(57)【要約】【課題】ウエハエッジに対する研磨において、研磨ダメージが低く、ウエハエッジの膜剥がれ、膜残りおよび傷を生じさせない生産性が高いエッジ研磨装置を提供する。【解決手段】半導体ウエハＷの周端縁であるウエハエッジ４との相対摺動によりウエハエッジ４を研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーＡにおいて、ウエハエッジ４を包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジ４に当接しかつ半導体ウエハＷと相対摺動してウエハエッジ４を研磨する軟質研磨パッド１と、軟質研磨パッド１をその外側から支持する研磨パッド支持体２とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの周端縁であるウエハエッジとの相対摺動により前記ウエハエッジを研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーであって、
前記ウエハエッジを包み込むようにほぼ全面的な接触状態で前記ウエハエッジに当接しかつ前記半導体ウエハと相対摺動して前記ウエハエッジを研磨する軟質研磨パッドと、
前記軟質研磨パッドをその外側から支持する研磨パッド支持体とを備えたウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項２】
前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドは、４分の１の円弧状のホルダー分割体が４つ組で円環状に組み合わされるものであり、前記ホルダー分割体が保持状態半導体ウエハの中心相当位置を中心として放射方向に出退自在に構成されている請求項１に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項３】
前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドは、２以上のホルダー分割体によって支持されている請求項１に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項４】
前記軟質研磨パッドは、保持状態半導体ウエハの半径方向の厚みが前記半導体ウエハのベベルの幅よりも大きく構成され、内周面に前記ウエハエッジの断面形状に近似の内周溝が形成され、前記研磨パッド支持体に埋め込まれている請求項１から請求項３までのいずれかに記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項５】
前記軟質研磨パッドは、平板状に形成され、さらに裏面に軟質シートが貼り付けられた層構造の軟質シート付き軟質研磨パッドに構成され、
前記研磨パッド支持体には前記半導体ウエハとの当接で変形する前記軟質シート付き軟質研磨パッドを凹入させる逃げ空間が設けられている請求項１から請求項３までのいずれかに記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項６】
前記軟質シート付き軟質研磨パッドにおける前記軟質シートは、その肉厚内に流体を圧入封止して当該軟質シートを膨張させる流体封止用空洞を備えている請求項５に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【請求項７】
前記軟質シート付き軟質研磨パッドは、その非作用状態で、前記ウエハエッジの断面形状に近似の形状に凹入した形状を保っている請求項６に記載のウエハエッジ研磨用ホルダー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハの周端縁であるウエハエッジとの相対摺動によりウエハエッジを研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエハは、半導体集積回路の高集積化、高機能化および高速化に伴って、大口径化が進み、ウエハ１枚当たりの収量を増加させている。ウエハ外周から一定距離にあるウエハエッジ領域の面積が増大することから、ウエハエッジ近傍の歩留まりはウエハ製造プロセスにおいてますます重要となっている。ウエハエッジは、搬送過程におけるカセットや搬送部との接触で傷や膜の剥がれが発生しやすい。また、エッチングプロセスによるダメージなども発生しやすい。そして、プロセス各工程で剥離膜が汚染源としてウエハデバイス領域に付着し、異物の原因となる。特に、密着性が低く剥がれやすい低誘電率膜や金属膜などはウエハ製造工程で除去することが重要である。この対策のために、ウエハエッジを研磨する。特にエッジ研磨の最終表面の仕上げ研磨は重要である。
