(57)【要約】  【課題】  トランスや、リアクタといった高温に発熱するものを冷却フィンと同じ領域に配置すると、トランスやリアクタの発熱により、領域内温度が高くなり冷却フィンの冷却効率が低下し、電気素子の信頼性が低下するという課題を有していた。  【解決手段】  筐体と、筐体内を複数の領域に分ける仕切り部材と、筐体内に設けられており空洞部を形成する外周部を備えており１つの領域から他の領域に空気を流通させる略トンネル形状の放熱ユニットと、筐体内に設けられており放熱ユニットの空洞部に空気を流通させるためのファンとを備えており、上方の領域内の放熱ユニットに第一の電気素子を配置し、下方の領域でありファンによる冷却風の吹き出し側に第二の電気素子を配置した溶接装置。【選択図】  図１
2007105741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体内を複数の領域に分ける仕切り部材と、
前記筐体内に設けられており空洞部を形成する外周部を備えており１つの領域から他の領域に空気を流通させる略トンネル形状の放熱ユニットと、
前記筐体内に設けられており前記放熱ユニットの空洞部に空気を流通させるためのファンとを備えた溶接装置。
【請求項２】
１つの仕切り部材は筐体内を上下方向に分離するものであり、
放熱ユニットは空洞部の両端に空気が流通する第一の開口部と第二の開口部を有し、
前記放熱ユニットは第一の開口部が筐体内の上方領域に位置し第二の開口部が仕切り部材の面上あるいは筐体内の下方領域に位置するように配設され、
ファンは前記第一の開口部に設けられた請求項１記載の溶接装置。
【請求項３】
第一の電気素子を筐体内の上方領域に配設した請求項２記載の溶接装置。
【請求項４】
第一の電気素子を直接または間接的に放熱ユニットの外周部に配設した請求項３記載の溶接装置。
【請求項５】
第一の電気素子は半導体素子を含む請求項３または４記載の溶接装置。
【請求項６】
第二の電気素子を筐体内の下方領域内であり第二の開口部の下方に配設した請求項２から５のいずれか１項に記載の溶接装置。
【請求項７】
第二の電気素子はリアクタまたはトランスを含む請求項６記載の溶接装置。
【請求項８】
筐体を構成する側板を、上方領域に面する各々異なる位置に開口部を有している側板と取り換え可能とした請求項２から７のいずれか１項に記載の溶接装置。
【請求項９】
筐体を構成する底板は複数の開口部を有する請求項２から８のいずれか１項に記載の溶接装置。
【請求項１０】
側板の高さあるいは仕切り部材の取り付け位置を変更して各領域の高さを変更することにより異なる製品仕様に対応可能な請求項２から９のいずれか１項に記載の溶接装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインバータ回路等を搭載しておりアークを発生する溶接装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、溶接装置の小型化や高性能化を図るため、電力制御回路に高速スイッチングが可能なインバータ回路を搭載したものが一般的となっており、インバータ制御の溶接装置が普及している。また、制御周波数の高周波化に伴い、スイッチング素子の発熱が高くなり、スイッチング素子の冷却が重要視されている。
【０００３】
従来のインバータ溶接装置としては、インバータ駆動に必要な半導体素子を冷却するための冷却フィンと、発熱して高温となるトランスやリアクタが溶接装置の筐体内部の１つの領域内に全て配置されており、大型の冷却ファンにより冷却フィンやトランスやリアクタを冷却するものが知られている（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
【０００４】
なお、半導体素子とは、例えば、ダイオードやサイリスタ、トランジスタ等のスイッチング素子のことを示す。
【０００５】
以下、従来の溶接装置における筐体内部の各部品の配置について、図５と図６を用いて説明する。
【０００６】
