(57)【要約】【課題】短い工程で容易に発光色を変化させることができる（任意の発光パターンが得られる）有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】透明または半透明の第一の電極と、第二の電極と、これらの電極間に設けられ発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光機能を有する層の一部または全部が50〜450℃で加熱されることにより、加熱された部分に含有される該二種以上の発光成分の各々の最大発光強度の比率が変化する性質を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明または半透明の第一の電極と、第二の電極と、これらの電極間に設けられ発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光機能を有する層の一部または全部が50〜450℃で加熱されることにより、加熱された部分に含有される該二種以上の発光成分の各々の最大発光強度の比率が変化する性質を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記発光成分が、発光性を有する高分子化合物と発光性を有する低分子化合物との組み合わせである請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記発光性を有する高分子化合物が液晶状態を有するものを含む請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記発光性を有する高分子化合物および前記発光性を有する低分子化合物の少なくとも一方が三重項励起状態からの発光を示す化合物である請求項２または３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
（１）第一の電極、および発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層を形成する工程と、
（２）前記発光機能を有する層に対して第一の電極の反対側に第二の電極を形成する工程と、
（３）前記発光機能を有する層の一部または全部を50〜450℃で加熱する工程と
を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程（３）が、前記工程（２）前、前記工程（２）後もしくは前記工程（２）と同時に、またはこれらを組み合わせて行われる請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記加熱が、前記第一の電極および第二の電極への通電、サーマルヘッドもしくは赤外線またはこれらの組み合わせにより行われる請求項５または６に記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、または請求項５〜７のいずれか一項に記載の製造方法で得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた面状光源。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、または請求項５〜７のいずれか一項に記載の製造方法で得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたフレキシブルシート。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、または請求項５〜７のいずれか一項に記載の製造方法で得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、簡単に発光色を変化させることができる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の色の発光が容易に得られるという特徴を持つため、ディスプレイ等の用途に好適である。このような有機エレクトロルミネッセンス素子として、例えば、高分子発光材料を用いた高分子発光素子が提案されている（特許文献１〜２、非特許文献１）。
【０００３】
そして、有機エレクトロルミネッセンス素子をマルチカラーやフルカラー用のディスプレイに利用するためには、素子からの任意の発光パターンを得るために発光色の異なる発光材料の塗り分けを行う等により発光材料を異なる場所に作り分ける方法、カラーフィルターを用いる方法、色変換材料を用いる方法等を適用することが必要とされる。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第９０／０１３１４８号パンフレット
【特許文献２】特開平３−２４４６３０号公報
【非特許文献１】アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第５８巻、１９８２頁（１９９１年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、素子からの任意の発光パターンを得るために発光材料を異なる場所に作り分ける方法は、通常、低分子発光材料を用いた場合には、蒸着時にマスクを用いられ、高分子発光材料を用いた場合であるインクジェット法では、パターニングされた基板を製造するためにフォトリソ工程が繰り返し行われる。したがって、これらの方法では製造工程が長く複雑になる。また、カラーフィルターを用いる方法や色変換材料を用いる方法では各色ごとにフォトリソ工程を繰り返す工程が必要になるので、やはり工程は長く複雑になる。そのため、歩留りが低下し易く、安価に自由なパターンを作ることは困難である。
そこで、本発明の目的は、短い工程で容易に発光色を変化させることができる（任意の発光パターンが得られる）有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法がその課題を解決することを見出し、本発明を成すに至った。
即ち、本発明は第一に、
透明又は半透明の第一の電極と、第二の電極と、これらの電極間に設けられ発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光機能を有する層の一部又は全部が50〜450℃で加熱されることにより、加熱された部分に含有される該二種以上の発光成分の各々の最大発光強度の比率が変化する性質を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
本発明は第二に、
（１）第一の電極、及び発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層を形成する工程と、
（２）前記発光機能を有する層に対して第一の電極の反対側に第二の電極を形成する工程と、
（３）前記発光機能を有する層の一部又は全部を50〜450℃で加熱する工程と
を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
本発明は第三に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子又は上記製造方法で得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた、面状光源、フレキシブルシート及び表示装置を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、ほぼ均一な色で発光しているにもかかわらず、発光機能を有する層の一部又は全部が特定の温度で加熱されることにより、発光色が変化し、加熱部分の形状パターンに応じて変色・多色化する。この加熱による変色・多色化は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造途中で行うことも、一旦、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した後に行うこともできる上、従来よりも著しく容易な工程で行うことができる。そのため、目的に応じた色彩・多色発光パターンを任意のタイミングで自由に形成できるので、応用範囲が広く有用である。具体的には、例えば、本発明の製造方法により、容易に所期の色彩・多色発光パターンを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することができる。
したがって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子又は本発明の製造方法で得られる有機エレクトロルミネッセンス素子は、マルチカラーやフルカラーの表示素子だけでなく、例えば、ポスター、ショーウィンドウ等のディスプレイに表示内容を追記できるなどの点から、特に、面状光源、フレキシブルシート、表示装置等に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明又は半透明の第一の電極と、第二の電極と、これらの電極間に設けられ発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光機能を有する層の一部又は全部が50〜450℃で加熱されることにより、加熱された部分に含有される該二種以上の発光成分の各々の最大発光強度の比率が変化する性質を有するものである。
【００１０】
ここで、「加熱された部分」とは、発光機能を有する層の中で、直接的に又は間接的に熱エネルギーを受け取った部分を意味する。また、「二種以上の発光成分の各々の最大発光強度の比率が変化する」とは、二種以上含まれる発光成分のそれぞれが有する発光ピーク波長における最大発光強度の比率（即ち、発光成分が二種である場合には、[発光成分１の発光ピーク波長における最大発光強度]：[発光成分２の発光ピーク波長における最大発光強度]であり、発光成分が三種である場合には、[発光成分１の発光ピーク波長における最大発光強度]：[発光成分２の発光ピーク波長における最大発光強度]：[発光成分３の発光ピーク波長における最大発光強度]である。）が変化することを意味する。そして、当該比率が変化することにより、変色ないし多色化が起こる。
【００１１】
前記発光機能を有する層は、一層のみからなるものであっても、二層以上からなるものであってもよい。
【００１２】
前記加熱は、好ましくは70〜400℃、より好ましくは80〜300℃、さらに好ましくは80〜250℃、とりわけ好ましくは110〜220℃、特に好ましくは140〜210℃である。加熱温度がかかる範囲を満たすと、発光機能を有する層の中の発光成分の最大発光強度の比率が変化し、素子の発光色をより効率的に変化させることができる。また、加熱方法は、特に限定されないが、通常、後述の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法の工程（３）で説明する方法等で行われる。
【００１３】
−第一の電極−
前記第一の電極は、透明又は半透明である。この第一の電極は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常、陽極である。第一の電極は、一層のみからなるものであっても、二層以上からなるものであってもよい。
【００１４】
この第一の電極には、例えば、電気伝導度の高い金属酸化物、電気伝導度の高い金属硫化物、電気伝導度の高い金属等、好ましくは可視光領域において透過率が高いものが用いられるが、組み合わせる有機層（例えば、発光機能を有する層、場合によっては有する、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層など）によって、適宜、選択すればよい。具体例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜（例えば、ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が挙げられ、好ましくは、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズである。また、第一の電極には、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい（これらを総称して、「第一の電極の材料」という。）。これらは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【００１５】
第一の電極の厚さは、光の透過性と電気伝導度を考慮して適宜選択することができるが、通常、10ｎｍ〜10μｍ、好ましくは20ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。第一の電極は、通常、かかる厚さを有する薄膜である。
【００１６】
第一の電極に隣接させて、電荷注入を容易にするために、例えば、フタロシアニン誘導体、ポリチオレン誘導体等の導電性高分子、モリブデン酸化物、アモルファスカーボン、フッ化カーボン、ポリアミン化合物などの１〜200ｎｍの層、或いは金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚５ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【００１７】
−第二の電極−
前記第二の電極は、特に限定されず、透明でも半透明でも不透明でもよい。この第二の電極は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常、陰極である。第二の電極は、一層のみからなるものであっても、二層以上からなるものであってもよい。
【００１８】
この第二の電極には、仕事関数の小さい材料が用いられることが好ましい。具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属；ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルカリ土類金属；アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；グラファイト、グラファイト層間化合物等が用いられる。合金の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる（これらを総称して、「第二の電極の材料」という。）。これらは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【００１９】
