(57)【要約】【課題】下記式（１）【化１】2007001864.tif 000006（式（１）中、Ｒ1 はアミノ保護基を表す）で示される化合物より高収率、且つ安価に式（２）【化２】2007001864.tif 000007（式（２）中、Ｒ1 は前記と同じ）の化合物を製造する方法を提供する。【解決手段】式（１）の化合物と塩基とカルボン酸活性化剤を反応させカルボン酸を活性化した化合物を作成した後、このものにアミン成分を反応させ、式（２）で示される化合物を得る。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
2007001864.tif 000004
（式（１）中、Ｒ1 は、アミノ保護基を表す）で示される化合物とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させ、次いでｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩を反応させることを特徴とする下記式（２）
【化２】
2007001864.tif 000005
（式（２）中、Ｒ1 は、前記と同じ）で示されるペプチド結合を有する化合物の製造方法。
【請求項２】
式（１）のアミノ保護基が、アルキルオキシカルボニル基、アリールアルキル基又はアリールアシル基である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
式（１）で示される化合物が、（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸である請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
カルボン酸活性化剤が、クロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチル、クロロ炭酸イソブチル、クロロ炭酸フェニル及びクロロ炭酸ベンジルからなる群から選択されるものである請求項１、２又は３記載の製造方法。
【請求項５】
塩基が、トリエチルアミン又はＮ−メチルモルホリンである請求項１、２、３又は４記載の製造方法。
【請求項６】
ｐ−シアノベンジルアミンの塩が、無機酸、有機カルボン酸又は有機スルホン酸の塩である請求項１、２、３、４又は５記載の製造方法。
【請求項７】
式（１）で示される化合物とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させる手順が、カルボン酸活性化剤と塩基存在下に式（１）で示される化合物を添加する手順である請求項１、２、３、４、５又は６記載の製造方法。
【請求項８】
式（１）で示される化合物とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させる手順が、式（１）で示される化合物とカルボン酸活性化剤存在下に塩基を添加する手順である請求項１、２、３、４、５又は６記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はペプチド結合を有するＮ保護アゼチジンカルボン酸誘導体の製造方法に関するものである。より詳細には下記式（１）
【０００２】
【化３】
2007001864.tif 000002
【０００３】
（式（１）中、Ｒ1 は、アミノ保護基を表す）で示される化合物とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させカルボン酸を活性した化合物を作成した後、アミン化合物としてｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩を反応させる下記式（２）
【化４】
2007001864.tif 000003
（式（２）中、Ｒ1 は、前記と同様）で示される化合物の製造方法に関する。
【０００４】
【従来の技術】
上記式（２）の化合物はトロンビン阻害活性を有する化合物の合成中間体として有用な化合物である。式（２）で表されるペプチド結合を有する化合物は新規であり、該化合物の製造法に関する従来技術は知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は式（１）で示される化合物を原料とし、工業的スケールにて高収率、且つ安価に式（２）で示される化合物を合成可能な製造方法を提供するものである。類似骨格を有する化合物の製造方法としては、ＷＯ９６２５４２６公報中に（Ｄ）−２−シクロヘキシル−２−テトラヒドロピラニロキシアセチルアゼチジン−２−カルボン酸とｐ−シアノベンジルアミンヒドロクロリドを無水プロパンホスホン酸を試剤として使用し反応した例が記載されている。また、ＷＯ９７０２２８４公報中に（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸と４−アミノメチル−１−（Ｎ−ベンジルオキシカルボニルアミジノ）ベンゼンを１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩（以下ＥＤＣと略す）を縮合剤として使用した合成例が記載されている。
【０００６】
