(57)【要約】【課題】優れた異方導電性、ならびに、微細な配線線幅および／または配線間隔（ピッチ）を有する異方導電性シートの製造方法を提供する。また、優れた異方導電性、ならびに、微細な配線線幅および／または配線間隔を有する異方導電性シート、ならびにそれを用いた異方導電性コネクターを提供する。【解決手段】基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程と、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程とを含む異方導電性シートであって、前記異方導電性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする異方導電性シートの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程と、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程とを含む異方導電性シートであって、前記異方導電性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする異方導電性シートの製造方法。
【請求項２】
前記異方導電性シートにおけるカーボンナノチューブドメイン幅が１０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の異方導電性シートの製造方法。
【請求項３】
前記カーボンナノチューブドメインのピッチが２０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の異方導電性シートの製造方法。
【請求項４】
前記含浸工程についで、加熱乾燥、加熱硬化、および／または光照射により成形する成形工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の異方導電性シートの製造方法。
【請求項５】
前記高分子系成形材料が、可とう性を有する有機系高分子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の異方導電性シートの製造方法。
【請求項６】
前記含浸工程における、前記高分子系成形材料の粘度が５０（Ｐａ・ｓ）以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の異方導電性シートの製造方法。
【請求項７】
前記シート厚みが１０〜５００μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の異方導電性シートの製造方法。
【請求項８】
カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、カーボンナノチューブに高分子系成形材料中に配向されている異方導電性シートであって、前記異方導電性性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする異方導電性シート。
【請求項９】
前記異方導電性シートにおけるカーボンナノチューブドメイン幅が１０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項８に記載の異方導電性シート。
【請求項１０】
前記カーボンナノチューブドメインのピッチが２０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項８または９に記載の異方導電性シート。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法により得られる異方導電性シートを含む異方導電性コネクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性シートの製造方法に関する。さらに詳細には、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、カーボンナノチューブが高分子系成形材料中に配向されている異方導電性シートの製造方法、ならびに異方導電性シートに関する。また、本発明は、上記異方導電性シートを含む異方導電性コネクターに関する。
【０００２】
本発明の製造方法により得られる異方導電性シートは、電気的性質、熱的性質等の性質について異方性機能を発揮することができ、たとえば、電子部品、熱伝導性材料、高強度材料などとして利用することができる。
【背景技術】
【０００３】
カーボンナノチューブは、グラファイトシート（６角網目構造：グラフェンシート）を円筒状に丸めた構造を有し、円筒直径が０．７〜５０ｎｍ程度、円筒軸方向長さが数１００μｍ程度あり、中空構造を持つ非常にアスペクト比の大きな材料である。
【０００４】
カーボンナノチューブの電気的性質としては、円筒直径や螺旋度（カイラリティ：ｃｈｉｒａｌｉｔｙ）に大きく依存し、金属的性質から半導体的性質を示し、また機械的性質としては大きなヤング率を有し、かつバックリングによっても応力を緩和できる特徴を併有する材料である。さらに、ダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ  ｂｏｎｄ）を有しないため化学的に安定であり、かつ、炭素原子のみから構成されるため環境に優しい材料としても注目されている。
【０００５】
このようにカーボンナノチューブは上記のようなユニークな物性を有することから、電子源としては電子放出源やフラットパネルディスプレイに、電子材料としてはナノスケールデバイスやリチウム電池の電極材料に、またプローブ探針、ガス貯蔵材、ナノスケール試験管、樹脂強化のための添加材等への応用が期待されている。
【０００６】
これまでに、上記のカーボンナノチューブおよびその製造方法については、いくつかが開示されている（たとえば、特許文献１〜２参照）。それらの公報によれば、カーボンナノチューブの特異的機能を生かし、電子放出素子、水素貯蔵、薄膜電池、プローブ、マイクロマシン、半導体超集積回路、導電性材料、熱伝導性材料、高強度高弾性材料などの多くの興味深い用途開発が活発に検討されている。
【０００７】
しかし、これまでの製造方法では、種々の円筒軸方向長さのカーボンナノチューブがランダムな方向を向いて生成されてしまう点で問題があった。たとえば電子放出源に応用する場合、カーボンナノチューブの先端から電界放出が起きるため、カーボンナノチューブの円筒軸方向の配向を揃えることができれば、電界放出特性が著しく向上することが期待される。
