(57)【要約】【課題】小型薄型化・高密度化回路基板に対して、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れる、レーザー照射により良好な微細開口可能なソルダーレジスト用樹脂組成物を提供する。【解決手段】シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、イミダゾール化合物、並びに無機充填材を必須成分とすることを特徴とするソルダーレジスト用樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、イミダゾール化合物、並びに無機充填材を必須成分とすることを特徴とするソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項２】
前記シアネート樹脂が、ノボラック型シアネート樹脂である請求項１に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂が、アリールアルキレン型エポキシ樹脂である請求項１または２に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項４】
前記フェノキシ樹脂が、ビフェニル骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＡ骨格の一種または複数種を含むフェノキシ樹脂を単品あるいは複数種混合したフェノキシ樹脂である請求項１〜３のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項５】
前記イミダゾール化合物は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基、および、シアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているものである請求項１〜４のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項６】
前記樹脂組成物中に含まれるＮａイオン、Ｃｌイオンが各々１０ｐｐｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項７】
ソルダーレジスト用樹脂組成物は、さらに着色剤としてハロゲンを含まない青色顔料とハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料とを含むものである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項８】
前記ハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で調合された着色剤である、請求項７に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項９】
前記ハロゲンを含まない黄色顔料がベンズイミダゾロンイエローである請求項７または８に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項１０】
前記ハロゲンを含まない青色顔料が銅フタロシアニンブルーである請求項７〜９のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項１１】
前記着色剤の含有量が、ソルダーレジスト用樹脂組成物に対して０．０１〜５重量％である請求項７〜１０のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項１２】
請求項1〜１１のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物を基材上に形成
してなるソルダーレジスト用樹脂シート。
【請求項１３】
請求項１２記載のソルダーレジスト用樹脂シートを回路が形成された基板に積層し、ソルダーレジスト層を形成する工程、レーザー照射によりソルダーレジスト層に開口部を形成する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の製造方法により作製したことを特徴とする回路基板。
【請求項１５】
請求項１４記載の回路基板に半導体チップを搭載して作製したことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はソルダーレジスト用樹脂組成物、ソルダーレジスト用樹脂シートおよびそれを用いた回路基板並びに回路基板を用いた半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の軽薄短小化や高機能化が急速度に進展しており、これら機器内に使用される半導体集積回路においても、小型化、高集積化が進行している。そのため、従来の半導体パッケージに比べて、集積回路の配線ピン数が増大するのに対し、実装面積やパッケージ面積は逆に小さくなるといったジレンマがあるため、従来のパッケージ方式とは異なる、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）方式、さらにはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）方式などの、実装密度の高いパッケージ方式が提案されている。
これらの半導体パッケージ方式では、従来型半導体パッケージに用いるリードフレームの代わりに、サブストレートまたはインターポーザーなどの、プラスチックやセラミックスなど各種材料を使って構成される半導体チップ搭載用プリント回路基板を使用して、半導体チップの電極とプリント回路基板の電気的接続を行っている。この半導体チップ搭載用プリント回路基板上に構成される回路は、小型薄型化・高密度化した電子機器内に導入されるものであり、一般的なプリント回路基板に比べて、基板厚が非常に薄く、配線が非常に細線化・高密度化が進んだものとなる。そこで、このようなパッケージの形式では、半導体チップとプリント回路基板の電極との電気的接続を行う際に、半田リフローなどにより、高温雰囲気で微細配線が接続されることより、この微細配線を保護する必要が生じる。その保護層として、種々の樹脂組成のソルダーレジストが開発されている。
【０００３】
一方、半導体実装の回路基板に用いるソルダーレジストは、通常、半田パッド用開口部を形成するため、半田パッドを載置する位置にパターンが形成されたフォトマスクを積層して、写真法により、露光した後、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）などの現像液で、現像されパターンが形成されている。しかしながら、電子機器の更なる小型化、大容量化に伴い、より一層配線の微細化が進むことから、写真法では、散乱光の影響により、微細な開口部を形成することが難しくなっておきており、レーザーによる開口が最近注目を集めている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、従来の感光性樹脂を、レーザーにより開口されるソルダーレジストに用いる場合、前記感光性樹脂はエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いたものであり、これを構成する樹脂の組成によっては、レーザー開口による開口精度が劣る場合があり、また、鉛フリー化に伴う、実装工程における半田リフロー温度の上昇に伴い、特に薄型の回路基板に対して熱時のクラックが発生する恐れがあり、更なる低線膨張率、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性などの向上が望まれている。
