(57)【要約】【課題】絶縁層のコンタクトホールに起因した光量のムラを抑制する。【解決手段】駆動トランジスタＴdrを覆う第２絶縁層４２の表面には第１電極６１が形成される。第１電極６１は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨを介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４に接触する。第１電極６１とこれに対向する第２電極６２との間には発光層６６が形成される。発光層６６はコンタクトホールＣＨの内側の空間に入り込む。発光層６６からの放射光の出射側には補助配線７０が形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて第２電極６２に電気的に接続される配線であり、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う部分を含む。【選択図】図２
2007134268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコンタクトホールを介して前記スイッチン
グ素子に電気的に接続される第１電極と、
前記第１電極を挟んで前記基板とは反対側に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に介在するとともに前記コンタクトホールの内側の
空間に入り込む発光層と、
前記絶縁層に対して前記発光層による放射光の出射側に配置され、前記基板に垂直な方
向からみて前記コンタクトホールと重なり合う部分を含む遮光体と
を具備する発光装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子と前記第１電極とを各々が含む複数の画素を具備し、
前記発光層は、前記複数の画素にわたって連続に分布する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、前記コンタクトホールを介して前記絶縁層から露出した部分
が前記第１電極に接触する電極を含み、
前記遮光体は、前記スイッチング素子の前記電極よりも光反射率が低い材料によって形
成される
請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記遮光体は、前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２
電極に電気的に接続される補助配線である
請求項１から請求項３の何れかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記補助配線は、前記基板に垂直な方向からみて、前記コンタクトホールの内周縁に包
囲された領域の全域と重なり合う
請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記補助配線は、前記基板に垂直な方向からみて、前記コンタクトホールの内周縁に包
囲された領域の一部と重なり合い、
前記コンタクトホールの内周縁に包囲された領域のうち前記補助配線と重なり合わない
領域に重なり合う部分を含む遮光層をさらに具備する
請求項４に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成されて当該第２電極に電気的に
接続される補助配線を具備し、
前記遮光体は、前記基板に垂直な方向からみて前記補助配線と重なり合う
請求項１から請求項３の何れかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記遮光体は所定の方向に延在し、
前記コンタクトホールは、前記基板に垂直な方向からみて前記所定の方向を長手とする
形状に形成される
請求項１から請求項７の何れかに記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）材料など各種の発光材料によって形成され
た発光層を有する発光装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層による発光を制御するためにスイッチング素子（典型的にはトランジスタ）を利
用したアクティブマトリクス方式の発光装置が従来から提案されている。この種の発光装
置は、基板の面上に形成されたスイッチング素子と、このスイッチング素子を覆う絶縁層
と、絶縁層の面上に形成された第１電極および第２電極と、両電極の間に介挿された発光
層とを含む。第１電極は、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して、スイッチング
素子の電極（ドレイン電極またはソース電極）に電気的に接続される（例えば特許文献１
）。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この構成においては、太陽光や照明光などの外光が絶縁層のコンタクト
ホールを通過してスイッチング素子の電極に到達し、その表面における反射光（以下「不
要反射光」という）が観察側に出射する場合がある。この不要反射光は、発光層からの出
射光とは特性（例えば光量や分光特性）が相違するから、発光装置の面内における光量（
輝度）のバラツキの原因となる。
【０００４】
また、例えば、絶縁層の表面上だけでなくコンタクトホールの内側にも入り込むように
発光層が形成された構成においては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部
分からも光（以下「不要放射光」という）が出射する。しかしながら、発光層のうち絶縁
層の表面上に位置する部分とコンタクトホールの内側に入り込んだ部分とでは膜厚が相違
するから、前者の部分からの出射光と後者の部分から出射する不要放射光とは光量や分光
特性が相違する。したがって、この構成における不要放射光も発光装置の面内における光
量のバラツキ（ムラ）の原因となり得る。
【０００５】
以上に説明したように、スイッチング素子と第１電極とが絶縁層のコンタクトホールを
介して導通する構成においては、コンタクトホールの底面に位置する電極での不要反射光
やコンタクトホールの内側に入り込んだ発光層からの不要放射光に起因して光量にムラが
発生する（発光の均一性が損なわれる）という問題があった。このような事情を背景とし
て、本発明は、絶縁層のコンタクトホールに起因した光量のムラを抑制するという課題の
解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成されたスイッ
チング素子（例えば図２の駆動トランジスタＴdr）と、前記スイッチング素子を覆う絶縁
層（例えば図３の第２絶縁層４２）と、前記絶縁層の面上に形成され、当該絶縁層のコン
タクトホール（例えば図２や図３のコンタクトホールＣＨ）を介して前記スイッチング素
子に電気的に接続される第１電極と、前記第１電極を挟んで前記基板とは反対側に形成さ
れた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在するとともに前記コンタクト
ホールの内側の空間に入り込む発光層と、前記絶縁層に対して前記発光層による放射光の
出射側に配置され、前記基板に垂直な方向からみて前記コンタクトホールと重なり合う部
分を含む遮光体（例えば各実施形態における補助配線７０や遮光層８１）とを具備する。
【０００７】
この構成においては、コンタクトホールと重なり合う遮光体が発光層による放射光の出
