(57)【要約】【課題】円筒状基体に対して、その軸方向における膜厚および膜質が均質化された膜を形成できるようにし、その技術を適用して製造した電子写真用感光体を用いた場合に、品質および均一性の高い画像を形成できるようにする。【解決手段】真空成膜室５に保持された円筒状基体３に対して、グロー放電により原料ガスを分解したときの分解成分を堆積させることにより薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置１において、真空成膜室５とは区画され、かつ円筒状基体３を予備加熱するための予備加熱室４と、円筒状基体３の外周面に対向して円筒状基体３の軸方向に延びる直線状に配置された線材からなる１または複数の発熱体４２と、をさらに備えた。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜室に保持された円筒状基体に対して、グロー放電によって原料ガスを分解したときの分解成分を堆積させることにより薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、
前記真空成膜室とは区画され、かつ前記円筒状基体を予備加熱するための予備加熱室と、
前記円筒状基体の外周面に対向して前記円筒状基体の軸方向に沿って延びる直線状に配置された線材からなる１または複数の発熱体と、
をさらに備えたことを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記発熱体は、両端部の発熱量が中央部よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記発熱体は、ワイヤーの両端部を螺旋状に巻回したものであることを特徴とする、請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記予備加熱室において、前記円筒状基体に対して不活性ガスを吹き出すための複数のガス吹き出し孔をさらに備えており、
前記複数のガス吹き出し孔は、前記円筒状基体における前記軸方向の中央部に対向する中央領域での占有面積が、前記円筒状基体における前記軸方向の両端部に対向する端部領域での占有面積よりも大きくなされていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記複数のガス吹き出し孔は、前記中央領域での分布密度が、前記端部領域での分布密度よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記複数のガス吹き出し孔は、前記中央領域での開口面積が、前記端部領域での開口面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記複数のガス吹き出し穴からのガスの吹き出し量は、ガス吹き出し孔の直径１．５ｍｍに対して０．１ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍであることを特徴とする、請求項４ないし６のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記複数のガス吹き出し孔を有するガス吹き出しプレートが固定され、かつ前記円筒状基体を保持した状態で、前記予備加熱室から前記真空成膜室に移動可能な架台をさらに備えている、請求項４ないし７のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記予備加熱室は、予備加熱時において真空状態に減圧されるものであることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記予備加熱室は、予備加熱時における圧力が０．１〜１５０Ｐａに維持されることを特徴とする、請求項９に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１１】
前記複数の発熱体は、前記予備加熱室において配置される複数の円筒状基体に対して照射される熱輻射量が均一になるように配置されていることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料ガスを分解・活性化し、円筒状基体上に薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体デバイスの成膜には、ＣＶＤ法が多く用いられている。ＣＶＤ法には種々の方法があり、その代表的なものとしてプラズマＣＶＤ法、発熱体（触媒）ＣＶＤ法、あるいは熱ＣＶＤ法を挙げることができる。
【０００３】
とくに、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）系の材料を用いた電子写真感光体、太陽電池、イメージセンサ、光センサ、あるいはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の製作には、主にグロー放電プラズマＣＶＤ法による成膜装置が広く用いられてきた。
【０００４】
このグロー放電プラズマＣＶＤ法において電子写真感光体を作製する場合には、図１２に示すようなグロー放電プラズマＣＶＤ装置９が用いられている（たとえば特許文献１参照）。
【０００５】
同図に示したグロー放電プラズマＣＶＤ装置９は、円筒状の真空容器９０のほぼ中央に配置した円筒状の導電性基体９１上に、グロー放電プラズマによりａ−Ｓｉ系膜を成膜するものである。このＣＶＤ装置９は、基体支持体９２に対してリング部材９３を介して保持された導電性基体９１を接地電極とするとともに、これを等距離で囲んだ中空の円筒状の金属電極９４を、高周波電力印加用の電極とするものである。金属電極９４には、成膜用の原料ガスを導入するガス導入口９５が設けられており、このガス導入口９５を介して導入された原料ガスが、金属電極９４の内周面に設けられたガス吹き出し孔９４ａから導電性基体９１に向けて吹き出すように構成されている。金属電極９４と導電性基体９１との間には、高周波電源９６により高周波電力を印加してグロー放電が起こるようになされている。基体支持体９２の内部には、ニクロム線やカートリッジヒーターなどからなる基体加熱手段９７が設けられており、導電性基体９１を所望の温度に昇温することができる。基体支持体９２および導電性基体９１は、回転用のモーター９８ａを含めた回転駆動手段９８により、一体で回転させることができる。
【０００６】
