(57)【要約】【課題】  パーティクルの発生を極力低減させることができ、特にウエハのフォトリソグラフィー工程に使用されるコータデベロッパー等に特に好適に使用することができる、ウエハ加熱用ホットプレートを提供する。【解決手段】  ウエハ加熱用ホットプレートは、セラミックスと半導体及び／又は金属との複合体１からなる。また、複合体１との間に絶縁層３を介して、金属箔をパターニングした発熱体２を有すると共に、可動式の冷却モジュール５を備えることができる。複合体１の材質としては、Ｓｉ−ＳｉＣ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ａｌ−ＡｌＮのいずれかが好ましい。また、複合体１の熱伝導率は１５０Ｗ／ｍＫ以上、熱膨張係数は１２×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを載置もしくは離間して加熱するためのウエハ加熱用ホットプレートであって、ホットプレートの材質が半導体及び／又は金属とセラミックスとの複合体であることを特徴とするウエハ加熱用ホットプレート。
【請求項２】
前記複合体との間に絶縁層を介して発熱体を有し、該発熱体が金属箔をパターニングしたものであることを特徴とする、請求項１に記載のウエハ加熱用ホットプレート。
【請求項３】
前記複合体の材質が、ケイ素−炭化ケイ素、アルミニウム−炭化ケイ素、アルミニウム−窒化アルミニウムのいずれかであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のウエハ加熱用ホットプレート。
【請求項４】
前記複合体の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のウエハ加熱用ホットプレート。
【請求項５】
前記複合体の熱膨張係数が１２×１０−６／Ｋ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のウエハ加熱用ホットプレート。
【請求項６】
可動式の冷却モジュールを備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のウエハ加熱用ホットプレート。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のウエハ加熱用ホットプレートを搭載したことを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハを載置もしくは離間して熱処理するためのウエハ加熱用ホットプレートに関し、更に詳しくは、ウエハのフォトリソグラフィーに使用されるコータデベロッパー等に特に好適に使用することのできるウエハ加熱用ホットプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体の製造工程では、ウエハに対して、成膜処理やエッチング処理など様々な処理が施される。このようなウエハに対する処理を行う半導体製造装置では、ウエハを保持し、加熱するためのホットプレートが用いられている。
【０００３】
例えば、フォトリソグラフィー工程では、ウエハ上にレジスト膜パターンが形成される。この工程では、ウエハを洗浄して、加熱乾燥し、冷却した後、ウエハ表面にレジスト膜を塗布する。このウエハをフォトリソグラフィー処理装置内のホットプレート上に搭載して、加熱乾燥した後、露光、現像などの処理が施される。
【０００４】
このフォトリソグラフィー工程においては、ホットプレートやその他の部品から発生する粒子、いわゆるパーティクルを少なくする必要がある。パーティクルがウエハに付着すると、その部分のパターンが形成できなくなり、半導体チップの不良を引き起こすからである。特に近年では、半導体チップの微細配線化が進んでいるため、パーティクルの発生を抑えることは非常に重要である。
【０００５】
また、これらのウエハの処理は、スループットを向上させるために、できるだけ短時間で終わらせることが要求される。そのため、発明者等は、加熱したヒータを短時間で冷却するために冷却手段を有する半導体製造装置を検討してきた。例えば、特開２００４−０１４６５５号公報（特許文献１）では、ヒータのウエハ搭載面とは反対側の面に、当接又は分離が可能な冷却ブロックを備えた半導体製造装置を提案した。また、特開２００５−１５０５０６号公報（特許文献２）では、冷却ブロックに冷却用液体の流路を形成し、冷却速度を更に向上させると共に、冷却開始から冷却終了までのヒータの温度の均一性を保つような半導体製造装置を提案した。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０１４６５５号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記したように、近年の半導体における微細配線化の進行に伴って、ウエハの熱処理を行うホットプレートに対して、ウエハに付着して不良を引き起こす原因となるパーティクル発生の低減が求められている。パーティクルの発生源としては、ホットプレートが設置される装置の雰囲気や環境にも影響されるが、高度に制御されたクリーンルーム内に設置される半導体製造装置においては、クリーンルーム内で発生するパーティクルは比較的少ないと考えられるから、ホットプレート自身からのパーティクルの発生を抑制することが求められている。
