(57)【要約】【課題】擬等方性液晶材料を用い、インプレーン方式を採用した液晶装置において、より一様な電界を発生させること。【解決手段】本発明の液晶装置は、第１基板(10)と、上記第１基板の板厚方向に突起した形状を有し、互いに離間して上記第１基板の一方面側に設けられる一対の電極(16,18)と、一方面側が上記第１基板の一方面側と対向するように配置される第２基板(12)と、電場の大きさに応じて屈折率特性を等方性又は異方性に切り替え可能であり、上記第１基板と上記第２基板との相互間に介在する液晶材料(14)と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向して設けられる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられる液晶層と、
前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第１電極と、
前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第２電極と、を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１電極が画素電極であり、前記第２電極が対向電極であり、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が印加される、液晶装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記液晶層が擬等方性液晶を含む、液晶装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記液晶層が、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が印加されると異方性を示し、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が印加されないと等方性を示すものである、液晶装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第１突起部と、をさらに有し、
前記第１電極が前記第１突起部上に形成されている、液晶装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第１突起部と、
前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第２突起部と、をさらに有し、
前記第１電極が前記第１突起部上に形成され、前記第２電極が前記第２突起部上に形成されている、液晶装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２基板上に形成され、前記液晶層に突出する第３突起部と、
前記第２基板上に形成され、前記液晶層に突出する第４突起部と、
前記第３突起部上に形成された第３電極と、
前記第４突起部上に形成された第４電極と、をさらに有し、
前記第３電極と前記第４電極との間に電界が印加される、液晶装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記第１電極の前記第２基板に対向する面と前記第１突起部の前記第２基板に対向する面とが同一形状である、液晶装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記第１電極と前記第２電極との距離をＬ、前記第１電極の前記第２基板に対向する面と前記第１基板との距離をＴとしたとき、Ｌ≦Ｔを満たす、液晶装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
前記第１基板と、前記第１電極および第２電極が配置された層との間には共通電極線が形成され、前記第２電極は、前記共通電極線と接続部を介して接続されていることを特徴とする、液晶装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶材料の光学的特性を電場等の外力によって制御して情報表示等を行う液晶装置とこの液晶装置を表示部等として備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
擬等方性液晶材料を用いた液晶装置が知られている。擬等方性液晶材料とは、電場を与えることにより、その光学的特性（屈折率）を異方性を有する状態と異方性を有しない状態（等方性）のいずれかに制御することができる液晶材料をいう。このような液晶材料としては、例えば、低分子液晶材料とフッ素系混合液晶に光重合モノマーである分岐アルキル鎖を有するアクリル酸エステルと液晶性骨格を持つジアクリル酸エステルを混合し、ブルー相の発現温度で紫外線照射して作成したものが提案されている（非特許文献１参照）。この液晶材料は、ブルー相の発現温度範囲が１００℃以上と非常に広いという特徴を有する。また、この液晶材料の応答速度は１０〜１００μ秒程度（一般的なネマティック液晶材料の１００〜１０００倍）であり、ブルー相本来の高速応答性が保たれている。また、この液晶材料を用いる場合には、液晶パネルの生産性を低下させる主要因の１つである基板に対するラビング処理が不要となる利点もある。更に、この液晶材料を採用する場合、従来の一般的な液晶パネルと比較しても液晶材料自体に関して大きなコストアップとはならず、パネル製造に際してはその大部分について既存技術を活用することができる。また、電極構造の工夫等により低電圧（例えば５Ｖ程度）での駆動が可能である。このような利点から、擬等方性液晶材料は、液晶パネルを始めとして、光学変調素子（高速光シャッター等）やフォトニック結晶など種々の分野への応用展開が期待されている。
