(57)【要約】【課題】ウォータマークの欠陥による損壊の発生を防止或いは低減する液浸リソグラフィに用いるレジスト材料及び液浸リソグラフィ方法を提供する。【解決手段】レジスト材料は、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して酸を形成するＰＡＧと、酸を中和し、移動度が低いクエンチャーとを含み、クエンチャーは、レジスト内の濃度が０．５重量％よりも高い。液浸リソグラフィ方法は、基板上にレジストを形成する工程と、液浸リソグラフィシステムの流体内でレジストを露光する工程と、レジストをベーキングし、レジスト内にあるクエンチャーを液浸リソグラフィに拡散させる流体量を５×１０−１３モル／ｃｍ２にする工程と、露光後のレジストを現像する工程とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、
照射エネルギーを吸収した後に、分解して前記酸を形成するＰＡＧと、
前記酸を中和し、移動度が低いクエンチャーとを含み、
前記クエンチャーは、レジスト内の濃度が０．５重量％よりも高いことを特徴とする液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。  
【請求項２】
前記クエンチャーは、前記ポリマーへ化学的に結合することを特徴とする請求項１に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項３】
前記クエンチャーの窒素原子と前記ポリマーの長鎖との間には少なくとも一つの炭素原子が含まれることを特徴とする請求項２に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項４】
前記クエンチャーの化学構造は、不対電子を有する一つの窒素原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項５】
前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの環形の構造基を含むことを特徴とする請求項４に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項６】
前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの炭数が４以上であるアルキル基を含むことを特徴とする請求項４に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項７】
前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの分岐鎖の構造基を含むことを特徴とする請求項４に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項８】
前記クエンチャーは実質上疎水性であることを特徴とする請求項１に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。  
【請求項９】
前記クエンチャーの化学構造は、少なくとも一つのフッ化物原子を含むことを特徴とする請求項８に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料。
【請求項１０】
酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、
照射エネルギーを吸収した後に、分解して前記酸を形成する複数のＰＡＧと、
前記酸を中和し、前記クエンチャーの移動度を低減する複数のクエンチャーとを含み、
前記クエンチャーは、前記ポリマーに化学結合されたクエンチャー、実質的に疎水性であるクエンチャー及び前記ポリマー内に物理的に捕捉されたクエンチャーからなる群から選ばれる一種以上を含むことを特徴とするレジスト材料。
【請求項１１】
前記クエンチャーの濃度は、前記ＰＡＧの濃度の約四分の一であることを特徴とする請求項１０に記載のレジスト材料。
【請求項１２】
前記クエンチャーの化学構造は、不対電子を有する一つの窒素原子を含むことを特徴とする請求項１０に記載のレジスト材料。
【請求項１３】
前記クエンチャーの化学構造は、前記クエンチャーの前記窒素原子に結合された少なくとも一つの化学グループを含み、
前記化学グループは、環形、長鎖又は分岐鎖の構造を有することを特徴とする請求項１２に記載のレジスト材料。
【請求項１４】
基板上にレジストを形成する工程と、
液浸リソグラフィシステムの流体内で前記レジストを露光する工程と、前記レジストをベーキングし、前記レジスト内にある前記クエンチャーを液浸リソグラフィに拡散させる流体量を５×１０−１３モル／ｃｍ２にする工程と、露光後の前記レジストを現像する工程とを含み、
前記レジストは、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して前記酸を形成する複数のＰＡＧと、前記酸を中和して移動度が低い複数のクエンチャーとを含むことを特徴とする液浸リソグラフィ方法。
【請求項１５】
前記露光工程を行った後に、前記レジスト上にある水滴のｐＨ値を６よりも小さくする酸処理をさらに行うことを特徴とする請求項１４に記載の液浸リソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレジスト材料に関し、特に、液浸リソグラフィのレジスト材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術が継続的に発展するに従い、フィーチャサイズを６５ナノメートルや４５ナノメートル以下にまで小さくするため、液浸リソグラフィ工程が採用されている。しかし、液浸リソグラフィ工程は、露光工程の後に水滴が残留することがあった。そして、その残留水滴は、ウォータマークの欠陥を発生させ、半導体製造の品質を下げたりエラーを発生させたりした。
