(57)【要約】【課題】薄膜磁気ヘッドのグランドラインに、外来ノイズが乗った場合には、グランドライン近傍のリード配線やアース用配線にクロストークノイズが発生する。【解決手段】薄膜ヘッド部１ｂの中心部近傍にコモン端子Ｃが設けられる。記録素子用端子Ｗには、コイル３５からの配線ＬＷが接続され、再生素子用端子Ｒ−，Ｒ＋には、ＧＭＲ素子２３Ｇの電極からのリード配線ＬＥが接続され、ヒータ用端子Ｈ＋には、ヒータ４からの配線ＬＨが接続される。コモン端子Ｃには、再生素子の上下のシールド２１，２４のアース用配線ＬＳＡと、電極のアース用配線ＬＥＡと、記録素子の上下の磁極３１，３３のアース用配線ＬＷＡがそれぞれ抵抗Ｒ２〜Ｒ５を有して接続される。グランド端子Ｇには、スライダ１ａのアース用配線ＬＬＡと、ヒータ４のアース用配線ＬＨＡと、コモン端子Ｃのアース用配線ＬＣＡが接続される。【選択図】図１
2007287190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダと、
該スライダの空気流出端面に設けられ、ヒータと、再生素子と、記録素子と、これらを覆う保護膜とを有する薄膜ヘッド部と、
該薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍に設けられたコモン端子と、
前記薄膜ヘッド部の端面に設けられた、再生素子用端子と、記録素子用端子と、該再生素子用端子と記録素子用端子の両脇に設けられたヒータ用端子とグランド端子と、を有し、
前記再生素子及び記録素子のアース用配線は前記コモン端子に接続され、該コモン端子のアース用配線、前記スライダのアース用配線及び前記ヒータのアース用配線は前記グランド端子に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記コモン端子が前記薄膜ヘッド部の端面の再生素子用端子と記録素子用端子の間に設けられることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記ヒータは前記スライダと前記再生素子の間に設けられることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記ヒータは前記再生素子の後部に設けられることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
空気軸受面と、空気流入端面と、空気流出端面を有するスライダと、
該スライダの空気流出端面に設けられ、ヒータと、下部シールドと上部シールドとこれらに挟まれたＧＭＲ素子とを有する再生素子と、下部磁極と上部磁極とこれらの間に配置されたコイルとを有する記録素子と、これらを覆う保護膜とを有する薄膜ヘッド部と、
該薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍に設けられたコモン端子と、
前記薄膜ヘッド部の端面に設けられた、再生素子用端子と、記録素子用端子と、該再生素子用端子と記録素子用端子の両脇に設けられたヒータ用端子とグランド端子と、を有し、
前記下部シールド及び上部シールドに接続されたアース用配線と、前記ＧＭＲ素子の電極に接続されたアース用配線と、前記下部磁極及び上部磁極に接続されたアース用配線は前記コモン端子に接続され、該コモン端子のアース用配線と、前記スライダのアース用配線と、前記ヒータのアース用配線は前記グランド端子に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記コモン端子が前記薄膜ヘッド部の端面の再生素子用端子と記録素子用端子の間に設けられることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記ヒータは前記再生素子の近傍に設けられることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
空気軸受面と、空気流入端面と、空気流出端面を有するスライダと、
該スライダの空気流出端面に設けられ、ヒータと、下部シールド兼下部電極と上部シールド兼上部電極とこれらに挟まれたＴＭＲ素子とを有する再生素子と、下部磁極と上部磁極とこれらの間に配置されたコイルとを有する記録素子と、これらを覆う保護膜とを有する薄膜ヘッド部と、
該薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍に設けられたコモン端子と、
