(57)【要約】【課題】簡易な装置により短時間で絶縁層を加工し開口部を形成することにより、電気光学装置が高解像度化し画素数が増加しても容易に製造することができる電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、基板１２上に、ソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１８とを形成する。ソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１８とを被覆するゲート絶縁層２０を形成する。ゲート絶縁層２０上にゲート電極２２を形成する。ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間絶縁層２４を形成する。少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイン電極１６の一部が露出する開口部を、機械的応力により形成する。層間絶縁層２４上に、開口部を介してドレイン電極１６と電気的に接続する画素電極２８を形成する。【選択図】図２
2007266236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ソース電極とドレイン電極と半導体層とを形成する工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記半導体層とを被覆するゲート絶縁層を形成す
る工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極とを被覆する層間絶縁層を形成する工程と、
少なくとも前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通し、前記ドレイン電極の一部が
露出する開口部を、機械的応力により形成する工程と、及び、
前記層間絶縁層上に、前記開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電
極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記機械的応力は、ポンチとダイプレートを用いたプレスであることを特徴とする電気
光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記ポンチの先端部は先細るようにテーパが付されていることを特徴とする電気光学装
置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記ポンチの先端の断面は角を有する形状であることを特徴とする電気光学装置用基板
の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記機械的応力は、スクレーパを用いた掻取りであることを特徴とする電気光学装置用
基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載された電気光学装置用基板の製造方法にお
いて、
前記開口部は前記基板を貫通しないように形成されることを特徴とする電気光学装置用
基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された電気光学装置用基板の製造方法において、
前記開口部は前記ドレイン電極を貫通しないように形成されることを特徴とする電気光
学装置用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載された電気光学装置用基板の製造方法を含
むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス素子として有機半導体を用いる電気光学装置において、インク
ジェット法によりパターニングを行う場合、アクティブマトリックス素子のサイズを微細
化することが困難であるため、画素電極の面積が小さくなり開口率が低下する。
【０００３】
高解像度で高開口率の電気光学装置を実現する方法として、アクティブマトリックス素
子に接続する画素電極（ドレイン電極と一体）とは別に、絶縁層を挟んで上層にアクティ
ブマトリックス素子を覆うように画素電極を設け、２つの画素電極で１つの画素を構成す
ることにより画素電極全体の面積を大きくする方法が提案されている（例えば、特許文献
１参照）。
【０００４】
また、高開口率の電気光学装置を実現する別の方法として、アクティブマトリックス素
子の上層の画素電極を、下層のアクティブマトリックス素子との間の絶縁層に設けた開口
部を介して、アクティブマトリックス素子に電気的に接続する方法が提案されている。こ
の方法では、エッチング、レーザ光照射等の方法により絶縁層を加工し、開口部を形成し
ている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２０２１９４号公報
【特許文献２】特開２００４−４７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、エッチングによる加工は複数の工程を必要とし、レーザ光照射による加
工は高価な加工装置を必要とする。電気光学装置が高解像度化し画素数が増加すると、画
