれわかる。例えば、集光レンズＣＶのＮＡが０．８（図３に示す一点鎖線の特性）の場合、ウェハＷの厚さにより６００μｍの深さ（距離）に集光点位置を設定する必要があるときには、同図からほぼ３００μｍの加工幅dnが必要になることがわかる（前記(2) の原因）。
【００２９】
通常、図２(C) に示す割断工程では、高々３μｍ〜５μｍの幅で改質層が形成されていれば適正なエキスパンド（割断）が可能となるが、このような図３に示す関係から、本来必要とする改質層の幅の数十倍〜１００倍程度の加工幅dnをウェハＷの表面Ｗａに確保せざるを得なくなっている。つまり、この加工幅dnの大半は、レーザ光Ｌの照射時以外には必要にならない領域であることから、ウェハＷを有効利用する観点からはその妨げとなっている。
【００３０】
そこで、本実施形態に係るレーザ加工装置２０では、光ファイバＦＢ１の先端部Ｆｔ１の形状を先端ｔ１に向かって縮径する先細形状、つまり円錐形状または円錐台形状に形成し、内部のコアもそのように形成することで、当該先端ｔ１から出射されるレーザ光Ｌ’のウェハＷに対する入射角を鋭角にする（前記(1) の原因に対する対策）。また、このような光ファイバＦＢ１の先端ｔ１とウェハＷとの離隔距離Ｄ１を光ファイバ先端部移動機構により連続的に変更可能に構成することで、集光点位置Ｄｐ１に集光点Ｐａを任意の位置で形成する。これにより、加工幅dnを狭くすることが可能になり、しかも鋭角に入射するレーザ光Ｌ’の集光点位置Ｄｐ１を連続的に設定可能となるので、１枚のウェハＷから得られる半導体チップの収量を増加させることができ、当該半導体チップの製造コストを削減することができる。
【００３１】
次に、上述した実施形態の改変例として、他の実施形態を図５に基づいて説明する。なお、この実施形態に係るレーザ加工装置３０は、光ファイバＦＢ２から出射されるレーザ光Ｌ’の光軸Ｌｏ上に集光レンズＣＶを設けた点および光ファイバＦＢ２の先端ｔ２とこの集光レンズＣＶとの離隔距離Ｄ２を変更可能な図略のレンズ移動機構（第２の距離変更手段）を設けた点が前述したレーザ加工装置２０と異なる。このため、これ以外の構成はレーザ加工装置２０の構成と実質的に同一であるので、同一符号を付し説明を省略する。
【００３２】
図５に示すように、集光レンズＣＶは、光学系で、視野光線を集めこれらの集めた光線を次の光学素子に曲げて進ませるのに用いる凸または正のレンズで、光ファイバＦＢ２からウェハＷに向けて出射されるレーザ光Ｌ’の光軸Ｌｏ上に設けられている。本実施形態では、この集光レンズＣＶの屈折率ｎ１は、光ファイバＦＢ２の先端部Ｆｔ２による屈折率ｎ２よりも大きく設定されている。
【００３３】
レンズ移動機構は、集光レンズＣＶをレーザ光Ｌ’の光軸Ｌｏでその位置を自在に可変し得る機構で、例えば、ラックアンドピニオンのような回転運動を往復運動に変換可能な機構によりモータやハンドルの回転によって光ファイバＦＢ２の先端ｔ２と集光レンズＣＶとの相対距離を連続的に可変可能に構成している。
【００３４】
なお、このレーザ加工装置３０を構成する光ファイバＦＢ２は、前述したレーザ加工装置２０の光ファイバＦＢ１よりも外径およびそのコア径が大きく設定されている。このため、その先端部Ｆｔ２は、前述の先端部Ｆｔ１と同様に、先端ｔ２に向かって縮径する先細形状に形成されており、またコアも、先端ｔ２に向かって縮径する先細形状に形成されているが、先端ｔ２の開口径が光ファイバＦＢ１の先端ｔ１の開口径よりも大きく設定されている。
【００３５】
レーザ加工装置３０では、このように構成される集光レンズＣＶとその位置を可変可能なレンズ移動機構とを備えることにより、光ファイバＦＢ２から出射されたレーザ光Ｌ’は、集光レンズＣＶによりさらに集光することができるので、本実施形態の光ファイバＦＢ２のように先端ｔ２の開口径が大きいことから、その先端部Ｆｔ２による集光だけでは、集光点の形成位置が適当でない場合に、集光レンズＣＶを組み合わせることで、所望の形成位置Ｄｐ２に集光点を形成することができる。
