(57)【要約】【課題】偏光板のバックライト光量ロスを減少し、偏光板切り出し時に発生する端材を減少し、偏光板の耐久性を向上し、バッチ式処理による生産性を改良した反射型偏光子及びその製造方法、並びに該反射型偏光子を用いた液晶表示装置を提供することである。【解決手段】ロール状のフィルムを繰り出して搬送し、２０〜３００（１／ｍ）の曲率で折り曲げて、該フィルムの片方の面にフィルム搬送方向に対し４０〜５０度の方向に複数の亀裂を形成するＡ工程、該フィルムを搬送方向に延伸して該亀裂の間隔を広げるＢ工程及びワイヤグリッドを作製するＣ工程を有することを特徴とする反射型偏光子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール状のフィルムを繰り出して搬送し、２０〜３００（１／ｍ）の曲率で折り曲げて、該フィルムの片方の面にフィルム搬送方向に対し４０〜５０度の方向に複数の亀裂を形成するＡ工程、該フィルムを搬送方向に延伸して該亀裂の間隔を広げるＢ工程及びワイヤグリッドを作製するＣ工程を有することを特徴とする反射型偏光子の製造方法。
【請求項２】
折り曲げる直前のフィルム搬送方向とＡ工程終了直後におけるフィルム搬送方向の、折り曲げる直前のフィルムを含む平面への射影とのなす角度が８５〜９５度であることを特徴とする請求項１に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項３】
前記ロール状のフィルムが、基材と、基材上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した金属薄膜との少なくとも２層以上からなる積層体であり、折り曲げにより亀裂を形成する層が該金属薄膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項４】
折り曲げにより金属薄膜に亀裂を形成し、該亀裂の間隔を広げてワイヤグリッドを作製した後、ワイヤグリッド面に保護層を形成することを特徴とする請求項３に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項５】
前記ロール状のフィルムが、少なくとも２層以上の基材からなる積層体であり、折り曲げにより亀裂を形成する層が曲率の小さい側の基材であることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項６】
曲率の小さい側の基材に亀裂を形成し、該亀裂の間隔を広げた後、金属薄膜前駆体を塗布、乾燥することにより該亀裂の間にワイヤグリッドを作製することを特徴とする請求項５に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項７】
前記ロール状のフィルムが、第１の基材、第１の基材上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した金属薄膜及び第２の基材をこの順に有する積層体であり、亀裂を形成する層が該金属薄膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項８】
前記ロール状のフィルムが、第１の基材、第１の基材上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した第１の金属薄膜、第１の金属薄膜上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した第２の金属薄膜をこの順に有する積層体であり、亀裂を形成する層が第１の金属薄膜及び第２の金属薄膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【請求項９】
ワイヤグリッドがフィルム面内であり、フィルムの搬送方向に対して４０〜５０度の方向にあり、前記ワイヤグリッドのピッチが１００〜２００ｎｍ、高さが３０〜２００ｎｍであり、請求項１〜８いずれか１項に記載の反射型偏光子の製造方法により製造することを特徴とする反射型偏光子。
【請求項１０】
