(57)【要約】【課題】    動作電流が低減され、高次横モードが抑制された半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】    基板と、前記基板上に設けられた第１導電型を有する第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第２導電型を有するオーバーフロー防止層と、前記オーバーフロー防止層上に設けられた第２導電型を有する第２クラッド層と、を備え、前記第２クラッド層はリッジ部と非リッジ部とを有し、前記リッジ部に隣接する非リッジ部は厚みが０．１マイクロメータ以下の領域を含み、前記非リッジ部の上面と前記リッジ部の側面には、絶縁膜と前記活性層からの放射光に対する光吸収膜とが設けられていることを特徴とした半導体レーザ装置が提供される。【選択図】    図１
2007005720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた第１導電型を有する第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第２導電型を有するオーバーフロー防止層と、  
前記オーバーフロー防止層上に設けられた第２導電型を有する第２クラッド層と、
を備え、
前記第２クラッド層はリッジ部と非リッジ部とを有し、前記リッジ部に隣接する非リッジ部は厚みが０．１マイクロメータ以下の領域を含み、
前記非リッジ部の上面と前記リッジ部の側面には、絶縁膜と前記活性層からの放射光に対する光吸収膜とが設けられていることを特徴とした半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦０．６）層とＧａＮ層とを積層させた超格子、またはＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．３）層により構成され、
前記活性層は、ＩｎＺＧａ１−ＺＮ／ＩｎＷＧａ１−ＷＮ多重量子井戸構造（０．０５≦ｚ≦１．０、０≦ｗ≦１、ｚ＞ｗ）を有し、
前記オーバーフロー防止層は、ＡｌｔＧａ１−ｔＮ（ｔ＞ｘ、かつｔ＞ｙ）層からなることを特徴とした請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記光吸収膜は、シリコンを含むことを特徴とした請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び酸化ジルコニウムのいずれかを含むことを特徴とした請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記基板は、ＧａＮからなることを特徴とした請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、リッジ導波路を有する半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）は、ハイビジョン映像の長時間記録や、コンピュータ用大容量記録のために、開発が進んでいる。従来のＤＶＤの４倍以上の記録容量を得るために、半導体レーザ装置の波長は、６５０ナノメータではなく、４００ナノメータ帯の短波長化が必要である。このために、窒化ガリウム系材料が用いられる。
【０００３】
このような、高密度光ディスクを実現するために、いわゆるリッジ導波路型半導体レーザ装置が用いられる。この構造は、ダブルへテロ接合上に設けられるクラッド層に、ストライプまたはテーパなどのリッジ部を形成し、水平横モードを制御するものであり、屈折率導波構造と呼ばれる。
【０００４】
サファイヤ基板上などに成長される窒化ガリウム系膜は、ＩｎＡｌＧａＰ系膜と比較すると、格子不整合や結晶欠陥を生じやすく積層膜に湾曲部を生じることもあり、リッジ部形状の制御は不十分であった。この結果、高次横方向モードが発生しやすく、出力特性におけるキンク発生が半導体レーザ装置の高出力への障害となっていた。
【０００５】
リッジ側面近傍に光吸収膜を設けて高次横方向モードを抑制する技術開示例があるが（特許文献１）、次世代ＤＶＤの書き換え用途に対しては、高出力特性および高次横モード抑制において不十分であった。
【特許文献１】特開２００２−３１４１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、動作電流が低減され、高次横モードが抑制された半導体レーザ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、
基板と、
前記基板上に設けられた第１導電型を有する第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第２導電型を有するオーバーフロー防止層と、  
前記オーバーフロー防止層上に設けられた第２導電型を有する第２クラッド層と、
を備え、
前記第２クラッド層はリッジ部と非リッジ部とを有し、前記リッジ部に隣接する非リッジ部は厚みが０．１マイクロメータ以下の領域を含み、
前記非リッジ部の上面と前記リッジ部の側面には、絶縁膜と前記活性層からの放射光に対する光吸収膜とが設けられていることを特徴とした半導体レーザ装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、動作電流が低減され、高次横モードが抑制されたリッジ導波路型半導体レーザ装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、発明の実施の形態につき説明する。  
