(57)【要約】【課題】  フッ素元素を含有するガスにより、チャンバクリーニングが実施される場合であっても、基板支持部と加熱部の密着性が損なわれることがなく、かつ、容易にメンテナンスを行うことができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る基板処理装置１０は、一方の面に被処理基板９が設置される板状の基板支持部２３と、基板支持部２３の他方の面に接触して設けられ、基板支持部２３に設置された被処理基板９を、基板支持部２３を介して加熱する加熱部２２とを備えている。さらに、基板支持部２３と加熱部２２との接触面の周縁を被覆するセラミックスからなるカバー部材２６を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に収容された被処理基板に対して、前記チャンバ内に導入されたプロセスガスを用いた基板処理を行う基板処理装置において、
一方の面に前記被処理基板が設置される板状の基板支持部と、
前記基板支持部の他方の面に接触して設けられ、前記基板支持部に設置された被処理基板を、基板支持部を介して加熱する加熱部と、
前記基板支持部と前記加熱部との接触面の周縁を被覆するセラミックスからなるカバー部材と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱部が、アルミニウムを含有する材質からなる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板処理によりチャンバ内に生成された付着物を除去するガスとして、フッ素元素を含有するガスを前記チャンバ内に導入する手段をさらに備えた請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記カバー部材が、前記基板支持部と加熱部とに対して着脱可能である請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板支持部が、前記加熱部に対して着脱可能である請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記カバー部材の材質が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び炭化シリコンのいずれかである請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板支持部の材質が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン、及び表面が陽極酸化処理されたアルミニウムのいずれかである請求項１または２記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内に配置された被処理基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、各種材料膜を形成する成膜工程や、配線やコンタクトホール等を形成する際のドライエッチング工程に、プラズマ処理が多用されている。このようなプラズマ処理が実施される基板処理装置の一例として、プラズマを利用して成膜処理を行うプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置の概略構成を図５に示す。
【０００３】
図５に示すように、従来のプラズマＣＶＤ装置１００は、チャンバ１の内部に、互いに平行に、かつ上下に配置された上部電極３と下部電極２と備えている。上部電極３は中空構造を有しており、当該中空部にガス供給管４が連通されている。また、上部電極３の下部電極２と対向する面には、複数のガス噴出口３１が配設されており、ガス供給管４を通じて供給される流量制御されたプロセスガスがガス噴出口３１から下部電極２に向けて均一に噴射される。
【０００４】
一方、下部電極２は、抵抗加熱ヒータ等の発熱体２４が埋設された加熱部２２上に、半導体基板９が載置される基板支持部２３が設置された構造を有している。基板支持部２３は加熱部２２にボルト２５等により固定されており、加熱部２２は、下方に延出された支持柱２１を介してチャンバ１の下壁１２の支持部１４に支持されている。
【０００５】
また、基板支持部２３上に載置された半導体基板９の温度は、図示しない熱電対等の温度測定手段により計測される。当該計測された温度に応じて、図示しない温度制御手段が発熱体２４の発熱量を調整することで、半導体基板９の温度が所定の温度に維持される構成になっている。
【０００６】
