(57)【要約】      （修正有）【課題】薄膜トランジスター基板の配線形成に関する。Ａｌなどの抵抗の高い材料に替えてＡｇなどの配線抵抗の低い材料を用いる。しかし、Ａｇは蒸着が難しく、又蒸着されても後続のパターニング工程から配線の浮き上がり、又は剥離が誘発されやすい欠点を持っている。この欠点を解決して接着力が改善された低抵抗Ａｇの配線構造を提供する。【解決手段】下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜と、下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を含む配線構造とした。これにより配線不良による配線の信頼性の低下が防止できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜と、
前記下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜と、
を含むことを特徴とする配線構造。
【請求項２】
前記下部構造物及び下部膜の界面に前記銀（Ａｇ）酸化物が連続的または非連続的に位置することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
前記下部膜の厚さは、１０ないし２０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項４】
前記下部膜は、５ないし６０ａｔ％の酸素を含有することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項５】
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、銀（Ａｇ）酸化物を含む上部膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項６】
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、ＩＴＯ、非晶質ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｗ、Ｍｏ、ＭｏＮｂまたはＭｏＷを含む上部膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項７】
前記下部構造物は、絶縁基板、半導体層または絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項８】
下部構造物上に、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜を形成する段階と、
前記下部膜が形成されている下部構造物上に、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階と、
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、上部膜を形成する段階と、
配線を定義するフォトレジストパターンを蝕刻マスクとして用いて前記上部膜、銀（Ａｇ）導電膜及び下部膜をパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする配線形成方法。
【請求項９】
前記下部膜を形成する段階は、前記下部構造物と前記下部膜の界面に銀（Ａｇ）酸化物を連続的または非連続的に位置させる段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の配線形成方法。
【請求項１０】
前記下部膜を形成する段階は、酸素を含む雰囲気下で銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金をターゲットにしてスパッタリングする段階であることを特徴とする請求項８に記載の配線形成方法。
【請求項１１】
前記銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階は、前記下部膜を形成する段階に連続して酸素供給を中断し、インサイチュで進行される段階であることを特徴とする請求項１０に記載の配線形成方法。
【請求項１２】
前記上部膜は、銀（Ａｇ）酸化物を含むことを特徴とする請求項８に記載の配線形成方法。
【請求項１３】
前記上部膜を形成する段階は、前記銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階で酸素を供給しながらインサイチュで進行される段階であることを特徴とする請求項１２に記載の配線形成方法。
【請求項１４】
前記下部膜は、５ないし６０ａｔ％の酸素を含有することを特徴とする請求項８に記載の配線形成方法。
【請求項１５】
前記下部構造物は、絶縁基板、半導体層または絶縁膜であることを特徴とする請求項８に記載の配線形成方法。
【請求項１６】
縁基板上に形成されて第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板の上に前記ゲート配線と絶縁して形成されて、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレーン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に画素ごとに形成され、前記ドレーン電極と連結された画素電極を含むが、
前記ゲート配線及び／または前記データ配線は、下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜と、
前記下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板。
【請求項１７】
前記下部構造物と下部膜の界面に、銀（Ａｇ）酸化物が連続的または非連続的に位置することを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１８】
前記下部膜の厚さは、１０ないし２０００Åであることを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１９】
前記下部膜は、５ないし６０ａｔ％の酸素を含有することを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項２０】
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、銀（Ａｇ）酸化物を含む上部膜をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項２１】
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、ＩＴＯ、非晶質ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｗ、Ｍｏ、ＭｏＮｂまたはＭｏＷを含む上部膜をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項２２】
絶縁基板上に、第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
前記絶縁基板上に、前記ゲート線と交差するように２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレーン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成する段階と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に、画素ごとに前記ドレーン電極と連結された画素電極を形成する段階と、を含むが、
前記ゲート配線及び／または前記データ配線を形成する段階は、
下部構造物上に銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜を形成する段階と、
前記下部膜が形成されている下部構造物上に、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階と、
前記銀（Ａｇ）導電膜上に上部膜を形成する段階と、
前記配線を定義するフォトレジストパターンを蝕刻マスクとして用いて前記上部膜、銀（Ａｇ）導電膜及び下部膜をパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２３】
前記下部膜を形成する段階は、前記下部構造物と前記下部膜の界面に銀（Ａｇ）酸化物を連続的または非連続的に位置させる段階を含むことを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２４】
前記下部膜を形成する段階は、酸素を含む雰囲気下で銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金をターゲットにしてスパッタリングする段階であることを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２５】
前記銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階は、前記下部膜を形成する段階に連続して酸素供給を中断し、インサイチュで進行される段階であることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２６】
前記上部膜は、銀（Ａｇ）酸化物を含むことを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２７】
前記上部膜を形成する段階は、前記銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階で酸素を供給しながらインサイチュで進行される段階であることを特徴とする請求項２６に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２８】
