(57)【要約】      （修正有）【課題】グランド用配線パターンとグランド層との密着性が向上された配線回路基板を提供する。【解決手段】配線回路基板は、金属基板１を備える。金属基板１上には、ベース絶縁層２が形成されている。ベース絶縁層２の所定の部分には、円形の貫通孔２ａが形成されている。ベース絶縁層２上には、金属薄膜７を介して信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂが平行に並ぶように形成されている。グランド用配線パターン３ｂは、ベース絶縁層２の貫通孔２ａを通して金属基板１と電気的に接続されている。貫通孔２ａの直径はグランド用配線パターン３ｂの幅よりも大きく設定されている。また、グランド用配線パターン３ｂは、ベース絶縁層２の表面、貫通孔２ａの内周面、および貫通孔２ａ内に露出する金属基板１の表面に接触するように延びている。【選択図】図１
2007115864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板と、
前記導電性基板上に形成され、貫通孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記貫通孔内で前記導電性基板に接触するように延びる導体パターンとを備え、
前記導体パターンの幅方向における前記貫通孔の長さが前記導体パターンの幅よりも大きいことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記導電性基板は金属基板であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記導体パターンの所定部を覆うように形成されるカバー絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
導電性基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記貫通孔内で前記導電性基板と接触するように延びる導体パターンを形成する工程とを備え、
前記導体パターンの幅方向における前記貫通孔の長さは前記導体パターンの幅よりも大きくなるように形成されることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グランド用配線パターンを有する配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板上には種々の電子部品が実装される。その電子部品の動作に伴い電子機器の誤動作等の原因となるノイズが発生する。このノイズを低減するために、一般的には、大面積のグランド層が設けられる。
【０００３】
従来の配線回路基板においては、金属基板をグランド層として使用することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図４は、従来の配線回路基板を示す断面図である。
【０００５】
図４に示すように、金属基板１１上に絶縁層１２が形成される。絶縁層１２には、層間接続穴１２ａが形成され、層間接続穴１２ａを通じて金属基板１１と電気的に導通するように絶縁層１２上に導体１３ａが形成される。これにより、回路基板上に実装される電子部品の接地側の端子を導体１３ａを通じて大面積の金属基板１１に電気的に接続することができる。その結果、ノイズを低減することが可能となる。
【特許文献１】特開平６−１６４０８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図４に示すような従来の配線回路基板においては、導体１３ａと金属基板１１との密着性が低く、剥離しやすい。
【０００７】
本発明の目的は、グランド用配線パターンとグランド層との密着性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、導電性基板と、導電性基板上に形成され、貫通孔を有する絶縁層と、絶縁層上に形成され、貫通孔内で導電性基板に接触するように延びる導体パターンとを備え、導体パターンの幅方向における貫通孔の長さが導体パターンの幅よりも大きいものである。
【０００９】
第１の発明に係る配線回路基板においては、貫通孔を有する絶縁層が導電性基板上に形成される。絶縁層上には貫通孔内で導電性基板に接触するように延びる導体パターンが形成される。ここで、導体パターンの幅方向における貫通孔の長さは、導体パターンの幅よりも大きく設定される。
【００１０】
この場合、導体パターンがグランド用配線パターンとして用いられ、導電性基板がグランド層として用いられる。配線回路基板上に実装される電子部品から発生するノイズは、導体パターンを介して導電性基板に吸収される。
【００１１】
導体パターンの幅方向における貫通孔の長さが導体パターンの幅よりも大きく設定されることにより、導体パターンは、貫通孔内で幅方向全体にわたって導体性基板の表面に接触する。そのため、導体パターンと導電性基板との接触面積が十分に確保される。その結果、導体パターンと導電性基板との密着性が向上される。
【００１２】
（２）導電性基板は金属基板であってもよい。この場合、金属基板は導電性が高いので、配線回路基板上に実装される電子部品から発生するノイズが、導体パターンを介して金属基板に十分に吸収される。
【００１３】
（３）配線回路基板は、導体パターンの所定部を覆うように形成されるカバー絶縁層をさらに備えてもよい。この場合、カバー絶縁層により導体パターンが十分に固定されるので、導体パターンが導電性基板から剥離することが防止される。
【００１４】
（４）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、導電性基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層に貫通孔を形成する工程と、絶縁層上に貫通孔内で導電性基板と接触するように延びる導体パターンを形成する工程とを備え、導体パターンの幅方向における貫通孔の長さは導体パターンの幅よりも大きくなるように形成されるものである。
【００１５】
