(57)【要約】【課題】集光光学系に付着、堆積したスズおよび／またはスズ化合物のデブリを除去する手段を備えた、スズを極端紫外光放射種に用いた極端紫外光光源装置を提供すること。【解決手段】容器１０内に極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズなどの原料を供給する原料供給手段と、容器１０内で原料を加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段１１，１２，１３と、上記プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光光学手段２と、集光光学手段２を介して極端紫外光を取り出す取り出し部７と、容器１０に接続された排気手段９とを有する極端紫外光光源装置において、集光光学手段２を加熱して集光光学手段２に付着、堆積したスズなどを液化する加熱手段８と、液化したスズなどを集光光学手段２から除去する除去手段５ａ、５ｂ・・・とを備えた極端紫外光光源装置である。【選択図】図１
2007134166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度高温プラズマが発生する容器と、
この容器内に、極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズおよび／またはスズ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、
上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、
上記高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光光学手段と、
上記集光光学手段を介して極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部と、
上記容器に接続された排気手段とを有する極端紫外光光源装置において、
上記集光光学手段を加熱して該集光光学手段に付着、堆積したスズおよび／またはスズ化合物を液化する加熱手段と、
上記液化したスズおよび／またはスズ化合物を、上記集光光学手段から除去する除去手段とを備えたことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【請求項２】
上記除去手段により上記集光光学手段から除去されたスズおよび／またはスズ化合物を捕集する捕集手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
上記除去手段は、上記集光光学手段の極端紫外光を反射する面にガスを吹き付けるガス吹き付け手段であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
上記除去手段は、上記集光光学手段を振動させる振動手段であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
上記除去手段は、上記集光光学手段の極端紫外光を反射する面にガスを吹き付けるガス吹き付け手段および上記集光光学手段を振動させる振動手段であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項６】
上記集光光学手段と上記極端紫外光取り出し部との間に、ガスを吹き付けるガス吹き付け手段が設けられていることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか１つの請求項に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項７】
上記集光光学手段と上記極端紫外光取り出し部との間に、シャッタが設けられていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の極端紫外光光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置に関する。より詳細には、集光鏡に付着、堆積して極端紫外光の反射を妨げるデブリを除去し、集光鏡を長寿命化させるための除去手段を備えた極端紫外光光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められており、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に、波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）を放出する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光光源装置ともいう）が開発されている。
【０００３】
ＥＵＶ光光源装置においてＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの１つにＥＵＶ光放射種を加熱・励起することにより高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放出されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このＥＵＶ光光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ，レーザ生成プラズマ）方式とＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ，放電生成プラズマ）方式とに大きく分けられる。