【０００３】
上述した擬等方性液晶材料を用いた液晶パネルの構造としてパネルの面方向に電界を与える方式（インプレーン方式）を採用する場合、屈折率特性の変化を均質に生じさせるためには、なるべく一様な電界を発生できることが望まれる。
【０００４】
【非特許文献１】菊池祐嗣、外６名、「ナノ組織化液晶による高速電気光学効果」、高分子討論会、Vol.53,No2(2004),2V08,p.5136-5137
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、インプレーン方式を採用した液晶装置において、より一様な電界を発生させることを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向して設けられる第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられる液晶層と、前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第１電極と、前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第２電極と、を有することを特徴とする。なお、前記第１電極が画素電極であり、前記第２電極が対向電極であり、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が印加されるものであってもよい。
【０００７】
かかる構成によれば、各基板の一方面と水平な方向により一様な電界（横電界）を発生させることが可能となる。
【０００８】
また、上記液晶装置において、前記液晶層が擬等方性液晶を含むことが好ましい。または、前記液晶層が、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が印加されると異方性を示し、前記第１電極と前記第２電極との間に電界が印加されないと等方性を示すものであることが好ましい。このような液晶層を用いることで、例えば一様な横電界による表示品質をさらに向上させることができる。
【０００９】
また、上記液晶装置において、前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第１突起部と、をさらに有し、前記第１電極が前記第１突起部上に形成されていることが好ましい。
【００１０】
また、上記液晶装置において、前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第１突起部と、前記第１基板上に形成され、前記液晶層に突出する第２突起部と、をさらに有し、前記第１電極が前記第１突起部上に形成され、前記第２電極が前記第２突起部上に形成されていることが好ましい。
【００１１】
また、上記液晶装置において、前記第２基板上に形成され、前記液晶層に突出する第３突起部と、前記第２基板上に形成され、前記液晶層に突出する第４突起部と、前記第３突起部上に形成された第３電極と、前記第４突起部上に形成された第４電極と、をさらに有し、前記第３電極と前記第４電極との間に電界が印加されることが好ましい。これによって、横電界の均一性をより高めることが可能となる。
【００１２】
また、上記液晶装置において、前記第１電極の前記第２基板に対向する面と前記第１突起部の前記第２基板に対向する面とが同一形状であることが好ましい。これによって、例えば第１電極にかかる横電界の均一性が第１突起部により損なわれにくい構造を得ることができる。
【００１３】
また、上記液晶装置において、前記第１電極と前記第２電極との距離をＬ、前記第１電極の前記第２基板に対向する面と前記第１基板との距離をＴとしたとき、Ｌ≦Ｔを満たすことが好ましい。これによって、横電界の均一性をより高めることが可能となる。
【００１４】
また、上記液晶装置において、前記第１基板と、前記第１電極および第２電極が配置された層との間には共通電極線が形成され、前記第２電極は、前記共通電極線と接続部を介して接続されている。かかる構成により、第１電極と第２電極とを容易に同一層に配置することができる。
【００１５】
また、本発明にかかる電子機器は、上記液晶装置を備えることを特徴とする。ここで「電子機器」とは、一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成には特に限定が無い。電子機器としては、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する内容は単なる例示に過ぎず、本発明の適用範囲を限定するものではない。本発明は以下に説明する実施形態の他にも、その要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。図１に示す液晶装置は、ガラス基板やプラスチック基板等からなる第１基板１０と、同じくガラス基板やプラスチック基板等からなり、一方面側が第１基板１０の一方面側と対向するように配置される第２基板１２と、第１基板１０と第２基板１２との相互間に介在する液晶材料（液晶層）１４と、第１基板１０の一方面側に設けられる一対の電極１６、１８と、を含んで構成されている。第１基板１０と第２基板１２との隙間（セル厚）は例えば３〜５μｍ程度に設定される。