【０００３】
従来、ウエハエッジの研磨方法として、回転する半導体ウエハの外周面の複数箇所で異なった角度から研磨パッドを押圧して研磨する装置や、回転する研磨ドラムを半導体ウエハの側面に対して複数の箇所で異なった角度で押し当てて研磨する装置などが考案されている（特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開平１１−１０４９４２号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエハエッジの研磨においては、ウエハエッジをベベル上面、ベベル端面、ベベル下面のように複数に分割して行う。そのため、前段階で積層された膜をウエハ基板まで研磨するなど研磨膜厚が大きい場合や、金属膜と絶縁膜の両方を含む場合に問題となる。すなわち、分割した面の継ぎ目や、ウエハのデバイス面および裏面平坦面とウエハエッジ外周端との境界面に研磨残りが発生する。その結果、ウエハエッジ領域に金属膜や絶縁膜が残留し、この残留膜が半導体ウエハの搬送中などに剥がれて異物となり、製品への異物付着による歩留り低下を引き起こす。
【０００５】
図７は従来のエッジ研磨装置で認められる欠陥を示す。図７（ａ）はウエハエッジの断面図、図７（ｂ）はウエハエッジの正面図である。４ａはベベル上面、４ｂはベベル端面、４ｃはベベル下面、４ｄはウエハデバイス領域、４ｅはウエハエッジ領域である。研磨残り６ａ、傷６ｂ、被研磨膜の膜剥がれ６ｃが図示されている。
【０００６】
また、従来の技術においては、研磨時間の短縮のために、研磨速度を高く設定し、硬質研磨パッドを用いる。この場合、研磨液を大量に使用することから希釈循環を行うが、しばしば研磨液に被研磨物が混入する。混入が生じたときは、表面に研磨傷が生じ、後工程で形成する薄膜の被覆性が低下し、ウエハエッジからの剥がれなどの汚染源となる。
【０００７】
また、配線工程においては、低誘電率膜などの密着性が低い膜に対しては低い摩擦力で研磨する。しかし、摩擦力が低いと、エッジ研磨中に対象とする被研磨膜自体が剥がれてしまう。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みて創作したものであり、ウエハエッジに対する研磨において、研磨ダメージが低く、膜剥がれ、膜残りおよび傷を生じさせないウエハエッジ研磨用ホルダーを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によるウエハエッジ研磨用ホルダーは、半導体ウエハの周端縁であるウエハエッジとの相対摺動により前記ウエハエッジを研磨するウエハエッジ研磨用ホルダーであって、前記ウエハエッジを包み込むようにほぼ全面的な接触状態で前記ウエハエッジに当接しかつ前記半導体ウエハと相対摺動して前記ウエハエッジを研磨する軟質研磨パッドと、前記軟質研磨パッドをその外側から支持する研磨パッド支持体とを備えた構成とされている。半導体ウエハとウエハエッジ研磨用ホルダーとの相対摺動については、半導体ウエハを回転してもよいし、ウエハエッジ研磨用ホルダーを回転してもよいし、両者を逆方向または同方向に同時または交互に回転させてもよい。
【００１０】
この構成によれば、研磨パッド支持体に支えられた軟質研磨パッドがウエハエッジを包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジに当接し相対摺動して研磨するので、接触面積を大きくし、単位面積当たりの研磨圧力を低いものにすることができる。それゆえ、密着性の低い被研磨膜について、低速度であっても研磨表面の膜剥がれ、研磨残り、傷を防止することができる。したがって、生産性を犠牲にせずに高度の仕上がり状態で研磨することができる。
【００１１】
上記構成において、次のようないくつかの好ましい態様がある。
【００１２】
前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドについて、４分の１の円弧状のホルダー分割体が４つ組で円環状に組み合わされるものであり、前記ホルダー分割体が保持状態半導体ウエハの中心相当位置を中心として放射方向に出退自在に構成されているという態様がある。４分の１円のホルダー分割体の４つを中心に近づける側に移動させることにより、半導体ウエハをそのウエハエッジで挟持する。このとき、各ホルダー分割体における軟質研磨パッドがウエハエッジに当接するが、ウエハエッジを包み込むようなほぼ全面的な接触状態で当接することになる。研磨が終了すると、中心から遠ざける側に移動させることにより、半導体ウエハを解放する。