【０００４】
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置は、ＥＵＶ光放射種を含む原料からなるターゲットにレーザ光を照射することでレーザアブレーションにより高密度高温プラズマを生成し、そこから放射されるＥＵＶ光を利用するものである。
一方、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置は、ＥＵＶ光放射種を含む原料が供給された電極間に、高電圧を印加することで放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射されるＥＵＶ光を利用するものである。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置における放電方式には、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式などがある。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さいといった利点あり、実用化への期待も大きい。
【０００５】
上記した両方式のＥＵＶ光光源装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマの原料として、現在、１０価前後のキセノン（Ｘｅ）イオンとスズ（Ｓｎ）イオンが知られている。このうち、スズは、高密度高温プラズマの発生に必要な電気入力と波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光出力との比、すなわちＥＵＶ変換効率（＝光出力／電気入力）がキセノンより数倍大きく、量産型大出力ＥＵＶ光源の放射種として有力視されている。例えば、特許文献１に示されるように、ＥＵＶ光放射種であるスズを放電部に供給するための原料としてガス状のスズ化合物（例えば、スタナンガス：ＳｎＨ４ガス）を使ったＥＵＶ光源の開発が進められている。
【０００６】
しかしながら、スズは、蒸気圧が低く室温では固体であり、光源チャンバ内に導入されるスズおよび／またはスズ化合物を加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる際に、スズに起因する大量のデブリが発生するという問題がある。
ＥＵＶ光光源装置は、光源チャンバ内で発生させた高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を、光源チャンバ内に配置された集光鏡を介して外部に放出するが、この集光鏡に、スズに起因するデブリが付着した場合、集光鏡の波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が低下し、結果として、外部に放出されるＥＵＶ光出力が低下する。
【０００７】
この問題を解決するために、デブリを遮蔽、捕獲し、ＥＵＶ光のみを透過する技術が開発されている。特に、ガスカーテンおよびデブリトラップと呼ばれる２つの方法がよく知られており、前者は浮遊しているデブリに向けて不活性ガスなどの高速ガス流を噴射することにより、デブリを減速あるいは飛行軌道を変化させるものであり、後者は集光鏡へ向かうＥＵＶ光を遮蔽しないように光路に沿って金属箔を配置し、その近傍を通過するデブリをトラップ内壁面に吸着するものであり、双方ともに後段に位置する集光鏡へデブリが到達することを防ぐためのものである。
【０００８】
一方、特許文献２には、集光鏡などの光学素子に付着、堆積した汚染を除去する方法が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２７９２４６号公報
【特許文献２】特許第３６０１０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記のガスカーテンやデブリトラップを用いても、現実には、十分にデブリを捕獲することができず、結果として、デブリの集光鏡への付着は免れない。そのため、ＥＵＶ光放射種としてスズを使うには、集光鏡に付着、堆積したスズを光源動作中または休止中に除去して、集光鏡の反射率を維持することが、必要不可欠である。
【００１１】
上記特許文献２に記載の方法は、Ｘ線装置において汚染物質である亜鉛に対し、汚染物質（亜鉛）の蒸発速度が堆積速度より大きくなるように、Ｘ線光学素子を３００℃まで加熱することによって汚染を除去するものである。しかしながら、本願で着目しているスズは亜鉛よりも蒸気庄が低いため、堆積速度を上回る蒸発速度を得るには、亜鉛の場合に比べて集光鏡を高温にまで加熱する必要があるが、その際に、集光鏡の熱変形および集光鏡反射膜の変質などが考えられるため、この方法はスズの除去には適さない。
【００１２】
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、集光鏡に付着、堆積したデブリを除去する新規の手段を備えたＥＵＶ光光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。