前記薄膜ヘッド部の端面に設けられた、再生素子用端子と、記録素子用端子と、該再生素子用端子と記録素子用端子の両脇に設けられたヒータ用端子とグランド端子と、を有し、
前記下部シールド兼下部電極に接続されたアース用配線と、前記上部シールド兼上部電極に接続されたアース用配線と、前記下部磁極及び上部磁極に接続されたアース用配線は前記コモン端子に接続され、該コモン端子のアース用配線と、前記スライダのアース用配線と、前記ヒータのアース用配線は前記グランド端子に接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記コモン端子が前記薄膜ヘッド部の端面の再生素子用端子と記録素子用端子の間に設けられることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記ヒータは前記再生素子の近傍に設けられることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドに係わり、特に浮上量調整機能を有する薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、サスペンションによって支持され、磁気ディスクの径方向に位置決めされる薄膜磁気ヘッドを有し、薄膜磁気ヘッドが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスクに対して磁気情報の読み書きを行う。薄膜磁気ヘッドのスライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は接触しないように設計されている。磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、スライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境温度差、記録時と再生時との浮上量差、などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。薄膜磁気ヘッド毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を有するスライダを用いれば、上記マージンをなくし、スライダとディスクの接触を防ぎつつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。特許文献１には、薄膜抵抗体から成るヒータを記録素子と再生素子の近傍に設け、スライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、記録素子及び再生素子と磁気記録媒体との距離を調整するスライダ構造が提案されている。
【０００４】
しかしながら、浮上量調整のためにヒータを設けると、記録再生素子内の配線が増加し、ヘッド後端面に配置される端子数も増加する。端子に接続されるサスペンション上の配線数も増加し、各配線の間隔は狭まる。したがって、記録時の記録素子用配線から再生素子用配線へのクロストークが問題となる。特許文献２には、クロストークの問題を解決するために、サスペンション上において、再生素子用配線をヒータ用配線で挟むように配置する構成、また、ヒータ用配線を記録素子用配線と再生素子用配線の間に配置する構成が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４２１５１号公報
【特許文献２】特開２００４−１９２７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄膜磁気ヘッドの後端面には、２個の記録素子用端子、２個の再生素子用端子、１個のヒータ用端子、１個のグランド端子、の６個が配置されている。グランド端子には、スライダからのグランドラインと、再生素子の２個の電極のアース用配線と、上下の磁気シールドのアース用配線と、記録素子の上下の磁極のアース用配線と、ヒータのアース用配線とが接続される。したがって、グランドライン近傍の配線は混み合っており、グランドラインに、外来ノイズが乗った場合には、再生素子のリード配線と、電極のアース用配線と、上下の磁気シールドのアース用配線と、記録素子の上下の磁極のアース用配線に、クロストークノイズが発生する。外来ノイズには、磁気ディスクのスピンドルモータで発生するノイズ等が含まれる。