(57)【要約】【課題】特性不良電子源の排除に伴う正常電子源の排除を阻止する。【解決手段】映像信号配線８を直線状部８０と隣接する映像信号配線８側に突出した複数の突出部８１の構成とし、この突出部８１に電子源１０を備えた構成とした。【選択図】図２
2007287426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された溝内にそれぞれ配置された第１の信号配線と、前記他方向に延在し前記第１の信号配線に交差する如く前記一方向に並設された第２の信号配線と、この第２の信号配線と前記第１の信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記第１の信号配線と前記第２の信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源の上部に配置された上部電極とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極とを備えた前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び前記背面基板間に配置された封着部材とを備えた画像表示装置であって、
前記第２の信号配線は隣接する第２の信号配線方向に突出した複数の突出部を備え、この突出部に前記電子源を配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記突出部を前記第１の信号配線相互間に設けたことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記第１の信号配線は走査信号配線であり、第２の信号配線は映像信号配線であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された溝内にそれぞれ配置された第１の信号配線と、前記他方向に延在し前記第１の信号配線に交差する如く前記一方向に並設された第２の信号配線と、この第２の信号配線と前記第１の信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記第１の信号配線と前記第２の信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源の上部に配置された上部電極とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層と、前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速電圧を印加するための陽極とを備えた前面基板と、
前記前面基板と前記背面基板間に配置され前記両基板を所定の間隔に保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び前記背面基板間に配置された封着部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記第２の信号配線は隣接する第２の信号配線方向に突出した複数の突出部に前記電子源となる薄肉部を備えており、この薄肉部を陽極酸化処理した後、この薄肉部から前記第１の信号配線上に亘って前記上部電極を連続して形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記上部電極の形成を、前記薄肉部から前記第１の信号配線上に亘って連続した開口を有するマスクを介して蒸着により行うことを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の信号配線は走査信号配線であり、第２の信号配線は映像信号配線であることを特徴とする請求項４又は５に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）として、例えば特許文献１をはじめ多くの先行文献が開示されている。
【０００３】
自発光型ＦＰＤは、電子源として電子放出素子を備えた背面パネルと、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を印加する陽極を備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の真空状態に封止する枠体とで構成される表示パネルを有する。
この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。
【０００４】
又、個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００５】
前記背面パネルは絶縁材の背面基板を有し、この背面基板上には一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線を備えている。
又、この背面基板上には、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線を備えている。
更に、走査信号配線と画像信号配線の各交差部付近に上記の電子源が設けられ、この電子源と走査信号配線とは給電電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される。
【０００６】
特許文献２ではガラス基板の上面に溝を設け、この溝内に積層膜からなる配線を形成する構成が開示されている。
【０００７】
又、前記背面パネルと前面パネルの間隔は前記枠体に加えて隔壁（スペーサ）と称する部材で所定間隔に保持される。このスペーサはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【特許文献１】特開２００４−３６３０７５号公報
【特許文献２】特開平５―２８３８４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図２１及び図２２は特許文献１に開示された先行発明の電子源の一例を説明する図で、図２１（ａ）は平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図２１（ｃ）は図２１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図２２は図２１の要部拡大図である。この電子源はＭＩＭ電子源である。
