(57)【要約】【課題】ワイヤボンディングの接合不良を防止することができると共に、ダイボンディングのミスアライメントを防止することができ、かつ、ダイパッド部からの樹脂の剥離を防止できると共に、封止樹脂の気泡及び未充填の発生を防止することができ、半導体チップ搭載位置確認の外観検査が容易であるリードフレーム、半導体装置、および、電子機器を提供すること。【解決手段】ダイパット部２２における半導体チップ１２の載置部の外側に、溝１８を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード端子と、半導体チップが接合されるダイパット部とを備え、
上記ダイパット部における上記半導体チップが載置される部分の外側に、上記半導体チップと上記リード端子とのワイヤ接続の接合不良を抑制する接合不良抑制部を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１に記載のリードフレームにおいて、
上記接合不良抑制部は、溝であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
請求項１に記載のリードフレームにおいて、
上記接合不良抑制部は、孔であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
請求項３に記載のリードフレームにおいて、
上記孔は、上記ダイパット部を貫通していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
請求項２に記載のリードフレームにおいて、
上記半導体チップが載置される部分は、略矩形の形状を有し、
上記溝は、上記半導体チップが載置される部分の長手方向または幅方向に略延在していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
請求項４に記載のリードフレームにおいて、
上記孔の断面形状は、略矩形状であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
請求項４に記載のリードフレームにおいて、
上記孔の断面形状は、略円形状であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
請求項３に記載のリードフレームにおいて、
上記孔は、底面と、上記底面から突出する突起とを有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項９】
請求項８に記載のリードフレームにおいて、
上記突起は、略直方体形状であり、上記突起の頂面は、上記半導体チップが載置される部分の縁の一部と略平行であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項１０】
請求項１に記載のリードフレームにおいて、
上記ダイパッド部の上記接合不良抑制部を形成した半導体チップ搭載側において、上記接合不良抑制部を介して上記半導体チップが載置される側に対峙する部位に、クランプ装置が接触する部位を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項１１】
請求項１に記載のリードフレームと、
上記リードフレーム上に実装された半導体チップと、
上記半導体チップを封止すると共に、樹脂材料からなる樹脂部と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
リード端子と、ダイパット部とを備え、上記ダイパット部における半導体チップが載置される部分の外側に、上記半導体チップと上記リード端子とのワイヤ接続の接合不良を抑制する接合不良抑制部を有しているリードフレームの上記ダイパッド部に、半導体チップを接合する接合工程と、
上記リードフレームと上記半導体チップを、射出成型用金型の上金型と下金型で挟み込み、上記上金型と上記下金型との間に樹脂を注入して樹脂部を成型する樹脂部成形工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
上記ダイパッド部における上記接合不良抑制部の形成位置に基づいて、上記ダイパット部上における上記半導体チップの接合位置の位置決めを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、半導体装置、半導体装置の製造方法、および、電子機器に関する。本発明は、特に、リードフレーム上に光をやり取りする光半導体素子が透明樹脂で封止されている半導体装置、および、光センサや光ピックアップ装置等の光をやり取りする電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光センサや光ピックアップ装置に搭載する半導体装置（光半導体装置）としては、リードフレームに半導体チップ（光半導体チップ）を実装した後、それを樹脂（透明樹脂）により樹脂封止して樹脂成型したものが知られている。
【０００３】
