(57)【要約】【課題】  半導体装置などの小型化に寄与することができ、コイル単体の部品として使用することができ、かつインダクタンス値のコントロールや増加が容易に可能であるチップコイルを提供すること。【解決手段】  チップの形態を有しており、絶縁性の樹脂材料からなる矩形の基体と、該基体の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、隣接したコイル間が前記基体によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部とを含み、樹脂材料に磁性フィラーを含み、厚さが５０μｍ以下であるように構成する。【選択図】      図３
2007053311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の樹脂材料からなる矩形の基体と、該基体の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、かつ隣接したコイル間が前記基体によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部とを含むことを特徴とするチップ型のコイル構造体。
【請求項２】
前記コイル部が、複数個の矩形コイルの連結体からなり、それぞれの矩形コイルは、基体の下面に形成された下部配線、基体を垂直方向に貫通して形成され、かつ下端部が前記下部配線の１つの端部に接続された第１の貫通配線、基体の上面に形成され、かつ１つの端部が前記第１の貫通配線の上端部に接続された上部配線、及び基体を垂直方向に貫通して形成され、上端部が前記上部配線のもう１つの端部に接続されかつ下端部が隣接して形成されたコイルの下部配線の１つの端部に接続された第２の貫通配線からなることを特徴とする請求項１に記載のコイル構造体。
【請求項３】
前記コイル部は、導体金属のめっきによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル構造体。
【請求項４】
前記樹脂材料にさらに磁性フィラーが分散せしめられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のコイル構造体。
【請求項５】
前記基体は、絶縁性の樹脂材料のフィルムからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のコイル構造体。
【請求項６】
前記基体は、絶縁性の樹脂材料の電着皮膜からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のコイル構造体。
【請求項７】
５０μｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のコイル構造体。
【請求項８】
絶縁性の樹脂材料からなる矩形の基体と、該基体の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、かつ隣接したコイル間が前記基体によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部とを含むチップ型のコイル構造体を製造するに当たって、
仮の支持体上で、前記基体及び前記コイル部を順次形成し、かつ前記支持体の除去により前記コイル構造体を取り出すこと、及び
前記コイル部を複数個の矩形コイルの連結体として形成するとともに、それぞれの矩形コイルを、下記の工程：
前記支持体上に下部配線を形成すること、
前記支持体上に、絶縁性の樹脂材料を、前記基体の厚さを得るのに必要な厚さで積層すること、
前記樹脂材料の層において、それを垂直方向に貫通するビアホールを形成すること、
導体金属を、前記ビアホールに充填するとともに、前記樹脂材料の層の表面に予め定められたパターンで被覆して、基体を垂直方向に貫通して形成され、かつ下端部が前記下部配線の１つの端部に接続された第１の貫通配線、基体の上面に形成され、かつ１つの端部が前記第１の貫通配線の上端部に接続された上部配線、及び基体を垂直方向に貫通して形成され、上端部が前記上部配線のもう１つの端部に接続されかつ下端部が隣接して形成されたコイルの下部配線の１つの端部に接続された第２の貫通配線を形成すること、