【０００８】
上記のカーボンナノチューブの円筒軸方向の配向を揃える技術として、これまでいくつかの提案がされている。たとえば、カーボンナノチューブの分散液をセラミックフィルターでろ過することにより、セラミックフィルターの微小ポアにカーボンナノチューブを差込み、配向を揃えること（たとえば、非特許文献１参照）、エポキシ樹脂にカーボンナノチューブを練り込み、硬化後にエポキシ樹脂を極薄く切断することによってカーボンナノチューブを配向させる技術（たとえば、非特許文献２参照）などが提案されている。しかしながら、これらの提案ではカーボンナノチューブの配向性は十分ではなく、またエポキシ樹脂が混在するなどといった問題点がある。
【０００９】
また、たとえば、マトリックス中にカーボンナノチューブを含有する組成物に、外部から磁場を印加することにより一定方向に配列させる方法（たとえば、特許文献３参照）が提案されている。しかし、かかる提案では１０テスラ程度もの強い磁場を印加する必要があり、装置も大掛かりでコストもかかり未だ実用的でなく、より簡便かつ低コストである手法が求められている。
【００１０】
一方、ＩＣやＬＳＩなどの回路部品では、その技術進歩とともに回路内部構造がさらに高密度化に向かい、それに伴い接続端子も高密度化が進む傾向にある。さらに演算速度の高速化に伴う信号伝達遅延の抑制やクロストークの防止の観点からも、小型化に加えてより異方伝導性に優れた材料の開発が検討されている。
【００１１】
これまでに、かかる異方導電性材料としては、マトリックス中に金属線を配向したものや、レーザー等でマトリックスに穴を開けて、そこに導電性フィラーを充填したものが試みられている。
【００１２】
たとえば、絶縁性のマトリックス中に金属細線を配向する手法（たとえば、特許文献５参照）や、電気絶縁性の弾性保持体に金属板材料よりなる導電部材を埋設したシート（たとえば、特許文献６参照）などが提案されている。
【００１３】
しかし、これら金属線などを用いた異方導電性材料では、配線の線幅ならびに配線の間隔（ピッチ）のサイズダウンが制限されてしまう点で問題があった。さらに演算速度の高速化に伴う信号伝達遅延の抑制やクロストークの防止の観点からも、配線ならびに配線のピッチをより小さくするとともに、異方伝導性に優れた材料の開発が求められている。
【特許文献１】特開平５−１２５６１９号公報
【特許文献２】特開平７−２１６６６０号公報
【特許文献３】特開２００２−２７３７４１号公報
【特許文献４】特開２００２−２３３５９８号公報
【特許文献５】特開２００４−３２７２９２号公報
【特許文献６】特開２００１−２９１４３０号公報
【非特許文献１】Walt A.de Heer,W.S.Bacsa,Science,vol.268,p845〜847(1995)
【非特許文献２】P.M.Ajayan,O.Stephan,Science,vol.265,p1212〜1214(1994)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明の目的は、上記の問題点を解消すべく、優れた異方導電性、ならびに、微細な配線線幅および／または配線間隔（ピッチ）を有する異方導電性シートの製造方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の目的は、優れた異方導電性、ならびに、微細な配線線幅および／または配線間隔を有する異方導電性シート、ならびにそれを用いた異方導電性コネクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、以下に示す異方導電性シートの製造方法を用いることにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】
すなわち、本発明の異方導電性シートの製造方法は、基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程と、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程とを含む異方導電性シートであって、前記異方導電性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の異方導電性シートは、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、カーボンナノチューブに高分子系成形材料中に配向されている異方導電性シートであって、前記異方導電性性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする。
【００１９】
本発明によると、実施例の結果に示すように、上述した基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程と、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程とを含む製造方法を用いることにより、簡便かつ低コストで、優れた異方導電性、ならびに、微細な配線線幅および／または配線間隔を有する異方導電性シートが得られる。上記製造方法により得られた異方導電性シートがかかる特性を発現する理由としては、カーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブに所定の高分子系成形材料を含浸させ、基材上に垂直方向に配向したカーボンナノチューブの配向を乱すことなく複合することにより、配向を維持した状態でシートとすることができるためと推測される。
【００２０】
本発明における「カーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブ」とは、異方導電性シート中に存在するカーボンナノチューブの大部分（典型的には５０個数％以上）が、カーボンナノチューブが基材表面の面方向に対して垂直方向（基材表面の面方向に対して略直交する方向および該方向と同等視しうる程度にやや傾斜した方向を包含する）に配向していることをいい、たとえば、ブラシ状カーボンナノチューブが該当する（たとえば、特開２００１−２２０６７４号公報参照）。
【００２１】
また、本発明における「カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向する」とは、異方導電性シート中に存在するカーボンナノチューブの大部分（典型的には５０個数％以上）が、各々のカーボンナノチューブの一端が一方の表面方向に、他端がもう一方の表面にそれぞれ配向した状態（これらのカーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向（面方向に対して略直交する方向および該方向と同等視しうる程度にやや傾斜または蛇行した方向を包含する）に平行に存在している状態を含む）をいう。