さらに、図５の例では、高周波電源７が整合器７１を介して上部電極３に接続されるとともに、下部電極２が高周波的に接地されている。そして、高周波電源７から上部電極３に印加される高周波電力により、上部電極３と下部電極２との間にガス噴出孔３１から噴出されたプロセスガスのプラズマが生成され、当該プラズマ中のイオン種が半導体基板９の表面に付着することで、半導体基板９上にプロセスガスに応じた材料膜が形成される。なお、チャンバ１の下壁１２には、図示しない真空ポンプに接続された排気管５が設けられており、当該排気管５を介した排気によりチャンバ１の内部が所定圧力に維持されるようになっている。
【０００７】
例えば、半導体基板９の表面にシリコン酸化膜を形成する場合、ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）ガスとＯ2（酸素）ガスとの混合ガスがプロセスガスとしてガス供給管４を通じてチャンバ１内に導入される。また、成膜中は、発熱体２４が生成する熱により半導体基板９の温度が４００℃程度に維持されるとともに、真空ポンプの排気によりチャンバ１内の圧力が１０Ｐａ程度に維持される。
【０００８】
チャンバ１内の圧力及び基板温度が安定した状態で、上部電極３に高周波電源７から高周波電力が印加されると、上部電極３と下部電極２との間に上記プロセスガスのプラズマが励起され、半導体基板９の表面にシリコン酸化膜の堆積が開始される。そして、半導体基板９上に所望の膜厚（例えば、１００ｎｍ）のシリコン酸化膜が堆積した時点で、高周波電力の印加が停止されるとともに、ガス供給管４から上記プロセスガスに代えてアルゴンガス等の不活性ガスがパージガスとしてチャンバ１内に導入される。チャンバ１内のパージが完了すると、成膜が完了した半導体基板９がチャンバから搬出された後、次に成膜が行われる半導体基板９がチャンバ１内に搬入され、基板支持部２３上に載置される。
【０００９】
以上のような成膜処理において、シリコン酸化膜は、半導体基板の表面だけでなく、例えば、半導体基板の周縁に露出している基板支持部２３、上部電極３、チャンバ１の内壁面等のプラズマに面している部分にも堆積される。チャンバ１内において、半導体基板９以外の部位に堆積したシリコン酸化膜（以下、付着膜という。）が放置されると、自重により付着部位から剥離し、パーティクル（微粒子）を発生させる。このようなパーティクルの発生を避けるため、上記付着膜を除去するチャンバクリーニングが、例えば、所定枚数の成膜処理が完了する度に実施される。
【００１０】
シリコン酸化膜を除去するチャンバクリーニングには、例えば、ＮＦ3（三フッ化窒素）ガス等のフッ素元素を含有するガスがクリーニングガスとして使用される。当該クリーニングガスはガス供給管４からチャンバ１内に導入され、成膜時と同様に減圧下において、高周波電力によりプラズマ化される。上記付着膜は、励起されたＮＦ3プラズマとの化学反応によりガス化され、排気管５を介してチャンバ１の外部に排出される。
【００１１】
上記クリーニングガスとして使用されるフッ素元素を含有するガスは腐食性が非常に高い。このため、基板支持部２３や加熱部２２は、一般に、表面に陽極酸化処理がなされたアルミニウムやアルミニウム合金等の比較的優れた耐食性を有する材質により構成されている。
【００１２】
しかしながら、通常、数ミクロンから数十ミクロンの膜厚で形成される陽極酸化皮膜にはピンポールが多数存在しているため、当該ピンホールを通じてアルミニウムとフッ素との反応が生じる。このため、ピンホールにおいて、フッ化アルミニウムを主成分とするノジュール（析出物）が生成され、当該ノジュールが上記陽極酸化皮膜を浮き上がらせ剥離させる等の腐食が、チャンバクリーニングの実施回数の増大とともに徐々に進行する。
【００１３】
基板支持部２３や加熱部２２において、このような腐食が発生した箇所では、高周波電源７が印加する周波数に対するインピーダンスが変化してしまう。また、当該腐食は、半導体基板９の載置面内において均一に生じる現象ではないため、当該腐食の進行とともに、上部電極３と下部電極２との間に生成されるプラズマの均一性が損なわれ、例えば、半導体基板９上に成膜される膜の膜厚の面内分布が悪化する等の不具合が生じる。
【００１４】
上記のような腐食を抑制する手法として、基板支持部２３を、優れた耐食性を有する、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン等の薄板により構成し、アルミニウム製の加熱部上に装着する手法や、下部電極２を半導体基板が載置されるとともに接地電極として機能するアルミ製均熱板（基板支持部）と、ステンレス、窒化シリコン、酸化ジルコニウム等の材質からなり、上記均熱板を加熱する発熱体が埋設された加熱部とで構成し、耐食性の低い加熱部の周囲をアルミナ製のカバーで被覆する手法等が提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【特許文献１】特開平５−２６７１９４号公報
