(57)【要約】      （修正有）【課題】配線パターンに設ける接続端子としてのはんだボール搭載用パッドが直近領域より高くならないように制御して、搭載したはんだボールの変形や搭載前のパッドの損傷を防止したプリント配線基板を提供する。【解決手段】  接続端子としてのはんだボールを搭載するためのパッド２０を含む配線パターンを備えたプリント配線基板において、該パッド２０は、該配線パターンを構成する導体層１４と、下層めっき層１６と、上層めっき層１８とがこの順で積層して成り、該パッド２０を取り囲む直近領域は、該導体層１４と、該下層めっき層１６および該上層めっき層１８のうち少なくとも該下層めっき層１６と、ソルダーレジスト層２２とがこの順で積層して成り、該上層めっき層１８の厚さは、該下層めっき層１６および該ソルダーレジスト層２２の各厚さに比較して無視し得る厚さであり、該パッドの上面の高さが、該直近領域の上面の高さを超えないことを特徴とする。【選択図】図５
2007067147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続端子としてのはんだボールを搭載するためのパッドを含む配線パターンを備えたプリント配線基板において、
該パッドは、該配線パターンを構成する導体層と、下層めっき層と、上層めっき層とがこの順で積層して成り、
該パッドを取り囲む直近領域は、該導体層と、該下層めっき層および該上層めっき層のうち少なくとも該下層めっき層と、ソルダーレジスト層とがこの順で積層して成り、
該パッドの上面の高さが、該直近領域の上面の高さを超えないことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
請求項１において、該導体層がＣｕ、該下層めっき層がＮｉ、該上層めっき層がＡｕから各々成ることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項３】
請求項１または２において、該直近領域が、該パッドとは離間して形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項４】
請求項１または２において、該直近領域が、該パッドに接して形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項記載のプリント配線基板を製造する方法であって、
絶縁基板上の導体層をパターニングして該配線パターンを形成する工程、
該配線パターンを構成する該導体層上に、該下層めっき層を形成する工程、
該下層めっき層上の、少なくとも該パッドの形成予定箇所に、該上層めっき層を形成する工程、
該下層めっき層上の、該パッドの形成予定箇所以外に、該ソルダーレジスト層を形成する工程
を含むことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続端子としてのはんだボールを搭載するパッドを含む配線パターンを備えたプリント配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体パッケージに使用される配線基板の配線パターンは所定箇所が、接続端子としてのはんだボール搭載用のパッドとして形成されている。はんだボール搭載用パッドは、配線パターンを構成するＣｕ等の導体層の表面に、はんだ接合性を高めるために一般にＮｉ／Ａｕめっき等のめっきが施されている。
【０００３】
図１（１）に、従来のプリント配線基板のはんだボール搭載用パッド付近の断面構造を示す。図示したプリント配線基板１０は、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層から成る配線パターン１４が形成されている。配線パターン１４は、はんだボール搭載用のパッド用部分１４Ａと、それとは離間した直近配線１４Ｂと含む。
【０００４】
はんだボール搭載用パッド２０は、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａの表面に、下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と、上層めっき層としてのＡｕめっき層１８とをこの順で被覆して形成されている。これを図中に「２０：１４Ａ＋１６＋１８」と付記して示した。
【０００５】
