(57)【要約】【課題】  タイバーをその周辺の封止樹脂と共に打抜いた場合、打抜かれたタイバーと封止樹脂とが分離することなく、上記タイバーと封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片を発生させることが可能なリードフレームを提供する。【解決手段】  半導体素子を搭載するためのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリード１４を有するリードフレームであって、リード１４間は、半導体素子を樹脂封入する封止樹脂１５の流れを塞き止めるタイバー４６によって接続され、タイバー４６は、アイランドに対向する内側面に、凸状の突起部４７を有している。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、突起部を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、切欠部を有していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記接続部材は、所定の厚さで形成された本体部と、本体部のアイランドに対向する内側に形成され且つ上記本体部の厚さよりも薄い薄厚部とを有し、
上記接続部材の少なくとも表裏いずれか片面に、上記本体部と薄厚部とによる段差部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記封止樹脂と接触する接続部材の接触面の粗さがＲａ１０μｍ以上に設定されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
上記請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレームを用いて製造された半導体装置であって、
複数の電極パッドを有する半導体素子がアイランドに取付けられ、
上記電極パッドとリードとが金属細線を介して接続され、
上記半導体素子とアイランドと金属細線とが封止樹脂によって樹脂封止され、
上記封止樹脂が接続部材によって塞き止められていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上記請求項５に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断するのに使用される切断装置であって、
打抜き開口部を有するダイと、上記打抜き開口部に対して挿脱自在な打抜きパンチとが設けられ、
上記打抜きパンチは、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、
上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引する吸引装置が設けられていることを特徴とする切断装置。
【請求項７】
上記請求項５に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断する切断方法であって、
樹脂封止後、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、
上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引することを特徴とする切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リード間に接続される接続部材（タイバー）を有するリードフレーム、および、上記リードフレームを用いた半導体装置、および、上記半導体装置製造の際に用いられる切断装置、および、上記半導体装置製造の際に接続部材を切断する切断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来の金属製のリードフレーム１０の平面図であり、半導体素子１１を搭載するためのアイランド１２と、外枠からアイランド１２に向けて伸びてアイランド１２を支持する複数の吊りリード１３と、アイランド１２の周囲に先端が集まるように配置された複数のリード１４とを有している。
【０００３】
上記アイランド１２は、外枠から見てその内領域に位置するものであり、一般的にはリードフレーム１０の中心位置にその一部（一般的には中央部であるが、必ずしもそうとは限らない）が存在する。また、吊りリード１３は、アイランド１２の対称位置となる四隅角部をそれぞれ支持するように、四箇所に設けられている。但し、この吊りリード１３は四隅角部に設けなければならないという限定はなく、適宜設ければよい。
【０００４】
図１３に示すように、各リード１４間は、リード１４を互いに支持するとともに封止樹脂１５の流れを塞き止める機能を持つタイバー１６によって接続されている。尚、各リード１４は、タイバー１６の箇所よりも内側領域をインナーリード部１４ａとするとともに外側領域をアウターリード部１４ｂとして区分けされている。尚、リード１４とタイバー１６とはリードフレーム１０と同じ厚さＴを有している。また、リードフレーム１０の表面の算術平均粗さＲａは一般に約６．３μｍに加工されている。
【０００５】
次に、図１４に示すように、上記リードフレーム１０を用いて製造された半導体装置２０の構成を説明する。集積回路を形成した半導体素子１１がアイランド１２に取り付けられ、半導体素子１１に備えられた複数の電極パッド１１ａとこれに対応したリード１４とが金属細線２１を介して接続されている。上記半導体素子１１とアイランド１２と金属細線２１とインナーリード部１４ａとが封止樹脂１５によって樹脂封止されており、アウターリード部１４ｂは封止樹脂１５の外側に突出している。
【０００６】
次に、上記半導体装置２０の製造方法を説明する。