素数に対応して開口部の数も増加するため、単純な工程で早く絶縁層の加工を行うことが
求められる。
【０００７】
本発明の目的は、簡易な装置により短時間で絶縁層を加工し開口部を形成することによ
り、電気光学装置が高解像度化し画素数が増加しても容易に製造することができる電気光
学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に、ソース電極とドレイ
ン電極と半導体層とを形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記半導体
層とを被覆するゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成
する工程と、前記ゲート絶縁層と前記ゲート電極とを被覆する層間絶縁層を形成する工程
と、少なくとも前記層間絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通し、前記ドレイン電極の一部
が露出する開口部を、機械的応力により形成する工程と、及び、前記層間絶縁層上に、前
記開口部を介して前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する工程と、を含
む。本発明によれば、機械的応力により層間絶縁層とゲート絶縁層とを加工するので、エ
ッチング又はレーザ光照射による加工でなく、単純な工程で加工を行うことができる。し
たがって、簡易な装置により短時間で絶縁層（層間絶縁層とゲート絶縁層）を加工し開口
部を形成することにより、電気光学装置が高解像度化し画素数が増加しても容易に製造す
ることができる。
【０００９】
（２）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記機械的応力は、ポンチとダイ
プレートを用いたプレスであってもよい。
【００１０】
（３）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記ポンチの先端部は先細るよう
にテーパが付されていてもよい。
【００１１】
（４）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記ポンチの先端の断面は角を有
する形状であってもよい。
【００１２】
（５）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記機械的応力は、スクレーパを
用いた掻取りであってもよい。
【００１３】
（６）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記開口部は前記基板を貫通しな
いように形成されていてもよい。
【００１４】
（７）この電気光学装置用基板の製造方法において、前記開口部は前記ドレイン電極を
貫通しないように形成されていてもよい。
【００１５】
（８）本発明に係る電気光学装置の製造方法は、上記電気光学装置用基板の製造方法を
含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である
。図２は、図１のII−II線における断面を示す図である。
【００１７】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板１０は、図１及び図２に示すように、基板１２
（図２参照）と、ソース電極１４と、ドレイン電極１６と、半導体層としての有機半導体
層１８と、ゲート絶縁層２０（図２参照）と、ゲート電極２２と、層間絶縁層２４と、開
口部としてのビアホール２６と、画素電極２８と、を含んでいる。まず、本実施の形態に
係る電気光学装置用基板１０の各構成要素について説明する。
【００１８】
基板１２の材料は、例えば、ガラス又はプラスチックである。
【００１９】
ソース電極１４とドレイン電極１６とは、図２に示すように、基板１２上に、所定間隔
離して形成されている。ソース電極１４とドレイン電極１６との材料は、例えば、Ａｕで
ある。
【００２０】
有機半導体層１８は、ソース電極１４の上面の一部と、ソース電極１４とドレイン電極
１６との間の基板１２の上面と、ドレイン電極１６の上面の一部とに渡って形成されてい
る。有機半導体層１８の材料は、低分子系有機半導体材料、及び、ポリマー有機半導体材
料のいずれも選択することができる。有機半導体層１８の材料は、例えば、Ｆ８Ｔ２（フ
ルオレン−ビチオフェン共重合体）である。
【００２１】
ゲート絶縁層２０は、基板１２とソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１
８とを被覆するように形成されている。ゲート絶縁層２０の材料は、公知の絶縁体材料で
あれば種類は特に限定されない。
【００２２】
ゲート電極２２は、ゲート絶縁層２０上の有機半導体層１８にオーバーラップする領域
内に形成されている。ゲート電極２２の材料は、例えば、Ａｇである。
【００２３】
層間絶縁層２４は、ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆するように形成されて
いる。層間絶縁層２４の材料は、公知の絶縁体材料であれば種類は特に限定されない。