射側（観察側）に配置される。したがって、太陽光や照明光などの外光は遮光体によって
遮断されるからコンタクトホールやスイッチング素子（特にその電極）には到達しない。
また、仮に外光がコンタクトホールを通過してスイッチング素子に到達した場合であって
も、その表面における不要反射光は遮光体によって遮断される。
【０００８】
また、この構成においては、発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成とされ
るから、コンタクトホールに入り込んでその窪みを埋める絶縁性の部材は原理的には不要
である。したがって、発光装置の製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られるという
利点がある。一方、本発明のように発光層がコンタクトホールの内側に入り込んだ構成に
おいては、発光層のうちコンタクトホールの内周面に沿った部分から不要放射光が出射す
るが、この不要放射光は遮光体によって遮断される。このように本発明によれば、不要反
射光だけでなく不要放射光についても観察側への出射が防止される。したがって、コンタ
クトホールに起因した光量のムラを抑制することができる。
【０００９】
なお、本発明における「絶縁層に対して発光層による放射光の出射側」とは、発光層か
らの放射光の出射が本来的に予定された側という意味である。例えば、第１電極が光透過
性を有するボトムエミッション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板側が「発光
層による放射光の出射側」に相当する。また、第２電極が光透過性を有するトップエミッ
ション型の発光装置においては、絶縁層からみて基板とは反対側が「発光層による放射光
の出射側」に相当する。また、例えば発光装置の用途に着目すると、例えば発光装置が表
示装置として利用される場合には、絶縁層に対して観察側（すなわち発光装置による表示
画像を視認する観察者が位置する側）が「発光層による放射光の出射側」に相当し、感光
体ドラムなどの感光体を露光する露光装置（露光ヘッド）として発光装置が利用される場
合には、絶縁層に対して感光体側が「発光層による放射光の出射側」に相当する。
【００１０】
コンタクトホールの内側の空間に発光層が入り込む構成の典型例は、発光層が複数の画
素（各々がスイッチング素子と第１電極とを含む）にわたって連続に分布する態様である
。この態様によれば、発光層を画素ごとに区分するための仕組み（例えば基板上の空間を
画素ごとに仕切る隔壁）が不要となるから、発光装置の製造工程の簡素化や製造コストの
低減を実現することができる。
【００１１】
遮光体の光反射率がスイッチング素子の電極よりも高い場合、コンタクトホールに起因
した発光の不均一性は確かに解消されるものの、今度は遮光体における外光の反射光が発
光の均一性に影響を与える可能性もある。そこで、本発明の好適な態様において、スイッ
チング素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第１電極に接触する
電極（例えば図２や図３のドレイン電極３４）を含み、遮光体は、スイッチング素子の電
極よりも光反射率が低い材料によって形成される。この構成によれば、スイッチング素子
の電極よりも光反射率が低い材料によって遮光体が形成されるから、コンタクトホールに
おける反射光の影響と遮光体における反射光の影響とを双方とも解消して発光の均一性を
増進することができる。
【００１２】
第２電極の抵抗値が高い場合には第２電極における電圧降下に起因して発光層における
発光の均一性が損なわれる可能性がある。第２電極がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）など高抵抗の材料によって形成された構成（トップエミッショ
ン型）や、第２電極が広範囲にわたって連続に分布する構成においては、第２電極におけ
る電圧降下が特に顕著となるから、発光の不均一性はいっそう深刻である。
そこで、本発明の好適な態様において、第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって
形成されて当該第２電極に電気的に接続される補助配線が遮光体として利用される。この
態様によれば、第２電極に導通する補助配線によって電圧降下が抑制されるから、第２電
極の面内における電圧降下に起因した発光の不均一性は抑制される。なお、この態様の具
体例は第１実施形態（図２・図３）、第２実施形態（図５・図６）、第５実施形態（図１
１・図１２）として後述される。
【００１３】
なお、以上においては補助配線が遮光体として兼用される構成を例示したが、本発明に
おいては、遮光体とは別個に補助配線が形成された構成も採用される。この後者の構成に
おいて、良好な光透過性を有する材料によって補助配線が形成されるならば特段の問題は
発生しない。しかしながら、第２電極よりも抵抗率が低いという条件を満たすためには、
補助配線の材料として遮光性の導電材料を採択せざるを得ない場合が多い。そして、遮光
体とは別個に遮光性の補助配線が形成された構成においては、補助配線が形成されない構
成と比較すると、補助配線のぶんだけ開口率（画素が分布する領域のうち実際に光が出射
する領域の占める割合）が低下するという問題がある。これに対し、以上に例示したよう
に補助配線が遮光体として兼用される態様によれば、補助配線が遮光体から独立して形成
された構成と比較して開口率が向上するという利点がある。また、開口率が増加するとい
うことは、所期の光量を発光装置から出射するために発光層に供給されるべき電気エネル
ギが低減されることを意味する。発光層（特に有機ＥＬ材料）は高い電気エネルギが供給
されるほど特性の劣化が進行するから、発光層に供給される電気エネルギを低減できる本
態様によれば、補助配線によって開口率が制約される構成と比較して、発光層の寿命（発
光量や発光効率などの特性値が所定値に低下するまでの時間長）を長期化することができ
るという利点がある。
【００１４】
補助配線が遮光体として利用される態様において、この補助配線は、基板に垂直な方向
からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域（開口領域）の全域と重なり合う
。この態様によれば、コンタクトホールに起因した不要反射光や不要放射光のうち遮光体
によって遮断される割合を増大させることができる。この態様の具体例は第１実施形態（
図２・図３）として後述される。なお、マスクを利用した蒸着などの成膜技術によって遮
光体（補助配線）が形成される場合には、たとえコンタクトホールの開口領域の全域と重
なり合うように遮光体を形成しようとしても、製造上のバラツキ（マスクのズレ）に起因
して遮光体の位置に誤差が生じる場合がある。このように誤差を原因として開口領域の一
部が遮光体と重なり合わない構成であっても、設計上において遮光体が開口領域の全域と
重なり合う以上は、本態様の「コンタクトホールの内周縁に包囲された領域の全域と重な
り合う」という要件を充足すると言える。
もっとも、補助配線が、基板に垂直な方向からみて、コンタクトホールの内周縁に包囲
された領域の一部（例えば図６における領域Ａ1）のみと重なり合う構成としてもよい。
この構成において、より望ましくは、コンタクトホールの内周縁に包囲された領域のうち
補助配線と重なり合わない領域（例えば図６における領域Ａ2）に重なり合う部分を含む