【００１３】
また、上記において、前記研磨パッド支持体および前記軟質研磨パッドは、２以上のホルダー分割体によって支持されているという態様もある。軟質研磨パッドおよび研磨パッド支持体を支持するホルダー分割体の個数については、４つと限る必要はなく、２以上の任意の個数としてよい。
【００１４】
また、前記軟質研磨パッドは、保持状態半導体ウエハの半径方向の厚みが前記半導体ウエハのベベルの幅よりも大きく構成され、内周面に前記ウエハエッジの断面形状に近似の内周溝が形成され、前記研磨パッド支持体に埋め込まれているという態様がある。この場合、ウエハエッジを半導体ウエハの厚み方向で軟質研磨パッドの内周溝に位置合わせすれば、あとは相対接近でウエハエッジを軟質研磨パッドに安定的に当接させることができる。すなわち、ウエハエッジに対する軟質研磨パッドの位置合わせを行いやすい。また、均等な全面接触状態を得やすく、研磨精度を向上することができる。
【００１５】
また、前記軟質研磨パッドは、平板状に形成され、さらに裏面に軟質シートが貼り付けられた層構造の軟質シート付き軟質研磨パッドに構成され、前記研磨パッド支持体には前記半導体ウエハとの当接で変形する前記軟質シート付き軟質研磨パッドを凹入させる逃げ空間が設けられているという態様もある。この場合、平板状の軟質研磨パッドを裏面の軟質シートで補強することができる。また、層構造の軟質シート付き軟質研磨パッドは研磨パッド支持体の逃げ空間に凹入することで充分に大きく変形するため、軟質シート付き軟質研磨パッドのウエハエッジに対する密着性を増大させ、研磨精度を向上することができる。
【００１６】
また、前記軟質シート付き軟質研磨パッドにおける前記軟質シートは、その肉厚内に流体を圧入封止して当該軟質シートを膨張させる流体封止用空洞を備えているという態様もある。この場合、必要に応じて、流体封止用空洞に流体を圧入封止して軟質シート付き軟質研磨パッドを膨張させる。封入する流体圧または流体量を調整することにより、ウエハエッジに対する軟質シート付き軟質研磨パッドの当接圧を調整し、研磨精度を向上することができる。
【００１７】
また、前記軟質シート付き軟質研磨パッドは、その非作用状態で、前記ウエハエッジの断面形状に近似の形状に凹入した形状を保っているという態様もある。これによれば、ウエハエッジへの当接の過程で、ウエハエッジに接触する直前でウエハエッジ研磨用ホルダーを停止し、流体封止用空洞における流体圧力を制御し膨張させることにより、停止状態のまま、ウエハエッジの全面に軟質研磨パッドを接触させ、ウエハエッジ全面に適正な圧力を印加することが可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、軟質研磨パッドが包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジに当接して相対摺動し、単位面積当たりの研磨圧力を低いものにして研磨するので、密着性の低い被研磨膜についても、低圧力かつ低速度で生産性を犠牲にせずに、膜剥がれ、研磨残り、傷を防止した状態での研磨が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明にかかわるウエハエッジ研磨用ホルダーの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの平面図である。
【００２１】
図１において、Ａはウエハエッジ研磨用ホルダー、Ｗは半導体ウエハである。ウエハエッジ研磨用ホルダーＡは、半導体ウエハＷの周端縁であるウエハエッジ４を相対摺動により研磨する軟質研磨パッド１と、軟質研磨パッド１をその外側から支持する研磨パッド支持体２から構成されている。軟質研磨パッド１および研磨パッド支持体２は、４分の１の円弧状のホルダー分割体ａが４つ組で円環状に組み合わされるものであり、保持状態の半導体ウエハＷの中心相当位置を中心として４つのホルダー分割体ａが放射方向に出退自在に構成されている。研磨パッド支持体２は硬質の材質で成型されている。３は研磨薬液供給ノズル、ｑは研磨薬液供給ノズル３から半導体ウエハＷに供給される研磨薬液である。研磨薬液供給ノズル３は、隣接するホルダー分割体ａ，ａの間に配置されている。Ｘはウエハエッジ４に対する研磨パッド支持体２の圧力印加方向である。
【００２２】
