(57)【要約】      （修正有）【課題】光記録ディスクの表面に凹凸があっても、均一に製膜することのできる光記録ディスクの反射膜製造方法を提供する。【解決手段】透明基板と、色素からなる記録層と、金属反射層とを有する光記録ディスクにおいて、金属反射層が膜厚７０ｎｍ以下で、かつ、色素と透明基板の全体の光学濃度（ＯＰＤ）が０．６〜０．７の範囲にあり、色素が一般式（１）で表される構造のオキソノール色素である。2007102875.tif 000044（一般式（１）中、Ｚａ1〜Ｚａ2は酸性核を形成する原子群。Ｍａ1〜Ｍａ3はメチン基。ｋａは０〜３までの整数。Ｑは中和するイオン、ｙは中和に必要な数。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板と、前記透明基板の上に色素からなる１層の記録層と、前記記録層の上に設けられた金属反射層とを有する光記録ディスクにおいて、
前記金属反射層が膜厚７０ｎｍ以下であり、かつ、前記色素と前記透明基板の全体の光学濃度（ＯＰＤ）が０．６〜０．７の範囲にあることを特徴とする光記録ディスク。
【請求項２】
前記記録層に含有される前記色素の少なくとも１種がオキソノール色素であることを特徴とする請求項１記載の光記録ディスク。
【請求項３】
前記オキソノール色素が、下記一般式（１）で表される構造であることを特徴とする請求項２記載の光記録ディスク。
【化１】
2007102875.tif 000042
（一般式（１）中、Ｚａ1及びＺａ2は各々独立に酸性核を形成する原子群を表わす。Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は各々独立に、置換または無置換のメチン基を表わす。ｋａは０から３までの整数を表わし、ｋａが２以上のとき、複数存在するＭａ1、Ｍａ2は同じでも異なってもよい。また、Ｑは電荷を中和するイオンを表わし、ｙは電荷の中和に必要な数を表わす。）
【請求項４】
前記一般式（１）中のＱで表されるイオンが、下記一般式（２）で表される構造であることを特徴とする請求項３記載の光記録ディスク。
【化２】
2007102875.tif 000043
（一般式（２）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に水素原子または、１価の置換基を表す。Ｒ13、Ｒ18は、各々独立に、１価の置換基を表す。）
【請求項５】
前記金属反射層の素材が、Ａｇ、Ａｇ含有量９０％以上のＡｇ合金、Ａｌ、Ａｌ含有量９０％以上のＡｌ合金のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の光記録ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録層に有機色素を含む材料を用いた追記型の光記録媒体であるＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒディスク（以下、光記録ディスク）に関し、特に、その反射膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明が対象とする光記録媒体は、記録層に有機色素を含む材料を用いた追記型の光記録媒体で、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等がその代表例で、その層構成は、例えば図８に示すようなものがある。
図において、７０は光記録ディスクで、下から透明基板７１と、その上に色素からなる記録層７２と、その上に金属反射層７３とを有し、更にその上に樹脂を主成分とする保護層７４を１層以上形成して成るものである。
透明基板７１は、従来製品と同じく、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイミド等の透明樹脂又は透明ガラスで構成されている。
記録層７２は、例えばフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素等の有機色素を材料として含み、必要に応じてクエンチャーや他の添加物を含有している。記録層の形成は、例えば、溶剤に色素を溶解してスピンコート法等により塗布し、乾燥して行なう。膜厚としては、５０〜３００ｎｍである。
【０００３】
保護層７４は、金属反射層７３上に１層以上構成される。
下部保護層は紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その後紫外線を照射して硬化することによって作成される。下部保護層の厚さは記録可能領域での最小値が２μｍ以上である。
また、下部保護層の上にスクリーン印刷等により上部保護層等が形成される。
【０００４】
金属反射層７３は、Ａｇ又はＡｇを含む金属をスパッタ成膜したものであり、Ａｇを８０〜１００原子％含む層である。スパッタガスとしては、Ａｒを主成分とするガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタにより形成する。膜厚としては、１００ｎｍ以上で２００ｎｍ以下である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８５５１８号公報
【０００５】
このように特許文献１を含めすべての従来技術において、金属反射層の膜厚は、１００ｎｍ以上であることが必要であり、２００ｎｍ以下であることが好ましい、とされている。
従来、金属反射層の膜厚が１００ｎｍ以上であることが必要な理由は、できるだけ反射率を稼ぐためであり、逆に金属反射層の膜厚が薄いと、レーザ光線の多くが金属反射層を透過してしまい、反射率が低下するので、読み取りが困難となるためである。また、金属反射層の膜厚が２００ｎｍ以下であることが好ましい理由は、それ以上厚くしても、膜厚−反射率曲線が飽和してしまい、それに見合う効果が得られないからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、反射膜をこのように１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚みに製膜するには、長時間が必要であり、したがって生産効率が落ちるという欠点があることに本出願人は気がついた。
そこで、本発明は、これらの欠点を解決するためになされたもので、反射膜の厚みを従来の１００ｎｍよりも大幅に薄くすることによって、生産効率を上げ、しかも従来製品と変わらない反射率を有する光ディスクを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は光記録ディスクに係り、透明基板と、前記透明基板の上に色素からなる記録層と、前記記録層の上に設けられた金属反射層とを有する光記録ディスクにおいて、前記金属反射層が膜厚７０ｎｍ以下であり、かつ、前記色素と前記透明基板の全体の光学濃度（ＯＰＤ）が０．６〜０．７の範囲にあることを特徴としている。
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光記録ディスクにおいて、前記記録層に含有される前記色素の少なくとも１種がオキソノール色素であることを特徴としている。
また、請求項３記載の発明は、請求項２記載の光記録ディスクにおいて、前記オキソノール色素が、下記一般式（１）で表される構造であることを特徴としている。
【化１】
2007102875.tif 000002