このプラズマＣＶＤ装置９を用いて導電性気体９１にａ−Ｓｉ系膜の成膜を行なうに当たっては、所定の流量やガス比に設定された原料ガスが、ガス導入管９５からガス吹き出し孔９４ａを介して金属電極９４と導電性基体９１との間に導入される。その一方で、真空容器９０でのガス圧は、真空ポンプ（図示せず）により排気口９９からの排気量を調整することにより所定値に設定される。そして、高周波電源９６により金属電極９４と導電性基体９１との間に高周波電力を印加し、金属電極９４と導電性基体９１との間にグロー放電プラズマを発生させて原料ガスを分解することにより、所望の温度に設定した導電性基体９１上にａ−Ｓｉ系膜が成膜される。成膜時においては、導電性基体９１は、基体支持体９２とともに回転駆動手段９８により回転させられるため、導電性基体９１には、その周方向における膜厚や膜質の均一化が図られる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−００４０５０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、電子写真装置は、カラー化および高画質化の要求が急速に高まり、電子写真感光体においても、より品質および均一性の高い画像を形成できるものであることが求められるようになっている。
【０００９】
しかしながら、先に説明したプラズマＣＶＤ装置９では、基体加熱手段９７からの熱が基体支持体９２を介して導電性基体９１に伝達されるため、基体支持体９２は、熱伝導率の高い材料により形成されている。そのため、導電性基体９１の端部からは、リング部材９３を介して基体支持体９２へ熱が逃げやく、導電体性基体９１の端部は、中央部に比べて温度が低くなる傾向がある。その結果、導電性基体９１の軸方向では膜質に不均一さが生じる。たとえば、成膜開始時の温度が目的の温度より低い部分においては、電子写真特性上の残留電位が増大し、画像イメージのムラが生じさせる原因となる。このように、プラズマＣＶＤ装置９によって電子写真用感光体を形成した場合には、導電性基体９１の軸方向の膜質の不均一性に起因する特性ムラが画像イメージの均一性を損ない、著しく画像品質を低下させるという問題があり、上述した要求に十分に応えることができない。
【００１０】
このような不具合を解決するためには、成膜温度を高く設定することも考えられるが、その場合には、導電性基体９１とａ−Ｓｉ膜との間の密着性が低下し、膜ハガレなどの原因となる。
【００１１】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、円筒状基体に対して、その軸方向における膜質のムラの少ない膜を形成できるようにし、その技術を適用して製造した電子写真用感光体を用いた場合に、品質および均一性の高い画像を形成できるようにすることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明では、成膜用の真空成膜室に保持された円筒状基体に対して、グロー放電によって原料ガスを分解したときの分解成分を堆積させることにより薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空成膜室とは区画され、かつ前記円筒状基体を予備加熱するための予備加熱室と、前記円筒状基体の外周面に対向して前記円筒状基体の軸方向に沿って延びる直線状に配置された線材からなる１または複数の発熱体を含む予備加熱手段と、をさらに備えたことを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置が提供される。
【００１３】
ここで、線材が「軸方向に沿って延びる」とは、円筒状基体の外部において軸方向と平行または略平行に延びるように配置されていることを意味している。
【００１４】
発熱体は、たとえば両端部の発熱量が中央部よりも大きくなるように形成される。発熱体としては、たとえばワイヤーの両端部を螺旋状に巻回したものを使用することができる。
【００１５】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、好ましくは予備加熱室において、円筒状基体に対して不活性ガスを吹き出すための複数のガス吹き出し孔をさらに備えたものとされる。複数のガス吹き出し孔は、たとえば円筒状基体における軸方向の中央部に対向する中央領域での占有面積が、円筒状基体における前記軸方向の両端部に対向する端部領域での占有面積よりも大きくなされる。より具体的には、複数のガス吹き出し孔は、たとえば中央領域での分布密度が端部領域での分布密度よりも大きくなるように形成され、あるいは中央領域での開口面積が端部領域での開口面積よりも大きくなるように形成される。
【００１６】
複数のガス吹き出し穴からのガスの吹き出し量は、たとえばガス吹き出し孔の直径１．５ｍｍに対して０．１ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍとされる。
【００１７】
本発明のプラズマＣＶＤ装置においては、たとえば予備加熱室は、予備加熱時において真空状態に減圧されるように構成される。予備加熱時における予備加熱室の圧力は、たとえば０．１〜１５０Ｐａ、好ましくは０．１〜１００Ｐａに維持される。
【００１８】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、好ましくは、複数のガス吹き出し孔を有するガス吹き出しプレートが固定され、かつ円筒状基体を保持した状態で、予備加熱室から真空成膜室に移動可能な架台をさらに備えたものとされる。
【００１９】
複数の発熱体は、予備加熱室において配置される複数の円筒状基体に対して照射される熱輻射量が均一になるように配置するのが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、予備加熱を行なうための熱源として線材により構成された発熱体を用いている。そのため、カートリッジヒーターなどの加熱手段を用いて円筒状基体を加熱する場合に比べて、その軸方向における温度ムラの少ない状態に昇温させることが可能となる。とくに、発熱体として両端部での発熱量の大きなものを使用した場合には、温度が低くなりがちな円筒状基体の端部における温度を中央部と同様なものとすることが可能となり、軸方向における温度ムラが生じることをより一層抑制することが可能となる。
【００２１】
また、予備加熱により円筒状基体における軸方向での温度ムラを抑制できれば、円筒状基体の表面に形成される膜は、円筒状基体の軸方向において膜質が均質化される。その結果、本発明のプラズマＣＶＤ装置において作成される電子写真感光体では、目的温度よりも低い温度で成膜される部分が生じることを抑制できるため、局所的に残存電位が増大するような事態も生じにくく、画像イメージにムラが生じるのを抑制することが可能となる。したがって、プラズマＣＶＤ装置では、均一な画像イメージを形成することが可能な電子写真感光体を作成することができ、カラー化および高画質化の要求に応えることが可能となる。
【００２２】
さらに、円筒状基体の加熱にワイヤーなどの線材を用いた場合には、カートリッジヒーターなどの加熱手段を用いて円筒状基体を加熱する場合に比べて、予備加熱に必要な電力を小さくすることができる。これにより、省コストで円筒状基体の予備加熱が可能となる。
【００２３】
