(57)【要約】【課題】短波長のレーザービームを用いた時に、光磁気記録媒体上で記録トラックのトラックピッチを狭めて超高密度で記録再生する。【解決手段】情報信号を記録再生するための記録トラックＴと対応する凸状のランド１１ａがレーザービームスポットの入射側に向かって突出して所定のトラックピッチＰで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、ランド１１ａの両側に凹状のグルーブ１１ｂが形成された基板上１１に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層１６，１４，１３が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体１０において、レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層１６と、この第１磁性層１６の下層に位置する第２磁性層１４との間で、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１５，１５を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体１０を提供する。【選択図】図１
2007102829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報信号を記録再生するための記録トラックと対応する凸状のランドがレーザービームスポットの入射側に向かって突出して所定のトラックピッチで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、前記ランドの両側に凹状のグルーブが形成された基板上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体において、
前記レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の下層に位置する第２磁性層との間で、且つ、前記記録トラックの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記面内磁気異方性層は、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかの薄膜であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
情報信号を記録再生するための記録トラックと対応する凸状のランドがレーザービームスポットの入射側に向かって突出して所定のトラックピッチで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、前記ランドの両側に凹状のグルーブが形成された基板上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体の製造方法において、
前記レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層の下層に位置する第２磁性層上に面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を前記凸状のランド及び前記凹状のグルーブにならって成膜する面内磁気異方性層成膜工程と、
前記面内磁気異方性層の上方からイオンビームを照射して、前記記録トラックと対応して凸状に成膜した面内磁気異方性層部位を除去する一方、前記記録トラックの両側に凹状に成膜した面内磁気異方性層部位を残すイオンミリング工程と、
前記イオンミリング工程を終了した上に前記第１磁性層を成膜する第１磁性層成膜工程と、
を少なくとも有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長が４５０ｎｍ以下のレーザービームを照射することにより磁壁移動を生じさせながら情報信号の記録再生を超高密度で行うことができる光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録方式は、フェリ磁性薄膜を局部的にキュリー点または補償点近傍にまで昇温して、この部分の保磁力を減少させ、記録すべき情報信号に対して外部からの印加記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするものである。磁化の反転した部分すなわち情報ビットは磁区を形成し、それを磁気カー効果によって読み出す光磁気記録再生においては、記録密度の向上のために、記録ビット長（記録マーク長）の短縮化すなわち情報信号に応じた記録マークを磁区の形態で記録した場合に磁区の微小化を図ることが必要となる。
【０００３】
この際、少なくとも第１〜第３磁性層が室温において交換結合して順次積層されており、第１磁性層は第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、第２磁性層は第１磁性層及び第３磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる光磁気記録媒体を用いて、再生磁界を印加しつつ波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームによる光磁気記録媒体への加熱によって良好な高密度記録信号が得られる磁壁移動検出型の再生方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、光磁気記録方式において、磁区（記録マーク）の再生分解能は、ほとんど再生光学系のレーザー光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となる。そこで、光磁気記録媒体への記録密度を上げるためにレーザー光源の波長λを短くすることや、高ＮＡの対物レンズを用いて再生装置側のレーザービームのスポット径を小さくすることが考えられる。この際、最近、波長が４５０ｎｍ以下の青色のレーザービームを出射する青色半導体レーザーが開発されているので、この青色半導体レーザーと、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズとを用いて、情報信号を超高密度に記録再生ができる光磁気記録媒体が開発されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−８６３７２号公報
【特許文献２】特開２００３−５１１４３号公報
【０００５】
図７は従来例１において、第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体の信号再生方法を説明するために模式的に示した図であり、（ａ）は光磁気記録媒体を示し、（ｂ）は媒体温度分布を示し、（ｃ）は磁壁移動を起こす力を示した図、
図８は従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向前方側でのフロントプロセスを説明するために模式的に示した図、
図９は従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向後方側でのリヤプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【０００６】