（一般式（１）中、Ｚａ1及びＺａ2は各々独立に酸性核を形成する原子群を表わす。Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は各々独立に、置換または無置換のメチン基を表わす。ｋａは０から３までの整数を表わし、ｋａが２以上のとき、複数存在するＭａ1、Ｍａ2は同じでも異なってもよい。また、Ｑは電荷を中和するイオンを表わし、ｙは電荷の中和に必要な数を表わす。）
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の光記録ディスクにおいて、前記一般式（１）中のＱで表されるイオンが、下記一般式（２）で表される構造であることを特徴としている。
【化２】
2007102875.tif 000003
（一般式（２）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に水素原子または、１価の置換基を表す。Ｒ13、Ｒ18は、各々独立に、１価の置換基を表す。）
そして、請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項記載の光記録ディスクにおいて、前記金属反射層の素材が、Ａｇ、Ａｇ含有量９０％以上のＡｇ合金、Ａｌ、Ａｌ含有量９０％以上のＡｌ合金のいずれかであることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
以上のような構成により、反射膜を１００ｎｍよりも大幅に薄くすることによって、生産効率を上げ、しかも、オキソノール色素を用いているので、記録層を薄くしたにもかかわらず従来製品と変わらない良好な記録をすることのできる光ディスクが得られることとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は本発明に係る反射膜製膜を有する光記録ディスクを示すものである。
図において、１０は光記録ディスクで、下から透明基板１１と、その上に本発明で使用した色素からなる記録層１２と、その上に薄厚の金属反射層１３とを有し、更にその上に樹脂を主成分とする保護層１４を１層以上形成して成るものである。
透明基板１１は、従来製品と同じく、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイミド等の透明樹脂又は透明ガラスで構成されている。
記録層１２は、従来製品と全く異なり、本発明によればオキソノール色素を含むものである。この色素はレーザ光で変質し易い新規な色素である。
記録層１２の形成は、例えば、溶剤に色素を溶解してスピンコート法等により塗布し、乾燥して行なう。そしてその膜厚は、従来よりも薄くて、４０前後ｎｍで構成されている。
【００１０】
保護層１４は、金属反射層１３上に１層以上構成される。
下部保護層は紫外線硬化樹脂をスピンコートし、その後紫外線を照射して硬化することによって作成される。
下部保護層の厚さは記録可能領域での最小値が２μｍ以上である。
また、下部保護層の上にスクリーン印刷等により上部保護層等が形成される。
【００１１】
金属反射層１３は、Ａｇ又はＡｇを含む金属をスパッタ成膜したものであり、Ａｇを８０〜１００原子％含む層である。スパッタガスとしては、Ａｒを主成分とするガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタにより形成する。膜厚は、本発明によれば薄くてよく、７０ｎｍ以下となっている。
【００１２】
このように、膜厚は１００ｎｍ以上でなければならないとした特許文献１を含めたすべての従来技術に反して、本発明では金属反射層の膜厚を７０ｎｍ以下としている点が第１の特徴であり、さらに、記録層の色素がオキソノール色素である点が第２の特徴である。
この第１の特徴と第２の特徴の合わせ技によって、生産効率を上げ、しかも従来製品と変わらない記録のできる光ディスクが得られることとなる。
【００１３】
図２は本発明に係る光記憶ディスクが生産効率を上げ、しかも従来製品と変わらない反射率を有する根拠を説明する図である。
図において、（Ａ）は金属反射層の厚みと反射率を説明する図で、（Ａ１）は厚みの厚い場合、（Ａ２）は厚みの薄い場合をそれぞれ示している。
Ａ１の４３ａは従来の厚い膜厚（１００ｎｍ〜２００ｎｍ）の金属反射層であり、Ａ２の４３ｂは従来技術では使用不可能とされていた薄厚（７０ｎｍ以下）の金属反射層である。
Ａ１において、レーザ光Ｌ１が金属反射層４３ａに対して入射すると、金属反射層４３ａは厚膜であるので、入射光Ｌ１はそこを透過できず全て反射することとなり、反射光Ｌ１となる（ここで、理解を簡単にするため、吸収はゼロとする）。
これに対して、Ａ２において、レーザ光Ｌ１が金属反射層４３ｂに対して入射すると、金属反射層４３ｂは薄膜であるので、入射光Ｌ１の一部はそこを透過して透過光Ｌ３となり、したがって残りのＬ２だけが反射光Ｌ２となる（ここでも、理解を簡単にするため、吸収はゼロとする）。
そこで、透過光が生じて、反射率の落ちるこのような薄膜の金属反射層４３ｂは従来より使用されていなかった。
【００１４】
そして、この関係を定量的に線図化したのが図３の「膜厚対反射率」グラフである。
図３において、波長が６３５ｎｍのレーザ光（図で黒丸）と波長が４０５ｎｍのレーザ光（図で黒四角）の２つをパラメータとし、横軸が膜厚（単位ｎｍ）、縦軸が 反射率（１が全反射〜０がゼロ反射）のグラフである。
この図から判ることは、（１）膜厚が１００ｎｍで反射率はほぼ１に近く、膜厚が１５０ｎｍにまで増えても反射率は飽和してあまり変化はないこと、
（２）また、レーザ光の波長が長い方が短い方よりも反射率が高くなることであり、
（３）膜厚が７０ｎｍで、反射率は０．９５（波長が６３５ｎｍのレーザ光の場合）〜０．９（波長が４０５ｎｍのレーザ光の場合）となること、
（４）そして、波長が６３５ｎｍのレーザ光の場合だと、反射光が０．７となる膜厚は３５ｎｍであること、等である。
【００１５】
さて、図２に戻って、次の（Ｂ）は記録層の厚みと透過率を説明する図で、（Ｂ１）は厚膜の場合、（Ｂ２）は薄膜の場合をそれぞれ示している。
Ｂ１の４２ａは従来の厚膜（５０ｎｍ〜３００ｎｍ）記録層であり、Ｂ２の４２ｂは薄膜（３０ｎｍ以下）の記録層で、色素は上述の従来公知のものを使用している。
Ｂ１において、レーザ光Ｌ１が記録層４２ａに対して入射すると、記録層４２ａは厚膜であるので、入射光Ｌ１はそこを透過するうちに熱に変わることで、その透過部分Ｋに存在していた色素だけ他の非透過部分Ｍと比べて十分に変質（反射率が変化）する。
これに対して、Ｂ２においては、レーザ光Ｌ１が記録層４２ｂに対して入射すると、記録層４２ｂは薄膜であるので、入射光Ｌ１はそこを直ぐに透過してしまい、記録層４２ｂは熱を充分吸収することができず、したがって、その透過部分Ｋに存在していた色素は他の非透過部分Ｍと比べてそれほど変質（反射率が変化）はしていない。
したがって、このような記録層をレーザ光で読み出そうとしても、記録部分と非記録部分との変質（反射率）の差がないため、光の濃淡に差がでなくなった。
そこで、記録層としては従来でも、このような薄膜のものは使用していなかった。
【００１６】
図２（Ｃ）は本発明が使用する金属反射層、（Ｄ）本発明が使用する記録層を説明する図である。（Ｃ）において、４３ｂは従来技術では使用不可能とされていた薄厚（７０ｎｍ以下）の金属反射層で、（Ａ２）で説明した金属反射層と同じものである。そこで、レーザ光Ｌ１が金属反射層４３ｂに対して入射すると、金属反射層４３ｂは薄膜であるので、入射光Ｌ１の一部はそこを透過して透過光Ｌ３となり、残りが反射光Ｌ２となる。この反射率は７０％前後である。