遮光層がさらに配置される。この構成によれば、補助配線によって遮断されない不要反射
光や不要放射光が遮光層によって遮断される。したがって、コンタクトホールの開口の全
域と重なるように補助配線が形成された態様と同様に、コンタクトホールに起因した不要
反射光や不要放射光のうち遮光体によって遮断される割合を増大させることができる。な
お、この態様の具体例は、例えば第２実施形態（図５・図６）として後述される。
【００１５】
以上においては補助配線が遮光体として兼用される構成を例示したが、遮光体とは別個
に補助配線が配置された構成も採用される。この態様のもとで補助配線が光反射性を有す
るならば、補助配線の表面における反射光（外光）によって発光の均一性が損なわれる可
能性がある。そこで、より好適な態様において、遮光体は、基板に垂直な方向からみて補
助配線と重なり合う。この態様によれば、コンタクトホールにおける不要反射光や不要放
射光はもちろん補助配線の表面における反射光も遮光体によって遮断されるから、発光の
均一性を維持することが可能である。換言すると、補助配線の材料として光反射性の導電
材料を採択した場合であっても発光の不均一性が阻害されないのであるから、補助配線の
材料の選択の余地を拡大することができるという利点がある。なお、この態様の具体例は
、例えば第３実施形態（図７・図８）および第４実施形態（図９・図１０）として後述さ
れる。
【００１６】
本発明の他の態様において、遮光体は所定の方向に延在し、コンタクトホールは、基板
に垂直な方向からみて所定の方向を長手とする形状に形成される。この態様によれば、コ
ンタクトホールの面積が充分に確保されるから、第１電極とスイッチング素子との接触部
分での抵抗を低減し、あるいは両者の導通の確実性を増進することができる。
【００１７】
本発明の発光装置は、トップエミッション型およびボトムエミッション型の何れにも適
用される。トップエミッション型の発光装置においては、第２電極が発光層からの出射光
を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置においては、第１電極が発光層からの出
射光を透過させる。ボトムエミッション型の発光装置の好適な態様において、スイッチン
グ素子は、コンタクトホールを介して絶縁層から露出した部分が第１電極に接触する電極
（例えば図１１や図１２のドレイン電極３４）を含み、遮光体は、スイッチング素子の電
極よりも光反射率が低い材料によってスイッチング素子の電極と基板との間に形成されて
当該電極に対向する。この態様によっても、スイッチング素子の電極における反射光が遮
光体によって遮断されるから、発光の均一性を維持することができる。なお、ボトムエミ
ッション型の発光装置の具体例は第５実施形態（図１１・図１２）として後述される。
【００１８】
なお、以上に例示したボトムエミッション型の発光装置において、補助配線が遮光体と
して兼用される構成も採用される。この構成において、補助配線は、絶縁層のコンタクト
ホール（例えば図１１のコンタクトホールＣＨ5）を介して第２電極に電気的に接続され
る。また、遮光体は、スイッチング素子を構成する要素（例えば図１１や図１２のゲート
電極２４２）と同一の材料によって形成されることが望ましい。この態様によれば、単一
の導電膜のパターニングによってスイッチング素子の電極と遮光体とをひとつの工程で一
括的に形成することができるから、遮光体がスイッチング素子とは別個の工程で形成され
る場合と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。
【００１９】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光
装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコン
ピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示
に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成
するための露光装置（露光ヘッド）としても本発明の発光装置を適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示すブロック図である
。この発光装置Ｄは、各種の電子機器に搭載されて画像を表示する表示装置であり、図１
に示すように、Ｘ方向に延在する複数の選択線１１と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在す
る複数の信号線１３とを有する。選択線１１と信号線１３との各交差には画素Ｐが配置さ
れる。したがって、これらの画素Ｐは所定の領域（以下「発光領域」という）内にてＸ方
向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。
【００２１】
ひとつの画素Ｐは、電流の供給によって発光する発光素子Ｅと、この発光素子Ｅに供給
される電流を制御するための駆動トランジスタＴdrおよび選択トランジスタＴslとを含む
。発光素子Ｅは、有機ＥＬ材料からなる発光層６６を第１電極６１と第２電極６２との間
に介在させた素子である。発光層６６は、第１電極６１から第２電極６２に流れる電流に
応じた輝度（光量）で発光する。
【００２２】
駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御するためのスイッチン
グ素子であり、ソース電極が電源線１５に接続される。電源線１５には高位側の電源電位
Ｖddが供給される。駆動トランジスタＴdrのゲート電極とソース電極との間には、駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極の電位を保持するための容量素子Ｃが介挿される。また、駆
動トランジスタＴdrのドレイン電極は発光素子Ｅの第１電極６１に接続される。発光素子
Ｅの第２電極６２には補助配線７０を介して低位側の電源電位Ｇndが供給される。なお、
補助配線７０の作用やその具体的な形態については後述する。
【００２３】
一方、選択トランジスタＴslは、駆動トランジスタＴdrのゲート電極と信号線１３との
間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。この選択トランジ
スタＴslのゲート電極は選択線１１に接続される。なお、本実施形態においては駆動トラ
ンジスタＴdrがｐチャネル型で選択トランジスタＴslがｎチャネル型である構成を例示す
るが、各々の導電型は任意に変更され得る。
【００２４】
選択線１１に供給される選択信号がアクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴsl
がオン状態に変化すると、画素Ｐに指定された階調に応じたデータ電位Ｖdataが信号線１
３から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲート電極に供給される
。このときに容量素子Ｃにはデータ電位Ｖdataに応じた電荷が蓄積されるから、選択線１
１が非アクティブレベルに遷移して選択トランジスタＴslがオフ状態に変化しても、駆動
トランジスタＴdrのゲート電極はデータ電位Ｖdataに維持される。発光素子Ｅには、駆動
トランジスタＴdrのゲート電極の電位に応じた電流（すなわちデータ電位Ｖdataに応じた
