(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板の絶縁層の形成に利用することができ、かつ従来の製造方法を用いて好適に生成することができる絶縁性組成物を提供する。【解決手段】第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび、前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーと、第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および、前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材とを含み、更に、ガラス繊維布からなる支持部材を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板において使用することができる絶縁性組成物であって、
第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび、前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーと、
第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および、前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材と、
を含むことを特徴とする絶縁性組成物。
【請求項２】
前記第１および第２の無機充填材は、約１０ミクロン以下の大きさを有する粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の絶縁性組成物。
【請求項３】
前記粒子は、球状の形状であることを特徴とする請求項２に記載の絶縁性組成物。
【請求項４】
前記第１および第２の無機充填材は、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、ダイアモンド・パウダー、酸化チタン、シリカ、セラミックおよびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする請求項２の絶縁性組成物。
【請求項５】
前記第１および第２の無機充填材は、シリカであって、このシリカは、球状の非晶質シリカ、半球状の非晶質シリカ、中空シリカ微粒子およびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする請求項４に記載の絶縁性組成物。
【請求項６】
前記第１および第２のフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン系に帰属しており、前記組成物の約５０〜９０重量パーセントを構成しており、前記第１および第２の充填材は、前記組成物の約１０〜５０重量パーセントを構成していることを特徴とする請求項１に記載の絶縁性組成物。
【請求項７】
支持部材を更に含んでおり、前記絶縁性組成物とこの支持部材は結合されて、前記回路基板において使用することができる絶縁層を形成することを特徴とする請求項１に記載の絶縁性組成物。
【請求項８】
前記支持部材はガラス繊維布から成ることを特徴とする請求項７に記載の絶縁性組成物。
【請求項９】
前記第１の融解点は、摂氏約３００度〜摂氏約３５０度の範囲内にあり、前記第２の融解点は、摂氏約２００度〜摂氏約２８０度の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の絶縁性組成物。
【請求項１０】
前記第１の熱伝導率は、約６００Ｗ／ｍＫ〜約２０００Ｗ／ｍＫの範囲内にあり、前記第２の熱伝導率は、約５Ｗ／ｍＫ〜約４００Ｗ／ｍＫの範囲内にあることを特徴とする請求項９に記載の絶縁性組成物。
【請求項１１】
前記第１のフルオロポリマーの前記第１の融点および前記第２のフルオロポリマーの前記第２の融点より低い融解点を有する第３のフルオロポリマーを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の絶縁性組成物。
【請求項１２】
回路基板であって、
第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーならびに第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材を含む絶縁性組成物を有する少なくとも一つの絶縁層と、
前記少なくとも一つの絶縁層上に配置された少なくとも一つの導電層と、
を備えることを特徴とする回路基板。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの導電層は、銅または銅合金から成ることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記第１および第２の無機充填材は、約１０ミクロン以下の大きさを有する粒子を含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記粒子は、球状の形状であることを特徴とする請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記第１および第２の無機充填材は、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、ダイアモンド・パウダー、酸化チタン、シリカ、セラミックおよびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記第１および第２の無機充填材は、シリカであって、このシリカは、球状の非晶質シリカ、半球状の非晶質シリカ、中空シリカ微粒子およびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする請求項１６に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記第１および第２のフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン系に帰属しており、前記組成物の約５０〜９０重量パーセントを構成しており、前記第１および第２の充填材は、前記組成物の約１０〜５０重量パーセントを構成していることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
【請求項１９】
支持部材を更に含んでおり、前記絶縁性組成物とこの支持部材は結合されて、前記回路基板において使用することができる絶縁層を形成することを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
【請求項２０】
前記支持部材はガラス繊維布から成ることを特徴とする請求項１９に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記第１の融解点は、摂氏約３００度〜摂氏約３５０度の範囲内にあり、前記第２の融解点は、摂氏約２００度〜摂氏約２８０度の範囲内にあることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記第１の熱伝導率は、約６００Ｗ／ｍＫ〜約２０００Ｗ／ｍＫの範囲内にあり、前記第２の熱伝導率は、約５Ｗ／ｍＫ〜約４００Ｗ／ｍＫの範囲内にあることを特徴とする請求項２０に記載の回路基板。
【請求項２３】
前記第１のフルオロポリマーの前記第１の融点および前記第２のフルオロポリマーの前記第２の融点より低い融解点を有する第３のフルオロポリマーを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板およびチップキャリア等に用いられる回路基板に使用するための絶縁性組成物に関し、この組成物は、単体で、またはガラス繊維等の支持構造体と組み合わせて使用することができ、最終構造体の一部を形成する信号、電源およびグラウンド層といった導電層間の電気的な絶縁層として基板の一部として使用することができる絶縁層を形成するのに有用である。更に具体的には、本発明は、係る製品が係る導電層に高密な回路を確実に備えることができるようにする組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の技術の多くで使用されるプリント回路基板や積層チップキャリアなどの回路基板は、最小の容積およびスペースで複数の回路の形成ができるようにする。上記のように、これらの最終製品は一般的に信号層（ライン）、グランド層（ライン）および電源層（ライン）の少なくとも一つからなる「積み重ねられた（スタック）」層を含み、少なくとも一つの絶縁材料層によって互いから分離される。回路ラインまたはパッド（例えば信号層のもの）は、絶縁層を貫通するメッキホールによって互いに電気的に接続されることが多い。メッキホールは、内部にある場合は、「バイア」と呼ばれ、基板の外面から内部へ所定の深さに延びている場合は、「ブラインドバイア」と呼ばれ、実質的に基板を貫通している場合は、「メッキスルーホール」（ＰＴＨ）と呼ばれることが多い。本明細書で使用される「スルーホール」という用語は、係る３つのタイプの基板開口部の全てが含まれることを意味する。
【０００３】
本明細書において記載される製品の複雑さは、ここ数年において著しく増加してきている。例えば、メインフレームコンピュータのプリント回路基板（ＰＣＢ）は、３６層またはそれ以上の層を有することができ、その積層体の厚さは、約０．２５０インチ（２５０ミル）である。これらの基板は、３または５ミル幅の信号ラインおよび直径１２ミルのスルーホールを有するように一般的に設計される。プリント回路基板、チップキャリアなどの今日の製品の多くにおける回路の高密度化によって、信号ラインは幅２ミル以下に、また、スルーホールの直径は２ミル以下にすることが当該業界では望まれている。
【０００４】
最もよく知られている商業的な方法（特に本明細書において記載されるもの）は、当該業界によって望まれる規格を経済的見地から見て成しえない。プリント回路基板、チップキャリアなどのための公知の方法は、分離した内部層回路（回路層）の形成を含み、この内部層回路は、銅で覆われた内部層基材の上に感光層または感光フィルムをコーティングすることによって形成される。感光性コーティングは画像化されて現像され、露出された銅はエッチングされて導電性ラインを形成する。エッチングの後に、感光性フィルムは、内部基材の表面に回路パターンを残す銅から剥離される。この方法は、プリント回路基板技術においてフォトリソグラフィー処理とも呼ばれ、更なる記載は必要ではないと思われる。
