(57)【要約】【課題】装置の小型化を図るとともに両面の電気的導通を確保することができる光素子及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】光素子の製造方法は、光学部１３と、光学部１３と電気的に接続された電極２と、を備えた半導体素子３に貫通穴４を形成することと、貫通穴４の内壁面を含み、半導体素子３の光学部１３が形成された側の第１の面Ｂから、この第１の面Ｂに対向する第２の面Ａに亘る導電層８を形成することと、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を備えた半導体素子に貫通穴を形成することと、
前記貫通穴の内壁面を含み、前記半導体素子の前記光学部が形成された側の第１の面から、前記第１の面に対向する第２の面に亘る導電層を形成することと、
を有する光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子の前記第２の面に、前記導電層と電気的に接続する外部電極を形成することをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子の前記第２の面に応力緩和層を形成した後、前記導電層を前記応力緩和層上に形成する光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２を引用する請求項３記載の光素子の製造方法において、
前記外部電極を、前記第２の面における前記応力緩和層に対応する位置に形成する光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子は、半導体ウエハから切断されてなる半導体チップである光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子は、半導体ウエハの一部であり、
前記半導体ウエハを、それぞれの前記半導体素子ごとに切断することをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記導電層を形成した後に、前記第１の面側に光透過性部材を設けることをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項５を引用する請求項７記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体チップと略同形状である光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項６を引用する請求項７記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体ウエハと略同形状である光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項６を引用する請求項７記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体ウエハのそれぞれの前記半導体素子と略同形状であり、前記半導体ウエハのそれぞれの前記半導体素子について電気的特性検査を行うことによって良品部分の判定を行い、前記光透過性部材を、前記良品部分と判定されたいずれかの前記半導体素子に設ける光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の光素子の製造方法において、
前記半導体ウエハをそれぞれの前記半導体素子ごとに切断した後に、前記光透過性部材を設ける光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、光学ガラスである光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記第１の面側に、カラーフィルタを設けることをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記導電層を形成した後に、前記第１の面側にマイクロレンズを設けることをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項１５】
光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を有する半導体チップからなる光素子であって、
前記半導体チップは、貫通穴と、前記貫通穴の内壁面を含み、前記光学部が形成された側の第１の面から前記第１の面に対向する第２の面に亘って形成された導電層と、を有する光素子。
【請求項１６】
請求項１５記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第２の面に形成され、前記導電層と電気的に接続してなる外部電極をさらに有する光素子。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６に記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第２の面に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記導電層は、前記応力緩和層上に形成されてなる光素子。
【請求項１８】
請求項１６を引用する請求項１７記載の光素子において、
前記外部電極は、前記第２の面における前記応力緩和層に対応する位置に形成されてなる光素子。
【請求項１９】
請求項１５から請求項１８のいずれかに記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられた光透過性部材をさらに有する光素子。
【請求項２０】
請求項１９記載の光素子において、
前記光透過性部材は、前記半導体チップと略同形状である光素子。
【請求項２１】
請求項１９又は請求項２０に記載の光素子において、
前記光透過性部材は、光学ガラスである光素子。
【請求項２２】
請求項１５から請求項２１のいずれかに記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられたカラーフィルタをさらに有する光素子。
【請求項２３】
請求項１５から請求項２２のいずれかに記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられたマイクロレンズをさらに有する光素子。
【請求項２４】
光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を有する半導体チップからなる光素子を備え、
前記半導体チップは、貫通穴と、前記貫通穴の内壁面を含み、前記光学部が形成された側の第１の面から前記第１の面に対向する第２の面に亘って形成された導電層と、を有する電子機器。
【請求項２５】
請求項２４記載の電子機器において、
前記光素子からの信号に基づく画像を表示する表示部をさらに有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６は従来の光素子パッケージを拡大して示す断面図である。
【０００３】
この従来の光素子パッケージ２００は、積層セラミックスにリード２０２をろう付けしたセラミック・パッケージ２０４を含む。光素子２０８は、セラミック・パッケージ２０４のマウント部２０６上で、ダイボンド材２１０により固定される。光素子２０８の電極２１２と、セラミック・パッケージ２０４の電極２１４と、はワイヤボンディングによって電気的接続が図られている。また、光素子２０８の上方には、リッド材（光学ガラス）２１８が配置されている。リッド材２１８は、セラミック・パッケージ２０４の段部２１６にその縁部が引っ掛けられた状態で低融点ガラス２２０により固着され、セラミック・パッケージ２０４の中空部を封止している。
【特許文献１】実開昭５６−０２１４６８号公報
【特許文献２】特開昭６１−１２８５６４号公報
【特許文献３】特開平１１−０８７５２６号公報
【特許文献４】特開昭６２−２４３３７０号公報
