(57)【要約】      （修正有）【課題】異方性導電接合物質に適用される導電性フィラーがバインダー内に均一に分布でき、ＦＰＣの電極及びガラス基板の電極と均一に接続でき、さらに、ＦＰＣの電極及びガラス基板の電極との接続による抵抗値が大きくならない異方性導電接合物質を提供する。【解決手段】異方性導電接合物質は、バインダーと、このバインダーの内部に均一な分布で含まれ、熱による接合時に変形が発生しない導電性フィラーとから構成される。さらに、前記導電性フィラーは、バインダーと近似した密度を有するコア粒子を含むことが好ましい。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダーと、
該バインダーの内部に均一な分布で含まれ、熱による接合時に変形が発生しない導電性フィラーと
から構成されることを特徴とする異方性導電接合物質。
【請求項２】
前記導電性フィラーは、バインダーと近似した密度を有するコア粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項３】
前記導電性フィラーは、コア粒子の外部面に熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層を含むことを特徴とする請求項１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項４】
前記導電性フィラーは、セラミックで構成されるコア粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項５】
前記導電性フィラーは、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項６】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度よりも高いことを特徴とする請求項５に記載の異方性導電接合物質。
【請求項７】
前記導電性フィラーは、セラミックで構成されるコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置し、熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項８】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度よりも高いことを特徴とする請求項７に記載の異方性導電接合物質。
【請求項９】
フィルム状又はペースト状であることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１０】
バインダーと、
導電性フィラーと
から構成され、前記導電性フィラーは、
前記バインダーと近似した比重を有し、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、
前記コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とする異方性導電接合物質。
【請求項１１】
前記コア粒子は、セラミックで構成されることを特徴とする請求項１０に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１２】
前記セラミックは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮのいずれか１つであることを特徴とする請求項１１に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１３】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度よりも高いことを特徴とする請求項１０に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１４】
前記導電性物質層は、Ｎｉ及び／又はＡｕ層で構成されることを特徴とする請求項１０に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１５】
前記導電性物質層は、無電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項１４に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１６】
フィルム状又はペースト状であることを特徴とする請求項１０に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１７】
バインダーと、
導電性フィラーと
から構成され、前記導電性フィラーは、
前記バインダーと近似した比重を有するコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置し、熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とする異方性導電接合物質。
【請求項１８】
前記コア粒子は、セラミックで構成されることを特徴とする請求項１７に記載の異方性導電接合物質。
【請求項１９】