図２１及び図２２において、ＳＵＢ１は背面基板、ＤＥＤは下部電極（映像信号配線）、ＩＮＳ１は保護絶縁層、ＩＮＳ２は絶縁層、ＩＮＳ３は層間絶縁膜、ＡＥＤは上部電極、Ｓは走査信号配線（上部バス電極）、ＥＬＳは電子源であり、この電子源ＥＬＳは前記下部電極ＤＥＤ上の線幅の略中央に配置されている。又、前記層間絶縁膜ＩＮＳ３としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜、シリコンなどを用いることができる。
この層間絶縁膜ＩＮＳ３は、例えば陽極酸化で形成する保護絶縁層ＩＮＳ１にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極ＤＥＤと走査信号配線となるバス電極Ｓ（金属膜下層ＭＤＬと金属膜上層ＭＡＬの間に金属膜中間層ＭＭＬとしてＣｕを挟んだ３層の積層膜）間の絶縁を保つ役割を果たしている。この上部バス電極Ｓは、上記の３層積層膜とは限らず、それ以上や以下とすることもできるが、詳細は特許文献１等に開示されている。
この走査信号配線となる上部バス電極Ｓは、前記電子源ＥＬＳと導通する側のエッジＥＧ１と非導通側となるエッジＥＧ２との形状が異なり、厚さ方向の断面形状が中心軸の左右で非対称形状となっている。
導通側のエッジＥＧ１は前記金属膜下層ＭＤＬがテーパーエッチングによってテーパー形状を呈し，反対側の非道通側エッジＥＧ２は前記金属膜下層ＭＤＬがアンダーエッチングで凹み、前記金属膜中間層ＭＭＬが庇状を呈する形状となっている。
このエッジ形状の差により、導通側エッジＥＧ１では前記上部電極ＡＥＤが上部バス電極Ｓから電子源ＥＬＳ１まで連続して形成されるのに対し、非導通側エッジＥＧ２部分では前記上部電極ＡＥＤが庇部分で分断され、隣接する電子源ＥＬＳ２と非導通とする素子分離の構成となっている。
【０００９】
この様な構成では、導通側エッジＥＧ１と非道通側エッジＥＧ２とで、片方が素子分離用のアンダーエッチング、他方がコンタクト用のテーパーエッチングと複雑な作成方法となっている。
又、上部電極ＡＥＤの膜厚は数ｎｍであり、電子源との導通を確保するには導通側エッジＥＧ１を緩やかなテーパー状にエッチング加工する非常に困難なプロセスを必要とし、庇部分の形状の確保と合わせ、素子分離に支障を来たす恐れもあった。
【００１０】
又、前記庇部分の有無に係わらず、非導通側エッジＥＧ２部分近傍にレーザビームを照射し、該部分で前記上部電極ＡＥＤを切断し、素子分離する構成が別途提案されているが、工程数の増加と設備投資の増大の点で更なる改良が望まれている。
【００１１】
更に、前述のような構成では電子源が前記下部電極ＤＥＤ上の線幅の略中央に配置されているため、個々の電子源に不良が発生した場合、不良電子源を切断除去すると、その配線上の全ての電子源が動作不能となって蛍光面上に線欠陥不良が発生し、表示装置自体が不良となる問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、上述した問題を解決し、製造歩留まりの向上と素子分離の信頼性の確保、更には製造工程の短縮を可能とし、表示特性の優れた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された溝内にそれぞれ配置された第１の信号配線と、前記他方向に延在し前記第１の信号配線に交差する如く前記一方向に並設された第２の信号配線と、この第２の信号配線と前記第１の信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記第１の信号配線と前記第２の信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源の上部に配置された上部電極とを備えてなる画像表示装置において、前記第２の信号配線は隣接する第２の信号配線方向に突出した複数の突出部を備え、この突出部に前記電子源を配置したことを特徴とする。
又本発明は、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された溝内にそれぞれ配置された第１の信号配線と、前記他方向に延在し前記第１の信号配線に交差する如く前記一方向に並設された第２の信号配線と、この第２の信号配線と前記第１の信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記第１の信号配線と前記第２の信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源と、この電子源の上部に配置された上部電極とを備えてなる画像表示装置の製造において、前記第２の信号配線は隣接する第２の信号配線方向に突出した複数の突出部に前記電子源となる薄肉部を備えており、この薄肉部を陽極酸化処理した後、この薄肉部から前記第１の信号配線上に亘って前記上部電極を連続して形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
電子源をそれぞれ突出部に配置したことにより、例え個々の電子源に不良が発生しても、当該不良の電子源の配置された突出部のみを切断すれば良く、残部の良品の電子源にはなんら悪影響を及ぼすことはない。従って、製造歩留まりの向上が図れると共に、表示特性の優れた画像表示装置を実現できる。
又、従来の如く片方が素子分離用のアンダーエッチング、他方がコンタクト用のテーパーエッチングのような複雑な製造方法を必要とせず、簡易な製造方法の下で素子分離の信頼性の確保が可能となり、表示特性の優れた画像表示装置を実現できる。
更に、素子分離にレーザビーム使用を必須とせず、製造工程の短縮、設備投資の削減等が図れる。
更に又、上部電極蒸着時に特定形状のマスクを用いることで電気的接続の信頼性の確保が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１乃至図３は、本発明による画像表示装置の実施例の構成を説明する模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１（ｂ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図、図３（ａ）は図２の一部拡大平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の断面図である。