第二の電極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して適宜選択することができるが、通常、10ｎｍ〜10μｍ、好ましくは20ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。第二の電極は、通常、かかる厚さを有する薄膜である。
【００２０】
第二の電極と有機層（例えば、発光機能を有する層、場合によっては有する、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層など）との間に、導電性高分子からなる平均膜厚５ｎｍ以下の層、金属酸化物、金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚５ｎｍ以下の層などを設けてもよい。
【００２１】
第一の電極及び第二の電極を形成する（通常、これらの電極は基材上に形成する）順番は、特に制限されず、トップエミッション型又はボトムエミッション型の素子構造に応じて適宜、選択することができる。
【００２２】
−発光機能を有する層−
・発光成分
前記発光機能を有する層に含有される発光成分は、発光ピーク波長の異なる二種以上であることが必要である。この発光成分が一種のみの場合又は発光ピーク波長の同じ二種以上である場合には、得られる素子を加熱しても発光色の変化は起こらない。発光成分は、発光ピーク波長が異なる組み合わせであれば、特に限定されないが、発光性を有する高分子化合物と発光性を有する低分子化合物との組み合わせが好ましい。
【００２３】
例えば、発光機能を有する層に含有される発光成分が二種である場合には、通常、その二種のうちのより短波長側に発光ピーク波長を有する発光成分の励起状態から、より長波長側に発光ピーク波長を有する発光成分の基底状態へエネルギー移動が可能であり、その逆のエネルギー移動が困難なエネルギー準位の関係を有する。発光機能を有する層に含有される発光成分が三種である場合には、通常、その三種のうちのもっとも短波長側に発光ピーク波長を有する発光成分Ａの励起状態から、もっとも長波長側に発光ピーク波長を有する発光成分Ｂの基底状態へエネルギー移動が可能であり、その逆のエネルギー移動が困難なエネルギー準位の関係を有する。さらに、もっとも短波長側に発光ピーク波長を有する発光成分Ａの励起状態から、該発光成分Ａの発光ピーク波長と該発光成分Ｂの発光ピーク波長の間に発光ピーク波長を有する発光成分Ｃの基底状態へのエネルギー移動が可能であり、その逆のエネルギー移動が困難なエネルギー準位の関係を有する。
【００２４】
前記のより短波長側に発光ピーク波長を有する成分とより長波長側に発光ピーク波長を有する成分との組み合わせとしては、高分子と低分子、低分子と高分子、低分子と低分子、高分子と高分子が例示されるが、より短波長側に発光ピーク波長を有する「発光性を有する高分子化合物」とより長波長側に発光ピーク波長を有する「発光性を有する低分子化合物」との組み合わせが好ましく、より短波長側に発光ピーク波長を有する「発光性を有する高分子化合物」とより長波長側に発光ピーク波長を有する「三重項励起状態からの発光を示す化合物」との組み合わせがさらに好ましい。
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施形態である発光性を有する高分子化合物と発光性を有する低分子化合物との組み合わせを一例として説明する。ここで、「発光性を有する高分子化合物」、「発光性を有する低分子化合物」とは、化合物（即ち、高分子化合物、低分子化合物）中の電子が外部の刺激により基底状態から励起状態に遷移し、再び基底状態に戻るときに発光するものを意味する。
【００２６】
・発光成分（発光性を有する高分子化合物）
発光性を有する高分子化合物とは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、通常、１×103〜１×108、好ましくは１×104〜１×106、より好ましくは１×105〜５×105であり、かつ発光性を有するものである。この発光性を有する高分子化合物は発光性を有する低分子化合物に比して、通常、発光ピーク波長が短波長側に認められる。なお、発光性を有する高分子化合物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【００２７】
発光機能を有する層に含有される全発光成分中、発光性を有する高分子化合物の割合は、通常、50〜99.9重量％であり、好ましくは80〜99重量％、より好ましくは90〜98重量％である。かかる範囲を満たすと、素子のエレクトロルミネッセンスの発光強度が増大し、発光効率が向上する。
【００２８】
発光性を有する高分子化合物は、蛍光又は燐光の量子収率が、好ましくは10％以上、より好ましくは50〜100％である。かかる範囲を満たすと、素子のエレクトロルミネッセンスの発光強度が増大し、発光効率が向上する。
【００２９】
発光性を有する高分子化合物のガラス転移温度は、特に限定されないが、70℃以上であることが好ましく、100℃以上であることが特に好ましい。
【００３０】
発光性を有する高分子化合物は、液晶状態を有するものであることが好ましい。そして、前記加熱は、この液晶状態を示す温度範囲で行うことができる。この液晶状態を示す温度範囲は、選択する高分子化合物によって異なるが、通常、50℃〜450℃であり、好ましくは70〜400℃、より好ましくは80〜300℃、さらに好ましくは80〜250℃、とりわけ好ましくは110〜220℃、特に好ましくは140〜210℃である。
【００３１】
発光性を有する高分子化合物の中では、共役系高分子化合物が好ましい。ここで、共役系高分子化合物とは、高分子化合物の主鎖骨格に沿って非局在π電子対が存在している高分子化合物を意味する。この非局在電子としては、２重結合の代わりに不対電子又は孤立電子対が共鳴に加わる場合もある。
【００３２】
発光性を有する高分子化合物は、単独重合体でも共重合体でもよく、例えば、ポリフルオレン（例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Jpn.J.Appl.Phys.）第30巻、L1941頁（1991年））、ポリパラフェニレン（例えば、アドバンスト・マテリアルズ（Adv.Mater.）第４巻、36頁（1992年））、ポリピロール、ポリピリジン、ポリアニリン、ポリチオフェン等のポリアリーレン系；ポリパラフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン等のポリアリーレンビニレン系（例えば、WO98/27136号公開明細書）；ポリフェニレンスルフィド、ポリカルバゾール等が挙げられる（総説としては、例えば「Advanced Materials Vol.12 1737-1750(2000)」、「有機ELディスプレイ技術  月刊ディスプレイ  12月号増刊  P68〜73」等が挙げられる。）。これらの中でも、ポリアリーレン系の発光性を有する高分子化合物が好ましい。
【００３３】
ポリアリーレン系の発光性を有する高分子化合物が含む繰り返し単位としては、アリーレン基、２価の複素環基等が挙げられる。これらの繰り返し単位を20〜100モル％含むものが好ましく、50〜99モル％含むものがさらに好ましい。
【００３４】
ここで、アリーレン基の環を構成する炭素数は通常６〜60程度であり、その具体例として、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ペンタレンジイル基、インデンジイル基、ヘプタレンジイル基、インダセンジイル基、トリフェニレンジイル基、ビナフチルジイル基、フェニルナフチレンジイル基、スチルベンジイル基、フルオレンジイル基（例えば、下式（１）で、Ａ＝−Ｃ（Ｒ’）（Ｒ’）−である場合）等が挙げられる。
【００３５】
２価の複素環基の環を構成する炭素数は通常３〜60程度であり、具体例としては、ピリジン−ジイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基、下式（１）で、Ａ＝-Ｏ-、-Ｓ-、-Ｓｅ-、−ＮＲ’−、−Ｃ（Ｒ’）（Ｒ’）−、又は−Ｓｉ（Ｒ’）（Ｒ’）−等が挙げられる。なお、Ｒ’は後述のとおりである。
【００３６】
ポリアリーレン系の発光性を有する高分子化合物が含む繰り返し単位としては、下記式（１）で示される繰り返し単位がさらに好ましい。該高分子化合物中には、下記式（１）で示される繰り返し単位が１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【００３７】
2007266586.tif 000002
（式中、Ａは、該式中の２個のベンゼン環上の４個の炭素原子と一緒になって５員環又は６員環を形成する原子又は原子群を表し、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルコキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はカルボキシル基を表し、或いはＲ1bとＲ1c、及びＲ2bとＲ2cは、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
【００３８】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、よう素が例示される。
【００３９】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００４０】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００４１】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアルキルチオ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００４２】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリール基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
【００４３】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールオキシ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリミジルオキシ基、ピラジルオキシ基、トリアジルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００４４】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００４５】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールアルキル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００４６】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールアルコキシ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００４７】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００４８】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数が通常２〜２０程度である。その具体例としては、ビニル基、１−プロピレニル基、２−プロピレニル基、３−プロピレニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。
【００４９】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアルキニル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数が通常２〜２０程度である。その具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプテニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基が挙げられる。
【００５０】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数が通常８〜５０程度である。アリールアルケニル基を構成するアリール基（即ち、アリール部位）、アルケニル基（即ち、アルケニル部位）としては、上記のアリール基、アルケニル基と同様である。アリールアルケニル基の具体例としては、１−アリールビニル基、２−アリールビニル基、１−アリール−１−プロピレニル基、２−アリール−１−プロピレニル基、２−アリール−２−プロピレニル基、３−アリール−２−プロピレニル基などが挙げられる。
【００５１】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールアルキニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００５２】
アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、スクシンイミド基、フタル酸イミド基などが例示される。
【００５３】
アリールアルケニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００５４】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアシル基としては、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００５５】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアシルオキシ基としては、炭素数２〜２０程度であり、具体的にはアセチルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００５６】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアミド基としては、置換基を有していてもよく、炭素数が通常２〜２０程度である。その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが挙げられる。
【００５７】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される酸イミド基としては、置換基を有していてもよく、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは２〜２０である。
【００５８】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるイミン残基としては、置換基を有していてもよく、イミン化合物（即ち、分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子がアルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた残基が挙げられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは２〜２０である。
【００５９】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される置換アミノ基としては、置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する１価有機基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する１価有機基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基は炭素数が通常１〜４０程度である。その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ビス（トリフルオロメチル）アミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ビス（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ビス（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ビス（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ビス（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示される。
【００６０】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは３〜３０である。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する１価有機基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが挙げられる。
【００６１】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する１価有機基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基（Ｈ3ＳｉＯ−）等が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する１価の有機基は、置換基を有していてもよい。置換シリルオキシ基は、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは３〜３０である。その具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ−ｎ−プロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基などが例示される。
【００６２】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される置換シリルチオ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する１価有機基から選ばれる１〜３個の基で置換されたシリルチオ基（Ｈ3ＳｉＳ−）等が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する１価有機基は、置換基を有していてもよい。置換シリルチオ基は、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは３〜３０である。その具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリ−ｎ−プロピルシリルチオ基、トリ−ｉ−プロピルシリルチオ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基などが挙げられる。
【００６３】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される置換シリルアミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および複素環骨格を有する１価有機基から選ばれる１〜６個の基で置換されたシリルアミノ基（即ち、Ｈ3ＳｉＮＨ−または（Ｈ3Ｓｉ）2Ｎ−）等が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する１価有機基は置換基を有していてもよい。置換シリルアミノ基は、炭素数が通常１〜１２０程度、好ましくは３〜６０である。その具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリ−ｎ−プロピルシリルアミノ基、トリ−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ビス（トリメチルシリル）アミノ基、ビス（トリエチルシリル）アミノ基、ビス（トリ−ｎ−プロピルシリル）アミノ基、ビス（トリ−ｉ−プロピルシリル）アミノ基、ビス（ｔ−ブチルジメチルシリル）アミノ基、ビス（トリフェニルシリル）アミノ基、ビス（トリ−ｐ−キシリルシリル）アミノ基、ビス（トリベンジルシリル）アミノ基、ビス（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ビス（ｔ−ブチルジフェニルシリル）アミノ基、ビス（ジメチルフェニルシリル）アミノ基などが挙げられる。
【００６４】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される１価の複素環基としては、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００６５】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるヘテロアリールオキシ基としては、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは５〜４８である。具体的には、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシチエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジルオキシ基、ピリジルオキシ基、イソキノリルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルオキシ基として具体的にはメチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、1,3,5−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、ｉ−プロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、ｉ−ブチルピリジルオキシ基、ｔ−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピリジルオキシ基などが例示される。
【００６６】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるヘテロアリールチオ基としては、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは５〜４８である。具体的には、ピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルチオ基が好ましい。
【００６７】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアルコキシカルボニル基としては、上記アルコキシ基に例示の基とカルボニル基とが結合してなる基等が挙げられる。
【００６８】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールオキシカルボニル基としては、上記アリールオキシ基に例示の基とカルボニル基とが結合してなる基等が挙げられる。
【００６９】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるアリールアルコキシカルボニル基としては、上記アリールアルコキシ基に例示の基とカルボニル基とが結合してなる基等が挙げられる。
【００７０】
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるヘテロアリールオキシカルボニル基としては、上記ヘテロアリールオキシ基に例示の基とカルボニル基とが結合してなる基等が挙げられる。
【００７１】
前記Ａの具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７２】
2007266586.tif 000003
（式中、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基又は１価の複素環基を表す。）
【００７３】
Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’で表される原子、残基、基は、上記Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cとして説明し例示したものと同じ意味である。
【００７４】
前記Ａとしては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＮＲ’−、−ＣＲ’Ｒ’−又は−ＳｉＲ’Ｒ’−が好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＲ’Ｒ’−がより好ましい。
【００７５】
上記式（１）で示される繰返し単位としては、下記の構造が例示される。
【００７６】
2007266586.tif 000004
【００７７】
2007266586.tif 000005
（式中、Ｒ、Ｒ’及びＲ’’は、前記と同じ意味を有する。また、式中、ベンゼン環上の水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルコキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はカルボキシル基に置換されていてもよく、ベンゼン環の隣接位に２個の置換基が存在する場合、それらが互いに結合して環を形成してもよい。）
【００７８】
発光性を有する高分子化合物は、アリーレン基、２価の複素環基の他に、例えば、芳香族アミンから誘導される繰り返し単位を含んでいてもよい。この場合、発光性を有する高分子化合物に正孔注入性、正孔輸送性を付与することができる。発光性を有する高分子化合物が、アリーレン基及び／又は２価の複素環基からなる繰り返し単位と、芳香族アミンから誘導される繰り返し単位とを含む場合、（アリーレン基及び／又は２価の複素環基からなる繰り返し単位）：（芳香族アミンから誘導される繰り返し単位）は、通常、モル比率で、99：１〜20：80の範囲である。
【００７９】
芳香族アミンから誘導される繰返し単位としては、下記式（２）で表される繰返し単位が好ましい。
【００８０】
2007266586.tif 000006
（式中、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリーレン基又は置換されていてもよい２価の複素環基を表す。Ａｒ8、Ａｒ9及びＡｒ10は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよい１価の複素環基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に０又は１を表し、０≦ｏ＋ｐ≦２である。）
【００８１】
上記式（２）中、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6及びＡｒ7で表される、アリーレン基及び２価の複素環基の定義及び具体例は、上記でポリアリーレン系の発光性を有する高分子化合物が含む繰り返し単位の説明において、アリーレン基、２価の複素環基として説明し例示したものと同じである。
【００８２】
上記式（２）中、Ａｒ8、Ａｒ9及びＡｒ10で表される、アリール基及び１価の複素環基の定義及び具体例は、上記Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cで表されるアリール基、１価の複素環基として説明し例示したものと同じである。
【００８３】
上記式（２）で示される繰り返し単位の具体例としては、下記の構造が挙げられる。