【００３６】
また、レンズ移動機構により光ファイバＦＢ２の先端ｔ２と集光レンズＣＶとの離隔距離Ｄ２を連続的に変更することで（図５(A) の離隔距離Ｄ２から図５(B) の離隔距離Ｄ２’に変更）、任意の位置に集光点Ｐを形成することが可能となる。これにより、ウェハＷの内部においても、集光点Ｐａ，Ｐｂ，Ｐｃの形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる（図５(B) 参照）。したがって、このように先端部Ｆｔ２による集光では出射したレーザ光Ｌ’を十分に絞れない（入射角を十分に小さくできない）場合においても、前述したレーザ加工装置２０と同様に、ウェハＷ内の任意の位置に改質層Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃを形成することができる（図２参照）。
【００３７】
なお、本実施形態に係るレーザ加工装置３０では、１枚の集光レンズＣＶを用いて構成したが、これに限られず、２枚以上の集光レンズを用いて構成して良い。これにより、集光レンズを１枚用いた場合に比べ、さらにレーザ光の入射角を小さくすることができるので（前記(1) の原因に対する対策）、より一層加工幅dnを狭くすることが可能になる。またウェハ厚が厚いウェハＷでも、深い位置に改質層を形成することができる。
【００３８】
また、以上説明した各実施形態では、レーザ加工装置２０、３０の加工対象物として、シリコンウェハの場合を例示して説明したが、本発明のレーザ加工装置により割断可能な加工対象物はこれに限られることはなく、例えば、シリコン以外の半導体材料、ガラス、クリスタル、あるいはプラスチック等の樹脂材料、等の各種の物質その対象に挙げられ、これらについても、上記と同様の作用および効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置を構成する光ファイバの位置関係を示す説明図で、図１(A) はウェハ内の浅い位置に集光点を合わせた場合、図１(B) はウェハ内の深い位置に集光点を合わせた場合、をそれぞれ示すものである。
【図２】本実施形態に係るレーザ加工装置によるレーザダイシング工程を示すもので、図２(A) は改質工程を示すもの、図２(B) は図２(A) に示すウェハをその周方向に９０度回転させた場合を示すもの、図２(C) は割断工程を示すものである。
【図３】レーザ照射に必要な加工幅と集光点位置との関係を示す特性図である。
【図４】図３の特性を導くために用いられる説明図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るレーザ加工装置を構成する光ファイバおよび集光レンズの位置関係を示す説明図である。
【図６】従来のレーザ加工装置によるレーザダイシングの例を示すものである。
【符号の説明】
【００４０】
２０、３０…レーザ加工装置
ＦＢ１、ＦＢ２…光ファイバ
Ｆｔ１、Ｆｔ２…先端部
ＣＶ…集光レンズ
d1、d2…隙間
Ｄ１、Ｄ１’、Ｄ２、Ｄ２’…離隔距離
Ｄｐ１、Ｄｐ２…集光点位置
Ｋａ、Ｋｂ、Ｋｃ…改質層
Ｌ、Ｌ’、Ｌ”…レーザ光
Ｌｏ…光軸
Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ…集光点
Ｒ…構造物
ｔ１、ｔ２…先端
Ｗ…ウェハ（加工対象物）
Ｗａ…表面
α…改質領域
【図１】
2007136483.tif 000003
【図２】
2007136483.tif 000004
【図３】
2007136483.tif 000005
【図４】
2007136483.tif 000006
【図５】
2007136483.tif 000007
【図６】
2007136483.tif 000008