図１は、本発明の第１の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。ｎ型ＧａＮ基板２０上に、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層２２（厚み０．５〜２．０マイクロメータ）、ｎ型ＧａＮ光ガイド層２４（厚み０．０１〜０．１マイクロメータ）、活性層２６が積層されている。
【００１０】
さらに、活性層２６の上には、ｐ＋型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎオーバーフロー防止層２８（厚み５〜２０ナノメータ）、ｐ型ＧａＮ光ガイド層（厚み０．０１〜０．１ナノメータ）、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３２（厚み０．５〜２．０マイクロメータ）、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層３４（厚み０．０２〜０．２マイクロメータ）が積層されている。
【００１１】
これらの半導体積層膜は、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deoisition）法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板２０上に、順次成長することができる。なお、ｎ型不純物としてはシリコンが、ｐ型不純物としてはマグネシウムが一般的に用いられる。
【００１２】
なお、本明細書において「窒化ガリウム系半導体」とは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において、組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。また、導電型を制御するために添加される各種の不純物のいずれかをさらに含むものも、「窒化ガリウム系半導体」に含まれるものとする。
【００１３】
図１に例示される構造は、リッジ導波路型とも呼ばれる屈折率導波構造に属する。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２には、高さＨを有する破線で表したリッジ部４２、厚みＪの破線で表した非リッジ部４０が形成されている。後に詳述するように、書き換え用途の光ディスクにおいて要求される高出力半導体レーザ装置においては、光出力−動作電流特性におけるキンク発生を抑制する必要がある。キンクは、主として、水平横モードに高次モードを生じるために生じるので、リッジ部４２の幅Ｗを、例えば１〜３マイクロメータの範囲で精度良く形成することが重要である。
【００１４】
また、閾値電流低減などのために良く用いられるオフアングル基板などに対して、例えばウェットエッチングを行うと、リッジ側面４４が左右非対称となり、かつ傾斜がゆるくなる。従って、リッジ部形成には、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いることが好ましい。
【００１５】
リッジ部４２の側面４４及び非リッジ部４０の上面には、絶縁膜／光吸収膜を被着する。活性層２６からの放射光に対して透明である絶縁膜３６としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２などを用いることができる。また、光吸収膜３８としては、シリコンを含む材料を用いることができる。本具体例においては、絶縁膜３６としてＳｉＯ２を、光吸収膜３８としてアモルファスシリコンを用いる。各層の厚みは０．００１〜０．３マイクロメータの範囲で選択できる。図１に例示される第１の具体例においては、ＳｉＯ２膜３６及びアモルファスシリコン膜３８は、各１層である。  
ここで、本願明細書における「光吸収膜」とは、４００ナノメータ以上８００ナノメータ以下の波長帯において、吸収係数が１×１０５ｍ−１以上であるものをいうものとする。
【００１６】
さらに、リッジ部４２の上部には、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層３４が設けられ、ｐ側電極５０とオーム性接触が形成されている。ｐ側電極としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕなどの単層、積層、または合金が用いられる。また、ｎ型ＧａＮ基板２０の裏面には、ｎ型電極が形成されている。ｎ型電極としては、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌなどの単層、積層、または合金が用いられる。
【００１７】
次に、積層構造の作用につき、より詳細に説明する。図２は、本具体例の半導体積層構造のバンド図である。ノンドープＧａＮ拡散防止層２７は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物が、高濃度であるｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８から、活性層２６へ拡散することを抑制する。