請求項９に記載の反射型偏光子と吸収型偏光子の透過軸が平行となるように積層することを特徴とする反射型偏光子。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の反射型偏光子を用いることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型偏光子及びその製造方法、並びに該反射型偏光子を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在広く使用されている透過型液晶表示装置は、偏光板２枚とこれに挟まれたシャッターの役割を果たす液晶セルからなる構成となっている。液晶セルの駆動方式の中でＴＮ型やＯＣＢ型等の液晶表示装置の場合、液晶画面に対して４５度方向に偏光板の透過軸を持つように偏光板を貼合し使用している。
【０００３】
普及型の偏光板は、延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させた偏光子とそれを保護する２枚の偏光板保護フィルム（多くは、トリアセチルセルロースフィルム）からなっている。偏光板を作製する際、偏光子を搬送方向（以下、ＭＤ方向ともいう）に延伸を行い、これにヨウ素を吸着させ偏光子とし、偏光子を偏光板保護フィルムとＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のりを使用して接着を行う。このためロール状偏光板の透過軸はロール長手方向と直行する。そのためＴＮ型の液晶表示装置に貼合する場合、ロール状偏光板を斜め４５度の角度に切り出す必要があり、ロール状偏光板の端部では端材が発生し、資源の有効利用の観点からも斜め方法に吸収軸をもつ偏光板の開発が望まれていた。このような観点から、特許文献１では偏光子を斜め４５度に延伸する製造方法が開示されている。
【０００４】
偏光板はその方式において大きく二つに大別することができる。ある電場の振動面を持つ光を吸収し、これと直行する電場の振動面を持つ光を透過する吸収型偏光板と、ある電場の振動面を持つ光を反射し、これと直行する電場の振動面を持つ光を透過する反射型偏光板の２種である。吸収型偏光板においては、片方の偏光を吸収し熱エネルギーに変えるためバックライトからの光を最大半分しか利用することができない。一方反射型偏光板の場合、偏光板で反射した光を反射板により反射させ再利用することが可能であり、吸収型偏光板と比較してより多くの光を有効利用することができるため、液晶表示装置の輝度を向上させるメリットがある。
【０００５】
反射型偏光板にはいくつかの方式が提案されているが、その一つとしてワイヤグリッド型偏光板がある。ワイヤグリッド型偏光板はグリッド部と光透過部とからなり、この二つの構造が周期的なピッチで配置した構造をしている。ワイヤグリッド型偏光板は高い偏光分離能を持っており、現在赤外域では実用化されているが、可視光で利用するためにはピッチを赤外域で使用されている場合より小さくする必要がある。ワイヤグリッド作製は一般的にリソグラフィー法によるが、特許文献２に公開されているように、可視光で偏光分離が可能なピッチを作製するためには非常に短波長の紫外光レーザーや電子線等による露光が必要であり、生産上非常に困難な技術である。また、これらリソグラフィー法によるワイヤグリッドの作製は、一般的に真空条件での処理が必要でありバッチ式処理となるため工業的な大量生産は難しい。
【特許文献１】特開２００３−１８５８３４号公報
【特許文献２】特開２００５−１９５８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、偏光板のバックライト光量ロスを減少し、偏光板切り出し時に発生する端材を減少し、偏光板の耐久性を向上し、バッチ式処理による生産性を改良した反射型偏光子及びその製造方法、並びに該反射型偏光子を用いた液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の上記課題は、以下の構成により達成された。
【０００８】
１．ロール状のフィルムを繰り出して搬送し、２０〜３００（１／ｍ）の曲率で折り曲げて、該フィルムの片方の面にフィルム搬送方向に対し４０〜５０度の方向に複数の亀裂を形成するＡ工程、該フィルムを搬送方向に延伸して該亀裂の間隔を広げるＢ工程及びワイヤグリッドを作製するＣ工程を有することを特徴とする反射型偏光子の製造方法。
【０００９】
