(57)【要約】【課題】蒸発源と基板との間の距離を大きくすることなく、基板面内における蒸着物質の蒸着角度の均一化を図る。【解決手段】本発明では、スリット２２ａを有するスリット板２２の移動制御と、基板支持台１７の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板Ｗ面内における蒸着角度の均一化を図る。すなわち、スリット板２２が基板Ｗ上の被蒸着領域を画定し、この画定された被蒸着領域に対する蒸着物質の入射角を基板Ｗの回転角度で制御することによって、基板Ｗ面内において蒸着物質の入射角の一様化を図り、蒸着角度の均一化を図る。好適には、基板Ｗ表面に対する蒸着物質の入射角の制御を、スリット板２２の移動位置に対応して行う。基板Ｗの回転角度とスリット板２２の位置とを互いに関連させることによって、蒸着角度の均一化を効率よく行うことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着物質を蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源に対向配置され前記蒸着物質が蒸着される基板を支持する基板支持部と、前記蒸発源と前記基板支持部との間に配置され前記蒸着物質の流通を制限する開口部とを備えた蒸着装置において、
前記開口部に対して相対移動自在であり、前記開口部の開口幅よりも狭いスリットを有するスリット板と、
前記基板支持部に設けられ、前記基板表面に対する前記蒸着物質の入射角を可変とする基板回転機構と、
前記開口部に対する前記スリット板の相対位置制御および前記基板支持部の回転角度制御を行う制御部とを備えたことを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記開口部に対する前記スリット板の相対位置に対応して、前記基板支持台の回転角度を制御することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記開口部に対する前記スリット板の相対位置に対応して、前記スリット板の移動速度を制御することを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記蒸着物質は、無機材料であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記基板は、液晶表示装置用の透明基板であることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項６】
蒸発源で蒸発した蒸着物質を、前記蒸着物質の流通を制限する開口部を介して基板表面に蒸着させる蒸着方法であって、
前記開口部の開口幅よりも狭いスリットを有するスリット板を前記開口部に対して相対移動させる工程と、
前記基板を回転させて前記基板表面に対する前記蒸着物質の入射角を制御する工程とを同時に行いながら、
前記基板表面に、前記蒸着物質を蒸着させることを特徴とする蒸着方法。
【請求項７】
前記基板表面に対する前記蒸着物質の入射角の制御が、前記開口部に対する前記スリット板の相対位置に対応して行われることを特徴とする請求項６に記載の蒸着方法。
【請求項８】
前記開口部に対して前記スリット板を相対移動させる工程では、前記開口部に対する前記スリット板の相対位置に対応して、前記スリット板の移動速度を変化させることを特徴とする請求項６に記載の蒸着方法。
【請求項９】
蒸発源で蒸発した無機材料からなる蒸着物質を、前記蒸着物質の流通を制限する開口部を介して液晶表示装置用透明基板に蒸着させる無機配向膜の形成方法であって、
前記開口部の開口幅よりも狭いスリットを有するスリット板を前記開口部に対して相対移動させる工程と、
前記透明基板を回転させて前記透明基板表面に対する前記蒸着物質の入射角を制御する工程とを同時に行いながら、
前記透明基板表面に、前記蒸着物質を蒸着させることを特徴とする無機配向膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶用無機配向膜の形成工程に用いて好適な蒸着装置、蒸着方法および無機配向膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、負の誘電異方性を有する液晶分子を、液晶パネルを構成する一対の基板間に垂直配向するように封入したＶＡ（Vertically Aligned）モードの液晶表示装置が広く知られている。
【０００３】
