(57)【要約】      （修正有）【課題】加熱環境下に置かれた場合であっても高い電気抵抗特性を発現し、かつ小さなサイズで高精度に形成できる抵抗素子の製造方法を提供する。【解決手段】素子電極および抵抗層を具備する抵抗素子の製造方法において、（ａ）ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗層を成膜する抵抗皮膜形成工程、（ｂ）前記抵抗層に第１の酸処理を施す第１酸処理工程、（ｃ）前記抵抗層に第２の酸処理を施す第２酸処理工程、を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子電極および抵抗層を具備する抵抗素子の、前記抵抗層が、
ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜する抵抗皮膜形成工程と、
前記形成された抵抗皮膜に第１の酸処理を施す第１酸処理工程と、
次に、前記抵抗皮膜に第２の酸処理を施す第２酸処理工程と、
を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法。
【請求項２】
前記第２酸処理工程の後に、さらに加熱処理を施す加熱処理工程を行うことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子の製造方法。
【請求項３】
基板の全面に抵抗皮膜をめっきによって形成する抵抗皮膜形成工程と、前記形成された抵抗皮膜上に導体層を形成する導体層形成工程と、前記抵抗皮膜および導体層をパターン化する配線パターン形成工程と、前記導体層の所定の部分をエッチング処理し、該導体層の下の抵抗皮膜を露出させ、抵抗層を形成する抵抗素子の製造方法において、
前記抵抗層が、
ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜する抵抗皮膜形成工程と、
前記形成された抵抗皮膜に第１の酸処理を施す第１酸処理工程と、
次に、前記抵抗皮膜に第２の酸処理を施す第２酸処理工程と、
を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２酸処理工程の後に、さらに加熱処理を施す加熱処理工程を行うことを特徴とする請求項３記載の抵抗素子の製造方法。
【請求項５】
前記基板上に形成される抵抗皮膜が、パターン化されていることを特徴とする請求項３または４記載の抵抗素子の製造方法。
【請求項６】
予めパターン化された配線電極層が形成された基板上に、
ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜する抵抗皮膜形成工程と、
前記形成された抵抗皮膜に第１の酸処理を施す第１酸処理工程と、
次に、前記抵抗皮膜に第２の酸処理を施す第２酸処理工程と、
を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２酸処理工程の後に、さらに加熱処理を施す加熱処理工程を行うことを特徴とする請求項８記載の抵抗素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの方法で形成された抵抗層を有することを特徴とする抵抗素子。
【請求項９】
基板上に、請求項８記載の抵抗素子を実装したことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき抵抗皮膜を用いた抵抗素子および抵抗素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラなどの機器の小型化と軽量化が進むにつれて、プリント配線板に実装する素子においては、素子の小型化や素子同士の間隔の削減といった従来の実装技術では対応が難しくなり、これら素子を内蔵したプリント配線板が求められている。
また、素子を内蔵した基板が厚くならないようにするため、薄い部品や膜素子で十分に特性を満たすことができる素子が求められている。
プリント配線板に抵抗素子を形成する方法としては、銅箔上に金属薄膜で抵抗層を形成する方法、基板上に抵抗層を無電解めっきで形成する方法、抵抗性の厚膜ポリマーを印刷する方法などがある。
【０００３】
抵抗値、精度、形状、価格などを考慮して、用途に応じて形成方法を選択していく必要がある。
厚膜ポリマーを印刷する方法では、高抵抗なものを形成できるが、微細な寸法になると形成が困難である。
【０００４】
金属材料を用いた薄膜タイプは、厚膜タイプに比べ 、抵抗値範囲が低抵抗に制約されるが、小さなサイズで高精度に形成できる。
ここで、銅箔上に金属薄膜で抵抗素子を形成する方法は、例えば、銅箔上に電解ニッケル・リンめっきにより薄膜抵抗層を形成したものを、基板上に積層形成し、それぞれを抵抗素子電極および抵抗皮膜として抵抗素子となすものである(例えば、特許文献１参照)。
また、基板上にめっきで抵抗素子を形成する方法は、例えば、基板上に配線の一部が分離している配線パターンを形成した後に、この一部分離している配線間に無電解ニッケル・リンめっきによって抵抗層を形成して抵抗素子となすものである(例えば、特許文献２参照)。
【特許文献１】米国特許第４８０８９６７号明細書
【特許文献２】特開平１０−１９０１８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の無電解めっきによって形成されたニッケル・リン薄膜からなる抵抗素子は、小さなサイズで高精度な抵抗素子として有効であるが、加熱環境下に置かれた場合では、高い電気抵抗特性(シート抵抗値等)を維持することが難しかった。
このため、加熱環境下に置かれる種々の用途においても安定した電気抵抗特性を発現し、かつ小さなサイズで高精度な抵抗素子の開発が望まれている。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、加熱環境下に置かれた場合であっても高い電気抵抗特性を発現し、かつ小さなサイズで高精度に形成できる抵抗素子が得られる、ニッケル・リン薄膜からなる抵抗素子および抵抗素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、