先ず、図５を用いて、第１の従来の溶接装置の筐体内部の部品の配置について説明する。なお、図５は溶接装置を側面から見た透視図である。
【０００７】
図５において、溶接装置は、溶接装置の筐体１０１の内部に、サイリスタやトランジスタなどの半導体素子１０２と、半導体素子１０２を冷却するための冷却フィン１０３と、電力を変換するトランス１０４と、出力電流を平滑するリアクタ１０５と、冷却フィン１０３とトランス１０４とリアクタ１０５を冷却するためのファン１０６と、半導体素子１０２を制御する制御装置１０７と、制御装置１０７を粉塵から防ぐための領域を確保するために設けられた仕切り部材１０８から構成される。なお、ファン１０６は鉛直方向に風を流すように取り付けられており、このファン１０６の上側に筐体１０１内部を上下に分離する仕切り部材１０８が設けられており、その上側の領域内に制御装置１０７が配置されている。また、実際には溶接するために必要な配線や様々な構成物等があるが、本従来の溶接装置の説明には直接関係しないため、説明を省略する。
【０００８】
図５に示すように、従来の溶接装置では、仕切り部材１０８で仕切られた下側の領域である領域１０９内に高温に発熱する半導体素子１０２と半導体素子１０２を冷却する冷却フィン１０３とトランス１０４とリアクタ１０５が配置され、外部からの空気を排出または吸入するファン１０６により各部品に風を当てて冷却を行っている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
次に、図６を用いて、第２の従来の溶接装置の筐体内部の配置について説明する。なお、図６は溶接装置を側面から見た透視図である。
【００１０】
図６において、溶接装置は、溶接装置の筐体１０１の内部に、インバータ駆動に必要な半導体素子１０２と、半導体素子１０２を冷却するための冷却フィン１０３と、電力を変換するトランス１０４と、出力電流を平滑するリアクタ１０５と、冷却フィン１０３やトランス１０４やリアクタ１０５を冷却するためのファン１０６と、インバータ駆動を制御する制御装置１０７と、半導体素子１０２と制御装置１０７を粉塵から防ぐための領域を確保するための仕切り部材１０８から構成されている。また、前記仕切り部材１０８には、半導体素子１０２が挿通可能な大きさの貫通孔１１０が設けられている。なお、筐体１０１内に筐体１０１内部を上下に分離する仕切り部材１０８が配置されており、仕切り部材１０８の貫通孔１１０から半導体素子１０２が挿通しており、仕切り部材１０８の上側に上部領域１１１が設けられ、この上部１１１内であり仕切り部材１０８の上部に制御装置１０７が配置されている。また、実際には溶接するために必要な配線や様々な構成物等があるが、本発明の説明には直接関係しないため説明を省略する。
【００１１】
図６に示すように、従来の溶接装置は、仕切り部材１０８で仕切られた下側の領域である領域１０９内に、高温に発熱する半導体素子１０２を冷却する冷却フィン１０３とトランス１０４とリアクタ１０５が配置されており、外部からの空気を排出または吸入するファン１０６によって、各部品に風を当てて冷却を行っている。なお、ファン１０６は水平方向に風を流すものである（例えば、特許文献２参照）。
【００１２】
なお、図５および図６を用いて説明した従来の溶接装置のように各部品を配置している場合、領域１０９内の広範囲に風が流れるように、比較的大型なファン１０６を用いて領域１０９内部の全ての発熱体を冷却するようにしている。
【特許文献１】実開昭６１−５３０７４号公報
【特許文献２】特開平８−２１４５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記のような従来の溶接装置では、トランス１０４やリアクタ１０５といった高温に発熱する部品を冷却フィン１０３と同じ領域に配置しているので、トランス１０４やリアクタ１０５の発熱により領域１０９内の温度が高くなり、その影響により冷却フィン１０３の冷却効率が低下するといった課題があった。
【００１４】