【００８４】
2007266586.tif 000007
（式中、芳香環上の水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルコキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はカルボキシル基で置換されていてもよい。）
【００８５】
上記式（２）で表される繰返し単位の中で、下記式（３）で表される繰り返し単位が特に好ましい。
【００８６】
2007266586.tif 000008
（式中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルコキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はカルボキシル基を表す。ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。ｚは０〜２の整数を示す。ｗは０〜５の整数を示す。）
【００８７】
上記式（３）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5で表される原子、残基、基は、具体的には、上記Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cとして説明し例示したものと同じ意味である。
【００８８】
発光性を有する高分子化合物は、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えば、ブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。発光の量子収率の高い、発光性を有する高分子化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック又はグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【００８９】
発光性を有する高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9-45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。
【００９０】
また、薄膜からの発光を利用するので発光性を有する高分子化合物としては、固体状態で発光を有するものが好適に用いられる。
【００９１】
発光性を有する高分子化合物の合成法としては、例えば該当するモノマーを、Suzukiカップリング反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、Ni(0)触媒により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。これらのうち、Suzukiカップリング反応により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、Ni(0)触媒により重合する方法が、反応制御が容易であり好ましい。
【００９２】
発光性を有する高分子化合物は、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【００９３】
発光性を有する高分子化合物としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。具体的には、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【００９４】
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【００９５】
ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【００９６】
発光性を有する高分子化合物としては、芳香族アミンから誘導される繰返し単位からなる高分子化合物が特に好ましい。芳香族アミンから誘導される繰返し単位については、前記式（２）で表されるものが好ましく、前記式（３）で表されるものがさらに好ましい。
【００９７】
発光性を有する高分子化合物のうち、公知のものが使用でき、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
【００９８】
また、発光性を有する高分子化合物としては、「高分子ＥＬ材料」（大西敏博、小山珠美  共著、共立出版、2004年刊、初版第１刷発行）33〜58ページに記載の材料が例示される。
【００９９】
さらに、具体的な発光性を有する高分子化合物としては、WO99/13692号公開明細書、WO99/48160号公開明細書、GB2340304A、WO00/53656号公開明細書、WO01/19834号公開明細書、WO00/55927号公開明細書、GB2348316、WO00/46321号公開明細書、WO00/06665号公開明細書、WO99/54943号公開明細書、WO99/54385号公開明細書、US5777070、WO98/06773号公開明細書、WO97/05184号公開明細書、WO00/35987号公開明細書、WO00/53655号公開明細書、WO01/34722号公開明細書、WO99/24526号公開明細書、WO00/22027号公開明細書、WO00/22026号公開明細書、WO98/27136号公開明細書、US573636、WO98/21262号公開明細書、US5741921、WO97/09394号公開明細書、WO96/29356号公開明細書、WO96/10617号公開明細書、EP0707020、WO95/07955号公開明細書、特開2001-181618号公報、特開2001-123156号公報、特開2001-3045号公報、特開2000-351967号公報、特開2000-303066号公報、特開2000-299189号公報、特開2000-252065号公報、特開2000-136379号公報、特開2000-104057号公報、特開2000-80167号公報、特開平10-324870号公報、特開平10-114891号公報、特開平9-111233号公報、特開平9-45478号公報等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体等も例示される。
【０１００】
・発光材料（発光性を有する低分子化合物）
発光性を有する低分子発光材料とは、発光性を有するものである。この発光性を有する低分子発光材料は分子量が１×103未満であることが好ましい。具体的には、例えば、三重項励起状態からの発光を示す化合物、好ましくは三重項発光錯体化合物（即ち、三重項励起状態からの発光を示す錯体化合物）、デンドリマー等が挙げられ、好ましくは三重項発光錯体化合物である。発光性を有する低分子化合物は発光性を有する高分子化合物に比して、通常、発光ピーク波長が長波長側に認められる。なお、低分子発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１０１】
発光機能を有する層に含有される全発光成分中、発光性を有する低分子化合物の割合は、通常、0.1〜50重量％であり、好ましくは0.5〜30重量％、より好ましくは1〜10重量％である。
【０１０２】
さらに、発光性を有する低分子化合物は、蛍光又は燐光の量子収率が、好ましくは10％以上、より好ましくは50〜100％である。
【０１０３】
本明細書において、三重項励起状態からの発光を示す化合物には、燐光発光を示す錯体のほかに、燐光発光に加えて蛍光発光を示す錯体も含まれる。
【０１０４】
三重項発光錯体化合物としては、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として用いられてきた金属錯体化合物があげられる。例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852, Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)等に開示されている。
【０１０５】
三重項発光錯体化合物の中心金属は、通常、原子番号50以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、１重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。より具体的には、例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、及びランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、イリジウム、白金、金が特に好ましく、イリジウムが最も好ましい。
【０１０６】
三重項発光錯体化合物の配位子としては、例えば、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体などが挙げられる。
【０１０７】
三重項発光錯体化合物としては、例えば、以下のもの（トリス（８−キノリノール）アルミニウム、イリジウムを中心金属とするIr(ppy)3、Btp2Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロピウムを中心金属とするEu(TTA)3phen等の三重項発光錯体など）等が挙げられる。
【０１０８】
2007266586.tif 000009
【０１０９】
2007266586.tif 000010
【０１１０】
2007266586.tif 000011
【０１１１】
2007266586.tif 000012
【０１１２】
2007266586.tif 000013
【０１１３】
2007266586.tif 000014
【０１１４】
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【０１１５】
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【０１１６】
2007266586.tif 000017
【０１１７】
2007266586.tif 000018
【０１１８】
2007266586.tif 000019
【０１１９】
2007266586.tif 000020
【０１２０】
2007266586.tif 000021
【０１２１】
2007266586.tif 000022
【０１２２】
2007266586.tif 000023
【０１２３】
2007266586.tif 000024
【０１２４】
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【０１２５】
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【０１２６】
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【０１２７】
2007266586.tif 000028
【０１２８】
2007266586.tif 000029
【０１２９】
2007266586.tif 000030
【０１３０】
2007266586.tif 000031
【０１３１】
2007266586.tif 000032
【０１３２】
2007266586.tif 000033
（式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、又はシアノ基を表す。）
【０１３３】
上記例示において、三重項発光錯体化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、Ｒはアルキル基、アルコキシ基であることが好ましく、また、置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
【０１３４】
三重項発光錯体化合物のもう一つの例としては、下記式（４）で示される構造が挙げられる。
（Ｊ）s−Ｍ−（Ｋ）t    （４）
（式中、Ｍは金属原子を表し、Ｊ及びＫは独立に、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子及び燐原子から選ばれる１個以上のＭと結合する原子を含む配位子、ハロゲン原子又は水素原子を表す。ｓは０〜５の整数であり、ｔは１〜５の整数である。）
【０１３５】
前記Ｋで表される、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子及び燐原子から選ばれる１個以上のＭと結合する原子を含む配位子としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、スルホネート基、シアノ基、複素環配位子、カルボニル化合物、エーテル、アミン、イミン、ホスフィン、亜リン酸エステル及びスルフィドが挙げられる。前記配位子ＫとＭとの結合は、配位結合でも共有結合でもよい。また、これらを組み合わせた多座配位子でもよい。
【０１３６】
Ｍと結合する原子を含む配位子Ｋである、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基及びアリールアルキルチオ基は、前記Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるものとして説明し例示したものと同じである。
【０１３７】
アルキルアミノ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であり、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
【０１３８】
アリールアミノ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
【０１３９】
アリールアルキルアミノ基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基が好ましい。
【０１４０】
スルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。
【０１４１】
