(57)【要約】【課題】実装時の半導体基板のチッピングが防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１０Ａは、半導体基板１１と、半導体基板１１の側面を被覆する第１被覆層２１と、半導体基板１１の下面に形成された配線１４等を具備している。第１被覆層２１は、例えば樹脂材料等の絶縁性を有する材料から成り半導体基板１１の側面を被覆している。更に、第１被覆層２１は少なくとも半導体基板１１の側面全域を被覆するように形成され、その下端は絶縁層１２まで位置し、上端は半導体基板１１の上面まで延在している。第１被覆層２１の厚みは、１０μｍ〜５０μｍ程度である。また、第１被覆層２１は、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等から成り、放熱性および機械的強度を向上させるためにシリカ等の無機フィラーが混入されても良い。【選択図】図１
2007266421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子と電気的に接続された電極が形成される第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の少なくとも側面を被覆する第１被覆層とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１被覆層により、前記半導体基板の前記第１主面と前記側面が一体的に被覆されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板の前記第２主面を被覆する第２被覆層を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１被覆層の端部は、前記半導体基板の前記第２主面よりも厚み方向に突出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の半導体装置部が形成され、前記半導体装置部の内部に形成された回路素子と電気的に接続された電極が配置された第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを具備する半導体ウェハを用意する工程と、
前記半導体ウェハの前記第２主面をダイシングシートに貼着する工程と、
前記半導体ウェハをダイシングして前記半導体装置部を互いに分離する第１分離溝を形成する工程と、
少なくとも前記第１分離溝が充填されるように被覆樹脂を形成する工程と、
前記被覆樹脂の内部に前記第１分離溝よりも幅が狭い第２分離溝を形成することにより前記被覆樹脂を分割し、前記半導体装置部の半導体基板の側面を被覆する前記被覆樹脂を残存させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記被覆樹脂を形成する工程では、
前記被覆樹脂により前記半導体ウェハの前記第１主面を被覆することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置部を互いに分離する工程では、第１ブレードを用いて前記半導体ウェハをダイシングし、
前記被覆樹脂を分割する工程では、前記第１ブレードよりも幅が狭い第２ブレードを用いて前記被覆樹脂をダイシングすることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体ウェハを前記ダイシングシートに貼着する工程では、被覆層を介して前記半導体ウェハの前記第２主面を前記ダイシングシートに貼着し、
前記被覆層を前記半導体装置部の半導体基板の主面を被覆する層として残存させることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体装置部を互いに分離する工程では、前記ダイシングシートが部分的に除去されて、前記半導体ウェハよりも下方に延在する前記第１分離溝が形成され、
前記第１分離溝に前記被覆樹脂が充填されることで、前記半導体装置部の前記半導体基板の側面を被覆する前記被覆樹脂の端部は、前記半導体基板の主面よりも厚み方向に突出することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、半導体素子と同等の大きさの小型な半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。これらの条件を満たすために、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる、内蔵される半導体素子と同等のサイズを有する半導体装置が開発されている。
【０００３】
これらのＣＳＰの中でも、特に小型化なものとしてＷＬＰ（Ｗｅｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）がある。このＷＬＰの製造方法の概略を、図９を参照して説明する（例えば下記特許文献１を参照。）。
【０００４】
