(57)【要約】【課題】接合時に半導体ウェハへの反り及び歪みの発生を低減し、高信頼性の特性のよい半導体装置を提供し、さらに、本発明の半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体素子集積デバイスは、複数の半導体素子２が形成された半導体ウェハ１と、複数の半導体素子２の各々の周囲に形成された複数の第１の導体パターン３と、複数の第１の導体パターン３の各々の表面に設けられた複数の第１のろう材４と、半導体ウェハ１の複数の半導体素子２が形成された領域Ｒの外周領域に形成された第２の導体パターン５と、第２の導体パターン５の表面に設けられた第２のろう材６とを備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が形成された半導体ウェハと、
前記複数の半導体素子の各々の周囲に形成された複数の第１の導体パターンと、
前記半導体ウェハの前記複数の半導体素子が形成された領域の外周領域に形成された第２の導体パターンとを備えたことを特徴とする半導体素子集積デバイス。
【請求項２】
前記第２の導体パターンが、前記複数の半導体素子が形成された前記領域を囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子集積デバイス。
【請求項３】
前記複数の第１の導体パターンが、電気的に独立した複数のグループからなることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子集積デバイス。
【請求項４】
前記複数の第１の導体パターンは、前記複数の半導体素子が形成された前記領域の中央部に形成され互いに電気的に接続された第１のグループと、前記複数の半導体素子が形成された前記領域の外周部に形成され互いに電気的に接続された第２のグループとを含んでなることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子集積デバイス。
【請求項５】
前記複数の第１の導体パターンが、全て互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子集積デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体素子集積デバイスと、前記複数の第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとにろう材を介して接合された保護ウェハとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の半導体素子が形成され、前記複数の半導体素子の各々の周囲に形成された複数の第１の導体パターンと、前記複数の半導体素子が形成された領域の外周領域に形成された第２の導体パターンとを備えた半導体ウェハを準備する工程と、
前記半導体ウェハと保護ウェハとを重ね合わせる工程と、
前記半導体ウェハの前記外周領域を前記保護ウェハに接合させた後、前記複数の半導体素子が形成された前記領域を前記保護ウェハに接合する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の第１の導体パターンに一括して通電することにより、前記半導体ウェハと前記保護ウェハとを接合することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の第１の導体パターンが複数のグループからなり、前記複数のグループごとに通電することにより、前記半導体ウェハと前記保護ウェハとを接合することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の半導体素子が形成された前記領域において、外周部から中央部に向かって、順次、前記半導体ウェハと前記保護ウェハとを接合することを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の半導体素子が形成された半導体ウェハと、保護ウェハとを重ね合わせる工程と、
前記半導体ウェハの外周領域を、ろう材を介して前記保護ウェハに接合させた後、前記半導体ウェハの前記複数の半導体素子が形成された領域を、前記ろう材より融点が高いろう材を介して前記保護ウェハに接合する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体ウェハの前記複数の半導体素子が形成された前記領域を前記保護ウェハに接合する前記ろう材は、融点の異なる複数のグループからなり、前記複数のグループごとに前記ろう材を溶融することにより、前記半導体ウェハの前記複数の半導体素子が形成された前記領域と前記保護ウェハとを順次接合することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の半導体素子が形成された前記領域において、外周部に形成された前記ろう材ほど融点が低く、前記複数の半導体素子が形成された前記領域において、外周部から中央部に向かって徐々に前記ろう材を溶融することにより前記半導体ウェハと前記保護ウェハとを接合することを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にＭＥＭＳ（micro electro mechanical system）などの機能素子を搭載した半導体素子集積デバイス、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ技術を用いて圧力や加速度などを検出する半導体装置、センサが作られるようになってきている。このＭＥＭＳ技術を使った半導体装置は、小型化が容易で、検出感度が非常によいといった多くの利点があるため、利用が急速に広がっている。