素子電極および抵抗層を具備する抵抗素子の、前記抵抗層が、
ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜する抵抗皮膜形成工程と、
前記形成された抵抗皮膜に第1の酸処理を施す第１酸処理工程と、
次に、前記抵抗皮膜に第２の酸処理を施す第２酸処理工程と、
を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、前記第２酸処理工程の後に、さらに加熱処理を施す加熱処理工程を行うことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子の製造方法である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、基板の全面に抵抗皮膜をめっきによって形成する抵抗皮膜形成工程と、前記形成された抵抗皮膜上に導体層を形成する導体層形成工程と、前記抵抗皮膜および導体層をパターン化する配線パターン形成工程と、前記導体層の所定の部分をエッチング処理し、該導体層の下の抵抗皮膜を露出させ、抵抗層を形成する抵抗素子の製造方法において、
前記抵抗層が、
ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜する抵抗皮膜形成工程と、
前記形成された抵抗皮膜に第１の酸処理を施す第１酸処理工程と、
次に、前記抵抗皮膜に第２の酸処理を施す第２酸処理工程と、
を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法である。
【００１０】
請求項４に係る発明は、前記第２酸処理工程の後に、さらに加熱処理を施す加熱処理工程を行うことを特徴とする請求項４記載の抵抗素子の製造方法である。
【００１１】
請求項５に係る発明は、前記基板上に形成される抵抗皮膜が、パターン化されていることを特徴とする請求項３または４記載の抵抗素子の製造方法である。
【００１２】
請求項６に係る発明は、予めパターン化された配線電極層が形成された基板上に、
ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜する抵抗皮膜形成工程と、
前記形成された抵抗皮膜に第１の酸処理を施す第１酸処理工程と、
次に、前記抵抗皮膜に第２の酸処理を施す第２酸処理工程と、
を具備することを特徴とする抵抗素子の製造方法である。
【００１３】
請求項７に係る発明は、前記第２酸処理工程の後に、さらに加熱処理を施す加熱処理工程を行うことを特徴とする請求項６記載の抵抗素子の製造方法である。
【００１４】
請求項８に係る発明は、 請求項１〜７のいずれかの方法で形成された抵抗層を有することを特徴とする抵抗素子である。
【００１５】
請求項９に係る発明は、基板上に、請求項８記載の抵抗素子を実装したことを特徴とする配線基板である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により形成され、異なる酸処理を施したニッケル・リン薄膜を抵抗層とする抵抗素子であるので、クロムの共析を伴わないにもかかわらず、従来の無電解めっき法により形成されたニッケル・リン薄膜よりもはるかに高い電気抵抗特性を有するとともに、熱による電気抵抗特性の低下を防止することができる。
また、前記抵抗層に、さらに、加熱処理を施すことによって、抵抗層の電気抵抗特性の熱安定性が向上し、加熱環境下に置かれる種々の用途においても安定した電気抵抗特性を発現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の抵抗素子の製造方法は、ニッケル塩、還元剤および錯化剤を含有する無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により基板上に抵抗皮膜を成膜したのち、第１酸処理工程、および第２酸処理工程において、酸処理することにより、あるいはさらに、加熱処理を施すことで、高いシート抵抗値を具備する抵抗素子を製造することができる。
【００１８】
本発明の抵抗素子を形成する基板は、特に限定されず、各種の合成樹脂からなる剛性を有するシートや可撓性シート、ガラス板、セラミックス板、表面に絶縁層を有する金属製基板の中から、用途などに応じて適宜選択して用いることができる。また、予め内部に配線回路や他の受動素子が形成されているものであってもよい。
【００１９】
抵抗皮膜を形成する前記無電解ニッケル・リンめっき液は、錯化剤を含むめっき液で、前記錯化剤としては、例えば、α-アラニン、β-アラニン、ジエチレントリアミン、L-グルタミン酸塩、グリシン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミノ基(-NH2、>NH)を含有するアミノ酸、アミンなどを挙げることができる。
特に、α-アラニン、β-アラニン、ジエチレントリアミン、L-グルタミン酸塩およびグリシンからなる群から選ばれるアミノ基含有化合物を錯化剤として用いることが好ましい。
このような錯化剤のめっき液中における濃度は、０．１〜２．０ｍｏｌ／Ｌ程度、好ましくは、０．５ｍｏｌ／Ｌ〜１．５ｍｏｌ／Ｌ程度とすることができる。
ここで、錯化剤の濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ未満であると、浴安定性が低下し、また、２．０ｍｏｌ／Ｌを超えると析出速度が遅くなり好ましくない。また、めっき液中の錯化剤とニッケルの濃度（ｍｏｌ／Ｌ）)の比は、１：１〜２０：１の範囲が好ましい。錯化剤の割合が上記の範囲よりも少ないと、形成されるニッケル・リン薄膜のシート抵抗が不十分となり、好ましくない。
【００２０】