図２はウエハエッジ研磨用ホルダーＡの断面を示す。図２（ａ）は非当接状態を示し、図２（ｂ）は当接状態を示す。軟質研磨パッド１、研磨パッド支持体２およびウエハエッジ４の断面形状が示されている。軟質研磨パッド１は、その半導体ウエハＷの半径方向の厚みが半導体ウエハＷのベベルの幅（上下幅）よりも大きく構成され、内周面にウエハエッジ４の砲弾状の断面形状に近似の半円弧状の内周溝１ａが形成され、研磨パッド支持体２に埋め込まれている。研磨パッド支持体２に貼り付けられた軟質研磨パッド１は、図２（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに加圧当接してウエハエッジ４に接触した際に、ウエハエッジ４を包み込むようなほぼ全面的な接触状態となるように構成されている。
【００２３】
半導体ウエハＷは、図示しない回転基盤に載置固定される。４つのホルダー分割体ａを圧力印加方向Ｘに沿って中心に近づける側に移動させることにより、半導体ウエハＷをそのウエハエッジ４で挟持する。このとき、ウエハエッジ４の全周に対して最大限の接触長さが確保される。ホルダー分割体ａはそのように構成されている。４つのホルダー分割体ａのそれぞれは、ウエハエッジ４への当接時に隣り合うホルダー分割体ａと干渉しない範囲で設けられる。半導体ウエハＷの厚み方向でウエハエッジ４を軟質研磨パッド１の内周溝１ａに位置合わせすれば、あとは相対接近でウエハエッジ４を軟質研磨パッド１に安定的に当接させることができる。すなわち、ウエハエッジ４に対する軟質研磨パッド１の位置合わせがスムーズに行われる。また、各軟質研磨パッド１がウエハエッジ４を包み込むようなほぼ全面的な接触状態で当接する当接する。内周溝１ａがあるので、均等な全面接触状態を得やすい。
【００２４】
４つのホルダー分割体ａから半導体ウエハＷに対して圧力印加方向Ｘに沿って半径方向内側に圧力をかけた状態で、半導体ウエハＷを回転し、研磨薬液供給ノズル３から研磨薬液ｑを半導体ウエハＷに供給する。研磨薬液供給ノズル３が隣接するホルダー分割体ａ，ａ間に配置されているので、研磨薬液供給ノズル３からの軟質研磨パッド１に対する研磨薬液ｑの供給量を安定化することができる。半導体ウエハＷのウエハエッジ４が軟質研磨パッド１に摺接し、その摺接面に研磨薬液ｑが浸透することにより、軟質研磨パッド１でウエハエッジ４を研磨することができる。
【００２５】
この場合、研磨パッド支持体２に支えられた軟質研磨パッド１がウエハエッジ４を包み込むようにほぼ全面的な接触状態でウエハエッジ４に当接し相対摺動して研磨するので、接触面積を大きくし、単位面積当たりの研磨圧力を低いものにすることができる。それゆえ、密着性の低い被研磨膜について、低速度であっても研磨表面の膜剥がれ、研磨残り、傷を防止することができる。したがって、生産性を犠牲にせずに高度の仕上がり状態で研磨することができる。研磨精度は高いものとなる。
【００２６】
ウエハ研磨後、研磨薬液供給ノズル３から純水が供給され、ウエハエッジ４の研磨表面の研磨薬液ｑを純水で置換する。後洗浄工程でウエハエッジ４に付着している研磨薬液ｑの除去を行うが、あらかじめ純水で置換しておくことにより、研磨薬液ｑの除去を行いやすくする。またそのとき、ウエハエッジ４だけでなく表面にもＤＩＷ（脱イオン水）を供給してウエハ表面の乾燥を防止することが望ましい。その後、半導体ウエハＷの回転を停止し、並行して研磨パッド支持体２をウエハエッジ４から離間する。半導体ウエハＷの回転停止のタイミングは、軟質研磨パッド１がウエハエッジ４から完全に離脱した後に設定する。これにより、ウエハエッジ４への軟質研磨パッド１からの研磨残の付着を防止でき、望ましいフローである。
【００２７】
軟質研磨パッド１については、ニッタハース社から市販されているＩＣタイプの硬質パッドよりも硬度が低く、弾性率の高いものを使用するのが好ましい。
【００２８】
研磨パッド支持体２がウエハエッジ４へ印加する圧力については、０．２〜４Ｐｓｉ（poundper square inch：１Ｐｓｉ≒６．８９×１０3 Ｎ／ｍ2 ）とするのが好ましい。この印加圧力は、被研磨膜の密着性や、被研磨表面への傷などのダメージ程度等に応じて最適化した条件で設定するものとする。例えば被研磨面が熱酸化膜や、ＰＴＥＯＳ（プラズマＴＥＯＳ：ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン））などの密着性の良い酸化膜から構成されている場合は、２Ｐｓｉ以上の高回転数領域が使用でき、低誘電率膜など密着性が低い場合には、２Ｐｓｉ以下の領域とすることが望ましい。
【００２９】
半導体ウエハＷの回転数については、２００〜１５００ｒｐｍとするのが好ましい。この回転数は、半導体ウエハＷに対する軟質研磨パッド１の印加圧力および被研磨膜の密着性や、被研磨表面への傷などのダメージ程度等に応じて最適化した条件で設定するものとする。例えば被研磨面が熱酸化膜や、ＰＴＥＯＳなどの密着性の良い酸化膜から構成されている場合は、５００ｒｐｍ以上の高回転数領域が使用でき、低誘電率膜など密着性が低い場合には、１０００ｒｐｍ以下の領域とすることが望ましい。