パッド２０から離間した直近領域２４は、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａからは離間した直近配線１４Ｂと、これを被覆するソルダーレジスト層２２とによって形成されている。これを図中に「２４：１４Ｂ＋２２」と付記して示した。
【０００６】
この層構造において、各層はそれぞれの許容公差内のバラツキを伴って形成される。その結果、パッド２０の上面Ｐ（Ａｕめっき層１８の上面）と直近領域２４の上面Ｑ（ソルダーレジスト層２２の上面）との高低関係が一定しない。特に、図１（１）に示したように、パッド２０の上面Ｐが直近領域２４の上面Ｑより高くなった場合に問題が生ずる。
【０００７】
すなわち、図１（２）に示すように、パッド２０上にはんだボール２６を載置、溶融して搭載する際に、パッド２０上に搭載したはんだボール２６の周縁部が、低い直近領域２４まで垂れ下がって変形してしまい、所定形状が得られない。
【０００８】
また、直近領域２４よりもパッド２０が飛び出しているため、ハンドリング時に他のプリント配線基板１０や治具との接触等によりパッド２０の頂部のＡｕめっき層１８が損傷して、はんだ接合性を損ねる危険性がある。
【０００９】
図２を参照して、図１（１）の従来のプリント配線基板１０の製造工程を説明する。以下に説明する処理工程は、例えば特許文献１等に開示されているような一般的な方法である。
【００１０】
まず、図２（１）に示すように、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層のパターニングにより配線パターン１４を形成する。これは周知の方法により、一つの典型例としては、両面銅張り積層坂を用い、スルーホール加工、無電解銅めっきおよび電解銅めっき、ドライフィルムの積層・露光・現像、銅導体層のエッチング、ドライフィルムの剥離といった手順で行なう。配線パターン１４は、はんだボールを搭載するためのパッド用部分１４Ａと、それからは離間した直近配線１４Ｂとを含む。
【００１１】
次に、図２（２）に示すように、基板１２の全面にスクリーン印刷によりソルダーレジスト層２２を形成する。
【００１２】
次に、図２（３）に示すように、ソルダーレジスト層２２を露光・現像によりパターニングして、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａを露出させる。それからは離間した直近配線１４Ｂはソルダーレジスト層２２に覆われている。
【００１３】
最後に、図２（４）に示すように、電解めっきを行い、上記で露出した配線パターン１４のパッド用部分１４Ａの全面（上面および側面の全体）に、下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と、その上の上層めっき層としてのＡｕめっき層１８とを形成する。
【００１４】
これにより、はんだボール搭載用パッド２０（配線パターン１４のパッド用部分１４Ａ＋Ｎｉめっき層１６＋Ａｕめっき層１８）と、それとは離間した直近領域２４（直近配線１４Ｂ＋ソルダーレジスト層２２）とを備えたプリント配線基板１０が完成する。
【００１５】
得られたパッド２０と直近領域２４との高低関係は、結局、パッド２０のＮｉめっき層１６の厚さと、直近領域２４のソルダーレジスト層２２の厚さとの関係で決まる。
【００１６】
高低関係に対する他の構成部分の寄与を考えると、まず配線パターン１４（１４Ａ、１４Ｂ）は両者（２０、２２）に共通の導体層で形成されているので高低差の要因としては除外される。パッド２０のＡｕめっき層１８も他の層に比べて非常に薄いので高さへの寄与は無視できる。
【００１７】
一般に、Ｎｉめっき層１６は厚さ１０μｍに対して許容公差±５μｍ程度、ソルダーレジスト層２２は厚さ１５μｍに対して許容公差±１０μｍ程度である。したがって、パッド２０の上面Ｐの高さＨｐの変動要因となるＮｉめっき層１６の厚さは１０±５μｍ＝５μｍ〜１５μｍの範囲で変動し、直近領域２４の上面Ｑの高さＨｑの変動要因となるソルダーレジスト層２２の厚さは１５±１０μｍ＝５μｍ〜２５μｍの範囲で変動する。
【００１８】
