(57)【要約】      （修正有）【課題】金属部材の表面に自然発生した酸化膜を塩酸等で除去することで金属部材同士の電気的導通を確実にし，しかも金属部材が形成されている基板の腐食を防止することのできる金属部材の処理方法の提供。【解決手段】基板Ｇ１上に形成された電極Ｐ１と基板Ｇ２上に形成されたＰ２とを圧接する前に，電極Ｐ１，Ｐ２を所定濃度（例えば７質量％の濃度）の塩酸で表面処理して酸化膜を除去する。その後，純水で表面処理して塩酸を洗い流し，次いで，所定濃度の塩酸よりも低濃度（例えば０．０００４質量％）の塩酸で表面処理する。処理装置１は，円形の搬送室２の周囲にロードロック室３，４，塩酸処理室５，純水処理室６及び接合室７が配置され，これらのロードロック室３，４及び処理室５，６，７が，ゲートバルブ８を介して搬送室２に接続されたマルチチャンバ型の構成を有している。【選択図】図１
2007105786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部材同士を接合する前に行われる金属部材の処理方法であって，
金属部材を所定濃度の塩素化合物によって酸化膜除去する工程と，
前記所定濃度の塩素化合物で表面処理された金属部材を水で表面処理する工程と，
前記水で表面処理された金属部材を前記所定濃度よりも低濃度の塩素化合物で表面処理する工程とを有することを特徴とする，金属部材の処理方法。
【請求項２】
前記低濃度の塩素化合物は，前記所定濃度の塩素化合物が前記水によって希釈された塩素化合物であることを特徴とする，請求項１に記載の金属部材の処理方法。
【請求項３】
前記低濃度の塩素化合物は，前記所定濃度の塩素化合物とは別個に準備された塩素化合物であることを特徴とする，請求項１に記載の金属部材の処理方法。
【請求項４】
前記低濃度の塩素化合物での表面処理は，金属部材を前記低濃度の塩素化合物溶液中に浸漬して行われることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の金属部材の処理方法。
【請求項５】
前記所定濃度の塩素化合物及び前記低濃度の塩素化合物は，塩酸であることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の金属部材の処理方法。
【請求項６】
前記低濃度の塩素化合物は，濃度が４質量ｐｐｍ以上の塩酸であることを特徴とする，請求項５に記載の金属部材の処理方法。
【請求項７】
前記低濃度の塩素化合物で表面処理された後の金属部材の表面に，塩素イオンが１３ｎｇ／ｃｍ２以上残存していることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の金属部材の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，金属部材同士を接合する前に行われる金属部材の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおける組立工程においては，例えば異なるチップに形成された電極同士を合わせて接合する処理が行われている。この場合に，半田，ロウ材等を溶融させて接合すると，位置ずれを生じやすいという問題が存在するので，近年では金属部材同士を直接接合させる直接接合の手法が提案されている。
【０００３】
即ち，特許文献１には，金属部材を塩酸蒸気によって塩素化処理し，金属部材同士の接合を容易化させてから直接接合する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１３８０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
金属部材は，その表面に酸化膜が自然発生し，この酸化膜によって電気的導通が阻害されてしまう。この酸化膜は，塩酸等の塩素化合物を用いて除去可能であるが，上記特許文献１はこの点について何ら言及していない。また，上記特許文献１の塩素化処理では，塩酸が大量に残存してしまうおそれがあり，金属部材が形成されている基板等が腐食を生じ易い。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり，金属部材の表面に自然発生した酸化膜を塩酸等で除去することで金属部材同士の電気的導通を確実にし，しかも金属部材が形成されている基板の腐食を防止することのできる金属部材の処理方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために，本発明によれば，金属部材同士を接合する前に行われる金属部材の処理方法であって，金属部材を所定濃度の塩素化合物によって酸化膜除去する工程と，前記所定濃度の塩素化合物で表面処理された金属部材を水で表面処理する工程と，前記水で表面処理された金属部材を前記所定濃度よりも低濃度の塩素化合物で表面処理する工程とを有することを特徴とする，金属部材の処理方法が提供される。