【００１８】
液晶材料１４は、電場の大きさに応じて屈折率特性を等方性又は異方性に切り替え可能であり、第１基板１０と第２基板１２との相互間に設けられる。本実施形態の液晶材料１４としては、電場が与えられていない場合に光学的特性に等方性を示し、電場が与えられている場合に光学的特性に異方性を示すものを考える。このような液晶材料（擬等方性液晶材料）としては、例えば上述したように、低分子液晶材料とフッ素系混合液晶に光重合モノマーである分岐アルキル鎖を有するアクリル酸エステルと液晶性骨格を持つジアクリル酸エステルを混合し、ブルー相の発現温度で紫外線照射して作成したものが挙げられる（上記の非特許文献１参照）。なお、液晶材料１４は、ある程度の電場（例えば、しきい値を超える電場）が与えられたときに始めて光学的に等方性を示すようなものであってもよい。
【００１９】
一対の電極１６、１８は、第１基板１０の板厚方向（図示のｚ方向）に突起した形状（突起部）を有し、互いに離間して第１基板１０の一方面側に設けられる。これらの電極１６、１８は、例えば電極１６が画素電極（第１電極）、電極１８が対向電極（第２電極）として用いられる。これらの電極１６、１８の相互間に電圧を印加することにより、液晶材料１４に対して第１基板１０の一方面と水平な方向（図示のｘ方向）に電場を与えることができる。各電極１６、１８は、アルミニウム等の金属、或いはＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の導電体からなる。各電極１６、１８は、種々の公知技術によって形成可能であり、例えば液滴吐出法によって液体材料を塗布し、固化させることによって形成することができる。液滴吐出法によれば、図示のように液晶層１４に突出する電極を容易に形成することができる。
【００２０】
なお、図示を省略するが、第１基板１０の一方面側には、一対の電極１６、１８の形成面と同一面上、又はそれより下側の面上に、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子やそれらに制御信号を供給するための信号線等が形成されていてもよい。
【００２１】
図２〜図５は、一対の電極について更に詳細に説明するための部分断面図である。図２に示すように、電極１６、１８の各々は、当該各電極１６、１８の厚み（各電極の第２基板１２に対向する面と第１基板との距離）Ｔと、当該各電極１６、１８の相互間距離Ｌとがほぼ等しいか、もしくは厚みＴが距離Ｌより大きいこと（すなわち、Ｌ≦Ｔを満たすこと）が望ましい。厚みＴ及び相互間距離Ｌは、例えば２〜３μｍ程度に設定される。また、各電極は、上記の各電極１６、１８のように全体が導電体によって構成されている場合（図１、図２参照）のほかに、絶縁体等からなる突起部の上に形成されていてもよい。具体的には、例えば図３に示すように、各電極１６ａ、１８ｂは、液晶層１４に突出するようにして第１基板１０の一方面上に形成された絶縁性の突起部１７、１９の上に設けられていてもよい。また、例えば図４に示すように、各突起部１７、１９は、下地部２０を共有するようにして第１基板１０の一方面上に形成されてもよい。ここで、各突起部１７、１９や下地部２０は、例えば、酸化硅素、窒化硅素等の無機絶縁物や、ポリイミド、アクリル等の絶縁性樹脂などを第１基板１０の一方面上に成膜した後に、適宜パターニングすることによって形成される。また、各電極１６ａ、１８ａについては、各突起部１７、１９の形成後、スパッタリング法等の成膜法によって導電体膜を成膜した後に、適宜パターニングすることによって形成される。あるいは、各電極１６ａ、１８ａは、液滴吐出法によって各突起部１７、１９の頂上に液体材料を滴下し、固化させることによっても形成することができる。なお、各電極は、必ずしも同一平面上に形成されていなくてもよい。例えば、図５に示すように、一方の電極（図示の例では電極１８）が第１基板１０により近い側（すなわち下側）に形成され、その上に酸化硅素等の絶縁膜２２を設け、当該絶縁膜２２の上面に他方の電極（図示の例では電極１６）を設けるようにしてもよい。また、各電極１６、１８は、第２基板１２に対向する面の形状が、各突起部１７、１９の第２基板１２に対向する面の形状と同一であることが望ましい。
【００２２】
以上のように第１の実施形態によれば、インプレーン方式を採用した液晶装置において、より一様な電界を発生させることが可能となる。従って、例えば本液晶装置を表示用途として用いる場合であれば、液晶材料に対して一様な電界を与えることができるので、液晶分子の配向状態をより均一に制御し、表示品質を高めることが可能となる。とりわけ擬等方性液晶材料を用いた場合に効果が顕著になる。