図１５に示すように、先ず、半導体素子１１をアイランド１２に接着剤などにより取り付け、電極パッド１１ａとリード１４とを金属細線２１で接続する。次に、半導体素子１１とアイランド１２と金属細線２１とインナーリード部１４ａとを封止樹脂１５で樹脂封入する。この際、図１６に示すように、封止樹脂１５は、タイバー１６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはない。
【０００７】
樹脂封止後、切断装置２４を用いて各タイバー１６を各リード１４から切断し、各リード１４を電気的に独立させる。次に、各リード１４をリードフレーム１０の外枠から切り離し、必要に応じてアウターリード部１４ｂを適宜折り曲げたり切断し、これにより、図１４に示すように半導体装置２０が製造される。
【０００８】
次に、上記切断装置２４の構成を説明する。
図１７に示すように、切断装置２４は、複数の打抜き穴２５を有するダイ２６と、打抜き穴２５に対し昇降して挿脱自在な打抜きパンチ２７とを備えている。上記ダイ２６は半導体装置受け金型２８の外縁部分に設けられている。また、上記打抜きパンチ２７は、各タイバー１６を一括して打抜けるように櫛歯状に形成されている。また、上記半導体装置受け金型２８の下方には、上記打抜きパンチ２７によって打抜かれたタイバー１６を不要切断片として吸引する集塵機２９が設けられている。集塵機２９と各打抜き穴２５の下部との間は吸引通路３０を介して接続されている。
【０００９】
次に、上記切断装置２４を用いてタイバー１６を切断する切断方法を説明する。
樹脂封止後、図１８，図１９に示すように、打抜きパンチ２７を下降してダイ２６の打抜き穴２５に挿入し、タイバー１６を打抜く。この際、封止樹脂１５を切断せずにタイバー１６のみ切断することは、リードフレーム１０の寸法のばらつきや封止樹脂１５の成型収縮の関係で切断するポイントが３０μｍ程度ばらつくため、不可能である。従って、上記ばらつきを考慮して、タイバー１６と共にタイバー１６の周辺の封止樹脂１５も同時に打抜きパンチ２７で打抜くことが一般的に行われている。図１９に示すように、このときの打抜きパンチ２７の幅Ｗはリード１４間の間隔Ｄよりも６０μｍ（所定量）程度小さく設定されている。
【００１０】
これにより、図１８（ｂ）（ｃ），図１９に示すように、打抜きパンチ２７で打抜かれたタイバー１６の切断片１６ａとその周辺の封止樹脂１５の切断片１５ａとが不要切断片３１として発生するが、この不要切断片３１は、吸引通路３０から集塵機１２に真空吸引され、１つ残らず完全に除去されなければならない。その理由は、一度打抜かれたタイバー１６が、連続的に搬送される次の半導体装置２０のリード１４に付着したり、リード１４の形状を損なう等の不具合を及ぼすためである。尚、打抜きパンチ２７がタイバー１６を打抜く際に周辺の封止樹脂１５へ入り込んで打抜く量は１００μｍ程度が一般的である。
【００１１】
しかしながら上記の従来形式では、タイバー１６は封止樹脂１５の流れを塞き止める機能しか有しておらず、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との密着性は互いの接触面に発生する接着力のみにより接合している。従来では、図１６に示すようにタイバー１６の一平面すなわち内側面１６ｂのみが封止樹脂１５に接触しているため、タイバー１６と封止樹脂１５との接触面積が小さく、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との接着力は非常に弱い。したがって、タイバー１６をその周辺の封止樹脂１５と共に同時に打抜いた際、図１８（ｃ），図１９に示すように、打抜きによる衝撃で、不要切断片３１がタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとに簡単に分離してしまい、タイバー１６の切断片１６ａ（金属片の切断カス）と封止樹脂１５の切断片１５ａ（樹脂片の切断カス）とが個別に発生した。
【００１２】
このうち、タイバー１６の切断片１６ａは、自重による自然落下に加えて集塵機１２の真空吸引力により、吸引通路３０を通って集塵機１２へ集められる。これに対して、封止樹脂１５の切断片１５ａは、上記タイバー１６の切断片１６ａよりも軽量であるため、打抜き時に打抜きパンチ２７との摩擦によって発生する静電気や打抜き後に打抜きパンチ２７の上昇によって発生する空気の流れ等の影響を受けて、集塵機１２の吸引力で吸引されず、打抜きパンチ２７の上昇に伴って、リードフレーム１０の上方へ飛散するといった問題がある。
【００１３】
また、最近のパッケージの多ピン化に伴い、電極パッド１１ａの数とそれに対応したリード１４の数とが増加し、リードピッチが益々小さくなる傾向にある。例えば、一般にＱＦＰ（Ｑｕａｒｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージにおいては、従来、その外形が２８ｍｍ角の２０８ピンの場合には、リード１４の幅Ｃが０．２ｍｍ、リード１４間のピッチＰが０．５ｍｍ、リード１４間の間隔Ｄが０．３ｍｍ（＝０．５−０．２）である。この場合にパッケージ外形の１辺の長さ２８ｍｍの長さのなかに５２ピンのリード１４が配置されることとなり、リード１４とリード１４とを接続するタイバー１６を抜くためには、打抜きパンチ２７とリードフレーム１０との位置精度を加味し、±０．０３ｍｍのズレを見越して０．２４ｍｍ（＝０．３−０．０３×２）の幅Ｗの打抜きパンチ２７にてタイバー１６とその周辺の封止樹脂１５とを打抜いていた。
【００１４】
これが昨今の多ピン化にともない、２８ｍｍ角の２５６ピンとなった場合には、リード１４の幅Ｃが０.１６ｍｍ、リード１４間のピッチＰが０.４ｍｍとなり、リード１４間の間隔Ｄが０．２４ｍｍとなる。打抜きパンチ２７とリードフレーム１０との位置精度として±０．０３ｍｍのズレを見越した場合、タイバー１６の切断には０．１８ｍｍの幅Ｗの打抜きパンチ２７を用いる必要がある。
