(57)【要約】【課題】信号検出処理に必要な演算回路の搭載および小型化を共に実現する光集積ユニットおよび光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】光磁気ディスクに記録された情報を記録／再生する光ピックアップ装置に用いられる光集積ユニット１Ａであって、光磁気ディスクに光ビームを照射する半導体レーザ２と、光磁気ディスクからの反射光を回折光Ｐ１，Ｐ２等に分割する偏光分離素子８ａと、偏光分離素子８ａによって分割された光ビームを検出する光検出部３，４と、光検出部３，４の出力信号を演算する演算回路６と、光検出部３，４が取り付けられているマウント基板５Ａとを備える。演算回路６は、マウント基板５Ａにおいて光検出部３，４と反対側の面に設けられている。【選択図】図１
2007102917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録された情報を記録／再生する光ピックアップ装置に用いられる光集積ユニットであって、
前記記録媒体に光ビームを照射する光源と、
前記記録媒体からの反射光を複数の光ビームに分割する光学分離素子と、
前記光学分離素子によって分割された光ビームを検出する光検出部と、
前記光検出部の出力信号を演算する演算回路と、
前記光検出部が取り付けられているマウント基板とを備え、
前記演算回路は、前記マウント基板において前記光検出部と反対側の面に設けられている、光集積ユニット。
【請求項２】
前記演算回路は、
前記光検出部の出力信号のうち位相の１８０度異なる信号を差動する減算回路と、
前記減算回路の出力信号を微分する微分回路とを含む、請求項１に記載の光集積ユニット。
【請求項３】
前記光検出部は、半導体基板上に、
前記光学分離素子によって分割された光ビームを受光する受光素子と、
前記受光素子の出力電流を電圧信号に変換する電流電圧変換回路とを含む、請求項１に記載の光集積ユニット。
【請求項４】
前記マウント基板は、第１および第２の脚部を有し、前記演算回路は、前記マウント基板において前記第１の脚部と前記第２の脚部との間の凹部に設けられている、請求項１に記載の光集積ユニット。
【請求項５】
前記演算回路の入出力端子に接続されるとともに、前記光検出部と前記マウント基板内の配線を経由して接続されている第１のランド部と、
前記第１および第２の脚部に各々設けられ、前記演算回路と前記マウント基板内の配線を通じてそれぞれ接続されている第２および第３のランド部と、
前記第２および第３のランド部に接続され、前記演算回路を覆うように設置されているフレキシブルプリント回路とをさらに備える、請求項４に記載の光集積ユニット。
【請求項６】
前記演算回路は、半導体プロセスを用いてガラス基板上に電子部品を直接形成することにより作製される、請求項１に記載の光集積ユニット。
【請求項７】
前記演算回路は、ガラス基板に非晶質シリコン膜を形成し、前記非晶質シリコン膜上に酸化膜を形成し、前記酸化膜上に触媒元素を調整して添加した水溶液を滴下してスピンドライを行ない、前記非晶質シリコン膜を加熱処理してさらにレーザ光を照射することにより前記非晶質シリコン膜を結晶質シリコン膜に換え、前記結晶質シリコン膜をさらに加工することにより作製される、請求項６に記載の光集積ユニット。
【請求項８】
前記マウント基板は、セラミック積層基板である、請求項１に記載の光集積ユニット。
【請求項９】
前記光学分離素子は、ホログラム素子である、請求項１に記載の光集積ユニット。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の光集積ユニットを備えた光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光集積ユニットおよび光ピックアップ装置に関し、より特定的には、光検出器の出力信号を演算する演算回路を備えた光集積ユニットおよびこれを用いた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＭＤ（Mini Disc；登録商標）などの光ディスクを記録媒体とする光ピックアップが知られている。また近年では、記録容量の大きなＨｉ−ＭＤ（登録商標）と呼ばれる新しい規格の光ディスクも提案されている。ポータブル機器の普及にともない、光ピックアップのさらなる小型化への要求は高まっている。一方で、高密度に記録された光ディスクの情報を高い信頼性で再生することができる光ピックアップが望まれている。