したがって、パッド上面高さＨｐと直近領域上面高さＨｑの高低関係は、Ｈｐ−Ｈｑ＝〔Ｎｉめっき層１６の厚さ〕−〔ソルダーレジスト層２２の厚さ〕＝−２０μｍ〜＋１０μｍの範囲で変動し、パッド２０が直近領域２４より２０μｍ低い状態から、逆にパッド２０が直近領域２４より１０μｍ高い状態までの範囲で変動する。しかも、この変動はＮｉめっき層形成もソルダーレジスト層形成も許容公差内に管理した処理を行なっていて生ずるため、実際の処理プロセスにおいてパッド／直近領域の高低関係を安定に管理することは事実上不可能であった。
【００１９】
上記の従来構造および方法は、パッドと、それとは離間した直近領域との高低関係が問題となるパッド形態であるが、パッドと、それに接した直近領域との高低差により同様の問題が生ずるパッド形態もある。
【００２０】
図３（１）に、従来のプリント配線基板のはんだボール搭載用パッド付近の断面構造を示す。図示したプリント配線基板４０は、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層から成る配線パターン２８が形成されている。図示した位置では配線パターン２８はパッド形成用の部分である。
【００２１】
配線パターン２８の上面は、周縁部がソルダーレジスト層２２によりマスクされ、それにより規定された中央部の開口内に下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と上層めっき層としてのＡｕめっき層１８とを形成してパッド３０が構成されている。このパッド形態はいわゆるＳＭＤタイプ（Solder Mask Define Type：ソルダーマスク規定型）であり、これに対して前述のパッド形態はＮＭＳＤタイプ（Non Solder Mask Define：非ソルダーマスク規定型）である。
【００２２】
このＳＭＤタイプの場合にも、前記のＮＭＳＤタイプと同様の問題が生ずる。
【００２３】
すなわち、図３（２）に示すようにパッド３０の上面Ｐが直近領域３２のソルダーレジスト層２２の上面Ｑより高くなった場合には、パッド３０上に搭載したはんだボール２６の周縁部が、低い直近領域３２の高さまで垂れ下がって変形してしまい、所定形状が得られない。
【００２４】
また、直近領域３２よりもパッド３０が飛び出しているため、ハンドリング時に他のプリント配線基板４０や治具との接触等によりパッド３０の頂部のＡｕめっき層１８が損傷して、はんだ接合性を損ねる危険性がある。
【００２５】
図４を参照して、図３（１）のＳＭＤタイプの従来のプリント配線基板４０の製造工程を説明する。この処理工程も周知の一般的な方法である。
【００２６】
まず、図４（１）に示すように、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層のパターニングにより配線パターン２８を形成する。これは周知の方法により、一つの典型例としては、両面銅張り積層坂を用い、スルーホール加工、無電解銅めっきおよび電解銅めっき、ドライフィルムの積層・露光・現像、銅導体層のエッチング、ドライフィルムの剥離といった手順で行なう。配線パターン２８は、図示した部分は、はんだボールを搭載するためのパッド用部分である。
【００２７】
次に、図４（２）に示すように、基板１２の全面にスクリーン印刷によりソルダーレジスト層２２を形成する。
【００２８】
次に、図４（３）に示すように、ソルダーレジスト層２２を露光・現像によりパターニングして、配線パターン２８の上面の中央部のみを露出させる。配線パターン２８の他の部分はソルダーレジスト層２２に覆われている。
【００２９】
最後に、図４（４）に示すように、電解めっきを行い、上記で露出した配線パターン２８の上面の中央部分に、下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と、その上の上層めっき層としてのＡｕめっき層１８とを形成する。
【００３０】
これにより、はんだボール搭載用パッド３０（配線パターン２８の中央部分＋Ｎｉめっき層１６＋Ａｕめっき層１８）を含む配線パターン２８を備えたプリント配線基板４０が完成する。パッド３０と直近領域３２とは直接に接している。
【００３１】
得られたパッド３０と直近領域３２との高低関係は、結局、パッド３０のＮｉめっき層１６の厚さと、直近領域３２のソルダーレジスト層２２の厚さとの関係で決まる。
【００３２】