図９（Ａ）を参照して、先ず、半導体ウェハ１００には、多数の半導体装置部１０２が形成されている。各半導体装置部１０２には、拡散工程によりトランジスタ等が形成されている。更に、半導体装置部１０２の上面は、基板内部の素子と接続された電極１０３が形成され、この電極１０３の上部を露出させた状態で絶縁層１０１が形成されている。この絶縁層１０１の上面には配線１０４がパターニングされる。また、配線１０４の上面には、例えば半田等から成る外部電極１０５が溶着されている。このような構成の半導体ウェハ１００の裏面は、ダイシングシート１０６の上面に貼着される。
【０００５】
図９（Ｂ）を参照して、次に、高速で回転するブレード１０７を用いてウェハ１００を切断して各半導体装置部１０２を分離する。ブレード１０７により半導体ウェハ１００および絶縁層１０１が完全に切断される。分離された半導体装置部１０２が半導体装置と成る。
【０００６】
図９（Ｃ）に上記工程により製造される半導体装置部１０８の断面を示す。図から明白なように、半導体装置１０８の平面的なサイズは、半導体基板１０９と略同様である。半導体装置１０８の平面的なサイズは、例えば５ｍｍ×５ｍｍ程度であり極めて小型である。また、半導体基板１０９の上面には、半導体装置の製造年月日や機種等を示す認識マークが刻印されている。
【特許文献１】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した半導体装置の側面は、シリコン等の脆い半導体材料から成る半導体基板１０９が剥き出しになっていた。従って、半導体装置１０８を搬送して実装基板に実装する工程に於いて、搬送途中に半導体装置１０８の側面が実装基板上に載置された他の電子部品に接触して、半導体基板１０９にチッピングが発生してしまう問題があった。
【０００８】
この問題を回避するために、従来では、多数の半導体装置１０８を実装基板上に配置する際は、半導体装置１０８同士を離間させて配置していた。このことにより、半導体装置１０８を実装する際のチッピングの発生は抑制できるが、半導体装置１０８同士の間の領域がデッドスペースとなり、実装基板側の実装密度が低下してしまう問題が生じていた。
【０００９】
本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、実装時の半導体基板のチッピングが防止された半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置は、回路素子と電気的に接続された電極が形成される第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の少なくとも側面を被覆する第１被覆層とを具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置部が形成され、前記半導体装置部の内部に形成された回路素子と電気的に接続された電極が配置された第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを具備する半導体ウェハを用意する工程と、前記半導体ウェハの前記第２主面をダイシングシートに貼着する工程と、前記半導体ウェハをダイシングして前記半導体装置部を互いに分離する第１分離溝を形成する工程と、少なくとも前記第１分離溝が充填されるように被覆樹脂を形成する工程と、前記被覆樹脂の内部に前記第１分離溝よりも幅が狭い第２分離溝を形成することにより前記被覆樹脂を分割し、前記半導体装置部の半導体基板の側面を被覆する前記被覆樹脂を残存させる工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置では、例えば樹脂から成る第１被覆層により半導体基板の側面が被覆される。従って、半導体装置を搬送して実装する際に、装置の側面が他の電子部品に接触しても、半導体基板の側面が第１被覆層により保護されているので、半導体基板のチッピングが防止されている。
【００１３】
更に、第１被覆層により、半導体基板の側面と第１主面とを一体的に被覆することができる。従って、上述した保護の効果を更に大きくすることができると共に、半導体装置の耐湿性および耐圧性も向上させることができる。
【００１４】
更にまた、半導体基板の第２主面よりも第１被覆層の端部を厚み方向に突出させることにより、突出する部分の第１被覆層によって半導体基板の第２主面を保護することができる。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法に依れば、通常のＷＬＰの製造工程に加えて、ダイシングの工程等を若干追加するのみで、半導体基板の側面が絶縁材料により被覆された半導体装置を製造することができる。従って、製造コストの上昇を抑制して高品質な半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本実施の形態を図を参照して詳述する。
【００１７】
＜第１の実施の形態＞
先ず、図１および図２を参照して本形態の半導体装置１０Ａ等の構成を説明する。図１および図２の各図は本形態の半導体装置１０Ａ等を示す図である。
【００１８】
図１（Ａ）を参照して、半導体装置１０Ａは、半導体基板１１と、半導体基板１１の側面を被覆する第１被覆層２１と、半導体基板１１の下面に形成された配線１４等を具備している。