【００１５】
つまり上記のような多ピン化に伴い、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との打抜き時の幅は２５％小さくなってきている。このように、多ピン化に伴って、不要切断片３１そのものも小さくなってきており、これにより、元々飛散し易い封止樹脂１５の切断片１５ａがさらに飛散し易くなり、飛散した封止樹脂１５の切断片１５ａがリードフレーム１０上に付着して次工程の半導体装置のリード形成の曲げ加工時に異物として噛み込まれるといった問題がある。すなわち、上記のように０．１８ｍｍの幅Ｗの打抜きパンチ２７を用いてタイバー１６を打抜いた場合、タイバー１６と共に打抜かれた周辺の封止樹脂１５の幅も０．１８ｍｍとなり、幅０．１８ｍｍの封止樹脂１５の切断片１５ａが飛散して上記幅０．１６ｍｍへ細線化しているリード１４に付着した場合、リード１４が封止樹脂１５の切断片１５ａによって簡単に変形してしまう恐れがある。
【００１６】
また、下記特許文献１には、打抜かれたタイバーの切断片（切断カス）が打抜きパンチに付着して打抜きパンチと共に上昇するのを防止することが可能なタイバー切断装置が記載されている。すなわち、図２０に示すように、打抜き金型のダイ３５の開口部３６にテーパー部３７を形成し、打抜きパンチ３９でタイバー３８を打抜いた際、タイバー３８の切断片３８ａをテーパー部３７に押し付けて嵌め込むことで、タイバー３８の切断片３８ａに塑性変形を起こさせ、これにより、タイバー３８の切断片３８ａの上昇を防止している。
【００１７】
しかしながら、図２０に示すものでは、タイバー３８と共にその周辺の封止樹脂も同時に打抜きパンチ３９で打抜いた場合、タイバー３８の切断片３８ａと封止樹脂の切断片とが個別に発生し、このうちタイバー３８の切断片３８ａは上記のようにテーパー部３７に嵌まり込んで塑性変形するが、封止樹脂の切断片に関してはテーパー部３７に押し付けられても塑性変形せず、封止樹脂の切断片が砕けてより小型の切断片となって舞い上がり易くなるため、封止樹脂の切断片が上昇するのを防止する効果はほとんど発揮されず、上昇した封止樹脂の切断片が飛散してリードフレーム上に付着し次工程の半導体装置のリード形成の曲げ加工時に異物として噛み込まれるといった問題がある。
【特許文献１】特開２００４−１８６４７４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、接続部材（タイバー）をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた場合、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片を発生させることが可能なリードフレームおよび半導体装置および切断装置および切断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために本第１の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、突起部を有しているものである。
【００２０】
これによると、半導体装置を製造する場合、アイランド上に半導体素子を取付け、半導体素子の電極パッドとリードとを接続し、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する。この際、封止樹脂の流れは接続部材によって塞き止められ、封止樹脂が突起部の周辺に回り込むため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。
【００２１】
したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。
【００２２】
また、本第２の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、切欠部を有しているものである。
【００２３】
これによると、半導体装置製造時、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する際、封止樹脂の流れは接続部材によって塞き止められ、封止樹脂が切欠部に流れ込むため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。
【００２４】
したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。
【００２５】
また、本第３の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記接続部材は、所定の厚さで形成された本体部と、本体部のアイランドに対向する内側に形成され且つ上記本体部の厚さよりも薄い薄厚部とを有し、上記接続部材の少なくとも表裏いずれか片面に、上記本体部と薄厚部とによる段差部が形成されているものである。
【００２６】
これによると、半導体装置製造時、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する際、封止樹脂の流れは接続部材によって塞き止められ、封止樹脂が段差部に流れ込むため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。
【００２７】
したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。
【００２８】
また、本第４の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記封止樹脂と接触する接続部材の接触面の粗さがＲａ１０μｍ以上に設定されているものである。
