(57)【要約】【課題】正常なリブとの密着性が良い堆積層をリブ欠け欠陥部に容易に生成することが可能なパターン修正方法を提供する。【解決手段】このパターン修正方法では、リブ欠け欠陥部３５ａに修正液２０を塗布する工程と、修正液２０とリブ３５の正常な部分との両方が溶け、かつそれらの形状が崩れない範囲の温度で、塗布された修正液２０を局所加熱により本焼成する工程とを交互に行なう。したがって、堆積層３６の内部まで焼成でき、炉で焼成する必要がないので、正常なリブ３５との密着性が良い堆積層３６をリブ欠け欠陥部３５ａに容易に生成することができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたリブの一部が欠けたリブ欠け欠陥部を修正するパターン修正方法であって、
少なくとも前記リブ欠け欠陥部を含む範囲に修正液を塗布する第１の工程と、
前記第１の工程で前記リブ欠け欠陥部に塗布された修正液を局所加熱により本焼成する第２の工程と、
前記第２の工程で本焼成された修正液からなる堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分を除去する第３の工程とを含み、
前記第２の工程における加熱温度は、前記修正液と前記リブの正常な部分との両方が溶け、かつそれらの形状が崩れない範囲に設定されることを特徴とする、パターン修正方法。
【請求項２】
前記修正液は、リブ形成に用いるリブペーストを含むことを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
【請求項３】
前記第１および第２の工程を交互に実行して前記堆積層を形成することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のパターン修正方法。
【請求項４】
前記第２の工程では、前記リブ欠け欠陥部に塗布された修正液にレーザ光を照射して局所加熱し、
前記レーザ光のスポット径は、前記リブ欠け欠陥部を含むリブに隣接するリブを焼成しないように絞られていることを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、前記修正液が１０μｍと１００μｍの間の所定の厚さになるように塗布され、その後で前記第２の工程が行なわれることを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【請求項６】
前記第１の工程では、少なくとも前記欠陥部を含む範囲で前記基板を加熱した状態で、前記修正液を霧状にして前記欠陥部に噴射し、前記修正液を前記欠陥部に塗布することを特徴とする、請求項１から請求項５までのいずれかに記載のパターン修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパターン修正方法に関し、特に、基板上に形成されたリブ（隔壁）の一部が欠けたリブ欠け欠陥部を修正するパターン修正方法に関する。より特定的には、この発明は、プラズマディスプレイのリブ欠損などを修正するパターン修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイの大型化、高精細化に伴い、背面ガラス基板上のリブに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
すなわち、プラズマディスプレイの背面ガラス基板上には、高さが１５０μｍ程度で幅が６０〜１００μｍ程度のリブが数百μｍピッチで形成されている。このリブの一部が欠けている場合、塗布針に修正液を付着させて欠損部に塗布し、修正液が垂れないように修正液を焼成しながら積層し、リブ幅方向にはみ出た部分はレーザカットとスクラッチ針によって削り取り、リブの正常な高さよりも高く盛り上がった部分はスキージ機能により平らにならしてリブを修正する（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、リブ形成に使用したリブペーストを修正液として使用し、充填部をリブ形成時の温度よりも低い温度で焼成する方法や、リブ形成時に用いたリブペーストよりも軟化点が低いものを修正液として使用する方法がある（たとえば、特許文献２，３参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平１１−１８５６２６号公報