まず、図７〜図９に示した従来例１は、上記した特許文献１（特開平１１−８６３７２号公報）に開示された光磁気記録媒体（磁性記録媒体）の信号再生方法による技術的思想を踏まえており、ここでは特許文献１を参考にしながら説明する。
【０００７】
図７（ａ）に示した如く、従来例１の光磁気記録媒体１００は、第１磁性層１０１と、第２磁性層１０２と、第３磁性層１０３とが室温において交換結合して順次積層されており、波長が６８０ｎｍ程度のレーザービームを照射する側に設けられて磁壁移動層となる第１磁性層１０１は、記録層となる第３磁性層１０３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、交換結合力制御層となる第２磁性層１０２は、第１磁性層１０１及び第３磁性層１０３よりもキュリー温度の低い磁性膜からなっている。
【０００８】
より具体的には、上記した第１〜第３磁性層１０１〜１０３は、例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０原子％と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０原子％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成されている。また、耐食性向上などのために、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｉｎなどの元素を少量添加しても良いと記載されている。
【０００９】
上記のように構成した従来例１の光磁気記録媒体１００において、記録時には波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを第１磁性層１０１側からスポット状に照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを第３磁性層１０３に記録することで、矢印向きの磁化反転領域（以下、磁区と記す）として保存され、更に、記録後でレーザービームの非照射時には、第３磁性層１０３に記録した磁区が第２磁性層１０２を介して第１磁性層１０１に交換結合されている。この際、第１〜第３磁性層１０１〜１０３中の縦矢印は情報信号に応じた記録マークの“０" と“１" に対応した原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１０が形成されている。
【００１０】
ここで、従来例１の光磁気記録媒体１００を再生する場合には、この光磁気記録媒体１００を不図示のスピンドルモータを介して回転させて、矢印方向の媒体移動方向に向かって光磁気記録媒体１００を移動させ、一方、波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを光磁気記録媒体１００上にスポット状に照射させているが、仮に、光磁気記録媒体１００側を固定したとすると、レーザービームスポットは二点鎖線で図示した方向に移動することと等価になる。
【００１１】
この再生時に、波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを第１磁性層１０１側からスポット状に照射すると、図７（ｂ）に示したように、光磁気記録媒体１００上ではレーザービームスポットの移動方向前方側の温度勾配特性が、レーザービームスポットの移動方向後方側の温度勾配特性より急峻な傾き分布を持つと共に、レーザービームスポットに対して図示の位置ｘ１と位置ｘ２との間で媒体温度が第２磁性層１０２のキュリー温度Ｔｓ以上に達する。これに伴って、位置ｘ１と位置ｘ２と間の領域では、第２磁性層１０２がキュリー温度Ｔｓ以上に昇温されているために第２磁性層１０２の磁化が消失されて、第１磁性層１０１と第３磁性層１０３との間の交換結合が切断されており、この領域を結合切断領域Ｓという。
【００１２】
そして、結合切断領域Ｓに相当する区間内で第１磁性層１０１中に存在する磁壁１１０が侵入すると、この磁壁１１０が第１磁性層１０１中で矢印Ａに示すように温度のピークに向かって移動するので磁壁移動１１１Ａが発生し、この磁壁移動１１１Ａに伴って第１磁性層１０１内で交換結合した磁区が再生用のレーザービームスポットによって再生マークとして拡大して読み出される。
【００１３】
一方、記録層となる第３磁性層１０３は保磁力（磁壁抗磁力）が十分に大きいので、第３磁性層１０３中の磁壁は移動することなく記録状態を保ったままとなる。これにより、通常の再生分解能では再生不可能な微小な磁区を拡大して再生を行うことで、記録密度の飛躍的な向上を図ることができる。
【００１４】
この際、再生用のレーザービームスポットの移動方向前方側での温度勾配特性によって磁壁移動１１１Ａが発生する動作をフロントプロセスと呼称すると、このフロントプロセスによる磁壁移動１１１Ａを起こす力Ｆ（ｘ）は下記の数１で表される。
【数１】
2007102829.tif 000003
【００１５】
この際、σは磁壁エネルギー、ｘはレーザービームスポットの移動方向を正とするトラック方向の距離を表すものである。
【００１６】
一方、特定の記録マーク長の場合、再生用のレーザービームスポットの移動方向後方側での温度勾配特性によっても矢印Ｂで示す様な磁壁移動１１１Ｂが起こり、これをリヤプロセスと呼称すると、このリヤプロセスによる磁壁移動１１１Ｂを起こす力Ｆ（ｘ）は下記の数２で表される。
【数２】
2007102829.tif 000004
【００１７】
更に、上記したフロントプロセスとリヤプロセスの両方が起こり得る記録マーク長は、６８０ｎｍ程度のレーザービームスポットを使用した場合に０．２５μｍ以上と考えられるが、０．２５μｍ以上の記録マークの再生信号は、両プロセスによる磁壁移動検出が一定の遅延時間をもって重畳された波形として検出されることになる。とくに、不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を含んだ重畳信号検出波形は、通常の信号再生処理に於いて、不都合な状態を引き起こすことになる。
【００１８】
そこで、上記した特許文献１によれば、再生時に光磁気記録媒体１００の面上で再生磁界を印加しつつレーザービームをスポット状に照射し、第２磁性層１０２のキュリー温度Ｔｓ以上の温度領域を有する温度分布を形成し、この温度分布を光磁気記録媒体１００に対して相対的に移動させ、再生用のレーザービームスポットの移動方向前方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させて磁壁移動１１１Ａを生じさせる一方、再生用のレーザービームスポットの移動方向後方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させずに磁壁移動１１１Ｂを生じさせないように改善を図っている。
【００１９】
即ち、光磁気記録媒体１００の面上に、再生磁界を与えることで、いかなる長さの記録マークを再生する場合にも、リヤプロセスにおける磁壁移動１１１Ｂを抑制するというものである。
【００２０】
上述のごとく、結合切断領域Ｓの区間内でのレーザービームスポットの温度勾配特性は、（フロントプロセスで利用する温度勾配特性）＞（リヤプロセスで利用する温度勾配特性）であるため、この動作は可能になる。