【特許文献２】特開２００３−１７９０４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記従来技術は、板状の基板支持部２３と加熱部２２とが異なる材質により構成されているため、発熱体２４による加熱が行われた際の膨張率や、加熱が停止された際の収縮率が両者で異なっている。このため、半導体基板９の昇温（あるいは降温）が行われた際に、基板支持部２３と加熱部２２との間に微小な隙間が生じてしまう。
【００１６】
このような隙間が形成されている状況下においてチャンバクリーニングが実施されると、当該隙間にフッ素イオンやフッ素ラジカル等が進入し、基板支持部２３と加熱部２２との間において上記ノジュールが成長する。基板支持部２３と加熱部２２との間にノジュールが形成されると、当該ノジュールが障害となって基板支持部２３と加熱部２２との間に、隙間が常時形成され、ノジュールの成長とともに隙間が拡張されていく。このため、半導体基板９の温度の面内分布の均一性や、下部電極２のインピーダンスの面内分布の均一性が損なわれ、結果として、成膜された材料膜の膜質の面内均一性が損なわれる。また、このような現象は、プラズマＣＶＤ装置に限らず、プラズマエッチング装置等のエッチング装置にも生じる。これらの装置では、基板支持部２３と加熱部２２との間に生じた隙間により、エッチング速度の面内均一性が損なわれることになる。
【００１７】
上記従来技術には、半導体基板が載置される基板支持部と当該基板支持部を加熱する加熱部とからなる下部電極において基板支持部の表面、または加熱部の表面の腐食を抑制する技術が開示されている。しかしながら、上述のような基板支持部と加熱部との間の腐食は考慮されていないため、当該腐食に起因する上記問題点の対策としては不十分である。
【００１８】
本発明は上記従来の課題を鑑みて提案されたものであって、フッ素元素を含有するガスによりチャンバクリーニングが実施される場合であっても、基板支持部と加熱部の密着性が損なわれることがなく、かつ、容易にメンテナンスを行うことができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明は以下の技術的手段を採用している。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、一方の面に前記被処理基板が設置される板状の基板支持部と、当該基板支持部の他方の面に接触して設けられ、基板支持部に設置された前記被処理基板を、基板支持部を介して加熱する加熱部とを備えている。そして、前記基板支持部と前記加熱部との接触面の周縁を被覆するセラミックスからなるカバー部材を備えた構成を有している。
【００２０】
上記構成は、加熱部がアルミニウムを含有する材質からなり、基板処理によりチャンバ内に生成された付着物を除去するガスとして、フッ素元素を含有するガスをチャンバ内に導入する基板処理装置に好適である。
【００２１】
また、上記カバー部材は、基板支持部と加熱部とに対して着脱可能であることが好ましく、上記基板支持部が、上記加熱部に対して着脱可能であることがより好ましい。
【００２２】
カバー部材の材質には、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン等を使用することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、下部電極を構成する基板支持部と加熱部との間の密着性が低下することがなく、安定した基板処理が可能となる。また、基板支持部と加熱部との接触面の周縁を被覆するカバー部材は、基板支持部と加熱部とに着脱可能に構成されているため、基板支持部や加熱部のメンテナンス性が損なわれることもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明に係る基板処理装置の一実施形態を、本発明をプラズマＣＶＤ装置に適用した事例に基づいて、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置の構成を示す概略断面図である。また、図２は、図１に示す下部電極２の構造を示す図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置１０は、従来と同様に、上部電極３と下部電極２とがチャンバ１の内部に配置された構造を有している。上部電極３と下部電極２との間には、ガス供給管４から供給される流量制御されたプロセスガスが、上部電極３の下面に設けられたガス噴出口３１を通じて導入される。また、チャンバ１の下壁１２には、真空ポンプへ接続された排気管５が連通されており、内部圧力が所望の一定圧力に維持されるようになっている。