によって形成することを特徴とするコイル構造体の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂材料にさらに磁性フィラーが分散せしめられていることを特徴とする請求項８に記載のコイル構造体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のコイル構造体が内蔵されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受動部品に関し、さらに詳しく述べると、チップ型のコイル構造体及びその製造方法に関する。本発明はまた、チップ型のコイル構造体を組み込んだ半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の通り、半導体パッケージに受動部品であるチップ型のコンデンサ、コイル及び抵抗を表面実装することで、半導体システムが動作している。また、半導体パーケージは、携帯電話やノート型パソコンを含むいろいろな電子機器において広く用いられているが、電子機器の高機能化、小型化にあわせて、サイズダウンが進められている。
【０００３】
ところで、チップ型のコイルを半導体パッケージに表面実装する場合には、例えば図１に示すような方法が一般的に採用されている。図示の例は、半導体パッケージ１１０の表面にＬＳＩチップ１２０及びソレノイド構造を有するチップコイル１３０を搭載したものである。チップコイル１３０は、絶縁性のコア１３１において、その胴部に導体コイル１３２を巻回した構造を有しており、円筒状に巻回された導体コイル１３２の末端が電極１３３及び１３４に接続されている。チップコイル１３０の電極１３３及び１３４は、それぞれ、はんだバンプ１３５及び１３６を介して半導体パッケージ１１０に固着されている。しかしながら、この表面実装法の場合、チップコイルの小型化には限界があるので、半導体パーケージにおいて大幅なサイズダウンをはかることは困難である。半導体パッケージのサイズは、ＬＳＩチップ及びチップコイルの面積に律束されるからである。また、この表面実装法の場合、チップコイルの表面実装にはんだ接続を利用しているので、接続不良に原因して信頼性の低下が問題となる。
【０００４】
上述のようなチップコイルの問題点を回避するため、半導体パッケージにコイルを内蔵する方法も提案されている。例えば、特許文献１には、図２に示すようなコイル内蔵半導体装置が記載されている。この半導体装置の場合、下地絶縁膜２０３を有する半導体基板２０１が用いられている。下地絶縁膜２０３の上の下層絶縁層２０５には、複数の下層導電性膜２０７が形成されている。また、下層絶縁層２０５の上には、ＰＳＧ膜２０９及びＳｉＮ膜２１１を介して、板状の磁性体２１３が形成されている。下層導電性膜２０７の上の、ＰＳＧ膜２０９、ＳｉＮ膜２１１及び感光性ポリイミド層２１５には、スルーホール２１７が形成されている。また、スルーホール２１７の底部には、バリヤメタル層２１８が形成されている。そして、感光性ポリイミド層２１５の上及びスルーホール２１７の内部には、すべての下層導電性膜２０７が直列に接続されるように、複数の上層導電性膜２１９が形成され、絶縁性樹脂２２１で封止されている。よって、この半導体装置の場合、下層導電性膜２０７と上層導電性膜２１９とでコイルが形成されている。
【０００５】
しかし、このようなコイル内蔵半導体装置にも課題が残されている。例えば、半導体基板の存在を必須とするため、半導体装置の構造に制限があり、いかなる半導体装置であってもコイルを内蔵可能というわけにはいかない。できれば、コイルを単体の部品として使用できることが望ましい。また、構造が複雑であるので、製造工程が煩雑であり、製造コストも増加する。さらに、板状の磁性体を使用しなければならないので、得られるコイルにおいてインダクタンス値のコントロールや増加が望ましいときに、それらの要求を簡単に満足させることが難しい。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２０３９８２（特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、従来のチップコイルやそれを内蔵した半導体装置の問題点を解決して、半導体装置などの小型化及び高性能化に寄与することができ、かつ接続不良などに原因してデバイスの信頼性を低下させることのないチップコイルを提供することにある。