【００２１】
より具体的に説明すると、図８に一部拡大して示したフロントプロセスにおいて、矢印Ｆ１は再生用のレーザービームスポットの移動方向前方側での温度勾配特性による磁壁駆動力であり、上述した数１によって表される。一方、同図中の矢印Ｆ２は再生磁界Ｆｒによって発生するゼーマンエネルギーによる磁壁駆動力である。
【００２２】
また、図９に一部拡大して示したリヤプロセスにおいて、矢印Ｆ４は再生用のレーザービームスポットの移動方向後方側での温度勾配特性による磁壁駆動力であり、上述した数２によって表される。一方、同図中の矢印Ｆ３は再生磁界Ｆｒによって発生するゼーマンエネルギーによる磁壁駆動力である。
【００２３】
さて、上述の温度勾配特性の差、
（フロントプロセスで利用する温度勾配特性）＞（リヤプロセスで利用する温度勾配特性）から、Ｆ１＞Ｆ２且つＦ３＞Ｆ４を満たす再生磁界強度が存在すると言える。従って、Ｆ１＞Ｆ２且つＦ３＞Ｆ４を満たすような再生磁界強度を選ぶことによって、リヤプロセスの磁壁移動１１１Ｂを抑制し、フロントプロセスの磁壁移動１１１Ａのみを引き起こすことが実現可能となるものである。
【００２４】
次に、従来例２の光磁気記録媒体について図１０を用いて説明する。
【００２５】
図１０は従来例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【００２６】
図１０に示した従来例２の光磁気記録媒体２００は、上記した特許文献２（特開２００３−５１１４３号公報）に開示されたものであり、ここでは記録再生時に波長が４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青色のレーザービームを使用することで、光磁気記録媒体２００への超高密度化が図られている。
【００２７】
即ち、従来例２の光磁気記録媒体２００では、光透過性基板２０１上に、第１誘電体層２０２と、第１〜第３磁性層２０３〜２０５による記録層Ｒと、第２誘電体層２０６と、金属熱拡散層２０７と、保護層２０８とが順次積層され、且つ、金属熱拡散層２０７をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕの何れか１つからなる単層に構成し、また、第２誘電体層２０６の膜厚を３〜１０ｎｍに設定することにより、記録層Ｒにおける熱拡散が十分に行われるために記録層Ｒの温度上昇が無く、カー回転角の低下が抑えられて安定で良好なＣ／Ｎが得られ、更に、熱拡散の効果により再生時のパワーマージンが広くなる効果が得られ、この結果、記録／再生動作マージンが拡張し、広いシステムマージンを実現できる旨が示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
ところで、従来例１において、第１〜第３磁性層１０１〜１０３を有する光磁気記録媒体１００の信号再生方法では、前述したように、波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを適用した場合に、再生時に光磁気記録媒体１００の面上で再生磁界Ｆｒを印加しつつレーザービームをスポット状に照射することで、再生用のレーザービームスポットの移動方向前方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させて磁壁移動１１１Ａを生じさせる一方、再生用のレーザービームスポットの移動方向後方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させずに磁壁移動１１１Ｂを生じさせないように改善を図ることができるものの、赤色レーザービームより波長が短い４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて光磁気記録媒体上で情報信号を超高密度に記録再生したい場合には、上記した再生磁界Ｆｒの印加だけによるリヤプロセスへの改善対策では下記する理由により不十分である。
【００２９】
ここで、図１１は光磁気記録媒体を再生する際に、光磁気記録媒体上に照射した赤色レーザービームスポットと、光磁気記録媒体上に照射した青色レーザービームスポットとの温度勾配特性を比較した図である。
【００３０】
尚、図１１において、横軸は赤色レーザービームスポット及び青色レーザービームスポットを線速３．０ｍ／ｓｅｃで移動させた場合に、各ビームスポットの中心をゼロとし、各ビームスポットの進行方向を正としたビームスポット位置を示しており、且つ、縦軸は各ビームスポットの温度（Ｋ）を示している。
【００３１】
前記したように、磁壁移動による磁区拡大再生技術は、レーザービームスポット内の温度分布すなわち温度勾配特性を利用して磁壁を移動させ、短い記録マークを拡大して再生可能とするものであるが、トラック方向の記録密度向上のためにレーザービームの波長を短波長化し、レーザービームスポットのサイズを小さくすると、再生時にレーザービームスポット内の温度勾配特性が変化するために、磁壁移動再生に最適な交換結合膜を作製することが困難となる。
【００３２】
言い換えると、温度勾配特性の変化は、レーザービームの波長に依存するエネルギー密度の変化によるもので、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームスポットの場合と、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットの場合とでは、図１１に示したようにその温度勾配特性は大きく変化し、短波長の青色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性はビーム径の違いとエネルギー密度の違いにより長波長の赤色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性と比較してかなり急峻になっている。
【００３３】
この際、移動する磁壁の磁壁エネルギーの温度勾配特性による差を利用して磁壁移動検出を行う場合に、青色レーザービームスポット内の温度勾配特性が急峻になることは磁壁駆動力を大きくすることになる。この状況は、磁壁移動検出にとって有利に働く面と不利に働く面をつくりだす。有利な面は、フロントプロセスの磁壁移動が俊敏なものとなり、再生信号のジッターの時間軸上のズレを小さくでき、再生信号品質が向上することである。他方、不利な面は、前述の不必要なリヤプロセスでの磁壁移動が起こり易くなることである。
【００３４】
従って、再生時に青色レーザービームスポットを光磁気記録媒体上に照射した場合には、前記した不必要なリヤプロセスの磁壁移動を抑制することが困難となり、短波長化によるトラック密度の向上に際し、問題となる。
【００３５】
一方、従来例２の光磁気記録媒体２００では、４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青色レーザービームを用いて記録再生する際に、第２誘電体層２０６と保護層２０８との間に、熱伝導率が高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕの何れか１層からなる金属拡散層２０７を成膜することで記録層Ｒにおける熱拡散が十分に行われるために記録層Ｒの温度上昇が無くなるものの、これらの熱伝導率が高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕは、前記したリヤプロセスへの改善対策を施すための金属ではない。