【００２６】
上部電極３は、絶縁リング３２を介してチャンバ１の上壁１１に支持されており、整合器７１を介して接続された高周波電源７から高周波電力が印加される。
【００２７】
一方、下部電極２は、抵抗加熱ヒータ等の発熱体２４が埋設されたアルミ合金等からなる加熱部２２（以下、加熱ブロック２２という。）と、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン、及び表面が陽極酸化処理されたアルミニウム薄板等からなる基板支持部２３（以下、サセプタ２３という。）とにより構成され、当該サセプタ２３上に被処理基板である半導体基板９が載置される。ここで、サセプタ２３は、例えば、加熱ブロック２２に設けられたネジ穴に螺合するボルト２５により、加熱ブロック２２の上面に固定されている。また、下部電極２は、加熱ブロック２２の下面から下方に延出された支持柱２１を介してチャンバ１の下壁１２に設けられた支持部１４に支持されている。なお、加熱ブロック２２の材質は、特に限定されるものではないが、例えば、ステンレス、窒化シリコン、酸化ジルコニウム等のフッ素に容易に腐食される材質の使用は避けることが好ましい。また、図１の例では、下部電極２は、高周波電源７が出力する周波数において電気的に接地されている。
【００２８】
また、サセプタ２３に載置される半導体基板９は、チャンバ１の側壁１３に開閉自在に設けられた搬入出ゲート６１を介して、搬入出路６に設けられたキャリッジ（図示せず）によりチャンバ１内に搬入出される。
【００２９】
さて、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置は、図１及び図２に示すように、下部電極２を構成する加熱ブロック２２とサセプタ２３との接触面の周縁を被覆するカバー部材２６が設けられている。図２において、図２（ａ）は、下部電極２の平面図を示しており、図２（ｃ）は、下部電極２の下面図を示している。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）及び図２（ｃ）に示すＡ−Ａ線における断面図を示している。
【００３０】
図２に示すように、本実施形態は、加熱ブロック２２とサセプタ２３とが平面視において同一径であり、カバー部材２６は、加熱ブロック２２及びサセプタ２３の外径と同一の内径を有する円筒形状となっている。ここで、カバー部材２６は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン等の耐食性を有するセラミックスにより構成される。また、カバー部材２６は、加熱ブロック２２及びサセプタ２３に対して着脱自在となるように、例えば、加熱ブロック２２に形成されたネジ穴に螺合するボルト２７等により加熱ブロック２２の側面に固定される。なお、カバー部材２６の肉厚は、特に限定されるものではないが、図２の例では、ボルト２７による固定時の締め付けトルクに耐えうる強度を有するように、３ｍｍ〜６ｍｍ程度の肉厚を有することが好ましい。
【００３１】
また、加熱ブロック２２とサセプタ２３とを連結するボルト２５、並びに、カバー部材２６と加熱ブロック２２とを連結するボルト２７は、例えば、純ニッケル、クロム含有ニッケル基合金、コバルト−ニッケル基合金等の耐熱性及び耐食性に優れた材質からなることが好ましい。さらに、これらのボルト２５、２７により各部を連結した状態で、下部電極２の最表面に露出するボルト頭部等は、セラミックスからなるキャップ等により被覆する構成とし、プラズマに直接曝されることがない状態にすることが望ましい。
【００３２】
上記構成を有するプラズマＣＶＤ装置における成膜処理では、搬入出ゲート６１を通じてチャンバ１内に搬入された半導体基板９がサセプタ２３上に載置されると、搬入出ゲート６１が閉鎖された後、まず、排気管５を通じた排気によりチャンバ１内が減圧される。チャンバ１の内部が所定の圧力まで減圧されると、ガス導入管４を通じて半導体基板９上に成膜する材料膜の原料ガスであるプロセスガスが、ガス供給管４を通じてチャンバ１内に導入される。例えば、半導体基板９の表面にシリコン酸化膜を形成する場合、ＴＥＯＳガスとＯ2ガスとの混合ガスがプロセスガスとしてチャンバ１内に導入される。ガス供給管４からのプロセスガスの導入が始まると、チャンバ１内の圧力が１０Ｐａ程度に維持されるように、排気管５を通じた排気量が調整される。
【００３３】