【０００３】
光ピックアップを小型化しかつ情報再生信号の信頼性を確保する一手法として、光ピックアップの検出信号を電圧に変換するための演算回路を光ピックアップに搭載する技術が提案されている。また、他の手法として、光検出器とそれにともなう電子回路とを一体化する技術が提案されている。
【０００４】
光ディスク再生における高い信頼性を確保するため、フォーカスエラー検出およびトラッキングエラー検出だけでなく、光ディスクの傾き、対物レンズの変位、ビームスポットの収差などを検出するサーボ検出機能を有する光ピックアップも望まれている。ここで、フォーカスエラー検出とは、光ビームの焦点を光ディスクの記録面に合わせるための機能である。また、トラッキングエラー検出とは、光ビームを正しく記録トラックに追従させるための機能である。
【０００５】
上記の要求を満たそうとする一手法として、たとえば、特許文献１では、小型化、低コスト化、低消費電力化を図りつつ、高周波重畳回路の不要輻射の影響を抑制する上で有利とされる受発光素子を開示している。受発光素子は、半導体基板と、半導体レーザと、フォトダイオードと、プリズムと、フォトダイオードの出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、高周波重畳回路とを備えている。
【０００６】
高周波重畳回路は、半導体レーザの戻り光ノイズを抑制するために用いられ、高周波信号をレーザ駆動電流に重畳させる。半導体基板の内部には、フォトダイオード、電流電圧変換回路および高周波重畳回路が形成されている。特許文献１の受発光素子は、フォトダイオードおよび電流電圧変換回路を囲むように電気的なシールド部が設けられているとともに、高周波重畳回路を囲むように電気的なシールド部が設けられている。これにより、輻射対策素子が不要となるので、部品点数を増やすことなく簡単な構成によって、高周波重畳回路で発生する不要輻射の影響を抑制する。
【０００７】
特許文献２は、記録媒体からの光を受光するフォトダイオードと、フォトダイオードからの出力を合成して記録情報を再生するための演算回路とを光ピックアップ上に搭載した情報処理装置を開示している。特許文献２の情報処理装置は、情報信号の検出に必要な和信号を生成する高周波段の演算回路のみを光ピックアップ上に搭載している。これにより、演算回路がフォトダイオードの近くに配置され、ノイズなどによる影響を受けないとともに、光ピックアップの大型化および質量の増加を抑えている。
【特許文献１】特開２００４−２５９８３６号公報
【特許文献２】特開平１−１７３３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述したように、光ピックアップのさらなる小型化への要求が高まるとともに、新しい規格の光ディスクの情報再生信号を処理できる光ピックアップが望まれている。また、高密度に記録された光ディスクから検出される微小信号を高い信頼性で再生するためには、より低ノイズで広帯域かつ情報再生信号の特性に合った条件下で情報再生信号を検出するとともに、複雑な信号処理を要するサーボ信号を検出できる光ピックアップの光集積ユニットが必要である。
【０００９】
しかしながら、上記した特許文献１および２は、更なる小型化および信号検出処理に必要な演算回路を搭載することを共に実現する手段について開示していない。
【００１０】
たとえば、特許文献１は、フォトダイオード、電流電圧変換回路、および高周波重畳回路を半導体基板内に形成することを開示しているが、信号検出処理に必要な演算回路を搭載していない。仮に、半導体基板内に情報再生信号やサーボ信号などを検出するための演算回路を形成すると、半導体基板が大きくなってしまう。この場合、半導体基板は、その平面方向に拡大されることとなり、光検出器、ひいては光ピックアップの大型化を招いてしまう。また、半導体基板のサイズ拡大は、コストの増加を招くことにもなる。
