(57)【要約】【課題】  従来の半導体装置においては、放熱板収縮による半導体基板の破損を防ぐために、放熱板に形成した凹部に半導体基板を収納して接合した構成とすると、半導体基板を接合するのに必要な放熱板表面の面粗度や平面度を得ることが困難であった。【解決手段】  半導体装置１は、半導体基板３と、該半導体基板３が接合されるベース板２１と、該ベース板２１に接合され、前記半導体基板３のベース板２１に対する位置決めを行う位置決め部材２２とで構成される放熱板２とを備える。【選択図】  図１
2007266086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板が接合されるベース板と、該ベース板に接合され、前記半導体基板のベース板に対する位置決めを行う位置決め部材とで構成される放熱板と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記位置決め部材には、半導体基板を収容可能な収納空間が形成されており、
該収納空間は、前記半導体基板の外周形状と略同じ形状に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記位置決め部材は、半導体基板が圧接すると変形し得る程度の軟質材にて構成される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記収納空間の内周面には、内側方向へ突出する突出部が形成され、
前記半導体基板は、該半導体基板の外周部が前記突出部に当接することで位置決めされ、
前記突出部は、半導体基板が圧接すると変形し得る程度の強度を備えている、
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記位置決め部材は薄板状部材にて構成され、前記収納空間は薄板状部材を屈曲して形成されている、
ことを特徴とする請求項２〜請求項４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板を位置決めしつつ収容可能な収納空間を備えた位置決め部材を、ベース板に接合し、
ベース板に接合した位置決め部材の収容空間内に、加熱により溶融する接合材を介して半導体基板を収納し、
収納空間内に半導体基板を収納した状態のベース板を加熱して前記接合材を溶融させた後に、
該ベース板を冷却して前記接合材を凝固させて、前記半導体基板をベース板に接合する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記位置決め部材は、半導体基板が圧接すると変形し得る程度の軟質材にて構成される、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を放熱板に位置決めしながら、はんだ付け等により接合して構成される半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、アルミニウム等の放熱板に半導体基板をリフローはんだ付けにて接合して半導体装置を製造する場合は、位置決め治具により放熱板に対する半導体基板の位置決めを行った状態にて、リフローはんだ付けを行っている。
このような、半導体基板を放熱板に対して位置決めするための位置決め治具は、例えば特許文献１における従来の技術に記載された治具のように構成されたものがある。
つまり、図１０、図１１に示すような、放熱板１０２上に複数の半導体基板１０３をはんだ１０４により接合した半導体装置を構成する治具として、図１２および図１３に示す治具１０１のように、放熱板１０２を載置する下型１１１と、半導体基板１０３が隙間なく挿入可能な開口１１２ａを備えた上型１１２とを有し、放熱板１０２を載置した下型１１１に対して、開口１１２ａに半導体基板１０３を挿入した状態の上型１１２をピン部材１１３等により位置固定することで、該放熱板１０２に対する半導体基板１０３の位置決めを行うようにしたものがある。なお、放熱板１０２と半導体基板１０３との間にははんだ箔が介装されている。
【０００３】
ここで、放熱板および治具が、放熱板と半導体基板との間に介在されるはんだが溶融する温度まで加熱され、その後室温程度にまで冷却されると、はんだが凝固して放熱板と半導体基板とがはんだ接合される。
この場合、はんだが凝固する温度は室温よりも相当高い温度であり、前記放熱板は治具を構成する部材よりも熱膨張率が高い材質にて構成されているため、はんだが凝固してから室温になるまでの間の放熱板の収縮量は治具（上型）の収縮量よりも大きくなる。
