(57)【要約】【課題】高記録密度、特に５０Ｇビット／平方インチ以上の高記録密度の磁気ディスク用基板に必要な高平滑な基板の製造方法を提供すること。【解決手段】体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ａを基板に供給して６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨した後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法、並びに下記の工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法：（工程１）  体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｂを基板に供給し、６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨する工程、及び（工程２）  工程１で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｃを供給し、工程１の主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ａを基板に供給して６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨した後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項２】
研磨液組成物Ａが酸を含有する請求項１記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項３】
下記の工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法：
（工程１）  体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｂを基板に供給し、６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨する工程、及び
（工程２）  工程１で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｃを供給し、工程１の主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程。
【請求項４】
工程１における基板の片面研磨量が０．０５μm以上で、且つ工程１の片面研磨量に対する工程２の片面研磨量（工程２の片面研磨量／工程１の片面研磨量）の比が０．１〜１．０である請求項３記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項５】
工程２の後にさらに下記の研磨工程３を有する請求項３又は４記載の磁気ディスク用基板の製造方法：
（工程３）  工程２で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｄを供給し、工程２の加工圧の８０％以下の加工圧で該基板を研磨する工程。
【請求項６】
研磨液組成物Ｂが酸を含有する請求項３〜５いずれか記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項７】
研磨液組成物Ｃが酸を含有する請求項３〜６いずれか記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項８】
研磨液組成物Ｄが酸化剤を含有する請求項５〜７いずれか記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクの最小記録面積を小さくして、高容量化を推進するために、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが求められている。このヘッド浮上量を小さくするためには、ハードディスク基板の平滑性が重要となる。これまで、平滑性は、代表的には、触針径０．２μm、カットオフ２５μm（すなわち波長：０．２〜２５μm）で測定される表面粗さや、触針径０．２μm、カットオフ８００μm（すなわち波長：０．２〜８００μm）で測定される微少うねりで評価され、平滑性の向上のために、前記のような表面粗さや微小うねりの低減が図られてきた。
【０００３】
