(57)【要約】【課題】レーザの光軸調整作業を容易化しつつ、鏡体の変位に影響されない試料位置管理を実現することで、高精度な描画（露光）が可能となる回路パターン製造装置を提供する。【解決手段】鏡体支持部材である試料室２に連結された基準部材４に参照鏡２１を取付けて、ステージ３上のバーミラー２２と共にレーザ測長することで得られる基準部材４を基準としたステージ位置情報と、基準部材４と鏡体１との距離変動を測定する静電容量センサ５０の情報を演算して、鏡体基準のステージ位置情報を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に回路パターンを形成するための鏡体と、試料を載置して移動させるステージと、ステージ位置を計測するレーザ測長系とを具備する回路パターン製造装置において、
前記ステージ上に固定された移動鏡と、
前記鏡体と別体の基準部材に取付けられた参照鏡と、
前記移動鏡と前記参照鏡に各々レーザ光を照射して、前記移動鏡からの反射光と前記参照鏡からの反射光を干渉させる干渉計と、
前記基準部材と前記鏡体との間の距離を計測する鏡体計測手段と、
前記干渉計から得られるステージ位置情報に対して、前記鏡体計測手段の情報を基に補正を行う演算部とを備えたことを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項２】
試料に回路パターンを形成する鏡体と、試料を載置して移動させるステージと、ステージ位置を計測するレーザ測長系とを具備する回路パターン製造装置において、
前記ステージ上に固定された移動鏡と、
参照鏡が一体となったステージ測長用干渉計と、
前記鏡体と別体の基準部材に取付けられた移動鏡と、
参照鏡が一体となった基準部材測長用干渉計と、
前記基準部材と前記鏡体との間の距離を計測する鏡体計測手段と、
前記ステージ測長用干渉計から得られるステージ位置情報に対して、前記基準部材測長用干渉計の情報と前記鏡体計測手段の情報を基に補正を行う演算部とを備えたことを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項３】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記鏡体計測手段の測定分解能は前記干渉計の測定分解能以下であることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項４】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記鏡体計測手段は静電容量センサであることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項５】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記鏡体計測手段からの情報は、ゲイン係数により増減された後に補正に用いられることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項６】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記鏡体計測手段からの出力は、所望の周波数範囲のみを抽出可能なフィルタを通過させた後に補正に用いられることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項７】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記鏡体は電子線を偏向させて試料に照射する電子線描画装置の鏡体であり、前記演算部により補正されたステージ位置情報を電子線の偏向制御部に伝達することを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項８】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材は鏡体支持部材に取付けられている、或いは鏡体支持部材自身であることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項９】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材は前記鏡体との干渉を避けることの出来る抜き穴を有し、鏡体支持部材に取付けられていることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項１０】