例えば放熱板に複数の半導体基板をはんだ接合した場合、はんだの凝固温度から室温まで冷却されると、放熱板にはんだ接合された各半導体基板の間隔は放熱板の収縮に伴って狭くなろうとするが、治具の上型の収縮量は放熱板よりも少ないため、各半導体基板の移動が、該各半導体基板が隙間なく挿入された上型の開口の壁面に阻止される。これにより、各半導体基板が上型の開口の壁面に圧接し、該半導体基板に大きな応力がかかることとなって損傷してしまう場合があった。
【０００４】
特に、近年では、半導体基板を放熱板に接合して構成される半導体装置の低コスト化に伴い、放熱板の材質を、ＣｕＭｏやＡｌＳｉＣ等の高価なものから、ＡｌやＣｕ等の安価なものに変更する場合が増加してきている。
最近用いられてきているこれらのＡｌやＣｕ等は、従来用いられてきたＣｕＭｏやＡｌＳｉＣ等に比べて熱膨張率が大きいため、はんだ接合時における冷却工程での放熱板の収縮による半導体基板の破損発生が顕著となってきている。
【０００５】
このように、冷却時に半導体基板が上型に圧接して破損する問題を解決すべく、開口に挿入した半導体基板が、上型を下型にセットした状態にて、該開口内を放熱板の伸縮方向へ移動可能に構成した技術が特許文献１にかかる技術として記載されている。
また、冷却時に半導体基板が上型に圧接して破損する問題を解決するための技術として、半導体基板が挿入される上型の開口の内周面に、開口に挿入された半導体基板を中央側へ付勢するばね機構を構成することも考えられる。
【特許文献１】特開２００２−３６１４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のように、半導体基板が上型に圧接して破損することを防止するために、該半導体基板が開口内で移動可能となるように構成した場合、はんだ接合を行うために半導体基板を上型の開口内に挿入しながら放熱板上に配置するときには、半導体基板を放熱板における中立位置に配置しなければならないが、前記開口は半導体基板よりも大きく形成されているため、該半導体基板を中立位置に配置する作業が煩雑となっていた。
また、上型の開口に半導体基板を付勢するばね機構を構成した場合は、このばね機構が複雑で大掛かりなものとなってしまうため、治具の熱容量が全体的に大きくなってしまい、はんだ接合時に加熱時間を多く要することとなっていた。
これらの半導体基板の上型への圧接による破損の防止策では、作業が煩雑となったり、加熱時間を多く要したりして、半導体装置の製造コストが結果的に高くなってしまうことになっていた。
【０００７】
このような問題を解決するべく、冷却時の放熱板収縮により半導体基板が破損することを防止するとともに、半導体基板のセット作業を煩雑にせず、さらには治具の熱容量の増大を抑えることができる、半導体基板の放熱板への接合構造として、図１４に示すような構成が考えられる。
つまり、放熱板１０２をアルミニウムや銅等の柔らかい材質にて構成するとともに、該放熱板１０２の上面に切削加工等により凹部１０２ａを形成し、該凹部１０２ａ内にはんだ箔１０４を介して半導体基板１０３を収容するように構成する。
このように、柔らかい材質により構成した放熱板１０２を加工して凹部１０２ａを形成し、該凹部１０２ａ内に半導体基板１０３をはんだ接合することで、加熱状態の放熱板１０２が冷却されて収縮し、該放熱板１０２の凹部１０２ａの内周面が半導体基板に圧接したとしても、該凹部１０２ａの内周面が変形して、半導体基板にかかる応力が吸収されるため、半導体基板が破損することを防止できる。
また、この場合、前記凹部１０２ａは半導体基板１０３と略同じ形状に形成されているため、半導体基板１０３を凹部１０２ａに載置するだけで位置決めでき、作業が簡単である。さらに、放熱板１０２に直接凹部１０２ａを形成しているので、熱容量がさほど大きくなることもない。
【０００８】
しかし、前述のような構成では、放熱板１０２を構成する材質がアルミニウム等の軟質材に限定されてしまい、放熱板の材質選定の自由度が小さくなってしまう。