【０００８】
また、本発明の目的は、コイル単体の部品として使用できて、半導体装置などに内蔵するに当たって装置の構造が制限されることがないばかりでなく、インダクタンス値のコントロールや増加が容易に可能であるチップコイルを提供することにある。
【０００９】
さらに、本発明の目的は、かかるチップコイルを簡単な手法で、正確にかつ歩留まりよく製造する方法を提供することにある。
【００１０】
さらにまた、本発明の目的は、上記のようなチップコイルを備えた、小型で高性能な半導体パッケージを提供することにある。
【００１１】
本発明の上記した目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、その１つの面において、絶縁性の樹脂材料からなる矩形の基体と、該基体の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、かつ隣接したコイル間が前記基体によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部とを含むことを特徴とするチップ型のコイル構造体にある。
【００１３】
また、本発明は、そのもう１つの面において、絶縁性の樹脂材料からなる矩形の基体と、該基体の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、かつ隣接したコイル間が前記基体によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部とを含むチップ型のコイル構造体を製造するに当たって、
仮の支持体上で、前記基体及び前記コイル部を順次形成し、かつ前記支持体の除去により前記コイル構造体を取り出すこと、及び
前記コイル部を複数個の矩形コイルの連結体として形成するとともに、それぞれの矩形コイルを、下記の工程：
前記支持体上に下部配線を形成すること、
前記支持体上に、絶縁性の樹脂材料を、前記基体の厚さを得るのに必要な厚さで積層すること、
前記樹脂材料の層において、それを垂直方向に貫通するビアホールを形成すること、
導体金属を、前記ビアホールに充填するとともに、前記樹脂材料の層の表面に予め定められたパターンで被覆して、基体を垂直方向に貫通して形成され、かつ下端部が前記下部配線の１つの端部に接続された第１の貫通配線、基体の上面に形成され、かつ１つの端部が前記第１の貫通配線の上端部に接続された上部配線、及び基体を垂直方向に貫通して形成され、上端部が前記上部配線のもう１つの端部に接続されかつ下端部が隣接して形成されたコイルの下部配線の１つの端部に接続された第２の貫通配線を形成すること、
によって形成することを特徴とするコイル構造体の製造方法にある。
【００１４】
さらに、本発明は、そのもう１つの面において、本発明によるコイル構造体が内蔵されていることを特徴とする半導体パッケージにある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、以下の詳細な説明から理解されるように、単体で使用可能な高性能なチップ型のコイルを実現できたので、それらを各種の電子機器、例えば半導体装置や半導体パッケージなどの内部に組み込みことができ、よって、半導体装置などの小型化及び高性能化に寄与することができる。また、コイルをデバイスに内蔵できたので、はんだなどを使用したチップコイルの接続の必要性がなくなるので、デバイスの信頼性を高めることもできる。
【００１６】
また、本発明のチップコイルはコイル単体の部品として使用できるので、従来の方法のように基板を用意して、その基板の上で順次の加工工程によりチップコイルを作り込む必要性がなく、よって、チップコイルの組み込みがより容易となり、チップコイル製造中のトラブルも回避できるばかりでなく、半導体装置などに内蔵するに当たって、装置の構造により使用が制限されることもなくなり、製造の自由度が増加する。また、基体を構成する絶縁性樹脂材料に磁性フィラーを分散させた場合には、従来のように板状の磁性体を配置する必要性がなくなるので、この面でも製造の自由度が増し、さらにはインダクタンス値のコントロールや増加が容易に可能である。
【００１７】
さらに、本発明によれば、本発明のコイル構造体を簡単な手法で、正確にかつ歩留まりよく製造することができる。