請求項９記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材と鏡体支持部材の締結部分に弾性領域を有することを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項１１】
請求項９記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材と鏡体支持部材の締結部は３箇所であることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項１２】
請求項1又は２記載の回路パターン製造装置において、前記鏡体計測手段は前記鏡体を挟んで対になって設けられていることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材は前記鏡体との干渉を避けることの出来る抜き穴を有し、鏡体支持部材に取付けられていることを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項１４】
請求項１２記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材と鏡体支持部材の締結部分に弾性領域を有することを特徴とする回路パターン製造装置。
【請求項１５】
請求項１２記載の回路パターン製造装置において、前記基準部材と鏡体支持部材の締結部は３箇所であることを特徴とする回路パターン製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子線描画装置やスキャナ等の回路パターン製造装置に関し、より詳細には高精度なレーザ測長系を有する回路パターン製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製品の集積度は益々向上し、その回路パターンの更なる高精細化が要求されている。高精細化を実現させる為には、製造装置のパターン解像性に加えて、回路パターンの位置精度の向上が不可欠である。回路パターンの製造装置としては、光源を用いてガラス基板（マスク）に形成された回路パターンを半導体ウエハに転写するステッパ、或いはスキャナと呼ばれる投影露光装置や、電子線を用いてマスクに回路パターンを形成する電子線描画装置がある。ここで挙げた何れの装置も、試料を保持して所望の位置に移動させるステージ、ステージの位置情報を測定する計測手段、光或いは電子線を試料に照射する光学系（カラム）、一連の動作を制御する制御部から成り、回路パターンの位置精度を向上させる為には高精度な試料位置の計測手段が最も重要な要因と言え、共通の課題である。
【０００３】
上記のような高精度な試料位置を必要とする回路パターン製造装置では、ステージをレーザ測長することでステージに載置された試料の位置情報を管理してきた。ステージには移動鏡を取付け、干渉計を電子線描画装置では試料室に、スキャナであれば構造体に取付けている。この時、干渉計に参照鏡が一体となっている場合には、鏡体と干渉計の距離は常に一定であるという前提に立っているが、より位置精度を向上させる為には、鏡体と干渉計の間の僅かな距離変動（例えば数ｎｍオーダー）でも許容できない。このような鏡体と干渉計の間の距離変動の原因としては、ステージ移動時の駆動反力による本体の振動、温度変化による本体の熱膨張等が考えられる。このような問題点を解決する為に、参照鏡を干渉計ではなく、鏡体、或いは鏡体近傍に取付けて鏡体基準のステージ位置を測定する方法が提案されてきた。
【０００４】
図８は、鏡体１に参照鏡２１を取付けた電子線描画装置の装置構成を示したものである。干渉計の取付け位置が試料室側壁ではなく試料室底面から立ち上げている構成例が特許文献１に記載されているが、レーザ測長系の本質的構成は同一である。鏡体１、及び試料室２内は図示しない真空ポンプにより１０−４Ｐａ〜１０−６Ｐａ程度に真空排気される。試料１０を載置したステージ３の位置は、ステージ３上の移動鏡となるバーミラー２２と、鏡体１に取付けられた参照鏡２１にレーザを照射し、干渉計２０内で干渉させたビート信号をレシーバ３０により受光する。受光されたビート信号は制御部４０に伝達され、位置情報に変換された後、ステージ３の駆動を制御するステージ制御部４１と、電子線の偏向を制御する偏向制御部４２に伝達される。次に、ステージ３の位置情報を基に電子線を偏向し、試料の所望の位置に描画を行うと共に、ステージ３は時々刻々変更される目標座標に対して偏差がでないようステージ位置をフィードバックしながらステージ制御部４１により駆動される。尚、ステージ３は水平面内の移動（Ｘ方向、Ｙ方向）を行う為、図中は一軸方向のみを記載しているが、実際はＸ軸測長用、及びＹ軸測長用の干渉計とバーミラーがある。