また、放熱板を切削加工して形成された前記凹部１０２ａの底面には切削跡が残ってしまい、半導体基板１０３を接合するのに必要な面粗度（底面が粗いと、接合された半導体基板１０３と放熱板１０２との間に気泡が発生するため好ましくない）を得ることが困難であった。さらに、凹部１０２ａをプレス加工により形成した場合も、該凹部１０２ａの底面を、接合に必要なだけの高精度な平面度に加工することができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する半導体装置およびその製造方法は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項１記載のごとく、半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板が接合されるベース板と、該ベース板に接合され、前記半導体基板のベース板に対する位置決めを行う位置決め部材とで構成される放熱板とを備える。
このように、放熱板は、それぞれ別体に形成されたベース板と位置決め板とを接合して構成しているので、両者を接合する前に、前記ベース板の表面を研磨等することで、該ベース板における半導体基板の接合面となる部分の面粗度や平面度といった表面形状を、接合に必要な精度に容易に加工することが可能となる。
【００１０】
また、請求項２記載のごとく、前記位置決め部材には、半導体基板を収容可能な収納空間が形成されており、該収納空間は、前記半導体基板の外周形状と略同じ形状に形成される。
これにより、該収納空間に半導体基板を収容することで、半導体基板の位置決め用の治具等を別途用いることなく、簡単な構成で半導体基板のベース板に対する位置決めを行うことができる。
【００１１】
また、請求項３記載のごとく、前記位置決め部材は、半導体基板が圧接すると変形し得る程度の軟質材にて構成される。
これにより、前記位置決め板に半導体基板が圧接しても、その圧接部分が半導体基板からの圧力に屈して変形し、半導体基板にかかる応力を吸収することとなるため、半導体基板には大きな応力がかかることがなく、治具やばね機構を別途用いることなく簡単な構成で、冷却時における放熱板の収縮による半導体基板の破損を防止することができる。
【００１２】
また、請求項４記載のごとく、前記収納空間の内周面には、内側方向へ突出する突出部が形成され、前記半導体基板は、該半導体基板の外周部が前記突出部に当接することで位置決めされ、前記突出部は、半導体基板が圧接すると変形し得る程度の強度を備えている。
これにより、放熱板の収縮に伴い半導体基板が突出部に圧接した場合でも、その圧接部分の突出部が半導体基板からの圧力に屈して変形し、該半導体基板にかかる応力を吸収することとなるため、半導体基板には大きな応力がかかることがなく、冷却時における放熱板の収縮による半導体基板の破損を防止することができる。
そして、放熱板の位置決め板を、アルミニウム等の軟質材よりも硬い材質にて構成することが可能となるため、該位置決め板を構成するための材質の選択範囲を広げることができる。
【００１３】
また、請求項５記載のごとく、前記位置決め部材は薄板状部材にて構成され、前記収納空間は薄板状部材を屈曲して形成されている。
これにより、放熱板の収縮により半導体基板が収納空間の内周面に圧接した場合、該収納空間の内周面を構成する薄板状部材が変形することとなり、圧接により生じる半導体基板にかかる応力が吸収され、冷却時における放熱板の収縮による半導体基板の破損を防止することができる。
【００１４】
また、請求項６記載のごとく、半導体基板を位置決めしつつ収容可能な収納空間を備えた位置決め部材を、ベース板に接合し、ベース板に接合した位置決め部材の収容空間内に、加熱により溶融する接合材を介して半導体基板を収納し、収納空間内に半導体基板を収納した状態のベース板を加熱して前記接合材を溶融させた後に、該ベース板を冷却して前記接合材を凝固させて、前記半導体基板をベース板に接合する、半導体装置の製造方法。
これにより、両者を接合する前に、前記ベース板の表面を研磨等することで、該ベース板における半導体基板の接合面となる部分の面粗度や平面度といった表面形状を、接合に必要な精度に容易に加工することが可能となる。
【００１５】
また、請求項７記載のごとく、前記位置決め部材は、半導体基板が圧接すると変形し得る程度の軟質材にて構成される。
これにより、前記ベース板の冷却時に、前記位置決め板に半導体基板が圧接しても、その圧接部分が半導体基板からの圧力に屈して変形し、半導体基板にかかる応力を吸収することとなるため、半導体基板には大きな応力がかかることがなく、治具やばね機構を別途用いることなく簡単な構成で、冷却時における放熱板の収縮による半導体基板の破損を防止することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、放熱板のベース板における半導体基板の接合面となる部分の面粗度や平面度といった表面形状を、接合に必要な精度に容易に加工することが可能となる。