本発明のプラズマＣＶＤ装置において、円筒状基体に対して不活性ガスを吹き出すための複数のガス吹き出し孔をさらに備えたものとすれば、複数のガス吹き出し孔の形状、配置などを適宜選択することにより、予備加熱時における円筒状基体の軸方向での温度ムラの発生を抑制できる。たとえば、中央領域での複数のガス吹き出し孔の占有面積を、端部領域での複数のガス吹き出し孔の占有面積よりも大きくすれば、端部領域での不活性ガスの吹き出し量が中央領域での不活性ガスの吹き出し量に比べて小さくなる。そのため、円筒状基体の端部に吹き付けられる不活性ガス量は円筒状基体の中央部に吹き付けられる不活性ガス量に比べて少なくなる。その結果、円筒状基体の端部では、中央部に比べて不活性ガスでの冷却効果が小さくなる。その一方で、円筒状基体の端部は、中央部に比べて温度が低くなる傾向があるのは上述した通りである。したがって、温度が低くなりがちな円筒状基体の端部での冷却効果を小さくすることにより、円筒状基体の中央部と端部との間の温度差を小さくすることができる。これにより、予備加熱時において円筒状基体の軸方向での温度ムラの発生を適切に抑制できるようになる。
【００２４】
本発明のプラズマＣＶＤ装置において、複数のガス吹き出し穴からのガスの吹き出し量をガス吹き出し孔の直径１．５ｍｍに対して０．１ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍとすれば、円筒状基体を不活性ガスにより適切に冷却し、円筒状基体の軸方向での温度ムラの発生を抑制できるようになる。すなわち、不活性ガスの流量が０．１ｓｃｃｍ未満ではガス吹き出し孔からの吹き出し量が少なすぎて必要な冷却効果が得られないために、円筒状基体の端部と中央部との温度差を十分に小さくすることができない一方で、不活性ガスの流量が３０ｓｃｃｍを超えるとガス吹き出し孔からの吹き出し量が多すぎて冷却効果が過剰となり、円筒状基体の加熱の効率が悪くなり、場合によっては中央部の温度が端部よりも低くなって温度ムラが生じる恐れがあるが、これらの問題は先の範囲に不活性ガスの流量を設定した場合に回避することができる。
【００２５】
本発明のプラズマＣＶＤ装置において、予備加熱時において真空状態に減圧されるように構成すれば、予備加熱から真空成膜室に円筒状基体を移動させた場合には、予備加熱室および真空成膜室がともに真空であるために、円筒状基体を移動させることによる円筒状基体の温度低下はほとんど生じない。その一方で、上述のように、予備加熱室における予備加熱においては円筒状基体における軸方向の温度ムラが生じることが抑制されている。そのため、予備加熱室における円筒状基体の加熱状態を真空成膜室においても維持でき、円筒状基体の軸方向に温度ムラが生じることをより確実に抑制することが可能となる。
【００２６】
本発明のプラズマＣＶＤ装置において、予備加熱時における予備加熱室の圧力を０．１〜１５０Ｐａに維持すれば、発熱体の蒸発を抑制できるとともに、原料ガスによる伝熱の影響を回避できる。すなわち、不活性ガスの圧力が０．０５Ｐａ未満では発熱体の蒸気圧温度が下がり、円筒状基体の加熱に必要な温度まで発熱体の温度を上げた際に、発熱体の蒸発現象が発生する場合がある一方で、不活性ガスの圧力が１５０Ｐａを超える高ガス圧ではガスによる伝熱の影響が大きくなり温度ムラが発生する場合があるが、これらの問題は先の範囲に予備加熱室の圧力を設定した場合に回避することができる。
【００２７】
本発明のプラズマＣＶＤ装置において、複数のガス吹き出し孔を有するガス吹き出しプレートが固定され、かつ円筒状基体を保持した状態で、予備加熱室から真空成膜室に移動可能な架台をさらに備えたものとすれば、ガス吹き出し孔と円筒状基体の位置関係が画一化される。そのため、ロットの異なる円筒状基体相互については、予備加熱（不活性ガスの吹き出し）および成膜（原料ガスの吹き出し）を同等な条件で行なえるために、ロットの異なる電子写真感光体相互においても膜質にバラツキが生じることを抑制できるようになる。
【００２８】
本発明のプラズマＣＶＤ装置において、複数の発熱体を、予備加熱室において配置される複数の円筒状基体に対して照射される熱輻射量が均一になるように配置すれば、複数の円筒状基体に対して同時に成膜する場合でも、円筒状基体相互において同等な条件で予備加熱を行なうことができる。そのため、同一ロッドにおける円筒状基体の相互において、膜質にバラツキが生じるのを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下においては、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置について、第１および第２の実施の形態として、図面を参照しつつ説明する。
【００３０】
まず、本発明の第１の実施の形態については、図１ないし図５を参照して説明する。
【００３１】
図１に示したプラズマＣＶＤ装置１は、架台２に複数の円筒状基体３を保持した状態において、円筒状基体３を予備加熱室４および成膜室５の順に移動させることにより、円筒状基体３を予備加熱した後に円筒状基体３の表面に所望の膜を成膜するように構成されたものである。予備加熱室４および成膜室５は、容器１０により規定されている。この容器１０は、ゲートＧ１，Ｇ２により基体搬入口１１および基体搬出口１２が開閉可能とされているとともに、ゲートＧ３によって予備加熱室４と成膜室５との間が区画されている。
【００３２】
図１および図２に示したように、架台２は、ベース２０に対してガス吹き出しプレート２１および複数の基体支持体２２を固定したものである。なお、架台２に対する移動力の伝達については、ギヤ同士の組合せやギヤとソレノイドの組合せ等のような公知の機構が用いられる。
【００３３】
図３に示したように、ガス吹き出しプレート２１は、複数のガス吹き出し孔２３が設けられたものであり、絶縁部材２４を介してベース２０に固定されており、ベース２０とは電気的に絶縁されている。複数のガス吹き出し孔２３は、それぞれの孔径Ｄが０．５〜２．０ｍｍ程度の同一形状の円形に形成されているとともに、円筒状基体３の正面において軸方向に延びる複数の列が左右方向に並ぶ円格子状に配置されている。複数のガス吹き出し孔２３における上下方向（円筒状基体３の軸方向）の間隔Ｐａは、たとえば１０〜３０ｍｍ、左右方向の間隔Ｐｈは、たとえば３０〜６０ｍｍとされる。ガス吹き出しプレート２１はまた、成膜室５において円筒状基体３の表面に膜形成を行なう場合に電極として機能するものであり、全体が金属などの導体により形成されている。
【００３４】
図１および図２に示したように、複数の基体支持体２２は、円筒状基体３を保持するためのものであり、ベース２０に対して回転可能に支持されている。各基体支持体２２は、中空に形成されており、その底部２２Ａには貫通孔２２Ａａが設けられている。この貫通孔２２Ａａは、ベース２０に設けられた貫通孔２０ａと連通するものであり、後述する加熱体５２（図５参照）の移動を許容するためのものである。これらの基体支持体２２もまた、成膜室５において円筒状基体３の表面に膜形成を行なう場合に電極として機能するものであり、全体が金属などの導体により形成されている。
【００３５】