第１の手段は、高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に、極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズおよび／またはスズ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光光学手段と、上記集光光学手段を介して極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部と、上記容器に接続された排気手段とを有する極端紫外光光源装置において、上記集光光学手段を加熱して該集光光学手段に付着、堆積したスズおよび／またはスズ化合物を液化する加熱手段と、上記液化したスズおよび／またはスズ化合物を、上記集光光学手段から除去する除去手段とを備えたことを特徴とする極端紫外光光源装置である。
第２の手段は、第１の手段において、上記除去手段により上記集光光学手段から除去されたスズおよび／またはスズ化合物を捕集する捕集手段を設けたことを特徴とする。
第３の手段は、第１の手段または第２の手段において、上記除去手段は、上記集光光学手段の極端紫外光を反射する面にガスを吹き付けるガス吹き付け手段であることを特徴とする。
第４の手段は、第１の手段または第２の手段において、上記除去手段は、上記集光光学手段を振動させる振動手段であることを特徴とする。
第５の手段は、第１の手段または第２の手段において、上記除去手段は、上記集光光学手段の極端紫外光を反射する面にガスを吹き付けるガス吹き付け手段および上記集光光学手段を振動させる振動手段であることを特徴とする。
第６の手段は、第３の手段乃至第５の手段のいずれか１つの手段において、上記集光光学手段と上記極端紫外光取り出し部との間に、ガスを吹き付けるガス吹き付け手段が設けられていることを特徴とする。
第７の手段は、第４の手段または第５の手段において、上記集光光学手段と上記極端紫外光取り出し部との間に、シャッタが設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、加熱・励起手段から放出されるデブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物が集光光学手段に付着、堆積しても、速やかに取り除くことができ、集光光学手段のＥＵＶ光反射率を良好に維持することができ、集光光学手段をスズが液化する温度までにしか加熱しないので、集光光学手段の熱変形や反射膜の変質などを防ぐとともに長寿命化を図ることができる。
請求項２に記載の発明によれば、集光光学手段から除去されたスズおよび／またはスズ化合物を、装置内に散乱させることなく、捕集手段により装置内に貯めておくことができ、定期整備などにより極端紫外光光源装置を完全に停止させた際に、捕集手段に貯まったスズおよび／またはスズ化合物を取り出すことができる。
請求項３に記載の発明によれば、集光光学手段の光反射面に沿ってガスを吹き付けることにより、粒状の液化したスズおよび／またはスズ化合物を、ガスの風圧によって集光光学手段の風下側に移動させ、集光光学手段の端部から落下させて除去することができる。
請求項４に記載の発明によれば、集光光学手段を振動させることにより、粒状になった液化したスズおよび／またはスズ化合物を、集光光学手段の表面を重力方向に移動させ、集光光学手段下端から振るい落すことにより、集光光学手段からスズおよび／またはスズ化合物を除去することができる。
請求項５に記載の発明によれば、風圧と振動との相乗効果により、より一層効果的に集光光学手段からスズおよび／またはスズ化合物を除去することができる
請求項６に記載の発明によれば、ガス吹き付け手段でガスを吹き付けることにより、極端紫外光取り出し部を通過して露光機側に飛散するスズおよび／またはスズ化合物を遮断することができ、露光機側への２次汚染を未然に防ぐことができる。
請求項７に記載の発明によれば、極端紫外光取り出し部を通過して露光機側に飛散するスズおよび／またはスズ化合物を遮断することができ、露光機側への２次汚染を未然に防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の第１の実施形態を図１および図２を用いて説明する。
図１は、本実施形態の発明に係るＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図、図２（ａ）は、光反射面の裏側にヒータ８を取り付けた集光鏡２の外観図、図２（ｂ）は、ＥＵＶ光入射側にヘリウムガスを吹き付けるクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈを取り付けた集光鏡２の断面図である。
図１において、真空容器である光源チャンバ１０内には、例えば、第一電極１１と第二電極１２が、絶縁体１３を挟んで配置される。このように配置された第一電極１１、第二電極１２、絶縁体１３は、ＥＵＶ光光源装置の放電部１を構成する。第一電極１１および第二電極１２はリング状であり、絶縁体１３もリング状であって、貫通穴が略同軸上に位置するよう配置される。ここで、第一電極１１と第二電極１２はパルスパワー電源１５に接続され、絶縁体１３によって電極１１，１２間は電気的に絶縁されている。第一電極１１および第二電極１２は、例えば、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属から構成される。絶縁体１３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などのプラズマ耐性の高いセラミックスなどから構成される。
【００１６】