また、領域が広いためファン１０６を大型にする必要があるが、大型のファン１０６を使用したとしても、ファン１０６が生じる冷却風は領域１０９内で散漫され、トランス１０４等の高温の部品を優先的に冷却する等の局所的な冷却を行うことができず、冷却フィン１０３、トランス１０４、リアクタ１０５の冷却効率が低下してしまい、溶接装置の信頼性が低下するという課題があった。
【００１５】
また、溶接装置の仕様等に基づきトランス１０４やリアクタ１０５などの部品点数が増えた場合、領域１０９内の発熱量が増えるため、さらに領域内温度が上昇してしまうという課題があった。
【００１６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、筐体内部で仕切り部材によって領域を複数に分け、トランス、リアクタで熱せられた空気を半導体素子の配置されている領域から隔離し、半導体素子の配置されている領域の領域内温度を下げ、また、局所冷却を可能とすることでトランスやリアクタの冷却効率を高め、信頼性の高い溶接装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の溶接装置は、筐体と、前記筐体内を複数の領域に分離する仕切り部材と、前記筐体内に設けられており空洞部を形成する外周部を備えており、一つの領域から他の領域に空気を流通させる略トンネル形状の放熱ユニットと、前記筐体内に設けられている前記放熱ユニットの空洞部に空気を流通させるためのファンとを備えるものである。
【００１８】
また、前記仕切り部材は前記筐体内を上下方向に分離するものであり、前記放熱ユニットは空洞部の両端に空気が流通する第一および第二の開口部を有し、前記放熱ユニットは前記第一の開口部が前記筐体内の上方領域に位置し、前記第二の開口部が前記仕切り部材の面上あるいは前記筐体内の下方領域に位置するように配置され、前記ファンは前記第一の開口部に設けられるものである。
【００１９】
また、第一の電気素子を前記筐体内の上方領域に配設され、直接または間接的に前記放熱ユニットの外周部に配設されており、第二の電気素子が、前記筐体内の下方領域であり、前記第二の開口部の下側に配設されるものである。
【００２０】
そして、上記構成により、上方の領域内の放熱ユニットに配置された第一の電気素子と、下方の領域であり第二の開口部の下側に配置された第二の電気素子を効率的に冷却するものである。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、筐体内に複数に分離する仕切り部材を設け、ファンが取り付けられた略トンネル形状の放熱ユニットによって、筐体の上方領域から下方領域へ空気を送る構成とすることで、下方領域に配設された第二の電気素子の発熱影響を上方領域で受けることがなく、上方領域に配設された第一の電気素子を効率的に冷却することができ、また、放熱ユニットの風の吹き出し側であり下方領域に配置された第二の電気素子に直接局所的に風を当てることが可能となるため、第二の電気素子の発熱を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明を実施するための最良の形態について、図１から図４を用いて説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
先ず、図４を用いて本実施の形態における溶接装置の回路構成及び作用について説明する。
【００２４】
図４は、本実施の形態における溶接装置の回路構成を示すブロック図である。図４に示す溶接装置おいて、２１は商用電源、２２は商用電源２１の出力を整流する１次側整流ダイオード、２３は１次側リアクタ、２４は１次側平滑コンデンサ、２５はスイッチングを行う半導体素子、２６は主トランス、２７は２次側整流ダイオード、２８は２次側リアクタ、２９は出力端子、３０は制御装置である。なお、この制御装置３０は、内部に、直流電源基板３１と制御基板３２とを備えている。また、実際には、溶接に必要な回路、構成物があるが、本実施の形態の説明には直接関係しないため説明を省略する。
【００２５】