【０００５】
本構成では、ステージ移動時の駆動反力による本体の振動、或いは温度変化による本体の熱膨張等により、干渉計を基準に考えると、破線で示された位置から実線で示されるような位置に鏡体１が変位すると、干渉計２０と鏡体１の距離変動ΔＸが生ずる。しかし、参照鏡２１が鏡体１に取り付いている為、鏡体１の位置に対するステージ３の位置関係が常に計測され、距離変動ΔＸは検出されるレーザ測長値に反映されず、鏡体基準のステージ位置を高精度に測長することが可能となる。
【０００６】
一方、特許文献２には、図９に示すように、参照鏡２１を鏡体１ではなく、鏡体付近の試料室から吊り下げる状態で実装している装置構成が提案されている。本構成では、鏡体自体の振動的な変位についてはレーザ測長系に反映されてこないが、温度変動による試料室の熱膨張に起因した鏡体１と干渉計２０との相対変位についてはレーザ測長系に反映され補償される。また、鏡体が無い状態でもレーザ光軸の調整が可能で、鏡体より干渉計側に参照鏡がある為、レーザの光路も短く、また、調整スペースも確保され易く、作業性の向上が図られている。
【０００７】
また、特許文献３には、図１０に示すように、参照鏡２１を干渉計２０から見て鏡体１の手前側外周と、奥側外周の２箇所に実装し、参照用レーザ光を各々１回づつ反射させることで、鏡体の温度変動による熱膨張の影響を排除可能な構成が示されている。即ち、本構成では鏡体の手前側と奥側の位置を参照位置にして、平均することで、鏡体の中心を参照基準にしている。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−４９０７１号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４２０１９号公報
【特許文献３】特開２００４−１５３０９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
参照鏡２１を鏡体１に取付ける場合、干渉計２０との距離が長い為、レーザの光軸調整が困難である。また、電子線描画装置では試料室２は真空容器であるため密閉空間となっており、鏡体１とステージ３の間の空間は狭く、調整スペースを確保し難い。一方、参照鏡を鏡体付近の部材、例えば試料室内壁に取付ける場合、レーザ光軸調整については調整スペースが確保されやすい為、比較的容易になるが、参照鏡はカラムと一体でないので、本体の振動等に起因する鏡体の倒れによる位置変位が測長誤差として測長データに含まれ、描画誤差に繋がる。また、参照鏡を鏡体の手前側外周と、奥側外周の２箇所に実装する構成においても、干渉計と参照鏡との距離が長いことや、調整スペースが十分確保できないなど作業性が損なわれる。
【００１０】
以上のような問題点は、電子線描画装置、或いは縮小投影露光装置のようなレーザ測長系を用いた試料位置管理を必要とする回路パターン製造装置の共通課題である。本発明は、上記課題を解決して高精度な回路パターン製造装置を提供することを目的としている。即ち、本発明の目的は、レーザの光軸調整作業を容易化しつつ、鏡体の変位に影響されない試料位置管理を実現することで、高精度な描画（露光）が可能となる回路パターン製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、試料に回路パターンを形成するための鏡体と、試料を載置して移動させるステージと、ステージ位置を計測するレーザ測長系とを具備する回路パターン製造装置において、ステージ上に固定された移動鏡と、鏡体と別体の基準部材に取付けられた参照鏡と、移動鏡と参照鏡に各々レーザ光を照射して、移動鏡からの反射光と参照鏡からの反射光を干渉させる干渉計と、基準部材と鏡体との間の距離を計測する鏡体計測手段と、干渉計から得られるステージ位置情報に対して、鏡体計測手段の情報を基に補正を行う演算部とを備える。
【００１２】
本発明は、また、試料に回路パターンを形成する鏡体と、試料を載置して移動させるステージと、ステージ位置を計測するレーザ測長系とを具備する回路パターン製造装置において、ステージ上に固定された移動鏡と、参照鏡が一体となったステージ測長用干渉計と、鏡体と別体の基準部材に取付けられた移動鏡と、参照鏡が一体となった基準部材測長用干渉計と、基準部材と鏡体との間の距離を計測する鏡体計測手段と、ステージ測長用干渉計から得られるステージ位置情報に対して、基準部材測長用干渉計の情報と鏡体計測手段の情報を基に補正を行う演算部とを備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザの光軸調整作業を容易化しつつ、カラムの変位に影響されない試料位置管理を実現することで高精度な描画（露光）が可能となる回路パターン製造装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