前記下部膜は、５ないし６０ａｔ％の酸素を含有することを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造に関し、より詳細には、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスター基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスター基板は、マトリックス配列の画素を備える液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置などの基板として使われる。
【０００３】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）は、電極が形成されている二枚の基板とその間に挿入されている液晶層からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過される光量を調節する装置であって、電極に伝達される画像信号を制御するためのスイッチング素子として薄膜トランジスターを使う。
【０００４】
有機ＥＬ（ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、各々の画素に発光のための電流を供給する駆動薄膜トランジスターとスイッチング薄膜トランジスターとを備える。
【０００５】
一方、液晶表示装置または有機ＥＬ表示装置などの表示面積が次第に大型化されるにつれて、前記薄膜トランジスターと連結されるゲート線及びデータ線が長くなり配線の抵抗が増加する。このような抵抗増加は、信号遅延などの問題を誘発するが、これを克服するためには、前記ゲート線及びデータ線をできるだけ低い比抵抗を有する材料で形成する必要がある。
【０００６】
配線材料のうち、低い比抵抗を有する物質としては、薄膜状態の比抵抗が約２．１μΩｃｍである銀（Ａｇ）が挙げられる。したがって、実際工程で銀（Ａｇ）からなるゲート線及びデータ線を使うようになれば、アルミニウムなどの相対的に抵抗の高い物質を使った場合に比べて、信号遅延などの問題が改善されうる。
【０００７】
しかし、銀（Ａｇ）は、ガラスなどの絶縁基板または半導体層などの下部構造物に対する接着性（ａｄｈｅｓｉｏｎ）がきわめて不良であって蒸着が難しく、一応蒸着されたとしても後続するパターニング工程から配線の浮き上がり（ｌｉｆｔｉｎｇ）または剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ）が誘発されやすい。このことは、配線不良を誘発して配線の信頼性を低下させる。
【特許文献１】特開第２００２−０９１３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする技術的課題は、接着力が改善された低抵抗銀（Ａｇ）配線構造を提供することである。
【０００９】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記した構造を有する配線形成方法を提供することである。
【００１０】
本発明が解決しようとするまた他の技術的課題は、前記した配線構造を含む薄膜トランジスター基板を提供することである。
【００１１】
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、前記したような薄膜トランジスター基板の製造方法を提供することである。
【００１２】
本発明の技術的課題は、前述した技術的課題に制限されず、言及されなかったまた他の技術的課題は、下記の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による配線構造は、下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜及び前記下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を含む。
【００１４】
前記他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による配線形成方法は、下部構造物上に銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜を形成する段階と、前記下部膜が形成されている下部構造物上に銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階と、前記銀（Ａｇ）導電膜上に上部膜を形成する段階及び配線を定義するフォトレジストパターンを蝕刻マスクとして用いて前記上部膜、銀（Ａｇ）導電膜及び下部膜をパターニングする段階とを含む。
【００１５】
前記また他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板は、絶縁基板上に形成されて第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁基板の上に前記ゲート配線と絶縁して形成されて、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレーン電極を含むデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線上に画素ごとに形成され前記ドレーン電極と連結された画素電極を含むが、前記ゲート配線及び／または前記データ配線は、下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜及び前記下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を含む。
【００１６】
前記さらに他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法は、絶縁基板上に第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレーン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁しているデータ配線を形成する段階と、前記ゲート配線と前記データ配線上に画素ごとに前記ドレーン電極と連結された画素電極を形成する段階を含むが、前記ゲート配線及び／または前記データ配線を形成する段階は、下部構造物上に銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜を形成する段階と、前記下部膜が形成されている下部構造物上に銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜を形成する段階と、前記銀（Ａｇ）導電膜上に上部膜を形成する段階及び前記配線を定義するフォトレジストパターンを蝕刻マスクとして用いて前記上部膜、銀（Ａｇ）導電膜及び下部膜をパターニングする段階と、を含む。
【００１７】
その他の実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の実施形態による配線構造及び配線形成方法によれば、下部構造物に対して銀（Ａｇ）導電膜の接着力が改善されて信頼性の高い低抵抗銀（Ａｇ）配線を得られうる。また、配線形成方法が単純で工程效率が増大される。
【００１９】
また、本発明の実施形態による薄膜トランジスター基板及びその製造方法によれば、前記したようにゲート配線及び／またはデータ配線の信頼性が確保されて信号特性がよくなり、画質が改善され工程效率が増大されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらの達成方法は、添付図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になる。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されず、相異なる多様な形態で具現でき、単に本実施形態は本発明の開示を完全にし、当業者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供され、本発明は請求項の範ちゅうにより定義されると解すべきである。
【００２１】
図面において層及び領域の大きさ及び相対的な大きさは、説明の明瞭性のために誇張して記載してある。
【００２２】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が異なる素子または層の“上”にあると指称されることは、他の素子または層のすぐ上だけでなく、中間に他の層または他の素子を介在した場合を全部含む。一方、素子が“直上”と指称されることは、中間に他の素子または層を介在しないことを表す。明細書全体に亙って同一な参照符号は、同一な構成要素を示す。“及び／または”は言及されたアイテムの各々及び一つ以上のすべての組み合わせを含む。
【００２３】
以下、添付された図面を参照して、本発明の一実施形態による配線構造及び配線形成方法を説明する。図１は、本発明の一実施形態による配線構造の断面図である。
【００２４】
図１を参照すれば、下部構造物（ｌｏｗｅｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）１の上に、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２ａを介在して銀（Ａｇ）導電膜２ｂが形成されている。銀（Ａｇ）導電膜２ｂの上部には、上部膜２ｃが位置する。
【００２５】
下部構造物１は、配線２などが形成される面を提供し、配線などを支持する。下部構造物１は、複数の構成要素、素子、層などが組合されている複合物（ｃｏｍｐｌｅｘ）だけでなく、一つの構成要素、素子、層などからなる単一構造物を含む。例えば、ガラスなどからなる絶縁基板、非晶質ケイ素などからなる半導体層、絶縁膜であり、これに制限されない。
【００２６】
下部構造物１上には、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜２ｂが位置する。銀（Ａｇ）は、薄膜（ｔｈｉｎ  ｆｌｉｍ）状態で比抵抗が２．１μΩｃｍに低くて信号特性に優れた配線材料として望ましく使われうる。銀（Ａｇ）導電膜２ｂの厚さは、配線パターンの安定性を考慮して５００Å以上であり、低抵抗及び薄膜特性観点で５０００Å以下であり得る。
【００２７】