【特許文献５】特開昭５３−０２６６８９号公報
【特許文献６】特開平０５−０２９５３７号公報
【特許文献７】特開昭５９−２２２９５４号公報
【特許文献８】特開平０８−３３０３１３号公報
【特許文献９】特開平０８−１２４９３０号公報
【特許文献１０】特開平０５−２５１４５５号公報
【特許文献１１】特表平０９−５０６７１２号公報
【特許文献１２】実開昭６４−０００３４７号公報
【特許文献１３】特開昭５８−１７００５２号公報
【特許文献１４】特開２０００−２６１００７号公報
【特許文献１５】特開平０６−１１２４５４号公報
【特許文献１６】特開平１１−３３０５２６号公報
【特許文献１７】特開平１０−０１０３７４号公報
【特許文献１８】特開昭６３−０６２２６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように従来は、セラミック・パッケージ２０４上に光素子２０８を積層し、互いの電極をワイヤボンディングにより行っているため、パッケージング後の光学部の面積に比し、光素子パッケージ２００の面積が大きくならざるを得ず、高密度実装化に限界があった。
【０００５】
また、セラミック・パッケージ２０４は材料費が高い上、製造工程が複雑なのでコスト高となってしまう。
【０００６】
本発明の目的は、装置の小型化を図るとともに両面の電気的導通を確保することができる光素子及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る光素子の製造方法は、光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を備えた半導体素子に貫通穴を形成することと、
前記貫通穴の内壁面を含み、前記半導体素子の前記光学部が形成された側の第１の面から、前記第１の面に対向する第２の面に亘る導電層を形成することと、
を有する。
【０００８】
本発明によれば、半導体素子に貫通穴を形成し、その貫通穴の内壁面を含み、半導体素子の光学部が形成された側の第１の面から前記第１の面に対向する第２の面に亘って導電層を形成する。したがって、外部との電気的接続は、第２の面側まで延出形成した導電層を利用して行われる。このため、従来のような外部電極を形成するためのセラミック・パッケージ等は不要となってコストを下げることが可能となり、さらに実装面積が大幅に縮小されて高密度実装化が容易となる。
【０００９】
（２）この光素子の製造方法において、
前記半導体素子の前記第２の面に、前記導電層と電気的に接続する外部電極を形成することをさらに有してもよい。
【００１０】
（３）この光素子の製造方法において、
前記半導体素子の前記第２の面に応力緩和層を形成した後、前記導電層を前記応力緩和層上に形成してもよい。
【００１１】
（４）この光素子の製造方法において、
前記外部電極を、前記第２の面における前記応力緩和層に対応する位置に形成してもよい。
【００１２】
（５）この光素子の製造方法において、
前記半導体素子は、半導体ウエハから切断されてなる半導体チップであってもよい。
【００１３】
（６）この光素子の製造方法において、
前記半導体素子は、半導体ウエハの一部であり、
前記半導体ウエハを、それぞれの前記半導体素子ごとに切断することをさらに有してもよい。
【００１４】
半導体素子が半導体ウエハの一部であれば、半導体チップを個片に切断する前の半導体ウエハの段階で、第１及び第２の面の電気的な導通を図ることができる。したがって、製造工程が簡略化される。
【００１５】
（７）この光素子の製造方法において、
前記導電層を形成した後に、前記第１の面側に光透過性部材を設けることをさらに有してもよい。
【００１６】
（８）この光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体チップと略同形状であってもよい。
【００１７】
（９）この光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体ウエハと略同形状であってもよい。
【００１８】
（１０）この光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体ウエハのそれぞれの前記半導体素子と略同形状であり、前記半導体ウエハのそれぞれの前記半導体素子について電気的特性検査を行うことによって良品部分の判定を行い、前記光透過性部材を、前記良品部分と判定されたいずれかの前記半導体素子に設けてもよい。
【００１９】
これによれば、半導体ウエハの各半導体素子について電気的特性検査を行い、良品部分の判定を行い、良品部分と判定されたいずれかの半導体素子に光透過性部材を設ける。したがって、不良品の半導体素子に光透過性部材が設けられることがないので、光透過性部材の無駄が無く、歩留まりが向上し、製造コストが抑制できる。
【００２０】
（１１）この光素子の製造方法において、
前記半導体ウエハをそれぞれの前記半導体素子ごとに切断した後に、前記光透過性部材を設けてもよい。
【００２１】
（１２）この光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、光学ガラスであってもよい。
【００２２】
（１３）この光素子の製造方法において、
前記第１の面側に、カラーフィルタを設けることをさらに有してもよい。
【００２３】
（１４）この光素子の製造方法において、
前記導電層を形成した後に、前記第１の面側にマイクロレンズを設けることをさらに有してもよい。
【００２４】
（１５）本発明に係る光素子は、光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を有する半導体チップからなる光素子であって、
前記半導体チップは、貫通穴と、前記貫通穴の内壁面を含み、前記光学部が形成された側の第１の面から前記第１の面に対向する第２の面に亘って形成された導電層と、を有する。
【００２５】
本発明によれば、半導体チップは、貫通穴と、その貫通穴の内壁面を含み、半導体チップの光学部が形成された側の第１の面から前記第１の面に対向する第２の面に亘って形成された導電層と、を含む。外部との電気的接続は、第２の面側まで延出形成した導電層を利用して行われる。このため、従来のような外部電極を形成するためのセラミック・パッケージ等は不要となってコストを下げることが可能となり、さらに実装面積が大幅に縮小されて高密度実装化が容易となる。
【００２６】
（１６）この光素子において、
前記半導体チップの前記第２の面に形成され、前記導電層と電気的に接続してなる外部電極をさらに有してもよい。
【００２７】
（１７）この光素子において、
前記半導体チップの前記第２の面に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記導電層は、前記応力緩和層上に形成されてもよい。
【００２８】
（１８）この光素子において、
前記外部電極は、前記第２の面における前記応力緩和層に対応する位置に形成されてもよい。
【００２９】
（１９）この光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられた光透過性部材をさらに有してもよい。
【００３０】
（２０）この光素子において、
前記光透過性部材は、前記半導体チップと略同形状であってもよい。
【００３１】
（２１）この光素子において、
前記光透過性部材は、光学ガラスであってもよい。
【００３２】
（２２）この光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられたカラーフィルタをさらに有してもよい。
【００３３】
（２３）この光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられたマイクロレンズをさらに有してもよい。
【００３４】
（２４）本発明に係る電子機器は、光学部と、前記光学部と電気的に接続された電極と、を有する半導体チップからなる光素子を備え、