【００２４】
ビアホール２６は、少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイ
ン電極１６の一部が露出するように形成されている。ビアホール２６は、例えば、層間絶
縁層２４とゲート絶縁層２０とドレイン電極１６と基板１２とを貫通し、ドレイン電極１
６の断面が露出するように形成されている。ビアホール２６は、基板１２を貫通していな
くてもよい。また、ビアホール２６は、ドレイン電極１６を貫通していなくてもよい。ビ
アホール２６は、層間絶縁層２４側から基板１２側に向かって先細るように形成されてい
てもよい。
【００２５】
画素電極２８は、層間絶縁層２４上の、少なくともソース電極１４とドレイン電極１６
と有機半導体層１８とゲート電極２２とにオーバーラップする領域に、ビアホール２６を
介してドレイン電極１６に電気的に接続するように形成されている。画素電極２８は、例
えば、ビアホール２６を充填するように形成されている。画素電極２８の材料は、例えば
、Ａｇである。
【００２６】
ソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１８とゲート絶縁層２０とゲート電
極２２とは、有機トランジスタ３０を構成している。有機トランジスタ３０は、基板１２
上に、例えば、マトリックス状に配列されている（図１参照）。有機トランジスタ３０は
、画素電極２８を制御するスイッチング素子としての機能を有している。
【００２７】
次に、本実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図面を参照して説
明する。図３、図４、及び図５は、第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方
法を説明する図である。
【００２８】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板１０の製造方法は、まず、図３（Ａ）に示すよ
うに、基板１２を用意し、基板１２上にソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体
層１８とを形成する。詳細には、先に、基板１２上にソース電極１４とドレイン電極１６
とを形成する。ソース電極１４とドレイン電極１６とを形成する方法は、公知の電極形成
方法を適用する。次に、基板１２とソース電極１４とドレイン電極１６との上面に有機半
導体層１８を形成する。有機半導体層１８を形成する方法は、例えば、液滴吐出法を適用
する。
【００２９】
次に、図３（Ｂ）に示すように、ソース電極１４とドレイン電極１６と有機半導体層１
８とを被覆するゲート絶縁層２０を形成する。ゲート絶縁層２０を形成する方法は、例え
ば、スピンコート法を適用する。
【００３０】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２０上にゲート電極２２を形成する。ゲ
ート電極２２を形成する方法は、例えば、液滴吐出法を適用する。
【００３１】
次に、図３（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間
絶縁層２４を形成する。層間絶縁層２４を形成する方法は、例えば、蒸着法を適用する。
【００３２】
次に、図４に示すように、少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、
ドレイン電極１６の一部が露出するビアホール２６を、機械的応力により形成する。本実
施の形態では、機械的応力は、例えば、ポンチとダイプレートを用いたプレスである。図
４（Ａ）に示すように、ポンチ４０は、例えば、先端部がストレートな形状である。ポン
チ４０は、例えば、先端部の断面が円形である。ポンチの先端の断面が円形であると、プ
レス部に加わる機械的応力はポンチの先端の全周に渡って均一となる。ダイプレート５０
は、例えば、支持面に凹部５２を有している。ダイプレート５０で基板１２の下面を支持
し、ポンチ４０で層間絶縁層２４の上面側から基板１２側の方向にプレスする。このとき
、ドレイン電極１６の上面に有機半導体層１８が形成されていない領域が凹部５２にオー
バーラップするようにダイプレート５０を配置する。層間絶縁層２４の凹部５２にオーバ
ーラップする領域にポンチ４０を押し当てて、ポンチ４０の先端が、少なくとも層間絶縁
層２４とゲート絶縁層２０とを貫通するまでプレスする。
【００３３】
次に、図４（Ｂ）に示すように、層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とドレイン電極１
６と基板１２とを貫通するまでプレスすることにより、層間絶縁層２４とゲート絶縁層２
０とドレイン電極１６と基板１２とを貫通するビアホール２６が形成される。ビアホール
２６内には、ドレイン電極１６の断面が露出する。
【００３４】
ポンチの先端部は、図５に示すように、先細るようにテーパが付されていてもよい。図
５（Ａ）に示すように、ポンチ４２は先端部に先細るようにテーパが付されている。ポン
チ４２とダイプレート５０とを組み合わせてプレスすると、ポンチ４２が先端に向かって
