(57)【要約】【課題】  一方の基板側に行電極と列電極が形成される面放電方式交流型ＰＤＰにおいて誤放電の発生を防止する。【解決手段】  行方向に延びる行電極対（Ｘ，Ｙ）と列方向に延びる列電極Ｄが前面ガラス基板１側に配置されたＰＤＰにおいて、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２の行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する一対の行電極Ｙの互いに対向する透明電極Ｘｂ，Ｙｂの間の放電ギャップｇに対向する位置に、誘電体層２から放電空間内に突出するとともに行方向に延びる障壁１３が形成されている。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向される一対の基板のうちの一方の基板側に、行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を介して離間した状態で列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とが配置され、行電極対を構成する対になった行電極の互いに対向して放電を行う放電部に対向する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行電極対を被覆する誘電体層の単位発光領域内の放電空間に面する部分に、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの互いに対向する放電部の間に対向する位置において誘電体層から放電空間内に突出するとともに行方向に延びる障壁が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記行電極対を構成する対になった行電極が、それぞれ、互いに所要の間隔を開けて行方向に延びる行電極本体部と、この行電極本体部に沿って配置されてそれぞれ行電極本体部から対になっている他の行電極の行電極本体部側に列方向に突出して互いに放電ギャップを介して対向する放電部を構成する複数の行電極突出部とを有し、
前記障壁が、誘電体層上の行電極突出部間の放電ギャップに対向する位置に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記列電極が、行方向において隣接する単位発光領域の間の部分に対向する位置に配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記行電極対を被覆する誘電体層上の少なくとも行方向において隣接する単位発光領域の間の部分に対向する位置に、誘電体層から放電空間側に突出するとともに列方向に延びる嵩上げ誘電体層が形成され、列電極が、この嵩上げ誘電体層内に配置されている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。  
【請求項５】
前記嵩上げ誘電体層が、行電極対を被覆する誘電体層上に形成された第１嵩上げ誘電体層と、この第１嵩上げ誘電体層上に積層された第２嵩上げ誘電体層の二層構造を有し、
前記列電極が、第１嵩上げ誘電体層上に形成されて第２嵩上げ誘電体層によって被覆されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。  
【請求項６】
前記障壁が、各単位発光領域の両側に位置する嵩上げ誘電体層の間に位置されて、両端部がそれぞれ両側の嵩上げ誘電体層に連結されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記嵩上げ誘電体層が、行電極対を被覆する誘電体層上に形成された第１嵩上げ誘電体層と、この第１嵩上げ誘電体層上に積層された第２嵩上げ誘電体層の二層構造を有し、
前記障壁が、第１嵩上げ誘電体層と一体成形された第１障壁部と、第２嵩上げ誘電体層と一体成形された第２障壁部の二層構造になっている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記障壁が、各単位発光領域の両側に位置する嵩上げ誘電体層の間に位置されて、障壁の一方の端部が行電極対の一方の行電極との間で放電を行う列電極が配置されている側の嵩上げ誘電体層に連結され、他方の端部が単位発光領域の反対側に位置する嵩上げ誘電体層から離間している請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記嵩上げ誘電体層が、行電極対を被覆する誘電体層上に形成された第１嵩上げ誘電体層と、この第１嵩上げ誘電体層上に積層された第２嵩上げ誘電体層の二層構造を有し、