本発明で使用するニッケル・リンめっき液を構成するニッケル塩は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、次亜リン酸ニッケル、炭酸ニッケル等を使用することができる。めっき液中のニッケル塩の濃度は0.01〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度、好ましくは０．０５〜０．２ｍｏｌ／Ｌ程度とすることができる。ニッケル塩の濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ未満であると析出速度が遅くなり、また１．０ｍｏｌ／Ｌを超えると浴安定性が低下して好ましくない。
【００２１】
本発明で使用するニッケル・リンめっき液を構成する還元剤は、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルボランアミン、ヒドラジン等を使用することができる。めっき液中の還元剤の濃度は、０．０５〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度、好ましくは０．１〜０．３ｍｏｌ／Ｌ程度とすることができる。還元剤の濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ未満であると析出速度が遅くなり、また１．０ｍｏｌ／Ｌを超えると浴安定性が低下して好ましくない。
【００２２】
上記の無電解ニッケル・リンめっき液を用いた無電解めっき法によるニッケル・リン薄膜の形成は、例えば、浴温度６０〜９０℃、浴ｐＨ４〜７の条件で行うことができる。浴温度が６０℃未満であると析出温度が遅くなり、９０℃を超えると浴安定性が低下して好ましくない。また、浴ｐＨが上記の範囲から外れると、成膜速度とシート抵抗が不十分なものとなり好ましくない。
上記の無電解ニッケル・リンめっき液を用いて無電解めっき法により成膜されたニッケル・リン薄膜は、クロムの共析を伴わないにもかかわらず、従来の無電解めっき法により形成されたニッケル・リン薄膜よりもはるかに高い電気抵抗特性を有するものとなる。
【００２３】
本発明の抵抗素子は、上記の無電解ニッケル・リンめっき液を用いて成膜した抵抗層に異なる酸処理、またはさらに加熱処理を施すことにより、該抵抗層の電気抵抗特性を更に向上させるとともに、熱安定性を向上させ、熱による電気抵抗特性の低下を防止したものである。上記処理による電気抵抗特性の熱安定化の機構は不明であるが、酸処理により、酸処理後はもちろん、２００℃の加熱後においても高いシート抵抗値を具備する抵抗層が得られる。このため、本発明の抵抗素子は、加熱環境下に置かれる種々の用途に使用しても、安定した電気抵抗特性を発現することが可能である。
なお、本発明において、抵抗層の２００℃加熱後におけるシート抵抗値とは、抵抗層を２００℃雰囲気中に３０分間放置した後、４端針法(三菱化学株式会社製  Loresta  MPMCP-T350)を用いて測定したものを意味する。
【００２４】
第１酸処理、および第２酸処理に使用する酸としては、硝酸、硫酸、ホウ酸、炭酸、亜硝酸、ケイ酸、ホウケイ酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、亜硫酸、過硫酸、硫化水素水、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸、塩酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、過塩素酸などの無機酸;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、アクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の有機酸等を挙げることができる。
酸処理の方法は、酸水溶液への浸漬、酸水溶液の噴霧等を用いることができる。
ここで、浸漬による酸処理の場合、酸水溶液を撹拌してもよい。
このように第１酸処理を施すことにより、酸処理後の抵抗層のシート抵抗値が無電解めっき直後のシート抵抗に比べて上昇する。そして、第２酸処理を施すことで、所望のシート抵抗値への調整が可能となる。
例えば、第１酸処理工程は、塩酸溶液で行い、第２酸処理工程は、抵抗値の微調整を行うために行うもので、第１の酸処理よりもめっき膜への影響の小さい酸で行うことが望ましい。たとえば、過硫酸アンモニウム溶液が好適である。
【００２５】
また、本発明の抵抗素子は、無電解ニッケル・リンめっき液を構成する錯化剤の種類により、加熱処理を施すことによってシート抵抗値を更に高くするという効果もある。例えば錯化剤としてジエチレンジアミンを用いた場合、酸処理後に加熱処理を施すことによってシート抵抗値が驚異的に高くなる。一方、錯化剤としてL-グルタミン酸塩を用いた場合には、加熱処理を施してもシート抵抗値は安定している。従って、本発明の抵抗素子は、無電解ニッケル・リンめっき液に用いる錯化剤を適宜選択することにより、加熱処理後に具備するシート抵抗値を任意に設定することができる。上記の加熱処理は、例えば、１００〜８５０℃の範囲内で行うことができる。
【００２６】
次に、本発明の抵抗素子をプリント配線板に内蔵する方法について説明する。本発明の抵抗素子をプリント配線板に内蔵するには、所定の抵抗素子形成領域に形成された抵抗層と、この抵抗層に接する２つの導体層を形成する。２つの導体層は互いに分離されており、抵抗素子の素子電極として用いることができる。導体層の材料としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウムなど、導電性の良好な金属材料が好ましい。
【００２７】
以下、基板上に抵抗素子を形成する方法を例示して説明する。ここで、 抵抗素子が完成した状態において抵抗層が形成される領域を抵抗素子形成領域、素子電極となる導体層が形成される領域を素子電極形成領域、および２つの導体層を分離するために抵抗層が露出される領域を素子電極分離領域として以下の説明を行う。
【００２８】
