(57)【要約】【課題】導電率，引張強さ，曲げ加工性が共に優れ，圧延方向に対して平行方向と垂直方向の特性差が小さい銅基合金を得る。【解決手段】Ｎｉ：１.０〜３.５mass％，Ｓｉ：０.２〜０.８mass％，Ｂ：０.００２〜０.０３mass％，残部：Ｃｕおよび不可避的不純物からなる銅基合金であって，引張強さが６５０Ｎ／ｍｍ2以上，導電率が４５％ＩＡＣＳ以上，板面上の圧延方向に対して平行な方向の平均結晶粒径ａと垂直な方向の平均結晶粒径ｂがいずれも１０μｍ以下で且つ比ａ／ｂが０.５〜２.０である曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ：１.０〜３.５mass％，
Ｓｉ：０.２〜０.８mass％，
Ｂ：０.００２〜０.０３mass％，
残部：Ｃｕおよび不可避的不純物
からなる銅基合金であって，
引張強さが６５０Ｎ／ｍｍ2以上，
導電率が４５％ＩＡＣＳ以上，
板面上の圧延方向に対して平行な方向の平均結晶粒径ａと垂直な方向の平均結晶粒径ｂがいずれも１０μｍ以下で且つ比ａ／ｂが０.５〜２.０
である銅基合金。
【請求項２】
溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）と添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）との百分比１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％以下で，溶体化処理後の平均結晶粒径ＤAVが２超え〜２０μｍ以下である請求項１に記載の銅基合金。
【請求項３】
Ｃａ：０.０００１〜０.００５mass％，Ｃ：０.０００１〜０.００５mass％，Ｐ：０.０１〜０.３mass％，Ｆｅ：０.０１〜０.３mass％の１種または２種以上を合計で０.５mass％以下をさらに含有する請求項１または２に記載の銅基合金。
【請求項４】
Ｃｏ：０.０５〜０.５mass％，Ａｇ：０.００２〜０.２mass％，Ｓｎ：０.０２〜２.０mass％，Ｚｎ：０.０２〜２.０mass％の１種または２種以上を合計で２.０mass％以下をさらに含有する請求項１，２または３に記載の銅基合金。
【請求項５】
Ｓ含有量が１５ｐｐｍ以下で酸素含有量が３０ｐｐｍ以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の銅基合金。
【請求項６】
導電率が４５％ＩＡＣＳ以上，引張強さが７００Ｎ／ｍｍ2以上で圧延方向に平行方向と垂直方向の引張強さの比が９５〜１０５％，曲げ加工性（最大曲げ半径）が０〜１.０（ＭＢＲ／ｔ）で圧延方向に平行方向と垂直方向の最大曲げ半径の比が９５〜１０５％である請求項１ないし５のいずれかに記載の銅基合金。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の銅基合金を製造するにさいし，当該合金組成を有する熱延板または冷延板からなる中間製品を再結晶温度以上で溶体化処理したあと時効処理すること，溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）と添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）との百分比１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％以下となり、溶体化処理後の平均結晶粒径ＤAVが２超え〜２０μｍ以下という条件で前記の溶体化処理を行うこと，そして溶体化処理のあと時効処理の前または後にトータルの圧下率が６０％以下の仕上げ冷延を行うこと，を特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の銅基合金を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金およびその製造法に係り，詳しくは民生用製品，例えば情報・通信用の狭ピッチコネクタの原板，自動車用ハーネスコネクタの原板，半導体用リードフレームの原板および小型スイッチ，リレーの原板等を構成するのに適した曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金およびその製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近時の携帯端末やモバイルの発展を背景に，パソコン，携帯電話，デジタルビデオ等に実装されるコネクタにおいては，そのピン厚さとピン幅は各々０.