【００１１】
また、特許文献２に記載された信号検出回路は、光ピックアップに情報再生信号を検出するための演算回路を搭載することを開示するにとどまっており、その搭載形態や小型化のための演算回路の配線方法等については何ら開示していない。
【００１２】
この発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、信号検出処理に必要な演算回路の搭載および小型化を共に実現する光集積ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、記録媒体に記録された情報を記録／再生する光ピックアップ装置に用いられる光集積ユニットであって、記録媒体に光ビームを照射する光源と、記録媒体からの反射光を複数の光ビームに分割する光学分離素子と、光学分離素子によって分割された光ビームを検出する光検出部と、光検出部の出力信号を演算する演算回路と、光検出部が取り付けられているマウント基板とを備える。演算回路は、マウント基板において光検出部と反対側の面に設けられている。
【００１４】
好ましくは、演算回路は、光検出部の出力信号のうち位相の１８０度異なる信号を差動する減算回路と、減算回路の出力信号を微分する微分回路とを含む。
【００１５】
好ましくは、光検出部は、半導体基板上に、光学分離素子によって分割された光ビームを受光する受光素子と、受光素子の出力電流を電圧信号に変換する電流電圧変換回路とを含む。
【００１６】
好ましくは、マウント基板は、第１および第２の脚部を有し、演算回路は、マウント基板において第１の脚部と第２の脚部との間の凹部に設けられている。
【００１７】
好ましくは、演算回路の入出力端子に接続されるとともに、光検出部とマウント基板内の配線を経由して接続されている第１のランド部と、第１および第２の脚部に各々設けられ、演算回路とマウント基板内の配線を通じてそれぞれ接続されている第２および第３のランド部と、第２および第３のランド部に接続され、演算回路を覆うように設置されているフレキシブルプリント回路とをさらに備える。
【００１８】
好ましくは、演算回路は、半導体プロセスを用いてガラス基板上に電子部品を直接形成することにより作製される。
【００１９】
好ましくは、演算回路は、ガラス基板に非晶質シリコン膜を形成し、非晶質シリコン膜上に酸化膜を形成し、酸化膜上に触媒元素を調整して添加した水溶液を滴下してスピンドライを行ない、非晶質シリコン膜を加熱処理してさらにレーザ光を照射することにより非晶質シリコン膜を結晶質シリコン膜に換え、結晶質シリコン膜をさらに加工することにより作製される。
【００２０】
好ましくは、マウント基板は、セラミック積層基板である。
好ましくは、光学分離素子は、ホログラム素子である。
【００２１】
この発明の他の局面によれば、記録媒体に記録された情報を記録／再生する光ピックアップ装置であって、記録媒体に光ビームを照射する光源と、記録媒体からの反射光を複数の光ビームに分割する光学分離素子と、光学分離素子によって分割された光ビームを検出する光検出部と、光検出部の出力信号を演算する演算回路と、光検出部が取り付けられているマウント基板とを備える。演算回路は、マウント基板において光検出部と反対側の面に設けられている。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、信号検出処理に必要な演算回路の搭載および小型化を共に実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２４】
［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による光集積ユニット１Ａの概略的な構成を示した断面図である。
【００２５】