【特許文献３】特開２００２−３４３２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の修正方法では、塗布針がリブの欠損部とペーストタンクとの間を何度も往復してリブ欠損部を修正液で埋めるので、欠損部が大きいほど塗布時間が長くなるといった問題がある。
【０００６】
そこで、本願発明者は、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に積層させて修正するパターン修正方法を提案した（たとえば特願２００５−５０７６６号参照）。この方法では、修正液を補充しながら噴出することができるので、塗布針が欠陥部とペーストタンクとの間を何度も往復していた従来に比べ、欠陥部を迅速に修正することができる。
【０００７】
しかし、このパターン修正方法では、修正液を霧状にして噴出してできた堆積層が１００μｍを超える場合もあり、厚い堆積層を基板加熱部で局所加熱しても、その表層のみを焼成できるだけで、内部まで焼成できず、正常なリブとの密着性が低くなることも想定される。
【０００８】
また、リブ欠け欠陥部に修正液を塗布した後に基板ごと炉で焼成する場合、基板ごと炉に戻す作業が必要となる。また、炉の温度をリブ成形時の温度よりも低く設定する場合、リブ成形に用いる炉とは異なる炉を新たに用意するか、リブ成形を一旦中断して修正作業を行なう必要があった。このため、修正作業が煩雑になる。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、正常なリブとの密着性が良い堆積層をリブ欠け欠陥部に容易に生成することが可能なパターン修正方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成されたリブの一部が欠けたリブ欠け欠陥部を修正するパターン修正方法であって、少なくともリブ欠け欠陥部を含む範囲に修正液を塗布する第１の工程と、第１の工程でリブ欠け欠陥部に塗布された修正液を局所加熱により本焼成する第２の工程と、第２の工程で本焼成された修正液からなる堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分を除去する第３の工程とを含み、第２の工程における加熱温度は、修正液とリブの正常な部分との両方が溶け、かつそれらの形状が崩れない範囲に設定されることを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、修正液は、リブ形成に用いるリブペーストを含む。
また好ましくは、第１および第２の工程を交互に実行して堆積層を形成する。
【００１２】
また好ましくは、第２の工程では、リブ欠け欠陥部に塗布された修正液にレーザ光を照射して局所加熱し、レーザ光のスポット径は、リブ欠け欠陥部を含むリブに隣接するリブを焼成しないように絞られている。
【００１３】
また好ましくは、第１の工程では、修正液が１０μｍと１００μｍの間の所定の厚さになるように塗布され、その後で第２の工程が行なわれる。
【００１４】
また好ましくは、第１の工程では、少なくとも欠陥部を含む範囲で基板を加熱した状態で、修正液を霧状にして欠陥部に噴射し、修正液を欠陥部に塗布する。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に係るパターン修正方法では、少なくともリブ欠け欠陥部を含む範囲に修正液を塗布する第１の工程と、第１の工程でリブ欠け欠陥部に塗布された修正液を局所加熱により本焼成する第２の工程と、第２の工程で本焼成された修正液からなる堆積層のうちの正常なリブトップ面よりも高い部分を除去する第３の工程とが行なわれ、第２の工程における加熱温度は、修正液とリブの正常な部分との両方が溶け、かつそれらの形状が崩れない範囲に設定される。したがって、堆積層の内部まで焼成でき、炉で焼成する必要がないので、正常なリブとの密着性が良い堆積層をリブ欠け欠陥部に容易に生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施の形態について説明する前に、まず、この発明が適用されるパターン修正装置について説明する。