高低関係に対する他の構成部分の寄与を考えると、まず配線パターン２８は、両者に共通しているので高低差の要因としては除外され、パッド３０のＡｕめっき層１８も他の層に比べて非常に薄いので高さへの寄与は無視できる。
【００３３】
このＳＭＤタイプのパッド３０の場合も、前述のＮＳＭＤタイプのパッド２０と同様の理由により同様の範囲で高低関係が変動し、Ｎｉめっき層とソルダーレジスト層を許容公差内で管理しても、この高低関係を制御・管理することは事実上不可能であった。
【００３４】
【特許文献１】特開２０００−５８５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
本発明は、配線パターンに設ける接続端子としてのはんだボール搭載用パッドが直近領域より高くならないように制御して、搭載したはんだボールの変形や搭載前のパッドの損傷を防止したプリント配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
上記の目的を達成するために、本発明のプリント配線基板は、接続端子としてのはんだボールを搭載するためのパッドを含む配線パターンを備えたプリント配線基板において、
該パッドは、該配線パターンを構成する導体層と、下層めっき層と、上層めっき層とがこの順で積層して成り、
該パッドを取り囲む直近領域は、該導体層と、該下層めっき層および該上層めっき層のうち少なくとも該下層めっき層と、ソルダーレジスト層とがこの順で積層して成り、
該上層めっき層の厚さは、該下層めっき層および該ソルダーレジスト層の各厚さに比較して無視し得る厚さであり、
該パッドの上面の高さが、該直近領域の上面の高さを超えないことを特徴とする。
【００３７】
典型的には、該導体層がＣｕ、該下層めっき層がＮｉ、該上層めっき層がＡｕから各々成る。
【００３８】
該直近領域が、該パッドとは離間して形成されていてもよく、該パッドに接して形成されていてもよい。
【００３９】
本発明のプリント配線基板を製造する方法は、
絶縁基板上の一体の導体層をパターニングして該配線パターンを形成する工程、
該配線パターンを構成する該導体層上全体に、該下層めっき層を形成する工程、
該下層めっき層上の、少なくとも該パッドの形成予定箇所に、該上層めっき層を形成する工程、
該下層めっき層上の、該パッドの形成予定箇所以外に、該ソルダーレジスト層を形成する工程
を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、パッドが配線パターン用導体層と下層めっき層と上層めっき層とが積層して成り、パッドを取り囲む直近領域が該導体層と該下層めっき層（および該上層めっき層）とソルダーレジスト層とが積層して成り、かつ該上層めっき層の厚さが無視できるので、パッドと直近領域との高低差はソルダーレジスト層の厚さのみによって決まるため、ソルダーレジスト層厚さを許容公差内に管理することにより、パッドの上面高さが直近領域の上面高さを超えないように制御できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
〔実施形態１〕
図５に本発明の一実施形態によるＮＳＭＤタイプ（非ソルダーマスク規定型）のパッドを有するプリント配線基板を示す。
【００４２】
図５（１）に示すように、本発明のプリント配線基板５０は、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層から成る配線パターン１４が形成されている。配線パターン１４は、はんだボール搭載用のパッド用部分１４Ａと、それとは離間した直近配線１４Ｂと含む。
【００４３】
はんだボール搭載用パッド２０は、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａの表面に、下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と、上層めっき層としてのＡｕめっき層１８とをこの順で被覆して形成されている。このことを図中に「２０：１４Ａ＋１６＋１８」と付記して示した。
【００４４】
パッド２０から離間した直近領域３４は、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａからは離間した直近配線１４Ｂと、これを被覆する下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と、更にこれを被覆するソルダーレジスト層２２とによって形成されている。このことを図中に「３４：１４Ｂ＋１６＋２２」と付記して示した。
