(57)【要約】【課題】  複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とを共に容易に把握することができる進捗状況表示方法等を提供する。【解決手段】  露光装置に設けられる端末装置には、露光装置で行われる複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理（例えば、露光装置の装置状態を初期状態に設定するリセット処理）の進捗状況を表示するウィンドウＷＤ１が表示される。このウィンドウＷＤ１には、上記所定の処理全体の進捗状況を表示する表示領域Ｒ１と、上記部分処理各々の進捗状況を表示する表示領域Ｒ２とが設けられている。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示方法であって、
前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示ステップを含むことを特徴とする進捗状況表示方法。
【請求項２】
前記部分処理進捗状況の表示は、前記複数の部分処理の各々に対応して設けられた各々の部分処理進捗状況を表示する表示領域に対してそれぞれ行うことを特徴とする請求項１記載の進捗状況表示方法。
【請求項３】
前記部分処理が複数の処理からなる場合には、前記部分処理進捗状況を前記複数の処理毎に階層的に表示することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の進捗状況表示方法。
【請求項４】
前記表示ステップは、前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況の少なくとも一方を、文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示の少なくとも一つの表示方法で表示することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の進捗状況表示方法。
【請求項５】
前記表示ステップは、前記全体処理進捗状況と前記部分処理進捗状況とを同一の画面領域内に表示することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の進捗状況表示方法。
【請求項６】
前記所定の処理は、複数のユニットを含んで構成され基板に対して処理を施す基板処理装置の装置状態を初期状態に設定するリセット処理であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の進捗状況表示方法。
【請求項７】
前記全体処理進捗状況は、前記リセット処理の開始から完了までの進捗状況であり、
前記部分処理進捗状況は、前記基板処理装置に設けられる前記ユニット毎のリセット処理に係る処理の開始から完了までの進捗状況である
ことを特徴とする請求項６記載の進捗状況表示方法。
【請求項８】
前記所定の処理は、基板を搬送する搬送ユニットを含んで構成され基板に対して処理を施す基板処理装置の前記搬送ユニットにおける搬送処理であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の進捗状況表示方法。
【請求項９】
前記全体処理進捗状況は、前記搬送ユニットで行われる前記搬送処理により所定数の前記基板の全ての搬送が完了するまでの進捗状況であり、
前記部分処理進捗状況は、前記搬送ユニット内における前記基板の搬送進捗状況である
ことを特徴とする請求項８記載の進捗状況表示方法。
【請求項１０】
前記所定の処理は、レーザ光を用いて基板上に設定された区画領域に処理を施す基板処理装置の、前記基板に施す処理及び当該処理に関連する処理であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の進捗状況表示方法。
【請求項１１】
前記全体処理進捗状況は、前記基板上の区画領域に施す処理が完了するまでの進捗状況であり、
前記部分処理進捗状況は、前記基板に施す処理に関連する処理としての予備処理の進捗状況であることを特徴とする請求項１０記載の進捗状況表示方法。
【請求項１２】
前記基板処理装置は、マスクのパターンを前記基板上の前記区画領域の各々に転写する露光装置であり、
前記基板に施す処理に関連する処理は、前記マスク及び前記基板の搬送処理並びに前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせを行うアライメント処理の少なくとも１つの処理を含むことを特徴とする請求項１１記載の進捗状況表示方法。
【請求項１３】
複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示プログラムであって、
前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示処理を有することを特徴とする進捗状況表示プログラム。
【請求項１４】
前記部分処理進捗状況の表示は、前記複数の部分処理の各々に対応して設けられた各々の部分処理進捗状況を表示する表示領域に対してそれぞれ行うことを特徴とする請求項１３記載の進捗状況表示プログラム。
【請求項１５】
前記部分処理が複数の処理からなる場合には、前記部分処理進捗状況を前記複数の処理毎に階層的に表示することを特徴とする請求項１３又は請求項１４記載の進捗状況表示プログラム。
【請求項１６】
前記表示処理は、前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況の少なくとも一方を、文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示の少なくとも一つの表示方法で表示する処理であることを特徴とする請求項１３から請求項１５の何れか一項に記載の進捗状況表示プログラム。
【請求項１７】
前記表示処理は、前記全体処理進捗状況と前記部分処理進捗状況とを同一の画面領域内に表示する処理であることを特徴とする請求項１３から請求項１６の何れか一項に記載の進捗状況表示プログラム。
【請求項１８】
複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示装置であって、
前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示装置を備えることを特徴とする進捗状況表示装置。
【請求項１９】
前記部分処理進捗状況の表示は、前記複数の部分処理の各々に対応して設けられた各々の部分処理進捗状況を表示する表示領域に対してそれぞれ行うことを特徴とする請求項１８記載の進捗状況表示装置。
【請求項２０】
前記部分処理が複数の処理からなる場合には、前記部分処理進捗状況を前記複数の処理毎に階層的に表示することを特徴とする請求項１８又は請求項１９記載の進捗状況表示装置。
【請求項２１】
前記表示装置は、前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況の少なくとも一方を、文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示の少なくとも一つの表示方法で表示することを特徴とする請求項１８から請求項２０の何れか一項に記載の進捗状況表示装置。
【請求項２２】
前記表示装置は、前記全体処理進捗状況と前記部分処理進捗状況とを同一の画面領域内に表示することを特徴とする請求項１８から請求項２１の何れか一項に記載の進捗状況表示装置。
【請求項２３】
請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の進捗状況表示方法を用いて前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況を表示し、又は請求項１８から請求項２２の何れか一項に記載の進捗状況表示装置に前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況を表示させつつデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示方法、表示プログラム、及び表示装置、並びに当該方法等による表示を行いつつデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）等）、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、基板処理装置を用いて基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。基板処理装置が基板に対して施す処理は、例えば薄膜形成処理、フォトリソグラフィ処理、及び不純物の拡散処理等の処理があり、またこれらの処理を経た基板に形成された回路を検査・評価・修復（リペア）する処理がある。