図３は、第１の従来例の半導体装置を説明する概略図である。詳しくは、図３（Ａ）は、第１の従来例の半導体装置の平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【０００４】
図３（Ａ）,（Ｂ）に示すように、この半導体装置は、光半導体素子部１１５と、樹脂封止部１１６を備える。上記光半導体素子部１１５は、リードフレーム１１１に半導体チップ１１２を例えばＡｇペースト１１３などで接合した後、リードフレーム１１１の一部であるリード端子１１１ａと、半導体チップ１１２とを、例えば、Ａｕワイヤなどの内部配線１１４によって接続することにより、リード端子１１１ａと半導体チップ１１２とを電気的に接続することによって、組み立てられている。
【０００５】
上記光半導体素子部１１５を組み立てる際に使用したワイヤボンディングは、一般的の場合と同様、超音波ボンディングにより行なっている。超音波振動エネルギーができるだけ分散しないように、リードフレーム１１１を、ワイヤボンディングの最中クランプ装置１１７によって動かないように固定している。また、ワイヤボンディングの際、リードフレーム１１１のダイパッド部の裏面を図示しない真空引き装置により下方へ吸引し、ダイパッド部を吸着させて固定している。尚、リードフレーム１１１に、相互に分離される複数の半導体チップ１１２を実装することもできる。
【０００６】
上記樹脂封止部１１６は、透明樹脂から成り、半導体チップ１１２を封止する役割を果たしている。上記樹脂封止部１１６は、リードフレーム１１１と半導体チップ１１２とを図示しない射出成型用金型の上金型と下金型で挟み込み、透明樹脂を注入（射出）して透明樹脂を成型することにより形成されている。
【０００７】
上記従来の半導体装置では、上述のように、ワイヤボンディングの最中、リードフレームのダイパッド部の裏面を、図示しない真空引き装置により下方へ吸引しダイパッド部を吸着させて固定している。しかしながら、上記従来の半導体装置では、クランプ装置によるクランプ位置がダイパッド部から遠い場合や、真空引き装置によるダイパッド部の吸着時、ダイパッド部裏面に異物などが付着している場合、超音波振動エネルギーが分散してしまい、半導体チップのボンディングパッドにおけるワイヤボンディングの接合不良が発生するという問題がある。
【０００８】
また、半導体チップをリードフレームと接合させるＡｇペーストがダイパッド上に広がってしまい、Ａｇペーストとクランプ装置との接触が発生し、リードフレームの確実な固定ができず、ワイヤボンディングの接合不良が発生するという問題がある。
【０００９】
また、第２の従来例の半導体装置の平面図である図４（Ａ）および図４（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である図４（Ｂ）に示すように、クランプ装置２１７によって確実にダイパッド部を固定するために、ダイパッド部に十分なクランプ領域を設けた場合、リードフレームの平面領域が大きくなって、その平面領域部とモールド樹脂との界面が剥離し易くなるという問題がある。更に、半導体チップを搭載する時に搭載位置のアライメントが行いにくくなって、更に、できあがったもの良・不良が、外観検査確認で判定しがたいという問題がある。
【００１０】
また、上記リードフレームの平面領域が大きいことで、射出成型金型による成型時、樹脂の流れが悪くなり、気泡や未充填が発生することがある。このため、製造効率の悪化及び歩留りの低下が起こるという問題がある。
【特許文献１】特開平１０−３０３３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明の課題は、ワイヤボンディングの接合不良を防止することができると共に、ダイボンディングのミスアライメントを防止することができ、かつ、ダイパッド部の樹脂剥離を防止できると共に、封止樹脂の気泡及び未充填の発生を防止することができ、半導体チップ搭載位置確認の外観検査が容易であるリードフレーム、半導体装置、および、電子機器を提供することにある。また、本発明の課題は、製造効率を向上できて歩留りを向上ができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明のリードフレームは、
リード端子と、半導体チップが接合されるダイパット部とを備え、
上記ダイパット部における上記半導体チップが載置される部分の外側に、上記半導体チップと上記リード端子とのワイヤ接続の接合不良を抑制する接合不良抑制部を有していることを特徴としている。
【００１３】
本発明によれば、半導体チップとリード端子とのワイヤ接続の接合不良を抑制する接合不良抑制部を有するので、ワイヤボンディングの接合不良を防止することができ、この接合不良に起因するダイボンディングのミスアライメントを防止することができる。さらに、接合不良抑制部の構造を樹脂が固着し易い構造にすることによって、ダイパッド部の樹脂剥離を防止することができると共に、封止樹脂の気泡及び未充填の発生を防止することができて、歩留りを向上させることができる。また、接合不良抑制部の位置に基づいて、半導体チップ搭載位置を決定することができるので、外観検査効率を向上することができて、製造効率を向上させることができる。