【０００５】
個々の内部層回路が形成された後、多層積層体は、内部層、グランド層、電源層などのレイアップ（積み重ね）によって形成され、これらの層は、不完全に硬化した材料（一般的にはＢ段階エキポシ樹脂）に含浸されるガラス（一般的にガラス繊維）織物の層を一般的に有する絶縁性プリプレグによって互いに隔離されている。積層体の最上層および最下層は、銅で被覆された、ガラス繊維入りのエキポシ平面基板から通常成っており、この銅被覆は積層体の外部面を有する。この積層体は、積層されて、Ｂ段階樹脂を完全に硬化するために加熱および加圧されてモノリシック構造体を形成する。このように形成された積層体は、その両外面に金属（通常は銅）被覆を有する。外部回路層は、内部層回路を形成するのに使用される方法と類似する方法を用いて、銅被覆（クラッディング）において形成される。感光フィルムは、銅被覆に貼り付けられる。このコーティングは、パターン化された活性化用電磁線に露出されて現像される。そしてエッチング液が感光フィルムの現像によって剥き出しになった銅を除去するのに使用される。最後に、残留する感光フィルムが除去され、外部回路層が形成される。
【０００６】
スルーホール（インターコネクトとも呼ばれる）は、構造体内の個々の回路層を互いにかつ外面に電気的に接続するのに使用されることが多く、積層体の全てまたは一部を一般的には通過する。スルーホールは通常、外面に回路を形成する前に適当な箇所に積層体を通して穿孔することによって形成される。いくつかの前処理のステップの後に、ホール壁はメッキ触媒と接触して触媒作用が引き起こされて、一般的に無電解または電解銅メッキ液に接触することによって回路層化の導電経路を形成する。導電スルーホールの形成の後、外部回路または外部層は、上記方法を用いて形成される。基板に使用される絶縁体は、係るスルーホールの形成を促進するものでなくてはならない。
【０００７】
半導体チップもしくは他の電気部品またはこれらの両方が、一般的にプリント回路基板に電気部品を接合するためにはんだマウントパッドを用いて、多層積層体の外部回路層の適当な箇所に搭載される。電気部品は、導電スルーホールを介して構造体内の回路に所望のように電気的に接続していることが多い。はんだパッドは一般的に、外部回路層の上に有機はんだマスクコーティングを施すことによって形成される。はんだマスクは、はんだマウントパッドが形成される領域を画成する開口部を有するスクリーンを用いて、外部回路層の表面の上に液状はんだマスクコーティング材料をスクリーンコーティングすることによって貼り付けられる。あるいは、フォトイメージ可能（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）なはんだマスクが基板上にコーティングされ、露出され、現像され、パッドを画成する開口部のアレイを形成する。次に、この開口部は、ウェーブはんだ付けなどの当該技術分野において公知の方法を使用して、はんだでコーティングされる。
【０００８】
今日の新製品（例えばコンピュータ）の多くに使用される、発展を続けると共に高速化し続ける回路基板の必要性によって、現在利用可能な技術の電気的性能および熱的性能の限界を高める新しい材料の開発が必要となっている。高速アプリケーションのために、低誘電率絶縁材料上に極めて高密度の導電回路パターンを有することが不可欠である。従来の回路基板用のプリプレグ積層は、樹脂に含浸された基材を補強したガラス布から伝統的に成る。このガラス布は、当該業界では「ＦＲ４」絶縁材料（ＦＲはＦｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ（難燃剤）を表し、４は、その相対値を表す）としても呼ばれる。
【０００９】
いくつかの現行製品において使用されるエキポシ／ガラス繊維積層品は、ガラス繊維を約４０重量％、エキポシ樹脂を約６０重量％を一般的に含有しており、比較的高い誘電率（Ｅｒ）を一般的に有し、時に４．０を超える。こうした比較的高い誘電率は、隣り合う信号回路ラインに電気パルス（信号）を発生させて伝播の速度を下げ、過剰な信号時間遅延を引き起こす。新しいコンピュータシステムがより速くなるにつれて、システムサイクルタイムはより短くなる必要がある。係る製品において使用されるＰＣＢおよび他の回路基板内の信号移動に起因する遅延時間は、深刻なものとなり、それゆえ、低誘電率材料の必要性がある。多くの製品は、全体の誘電率が２．８以下であることが要求される。こうした低誘電率は、新たな材料無しには得ることができない。なぜなら、上記のような従来のＥＲ４エキポシおよび一般的なガラス繊維の誘電率は、４〜６の範囲であるからである。係る複合材料の効果的な誘電率は、個々の部品の誘電率の単純な加重平均および複合材料に含まれる体積分率によって通常近づけることができる。下記に更に説明されるように、上記の組成物は、臭素化した部品に多大に重みづけされ、所望のＦＲ比を確実にすることが多い。
【００１０】
フルオロポリマー絶縁材料を含む基板は、公知であって、これには「純粋な」フルオロポリマー基板と呼ばれるものも含まれる。今日使用される、係る公知の材料の一つの例は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であって、誘電率がほぼ２．０である。しかしながら、回路基板積層品の構造においてこうした材料のみを使用することは、一般的に、劣った力学的特性およびこの材料の化学的不活性のために、非実用的であることが時折判明する。それに代わるものとしては、複合ラミネート材（強化布における繊維）の１つとしてフルオロポリマーを使用することである。この１例は、デラウェア州ニューアークのＷ．Ｌ．ゴア・アンド・アソシエイツ社によって製造される、処理済のＰＴＦＥ織物プリプレグである。この種類の織物が従来のエポキシ／ガラス繊維積層品においてガラス繊維の代わりに用いられる場合、誘電率は、２．８に下がる。しかしながら、この織物の使用は、特定の不都合を生じさせる。純粋なＰＴＦＥの比較的低い係数のため、これらの材料で形成される薄積層板は、あまり剛性がなく、特別な取り扱いが要求される。ＰＴＦＥ織物を組み込んでいる積層板が穿設される場合にも、未切削ＰＴＦＥ繊維は穿設された孔に突出する傾向があり、除去が困難である。良好なメッキ粘着力を得るために、露出されたＰＴＦＥ表面は、窒素雰囲気において極めて引火性の高い、高価な化学品の使用または、プラズマ処理によって処理されなければならない。このプラズマ処理において、良好なメッキ粘着性を得るために高アスペクト比のスルーホールを貫通しなくてはならない。当然、ＰＴＥＥ織物積層の最も不利な点の一つは、コストであって、付加的な処理要件および装置の変更に係るコストのみならず、プリプレグ材料自体を購入する多額なコストがかかる。
【００１１】
更に、フルオロポリマー絶縁材料に関し、１９９１年１０月８日に発行された特許文献１（米国特許第５，０５５，３４２；名称「フッ化ポリマー組成物、ならびにこの製造およびこの使用」）において、低誘電率および低熱膨張率数を示すフッ化ポリマー組成物が記載されており、フッ化ポリマー材料と、７ミクロン以下の大きさの平均粒子径を有するシリカもしくは石英充填材またはこれらの両方とを含む。上記組成物の層は、この組成物を基板に適用し、更にこの組成物が溶融するのに十分な温度にこの組成物を加熱することによって得られる。この充填材料は、シリカ、石英、中空微粒子（マイクロスフェア）およびこれらの混合物から成る群から選択される。
【００１２】
別の積層絶縁材料の性能に影響を及ぼしている別の特性は、熱膨張率（ＣＴＥ）である。熱膨張率を絶縁材料のＸおよびＹ方向にその隣り合うものと厳密に合わせることが望まれる。これにより、ＰＣＢを表面に搭載した装置に結合するはんだ接続部の亀裂を防ぎ、または印刷回路基板の反りを防ぐ。ＸおよびＹ方向熱膨張率は、マトリックス内のガラス繊維による。しかしながら、これらの繊維は、Ｚ方向熱膨張率を制御しない。Ｚ方向熱膨張率も、熱サイクルの間、銅メッキされたスルーホールの亀裂を防ぐために制御されなくてはならない。
【００１３】
はんだ接続の処理や再加工および他の製造工程において、完成された基板の作動中に電流が流れる間、または出荷時もしくは保管時の温度の変動にさらされる場合において、熱が発生する。熱膨張率の変更の方法としては、充填材（フィラー）の使用がある。
【００１４】
充填材は、マトリックス重合体に結合することができ、カップリング剤（シランがよく使用される）の使用によって加えられる。
【００１５】
カップリング剤は、充填材および重合体の間の結合を高め、界面的な接合面を最適化し、このことは更に電気的かつ機械的な性能を高める。様々なタイプの充填材が複合材の誘電損失に影響を及ぼすことができる。
【００１６】
ガラス転移温度（Ｔｇ）と呼ばれる変曲点に達する時に、プリプレグ絶縁材料の熱膨張率は顕著に変化する。ガラス転移温度に達した時に絶縁材料の膨張率が著しく増すために、絶縁材料は、応力を最小限にするためにガラス転移温度が高いことが望ましい。エポキシノボラックをベースとする絶縁材料は、例えば、比較的高いガラス転移温度を有すると考えられ、一般的に摂氏１５０度以上である。高いガラス転移温度に関する他の特性は、吸湿性が低く、耐化学性であることが多い。
【００１７】
上記要件の多くを満たすための公知の材料が特許文献２（米国特許５，１２６，１９２；発明の名称「難燃性、低絶縁性、不変ミクロスフェア充填積層」）（１９９２年６月３０日発行）に記載されている。この特許の教示によれば、樹脂／シランで処理されたミクロスフェア／キャリア構造体プリプレグが用意され、Ｂ段階硬化がなされ、真空積層される。含浸混合物は、ミクロスフェアの所定の量を樹脂／溶剤混合物に加えることによって用意され、溶剤が排除された場合に例えば約５０％の詰め込み因数（ｐａｃｋｉｎｇ  ｆａｃｔｏｒ）という結果となる。低剪断混合技術が、ミクロスフェアの損傷を防ぐために用いられなくてはならない。これらのミクロスフェアは、球形であるため、ミクロスフェアは、溶液に速やかに混ざることができ、含浸が困難となる程に溶液の粘度を上げることはない。ミクロスフェアの大きさの組合せおよび詰め込み因数によって、充填された絶縁材料が中空ミクロスフェアに損傷を受けることなく積層の熱および熱圧サイクルに耐えることができる。この特許によると、５００ポンド／平方インチ（ＰＳＩ）までの積層圧において２％以下のミクロスフェアの破損が観測されたとしている。
【００１８】