【００１８】
さらにまた、本発明によれば、上記のようなコイル構造体を内蔵した、小型で高性能な半導体パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明によるコイル構造体、コイル構造体の製造方法及び半導体パッケージは、それぞれ、いろいろな形態で有利に実施することができる。以下、添付の図面を参照しながら本発明をその好ましい実施の形態について説明するが、本発明は、これらの形態に限定されるものではない。
【００２０】
図３は、本発明によるチップ型のコイル構造体１０の好ましい１形態を示したものであり、図３（Ａ）に示される通り、矩形の基体１と、基体１の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、かつ隣接したコイル間が基体１によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部２、３及び４とから構成される。コイル部は、通常のチップコイルが円筒形であるのに反して、矩形である。コイル構造体１０は、それを上方から観察すると、パターン状に形成された上部配線４のみが露出しており、その両端は電極１４に接続されている。
【００２１】
基体は、各種の絶縁材料から形成することができるけれども、好ましくは絶縁性の樹脂材料から形成することができる。基体の形成に有用な樹脂材料は、チップコイルや半導体パーケージの製造に一般的に使用されている樹脂であり、特にコイル構造体を半導体パッケージに内蔵して使用する場合には、半導体パッケージと同じ材料を使用することが推奨される。好適な樹脂材料として、例えば、以下に列挙するものに限定されないが、ポリイミド樹脂などを挙げることができる。
【００２２】
基体は、樹脂材料からいろいろな手法で形成することができる。一般的には、適当なコーティング法を使用して樹脂溶液を塗布し、硬化させてもよく、樹脂フィルムを貼付してもよく、さもなければ電着方式で樹脂皮膜を析出させてもよい。また、基体は、いろいろな厚さで使用することができる。特に、目的とするコイル構造体の厚さを考慮して基体の厚さを決定するのが好ましい。基体の厚さは、通常、約２０〜５０μｍの範囲である。なお、この厚さは、コンデンサ構造体において所望とするインダクタンス値に応じても変更可能である。
【００２３】
図３から理解されるように、コイル部は、複数個の矩形コイルの連結体からなる。また、それぞれの矩形コイルは、基体１の下面に形成された下部配線２、基体１を垂直方向に貫通して形成され、かつ下端部が下部配線２の１つの端部に接続された第１の貫通配線３、基体１の上面に形成され、かつ１つの端部が第１の貫通配線３の上端部に接続された上部配線４、及び基体１を垂直方向に貫通して形成され、上端部が上部配線４のもう１つの端部に接続されかつ下端部が隣接して形成されたコイルの下部配線２の１つの端部に接続された第２の貫通配線３からなる。また、上部配線４は、その両端部が電極１４に接続されている。
【００２４】
コイル部は、電極も含めて、いろいろな導電性材料から形成することができる。コイル部は、好ましくは、例えば銅などの導体金属から形成することができる。コイル部はまた、コイルの部位などに応じていろいろな形成法で形成することができる。例えば、貫通配線は、予め形成したビアホールに導体金属を任意の手法、例えばめっきにより充填することによって形成することができ、また、上部配線、下部配線、電極などの平坦なパターン部分は、例えば、導体金属をめっきしたり、導体金属の箔を貼り付けたりして、任意に形成することができる。特に導体金属のめっきは、貫通配線と上部配線、電極を一括して形成できるという点で有用である。
【００２５】
コイル部は、所望とするコイル構造体の構成及びインピーダンス値に応じていろいろなサイズで形成することができる。例えば、コイル部の厚さは、上部配線、下部配線及び電極のそれぞれにおいて、約１０〜１５μｍの範囲であるのが一般的である。また、これらのコイル部の幅は、通常、約１５〜３０μｍの範囲である。さらに、貫通配線において、その直径は、通常、約１５〜３０μｍの範囲である。
【００２６】