【０００３】
従来の半導体装置は、表面にＭＥＭＳデバイスが配置された複数の半導体チップからなる半導体ウェハと、封止キャップが複数配置された保護ウェハとからなる。半導体ウェハの表面には、各々のＭＥＭＳデバイスを取り囲むろう材が被着されており、半導体ウェハを加熱溶融することにより、半導体ウェハ上に形成されたろう材が溶融し、半導体ウェハと保護ウェハとが接着され、ＭＥＭＳデバイスが封止される。
【０００４】
このような半導体装置は、ＭＥＭＳデバイスが封止された構造体を切断することにより、個々のパッケージに分割される。
【特許文献１】特開２００５−１９９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体装置は、前述した様に半導体ウェハの表面に予め被着されたろう材を加熱溶融することにより、半導体ウェハと保護ウェハとを接合するため、加熱溶融の際に加えられる熱により半導体ウェハに反り或いは歪みが発生するという問題があった。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、接合時に半導体ウェハに生じる反り及び歪みを低減し、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。さらに、本発明の目的は、本発明の半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体素子集積デバイスは、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハと、前記複数の半導体素子の各々の周囲に形成された複数の第１の導体パターンと、前記半導体ウェハの前記複数の半導体素子が形成された領域の外周領域に形成された第２の導体パターンとを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体素子集積デバイスは、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハにおいて、複数の半導体素子の各々の周囲に複数の第１の導体パターンと、半導体ウェハの複数の半導体素子が形成された領域の外周領域に形成された第２の導体パターンとを有する。このため、例えば、第１の導体パターンの表面に第１のろう材を形成し、第２の導体パターンの表面に第２のろう材を形成した場合、半導体素子を封止する際に、第２の導体パターンに通電して熱により第２のろう材を溶融し、半導体ウェハと保護ウェハとを接合した後、第１の導体パターンに通電して第１のろう材を溶融し、半導体素子が形成された領域の半導体ウェハと保護ウェハとを接合することができる。
【０００９】
すなわち、本発明の半導体素子集積デバイスによれば、まず、複数の半導体素子が形成された領域の外周領域において、半導体ウェハと保護ウェハとを仮接合してウェハ同士の固定を行い、次に、複数の半導体素子が形成された領域（第２の導体パターンの内周領域）において、半導体ウェハと保護ウェハとを接合し各々の半導体素子を封止することができる。よって、半導体素子が形成された領域において均等に半導体ウェハと保護ウェハとが接合することができ、半導体ウェハの反り及び歪みが低減され、半導体ウェハ上に形成された半導体素子を良好に封止することができる。
【００１０】
また、本発明の半導体素子集積デバイスによれば、第２の導体パターンが複数の半導体素子を囲むように設けられているので、第２の導体パターンの表面に形成された第２のろう材により複数の半導体素子の周囲を均等に接着固定した後、第１の導体パターンの表面に形成された第１のろう材を溶融して半導体素子を封止できる。よって、各々の半導体素子の周囲において保護ウェハと半導体ウェハとを均等に接着することができ、半導体装置を個々のパッケージに切断した後も、信頼性に優れた製品とすることができる。
【００１１】
また、本発明の半導体素子集積デバイスによれば、第１の導体パターンが電気的に独立した複数のグループからなっているので、各々のグループ毎に第１の導体パターンに通電させることができ、所望のグループ毎に複数の半導体素子が形成された領域とウェハとを接合することができる。
【００１２】
さらに、本発明の半導体素子集積デバイスは、複数の第１の導体パターンが複数の半導体素子が形成された領域の中央部に形成され互いに電気的に接続された第１のグループと、複数の半導体素子が形成された領域の外周部に形成され互いに電気的に接続された第２のグループとからなり、第１のグループと第２のグループとが電気的に独立しているので、例えば、第２のグループを通電した後、第１のグループを通電することにより、第１のろう材を半導体ウェハの外周領域から中央領域にかけて段階的に溶融し、接合することができる。よって、半導体ウェハと保護ウェハとの接合時の反り方にあわせて、適切な接合が可能である。
【００１３】
さらに、本発明の半導体素子集積デバイスによれば、複数の第１の導体パターンが全て互いに電気的に接続されているので、一度に複数の第１のろう材を加熱、溶融させることができ、半導体ウェハと保護ウェハとの接合を簡略化きる。