【００１７】
図１は、パターン修正装置の全体構成を示す図である。図１において、パターン修正装置１は、基板の表面を観察する観察光学系２と、観察された画像を映し出すモニタ３と、観察光学系２を介してレーザ光を照射し不要部をカットするカット用レーザ部４と、欠陥修正用の修正材料を数μｍ以下の微粒子にして溶媒中に分散させた修正液を霧状にして欠陥部に噴出し、微粒子を欠陥部に堆積させる微粒子堆積装置５と、欠陥部を加熱して霧状の修正液中の溶媒を気化させる基板加熱部６と、欠陥部を認識する画像処理部７と、装置全体を制御するホストコンピュータ８と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ９とを備える。さらに、その他に欠陥部を持つ基板をＸＹ方向（水平方向）に移動させるＸＹステージ１０と、ＸＹステージ１０上で基板を保持するチャック部１１と、観察光学系２や微粒子堆積装置５をＺ方向（垂直方向）に移動させるＺステージ１２などが設けられている。
【００１８】
図２は、図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。欠陥部１３ａがあるリブ１３が表面に形成された基板１４は、チャック部１１に固定され、そのチャック部１１はＸＹステージ１０によりＸＹ方向に移動される。なお、基板１４全体を加熱するヒータをチャック部１１に内蔵して、基板１４の上側から欠陥部１３ａを含む範囲を局所的に加熱可能な基板加熱部６と併用することも可能である。基板１４が大型になる場合には、チャック部１１内にヒータを内蔵して基板１４全体を加熱することは大掛かりになるため、このような場合には基板加熱部６のみの構成にする方が好ましい。基板加熱部６としては、ＬＤ光源やＣＯ２レーザなどを用いることが可能である。
【００１９】
微粒子堆積装置５は、修正に用いる修正材料を数μｍ以下の微粒子にし、それを溶媒中に均一に分散して液状化した修正液を霧状にする噴霧部１５と、霧状にされた修正液の流れの圧力を減じる減圧部１６と、減圧された霧状の修正液を加熱する加熱部１７と、加熱された霧状の修正液を収束して欠陥部１３ａに噴出し、欠陥部１３ａに微粒子を堆積するヘッド部１８とを含む。
【００２０】
噴霧部１５の容器１９内には修正液２０が注入されている。プラズマディスプレイのリブ欠け欠陥（リブ欠損）を修正する場合には、修正液２０として、リブの材料である低融点ガラスの粉末を主成分として溶媒中に均一に分散させたものが使用される。
【００２１】
容器１９の中央には噴霧ノズル２１が設けられている。噴霧ノズル２１の下部は修正液２０に浸けられている。容器１９の外部から噴霧ノズル２１にアトマイズガス（たとえば窒素ガス）を供給すると、噴霧ノズル２１上部の噴出口２１ａにおけるアトマイズガスの流速が速くなって周囲よりも気圧が下がるため、噴霧ノズル２１下端の吸入口２１ｂから修正液２０が吸い上げられ、アトマイズガスが噴出口２１ａから噴出するときに修正液２０も噴出口２１ａの周囲に飛び散り霧化される。この原理は普通の霧吹きの原理と同じでありベルヌーイの原理を応用したものである。大きな霧粒子は容器１９内に落下、あるいは、容器１９の内壁面に衝突して容器１９内に留まり、微細な霧粒子だけが減圧部１６に送られる。
【００２２】
なお、アトマイズガスとしては、修正液２０が酸化しないように窒素ガスのような不活性ガスを用いることが好ましいが、酸化しない修正液２０であれば空気でも構わない。また、修正液２０を霧状にするためにアトマイズガスを用いたが、修正液２０中の修正材料がサブミクロンのような超微粒子であれば、超音波による噴霧装置を用いても構わない。
【００２３】
また、修正液２０中の修正材料の微粒子が時間の経過により沈殿し易い場合には、撹拌子を容器１９内に入れ、容器１９の底にマグネチックスターラを設置して修正液２０を常時撹拌しても良い。