【０００７】
本発明によれば，金属部材同士を接合する前に所定濃度の塩素化合物で予め金属部材表面の酸化膜を除去するようにしたので，接合後は金属部材の電気的導通が確実になる。また酸化膜除去の後に，金属部材を水で表面処理して所定濃度の塩素化合物を洗い流すようにしたので，金属部材が形成されている基板の腐食が防止される。さらに水での表面処理の後に，所定濃度よりも低濃度の塩素化合物での表面処理をするようにしたので，金属部材同士の接合が容易化される。
【０００８】
また，上記金属部材の処理方法において，前記低濃度の塩素化合物は，前記所定濃度の塩素化合物が前記水によって希釈された塩素化合物であってよい。
【０００９】
また，上記金属部材の処理方法において，前記低濃度の塩素化合物は，前記所定濃度の塩素化合物とは別個に準備された塩素化合物であってよい。
【００１０】
また，上記金属部材の処理方法において，前記低濃度の塩素化合物での表面処理は，金属部材を前記低濃度の塩素化合物溶液中に浸漬して行われてよい。
【００１１】
また，上記金属部材の処理方法において，前記所定濃度の塩素化合物及び前記低濃度の塩素化合物は，塩酸であってよい。
【００１２】
また，上記金属部材の処理方法において，前記低濃度の塩素化合物は，濃度が４質量ｐｐｍ以上の塩酸であってよい。
【００１３】
また，上記金属部材の処理方法において，前記低濃度の塩素化合物で表面処理された後の金属部材の表面に，塩素イオンが１３ｎｇ／ｃｍ２以上残存していてよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば，金属部材同士の電気的導通が確実になされ，金属部材が形成されている基板等に腐食を生じさせずに，金属部材同士を最適に接合させることができる。また，それによって金属部材及び金属部材が形成されている基板の寿命を延ばすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下，図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について説明をする。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
図１は，本実施の形態を実施するために用いた金属部材の処理装置１の構成を説明する構成図である。本実施の形態では，処理装置１は，円形の搬送室２の周囲にロードロック室３，４，塩酸処理室５，純水処理室６及び接合室７が配置され，これらのロードロック室３，４及び処理室５，６，７が，ゲートバルブ８を介して搬送室２に接続されたマルチチャンバ型の構成を有している。
【００１７】
搬送室２は，その中心に伸縮自在な搬送アーム１０が設けられている。搬送アーム１０は，回転可能な支持台１１の上に設けられており，この支持台１１と共に回転し，ロードロック室３，４又は各処理室５，６，７のいずれにも対向可能である。搬送アーム１０は，先端部にピン形状の支持部材１２及び１３を備えており，金属部材としての電極Ｐが形成された例えば円板形状の基板Ｇをこの支持部材１２，１３で支持可能である。本実施の形態では，電極Ｐは，例えばＣｕ等の金属で形成されている。搬送アーム１０は，この支持部材１２，１３で基板Ｇを支持した状態又は基板Ｇを支持しない状態で伸縮し，ロードロック室３，４又は各処理室５，６，７の中から基板Ｇを回収することや，ロードロック室３，４又は各処理室５，６，７の中に基板Ｇを載置することが可能である。なお，搬送アーム１０は，基板Ｇを裏返して上下面を反転させることが可能な反転機構（図示せず）を備えている。
【００１８】
ロードロック室３及び４は，外部と処理装置１との間で基板Ｇの搬入出を行うロードロック機構（図示せず）を備えている。本実施の形態では，基板Ｇは，ロードロック室３を通して外部から処理装置１に搬入され，処理室５，６，７で処理が行われた後，ロードロック室４を通して処理装置１から外部に搬出される。
【００１９】
本実施の形態を実施するために用いた塩酸処理室５は，図２に示すように，略長方形形状の処理容器２０の中央付近に円板形状のチャック２１が水平面内で回転し得るように水平に配置された構成にされている。チャック２１は，処理容器２０の中央底部に設けられたモータ２２によって駆動される支持部材２３で回転可能に支持されている。チャック２１の上面に電極Ｐを上に向けて載置された基板Ｇは，固定具（図示せず）等によって固定して支持され，チャック２１と共に回転可能である。
【００２０】