複素環配位子としては、ピリジン環、ピロール環、チオフェン環、オキサゾール、フラン環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子で、具体的にはフェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、１,１０−フェナントロリン、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリンなどが例示され、配位結合であっても、共有結合であってもよい。
【０１４２】
カルボニル化合物としては、酸素原子でＭと配位結合するものであり、一酸化炭素やアセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類が例示される。
【０１４３】
エーテルとしては、酸素原子でＭと配位結合するものであり、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどが例示される。
【０１４４】
アミンとしては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミンなどのモノアミン、１，１，２，２−テトラメチルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラフェニルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラメチル−ｏ−フェニレンジアミンなどのジアミンが例示される。
【０１４５】
イミンとしては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、ベンジリデンアニリン、ベンジリデンベンジルアミン、ベンジリデンメチルアミンなどのモノイミン、ジベンジリデンエチレンジアミン、ジベンジリデン−ｏ−フェニレンジアミン、２，３−ビス（アニリノ）ブタンなどのジイミンが例示される。
【０１４６】
ホスフィンとしては、リン原子でＭと配位結合するものであり、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパンが例示される。ホスファイトとしては、リン原子でＭと配位結合するものであり、例えばトリメチルホスファイト、トリエチルホスフェイント、トリフェニルフォスファイトが例示される。
【０１４７】
スルフィドとしては、硫黄原子でＭと配位結合するものであり、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、チオアニソールが例示される。
【０１４８】
Ｍで表される金属原子は、通常、原子番号５０以上であり、スピン−軌道相互作用により本化合物において一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属原子である。具体的には、レニウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子、白金原子、金原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、プロメチウム原子、サマリウム原子、ユーロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子などが例示され、好ましくはレニウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子、白金原子、金原子、サマリウム原子、ユーロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子であり、発光効率の点でより好ましくはイリジウム原子、白金原子、金原子、ユーロピウム原子である。
【０１４９】
Ｊは、Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子及び燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子を表す。Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子及び燐原子から選ばれる１個以上の原子を含む配位子は、Ｋについて例示したものと同じである。
【０１５０】
前記配位子Ｊとしては、以下のものが例示される。
【０１５１】
2007266586.tif 000034
【０１５２】
2007266586.tif 000035
（式中、＊はＭと結合する原子を表す。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アリールアルキルシリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、又は１価の複素環基を示す。Ｒは互いに結合して環を形成してもよい。）
【０１５３】
上記式中、Ｒで表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシルオキシ基、アシル基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、又は１価の複素環基は、上記において、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表される原子、残基、基として説明し例示したものと同じである。
【０１５４】
上記式中、Ｒで表されるアルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基は、上記において、Ｍと結合する配位子Ｋで表される基として説明し例示したものと同じである。
【０１５５】
上記式中、Ｒで表されるアルキルシリル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度であり、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基が好ましい。
【０１５６】
上記式中、Ｒで表されるアリールシリル基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【０１５７】
上記式中、Ｒで表されるアリールアルキルシリル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基が好ましい。
【０１５８】
上記式中、三重項発光錯体化合物の溶媒への溶解性を高めるために、Ｒの少なくとも１つが長鎖のアルキル基を含むことが好ましい。
【０１５９】
上記式中、三重項発光錯体化合物の安定性の面でＪが、少なくとも１つの窒素原子又は炭素原子でＭと結合することが好ましく、ＪがＭと多座で結合することがより好ましい。Ｊが、下式（Ｊ−１）又は（Ｊ−２）で示されることがさらに好ましい。
【０１６０】
2007266586.tif 000036
（式中、Ｒ6〜Ｒ13は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アリールアルキルシリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示し、＊はＭと結合する部位を表す。）
【０１６１】
2007266586.tif 000037
（式中、Ｔは酸素原子又は硫黄原子を示す。Ｒ14〜Ｒ19は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アリールアルキルシリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基を示し、＊はＭと結合する部位を表す。）
【０１６２】
上記式中、Ｒ6〜Ｒ19で表される原子、基は、具体的には、上記において、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ2cで表されるものとして説明し例示したもの、及びＭと結合する配位子Ｋで表される基として説明し例示したものと同じである。
【０１６３】
発光機能を有する層に用いる三重項励起状態からの発光を示す化合物は、一種のみを含んでいても二種以上を含んでいてもよい。また、この三重項励起状態からの発光を示す化合物が、二種以上の三重項発光錯体化合物である場合には、互いに同じ金属を有していてもよいし、異なる金属を有していてもよい。また、それぞれの金属錯体構造は、互いに異なる発光色を有していてもよい。このとき、適度な量の金属錯体が含まれるように設計することにより、発光色を制御することができるので好ましい。
【０１６４】
さらに、三重項励起状態からの発光を示す化合物としてデンドリマー化合物が挙げられる。デンドリマー化合物については、特開平11-140180、特開2002-220468、ＶＣＨ出版会社1996年発行の「Dendritic Molecules」、1998年６月現代化学第20〜40頁「デンドリマーの分子設計」、「デンドリマ−の多彩な機能」、高分子47巻11月号（1998年）「デンドリマーの非線形光学材料への応用」などに記載されているが、本発明において、デンドリマー化合物とは、中心となるコア（核）と、枝分かれユニットを含む樹枝構造が三次元的に繰り返して構成される化学構造を有する樹枝状の化合物のことである。
【０１６５】
発光性を有する低分子化合物としては、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静夫、安達千波矢、村田英幸  共著、株式会社オーム社、平成１６年刊、第１版第１刷発行）83〜99ページ、101〜120ページに記載のりん光材料等も利用できる。
【０１６６】
発光機能を有する層の厚さは、通常、30nm〜3μmであり、好ましくは50nm〜1μm、よりに好ましくは60nm〜300nm、さらに好ましくは60nm〜100nmである。
【０１６７】
−任意の層−
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記第一の電極、第二の電極及び発光機能を有する層以外に、電荷輸送層［即ち、正孔輸送層（通常、正孔輸送材料を含有する。）及び電子輸送層（通常、電子輸送材料を含有する。）の総称である。］、電荷注入層［即ち、正孔注入層及び電子注入層の総称である。］等を有していてもよい。
【０１６８】
本明細書において、「正孔輸送層」とは、正孔を輸送する機能を有する層を意味し、「電子輸送層」とは、電子を輸送する機能を有する層を意味する。「正孔注入層」とは、正孔を注入する機能を有する層を意味し、「電子注入層」とは、電子を注入する機能を有する層を意味する。なお、正孔注入層若しくは正孔輸送層又はその両方が、陰極から注入された電子が発光機能を有する層をすり抜けることを防止する電子ブロックの機能を有していてもよく、また電子注入層若しくは電子輸送層又はその両方が、陽極から注入された正孔が発光機能を有する層をすり抜けることを防止する正孔ブロックの機能を有していてもよい。
【０１６９】
電荷輸送材料（即ち、正孔輸送材料及び電子輸送材料の総称である。）としては、熱処理により、層構造が実質上崩壊せず、かつ機能が実質上低下しないものを適宜選択することができる。電荷輸送材料は、数平均分子量がポリスチレン換算で１×103〜１×108程度であることが好ましく、１×104〜１×106程度であることがより好ましい。
【０１７０】
正孔輸送材料としては、例えば、N,N-ジフェニル-N,N-ビス(3-メチルフェニル)-1,1-ビフェニル-4,4-ジアミン(TPD)等の芳香族アミン系化合物、ヒドラゾン化合物、金属フタロシアニン類、ポルフィリン類、スチリルアミン化合物、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン(Appl.Phys.Lett.59,2760(1991))、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＨＣスタルクビーテック社製、商品名：Bytron P TP AI 4083）等が挙げられ、それらの懸濁液が好ましく用いられる。また、正孔輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同2-311591号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報、同11-35687号公報、同11-217392号公報、特開2000-80167号公報に記載されているもの等が例示される。なお、電極や隣接する層の材料との関係で金属フタロシアニン等のように正孔注入層に用いる材料が正孔輸送層に用いる材料として用いられることがある。
【０１７１】
正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように調整すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要である。この厚さが厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０１７２】
電子輸送材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、又は、ポリフルオレンもしくはその誘導体、バソクプロインもしくはその誘導体等が挙げられる。また、電子輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報、特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-209988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１７３】
電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように調整すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要である。この厚さが厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子輸送層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０１７４】