前記半導体チップは、貫通穴と、前記貫通穴の内壁面を含み、前記光学部が形成された側の第１の面から前記第１の面に対向する第２の面に亘って形成された導電層と、を有する。
【００３５】
（２５）この電子機器において、
前記光素子からの信号に基づく画像を表示する表示部をさらに有してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。次の実施の形態では、光素子の一例として受光素子を挙げて説明するが、本発明はこれに限定するものではなく、光素子は発光素子であってもよい。光素子は光学部を有する。光素子が受光素子であるときは、光学部は受光部であり、光素子が発光素子であるときは、光学部は発光部である。
【００３７】
（実施形態１．）
図１は本発明の第１実施形態に係る受光素子を拡大して示す断面図、図２は本実施形態の受光素子の第１の製造方法の説明図で、ベースとなる半導体ウエハ５とこれに貼り付けられる光学ガラス９（光透過性部材）との関係を示している。なお、図２では、光透過性部材として光学ガラス９を使用する例を示すが、光透過性部材の材料は、ガラスの他に例えば樹脂（プラスチック）などを使用してもよい。
【００３８】
図３〜図５は本実施形態の受光素子の第２の製造方法の工程図で、図３は受光部を有する複数の半導体素子３が形成された半導体ウエハの状態、図４は各半導体素子３の電気的特性検査を行って不良部分に“ＢＡＤ”マーク３ａを付けた状態、図５は良品と判定されたいずれかの半導体素子３に個片の光学ガラス（以下、光学ガラスチップ９ｂという）を貼り付けた状態、をそれぞれ示している。なお、本実施の形態において、半導体素子３とは、半導体ウエハ５の一部又は切断後の半導体チップ６のいずれかを指す。
【００３９】
本実施形態に係る受光素子１は、そのパッケージング（導電層などの形成）をウエハレベルで行ったものであってもよい。その場合、受光素子１は、図２又は図５の各半導体素子３ごとに個片に切断して得られたものである。あるいは、受光素子１は、既に個辺に切断された半導体チップの状態で、パッケージング（導電層などが形成）されてもよい。
【００４０】
図１のように、受光素子１は、受光部１３と、受光部１３と電気的に接続された電極２と、を有する半導体チップ６からなる。半導体チップ６は、受光部１３が形成された第１の面Ｂと、第１の面Ｂに対向する第２の面Ａを有する。電極２は、第１の面Ｂに形成されることが多い。なお、半導体チップ６は、半導体ウエハ５から切断された半導体素子３（図２，図３参照）である。
【００４１】
半導体チップ６は、第１の面Ｂから第２の面Ａを貫通する貫通穴４を有する。そして、半導体チップ６の貫通穴４の内壁面を含み、第１の面Ｂに形成された電極２から第２の面Ａにかけて導電層８が形成されている。言い換えると、導電層８は、一方が電極２に電気的に接続され、他方が第２の面Ａに至るように形成されている。
【００４２】
受光素子１は、半導体チップ６の第２の面Ａにおける貫通穴４の周縁の導電層８上に形成された外部電極となるハンダボール２４を有してもよい。また、受光素子１は、半導体チップ６の第１の面Ｂに、透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１などにより貼り付けられた光学ガラス９ａ又は光学ガラスチップ９ｂを有してもよい。
【００４３】
電極２には、絶縁膜１０を介して貫通穴４と連通する穴１２が形成されている。導電層８は、電極２の少なくとも一部に積層して形成されている。貫通穴４の内側において、導電層８の下には絶縁膜１０が形成され、半導体チップ６の内部に形成された回路との電気的接続を遮断している。そして、導電層８によって、半導体チップ６の第１の面Ｂと第２の面Ａとの間の電気的な接続が図られている。
【００４４】
光学ガラス９ａ又は光学ガラスチップ９ｂは、ここでは全面が受光部１３に貼り付けられているが、これに限るものでなく、例えばその周辺部が受光部１３を囲むように貼り付けてもよい。
【００４５】
受光素子１がカラーの撮像素子である場合には、図１に示すように、光学ガラス９ａ（又は光学ガラスチップ９ｂ）にカラーフィルタ１０２が形成されてもよい。カラーフィルタ１０２は、着色層及び保護膜などから構成され、各画素電極（各受光部１３）と１対１に対応するように形成される。カラーフィルタ１０２は、例えば、既に周知である染色法、顔料法、電着法又は印刷法などで形成される。半導体チップ６とは別部材の光学ガラス９ａ（又は光学ガラスチップ９ｂ）に、カラーフィルタ１０２を形成することで、半導体チップ６に直接形成するよりも製造工程が簡単になる。
【００４６】
半導体チップ６は、受光部１３が形成された表面に絶縁膜（層間膜）１６を有する。絶縁膜１６は、半導体チップの基本的な材料であるシリコンの酸化膜であることが多い。絶縁膜１６上には電極（パッド）２が形成され、電極２は図示しない部分で受光部１３と電気的に接続されている。電極２は、アルミニウム又は銅などの金属で形成されることが多い。電極２は、半導体チップ６の面の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。
【００４７】
次に、前述した受光素子１の第１の製造方法について、図２、及び図６（Ａ）〜図８（Ｂ）の工程図に基づき、図１を参照しながら説明する。
【００４８】
（第１の製造方法）
まず、半導体チップ６の作成手順について図６（Ａ）〜図８（Ｂ）に基づき図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下に示す例では、ウエハレベルで（半導体ウエハの状態で）導電層などを形成する。
【００４９】
図６（Ａ）に示すように個片の半導体チップ６に切断する前の半導体ウエハ５には、受光部１３が形成された表面に絶縁膜１６が形成され、絶縁膜１６上に電極２の下層部２ａが形成されている。そして、下層部２ａの端部には、絶縁膜２８が下層部２ａ上に積層され、電極２の上層部２ｂが絶縁膜２８上に至るように形成されている。また、電極２の中央部をさけて端部を覆って、パッシベーション膜３０が形成されている。パッシベーション膜３０は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００５０】
まず、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ、つまり受光部１３と電極２が形成された面に、電極２も覆ってレジスト３２を形成する。レジスト３２を形成する方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の方法を用いることが可能である。レジスト３２は、後述するエッチング工程でエッチングしない部分を覆うものであり、フォトレジスト、電子線レジスト、Ｘ線レジストのいずれであってもよく、ポジ型又はネガ型のいずれであってもよい。本実施形態で使用するレジスト３２は、ポジ型のフォトレジストである。レジスト３２は、コーティング後に、他の部材に付着しないようにするため、プリベークして溶剤を飛ばす。
【００５１】
次いで、図６（Ｂ）に示すようにレジスト３２をパターニングする。詳しくは、レジスト３２上にマスクを配置して、エネルギーを照射する。エネルギーは、レジスト３２の性質によって異なり、光、電子線、Ｘ線のいずれを使用してもよい。本実施形態ではフォトレジスト３２を使用し露光する。マスクの形状は、パターニング形状によって決まり、レジスト３２がポジ型であるかネガ型であるかによって反転形状となる。
【００５２】
露光後、レジスト３２を現像しポストベークする。パターニングされたレジスト３２には、電極２の中央部を露出させる開口部３４が形成されている。
【００５３】