【００２２】
また、本発明において、シートとは平面状の材料を意味し、通常、フィルムとよばれるものを含むこととする。
【００２３】
本発明において、基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する方法は、特に限定されることなく公知の手法を適宜用いることができる。たとえば、平滑な基板上にＦｅからなる触媒層を形成し、基板温度を７００℃前後にした後、アセチレンガスを流すことにより生成させる手法があげられる（特開２００１−２２０６７４号公報参照）。さらに、電子材料用途や回路基板用途などにおけるさらなる高集積化に向けた配線線幅およびピッチの改良の観点からは、上記触媒の配置を制御してカーボンナノチューブを形成する方法を用いることが好ましい。
【００２４】
また、本発明において、上記のカーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程は、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向を維持した状態でおこなわれる。前記工程における含浸方法としては、ポッティング法、およびキャスティング法などが好適に用いることができる。
【００２５】
本発明においては、上記異方導電性シートにおけるカーボンナノチューブドメイン幅が１０〜１０００μｍとすることが可能である。本発明の製造方法を用いることにより、従来の金属配線等では困難であった１０〜１００μｍという微細な導電性の配線線幅を有する異方導電性シートを得ることができる。
【００２６】
なお、本発明におけるカーボンナノチューブドメインとは、異方導電性シート内におけるカーボンナノチューブが存在する領域のことをいい、より具体的には、カーボンナノチューブが数百〜数万本ほどの束状もしくは壁状になってシート内に存在している領域をいう。
【００２７】
また、本発明におけるカーボンナノチューブドメイン幅とは、上記カーボンナノチューブドメインの異方導電性シート面と平行方向の幅のことをいう。上記カーボンナノチューブドメイン幅は、本発明の異方導電性シートを異方導電性コネクターなどに用いた場合の配線線幅となる。
【００２８】
さらに本発明においては、上記カーボンナノチューブドメインのピッチが２０〜１０００μｍとすることが可能である。本発明の製造方法を用いることにより、カーボンナノチューブの配向を制御しつつ、異方導電性シート内におけるカーボンナノチューブ（またはカーボンナノチューブドメイン）の存在領域の粗密の制御が可能となり、従来の金属配線等による異方導電性シートでは配線の短絡等が生じるために困難であった２０〜１００μｍという微細なピッチを有する異方導電性シートを得ることができる。
【００２９】
なお、本発明におけるカーボンナノチューブドメインのピッチとは隣接するカーボンナノチューブドメイン間の間隔のことをいい、より具体的には、カーボンナノチューブ非存在領域（高分子系成形材料からなる領域であって、カーボンナノチューブが存在しない領域、もしくはカーボンナノチューブが導電性の観点において実質的に存在しないとされる領域）を介した各カーボンナノチューブドメインの中心間距離をいう。
【００３０】
また、本発明においては、前記含浸工程についで、加熱乾燥、加熱硬化、および／または光照射により成形する成形工程を含むことが好ましい。前記含浸工程についで加熱乾燥、加熱硬化、および／または光照射により成形する成形工程を含むことにより、前記含浸工程における高分子系成形材料の粘度を低下させることができ、もって含浸工程におけるカーボンナノチューブの配向制御を容易化することができる。
【００３１】
また、本発明において、上記の高分子系成形材料が、可とう性を有する有機系高分子であることが好ましい。かかる高分子系成形材料を用いることにより、簡便かつ低コストで優れた異方性機能を発揮する異方導電性シートを得ることができる。
【００３２】
さらに、前記含浸工程において、前記高分子系成形材料の粘度が５０（Ｐａ・ｓ）以下であることが好ましい。かかる高分子系成形材料を用いることにより、含浸工程におけるカーボンナノチューブの配向制御を容易化することができる。なお、本発明における粘度とは、２３℃の環境下における単一円筒型回転粘度計（たとえば、東機産業社製、ＴＶ−１０形粘度計）およびローター（たとえば、Ｈ３）を使用することにより測定される値をいう。
【００３３】
また、本発明においては、前記シート厚みが１０〜５００μｍであることが好ましい。
【００３４】
さらに、本発明の異方導電性コネクターは上述のいずれかの製造方法により得られた異方導電性シートを少なくとも１以上含むことを特徴とする。本発明の異方導電性シートを異方導電性コネクターに用いることにより、従来の金属配線等では困難であった微細な導電性の配線線幅および／または微細なピッチを有し、回路基板と回路部品の電気的接続がより簡便な異方導電性コネクターとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３６】
本発明の異方導電性シートの製造方法は、基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程と、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程とを含む異方導電性シートであって、前記異方導電性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする。
【００３７】
また、本発明の異方導電性シートは、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、カーボンナノチューブに高分子系成形材料中に配向されている異方導電性シートであって、前記異方導電性性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であることを特徴とする。
【００３８】
本発明におけるカーボンナノチューブは、カーボン原子が網目状に結合してできた円筒直径がナノメートルサイズの極微細なチューブ（筒、円筒）状の化合物であり、一般に円筒直径として１〜１０００ｎｍ程度、円筒軸方向長さとして０．１〜１０００μｍ程度の、Ｌ／Ｄとして１００〜１００００程度の大きなアスペクト比を有する径の細長い炭素からなるチューブ状の炭素化合物である。