チャック２１の上部には，基板Ｇの電極Ｐに塩素化合物としての塩酸を噴霧するノズル２４が設けられている。ノズル２４は，処理容器２０の外部に設けられたタンク２５にバルブ２６及びポンプ２７を介して接続されている。ノズル２４から噴霧される塩酸はポンプ２７によってタンク２５から供給され，バルブ２６で量が調整される。タンク２５には，純水の供給源２８が，バルブ２９，マスフローコントローラ３０及びバルブ３１を介して接続されている。さらに，タンク２５には，塩酸の供給源３２が，バルブ３３，マスフローコントローラ３４及びバルブ３５を介して接続されている。タンク２５には，純水の供給源２８からバルブ３３，マスフローコントローラ３４及びバルブ３５等によって所定量の純水が供給されると共に，塩酸の供給源３２からバルブ３３，マスフローコントローラ３４及びバルブ３５によって所定量の塩酸が供給される。これらの純水及び塩酸は処理に応じて各々の供給量が調整され，高濃度又は低濃度の塩酸が貯蔵される。
【００２１】
チャック２１の側面及び底面の周囲には，基板Ｇに噴霧された塩酸が飛散するのを防止するカバー３６が設けられている。カバー３６の底面には，カバー３６の内部に貯留した塩酸を排出する排出管３７が設けられている。排出管３７は，ポンプ３８に接続されており，貯留した塩酸はこのポンプ３８によって外部に排出される。
【００２２】
本実施の形態を実施するために用いた純水処理室６は，図３に示すように，塩酸処理室５とほとんど同一の構成を有している。純水処理室６が塩酸処理室と相違する点は，ノズル２４に接続するタンク３９に純水が貯蔵されていることである。ノズル２４から噴霧される純水はポンプ２７によってタンク２５から供給され，バルブ２６で量が調整される。
【００２３】
接合室７は，図４に示すように略長方形形状の処理容器４０の内部に厚みのある略円板形状の下部チャック４１及び上部チャック４２を備えた構成を有している。下部チャック４１は，処理容器４０の中央の底部に設けられた固定式の支持台４３によって支持されている。下部チャック４１の上面に，基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を例えば吸引装置（図示せず）等によって電極Ｐの面を上にした状態で固定して吸引保持可能である。上部チャック４２は，下部チャック４１の上部に対向する位置に設けられている。上部チャック４２は，エアシリンダ４４によって鉛直上下方向に駆動される支持部材４５によって支持されている。上部チャック４２の下面に，基板Ｇを例えば吸引装置（図示せず）等によって電極Ｐの面を下にした状態で固定して吸引保持可能である。なお，下部チャック４１及び上部チャック４２の内部には，図４に示すように，各々，ヒータ４６及び４７が内蔵されており，基板Ｇを加熱することが可能である。
【００２４】
次に，以上のように構成された処理装置１で行われる基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）上の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）に対する処理プロセスについて説明する。
【００２５】
円板形状の基板Ｇ１がロードロック機構（図示せず）によって外部から搬入され，ロードロック室３内に載置される。基板Ｇ１を保持しない状態の搬送アーム１０が支持台１１と共に回転し，ロードロック室３に対向する。搬送アーム１０は伸長し，ロードロック室３内に載置された基板Ｇ１を支持部材１２及び１３上に保持してから収縮し，この基板Ｇ１を回収する。
【００２６】
基板Ｇ１を保持した搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，塩酸処理室５に対向する。搬送アーム１０は塩酸処理室５の処理容器２０内に進入し，チャック２１上に基板Ｇ１を電極Ｐ１の面が上になるように載置してから退出する。
【００２７】
チャック２１上に載置された基板Ｇ１は，固定具（図示せず）等によって固定して支持される。チャック２１が支持部材２３と共にモータ２２によって回転され，チャック２１上に固定して支持された基板Ｇ１が水平面内でチャック２１と共に回転する。タンク２５には，バルブ２９，マスフローコントローラ３０及びバルブ３１によって純水の供給源２８から供給される適切な量の純水と，バルブ３３，マスフローコントローラ３４及びバルブ３５によって塩酸の供給源３２から供給される適切な量の塩酸とを混合して得られる濃度が７質量％の塩酸が予め貯蔵される。ポンプ２７によってタンク２５から濃度が７質量％の塩酸がノズル２４に供給され，このノズル２４から回転する基板Ｇ１に対してこの塩酸が噴霧される。基板Ｇ１が回転した状態でこのように噴霧された塩酸は遠心力によって外側に拡散されるので，基板Ｇ１の上面全体は均一に表面処理される。この表面処理によって，基板Ｇ１上の電極Ｐ１の表面の酸化膜が除去される。なお，基板Ｇ１を回転させながら塩酸を噴霧して行うこの表面処理は，所定時間（例えば２０秒間）実行される。
【００２８】
７質量％の塩酸による表面処理終了後，搬送アーム１０は，基板Ｇ１を保持しない状態で支持台１１と共に回転し，塩酸処理室５に対向する。搬送アーム１０は塩酸処理室５内のチャック２１上に載置された基板Ｇ１を支持部材１２及び１３上に保持してから退出し，この基板Ｇ１を回収する。