前記セラミックは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮのいずれか１つであることを特徴とする請求項１８に記載の異方性導電接合物質。
【請求項２０】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度よりも高いことを特徴とする請求項１８に記載の異方性導電接合物質。
【請求項２１】
前記導電性物質層は、Ｎｉ及び／又はＡｕ層で構成されることを特徴とする請求項１８に記載の異方性導電接合物質。
【請求項２２】
前記導電性物質層は、無電解メッキにより形成されることを特徴とする請求項１８に記載の異方性導電接合物質。
【請求項２３】
フレキシブルプリント回路（FlexiblePrinted Circuit：ＦＰＣ）と、
電極が備えられるガラス基板と、
異方性導電接合物質と
から構成され、前記異方性導電接合物質は、
バインダーと、該バインダーの内部に均一な分布で含まれ、熱による接合時に変形が発生しない導電性フィラーとを含むことを特徴とするディスプレイパネルユニット。
【請求項２４】
前記導電性フィラーは、バインダーと近似した密度を有するコア粒子を含むことを特徴とする請求項２３に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項２５】
前記導電性フィラーは、コア粒子の外部面に熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層を含むことを特徴とする請求項２４に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項２６】
前記導電性フィラーは、セラミックで構成されるコア粒子を含むことを特徴とする請求項２３に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項２７】
前記導電性フィラーは、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とする請求項２３に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項２８】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度よりも高いことを特徴とする請求項２７に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項２９】
前記導電性フィラーは、セラミックから構成されるコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置し、熱による変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とする請求項２３に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３０】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度より高いことを特徴とする請求項２９に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３１】
異方性導電接合物質は、フィルム状又はペースト状で提供されることを特徴とする請求項２３に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３２】
ＦＰＣと、
電極が備えられるガラス基板と、
異方性導電接合物質と
から構成され、前記異方性導電接合物質は、
バインダーと、
導電性フィラーとを含み、
導電性フィラーは、
バインダーと近似した比重を有し、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、
コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とするディスプレイパネルユニット。
【請求項３３】
前記コア粒子は、セラミックで構成されることを特徴とする請求項３２に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３４】
前記セラミックは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮのいずれか１つであることを特徴とする請求項３２に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３５】
前記導電性物質層は、Ｎｉ及び／又はＡｕ層で構成されることを特徴とする請求項３２に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３６】
異方性導電接合物質は、フィルム状又はペースト状で提供されることを特徴とする請求項３２に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３７】
ＦＰＣと、
電極が備えられるガラス基板と、
異方性導電接合物質と
から構成され、前記異方性導電接合物質は、
バインダーと、
導電性フィラーとを含み、
前記導電性フィラーは、
バインダーと近似した比重を有するコア粒子と