【００１９】
半導体基板１１は、例えばシリコン等の半導体材料から成り、その内部には拡散工程により回路素子が形成されている。例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード、メモリ等が半導体基板１１に形成される。半導体基板１１の厚みは、例えば５０μｍ〜５００μｍ程度である。半導体基板１１は、内部の回路素子と電気的に接続された電極１３が配置される第１主面（紙面上では下面）と、この第１主面と対向する平滑な第２主面（紙面上では上面）とを具備している。
【００２０】
第１被覆層２１は、例えば樹脂材料等の絶縁性を有する材料から成り半導体基板１１の側面を被覆している。更に、第１被覆層２１は少なくとも半導体基板１１の側面全域を被覆するように形成され、その下端は絶縁層１２まで位置し、上端は半導体基板１１の上面まで延在している。第１被覆層２１の厚みは、１０μｍ〜５０μｍ程度である。また、第１被覆層２１は、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等から成り、放熱性および機械的強度を向上させるためにシリカ等の無機フィラーが混入されても良い。
【００２１】
半導体基板１１の下面には、内部の回路素子（活性領域）と電気的に接続された電極１３が形成されている。この電極１３が形成される部分を除いて、半導体基板１１の下面は絶縁層１２により被覆されている。絶縁層１２は、例えば窒化膜や樹脂膜から成る。更に、電極１３の下面は絶縁層１２から下方に露出している。
【００２２】
絶縁層１２の下面には、電極１３とコンタクトした配線１４が形成されている。ここで、電極１３は半導体装置１０Ａの周辺部に設けられ、配線１４は周辺部から内側に延在している。配線１４の一部分はパッド状に形成され、このパッド状の部分に外部電極１５が溶着されている。外部電極１５は、半田等の導電性接着材から成る。上記のように配線１４を設けることにより、互いに接近して配置された電極１３を、互いに離間された外部電極１５として再配置することができる。更に、外部電極１５が形成される領域を除外して、絶縁材料により配線１４は被覆されても良い。
【００２３】
上記した配線１４が覆われるように、絶縁層１２の下面は第３被覆層１６により被覆されている。また、外部電極１５が形成される領域の第３被覆層１６には、開口部が設けられており、この開口部により、半田から成る外部電極１５の形状および位置が規制される。ここで、第３被覆層１６の側面は第１被覆層２１により被覆されても良い。
【００２４】
上述したように、本形態の半導体装置１０Ａでは、半導体基板１１の側面が少なくとも部分的に第１被覆層２１により被覆されている。従って、不図示の吸着コレット等を用いて半導体装置１０Ａを搬送して実装する際に、半導体装置１０Ａの側面が他の電子部品等に接触しても、保護されている半導体基板１１のチッピング等は発生しない。また、この搬送の段階にて第１被覆層２１が他の電子部品等に接触しても、樹脂材料から成る第１被覆層２１は機械的強度が優れているので、第１被覆層２１にキズや欠けが発生する恐れは少ない。
【００２５】
更に、半導体基板１１と絶縁層１２との境界面は、第１被覆層２１により被覆されている。このことにより、半導体基板１１と絶縁層１２との境界面への外部からの水分の侵入が抑制され、半導体装置１０Ａの耐湿性が向上される。
【００２６】
図１（Ｂ）を参照して、次に、他の形態の半導体装置１０Ｂの構成を説明する。半導体装置１０Ｂの基本的な構成は上述した半導体装置１０Ａと同様であり、相違点は第１被覆層２１の上端部から成る突出部２２が形成されている点にある。
【００２７】
突出部２２は、半導体基板１１の上面よりも上方（厚み方向）に突出する第１被覆層２１から成り、この突出量は例えば３０μｍ〜１００μｍ程度である。突出部２２は、半導体装置１０Ｂの全周に渡って形成される。この突出部２２を設けることにより、脆い半導体材料から成る半導体基板１１の上面を、外部（紙面上では上方）から与えられる衝撃から保護できる。更に、半導体装置１０Ｂに於いても、配線１４が被覆されるように、絶縁層１２の裏面に第３被覆層１６が形成される。
【００２８】
図１（Ｃ）に、他の形態の半導体装置１０Ｃの断面を示す。半導体装置１０Ｃの基本的な構成は半導体装置１０Ａと同様であり、相違点は第１被覆層２１により、半導体基板１１の側面および裏面が一体的に被覆される点にある。
【００２９】
第１被覆層２１は、半導体基板１１の四方の側面と裏面とを一体的に被覆している。具体的には、半導体基板１１の側面、絶縁層１２、配線１４等が、第１被覆層２１により一体的に被覆されている。また、外部電極１５は第１被覆層２１を貫通するように外部に露出している。この構成により、半導体基板１１の上面を除く殆どの部分が第１被覆層２１により一体的に連続して被覆されるので、半導体装置１０Ｃの耐湿性や耐圧性を更に向上させることができる。
【００３０】