【特許文献１】特開２００３-１０１２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、小型薄型化・高密度化回路基板に対して、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れるソルダーレジスト用樹脂組成物を提供するものである。
また本発明の目的は、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れ、レーザー照射により良好な微細開口可能なソルダーレジストを提供するものである。
さらに、上記ソルダーレジストを用いて作製した回路基板、半導体パッケージは、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、［１］〜［１５］に記載の本発明により達成される。
［１］シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、イミダゾール化合物、並びに無機充填材を必須成分とすることを特徴とするソルダーレジスト用樹脂組成物。［２］前記シアネート樹脂が、ノボラック型シアネート樹脂である上記［１］に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［３］前記エポキシ樹脂が、アリールアルキレン型エポキシ樹脂である上記［１］または［２］に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［４］前記フェノキシ樹脂が、ビフェニル骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＡ骨格の一種または複数種を含むフェノキシ樹脂を単品あるいは複数種混合したフェノキシ樹脂である上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［５］前記イミダゾール化合物は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基、および、シアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているものである上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［６］前記樹脂組成物中に含まれるＮａイオン、Ｃｌイオンが各々１０ｐｐｍ以下である上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［７］ソルダーレジスト用樹脂組成物は、さらに着色剤としてハロゲンを含まない青色顔料とハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料とを含むものである、上記［１］〜［６］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。［８］前記ハロゲンを含まない黄色顔料および／またはハロゲンを含まない橙色顔料の合計量と、前記ハロゲンを含まない青色顔料の量とが、重量比１：１０〜１０：１割合で調合された着色剤である、上記［７］に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［９］前記ハロゲンを含まない黄色顔料がベンズイミダゾロンイエローである上記［７］または［８］に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［１０］前記ハロゲンを含まない青色顔料が銅フタロシアニンブルーである上記［７］〜［９］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［１１］前記着色剤の含有量が、ソルダーレジスト用樹脂組成物に対して０．０１〜５重量％である上記［７］〜［１０］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
［１２］上記［１］〜［１１］のいずれか１項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物を基材上に形成してなるソルダーレジスト用樹脂シート。
［１３］上記［１２］記載のソルダーレジスト用樹脂シートを回路が形成された基板に積層し、ソルダーレジスト層を形成する工程、レーザー照射によりソルダーレジスト層に開口部を形成する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
［１４］上記［１３］記載の製造方法により作製したことを特徴とする回路基板。
［１５］上記［１４］記載の回路基板に半導体チップを搭載して作製したことを特徴とする半導体パッケージ。
【０００６】
本発明は、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、イミダゾール化合物、並びに無機充填材を含有することを特徴とするソルダーレジスト用樹脂組成物であり、ハロゲン化合物を使用せずに優れた難燃性を有し、さらに冷熱サイクルなどの熱衝撃試験で剥離やクラックが発生しない高耐熱性および低熱膨張性を有し、Ｎａイオン、Ｃｌイオン性不純物が少ないことから耐湿信頼性に優れるソルダーレジストを提供できるものである。さらに上記ソルダーレジストを用いて作製した回路基板、半導体パッケージは、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、本発明のソルダーレジスト用樹脂組成物、およびソルダーレジスト、さらに該ソルダーレジストを用いた回路基板の実施形態について詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーを含有する。これにより、難燃性を向上させることができる。
シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
【０００８】
シアネート樹脂の種類としては特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。
これらの中でも、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度の増加により耐熱性を向上させることができるとともに、難燃性をさらに向上させることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。
なお、ノボラック型シアネート樹脂は、例えばノボラック型フェノール樹脂と、塩化シアン、臭化シアンなどの化合物とを反応させることにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
【０００９】
ここでノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（１）で示されるものを用いることができる。
【００１０】
【化１】
2007197706.tif 000002
【００１１】
上記一般式（１）で示されるノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量としては特に限定されないが、５００〜４，５００とすることができ、好ましくは６００〜３，０００である。