無水プロパンホスホン酸を用いる方法の場合は、反応後の液を水で洗浄した際にリンを含む廃水が多量に発生し、工業化時の廃水処理に多大な費用を必要とする。又、ＥＤＣを用いる方法に関しては、ＥＤＣが高価な試薬であるので工業化の際はより安価な試薬の使用が望まれる。即ち、類似骨格を有する化合物の製造方法を適応する場合でも商業的規模での生産においては種々改善すべき課題があり、これらの課題を克服した式（２）で示される化合物の製造方法はこれまで知られていないのが実情であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは前記の課題を解決するために鋭意検討し、式（１）で示されるＮ保護アゼチジン２−カルボン酸と塩基とカルボン酸活性化剤を反応させカルボン酸を活性化した化合物を作成した後、このものにアミン成分を反応させ、ペプチド化合物を得る方法が本化合物に関して適応可能であり、工業的スケールで高収率且つ安価に式（２）で示される化合物を与えることを発見し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
本発明は、上記式（１）で示される化合物とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させ、次いでｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩を反応させる、上記式（２）で示されるペプチド結合を有する化合物の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、上記式（１）で示されるＮ保護アゼチジン２−カルボン酸とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させ、次いでｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩を反応させて上記式（２）で示されるペプチド結合を有する化合物を製造するものである。上記カルボン酸活性化剤としては特に限定されないが、安価で且つ常温で長期保存可能なものが望ましく、例えば、クロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチル、クロロ炭酸プロピル、クロロ炭酸イソプロピル、クロロ炭酸ブチル、クロロ炭酸イソブチル、クロロ炭酸第２ブチル、クロロ炭酸２−エチルヘキシル、クロロ炭酸第２オクチル、クロロ炭酸セチル等のクロロ炭酸アルキル類；クロロ炭酸アリル等のクロロ炭酸アルケン類；クロロ炭酸フェニル、クロロ炭酸３−メチルフェニル、クロロ炭酸３，４−ジメチルフェニル、クロロ炭酸３，５−ジメチルフェニル等のクロロ炭酸アリール類；クロロ炭酸ベンジル等が用いられ、特にクロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチル、クロロ炭酸イソブチル、クロロ炭酸フェニル、クロロ炭酸ベンジル等が好ましい。
【００１０】
上記塩基としては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミン等のトリアルキルアミン類；Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン等の環状アミン類；ピリジン、ピコリン、ルチジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジン、キノリン等のピリジン類縁体等が用いられ、特にトリエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等が好ましい。
【００１１】
式（１）及び式（２）中のＲ1 で示されるアミノ保護基としては、ペプチド化学の分野においてアミノ基の保護基としてそれ自体既知の任意の保護基であることができる。例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、第３ブチルオキシカルボニル、第３アミルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、トリクロロエチルオキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル等のウレタン型保護基；フタロイル、ベンゾイル、クロロベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル、ｐ−第３ブチルベンゾイル、トルオイル、ナフトイル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、ベンゼンスルホニル、ｐ−第３ブチルベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、２−ニトロベンゼンスルホニル、４−ニトロベンゼンスルホニル、２，４−ジニトロベンゼンスルホニル等のアリールアシル型保護基；ホルミル、アセチル、プロパノイル、ピバロイル、デカノイル、トリフルオロアセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、メタンスルホニル、カンファスルホニル等の脂肪族アシル型保護基；メチルカルバミル、エチルカルバミル、フェニルカルバミル、ナフチルカルバミル等のカルバミル型保護基もしくはこれらに対応するチオカルバミル型保護基；ベンジル、１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル等のアリールアルキル型保護基；トリメチルシリル基等が挙げられる。これらのうち、特にアルキルオキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、第３ブチルオキシカルボニル、第３アミルオキシカルボニル等）、アリールアルキル基（例えば、ベンジル、１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル等）、アリールアシル基（例えば、フタロイル、ベンゾイル、クロロベンゾイル、ｐ−ニトロベンゾイル、ｐ−第３ブチルベンゾイル、トルオイル、ナフトイル、フェニルアセチル、フェノキシアセチル、ベンゼンスルホニル、ｐ−第３ブチルベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル、２−ニトロベンゼンスルホニル、４−ニトロベンゼンスルホニル、２，４−ジニトロベンゼンスルホニル等）が好ましい。