以上のように構成された溶接装置について、その動作を説明する。
【００２６】
先ず、商用電源２１から供給される電力を一次側整流ダイオード２２にて整流し、一次側リアクタ２３、一次側平滑コンデンサ２４にて直流電圧を平滑化する。そして、半導体素子２５によりスイッチングを行って電圧，電流のインバータ制御を行い、高周波の電圧，電流となるように制御する。さらに、主トランス２６により、１次側から２次側へ昇圧し、２次側整流ダイオード２７により再び直流化され、２次側リアクタ２８によって溶接の品質を良くするために高周波成分をカットする。そして、出力端子２９にはトーチケーブル及び母材ケーブルが接続されており、溶接を行うことができる。
なお、制御装置３０は、直流電源基板３１と制御基板３２を含み、作業者の設定する値を実現するために半導体素子２５の制御を行い、溶接の品質を安定させるためのものである。また、半導体素子２５には、後述する図１に示すように、半導体素子２５の過電圧保護のためのスナバ１４が取り付けられている。
【００２７】
次に、図１と図３を用いて、本実施の形態における溶接装置の構成について説明する。図１は溶接装置を前方左方向から見た斜視透視図であり、図３は溶接装置の前方右方向から見た斜視透視図である。図１と図３において、１は溶接装置の筐体を示しており、２は第一の仕切り部材、３は第二の仕切り部材である。なお、これら第一の仕切り部材２と第二の仕切り部材３は、筐体１内を複数の領域に分けるものである。そして、４は第一の仕切り部材の上方に位置する第一の領域、５は第一の仕切り部材２の下方であり第二の仕切り部材３の上方に位置する第二の領域、６は第二の仕切り部材３の下方に位置する第三の領域である。また、７はグロメット、８は第二の領域５内に設けられた放熱ユニット、９は放熱ユニット８の第一の開口部、１０は放熱ユニット８の第二の開口部、１１は放熱ユニット８の第１の開口部側に設けられたファン、１２は筐体１を構成する側板、１３は側板１２の第二の領域５に面する部分に設けられた第三の開口部、１４はスナバ、１５は側板１２の第三の領域６に面する部分に設けられた第四の開口部、１６は筐体１を構成する底板、１７は底板１６に設けられた第五の開口部である。なお、実際には溶接するために必要な配線や構成物があるが、本実施の形態の説明には直接関係しないため、これらについては説明を省略する。
【００２８】
以上のように構成された溶接装置について説明する。
溶接装置の筐体１は、第一の仕切り部材２と第二の仕切り部材３により、上下方向に３つの領域に分離されている。なお、筐体１内の上側の領域を第一の領域４とし、中央の領域を第二の領域５とし、下側の領域は第三の領域６とする。
【００２９】
筐体１の第一の領域４には制御装置３０が配置されている。そして、この制御装置３０によって作業者の設定した値を出力し、溶接の品質を安定させるように半導体素子２５が制御される。なお、この第一の領域４と第二の領域５を分離している第一の仕切り部材２は、溶接装置として必要な配線を通すための穴が設けられているが、第二の領域５から第一の領域４に空気が舞い上がらないように、グロメット７によって配線のみが通る状態になっている。すなわち、粉塵等が第二の領域５から第一の領域４に入り難くなっている。
また、筐体１の第二の領域５には、内側に空洞部を形成する外周部を備えており、第二の領域５と第三の領域６との間で空気を流通させる略トンネル形状の放熱ユニット８が配置されている。なお、この放熱ユニット８の構成については、図２を用いて後に詳述する。そして、この放熱ユニット８の空洞部の両端には、空気が流通する第一の開口部９と第二の開口部１０が設けられており、第一の開口部９は第二の領域５に位置し、第二の開口部１０は第二の仕切り部材３の面上あるいは、第三の領域６に位置するように放熱ユニット８が配置されている。さらに、この放熱ユニット８の空洞部に空気を流通させるためのファン１１が第一の開口部９に配置されている。なお、第二の仕切り部材３には、第二の開口部１０と面する位置に第二の開口部１０と同じ程度の大きさの貫通孔が設けられている。
【００３０】