また、ｐ＋型オーバーフロー防止層２８は、ｎ型ＧａＮ基板２０側から注入された矢印で表す電子Ｑが、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層３２へ漏れることによる動作電流の不必要な増大を抑制する。
【００１８】
すなわち、ｐ＋型ＡｌｘＧａ１−ｘＮオーバーフロー防止層２８のアルミニウム組成比ｘを大きくすると、活性層２６とのバンドギャップ差が大きくなり、ｎ側から注入された電子Ｑが活性層２６からｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層３２へ漏れることを低減できる。さらに、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８のｐ型濃度を高くすることにより（例えば、１×１０２０ｃｍ−３）、活性層２６との伝導帯側へテロ障壁を大きくできるために、電子Ｑの漏れを一層低減できる。
【００１９】
一方、アルミニウム組成比を大とすると、一般に、格子定数は小となるので、格子不整合を生じるなど、結晶性を損なう方向となる。しかし、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８の厚みは、例えば５〜２０ナノメータと薄いので、結晶性の劣化の影響を最小限にとどめることができる。
【００２０】
次に、アルミニウム組成比を大とした場合の、ビーム特性につき説明する。アルミニウム組成比を大とすると、屈折率が小となるので、垂直（Ｙ軸）方向への光閉じ込めが強くなる。従って、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２のアルミニウム濃度を大きくしすぎると、垂直方向へのビーム広がり角（Θ⊥）が大となり、水平方向へのビーム広がり角（Θ‖）との比であるアスペクト比（Θ⊥／Θ‖）が大となる。光出力を有効に利用するには、アスペクト比は、１に近いほうが望ましい。したがって、大きすぎるアスペクト比の場合には、ビーム整形レンズやプリズムなどが必要となり光学系が複雑になるので、実用上好ましくない。本具体例においては、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２のアルミニウム組成比を、０．３以下とすることにより、アスペクト比を適正値とできる。
【００２１】
次に、積層構造の構成要素に関する補足説明をする。ｐ型クラッド層３２は、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（ｘ≦０．３）に限定されることなく、例えば、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ／ＧａＮペアが積層された超格子層であっても良い。アルミニウム組成比ｙは、０より大きく、０．６以下であることが望ましい。超格子層にすると、格子不整合などによるストレスが緩和され（すなわちクラック防止などに効果がある）、また、動作電圧を低減できる。例えば、幅２．５ナノメータのＧａＮと幅２．５ナノメータのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎを交互に２００組積層することにより、厚み１マイクロメータのクラッド層が実現できる。
【００２２】
同様に、ｎ型クラッド層２２は、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ層に限定されることなく、ＡｌｚＧａ１−ｚＮ／ＧａＮペアが積層された超格子層であっても良い。アルミニウム組成比ｚは、０より大きく０．３以下であることが好ましい。超格子の効果はｐ型クラッド層と同様である。
【００２３】
さらに、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＩｎｙＧａ１−ｙＮからなる活性層２６に関しては、単一または多重量子井戸活性層（Multiple Quantum Well）であっても良い。この場合、井戸層におけるインジウム組成比ｘが０．０５以上で１．０以下、障壁層におけるインジウム組成比ｙが０以上で１．０以下、かつｘ＞ｙの範囲内で選択することができる。例えば、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ構造とし、井戸層厚み２〜５ナノメータ、井戸数２〜４、障壁層厚み３〜１０ナノメータとすることができる。活性層の組成及びプロファイルを変えることにより、閾値電流、ＦＦＰ、温度特性などを調整できる。さらに、ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８におけるアルミニウム組成比は、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２におけるアルミニウム組成比より高くすることにより、オーバーフロー防止効果を高めることが望ましい。
【００２４】
上記リッジ導波路構造において、リッジ部４２の底面の幅Ｗは、例えば１〜３マイクロメータとすると、基本水平横モード６０に対しては、光閉じ込め効果がある。一方、高次水平横モードに対しては、光閉じ込め効果が不十分である。例えば、１次水平横モード６２が、基本水平横モード６０をはさんで両側に発生しうる。これらは、特に高出力時に発生しやすく、光出力−動作電流特性におけるキンク、すなわち「折れ曲がり」として現れる。光ディスクの書き換えにおいては、消去、記録、再生で照射パワーを変えなければならない。従って、「折れ曲がり」の多い半導体レーザ装置では、精度の高い照射パワーの制御が困難となる。