【００３６】
更に、従来例２の光磁気記録媒体２００では、基板上に形成した記録トラックのトラックピッチが最近開発されて青色レーザービームを用いるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍ程度に設定されて超高密度化が図られているものの、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃよりも更に一層超高密度化を図るためにトラックピッチをＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍの半分程度（例えば１６０ｎｍ程度）に設定した場合に青色レーザービームによるスポットが隣り合うトラックに干渉してしまうために良好な記録再生ができないことが判明した。
【００３７】
そこで、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体において、光磁気記録媒体の基板上に形成した記録トラックのトラックピッチをＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチの半分程度に設定し、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットを光磁気記録媒体上に照射しても良好な記録再生特性が得られることができる光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００３８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、請求項１記載の発明は、情報信号を記録再生するための記録トラックと対応する凸状のランドがレーザービームスポットの入射側に向かって突出して所定のトラックピッチで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、前記ランドの両側に凹状のグルーブが形成された基板上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体において、
前記レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の下層に位置する第２磁性層との間で、且つ、前記記録トラックの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００３９】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光記録媒体において、
前記面内磁気異方性層は、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかの薄膜であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００４０】
更に、請求項３記載の発明は、情報信号を記録再生するための記録トラックと対応する凸状のランドがレーザービームスポットの入射側に向かって突出して所定のトラックピッチで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、前記ランドの両側に凹状のグルーブが形成された基板上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体の製造方法において、
前記レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層の下層に位置する第２磁性層上に面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を前記凸状のランド及び前記凹状のグルーブにならって成膜する面内磁気異方性層成膜工程と、
前記面内磁気異方性層の上方からイオンビームを照射して、前記記録トラックと対応して凸状に成膜した面内磁気異方性層部位を除去する一方、前記記録トラックの両側に凹状に成膜した面内磁気異方性層部位を残すイオンミリング工程と、
前記イオンミリング工程を終了した上に前記第１磁性層を成膜する第１磁性層成膜工程と、
を少なくとも有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【００４１】
本発明に係る光磁気記録媒体によると、とくに、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体において、レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の下層に位置する第２磁性層との間で、且つ、記録トラックの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を形成したため、記録トラックのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらずジッター量が小さいので再生信号が良好に得られる。
【００４２】
また、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法によると、とくに、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層が少なくとも３層以上積層された光磁気記録媒体の製造方法において、レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層の下層に位置する第２磁性層上に面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を基板の凸状のランド及び凹状のグルーブにならって成膜する面内磁気異方性層成膜工程と、面内磁気異方性層の上方からイオンビームを照射して、記録トラックと対応して凸状に成膜した面内磁気異方性層部位を除去する一方、記録トラックの両側に凹状に成膜した面内磁気異方性層部位を残すイオンミリング工程と、イオンミリング工程を終了した上に第１磁性層を成膜する第１磁性層成膜工程と、を少なくとも有しているので、レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の下層に位置する第２磁性層との間で、且つ、記録トラックの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下に本発明に係る光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法の一実施例について図１〜図６を参照して実施例１，実施例２の順に詳細に説明する。
【実施例１】
【００４４】
図１は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図２は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を製造する際に、第２磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図、