図１を参照して、実施の形態１の光集積ユニット１Ａは、半導体レーザ２と、光検出部３，４と、マウント基板５Ａと、演算回路６と、カバー７と、偏光ホログラム８，９と、ホルダー１０と、光学位相補償素子１１と、サブマウント（台座）１３とを備える。この発明の実施の形態では、光集積ユニットを含む光ピックアップが情報を再生する記録媒体として、情報再生信号を微分して検出するＤＷＤＤ（Domain Wall Displacement Detection）方式のＨｉ−ＭＤ（登録商標）のような比較的記録密度の高い光磁気ディスクを例に説明する。
【００２６】
半導体レーザ２は、サブマウント１３の上に設置されている。カバー７は、マウント基板５Ａ上において、半導体レーザ２と、光検出部３，４と、サブマウント１３とを覆っている。カバー７は、半導体レーザ２の出射光が通過できるように、出射光の通る部分が透明または開口された構造を有する。
【００２７】
光検出部３は、情報再生信号である光磁気信号を検出するためのものであって、半導体基板３ａと、複数のフォトダイオード（受光素子）３１ａ〜３１ｃと、フォトダイオード３１ａ〜３１ｃの出力電流をそれぞれ電圧信号に変換する電流電圧変換回路３ｃとを含む。半導体基板３ａ上において、フォトダイオード３１ａ〜３１ｃと、電流電圧変換回路３ｃとは、半導体パターンによって結線されている。
【００２８】
光検出部４は、サーボ信号を検出するためのものであって、半導体基板４ａと、複数のフォトダイオード（受光素子）４１ａ〜４１ｃと、フォトダイオード４１ａ〜４１ｃの出力電流をそれぞれ電圧信号に変換する電流電圧変換回路４ｃとを含む。半導体基板４ａ上において、フォトダイオード４１ａ〜４１ｃと、電流電圧変換回路４ｃとは、半導体パターンによって結線されている。
【００２９】
上記のように、実施の形態１の光集積ユニット１Ａは、情報再生信号である光磁気信号を検出するための光検出部３と、サーボ信号を検出するための光検出部４とを、別々の光検出部としている。光検出部３，４は、接着固定によってそれぞれマウント基板５Ａに取り付けられている。光集積ユニット１Ａでは、たとえば、この２つの光検出部３，４を用いて、異なる種類の光ディスクの情報再生信号をそれぞれ検出するような構成とすることも可能である。この発明の実施の形態では、１種類の光磁気ディスクを再生する場合について説明している。
【００３０】
マウント基板５Ａは、たとえばセラミックス材料からなるセラミック積層基板であり、光検出部３，４の反対側に脚部５０ａ，５０ｂを有する。マウント基板５Ａは、光検出部３，４の設置された面にランド部（図示せず）を設けている。光検出部３，４の出力端子は、ワイヤーボンディングによって当該ランド部に接続されている。当該ランド部は、マウント基板５Ａ内に形成された配線を通じてマウント基板５Ａの反対側にある演算回路６の入力端子に接続されている。演算回路６は、マウント基板５Ａの脚部５０ａと脚部５０ｂとの間に設置されている。
【００３１】
偏光ホログラム８は、ホログラムパターンにより形成された偏光分離素子８ａを含む。偏光ホログラム９は、ホログラムパターンにより形成された偏光分離素子９ａ，９ｂを含む。偏光ホログラム８，９のように、偏光分離素子（光学分離素子）にホログラムを用いることで、光集積ユニット１Ａの小型化が可能となる。ホルダー１０は、光の通る部分が中空の構造となっており、内部に光学位相補償素子１１が設けられている。
【００３２】
偏光分離素子８ａ，９ａ，９ｂは、偏光分離の際に１次回折光Ｐ１，Ｐ２の偏光に位相差を生じさせる。光学位相補償素子１１は、当該位相差を補償することで、記録媒体である光磁気ディスクの情報再生信号の品質が最適となるように設計されている。図１において、光学位相補償素子１１は、偏光分離素子８ａと偏光分離素子９ａとの間に配置されているが、偏光分離素子８ａと偏光分離素子９ｂとの間に配置されてもよい。光学位相補償素子１１には、たとえば、アートンフィルム（耐熱透明樹脂を用いた光学フィルム）が用いられる。
【００３３】
次に、図１に示した実施の形態１の光集積ユニット１Ａの動作について説明する。
半導体レーザ２から出射された光は、偏光分離素子８ａを通って、光集積ユニット１Ａから出射される。光集積ユニット１Ａから出射された光は、図示しないコリメータレンズによって平行光にされた後、対物レンズによって光磁気ディスクに集光される。光磁気ディスクに集光された光は、反射された再び対物レンズを通過し、光集積ユニット１Ａに再び入射する。