図６（Ｃ）に示すようにレジスト３２の開口部３４によって露出した電極２の中央部をエッチングする。エッチングにはドライエッチングを適用することが好ましい。ドライエッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であってもよい。また、エッチングとしてウエットエッチングを適用してもよい。こうして、電極２の中央部（端部を除く部分）に、穴３６を形成する。穴３６は、前述の図１で説明した貫通穴４となる位置に形成される。詳しくは、穴３６は、貫通穴４の開口端部とほぼ同じか、あるいはそれ以上の大きさで形成され、貫通穴４と連通する。
【００５４】
そして、レジスト３２を剥離した後、図６（Ｄ）に示すように半導体ウエハ５の電極２が形成された側（第１の面Ｂ側）と、その反対側（第２の面Ａ側）に絶縁膜３８，４０を形成する。絶縁膜３８，４０は、シリコン酸化膜や窒化膜であってもよく、化学気相堆積（ＣＶＤ）によって形成することができる。第１の面Ｂ側の絶縁膜３８は、電極２及びパッシベーション膜３０を覆う。電極２には穴３６が形成されているので、絶縁膜３８は、穴３６の内部（内壁面及び露出した絶縁膜１６）も覆う。
【００５５】
次いで、図６（Ｅ）に示すように半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と、第２の面Ａ側に、レジスト４２，４４を形成した後、これらレジスト４２，４４をパターニングして、前述の図１で説明した貫通穴４となる位置に開口部４６，４８を形成する。開口部４６は、穴３６と開口部４６との間に絶縁膜３８が存在するように、電極２の穴３６の内側に形成する。したがって、開口部４６，４８は、絶縁膜３８，４０の一部を露出させる。なお、レジスト４２，４４の形成及びそのパターニングの方法は、前述したレジスト３２について説明した内容が該当する。レジスト４２，４４のうち一方（例えばレジスト４２）を（例えば半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側に）形成し、プリベークしてから、他方（例えばレジスト４４）を形成し、これをプリベークしてもよい。
【００５６】
図６（Ｆ）に示すように、絶縁膜１６、３８に、電極２の穴３６の内側に穴５０を形成し、絶縁膜４０に穴５２を形成する。
【００５７】
図６（Ｇ）に示すように、レジスト４２、４４を剥離する。そして、図７（Ａ）に示すように、半導体ウエハ５の穴５０、５２にて露出した部分をエッチングする。このエッチングする部分は、受光部１３が形成されていない部分であり、シリコンで形成されている。このエッチングによって、半導体ウエハ５の表面に、視覚的に認識しやすい窪み５４、５６を形成する。窪み５４、５６の形状は、特に限定されず、テーパが付された形状であってもよいし、表面と垂直な壁面を有していてもよい。エッチングは、ウエットエッチングを適用することが簡単であるが、ドライエッチングを適用してもよい。エッチングの種類によって、窪み５４、５６の形状が決まる。
【００５８】
図７（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ５に、小孔５８（例えば直径約２０μｍ）を形成する。小孔５８は、前述の図１で説明した貫通穴４よりも小さい径で、貫通穴４の中心に形成する。小孔５８の形成には、レーザ（例えばＹＡＧレーザやＣＯ2レーザ）を使用することができる。レーザビームは、前述した窪み５４、５６で位置を認識して照射することができる。レーザビームを、半導体ウエハ５の一方の面からのみ照射して小孔５８を形成してもよいし、半導体ウエハ５の両面から（順番にあるいは同時に）レーザビームを照射してもよい。両面からレーザビームを照射すれば、半導体ウエハ５に与える影響が少ない。
【００５９】
図７（Ｃ）に示すように、半導体ウエハ５に貫通穴４を形成する。貫通穴４は、前述した小孔５８を拡大させて形成する。例えば、ウエットエッチングを適用して、小孔５８の内壁面をエッチングしてもよい。エッチング液として、例えば、沸酸と沸化アンモニウムを混合した水溶液（バッファード沸酸）を用いてもよい。
【００６０】
貫通穴４は、ここでは軸方向の全ての部分で開口断面がほぼ同じ径となるように形成しているが、この貫通穴を、例えば開口端部と、開口端部よりも径の大きい中間部（例えば約４０〜５０μｍの径）と、を有する形状に形成してもよい。このように貫通穴の中間部の径をできるだけ大きくすれば、後述するＣＶＤや無電解メッキを行いやすくなる。本例のように貫通穴４をストレート状に形成すれば、貫通穴４を形成することによる半導体ウエハ５の強度の低下を抑えることができる。なお、貫通穴４は、開口端部と中間部とを接続するテーパ部を有していてもよい。テーパ部も、小孔５８をウエットエッチングで拡大することで形成される。
【００６１】
次に、図７（Ｄ）に示すように、少なくとも貫通穴４の内壁面に絶縁膜１０を形成する。絶縁膜１０の形成には、ＣＶＤを適用してもよい。絶縁膜１０は、貫通穴４の内壁面以外の領域に形成されてもよい。例えば、絶縁膜３８、４０上に絶縁膜１０が形成されてもよい。ただし、絶縁膜１０によって、貫通穴４の開口を塞がないようにする。
【００６２】
次に、図７（Ｅ）に示すように、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側に、半導体ウエハ５の貫通穴４の、一方の開口を塞ぐようにレジスト６４を形成した後、レジスト６４をパターニングして、開口部６８を形成する。なお、レジスト６４を形成するときに、第２の面Ａ側にもレジスト６６が形成されてもよい。そして、レジスト６４、６６をプリベークする。レジスト６４，６６の形成及びそのパターニングの方法は、前述したレジスト３２について説明した内容を適用することができる。開口部６８は、電極２の少なくとも一部の上方に形成されているが、貫通穴４の上方には、レジスト６４の一部が残されたままとなっている。例えば、開口部６８は、電極２の範囲内に収まる形状の外周と、少なくとも貫通穴４の開口端部を覆う形状の内周と、の間にリング状に形成されている。なお、ここでいうリング状とは角リング状であっても丸リング状であってもよい。開口部６８は、絶縁膜１０の一部を露出させる。
【００６３】
次いで、図７（Ｆ）に示すように、パターニングされたレジスト６４をマスクとして、絶縁膜１０、３８をエッチングして、電極２の一部を露出させる。ここで露出するの一部は、電気的な接続を図る部分であるから、大きいことが好ましい。その後、図７（Ｇ）に示すように、レジスト６４、６６を剥離する。
【００６４】
次に、導電層を形成するために、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と第２の面Ａ側にレジストを形成した後、パターニングし、プリベークする。その後、図８（Ａ）に示すように、第１の面Ｂの電極２から第２の面Ａにかけて、かつ貫通穴４の内壁面（ここでは貫通穴４内の絶縁膜１０表面）をも含む領域に導電層８を形成する。
【００６５】
この導電層８の形成工程を更に詳述すると、まず半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と第２の面Ａ側にレジスト（図示しない）を形成する。第１の面Ｂ側のレジストは、段差の大きい領域に形成されるため、予めフィルム状をなしたもの（ドライフィルム）であることが好ましい。
【００６６】
次いで、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と第２の面Ａ側のレジストをパターニングして、貫通穴４と連通する開口部（図示しない）と、この開口部に連なる配線パターン（図示しない）を形成する。第１の面Ｂ側の開口部は、電極２の一部を露出させる。
【００６７】
次に、貫通穴４から電極２の露出部分上に至るまで、無電解メッキのための触媒（図示しない）を付与する。ここでは、触媒としてパラジウムを用いる。触媒の形成方法として、例えば半導体ウエハ５をパラジウムとスズを含む混合溶液に浸し、その後、塩酸などの酸で処理することによってパラジウムのみを設けてもよい。あるいは、半導体ウエハ５を塩化スズ溶液に浸すことによってスズイオン（還元剤）を吸着させ、その後、塩化パラジウム溶液に半導体ウエハ５を浸して、スズイオン（還元剤）によりパラジウムイオンを還元しパラジウム核（触媒）を析出させてもよい。
