(57)【要約】【課題】基板上の異物残留を低減できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】処理槽１３内に設置される基板Ｗ上に処理液を供給する位置と該処理液を供給する位置から退避する位置との間を移動可能な吐出口６ｂを有するノズル６を備えた基板処理装置１において、ノズル６が処理液を供給する位置から退避したときに、吐出口６ｂが配置される空間領域と基板Ｗが配置される空間領域とを遮断する可動な遮断手段８、１４が設けられている。【選択図】図１
2007266372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽内に配置された基板上に該基板の上方から処理液を供給する位置と、該処理液を
供給する位置から退避した位置と、の間を移動可能に設けられた吐出口を有するノズルを
備えた基板処理装置において、
前記ノズルが前記処理液を供給する位置から退避したときに、前記吐出口が配置される
空間領域と前記基板が配置される空間領域とを遮断する可動な遮断手段が設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記遮断手段による遮断時に前記吐出口が配置された空間領域の排気を行う排気手段を
設けたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液を供給する位置から退避した前記ノズルを収納する空間領域を収納部として
備えており、前記遮断手段は前記ノズルを収納する前記収納部と前記基板が配置される空
間領域とを遮断することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理槽は、前記基板及び該基板の上方を取り囲む側壁を有して構成されており、前
記ノズルを収納する前記収納部は、前記処理槽の前記側壁の壁面から外側に突出して設け
られた空間領域であり、前記遮断手段による遮断によって、前記収納部は前記処理槽内に
おいて遮蔽されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
処理槽内に配置された基板上に該基板の上方から吐出口を有したノズルによって処理液
を供給する基板処理方法において、前記処理液を前記基板上に供給する位置に前記ノズル
を移動させて前記基板の上方から前記処理液を滴下し、前記基板を回転させて滴下された
前記処理液を基板上で拡散させ、前記ノズルを前記基板の上方から移動して退避させた後
に、前記吐出口が配置される空間領域と前記基板が配置される空間領域とを遮断すること
を特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
回転する前記基板上に他のノズルによって純水を供給することを特徴とする請求項５に
記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記処理液がフッ酸から成ることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の基板処
理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する基板上に洗浄液等の処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装
置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の基板処理装置は特許文献１に開示されている。図４は、この基板処理装置の概略
構成を示す正面断面図である。基板処理装置１は筒状の上部カバー２及び下部カバー３に
より覆われる。上部カバー２の上面中央部には開口された気体導入部２ａが設けられ、送
風機等の気流発生手段（不図示）によって清浄空気が下方に向けて供給される。
【０００３】
下部カバー３内には、上端部（周縁）がステージ４の外周（外縁）と所定の間隙（隙間
）５ａが保たれた筒状の内カップ５が配される。内カップ５の内側にはスピンドル４ａで
支持されるステージ４が中央に配される。ステージ４上には複数のガイドピン４ｂが突設
され、液晶パネル等に用いられる基板Ｗが位置決めしてステージ４上に載置される。また