図３は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【００４５】
図１に示した如く、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体１０は、基板１１上に磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層１６，１４，１３が３層積層されており、且つ、３層からなる磁性層１６，１４，１３は垂直磁気異方性を有して順次磁気的に結合して積層されている。
【００４６】
また、上記した基板１１上には、情報信号を記録再生するための記録トラックＴのトラックピッチＰが最近開発されたＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍに対して半分程度（１６０ｎｍ程度）に設定されており、波長４００〜４５０ｎｍのレーザービームスポットが入射する側の第１磁性層１６と、この第１磁性層１６の下層に位置する第２磁性層１４との間で、且つ、基板１１に形成した凸状のランド１１ａと対応する記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１５，１５が基板１１に形成した凹状のグルーブ１１ｂ，１１ｂと対応して形成されることで、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらず再生信号をジッターなく良好に得られように構成されていることを特徴とするものである。
【００４７】
上記した本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体１０では、基板１１がポリカーボネイト樹脂などを用いて厚み１．１ｍｍ，外径１２０ｍｍ，中心孔径１５ｍｍで円盤状に形成されており、且つ、この基板１１上に記録トラックＴと対応する凸状のランド１１ａがレーザービームスポットの入射側に向かって僅かな高さで突出して所定のトラックピッチＰで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、凸状のランド１１ａの両側に凹状のグルーブ１１ｂ，１１ｂが形成されており、言い換えると、基板１１上では凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂとが交互に形成されている。
【００４８】
この際、基板１１上に僅かな高さで突出形成した凸状のランド１１ａと対応して形成される記録トラックＴのピッチＰは、前述したように１６０ｎｍ程度に設定されており、且つ、記録トラックＴのトラック幅Ｗは５０ｎｍ程度に設定されている。
【００４９】
また、厚みが１．１ｍｍの基板１１上には、第２誘電体層１２と、第３磁性層１３と、第２磁性層１４と、記録トラックＴの両側のみに配置される面内磁気異方性層１５，１５と、第１磁性層１６と、第１誘電体層１７とがこの順で順次成膜され、更に、第１誘電体層１７上に厚みが０．１ｍｍ程度で光透過性を有するカバー層１８が取り付けられて、カバー層１８側から波長４００〜４５０ｎｍのレーザービームスポットが記録トラックＴに向かって照射され、且つ、不図示の磁気ヘッドによって再生磁界Ｆｒが印加されるように構成されている。
【００５０】
ここで、上記した各層について成膜順に説明すると、まず、基板１１上に最初に成膜される第２誘電体層１２は、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。この際、第２誘電体層１２は、基板１１上に交互に形成された凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００５１】
次に、第２誘電体層１２上に成膜される第３磁性層１３は、記録時に青色レーザービームスポットを照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ１３を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００５２】
この第３磁性層１３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第３磁性層１３のキュリー温度Ｔｃ１３を調整している。この際、第３磁性層１３も第２誘電体層１２を介して基板１１上に交互に形成された凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００５３】
次に、第３磁性層１３上に成膜される第２磁性層１４は、第３磁性層１３から第１磁性層１６に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２磁性層１４も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて希土類金属優勢（ＲＥ−ｒｉｃｈ）で、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２磁性層１４のキュリー温度Ｔｃ１４を調節しながら成膜している。この際、第２磁性層１４も第２誘電体層１２，第３磁性層１３を介して基板１１上に交互に形成された凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００５４】
次に、第２磁性層１４上に成膜される面内磁気異方性層１５は、周知の磁気テープの長手方向に磁化されて成膜される磁性層と同様であり、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかが薄膜に成膜されている。この際、面内磁気異方性層１５も第２誘電体層１２，第３磁性層１３，第２磁性層１４を介して基板１１上に交互に形成された凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００５５】
ここで、面内磁気異方性層１５を成膜した後に、イオンミリング処理を図２（ａ），（ｂ）に示したように行っている。
【００５６】
まず、図２（ａ）に示した如く、不図示のイオンミリング装置内に面内磁気異方性層１５を成膜した基板１１を挿入し、面内磁気異方性層１５の上方から加速したキセノンイオンビームをこの面内磁気異方性層１５上に照射し、このキセノンイオンビームによって基板１１の凸状のランド１１ａにならって凸状に成膜された面内磁気異方性層部位が第２磁性層１４に到達するまで除去されるものの、基板１１の凹状のグルーブ１１ｂにならって凹状に成膜された面内磁気異方性層部位は凸状に成膜された面内磁気異方性層部位よりも低いのでそのまま残る。
【００５７】
そして、イオンミリング処理が終了すると、図２（ｂ）に示したように、基板１１の凸状のランド１１ａと対応する部位は記録トラックＴと対応した第２磁性層１４が露出し、且つ、この左右で基板１１の凹状のグルーブ１１ｂ，１１ｂと対応する各部位は面内磁気異方性層１５，１５が残り、且つ、第２磁性層１４とこの左右の面内磁気異方性層１５，１５は略同じ高さの平坦面となる。
【００５８】
図１に戻り、イオンミリングが終了した後、記録トラックＴと対応した第２磁性層１４上及びこの第２磁性層１４の左右に位置する面内磁気異方性層１５，１５上に平坦面として成膜される第１磁性層１６は、青色レーザービームスポットの入射側に位置しており、青色レーザービームスポットの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００５９】