また、このとき、半導体基板９は、サセプタ２３を通じて発熱体２４により加熱されて所定温度まで昇温されるとともに、当該温度が維持される。例えば、上述のプロセスガスによる成膜処理では、半導体基板９の温度は４００℃程度に維持される。
【００３４】
さらに、チャンバ１内の圧力、及び半導体基板９の温度が安定した状態で、上部電極３に高周波電源７から高周波電力が印加される。上記事例では、例えば、周波数２７．１２ＭＨｚ、電力密度０．６７Ｗ／ｃｍ2の高周波電力を印加することにより、上部電極３と下部電極２との間に、上記プロセスガスのプラズマが励起され、半導体基板９の表面へのシリコン酸化膜の堆積が開始される。
【００３５】
半導体基板９上に、所望膜厚のシリコン酸化膜が堆積した時点で、高周波電力の印加が停止されるとともに、ガス供給管４から上記プロセスガスに代えてアルゴンガス等の不活性ガスがパージガスとしてチャンバ１内に導入される。そして、成膜が完了した半導体基板９が搬入出ゲート６１を通じてチャンバ１から搬出された後、次に成膜処理が行われる半導体基板９がチャンバ１内に搬入される。
【００３６】
１枚あるいは複数枚の予め設定された枚数について、以上の成膜処理が完了すると、当該成膜処理により、チャンバ１の内壁等に付着した付着物を除去するチャンバクリーニングが実施される。上記事例では、ＮＦ3ガスとＡｒガスとの混合ガスがチャンバ１内に導入されるとともに、高周波電源７から上部電極３に印加された高周波電力により上部電極３と下部電極２との間に上記混合ガスのプラズマが生成され、当該プラズマにより上記付着物が除去される。
【００３７】
本実施形態の下部電極２は、従来と同様に、サセプタ２３が加熱ブロック２２に対して着脱可能に構成されているため、発熱体２４の昇降温時に、加熱ブロック２２とサセプタ２３との間に微小な隙間が熱膨張率の差異により形成される。しかしながら、本実施形態の下部電極２は、加熱ブロック２３とサセプタ２２との接触面の周縁を被覆するカバー部材２６を備えている。このため、プラズマ内で生成されたフッ素イオンやフッ素ラジカル等が加熱ブロック２２とサセプタ２３との間の隙間に進入することが抑制される。
【００３８】
この結果、加熱ブロック２２とサセプタ２３との間にフッ化アルミニウムを主成分とするノジュールが成長することが抑制され、加熱ブロック２２とサセプタ２３との密着性が低下することを抑制することができる。これにより、安定した基板処理を実現することができる。
【００３９】
なお、下部電極２が加熱された際に、カバー部材２６と加熱ブロック２２との間にも隙間が形成されるが、カバー部材２６は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び炭化シリコン等の熱膨張率が小さいセラミックスにより構成されるとともに、加熱ブロック２２及びサセプタ２３の外周を被覆するリング状に形成されている。このため、カバー部材２６と加熱ブロック２２との間に形成される隙間は、サセプタ２３と加熱ブロック２２との間に形成される隙間に比べて小さく、上述のフッ素イオンやフッ素ラジカル等がサセプタ２３と加熱ブロック２２との間に形成された隙間に進入することを十分抑制することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、サセプタ２３と加熱ブロック２２との接触面の周縁を被覆するカバー部材２６は、サセプタ２３と加熱ブロック２２とに着脱可能に配設されているため、サセプタ２３、及び加熱ブロック２２の、クリーニング、交換、修理等のメンテナンス作業の作業性を損なうこともない。
【００４１】
なお、上記では、下部電極２がチャンバ１の下壁１２に固着された構造のプラズマＣＶＤ装置を例示したが、広く知られているように、下部電極が支持柱２１を軸心として回転可能に設けられたプラズマＣＶＤ装置や、下部電極が昇降可能に設けられたプラズマＣＶＤ装置であっても同様の効果を得ることができる。また、上記プラズマＣＶＤ装置は、プラズマに対し別途に磁界や直流電界を加える構成であってもよい。
【００４２】
さらに、フッ素イオンやフッ素ラジカルの生成は、高周波電力印加に限定されるものではなく、フッ素元素を含有するガスに紫外線や放射線を照射することにより生成されてもよく、ラジカル発生器によって発生させたラジカルをチャンバ内に導入してもよい。
【００４３】
加えて、上記では、フッ素元素を含有するガスとしてＮＦ3ガスを用いた事例について説明したが、ＳｉＦ4ガスやＳＦ6ガス、あるいは、ＣＦ4ガス、ＣＨＦ3ガス、Ｃ2Ｆ6ガス等のフルオロカーボンガスをクリーニングガスとして使用した場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００４４】