１０〜３０ｍｍの範囲にあるが，最終製品の小型化により一層細幅，薄肉化する傾向にある。この場合，ピン端子に出入力される情報量の大量化と高速化の結果，通電電流から発生するジュール熱がコンタクトの温度を上昇させ，コンタクトを収容している絶縁物の許容温度を超えてしまうこともある。さらに，ピン端子の一部が電源用として使われることもあるので，材料には導体抵抗の低減，すなわち高い導電率が必要とされる。さらに，ピン端子の高速プレス成形加工に際して安定した形状精度を再現できる強度・ばね性と曲げ性の両立が不可欠である。
【０００３】
他方，自動車電装品に実装されるコネクタにおいては，電子制御システムの増加に伴う回路数・実装密度の増大に対応すべく，コネクタの小型化による軽量化・省スペース化が要求され，例えばボックス型のメス端子幅が１０年前主流だった２.３ｍｍから現在では０.６４ｍｍまで小型化している。したがって，前記の携帯端末と同様に，高い導電率が必要となることは言うまでもない。加えて，ボックス型端子に成形加工した後の良好な接続特性を維持するために，板厚は従来とあまり変らず０.２５ｍｍ程度である一方で，厳しい形状精度が要求されるために，ボックス部の内曲げ半径Ｒが０に近い状態や密着曲げに近い状態が強いられるようになり，従来に比べてより厳しい加工が要求されるようになった。
【０００４】
従来，これらの用途に対応する材料としてりん青銅やベリリウム銅が用いられていたが，りん青銅については，例えばＣＤＡ５２１００では，導電率が約１２％ＩＡＣＳ程度と決定的に低い。ベリリウム銅については要求性能を満足するもののＢｅを含むこと，材料供給不足，価格の点で課題が山積し，ベリリウム銅に代わる銅基合金の開発が切望されている。
【０００５】
ベリリウム銅の代替最有力候補としてＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金が知られている。例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金にＭｇを０.０５〜０.３mass％加えた銅基合金（特許文献１〜４），Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金にＳｎ，Ｚｎを加えた銅基合金（特許文献５〜６）およびＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金にＳｎ，Ｚｎ，Ｍｇ等を加えた銅基合金（特許文献７）等が開発され，高引張強さ，高耐熱性，高耐応力緩和特性及び比較的高い導電率を兼備する銅基合金としてコネクタ，リードフレーム等の用途に用いられている。
【特許文献１】特開昭６１−２５０１３４号公報
【特許文献２】特開平８−３２５６８１号公報
【特許文献３】特開平１１−２１７６３９号公報
【特許文献４】特開２００１−４９３６９号公報
【特許文献５】特開平５−２７９８２５号公報
【特許文献６】特開２０００−８０４２８号公報
【特許文献７】特開２００２−３８２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近の銅基合金の使用環境はますます厳しくなり，前掲特許文献記載のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金に対しても各種特性を併せ持ちながらさらなる高導電率化と高強度および良好な曲げ加工性との両立が必須となっている。特許文献１〜７に記載の合金でも導電率４５％ＩＡＣＳ以上では，引張強さと曲げ加工性が十分ではなく，他方，引張強さと曲げ加工性が良好であると導電率が４５％ＩＡＣＳよりも劣ってしまうので，４５％ＩＡＣＳ以上の導電率と，高引張強さおよび優れた曲げ加工性を要求されるレベルまで同時に兼備させることは困難であった。
【０００７】
またＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金は圧延方向に対して平行方向と垂直方向との特性差が大きく現れるので，各種特性の不具合が生じるという問題があり，その解決が望まれていた。
【０００８】