本発明の第１の実施例として、本発明を電子線描画装置に適用した実施例を、図１ないし図３を参照しつつ説明する。
【００１６】
始めに図１を参照して本実施例の装置構成を説明するが、従来例からの変更点を主に説明する。ステージ３上にバーミラー２２（移動鏡）を固定し、試料室２の内壁から基準部材４によって吊るされるような状態で参照鏡２１が配置されている。また、試料室２内にある鏡体１の外周と基準部材４の距離変動を測定する手段として、基準部材４に静電容量センサ５０が取付けられている。また、静電容量センサ５０により測定される信号はアンプ３１により増幅されて、基準部材４を測定基準とした鏡体１の位置情報として制御部４０に伝達される。
【００１７】
ステージ３上のバーミラー２２と基準部材４に取付けられている参照鏡２１にレーザを照射し、それぞれの反射光を干渉計２０内にて干渉させてビート信号を発生させてレシーバ３０に受光させることで、基準部材４を基準としたステージ３の位置情報を得ることができる。一方、基準部材４に取付けられた静電容量センサ５０によって基準部材４を基準とした鏡体１下部の変位量を測定し、アンプ３１を介して制御部４０に伝達する。レーザ測長系、及び静電容量センサ５０により測定された情報は制御部４０に伝達されて、ステージ位置情報に鏡体１の変位量を加算することで鏡体基準のステージ位置情報が得られる。本ステージ位置情報は電子線描画装置の場合、偏向制御部４２に送られ、本ステージ位置情報を基に電子線の偏向制御を行う。電子線の偏向制御時間は鏡体１の振動（例えば１００Ｈｚ〜２００Ｈｚ）に比べて非常に短い為（例えば数ＭＨｚ）、補正された値を十分に反映させることが出来る。一方、スキャナのような光露光装置の場合には、ステージの移動制御のみで補正された値を反映させる必要があり、あまり速い周波数の補正された値までは追従制御できない。従って、電子線描画装置において補正されたステージ位置情報を電子線の偏向制御部に伝達して、本ステージ情報を用いて描画する方法は、よりきめ細かい補正方法を描画結果に反映させる有効な手段と言える。
【００１８】
本実施例によれば、鏡筒１が無い状態でレーザの光軸調整が可能であり、調整スペースが確保し易く、作業が容易になる。更に、静電容量センサ５０の測定範囲（例えばフルスケール５０μｍ）以内で鏡体１と静電容量センサ５０のギャップを管理するだけで測定が可能となる。つまり、レーザ測長系のように反射角度を気にしなくても良い為、鏡体１の取付再現性の許容値を大きく設定できる。これにより、メンテナンスや、クリーニング等で鏡体を取外す作業が発生しても、取付け時の作業が鏡体に参照鏡を実装した従来の実施例に比べて簡便になる。また、静電容量センサの測定対象物は導電性であればよい為、鏡体の材質が金属であれば直接測定することが出来る。仮に鏡体の材質が非導電性の材料だったとしても、ターゲットとして金属片のような導電性部品を静電容量センサに対向して実装すれば同様に測定できる。
【００１９】
また、本実施例では、鏡体１の外周と基準部材４の距離変動を測定する手段として静電容量センサを例に挙げているが、レーザ変位計や渦電流式変位センサを用いても同様の効果を得ることが出来る。或いは、別途干渉計を基準部材４に追加して、鏡体に平面ミラーを取付けても勿論レーザ測長可能であり、測定距離が従来に比べて遥かに短くなることからレーザの調整尤度も緩く出来る。
【００２０】
ここで、センサの選定では、求められる測定精度に十分対応できる分解能を有することが重要である。更に言えば、レーザ測長系の分解能（例えば０．６ｎｍ）はその装置に求められる精度を満たせるような数値で設計されている為、レーザ測長系の分解能以下であることが望ましい。以上を鑑みて、現在市販されているセンサの中で、分解能の細かさ、入手の容易性、価格、実装の容易性を軸に考えると静電容量センサは非常に有効は測定手段と言える。また、センサの取付けを基準部材として、測定対象を鏡体としてきたが、近年、静電容量センサを始めとして各種センサは小型化が進み、鏡体に実装し、逆に基準部材を測定することも容易に実現可能であり、同様の効果が得られる。
【００２１】