【００３４】
光集積ユニット１Ａに再び入射した光は、偏光分離素子８ａによって、＋１次回折光Ｐ１と−１次回折光Ｐ２とを含む複数の回折光に分割される。＋１次回折光Ｐ１は、光学位相補償素子１１によって、記録媒体である光磁気ディスクの情報再生信号の品質が最適となる光学位相補償量が与えられる。
【００３５】
光学位相補償素子１１を通った＋１次回折光Ｐ１は、偏光分離素子９ａにおいて偏光分離される。偏光分離素子９ａによって偏光分離された光のうち、０次回折光および±１次回折光が、光検出部３のフォトダイオード３１ａ〜３１ｃにそれぞれ入射する。光検出部３は、光磁気ディスクに記録された情報の偏光を検出することによって、光磁気ディスクの情報再生信号を検出する。
【００３６】
一方、−１次回折光Ｐ２は、偏光分離素子９ｂにおいて偏光分離される。偏光分離素子９ｂには、光検出部４においてサーボ信号を検出するのに必要なホログラムパターンが形成されている。偏光分離素子９ｂによって偏光分離された光のうち、０次回折光および±１次回折光が、光検出部４のフォトダイオード４１ａ〜４１ｃにそれぞれ入射する。光検出部４は、フォーカスエラー、トラッキングエラー、光磁気ディスクの傾き、対物レンズの変位，ビームスポットの収差エラーなどに関するサーボ信号を検出する。
【００３７】
光検出部３，４の出力信号は、演算回路６に入力される。演算回路６は、光検出部３，４で検出される信号に基づいて、光磁気ディスクの情報再生信号およびサーボ信号などを生成する。
【００３８】
図２は、図１の演算回路６において情報再生信号を生成するための具体的な回路構成の一例を示した回路図である。
【００３９】
図２を参照して、演算回路６は、減算（差動）回路２０６と、微分回路２１１とを含む。減算回路２０６は、抵抗２０１〜２０４と、オペアンプ２０５とを有する。抵抗２０１は、オペアンプ２０５の＋入力端子に接続されている。抵抗２０２は、オペアンプ２０５の−入力端子に接続されている。抵抗２０３は、オペアンプ２０５の−入力端子と出力端子との間に接続されている。抵抗２０４は、オペアンプ２０５の＋入力端子と接地ノードとの間に接続されている。
【００４０】
オペアンプ２０５は、−入力端子から抵抗２０２を介して入力信号Ｓ１を受け、＋入力端子から抵抗２０１を介して入力信号Ｓ２を受け、これらを減算した信号Ｓ３＝Ｓ２−Ｓ１を出力する。このように、減算回路２０６は、偏光ホログラム２１ａによって偏光分離された光の検出信号から、位相の１８０度異なる電圧信号を差動することで偏光成分を検出し、情報再生信号である光磁気信号を生成する。
【００４１】
微分回路２１１は、抵抗２０７，２０９と、コンデンサ２０８と、オペアンプ２１０とを有する。抵抗２０７は、減算回路２０６の出力端子とコンデンサ２０８との間に接続されている。コンデンサ２０８は、抵抗２０７とオペアンプ２１０の−入力端子との間に接続されている。抵抗２０９は、オペアンプ２１０の−入力端子と出力端子との間に接続されている。オペアンプ２１０は、＋入力端子が接地ノードに接続されており、−入力端子から抵抗２０７およびコンデンサ２０８を介して信号Ｓ３を受け、信号Ｓ３が微分された出力信号Ｓ４を出力する。
【００４２】
微分回路２１１は、抵抗２０７の抵抗値をＲａ、コンデンサ２０８の容量をＣ、抵抗２０９の抵抗値をＲｂとするとき、直流からカットオフ周波数ｆｃ＝１／（２πＲａＣ）まで１次の微分特性を示す。なお、カットオフ周波数ｆｃ以上の高域周波数帯域での利得Ｇは、Ｇ＝Ｒｂ／Ｒａとなる。
【００４３】
図３は、図２の微分回路２１１の利得周波数特性を示した図である。なお、ここでの利得とは電圧利得を指す。
【００４４】
図３を参照して、微分回路２１１の高周波数領域におけるカットオフ周波数ｆｃは、およそ１０ＭＨｚとなっている。また、カットオフ周波数ｆｃ以上の高域周波数帯域での出力信号レベルＶｓｈを０ｄＢとして表わしている。図３に示すように、微分回路２１１の利得周波数特性は、光磁気ディスクの情報再生信号に必要な周波数領域（およそｆｃ＝１０ＭＨｚ）までにおいて微分特性を有している。