前記コア粒子の外部面に位置し、熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含むことを特徴とするディスプレイパネルユニット。
【請求項３８】
前記コア粒子は、セラミックで構成されることを特徴とする請求項３７に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項３９】
前記セラミックは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮのいずれか１つであることを特徴とする請求項３７に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項４０】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度より高いことを特徴とする請求項３７に記載のディスプレイパネルユニット。
【請求項４１】
前記導電性物質層は、Ｎｉ及び／又はＡｕ層で構成されることを特徴とする請求項３７に記載のディスプレイパネルユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電接合物質及び異方性導電接合物質が適用されるディスプレイパネルユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、従来のディスプレイパネルは、ＰＤＰ（PlasmaDisplay Panel）、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diodes）ディスプレイなどの多様なディスプレイに適用される。
【０００３】
これらのディスプレイに適用されるディスプレイパネルユニットには、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）やＣＯＦ（Chip On FlexiblePrinted Circuit）などが内蔵されるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の構成により電圧が印加される。
【０００４】
ＴＣＰは、ＬＳＩ（Large ScaleIntegrated circuit）などの高集積半導体チップを組み立て及び実装するワイヤレスボンディング方式の１つである、ＩＣチップをテープフィルムに接続して樹脂で密封するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術により実装される。
また、ＣＯＦは、「Chip On FlexiblePrinted Circuit」の略語であったが、フレキシブルプリント基板が開発されてフィルム状に発展するにつれて「Chip On film」の略語と混用されており、ＦＣＯＦ（Flip Chip onFlexible Printed Circuit）ともいう。ＣＯＦは、通信装置のスリム化及び構造の単純化のために開発された。
【０００５】
ＴＣＰ及びＣＯＦが内蔵されたＦＰＣの場合、ディスプレイパネルに電圧を供給するためにＡＣＦ（Anisotropic Conductive film）又はＡＣＰ（AnisotropicConductive Paste）を利用してＦＰＣの電極とディスプレイパネルを構成するガラス基板の電極とを接続する。
【０００６】
図３に示すように、ＡＣＦ２０によりＦＰＣ３０の電極３１とガラス基板１０の電極１１とを接続する場合、ＡＣＦ２０とガラス基板１０間に気泡が残留する可能性がある。ＡＣＦ２０とガラス基板１０間に気泡が残留する場合、気泡により湿気が発生して電流の流れを妨害する。
【０００７】
一方、流動性のあるバインダーに導電性フィラーが含まれるＡＣＰを利用して前記ＦＰＣの電極とガラス基板の電極とを接続することもある。このように、ＡＣＰをガラス基板にコーティングすると、気泡の発生を防止できる。一般に、ＡＣＰは、ＡｕがコーティングされたＮｉ粒子を利用するか、又は、Ａｕがコーティングされた樹脂粒子を利用する。
【０００８】
図４Ａ及び図４Ｂは、Ａｕ２１−１がコーティングされたＮｉ粒子を含むＡＣＰ２０−１を利用する例を示す。この場合、Ａｕ２１−１がコーティングされたＮｉ粒子の比重が約８．９ｇ／ｃｍ３であり、バインダー２２−１の比重が約２〜３ｇ／ｃｍ３であるため、Ａｕ２１−１がコーティングされたＮｉ粒子の比重とバインダー２２−１の比重との差によってバインダー２２−１の内部でＡｕ２１−１がコーティングされたＮｉ粒子の沈殿が発生する。
【０００９】
この場合、Ａｕ２１−１がコーティングされたＮｉ粒子は、均一に分布することが難しい。従って、シリンジを利用してＡＣＰ２０−１をガラス基板１０にコーティングする場合、バインダー２２−１の内部に含まれるＡｕ２１−１がコーティングされたＮｉ粒子の密度が次第に減少するため、ＦＰＣの電極３１とガラス基板１０の電極１１間の均一な接続特性を得ることが難しい。
【００１０】