損傷が起こる場合、一般的に最も大きなミクロスフェアが最初に圧壊する。中空のシリカ・ミクロスフェアは２％以下の一酸化ナトリウムを含み、直径４０ミクロン未満のものについては９９％であることが許容可能であることが記されている（グレイス・シンタクティクス社（Ｇｒａｃｅ  Ｓｙｎｔａｃｔｉｃｓ，  Ｉｎｃ．）によって「ＳＤＴ２８」という名称のものを明らかに使用している）。同社の「ＳＤＴ−６０」ミクロスフェア（２５ミクロン未満のものが９９％）が、好ましい充填材として記されている。ミクロスフェアは、特定の樹脂との使用に適しているシランがベースのカップリング剤で処理される。これらの製剤のために特に適した結合剤（ｃｏｕｐｌｅｒ）も記載されている。結合混合剤の１つがビニル・シランおよびアミノ・シランの組合せとして記載されており、耐湿性に優れ、許容可能な濡れ誘電損失性能を有するものとして記載されている。シラン樹脂は、樹脂マトリクス内の充填材粒子を結合して、樹脂マトリクスとミクロスフェアとの間の界面積の大きさを最小化するといわれる。この特許のキャリア／補強材料は、ガラスまたはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）といった公知のシェルタイプの補強材であってもよい。選択されたキャリア織物は、完成された積層に望まれる特性にほぼ依存する。これらは、所定の厚み、誘電率、熱膨張率、および任意の製品用途を含む。キャリア材料は、ガラス繊維織物およびガラス不織繊維ならびにポリマー織物およびマットを含む。ポリイミドフィルムといった有機フィルムも用いられる。Ｄガラスといった低誘電率の織物、ケブラーおよびノメックス（共にＥ．  Ｉ．デュポン・デ・ヌムール・アンド・カンパニー（Ｅ．  Ｉ．  Ｄｕｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙ）の登録商標）といったアラミド、ポリ・ｐフェニレン・ベンゾ・ビス・チアゾール（ｐｏｌｙ  ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｂｅｎｚｏｂｉｓｔｈｉａｚｏｌｅ）、ポリ・ｐフェニレン・ベンゾ・ビス・オキサゾール（ｐｏｌｙ  ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｂｅｎｚｏｂｉｓｏｘａｚｏｌｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）、芳香族ポリエステル（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ）、石英（ｑｕａｒｔｚ）、Ｓガラス（Ｓ−ｇｌａｓｓ）等を、製剤において使用することができる。この補強材は、混ぜ合わされて製織された形態または混ぜ合わされた形態であることができる。
【００１９】
回路基板での使用のために設計され、かつ今日の高速製品の上記要件を満たすことを目的とする他の別の公知の材料は、２００１年３月２７日に発行された特許文献３（米国特許第６，２０７，５９５号；「積層およびこの製造方法」）に記載されている。この特許において、絶縁層の織物材料は、粒子の包含量が十分に少なく、樹脂材料が十分であって、この粒子を有する布部材を完全に覆う布材料から作られ、樹脂材料が布部材の最も高く突出した箇所を越える（すなわち、織物材料は、より厚く、特定の試験基準に合格する（'５９５において、公知のＨＡＳＴレベルＡテスト）。よって、製織された布は、粒子の一定量を含み、これは、乾燥したフィルム、過剰な結合剤、損傷したフィラメント、および全表面の破片を含むことを'５９５では意味する。一処理として、製織処理を改善し、撚り糸の損傷を最小限に抑えるために、製織前にポリビニールアルコール、コーンスターチおよび潤滑油のサイジングが繊維の撚り糸に適用されることが記載される。製織の後に、このサイジングは燃焼行程によって除去され、潤滑剤および他の材料のフィラメントを洗浄する。しかしながら、いくらかのサイジングが粒子としてランダムに残される。粒子を含む製織された布を覆うものは、一定量の硬化した樹脂材料である。この樹脂は、「ＦＲ４」複合物のために使用されることが多い、エキポシ樹脂であってもよい。ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）をベースとする樹脂材料も、この特許の構造において使用可能である。より好ましくは、この樹脂は、印刷回路基板業界では公知である、フェノールで硬化可能な樹脂材料である。よって、この特許は、連続繊維を必要とする（最終製品に必要なスルーホールの穿孔によって起こる偶然の割り込み（これらの繊維を「損傷」してしまう）を除き、絶縁層の全幅（または全長）に亘って延伸する）。よって、スルーホールに露出した繊維の撚り糸に係る前記の問題は、この特許の処理工程および結果として製造される構造体において起り得る。
【００２０】
特許文献４（米国特許第５，４１８，６８９号）において、印刷回路基板が記載されており、そこにおいて、絶縁基板は、熱可塑性樹脂もしくは熱硬化性樹脂またはこれらの両方を含む。この特許において記載される熱硬化性高分子材料は、エキポシ、フェノール基材、ポリイミドおよびポリアミドを含む。フェノール類材料の例としては、フェノール、レゾルシノールおよびクレゾールの共重合体が挙げられる。熱可塑性高分子材料の例としては、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ニトリルゴム、ＡＢＳ重合体、ならびにポリテトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ化エチレンプロピレン重合体、ポリフッ化ビニリデンおよびポリ六フッ化プロピレンといったフルオロカーボン重合体が挙げられる。絶縁材料は、充填材、もしくはガラスを充填した重合体といった補強剤、またはこれらの両方を有する重合体の成形品であってもよい。この特許において使用される「ＦＲ４」エキポシ組成物は、ビスフェノールＡの臭素化ポリグリシジル・エーテルの７０〜９０部と、ジシアンジアミドの３〜４部および第３アミンの０．２〜０．４部で硬化するテトラキス（ヒドロキシフェニル）エタン・テトラグリシジル・エーテルを含む（全ての部分は、樹脂固体の１００部あたりの重量部である）。別の「ＦＲ４」エキポシ組成物は、約３５０から約４５０のエキポシ当量を有するビスフェノールＡの臭素化ジグリシジルエーテルの約２５から約３０重量部と、約６００〜約７５０のエキポシ当量を有するビスフェノールＡの臭素化グリシジエーテルの約１０〜約１５重量パーセントと、少なくとも６つのターミナルエキポシ群を有する少なくとも１つのエキポシ化された非線形ノボラックの約５５〜約６５重量部と、適切な硬化もしくは硬化剤またはこれらの両方とを含むものをもちいてもよい。更なる「ＦＲ４」エキポシ組成物は、ビスフェノールＡの臭素化ポリグリシジル・エーテルの７０〜９０部と、二メチルイミダゾールの０．８〜１ｐｈｒで硬化するテトラキス（ヒドロキシフェニル）エタン・テトラグリシジル・エーテルの１０〜３０部とを有する。更に別の「ＦＲ４」エキポシ組成物は、溶媒としての二メチルイミダゾールと共に、硬化剤としてのテトラブロモビスフェノールＡを使用する。
【００２１】
特許文献５（米国特許第６，３２３，４３６号）において、プリント回路基板は、この特許で製織されたガラス繊維として記載される、電子産業において一般的に使用される補強剤に代わって、不織アラミド細断済み繊維マットまたは熱可塑性液晶性ポリマー（ＬＰＣ）紙を含浸することによって製造される。アラミド補強材は、ケブラー（ケブラーは、Ｅ．  Ｉ．デュポン・デ・ヌムール社の登録商標である）からなるｐ−アラミド（ポリｐ−フェニレン・テレフタルアミド）のランダム（平面方向）な方向性を有するマットからなっており、誘電率４．０を有し、標準Ｅガラス布の誘電率６．１と比較される。不織アラミド補強材の低誘電率は、より速い信号伝達を達成し、配線密度を増加させ、クロストークを少なくする（高Ｉ／Ｏチップ（ｈｉｇｈ  Ｉ／Ｏ  ｃｈｉｐ）および小型化のために重要性が増している）。ｐ‐アラミド繊維が横断方向に等方性で、熱硬化性樹脂と結合した場合１度につき約−３〜約−６ｐｐｍの軸方向の熱膨張率を有しているため、この特許で記載された最終的な組成物は、約３〜約１０ｐｐｍ／℃の範囲でシリコンチップまたは半導体チップの熱膨張率に適合するように制御、調整することができる熱膨張率を有するとされる。熱可塑性液晶重合紙は、ベクラス（Ｖｅｃｒｕｓ）（ヘキスト・セラニーズ社の登録商標である）と呼ばれる材料である。熱可塑性液晶重合紙は、同社のベクトラ（Ｖｅｃｔｒａ）・ポリマー（ベクトラは、ヘキスト・セラニーズ社の登録商標である）を使用する。この特許によると、誘電率が３．２５であって、６０Ｈｚで損失係数が０．０２４である。重合紙は、ＵＬ９４−Ｖ０の格付けであって、１０ｐｐｍ／℃未満の平面方向熱膨張率を有する。アラミドマットと比べてこの材料の有利な点は、低誘電率および極低吸湿性（０．０２％未満）である。不織アラミドまたは熱可塑性液晶重合紙は、熱硬化性樹脂と共に使用され、最終的な複合基板を形成する。この特許において有益であると記載される熱硬化性樹脂の例としては、エポキシ、シアン酸エステル、ビスマレイミド、ビスマレイミド・トリアジン、マレイミドまたはこれらの組み合わせが挙げられる。次に、樹脂を含浸させた低熱膨張率の補強材は、部分的に「Ｂ」段階まで硬化され、プリプレグを形成し、次に、このプリプレグは切断され、積層され、外部銅板でビルドアップ基板（ｓｕｂｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）を形成する。
【００２２】