【００３９】
カーボンナノチューブは炭素原子が構成する６角網目構造（グラフェンシート）を筒状に巻いたような構造を有しており、カーボンナノチューブの円筒直径と螺旋度（カイラリティ：ｃｈｉｒａｌｉｔｙ）によりカーボンナノチューブの導電性等に差異を発現させることができる。カーボンナノチューブには、ジグザグ型カーボンナノチューブ、カイラル（キラル：ｃｈｉｒａｌ）型カーボンナノチューブ、アームチェアー型カーボンナノチューブなどがあるが、本発明においてはこれらのカーボンナノチューブは制限なく単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００４０】
また、カーボンナノチューブには、６角網目構造（グラフェンシート）のチューブが１枚構造のもの（シングルウォールナノチューブ：ＳＷＮＴ）、多層の６角網目のチューブから構成されているもの（マルチウォールナノチューブ：ＭＷＮＴ）などがあるが、発明においては特に制限されることなく適宜用いることができる。これらのカーボンナノチューブは単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００４１】
上記のカーボンナノチューブには、一般にその生成過程等において、非晶質カーボンナノ粒子、フラーレン類および金属ナノ粒子なども副生成物として混入している場合があるが、これらの副生成物が含まれていてもよい。
【００４２】
また、本発明におけるカーボンナノチューブとしては、金属または他の無機物や有機物を含むもの、カーボンナノチューブ内に炭素または他の物質が充填されたもの、カーボンナノチューブがコイル状（螺旋状）またはフィブリル状のもの、その他いわゆるナノファイバーも用いることができる。
【００４３】
本発明において、カーボンナノチューブの円筒直径と円筒軸方向長さは特に限定されるものではないが、製造の容易性や機能発現性などの点から、通常、カーボンナノチューブの円筒直径は０．７〜５０ｎｍ程度、円筒軸方向長さが数１０ｎｍ〜２００μｍの範囲で用いられ、円筒直径が１０〜２０ｎｍ、円筒軸方向長さは５０ｎｍ〜１００μｍの範囲であることが好ましい。
【００４４】
本発明におけるカーボンナノチューブの製造方法は、特に制限されることなく公知の手法を適宜用いることができる。カーボンナノチューブの製造方法として、炭素電極間にアーク放電を発生させ、放電用電極の陰極表面に成長させる方法（アーク放電法）、シリコンカーバイドにレーザービームを照射して加熱・昇華させる方法（レーザー蒸発法）、遷移金属系触媒を用いて炭化水素を還元雰囲気下の気相で炭化する方法（化学的気相成長法：ＣＶＤ法）、熱分解法、プラズマ放電を利用する方法などがあるが、上記したように、基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成するためには、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）が好適に用いることができる。
【００４５】
前記化学的気相成長法（ＣＶＤ法）として、たとえば、基材（シリコン基板）の少なくとも片面上に、ニッケル、コバルト、鉄などの金属の錯体を含む溶液をスプレーや刷毛で塗布した後、加熱して形成した皮膜上に、あるいは、クラスター銃で打ち付けて形成した皮膜上に、アセチレンガスを用いて一般的な化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を施すことにより、円筒直径１０〜４０ｎｍ程度のカーボンナノチューブが多層構造で基板上に垂直に起毛され、いわゆるブラシ状カーボンナノチューブを作製できる。
【００４６】
また、前記化学的気相成長法（ＣＶＤ法）において、上記触媒の配置を制御することにより、シート内におけるカーボンナノチューブ（またはカーボンナノチューブドメイン）の存在領域の粗密の制御が可能となる。具体的には、たとえば、狙いの配線線幅と同じサイズの微細孔を有するメッシュで基板表面をマスキングした後に触媒接触を形成させる手法や、特開２００４−３２７０８５に開示されているように、基板上に触媒皮膜を形成させた後、基板の一部にレーザー光を照射して皮膜を除去あるいは固着する手法など、公知の手法による触媒の配置の制御手法をあげることができる。
【００４７】
また、本発明においては、上記異方導電性シートにおけるカーボンナノチューブドメイン幅が１０〜１０００μｍとすることが可能である。本発明の製造方法を用いることにより、従来の金属配線等では困難であった１０〜１００μｍという微細な導電性の配線線幅を有する異方導電性シートを得ることができる。また、さらなる高集積化に向けた配線線幅の改良の観点からは、上記カーボンナノチューブドメイン幅は１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００４８】
なお、本発明におけるカーボンナノチューブドメインとは、異方導電性シート内におけるカーボンナノチューブが存在する領域のことをいい、より具体的には、カーボンナノチューブが数百〜数万本ほどの束状になってシート内に存在している領域をいう。
【００４９】
また、本発明におけるカーボンナノチューブドメイン幅とは、上記カーボンナノチューブドメインの異方導電性シート面と平行方向の幅のことをいう。上記カーボンナノチューブドメイン幅は、本発明の異方導電性シートを異方導電性コネクターなどに用いた場合の配線線幅となる。また、異方導電性シートの一部を模式的に示す概略説明図（図１）においては、上記カーボンナノチューブドメイン幅とは距離ｂとして表される。
【００５０】
さらに本発明においては、上記カーボンナノチューブドメインのピッチが２０〜１０００μｍとすることが可能である。本発明の製造方法を用いることにより、カーボンナノチューブの配向を制御しつつ、異方導電性シート内におけるカーボンナノチューブ（またはカーボンナノチューブドメイン）の存在領域の粗密の制御が可能となり、従来の金属配線等による異方導電性シートでは配線の短絡等が生じるために困難であった２０〜２００μｍという微細なピッチを有する異方導電性シートを得ることができる。また、さらなる高集積化に向けたピッチの改良の観点からは、上記カーボンナノチューブドメインのピッチは２０〜２００μｍであることが好ましい。
【００５１】
