(57)【要約】【課題】プローブ支持基板へのプローブの装着を容易に行なえるプローブ保持構造を得ること。【解決手段】プローブカード１００に設けられ、バネ部と該バネ部より細径で該バネ部の一端から直線状に延びる針部とを有する導電性のバネ型プローブ１を保持するプローブ保持構造であって、プローブカード１００側に配置されるインタポーザ４０と、インタポーザ４０に主面を対向させて測定対象物側に配置されるプローブ支持基板２０とを有し、インタポーザ４０にはバネ型プローブ１とプローブカード１００とを電気的に接続する導電路４１が設けられており、プローブ支持基板２０には主面に直交する貫通穴が形成されており、プローブ支持基板２０及びインタポーザ４０は、貫通穴に針部を貫通させるとともにバネ部の後端を配線手段に接触させて両基板間にバネ部を縮めた状態に挟んで保持する。【選択図】        図１
2007171139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブカードに設けられ、バネ部と該バネ部より細径で該バネ部の一端から直線状に延びる針部とを有する導電性のバネ型プローブを保持するプローブ保持構造であって、
プローブカード側に配置される第２基板と、該第２基板に主面を対向させて測定対象物側に配置される第１基板とを有し、
前記第２基板には前記バネ型プローブと前記プローブカードとを電気的に接続する導電路が設けられており、前記第１基板には主面に直交する貫通穴が形成されており、
前記第１基板及び前記第２基板は、前記貫通穴に前記針部を貫通させるとともに前記バネ部の後端を前記配線手段に接触させて両基板間に前記バネ部を縮めた状態に挟んで保持する
ことを特徴とするプローブカードのプローブ保持構造。
【請求項２】
前記第１基板は、前記第２基板との対向面に形成された収納凹部を有し、前記貫通穴は前記収納凹部の底面に開口するように形成されており、
前記収納凹部は、前記バネ部の前記針部側の端を前記凹部の底面に当接させるとともに同側の少なくとも端部を収納する
ことを特徴とする請求項１に記載のプローブカードのプローブ保持構造。
【請求項３】
前記第１基板は、前記第２基板に対して接離可能とされている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブカードのプローブ保持構造。
【請求項４】
前記導電路は、前記第２基板に形成された第２の貫通穴の開口縁部から内壁面に沿って形成された導電配線層で構成され、
前記バネ型プローブは、前記バネ部の後端に設けられ前記第２の貫通穴に係合する係合凸部を有する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のプローブカードのプローブ保持構造。
【請求項５】
プローブカードに設けられ、プローブカード側に配置される第２基板と、該第２基板に主面を対向させて測定対象物側に配置される第１基板とを含み、前記第２基板にはプローブカード側に延びる導電路が設けられており、前記第１基板には主面に直交する貫通穴が形成されているプローブ保持構造の前記第１、第２基板に夾まれて保持される導電性材料で作製されたプローブであって、
弾性を有し後端を前記第２基板の前記導電路に接触させ前端を前記第１基板に当接させて両基板間に縮められて保持されるバネ部と、
前記バネ部の一端から延び、前記第１基板に形成された前記貫通穴を貫通し、測定対象物を測定する際に先端が測定対象物の電極に押し当てられる針部と、
を有することを特徴とするバネ型プローブ。
【請求項６】
前記導電路は、前記第２基板に形成された第２の貫通穴の開口縁部から内壁面に沿って形成された導電配線層で構成され、
前記バネ部の後端に設けられ前記第２の貫通穴に係合する係合凸部をさらに有する
ことを特徴とする請求項５に記載のバネ型プローブ。
【請求項７】
前記バネ部の一端に設けられ主面を前記収納凹部の底面に当接させる第１係止部と、前記バネ部の他端に設けられ主面を前記第２基板に当接させる前記第２係止部とをさらに有する
ことを特徴とする請求項５または６記載のバネ型プローブ。
【請求項８】
前記バネ部は、板が複数回折り曲げられたような断面ジグザグ状をなす
ことを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載のバネ型プローブ。
【請求項９】
前記バネ部、前記針部、前記係合凸部、前記第１の係止部および前記第２の係止部は、半導体製造工程に用いられるリソグラフィにより形付けられ、導電性金属のメッキ成長により所定の厚さとされて一体に作製されている
ことを特徴とする請求項７に記載のバネ型プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードのプローブ保持構造およびバネ型プローブに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の微細化に伴い、半導体集積回路装置が備えるボンディング・パッド（チップ周辺部に設けられた電気特性の測定等を行なうための金属電極）の微細化、高集積化が進んでいる。このため、ウエハ上に形成された半導体集積回路装置の電気特性等の測定を行なうプローブカードの構造にも微細化が要求されている。
【０００３】
一般に、半導体ウエハ上の半導体集積回路装置の電気特性等を測定する際には、各半導体集積回路装置に形成されたボンディング・パッドに、プローブカードが備える複数本の探針（プローブ）をそれぞれ接触させ、この探針を介して半導体集積回路装置に所定の電圧（電流）等を印加している。このため、プローブカードの構造を微細化するためには、ボンディング・パッドに接触するプローブ自体やプローブを配置する間隔を微細化（高集積化）する必要がある。
【０００４】
また、プローブカードは多数の半導体集積回路装置を測定する必要があるため、プローブはボンディング・パッドと多数回に渡って接触する。このため、多数回に渡って半導体集積回路装置を測定することが可能な程度の強度で、各プローブをプローブカードと接続しておかなければならない。また、プローブカードによって半導体集積回路装置を測定する際には、ボンディング・パッドに損傷を与えない程度の所定の圧力でプローブがボンディング・パッドを押圧する必要がある。ところで、プローブカードは複数のプローブを備えることが必要であり、各プローブを容易かつ迅速にプローブ支持基板と接続してプローブカードを作製、修理することが望まれている。
【０００５】
特許文献１に記載のプローブカードは、先端の接触部が半導体集積回路の電極に接触すると座屈する座屈部を有する複数本のプローブと、プローブが接続される配線パターンが設けられた基板とを備えている。プローブは横断面が略円形で、座屈部が接触部を除く他の部分より細く形成されており、接触部と座屈部とは一直線状に形成されており、基板にはプローブが貫通する貫通孔が開設されている。プローブは接続パターンに接続される後端の接続部を有し、接続部は、座屈部、接触部から一直線状に延設される垂直部と、垂直部に対して略直交方向に折曲された水平部とを有し、垂直部が貫通孔を貫通し、水平部において配線パターンに接続されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２１８２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のプローブカードは、座屈部、接触部から一直線状に延設される垂直部に対して略直交方向に折曲された水平部を有し、水平部において配線パターンに接続されているので、プローブの水平部と配線パターンとの接続である半田を外すことによって、基板のプローブを垂直部方向から引き抜くことを可能としている。