クロストークノイズは、再生素子や記録素子に悪影響を及ぼすので、極力少なくする必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドのグランドラインと再生素子のリード配線との間のクロストークを軽減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の代表的な薄膜磁気ヘッドは、スライダの空気流出端面にヒータと、再生素子と、記録素子と、これらを覆う保護膜とを有する薄膜ヘッド部が形成され、薄膜ヘッド部のトラック幅方向の中央部近傍にはコモン端子が設けられ、薄膜ヘッド部の端面には再生素子用端子と、記録素子用端子と、これらの両脇にヒータ用端子とグランド端子が設けられ、再生素子及び記録素子のアース用配線はコモン端子に接続され、コモン端子のアース用配線と、スライダのアース用配線及びヒータのアース用配線はグランド端子に接続される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのグランドラインと、再生素子のリード配線との間のクロストーク及び記録再生素子のアース用配線との間のクロストークを軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、各図面において、同一要素には同一の符号を付し、説明の明確化のため、重複する説明は省略する。
最初に、本発明の理解を容易にするために、ハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ）の全体構成を説明する。図３は、ＨＤＤの構成を模式的に示す平面図である。ＨＤＤ１００は、データを記録する記録メディアとしての磁気ディスク１０１を備えている。磁気ディスク１０１は、磁性層が磁化されることによってデータを記憶する不揮発性メモリである。ＨＤＤ１００の各構成要素は、ベース１０２内に収容されている。ベース１０２は、ベース１０２の上部開口を塞ぐカバー（不図示）とガスケット（不図示）を介して固定されることによってディスクエンクロージャを構成し、ＨＤＤ１００の各構成要素を密閉状態で収容することができる。
【００１１】
磁気ディスク１０１は、スピンドルモータ１０３に固定されている。薄膜磁気ヘッド１０５は、ホスト（不図示）との間で入出力されるデータについて、磁気ディスク１０１への書き込み及び／又は読み出しを行うヘッド素子部を供えている。ヘッド素子部は、磁気ディスク１０１への記録データに応じて電気信号を磁界に変換する記録素子及び／又は磁気ディスク１０１からの磁界を電気信号に変換する再生素子と、記録素子及び／又は再生素子がその面上に形成されているスライダとを有している。
【００１２】
アクチュエータ１０６は、薄膜磁気ヘッド１０５を保持し、移動する。アクチュエータ１０６は回動軸１０７に回動自在に保持されており、駆動機構としてのボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１０９によって駆動される。アクチュエータ１０６は、薄膜磁気ヘッド１０５が配置された長手方向におけるその先端部から、サスペンション１１０、アーム１１１、コイルサポート１１２及びフラットコイル１１３の順で結合された各構成部材を備えている。尚、サスペンション１１０の構成については、後で詳述する。ＶＣＭ１０９は、フラットコイル１１３、上側ステータ・マグネット保持板１１４に固定されたステータ・マグネット（不図示）、及び下側ステータ・マグネット保持板に固定されたステータ・マグネット（不図示）から構成されている。
【００１３】
磁気ディスク１０１は、ベース１０２の底面に固定されたスピンドルモータ１０３に一体的に保持され、スピンドルモータ１０３により所定の速度で回転駆動される。磁気ディスク１０１は、図３において、反時計回りに回転する。ＨＤＤ１００の非動作時には、磁気ディスク１０１は静止している。ＶＣＭ１０９は、コントローラ（不図示）からフラットコイル１１３に流される駆動信号に応じて、回動軸１０７を中心としてアクチュエータ１０６をその短手方向において回動する。これによって、アクチュエータ１０６は磁気ディスク１０１の上に薄膜磁気ヘッド１０５を移動する、もしくは、磁気ディスク１０１の外側へ薄膜磁気ヘッド１０５を移動することができる。
【００１４】