細くなっているため、図５（Ｂ）に示すように、ビアホール３２は、層間絶縁層２４側か
ら基板１２側に向かって先細るように形成される。これにより、ドレイン電極１６の断面
は斜面状となり、ビアホール３２内に露出するドレイン電極１６の断面積を大きくするこ
とができる。
【００３５】
図６は、図４のVI−VI線におけるポンチの先端の断面形状を説明する図である。ポンチ
４０の先端の断面は、図６に示すように、角を有する形状であってもよい。ポンチ４０の
先端の断面は、例えば、矩形であり、三角形であり、星形である。ポンチ４０の先端の断
面が矩形である場合、図６に示すように、角部４４が当たる個所と直線部４６が当たる個
所とでは、プレス部に加わる機械的応力が不均一となる。これにより、プレスする際、先
端の断面が角部を有するポンチの方が円形のポンチよりもプレス部で部分的な破断を起こ
し易く、プレス部をより容易に貫通することができる。したがって、先端の断面が角部を
有するポンチ４０を用いてプレスすることにより、ビアホール２６をより容易に形成する
ことができる。
【００３６】
次に、図４（Ｃ）に示すように、層間絶縁層２４上に、ビアホール２６を介してドレイ
ン電極１６と電気的に接続する画素電極２８を形成する。例えば、ビアホール２６を充填
するように画素電極２８を形成する。画素電極２８を形成する方法は、例えば、液滴吐出
法を適用する。画素電極２８を液滴吐出法を適用して形成する場合は、基板１２の下面に
フィルム等の裏打３９を当ててビアホール２６の開口部を塞ぐことにより、画素電極２８
の材料が基板１２の下面側に流れ出すことを防止してもよい。
【００３７】
次に、図２に示すように、裏打３９を、画素電極２８の材料が乾燥した後、剥離する。
以上により、電気光学装置用基板１０を製造することができる。
【００３８】
なお、ビアホール３４は、基板１２を貫通しないように形成してもよい。図７は、ポン
チとダイプレートとの組み合わせによるプレス方法の変形例を説明する図である。例えば
、図７（Ａ）に示すように、ダイプレート５４は支持面に凹部を有していない。ダイプレ
ート５４で基板１２の下面を支持し、ポンチ４０で層間絶縁層２４の上面側から基板１２
側の方向にプレスする。層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とドレイン電極１６とはプレ
スにより貫通するが、基板１２の底面がダイプレート５４の上面に支持されているため、
図７（Ｂ）に示すように、基板１２は貫通しない。これにより、基板１２を貫通しないよ
うにビアホール３４を形成することができる。ビアホール３４の底部には、層間絶縁層２
４とゲート絶縁層２０とドレイン電極１６とが貫通することにより、押し固められた断片
３５が形成される。ビアホール３４が基板１２を貫通しないことにより、層間絶縁層２４
上に画素電極を液滴吐出法を適用して形成する場合に、画素電極の材料が基板１２の下面
側に流れ出すことを防止することができる。また、ポンチ４０がダイプレート５４に直接
接触しないため、ポンチ４０の耐用寿命を長くすることができる。
【００３９】
また、ビアホール３６は、ドレイン電極１６を貫通しないように形成してもよい。図８
は、ポンチとダイプレートとの組み合わせによるプレス方法の変形例を説明する図である
。例えば、図８（Ａ）に示すように、ダイプレート５６は、支持面に凹部５８を有してい
る。ダイプレート５６で基板１２の下面を支持し、ポンチ４０で層間絶縁層２４の上面側
から基板１２側にプレスする。プレスにより、層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とは貫
通するが、基板１２の凹部５８上の領域が、図８（Ｂ）に示すように、凹部５８側に窪む
ため、ドレイン電極１６も基板１２側に窪む。これにより、ドレイン電極１６は、基板１
２側に逃げ場ができたため、貫通されない。したがって、ドレイン電極１６と基板１２と
は貫通しないようにビアホール３６を形成することができる。ビアホール３６の底部には
、層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とが分断され、押し固められた断片３７が形成され
る。
【００４０】
次に、本実施の形態における、ポンチとダイプレートとの組み合わせ以外の変形例につ
いて、図面を参照して説明する。図９は、ドレイン電極上に延性導電材料層を形成する方
法を説明する図である。図９に示すように、ドレイン電極１６上に、ドレイン電極１６と
電気的に接続する延性導電材料層３８を形成し、層間絶縁層２４の上面側から延性導電材
料層３８にオーバーラップする領域をプレスすることにより、延性導電材料層３８の断面
とドレイン電極１６の断面とを露出するビアホール３２を形成してもよい。延性導電材料
層３８の材料は、例えば、金属、金属酸化物の微粒子を含むペースト状の部材である。延
性導電材料層３８の材料は、カーボン微粒子等を含む有機接着剤であってもよい。延性導
電材料層３８を形成する方法は、液滴吐出法を適用してもよい。また、印刷法を適用して
もよい。さらに、ディスペンサ法を適用してもよい。ドレイン電極１６上に延性導電材料
層３８が形成されていると、ビアホール３２内に露出する導電部の断面積をより大きくす