抵抗素子をプリント配線板に内蔵するための第１の方法は、下記の（Ａ−１）〜（Ｃ−１）の工程を具備する（図１参照）。
（Ａ−１）は、基板１の全面に抵抗層２をめっきによって形成する工程である（図１（ａ）参照）。
（Ｂ−１）は、前記基板１上に導体層３を形成した後に、前記抵抗層２および導体層３’からなる配線パターン４を形成する工程である（図１（ｂ）〜図１（ｄ）参照）。
（Ｃ−１）は、前記導体層３’の所定の部分をエッチングし、該導体層３’の下の抵抗層２を露出させる工程である（図１（ｅ）〜図１（ｆ）参照）。
【００２９】
ここで、工程（Ａ−１）は、上述の無電解ニッケル・リンめっき液を用いて抵抗層２となるニッケル・リン薄膜を形成する抵抗皮膜形成工程（ａ）として行われる。
酸処理工程（ｂ）、（ｃ）は、酸処理に用いる酸が導体層３に影響を及ぼさないものであれば、抵抗層２が露出された状態であればいずれの段階でも行うことができる。
例えば、工程（Ａ−１）と工程（Ｂ−１）の間に行ってもよいし、工程（Ｂ−１）と工程（Ｃ−１）の間に行ってもよいし、工程（Ｃ−１）の後に行ってもよい。
酸処理工程（ｂ）、（ｃ）を、工程（Ａ−１）と工程（Ｂ−１）との間に行う場合は、この段階では導体層３が未形成状態であるので、導体層３の材料に関係なく、酸処理に用いる酸を自由に選択できるので、好ましい。
また、上記酸処理工程を、図１（ａ）に示す段階と図１（ｂ）に示す段階との間に行う場合は、抵抗層２の全面が露出しているため、均一に処理を施すことができ、かつ導体層３への影響を考慮しなくても良いので最も好ましい。
また、酸処理工程は、製造工程中でトリミングを行う場合は、抵抗値が安定した状態で調整できるので、トリミング工程の前が好ましい。
加熱処理工程（ｄ）を行う場合は、酸処理工程（ｃ）の後であればいつの段階で行ってもよく、工程（Ａ−１）と工程（Ｂ−１）の間に行ってもよいし、工程（Ｂ−１）と工程（Ｃ−１）の間に行ってもよいし、工程（Ｃ−１）の後に行ってもよい。トリミングを行う場合、トリミング時に発生する熱の影響を抑えるために、加熱処理工程（ｄ）をトリミング工程より前に行うことが好ましい。
【００３０】
工程（Ｂ−１）では、抵抗素子形成領域５に、抵抗層２と導体層３’が積層されてなる配線パターン４を形成する。抵抗素子形成領域５は、所望の抵抗値が得られるように、長方形やミアンダ構造などの適宜形状に設定する。工程（Ｂ−１）の終了後、抵抗素子形成領域５以外では、抵抗層２と導体層３が除去されて基板１が露出された状態となる（図１（ｄ）参照）。
工程（Ｂ−１）は、例えば以下の手順（１）〜（３）を順に行うことによって実施することができる。
手順（１）は、抵抗層２の上の全面に導体層３を形成する（図１（ｂ）参照）。
手順（２）は、導体層３上の抵抗素子形成領域４０にレジスト１０を形成する（図１（ｃ）参照）。
手順（３）は、レジストを形成していない部分の導体層３および抵抗層２を一括エッチングによって除去した後、レジスト１０を除去する（図１（ｄ）参照）。
【００３１】
工程（Ｃ−１）では、導体層３の所定の部分をエッチングし、該導体層３の下の抵抗層３を露出させる。つまり、素子電極形成領域の導体層３を残して素子電極となすとともに、素子電極分離領域５０の導体層３を除去する。
この工程（Ｃ−１）は、例えば以下の手順（１）〜（２）を順に行うことによって実施することができる。
手順（１）は、配線パターン４および基板１の上にレジスト１２を形成した後、パターニングにより素子電極分離領域５０のレジスト１２を除去して、レジストを設けない部分を形成する（図１（ｅ）参照）。
手順（２）は、レジストを設けてない部分の導体層３をエッチングしたのち、レジスト１２を除去する（図１（ｆ）参照）。
ここで、導体層３をエッチングする場合には、抵抗層２をエッチングしにくいエッチング液を用いることが望ましい。
上記工程（Ａ−１）、（Ｂ−１）および（Ｃ−１）の工程を実施することにより、素子電極となる導体層３および抵抗層２を具備する抵抗素子６０が基板１上に形成される。
【００３２】
抵抗素子をプリント配線板に内蔵するための第２の方法は、下記の（Ａ−２）〜（Ｂ−２）の工程を含む方法である（図２〜図５参照）。
（Ａ−２）工程は、基板１上にパターニングされた抵抗層２を形成する工程である。
（Ｂ−２）工程は、前記基板１上に導体層３を形成する工程である。
【００３３】
ここで工程（Ａ−２）では、基板１上に設定した抵抗素子形成領域５０の上に抵抗層２が形成されるようにする。前記抵抗素子形成領域５０は、所望の抵抗値が得られるように、長方形やミアンダ構造などの適宜形状に設定する。そして、前記抵抗素子形成領域５０以外では、基板１が露出された状態とする。
工程（Ａ−２）で、抵抗層２を形成するときには、上述の無電解ニッケル・リンめっき液を用いて抵抗層となるニッケル・リン薄膜を形成する抵抗皮膜形成工程（ａ）として行われる。
そして、パターニングされた抵抗層２の形成は、基板１の全面に抵抗層２をめっき形成した後、エッチングなどによって不要部を除去する方法でもよいし、あるいは、基板１上の必要部分にのみ抵抗層２をめっき形成する方法でもよい。
【００３４】
酸処理工程（ｂ）、（ｃ）は、酸処理に用いる酸が導体層３に影響を及ぼさないものであれば、いずれの段階でも行うことができる。
基板上の全面に抵抗層２をめっき形成してからエッチングなどによって不要部を除去する方法の場合は、全面に抵抗層２がめっきされた状態で酸処理を施すと均一に処理ができて好ましい。
また、必要部分にのみ抵抗層２をめっき形成する方法の場合は、導体層３を形成する前の方が、導体層３の材料に関係なく酸処理に用いる酸を自由に選択でき、好ましい。
加熱処理工程（ｄ）を行う場合は、酸処理工程（ｃ）の後であればいつの段階で行ってもよく、工程（Ｂ−２）の前に行ってもよいし、工程（Ｂ−２）の後に行ってもよい。
トリミングを行う場合、トリミング時に発生する熱の影響を抑えるために、加熱処理工程（ｄ）をトリミング工程より前に行うことが好ましい。
【００３５】