（Ｄ）において、４２ｃは薄厚（３０ｎｍ前後）の記録層で、色素は本発明に係る色素を使用している。色素の材料については後述するが、この色素の特徴は、この色素を使った記録層は薄膜であっても、そこを透過するレーザ光で十分に変質可能となる特性を備えていることである。
【００１７】
そこで、（Ｄ）において、レーザ光Ｌ１が記録層４２ｃに対して入射すると、記録層４２ｃは薄膜であるので入射光Ｌ１は透過して透過光Ｌ１として出射するが、本発明で使用する色素により短時間の入射光Ｌ１であっても記録層は十分に変質する。その後、レーザ光Ｌ１が薄膜の金属反射層４３ｂに入射すると、入射光Ｌ１の一部はそこを透過して透過光Ｌ３となるが、残りの７０％は反射光Ｌ２となり、記録層に戻る。実用上、入射光Ｌ１の７０％が反射光Ｌ２であれば、光記録ディスクとしては問題ないことも確認したので、入射光Ｌ１の７０％が反射光Ｌ２となる金属反射層は、図２より膜厚３０ｎｍである。
【００１８】
一方、（Ｄ）において記録層４２ｃは薄膜であるが、この記録層４２ｃは薄膜であってもそこを透過するレーザ光で十分に変質可能となるものであるので、図のように、透過部分Ｋに存在していた色素だけ他の非透過部分Ｍと比べて大きく変質することとなる。したがって、レーザ光で読み出すとき、記録部分Ｋと非記録部分Ｍとの変質に差がでているため、光の濃淡に差が生じ、記録層としては充分価値のある薄膜となる。
【００１９】
以上のように、本発明によれば、金属反射膜を３０ｎｍ〜７０ｎｍと従来製品よりも大幅に薄くすることによって、同じく、記録層も薄膜とすることによって、生産効率を上げることができる。
しかも、記録層の色素として、オキソノール色素を用いているので、薄層であってもそこを透過するレーザ光で色素が充分変質できるため、従来製品と変わらない読み出しが可能となる。
【００２０】
ここで、薄膜の反射膜を製膜する仕方について説明する。
図４は光磁気ディスクの製造に係る反射膜製膜のためのスパッタリング装置を示している。４０はスパッタリング装置で、このスパッタリング装置４０は密閉可能なスパッタ室４１を備えており、スパッタ室４１の中にマグネトロンスパッタソース４２が収納され、スパッタソース４２は、反射膜を形成せしめるターゲットＴ（例えば、Ａｇ）を支持すると共に外部電源４３と電気的に接続されている。
スパッタ室４１は、下部に回転自在の基板ホルダー４４を備え、基板ホルダー４４は電動機４５に連結されている。基板ホルダー４４はスパッタリング中、スパッタリングの対象の基板Ｓをその反射膜形成側をタ−ゲット物質Ｔ側に向けて把持している。
また、スパッタ室４１の壁部には、窒素ガス導入口４６、アルゴンガス導入口４７、並びに排気口４８が設けられている。
【００２１】
スパッタリングを開始する前に、スパッタ室４１を所定の負圧になるまで排気口４８から排気し、その後、スパッタ室４１の中にスパッタリングに必要な反応ガスである窒素ガスＮ２を窒素ガス導入口４６からおよびアルゴンガスＡｒをアルゴンガス導入口４７から供給してガス圧を１Ｐａ以上にし、電動機４５により基板ホルダー４４を回転させながら、スパッタソース４２に電源４３から３６０Ｖ前後の高圧を印加して、ターゲット材Ｔを放電させて、ターゲット材Ｔのスパッタリングを光記録ディスクＳ上に行ない、光記録ディスクＳの表面に所定の厚さの反射膜が形成されるまでスパッタリングを続ける。
そこで、スパッタリングの時間を制御することで、光記録ディスクＳの表面に形成される金属反射膜を７０ｎｍ以下の厚さに形成することができる。
【００２２】
色素を含む記録層のみの厚みの測定は困難なので、光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｅｎｓｉｔｙ、略してＯＰＤ）を用い、「色素＋ディスク基板」のＯＰＤが０．６〜０．７の範囲であれば本発明の光記録ディスクが得られる。
「色素＋ディスク基板」のＯＰＤが０．６〜０．７の範囲であればよい理由は、図５のグラフから読み取れる。すなわち、図５は各ＯＰＤ値での良好な記録特性が得られる最低反射膜厚みをプロットした線図である。ここから、７０ｎｍ以下の厚みを得る為には０．７以下でなければならないことが判る。
【００２３】
また、３０ｎｍの膜厚ではＯＰＤが０．６でなければならないので、ＯＰＤ値は０．６〜０．７であればよい。
【００２４】
図６はＪｉｔｔｅｒ対Ｐｏｗｅｒの線図である。
縦軸がＪｉｔｔｅｒ、横軸がＰｏｗｅｒ（ｍＷ）、パラメータとして、従来製品である金属反射層の厚みが１２０ｎｍ（黒菱形）と１００ｎｍ（黒四角）と厚いものと、本発明に係る製品である金属反射層の厚みが１２ｎｍ（アスタリスク）と薄いものとを選んである。
図から判るように、厚膜の１２０ｎｍ（黒菱形）や１００ｎｍ（黒四角）と比べて、本発明に係る１２ｎｍ（アスタリスク）のものは、Ｐｏｗｅｒの広範囲に亘ってＪｉｔｔｅｒ値が小さくなっており、良好な光記録ディスクであることが判る。
【００２５】
図７はＰＩ対Ｐｏｗｅｒの線図である。
縦軸がＰＩ値、横軸がＰｏｗｅｒ（ｍＷ）、パラメータとして、従来製品である金属反射層の厚みが１２０ｎｍ（黒菱形）と１００ｎｍ（黒四角）と厚いものと、本発明に係る製品である金属反射層の厚みが１２ｎｍ（アスタリスク）と薄いものとを選んである。
図から判るように、厚膜の１２０ｎｍ（黒菱形）や１００ｎｍ（黒四角）と比べて、本発明に係る１２ｎｍ（アスタリスク）のものは、Ｐｏｗｅｒの広範囲に亘ってＰＩ値が小さくなっており、良好な光記録ディスクであることが判る。
【００２６】
以上のように、本発明によれば、反射膜を従来の１００ｎｍよりも大幅に薄くすることによって、生産効率を上げ、しかも、記録層の色素にオキソノール色素を用いているので、薄層にしたにもかかわらず従来製品と変わらない良好な記録ができる光ディスクが得られる。
【００２７】
ここで、本発明で使用するオキソノール色素について詳しく説明する。
オキソノール色素の具体例としては、Ｆ．Ｍ．Ｈａｒｍｅｒ著、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ−Ｃｙａｎｉｎｅ  Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｊｏｈｎ＆Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、Ｌｏｎｄｏｎ、１９６４年刊に記載のもの等が挙げられる。
このようなオキソノール色素の中でも、下記一般式（１）で表される構造ものが好ましい。
【００２８】
【化３】
2007102875.tif 000004
【００２９】
一般式（１）中、Ｚａ1及びＺａ2は各々独立に酸性核を形成する原子群を表わす。Ｚａ1及びＺａ2の具体例は、「Ｊａｍｅｓ編、Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁」により定義される。
【００３０】
具体的には、ピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、５，６員の炭素環（例えばインダン−１，３−ジオン）、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、３−ジシアノメチリデニル−３−フェニルプロピオニトリル、メルドラム酸などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。
【００３１】
Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は各々独立に、置換または無置換のメチン基を表わす。Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3を置換する置換基は、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のスルホニルアミノ基、置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基を表す。
【００３２】
上記置換基として好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子である。
【００３３】
Ｍａ1、Ｍａ2、Ｍａ3は、より好ましくは、無置換のメチン基、または無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子で置換されたメチン基である。
【００３４】
ｋａは０から３までの整数を表わし、より好ましくは１または２の整数を表す。ｋａが２以上のとき、複数存在するＭａ1、Ｍａ2は同じでも異なってもよい。
【００３５】
一般式（１）中のＱは電荷を中和するイオンを表わし、ｙは電荷の中和に必要なＱの数を表わす。
【００３６】
ある化合物が陽イオン、陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷を有するか否かは、その化合物の置換基に依存する。一般式（１）においてＱで表されるイオンは、対する色素分子の電荷に応じて、陽イオンを表す場合と、陰イオンを表す場合があり、また、色素分子が無電荷の場合には、Ｑは存在しない。Ｑとして表されるイオンには特に制限は無く、無機化合物よりなるイオンであっても、有機化合物よりなるイオンであっても構わない。また、Ｑとして表されるイオンの電荷は１価であっても多価であっても構わない。
【００３７】
Ｑで表される陽イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンのような金属イオン、４級アンモニウムイオン、オキソニウムイオン、スルホニウムイオン、ホスホニウムイオン、セレノニウムイオン、ヨードニウムイオンなどのオニウムイオンが挙げられる。
【００３８】
一方、Ｑで表される陰イオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオンのようなハロゲン陰イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、リン酸水素イオンなどのヘテロポリ酸イオン、琥珀酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、芳香族ジスルホン酸イオンのような有機多価陰イオン、四フッ化ホウ酸イオン、六フッ化リン酸イオンが挙げられる。
【００３９】
Ｑで表される陽イオンとして好ましくは、オニウムイオンであり、更に好ましくは４級アンモニウムイオンである。４級アンモニウムイオンの中でも特に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特開２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。
【００４０】
一般式（１）で表される色素の中でも、Ｑで表されるイオンは下記一般式（２）で表される構造であるものが好ましい。
【００４１】
【化４】
2007102875.tif 000005
【００４２】
一般式（２）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に水素原子または、１価の置換基を表す。Ｒ13、Ｒ18は、各々独立に、１価の置換基を表す。
【００４３】
１価の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。
【００４４】
さらに詳しくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、各々独立に、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。これらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、
【００４５】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。これらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、
【００４６】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、
【００４７】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００４８】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、
【００４９】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００５０】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、
【００５１】
スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、
【００５２】
アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、
【００５３】
アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
【００５４】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００５５】
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20は、好ましくは、全て水素原子である。Ｒ13、Ｒ18はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基がより好ましい。更には、置換アリール基が好ましい。Ｒ13、Ｒ18が置換アリール基である場合の置換基は、ヒドロキシル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基、ハロゲン原子が好ましい。
【００５６】
オキソノール色素の最も好ましい構造は、下記一般式（３）で表される構造である。
【００５７】
【化５】
2007102875.tif 000006
【００５８】
一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、各々独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4 は、互いに結合して、環構造を形成してもよい。
【００５９】
また、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は、各々独立に、水素原子または、置換基をあらわす。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30のうち、隣接する２つの置換基が、互いに結合し、環構造を形成してもよい。
【００６０】