【００２４】
減圧部１６は、一般的に知られているバーチャルインパクタと同じものであり、修正液２０の霧粒子を分級するものである。小さな霧粒子はここで除去され、霧粒子の流れの圧力が減じられる。減圧部１６は、ノズル部２２と集気部２３と排気管２４と外管２５から構成される。ノズル部２２と集気部２３とは一定の隙間２６を保って対峙している。ノズル部２２から噴出された霧粒子のうちの流速が速い霧粒子や重い霧粒子は集気部２３を介して次段に供給されるが、流速が遅い霧粒子や軽い霧粒子などは排気管２４を介して排気ポンプ（図示せず）により排出される。
【００２５】
加熱部１７は、集気部２３と次段を結ぶパイプ２７を含む。パイプ２７の外周部にはヒータ２８と温度センサ２９が取り付けられ、パイプ２７が設定温度になるように制御され、霧粒子を加熱する機能を持つ。霧粒子を加熱することで、欠陥部１３ａに霧粒子が付着した時の流れや飛散を抑制する。なお、ヒータ２８の周りは断熱部材（図示せず）で覆われている。また、修正液２０によっては、図３に示すように加熱部１７を省略することも可能である。
【００２６】
図２に戻って、ヘッド部１８は、霧粒子の周りをシースガス（たとえば窒素ガス）で覆いこみ、霧粒子の流れを収束させてヘッド部１８下端の塗布ノズル３０から欠陥部１３ａに向けて霧粒子を噴出する。塗布ノズル３０の噴出口の内径は１００〜２００μｍ程度であり、シースガスによって噴出口の内径の１／１０程度まで霧粒子の流れを収束させることが可能である。
【００２７】
シャッタ３１は、欠陥修正を行なう前に基板１４上に霧粒子が噴出されないように塗布ノズル３０から噴出される霧粒子を受けるものである。修正開始時にシャッタ３１を開放して欠陥修正を行ない、修正完了と同時にシャッタ３１を塗布ノズル３０の先端と基板１４の間に移動させ、シャッタ３１で霧粒子を受ける。なお、シャッタ３１に、塗布ノズル３０から噴出された霧粒子を吸引する機能を持たしてもよい。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｃ）は、このパターン修正装置の動作を示す図である。図４（ａ）において、プラズマディスプレイの背面ガラス基板３４の表面に形成されたリブ３５の一部が欠落したリブ欠け欠陥部３５ａの位置を検出する。次に、そのリブ欠け欠陥部３５ａの上方の所定位置に塗布ノズル３０の先端を配置し、図４（ｂ）に示すように、基板加熱部６を用いて欠陥部３５ａを加熱しながらシャッタ３１を開けて塗布ノズル３０から欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、かつ、ＸＹステージ１０を移動させて欠陥部３５ａに微粒子の堆積層３６＿１を形成する。基板加熱部６の温度は修正液２０の溶媒が蒸発して乾燥する程度の温度でよく、基板表面の温度が１５０℃から２００℃程度になるように調整され、霧粒子中の微粒子を堆積させる。
【００２９】
引き続き、ＸＹステージ１０を往復移動させて複数の堆積層３６＿２〜３６＿ｎを積層し、最終的には図４（ｃ）に示すように、欠陥部３５ａにおける堆積層の高さがリブ３５のトップ面の高さ、あるいはそれ以上になるまで堆積層を積層する。積層終了後、修正部を基板加熱部６を用いて本焼成しても良いし、背面ガラス基板３４ごと炉で焼成しても構わない。
【００３０】
図４（ａ）〜（ｃ）の例では、欠陥部３５ａの長さ以上に修正液２０の堆積層を形成しており、本焼成時の熱収縮を考慮している。リブトップ面よりも突出した堆積層３６は、本焼成後に研磨テープ等により除去され、図５に示すように堆積層３６は正常なリブトップ面と同じ高さ、あるいはリブトップ面より数μｍ低い程度まで加工される。
【００３１】
以上のように、このパターン修正装置では、加熱した欠陥部３５ａに霧状の修正液２０を噴出し、欠陥部３５ａに修正材料の微粒子を堆積させ、堆積層を欠陥部３５ａに描画するので、塗布針を用いていた従来に比べ、修正時間の短縮化を図ることができる。
【００３２】