ここで、図２を用いて、上記した放熱ユニット８について説明する。図２は放熱ユニット８を斜め下方から見た斜視図である。図２において、１０は第二の開口部であり、１８は放熱フィンである。放熱フィン１８は放熱ユニット８内を流通する空気の流れと略平行になるように配設されている。なお、その他の構成は図１と同様のため、説明を省略する。
【００３１】
また、図１と図２に示すように、放熱ユニット８の外周部には、１次側整流ダイオード２２と半導体素子２５が直接的に配置されており、１次側平滑コンデンサ２４は放熱ユニット８の外周部と所定の間隔をおいて間接的に配置されている。そして、筐体１を構成する側板１２には、各々異なる位置に第二の領域５に面する位置に第三の開口部１３が設けられている。そして、冷却ファン１１が駆動すると、この第三の開口部１３から筐体１の内部に外気を吸入し、この吸入した空気がファン１１に空気が流れ込む。なお、ファン１１に流れ込む空気の流れが、放熱ユニット８の外周部に間接的に配置されている１次側平滑コンデンサ２４やスナバ１４を包み込むように流れるように第三の開口部１３の開口位置や開口数を適切に設けることで、１次側平滑コンデンサ２４やスナバ１４を効率的に冷却することができる。
【００３２】
なお、第二の領域５と第三の領域６とを仕切る第二の仕切り部材３には、溶接装置として必要な配線を通すための穴が設けられているが、第三の領域６から空気が舞い上がらないようにグロメット７によって配線のみが通る状態になっている。すなわち、粉塵等が第三の領域６から第二の領域５に入り難くなっている。
【００３３】
また、筐体１内の第三の領域６では、放熱ユニット８の第二の開口部１０の下側に、１次側リアクタ２３と主トランス２６と２次側リアクタ２８が配置されている。なお、１次側リアクタ２３と主トランス２６と２次側リアクタ２８の配置に関し、各部品の大きさ等により配置に制約がある場合、放熱ユニット８を１次側リアクタ２３と主トランス２６と２次側リアクタ２８の冷却効果が高い位置に配置することも可能である。特に、主トランス２６と２次側リアクタ２８の発熱が高いため、放熱ユニット８の第二の開口部１０を主トランス２６と２次側リアクタ２８の真上に配置するのが最も効果的である。すなわち、このような配置とすることで、ファン１１の駆動により放熱ユニット８内を通過して第二の開口部１０から吹き出された空気が、主トランス２６と２次側リアクタ２８に直接あたることになるので、これらを効率的に冷却することができる。なお、放熱ユニット８の位置を変更するのではなく、放熱ユニット８の位置を固定し、主トランス２６と２次側リアクタ２８を放熱ユニット８の第二の開口部１０の真下に配置するようにしても同様の効果を得ることができる。
【００３４】
また、筐体１を構成する側板１２には、第三の領域６に面する各々異なる位置に第四の開口部１５が設けられている。また、筐体１を構成する底板１６には、第三の領域６に面する異なる位置に第五の開口部１７が設けられている。そして、第四の開口部１５及び第五の開口部１７を設けることで、これら開口部から筐体１の外部へ熱せられた第三の領域６内の空気を排出し、第三の領域６内の温度を下げることができる。この時の空気の流れは、ファン１１が駆動することにより放熱ユニット８の第二の開口部１０から第三の領域６内に流れ込み、この空気は、１次側リアクタ２３、主トランス２６、２次側リアクタ２８を包み込むように流れ、第四の開口部１５及び第五の開口部１７から筐体１の外部へ排出される。なお、第四の開口１５部及び第五の開口部１７は、１次側リアクタ２３、主トランス２６、２次側リアクタ２８が最も効率よく冷却されるような空気の流れとなるように、開口部の位置や数を決めればよい。
【００３５】
以上のように、本実施の形態の溶接装置によれば、第一の仕切り部材２と第二の仕切り部材３により筐体１内を複数の領域に分離することによって、制御装置３０が位置する第一の領域４では、第二の領域５からの空気が第一の仕切り部材２とグロメット７により入り込まないため、第一の領域４内の温度は半導体素子２５などによって熱せられている第二の領域５内の温度より低く抑えることができ、制御装置３０の信頼性を向上することができる。