しかしながら、特許文献１に記載のプローブカードでは、プローブと基板を接続させる際に、プローブと基板を半田によって接合しなければならず、プローブカードの作製が困難であるといった問題があった。また、プローブを基板から外す際に、プローブと基板を接合している半田を除去しなければならず、プローブを修理する際のプローブの引き抜きに手間がかかるといった問題があった。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、プローブ支持基板へのプローブの装着を容易に行なえるプローブ保持構造およびバネ型プローブを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、プローブカードに設けられ、バネ部と該バネ部より細径で該バネ部の一端から直線状に延びる針部とを有する導電性のバネ型プローブを保持するプローブ保持構造であって、プローブカード側に配置される第２基板と、該第２基板に主面を対向させて測定対象物側に配置される第１基板とを有し、前記第２基板には前記バネ型プローブと前記プローブカードとを電気的に接続する導電路が設けられており、前記第１基板には主面に直交する貫通穴が形成されており、前記第１基板及び前記第２基板は、前記貫通穴に前記針部を貫通させるとともに前記バネ部の後端を前記配線手段に接触させて両基板間に前記バネ部を縮めた状態に挟んで保持することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明にかかるプローブ保持構造は、バネ型プローブを基板間にバネ部を縮めた状態に挟んで保持するので、簡易な構成で容易にバネ型プローブを基板間に固定させることが可能となり、プローブカードを容易に作製できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかるプローブ保持構造およびバネ型プローブの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
実施の形態１．
（プローブカードの構成）
図１は、本発明にかかるプローブカードの構成を説明するための図である。ここでは、プローブカード１００の断面（プローブカード１００の主面と垂直な平面で切断した場合の断面）およびウエハ３０の断面（ウエハ３０の主面と垂直な平面で切断した場合の断面）を示している。
【００１３】
プローブカード１００は、ウエハ３０上に形成された半導体集積回路装置の電気特性を測定するための試験治具（検査装置）であり、インタポーザ４０（第２基板）、プローブ支持基板２０（第１基板）、複数のプローブ（バネ型プロービングチップ）１、図示しないプリント基板（メインプローブカード）等を備えている。
【００１４】
ここでのウエハ３０は、例えば半導体シリコンウエハであり、半導体集積回路を構成する回路部３３、回路部３３を接続する配線部３２、配線部３２上に形成され外部装置（プローブ１）等と電気的に接続するための複数の電極部３１を含んで構成されている。
【００１５】
電極部３１は、半導体集積回路装置をＩＣ（Integrated Circuit）チップとして実装する際に、リードフレーム側のリード電極と接続されるボンディングパッド（ＢＧＡ（Ball Grid Array）等）である。ここでは、プローブカード１００によってウエハ３０上に形成された半導体集積回路装置の電気特性を測定する際に、電極部３１とプローブ１が接触し、プローブカード１００とウエハ３０が電気的に接続する。
【００１６】
プローブカード１００のプローブ支持基板２０には、複数のプローブ１が装着され、このプローブ１を介してプローブカード１００とウエハ３０が接続する。プローブ支持基板２０は、シリコン基板等の半導体層５９、半導体層５９を被覆する被覆絶縁膜２４を備えており、プローブ１がプローブ支持基板２０と接触した場合であっても、プローブ１とプローブ支持基板２０（半導体層５９）が電気的に接続しないよう各プローブ１がプローブ支持基板２０に装着される。
【００１７】
プローブカード１００のインタポーザ４０は、プローブ支持基板２０に形成される配線（プローブ１の配置間隔）と、プリント基板に形成される配線の配線ピッチを変換するための基板である。本実施の形態１でのインタポーザ４０は、プローブ支持基板２０と接合してプローブ１を挟み込むことによって、プローブ１をプローブ支持基板２０とインタポーザ４０の間に固定している。
【００１８】
インタポーザ４０は、例えば応力を吸収するための複数からなるスプリングピンを介してプリント基板と物理的に接続される。インタポーザ４０は、セラミック等の絶縁層４９、酸化膜等の絶縁層４２、配線層４１を備えており、この配線層４１とプローブ１が電気的に接続さている。すなわち、プローブ１とプリント基板は、配線層４１を介して電気的に接続されている。
【００１９】
プローブ（バネ型プローブ）１は、ウエハ３０の電気特性を測定するための探針であり、フォトリソグラフィ技術等のリソグラフィ技術を用いた半導体製造工程（ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術）等を用いて作製される。プローブ１は、例えば、リソグラフィにより形付けられ、導電性金属のメッキ成長により所定の厚さとされて一体に作製される。本実施の形態１のプローブ１は、垂直型プローブカード（座屈応力の原理で働く端子構造を持つコブラプローブ）に適用されるものであり、プローブ支持基板２０の主面に対して垂直方向に装着される。
【００２０】
なお、ここでは図示していないが、インタポーザ４０と接続するプリント基板が所定の測定機器（外部配線層）等と接続し、測定機器がプローブカード１００（プリント基板、インタポーザ４０、プローブ支持基板２０（プローブ１））を介してウエハ３０上の半導体集積回路装置を測定する。
【００２１】
本実施の形態１においては、説明の便宜上、プローブカード１００のプローブ支持基板２０側（ウエハ３０の測定側）を下面（前方向）とし、プローブカード１００のインタポーザ４０側を上面（後方向）として説明する。
【００２２】
（プローブの構成（１））
つぎに、実施の形態１にかかるプローブ１の構成について説明する。図２−１は実施の形態１にかかるプローブの構成を示す斜視図であり、図２−２は実施の形態１にかかるプローブの構成を示す上面図である。
【００２３】
本実施の形態１のプローブ１は、複数個がプローブ支持基板２０に櫛歯状に固定されて被測定物である電極部３１に押し当てられて使用されるフラットタイプのプローブである。プローブ１は、ＭＥＭＳ技術等により所定の厚さ方向にメッキ成長させて一体に成形されている。プローブ１は、下方向抜け止め部２、ピン部３、上方向抜け止め部４、バネ部５で構成されている。
【００２４】
下方向抜け止め部（第１係止部）２は、プローブ支持基板２０の挿入穴（貫通穴）である取り付け部（後述する取り付け部２５）よりも広い幅（大きな面）で構成され、プローブ支持基板２０の下面方向（ウエハ３０の測定側）への脱落を防止するとともに、ピン部３が所定の長さ以上プローブ支持基板２０の下面方向へ突出しないよう制限する。すなわち、下方向抜け止め部２は、プローブ１がプローブ支持基板２０に装着された際に、底面接触部２ａ，２ａ（下方向抜け止め部２の裏面でピン部３が配設される以外の面）とプローブ支持基板２０の挿入穴（後述する取り付け部２６）の底面を接触させることによって、プローブ支持基板２０の下面方向へのプローブ１の脱落防止とピン部３の突出制限を行なっている。
【００２５】