置換基の例は、前述の一般式（２）のＲ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20で述べたものを挙げることができる。
【００６１】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ハロゲン原子、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルキル基が好ましい。
【００６２】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30の好ましい例は、Ｒ23、Ｒ28 がヒドロキシル基で、かつ、Ｒ22、Ｒ27が置換または無置換のフェニル基であり、より好ましい例は更にその他が水素原子であるものである。
【００６３】
以下に、上記一般式（１）（上記一般式（３）に相当する構造も含む）で表される化合物の好ましい具体例（色素１〜３４）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、色素１〜６は下記一般式（４）の具体例である。
【００６４】
【化６】
2007102875.tif 000007
【００６５】
色素７〜１２は下記一般式（５）の具体例である。
【００６６】
【化７】
2007102875.tif 000008
【００６７】
色素１３〜１６は下記一般式（６）の具体例であり、そして、色素１７〜２１は下記一般式（７）の具体例である。
【００６８】
【化８】
2007102875.tif 000009
【００６９】
【化９】
2007102875.tif 000010
【００７０】
【化１０】
2007102875.tif 000011
【００７１】
【化１１】
2007102875.tif 000012
【００７２】
【化１２】
2007102875.tif 000013
【００７３】
【化１３】
2007102875.tif 000014
【００７４】
【化１４】
2007102875.tif 000015
【００７５】
なお、オキソノール色素として、他に、以下に説明するオキソノール系色素ＡおよびＢを使用してもよい。オキソノール色素Ａとしては、下記一般式（８）で表される化合物が好ましい。
【００７６】
【化１５】
2007102875.tif 000016
【００７７】
［一般式（８）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基のいずれかを表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、置換または無置換のカルバモイルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスホニル基、置換または無置換のアルキルスルフィニル基、置換または無置換のアリールスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表し、ｍが２以上の場合は複数のＲ3 は同じでも異なってもよい。Ｚx+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。］
【００７８】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基のいずれかを表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表される置換または無置換のアルキル基としては、炭素数が１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、プチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−アミル、シクロプロピル、シクロへキシル、ベンジル、フェネチル）が挙げられる。また、Ｒ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14が各々アルキル基を表す場合には、それらが互いに連結して炭素環（例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロへキシル、２−メチルシクロへキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなど）または複素環（例えばピペリジル、クロマニル、モルホリルなど）を形成していてもよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表されるアルキル基として好ましくは、炭素数１〜８の、鎖状アルキル基または環状アルキル基であり、最も好ましくは炭素数１〜５の鎖状（直鎖状または分岐鎖状）アルキル基、Ｒ11とＲ12、およびＲl3とＲ14がそれぞれ結合して環をなした炭素数１〜８の環状アルキル基（好ましくはシクロへキシル環）、炭素数１〜２０の置換アルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）である。
【００７９】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表される置換または無置換のアリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）が挙げられる。Ｒ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表されるアリール基として好ましくは、炭素数６〜１０のアリール基である。
【００８０】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表される置換または無置換のヘテロ環基は炭素原子、窒素原子、酸素原子、あるいは硫黄原子から構成される５〜６員環の飽和又は不飽和のヘテロ環基であり、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピペリジル基、トリアジル基、ピロリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基などが挙げられる。またこれらがベンゾ縮環したもの（例えばキノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾキサゾリル基など）でもよい。Ｒ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表される置換または無置換のヘテロ環基として好ましくは、炭素数６〜１０の置換または無置換のヘテロ環基である。
【００８１】
一般式（８）のＲ11、Ｒ12、Ｒl3、Ｒ14で表される置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、および置換または無置換のヘテロ環基の置換基としては後述の置換基群Ｓが挙げられる。
【００８２】