平滑性を向上させた、具体的には、前記のような表面粗さや微小うねりを低減させた基板を製造する方法として、研磨パッドの孔径制御、硬さ制御や研磨時の加工条件を制御するといった機械的条件が検討されている。例えば、特許文献１では、アルミナ砥粒を用い加工荷重や回転数を制御する方法、文献２では、複数段による研磨加工を行い、最終加工前に粒径０．３〜５μmの金属酸化物を含んだ研磨液で研磨し、さらに０．０１〜０．３μmのコロイド粒子を含んだ研磨液を用いて加工を施す方法が検討されてきた。
【特許文献１】特開平９−３３０５１８号公報
【特許文献２】特開平１１−１０４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記特許文献に開示される方法はいずれも、従来の表面粗さや微少うねりは下げられるものの、高記録密度、特に５０Ｇ（ギガ）ビット／平方インチを超えるような高記録密度のハードディスク用磁気ディスク基板を製造する方法として十分とはいえない。
【０００５】
本発明は、高記録密度、特に５０Ｇビット／平方インチ以上の高記録密度の磁気ディスク用基板に必要な高平滑な基板の製造方法を提供することを目的とする。中でも、実生産レベルの加工速度を有し、面内全体にわたる長いうねり低減を満足させた磁気ディスク用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
即ち、本発明の要旨は、
[１]  体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ａを基板に供給して６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨した後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法、  
[２]  下記の工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法：
（工程１）  体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｂを基板に供給し、６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨する工程、及び
（工程２）  工程１で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｃを供給し、工程１の主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程、ならびに
[３]  工程２の後にさらに下記の研磨工程３を有する前記［２］記載の磁気ディスク用基板の製造方法：
（工程３）  工程２で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｄを供給し、工程２の加工圧の８０％以下の加工圧で該基板を研磨する工程
に関する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、高記録密度、特に５０Ｇビット／平方インチ以上の高記録密度の磁気ディスク用基板に必要な高平滑な基板を得ることができる。中でも、実生産レベルの加工速度を有し、面内全体にわたる長いうねり低減を満足させた磁気ディスク用基板を得ることができるという効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
上記の通り、従来よりヘッド浮上量の低減の観点から、うねり低減が求められてきたが、従来のうねり評価は、微少領域（およそ5mm角）のうねり測定によって行われており、かかる評価でのうねりの低減が追求されてきた。
これに対し、本発明は、基板の「面内全体にわたる長いうねり（以下、「面内平均長波長うねり」と称することがある）」を低減させること、中でも、基板の外周部の長波長うねりを低減させることが、より高密度記録に必要なハードディスクドライブのヘッド浮上量の低減に重要なポイントであることを見出したことに基づいてなされたものである。
【０００９】
外周部のうねりが悪化する原因の詳細は不明であるが、以下のように推定される。即ち、研磨される際の基板の振動が大きい基板外周部では、基板の振動の小さい基板内周部よりも研磨圧力が高くなることから、加圧による熱で化学研磨力が増大することが原因であると推定される。そこで、本発明者らは、これらの圧力の差によって発生する基板外周部のうねりの悪化を軽減させることで、面内全体にわたる長いうねりが低くなり、且つ基板の内周部と外周部のうねりの差が低くなることを見出した。
なお、本明細書において、「面内平均長波長うねり」とは、基板の一定面積中の二乗平均平方根うねりを指し、「内周部うねり」又は「外周部うねり」とは、それぞれ基板の内周部分又は外周部分の一定半径の位置における二乗平均平方根うねりを指す。