ピン部３は、設計及び製作が容易なように直線状とされ、下方向抜け止め部２の底面接触部２ａ側のほぼ中央から被測定物方向である前方に延びて被測定物（電極部３１）と接触する。ピン部３は、下方向抜け止め部２（底面接触部２ａ側）からまっすぐ延びた方向の自由端側に電極部３１と接触する接触部７を含んでいる。ピン部３は、バネ部５よりも細径に構成されている。
【００２６】
接触部７は、被測定物である電極部３１（ウエハ３０）に押し当てられた際に、先端部７ａが微少な接触面にて当接するように略三角柱状を成している。この三角柱においては、三角柱が有する上面および底面が接触部７の上面および下面に対応し、三角柱の有する１つの側面（矩形）が接触部７の側面と当接した状態で配設されている。すなわち、プローブ１によってウエハ３０を測定する際には、接触部７の側面と当接する三角柱の側面と反対側の辺（二つの側面（先端部７ａ））が電極部３１に押し当てられることとなる。
【００２７】
バネ部５は、柔軟性を持つように薄肉に形成され、下方向抜け止め部２の後端面（ピン部３と反対側）の端部から後方（ウエハ３０の測定側と反対側）に蛇行するように延びている。換言すると、バネ部５は、板が複数回折り曲げられたような断面ジグザグ状をなしている。バネ部５の自由端側（後方）にはインタポーザ４０と接触する上方向抜け止め部４が設けられている。
【００２８】
バネ部５は、予め設定された力でピン部３の延びる方向とは逆の方向へ所定量縮むように、所定の長さで所定の幅とされている。すなわち、バネ部５はプローブ１の先端部７ａが電極部３１と接触してピン部３がプローブ支持基板２０の上面側に押し上げられた際に、所定長だけ縮むことによって先端部７ａが電極部３１に与える圧力を緩和する押しバネ形状（復元力）を有している。
【００２９】
また、バネ部５は、プローブ支持基板２０の取り付け部（収納凹部）２６に取り付けられてプローブ支持基板２０とインタポーザ４０によって固定された際に、上方向抜け止め部４がインタポーザ４０と接触するとともに下方向抜け止め部２の底面接触部２ａがプローブ支持基板２０の取り付け部２６の底面に接触する。
【００３０】
バネ部５は、プローブ支持基板２０とインタポーザ４０によって固定される際に、バネ部５の縮設方向に押し縮められようにして挿入され、挿入された後は、自らの復元力により下方向抜け止め部２（底面接触部２ａ）によって挿入穴の底面を押圧するとともに上方向抜け止め部４によってインタポーザ４０の下面側を押圧する。これによって、バネ部５がプローブ支持基板２０とインタポーザ４０の間で、固定されるとともに、プローブ１の脱落を防止している。
【００３１】
上方向抜け止め部（第２係止部、係合凸部）４は、インタポーザ４０に押し当てられた際に、先端部４ａ，４ａの２点によってインタポーザ４０の配線層４１と当接するとともに、インタポーザ４０の下面側に配設された配線層４１との位置ズレ（プローブ支持基板２０（インタポーザ４０）に対するプローブ１の左右方向（主面と平行な方向）の位置ズレ）を防止するため、例えば略三角柱状の凸部（インタポーザ４０と係合する係合凸部）を成している。
【００３２】
この三角柱においては、三角柱が有する上面および底面が上方向抜け止め部４の上面および下面に対応し、三角柱の有する１つの側面（矩形）が上方向抜け止め部４の側面と当接した状態で配設されている。すなわち、上方向抜け止め部４がインタポーザ４０に押し当てられた際には、上方向抜け止め部４の側面と当接する三角柱の側面と反対側の辺（二つの側面（先端部４ａ））が配線層４１に押し当てられることとなる。
【００３３】
なお、バネ部５は、下方向抜け止め部２の後端面の端部から後方に蛇行するように延びるよう構成する場合に限られず、下方向抜け止め部２の中央部から後方に蛇行するように延びるよう構成してもよい。
【００３４】
（プローブ支持基板の構成）
つぎに、プローブ支持基板２０の構成について説明する。図３は、プローブ支持基板の構成を示す断面図である。プローブ支持基板２０は、プローブ１が取り付けられる下面側に、ピン部３の一部を格納してプローブ１の左右方向（ピン部３の延びる方向（長手方向）と垂直な平面）での位置ずれを防止するための概略直方体状の取り付け部（ピン部３の幅よりも大きな溝）２５を有している。プローブ１がプローブ支持基板２０に取り付けられる際には、この取り付け部２５の両側面とプローブ１のピン部３が接触しないように取り付けられる。
【００３５】
また、取り付け部２５の幅（プローブ支持基板２０の主面と平行な方向の幅（縦幅と横幅））は、ピン部３が挿入された場合にピン部３との間に所定の遊び寸法を有する寸法幅となっている。これにより、ピン部３が電極部３１に押し当てられた際に、ピン部３がプローブ支持基板２０の主面と平行な方向にずれた場合であっても、取り付け部２５がピン部３のガイドとして機能し、ピン部３のずれを抑制することが可能となる。
【００３６】
さらに、プローブ支持基板２０は、プローブ１が取り付けられる下面と反対側の上面に、プローブ１のバネ部５を挿入するための概略直方体状の取り付け部２６（バネ部５の幅よりも大きな溝）を有している。プローブ１がプローブ支持基板２０の取り付け部２６に取り付けられる際には、この取り付け部２６（挿入穴）の底面８３とプローブ１の底面接触部２ａが接触するように取り付けられる。
【００３７】
取り付け部２６の深さ方向の寸法は、バネ部５全体を収納可能な寸法となっている。これにより、バネ部５が押し縮められて挿入された場合やプローブ１が電極部３１と接触してバネ部５がさらに押し縮められた場合であっても、押し縮めによって変形するバネ部５の変形量を所定値に抑制することが可能となる。
【００３８】
また、取り付け部２６の幅は、バネ部５が挿入された場合にバネ部５との間に所定の遊び寸法を有する寸法幅としてもよい。これにより、バネ部５が押し縮められて挿入された場合やプローブ１が電極部３１と接触してバネ部５がさらに押し縮められた場合であっても、押し縮めによって深さ方向と略垂直な面内方向に変形するバネ部５の変形量を所定値内に抑制することが可能となる。
【００３９】
さらに、プローブ支持基板２０が複数備える各取り付け部２６は、それぞれ深さ方向の寸法を一定寸法としている。これにより、バネ部５の長手方向の寸法が作製上バラツキを有している場合であっても、プローブ支持基板２０の下面側へ延びるピン部３の寸法が略一定の寸法となる。したがって、ピン部３を電極部３１に接触させる際に、各ピン部３は略一定の押圧で電極部３１を押圧することが可能となる。
【００４０】
プローブ支持基板２０は、シリコン基板２２Ｔ，２２Ｂ、絶縁酸化膜２３、被覆絶縁膜２４を備えている。シリコン基板２２Ｔはプローブ支持基板２０の上面側に配置され、シリコン基板２２Ｂはプローブ支持基板２０の下面側に配置されている。
【００４１】
絶縁酸化膜２３は、シリコンを酸化させたシリコン酸化膜であり、シリコン基板２２Ｔとシリコン基板２２Ｂの間に配置されている。これらのシリコン基板２２Ｔ、絶縁酸化膜２３、シリコン基板２２Ｂによって、プローブ支持基板２０はＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造を構成している。
【００４２】
被覆絶縁膜２４は、シリコン基板２２Ｔ，２２Ｂ等とプローブ１とを絶縁するためのシリコン酸化膜であり、例えばＳＯＩ（シリコン基板２２Ｔ，２２Ｂ）を熱酸化することによって形成する。この被覆絶縁膜２４は、プローブ支持基板２０の全表面を被覆しており、取り付け部２５，２６の側面（内壁）部分も被覆絶縁膜２４によって被覆されている。
【００４３】
（インタポーザの構成）