予備加熱室４は、円筒状基体３に対する成膜を行なう前に、円筒状基体３の予備加熱を行なうためのものである。この予備加熱室４は、容器１０に設けられたガス導入口４０およびガス排出口４１を介して外部と連通しているとともに、その内部に複数の発熱体４２が配置されている。容器１０にはさらに、回転手段４３が設けられている。
【００３６】
ガス導入口４０は、予備加熱室４に不活性ガスを導入するためのものであり、図外の不活性ガス源と接続されている。一方、ガス排出口４１は、予備加熱室４のガスを外部に排出するためのものであり、図外の真空ポンプに接続されている。
【００３７】
複数の発熱体４２は、円筒状基体３を昇温するための輻射熱源として機能するものであり、端子４４を介して外部から電力を供給することにより発熱するように構成されている。各発熱体４２での発熱温度は、円筒状基体３を２００℃〜３００℃に昇温できる温度される。各発熱体４２は、線材により構成されており、好ましくは両端部での発熱温度が中央部よりも大きくなるように形成される。このような発熱体４２は、図４（ａ）に示したように、ワイヤーの両端部を選択的に巻回することにより形成することができる。発熱体４２は、全長Ｌ１に対する端部４２ａの長さＬ２の割合は、５〜２０％とされ、端部４２ａにおけるらせん径Ｄwは２〜１０ｍｍとされ、ラセンピッチＰwは２〜１５ｍｍとされる。
【００３８】
なお、図４（ａ）に示した発熱体４２では、ワイヤーの両端部における巻回ピッチは一定とされているが、図４（ｂ）に示した発熱体４２のように、端に向うほど巻回ピッチが小さくなるようにし、端に向うにつれて発熱量が漸次大きくなるように形成してもよい。もちろん、発熱体４２としては、線径が一様で端部において巻回させていないワイヤーを用いることもできる。その場合には、ワイヤーとしては、その寸法が円筒状基体３の軸方向の寸法よりも十分に長いものが使用される。
【００３９】
また、発熱体４２，４２′の材料としては、予備加熱時に昇華や蒸発しにくい材料が用いられる。このような材料としては、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ｔｉ、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｎｉ、Ｃｒ、およびＭｎ、あるいは例示した金属の合金が挙げられる。
【００４０】
複数の発熱体４２は、円筒状基体３の外周面に対向した状態で、円筒状基体３の軸方向に沿って延びる直線状に配置されているとともに、架台２の移動方向Ａに対して等間隔で配置されている。複数の発熱体４２における移動方向Ａの両端部に配置された発熱体４２は、移動方向Ａの端部に配置された円筒状基体３の熱輻射量が中央に配置された円筒状基体３と均一になるように、円筒状基体３より外側にも位置させられている。
【００４１】
ここで、各発熱体４２と円筒状基体３との位置関係は、円筒状基体３および基体支持体２２の材質、厚さ、大きさ等によって決定されるが、熱輻射と堆積密度、膜厚の均一性などの点からは、それらの間の距離が１０〜１５０ｍｍ、好適には３０〜８０ｍｍ、最適には５０〜７０ｍｍとなるような位置関係とするのが好ましい。
【００４２】
回転手段４３は、各基体支持体２２を回転させるためのものであり、真空中で接続や切り離しが可能なように構成されている。このような接続機構としては、電気的な配線については電流接続端子とソレノイドの組合せやスリップリングとブラシの組合せ等が用いられ、媒体についてはクイックカップリングとソレノイドの組合せ等が用いられる。また、回転動力の伝達については、ギヤ同士の組合せやギヤとソレノイドの組合せ等が用いられる。なお、回転手段４３と予備加熱室４を規定する容器１０との接点には、予備加熱室４の真空を維持できる回転機構が設けられる。このような回転機構としては、回転軸を二重もしくは三重構造としてオイルシールやメカニカルシール等の真空シール手段を用いることができる。また、円筒状基体３の温度制御のために円筒状基体３の温度を検出するように構成する場合には、回転軸を中空に形成するとともに、回転軸の内部に温度検出手段やその配線などを設けることもできる。
【００４３】
このような回転手段４３により基体支持体２２を回転させた場合には、基体支持体２２に保持させた円筒状基体３を回転させることができるため、円筒状基体３の外周に対して発熱体４２からの輻射熱を均等に伝達することができる。その結果、各円筒状基体３の全体を略均一な温度に昇温することが可能となる。
【００４４】
図１および図５に示したように、成膜室５は、円筒状基体３の表面に所望の膜を形成するための場所であり、容器１０に設けられたガス導入口５０およびガス排出口５１を介して外部と連通しているとともに、その内部に複数の加熱体５２が配置されている。容器１０にはさらに、回転手段５３が設けられている。
【００４５】
ガス導入口５０は、成膜室５に原料ガスを導入するためのものであり、図外の原料ガス源と接続されている。一方、ガス排出口５１は、成膜室５のガスを外部に排出するためのものであり、図外の真空ポンプに接続されている。成膜室５は、ガス排気口５１からガスを排出させることにより、たとえば１．０〜１００Ｐａ程度の高真空状態とされる。
【００４６】
加熱体５２は、予備加熱室４において昇温された円筒状基体３の昇温状態を維持するために円筒状基体３を加熱するためのものである。この加熱体５２は、上下方向に移動可能とされている。すなわち、成膜室５への架台２の搬入および成膜室５からの架台２の搬出時には、加熱体５２は下方に退避させられて架台２の移動を阻害しないようになされる。その一方で、成膜時においては、加熱体５２は基体支持体２２の内部に収容されるように成膜室５に突出した状態とされる。これにより、基体支持体２２を介して円筒状基体３を加熱することが可能とされる。このような加熱体５２は、たとえばニクロム線やカートリッジヒーターにより構成される。
【００４７】
回転手段５３は、成膜時に各基体支持体２２を回転させるためのものであり、先に説明した予備加熱室４の回転手段４３（図２参照）と同様な構成とされている。このような回転手段５３により基体支持体２２を回転させて成膜を行なった場合には、円筒状基体３が回転させられるために、円筒状基体３の外周に対して均等に原料ガスの分解成分を堆積させることが可能となる。
【００４８】
次に、プラズマＣＶＤ装置１を用いて、図６に示した電子写真感光体６を作成する場合を例にとって説明する。なお、図６に示した電子写真感光体６は、円筒状基体３の表面に、キャリア注入阻止層６０、光導電層６１および表面保護層６２を順次積層したものである。
【００４９】
プラズマＣＶＤ装置１を用いて円筒状基体３に目的とする膜を形成する場合には、まず架台２の基体支持体２２に円筒状基体３をセットする。
【００５０】
円筒状基体３としては、製品の用途に応じて、導電性または絶縁性のものが採用され、あるいは絶縁性基体の表面に導電層を形成したものが採用される。
【００５１】