第２の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、貫通孔を有する絶縁層が導電性基板上に形成される。絶縁層上には貫通孔内で導電性基板に接触するように延びる導体パターンが形成される。ここで、導体パターンの幅方向における貫通孔の長さは、導体パターンの幅よりも大きく設定される。
【００１６】
この場合、導体パターンがグランド用配線パターンとして用いられ、導電性基板がグランド層として用いられる。配線回路基板上に実装される電子部品から発生するノイズは、導体パターンを介して導電性基板に吸収される。
【００１７】
導体パターンの幅方向における貫通孔の長さが導体パターンの幅よりも大きく設定されることにより、導体パターンは、貫通孔内で幅方向全体にわたって導体性基板の表面に接触する。そのため、導体パターンと導電性基板との接触面積が十分に確保される。その結果、導体パターンと導電性基板との密着性が向上される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、導体パターンの幅方向における貫通孔の長さが導体パターンの幅よりも大きく設定される。それにより、導体パターンは、貫通孔内で幅方向全体にわたって導体性基板の表面に接触する。そのため、導体パターンと導電性基板との接触面積が十分に確保される。その結果、導体パターンと導電性基板との密着性が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
（１）配線回路基板の構成
図１（ａ）は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示される配線回路基板のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２１】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、配線回路基板１０は、例えばステンレスからなる金属基板１を備える。金属基板１上には、例えばポリイミドからなるベース絶縁層２が形成されている。ベース絶縁層２の所定の部分には、円形の貫通孔２ａが形成されている。
【００２２】
ベース絶縁層２上には、例えばクロムおよび銅からなる金属薄膜７を介して、例えば銅からなる信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂが平行に並ぶように形成されている。信号用配線パターン３ａは、配線回路基板１０上に実装される電子部品（図示せず）の信号側の端子に電気的に接続される。グランド用配線パターン３ｂは、電子部品の接地側の端子に電気的に接続される。信号用配線パターン３ａは、ベース絶縁層２により金属基板１から電気的に絶縁されている。グランド用配線パターン３ｂは、ベース絶縁層２の貫通孔２ａを通して金属基板１と電気的に接続されている。
【００２３】
貫通孔２ａの直径はグランド用配線パターン３ｂの幅よりも大きく設定されている。また、グランド用配線パターン３ｂは、ベース絶縁層２の表面、貫通孔２ａの内周面、および貫通孔２ａ内に露出する金属基板１の表面に接触するように延びている。それにより、グランド用配線パターン３ｂは、貫通孔２ａ内で幅方向全体にわたって金属基板１の表面に接触する。
【００２４】
信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂの所定部を覆うように、ベース絶縁層２上にカバー絶縁層４が形成されている。
【００２５】
（２）配線回路基板の製造方法
次に、図１に示した配線回路基板１０の製造方法について説明する。ここでは、一例としてセミアディティブ法を用いた場合について説明する。
【００２６】
図２（ａ）〜図３（ｇ）は、セミアディティブ法を用いた場合の配線回路基板１０の製造方法を説明するための製造工程図である。
【００２７】
まず、図２（ａ）に示すように、金属基板１上の所定の位置にベース絶縁層２を形成する。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２上に貫通孔８ａを有するエッチングレジスト８を形成する。エッチングレジスト８は、例えば、ドライフィルムレジスト等によりベース絶縁層２上にレジスト膜を形成し、所定の位置に貫通孔８ａが形成されるようにレジスト膜を露光し、その後、現像することにより形成される。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、エッチングにより、エッチングレジスト８の下の領域を除くベース絶縁層２の領域、すなわち、貫通孔８ａ内のベース絶縁層２の部分を除去する。次いで、エッチングレジスト８を剥離液により除去する。これにより、ベース絶縁層２に貫通孔２ａが形成される。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、ベース絶縁層２上および貫通孔２ａ内に、例えば、スパッタリング法によりクロムおよび銅の積層膜からなる金属薄膜７を形成する。
【００３１】
次に、図２（ｅ）に示すように、金属薄膜７上にめっきレジスト９を形成する。めっきレジスト９は、ベース絶縁層２上に所定のパターンの溝部Ｒ１を有し、貫通孔２ａ内およびベース絶縁層２上に連続する溝部Ｒ２を有する。めっきレジスト９は、例えば、ドライフィルムレジスト等により金属薄膜７上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンで露光し、その後、現像することにより形成される。
【００３２】
次に、図３（ｆ）に示すように、電解めっきにより溝部Ｒ１に信号用配線パターン３ａを形成し、溝部Ｒ２にグランド用配線パターン３ｂを形成する。
【００３３】
次に、図３（ｇ）に示すように、めっきレジスト９を化学エッチング（ウェットエッチング）または剥離によって除去する。
【００３４】
次に、図３（ｈ）に示すように、金属薄膜７の露出する領域をソフトエッチングにより除去する。
【００３５】
次に、図３（ｉ）に示すように、信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂを覆うようにカバー絶縁層４が形成される。これにより、図１に示した配線回路基板１０が完成する。