【０００３】
上記のフォトリソグラフィ処理では、基板処理装置の一種である露光装置を用いて、マスクのパターンを投影光学系を介して感光剤が塗布された基板上の複数（十数〜数十）のショット領域に転写する露光処理が繰り返される。一般的に、デバイスを製造するためのデバイス製造ラインには、露光装置等の基板処理装置が複数設けられており、これによりデバイスの製造効率の向上が図られている。
【０００４】
以下の特許文献１には、デバイス製造ラインに設けられた基板処理装置の各々から処理されている基板に関する情報を収集し、収集した情報に基づいてデバイス製造ライン内に存在する基板の処理状況を模式的に表示することで、基板の処理状況を容易且つ正確に把握するようにした技術が開示されている。
【特許文献１】特開平９−３２６３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記の基板処理装置は、複数の部位（ユニット）が協働して動作することによって所定の全体処理が行われるのが殆どである。例えば、上記の露光装置は、露光光として用いるレーザ光を射出するレーザユニット、マスク又は基板を搬送する搬送ユニット、マスク又は基板を移動可能に保持するステージユニット、及びマスクとウェハとの相対的な位置合わせを行うアライメントユニット等の複数のユニットから構成され、各々のユニットがそれぞれ所定の処理を行うことで一連の露光処理が行われる。
【０００６】
露光装置の処理状況を把握する上で、露光装置の各ユニットの各々の処理状況と露光処理全体の処理状況とを同時に把握したい場合がある。例えば、露光装置の立ち上げ時又は定期若しくは不定期のメンテナンス時には露光装置の装置状態を初期状態に設定するリセット処理が行われる。このリセット処理は、各ユニットで行われる個別のリセット処理が全て完了した時点でリセット処理全体が終了することになるが、リセット処理が終了しないユニットが存在するとリセット処理全体が完了するまでに長時間を要する。リセット処理の期間、デバイス製造自体は停止しているため、極力デバイスの製造効率の低下を防止するためには、リセット処理全体の進捗状況と各ユニットにおけるリセット処理の進捗状況を把握する必要がある。
【０００７】
また、一般的に露光処理は複数の基板（例えば、数十枚）を単位としたロット単位で行われるが、デバイスを製造する場合には、１つのロットに対する露光処理がどの程度完了しているかの進捗状況を把握するとともに、各ユニットにおける基板処理の進捗状況又は１つの基板に対して行われる各種処理の進捗状況を把握する必要もある。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とを共に容易に把握することができる進捗状況表示方法、表示プログラム、及び表示装置、並びに当該方法等による表示を行いつつデバイスを製造するデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の進捗状況表示方法は、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示方法であって、前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示ステップを含むことを特徴としている。
この発明によると、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理が実行されている間においては、その全体処理の進捗状況と、部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況とが同時に表示される。
上記課題を解決するために、本発明の進捗状況表示プログラムは、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示プログラムであって、前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示処理を有することを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明の進捗状況表示装置は、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の進捗状況を表示する進捗状況表示装置（Ｔ）であって、前記全体処理の進捗状況を示す全体処理進捗状況と、前記複数の部分処理のうちの少なくとも１つの部分処理の進捗状況を示す部分処理進捗状況とを同時に表示する表示装置（５４）を備えることを特徴としている。
上記課題を解決するために、本発明のデバイス製造方法は、上記の進捗状況表示方法を用いて前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況を表示し、又は上記の進捗状況表示装置に前記全体処理進捗状況及び前記部分処理進捗状況を表示させつつデバイスを製造することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の部分処理が実行されて全体処理が行われる所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とが同時に表示されるため、これらの進捗状況を共に容易に把握することができるという効果がある。
また、所定の処理の全体的な進捗状況と部分処理の進捗状況とが同時に表示されるため、所定の処理の実行中にトラブルが発生した場合には、それらの表示からトラブルの原因究明を早期に発見することもできるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による進捗状況表示方法、表示プログラム、及び表示装置、並びにデバイス製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態が適用される露光装置の概略構成を示す図である。図１に示す露光装置ＥＸは、半導体素子を製造するための露光装置であり、マスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンを逐次ウェハＷ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である。
【００１２】
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。このＸＹＺ直交座標系は、ＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるレチクルＲ及びウェハＷの同期移動方向（走査方向）はＹ方向に設定されているものとする。
【００１３】
図１に示す露光装置ＥＸはクリーンルーム内に設置された本体チャンバＣ１と、本体チャンバＣ１の−Ｙ側に隣接するように設置された搬送チャンバＣ２とを備えている。本体チャンバＣ１及び搬送チャンバＣ２は、互いの開口ａ１，ａ２を介して内部空間が連結されている。本体チャンバＣ１内には、露光装置本体の大部分が収納されている。露光装置本体は、レチクルＲ上のスリット状（矩形状又は円弧状）の照明領域を均一な照度を有する露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬＳ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲのパターンの像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬ、ウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴ、アライメント検出系ＡＳ、及び主制御系ＣＴ等を含んで構成される。尚、照明光学系ＩＬＳの一部、並びに主制御系ＣＴ及び主制御系ＣＴに接続される端末装置Ｔは、本体チャンバＣ１及び搬送チャンバＣ２の外部に配置されている。
【００１４】
照明光学系ＰＬは、本体チャンバＣ１及び搬送チャンバＣ２の外部に配置された光源ユニット、並びに、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等（何れも不図示）を含んで構成されている。この照明光学系ＩＬＳの構成等については、例えば特開平９−３２０９５６に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、若しくはＦ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等も使用することができる。
【００１５】