【０００８】
ホットプレートは、通常、容器内に設置され、搬入されたウエハを熱処理した後搬出するが、その間にホットプレート自身には所定の熱サイクルが加わり、その影響によってパーティクルが発生することがある。また、可動式の冷却モジュールを備えたホットプレートでは、ホットプレートと冷却モジュールの接触によってもパーティクルが発生しうる。更に、ウエハを離間して載置するホットプレートの場合、離間するためのプロキシミティとの摩擦によって静電気が発生し、パーティクルがプロキシミティ付近に滞留して、ウエハへの付着量を増してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、パーティクルの発生を極力低減させることができ、特にウエハのフォトリソグラフィー工程に使用されるコータデベロッパー等に特に好適に使用することができる、ウエハ加熱用ホットプレートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明が提供するウエハ加熱用ホットプレートは、ウエハを載置もしくは離間して加熱するためのウエハ加熱用ホットプレートであって、ホットプレートの材質がセラミックスと半導体及び／又は金属との複合体であることを特徴とする。このウエハ加熱用ホットプレートは、前記複合体との間に絶縁層を介して発熱体を有し、その発熱体は金属箔をパターニングしたものであることが好ましい。
【００１１】
上記本発明によるウエハ加熱用ホットプレートにおいては、前記複合体の材質が、ケイ素−炭化ケイ素（Ｓｉ−ＳｉＣ）、アルミニウム−炭化ケイ素（Ａｌ−ＳｉＣ）、アルミニウム−窒化アルミニウム（Ａｌ−ＡｌＮ）のいずれかであることが好ましい。特に、前記複合体の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましく、また、前記複合体の熱膨張係数が１２×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。
【００１２】
更に、上記本発明によるウエハ加熱用ホットプレートは、可動式の冷却モジュールを備えることができる。
【００１３】
本発明は、また、上記した本発明によるウエハ加熱用ホットプレートを搭載したことを特徴とする半導体製造装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、均熱性に優れると共に、パーティクルの発生を極力低減させたウエハ加熱用ホットプレートを提供することができる。従って、本発明のウエハ加熱用ホットプレートは、特にウエハのフォトリソグラフィー工程において使用されるコータデベロッパー等に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
一般に、ホットプレートとして利用されているセラミックスは、原料粉末を焼結により焼き固めて作製している。そのため、微視的に見ると、セラミックスは微小な粒子が結合して形成されていて、通常は粒子と粒子の間に粒界成分が存在する。この粒界成分と粒子成分は材質が若干異なるため、当然のことながら、その熱膨張係数も若干異なっている。特に、焼結助剤を添加して焼結したセラミックス中には、部分的に焼結助剤によって組成が偏析した部分を中心に、セラミックスの主成分である粒子とは組成が異なる部分が存在する。このような部分は、セラミックスをホットプレートとして使用した場合、その熱サイクルによって粒子が欠落し、パーティクルとなりやすい。また、セラミックス中には少なからずポアが存在するため、その部分からも粒子が脱落してパーティクルとなる。
【００１６】
このようなパーティクルの発生を抑制するために、本発明においては、ホットプレートの材質として、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体を用いる。金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体では、金属や半導体がセラミックス粒子の間に存在し、個々のセラミックス粒子を取り囲んでいる。そのため、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体で構成されたホットプレートでは、粒子が脱落しにくい構造となっているため、熱サイクルが加わった場合においてもパーティクルの発生を低減することができる。
【００１７】
例えば、アルミニウム（Ａｌ）と炭化ケイ素（ＳｉＣ）との複合体の場合、炭化ケイ素の粒子は独立して存在していたり、粒子同士の一部が結合して存在していたりする一方で、これらの各炭化ケイ素の粒子間の隙間にはアルミニウムが存在している。アルミニウムは熱膨張係数が炭化ケイ素より大きいので、この複合体に熱が加わると、粒子間に存在するアルミニウムが炭化ケイ素よりも大きく膨張するため、炭化ケイ素粒子は表面から脱落しにくくなり、このためにパーティクルの発生が抑えられるのである。