【００４５】
この層構造において、各層はそれぞれの許容公差内のバラツキを伴って形成され、パッド２０の上面Ｐ（Ａｕめっき層１８の上面）と直近領域３４の上面Ｑ（ソルダーレジスト層２２の上面）との高低関係は、ソルダーレジスト層２２の厚さによってのみ決まる。
【００４６】
そのため、パッド２０の上面Ｐの高さが、直近領域３４の上面Ｑの高さを超えないように制御して、パッド低／直近領域高という高低関係を常に安定して維持できる。
【００４７】
従来技術について説明したのと同じ層構成の例について、具体的に説明する。
【００４８】
すなわち一般に、Ｎｉめっき層１６は厚さ１０μｍに対して許容公差±５μｍ程度、ソルダーレジスト層２２は厚さ１５μｍに対して許容公差±１０μｍ程度である。しかし、本発明においては、パッド２０も直近領域３４も共通のＮｉめっき層１６を含み、このＮｉめっきは同じめっき処理工程で一括して行なうので、両者のＮｉめっき層１６は常に共通の厚さで形成されるため、両者の高低関係に関してはＮｉめっき層１６の許容公差は寄与しない。
【００４９】
したがって、直近領域３４の上面Ｑの高さＨｑの変動要因となるのはソルダーレジスト層２２の厚さのみであり、Ｈｑは１５±１０μｍ＝５μｍ〜２５μｍの範囲で変動する。
【００５０】
上層めっき層としてのＡｕめっき層１８の厚さは一般に１μｍ未満（０．００１〜１μｍ未満）であり、ソルダーレジスト層の厚さに対して１／１０以下あるいは１／１００であり、無視できる。結局、パッド上面高さＨｐと直近領域上面高さＨｑの高低関係は、Ｈｐ−Ｈｑ＝〔Ａｕめっき層１８の厚さ≒０〕−〔ソルダーレジスト層２２の厚さ〕＝−５μｍ〜−２５μｍの範囲であり、常にパッド上面高さＨｐが直近領域上面高さＨｑより低い状態に制御される。
【００５１】
そのため、図５（２）に示すように、パッド２０上にはんだボール２６を載置、溶融して搭載する際に、パッド２０上に搭載したはんだボール２６の周縁部は、高い直近領域３４に保持され、はんだボール２６を良好な形状で搭載できる。
【００５２】
また、直近領域３４よりもパッド２０が飛び出すことがないため、ハンドリング時の接触によりパッド２０の頂部が損傷することがなく、良好なはんだ接合性を安定して維持できる。
【００５３】
図６を参照して、図５（１）の本発明のプリント配線基板５０の製造工程を説明する。
【００５４】
まず、図６（１）に示すように、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層のパターニングにより配線パターン１４を形成する。これは周知の方法により、一つの典型例としては、両面銅張り積層坂を用い、スルーホール加工、無電解銅めっきおよび電解銅めっき、ドライフィルムの積層・露光・現像、銅導体層のエッチング、ドライフィルムの剥離といった手順で行なう。配線パターン１４は、はんだボールを搭載するためのパッド用部分１４Ａと、それからは離間した直近配線１４Ｂとを含む。
【００５５】
次に、図６（２）に示すように、電解Ｎｉめっきを行い、配線パターン１４（１４Ａ、１４Ｂ）に下層めっき層としてのＮｉめっき層１６を形成する。
【００５６】
次に、図６（３）に示すように、基板１２の全面にスクリーン印刷によりソルダーレジスト層２２を形成する。
【００５７】
次に、図６（４）に示すように、ソルダーレジスト層２２を露光・現像によりパターニングして、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａ上に形成されたＮｉめっき層１６を露出させる。パッド用部分１４Ａから離間した直近配線１４Ｂは、Ｎｉめっき層１６とその上のソルダーレジスト層２２に覆われている。
【００５８】
最後に、図６（５）に示すように、電解Ａｕめっきを行い、上記で露出した配線パターン１４のパッド用部分１４ＡのＮｉめっき層１６の全面（上面および側面の全体）に、上層めっき層としてのＡｕめっき層１８を形成する。これにより、図５（１）のプリント配線基板５０が得られる。
【００５９】
