(57)【要約】【課題】  高周波領域においても優れた伝送特性を示すスルーホール基板を得る。【解決手段】  シリコン製のコア板１を備え、コア板に形成されたスルーホール２内に導電材３を充填してコア板の表裏間の電気的導通をとる。コア板を形成するシリコンの比抵抗を１００Ωｃｍ以上とすることで、例えば２０ＧＨｚの高周波領域においても優れた伝送特性を示す導電材充填スルーホール基板を得ることができ、高周波領域において低損失化を実現し電子機器の更なる小型軽量化に資することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン製のコア板を備え、コア板に形成されたスルーホール内に導電材が充填されてコア板の表裏間の電気的導通がとられた導電材充填スルーホール基板において、コア板を形成するシリコンの比抵抗が１００Ωｃｍ以上であることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項２】
請求項１に記載の導電材充填スルーホール基板において、シリコンの比抵抗が５００Ωｃｍ〜２０，０００Ωｃｍであることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の導電材充填スルーホール基板において、スルーホールの内壁面に絶縁層が設けられていることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、スルーホールの内壁面の最大表面粗さが３μｍ以下であることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、導電材が導電性金属ペーストであることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項６】
請求項５に記載の導電材充填スルーホール基板において、導電性金属ペーストが含有する金属粉が銅粉、銀粉、金粉又は銅粒子を銀で被覆した銀コート銅粉であることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、導電材がスルーホール内に電解めっき層として形成されたことを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項８】
請求項７に記載の導電材充填スルーホール基板において、導電材が銅、銀、金、ニッケル又はクロムであることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、コア板の厚みが５０μｍ〜６００μｍであることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、コア板の厚みが３５０μｍ〜５００μｍであることを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、コア板の表面と裏面のいずれか一方又は双方に多層配線部が形成され、この多層配線部がスルーホール内の導電材に電気的に接続されたことを特徴とする導電材充填スルーホール基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体チップを搭載する多層配線基板として用いることができる導電材充填スルーホール基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン製のコア板を備え、コア板に形成されたスルーホール内に導電材が充填されてコア板の表裏導通がとられた導電材充填スルーホール基板が知られている。コア板をシリコンで形成すると、半導体チップと熱膨張係数が同一になり、温度変化による膨張収縮の際に歪みが発生し難くなるので都合がよいとされる。また、コア板を比抵抗が１０Ωｃｍ以上５０Ωｃｍ以下のシリコンで形成することが提案されている。コア板におけるシリコンの比抵抗を１０Ωｃｍ以上とすることにより、高周波領域においても優れた伝送特性を示す多層配線基板を得ることができ、また、５０Ωｃｍ以下とすることにより、電着方法による絶縁膜形成が可能となり製造コストが低減され、かつ高周波領域においても優れた伝送特性を示す多層配線基板を得ることができるとされる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１６７０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、近年の電子機器の小型軽量化に伴う信号の高周波化の影響により、今まで以上に低損失の導電材充填スルーホール基板が要求されるところとなり、導電材充填スルーホール部の損失（S21）について、２０ＧＨｚで−０．９ｄＢ以下、更には２０ＧＨｚで−０．６ｄＢ以下を実現しなければならない状況下になっている。このような低損失は従来実現化が困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、本発明は次のような構成を採用した。
【０００５】
すなわち、請求項１に係る発明は、シリコン製のコア板（１）を備え、コア板（１）に形成されたスルーホール（２）内に導電材（３）が充填されてコア板（１）の表裏間の電気的導通がとられた導電材充填スルーホール基板において、コア板（１）を形成するシリコンの比抵抗が１００Ωｃｍ以上であることを特徴とする。