【００２９】
これによると、半導体装置製造時、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する際、封止樹脂が接続部材の接触面に接触して、封止樹脂の流れが接続部材によって塞き止められる。上記接触面の粗さをＲａ１０μｍ以上の粗い面にしているため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。
【００３０】
したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。
【００３１】
また、本第５の発明は、上記第１の発明から第４の発明のいずれかに記載のリードフレームを用いて製造された半導体装置であって、複数の電極パッドを有する半導体素子がアイランドに取付けられ、上記電極パッドとリードとが金属細線を介して接続され、上記半導体素子とアイランドと金属細線とが封止樹脂によって樹脂封止され、上記封止樹脂が接続部材によって塞き止められているものである。
【００３２】
また、本第６の発明は、上記第５の発明に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断するのに使用される切断装置であって、打抜き開口部を有するダイと、上記打抜き開口部に対して挿脱自在な打抜きパンチとが設けられ、上記打抜きパンチは、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引する吸引装置が設けられているものである。
【００３３】
これによると、打抜きパンチで、接続部材を、その周辺の封止樹脂と共にリードから打抜く。この際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生し、この不要切断片は確実に自然落下するとともに吸引装置で容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。
【００３４】
また、本第７の発明は、上記第５の発明に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断する切断方法であって、樹脂封止後、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引するものである。
【００３５】
これによると、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生し、この不要切断片は確実に自然落下するとともに容易に吸引され、これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。
【発明の効果】
【００３６】
以上のように、本発明によると、半導体装置製造時、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加するため、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引され、これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができ、リードを適宜折り曲げたり切断して半導体装置を製造する工程の歩留を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
［第１の実施の形態］
以下に、本発明における第１の実施の形態を図１〜図５に基いて説明する。尚、先に述べた従来技術と同じ構成の部材については、同一の符号を付記して説明を省略する。
【００３８】
図１に示すように、各リード１４間を接続する各タイバー４６（接続部材の一例）は、アイランド１２に対向する内側面に、凸形状の突起部４７を有している。尚、リード１４とタイバー４６と突起部４７とは同じ厚さＴを有している。
【００３９】
また、図１７に示すように、上記半導体装置２０を製造する際にタイバー４６を切断するための切断装置２４は、打抜き穴２５（打抜き開口部の一例）を有するダイ２６と、打抜き穴２５に対し昇降して挿脱自在な打抜きパンチ２７と、打抜きパンチ２７で打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａとタイバー４６の周辺の封止樹脂１５の切断片１５ａとからなる不要切断片４８を吸引する集塵機２９（吸引装置の一例）とを具備している。
【００４０】
次に、上記半導体装置２０の製造方法を説明する。
先ず、半導体素子１１をアイランド１２に接着剤などにより取り付け、半導体素子１１の電極パッド１１ａとリード１４とを金属細線２１で接続する。次に、半導体素子１１とアイランド１２と金属細線２１とインナーリード１４ａとを封止樹脂１５で樹脂封入する。
【００４１】
この際、図２に示すように、封止樹脂１５は、タイバー４６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはなく、さらに、突起部４７の周囲に回り込む。突起部４７の突出長さをＡ、幅をＢとすると（図１参照）、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接触面積が従来のものよりもＡ×Ｔ×２だけ増大するため、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。
【００４２】
樹脂封止後、上記切断装置２４を用いてタイバー４６をリード１４から切断し、各リード１４を電気的に独立させる。すなわち、図３，図４に示すように、打抜きパンチ２７を下降してダイ２６の打抜き穴２５に挿入することで、タイバー４６をその周辺の封止樹脂１５と共にリード１４から同時に打抜く。
【００４３】