【０００３】
そのため、ウォータマークの欠陥による損壊の発生を防止或いは低減する改良された液浸リソグラフィシステムが望まれていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ウォータマークの欠陥による損壊の発生を防止或いは低減する改良された液浸リソグラフィシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して酸を形成するＰＡＧと、酸を中和し、移動度が低いクエンチャーとを含み、クエンチャーは、レジスト内の濃度が０．５重量％よりも高いことを特徴とする。  
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーは、ポリマーへ化学的に結合することを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項２に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーの窒素原子とポリマーの長鎖との間には少なくとも一つの炭素原子が含まれることを特徴とする。
【０００８】
請求項４の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、不対電子を有する一つの窒素原子を含むことを特徴とする。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項４に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、クエンチャーの窒素原子に結合された少なくとも一つの環形の構造基を含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項６の発明は、請求項４に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、クエンチャーの窒素原子に結合された少なくとも一つの炭数が４以上であるアルキル基を含むことを特徴とする。
【００１１】
請求項７の発明は、請求項４に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、クエンチャーの窒素原子に結合された少なくとも一つの分岐鎖の構造基を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項８の発明は、請求項１に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーは実質上疎水性であることを特徴とする。  
【００１３】
請求項９の発明は、請求項８に記載の液浸リソグラフィに用いるレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、少なくとも一つのフッ化物原子を含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項１０の発明は、レジスト材料であって、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して酸を形成する複数のＰＡＧと、酸を中和し、クエンチャーの移動度を低減する複数のクエンチャーとを含み、クエンチャーは、ポリマーに化学結合されたクエンチャー、実質的に疎水性であるクエンチャー及びポリマー内に物理的に捕捉されたクエンチャーからなる群から選ばれる一種以上を含むことを特徴とする。
【００１５】
請求項１１の発明は、請求項１０に記載のレジスト材料であって、クエンチャーの濃度は、ＰＡＧの濃度の約四分の一であることを特徴とする。
【００１６】
請求項１２の発明は、請求項１０に記載のレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、不対電子を有する一つの窒素原子を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項１３の発明は、請求項１２に記載のレジスト材料であって、クエンチャーの化学構造は、クエンチャーの窒素原子に結合された少なくとも一つの化学グループを含み、化学グループは、環形、長鎖又は分岐鎖の構造を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項１４の発明は、液浸リソグラフィ方法であって、基板上にレジストを形成する工程と、液浸リソグラフィシステムの流体内でレジストを露光する工程と、レジストをベーキングし、レジスト内にあるクエンチャーを液浸リソグラフィに拡散させる流体量を５×１０−１３モル／ｃｍ２にする工程と、露光後のレジストを現像する工程とを含み、レジストは、酸と反応した後にアルカリ性溶液に溶解するポリマーと、照射エネルギーを吸収した後に、分解して酸を形成する複数のＰＡＧと、酸を中和して移動度が低い複数のクエンチャーとを含むことを特徴とする。
【００１９】