下部構造物１と銀（Ａｇ）導電膜２ｂとの間には、下部膜２ａが位置する。下部膜２ａは、ＡｇＯ  Ａｇ２Ｏなどの銀（Ａｇ）酸化物を含む。下部膜２ａは、下部構造物１と銀（Ａｇ）導電膜２ｂの接着力を増加させる役割を果たす。前記したような銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２ａが接着力を増加させる原理について説明すれば、次のようである。
【００２８】
下部構造物１がガラスからなる場合、ガラスは非晶質ＳｉＯ２が主成分を成し、ケイ素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）が相互結合した形態を有するようになる。この際、ガラスを構成するケイ素（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が、最外郭電子が全部満たされた安定した構造を有することではなく、一部最外郭電子は他の元素と結合せずにダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ  ｂｏｎｄ）を形成する。このような酸素ダングリングボンド（ｏｘｙｇｅｎ  ｄａｎｇｌｉｎｇ  ｂｏｎｄ）が金属膜との結合に関係することと理解されている。
【００２９】
すなわち、ガラスと金属物質の接着は、主にガラス上の酸素ダングリングボンドと金属物質との結合によってなされ、したがって、ガラスと金属物質の接着程度は、ガラス表面に存在する酸素ダングリングボンドと金属物質の結合力に依存する。このような酸素ダングリングボンドと金属間の結合力は、金属物質の酸化物形成自由エネルギー値に実質的に比例する。
【００３０】
ここで、代表的な配線物質の自由エネルギーは、Ａｌ２Ｏ３は−１５８０ｋＪ／ｍｏｌ、Ｃｕ２Ｏは−２９７ｋＪ／ｍｏｌであり、Ａｇ２Ｏは−１１ｋＪ／ｍｏｌの値を有する。すなわち、Ａｇ２Ｏの場合には、Ａｌ２Ｏ３やＣｕ２Ｏに比べて形成自由エネルギーの値がずっと大きい。したがって、銀（Ａｇ）とガラスの結合力がアルミニウムや銅とガラスの結合力に比べてずっと小さくて、接着がよくできないことが分かる。
【００３１】
前記したようなガラスに対する銀（Ａｇ）の接着力を補完するために銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２ａを介在させる。ガラスと界面を形成する下部膜２ａの底面には、銀（Ａｇ）酸化物から由来する酸素ダングリングボンドが形成されて、ガラスに存在する酸素ダングリングボンドと相互結合しうる。この際、Ｏ２の形成自由エネルギーは、前記したＡｇ２Ｏの形成自由エネルギーよりずっと小さいために相互容易く結合され、接着力が促進される。また、銀（Ａｇ）酸化物から由来する酸素ダングリングボンドは、ガラスに存在するケイ素ダングリングボンド（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｄａｎｇｌｉｎｇ  ｂｏｎｄ）ともよく結合するので、接着力がさらに促進されうる。
【００３２】
一方、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２ａには、多量の銀（Ａｇ）が含有されているために、上部に位置する銀（Ａｇ）導電膜２ｂとの接着は、同じ物質間の結合であって接着力が良好である。
【００３３】
以上、下部構造物１としてガラスを例として挙げたが、非晶質ケイ素からなる半導体層の場合にも、等しく適用されうる。この場合、半導体層は下部膜２ａとの界面にケイ素ダングリングボンドが存在し、このようなケイ素ダングリングボンドと銀（Ａｇ）酸化物から由来する下部膜２ａの酸素ダングリングボンドが低い形成自由エネルギーで容易く結合できて接着力が促進される。
【００３４】
同様な原理で下部構造物１がＳｉＮｘなどからなる絶縁膜である場合にも、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２ａによって接着力が促進されうる。
【００３５】
一方、下部膜２ａは、銀（Ａｇ）酸化物以外に他の物質をさらに含んでもよく、例えば、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含んでも良い。この際、充分な接着力を表すように銀（Ａｇ）酸化物の含量が調節され、これを、下部膜２ａを構成する元素全体に対する酸素のアトミックパーセント（ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｒｃｅｎｔ）で表せば、５ａｔ％以上であり得る。また、充分な接着力及び電気伝導性などをすべて考慮する時、下部膜２ａを構成する元素全体に対する酸素の含量は、６０ａｔ％以下であり得る。酸素含量が６０ａｔ％以下の場合、比抵抗が６８．０１μΩｃｍ以下であって、下部構造物１が半導体層の場合にも、電気伝導度が大きい問題にならない。
【００３６】
下部膜２ａは、一つ以上の原子層からなり、誤差範囲を勘案する時、１０Å以上であり得る。また、低抵抗観点で２０００Å以下であり得る。下部膜２ａに含有された銀（Ａｇ）酸化物は、望ましくは、下部構造物１と下部膜２ａの界面に位置しうる。
【００３７】
一方、下部膜２ａには、形成工程によって、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金が含まれうるが、下部膜２ａと上部の銀（Ａｇ）導電膜２ｂが連続的に形成される場合には、その境界が不明なことがある。この場合、下部膜２ａと銀（Ａｇ）導電膜２ｂを分ける基準として銀（Ａｇ）酸化物の含量を考慮しうる。すなわち、少量の銀（Ａｇ）酸化物を含むとしても充分な導電性を表す範囲では、銀（Ａｇ）導電膜２ｂに含ませうる。一方、同一な高さ（ｌｅｖｅｌ）の他の区間は、銀（Ａｇ）酸化物を多量含有しているが、特定の狭い区間で銀（Ａｇ）酸化物がほとんど発見されないとしても、全体として下部膜２ａの接着促進機能をすれば、下部膜２ａに含まれることになる。すなわち、銀（Ａｇ）酸化物の分布が必ずしも連続的である必要はない。但し、下部構造物１との界面には、多量分布されることが望ましく、連続的分布区間が多いことが良い。このような下部膜２ａの厚さは、前記の事項を考慮して全体として平均的に表した厚さであり、区間によって微細に変わることを排除している。
【００３８】
また、配線構造２は、蝕刻工程などで化学物質や反応性気体などのアタック（ａｔｔａｃｋ）から保護されるように銀（Ａｇ）導電膜２ｂの上部にキャッピングレイヤ（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）である上部膜２ｃをさらに備えることができる。上部膜２ｃは、工程単純化の観点から望ましくは、下部膜２ａと等しく銀（Ａｇ）酸化物を含むことができ、１０ないし２０００Åの厚さを有しうる。  前記化学物質や反応性気体の種類によっては、上部膜２ｃは、インジウムチンオキシド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、非晶質ＩＴＯ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ＩＴＯ）、インジウムジンクオキシド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）などの酸化物、またはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−ニオブ合金（ＭｏＮｂ）、またはモリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）などの金属からなりうることもできる。一方、後続工程の種類や化学物質などの種類によって、上部膜２ｃは省略されうる。また、必要によって、銀（Ａｇ）導電膜２ｂと下部膜２ａとの間または銀（Ａｇ）導電膜２ｂと上部膜２ｃとの間に異なる膜をさらに介在させることができ、上部膜２ａの上に異なる膜がさらに形成された多重構造であり得る。
【００３９】
次いで、図１及び図２ないし図４を参照して、前記したような構造を有する配線形成方法の一実施形態について説明する。図２及び図３は、本発明の一実施形態による配線形成方法の工程段階別の断面図である。
【００４０】
図２を参照すれば、先ずガラスなどの絶縁基板、半導体層、絶縁膜などの下部構造物１を準備する。引き続き、下部構造物１上に例えば、酸素を含む雰囲気下で銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金をターゲットにして反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を遂行する。この際、スパッタリングに利用される気体として酸素以外にもアルゴンを含みうる。非活性気体であるアルゴン気体がプラズマ状態でターゲットである銀（Ａｇ）などに衝突すれば、銀（Ａｇ）などは、前記ターゲットから分離してそのまま下部構造物１上に蒸着される。一方、酸素気体は、反応性を有するために、これと衝突した銀（Ａｇ）などは酸素と反応して銀（Ａｇ）酸化物を形成する。このような銀（Ａｇ）酸化物が下部構造物１に蒸着されて、接着促進機能を遂行できるようになる。この際、すべてのターゲット元素が酸素気体と反応するものではなく、アルゴン気体と衝突した銀（Ａｇ）原子、酸素気体と衝突したが反応しない銀（Ａｇ）原子などが蒸着されて、銀（Ａｇ）酸化物と共に下部膜２ａを構成する。
【００４１】
スパッタリングチャンバ内に存在するアルゴン気体と酸素気体は、９５：５ないし４０：６０の比率を有し、望ましくは、スパッタリング初期には酸素の含量を高く維持しながら、徐々に酸素の量を減らしてアルゴン気体の供給を増加させうる。そうすれば、銀（Ａｇ）酸化物が下部構造物１との界面近くにさらに集中的に蒸着されうる。下部膜２ａの酸素の含量は、５ないし６０ａｔ％の範囲を有し、下部膜２ａの厚さは、例えば１０ないし２０００Åの範囲で調節されうる。
【００４２】