ここで、干渉計と鏡体の間の距離変化の要因として、温度変化と振動を挙げることができる。温度変化による熱膨張は時間が比較的長くドリフトのような現象として描画誤差に現れるが、一方ステージ移動時の反力、或いは床振動等に起因する振動では鏡体が倒れるような振動状態となり、比較的高い周波数（例えば１００Ｈｚ〜２００Ｈｚ）の描画誤差を発生させる。また従来は図１１に示すように、鏡体１が倒れた状態である時、参照鏡２１の取付け位置は一般に試料１０の位置よりも高い位置である為、実際に電子線が試料１０に到達する時には参照鏡２１の変位量Δｘ１より、電子線の変位量ΔＸの方が大きい。従って、従来例では鏡体と干渉計の間の距離をレーザの参照光のみで計測対象としてきたので、温度変化に起因する鏡体の平行移動による変位量はキャンセルできても、鏡筒の倒れによる変位量は一部しかキャンセルできない。
【００２２】
しかし、本発明では、温度変化に起因する誤差成分については、干渉計２０から鏡体１近傍の基準部材４までの距離変動は参照鏡２１により計測することにより殆どをキャンセルでき、鏡体の倒れに起因した測長値については静電容量センサ５０の測定値に制御部４０内でゲイン係数を付加することでほぼ完全にキャンセルすることができる。ゲイン係数の調整については図３に示すように、ステージ上に配置された電流の変化から電子線の変位を測定できるクロスワイヤ６０と呼ばれるセンサに電子線を照射させておき、鏡体１をハンマー等で加振させた時のクロスワイヤ６０で測定された電子線の変位量ΔＸから、レーザ測長系により計測された計測値ｘを引いた結果に静電容量センサ５０の測定値Δｘ１が最も一致するようゲイン係数αを決定する。
【００２３】
式で表すと以下のようになる。
【００２４】
α・Δｘ１＝ΔＸ−ｘ
【００２５】
従って、制御部４０で補正された鏡体基準のステージの位置情報Ｘは、次のように表すことができる。
【００２６】
Ｘ＝ｘ＋α・Δｘ１
【００２７】
本調整作業により、従来では一部しかキャンセルできなかった鏡体の倒れに起因した測長誤差成分をほぼ完全にキャンセルすることが可能となる。更に、鏡体の倒れによる測長誤差成分に絞って静電容量センサを使用したい場合は、鏡体の倒れモードの固有周波数帯（例えば１００Ｈｚ〜２００Ｈｚ）を通過させるフィルタを制御部内に組込むことで容易に実現できる。これにより静電容量センサ単体のドリフト成分（数Ｈｚ以下）や、高い周波数帯域のノイズ（数ＫＨｚ以上）、或いは電源ノイズ（５０Ｈｚ／６０Ｈｚ）を除去し、信頼性の高い情報を抽出することができる。また、ＡＣ成分（繰返しのある周期的変化）のみを対象とすることで、センサのドリフト等の誤差成分を排除することも可能である。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施例について図４を参照しつつ説明する。本実施例の特徴は、基準部材４の測定をステージ３の測長系から独立して行っていることである。詳しく述べると、まずステージ測長用干渉計２０Ａには参照鏡２１が一体となっており、ステージ上にバーミラー２２（移動鏡）が配置されて、ステージ測長用干渉計２０Ａ基準のステージ移動量ｘが測定できる。一方、基準部材測定用干渉計２０Ｂにも参照鏡２１が一体で取付けられており、基準部材４に移動鏡２３（積極的に移動はしない）が取付けられて基準部材測定用干渉計２０Ｂ基準の基準部材４の変位量Δｘ２が計測できる。基準部材４に取付けられている静電容量センサ５０は、実施例１と同様に鏡体１との距離変化Δｘ１を測定することができる。よって、制御部４０で補正された鏡体基準のステージの位置情報Ｘは、次のように表すことができる。
【００２９】
Ｘ＝ｘ＋α・Δｘ１−Δｘ２
【００３０】
本実施例２による装置構成の特徴は、基準部材測定用干渉計２０Ｂで基準部材４までの距離変動を独立して測長することで、熱膨張の様子や、振動による試料室２の歪みの様子を観測できることである。実施例１の装置構成では、干渉計２０に対するステージ３の変位なのか、基準部材４の変位なのか切り分けることが出来ない為、仮に異常な測定値を検出できてもどこが原因なのか分かり難い。一方、本実施例では、仮に温度変化により試料室２が熱膨張した場合、基準部材測定用干渉計２０Ｂを基準とした基準部材４の変位量Δｘ２が大きく変化する。従って、装置が収められている恒温室や、本体の温度制御を行っている水冷装置の故障や性能劣化に焦点を当てて対策を立てることができ、装置トラブル時に有効な情報を得ることができる。
【００３１】