図５Ａ及び図５Ｂは、Ａｕ２１−２がコーティングされた樹脂粒子が含まれるＡＣＰ２０−２を利用する例を示す。この場合、Ａｕ２１−２がコーティングされた樹脂粒子の比重とバインダー２２−２の比重がほぼ同一であるため、バインダー２２−２の内部でＡｕ２１−２がコーティングされた樹脂粒子の沈殿が発生しない。従って、ＦＰＣの電極３１とガラス基板１０の電極１１間の均一な接続特性が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、Ａｕ２１−２がコーティングされた樹脂粒子は、熱により形状が歪みやすいため、電極１１の酸化層１２を十分に通過できない。これにより、接続による抵抗値が大きくなるという問題が発生する。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決するために提案されたものであり、本発明の目的は、異方性導電接合物質に適用される導電性フィラーがバインダー内に均一に分布できるようにすることにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、異方性導電接合物質に適用される導電性フィラーがＦＰＣの電極及びガラス基板の電極と均一に接続できるようにすることにある。
【００１４】
本発明のさらに他の目的は、異方性導電接合物質に適用される導電性フィラーがＦＰＣの電極及びガラス基板の電極との接続による抵抗値が大きくならないようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
少なくとも１つの前記目的を達成するために、本発明は、異方性導電接合物質及び異方性導電接合物質が適用されるディスプレイパネルユニットを提供する。
【００１６】
本発明による異方性導電接合物質の一実施形態は、バインダーと、該バインダーの内部に均一な分布で含まれ、熱による接合時に変形（歪み）が発生しない導電性フィラーとから構成される。
【００１７】
本発明による異方性導電接合物質の他の実施形態は、バインダーと、導電性フィラーとから構成され、前記導電性フィラーは、前記バインダーと近似した比重を有し、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含む。
【００１８】
本発明による異方性導電接合物質のさらに他の実施形態は、バインダーと、導電性フィラーとから構成され、前記導電性フィラーは、前記バインダーと近似した比重を有するコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置し、熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含む。
【００１９】
本発明によるディスプレイパネルユニットの一実施形態は、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）と、電極が備えられるガラス基板と、異方性導電接合物質とから構成され、前記異方性導電接合物質は、バインダーと、該バインダーの内部に均一な分布で含まれ、熱による接合時に変形が発生しない導電性フィラーとを含む。
【００２０】
本発明によるディスプレイパネルユニットの他の実施形態は、ＦＰＣと、電極が備えられるガラス基板と、異方性導電接合物質とから構成され、前記異方性導電接合物質は、バインダーと、導電性フィラーとを含み、導電性フィラーは、バインダーと近似した比重を有し、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含む。
【００２１】
本発明によるディスプレイパネルユニットのさらに他の実施形態は、ＦＰＣと、電極が備えられるガラス基板と、異方性導電接合物質とから構成され、前記異方性導電接合物質は、バインダーと、導電性フィラーとを含み、前記導電性フィラーは、バインダーと近似した比重を有するコア粒子と前記コア粒子の外部面に位置し、熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含む。
【００２２】
前記導電性フィラーは、バインダーと近似した密度を有するコア粒子を含んでもよい。さらに、前記導電性フィラーは、コア粒子の外部面に熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層を含んでもよい。
【００２３】
前記導電性フィラーは、セラミックで構成されるコア粒子を含んでもよい。さらに、前記導電性フィラーは、熱による接合時に変形が発生しないコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置する少なくとも１つの導電性物質層とを含んでもよい。
【００２４】
前記導電性フィラーは、セラミックで構成されるコア粒子と、前記コア粒子の外部面に位置し、熱による接合時に変形が発生しない少なくとも１つの導電性物質層とを含んでもよい。
【００２５】
前記導電性物質層は、複層で構成され、外部に形成される導電性物質の電気伝導度が内部に形成される導電性物質の電気伝導度よりも高くなるように構成してもよい。
【００２６】
異方性導電接合物質は、フィルム状又はペースト状で提供される。
【００２７】