図１乃至図３において、参照符号１は背面基板、２は前面基板、３は枠体、４は排気管、５は封着部材、６は表示領域、７は貫通孔、８は映像信号配線、９は走査信号配線、１０は電子源、１１は長溝、１２はスペーサ、１３は接着部材、１４は上部電極、１５は蛍光体層、１６は遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、１７は金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）である。
参照符号１で示す背面基板と前面基板２は厚さ数ｍｍ、例えば１〜１０ｍｍ程度のガラス板から構成されている。
これら両基板１、２は略矩形状を呈し、かつ前面基板２が背面基板１より小形の構成となっている。
３は枠状を呈する枠体で、この枠体３は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板１、２間に介挿されている。
この枠体３は、前記両基板１、２間の周縁部に介挿され、両端面を両基板１、２と気密接合されている。この枠体３の厚さは数ｍｍ〜数十ｍｍ、その高さは両基板１、２間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。
４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。
５は封着部材で、この封着部材５は例えば低融点フリットガラス、例えばＰｂＯ：７５〜８０ｗｔ％、Ｂ２  Ｏ３  ：約１０ｗｔ％、その他：１０〜１５ｗｔ％等の組成からなり、かつ非晶質タイプのフリットガラスを含むガラス材料からなるもの等が知られており、前記枠体３と両基板１、２間を接合して気密封着している。
【００１７】
前記枠体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた空間の表示領域６は前記排気管４を介して排気され、例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒの真空度を保持している。又、前記排気管４は前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられ、この背面基板１を貫通して穿設された貫通孔７に連通しており、排気完了後前記排気管４は封止される。
【００１８】
参照符号８で示す映像信号配線は走査信号配線９の上側で前記背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。この映像信号配線８は後述するような金属材料を用いて被着形成されている。
【００１９】
この映像信号配線８は、前記一方向（Ｙ方向）に延在する直線状部８０と、この直線状部８０から隣接する映像信号配線８側方向に突出した複数個の突出部８１とを有し、この突出部８１に電子源１０を備えている。この突出部８１は表示領域６内の前記走査信号配線９相互間にそれぞれ配置されている。
【００２０】
又、この映像信号配線８の直線状部８０の端部は表示領域６から枠体３と背面基板１との封止領域を気密に貫通し、背面基板１の長辺側端面近傍まで延長している。この映像信号配線８は前記封止領域より外側先端部分を映像信号配線引出端子８２としている。
【００２１】
前述した参照符号９で示す走査信号配線は、前記映像信号配線８の下側で長溝１１の内部に配置されている。
この長溝１１は映像信号配線８と交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設して前記背面基板１の上面に穿設されている。
この走査信号配線９は銀ペーストを用いて形成したが、後述するような他の金属材料を用いることも可能である。この走査信号配線９の端部は表示領域６から枠体３と背面基板１との短辺側封止領域を気密に貫通し、背面基板１の短辺側端面近傍まで延長している。この走査信号配線９はその前記封止領域より外側先端部分を走査信号配線引出端子９１としている。
【００２２】
前述した参照符号１０で示す電子源は例えば特許文献１に開示された電子源の一種のＭＩＭ型の電子源で、この電子源１０は前記走査信号配線９と映像信号配線８の各交差部近傍の前記突出部８１に設けられている。又、この電子源１０は前記走査信号配線９と上部電極１４で接続されている。この接続構造は後述する。更に、前記映像信号配線８及び電子源１０と前記走査信号配線９間には層間絶縁膜ＩＮＳが配置されている。
【００２３】
ここで、前記映像信号配線８は例えばＡｌ、Ａｌ−Ｎｄ、又、走査信号配線９は例えばＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等が用いられる。
【００２４】
次に、参照符号１２はスペーサで、このスペーサ１２はガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
このスペーサ１２は１０8〜１０9Ω・ｃｍ程度の比抵抗で、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。
このスペーサ１２は前記枠体３と略平行で走査信号配線９上に１本おきに直立配置され、接着部材１３で両基板１、２と接着固定している。
このスペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００２５】
このスペーサ１２の寸法は基板寸法、枠体３の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した枠体３と略同一寸法、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下、長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、更にはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは８０ｍｍ乃至３００ｍｍ程度が実用的な値となる。
このスペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。
【００２６】