【００４５】
この微分特性により、たとえば、高密度光磁気媒体であるＤＷＤＤ媒体の再生において、同記録媒体に特有の突発的な直流レベル変動が生じた場合でも、その直流レベル変動をキャンセルすることができる。これにより、光磁気信号の検出にほとんど影響を与えることなく、光磁気信号を精度よく検出できる。この結果、データ検出の誤り率を低減でき、情報再生の信頼性が高まる。
【００４６】
図１に戻って、演算回路６は、また、光検出部４の複数のフォトダイオード４１ａ〜４１ｃで検出される信号を加算または減算することで、サーボ信号を生成する。サーボ信号の検出方法によっても異なるが、通常、１種類のサーボ信号（たとえばフォーカスサーボ信号）を生成するためには、フォトダイオード４１ａ〜４１ｃから検出される２〜４個の検出電圧信号を演算することが必要となる。
【００４７】
図４は、図１の光集積ユニット１Ａを演算回路６側から見た場合の概略的な構成を示した図である。
【００４８】
図４を参照して、マウント基板５Ａは、脚部５０ａと脚部５０ｂとの間に演算回路６が設けられている。演算回路６には、ランド部３０１ａ，３０１ｂが設けられている。脚部５０ａ，５０ｂには、ランド部３０２ａ，３０２ｂがそれぞれ設けられている。ランド部３０２ａ，３０２ｂには、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）３０３が半田付けによって接続されている。
【００４９】
図１の光検出部３，４の出力は、マウント基板５Ａ内の配線を経由して、ランド部３０１ａ，３０１ｂにそれぞれ接続されている。ランド部３０１ａ，３０１ｂは、演算回路６の入出力端子と例えば半田付けによって接続されている。演算回路６の出力は、マウント基板５Ａ内の配線を通じて、脚部５０ａ，５０ｂのランド部３０２ａ，３０２ｂにそれぞれ送出される。ランド部３０２ａ，３０２ｂに送出された信号は、ＦＰＣ３０３を通じて光集積ユニット１Ａから出力される。
【００５０】
ここで、演算回路６内の受動素子である抵抗などは、マウント基板５Ａ内に作りこむことが可能である。たとえば、図２の減算回路２０６については、抵抗２０１〜２０４をマウント基板５Ａ内に作りこめば、オペアンプ２０５に汎用のオペアンプＩＣ（Integrated Circuit）を用いることも可能になる。
【００５１】
このように、実施の形態１の光集積ユニット１Ａは、マウント基板５Ａの凹部に演算回路６を搭載する構造であるので、マウント基板５ＡにはＦＰＣ３０３を搭載するのに障害となる突起物が存在しない。したがって、光集積ユニット１Ａは、容易にＦＰＣ３０３を搭載することができ、出力配線を小型および薄型にすることが可能である。
【００５２】
以上のように、実施の形態１によれば、マウント基板の一方の側に光検出部を設け、他方の側に光検出部の出力信号を演算する演算回路を設けることにより、光検出部の大型化を招くことなく光集積ユニットを実現できる。
【００５３】
また、電流電圧変換回路をフォトダイオードと同じ半導体基板上に形成し、演算回路を光検出部の近くに設けているので、低ノイズで高品質の信号を得ることができる。さらに、多くの信号から生成されるサーボ信号の演算回路を光集積ユニットに搭載することにより、光集積ユニットからの出力配線の数を減らすことができ、光集積ユニットを含む光ピックアップを小型化することが可能となる。
【００５４】
［実施の形態２］
図５は、この発明の実施の形態２による光集積ユニット１Ｂの概略的な構成を示した断面図である。
【００５５】
図５を参照して、実施の形態２の光集積ユニット１Ｂは、マウント基板５Ａがマウント基板５Ｂに置き換えられ、演算回路６がガラス基板回路４００に置き換えられた点において、実施の形態１の光集積ユニット１Ａと異なる。したがって、実施の形態１と重複する部分の説明は、ここでは繰り返さない。
【００５６】
ガラス基板回路４００は、マウント基板５Ｂの光検出部３，４が搭載された面とは反対側の面に接着固定されている。ガラス基板回路４００は、ガラス基板上に演算回路が形成された構成を有する。この演算回路は、ガラス基板上に低温プロセスを利用して結晶性の高い連続粒界シリコン（ＣＧシリコン）を形成した後、アンプ回路等を形成することにより作製される。より詳細に説明すると、以下のようになる。