【００１０】
従って、本発明の第１の態様は、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ａを基板に供給して６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨した後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程を有することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法（以下、「態様１の製造方法」と称することがある）である。かかる特徴を有することにより、本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、実生産レベルの加工速度を有しながら、面内平均長波長うねり低減を満足させた磁気ディスク用基板を提供することができる。
【００１１】
研磨液組成物Ａに含有されるコロイダル粒子としては、例えばコロイダルシリカ粒子、コロイダルセリア粒子、コロイダルアルミナ粒子、コロイダルチタニア粒子が挙げられる。中でも、面内平均長波長うねり低減、及び表面欠損となるナノスクラッチ低減等の観点から、コロイダルシリカ粒子がより適している。コロイダルシリカ粒子は、例えば珪酸水溶液から生成させる製法によって得ることができる。また、これらコロイダル粒子を官能基で表面修飾あるいは表面改質したもの、界面活性剤や他の研磨材で複合粒子化したもの等もコロイダル粒子として用いることができる。また、前記コロイダル粒子は、単独で用いてもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。
【００１２】
コロイダル粒子の体積平均粒子径は、ＡＦＭ表面粗さ及び面内平均長波長うねりの低減、並びに研磨速度向上の観点から、０．００５〜０．１μｍであり、０．００８〜０．０８μｍが好ましく、０．０１〜０．０５μｍがより好ましい。これらの体積平均粒子径は、透過電子顕微鏡（１万〜５万倍）（商品名「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」）で観察した写真をパソコンでスキャナに取り込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦ」（販売元：三谷商事）を用いて、コロイダル粒子データについて１個１個のコロイダル粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフト「ＥＸＣＥＬ」（マイクロソフト社製）にて、粒子直径から粒子体積に換算してシリカの体積基準の粒径分布より求められる。観察個数としては、最低でも１０００個あることが好ましく、より好ましくは３０００個以上、更に好ましくは５０００個以上である。
【００１３】
表面粗さ低減及び面内平均長波長うねり低減の観点から、コロイダル粒子としては、前記のようにして測定された体積平均粒子径が０．０５μｍ以下であることが好ましく、０．０４μｍ以下であることがより好ましい。
【００１４】
また、コロイダル粒子の一次粒子の平均粒径は、ナノスクラッチを低減する観点及び表面粗さ（中心線平均粗さ：Ｒａ、Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｖａｌｌｅｙ値：Ｒｍａｘ）を低減する観点から、０．００５〜０．０５μｍが好ましい。同時に研磨速度を向上させる観点から、より好ましくは０．００５〜０．０４μｍ、さらに好ましくは０．００５〜０．０３μｍである。
【００１５】
使用時における研磨液組成物Ａ中のコロイダル粒子の含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、さらにより好ましくは５重量％以上であり、また、経済的に表面品質を向上させる観点から、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１３重量％以下、さらにより好ましくは１０重量％以下である。従って、研磨速度を向上させ、且つ経済的に表面品質を向上させる観点から該含有量は、好ましくは０．５〜２０重量％、より好ましくは１〜１５重量％、さらに好ましくは３〜１３重量％、さらにより好ましくは５〜１０重量％である。コロイダル粒子の該含有量は、研磨液組成物Ａ製造時における含有量あるいは使用時における含有量のいずれであってもよく、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
【００１６】