【００１８】
本発明のホットプレートとして用いる金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体としては、上記のアルミニウム−炭化ケイ素（Ａｌ−ＳｉＣ）複合体のほかに、ケイ素−炭化ケイ素（Ｓｉ−ＳｉＣ）複合体、アルミニウム−酸化アルミニウム（Ａｌ−Ａｉ２Ｏ３）複合体、アルミニウム−窒化アルミニウム（Ａｌ−ＡｌＮ）複合体などがあげられる。これらの複合体は、いずれも上記メカニズムによってパーティクルの発生が抑えられるため、半導体製造装置用のホットプレートとして好適に使用することができる。
【００１９】
また、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体は、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。１５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することによって、ホットプレートの均熱性が向上するためである。このような高い熱伝導率を有する複合体としては、アルミニウム−炭化ケイ素（Ａｌ−ＳｉＣ）複合体、ケイ素−炭化ケイ素（Ｓｉ−ＳｉＣ）複合体、アルミニウム−窒化アルミニウム（Ａｌ−ＡｌＮ）複合体がある。また、複合体のセラミックス成分として炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いると、ホットプレートとして使用したときに、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いた場合のようなアンモニアの発生も無いため、特に好ましい。
【００２０】
また、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体は、熱膨張係数が１２×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。例えば、加熱状態のホットプレートにウエハを載置すると、ウエハはホットプレートから熱を受けて熱膨張し、逆にホットプレートはウエハに熱を奪われて熱収縮する。このとき、ホットプレートを所定温度とした場合、ウエハの熱膨張は所定量になるが、ホットプレートの熱収縮量は熱熱膨張係数に依存するため、ホットプレートの熱膨張係数は小さい方が好ましく、特に熱膨張係数が１２×１０−６／Ｋ以下であればパーティクルの発生量が少なくなる。更に、ホットプレートのウエハ載置面にプロキシミティを形成した場合、プロキシミティとウエハとの間で擦れが発生しやすいため、複合体の熱膨張係数は１２×１０−６／Ｋ以下であることが好ましい。
【００２１】
更に、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体は、気孔率が１％未満であることが好ましい。複合体の気孔率が１％以上になると、ホットプレートとして使用した際に、気孔部分にパーティクルが滞留しやすくなり、ウエハに付着するパーティクルの量が増加するため好ましくない。
【００２２】
上記した金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体は、公知の方法によって製造することができる。例えば、金属粉末及び／又は半導体粉末とセラミックス粉末とを混合した後、加熱鋳造し又は焼結して複合体とする方法がある。また、セラミックス粉末を予め成形ないし焼結して多孔質の成形体とした後、そのセラミックスの多孔質成形体内に金属及び／又は半導体の溶湯を浸透させる方法によっても、複合体を得ることができる。
【００２３】
ホットプレートには加熱用の発熱体が必要であるが、上記した金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体は一般に導電性であるため、発熱体を複合体に直接形成することは困難である。そのため、ホットプレートとなる複合体に発熱体を形成する場合には、複合体との間に絶縁層を介して形成する、例えば複合体表面に絶縁層を形成し、その絶縁層上に発熱体を形成する。
【００２４】
絶縁層の形成方法としては、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体を大気雰囲気中または酸化性雰囲気中にて熱処理し、表面に酸化皮膜を形成する方法がある。あるいは、シリカやアルミナ、各種ガラスなどの絶縁ペーストを複合体の表面に塗布し、焼き付けることによっても、絶縁層を形成することができる。そして、この絶縁層上に、例えばスクリーン印刷や蒸着法によって、発熱体の回路パターンを形成することができる。しかし、このような方法においては、酸化皮膜や発熱体の熱膨張係数と複合体の熱膨張係数が異なることが多いため、使用状況によっては絶縁皮膜や発熱体の一部が脱落し、パーティクルとなることがある。