Ｓで示される置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、カルボキシメチル、エトキシカルボニルメチル）、炭素数７〜２０のアラルキル基（例えば、ベンジル、フェネチル）、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ）、炭業数６〜２０のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル）、炭素数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、ナフトキシ）、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、ピリミジル、ピリダジル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、２−ピロリジノン−１−イル、２−ピペリドン−１−イル、２，４−ジオキシイミダゾリジン−３−イル、２，４−ジオキシオキサゾリジン−３−イル、スクシンイミド、フタルイミド、マレイミド）、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、沃素）、カルボキシル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、シアノ基、炭素教２〜１０のアシル基（例えば、アセチル、ピバロイル）、炭素数１〜１０のカルバモイル（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、モルホリノカルバモイル）、アミノ基、炭素数１〜２０の置換アミノ基（例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ビス（メチルスルホニルエチル）アミノ、Ｎ−エチル−Ｎ’−スルホエチルアミノ）、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、炭業数１〜１０のアルキルスルホニルアミノ基（例えば、メチルスルホニルアミノ）、炭素数１〜１０のカルバモイルアミノ基（例えば、カルバモイルアミノ、メチルカルバモイルアミノ）、炭素数１〜１０のスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、エタンスルホニル）、炭素数１〜１０のスルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル）、および炭素数０〜１０のスルファモイル基（例えば、スルファモイル、メタンスルファモイル）が含まれる。カルボキシル基およびスルホ基の場合にはそれらは塩の状態であってもよい。
【００８３】
一般式（８）のＲ21、Ｒ22、Ｒ3はそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のヘテロ環基、ハロゲン原子、カルボキシル基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、シアノ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のカルバモイル基、アミノ基、置換アミノ基、スルホ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、置換または無置換のカルバモイルアミノ基、置換または無置換のアルキルスルホニル基、置換または無置換のアリールスルホニル基、置換または無置換のスルフィニル基および置換または無置換のスルファモイル基のいずれかを表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3として好ましくは、水素原子、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換または無置換の炭素数２〜２０のヘテロ環基、置換または無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、水素原子、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜１０ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、最も好ましくは水素原子、無置換の炭素数１〜５のアルキル基、無置換の炭素数１〜５のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数２〜６のヘテロ環基およびハロゲン原子のいずれかである。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3は更に置換基を有しても良く、置換基としては前述の置換基群Ｓが挙げられる。  ｍが０であり、Ｒ21、Ｒ22が両方とも水素原子であることが好ましい。また、ｍが１であり、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ3がいずれも水素原子であることが好ましい。
【００８４】
一般式（８）のｍは０以上の整数を表し、好ましくは０〜５（０以上５以下）の整数であり、更に好ましくは０〜３の整数であり、特に好ましくは０〜２の整数である。
【００８５】
一般式（８）において、上記ｍが２以上の場合、複数のＲ3は同じでも異なってもよく、それぞれ独立に水素原子又は前記の置換基を表す。
【００８６】
一般式（８）においてＺx+は陽イオンを表し、ｘは１以上の整数を表す。
Ｚx+で表される陽イオンとして好ましくは、第４級アンモニウムイオンであり、更に好ましくは、特開２０００−５２６５８号公報の一般式（Ｉ−４）で表される４，４’−ビピリジニウム陽イオンおよび特２００２−５９６５２号公報に開示されている４，４’−ビピリジニウム陽イオンである。一般式（８）においてｘは１または２が好ましい。
【００８７】
以下に、前記一般式（８）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８８】
【化１６】
2007102875.tif 000017
【００８９】
【化１７】
2007102875.tif 000018
【００９０】
【化１８】
2007102875.tif 000019
【００９１】
【化１９】
2007102875.tif 000020
【００９２】
【化２０】
2007102875.tif 000021
【００９３】
【化２１】
2007102875.tif 000022
【００９４】
【化２２】
2007102875.tif 000023
【００９５】
【化２３】
2007102875.tif 000024
【００９６】
【化２４】
2007102875.tif 000025
【００９７】
【化２５】
2007102875.tif 000026
【００９８】
【化２６】
2007102875.tif 000027
【００９９】
【化２７】
2007102875.tif 000028
【０１００】
【化２８】
2007102875.tif 000029
【０１０１】
【化２９】
2007102875.tif 000030
【０１０２】
【化３０】
2007102875.tif 000031
【０１０３】
【化３１】
2007102875.tif 000032
【０１０４】
【化３２】
2007102875.tif 000033
【０１０５】
次に、前記オキソノール色素Ｂとして好適な例を挙げて説明する。当該オキソノール色素Ｂは、下記一般式（９）で表される化合物が好ましい。
【０１０６】
【化３３】
2007102875.tif 000034
【０１０７】