２．折り曲げる直前のフィルム搬送方向とＡ工程終了直後におけるフィルム搬送方向の、折り曲げる直前のフィルムを含む平面への射影とのなす角度が８５〜９５度であることを特徴とする１に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１０】
３．前記ロール状のフィルムが、基材と、基材上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した金属薄膜との少なくとも２層以上からなる積層体であり、折り曲げにより亀裂を形成する層が該金属薄膜であることを特徴とする１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１１】
４．折り曲げにより金属薄膜に亀裂を形成し、該亀裂の間隔を広げてワイヤグリッドを作製した後、ワイヤグリッド面に保護層を形成することを特徴とする３に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１２】
５．前記ロール状のフィルムが、少なくとも２層以上の基材からなる積層体であり、折り曲げにより亀裂を形成する層が曲率の小さい側の基材であることを特徴とする１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１３】
６．曲率の小さい側の基材に亀裂を形成し、該亀裂の間隔を広げた後、金属薄膜前駆体を塗布、乾燥することにより該亀裂の間にワイヤグリッドを作製することを特徴とする５に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１４】
７．前記ロール状のフィルムが、第１の基材、第１の基材上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した金属薄膜及び第２の基材をこの順に有する積層体であり、亀裂を形成する層が該金属薄膜であることを特徴とする１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１５】
８．前記ロール状のフィルムが、第１の基材、第１の基材上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した第１の金属薄膜、第１の金属薄膜上に金属薄膜前駆体を塗布することにより作製した第２の金属薄膜をこの順に有する積層体であり、亀裂を形成する層が第１の金属薄膜及び第２の金属薄膜であることを特徴とする１または２に記載の反射型偏光子の製造方法。
【００１６】
９．ワイヤグリッドがフィルム面内であり、フィルムの搬送方向に対して４０〜５０度の方向にあり、前記ワイヤグリッドのピッチが１００〜２００ｎｍ、高さが３０〜２００ｎｍであり、１〜８いずれか１項に記載の反射型偏光子の製造方法により製造することを特徴とする反射型偏光子。
【００１７】
１０．９に記載の反射型偏光子と吸収型偏光子の透過軸が平行となるように積層することを特徴とする反射型偏光子。
【００１８】
１１．９または１０に記載の反射型偏光子を用いることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、吸収型偏光板におけるバックライト光量ロスを減少し、偏光板切り出し時に発生する端材を減少し、吸収型偏光板の耐久性を向上し、バッチ式処理による生産性を改良することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明者は鋭意検討の結果、ロール状のフィルムを繰り出して搬送し、２０〜３００（１／ｍ）の曲率で折り曲げて、該フィルムの片方の面にフィルム搬送方向に対し４０〜５０度の方向に複数の亀裂を形成するＡ工程、該フィルムを搬送方向に延伸して該亀裂の間隔を広げるＢ工程及びワイヤグリッドを作製するＣ工程を有する反射型偏光子の製造方法により、反射型偏光子のもつ光利用効率の高さ、端材ロスの少ない利点をあわせ持ち、工業的な連続生産に適した偏光板を作製することができ、さらに、透過軸方向が同じ吸収型偏光子と本発明の反射型偏光子を組み合わせることにより、上記に加えて耐久性の向上した偏光子が得られることを見出した。
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
本発明の反射型偏光子及びその製造方法について説明する。
【００２３】
