(57)【要約】【課題】浸漬液と、フォトレジストや上面コートやそれらの成分のような基板中の材料との間の相互作用を調べるための方法および測定ツールに関する。【解決手段】この方法は、基板（２１２）の一部分と、浸漬液（２０２）との間の空間的に制御された接触を提供する工程を含む。後者は、例えば、リソグラフィ処理システムで行われる。空間的に制御された接触の可能な方法は、少なくとも第１材料を含む基板の領域上で、浸漬液を走査することである。接触が行われた後、分析結果が、浸漬液（２０２）又は基板（２１２）中の第１材料（２１０）の、少なくとも１つについて得られる。後者により、浸漬液（２０２）と基板（２１２）中の少なくとも１つの第１材料（２１０）との間の相互作用を表す相互作用パラメータを決定できる。この結果は、動的な浸出挙動を調べ、対応する浸漬リソグラフィ処理を最適化するために使用される。【選択図】図２
2007134710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光処理に適した、浸漬液（２０２）と、基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用を調べる方法（１００）であって、該方法は、
浸漬フードと基板との間の相対的な移動を用いて、基板（２１２）と基板上の浸漬液（２０２）との間の接触領域を相対的に移動させることにより、空間的に制御された接触を提供する工程（１０２）と、
その後に、少なくとも１つの上記浸漬液（２０２）又は上記基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）の、少なくとも１つの分析結果を得る工程（１０４）と、
上記分析結果から、上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）中の上記少なくとも第１材料（２１０）との間の上記相互作用を表す相互作用パラメータを決定する工程（１０６）とを含み、
該方法が、浸漬液（２０２）と基板（２１２）との間の空間的に制御された接触を与える前に、浸漬フードに、所定の体積の浸漬液（２０２）を供給する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法（１００）であって、
上記第１材料（２１０）が第１成分を含み、
上記相互作用パラメータを決定する工程が、上記浸漬液（２０２）中の、上記少なくとも第１材料（２１０）の、少なくとも１つの第１成分から、浸責を表す相互作用パラメータを決定する工程を含む方法。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の方法（１００）であって、
上記少なくとも第１材料（２１０）が、フォトレジストまたは反射防止コーティングのいずれかである方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法（１００）であって、
上記接触領域の物理的寸法が、上記提供工程中において、実質的に一定である方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の方法（１００）であって、
上記接触領域を相対的に移動させる工程が、上記基板（２１２）に平行に、上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）の第１領域（２０８）との間の相対的な移動を提供することにより、接触経路を提供する工程を含む方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法（１００）であって、該方法が、
空間的に制御された接触を与える前に、浸漬リソグラフィ処理システムに上記基板（２１２）を供給する工程を含む方法。
【請求項７】
請求項５〜６のいずれかに記載の方法であって、上記基板（２１２）が更に少なくとも第２領域（４０２）を含み、上記少なくとも第２領域（４０２）には上記第１成分を含む材料が存在せず、接触経路を提供する工程が、
上記少なくとも第２領域で、上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）との間の接触経路を開始する工程と、
上記浸漬液（２０２）を上記第１領域（２０８）に接触させる工程と、
その後に、上記少なくとも第２領域で、上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）との間の上記接触経路を終了する工程とを含む方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれかに記載の方法であって、
上記浸漬液（２０２）と、基板の上記第１領域（２０８）の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用パラメータが、相対的な移動速度又は接触経路長さのいずれかを選択することにより選択可能である方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法であって、
上記浸漬液（２０２）、または上記基板の上記少なくとも第１材料（２１０）の少なくとも１つの分析結果を得る工程が、
質量分析、走査電気化学顕微鏡、または液体シンチレーション計測のいずれかを使用する工程を含む方法。
【請求項１０】
基板（２１２）のリソグラフィ処理をセットアップする方法であって、該方法が、浸漬液（２０２）と、基板（２１２）と、請求項１〜９のいずれかの方法により得られた、上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）の少なくとも第１材料（２１０）との間の動的相互作用結果に基づくリソグラフィ処理システムのシステムパラメータまたはリソグラフィック処理のプロセスパラメータ、のいずれかを選択する工程を含む方法。
【請求項１１】
リソグラフィ処理に適した、浸漬液（２０２）と、基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用を調べる測定ツールであって、該測定ツールは、基板（２１２）と、該基板（２１２）上の浸漬液との間の接触領域とを、相対的に移動させて、空間的に制御された接触を与える手段を含み、
更に、該測定ツールは、浸漬液（２０２）と基板（２１２）との間の空間的に制御された接触に先立って、所定の体積の浸漬液（２０２）を浸漬フードに供給する手段を含むことを特徴とする測定ツール。
【請求項１２】
請求項１〜１０にかかるリソグラフィ処理に適した、浸漬液（２０２）と、基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用を調べる測定キットであって、
リソグラフィ処理に適した、少なくとも上記第１材料（２１０）を含む第１領域（２０８）であって、該第１材料（２１０）が第１成分を含む第１領域（２０８）と、