引き続き、下部膜２ａ上に、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金をスパッタリングなどで蒸着して銀（Ａｇ）導電膜２ｂを形成する。本段階は、以前段階である下部膜２ａの形成段階から連続してインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で進行されうる。すなわち、同一なチャンバ内で酸素の供給を中断して、アルゴン気体の量を増加させる方法で進行できる。また、下部膜２ａと銀（Ａｇ）導電膜２ｂとの境界を明確にするために酸素供給を中断した後、少しの換気タイムを置いて酸素気体を全部抜き取った後、銀（Ａｇ）導電膜２ｂスパッタリング工程を進行することもできる。銀（Ａｇ）導電膜２ｂの厚さは、５００ないし５０００Åで形成しうる。
【００４３】
引き続き、また酸素を供給しながら銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金をターゲットにして反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を遂行する。本段階は、以前段階である銀（Ａｇ）導電膜形成段階から連続してインサイチュで進行されうる。これによって、銀（Ａｇ）導電膜２ｂの上部に銀（Ａｇ）酸化物を含む上部膜２ｃが形成され、下部膜２ａ、銀（Ａｇ）導電膜２ｂ及び上部膜２ｃからなる三重膜２が形成される。本実施形態では、一つのチャンバで連続的に三重膜２ｃが形成されるために工程時間が短縮されうる。一方、三重膜２ｃを構成する物質として、銀（Ａｇ）酸化物以外にＩＴＯ、ＩＺＯや他の金属を使う場合には、ターゲット及び雰囲気を異にしてスパッタリングまたは反応性スパッタリングの方法で進行されうることは当業者に自明である。
【００４４】
図３を参照すれば、三重膜２上部にフォトレジストを塗布して、露光及び現像して配線を定義するフォトレジストパターン３を形成する。
【００４５】
引き続き、図１に示されたように、フォトレジストパターン３を蝕刻マスクにして上部膜２ｃ、銀（Ａｇ）導電膜２ｂ及び下部膜２ａを順次的に蝕刻する。ここでの蝕刻は、湿式蝕刻からなり、三重膜２は同じエッチング液を使って一括的に蝕刻されうる。エッチング液としては、燐酸、硝酸及び酢酸の混合液が使われうる。引き続き、フォトレジストパターン３を除去する。これによって、図１に示されたような配線２が形成される。
【００４６】
このように形成された配線２の接着程度を確認するために、前記したような製造方法で形成された配線構造を微細撮影した。図４は、本発明の一実施形態による方法で形成された配線構造の平面写真である。ここで、配線構造は、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜、銀（Ａｇ）で銀（Ａｇ）導電膜及びＩＺＯからなる上部膜の三重膜構造を有するようにしており、下部膜の酸素の含量は、２０ａｔ％がなるようにした。また、燐酸、硝酸、酢酸を含むエッチング液で４０秒間蝕刻した後、超音波を印加した状態でフォトレジスト膜を除去した。図４から相対的に明るく見える領域が配線領域を表す。
【００４７】
図４に表したように、湿式蝕刻及びフォトレジスト膜の除去などのパターニング工程後にも、直線性が確保されたきれいな配線パターンが形成され、銀（Ａｇ）導電膜を含む配線が下部構造物とよく接着していることが分かる。したがって、前記配線は、低抵抗配線としての信号特性に優れ、接着力が良くて配線信頼度が高い。
【００４８】
以上説明した、本発明の一実施形態による配線構造及び配線の形成方法は、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置などに使われる薄膜トランジスター基板、半導体素子、半導体装置などに適用されることができ、その他にも精緻な配線パターンが要求されるどんな分野にも適用可能である。以下、薄膜トランジスター基板に適用された例を説明するが、これに制限されるものではないということは明白である。
【００４９】
本明細書で使われる用語である“薄膜トランジスター基板”は、薄膜トランジスターを少なくとも一つ含む基板を言って、薄膜トランジスターと基板との間に他の構造物が介在されているか、その上に他の構造物が形成されている場合を排除しない。
【００５０】
まず、図５Ａ及び図５Ｂを参照して、前記したような配線構造を含む本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板について説明する。既に説明した本発明の一実施形態による配線構造が等しく適用される部分については、本実施形態が当業者に明確に類推または理解されうる範囲内で説明を省略するか簡略化する。図５Ａは、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図であり、図５Ｂは、図５ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【００５１】
図５Ａ及び図５Ｂに示したように、絶縁基板１０上にゲート信号を伝達する複数のゲート配線が形成されている。ゲート配線２２、２４、２６、２７、２８は、横方向に伸びているゲート線２２、ゲート線２２の端部に連結されていて外部からのゲート信号を印加されてゲート線２２に伝達するゲート先端２４、ゲート線２２に連結されて突起形態に形成された薄膜トランジスターのゲート電極２６、ゲート線２２と平行に形成されている維持電極２７及び維持電極線２８を含む。維持電極線２８は、画素領域を横切って横方向に伸びており、維持電極線２８に比べて幅が広く形成されている維持電極２７が連結される。維持電極２７は、後述する画素電極８２と連結されたドレーン電極拡張部６７と重畳されて画素の電荷保存能力を向上させる維持蓄電器を成す。このような維持電極２７及び維持電極線２８の模様及び配置などは、多様な形態で変形されることができ、画素電極８２とゲート線２２の重畳で発生する維持容量が充分な場合形成されないこともある。
【００５２】
図５Ｂに示したように、ゲート配線２２、２４、２６、２７は、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２２１、２４１、２６１、２７１、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２及び上部膜２２３、２４３、２６３、２７３の三重膜として形成されている。また、図面に直接示さなかったが、維持電極線２８も他のゲート配線２２、２４、２６、２７と同一な多重膜の構造を有する。以下で説明される多重膜構造のゲート配線には、維持電極線２８も含まれ、他のゲート配線２２、２４、２６、２７の多層構造上の特徴が等しく適用される。
【００５３】
このような多重膜構造のゲート配線２２、２４、２６、２７、２８には、前記したような本発明の一実施形態による配線構造が適用される。ここで、下部膜２２１、２４１、２６１、２７１は、上部の銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２の絶縁基板１０に対する接着を促進する役割をし、上部膜２２３、２４３、２６３、２７３は、後続工程による銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２の損傷を防止する役割を果たす。
【００５４】
基板１０、ゲート配線２２、２４、２６、２７、２８の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００５５】
ゲート電極２６のゲート絶縁膜３０上部には、水素化非晶質ケイ素などの半導体からなる半導体層４０が島形に形成されており、半導体層４０の上部には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度でドーピングされたｎ＋水素化非晶質ケイ素などの物質からなる抵抗性接触層５５、５６が各々形成されている。抵抗性接触層５５、５６は、その下部の半導体層４０と、その上部のソース電極６５及びドレーン電極６６との間に存在し接触抵抗を低めてくれる。
【００５６】
抵抗性接触層５５、５６及びゲート絶縁膜３０上には、データ配線６２、６５、６６、６７、６８が形成されている。データ配線６２、６５、６６、６７、６８は、縦方向に形成されてゲート線２２と交差して画素を定義するデータ線６２、データ線６２の分枝であり、抵抗性接触層５５の上部まで延びているソース電極６５、データ線６２の一端に連結されて外部からの画像信号を印加されるデータ先端６８、ソース電極６５と分離していて、ゲート電極２６または薄膜トランジスターのチャンネル部に対してソース電極６５の反対側の抵抗性接触層５６上部に形成されているドレーン電極６６及びドレーン電極６６から延長されて維持電極２７と重畳する広い面積のドレーン電極拡張部６７を含む。
【００５７】
このようなデータ配線６２、６５、６６、６７、６８は、ゲート配線２２、２４、２６、２７のように銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜６２１、６５１、６６１、６７１、６８１、銀（Ａｇ）（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜６２２、６５２、６６２、６７２、６８２及び上部膜６２３、６５３、６６３、６７３、６８３の三層多層膜構造を有する。このような多重膜構造のデータ配線６２、６５、６６、６７、６８には、前記したような本発明の一実施形態による配線構造が適用される。ここで、下部膜６２１、６５１、６６１、６７１、６８１は、下部構造物、すなわち、ここでは、抵抗性接触層５５、５６とゲート絶縁膜３０に対する銀（Ａｇ）導電膜６２２、６５２、６６２、６７２、６８２の接着力を増加させる役割を果たす。
【００５８】
ソース電極６５は、半導体層４０と少なくとも一部分が重畳されて、ドレーン電極６６は、ゲート電極２６を中心にソース電極６５と対向し、半導体層４０と少なくとも一部分が重畳される。
【００５９】
ドレーン電極拡張部６７は、維持電極２７と重畳されるように形成され、維持電極２７とゲート絶縁膜３０を挟んで維持容量が形成される。維持電極２７を形成しない場合、ドレーン電極拡張部２７も形成しない。
【００６０】
ここで、ゲート電極２６、その上に形成された半導体層４０、抵抗性接触層５５、５６及びソース電極６５とドレーン電極６６が薄膜トランジスターを構成し、この際、半導体層４０は、薄膜トランジスターのチャンネル部を成す。本実施形態では、ゲート電極２６がチャンネル部を含む半導体層４０の下部に存在するいわゆる“ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）”方式の薄膜トランジスターが採用されている。