前記障壁が、第１嵩上げ誘電体層と一体成形された第１障壁部と、第２嵩上げ誘電体層と一体成形された第２障壁部の二層構造になっている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記列電極が、それぞれ、行方向において両側に位置する単位発光領域のうち、列電極との間で放電を行う行電極が対向されている単位発光領域の側にオフセットした位置に配置されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記一対の基板の間に、少なくとも行方向に隣接する単位発光領域の間において列方向に延びて単位発光領域間を区画する隔壁が形成されて、嵩上げ誘電体層に当接されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）には、放電空間を介して互いに対向される一対のガラス基板のうちの一方のガラス基板側に、サステイン放電を行う行電極対と、この行電極対の一方の行電極との間でアドレス放電を行う列電極の双方が形成された構成を備えているものがある。
【０００３】
図１ないし４は、このような行電極対と列電極の双方が一方のガラス基板側に形成された従来のＰＤＰの構成を示している。
【０００４】
この図１ないし４のＰＤＰは、パネル面を構成する前面ガラス基板１の背面に、行方向（図１において左右方向）に延びるとともに列方向（図１において上下方向）に並設された行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。
【０００５】
この行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。
【０００６】
そして、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されて、この誘電体層２によって行電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。
【０００７】
この誘電体層２の背面側には、行電極Ｘ（Ｙ）の行方向に等間隔に並ぶ透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）のそれぞれの中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに行方向に並設された列電極Ｄが形成されている。
【０００８】
誘電体層２の背面側には、さらに、行電極Ｘ（Ｙ）の行方向に等間隔に並ぶ透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）のそれぞれの中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに誘電体層２から背面側に突出する縦層３Ａと、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａおよびこのバス電極ＸａとＹａに挟まれた領域部分に対向する部分において、行方向に延びるとともに誘電体層２から背面側に突出する横層３Ｂを備えた略格子形状の嵩上げ誘電体層３が形成されている。
そして、この嵩上げ誘電体層３の縦層３Ａの部分によって、列電極Ｄが被覆されている。
【０００９】
この誘電体層２および嵩上げ誘電体層３の表面に、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されている。
【００１０】
一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板４の表示側の面上には、白色誘電体層５が形成され、さらに、この白色誘電体層５上に、嵩上げ誘電体層３の縦層３Ａに対向する位置において列方向に延びる縦壁６Ａと、嵩上げ誘電体層３の横層３Ｂに対向する位置において行方向に延びる横壁６Ｂとを有する略格子形状の隔壁６が形成されている。
【００１１】
この隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極ＸｂとＹｂに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣが形成されている。
【００１２】
この隔壁６の間の背面ガラス基板５の表面と隔壁６の側面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が、行方向に順に並ぶように形成されている。
【００１３】
放電空間内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている（例えば特許文献１参照）。
【００１４】
上記ＰＤＰは、行電極Ｘと行電極Ｙ間においてリセット放電が行われた後、行電極Ｙの透明電極Ｙｂと列電極Ｄ間において選択的にアドレス放電が行われて、このアドレス放電により、第１誘電体層２に壁電荷が形成された放電セルＣ（発光セル）と壁電荷が形成されていない放電セルＣ（非発光セル）の選択が行われる。
【００１５】
この状態で各行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹに交互にサステイン・パルスが印加されて、誘電体層２に壁電荷が形成されている放電セルＣ（発光セル）内においてサステイン放電が発生される。