ＶＡモードの液晶表示装置では、電界無印加時に液晶分子が基板の主面に対してほぼ垂直に配向するため、光は液晶層をその偏光面をほとんど変化させることなく通過する。従って、基板の上下に偏光板を設置することにより、電界無印加時において良好な黒色表示が可能である。これに対して、電界印加時には、液晶分子は基板の主面に対して傾斜配向し、その結果生じる複屈折性により入射する光の偏光面が回転する。このＶＡモードの液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードの液晶表示装置に比べて、高いコントラストを実現できるという利点を有している。
【０００４】
上述のように、ＶＡモードの液晶表示装置では、電界印加時に液晶分子を傾斜配向させて複屈折性を得るようにしている。そのため、電界無印加時において液晶分子をあらかじめ微小な傾斜角度（プレチルト角）を持たせて配向させている。液晶分子を基板の主面に対して所定のプレチルト角で配向させるため、基板の液晶層対向面には配向膜が形成されている。
【０００５】
従来より、液晶基板用の配向膜には、ポリイミド等の有機材料が広く用いられている。しかし、有機材料からなる配向膜は、耐光性や耐熱性に劣るため、近年では、ＳｉＯ（シリコン酸化膜）等の無機材料からなる耐光性、耐熱性に優れた無機配向膜の開発が進められている。液晶基板用の無機配向膜の形成には、従来より、斜方蒸着法が用いられている（下記特許文献１参照）。
【０００６】
図８は、下記特許文献１に記載の蒸着装置１の概略構成図である。この蒸着装置１は、蒸着物質を蒸発させる蒸発源２と、蒸着物質の蒸気が流通可能な開口部３ａを備える蒸気流通部３と、被蒸着材としての基板５を蒸発源２に対して所定角度傾斜させて配設する基板支持部７とを具備する蒸着室８と、蒸着室８を真空にするための真空ポンプ１０とを備えている。蒸気流通部３は、固定遮蔽板３ｂに板面方向への位置移動が許容された状態で設けられ、且つ開口部３ａに対して相対移動可能に形成されるとともに、開口部３ａへの相対移動に基づき蒸気の流通を遮ることが可能な可動遮蔽板３ｃを備えている。可動遮蔽板３ｃの移動は、制御部９によって制御される。
【０００７】
基板５は、その被蒸着面を蒸発源２に対して斜めに配置されることで、蒸発源２から発生した蒸着物質が基板５の被蒸着面に対して斜めに蒸着される。液晶分子のプレチルト角すなわち配向特性は、基板５に対する蒸着物質の蒸着角度で決定される。従って、基板５は、基板配設部７によって、必要とする液晶分子のプレチルト角に対応して傾斜配置されている。
【０００８】
そして、図８に示した従来の蒸着装置１は、蒸発源２と基板５との間に形成された蒸気流通部３の開口部３ａの開口量を、固定遮蔽板３ｂに対する可動遮蔽板３ｃの相対移動によって制御するようにしている。従って、基板５表面に対する蒸着物質の蒸着領域は、図９〜図１１に示すように、固定遮蔽板３ｂに対する可動遮蔽板３ｃの相対位置で決定されることになる。このように、基板５の蒸着領域を可動遮蔽板３ｃの移動で制御することによって、基板５の面内における蒸着物質の膜厚の均一化を図るようにしている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１２９２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、以上のように構成される従来の蒸着装置１においては、基板５に蒸着される蒸着物質の膜厚の面内均一化を図ることは可能となるが、蒸着角度を面内において均一化することができないという問題がある。
【００１１】
これは、点源とみなせる蒸発源２で蒸発した蒸着物質は、一定の広がりをもって開口部３ａを通過するとともに基板５に入射するため、基板５表面の各領域に蒸着物質が同一の入射角で入射するとは限らないからである。例えば図９に示すように、蒸発源２に最も近い基板上のある点Ｓａにおける蒸着物質の入射角をθａ、蒸発源２に最も遠い基板上の他の点Ｓｂにおける蒸着物質の入射角をθｂとしたとき、θａ＜θｂとなり、基板面内において蒸着物質の入射角の均一化が図れない。
【００１２】
蒸着物質の入射角が基板５の面内において不均一であると、基板５に蒸着される蒸着物質の蒸着角度も不均一となる。従って、このような従来の蒸着方法で無機配向膜が形成された基板５を液晶基板として用いた場合に、液晶分子のプレチルト角が基板面内において不均一となり、画面の面内位置によって画質が異なってしまうことになる。このような問題は、基板の大面積化に伴って、より顕著となる。
【００１３】