回路基板で使用される更に別のタイプの公知の絶縁材料は、「膨張させたＰＴＦＥ  （ｅｘｐａｎｄｅｄ  ＰＴＦＥ）」材料として知られるものであって、当然、ＰＴＦＥはポリテトラフルオロエチレンを指す。係る材料のより一般的な例としては、上記のテフロン（登録商標）（Ｅ．  Ｉ．デュポン・デ・ヌムール社によって販売される）である。例えば、特許文献６（米国特許第５，６５２，０５５号）において、様々な接着の用途（回路基板の積層、マルチチップ・モジュール、および他の電気的用途など）で接着層として機能するのに適した、接着シート（または「ボンドフィルム」）材が記載されている。この接着シートは、特許文献７（米国特許第３，９５３，５６６号）にあるような膨張したテフロン（登録商標）材から形成されるとして記載される。好ましくは、この材料は、無機充填材で充填されて、以下のように形成される。セラミック充填材は、分散して生成されたＰＴＦＥの水性分散液に混入される。小粒子の充填材の大きさは、一般的に４０ミクロン未満であって、好ましくは１５ミクロン未満である。この充填材は、凝固の前に最終的な樹脂を含浸させた複合物に関してＰＴＦＥの１０〜６０重量パーセント、好ましくは４０〜５０重量パーセント導入される。次に、充填されたＰＴＦＥ分散は、一般的に速い撹拌によって共に凝固される。次に、凝固された、充填されたＰＴＦＥが加えられる。次に、充填された材料は、一般的なペースト押し出し用滑剤（ミネラルスピリットやグリコールなど）で潤滑され、ペーストが押し出される。この押出品は、通常、カレンダー加工されて、摂氏３５度から３２７度の間で１秒間につき１０％以上の伸び率で、この特許によると１．２倍から５０００倍、好ましくは２倍から１００倍に急速に延ばされる。この滑剤は、引き伸ばしの前に、押出品から除去することができる。次に、引き伸ばされた、多孔性の充填されたＰＴＦＥは、溶媒中の約２％〜７０％の接着剤のワニス液上で浸漬、カレンダー加工、またはドクターブレーディングによって接着剤に吸収される。次に、湿式の組成物は、幅出機（テンター）に固定され、次に、１〜３分間、摂氏約１６５度に置かれ、Ｂ段階に硬化される。こうして得られたシート接着剤は、（ａ）９〜６５重量パーセントのＰＴＦＥ  、（ｂ）９〜６０重量パーセントの無機充填材（粒子の形態）、および（ｃ）充填されたＰＴＦＥウェブの多孔質構造体において吸収された５〜６０重量パーセントの接着剤からなる。他のタイプの引き伸ばされたＰＴＦＥ基板材料は、特許文献９（米国特許第４，１８７，３９０号）および特許文献１０（米国特許第４，４８２，５１６号）他に記載されている。特許文献１１（米国特許第４，１８７，３９０号）は、特に興味深い。なぜなら、それは、係る基板材料の一部として使用されるノードおよび繊維の両方を実質的に研究し、ノード高、ノード幅、ノード長、および原繊維長の大きさの制約に細分化している。
【００２３】
特許文献８（米国特許第４，８４９，２８４号）において、剛性のプリント配線基板材料および集積回路チップキャリアを形成するためのセラミックを充填されたフルオロポリマーをベースとする電気基板材料が記載されている。著者によると、この材料は、他のプリント配線基板材料および回路チップキャリアに比して電気的性能が改善されており、低熱膨張係数およびこれらの基板材料の対応する性質は、表面実装信頼性およびメッキスルーホール信頼性を改善する結果となる。電気基板材料は、シリカと少量のミクロ・ガラス繊維を充填されたポリテトラフルオロエチレンを含む。セラミック充填材（シリカ）は、シランコーティング材でコーティングされ、このシランコーティング材は、セラミック疎水性の表面を形成し、引張り強さ、剥離強度、寸法安定性を改善させる。
【００２４】
いくつかの公知の絶縁性組成物において、上記のように（例えば、「ＦＲ４」絶縁材料）、臭素が構成要素の１つとして用いられる。臭素が耐湿性および耐燃性を与えるためと、構造体の高ガラス転移温度を確実にするのを助けるために有益であると考えられる。公知の一組成物において、この材料は、組成物の約３０重量パーセントを構成し、エキポシ樹脂（および他の製品）およびクレゾールノボラック型エポキシ樹脂で意図して使用される公知の化成物であるビスフェノールＡに加えられる。
【００２５】
２００４年３月３１日に出願された、米国出願番号１０／８１２，８９０（発明の名称「回路基板、ならびにこの製造方法、これを使用する電気機器組立体、およびこれを使用する情報処理システム」、発明者「アール・ジャップ  他」）において、本明細書において教示される絶縁性組成物を使用して製造される絶縁層を用いることができる回路基板、電気機器組立体および情報処理システムが記載されている。
【００２６】
２００４年３月３１日に出願された、米国出願番号１０／８１２，８８９（発明の名称「回路基板用の絶縁層を形成するための絶縁性組成物」、発明者「アール・ジャップ  他」）において、回路基板（プリント回路基板、チップキャリア等）において使用することができる絶縁層を形成する絶縁性組成物が記載されている。係る層において、硬化した樹脂材料および所定の重量パーセントの粒状充填材を含み、よって、長繊維、または半長繊維等をその一部として含まない。
【００２７】
２００４年８月１８日に出願された、米国出願番号１０／９２０，２３５（発明の名称「低湿気吸収回路基板、ならびにこの製造方法、これを用いた電気機器組立体、およびこれを用いた情報処理システム」、発明者「アイ・メミス  他」）において、樹脂内に入れられた結節型のフルオロポリマーのウェブと組み合わされた低湿気吸収ポリマー樹脂を含む絶縁材料から成る第１の層を備える回路基板が記載されている。この組合せから形成される絶縁層は、長繊維または半長繊維をその一部として含まない。この回路基板は、第１の絶縁層上に配置された少なくとも一つの回路層を更に備える。電気機器組立体およびこの基板の形成方法、更には本発明の回路基板をその一部として組み込んでいる情報処理システム（例えばコンピュータ）も提供されている。
【００２８】
２００５年３月２３日に出願された、米国出願番号１１／０８６，３２３（発明の名称「低湿気吸収回路基板、ならびにこの製造方法、これを用いた電気機器組立体、およびこれを用いた情報処理システム」、発明者「アイ・メミス  他」）において、低熱膨張率を有する複数の繊維を有する第１の絶縁性副層と低湿気吸収樹脂の第２の絶縁性副層（長繊維または半長繊維等をその一部として含まない）を含む複合材層を含む回路基板が記載されている。この基板は、少なくとも一つの導電層をその一部として更に備える。電気機器組立体およびこの基板の形成方法、更には本発明の回路基板をその一部として組み込んでいる情報処理システム（例えばコンピュータ）も提供されている。
【００２９】
本出願は、米国特許出願番号１０／８１２，８９０の一部係属出願である。上記全ての出願は、本発明出願の譲受人と同じ譲受人に譲渡される。
【特許文献１】米国特許第５，０５５，３４２号公報
【特許文献２】米国特許第５，１２６，１９２号公報
【特許文献３】米国特許第６，２０７，５９５号公報
【特許文献４】米国特許第５，４１８，６８９号公報
【特許文献５】米国特許第６，３２３，４３６号公報
【特許文献６】米国特許第５，６５２，０５５号公報
【特許文献７】米国特許第３，９５３，５６６号公報
【特許文献８】米国特許第４，８４９，２８４号公報
【特許文献９】米国特許第４，１８７，３９０号公報
【特許文献１０】米国特許第４，４８２，５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
本発明の主な目的は、回路基板技術を高めることにある。
【００３１】
本発明の別の目的は、回路基板の絶縁層の形成に利用することができ、かつ従来の製造方法を用いて好適に生成することができる、改良された絶縁性組成物を提供することにある。
【００３２】
本発明の更に別の目的は、比較的厳しい環境（例えば多湿）においてや、高速信号伝達用の基板に好適に組み込まれるのに必要な多くの望ましい特性を有する組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明の一実施例によると、回路基板用になされた絶縁性組成物を提供し、この絶縁性組成物は、第１および第２のフルオロポリマーと第１および第２の無機充填材とを含んでおり、前記第１のフルオロポリマーは第１の融解点を有し、前記第２のフルオロポリマーは第１の融解点より低い第２の融解点を有しており、前記第１の充填材は第１の熱伝導率を有しており、前記第２の充填材は第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有していることを特徴とする。
【００３４】
本発明の別の実施例によると、少なくとも一つの導電層と、第１および第２のフルオロポリマーを有する絶縁性組成物を含む少なくとも一つの絶縁層と、第１および第２の無機充填材と、から成る回路基板であって、前記第１のフルオロポリマーは、第１の融解点を有しており、第２のフルオロポリマーは、前記第１の融解点より低い第２の融解点を有しており、前記第１の充填材は、第１の熱導電率を有しており、前記第２の充填材は、前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有していることを特徴とする回路基板を提供する。
【００３５】
すなわち、本発明は、まず、回路基板において使用することができる絶縁性組成物であって、第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび、前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーと、第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および、前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材と、を含むことを特徴とするものである。
【００３６】
そして、本発明に係る絶縁性組成物において、前記第１および第２の無機充填材は、約１０ミクロン以下の大きさを有する粒子を含むものであり、これらの粒子は、球状のものである。
【００３７】
一方、この絶縁性組成物を構成している前記第１および第２の無機充填材は、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、ダイアモンド・パウダー、酸化チタン、シリカ、セラミックおよびそれらの組み合わせから成る群から選択されるものである。
【００３８】
前記第１および第２の無機充填材としてシリカを選択した場合、このシリカは、球状の非晶質シリカ、半球状の非晶質シリカ、中空シリカ微粒子およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるものである。
【００３９】
また、本発明において採用される第１および第２のフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン系に帰属しており、前記組成物の約５０〜９０重量パーセントを構成しており、前記第１および第２の充填材は、前記組成物の約１０〜５０重量パーセントを構成しているものである。
【００４０】
この絶縁性組成物は、支持部材を更に含んでおり、前記絶縁性組成物とこの支持部材は結合されて、前記回路基板において使用することができる絶縁層を形成するものであるが、前記支持部材はガラス繊維布から成るものを代表とする。
【００４１】
この絶縁性組成物の前記第１の融解点は、摂氏約３００度〜摂氏約３５０度の範囲内にあり、前記第２の融解点は、摂氏約２００度〜摂氏約２８０度の範囲内にあり、前記第１の熱伝導率は、約６００Ｗ／ｍＫ〜約２０００Ｗ／ｍＫの範囲内にあり、前記第２の熱伝導率は、約５Ｗ／ｍＫ〜約４００Ｗ／ｍＫの範囲内にある。
【００４２】
そして、本発明に係る絶縁性組成物は、その前記第１のフルオロポリマーの前記第１の融点および前記第２のフルオロポリマーの前記第２の融点より低い融解点を有する第３のフルオロポリマーを更に含むことがある。