【０００６】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の導電材充填スルーホール基板において、シリコンの比抵抗が５００Ωｃｍ〜２０，０００Ωｃｍであることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の導電材充填スルーホール基板において、スルーホール（２）の内壁面に絶縁層（７）が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、スルーホール（２）の内壁面の最大表面粗さが３μｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、導電材（３）が導電性金属ペーストであることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の導電材充填スルーホール基板において、導電性金属ペーストが含有する金属粉が銅粉、銀粉、金粉又は銅粒子を銀で被覆した銀コート銅粉であることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項７に係る発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、導電材がスルーホール内に電解めっき層として形成されたことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項８に係る発明は、請求項７に記載の導電材充填スルーホール基板において、導電材が銅、銀、金、ニッケル又はクロムであることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項９に係る発明は、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、コア板（１）の厚みが５０μｍ〜６００μｍであることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項１０に係る発明は、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、コア板（１）の厚みが３５０μｍ〜５００μｍであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項１１に係る発明は、請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の導電材充填スルーホール基板において、コア板（１）の表面と裏面のいずれか一方又は双方に多層配線部（４，５）が形成され、この多層配線部（４，５）がスルーホール（２）内の導電材（３）に電気的に接続されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、コア板（１）を形成するシリコンの比抵抗を１００Ωｃｍ以上とし、望ましくは５００Ωｃｍ以上２０，０００Ωｃｍ以下とすることから、例えば２０ＧＨｚの高周波領域においても優れた伝送特性を示す導電材充填スルーホール基板を得ることができる。したがって、高周波領域において低損失化を実現し電子機器の更なる小型軽量化に資することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１８】
図１に示すように、この導電材充填スルーホール基板は多層配線基板として構成されており、シリコン製のコア板１を備え、このコア板１に形成されたスルーホール２内に導電材３が充填されることによりコア板１の表裏間の電気的導通がとられている。
【００１９】
コア板１には、スルーホール２が所定個数及び所定の配置で形成される。スルーホール２内には、例えば導電性ペーストからなる導電材３が充填される。この導電材３によりコア板１の表裏間が電気的に導通可能となる。導電性ペーストとしては、銅ペースト、銀ペースト等の公知のものを用いることができる。
【００２０】
スルーホール２内にのみ導電材３を充填することも可能であるが、コア板１の表面及び裏面から導電材３を突出させた構造をとることも可能である。導電材３をスルーホール２から突出させた構造をとることにより、スルーホール２の導電部分の領域を確保することが容易となる。この突出した導電材３によりスルーホール２のランド３ａ，３ｂが形成される。このランド３ａ，３ｂの径を導電材３を充填したスルーホール２の孔径よりも大きくすることにより、多層配線部４，５の接続が簡易化される。ランド３ａ，３ｂの径は望ましくはスルーホール２の径よりも１０μｍ〜１００μｍの範囲で大きく形成される。また、ランド３ａ，３ｂにおけるコア板１の表面からの突出量は、望ましくは１μｍ〜１５μｍの範囲内である。突出量が１μｍ以下であると、スルーホール２の導電のための領域を十分に確保することができず、１５μｍを超えるとスルーホール基板の薄型化を阻害することになる。
【００２１】
コア板１の表面と裏面には、平坦化絶縁層６ａ，６ｂが積層され、この平坦化絶縁層６ａ，６ｂ中に上記スルーホール２のランド４ａ，４ｂが表面のみ露出するように埋設される。これにより、コア板１の表面と裏面がそれぞれ平坦化される。平坦化絶縁層６ａ，６ｂの材料としては、はんだリフロー温度である２５０°Ｃ以下で用いることが可能な絶縁材料であり、特に限定されないが、例えばベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、アラミド、ポリオレフィン、フッ素樹脂、ポリエステル、液晶ポリマー、BTレジン、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾール等を、単独でまたは２種以上を混合して使用できる。