上記第１成分を含む材料の無い第２領域（４０２）とを有する基板（２１２）を含む測定キット。
【請求項１３】
浸漬液（２０２）と、基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用パラメータを求める計算手段であって、該計算手段は、
上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）の一部分との間の空間的に制御された接触工程についての情報を得るために取り付けられる手段と、
基板（２１２）中の浸漬液（２０２）の成分、又は浸漬液（２０２）中の基板（２１２）の成分の定性的な分析のための情報を得るために取り付けられる手段と、
浸漬液（２０２）と基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用を表す相互作用パラメータ値を、上記得られた情報から導き出すために取り付けられる手段とを含み、
情報を得るために取り付けられる手段が、空間的に制御された接触に先立って浸漬フードに供給される所定の体積の浸漬液（２０２）のために、浸漬液（２０２）と基板（２１２）の一部分との間の空間的に制御された接触工程のための情報を得るために取り付けられることを特徴とする計算手段。
【請求項１４】
浸漬液（２０２）と、基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用の相互作用パラメータを求めるコンピュータプログラム製品であって、該コンピュータプログラム製品は、
浸漬液（２０２）と基板（２１２）の一部分との間の空間的に制御された接触工程についての情報を得る工程と、
基板（２１２）中の浸漬液（２０２）の成分、又は浸漬液（２０２）中の基板（２１２）の成分の定性的な分析のための情報を得る工程と、
浸漬液（２０２）と基板（２１２）中の少なくとも第１材料（２１０）との間の相互作用を表す相互作用パラメータ値を、上記得られた情報から導き出す工程とを含み、
上記情報を得る工程は、上記空間的に制御された接触に先立って浸漬フードに供給される所定の体積の浸漬液（２０２）のために、上記浸漬液（２０２）と上記基板（２１２）の一部分との間の空間的に制御された接触工程のための情報を得る工程を含むことを特徴とするコンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
請求項１４にかかるコンピュータプログラム製品を記憶するための機械で読めるデータの記憶装置。
【請求項１６】
請求項１４にかかるコンピュータプログラムの、ローカルまたは広域通信ネットワーク用の伝達。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体処理のような基板の液浸リソグラフィ処理に関する。特に、本発明は、基板の液浸リソグラフィ処理中の浸漬液と基板との間の相互作用に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の集積回路の製造において、光リソグラフィは、キーテクノロジの１つである。集積回路や他のデバイスの進行中の小型化、およびそれに伴う問題に対処するために、液浸リソグラフィ処理のような高い開口数の溶液が、しばしば適用される。
【０００３】
ドライリソグラフィから液浸リソグラフィへの変更は、リソグラフィシステムの最終光学用レンズと基板の、双方と接触する浸漬液の使用により、浸漬液中の変化、基板中の変化、および液浸リソグラフィシステム、即ち、浸漬フード中での最終レンズの汚染を起こすかもしれない。例えば、レジストや上面コートのような基板の変化は、一般には、基板の外に浸漬液の成分が侵入しレジスト成分に浸出により引き起こされ、異なった現像処理が起きることとなる。浸漬液の変化は、一般には、例えば、レジストやレジスト上の上面コート層の成分のような、基板の成分が、浸漬液中で分解することにより発生し、異なった浸漬液の光特性を招く。基板の成分の分解は、浸出とも言われ、最終レンズ要素の汚染を招く。レンズの汚染は、レンズの寿命に否定的な影響を与え、典型的な照射条件において汚染されたレンズ材料の退化速度や、浸漬フード中での浸漬液の回復速度や活力の機能である。一般に、レンズの寿命を劣化させる成分は、レジスト層中に存在する光酸発生剤（ＰＡＧ）と消光剤である。それゆえに、液浸リソグラフィシステム製造者は、一般に、それらのシステムで使用される材料に必要な、特別の浸出を提供する。
【０００４】
浸漬液と基板との間の相互作用を研究するためのいくつかの方法や装置がすでに開発されている。
【０００５】
ＳＰＩＥ  ５７５３（ＳＰＩＥ、ベリングハム、ワシントン州、２００５年）の予稿集の、"Advances in Resist Technology and Processing XXII"において、Conleyらは、水中でのレジスト材料からの光酸発生剤の浸出についての研究を報告している。レジストで覆われたウエハが、２インチのペトリ皿に配置され、３０秒から３０分の範囲の接触時間水と接触する。光酸発生剤の浸出は、水との接触の初期においてのみ発生する。
【０００６】
J. Photopolym. Sci. Technol. 17 (2004)の591-594ページに、Dammelらは、水中での、レジストからの成分の浸出を研究する方法を記載している。浸出は、浸漬チャンバ中で研究され、このチャンバは、水を満たす部屋と、水全体の周囲の１ｍｍの厚さの浸漬液の層と、浸漬液の入口と出口を備える。浸漬チャンバ中に水が配置された後、浸漬液が、浸漬液の入口を介して導入され、基板と接触する。この液体は、その後除去され分析され、レジスト成分の浸出挙動の情報を提供する。一般的に、浸漬チャンバ中への液体充填時間や液体除去時間はそれぞれ約３秒であり、最小相互作用時間は少なくとも約６秒である。
【０００７】
ＥＰ−Ａ−１  ５１９  ２３１には、基板の液浸リソグラフィ処理方法が記載されている。この方法は、フォトレジストの分解を修正するための液浸リソグラフィ処理中に、露光ドーズを制御する工程を含む。フォトレジストの分解量は、閉ループシステムを用いて同定される。ここにおいて、浸漬液成分やＰＨ値の分析は、浸漬液中でのフォトレジストの分解量や、浸漬液のフォトレジスト中への拡散量の情報を選るために行われる。
【特許文献１】ＥＰ−Ａ−１  ５１９  ２３１
【発明の開示】
【０００８】
例えばレジスト層のような基板と浸漬液との間の浸出の影響を更に調査するために、他の技術やシステムが必要とされる。
【０００９】
本発明の目的は、改良されたリソグラフィ処理と同様に、浸漬液と基板との間の相互作用を調査するための改良された方法と改良された測定ツールを提供することである。浸漬液と基板との間の相互作用の動的な挙動、即ち、時間の関数としての相互作用の挙動、を調査できることが、本発明の具体例の特徴である。また、浸漬液と基板との間の相互作用を調査が、高い制御性を有して行えることも、本発明の具体例の特徴である。更に、浸漬液と基板との間の相互作用を高精度で調査できることも、本発明の具体例の特徴である。