【００６８】
あるいは、触媒を、インクジェット方式によって直接的に設けてもよい。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつインクを無駄なく経済的に設けることが可能である。インクジェットヘッドは、例えばインクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェット（登録商標）タイプ等が使用可能であり、吐出面積および吐出パターンは任意に設定することが可能である。これによって、レジストパターニング工程及びレジスト剥離工程を行うことなく、また全面に金属層を形成する場合はエッチング工程を行うことなく電気的な接続部を形成することが可能になる。
【００６９】
次いで、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と第２の面Ａ側のレジストを剥離する。レジストを剥離することによって、電気的な接続部を形成したい領域のみに触媒を設けることができる。レジストの剥離のときに、紫外線を照射してもよく、弱アルカリ性の溶液に浸してレジストを剥離してもよい。これによって容易かつ確実にレジストを剥離することができる。
【００７０】
なお、ここではレジストをパターン化した後に触媒を設け、その後にレジストを剥離することによって、触媒を電気的な接続部の形成領域に露出させているが、これに限るものではない。例えば、触媒を全面に設けた後に、レジストを電気的な接続部の形成領域を除いてパターン化して設けることによって、結果的に電気的な接続部の形成領域に触媒を露出させてもよい。この場合は、電気的な接続部の形成を終えた後にレジストを剥離する。
【００７１】
次に、触媒が露出する領域に、無電解メッキによって前述の導電層８を形成する。なお、触媒は、貫通穴４の内壁面（ここでは絶縁膜１０の表面）と、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側及び第２の面Ａ側と、に設けられている。したがって、導電層８は、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と第２の面Ａ側とを貫通穴４を介して連続的に形成される。また、導電層８は、電極２上に積層される。
【００７２】
導電層８の材料として、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉ＋Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕのいずれかを用いることができる。例えば、銅メッキ液を使用し、触媒であるパラジウムを核として溶液中の銅イオンを還元し、銅（導電層８）を析出する。なお、導電層８を形成するための導電材料として、複数の異種の金属（例えばＮｉ＋Ｃｕ、Ｎｉ＋Ａｕ＋Ｃｕ）を用いてもよく、これによって複数層で導電層８を形成してもよい。
【００７３】
無電解メッキのために、弱アルカリ性の銅メッキ溶液を用いてもよい。弱アルカリ性（ｐＨ９付近）の銅メッキとして例えば、ＰＢ−５７０ＭＵ、ＰＢ−５７０Ａ、ＰＢ−５７０Ｂ、ＰＢ−５７０Ｃ、ＰＢ−５７０Ｓを混合してなるＰＢ−５７０（メーカー名：荏原ユージーライト株式会社）を用いてもよい。これによれば、銅メッキ液が弱アルカリ性であるので、例えば電極２がアルミニウムであってもそれに与える損傷を少なくすることができる。
【００７４】
あるいは、電極２の表面に図示しない導電層を形成して電極２を保護すれば、強アルカリ性の溶液の使用も可能となる。導電層８は一層であっても複数層であってもよい。例えば、導電層８をニッケルと金との二層で形成してもよい。導電層８をニッケルで形成する方法として、予め、電極２上にジンケート処理を施してアルミニウム上の表面を亜鉛に置換し、その後に無電解ニッケルメッキ液中に浸漬し、亜鉛とニッケルの置換反応を経てニッケルを堆積してもよい。もしくは、アルミニウムを、アルミニウム上のみに選択的に吸着するパラジウム溶液に浸し、その後無電解ニッケルメッキ液中に浸し、パラジウムを核としてニッケルの皮膜を析出させてもよい。導電層８をニッケルのみで形成してもよいが、さらに無電解金メッキ液中に浸し、ニッケルの表面にさらに金の皮膜を形成してもよい。金の皮膜を形成することで導電層８との電気的接続をさらに確実にすることができる。
【００７５】
前述した例は全て湿式法（めっき）を用いた導電層８の形成方法であるが、その他の形成方法として従来行われている乾式法（スパッタなど）を用いた方法、または乾式法と湿式法を組み合わせた方法を採用してもよい。
【００７６】
なお、導電層８における第２の面Ａ側の電気的な接続部となる貫通穴４の周縁部分は、導電層を厚く（例えば約５μｍ以上）形成することが好ましい。
【００７７】
以上の工程により導電層８が形成され、導電層８の一部が第２の面Ａにおいてハンダボールを形成するための台座８ａ（図８（Ａ）参照）となる。
【００７８】
ハンダボールの形成工程は、図８（Ｂ）に示すように、台座８ａの上に、外部電極となるハンダボール２４を形成する。ハンダボール２４の形成は、まず台座８ａの上に、ハンダボールとなるハンダを厚層状に形成する。このハンダの厚みは、その後のハンダボール形成時に要求されるボール径に対応したハンダ量で決まる。ハンダの層は、電解メッキや印刷等により形成される。その後、ウェットバックによって半球以上のボール状にして、ハンダボール２４とする。ここで、ウェットバックとは、ハンダ材を外部電極形成位置に形成した後にリフローさせて略半球状のバンプを形成することをいう。
【００７９】
以上のようにして、図２に示す複数の半導体素子３を有する半導体ウエハ５が得られる。
【００８０】
半導体ウエハ５に光学ガラス９（光透過性部材）を設けてもよい。例えば、図２に示すように、半導体ウエハ５の表面すなわち半導体素子３の第１の面Ｂに、半導体ウエハ５と略同形状で、半導体ウエハ５のダイシングラインＬａと同じパターンのダイシングラインＬｂが形成された光学ガラス９を、互いのダイシングラインＬａ，Ｌｂの位置合わせを行ってから透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１により貼り付ける。その後、ダイシングラインＬａ，Ｌｂに沿って半導体ウエハ５と光学ガラス９を共に切断することで、図１に示す受光素子１を得る。
【００８１】
このように、本実施形態においては、半導体ウエハ５の各半導体素子３に貫通穴４を形成し、その貫通穴４の内壁面を含み、半導体素子３の受光部１３が形成された側の第１の面Ｂからそれに対向する第２の面Ａに亘って導電層８を形成する。受光素子１の外部との電気的接続は、第２の面Ａまで延出形成した導電層８を利用して行うことができる。このため、従来のような外部電極を形成するためのセラミック・パッケージ等は不要となるため、コストを下げることが可能となり、さらに実装面積を大幅に縮小することにより高密度実装化が容易となる。また、各半導体素子３を個片に切断する前の半導体ウエハ５の段階で光学ガラス９の貼り付けが行われるので、製造工程が簡略化され、パーティクル管理も不要となる。
【００８２】
次に、前述した受光素子１の第２の製造方法について、図３〜図５の工程図に基づき、図１を参照しながら説明する。なお、導電層８などの作成手順は、前述の図６〜図８により説明した内容を適用することができる。したがって、ここでは半導体素子３を有する半導体ウエハ５が得られた段階から説明する。
【００８３】
（第２の製造方法）
まず、図３に示す半導体ウエハ５の各半導体素子３を、ＬＳＩテスタとウエハプローバを用いて電気的特性検査を行い、良否を判定し、不良と判定されたいずれかの半導体素子３に、図４のように“ＢＡＤ”マーク３ａを付ける。“ＢＡＤ”マーク３ａのマーキングの方法としては、インクまたはレーザを用いる方法や、ウエハマップ（コンピュータが良品か不良品かの情報を記憶）を利用する。
【００８４】