なお、このパターン修正装置では、ＸＹステージ１０により基板３４を移動させて堆積層３６を描画したが、基板３４を動かさずに微粒子堆積装置５を移動するようにして堆積層３６を描画してもよい。
【００３３】
また、ＸＹステージ１０としては、一軸ステージをＸＹ方向に重ねたものや、基板を固定してＸ軸とＹ軸とを分離して駆動するガントリー方式など多種ステージ形式が考えられ、ここに示したステージには限定されない。
【００３４】
さて、このようなパターン修正装置１を用いてリブ欠け欠陥部（リブ欠損部）３５ａを修正する場合、次のような問題点がある。修正液２０を霧状にして噴出してできた堆積層３６の厚さが１００μｍを超える場合もあり、厚い堆積層３６を基板加熱部６で局所加熱しても、図６に示すように、その表層３６ａのみを焼成できるだけで、内部まで焼成できず、正常なリブとの密着性が低くなることも想定される。
【００３５】
また、リブ形成に使用したリブペーストと同じもので欠陥部３５ａを充填し、リブ形成時の温度よりも低い温度で本焼成する方法、あるいは、リブ形成時に用いたリブペーストよりも軟化点が低いものを修正液２０として用いる方法が知られている。前者の場合には、欠陥部３５ａに積層した堆積層３６の本焼成が不十分となり密着性が低くなる。また、後者の場合、軟化点が低く、かつ、熱膨張係数がリブ形成用リブペーストとほぼ同じ修正液２０を新たに用意する必要がある。さらに、修正のための炉が新たに必要になる。リブ形成用の炉と兼用する場合でも、その管理が煩雑になる。この実施の形態では、これらの問題の解決が図られる。
【００３６】
図７（ａ）〜（ｃ）は、この発明の一実施の形態によるパターン修正方法を示す工程図である。図７（ａ）は、リブ欠け欠陥部３５ａと、その前後の正常なリブトップ面を含む範囲に修正液２０を数十μｍ積層した後の状態を示している。たとえば、微粒子堆積装置５を５往復して堆積層３６＿１〜３６＿１０を得る。この時点で堆積作業を一時中断し、この堆積層３６＿１〜３６＿１０を基板加熱部６によって本焼成する。修正液２０としては、たとえば、リブ形成に用いるリブペーストと同じものを希釈して用いる。
【００３７】
基板加熱部６は、たとえばＣＯ２レーザであり、リブ３５表面における光スポット６ｓの直径は、欠陥部３５ａを持たない正常な隣接リブ３５を加熱しないように、微小な値（たとえば、７０〜１５０μｍ程度）に設定される。堆積層３６＿１〜３６＿１０はリブ３５の長さ方向に形成されるので、光スポット６ｓは、堆積層３６＿１〜３６＿１０の一方端から他方端に向かって堆積層に沿って約数十μｍ／ｓの速度で移動される。基板加熱部６は堆積層を形成する際の乾燥用と兼用されるが、点線で示すように、背面ガラス基板３４に対して垂直に照射可能な別の基板加熱部６′を用意してあってもよい。
【００３８】
図８は、背面ガラス基板３４を上方から見たものであり、光スポット６ｓが欠陥部３５ａの一方端Ｐ１から他方端Ｐ２に移動する様子を示したものである。光スポット６ｓは欠陥部３５ａを含むリブ３５のみを加熱しながら移動し、これにより堆積層３６＿１〜３６＿１０の本焼成が行なわれる。光スポット６ｓは、正常なリブ３５が崩れない範囲で、かつ、堆積層３６＿１〜３６＿１０とリブ３５の両方が溶ける温度まで加熱するので、リブ３５の正常な部分と堆積層３６＿１〜３６＿１０との密着性が向上する。なお、堆積層３６＿１〜３６＿１０は薄いため、レーザ光の照射によって堆積層３６＿１〜３６＿１０全体が溶けるが、周りに拡散することはない。また、レーザ光が照射された正常なリブ３５は、表層が高温となって溶けるが、その深部は熱が拡散して表面よりも低温になるため、リブ形状が崩れることはない。
【００３９】
次に図７（ｂ）に示すように、本焼成が終わった堆積層３６＿１〜３６＿１０の上に、さらに堆積層３６＿１１〜３６＿２０を形成し、その後で、同様に基板加熱部６または６′によって堆積層３６＿１１〜３６＿２０を本焼成する。堆積と本焼成を交互に行なって、図７（ｃ）に示すように欠陥部３５ａにおける堆積層がリブトップ面よりも高く積層された時点で次の研磨工程に移る。研磨後の欠陥部３５ａは、図５に示すように正常なリブトップ面と同じ高さ、あるいはそれよりも数μｍ低い程度に加工され、修正が終了する。