電流）が供給される。この電流の供給によって発光素子Ｅはデータ電位Ｖdataに応じた輝
度（光量）で発光する。
【００２５】
次に、図２は、ひとつの画素Ｐの具体的な構成を示す平面図であり、図３は、図２にお
けるIII−III線からみた断面図である。なお、図２は平面図であるが、各要素の把握を容
易化するために、図３と共通する各要素については図３と同じ態様のハッチングが施され
ている。以下の各実施形態に係る平面図（図５、図７、図９、図１１）においても同様で
ある。また、図２においては、図１の発光層６６や第２電極６２の図示が便宜的に省略さ
れている。
【００２６】
図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅといった図１の各要素は基板１
０の表面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁性材料を略
長方形状に成形した板状の部材である。なお、基板１０を覆う絶縁性の膜体（例えば酸化
珪素や窒化珪素などの膜体）を下地として各画素Ｐの要素を形成してもよい。以下では、
基板１０からみて駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅが形成された側（すなわち図３にお
ける上方）を「観察側」と表記する。すなわち、「観察側」とは、発光装置Ｄによって表
示された画像を視認する観察者の側である。
【００２７】
図２および図３に示すように、駆動トランジスタＴdrは、基板１０の面上に形成された
半導体層３１と、基板１０の全面に形成されて半導体層３１を覆うゲート絶縁層４０と、
ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層３１に対向するゲート電極２４２と、ソース電極３３
およびドレイン電極３４とを含む。半導体層３１は、シリコンなどの半導体材料によって
略矩形に形成された膜体である。
【００２８】
図２に示すように、ゲート絶縁層４０の面上には中間導電体２４が形成される。この中
間導電体２４のうちＸ方向に延在して半導体層３１に重なり合う部分がゲート電極２４２
である。図３に示すように、半導体層３１は、ゲート絶縁層４０を挟んでゲート電極２４
２に対向するチャネル領域３１cと、このチャネル領域３１cを挟むソース領域３１sおよ
びドレイン領域３１dとを含む。
【００２９】
図３に示すように、半導体層３１やゲート電極２４２（中間導電体２４）が形成された
基板１０の表面はその全域にわたって第１絶縁層４１に覆われる。ソース電極３３やドレ
イン電極３４は第１絶縁層４１の面上に形成される。ソース電極３３は、図２に示すよう
に、Ｘ方向に延在する電源線１５の部分であり、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを
貫通するコンタクトホールＣＨ1aを介して半導体層３１のソース領域３１sに導通する。
【００３０】
ドレイン電極３４は、第１部分３４１と第２部分３４２とが連続する形状に成形される
。第１部分３４１は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホール
ＣＨ1bを介して半導体層３１のドレイン領域３１dに導通する。第２部分３４２は、図２
に示すようにＸ方向に延在する部分である。
【００３１】
図２に示すように、中間導電体２４は、電源線１５に重なり合う電極部２４４とゲート
電極２４２からＹ方向に延在して電源線１５と交差する配線部２４６とを含む。電極部２
４４と電源線１５とが第１絶縁層４１を挟んで対向することによって図１の容量素子Ｃが
構成される。
【００３２】
一方、選択トランジスタＴslは、図２に示すように、基板１０の面上に形成された半導
体層５１と、ゲート絶縁層４０を挟んで半導体層５１のチャネル領域に対向するゲート電
極１１２と、ゲート電極１１２を覆う第１絶縁層４１の面上に形成されたドレイン電極５
３およびソース電極５４とを含む。ゲート電極１１２は、Ｘ方向に延在する選択線１１か
らＹ方向に分岐して半導体層５１に重なる部分である。選択線１１と中間導電体２４とは
共通の導電膜のパターニングによって同一の工程で一括的に形成される。同様に、ドレイ
ン電極５３およびソース電極５４と、駆動トランジスタＴdrのソース電極３３（電源線１
５）およびドレイン電極３４とは、単一の導電膜のパターニングによって同じ工程で形成
される。
【００３３】
ドレイン電極５３は、第１絶縁層４１とゲート絶縁層４０とを貫通するコンタクトホー
ルＣＨ2bを介して半導体層５１のドレイン領域に導通する。同様に、ソース電極５４は、
コンタクトホールＣＨ2aを介して半導体層５１のソース領域に導通する。また、ソース電
極５４は、第１絶縁層４１を貫通するコンタクトホールＣＨ3を介して中間導電体２４の
配線部２４６に導通する。これによって選択トランジスタＴslのソース電極５４と駆動ト
ランジスタＴdrのゲート電極２４２とが電気的に接続される。
【００３４】
図２に示すように、図１の信号線１３は、電源線１５の下層にてＹ方向に延在して電源
線１５と交差する交差部１３１と、各電源線１５の間隙にてＹ方向に延在する配線部１３
２とを含む。交差部１３１は、選択線１１や中間導電体２４と共通の導電膜から形成され
る。配線部１３２は、トランジスタＴdrのソース電極３３やドレイン電極３４と共通の導
電膜から形成される。配線部１３２の端部１３ａは第１絶縁層４１のコンタクトホールＣ
Ｈ4aを介して交差部１３１に導通する。同様に、配線部１３２の端部１３ｂは第１絶縁層
４１のコンタクトホールＣＨ4bを介して交差部１３１に導通する。以上のように各交差部
１３１と各配線部１３２との電気的な接続によって信号線１３が構成される。選択トラン
ジスタＴslのドレイン電極５３は、配線部１３２のうち半導体層５１と重なり合う部分で
ある。
【００３５】
図３に示すように、電源線１５やドレイン電極３４が形成された第１絶縁層４１の表面
はその全域にわたって第２絶縁層４２に覆われる。第１絶縁層４１や第２絶縁層４２は、
例えば酸化珪素や窒化珪素といった絶縁材料によって形成される。図２および図３に示す
ように、第２絶縁層４２のうち基板１０に垂直な方向からみてドレイン電極３４の第２部
分３４２と重なり合う部分には、第２絶縁層４２を厚さ方向に貫通するコンタクトホール
ＣＨが形成される。したがって、第２部分３４２はコンタクトホールＣＨを介して第２絶
縁層４２から露出する。図２のように基板１０に垂直な方向からみると、コンタクトホー
ルＣＨは、Ｘ方向を長手とする略長方形である。
【００３６】
第２絶縁層４２の面上（コンタクトホールＣＨ以外の表面）には略長方形の反射層４４
が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。反射層４４は、アルミニウムや銀などの合金
またはこれらを主成分とする合金など光反射性を有する材料によって形成された膜体であ
り、発光層６６から基板１０側への出射光を観察側（図３の上方）に反射する。さらに、
第２絶縁層４２の表面上には、発光素子Ｅの陽極として機能する第１電極６１（図１参照
）が画素Ｐごとに相互に離間して形成される。第１電極６１は、反射層４４を覆う略長方
形の電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）な
ど光透過性の導電材料によって形成される。図２および図３に示すように、第１電極６１