研磨液組成物Ａに使用される水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。水の含有量は、研磨液組成物１００重量％からコロイダル粒子及び他の成分を除いた残部に相当し、６０〜９９重量％が好ましく、８０〜９７重量％がより好ましい。
【００１７】
面内平均長波長うねり低減及びナノスクラッチ低減の観点から、研磨液組成物Ａは、さらに酸を含有することが好ましい。かかる酸としては、具体的には、硝酸、硫酸、亜硝酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸などが挙げられる。中でもナノスクラッチを低減する観点から、無機酸又は有機ホスホン酸が好ましい。
【００１８】
また、無機酸の中では、硝酸、硫酸、塩酸又は過塩素酸がより好ましく、有機ホスホン酸の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）又はジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）がより好ましい。これらの酸は、単独で又は二種以上を混合して用いられてもよい。
【００１９】
研磨液組成物Ａ中における前記酸の含有量としては、面内平均長波長うねり低減及びナノスクラッチ低減の観点から、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．２〜５重量％、さらに好ましくは０．３〜３重量％である。
【００２０】
また、被研磨物の材質により一概に規定することは出来ないが、一般に金属材料では研磨速度を向上させる観点から、研磨液組成物Ａに酸化剤を添加することができる。酸化剤としては、過酸化水素、及び過マンガン酸、クロム酸、硝酸、硫酸、ペルオキソ酸、酸素酸又はこれらの塩及び酸化性金属塩などが挙げられる。中でも、被研磨基板表面の汚染性の観点から、過酸化水素が好ましい。前記酸化剤は、単独で用いてもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。
【００２１】
研磨液組成物Ａ中の酸化剤の含有量としては、研磨速度の向上、面内平均長波長うねりの低減、及びピットやスクラッチ等の表面欠陥の低減の観点から、好ましくは０．００２〜１０重量％、より好ましくは０．００５〜５重量％、さらに好ましくは０．００７〜３重量％である。
【００２２】
研磨液組成物ＡのｐＨについては、特に制限はなく、被研磨物の種類や要求特性に応じて決定することが好ましい。被研磨物の材質が金属材料では、研磨速度を向上させる観点から、ｐＨは、好ましくは６以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは４以下である。また、人体への影響や研磨装置の腐食防止の観点から、ｐＨは、好ましくは０．５以上、より好ましくは１以上、さらに好ましくは１．４以上である。特に、ニッケル-リン（Ｎｉ-Ｐ）メッキされたアルミニウム合金基板のように被研磨物の材質が金属材料の精密部品用基板においては、前記観点を考慮してｐＨは、０．５〜６が好ましく、より好ましくは１．０〜５、さらに好ましくは１．４〜４である。
【００２３】
研磨液組成物Ａは、目的成分を任意の方法で添加、混合して製造され得るが、必要に応じてさらに他の成分を配合することができる。係る他の成分としては、例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。
【００２４】
態様１の製造方法は、上記のようにして製造される研磨液組成物Ａを基板に供給して６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨した後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程を有する。かかる研磨する工程としては、例えば、不織布、有機高分子系研磨布（研磨パッド）を貼り付けた研磨盤に被研磨基板を挟み込み、研磨液組成物Ａを供給しながら、即ち、研磨パッドを貼り付けた研磨盤で挟み込まれた基板研磨面に研磨液組成物Ａが供給され、所定の加工圧の下で研磨盤及び／又は基板を動かすことにより研磨する工程が挙げられる。
【００２５】
本発明における主加工圧とは、研磨工程時における最大加工圧を指す。研磨前の基板におけるピット、スクラッチ等の欠陥を除去するために必要な一定量以上の研磨量を短時間で得る観点、即ち、量産化製造の観点から、主加工圧は、６ｋＰａ以上であり、７ｋＰａ以上が好ましく、７．５ｋＰａ以上がより好ましい。また、基板と研磨パッド間の摩擦を適度に保つことにより、研磨機の停止等のトラブルを回避する観点から、主加工圧は、好ましくは１５ｋＰａ以下、より好ましくは１３ｋＰａ以下、さらに好ましくは１２ｋＰａ以下である。即ち、主加工圧は、６ｋＰａ以上であり、６〜１５ｋＰａが好ましく、７〜１３ｋＰａがより好ましく、７．５〜１２ｋＰａがさらに好ましい。