電荷輸送材料としては、その他にも、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静夫、安達千波矢、村田英幸  共著、株式会社オーム社、平成１６年刊、第１版第１刷発行）17〜48ページ、83〜99ページ、101〜120ページに記載の正孔輸送材料、電子輸送材料等が利用できる。
【０１７５】
正孔注入層としては、例えば、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層などが挙げられる。
【０１７６】
正孔注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０１７７】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが挙げられる。カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
【０１７８】
正孔注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１７９】
正孔注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０１８０】
電子注入層としては、例えば、陰極と発光機能を有する層又は電子輸送層との間に設けられ、陰極材料の仕事関数と発光機能を有する層に含まれる発光材料の電子親和力又は電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが好適に使用される。
【０１８１】
電子注入層が導電性高分子を含む層の場合、該電子注入層は陰極と発光機能を有する層との間に陰極に隣接して設けられる。導電性高分子の電気伝導度は、１０-7Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、カチオンであり、その例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
【０１８２】
電子注入層の膜厚としては、例えば、１ｎｍ〜１５０ｎｍであり、２ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。
【０１８３】
電子注入層の成膜方法としては、溶液から成膜することが例示され、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ノズルコート法、キャピラリコート法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。また電子注入材料は、エマルジョン状で水やアルコールに分散させたものも溶液と同様の方法で、成膜することができる。
【０１８４】
−素子構造−
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の具体例としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に、陽極に接して正孔注入層を有し、さらに発光機能を有する層を有する素子（例えば、下記ａ）；該正孔注入層と発光機能を有する層との間に、該発光機能を有する層に隣接して正孔輸送層を設けたＥＬ素子（例えば、下記ｂ）；陰極と発光機能を有する層との間に、該発光機能を有する層に隣接して電子輸送層を設けた素子（例えば、下記ｃ）；陰極と発光機能を有する層との間に、該発光機能を有する層に隣接して電子輸送層を設け、正孔輸送層と発光機能を有する層との間に、該発光機能を有する層に隣接して正孔輸送層を設けた素子（例えば、下記ｄ）；陰極と発光機能を有する層との間に、該陰極に隣接して電子注入層を設け、さらに該発光機能を有する層に隣接して電子輸送層を設け、正孔輸送層と発光機能を有する層との間に、該発光機能を有する層に隣接して正孔輸送層を設けた素子（例えば、下記ｅ）等が挙げられる。
ａ）陽極／正孔注入層／発光機能を有する層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光機能を有する層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光機能を有する層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光機能を有する層／電子輸送層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光機能を有する層／電子輸送層／電子注入層陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下、同じである。）
【０１８５】
−基板−
本発明の素子を作製する際、通常は基板を用いる。この基板は、通常、上述の第一の電極、第二の電極、発光機能を有する層、その他の層（例えば、場合によっては形成される保護層等）の下に位置するものである。この基板としては、これらの電極及び層を形成する際に変化しないものであればよく、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板、ステンレススチール等の金属基板などが例示される。この基板が不透明なものである場合には、発光機能を有する層に対して該基板の反対側に位置する電極が、透明又は半透明であることが好ましい。
【０１８６】
−インク組成物−
本発明の素子の作製に用いられる上記発光成分は、必要に応じて、溶媒又は分散媒と混合することによりインク組成物として用いることができる。インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において１〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。
【０１８７】
インク組成物に用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該インク組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソール、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、デカリン、ビジクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１８８】
インク組成物を用いて作られる有機エレクトロルミネッセンス素子において、電荷輸送層又は発光機能を有する層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０１８９】
また、本発明の素子は熱処理をすることで発光色が変化し多色化することから、熱処理を行う領域を任意に指定すればその領域にのみ発光色が変化し、任意の発光色にパターニングされた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
【０１９０】
・保護層
第一の電極、第二の電極及び発光機能を有する層を形成した後、得られた高分子発光素子は、該高分子発光素子を保護するための保護層を有していてもよい。
【０１９１】
一般に、例えば、第二の電極を作製後、素子を積層した基板と挟むように第二の電極側から該有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する保護層を装着していてもよい。該有機エレクトロルミネッセンス素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【０１９２】
該保護層の材質としては、エポキシ樹脂等の硬化性樹脂に代表される高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる（これらを総称して、「保護層の材料」という。）。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子上に有機層／無機層の一組以上の積層膜を形成することによって有機エレクトロルミネッセンス素子を保護する膜を形成することもできる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０１９３】
−有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法−
次に、本発明の製造方法について説明する。変色・多色化された有機エレクトロルミネッセンス素子は、
（１）第一の電極、及び発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層を形成する工程と、
（２）前記発光機能を有する層に対して第一の電極の反対側に第二の電極を形成する工程と、
（３）前記発光機能を有する層の一部又は全部を50〜450℃で加熱する工程と
を有する方法により製造することができる。これらの工程に加えて、（４）第二の電極の上に保護層を形成する工程を行ってもよく、また、その他の工程を行ってもよい。
【０１９４】
上述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、如何なる方法によって製造されたものであってもよいが、上記工程（１）及び（２）を有する方法（場合によっては、上記工程（４）をさらに有する方法）によって製造されることが好ましい。
【０１９５】
以下、各工程を詳細に説明する。
【０１９６】
・工程（１）
第一の電極（通常、透明又は半透明の電極）、及び発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層は、連続的に形成してもよいが、第一の電極、及び発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層の形成前、形成後、形成中にその他の層を形成させてもよい。具体的には、例えば、第一の電極を形成した後、その他の層を形成し、次いで、発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層を形成してもよく、更にその後、その他の層を形成してもよい。なお、前記発光機能を有する層は、一層のみからなるものでも、二層以上からなるものであってもよい。
【０１９７】
前記その他の層とは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、その他の発光機能を有する層などである。
【０１９８】
前記第一の電極の形成方法は、特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等で行うことができる。
【０１９９】
前記発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層の形成方法は、特に限定されないが、例えば、溶液から成膜する方法等で行うことができる。溶液から成膜する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ノズルコート法、キャピラリコート法、インクジェットプリント法等の塗布法が挙げられる。パターン形成や多色の塗分けが容易である点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０２００】
前記第一の電極、及び前記発光ピーク波長の異なる二種以上の発光成分を含有してなる発光機能を有する層の厚さは、それぞれ、上記の有機エレクトロルミネッセンスの項で説明したとおりである。
【０２０１】
・工程（２）
前記発光機能を有する層に対して第一の電極と第二の電極が反対側に形成されること以外は、特に限定されない。即ち、前記発光機能を有する層と第一の電極との間にその他の層が存在してもよく、また前記発光機能を有する層と第二の電極との間にその他の層が存在してもよい。
【０２０２】
前記その他の層とは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、その他の発光機能を有する層などである。
【０２０３】
前記第二の電極の形成方法は、特に限定されず、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等で行うことができる。
【０２０４】
前記第二の電極の厚さは、それぞれ、上記の有機エレクトロルミネッセンスの項で説明したとおりである。
【０２０５】
・工程（３）
前記発光機能を有する層の一部又は全部の加熱は、如何なる方法で行ってもよいが、一回で行っても複数回行ってもよい。また、この加熱は、直接的に行っても間接的に行ってもよい。所期の変色・多色化を行うためには、前記加熱は50〜450℃で行うが、好ましくは70〜400℃、より好ましくは80〜300℃、さらに好ましくは80〜250℃、とりわけ好ましくは110〜220℃、特に好ましくは140〜210℃で行う。高温過ぎると素子自体が破壊されることがある。また、加熱時間は、特に制限はないが、タクトタイムを短縮するためには30分以下が好ましく、５分以下がより好ましく、30秒以下がさらに好ましい。この加熱温度及び加熱時間をかかる範囲とすることにより、発光機能を有する層に含有される二種以上の発光成分の各々の最大発光強度の比率を制御することができる。
【０２０６】
加熱方法としては、特に限定されず、例えば、熱伝導、熱輻射を利用した方法等が挙げられ、具体的には、第一の電極及び第二の電極への通電（即ち、ジュール熱）、サーマルヘッド、電磁波、赤外線等の光、レーザー等で行うことができ、サーマルヘッド、赤外線等の光、レーザーで行うことが好ましい。また、加熱した金属等の物質を発光機能を有する層に直接的に又は間接的に接触させて加熱を行ってもよい。
【０２０７】
具体的には、例えば、電磁波により加熱する場合には、マスク等を用いることにより、素子の発光面上にマスキングされた場所とは異なる発光色の目的のパターンを容易に得ることができる。
【０２０８】
レーザー、サーマルヘッドにより加熱する場合は、微細領域を簡単に加熱することができるので、微細な領域で色変化を自由に生じさせることができる。サーマルヘッドとは、発熱抵抗体に選択的に電位を与えて発熱させ、得られた熱エネルギーによって目的の場所を選択的に加熱できる装置である。レーザーを用いた場合には、ポリゴンミラー、ガルバノミラー等により走査し、パターンニングすることもできる。