【００１０】
上記目的は、本発明にかかる方法および装置により達成される。
【００１１】
本発明は、露光処理に適した、浸漬液と材料との間の相互作用を表す相互作用パラメータを決定する方法、または浸漬液と基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用を調べる方法であって、該方法は、
基板と基板上の浸漬液フードとの間の接触領域の相対的な移動を用いて、空間的に制御された接触を提供する工程と、
その後に、浸漬液又は基板中の少なくとも第１材料の少なくとも１つの分析結果を得る工程と、
分析結果から、浸漬液と基板中の少なくとも１つの第１材料との間の相互作用を表す相互作用パラメータを決定する工程（１０６）とを含む。
【００１２】
リソグラフィ処理に適した、浸漬液と基板中の第１領域との間の短い相互作用時間中の相互作用が調べられることも、本発明の具体例の特徴である。短い相互作用時間としては、５秒より短い相互作用時間を意味し、好適には３秒より短く、より好適には２秒より短く、更に好適には１秒より短い時間である。後者は、例えば、基板上に水を注入して除去することに基づく方法やシステムで有益であり、約５秒の最も低い制御された時間解析となる。本発明の具体例は、浸漬液と第１材料との間の動的な相互作用の調査を可能とし、特に、例えば光酸発生剤が例えば５秒より短いような短時間で飽和し、浸漬液と第１材料との間の接触時間は、大量生産リソグラフィシステムにおいて、例えば１．５秒より短いような短時間となる。この結果は、それらが空間的に制御された接触になった後の、浸漬液又は基板中の少なくとも第１材料の測定から生じる。
【００１３】
この接触は、浸漬液と基板の一部分のみとの間の接触であっても良い。基板の一部分とは、基板の一側面または表面の一部分である。少なくとも第１材料は第１成分を含み、相互作用パラメータの決定工程は、浸漬液中の、少なくとも第１材料の少なくとも１つの第１成分から、浸責を表す相互作用パラメータを決定する工程を含む。この分析は、浸漬液中の第１成分の存在の分析であっても良い。リソグラフィ処理に適した材料から、浸漬液への浸出の動的な挙動が調べられることが、本発明の具体例の特徴である。
【００１４】
少なくとも第１材料は、フォトレジストまたは上面反射防止コーティングのいずれかであっても良い。少なくとも第１材料の第１成分は、フォトレジスト光酸発生剤またはその成分であっても良い。それは、消光剤またはその成分であっても良い。それは、更に、それは、残留キャスティング溶媒またはその成分またはその成分であっても良い。第１成分は、上面反射防止コート材料の成分であっても良い。
【００１５】
例えば、物理的表面領域のような接触領域の物理的寸法は、空間的に制御された接触を提供する間、実質的に一定であっても良い。
【００１６】
接触領域の相対的な移動を与える工程は、基板に平行に、浸漬液と基板の第１領域との間の相対的な移動を行う工程である。
【００１７】
この方法は、空間的に制御された接触を与える前に、浸漬フードを含む浸漬リソグラフィ処理システム中に基板を供給する工程と、浸漬液を浸漬フードに供給する工程とを含み、空間的に制御された接触を提供する工程が、浸漬フードと基板との間の相対的な移動を用いて行われる工程である。この方法は、分析結果を得る前に、例えばリソグラフィ処理システムから、浸漬液を集める工程を含むものであっても良い。相互作用、即ち空間的に制御された接触を与える工程は、基板のリソグラフィ処理中の相互作用と実質的の同じ条件で行われることが、本発明の所定の具体例の特徴である。相互作用が露光条件下で調査されることが、本発明の所定の具体例の特徴である。
【００１８】
この基板は、更に、少なくとも第２領域を含み、少なくとも第２領域には第１成分を含む材料が存在せず、接触経路を提供する工程が、
少なくとも第２領域に、浸漬液と基板との間の接触経路を開始する工程と、
浸漬液を第１領域に接触させる工程と、
その後に、少なくとも第２領域で、浸漬液と基板との間の接触経路を終了する工程とを含む工程であっても良い。
【００１９】
浸漬液と、基板の第１領域の少なくとも第１材料との間の相互作用時間は、相対的な移動速度又は接触経路長さのいずれかを選択することにより選択可能である。
【００２０】
浸漬液、または基板の少なくとも第１材料の少なくとも１つの分析結果を得る工程は、
質量分析、走査電気化学顕微鏡、または液体シンチレーション計測のいずれかを使用する工程を含むものあっても良い。
【００２１】
本発明は、また、基板のリソグラフィ処理をセットアップする方法に関し、該方法は、浸漬液と、基板と、上述の相互作用を調べる方法により得られた、浸漬液と基板の少なくとも第１材料との間の動的相互作用結果に基づくリソグラフィ処理システムのシステムパラメータまたはリソグラフィック処理のプロセスパラメータ、のいずれかを選択する工程を含む方法に関する。
【００２２】
本発明は、更に、露光処理に適した、浸漬液と、基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用を調べる測定ツールであって、該測定ツールは、基板と、基板上の浸漬液との間の接触領域の、相対的に移動させて、空間的に制御された接触を与える手段を含む測定ツールに関する。空間的に制御された接触を与える手段は、基板テーブルと、基板と接触する浸漬液を供給するために取り付けられたノズルとを含み、基板テーブル又はノズルが、Ｘ方向、Ｙ方向、またはＸＹ方向に移動することが好ましい。
【００２３】
本発明は、また、上述の調査方法に関するリソグラフィ処理に適した、浸漬液と、基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用を調べる測定キットに関し、リソグラフィ処理に適した少なくとも第１材料を含む第１領域であって、第１材料が第１成分を含む第１領域と、第１成分を含む材料の無い第２領域と、を有する基板を含む測定キットに関する。
【００２４】
本発明は、更に、浸漬液と、基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用パラメータを求める計算手段に関し、該計算手段は、
基板と、基板上の浸漬液との間の接触領域を相対的に移動させる工程を含む空間的に制御された接触工程についての情報を得るために取り付けられる手段と、
基板中の浸漬液の成分、又は浸漬液中の基板の成分の定性的な分析のための情報を得るために取り付けられる手段と、
浸漬液と基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用を表す相互作用パラメータ値を、得られた情報から導き出すために取り付けられる手段とを含む計算手段に関する。
【００２５】
本発明は、また、浸漬液と、基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用の相互作用パラメータを求めるコンピュータプログラム製品に関し、該コンピュータプログラム製品は、