上記した第１磁性層１６は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加することで、第１磁性層１６のキュリー温度Ｔｃ１６を調節している。尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００６０】
次に、第１磁性層１６上に成膜される第１誘電体層１７は、記録層となる第３磁性層１３に用いるＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ金属膜の熱伝導率２８．８Ｗ／ｍＫに近い熱伝導率で、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されており、この上に厚さ０．１ｍｍ程度の光透過性を有するカバー層１８が取り付けられている。
【００６１】
そして、上記のように構成した第１，第２，第３磁性層１６，１４，１３に対して青色レーザービームスポットに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３磁性層１６，１４，１３の各キュリー温度Ｔｃ１６，Ｔｃ１４，Ｔｃ１３は、約４８０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍に設定することが望ましい。
【００６２】
ここで、第１，第２，第３磁性層１６，１４，１３の各キュリー温度Ｔｃ１６，Ｔｃ１４，Ｔｃ１３は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して、第１，第２，第３磁性層１６，１４，１３の各キュリー温度Ｔｃ１６，Ｔｃ１４，Ｔｃ１３をＴｃ１３＞Ｔｃ１６＞Ｔｃ１４になるように設定している。
【００６３】
また、第１，第２，第３磁性層１６，１４，１３の各膜厚ｔ１６，ｔ１４，ｔ１３は、それぞれ約３０ｎｍ，約１０ｎｍ，約８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００６４】
そして、上記のように構成した実施例１の光磁気記録媒体１０上に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて情報信号を超高密度に記録再生する場合に、図１及び図３に示した如く、記録時に青色レーザービームスポットを光透過性があるカバー層１８側から照射しながら不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第３磁性層１３に磁区の形態で記録した後に磁区が第２磁性層１４を介して第１磁性層１６に交換結合され、再生時に不図示の磁気ヘッドからの再生磁界Ｆｒを印加しつつ青色レーザービームスポットの照射による昇温で第２磁性層１４の磁化が消失されて第１磁性層１６内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ている。
【００６５】
この実施例１ではとくに、図３に拡大して示した如く、記録トラックＴのトラック幅Ｗを５０ｎｍ程度と狭記録トラック化を図り、青色レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層１６と、この第１磁性層１６の下層に位置する第２磁性層１４との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１５，１５を形成したために、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶ。
【００６６】
この際、面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１５が記録トラックＴの両側にのみ存在しており、各磁性層の磁化方向を矢印で示した時に、この記録トラックＴの両側に設けた面内磁気異方性層１５，１５と交換結合し且つ面内磁気異方性層１５，１５上の第１磁性層１６は、図３に示すごとく磁気スピンが面内方向を向いた面内磁化膜となっているため、第３磁性層１３から第２磁性層１４を介して第１磁性層１６に転写された記録マークの記録トラックＴの両側の境界は、面内から垂直へスピン回転する領域いわゆる９０°磁壁となっている。
【００６７】
従って、この９０°磁壁に蓄えられる磁壁エネルギーは、トラック方向に存在する垂直磁化膜内の１８０°磁壁（磁気スピンが１８０°回転する領域）に蓄えられるエネルギーより小さいので、レーザービーム照射によって作り出された温度勾配の下、よりエネルギー的に安定な低温側へ移動することが容易となり、効率良く半径方向に拡大でき、且つ、面内磁気異方性層１５の領域では完全な記録状態で存在する必要もなく、記録トラックＴのトラック幅Ｗが維持されていれば十分である。これに伴って、記録の際、面内磁気異方性層１５の直下の領域がクロスイレーズされても、記録情報の維持及び拡大再生には何等の支障も生じないものである。
【００６８】
ここで、下記の表１に、比較例としてトラックピッチを３２０ｎｍに設定して面内磁気異方性層を設けない場合と、実施例１のようにトラックピッチを１６０ｎｍに設定して面内磁気異方性層１５を設けた場合について、再生信号のジッター特性を比較した。
【表１】
2007102829.tif 000005
【００６９】
この表１から明らかなように、比較例に比べて実施例１では、極めて狭いトラックピッチにもかかわらず、比較例よりもジッター量が小さいので、再生信号が良好に得られることが確認できた。
【実施例２】
【００７０】
図４は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図５は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を製造する際に、第２磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図、
図６は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【００７１】
図４に示した如く、本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体２０は、基板２１上に磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層２７，２５，２４，２３が４層積層されており、且つ、４層からなる磁性層２７，２５，２４，２３は垂直磁気異方性を有して順次磁気的に結合して積層されている。
【００７２】
また、上記した基板２１上には、情報信号を記録再生するための記録トラックＴのトラックピッチＰが最近開発されたＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍに対して半分程度（１６０ｎｍ程度）に設定されており、波長４００〜４５０ｎｍのレーザービームスポットが入射する側の第１磁性層２７と、この第１磁性層２７の下層に位置する第２磁性層２５との間で、且つ、基板２１に形成した凸状のランド２１ａと対応する記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２６，２６が基板２１に形成した凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂと対応して形成されることで、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらず再生信号をジッターなく良好に得られように構成されていることを特徴とするものである。