、上部カバー２の周面にはノズル６、７を収納する収納部２ｂ、２ｃが設けられる。ノズ
ル６、７は基板Ｗの上方に移動し、吐出口６ｂ、７ｂから洗浄液等の処理液を基板Ｗ上に
吐出する。
【０００４】
上記構成の基板処理装置１において、ステージ４上に基板Ｗが載置されると、スピンド
ル４ａによって基板Ｗとともにステージ４が回転する。基板Ｗの中央部にはノズル６から
洗浄液（フッ酸等）や現像液等の薬液から成る処理液が供給され、該処理液は基板Ｗ上を
ステージ４の径方向に拡散して飛散する。上端部（周縁）とステージ４とは所定の間隙（
隙間）５ａが保たれて接近して配置され、基板Ｗから拡散して飛散した処理液は内カップ
５と下部カバー３との間に導かれて廃棄される。これにより、基板Ｗの洗浄や現像等の基
板処理が行われる。
【０００５】
この時、開口された気体導入部２ａから供給される清浄空気によって矢印Ａに示すよう
に上方から基板Ｗに向かう気流が発生する。該気流は基板Ｗ及びステージ４の周部に衝突
し、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上及びステージ４上を外側に向かって流れる。これにより
、処理液の飛散が促進される。
【０００６】
薬液から成る処理液の処理が終了すると、純水から成る処理液がノズル７から基板Ｗ上
に供給される。この時、内カップ５がステージ４より高い位置に上昇する。そして、上記
と同様に純水が基板Ｗ上をステージ４の径方向に拡散して飛散する。また、清浄空気の気
流が上方から基板Ｗに向かって発生し、純水の拡散及び飛散を促進する。基板Ｗ中央部か
らから拡散して飛散した純水は矢印Ｃに示すように、内カップ５の内側に導かれて廃棄さ
れる。これにより、基板Ｗが純水洗浄され、薬液が除去される。
【０００７】
純水洗浄が終了すると、上部カバー２の開口された気体導入部２ａから基板中央に向け
て例えば窒素をブローしながらスピンドル４ａが高速回転する。これにより、基板Ｗ上に
残留する純水が拡散した後、基板Ｗ外に飛散して基板Ｗの乾燥が行われる。
【特許文献１】特開２００１−１６０５３２号公報（第３頁−第８頁、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の基板処理装置１によると、上部カバー２の開口された気体導
入部２ａから供給される清浄空気の気流は基板Ｗ及びステージ４の上面に衝突し、一部の
気流が矢印Ｄ、Ｅに示すように舞い上がる。ノズル６の吐出口６ｂにはフッ酸等の薬液か
ら成る処理液が残留し、該処理液が気化すると上部カバー２内に充満する。そして、気化
した処理液がミスト状の純水に取り込まれて基板Ｗ上に付着して乾燥する。その結果、フ
ッ素系結晶物等の異物が基板Ｗ上に残留して基板処理の歩留りを低下させる問題があった
。
【０００９】
本発明は、基板上の異物残留を低減できる基板処理装置及び基板処理方法を提供するこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の基板処理装置は、処理槽内に配置された基板上に該
基板の上方から処理液を供給する位置と、該処理液を供給する位置から退避した位置と、
の間を移動可能に設けられた吐出口を有するノズルを備えた基板処理装置において、
前記ノズルが前記処理液を供給する位置から退避したときに、前記吐出口が配置される
空間領域と前記基板が配置される空間領域とを遮断する可動な遮断手段が設けられている
ことを特徴としている。
【００１１】
この構成によると、処理槽内に設置された基板が回転し、ノズルが基板の上方から処理
液を供給する位置に配置されてノズルの吐出口から処理液が基板上に供給さる。処理液は
基板の回転により径方向に飛散し、基板処理が行われる。基板処理が終了するとノズルが
処理液を供給する位置から退避し、吐出口が配置される空間領域と基板が配置される空間
領域との間が遮断手段により遮断される。これにより、処理槽内の基板が配置される空間
領域と吐出口が配置される空間領域とが隔離される。遮断手段はノズル全体を隔離するシ
ャッター状でもよく、吐出口を含むノズル先端を挿入する箱状でもよい。
【００１２】
また本発明は、上記構成の基板処理装置において、前記遮断手段による遮断時に前記吐