ることができる。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について説明す
る。以下、第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、共通する事項についてはその説
明を省略する。
【００４１】
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図であ
る。図１１は、図１０のXI-XI線における断面を示す図である。
【００４２】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板６０は、図１０及び図１１に示すように、基板
１２（図１１参照）と、ソース電極１４と、ドレイン電極１６と、半導体層としての有機
半導体層１８と、ゲート絶縁層２０（図１１参照）と、ゲート電極２２と、層間絶縁層２
４と、開口部としての溝６２と、画素電極６４と、を含んでいる。まず、本実施の形態に
係る電気光学装置用基板６０の各構成要素について説明する。
【００４３】
溝６２は、少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイン電極１
６の一部が露出するように形成されている。溝６２は、例えば、ドレイン電極１６と基板
１２とを貫通しないように形成されている。溝６２は、ドレイン電極１６を貫通していて
もよい。また、溝６２は、基板１２を貫通していてもよい。溝６２は、図１０に示すよう
に、ゲート電極２２の長手方向にほぼ平行するように形成されている。溝６２は、例えば
、ゲート電極２２の長手方向に並ぶ複数の画素電極６４を１本で結ぶように形成されてい
る。
【００４４】
画素電極６４は、図１１に示すように、層間絶縁層２４上のソース電極１４とドレイン
電極１６と有機半導体層１８とゲート電極２２とにオーバーラップする領域に、溝６２を
介してドレイン電極１６に電気的に接続するように形成されている。画素電極６４は、例
えば、画素電極６４の領域内の溝６２を充填するように形成されている。
【００４５】
次に、本実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図面を参照して説
明する。図１２は、第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図
である。
【００４６】
本実施の形態に係る電気光学装置用基板６０の製造方法は、まず、第１の実施の形態と
同様に、図３（Ｄ）に示すように、基板１２上に、ソース電極１４と、ドレイン電極１６
と、有機半導体層１８と、ゲート絶縁層２０と、ゲート電極２２と、層間絶縁層２４と、
を形成する。
【００４７】
次に、少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイン電極１６の
一部が露出する溝６２を、機械的応力により形成する。本実施の形態では、機械的応力は
、例えば、スクレーパ４８を用いた掻取りである。詳細には、図１２（Ａ）に示すように
、層間絶縁層２４の上面側から、ドレイン電極１６にオーバーラップする領域に、スクレ
ーパ４８を押し当てる。スクレーパ４８の先端を、例えば、ドレイン電極１６の上面に到
達する深さまで押し当てる。次に、スクレーパ４８をゲート電極２２の長手方向（図１０
参照）にほぼ平行するように直線状に移動させ、層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを
掻き取る。これにより、図１２（Ｂ）に示すように、層間絶縁層２４とゲート絶縁層２２
とを貫通し、ドレイン電極１６の一部が露出する溝６２が、ゲート電極２２の長手方向（
図１０参照）にほぼ平行するように形成される。溝６２は、ドレイン電極１６を貫通する
ように形成してもよい。また、溝６２は、基板１２を貫通するように形成してもよい。溝
６２は、例えば、図１０に示すように、ゲート電極２２の長手方向に並ぶ複数の画素電極
６４を１本で結ぶように形成する。
【００４８】
次に、図１１に示すように、層間絶縁層２４上に、溝６２を介してドレイン電極１６と
電気的に接続する画素電極６４を形成する。以上により、電気光学装置用基板６０を製造
することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態における溝の変形例について、図面を参照して説明する。図１３は
、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の変形例を示す概略平面図である
。図１３に示すように、本実施の形態に係る電気光学装置用基板６１は、各々の画素電極
６４の領域ごとに独立して形成された溝６６を含んでいる。溝６６は、スクレーパ４８で
、各々の画素電極６４の領域ごとに層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを掻き取ること
により形成される。
（電気光学装置の製造方法）
次に、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の製造方法について図面を参照して説明
する。ここでは、電気光学装置の製造方法としての電気泳動表示装置の製造方法について