本発明の反射型偏光子は、基材及びワイヤグリッドから構成される。図１は一般的なワイヤグリッド偏光子の模式図である。図１に示すようにワイヤグリッド偏光子１００は、透明な基板１２０と互いに平行に並んだワイヤグリッド１１０からなる構造をしている。図１中、ｐはピッチを表し、ｔはワイヤグリッドの高さを表し、ｗはワイヤグリッドの幅を表す。
【００２４】
ワイヤグリッドの材料は特に限定されないが、可視光に対し高い反射率を示し、かつ高導電率を有する材料から選択することができる。ワイヤグリッドの素材は、これらの観点から銀、アルミニウム等の金属材料を用いることが好ましい。
【００２５】
ワイヤグリッド偏光子の性能を決定する要因の一つが、ピッチｐ（ｎｍ）と入射光の波長λ（ｎｍ）との関係である。ワイヤグリッドのピッチｐが波長のほぼ２分の１から２倍の範囲では、特定波長の光に対し偏光分離性能が著しく低下する。このような現象は一般に「レイリー共鳴」と呼ばれており、この共鳴が起こる最も長い波長（最大共鳴波長）λｒｅｓ−ｍａｘは下記式（１）で表現されることが知られている。詳細は、Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ  Ｍａｇａｚｉｎｅ，Ｖｏｌ．１４．Ｎｏ．７９．６０（１９０７）に記載されている。
【００２６】
式（１）    λｒｅｓ−ｍａｘ＝ｐ（ｎ＋ｓｉｎθ）
式中、ｎ、θはそれぞれ基板の屈折率、光の入射角を表す。
【００２７】
レイリー共鳴が起こる波長前後においては、ワイヤグリッド偏光子の性能が急激に落ちるため、可視光に対し十分な偏光分離性能を示すためには、最大共鳴波長λｒｅｓ−ｍａｘが可視光の波長よりも短くなるようにしなければならない。
【００２８】
ワイヤグリッドの高さｔ（金属厚み）は、ワイヤグリッド偏光子の偏光分離性能から必要な値が決まり、具体的には光の透過率が１％以下であればよく、３０ｎｍ以上の厚みであれば良好な性能を得ることができる。あまりに金属が薄いと、光の透過が無視できず、偏光分離性能が低下する。逆に金属が厚すぎると、光の利用効率が低下するため、厚みの上限は約２００ｎｍである。ワイヤグリッドをアルミニウムで形成する場合、金属厚みは４０〜２００ｎｍ程度であることが望ましい。
【００２９】
ワイヤグリッドのピッチｐは、０°入射、真空の屈折率ｎ＝１において式（１）より導出される最大共鳴波長λｒｅｓ−ｍａｘが使用する光の波長以下になればよく、可視光に対しては４００ｎｍであれば問題がないことから、ピッチｐは３８０ｎｍ以下、１００〜２００ｎｍが好ましく、偏光の分離能力から１６０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３０】
ワイヤグリッドの幅ｗに関しては、ピッチｐの約半分程度のときにワイヤグリッド偏光子の偏光分離性能がよくなり、０．３ｐ＜ｗ＜０．７ｐの範囲であることが好ましい。
【００３１】
ワイヤグリッドの断面形状は、特に限定されるものではなく、正方形、長方形、台形、円形、楕円形、その他さまざまな形状を持っていてもよい。
【００３２】
ワイヤグリッドが基材表面にむき出しの状態である場合、スクラッチ耐性に問題が出やすく、これを向上させる意味でワイヤグリッドが基材の内部に位置することも好ましい。また、基材の内部にグリッドが埋没した状態にするために２層以上の基材からなるフィルムであることも好ましい。
【００３３】
基材としては、セルロース系樹脂（ＴＡＣ、ＤＡＣ、ＣＡＰ、ＣＡＢ等）、ノルボルネン系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ジエチレングリコールビスカーボネート（ＣＲ−３９）、スチレン／アクリロニトリル共重合体（ＳＡＮ）、スチレン／メタクリル酸共重合体（ＭＳ）、脂環式アクリル樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂等の高透明樹脂が挙げられ、通常はこれらをフィルムとして基板に用いる。
【００３４】
図２に本発明の反射型偏光子の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）３つの形態について示す。図２の（ａ）はロール状の反射型偏光子のＭＤ方向から４５度での拡大断面図で、ワイヤグリッド１１０が基材１２０の表面にむき出しの状態である。図２の（ｂ）はロール状反射型偏光子のＭＤ方向から４５度での拡大断面図で、ワイヤグリッド１１０が基材１２０と第２の基材１２１の内部に位置する。図２の（ｃ）はロール状反射型偏光子のＭＤ方向から４５度での拡大断面図で、ワイヤグリッド１１０が基材１２０、第２の基材１２１、第３の基材１２２の内部に位置する。ただし、本発明はこの図だけに限定されるものではない。
