(57)【要約】    【課題】薄型化、軽量化、多機能化した多層配線基板を製造するに際に用いられる配線基板形成用キャリアに関し、多層配線基板内部にコアとなる絶縁基板を有さず、加工時の取り扱い性に優れ、加工時の薬液や高温加熱による基板の反りやうねりが発生せず、寸法安定性に優れ、特に多層配線基板の平坦性が要求されるフリップ実装に適用できる性能を有する配線基板形成用キャリアを提供する。  【解決手段】平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下である支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層を有する配線基板形成用キャリア。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下である支持体の少なくとも片面に、硬化したシリコーン樹脂層を有する配線基板形成用キャリア。
【請求項２】
支持体が金属、ガラス、石英、セラミックス、半導体、無機繊維強化樹脂から選択される少なくとも１種である請求項１記載の配線基板形成用キャリア。
【請求項３】
硬化したシリコーン樹脂層を支持体の両面に有する請求項１または２記載の配線基板形成用キャリア。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の配線基板形成用キャリアの硬化したシリコーン樹脂層上に導体層を有する配線基板形成用基材。
【請求項５】
前記導体層上に、絶縁層、配線層を各々少なくとも一層有する請求項４記載の配線基板形成用基材。
【請求項６】
導体層、配線層、シリコーン樹脂層、絶縁層から選択される少なくとも１つの層の上に電子部品が実装されている請求項４または５記載の配線基板形成用基材。
【請求項７】
平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下である支持体の少なくとも片面に、シリコーン樹脂組成物溶液を塗布し、熱処理し、硬化したシリコーン樹脂層を形成し、硬化したシリコーン樹脂層上に、導体層、絶縁層、配線層を各々少なくとも一層有する配線基板を作製した後、配線基板形成用キャリアの硬化したシリコーン樹脂層を有機溶剤で膨潤率１０〜５００重量％に膨潤させ、配線基板形成用キャリア上に形成した配線基板を分離する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子用パッケージなどの多層配線基板を製造するために有用な配線基板形成用基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型コンピュータ等の電子機器の小型化、高機能化のために、これらを構成する配線基板の配線の微細化、多層化が進められてきている。
【０００３】
汎用的な多層配線基板は、一般的に次のように製造される。ＦＲ−４などのガラスエポキシ基板に配線層を形成したコア基板上に、プリプレグと呼ばれるガラス布にエポキシ樹脂を含浸し半硬化状態にした材料を、銅箔と重ねて、これらを熱プレスにより積層一体化する。次に、ドリルや炭酸ガスレーザーを用いて配線層間接続用のスルーホールと呼ばれる貫通孔をあけ、スルーホール内壁と銅箔表面上などに無電解めっきを行い、スルーホールを通した配線層間接続を行う。さらに、必要な場合には電解めっきなどを行い層間接続導体の厚膜化を行う。また、必要に応じて不要な銅をエッチング処理などで除去する。このようにして基板の最外に配線層を形成する。配線層の多層化を上記工程の繰り返しによって多層配線基板を製造する。
【０００４】
電子部品の実装密度向上、チップ部品の小型化、ＬＳＩの多ピン化に対応して、多層配線基板の微細配線化の開発も進められている。これらの要求に合致する多層配線基板の製造手法として、絶縁層をガラスクロスを含まない材料で形成し、配線層を金属メッキ層で形成し、双方を交互に積層して多層配線層を形成するというビルドアップ法と呼ばれるものがある。この方式は薄型化や軽量化、配線の微細化に適した手法として主流になりつつある。しかしながら、このような方法においても製造する際の取り扱い性、寸法安定性から厚み０．４ｍｍ以上のＦＲ−４などのガラスエポキシ基板を多層配線基板のコアとして用いることが多く、多層配線基板のさらなる軽量化、薄型化、小型化には限界があった。
【０００５】