本発明においては、上記のようにＮｉめっき層１６を全ての配線パターン１４上に形成し、その後にソルダーレジスト層２２を形成する製造方法を採用したことにより、パッド２０と直近領域３４との高低関係にＮｉめっき層１６の厚さが影響しない構造を得た。そして、ソルダーレジスト層２２に対してＡｕめっき層１８の厚さが無視できることにより、パッド２０の上面が直近領域３４の上面より高くならないように、通常は低くなるように、常に維持される。
【００６０】
〔実施形態２〕
図５（１）に示した本発明のプリント配線基板５０は、図７のように変形しても良い。
【００６１】
図示したプリント配線基板５２は、Ａｕめっき層１８がパッド２０のみでなく直近領域３４にも形成されている。Ａｕめっき層１８は非常に薄いので、本実施形態のように形成してもパッド２０と直近領域３４との高低関係には影響を及ぼさない。この場合の利点は、以下に説明するように、ＮｉめっきとＡｕめっきとを分離して行なう必要が無く連続して行なうことができ、工程が簡潔になることである。一方、欠点はＡｕめっき量が増えることである。
【００６２】
図８を参照して、図７（１）の本発明のプリント配線基板５２の製造工程を説明する。
【００６３】
まず、図８（１）に示すように、絶縁基板１２上に配線パターン１４（１４Ａ、１４Ｂ）を形成する。これは、図６（１）を参照して説明した実施形態１のプリント配線基板５０の場合と同様にして行なう。
【００６４】
次に、図８（２）に示すように、電解めっきを行い、配線パターン１４（１４Ａ、１４Ｂ）に下層めっき層としてのＮｉめっき層１６と、その上の上層めっき層としてのＡｕめっき層１８とを形成する。
【００６５】
次に、図８（３）に示すように、スクリーン印刷により基板１２の全面にソルダーレジスト層２２を形成する。
【００６６】
次に、図８（４）に示すように、ソルダーレジスト層２２を露光・現像によりパターニングして、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａと、Ｎｉめっき層１６と、Ａｕめっき層１８とが積層して成るパッド２０を露出させる。これにより図７（１）のプリント配線基板５２が得られる。
【００６７】
〔実施形態３〕
図５（１）に示した本発明のプリント配線基板５０は、図９のように変形しても良い。
【００６８】
図示したプリント配線基板５４は、直近領域３４のＮｉめっき層１６が直近配線１４Ｂの全体に延在しておらず、パッド２０寄りの端部近傍のみに局所的に形成されている。結局、直近領域３４にＮｉめっき層１６を配備したのは、パッド２０との高低関係にＮｉめっき層１６の厚さを影響させないためであり、そのためにはパッド２０寄りの端部近傍のみに配備しても十分に所期の作用は得られる。この場合の利点は、Ｎｉめっき量を低減できることである。一方、欠点は以下に説明するようにＮｉめっき処理の前後にそれぞれマスク形成とマスク除去の工程が必要になることである。
【００６９】
図１０〜図１１を参照して、図７（２）の本発明のプリント配線基板５４の製造工程を説明する。
【００７０】
まず、図１０（１）に示すように、絶縁基板１２上に配線パターン１４（１４Ａ、１４Ｂ）を形成する。これは、図６（１）を参照して説明した実施形態１のプリント配線基板５０の場合と同様にして行なう。
【００７１】
次に、図１０（２）に示すように、ドライフィルム・マスク（めっきマスク）３６を形成する。マスク３６は、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａと、直近配線１４Ｂのパッド用部分１４Ａ寄りの端部近傍のみとを露出させる開口Ｗを有する。マスク３６の形成は通常の方法により行ない、典型的には、ドライフィルムの積層と、露光・現像によるパターニングとによって行なう。
【００７２】
次に、図１０（３）に示すように、電解Ｎｉめっきを行い、マスク開口Ｗ内に露出している配線パターン１４のパッド用部分１４Ａと、直近配線１４Ｂのパッド用部分１４Ａ寄りの端部近傍とに、下層めっき層としてのＮｉめっき層１６を形成する。
【００７３】
次に、図１０（４）に示すように、ドライフィルム・マスク３６を剥離して除去する。これにより、Ｎｉめっき層１６が形成されなかった直近配線１４Ｂの部分が露出する。
【００７４】
次に、図１１（１）に示すように、基板１２の全面にソルダーレジスト層２２を形成する。
【００７５】
次に、図１１（２）に示すように、ソルダーレジスト層２２を露光・現像によりパターニングして、配線パターン１４のパッド用部分１４Ａ上に形成されたＮｉめっき層１６を露出させる。