【００２３】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。図６に示す液晶装置は、ガラス基板やプラスチック基板等からなる第１基板１０と、同じくガラス基板やプラスチック基板等からなり、一方面側が第１基板１０の一方面側と対向するように配置される第２基板１２と、第１基板１０と第２基板１２との相互間に介在する液晶材料（液晶層）１４と、第１基板１０の一方面側に設けられる一対の電極（第１電極）１６、１８と、第２基板１２の一方面側に設けられる一対の電極（第２電極）２６、２８と、を含んで構成されている。なお、第１の実施形態の液晶装置と共通する構成要素については同符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００２４】
一対の電極２６、２８は、第２基板１２の板厚方向（図示のｚ方向）に突起した形状を有し、互いに離間して第２基板１２の一方面側に設けられる。これらの電極２６、２８は、例えば電極２６が画素電極、電極２８が対向電極として用いられる。各電極２６、２８の構成材料や形成方法の好適例については電極１６、１８の場合と同様であり、図示のように液晶層１４に突出するように形成される。これらの電極２６、２８の相互間に電圧を印加することにより、液晶材料１４に対して第２基板１２の一方面と水平な方向（図示のｘ方向）に電場を与えることができる。ここで、本実施形態の液晶装置では、各電極１６、２６に対して共通の電位（例えば＋５Ｖ）を与え、各電極１８、２８に対して共通の電位（例えば０Ｖ：接地レベル）を与える。
【００２５】
なお、各電極１６、１８及び各電極２６、２８についてのより好適な実施態様については上述した第１の実施形態における各電極１６、１８に関するものと同様である。すなわち、各電極は、上記のように基板上に突起部を設け、当該突起部の上に設けられていてもよい（図２〜図４参照）。
【００２６】
以上のように第２の実施形態によれば、インプレーン方式を採用した液晶装置において、より一様な電界を発生させることが可能となる。特に、第１基板、第２基板の双方にそれぞれ一対の電極を設けていることから、電界の均一性をより高めることが可能となる。従って、例えば本液晶装置を表示用途として用いる場合であれば、液晶材料に対して一様な電界を与えることができるので、液晶分子の配向状態をより均一に制御し、表示品質を高めることが可能となる。とりわけ擬等方性液晶材料を用いた場合に効果が顕著になる。
【００２７】
次いで、上記実施形態の液晶装置へのより具体的な適用例について、以下に説明する。特に、画素領域と前述した一対の電極（１６、１８、１６Ａ、１８Ａ）の関係について詳細に説明する。なお、上記実施形態と同一の機能を奏する箇所には同一もしくは関連の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００２８】
（第３の実施形態）
図７および図８は、それぞれ第３の実施形態の液晶装置の構造を説明する平面図および断面図である。図７は、図８のＡ−Ａ断面に対応する。
【００２９】
図７に示すように、ｘ方向に複数のゲート電極線（ゲート線）ＧＬが延在し、ｙ方向には複数のデータ線ＤＬが延在している。これらの線により画素領域が区画される。言い換えれば、これらの配線により囲まれる略矩形の領域が画素領域となる。また、これらの線の交点には、薄膜トランジスタＴが形成され、そのドレイン電極ＤＥは、データ線ＤＬに接続され、また、ソース電極ＳＥは、画素電極（第１電極）１６Ａに接続される。
【００３０】
ここで、本実施形態の液晶装置によれば、画素電極１６Ａは、略矩形の領域を囲む線状（口状）に配置され、共通電極（第２電極）１８Ａは、画素電極１６Ａの略中央部に、一定間隔（Ｌ）を離間してｙ方向に延在するよう配置されている。
【００３１】
共通電極１８Ａおよび画素電極１６Ａは、第１の実施形態において図２を参照しながら説明した構成を有する。即ち、層間絶縁膜１１上にこれらの電極（画素電極１６Ａ、共通電極１８Ａ）が液晶材料１４中に突出するよう、液晶材料１４と接して配置されている。これらの電極（１６Ａ、１８Ａ）は、例えば、層間絶縁膜１１上に形成された導電性膜を、パターニングすることにより形成することができる。また、これらの電極（１６Ａ、１８Ａ）の厚さＴは、電極間隔Ｌ以上（Ｌ≦Ｔ）であることが好ましい。
【００３２】
図８に示すように、これらの電極は、同一層に形成されている。よって、これらの電極を、同じ導電材料で形成することができる。また、図８に示すように、共通電極１８Ａは、その下層に位置する共通電極線ＣＬと、コンタクト部（接続部）Ｃ１を介して接続されている。言い換えれば、第１基板１０と、画素電極１６Ａおよび共通電極１８Ａが配置された層と、の間に形成された共通電極線ＣＬと画素電極１８Ａはコンタクト部Ｃ１を介して接続されている。かかる構成とすることで、画素電極１６Ａと共通電極１８Ａとを容易に同一層に配置することができる。１１は、層間絶縁膜を示す。また、液晶材料１４と第２基板１２との間に必要に応じて絶縁膜、色層やブラックマトリックス層を適宜配置してもよい。また、液晶材料１４と第１基板１０との間に必要に応じて層間絶縁膜や配線を適宜配置してもよい。例えば、ここではデータ線ＤＬ、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥを、第１基板１０と層間絶縁膜１１の間に位置する層（層間絶縁膜）１１Ａ中に形成（配置）している。かかる位置は限定的ではなく、層間絶縁膜１１と液晶材料１４の間に他の層間絶縁膜層を設け、かかる層中に形成してもよい。また、データ線ＤＬと、ソース電極ＳＥおよびドレイン電極ＤＥとを異なる層に設けてもよい。このソース電極ＳＥと画素電極１６Ａとはこれらの間の層間絶縁膜中に形成されたコンタクト部（図示せず）を介して接続される。