レチクルステージＲＳＴは、照明光学系ＩＬＳの下方（−Ｚ方向）に水平に配置されたレチクル支持台（定盤）１１の上面上を走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能なレチクル走査ステージ１２と、このレチクル走査ステージ１２上に載置され、レチクル走査ステージ１２に対してＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）にそれぞれ微小駆動可能なレチクル微動ステージ１３とを備えている。このレチクル微動ステージ１３上にレチクルＲが真空吸着又は静電吸着等により保持される。
【００１６】
上記レチクル微動ステージ１３上の一端には移動鏡１４が設けられており、レチクル支持台１１上にはレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）１５が配置されている。レチクル干渉計１５から射出されたレーザ光は移動鏡１４の鏡面に照射され、その反射光と参照光との干渉光をレチクル干渉計１５が受光することによって、レチクル微動ステージ１３のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＸ，θＹ，θＺ方向）の位置が検出される。
【００１７】
上述のレチクル干渉計１５により検出されたレチクル微動ステージ１３の位置情報（又は速度情報）は、装置全体の動作を統轄制御する主制御系ＣＴに供給される。主制御系ＣＴは、レチクル走査ステージ１２駆動用のリニアモータ、レチクル微動ステージ１３駆動用のボイスコイルモータ等を含むレチクル駆動装置１６を介してレチクル走査ステージ１２及びレチクル微動ステージ１３の動作を制御する。
【００１８】
投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウェハＷ）側の両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向は、ＸＹ平面に直交するＺ方向とされている。尚、投影光学系ＰＬが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ＥＬの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルＲに形成されたパターンの倒立像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを例に挙げて説明するが、勿論パターンの正立像を投影するものであっても良い。
【００１９】
ウェハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）に配置されており、ウェハＸＹ駆動ステージ１８、支点１９ａ〜１９ｃ、及びウェハテーブル２０を含んで構成されている。ウェハＸＹ駆動ステージ１８は、ウェハ支持台（定盤）１７の上面（基準平面）上をＸ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、このウェハＸＹ駆動ステージ１８上にＺ方向に伸縮自在な３個の支点１９ａ〜１９ｃが設けられている。これら３つの支点１９ａ〜１９ｃは、例えばウェハウェハテーブル２０の中心に関して各々が互いに１２０°の角度をなすように配置されている。支点１９ａ〜１９ｃは、例えばロータリーモータ及びカムを使用する方式、積層型圧電素子（ピエゾ素子）、又はボイスコイルモータ（ここではボイスコイルモータとする）等を使用して構成される。
【００２０】
ウェハテーブル２０は、支点１９ａ〜１９ｃ上に載置されており、支点１９ａ〜１９ｃの伸縮量を制御することでＺ方向の微動（Ｘ軸回りの回転及びＹ軸回りの回転を含む）が可能である。ウェハテーブル２０上に設けられた不図示のウェハホルダを介してウェハＷが真空吸着又は静電吸着等により保持される。３個の支点１９ａ〜１９ｃは主制御系ＣＴにより制御される。支点１９ａ〜１９ｃを均等に伸縮させることにより、ウェハテーブル２０のＺ方向の位置を調整することができ、３個の支点１９ａ〜１９ｃの伸縮量を個別に調整することにより、ウェハテーブル２０のＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を調整することができる。
【００２１】
ウェハテーブル２０上の一端には移動鏡２１が設けられており、ウェハステージＷＳＴの外部にはレーザ光を移動鏡２１の鏡面（反射面）に照射するレーザ干渉計（以下、ウェハ干渉計という）２２が設けられている。このウェハ干渉計２２は、移動鏡２１の鏡面にレーザ光を照射して得られる反射光と参照光との干渉光を受光することによって、ウェハテーブル２０のＸ方向及びＹ方向の位置、並びに姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転θＸ，θＹ，θＺ）が検出される。
【００２２】
主制御系ＣＴは、ウェハ干渉計２２の検出結果に基づいてウェハ駆動装置２３を介してウェハテーブル２０の位置及び姿勢を制御する。主制御装置ＣＴによるウェハステージＷＳＴの移動制御により、ウェハステージＷＳＴは、図１に示す通り、投影光学系ＰＬの直下の露光位置（投影光学系ＰＬを介したパターンの転写位置）と、本体チャンバＣ１の開口ａ１付近に設定されたウェハＷの受け渡し位置、即ちローディングポジションとの間の移動が可能になっている。
【００２３】
アライメント検出系ＡＳは、投影光学系ＰＬのＹ方向の側面部に配置されている（尚、図１においては図示の都合上、投影光学系ＰＬの＋Ｘ方向側に図示している）。このアライメント検出系ＡＳは、ウェハＷ上に設定された区画領域（以下、ショット領域又はショットという）に付設されたアライメントマーク（ウェハアライメントマーク）を撮像して画像処理を行ってウェハアライメントマークの位置を検出し、その検出結果を主制御系ＣＴに出力する。アライメント検出系ＡＳの光学系の光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行とされている。かかるアライメント検出系ＡＳの詳細な構成は、例えば特開平９−２１９３５４号公報及びこれに対応する米国特許第５，８５９，７０７号等に開示されている。
【００２４】
更に、投影光学系ＰＬの側方には、送光系２４ａ及び受光系２４ｂから構成され、投影光学系ＰＬに関してレチクルＲ上の照明領域と共役なウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハＷの表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出する多点ＡＦセンサ２４が設けられる。多点ＡＦセンサ２４は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置及び姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸周りの回転θＸ，θＹ：レベリング）を検出するものである。主制御系ＣＴは、多点ＡＦセンサ２４の検出結果に基づいて支点１９ａ〜１９ｃの伸縮量を制御してウェハテーブル２０のＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を調整する。
【００２５】
主制御系ＣＴは、以上の説明した制御以外に、ウェハテーブル２０上に形成された不図示の基準部材を用いてベースライン量（投影光学系ＰＬを介した投影像の投影中心と、アライメント検出系ＡＳの計測視野中心との距離）を求める制御を行う。また、アライメント検出系ＡＳでウェハＷ上に形成されたウェハアライメントマークのうちの代表的な数個（３〜９個程度）を計測した結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。
【００２６】
そして、主制御系ＣＴは、上記のＥＧＡ演算で求めたショットの配列座標を上記のベースライン量で補正した配列座標に基づいてウェハ駆動装置２３を介してレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴの相対的な位置合わせを行う。その後で、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとの同期移動を制御するとともに露光光ＥＬの露光量を制御し、更にはＡＦセンサ４１の検出結果に基づいてウェハＷのＺ方向における位置及び姿勢を制御しつつウェハＷを露光する。尚、主制御系ＣＴの詳細な構成については後述する。
【００２７】