また、前記ベース板の冷却時に、前記位置決め板に半導体基板が圧接しても、半導体基板にかかる応力を吸収することができ、半導体基板には大きな応力がかかることがないため、治具やばね機構を別途用いることなく簡単な構成で、冷却時における放熱板の収縮による半導体基板の破損を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。
【００１８】
図１には、本発明にかかる半導体装置の第１の実施形態を示している。
半導体装置１は放熱板２と、はんだ４により放熱板２に接合された複数の半導体基板３とを備えている。
放熱板２は、平板状に形成されるベース板２１と、該ベース板の上方に配置される位置決め板２２とで構成されている。
【００１９】
前記ベース板２１および位置決め板２２は、本例においてはアルミニウムや銅等の軟質材にて構成されており、該位置決め板２２は、はんだ４によりベース板２１に接合されている。ただし、位置決め板２２は、はんだ４以外のろう付け材にて接合することも可能である。
また、半導体基板３は、ベース板２１および位置決め板２２よりも熱膨張率が小さな材質、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスにて構成されている。
【００２０】
前記位置決め板２２には、前記半導体基板３が収容される収納空間２２ａが複数開口しており、前記収納空間２２ａの内周形状は半導体基板３の外周形状と略同じに形成されている。
これにより、前記半導体基板３は、前記収納空間２２ａに略隙間なく収容されることとなり、該収納空間２２ａに半導体基板３を嵌装するだけの簡単な作業で、該半導体基板３のベース板２１に対する位置決めを行うことが可能となっている。
【００２１】
これにより、半導体基板３を放熱板２にはんだ接合する際には、特別な位置決め治具を別途用いることなく、該半導体基板３を収納空間２２ａに収納するだけで位置決めを行うことが可能となり、位置決め治具を用いた場合に比べて加熱時の熱容量を抑えることができ、加熱時間の短縮および加熱エネルギー削減による半導体装置１の製造コストの低減を図ることができる。
なお、本例においては、収納空間２２ａは、位置決め板２２の長手方向に３箇所、短手方向に２箇所形成されている。すなわち、位置決め板２２には、２行３列に配置された計６箇所に収納空間２２ａが形成されている。
【００２２】
このように構成される半導体装置１において、半導体基板３の放熱板２へのはんだ接合は、次のように行われる。
つまり、まず図３（ａ）に示すように、放熱板２における位置決め板２２の収納空間２２ａに、箔状、板状、またはペレット状等の形状に形成されるはんだ４を介して、半導体基板３を収納する。
【００２３】
前記収納空間２２ａの内周形状と半導体基板３の外周形状とは略同じに形成されているため、該収納空間２２ａに収納された状態の半導体基板３は、その外周面が収納空間２２ａの内周面に当接することとなる。これにより、該半導体基板３の、放熱板２のベース板２１に対する位置決めがなされる。
【００２４】
このように、収納空間２２ａに半導体基板３を収納した状態の放熱板２をリフロー炉に投入し、半導体基板３とベース板２１との間に介装されたはんだ４が溶融する温度となるまで前記放熱板２２ａを加熱する。
放熱板２（ベース板２１および位置決め板２２）および半導体基板３は、加熱により膨張するが、該半導体基板３の熱膨張率は放熱板２の熱膨張率よりも小さいため、図３（ｂ）に示すように、放熱板２における位置決め板２２の収納空間２２ａの内周面と、半導体基板３の外周面との間には隙間が生じる。
また、この状態においては、半導体基板３とベース板２１との間に介装されるはんだ４は溶融状態となっている。
【００２５】
その後、放熱板２および半導体基板３は室温程度まで冷却されるが、その途中で冷却温度がはんだ４の融点より低くなった時点で該はんだ４は凝固する。
図３（ｃ）に示すように、はんだ４が凝固した後、放熱板２および半導体基板３が室温程度まで冷却されると、該放熱板２および半導体基板３は加熱前の状態となるまで収縮する。
【００２６】
このように、放熱板２および半導体基板３が室温程度まで冷却された場合、該放熱板２の端部側は、収縮により中央側へ移動することとなる。