【００２５】
このような原因によるパーティクルの発生を防ぐためには、金属箔を所定のパターンにエッチングすることにより、パターニングした発熱体を複合体に設置することが好ましい。この場合においても、複合体と発熱体の絶縁性の確保については、上記のように絶縁皮膜を形成したり、絶縁ペーストを塗布して焼き付けたりすればよい。更に好適な方法として、例えばシリコン樹脂やポリイミド樹脂等に代表される耐熱性樹脂のシートを用いて、絶縁層を形成することができる。更に、発熱体上にも上記耐熱性樹脂シートを設置して、発熱体を絶縁層で挟み込むことも可能である。また、上記耐熱性樹脂成分（液体）を金属箔に所定の厚みに塗布し、乾燥し、キュアした後、金属箔をエッチングして発熱体とすること、あるいは金属箔をパターニングした発熱体に上記樹脂成分（液体）を塗布し、乾燥キュアすることも可能である。
【００２６】
上記のように形成した発熱体は、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体のウエハ載置面の反対側に、ネジ止めや固定用板で挟み込むことで固定することができる。固定用板としては、セラミックスや耐熱性樹脂、金属などが使用できる。使用する固定用板が導電性である場合には、上記のように発熱体との間に耐熱性樹脂を設置することにより、発熱体と固定用板の間で絶縁性を確保することができる。また、後述するように可動式の冷却モジュールを設置する場合には、固定用板としては樹脂や金属が好適である。
【００２７】
本発明において、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体からなるホットプレートに対して、そのウエハ載置面の反対側に冷却モジュールを設置することができる。冷却モジュールは、ホットプレートを冷却する必要が生じた際に、その熱を奪うことで、ホットプレートを急速に冷却することができる。また、ホットプレートを加熱する際には、効率よく昇温できるように、冷却モジュールをホットプレートから離間させることが好ましい。そのため、冷却モジュールは可動式であることが好ましく、冷却モジュールを可動式にする手法としてはエアシリンダーなどの昇降手段を用いることができる。このように可動式の冷却モジュールを用いることで、ホットプレートの冷却速度を大幅に向上させ、スループットを増加させることができるため好ましい。
【００２８】
上記冷却モジュールの材質としては、特に制約はないが、アルミニウム、銅、あるいはその合金は、熱伝導率が比較的高く、急速にホットプレートの熱を奪うことができるため好ましい。また、ステンレス、マグネシウム合金、ニッケル、その他の金属材料を使用することもできる。更に、この冷却モジュールに耐酸化性を付与するため、ニッケル、金、銀などの耐酸化性を有する金属膜を、メッキや溶射等の手法を用いて形成することができる。
【００２９】
上記の可動式の冷却モジュールを用いる場合、従来のセラミックスのヒータやホットプレートでは、冷却モジュールとの間で擦れが発生し、少なからずパーティクルが発生していた。しかし、本発明における金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体からなるホットプレートでは、セラミックス粒子を金属や半導体が覆っているために、擦れが発生してもセラミックス粒子が脱落しにくく、パーティクルの発生を非常に少なくすることができる。また、ホットプレートのウエハ載置面の反対側に発熱体を設置した場合でも、可動式の冷却モジュールとの接触面に樹脂や金属の固定用板を設置することで、パーティクルの発生を防止することができる。
【００３０】
また、ホットプレートの冷却速度を優先する場合は、冷却モジュールをホットプレートに固定しても良い。固定の形態としては、ホットプレートのウエハ載置面の反対側に絶縁層で挟み込んだ構造の発熱体を設置し、更にその下面に冷却モジュールを固定することができる。また、別の固定形態としては、ホットプレートのウエハ載置面の反対側に直接冷却モジュールを設置し、更にその下面に絶縁層で両側を挟み込んだ構造の発熱体を固定する方法がある。固定方法には特に制約はないが、例えば、ネジ止め、クランプ止め等の機械的な手法で固定することができる。ネジ止めによる固定の場合、ネジの個数を３個以上、更には６個以上とすることで両者の密着性が高まり、ホットプレートの冷却能力がより向上するため好ましい。
【００３１】
上記のごとく冷却モジュールをホットプレートに固定する場合、ホットプレートのウエハ載置面の反対側と冷却モジュールの間に、変形能と耐熱性を有し、且つ熱伝導率の高い軟性材を挿入することができる。このような柔軟材としては、熱伝導性のグリースや樹脂などを用いることができる。このような軟性材をホットプレートと冷却モジュールの間に挿入することで、互いの平面度や反りを緩和して、接触面積をより広くすることができるため、冷却モジュールの本来の冷却能力をより発揮することができ、冷却速度を高めることができる。
【００３２】