磁気ディスク１０１からのデータの読み取り／書き込みのため、アクチュエータ１０６は回転している磁気ディスク１０１表面のデータ領域上空に薄膜磁気ヘッド１０５を移動する。アクチュエータ１０６が回動することによって、薄膜磁気ヘッド１０５が磁気ディスク１０１の表面の半径方向に沿って移動する。これによって、薄膜磁気ヘッド１０５が所望のトラックにアクセスすることができる。薄膜磁気ヘッド１０５とコントローラとの間の信号は、伝送配線であるトレース２０１とＦＰＣ１１７が伝送する。薄膜磁気ヘッド１０５は、磁気ディスク１０１に対向するスライダのＡＢＳ（Air Bearing Surface）と回転している磁気ディスク１０１との間の空気の粘性による圧力が、サスペンション１１０によって磁気ディスク１０１方向に加えられる圧力とバランスすることによって、磁気ディスク１０１上を一定のギャップを置いて浮上する。
【００１５】
磁気ディスク１０１の回転が停止すると、薄膜磁気ヘッド１０５が磁気ディスク１０１表面に接触し、吸着現象によってデータ領域の傷の発生、磁気ディスクの回転不能などの問題が起こるため、磁気ディスク１０１の回転が停止するときには、アクチュエータ１０６は薄膜磁気ヘッド１０５をデータ領域からランプ機構１１５に退避させる。アクチュエータ１０６がランプ機構１１５の方向に回動し、アクチュエータ先端部のタブ１１６がランプ機構１１５表面上を摺動しながら移動し、ランプ機構１１５上のパーキング面に載ることにより、薄膜磁気ヘッド１０５がアンロードされる。ロードのときには、パーキング面に支持されていたタブ１１６がランプ機構１１５から離脱して、薄膜磁気ヘッド１０５は磁気ディスク１０１表面上空に移動する。
【００１６】
尚、上記ＨＤＤはロード・アンロード方式を採用しているが、薄膜磁気ヘッド１０５がデータ書き込み／読み出し処理を行わない場合に、磁気ディスク１０１の内周に配置されているゾーンに退避するＣＳＳ（Contact Start and Stop）方式を採用することもできる。また、上記の説明では、簡単のために磁気ディスク１０１が一枚構成で、片面記憶のＨＤＤを説明しているが、ＨＤＤは、１枚もしくは複数枚の両面記憶磁気ディスクを備えることができる。
【００１７】
次に、図４を参照して薄膜磁気ヘッド１０５をサスペンション１１０に取り付けた状態のヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ）の構成を説明する。図４は、磁気ディスクの記録面側からみたＨＧＡの構造を示している。図４に示すように、ＨＧＡ２００は、薄膜磁気ヘッド１０５、サスペンション１１０及び伝送配線であるトレース２０１を備えている。サスペンション１１０は、薄膜磁気ヘッド１０５を磁気ディスク対向面側で保持する可撓性のジンバル１０８と、ジンバル１０８を磁気ディスク対向面側で保持するロードビーム１０９及びマウント・プレート２０６を備えている。図４のＨＧＡ２００は、ロード・アンロード・タイプであって、ロードビーム１０９の先端にランプ機構に退避するためのタブ１１６を備えている。薄膜磁気ヘッド１０５の空気流出端面（タブ側）にはヘッド素子部に接続された複数の端子が形成されており、各端子とトレース２０１の各配線とが半田や金のボール・ボンディングなどを使用して接続されている。
【００１８】
次に、図５を参照して本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッド１０５の構成について説明する。薄膜磁気ヘッド１０５は基板（スライダ）１ａと、薄膜ヘッド部１ｂからなる。スライダ１ａはほぼ直方体形状をしており、空気軸受面５、空気流入端面１１、空気流出端面１２、両側の側面、背面の計６面で構成される。薄膜磁気ヘッド１０５のサイズは、例えば、長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍである。薄膜ヘッド部１ｂの端面１３には、ヘッド素子部に接続された複数の端子１ｃが形成されている。空気軸受面５には、イオンミリング等により微細な段差（ステップ軸受）が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。
【００１９】
空気軸受面５の段差は、実質的に平行な３種類の面に分類される。最もディスクに近いレール面６、レール面６より約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面７、レール面６より約１μｍ深くなっている深溝面８である。ディスクが回転することで生じる空気流が、ステップ軸受である浅溝面７からレール面６に進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６や浅溝面７から深溝面８へ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。