光源チャンバ１０は、第一チャンバ１０ａと第二チャンバ１０ｂとから構成される。第一チャンバ１０ａに接続された原料供給ユニット１４から、ＥＵＶ光放射種であるスズを供給するための原料として、例えば、スタナン（ＳｎＨ４）などを放電部１に供給しながら、第一電極１１と第二電極１２の間で放電させると、ＥＵＶ光放射種を含む原料が加熱・励起され、放電部１の略中心部（貫通穴の中心部）でプラズマＰが発生する。このプラズマＰは、極めて高密度かつ高温でなければリソグラフィに利用する波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出することができない。そこで、ＥＵＶ光光源装置では、電源からプラズマに入力するピークパワーを大きくして高密度高温プラズマを発生させるために、瞬間的な放電を繰り返し行うパルス駆動方式を採用している。
すなわち、パルスパワー電源１５から第一電極１１と第二電極１２との間に電力が供給されると、絶縁体１３表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して、第一電極１１と第二電極１２間は実質、短絡状態になり、第一電極１１と第二電極１２間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって放電部１の略中心部（貫通穴の中心部）に高密度高温のプラズマＰが発生し、この高密度高温のプラズマＰからＥＵＶ光が放出される。
【００１７】
放電部１で発生したＥＵＶ光は、第二チャンバ１０ｂ内に配置された集光鏡２を介してＥＵＶ光取り出し部７より放射される。ＥＵＶ光取り出し部７を出射した光は、図示略の露光機側光学系に進行する。
集光鏡２は、回転楕円形状あるいは回転放物形状をしており、ニッケルなどの金属材料から構成され、その反射面には、ＥＵＶ光を効率よく反射するために、ルテニウム、モリブデン、ロジウムなどの金属をコーティングするとともに、２５°以下の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射することができる。
【００１８】
放電部１において発生した高密度高温プラズマにより、ＥＵＶ光が放出されるのは上記の通りであるが、それと同時に放電部１からはデブリも放出され、光源チャンバ１０内に飛散する。ここでいうデブリとは、高密度高温プラズマにより浸食された電極と絶縁体、放電に寄与して分解された原料、放電に寄与せずに排出された原料、反応生成物などのことである。
そこで、放電部１と集光鏡２との間の領域に、水素、水素とヘリウム、アルゴン、キセノン、クリプトン、または窒素のうち、少なくとも１つを含む混合ガスを供給するガス供給ユニット１６ａに接続されたガスカーテンノズル４ａを配置する。ガス供給ユニット１６ａから供給されるガスは、ガスカーテンノズル４ａによりガス流がデブリと交錯するように供給される。このように形成されたガスカーテンは、放電部１から放出され集光鏡２に向かって飛散するデブリの飛行軌道を湾曲させたり、局所的にガスの圧力が高い部分を作り出し、そこで起こる粒子間衝突によりデブリを減速させたりすることにより、デブリが集光鏡２に到達することを妨げるように作用する。
さらに、ガスカーテンノズル４ａと集光鏡２との間の領域には、デブリトラップ３が配置される。デブリトラップ３は、例えば、タングステンやモリブデンといった高融点金属から構成される。
【００１９】
しかしながら、実際にはガスカーテンおよびデブリトラップ３によってデブリを全て捕獲することは困難であり、集光鏡２に到達してしまうデブリもある。
そこで、集光鏡２に付着、堆積した固体のスズを除去するために、図１および図２（ａ）に示すように、加熱電源１８に接続されたヒータ８を集光鏡２の光反射面の裏側に取り付けて、スズが液化する２５０℃程度まで集光鏡２を加熱する。この集光鏡２を、付着・体積物質（汚染物質）を蒸発させる温度にまで加熱するのではなく、液化する温度にまでしか加熱しないという点が特許文献２に記載のものとの大きな違いである。集光鏡２が加熱されることによって集光鏡２の反射面に付着、堆積した固体のスズは液化して、表面張力により粒状となる。その結果、集光鏡２上で加熱され液化したスズの一部は表面から蒸発するが、通常スズの集光鏡２上への堆積速度が加熱され液化したスズ表面からのスズの蒸発速度を上回るために、結果として集光鏡２上でスズは除去されない。すなわち、単に、集光鏡２を加熱してスズを液化しただけでは、集光鏡２上のスズを十分に除去することはできない。そこで、図１および図２（ｂ）に示すように、集光鏡２のＥＵＶ光入射側にガス供給ユニット１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、・・・、１７ｈに接続され、互いのガス流が干渉しないように配置されたクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈを設け、集光鏡２の光反射面に沿って螺旋状のガス流を吹き付ける。これらにより、粒状の液化したスズは、ガスの風圧によって集光鏡２の表面を下方に移動し、集光鏡２の下端から落下するので、集光鏡２からスズを除去することができる。
【００２０】
集光鏡２から除去されたスズは、装置内に散乱しないように、集光鏡２の下方に設けられたスズを捕集するスズ受け皿６で受け止め、装置内に貯めておき、定期整備などにより、ＥＵＶ光光源装置を完全に停止させ、光源チャンバ１０を開けた際に、スズ受け皿６に貯まったスズを取り出す。
【００２１】
なお、集光鏡２の加熱方法としては、ヒータ８のような抵抗加熱に限らず、赤外線輻射や誘導加熱でもよい。また、上記ガス流としてヘリウムガスを使用したが、ＥＵＶ光の吸収が小さいガスであればよく、例えば、アルゴンや水素でもよい。