次いで、良品と判定された半導体素子３の第１の面Ｂのみに、それぞれ図５に示すように個片の光学ガラスすなわち光学ガラスチップ９ｂを透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１により貼り付ける。その後、ダイシングラインＬａに沿って半導体ウエハ５を切断することで、図１に示す受光素子１を得る。
【００８５】
このように、本製造方法においても、各半導体素子３を個片に切断する前の半導体ウエハ５の段階で光学ガラスチップ９ｂの貼り付けが行われるので、製造工程が簡略化される。
【００８６】
また、従来のような外部電極を形成するためのセラミック・パッケージ等は不要となるため、コストを下げることが可能となり、さらに実装面積を大幅に縮少することにより高密度実装化が容易となる。
【００８７】
また、半導体ウエハ５の良品と判定された半導体素子３の第１の面Ｂにのみ、光学ガラスチップ９ｂを貼り付けるようにしているので、不良品の受光チップ形成部３に光学ガラスチップ９ｂが貼り付けられることがなく、光学ガラスチップ９ｂの無駄が無く、歩留まりが向上する。
【００８８】
あるいは、半導体ウエハ５をそれぞれの半導体素子３ごとに切断した後に、光学ガラスチップ９ｂを、良品と判定されたいずれかの半導体素子３の第１の面Ｂに貼り付けてもよい。
【００８９】
（実施形態２．）
図９は本発明の第２実施形態に係る受光素子を拡大して示す断面図であり、図中、前述の第１実施形態の図１と同一部分には同一符号を付してある。なお、説明にあたっては、前述の図２〜図７（Ｇ）を参照するものとする。
【００９０】
本実施形態に係る受光素子１００も、そのパッケージングをウエハレベルで行ったものであってもよい。また、受光素子１００は、光学ガラス１０９ａ（光透過性部材）を貼り付け後の各半導体素子３（図２参照）を個片に切断して得られたものであってもよく、あるいは、良品と判定された各半導体素子３に光学ガラスチップ１０９ｂを貼り付けた後に、良品のいずれかの半導体素子３（図５参照）を個片に切断して得られたものであってもよい。なお、光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）は、半導体チップ６の受光部１３を覆うためのカバーガラスであってもよい。
【００９１】
受光素子１００は、図９のように受光部１３が形成された第１の面Ｂに、受光部１３と電気的に接続された電極２を有する半導体チップ６からなる。半導体チップ６については、第１実施形態で既に説明した通りである。
【００９２】
受光素子１００は、半導体チップ６の第２の面Ａに部分的に形成された応力緩和層２０を有する。そして、導電層８は、貫通穴４の内壁面を含み、電極２から応力緩和層２０の上にかけて形成されている。受光素子１００は、導電層８のうち、応力緩和層２０上に形成された部分にハンダボール２４を有してもよい。すなわち、導電層８のうち、応力緩和層２０の上に形成された部分は、外部電極となるハンダボール２４を設けるための台座２２となる。また、受光素子１００は、第２の面Ａの保護や防湿性の向上を目的として形成されてハンダボール２４を除く部分を覆うソルダレジスト層からなる保護膜２６と、透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１により半導体チップ６の第１の面Ｂに貼り付けられた光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）と、を有してもよい。なお、ここでも光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）は、全面が受光部１３に貼り付けられているものを例に挙げているが、これに限るものでなく、例えばその周辺部が受光部１３を囲むように貼り付けてもよい。それ以外の構成については、前述の図１で説明した内容を適用することができる。
【００９３】
次に、前述した受光素子１００の製造方法について説明する。本例においても前述のように大別して二通りの製造方法がある。一つは、半導体ウエハ５の表面すなわち半導体素子３を有する側の面に、半導体ウエハ５と略同形状で、半導体ウエハ５のダイシングラインＬａと同じパターンのダイシングラインＬｂが形成された光学ガラス１０９ａを、互いのダイシングラインＬａ，Ｌｂの位置合わせを行ってから透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１により貼り付ける（図２参照）。その後、ダイシングラインＬａ，Ｌｂに沿って半導体ウエハ５と光学ガラス１０９ａを共に切断することで、図９に示す受光素子１００を得る方法である。また他の一つは、半導体ウエハ５の各半導体素子３を、ＬＳＩテスタとウエハプローバを用いて電気的特性検査を行い、良否を判定し、不良受光チップ形成部に”ＢＡＤ”マーク３ａを付け、良品と判定された受光チップ形成部３の第１の面Ｂのみに、それぞれ光学ガラスチップ１０９ｂを透明樹脂または低融点ガラスからなる接着剤１１により貼り付ける（図３〜図５参照）。その後、ダイシングラインＬａに沿って半導体ウエハ５を切断することで、図９に示す受光素子１００を得る方法である。
【００９４】
半導体チップ６は、図６（Ａ）〜図７（Ｇ）及び図１０（Ａ）〜図１１（Ｃ）の工程を経て作成されるが、貫通穴４を形成するまでの工程（図６（Ａ）〜図７（Ｇ））については前述の実施形態１で説明した内容をそのまま適用することができる。したがって、ここでは貫通穴４形成後の工程（図１０（Ａ）〜図１１（Ｃ））を中心に説明する。
【００９５】
まず、図７（Ｇ）のように各半導体素子３に貫通穴４が形成され、電極２の一部が露出された半導体ウエハ５の第２の面Ａに、図１０（Ａ）のように感光性のポリイミド樹脂を塗布して（例えば「スピンコーティング法」にて）樹脂層７０を形成する。樹脂層７０は、１〜１００μｍの範囲、更に好ましくは１０μｍ程度の厚みで形成されることが好ましい。なお、スピンコーティング法では、無駄になるポリイミド樹脂が多いので、ポンプによって帯状にポリイミド樹脂を吐出する装置を使用してもよい。このような装置として、例えばＦＡＳ社製のＦＡＳ超精密吐出型コーティングシステム（米国特許第４６９６８８５号参照）などがある。なお、この樹脂層７０が、前述の図９で説明した応力緩和層２０としての機能を有する。
【００９６】
次いで、図１０（Ｂ）のように樹脂層７０を露光、現像及び焼成処理によって、後述の再配置配線の台座となる部分すなわち応力緩和層２０を残し除去する。
【００９７】
なお、ここでは応力緩和層２０となる樹脂に感光性ポリイミド樹脂を用いた場合を例に挙げて説明したが、感光性のない樹脂を用いても良い。例えばシリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂やシリコン変性エポキシ樹脂等、固化したときのヤング率が低く（１×１０10Ｐａ以下）、応力緩和の働きを果たせる材質を用いると良い。非感光性の樹脂を用いた場合には、その後にフォトレジストを用いてフォト工程を経て所定の形状を形成させる。
【００９８】
次に、導電層を形成するために、半導体ウエハ５の第１の面Ｂ側と第２の面Ａ側にレジストを形成した後、パターニングし、プリベークする。その後、図１０（Ｃ）に示すように、第１の面Ｂの電極２から第２の面Ａにかけて、第２の面Ａ側に再配置配線１８及び応力緩和層２０の表面を覆う台座２２を有し、かつ貫通穴４の内壁面（ここでは貫通穴４内の絶縁膜１０表面）をも含む領域に導電層８を形成する。この導電層８のパターンを除く形成工程の詳細については、前述の実施形態１の図８（Ａ）及び図８（Ｂ）を用いて説明した内容を適用することができる。
【００９９】
なお、第２の面Ａ側の電気的な接続部となる台座２２は、導電層を厚く（例えば約５μｍ以上）形成することが好ましい。
【０１００】
以上の工程により導電層８が形成され、導電層８の一部が第２の面Ａにおいて再配置配線１８を形成し、再配置配線１８の末端がポリイミド等の樹脂で形成された応力緩和層２０の表面を覆い、この部分がハンダボールを形成するための台座２２となる。