重量平均分子量が、小さすぎると得られる樹脂の機械的強度が低下する場合がある一方で、大きすぎると樹脂組成物の硬化速度が大きくなるため保存性が低下する場合ある。重量平均分子量を上記の範囲とすることで、得られる樹脂組成物は両者のバランスに優れたものとなる。
【００１２】
なお、上記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
ここでプレポリマーとは、通常、上記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
ここでプレポリマーとしては特に限定されないが、例えば、３量化率が２０〜５０重量％であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて
求めることができる。
【００１３】
本発明において、上記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、シアネート樹脂が有する上記特性を効果的に発現させるという観点からは、シアネート樹脂の含有量は、樹脂組成物全体の５〜５０重量％とすることができ、好ましくは１０〜４０重量％である。
ここで、シアネート樹脂の含有量が小さすぎるとシアネート樹脂による高耐熱性化する効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると架橋密度が高くなり自由体積が増えるため、耐湿性が低下する場合がある。シアネート樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、シアネート樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００１４】
本発明の樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂を含有する。これにより、該ソルダーレジスト樹脂組成物を実装時などでガラス転移温度以上の高温化であってもハロゲン原子による回路腐食がなく、実装後の信頼性が向上する。ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、エポキシ樹脂のハロゲン原子の含有量が０．１５重量％以下(ＪＰＣＡ−ＥＳ０１−２００３)のものをいう。
【００１５】
本発明の樹脂組成物で用いられるエポキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
ここで、アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂を指し、例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば下記一般式（２）で示されるものを用いることができる。
【００１６】
【化２】
2007197706.tif 000003
【００１７】
上記一般式（２）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂のｎは、１〜１０とすることができ、好ましくは２〜５である。ｎが小さすぎると、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある一方で、大きすぎると樹脂の流動性が低下し、成形不良などの原因となる場合がある。ｎを上記の範囲とすることで、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。
【００１８】
上記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、４，０００以下であることが好ましい。さらに好ましくは５００〜４，０００であり、特に好ましくは８００〜３，０００である。
エポキシ樹脂の重量平均分子量が小さすぎると、得られる樹脂組成物を用いて形成される樹脂付き金属箔や基材付き絶縁シートにタック性が生じる場合がある一方で、大きすぎると半田耐熱性が低下する場合がある。上記の範囲とすることで、エポキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００１９】
上記エポキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜４０重量％である。
エポキシ樹脂の含有量が小さすぎると、エポキシ樹脂による吸湿半田耐熱性、密着性を向上させる効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、得られる樹脂組成物の低熱膨張性が低下する場合がある。エポキシ樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、エポキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００２０】
本発明の樹脂組成物では、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂を含有する。これにより、当該ソルダー樹脂組成物を導体回路が設けられた絶縁層に加熱圧着した際に密着性が向上し、また前記ソルダーレジスト層の外部接続用半田ボールが搭載され前記導体回路と相対する位置に、開口部を設ける際にレーザーにより開口し、樹脂残渣（スミア）を除去するがその際に、フェノキシ樹脂を含有することで樹脂残渣を除去しやすくなる。ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、フェノキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が０．１５重量％以下(ＪＰＣＡ−ＥＳ０１−２００３)のものをいう。
【００２１】
上記フェノキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。これらの一種または複数種を含むフェノキシ樹脂を単品あるいは複数種混合したフェノキシ樹脂を用いることもできる。
これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格を有するものを用いることが好ましい。ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができ、ビスフェノールＳ骨格により難燃性が向上し、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格により可とう性が向上する。
【００２２】
特に、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂が好ましい。これにより、内層回路基板への密着性が向上する。
また、ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂が好ましく、これによりガラス転移温度を高くでき難燃性も向上する。
さらに好ましくは、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂とビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂を併用することであり、これらの特性をバランスよく発現させることができる。