また、以上で述べたスズ除去は、ＥＵＶ光光源装置とＥＵＶ光露光装置からなるＥＵＶ露光システムにおいて、光源が発光しているワークの露光中であっても、光源が発光していない（休止している）ワーク移動中であっても実施することができる。
【００２２】
次に、本発明の第２の実施形態を図３を用いて説明する。
図３は、本実施形態の発明に係るＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図である。
本実施形態の発明に係るＥＵＶ光光源装置は、第１の実施形態の発明に係るＥＵＶ光光源装置と比べて、集光鏡２のＥＵＶ光入射側にガス供給ユニット１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、・・・、１７ｈに接続されたクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈを設けるものに代えて、超音波振動子用電源２０に接続され、集光鏡２と集光鏡支持体２１の間に超音波振動子１９を設けた点で相違する。
【００２３】
同図において、集光鏡２に付着、堆積した固体のスズの除去は、第１の実施形態と同様に、まず、加熱電源１８に接続されたヒータ８によって集光鏡２を２５０℃程度まで加熱して、集光鏡２に付着、堆積した固体のスズを液化する。次に、超音波振動子１９に超音波振動子用電源２０から電力を供給して、集光鏡２を振動させる。これにより、粒状になった液体スズは集光鏡２の表面を重力方向に移動し、集光鏡２の下端から振るい落とされて、集光鏡２からスズが除去される。集光鏡２から振るい落とされたスズは、装置内に散乱しないように集光鏡２の下方に設けたスズを捕集するスズ受け皿６で受け止め、第１の実施形態の場合と同様に、定期整備などにより光源チャンバ１０を開けた際に、取り出す。
【００２４】
なお、集光鏡２の加熱方法については、第１の実施形態の場合と同様に、その手段を問わない。
以上のスズ除去手段においては、集光鏡２の加熱は定常的に行っても良いが、集光鏡２の振動に伴いＥＵＶ光の集光点もまた振動するため、ＥＵＶ露光システムのワーク露光中には使用できず、光源が発光していないワーク移動中など、露光が行われていないときのみ実施する。
【００２５】
なお、上記の２つの実施形態に係るＥＵＶ光光源装置において、除去手段により集光鏡２から液化したスズおよび／またはスズ化合物を取り除く際、風圧や振動の大きさにより、集光鏡２の下端からだけでなく、それ以外の場所からスズおよび／またはスズ化合物が吹き飛ばされたり、振るい落とされたりすることが考えられる。このような場合、液化したスズおよび／またはスズ化合物が、ＥＵＶ光取り出し部７から、光源チャンバ１０外に出ることが考えられるので、これを防ぐための手段を設けるようにしても良い。
例えば、第１の実施形態に係るＥＵＶ光光源装置（図１）の場合は、集光鏡２とＥＵＶ光取り出し部７との間にガスカーテンノズル４ｂのようなガス吹き付け手段を設け、ＥＵＶ光取り出し部７の方に落ちようとするスズおよび／またはスズ化合物をスズ受け皿６の方に吹き飛ばすようにすれば良い。
また、第２の実施形態に係るＥＵＶ光光源装置（図３）の場合は、上記したように集光鏡２を振動させるタイミングは、露光機でワークの露光が行われていないワーク移動中などであるから、このような時はＥＵＶ光取り出し部７を覆うことができるシャッタ２２を設け、このシャッタ２２を閉じた状態で集光鏡２を振動させる。このような構成とすることにより、ＥＵＶ光取り出し部７に落ちようとするスズおよび／またはスズ化合物は、シャッタ２２上に落下し、光源チャンバ１０外に出ることはない。
なお、上記の２つの実施形態においては、集光鏡が下向きに配置された例を示したが、横向きに配置した場合であっても、吹き付けるガスの圧力や方向を適宜設定することにより、集光鏡上の粒状の液化したスズを取り除くことができる。
【００２６】
次に、本発明の第３の実施形態を図４および図５を用いて説明する。
図４は、本実施形態の発明に係るＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図、図５（ａ）は、光反射面の裏側にヒータ８を取り付けた集光鏡２の側面図、図５（ｂ）は、ＥＵＶ光入射側にヘリウムガスを吹き付けるクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｇを取り付けた集光鏡２の側面図である。
同図に示したＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置は、図１および図３に示したＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置と同様に光源チャンバ１０を有する。光源チャンバ１０には、ＥＵＶ光放射種である原料を供給するための原料供給ユニット１４および原料供給ノズル２５が設けられており、真空ポンプなどで構成された排気装置９により光源チャンバ１０内は真空状態に維持されている。レーザ光発生装置２４から放射されたレーザ光は、レーザ光入射窓２３を介して光源チャンバ１０内部へ導入され、原料供給ノズル２５から供給されたスズおよび／またはスズ化合物を含む原料に照射される。