を特徴とする請求項１に記載の。
【００４３】
そして、本発明に係る回路基板は、第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーならびに第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材を含む絶縁性組成物を有する少なくとも一つの絶縁層と、前記少なくとも一つの絶縁層上に配置された少なくとも一つの導電層と、を備えるものである。
ことを特徴とする回路基板。
【００４４】
この回路基板では、前記少なくとも一つの導電層が、銅または銅合金から成るものであり、前記第１および第２の無機充填材は、約１０ミクロン以下の大きさを有する粒子を含むものである。そして、この粒子は、球状の形状であり、前記第１および第２の無機充填材は、アルミナ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、ダイアモンド・パウダー、酸化チタン、シリカ、セラミックおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される。
【００４５】
この回路基板を構成している前記第１および第２の無機充填材としてシリカを採用した場合には、このシリカは、球状の非晶質シリカ、半球状の非晶質シリカ、中空シリカ微粒子およびそれらの組み合わせから成る群から選択される。
ことを特徴とする請求項１６に記載の回路基板。
【００４６】
また、前記第１および第２のフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン系に帰属しており、前記組成物の約５０〜９０重量パーセントを構成しており、前記第１および第２の充填材は、前記組成物の約１０〜５０重量パーセントを構成している。
【００４７】
また、本発明に係る回路基板は、支持部材を更に含んでおり、前記絶縁性組成物とこの支持部材は結合されて、当該回路基板において使用することができる絶縁層を形成するものである。この支持部材は、ガラス繊維布から成ることもある。
【００４８】
本発明に係る回路基板における前記第１の融解点は、摂氏約３００度〜摂氏約３５０度の範囲内にあり、前記第２の融解点は、摂氏約２００度〜摂氏約２８０度の範囲内にある。また、前記第１の熱伝導率は、約６００Ｗ／ｍＫ〜約２０００Ｗ／ｍＫの範囲内にあり、前記第２の熱伝導率は、約５Ｗ／ｍＫ〜約４００Ｗ／ｍＫの範囲内にある。
【００４９】
さらに、本発明の回路基板では、前記第１のフルオロポリマーの前記第１の融点および前記第２のフルオロポリマーの前記第２の融点より低い融解点を有する第３のフルオロポリマーを更に含むことがある。
【発明の効果】
【００５０】
以上、説明した通り、本発明は、
「回路基板において使用することができる絶縁性組成物であって、
第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび、前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーと、
第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および、前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材と、
を含むことを特徴とする絶縁性組成物」
にその構成の主たる特徴があり、これにより、回路基板の絶縁層の形成に利用することができ、かつ従来の製造方法を用いて好適に生成することができる絶縁性組成物を提供することができて、回路基板技術を高めることができるのである。
【００５１】
すなわち、本発明は、プリント回路基板、チップキャリア等の回路基板において使用することができる絶縁層を形成するための絶縁性組成物であって、この組成物は、少なくとも２つのフルオロポリマーおよび２つの無機充填材を含有するものであり、比較的厳しい環境（例えば多湿）においてや、高速信号伝達用の基板に好適に組み込まれるのに必要な多くの望ましい特性を有するものである。
【００５２】
また、本発明は、
「回路基板であって、
第１の融解点を有する第１のフルオロポリマーおよび前記第１の融解点より低い第２の融解点を有する第２のフルオロポリマーならびに第１の熱伝導率を有する第１の無機充填材および前記第１の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第２の無機充填材を含む絶縁性組成物を有する少なくとも一つの絶縁層と、
前記少なくとも一つの絶縁層上に配置された少なくとも一つの導電層と、
を備えることを特徴とする回路基板」
をも特徴とするものであり、比較的厳しい環境（例えば多湿）においてや、高速信号伝達用の基板に好適に組み込まれるのに必要な多くの望ましい特性を有する回路基板を提供することができるのである。
【００５３】
プリント回路基板、チップキャリア等の回路基板において使用することができる絶縁層を形成するための絶縁性組成物であって、この組成物は、少なくとも２つのフルオロポリマーおよび２つの無機充填材を含有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
本発明ならびに他の更なる目的、利点および機能の良好な理解のために、下記の記載および添付の請求の範囲を参照にする。
【００５５】
本明細書において使用される用語「回路基板」は、１以上の絶縁層および１以上の導電層を有する基板製品を意味する。本技術分野で知られる係る製品には、プリント回路基板（ａ／ｋ／ａプリント配線板）およびカード、ならびにチップキャリア（半導体チップといった１以上の電子部品を有する基板）が含まれる。
【００５６】
本明細書において記載される絶縁性組成物から作られる回路基板は、多くの電気製品（これらのうち、おそらく最も知られるものは「情報処理システム」と呼ばれる）において使用することができる。本明細書において使用されるこの用語は、ビジネス、科学、制御、または他の目的のための任意の形式の情報、知能、またはデータの、計算、分類、処理、送信、受信、検索、発信、切替、保存、表示、明示、測定、検出、記録、再生、処理、または利用を主に実行するように設計された、手段または手段の集合体を意味するものとする。例としては、パソコン、ならびにコンピュータサーバおよびメインフレームといった大型プロセッサがある。こうした製品は、当該産業においてよく知られており、プリント回路基板および他の基板の形態をその一部として含むことも知られており、それらのなかには、その動作要件によって複数の係る部品を含むものもある。
【００５７】
本明細書において記載されているように、本発明の組成物は、誘電率を減少し、誘電損率を減少し、硬化収縮率を減少し、熱膨張率（ＣＴＥ）を減少し、かつ良熱伝導性を示す回路基板の絶縁層を提供する。
【００５８】
本発明は、上記回路基板用になされた絶縁性組成物から成り、この絶縁性組成物は、２成分のフッ素化高分子基質および少なくとも２つの無機充填材材料（以下、充填材）から成ることを特徴とする。この基質は、２つのフルオロポリマーから成り、それぞれが異なる融解点を有しており、一方は、「高融解点」とされ、他方は、「低融解点」とされる。本明細書中で使用される「高融解点」という用語は、摂氏約３００℃〜約３５０℃の範囲にある融解点を意味し、「低融解点」という用語は、約２００℃〜２８０℃の範囲にある融解点を意味する。後に例が挙げられる。
【００５９】
更に注目すべき点としては、この無機充填材は、それぞれ異なる熱伝導率を有しており、一方は、「高熱伝導率」を有するとされ、他方は、「低熱伝導率」を有しているとされる。本明細書中で使用される「高」という用語は、約６００Ｗ／ｍＫ〜約２０００Ｗ／ｍＫの範囲にある熱伝導率を意味し、「低熱伝導率」という用語は、約５Ｗ／ｍＫ〜４００Ｗ／ｍＫの範囲にある熱伝導率を意味する。係る特性を備える係る材料の組合せによって、結果として生じる絶縁層が、確実に低誘電率（例えば、約２．８〜約３．６）かつ低熱膨張率（例えば、約１５ｐｐｍ／℃〜約７９ｐｐｍ／℃）および低熱放散率となる。下記の例から理解されるように、係る組成物は、回路基板用の絶縁材料として比較的加工しやすく、かつ利用しやすい。注目すべきことに、高融解点のフルオロポリマーと低融解点のフルオロポリマーの比率は、最終製品の融解点を比較的著しく変更する場合に調整することができて、階級性の融解点構成をなすことができ、一方、生産量を著しく改善する。更に、この組成物は、従来使用されるフルオロポリマー組成物の多くで知られるよりも比較的低い温度で焼結することができる。この充填材自体は、高密度の回路を要求される場合にレーザー穿孔を助ける良好な単一分散度を有する範囲である約１０ミクロン未満、好ましくは３〜５ミクロンの、比較的小さい粒子から成っている。更に、この組成物は、穿孔（機械的に、またはレーザーで）や、打ち抜きが容易にでき、必要な数の導電性スルーホールを形成することができる、これは、複数の絶縁層および導電層を有する、より大きな（より分厚い）多層構造を形成するために、基板を結合する場合に特に好ましい特徴である。係るスルーホールを「穿孔する」ためにレーザーを使用することが、係る孔を比較的高密度でかつ多数形成することができることを考慮すると、特に望まれる。これらの全ての特徴および本明細書から見出される他の特徴は、回路基板技術において非常に所望されているものである。
【００６０】
本明細書において記載される組成物は、単独の層（支持構造なしで）として、または係る支持構造を伴って組合わされた層に形成することができ、係る構造の最もよく知られたものは、従来、プリント回路基板産業において様々な樹脂と使用されるガラス繊維布である。後者の場合、この組成物は、単一物として形成された布支持体およびの層の上にコーティングされる。この組成物単体または支持構造体と組み合わされた組成物を用いて形成された層は、約０．５ミル（１インチの１０００分の１）〜約５ミルの範囲内の厚さを有することができる。
【００６１】
本発明の組成物は、少なくとも上記の２つの無機充填材を含んでおり、それぞれ、シリカ、アルミナ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、ダイアモンド・パウダー、酸化チタン、セラミックおよびそれらの組み合わせを含有し、各充填材は当然、他方と関連して規定される熱伝導率となるように選択される。一例において、これらの充填材は、球状の結晶体または非晶質シリカから成っており、最終組成物の約１０〜６０重量％を構成する。係るシリカの好適な例の１つは、東京都芝公園港区２−９−３に所在する株式会社龍森（ニューヨーク州、ニューヨークのタツモリＵ．Ｓ．Ａ．社が代理する）によって販売される、約５．２ミクロンの平均粒子径を有する「ＰＬＶ−６」である。別の例は、３．４ミクロンの平均粒子径を有する、龍森の「ＰＬＶ−４」シリカである。