【００２０】
薄膜磁気ヘッド１０５は、空気流入端側の浮上量が空気流出端側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。したがって、端面１３近傍のレール面６がディスクに最も接近する。端面１３近傍では、レール面６が周囲の浅溝面７、深溝面８に対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６が最もディスクに近づくことになる。再生素子２および記録素子３は、レール面６の薄膜ヘッド部１ｂに属する部分に形成されている。ロードビーム１０９から押し付けられる荷重と、空気軸受面５で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、記録素子３および再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度あるいはそれ以下の適切な値に保つよう、ステップ軸受の形状が設計されている。なお、上記の薄膜磁気ヘッド１０５は、空気軸受面５が３種類の面から構成される２段ステップ軸受のスライダであるがが、これに限らず４種類以上の平行な面から構成される３段以上のステップ軸受のスライダであっても良い。
【００２１】
次に、図５のＡ−Ａ線断面図である図６を参照して、スライダ１ａの上に形成されている薄膜ヘッド部１ｂの内部の構成を説明する。薄膜ヘッド部１ｂはスライダ１ａ側からアルミナ絶縁膜１５０、ヒータ４、再生素子２、記録素子３、これらを隔てる絶縁膜（アルミナ）１５２、これら全体を覆う保護膜（アルミナ）１５４が積層されて構成されている。ヒータ４はＮｉＣｒ等の薄膜抵抗体であり、再生素子２の下部（近傍）に配置されている。再生素子２は、下部シールド２１、ギャップ膜２２、ギャップ膜２２の中に形成されている磁気抵抗効果素子２３、上部シールド２４で構成されている。磁気抵抗効果素子２３は、ＧＭＲ(Giant Magnetoresistive)素子、ＴＭＲ(Tunneling Magnetoresistive)素子などである。記録素子３は、下部磁極３１と、浮上面側に磁気ギャップ３２を形成し後部で下部磁極２１に磁気的に接続されている上部磁極３３と、下部磁極３１と上部磁極３３の間に層間絶縁膜３４を介して形成されたコイル３５とで構成されている。また、薄膜ヘッド部１ｂには後述するコモン端子Ｃが設けられている。
【００２２】
スライダ１ａはアース用配線（スタッド）ＬＬＡにより、端面１３に形成されたグランド端子Ｇに接続されている。このタイプの薄膜磁気ヘッド１０５は、ＴＦＣ(Thermal Flying Control)ヘッドと呼ばれ、必要に応じてヒータ４に通電することにより、再生素子２及び記録素子３を覆っている絶縁膜（アルミナ）１５２を加熱して熱膨張させ、再生素子２及び記録素子３を浮上面側に突出させることにより磁気ディスクとの距離（浮上量）を調整することができる。なお、上記の構成例では、ヒータ４が絶縁膜１５０と再生素子２の間に設けられているが、これに限らず、ヒータ４は再生素子２の近傍であればよく、再生素子２の後部や、再生素子２及び記録素子３の後部に設けられても良い。
【００２３】
次に、図７、図８を参照して、再生素子にＧＭＲ素子およびＴＭＲ素子を用いた比較例による薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の配線と端子１ｃとの接続関係について説明する。図７は、ＧＭＲ素子２３Ｇを用いた薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の配線と端子１ｃを浮上面側から見た模式図である。端子１ｃの配置は、薄膜ヘッド部１ｂの左側端部から、グランド端子Ｇ(Ground)、記録素子用端子Ｗ(Write)、記録素子用端子Ｗ(Write)、再生素子用端子Ｒ−(Read-)、再生素子用端子Ｒ＋(Read+)、ヒータ用端子Ｈ＋(Heater+)である。図７において、２個の記録素子用端子Ｗには、コイル３５の両端からの配線ＬＷが接続されている。２個の再生素子用端子Ｒ−，Ｒ＋には、ＧＭＲ素子２３Ｇの電極からのリード配線ＬＥが接続されている。ヒータ用端子Ｈ＋には、ヒータ４からのヒータ配線ＬＨが接続されている。