ここで用いられるレーザ光発生装置２４は、例えば、繰り返し周波数が数ｋＨｚであるパルスレーザ装置であり、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどが使用される。また、ここで用いられるスズおよび／またはスズ化合物を含む原料としては、例えば、固体状、液状、ガス状のスタナンや、固体状、液状、ガス状のスズが使用される。
【００２７】
レーザ光照射により、原料供給ノズル２５から供給された原料は、加熱・励起されて高密度高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。放射されたＥＵＶ光は、集光鏡２によりＥＵＶ光取り出し部７に向けて反射、集光され、図示略の露光機側光学系へと導かれる。ここで、集光鏡２は、例えばモリブデンとシリコンの多層膜でコーティングされた球面形状の反射鏡であり、レーザ光発生装置２４およびレーザ光入射窓２３の配置によっては、レーザ光通過穴２６は必要としない場合もある。
【００２８】
集光鏡２には光反射面の裏側に、例えば、図５（ａ）に示すように、ヒータ８を配置し、２５０℃程度まで加熱する。集光鏡２に付着、堆積したデブリの除去方法は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光光源装置（図１）の場合と同様であるので説明を省略する。ただし、集光鏡２の配置が異なるため、液化したスズを吹き飛ばす方向を変更する必要があり、図５（ｂ）に示すように、集光鏡２の上方から下方に向かって多方向に吹き出すクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｇを設けガスを吹き付ける。これらにより集光鏡２上の粒状の液化したスズはガスの風圧によって集光鏡２の表面下方に移動し、集光鏡２の下端から落下するので、集光鏡２から除去することができる。
なお、本発明の極端紫外光光源装置は、上記した各実施形態の発明に係る極端紫外光光源装置に限定されるものではない。例えば、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置において、第２の実施形態のものと同様に、集光鏡に付着したスズおよび／またはスズ化合物の除去手段として超音波振動子のような振動手段を用いてもよい。
また、例えば、ＤＰＰ方式ならびにＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置において、ガス吹き付け手段および振動手段の両方を除去手段として用いてもよい。
【００２９】
以上に説明したように、上記の各実施形態の発明に係る極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光光源装置）によれば、集光鏡をスズが液化する温度程度に加熱して、粒状になったスズを風圧または振動により集光鏡外に除去するので、集光鏡のＥＵＶ光反射率を良好に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１の実施形態の発明に係るＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図である。
【図２】光反射面の裏側にヒータ８が取り付けられた集光鏡２の外観図およびＥＵＶ光入射側にヘリウムガスを吹き付けるクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈが取り付けられた集光鏡２の断面図である。
【図３】第２の実施形態の発明に係るＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図である。
【図４】第３の実施形態の発明に係るＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図である。
【図５】光反射面の裏側にヒータ８が取り付けられた集光鏡２の側面図およびＥＵＶ光入射側にヘリウムガスを吹き付けるクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｇが取り付けられた集光鏡２の側面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  放電部
２  集光鏡
３  デブリトラップ
４  ガスカーテンノズル
４ａ  ガスカーテンノズル
４ｂ  ガスカーテンノズル
５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈ  クリーニングノズル    
６  スズ受け皿
７  ＥＵＶ光取り出し部
８  ヒータ
９  排気装置
１０  光源チャンバ
１０ａ  第一チャンバ
１０ｂ  第二チャンバ
１１  第一電極
１２  第二電極
１３  絶縁体
１４  原料供給ユニット
１５  パルスパワー電源
１６ａ  ガス供給ユニット
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、・・・、１７ｈ  ガス供給ユニット
１８  加熱電源
１９  超音波振動子
２０  超音波振動子用電源
２１  集光鏡支持体
２２  シャッタ
２３  レーザ光入射窓
２４  レーザ光発生装置
２５  原料供給ノズル
２６  レーザ光通過穴
Ｐ  プラズマ
【図１】
2007134166.tif 000003
【図２】
2007134166.tif 000004
【図３】
2007134166.tif 000005
【図４】
2007134166.tif 000006
【図５】
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