説明する。
【００５０】
図１４は、本発明の実施の形態に係る電気泳動表示装置を示す概略断面図である。
【００５１】
本実施の形態に係る電気泳動表示装置１００は、図１４に示すように、電気光学装置用
基板１０と、電気泳動層７０と、対向基板８０と、を含んでいる。
【００５２】
電気泳動層７０は、電気光学装置用基板１０と対向基板８０との間に挟持されている。
電気泳動層７０は、マイクロカプセル７２と、バインダ材７４と、を含んでいる。マイク
ロカプセル７２の内部には、電荷及び色の異なる２種類の電気泳動粒子７６と電気泳動粒
子７７とを含む電気泳動分散液７８が封入されている。マイクロカプセル７２は、バイン
ダ材７４により固定されている。
【００５３】
対向基板８０は、電気泳動層７０を挟んで電気光学装置用基板１０に対向する側に配置
されている。対向基板８０は、基板８２と、共通電極８４と、を含んでいる。基板８２は
、透明な基板である。基板８２の材料は、例えば、ガラス又はプラスチックである。共通
電極８４は、基板８２の電気光学装置用基板１０に対向する面上に形成されている。
【００５４】
次に、本実施の形態に係る電気泳動表示装置の製造方法の一例について、図１４を参照
して説明する。
【００５５】
本実施の形態に係る電気泳動表示装置１００の製造方法は、まず電気光学装置用基板１
０を形成する。
【００５６】
次に、電気光学装置用基板１０上に、マイクロカプセル７２とバインダ材７４との混合
物からなる層を形成した後、バインダ材７４を硬化させる。これにより、電気光学装置用
基板１０上に、マイクロカプセル７２とバインダ材７４とを含む電気泳動層７０が形成さ
れる。
【００５７】
次に、電気光学装置用基板１０とは別工程で形成した対向基板８０を用意する。
【００５８】
次に、対向基板８０を、電気泳動層７０の上に共通電極８４が電気光学装置用基板１０
の側に対向するように設置し、接着剤等により接合する。以上により、電気泳動表示装置
１００を製造することができる。なお、以上の各工程で説明されていない加工方法は、公
知の方法を適用すればよい。
【００５９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方
法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は
、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成する
ことができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加
した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図４】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図５】第１の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図６】図４のVI−VI線におけるポンチの先端の断面形状を説明する図である。
【図７】ポンチとダイプレートとの組み合わせによるプレス方法の変形例を説明する図である。
【図８】ポンチとダイプレートとの組み合わせによるプレス方法の変形例を説明する図である。
【図９】ドレイン電極上に延性導電材料層を形成する方法を説明する図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板を示す概略平面図である。
【図１１】図１０のXI-XI線における断面を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を説明する図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る電気光学装置用基板の変形例を示す概略平面図である。
【図１４】実施の形態に係る電気泳動表示装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０…電気光学装置用基板  １２…基板  １４…ソース電極  １６…ドレイン電極  １
８…有機半導体層  ２０…ゲート絶縁層  ２２…ゲート電極  ２４…層間絶縁層  ２６…
ビアホール  ２８…画素電極  ３０…有機トランジスタ  ３２…ビアホール  ３４…ビア
ホール  ３５…断片  ３６…ビアホール  ３７…断片  ３８…延性導電材料層  ３９…裏
打  ４０…ポンチ  ４２…ポンチ  ４４…角部  ４６…直線部  ４８…スクレーパ  ５０
…ダイプレート  ５２…凹部  ５４…ダイプレート  ５６…ダイプレート  ５８…凹部  
６０…電気光学装置用基板  ６１…電気光学装置用基板  ６２…溝  ６４…画素電極  ６
６…溝  ７０…電気泳動層  ７２…マイクロカプセル  ７４…バインダ材  ７６…電気泳
動粒子  ７７…電気泳動粒子  ７８…電気泳動分散液  ８０…対向基板  ８２…基板  ８
４…共通電極  １００…電気泳動表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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