【０１０１】
ハンダボールの形成工程は、まず半導体ウエハ５の第２の面Ａ側の全面に図１１（Ａ）に示すように、保護膜２６となる感光性のソルダレジスト層を塗布により形成する。
【０１０２】
そして、露光、現像及び焼成処理を行って、図１１（Ｂ）に示すように、ソルダレジスト層のうち、台座２２を覆っている部分の領域を除去する。こうして、残されたソルダレジスト層は、酸化防止膜として、また最終的に受光素子１００（図９）となったときの第２の面Ａの保護や、更には防湿性の向上を目的とした保護膜２６となる。
【０１０３】
その後、図１１（Ｃ）に示すように、台座２２の上に、外部電極となるハンダボール２４を形成する。ハンダボール２４の形成は、まず台座２２の上に、ハンダボールとなるハンダを厚層状に形成する。このハンダの厚みは、その後のハンダボール形成時に要求されるボール径に対応したハンダ量で決まる。ハンダの層は、電解メッキや印刷等により形成される。その後、ウェットバックによって半球以上のボール状にして、ハンダボール２４とする。
【０１０４】
以上のようにして、図１又は図３に示すような複数の半導体素子３を有する半導体ウエハ５が得られる。そして、このようにして形成された半導体ウエハ５の半導体素子３によれば、これが個片に切断され最終的に受光素子１００（図９）となったときに、樹脂からなる応力緩和層２０によって、回路基板（図示せず）と半導体チップ６との間の熱膨張係数の差による応力が緩和される。
【０１０５】
このように、本実施形態においては、半導体ウエハ５の各半導体素子３の第２の面Ａ側に部分的に応力緩和層２０を形成する。そして、導電層８は、電極２から、貫通穴４の内壁面を含み、応力緩和層２０の上にかけて形成される。本実施の形態においても、受光素子１００の外部との電気的接続は、第２の面Ａの応力緩和層２０上にまで延出形成した導電層８（再配置配線１８）を利用して行うことができる。そのため、第１実施形態で説明した効果の他に、樹脂からなる応力緩和層２０によって、回路基板（図示せず）と半導体チップ６との間の熱膨張係数の差による応力が緩和されるという利点がある。
【０１０６】
なお、受光素子の他の製造方法として、予め個片に切断された受光チップに、個片の光学ガラスを貼り付けても良い。
【０１０７】
図１２は、本実施の形態の変形例に係る受光素子を示す図である。受光素子３００は、上述の受光素子１００（図９参照）に、カラーフィルタ１０４と、マイクロレンズ１０６と、をさらに含むものである。カラーフィルタ１０４及びマイクロレンズ１０６は、第１の面Ｂ側に形成される。
【０１０８】
図１２に示す例では、カラーフィルタ１０４は、半導体チップ６の受光部１３が形成された面に直接形成されている。カラーフィルタ１０４は、半導体ウエハの状態で各半導体素子に形成してもよい。これによれば、半導体ウエハに、一括してカラーフィルタ１０４を形成することができるので生産効率に優れる。あるいは、個辺に切断した後の各半導体チップ６に形成してもよい。また、カラーフィルタ１０４の形成方法は限定されず、例えば、予め形成した透明層を染色する染色法で形成してもよいし、顔料を分散させたものを塗布する顔料法で形成してもよい。なお、カラーフィルタ１０４は、フォトリソグラフィ技術を適用して所定の形状にパターニングしてもよく、印刷法によってパターニングしてもよい。半導体チップ６上に直接的にカラーフィルタ１０４を形成すれば、光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）に、カラーフィルタを形成せずに済む。
【０１０９】
図１２に示す例では、複数のマイクロレンズ（凸レンズ）１０６は、第１の面Ｂ側でアレイ状に配置されている。マイクロレンズ１０６は、各画素電極（各受光部１３）と１対１に対応するように配置される。これによって、各受光部１３に通過する光を絞ることができる。なお、マイクロレンズ１０６は、ガラスや樹脂（プラスチック）などで形成される。
【０１１０】
図１２に示す例とは別に、カラーフィルタ１０４は、光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）の表面に形成してもよい（第１の実施形態参照）。あるいは、光学ガラス１０９ａ（又は光学ガラスチップ１０９ｂ）と、マイクロレンズ１０６と、の間にカラーフィルタ１０４を形成してもよい。
【０１１１】
また、図１２に示す例において、カラーフィルタ１０４又はマイクロレンズ１０６のいずれか一方を省略してもよい。例えば、カラーフィルタ１０４を省略した場合、マイクロレンズ１０６にカラーフィルタの機能を持たせてもよい。
【０１１２】
なお、カラーフィルタ１０４及びマイクロレンズ１０６は、既に周知の方法を適用して形成することができる。
【０１１３】
（実施形態３．）
図１３〜図１５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る受光素子（光素子の一例）を含む電子機器を示す図である。この電子機器は、具体的には、各種のイメージセンサ等を含む撮像装置であってもよい。
【０１１４】
図１３には、撮像部１１００及び表示部１２００を有するパーソナルコンピュータ１０００が示されている。このパーソナルコンピュータ１０００は、被写体像を撮像部１１００で捉え、上述の受光素子で光信号を電気信号に変換した後、その電気信号に基づく画像を表示部１２００に表示する。これによれば、小型の受光素子が実装されているので、小型かつ高集積の電子機器を提供することができる。
【０１１５】
その他の電子機器の例として、図１４には撮像部２１００を備えるデジタルカメラ２０００が示されており、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）には撮像部３１００及び表示部３２００を備える携帯電話３０００が示されている。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る受光素子を拡大して示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る受光素子の第１の製造方法の説明図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係る受光素子の第２の製造方法の工程図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に係る受光素子の第２の製造方法の工程図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に係る受光素子の第２の製造方法の工程図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｇ）は、本発明の第１実施形態に係る受光素子の製造方法の工程図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｇ）は、本発明の第１実施形態に係る受光素子のベースの製造方法の工程図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る受光素子の製造方法の工程図である。
【図９】図９は、本発明の第２実施形態に係る受光素子を拡大して示す断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る受光素子の製造方法の工程図である。