【００２２】
また、上記樹脂にガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用することができる。
【００２３】
さらに、上記樹脂と補強材としてガラス、アラミド、フッ素、ポリベンゾオキサゾール、液晶ポリマー等の織布、不織布、編み物等の強化繊維を組み合わせても使用できる。
【００２４】
コア板１に設けるスルーホール２の内壁面は、望ましくは最大表面粗さが３μｍ以下になるように仕上げられる。スルーホール２の内壁面の最大表面粗さが３μｍを超えると、表皮効果による高周波伝送損失が大きくなり、電気特性上好ましくない。表皮効果が影響する導体表面からの表皮深さは、信号周波数の逆数の平方根に比例する。従って、信号周波数が大きくなるほど表皮深さは小さくなる。
【００２５】
スルーホール２の内壁面に対する最大表面粗さの測定は、加工すべき製品と同一サイズ、同一パターンの測定用試料を作製し、同一のスルーホール加工条件で穿孔し、スルーホール２の縦切断面を測長型の走査型電子顕微鏡で計測することによって行なわれる。
【００２６】
コア板１の表面には、スルーホール２の内壁面を含めて、必要に応じて絶縁層７が形成される。絶縁層７は、コア板１にスルーホール２を開けた後に、スルーホール２の内壁面を含むコア板１の表裏両面に、例えば熱酸化法により酸化シリコン膜を形成することにより設けられる。
【００２７】
コア板１の表面と裏面の双方には、配線部が平坦化絶縁層６ａ，６ｂの上から望ましくは多層構造で設けられる。この多層配線部４，５は、コア板１の平坦化絶縁層６ａ，６ｂ及びランド３ａ，３ｂの上にビルドアップされ、ランド３ａ，３ｂに電気的に接続される。
【００２８】
多層配線部４，５は、ビアホール（via hole）８ａを含んだ絶縁層８、配線９ａ及びビアホール９ｂを含んだ絶縁層９、配線１０ａを含んだ絶縁層１０等の積層体から構成される。ビアホール８ａ，９ｂ内には例えば導電性ペースト又はめっきからなる導電材１１が充填される。絶縁層９，１０内の配線９ａ，１０ａはビアホール８ａ，９ｂ内の導電材１１を介して相互に電気的に接続され、ランド３ａ，３ｂを介してスルーホール２内の導電材３に電気的に接続される。
【００２９】
多層配線部４，５の配線９ａ，１０ａ、ビアホール８ａ，９ｂ内の導電材１１としては、銅、銀、金、ニッケル、クロム等を用いることができる。また、多層配線部４，５の絶縁層８，９，１０の材料としては、特に限定されないが、例えばベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、アラミド、ポリオレフィン、フッ素樹脂、ポリエステル、液晶ポリマー、BTレジン、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾール等を、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００３０】
また、上記樹脂にガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用することができる。
【００３１】
さらに、上記樹脂と補強材としてガラス、アラミド、フッ素、ポリベンゾオキサゾール、液晶ポリマー等の織布、不織布、編み物等の強化繊維を組み合わせても使用できる。
【００３２】
上記コア板１は、シリコンで形成される。シリコンは熱膨張係数が半導体チップと同じであることから、温度変化による膨張収縮等の形状変化が半導体チップと同一となり、従って、スルーホール基板は信頼性の高い配線基板となる。
【００３３】
この導電材充填スルーホール基板のコア板１は、比抵抗が１００Ωｃｍ以上、望ましくは５００Ωｃｍ〜２０，０００Ωｃｍであるシリコンにより形成される。これにより、高周波信号である例えば２０ＧＨｚの高周波信号を流した時の高周波伝送損失を−０．９ｄＢ以下さらには−０．６ｄＢ以下の減衰に抑えることができる。
【００３４】
コア板１を形成するシリコンを上記数値範囲内の所望の抵抗値とするには、チョコラルスキ法（ＣＺ法）、フローティング法（ＦＺ法）等のシリコン単結晶作製時にドーパントとしてホウ素等をドープする従来公知の方法を用いることができる。
【００３５】
また、コア板１は、厚みが望ましくは５０μｍ〜６００μｍ、より望ましくは３５０μｍ〜５００μｍの範囲内に収まるように形成される。
【００３６】
コア板１の厚みが５０μｍ未満であると、スルーホール基板の支持体として強度が不足しスルーホール基板の取り扱いに支障をきたしやすい。一方、６００μｍを越える厚さにすると、スルーホール２の微細孔形成が難しくなり、また、スルーホール２内に充填した導電性ペーストの樹脂溶剤を乾燥するのが困難になるという問題を生じ、さらに半導体装置の薄型化に適しなくなる。また、なによりも高周波信号の損失が大きくなるという問題がある。したがって、コア板１の厚みは望ましくは５０μｍ〜５００μｍ、より望ましくは３５０μｍ〜５００μｍの範囲内で用いるのが好ましい。
【００３７】
ここで、表１、図５及び図６に基づき、コア板１を構成するシリコンの比抵抗と損失との関係について説明する。表１は、厚みが異なるコア板１について、シリコンの比抵抗と損失との関係をそれぞれ測定したデータであり、図５はそのデータをグラフ化したものであり、図６は図５の破線で囲んだ部分を拡大したものである。
【００３８】
【表１】
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表１において、「○」は２０ＧＨｚで−０．９ｄＢ以下を達成した場合を示し、「◎」は２０ＧＨｚで−０．６ｄＢ以下を達成した場合を示す。