【００３５】
本発明は、ロール状のフィルムを繰り出して搬送し、２０〜３００（１／ｍ）の曲率で折り曲げて、該フィルムの片方の面にフィルム搬送方向に対し４０〜５０度の方向に複数の亀裂を形成するＡ工程、該フィルムを搬送方向に延伸して該亀裂の間隔を広げるＢ工程及びワイヤグリッドを作製するＣ工程を有することを特徴とする。Ａ工程ではフィルム搬送時にフィルムの曲率が２０〜３００（１／ｍ）の範囲になるように搬送し、Ａ工程直前のフィルム搬送方向とＡ工程終了直後におけるフィルム搬送方向のＡ工程直前のフィルムを含む平面への射影とのなす角（以下、折り返し角度ともいう）が８５〜９５度の範囲であることが好ましい。本発明におけるＡ工程の実施形態の一つを図３に模式的に示す。図３はフィルム搬送終了直後の平面を基準とした上面図である。図３において、θは、Ａ工程直前のフィルム搬送方向とＡ工程終了直後におけるフィルム搬送方向のＡ工程直前のフィルムを含む平面への射影とのなす角を表す。本発明では、Ａ工程は図３におけるθが８５〜９５度の範囲である。Ａ工程は金属薄膜、金属薄膜前駆体または基材にフィルム長手方向に対して４０〜５０度の方向にワイヤグリッド形成のための微細な溝（亀裂または亀裂開始点）を形成する工程である。
【００３６】
微細な亀裂を作製するためにＡ工程において、温度、張力、フィルムの曲率を適宜調整することができる。曲率の設定は、亀裂を発生させる素材により種々の条件を設定できるが、本発明では２０〜３００（１／ｍ）の範囲とする。曲率を大きくすると亀裂の間隔は短くなり、曲率を大きくすると亀裂の間隔は大きくなる傾向にあり、任意の間隔に調節することができる。また、作製された反射型偏光子におけるワイヤグリッドの角度を調整するために、Ａ工程でのフィルムの折り返し角度を適宜調整することができる。
【００３７】
工程Ｂは、工程Ａで作製された微細な溝の幅を調整する工程である。基材に直接金属薄膜が形成されている場合には、ワイヤグリッド間の距離を調整することになる。また、２層の基材を用いてＡ工程においてロールの外側の基材に亀裂を作製し、その間にワイヤグリッドを作製する場合には、ワイヤグリッドの幅を調整する工程となる。
【００３８】
２層の基材を用いて本発明の反射型偏光子を作製する場合、ロール側に接触する基材は熱による延伸を考慮した場合に熱可塑性樹脂であることが好ましい。また、Ａ工程で亀裂を生じる側の層は、延伸される層よりも高い熱安定性を持つことが好ましい。具体的には紫外線硬化樹脂等が好ましく用いられる。
【００３９】
Ｂ工程においては、目的とするワイヤグリッド幅またはワイヤグリッド間の距離を調整するために延伸倍率及び延伸温度を適宜調整することができる。
【００４０】
金属薄膜を形成する場合には、真空状態での金属の蒸着方法、有機金属化合物溶液を塗布し金属薄膜を形成する方法、ナノサイズの金属分散物を塗布した後、金属膜を形成する方法等を適宜用いることができる。工業的な生産性の観点からは、真空条件を伴わない金属薄膜の形成方法が好ましく用いられる。
【００４１】
Ｃ工程はワイヤグリッドを作製する工程である。基材に直接金属薄膜を形成する場合にはＡ工程及びＢ工程を行うことがＣ工程となる。また、基材フィルムにＡ工程及びＢ工程により微細な凹部を作製した後、Ｃ工程において上記した有機金属化合物溶液や分散物を塗布し金属を析出させることによりワイヤグリッドを作製することもできる。
【００４２】
ワイヤグリッド前駆体を塗布により作製する場合、凸部の上面にワイヤグリッドを作らず、凹部にのみワイヤグリッドを作製するためにワイヤグリッド前駆体をブレード等によりかきとることも好ましく行われる。また、凸部の表面エネルギーを調整することにより金属グリッドを凹部のみに選択的に作製することも好ましく行われる。
【実施例】
【００４３】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４４】
実施例１
〔反射型偏光子１の作製〕
基材のロール状フィルムとして、トリアセチルセルロースフィルム（コニカミノルタ社製ＫＣ８ＵＸ２ＭＷ）を使用した。