なお、本発明におけるカーボンナノチューブドメインのピッチとは隣接するカーボンナノチューブドメイン間の間隔のことをいい、より具体的には、カーボンナノチューブ非存在領域（高分子系成形材料からなる領域であって、カーボンナノチューブが存在しない領域、もしくはカーボンナノチューブが導電性の観点において実質的に存在しないとされる領域）を介した各カーボンナノチューブドメインの中心間距離をいう。また、異方導電性シートの一部を模式的に示す概略説明図（図１）においては、上記カーボンナノチューブドメインのピッチとは距離ａとして表される。
【００５２】
より具体的な製造方法例を以下例示する。まず、基材（基板）上に触媒粒子を形成し、触媒粒子を核として高温雰囲気で原料ガスからカーボンナノチューブを成長させる。
【００５３】
基材（基板）としては、触媒粒子を支持するものであればよく、触媒粒子が濡れにくいものが好ましく、たとえば、結晶性シリコン基板などがあげられる。
【００５４】
触媒粒子としては、たとえば、ニッケル、コバルト、鉄などの金属粒子があげられる。
【００５５】
これらの金属またはその錯体等の化合物の溶液をスプレーやコーターで基材に塗布し、またはクラスター銃で基板に打ち付け、乾燥させ、触媒の配置を制御した皮膜を形成する。前記皮膜の厚みは、１〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。１００ｎｍを超えると、加熱による粒子化が困難になる。
【００５６】
次いで、この皮膜を、好ましくは減圧下または非酸化雰囲気中で、好ましくは６５０〜８００℃に加熱すると、円筒直径１〜５０ｎｍ程度の触媒粒子が形成される。
【００５７】
カーボンナノチューブの原料ガスとしては、アセチレン、メタン、エチレン等の脂肪族炭化水素が適宜用いられるが、中でもアセチレンガスが好ましく、その中でも、特にアセチレン濃度が９９．９９９９％であるような超高純度なアセチレンガスが好ましい。原料ガス純度が高い方が品質の良いカーボンナノチューブができる。また、アセチレンの場合、多層構造で太さ１０〜４０ｎｍのカーボンナノチューブが触媒粒子を核として、基板に対して垂直にかつ一定方向に配向成長してブラシ状（いわゆるブラシ状カーボンナノチューブ）に形成される。
【００５８】
また、上記の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）におけるカーボンナノチューブの形成温度は、６５０〜８００℃程度であることが好ましい。
【００５９】
本発明における、基材上にカーボンナノチューブの円筒軸方向が基材に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを形成する工程は上述のようにしておこなうことができる。
【００６０】
本発明において、上記のカーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸方法は、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向を維持した状態でおこなわれる。
【００６１】
前記含浸方法としては、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向を維持した状態でおこなわれる限り、公知の手法を適宜用いることができる。具体的には、たとえば、ポッティング法、キャスティング法、スピンコート法、ディップ法、スプレー法などがあげられる。
【００６２】
高分子系成形材料としては、たとえば、熱硬化性樹脂（前駆体を含む）、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性エラストマー、ゴムなどがあげられる。これらの中でも、可とう性を有する有機系高分子であることが好ましい。なお、異方導電性シートを基材からの剥離する際に、前記シートが損傷を受けない程度の強度を有する高分子材料であることが必要である。
【００６３】
本発明において、前記熱硬化性樹脂とは、常温では液状、半固形状または固形状等であって常温下または加熱下で流動性を示す比較的低分子量の物質が、硬化剤、触媒の作用によって熱硬化反応や熱架橋反応を起こして分子量を増大させながら網目状の三次元構造を形成してなる不溶不融性の樹脂になり得る樹脂をいうものとする。
【００６４】
また、本発明において、前記光硬化性樹脂とは、常温では液状、半固形状または固形状等であって常温下または加熱下で流動性を示す比較的低分子量の物質が、硬化剤、触媒、光の作用によって光硬化反応や光架橋反応を起こして分子量を増大させながら網目状の三次元構造を形成してなる不溶不融性の樹脂になり得る樹脂をいうものとする。
【００６５】
前記高分子系成形材料の具体例としては、たとえば、エポキシ樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ユリア樹脂、架橋型アクリル樹脂、アリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ケイ素樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ジシクロペンタジエン樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、アルキド樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、アニリン樹脂などの熱硬化性樹脂（前駆体を含む）、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、脂環式炭化水素樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂（低密度から高密度の各種ポリエチレン、アイソタクチック・ポリプロピレン、アタクチック・ポリプロピレン、シンジオタクチック・ポリプロピレンなど）、ＡＢＳ樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、ポリオキシメチレン樹脂、シリコーン樹脂などの熱可塑性樹脂、天然ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、ニトリルゴム、水添ニトリルゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、フッ素含有ゴムなどのゴム、ＴＰＯ樹脂（オレフィン系熱可塑性エラストマー）、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンの水添体、スチレン−イソプレンブロック共重合体の水添体、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、メトキシメチル化ナイロン、ポリビニルアルコール、飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリブタジエン樹脂などの光硬化性樹脂、上記の樹脂に光硬化型官能基を含有する光硬化性樹脂などがあげられる。