【００７３】
上記した本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体２０でも、実施例１と同様に基板２１がポリカーボネイト樹脂などを用いて厚み１．１ｍｍ，外径１２０ｍｍ，中心孔径１５ｍｍで円盤状に形成されており、且つ、この基板２１上に記録トラックＴと対応する凸状のランド２１ａがレーザービームスポットの入射側に向かって僅かな高さで突出して所定のトラックピッチＰで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、凸状のランド２１ａの両側に凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂが形成されており、言い換えると、基板２１上では凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂとが交互に形成されている。
【００７４】
この際、基板２１上に僅かな高さで突出形成した凸状のランド２１ａと対応して形成される記録トラックＴのピッチＰは、前述したように１６０ｎｍ程度に設定されており、且つ、記録トラックＴのトラック幅Ｗは５０ｎｍ程度に設定されている。
【００７５】
また、厚みが１．１ｍｍの基板２１上には、第２誘電体層１２と、第４磁性層２３と、第３磁性層２４と、第２磁性層２５と、記録トラックＴの両側のみに配置される面内磁気異方性層２６，２６と、第１磁性層２７と、第１誘電体層２８とがこの順で順次成膜され、更に、第１誘電体層２８上に厚みが０．１ｍｍ程度で光透過性を有するカバー層２９が取り付けられて、カバー層２９側から波長４００〜４５０ｎｍのレーザービームスポットが記録トラックＴに向かって照射されるように構成されている。
【００７６】
ここで、上記した各層について成膜順に説明すると、まず、基板２１上に最初に成膜される第２誘電体層２２は、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。この際、第２誘電体層１２は、基板２１上に交互に形成された凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００７７】
次に、第２誘電体層２２上に成膜される第４磁性層２３は、記録時に青色レーザービームスポットを照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ２３を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００７８】
この第４磁性層２３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第４磁性層２３のキュリー温度Ｔｃ２３を調整している。この際、第４磁性層２３も第２誘電体層２２を介して基板２１上に交互に形成された凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００７９】
次に、第４磁性層２３上に成膜される第３磁性層２４及びこの第３磁性層２４上に成膜される第２磁性層２５は、前述した実施例１の光磁気記録媒体１０（図１）に成膜した第２磁性層１４とは異なって２層に成膜されており、第２，第３磁性層２５，２４のうちで第２磁性層２５を極めて薄膜に成膜することで、この第２磁性層２５は磁壁移動可能な温度領域（約４３０Ｋ〜約４９０Ｋ）の青色レーザービームスポットの移動方向前方からの磁壁移動性能を向上させる機能を備えているので、実施例２では再生磁界Ｆｒの印加を省略できる。
【００８０】
また、第２，第３磁性層２５，２４のうちで少なくとも第３磁性層２４は、第４磁性層２３から第１磁性層２７に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２，第３磁性層２５，２４も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて希土類金属優勢（ＲＥ−ｒｉｃｈ）で、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２，第３磁性層２５，２４のキュリー温度Ｔｃ２５，Ｔｃ２４をそれぞれ調節しながら成膜している。この際、第２，第３磁性層２５，２４も第２誘電体層２２，第４磁性層２３を介して基板２１上に交互に形成された凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００８１】
次に、第２磁性層２５上に成膜される面内磁気異方性層２６は、周知の磁気テープの長手方向に磁化されて成膜される磁性層と同様であり、Ｆｅ、Ｃｏ単体、希土類金属とＦｅの合金、希土類金属とＣｏの合金のいずれかが薄膜に成膜されている。この際、面内磁気異方性層２６も第２誘電体層２２，第４磁性層２３，第３磁性層２４，第２磁性層２５を介して基板２１上に交互に形成された凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００８２】
ここで、面内磁気異方性層２６を成膜した後に、イオンミリング処理を図５（ａ），（ｂ）に示したように行っている。
【００８３】
まず、図５（ａ）に示した如く、不図示のイオンミリング装置内に面内磁気異方性層２６を成膜した基板２１を挿入して、面内磁気異方性層２６の上方から加速したキセノンイオンビームをこの面内磁気異方性層２６上に照射し、このキセノンイオンビームによって基板２１の凸状のランド２１ａにならって凸状に成膜された面内磁気異方性層部位が第２磁性層２５に到達するまで除去されるものの、基板２１の凹状のグルーブ２１ｂにならって凹状に成膜された面内磁気異方性層部位は凸状に成膜された面内磁気異方性層部位よりも低いのでそのまま残る。
【００８４】
そして、イオンミリング処理が終了すると、図５（ｂ）に示したように、基板２１の凸状のランド２１ａと対応する部位は記録トラックＴと対応した第２磁性層２５が露出し、且つ、この左右で基板２１の凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂと対応する各部位は面内磁気異方性層２６，２６が残り、且つ、第２磁性層２５とこの左右の面内磁気異方性層２６，２６は略同じ高さの平坦面となる。
【００８５】
図４に戻り、イオンミリングが終了した後、記録トラックＴと対応した第２磁性層２５上及びこの第２磁性層２５の左右に位置する面内磁気異方性層２６，２６上に平坦面として成膜される第１磁性層２７は、青色レーザービームスポットの入射側に位置しており、青色レーザービームスポットの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００８６】