また、図５、及び図６に本実施例の基準部材４の形状を示す。図5は基準部材４の斜視図でありＸ軸用、及びＹ軸用の参照鏡２１が取付けられている。更に３点座６が基準部材４の取付け面に設けられており、図示しないボルトによって試料室に締結される構造になっている。図６は図５中のＡ−Ａ断面図であり、切欠き５が基準部材４の全周に渡り設けられていることが分かる。本実施例の特徴は、基準部材４はリング形状である為、鏡体１の熱膨張に起因した試料室２の歪みに対する抗力が得られ易く、鏡体１中心からの基準部材４の変位を小さくできることである。
【００３２】
ここで、基準部材の形状については、本実施例のリング形状以外でも鏡体との干渉を避けることの出来る抜き穴を有し、鏡体支持部材である試料室に取付けられていれば良い為、四角の外形や、抜き穴形状でも効果は同じである。更に、試料室２との結合部付近に切欠き５が形成されており、弾性ヒンジの役割を果たしている。本形状の特徴は鏡体１中心から半径方向に柔かく、鏡体１の熱膨張による試料室２の歪みに対して基準部材４は影響され難い構造となる。このような効果を得る手段としては、基準部材４に切欠きを設ける方法以外にも、試料室２側の連結部分に溝を設ける方法などが考えられるが、何れも鏡体支持部材である試料室２と基準部材４との間に積極的に弾性領域を形成しているという点で共通した手段と言える。更に図中で示すように、基準部材４に３点座６を設けて試料室に締結する方法や、スペーサを介して３箇所で締結する方法で、試料室側の取付け面の歪みを基準部材側に伝え難くする効果がある。
【００３３】
また、基準部材４自体の材質をインバーやセラミックスのような低熱膨張（例えば５×１０−６以下）、高剛性な材料を用いると、本体の温度変化に対する影響を更に小さく抑えることができる。つまり、本体温度が温度変化し、熱膨張しても基準部材４自体の熱膨張は小さく、切欠き５による弾性領域で本体の歪みを吸収して基準部材４の歪みを低減することで、鏡体１の中心と基準部材４との距離を一定に保つことが可能となる。
【００３４】
次に、図７に示す実施例３について説明する。本実施例では、実施例２の装置構成に対して、鏡体１を挟んで対向するように静電容量センサを追加実装している。本装置構成では、温度変化により鏡体１が熱膨張した場合、破線で示される熱膨張前の形状から実線で示される熱膨張後の形状に変化する。この時、静電容量センサ５０Ａの出力値ΔｓＡと、静電容量センサ５０Ｂの出力値ΔｓＢは等しくなることから、基準部材４に対する鏡体中心の変位量Δｘ１は
Δｘ１＝（ΔｓＡ−ΔｓＢ）／２
と表すことができる。即ち、仮に鏡筒１の熱膨張が発生しても基準部材４に対する鏡体中心の変位量Δｘ１は変化せず、温度変化の影響を除去することが可能となる。一方、鏡筒１が振動等により倒れを伴い変位した場合は、静電容量センサ５０Ａと静電容量センサ５０Ｂの出力値が加算平均されることで、平均化効果を得ることができ、安定した測定が可能となる。
【００３５】
以上説明してきた実施例１ないし実施例３において、基準部材は鏡体支持部材である試料室から独立した部品として扱ってきたが、試料室と一体であっても同様の効果が得られる。また、電子線描画装置への適用例を説明してきたが、縮小投影露光装置のような回路パターン製造装置に対して本発明を適用しても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明による回路パターン製造装置の構成例を示す図。
【図２】鏡体の変形を示す図。
【図３】ゲイン係数の調整方法を示す図。
【図４】本発明による回路パターン製造装置の他の構成例を示す図。
【図５】基準部材を示す斜視図。
【図６】基準部材のＡ−Ａ断面図。
【図７】本発明による回路パターン製造装置の他の構成例を示す図。
【図８】参照鏡を鏡体に取付けた従来の装置構成を示す側面図。
【図９】参照鏡を試料室に取付けた従来の装置構成を示す側面図。
【図１０】参照鏡を鏡体の２箇所に取付けた従来の装置構成を示す側面図。
【図１１】従来の装置構成における鏡体の変形を示す図。
【符号の説明】
【００３７】
１…鏡体、２…試料室、３…ステージ、４…基準部材、５…切欠き、６…３点座、１０…試料、２０…干渉計、２０Ａ…ステージ測長用干渉計、２０Ｂ…基準部材測定用干渉計、２１…参照鏡、２２…バーミラー、２３…移動鏡、３０…レシーバ、３１…アンプ、４０…制御部、４１…ステージ制御部、４２…偏向制御部、５０，５０Ａ，５０Ｂ…静電容量センサ、６０…クロスワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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