可とう性を有する有機系高分子に好適なものが多いが、中でも、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ＲＴＶ（室温硬化型）シリコーンゴム、液状ゴム、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂などが好適に用いるものとしてあげられる。これらの樹脂は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００６６】
ポッティング法とは、上記したようにカーボンナノチューブが垂直方向に配向している基材上に、上記高分子系成形材料を徐々にたらし、均一に広げて含浸させた後、余分な上記高分子系成形材料を吸い取るなど除去して、上記高分子系成形材料をカーボンナノチューブに含浸させた膜を形成する手法である。
【００６７】
キャスティング法とは、先に上記高分子系成形材料をドクターブレードなどにより塗膜を形成し、その塗膜にカーボンナノチューブが垂直方向に配向している基材を覆いかぶせることにより、上記高分子系成形材料をカーボンナノチューブに含浸させた膜を形成する手法である。
【００６８】
スピンコート法とは、カーボンナノチューブが垂直方向に配向している基材をスピンコーターなどで回転させ、その上から上記高分子系成形材料を添加し、遠心力で上記高分子系成形材料をカーボンナノチューブに含浸させた膜を形成する手法である。
【００６９】
ディップ法とは、カーボンナノチューブが垂直方向に配向している基材を上記高分子系成形材料にディップし、ついで引き上げることにより、上記高分子系成形材料をカーボンナノチューブに含浸させた膜を形成する手法である。
【００７０】
スプレー法とは、上記高分子系成形材料を霧状にしてカーボンナノチューブが垂直方向に配向している基材に吹き付けることにより、上記高分子系成形材料をカーボンナノチューブに含浸させた膜を形成する手法である。
【００７１】
また、上記の含浸方法においては、公知の脱泡処理を適宜組み合わせてもよい。前記脱泡処理としては、たとえば、超音波処理、真空（減圧）処理、加圧処理などがあげられる。また、脱泡処理は上記含浸方法に次いでおこなってもよい。ただし、超音波処理等はカーボンナノチューブの凝集形態を分散させる場合もあるので、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向を維持した状態でおこなわれるように適宜処理条件を調整して行う必要がある。
【００７２】
また、上記の含浸方法においては、公知の薄膜化処理を適宜組み合わせてもよい。前記薄膜化処理としては、たとえば、アプリケーターなどによる厚み制御処理、樹脂滴下量の制御処理、回転成型による均一薄膜化処理などがあげられる。また、薄膜化処理は上記の含浸方法に次いでおこなってもよい。
【００７３】
なお、本発明においては、固体状態の溶液化、粘度の調整などの目的のために、前記高分子系成形材料に溶媒を適宜加えてもよい。
【００７４】
前記高分子系成形材料に用いられる溶媒としては、たとえば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、ならびに、水、各種水溶液、液化炭酸、超臨界状炭酸、およびメチルイミダゾールに代表されるような、いわゆるイオン性液体などがあげられる。これらの溶媒は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００７５】
上述の高分子系成形材料に溶媒を加える場合、高分子系成形材料中の溶媒の含有量は、通常１０〜５０重量％程度である。
【００７６】
また、上述の含浸工程において、前記高分子系成形材料（もしくは前記高分子系成形材料を含む溶液）の粘度が５０（Ｐａ・ｓ）以下であることが好ましく、１０（Ｐａ・ｓ）以下であることがより好ましく、５（Ｐａ・ｓ）以下であることが特に好ましい。５０（Ｐａ・ｓ）以下である高分子系成形材料を用いることにより、含浸工程におけるカーボンナノチューブの配向・配列を乱すなどの悪影響を抑えることができ、もってカーボンナノチューブの配向制御を容易化することができる。
【００７７】
また、前記高分子系成形材料（もしくは前記高分子系成形材料を含む溶液）には、高分子系成形材料に応じて、任意成分として架橋剤を適宜添加することができる。架橋剤としては、たとえば、熱架橋型架橋剤、光架橋型架橋剤、放射線架橋型架橋剤などがあげられる。
【００７８】
熱架橋型架橋剤としては、熱反応性官能基を２個以上有する多官能化合物（モノマー）などがあげられ、加硫剤、ジビニル化合物、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、メラミン系樹脂、アジリジン誘導体、シリコーン系架橋剤、過酸化物、フェノール樹脂などがあげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００７９】
光架橋型架橋剤としては、光反応性官能基を２個以上有する多官能化合物（モノマー）などがあげられ、たとえば、ジビニル化合物、過酸化物、光酸発生剤、光塩基発生剤などがあげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００８０】
放射線架橋型架橋剤としては、放射線反応性不飽和結合を２個以上有する多官能化合物（モノマー）があげられ、たとえば、ジビニル化合物などがあげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種以上を混合して使用してもよい。
【００８１】
また、これらの架橋剤は、熱架橋型架橋剤、光架橋型架橋剤、放射線架橋型架橋剤のいずれか２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、複数の架橋型の機能を併有する架橋剤もあるが、かかる架橋剤も特に制限なく適宜用いることができる。
【００８２】
