(57)【要約】【課題】  前記回路基板上に実装した半導体装置を封止を膜厚を抑えるとともに、安価で確実に封止する半導体装置の実装構造、及びその実装方法を提供する。【解決手段】  回路基板１１上に半導体装置１２を実装する半導体装置１２の実装方法である。回路基板１１上に半導体装置１２を設け、半導体装置１２に設けられた第１導電部２５と回路基板１１に設けられた第２導電部２２とを配線１４により電気的に接続する。そして、半導体装置１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部にハンダ層１６を配設し、ハンダ層１６を配設した後、半導体装置１２とハンダ層１６との間に、半導体装置１２及び配線１４を覆うようにして、封止樹脂１５の前駆体液１５ａを配設する。そして、前駆体液１５ａを硬化処理して封止樹脂１５とする。【選択図】        図３
2007067318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に半導体装置を実装する半導体装置の実装方法において、
前記回路基板上に前記半導体装置を設ける工程と、
前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを配線により電気的に接続する工程と、
前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部にハンダ層を配設する工程と、
該ハンダ層を配設した後、前記半導体装置と前記ハンダ層との間に、前記半導体装置及び前記配線を覆うようにして、封止樹脂の前駆体液を配設する工程と、
該前駆体液を硬化処理して封止樹脂とする工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記配線接続は、ワイヤーボンディングによって行われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記ハンダ層を前記回路基板上に設けられたランド上に設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
前記半導体装置が平面視した形状が角形である場合には、
前記半導体装置の各辺のそれぞれに対応する回路基板上に前記ランドを配置するようにしていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項５】
前記ランドを、半導体装置の各辺の中心部に対応する回路基板上に配置することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項６】
前記ランドが前記半導体装置の周辺を環状に覆った状態とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項７】
回路基板上に半導体装置が実装されてなる半導体装置の実装構造において、
前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを電気的に接続する配線と、
前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に設けられたハンダ層と、
前記半導体装置及び前記配線を覆い、かつ前記半導体装置と前記ハンダ層との間に設けられた封止樹脂と、を備えていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装構造、及び半導体装置の実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体チップを回路基板上に実装するＣＯＢ（Chip On Board）技術においては、ワイヤボンディングと呼ばれる手法を用いて半導体チップの上面に設けられた端子と回路基板上の端子とを電気的に配線接続する技術が一般的になっている。
前記半導体チップ及び前記配線による接続部は、絶縁性を備えた封止樹脂によって封止された構造となっている。そして、前記封止樹脂により封止された半導体チップの周辺には、他の部品が実装されている。
【０００３】
ところで、近年、半導体装置の実装構造の小型化が望まれており、そのためには回路基板上に実装される他の部品を半導体チップの直近に配置することが好ましい。そこで、硬化処理前の前駆体液の状態で粘度の高い樹脂材料を用いることで拡がりを抑えて、硬化処理後の、半導体チップの実装構造の小型化を図ることが考えられる。
しかしながら、粘度の高い樹脂材料によって半導体チップを覆うと、半導体チップを覆う樹脂の膜厚が必要以上に大きくなってしまい、結果として実装構造が大型化してしまう。