グランド端子Ｇには、スライダ１ａからのアース用配線ＬＬＡと、ヒータ４のアース用配線ＬＨＡと、電極のアース用配線ＬＥＡと、上下のシールド２１，２４のアース用配線ＬＳＡと、上下の磁極３１，３３のアース用配線ＬＷＡがそれぞれ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５を有して接続されている。ここで、磁気ディスクからのノイズがスライダ１ａを介してアース用配線ＬＬＡに乗ると、左右のリード配線ＬＥのShunt抵抗が異なるため、左側のリード配線ＬＥと、各アース用配線ＬＨＡ，ＬＥＡ，ＬＳＡ，ＬＷＡにクロストークノイズが発生する。
【００２４】
図８はＴＭＲ素子２３Ｔを用いた薄膜磁気ヘッドの、ヘッド素子部の配線と端子１ｃを浮上面側から見た模式図である。端子１ｃの配置は、上記した図７の例と同じである。ＴＭＲ素子２３Ｔの場合は、上下のシールド２６，２５が電極を兼用することができるので、図７における上下のシールド２１，２４のアース用配線ＬＳＡを省略することができる。しかしながら、その他のアース用配線は図７と同じであり、磁気ディスクからのノイズがスライダ１ａを介してアース用配線ＬＬＡに乗ると、左右のリード配線ＬＥのShunt抵抗が異なるため、左側のリード配線ＬＥと、各アース用配線ＬＨＡ，ＬＥＡ，ＬＷＡにクロストークノイズが発生する。
【００２５】
本発明の目的は、上記のようなクロストークの影響を軽減することであり、図１及び図２を参照して、本発明の実施例による薄膜磁気ヘッドの配線構造を説明する。図１は、ＧＭＲ素子２３Ｇを用いた薄膜磁気ヘッド１０５のヘッド素子部の配線と端子１ｃを浮上面側から模式的に示した図である。端子１ｃの配置は、図７に示した配置と同じであり、薄膜ヘッド部１ｂの左側端部から、グランド端子Ｇ(Ground)、記録素子用端子Ｗ(Write)、記録素子用端子Ｗ(Write)、再生素子用端子Ｒ−(Read-)、再生素子用端子Ｒ＋(Read+)、ヒータ用端子Ｈ＋(Heater+)である。勿論、グランド端子Ｇとヒータ用端子Ｈ＋は左右逆の配置でも良い。また、２個の記録素子用端子Ｗと２個の再生素子用端子Ｒ(-)，Ｒ(+)の配置も左右逆でも良い。
【００２６】
図１において、２個の記録素子用端子Ｗには、コイル３５の両端からの配線ＬＷが接続されている。２個の再生素子用端子Ｒ−，Ｒ＋には、ＧＭＲ素子２３Ｇの電極からのリード配線ＬＥが接続されている。ヒータ用端子Ｈ＋には、ヒータ４からのヒータ配線ＬＨが接続されている。薄膜ヘッド部１ｂのトラック幅方向の中央部近傍にはコモン端子Ｃが設けられており、コモン端子ＣにＧＭＲ素子の電極のアース用配線ＬＥＡと、上下のシールド２１，２４のアース用配線ＬＳＡと、上下の磁極３１，３３のアース用配線ＬＷＡがそれぞれ抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ２，Ｒ５を有して接続されている。グランド端子Ｇには、スライダ１ａからのアース用配線ＬＬＡと、ヒータ４のアース用配線ＬＨＡと、コモン端子Ｃのアース用配線ＬＣＡが接続されている。このような接続とすることにより、コモン端子Ｃから見て、左右のリード配線ＬＥのShunt抵抗の差が少なくなるので、磁気ディスクからのノイズがスライダ１ａを介してアース用配線ＬＬＡに乗ったとしても、左側のリード配線ＬＥと、ヒータのアース用配線ＬＨＡと、コモン端子のアース用配線ＬＣＡに発生するクロストークノイズは軽減される。
【００２７】
なお、上記実施例ではコモン端子Ｃを、薄膜ヘッド部１ｂの中で、ヘッド素子部の上部中央に設けているが、薄膜ヘッド部１ｂの端面１３に余裕がある場合には、記録素子用端子Ｗと再生素子用端子Ｒ−の間に設けるようにしてもよい。
【００２８】
図２はＴＭＲ素子２３Ｔを用いた薄膜磁気ヘッド１０５の、ヘッド素子部の配線と端子１ｃを浮上面側から模式的に示した図である。端子１ｃの配置は、上記した図１の例と同じである。ＴＭＲ素子２３Ｔの場合は、上下のシールド２６，２５が電極を兼用することができるので、上下のシールド２６，２５のアース用配線ＬＳＡを省略することができる。２個の記録素子用端子Ｗには、コイル３５の両端からの配線ＬＷが接続されている。再生素子用端子Ｒ−には、ＴＭＲ素子２３Ｔの上部シールド兼上部電極２６からのリード配線ＬＥが接続され、再生素子用端子Ｒ＋には、下部シールド兼下部電極２５からのリード配線ＬＥが接続されている。