【００６２】
シリカ充填材の別の供給元は、旭硝子エスアイテック株式会社（福岡県北九州市若松区北湊町１３番１号）である。２つのタイプの製品が使用され、３〜２０μｍの平均粒子径を有する吸油グレードの低いものと、４〜２０μｍ（ＮＰ−１００、ＮＰ−３０）の平均粒子径を有する非多孔質グレードのもの（ＮＰシリーズ）である。更に別の球状シリカの供給元は、シーマ電子株式会社（神奈川県横浜市中区花咲町二丁目８２番地）および、コセム  コーリア・セミコンダクター・マテリアル（ＫＯＳＥＭ，  Ｋｏｒｅａ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）  （韓国、１１６  Ｙａｎｇｊｉ−Ｒｉ，  Ｙｅｏｎｍｕ−Ｅｕｐ，  Ｎｏｎｓａｎ  Ｃｉｔｙ，  Ｃｈｕｎｇｎａｍ）である。
【００６３】
理解されるように、各充填材は、これらのシリカを２以上組み合わせ、２成分または３成分の組成物としてもよい。龍森のシリカは、球状の粒子構成である。本発明において使用可能な更に別の充填材は、アドマテック・ＡＢ（Ａｄｍａｔｅｃｈ  ＡＢ）（スウェーデン、Ｄａｔａｖaｇｅｎ  ２０，  ＳＥ−４３６  ３２  ＡＳＫＩＭ）によって販売される、製品シリーズ「ＡＥ」（アルミナ）および「ＳＥ」（シリカ）である。例としては、アドマテックの「ＳＥ２３００」（わずか０．４  〜０．６ミクロンの平均粒子径）、「ＳＥ５３００」（１．３〜２．０ミクロンの平均粒子径）、「ＳＥ６３００」（１．５〜２．５ミクロンの平均粒子径）、「ＳＥ４０５０」（１．５〜２．５ミクロンの平均粒子径）、「ＡＥ２１００」（０．７〜１．０ミクロンの平均粒子径）、および「｛ＡＥ９１００」（５．０〜７．０ミクロンの平均粒子径）が含まれる。本発明の一実施例において、熱伝導性の高い充填材に対する熱伝導性の低い充填材の比率が約９：１から約１：９の比率において両方の充填材を含むことが望ましい。例として、下記が含まれる。１）アエロジル２００（デグッサＡＧ（ドイツ国、Ｂｅｎｎｉｇｓｅｎｐｌａｔｚ  １，  Ｄ−４０４７４，  Ｄｕｓｓｅｌｄｏｒｆ）から入手できるヒュームドシリカ）であって、これは、１２ナノメートルの平均粒度もしくは１グラムあたり約１７５〜約２２５平方メートルの表面積ならびに９９．８％を超える含有量の二酸化ケイ素（シリカ）を有する。２）７μｍの平均粒子度を有するＳＤＴ−６０中空微粒子。３）沈殿シリカであるＱｕｓｏ  Ｇ１３５（これもデグッサから入手可能である）。これは、約９８％の二酸化ケイ素および１グラムにつき約１８０平方メートルの表面積ならびに２ミクロンの平均団粒サイズを有する。係る充填材のいくつか（例えば、Ｑｕｓｏ  Ｇ１３５充填材）は、沈降防止剤としても作用する。
【００６４】
上記の充填材がシリカである場合、球状非晶質シリカであることが好ましく、上記のように記載したパーセンテージにおいては、この充填材は絶縁層用の熱膨張係数（ＣＴＥ）の決定要因を与える。この充填材の球状の性質は、組成物の融解粘度を高めすぎてしまうことによって一般的な積層工程を妨げることなしに充填材の高容量装填を可能する。具体例の一つにおいて、この特定のシリカが約５０重量％使用される。このシリカは、球状もしくは半球状非晶粒子の形態または中空シリカ微粒子の形態、またはそれらの組合せであってもよい。シリカ充填材は、この組成物において重要な要素であり、なぜなら、布（支持材料）を使用しなくて済み、使用したとしてもその含有量が少なくて済み、かつその組成物用のＣＴＥ値を低く（かつより等方に）することができる。係る充填材の含有は、本発明の更に別の特徴であるスルーホール（特に銅または銅合金といった従来の冶金によりメッキされたもの）に更なる信頼性を与える、等方性ＣＴＥとなる。２つの異なるシリカを含有することによって、その一部として支持ガラス繊維を含む絶縁層のための電気的特性も改善し、なぜなら、高い誘電率（Ｅｒ）値を有するいくらかの布の排除によって、低誘電率の組成物が形成されるからである。本明細書に記載されるように一以上のシリカといった特定の充填材を付加することによって、絶縁層の脆性を通常は増加させてしまう。しかしながら、２つのフルオロポリマーの組合せによって、最終層の係る脆性が減少されて許容可能なレベルとなることが確実になる。充填材の上記例は、代表的なものであり、本発明を限定するものではない。両方の無機充填材の各粒子のミクロンサイズは、上記のように、好適には１０ミクロン以下であって、上記全ての例は、１０ミクロン未満である。
【００６５】
本発明に従って使用されるフルオロポリマーは、周知であって、市販のポリフルオロアルキレンがこれに含まれ、例えば、ポリテトラフルオロエチレンや、ポリテトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンのコポリマーや、ポリテトラフルオロエチレンとペルフルオロ２−２ジメチル１，３二酸化物のコポリマーや、ポリトリフルオロクロロエチレンや、テトラフルオロエチレンと例えばオレフィン（エチレン等）のコポリマーや、トリフルオロモノクロロエチレンと例えばオレフィン（エチレン等）のコポリマーや、ペルフルオロアルキル・ビニルエーテルのポリマーである。本発明によって使用されるいくつかの市販のフルオロポリマーは、ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレンのポリマー）、ＴＥＦＬＯＮ  ＦＥＰ（ペル・フッ化のエチレン―プロピレンコポリマー）、ＴＥＦＬＯＮ  ＰＦＡ（ポリテトラフルオロエチレンとペルフルオロ・アルコキシのコポリマー）、ＴＥＦＺＥＬ（ポリテトラフルオロエチレンとエチレンのコポリマー）、ＨＡＬＡＲ（クロロトリフルオロエチレンとエチレンのコポリマー）、ＫＥＬ−Ｆ（クロロトリフルオロエチレンのポリマー）、ＨＢＦ−４３０（クロロトリフルオロエチレンのポリマー）；およびＴＥＦＬＯＮ  ＡＦ（ポリテトラフルオロエチレンと少なくとも６５モル％のペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３二酸化物のコポリマー）として入手可能なものを含む。テフロン（登録商標）は、イー・アイ・デュポン・デ・ネマウアーズ・アンド・カンパニー（Ｅ．Ｉ．  ＤｕＰｏｎｔ  ｄｅＮｅｍｏｕｒｓ  ＆  Ｃｏｍｐａｎｙ）（デュポン社）の商標であって、Ｈａｌａｒは、ソルベイ・ソレキシス社（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ  Ｓ．ｐ．Ａ．）の商標である。
【００６６】
前述のように、本発明の組成物は、その一部として、少なくとも２つのフルオロポリマー（各々異なる融解点を有する）を含有する。本発明に用いられる上記記載のフルオロポリマーのより具体例は、商品名「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ  ３０」「３０４Ａテフロン（登録商標）ＰＴＦＥ」「３０５Ａテフロン（登録商標）ＰＴＦＥ」「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ  ３０Ｂ」「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２３」および「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ  Ｋ−２０」のとしてデュポン社によって販売されるものを含んでおり、これらの各々は約３２７℃の融点を有する。ＰＴＦＥはポリ・テトラ・フルオロエチレンを意味すると理解される。デュポン社は１００７マーケット・ストリート、ウィルミントン、デラウェア州、米国に所在する。「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ  ３０」は、水に懸濁されるポリテトラフルオロエチレン樹脂粒子（０．０５〜０．５ミクロン）を含む、負に荷電する疎液性のコロイドである。さらに、非イオンの湿潤剤および安定剤を含み、室温にて約２０センチポイズの粘度を有し、１０ｐＨである。それは、振動および温度変化に曝されるときに、非常に安定していると考えられる突出した誘電性特性を有することが知られている。本発明での使用に好適な他のデュポン社のフルオロポリマーは「Ｚｏｎｙｌ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３６６７Ｎ」であって、約３２５℃の融点を有する。Ｚｏｎｙｌもデュポン社の商標である。このフルオロ添加物も、「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ  ３０」材料としての類似する大きさの樹脂粒子を有する、負に荷電する疎液性のコロイドであって、同程度の粘度およびｐＨ価を有する。それは低分子量を有する。更に、本発明において有用であるデュポン社のフルオロポリマーは、約３０５℃の融点を有する「テフロン（登録商標）ＰＦＡ  ３３５」および２６０℃の融点を有する「１２１Ａテフロン（登録商標）ＦＥＰ」を含む。本発明において使用することができる別のフルオロポリマーは、上述したソルベイ・ソレキシス社（イタリア国、Ｖｉａｌｅ  Ｌｏｍｂａｒｄｉａ  ２０，  １−２００２１  Ｂｏｌｌａｔｅ  （ＭＩ）に所在する）によって販売される、商品名「Ｈａｌａｒ  ＥＣＴＦＥ」である。この製品は、エチレンとクロロトリフルオロエチレンのコポリマーであって、約２４０℃の融点を有する。それは、高純度を有する、部分的にフッ化した半結晶性重合体である。好適なフルオロポリマーの更に別の例として、「フルオンＬＭ−ＥＴＦＥ」という商品名で販売される製品が認められる。このフルオロポリマーは、エチレンおよびポリテトラフルオロエチレンの溶融加工可能なコポリマーであって、約２２５〜２６０℃の融解点を有する。フルオンは東京都千代田区有楽町一丁目１２番１号に所在の旭硝子株式会社（ＡＣＧ）の商標である。本発明の一実施例において、より高い（「高い」）融解点フルオロポリマーとより低い（「低い」）融解点フルオロポリマーとの比率は、約９：１対約１：９の範囲にある。両方のフルオロポリマーは、組成物の約５０重量％対約９０重量％から成る。
【００６７】
更に必要に応じて、充填材は、より親水性を与えるために、充填材の約０．２〜約２．０重量％（一般的に約１％）のシランでコーティングすることができる。一般的なシランには、ｐ−クロロメチル・フェニル・トリメトキシ・シラン、アミノエチル・アミノ・トリメトキシ・シラン、アミノエチル・アミノ・プロピル・トリメトキシ・シランが含まれる。