は、第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨに入り込んで駆動トランジスタＴdrのドレイ
ン電極３４（第２部分３４２）に接触する。この接触によって第１電極６１と駆動トラン
ジスタＴdrとが電気的に接続される。
【００３７】
第１電極６１は、スパッタリングや真空蒸着といった各種の成膜技術によって、コンタ
クトホールＣＨの外形の寸法に対して充分に薄い膜厚に形成される。したがって、図３に
示すように、第１電極６１には、第２絶縁層４２の膜厚とコンタクトホールＣＨの外形と
を反映した凹部（窪み）６１１が形成される。すなわち、第１電極６１のうちドレイン電
極３４に接触する部分が凹部６１１の底面部に相当し、第１電極６１のうちコンタクトホ
ールＣＨの内周面を覆う部分が凹部６１１の側面部に相当する。
【００３８】
図１の発光層６６は第２絶縁層４２の表面上に形成される。図１においては発光層６６
が便宜的に画素Ｐごとに図示されているが、実際の発光層６６は、図３に示すように、複
数の画素Ｐにわたって連続に分布するように基板１０の全域に形成されて各第１電極６１
を覆う。なお、第１電極６１は画素Ｐごとに相互に離間して形成されるから、発光層６６
が複数の画素Ｐにわたって連続するとは言っても、発光層６６からの発光量は画素Ｐごと
に個別に制御される。
【００３９】
本実施形態のように発光層６６が複数の画素Ｐにわたって連続に分布する構成によれば
、各画素Ｐの発光層６６をひとつの工程で一括的に形成することができる。また、発光層
６６の形成には、スピンコート法に代表される印刷技術など、それ以外の成膜技術と比較
して低廉な方法を採用することができる。加えて、発光層６６を画素Ｐごとに仕切るため
の仕組み（例えば基板１０の表面上に格子状に形成された隔壁）を形成する必要はない。
したがって、発光層６６が画素Ｐごとに区分される構成と比較して製造工程の簡素化や製
造コストの低減が実現される。なお、発光層６６は高分子材料および低分子材料の何れに
よって形成されてもよい。また、発光層６６による発光を促進ないし効率化するための各
種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子
ブロック層）が発光層６６に積層された構成も採用される。
【００４０】
図３に示すように、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部分は、第１
電極６１の凹部６１１の内側（コンタクトホールＣＨの内側の空間）に入り込み、この凹
部６１１の内周面と底面とに接触する。発光層６６はコンタクトホールＣＨの外形の寸法
と比較して充分に薄い膜厚に形成されるから、発光層６６の表面には第１電極６１の凹部
６１１の段差を反映した凹部（窪み）が現れる。
【００４１】
図３に示すように、第２電極６２は、基板１０の全域にわたって連続に分布して発光層
６６を覆う電極である。本実施形態の第２電極６２は、ＩＴＯやＩＺＯなど光透過性の導
電材料によって形成される。したがって、発光層６６から基板１０とは反対側に出射した
光と、発光層６６から基板１０側に出射して反射層４４の表面で反射した光とは、第２電
極６２を透過して観察側に出射する。すなわち、本実施形態の発光装置Ｄは、発光素子Ｅ
による放射光が基板１０とは反対側に出射するトップエミッション型である。
【００４２】
光透過性を有する導電材料の多くは抵抗率が高いから、この種の材料によって形成され
た第２電極６２は高抵抗となってその面内における電圧降下が顕著となる。したがって、
各発光素子Ｅに供給される電位が第２電極６２の面内における位置に応じて相違し、この
結果として発光領域における光量のムラ（輝度や階調のムラ）が発生する場合がある。
【００４３】
この光量のバラツキを解消するために、本実施形態においては、第２電極６２の導電性
を補助するための補助配線７０が形成される。補助配線７０は、第２電極６２よりも抵抗
率が低い導電材料によって形成される。本実施形態の補助配線７０は、第２電極６２の表
面に接触するように形成されて第２電極６２と電気的に導通する。この構成によれば、電
流の大部分は低抵抗の補助配線７０を流れるから、第２電極６２における電圧降下は抑制
される。したがって、各発光素子Ｅに供給される電位が均一化され、この結果として電圧
降下に起因した光量のムラを有効に抑制することができる。本実施形態の補助配線７０は
遮光性の導電材料によって形成される。より好適には、ドレイン電極３４よりも光反射率
が低い材料によって補助配線７０が形成される。
【００４４】
図４は、本実施形態における補助配線７０の具体的な形態を例示する平面図である。同
図においては各第１電極６１の外形が破線で併記されている。図４に示すように、補助配
線７０は、画素Ｐの各行に対応してＸ方向に延在する複数の第１部分７１と、画素Ｐの各
列に対応してＹ方向に延在する複数の第２部分７２とが交差した格子状に成形される。も
っとも、補助配線７０の形状は図４の例示に限定されない。例えば、Ｘ方向に延在する複
数の第１部分７１のみを含む形状としてもよい。
【００４５】
補助配線７０の第１部分７１は、図２に示すように基板１０に垂直な方向からみると、
第２絶縁層４２のコンタクトホールＣＨと重なり合う。さらに詳述すると、本実施形態の
第１部分７１は、Ｘ方向に延在するコンタクトホールＣＨの幅（Ｙ方向の寸法）と略同一
の幅またはこれよりも幅広に形成される。したがって、図２および図３に示すように、第
１部分７１は、基板１０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣＨの内周縁が包囲する
領域（以下「開口領域」という）の全域と重なり合う。
【００４６】
ところで、駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３４の材料として採択され得る導電材
料の多くは光反射性を有する。したがって、補助配線７０が形成されない従来の構成にお
いては、太陽光や照明光などの外光が観察側からドレイン電極３４の表面に到達し、その
表面における反射光（不要反射光）が観察側に出射する場合がある。そして、この不要反
射光の特性と発光層６６からの出射光の特性との相違に起因して、発光領域の面内におけ
る光量の均一性が損なわれるという問題がある。これに対し、本実施形態においては、遮
光性の補助配線７０がコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と重なり合うように形成さ
れる。したがって、観察側からドレイン電極３４に向かう外光は補助配線７０の観察側の
表面にて遮断される。また、仮に外光がドレイン電極３４に到達したとしても、その表面
における不要反射光は補助配線７０の基板１０側の表面にて遮断される。以上のように、
本実施形態によれば不要反射光の観察側への出射が防止されるから、発光領域の面内にお
ける光量（輝度または階調）を均一化することができる。
【００４７】
また、図３に示すように、発光層６６のうち第１電極６１の凹部６１１の内周面を覆う
部分６６１は、それ以外の部分と同様に第１電極６１と第２電極６２との間に介在する。
したがって、各発光素子Ｅの駆動に際しては部分６６１からも光（すなわち不要放射光）
が出射する。しかしながら、この不要放射光の特性（光量や分光特性）は発光層６６のう
ち第２絶縁層４２の表面上に位置する平坦な部分からの出射光の特性とは相違するから、