【００１２】
上記ｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩としては、例えば、ｐ−シアノベンジルアミン純品、水付加物、炭酸ガス付加物、無機酸塩、有機カルボン酸塩、有機スルホン酸塩等が挙げられる。ｐ−シアノベンジルアミンと塩を形成する無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、炭酸、リン酸等が挙げられ、有機カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、クエン酸、シュウ酸等が挙げられ、有機スルホン酸としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ニトロベンゼンスルホン酸、４−ニトロベンゼンスルホン酸等が挙げられる。なかでも特に、ｐ−シアノベンジルアミン純品、炭酸ガス付加物が好ましい。
【００１３】
本発明において、反応時の試剤仕込み手順としては、例えば、以下のいずれかの方法で実施することによって行うことができる。
手順１：溶媒中にカルボン酸活性化剤又は塩基を添加した後、塩基又はカルボン酸活性化剤をそれぞれ対応して加え、カルボン酸活性化剤と塩基の複合体を生成させ、その後、前記式（１）で示される化合物を添加し、カルボン酸を活性化した化合物を作成し、次いでｐ−シアノベンジルアミン又はその塩を反応させ、前記式（２）で示される化合物を得る反応手順
手順２：溶媒中に式（１）で示される化合物又はカルボン酸活性化剤を添加した後、カルボン酸活性化剤又は前記式（１）で示される化合物をそれぞれ対応して添加し、次いで塩基を加え、カルボン酸を活性化した化合物を作成し、次いでｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩を反応させ、式（２）で示される化合物を得る反応手順
手順３：溶媒中に式（１）で示される化合物を添加し、塩基を添加し、次いでカルボン酸活性化剤を加え、カルボン酸を活性化した化合物を作成し、次いでｐ−シアノベンジルアミン若しくはその水若しくは炭酸ガス付加物又はその塩を反応させ式（２）で示される化合物を得る反応手順
本発明においては、式（１）で示される化合物とカルボン酸活性化剤、及び塩基を反応させる手順が、カルボン酸活性化剤と塩基存在下に式（１）で示される化合物を添加する手順、又は、式（１）で示される化合物とカルボン酸活性化剤存在下に塩基を添加する手順であることが好ましい。
【００１４】
本発明の工程で用いられる溶媒としては特に限定されず、例えば、ジエチルエーテル、メチル第３ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；アセトニトリル等が挙げられるが、特にテトラヒドロフラン、酢酸エチルが好適に使用される。
【００１５】
反応時の温度は用いられるカルボン酸活性化剤等の種類により異なるが、上記手順のいずれの場合も、一般に、０℃以下の比較的低温が望ましく、特に−１０〜−４０℃付近の温度が望ましい。
【００１６】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの記載により何ら限定されるものではない。実施例中で使用される各原料はすべて公知の化合物であり、（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸はＵＳＰ５６２９３２５、ＷＯ９７４６５７７等に記載の方法により得られる。ｐ−シアノベンジルアミンはＪＰ０９０４０６３０、ＦＲ１５８２４５２等に記載の方法により得られる。
【００１７】
実施例１
１０９ｍｌの酢酸エチル中に９．９２ｇのクロロ炭酸メチルを約１分間で加え、約−２０℃に冷却する。この溶液に１０．６２ｇのＮ−メチルモルホリンを−２０℃を維持しつつ約１２分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加える。約１０分程度攪拌した後、２０．１２ｇの（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸を−２０℃にて約１分間で添加し、１０ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加え、−２０℃で約３０分間攪拌する。次いで別途作成した１４．５４ｇのｐ−シアノベンジルアミンと２９．０８ｇのトルエンを混合した溶液を窒素気流下で−２０℃を維持しつつ約３０分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し反応液中に加える。室温まで２時間で昇温した後、反応液を７５ｍｌの純水で洗浄する。得られた有機層と水層をＯＤＳカラムを用いたＨＰＬＣ（溶離液はリン酸緩衝液（ｐＨ２．５）とアセトニトリル混合溶媒）にて定量分析し、目的とする（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸のｐ−シアノベンジルアミド３０．３７ｇ（反応収率９６．３１％）の生成を確認した。
【００１８】
有機相を減圧下に留去し、生じた固体を減圧ろ過で取得し、５０％酢酸エチル／ヘキサンで洗浄後、室温で一晩真空乾燥し、２０．２５ｇの目的物の結晶を得た。本化合物の各種スペクトルデータを示す。