導電性基体としては、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレススチール（ＳＵＳ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、およびチタン（Ｔｉ）などの金属またはこれらの合金により形成されたものを挙げることができる。
【００５２】
絶縁性基体としては、たとえばガラス（ホウ珪酸ガラスやソーダガラスなど）、セラミックス、石英、およびサファイヤなどの無機絶縁物、あるいはフッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、およびマイラーなどの合成樹脂絶縁物を挙げることができる。
【００５３】
絶縁性基体に形成される導電層としては、たとえば絶縁性基体の表面にＩＴＯ（インジウム・スズ・酸化物）、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、およびヨウ化銅などの導電層の他、Ａｌ、Ｎｉ、および金（Ａｕ）などの金属層を採用することができる。また、導電層は、たとえば真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオンプレーティング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スプレー法、塗布法、あるいは浸漬法などにより形成することができる。
【００５４】
次いで、円筒状基体３を保持した架台２を予備加熱室４に搬入する。予備加熱室４に架台２を搬入させる場合には、容器１０における基体搬入口１１は、ゲートＧ１を開けることにより開放した状態とされる。その一方で、架台２の搬入後においては、基体搬入口１１はゲートＧ１によって閉じられて、予備加熱室４は密閉空間とされる。
【００５５】
予備加熱室４を密閉状態とした後は、予備加熱室４が減圧される。この減圧は、図外の真空ポンプによりガス排気口４１を介して予備加熱室４の排気を行なうことにより行なわれる。予備加熱室４の減圧の程度は、１×１０−３Ｐａ程度の高真空とされる。このようにして予備加熱室４を減圧することにより、予備加熱室４から水分や残留不純物ガスが除去される。これにより、後において行われる発熱体４２の加熱時において、予備加熱室４に残留した水分や残留不純物ガスが分解されるのを抑制でき、予備加熱によって円筒状基体３の表面に皮膜が形成されることを防止することができる。
【００５６】
次いで、発熱体４２を発熱させ、円筒状基体３を加熱する。発熱体４２は、端子４４を介して外部から電力を供給することにより発熱させられる。発熱体４２の発熱温度は、発熱体４２と円筒状基体３との間の位置関係、あるいは円筒状基体３の昇温温度などにより決定されるが、たとえば発熱体４２と円筒状基体３との間の距離を３０〜７０ｍｍとし、円筒状基体３の昇温温度を２００℃〜３００℃に設定する場合には、発熱体４２の発熱温度は、たとえば５００〜２２００℃、好適には８００〜２０００℃とされる。
【００５７】
また、発熱体４２の発熱と同時的に、図外の不活性ガス源の不活性ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅなどの希ガス、あるいはＮ２など）を、ガス導入口４０を介して予備加熱室４に供給する。予備加熱室４に導入された不活性ガスは、ガス吹き出しプレート２１のガス吹き出し孔２３を介して円筒状基体３に向けて吹き出される。一般的に、不活性ガスの温度は、昇温された円筒状基体３よりも十分低いことから、円筒状基体３を一定温度以上に昇温した後においては、不活性ガスが冷却ガスとして作用し、円筒状基体３の表面から熱を奪うこととなる。このようにして不活性ガス環境下で予備加熱室４の昇温を行うことにより、さらに残留不純物ガスの影響を小さくすることができるとともに、一定の圧力制御を行うことで発熱体４２の蒸気圧温度を十分高くすることが可能となる。
【００５８】
ここで、不活性ガスの流量は、不活性ガス源とガス導入口４０との間に設けられた流量調整バルブやマスフローコントローラー（図示略）などにより一定量に調整される。本発明での良好な不活性ガス流量範囲は、たとえばガス吹き出し孔２３の直径Ｄが１．５ｍｍ、ガス吹き出し（ガス吹き出しプレート２１）孔２３と円筒状基体３の距離が５０ｍｍの場合、一つのガス吹き出し孔２３あたり０．１ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍ、好適には０．３ｓｃｃｍ〜２０ｓｃｃｍとされる。これは、不活性ガスの流量が０．１ｓｃｃｍ未満ではガス吹き出し孔２３からの吹き出し量が少なすぎて必要な冷却効果が得られない一方で、不活性ガスの流量が３０ｓｃｃｍ以上ではガス吹き出し孔２３からの吹き出し量が多すぎて冷却効果が過剰となり、円筒状基体３の加熱の効率が悪くなるからである。
【００５９】
また、不活性ガスの良好なガス圧範囲は、０．０５Ｐａ〜１５０Ｐａ、好適には０．１Ｐａ〜１００Ｐａとされる。これは、不活性ガスの圧力が０．０５Ｐａ未満では発熱体４２の蒸気圧温度が下がり、円筒状基体３の加熱に必要な温度まで発熱体の温度を上げた際に、発熱体４２の蒸発現象が発生する場合がある一方で、不活性ガスの圧力が１５０Ｐａを超える高ガス圧ではガスによる伝熱の影響が大きくなり温度ムラが発生する場合があるからである。
【００６０】
このような不活性ガス環境化での発熱体４２による予備加熱は、たとえば０．５〜３時間行なわれる。
【００６１】
プラズマＣＶＤ装置１では、予備加熱を行なうための熱源として線材により構成された発熱体を用いている。そのため、カートリッジヒーターなどの加熱手段を用いて円筒状基体３を加熱する場合に比べて、円筒状基体３をその軸方向における温度ムラの少ない状態に昇温させることが可能となる。とくに、図４（ａ）および図４（ｂ）に示した発熱体４２のように、両端部での発熱量の大きなものを使用した場合には、円筒状基体３における軸方向の両端部での温度をより適切に上昇させることができるため、軸方向における温度ムラが生じることをより一層抑制することが可能となる。
【００６２】
また、円筒状基体３の加熱にワイヤーなどの線材を用いた場合には、カートリッジヒーターなどの加熱手段を用いて円筒状基体３を加熱する場合に比べて、予備加熱に必要な電力を小さくすることができる。これにより、省コストで円筒状基体３の予備加熱が可能となる。
【００６３】
円筒状基体３の予備加熱が終了した場合には、円筒状基体３を保持した架台２を予備加熱室４から成膜室５に移動させる。成膜室５に架台２を搬入させる場合には、容器１０におけるゲートＧ３を開けることにより予備加熱室４と成膜室５とが連通した状態とされる。その一方で、成膜室５への架台２の搬入後においては、ゲートＧ３が閉じられて成膜室５は密閉空間とされる。
【００６４】
なお、成膜室５は、架台２を搬入する以前から予め減圧されている。成膜室５の減圧は、図外の真空ポンプによりガス排気口５１を介し成膜室５の排気を行なうことにより行なわれる。成膜室５の減圧の程度は、１×１０−３Ｐａ程度の高真空とされる。
【００６５】