【００１４】
また、一実施形態のリードフレームは、上記接合不良抑制部が、溝である。
【００１５】
上記実施形態によれば、上記溝により、Ａｇペースト等のペーストの流れ出しを上記溝でくいとめることができて、上記溝をダムとして機能させることができる。したがって、ペーストのはみ出しによるクランプ装置への影響を低減できて、ワイヤボンディング接合不良を防止することができる。
【００１６】
また、一実施形態のリードフレームは、接合不良抑制部が、孔である。
【００１７】
上記実施形態によれば、接合不良抑制部が、孔であるので、ペーストのはみ出しによるクランプ装置への影響をより確実に防止できて、ワイヤボンディング接合不良をより確実に防止できる。また、孔をダイボンディングの位置の目安として利用できるので、ミスアライメントを防止できる。また、ダイバッド部の平面領域を、縮小低減できるため、モールド樹脂との剥離をより確実に防止することができる。
【００１８】
また、一実施形態のリードフレームは、上記孔が、上記ダイパット部を貫通している。
【００１９】
上記実施形態によれば、ペーストのはみ出しによるクランプ装置への影響を更に低減できて、ワイヤボンディングの接合不良を更に確実に防止できる。また、ダイパッド部のフレーム面積を縮小できるため、ダイパット部とモールド樹脂との剥離をより確実に防止できるのは勿論のこと、モールド金型内でのモールド樹脂の流れを良くすることができて、リードフレーム上の樹脂部に気泡が発生したり、未充填の領域が発生することを防止できる。
【００２０】
また、一実施形態のリードフレームは、上記半導体チップが載置される部分は、略矩形の形状を有し、上記溝は、上記半導体チップが載置される部分の長手方向または幅方向に略延在している。
【００２１】
上記実施形態によれば、流れ出したペーストを一旦溝内に落としこむことができるので、ペーストのはみ出しによるクランプ装置への影響をより低減できて、ワイヤボンディング接合不良を防止することができる。また、ダイボンディングを行う際、溝の位置に基づいて半導体チップの接合位置を位置決めできるので、半導体チップのミスアライメントを防止できる。
【００２２】
また、一実施形態のリードフレームは、上記孔の断面形状が、略矩形状である。
【００２３】
上記実施形態によれば、孔の位置を、ダイボンディングの際の位置の目安とできるので、ミスアライメントをより確実に防止することができる。
【００２４】
また、一実施形態のリードフレームは、上記孔の断面形状が、略円形状である。
【００２５】
上記実施形態によれば、リードフレームの面積をより効率的に低減できることと、ダイパッド部の強度を問題がない水準にできることの両方を実現することができる。
【００２６】
また、一実施形態のリードフレームは、上記孔が、底面と、上記底面から突出する突起とを有している。
【００２７】
上記実施形態によれば、上記孔が、底面と、上記底面から突出する突起とを有しているので、ダイパッド部の平面領域を縮小できて、ダイパット部からモールド樹脂が剥離することをより確実に防止できる。
【００２８】
また、一実施形態のリードフレームは、上記突起が、略直方体形状であり、上記突起の頂面が、上記半導体チップが載置される部分の縁の一部と略平行である。
【００２９】
上記実施形態によれば、孔に流れ出たペーストを上記突起でせき止めることを強化できて、孔のダムとしての役割を強化することができるので、ペーストのはみ出しをより確実に防止できて、ワイヤボンディング接合不良をより確実に防止できる。
【００３０】
また、一実施形態のリードフレームは、上記ダイパッド部の上記接合不良抑制部を形成した半導体チップ搭載側において、上記接合不良抑制部を介して上記半導体チップが載置される側に対峙する部位に、クランプ装置が接触する部位を有している。
【００３１】
上記実施形態によれば、ダイパッド部をクランプ装置でクランプすることができて、より確実にワイヤボンディングを行うことができる。
【００３２】
また、本発明の半導体装置は、
本発明のリードフレームと、
上記リードフレーム上に実装された半導体チップと、
上記半導体チップを封止すると共に、樹脂材料からなる樹脂部と
を備えることを特徴としている。
【００３３】
本発明によれば、ワイヤボンディングの接合不良を防止できる。また、樹脂部がリードフレームから剥離しにくいことから、寿命を格段に長くすることができて、信頼性を格段に向上させることができる。
【００３４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、
リード端子と、ダイパット部とを備え、上記ダイパット部における半導体チップが載置される部分の外側に、上記半導体チップと上記リード端子とのワイヤ接続の接合不良を抑制する接合不良抑制部を有しているリードフレームの上記ダイパッド部に、半導体チップを接合する接合工程と、
上記リードフレームと上記半導体チップを、射出成型用金型の上金型と下金型で挟み込み、上記上金型と上記下金型との間に樹脂を注入して樹脂部を成型する樹脂部成形工程と
を備えることを特徴としている。
【００３５】