一方、前記スペーサ１２の一端側が固定された前面基板２の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層１５が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１６で区画された窓部に配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック（陽極電極）１７が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。
このメタルバック１７は前面基板２と反対側、つまり背面基板１側への発光を前面基板２側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。
又、このメタルバック１７は面電極として示してあるが、走査信号配線９と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。
【００２７】
前記蛍光体としては、例えば赤色用としてＹ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕを、又、緑色用としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ、更に、青色用としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等を用いることができる。この蛍光体層１５は蛍光体粒子の平均粒径は例えば４μｍ〜９μｍ、膜厚は例えば１０μｍ〜２０μｍ程度となっている。
【００２８】
次に、図４乃至図２０は本発明の画像表示装置の製造工程を説明する模式図で、各図（ａ）は平面図、各図（ｂ）は各図（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図、図１１及び図１７の図（ｃ）は同図（ｂ）の要部拡大図である。この電子源はＭＩＭ電子源である。
先ず、図４に示すように背面基板１上に複数の長溝１１を穿設する。この長溝１１はＸ方向に延在し、Ｙ方向に並設されている。この長溝１１の形成方法としては、例えばサンドブラスト等の物理的加工方法或いはフッ酸等でのエッチングによる化学的処理による方法等が可能である。又、溝の深さは配線の抵抗値等を考慮して設定される。
【００２９】
次に、図５に示すように前記長溝１１内に例えば銀ペーストを印刷又はスキージ等で埋め込み、４００℃〜５００℃で焼成して走査信号配線９を形成する。この走査信号配線９の上面は背面基板１上面と面一かもしくはやや突出する程度とする。
次に、図６に示すように走査信号配線９上を含む背面基板１上面の略全面に絶縁膜ＩＮＳをスパッタ等で形成する。
この絶縁膜ＩＮＳは例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜、シリコンなどを用いることができる。
【００３０】
次に、図７に示すように絶縁膜ＩＮＳ上の略全面を覆うようにＡｌ−Ｎｄ等からなる金属膜２０を形成する。この金属膜２０の形成は例えばスパッタ方法等による。膜厚は例えば３００ｎｍ程度となる。
次に、図８に示すように金属膜２０上に第１のレジスト膜２１を塗布する。このレジスト膜２１の塗布パターンは、前述した図２に一例を示す映像信号配線８の直線状部８０と突出部８１にそれぞれ対応する直線状部２１０と突出部２１１を備えた形状とする。
次に、図９に示すようにレジスト膜２１の塗布されていない部分の金属膜２０を例えばエッチングにより除去し、残部の金属膜２０を直線状部２００と突出部２０１を備えた形状に成形する。成形後、レジスト膜２１を除去する。
【００３１】
次に、図１０に示すように金属膜２０の突出部２０１上の一部に第２のレジスト膜２２を塗布する。このレジスト膜２２の塗布位置、面積は、前述した実施例の電子源１０が配置される位置及び面積に略等しいものとなる。
次に、図１０に示すようにレジスト膜２２を塗布した状態で金属膜２０を陽極酸化処理し、図１１に示すように金属膜２０の表面に酸化膜層２０ａを形成する。この陽極酸化処理で直線状部２００及び突出部２０１にはそれぞれ酸化膜層２００ａ、２０１ａが形成されるが、前記レジスト膜２２を塗布した下部には表面非酸化の薄肉部２０１ｂが残存する。
次に、図１２に示すようにレジスト膜２２を除去する。このレジスト膜２２の除去により前記突出部２０１の一部に表面非酸化の薄肉部２０１ｂが露呈される。
次に、図１３に示すように第３のレジスト膜２３を金属膜２０上及びその周囲の絶縁膜ＩＮＳ上まで延長して略矩形状に塗布する。
一方、この塗布範囲の内、絶縁膜ＩＮＳ上で前記電子源と走査信号配線９とを接続するための経路の端子部に対応する位置にレジスト膜２３の無い空孔部２３ａを配置している。この空孔部２３ａは前記走査信号配線９の上部で突出部２０１相互間に配置している。空孔部２３ａは予めレジスト膜２３を塗布しないか若しくは塗布後除去するかの何れかの方法で部分的にレジスト膜２３の無い絶縁膜ＩＮＳの露呈した部分を形成している。
【００３２】
次に、図１４に示すように露呈していた絶縁膜ＩＮＳの全てを除去する。この除去方法は例えばドライエッチングによる。
これにより、レジスト膜２３で覆われた部分以外、すなわち走査信号配線９上、走査信号配線９相互間及び空孔部２３ａ内の端子部９２等が露呈される。特に空孔部２３ａ内の絶縁膜ＩＮＳはテーパーエッチングする。
次に、図１５に示すようにレジスト膜２３を剥離する。これにより陽極酸化処理された直線状部２００ａ及び突出部２０１ａ、表面非酸化の薄肉部２０１ｂがそれぞれ露呈される。
次に、開口部９２を覆うように第４のレジスト膜２４を塗布する。これを図１６に示す。
次に、レジスト膜２４を開口部９２に塗布した状態で、突出部２０１の薄肉部２０１ｂを陽極酸化処理して当該薄肉部２０１ｂ表面に酸化膜を形成する。これを図１７に示す。
次に、前記レジスト膜２４を開口部９２から除去する。これを図１８に示す。この図１８では陽極酸化処理された直線状部２００ａ及び突出部２０１ａ、表面に酸化膜を有する薄肉部２０１ｂがそれぞれ露呈されている。
【００３３】
次に、図１９に示すように蒸着用のマスクＭＳＫを背面基板１上にセットする。このマスクＭＳＫは突出部２０１から開口部９２に亘る寸法の角孔ＭＳＫ１を備え、残部は実質的に閉止され、素子分離も同時に達成可能な構成となっている。