成膜室５を密閉状態とした後には、加熱体５２を上方に移動させ、基体支持体２２の内部に加熱体５２を挿入する。加熱体５２は、外部から電力を供給することにより発熱させられる。このような加熱体５２の発熱により、円筒状基体３は目的とする温度に維持される。円筒状基体３の温度は、その表面に形成すべき膜の種類によって選択されるが、たとえばａ−Ｓｉ系の膜を形成する場合には２５０〜３００℃の範囲に設定される。
【００６６】
ここで、円筒状基体３は、予備加熱室４において軸方向での温度ムラの少ない状態に予め昇温されているので、加熱体５２を用いて円筒状基体３を加熱した場合においても、軸方向に温度ムラが生じることが抑制される。とくに、予備加熱を真空状態で行なうとともに、真空状態とされた成膜室５に架台２によって円筒状基体３を移動させた場合には、予備加熱室４および成膜室５がともに真空であるために、円筒状基体３を移動させることによる円筒状基体３の温度低下はほとんど生じない。そのため、成膜室５において、円筒状基体３の軸方向に温度ムラが生じることをより確実に抑制することが可能となる。
【００６７】
また、加熱体５２の発熱と同時的に、図外の原料ガス源の原料ガスを、ガス導入口５０を介して成膜室５に供給するとともに、ガス吹き出しプレート２１と基体支持体２２との間に高周波電圧を印加する。
【００６８】
予備加熱室４に導入された原料ガスは、ガス吹き出しプレート２１のガス吹き出し孔２３を介して円筒状基体３に向けて吹き出される。ガス吹き出しプレート２１は、複数のガス吹き出し孔２３は円筒状基体３の軸方向に等間隔で配置されていることから、円筒状基体３に対しては不活性ガスが軸方向に均一に吹き付けされる。
【００６９】
ここで、原料ガスは、円筒状基体３に形成すべき膜の種類に応じて適宜選択される。たとえば、電荷注入阻止層６０を成膜する場合には、たとえば原料ガスとしてＳiＨ４、ＮＯおよびＢ２Ｈ６の混合ガスをＨ２で希釈したものが使用され、光導電層６１を成膜する場合には、たとえば原料ガスとしてＳｉＨ４、およびＢ２Ｈ６の混合ガスをＨ２で希釈したものが使用され、表面保護層６２を成膜する場合には、たとえば原料ガスとしてＳiＨ４、およびＣＨ４の混合ガスをＨ２で希釈したものが使用される。もちろん、原料ガス組成については、適宜選択すればよく、例示した組成には限定されない。また、原料ガスの流量および供給圧力についても、形成すべき膜の組成や膜厚などに応じて適宜選択すればよい。
【００７０】
一方、ガス吹き出しプレート２１と基体支持体２２との間に高周波電圧を印加した場合には、ガス吹き出しプレート２１と基体支持体２２との間にグロー放電が起こり、原料ガス成分が分解されてプラズマ化される。原料ガスの分解成分は、円筒状基体３の表面に堆積される。そして、原料ガスを適宜切り替えることにより、円筒状基体３の表面には、電荷注入阻止層６０、光導電層６１および表面保護層６２が順次積層形成される。
【００７１】
プラズマＣＶＤ装置１では、予備加熱室４において円筒状基体３が線材によって加熱されることにより、軸方向に温度ムラが生じることが抑制されている。その一方で、円筒状基体３が成膜室５に搬入された場合であっても、円筒状基体３における温度ムラは抑制されたまま維持される。そのため、円筒状基体３の表面に形成される膜は、円筒状基体３の軸方向において膜質が均質化される。その結果、プラズマＣＶＤ装置１において作成される電子写真感光体６では、目的温度よりも低い温度で成膜される部分が生じることを抑制できるため、局所的に残存電位が増大するような事態も生じにくく、画像イメージのムラが生じるのを抑制することが可能となる。したがって。プラズマＣＶＤ装置１では、均一な画像イメージを形成することが可能な電子写真感光体６を作成することができ、カラー化および高画質化の要求が応えることが可能となる。
【００７２】
また、プラズマＣＶＤ装置１では、予備加熱室４における複数の発熱体４２は、複数の円筒状基体３に対して均一に輻射熱を与えることができるように配置されている。そのため、複数の円筒状基体３に対して同時に成膜する場合でも、円筒状基体３相互において同等の条件で予備加熱を行なうことができる。その結果、同一ロットの円筒状基体３の相互において、膜質にバラツキが生じるのを抑制することが可能となる。
【００７３】
プラズマＣＶＤ装置１ではさらに、架台２に対して基体支持体２２およびガス吹き出しプレート２１を固定しているために、ガス吹き出し孔２３と円筒状基体３の位置関係が画一化される。そのため、ロットの異なる円筒状基体３相互についても、予備加熱（不活性ガスの吹き出し）および成膜（原料ガスの吹き出し）を同等の条件に行なえるために、ロットの異なる電子写真感光体６相互においても膜質にバラツキが生じることを抑制できるようになる。
【００７４】
次に、本発明の第２の実施の形態について、図７および図８を参照しつつ説明する。
【００７５】
図７に示したプラズマＣＶＤ装置１′は、図１ないし図５を参照して先に説明したプラズマＣＶＤ装置１とは、ガス吹き出しプレート７の構成が異なっている。
【００７６】
ガス吹き出しプレート７は、図８に示すように、円筒状基体３の中央部に対応する中央領域Ｅ１のガス吹き出し孔７１の分布密度に比べて、円筒状基体３の端部に対応する端部領域Ｅ２でのガス吹き出し孔７２の分布密度が小さくされたものである。中央領域Ｅ１におけるガス吹き出し孔７１の間隔Ｐ１ａは３〜１５ｍｍとされ、端部領域Ｅ２におけるガス吹き出し孔７２の間隔Ｐ２ａは２０〜３０ｍｍとされる。ガス吹き出し孔７１，７２の分布密度は、ガス吹き出し孔７１，７２の占有面積を基準として、中央領域Ｅ１の分布密度を１としたときに、端部領域Ｅ２での分布密度は、０．０４〜０．６４とされる。
【００７７】
このようなガス吹き出しプレート７では、予備加熱時において、端部領域Ｅ２での不活性ガスの吹き出し量が中央領域Ｅ１での不活性ガスの吹き出し量に比べて小さくなる。そのため、円筒状基体３の端部に照射される不活性ガス量は円筒状基体３の中央部に照射される不活性ガス量に比べて少なくなる。その結果、円筒状基体３の端部では、中央部に比べて不活性ガスでの冷却効果が小さくなる。その一方で、円筒状基体３の端部は、中央部に比べて温度が低くなる傾向がある部分である。したがって、温度が低くなりがちな円筒状基体の端部での冷却効果を小さくすることにより、円筒状基体３の中央部と端部との間の温度差を小さくすることができる。これにより、予備加熱時において円筒状基体３の軸方向での温度ムラの発生を適切に抑制できるようになる。
【００７８】
また、ガス吹き出しプレートとしては、たとえば図９ないし図１１を示したものを採用することもでき、その場合にも、図８に示したガス吹き出しプレート８Ａ，８Ｂ，８Ｃを採用した場合と同様な効果を奏することができる。図９に示したガス吹き出しプレート８Ａは、中央から端部に向うほど、徐々にガス吹き出し孔８０Ａの分布密度が疎になるものであり、図１０に示したガス吹き出しプレート８Ｂは、中央領域Ｅ１のガス吹き出し孔８１Ｂの孔径Ｄ１が端部領域Ｅ２のガス吹き出し孔８２Ｂの孔径Ｄ２よりも小さくされたものであり、図１１に示したガス吹き出しプレート８Ｃは、中央から端部に向うほど、徐々にガス吹き出し孔８０Ｃの孔径が小さくなるようになされたものである。