【００３３】
このように本実施形態によれば、下層の共通電極線ＣＬと上層の共通電源１８Ａとの接続を図る構成としたので、容易に共通電源１８Ａと画素電極１６Ａとを同一層に配置することができる。よって、より一様な電界を発生させることが可能となる等、第１の実施形態等において詳細に説明した効果を奏する。
【００３４】
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。なお、平面図は、図７と同様である。
【００３５】
本実施形態においては、共通電極１８Ａおよび画素電極１６Ａは、第１の実施形態において図４を参照しながら説明した構成を有する。即ち、層間絶縁膜１１上に、これらの電極（１６Ａ、１８Ａ）が液晶材料１４中に突出するよう配置されているが、これらの電極は、層間絶縁膜１１よりなる突起部上に配置されている。これらの電極の形成方法の一例として、例えば、オーバーエッチング量を加算した膜厚の層間絶縁膜１１上に、導電性膜を形成し、この導電性膜をパターニング（図７に示す電極１６Ａ、１６Ａの形状にパターニング）する。さらに、この後、オーバーエッチングを行うことにより、層間絶縁膜１１の一部をエッチングする。これにより、突起部上に電極（１６Ａ、１８Ａ）を残存させることができる。図９においてはその表記を省略したが、この場合もデータ線ＤＬ等を、第３の実施形態と同様に、例えば、第１基板１０と層間絶縁膜１１の間に位置する層（層間絶縁膜）１１Ａ中に配置（形成）することができる。
【００３６】
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態の液晶装置の構造を説明する平面図である。
【００３７】
本実施形態においては、共通電極１８Ａおよび画素電極１６Ａをライン状ではなく、略「く」の字状（もしくは逆「く」の字状）とした。かかる構成により、白表示状態における画素の色づきを低減させることができる。他の構成は、第３の実施形態と同様であるためその詳細な説明を省略する。
【００３８】
即ち、「く」の字の屈曲部分を挟んだ２つの領域で電界が各々異なった方向に発生するため、液晶分子が２方向にツイストする。よって、白表示状態において、斜めから見ても、２つの領域で異なる色の色づきが生じ、それらが互いに補償しあうことによって、色づきが低減する。このように本実施形態においては、第３の実施形態の効果に加え、上記効果を奏する。
【００３９】
（第６の実施形態）
図１１は、第６の実施形態の液晶装置の構造を説明する平面図である。
【００４０】
本実施形態においては、共通電極１８Ａを３本とし、その間に画素電極１６Ａを配置した。また、共通電極線ＣＬをｘ方向に延在するライン状とした。このように、共通電極１８Ａと画素電極１６Ａの一画素内の本数や配置は適宜変更可能である。このように、電極の本数を増やしたり、また、レイアウトを工夫したりすることで、これらの電極の対向面積が増加する。よって、より高精細な表示を行うことができる。また、この場合、共通電極線ＣＬをｘ方向に延在するライン状としたため、ゲート電極線ＧＬと共通電源線ＣＬとの配線間隔を低減することができる。
【００４１】
（第７の実施形態）
図１２および図１３は、それぞれ第７の実施形態の液晶装置の構造を説明する部分平面図および断面図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ断面に対応する。
【００４２】
本実施形態においては、共通電極１８Ａを第２基板１２側に形成（配置）し、画素電極１６Ａを第１基板１０側に形成した。また、共通電極１８Ａおよび画素電極１６Ａを櫛歯型とし、これらの電極（１６Ａ、１８Ａ）の各電極部（図１２においては、ｙ方向にライン状に延在する部分）が、一定の間隔Ｌを置いて配置されるよう、位置あわせされる。
【００４３】
この場合、上方に位置する共通電極１８Ａと斜め下方に位置する画素電極１６Ａとの間に電位が印加される。よって、この場合も、各基板の一方面と水平な方向により一様な電界（横電界）を発生させることが可能となる。
【００４４】
さらに、この場合、各電極の下に図４や第４の実施形態（図９）において詳細に説明した絶縁膜（１１Ａ、１３Ａ）よりなる突起部を配置することによって、図１４に示すように、より第１基板１０の一方面と水平な方向に電場を与えることができる。よって、より高精細な表示を行うことができる。図１４は、第７の実施形態の液晶装置の他の構造を説明する断面図である。
【００４５】
なお、上記発明の実施形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施形態の記載に限定されるものではない。
【００４６】
（第８の実施形態）
