(57)【要約】【課題】  従来の抵抗付き基板にあっては、無電解メッキによって抵抗体を形成していたので、抵抗体の材料としてニッケルを使用しなければならなかった。この無電解メッキによってニッケル膜を形成した場合には、温度条件、メッキ時間、ニッケルの濃度によって析出したニッケルの粒径が変わったりして再現性が悪く常に同じ抵抗値の抵抗体を作製することが難しいという問題があった。【解決手段】  銅等の導電材５の少なくとも一面に薄膜抵抗材料を蒸着もしくはスパッタ等の手段によって抵抗膜４を形成する工程と、該抵抗膜が形成された導電材に対して絶縁材料による基材１を積層する工程と、前記抵抗膜と導電膜をエッチング手段によって除去して回路パターンを形成する工程と、該回路パターン中の抵抗を必要とする回路部分の前記導電膜をエッチング手段によって除去して回路中に抵抗を形成する工程とからなる高周波用抵抗付き基板の製造方法である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅等の導電材の少なくとも一面に薄膜抵抗材料を蒸着もしくはスパッタ等の手段によって抵抗膜を形成する工程と、該抵抗膜が形成された導電材に対して絶縁材料による基材を積層する工程と、前記抵抗膜と導電膜をエッチング手段によって除去して回路パターンを形成する工程と、該回路パターン中の抵抗を必要とする回路部分の前記導電膜をエッチング手段によって除去して回路中に抵抗を形成する工程とからなることを特徴とする高周波用抵抗付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記薄膜抵抗材料がニッケル・クローム合金やニクロム・シリコン合金あるいは窒化タンタルであることを特徴とする請求項１記載の高周波用抵抗付き基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁基材と、銅等の導電材と、該導電材に蒸着あるいはスパッタ手段によって形成した薄膜抵抗材料からなる抵抗膜とから構成し、前記絶縁基材に対して前記導電材に形成された抵抗膜側を積層し、前記抵抗膜と導電材をエッチングによって溶解除去して回路を構成し、かつ、前記導電材のみを抵抗器として必要な部分においてエッチングによって溶解除去して抵抗膜を抵抗器としたことを特徴とする高周波用抵抗付き基板。
【請求項４】
前記抵抗膜がニッケル・クローム合金やニクロム・シリコン合金あるいは窒化タンタルで形成されていることを特徴とする請求項３記載の高周波用抵抗付き基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗器付き基板、特に、高周波用基板として好適な基板であって、該基板上に薄膜抵抗を直接形成した高周波用抵抗付き基板の製造方法および基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄膜抵抗を直接形成した基板の製造方法を図２と共に説明する。
先ず、（ａ）に示す銅箔１を用意し、該銅箔１の片面を電解メッキ時に溶解しない材料によって覆った後に（ｂ）に示すように無電解メッキによって抵抗体となるニッケル膜２を析出する。そして、このニッケル膜２を析出した２枚の銅箔１を、（ｃ）に示すように絶縁材からなる基板３に対してニッケル膜２側を基板３側にしてプレスによって貼り着ける。
【０００３】
次いで、（ｄ）に示すように銅箔１とニッケル膜２を溶解可能な薬剤を使用してエッチング加工を行い回路パターンを形成し、さらに、（ｅ）に示すように前記回路パターン中において抵抗体が必要な部分の銅箔１のみをエッチング加工を行い抵抗付き基板は完成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで前記した従来の抵抗付き基板にあっては、無電解メッキによって抵抗体を形成していたので、抵抗体の材料としてニッケルを使用しなければならなかった。この無電解メッキによってニッケル膜２を形成した場合には、温度条件、メッキ時間、ニッケルの濃度によって析出したニッケルの粒径が変わったりして再現性が悪く常に同じ抵抗値の抵抗体を作製することが難しいという問題があり、また、一度作製したニッケル膜２の抵抗値は安易な方法によって微調整することが困難であるといった問題があった。
【０００５】
本発明は前記した問題点を解決せんとするもので、その目的とするところは、製作が容易であると共に再現性に優れ、かつ、作製後の抵抗値の微調整が容易な高周波用抵抗付き基板の製造方法および基板を提供せんとするにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の高周波用抵抗付き基板の製造方法は前記した目的を達成せんとするもので、請求項１の手段は、銅等の導電材の少なくとも一面に薄膜抵抗材料を蒸着もしくはスパッタ等の手段によって抵抗膜を形成する工程と、該抵抗膜が形成された導電材に対して絶縁材料による基材を積層する工程と、前記抵抗膜と導電材をエッチング手段によって除去して回路パターンを形成する工程と、該回路パターン中の抵抗を必要とする回路部分の前記導電材をエッチング手段によって除去して回路中に抵抗を形成する工程とからなることを特徴とする。