したがって本発明は，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金の高い引張強さと優れた曲げ加工性を両立しながら，４５％ＩＡＣＳ以上の導電率を有するバランスの良い特性を持ち，かつ圧延方向に対して平行方向と垂直方向の特性差が小さい銅基合金を得ることを課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の課題を達成せんとしてなされた本発明によれば，
Ｎｉ：１.０〜３.５mass％（質量％をいう），
Ｓｉ：０.２〜０.８mass％，
Ｂ：０.００２〜０.０３mass％，
残部（「Ｒｅｍと表すことがある」）：Ｃｕおよび不可避的不純物
からなる銅基合金であって，
引張強さが６５０Ｎ／ｍｍ2以上，
導電率が４５％ＩＡＣＳ以上，
板面上の圧延方向に対して平行な方向の平均結晶粒径ａと垂直な方向の平均結晶粒径ｂがいずれも１０μｍ以下で且つその比ａ／ｂが０.５〜２.０である銅基合金を提供する。
【００１０】
この銅基合金は，好ましくは溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）と添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）との百分比１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％以下で，溶体化処理後の平均結晶粒径ＤAVが２超え〜２０μｍ以下である。
【００１１】
この銅基合金は，Ｃａ：０.０００１〜０.００５mass％，Ｃ：０.０００１〜０.００５mass％，Ｐ：０.０１〜０.３mass％，Ｆｅ：０.０１〜０.３mass％の１種または２種以上を合計で０.５mass％以下をさらに含有することができる。場合によっては，さらにＣｏ：０.０５〜０.５mass％，Ａｇ：０.００２〜０.２mass％，Ｓｎ：０.０２〜２.０mass％，Ｚｎ：０.０２〜２.０mass％の１種または２種以上を合計で２.０mass％以下をさらに含有することができる。そして，この銅基合金板はＳ含有量が１５ｐｐｍ以下で酸素含有量が３０ｐｐｍ以下であるのがよい。
【００１２】
この銅基合金は，導電率が４５％ＩＡＣＳ以上好ましくは４８％ＩＡＣＳ以上を示し，引張強さが６５０Ｎ／ｍｍ2以上好ましくは７００Ｎ／ｍｍ2以上さらに好ましくは７２０Ｎ／ｍｍ2以上を有し且つ圧延方向に平行方向と垂直方向の引張強さの比が９５〜１０５％であり，曲げ加工性（最大曲げ半径）が０〜１.０（ＭＢＲ／ｔ）好ましくは０〜０.５（ＭＢＲ／ｔ）で且つ圧延方向に平行方向と垂直方向の最大曲げ半径の比が９５〜１０５％である。
【００１３】
この銅基合金板を製造するには，当該合金組成を有する熱延板または冷延板からなる中間製品を再結晶温度以上で溶体化処理したあと時効処理すること，溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）と添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）との百分比１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％以下となり、かつ溶体化処理後の平均結晶粒径ＤAVが２超え〜２０μｍ以下という条件で前記の溶体化処理を行うこと，そして溶体化処理のあと時効処理の前または後にトータルの圧下率が６０％以下の仕上げ冷延を行うこと，を特徴とする製造法によって有利に製造できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、４５％ＩＡＣＳ以上（更には４８％ＩＡＣＳ以上）の高導電率、６５０Ｎ／ｍｍ2以上（更には７００Ｎ／ｍｍ2以上）の引張強さ及び良好な曲げ加工性をバランス良く併せ持ち，さらには平均結晶粒径・引張強さ・曲げ加工性等の特性に関して圧延方向に対して平行方向と垂直方向とで特性差が小さい均一特性の銅基合金を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明者らは，前記の課題は適切な合金成分のバランスと製造条件の規制によって達成できることを見い出した。すなわち，まず，この材料の曲げ加工性の向上には，材料圧延面において板面上の圧延方向に対して平行な方向の平均結晶粒径ａと垂直な方向の平均結晶粒径ｂがいずれも１０μｍ以下で且つ比ａ／ｂが０.５〜２.０の範囲に制御することが有効であることがわかった。また，溶体化等の再結晶温度域での熱処理から最終製品までの圧下率の合計を６０％以下とすること，溶体化処理後の導電率が添加元素を完全に固溶させた時の導電率の１２０％以下であること，溶体化処理後の平均結晶粒径ＤAVが２μｍ超え２０μｍ以下となるように熱処理温度と熱処理時間を制御すること，そして，溶体化処理時に十分添加元素を固溶させ，かつ結晶粒径を微細に保つためには溶体化処理温度で析出状態でありかつ粗大化しない元素としてＢが有効であることが明らかとなり，このような条件を満たすことにより，導電率４５％ＩＡＣＳ以上と引張強さ６５０Ｎ／ｍｍ2以上を安定して両立させることができ，さらに良好な曲げ加工性を持ち，圧延方向に対して平行方向と垂直方向の特性差が小さい銅基合金を得ることができる。