一方、膜厚を抑えるために粘度の低い樹脂材料を用いると、樹脂材料が回路基板上で拡がり、半導体チップ又は配線が露出することで絶縁性を低下させるおそれがある。
【０００４】
そこで、回路基板上に別部材として、例えばダム片、又はダムシルクを形成し、この別部材によって樹脂材料の拡がりを抑えることで、粘度の低い樹脂材料を用いて半導体チップを封止することを可能とし、封止部分の膜厚を押さえることで実装構造の小型化を図る技術がある（例えば、特許文献１，２）。
【特許文献１】特開平６−２１１１５号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１，２に記載の技術は、回路基板上にダム片やダムシルク等の別部材を設ける工程が別途必要となるため、半導体装置のコストが高くなってしまうといった問題がある。
また、回路基板に直接ザグリ（穴）を設け、ザグリにより回路基板に生じた凹部に半導体チップを実装し、半導体チップ（半導体装置）を封止する際に低粘度の樹脂材料を用いた際の樹脂材料の拡がりを前記凹部によって防止する方法が考えられる。しかしながら、同様に、回路基板にザグリを設ける工程が必要となることから、半導体チップを実装する際のコストが高くなるという、改善すべき課題がある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、前記回路基板上に実装した半導体装置を封止を膜厚を抑えるとともに、安価で確実に封止する半導体装置の実装構造、及びその実装方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実装方法は、回路基板上に半導体装置を実装する半導体装置の実装方法において、前記回路基板上に前記半導体装置を設ける工程と、前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを配線により電気的に接続する工程と、前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部にハンダ層を配設する工程と、該ハンダ層を配設した後、前記半導体装置と前記ハンダ層との間に、前記半導体装置及び前記配線を覆うようにして、封止樹脂の前駆体液を配設する工程と、該前駆体液を硬化処理して封止樹脂とする工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体装置の実装方法によれば、半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部にハンダ層を配設しているので、半導体装置とハンダ層との間に配設された封止樹脂の前駆体液は、前記ハンダ層によって機械的に堰き止められる。さらに、前記前駆体液がハンダ層との接触面に引き付けられることで、前駆体液が回路基板上で拡がるのを防止する。すなわち、前記ハンダ層が前駆体液を堰きとめるダム構造として機能するようになる。
よって、前記半導体装置を、例えば粘度の低い前駆体液によって覆う場合にも、ハンダ層により前駆体液の拡がりを防止できるので、半導体装置を封止する封止樹脂の膜厚を抑えることができる。
また、半導体装置を実装する際に、例えば回路基板に形成された配線パターンにおいてハンダ付けを行う必要があれば、該ハンダ付け工程と同一の工程により回路基板上にハンダ層を設けることができるので、封止樹脂の前駆体液の拡がりを防止する別部材を設ける必要が無くなる。したがって、回路基板上に実装された半導体装置を安価で確実に封止する実装構造を提供できる。
【０００９】
また、上記半導体装置の実装方法においては、前記配線接続は、ワイヤーボンディングによって行われているのが好ましい。
このようにすれば、半導体装置の上面と回路基板の上面との間に段差が生じているが、ワイヤーボンディングを用いることで、段差を介した配線接続を良好に行うことができる。
【００１０】
また、上記半導体装置の実装方法においては、前記ハンダ層を前記回路基板上に設けられたランド上に設けるのが好ましい。
このように、回路基板上にランドを有することで、該ランド上にハンダ層を良好に形成することができる。
【００１１】
また、上記半導体装置の実装方法においては、前記半導体装置が平面視した形状が角形である場合には、前記半導体装置の各辺のそれぞれに対応する回路基板上に前記ランドを配置するようにしているのが好ましい。
ここで、半導体装置上に設けられた前駆体液は、各辺から回路基板上に拡がるようになる。そこで、本構成では、前記各辺に対応する回路基板上にそれぞれランドを配置し、該ランド上にハンダ層を設けるので、前記前駆体液の拡がりを各辺に対応して設けられたハンダ層によって防止できる。
【００１２】
さらに、前記ランドを、半導体装置の各辺の中心部に対応する回路基板上に配置するのが好ましい。