【００５７】
まず、ガラス基板にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＬＰＣＶＤ（Low Pressure ＣＶＤ）法によって非晶質シリコン膜を形成する。次に、形成された非晶質シリコン膜上に極薄の酸化膜を形成して、その上にニッケル等の触媒元素を調整して添加した酢酸塩溶液等の水溶液を滴下し、スピンドライを行なう。次に、非晶質シリコン膜を加熱処理し、さらにレーザ光を照射することによって、非晶質シリコン膜を結晶質シリコン膜（ＣＧシリコン膜）に換える。このＣＧシリコン膜をさらに加工することにより、演算回路が形成される。
【００５８】
上記のＣＧシリコン膜を用いると、半導体プロセスによりガラス基板に電子部品を直接形成してガラス基板回路４００を作製することができる。ガラス基板回路４００の配線等は、例えばアルミニウム膜を蒸着し、そのアルミニウム膜をエッチングすることにより容易に形成することができる。
【００５９】
こうして作製されたガラス基板回路４００は、ほぼ平面かつ薄型である。よって、実施の形態１のようにセラミック積層基板でできたマウント基板５の凹部などに入れ込む必要がなくなる。また、実施の形態１と異なり、平坦な形状のマウント基板５を用いることができるので、より簡単にマウント基板５を実現することができる。なお、ガラス基板回路４００に図４のようなランド部を設けることにより、実施の形態１と同様にＦＰＣを接続して出力の配線を行なうこともできる。
【００６０】
以上のように、実施の形態２によれば、光検出部の出力信号を演算する演算回路を薄いガラス基板に形成し、これをマウント基板に取り付けることで、より小型で薄型の光集積ユニットを実現することができる。
【００６１】
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の光集積ユニットを用いることによって、光検出部と、光検出部の出力信号を演算する演算回路が形成されたガラス基板回路とを集積し、ユニット化することができる。本発明の光集積ユニットは、より小型化かつ高品質の信号検出が要求される光ピックアップに好適に用いることができる。
【００６３】
したがって、本発明は、単に、光ピックアップの光集積ユニットを製造する産業分野のみならず、発光素子や光情報記録再生装置を製造する産業分野、光集積ユニットに関する他の各種電子・電気部品を製造する産業分野などに対しても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】この発明の実施の形態１による光集積ユニット１Ａの概略的な構成を示した断面図である。
【図２】図１の演算回路６において情報再生信号を生成するための具体的な回路構成の一例を示した回路図である。
【図３】図２の微分回路２１１の利得周波数特性を示した図である。なお、ここでの利得とは電圧利得を指す。
【図４】図１の光集積ユニット１Ａを演算回路６側から見た場合の概略的な構成を示した図である。
【図５】この発明の実施の形態２による光集積ユニット１Ｂの概略的な構成を示した断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１Ａ，１Ｂ  光集積ユニット、２  半導体レーザ、３，４  光検出部、３ａ，４ａ  半導体基板、３ｃ，４ｃ  電流電圧変換回路、５Ａ，５Ｂ  マウント基板、６  演算回路、７  カバー、８，９  偏光ホログラム、８ａ，９ａ，９ｂ  偏光分離素子、１０  ホルダー、１１  光学位相補償素子、１３  サブマウント、３１ａ〜３１ｃ，４１ａ〜４１ｃ  フォトダイオード、２０６  減算回路、２１１  微分回路、３０１ａ，３０１ｂ，３０２ａ，３０２ｂ  ランド部、３０３  ＦＰＣ、４００  ガラス基板回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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