つぎに、インタポーザ４０の構成について説明する。インタポーザ４０は、プローブ１が取り付けられる下面側に、上方向抜け止め部４と接続してプローブ１の左右方向（ピン部３の延びる方向（長手方向）と垂直な平面）での位置ずれを防止するための概略直方体状の取り付け部（貫通穴）を有している。
【００４４】
（プローブの製造方法（１））
つぎに、本実施の形態１にかかるプローブ１の製造方法（１）について図４〜図９に示す図面を用いて説明する。図４〜図９は、実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図である。
【００４５】
まず、図４に示すように酸化膜等の犠牲層５１を例えばＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法やスピンポリマーコーティングによりシリコン基板５０の表面（積層方向の上面）全体に成膜する。ここでの犠牲層５１は、シリコン基板５０上にプローブ１を生成した後、シリコン基板５０からプローブ１を分離する際に除去されるものである。
【００４６】
つぎに、図５に示すように銅（Ｃｕ）等の種層５２を、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、無電解メッキ法等によって犠牲層５１の表面（積層方向の上面）全体に成膜する。ここでの、種層５２はプローブ１を構成する導電物質をメッキ方法によって生成する際に種となる層である。
【００４７】
つぎに、種層５２の表面全体にレジスト（フォトレジスト）５３Ｐ（感光材料）を塗布し、写真製版技術（フォトリソグラフィー）（露光、現像）を用いて、レジスト５３Ｐのパターニングを行なう。これにより、図６に示すように所望の部位のみにおいて種層５２の表面が現れる。ここでは、種層５２の表面の現れているパターンがプローブ１の形状（図２−２に示すプローブ１の上面形状）に対応するようレジスト５３Ｐのパターニングを行なっておく。すなわち、ここでのレジスト５３Ｐのパターンは、種層５２上でプローブ１を形成させない領域に対応する。
【００４８】
そして、図７に示すようにシリコン基板５０の積層方向の上面から電解メッキ処理（ニッケル（Ｎｉ）メッキ等）を行ない、所定のメッキ層５４を形成する。このメッキ処理によって形成される部分（メッキ層５４）がプローブ１となる。したがって、プローブ１の上面が図２−２に示す平面を有した平板であるとすると、図７に示すメッキ層５４の積層方向（メッキ成長方向）の厚さがプローブ１の厚さとなる。すなわち、図７に示すメッキ層５４は、プローブ１の側面（プローブ１の長手方向（接触部７の上面と上方向抜け止め部４の上面を結ぶ線）を軸として切断した場合の断面形状）を示している。
【００４９】
この後、図８に示すようにレジスト５３Ｐを除去し、図９に示すように種層５２、犠牲層５１を除去する。ここでの種層５２、犠牲層５１の除去は例えばプラズマエッチング、化学エッチングによって行なう。これにより、メッキ層５４で形成されたプローブ１とシリコン基板５０とが分離されることとなる。
【００５０】
このように、本実施の形態１においては、シリコン基板５０に対して、写真製版技術を用いてプローブ１を形成するためのパターニングを行なった後、メッキ処理によってメッキ層５４（プローブ１）を形成するので、一度に多数のプローブ１を製造することが可能となる。
【００５１】
（プローブ支持基板の製造方法）
つぎに、本実施の形態１にかかるプローブ支持基板２０の製造方法について図１０〜図１５に示す図面を用いて説明する。図１０〜図１５は、実施の形態１にかかるプローブ支持基板２０の製造方法を説明するための断面図である。
【００５２】
本実施の形態１においては、プローブ支持基板２０を図１０に示すＳＯＩウエハ６９を用いて作製する。ここでのＳＯＩウエハ６９は、シリコン層６０Ｔ、絶縁酸化膜層６１、シリコン層６０Ｂを有しており、それぞれ図３に示したシリコン基板２２Ｔ、絶縁酸化膜２３、シリコン基板２２Ｂに対応している。
【００５３】
まず、図３に示した取り付け部２６を作製するため、ＳＯＩウエハ６９の上面部（シリコン層６０Ｔ）全体にレジスト６２Ｐを塗布し、写真製版技術を用いて、レジスト６２Ｐのパターニングを行なう。これにより、図１１に示すように所望の部位のみにおいてシリコン層６０Ｔの表面が現れる。ここでは、シリコン層６０Ｔの表面の現れているパターンがプローブ１の取り付け部２６の形状（前端面）に対応するようレジスト６２Ｐのパターニングを行なっておく。
【００５４】
この後、図１２に示すようにＳＯＩウエハ６９の上面側からエッチングを行い、シリコン層６０Ｔをエッチングする。このとき、シリコン層６０Ｔのエッチングは絶縁酸化膜層６１の析出する位置で終了する。これにより、絶縁酸化膜層６１の位置でシリコン層６０Ｔのエッチングを停止させることができ、ＳＯＩウエハ６９面内において均一な形状（正確な深さ）のエッチングを行なうことが可能となる。ここでのシリコン層６０Ｔ（絶縁酸化膜層６１）のエッチング深さはＳＯＩウエハ６９の面内で５％以下の誤差であることが望ましい。シリコン層６０Ｔをエッチングした後、レジスト６２Ｐを除去することによって図３に示した取り付け部２６がＳＯＩウエハ６９に形成される。
【００５５】
つぎに、図３に示した取り付け部２５を作製するため、ＳＯＩウエハ６９の下面部（シリコン層６０Ｂ）全体にレジスト６３Ｐを塗布し、写真製版技術を用いて、レジスト６３Ｐのパターニングを行なう。これにより、図１３に示すように所望の部位のみにおいてシリコン層６０Ｂの表面が現れる。ここでは、シリコン層６０Ｂの表面の現れているパターンがプローブ１の取り付け部２５の形状（前端面）に対応するようレジスト６３Ｐのパターニングを行なっておく。
【００５６】
この後、図１４に示すようにＳＯＩウエハ６９の下面側からエッチングを行い、シリコン層６０Ｂをエッチングする。このとき、シリコン層６０Ｂのエッチングとともに絶縁酸化膜２３をエッチングする。シリコン層６０Ｂをエッチングした後、レジスト６３Ｐを除去することによって図３に示した取り付け部２５がＳＯＩウエハ６９に形成される。
【００５７】
つぎに、取り付け部２５，２６の形成されたＳＯＩウエハ６９を熱酸化し、絶縁膜層６４（図３に示した被覆絶縁膜２４に対応）を形成する。この絶縁膜層６４は、図１５に示すようにＳＯＩウエハ６９の全表面を被覆しており、取り付け部２５，２６となる部分の側面部分（内壁）も被覆される。これにより、本実施の形態１にかかるプローブ支持基板２０が形成される。
【００５８】
なお、ここではプローブ支持基板２０の取り付け部２５となる挿入穴を形成した後、取り付け部２６となる挿入穴（内壁面８４）を形成することとしたが、取り付け部２６となる挿入穴を形成した後に取り付け部２５となる挿入穴を形成してもよい。
【００５９】
また、取り付け部２５，２６となる挿入穴を形成する場合、先に形成する挿入穴をエッチングする際に絶縁酸化膜２３の手前でエッチングを停止させ、後に形成する挿入穴をエッチングする際に絶縁酸化膜２３をエッチングすることとしてもよいし、先に形成する挿入穴をエッチングする際に絶縁酸化膜２３の全てをエッチングした位置でエッチングを停止させてもよい。
【００６０】
ここで、プローブ支持基板２０へのプローブ１の取り付け処理、プローブ１によるウエハ３０の測定処理、プローブ１のプローブ支持基板２０からの取り外し処理について説明する。
【００６１】
（プローブの取り付け）
図１６は、プローブ１のプローブ支持基板２０への取り付けを説明するための図である。図１５に示したプローブ支持基板２０に対して、図２−１等に示したプローブ１を取り付ける際には、プローブ支持基板２０の上面側からプローブ１（接触部７側）を挿入する。プローブ１の接触部７は、プローブ支持基板２０の取り付け部２６、取り付け部２５を通過し、ピン部３の中間部から端部（下方向抜け止め部２側）にかけての部分が取り付け部２５に挿入される。また、バネ部５は、取り付け部２６に挿入される。このとき、下方向抜け止め部２（底面接触部２ａ側）は、取り付け部２６の底面に接触し、プローブ１の下方向への脱落を防止する。