【００１６】
そして、このサステイン放電によって、発光セル内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層７が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像の形成が行われる。
【００１７】
上記のような構成のＰＤＰは、前面ガラス基板１に行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄの双方が形成されることによって、前面ガラス基板と背面ガラス基板の一方の基板に行電極対が形成され他方の基板に列電極が形成される形式のＰＤＰに比べて、製造工程において基板の位置合わせが容易である等の利点を有している。
【００１８】
しかしながら、この前面ガラス基板１に行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄの双方が形成されたＰＤＰにおいては、以下のような問題が発生する。
【００１９】
すなわち、上述したようなＰＤＰの駆動過程において、アドレス放電による発光セルの選択が、選択消去法（リセット放電によって全ての放電セルＣにおいて誘電体層２に壁電荷が形成された後、この壁電荷をアドレス放電によって選択的に消去してゆく方法）によって行われる場合、リセット放電の発生後には、誘電体層２の行電極Ｙ側部分と行電極Ｘ側部分に、プラス・マイナスが逆の壁電荷がそれぞれ形成される。
【００２０】
例えば、リセット放電時に、行電極Ｙにプラスのパルスが印加され行電極Ｘにマイナスのパルスが印加される場合、リセット放電の終了後、行電極Ｙ側にはマイナスの壁電荷が形成され、行電極Ｘ側にはプラスの壁電荷が形成される。
【００２１】
この場合、リセット放電後のアドレス放電時に、発光セルとして選択されない放電セルＣ（非発光セルとなる放電セルＣ）においては、行電極Ｙに印加されるマイナスのスキャン・パルスと列電極Ｄに印加されるプラスのデータ・パルスによって、行電極Ｙと列電極Ｄの間にアドレス放電が発生されて、誘電体層２の行電極Ｙ側の部分に形成されていたマイナスの壁電荷が消去される。
【００２２】
このとき、アドレス放電は、列電極Ｄの非発光セルとなる放電セルＣに対向する部分の全体において、行電極Ｙとの間で発生する。
【００２３】
このため、上記構成の従来のＰＤＰにおいては、アドレス放電の電界密度が小さくなって、行電極Ｙ側の誘電体層２に形成されたマイナスの壁電荷が完全に消去されない場合が生じる虞があり、この行電極Ｙ側の誘電体層２に形成されたマイナスの壁電荷が完全に消去されなかった場合には、次のサステイン放電発生時に、非発光セルにおいて誤放電が発生するという問題が生じる。
【００２４】
【特許文献１】特開２００３−２５７３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
この発明は、上記のような一方の基板側に行電極対と列電極が形成される面放電方式交流型ＰＤＰにおいて発生する問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を介して対向される一対の基板のうちの一方の基板側に、行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を介して離間した状態で列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とが配置され、行電極対を構成する対になった行電極の互いに対向して放電を行う放電部に対向する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記行電極対を被覆する誘電体層の単位発光領域内の放電空間に面する部分に、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの互いに対向する放電部の間に対向する位置において誘電体層から放電空間内に突出するとともに行方向に延びる障壁が形成されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
この発明は、行方向に延びる行電極対と列方向に延びる列電極が一方の基板側に配置されたＰＤＰにおいて、行電極対を被覆する誘電体層の行電極対を構成する一対の行電極の互いに対向する放電部の間に対向する位置に、誘電体層から放電空間内に突出するとともに行方向に延びる障壁が形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００２８】