本発明のコイル構造体は、矩形であり、そのサイズは、所望とするコイル構造体の構成及びその使途に応じて広い範囲で変更することができる。例えば、コイル構造体の長さは、約２００μｍ〜１０ｍｍの範囲であり、また、コイル構造体の幅は、約２００μｍ〜１０ｍｍの範囲である。本発明のコイル構造体の場合、特にその厚さに注意を払わなければならない。なぜなら、本発明のコイル構造体は特に半導体パッケージなどに内蔵して使用することが意図されているので、できるかぎり薄く形成することが好ましいからである。コイル構造体の厚さは、通常、約５０μｍもしくはそれ以下である。コイル構造体の厚さの下限は特に限定されないけれども、現在一般的に採用されている加工技術を考慮すると、通常、約３０μｍもしくはその近傍である。すなわち、コイル構造体の厚さは、好ましくは、約３０〜５０μｍの範囲であり、さらに好ましくは、約３５〜４５μｍの範囲である。
【００２７】
本発明によるコイル構造体は、上記した事項を特徴とするものであるが、本発明の範囲においていろいろに変更することができる。例えば、図９に示すように、基体１を形成する場合、その樹脂材料にさらに磁性フィラー１１を分散させて使用することが好ましい。磁性フィラー１１を分散させることで、得られるコイル構造体１０においてインダクタンス値を増加させたり、任意に制御したりすることができるからである。本発明の実施において好適な磁性フィラーは、例えば、鉄、ニッケル、コバルト、マンガン、亜鉛、鉄ニッケル合金、パーマロイなどの高透磁性材料のフィラーである。これらのフィラーは、いろいろな粒径で使用することができるが、通常、約０．１〜１０μｍの粒径で使用することが好ましい。また、これらのフィラーの分散量は、広い範囲で変更することができるが、通常、樹脂材料の全量を基準にして約３０〜８５重量％の範囲であることが好ましい。
【００２８】
上記したように、本発明のコイル構造体において、そのインダクタンス値は、例えばコイルの寸法の調整や樹脂材料における磁性フィラーの分散によって任意に変更可能である。以下にその一例を示す。
【００２９】
下記の第１表にサイズ及び巻数を示す３種類のチップコイル１、２及び３を以下に図５及び図６を参照して説明する手法に従って作製した。チップコイル２は、チップコイル１において、コイルの幅Ｄを５．００Ｅ−０４（ｍ）に小さくしたものである。また、チップコイル３は、チップコイル１において、基体の絶縁性樹脂材料に磁性フィラー（Ｎｉ粉末）を添加して比透磁率（μ）を１．００Ｅ＋０１に増加させたものである。それぞれのチップコイルのインダクタンスＬ（ｎＨ）を測定したところ、下記の第１表に示す測定結果が得られた。
【００３０】
【表１】
2007053311.tif 000003
【００３１】
上記第１表に記載の結果から理解できるように、同じタイプのチップであっても、コイル幅を小さくすることで、インダクタンスＬも小さくすることができる。反対に、比透磁率を高めた場合、インダクタンスＬを大幅に増加させることができる。
【００３２】
本発明によるコイル構造体、すなわち、絶縁性の樹脂材料からなる矩形の基体と、該基体の内部に少なくとも一部が埋設して構成され、かつ隣接したコイル間が前記基体によって絶縁されているソレノイド構造を持ったコイル部とを含むチップ型のコイル構造体は、いろいろな手法を使用して製造することができる。本発明者らは、チップ型のコイル構造体を製造するための有用な方法を見い出すべく研究の結果、仮の支持体上でコイル構造体を作製し、その後、不要となった仮の支持体を除去することによりコイル構造体を取り出すのが有効であるということを発見し、本発明方法を完成した。この方法によれば、コイル構造体を基板で支持した形態をとらないで、コイル単体の部品として取り出すことができる。
【００３３】
本発明のコイル構造体において、コイル部は、上記したように、複数個の矩形コイルを連結して一体化したものであるが、それぞれの矩形コイルは、好ましくは、下記の工程：
仮の支持体上に下部配線を形成すること、
仮の支持体上に、絶縁性の樹脂材料を、基体の厚さを得るのに必要な厚さで積層すること、
樹脂材料の層において、それを垂直方向に貫通するビアホールを形成すること、
導体金属を、ビアホールに充填するとともに、樹脂材料の層の表面に予め定められたパターンで被覆して、基体を垂直方向に貫通して形成され、かつ下端部が下部配線の１つの端部に接続された第１の貫通配線、基体の上面に形成され、かつ１つの端部が第１の貫通配線の上端部に接続された上部配線、及び基体を垂直方向に貫通して形成され、上端部が上部配線のもう１つの端部に接続されかつ下端部が隣接して形成されたコイルの下部配線の１つの端部に接続された第２の貫通配線を形成すること、