【００２６】
態様１の製造方法が有する研磨工程では、前記のような主加工圧で基板を研磨した（以後、「主加工圧研磨」と称することがある）後、さらに主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨（以後、「軽加工圧研磨」と称することがある）する。かかる軽加工圧で研磨することにより、基板の振動が少なくなることから、基板の外周にかかる圧力が平均化される。その結果、外周部における基板と研磨パッド間の摩擦による化学研磨力が内周部と同じ程度になるため、外周部うねりが改善されるという効果が奏されると推定される。
【００２７】
十分な外周部うねり改善効果を得る観点から、前記の軽加工圧研磨は、好ましくは主加工圧の７０％以下、より好ましくは６０％以下で行われる。また、十分な外周部うねり改善効果を奏するために所望される研磨量を得る観点及び研磨装置の基板キャリアからの基板の脱離による研磨パッドの損傷などを回避する観点から、前記の軽加工圧研磨は、好ましくは主加工圧の２５％以上、より好ましくは３０％以上で行われる。従って、態様１の製造方法において、軽加工圧研磨は、主加工圧の２０〜８０％、好ましくは２５〜７０％、より好ましくは３０〜６０％の加工圧で行われる。
【００２８】
また、外周部うねりの改善及び研磨装置の基板キャリアからの基板の脱離を防ぐ観点から、前記の軽加工圧研磨は、好ましくは１．５〜６ｋＰａ、より好ましくは１．７〜５．５ｋＰａ、さらに好ましくは１．９〜５ｋＰａで行われることが望ましい。
【００２９】
主加工圧から軽加工圧への加工圧の調節は、一段階で行ってもよく、複数回にわたって徐々に行ってもよい。
【００３０】
態様１の製造方法において、研磨工程における磁気ディスク用基板と研磨パッドとの相対速度を減じることで、基板の外周部の長波長うねりをさらに改善させることができる。長波長うねり低減の観点から、主加工圧研磨時の前記相対速度は、好ましくは０．９ｍ／ｓ以下、より好ましくは０．８ｍ／ｓ以下、さらに好ましくは０．７ｍ／ｓ以下であり、軽加工圧研磨時の前記相対速度は、好ましくは０．６ｍ／ｓ以下である。
【００３１】
態様１の製造方法で使用される研磨パッドについては、特に限定されないが、研磨速度向上、うねり低減、ナノスクラッチ低減の観点から、スエードタイプが好ましい。ここで、スエードタイプとは少なくともベース層と発泡した表面層とを有する構造の研磨パッドをいう。ベース層の材質としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の高硬度樹脂が好ましい。また、表面層の材質としてはポリウレタン系樹脂が好ましい。さらに研磨パッドの表面平均気孔径は、研磨速度に関わる研磨液組成物の保持性、排出性やうねり、ナノスクラッチ低減等の観点から、５〜７０μmが好ましく、１０〜６０μmがより好ましく、１５〜５０μmがさらに好ましい。スエードタイプの研磨パッドの例としては、例えば特開平１１−３３５９７９号公報、特開２００１−６２７０４号公報に記載のものなどが挙げられる。
【００３２】
態様１の製造方法における被研磨基板としては、ハードディスク用基板として用いられる通常公知のものであれば特に限定はなく、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板、Ｎｉ−Ｐメッキされたガラス基板、アルミニウムディスク等の表面層に金属層を有する基板、カーボンディスク、ガラス基板等のガラス状の物質又はセラミック材料を有する基板、またそれらが複合された基板等を挙げることができる。その中でも、本発明の製造方法の効果は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板、Ｎｉ−Ｐメッキされたガラス基板、アルミニウムディスク等の表面層に金属層を有する基板でより顕著に奏される。
【００３３】