請求項１５の発明は、請求項１４に記載の液浸リソグラフィ方法であって、露光工程を行った後に、レジスト上にある水滴のｐＨ値を６よりも小さくする酸処理をさらに行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る液浸リソグラフィシステムは、ウォータマークの欠陥による損壊の発生を防止したり低減したりすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、液浸リソグラフィ露光工程を行う時の半導体デバイス１００を示す断面図である。半導体デバイス１００は、半導体ウェーハ又はその他適当なデバイスでもよい。本実施形態の半導体デバイス１００は、有機ＢＡＲＣ（Bottom Anti Reflecting Coating）、無機ＢＡＲＣ、耐腐蝕有機層、密着強化有機層、様々なドープト領域、誘電体層及び多層配線を有するシリコン基板１１０を含む。基板は、Ｇｅ、ＳｉＧｅ又はＧａＡｓを含むその他適当な半導体材料を選択的に含んでもよい。また基板は、薄膜トランジスタ液晶表示（ＴＦＴ−ＬＣＤ）デバイスのガラス基板などの非半導体材料を選択的に含んでもよい。半導体デバイス１００は、パターニングすることのできる一つ以上の材料層をさらに含んでもよい。
【００２２】
半導体デバイス１００は、感光層（フォトレジスト又はレジスト）１２０を含む。本実施形態のレジスト層１２０の厚みは、約５０から５０００Åの間である。他の実施形態のレジスト層１２０の厚みは、約５００から２０００Åの間である。レジスト層１２０は、化学増幅型（Chemical Amplification：ＣＡ）レジスト材料を使用する。
レジスト層１２０は、ポリマーが酸と反応すると、アルカリ性溶液などの現像液に溶解するように変化するポリマー材料を含む。レジスト層１２０は、ポリマーが酸と反応すると、アルカリ性溶液などの現像液に溶解しないように変化するポリマー材料を含む。レジスト層１２０は、ポリマー内に充填される溶剤をさらに含む。この溶剤は、プリベーク工程により部分的に蒸発されてもよい。
このレジスト層１２０は、溶剤及び／又はポリマー内に分散されるＰＡＧ分子を有するＰＡＧ（photo-acid generator）１３０材料をさらに含む。光エネルギーを吸収すると、ＰＡＧ１３０は分解して少量の酸を形成する。ＰＡＧ１３０は、レジストポリマー１２０の１から１５重量％の間の濃度を有してもよい。
【００２３】
本発明の他の実施形態において、レジスト層１２０は、溶剤及びポリマー内に分布するクエンチャー材料１４０をさらに含む。クエンチャー１４０はアルカリ性であり、中和酸にすることができる。或いは任意にクエンチャーは、例えばＰＡＧ及び光酸が反応することを抑制するなど、レジスト層１２０の他の活性成分を抑制するものでもよい。
クエンチャー１４０は、レジストの０．５から８重量％の間の濃度を有してもよい。或いは、露光工程を行う前のクエンチャー１４０の濃度は、重量％でＰＡＧ１３０の濃度の約四分の一でもよい。一実施形態において、クエンチャー１４０は、酸を中和する不対電子を有する窒素原子を含む。
液浸フォトリソグラフィパターニング中に行う露光工程において、レジスト層１２０は、予め定義されたパターンを有するフォトマスク（マスク又はレチクル）により、ディープＵＶ（Deep Ultra Violet：ＤＵＶ）などの照射エネルギーへ露光し、未露光フィーチャ１２０ａなどの複数の未露光領域及び露光フィーチャ１２０ｂなどの複数の露光領域を含むレジストパターンを形成する。この照射エネルギーは、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザによる２４８ｎｍビームやフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザによる１９３ｎｍビームを含んでもよい。
液浸リソグラフィは、半導体デバイス１００と露光工程を行うために使用するリソグラフィシステムのレンズとの間にある液浸流体をさらに含む。液浸流体は脱イオン水（DI water）を含むものでもよい。この流体は、酸、塩又はポリマーなどの化学添加剤をさらに含んでもよい。また、この流体は、脱イオン水の屈折率１．４４を超える屈折率を有するその他適当な流体から選んでもよい。そして、露光工程を行うと、図１に示すように水滴１５０の残留水滴がレジスト層上に残留することがあった。
【００２４】
従来の液浸リソグラフィパターニング工程では、図２及び図３の半導体デバイス２００の断面図に示すように、残留水滴によりウォータマークなどの問題が発生することがあった。半導体デバイス２００の感光層１２０上に残留する水滴１３０は、ＰＡＧ１３０及びクエンチャー１４０へのパスを提供するものであってもよい。
そして未露光レジスト領域１２０ａ内にあるクエンチャー１４０は水滴内に拡散され、さらに露光レジスト領域１２０ｂ内へ拡散されてもよい。そしてこれにより光発生酸の中和及び／又は露光領域内にある露光効率を低減させる。さらに露光されたＰＡＧは、ＰＡＧアニオン及び酸に分解され、未露光のＰＡＧよりも水に溶解しやすくなる。光発生酸は、付加的な効果を有する水滴に拡散し、レジスト層１２０の露光領域が低減された光発生酸を有するようにしてもよい。
そのため、レジスト層１２０内にあるこれら露光領域は、露光工程の後に、化学的変換（酸増幅型）を行うための十分な光発生酸がない、及び／又は、現像工程において現像溶液内に完全には溶解しないものでもよい。そのため、レジスト層１２０の露光領域上に予期できないＴ形上面レジストフィーチャ（ブリッジプロフィール又はウォータマーク）１２０ｃが形成されてもよい。露光領域の上面レジスト材料は現像溶液に溶解しない。
【００２５】
本実施形態のクエンチャー１４０は、低い移動度を有するため、水滴への拡散が実質上低減する。一実施形態では、クエンチャーの移動度を低減するため、液浸リソグラフィを行う際に、液浸流体に浸出するクエンチャーを約１０−１３モル／ｃｍ２よりも少なくすることができる。
【００２６】
図４に示すように、本実施形態のクエンチャー１４０は、ポリマー１６０へ化学的に結合されるため、クエンチャーの移動度は低減する。ポリマー１６０は、酸と反応した後、現像液に溶解しやすくなる。ポリマー１６０は、現像溶液に溶解しやすい短鎖状ポリマーをさらに含む。クエンチャー１４０は水滴内に拡散しないため、ポリマー１６０及び／又はクエンチャー１４０の鎖状移動（chain movement）により移動範囲が限定される。