【００６２】
この後、プローブ支持基板２０とインタポーザ４０を接合させる。プローブ支持基板２０とインタポーザ４０を接合させる際には、プローブ支持基板２０が有する所定の挿入穴の例えば下面側から上面側（上面側から下面側）へ所定の連結部９２（ボルト等）を差し込む。この連結部９２は、インタポーザ４０が有する所定の挿入穴まで到達し、インタポーザ４０内で半田９１等の接着材料によってインタポーザ４０に固定される。
【００６３】
このとき、プローブ支持基板２０とインタポーザ４０との間の距離が接合面内で一定の距離になるようプローブ支持基板２０とインタポーザ４０を接合する。これにより、バネ部５に寸法バラツキがある場合、バネ部５の寸法バラツキを吸収してプローブ１をプローブ支持基板２０とインタポーザ４０との間に取り付けることが可能となる。
【００６４】
なお、取り付け部２５，２６は、プローブ支持基板２０の主面内の中心近傍に配置されるのに対し、連結部９２を挿入するプローブ支持基板２０内の挿入穴（貫通孔）は、プローブ支持基板２０の主面内の周縁部等に複数配置される。この連結部９２を挿入するプローブ支持基板２０内の挿入穴やインタポーザ４０の挿入穴は、取り付け部２５，２６を作製する際に、取り付け部２５，２６と同時に作製しておく。
【００６５】
プローブ支持基板２０とインタポーザ４０が接合されると、インタポーザ４０に形成された下面側から上面側に貫通する貫通孔近傍の壁面（下面）によって、プローブ１の先端部４ａを前方に押圧する。ここでのインタポーザ４０の貫通孔は、上方向抜け止め部４の幅（先端部４ａ，４ａの幅）よりも小さい幅で構成されており、バネ部５が貫通孔内に挿入されないよう構成されている。
【００６６】
バネ部５は、接触部７が電極部３１に押し当てられた際に、予め設定された力で所定量撓める程度に取り付け部２６取り付けられている。バネ部５は、プローブ支持基板２０の取り付け部２６に取り付けられてプローブ支持基板２０とインタポーザ４０によって固定された際に、上方向抜け止め部４がインタポーザ４０と接触するとともに下方向抜け止め部２の底面接触部２ａがプローブ支持基板２０の取り付け部２６の底面に接触する。そして、バネ部５は、プローブ支持基板２０とインタポーザ４０によって固定される際に、バネ部５の縮設方向に押し縮められようにして挿入され、挿入された後は、自らの復元力により下方向抜け止め部２（底面接触部２ａ）によって挿入穴の底面を押圧するとともに上方向抜け止め部４によってインタポーザ４０の下面側を押圧する。これによって、バネ部５がプローブ支持基板２０とインタポーザ４０の間で、固定されるとともに、プローブ１の脱落を防止している。これにより、プローブ１のバネ部５が所定の長さだけ縮んだ状態で取り付け部２５に縮設されるとともに、プローブ１の上方向へ抜けを防止する。
【００６７】
このように、本実施の形態１においては、プローブ１の取り付けを、プローブ支持基板２０の取り付け部２５，２６に挿入しプローブ支持基板２０とインタポーザ４０によって挟み込むことによって行なっているので、プローブカード１００へのプローブ１の取り付けを容易に行なえる。
【００６８】
また、上方向抜け止め部４は、略三角柱状を成しているため、上方向抜け止め部４がインタポーザ４０に押し当てられることによって、プローブ支持基板２０に対するプローブ１の左右方向の位置ズレを防止することが可能となる。
【００６９】
なお、ここではインタポーザ４０の貫通孔が上方向抜け止め部４の幅（先端部４ａ，４ａの幅）よりも小さい幅で構成されている場合について説明したが、インタポーザ４０の貫通孔が上方向抜け止め部４より大きい構成としてもよい。この場合、インタポーザ４０は、バネ部５の上面側端部と当接してバネ部５を下方向へ押圧する。
【００７０】
（プローブによる測定）
プローブ１が挿入されたプローブカード１００によって、ウエハ３０を測定する際には、各プローブ１の接触部７（先端部７ａ）をウエハ３０の電極部３１に押し当てる。このとき、バネ部５は所定量縮み所定の圧力で各先端部７ａが電極部３１を押圧する。これにより、プローブカード１００によってウエハ３０を測定する際の電極部３１やプローブ１の損傷を低減させることが可能となる。
【００７１】
（プローブの取り外し）
プローブ１の磨耗や損傷等によって、プローブ１をプローブ支持基板２０から取り外す際には、プローブ支持基板２０、インタポーザ４０を接合する半田９１、連結部９２を取り外し、プローブ支持基板２０からインタポーザ４０を取り外す。そして、プローブ支持基板２０の上面側からプローブ１を引き抜く。このとき、プローブ１とプローブ支持基板２０は半田等によって接着されていないため、プローブ１をプローブ支持基板２０から容易に取り外すことができる。
【００７２】
（バネ部の他の構成例）
つぎに、バネ部５の他の構成例について説明する。図１７は、バネ部５の他の構成例を説明するための斜視図である。図１７に示すプローブ１のバネ部５は、図２−１および図２−２に示したバネ部５と同様に、柔軟性を持つように薄肉に形成され、下方向抜け止め部２の後端面（ピン部３と反対側）の端部から後方（ウエハ３０の測定側と反対側）に配設された環状（円環状）の環状部５ｒ，５ｒを備えている。この環状部５ｒの１つの半径方向とピン部３の延びる方向が一致するよう環状部５ｒとピン部３は同一面内で接続されている。
【００７３】
また、ここでのバネ部５も予め設定された力でピン部３の延びる方向とは逆の方向へ所定量縮むように、所定の長さで所定の幅とされている。すなわち、バネ部５はプローブ１の先端部７ａが電極部３１と接触してピン部３がプローブ支持基板２０の上面側に押し上げられた際に、所定長だけ縮むことによって先端部７ａが電極部３１に与える圧力を緩和する押しバネ形状を有している。なお、図１７ではバネ部５の環状部５ｒが２つである場合を示しているが、環状部５ｒは１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
【００７４】
また、本実施の形態１においては、プローブ１をニッケルによって作製することとしたが、プローブ１はニッケル以外の材料によって作製してもよい。例えば、プローブ１を白金で作製してもよいし、ニッケル−クロムの合金によって作製してもよい。さらに、作製したプローブ１に対して所定のメッキ（金メッキ、銀メッキ、銅メッキ、白金メッキ等）を行なうこととしてもよい。
【００７５】
また、本実施の形態１ではプローブ支持基板２０をＳＯＩウエハ６９を用いて作製したが、プローブ支持基板２０はＳＯＩウエハ６９以外のシリコン系半導体等を用いて作製してもよい。例えば、プローブ支持基板２０を１枚のシリコンウエハを用いて作製してもよいし、２枚のシリコンウエハを重ね合わせ、重ね合わせた接続面（シリコンウエハの中間部）にシリコン酸化膜を有するウエハによって作製してもよい。また、プローブ支持基板２０を、積層方向に複数種類の膜層を有した複層基板（半導体基板等）によって作製してもよい。この場合も、例えばシリコン基板や複層基板の一方の側から取り付け部２５を作製し、他方の側から取り付け部２６を作製する。さらに、プローブ１は、ニッケルの平板材料をプレス加工により打ち抜いて一体に成形することとしてもよい。
【００７６】
また、本実施の形態１ではプローブ支持基板２０を作製する際、プローブ支持基板２０の下面側から取り付け部２５を形成することとしたが、プローブ支持基板２０の上面側から取り付け部２５を形成してもよい。