この実施形態におけるＰＤＰは、放電空間を挟んで対向する一対の基板のうちの一方の基板、例えば、パネル面を構成する前面基板側に行電極対と列電極が配置されていることによって、行電極対を構成する一方の行電極と列電極との間で発生されるアドレス放電が、単位発光領域内の行電極対と列電極が配置されている基板側に近接する領域内で行われるが、このとき、このアドレス放電が、誘電体層の行電極対を構成する行電極の放電部の間に対向する位置に形成されて行方向に延びる障壁によって、列電極との間でアドレス放電を発生する行電極に対向する部分内に制限されて、行電極対を構成する他方の行電極に対向する部分側に拡がってゆくのが防止される。
【００２９】
これによって、列電極とアドレス放電を発生させる相手の行電極との間におけるアドレス放電の電界密度が従来のＰＤＰに比べて非常に高くなり、ＰＤＰの駆動が選択消去法によって行われる場合には、誘電体層に形成されている壁電荷の消去が確実に行われて、非発光セルにおいてサステイン放電の誤放電が発生するのが防止されるようになり、また、ＰＤＰの駆動が選択書込法によって行われる場合にも、列電極とアドレス放電を発生させる相手の行電極との間におけるアドレス放電の電界密度が高くなることによって、発光セルとなる単位発光領域での壁電荷の形成が確実に行われて、発光セルにおいてサステイン放電が安定して行われるようになる。
【００３０】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、列電極が、行方向において隣接する単位発光領域の間の位置において行電極対を被覆する誘電体層の背面から放電空間内に突出する列方向に延びる嵩上げ誘電体層内に形成されることによって、この列電極と行電極の放電部との間に空間が形成されて、その間の静電容量が従来と比較して低減するので、アドレス放電時に無効電流を低減することが出来るようになる。
【００３１】
さらに、障壁が、各単位発光領域の両側に位置する嵩上げ誘電体層の間に位置されて、その両端部がそれぞれ両側の嵩上げ誘電体層に連結されたり、または、一方の端部が一方の嵩上げ誘電体層に連結されたりすることによって、アドレス放電の拡がりが確実に制限されるようになる。
【００３２】
さらに、障壁が、嵩上げ誘電体層と一体成形されることによって、ＰＤＰの製造工程が容易になる。
【００３３】
さらに、列電極が、それぞれ、行方向において両側に位置する単位発光領域のうち、列電極との間で放電を行う行電極が対向されている単位発光領域の側にオフセットした位置に配置されることによって、隣接する単位発光領域の行電極との間で誤放電が発生するのが防止されて、アドレス放電が安定して行われるようになる。
【実施例１】
【００３４】
図５ないし９は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１の実施例を示しており、図５はこの第１実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図であり、図６は図５のＶ１−Ｖ１線における断面図、図７は図５のＶ２−Ｖ２線における断面図、図８は図５のＷ１−Ｗ１線における断面図、図９は図５のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【００３５】
この図５ないし９において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図５において左右方向）に延びるとともに列方向（図５において上下方向）に並設された行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。
【００３６】
この行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されてバス電極Ｘａ，Ｙａから対になっている他方の行電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。
【００３７】
そして、前面ガラス基板１の背面側に透明な誘電材料によって誘電体層２が形成されて、この誘電体層２によって行電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。
【００３８】
以上の構成は、前述した図１ないし４の従来のＰＤＰの構成と同様であり、同一の構成部分については、図５ないし９において図１ないし４と同一の符号が付されている。
【００３９】
誘電体層２の背面には、行電極Ｘ（Ｙ）のバス電極Ｘａ（Ｙａ）に沿って等間隔の配列された透明電極Ｘｂ（Ｙｂ）のそれぞれの中間位置に対応する部分において列方向に延びるとともに誘電体層２から背面側に突出する第１縦層部１１Ａと、列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹの互いに背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａおよびこの背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａに挟まれた領域部分に対向する部分において、行方向に延びるとともに誘電体層２から背面側に突出する第１横層部１１Ｂを有する略格子形状の第１嵩上げ誘電体層１１が形成されている。