前記の被研磨基板は、面内平均長波長うねり低減の観点から，予め粗研磨工程を経たものであることが好ましく、例えば、うねりが２．５ｎｍ程度であり、表面粗さが１．５ｎｍ程度のものが好ましい。粗研磨工程に用いられる研磨材としては、研磨用に一般的に使用されているものを使用することができ、金属、金属若しくは半金属の炭化物、窒化物、酸化物、又はホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族由来のものである。研磨材の具体例としては、シリカ、アルミナ、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、チタニア、セリア、酸化ジルコニウム等が挙げられ、これらの１種以上を使用することは研磨速度を向上させる観点から好ましい。中でも、シリカ、アルミナ、チタニア、セリア、酸化ジルコニウム等が研磨速度の向上及び経済性の観点から好ましい。
【００３４】
研磨条件については、上記以外には特に制限はない。
【００３５】
本発明の第２の態様は、下記の工程を有する磁気ディスク用基板の製造方法（以下、「態様２の製造方法」と称することがある）：
（工程１）  体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｂを基板に供給し、６ｋＰａ以上の主加工圧で該基板を研磨する工程、及び
（工程２）  工程１で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｃを供給し、工程１の主加工圧の２０〜８０％の加工圧で該基板を研磨する工程
に関する。かかる特徴を有することにより、本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、実生産レベルの加工速度を有しながら、面内平均長波長うねり低減を満足させた磁気ディスク用基板を提供することができる。
【００３６】
態様２の製造方法で使用される研磨液組成物Ｂ及び研磨液組成物Ｃとしては、それぞれ独立して前記の研磨液組成物Ａと同様のものを例示することができる。従って、研磨液組成物Ｂに含有されるコロイダル粒子と研磨液組成物Ｃに含有されるコロイダル粒子は、同じものであってもよいし、互いに異なる種類や異なる粒径のものであってもよい。また、研磨液組成物Ｂと研磨液組成物Ｃの組成は、同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００３７】
ここで、ナノスクラッチ低減及び面内平均長波長うねり低減の観点から、研磨液組成物Ｂ及び／又はＣは、酸を含有することが好ましい。好ましい酸の種類及びその含有量は前記の第１の態様で記載したものと同様である。
【００３８】
また、研磨速度向上の観点から、研磨液組成物Ｂ及び／又はＣは、酸化剤を含有することが好ましい。好ましい酸化剤の種類及びその含有量は前記の第１の態様で記載したものと同様である。
【００３９】
従って、面内平均長波長うねり低減の観点及び研磨速度向上の観点から、研磨液組成物Ｂ又はＣが酸を含有し、もう一方が酸化剤を含有すること、あるいは研磨液組成物Ｂ及び／又はＣが、酸と酸化剤とを含有することが、より好ましい。
【００４０】
また、塩基性の研磨液組成物は、酸性のものに比べて外周部うねりを低減し得る点で好ましい。また、酸性の研磨液組成物は、塩基性のものに比べてナノスクラッチを発生させにくく、面内平均長波長うねりを低減させ、高い研磨速度を実現することができる点で好ましい。
【００４１】
従って、研磨速度向上及びさらなる面内平均長波長うねり低減の観点から、研磨液組成物Ｂが酸と酸化剤とを含有し、研磨液組成物Ｃが塩基性であること、あるいは研磨液組成物Ｂが酸と酸化剤とを含有し、研磨液組成物Ｃが酸を含有するが酸化剤を含有しないことが、さらに好ましい。かかる研磨液組成物の組合せにおいては、工程２における化学研磨力がより小さくなるため、外周部うねりのさらなる改善が可能となると推定されるからである。
【００４２】
工程１と工程２については、同じ研磨機にて連続研磨を実施しても別々の研磨工程を経てもかまわない。複数段加工する場合は、段階的に砥粒径が小さくなるようにすることが好ましく、また、これらは同じ研磨機で連続的に実施しても良いが、前段階の砥粒や研磨液の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、各段階後に基板を洗浄することが好ましい。
【００４３】
工程１における磁気ディスク用基板の片面の研磨量については、面内の長波長うねりを十分に低減させる観点及び粗研磨工程時等に発生するスクラッチ、ピット等の被研磨基板の表面欠陥を除去する観点から０．０５μm以上が好ましく、より好ましくは０．１μm以上、さらに好ましくは、０．１５μm以上である。なお、片面の研磨量は、後述の実施例に記載のようにして得ることができる。
【００４４】