【００２７】
図５Ａに示すように、クエンチャー１４０は、クエンチャーの窒素原子１４２を介してポリマー１６０の炭素ユニット１６２に結合されるものであってもよい。本実施形態において、窒素原子１４２は、レジストの酸やその他有効成分を中和する不対電子を含む。クエンチャー１４０は、窒素原子１４２に結合されたアルキル基などの第１の化学グループ１４４及び第２の化学グループ１４６を含む。
アルキル基は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、リング型ポリマー（ring type polymer）又は窒素原子１４２に結合されたリングエンドを有するリング型ポリマーを含んでもよい。第１の化学グループ１４４及び第２の化学グループ１４６は、或いはその他の化学グループを含んでもよい。他の実施形態のポリマー１６０は、図５Ｂに示すような二つの炭素ユニット１６４、図５Ｃに示すような三つの炭素ユニット１６６又はクエンチャーの窒素１４２に結合されたさらに多くの炭素ユニットを含んだものでもよい。    そのような炭素構造は、鎖状の複数の炭素ユニットを有し、結合されたクエンチャー１４０に一定の柔軟性を提供する。ポリマーは、選択的にクエンチャー１４０に結合されたその他の原子ユニットを含んだものでもよい。
【００２８】
図６に示すように、他の実施形態のクエンチャー１４０は、ポリマー１６０内に（完全又は部分的に）物理的に捕捉されてもよい。クエンチャー１４０が物理的にその中に捕捉されるように、クエンチャー１４０のサイズは、ポリマー１６０のネットワークの網目の平均径よりも実質的に大きくてもよい。
クエンチャー１４０は、物理的絡み合いを強化するため、選択的にある構造基を有するものであってもよい。例えば、クエンチャー１４０を物理的に絡めるかポリマー１６０により捕捉するため、クエンチャー１４０は、長テール（長鎖）や分岐基を含むものであってもよい。他の実施形態のクエンチャー１４０は、環構造、長鎖、分岐基又はそれらの組合せを含み、クエンチャーの移動度を低減させる目的を達成する。
【００２９】
図７Ａから図７Ｊは、クエンチャーの様々な実施形態を示す。図７Ａに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び炭素環などの環構造を含む。図７Ｂに示すクエンチャーは、一つのアルキル基及び二つの環構造を含む。図７Ｃに示すクエンチャーは、三つの環構造を含む。図７Ｄに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び酸素原子を有する一つの環構造を含む。
図７Ｅに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び炭素鎖などの長テールを含む。図７Ｆに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び酸素原子を有する長テールを含む。図７Ｇに示すクエンチャーは、酸素及び二つの長鎖構造を有する一つの環構造を含む。
図７Ｈに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び二つの短テールを有する一つの分岐構造を含む。図７Ｉに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び二つの長テールを有する一つの分岐構造を含む。図７Ｊに示すクエンチャーは、二つのアルキル基及び三つの短テールを有する一つの分岐構造を含む。また、好適な効果を得るため、その他の組合せによりクエンチャーの移動度を調整してもよい。
【００３０】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、他の実施形態においてクエンチャーは疎水性であるため、水滴内に拡散することが困難である。クエンチャーは、少なくとも一つの疎水性基を含むものであってよい。例えば、クエンチャーはフルオライドを含む。図８Ａに示すクエンチャーは、三つのアルキル基を含み、それらの内の少なくとも一つはフルオライドを有する。図８Ｂに示すクエンチャーは、一つのアルキル基、酸素を有する一つの環及び複数のフルオライドを有する長鎖を含む。
【００３１】
他の実施形態においては、露光工程を行った直後に、レジスト層上に残された水滴を酸処理してもよい。その酸処理は、液浸リソグラフィシステムに組み込まれた化学薬剤入口からレジスト表面（及び／又はその上にある水滴）上に酸をスプレーすることにより行うものであってもよい。また、処理された水滴のｐＨ値は、約６よりも小さい値に調整するものであってもよい。そのため、クエンチャーが水滴に拡散する速度は遅い上に、光発生酸が水滴に拡散する速度も遅かった。そして、この酸処理は、レジストフィルム内に拡散し、光酸の浸出を実質的に補償することができる。
【００３２】
様々な実施形態において、レジスト層上にある水滴に対するクエンチャーの移動度は実質的に低減する。そのためウォータマークの発生は実質的に減少する。なお、それら様々な実施形態は、好適なレジストパターニング工程を得るため、修正や結合を行ってもよい。
【００３３】
図９は、上述のレジストパターンを形成する液浸リソグラフィ方法９００を示す流れ図である。方法９００は、半導体ウェーハ上に感光（レジスト）層を形成するステップ９０２を含む。このレジスト層は、図１に示すレジスト層１２０に実質上似て、クエンチャー材料は低い移動度を有する。クエンチャーは、図５Ａから図５Ｃ、図７Ａから図７Ｊ及び図８Ａから図８Ｂに示す構造か、それらを組み合わせた構造を有するものであってもよい。
【００３４】