【００２９】
基板Ｇ１を保持した搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，純水処理室６に対向する。搬送アーム１０は純水処理室６の処理容器２０内に進入し，基板Ｇ１を電極Ｐ１の面が上になるようにチャック２１上に載置してから退出する。
【００３０】
チャック２１上に載置された基板Ｇ１は，固定具（図示せず）等によって固定して支持される。チャック２１が支持部材２３と共にモータ２２によって回転され，チャック２１上に固定して支持された基板Ｇ１が水平面内でチャック２１と共に回転する。タンク３９には，純水が予め貯蔵されている。ポンプ２７によってタンク３９から純水がノズル２４に供給され，このノズル２４から回転する基板Ｇ１に対して純水が噴霧される。基板Ｇ１を回転させながら純水を噴霧して行うこの表面処理は，所定時間（例えば５秒間）行われる。基板Ｇ１が回転した状態でこのように噴霧された純水は遠心力によって外側に拡散されるので，基板Ｇ１の上面全体は均一に表面処理される。この表面処理によって，先に噴霧された塩酸が基板Ｇ１及び電極Ｐ１から洗い流される。本実施の形態では，上述した純水による５秒間の表面処理を連続して２回実行する。
【００３１】
純水による表面処理終了後，搬送アーム１０は，基板Ｇ１を保持しない状態で支持台１１と共に回転し，純水処理室６に対向する。搬送アーム１０は純水処理室６内のチャック２１上に載置された基板Ｇ１を支持部材１２及び１３上に保持してから収縮し，この基板Ｇ１を回収する。
【００３２】
基板Ｇ１を保持した搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，塩酸処理室５に対向する。搬送アーム１０は塩酸処理室５の処理容器２０内に進入し，基板Ｇ１を電極Ｐ１の面が上になるようにチャック２１上に載置してから退出する。
【００３３】
チャック２１上に載置された基板Ｇ１は，固定具（図示せず）等によって固定して支持される。チャック２１が支持部材２３と共にモータ２２によって回転され，チャック２１上に固定して支持された基板Ｇ１が水平面内でチャック２１と共に回転する。タンク２５には，バルブ２９，マスフローコントローラ３０及びバルブ３１によって純水の供給源２８から供給される適切な量の純水と，バルブ３３，マスフローコントローラ３４及びバルブ３５によって塩酸の供給源３２から供給される適切な量の塩酸とを混合して得られる濃度が０．０００４質量％（即ち，４質量ｐｐｍ）の塩酸が予め貯蔵される。タンク２５から濃度が０．０００４質量％（即ち，４質量ｐｐｍ）のこの塩酸がノズル２４に供給され，このノズル２４から回転する基板Ｇ１に対してこの塩酸が噴霧される。基板Ｇ１が回転した状態でこのように噴霧された塩酸は遠心力によって外側に拡散され，基板Ｇ１の上面全体は均一に表面処理される。基板Ｇ１を回転させながら低濃度の塩酸を噴霧して行うこの表面処理は，所定時間（例えば２０秒間）行われる。この表面処理によって，基板Ｇ１の電極Ｐ１上に接合に最適な量の塩酸が残存される。
【００３４】
塩酸処理室５で基板Ｇ１の表面処理に用いられる例えば濃度が０．０００４質量％（即ち，４質量ｐｐｍ）の塩酸は，上述のように，塩酸処理室５で基板Ｇ１の表面処理に用いられる例えば濃度が７質量％の塩酸の濃度よりも低濃度の塩酸がタンク２５内に別個に準備してから用いられる。塩酸処理室５で基板Ｇ１の低濃度の塩酸による表面処理のために用いられる低濃度の塩酸の濃度は，好適には０．０００４質量％（即ち，４質量ｐｐｍ）以上である。
【００３５】
なお，下記の表は，Ｃｕで形成された電極Ｐ１を，種々の濃度の低濃度塩酸を用いて洗浄した後に表面に残存する塩素イオン（Ｃｌ−）の量と，その後の接合結果を示したものである。表で示されるように，低濃度塩酸によって基板Ｇ１を洗浄した後に２６ｎｇ／ｃｍ２以上の塩素イオン（Ｃｌ−）が表面に残存している場合に接合が可能であった。
【００３６】
【表１】
2007105786.tif 000003
【００３７】
搬送アーム１０は，基板Ｇ１を保持しない状態で支持台１１と共に回転し，塩酸処理室５に対向する。搬送アーム１０は塩酸処理室５内のチャック２１上に載置された基板Ｇ１を支持部材１２及び１３上に保持してから収縮し，この基板Ｇ１を回収する。
【００３８】