【００１６】
本発明の銅基合金における合金成分とそれらの含有量を規制する理由の概要を述べると次のとおりである。
【００１７】
Ｎｉ及びＳｉ：Ｎｉ及びＳｉは適切な条件での時効処理を行うことにより，Ｎｉ2Ｓｉの析出物を生成する。この析出物は材料の強度を大きく上昇させることができるだけでなく，これらの元素が析出した状態で存在することにより，母合金（Ｃｕ）のもつ熱伝導度を高い水準に維持できる。ＮｉとＳｉの量が多すぎると，特に粒界での析出物の粗大化が起こりやすくなり，曲げ加工性などの加工性に悪い影響がある。Ｎｉ含有量が１.０mass％未満，Ｓｉ含有量が０.２mass％未満では所要の強度が得られず，他方Ｎｉ含有量が３.５mass％を超え，Ｓｉ含有量が０.８mass％を超える場合は加工性が悪化する。このため，Ｎｉ含有量は１.０〜３.５mass％，好ましくは１.５〜２.５mass％とし，Ｓｉ含有量は０.２〜０.８mass％，好ましくは０.３〜０.６mass％とする。
【００１８】
Ｂ：Ｂは本合金において溶体化温度でも析出状態が保たれるという性質をもつ。このため結晶粒径の粗大化を防ぐことができると共に，他の添加元素の固溶と結晶粒径微細化を両立させることができる。また，鋳造時の結晶粒を微細化できるため，鋳造割れの防止や固溶元素の偏析の防止にも効果がある。Ｂを０.００２mass％以上添加すると溶体化時の結晶粒粗大化防止に効果を示す。しかし０.０３mass％より多く添加しても添加量に見合う効果が得られない。このようなことから，Ｂは０.００２〜０.０３mass％とするが，好ましくは０.００４〜０.０１mass％である。
【００１９】
ＣａとＣ：ＣａとＣについても結晶粒の微細化作用があり，Ｂと組み合わせて添加することにより，さらに結晶粒制御が容易でかつ効果的となる。Ｃａについては鋳造時の脱酸効果もある。結晶粒の微細化に必要なＣａとＣの量はいずれも０.０００１mass％以上であるが，０.００５mass％を超えてもその効果は飽和する。
【００２０】
ＦｅとＰ：ＦｅとＰは不純物として混入しやすい元素であるが，これらが含有されると固溶強化により材料強度を向上させることができる。ＦｅとＰの含有量はいずれも０.０１mass％未満では十分な固溶強化を得ることができず，０.３mass％より多いと合金の導電率が著しく低下する。そのためＦｅとＰの範囲はいずれも０.０１〜０.３mass％，好ましくは０.０３〜０.２mass％である。
【００２１】
ＣｏとＡｇ：ＣｏはＮｉと置換することでＳｉとの金属間化合物をつくり，材料の強度を向上する効果がある。Ａｇは溶体化処理および時効処理を安定化させる作用がある。このような効果を得るにはＣｏは０.０５〜０.５mass％，Ａｇは０.００２〜０.２mass％であるのが望ましい。
【００２２】
Ｓｎ：Ｓｎの添加により強度や対応力緩和特性の向上を図ることができることの他に，Ｓｎメッキスクラップの使用が可能となり，コスト面で有利になる。Ｓｎ量が０.０２mass％未満では特性向上の効果を十分に得ることができず，２.０mass％より多いと導電率や曲げ加工性の低下が大きくなるので，Ｓｎの含有量は０.０２〜２.０mass％とするのがよく，さらには０.０５〜０.３mass％であるのがよい。
【００２３】
Ｚｎ：Ｚｎは，はんだ耐熱剥離性および耐マイグレーション性を向上させる作用があるが，０.０２mass％未満ではその効果が十分ではない。他方２.０mass％より多いとはんだ付け性や導電率の低下が大きくなる。そのため，Ｚｎ含有量は０.０２〜２.０mass％とするのがよく，好ましくは０.０５〜０.３mass％の範囲である。
【００２４】
Ｓ含有量と酸素含有量：Ｓ含有量が増加すると熱間圧延時や溶体化処理時の粒界割れの原因となりやすい。また，酸素含有量が増加するとメッキ密着性や半田接合性を低下させ，またＳｉなどと酸化物を生成する原因となる。そのためＳ含有量を１５ｐｐｍ以下とし，酸素含有量を３０ｐｐｍ以下とするのがよい。