【００３９】
表１、図５及び図６から明らかなように、コア板１の厚みが３５０μｍの場合、比抵抗が１００Ωｃｍ以上であれば損失を−０．９ｄＢ以下に低減することができ、比抵抗を１０００Ωｃｍ以上にすると損失を−０．６ｄＢ以下に低減することができる。また、コア板１の厚みが５００μｍの場合は、比抵抗が５００Ωｃｍ以上であれば損失を−０．９ｄＢ以下に低減することができる。また、図５及び図６のグラフからシリコンの比抵抗の上限は大体１００，０００Ωｃｍと推測しうる。
【００４０】
なお、表１のデータは、ＪＩＳ  Ｈ０６１２−１９７５「シリコン単結晶ウェーハの４探針法による抵抗率測定方法」によって求めた。測定器本体はアジレントテクノロジー社製ネットワークアナライザを用い、測定周波数を２０ＧＨｚとした。２チャンネルのネットワークアナライザを使用し、ＬＲＭインピーダンス基板を用いてプローブ先端にてＳＯＬＴ校正を行った後、被測定物であるシリコン製コア板の両端子間の挿入損失（Ｓパラメータ）を測定した。被測定物の伝送経路一往復分（導電材充填スルーホール２個分）を測定し、その半分を導電材充填スルーホール１個分の挿入損失とした。
【００４１】
次に、上記構成の導電材充填スルーホール基板を得るための製造方法の一例について説明する。
（１）比抵抗が１００Ωｃｍ以上又は５００Ωｃｍ〜２０，０００Ωｃｍであり、厚みが５０μｍ〜６００μｍ又は３５０μｍ〜５００μｍのシリコン製コア板１の素材板を用意する。
（２）図２（Ａ）に示すように、コア板１の素材板１ａの片面にマスク材で所定のマスクパターン１２を形成する。マスク材としては、ドライエッチング耐性のある通常のノボラック系樹脂を用いたポジ型フォトレジストを用いてもよいし、シリコンとエッチング選択比がとれる酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン薄膜や、チタン、タングステン等の金属薄膜を予め成膜し、フォトエッチング法でパターン化してマスク材として用いてもよい。
（３）マスクパタ−ン１２をマスクとしてＩＣＰ−ＲＩＥ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ−Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法により、素材板１ａに所定の深さまでスルーホール用の微細孔２ａを穿孔する（図２（Ｂ）)。
【００４２】
エッチングガスとしては、ＳＦ6 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 等のフッ素系ガス等を用いることができる。また、エッチング速度を速めるために、マスク材に影響しない範囲内で酸素や窒素を微量に混合することも可能である。
【００４３】
なお、この微細孔２ａの穿孔には、ドリル加工、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザによるレーザ加工、ドライエッチング加工、サンドブラスト加工等を用いることも可能である。
（４）素材板１ａに所定の深さまで微細孔２ａを孔開け加工したら、素材板１ａからマスクパターン１２を除去し、素材板１ａの他方の面を研磨して、微細孔２ａを所定の開口径で素材板２ａの表面に露出させてスルーホール２を形成する。これにより、スルーホール２が形成されたコア板１を得ることができる（図２（Ｃ））。
【００４４】
素材板１ａの研磨は、バックグラインド等により行うことができる。この実施の形態では、表裏の孔径が略等しいスルーホール２を得ることができた。
（５）スルーホール２を形成したシリコンのコア板１の両面およびスルーホール２の内壁面に絶縁層７を形成する。例えば、熱酸化によりスルーホール２の内壁面を含むコア板１２の表面及び裏面に酸化シリコンの絶縁層７が形成される（図２（Ｄ）)。
【００４５】
プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁層７を形成することもできる。
（６）絶縁層７を形成した後、必要に応じて、コア板１の表面と裏面の一方又は双方に配線を形成する（図示せず）。配線の形成方法としては、エッチングによるサブトラクティブ法、あるいは選択めっきによるアディティブ法のいずれの方法も用いることができる。例えば、コア板１の片面に、真空成膜法により、アルミニウム、銅等の導電性薄膜を形成し、次いで電解めっきを行って所定のめっき厚にした後、フォトリソグラフィ法によりパターンエッチングし、所望の配線を形成する。
（７）コア板１の表裏両面に感光性レジストとしてドライフィルムをラミネートし、スルーホール２のランド３ａ，３ｂの径を有するフォトマスクにより露光し、現像して、スルーホール２とその開口部の周囲を露出したレジストパターン１３をコア板１の表裏に形成する（図３（Ｅ）)。
（８）スルーホール２およびレジストパターン１３の開口部にスクリーン印刷等の塗布方法により導電性ペーストからなる導電材３を充填する（図３（Ｆ））。導電材３としては、銅ペースト、銀ペースト等の導電性ペーストを用いることができる。
（９）導電性ペーストを乾燥硬化させた後、表裏両面のレジストパターン１３の表面より出ている導電性ペーストを研磨して除去し、導電材３の表面とレジストパターン１３の表面を平滑な同一面とする（図３（Ｇ））。
【００４６】
導電性ペーストとしては、望ましくは金属粉を含有する導電性金属ペーストが用いられる。金属粉としては、銅粉、銀粉、金粉又は銅粒子を銀で被覆した銀コート銅粉を用いることができる。