ここで、平面視した形状が角形の半導体装置上に設けられた前駆体液は、特に各辺の中央部から回路基板上に拡がりやすくなる。そこで、本構成では、前記各辺の中央部に対応する回路基板上にランドを配置し、該ランド上にハンダ層を設けることで、前記前駆体液の拡がりをより良好に防止することができる。
【００１３】
また、上記半導体装置の実装方法においては、前記ランドが前記半導体装置の周辺を環状に覆った状態とするのが好ましい。
【００１４】
このようにすれば、前記半導体装置の周辺を環状のランドが覆っているので、該ランド上に設けられたハンダ層により囲まれる領域内に、封止樹脂の前駆体液の拡がりを規制することができる。したがって、前記前駆体液を硬化処理することで、半導体装置を封止樹脂により確実に封止できる。
【００１５】
本発明の半導体装置の実装構造は、回路基板上に半導体装置が実装されてなる半導体装置の実装構造において、前記半導体装置に設けられた第１導電部と前記回路基板に設けられた第２導電部とを電気的に接続する配線と、前記半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部に設けられたハンダ層と、前記半導体装置及び前記配線を覆い、かつ前記半導体装置と前記ハンダ層との間に設けられた封止樹脂と、を備えていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置の実装構造によれば、半導体装置の周辺部となる回路基板上の少なくとも一部にハンダ層を配設しているので、半導体装置とハンダ層との間に配設された封止樹脂の前駆体液は、前記ハンダ層によって機械的に堰き止められるので、前記ハンダ層は封止樹脂の前駆体液を堰きとめるダム構造として機能するようになっている。
よって、前記半導体装置を、例えば粘度の低い前駆体液によって覆う際には、ハンダ層が前駆体液の拡がりを防止するので、半導体装置を封止する封止樹脂はその膜厚が抑えられたものとなっている。
また、例えば回路基板上に他の半導体部品を実装する際に行われるハンダ接合を利用することで回路基板上にハンダ層を設ければ、該ハンダ層を封止樹脂の前駆体液の拡がりを防止する部材として利用できる。よって、前駆体液の拡がりを防止するための別部材を別途設ける工程を不要とすることができる。したがって、半導体装置を安価で確実に封止した実装構造となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実装構造、及び実装方法における一実施形態について図面を参照し説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の実装構造を示す図であって、図２のＡ−Ａ線矢視による側断面図である。図２は、前記実装構造を説明する平面図である。
ここで、半導体装置の実装構造１０とは、図１に示すように、回路基板１１、該回路基板１１上に搭載される半導体チップ（半導体装置）１２、該半導体チップ１２と前記回路基板１１とを電気的に接続する配線１４、及び前記半導体チップ１２と前記配線１４を封止する樹脂等を含んで構成されるものである。
【００１９】
すなわち、前記回路基板１１には、後述する本発明の半導体装置の実装方法によって半導体チップ１２が実装されている。なお、本実施形態では、前記半導体チップ１２は平面視した形状が角形（具体的には、四角形）となっている。
前記回路基板１１は、基体が樹脂やセラミックなどの絶縁材から構成されたもので、図示されない配線パターンが形成されている。ここで、前記配線パターンは、半導体チップ１２の搭載面１１ａに形成される露出部としての端子（第２導電部）２２、及びランド１７を含んで構成されたものである。
【００２０】
なお、本実施形態におけるランド１７は配線パターンに電気的に接続されていない、ダミーのランドである。そして、このランド１７上には後述する実装方法によりハンダ層１６が設けられている。このように、回路基板１１がランド１７を有することで、該ランド１７上にハンダ層１６が良好に形成されたものとなっている。このハンダ層１６は、後述するように封止樹脂１５における前駆体液の拡がりを防止するものである。
ここで、このハンダ層１６は、後述するように半導体チップ１２、又は他の半導体装置（半導体部品）等を回路基板１１上にハンダ接合によって実装する場合に、このハンダ接合工程を利用することでランド１７上に設けられたものである。
【００２１】
また、回路基板１１は、多層基板（両面基板を含む。）であってもよい。この場合、多層基板は、多層（２層以上）の導体パターンを含む。また、配線パターンは、回路基板１１に内蔵される導体パターンを含んでもよいし、部品内蔵型回路基板でもよい。詳しくは、回路基板１１の内部で、抵抗器、キャパシタ、インダクタ等の受動部品又は集積回路部品等の能動部品が導体パターンに電気的に接続されていてもよい。あるいは、導体パターンの一部を高抵抗値の材料で形成することで、抵抗器を形成してもよい。また、回路基板１１は、搭載する半導体チップ１２に比べて大きい別のチップであってもよい。