【００４５】
（基材第２層の作製）
基材のロール状フィルム上に、均一な塗布層となるように下記の塗布組成物をダイコータで塗布し、乾燥風の温度、風速を徐々に強め最終的に８５℃で乾燥し、続いて活性光線照射部より１１５ｍＪ／ｃｍ2の照度で紫外線照射し、乾燥膜厚０．５μｍの基材第２層を設けロール状基材フィルムＡを得た。
【００４６】
〈塗布組成物〉
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体                    ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体                    ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分          ２０質量部
光反応開始剤（イルガキュア１８４（チバスペシャルティケミカルズ（株）製））
４質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                            ７５質量部
メチルエチルケトン                                                ７５質量部
ロール状基材フィルムＡを基材第２層が外側となるように、曲率２００（１／ｍ）で折り返し角度９０度で搬送を行った（工程Ａ）。引き続き、延伸温度１３５℃で搬送方向に１．５倍に延伸を行った（工程Ｂ）。ベヘン酸銀のメチルエチルケトン溶液を基材に塗布し、その後、１１５ｍＪ／ｃｍ2の照度で紫外線照射し、１２０℃で６０分加熱還元反応を進行させ、ワイヤグリッドを作製した（工程Ｃ）。
【００４７】
さらに基材上に均一な塗布層となるように上記の塗布組成物をダイコータで塗布し、乾燥風の温度、風速を徐々に強め最終的に８５℃で乾燥し、続いて１１５ｍＪ／ｃｍ2の照度で紫外線照射し、乾燥膜厚で５μｍの層を設け、反射型偏光子１を得た。反射型偏光子１のワイヤグリッドのｔ（高さ）は１００ｎｍ、ｗ（幅）は９０ｎｍ、ｐ（ピッチ）は１８０ｎｍ、フィルムの長手方向とワイヤグリッドのなす角は４５度であった。
【００４８】
〔反射型偏光子２の作製〕
反射型偏光子１の作製において、Ａ工程でのフィルム曲率を３００（１／ｍ）に変更した以外は同様にして反射型偏光子２を得た。反射型偏光子２のワイヤグリッドのｔ（高さ）は２００ｎｍ、ｗ（幅）は４５ｎｍ、ｐ（ピッチ）は１００ｎｍ、フィルムの長手方向とワイヤグリッドのなす角は４５度であった。
【００４９】
〔反射型偏光子３の作製〕
反射型偏光子１の作製において、Ａ工程でのフィルム曲率を２０（１／ｍ）に変更した以外は同様にして反射型偏光子３を得た。反射型偏光子３のワイヤグリッドのｔ（高さ）は１３０ｎｍ、ｗ（幅）は７０ｎｍ、ｐ（ピッチ）は２００ｎｍ、フィルムの長手方向とワイヤグリッドのなす角は４５度であった。
【００５０】
〔反射型偏光子４の作製〕
反射型偏光子１の作製において、Ａ工程でのフィルム曲率を１５（１／ｍ）に変更し、反射型偏光子４を得ようとしたが、搬送ができず反射型偏光子４を作製できなかった。
【００５１】
〔反射型偏光子５の作製〕
反射型偏光子１の作製において、Ａ工程でのフィルム曲率を３５０（１／ｍ）に変更し反射型偏光子５を得ようとしたが、Ａ工程で微細な亀裂が作製できず反射型偏光子５を作製できなかった。
【００５２】
〔反射型偏光子６の作製〕
反射型偏光子１の作製において、Ａ工程での折り返し角度を９６度に変更した以外は同様にしてロール状反射型偏光子６を作製した。しかし、グリッドとフィルム長手方向とのなす角は５１度となり長手方向に反射型偏光子を２枚切り出しクロスニコル配置にした場合に光漏れが激しく実用に耐えなかった。
【００５３】
本発明の反射型偏光子１〜３と比較例の反射型偏光子４〜６の結果から明らかなように、Ａ工程でのフィルム曲率が２０〜３００（１／ｍ）である場合、反射型偏光子を作製することができた。また、本発明の反射型偏光子１〜３の反射率は波長５５０ｎｍの光に対してそれぞれ４３％、４２％、４０％であり、輝度向上効果が期待される。反射型偏光子の場合、Ｐ波、Ｓ波のうち片方を透過、もう一方を反射するため反射は最大で５０％である。
【００５４】
〔反射型偏光子７の作製〕