図１（Ｄ）に、他の形態の半導体装置１０Ｄの構成を示す。半導体装置１０Ｄの基本的な構成は半導体装置１０Ｃと同様であり、相違点は突出部２２を設けた点にある。突出部の詳細は、図１（Ｂ）に示すものと同様である。このように、半導体基板１１の側面および裏面を被覆する第１被覆層２１に、突出部２２を設けることにより、半導体装置１０Ｄの耐圧性および耐湿性が向上される。更に、外部から与えられる衝撃から、半導体基板１１の上面を保護できる利点も得られる。
【００３１】
次に、図２を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｅ等の構成を説明する。この図を参照して説明する半導体装置では、半導体基板１１の上面が第２被覆層２３により被覆されている。
【００３２】
図２（Ａ）に他の形態の半導体装置１０Ｅを示す。半導体装置１０Ｅの基本的な構成は、図１（Ａ）に示された半導体装置１０Ａと同様であり、相違点は半導体基板１１の上面が第２被覆層２３により被覆されている点にある。
【００３３】
第２被覆層２３は、半導体基板１１の上面の全域を被覆するように形成される。第２被覆層２３の材料は、後述する認識マーク形成の為に、少なくとも半導体基板１１よりもレーザーにより捺印されやすい材料から成る。例えば、顔料、染料、シリカ等のフィラーが充填された樹脂材料は、第２被覆層２３の材料として好適である。これらの材料を第２被覆層２３に混入することにより、第２被覆層２３がレーザーを吸収する効率を高め、その表面に容易に認識マークを捺印することができる。ここで、第２被覆層２３を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン等の熱可塑性樹脂を全般的に採用することができる。第２被覆層２３の厚みは、例えば２０μｍ〜５０μｍ程度である。また、第２被覆層２３は、絶縁性接着材を用いて半導体基板１１の上面に貼着されても良いし、半導体基板１１の上面に直に形成されても良い。ここで、配線１４が被覆されるように、絶縁層１２の下面は第３被覆層１６により覆われる。
【００３４】
第２被覆層２３が半導体基板１１の上面に形成されることで、半導体基板１１の上面、側面および裏面が樹脂材料により囲い込まれる。従って、半導体装置１０Ｅを搬送中に衝撃が作用しても、この衝撃による半導体基板１１のチッピングが抑制される利点がある。
【００３５】
更に、第２被覆層２３と半導体基板１１との境界は、第１被覆層２１により被覆されている。このことにより、第２被覆層２３と半導体基板１１との剥離が抑止される。
【００３６】
ここで、第１被覆層２１の上端部を第２被覆層２３の上面よりも上方に突出させて、図１（Ｄ）に示すような突出部２２を形成しても良い。この場合は、第２被覆層２３と半導体基板１１との剥離を抑止する効果を更に大きくすることができる。また、上方に突出する部分の第１被覆層２１により、第２被覆層２３の表面にキズ等が発生することを抑制できる効果もある。
【００３７】
図２（Ｂ）に他の形態の半導体装置１０Ｆの断面を示す。半導体装置１０Ｆの基本的な構成は上述した半導体装置１０Ｅと同様であり、相違点は、第１被覆層２１により、半導体基板１１の側面おより裏面を一体的に連続して被覆する点にある。このように構成することで、半導体装置１０Ｆを構成する各材料の境界が第１被覆層２１により被覆され、装置全体の耐湿性や耐圧性が向上される。更に、半導体基板１１の上面は第２被覆層２３により被覆されているので、耐湿性等は更に向上されている。ここでも、第１被覆層２１の上端部を、第２被覆層２３の上面よりも上方に突出させても良い。
【００３８】
図２（Ｃ）を参照して、半導体装置１０Ｆの上面に刻印される認識マークを説明する。第２被覆層２３の上面には認識マーク２０が捺印（印刷）されている。ここでは、認識マーク２０は位置マーク１９と記号マーク１８とから成る。位置マーク１９は、半導体装置１０Ｆの平面的な位置（角度）を検出するために設けられている。ここでは、位置マーク１９は、半導体装置１０Ｆの左下の角部に設けられている。一方、記号マーク１８は文字や数字等から成り、製造会社名、製造時期、製品名、ロット番号、内蔵される素子の特性等を示している。本形態では、これらの認識マーク２０は、光線であるレーザーを照射することにより、第２被覆層２３の上面を１０μｍ程度除去して設けられる。認識マーク２０の具体的な形成方法は後述する。
【００３９】
本形態では、第２被覆層２３を設けることにより、レーザーによる認識マークの刻印を容易にし、更に、半導体基板１１の機械的強度を補強している。半導体基板１１は例えば５０μｍ程度に極めて薄い場合があり、実装の工程等にて半導体基板１１が割れてしまう恐れがある。樹脂から成る第２被覆層２３を半導体基板１１の上面に設けることにより、この割れの危険性を低減することができる。
【００４０】
＜第２の実施の形態＞
本形態では、図３から図８を参照して、第１の実施の形態にて構成を説明した半導体装置の製造方法を説明する。
【００４１】
図３を参照して、先ず、半導体ウェハ３２を、ダイシングシート３１に貼り付ける。図３（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００４２】
図３（Ａ）を参照して、ダイシングシート３１はロール状に巻かれて用意され、必要とされる長さ分だけ引き出して使用することができる。
【００４３】