【００２５】
本具体例においては、非リッジ部４０の厚みＪを０．１マイクロメータメータ以下とすることにより、１次水平横モード６２を光吸収膜３８において減衰させることができる。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層２８は、アルミニウム組成比が０．２と高いので、屈折率が低い（約２．４３９）。このために、水平横モードはｎ型ＧａＮ光ガイド層２４側にずれるので、非リッジ部４０の厚みＪを０．１マイクロメータ以下にする。この結果、１次水平横モード６２は、光吸収層３８と接触するので、光軸に沿うビームが減衰され、光出力−動作電流特性におけるキンクを抑制できる。２次以上の水平横モードに対しても、光吸収膜３８は効果を発揮する。なお、アモルファスシリコンの吸収係数は、４００ナノメータの波長において、約１．００×１０８ｍ−１である。
【００２６】
また、非リッジ部４０の厚みＪを薄くすると、高次水平横モードを低減できるほかに動作電流が低減できることを以下に説明する。すなわち、本具体例において、非リッジ部４０の厚みＪを０．０２、０．１、０．１４μｍとしてシミュレーションを行った。
【００２７】
また、シミュレーションにおける他の構成要素の主要諸元を以下に示す。ｎ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層２２の厚みは１．５マイクロメータ、Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ下側障壁層の厚みは０．０４マイクロメータ、Ｉｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ井戸層の厚みは３ナノメータ（３層）、井戸層間のＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層の厚み１０ナノメータ（２層）、Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ上側障壁層の厚みは０．０４マイクロメータである。さらにＧａＮ拡散防止層の厚みは０．０５ナノメータ、ｐ＋型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎオーバーフロー防止層２８の厚みは０．０１マイクロメータ、ｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層３２の厚みは０．６マイクロメータ、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層３４の厚みは０．１マイクロメータとした。なお、リッジ幅は２．１マイクロメータとした。非リッジ部４０の上面及びリッジ部４２の側面４４には、ＳｉＯ２が０．０２マイクロメータ、およびアモルファスシリコンが０．４マイクロメータ、それぞれ被着されている。
【００２８】
また、窒化ガリウム系半導体レーザ装置の光共振器を構成する前側へきかい面には反射率１０％の反射膜が、後側へきかい面には反射率９５％の反射膜が設けられており、前側へきかい面からの光出力が高められている。
【００２９】
図３は、周囲温度（Ｔａ）が８０℃における、光出力−動作電流特性のシミュレーション結果を表すグラフ図である。非リッジ部４０の厚みＪが、小さいほうがより動作電流を低減できることがわかる。このシミュレーション結果から、１００ｍＷ出力時動作電流の非リッジ部４０の厚みＪ依存性を求めて、図４に例示する。非リッジ部４０の厚みＪが０．１０マイクロメータ以下において、低動作電流が可能であるが、非リッジ部４０の厚みが０．１０マイクロメータ以上において動作電流が急激に上昇している。従って、非リッジ部４０の厚みＪは０．１マイクロメータ以下であることが、高次横モード抑制のためのみならず、動作電流低減のためにも好ましい。
【００３０】
図５は、Ｔａ＝８０℃におけるＣＷ光出力―動作電流特性測定値を表すグラフ図である。本具体例においては、非リッジ部４０の厚みＪが０．０２マイクロメータであり、比較例においては、非リッジ部４０の厚みＪを０．１４マイクロメータとした。本具体例においては、光吸収膜３８による高次水平横モード抑制および非リッジ部４０の厚みを小さくすることによる電流の低減を可能とした。この結果、Ｔａ＝８０℃、動作電流が約１４５ｍＡにおいて、１００ｍＷのＣＷ光出力が実現できている。
【００３１】
一方、比較例においては、非リッジ部４０の厚みＪが０．１４マイクロメータと厚いために活性層２６との距離が大きい。この結果、１次水平横モード６２を充分には減衰させることができずに、出力特性に「折れ曲がり」であるキンクＷが生じている。さらに、８０ｍＷのＣＷ光出力時の動作電流が約１９０ｍＡであり、本具体例よりも約７０ｍＡ大きい。この結果、次世代ＤＶＤ書き換え用途仕様を満たす高出力、低動作電流特性が得られなかった。
【００３２】
次世代ＤＶＤ用途に用いられる窒化ガリウム系半導体レーザ装置においては、波長帯６５０ナノメータの半導体レーザ装置と比較すると、自然発光成分が多い。従って、ディスクへの照射パワーが高くなる。例えば、再生時ＣＷ１０〜２０ｍＷ、消去時ＣＷ７０〜８０ｍＷ、書き込み時ＣＷ１００ｍＷ以上である。しかし、本具体例によりこれらが実現できる。
【００３３】