上記ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するもの（ａ）と、上記ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するもの（ｂ）とを併用する場合、その併用比率としては特に限定されないが、例えば、（ａ）：（ｂ）＝２：８〜９：１とすることができる。
【００２３】
フェノキシ樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が５０００〜７００００であるものを用いることができ、５０００〜５００００であることが好ましい。さらに好ましくは１００００〜４００００である。フェノキシ樹脂の重量平均分子量が小さすぎると、フェノキシ樹脂による製膜性を向上させる効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記の範囲とすることで、フェノキシ樹脂の使用による効果は両者のバラン
スに優れるものとなる。
【００２４】
フェノキシ樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜３０重量％である。フェノキシ樹脂の含有量が小さすぎると、フェノキシ樹脂による製膜性を向上させる効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下する場合がある。フェノキシ樹脂の含有量を上記の範囲とすることで、フェノキシ樹脂の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００２５】
本発明の樹脂組成物では、硬化剤としてイミダゾール化合物を含有する。これにより、樹脂組成物の絶縁性を低下させることなく、シアネート樹脂やエポキシ樹脂の反応を促進することができる。
イミダゾール化合物としては特に限定されないが、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールなどを挙げることができる。
これらの中でも、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基、および、シアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているイミダゾール化合物が好ましく、特に２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール化合物の使用により、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができるとともに、この樹脂組成物で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。
【００２６】
上記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、上記シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、０．０５〜５重量％とすることができ、好ましくは０．１〜５重量％、さらに好ましくは０．１〜３重量％である。これにより、特に樹脂組成物の耐熱性を向上させることができる。
【００２７】
本発明の樹脂組成物は、無機充填材を含有する。これにより、低熱膨張性および難燃性の向上を図ることができる。また、上記シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー（特にノボラック型シアネート樹脂）と無機充填材との組合せにより、弾性率を向上させることができる。
【００２８】
上記無機充填材としては特に限定されないが、例えば、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカなどが挙げられる。これらの中でもシリカが好ましく、特に溶融シリカが低膨張性に優れる点で好ましい。
溶融シリカの形状としては、破砕状、球状があるが、球状のものが好ましい。このような形状の溶融シリカの使用により、樹脂組成物中における配合量を多くすることができ、その場合でも良好な流動性を付与することができる。
【００２９】
上記無機充填材の平均粒径としては特に限定されないが、０．０１〜５μｍであることが好ましい。さらに好ましくは０．１〜２μｍである。
無機充填材の平均粒径が小さすぎると、本実施形態の樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製する際に、樹脂ワニスの粘度が高くなるため、樹脂付き金属箔や基材付き絶縁シートを作製する際の作業性に影響を与える場合がある一方で、大きすぎると、樹脂ワニス中で無機充填材の沈降などの現象が起こる場合がある。無機充填材の平均粒径を上記の範囲とすることで、無機充填材の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。
また、上記無機充填剤は予め、樹脂組成物を溶解可能な溶媒中に分散することが好ましい。これより無機充填剤の分散性、樹脂ワニス調合の作業性が向上する。
【００３０】
上記無機充填材の含有量として特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜７０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは３０〜６０重量％である。
無機充填材の含有量が小さすぎると、無機充填材による低熱膨脹性、低吸水性を付与する効果が低下する場合がある一方で、大きすぎると、樹脂組成物の流動性の低下により成形性が低下する場合がある。無機充填材の含有量を上記の範囲とすることで、無機充填材の使用による効果は、両者のバランスに優れるものとなる。
【００３１】
本発明の樹脂組成物では、更にカップリング剤を含有させてもよい。カップリング剤を使用することにより、樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を向上させることができるので、耐熱性、特に吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
【００３２】
上記カップリング剤としては特に限定されないが、エポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤、および、シリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用すること好ましい。これにより、樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を特に高めることができ、耐熱性をより向上させることができる。
【００３３】
上記カップリング剤の含有量としては特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３．００重量部であることが好ましい。含有量が小さすぎると、無機充填材を被覆して耐熱性を向上させる効果が充分でない傾向にある一方で、大きすぎると、ソルダーレジスト樹脂組成物の硬化物に関して曲げ強度が低下する傾向にある。カップリング剤の含有量を上記の範囲とすることで、カップリング剤の使用による効果は両者のバランスに優れるものとなる。
【００３４】
本発明の樹脂組成物では、着色剤を必要に応じて添加することが出来る。一般に緑色が開口部の確認と目視で長時間観察する際に見やすい色とされている。緑色の着色剤としては塩素化フタロシアニングリーンが用いられているが、脱ハロゲン化のため、例えば、前記塩素化フタロシアニンに替わって青色顔料と黄色および／または橙色顔料を混ぜて緑色にした着色剤が好ましい。