【００３６】
なお、配線回路基板１０の製造方法としては、上記のセミアディティブ法に限定されず、サブトラクティブ法等の他の製造方法を用いてもよい。
【００３７】
グランド用配線パターン３ｂの幅は、１０〜１００μｍであることが好ましい。ベース絶縁層２に形成される円形の貫通孔２ａの直径は、グランド用配線パターン３ｂの幅よりも大きく設定され、３０〜１４０μｍであることが好ましい。
【００３８】
金属基板１の材料は、ステンレスに限らず、アルミニウム等の他の材料を用いてもよい。
【００３９】
ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４の材料は、ポリイミドに限らず、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエーテルニトリルフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００４０】
信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂの材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。また、信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂとしては、異なる材料を用いてもよいが、同一の材料を用いることが好ましい。
【００４１】
（３）実施の形態の効果
本実施の形態では、グランド用配線パターン３ｂが、ベース絶縁層２の貫通孔２ａ内において金属基板１に電気的に接続される。この場合、金属基板１がグランド層として用いられ、配線回路基板１０上に実装される電子部品から発生するノイズは、グランド用配線パターン３ｂを介して金属基板１に吸収される。
【００４２】
ベース絶縁層２に形成される貫通孔２ａの直径は、グランド用配線パターン３ｂの幅よりも大きく設定されている。それにより、グランド用配線パターン３ｂと金属基板１との接触面積が十分に確保される。その結果、グランド用配線パターン３ｂと金属基板１との密着性が向上される。
【００４３】
（４）変形例
なお、本実施の形態では、ベース絶縁層２に形成される貫通孔２ａは円形を有するが、貫通孔２ａの形状はこれに限定されず、楕円形、四角形等の多角形、またはその他の形状を有してもよい。この場合、グランド用配線パターン３ｂの幅方向における貫通孔２ａの長さはグランド用配線パターンの幅よりも大きく３０〜１４０μｍであることが好ましい。
【００４４】
また、グランド用配線パターン３ｂの幅方向における貫通孔２ａの長さはグランド用配線パターンの幅よりも２０〜４０μｍ大きいことが好ましい。
【００４５】
（実施例）
本実施例では、図１に示した配線回路基板１０として回路付きサスペンション基板を作製した。配線回路基板１０の製造方法としては、上記のセミアディティブ法を用いた。ここで、回路付きサスペンション基板は、例えばハードディスクドライブ装置内に用いられ、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【００４６】
配線回路基板１０の信号用配線パターン３ａおよびグランド用配線パターン３ｂの材料としては、銅を用いた。また、グランド用配線パターン３ｂの幅は２０μｍとし、厚みは１０μｍとした。
【００４７】
金属基板１の材料としては、ステンレスを用いた。また、金属基板１の厚みは２５μｍとした。ベース絶縁層２の厚みは１０μｍとし、ベース絶縁層２に形成される貫通孔２ａの直径は５０μｍとした。また、カバー絶縁層４の厚みは５μｍとした。
【００４８】
（比較例）
比較例では、ベース絶縁層２に形成される貫通孔２ａの直径を１０μｍとする点を除いて、実施例と同じ方法により回路付きサスペンション基板を作製した。
【００４９】
（評価）
上記の実施例および比較例で作製された回路付きサスペンション基板において、グランド用配線パターン３ｂと金属基板１との剥離強度を測定した。その結果、実施例の回路付きサスペンション基板におけるグランド用配線パターン３ｂと金属基板１との剥離強度は、比較例の回路付きサスペンション基板におけるグランド用配線パターン３ｂと金属基板１との剥離強度の約２倍であった。
【００５０】
このように、ベース絶縁層２に形成される貫通孔２ａの直径を、グランド用配線パターン３ｂの幅よりも大きく設定することにより、グランド用配線パターン３ｂと金属基板１との密着性が向上されることがわかった。
【００５１】
（請求項の各構成要素と実施の形態の各部の対応）
上記実施の形態においては、金属基板１が導電性基板に相当し、ベース絶縁層２が絶縁層に相当し、グランド用配線パターン３ｂが導体パターンに相当する。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、回路素子が実装される種々の配線回路基板に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の平面図および断面図である。
【図２】セミアディティブ法を用いた場合の配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図３】セミアディティブ法を用いた場合の配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図４】従来の配線回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，１１  金属基板  
２  ベース絶縁層  
２ａ，８ａ  貫通孔
３ａ  信号用配線パターン  
３ｂ  グランド用配線パターン
４  カバー絶縁層
７  金属薄膜
８  エッチングレジスト
９  めっきレジスト
１０  配線回路基板
Ｒ１，Ｒ２  溝部
１２  絶縁層
１３ａ  導体
【図１】
2007115864.tif 000003
【図２】
2007115864.tif 000004
【図３】
2007115864.tif 000005
【図４】
2007115864.tif 000006