【００３６】
また、第三の領域６に配置されている主トランス２６や１次側リアクタ２３、２次側リアクタ２８は発熱が高く、第三の領域６内の温度は非常に高くなるが、本実施の形態の溶接装置においては、第二の仕切り部材３とグロメット７により、主トランス２６等の発熱の影響等により高温となった第三の領域６内の空気が、第二の領域５に舞い上がることを防ぐことができるので、第二の領域５内の温度は１次リアクタ２３や主トランス２６、２次側リアクタ２８の発熱に影響されることなく、比較的低温に保つことができる。従って、ファン１１によって放熱ユニット８に送られる第二の領域５内の空気は比較的低温であるため、放熱ユニット８に直接配置されている１次整流ダイオード２２や半導体素子２５の冷却効率は高くなる。
【００３７】
ここで、上記に関し、図１に示す溶接装置において、仮に、第二の仕切り部材３が存在しないとした場合、第三の領域６に配置されている発熱体（１次側リアクタ２３、主トランス２６、２次側リアクタ２８）によって熱せられた空気が第二の領域５内に舞い上がり、その空気が第二の領域５に配置されたファン１１に吸入され、この熱せられた空気が放熱ユニット８内を流れることになるので、放熱ユニット８の放熱効率が悪化してしまう。そして、このように放熱ユニット８の放熱効率が悪化してしまうと、１次側整流ダイオード２２と半導体素子２５の発熱も高くなり、１次側整流ダイオード２２や半導体素子２５の信頼性を低下させてしまう。なお、実験結果の一例として、第二の仕切り部材３が有る場合の第二の領域５と第三の領域６との領域内の温度差は、約２０℃あった。
【００３８】
また、図１には示していないが、図３に示すように、図４に示す２次側整流ダイオード２７も放熱ユニット８に直接的に取り付けられている。図３は溶接装置の前方右方向から見た斜視透視図である。図において２７は２次側整流ダイオードである。溶接装置の作用は図１に関する説明と同様であり、説明を省略するが、２次側整流ダイオード２７は、１次側ダイオード２２と半導体素子２５と同様に、第二の仕切り部材３によって、第二の領域５と第三の領域６とを分離することで、冷却効率が高くなり、信頼性を向上することができる。
【００３９】
また、本実施の形態の溶接装置においては、ファン１１による冷却風が吹き出される放熱ユニット８の第二の開口部１０の下側に、発熱して高温となる主トランス２６や２次側リアクタ２８を配置する構造としているので、冷却風を主トランス２６や２次側リアクタ２８に直接風をあてることができ、主トランス２６や２次側リアクタ２８の冷却を効率よく行うことができる。
【００４０】
また、側板１２に設ける第三の開口部１３及び第四の開口部１５に関し、第二の領域５及び第三の領域６において、１次側整流ダイオード２２と半導体素子２５といった半導体素子や１次側平滑コンデンサ２４やスナバ１４などの各部品の配置が変更された場合であっても、側板１２を取り換えることで、第三の開口部１３や第四の開口部１５の位置や数を変更することが可能である。そして、第三の開口部１３や第四の開口部１５の位置や数を変更することにより冷却したい部品に風が流れるように風向きを変えることができ、適切な冷却を行って冷却効率を高めることができる。
【００４１】
また、第三の領域６において、各部品の配置が変更された場合でもあっても、底板１６を取り換えることで第五の開口部１７の位置や数を変更することが可能である。そして、第五の開口部１７の位置や数を変更することで、冷却したい部品に風が流れるように風向きを変えることができ、冷却効率を高めることができる。さらに、第五の開口部１７を設けることで、第三の領域６内の粉塵等を底板１７の下側に排出することができ、粉塵等が第三の領域６内に堆積することを抑制することができる。
【００４２】
また、本実施の形態の溶接装置において、筐体１を構成する４つの側板１２と、第一の仕切り部材２と第二の仕切り部材３を変更することにより、溶接装置全体の高さや、第一の領域４あるいは第二の領域５あるいは第三の領域６の高さを変更することが可能である。