前記着色剤に含まれる、青色顔料としては、その化合物構造中に、ハロゲン原子を含まない青色顔料であれば特に限定されるものでない。
例えば、銅フタロシアニンブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  １５）、無金属フタロシアニンブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  １６）、チタニルフタロシアニンブルー、鉄フタロシアニンブルー、ニッケルフタロシアニンブルー、アルミフタロシアニンブルー、錫フタロシアニンブルー、アルカリブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｂｌｕｅ  １，２，３，１０，１４，１８，１９，２４，５６，５７，６１）、スルホン化ＣｕＰｃ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  １７）、紺青（Ｃ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ  ２７）、群青（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ２９）、コバルトブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ２８）、スカイブルー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ３５）、Ｃｏ（Ａｌ，Ｃｒ）2Ｏ4（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ３６）、ジスアゾ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ２５，２６）、インダントロン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ６０）、インジゴ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ６３，６６）、コバルトフタロシアニン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｌｕｅ  ７５）などが挙げられるが、これらの中でも、無金属のフタロシアニン、銅フタロシアニンブルーが好ましい。
【００３５】
前記黄色顔料としては、その化合物構造中にハロゲン原子を含まないものであれば特に
限定されるものではない。黄色顔料の例として、モノアゾイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １，４，５，９，６５，７４）、ベンズイミダゾロンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １２０，１５１，１７５，１８０，１８１，１９４）、フラバントロンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ２４）、アゾメチルイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １１７，１２９）、アントラキノンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １２３，１４７）、イソインドリンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １３９，１８５）、ジスアゾイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５）、縮合多環系（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １４８，１８２，１９２）、酸化鉄（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ４２）、ジスアゾメチン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ
１０１）、アゾレーキ（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ６１，６２，１００，１０４，１３３，１６８，１６９）、金属錯体（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５０，１５３，１７７，１７９）などが挙げられ、特にベンズイミダゾロンイエロー（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５１）が好ましい。
【００３６】
前記橙色顔料としては、その化合物構造中にハロゲン原子を含まないものであれば特に限定されるものではない。橙色顔料の例として、ペリノン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ４３）、ベンズイミダゾロン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ６２）、アゾメチン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ６４）、ジケトピロロピロール（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ７１）などが挙げられ、特にベンズイミダゾロン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ６２）、アゾメチン（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ６４）が好ましい。
【００３７】
青色顔料と、黄色顔料および／または橙色顔料との混合割合としては、前記青色顔料に対する黄色顔料および／または橙色顔料の重量比（青色顔料：黄色顔料および／または橙色顔料）が、１：１０〜１０：１であることが好ましく、更に好ましくは、３：７〜７：３である。１：１０〜１０：１の範囲外では緑に見えなくなり好ましくない。
【００３８】
本発明に用いる着色剤において、前記顔料成分を分散させるために用いる有機溶剤としては、アセトン、メタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−（メトキシメトキシ）エタノール、２−ブトキシエタノール、２−（イソペンチルオキシ）エタノール、２−（ヘキシルオキシ）エタノール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、液体ポリエチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、液体ポリプロピレングリコールなどが挙げられるが特に限定されるものでない。前記顔料成分と相溶性が高く分散させやすいものであれば特に限定されるものでないが、ソルダーレジスト用樹脂組成物ととも分散しやすいものを用いることが好ましい。また物理的な分散として、攪拌装置や、超音波攪拌を用いても特に問題ないし、分散性を向上させるため予め青色顔料と黄色および／または橙色顔料を混ぜて緑色にした顔料を予め溶剤に分散させ、その分散液を、ソルダーレジスト用樹脂組成物と混合することも特に問題はない。攪拌時間、攪拌速度は特に限定されるものでない。