前記セラミックは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮのいずれか１つで構成してもよい。前記導電性物質層は、Ｎｉ及び／又はＡｕ層で構成してもよい。この場合、前記導電性物質層は、無電解メッキにより形成してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、導電性フィラーが均一に分布できるという効果がある。また、ガラス基板の電極とＦＰＣの電極間の電気的接続特性が向上するという効果がある。さらに、接触抵抗が低くなるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明の形態は、本発明の技術的な特徴の理解を容易にするために最も適した実施形態に基づいて説明する。従って、後述する実施形態によって本発明の技術的な特徴が限定されるものでなく、当該技術分野の通常の知識を有する者の理解を容易にするためのものであり、後述する実施形態の技術的思想及びその均等範囲内の変更実施形態は、全て本発明の技術範囲に含まれる。
【００３０】
後述する実施形態の理解を容易にするために、添付図面に記載された符号のうち各実施形態において同一の作用をする関連構成要素の符号は、同一又は類似の数字で表記した。
また、後述する実施形態は、異方性導電接合物質がペースト状で適用される場合について説明するが、異方性導電接合物質は、フィルム状で適用することもできる。
【００３１】
また、後述する異方性導電接合物質が適用されるディスプレイパネルユニットは、ＰＤＰ、ＬＣＤ、ＯＬＥＤなどの多様なディスプレイに採用されるパネルに適用できる。
【００３２】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の一実施形態により、異方性導電接合物質に適用される導電性フィラー２１０を示す。
【００３３】
導電性フィラー２１０は、バインダー２２０の内部に均一な分布で含まれ、ＦＰＣ３０（後述する図２Ｂ参照）とガラス基板１０（後述する図２Ｂ参照）間に配置され、熱による接合時にその形状（形態）に変形（歪み）が発生しないように構成される。従って、導電性フィラー２１０は、バインダー２２０と同一又は近似の密度を有するように構成される。
【００３４】
前記構成のために、導電性フィラー２１０は、コア粒子２１１と該コア粒子２１１の外部面に位置する導電性物質層２１２とから構成される。
【００３５】
一方、導電性フィラー２１０のコア粒子２１１は、バインダー２２０と近似した密度を有し、熱による接合時にその形状（形態）に変形（歪み）が発生しない物質で構成されてもよい。この場合、導電性物質層２１２は、電気伝導度が高い物質で構成される。
【００３６】
さらに、導電性フィラー２１０のコア粒子２１１は、バインダー２２０と近似した密度を有する物質で構成されてもよい。この場合、導電性物質層２１２は、熱による接合時にその形状（形態）に変形（歪み）が発生しない物質で構成される。また、導電性物質層２１２は、電気伝導度が高い物質で構成される。
【００３７】
このような構成の一例として、コア粒子２１１をセラミック物質で構成する。また、前記セラミック物質としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、又はＳｉＮなどを使用できる。ここで、前記バインダーの密度が約３〜４ｇ／ｃｍ３である場合、密度が約３．９７ｇ／ｃｍ３であるＡｌ２Ｏ３、密度が約３．２２ｇ／ｃｍ３であるＳｉＣ、又は密度が約３．４４ｇ／ｃｍ３であるＳｉＮなどを使用できる。従って、コア粒子２１１は、前記物質に限定されるものでなく、バインダー２２０の比重によって適切な物質が利用される。
【００３８】
前記コア粒子２１１の外部に形成される導電性物質層として、図１Ａに示すように単一層２１２を形成するか、又は、図１Ｂに示すように複数層２１２、２１３を形成することができる。この場合、単一層で構成される導電性物質層２１２は、Ｎｉ又はＡｕで構成することができ、複数層で構成される導電性物質層２１２、２１３は、Ｎｉ／Ａｕで構成することができる。前述したように、導電性物質層２１２、２１３は、電気伝導度が高い物質で構成される。一方、導電性物質層２１２、２１３は、熱による接合時にその形状（形態）に変形（歪み）が発生しない物質で構成することができる。また、導電性物質層２１２、２１３に適用できる物質は、メッキ方式でコア粒子２１１の外部面に形成することができる。ここで、メッキ方式は、無電解メッキ方式を利用できる。
【００３９】
すなわち、図１Ａに示すように、導電性フィラー２１０は、コア粒子２１１の外部面に導電性物質を単層にして導電性物質層２１２を形成することができる。この場合、コア粒子２１１はセラミック物質で構成され、導電性物質であるＮｉを無電解メッキ方式で導電性物質層２１２としてコーティングする。もちろん、前記コア粒子２１１にコーティングされる導電性物質層２１２は、Ｎｉに限定されるものではなく、前述したように、Ａｕなどの他の導電性金属を使用することもできる。
【００４０】
また、図１Ｂ示すように、導電性フィラー２１０は、コア粒子２１１の外部面に導電性物質を複層で形成して導電性物質層２１２、２１３を形成することができる。
この場合も、コア粒子２１１はセラミック物質で構成され、導電性物質であるＮｉを無電解メッキ方式でコーティングした後、その上にさらにＡｕをコーティングして導電性物質層２１２、２１３が形成してもよいし、Ｎｉ及びＡｕのコーティングの順序を変えて導電性物質層２１２、２１３を形成することもできる。
【００４１】
ここで、複層構造で導電性物質層２１２、２１３を形成する場合、外部に形成される導電性物質が内部に形成される導電性物質よりも高い電気伝導度を有することが好ましい。この場合、内部に形成される導電性物質は、熱による接合により形状（形態）に変形（歪み）が発生しない物質で形成する。