【００３０】
研磨薬液ｑの供給量については、総量で５０〜５００ｍｌ/ｍｉｎの範囲で設定するのが好ましい。
【００３１】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの断面を示す。図３（ａ）は非当接状態を示し、図３（ｂ）は当接状態を示す。軟質研磨パッド１は、平板状に形成され、さらに裏面に軟質シート５が貼り付けられた層構造の軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａに構成されている。軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａは、平板状の軟質研磨パッド１を裏面の軟質シート５で補強したものである。研磨パッド支持体２には半導体ウエハＷのウエハエッジ４との当接で変形する軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａを凹入させる逃げ空間２ａが設けられている。２ｂは研磨パッド支持体２に一体的に連設されているパッド支持板であり、軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａの上下両辺部を貼り付けている。
【００３２】
上下がパッド支持板２ｂで固定された層構造の軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａは、図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに加圧当接してウエハエッジ４に接触した際に、研磨パッド支持体２の逃げ空間２ａに凹入することで充分に大きく変形する。軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａはウエハエッジ４に対して全面接触し、軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａのウエハエッジ４に対する密着性を増大させる。軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａのウエハエッジ４に対する圧力分布が実質的に均一になり、研磨精度を向上することができる。
【００３３】
ウエハ基板メーカーからは、様々な仕様のウエハエッジ４が供給される。図４は半導体ウエハＷのウエハエッジ４の断面を示す。エッジの形状について図４（ａ）は３面構成、図４（ｂ）は多面構成（５面構成）、図４（ｃ）はラウンド構成を示す。４ａはベベル上面、４ｂはベベル端面、４ｃはベベル下面である。また、４ｄはウエハデバイス領域、４ｅはウエハエッジ領域である。
【００３４】
本実施の形態においては、層構造の軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａを逃げ空間２ａに大きく変形させることができるので、ウエハエッジ４の形状の様々な変化に対して、いずれにも追従することができる。すなわち、ベベル上面、ベベル端面、ベベル下面を含めて全面接触し、しかも圧力分布を均一化することができる。
【００３５】
軟質シート５の厚みについて、半導体ウエハＷに加圧当接してウエハエッジ４に接触した際に、軟質シート付き軟質研磨パッド１Ａのウエハエッジ４に対する圧力分布が実質的に均一になるように設計するものとする。
【００３６】
その他の構成および動作については、実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００３７】
（実施の形態３）
図５は本発明の実施の形態３におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの断面を示す。図５（ａ）は非当接状態を示し、図５（ｂ）は当接状態を示す。
【００３８】
層構造の本実施の形態の軟質シート付き軟質研磨パッド１Ｂは、平板状の軟質研磨パッド１と、その裏面に貼り付けられた肉厚な軟質シート５から構成されている。軟質シート５には、その肉厚内に流体を圧入封止して、この軟質シート５を膨張させる複数の流体封止用空洞５ａが形成されている。２ａは逃げ空間、２ｂはパッド支持板である。
【００３９】
軟質シート付き軟質研磨パッド１Ｂを半導体ウエハＷに加圧当接してウエハエッジ４に接触した際に、流体封止用空洞５ａに流体（気体、液体）を圧入封止して軟質シート５を膨張させる。封入する流体圧または流体量を調整することにより、軟質シート付き軟質研磨パッド１Ｂはウエハエッジ４に対してベベル上面、ベベル端面、ベベル下面を含めて全面接触し、ウエハエッジ４に対する圧力分布が適正かつ均一になり、研磨精度を向上することができる。