一方、蒸着物質の入射角を基板５の面内において均一にするための一手法として、蒸発源２と基板５との間の距離を大きくすることが挙げられる。しかし、蒸発源２と基板５との間の距離を大きくすると、蒸発量が多くなり蒸着効率が低下する、装置が大型化する、基板の大面積化に限界がある、平均自由工程による制約がありプロセス圧力が上がると蒸着効率が極端に低下する、などの問題が生じる。
【００１４】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、蒸発源と基板との間の距離を大きくすることなく基板面内における蒸着物質の蒸着角度の均一化を図ることができる蒸着装置、蒸着方法および無機配向膜の形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の蒸着装置は、蒸着物質を蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源に対向配置され前記蒸着物質が蒸着される基板を支持する基板支持部と、前記蒸発源と前記基板支持部との間に配置され前記蒸着物質の流通を制限する開口部とを備えた蒸着装置において、
前記開口部に対して相対移動自在であり、前記開口部の開口幅よりも狭いスリットを有するスリット板と、
前記基板支持部に設けられ、前記基板表面に対する前記蒸着物質の入射角を可変とする基板回転機構と、
前記開口部に対する前記スリット板の相対位置制御および前記基板支持部の回転角度制御を行う制御部とを備えている。
【００１６】
また、本発明の蒸着方法は、蒸発源で蒸発した蒸着物質を、前記蒸着物質の流通を制限する開口部を介して基板表面に蒸着させる蒸着方法であって、
前記開口部の開口幅よりも狭いスリットを有するスリット板を前記開口部に対して相対移動させる工程と、
前記基板を回転させて前記基板表面に対する前記蒸着物質の入射角を制御する工程とを同時に行いながら、
前記基板表面に、前記蒸着物質を蒸着させる。
【００１７】
更に、本発明の無機配向膜の形成方法は、蒸発源で蒸発した無機材料からなる蒸着物質を、前記蒸着物質の流通を制限する開口部を介して液晶表示装置用透明基板に蒸着させる無機配向膜の形成方法であって、
前記開口部の開口幅よりも狭いスリットを有するスリット板を前記開口部に対して相対移動させる工程と、
前記透明基板を回転させて前記透明基板表面に対する前記蒸着物質の入射角を制御する工程とを同時に行いながら、
前記透明基板表面に、前記蒸着物質を蒸着させる。
【００１８】
すなわち、本発明では、開口部に対するスリット板の相対位置の制御と、基板の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板面内における蒸着角度の均一化を図るようにしている。より具体的に、開口部に対するスリット板の相対位置が基板上の被蒸着領域を画定し、この画定された被蒸着領域に対する蒸着物質の入射角を基板の回転角度で制御することによって、基板面内において蒸着物質の入射角の一様化を図り、蒸着角度の均一化を図るようにしている。
【００１９】
好適には、基板表面に対する蒸着物質の入射角の制御を、開口部に対するスリット板の相対位置に対応して行う。基板の回転角度とスリット板の位置とを互いに関連させることによって、蒸着角度の均一化、更には無機配向膜の配向特性の均一化を効率よく行うことができる。
【００２０】
また、蒸着物質の基板面内における膜厚の均一性を高めるために、開口部に対するスリット板の移動速度を可変とすることが好ましい。基板の回転角度制御とスリット板の移動速度制御とを同時に行うことによって、蒸着物質の蒸着角度の均一化とともに膜厚の均一化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上述べたように、本発明によれば、基板面内における蒸着物質の蒸着角度の均一化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２３】
図１は本発明の実施形態による蒸着装置１１の概略構成図である。本実施形態の蒸着装置１１は、真空槽１４を備えている。真空槽１４は、真空ポンプ２６によって所定の真空度に排気される。真空槽１４の内部には、蒸着物質を蒸発させる蒸発源１２と、基板Ｗを支持する基板支持部１７とが設置されている。
【００２４】
蒸発源１２は、電子ビーム加熱や抵抗加熱等によって蒸着物質の蒸気を発生させる。蒸着物質には、本実施形態では、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の無機材料の単体または混合体が用いられるが、勿論これらに限られない。
【００２５】