予め溶剤に分散させる場合の溶剤の量としては顔料１重量部に対し２〜２０重量部が好ましく、さらに好ましくは４〜１０重量部である。２重量部より少ないとうまく分散できず、２０重量部より多いと溶媒が多くなりソルダーレジスト樹脂組成物と混ぜたさいに、溶剤を除去するのに時間を要する。
また着色剤がソルダーレジスト樹脂組成物中に含まれる割合としてはソルダーレジスト樹脂組成物中の０．０１重量％〜１０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．１重量％
〜５重量％である。０．０１重量％未満であると色合いが薄く、ソルダーレジスト下の回路が容易に見える。１０重量％より多く添加した場合、色が濃くなりレーザー開口するさいにパッドをレーザー照射装置で認識できなくなる。
【００３９】
本発明の樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を含有することができる。
また、本実施形態のソルダーレジスト樹脂組成物は、Ｎａイオン、Ｃｌイオンは各々１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。これにより、樹脂組成物の耐湿信頼性、特に高温加湿時の耐イオンマイグレーション性が向上する。
【００４０】
本発明のソルダーレジスト樹脂組成物の製造において、前記無機充填剤は、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、に溶解することができる樹脂に、予め分散させておくか、アセトン、メタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−（メトキシメトキシ）エタノール、２−ブトキシエタノール、２−（イソペンチルオキシ）エタノール、２−（ヘキシルオキシ）エタノール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、液体ポリエチレングリコール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、液体ポリプロピレングリコールなどの有機溶剤に分散させておくことが好ましい。予め、分散させておくことにより、２次凝集を防止することができ、ソルダーレジスト層において無機充填材が不均一に分散することがなくなるため、レーザー照射後、残渣もなく、良好な開口を行うことができる。ここで、さらに、粒径が上記微細な無機充填材を用いて分散させることがより好ましい。
【００４１】
本発明のソルダーレジスト用樹脂組成物の製造方法としては、例えば、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマー、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂、イミダゾール化合物、無機充填材、並びに、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、カルビトールアセテートおよびセロソルブアセテートなどの有機溶剤に溶解させ、必要に応じて、上記記載の添加剤を添加後、室温で２〜５時間攪拌することで得ることができる。
本発明のソルダーレジスト用樹脂組成物は、例えば、上記ソルダーレジスト用樹脂組成物を、導体回路が設けられた絶縁層に、通常１〜６０μｍ程度の厚みで塗布し、６０〜１８０℃程度の温度で、５〜１０分間程度の熱処理を行うことにより、ソルダーレジスト中の溶剤を除去して、１００℃〜２００℃で１〜５時間硬化させ使用することができる。
【００４２】
次に、本発明のソルダーレジスト用樹脂シートについて説明する。
本発明のソルダーレジスト用樹脂シートは、上記樹脂組成物で構成される樹脂層を基材に形成してなるものである。
ここで、樹脂組成物を基材に形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法、樹脂ワニスをスプレー装置を用いて基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁樹脂層の厚みを有するソルダーレジスト用樹脂シートを効率よく製造することができる。
【００４３】
前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系などが挙げられる。
上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。
【００４４】
本発明のソルダーレジスト用樹脂シートにおいて、絶縁樹脂層の厚さとしては特に限定されないが、１〜８０μｍであることが好ましい。さらに好ましくは５〜５０μｍである。これにより、このソルダーレジスト用樹脂シートを用いて回路基板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適な絶縁樹脂層厚みを確保することができる。また、ソルダーレジスト用樹脂シートにおいては、絶縁樹脂層の割れ発生を抑え、裁断時の粉落ちを少なくすることができる。
【００４５】
本発明のソルダーレジスト用樹脂シートに用いられる基材としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルム、あるいは、銅および／または銅系合金、アルミおよび／またはアルミ系合金、鉄および／または鉄系合金、銀および／または銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金などの金属箔などを用いることができる。
上記基材の厚みとしては特に限定されないが、１０〜１００μｍのものを用いると、ソルダーレジスト用樹脂シートを製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
また、ソルダーレジスト用樹脂シートの絶縁樹脂層と接合される側にカバーフィルムを形成しても良い。これにより、絶縁層樹脂表面の異物の付着や傷を防ぐことができる。
なお、本発明のソルダーレジスト用樹脂シートを製造するにあたっては、絶縁樹脂層と接合される側の絶縁基材表面の凹凸は極力小さいものであることが好ましい。これにより、本発明の作用を効果的に発現させることができる。
【００４６】
次に、本発明の回路基板について説明する。
本発明の回路基板は、前記ソルダーレジスト用樹脂シートを回路が形成された基板に積層することにより回路基板として用いることができる。例えば多層ビルドアップ回路基板からなるモジュール接続用基板のリジッド部分、フリップチップＢＧＡ搭載用インターポーザー、受動部品乃至前記インターポーザー搭載用マザーボードなどの回路基板に、開口したい部分に、炭酸ガスレーザー、３次高調波ＵＶ-ＹＡＧレーザー、４次高調波ＵＶ−
ＹＡＧレーザーおよびエキシマレーザーなどのレーザー照射によりパターニングを行う。開口径が２０〜１００μｍである場合、３次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザー、４次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザーおよびエキシマレーザーが好ましく、微細加工性などから、３次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザーがより好ましく、４次高調波ＵＶ−ＹＡＧレーザーがさらに好ましく、エキシマレーザーが特に好ましい。またその開口径が４０μｍ〜３００μｍである場合、炭酸ガスレーザーにて加工することが望ましい。開口後、例えば、過マンガン酸塩溶液（デスミアの薬液）に侵し、開口部の樹脂残渣（スミア）を除去することができる。また、プラズマなどのドライエッチング方式により樹脂残渣を除去することもできる。