【００２２】
前記半導体チップ１２には、例えば集積回路が形成されている。ここで、半導体チップ１２における、回路基板１１に対向配置される側の面を裏面１２ａとし、該裏面１２ａの反対側の面を能動面１２ｂとする。
【００２３】
半導体チップ１２の裏面１２ａは、図示しない集積回路と電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。裏面１２ａには、パッシベーション膜（電気的絶縁膜）が形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。裏面１２ａは、半導体（あるいは導体）で形成されていてもよい。
【００２４】
また、半導体チップ１２の裏面１２ａと回路基板１１との間には、接着層２４が介在している。接着層２４は、例えば接着剤からなる。接着層２４が導電性を有していれば、回路基板１１の端子２２と半導体チップ１２の裏面１２ａとを電気的に接続することができる。また、接着層２４が電気的絶縁性を有していれば、回路基板１１の端子２２と半導体チップ１２の裏面１２ａとを電気的に絶縁することができる。
そして、半導体チップ１２の能動面１２ｂには、複数の端子（第１導電部）２５が形成されている。複数の端子２５は、能動面１２ｂの周縁部（端部）に形成されていてもよい。
【００２５】
なお、能動面１２ｂに、少なくとも１層からなる図示しない電気的絶縁膜であるパッシベーション膜が形成されていてもよい。パッシベーション膜は、樹脂でない材料（例えばＳｉＯ２又はＳｉＮ）のみで形成してもよいし、その上に樹脂（例えばポリイミド樹脂）からなる膜をさらに含んでもよい。この場合、パッシベーション膜には、複数の端子２５の少なくとも一部（例えば中央部）を露出させる開口が形成されている。
【００２６】
そして、前記半導体チップ１２の能動面１２ｂ側に設けられた前記端子２５と、前記回路基板１１上に設けられた端子２２とが配線により電気的に接続されている。本実施形態では、ワイヤーボンディング技術によって、金属ワイヤー（配線）１４を用いることで接続している。ここで、半導体チップ１２の上面（能動面１２ｂ）と回路基板１１の上面に設けられた端子２２との間に段差が生じているが、ワイヤーボンディングを用いることで、段差を介した配線接続が良好に行われている。
【００２７】
図２に示すように、前記半導体チップ１２の周辺部となる回路基板１１上の少なくとも一部には、前記ランド１７及び該ランド１７上に設けられたハンダ層１６が配置されている。
また、前記半導体チップ１２と前記ハンダ層１６との間には、封止樹脂１５が設けられていて、この封止樹脂１５は半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を覆っている。
ここで、本実施形態では、前記封止樹脂１５の前駆体液として、粘度の低いものを用いた。したがって、前駆体液が硬化するまでに回路基板１１１上で拡がってしまい、前記半導体チップ１２及び前記金属ワイヤー１４を露出させ、短絡が生じるおそれが考えられる。
そこで、本実施形態の実装構造１０を採用することにより、回路基板１１上に設けられているハンダ層１６によって封止樹脂１５の前駆体液の拡がりを防止している。そして、この前駆体液を硬化することで、封止樹脂１５によって半導体チップ１２を良好に覆った状態となっている。
【００２８】
具体的に、本実施形態では、平面視四角形の形状の半導体チップ４を回路基板１１上に実装していることから、前記ハンダ層１６を前記半導体チップ１２の四辺のそれぞれに対応する前記回路基板１１上の位置に配置している。ここで、対応する位置とは、半導体チップ１２上に設けられた前駆体液が回路基板１１上に拡がりやすい位置を意味しており、具体的には半導体チップ１２の各辺の中央部である。
【００２９】
上述したように、本実施形態における半導体チップ１２の実装構造１０によれば、半導体チップ１２の周辺部となる回路基板１１上にハンダ層１６を配設することで、半導体チップ１２とハンダ層１６との間に配設する封止樹脂１５の前駆体液をハンダ層１６によって機械的に堰き止めることができる。
また、前記半導体チップ１２を封止する樹脂として、前駆体の状態で粘度が低い封止樹脂樹脂１５を用いることができるので、半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を封止する樹脂の膜厚が抑えられたものとなる。