【００７７】
また、本実施の形態１では被覆絶縁膜２４がプローブ支持基板２０の全表面を被覆する場合について説明したが、被覆絶縁膜２４によって被覆する箇所はプローブ支持基板２０の全表面に限られない。すなわち、被覆絶縁膜２４によってプローブ１、インタポーザ４０の配線層とシリコン基板２２Ｔ，２２Ｂを絶縁できればよく、必ずしもプローブ支持基板２０の全表面を被覆する必要はない。例えば、取り付け部２５，２６の側面部分のみを被覆絶縁膜２４によって被覆することとしてもよい。この場合は、インタポーザ４０の配線層がシリコン基板２２Ｔと導通しなよう、インタポーザ４０を構成しておく。
【００７８】
なお、本実施の形態１ではプローブ１が先端部４ａを備える場合について説明したが、プローブ１が先端部４ａを備えない構成としてもよい。この場合、プローブ１は縮設されたバネ部５の復元力によってインタポーザ４０とプローブ支持基板２０との間に固定されることとなる。
【００７９】
また、本実施の形態１ではプローブ１をインタポーザ４０とプローブ支持基板２０とによって挟み込んでプローブ１をプローブカード１００に固定する場合について説明したが、さらにプローブ１とインタポーザ４０を半田等の接着剤によって固定することとしてもよい。これにより、プローブ１とインタポーザ４０を強く固定することが可能となる。
【００８０】
この場合、例えばインタポーザ４０の下面側で先端部４ａと接触する箇所に予め半田層等を配設しておく。具体的には、まずインタポーザ４０に絶縁層４２、配線層４１を形成した後、インタポーザ４０の下面側に半田メッキ処理等を行なう。そして、リソグラフィ工程、エッチング工程を用いて、半田メッキした面に所定のパターニング（先端部４ａと接触する箇所に半田を残す）を行なう。
【００８１】
この半田層が配設されたインタポーザ４０を用いてプローブ１をプローブカードに取り付ける際には、インタポーザ４０の半田層が溶融する温度になるよう、インタポーザ４０を所定の温度に温めておく。そして、インタポーザ４０とプローブ支持基板２０によってプローブ１を挟み込む。このとき、溶融した半田層はプローブ１の先端部４ａと接触する。
【００８２】
この後、インタポーザ４０の半田層が凝固する所定の温度までインタポーザ４０を冷却する。これにより、プローブ１（上方向抜け止め部４）が半田層によってインタポーザ４０の底面に固定される。なお、プローブ１をインタポーザ４０から取り外す際には、インタポーザ４０の半田層が溶融する所定の温度までインタポーザ４０を加熱し、インタポーザ４０とプローブ１を取り外す。
【００８３】
なお、ここでは、半田層をインタポーザ４０上に配設する構成としたが、インタポーザ４０上に配設する膜層としては半田層以外の膜層であってもよい。すなわち、インタポーザ４０の配線層４１上に配線層４１よりも低温で溶融する導電性材料を配設する構成としてもよい。なお、この場合の導電性材料もプローブ１をインタポーザ４０に固定可能な材料とする。
【００８４】
また、本実施の形態１では、プローブ支持基板２０が取り付け部２６を備える構成としたが、プローブ支持基板２０が取り付け部２６を備えない構成としてもよい。この場合、プローブ支持基板の上面側にバネ部５が突出した状態でバネ部５がインタポーザ４０とプローブ支持基板２０の間に挟み込まれることとなる。
【００８５】
このように実施の形態１によれば、バネ部５を縮めた状態でプローブ１をプローブ支持基板２０とインタポーザ４０との間に挟み込むので、半田接合等の複雑な処理や圧入処理等を行なうことなく、プローブ１を容易にプローブ支持基板２０とインタポーザ４０との間に固定することが可能となる。また、プローブ支持基板２０とインタポーザ４０は互いに接離可能に構成されているので、プローブ１を容易にプローブ支持基板２０とインタポーザ４０との間から取り外すことが可能となる。したがって、プローブカード１００を容易に作製できるとともに、プローブカード１００のプローブ１を修理する際のプローブ１の交換が容易になる。
【００８６】
また、プローブ１が下方向抜け止め部２を備えているので、プローブ１をプローブ支持基板２０に対して容易に挿入し、プローブ支持基板２０に確実に固定することが可能となる。
【００８７】
また、プローブ１が、上方向抜け止め部４を備えているので、プローブ１をインタポーザ４０の挿入穴に確実に固定することが可能となる。これにより、バネ部５の径方向への移動を規制できるとともに、プローブ１とインタポーザ４０を確実に電気的接続させることが可能となる。
【００８８】
また、プローブ１の下方向抜け止め部２、上方向抜け止め部４によってプローブ１をプローブ支持基板２０およびインタポーザ４０に固定することができるので、プローブカード１００によってウエハ３０を測定する際、プローブ１の先端部と電極部３１を正確に位置合わせすることが可能となり、ウエハ３０の正確な測定が可能となる。
【００８９】
また、プローブ１がウエハ３０の測定方向に対して直角方向に延びるピン部３を備えているので、プローブ１をプローブ支持基板２０に対して高集積で配置することができる。これにより、プローブカード１００の構成を小さくさせることができるとともに、プローブカード１００は微細なシリコンチップを測定することが可能となる。したがって、プローブ支持基板２０上でプローブ１の占積率を落とすことなくプローブ１を配置できる。また、プローブ１がウエハ３０の測定方向に対して直角方向に延びるピン部３を備えているので、プローブ１（ピン部３）を短い長さで構成でき、ウエハ３０を測定する際の周波数特性を向上させることが可能となる。
【００９０】
また、プローブ１がバネ部５を備えているので、プローブ１に良好なバネ性を持たせることができるとともにプローブ１（バネ部）を短い長さで構成でき、ウエハ３０を測定する際の周波数特性を向上させることが可能となる。また、ウエハ３０を測定する際、プローブ１（先端部７ａ）による電極部３１の損傷を減少させることが可能となる。
【００９１】
また、プローブ１のバネ部５は板が複数回折り曲げられたような断面ジグザグ状をなすよう構成されているので、バネ機能を有したプローブ１を容易に設計できるとともに容易に作製できる。
【００９２】
また、プローブカード１００を写真製版技術を用いて作製するので、微細なプローブ１を安価で一度に多数作製することが可能となる。さらに、本実施の形態１ではプローブ１を作製する際のフォトリソグラフィー工程（露光、現像）が１度であるため、少ないプロセスで容易にプローブ１を作製することが可能となる。
【００９３】
また、実施の形態１によれば、プローブ支持基板２０がプローブ１のバネ部５を挿入させるための取り付け部２６、ピン部３を挿入させるための取り付け部２５を備えているので、プローブ１をプローブ支持基板２０に対して容易に挿入させ、プローブ支持基板２０に固定することが可能となる。これにより、半田接合等の複雑な処理を行なうことなく、プローブカード１００を容易に作製できるとともに、プローブカード１００のプローブ１を修理する際のプローブ１の交換が容易になる。
【００９４】
また、プローブ支持基板２０を写真製版技術を用いて作製するので、微細なプローブ支持基板２０を一度に多数作製することが可能となる。さらに、本実施の形態１ではプローブ支持基板２０の取り付け部２６を作製する際のフォトリソグラフィー工程（露光、現像）が１度であるため、少ないプロセスで容易に取り付け部２６を作製することが可能となる。また、プローブ支持基板２０の取り付け部２５を作製する際のフォトリソグラフィー工程（露光、現像）も１度であるため、少ないプロセスで容易に取り付け部２５を作製することが可能となる。したがって、低コストで容易にプローブ支持基板２０を作製することが可能となる。