基板支持部１７は、基板Ｗの表面（被蒸着面）が蒸発源１２側に向くように基板Ｗを支持する。基板Ｗの支持機構は特に限定されず、静電チャック方式やメカニカルクランプ方式が採用される。基板支持部１７は、図１において矢印Ｃで示すように、回転軸２４の周りに回転可能とされることで、基板回転機構を構成している。本実施形態において、基板Ｗは、ガラス基板等の液晶表示装置用透明基板で構成されているが、これに限定されない。
【００２６】
蒸発源１２と基板支持部１７との間には、蒸発源１２で蒸発した蒸着物質の流通を制限する開口部１３ａを備えた遮蔽板１３が配置されている。遮蔽板１３は、真空槽１４の内部において、基板支持台１７が配置される蒸着室１８を区画している。真空槽１４には、蒸着室１８へプロセスガスを導入するガス導入ノズル１６と、蒸着室１８との間で基板５の搬入・搬出を行うための搬送室１９が設置されている。
【００２７】
蒸着室１８は、真空ポンプ２６による真空排気作用と、ガス導入ノズル１６からの酸素ガス導入により、１×１０-3Ｐａ〜１×１０-1Ｐａ、好ましくは、５×１０-3Ｐａ〜５×１０-2Ｐａに調節され、この圧力領域で基板Ｗの成膜が行われる。
【００２８】
搬送室１９は、真空ポンプ２１によって真空排気可能とされ、仕切弁２３を介して蒸着室１８と接続されている。搬送室１９の内部には、基板支持台１７へ基板５を搬送したり、基板支持台１７から基板５を受け取るための搬送ロボット２０が配置されている。
【００２９】
遮蔽板１３の近傍には、開口部１３ａの開口幅Ｔよりも狭い幅ｔのスリット２２ａを有するスリット板２２が設置されている。スリット２２ａは、基板支持台１７の回転軸２４の軸方向に沿って基板Ｗの直径以上の大きさにわたって形成されている。
【００３０】
スリット板２２は、図１において矢印Ａ，Ｂで示すように遮蔽板１３の板面に平行に相対移動自在に構成されている。本実施形態では、スリット板２２は、遮蔽板１３よりも蒸発源１２側に配置されることで、スリット２２ａによって遮蔽板１３の開口部１３ａを通過する蒸着物質の流通を更に制限する。なお、スリット板２２を遮蔽板１３よりも基板支持台１７側に配置することも勿論可能である。また、遮蔽板１３の近傍には、膜厚モニタ１５が設置されている。
【００３１】
さて、遮蔽板１３に対するスリット板２２の相対移動制御および基板支持台１７の回転角度制御は、真空槽１４の外部に設置された制御部２５によって行われる。なお、本実施形態では、これらスリット板２２の移動制御用の制御部および基板支持台１７の回転角度制御用の制御部を共通の制御部２５で構成しているが、それぞれ別々の制御部で構成することも勿論可能である。
【００３２】
制御部２５は、スリット板２２を所定の移動速度で移動させる。スリット板２２の移動速度は特に限定されず、また、スリット板２２の移動速度は等速に限られない。例えば、スリット板の移動速度をスリット位置によって可変とすることで、基板Ｗに成膜される蒸着膜の膜厚均一性を高めることができる。
【００３３】
また、制御部２５は、遮蔽板１３に対するスリット板２２の相対位置に対応して、基板支持台１７の回転角度を制御するように構成されている。すなわち、基板支持台１７の回転角度は、遮蔽板１３に対するスリット板２２の移動位置に基づいて決定されている。
【００３４】
なお、スリット板２２の移動制御と基板支持台１７の回転制御は、電気式、機械式のいずれの方式でも適用可能である。例えば、スリット板２２および基板支持台１７の何れか一方の移動量を電気的に検出しその出力に基づいて他方を制御してもよいし、スリット板２２の移動制御機構と基板支持台１７の回転機構とをラックやギヤ等の機械的要素で互いにリンクさせて構成することができる。
【００３５】
そして、遮蔽板（開口部１３ａ）に対するスリット板２２の相対位置の制御と、基板の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板面内における蒸着角度の均一化を図るようにしている。より具体的には、開口部１３ａに対するスリット板２２の相対位置が基板Ｗ上の被蒸着領域を画定し、この画定された被蒸着領域に対する蒸着物質の入射角を基板の回転角度で制御することによって、基板Ｗ面内における蒸着物質の入射角の一様化を図り、蒸着角度の均一化を図るようにしている。
【００３６】
図２は、蒸発源１２と、基板支持台１７と、スリット板２２との関係を示している。基板支持台１７は、成膜時において、蒸発源１２で発生した蒸着物質の蒸気が、基板Ｗに対して入射角が０°〜９０°、好ましくは、３５°〜５５°となるように調整される。そして、スリット板２２のスリット２２は、基板支持台１７上の基板Ｗに対して蒸着物質の入射角が±５°以下、好ましくは、±１°以下になるように、スリット幅ｔが決定されている。また、蒸発源１２と基板Ｗとの間の距離は、例えば５００ｍｍ〜５０００ｍｍ、好ましくは、１０００ｍｍ〜２０００ｍｍに設定される。