方法９００は、フォトマスク及び液浸流体を介してディープＵＶなどの照射エネルギーをレジスト層へ露光するステップ９０４をさらに含む。液浸流体は、脱イオン水又は高屈折率を有するその他適当な流体であり、半導体ウェーハと液浸リソグラフィシステムのレンズとの間に配置して方法９００を行ってもよい。クエンチャーは、低い移動度を有するため、そのクエンチャーは、露光ステップ９０４を行うと、レジスト層上に残留した水滴への侵出が低減する。
【００３５】
方法９００は、続いてステップ９０６においてレジスト層に対してベーキング（露光後ベーク）を行う。ベーク温度は、約８０から１５０℃の間であってもよい。ベーキング時間は、例えば数分間でもよい。また、このベーキングステップは、レジスト層上に残留している水滴の除去をさらに含んでもよい。
【００３６】
続いて、ステップ９０８において、現像溶液内でレジスト層を現像する。そして、露光されたレジスト領域を実質的に溶解する。
【００３７】
方法９００は、水滴のｐＨ値が６よりも低くなるように、露光ステップ９０４とベーキングステップ９０６との間において、レジスト層上に残留している水滴を処理するステップをさらに行ってもよい。このように酸処理された水滴は、水滴へのアルカリ性クエンチャーの拡散を中和することができる。これにより、水滴を通して露光されたレジスト領域へクエンチャーが拡散する衝撃を低減し、露光されたレジスト領域から水滴への酸の拡散を減らすこともできる。
【００３８】
本発明では好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知するものなら誰でも、本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って本発明の保護の範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の好適な一実施形態による感光層を有する半導体デバイス１００に液浸リソグラフィ工程を行う時の状態を示す断面図である。
【図２】本発明の好適な一実施形態による液浸リソグラフィ工程中に半導体デバイス上に感光層及びウォータマークが形成される状態を示す断面図である。
【図３】本発明の好適な一実施形態による液浸リソグラフィ工程中に半導体デバイス上に感光層及びウォータマークが形成される状態を示す断面図である。
【図４】化学的に結合されたクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるポリマー及びポリマーへ化学的に結合されたクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態によるポリマー及びポリマーへ化学的に結合されたクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態によるポリマー及びポリマーへ化学的に結合されたクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図６】本発明の一実施形態による物理的に捕捉されたクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｆ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｇ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｈ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｉ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図７Ｊ】本発明の一実施形態による移動度が低いクエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による疎水性クエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態による疎水性クエンチャーを有する感光層を示す模式図である。
【図９】本発明の一実施形態による液浸フォトリソグラフィのパターニング方法を示す流れ図である。
【符号の説明】
【００４０】
１００  半導体デバイス
２００  半導体デバイス
３００  半導体デバイス
４００  半導体デバイス
１１０  基板
１２０  レジスト層
１２０ａ  未露光フィーチャ
１２０ｂ  露光フィーチャ
１２０ｃ  Ｔ形上面レジストフィーチャ
１３０  ＰＡＧ
１４０  クエンチャー
１４２  窒素原子
１４４  第１の化学グループ
１４６  第２の化学グループ
１５０  水滴
１６０  ポリマー
１６２  一つの炭素ユニット
１６４  二つの炭素ユニット
１６６  三つの炭素ユニット
９００  液浸リソグラフィ方法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2007102180.tif 000012
【図７Ｃ】
2007102180.tif 000013
【図７Ｄ】
2007102180.tif 000014
【図７Ｅ】
2007102180.tif 000015
【図７Ｆ】
2007102180.tif 000016
【図７Ｇ】
2007102180.tif 000017
【図７Ｈ】
2007102180.tif 000018
【図７Ｉ】
2007102180.tif 000019
【図７Ｊ】
2007102180.tif 000020
【図８Ａ】
2007102180.tif 000021
【図８Ｂ】
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【図９】
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