さらに、上記で得た開口部が設けられた基板には例えば半導体チップを搭載することができる。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明を実施例および比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
【００４８】
実施例および比較例で用いる原材料は次のとおりである。
（１）シアネート樹脂Ａ／ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・「プリマセットＰＴ−３０」、重量平均分子量７００
（２）シアネート樹脂Ｂ／ノボラック型シアネート樹脂：ロンザ社製・「プリマセットＰＴ−６０」、重量平均分子量２６００
（３）エポキシ樹脂／ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬社製・「ＮＣ−３０００」、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００
（４）フェノキシ樹脂Ａ／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「ＹＸ−８１００Ｈ３０」、重量平均分子量３００００）
（５）フェノキシ樹脂Ｂ／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン社製・「エピコート４２７５」、重量平均分子量６００００）
（６）硬化触媒／イミダゾール化合物：四国化成工業社製・「２−フェニル−４，５−ジヒ
ドロキシメチルイミダゾール」
（７）無機充填材／球状溶融シリカ：アドマテックス社製・「ＳＯ−２５Ｈ」、平均粒径０．５μｍ
（８）カップリング剤／エポキシシランカップリング剤：日本ユニカー社製・「Ａ−１８７」
（９）着色剤／フタロシアニンブルー：ベンゾイミダゾロン：メチルエチルケトン（＝1
：1：８）混合物（山陽色素社製）
【００４９】
［実施例１］
シアネート樹脂Ａ２５重量部、エポキシ樹脂２５重量部、フェノキシ樹脂Ａ１０重量部、硬化触媒０．４重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３９重量部とカップリング剤０．２重量部、着色剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト用樹脂ワニス１を調製した。得られた樹脂ワニスを、ＰＥＴ基材フィルム上に、３０μｍの厚みで塗布し、１５０℃で１０分熱処理し、溶剤を除去して固形化し、ＰＥＴ基材付き樹脂フィルムを作製し、さらに、必要に応じて、樹脂フィルム上に、ＰＰカバーフィルムを積層してソルダーレジスト用樹脂シートを作製し、各種評価を行った。
【００５０】
［実施例２］
シアネート樹脂Ａ１５重量部、シアネート樹脂Ｂ１０重量部、エポキシ樹脂２５重量部、フェノキシ樹脂Ａ１０重量部、硬化触媒０．４重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３９重量部とカップリング剤０．２重量部、着色剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト用樹脂ワニス２を調製した。実施例１で用いたソルダーレジスト用樹脂ワニス１をソルダーレジスト用樹脂ワニス２に替えた以外は実施例１と同様にして、ソルダーレジスト用樹脂シートを作製し、各種評価を行った。
【００５１】
［実施例３］
シアネート樹脂Ａ３０重量部、エポキシ樹脂１５重量部、フェノキシ樹脂Ａ１０重量部、フェノキシ樹脂Ｂ５重量部、硬化触媒０．４重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３９重量部とカップリング剤０．２重量部、着色剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト用樹脂ワニス３を調製した。実施例１で用いたソルダーレジスト用樹脂ワニス１
をソルダーレジスト用樹脂ワニス３に替えた以外は実施例１と同様にして、ソルダーレジスト用樹脂シートを作製し、各種評価を行った。
【００５２】
［実施例４］
シアネート樹脂Ａ３０重量部、シアネート樹脂Ｂ１０重量部、エポキシ樹脂２０重量部、フェノキシ樹脂Ａ５重量部、フェノキシ樹脂Ｂ５重量部、硬化触媒０．４重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材２９重量部とカップリング剤０．２重量部、着色剤０．４重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％のソルダーレジスト用樹脂ワニス４を調製した。実施例１で用いたソルダーレジスト用樹脂ワニス１をソルダーレジスト用樹脂ワニス４に替えた以外は実施例１と同様にして、ソルダーレジスト用樹脂シートを作製し、各種評価を行った。
【００５３】
（比較例１）
実施例１において、エポキシ樹脂の全量をシアネート樹脂Ａに替えた以外は、実施例１と同様にして実施した。
【００５４】
（比較例２）
実施例１において、シアネート樹脂Ａの全量をエポキシ樹脂に替えた以外は、実施例１と同様にして実施した。
【００５５】
（比較例３）
アクリル系樹脂を主骨格とする組成のドライフィルム型感光性ソルダーレジスト（ＰＦＲ８００−ＡＵＳ４０２：太陽インキ製造社製）を使用した以外は、全て実施例１と同様にして実施した。
【００５６】
以下に評価項目と評価方法を示す。
［ガラス転移温度測定］
常圧ラミネータを用い、上記で作製したソルダーレジスト用樹脂シートの樹脂層を３枚積層して、９０μｍ厚のフィルムを作製し、２００℃、１時間で硬化したものを試験片（幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ９０μｍ）に切り出して用いた。
測定には、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製  ＤＭＳ６１００）を用い３℃／分の割合で昇温しながら、周波数１０Ｈｚの歪みを与えて動的粘弾性の測定を行い、ｔａｎδのピーク値からガラス転移温度（Ｔｇ）を判定した。
【００５７】
［線膨張係数］
常圧ラミネータを用い、上記で作製したソルダーレジスト用樹脂シートの樹脂層を２枚積層して、６０μｍ厚のフィルムを作製し、試験片（幅３ｍｍ×長さ２０ｍｍ×厚さ６０μｍ）を成形し、２００℃、１時間で硬化したものを試験片（幅３ｍｍ×長さ２０ｍｍ×厚さ６０μｍ）に切り出して用いた。
測定にはＴＭＡ（ＴＡインスツルメント（株）製）を用いて線膨張係数を１０℃／分で測定した。ガラス転移温度以下の線膨張係数α１は３０℃から５０℃の平均で判定し、ガラス転移温度以上の線膨張係数α２はガラス転移温度〜ガラス転移温度＋２０℃の平均で判定した。
【００５８】
［誘電率および誘電正接］
上記で作製したソルダーレジスト用樹脂シート（樹脂厚３０μｍ）を７０μｍ厚銅箔の光沢面に常圧ラミネータを用い形成し、ＰＥＴを剥離し、２００℃、１時間で硬化させた。次に樹脂表面に銀ペーストにて８０ｍｍφの電極を印刷し、１５０℃、１時間で乾燥させ試験片とした。測定にはプレシジョンメーター４２８４Ａ（ヒューレット・パッカード社製）を用いて周波数１ＭＨｚにおける電気容量および誘電正接を測定した。誘電率は電