【００９５】
また、プローブ支持基板２０を、ＳＯＩウエハ等の複層基板によって作製し、複層基板の一方の側から取り付け部２６を作製するとともに所定の膜層でエッチングを停止させるので、均一な形状（正確な深さ）のエッチングを行なうことが可能となる。これにより、正確な形状（高さ）の取り付け部２６を形成することが可能となり、プローブ１をプローブ支持基板２０に装着させた場合にプローブ１の前方方向（ウエハ３０の測定側）の高さを均一に揃えることが可能となる。したがって、プローブ１によってウエハ３０を測定する際、プローブ１による電極部３１の損傷を減少させることが可能となる。
【００９６】
また、ＳＯＩウエハ６９を用いてプローブ支持基板２０を作製するので、取り付け部２６を作製する際、絶縁酸化膜２３の位置でシリコン層６０Ｔのエッチングを停止させることができ、均一な形状（正確な深さ）のエッチングを行なうことが可能となる。
【００９７】
実施の形態２．
つぎに、図１８−１〜図２６−２を用いてこの発明の実施の形態２について説明する。実施の形態２ではプローブ１の先端部７ａを３次元的に尖らせて、プローブカード１００によってウエハ３０を測定する際の電極部３１やプローブ１の損傷を低減させる。
【００９８】
（プローブの構成（２））
図１８−１は実施の形態２にかかるプローブの構成を示す斜視図であり、図１８−２は実施の形態２にかかるプローブの側面構成を示す断面図である。図１８−１および図１８−２の各構成要素のうち図２−１および図２−２に示す実施の形態１のプローブ１と同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。なお、図１８−２に示すプローブの側面構成は、プローブ１の長手方向（接触部７の上面と抜け止め部４の上面を結ぶ線）を軸として切断した場合の断面形状を示している。
【００９９】
本実施の形態２のプローブ１も実施の形態１のプローブ１と同様に、複数個がプローブ支持基板２０に櫛歯状に固定されて被測定物である電極部３１に押し当てられて使用されるフラットタイプのプローブである。本実施の形態２のプローブ１は、実施の形態１のプローブ１と比べて、先端部７ａの構成に主たる特徴を有している。すなわち、ここでの接触部７は、被測定物である電極部３１に押し当てられた際に、先端部７ａが微少な接触面にて当接するように略四角錐状に尖らせられている。
【０１００】
この四角錐は、直方体の４つの側面のうち３の側面に対応する角部（稜部）が削ぎ落とされるようにして形成され３つの面を斜面とする四角錐であり、４つの面を斜面とする四角錐とするよりも加工箇所の削減及び形状の簡素化が図れるよう工夫がされている。すなわち、ここでのプローブ１の先端部７ａは、３次元的に尖らせらている。
【０１０１】
（プローブの製造方法（２））
つぎに、本実施の形態２にかかるプローブ１の製造方法について図１９〜図２４に示す図面を用いて説明する。図１９〜図２４は、実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図である。
【０１０２】
まず、シリコン基板７０の表面全体にレジスト７１Ｐを塗布し、写真製版技術を用いて、レジスト７１Ｐのパターニングを行なう。これにより、所望の部位のみにおいてシリコン基板７０の表面が現れる。ここでは、シリコン基板７０の上面から見たパターンがプローブ１の略上面形状に対応するようレジスト７１Ｐのパターニングを行なっておく。
【０１０３】
レジスト７１Ｐによってパターニングされたシリコン基板７０の上面方向から、所定のウエットエッチング材料（例えばＫＯＨ薬液）によって所定の条件でウエットエッチングを行なうと、レジスト７１Ｐによってパターニングされていない部分のシリコン基板７０がエッチングされる。
【０１０４】
ウエットエッチングは、等方性のエッチングであるため、シリコン基板７０でレジスト７１Ｐによってパターニングされていない中間部は、シリコン基板７０の下方（レジスト７１Ｐの積層方向における下方向）に向かってエッチングされる。また、シリコン基板７０でレジスト７１Ｐによってパターニングされていない端部は、図１９に示すようにシリコン基板７０の下方とともに横方向がエッチングされる。このシリコン基板７０の中間部と端部のエッチング形状の相違は、シリコン（１００）結晶面とシリコン（１１１）結晶面でエッチング速度が異なる性質を利用したものである。
【０１０５】
シリコン基板７０をエッチングした後、レジスト７１Ｐを除去する。これにより、図２０に示すような碗状（平坦な底面、平坦な底面と所定の角度を成す斜壁面、この斜壁面と所定の角度を成すとともに平坦な底面と垂直な角度を成す側壁面で構成される碗状）にエッチングされたシリコン基板７０が形成される。なお、シリコン基板７０を、平坦な底面、平坦な底面と所定の角度を成す斜壁面のみを有する碗状にエッチングしておいてもよい。
【０１０６】
つぎに、図２１に示すように、碗状にエッチングされたシリコン基板７０の表面全体に酸化膜等の犠牲層７２を例えばＣＶＤ法により成膜する。ここでの犠牲層７２は、シリコン基板７０上にプローブ１を生成した後、シリコン基板７０からプローブ１を分離する際に除去されるものである。
【０１０７】
さらに、銅（Ｃｕ）等の種層７３を、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、無電解メッキ法等によって犠牲層７２の表面（積層方向の上面）全体に成膜する。ここでの、種層７３はプローブ１を構成する導電物質をメッキ方法によって生成する際の種となる層である。
【０１０８】
つぎに、種層７３の表面全体にレジスト７４Ｐを塗布し、写真製版技術を用いて、レジスト７４Ｐのパターニングを行なう。これにより、図２２に示すように所望の部位のみにおいて種層７３の表面が現れる。ここでは、種層７３の表面の現れているパターンがプローブ１の形状に対応するとともに、先端部７ａ（直方体の４つの側面のうち３の側面に対応する削ぎ落とされた角部）がウエットエッチングされた碗状に対応するようレジスト７４Ｐのパターニングを行なっておく。すなわち、ここでのレジスト７４Ｐのパターンは、種層７３上でプローブ１を形成させない領域に対応する。
【０１０９】
そして、図２３に示すようにシリコン基板７０の積層方向の上面から電解メッキ処理（ニッケルメッキ等）を行ない、所定のメッキ層（ニッケル、ニッケル合金等）７５を形成する。このメッキ処理によって形成される部分（メッキ層７５）がプローブ１となる。したがって、プローブ１の上面が図２−２に示す平面を有した平板であるとすると、図２３に示すメッキ層５４の積層方向の厚さがプローブ１の厚さとなる。すなわち、図２３に示すメッキ層５４は、プローブ１の断面（側面）を示している。
【０１１０】
この後、図２４に示すようにレジスト７４Ｐを除去し、その後種層７３、犠牲層７２を除去する。これにより、シリコン基板７０とメッキ層７５で形成されたプローブ１（先端部７ａの角部が削ぎ落とされたプローブ１）が分離されることとなる。
【０１１１】
なお、ここでは所定の条件（材料）でウエットエッチングを行なうことにより、図１９に示すシリコン基板７０を作製し、このシリコン基板７０上に先端部７ａが３次元的に尖らせられたプローブ１を生成することとしたが、他の形状を有したシリコン基板７０上にプローブ１を生成することとしてもよい。
【０１１２】
図２５は、先端部７ａが３次元的に尖らせられたプローブ１を生成するためのシリコン基板の他の構成例を示す図である。例えば、所定のエッチング条件やシリコン基板７０の材質、結晶方位面等によって図２５に示すような碗状（平坦な底面と、平坦な底面から円弧状に延びる斜壁面（側面）を有する碗状）にエッチングされたシリコン基板７０を形成しておく。