によって形成することができる。
【００３４】
このようなコイル構造体の製造方法は、例えば、図５及び図６に示すようにして有利に実施することができる。
【００３５】
まず、図５（Ａ）に示すように、仮の支持体２１を用意する。本例では、銅（Ｃｕ）板を仮の支持体２１として用意したが、これに限定されるものではなく、その他の金属板を使用してもよく、さもなければ、シリコン板、ガラス板などを使用してもよい。次いで、用意した支持体（Ｃｕ板）２１の上にストッパー層２２を形成する。ストッパー層２２は、引き続く処理工程で下地のＣｕ板が侵されるのを防止するためのものであり、例えば、ニッケル（Ｎｉ）又はクロム（Ｃｒ）を約５０〜２００ｎｍの厚さで堆積させることによって形成することができる。ストッパー層２２の形成のため、例えばスパッタ法を利用することができる。
【００３６】
引き続いて、図５（Ｂ）に示すように、予め定められたパターンで下部配線２を形成する。本例の場合、セミアディティブ法により、電解Ｃｕめっきにより下部配線２を形成した。また、Ｃｕめっきを行なう前、図示していないが、Ｃｕめっきのシード層として働かせるため、５００ｎｍ厚のＣｕ層をストッパー層２２の上にスパッタ成膜した。コイル配線の一部となる下部配線２の厚さは、約１０〜１５μｍであった。図７（Ａ）は、形成された下部配線２を支持体２１の上から見た状態を示したものである。
【００３７】
下部配線２の形成後、図５（Ｃ）に示すように、コイル構造体の基体を形成するため、絶縁性の樹脂材料１を約２０〜５０μｍの厚さで積層する。本例で使用した樹脂材料は、ポリイミド樹脂であるが、その他の樹脂材料であってもよい。例えば、半導体パッケージで使用する材料と同じ樹脂材料が有用である。絶縁樹脂層１の厚さは、所望とするインダクタンス値に応じて変更することができる。また、本例では、ポリイミド樹脂を塗布し、硬化させることによって絶縁樹脂層１を形成したが、樹脂フィルムを貼付することによって形成してもよく、さもなければ、以下に図８を参照して説明するように、電着法により析出させてもよい。
【００３８】
絶縁樹脂層１の形成後、図５（Ｄ）に示すように、貫通電極の形成部位にビアホール１２を開孔する。ビアホール１２は、例えば、レーザ加工により約５０μｍの直径で開孔することができる。図７（Ｂ）は、開孔後の絶縁樹脂層１を支持体２１の上から見た状態を示したものであり、ビアホール１２において下部配線２が露出していることがわかる。
【００３９】
次いで、図５（Ｅ）に示すように、コイル配線の一部とするため、貫通配線３及び上部配線４を形成する。本例では、これらの配線を同時に形成するとともに、電極１４も同時に形成するため、電解Ｃｕめっきを採用した。ビアホール１２にＣｕが充填されて貫通配線３が形成され、かつビアホール１２及び絶縁樹脂層１に上には約１０〜１５μｍの厚さで上部配線４及び電極１４が形成された。図７（Ｃ）は、得られた上部配線４及び電極１４のパターンを示したものである。
【００４０】
以上のような一連の加工工程を経てコイル配線を完成した後、コイル構造体の分離工程に移行する。まず、図６（Ｆ）に示すように、完成したコイル配線をエッチングから保護するため、支持体２１のコイル配線側をエッチング保護膜２５で被覆し、保護する。本例では、市販のドライフィルムレジストをエッチング保護膜２５として使用したが、その他の保護手段を使用してもよい。
【００４１】
引き続いて、図６（Ｇ）に示すように、支持体２１及びストッパー層２２をエッチングによって順次除去する。本例の場合、Ｃｕ板を支持体２１として使用しているので、常用のウエットエッチングによってこれらの層を順次除去した。
【００４２】
エッチングの完了後、不要となったエッチング保護膜２５をアルカリ液（例えば、ＮａОＨ）により剥離除去する。図６（Ｈ）に示すように、目的とするコイル構造体１０が得られる。
【００４３】