【００６１】
データ配線６２、６５、６６、６７、６８及びこれらが覆っていない半導体層４０上部には、保護膜７０が形成されている。保護膜７０は、例えば平坦化特性に優れ、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有する有機物質、ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などで形成されうる。
【００６２】
保護膜７０には、ドレーン電極拡張部６７及びデータ先端６８を各々現わすコンタクトホール７７、７８が形成されており、保護膜７０とゲート絶縁膜３０には、ゲート先端２４を現わすコンタクトホール７４が形成されている。保護膜７０上には、コンタクトホール７７を通じてドレーン電極６６と電気的に連結され、画素に位置する画素電極８２が形成されている。データ電圧が印加された画素電極８２は、上部基板の共通電極と共に電場を生成することによって、画素電極８２と共通電極との間の液晶層の液晶分子の配列を決定する。
【００６３】
また、保護膜７０上には、コンタクトホール７４、７８を通じて各々ゲート先端２４及びデータ先端６８と連結されている補助ゲート先端８４及び補助データ先端８８が形成されている。画素電極８２と補助ゲート及びデータ先端８６、８８は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性物質からなるか、アルミニウム（または、その合金）または銀（または、その合金）などの反射性に優れた物質で形成しうる。
【００６４】
前記したような本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板は、液晶表示装置などに適用されうる。
【００６５】
次いで、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法について、図５Ａ及び図５Ｂと、図６Ａないし図９Ｂを参照して、詳しく説明する。本発明の一実施形態による配線形成方法が等しく適用される部分については、本実施形態が当業者に明確に類推または理解されうる範囲内で説明を省略するか簡略化する。
【００６６】
まず、図６Ａ及び図６Ｂに示されたように、絶縁基板１０上に、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２２１、２４１、２６１、２７１、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２及び上部膜２２３、２４３、２６３、２７３を例えば、スパッタリングなどの方法で順次的に積層したゲート多重膜を形成する。  引き続き、前記ゲート多重膜の上部にゲート配線２２、２４、２６、２７、２８を定義するフォトレジストパターンを形成して、これを蝕刻マスクにして上部膜２２３、２４３、２６３、２７３、銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２及び下部膜２２１、２４１、２６１、２７１を順次的にまたは一括的に蝕刻する。引き続き、前記フォトレジストパターンを除去する。これによって、ゲート線２２、ゲート電極２６、ゲート先端２４、維持電極２７及び維持電極線２８を含むゲート配線２２、２４、２６、２７、２８が完成される。このようなゲート配線２２、２４、２６、２７、２８形成方法には、本発明の一実施形態による配線形成方法が等しく適用される。したがって、銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２を含む完成されたゲート配線２２、２４、２６、２７、２８は、図４で説明したように湿式蝕刻及びフォトレジスト膜除去の工程後にも、下部構造物である絶縁基板１０とよく接着する。
【００６７】
引き続き、図７Ａ及び図７Ｂに示されたように、窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜３０、真性非晶質ケイ素及びドーピングされた非晶質ケイ素を例えば、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；  ＣＶＤ）を用いて各々１，５００Åないし５，０００Å、５００Åないし２，０００Å、３００Åないし６００Åの厚さで連続蒸着して、写真蝕刻してゲート電極２４上部のゲート絶縁膜３０上に一部が島形の半導体層４０とドーピングされた非晶質ケイ素層５０を形成する。
【００６８】
引き続き、図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、ゲート絶縁膜３０及びドーピングされた非晶質ケイ素層５０上に、スパッタリングなどの方法で銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜６２１、６５１、６６１、６７１、６８１、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜６２２、６５２、６６２、６７２、６８２及び上部膜６２３、６５３、６６３、６７３、６８３を順次的に積層したデータ多重膜を形成する。引き続き、前記データ多重膜の上部に、データ配線６２、６５、６６、６７、６８を定義するフォトレジストパターンを形成して、これを蝕刻マスクにして上部膜６２３、６５３、６６３、６７３、６８３、銀（Ａｇ）導電膜６２２、６５２、６６２、６７２、６８２及び下部膜６２１、６５１、６６１、６７１、６８１を順次的または一括的に蝕刻してチャンネル部下部のドーピングされた非晶質ケイ素層５０を露出する。引き続き、前記フォトレジストパターンを除去する。これによって、ゲート線２２と交差するデータ線６２、データ線６２と連結されているゲート電極２６上部まで延長されているソース電極６５、データ線６２の一端に連結されているデータ先端６８、ソース電極６５と分離していて、ゲート電極２６を中心にソース電極６５と向い合うドレーン電極６６及びドレーン電極６６から延長されて維持電極２７と重畳する広い面積のドレーン電極拡張部６７を含むデータ配線６２、６５、６６、６７、６８が完成される。
【００６９】
以上説明したデータ配線６２、６５、６６、６７、６８形成方法には、本発明の一実施形による配線形成方法が等しく適用される。したがって、銀（Ａｇ）導電膜２２２、２４２、２６２、２７２を含む完成されたデータ配線６２、６５、６６、６７、６８は、図４で説明したように、湿式蝕刻及びフォトレジスト膜除去工程後にも、下部構造物であるゲート絶縁膜１０及び抵抗性接触層５５、５６とよく接着する。
【００７０】
引き続き、データ配線６２、６５、６６、６７、６８で覆っていないドーピングされた非晶質ケイ素層５０を乾式蝕刻して、データ配線６２、６５、６６、６７、６８を、ゲート電極２６を中心に両方に抵抗性接触層５５、５６を形成して、その間の半導体層４０を露出させる。この際、ソース電極及びドレーン電極６５、６６を蝕刻マスクにして蝕刻することができ、前述した工程からデータ配線６２、６５、６６、６７、６８を定義するフォトレジストパターンを除去せず、これをそのまま蝕刻マスクとして使ってドーピングされた半導体層４０を乾式蝕刻した後、フォトレジストパターンを除去することもできる。これによって、ゲート電極２６、その上に形成された半導体層４０、抵抗性接触層５５、５６及びソース電極６５とドレーン電極６６で構成され、ゲート電極２６が半導体層４０のチャンネル部の下部に存在するボトムゲート方式の薄膜トランジスターが完成される。
【００７１】
引き続き、図９Ａ及び図９Ｂに示されたように平坦化特性に優れ、感光性を有する有機物質、ａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などを単一層または複数層に積層して保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）７０を形成する。
【００７２】
引き続き、写真蝕刻工程でゲート絶縁膜３０と共に保護膜７０をパターニングして、ゲート先端２４、ドレーン電極拡張部６７及びデータ先端６８を現わすコンタクトホール７４、７７、７８を形成する。この際、保護膜７０として感光性を有する有機物質を使った場合には、写真工程だけでコンタクトホールを形成できるということは言うまでもない。
【００７３】
引き続き、最後に図５Ａ及び図５Ｂに示されたように、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性物質またはアルミニウム（または、その合金）または銀（または、その合金）などの反射性が優秀な物質を蒸着して、写真蝕刻してコンタクトホール７７を通じてドレーン電極６６と連結される画素電極８２とコンタクトホール７４、７８を通じてゲート先端２４及びデータ先端６８と各々連結される補助ゲート先端８４及び補助データ先端８８を形成する。
【００７４】
本実施形態では、半導体層が島形に形成されており、データ配線と相異なるパターンを有する薄膜トランジスター基板及びその製造方法について説明したが、半導体層とデータ配線が実質的に同じパターンを有する薄膜トランジスター基板及びその製造方法についても等しく適用できる。これについて、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａは、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の変形例の配置図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【００７５】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示されたように、本変形例では半導体層４２、４４、４８と抵抗性接触層５２、５５、５６、５８がデータ配線６２、６５、６６、６７、６８とおよそ同じパターンの線形に形成されていることを除いては、図５Ａ及び図５Ｂとおよそ同一な構造を有する。但し、抵抗性接触層５２、５５、５６、５８は、データ配線６２、６５、６６、６７、６８と実質的に同じパターンであるが、半導体層４４は、チャンネル部から分離しないで連結されている点が違う。このような薄膜トランジスター基板の製造方法は、相異なるマスクを使って半導体層とデータ配線を形成した本発明の一実施形態とは違って、スリットまたは半透過膜を含む一つのマスクを使ってデータ配線６２、６５、６６、６７、６８と抵抗性接触層５２、５５、５６、５８をパターニングする。その他の工程は、本発明の一実施形態による製造方法と実質的に等しく、当業者の立場で容易く実施できるためにそれについての具体的な説明は省略する。