ダイシングシート３１の上面には、半導体ウェハ３２およびウェハリング３３が貼着される。シリコン等の半導体材料から成る半導体ウェハ３２には、予め拡散工程により多数の回路素子（半導体装置部）が形成されている。ウェハリング３３は、例えばステンレス等の金属板をリング状に加工したものであり、その内径は半導体ウェハ３２の直径よりも大きい。
【００４４】
半導体ウェハ３２およびウェハリング３３をダイシングシート３１の上面に貼着した後に、ウェハリング３３の周辺部にてダイシングシート３１を切り取る。ここでは、切除する部分を点線にて示している。これらの作業により、半導体ウェハ３２が貼着されたダイシングシート３１がウェハリング３３により周囲から支持される構造が得られる。
【００４５】
図３（Ｂ）を参照して、ダイシングシート３１上には、接着層３５および第２被覆層２３（被覆層）が順次コーティングされている。ダイシングシート３１は、柔らかく且つ伸縮可能な樹脂材料から成りその厚さは例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。また、ダイシングシート３１は、少なくとも可視光、赤外線、紫外線を良好に透過させる材料が好ましい。ダイシングシート３１が可視光線を良好に透過させることにより、後の工程にてダイシングシート３１を透過する可視光線を用いて、分離された半導体装置部３４の位置を認識することができる。また、ダイシングシート３１が赤外線を良好に透過させることにより、ダイシングシート３１を透過する赤外線レーザーにより、第２被覆層２３の表面に認識マークを刻印することができる。更に、ダイシングシート３１が紫外線を透過させることにより、後の工程にて、ダイシングシート３１の下方から紫外線を照射して、接着層３５の接着力を低減させて、半導体装置部３４を容易に剥離させることができる。
【００４６】
接着層３５は、ダイシングシート３１の上面全域を被覆するように形成され、半導体ウェハ３２（または第２被覆層２３）をダイシングシート３１に貼着させる機能を有する。接着層３５の厚さは、例えば２０μｍ〜４０μｍ程度である。また、接着層３５としては、外力が加わると硬化して粘着力が低減するものが好ましい。この外力としては、例えば熱や所定の波長の光線がある。例えば、紫外線が照射されると硬化して粘着力が低減する樹脂材料は、接着層３５の材料として好適である。このようなタイプの接着層３５が表面に塗布されたダイシングシート３１は、一般的にＵＶシートと称されている。
【００４７】
第２被覆層２３は、接着層３５の上面に形成されて半導体ウェハ３２の裏面を被覆する層となる。第２被覆層２３の厚みは、例えば１０μｍ〜２０μｍ程度であり、染料、顔料またはフィラーが充填された樹脂から成る。顔料等が第２被覆層２３に充填されることにより、第２被覆層２３の赤外線の吸収率が向上され、赤外線等のレーザーを照射して認識マークを印刷する工程を容易に行える。更に、フィラーが第２被覆層２３に充填されることにより、第２被覆層２３の機械的強度が向上されるので、製造される半導体装置が補強される。ここで、図１（Ａ）に示すように、半導体基板１１の上面が外部に露出するタイプの半導体装置を製造する場合は、第２被覆層２３は省くことができる。
【００４８】
更に、第２被覆層２３は、上述したダイシングシート３１や接着層３５よりも硬い材料から成る。例えば、第２被覆層２３は、フィラーが混入された樹脂材料から成る。このことにより、後のダイシングの工程にて半導体ウェハ３２の破損を防止することができる。更にまた、第２被覆層２３は、ダイシングシート３１や接着層３５よりも光線（特に赤外線）の吸収率が高い材料から成る。このことにより、赤外線レーザー等の光線を用いて認識マークの刻印する工程にて、ダイシングシート３１および接着層３５を透過したレーザーにより、明瞭な刻印を第２被覆層２３に対して行うことができる。
【００４９】
半導体ウェハ３２は、外部電極１５等が形成された上面（第１主面）と、平坦な半導体から成る下面（第２主面）とを具備し、その下面が第２被覆層２３に貼着されている。ここで、半導体ウェハ３２は、第２被覆層２３自体を接着材として貼着されても良いし、絶縁性接着材を介して第２被覆層２３に貼着されても良い。シリコン等の半導体材料から成る半導体ウェハ３２の厚みは、例えば５０μｍ〜５００μｍ程度である。
【００５０】
更に、半導体ウェハ３２には、マトリックス状に多数個（例えば数百個）の半導体装置部３４が形成されている。ここで、半導体装置部３４とは、１つの半導体装置となる部位である。各半導体装置部３４では、拡散工程によりトランジスタ等の回路素子が半導体ウェハ３２に形成されている。更に、この素子と接続された電極１３が半導体ウェハ３２の上面に形成される。半導体ウェハ３２の上面には、電極１３の上面が露出された状態で、樹脂等の絶縁材料から成る絶縁層１２が形成されている。また、絶縁層１２の上面には、電極を再配置するための配線１４が、各半導体装置部３４の周辺部から中心部に向かって形成されている。パッド状に形成された配線１４の裏面には、半田等から成る外部電極１５が溶着されている。
【００５１】