出口が配置された空間領域の排気を行う排気手段を設けたことを特徴としている。この構
成によると、ノズルが処理液を供給する位置から退避して吐出口が配置される空間領域と
基板が配置される空間領域との間を遮断手段により遮断した際に、排気手段によって吐出
口を含む空間領域から排気される。これにより、吐出口に残留して気化した処理液が排気
される。
【００１３】
また本発明は、上記構成の基板処理装置において、前記処理液を供給する位置から退避
した前記ノズルを収納する空間領域を収納部として備えており、前記遮断手段は前記ノズ
ルを収納する前記収納部と前記基板が配置される空間領域とを遮断することを特徴として
いる。この構成によると、遮断手段によって収納部に収納したノズルと基板との間がシャ
ッター等により遮断される。収納部は処理槽の内部に設けてもよい。
【００１４】
また本発明は、前記処理槽は、前記基板及び該基板の上方を取り囲む側壁を有して構成
されており、前記ノズルを収納する前記収納部は、前記処理槽の前記側壁の壁面から外側
に突出して設けられた空間領域であり、前記遮断手段による遮断によって、前記収納部は
前記処理槽内において遮蔽されていることを特徴としている。
【００１５】
また本発明は、処理槽内に配置された基板上に該基板の上方から吐出口を有したノズル
によって処理液を供給する基板処理方法において、前記処理液を前記基板上に供給する位
置に前記ノズルを移動させて前記基板の上方から前記処理液を滴下し、前記基板を回転さ
せて滴下された前記処理液を基板上で拡散させ、前記ノズルを前記基板の上方から移動し
て退避させた後に、前記吐出口が配置される空間領域と前記基板が配置される空間領域と
を遮断することを特徴としている。
【００１６】
この構成によると、処理槽内に設置された基板が回転し、ノズルの吐出口から処理液が
基板上に供給さる。処理液は基板の回転により径方向に飛散し、薬液による所望の基板処
理が行われる。
【００１７】
また本発明は上記構成の基板処理方法において、回転する前記基板上に他のノズルによ
って純水を供給することを特徴としている。この構成によると、処理液による基板処理が
終了すると、処理液を吐出するノズルが退避し、他のノズルが基板上に配されて純水が基
板上に供給される。これにより、基板上の処理液が洗い流される。
【００１８】
また本発明は上記構成の基板処理方法において、前記処理液がフッ酸から成ることを特
徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、ノズルが処理液を供給する位置から退避した際にノズルの吐出口が配
置される空間領域と基板が配置される空間領域とを遮断する遮断手段を設けたので、吐出
口に残留した処理液が気化して基板の配される空間内へ侵入することを防止できる。従っ
て、気化した処理液がミスト状の純水等に取り込まれて基板上に付着することによる基板
上の異物残留を低減することができる。
【００２０】
また本発明によると、遮断手段による遮断時に吐出口が配置された空間領域の排気を行
う排気手段を設けたので、吐出口に残留して気化した処理液を排気し、基板上の異物残留
をより確実に低減することができる。
【００２１】
また本発明によると、処理液を供給する位置から退避したノズルを収納する空間領域を
収納部として備え、遮断手段はノズルを収納する収納部と基板が配置される空間領域とを
遮断するので、遮断手段をシャッター等により簡単に実現することができる。
【００２２】
また本発明によると、収納部は処理槽の側壁の壁面から外側に突出して設けられた空間
領域であり、遮断手段による遮断によって収納部は処理槽内において遮蔽されているので
、遮断手段により収納部を覆い、処理槽内の気流の乱れを抑制することができる。
【００２３】
また本発明によると、回転する基板上に他のノズルによって純水を供給するので、気化
した処理液がミスト状の純水に取り込まれ、基板に付着して乾燥することによる基板上の
異物付着を低減することができる。
【００２４】
また本発明によると、処理液がフッ酸から成るのでフッ素系結晶物から成る異物の付着
を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１、図２は一実施形態の基板処