【００７９】
なお、ガス吹き出し孔は、必ずしもガス吹き出しプレートの形態として設ける必要はなく、また架台２に対して固定化する必要はない。たとえば、ガス吹き出し孔は、予備加熱室および成膜室に個別に設けてもよい。
【実施例１】
【００８０】
本実施例では、図１ないし図５を参照して先に説明した本発明の第１の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置１を用いて、図６に示した電子写真感光体６を形成し、その過程において各種の評価を行なうとともに、得られた電子写真感光体６について評価を行なった。
【００８１】
プラズマＣＶＤ装置１においては、発熱体４２として、線径が０．５ｍｍで一様であり、長さ５００ｍｍである純度９９．９９％のタンタルワイヤーを用いた。本実施例において使用したワイヤーは、両端部を巻回させていない直線ワイヤーであり、発熱体４２と円筒状基体３との距離が５０ｍｍとなるように６本を配置した。
【００８２】
円筒状基体３としては、表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長さ３５９ｍｍのＡｌ製のものを使用した。円筒状基体３は、予備加熱室４に１６本セットした。
【００８３】
予備加熱室４は、ロータリーポンプとメカニカルブースターポンプにより１×１０-３Ｐａの真空度まで真空排気を行なった後、マスフローコントローラーによって制御された１００ｓｃｃｍのＡｒガスを、ガス導入孔４０を介して導入し、６．６５Ｐａのガス圧で予備加熱室内を一定に保った。
【００８４】
予備加熱は、発熱体４２に通電して発熱体４２を１９００℃に加熱した状態において１時間行なった。
【００８５】
このようにして予備加熱された円筒状基体３のうち、端部および中央に配置された円筒状基体３のそれぞれについて、中央および上下端部（端面からの距離が３０ｍｍの部分）の温度を測定した。円筒状基体３の温度の測定は、円筒状基体３の表面に熱電対を取り付けて測定した。温度測定の結果については、表１に示した。表１においては、比較のため、カートリッジヒーターで円筒状基体３を予備加熱した場合の温度測定結果についても同時に示した。
【００８６】
【表１】
2007270219.tif 000003
【００８７】
表１の結果から明らかなように、直線ワイヤーを用いて予備加熱を行なった場合には、加熱手段として一般的な手法であるカートリッジヒーターを用いる場合に比べて、円筒状基体３の軸方向での温度ムラが改善されている。特に、円筒状基体３の下部での温度ムラの改善が著しく、円筒状基体３の軸方向での温度のムラは、直線ワイヤーを用いた場合にはカートリッジヒーターを用いた場合の１／２程度にまで改善していることがわかる。
【００８８】
次に、予備加熱した円筒状基体３を、成膜室５に搬送して表２に示すような成膜条件で、図６に示した電子写真感光体６を作製した。
【００８９】
【表２】
2007270219.tif 000004
【００９０】
このようにして得られたａ−Ｓｉ感光体ついて、電子写真特性測定機にて各部分の明部電位を測定した。明部電位の測定結果については、表３に示した。
【００９１】
【表３】
2007270219.tif 000005
【００９２】
表３の結果から明らかなように、ワイヤーにより予備加熱を行なった円筒状基体３では、明部電位のムラが、カートリッジヒーターにより予備加熱を行なった場合に比べて１／２程度となり、電位ムラの少ない良好なドラムが得られた。また、ワイヤーにより予備加熱して得られた感光体を京セラミタ製フルカラープリンターＫＭＣ−２６３０にて画像評価を行ったところ、かぶり、濃度ムラのない良好な画像が得られた。
【００９３】
また、予備加熱で使用したワイヤーおよびカートリッジヒーターで消費された電力量について表４に示したが、ワイヤーにより予備加熱した場合の消費電力は、カートリッジヒーターにより予備加熱した場合の１／２程度であり、省電力で高効率という予想外の効果があることも明らかになった。
【００９４】
【表４】
2007270219.tif 000006
【００９５】
次に、予備加熱室４のガス圧を変更して同様に予備加熱を行い、円筒状基体３の表面温度を測定した。不活性ガスとしてはＡｒガスを用いた。ガス流量は、ガス圧が０．０６Ｐａの場合のみ０（不活性ガスなし）とし、その他のガス圧の場合には１００ｓｃｃｍで一定とした。温度測定の結果については表５に示した。
【００９６】
【表５】
2007270219.tif 000007
【００９７】
予備加熱後の円筒状基体を観察したところ、ガス圧を０．０６Ｐａとし、不活性ガスを供給せずに予備加熱した場合のみ、表面に薄いくもりが見られた。これは、発熱体４２の成分が蒸発して付着しているものと思われる。この事実を踏まえ、表５の結果を考察すると、予備加熱時における良好なガス圧範囲は０．１〜１００Ｐａであることが分かる。
【実施例２】
【００９８】
本実施例おいては、発熱体として図４（ａ）に示した巻回ワイヤー４２を用いた以外は実施例１と同様にして評価を行なった。
【００９９】
本実施例において用いる発熱体４２は、ワイヤーの端から１５〜４０ｍｍの範囲にらせん状の巻回部分４２ａを設けた構成とした。巻回部分４２ａは、巻き径Ｄｗを４ｍｍ、ピッチＰｗを６ｍｍ（巻数４回）に設定した。
【０１００】
この発熱体４２を用いて加熱された円筒状基体３のうち、移動方向Ａの端部および中央に配置された円筒状基体３のそれぞれについて、中央および上下端部（端面からの距離が３０ｍｍの部分）の温度を測定した。円筒状基体３の温度の測定は、円筒状基体３の表面に熱電対を取り付けて測定した。温度測定の結果については、表６に示した。表６においては、比較のため、実施例１で用いた発熱体４２（直線ワイヤー）によって円筒状基体３を予備加熱した場合の温度測定結果についても同時に示した。
【０１０１】
【表６】
2007270219.tif 000008
【０１０２】
表６の結果から明らかなように、両端部に巻回部を設けて両端部での発熱量を大きくした発熱体４２（巻回ワイヤー）を用いた場合には、直線ワイヤーの発熱体４２に比べて、円筒状基体３における軸方向の温度のムラが１／３前後に改善していることがわかる。
【０１０３】
次に、予備加熱した円筒状基体３を、実施例１と同様に、成膜室５に搬送して上記表２に示すような成膜条件で、図６に示した電子写真感光体６を作製した。
【０１０４】
このようにして得られたａ−Ｓｉ感光体ついて、電子写真特性測定機にて各部分の明部電位を測定した。明部電位の測定結果については、表７に示した。
【０１０５】
【表７】
2007270219.tif 000009
【０１０６】
表７の結果から明らかなように、巻回ワイヤーの発熱体４２により予備加熱を行なった円筒状基体３では、明部電位のムラが、直線ワイヤーの発熱体４２により予備加熱を行なった場合に比べて１／２程度なり、電位ムラの少ない良好なドラムが得られた。また、巻回ワイヤーの発熱体４２により予備加熱して得られた感光体を京セラミタ製フルカラープリンターＫＭＣ−２６３０にて画像評価を行ったところ、かぶり、濃度ムラのない良好な画像が得られた。