マススペクトル、ＦＤ−ＭＳ：３１５（親ピーク）
元素分析値：計算値（組成式、Ｃ17Ｈ21Ｎ3 Ｏ3 ）Ｃ：６４．７５％、Ｈ：６．７１％、Ｎ：１３．３２％、Ｏ：１５．２２％
実測値Ｃ：６４．５６％、Ｈ：６．７０％、Ｎ：１３．３１％、Ｏ：１５．０２％
プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3 ）δ：１．４０（ｓ、９Ｈ）、２．４５（ｂｒ、２Ｈ）、３．８−４．０（ｍ、２Ｈ）、４．５０（ｂｒ、２Ｈ）、４．７０（ｔ、１Ｈ）、７．５（ｄｄ、４Ｈ）、７．８（ｂｒ、１Ｈ）
ＩＲスペクトル：ｃｍ-1に対するＴ％を表すスペクトルを図１に示した。
【００１９】
実施例２
１０９ｍｌの酢酸エチル中に１０．６１ｇのＮ−メチルモルホリンを約２分間で加え、約−２０℃に冷却する。この溶液に９．９１ｇのクロロ炭酸メチルを−２０℃を維持しつつ約１３分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加える。約１０分程度攪拌した後、２０．１２ｇの（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸を−２０℃にて約１分間で添加し、１０ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加え、−２０℃で約３０分間攪拌する。次いで別途作成した１４．５４ｇのｐ−シアノベンジルアミンと２９．０５ｇのトルエンを混合した溶液を窒素気流下で−２０℃を維持しつつ約３０分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し反応液中に加える。以下実施例１と同様に処理し、目的とする（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸のｐ−シアノベンジルアミド２９．５０ｇ（反応収率９３．５４％）の生成を確認した。
【００２０】
実施例３
１０９ｍｌの酢酸エチル中に９．９３ｇのクロロ炭酸メチルを加え、約−２０℃に冷却する。この溶液にを−２０℃を維持しつつ１０．６３ｇのトリエチルアミンを約２４分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加える。約１０分程度攪拌した後、２０．１２ｇの（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸を−２０℃にて約１分間で添加し、１０ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加え、−２０℃で約３０分間攪拌する。次いで別途作成した１４．５５ｇのｐ−シアノベンジルアミンと２９．１４ｇのトルエンを混合した溶液を窒素気流下で−２０℃を維持しつつ約３０分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し反応液中に加える。以下実施例１と同様に処理し、目的とする（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸のｐ−シアノベンジルアミド２９．８４ｇ（反応収率９４．６２％）の生成を確認した。
【００２１】
実施例４
実施例１と同様に−３０℃で反応を実施し、目的とする（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸のｐ−シアノベンジルアミド２９．７９ｇ（反応収率９４．４５％）の生成を確認した。
【００２２】
実施例５
実施例１と同様に−４０℃で反応を実施し、目的とする（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸のｐ−シアノベンジルアミド２９．７９ｇ（反応収率９２．０５％）の生成を確認した。
【００２３】
実施例６
１０９ｍｌの酢酸エチル中に２０．１２ｇの（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸を加え、約−２０℃に冷却する。この溶液に９．９３ｇのクロロ炭酸メチルを約７分間で添加し、１０ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応液中に加える。次いで、１０．６１ｇのＮ−メチルモルホリンを−２０℃を維持しつつ約１７分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し、反応系中に加え、−２０℃で約３０分間攪拌する。次いで別途作成した１４．５５ｇのｐ−シアノベンジルアミンと２９．１５ｇのトルエンを混合した溶液を窒素気流下で−２０℃を維持しつつ約３０分間で加え、５ｍｌの酢酸エチルで容器を洗浄し反応系中に加える。以下実施例１と同様に処理し、目的とする（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸のｐ−シアノベンジルアミド３０．０７ｇ（反応収率９５．３６％）の生成を確認した
【００２４】
【発明の効果】
本発明によれば前記式（１）で示される化合物を原料とし、工業的スケールにて高収率、且つ安価に式（２）で示される化合物を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ｓ）−Ｎ−第３ブチルオキシカルボニル−２−アゼチジンカルボン酸ｐ−シアノベンジルアミドの赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
【図１】
2007001864.tif 000008