この問題を解決する方法として、金属支持体、剥離層および配線層とからなる基材上に、ビルドアップ法により多層配線層を形成した後、金属支持体および剥離層からなるキャリアと多層配線層を分離させることにより多層配線基板を得る方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法によれば、多層配線基板内にコアとなる基板が存在しないために薄型化が可能となる。しかしながら金属支持体、剥離層が導体から構成されているために、これらの層を通じて多層配線層内の配線が短絡してしまうため、多層配線層内の断線、短絡の検査、および多層配線層上に表面実装したＬＳＩやチップ部品などの電子部品の動作検査を支持体上で行うことができない。これらの電気的な検査は、キャリアから多層配線基板を剥離した後にしか行うことができない。一方、コア層を有しない多層配線基板は、強度、硬度が十分でないため電子部品の実装はキャリア付の状態で行わねばならない。したがって、多層配線基板は単体で検査を行うことができず、部品実装が行われた後にキャリアを剥離した状態でしか行うことができない。この場合、部品実装後に多層配線基板に不具合が発見された場合、良品である電子部品を多層配線基板と伴に廃棄するか、電子部品を破損しないように取り外し、再度利用するリワークプロセスを行わねばならず、生産コストが大きくなってしまうという問題があった。
【０００６】
また、絶縁層を表面に形成した金属支持体上にビルドアップ法により多層配線層を形成し、その後に金属支持体を溶解し、多層配線基板を得る方法が提案されている（特許文献２参照）。この方法は、支持体と多層配線層の間に絶縁層を有しているため、配線層を一層形成するごとに導通検査を行い、各層ごとに検査を行いながら多層配線を形成していくことが可能である。しかし、支持体が金属であるため、多層配線層形成工程において、金属エッチングプロセスなどの支持体が溶解する工程を用いることができず、プロセスの選択に制約が多い。
【０００７】
また、ポリエステルフィルム上にプライマー層、硬化したシリコーン樹脂層、配線層をこの順に積層してなる回路形成用転写シートの配線層を半硬化状態の絶縁シートに転写する方法が提案されている（特許文献３参照）。この方式では配線層の間に絶縁層を有しているために配線回路の電気的導通検査を行うことが可能である。しかしながら、この回路形成用転写シートを用いてビルドアップ方式による多層配線化を行おうとすると、加熱工程で回路形成用転写シートの変形や発泡によって配線層が硬化したシリコーン樹脂層から剥がれたり配線の寸法精度が不十分となるため、多層配線基板の作製には用いることができないという問題を有していた。
【特許文献１】特開２００５−００５４３５号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００４−１１１５３６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００２−３５９４５５号公報（第４０〜５０段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、電子機器の薄型化、軽量化、多機能化に対応した多層配線基板を製造するのに適した、寸法安定性や耐熱性に優れた配線基板形成用キャリアおよび配線基板形成用基材を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち本発明は、平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下である支持体の少なくとも片面に、硬化したシリコーン樹脂層を有する配線基板形成用キャリア、およびそれを用いた配線基板形成用基材である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板形成用キャリアによれば、電子機器の薄型化、軽量化、多機能化に対応した多層配線基板を製造するに際し、支持体上で一層ごとの検査を行いながらの多層配線化が可能で、加工時の取り扱い性に優れ、薬液処理やハンダリフローなどの高温処理によって基板に反りやうねりが発生しにくく、寸法安定性に優れる。特に多層配線基板の平坦性が要求されるフリップ実装に適用できる性能を有し、薄型である多層配線基板を容易かつ低コストで得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の配線基板形成用キャリアは、平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下である支持体の少なくとも片面に、硬化したシリコーン樹脂層を有する。
【００１２】
本発明で用いられる支持体は、支持体と硬化したシリコーン樹脂層間の接着力の発現、およびシリコーン樹脂層の良好な硬化性を得るために、平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下（２３℃水中２４時間浸漬後）を満たす必要がある。特に配線基板形成用キャリア上で多層配線層を形成する際に１７０℃以上の加熱工程が必要な場合は、好ましくは支持体の平面方向の熱線膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下、吸水率が０．５重量％以下である。支持体の平面方向の熱線膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下、吸水率が０．５重量％以下であると、支持体と硬化したシリコーン樹脂層との接着力が飛躍的に向上する。支持体の平面方向の熱線膨張係数が１５ｐｐｍ／℃より大きい、もしくは吸水率が０．５重量％より大きいと、支持体と硬化したシリコーン樹脂層との接着力が低くなり、配線基板形成用キャリア上に形成した多層配線層を配線基板形成用キャリアと多層配線基板とに剥離した際に多層配線基板にシリコーン樹脂が残存することがある。また、配線基板形成用キャリア上で多層配線層を形成する際の加熱工程において、支持体中の水分が発泡し、硬化したシリコーン樹脂層と支持体間の界面剥離および／または硬化したシリコーン樹脂層と導体層間の界面剥離を引き起こす。