【０００７】
請求項２の手段は、前記した請求項１において、前記薄膜抵抗材料がニッケル・クローム合金やニクロム・シリコン合金あるいは窒化タンタルであることを特徴とする。
【０００８】
本発明の高周波用抵抗付き基板は前記した目的を達成せんとするもので、請求項３の手段は、絶縁基材と、銅等の導電材と、該導電材に蒸着あるいはスパッタ手段によって形成した薄膜抵抗材料からなる抵抗膜とから構成し、前記絶縁基材に対して前記導電材に形成された抵抗膜側を積層し、前記抵抗膜と導電材をエッチングによって溶解除去して回路を構成し、かつ、前記導電材のみを抵抗器として必要な部分においてエッチングによって溶解除去して抵抗膜を抵抗器としたものである。
【０００９】
請求項４の手段は、前記した請求項３において、前記抵抗膜がニッケル・クローム合金やニクロム・シリコン合金あるいは窒化タンタルで形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は前記したように、銅等の導電材の少なくとも一面に薄膜抵抗材料を蒸着もしくはスパッタ等の手段によって抵抗膜を形成する工程と、該抵抗膜が形成された導電材に対して絶縁材料による基材を積層する工程と、前記抵抗膜と導電材をエッチング手段によって除去して回路パターンを形成する工程と、該回路パターン中の抵抗を必要とする回路部分の前記導電材をエッチング手段によって除去して回路中に抵抗を形成する工程とからなるので、抵抗膜が蒸着手段やスパッタ法によって形成されることから再現性に優れ、製造において常に同じ特性を有する基板の作製が可能であり、かつ、全体のバラツキも少なく所望の抵抗値の膜形成が可能であり、また、このような製造方法によって製作された基板は高周波用基板として使用するのに適したものである。
【００１１】
また、抵抗膜を構成する薄膜抵抗部材としてニッケル・クローム合金やニクロム・シリコン合金あるいは窒化タンタルで形成したので、露出している抵抗膜を酸化することで、抵抗膜の抵抗値を調整することが可能となるので、基板製作後において抵抗値の微調整が可能である等の効果を有するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
絶縁基板の少なくとも一面に蒸着手段によって形成された薄膜抵抗材料による抵抗膜を形成し、該抵抗膜の表面に導電材を積層し、抵抗膜と導電材をエッチングによって溶解除去して回路を形成し、導電材を抵抗器として必要な部分において抵抗膜を残してエッチングによって除去した。
【実施例１】
【００１３】
以下、本発明に係る高周波用抵抗付き基板の製造を図１と共に説明する。なお、前記した従来例と同一符号は同一部分を示し説明は省略する。
本発明の製造方法は、先ず、（ａ）に示すように絶縁材料でなる基材１の両面にニッケル・クローム合金やニクロム・シリコン合金あるいは窒化タンタル等からなる薄膜抵抗材料を真空蒸着法あるいはスパッタ法によって抵抗膜４を形成する。
【００１４】
次に、（ｂ）に示すように前記抵抗膜４の上面に銅等の導電性の金属箔をプレス加工等によって積層して導電材５を形成する。次いで、（ｃ）に示すように抵抗膜と導電材５とを、該抵抗膜４と導電材５を同時に溶解可能な除去材でエッチングして回路を構成する部分を除いて除去して抵抗膜４と導電材５とからなる回路パターンを形成し、さらに、（ｄ）に示すように導電材５を、抵抗器として必要な部分における抵抗膜４を残してエッチングによって除去する。
【００１５】
上記した製造方法によって得られた基板にあっては、導電材５による導電パターン間が抵抗膜４である抵抗器によって接続された回路が構成される。しかも、前記抵抗膜４は真空蒸着法やスパッタ法によって形成されるので、抵抗膜４の厚みや抵抗材料による粒径が一定状態に保たれるので、高周波回路用の基板として好適であり、また、再現性が良好で製作された基板は全てが同じ製品となって不良による歩留りが悪くなるようなことがない。さらに、露出状態の抵抗膜４に対して酸化剤を塗布する等によって抵抗値を変化させることが可能なので、製造後における抵抗値の微調整が可能である。
【００１６】
なお、前記した実施例は基材３の両面に回路を形成した場合について説明したが、基材３の片面のみに回路を形成しても良いことは当然のことである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る高周波用抵抗付き基板の製造工程を示す概略図である。
【図２】従来の抵抗付き基板の製造工程を示す概略図である。
【符号の説明】
【００１８】
３          基材
４          抵抗膜
５          導電材
【図１】
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【図２】
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