本発明によれば、安定かつトラブルの少ない工程で半導体装置を製造できて、製造歩留りを向上させることができる。また、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００３６】
また、一実施形態の半導体装置の製造方法は、上記ダイパッド部における上記接合不良抑制部の形成位置に基づいて、上記ダイパット部上における上記半導体チップの接合位置の位置決めを行う。
【００３７】
上記実施形態によれば、上記接合不良抑制部の形成位置に基づいて、上記ダイパット部上における上記半導体チップの接合位置の位置決めを行うので、ミスアライメントを防止できる。また、半導体チップの位置精度の要求が厳しい半導体装置において、半導体チップの搭載位置の良否を外観検査で容易に行うことができる。
【００３８】
また、本発明の電子機器は、本発明の半導体装置を備えることを特徴としている。
【００３９】
本発明の電子機器は、本発明の半導体装置を搭載しているので、信頼性が格段に向上し、寿命が長い。
【発明の効果】
【００４０】
本発明のリードフレームによれば、半導体チップのボンディングパッドにおけるワイヤボンディングの接合不良を防止することができ、ダイボンディングのミスアライメントを防止することができ、ダイパッド部の樹脂剥離を防止することができ、封止樹脂の気泡及び未充填の発生を防止することができる。
【００４１】
また、本発明の半導体装置によれば、ダイボンディング及びワイヤボンディングの安定生産ができて、リード剥離を防止できて、樹脂部中に気泡や未充填領域が発生することを抑制できる。したがって、歩留りを向上させることができる。また、半導体チップ搭載位置確認の外観検査効率を向上することができて、半導体装置の製造効率を向上させることができる。また、信頼性が高く、寿命が長い半導体装置を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明を図示の形態により詳細に説明する。
【００４３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態のリードフレーム１１を備えた樹脂封止前の半導体装置のパッケージ内部を示す図である。詳しくは、図１（Ａ）は、その半導体装置のパッケージ内部の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【００４４】
図１（Ａ）,（Ｂ）に示すように、リードフレーム１１は、半導体チップ１２を接合する表面略矩形形状のダイパッド部２２を有し、ダイパッド部２２における半導体チップ１２が載置されている部分の外側に接合不良抑制部の一例としての溝１８を有している。この溝１８は、半導体チップ１２の隣接する辺（ダイパッド部２２における半導体チップ１２が載置されている部分の隣接する縁）に対して略平行に延在している。詳しくは、溝１８は、断面矩形の半導体チップ１２の幅方向に略平行に延在しており、半導体チップ１２の長手方向の両端の隣接部に、上記長手方向に対向するように略左右対称に形成されている。上記溝１８は、断面略矩形状の半導体チップ１２の長手方向の辺の延在方向に間隔を置いて複数形成されている。また、図１（Ｂ）に示すように、上記接合不良抑制部を形成した半導体チップ搭載側において、ダイパッド部２２の溝１８（接合不良抑制部）を介して半導体チップ１２が載置される側に対峙する部位に、クランプ装置１７を接触させるクランプ装置接触部２０が形成されている。尚、クランプ装置接触部を、半導体チップが載置される部分かつ接合不良抑制部が形成されている部分以外のダイパッド部の部分に形成できることは言うまでもない。
【００４５】
上記リードフレーム１１に、次のように半導体チップ１２を搭載する。すなわち、リードフレーム１１のダイパッド部２２に半導体チップ１２を、例えばＡｇペースト１３などで接合し、さらに、リードフレーム１１の一部であるリード端子１１ａと、半導体チップ１２とを、例えばＡｕワイヤ等の内部配線１４によって電気接続する。このようにして、リードフレーム１１に半導体チップ１２を搭載し、リードフレーム１１、半導体チップ１２、および、Ａｇペースト１３を有する光半導体素子部１５を形成する。また、図示はしないが、この後、リードフレーム１１と半導体チップ１２を、射出成型用金型の上金型と下金型で挟み込み、その上金型とその下金型との間に樹脂を注入（射出）して、半導体チップ１２を封止するように樹脂部（図示しない）を形成する。このようにして、樹脂モールドを行うことによって、半導体装置を形成する。
【００４６】
上記実施形態のリードフレーム１１によれば、リードフレーム１１のダイパッド部２２における半導体チップ載置部の外側に、接合不良抑制部の一例としての溝１８が形成されているので、この溝１８で流れ出したＡｇペースト１３をせき止めることができて、溝１８にダムの役わりを果たさせることができて、クランプ装置１７にＡｇペースト１３が接触することを防止できる。したがって、クランプ装置１７で半導体チップ１２を確実にクランプすることができて、半導体チップ１２のボンディングパッドにおけるワイヤボンディングの接合不良を確実に防止できる。
【００４７】