理装置を示す正面断面図及び上面図である。説明の便宜上、前述の図４に示す従来例と同
様の部分は同一の符号を付している。基板処理装置１は一体的に構成された筒状の上部カ
バー２及び下部カバー３から成る処理槽１３により覆われる。従って、処理槽に配置され
る基板、及び基板の上方は、側壁を有した上部及び下部のカバーによって取り囲まれてい
る。上部カバー２の上面中央部には開口された気体導入部２ａが設けられ、送風機等の気
流発生手段（不図示）によって清浄空気が下方に向けて供給される。
【００２６】
下部カバー３内には、上端部（周縁）においてステージ４の外周（外縁）と間隙（隙間
）５ａを有した筒状の内カップ５が配される。内カップ５の内側にはスピンドル４ａで支
持されるステージ４が中央に配される。ステージ４上には複数のガイドピン４ｂが突設さ
れ、液晶パネル等に用いられる基板Ｗが位置決めしてステージ４上に載置される。
【００２７】
ステージ４は円板状に形成されたステンレス等から成り、略扇形の複数の開口部４ｃを
有している。ステンレスはフッ酸等の薬液による腐食を防ぐためコーティングが施され被
覆されている。開口部４ｃはステージ４の周部まで形成され、ステージ４の中央に配され
た矩形の基板Ｗの外側に露出するようになっている。つまり、基板Ｗを回転させた回転平
面（基板Ｗの対角を結んだ長さが略直径となる円）内において、基板Ｗと重ならないステ
ージ４の部分に開口部４ｃが設けられている。
【００２８】
上部カバー２の側壁である周面（側面）には、上部カバー２内と連通して側方に突出し
て割り当てられた収納部２ｂ、２ｃが処理槽内で互いに対向して設けられる。収納部２ｂ
、２ｃの空間領域は上部カバー２の周面（側面）から外側に突出して設けられ、ノズル６
、７が収納される。ノズル６、７はアーム（図示せず）の先端に備えられるとともに、ア
ームが結合・固定された回動軸６ａ、７ａの回動によって先端に吐出口６ｂを備えたノズ
ル６、７は基板Ｗ上方に移動配置されて、先端の吐出口６ｂ、７ｂから択一的に基板Ｗの
中央部に洗浄液、現像液、純水等の処理液を吐出・滴下により供給する。本実施形態では
、ノズル６は処理液の経路が耐薬品性を有しており、フッ酸等の薬液を供給することがで
きる。また、ノズル７は純水を供給できるようになっている。
【００２９】
また、薬液を供給するノズル６が納められた収納部２ｂには、上部カバー２内でステー
ジ４（基板Ｗ）上方の空間領域と収納部２ｂとを遮断するシャッター状の遮蔽板８（遮断
手段）が設けられている。遮蔽板８が可動（上昇）するとノズル６を基板Ｗ上に移動する
ことができ、遮蔽板８が下降すると処理槽内部で収納部２ｂとステージ４上方（基板Ｗ上
方）の空間領域とが隔離され、ノズル６の吐出口６ｂが処理槽内において遮蔽される。つ
まり、収納部２ｂは、基板Ｗが配置される空間領域（ステージ４、基板Ｗ上方の空間領域
）から遮断される。これにより、ノズル６を収納した際に収納部２ｂ内において吐出口６
ｂに残留して気化した薬液が上部カバー２内の基板Ｗが配されるステージ４上方の空間領
域に侵入することを防止できる。
【００３０】
収納部２ｂには排気経路９が連結され、排気経路９には排気ファン（不図示）が設けら
れる。排気ファン及び排気経路９により収納部２ｂ内の排気を行う排気手段が構成される
。遮蔽板８を閉じた際に排気ファンを駆動すると、吐出口６ｂに残留して気化した収納部
２ｂ内の薬液が排気経路９を介して排気される。従って、気化した薬液が上部カバー２内
の基板Ｗが空間へ侵入することをより確実に防止できる。
【００３１】
内カップ２の内側の下方（ステージ４の下方）には配管１０が設けられる。配管１０は
排気管１０ａ、第１廃液管１０ｂ及び第２廃液管１０ｃに分岐する。排気管１０ａは水平
に延びて形成され、気流発生手段によって基板処理装置１内に供給される気体を排気する
。第１、第２廃液管１０ｂ、１０ｃは排気管１０ａから下方に延びた配管１０が更に左右
に分岐して形成され、それぞれバルブ１１、１２が設けられる。
【００３２】
ノズル６から基板Ｗ上に処理液が供給される場合はバルブ１１が開いてバルブ１２が閉
じられる。これにより、処理液が第１廃液管１０ｂを介して廃棄される。ノズル７から基
板Ｗ上に処理液が供給される場合はバルブ１２が開いてバルブ１１が閉じられる。これに