一般式（９）中、Ｚａ25、Ｚａ26は、各々独立に、酸性核を形成する原子群であり、その例としては、Ｊａｍｅｓ  編、Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ、第４版、マクミラン社、１９７７年、第１９８頁に記載されている。具体的には、各々、置換されてもいてもよいピラゾール−５−オン、ピラゾリジン−３，５−ジオン、イミダゾリン−５−オン、ヒダントイン、２または４−チオヒダントイン、２−イミノオキサゾリジン−４−オン、２−オキサゾリン−５−オン、２−チオオキサゾリン−２，４−ジオン、イソローダニン、ローダニン、チオフェン−３−オン、チオフェン−３−オン−１，１−ジオキシド、インドリン−２−オン、インドリン−３−オン、２−オキソインダゾリウム、５，７−ジオキソ−６，７−ジヒドロチアゾロ〔３，２−ａ〕ピリミジン、３，４−ジヒドロイソキノリン−４−オン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン（例えば、メルドラム酸など）、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、クマリンー２，４−ジオン、インダゾリン−２−オン、ピリド［１，２−ａ］ピリミジン−１，３−ジオン、ピラゾロ〔１，５−ｂ〕キナゾロン、ピラゾロピリドン、５または６員の炭素環（例えば、ヘキサン−１，３−ジオン、ペンタン−１，３−ジオン、インダン−１，３−ジオン）などの核が挙げられ、好ましくは、ピラゾール−５−オン、バルビツール酸、２−チオバルビツール酸、１，３−ジオキサン−４，６−ジオンである。  Ｚａ25、Ｚａ26は、各々、置換されていてもよい１，３−ジオキサン−４，６−ジオンが最も好ましい。
【０１０８】
酸性核を置換する置換基は、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、またはシリル基が例として挙げられる。その中でも、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基、または炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。
酸性核は、無置換または、炭素数１から２０の置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたもの、炭素数６から２０の置換もしくは無置換のアリール基で置換されたものが好ましい。
【０１０９】
Ｚａ25、Ｚａ26が形成する酸性核は、好ましくは、インダンジオン、ピラゾロン、ピラゾリンジオン、ベンゾチオフェンオンジオキシドである。その中でも、ピラゾロンが最も好ましい。
【０１１０】
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換または無置換のメチン基であり、置換基として好ましくは、炭素数１から２０のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル）、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素）、炭素数１から２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピル）、炭素数６から２６のアリール基（例えば、フェニル、２−ナフチル）、炭素数０から２０のヘテロ環基（例えば、２−ピリジル、３−ピリジル）、炭素数６から２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、２−ナフトキシ）、炭素数１から２０のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ）、炭素数１から２０のカルバモイル基（例えばＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、スルホ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１から２０のアルキルチオ基（例えばメチルチオ）、シアノ基などが挙げられる。また、他のメチン基と結合して環構造を形成してもよく、Ｚａ21からＺａ26で表される原子団と結合して環構造を形成してもよい。
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29はは、各々独立に、好ましくは無置換、エチル基、メチル基、フェニル基で置換されたメチン基のいずれかである。最も好ましくは、無置換のメチン基である。
【０１１１】
Ｋａ23は、０から３までの整数を表す。Ｋａ23が２または３であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、同じでも異なっていてもよい。Ｋａ23は、共に２であるものが好ましい。Ｑは、電荷を中和する陽イオンを表す。
【０１１２】
一般式（９）で表される構造の色素のうち、特に、下記一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）で表されるものが好ましい。
【０１１３】
【化３４】
2007102875.tif 000035
【０１１４】
一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ32、Ｒ33（以上を「Ｒ」と表示することあり）は、各々独立に、水素原子または、置換基を表す。置換基は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、置換もしくは無置換のアルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、置換もしくは無置換のアルキニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリルオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、置換もしくは無置換のアシルオキシ基、置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ、置換もしくは無置換のアミノ基（アニリノ基を含む）、置換もしくは無置換のアシルアミノ基、置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニルアミノ基、置換もしくは無置換のメルカプト基、置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換または無置換のヘテロ環チオ基、置換または無置換のスルファモイル基、スルホ基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルフィニル基、置換もしくは無置換のアルキル及びアリールスルホニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のカルバモイル基、置換または無置換のアリール及びヘテロ環アゾ基、置換もしくは無置換のイミド基、置換もしくは無置換のホスフィノ基、置換もしくは無置換のホスフィニル基、置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、または置換もしくは無置換のシリル基が例として挙げられる。
【０１１５】
更に詳しくは、Ｒは、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、
【０１１６】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、
【０１１７】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、