以下、上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成される電子機器について例示する。
【００４７】
図１５は、電子機器を例示する模式斜視図である。図１５（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、表示部２３５を備えている。このうち、表示部２３５が上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成されている。図１５は（Ｂ）ビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、表示部２４４を備えている。このうち、表示部２４４が上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成されている。図１５（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ２５０はカメラ部２５１、操作部２５２、表示部２５３を備えている。このうち、表示部２５３が上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成されている。
【００４８】
図１５（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０はバンド２６１、光学系収納部２６２、画像生成部２６３を備えている。このうち、画像生成部２６３が上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成されている。図１５（Ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２７０は筐体２７１、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、２７５、スクリーン２７６、画像生成部２７７を備えている。このうち、画像生成部２７７が上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成されている。図１５（Ｆ）はフロント型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２８０は筐体２８２、光学系２８１、画像生成部２８４を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。このうち、画像生成部２８４が上記実施形態にかかる液晶装置を用いて構成されている。
【００４９】
このように上記実施形態にかかる液晶装置は、各種電子機器の表示部として、あるいは画像生成部として利用可能である。また、上記実施形態にかかる液晶装置は、上述した例に限らずあらゆる電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。また、上記実施形態にかかる液晶装置は、その高速応答性を活かして、上記以外の用途（例えば印刷装置の潜像形成部における光シャッター等）として用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。
【図２】一対の電極について更に詳細に説明するための部分断面図である。
【図３】一対の電極について更に詳細に説明するための部分断面図である。
【図４】一対の電極について更に詳細に説明するための部分断面図である。
【図５】一対の電極について更に詳細に説明するための部分断面図である。
【図６】第２の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。
【図７】第３の実施形態の液晶装置の構造を説明する平面図である。
【図８】第３の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。
【図９】第４の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。
【図１０】第５の実施形態の液晶装置の構造を説明する平面図である。
【図１１】第６の実施形態の液晶装置の構造を説明する平面図である。
【図１２】第７の実施形態の液晶装置の構造を説明する部分平面図である。
【図１３】第７の実施形態の液晶装置の構造を説明する断面図である。
【図１４】第７の実施形態の液晶装置の他の構造を説明する断面図である。
【図１５】電子機器を例示する模式斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…第１基板、１１…層間絶縁膜、１１Ａ…絶縁膜、１２…第２基板、１３Ａ…絶縁膜、１４…液晶材料、１６、１６ａ…電極、１６Ａ…画素電極、１７…突起部、１８、１８ａ…電極、１８Ａ…共通電極、１９…突起部、２０…下地部、２２…絶縁膜、Ｃ１…コンタクト部、ＣＬ…共通電極線、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…データ線、ＧＬ…ゲート電極線、ＳＥ…ソース電極、Ｔ…薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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