【００２５】
このような成分組成を有する本発明の銅基合金板の製造にあたっては，そのような成分組成に調整された溶湯を半連続鋳造あるいは連続鋳造で鋳造して得た鋳片を熱延あるいは冷間圧延したあと，再結晶温度以上の温度で溶体化処理を行い，次いで時効処理する。時効処理後は所望の板厚になるように仕上げ圧延し，必要に応じて歪とり焼鈍を行う。
【００２６】
溶体化処理は，ＮｉやＳｉなどの析出物生成元素を固溶状態とすることを主目的とする熱処理であるが，再結晶温度以上で行う。ここで再結晶を行なわせるのは，これ以降の工程では結晶粒の制御は実質的に行なわないので，溶体化処理時において最終板材の結晶粒状態を可能な限り制御する。すなわち，この溶体化処理において，析出物生成元素の固溶と結晶粒制御を同時に行うのである。前者の固溶状態は導電率の測定によって評価することができる。本発明においては，溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）と添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）との百分比１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％以下となるように溶体化の温度と時間を規制すると同時に，最終製品板の平均結晶粒径ＤAVが２μｍ超え〜２０μｍ以下となるように再結晶を行なわせるように温度と時間を規制する。
【００２７】
ここで，添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）は，その合金の溶体化温度を上昇させてももはや導電率が変化しないときのものを言う。これを説明するために図１を示した。図１は，Ｎｉ＝２.０mass％，Ｓｉ＝０.４mass％，残部Ｃｕの合金（▲印で示す）と，Ｎｉ＝３.０mass％，Ｓｉ＝０.６mass％，残部Ｃｕの合金（■で示す）を例として，５５０℃から９００℃まで５０℃ごとに熱処理温度を変えて得られた材料の導電率の測定結果を示している。各熱処理温度での保持時間はいずれも５分間である。図１によれば両試料のカーブは５５０℃〜７５０℃の間において実質的に重なっているが、いずれの試料とも熱処理温度（溶体化処理温度）の上昇とともに導電率が低下する（析出元素の固溶に伴って導電性が低下する）が，各合金ごとに或る値まで導電率が低下すると，その後は温度が上昇しても導電率は一定値を示してもはや変化しないことがわかる。この一定値の導電率を本明細書では“添加元素が完全に固溶したときの導電率（Ｅｃａ）”と言う。また，溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）とは溶体化処理したすぐの材料から採取した試料の導電率を言う。
【００２８】
溶体化・再結晶化の処理のあとは，時効処理と仕上げ圧延並びに必要に応じた歪とり焼鈍を行う。時効処理では均一で微細な析出物を生成させることによって，高い強度を発現させることができる。そのさい，ＮｉとＳｉが過不足なく固溶した状態から金属間化合物を析出させることによって，またＢの共存化で析出させることによって，粒界で析出物の粗大化を抑制しながら微細で均一な析出物を生成させることができる。時効処理温度は４００〜５５０℃好ましくは４２０〜４７０℃で，処理時間は３０〜１２００分好ましくは１２０〜４２０分であればよい。
【００２９】
仕上げ圧延と歪とり焼鈍は最終製品の結晶粒の状態が本発明で規定する範囲内となる条件で行う必要がある。すなわち，板面上の圧延方向に対して平行な方向の平均結晶粒径ａと垂直な方向の平均結晶粒径ｂがいずれも１０μｍ以下で且つ比ａ／ｂが０.５〜２.０の製品板を得ることが肝要である。このためには，仕上げ圧延率は圧下率６０％以下とし，歪とり焼鈍もこれを行う場合には，歪除去を目的とした軽度なものとするのがよい。所望厚みまで仕上げ圧延と歪とり焼鈍は数回繰り返すこともできるが，この場合もトータルの圧下率が６０％以下とする必要がある。仕上げ圧延は時効処理の前および／または後の段階で行うことができるが，時効処理後に仕上げ圧延を行う場合には圧下率３０％以下とし，歪とり焼鈍は省略するか，低温での焼鈍を行うのが望ましい。
【００３０】