基板１の全面にめっきによる抵抗層２を形成し、次に、エッチングなどによって不要部を除去する方法としては、例えば以下の手順（１ａ）〜（４ａ）を順に行うことによって実施することができる（図２参照）。
手順（１ａ）は、基板１の上の全面に抵抗層２を形成する（図２（ａ）参照）。
手順（２ａ）は、前記抵抗層２上の抵抗素子形成領域５０にレジスト１０を形成する（図２（ｂ）参照）。
手順（３ａ）は、前記レジストを設けられていない部分の抵抗層２をエッチングによって除去する（図２（ｃ）参照）。
手順（４ａ）は、前記レジスト１０を除去する（図２（ｄ）参照）
【００３６】
基板上の必要部分にのみめっきにより抵抗層を形成する第１の方法としては、例えば以下の手順（１ｂ）〜（４ｂ）を順に行うことによって実施することができる（図３参照）。
手順（１ｂ）は、基板１の全面にｐｄ触媒処理（図示せず）を施す（図３（ａ）参照）。
手順（２ｂ）は、抵抗素子形成領域５０を除く前記基板１の全面にレジスト１１を形成する（図３（ｂ）参照）。
手順（３ｂ）は、前記基板１のレジストが設けられていない部分(すなわち抵抗素子形成領域５０にめっきにより抵抗層２’を形成する（図３（ｃ）参照）。
手順（４ｂ）は、前記レジスト１１を除去して、前記抵抗素子形成領域５０以外の部分に基板１を露出させる（図３（ｄ）参照）。
【００３７】
基板上の必要部分にのみめっきにより抵抗層をめっき形成する第２の方法としては、以下の手順（１ｃ）      〜（３ｃ）を順に行う方法がある（図示略）。
この方法は、ｐｄ触媒が除去された部分にはめっきが析出しない効果を利用したものである。
手順（１ｃ）は、基板全面にｐｄ触媒処理を施した後、抵抗素子形成領域にレジストを形成する。
手順（２ｃ）は、前記基板のレジストが形成されていない部分のｐｄ触媒を、ｐｄ除去液によって除去した後、レジストを除去する。この処理により、抵抗素子形成領域にのみｐｄ触媒が残された状態となる。
手順（３ｃ）は、前記基板上に抵抗層をめっきする。この際、基板上のｐｄ触媒除去部分には抵抗層が析出しないので、ｐｄ触媒が残された部分である抵抗素子形成領域にのみめっきにより」抵抗層が形成される。
【００３８】
前記工程（Ｂ−２）は、前記工程（Ａ−２）においてパターニング形成された抵抗層２に接するように設定された素子電極形成領域に、２つの導体層３を形成する工程である。この２つの導体層３を分離するため、抵抗素子形成領域５０と重なるように素子電極分離領域５０を設定する。
前記工程（Ｂ−２）は、例えば以下の手順（１ｄ）〜（５ｄ）を順に行うことによって実施することができる（図４参照）。
手順（１ｄ）は、パターニングされた抵抗層２’および露出された基板１の上の全面にｐｄ触媒処理（図示せず）を施す（図４（ａ）参照）。
手順（２ｄ）は、前記抵抗層２’上、素子電極分離領域５０にレジスト１１を形成する。このとき、前記基板１が露出された部分および抵抗層２上であって、導体層３（素子電極）が形成される部分には、レジストを形成しない（図４（ｂ）参照）。
手順（３ｄ）は、前記基板１上のレジストを形成されていない部分に導体層３をめっきした後、前記レジスト１１を除去する（図４（ｃ）参照）。
手順（４ｄ）は、前記素子電極形成領域上の導体層３および素子電極分離領域５０上の抵抗層２の上にレジスト１２を形成する（図４（ｄ）参照）。
手順（５ｄ）は、前記レジスト１２が形成されていない部分の導体層３をエッチングなどにより除去したのち、前記レジスト１２を除去する（図４（ｅ）参照）。
【００３９】
以上により、抵抗素子形成領域５０に設けられた抵抗層２’と、素子電極形成領域に設けられた導体層３’(素子電極)とからなる抵抗素子が基板1上に形成される。
なお、図４に示す方法では、導体層３’の形成後にレジスト１２を除去しているが、前記方法だけでなくレジスト１２を残し、手順（４ｄ）において、導体層３’およびレジスト１１(めっきレジスト)の上にレジスト１２(エッチングレジスト)を形成することもできる。この場合、手順（３ｄ）の工程を省略することができる。
【００４０】
工程（Ｂ−２）を行う第２の方法としては、以下の手順（１ｅ）〜（５ｅ）を順に行う方法がある(図５参照)。
手順（１ｅ）は、パターニングされた抵抗層２’および露出された基板１の上の全面にシード層２５を形成する。このシード層２５は、導電性材料であればよく、無電解めっきで形成される銅、銀、ニッケルなどが用いられる（図５（ａ）参照）。
手順（２ｅ）は、素子電極形成領域７０を除き、前記シード層２５の上にレジスト１１を形成する（図５（ｂ）参照）。
手順（３ｅ）は、前記レジスト１１を形成していない部分に導体層３’をめっき形成する（図５（ｃ）参照）。
手順（４ｅ）は、前記レジスト１１を除去する。これにより、素子電極形成領域７０にのみ導体層３’を形成することができる（図５（ｄ）参照）。
手順（５ｅ）は、前記導体層３’の下の保護された前記シード層２５を除き、余分なシード層２５をエッチングで除去する（図５（ｅ）参照）。
前記シード層２５は導電性材料からなるので、導体層３’と一体化して素子電極となる。また、素子電極分離領域５０において抵抗層２’上の余分なシード層２５が除去されるので、シード層２５による導体層３’間の短絡は起こらない。
上記手順により、抵抗素子形成領域５０に設けられた抵抗層２’と、素子電極形成領域７０に設けられた導体層３’(素子電極)とからなる抵抗素子６０が基板１上に形成される。
【００４１】
以上の抵抗素子の製造方法によれば、加熱環境下に置かれた場合であっても高い電気抵抗特性を発現し、かつ小さなサイズで高精度に形成できる抵抗素子を得ることができる。
なお、図５に示す方法では、手順（５ｅ）におけるシード層２５の除去の際に、シード層２５は除去されるが抵抗層２’は侵されない条件で処理(エッチング)をしなくてはならない。
図５に示す方法は、図４に示す方法よりも工程は少なくて済むが、シード層２５を除去するための条件設定が難しいので、導体層３’のエッチングの際に、抵抗層２’をレジスト１２で覆って保護する図４に示す方法が好ましい。
ただし、図５に示す方法は、図４に示す方法よりも微細な配線の形成に対応することができる。