ところで、上記では、カバー部材２６が円筒形状である事例について説明したが、カバー部材２６は、加熱ブロック２２とサセプタ２３との接触面の外縁を被覆していればよく、任意の形状を採用することができる。図３は、図２に示したカバー部材の変形例を示す図である。図３において、図３（ａ）は、下部電極２の平面図を示しており、図３（ｃ）は、下部電極２の下面図を示している。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）及び図３（ｃ）に示すＡ−Ａ線における断面図を示している。
【００４５】
図３に示すカバー部材２８では、図２に示したカバー部材２６の一端部が円筒軸心方向に延出され、鍔部２８ａが形成されている。鍔部２８ａは、カバー部材２８がサセプタ２３及び加熱ブロック２２に装着された際に、サセプタ２３と加熱ブロック２２とを連結し固定するためのボルト２５の上面を被覆可能となっている。なお、図３（ａ）に示すように、鍔部２８の内径は半導体基板９の外径よりも大きくなっており、半導体基板９の載置が阻害することがないように構成されている。
【００４６】
本変形例におけるカバー部材２８を採用した場合も、図２に示したカバー部材２６と同様の効果を奏することが可能である。加えて、本例では、カバー部材２８がボルト２５の頭部を被覆するため、ボルト２５の腐食劣化を抑制することができる。
【００４７】
さらに、上記では、加熱ブロック２２とサセプタ２３とが平面視において同一径である場合を説明したが、サセプタ２３の外径は加熱ブロック２２の外径と同一径である必要はない。例えば、サセプタ２３の外径が加熱ブロック２２の外径に比べて大きい場合には、図４に示すように、図２に示したカバー部材２６の一端部が外方（円筒軸心と逆方向）に延出された鍔部２９ａを有するカバー部材２９を採用することができる。なお、図４において、図４（ａ）は、下部電極２の平面図であり、図４（ｃ）は、下部電極２の下面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）及び図４（ｃ）に示すＡ−Ａ線における断面図である。
【００４８】
本変形例では、鍔部２９ａにより、フッ素イオンやフッ素ラジカルがサセプタ２３と加熱ブロック２２との間に形成される隙間に進入することが防止されるため、上記と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
なお、サセプタ２３及び加熱ブロック２２の平面形状は円である必要はなく、例えば、方形等の任意の形状を採用することができる。
【００５０】
以上説明したように、本発明によれば、サセプタ２３と加熱ブロック２２との間に、フッ化アルミニウムを主成分とするノジュールが形成されることを抑制することができ、この結果、安定した基板処理を実現することができる。
【００５１】
なお、本発明は、以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記説明では、基板処理装置として、プラズマＣＶＤ装置を例示したが、本発明は、プラズマエッチング装置等のエッチング装置にも適用可能である。すなわち、本発明は、フッ素元素を含有するガスを導入して被処理基板の処理を行ういかなる基板処理装置に対しても適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、被処理基板が載置される下部電極における温度分布、及び高周波に対するインピーダンス分布が変動することを抑制できるという効果を有し、基板処理装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の下部電極を示す図
【図３】本発明の一実施形態の下部電極の変形例を示す図
【図４】本発明の一実施形態の下部電極の変形例を示す図
【図５】従来例のプラズマＣＶＤ装置の概略断面図
【符号の説明】
【００５４】
１  チャンバ
２  下部電極
３  上部電極
４  ガス供給管
５  排気管
７  高周波電源
９  半導体基板（被処理基板）
２２  加熱ブロック（加熱部）
２３  サセプタ（基板支持部）
２４  発熱体
２５  ボルト
２６  カバー部材
２７  ボルト
２８  カバー部材
２８ａ  鍔部
２９  カバー部材
２９ａ  鍔部
３１  ガス噴出孔
３２  絶縁リング
【図１】
2007067033.tif 000003
【図２】
2007067033.tif 000004
【図３】
2007067033.tif 000005
【図４】
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【図５】
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