【００４３】
例えば、溶接装置の容量や仕様が変更された場合に、制御装置３０の部品点数や部品の大きさが変わることがあっても、側板１２の高さを変更したり第一の仕切り部材２の取り付け位置を変更することにより第一の領域４の高さを変えることができ、必要な空間を確保することができる。そして、溶接装置としての基本構造は変わらないため、上記で説明した冷却に関する効果も奏することが可能である。
【００４４】
同様に、溶接装置の容量や仕様が変更された場合に、半導体素子などの数が増えても、側板１２の高さを変更したり第一の仕切り部材２や第二の仕切り部材３の取り付け位置を変更することにより第二の領域５の高さを変えることでき、必要な空間を確保することができる。そして、溶接装置としての基本構造は変わらないため、上記で説明した冷却に関する効果も奏することが可能である。
【００４５】
同様に、溶接装置の容量や仕様が変更された場合に、リアクタ、トランスなどの数が増えても、側板１２の高さを変更したり第二の仕切り部材３の取り付け位置を変更することにより第三の領域６の高さを変えることでき、必要な空間を確保することができる。そして、溶接装置としての基本構造は変わらないため、上記で説明した冷却に関する効果も奏することが可能である。
【００４６】
なお、本実施の形態の溶接装置において、仕切り部材を２つ用い、領域を３つに分ける例を示しているが、これに限るものではなく、仕切り部材を１つのみ用いて領域を２つ分けるようにしてもよいし、仕切り部材を３つ以上設けて領域を４つ以上に分けるようにしても良い。
【００４７】
また、本実施の形態で示した手段や数値は一例にすぎないことは言うまでもない。
【００４８】
また、本実施の形態は、溶接装置のみに有効であるばかりでなく、高熱を発生する電気素子を内蔵し、冷却を必要とする装置に広く有用である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、筐体内に設けられた部材を効率的に冷却することができ、筐体内に高熱を発生する部材を内蔵し、この部材を冷却ファンにより冷却する電気機器等として産業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１における溶接装置の前方左方向から見た斜視透視図
【図２】本発明の実施の形態１における溶接装置に用いる放熱ユニットの下方から見た斜視図
【図３】本発明の実施の形態１における溶接装置の前方右方向から見た斜視透視図
【図４】本発明の実施の形態１における溶接装置の回路構成を示すブロック図
【図５】従来例１の溶接装置の側面から見た透視図
【図６】従来例２の溶接装置の側面から見た透視図
【符号の説明】
【００５１】
１  筐体
２  第一の仕切り部材
３  第二の仕切り部材
４  第一の領域
５  第二の領域
６  第三の領域
７  グロメット
８  放熱ユニット
９  第一の開口部
１０ 第二の開口部
１１ ファン
１２ 側板
１３ 第三の開口部
１４ スナバ
１５ 第四の開口部
１６ 底板
１７ 第五の開口部
１８  放熱フィン
２１ 商用電源
２２ １次側整流ダイオード
２３ １次側リアクタ
２４ １次平滑コンデンサ
２５ 半導体素子
２６  主トランス
２７  ２次側整流ダイオード
２８  ２次側リアクタ
２９ 出力端子
３０ 制御装置
３１  直流電源基板
３２ 制御基板  
１０１  筐体
１０２  半導体素子
１０３  冷却フィン
１０４  トランス
１０５  リアクタ
１０６  ファン
１０７  制御装置
１０８  仕切り部材
１０９  下側領域
１１０  貫通孔
１１１  上部領域
【図１】
2007105741.tif 000003
【図２】
2007105741.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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