【００４２】
さらにもう一つの抵抗素子の形成方法として、以下の手順（１ｆ）〜（６ｆ）を順に行う方法がある（図６参照）。
手順（１ｆ）は、基板１上に形成された導体層３（銅箔）の素子電極形成領域７０にのみレジストパターン１０を形成する工程である（図６（ｂ）参照）。
手順（２ｆ）は、前記レジストパターン１０を用いて、前記レジストパターン１０が形成されていない部をエッチングによって除去する工程である（図６（ｃ）参照）。
手順（３ｆ）は、前記レジストパターン１０を除去して、導電層３’（素子電極層）を露出させる工程である（図６（ｄ）参照）。
手順（４ｆ）は、前記導体層３’（素子電極層）を含む基板全面に抵抗体となるニッケルめっき層２を形成する工程である（図６（ｅ）参照）。
手順（５ｆ）は、前記抵抗素子形成領域５０にレジストパターン１２を形成する工程である（図６（ｆ）参照）。
手順（６ｆ）は、前記抵抗素子形成領域５０以外の部分のニッケルめっき層をエッチングによって除去する工程である（図６（ｈ）参照）。
このニッケルめっき層２のエッチングには、導体層３’（素子電極層）をエッチングしにくい液を選択する必要がある。これにより、エッチング後にレジストパターンを除去し、抵抗素子６０を形成することができる。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明の実施例および比較例を説明する。
下記の実施例および比較例において、抵抗層のシート抵抗値は、4端針法(三菱化学株式会社製  Loresta  MPMCP-T350)により測定したものである。
（実施例１）
下記の組成の無電解ニッケル・リンめっき液を調製した。
・硫酸ニッケル六水和物                                           26g/L
・ジエチレントリアミン(錯化剤)                               0.27mol/L
・次亜リン酸ナトリウム一水和物                                   30g/L
・硝酸鉛                                                         1mg/L
・イオン交換水                                                     残量
【００４４】
上記のめっき液を用いて、浴温度８０℃、ｐＨ６．０の条件で、ビスマレイミドトリアジン樹脂（以下ＢＴ樹脂）からなる厚さ０．４ｍｍの基板１上に、厚さ０．５μｍのニッケル・リン薄膜からなる抵抗層２を全面に形成した（工程（Ａ−１）および図１（ａ）参照）。
無電解めっきにより得られた抵抗層２の直後のシート抵抗値は、２００Ω/□であった。
【００４５】
試薬１級硫酸を用いて濃度１０体積％の硫酸水溶液を調製した。そして前記抵抗層２を全面に有するＢＴ樹脂基板１を、前記硫酸水溶液に室温で１０分間浸漬し、第１酸処理を行った。
前記第１酸処理後の抵抗層２のシート抵抗値は、４４０Ω/□であった。
次に、第２の酸処理として、２０％塩酸からなる塩酸溶液に１０分間浸漬し、抵抗値の高抵抗化を行った。この第２酸処理後のシート抵抗値は、８８４Ω/□のであった。
【００４６】
前記酸処理後、さらに抵抗層２を２００℃、３０分間の加熱処理を施した。加熱処理後の抵抗層２のシート抵抗値は、８１５Ω/□であった。
次に、前記酸処理および前記加熱処理を施した抵抗層２上に、無電解銅プロセス(シプレイ・ファーイースト  CU  POSIT)を用い、０．３μｍの厚さのめっきを施し、さらに電解銅めっきにより、１０μｍの厚さのめっきを施し、導体層３を形成した（工程（Ｂ−１）の手順（１）および図１（ｂ）参照）。
【００４７】
次に、前記導体層３の上にネガ型ドライフィルムレジスト１０(日立化成工業株式会社製、RY-3315)をラミネートした。そして、ネガパターン(図示略)を通して前記レジスト１０を紫外線により選択的に露光した。ここで、前記ネガパターンは、抵抗素子形成領域５０のレジスト１０が露光されるようにデザインした。また、前記レジスト１０の非露光部は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液)を用いて温度３０℃で除去した（工程（Ｂ−１）の手順（２）および図１（ｃ）参照）。
【００４８】
前記レジスト１０が形成されていない部分に露出した導体層３を、塩化鉄(III)溶液を用いて６５℃でエッチング除去した後に、露出した抵抗層２を、硫酸銅―硫酸溶液（硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、硫酸５ｍｌ／Ｌ）を用いて、９０℃の条件でエッチング除去した。
次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いて、前記レジスト１０を除去した。これにより、導体層３および抵抗層２’からなる配線パターン４を抵抗素子形成領域６０に形成した（工程（Ｂ−１）の手順（３）および図１（ｄ）参照）。
【００４９】
導体層３および露出した基板１の上にネガ型ドライフィルムレジスト１２(日立化成工業株式会社製、RY-3315)をラミネートした。次に、ネガパターン（図示略）を通してレジスト１２に紫外線により選択的に露光した。
ネガパターンは、素子電極分離領域５０を除く領域でレジスト１２が露光されるようにデザインした。レジスト１２の非露光部は、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて温度３０℃で除去した（工程（Ｃ−１）の手順（１）および図１（ｅ）参照）。
【００５０】
アルカリ性エッチング液（メルテックス株式会社製「Ａプロセス」）を用いてレジスト１２を形成していない部分５０（すなわち素子電極分離領域５０）の導体層３ａをエッチング除去した。