基板と、基板上の浸漬液との間の接触領域を相対的に移動させる工程を含む空間的に制御された接触工程についての情報を得る工程と、
基板中の浸漬液の成分、又は浸漬液中の基板の成分の定性的な分析のための情報を得る工程と、
浸漬液と基板中の少なくとも第１材料との間の相互作用を表す相互作用パラメータ値を、得られた情報から導き出す工程とを含むコンピュータプログラム製品に関する。
【００２６】
本発明は、また、上述のコンピュータプログラム製品を記憶するための機械で読めるデータの記憶装置に関し、さらに、ローカルまたは広域通信ネットワーク上でのコンピュータプログラム製品の伝達に関する。
【００２７】
本発明の特別で好ましい形態は、添付した独立請求項および従属請求項に記載されている。従属請求項からの特徴は、独立請求項の特徴と組み合わされ、必要に応じて他の従属請求項の特徴と組み合わされ、明確には単に請求項の外には置かれない。浸出を調べる方法には、継続した改良、変化および評価があるが、本発明の概念は、従来の実施からの出発を含み、浸出を調べるためのより効果的で、安定した、そして信頼性のある方法を提供できる、実質的に新しく新規な改良を表すと信じる。本発明の示唆は、基板のリソグラフィ処理のための改良された方法とシステムのデザインを提供する。本発明の上記および他の性質、特徴、および長所は、本発明の原理を例として示す添付図面と共に、以下の詳細な記述から明らかになるであろう。この記述は、例としてのみの目的で与えられ、本発明を限定するものではない。以下で引用する参照図は、添付された図面を示す。
【定義】
【００２８】
以下の用語は、単に本発明の理解を助けるためにのみ用いられるこれらの定義は、当業者によって理解されるより狭い範囲を有するように用いられるべきではない。本願の具体例において、「基板」の用語は、基本的な保持材料だけでなく、処理される材料やリソグラフィ処理工程が適用される一般的な材料をも含む。例えば、底面の反射防止コート、および／またはレジスト層、および／または上面コートに限定されない。上面コートは、保護コートであっても良く、および／または上面反射防止コートでも良い。「基板」の用語は、更に、半導体処理で使用される他の材料のような、他の材料を含んでも良い。基本的な保持材料は、例えば、ドープされた又はアンドープのシリコン、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガラス、又は水晶基板である。
【具体例の説明】
【００２９】
本発明は、特別な具体例とともに、特定の図面を参照して記載されるが、本発明はそれらに限定される物ではなく、請求項によってのみ限定される。図面において、要素のいくつかの大きさは拡大され、説明のために縮尺では記載されていない。寸法および相対寸法は、本発明の実物の縮尺には対応していない。更に、説明や請求項中の、第１、第２、第３等の用語は、同類時の要素を識別するために使用され、連続する、年代順の順番を示すものではない。そのように使用される用語は、適当な状況下で交換可能であること、ここに記載される本発明の具体例は、ここで記載され図示されるのとは異なった順序で操作することができること、も理解すべきである。請求項で使用される「含む（comprising）」の用語は、そこに挙げられた手段に限定して解釈すべきではなく、他の要素や手段を排除しないことに留意すべきである。言及された特徴、数列、工程、又は成分の存在を、言及された通りとして特定して解釈すべきであり、１又はそれ以上の他の特徴、数列、工程、又は成分、またはそれらの組の存在や追加を排除しない。このように、「手段Ａおよび手段Ｂを含む装置」の表現の範囲は、成分ＡおよびＢの双方のみからなる装置に限定すべきでない。本発明に関しては、装置の関連する成分が、ＡおよびＢであることを意味する。
【００３０】
本発明は、本発明の多くの具体例の詳細な説明により説明される。本発明の他の具体例は、本発明の真の精神や技術的示唆から離れることなく、当業者の知識により実現できることは明らかである。本発明は、添付された請求項の用語によってのみ限定される。
【００３１】
第１の具体例では、本発明は、浸漬液と、リソグラフィ処理、特に、例えば、半導体キャリアやレジスト層のようなその上の層を用いた、半導体処理に適した基板に存在する材料との間の相互作用の研究のための方法に関する。そのような材料は、例えば、レジスト中や、上面反射防止コートのような上面コート中に存在する材料および／または成分であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明の具体例は、このように、基板の浸漬リソグラフィ処理中に接触する、浸漬液と材料との相互作用の研究である。本発明の第１の具体例にかかる方法で実施される一般的な工程は、図１に、相互作用の研究方法のフローダイアグラム１００として示される。相互作用の研究方法１００は、一般に、空間的に制御された基板と浸漬液との間の接触を提供する工程を含む。かかる工程は、基板と浸漬液との接触領域を、基板上で相対的に移動させることにより行われる。接触領域については、ある時刻における接触領域を意味する。特別に制御された接触は、浸漬液と基板の一部のみの接触である。後者は、工程１０２において行われる。これは、浸漬液と基板の領域との間の相対的な移動により行われる。この領域は、相互作用の研究が行われる材料を含み、即ち、レジストまたは上面コートが適用される領域を含む。基板の一部分のみが、探求が必要とされる材料を含んでも良い。限定領域のこの部分のみが露光される。後者は、動的相互作用測定として言及される。制御された接触は、接触界面における浸漬液の移動速度、接触した基板の領域の表面積、浸漬液の物理的寸法により定義される。
そのような移動は、例えば浸漬リソグラフィ走査システムを使用することにより行われる。これにより、浸漬フード又は基板の少なくとも一方が移動し、相対的な動きを行う。そうでなければ、より簡単なセットアップを用いても良い。そのようなより簡単なセットアップは、例えば、移動可能なステージ、基板と接触する浸漬液を提供し除去するための手段、および基板と浸漬液との間の接触領域を移動させる手段を含んでも構わない。使用可能なセットアップ２００の模式図を、図２に示す。例えば、浸漬リソグラフィシステムの浸漬フードのようなキャリア２０６の先端２０４に配置された浸漬液２０２、基板２１２の領域２０８、相互作用特性が研究される材料２１０を含む領域２０８、が互いに相対的に移動する。相対的な移動は、例えば矢印Ｂの方向で、例えば基板２１２の表面に平行な方向に提供される。領域の限定された部分のみが露光されることにより、キャリア２０６の大きさは、調査される領域２０８の寸法より小さくなる。制御された接触を提供する方法の他の例は、リング状のハウジングを用いることにより提供される。ここでは、浸漬液が基板上に提供され、リング状のハウジングが浸漬液で満たされ、基板の表面上をリング状ハウジングが移動し、リング状ハウジングから浸漬液が除去される。リング２５２と基板２１２は、例えば、図３のセットアップ２５０に、矢印Ｃで示される方向に、このように互いに相対的に移動する。工程１０２で空間的に制御された接触では、例えばその物理的な寸法のような接触領域が、使用者により制御され、または自動制御されることを意味する。更に、相互作用時間が、使用者により制御されたり、又は自動制御される。また、相互作用時間スパンの各時刻における相互作用界面は、使用者により制御され、または自動制御されても良い。接触は、浸漬液と基板の一部分、即ち、基板表面の片側の部分、の間で提供されても良い。基板の一部分のみは、基板全体を意味しなくても良い。基板の一部分は、また、基板の１つの主表面の全ての表面でもない。後者は、それゆえに、浸漬液で基板やその表面全体を覆うことを排除している。