また、前記高分子系成形材料（もしくは前記高分子系成形材料を含む溶液）には、任意成分として、上記成分以外にさらに、炭酸カルシウム、カーボンブラック等の無機充填剤、滑剤、老化防止剤、染料、着色剤、顔料、界面活性剤、可塑剤、消泡剤、難燃剤、光安定剤、揺変剤、紫外線吸収剤、低分子量ポリマー、表面潤滑剤、レベリング剤、酸化防止剤、重合禁止剤、耐熱安定剤、耐加水分解安定剤、金属粉、粒子状、箔状物等を目的に応じて適宜使用することができる。これらの任意成分は、１種を単独に用いてもよく、または２種以上を使用してもよい。
【００８３】
本発明における、カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するように、前記カーボンナノチューブに高分子系成形材料を含浸させる含浸工程は上述のようにしておこなうことができる。
【００８４】
本発明においては、前記含浸工程についで、加熱乾燥、加熱硬化、および／または光照射により成形する成形工程を含むことが好ましい。
【００８５】
加熱乾燥による成形工程とは、上述のようにカーボンナノチューブに含浸させた高分子系成形材料を架橋反応や硬化反応を伴わずに加熱処理することをいう。かかる処理をおこなうことにより、上記の含浸工程に用いた溶媒を除去し、耐熱性、耐溶剤性、弾性などの物性を向上したシートを得ることができる。
【００８６】
加熱硬化による成形工程とは、上述のようにカーボンナノチューブに含浸させた高分子系成形材料を熱架橋反応や熱硬化反応を伴う加熱処理することをいう。かかる処理をおこなうことにより、熱硬化反応や熱架橋反応を起こして分子量を増大させながら網目状の三次元構造を形成し、耐熱性、耐溶剤性、弾性などの物性を向上したシートを得ることができる。
【００８７】
光照射による成形工程とは、上述のようにカーボンナノチューブに含浸させた高分子系成形材料を光架橋反応や光硬化反応を伴う光照射処理することをいう。かかる処理をおこなうことにより、光硬化反応や光架橋反応を起こして分子量を増大させながら網目状の三次元構造を形成し、耐熱性、耐溶剤性、弾性などの物性を向上したシートを得ることができる。
【００８８】
なお、これらの成形工程は、上記のものを単独で行ってもよく、また２種または３種を組み合わせて行ってもよい。
【００８９】
本発明においては、前記シート厚みが１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜２００μｍであることがより好ましい。１０μｍより薄くなると、前記シートを基材からの剥離する際に損傷を受けやすくなる場合がある。
【００９０】
前記シートは、単独で使用してもよく、また２種以上を張り合わせてして使用してもよい。また、２種以上を張り合わせて使用する場合にはシート間に接着剤層、バインダー層などを適宜設けてもよい。
【００９１】
また、前記シートの表面には、必要に応じて、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系もしくは脂肪酸アミド系の離型剤、シリカ粉等による離型および防汚処理や、酸処理、アルカリ処理、プライマー処理、アンカーコート処理、コロナ処理、プラズマ処理、紫外線処理などの易接着処理、ハードコート処理などの離型処理、ならびに、塗布型、練り込み型、蒸着型などの静電防止処理を必要に応じて適宜おこなってもよい。
【００９２】
本発明の異方導電性シートは上述のような構成を有することにより、上記異方導電性シートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３となることを特徴とする。特に電子材料用途や回路基板用途への観点からは、上記導電性の縦横の異方性比率が１０６〜１０１３であることが好ましい。このため、特に異方導電性コネクターなどの電子材料用途や回路基板用途などに用いる異方導電性シートとして好適なものとなる。
【００９３】
図１および図２には本発明の製造方法により得られる異方導電性シートの一部を模式的に示す概略説明図（断面図）を示した。カーボンナノチューブの円筒軸方向がシートの厚み方向に配向するようにカーボンナノチューブドメイン１２が配列されている。
【００９４】
なお、本発明においては、前記シートの表面１６に各々すべてのカーボンナノチューブドメインのカーボンナノチューブ２０の端部が完全に突出または到達していることまでは必ずしも必要とはしていない。各々すべてのカーボンナノチューブドメイン１２のカーボンナノチューブ２０の端部２２が完全に突出または到達していなくとも、電気的性質、熱的性質、機械的性質などにおける異方性機能の向上は発現しうるものである。
【００９５】
また、本発明の異方導電性シートの製造方法においては、上記触媒の配置の制御により異方導電性シート内におけるカーボンナノチューブドメインの粗密の制御を微細なレベルで簡便に行うことができる。そのため、本発明の異方導電性シートの製造方法を用いることにより、電子材料用途や回路基板用途などにおけるさらなる高集積化に向けた微細な配線パターン（たとえば、線幅：１０μｍ程度、ピッチ：２０μｍ程度）を有する異方導電性シートを簡便に製造することができる。
【００９６】
一方、本発明の異方導電性コネクターは上述のいずれかの製造方法により得られた異方導電性シートを少なくとも１以上含むことを特徴とする。本発明の異方導電性シートを異方導電性コネクターに用いることにより、従来の金属配線等では困難であった微細な導電性の配線線幅および／または微細なピッチを有し、回路基板と回路部品の電気的接続がより簡便な異方導電性コネクターとすることができる。
【実施例】
【００９７】
以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。なお、実施例における測定・評価等は下記のようにして測定を行った。
【００９８】
＜粘度測定＞
調整した高分子系成形材料（高分子系成形材料を含む溶液を含む）の粘度測定は、単一円筒型回転粘度計（スピンドルタイプ、東機産業社製、ＴＶ−１０形粘度計）によりおこなった。
【００９９】
測定条件・手法等：ローターが十分に入るビーカーに原料を準備し、２３℃下に保管する。Ｈ３（Ｎｏ．２６）のローターにて、回転速度を１０ｒｐｍで（より高粘度なら回転数：５ｒｐｍにして、より低粘度なら回転数：２０ｒｐｍにして）測定し、表示された数値を粘度とした。
【０１００】
＜導電性測定＞
（縦方向の導電性測定）
実施例等で作成したシートの縦方向（フィルム厚み方向）の導電性は、抵抗計（ＹＯＫＯＧＡＷＡ  ７５５２型  デジタルマルチメーター）３０を用いて以下のように行った。
【０１０１】