不要放射光を観察側に出射させた場合には発光装置Ｄの発光の均一性が損なわれる。また
、発光層６６のうち部分６６１以外の部分からの出射光と部分６６１からの不要放射光と
が相互に干渉し合い、この結果として観察側への出射光が特定の色味を呈する可能性もあ
る。本実施形態においては、コンタクトホールＣＨと重なり合うように補助配線７０が形
成されるから、凹部６１１から観察側に向かう不要放射光が補助配線７０によって遮断さ
れる。以上のように、本実施形態によれば、不要放射光および不要反射光の双方を遮断し
て発光領域における光量を均一化することができる。
【００４８】
なお、本実施形態においては補助配線７０がコンタクトホールＣＨと重なり合う構成を
例示したが、以上の効果を実現するための構成としては、例えば、補助配線７０とは別個
の遮光性の物体（以下「遮光体」という）がコンタクトホールＣＨと重なり合うように形
成された構成も考えられる。この構成において、補助配線７０はコンタクトホールＣＨと
重なり合わないように形成される（例えば図８や図１０を参照）。しかしながら、この構
成においては、コンタクトホールＣＨおよび補助配線７０の双方の領域が発光に寄与しな
い領域（いわゆるデッドスペース）となるから、発光装置Ｄの開口率（画素Ｐが分布する
発光領域のうち実際に光が出射する領域の占める比率）が制約されるという問題がある。
これに対し、本実施形態においては、補助配線７０がコンタクトホールＣＨの遮光体とし
て兼用されるから、以上の構成と比較して開口率を増加させることができる。なお、本実
施形態において開口率を増加させ得るということは、所期の光量を発光装置Ｄから放射す
るために発光層６６に供給されるべき電気エネルギが低減されることを意味する。発光層
６６は高い電気エネルギが供給されるほど特性の劣化が促進されるから、本実施形態によ
れば、開口率の増加によって発光層６６の寿命が長期化されると言うこともできる。
【００４９】
また、駆動トランジスタＴdrと第１電極６１とを確実に導通させるためには、コンタク
トホールＣＨの面積（すなわち第１電極６１とドレイン電極３４とが接触する面積）が充
分に確保されることが望ましい。しかしながら、補助配線７０とコンタクトホールＣＨと
が重なり合わない構成のもとでコンタクトホールＣＨの面積を拡大すると、その拡大分だ
け開口率が低下するという問題がある。これに対し、本実施形態においては、コンタクト
ホールＣＨと重なり合うように補助配線７０が形成されるから、補助配線７０によって覆
われる領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しな
い。したがって、本実施形態によれば、図２に示すようにＸ方向に長尺の形状とすること
でコンタクトホールＣＨの面積を充分に確保することができ、この結果として駆動トラン
ジスタＴdrと第１電極６１との接触部分での抵抗を低減することができる。
【００５０】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、以下に示す各形態の発光装置Ｄ
のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその詳細な説明を適宜に
省略する。
【００５１】
図５は、本実施形態における画素Ｐの構成を示す平面図であり、図６は、図５における
VI−VI線からみた断面図である。第１実施形態においては、コンタクトホールＣＨの開口
領域の全域と重なり合うように補助配線７０が形成された構成を例示した。これに対し、
本実施形態においては、図５および図６に示すように、コンタクトホールＣＨの開口領域
のうち領域Ａ1のみと重なり合うように補助配線７０（第１部分７１）が形成される。図
６の領域Ａ2は、開口領域のうち補助配線７０と重なり合わない領域である。
【００５２】
図６に示すように、本実施形態における発光装置Ｄは基板８０を具備する。この基板８
０は、発光素子Ｅに対する外気や水分の付着を防止するための光透過性の板材であり、基
板１０のうち発光素子Ｅが配置された表面と対向するように配置される。基板８０におけ
る基板１０との対向面には遮光層８１が形成される。この遮光層８１は、黒色に着色され
た樹脂やクロムなどの金属といった遮光性の材料によって形成された膜体である。図５お
よび図６に示すように、遮光層８１は、基板１０と垂直な方向からみて開口領域のうち領
域Ａ2と重なり合う部分を含む。本実施形態の遮光層８１は、図４に例示した補助配線７
０と同様に各画素Ｐに対応した格子状に形成され、コンタクトホールＣＨの開口領域の全
域と重なり合うように寸法および形状が選定されている。したがって、遮光層８１は補助
配線７０の全域と重なり合う。さらに、本実施形態の遮光層８１は、ドレイン電極３４や
補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成される。
【００５３】
この構成によれば、ドレイン電極３４の表面で反射して領域Ａ2内を進行する不要反射
光や発光層６６の部分６６１から出射した不要放射光が遮光層８１によって遮断される。
したがって、補助配線７０が領域Ａ1のみを覆うとは言っても、第１実施形態と同様の作
用および効果が奏される。
【００５４】
さらに、本実施形態においては、補助配線７０よりも光反射率が低い材料によって形成
された遮光層８１が補助配線７０と重なり合う。この構成においては、観察側から補助配
線７０に向かう外光は遮光層８１によって遮断される。また、外光が補助配線７０に到達
したとしても、その表面における反射光は遮光層８１によって遮断される。したがって、
光反射率が高い材料によって補助配線７０が形成された場合であっても、この補助配線７
０の反射光に起因した発光領域内の光量のムラは抑制される。つまり、本実施形態によれ
ば、ドレイン電極３４および補助配線７０の双方からの反射光（不要反射光）が観察側に
出射するのを防止できる。
【００５５】
なお、以上に説明したように、補助配線７０からみて観察側に遮光層８１が形成された
構成によれば、補助配線７０の表面で反射する外光の影響を低減することができる。もっ
とも、第４実施形態や第５実施形態のように発光層６６がコンタクトホールＣＨに入り込
む構成においては、例えば部分６６１からの不要放射光が、補助配線７０の裏面（基板１
０側の表面）とドレイン電極３４２や反射層４４との間で反射を繰返したうえで最終的に
は観察側に出射する可能性がある。この不要放射光の出射を防止するという観点からする
と、補助配線７０と発光層６６との間（例えば図９や図１０の補助配線７０と第２電極６
２との間）に、補助配線７０よりも光反射率の低い遮光体（換言すると補助配線７０より
も光吸収率が高い遮光体）を配置した構成が好適に採用される。この構成によれば、発光
層６６の部分６６１から出射した不要放射光は補助配線７０の裏面に到達しないから、補
助配線７０における不要放射光の反射に起因した発光のムラを確実に防止することができ
る。
【００５６】
＜Ｃ：第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態における画素Ｐの構成を示す平面図であり、図８は、図
７におけるVIII−VIII線からみた断面図である。第１実施形態および第２実施形態におい
ては、基板１０に垂直な方向からみて補助配線７０がコンタクトホールＣＨと重なり合う
構成を例示した。これに対し、図７および図８に示すように、本実施形態の補助配線７０
は開口領域とは重なり合わない。