【００４０】
流体封止用空洞５ａに封入する流体としては、純水、高純度窒素、ＣＤＡ（クリーンドライエア）などを用いる。なお、レギュレータを介して流体圧力を制御することにより、研磨中の圧力を安定化するのが望ましい。
【００４１】
その他の構成および動作については、実施の形態２と同様であるので説明を省略する。
【００４２】
（実施の形態４）
図６は本発明の実施の形態４におけるウエハエッジ研磨用ホルダーの断面を示す。図６（ａ）は非当接状態を示し、図６（ｂ）は当接状態を示す。
【００４３】
層構造の本実施の形態の軟質シート付き軟質研磨パッド１Ｃは、平板状の軟質研磨パッド１と、その裏面に貼り付けられた肉厚な軟質シート５から構成され、軟質シート５には複数の流体封止用空洞５ａが形成されている。本実施の形態においては、軟質シート付き軟質研磨パッド１Ｃは、その非作用状態で、ウエハエッジ４の断面形状に近似の半円弧状に凹入した形状を保っている。この凹入形状の結果として、内周面は半円弧状の内周溝１ａとなっている。
【００４４】
ウエハエッジ４への当接の過程で、ウエハエッジ４に接触する直前で４つのホルダー分割体ａを停止し、流体封止用空洞５ａにおける流体圧力を制御し膨張させることにより、ホルダー分割体ａの停止状態のまま、ウエハエッジ４の全面に軟質研磨パッド１を接触させ、ベベル上面、ベベル端面、ベベル下面を含めて全面に適正な圧力を印加することが可能となる。
【００４５】
その他の構成および動作については、実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
【００４６】
ウエハメーカーから供給された半導体ウエハは、そのウエハエッジ４の形態が様々である。また、従来の技術で研磨した後の半導体ウエハでの、同様な状況にある。そこで、様々なウエハエッジ４の形態に対して、実施の形態１〜４のうちの最適な機能のものを選択することで、従来の技術では実現できなかった低圧力での高精度な研磨を実施できる。
【００４７】
なお、上記では半導体ウエハＷを回転させたが、ウエハエッジ研磨用ホルダーＡを回転してもよいし、両者を逆方向または同方向に同時または交互に回転させてもよい。
【００４８】
また、上記では軟質研磨パッド１および研磨パッド支持体２を支持するホルダー分割体ａの個数を４つとしたが、この個数は任意であり、２以上であればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明のウエハエッジ研磨用ホルダーは、ウエハエッジを研磨する装置および方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す平面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図４】ウエハエッジの形態を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態３におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図６】本発明の実施の形態４におけるウエハエッジ研磨用ホルダーを示す要部断面図
【図７】従来の方法によるウエハエッジ研磨面の課題を示す断面図と正面図
【符号の説明】
【００５１】
Ａ  ウエハエッジ研磨用ホルダー
ａ  ホルダー分割体
ｑ  研磨薬液
Ｗ  半導体ウエハ
Ｘ  圧力印加方向
１  軟質研磨パッド
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  軟質シート付き軟質研磨パッド
１ａ  内周溝
２  研磨パッド支持体
２ａ  逃げ空間
２ｂ  パッド支持板
３  研磨薬液供給ノズル
４  ウエハエッジ
４ａ  ベベル上面
４ｂ  ベベル端面
４ｃ  ベベル下面
４ｄ  ウエハデバイス領域
４ｅ  ウエハエッジ領域
５  軟質シート
５ａ  流体封止用空洞
【図１】
2007005515.tif 000003
【図２】
2007005515.tif 000004
【図３】
2007005515.tif 000005
【図４】
2007005515.tif 000006
【図５】
2007005515.tif 000007
【図６】
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【図７】
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