基板Ｇ１を保持した搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，接合室７に対向する。搬送アーム１０は，保持している基板Ｇ１の上下面を反転機構（図示せず）によって反転させ，基板Ｇ１を電極Ｐ１の面が下になるようにして保持し直す。搬送アーム１０が伸長し，基板Ｇ１が支持部材１２及び１３と共に接合室７の処理容器４０内に進入する。接合室７の上部チャック４２がエアシリンダ４４によって支持部材４５を介して鉛直下方向に駆動され，搬送アーム１０の支持部材１２及び１３上に支持された基板Ｇ１の位置まで降下する。上部チャック３２は，電極Ｐ１の面を下に向けた基板Ｇ１を吸引装置（図示せず）によって吸着保持すると，エアシリンダ４４によって支持部材４５を介して鉛直上方向に駆動されて上昇する。もはや基板Ｇ１を保持していない搬送アーム１０は収縮して接合室７から退出する。
【００３９】
ロードロック室３から搬入された別の基板Ｇ２に対して，接合室７の上部チャック３２の下面に吸着保持された基板Ｇ１と同様に，塩酸処理室５内で濃度が７質量％の塩酸によって２０秒間の表面処理が行われ，その後に純水処理室６内で純水によって５秒間の表面処理が２回連続して行われ，さらにその後に塩酸処理室５内で濃度が０．０００４質量％（即ち，４質量ｐｐｍ）の塩酸によって表面処理が行われる。その後，この基板Ｇ２を保持した搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，接合室７に対向する。搬送アーム１０は接合室７の処理容器４０内に進入し，下部チャック４１上に基板Ｇ２を，基板Ｇ２の電極Ｐ２の面が上になるように載置してから退出する。基板Ｇ２は，吸引装置（図示せず）によって下部チャック４１上に吸着保持される。
【００４０】
上面に基板Ｇ２を吸着保持する下部チャック４１に近づくように，下面に基板Ｇ１を吸着保持する上部チャック４２がエアシリンダ４４によって下降され，基板Ｇ１の電極Ｐ１と基板Ｇ２の電極Ｐ２とが圧接される。本実施の形態では，例えば，温度は１２０℃，圧力は３．４８ｋｇ／ｍｍ２，時間は３分間という条件で圧接を実行した。圧接後，上部チャック４２は吸着が解除され，上昇される。上部チャック４２の上昇後，下部チャック４１の吸着が解除される。
【００４１】
基板Ｇ１（Ｇ２）を保持しない状態の搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，接合室７に対向する。搬送アーム１０は接合室７内の下部チャック４１上に載置されている圧接された基板Ｇ１，Ｇ２を支持部材１２及び１３上に保持してから退出し，この圧接された基板Ｇ１，Ｇ２を回収する。
【００４２】
圧接された基板Ｇ１，Ｇ２を保持した搬送アーム１０は，支持台１１と共に回転し，ロードロック室４に対向する。搬送アーム１０はロードロック室４内に進入し，ロードロック室４内に圧接された基板Ｇ１，Ｇ２を載置してから退出する。圧接された基板Ｇ１，Ｇ２は，ロードロック機構（図示せず）によってロードロック室４から外部に搬出される。
【００４３】
以上の実施の形態によれば，基板Ｇ１，Ｇ２の電極Ｐ１，Ｐ２を圧接する前に，電極Ｐ１，Ｐ２を所定濃度の塩酸で表面処理することで電気的導通性や圧接の妨げになる酸化膜を除去することができる。次に，塩酸で表面処理された電極Ｐ１，Ｐ２を水で表面処理して塩酸を洗い流して基板Ｇ１，Ｇ２の腐食を防止し，最後に，酸化膜の除去に用いた塩酸の濃度よりも低濃度の塩酸を用いて電極Ｐ１，Ｐ２を表面処理することで電極Ｐ１とＰ２との接合を容易化している。従って，従来のこの種の接合方法と比べると，電気的導通性が確実で且つ電極同士の圧接が最適化されると共に基板の寿命が延長される。
【００４４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４５】
上述した実施形態においては，塩酸処理室５で所定濃度の塩酸による表面処理を行った後に，純水処理室６で純水による表面処理を行い，さらにその後に，塩酸処理室５で別個に準備された低濃度の塩酸による表面処理を行って基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）上に低濃度の塩酸が最適に残存するようにしたが，塩酸処理室５で所定濃度の塩酸で表面処理を行った後に純水処理室６で純水による表面処理を行い，基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）上に残存する所定濃度の塩酸を希釈させて得た低濃度の塩酸を用いて低濃度の塩酸による表面処理を行ってもよい。
【００４６】