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、上述の半導体素子集積デバイスと、複数の第１の導体パターンと第２の導体パターンとにろう材を介して接合された保護ウェハとを有するので、半導体素子を気密封止した状態でダイシング等の方法により個々のパッケージに分割された後、個々のパッケージに混入し半導体素子に付着される異物を低減することができる。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの外周領域を保護ウェハに接合させた後、複数の半導体素子が形成された領域を保護ウェハに接合する工程を有することにより、半導体ウェハの反り及び歪みが低減され、半導体ウェハ上に形成された半導体素子を良好に封止することができる。また、半導体ウェハと保護ウェハとを局所的な加熱によって接合することができるため、半導体素子に加わる過剰な熱負荷を低減し、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００１６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の第１の導体パターンが互いに電気的に接続されており、複数の第１の導体パターンに通電することにより、半導体ウェハと保護ウェハとを均等に接合し、気密に封止された信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、複数の第１の導体パターンが複数のグループにわけられているので、複数のグループごとに通電することができる。このため、通電したグループが形成された領域毎に半導体ウェハと保護ウェハとを接合することができる。例えば、半導体ウェハと保護ウェハの反りが小さい付近のグループから接合することにより、半導体ウェハと保護ウェハの反りを低減し、半導体ウェハと保護ウェハとを良好に接合することができる。
【００１８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が形成された領域において、外周部から内周部に向かって、順次、半導体ウェハと保護ウェハとを接合する工程を有するため、半導体ウェハと保護ウェハとの反りを低減し接合するため、接合時の残留応力を減らすことができる。
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの外周領域を、ろう材を介して保護ウェハに接合させた後、半導体ウェハの前記複数の半導体素子が形成された領域を、ろう材より融点が高いろう材を介して保護ウェハに接合する工程を有するため、半導体ウェハと保護ウェハとを外周部で仮付けしてから、半導体ウェハと保護ウェハとの中央領域を接合することができる。このため、半導体装置全体を過剰に加熱することなく、各々の半導体素子にかかる熱負荷を低減し、信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの複数の半導体素子が形成された領域を、保護ウェハに接合するろう材が融点の異なる複数のグループからなり、複数のグループごとに前記ろう材を溶融し、半導体ウェハの複数の半導体素子が形成された領域と保護ウェハとを順次接合するため、半導体ウェハと保護ウェハとを所望の位置毎に接合することができる。よって、さらに信頼性に優れた半導体装置とすることができる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子が形成された領域において、外周部から中央部に向かって徐々にろう材を溶融し半導体ウェハと保護ウェハとを接合することにより、半導体ウェハと保護ウェハとに生じる接合時の残留応力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態にかかる半導体装置について図面を参照して説明する。
【００２３】
図１、図２は本発明の半導体装置の第１の実施形態の構造を示す図である。図１は、半導体装置の保護ウェハを除いた平面図（半導体ウェハ１の平面図）であり、図２は図１に示した半導体装置のＡ−Ａ’における断面図である。
【００２４】
本実施の形態における半導体装置は、半導体ウェハ１と、半導体ウェハ１の表面に形成された複数の半導体素子２と、複数の半導体素子２の周囲に形成された第１の導体パターン３と、半導体素子２の各々を取り囲むように第１の導体パターン３の表面に設けられた第１のろう材４と、複数の半導体素子２が形成された領域Ｒの外周領域に形成され、第１の導体パターン４と電気的に独立した第２の導体パターン５と、第２の導体パターン５の表面に設けられた第２のろう材６と、半導体素子２が収容される凹部８が形成された保護ウェハ９とを備えている。
【００２５】
本実施の形態において、半導体ウェハ１の内部には、半導体素子２と電気的に接続され、半導体ウェハ１の表裏を貫通するビア導体１０が形成されている。このような半導体ウェハ１は、例えば表面に酸化膜が形成されたシリコンからなる。シリコンであれば、ＭＥＭＳ技術などを用いて半導体素子２を形成しやすい。また、ビア導体１０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などが用いられる。特に、Ｃｕを主成分とする場合、導通抵抗が小さく、熱伝導がよく、かつめっきで容易に形成できるため好ましい。
【００２６】
半導体素子２は、半導体ウェハ１の表面に搭載され、ビア導体１０と電気的に接続される。このような半導体素子２は、ＭＥＭＳ技術などで形成される、例えばセンサやフィルタなどの機能を有する素子である。
【００２７】
第１の導体パターン３と第２の導体パターン５とは、金属からなり、メタライズ法やめっき法、薄膜形成法などによって半導体ウェハ１に形成される。特に、薄膜形成法により形成される場合、微細化が可能となり好ましい。このような第１、第２の導体パターン３、５は、同一構成であってもよく、異なる構成であってもよい。
【００２８】
また、第１の導体パターン３と第２の導体パターン５とを構成する金属としては、例えば、ウェハ１との密着性を良好にするための密着金属層、密着金属層と主導体層との間で金属成分が拡散するのを防止するための拡散防止層、および電気導電性を良好にする主導体層が順次積層されてなるものが用いられる。
【００２９】