【００４２】
例えば、ＮｉよりもＡｕの電気伝導度が高いため、コア粒子２１１にＮｉ／Ａｕの順で導電性物質層２１２、２１３を形成することにより、Ｎｉで形成される導電性物質層２１２は、コア粒子２１１の形態を維持し、Ｎｉよりも電気伝導度が高いＡｕで形成される導電性物質層２１３により接続抵抗を減少できるように構成することができる。
【００４３】
前記コア粒子２１１に使用されるセラミック物質は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮなどを使用できる。ここで、前記セラミック物質は、一般に使用されるバインダー２２０と近似した密度を有する。従って、一般に使用されるバインダーを利用する場合、コア粒子２１１をセラミック物質で構成してバインダー内に均一に分布することができる。
【００４４】
このような構成により、導電性フィラー２１０は、シリンジ４０の内部に均一な分布で含まれて、ガラス基板１０に塗布されるとき、常に均一に分布できる。また、コア粒子２１１としてセラミック物質を利用するか、又は熱変形率の低い導電性物質層２１２を利用することにより、熱による接合時にも導電性フィラー２１０の変形が防止できる。
【００４５】
従って、導電性フィラー２１０は、熱による接合時に変形が発生しないため、ガラス基板１０の電極１１（後述する図２Ｂ参照）の酸化層１２（後述する図２Ｂ参照）を通過することができ、電気接続の品質が向上する。
【００４６】
一方、導電性物質層２１２、２１３を構成する他の物質としては、Ｃｕ、Ｚｎなどを利用することもできる。
【００４７】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明による異方性導電接合物質がペースト状にディスプレイパネルユニットに適用される例を示す。
【００４８】
図示されたように、本発明による異方性導電接合物質２００がペースト状にシリンジ４０によりガラス基板１０に塗布され、該異方性導電接合物質２００の上部にＦＰＣ３０が配列された後、熱によりＦＰＣ３０の電極３１とガラス基板１０の電極１１とが異方性導電接合物質２００により通電できるように接合される。
【００４９】
図２Ａから分かるように、導電性フィラー２１０の密度とバインダー２２０の密度が近似しているため、ＦＰＣ３０とガラス基板１０間に配置される異方性導電接合物質２００の導電性フィラー２１０の均一な分布が可能である。また、図２Ｂから分かるように、導電性フィラー２１０は、十分な硬度を有し、熱変形率が低いため、ガラス基板１０の電極１１の酸化層１２を通過することができるので、電気的接続性能が向上する。
【００５０】
以上の詳細説明において、本発明による導電性フィラー２１０が単層又は複層の導電性物質で形成されるものについて説明したが、前記導電性物質で形成される層数がこれに限定されるものではない。
【００５１】
前述したように、異方性導電接合物質及びディスプレイパネルユニットに適用される異方性導電接合物質は、前述した実施形態の構成に限定されるものでなく、設計仕様によって前記実施形態が本発明の技術的思想の範囲内で多様な変形を含むように選択的に混用できる。
【００５２】
本発明を図面に示す実施形態に基づいて説明したが、これは例示にすぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることを理解できるであろう。本発明の技術的範囲は、添付された特許請求の範囲の技術的思想により決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１Ａ】本発明による異方性導電接合物質を構成する導電性フィラーの実施形態を示す図である。
【図１Ｂ】本発明による異方性導電接合物質を構成する導電性フィラーの実施形態を示す図である。
【図２Ａ】本発明による異方性導電接合物質がペースト状に基板にコーティングされる状態を示す図である。
【図２Ｂ】本発明による異方性導電接合物質が適用されたディスプレイパネルユニットの構造を概略的に示す図である。
【図３】従来の一般的なＡＣＦによるＦＰＣとディスプレイパネルユニットとの接合状態を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】シリンジにより一般的なＡｕがコーティングされた状態のＮｉ粒子が含まれるＡＣＰがガラス基板にコーティングされる状態を概略的に示す図である。
【図４Ｂ】従来の一般的なＡｕがコーティングされた状態のＮｉ粒子が含まれるＡＣＰを適用してＦＰＣとディスプレイパネルユニットとが接合した状態を概略的に示す断面図である。
【図５Ａ】シリンジにより一般的なＡｕがコーティングされた状態の樹脂粒子が含まれるＡＣＰがガラス基板にコーティングされる状態を概略的に示す図である。
【図５Ｂ】従来の一般的なＡｕがコーティングされた状態の樹脂粒子が含まれるＡＣＰを適用してＦＰＣとディスプレイパネルユニットとが接合した状態を概略的に示す断面図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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