上記冷却モジュールには、冷媒を流すことができる。冷媒を流すことにより、冷却モジュールの熱を素早く取り除くことができ、更には発熱体の冷却速度を向上させることができる。使用する冷媒としては、水やフロリナートなど通常使用されている冷媒から選択すればよいが、比熱の大きさ、価格を考慮すると、水が最も好ましい。また、ホットプレートに対して冷却モジュールを固定する場合には、冷却モジュールに冷媒を流さずに昇温することも可能である。この場合、冷却モジュールに冷媒が流れないため、発熱体で発生した熱が冷媒に奪われて系外に逃げることがなくなり、より効率的な昇温が可能となる。しかし、この場合であっても、冷却時には冷却モジュールに冷媒を流し、効率的にホットプレートを冷却することが好ましい。
【００３３】
冷却モジュールに冷媒を流すための流路の形成方法としては、例えば、２枚のアルミニウム板又は銅（無酸素銅）板を用意し、一方の板に流路となる溝を機械加工等によって形成した後、耐食性及び耐酸化性を向上させるため全面にニッケルメッキを施す。この溝加工した板に他方のニッケルメッキを施した板を重ね、流路となる溝の周囲に水が漏れないようにＯ−リング等のシール材を挿入し、ネジ止めや溶接によって２枚の板を張り合わせる。あるいは、２枚の板をロウ付け接合することもでき、その際には流路の冷媒出入口にステンレス製のパイプを同時にロウ付け接合することも可能である。
【００３４】
また、別の流路形成方法としては、アルミニウム板もしくは銅板からなる冷却板に、冷媒を流す流路となるパイプを取り付けることにより、冷却モジュールとすることができる。この場合、パイプの断面形状に近い形状の座繰り溝を冷却板に形成し、この溝内にパイプを密着させることで更に冷却効率を上げることができる。また、冷却パイプと冷却板の密着性を向上させるために、介在層として熱伝導性の樹脂やセラミックス等を挿入してもよい。
【００３５】
上記した本発明の金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体からなるホットプレートは、パーティクルの発生量を従来のセラミックスのホットプレートに比較して低減することができるため、半導体製造装置に好ましく使用することができる。特に、本発明のホットプレートは、ウエハのフォトリソグラフィー工程に使用されるコータデベロッパー等に特に好適に使用することができる。
【００３６】
尚、ホットプレート上にウエハを載置する方法として、いわゆるプロキシミティを用いて、ウエハをホットプレートに離間して載置する方法がある。この方法では、例えば、ホットプレート上に３箇所以上の座繰り穴を形成し、そこに座繰り穴の深さよりも直径が大きく且つ座繰り穴の直径よりも直径の小さなセラミックスボールを挿入し、このセラミックスボールでウエハを支持する。しかし、セラミックスボールの直径は座繰り穴の直径よりも小さいため、座繰り穴内でセラミックスボールが動くことが避けられない。
【００３７】
このとき、従来のホットプレートはセラミックスであるため、座繰り穴内で動くセラミックスボールとの間で静電気が発生し、セラミックスボール付近のパーティクルがプロキシミティ付近に滞留して、ウエハを載置したときそのパーティクルがウエハに付着してしまう。
【００３８】
これに対して、本発明の金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体で形成されたホットプレートの場合、ホットプレートが導体であるために、座繰り穴内でセラミックスボールが動いても静電気が発生することはなく、従ってパーティクルが滞留することもない。そのため、プロキシミティを用いたホットプレートであっても、従来に比較してウエハへのパーティクルの付着量を減少させることができる。
【実施例】
【００３９】
［実施例１］
ホットプレート用の基板として、従来のセラミックスからなるＡｌＮ基板を用意すると共に、本発明の金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体からなる下記表１に記載の５種類の基板、即ち、Ｓｉ−ＳｉＣ基板、浸透法で作製したＡｌ−ＳｉＣ基板（(浸)と付記）、鋳造法で作製したＡｌ−ＳｉＣ基板（(鋳)と付記）、Ａｌ−ＡｌＮ基板、及びＡｌ−Ａｌ２Ｏ３基板を用意した。いずれの基板も気孔率は１％未満であった。これらの基板の寸法を直径３２０ｍｍ、厚み１０ｍｍとし、ウエハ載置面には直径１.１ｍｍ、深さ０.９ｍｍの座繰り穴を１０箇所形成し、そこに直径１ｍｍのアルミナボールを設置してプロキシミティとした。
【００４０】
次に、上記セラミックス基板に対しては、ウエハ載置面の反対側にスクリーン印刷によりＷペーストで発熱体の回路を形成して、焼き付けた後、更に発熱体表面に絶縁性確保のためガラスペーストを１００μｍの厚みに塗布し、焼き付けて、ＡｌＮ製のホットプレートとした。また、上記５種類の複合体の基板については、ポリイミド箔上にステンレス箔を設置し、エッチングすることで発熱体を形成した。更に発熱体上に液体状のポリイミド樹脂を塗布し、乾燥、キュアした。この発熱体をウエハ載置面の反対側に配置し、厚み１ｍｍの固定用板で押え、これらをネジ止めによって複合体の基板に固定した。得られた複合体製のホットプレートは、図１に示すように、複合体１と、パターニングされたステンレス箔からなる発熱体２と、発熱体２の両面に配置されたポリイミドの絶縁層３と、これらを複合体１のウエハ載置面の反対側に固定するための固定用板４とで構成されている。