密着金属層は、例えばチタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），アルミニウム（Ａｌ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金または窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等のうち少なくとも１種類から成るのがよい。また拡散防止層は、例えば、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ルテニウム（Ｒｕ），Ａｌ，ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金またはＴｉ−タングステン（Ｗ）合金等のうち少なくとも１種類から成るのがよい。さらに主導体層は、例えば、Ｃｕ、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等のうち少なくとも１種類から成るのがよい。なお、主導体層がＣｕのように表面が酸化して光反射率が低下しやすい金属からなる場合は酸化防止のために、例えばＣｕの場合、Ｎｉ,Ａｕ等のめっきを表面に形成した方がよい。
【００３０】
第１の導体パターン３の表面に形成される第１のろう材４と、第２の導体パターン５の表面に形成される第２のろう材６は、金スズ（ＡｕＳｎ）や銀スズ（ＡｇＳｎ）等からなり、薄膜形成技術によって得られる。このような第１、第２のろう材４、６は、同一構成であってもよく、異なる構成であってもよい。
【００３１】
保護ウェハ９は、半導体素子２または半導体ウェハ１を保護する働きを有し、例えば表面に酸化膜が形成されたシリコンからなる。
【００３２】
図２に示すように、本実施形態において保護ウェハ９は、第１、第２のろう材４，６を介して半導体ウェハ１と接合される金属層１１が表面に形成されている。このような保護ウェハ９は、熱膨張の観点からは、半導体ウェハ１と同じ材料で構成されると好ましい。また、保護ウェハ９は、半導体ウェハ１と重ねあわせられたときに半導体素子２が収容される凹部８を有しており、凹部８は、ドライエッチング法やブラスト法、異方性エッチング法などによって形成される。特に異方性エッチング法で凹部８が形成される場合、精度よく形成されるため好ましい。
【００３３】
本発明の半導体装置は、複数の半導体素子２が形成された領域Ｒの外周領域に形成され、表面に第２のろう材６が形成された第２の導体パターン５を備えており、第２の導体パターン５は、第１の導体パターン３と電気的に独立している。本実施の形態において、第２の導体パターン５は、複数の半導体素子２が形成された領域Ｒを囲むように半導体ウェハ１の外周領域に設けられている。
【００３４】
本発明の半導体装置は、このような構成により、半導体ウェハ１に生じる反り、歪みを低減し、信頼性の高いものとすることができる。すなわち、本発明は、図３−１に示すように、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを重ね合わせ、次に、図３−２に示すように、第２の導体パターン５の電極７ａに通電し、第２のろう材６を熱により溶融し、仮接合してウェハ同士の固定を行い、その後、図３−３に示すように第１の導体パターン３の電極７ｂに通電し第１のろう材４を熱により溶融することにより、半導体ウェハ１の内周領域に配置された各々の半導体素子２を封止することができる。よって、ウェハの反りを低減して半導体素子２を気密に封止した半導体装置を提供することができる。なお、図３において、保護ウェハ９は透視した図を示している。
【００３５】
また、従来では半導体ウェハと保護ウェハとを位置合わせする際に半導体素子に加わっていた熱が、本実施形態においては、まず、半導体素子が形成された領域から離れた位置で、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とが位置合わせされ仮接合された後、半導体素子２が形成された領域Ｒにおいて半導体ウェハ１と保護ウェハ９とが接合されるため、半導体装置全体にかかる熱を低減し、さらに、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを位置合わせする際に生じる、熱に起因した半導体素子２の特性の劣化が低減される。
【００３６】
また、本実施形態における半導体装置は、第１の導体パターン３が全て電気的に接続されている。このため、第１のろう材４を一度に溶融することができ、半導体ウェハ１の上に形成される半導体素子２の数が増加しても製造工程を簡略化することができる。
【００３７】
また、第１、第２のろう材４，６の厚さは０．５〜２０μｍ程度が良い。０．５μｍ未満では半導体装置９と凹部８が形成された保護ウェハ９を良好に接合できにくくなる傾向にあり、２０μｍを超えるとパターン加工がうまくできにくくなる傾向にあり、またコスト的にもできるだけ薄い方が好ましい。
【００３８】
このような半導体装置を、図２に示す破線Ｂに沿って半導体素子２が封止された個々の構造単位に分割することにより、隣接する第１の導体パターン３同士の電気的接続を切断し、複数のパッケージが完成する。
【００３９】
（第２実施形態）
図４は、本発明の半導体装置の第２実施形態の構造を示す図である。この半導体装置は、第１実施形態に示したものとは、第１の導体パターン３が半導体ウェハ１の中央領域に形成され互いに電気的に接続された第１のグループ３ａと、半導体ウェハ１の外周領域に形成され互いに電気的に接続された第２のグループ３ｂとからなる点で相違する。そのほかの構成は第１の実施の形態と同等である。
【００４０】