上記した第１磁性層２７は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加することで、第１磁性層２７のキュリー温度Ｔｃ２７を調節している。尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００８７】
次に、第１磁性層２７上に成膜される第１誘電体層２８は、記録層となる第４磁性層２３に用いるＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ金属膜の熱伝導率２８．８Ｗ／ｍＫに近い熱伝導率で、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されており、この上に厚さ０．１ｍｍ程度の光透過性を有するカバー層２９が取り付けられている。
【００８８】
そして、上記のように構成した第１，第２，第３，第４磁性層２７，２５，２４，２３に対して青色レーザービームスポットに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３，第４磁性層２７，２５，２４，２３の各キュリー温度Ｔｃ２７，Ｔｃ２５，Ｔｃ２４，Ｔｃ２３は、約４８０Ｋ，約４３０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍に設定することが望ましい。
【００８９】
ここで、第１，第２，第３，第４磁性層２７，２５，２４，２３の各キュリー温度Ｔｃ２７，Ｔｃ２５，Ｔｃ２４，Ｔｃ２３は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して、第１，第２，第３，第４磁性層２７，２５，２４，２３の各キュリー温度Ｔｃ２７，Ｔｃ２５，Ｔｃ２４，Ｔｃ２３をＴｃ２３＞Ｔｃ２７＞Ｔｃ２５＞Ｔｃ２４になるように設定している。
【００９０】
また、第１，第２，第３，第４磁性層２７，２５，２４，２３の各膜厚ｔ２７，ｔ２５，ｔ２４，ｔ２３は、それぞれ約３０ｎｍ，約５ｎｍ，約１０ｎｍ，約８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００９１】
そして、上記のように構成した実施例２の光磁気記録媒体２０上に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて情報信号を超高密度に記録再生する場合に、図４及び図６に示した如く、記録時に青色レーザービームスポットを光透過性があるカバー層２９側から照射しながら不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第４磁性層２３に磁区の形態で記録した後に磁区が第２，第３磁性層２５，２４を介して第１磁性層２７に交換結合され、再生時に青色レーザービームスポットの照射による昇温で少なくとも第３磁性層２４の磁化が消失されて第１磁性層２７内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ている。
【００９２】
この実施例２ではとくに、図６に拡大して示した如く、記録トラックＴのトラック幅Ｗを５０ｎｍ程度と狭記録トラック化を図り、青色レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層２７と、この第１磁性層２７の下層に位置する第２磁性層２５との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２６，２６を形成したために、実施例１と同様に、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらず再生信号をジッターなく良好に得られる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図２】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を製造する際に、第２磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図である。
【図３】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【図４】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図５】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を製造する際に、第２磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図である。
【図６】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【図７】従来例１において、第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体の信号再生方法を説明するために模式的に示した図であり、（ａ）は光磁気記録媒体を示し、（ｂ）は媒体温度分布を示し、（ｃ）は磁壁移動を起こす力を示した図である。
【図８】従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向前方側でのフロントプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【図９】従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向後方側でのリヤプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【図１０】従来例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【図１１】光磁気記録媒体を再生する際に、光磁気記録媒体上に照射した赤色レーザービームスポットと、光磁気記録媒体上に照射した青色レーザービームスポットとの温度勾配特性を比較した図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０…実施例１の光磁気記録媒体、
１１…基板、１１ａ…ランド、１１ｂ…グルーブ、
１２…第２誘電体層、１３…第３磁性層、１４…第２磁性層、
１５…面内磁気異方性層、１６…第１磁性層、１７…第１誘電体層、１８…カバー層、
２０…実施例２の光磁気記録媒体、
２１…基板、２１ａ…ランド、２１ｂ…グルーブ、
２２…第２誘電体層、２３…第４磁性層、２４…第３磁性層、２５…第２磁性層、
２６…面内磁気異方性層、２７…第１磁性層、２８…第１誘電体層、２９…カバー層、
Ｔ…記録トラック、Ｐ…トラックピッチ、Ｗ…トラック幅。
【図１】
2007102829.tif 000006
【図２】
2007102829.tif 000007
【図３】
2007102829.tif 000008
【図４】
2007102829.tif 000009
【図５】
2007102829.tif 000010
【図６】
2007102829.tif 000011
【図７】
2007102829.tif 000012
【図８】
2007102829.tif 000013
【図９】
2007102829.tif 000014
【図１０】
2007102829.tif 000015
【図１１】
2007102829.tif 000016