また、露光装置ＥＸは、ウェハＷをウェハステージＷＳＴに搬送する搬送系と、その搬送系により搬送されるウェハＷのプリアライメントを行うプリアライメント系とを更に備える。搬送系の一部をなすロードスライダ３４は、ウェハＷを真空吸着又は静電吸着等により保持可能である。このロードスライダ３４は、ウェハＷを保持したまま、後述する搬送機構により、本体チャンバＣ１と搬送チャンバＣ２との間を、開口ａ１，ａ２を通過して、Ｙ方向に移動可能に構成されている。搬送チャンバＣ２内でウェハＷを受け取ったロードスライダ３４は、＋Ｙ方向に移動して、本体チャンバＣ１内のウェハステージＷＳＴのローディングポジションの上方に移動する。そして、ロードスライダ３４からローディングポジションに位置するウェハステージＷＳＴ上にウェハＷのロードが実現される。
【００２８】
図２は、プリアライメント系を含むウェハＷの搬送系の概略構成を示す上面透視図である。図２に示す通り、ウェハＷの搬送系は、フロントオープニングユニファイドポッド（Front Opening Unified Pod：以下、「ＦＯＵＰ」という）３０からウェハＷを取り出すロードロボット３１と、ロードロボット３１からロードスライダ３４へのウェハＷの受け渡しの中継を行い、その中継の間にウェハＷに対するプリアライメントを行うプリアライメントステージ３２と、プリアライメントステージ３２上に搭載されたターンテーブル３３と、前述のロードスライダ３４と、ロードスライダ３４をＹ方向に駆動するＹ駆動機構３５と、露光済みのウェハＷをウェハステージＷＳＴからアンロードするためのアンロードスライダ３６と、アンロードスライダ３６からウェハＷを受け取るアンロードロボット３７とを含んで構成されている。
【００２９】
ＦＯＵＰ３０は、例えば特開平８−２７９５４６号公報に開示された搬送コンテナと同様のものであり、一方の面のみに開口部が設けられ、この開口部を開閉する扉（蓋）を有する開閉型のコンテナ（密閉型のウェハカセット）である。このＦＯＵＰ３０の中には、ウェハＷが複数枚上下方向（Ｚ方向）に所定間隔を隔てて収納されている。このＦＯＵＰ３０は、不図示のＦＯＵＰ搬送装置により、図２に示される位置にセッティングされる。このセッティングにより、搬送チャンバＣ２に配設されたＦＯＵＰ３０用の開口ａ３が上記ＦＯＵＰ３０の開口部と連結される。そして、その開口部の扉が開かれた状態では、開口部及び開口ａ３を介してＦＯＵＰ３０内部のウェハＷを搬送チャンバＣ２内に搬入可能となっている。
【００３０】
ロードロボット３１は、アームの先端にウェハＷを吸着保持して搬送可能な、水平多関節ロボットであり、主に、ＦＯＵＰ３０からプリアライメントステージ３２へのウェハＷの搬送、アンロードロボット３７からの露光済みのウェハの回収を行う。ロードロボット３１の姿勢制御は、主制御系ＣＴの指示の下、ロードロボット３１の関節等に組み込まれた不図示の回転モータ等の駆動により行われる。
【００３１】
プリアライメントステージ３２は、ＸＹ平面内を移動可動なステージである。このプリアライメントステージ３２は、Ｙ方向に関し、ロードスライダ３４へのウェハＷの受け渡しが可能な位置と、ロードロボット３１によるウェハＷの受け渡しが可能な位置との間の移動が少なくとも可能となるように構成されている。プリアライメントステージ３２の制御は、主制御系ＣＴの指示の下、図１に示されるリニアモータ等の駆動機構の駆動により行われる。図２においては、ロードスライダ３４へのウェハＷの受け渡しが可能な位置にプリアライメントステージ３２が配置されている状態を図示している。
【００３２】
ターンテーブル３３は、プリアライメントステージ３２の＋Ｚ側の表面上略中央部に配設されており、上下動可能であってウェハＷを保持してＺ軸に平行な回転軸を中心に自転可能なテーブルである。このターンテーブル３３の＋Ｚ側の端面には、真空吸着或いは静電吸着等により、ウェハＷを吸着保持するための円板状のウェハ吸着保持面が設けられており、ターンテーブル３３の自転により、この吸着保持面に吸着保持されたウェハＷを回転させることが可能である。この回転は、主制御系ＣＴの指示の下、不図示の駆動機構の駆動により行われる。
【００３３】
尚、プリアライメントステージ３２のＸＹ位置、ターンテーブル３３の回転位置及びウェハ吸着保持面（ウェハ）の高さ等に関する情報は、不図示の位置検出センサや、プリアライメントステージ３２、ターンテーブル３３を駆動するモータの駆動量をモニタするセンサ等によって検出され、主制御系ＣＴに送られている。主制御系ＣＴは、その情報に基づいて、プリアライメントステージ３２のＸＹ位置、ターンテーブル３３の位置（回転位置、Ｚ位置）を制御する。
【００３４】
ロードスライダ３４は、図２に示す通り、搬送チャンバＣ２の開口ａ２及び本体チャンバＣ１の開口ａ１を通り、搬送チャンバＣ２側から本体チャンバＣ１側に跨ってＹ方向に延びるＹ駆動機構３５に接続されている。ロードスライダ３４は、主制御系ＣＴの指示の下、Ｙ駆動機構３５の駆動により、搬送チャンバＣ２と本体チャンバＣ１との間をＹ方向に移動（スライド）可能であり、搬送チャンバＣ２に移動してターンテーブル３３上に保持されたウェハＷを受け取り、＋Ｙ側に移動して、ローディングポジション上方にウェハＷを搬送する。
【００３５】
アンロードスライダ３６は、ロードスライダ３４の下方（−Ｚ側）を、Ｙ方向に移動（スライド）可能に構成されている。このアンロードスライダ３６は、露光が終了したウェハＷをウェハステージＷＳＴからアンロードする際に、ウェハＷを保持して上昇したセンタテーブルＣＴからウェハＷを真空吸着等による吸着により受け取って、＋Ｙ側に移動し、ウェハＷの受け渡し位置に移動する。このアンロードスライダ３６の駆動も、主制御系ＣＴの指示の下、不図示の駆動機構の駆動により行われる。
【００３６】
アンロードロボット３７は、その受け渡し位置で、アンロードスライダ３６からウェハＷを受け取り、例えばロードロボット３１にウェハＷを受け渡す水平多関節ロボットである。このアンロードロボット３７の姿勢制御も、主制御系ＣＴの指示の下、アンロードロボット３７の関節等に組み込まれた不図示の回転モータ等の駆動により行われる。
【００３７】
即ち、本実施形態では、ロードロボット３１、ロードスライダ３４、プリアライメントステージ３２（ターンテーブル３３を含む）、Ｙ駆動機構３５、アンロードスライダ３６、アンロードロボット３７等により、ウェハＷの搬送系が構成されている。ウェハＷの搬送系に含まれるこれらの装置の何れかが、ウェハＷの搬送系に含まれる他の装置又はウェハステージＷＳＴにウェハＷを受け渡したとき、及びウェハＷの搬送系に含まれる他の装置又はウェハステージＷＳＴからウェハＷが受け渡されたときには、その旨を示す信号が主制御系ＣＴに出力される。
【００３８】
次に、主制御系ＣＴの構成について説明する。図３は、主制御系ＣＴの概略構成を示すブロック図である。図３に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる主制御系ＣＴは、統括的な制御を行うメインプロセッサ４０と、メインプロセッサ４０の制御の下で前述した露光装置ＥＸに設けられる各種の装置（制御ユニット）を制御するユニットコントローラＵＣとを備えている。ユニットコントローラＵＣは、ステージコントローラ４１、アライメントコントローラ４２、及びウェハローダコントローラ４３等を含んで構成されている。
【００３９】
ステージコントローラ４１はレチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴ等の動作を制御する。具体的には、図１に示すレーザ干渉計１５によって検出されたレチクルステージＲＳＴの位置情報を参照しながらレチクルステージＲＳＴの位置決め動作等を制御する。また、レーザ干渉計２２によって検出されたウェハステージＷＳＴの位置情報を参照しながらウェハステージＷＳＴの位置決め動作等を制御する。
【００４０】
アライメントコントローラ４２は、アライメント検出系ＡＳ、及びレチクルＲの位置を検出するレチクルアライメント検出系ＲＡＳ（図１においては図示を省略している）を制御する。このアライメントコントローラ４２が行う制御は、例えば、アライメント検出系ＡＳが備える送光系２４ａから検知ビームの射出を開始する制御、レチクルアライメント検出系ＲＡＳを所定の計測位置へ移動させる制御、及びこれらの検出系で検出された信号を所定のアルゴリズムに従って処理する制御等である。
【００４１】
また、ウェハローダコントローラ４３は、図２に示すウェハＷの搬送系に含まれるロードロボット３１、プリアライメントステージ３２、ターンテーブル３３、ロードスライダ３４、Ｙ駆動機構３５、アンロードスライダ３６、及びアンロードロボット３７の動作を制御する。これらのユニットコントローラＵＣはメインプロセッサ４０から出力される制御コマンドに応じて各種処理装置を制御する。
【００４２】