【００７６】
次に、図１１Ａないし図１１Ｃを参照して、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板について説明する。本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板は、有機ＥＬ表示装置などに使われることで、本発明の一実施形態による配線構造を含む。本実施形態では、本発明の一実施形態による配線構造が等しく適用される部分については、当業者に明確に類推または理解されうる範囲内で説明を省略するか簡略化する。図１１Ａは、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図であり、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、各々図１１ＡのＢ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿って切断した断面図である。
【００７７】
絶縁基板１０上に酸化ケイ素または窒化ケイ素などからなる遮断層１１が形成されており、遮断層１１上に、多結晶ケイ素などからなる第１及び第２半導体層４０ａ、４０ｂが形成されている。第２半導体層４０ｂには、多結晶ケイ素などからなる蓄電器用半導体層４０ｃが連結されている。第１半導体層４０ａは、第１薄膜トランジスター部４０５ａ、４０６ａ、４０２ａを含んでおり、第２半導体層４０ｂは、第２薄膜トランジスター部４０５ｂ、４０６ｂ、４０２ｂを含む。第１薄膜トランジスター部４０５ａ、４０６ａ、４０２ａのソース領域４０５ａ（以下’第１ソース領域’と称する）とドレーン領域４０６ａ（以下’第１ドレーン領域’と称する）とは、ｎ型不純物でドーピングされていて、第２薄膜トランジスター部４０５ａ、４０６ａ、４０２ａのソース領域４０５ｂ（以下’第２ソース領域’と称する）とドレーン領域４０６ｂ（以下’第２ドレーン領域’と称する）とは、ｐ型不純物でドーピングされている。駆動条件によっては、第１ソース領域４０５ａ及びドレーン領域４０６ａが、ｐ型不純物でドーピングされて、第２ソース領域４０５ｂ及びドレーン領域４０６ｂが、ｎ型不純物でドーピングされうる。
【００７８】
半導体層４０ａ、４０ｂ、４０ｃ上には、酸化ケイ素または窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００７９】
ゲート絶縁膜３０上には、横方向に伸びているゲート線２２、ゲート線２２に連結されて突起形態に形成され、第１薄膜トランジスターのチャンネル部４０２ａと重畳する第１ゲート電極２６ａ、ゲート線２２とは分離して形成され、第２薄膜トランジスターのチャンネル部４０２ｂと重畳する第２ゲート電極２６ｂ及び第２ゲート電極に連結され、下部の蓄電器用半導体層４０ｃと重畳されている維持電極２７を含むゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７が形成されている。
【００８０】
ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７は、銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２６１ａ、２６１ｂ、２７１、銀（Ａｇ）（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜２６２ａ、２６２ｂ、２７２及び上部膜２６３ａ、２６３ｂ、２７３の３層多重膜で形成されている。また、図面に直接図示されなかったが、ゲート線２２も他のゲート配線２６ａ、２６ｂ、２７と同一な多重膜の構造を有する。以下で説明される多重膜構造のゲート配線には、ゲート線２２も含まれ、他のゲート配線２６ａ、２６ｂ、２７の多層構造上の特徴が等しく適用される。
【００８１】
このような多重膜構造のゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７には、本発明の一実施形態による配線構造が適用される。ここで、下部膜２６１ａ、２６１ｂ、２７１は、上部の銀（Ａｇ）導電膜２６２ａ、２６２ｂ、２７２のゲート絶縁膜３０に対する接着を補助して、絶縁基板１０を構成する物質と銀（Ａｇ）導電膜２６２ａ、２６２ｂ、２７２を構成する物質が相互拡散しないようにする。
【００８２】
ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７が形成されているゲート絶縁膜３０上には、第１層間絶縁膜７１が形成されている。
【００８３】
第１層間絶縁膜７１上には、データ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂが形成されている。データ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂは、縦方向に形成されてゲート線２２と交差して画素を定義するデータ線６２、駆動電圧を供給する駆動電圧線６３、データ線６２の分枝としてコンタクトホール７５ａを通じて第１ソース領域４０５ａと連結されている第１ソース電極６５ａ、第１ソース電極６５ａと離隔して位置し、第１ドレーン領域４０６ａに連結されている第１ドレーン電極６６ａ、駆動電圧線６３の分枝であり、コンタクトホール７５ｂを通じて第２ソース領域４０６ａと連結されている第２ソース電極６５ｂ、第２ソース電極６５ｂと離隔して位置し、第２ドレーン領域４０６ｂと連結されている第２ドレーン電極６６ｂを含む。第１ドレーン電極６６ａは、第１層間絶縁膜７１とゲート絶縁膜３０とを貫通しているコンタクトホール７６ａ、７３を通じて第１ドレーン領域４０６ａ及び第２ゲート電極２６ｂと接触して、これらを互いに電気的に連結している。第２ドレーン電極６６ｂは、第１層間絶縁膜７１とゲート絶縁膜３０とを貫通しているコンタクトホール７６ｂを通じて第２ドレーン領域４０６ｂと連結されている。
【００８４】
このようなデータ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂは、ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７のように銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜６２１、６３１、６５１ａ、６５１ｂ、６６１ａ、６６１ｂ、銀（Ａｇ）（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜６２２、６３２、６５２ａ、６５２ｂ、６６２ａ、６６２ｂ及び上部膜６２３、６３３、６５３ａ、６５３ｂ、６６３ａ、６６３ｂの３層多重膜構造を有する。
【００８５】
このような多重膜構造のデータ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂには、前記したような本発明の一実施形態による配線構造が適用される。ここで、下部膜６２１、６３１、６５１ａ、６５１ｂ、６６１ａ、６６１ｂは下部構造物、すなわち、ここでは、半導体層４０５ａ、４０５ｂ、４０６ａ、４０６ｂと第１層間絶縁膜７１に対する銀（Ａｇ）導電膜６２１、６３２、６５２ａ、６５２ｂ、６６２ａ、６６２ｂの接着力を補完して、半導体層４０５ａ、４０５ｂ、４０６ａ、４０６ｂと第１層間絶縁膜７１とを成す物質と銀（Ａｇ）導電膜６２２、６３２、６５２ａ、６５２ｂ、６６２ａ、６６２ｂを構成する物質が相互拡散しないようにする。
【００８６】
ここで、半導体層４０ａ、４０ｂ、第１及び第２ゲート電極２６ａ、２６ｂ、第１及び第２ソース電極６５ａ、６５ｂ及び第１及び第２ドレーン電極６６ａ、６６ｂが、各々第１及び第２薄膜トランジスターを構成する。第１薄膜トランジスターは、スイッチング薄膜トランジスターであり、第２薄膜トランジスターは駆動薄膜トランジスターである。本実施形態では、ゲート電極２６ａ、２６ｂがチャンネル部４０２ａ、４０２ｂを含む半導体層４０ａ、４０ｂの上部に存在するいわゆる“トップゲート（ｔｏｐ  ｇａｔｅ）”方式の薄膜トランジスターが採用されている。
【００８７】
データ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂ上には、窒化ケイ素、酸化ケイ素または有機絶縁物質などからなる第２層間絶縁膜７２が形成されており、第２層間絶縁膜７２は、第２ドレーン電極６６ｂを現わすコンタクトホール７２ｂを備える。
【００８８】
第２層間絶縁膜７２上部には、コンタクトホール７２ｂを通じて第２ドレーン電極６６ｂと連結されている画素電極８２が形成されている。画素電極８２は、アルミニウム（または、その合金）または銀（または、その合金）などの反射性に優れた物質で形成しうる。また、必要によっては、画素電極８２をＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性物質で形成することもできる。前記のような画素電極８２を構成する物質は、表示装置が薄膜トランジスター基板の下方向に画像を表示するボトム放出（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式なのか、または上部方向に画像を表示するトップ放出（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式なのかによって適切に選択されうる。
【００８９】