【０１１３】
図２６−１および図２６−２は、先端部７ａが３次元的に尖らせられたプローブ１の他の構成例を示す図であり、それぞれ図２５に示したシリコン基板７０上にプローブ１を生成させた場合のプローブ１の構成を示す斜視図および側面図である。
【０１１４】
図２６−１に示すように、ここでのプローブ１の先端部７ａは図２５に示したシリコン基板７０の碗状の形状（平坦な底面と、平坦な底面から円弧状に延びる斜壁曲面）に対応している。
【０１１５】
すなわち、接触部７は、被測定物である電極部３１に押し当てられた際に、先端部７ａが微少な接触面にて当接するように円錐の高さ方向に平行な面で半分に切断された（削ぎ落とされた）半円錐形状を有している。この半円錐形状の底面は略半円形状をしており、プローブ１の接触部７の前方方向と垂直な方向で切断した場合の断面形状に対応している。すなわち、プローブ１は半円錐形状の底面（半円）が接触部７に配設された構造を有している。また、半円錘形状（先端部７ａ）の母線がプローブ１の側面形状に対応し、半円錘形状の切断面がプローブ１の上面形状に対応している。なお、先端部７ａの構造としては、３次元的に尖った構成であればよく、四角錘状、半円錐状に限られず、何れかの錘状であればよい。
【０１１６】
このように、実施の形態２によれば、プローブ１の先端部７ａを生成する部分として予めシリコン基板７０を碗状に形成しておくので、容易に先端部７ａが３次元的に尖ったプローブ１を作製することが可能となる。
【０１１７】
また、プローブ１によってウエハ３０を測定する際には、３次元的に先端部７ａが尖ったプローブ１が電極部３１に接触してウエハ３０を測定するので、プローブ１が電極部３１を弱い圧力で押圧して接触する場合であっても、プローブ１の電極部３１の表面上の滑りを低減させることが可能となる。したがって、プローブ１は弱い圧力で電極部３１を押圧してウエハ３０を測定することが可能となり、プローブ１による電極部３１の損傷を低減させることが可能となる。
【０１１８】
また、プローブ１の先端部７ａが尖っているため、先端部７ａを微細化させることが可能となり、電極部３１が微細な場合であっても、ウエハ３０（電極部３１近傍のパッシベーション膜等）を損傷することなく容易にウエハ３０を測定することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
以上のように、本発明にかかるプローブ保持構造およびバネ型プローブは、プローブ支持基板へのプローブの脱着に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明にかかるプローブカードの構成を説明するための図である。
【図２−１】実施の形態１にかかるプローブの構成を示す斜視図である。
【図２−２】実施の形態１にかかるプローブの構成を示す上面図である。
【図３】プローブ支持基板の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（１）である。
【図５】実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（２）である。
【図６】実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（３）である。
【図７】実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（４）である。
【図８】実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（５）である。
【図９】実施の形態１にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（６）である。
【図１０】実施の形態１にかかるプローブ支持基板の製造方法を説明するための断面図（１）である。
【図１１】実施の形態１にかかるプローブ支持基板の製造方法を説明するための断面図（２）である。
【図１２】実施の形態１にかかるプローブ支持基板の製造方法を説明するための断面図（３）である。
【図１３】実施の形態１にかかるプローブ支持基板の製造方法を説明するための断面図（４）である。
【図１４】実施の形態１にかかるプローブ支持基板の製造方法を説明するための断面図（５）である。
【図１５】実施の形態１にかかるプローブ支持基板の製造方法を説明するための断面図（６）である。
【図１６】プローブ支持基板へのプローブの取り付けを説明するための図である。
【図１７】プローブの他の構成例を示す斜視図である。
【図１８−１】実施の形態２にかかるプローブの構成を示す斜視図である。
【図１８−２】実施の形態２にかかるプローブの側面構成を示す断面図である。
【図１９】実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（１）である。
【図２０】実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（２）である。
【図２１】実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（３）である。
【図２２】実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（４）である。
【図２３】実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（５）である。
【図２４】実施の形態２にかかるプローブの製造方法を説明するための断面図（６）である。
【図２５】先端部が３次元的に尖らせられたプローブを生成するためのシリコン基板の他の構成例を示す図である。
【図２６−１】先端部が３次元的に尖らせられたプローブの他の構成例を示す斜視図である。
【図２６−２】先端部が３次元的に尖らせられたプローブの他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１  プローブ
２  下方向抜け止め部
２ａ  底面接触部
３  ピン部
４  上方向抜け止め部
４ａ  先端部
５  バネ部
５ｒ  環状部
７  接触部
７ａ  先端部
２０  プローブ支持基板
２２Ｔ，２２Ｂ  シリコン基板
２３  絶縁酸化膜
２４  被覆絶縁膜
２５，２６  取り付け部
３０  ウエハ
３１  電極部
３２  配線部
３３  回路部
４０  インタポーザ
４１  配線層
４２，４９  絶縁層
５０，７０  シリコン基板
５１，７２  犠牲層
５２，７３  種層
５３Ｐ，６２Ｐ，６３Ｐ，７１Ｐ，７４Ｐ  レジスト
５４，７５  メッキ層
５９  半導体層
６０Ｔ，６０Ｂ  シリコン層
６１  絶縁酸化膜層
６４  絶縁膜層
６９  ＳＯＩウエハ
８３  底面
９１  半田
９２  連結部
１００  プローブカード
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８−１】
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【図１８−２】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６−１】
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【図２６−２】
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