また、後述するように、半導体チップ１２を実装する工程上、例えば前記回路基板１１に形成された配線パターンにハンダを設ける工程が必要な場合、同一工程で前記ランド１７上にハンダ層１６を形成できる。よって、封止樹脂１５の拡がりを防止するための別部材を別途設ける必要がない。したがって、回路基板１１上に設けられた半導体チップ１２を安価で確実に封止した実装構造１０となる。
【００３０】
なお、本実施形態では、前記封止樹脂１５は半導体チップ１２の全面を覆った状態に設けているが、前記半導体チップ１２の端子２５と回路基板１１の端子２２と該端子２２，２５間を接続する金属ワイヤー１４とを少なくとも覆っていれば十分である。
また、前記端子２２，２５間を接続する配線としては、金属ワイヤー１４（ワイヤーボンディング）に限定されることはなく、例えば半導体チップ１２の能動面１２ｂから、側面を通って、回路基板１１の上面を通るように配線を引き回し、前記端子２２，２５間を接続するようにしてもよい。
【００３１】
（半導体装置の実装方法）
次に、本発明の半導体装置の実装方法の一実施形態として、上述した実装構造１０を例に挙げ、回路基板１１上に半導体チップ１２を実装する方法について説明する。図３は、前記回路基板１１上に半導体チップ１２を実装する工程を説明する図である。なお、図３（ａ）〜（ｄ）に示される工程図は、図２のＡ−Ａ線矢視による実装構造１０の側断面形状に対応するもので、後述するハンダ層１６が配置される位置は、図２における平面図に対応するものとなっている。
【００３２】
まず始めに、図３（ａ）に示すように、回路基板１１上に、平面視した形状が角形、具体的には四角形となる半導体チップ１２を搭載する。ここで、前記回路基板１１における半導体チップ１２が搭載される側の面上には、図示されない配線パターンが形成されている。この配線パターンは、上述したように前記端子２２、及びランド１７を含んでいる。
また、半導体チップ１２は、その裏面１２ａが回路基板１１に対向し、かつ能動面１２ｂが回路基板１１に対して非対向になるように搭載している（フェイスアップ搭載）。また、本実施形態では、接着層２４を、回路基板１１及び半導体チップ１２の間に介在させている。
【００３３】
このとき、前記半導体チップ１２の四辺のそれぞれに対応する位置に、後にハンダ層１６が設けられる前記ランド１７を配置する。
具体的には、回路基板１１上に搭載した半導体チップ１２の形状が平面視角形（本実施形態では、四角形）となっているので、前記半導体チップ１２の四辺のそれぞれに対応する回路基板１１上にランド１７を配置している。
【００３４】
つまり、後述する工程により、半導体チップ１２上に封止樹脂１５の前駆体液が塗布された際に、前駆体液が拡がりやすい回路基板１１上の位置に、後にハンダ層１６を形成するランド１７を配置しているのである。
本実施形態では、図２に示したように、半導体チップ１２上に設けられた前駆体液が拡がりやすい位置、すなわち半導体チップ１２の四辺のそれぞれ中央部に対応する回路基板１１上に前記ランド１７を配置した。よって、前記ランド１７上に後の工程で設けられるハンダ層１６が、前記封止樹脂１５の前駆体液の拡がりを防止するようになる。
【００３５】
続いて、図３（ｂ）に示すように、前記半導体チップ１２に設けられた端子（第１導電部）２５と前記回路基板１１に設けられた端子（第２導電部）２２とを、ワイヤーボンディング技術を用いて、金属ワイヤー（配線）１４によって電気的に接続する。よって、半導体チップ１２の端子２５と回路基板１１の端子２２とが金属ワイヤー１４によって電気的に接続され、回路基板１１上に半導体チップ１２が実装される。なお、上述したように、前記端子２２，２５間を配線接続する方法としてはワイヤーボンディングに限られず、例えばスパッタ法を用いることで、半導体チップ１２の能動面１２ｂから側面を通って、回路基板１１の上面を通る配線を引き回し、前記端子２２，２５間を接続するようにしてもよい。
【００３６】
ここで、本実施形態では、前記半導体チップ１２を実装する工程において、図示されない回路基板１１上にハンダ接合により他の半導体装置を実装する工程を行う。このとき、回路基板１１で行われるハンダ接合を利用することで、図３（ｃ）に示すように前記半導体チップ１２の周辺部となる回路基板１１上に配置されたランド１７上にハンダ層１６を形成している。このように、回路基板１１上に他の半導体装置を実装する際のハンダ接合を利用して前駆体液１５ａの拡がりを防止するハンダ層１６を形成することで、前駆体液１５ａの拡がりを防止するための別部材を回路基板１１に別途設ける工程を不要にしている。
【００３７】