ＰＶＡフィルムを、図４の形態のテンター延伸機に（イ）の方向から導入し、（ａ）ゾーンにてバーコーターにより４０℃のヨウ素１．０ｇ／Ｌ、ヨウ化カリウム１２０．０ｇ／Ｌ、ホウ酸４０ｇ／Ｌを各々含有する水溶液を５０ｍｌ／ｍ2供給しつつ、（ｂ）ゾーンにてＰＶＡフィルムを４．５倍に延伸し、Ａｎ−Ｃｎの位置からテンターを延伸方向に対し屈曲させ、（ｃ）ゾーンにて以降幅を一定に保ち、収縮させながら７０℃雰囲気で乾燥させた後、テンターから（ロ）の方向へ離脱し、反射型偏光子７を作製した。反射型偏光子７の幅方向から３ｃｍ、カッターにて耳切りをした後、ＰＶＡ（（株）クラレ社製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤としてケン化処理したコニカミノルタ（株）社製ＫＣ８ＵＸ２ＭＷ（セルローストリアセテート）と貼り合わせ、さらに６０℃で３０分間加熱して偏光板にした。テンター出口における実質延伸方向Ａｘ−Ｃｘは、次工程へ送られるフィルムの中心線２２０に対し４５°傾斜していた。得られた偏光板の吸収軸方向は、長手方向に対し４５°傾斜していた。この偏光板の５５０ｎｍにおける反射率はほぼ０％であった。
【００５５】
〔反射型偏光子８の作製〕
反射型偏光子７の偏光板作製の際に、偏光板保護フィルムとしてコニカミノルタ社製ＫＣ８ＵＸ２ＭＷ（セルロースアセテート）を使用する代わりに、片側を反射型偏光子１を用いて反射型偏光子８を作製した。貼合の際にはＰＶＡ偏光子の透過軸と反射型偏光子８の透過軸が平行となるように配置を行った。得られた反射型偏光子８は反射型偏光子１と同様に４３％の反射率を示した。
【００５６】
反射型偏光子８と反射型偏光子７で作製した吸収型偏光子をキセノンロングライフウェザーメーターで照度７万ルクス、６０℃、８０％ＲＨ下で１０００時間放置し耐久性試験を行った。その結果、反射型偏光子８の反射型偏光子には変化がなかったが、反射型偏光子７の吸収型偏光子は色抜けが発生した。このことから、本発明の反射型偏光子８は耐久性が向上していることが確認できた。
【００５７】
実施例２
実施例１で作製した反射型偏光子１〜３、６〜８を幅方向から３ｃｍ、カッターにて耳切りをした後、ＰＶＡ（（株）クラレ社製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤としてケン化処理したコニカミノルタ（株）社製ＫＣ８ＵＸ２ＭＷ（セルローストリアセテート）と貼り合わせ、さらに６０℃で３０分間加熱して、それぞれ偏光板１〜３、６〜８を作製した。
【００５８】
市販の液晶表示パネル（ＮＥＣ製  カラー液晶ディスプレイ  ＭｕｌｔｉＳｙｎｃ  ＬＣＤ１５２５Ｊ：型名  ＬＡ−１５２９ＨＭ）の最表面の偏光板を注意深く剥離し、ここに偏光方向を合わせて偏光板１〜３、６〜８を張り付け、それぞれ液晶表示装置１〜３、６〜８を作製した。
【００５９】
本発明に係る偏光板１〜３、８を取り付けた液晶表示装置１〜３、８は、比較の偏光板６を取り付けた液晶表示装置７よりコントラストが高く、視認性がよく、比較の偏光板７を取り付けた液晶表示装置７より輝度が高かった。
【００６０】
これは、本発明に係る偏光板１〜３、８の偏光子の偏光分離能が高いためコントラストが高く、かつ液晶バックライトからの光のうち、液晶バックライト側に反射され液晶バックライト側に戻った光は偏光状態が解消された状態で再び反射型偏光子へ戻ってくるため、輝度の高い液晶表示装置が得られたものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】一般的なワイヤグリッド偏光子の模式図である。
【図２】本発明の反射型偏光子の３つの形態を示す図である。
【図３】フィルム搬送終了直後の平面を基準とした上面図である。
【図４】テンター延伸機の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６２】
１００  ワイヤグリッド偏光子
１１０  ワイヤグリッド
１２０  基板
１２１  第２の基材
１２２  第３の基材
２２０  次工程へ送られるフィルムの中心線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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