この際、上記のように突起部４７を形成したことによってタイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加しているため、打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａと周辺の封止樹脂１５の切断片１５ａとが分離することはなく、上記両切断片４６ａ，１５ａが一体に接合したままの不要切断片４８が発生する。したがって、不要切断片４８は、従来のように互いに分離した個々のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとに比べて、重量と体積とが増大するため、確実に自然落下するとともに集塵機２９で容易に吸引される。これにより、不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止することができる。
【００４４】
その後、各リード１４をリードフレーム１０の外枠から切り離し、必要に応じてアウターリード部１４ｂを適宜折り曲げたり切断し、これにより、半導体装置２０が製造される。この際、上記のように不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止し得るため、アウターリード部１４ｂを適宜折り曲げたり切断して半導体装置２０を製造する工程の歩留を向上させることができる。
【００４５】
例えば、１つの実施例として、２８ｍｍ角で２０８ピンを有する半導体装置２０では、アウターリード１４ｂの幅Ｃが０．２ｍｍ、アウターリード１４ｂ間のピッチＰが０．５ｍｍ、アウターリード１４ｂ間の間隔Ｄ（すなわちタイバー４６の長さ）が０．３ｍｍである。また、打抜きパンチ２７とリードフレーム１０との位置精度を加味し、±０．０３ｍｍのズレを見越して０．２４ｍｍの幅Ｗの打抜きパンチ２７にてタイバー１６と封止樹脂１５を打抜いているため、打抜きによって発生する不要切断片４８の幅Ｅも０．２４ｍｍとなる。
【００４６】
上記のような寸法において、従来の突起部４７の無いタイバー１６では、不要切断片３１のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触長さが０．２４ｍｍとなり、タイバー１６の厚さをＴとすると、タイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触面積は０．２４×Ｔ（ｍｍ２）となる。
【００４７】
これに対して、第１の実施の形態のタイバー４６は突起部４７を有しているため、突起部４７の突出長さＡを０．１ｍｍ、幅Ｂを０．１ｍｍとすると、不要切断片４８のタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触長さはＥ＋２×Ａ＝０．２４＋２×０．１＝０．４４ｍｍとなり、タイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触面積は０．４４×Ｔ（ｍｍ２）となり、上記従来のものに比べて接触面積が１．８倍に増大する。
【００４８】
上記第１の実施の形態では、突起部４７を凸形状に形成しているが、凸形状に限定されるものではなく、例えば図５に示すようなＴ形状又はＬ形状等に形成してもよい。
上記第１の実施の形態では、全てのタイバー４６に突起部４７を形成してもよいし、或いは、一部のタイバー４６のみに突起部４７を形成してもよい。
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態を図６〜図８に基いて説明する。
【００４９】
図６に示すように、各タイバー４６は、アイランド１２に対向する内側面に、凹形状の切欠部５０を有している。
これによると、樹脂封入時、図７に示すように、封止樹脂１５は、タイバー４６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはなく、さらに、切欠部５０に流れ込む。切欠部５０の切欠長さをＦ、切欠幅をＧとすると（図６参照）、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接触面積が従来のものよりもＦ×Ｔ×２だけ増大するため、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。
【００５０】
樹脂封止後、上記切断装置２４を用いて、タイバー４６をその周辺の封止樹脂１５と共にリード１４から同時に打抜く。この際、上記のように切欠部５０を形成したことによってタイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加しているため、図８に示すように、打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとが分離することはなく、上記両切断片４６ａ，１５ａが一体に接合したままの不要切断片４８が発生する。したがって、不要切断片４８は、従来のように互いに分離した個々のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａに比べて、重量と体積とが増大するため、確実に自然落下するとともに集塵機２９で容易に吸引される。これにより、不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止することができる。
【００５１】
上記第２の実施の形態では、全てのタイバー４６に切欠部５０を形成してもよいし、或いは、一部のタイバー４６のみに切欠部５０を形成してもよい。
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態を図９〜図１１に基いて説明する。
【００５２】