また、工程１での片面の研磨量に対する工程２での片面の研磨量（工程２の片面研磨量／工程１の片面研磨量）の比は、十分な外周部うねり低減効果を得る観点から、０．１以上が好ましく、０．２以上がより好ましく、０．３以上がさらに好ましい。また、前記の比は、量産化製造のための加工速度を得る観点から、１．０以下が好ましく、０．９以下がより好ましく、０．８以下がさらに好ましい。即ち、前記の比は、０．１〜１．０が好ましく、０．２〜０．９がより好ましく、０．３〜０．８がさらに好ましい。
【００４５】
工程１における主加工圧及び工程２における加工圧は、それぞれ態様１の製造方法における主加工圧及び軽加工圧と同様であればよい。
【００４６】
また、工程１及び工程２で使用される研磨パッド、被研磨基板、磁気ディスク用基板と研磨パッドとの相対速度は、それぞれ態様１の製造方法におけるものと同様であればよく、研磨条件については、前記以外には特に制限はない。
【００４７】
態様２の製造方法はまた、外周部のうねり低減の観点から、（工程３）  工程２で得られた基板に、体積平均粒子径０．００５〜０．１μmのコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Ｄを供給し、工程２の加工圧の８０％以下の加工圧で該基板を研磨する工程、を有していることが好ましい。
【００４８】
工程３で使用される研磨液組成物Ｄとしては、前記の研磨液組成物Ａと同様のものを例示することができる。研磨液組成物Ｄに含有されるコロイダル粒子は、研磨液組成物Ｂ又はＣに含有されるコロイダル粒子と、同じものであってもよいし、互いに異なる種類や異なる粒径のものであってもよい。また、研磨液組成物Ｄと研磨液組成物Ｂ又はＣの組成は、同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００４９】
面内平均長波長うねり低減及び研磨速度向上の観点から、研磨液組成物Ｄは、酸化剤を含有することが好ましい。好ましい酸化剤の種類及びその含有量は前記の第１の態様で記載したものと同様である。
【００５０】
工程３における研磨時の加工圧は、外周部のうねり低減の観点から、工程２の加工圧の８０％以下であることが好ましく、より好ましくは７５％以下、さらに好ましくは７０％以下である。また、研磨速度向上の観点から、前記加工圧は、工程２の加工圧の４０％以上であることが好ましく、より好ましくは４５％以上、さらに好ましくは５０％以上である。なお、工程１〜３を通じて所望される合計研磨量の１０％程度を工程３で行うことが好ましい。
【００５１】
また、工程３で使用される研磨パッド、被研磨基板、磁気ディスク用基板と研磨パッドとの相対速度は、それぞれ態様１の製造方法におけるものと同様であればよく、研磨条件については、前記以外には特に制限はない。
【００５２】
本発明の態様１及び態様２の製造方法により、面内平均長波長うねりが、例えば１．２ｎｍ以下、好ましくは１．１ｎｍ以下、より好ましくは１．０ｎｍ以下である磁気ディスク用基板や、外周部長波長うねりが、例えば１．８ｎｍ以下、好ましくは１．７ｎｍ以下、より好ましくは１．６ｎｍ以下である磁気ディスク用基板が得られる。前記の面内平均長波長うねりは、例えば、ＴＨｏＴテクノロジー社製「ＴＨｏＴ  ＭＯＤＥＬ ４２２４」等の光学計測機器にて測定可能である。
【００５３】
さらに、本発明の態様１及び態様２の製造方法により得られる磁気ディスク用基板の表面粗さは、ヘッド浮上量低減の観点から、０．２ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは０．１８ｎｍ以下、さらに好ましくは０．１５ｎｍ以下である。
【００５４】
前記の表面粗さは、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）における波長１０μm以下の短い波長で測定可能な粗さとして評価し、中心線平均粗さＲａ（ＡＦＭ−Ｒａ）として表すことができる。
【００５５】
得られた磁気ディスク用基板は、表面性能が極めて優れたものであるため、高記録密度のハードディスクを製造する基板として好適に使用することができる。
【実施例】
【００５６】
＜研磨液組成物の調製＞
イオン交換水に所定量の、３５重量％過酸化水素水（旭電化製）、６０重量％のＨＥＤＰ（１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸）水溶液（ソルーシア・ジャパン製）、及び９５重量％の硫酸（和光純薬製）を、表１に示す組成になるよう添加、混合した水溶液の撹拌下に、以下のコロイダルシリカスラリーを添加して研磨液組成物ａ〜ｆを調製した。