より、処理液が第２廃液管１０ｃを介して廃棄される。従って、バルブ１１、１２は廃液
経路を第１廃液管１０ｂと第２廃液管１０ｃとに切り替える切替手段を構成する。
【００３３】
上記構成の基板処理装置１において、ステージ４上に基板Ｗが載置されると、スピンド
ル４ａにより基板Ｗとともにステージ４が回転する。また、バルブ１１が開かれてバルブ
１２が閉じられる。遮蔽板８を開いてノズル６が収納部２ｂ内から基板Ｗ上に回動し、基
板Ｗの中央部に洗浄液（フッ酸等）や現像液等の薬液から成る処理液が吐出滴下されて供
給される。該処理液は基板Ｗの回転に伴い基板Ｗ上をステージ４の径方向に拡散されてス
テージ４の外方に向けて飛散する。
【００３４】
この時、開口された気体導入部２ａから供給される清浄空気によって矢印Ａに示すよう
に上方から基板Ｗに向かう気流が発生する。該気流は基板Ｗに衝突し、矢印Ｂに示すよう
に基板Ｗ上を外側に向かって流れる。これにより、処理液の飛散が促進される。また、上
方から基板Ｗの外側に到達した清浄空気はステージ４の開口部４ｃを介して矢印Ｆに示す
ように下方に流通する。この気流により、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上を外側に向かって
流れる気流も基板Ｗの外側から下方に導かれる。
【００３５】
このため、前述の図４に示すような気流の舞い上がりが防止される。内カップ５内の下
部に到達した気流及び処理液は配管１０から流出する。そして、排気管１０ｃを介して清
浄空気が排気され、第１廃液管１０ｂを介して処理液が廃棄される。これにより、基板Ｗ
の洗浄や現像等の基板処理が行われる。
【００３６】
薬液から成る処理液による基板処理が終了すると、ノズル６は回動して収納部２ｂ内に
収納され、遮蔽板８を閉じて収納部２ｂの排気が行われる。また、バルブ１１が閉じられ
てバルブ１２が開かれる。ノズル７は収納部２ｃ内から基板Ｗ上に回動し、基板Ｗの中央
部に純水から成る処理液が供給される。
【００３７】
そして、上記と同様に純水が基板Ｗ上をステージ４の径方向に飛散する。この時、開口
された気体導入部２ａから供給される清浄空気によって矢印Ａに示すように上方から基板
Ｗに向かう気流が発生する。該気流は基板Ｗに衝突し、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上を外
側に向かって流れる。これにより、処理液の飛散が促進される。
【００３８】
また、上方から基板Ｗの外側に到達した清浄空気はステージ４の開口部４ｃを介して矢
印Ｆに示すように下方に流通する。この気流により、矢印Ｂに示すように基板Ｗ上を外側
に向かって流れる気流も基板Ｗの外側から下方に導かれる。
【００３９】
内カップ５内の下部に到達した気流及び処理液は配管１０から流出する。そして、排気
管１０ｃを介して清浄空気が排気され、第２廃液管１０ｃを介して純水が廃棄される。こ
れにより、基板Ｗの純水洗浄が行われる。
【００４０】
純水洗浄が終了すると、上部カバー２の開口された気体導入部２ａから清浄空気を供給
しながらスピンドル４ａが高速回転する。これにより、基板Ｗ上に残留する純水が飛散し
て基板Ｗの乾燥が行われる。飛散した純水は第２廃液管１０ｃを介して廃棄される。
【００４１】
本実施形態によると、ノズル６が基板Ｗ上から退避した際にノズル６の吐出口６ｂが配
置される空間領域と基板Ｗが配置される空間領域との間を遮断する遮蔽板８（遮断手段）
を設けたので、吐出口６ｂに残留した薬液が気化して基板Ｗの配される空間内へ侵入する
ことを防止できる。従って、気化した薬液がミスト状の純水に取り込まれて基板Ｗ上に付
着して乾燥することによる基板Ｗ上のフッ素系結晶等の異物残留を低減することができる
。
【００４２】
本実施形態において、収納部２ｂ、２ｃを上部カバー２の側壁である周面（側面）から
外方に突出させずに内部に設けてもよく、その場合は、上部カバー２の側壁である周面（
側面）側に配置された状態のノズル６を開閉可能な遮蔽板８（遮断手段）で遮蔽すること
で、上部カバー２内でステージ４（基板Ｗ）上方の空間領域と、周面（側面）のノズル６
が配置された空間領域とが遮断される。
【００４３】
しかし、収納部２ｂを上カバー２の周面から外側に突設して設けることで、上部カバー