【００３２】
特別に制御された接触を行った後、浸漬液、または相互関係が研究され、互いに接触する材料を含む基板上の領域の少なくとも一方の分析結果が得られる。浸漬液の一部分、又は領域の一部分を使用しても構わない。これは、工程１０４により表される。そのような分析は、定性分析であり、又はより好適には定量分析である。即ち、基板上の領域の、浸漬液またはその一部の１又はそれ以上の成分の存在または濃度、又は浸漬液またはその一部の中の、基板上の領域に存在する材料の１又はそれ以上の成分の存在または濃度である。そのような分析は、適当な分析技術とともに行うことができる。そのような分析技術は、１０億分の１より良い検出限界を有する検出に適しており、より好適には、１０億分の１の、数１０分の１、更には１０億分の１の、１０分の１より良い検出限界を有する検出に適している。また検出範囲は、少なくとも１０億分の数百より大きく、好適には少なくとも１０万分の１より大きい。分析技術の一般的な例は、質量分析、例えば大気圧エレクトロスプレイアイオニゼーション（ＡＰ−ＥＳＩ）を備えた液体クロマトグラフィ質量分析（ＬＣＭＳ）、リョフィリゼーション（lyofilization）、走査電気化学顕微鏡（ＳＥＣＭ）、および液体閃光計測（ＬＳＣ）であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。基板の化学組成の深さ分布は、フライトＳＩＭＳ（flight-SIMS）やフーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）のような分析技術と組み合わせた、例えばグラディエント・シェービング・プレパレーション（ＧＳＰ）法を用いることにより行われる。例えば、工程１０２の後に得られた基板を用いてリソグラフィ処理構造を評価することにより、分析は、また間接的に行うこともできる。後者の場合、露光および露光されたレジストの現像後に得られたレジストの構造が、研究される。レジストの現像速度を研究する他の間接的な技術は、レジスト現像分析器（ＲＤＡ）を使用する。後者は、露光の関数として、レジストの現像速度を調査することができる。これは、原理的に、異なった浸漬液の接触時間を有する領域について行われる。
【００３３】
得られた分析結果から、浸漬液と、例えば、工程１０６により示される、レジスト、上面コート、レジストの成分または上面コートの成分のような材料および／または基板の成分との間の相互作用を示す相互作用パラメータが決定される。相互作用パラメータは、例えば、表面接触領域の単位あたりの浸漬液中の特定組成の浸出した材料の量に関する値、表面接触領域の単位あたりの調査された材料中に拡散した浸漬液の量に関する値、所定の相互作用時間の、単位接触面積および単位相互作用時間に浸出または拡散した成分の量に関する値等であっても良い。それらの値を決定するために、工程１０２についての一般的な情報が使用される。例えば、接触経路又は接触部分の全表面積、走査時間や接触時間、相互作用の異なった時間または相互作用全体の、浸漬液と基板との間の相互作用界面における浸漬液の物理的な大きさ、および／または物理的な形状、提供される浸漬液の体積、浸漬フードと基板との距離等である。相互作用パラメータの決定は、標準的な方法論や標準的な手続きを用いて行われる。例えば、適当なアルゴリズムを備えた計算手段により行うことができる。
【００３４】
異なった相互作用時間に対してこれらの実験を繰り返すことにより、基板２１２の領域２０８における、浸漬液２０２と材料２１０の成分との間の相互作用の動的挙動、即ち、相互作用の時間に対する変化についての情報が得られる。拡散または浸出した成分が低濃度のため、実験の二次汚染を避けることが重要であることは留意すべきである。それゆえに、光中間洗浄工程が行われる。そのような洗浄工程は、調査される材料の無い基板で使用される浸漬フードや他の道具を用いて、浸漬液の量を追加する工程を含む。更に、容器の再利用の禁止、廃棄可能な先端部を備えた液体ディスペンサの使用等により、二次汚染を避けるための追加の努力が払われても良い。
【００３５】
本発明の第２の具体例では、本発明は、第１の具体例で記載した、浸漬液とリソグラフィ処理に適した基板上に存在する材料との間の相互作用を調査する方法に関するが、しかしながら、基板と浸漬液との間の接触領域を相対的に移動させることによる基板と浸漬液との間の空間的に制御された接触を提供する工程が、基板２１２と浸漬液２０２との間に、制御された空間的な接触経路を提供することにより行われる。制御された接触経路は、図２又は図３に示すセットアップを用いることにより得ることができる。基板２１２と浸漬液２０２との間に制御された空間的な経路を提供する好ましい方法は、図４ａから図４ｃに模式的に示される。図４ａから図４ｃに示される方法では、浸漬液との相互作用が調査される材料２１０を含む第１領域２０８の他に、浸漬液２０２との相互作用が調査される材料および／または成分の無い第２領域４０２を含む基板２１２が使用される。例えば、基板２１２は、第１領域２０８には、少なくともレジスト層または反射防止上面コートのような上面コートを有し、一方、第２領域４０２には、レジストまたは上面コートの無い、シリコン基板であってもよい。後者は、例えば、基板２１２の第１領域２１０のみに材料２１０を空間的に選択的に提供する方法により、又は第２領域４０２から後にそれらの材料２１０を除去する、例えば、広いエッジビード除去により得られる。制御された接触経路の提供が、第２領域４０２において浸漬液２０２を基板２１２に接触させる第１接触により続いて行われる。図４ａに上面図を模式的に示すように、第２領域４０２は、浸漬液２０２との相互作用が調査される成分を含まない。この接触中、相互作用が調査される材料の浸出や材料中への拡散は発生しない。後者は、浸漬液２０２と基板２１２との間の接触時間の制御により行われる。浸漬液２０２をいつ提供し、またはいつ除去するかは、難しいかも知れない。浸漬液２０２と、相互作用が調査される材料および／または成分２１０を含む基板２１２の第１領域２０８との間の相対的な移動が行われる。