【００１３】
ここで熱線膨張係数はＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）により測定された２５℃から２００℃の間の平均線膨張係数のことである。吸水率は、１００℃で１時間加熱した支持体を２５℃、１％ＲＨ以下の環境下で２０分間放冷した後の重量を吸水前支持体重量とし、２３℃水中に２４時間浸漬した後の重量を吸水後支持体重量として、吸水前後の重量変化から支持体が吸水した量を重量％として表したものである。
【００１４】
本発明の支持体としては、平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下（２３℃水中２４時間浸漬）であればよく、特に限定されない。好ましくは金属、ガラス、石英、セラミックス、半導体、無機繊維強化樹脂から選択される少なくとも１種である。具体的にはアルミニウム、銅、ステンレス、鉄などの金属、ガラス繊維クロス、カーボンクロスと樹脂からなる無機繊維強化樹脂基板、例えばガラス−エポキシ樹脂基板（ＦＲ−４、ＦＲ−５、ＣＥＭ−３）、ガラス−ポリイミド樹脂基板、ガラス、石英、シリコンウエハなどの半導体、セラミックスなどを好ましく用いることができる。平面方向の熱線膨張係数（ＣＴＥ）が０．５ｐｐｍ／℃以上、２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ吸水率が０重量％以上、１重量％以下（２３℃水中２４時間浸漬）であれば、アラミドクロスと合成樹脂からなる有機繊維強化樹脂基板なども使用することができる。また支持体自身は単層でも複数層からなるものであってもよく、複数層の場合は、上記の好ましい材料を組み合わせて用いてよい。
【００１５】
特にガラスクロスを３０重量％以上含有するガラス−エポキシ樹脂基板が吸水率を低く抑制でき、剛性とフレキシブル性を有することから好ましく用いられる。ガラスクロスが３０重量％未満の場合には吸水率が高く、熱線膨張係数（ＣＴＥ）が大きくなり、硬化したシリコーン樹脂層との接着力が低くなる。このため、配線基板形成用キャリア上に形成した多層配線層を配線基板形成用キャリアと多層配線基板とに剥離する際に多層配線基板にシリコーン樹脂が残存することがある。また、多層配線層を製造する際の加熱工程において、支持体中の水分が発泡し、配線基板形成用キャリアの硬化したシリコーン樹脂層と支持体間の界面剥離および／または硬化したシリコーン樹脂層と導体層の界面剥離を引き起こしやすくなることがある。
【００１６】
また、後述するシリコーン樹脂層において付加型のシリコーン樹脂を支持体上に形成する場合、支持体と硬化した付加型シリコーン樹脂層間の強固な接着力を得るために支持体はリン原子、窒素原子、硫黄原子を含まない支持体を用いることが好ましい。支持体に燐原子、窒素原子、硫黄原子が存在する場合、付加型シリコーン樹脂の硬化不良が生じやすく、長時間の硬化時間が必要となる場合がある。
【００１７】
支持体の厚みは特に制限はないが、取り扱い性が良好なことから、支持体の厚みは２５μｍ以上が好ましい。支持体上に形成される配線基板が多層配線層である場合、多層配線層からの応力による支持体の折れや反りを防げる点から、支持体の厚みは２０ｍｍ以下であることが好ましい。取り扱い性と軽量性に優れることと支持体コストおよび入手の容易性から、支持体の厚みは６００μｍ以下がより好ましい。枚葉状の支持体として取り扱う場合は、単体での剛性がある方がハンドリングしやすいことから厚み５０μｍ以上であることが好ましく、軽量であることによる搬送の容易などの点から、４００μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
本発明で用いられるシリコーン樹脂層とは、シリコーン系樹脂を主成分とし硬化したものである。シリコーン樹脂層を構成するシリコーン樹脂は、以下の（１）と（２）の２種が、配線基板形成用キャリア上で多層配線層を作製する際に必要な耐熱性、耐薬品性に優れる点、作製した多層配線層との剥離性に優れる点で好ましい。
【００１９】
（１）縮合反応によって得られるシリコーン樹脂