第２層間絶縁膜７２上部には、有機絶縁物質からなり、有機発光セルを分離させるための隔壁９１が形成されている。隔壁９１は、黒色顔料を含む感光剤を露光、現像して形成することによって、遮光膜の役割を果たすようにして、同時に形成工程も単純化できる。隔壁９１に取り囲まれた画素電極８２上の領域には、有機発光層９２が形成されている。有機発光層９２は、赤色、緑色、青色のうち、何れか一つの光を出す有機物質からなり、赤色、緑色及び青色有機発光層９２が順序に反復的に配置されている。
【００９０】
有機発光層９２と隔壁９１上には、バッファ層９５が形成されている。バッファ層９５は、必要によって省略されることもできる。
【００９１】
バッファ層９５上には、共通電極１００が形成されている。共通電極１００は、ＩＴＯまたはＩＺＯ  などの透明な導電性物質からなされている。もし、画素電極８２が、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電性物質からなる場合には、共通電極１００は、アルミニウム（または、その合金）または銀（または、その合金）などの反射性が良い金属からなされうる。
【００９２】
前記したような本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板は、有機ＥＬ表示装置などに適用されうる。
【００９３】
次いで、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法について、図１１Ａないし図１１Ｃ及び図１２Ａないし図１７Ｃを参照して詳しく説明する。本実施形態で、本発明の一実施形態による配線形成方法が等しく適用される部分については明確に類推または理解されうる範囲内で説明を省略するか簡略化する。
【００９４】
図１２Ａないし図１２Ｃを参照すれば、基板１０の上部に酸化ケイ素などを蒸着して遮断層１１を形成して、遮断層１１上にＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＥ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法で非晶質ケイ素を蒸着してパターニングする。引き続き、例えば、レーザーを照射するか、熱を加えて多結晶ケイ素で結晶化する。これによって、多結晶ケイ素からなる半導体層４０ａ、４０ｂ、４０ｃが形成される。
【００９５】
図１３Ａないし図１３Ｃを参照すれば、半導体層４０ａ、４０ｂ、４０ｃが形成された遮断層１１上に窒化ケイ素などを、例えば、ＣＶＤを用いて蒸着してゲート絶縁膜３０を形成する。
【００９６】
引き続き、ゲート絶縁膜３０上に銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜２６１ａ、２６１ｂ、２７１、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電２６２ａ、２６２ｂ、２７２及び上部膜２６３ａ、２６３ｂ、２７３を、例えば、スパッタリングなどの方法で順次的に積層したゲート多重膜を形成する。
【００９７】
引き続き、前記ゲート多重膜の上部において、前記ゲート多重膜の上部に第１ゲート電極２６ａ及びゲート線２２を定義する第１フォトレジストパターンを形成する。この際、第２薄膜トランジスターのチャンネル部４０２ｂ領域を含んで第２ゲート電極２６ｂ及び維持電極２７が形成される領域は、前記第１フォトレジスト膜に覆われて保護される。引き続き、前記第１フォトレジストパターンを蝕刻マスクにして上部膜２６３ａ、銀（Ａｇ）導電膜２６２ａ及び下部膜２６１ａを順次的にまたは一括的に蝕刻する。
【００９８】
引き続き、第１薄膜トランジスター部の半導体層４０ａに、ｎ型不純物イオンを注入して第１ゲート電極２６ａ下部のチャンネル部４０２ａを定義して、第１ソース領域４０５ａ及び第１ドレーン領域４０６ａを形成する。引き続き、前記第１フォトレジストパターンを除去する。これによって、ゲート線２２、第１ゲート電極２６ａ及びチャンネル部４０２ａ、第１ソース領域４０５ａと第１ドレーン領域４０６ａとを備える半導体層４０ａが完成される。
【００９９】
引き続き、第２ゲート電極２６ｂ及び維持電極２７を定義する第２フォトレジストパターンを形成する。この際、第１薄膜トランジスターチャンネル部４０２ａ領域を含んで第１ゲート電極２６ａ及びゲート線２２領域が、前記第２フォトレジスト膜に覆われて保護される。引き続き、前記第２フォトレジストパターンを蝕刻マスクにして上部膜２６３ｂ、２７３、銀（Ａｇ）導電膜２６２ｂ、２７２及び下部膜２６１ｂ、２７１を順次的にまたは一括的に蝕刻する。
【０１００】
引き続き、第２薄膜トランジスター部の半導体層４０ｂに、ｐ型不純物を注入して第２ゲート電極２６ｂ下部のチャンネル部４０２ｂを定義して、第２ソース領域４０５ｂ及び第２ドレーン領域４０６ｂを形成する。引き続き、前記第２フォトレジストパターンを除去する。これによって、第２ゲート電極２６ｂ、維持電極２７及びチャンネル部４０２ｂ、第２ソース領域４０５ｂと第２ドレーン領域４０６ｂとを備える半導体層４０ｂが完成される。
【０１０１】
前記したようなゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７形成方法には、本発明の一実施形態による配線形成方法が等しく適用されうる。したがって、完成された銀（Ａｇ）導電膜  ２６２ａ、２６２ｂ、２７２を含むゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７は、図４で説明したように湿式蝕刻及びフォトレジスト膜除去工程後にも、下部構造物であるゲート絶縁膜３０とよく接着する。
【０１０２】
図１４Ａないし図１４Ｃを参照すれば、ゲート配線２２、２６ａ、２６ｂ、２７が形成されているゲート絶縁膜３０上に第１層間絶縁膜７１を積層して、ゲート絶縁膜３０と共に写真蝕刻して第１ソース領域４０５ａ、第１ドレーン領域４０６ａ、第２ソース領域４０５ｂ及び第２ドレーン領域４０６ｂを各々露出させるコンタクトホール７５ａ、７６ａ、７５ｂ、７６ｂと第２ゲート電極２６ｂの一部を露出させるコンタクトホール７３を形成する。
【０１０３】
図１５Ａないし図１５Ｃを参照すれば、引き続き、第１層間絶縁膜７１及びコンタクトホール７５ａ、７６ａ、７５ｂ、７６ｂによって露出された半導体層４０ａ、４０ｂ上にスパッタリングなどの方法で銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜６２１、６３１、６５１ａ、６５１ｂ、６６１ａ、６６１ｂ、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜６２２、６３２、６５２ａ、６５２ｂ、６６２ａ、６６２ｂ及び上部膜６２３、６３３、６５３ａ、６５３ｂ、６６３ａ、６６３ｂを順次的に積層したデータ多重膜を形成する。引き続き、前記データ多重膜の上部にデータ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂを定義するフォトレジストパターンを形成して、これを蝕刻マスクにして上部膜６２３、６３３、６５３ａ、６５３ｂ、６６３ａ、６６３ｂ、銀（Ａｇ）導電膜６２１、６３２、６５２ａ、６５２ｂ、６６２ａ、６６２ｂ及び下部膜６２１、６３１、６５１ａ、６５１ｂ、６６１ａ、６６１ｂを順次的にまたは一括的に蝕刻する。これによって、縦方向に形成されてゲート線２２と交差して画素を定義するデータ線６２、駆動電圧を供給する駆動電圧線６３、データ線６２の分枝としてコンタクトホール７５ａを通じて第１ソース領域４０５ａと連結されている第１ソース電極６５ａ、第１ソース電極６５ａと離隔して位置し、コンタクトホール７６ａを通じて第１ドレーン領域４０６ａに連結されている第１ドレーン電極６６ａ、駆動電圧線６３の分枝であり、コンタクトホール７５ｂを通じて第２ソース領域４０６ａと連結されている第２ソース電極６５ｂ、第２ソース電極６５ｂと離隔して位置し、コンタクトホール７６ｂを通じて第２ドレーン領域４０６ｂと連結されている第２ドレーン電極６６ｂを含むデータ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂが完成される。以上説明されたデータ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂ形成方法としては、本発明の一実施形態による配線形成方法が等しく適用される。したがって、銀（Ａｇ）導電膜６２１、６３２、６５２ａ、６５２ｂ、６６２ａ、６６２ｂを含む完成されたデータ配線６２、６３、６５ａ、６５ｂ、６６ａ、６６ｂは、図４で説明したように、湿式蝕刻及びフォトレジスト膜除去工程後にも、下部構造物である半導体層４０ａ、４０ｂ及び第１層間絶縁膜７１とよく接着する。これにとって、半導体層４０ａ、４０ｂ、その上に形成されたゲート電極２６ａ、２６ｂ及びソース電極６５ａ、６５ｂとドレーン電極６６ａ、６６ｂに構成され、ゲート電極２６ａ、２６ｂが半導体層４０ａ、４０ｂの上部に存在するトップゲート方式の第１及び第２薄膜トランジスターが完成される。
【０１０４】
引き続き、図１６Ａないし図１６Ｃに示されたように、第２層間絶縁膜７２を積層してパターニングして第２ドレーン電極６６ｂを現わすコンタクトホール７２ｂを形成する。
【０１０５】
引き続き、図１７Ａないし図１７Ｃに示されたように、アルミニウム（または、その合金）または銀（または、その合金）のような反射性に優れた金属を積層してパターニングして画素電極８２を形成する。
【０１０６】
引き続き、図１１Ａないし図１１Ｃに示されたように、画素電極８２が形成されている第２層間絶縁膜７２上に黒色顔料を含む有機膜を塗布して、露光及び現像して有機発光空間を除いた領域に満たされている隔壁９１を形成する。引き続き、有機発光空間には蒸着またはインクジェットプリンティングなどの方法で有機発光層９２を形成する。
【０１０７】
引き続き、隔壁９１及び有機発光層９２上に伝導性有機物質を塗布してバッファ層９５を形成して、バッファ層９５上にＩＴＯまたはＩＺＯを蒸着して共通電極１００を形成する。ここで、画素電極８２は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明なまたは導電物質で形成でき、この場合、共通電極１００は、アルミニウム（または、その合金）または銀（または、その合金）のような反射性に優れた金属で形成する。
【０１０８】