後者は、基板２１２に対して浸漬液２０２を移動させることにより、または浸漬液２０２を含む先端２０４に対して、例えば基板ステージ上で基板２１２を移動させることにより行われる。一般に、第１領域２０８の上の固定された接触経路４０４に対して、相対的な移動速度を変化させることにより、接触時間を変えることができる。もし、例えば移動速度として一定の速度が使用された場合、浸漬液２０２と、第１領域２０８の材料および／または成分２１０との間の、公知の接触時間が決定される。この接触中に、浸漬液２０２と、第１領域２０８の材料および／または成分２１０との間の相互作用が起きる。後者は、図４ｂに模式的に示され、矢印Ｂにより相対的な移動が示され、接触経路４０４が示されている。浸漬液２０２と基板２１２との間の相対的な移動は、基板２１２の第３領域４０６、即ち、調査される材料および／または成分の無い領域で終了する。第３領域４０６と第２領域４０２は、同じ領域でも良く、または分離されたおよび／または異なった領域でも良い。浸漬液２０２と、相互作用が調査される材料および／または成分２１０との間の相互作用は、ここではそれ以上発生しない。後者は、浸漬液２０２と基板２１２との間の接触時間を制御することにおいて優位である。このように、相互作用がそれに沿って発生する経路が制御され、即ち、浸漬液の除去時期の非制御性は、接触時間に影響しない。移動の最終時期は、図４ｃに模式的に示されている。このような方法は、浸漬リソグラフィスキャナや浸漬リソグラフィ干渉プリンタで、優位に行われる。これらでは、浸漬フードの移動により、他方に対して、基板と浸漬液の一方または双方の移動が可能である。浸漬液と調査される材料のとの間の全接触時間は、一般には、接触面積、走査速度、および移動する経路の長さの関数である。
【００３６】
第３の具体例では、本発明は、浸漬液と、上述の具体例で述べた基板との間の相互作用を調査する方法に関するものであるが、相互作用を示す相互作用パラメータを決定する工程において、浸漬液２０２と基板２１２との間の接触境界における浸漬液２０２の物理的形状が考慮される。浸漬液２０２と基板２１２との間の接触境界における浸漬液２０２の物理的形状は、一般には、正方形や矩形ではなく、小滴形状であり、例えば実質的に円または楕円形状である。上記具体例で述べたように、所定の移動方向、所定の移動速度である、動的相互作用測定を用いて制御された接触を提供する場合、異なった接触時間が、小滴の形状に依存した経路中の異なった位置で起きる。接触中の境界の形状は固定され、考慮される。後者は、例えば、親水性／疎水性が考慮されたモデルに基づいて行われる。浸漬液が水の場合は親水性／疎水性、基板２１２の挙動、例えば先端またはリング状ハウジングの形状のような接触領域に相対的な移動を与える手段の形状、先端２０４において与えられる浸漬液２０２の体積が考慮される。換言すれば、本具体例では、接触経路４０４中の異なった位置における接触時間のばらつきが、接触のための浸漬液２０２と基板２１２との間の平均接触時間を決定することにより考慮される。そのような平均接触時間は、基板上の接触経路４０４の接触面積に基づくのみならず、境界における瞬間の形状や異なった瞬間における形状に基づいて、決定される。これにより、相互作用パラメータがより正確に決定される。
【００３７】
動的相互作用測定において、後者は、浸漬液２０２と基板２１２との間の相対的な移動により得られる接触経路４０４として示される。図５は、浸漬時間、即ち、楕円形状の浸漬液２０２を、２４．７ｍｍ／秒の速度で斜めに走査した場合の浸漬液２０２と基板２１２との間の接触時間を示す。矢印Ｄで示される走査方向に垂直な方向に、接触時間が中央で最大になり、端部で最小になることが示されている。接触境界における浸漬液２０２の形状、接触経路４０４の長さを考慮して、平均浸漬時間０．８２秒が得られる。
【００３８】
第４の具体例では、本発明は、リソグラフィプロセスのセットアップ方法に関する。かかる方法は、適当なリソグラフィプロセスを得るために、システムパラメータの数と、処理パラメータの数を選択する工程を含む。少なくとも１つのシステムパラメータ、および／または少なくとも１つのプロセスパラメータが、相互作用を調査する上記方法のいずれかの方法を用いて決定された、浸漬液２０２と基板２１２との間の相互作用特性に基づいて選択される。少なくとも１つのシステムパラメータ、および／または少なくとも１つのプロセスパラメータは、例えば、露光条件、使用されるレジスト、レジストを覆う上面コートの存在および／または種類、使用される浸漬液の種類、使用されるリソグラフィ走査システムの走査速度等のいずれかを例として含む。本発明の具体例が、浸漬液と基板中の材料との間の相互作用の挙動の正確なモデリングを可能とするため、物理モデルのフィッティングパラメータが、いかなる基板と浸漬液との組み合わせに対しても計算できる。実際のチップを露光する場合、この情報は、浸漬液と基板中の材料との間の効果的な相互作用を計算するために、寸法制御の影響を決定するために、そして修正をするために、使用される。このように、この方法で得られた情報は、最適化されたリソグラフィプロセスを得ることを可能にする。
【００３９】
第５の具体例では、本発明は、浸漬液と、例えばレジストやレジストを覆う上面コートのような基板との間の相互作用を調査するために測定キットに関する。測定キットは、一般に、基板と基板上の浸漬液との間の接触領域を移動させることにより与えられる、基板またはその一部と、浸漬液との間の空間的に制御された接触により相互作用を調査する方法を行うために取り付けられるツールを含む。相互作用を調査するこの方法は、また、互いに接触する基板と浸漬液の少なくとも一方の分析結果を得る工程と、その相互作用パラメータを決定する工程とを含んでも良い。そのようなツールは、浸漬液との相互作用を研究したい少なくとも第１の材料と、そのような材料や成分の無い第２の領域とを有する基板であっても良い。
【００４０】
第６の具体例では、本発明は、浸漬液と、リソグラフィ処理に適した基板の少なくとも第１の材料との間の相互作用を調査するための測定ツールに関する。この測定ツールは、基板と基板上の浸漬液との間の接触領域を相対的に移動させることにより、空間的に制御された接触を提供する手段を含む。そのような測定ツールは、基板と接触した浸漬液を提供する手段と、基板から浸漬液を除去する手段とを含む。そのようなシステムは、基板ステージと、基板と接触する浸漬液を提供する手段とを含んでも良い。