【００３７】
次に、以上のように構成される本実施形態の蒸着装置１１の作用について説明する。
【００３８】
まず、基板搬送室１９内の搬送ロボット２０によって、蒸着室１８内の基板支持台１７上へ基板Ｗが搬送される。基板支持台１７は、基板Ｗを受ける際、図１に示す位置から上方へ１８０°反転した状態で待機し、仕切弁２３を介して基板Ｗが搬送ロボット２０から基板支持台１７上へ移載される。基板支持台１７は、基板Ｗを受け取った後、図１に示すように基板Ｗを蒸発源１２に向けて所定角度回転する。その後、仕切弁２３が閉じられ、真空槽１４の内部が所定の減圧雰囲気に真空排気される。
【００３９】
次に、蒸発源１２によって蒸着材料を蒸発させる。スリット板２２は、当初、遮蔽板１３の開口部を閉塞する位置に待機しており、蒸発源１２から飛来する蒸着物質の蒸気を遮蔽する。また、基板支持台１７は、基板Ｗを蒸発源１２に対して所定角度傾斜した状態で支持している。
【００４０】
基板Ｗの成膜が開始されると、制御部２５は、スリット板２２を（例えばＡ方向）に向けて移動させることにより、開口部１３ａに対してスリット２２ａを相対移動させる。図２に示したように、スリット２２ａは、基板Ｗの被蒸着領域を制限する。従って、この被蒸着領域の範囲において、蒸着物質の入射角はθ１〜θ３の範囲に維持される。
【００４１】
基板Ｗの成膜過程においては、スリット２２ａを開口部１３ａの開口幅（Ｔ）以上にわたって移動させる。これと同時に、制御部２５は、スリット２２ａの移動位置に対応して基板支持台１７を回転軸１７の周りに回転させることによって、基板Ｗに入射する蒸着物質の入射角をθ１〜θ３の範囲に維持する。具体的に図２に示すように、スリット２２ａを矢印Ａ方向に移動させながら、基板支持台１７を図中矢印Ｃ方向に回転させる。基板支持台１７の回転角度は、上述のように、スリット２２ａの移動位置に基づいて制御される。
【００４２】
以上のように、スリット板２２の移動制御と基板Ｗの回転角度制御とを同時に行うことによって、基板Ｗと蒸発源１２との間の距離を大きくすることなく、基板Ｗの面内における蒸着角度の均一化を図ることができる。特に、基板表面に対する蒸着物質の入射角の制御を、開口部に対するスリット板の相対位置に対応して行うことで、蒸着角度の均一化を容易に実現することができる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、無機材料からなる蒸着材料を基板Ｗ面内に対して一定の蒸着角度で形成することができるので、蒸着膜の配向特性の均一化を図ることができる。これにより、液晶表示装置において液晶分子のプレチルト角の面内均一化を図ることができ、表示画像の画質向上を図ることができる。
【００４４】
一方、スリット板２２の移動速度制御と基板支持台１７の回転角度制御とを同時に行うことで、蒸着角度の面内均一性だけでなく、蒸着膜の膜厚均一性をも同時に高めることができる。
【００４５】
ここで、膜厚に関しては、蒸発源１２に近い被蒸着領域ほど膜厚が大きくなる傾向にある。そこで、スリット板２２の移動速度を可変とすることで、基板Ｗ面内の膜厚均一性を向上させることができる。具体的には、図２に示したようにスリット板２２を矢印Ａ方向に移動させながら成膜を行う場合には、スリット板２２の移動速度が漸次低下するように、スリット板２２の移動速度を制御する。すなわち、基板Ｗの被蒸着領域が蒸発源１２と近い領域ほどスリット２２ａの通過速度を速くし、蒸発源１２から遠い領域ほどスリット２２ａの通過速度を遅くする。これにより、膜厚均一性の更なる向上を図ることが可能となる。
【００４６】
この場合、基板支持体１７の回転角度をスリット板２２の移動位置に応じて変化させるようにしているので、スリット板２２の移動位置に応じて基板支持台１７の回転速度も変化する。従って、以上の制御により、基板面内の膜厚均一性を向上させることができると同時に、蒸着角度の均一性をも維持することができる。
【００４７】
スリット板２２のスリット２２ａが遮蔽板１３の開口部１３ａの全幅以上にわたって移動した後、基板Ｗの蒸着工程が終了する。なお、スリット板２２を逆方向に移動させることで、同一基板Ｗに対する蒸着処理を継続することも勿論可能である。蒸着工程終了後、基板Ｗは、上述と逆の動作で基板支持台１７から搬送ロボット２０へ移載される。そして、次なる未処理の基板Ｗが基板支持台１７に載置されるとともに、当該基板Ｗに対して上述の蒸着処理が同様な方法で行われる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４９】