【００５７】
図８に示すように、本実施形態の補助配線７０は、発光層６６のうちコンタクトホール
ＣＨに重なり合わない部分（コンタクトホールＣＨからみてＹ方向の不側の領域である。
以下「平坦部分」という）６６３の表面に形成される。したがって、図７に示すように基
板１０に垂直な方向からみると、補助配線７０はコンタクトホールＣＨとは重なり合わな
い。平坦部分６６３は、第２絶縁層４２の表面に分布するから、発光層６６のうちコンタ
クトホールＣＨに重なり合う部分と比較して平坦である。第２電極６２は、発光層６６の
全域にわたって形成されて補助配線７０を覆う。
【００５８】
本実施形態においては、第２実施形態と同様に、基板８０の表面に遮光層８１が形成さ
れる。この遮光層８１は、ドレイン電極３４や補助配線７０よりも光反射率が低い遮光性
の材料によって形成される。図７および図８に示すように、基板１０に垂直な方向からみ
ると、遮光層８１は、コンタクトホールＣＨおよび補助配線７０の双方に重なり合う。し
たがって、本実施形態においても、ドレイン電極３４や補助配線７０からの反射光（不要
反射光）や発光層６６の部分６６１からの不要放射光が観察側に出射するのを防止するこ
とができる。
【００５９】
ところで、コンタクトホールＣＨと重なり合うように形成された各要素（発光層６６や
第２電極６２）の表面には、このコンタクトホールＣＨの形状（凹部）を反映した段差が
現れる場合がある。したがって、これらの要素の面上に補助配線７０が形成された構成に
おいては、その表面の段差によって補助配線７０が断線または剥離する可能性がある。こ
れに対し、本実施形態においては、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨから外れた平
坦な部分６６１の面上に補助配線７０が形成される。したがって、補助配線７０の断線や
剥離を有効に防止することができる。
【００６０】
＜Ｄ：第４実施形態＞
図９は、本発明の第４実施形態における画素Ｐの構成を示す断面図であり、図１０は、
図９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。以上の第３実施形態においては、遮光層８
１がコンタクトホールＣＨの開口領域の全域を覆う構成を例示した。これに対し、本実施
形態の遮光層８１は、開口領域の一部である領域Ａ3と補助配線７０とを覆うように形成
され、開口領域のうち領域Ａ3以外の領域Ａ4は被覆しない。補助配線７０は発光層６６の
平坦部分６６３（コンタクトホールＣＨから外れた位置）に形成されるから、本実施形態
においても第３実施形態と同様に、補助配線７０の断線や剥離を有効に防止することがで
きる。
【００６１】
図１０に示すように、発光層６６のうちコンタクトホールＣＨに重なり合う部分（特に
第１電極６１の凹部６１１の底面を覆う部分）からの放射光の一部は、図１０に矢印Ｌで
示すように領域Ａ4を通過して観察側に出射する。したがって、本実施形態によれば、第
３実施形態の構成と比較して領域Ａ4の分だけ開口率を増加させることができる。
【００６２】
＜Ｅ：第５実施形態＞
図１１は、本発明の第５実施形態に係る画素Ｐの構成を示す平面図であり、図１２は、
図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。以上の各形態においてはトップエミッ
ション型の発光装置Ｄを例示した。これに対し、本実施形態の発光装置Ｄはボトムエミッ
ション型である。すなわち、図１２に示すように、以上の各形態にて説明した反射層４４
は形成されず、その代わりに第２電極６２が光反射性の導電材料によって形成される。し
たがって、発光層６６から基板１０側に出射した光と発光層６６から基板１０とは反対側
に出射して第２電極６２の表面で反射した光とは、第１電極６１や基板１０を透過して図
１２の下方に出射する。
【００６３】
本実施形態においても、第１実施形態や第２実施形態と同様に、ドレイン電極３４よる
反射光の出射を防止する遮光体として補助配線７０が利用される。ただし、本実施形態に
おいては発光層６６からみて基板１０側（図１２の下方）が観察側となるから、図１２に
示すように、補助配線７０はドレイン電極３４と基板１０との間に形成される。本実施形
態の補助配線７０は、基板１０の全域にわたって形成された単一の導電膜のパターニング
によって、ゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１３１）と同一の工程にて形
成される。したがって、補助配線７０はゲート電極２４２と同一の材料によって形成され
る。より好適には、ドレイン電極３４よりも光反射率が低い導電材料によって補助配線７
０やゲート電極２４２が形成される。
【００６４】
図１１のように基板１０に垂直な方向からみると、補助配線７０はドレイン電極３４（
より詳細にはコンタクトホールＣＨの開口領域）と重なり合う。第２電極６２は、図１１
に示すように、第１絶縁層４１と第２絶縁層４２とを貫通するコンタクトホールＣＨ5を
介して補助配線７０に電気的に接続される。この構成によれば、観察側（図１２の下方）
からドレイン電極３４に向かう外光やドレイン電極３４の表面で反射して観察側に向かう
不要反射光が補助配線７０によって遮断されるから、発光領域の面内における光量を均一
化することができる。
【００６５】
また、本実施形態の補助配線７０はゲート電極２４２（さらには選択線１１や交差部１
３１）と同一の工程にて形成される。この構成によれば、補助配線７０の形成のみに利用
される導電膜の形成やそのパターニングが不要となるから、以上の各形態のように補助配
線７０が他の要素とは別個の工程にて形成される場合と比較して、製造工程の簡素化や製
造コストの低減が実現される。また、本実施形態においては、発光層６６などの有機材料
の面上に補助配線７０を形成する必要がなく、さらにはゲート電極２４２と共通の低抵抗
な導電性材料によって補助配線７０が形成される。したがって、発光層６６の面上に補助
配線７０が形成された構成と比較して補助配線７０の低抵抗化が容易であるという利点も
ある。
【００６６】
なお、以上においてはボトムエミッション型の発光装置Ｄを例示したが、本実施形態は
トップエミッション型にも適用される。このトップエミッション型の発光装置Ｄにおいて
は、第１電極６１と基板１０との間に反射層４４が介挿され、第２電極６２は光透過性の
材料から形成される。この構成のもとでは、第１実施形態と同様に、補助配線７０と重な
り合う領域の範囲内であればコンタクトホールＣＨの面積を拡大しても開口率は低下しな
いから、コンタクトホールＣＨの面積を充分に確保して駆動トランジスタＴdrと第１電極
６１との接触部分での抵抗を低減することができる。さらに、補助配線７０が図１４や図
１５のように第１電極６１の下層に形成されたトップエミッション型の発光装置Ｄにおい
ては、例えば補助配線７０が遮光性の材料によって形成された場合であっても、発光層６
６からの放射光が補助配線７０によって遮断されることはない。したがって、開口率を向
上することができるという利点がある。
【００６７】
＜Ｆ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００６８】
（１）以上の各形態に例示したように発光層６６が複数の画素Ｐにわたって連続する構成
において、発光層６６からの出射光の特性は必然的に複数の画素Ｐについて共通する。し