上述した実施形態においては，塩酸処理室５内で処理液としての塩酸によって基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）の酸化膜の除去又は表面処理を行う際にノズル２４からこれらの処理液を噴霧することで実行したが，基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）の表面処理は,基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を処理液が貯蔵された浴槽に浸漬させて実行してもよい。図５を用いて具体的に説明すると,図５（Ａ）に示すように，複数のバキュームチャック５０によって下面を吸着保持された基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を降下させ，図５（Ｂ）に示すように，所定濃度（例えば７質量％の濃度又は例えば０．０００４質量％の濃度）の塩酸５１が貯蔵された浴槽５２に基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を浸漬させ,所定時間経過後に,図５（Ｃ）に示すように,複数のバキュームチャック５０によって基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を上昇させることで基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）の酸化膜の除去又は表面処理を実行することが可能である。
【００４７】
上述した実施形態においては，純水処理室６内で処理液としての純水によって基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）の表面処理を行う際にノズル２４からこれらの処理液を噴霧することで実行したが，基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）の表面処理は,基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を処理液が貯蔵された浴槽に浸漬させて実行してもよい。図５を用いて具体的に説明すると,図５（Ａ）に示すように，複数のバキュームチャック５０によって下面を吸着保持された基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を降下させ，図５（Ｂ）に示すように，純水が貯蔵された浴槽５２に基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を浸漬させ,所定時間経過後に,図５（Ｃ）に示すように,複数のバキュームチャック５０によって基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を上昇させることで基板Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）の電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）の表面処理が実行され得る。
【００４８】
上述した実施形態においては，純水による表面処理は，５秒間の表面処理が連続して２回実行される場合について説明したが，純水による表面処理は，適切な所定時間で適切な所定回数実行されてもよい。
【００４９】
上述した実施形態においては，塩素化合物として塩酸が用いられたが，その他の塩素化合物が用いられてもよい。
【００５０】
上述した実施形態においては，電極Ｐ（Ｐ１，Ｐ２）は，Ｃｕの金属で形成されているが，Ｃｕ以外の金属で形成されていてよい。
【００５１】
上述した実施形態においては，金属部材として電極があげられていたが，金属部材は電極以外の構成要素であってよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は，例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいてチップに形成された電極同士を接合する場合等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態を実施するために用いられる金属部材の処理装置の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態を実施するために用いられる塩酸洗浄室を説明する構成図である。
【図３】本発明の実施の形態を実施するために用いられる純水洗浄室を説明する構成図である。
【図４】本発明の実施の形態を実施するために用いられる接合室を説明する構成図である。
【図５】基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う場合の本発明の別実施の形態を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
Ｇ，Ｇ１，Ｇ２    基板
Ｐ，Ｐ１，Ｐ２    電極
１    処理装置
２    搬送室
３，４    ロードロック室
５    塩酸処理室
６    純水処理室
７    接合室
１１    搬送アーム
【図１】
2007105786.tif 000004
【図２】
2007105786.tif 000005
【図３】
2007105786.tif 000006
【図４】
2007105786.tif 000007
【図５】
2007105786.tif 000008