【００７６】
最後に、図１１（３）に示すように、電解Ａｕめっきを行い、上記で露出した配線パターンパッド用部分１４ＡのＮｉめっき層１６の全面（上面および側面の全体）に、上層めっき層としてのＡｕめっき層１８を形成する。これにより図９のプリント配線基板５４が得られる。
【００７７】
なお、実施形態３において、例えば、図１０（３）の工程で直近領域３４とパッド用部分１４ＡのＮｉめっき層１６上に、Ａｕめっき層１８を形成するよう、変形しても良い。
【００７８】
〔実施形態４〕
図１２に、ＳＭＤタイプ（Solder Mask Define Type：ソルダーマスク規定型）のパッドを備えた本発明によるプリント配線基板の一実施形態を示す。
【００７９】
図示したプリント配線基板６０は、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層から成る配線パターン２８が形成されている。図示した位置では配線パターン２８はパッド形成用部分である。
【００８０】
配線パターン２８は全面（上面および側面の全体）に下層めっき層としてのＮｉめっき層１６が形成されている。
【００８１】
更に、配線パターン２８上のＮｉめっき層１６の上面は、周縁部がソルダーレジスト層２２によりマスクされ、それにより規定された中央部の開口内に上層めっき層としてのＡｕめっき層１８を形成して、ＳＭＤタイプ（Solder Mask Define Type：ソルダーマスク規定型）のパッド３０が構成されている。すなわち、パッド３０は、配線パターン２８と、Ｎｉめっき層１６と、Ａｕめっき層１８とが積層して形成されている。このことを図中に「３０：２８＋１６＋１８」と付記して示した。
【００８２】
パッド３０に接している直近領域３８は、配線パターン２８と、Ｎｉめっき層１６と、ソルダーレジスト層２２とが積層して形成されている。このことを図中に「３８：２８＋１６＋２２」と付記して示した。
【００８３】
このＳＭＤタイプのパッド３０の場合にも、実施形態１〜３で説明したＮＳＭＤタイプ（Non Solder Mask Define：非ソルダーマスク規定型）のパッド２０と同様に、本発明の作用効果が得られる。
【００８４】
すなわち、図１２（２）に示すように、パッド３０の上面Ｐが直近領域３８の上面Ｑより低くなっている。パッド３０の上面Ｐと直近領域３８の上面Ｑとの高低関係は、両者に共通する配線パターン２８とＮｉめっき層１６の各厚さを除外した残り、すなわちパッド３０のＡｕめっき層１８と直近領域３８のソルダーレジスト層２２との厚さの関係できまる。前述したように、一般にＡｕめっき層１８の厚さはソルダーレジスト層２２の厚さに対して１／１０〜１／１００のオーダーであり無視できるので、結局、パッド３０の上面Ｐは直近領域３８の上面Ｑより高くならないように、通常は低くなるように、常に維持される。
【００８５】
そのため、パッド３０上に搭載したはんだボール２６の周縁部は、高い直近領域３８に保持され、はんだボール２６を良好な状態で搭載できる。
【００８６】
また、直近領域３８よりもパッド３０が飛び出すことがないため、ハンドリング時の接触によりパッド３０の頂部が損傷することがなく、良好なはんだ接合性を安定して維持できる。
【００８７】
図１３を参照して、図１２（１）のＳＭＤタイプの本発明のプリント配線基板６０の製造工程を説明する。
【００８８】
まず、図１３（１）に示すように、樹脂等の絶縁基板１２上にＣｕ等の導体層のパターニングにより配線パターン２８を形成する。これは周知の方法により、一つの典型例としては、両面銅張り積層坂を用い、スルーホール加工、無電解銅めっきおよび電解銅めっき、ドライフィルムの積層・露光・現像、銅導体層のエッチング、ドライフィルムの剥離といった手順で行なう。配線パターン２８は、図示した部分は、はんだボールを搭載するためのパッド用部分である。
【００８９】
次に、図１３（２）に示すように、電解Ｎｉめっきを行い、配線パターン２８の全面（上面および側面の全体）に下層めっき層としてのＮｉめっき層１６を形成する。
【００９０】
次に、図１３（３）に示すように、基板１２の全面にスクリーン印刷によりソルダーレジスト層２２を形成する。
【００９１】