これにより、はんだ４が凝固した後の放熱板２の収縮に伴って、例えば放熱板２における長手方向の端部位置に位置する収納空間２２ａに収納される半導体基板３（３ａ・３ｃ）が、中央側の外周面が該収納空間２２ａの内周面に圧接することとなる。
【００２７】
半導体基板３の外周面が収納空間２２ａの内周面に圧接した場合、該収納空間２２ａが形成される位置決め板２２が、該半導体基板３が圧接しても変形しないような硬質な素材にて構成されていると、半導体基板３に大きな応力がかかって、該半導体基板３が破損するおそれがあるが、本例における位置決め板２２はアルミニウムや銅等のような軟質材にて構成されているので、半導体基板３に大きな応力がかかることがなく、破損する恐れもない。
【００２８】
つまり、図４に示すように、前記位置決め板２２はアルミニウムや銅等の軟質材にて構成されており、該位置決め板２２に半導体基板３が圧接すると、その圧接部分が半導体基板３からの圧力に屈して変形し、半導体基板３にかかる応力を吸収するため、半導体基板３には大きな応力がかかることがなく、治具やばね機構を別途用いることなく簡単な構成で、冷却時における放熱板２の収縮による半導体基板３の破損を防止することができる。
【００２９】
また、放熱板２は、それぞれ別体に形成されたベース板２１と位置決め板２２とをはんだ４にて接合して構成しているので、両者を接合する前に、前記ベース板２１の表面を研磨等することで、該ベース板２１における半導体基板３の接合面となる部分の面粗度や平面度といった表面形状を、接合に必要な精度に加工することが可能となる。
【００３０】
また、前記半導体装置１は、次のように構成することもできる。
つまり、図５、図６に示す半導体装置１においては、放熱板２の位置決め板２２における収納空間２２ａの内周面に、該空間内側に突出する突出部２２ｃが形成されている。
前記突出部２２ｃは、収納空間２２ａの内周面の全域に亘って形成してもよく、該内周面の一部に単数または複数の突出部２２ｃを形成することもできる。
図６には、収納空間２２ａの内周面の一部に複数の突出部２２ｃを形成した例を示している。
【００３１】
前記突出部２２ｃは、収納空間２２ａ内に収納された半導体基板３の外周面に当接し、該半導体基板３は該突出部２２ｃにより、その位置決めがなされている。
また、前記突出部２２ｃは、半導体基板３が圧接すると変形する程度の強度を備えるように、その厚みを位置決め板２２本体の厚みよりも薄く形成されている。
つまり、位置決め板２２が、半導体基板３が収納空間２２ａの内周面に直接圧接した際に、その圧接により変形しない程度の強度を備えた強固な材質にて構成されていた場合、該半導体基板３が収納空間２２ａの内周面に直接圧接すると、大きな応力が半導体基板３にかかって、該半導体基板３に破損が生じる恐れがある。
【００３２】
しかし、本例のように、位置決め板２２よりも厚みが薄くて強度が低い突出部２２ｃを、収納空間２２ａの内周面から突出させ、収納空間２２ａに収納された半導体基板３が該突出部２２ｃに当接するように構成すると、図７に示すように、放熱板２の収縮に伴い半導体基板３が突出部２２ｃに圧接した場合には、その圧接部分の突出部２２ｃが半導体基板３からの圧力に屈して変形し、該半導体基板３にかかる応力を吸収することとなるため、半導体基板３には大きな応力がかかることがなく、冷却時における放熱板２の収縮による半導体基板３の破損を防止することができる。
これにより、放熱板２の位置決め板２２を、アルミニウム等の軟質材よりも硬い材質にて構成することが可能となるため、該位置決め板２２を構成するための材質の選択範囲を広げることができる。
【００３３】
また、前記半導体装置１は、次のように構成することもできる。
つまり、図８に示すように、前記放熱板２の位置決め板２２を、薄板状部材にて構成し、該位置決め板２２の収納空間２２ａは、薄板状部材をプレス加工等により上方へ屈曲させて形成している。
即ち、薄板状部材にて構成される位置決め板２２は、屈曲加工により形成された立部２２ｄにより収納空間２２ａの内周面を構成しており、該立部２２ｄにて囲まれた収納空間２２ａの内周面の形状が、半導体基板３の外周形状と略同じになるようにしている。
これにより、収納空間２２ａに収納された半導体基板３は、立部２２ｄにて形成される内周面に当接して位置決がなされることとなる。
【００３４】