以上、ユニットコントローラＵＣを構成する代表的なユニットについて説明したが、ユニットコントローラＵＣは、上記以外にボディコントローラ、レチクルローダコントローラ、Ｉ／Ｏコントローラ、レンズコントローラ、照明ユニットコントローラ、ビーム自己調整コントローラ等を含んで構成される。ボディコントローラは露光装置ＥＸをなす各装置を支持する不図示のコラム等を制御し、レチクルローダコントローラはレチクルＲを搬送するレチクルローダの制御を行う。Ｉ／Ｏコントローラは露光装置ＥＸで扱われる各種信号（各種データ）の入出力を制御し、レンズコントローラは投影光学系ＰＬの光学特性を制御する。更に、照明ユニットコントローラは照明光学系ＩＬＳを制御して露光光の照度、照明領域の大きさ等を制御し、ビーム自己調整コントローラは光源ユニットから射出されるレーザ光（レーザビーム）の出力パワー等を制御する。
【００４３】
以上の構成において、メインプロセッサ４０が、ユニットコントローラＵＣの各々に制御信号を出力し、ユニットコントローラＵＣの各々に対して制御下にある各装置の動作を制御させると、露光装置ＥＸにおいて所期の動作（露光動作等）が実行される。ユニットコントローラＵＣは、メインプロセッサ４０の制御信号に基づいて制御下にある各装置を制御している際に、それらの状態を示すステータス信号をメインプロセッサ４０に対して出力する。ここで、ユニットコントローラＵＣの各々からメインプロセッサ４０に出力されるステータス信号は、例えば以下に示すリセット処理の進捗状況を示す信号、図２に示す搬送系におけるウェハＷの搬送状況を示す信号、ウェハＷを露光する際の進捗状況を示す信号、エラー信号、その他の信号がある。メインプロセッサ４０は、これらのステータス信号を参照しつつ各ユニットコントローラＵＣを制御する。
【００４４】
ここで、リセット処理とは、露光装置ＥＸの立ち上げ時又は定期若しくは不定期のメンテナンス時に行われる露光装置ＥＸの装置状態を初期状態に設定する処理である。このリセット処理は、ユニットコントローラＵＣの各々で行われる個別のリセット処理が全て完了した時点でリセット処理全体が終了する。このリセット処理時において、メインプロセッサ４０は、ユニットコントローラＵＣの各々と通信を行って、ユニットコントローラＵＣの各々におけるリセット処理の進捗状況とリセット処理全体の進捗状況とを把握する。
【００４５】
尚、リセット処理が開始されてから終了するまで（リセット処理全体が完了するまで）の間には、ユニットコントローラＵＣをなす複数のコントローラの個別のリセット処理が並列して行われることもあれば、１つのコントローラのリセット処理のみが行われることもある。また、１つのコントローラで行われるリセット処理が複数の処理からなる場合もある。更に、複数のコントローラが相互に関連して行われることもある。
【００４６】
次に、各露光装置ＥＸに設けられる端末装置Ｔについて説明する。図４は、端末装置Ｔの外観図である。図４に示す通り、端末装置Ｔは、端末本体５１、キーボード５２及びマウス５３、並びに液晶表示装置又はＣＲＴ（Cathode Ray Tube）等のディスプレイ５４を含んで構成される。端末本体５１は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、通信インタフェース部、及びハードディスク（これらについては図示を省略）、並びにＣＤ−ＲＯＭドライブ又はＤＶＤ（登録商標）−ＲＯＭドライブ等のドライブ装置５５を含んで構成される。
【００４７】
端末本体５１に設けられたハードディスクには、例えばドライブ装置５５を介して読み込まれた各種プログラムが記録されている。オペレータがキーボード５２又はマウス５３を操作して指示に応じたプログラムを起動させて所定の処理を実行させると、その実行結果がディスプレイ５４に表示される。本実施形態においては、端末装置Ｔに露光装置ＥＸで行われる各種処理の進捗状況を表示するプログラムが実装されている。このプログラムは、主制御系ＣＴとの間で通信を行って主制御系ＣＴからオペレータの指示に応じた所定の情報を取得して露光装置ＥＸで行われる各種処理の進捗状況を表示する。
【００４８】
端末装置Ｔは、露光処理ＥＸで行われる処理のうち、その処理に関するデータ（進捗状況を算出することができるデータ）が主制御系ＣＴから得られるものであれば、任意の処理について進捗状況を表示することができる。以下では、（１）リセット処理、（２）ウェハ搬送処理、及び（３）露光処理についての進捗状況の表示例について説明する。
【００４９】
（１）リセット処理
露光装置ＥＸに対してリセット処理を行わせるには、オペレータがキーボード５２又はマウス５３を操作し、端末装置Ｔに対して所定の指示を行ってリセット処理用プログラムを起動させる必要がある。オペレータの指示によってリセット処理用プログラムが起動すると、端末装置Ｔには図５に示す表示ウィンドウＷＤ１が表示される。図５は、リセット処理時における端末装置Ｔのディスプレイ５４の表示例を示す図である。図５に示す表示ウィンドウＷＤ１には、リセット処理全体の進捗状況（全体処理進捗状況）を示す表示領域Ｒ１１及びユニットコントローラＵＣをなすコントローラ各々のリセット処理の進捗状況を表示する表示領域Ｒ１２、並びにリセット処理を開始させる「スタート」ボタンＢ１１及びリセット処理を終了させる「終了」ボタンＢ１２が設けられている。
【００５０】
図５に示す例においては、リセット処理全体の進捗状況を示すプログレッシブバー（又は、プログレスバーともいう）が表示領域Ｒ１１に設けられている。また、表示領域Ｒ１２には、ユニットコントローラＵＣをなすコントローラの名称Ｃ１が複数表示されており、コントローラの名称Ｃ１の各々に対応してチェックボックスＣ２とそのコントローラの進捗状況を文字で表示する表示欄Ｃ３とが設けられている。例えば、前述したボディーコントローラの名称Ｃ１として「Body Controller」が表示されており、この表示の画面左側に１つのチェックボックスが設けられており、画面右側に「Not Execute」なる文字列が表示された１つの表示欄Ｃ３が設けられている。尚、リセット処理を開始する前には、全ての表示欄Ｃ３の表示が「Not Execute」になっている。
【００５１】
表示領域Ｒ２に設けられたチェックボックスＣ２は、対応しているコントローラに対してリセット処理を行うか否か及びそ進捗状況を表示するか否かを選択するためものである。オペレータがマウス５３を操作し、チェックが付されていないチェックボックスの表示位置にマウスカーソルを移動させてクリック操作すると、チェックボックスＣ２にチェックを付すことができる。また、チェックが付されているチェックボックスＣ２に対して同様の操作を行うと、チェックを消すことができる。図５に示す例では、７個のチェックボックスＣ２が表示されているが、オペレータはこれらの内の１つ又は複数を選択することができる。
【００５２】
オペレータがマウス５３を操作してチェックボタンＣ２の１つ又は複数を選択した上で、「スタート」ボタンＢ１を押下すると、端末装置Ｔから主制御系ＣＴにリセット処理の開始指令信号が出力されてリセット処理が開始される。尚、ここでは、ウェハローダコントローラ４３とレチクルローダコントローラに対応するチェックボックスにチェックが付されているとする。リセット処理が開始されると、主制御系ＣＴに設けられたメインプロセッサ４０は、ユニットコントローラＵＣに含まれるコントローラの各々に対してリセット処理を開始させる制御信号を出力する。この制御信号を受信すると、ユニットコントローラＵＣに含まれるコントローラ（ウェハローダコントローラ４３とレチクルローダコントローラ）の各々は、個別にリセット処理を開始する。
【００５３】
ユニットコントローラＵＣに設けられたコントローラの各々がリセット処理を行っている間において、メインプロセッサ４０は一定の時間間隔でコントローラの各々に対して問い合わせ信号を出力する。この問い合わせ信号を受信すると、ユニットコントローラＵＣに設けられたコントローラの各々は、メインプロセッサ４０に対してステータス信号を出力する。ステータス信号を受信したメインプロセッサ４０は各々のコントローラにおけるリセット処理の進捗状況を算出するとともに、リセット処理全体の進捗状況を算出する。尚、リセット処理全体の進捗状況は、例えばユニットコントローラＵＣの設計上リセット処理に要する時間を１００％とし、又は露光装置ＥＸの立ち上げ時に実際にリセット処理を実行させた時に要した時間を１００％とし、この時間に対する経過時間の割合で算出しても良い。
【００５４】
算出されたリセット処理全体の進捗状況は表示領域Ｒ１１にプログレッシブバーで表示され、各コントローラの個別の進捗状況は表示欄Ｃ３の各々に文字列で表示される。図５に示す例では、リセット処理の全体が終了すると表示領域Ｒ１１に表示されたプログレッシブバーの表示が１００％になり、各コントローラのリセット処理が終了すると、そのコントローラに対応してリセット処理表示領域Ｒ１２に設けられた表示欄Ｃ３の表示が「Completed」になる。ここで、リセット処理中における表示欄Ｃ３の文字列はそのコントローラにおけるリセット処理の実施率（パーセント表示）で表示しても良く、オペレータに対してそのコントローラの状態を知らせる文字列（例えば、ウェハローダコントローラ４３の場合には、現在どの部位の初期化を行っているかを示す文字列）で表示しても良い。