２内でステージ４（基板Ｗ）上方の空間領域と重なることなく分離してノズル６を格納す
る空間領域の収納部が確保されるので、収納部２ｂを上カバー２の周面から外側に突設す
ることがより望ましい。即ち、処理槽１３内の突出部分が減少するとともに、遮蔽板８に
より収納部２ｂを覆って収納部２ｂへの気流の侵入を低減できる。これにより、処理槽１
３内の気流の乱れを抑制することができる。このため、純水供給用のノズル７を収納する
収納部２ｃにも同様の遮蔽板８を設けるとより望ましい。
【００４４】
次に、第２実施形態について説明する。本実施形態は前述の図１、図２に示す第１実施
形態と同様に構成され、遮蔽板８に替えて図３に示す収納容器１４が設けられる。その他
の部分は第１実施形態と同様である。
【００４５】
収納容器１４は吐出口６ｂを含むノズル６の先端部が挿入可能な孔部１４ａを有した箱
状に形成され、収納部２ｂ内に設けられる。収納部２ｂを設けずに上部カバー２内に収納
容器１４を設置してもよい。つまり、ノズル６の吐出口６ｂの部分がその他の上部カバー
２内の空間領域と隔離されるものであればよい。
【００４６】
収納容器１４に先端部が挿入されたノズル６は収納容器１４から上方に移動して基板Ｗ
上まで回動する。そして、ノズル６の吐出口６ｂから基板Ｗ上に薬液を吐出して基板処理
が行われる。薬液による基板処理が終了すると、ノズル６が基板Ｗ上から退避してノズル
６の先端部が収納容器１４の孔部１４ａに挿入される。これにより、ノズル６の吐出口６
ｂが配される空間と基板Ｗが配される空間との間が遮断され、吐出口６ｂに残留して気化
した薬液が上部カバー２内の基板Ｗが配される空間に侵入することを防止できる。
【００４７】
収納容器１４には第１実施形態と同様の排気ファン及び排気経路９から成る排気手段が
設けられ、収納容器１４にノズル６の先端部を挿入した際に排気ファンを駆動すると、吐
出口６ｂに残留して気化した薬液が排気経路９を介して排気される。従って、気化した薬
液が上部カバー２内の基板Ｗが空間への侵入することをより確実に防止できる。
【００４８】
本実施形態によると、ノズル６が基板Ｗ上から退避した際に吐出口６ｂが配置された空
間領域と基板Ｗが配置された空間領域との間を遮断する収納容器１４（遮断手段）を設け
たので、吐出口６ｂに残留した薬液が気化して基板Ｗの配される空間内へ侵入することを
防止できる。従って、気化した薬液がミスト状の純水に取り込まれて基板Ｗ上に付着する
ことによる基板Ｗ上の異物残留を低減することができる。
【００４９】
第１、第２実施形態において、フッ酸等の薬液から成る処理液と純水から成る処理液と
を用いているが、ノズル７の処理液の経路が耐薬品性を備えてノズル６、７の両方から薬
液を吐出してもよい。この時、ノズル７の退避時に吐出口７ｂが配置された空間領域と基
板Ｗが配置された空間領域との間を遮断する上記と同様の遮断手段を設けることにより、
吐出口７ｂに残留した薬液が気化して基板Ｗの配される空間内への侵入を防止することが
できる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明によると、基板に対して洗浄、レジスト等の塗布、レジストの現像、エッチング
等の薬液を用いた基板処理を行う基板処理装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態の基板処理装置を示す正面断面図
【図２】本発明の第１実施形態の基板処理装置を示す上面図
【図３】本発明の第２実施形態の基板処理装置の要部を示す正面断面図
【図４】従来の基板処理装置を示す正面断面図
【符号の説明】
【００５２】
１    基板処理装置
２    上部カバー
２ａ  開口された気体導入部
３    下部カバー
４    ステージ
４ａ  スピンドル
４ｂ  ガイドピン
４ｃ  開口部
５    内カップ
６、７  ノズル
８    遮蔽板（遮断手段）
１０    廃液管
１１、１２  バルブ
１３    処理槽
１４    収納容器
【図１】
2007266372.tif 000003
【図２】
2007266372.tif 000004
【図３】
2007266372.tif 000005
【図４】
2007266372.tif 000006