【００６８】
本発明の組成物は更に、カップリング剤を含むことが好ましく、好適なものはシランであって、組成物のわずか約０．５０重量パーセントを構成する。好適なシランはユナイテッドケミカル・テクノロジー社（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，  Ｉｎｃ．）（米国、２７３１  Ｂａｒｔｒａｍ  Ｒｏａｄ，  Ｂｒｉｓｔｏｌ，  ＰＡ  １９００７−６８９３に所在）によって販売されるトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオクチル−１−トリエトキシシランという名称のフルオロ・シランである。本発明において使用することができる更なるシランは、フェニル・トリメトキシ・シランおよびトリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロオクチル−１−トリクロロシランである。本発明で用いられるカップリング剤は、シリカ充填材および樹脂の化学結合を促進し、さらに回路基板で使用される絶縁材料および導電層との間に接着を改良して、更に複合材層に良好な耐アルカリ性を与えるように機能する。シランは、シリカ粒子を組成物中に取り込まれる前に直接処理するために用いる。
【００６９】
使用される二成分のフルオロポリマーシステムの量が複合充填材システムの量と同等またはそれ以上であることは本発明の成功にとって重要であって、好ましくは組成物は約５０〜約９０重量％を含んでおり、最も好ましくは約５０〜約７０重量％のフルオロポリマーであって、これに対応して、約１０〜約５０重量％の充填材、好ましくは約３０〜約５０重量％を含有する。これらの量は、乾燥状態の組成物中の充填材およびフッ化高分子材料の合計に基づく。
【００７０】
本発明の組成物が界面活性剤（例えば非イオン性活性剤および沈降防止剤）を含有することが推奨される。係る界面活性剤は、組成物全体の約０．１〜約１０重量％、好ましくは約０．５〜約６重量％の量において通常使用される。実際、市販のフッ化ポリマー製剤は、界面活性剤を含有する。組成物のｐＨが、加工を促進するために約８〜約１１、更に最も好ましくは約９〜１０となるべきことも推奨される。ｐＨは、適切な基剤（例えば水酸化アンモニウム）を添加することによって制御できる。
【００７１】
本発明の組成物は、高速撹拌（例えば約３０００〜約５０００回転数／分で約１０〜約１５分間での高速分散）でフッ化高分子材料の水分散液を混ぜることによって生成することができる。充填材分散が使用の直前に準備される場合、約１００回転数／分の相対的に低速で撹拌することができる。次に、充填材分散は、それから高速撹拌（例えば約３０００〜約５０００回転数／分で約１０〜約１５分間の高速分散）となるべきである。高速分散器は、シリカおよび石英の少なくともひとつから成る充填材を分散させて、粒子を非団粒状態にする。
【００７２】
この組成物は、それから適切な基材上にコーティングされる。これは、基材上にシングルシートとしてまたはウェブタイプの基材上の連続コーティングとしてなされ得る。このコーティングは、約０．２ミル以上の望ましい厚さ（通常は約０．５ミル、好ましくは約０．５〜約３ミル厚）でなされる。
【００７３】
基板上へ所望の組成物を所望の厚みにコーティングした後、このコーティングは、約２４０℃〜約３２０℃（好ましくは約３００℃〜約３２０℃）の温度にあるときに、界面活性剤を除去するために焼きあげられる。それから、この層は、約２６０℃〜約４００℃（好ましくは約２６０℃〜約３８０℃）の温度で融解される。界面活性剤の除去の前に、必要に応じて、約１１０℃で約２０〜約６０分間加熱することによって、組成物から水を除去することができる。界面活性剤の除去のための加熱は、約０．３０時間から約２時間（好ましくは約１．５時間）である。組成物の融解または焼きしまりが生じる加熱は、通常約３０〜約１２０分間であって、約１０００〜約３０００ＰＳＩ（好ましくは約１２００〜約１８００ＰＳＩといった圧力の下で一般になされる。
【００７４】
この時点で、コーティングが必要に応じてなされる基板は、例えばエッチングによって除去され、フッ化高分子材料および充填材の独立型フィルムを形成することができる。その過程において使用される典型的な基板は、銅／インバール／銅（ＣＩＣ）複合材を含む。  係る基板は、一般的に厚さ約０．７〜約４０ミルで好ましくは厚さ約０．７〜約３ミルである。銅または銅複合材が使用される場合に、係る基板は、典型的な銅エッチング剤（例えば塩化第二銅）のエッチングによってフッ化高分子複合材料から除去することができる。
【００７５】
使用可能な界面活性剤の好適なものには、非イオン界面活性剤が含まれる。好適な界面活性剤は、オクチル・フェノキシエタノールであって、ローム＆ハース社（米国、１００  Ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ  Ｍａｌｌ  Ｗｅｓｔ，  Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ，  ＰＡ）からトリトンＸ−１００という商品名で入手可能である。
【００７６】
本発明によって生成された組成物は、基板において所望のバイアを形成するために、穿孔または打ち抜きを行うことができる。レーザー穿孔は、コーティングをレーザーに向けて行われ、好ましくは、塩化キセノンといった希ガスハロゲン化物レーザーを用いて、約３〜約３０ジュール／ｃｍ２（３０８ナノメートルで）の間、一般的に約１０ジュール／ｃｍのフルエンス（流束量）で、３０８ナノメータのＵＶからＩＲ波長を伴う様々なレーザーを用いる。レーザー穿孔は、接触タイプまたは投影タイプのどちらかであってよい。所定の領域にバイアを形成するために、銅または銅／インバール／銅といったレーザー耐性コーティングは、基板上の孔が形成されていない領域になされる。
【００７７】
しかしながら、布が基材として用いられる場合、布に適用される組成物の量は、押圧された（例えば、積層された）絶縁層の所望の最終厚さによる。注目すべきことは、本明細書において開示するようなシリカ充填材を含むことで、より薄く軽いスタイルのガラス織布の使用を可能にする一方、所望の厚みを尚達成し、更に、回路基板のｘ−ｙ平面および垂直面の両方の寸法変化を維持又は改善する。シリカ充填材と、より薄く軽い織布の組合せにより、物質の有機／無機等質性を増加することによって絶縁層のレーザー穿孔も改善する（上述したスルーホールを提供するために）。積層物の絶縁抵抗信頼性も、導電物質と接触する繊維ガラスの減少により改善される。更に注目すべきことは、先に記載された他の有益な効果に加えて、シリカ充填材の存在により、銅めっきの付着を改善し、亀裂抵抗を改善し、更にめっきスルーホール信頼性を改善する。
【００７８】
ガラス織布は組成材料に浸漬され、乾燥され、焼結されて、次に、完成された回路基板の一部としての使用が望まれる他の層に積層されてもよい。本明細書において記載された、いくつかの非常に有益な特徴を備える回路基板が結果として形成される。添付の実施例の組成物を用いて得られる、鍵となる電気的、熱的、物理的、熱的膨張特性の１例は、下記の表１に示される。一般的に、本発明の教示を用いて製造された絶縁層は、約２．４５〜約３．６の範囲の誘電率と、１ＭＨｚで約０．０００８〜約０．００３の範囲の損失係数と、約４００℃〜約５００℃の範囲の分解温度を有し得る。
【表１】
2007266606.tif 000002
【００７９】
（実施例１）
約１１２グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２（０．０５〜０．５ミクロンのＰＴＦＥ樹脂粒子を６０％（総重量比）含有しており、従来の界面活性剤よりも約５０℃低い温度で燃焼（バーンオフ）する非イオン性湿潤剤が配合されている）と、約２２４グラムのテフロン（登録商標）ＰＦＡ  ３３５（水に懸濁された、０．０５〜０．５ミクロンのペルフルオロ・アルコキシ（ＰＦＡ）樹脂粒子を６０％（総重量比）含有する）とを含有する組成物は、約５．２ミクロンの平均粒度を有する２２０グラムのＯＬＶ−６シリカ（龍森から入手可）と、高速分散器で高撹拌の下で約１５〜２５分間約２０００〜約５０００ＲＰＭで混合され、約１〜約２時間の間、平衡化することができた。次に、この組成物は、コーティング分野における周知の技術を用いて、水分散液から銅基板の上に厚さ約２．６ミルの厚にコーティングされた。次に、このコーティングは、約１００℃〜約１１５度の温度で過熱され、水を除去され、続いて、約２４０℃〜約２６０℃で一時間加熱され、界面活性剤を除去され、焼結されてこれをベルトまたはこの場合スタンドアロンシートから剥がし、この組成物は、約１６００ＰＳＩ〜約２０００ＰＳＩの圧力の下で約３００℃〜３５０℃、約６５分間押圧された。基板の銅はこの場合、塩化第二銅のエッチングによって除去され、高品質のフリースタンディングフィルムを得る。溶解後の乾燥複合体は、約１４ｐｐｍ／℃〜約２８ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．６８の誘電率と、約２．１６ｇ／ｃｃの複合体密度を有する。
【００８０】
（実施例２）
約１３４．４グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ３０Ｂ（上記実施例１の粒度を有する粒子を６０％（総重量に対して）含有する）と、約２０１．６グラムのテフロン（登録商標）ＰＦＡ  ３３５（水に懸濁された、０．０５〜０．５ミクロンのペルフルオロ・アルコキシ（ＰＦＡ）樹脂粒子を６０％（総重量に対して）含有する）を包含する懸濁液は、約２．８ミクロンの平均粒度を有する１８７グラムの龍森ＰＬＶ―３シリカと、高速分散器において高撹拌の下で約１５〜２５分間約２０００〜約５０００ＲＰＭで混合され、約３０分〜約２時間の間、平衡化することができた。この組成物は、次に、水分散液から銅基板の上に厚さ約２．５ミルの厚みにコーティングされた。このコーティングは、次に約１００℃〜約１１５℃の温度で加熱されて水が除去され、続いて約２４０℃〜２６０℃で１時間加熱されて界面活性剤を揮発させ、焼結させ、そして次に約１６００ＰＳＩ〜２０００ＰＳＩの圧力の下で約６５分間、約３１０℃〜約３５０℃の温度で押圧された。得られたフィルムの厚みは、約１．６〜１．９ミルである。この銅は、塩化第二銅のエッチングによって除去されて乾燥され、約１６．２ｐｐｍ／℃〜約２８ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．４８の誘電率と、約２．１５ｇ／ｃｃの複合体密度を有するフィルムが得られる。
【００８１】
（実施例３）