【実施例３】
【０１０７】
本実施例においては、図８に示したガス吹き出しプレート７を備えた図７のプラズマＣＶＤ装置１′を用いた以外は実施例１と同様にして、タングステン製の直線ワイヤーを用いて予備加熱を行なった場合について評価を行なった。
【０１０８】
ガス吹き出しプレート７としては、ガス吹き出し孔７１，７２が円筒状基体３（図８の仮想線）における両端部に対応する端部領域Ｅ１（端から１００ｍｍまでの領域）については軸方向の間隔Ｐ１ａが５０ｍｍとなるように配置され、円筒状基体３の中央部に対応する中央領域Ｅ２（端部領域の間に存在する軸方向に２５０ｍｍの領域）については軸方向の間隔Ｐ２ａが２５ｍｍとなるように配置されたものを用いた。
【０１０９】
先のガス吹き出しプレート７を用いて予備加熱された円筒状基体３のうち、端部および中央に配置された円筒状基体３のそれぞれについて、中央および上下端部（端面からの距離が３０ｍｍの部分）の温度を測定した。円筒状基体３の温度の測定は、円筒状基体３の表面に熱電対を取り付け測定した。温度測定の結果については、表８に示した。表８においては、比較のため、実施例１と同様な複数の吹き出し孔２３が軸方向に等間隔で配置されたガス吹き出しプレート２３（図３参照）を用いて円筒状基体３を予備加熱した場合の温度測定結果についても同時に示した。
【０１１０】
【表８】
2007270219.tif 000010
【０１１１】
表８の結果から明らかなように、端部領域Ｅ２における吹き出し孔７２の分布密度を小さくしたガス吹き出しプレート７（図８参照）を用いて予備加熱を行なった場合には、吹き出し孔２３の分布密度を一様（軸方向に等間隔）としたガス吹き出しプレート２１（図３参照）を用いて予備加熱を行なった場合に比べて、円筒状基体３における軸方向の温度のムラが１／２程度もしくはそれ以下に改善していることがわかる。
【０１１２】
次に、予備加熱した円筒状基体３を、実施例１と同様に、成膜室５に搬送して上記表２に示すような成膜条件で、図６に示した電子写真感光体６を作製した。
【０１１３】
このようにして得られたａ−Ｓｉ感光体ついて、電子写真特性測定機にて各部分の明部電位を測定した。明部電位の測定結果については、表９に示した。
【０１１４】
【表９】
2007270219.tif 000011
【０１１５】
表９の結果から明らかなように、端部領域Ｅ２における吹き出し孔７２の分布密度を小さくしたガス吹き出しプレート７（図８参照）を用いて予備加熱を行なった円筒状基体３では、複数の吹き出し孔２３の分布密度を一様（軸方向に等間隔）としたガス吹き出しプレート２１（図３参照）を用いて予備加熱を行なった場合に比べて、明部電位のムラが１／２程度なり、電位ムラの少ない良好なドラムが得られた。また、図８のガス吹き出しプレート７により予備加熱して得られた感光体を京セラミタ製フルカラープリンターＫＭＣ−２６３０にて画像評価を行ったところ、かぶり、濃度ムラのない良好な画像が得られた。
【０１１６】
次に、予備加熱室４のガス流量を変更して同様に予備加熱を行い、円筒状基体３の表面温度を測定した。不活性ガスとしてはＡｒガスを用いた。ガス流量は、下記表１０に示す値において予備加熱中一定に維持した。温度測定の結果については表１０に示した。
【０１１７】
【表１０】
2007270219.tif 000012
【０１１８】
表１０から明らかなように、１つのガス吹き出し孔７１，７２あたりのガス吹き出し量が０．１ｓｃｃｍ程度では十分な冷却効果を発揮しているものの、それ以下の場合には、冷却効果が十分でなく温度ムラが改善されていない。その一方で、１つのガス吹き出し孔７１，７２あたりのガス吹き出し量が３０ｓｃｃｍ程度では十分な冷却効果を発揮しているものの、それ以上の場合には、中央領域で温度低下が発生するとともに、全体の温度も低下し昇温効率が悪くなった。
【０１１９】
したがって、１つのガス吹き出し孔７１，７２あたりのガス流量は、０．１〜３０ｓｃｃｍに設定するのが好ましいことが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の平面透視図である。
【図２】図１に示したプラズマＣＶＤ装置における予備加熱室を説明するためのものであり、図１のII−II線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】図１に示したプラズマＣＶＤ装置におけるガス吹き出しプレートを説明するための正面図である。
【図４】（ａ）は図２に示した予備加熱室における発熱体を説明するための正面図であり、（ｂ）は発熱体の他の例を説明するための端部を示す正面図であり、（ｃ）は発熱体のさらに他の例を説明するための端部を示す正面図である。
【図５】図１に示したプラズマＣＶＤ装置における成膜室を説明するためのものであり、図１のＶ−Ｖ線に沿って切断して示した断面図である。
【図６】図１に示したＣＶＤプラズマ装置によって製造した電子写真感光体の縦断面図およびその要部拡大図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置を説明するための図２に相当する断面図である。
【図８】図７に示したプラズマＣＶＤ装置におけるガス吹き出しプレートの他の例を説明するための図３に相当する正面図である。
【図９】ガス吹き出しプレートの他の例を説明するための図３に相当する正面図である。
【図１０】ガス吹き出しプレートのさらに他の例を説明するための図３に相当する正面図である。
【図１１】ガス吹き出しプレートのさらに他の例を説明するための図３に相当する正面図である。
【図１２】従来のプラズマＣＶＤ装置を説明するための縦断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１，１′  プラズマＣＶＤ装置
２  架台
２１  ガス吹き出しプレート
２３  ガス吹き出し孔
３  円筒状基体
４  予備加熱室
４２，４２′  発熱体
５  （真空）成膜室
７，８Ａ，８Ｂ，８Ｃ  ガス吹き出しプレート
７１，７２，８０Ａ，８１Ｂ，８２Ｂ，８０Ｃ  ガス吹き出し孔
【図１】
2007270219.tif 000013
【図２】
2007270219.tif 000014
【図３】
2007270219.tif 000015
【図４】
2007270219.tif 000016
【図５】
2007270219.tif 000017
【図６】
2007270219.tif 000018
【図７】
2007270219.tif 000019
【図８】
2007270219.tif 000020
【図９】
2007270219.tif 000021
【図１０】
2007270219.tif 000022
【図１１】
2007270219.tif 000023
【図１２】
2007270219.tif 000024