たがって、複数色からなる画像の表示を実現する場合には、例えば各画素Ｐに対応するカ
ラーフィルタを基板８０の表面に形成した構成が採用される。また、発光層６６からの出
射光を第１電極６１と第２電極６２との間で共振させる共振器構造を画素Ｐごとに形成し
、画素Ｐに割り当てられた表示色ごとに共振器構造の共振波長を相違させた構成によって
も、複数色からなる画像を表示することが可能である。
【００６９】
（２）以上の各形態においては基板８０に遮光層８１が形成された構成を例示したが、こ
の遮光層８１が形成される位置は適宜に変更される。例えば、第２電極６２の表面上に遮
光層８１が形成された構成も採用される。また、第２電極６２の表面に補助配線７０が形
成された構成（例えば第１実施形態や第２実施形態）においては補助配線７０の表面上に
遮光層８１が形成されてもよい。
【００７０】
（３）第２実施形態（図５・図６）においては、コンタクトホールＣＨの開口領域のうち
補助配線７０によって覆われない領域Ａ2に遮光層８１が重なり合う構成を例示したが、
この構成における遮光層８１は適宜に省略され得る。遮光層８１が形成されない構成にお
いては領域Ａ2から不要反射光や不要放射光が観察側に出射するが、領域Ａ1における不要
反射光や不要放射光は補助配線７０によって遮光されるから、如何なる遮光体もコンタク
トホールＣＨと重なり合わない従来の構成と比較すれば、発光領域における光量のムラが
抑制されるという所期の効果は確かに奏される。
【００７１】
また、第１実施形態（図２・図３）のようにコンタクトホールＣＨの開口領域の全域と
重なり合うように補助配線７０が形成された構成であっても、不要反射光や不要放射光を
さらに確実に防止するために、コンタクトホールＣＨと重なり合う部分を含む遮光層８１
が配置されてもよい。さらに、コンタクトホールＣＨの少なくとも一部と重なり合うよう
に遮光層８１が形成された構成（例えば第２実施形態から第４実施形態）において、第２
電極６２における電圧降下が問題とならないのであれば、補助配線７０は適宜に省略され
る。
【００７２】
以上のように、本発明においては、基板１０に垂直な方向からみてコンタクトホールＣ
Ｈと重なり合うように遮光性の物体（遮光体）が配置された構成であれば足り、この遮光
体の具体的な形態（例えば補助配線７０であるか遮光層８１であるか）や材料（例えば導
電性であるか絶縁性であるか）の如何は不問である。もっとも、コンタクトホールＣＨに
起因した光量のムラを確実に防止するという観点からすると、コンタクトホールＣＨより
も広い範囲にわたって遮光体を配置した構成が好適である。
【００７３】
（４）第５実施形態においてはドレイン電極３４による不要反射光の遮断のために補助配
線７０が利用される構成を例示したが、補助配線７０以外の要素によって不要反射光を遮
断してもよい。例えば、ドレイン電極３４と基板１０との間に補助配線７０とは別個の遮
光性の膜体が形成された構成としてもよい。この構成における補助配線７０は、例えば第
１実施形態と同様に第２電極６２の面上に形成され得る。
【００７４】
（５）以上の各形態においては発光層６６が有機ＥＬ材料によって形成される場合を例示
したが、発光層６６の材料は適宜に変更される。例えば無機ＥＬ材料によって発光層を形
成することもできる。本発明における発光層は、電気エネルギの付与によって発光する発
光材料によって形成されていれば足りる。
【００７５】
＜Ｇ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１３は、以上に
説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナ
ルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装
置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ
２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｄは発光素子Ｅに有
機ＥＬ材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００７６】
図１４に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに
表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによっ
て、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００７７】
図１５に、何れかの形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal
Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４０
０１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源
スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置
Ｄに表示される。
【００７８】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１３から図１５に示し
たもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置
、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限
定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置において
は、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使
用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図２】ひとつの画素の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】補助配線の形態を例示する平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図６】図５におけるVI−VI線からみた断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図８】図７におけるVIII−VIII線からみた断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図１０】図９におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態における画素の構成を示す平面図である。
【図１２】図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
Ｄ……発光装置、Ｐ……画素、Ｅ……発光素子、１０……基板、１１……選択線、１３…
…信号線、１５……電源線、７０……補助配線、４０……ゲート絶縁層、４１……第１絶
縁層、４２……第２絶縁層、４４……反射層、６１……第１電極、６２……第２電極、６
６……発光層、８０……基板、８１……遮光層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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