前記回路基板１１上の所定の位置に、前記ランド１７及び該ランド１７上に設けられたハンダ層１６を形成した後、図３（ｄ）に示すように、半導体チップ１２及び前記ハンダ層１６との間に、前記金属ワイヤー１４、及びこの金属ワイヤー１４と前記端子２２，２５との接続部分を覆うようにして、封止樹脂１５における後述する硬化処理前の前駆体である前駆体液１５ａを配置する。具体的には、前記金属ワイヤー１４及び半導体チップ１２の全面を覆うように前駆体液１５ａを塗布している。
【００３８】
このとき、前記半導体チップ１２上に設けられた前駆体液１５ａが拡がりやすい回路基板１１上の位置（各辺の中央部）に上述したようにハンダ層１６が設けられているので、回路基板１１上に拡がり始めた前駆体液１５ａは、やがて前記ハンダ層１６に接触して機械的に堰き止られる。また、前記前駆体液１５ａは、回路基板１１上に設けられたハンダ層１６との接触面で張り付いた状態となる。このようにして、前駆体液１５ａは、前記半導体チップ１２及び前記金属ワイヤー１４等を良好に覆った状態に設けられる。
【００３９】
その後、前記前駆体液１５ａを硬化処理する。このとき、例えば前駆体液１５ａが熱硬化性を有する場合には、加熱することで回路基板１１上に実装された半導体チップ１２を封止する封止樹脂１５とすることができる。この封止樹脂１５は、粘度の低い前駆体液１５ａを硬化することで形成しているので、その膜厚が薄いものとなっている。このように膜厚が薄いと塗布した際に回路基板１１上で拡がってしまい、半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を露出するおそれがあるが、本実装方法では上述したように前記ハンダ層１６により前駆体液１５ａの拡がりを防止しているので、前記半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を確実に封止することができる。以上の工程により、前記実装構造１０を製造することができる。
【００４０】
上述した半導体チップ１２の実装方法によれば、半導体チップ１２の周辺部のうち、特に前駆体液１５ａが拡がりやすい回路基板１１上にハンダ層１６を配設しているので、半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を覆うようにして設けた封止樹脂１５の前駆体液１５ａを前記ハンダ層１６によって機械的に堰き止めることで、回路基板１１上での前駆体液１５ａの拡がりを防止できる。すなわち、前記ハンダ層１６が前駆体液１５ａを堰きとめるダム構造として機能させることができる。
よって、粘度の低い前駆体液１５ａを用いた場合にも、前記ハンダ層１６が前駆体液１５ａの拡がりを防止できる。よって、回路基板１１上に半導体チップ１２を実装した際の封止樹脂による厚みを抑えて、小型な実装構造１０を提供できる。
【００４１】
また、回路基板１１上に他の半導体装置を実装する際のハンダ接合の工程とともに、前記ランド１７上に形成したハンダ層１６を前駆体液１５ａの拡がりを防止するダム構造として利用できる。よって、低粘度の前駆体液の拡がりを防止するために、回路基板１１上に別部材を設ける必要を無くすことができる。したがって、回路基板１１上に設けられた半導体チップ１２を安価で確実に封止した実装構造１０を提供することができる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では半導体チップ１２の各辺のそれぞれに対応する回路基板１１上にのみランド１７を配置し、該ランド１７上にハンダ層１６を設けていたが、環状に形成されたランドを前記半導体チップ１２の周辺を環状に覆うように前記回路基板１１上に前記ランドを設けて、このランド上にハンダ層１６を形成するようにしてもよい。このようにハンダ層１６が前記半導体チップ１２の周辺を環状に覆った状態に配設することで、前記ハンダ層１６によって囲まれる領域内にのみ前記前駆体液１５ａの拡がりを規制することで、該前駆体液１５ａを硬化した封止樹脂１５により半導体チップ１２及び金属ワイヤー１４を確実に封止できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】半導体装置の実装構造を含む半導体装置を示す側断面図である。
【図２】半導体装置の平面図を示す図ある。
【図３】回路基板上に半導体チップを実装する方法を示す工程説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…実装構造、１１…回路基板、１２…半導体チップ（半導体チップ）、１４…金属ワイヤー（配線）、１５…封止樹脂、１５ａ…前駆体液、１６…ハンダ層、１７…ランド、２２…端子（第２導電部）、２５…端子（第１導電部）
【図１】
2007067318.tif 000003
【図２】
2007067318.tif 000004
【図３】
2007067318.tif 000005