図９に示すように、各タイバー４６は、リード１４と同じ厚さＴ（所定の厚さに該当）を有する本体部４６ｂと、本体部４６ｂのアイランド１２に対向する内側面に形成され且つ上記本体部４６ｂの厚さＴよりも薄い薄厚部４６ｃとを有している。上記タイバー４６の表裏両面にはそれぞれ、本体部４６ｂと薄厚部４６ｃとによる段差部５２ａ，５２ｂが形成されている。
【００５３】
これによると、樹脂封入時、図１０に示すように、封止樹脂１５は、タイバー４６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはなく、さらに、両段差部５２ａ，５２ｂに流れ込む。このため、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接触面積が従来のものよりも増大し、これにより、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。
【００５４】
樹脂封止後、上記切断装置２４を用いて、タイバー４６をその周辺の封止樹脂１５と共にリード１４から同時に打抜く。この際、上記のように段差部５２ａ，５２ｂを形成したことによってタイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加しているため、図１１に示すように、打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとが分離することはなく、上記両切断片４６ａ，１５ａが一体に接合したままの不要切断片４８が発生する。したがって、不要切断片４８は、従来のように互いに分離した個々のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａに比べて、重量と体積とが増大するため、確実に自然落下するとともに集塵機２９で容易に吸引される。これにより、不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止することができる。
【００５５】
例えば、１つの実施例として、２８ｍｍ角で２０８ピンを有する半導体装置２０では、先に説明したように、打抜きによって発生する不要切断片４８の幅Ｅは０．２４ｍｍとなり、また、薄厚部４６ｃの長さＬを０．１ｍｍとすると、上記不要切断片４８の薄厚部４６ｃの表裏両面の面積（段差部５２ａ，５２ｂの投影面積）はＥ×Ｌ×２＝０．２４×０．１×２＝０．０４８（ｍｍ２）となり、この面積分だけタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触面積が従来よりも増大し、これによって、タイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接着力が増加する。
【００５６】
上記第３の実施の形態では、タイバー４６の表裏両面にそれぞれ段差部５２ａ，５２ｂを形成したが、タイバー４６の表面のみに段差部５２ａを形成したり、或いは、裏面のみに段差部５２ｂを形成してもよい。
【００５７】
上記第３の実施の形態では、全てのタイバー４６に段差部５２ａ，５２ｂを形成してもよいし、或いは、一部のタイバー４６のみに段差部５２ａ，５２ｂを形成してもよい。
［第４の実施の形態］
リードフレーム１０の表面の算術平均粗さＲａは約６．３μｍに加工されているが、薄厚部４６ｃの表裏両面（接触面の一例）の算術平均粗さＲａは１０μｍ以上に加工されている。
【００５８】
これによると、樹脂封入時、封止樹脂１５は、段差部５２ａ，５２ｂに流れ込み、薄厚部４６ｃの表裏両面に接触し、タイバー４６によって塞き止められる。この際、上記薄厚部４６ｃの表裏両面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上の粗い面にしているため、薄厚部４６ｃの表裏両面と周辺の封止樹脂１５との接触面積が増大し、これにより、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力がより一段と増加する。
【００５９】
上記第４の実施の形態では、第３の実施の形態の薄厚部４６ｃの表裏両面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工しているが、どちらか片面のみを１０μｍ以上に加工してもよい。また、上記第１の実施の形態において、図２に示すように封止樹脂１５と接触する突起部４７の接触面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよく、或いは、上記第２の実施の形態において、図７に示すように封止樹脂１５と接触する切欠部５０の接触面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよい。
［第５の実施の形態］
図１３に示すように、従来と同じ形状のタイバー１６のアイランド１２に対向する内側面１６ｂ（接触面の一例）の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工している。
【００６０】
これによると、タイバー１６の内側面１６ｂと封止樹脂１５との接触面積が増大し、これにより、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。