約６３．８グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２３（０．０５〜０．５ミクロンのＰＴＦＥ樹脂粒子を６０％（総重量比）含有しており、従来の表面活性剤よりも約５０℃低い温度で燃焼する非イオン湿潤在を配合されている）と、０．１〜０．３ミクロンのフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）樹脂粒子からなる約２２５グラムのテフロン（登録商標）ＦＥＰ  １２１Ａ（５４％（総重量比）とを含有する二成分のフルオロポリマー懸濁液は、３．８ミクロンの平均粒度を有する１５４グラムの龍森ＰＬＶ−４シリカと混合された。この懸濁液は、次に銅基板上へ約２．２ミルの厚みでコーティングされた。このコーティングは、次に約１００℃〜約１１５℃の温度で加熱されて水が除去され、続いて約２４０℃〜２６０℃で１時間加熱されて界面活性剤を揮発させ、焼結させ、そして次に約１６００ＰＳＩ〜２０００ＰＳＩの圧力の下で約６５分間、約２６５℃〜約３５０℃の温度で押圧された。得られたフィルムの厚みは、約１．３〜１．６ミルである。この銅が塩化第二銅のエッチングによって除去されてフリースタンディングフィルムが得られる。溶解後のこの乾燥複合体は、約２２．５ｐｐｍ／℃〜約３０ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．４５の誘電率と、約２．１５ｇ／ｃｃの複合体密度を有する。
【００８２】
（実施例４）
約２９グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２３（０．０５〜０．５ミクロンのＰＴＦＥ樹脂粒子を６０％（総重量比）含有しており、従来の表面活性剤よりも約５０℃低い温度で燃焼する非イオン湿潤在を配合されている）と、約３４．８グラムのＴｅｆｌｏｎ  ＰＦＡ  ３３５（水に懸濁された、０．０５〜０．５ミクロンのペルフルオロ・アルコキシ（ＰＦＡ）樹脂粒子を６０％（総重量比）含有している）と、約２２５グラムのテフロン（登録商標）ＦＥＰ  １２１Ａ（水に懸濁された、０．１〜０．３ミクロンのフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）樹脂粒子を５４％（総重量比）含有している）とを含有する三成分のフルオロポリマー組成物は、ＡＯ−９００Ｈという商品名でアドマテックス社（Ａｄｍａｔｅｃｈｓ  Ｖｏ．  Ｌｔｄ．）から入手可能な２〜８ミクロンの平均粒度を有する１６４グラムの球状のアルミナと、高速分散器で、約２０００〜５０００ＲＰＭで約１５〜２５分間混合され、約２時間平衡化された。この懸濁液は、次に銅基板上へ約２．２ミルの厚みでコーティングされた。このコーティングは、次に約１００℃〜約１１５℃の温度で加熱されて水が除去され、続いて約２４０℃〜２６０℃で１時間加熱されて界面活性剤を揮発させ、焼結させ、そして次に約１６００ＰＳＩ〜２０００ＰＳＩの圧力の下で約６５分間、約２６５℃〜約３５０℃の温度で押圧された。得られたフィルムの厚みは、約１．３〜１．６ミルである。溶解後のこの乾燥複合体は、約４２ｐｐｍ／℃〜約５３ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．９７の誘電率と、約２．５４ｇ／ｃｃの複合体密度を有する。
【００８３】
注目すべきことは、実施例４は第３のフルオロポリマーをこの組成物に追加することが含まれており、これは、本発明が２つのフルオロポリマーのみを使用することに限定されないことを意味する。更に注目すべきことは、これらのフルオロポリマーは、それぞれ異なる融解点を有する。例えば、実施例４のフルオロポリマーは、約３２７℃〜約３３５℃（ＰＴＦＥ）、約３０５℃（ＰＦＡ）および約２６０℃（ＦＥＰ）の融点を有する。係る３つのフルオロポリマー組成物の更なる実施例は、以下の実施例５および７において記載される。
【００８４】
（実施例５）
約４８グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２３（０．０５〜０．５ミクロンのＰＴＦＥ樹脂粒子を６０％（総重量比）含有しており、従来の表面活性剤よりも約５０℃低い温度で燃焼する非イオン湿潤在を配合されている）と、約５２グラムのＴｅｆｌｏｎ  ＰＦＡ  ３３５（水に懸濁された、０．０５〜０．５ミクロンのペルフルオロ・アルコキシ（ＰＦＡ）樹脂粒子を６０％（総重量比）含有している）と、約１９６グラムのテフロン（登録商標）ＦＥＰ  １２１Ａ（水に懸濁された、０．１〜０．３ミクロンのフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）樹脂粒子を５４％（総重量比）含有している）とを含有する三成分のフルオロポリマー組成物が、実施例４の条件に基き、ＳＰ−４Ｂという名称で扶桑化学工業株式会社から入手可能な４ミクロンの平均粒度を有する１４７グラムの球状のシリカと混合された。この組成物は、実施例４と同様の条件で処理され、約１．３〜１．６ミルの厚みを有する乾燥フィルムを形成する。この乾燥フィルムは、約２６ｐｐｍ／℃〜約３３ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．４４の誘電率と、約２．１４ｇ／ｃｃの複合体密度を有する。
【００８５】
（実施例６）
約５６グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２３（０．０５〜０．５ミクロンのＰＴＦＥ樹脂粒子を６０％（総重量比）含有しており、従来の表面活性剤よりも約５０℃低い温度で燃焼する非イオン湿潤在を配合されている）と、約６４グラムのテフロン（登録商標）ＦＥＰ  １２１Ａ（水に懸濁された、０．１〜０．３ミクロンのフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）樹脂粒子を５４％（総重量比）含有している）とを含有する二成分のフルオロポリマー組成物は、ＰＬＶ−４という名称で龍森から入手可能な３．８ミクロンの平均粒度を有する１５４グラムの球状のシリカおよびＡＯ−５０９という商品名でアドマテックス社（Ａｄｍａｔｅｃｈｓ  Ｖｏ．  Ｌｔｄ．）から入手可能な４６グラムの球状のアルミナと、高速分散器で、約１５００〜５０００ＲＰＭで約１５〜２５分間混合され、１〜約２時間平衡化された。この組成物は、次に水分散液から銅基板上へ約２．２ミルの厚みでコーティングされた。このコーティングは、次に約１００℃〜約１１５℃の温度で加熱されて水が除去され、続いて約２４０℃〜２６０℃で１時間加熱されて界面活性剤を揮発させ、焼結させ、そして次に約１６００ＰＳＩ〜２０００ＰＳＩの圧力の下で約６５分間、約２６５℃〜約３５０℃の温度で押圧された。この銅がエッチングによって除去された後に得られたフィルムの厚みは、約１．３〜１．６ミルである。溶解後のこの乾燥複合体は、約５２ｐｐｍ／℃〜約７０ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．５４の誘電率と、約２．３０ｇ／ｃｃの複合体密度を有する。
【００８６】
（実施例７）
約３５グラムのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）水分散液ＴＥＦＬＯＮ  ＰＴＦＥ  ＴＥ−３８２３（０．０５〜０．５ミクロンのＰＴＦＥ樹脂粒子を６０％（総重量比）含有しており、従来の表面活性剤よりも約５０℃低い温度で燃焼する非イオン湿潤在を配合されている）と、約４６グラムのＴｅｆｌｏｎ  ＰＦＡ  ３３５（水に懸濁された、０．０５〜０．５ミクロンのペルフルオロ・アルコキシ（ＰＦＡ）樹脂粒子を６０％（総重量比）含有している）と、約７６グラムのテフロン（登録商標）ＦＥＰ  １２１Ａ（水に懸濁された、０．１〜０．３ミクロンのフッ化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）樹脂粒子を５４％（総重量比）含有している）とを含有する組成物は、実施例６の条件に基づき、ＰＬＶ−３という名称で龍森から入手可能な３．８ミクロンの平均粒度を有する５８．５グラムの球状のシリカおよびＡＯ−９００という名称でアドマテックスから入手可能な２９．８グラムの球状のアルミナと混合された。この組成物は、次に銅といった支持基板上にコーティングされ、実施例６で用いられた条件に基づき処理された。得られたフィルムの厚みは、約１．３〜１．６ミルである。銅が塩化第二銅でのエッチングによって除去された後、この乾燥複合フィルムは、約３６ｐｐｍ／℃〜約５４ｐｐｍ／℃の範囲の熱膨張係数（ＣＴＥ）と、約２．２３ｇ／ｃｃの複合体密度を有する。
【００８７】
更に本明細書における説明によって理解されるように、本発明おいて形成された回路基板の特定の用途は、チップキャリアもしくはプリント回路基板または本発明の譲受人によって製造販売されるような他の電子部品実装（エレクトロニックパッケージング）製品の一部としてである。特定の例の一つは、Ｈｙｐｅｒ−ＢＧＡチップキャリア（Ｈｙｐｅｒ−ＢＧＡはエンディコット・インターコネクト・テクノロジーズ社の登録商標である）という商品名で販売されるチップキャリアである。
【００８８】
本発明は、当然、チップキャリアまたは高水準プリント回路基板に限定されない。係る回路基板（「コア」とも呼ばれ、その例としては、コアが一以上の電源層を備え、よって主にこの機能を果たす場合、「電源コア」と呼ばれる）は、最終製品に望まれる任意の要件によって、係るキャリアまたはプリント回路基板に組み込まれる。下記に規定されるように、「コア」は容易に他の層（導電層または絶縁層を含む）に「積み重ね（ｓｔａｃｋ  ｕｐ）」られ、互いに接合されて（好ましくは従来のプリント回路基板積層技術を用いる）、多層キャリアまたは多層プリント回路基板を形成することができる。
【００８９】
この様に形成された積層板は、次に、その外側導電層上に回路パターンを形成する従来の写真平板（フォトリソグラフィー）処理を含む、更なる処理がなされる。以下に記載されるように、係る外部のパターンは、導電性パッドを含んでいてもよく、この導電性パッド上には、所望であればこの構造体を他の要素（例えば半導体チップ、プリント回路基板およびチップキャリア）に接続するために、はんだボールといった導電体が配置され得る。従って、本発明のユニークな教示は、様々な電子部品実装製品に適応できる。
【００９０】
本発明の好ましい実施例であると現時点で考えられるものが図と共に記載されてきたが、さまざまな変更及び改造が添付の請求の範囲に記載の本発明の範囲内から逸脱することなくその範囲内においてなされることができることは当業者にとって明らかであろう。