【００４１】
上記した各ホットプレート（冷却モジュールを備えない）を、それぞれ容器６内に設置して、発熱体２に通電して１８０℃に昇温した後、そのウエハ載置面に１２インチの常温のシリコンウエハを載置して加熱処理した。その後、ウエハのホットプレートとの接触面側に付着した直径０.２μｍ以上のパーティクルの数を、光散乱方式のパーティクルカウンターを用いて測定した。また、１８０℃におけるホットプレートの均熱性についても、測温抵抗体を備えたウエハ温度計にて測定した。更に、ガス検知管により、アンモニアの発生量を測定した。得られた結果を下記表１に示した。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
表１の結果から、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体からなるホットプレートを使用することによって、従来のセラミックス製ホットプレートに比べてパーティクルの発生量を著しく低減できることが分かる。また、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ以上のＡｌ−ＳｉＣ、Ａｌ−ＳｉＣ、Ａｌ−ＡｌＮからなるホットプレートについては、均熱性にも優れていることが分かる。尚、ＡｌＮを使用していないホットプレートは、アンモニアの発生も観測されなかった。
【００４４】
［実施例２］
プロキシミティを使用せず、直接ホットプレート上にウエハを載置したこと以外は上記実施例１と同様にして、ウエハのホットプレートとの接触面側に付着したパーティクルの数、均熱性及びアンモニア発生量を測定し、得られた結果を下記表２に示した。
【００４５】
【表２】
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【００４６】
また、上記実施例１で用いた気孔率１％未満のＳｉ−ＳｉＣ複合体に代えて、気孔率が２％のＳｉ−ＳｉＣ複合体を用い、上記実施例１と同じホットプレートを作製した。プロキシミティを使用せず、直接ホットプレート上にウエハを載置して、上記と同様にパーティクル数、均熱性及びアンモニア発生量を測定した。その結果、均熱性、アンモニア発生量は上記表２の結果と同程度であったが、パーティクル数は４２個に増加した。
【００４７】
［実施例３］
上記実施例１で作製した各ホットプレートに対して、図１に示すように、ウエハ載置面の反対側に可動式の冷却モジュール５を設置した。この冷却モジュール５は、図２に示すように、直径３２０ｍｍ、厚み８ｍｍのＡｌ板７に、半径４.５ｍｍの座繰り溝を形成し、その溝内に直径４ｍｍのＣｕパイプ８を設置し、Ｃｕパイプ８とＡｌ板７の間には熱伝導性シリコン樹脂９を配置した。このＣｕパイプ８をステンレス製の固定用バンド１０を用いてＡｌ板７にネジ止めし、冷却モジュール５とした。
【００４８】
上記各ホットプレートを１８０℃に加熱した後、ホットプレートへの通電をストップし、冷却モジュールをホットプレートに押し当てることでホットプレートを７０℃まで冷却した。その際、Ｃｕパイプには２５℃の水を１リットル／分の速度で流した。その結果、冷却モジュールを設置していないホットプレートは７０℃まで冷却するのに、いずれも２０分以上要したが、冷却モジュールを押し当てたものは、いずれも５分以内で７０℃に冷却することができた。また、このときのパーティクル発生量を上記実施例１と同様に測定し、得られた結果を下記表３に示した。
【００４９】
【表３】
2007115736.tif 000005
【００５０】
以上の結果から、ホットプレートに可動式の冷却モジュールを設置した場合、従来のセラミックス製ホットプレートでは、可動式の冷却モジュールを設置しない実施例１の場合に比べてパーティクル数が大幅に増加した。一方、金属及び／又は半導体とセラミックスとの複合体からなるホットプレートでは、可動式の冷却モジュールを設置した場合であっても、パーティクルの発生量が抑えられることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明によるホットプレートの一具体例を示す概略の断面図である。
【図２】本発明のホットプレートに用いる冷却モジュールの一具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１      複合体
２      発熱体
３      絶縁層
４      固定用板
５      冷却モジュール
６      容器
７      Ａｌ板
８      Ｃｕパイプ
９      熱伝導性シリコン樹脂
１０      固定用バンド
【図１】
2007115736.tif 000006
【図２】
2007115736.tif 000007