上記第５の実施の形態では、全てのタイバー１６の内側面１６ｂの算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよいし、或いは、一部のタイバー１６のみの内側面１６ｂの算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置等に用いられるリードフレーム、および、リードフレームを用いて製造された半導体装置、および、リードフレームのタイバーを切断する切断装置ならびに切断方法に関するものであり、タイバーを切断する工程で発生する不要切断片（カットカス）の排出性を向上させることができ、これによって、半導体装置のリードの変形や不要切断片の付着等がなく、安定した精度の良いリード形状を有する極めて信頼性の高い半導体装置が製造可能であり、また、益々微細化の進む狭ピッチのアウターリード部のものにも対応可能なリードフレームとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるリードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図である。
【図２】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、樹脂封止後の状態を示す。
【図３】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。
【図４】同、リードフレームのタイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いて切断する方法を示す図であり、（ａ）は打抜きパンチがタイバーに対して下降している図、（ｂ）は打抜きパンチがタイバーをその周辺の封止樹脂と共に打抜いた図、（ｃ）は打抜きパンチがタイバーから上昇している図、（ｄ）は上記（ｃ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図５】同、リードフレームのタイバーの突起部をＴ形状にした拡大平面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態におけるリードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図である。
【図７】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、樹脂封止後の状態を示す。
【図８】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。
【図９】本発明の第３の実施の形態におけるリードフレームのタイバーの箇所の拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１０】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大図であり、（ａ）は樹脂封止後の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１１】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。
【図１２】従来のリードフレームの平面図である。
【図１３】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図である。
【図１４】同、リードフレームを用いて製造された半導体装置の断面図である。
【図１５】同、リードフレームの平面図であり、半導体素子を搭載し、金属細線で接続した状態を示す。
【図１６】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、樹脂封止後の状態を示す。
【図１７】同、リードフレームのタイバーを切断する際に使用される切断装置の図であり、（ａ）は断面、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１８】同、切断装置を用いてリードフレームのタイバーを切断する切断方法を示す図であり、（ａ）は打抜きパンチがタイバーに対して下降している図、（ｂ）は打抜きパンチがタイバーをその周辺の封止樹脂と共に打抜いた図、（ｃ）は打抜きパンチがタイバーから上昇している図、（ｄ）は上記（ｃ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１９】同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。
【図２０】他の従来の切断装置を用いてリードフレームのタイバーを切断する切断方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０      リードフレーム
１１      半導体素子
１１ａ    電極パッド
１２      アイランド
１４      リード
１５      封止樹脂
１６ｂ    内側面（接触面）
２０      半導体装置
２１      金属細線
２４      切断装置
２５      打抜き穴（打抜き開口部）
２６      ダイ
２７      打抜きパンチ
２９      集塵機（吸引装置）
４６      タイバー（接続部材）
４６ｂ    本体部
４６ｃ    薄厚部
４７      突起部
４８      不要切断片
５０      切欠部
５２ａ，５２ｂ      段差部
Ｔ        厚さ
【図１】
2007005569.tif 000003
【図２】
2007005569.tif 000004
【図３】
2007005569.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007005569.tif 000007
【図６】
2007005569.tif 000008
【図７】
2007005569.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2007005569.tif 000021
【図２０】
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