ヒータ用端子Ｈ＋には、ヒータ４からのヒータ配線ＬＨが接続されている。薄膜ヘッド部１ｂのトラック幅方向の中央部近傍にはコモン端子Ｃが設けられており、コモン端子Ｃには、ＴＭＲ素子２３Ｔの上部シールド兼上部電極２４のアース用配線ＬＥＡと、下部シールド兼下部電極２１のアース用配線ＬＥＡと、上下の磁極３１，３３のアース用配線ＬＷＡがそれぞれ抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５を有して接続されている。グランド端子Ｇには、スライダ１ａからのアース用配線ＬＬＡと、ヒータ４のアース用配線ＬＨＡと、コモン端子Ｃのアース用配線ＬＣＡが接続されている。このような接続とすることにより、コモン端子Ｃから見て、左右のリード配線ＬＥのShunt抵抗の差が少なくなるので、磁気ディスクからのノイズがスライダ１ａを介してアース用配線ＬＬＡに乗ったとしても、左側のリード配線ＬＥと、ヒータのアース用配線ＬＨＡと、コモン端子のアース用配線ＬＣＡに発生するクロストークノイズは軽減される。
【００２９】
上記ＴＭＲ素子を用いた実施例でも、コモン端子Ｃを、薄膜ヘッド部１ｂの中で、ヘッド素子部の上部中央に設けているが、薄膜ヘッド部１ｂの端面１３に余裕がある場合には、記録素子用端子Ｗと再生素子用端子Ｒ−の間に設けるようにしてもよい。
【００３０】
以上の説明のとおり、本発明の実施例によれば、薄膜ヘッド部にコモン端子Ｃを設け、各素子からのアース用配線をコモン端子Ｃに一旦接続し、コモン端子Ｃのアース用配線をグランド端子Ｇに接続するので、リード配線の左右でShunt抵抗の差が少なくなる。したがって、磁気ディスク等からの外来ノイズがスライダを介してグランドラインに乗ったとしても、その近傍のリード配線と、グランド端子Ｇに接続されている各アース用配線に発生するクロストークノイズを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例による薄膜磁気ヘッド（ＧＭＲ）の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明の実施例による薄膜磁気ヘッド（ＴＭＲ）の配線構造を示す模式図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドが搭載されるハードディスク・ドライブの平面図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドが組み込まれるヘッド・ジンバル・アセンブリの斜視図である。
【図５】本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの外観図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図であり、薄膜ヘッド部の構成を示す図である。
【図７】比較例の薄膜磁気ヘッド（ＧＭＲ）の配線構造を示す模式図である。
【図８】比較例の薄膜磁気ヘッド（ＴＭＲ）の配線構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３２】
１ａ…スライダ、１ｂ…薄膜ヘッド部、１ｃ…端子、２…再生素子、３…記録素子、４…ヒータ、５…空気軸受面、６…レール面、７…浅溝面、８深溝面、１１空気流入端面、１２…空気流出端面、１３…薄膜ヘッド部の端面、２１…下部シールド、２２…ギャップ膜、２３…磁気抵抗効果素子、２３Ｇ…ＧＭＲ素子、２３Ｔ…ＴＭＲ素子、２４…上部シールド、２５…下部シールド兼下部磁極、２６…上部シールド兼上部磁極、３１…下部磁極、３２…磁気ギャップ、３３…上部磁極、３４…層間絶縁膜、３５…コイル、１００…ハードディスク・ドライブ、１０１…磁気ディスク、１０５…薄膜磁気ヘッド、１０８…ジンバル、１０９…ロードビーム、１１０…サスペンション、１５０，１５２…絶縁膜、１５４…保護膜、２００…ヘッド・ジンバル・アセンブリ、２０１…トレース、ＬＷ…コイルの配線、ＬＥ…リード配線、ＬＨ…ヒータの配線、ＬＬＡ…スライダのアース用配線、ＬＨＡ…ヒータのアース用配線、ＬＳＡ…上下シールドのアース用配線、ＬＥＡ…電極のアース用配線、ＬＷＡ…上下磁極のアース用配線、Ｃ…コモン端子、ＬＣＡ…コモン端子のアース用配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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