【００４０】
この第１嵩上げ誘電体層１１の第１縦層部１１Ａのそれぞれの前面ガラス基板１と平行な頂面（第１縦層部１１Ａの背面側の面）上に、列方向に延びる帯状の列電極Ｄ１が形成されている。
【００４１】
この列電極Ｄ１は、前面ガラス基板１側から見て列電極Ｄ１の両側に位置する透明電極Ｙｂのうち、後述するアドレス放電を発生させる相手となる透明電極Ｙｂ側（この例では、図８および９においてそれぞれ右側）にオフセットした位置に形成されている。
【００４２】
第１嵩上げ誘電体層１１の頂面上には、さらに、第１嵩上げ誘電体層１１の第１縦層部１１Ａ上において列方向に延びる第２縦層部１２Ａと、第１横層部１１Ｂ上において行方向に延びる第２横層部１２Ｂとを有する第１嵩上げ誘電体層１１とほぼ同形の略格子形状の第２嵩上げ誘電体層１２が形成されており、この第２嵩上げ誘電体層１２の第２縦層部１２Ａによって、第１嵩上げ誘電体層１１の第１縦層部１１Ａ上に形成された列電極Ｄ１が被覆されている。
【００４３】
誘電体層２の背面には、さらに、行電極ＸとＹの互いに対になっている透明電極ＸｂとＹｂ間の放電ギャップｇに対向する位置に、行方向において隣接する第１嵩上げ誘電体層１１の第１縦層部１１Ａ間および第２嵩上げ誘電体層１２の第２縦層部１２Ａ間に掛け渡された状態で、行方向に帯状に延びる障壁１３が形成されている。
【００４４】
この障壁１３は、その両端部が、それぞれ第１嵩上げ誘電体層１１の第１縦層部１１Ａおよび第２嵩上げ誘電体層１２の第２縦層部１２Ａに連結されている。
【００４５】
そして、障壁１３は、図示の例では、誘電体層２の背面上に位置されて製造工程時に、スクリーン印刷法やフォトリソ法等のパターン形成方法により、第１嵩上げ誘電体層１１と同じ材料によって一体成形される第１障壁部１３Ａと、この第１障壁部１３Ａ上に、同様に、第２嵩上げ誘電体層１２と同じ材料によって一体成形された第２障壁部１３Ｂとによる二層構造を有している。
【００４６】
誘電体層２および第１嵩上げ誘電体層１１，第２嵩上げ誘電体層１２，障壁１３のそれぞれの表面には、ＭｇＯ等の高γ誘電体によって形成された図示しない保護層が形成されて、これらの表面が被覆されている。
【００４７】
一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板４の表示側の面上には、白色誘電体層５が形成され、さらに、この白色誘電体層５上に、第２嵩上げ誘電体層１２の第２縦層部１２Ａに対向する位置において列方向に延びる縦壁６Ａと、第２横層部１２Ｂに対向する位置において行方向に延びる横壁６Ｂとによって略格子形状に成形された隔壁６が形成されている。
【００４８】
そして、この隔壁６の間の白色誘電体層５の表面と隔壁６の縦壁６Ａおよび横壁６Ｂの側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が、行方向に順に並ぶように形成されている。
【００４９】
以上の背面ガラス基板４側の構成については、前述した図１ないし４の従来のＰＤＰの構成と同様であり、図５ないし９において図１ないし４と同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００５０】
この隔壁６の縦壁６Ａと横壁６Ｂの頂面は、それぞれ第２嵩上げ誘電体層１２の第２縦層部１２Ａと第２横層部１２Ｂに当接されている。
【００５１】
そして、この隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対向して対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分ごとに区画されて、放電セルＣ１が形成されている。
【００５２】
そして、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている
上記ＰＤＰにおける画像形成は、以下のようにして行われる。
【００５３】
すなわち、先ず、全ての放電セルＣ１内において行電極Ｘと行電極Ｙ間で一斉にリセット放電が行われて、誘電体層２の放電セルＣ１に対向する全ての部分に壁電荷が形成される。
【００５４】
次に、行電極対（Ｘ，Ｙ）の一方の行電極Ｙにスキャン・パルスが順次印加されるとともに、列電極Ｄ１に映像信号の表示データに対応したデータ・パルスが印加されて、このデータ・パルスが印加された列電極Ｄ１と、この列電極Ｄ１と対になっている行電極Ｙの透明電極Ｙｂ間において、放電セルＣ１内で選択的にアドレス放電が発生される。
【００５５】
このアドレス放電によって、アドレス放電が発生された放電セルＣ１に対向している部分の誘電体層２に形成されていた壁電荷が消去されて、発光セル（対向する誘電体層２の部分に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と、非発光セル（壁電荷が形成されていない放電セルＣ１）とがパネル面に分布される。
【００５６】