次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いてレジスト１２を除去した（工程（Ｃ−１）の手順（２）および図１（ｆ）参照）。
以上により、抵抗層２’とこの抵抗層２’に接して形成された２つの導体層５（素子電極）を有する抵抗素子６０を基板１上に製造した。
得られた抵抗素子６０は、加熱環境下に置かれた場合であっても高い電気抵抗特性を発現し、熱安定性の優れるものであった。
【００５１】
（実施例２）
下記の組成の無電解ニッケル・リンめっき液を調製した。
・硫酸ニッケル六水和物                                     26g/L
・α-アラニン(錯化剤)                                     35.6g/L
・次亜リン酸ナトリウム一水和物                              30g/L
・硝酸鉛                                                    1mg/L
・イオン交換水                                               残量
【００５２】
上記のめっき液を用いて浴温度６５℃、ｐＨ６．０の条件でビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなる厚さ０．４ｍｍの基板１上に、厚さ０．５μｍのニッケル・リン薄膜からなる抵抗層２を全面に形成した（工程（Ａ−１２の手順（１ａ）および図２(ａ)参照）。
得られた抵抗層２の無電解めっき直後のシート抵抗値を測定したところ、１００Ω／□であった。
【００５３】
試薬１級塩酸を用いて濃度２０体積％の塩酸水溶液を調製した。前記抵抗層２が全面に形成されたＢＴ樹脂基板１を前記塩酸水溶液に室温で３分間浸漬し、酸処理を行った。
酸処理後の抵抗層２のシート抵抗値を測定したところ、１０００Ω／□であった。
第１の酸処理後に第２の酸処理として、過硫酸アンモニウム５ｇ／Ｌの溶液に５分間浸漬し、第２の酸処理を行った。シート抵抗を測定すると、シート抵抗はさらに上昇し、１２００Ω／□を示した。
酸処理後、めっき膜を安定化させるために、抵抗層２に２００℃、３０0分間の加熱処理を施した。熱処理後の抵抗層２のシート抵抗値を測定したところ、１１４０Ω/□であった。
【００５４】
酸処理および加熱処理を施した抵抗層２の上に、ネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）をラミネートした。
次いで、ネガパターン（図示略）を通して紫外線を照射し、前記レジストを選択的に露光した。ネガパターンは所望の抵抗素子形成領域５０を除くレジストが露光されるようにデザインした。露光後、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて温度３０℃、６０秒ディップにてレジストの非露光部を除去した。露光部にレジストパターン１０が残り、抵抗素子形成領域５０を覆うレジストパターン１０が得られた。（工程（Ａ−２）の手順（２ａ）および図２(ｂ)参照）。
【００５５】
部分の抵抗層２を硫酸銅―硫レジストパターン１０非形成酸溶液（硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、硫酸５ｍｌ／Ｌ）を用いて９０℃でエッチング除去し、抵抗素子形成領域５０の外側に基板１を露出させた。（工程（Ａ−２）の手順（３ａ）および図２(ｃ)、図２（ｃ）参照）。
次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いてレジストパターン１０を除去した。
以上により、基板１上の抵抗素子形成領域５０にパターニングされた抵抗層２’を形成した。（工程（Ａ−２）の手順（４ａ）および図２(ｄ)参照）。
【００５６】
パターニングされた抵抗層２’を有する基板1の全面にPd触媒(図示略)を付与した（工程（Ｂ−２）)の手順（１ｄ）および図４（ａ）参照）。
この上に、ネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）をラミネートした。次いで、ネガパターン（図示略）を通して紫外線を照射し、前記レジストを選択的に露光した。
ネガパターンは、前記パターニングされた抵抗層２ａの上のレジストが露光されるようにデザインした。露光後、現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いて温度３０℃、６０秒ディップにてレジストの非露光部を除去した。露光部にレジストが残り、素子電極分離領域５０を覆うレジストパターン１１を得た（工程（Ｂ−２）の手順（２ｄ）および図４（ｂ）参照）。
【００５７】
レジストパターン１１を形成していない部分に無電解銅めっき液（メルテックス株式会社製、CU-390）を用いて０．３μｍの厚さにめっきし、さらに電解銅めっきで１０μｍの厚さにめっきして、導体層３とした。剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いてレジストパターン１１を除去した（工程（Ｂ−２）)の手順（３ｄ）および図４（ｃ）参照）。
【００５８】
抵抗層２ａおよび導体層３の上にネガ型ドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）をラミネートした。次いで、ネガパターン（図示略）を通して紫外線を照射し、前記レジストを選択的に露光した。抵抗層２ａに接して導体層３が２箇所に分離されるように素子電極形成領域５０を設定し、ネガパターンは、素子電極形成領域および素子電極分離領域５０上のレジストが露光されるようにデザインした。
露光後、温度３０℃にて現像液（１％炭酸ナトリウム水溶液）を用いてレジストの非露光部を除去した。これにより、素子電極分離領域５０に露出された抵抗層２’ならびに素子電極形成領域の導体層３を保護するようにレジストパターン１２を形成した。（工程（Ｂ−２）の手順（４ｄ）参照）。
【００５９】