【０２０９】
これらの他にも、ライン状、メッシュ状もしくは一定形状パターンの熱伝導性のよい熱媒体をホットプレート上に置き、その上に有機エレクトロルミネッセンス素子を載置することで、熱伝導により所望の形状の温度分布を形成させ、所期のパターンで色の作り分けができる。
【０２１０】
したがって、予め、熱処理前の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製しておき、必要に応じて、その都度、その素子に対して熱処理を行うことにより、容易かつ自由に所期の発光色をもつパターニングされた発光素子を得ることができる。例えば、レーザープリンター、サーマルヘッドプリンター等を用いて、紙に印刷するように、素子に所期の発光色をもつ発光パターンを描くことができる。
【０２１１】
前記発光機能を有する層（或いは、この層に含有される発光成分）の実温の正確な測定は困難であるが、サーマルヘッド、ホットプレート、ヒーター等の表面温度等、指標にできる温度を利用して発光特性の変化する温度を予め検討しておくことで、温度制御が可能である。また、レーザーの出力、集光スポットサイズ、照射時間と、発光特性の変化とを予め検討しておくことで、レーザー照射による温度制御も可能である。
【０２１２】
・工程（４）
第二の電極の上に保護層を形成する工程は、如何なる方法で行ってもよい。ここで、第二の電極の上に保護層を形成するとは、単に第二の電極の上面のみでなく、第二の電極の上面を保護層で被覆する態様も含む。
【０２１３】
・各工程の順番
以上の工程（１）〜（３）又は工程（１）〜（４）は、如何なる順番で行ってもよい。典型的には、前記工程（３）が、前記工程（２）前、前記工程（２）後もしくは前記工程（２）と同時に、又はこれらを組み合わせて行われる。「工程（２）前」とは、工程（２）の直前のみではなく、工程（３）と工程（２）の間にその他の工程を有する場合を含む。また、「工程（２）後」とは、工程（２）の直後のみではなく、工程（２）と工程（３）の間にその他の工程を有する場合を含む。
【０２１４】
具体的には、例えば、
Ａ．工程（１）を行った後、工程（２）、工程（３）の順番に行う方法；
Ｂ．工程（１）を行った後、工程（３）、工程（２）の順番に行う方法；
等が挙げられる。また、前記工程（４）を行う場合には、例えば、
Ｃ．工程（１）を行った後、工程（２）、工程（３）、工程（４）の順番に行う方法：
Ｄ．工程（１）を行った後、工程（３）、工程（２）、工程（４）の順番に行う方法；
Ｅ．工程（１）を行った後、工程（２）、工程（４）、工程（３）の順番に行う方法；
Ｆ．工程（１）を行った後、工程（３）、工程（４）、工程（２）の順番に行う方法；
等が挙げられる。以上の工程において、各工程間に、その他の工程を有していてもよい。
【０２１５】
本発明の製造方法により製造される有機エレクトロルミネッセンス素子（ここでは、上記工程（１）及び工程（２）、並びに場合によってはさらに工程（４）を有する工程によって製造され得る上記有機エレクトロルミネッセンス素子を含む。）は、保護層を形成させた有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した後に熱処理を施し、変色・多色化することができる。保護層形成後の方が、該素子の取り扱いが簡便なので有利である。したがって、本発明の製造方法では、保護層形成後に加熱処理を行うことが好ましい。
【０２１６】
なお、本発明の製造方法により製造される有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板を有していてもよい。基板の作製は、通常、前記工程（１）前に行われる。
【０２１７】
−用途−
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子、及び本発明の製造方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、面状光源（即ち、曲面状又は平面状の光源であり、具体的には、例えば、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源などが挙げられる。）、表示装置（例えば、広告表示装置、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置（例えば、フラットパネルディスプレイなどが挙げられる。）、液晶表示装置（この場合、特にバックライトとして好ましく用いられる。）などが挙げられる。）等に特に有用である。また、フレキシブルな基板上に該素子を形成させ、シート状のフレキシブル有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する上でも有用である。
【実施例】
【０２１８】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下、強度の単位は、Ｗ／(ｍ2・ｎｍ・ｓｒ)である。
【０２１９】
＜合成例１＞
−高分子化合物１の合成−
２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン２６ｇ（０．０４８ｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジイソペンチルフルオレン５．６ｇ（０．０１２ｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル２２ｇ（０．１４ｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン１６００ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）５６ｇ（０．２０ｍｏｌ）を加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５重量％アンモニア水１２００ｍＬ／メタノール１２００ｍＬ／イオン交換水１２００ｍＬ混合溶液中に滴下して３０分間攪拌した後、析出した沈殿をろ過し、メタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。その後、トルエン２５００ｍＬに溶解させてからろ過を行い、ろ液に１Ｎ塩酸２６００ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有機層に２重量％アンモニア水２６００ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去した。水９００ｍＬを加えて１分間攪拌し、水層を除去する操作を２回行った後、有機層はメタノール２９００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過し、メタノールで洗浄した。２時間減圧乾燥した後、トルエン２３００ｍＬに溶解させ、アルミナカラム（アルミナ量４５０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール４５００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させることにより、下記構造式：
【０２２０】
2007266586.tif 000038
【０２２１】
2007266586.tif 000039
で表される２種類の繰り返し単位からなる共重合体（以下、「高分子化合物１」という。）２０ｇを得た。
【０２２２】
高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎは１．４×１０5であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗは４．３×１０5であり、発光ピーク波長は４２２ｎｍであった。
【０２２３】
＜合成例２＞
−高分子化合物２の合成−
・化合物Ｃ（ジベンゾチオフェン誘導体）の合成
ａ）化合物Ｃ−１の合成
不活性雰囲気下１Ｌの四つ口フラスコに、２，８−ジブロモジベンゾチオフェン  ７ｇとＴＨＦ  ２８０ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解した後、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム  ２９ｍｌ（１．６モルヘキサン溶液）を滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま２時間撹拌し、トリメトキシボロン酸  １３ｇを滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻した。３時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。５重量％硫酸  １００ｍｌを加えて反応を終了させ、室温で１２時間撹拌した。水を加えて洗浄し、有機層を分液した。溶媒を酢酸エチルに置換した後、３０重量％過酸化水素水  ５ｍｌを加え、４０℃で５時間撹拌した。その後、有機層を分液し、１０重量％硫酸アンモニウム鉄（II）水溶液で洗浄後乾燥、溶媒を留去することにより、茶色の固体  ４．４３ｇを得た。ＬＣ−ＭＳ測定からは二量体などの副生成物も生成しており、化合物Ｃ−１の純度は７７％であった（ＬＣ面積百分率）。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（−））：（Ｍ−Ｈ）-   ２１５
【０２２４】
2007266586.tif 000040
（化合物Ｃ−１）
【０２２５】
ｂ）化合物Ｃ−２の合成
不活性雰囲気下で２００ｍｌの三つ口フラスコに上記化合物Ｃ−１  ４．４３ｇと臭化ｎ−オクチル  ２５．１ｇ、および炭酸カリウム  １２．５ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒としてメチルイソブチルケトン  ５０ｍｌを加えて１２５℃で６時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を留去、クロロホルムと水を加えて、有機層を分液し、さらに水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン／シクロヘキサン＝１／１０）で精製することにより、８．４９ｇ（ＬＣ面積百分率９７％、収率９４％）の化合物Ｃ−２を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．３１〜１．９０（ｍ、２４Ｈ）、４．０８（ｔ、４Ｈ）、７．０７（ｄｄ、２Ｈ）、７．５５（ｄ、２Ｈ）、７．６８（ｄ、２Ｈ）
【０２２６】
2007266586.tif 000041
（化合物Ｃ−２）
【０２２７】
ｃ）化合物Ｃ−３の合成
１００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｃ−２  ６．６７ｇと酢酸  ４０ｍｌを入れ、オイルバスでバス温度１４０℃まで昇温した。続いて、３０重量％過酸化水素水  １３ｍｌを冷却管から加え、１時間強く撹拌した後、冷水１８０ｍｌに注いで反応を終了させた。クロロホルムで抽出、乾燥後溶媒を留去することによって、６．９６ｇ（ＬＣ面積百分率９０％、収率９７％）の化合物Ｃ−３を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．８７（ｍ、２４Ｈ）、４．０６（ｔ、４Ｈ）、７．１９（ｄｄ、２Ｈ）、７．６９（ｄ、２Ｈ）、７．８４（ｄ、２Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+          ４７３
【０２２８】
2007266586.tif 000042
（化合物Ｃ−３）
【０２２９】
ｄ）化合物Ｃ−４の合成
不活性雰囲気下２００ｍｌ四つ口フラスコに化合物Ｃ−３  ３．９６ｇと酢酸／クロロホルム＝１：１混合液  １５ｍｌを加え、７０℃で撹拌し、溶解させた。続いて、臭素  ６．０２ｇを上記の溶媒  ３ｍｌに溶解して加え、３時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて未反応の臭素を除き、クロロホルムと水を加えて、有機層を分液し乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／４）で精製することにより、４．４６ｇ（ＬＣ面積百分率９８％、収率８４％）の化合物Ｃ−４を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９５（ｔ、６Ｈ）、１．３０〜１．９９（ｍ、２４Ｈ）、４．１９（ｔ、４Ｈ）、７．０４（ｓ、２Ｈ）、７．８９（ｓ、２Ｈ）
ＭＳ（ＦＤ＋）Ｍ＋  ６３０
【０２３０】
2007266586.tif 000043
（化合物Ｃ−４）
【０２３１】
ｅ）化合物Ｃ（ジベンゾチオフェン誘導体）の合成
不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｃ−４  ３．９ｇとジエチルエーテル  ５０ｍｌを入れ、４０℃まで昇温、撹拌した。水素化アルミニウムリチウム  １．１７ｇを少量ずつ加え、５時間反応させた。水を少量ずつ加えることによって過剰な水素化アルミニウムリチウムを分解し、３６重量％塩酸  ５．７ｍｌで洗浄した。クロロホルム、水を加えて、有機層を分液し乾燥した。シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／５）で精製することにより、１．８ｇ（ＬＣ面積百分率９９％、収率４９％）の化合物Ｃを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９７（ｍ、２４Ｈ）、４．１５（ｔ、４Ｈ）、７．４５（ｓ、２Ｈ）、７．９４（ｓ、２Ｈ）
ＭＳ（ＦＤ+）Ｍ+  ５９８
【０２３２】
2007266586.tif 000044
（化合物Ｃ：ジベンゾチオフェン誘導体）
【０２３３】
・化合物Ｄ（フェニレンジアミン誘導体）の合成
ｆ）化合物Ｄ−１の合成