このように、薄板状の位置決め板２２を屈曲して形成した立部２２ｄにて収納空間２２ａを形成した放熱板２において、半導体基板３をはんだ接合した後の冷却時に、放熱板２の収縮に伴い半導体基板３が収納空間２２ａの内周面に圧接した場合は、半導体基板３が圧接した部分の内周面を構成する前記立部２２ｄが変形することで、該半導体基板３の破損を防止している。
【００３５】
つまり、図９に示すように、薄板状部材で構成される前記立部２２ｄは、半導体基板３が圧接すると変形する程度の強度しか備えておらず、放熱板２の収縮により半導体基板３が収納空間２２ａの内周面に圧接することで該立部２２ｄが変形することとなる。
そして、この立部２２ｄの変形により半導体基板３にかかる応力が吸収され、冷却時における放熱板２の収縮による半導体基板３の破損が防止される。
【００３６】
また、収納空間２２ｄを形成する位置決め板２２は、薄板状部材にて構成されているので、該位置決め板２２を図１等に示したような半導体基板３を収容できるだけの厚みを有した板状部材にて構成した場合に比べて、放熱板２の容積を減少させることができる。
これにより、放熱板２が備える熱容量を減少させることができ、放熱板２を加熱する際における、加熱時間の短縮および加熱エネルギー削減による半導体装置１の製造コストの低減を図ることが可能となる。
さらに、位置決め板２２ははんだ付けやろう付けによりベース台２１に接合される接合材であるが、このような接合材としては、図１等に示したような厚みのある板状部材よりも、図８に示した本例の位置決め板２２を構成する薄板状部材の方が、市場に広く流通しているため、薄板状部材に構成されるものを位置決め板２２として用いる方が、半導体装置１を安価に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】半導体装置の第１の実施形態を示す側面断面図である。
【図２】半導体装置の第１の実施形態を示す平面図である。
【図３】半導体基板を放熱板のベース板にはんだ接合する際の経過を示す側面断面図である。
【図４】半導体装置の第１の実施形態において、はんだ凝固後の冷却時における放熱板の収縮により、半導体基板が圧接した位置決め板の内周面が変形する様子を示す側面断面図である。
【図５】半導体装置の第２の実施形態を示す側面断面図である。
【図６】半導体装置の第２の実施形態を示す部分平面図である。
【図７】半導体装置の第２の実施形態において、はんだ凝固後の冷却時における放熱板の収縮により、半導体基板が圧接した位置決め板の収納空間の内周面に形成される突起部が変形する様子を示す側面断面図である。
【図８】半導体装置の第３の実施形態を示す側面断面図である。
【図９】半導体装置の第３の実施形態において、はんだ凝固後の冷却時における放熱板の収縮により、半導体基板が圧接した位置決め板の収納空間を形成する立部が変形する様子を示す側面断面図である。
【図１０】従来の放熱板に半導体基板が接合されて構成される半導体装置を示す側面図である。
【図１１】従来の放熱板に半導体基板が接合されて構成される半導体装置を示す平面図である。
【図１２】従来の、放熱板に半導体基板を接合する際に用いられる、半導体基板の位置決め治具を示す側面断面図である。
【図１３】従来の、放熱板に半導体基板を接合する際に用いられる、半導体基板の位置決め治具を示す平面図である。
【図１４】従来の、放熱板に半導体基板を収納するための凹部を形成した半導体装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    半導体装置
２    放熱板
３    半導体基板
４    はんだ
２１    ベース板
２２    位置決め板
２２ａ  収納空間
【図１】
2007266086.tif 000003
【図２】
2007266086.tif 000004
【図３】
2007266086.tif 000005
【図４】
2007266086.tif 000006
【図５】
2007266086.tif 000007
【図６】
2007266086.tif 000008
【図７】
2007266086.tif 000009
【図８】
2007266086.tif 000010
【図９】
2007266086.tif 000011
【図１０】
2007266086.tif 000012
【図１１】
2007266086.tif 000013
【図１２】
2007266086.tif 000014
【図１３】
2007266086.tif 000015
【図１４】
2007266086.tif 000016