また、上記実施形態のリードフレーム１１によれば、接合不良抑制部の一例としての溝１８をダイボンディング領域の位置決めラインとして使用できて、接合不良抑制部をチップ搭載時のアライメントとして使用できるので、半導体チップのミスアライメントを防止することができ、半導体チップ１２の位置精度を従来と比して格段に向上させることができる。このことから、半導体チップ搭載位置確認の外観検査効率を格段に向上させることができる。
【００４８】
また、上記実施形態のリードフレーム１１によれば、ダイパッド部２２の半導体チップ搭載部の外周部平面領域に形成された接合不良抑制部が、断面略矩形状の半導体チップ１２の一辺（長手方向に延在する辺）の延在方向に間隔を置いて複数形成された溝１８であるので、ダイパッド部２２において溝１８が形成されている領域周辺に、溝１８が形成されている部分と、溝１８が形成されていない部分とで構成される凹凸面を形成できる。したがって、この凹凸部の凹部にモールド樹脂（樹脂部）を侵入させることにより、モールド樹脂をこの凹凸部にしっかり固定できるので、ダイパット部２２とモールド樹脂との密着性を格段に向上させることができて、モールド樹脂との剥離を確実に防止することができる。
【００４９】
したがって、この実施形態のリードフレーム１１を用いて半導体装置を形成すると、モールド樹脂とダイパッド部２２との密着性が格段に向上した信頼性の高い半導体装置を形成できる。したがって、その半導体素子の製造効率を格段に向上させることができると共に、製造歩留りを格段に向上させることができる。また、半導体チップ１２と、リードフレーム１１との剥離を確実に防止できることから、パッケージ内部が見え易い透明樹脂、更には、樹脂封止部に鏡面からなる受光窓を備えている光のやり取りを行う半導体装置においても、従来と比して歩留りを格段に大きくすることができる。
【００５０】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態のリードフレーム３１を備えた樹脂封止前の半導体装置のパッケージ内部を示す図である。詳しくは、図２（Ａ）は、その半導体装置のパッケージ内部の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【００５１】
図２（Ａ）,（Ｂ）に示すように、リードフレーム３１は、半導体チップ３２を接合する断面略矩形形状のダイパッド部４２を有し、ダイパッド部４２における半導体チップ載置部の外側に接合不良抑制部の一例としての貫通孔３９を有している。この貫通孔３９は、断面略矩形状（断面四角形状）であり、半導体チップ３２の隣接する辺に対して略平行に延在している。詳しくは、上記貫通孔３９は、断面矩形の半導体チップ３２の幅方向に略平行に延在しており、半導体チップ３２の長手方向の両端の隣接部に、上記長手方向に対向するように略左右対称に、各端部に一つずつ形成されている。また、図１（Ｂ）に示すように、ダイパッド部４２における貫通孔３９の上記長手方向における半導体チップ３２載置側と反対側には、クランプ装置３７を接触させるクランプ装置接触部４０が形成されている。
【００５２】
上記リードフレーム３１に、次のように半導体チップ３２を搭載する。すなわち、リードフレーム３１のダイパッド部４２に半導体チップ３２を、例えばＡｇペースト３３などで接合し、さらに、リードフレーム３１の一部であるリード端子３１ａと、半導体チップ３２とを、例えばＡｕワイヤ等の内部配線３４によって電気接続する。このようにして、リードフレーム３１に半導体チップ３２を搭載し、リードフレーム３１、半導体チップ３２、および、Ａｇペースト３３を有する光半導体素子部３５を形成する。また、図示はしないが、この後、リードフレーム３１と半導体チップ３２を、射出成型用金型の上金型と下金型で挟み込み、上記上金型と上記下金型との間に樹脂を注入（射出）して、半導体チップ３２を封止するように樹脂部（図示しない）を形成する。このようにして、樹脂モールドを行うことによって、半導体装置を形成する。
【００５３】
上記第２実施形態のリードフレーム３１によれば、ダイパッド部４２における半導体チップ搭載部の外側に貫通孔３９が形成されているので、貫通孔３９で流れ出したＡｇペースト３３をせき止めることができて、貫通孔３９にダムの役わりを果たさせることができる。したがって、クランプ装置３７にＡｇペースト３３が接触することを確実に防止することができるので、半導体チップ１２をクランプ装置３７で確実にクランプすることができて、半導体チップ１２のボンディングパッドにおけるワイヤボンディングの接合不良を確実に防止することができる。
【００５４】
また、上記第２実施形態のリードフレーム３１によれば、接合不良抑制部が貫通孔３９であるので、Ａｇペースト３３の流れ出しを完全に断ち切ることができて、クランプ装置１７にＡｇペースト１３が接触することを略完全に防止できる。また、リードフレーム３１の面積を大幅に縮小できるので、モールド樹脂（樹脂部）との剥離をさらに防止できるのはもちろんのこと、樹脂の流れを良好にすることができて、成型された樹脂部内部に気泡や未充填の領域が発生することを防止できる。
【００５５】