次に、マスクＭＳＫの角孔ＭＳＫ１を突出部２０１から開口部９２に一致させてセットし蒸着により上部電極１４を形成する。この上部電極１４の使用材料はＩｒ／Ｐｔ／Ａｕとし、前記マスクＭＳＫを介して順次蒸着し、突出部２０１から開口部９２に亘る連続した成膜を行うことで形成する。図２０は上部電極１４形成後の構成を示している。
この成膜により、映像信号配線８の突出部２０１と走査信号配線９とが上部電極１４を介して接続される。
【００３４】
ここで、前述では第１〜第４レジストは同一組成でも良い事は勿論である。
以上の工程で背面基板１上の走査信号配線９、映像信号配線８、電子源１０及び上部電極１４をそれぞれ形成する。
【００３５】
以上の実施例では、電子源にＭＩＭを用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型ＦＰＤに対しても同様に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明による画像表示装置の実施例の構成を説明する模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。
【図２】図１（ｂ）のＣ−Ｃ線に沿う模式断面図である。
【図３】図３（ａ）は図２の一部拡大模式平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う模式断面図とその背面基板と対応する部分の前面基板の模式断面図である。
【図４】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図５】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図６】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図７】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図８】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図９】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１０】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１１】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１１（ａ）は平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図、図１１（ｃ）は図１１（ｂ）の要部拡大図である。
【図１２】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１３】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１４】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１５】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１５（ａ）は平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１６】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１６（ａ）は平面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１７】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１７（ａ）は平面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図、図（ｃ）は同図（ｂ）の要部拡大図であるである。
【図１８】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１８（ａ）は平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図１９】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図１９（ａ）は平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図２０】本発明による画像表示装置の製造工程を説明する図で、図２０（ａ）は平面図、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う模式断面図である。
【図２１】従来の電子源の一例を示し、図２１（ａ）は平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図、図２１（ｃ）は図２１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である
【図２２】従来の素子分離を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・枠体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・表示領域、７・・・貫通孔、８・・・映像信号配線、８０・・・映像信号配線直線状部、８１・・・映像信号配線突出部、８２・・・映像信号配線引出端子、９・・・走査信号配線、９１・・・走査信号配線引出端子、９２・・・走査信号配線開口部、１０・・・電子源、１１・・・長溝、１２・・・スペーサ、１３・・・接着部材、１４・・・上部電極、１５・・・蛍光体層、１６・・・ＢＭ膜、１７・・・メタルバック（陽極電極）、２０・・・金属膜、２００・・・金属膜直線状部、２０１・・・金属膜突出部、２１〜２４・・・レジスト膜、ＩＮＳ・・・絶縁膜（層間絶縁膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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