この後、行電極ＸとＹにサステイン・パルスが印加され、これによって、発光セル内において、行電極Ｘ，Ｙの放電ギャップｇを介して互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂ間において、サステイン放電が発生される。
【００５７】
そして、発光セル内において、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンから真空紫外線が放射され、この真空紫外線によって、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層７が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像が形成される。
【００５８】
上記構成のＰＤＰは、前面ガラス基板１側に行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄ１の双方が形成されていることによって、その駆動時のアドレス放電が、放電セルＣ１内の前面ガラス基板１に近接する領域内において行われる。
【００５９】
そして、このアドレス放電は、さらに、誘電体層２の背面側の放電ギャップｇに対向する位置に形成された行方向に延びる障壁１３によって、放電セルＣ１内の前面ガラス基板１に近接する領域の透明電極Ｙｂに対向する部分内に制限されて、透明電極Ｘｂに対向する部分側に拡がってゆくのが防止される。
【００６０】
このため、アドレス放電は、放電セルＣ１内の前面ガラス基板１に近接する領域の透明電極Ｘｂに対向する部分側に拡がることなく、透明電極Ｙｂに対向する部分に偏って発生することとなる。
【００６１】
従って、上記構成のＰＤＰによれば、透明電極Ｙｂと列電極Ｄ１間において発生するアドレス放電の電界密度が従来のＰＤＰに比べて非常に高くなり、透明電極Ｙｂに対向している部分の誘電体層２に形成されている壁電荷を確実に消去することが出来るようになって、このアドレス放電の次に発生されるサステイン放電が、非発光セル内において誤って発生するのが防止される。
【００６２】
なお、上記においては、ＰＤＰを、リセット放電によって誘電体層２の全ての放電セルＣ１に対向する部分に壁電荷を形成し、この壁電荷をアドレス放電によって選択的に消去して非発光セルを形成する選択消去法によって駆動する場合について説明を行ったが、リセット放電によって誘電体層２の全ての放電セルＣ１に対向する部分の壁電荷を消去し、アドレス放電によって選択的に誘電体層２に壁電荷を形成して発光セルを形成する選択書込法によって駆動する場合についても、放電セルＣ１の透明電極Ｙｂに対向する領域内におけるアドレス放電の電界密度が高められることによって、発光セルとなる放電セルＣ１での壁電荷の形成が確実に行われるようになり、発光セルにおいてサステイン放電が安定して行われるようになる。
【００６３】
さらに、上記構成のＰＤＰによれば、列電極Ｄ１が、従来のように行電極対を被覆する誘電体層上ではなく、誘電体層２の背面から背面ガラス基板４側に突出する第１嵩上げ誘電体層１１の第１縦層部１１Ａ上に形成されていることによって、この列電極Ｄ１と行電極Ｙの透明電極Ｙｂとの間に空間が形成されて、その間の静電容量が従来と比較して低減するので、アドレス放電時に無効電流を低減することが出来るようになる。
【００６４】
さらにまた、上記構成のＰＤＰによれば、列電極Ｄ１が、前面ガラス基板１側から見て列電極Ｄの両側に位置する透明電極Ｙｂのうち、アドレス放電を発生させる相手となる透明電極Ｙｂ側にオフセットした位置に形成されていることによって、隣接する放電セルＣ１の透明電極Ｙｂとの間で誤放電が発生するのが防止されて、アドレス放電が安定して行われるようになる。
【００６５】
さらにまた、上記構成のＰＤＰによれば、障壁１３が、第１嵩上げ誘電体層１１および第２嵩上げ誘電体層１２と一体成形されるので、従来の嵩上げ誘電体層の形成パターンを変更するだけで、製造工程において新たなプロセスの追加を行うことなく、障壁１３を形成することが可能となる。
【実施例２】
【００６６】
図１０は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第２の実施例を模式的に示す正面図である。
【００６７】
前述した第１実施例のＰＤＰの障壁がその両端部がそれぞれ両側の嵩上げ誘電体層の縦層部に連結されていたのに対し、この第２実施例におけるＰＤＰは、障壁の列電極が形成されている側の一方の端部のみが嵩上げ誘電体層の縦層部に連結されている。
【００６８】