図６は、本具体例の第１変形例である。すなわち、絶縁膜３６と光吸収膜３８とは、交互に各２層設けられている。この結果、１次水平横モード６２の抑制がより容易となる。なお、光吸収膜３８を、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２に接して設けることも可能であるが、絶縁膜３６のほうが電気的絶縁性に優れている。
【００３４】
図７は、本具体例の第２の変形例である。リッジ部４２の側面４４の下部に、マイクロトレンチ部５４が設けられている。マイクロトレンチ部５４は、リッジ部４２を形成する際のＲＩＥプロセス条件の選択により形成できる。マイクロトレンチ５４の下端と、ｐ型光ガイド層３０上面との距離Ｋが、図１及び図６における非リッジ部４２の厚みＪと対応する。上記距離Ｋを０．１マイクロメータ以下とすることにより、動作電流の低減と、高次水平横モードの抑制が可能となる。
【００３５】
次に、窒化ガリウム系積層膜の結晶性につき説明する。窒化ガリウム系積層膜を構成するＡｌｘＧａ１−ｘＮ層やＩｎｙＧａ１−ｙＮ層は、それぞれに格子定数の違いが大きい。このために、結晶にクラックが入ったり、積層膜が湾曲することがある。特に、サファイヤ基板上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）などを用いて、積層膜を形成する場合には、バッファー層を設けるなどにより結晶性を改善する。本具体例においても、上記ＥＬＯＧを用いることも可能であるが、ＧａＮ基板２０上に積層膜を設けるほうが、より格子整合ができて、積層膜の湾曲やクラックを低減できる。この結果、非クラッド部４０の厚みを、例えば０．１マイクロメータ以下で精度よく形成することがより容易となる。
【００３６】
また、ｎ側電極５２をｎ型ＧａＮ基板２０の裏面に形成できるので、ＩｎＧａＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどを材料とした半導体レーザ装置と同様に、電極を上下に配置できる。この結果、組み立てプロセスが簡素化できて、信頼性が向上できる。
【００３７】
さらに、ＥＬＯＧ構造と異なり、電流経路がチップの上下であるために半導体積層膜の水平方向への電流が少なく、基板側における抵抗成分が小さい。この結果、動作電圧の低減が可能となる。
【００３８】
また、以上の具体例おいては、窒化ガリウム系半導体レーザ装置に関して説明を行った。しかし、本発明はこれに限定されることなく、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＰ系などの化合物半導体レーザ装置に適用できる。
【００３９】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態を説明した。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、リッジ部を導波路とする半導体レーザ装置を構成する各要素の、サイズ、材質、配置関係などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいては本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。
【図２】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置のバンド図である。
【図３】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の光出力−動作電流のシミュレーション結果を表すグラフ図である。
【図４】半導体レーザ装置における動作電流の非リッジ部厚み依存性をシミュレーションした結果を表わすグラフ図である。
【図５】本具体例のＣＷ光出力−動作電流特性測定値を比較例と対比して表したグラフ図である。
【図６】本具体例の第１変形例である半導体レーザ装置の模式断面図である。
【図７】本具体例の第２変形例である半導体レーザ装置の模式断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
２０  ｎ型ＧａＮ基板
２２  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
２４  ｎ型ＧａＮ光ガイド層
２６  活性層
２８  ｐ＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層
３０  ｐ型光ガイド層
３２  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
３４  ｐ＋型ＧａＮコンタクト層
３６  絶縁膜
３８  光吸収層
４０  非リッジ部
４２  リッジ部
４４  リッジ側面
５０  ｐ側電極
５２  ｎ側電極
５４  マイクロトレンチ部
６０  基本水平横モード
６２  一次水平横モード
【図１】
2007005720.tif 000003
【図２】
2007005720.tif 000004
【図３】
2007005720.tif 000005
【図４】
2007005720.tif 000006
【図５】
2007005720.tif 000007
【図６】
2007005720.tif 000008
【図７】
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