このようにして，Ｂ添加のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅基合金において，溶体化・再結晶工程で溶体化後の導電率（Ｅｃｂ）を添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）との百分比１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％以下となるように制御し、且つ、溶体化処理後の平均結晶粒径ＤAVが２超え〜２０μｍ以下である条件を採用し，その後の時効処理および仕上げ圧延・歪とり焼鈍での条件を規制することによって，導電率が４５％ＩＡＣＳ以上，引張強さが６５０Ｎ／ｍｍ2以上，板面上の圧延方向に対して平行な方向の平均結晶粒径ａと垂直な方向の平均結晶粒径ｂがいずれも１０μｍ以下で且つ比ａ／ｂが０.５〜２.０である曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金板を得ることができる。
【実施例】
【００３１】
表１に示す成分組成の銅基合金を高周波溶解炉を用いて溶解し，大気中でかつ木炭被覆下で厚さ２０ｍｍの鋳塊を得た。この鋳塊を９１０℃で２ｈｒ加熱保持した後，厚み３ｍｍまで熱間圧延を行い，７００℃から水冷した。次いで表面を面削して厚み２ｍｍとした後，０.５ｍｍまで冷間圧延を行なった。
【００３２】
得られた各々の冷延板を，組成によって異なる６５０〜９００℃の範囲内の或る温度（表１に示す温度）で１０分未満の溶体化処理を行なった。次いで冷間圧延→時効処理（表２に示す４５０〜５００℃の温度で４ｈｒ）→仕上げ圧延→歪とり焼鈍（いずれも３５０℃）を行なった。溶体化処理後の冷間圧延はトータルで表２に示す圧下率となるようにした。溶体化後の冷間圧延の圧下率（トータルの圧下率）は次式に従って算出した。
圧下率（％）＝１００×〔（溶体化時の板厚）−（製品板厚）〕／（溶体化時の板厚）
【００３３】
このようにして得られた各合金板の諸特性を表１〜２に示した。各特性の測定は次の通りである。
引張強さ：JIS-Z２２４１の金属材料引張試験方法に従った。
導電率：JIS-H０５０５の非鉄金属材料の体積抵抗率および導電率測定方法に従った。
硬さ：JIS-Z２２４４のビッカース硬さ測定方法に従った。
曲げ加工性（Ｗ曲げ）：JCBA T３０７(日本伸銅協会規格）に準じたＷ曲げ試験方法によって、曲げ軸が圧延方向に対して平行方向（ＧＷ）および直角方向（ＢＷ）となる曲げ試験をそれぞれ実施して、最大曲げ半径（MBR/ｔ）で示した。
平均結晶粒径：JIS-H０５０１の切断法を用いて評価した。圧延方向に平行方向と垂直方向の結晶粒度はそれぞれの方向で切断法を用いることによって値を求めた。
【００３４】
【表１】
2007270171.tif 000003
【００３５】
【表２】
2007270171.tif 000004
【００３６】
表１〜２から明らかなように, 本発明の実施例のＮo.１〜１２の合金板は導電率４５％以上を維持しながら優れた引張強さと曲げ加工性を有しており，しかも，それらの機械的性質は圧延方向に対して平行方向と垂直方向の差が極めて小さい。
【００３７】
これに対して，Ｂ無添加の比較例１３と１４では，実施例とほぼ同一の溶体化条件でも結晶粒が粗大化し，曲げ加工性が悪化している。
比較例１５，１６および１７では溶体化処理条件が低いため，溶体化後の導電率が添加元素を完全に固溶させた場合の導電率と比較して高くなり，１００×（Ｅｃｂ）／（Ｅｃａ）が１２０％を超えている。そのため最終製品の引っ張り強さが低い。
【００３８】
比較例１８及び１９はそれぞれＢ，Ｓｉが本発明で規定する範囲を外れている例であるが，Ｂが過剰の比較例１８では焼鈍・冷延時に割れが発生し，Ｓｉが過剰の比較例１９では最終工程後の導電率が低く且つ曲げ加工性も悪い。
【００３９】
比較例２０と２１ではそれぞれ酸素、Ｓが本発明で規定する範囲より多いものであるが，酸素が多い比較例２０では焼鈍、冷延工程で割れが生じ，Ｓの多い比較例２１では熱延時に破断が生じて，いずれも製造性が悪い。
比較例２２は溶体化処理温度が高く，溶体化後の結晶粒が粗大化している。そのため，曲げ加工性が著しく悪い。比較例２３では溶体化後の圧下率が高いために，曲げ加工性が悪いばかりか，圧延方向に対して平行方向と垂直方向の結晶粒径の差が大きくなり，それに伴って特性差も大きくなっている。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】添加元素が完全固溶したときの導電率（Ｅｃａ）を説明するための溶体化処理温度と導電率の関係を示す図である。
【図１】
2007270171.tif 000005