次に、図１３（４）に示すように、ソルダーレジスト層２２を露光・現像によりパターニングして、配線パターン２８上のＮｉめっき層１６の上面の中央部のみを露出させる。
【００９２】
次に、図１３（５）に示すように、電解Ａｕめっきを行い、上記で露出した配線パターン２８上のＮｉめっき層１６の上面の中央部に、Ａｕめっき層１８を形成する。これにより、ＳＭＤタイプのパッド３０を有する本発明のプリント配線基板６０が得られる。
【００９３】
なお、実施形態４において、Ｎｉめっき層１６は、配線パターン２８のパッド用部分とその直近領域３８のみに設けても良い。
【００９４】
以上の実施形態１〜４では、めっき層としてＮｉ層とＡｕ層を積層した例を説明したが、めっき層として、下層から順に、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を積層した場合等、３層以上にめっき層を積層した場合も、本発明を適用できる。この場合、中間のめっき層は、厚さを鑑みて、下層めっき層または上層めっき層として取り扱う。
【００９５】
の配線基板のパッドと接続端子としてのはんだボールは、配線基板を実装基板に接続するための端子として用いても良いし、半導体チップ等の電子部品の接続に用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明によれば、配線パターンに設ける接続端子としてのはんだボール搭載用パッドの上面が直近領域より高くならないように制御して、搭載したはんだボールの変形や搭載前のパッドの損傷を防止したプリント配線基板が提供される。
【００９７】
はんだボール形状およびパッドの表面状態が安定するため、実装効率が高まる。
【００９８】
また、パッドおよび直近領域の厚さ管理が容易になり、製造効率も向上する。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】（１）従来のプリント配線基板（パッド形態：ＮＭＳＤタイプ）の断面図および（２）それにはんだボールを搭載した状態を示す断面図。
【図２】図１の従来のプリント配線基板の製造工程を示す断面図。
【図３】（１）従来のプリント配線基板（パッド形態：ＳＭＤタイプ）の断面図および（２）それにはんだボールを搭載した状態を示す断面図。
【図４】図３の従来のプリント配線基板の製造工程を示す断面図。
【図５】（１）本発明のプリント配線基板（パッド形態：ＮＭＳＤタイプ）の断面図および（２）それにはんだボールを搭載した状態を示す断面図。
【図６】図５の本発明のプリント配線基板の製造工程を示す断面図。
【図７】図５の本発明のプリント配線基板の変形態様を示す断面図。
【図８】図７の本発明のプリント配線基板の製造工程を示す断面図。
【図９】図５の本発明のプリント配線基板の他の変形態様を示す断面図。
【図１０】図９の本発明のプリント配線基板の製造工程を示す断面図。
【図１１】図１０の製造工程に続く製造工程を示す断面図。
【図１２】（１）本発明のプリント配線基板（パッド形態：ＳＭＤタイプ）の断面図および（２）それにはんだボールを搭載した状態を示す断面図。
【図１３】図１２の本発明のプリント配線基板の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【０１００】
１０    従来のプリント配線基板（ＮＭＳＤパッド）
４０    従来のプリント配線基板（ＳＭＤパッド）
５０、５２、５４    プリント配線基板（本発明：ＮＭＳＤパッド）
６０    プリント配線基板（本発明：ＳＭＤパッド）
１２    絶縁基板
１４    配線パターン
１４Ａ    配線パターン１４のパッド用部分
１４Ｂ    配線パターン１４の直近配線部分
１６    下層めっき層（Ｎｉめっき層）
１８    上層めっき層（Ａｕめっき層）
２０    パッド（ＮＭＳＤタイプ）
２２    ソルダーレジスト層
２４    直近領域
２６    はんだボール
２８    配線パターン
３０    パッド（ＳＭＤタイプ）
３２    直近領域
３４    直近領域
３６    ドライフィルム・マスク
Ｗ    開口
３８    直近領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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