作製したシート３２を図３に示すように下側電極３４に皴なく均一になるようにのせ、ついで荷重およびその他の条件を決定し、一定荷重Ｗを印加しながら計測した縦方向（フィルム厚み方向、図３におけるＹ方向）の抵抗値を測定した。なお、電極３４には、上側、下側とも金メッキ部分が径４ｍｍの円状のものを使用した。また、上記測定は、印加荷重５００ｇ、室温にて行った。
【０１０２】
（横方向の導電性測定）
実施例等で作成したシートの縦方向（フィルム表面と平行方向）の導電性は、抵抗率（ＹＯＫＯＧＡＷＡ  ７５５２  デジタルマルチメーター）４０を用いて以下のように行った。
【０１０３】
作製したシート４２を図４に示すように下側電極４４に皴なく均一になるようにのせ、ついで荷重およびその他の条件を決定し、一定荷重Ｗを印加しながら計測した横方向（フィルム厚み方向、図４におけるＸ方向）の抵抗値を測定した。なお、電極４４には、金メッキ部分が２ｍｍ×２ｍｍの正方形が２つ、２ｍｍ間隔で平行して配置されているものを使用した。また、上記測定は、印加荷重５００ｇ、室温にて行った。
【０１０４】
〔実施例１〕
（カーボンナノチューブ形成工程）
平滑な表面を有する結晶性シリコン基板上にＦｅからなる触媒の配置を制御した触媒層を真空蒸着法により形成し、その後この基板をＣＶＤ装置に投入した。
【０１０５】
次に前記ＣＶＤ装置内に、カーボンナノチューブの原料ガスとして超高純度アセチレン（サーンガスニチゴー社製、純度：９９．９９９９％）、キャリアガスとして超高純度ヘリウム（大陽東洋酸素社製、純度：９９．９９９９％）をＣＶＤ装置内に流した（アセチレン流量：６０ｃｃ／ｍｉｎ、ヘリウム流量：２００ｃｃ／ｍｉｎ、温度７００℃）。ＣＶＤ工程により、Ｆｅ膜が粒子化することにより得られた触媒粒子が核として、カーボンナノチューブが基板に対して垂直に配向したブラシ状カーボンナノチューブを得た。得られたブラシ状カーボンナノチューブは、円筒直径４５ｎｍ、円筒軸方向長さ１５０〜２００μｍの多層の６角網目のチューブから構成されているもの（マルチウォールナノチューブ：ＭＷＮＴ）であった。
【０１０６】
（高分子系成形材料の含浸・加熱乾燥工程）
まずポリウレタンプレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−１６７）１００重量部に１，４−ブタンジオール６．２重量部加え、攪拌機（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、ＨＭ−５００  ＨＹＢＲＩＤ  ＭＩＸＥＲ）を用いて２０００ｒｐｍで３０秒間撹拌し、次いで２０００ｒｐｍで６０秒間脱泡して液状樹脂（高分子系成形材料）を得た。
【０１０７】
次に、上記のブラシ状カーボンナノチューブ上に、この撹拌・脱泡した液状樹脂を室温（２３℃付近）の環境下で徐々に滴下し、次いで真空乾燥機を用いて８０℃、−１００ＫＰａの減圧下に５分間静置してブラシ状カーボンナノチューブに液状樹脂を含浸させた。
【０１０８】
その後、１５０℃にて１２時間加熱処理して上記液状樹脂を硬化し、次いで基板より剥離して異方導電性シート（厚み：２０１μｍ）を得た。なおシートの厚みはダイヤルゲージにて測定した。
【０１０９】
〔実施例２〕
（高分子系成形材料の含浸・加熱乾燥工程）
カーボンナノチューブドメイン幅とカーボンナノチューブドメインのピッチが異なるブラシ状カーボンナノチューブを用いたこと以外は実施例１と同様の手法を用いることにより、異方導電性シート（厚み：１９７μｍ）を得た。
【０１１０】
〔比較例１〕
（高分子系成形材料の含浸・加熱乾燥工程）
まずポリウレタンプレポリマー（ユニロイヤル社製、アジプレンＬ−１６７）１００重量部に１，４−ブタンジオール６．２重量部およびカーボンナノチューブ（億安社製）１重量部加え、その後１５時間超音波処理を行って得た分散液をキャスティングしたこと以外は実施例１と同様の手法を用いることにより、樹脂シート（厚み：１８５μｍ）を得た。
【０１１１】
〔比較例２〕
（高分子系成形材料の含浸・加熱乾燥工程）
カーボンナノチューブの代わりにケッチェンブラックＥＣ（ライオン社製）を用いたこと以外は比較例１と同様の手法を用いることにより、樹脂シート（厚み：１７４μｍ）を得た。
【０１１２】
〔比較例３〕
（高分子系成形材料の含浸・加熱乾燥工程）
カーボンナノチューブを用いなかったこと以外は比較例１と同様の手法を用いることにより、樹脂シート（厚み：１８０μｍ）を得た。
【０１１３】
実施例等で作成したシートの導電性を測定した。その結果を表１に示す。
【０１１４】
【表１】
2007287375.tif 000003
【０１１５】
上記導電性測定の結果より、本発明の製造方法により作製されたシートはシートの導電性の縦横の異方性比率が１０１〜１０１３であり、異方導電性に優れたものであることがわかった。
【０１１６】
一方、カーボンナノチューブをランダムに配合したシート（比較例１）、およびカーボンナノチューブに代えてカーボンブラックを配合したシート（比較例２）では、いずれにおいても、導電性の値が低く、さらには異方導電性が認められなかった。したがって、本発明の製造方法を用いることにより、強力な磁場や装置も必要とすることなく、簡便かつ低コストで上述のような優れた異方導電性、ならびに、微細な配線線幅および／または配線間隔を有する異方導電性シートを得ることができることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の異方導電性シートの一部を模式的に示す概略説明図
【図２】本発明の異方導電性シートの一部を模式的に示す概略説明図
【図３】実施例等で縦方向導電性測定に使用した測定部の概略構成図
【図４】実施例等で横方向導電性測定に使用した測定部の概略構成図
【符号の説明】
【０１１８】
１０  異方導電性シート側断面
１２  カーボンナノチューブドメイン
１４  カーボンナノチューブドメイン切断面
１６  異方導電性シート表面
１８  高分子系成形材料（カーボンナノチューブ非存在領域）
２０  異方導電性シート側断面
２２  カーボンナノチューブドメイン
２６  異方導電性シート表面
２８  高分子系成形材料（カーボンナノチューブ非存在領域）
３０  抵抗計
３２  シート
３４  電極
３６  電極基板
３８  台
４０  抵抗計
４２  シート
４４  電極
４６  電極基板
４８  台
【図１】
2007287375.tif 000004
【図２】
2007287375.tif 000005
【図３】
2007287375.tif 000006
【図４】
2007287375.tif 000007