気容量と樹脂厚み、電極面積を併用して、算出した。
【００５９】
［Ｎａイオン、Ｃｌイオン不純物測定］
上記で作製したソルダーレジスト用樹脂シート（樹脂厚３０μｍ）からＰＥＴを剥離したものを、２００℃、１時間硬化させ、凍結粉砕により２５０μｍ以下粉砕し、粉末試料３ｇをプレッシャークッカー容器に精秤し、超純水４０ｍｌを加え容器を密閉し、手動で１分間振とうし、試料を水と馴染ませた。
１２５℃に設定されたオーブンに容器を投入し、連続２０時間加熱加圧処理を行い、室温まで放冷後、内溶液を遠心分離したものを検液とした。その液をイオンクロマト法により分析した。
【００６０】
[難燃性]
銅張り積層板（住友ベークライト社製ＥＬＣ−４７８５ＧＳ：厚み１．２ｍｍ）をエッチング処理して形成した導体回路パターンを形成し、さらに脱脂、ソフトエッチングなどの前処理を施し、 上記で得られたソルダーレジスト用樹脂シートをラミネートし、２０
０℃で１時間熱硬化処理を行い、ＵＬ-９４規格、垂直法により測定した。
これらの評価結果を表１に示した。
【００６１】
【表１】
2007197706.tif 000004
【００６２】
［実施例１Ａ］（回路基板、半導体パッケージの作製）
銅張り積層板（住友ベークライト社製ＥＬＣ-４７８５ＧＳ：厚み１．２ｍｍ）をエッ
チング処理して形成した導体回路パターンを形成し、さらに脱脂、ソフトエッチングなどの前処理を施し、実施例１で得られたソルダーレジスト用樹脂シートをラミネートし、２００℃で１時間熱硬化処理を行い、ＵＶ-ＹＡＧレーザー（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ社製６
０５ＬＤＸ）を用い回路パターンの対応する個所にレーザー光を照射し、直径（ランド径）５０μｍの開口を行った。その後、過マンガン酸塩溶液（デスミアの薬液）に侵し、開口部の樹脂残渣（スミア）を除去した。さらにエンプレートＭＬＢ-７９０（メルテック
社製の硫酸ヒドロキシルアミン水溶液を主成分とする溶液）と濃硫酸および蒸留水の混合液に６０〜６５℃で、５〜１０分間浸漬し、中和処理した。その後、金メッキ処理又はプリフラックス処理を行い、５０ｍｍ角に切断し回路基板を作製した。さらに、この回路基板にバンプを形成した半導体チップをバンプに溶融による接合により搭載し半導体パッケージを作製し、以下の評価を実施した。
【００６３】
［耐湿性試験］
上記作製した半導体パッケージ１５個を１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１００時間毎に１５個の半導体パッケージの不良を確認し、不良が８個未満であれば○、８個以上になれば×とした。なお８個以上不良が発生した時点でそのサンプルの測定は中止した。
断線不良は１００時間毎に１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中の漕よりサンプルを取出し、半導体パッケージの外周部に設けられた導通測定用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ：Ｘ＝ＹＣ  Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１  ６）により断線発生の有無を検証した。
この結果を表２に示す。
【００６４】
［熱衝撃性試験］
上記耐湿性試験において用いたものと同様の半導体パッケージ１０個を、１２５℃で２４時間、乾燥処理を行い、ＪＥＤＥＣ  ＬＥＶＥＬ３処理に従い６５℃／６０％相対湿度の恒温恒湿槽に入れ、４０時間放置した。その後、ＩＲリフロー（Ｎ２フロー中）に３回通し、−５５℃と１２５℃の槽が瞬時に入れ替わる装置（ＥＳＰＥＣ製ＴＨＥＲＭＡＬ  ＳＨＣＫ  ＣＨＡＭＢＥＲ  ＴＳＡ-１０１Ｓ）に半導体パッケージを１０個投入し１２
５℃３０分後、−５５℃３０分を１サイクルとし、２５０サイクル毎、１０００サイクル後までの導通試験、剥離観察を行った。
導通試験では半導体パッケージの外周部に設けられた導通測定用パッドを導通試験機（ＨＩＯＫＩ：Ｘ＝ＹＣ  Ｈｉｇｈｔｅｓｔｅｒ１１１  ６）により接合不良または回路の断線発生の有無を検証した。
剥離観察では、半導体チップが搭載された面の剥離、クラックをＳＡＴにより観察した。この結果を表２に示す。
【００６５】
［実施例２Ａ〜４Ａ、比較例１Ａ〜３Ａ］
実施例１で得られたソルダーレジスト用樹脂シートに替えて、実施例２〜４、比較例１〜３で得られたソルダーレジスト用樹脂シートを用いた以外は実施例１Ａと同様にして半導体パッケージを作製し、耐湿性試験、熱衝撃性試験を行った。その結果を表２に示す。
【００６６】
【表２】
2007197706.tif 000005
【００６７】
表２において、導通試験の項目で、完全に接続しているものは○、一箇所でも導通がされていない場合は×としている。剥離観察の項目では、剥離が観察されなかったサンプルを○、層間での剥離が観察されたサンプルを×としている。
実施例１Ａ〜４Ａと比較例１Ａ〜３Ａの評価結果から、実施例は、高耐熱性であり、線膨張係数が小さいことから熱衝撃性にも優れ、耐湿性にも優れる。
比較例１Ａは、エポキシ樹脂がないため、シアネートの架橋が支配するため自由体積が大きくなり、吸湿しやすくなるためと推定されるが、耐湿性に劣っていた。比較例２Ａはシアネート樹脂がないため難燃性が低くなり、従って熱衝撃性が低下したと推定される。比較例３Ａは耐熱性が低く、線膨張係数も大きいためと推定されるが、耐湿性、熱衝撃性が劣る結果となった。
【００６８】
［実施例１Ｂ］
銅張り積層板（住友ベークライト社製ＥＬＣ−４７８５ＧＳ：厚み０．８ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ）をエッチング処理し、回路幅／回路間幅が５０μｍ／５０μｍの櫛歯パターンを形成した。さらに脱脂、ソフトエッチングなどの前処理を施し、実施例１で得られた
ソルダーレジスト用樹脂シートをラミネートし、２００℃で１時間熱硬化処理を行い、耐湿性（耐イオンマイグレーション試験）試験用回路基板を得た。
［耐湿性試験（耐イオンマイグレーション試験）］
耐湿性（耐イオンマイグレーション性）試験用回路基板を８５℃、相対湿度８５％の雰囲気下で、ＤＣ５０Ｖの電圧を印加し、絶縁抵抗値の経時変化をマルチ絶縁抵抗測定器（装置名：ＳＩＲ１２、楠本化成（株）社製）により評価した。０〜１、０００時間後の絶縁抵抗値が常に１×１０６Ω以上であり、イオンマイグレーションが確認されず、良好な結果であった、
【００６９】
［実施例２Ｂ〜４Ｂ］
実施例１で得られたソルダーレジスト用樹脂シートに替えて、実施例２〜４で得られたソルダーレジスト用樹脂シートを用いた以外は実施例１Ｂと同様にして耐湿性（耐イオンマイグレーション試験）試験用回路基板を作製し、耐湿性（耐イオンマイグレーション試験）試験を行った。いずれのサンプルも０〜１、０００時間後の絶縁抵抗値が常に１×１０６Ω以上であり、イオンマイグレーションが確認されず、良好な結果であった、
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明のソルダーレジスト用樹脂組成物は、耐熱性に優れ、線膨張係数も低く、耐湿性、熱衝撃性に優れることから、ソルダーレジスト、封止材料、成形材料、コーティング材料、インターポーザーやプリント回路基板の層間絶縁層などに用いることができる。