レジスト１２を形成していない部分の導体層を、塩化鉄(III)溶液を用いて６５℃でエッチング除去し、素子電極形成領域に残した導体層３’により素子電極を形成した。次に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いてレジスト１２を除去した（工程（Ｂ−２）の手順（５ｄ）および図４（ｅ）参照）。
以上により、抵抗層２’とこの抵抗層２’に接して形成された２つの導体層３’（素子電極）を有する抵抗素子６０を基板１上に製造した。
得られた抵抗素子は、加熱環境下に置かれた場合であっても高い電気抵抗特性を発現し、熱安定性の優れるものであった。
【００６０】
（実施例３）
この実施例について図６を用いて、詳細に説明する。
図６（ａ）のように、配線基板にビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなる厚さ０．４ｍｍの基板１上に１２μｍの銅箔が積層された基板を使用し、まず抵抗体の電極部を形成するため、図６（ｂ）のようにレジストパターン１０を形成する。レジストパターン１０の形成は、銅箔表面の全面にドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）をラミネートし、パターン形成部に紫外線を露光後、１％炭酸ナトリウム溶液で現像を行い形成した。
レジストパターン１０を形成後に、導体層を、塩化鉄(III)溶液を用いて、６５℃でエッチング除去し、抵抗電極部３’を形成した（図６（ｃ）参照）。
エッチング後に剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いてレジスト１０を除去した（図６（ｄ）)参照）。
【００６１】
下記の組成の無電解ニッケル・リンめっき液を調製した。
・硫酸ニッケル六水和物                                     26g/L
・α-アラニン(錯化剤)                                     35.6g/L
・次亜リン酸ナトリウム一水和物                              30g/L
・硝酸鉛                                                    1mg/L
・イオン交換水                                               残量
上記のめっき液を用いて浴温度６５℃、ｐＨ６．０の条件で電極３’を含む基板全面にニッケルめっき膜を０．５μｍの厚さに形成した（図６（ｅ）参照）。
得られた抵抗層２の無電解めっき直後のシート抵抗値を測定したところ、１００Ω/□であった。
次に、試薬１級塩酸を用いて、濃度２０体積％の塩酸水溶液を調製した。そして、前記抵抗層２２が全面に形成されたＢＴ樹脂基板１を、前記塩酸水溶液に、室温で３分間浸漬し、酸処理を行った。
前記酸処理後の抵抗層２のシート抵抗値を測定したところ、１０００Ω／□であった。
【００６２】
次に、第１の酸処理後に、第２の酸処理として、過硫酸アンモニウム５ｇ／Ｌの溶液に５分間浸漬し、第２の酸処理を行った。
前記抵抗層２のシート抵抗を測定すると、シート抵抗はさらに上昇し、１２００Ω／□を示した。
そして、 酸処理後、めっき膜を安定化させるために、抵抗層２に２００℃、３０分間の加熱処理を施した。加熱処理後の抵抗層２のシート抵抗値を測定したところ、１１４０Ω／□であった。
熱処理後に抵抗体領域５０のめっき膜をパターニングするために、基板全面にドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）をラミネートし、前記ドライフィルムレジストを、上記と同様に露光現像し、抵抗体形成領域５０にレジストパターン１２を形成した（図６（ｆ）参照）。
なお、レジストパターン形成部以外のニッケル膜は、硫酸銅―硫酸溶液（硫酸銅２５０ｇ／Ｌ、硫酸５ｍｌ／Ｌ）を用いて、９０℃でエッチング除去した（図６（ｇ）参照）。
エッチング後に、剥離液（５％水酸化ナトリウム水溶液）を用いてレジスト１２を除去した（図６（ｈ）参照）。
以上の工程で、抵抗層２’と、この抵抗層２’に接して形成された２つの導体層３’（素子電極）を有する抵抗素子６０を基板１上に製造した。
得られた抵抗素子は、加熱環境下に置かれた場合であっても高い電気抵抗特性を発現し、熱安定性の優れるものであった。
【００６３】
（比較例１）
実施例２における第２酸処理を行わない以外は、実施例２と同様な条件で抵抗素子を形成した。
抵抗層の抵抗層２のシート抵抗値を測定したところ、１０００Ω／□であった。
しかし、所望の抵抗層のシート抵抗値である１２００Ω／□より小さい値で、そのまま抵抗素子として使用することは困難であった。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、プリント基板の抵抗素子、特に、プリント配線板に内蔵される抵抗素子として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の抵抗素子の製造方法の一例を示す説明図である。
【図２】本発明の抵抗素子の製造方法の一例を示す説明図である。
【図３】本発明の抵抗素子の製造方法の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の抵抗素子の製造方法の一例を示す説明図である。
【図５】本発明の抵抗素子の製造方法の一例を示す説明図である。
【図６】本発明の抵抗素子の製造方法の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
１・・・基板
２、２’・・・抵抗層
３、３’・・・導体層
４・・・配線パターン
６０・・・抵抗素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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