【００４７】
また、導電性ペーストに代え又は導電性ペーストと共に電解めっき層をスルーホール内に設けることも可能である。電解めっき層は、図示しないが、スルーホール２の内壁面に絶縁層７の上から形成される。電解めっき層を構成する導電材としては、銅、銀、金、ニッケル又はクロムを用いることが可能である。
（１０）レジストパターン１３を剥離除去し、導電材３で形成した所望径のランド３ａ，３ｂをコア板１の表裏に露出させる。コア板１のスルーホール２の空洞内は導電材３で満たされている（図３（Ｈ））。スルーホール２外に突出したランド３ａ，３ｂの高さはレジストパターン１３のレジスト厚で規定され、ランド３ａ，３ｂの径はレジストパターン１３の寸法で規定される。
【００４８】
レジストパターン１３は導電材３の乾燥硬化時に、前の工程でコア板１の表面に設けた銅、アルミニウム等で形成した配線９ａ，１０ａが酸化するという問題を防ぐ効果も果たす。
（１１）コア板１の表面と裏面に平坦化層を兼ねて絶縁層６ａ，６ｂを形成する（図４（Ｉ））。この絶縁層６ａ，６ｂは、例えば、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ法でパターニングして形成する。
（１２）コア板１の表面に絶縁層６ａ及びランド３ａの上から多層配線部４をビルドアップにより形成する（図３（Ｊ））。
【００４９】
まず、絶縁層６ａ，６ｂにより平坦化されたコア板１上に感光性樹脂をスピンナ塗布法等により塗布し、ビアホール８ａを形成するためのフォトマスクを用いて露光し、現像してパターン形成後、熱キュアにより樹脂を硬化させて絶縁層８を形成する。これらの感光性絶縁材料としては、特に限定されないが、例えばベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、アラミド、ポリオレフィン、フッ素樹脂、ポリエステル、液晶ポリマー、BTレジン、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾール等を、単独でまたは２種以上を混合して使用できる。
【００５０】
また、上記樹脂にガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用することができる。
【００５１】
さらに、上記樹脂と補強材としてガラス、アラミド、フッ素、ポリベンゾオキサゾール、液晶ポリマー等の織布、不織布、編み物等の強化繊維を組み合わせても使用できる。
【００５２】
このビアホール８ａ内に導電材１１を充填する。
【００５３】
次に、セミ・アディティブ法により配線９ａを形成する。すなわち、スパッタリング法等の真空成膜法により、パターニングされた絶縁層８の全面に、めっき下地用の導電性薄膜層を形成する。導電性薄膜層は銅、銀、ニッケル等の金属を、例えば、０．１μｍ〜０．５μｍ程度の厚さに設けられる。
【００５４】
続いて、めっき用の感光性レジストをスピンナ塗布し、配線９ａのパターンを有するフォトマスクを用いて、露光し、現像してレジストパターンを形成する。レジストパターンの厚さは、所望するめっき金属厚と線幅、ピッチ、めっき金属により異なるが、１μｍ〜１０μｍ程度が用いられる。エッチング後、レジストパターンを除去し、配線９ａを得る。
【００５５】
絶縁層８及び配線９ａの上からに感光性樹脂をスピンナ塗布法等により塗布し、ビアホール９ｂを形成するためのフォトマスクを用いて露光し、現像してパターン形成後、熱キュアにより樹脂を硬化させて絶縁層９を形成する。これらの感光性樹脂としては、例えば、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂がある。このビアホール９ｂ内に導電材１１を充填する。
【００５６】
さらに上記工程を繰り返すことにより、次の絶縁層１０、ビアホール１０ｂおよび配線１０ａを形成する。
（１３）上記のようにしてコア板１の表面に多層配線部４が形成されるが、コア板１の裏面にも上記工程と並行して又は上記工程後に同様にして多層配線部５がビルドアップされる。
【００５７】
以上説明した通り本発明は構成されるが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態ではコア板の表裏両面に多層配線部が形成されているが、この多層配線部はコア板の表面と裏面のいずれか一方に形成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る導電材充填スルーホール基板の一実施形態の模式断面図である。
【図２】図１に示す導電材充填スルーホール基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】図２に示す工程の続きの工程を示す工程図である。
【図４】図３に示す工程の続きの工程を示す工程図である。
【図５】２０ＧＨｚの信号についてスルーホールを介在させることによる挿入損失とコア板のシリコンの比抵抗との関係を、コア板の厚みごとに求めたグラフである。
【図６】図５の部分拡大図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…コア板
２…スルーホール
３…導電材
４，５…多層配線部
７…絶縁層
【図１】
2007067335.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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