スリット板２２の移動速度制御と基板支持台１７の回転角度制御の一実施例について説明する。以下の例では、基板Ｗの直径を３００ｍｍ、基板−蒸発源距離を２０００ｍｍとし、蒸着角度４５°±０．５°の条件で成膜を行う場合について説明する。
【００５０】
図３に示すように、基板Ｗは、回転軸２４を回転中心として矢印Ｃ方向に回転し、スリット板２２は、遮蔽板１３に対して図中矢印Ｂ方向に直線的に移動するものとする。遮蔽板１３の開口部１３ａの開口幅は１６０．０１ｍｍ、スリット２２ａの開口幅３０ｍｍ、スリット２２ａの移動幅は１９０．０１ｍｍ、スリット２２ａの移動速度は０．７５ｍｍ／ｓｅｃとした。
【００５１】
そして、基板支持台に支持されている基板Ｗの面法線の鉛直方向に対するなす角を基板回転角δ（°）、基板回転中心（回転軸２４）とスリット２２ａとの間の距離をスリット移動距離（ｍｍ）としたとき、上記成膜条件で蒸着を行うときの基板回転角とスリット移動距離との関係を図４および図５に示す。図５は、図４においてＸ１〜Ｘ７で示したスリット板２２の移動距離とそのときの基板回転角を示している。
【００５２】
図４および図５に示すように、スリット２２ａが開口部１３ａの全幅範囲を通過するまでの基板支持台の回転角は、１４２．６５°−１３７．２８°＝５．３７°である。基板支持台回転角δは、スリット移動距離に対応して定まり、スリット移動距離に応じて基板支持台回転角δは、ほぼ直線的に変化する。
【００５３】
図６は、蒸着材料にＳｉＯ2、成膜圧力を１．２×１０-2Ｐａとして成膜を行ったときの蒸着膜の基板面内におけるプレチルト角評価結果（配向分布特性）を示している。また、図７は、上記条件で成膜を行ったときの蒸着膜の基板面内における膜厚分布特性を示している。図６および図７において、黒丸は、スリット板２２および基板回転機構を持たない従来例を示し、白丸は、本発明の実施例を示している。また、各図において横軸は、基板中心からの距離を示している。なお、基板に対する蒸着物質の入射角θは、従来例では、４２．７０°＜θ＜４７．２５°であり、本発明の実施例では、４４．５０°＜θ＜４５．５０°であった。
【００５４】
図６に示すように、本実施例によれば、従来例に比べて、プレチルト角の分布が改善されていることがわかる。また、図７に示すように、従来例では、膜厚分布が基板中心に対して±３０％の変動がある。本実施例では、この膜厚分布を緩和するために、スリット板の移動速度を基板中心に対しその前後で±３０％可変して成膜を行った。その結果、図７に示すような膜厚分布結果が得られ、基板面内における膜厚のバラツキを改善することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態による蒸着装置の概略構成図である。
【図２】図１の蒸着装置における要部の拡大図である。
【図３】本発明の実施例において説明する基板とスリット板との関係を示す模式図である。
【図４】本発明の実施例において説明するスリット移動距離と基板回転角度との関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例において説明するスリット移動距離と基板回転角度との関係を示す図である。
【図６】本発明の実施例において説明するプレチルト角の面内分布を説明する図である。
【図７】本発明の実施例において説明する膜厚の面内分布を説明する図である。
【図８】従来の蒸着装置の概略構成図である。
【図９】従来の蒸着装置の一作用を説明する要部拡大図である。
【図１０】従来の蒸着装置の一作用を説明する要部拡大図である。
【図１１】従来の蒸着装置の一作用を説明する要部拡大図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  蒸着装置
１２  蒸発源
１３  遮蔽板
１３ａ  開口部
１４  真空槽
１５  膜厚モニタ
１６  ガス導入ノズル
１７  基板支持部
１８  蒸着室
１９  搬送室
２０  搬送ロボット
２１  真空ポンプ
２２  スリット板
２２ａ  スリット
２３  仕切弁
２４  回転軸
２５  制御部
２６  真空ポンプ  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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