すなわち、図１０において、行電極Ｘ，Ｙの互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂの間の放電ギャップｇに対向する部分に行方向に延びるように形成された帯状の障壁２３は、各放電セルＣ２において、透明電極Ｙｂとの間でアドレス放電を行う列電極Ｄ１が位置されている側の端部（図示の例では左側端部）が、この列電極Ｄ１が形成されている第１嵩上げ誘電体層１１および第２嵩上げ誘電体層１２のそれぞれの第１縦層部１１Ａおよび第２縦層部１２Ａに連結されているが、先端部（図１０において右側端部）は、反対側（図１０において右側）の第１嵩上げ誘電体層１１および第２嵩上げ誘電体層１２のそれぞれの第１縦層部１１Ａおよび第２縦層部１２Ａに連結されておらず、その間に隙間が形成されている。
【００６９】
この実施例におけるＰＤＰの他の部分の構成については、前述した第１実施例と同様であり、同一の構成部分については図１０において図５と同一の符号が付されている。
【００７０】
この実施例におけるＰＤＰも、第１実施例の場合と同様に、各放電セルＣ２内において列電極Ｄと透明電極Ｙｂとの間で発生されるアドレス放電が、障壁２３によって遮られることによって、放電セルＣ２内の透明電極Ｘｂに対向する領域側に拡がることなく、透明電極Ｙｂに対向する領域内に偏ることとなるため、ＰＤＰが選択消去法によって駆動される場合には、非発光セルにおける壁電荷の消去が確実に行われてサステイン放電時の誤放電の発生が防止され、また、選択書込法によって駆動される場合には、発光セルにおける壁電荷の形成が確実に行われて安定したサステイン放電が行われるようになる。
【００７１】
上記各実施例のＰＤＰは、行方向に延びる行電極対と列方向に延びる列電極が一方の基板側に配置されたＰＤＰにおいて、行電極対を被覆する誘電体層の行電極対を構成する一対の行電極の互いに対向する放電部の間に対向する位置に、誘電体層から放電空間内に突出するとともに行方向に延びる障壁が形成されていることによって、行電極対を構成する一方の行電極と列電極との間で発生されるアドレス放電が、単位発光領域内の行電極対と列電極が配置されている基板側に近接する領域内で行われ、このとき、このアドレス放電が、誘電体層の行電極対を構成する行電極の放電部の間に対向する位置に形成されて行方向に延びる障壁によって、列電極との間でアドレス放電を発生する行電極に対向する部分内に制限されて、行電極対を構成する他方の行電極に対向する部分側に拡がってゆくのが防止される。
【００７２】
従って、列電極とアドレス放電を発生させる相手の行電極との間におけるアドレス放電の電界密度が従来のＰＤＰに比べて非常に高くなり、ＰＤＰの駆動が選択消去法によって行われる場合には、誘電体層に形成されている壁電荷の消去が確実に行われて、非発光セルにおいてサステイン放電の誤放電が発生するのが防止されるようになり、また、ＰＤＰの駆動が選択書込法によって行われる場合にも、列電極とアドレス放電を発生させる相手の行電極との間におけるアドレス放電の電界密度が高くなることによって、発光セルとなる単位発光領域での壁電荷の形成が確実に行われて、発光セルにおいてサステイン放電が安定して行われるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】従来例を示す正面図である。
【図２】図１のＶａ−Ｖａ線における断面図である。
【図３】図１のＶｂ−Ｖｂ線における断面図である。
【図４】図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図５】この発明の実施形態における第１実施例を模式的に示す正面図である。
【図６】図５のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図７】図５のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図８】図５のＷ１−Ｗ１線における断面図である。
【図９】図５のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【図１０】この発明の実施形態における第２実施例を模式的に示す正面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１            …前面ガラス基板（一方の基板）
２            …誘電体層
６            …隔壁
６Ａ          …縦壁（隔壁）
１１          …第１嵩上げ誘電体層（嵩上げ誘電体層）
１１Ａ        …第１縦層部（嵩上げ誘電体層）
１２          …第２嵩上げ誘電体層（嵩上げ誘電体層）
１２Ａ        …第２縦層部（嵩上げ誘電体層）
１３，２３    …障壁
１３Ａ        …第１障壁部
１３Ｂ        …第２障壁部
Ｘ，Ｙ        …行電極（行電極）
Ｘａ，Ｙａ    …バス電極（電極本体部）
Ｘｂ，Ｙｂ    …透明電極（放電部，電極突出部）
Ｄ１          …列電極
Ｃ１，Ｃ２    …放電セル（単位発光領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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