以上説明した本発明の実施形態による薄膜トランジスター基板及びその製造方法では、ゲート配線とデータ配線が銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜、銀（Ａｇ）導電膜及び上部膜の３層多重膜構造に形成された例を挙げたが、ゲート配線及びデータ配線のうち、何れか一つのみ前記３層多重膜に形成されて、残りは当業者に公知された配線構造または他の特別な配線構造に形成されることもでき、これも本発明の範囲に含まれるものである。
【０１０９】
また、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板及びその製造方法は、ボトムゲート方式を採用して液晶表示装置に使われうる例を挙げたが、これに制限されず、有機ＥＬ発光装置にも適用されうる。この場合、ボトムゲート方式の薄膜トランジスターが画素当りスイッチ用と駆動用の２個ずつ備われうる。また、本発明の他の実施形による薄膜トランジスター基板及びその製造方法では、トップゲート方式の薄膜トランジスターを採用して、有機ＥＬ発光装置に適用された例を挙げたが、画素当り一つの薄膜トランジスターを備える液晶表示装置用の薄膜トランジスター基板にも等しく適用しうる。  このようなトップゲート方式の液晶表示装置は、望ましくは反射型液晶表示装置に使われうる。また、本発明による薄膜トランジスター基板及び製造方法は、前述した実施形態外にもカラーフィルター上に薄膜トランジスターアレーを形成するＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ  Ｏｎ  Ａｒｒａｙ）構造にも容易く適用されうる。  その他にも、多様な他の薄膜トランジスター基板に適用されることができ、これに対する具体的な説明は、本発明が曖昧に解釈されることを防止するために省略する。
【０１１０】
以上、添部した図面を参考にして、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で製造されることができ、当業者は、本発明の技術的思想や必須な特徴を変更しなくても、他の具体的な形態で実施されることを理解できるであろう。したがって、前述した実施形態はあらゆる面で例示的なものであり、限定的でないと理解しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は、低抵抗銀配線及び銀配線を含む薄膜トランジスター基板を製造するものに適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の一実施形態による配線構造の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による配線形成方法の工程段階別断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による配線形成方法の工程段階別断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による配線構造の平面写真である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図ある。
【図６Ｂ】図６ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図ある。
【図７Ｂ】図７ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図ある。
【図８Ｂ】図８ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図ある。
【図９Ｂ】図９ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図１０Ａ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板の変形例の配置図である。
【図１０Ｂ】図１０ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図１１Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図である。
【図１１Ｂ】図１１ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図１１Ｃ】図１１ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した断面図である。
【図１２Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図である。
【図１２Ｂ】図１２ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１２Ｃ】図１２ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１３Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図である。
【図１３Ｂ】図１３ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１３Ｃ】図１３ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１４Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図である。
【図１４Ｂ】図１４ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１４Ｃ】図１４ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１５Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図である。
【図１５Ｂ】図１５ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１５Ｃ】図１５ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１６Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図である。
【図１６Ｂ】図１６ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１６Ｃ】図１６ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１７Ａ】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順次的に表した配置図である。
【図１７Ｂ】図１７ＡのＢ−Ｂ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【図１７Ｃ】図１７ＡのＣ−Ｃ’線に沿って切断した工程段階別断面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１０：絶縁基板
２２：ゲート線
２４：ゲート先端
２６：ゲート電極
２７：維持電極
２８：維持電極線
３０：ゲート絶縁膜
４０：半導体層
５５、５６：抵抗性接触層
６２：データ線
６５：ソース電極
６６：ドレーン電極
６７：ドレーン電極拡張部
６８：データ先端
７０：保護膜
８２：画素電極
【図１】
2007053354.tif 000002
【図２】
2007053354.tif 000003
【図３】
2007053354.tif 000004
【図５Ａ】
2007053354.tif 000005
【図５Ｂ】
2007053354.tif 000006
【図６Ａ】
2007053354.tif 000007
【図６Ｂ】
2007053354.tif 000008
【図７Ａ】
2007053354.tif 000009
【図７Ｂ】
2007053354.tif 000010
【図８Ａ】
2007053354.tif 000011
【図８Ｂ】
2007053354.tif 000012
【図９Ａ】
2007053354.tif 000013
【図９Ｂ】
2007053354.tif 000014
【図１０Ａ】
2007053354.tif 000015
【図１０Ｂ】
2007053354.tif 000016
【図１１Ａ】
2007053354.tif 000017
【図１１Ｂ】
2007053354.tif 000018
【図１１Ｃ】
2007053354.tif 000019
【図１２Ａ】
2007053354.tif 000020
【図１２Ｂ】
2007053354.tif 000021
【図１２Ｃ】
2007053354.tif 000022
【図１３Ａ】
2007053354.tif 000023
【図１３Ｂ】
2007053354.tif 000024
【図１３Ｃ】
2007053354.tif 000025
【図１４Ａ】
2007053354.tif 000026
【図１４Ｂ】
2007053354.tif 000027
【図１４Ｃ】
2007053354.tif 000028
【図１５Ａ】
2007053354.tif 000029
【図１５Ｂ】
2007053354.tif 000030
【図１５Ｃ】
2007053354.tif 000031
【図１６Ａ】
2007053354.tif 000032
【図１６Ｂ】
2007053354.tif 000033
【図１６Ｃ】
2007053354.tif 000034
【図１７Ａ】
2007053354.tif 000035
【図１７Ｂ】
2007053354.tif 000036
【図１７Ｃ】
2007053354.tif 000037
【図４】
2007053354.tif 000038
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月8日(2006.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ａ】
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