絶縁層１２の上面には、配線１４が被覆されるように第３被覆層１６が形成されている。第３被覆層１６は、例えばフィラー等が混入された樹脂から成る。また、外部電極１５が設けられる領域の第３被覆層１６には、開口部が設けられている。
【００５２】
図４を参照して、次に、半導体ウェハ３２をダイシングして各半導体装置部３４を分離する。図４（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図４（Ｂ）は断面図である。
【００５３】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、本工程では、半導体ウェハ３２が貼着されたダイシングシート３１は、ウェハリング３３にて周囲から機械的に支持された状態となっている。この状態で、高速で回転する第１ブレード３６をダイシングライン３７に沿って移動させて、半導体ウェハ３２を各半導体装置部３４に分割する。半導体装置部３４はマトリックス状に配置されているので、第１ブレード３６を用いて一方向に多数回のダイシングを行った後に、ウェハリング３３を９０℃回転させて、再び多数回のダイシングを行う。
【００５４】
図４（Ｂ）を参照して、本工程では、少なくとも第３被覆層１６、絶縁層１２、半導体ウェハ３２、第２被覆層２３が切断されるように、ダイシングを行う。実際は、この切断を確実に行うために、接着層３５が切除され、更にダイシングシート３１が部分的に切除されるようにダイシングが行われる。
【００５５】
本工程では、各半導体装置部３４の半導体基板の側面に樹脂から成る膜を形成するために、比較的厚い第１ブレード３６を用いてダイシングを行い、各半導体装置部３４同士の間に幅の広い第１分離溝２４を形成する。
【００５６】
第１ブレード３６の幅は例えば１５０μｍ〜２００μｍ程度であり、第１ブレード３６を用いた切削で形成される第１分離溝２４の幅Ｗ１も同様に１５０μｍ〜２００μｍ程度である。この第１分離溝２４は、半導体装置部３４同士の間に格子状に形成される。
【００５７】
半導体ウェハ３２等の切除を依り確実に行うために、本工程のダイシングは、ダイシングシート３１が部分的に切除される深さまで行う。例えば、ダイシングシート３１の上層が１００μｍ〜１５０μｍ程度部分的に切除されるまで、本工程のダイシングを行う。
【００５８】
更に、本工程では、半導体ウェハ３２とダイシングシート３１との間に第２被覆層２３を設けることにより、本工程での半導体ウェハ３２の破損が防止されている。具体的には、ダイシングシート３１は、柔らかい樹脂材料から成る。従って、第１ブレード３６による押圧力を上方から半導体ウェハ３２に加えると、第１ブレード３６が当接する部分の下方のダイシングシート３１が沈み込んで、半導体ウェハ３２に曲げ応力が作用し破損が生じる恐れがある。本形態では、ダイシングシート３１よりも硬く機械的強度に優れる第２被覆層２３を、半導体ウェハ３２の下面に設けている。従って、第２被覆層２３により上記した曲げ応力が低減されて、半導体ウェハ３２の割れが防止されている。
【００５９】
本工程により、半導体ウェハ３２から個別の半導体装置部３４が得られる。個々の半導体装置部３４は電気的にも分離しているので、プローブを外部電極１５に当接させて個々の半導体装置部３４の電気的特性等をテストすることができる。このテストの結果は、後の工程にて半導体装置部３４に刻印される。
【００６０】
図５を参照して、次に、レーザー（光線）を照射することにより、半導体装置部３４に認識マークを刻印する。図５（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図５（Ｂ）はカメラに映し出された画像３９であり、図５（Ｃ）は本工程の断面図である。
【００６１】
図５（Ａ）を参照して、本工程では、先ず、不図示のウェハリングを上下反転させて、ダイシングシート３１の下面に半導体装置部３４が貼着された状態にする。各半導体装置部３４は、上層の第２被覆層２３がダイシングシート３１の下面に貼着されている。
【００６２】
本工程では、ダイシングシート３１の上方から、半導体装置部３４の位置認識およびレーザー３８の照射を行っている。このことにより、レーザーを行う機構（例えば反射板４１等）や、位置認識の為のカメラ４２を、ダイシングシート３１が載置されるステージの上方に設けることができる。従って、レーザー照射装置の構成を簡素化して、製造コストを低減させることができる。
【００６３】
更に、本工程では、先ず、図５（Ａ）を参照して、ＣＣＤ等の固体撮像素子が内蔵されたカメラ４２により、ダイシングシート３１の上方から、半導体装置部３４を撮影する。上述したように、ダイシングシート３１は可視光線を充分に透過させる透明な材料から成る。従って、前工程のダイシングにより分離された各半導体装置部３４の外周端部は明瞭に映し出すことができる。
【００６４】
次に、カメラ４２により撮影された画像を用いて半導体装置部３４の位置を認識する。カメラ４２により取得される画像３９を図５（Ｂ）に示す。ここでは、矩形の半導体装置部３４の４隅を画像認識することにより、半導体装置部３４の平面的な位置を認識している。従って、ダイシングシート３１の上方に設けたカメラ４２により、半導体装置部３４の平面的な位置は極めて正確に把握できる。