また、上記第２実施形態のリードフレーム３１によれば、貫通孔３９を、ダイボンディング領域の位置決めラインとして利用できるので、半導体チップのミスアライメントを防止することができる。このことから、半導体チップ搭載位置確認の外観検査効率を向上させることができる。
【００５６】
また、上記第２実施形態のリードフレーム３１によれば、ダイパッド部４２の半導体チップ載置部の外側平面領域に貫通孔３９を形成することにより、ダイパッド部４２の貫通孔３９形成部の周辺に凹凸面を形成できるので、樹脂部との密着性を向上させることができて、樹脂部の剥離を防止することができる。
【００５７】
したがって、この実施形態のリードフレーム３１を用いて半導体装置を形成すると、モールド樹脂（樹脂部）とダイパッド部４２との密着性が格段に向上した信頼性の高い半導体装置を形成できる。したがって、その半導体素子の製造効率を格段に向上させることができると共に、製造歩留りを格段に向上させることができる。また、上述のように、半導体チップ４２と、リードフレーム３１との剥離を確実に防止できることから、パッケージ内部が見え易い透明樹脂、更には、樹脂封止部に鏡面からなる受光窓を備えている光のやり取りを行う半導体装置においても、従来と比して歩留りを格段に大きくすることができる。
【００５８】
尚、上記第２実施形態のリードフレーム３１では、ダイパット部４２における半導体チープ載置領域の外側に貫通孔３９を形成したが、この発明では、ダイパット部４２における半導体チープ載置領域の外側にリードフレームを貫通しない孔、すなわち、リードフレームを貫通しない深さを有する孔を形成しても良い。尚、リードフレームを貫通しない孔を形成した場合に、孔に、孔の底面から突出する突起を形成すると、接合不良抑制部としての孔に樹脂部をしっかり固定できて、リードフレームから樹脂部が剥離することを防止できる。ここで、この突起は、円柱形状や、円錐形状や、直方体形状等であるが、突起が直方体形状である場合、突起の頂面（天面）を半導体チップの隣接する辺に対して略平行に配置すると、樹脂部の剥離の防止に加えて、半導体チップのミスアライメントを確実に防止することができる。
【００５９】
また、上記第２実施形態のリードフレーム３１では、孔３９の断面形状が矩形状であったが、この発明では、孔の断面形状は、断面円形状、断面多角形状（断面矩形状を除く）等、断面矩形状以外の断面形状であっても良いことは言うまでもない。
【００６０】
また、上記第１および第２実施形態のリードフレーム３１では、断面矩形状の半導体チップ１２,３２の長手方向の両端の長手方向の隣接部に、接合不良抑制部１８,３９を形成したが、この発明では、断面矩形状の半導体チップの幅方向の両端の幅方向の隣接部に、溝や孔等の接合不良抑制部を形成しても良い。尚、半導体チップの断面形状は、矩形状に限らず、断面円形状等の断面矩形状以外の形状であっても良く、接合不良抑制部を、リードフレームのダイパット部における半導体チップの載置部の外側かつ周囲の少なくとも一部に形成すれば良いことは、言うまでもないことである。
【００６１】
尚、接合不良抑制部を有するこの発明のリードフレームを備えた半導体装置を、光センサ、光ピックアップ装置、デジタル音声レコーダ、ＤＶＤ装置、液晶表示装置の色調調整回路、音楽録音再生機器、映像装置、オーディオ機器、複写装置等の電子機器に搭載すると、その電子機器の性能を、格段に向上させることができると共に、その電子機器の寿命を長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態のリードフレームを備えた樹脂封止前の半導体装置のパッケージ内部を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、本発明の第２実施形態のリードフレームを備えた樹脂封止前の半導体装置のパッケージ内部を示す平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１の従来例の半導体装置の平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、第２の従来例の半導体装置の平面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＸ−Ｘ’線断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１１,３１  リードフレーム
１１ａ,３１ａ  リード端子
１２,３２  半導体チップ
１３,３３  Ａｇペースト
１４,３４  内部配線
１５,３５  光半導体素子部
１７,３７  クランプ装置
１８  溝
３９  貫通孔
【図１】
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【図２】
2007134659.tif 000004
【図３】
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【図４】
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