不活性雰囲気下で、５００ｍｌの３つ口フラスコに酢酸２２５ｇを入れ、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３ｇを加えた。続いて臭素３１．２ｇを加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。反応液を水５００ｍｌに加え析出した沈殿をろ過した。水２５０ｍｌで２回洗浄し、白色の固体（化合物Ｄ−１）３４．２ｇを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ(ｐｐｍ)  ＝  １．３〔ｓ，９Ｈ〕、２．４〔ｓ，６Ｈ〕、７．１〔ｓ，２Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ+）Ｍ+  ２４１
【０２３４】
2007266586.tif 000045
（化合物Ｄ−１）
【０２３５】
ｇ）化合物Ｄ−２の合成
不活性雰囲気下で、１００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン３６ｍｌを入れ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン０．６３ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム０．４１ｇ、上記の化合物Ｄ−１  ９．６ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム５．２ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン４．７ｇを加えた後、１００℃で３時間反応させた。反応液を飽和食塩水３００ｍｌに加え、約５０℃に温めたクロロホルム３００ｍｌで抽出した。溶媒を留去した後、トルエン１００ｍｌを加えて、固体が溶解するまで加熱、放冷した後、沈殿をろ過し、白色の固体（化合物Ｄ−２）９．９ｇを得た。
【０２３６】
2007266586.tif 000046
（化合物Ｄ−２）
【０２３７】
ｈ）化合物Ｄ（フェニレンジアミン誘導体）の合成
不活性雰囲気下で、１０００ｍｌの３つ口フラスコに脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３５０ｍｌを入れ、上記のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（化合物Ｄ−２）５．２ｇを溶解した後、氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド３．５ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液を滴下し、一昼夜反応させた。反応液に水１５０ｍｌを加え、析出した沈殿をろ過し、メタノール５０ｍｌで２回洗浄し化合物Ｄの白色の固体（化合物Ｄ）４．４ｇを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＴＨＦ−ｄ８）：
δ(ｐｐｍ)  ＝  １．３〔ｓ，１８Ｈ〕、２．０〔ｓ，１２Ｈ〕、６．６〜６．７〔ｄ，４Ｈ〕、６．８〜６．９〔ｂｒ，４Ｈ〕、７．１〔ｓ，４Ｈ〕、７．２〜７．３〔ｄ，４Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ+）Ｍ+  ７３８
【０２３８】
2007266586.tif 000047
（化合物Ｄ：フェニレンジアミン誘導体）
【０２３９】
窒素雰囲気下、前記化合物Ｃ（ジベンゾチオフェン誘導体）１.９５ｇ、前記化合物Ｄ（フェニレンジアミン誘導体）２.３９ｇ、及び２，２’−ビピリジル２.３３ｇを脱水したテトラヒドロフラン４６２.６ｇに溶解した後、６０℃まで昇温し、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝  ４.１０ｇを加え、５時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５重量％アンモニア水８５.２ｇ／メタノール１６８.８ｇ／イオン交換水３１９.８ｇ混合液中に滴下して２時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。乾燥後、トルエン１６２.２ｇに溶解し、溶解後、ラヂオライト８.３ｇを加えて不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製し、次にイオン交換水１３５.２ｇ／２５重量％アンモニア水２０.４ｇ混合液中に精製液を加え、０．５時間攪拌した後、水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水１３５.２ｇを加え０．５時間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層の一部について減圧濃縮を実施後、有機層をメタノール３４１.８ｇに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥することにより、下記構造式：
【０２４０】
2007266586.tif 000048
【０２４１】
2007266586.tif 000049
で表される２種類の繰り返し単位からなる共重合体（以下、「高分子化合物２」という。）２．３５ｇを得た。
【０２４２】
高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎは１．２×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗは７．７×１０4であり、発光ピーク波長は４６１ｎｍであった。
【０２４３】
＜金属錯体１＞
三重項発光錯体化合物としては、下記式：
【０２４４】
2007266586.tif 000050
で表されるIridium(III) bis-(2-(2'-benzothienyl)pyridinatoN,C3)(acetyl-acetonate)（アメリカン ダイ ソース社製、商品名：ELECTROPHOSPHORESCENT METAL COMPLEX、カタログ番号：ADS067RE）（金属錯体１）を用いた。金属錯体１の発光ピーク波長は、約６１５ｎｍであった。
【０２４５】
＜実施例１＞
−発光素子の作製−
ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＨＣスタルクビーテック社製、商品名：CH8000 LVW176/3）の懸濁液を０．５μｍ径のフィルターでろ過した。スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ろ過した懸濁液をスピンコートにより約６０ｎｍの厚みで成膜し、大気中でホットプレートを用いて約２００℃、１０分間で乾燥することにより、ガラス基板Ａを作製した。
【０２４６】
次いで、上記合成例１で得られた高分子化合物１と上記合成例２で得られた高分子化合物２を、重量比で８：２となるように混合して、キシレンに溶解させることによりキシレン溶液１を調製した。このとき、高分子化合物１及び高分子化合物２の合計の濃度が約０．９重量％となるようにキシレン溶液１を調製した。また、上記で得た金属錯体１をクロロホルムに溶解させ、金属錯体１の濃度が０．４５重量％になるようにクロロホルム溶液２を調製した。さらに、キシレン溶液１とクロロホルム溶液２を混合し、キシレン溶液１中の高分子化合物１及び高分子化合物２の合計の重量に対するクロロホルム溶液２中の金属錯体１の重量が約６．５重量％になるようにキシレンとクロロホルムの混合溶液３を調製した。この混合溶液３を用いて、前記ガラス基板Ａ上にスピンコートにより６００ｒｐｍで成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。
【０２４７】
さらに、これを減圧下（真空度は1×10-4Pa以下）において残溶媒を取り除くために約７０℃に加熱し６０分間乾燥した後、真空蒸着により順次、バリウムを約１０ｎｍ、次いでアルミニウムを約１５０ｎｍの厚さとなるように蒸着して、素子Ａを作製した。なお、真空度が２×10-5Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。また、バリウムは抵抗加熱法を用いて、またアルミニウムは電子ビーム法を用いて蒸着した。
【０２４８】
さらに、ガラス板の４辺に光硬化樹脂を塗り、不活性ガス（即ち、窒素ガス）中で前記素子Ａと貼り合わせ、紫外線を照射し光硬化することにより封止し、保護層を設けることにより素子Ｂを作製した。
【０２４９】
−加熱前の素子評価−
こうして得られた素子Ｂに電圧を８Ｖ印加したところ、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光を示した。該発光のＣＩＥ色度座標の値（加熱前）を測定した。その結果を表１に示す。
次いで、素子Ｂに電圧を１０Ｖ印加したところ、ＥＬ発光を示した。ＥＬスペクトルには青色の最大発光強度を示すピークと赤色の最大発光強度を示すピークがあった。これらのピークを示した波長は、約４５０ｎｍ（青色発光成分（該高分子化合物１及び該高分子化合物２）；これらの化合物のスペクトルが重なり合って、約450nmに最大強度の波長のピークが出現した；波長１）、約６１５ｎｍ（赤色発光成分（Iridium(III) bis-(2-(2'-benzothienyl)pyridinatoN,C3)(acetyl-acetonate)）；波長２）であった。この時の青色発光成分の最大発光強度（波長１における強度）、赤色発光成分の最大発光強度（波長２における強度）、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）を表２に示す。
上記電圧印加をする前に、この素子Ｂにピーク波長３６５ｎｍのＵＶ光を照射して、ＰＬ（フォトルミネッセンス）を測定した。ＰＬスペクトルには、前記と同様に２つのピーク（波長１、波長２）があった。これら２つのピークにおける最大発光強度（波長１、２における強度）、その比（波長１における強度／波長２における強度）を表３に示す。
【０２５０】
−発光機能を有する層の加熱処理−
次いで、素子Ｂを、表面温度が１５０℃であるホットプレート上に置いて約３分間加熱し、その後、該素子を室温に戻るまで放冷した。
【０２５１】
−加熱後の素子評価−
その後、加熱後の素子について、加熱前の素子Ｂについての測定方法と同様にして、（１）「ＣＩＥ色度座標の値（加熱後）」、（２）ＥＬスペクトルの「青色発光成分の最大発光強度（波長１における強度）、赤色発光成分の最大発光強度（波長２における強度）、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）」、（３）ＰＬスペクトルの「青色発光成分の最大発光強度（波長１における強度）、赤色発光成分の最大発光強度（波長２における強度）、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）」を測定・算出した。得られた結果を、各々、表１、表２、表３に示す。
【０２５２】
−評価−
発光機能を有する層を50〜450℃の範囲内である150℃で加熱処理することにより、最大発光強度の比が変化することが確認された。ここで、最大発光強度の比が大きいほど、青色が強い発光になり、最大発光強度の比が小さいほど赤色が強い発光になった。従って、実施例１の素子では、加熱処理の前後で赤色から青色へと発光色が変化した。
【０２５３】
＜実施例２〜４＞
実施例１において、前記ホットプレートの表面温度を150℃から100℃（実施例２）、200℃（実施例３）、230℃（実施例４）に変えた以外は実施例１と同様にして、（１）「ＣＩＥ色度座標の値（加熱後）」、（２）ＥＬスペクトルの「青色発光成分の最大発光強度（波長１における強度）、赤色発光成分の最大発光強度（波長２における強度）、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）」、（３）ＰＬスペクトルの「青色発光成分の最大発光強度（波長１における強度）、赤色発光成分の最大発光強度（波長２における強度）、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）」を測定・算出した。得られた結果を、各々、表１、表２、表３に示す。
【０２５４】
【表１】
2007266586.tif 000051
【０２５５】
【表２】
2007266586.tif 000052
*「強度比」とは、"波長１における強度／波長２における強度"を意味する。
【０２５６】
【表３】
2007266586.tif 000053
*「強度比」とは、"波長１における強度／波長２における強度"を意味する。
【０２５７】
＜比較例１＞
実施例１において、前記ホットプレートの表面温度を150℃から40℃に変えた以外は実施例１と同様にして、（１）「ＣＩＥ色度座標の値（加熱後）」、（２）ＥＬスペクトルの「青色発光成分の最大発光強度、赤色発光成分の最大発光強度、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）」、（３）ＰＬスペクトルの「青色発光成分の最大発光強度、赤色発光成分の最大発光強度、これらの比（波長１における強度／波長２における強度）」を測定・算出しようと試みた。しかし、目視では、得られた素子において、発光色の変化は認められなかった。このことから、ＥＬスペクトル及びＰＬスペクトルにおいて、加熱の前後で、前記最大発光強度の比に変化がなかったと考えられる。
【０２５８】
＜実施例５＞
−パターニング−
表面温度が３４２℃であるホットプレート上にアルミニウム製のブロック（幅４ｍｍ×奥行き１０ｍｍ×高さ１０ｍｍ）を２つ並べ、その上に素子Ｂを置いて、該素子Ｂの発光部位の一部に該ブロックを接し、発光部位の一部分を約７秒間局所加熱した。次いで、得られた素子を室温に戻るまで放冷した。得られた素子に８Ｖの電圧を印加したところ、該ブロックと接した部分だけが青色発光を示し、その他の部分は赤色発光を示した。従って、本発明の素子である素子Ｂを用いると容易に所期のパターニングができることが確認された。