【図１１】図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る受光素子の製造方法の工程図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２実施形態の変形例に係る受光素子を拡大して示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１６】図１６は、従来の受光素子パッケージを拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１，１００，３００  受光素子、  ３  半導体素子、  ３ａ  ''ＢＡＤ''マーク、  ４  貫通穴、  ５  半導体ウエハ、  ６  半導体チップ、  ８  導電層、  ９，９ａ  光学ガラス、  ９ｂ  光学ガラスチップ（個片の光学ガラス）、  １３  受光部、Ｌａ，Ｌｂ  ダイシングライン、  Ａ  第２の面、  Ｂ  第１の面、  ２０  応力緩和層、  ２４  ハンダボール（外部電極）、  １０２，１０４  カラーフィルタ、  １０６  マイクロレンズ
【図１】
2007134735.tif 000003
【図２】
2007134735.tif 000004
【図３】
2007134735.tif 000005
【図４】
2007134735.tif 000006
【図５】
2007134735.tif 000007
【図６】
2007134735.tif 000008
【図７】
2007134735.tif 000009
【図８】
2007134735.tif 000010
【図９】
2007134735.tif 000011
【図１０】
2007134735.tif 000012
【図１１】
2007134735.tif 000013
【図１２】
2007134735.tif 000014
【図１３】
2007134735.tif 000015
【図１４】
2007134735.tif 000016
【図１５】
2007134735.tif 000017
【図１６】
2007134735.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、前記第１の面側に形成された光学部と、前記第１の面側に形成され、前記光学部と電気的に接続された電極と、を備えた半導体素子に貫通穴を形成する工程と、
前記電極と電気的に接続されるように、前記貫通穴の内壁面から、前記第２の面に亘る導電層を形成する工程と、
を有し、
前記貫通穴を形成する工程では、前記貫通穴を、開口端部と、前記開口端部よりも径の大きい中間部と、を有する形状に形成する光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子の前記第２の面に、前記導電層と電気的に接続する外部電極を形成することをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子の前記第２の面に応力緩和層を形成した後、前記導電層を前記応力緩和層上に形成する光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２を引用する請求項３記載の光素子の製造方法において、
前記外部電極を、前記第２の面における前記応力緩和層に対応する位置に形成する光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子は、半導体ウエハから切断されてなる半導体チップである光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記半導体素子は、半導体ウエハの一部であり、
前記半導体ウエハを、それぞれの前記半導体素子ごとに切断することをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記導電層を形成した後に、前記第１の面側に光透過性部材を設けることをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項５を引用する請求項７記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体チップと略同形状である光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項６を引用する請求項７記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体ウエハと略同形状である光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項６を引用する請求項７記載の光素子の製造方法において、
前記光透過性部材は、前記半導体ウエハのそれぞれの前記半導体素子と略同形状であり、前記半導体ウエハのそれぞれの前記半導体素子について電気的特性検査を行うことによって良品部分の判定を行い、前記光透過性部材を、前記良品部分と判定されたいずれかの前記半導体素子に設ける光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の光素子の製造方法において、
前記半導体ウエハをそれぞれの前記半導体素子ごとに切断した後に、前記光透過性部材を設ける光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記導電層を形成した後に、前記第１の面側にマイクロレンズを設けることをさらに有する光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記貫通穴を形成する工程は、
前記貫通穴よりも径の小さい小孔を形成する工程と、
前記小孔の内壁面をウェットエッチングして、前記小孔を拡大させる工程と、
を含む光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の光素子の製造方法において、
前記貫通穴を形成する工程では、前記貫通穴を前記開口端部と前記中間部とを接続するテーパ部を有する形状に形成する光素子の製造方法。
【請求項１５】
第１の面と、
前記第１の面とは反対側の第２の面と、
前記第１の面側に形成された光学部と、
前記第１の面側に形成され、前記光学部と電気的に接続された電極と、
前記第１の面から前記第２の面に至る貫通穴であって、開口端部と前記開口端部よりも径の大きい中間部を有する前記貫通穴と、
前記電極と電気的に接続され、前記貫通穴の内壁面から前記第２の面に亘って形成された導電層と、
を有する光素子。
【請求項１６】
請求項１５記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第２の面に形成され、前記導電層と電気的に接続してなる外部電極をさらに有する光素子。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６に記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第２の面に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記導電層は、前記応力緩和層上に形成されてなる光素子。
【請求項１８】
請求項１６を引用する請求項１７記載の光素子において、
前記外部電極は、前記第２の面における前記応力緩和層に対応する位置に形成されてなる光素子。
【請求項１９】
請求項１５から請求項１８のいずれかに記載の光素子において、
前記半導体チップの前記第１の面側に設けられた光透過性部材をさらに有する光素子。
【請求項２０】
請求項１９記載の光素子において、
前記光透過性部材は、前記半導体チップと略同形状である光素子。
【請求項２１】
請求項１５から請求項２０のいずれかに記載の光素子において、
前記貫通穴は、前記開口端部と前記中間部とを接続するテーパ部を有する光素子。
【請求項２２】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、前記第１の面側に形成された光学部と、前記第１の面側に形成され、前記光学部と電気的に接続された電極と、前記第１の面から前記第２の面に至る貫通穴であって、開口端部と前記開口端部よりも径の大きい中間部を有する前記貫通穴と、前記電極と電気的に接続され、前記貫通穴の内壁面から前記第２の面に亘って形成された導電層と、を有する光素子と、
前記光素子からの信号に基づく画像を表示する表示部と、
を有する電子機器。