研磨液組成物ａ、ｅ、及びｆにおいては、コロイダルシリカスラリー（デュポン社製、一次粒子の体積平均砥粒径２７ｎｍ、シリカ粒子濃度４０重量％品）を用いた。研磨液組成物ｂにおいては、コロイダルシリカスラリー（日産化学工業製、一次粒子の体積平均砥粒径１４ｎｍ、シリカ粒子濃度３０重量％品）を用いた。研磨液組成物ｃ及びｄにおいては、コロイダルシリカスラリー（触媒化成工業製、一次粒子の体積平均砥粒径２５ｎｍ、シリカ粒子濃度３０重量％品）を用いた。
【００５７】
実施例１〜１０及び比較例１〜５
厚さ１．２７ｍｍ、直径３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金（両面面積１３１．９ｃｍ２、Ｎｉ−Ｐメッキ密度８．４ｇ／ｃｍ３）からなる基板（「ＴＨｏＴ  ＭＯＤＥＬ ４２２４」（ＴＨｏＴテクノロジー社製）によって測定した研磨前の該基板の面内平均長波長うねりは１．９ｎｍ、内周部長波長うねりは１．４ｎｍ、外周部長波長うねりは２．５ｎｍであった。）の表面を両面加工機にて下記研磨条件及び表３記載の加工条件で研磨を実施した。得られた研磨基板について、下記条件にて長波長うねり及びＡＦＭ表面粗さの測定を行った。結果を表３に示す。
【００５８】
１．研磨条件
両面加工機により、以下の設定条件でポリッシングを行った。
＜両面加工機の設定条件＞
・研磨試験機：スピードファム社製、両面９Ｂ研磨機
・研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
・研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／ｍｉｎ
・投入した基板の枚数：１０枚
・定盤回転数／相対速度：表２参照
・加工圧：表２参照
【００５９】
＜研磨量及び研磨量比の評価方法＞
１０枚の基板について、研磨前後の各基板の重さをＳａｒｔｏｒｉｕｓ社製のＢＰ−２１０Ｓ（商品名）を用いて量り、得られた各基板の重量変化を基に、下式より片面研磨量を求めた。
なお、研磨量比は、予め表２に示す研磨条件で実施例及び比較例で使用した被研磨基板と同じ基板を研磨して求めておいた片面研磨速度を基に、下式から計算して得た。
【００６０】
【数１】
2007136583.tif 000002
【００６１】
２．長波長うねりの測定条件
研磨後の基板を下記の条件で測定した。
・機器：ＴＨｏＴ  ＭＯＤＥＬ４２２４  （ＴＨｏＴテクノロジー社製）
・測定波長：０．２ｍｍ−５ｍｍ
・ゲイン：１６
・フィルター：１０ｋＨｚ
・レーザーレンジ：５ｍｍ／ｓ／Ｖ
・測定領域  Ｉｎｎｅｒ Ｒａｄｉｕｓ：２０ｍｍ、Ｏｕｔｅｒ  Ｒａｄｉｕｓ：４６ｍｍ  （測定面積：５４ｃｍ２）
・トラックピッチ：０．０１ｍｍ
・スピンドルスピード：８０００ｒ／ｍｉｎ
【００６２】
研磨後の各基板１０枚の内、任意に２枚の基板を抽出し、基板両面のそれぞれ半径２０ｍｍから４６ｍｍの間（測定面積５４ｃｍ２）の長波長うねりを平均して「面内平均長波長うねり」とした。また、内周部の長波長うねりと外周部の長波長うねりは、それぞれ、半径２０ｍｍ部分と半径４６ｍｍ部分の長波長うねりとして求めた。
【００６３】
３．ＡＦＭ表面粗さの測定条件
研磨後の各基板を下記の条件で測定した。
・機器：原子間力顕微鏡（Ｖｅｅｃｏ社製：Ｍ５Ｅ）
・Ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ：ＵＬ２０Ｂ
・Ｍｏｄｅ：  Ｎｏｎ−Ｃｏｎｔａｃｔ
・Ｓｃａｎｒａｔｅ：１．０Ｈｚ
・Ｓｃａｎａｒｅａ：５μｍ×５μｍ
・針径：10nm
【００６４】
測定エリアの中心がディスクの内周と外周の中心線上にあり、かつ該エリアの長辺がディスク円の接線方向となるように測定エリアを選んだ。これを円周方向に均等にディスク１枚当たり表と裏それぞれ５エリアずつ測定し、その平均値をそのディスクの「ＡＦＭ表面粗さ」とした。
【００６５】
【表１】
2007136583.tif 000003
【００６６】
【表２】
2007136583.tif 000004
【００６７】
【表３】
2007136583.tif 000005
【００６８】
表３より、実施例１〜１０で製造された基板は、比較例１〜５で製造された基板に比べて、顕著に面内平均長波長うねり及び外周部長波長うねりが低減されており、かつ、表面粗さも十分に低減されていた。従って、実施例１〜１０で製造された基板はいずれも、優れた表面平滑性を有するものであることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明の製造方法により得られる磁気ディスク用基板は、高記録密度のハードディスクの製造に好適に使用することができる。特に５０Ｇビット／平方インチ以上の高記録密度のハードディスクの製造を産業的に実施可能にすることができる。