上述の製造方法において、基体１は、絶縁性の樹脂材料を塗布し、硬化させることによって形成したが、図８に示すように、電着法によって析出させてもよい。すなわち、電着法の場合、図５（Ａ）の手順によって支持体２１の上にストッパー層２２を形成した後、図８（Ａ）に示すように、ビアポスト１３を形成する。ビアポスト１３は、下部配線２及び貫通配線３の組み合わせであり、Ｃｕからなる。次いで、図８（Ｂ）に示すように、ビアポスト１３を完全に覆う厚さで絶縁性の樹脂材料１５を電着法によって堆積させる。本例で使用した樹脂材料は、ポリイミド樹脂であるが、その他の樹脂材料であってもよい。次いで、図８（Ｃ）に示すように、電着絶縁樹脂層１５に平坦化研磨処理を施し、ビアポスト１３（貫通配線３）の上部端面を露出させる。引き続く工程は、例えば、図５（Ｅ）及び図６に示すようにして実施することができる。
【００４４】
図４は、本発明によるチップコイル内蔵半導体パッケージの１形態を示したものである。図示される通り、半導体パーケージ３０の内部に本発明のコイル構造体１０が作り込まれており、また、半導体パーケージ３０の表面にＬＳＩチップ２０が搭載されている。半導体パッケージ３０は、一般的に知られているものに同様な構成を有することができる。
図４に示したチップコイル内蔵半導体パッケージ３０は、例えば、図１０に示す方法で製造することができる。なお、図示のコイル半導体１０は、図５及び図６に示す方法で別の場所で作製したものである。
【００４５】
まず、図１０（Ａ）に示すように、プリント配線板３１を用意し、Ｃｕめっきによりビア配線３２を形成する。
【００４６】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、プリント配線板３１の表面に絶縁性の接着フィルム（例えば、ダイアタッチフィルム）３３を貼付した後、別に作製し、用意したおいたコイル構造体１０を接着し、搭載する。なお、接着フィルム３３は、半導体パッケージの絶縁樹脂と同一もしくは類似の絶縁樹脂からなることが好ましい。
【００４７】
コイル構造体１０の搭載が完了した後、図１０（Ｃ）に示すように、コイル構造体１０を完全に覆う厚さで絶縁性の樹脂材料３４を堆積させる。堆積法としては、上記したように、塗布法、フィルム貼付法、電着法などを使用することができる。
絶縁樹脂の堆積後、図１０（Ｄ）に示すように、ビア配線の形成部位にビアホール３５を開孔する。ビアホール３５は、例えば、レーザ加工により開孔することができる。
【００４８】
次いで、図１０（Ｅ）に示すように、ビア配線及び電極を形成するため、電解Ｃｕめっきを行なう。ビアホール３５にＣｕが充填されてビア配線３６が形成されるともに、Ｃｕからなる電極３９も形成される。
【００４９】
以上のようにしてコイル構造体１０を内蔵した半導体パッケージ３０を完成した後、図１０（Ｆ）に示すように、露出した電極３９を介してＬＳＩチップ２０の搭載を行なう。本例の場合、電極３９の上にニッケルめっき３７を施した後、はんだバンプ３８を使用してＬＳＩチップ２０を搭載した。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】チップコイルを表面実装した、従来の半導体パッケージの断面図である。
【図２】基板上にコイルを作り込んだ、従来のコイル内蔵半導体装置の断面図である。
【図３】本発明によるチップ型コイル構造体の１形態を示した断面図及び平面図である。
【図４】本発明によるチップコイル内蔵半導体パッケージの１形態を示した断面図である。
【図５】本発明によるチップ型コイル構造体の製造方法（前半の工程）を順を追って示した断面図である。
【図６】本発明によるチップ型コイル構造体の製造方法（後半の工程）を順を追って示した断面図である。
【図７】図５に示した製造方法における中間製品の状態を示した平面図である。
【図８】図５に示した製造方法の１変更例を示した断面図である。
【図９】本発明によるチップ型コイル構造体のもう１つの形態を示した断面図である。
【図１０】本発明による半導体パッケージの１形態を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    基体
２    下部配線
３    貫通配線
４    上部配線
１０    コイル構造体
１１    磁性フィラー
１２    ビアホール
１３    ビアポスト
１４    電極
２０    半導体装置
３０    半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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