【００６５】
認識された半導体装置部３４の位置に基づいて、レーザーを照射する反射板４１（照射装置）の位置と、刻印される半導体装置部３４との相対的な位置が調整される。例えば、反射板４１の直下に半導体装置部３４が位置するように、両者の相対的な位置が調整される。この位置合わせは、個別の半導体装置部３４に対して行っても良いし、複数個（例えば４個）の半導体装置部３４の位置合わせを一括して行っても良い。
【００６６】
位置合わせが終了した後は、半導体装置部３４の上面に対して、レーザー３８を照射し、認識マークを刻印する。不図示の光源から発生したレーザー３８は、反射板４１により反射されて半導体装置部３４の第２被覆層２３に照射される。本形態では、レーザー３８として、波長が１０．６μｍ程度の赤外線レーザーを採用している。赤外線レーザーは出力を制御することが容易であり、波長が短いＹＡＧレーザー等と比較すると、ダイシングシート３１を破損させる恐れが少ない。
【００６７】
図５（Ｃ）を参照して、上方から照射されるレーザー３８は、ダイシングシート３１および接着層３５を透過して、半導体装置部３４の第２被覆層２３の上面に到達する。ダイシングシート３１および接着層３５は、第２被覆層２３と比較すると赤外線に対して透明であるので、その吸収率は低い。
【００６８】
第２被覆層２３に到達したレーザー３８により、第２被覆層２３の上面が例えば１０μｍ程度除去されて、認識マーク２０が刻印される。ここでは、認識マーク２０として、記号マーク１８と位置マーク１９が刻印されている。上述したように、第２被覆層２３は染料、顔料、フィラー等が混入された樹脂から成る。従って、第２被覆層２３の赤外線（レーザー３８）の吸収率は非常に高いので、レーザー３８による刻印は短時間で容易に行える。
【００６９】
本工程では、ダイシングシート３１の下面に貼着された全ての半導体装置部３４に対して、レーザー３８を用いた刻印が行われる。
【００７０】
図６を参照して、次に、少なくとも第１分離溝２４が充填されるように、被覆樹脂２６を形成する。被覆樹脂２６は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から成り、上方から少なくとも第１分離溝２４に充填されるように供給される。その後に、被覆樹脂２６を固化させるための加熱処理を行う。被覆樹脂２６の供給は、コーティングまたはスプレーによって行う。
【００７１】
ここで、第１分離溝２４の下端は、半導体ウェハ（半導体基板１１）の下面よりも下方に位置している。従って、第１分離溝２４に充填される被覆樹脂２６の下端も半導体ウェハの下面よりも下方に位置する。ここで、第１分離溝２４に充填された被覆樹脂２６は、図１に示す第１被覆層２１になる。従って、第１分離溝２４に充填された被覆樹脂２６の下端部分により、図１（Ｂ）に示す突出部２２が形成される。
【００７２】
更に、被覆樹脂２６を第１分離溝２４のみに充填されて且つ半導体装置部３４の上面に供給しないことにより、半導体基板１１の側面のみが第１被覆層２１により被覆された図１（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【００７３】
更に、この図に示すように、第１分離溝２４に充填され且つ、各半導体装置部３４の上面（第３被覆層１６の上面）も被覆されるように被覆樹脂２６を形成する。即ち、半導体基板１１の側面および裏面を、被覆樹脂２６から成る樹脂材料により被覆することができる。
【００７４】
本工程では、外部電極１５は被覆樹脂２６から外部に露出させる必要がある。従って、塗布された被覆樹脂２６により外部電極１５が被覆された場合は、エッチング等の除去処理を被覆樹脂２６に対して行って、被覆樹脂２６から外部電極１５を露出させる。または、半田等の金属から成る外部電極１５に対して濡れ性が悪い樹脂（例えばアクリル樹脂）を、被覆樹脂２６の材料として採用して、外部電極１５が被覆樹脂２６に被覆されないようにする。
【００７５】
図７を参照して、次に、各半導体装置部３４同士の間に位置する被覆樹脂２６を部分的に除去して、側面が樹脂材料により保護された状態で各半導体装置部３４を互いに分離する。図７（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図７（Ｂ）は断面図である。
【００７６】
図７（Ａ）を参照して、本工程では、第１分離溝２４を形成した先工程と同様に、ウェハリング３３により周囲から支持されたダイシングシート３１に貼着された半導体ウェハ３２に対してダイシングを行う。本工程でも、マトリックス状に配置された多数の半導体装置部３４の間に、格子状に規定されたダイシングライン３７に沿ってダイシングを行う。
【００７７】
図７（Ｂ）を参照して、本工程で用いる第２ブレード４３の幅は、先工程で第１分離溝２４を形成するために用いた第１ブレードよりも幅が狭い。具体的には、第１ブレードの幅が１５０μｍ〜２００μｍであったのに対し、本工程で用いる第２ブレード４３の幅は４０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００７８】