基板と基板上の浸漬液との間の接触領域を相対的に移動させるために、基板ステージ又は浸漬液を提供する手段の一方が可動となる。例えば、少なくとも１つ、好適には２つの、走査ステージのセットアップが可動な状態で提供され、液体ヘッドを備える。更に、自動化されたまたは手動の、液体分配および回収システムが、提供されても良い。プログラム可能なクリーニングサイクルを提供する手段のような洗浄手段と、基板を操作するロボットとが備えても構わない。そのようなセットアップの模式的な描写が、図６に示される。かかるセットアップは、空間的に制御された接触を提供する手段６１０を含み、この手段６１０は、それ自身、基板ステージ６１５と、浸漬液を提供する手段６１７とを含み、これらの少なくとも一方は可動となっている。更に、浸漬液を分配し回収するための手段６２０を備える。選択的に、洗浄する手段６３０と、基板を操作する手段６４０とを備えても構わない。基板は、ツール自身の一部であっても構わない。更に、液体を供給するノズルを有する可動アーム、液体が基板と接触するように基板上を動くように取り付けられた可動アームを含むような、より複雑なシステムであっても構わない。
【００４１】
第７の具体例では、本発明は、浸漬液と、リソグラフィ処理に使用するのに適した基板との間の相互作用のための、相互作用パラメータを導く計算手段に関する。計算手段は、浸漬液と基板の一部との間の接触領域を相対的に移動させることにより、空間的な接触工程についての情報を得るために適用される手段と、基板中の浸漬液の成分、または浸漬液中の基板の成分の定性分析についての情報を得るために適用される手段とを含む。計算手段は、更に、空間的に制御された接触工程についての得られた情報と、定性分析から得られた情報から、浸漬液と基板との間の相互作用を表す相互作用パラメータの値を導き出すために適用される手段を含む。１つの例では、浸漬液と基板またはその一部との間の接触領域を、相対的に移動させることにより、空間的に制御された接触工程に関する情報は、基板上で浸漬液を移動させるのに用いる移動速度、および、例えば、接触界面の大きさや使用される浸漬液の体積のような、浸漬液との相互作用が調査される材料を含む領域についての大きさ情報を含む。定量分析についての情報を使用し、計算能力を用いて、後者は、浸出時間や拡散時間、および、浸漬液中の基板の成分の浸出量や基板中への浸漬液の成分の拡散量を得ることができる。例示的な処理システム５００が、図７に示される。図７は、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサ５０３を含む処理システム５００を示す。プロセッサ５０３は、例えばＲＡＭやＲＯＭのような少なくとも１つのメモリの形態を含むメモリシステム５０５と接続される。ストレージシステム５０７は、少なくとも１つのディスクドライブおよび／またはＣＤ−ＲＯＭドライブおよび／またはＤＶＤドライブを含んでも構わない。いくつかの器機では、ディスプレイシステム、キーボード、および位置指示装置が、ユーザーインターフェイスサブシステム５０９の一部として含まれ、ユーザに手動での情報入力を可能としている。データの入力および出力ポートが含まれても構わない。図７には示されていないが、ネットワーク接続、多くのデバイスとのインターフェイス等のような、更なる要素が含めれても構わない。処理システム５００の多くの要素は、図７に示すような、シングルバスとして単純化されたバスサブシステム５１３を含む様々な方法で接続される。少なくとも１つのバスのシステムを含むことは、当業者により理解されるであろう。メモリーサブシステム５０５のメモリは、ここで示された方法の具体例の工程を実行するための１セットの指示（いずれの場合も５１１として示される）の一部または全てを、保持しても構わない。このように、図７に示すような処理システム５００が従来技術であるとすれば、本発明にかかる形態を実施するための指示を含むシステムは、従来技術には含まれず、それゆえに図７は従来技術ではない。
【００４２】
少なくとも１つのプロセッサ５０３は、一般的な目的又は特別な目的のプロセッサであっても良く、また、例えばチップのようなデバイスに含まれ、他の機能を行う他の要素を有しても構わないことに留意すべきである。このように、本発明の１又はそれ以上の形態は、ディジタル電気回路中で実行され、又はコンピュータハードウエア、ファームウエア、ソフトウエア中で実行され、又はそれらの組み合わせ中で実行される。更に、本発明の形態は、プログラム可能なプロセッサにより実行するための機械が読めるコードを運ぶキャリア媒体中に具体的に格納されたコンピュータプログラム製品中で実施できる。本発明の形態の方法工程は、例えば、入力データ上で操作し出力データを形成するように、本発明のそれらの形態の機能を実施するための指示を実行するプログラム可能なプロセッサにより行われる。このように、本発明は、コンピュータデバイス上で実行された場合、本発明にかかるいずれかの方法の機能を提供するコンピュータプログラム製品を含む。更に、本発明は、機械が読める形態でコンピュータ製品を記憶し、コンピュータデバイス上で実行された場合に少なくとも１つの本発明の方法を実行する例えばＣＤ−ＲＯＭやディスケットのようなデータキャリアを含む。今日、そのようなソフトウエアは、インターネットや企業のイントラネット上で、ダウンロードできるように提供される。それゆえに、本発明は、ローカルまたは広範囲のネットワークにより本願発明にかかるコンピュータ製品を配信する工程も含む。
【００４３】
本願発明は、これらに限定されるものではないが、例として、レジストからの光酸発生剤（ＰＡＧ）の浸出の調査に、実験結果が提供された。試験された基板は、２００ｍｍのシリコンウエハであり、当業者に良く知られているように、ＴＥＬ  Ａｃｔ  ８による、プライミング、コーティング、ベーキング、リンスおよびエッジクリーニングプロセスにより準備された。住友化学から入手可能な、１５０ｎｍＰＡＲ８１７レジスト層のＰＡＧオニオンの浸出は、ＡＳＭＬウイルトンから入手可能な浸漬干渉プリンタ中で調査される。第２の具体例と図４ａから図４ｃにかかる方法が使用される。レジスト層が、シリコンウエハに、インライン配布を用いて提供される。大気圧エレクトロスプレイアイオニゼーションを有する質量分析により定量的な濃度分析が行われる。３．１０−１４ｍｏｌ／ｃｍ２に対応するＰＡＧアニオンの検出限界は、約０．２ｐｐｂである。
【００４４】
追加の予防措置は、コートされない基板上への３つの水の投与と修正を備えた洗浄工程を含み、正確な１０００μｌのフィンパイプの使用、パイプ用の廃棄可能な先端、廃棄可能な試料容器が、実験の二次汚染を避けるために使用される。５０ｍｍのエッジビード除去工程を用いて得られた、レジストで覆われた試料のベアなシリコン領域において、検出可能な新設は存在しない。これらの領域は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の下塗りで覆われて表面を疎水性にし、これは浸漬干渉プリンタに必要とされる。
【００４５】
第２の具体例で述べた走査方法を用いることにより０．８２秒と６．９秒との間の接触または相互作用時間が得られる。後者は、大量生産浸漬スキャナの、接触時間の適当な範囲内にある。最も短い接触時間は、浸漬干渉プリンタの水平及び垂直ステージの双方を使用する斜めの走査により得られる。後者は、最も早い速度を得ることができる。全接触時間は、一般には、接触面積、走査速度、および経路の長さの関数である。本試料の水である、体積２ｍｌの浸漬液が与えられ、これにより１ｍｌの浸漬液が分析用に探し出される。相互作用パラメータの分析および決定では、浸漬液が完全に混合していると仮定され、浸出した成分が発生し、更に、接触中の境界において浸漬液の形状が考慮されて平均相互作用時間が得られる。後者は、専用のソフトウエアを用いて得られる。