【００４０】
以上のように、この実施の形態では、正常なリブ３５が崩れない範囲で、かつ、堆積層３６とリブ３５の両方が溶ける温度まで加熱するので、リブ３５の正常な部分と堆積層３６との密着性が向上する。
【００４１】
また、修正液２０は、リブ形成に使用したリブペーストと同じものを希釈して使用するため、その熱膨張係数はリブ形成用リブペーストと同じである。したがって、修正用ペーストを別途用意する必要がないので、修正液２０の管理が煩雑になることもない。
【００４２】
また、リブ成形時の温度より低くして焼成する方法では、修正のための炉が新たに必要になったり、リブ形成用の炉と兼用する場合はその管理が煩雑になることが懸念される。これに対して本実施の形態では、正常なリブ３５と修正液２０が両方とも溶ける温度で局所加熱するので、これらの懸念は回避される。積層、本焼成、研磨の工程を含めて、修正装置内で修正作業を完結できる。
【００４３】
また、炉を使用して基板３４ごと本焼成する方法では、堆積層３６の熱収縮を考慮して堆積層３６の表面を正常なリブトップ面よりも高くする必要があるが、必要な堆積層３６の厚さは、欠陥部３５ａの形状や大きさによって異なり、リブトップ面上の欠陥部３５ａとの境界部に亀裂や欠けが生じないようにするのは経験によるところがあり、未経験者には容易でない。これに対して本実施の形態では、積層時に本焼成まで終了するので、堆積層３６の熱収縮は小さい。したがって、堆積層３６の表面が正常なリブトップ面よりも高くなるまで堆積と本焼成を繰返し実施すればよいので、経験によらず欠陥部３５ａを容易に修正することができる。
【００４４】
なお、この実施の形態では、１回の積層回数を１０回としたが、積層回数は条件により異なり、それに合う回数が選定される。また、微粒子堆積装置５を用いて堆積層３６を形成したが、それ以外の手段（たとえば塗布針）で堆積層３６を形成してもよい。また、リブ形成に用いるリブペーストの軟化点よりも低い修正液２０を用いて、リブ３５と修正液２０の両方が溶ける温度で本焼成してもよい。
【００４５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明が適用されるパターン修正装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示したパターン修正装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１に示したパターン修正装置の変更例を示す断面図である。
【図４】図１に示したパターン修正装置の使用方法を示す図である。
【図５】図４に示した堆積層のうちの不要部を研磨除去した状態を示す図である。
【図６】図４に示したパターン修正方法の問題点を説明するための図である。
【図７】この発明の一実施の形態によるパターン修正方法を示す図である。
【図８】図７で示したパターン修正方法を示す他の図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  パターン修正装置、２  観察光学系、３  モニタ、４  カット用レーザ部、５  微粒子堆積装置、６，６′  基板加熱部、６ｓ  光スポット、７  画像処理部、８  ホストコンピュータ、９  制御用コンピュータ、１０  ＸＹステージ、１１  チャック部、１２  Ｚステージ、１５  噴霧部、１６  減圧部、１７  加熱部、１８  ヘッド部、１９  容器、２０  修正液、２１  噴霧ノズル、２１ａ  噴出口、２１ｂ  吸入口、２２  ノズル部、２３  集気部、２４  排気管、２５  外管、２６  隙間、２７  パイプ、２８  ヒータ、２９  温度センサ、３０  塗布ノズル、３１  シャッタ、１４，３４  背面ガラス基板、１３，３５  リブ、１３ａ，３５ａ  リブ欠け欠陥部、３６，３６＿１〜３６＿ｎ  堆積層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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