本実施形態においては、第１のグループ３ａの電極７ｂと第２のグループ３ｂの電極７ｃとを別々に通電できるため、その通電する順序により、位置合わせの際に生じた反りの方向に応じて半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを接合することができる。よって、さらに信頼性に優れた半導体装置とすることができる。
【００４１】
つまり、第２のろう材６を溶融し、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを接合し位置合わせした際、仮に半導体ウェハ１と保護ウェハ９とが互いに異なる方向に反った場合、第２のグループ３ｂの第１の導体パターンの電極７ｂに通電した後、第１のグループ３ａの第１の導体パターンの電極７ｃに通電することにより、複数の半導体素子２が形成された領域において外周領域から中央領域にかけて第１のろう材４を段階的に溶融し、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを接合することができるため、反りを低減することができる。
【００４２】
また、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを接合し位置合わせした際、例えば、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とが同方向に反った場合には、第１のグループ３ａを通電した後、第２のグループ３ｂを通電するとよい。
【００４３】
また、第１の導体パターン３は、複数のグループから形成されていてもよい。複数のグループに分割し、所望の位置から通電し発熱させることで、さらにウェハの反り方向に対応した半導体装置を得ることができる。
【００４４】
（第３実施形態）
図５は、本発明の半導体装置の第３実施形態の構造を示す図である。この半導体装置は、第１のろう材４と第２のろう材６との融点の差を利用し、半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを接合する。すなわち、第１実施形態に示したものとは、第１、第２の導体パターンが形成されていない点で相違する。そのほかの構成は第１の実施の形態と同等である。
【００４５】
本実施形態における半導体装置は、複数の半導体素子２の各々の周囲に設けられた、融点ｘ度の複数の第１のろう材４と、複数の半導体素子２が形成された領域の外周領域に設けられた、融点ｙ度の第２のろう材とを備えている。ここで、融点ｘとｙとは、ｘ＞ｙの関係を満たす。
【００４６】
このような第１のろう材４としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−ＡｇーＣｕ，Ｉｎ，Ｓｎなどが挙げられ、第２のろう材としては、第１のろう材より融点が低いＡｕ−Ｓｎが材料として挙げられる。
【００４７】
本実施形態においては、半導体ウェハ１と保護ウェハ９との接合は、まず、ｙ度に加熱して第２のろう材６を溶融し、半導体ウェハ１の外周領域と保護ウェハ９とを仮接合させた後、ｘ度に加熱して第１のろう材４を溶融し、半導体ウェハ１の複数の半導体素子２が形成された領域と保護ウェハ９とを接合することができる。したがって、ｘ度よりも低い温度で半導体ウェハ１と保護ウェハ９とを位置合わせし仮接合することができるため、半導体素子２への蓄熱が低減され、半導体素子２に生じる不具合を低減することができる。
【００４８】
なお、第１のろう材４と第２のろう材６は、各々複数の融点の異なるろう材のグループから形成されていてもよい。このような構造により、所望の位置に形成されたグループからろう材を溶融することで、ウェハの反り方向を補正し、安定に接合が行える半導体装置とすることができる。例えば、複数の第１のろう材４は、半導体ウェハ１の外周領域に配置されたものほど融点が低い材料で形成し、第１のろう材４が形成された領域の外周領域から中央領域に向かって徐々に第１のろう材４を溶融することにより半導体ウェハと保護ウェハとを反りを低減して接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の半導体装置の保護ウェハを除いた第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１の半導体装置のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３−１】本発明の半導体素子集積デバイスに保護ウェハを重ね合わせる工程を示す平面図（保護ウェハを透視）である。
【図３−２】本発明の半導体素子集積デバイスの第１の導体パターンに通電を行う工程を示す平面図（保護ウェハを透視）である。
【図３−３】本発明の半導体素子集積デバイスの第２の導体パターンに通電を行う工程を示す平面図（保護ウェハを透視）である。
【図４】本発明の半導体装置の保護ウェハを除いた第２実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の保護ウェハを除いた第３実施形態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１：半導体ウェハ
２：半導体素子
３：第１の導体パターン
４：第１のろう材
５：第２の導体パターン
６：第２のろう材
９：保護ウェハ
Ｒ：複数の半導体素子２が形成された領域
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図４】
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【図５】
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