【００４６】
浸出に対する露光の影響の分析では、ＡＳＭＬ  ＰＡＳＳ５５００／１１００ドライ１９３ｎｍスキャナ上のオープンフレーム露光が、通常の浸出手続きに続いて用いられた。
【００４７】
露光されていないＰＡＲ−８１７レジストコーティング用のＰＡＧの動的浸出の結果が、図８に示される。単位表面接触面積あたりの浸出成分の量は、ｍｏｌ／ｃｍ２で表され、時間の関数として示される。実験結果は、四角を用いて表される。予想したように、単位表面接触面積あたりの浸出成分の量は、数秒以内である。単位表面接触面積あたりの浸出成分の量は、基板の標準リソグラフィ処理の間の一般的な相互作用時間である１秒と２秒の間の相互作用時間において、実質的にこの飽和限界とは異なる。この結果は、Ｒ．Ｒ．ＤａｍｍｅｌらのＳＰＩＥ予稿集Ｖｏｌ．７５７３（２００５）の９５−１０１頁に記載された２つのパラメータモデルと、良好な整合性を有する。２つのパラメータモデルは、以下の式（１）、（２）で表される。
【００４８】
Ａ−Ａ．ｅｘｐ（−Ｂｔ）      （１）
【００４９】
Ａ．Ｂ．ｅｘｐ（Ｂｔ）        （２）
【００５０】
これらは、時間ｔの浸出成分の総量と、浸出速度とをそれぞれ表す。ここにおいて、Ａ（ｍｏｌ／ｃｍ２）は飽和レベルを表し、Ｂ（Ｓ−１）は時定数を表す。Ｂが大きいほど、飽和レベルにより早く到達する。図８において、式（１）は、実験結果に一致し、曲線６０２で表される。曲線６０４は、対応する浸出速度を表す。フィットから得られるパラメータＡ、Ｂから、時間の如何なる点における浸出速度でも計算できる。ｔ＝０における浸出時間、即ちＡ×Ｂの値は、８．８×１０−１２ｍｏｌ／ｃｍ２・ｓの値である。そして第１秒の浸出量は、７．５×１０−１２ｍｏｌ／ｃｍ２である。得られた高い浸出レベルは、ＰＡＲ−８１７がドライリソグラフィで現像されるような、浸漬リソグラフィにとって意外な値ではない。ＰＡＲ−８１７中でのＰＡＧアニオンの浸出の更なる実験が、リソグラフィ処理の異なったパラメータの関数として調査された。実験は、住友化学から入手できるＰＡＲ−８１７レジストと、ＪＳＲ社から入手できるＴＣＸ−００７上面コートで覆ったＰＡＲ−８１７レジストに対して行われた。使用された溶媒の関数としての浸出量は、異なった実験に対して図９に示される。図８は、他のリソグラフィ処理のパラメータ、即ち露光の、ＴＣＸ−００７上面コートを有する場合と有しない場合のＰＡＲ−８１７レジスト中のＰＡＧアニオンの浸出の影響を示す。大量の露光は上面コートを有するＰＡＲ−８１７レジストの浸出に殆ど影響しないが、大量の露光は上面コートの無いＰＡＲ−８１７レジストの浸出に十分に影響する。後者は、図１０ａおよび図１０ｂに示され、２５ｍＪの大量露光で露光された、および非露光の基板に対して、それぞれレジストＰＡＲ−８１７と上面コートを有するレジストＰＡＲ−８１７に対する、浸出効果を示す。
【００５１】
上記例から、浸出測定が、基板のリソグラフィ処理の最適化に使用できることがわかる。
【００５２】
基板に接触するために使用される浸漬液の量が比較的少なく、このため本質的に高い成分／浸漬液の比となり、検出限界の増加や測定の正確さの向上につながることが、本発明の具体例の特徴である
【００５３】
好ましい具体例、特定の構造や形態は、材料と同様に、ここでは、本発明にかかる装置のために議論されたが、形態や細部における様々な変化や変形は、本発明の範囲や精神から離れることなく行うことができることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の具体例にかかる浸漬液と基板との間の相互作用を研究する方法のフローダイヤグラムである。
【図２】本発明の具体例にかかる基板と浸漬液との間の相互作用を研究するための方法において、動的相互作用測定に使用されるセットアップの模式図である。
【図３】本発明の具体例にかかる基板と浸漬液との間の相互作用を研究するための方法において、動的相互作用測定に使用される他のセットアップの模式図である。
【図４ａ】本発明の第２の具体例にかかる相互作用の研究方法における異なった工程における、浸漬液、および浸漬液との相互作用が試験される基板と材料の、相対位置を表す模式図である。
【図４ｂ】本発明の第２の具体例にかかる相互作用の研究方法における異なった工程における、浸漬液、および浸漬液との相互作用が試験される基板と材料の、相対位置を表す模式図である。
【図４ｃ】本発明の第２の具体例にかかる相互作用の研究方法における異なった工程における、浸漬液、および浸漬液との相互作用が試験される基板と材料の、相対位置を表す模式図である。
【図５】本発明の第３の具体例にかかる相互作用を研究するための方法に使用される、基板上の異なった領域の、および研究される材料と浸漬液との間の相互作用も接触経路の、浸漬時間のシミュレーション結果の模式図である。
【図６】本発明の第６の具体例にかかる、基板上の材料と浸漬液との間の相互作用を研究するための測定ツールの配置図である。
【図７】本発明の第７の具体例にかかる、基板上の材料と浸漬液との間の相互作用を研究するために使用する計算手段の配置図である。
【図８】本発明の第２の具体例で記載された方法を用いて得られた、ＰＡＲ−８１７レジストのＰＡＧアニオンと浸漬液との間の相互作用を研究するための実験結果を示す。
【図９】本発明の第２の具体例で記載された方法を用いて得られた、ＰＡＲ−８１７レジストのＰＡＧアニオンの浸出への、使用される異なった溶媒の影響を研究するための実験結果を示す。
【図１０ａ】本発明の第２の具体例で記載された方法を用いて得られた、ＰＡＲ−８１７レジストのＰＡＧアニオンの浸出に対する、露光の影響を研究するための実験結果を示す。
【図１０ｂ】本発明の第２の具体例で記載された方法を用いて得られた、上部コートで覆われたＰＡＲ−８１７のＰＡＧアニオンの浸出に対する、露光の影響を研究するための実験結果を示す。    異なった図面において、同一引用符号は、同一又は類似の要素を示す。
【符号の説明】
【００５５】
２００  セットアップ、２０２  浸漬液、２０４  先端部、２０６  キャリア、２０８  領域、２１０  材料、２１２  基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０ａ】
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【図１０ｂ】
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【外国語明細書】
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