本工程では、第２ブレード４３により、第１分離溝２４に充填された被覆樹脂２６の中央部を切除するようにダイシングが行われる。結果的に第２ブレード４３と同等の幅の第２分離溝２５が形成される。本工程で形成される第２分離溝２５の幅Ｗ２は、第１分離溝２４よりも狭く形成され、例えば４０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００７９】
更に、本工程では、被覆樹脂２６の切除を確実に行うために、ダイシングシート３１が数十μｍ程度除去されるまで、第２ブレード４３を用いたダイシングを行う。
【００８０】
本工程により、第１分離溝２４に充填された被覆樹脂２６は部分的に切除されて、除去されずに残存する被覆樹脂２６により、各半導体装置部３４の半導体基板１１の側面が被覆される。半導体基板１１の側面を被覆して残存する被覆樹脂２６の厚みは、例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。部分的に残存する被覆樹脂２６が、図１（Ａ）に示す第１被覆層２１となる。
【００８１】
図８を参照して、次に、半導体装置部３４をダイシングシート３１から分離する。図８（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図８（Ｂ）は断面図である。
【００８２】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、本工程では、ダイシングシート３１に紫外線４０を照射した後に、各半導体装置部３４をダイシングシート３１から剥離する。本形態では、各半導体装置部３４は、接着層３５を介してダイシングシート３１の上面に接着されている。そして、この接着層３５は、紫外線が照射されると硬化して粘着力が低減する性質を有する。本工程では、ダイシングシート３１の下方から紫外線４０を照射して、接着層３５を硬化して接着力を低減させ、半導体装置部３４の剥離を容易にしている。ここでは、各半導体装置部３４の第２被覆層２３が、接着層３５の表面から剥離される。
【００８３】
ここで、接着層３５が加熱により硬化して接着力が低減する性質を有する場合は、接着層３５を加熱した後に、各半導体装置部３４がダイシングシート３１から分離される。
【００８４】
紫外線４０が照射された後は、不図示の吸着コレット等により半導体装置部３４は搬送されて、外部電極を溶融させるリフローの工程等により実装基板等に実装される。本形態では、半導体装置部３４の半導体基板１１の側面は、第１被覆層２１により保護されているので、半導体基板１１にチッピング等が発生しにくい。このことから、多数個の半導体装置部３４を、不図示の実装基板上に互いに密着させて配置させることができる。従って、実装基板の実装密度を向上させることができる。
【００８５】
上記した工程により、図１に構造を示す半導体装置が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図２】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は斜視図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は撮影される画像を示す図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０Ａ〜１０Ｆ  半導体装置
１１            半導体基板
１２            絶縁層
１３            電極
１４            配線
１５            外部電極
１６            第３被覆層
１８            記号マーク
１９            位置マーク
２０            認識マーク
２１            第１被覆層
２２            突出部
２３            第２被覆層
２４            第１分離溝
２５            第２分離溝
２６            被覆樹脂
３１            ダイシングシート
３２            半導体ウェハ
３３            ウェハリング
３４            半導体装置部
３５            接着層
３６            第１ブレード
３７            ダイシングライン
３８            レーザー
３９            画像
４０            紫外線
４１            反射板
４２            カメラ
４３            第２ブレード
【図１】
2007266421.tif 000003
【図２】
2007266421.tif 000004
【図３】
2007266421.tif 000005
【図４】
2007266421.tif 000006
【図５】
2007266421.tif 000007
【図６】
2007266421.tif 000008
【図７】
2007266421.tif 000009
【図８】
2007266421.tif 000010
【図９】
2007266421.tif 000011