【００５５】
以上の通り、本実施形態では、オペレータが複数のチェックボックスＣ２を選択することで、複数のコントローラで個別に行われるリセット処理の進捗状況が表示欄Ｃ３の各々に別々に同時に表示されるとともに、リセット処理全体の進捗状況とが表示される。これにより、オペレータはリセット処理の進捗状況を容易に把握することができる。また、これらの表示は１つの表示ウィンドウＷＤ１内に表示されるため、オペレータはリセット処理の進捗状況の把握が更に容易になる。
【００５６】
更に、表示領域Ｒ１１に表示されているプログレッシブバーからリセット処理の全体が完了するまでに要する時間を予測することができるため、例えば残りの時間に応じて他の作業を行うか否かの判断を行うことができる。また更に、表示領域Ｒ１２の表示から、例えばリセット処理にエラーが生じたときにその原因となったコントローラ（ユニット）を表示領域Ｒ１２の表示から容易に特定することができる。
【００５７】
尚、図５に示す例では、リセット処理全体の進捗状況をプログレッシブバーで表示し、各コントローラにおけるリセット処理の進捗状況を文字列で表示していたが、これらは文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示で行っても良い。例えば、図６に示す通り、各コントローラ（ユニット）におけるリセット処理を棒グラフで表示しても良い。図６は、表示ウィンドウＷＤ１に設けられた表示領域Ｒ１２の他の表示例を示す図である。
【００５８】
図６に示す例では、各コントローラ（ユニット）の進捗状況が、符号Ａ０を付した部分から符号Ａ１を付した部分までの棒グラフとして表示されている。また、１つのコントローラにおいても複数の処理が行われてリセット処理が行われる場合には、各々の処理毎の進捗状況を階層的に表示しても良い。図６に示す例では、Ｕｎｉｔ４なる表示がなされているコントローラに対して階層表示がなされている。この例では、そのコントローラ内において行われる処理の進捗状況が、符号Ｂ０を付した部分から符号Ｂ１を付した部分までの矢印の長さで表示されている。以上の表示を行うと、オペレータが各コントローラにおけるリセット処理の進捗状況を直感的に即座に把握することができる。
【００５９】
（２）ウェハ搬送処理
露光装置ＥＸの搬送系によるウェハＷの搬送処理は、所定枚数のウェハＷを収納するＦＯＵＰ３０が図２に示す位置にセッティングされた後で、オペレータが端末装置Ｔを操作してウェハＷの露光処理を開始させる指示、又はウェハＷの搬送を開始させる指示を行うと開始される。尚、ここでは、ＦＯＵＰ３０に１ロット分のウェハ（２５枚）が収納されているとする。オペレータによる指示がなされると、その旨を示す信号が端末装置Ｔから主制御系ＣＴに出力される。これにより、主制御系ＣＴからウェハローダコントローラ４３に制御信号が出力されて搬送処理が開始される。
【００６０】
主制御系ＣＴからウェハローダコントローラ４３に制御信号が出力されると、ロードロボット３１はＦＯＵＰ３０から１枚のウェハＷを取り出し、そのウェハＷをプリアライメントステージ３２の上方に位置させる。次に、ターンテーブル３３が上昇して＋Ｚ方向に移動すると、ターンテーブル３３によってウェハＷの底面が保持された状態になる。この状態でターンテーブル３３が更に上昇するか又はロードロボット３１が下降することにより、ロードロボット３１からターンテーブル３３へウェハＷが受け渡される。尚、この時点においては、ロードスライダ３４及びアンロードスライダ３６は所定の待機位置に位置しているものとする。ロードロボット３１は、ウェハＷをターンテーブル３３に受け渡した後、−Ｙ側に退避する。
【００６１】
ウェハＷがターンテーブル３３上に保持されると、プリアライメントステージ３２がターンテーブル３３及び保持されたウェハＷを所定の角速度で回転させ、ラインセンサ等のセンサを用いてウェハＷのノッチ（又はオリエンテーションフラット）を検出する。主制御系ＣＴは、この検出結果に基づいて、ウェハＷの回転量θ１と、ターンテーブル３３の中心に対するウェハＷの中心のＸＹ２次元方向の偏心量（ΔＸ１，ΔＹ１）とを検出する。尚、このウェハＷの回転量θ１とウェハＷの中心位置の偏心量（ΔＸ１，ΔＹ１）の求め方は、例えば特開平１０−１２７０９号公報に開示されているので詳細な説明を省略する。尚、この工程は、ウェハＷの回転及び位置をラフに調整する「プリ１計測工程」とも呼ばれる。
【００６２】
次に、プリアライメントステージ３２は、検出したウェハＷの回転量θ１とウェハＷの中心位置の偏心量（ΔＸ１，ΔＹ１）とがキャンセルされるように、ウェハＷの位置調整を行う。回転量 θ１は、ターンテーブル３３を回転させることにより調整し、偏心量（ΔＸ１，ΔＹ１）は、プリアライメントステージ３２をＸ方向、Ｙ方向に駆動することにより調整する。この回転調整と偏心調整の順序としては、偏心調整を先に行い、偏心調整後に回転調整を行うのが望ましい。即ち、プリアライメントステージ３２のＸＹ移動後に、プリアライメントステージ３２が一旦停止し、その後で、ターンテーブル３３の回転動作を行なうのが望ましい。
【００６３】
次いで、主制御系ＣＴは、プリアライメントステージ３２を＋Ｙ方向に所定距離（一定距離）だけ移動させる。これにより、ウェハＷの位置を高い精度で調整する不図示のプリアライメント装置による計測が可能な位置にウェハＷが位置するようになる。不図示のプリアライメント装置は、ウェハＷのエッジの少なくとも３箇所を撮像し、撮像結果を主制御系ＣＴに出力する。主制御系ＣＴは、送られてきた撮像結果から、ウェハＷの回転量θ２を求める。そして、求められた回転量θ２がキャンセルされるように、ターンテーブル３３を回転し、ウェハＷの向きを所望の向きにファイン回転調整する。尚、工程を「プリ２計測工程」と呼ぶものとする。
【００６４】
次に、ウェハＷはターンテーブル３３からロードスライダ３４に受け渡される。この受け渡しは、退避位置にあったロードスライダ３４が、Ｙ駆動機構３５の駆動により−Ｙ方向に進み、ターンテーブル３３上に保持されたウェハＷに干渉することなく通過して、その指部がウェハＷを保持することが可能な位置まで進入した後、ターンテーブル３３が下降することにより実現される。ここで、ウェハＷがロードスライダ３４に保持された後で、上記のプリ２計測工程で用いた不図示のプリアライメント装置により、ロードスライダ３４上に保持されたウェハＷのウェハ座標系における位置情報（中心位置座標（ＸＣ，ＹＣ）及び回転量θＣ）を求めるのが望ましい。
【００６５】
次に、主制御系ＣＴは、ウェハＷを保持したロードスライダ３４を所定距離（一定距離）だけ＋Ｙ方向に移動させてローディングポジションに位置させる。このときのウェハステージＷＳＴの停止位置は、上記プリ２計測工程において検出されたウェハＷの位置情報（ロードスライダ３４上に保持されたウェハＷの位置情報の方が望ましい）に基づいて算出された位置ずれ量だけ、設計上のローディングポジションからずれた位置とする。
【００６６】
ここで、不図示のマーク検出系を用いてロードスライダ３４の位置情報（位置及び回転量）を検出する「プリ３計測工程」を設けるのが望ましい。そして、上記のプリ２計測工程で検出されたウェハＷの位置情報（更には、上記のプリ３計測工程の検出結果）に基づいて、ウェハステージＷＳＴ上において推定されるウェハＷのロード位置を求め、実際のロード位置との位置ずれを算出しておく。そして、ロードスライダ３４からウェハステージＷＳＴ上にウェハＷを受け渡し、その後でロードスライダ３４を所定の待機位置に待避させる。以上の動作により、新たなウェハＷがウェハステージＷＳＴ上に保持される。
【００６７】
ウェハステージＷＳＴ上のウェハＷ（露光済みのウェハ）がある場合には、そのウェハＷのアンロードは、上記のロードスライダ３４によるウェハＷのロードと並行して行われる。つまり、主制御系ＣＴは、ウェハステージＷＳＴがローディングポジションに配置されているときにアンロードスライダ３６をローディングポジションに配置し、ロードスライダ３４からウェハステージＷＳＴに新たなウェハＷがロードされる前に、露光済みのウェハＷをウェハステージＷＳＴからアンロードスライダ３６に受け渡す制御を行う。
【００６８】