【０１１８】
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【０１１９】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【０１２０】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、
【０１２１】
スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、
【０１２２】
アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【０１２３】
一般式（１０）、及び一般式（１１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28 は、水素原子が最も好ましい。
Ｒ31、Ｒ34、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43、Ｒ44は、置換基としては前記Ｒと同じものが挙げられるが、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基が好ましい。その中でも、置換または無置換のアリール基が更に好ましい。
Ｍａ27、Ｍａ28、Ｍａ29は、各々独立に、置換または無置換のメチン基である。一般式（２）のＭａ27、Ｍａ28、Ｍａ29と同義であり、その具体例及び好ましいものも同様である。Ｋａ23は、各々独立に、０から３までの整数を表す。Ｑは、電荷を中和する一価の陽イオンを表す。Ｋａ23が２または３であるとき、複数存在するＭａ27、Ｍａ28は、同じでも異なっていてもよい。
【０１２４】
以下に、一般式（９）で表される化合物の好ましい具体例（化合物（９）−１〜（９）−２５）を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２５】
【化３５】
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【０１２６】
【化３６】
2007102875.tif 000037
【化３７】
2007102875.tif 000038
【０１２７】
【化３８】
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【０１２８】
【化３９】
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【０１２９】
オキソノール色素は、該当する活性メチレン化合物とメチン源（メチン染料にメチン基を導入するために用いられる化合物）との縮合反応によって合成することができる。この種の化合物についての詳細は、特公昭３９−２２０６９号、同４３−３５０４号、同５２−３８０５６号、同５４−３８１２９号、同５５−１００５９号、同５８−３５５４４号、特開昭４９−９９６２０号、同５２−９２７１６号、同５９−１６８３４号、同６３−３１６８５３号、同６４−４０８２７号各公報、ならびに英国特許第１１３３９８６号、米国特許第３２４７１２７号、同４０４２３９７号、同４１８１２２５号、同５２１３９５６号、同５２６０１７９号各明細書を参照することができる。また、特開昭６３−２０９９９５号公報、特開平１０−３０９８７１号公報、特開２００２−２４９６７４号公報にも記載されている。
【０１３０】
上記一般式（１）及び（３）等で示されるオキソノール色素は、単独で用いてもよく、あるいは二種以上を併用してもよい。また、既述のオキソノール色素とこれ以外の色素化合物とを併用してもよい。併用する色素は、アゾ色素（金属イオンとの錯体化したものを含む）、ピロメテン色素、シアニン色素等が例として挙げられる。
【０１３１】
本発明に用いる色素は、熱分解温度が１００℃〜３５０℃の範囲にあるものが好ましい。更には、１５０℃〜３００℃の範囲にあるものが好ましい。更には、２００℃から３００℃の範囲にあるものが好ましい。
【０１３２】
記録層に用いる色素（「既述のオキソノール色素」または「既述のオキソノール色素およびこれと併用する色素」）のアモルファス膜の光学特性上、複素屈折率の係数ｎ（実部：屈性率）、ｋ（虚部：消衰係数）は、好ましくは、２．０≦ｎ≦３．０、０．００５≦ｋ≦０．３０である。更に好ましくは、２．１≦ｎ≦２．７、０．０１≦ｋ≦０．１５である。最も好ましくは、２．１５≦ｎ≦２．５０、０．０３≦ｋ≦０．１０である。
【実施例】
【０１３３】
なお、本発明の実施例について、具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［実施例］
射出成形にて、ポリカーボネート樹脂をスパイラル状のグルーブ（深さ１２０ｎｍ、溝幅３６５ｎｍ、トラックピッチ０．７４μｍ）を有する厚さ０．５７０ｍｍ、直径１２０ｍｍの基板に成形し、これを記録層を形成するための基板とした。下記化学式で表される「オキソノール色素Ａ」１．００ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌに溶解し、塗布液を調製した。この塗布液をスピンコート法により上記基板のグルーブが形成されている面に塗布して、記録層（Ｌ０）を形成した。
【０１３４】
【化４０】
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【０１３５】
次に、この記録層上に、ＡｇＮｄＣｕ合金（ターゲット組成Ａｇ：９８．４ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）をスパッタして膜厚１４ｎｍの半透過性の反射層を形成した。これにより所望の積層体を得た。
このようにして得た積層体を用いる光ディスクを試作したところ、反射膜の厚みを従来の１００ｎｍよりも１４ｎｍと大幅に薄くすることによって、製造時間が短縮されて生産効率が上がり、しかも従来製品と変わらない反射率を有するものとなった。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明に係る光記憶ディスクの構成例を示す模式縦断面図である。
【図２】レーザ光と、金属反射膜および記録層の膜厚の関係を説明する図である。
【図３】金属反射層の膜厚対反射率グラフである。
【図４】光磁気ディスクの製造に係る反射膜製膜のためのスパッタリング装置の概念図である。
【図５】各ＯＰＤ値での良好な記録特性が得られる最低反射膜厚みをプロットした線図である。
【図６】Ｊｉｔｔｅｒ対Ｐｏｗｅｒの線図である。
【図７】ＰＩ対Ｐｏｗｅｒの線図である。
【図８】従来の光記録媒体の構成例を示す模式縦断面図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０  本発明に係る光記録ディスク
１１  透明基板
１２  記録層
１３  金属反射層
１４  保護層
４０  反射膜製膜用スパッタリング装置
４１  スパッタ室
４２  マグネトロンスパッタソース
４３  外部電源
４４  基板ホルダー
４５  電動機
４６  窒素ガス導入口
４７  アルゴンガス導入口
４８  排気口
Ｓ  光記録ディスク
Ｔ  ターゲット（例えば、Ａｇ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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