露光済みのウェハＷがウェハステージＷＳＴからアンロードスライダ３６に受け渡されると、アンロードスライダ３６はＹ駆動機構３５の駆動により−Ｙ方向に進み、ウェハＷをアンロードロボット３７に受け渡すための受け渡し位置に移動する。移動が完了すると、ウェハＷはアンロードスライダ３６からアンロードロボット３７に受け渡される。アンロードロボット３７に受け渡されたウェハＷは、アンロードロボット３７からロードロボット３１に受け渡され、ロードロボット３１によってＦＯＵＰ３０に戻されるか、或いは不図示の搬送系に受け渡され、インラインに接続された不図示のコータ・デベロッパ（以下、「Ｃ／Ｄ」と略述する）に搬送される。
【００６９】
以上説明した搬送処理が行われている間に、ウェハＷの搬送系においてウェハＷの受け渡しが行われると、その旨を示す信号がウェハローダコントローラ４３から主制御系ＣＴに出力される。この信号は端末装置Ｔからの要求があると主制御系ＣＴから端末装置Ｔに出力され、端末装置Ｔはこの信号に基づいて搬送処理の進捗状況をディスプレイ５４に表示する。
【００７０】
図７は、搬送処理時における端末装置Ｔのディスプレイ５４の表示例を示す図である。図７に示す表示ウィンドウＷＤ２には、搬送処理全体の進捗状況（全体処理進捗状況）を示す表示領域Ｒ２１及び搬送系をなす装置各々の搬送処理の進捗状況（部分処理進捗状況）を表示する表示領域Ｒ２２、並びにウェハローダコントローラ４３等から出力される各種メッセージ（搬送系の状態を示す情報）を表示する表示領域Ｒ２３が設けられている。
【００７１】
図７に示す例においては、搬送処理全体の進捗状況を示すプログレッシブバーが表示領域Ｒ２１に設けられている。このプログレッシブバーは、１ロット分（２５枚）のウェハＷの搬送処理が完了すると１００％になるものである。また、表示領域Ｒ２２には、搬送系を構成する各装置が模式的に表示されている。図７に示す通り、ＦＯＵＰ３０、ロードロボット３１、プリアライメントステージ３２、ロードスライダ３４、ウェハステージＷＳＴ、アンロードスライダ３６、及びアンロードロボット３７が、ブロックＰ０〜Ｐ６として模式的に表示されている。また、前述したインライン接続された不図示のコータ・デベロッパへ搬送するウェハＷを一時的に載置するテーブル（図示省略）と、コータ・デベロッパからのウェハＷを一時的にを載置するテーブル（図示省略）とがブロックＰ７，Ｐ８としてそれぞれ模式的に表示されている。
【００７２】
ＦＯＵＰ３０を表すブロックＰ０にはＦＯＵＰ３０に最初に収納されていたウェハＷの枚数（又は、収納可能なウェハＷの最大枚数）と、ＦＯＵＰ３０に現在収納されているウェハＷの残り数とを表示する表示部位ｄ０が設けられている。また、他のブロックＰ１〜Ｐ８にはＰＯＵＰ３０に収納されていたウェハＷのうちの搬送処理を行っているウェハＷのウェハ番号を表示する表示部位ｄ１〜ｄ８がそれぞれ設けられている。
【００７３】
図７においては、ＦＯＵＰ３０を示すブロックＰ０の表示部位ｄ０にウェハＷの残り枚数が０である旨の表示「０／２５」が表示され、また、プリアライメントステージ３２を表すブロックＰ２の表示部位ｄ２にウェハ番号「２０」が表示され、ウェハステージＷＳＴを表すブロックＰ４の表示部位ｄ４にウェハ番号「１９」が表示され、アンロードロボット３７を表すブロックＰ６の表示部位ｄ６にウェハ番号「１８」が表示されている場合を例示している。かかる表示から、その時点においては、全てのウェハＷがＦＯＵＰ３０から搬出され、第１８番目のウェハＷがアンロードロボット３７に搬送され、第１９番目のウェハＷのウェハステージＷＳＴ上に保持され、第２０番目のウェハＷがプリアライメントステージ３０上に配置されていることが直感的に分かる。尚、各ブロックＰ０〜Ｐ９に設けられた表示部位ｄ０〜ｄ８の表示は、ウェハＷの搬送処理の進捗に合わせて変化する。
【００７４】
以上の通り、本実施形態では、１ロット分全体の搬送処理の進捗状況が表示領域Ｒ２１に表示されるとともに、搬送系をなす装置の各々が何番目のウェハＷを搬送しているかを示す進捗状況が表示領域Ｒ２２に表示される。これにより、オペレータは搬送処理の進捗状況を容易に把握することができる。また、これらの表示は１つの表示ウィンドウＷＤ２内に表示されるため、オペレータは搬送処理の進捗状況の把握が更に容易になる。
【００７５】
尚、図５に示す例では、搬送処理全体の進捗状況をプログレッシブバーで表示し、搬送系をなす装置の各々をブロックＰ０〜Ｐ８で表示していたが、搬送処理全体の進捗状況は、文字表示、グラフ表示、及びイラスト表示で行っても良い。また、表示領域Ｒ２２には、搬送系をなす各装置をブロックＰ０〜Ｐ８で示してどの装置に何番目のウェハＷが搬送されているかを表示していたが、ウェハＷ各々の搬送状況を表示してもよい。
【００７６】
図８は、表示ウィンドウＷＤ２に設けられた表示領域Ｒ２２の他の表示例を示す図である。図８に示す通り、画面縦方向には、ウェハＷのウェハ番号が順次表示されており、その右側にはウェハＷ毎の搬送の進捗状況がプログレッシブバーで表示されている。ＦＯＵＰ３０から取り出されていないウェハＷ（図８に示す例ではウェハ番号「１１」〜「２５」）については進捗状況が０％であり、搬送が完了したウェハＷ（図８に示す例ではウェハ番号「１」〜「６」）については進捗状況が１００％になる。搬送途中のウェハＷ（図８に示す例ではウェハ番号「８」〜「１０」）については、進捗状況に応じた表示がなされる。図８に示す表示を行うことで、各ウェハＷの搬送状況を直感的に把握することができる。
【００７７】
（３）露光処理
上記の（２）で説明した搬送処理において、新たなウェハＷがウェハステージＷＳＴ上に保持されると、そのウェハＷに対する露光処理が開始される。露光処理が開始されると、主制御系ＷＳＴは、ウェハＷを保持したウェハステージＷＳＴをアライメント検出系ＡＳの下方に移動させる。移動が完了すると、まずアライメント検出系ＡＳを用いてウェハＷに形成されたサーチマークが観察され、これにより所謂サーチアライメントが実行される。尚、このサーチアライメントの詳細については、例えば特開平２−２７２３０５号公報及びこれに対応する米国特許第５，１５１，７５０号等に詳細に開示されている方法と同様な方法を用いることができる。
【００７８】
サーチアライメントが終了すると、アライメント検出系ＡＳでウェハＷ上に形成されたウェハアライメントマークのうちの代表的な数個（３〜９個程度）が観察され、これにより所謂ファインアライメントが実行される。このファインアライメントでは、主制御系ＣＴが、数個のウェハアライメントマークの計測結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。
【００７９】
そして、主制御系ＣＴは、上記のＥＧＡ演算で求めたショットの配列座標を予め計測したベースライン量で補正した配列座標に基づいてウェハ駆動装置２３を介してレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴの相対的な位置合わせを行う。その後で、レチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとの同期移動を制御するとともに露光光ＥＬの露光量を制御し、更にはＡＦセンサ４１の検出結果に基づいてウェハＷのＺ方向における位置及び姿勢を制御しつつウェハＷを露光する。ウェハＷには複数のショット領域が設定されているが、これらショット領域の全てに対してレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴとを同期させつつ露光を行う。
【００８０】
ウェハＷ上の全てのショット領域に対する露光が終了すると、上記（２）で説明した通り、露光されたウェハＷがアンロードスライダ３６により搬出され、これとともにロードスライダ３４により新たなウェハＷがウェハステージＷＳＴ上に搬入される。そして、新たなウェハＷに対しても同様に露光処理が行われる。尚、１ロットのウェハＷ対する露光処理が開始される前に、不図示のレチクルライブラリから所定のレチクルＲがレチクルステージＲＳＴ上に搬送されてウェハステージＷＳＴに対するレチクルＲの相対的な位置合わせが行われる。また、これとともに、アライメント検出系ＡＳを用いてベースライン量の計測が行われる。
【００８１】
図９は、露光処理時における端末装置Ｔのディスプレイ５４の表示例を示す図である。図９に示す表示ウィンドウＷＤ３には、露光処理全体の進捗状況（全体処理進捗状況）を示す表示領域Ｒ３１及び露光処理に含まれる個々の処理の進捗状況（部分処理進捗状況）を表示する表示領域Ｒ３２、並びに露光を行っているショット領域の位置情報、露光条件等の各種情報を表示する表示領域Ｒ３３が設けられている。ここで、露光処理とは、狭義にはウェハステージＷＳＴ上に保持されたウェハＷを露光する処理をいうが、広義にはレチクルＲ及びウェハＷの搬送及びアライメント、ベースラインチェック、アライメントマークの計測等の露光に先立って又は露光の後に行われる各種処理（予備処理）が含まれる。図９に示す表示ウィンドウＷＤ３には、露光処理（狭義）及び予備処理の進捗状況が表示されている。
【００８２】
図９に示す例においては、露光処理と予備処理とを含めた広義の露光処理全体の進捗状況を示すプログレッシブバーが表示領域Ｒ３１に設けられている。このプログレッシブバーは、１枚のウェハＷに対する露光処理（予備処理含む）が終了すると１００％になるものである。また、表示領域Ｒ３２には、ウェハＷの外径形状とショット領域とを模式的に示したウェハマップが表示される表示部位Ｅ０と、レチクルＲに関して行われる予備処理の実行状況を表示する表示部位Ｅ１と、ウェハＷに関して行われる予備処理及び露光処理又は計測処理の実行状況を表示する表示部位Ｅ２とが設けられている。
【００８３】
表示部位ＥＯには、ウェハＷ上に設定されたショット領域が模式的に示されており、各々のショット領域にはショット番号が付されている。この表示部位Ｅ０に表示されたショット領域のうち、露光光ＥＬが実際に照射されるショット領域に対応する部分が点灯する。また、表示部位Ｅ１には、レチクルＲの搬送が行われている最中に点灯する点灯部ｆ１、レチクルＲのアライメントが行われている最中に点灯する点灯部ｆ２、及びベースラインチェックが行われている最中に点灯する点灯部ｆ３が設けられている。表示部Ｅ３には、ウェハＷの搬送が行われている最中に点灯する点灯部ｆ４、ウェハＷのアライメントが行われている最中に点灯する点灯部ｆ５、及び露光又は計測（例えば、照度計測等）が行われている最中に点灯する点灯部ｆ６が設けられている。
【００８４】
従って、１つのロットに対する露光処理が行われると、前述した通り、レチクルＲの搬送、アライメント、及びベースラインチェックが順次行われる訳であるが、これらの処理が実際に行われると、表示部位Ｅ１の点灯部ｆ１，ｆ２，ｆ３が順次点灯する。また、ＦＯＵＰ３０からウェハＷが取り出されて搬送されると、表示部位Ｅ２の点灯部ｆ４が点灯し、ウェハステージＷＳＴに搬送されたウェハＷに対するアライメントが行われると表示部位Ｅ２の点灯部ｆ５が点灯する。そして、ウェハＷに対する露光処理が開始されると、表示部位Ｅ２の点灯部ｆ６が点灯するとともに、露光光ＥＬが照射されたショット領域が順次点灯することになる。尚、点灯部ｆ１〜ｆ６は処理が終了すると消灯するが、表示部位Ｅ１に表示されたショット領域のうち、露光されたショット領域はウェハＷが搬出されるまで点灯し続ける。
【００８５】
以上の通り、本実施形態では、予備処理を含めた露光処理全体の搬送処理の進捗状況が表示領域Ｒ３１に表示されるとともに、予備処理及び露光処理（狭義）の進捗状況が表示領域Ｒ３２に表示される。これにより、オペレータは露光処理の進捗状況を容易に把握することができる。また、これらの表示は１つの表示ウィンドウＷＤ３内に表示されるため、オペレータは露光処理の進捗状況の把握が更に容易になる。
【００８６】
尚、図９に示す例では、予備処理を含めた露光処理全体の搬送処理の進捗状況をプログレッシブバーで表示し、予備処理及び露光処理（狭義）の各々の処理状況を表示領域Ｒ３２に表示していたが、狭義の露光処理の進捗状況を表示領域Ｒ３１のプログレッシブバーで表示し、ショット領域個々の露光処理状況を表示部位Ｅ０に表示しても良い。かかる表示を行う場合には、ショット領域が露光される度に表示領域Ｒ３１のプログレッシブバーが延び、全てのショット領域の露光が終了すると進捗状況は１００％になる。ショット領域個々の露光処理状況の表示としては、例えば露光光ＥＬが照射されている時間（積算露光量）に応じて、ショット領域の輝度を高くする表示が考えられる。
【００８７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、露光装置ＥＸで行われる処理の進捗状況を表示する場合を例に挙げて説明したが、本発明は、露光装置以外の基板処理装置で行われる処理の進捗状況を表示する場合にも適用することができる。ここで、露光装置以外の基板処理装置としては、例えば基板に形成された回路を検査する検査装置、基板に形成されたパターンを評価する評価装置、及び基板に形成された回路の修復（リペア）を行うリペア装置が挙げられる。
【００８８】
また、端末装置Ｔに設けられたディスプレイ５４に対する前述した各表示は、上記の例に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更することができる。例えば、前述したリセット処理の進捗状況を表示する場合には、図５の表示領域Ｒ１２に設けられた表示欄Ｃ３に表示させる文字は、コントローラのステータスに応じて色分け表示しても良い。また、図７に示す表示領域Ｒ２２に表示されたブロックＰ１〜Ｐ８の表示部位ｄ０〜ｄ８は、ウェハＷが存在する場合には、例えば緑色表示し、ウェハＷが存在しない場合には白色表示する等の色分け表示を行っても良い。また、図９に示す表示領域Ｒ３２における表示も適当に色分け表示しても良い。
【００８９】
また、上記実施形態における露光装置ＥＸは、国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置であってもよく、液浸法を用いない露光装置であってもよい。液浸法を用いる露光装置は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置であっても良い。
【００９０】
また、上記の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体ウェハ上へ転写する露光装置、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等の何れであっても良い。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハ等に回路パターンを転写する露光装置であっても良い。
【００９１】
次に、マイクロデバイスの製造方法について説明する。図１０は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。図１０に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【００９２】
次に、ステップＳ１３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００９３】
図１１は、半導体デバイスの場合における、図１０のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。図１１において、ステップＳ２１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００９４】
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の一実施形態が適用される露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】プリアライメント系を含むウェハＷの搬送系の概略構成を示す上面透視図である。
【図３】主制御系ＣＴの概略構成を示すブロック図である。
【図４】端末装置Ｔの外観図である。
【図５】リセット処理時における端末装置Ｔのディスプレイ５４の表示例を示す図である。
【図６】表示ウィンドウＷＤ１に設けられた表示領域Ｒ１２の他の表示例を示す図である。
【図７】搬送処理時における端末装置Ｔのディスプレイ５４の表示例を示す図である。
【図８】表示ウィンドウＷＤ２に設けられた表示領域Ｒ２２の他の表示例を示す図である。
【図９】露光処理時における端末装置Ｔのディスプレイ５４の表示例を示す図である。
【図１０】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１１】半導体デバイスの場合における、図１０のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００９６】
３１    ロードロボット（搬送ユニット）
３２    プリアライメントステージ（搬送ユニット）
３４    ロードスライダ（搬送ユニット）
３５    Ｙ駆動機構（搬送ユニット）
３６    アンロードスライダ（搬送ユニット）
３７    アンロードロボット（搬送ユニット）
５４    ディスプレイ（表示装置）
ＥＸ    露光装置（基板処理装置）
Ｒ      レチクル（マスク）
Ｔ      端末装置（状況表示装置）
Ｗ      ウェハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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