このような縮合型シリコーン樹脂を形成する方法としては、主鎖中または主鎖末端に水酸基またはビニル基を有する下記一般式［１］で示される繰り返し単位を有する分子量数千〜数十万の線状有機ポリシロキサンを架橋剤により架橋する方法が一般的である。
【００２０】
【化１】
2007067382.tif 000002
【００２１】
ｎは２以上の整数、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜５０の置換あるいは非置換のアルキル基、炭素数２〜５０の置換あるいは非置換のアルケニル基、炭素数４〜５０の置換あるいは非置換のアリール基の群から選ばれる少なくとも一種であり、それぞれ同一でも、異なっていてもよい。Ｒ１、Ｒ２の全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化フェニルであり、全体の６０％以上がメチル基であるものが好ましい。
【００２２】
このような線状有機ポリシロキサンは、有機過酸化物を添加して熱処理を施すことにより、さらに架橋したシリコーン樹脂とすることもできる。このような線状有機ポリシロキサンは、一般式［２］に示されるような架橋剤を添加することにより架橋させることができる。
【００２３】
【化２】
2007067382.tif 000003
【００２４】
ｑは０〜２の整数であり、Ｒ３はアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらの組み合わされた基を示し、それらはハロゲン原子、アミノ基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、（メタ）アクリルオキシ基、チオール基などの官能基を置換基として有していてもよい。Ｚは水素原子、水酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ケトオキシム基、アミド基、アミノオキシ基、アミノ基、グリシジル基、メタクリル基、アリル基、ビニル基などを有するアセトキシシラン、ケトオキシムシラン、アルコキシシラン、アミノシラン、アミドシランなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２５】
このような縮合型シリコーン樹脂には、錫、亜鉛、鉛、カルシウム、マンガンなどの金属を含んだ化合物などを触媒として添加することは任意である。
【００２６】
（２）付加反応によって得られるシリコーン樹脂
付加型シリコーン樹脂を形成する方法としては、分子中に２個以上のエチレン性不飽和結合を有するポリシロキサン化合物と多価ハイドロジェンポリシロキサン化合物とを反応させる方法が一般的である。分子中に２個以上のエチレン性不飽和結合を有するポリシロキサン化合物としてはα，ω−ジビニルポリジメチルシロキサン、両末端メチル基の（メチルビニルシロキサン）（ジメチルシロキサン）共重合体などが挙げられる。多価ハイドロジェンポリシロキサン化合物としては、α，ω−ジメチルポリメチルハイドロジェンシロキサン、両末端メチル基の（メチルポリメチルハイドロジェンシロキサン）（ジメチルシロキサン）共重合体などが挙げられる。このような付加型シリコーン樹脂には、白金単体、塩化白金、オレフィン配位白金などを触媒として添加する。
【００２７】
本発明の配線基板形成用キャリアの硬化したシリコーン樹脂層の膜厚は、支持体の最大表面粗さより厚いことが好ましく、また原料コスト低減化から、０．５〜１００μｍの範囲で使用することができる。シリコーン樹脂層形成時の脱溶媒に時間がかかるため生産性を考慮すると、より好ましくは０．５〜１０μｍの範囲である。硬化したシリコーン樹脂層が薄すぎる場合には、導体層との密着不均一の問題を生じることがある。
【００２８】
本発明における硬化したシリコーン樹脂とは、次に示した不溶化率により定義され、支持体上のシリコーン樹脂層と導体層間の安定した接着力を得るために９０％以上であることが好ましく、配線基板形成用キャリア上で多層配線層を形成する際にパラフィン系炭化水素を含むような溶剤を使用する工程がある場合は、不溶化率が９９％以上であることがより好ましい。不溶化率が９０％未満の場合は金属箔をエッチングする際に硬化したシリコーン樹脂層が支持体から脱落し、パターンが得られないなどの問題が発生する。
【００２９】
なお、硬化したシリコーン樹脂層の不溶化率は以下の方法で測定する。厚さ０．２４ｍｍの脱脂したアルミ板上にシリコーン樹脂溶液を乾燥後厚みが４〜８μｍになるように塗布し、１３０℃で３分間乾燥し、不溶化率測定用の硬化したシリコーン樹脂層サンプルを作製する。不溶化率測定用として１０×１０ｃｍに切り取り、初期重量（Ｓ）を測定する。測定溶媒に“アイソパーＥ”（イソパラフィン系炭化水素、エクソン化学（株）製）を用い、浸漬温度３０℃、浸漬時間３００秒にて、上記硬化したシリコーン樹脂層サンプルを溶媒槽中に浸漬させる。硬化したシリコーン樹脂層サンプルを溶媒槽から取り出し、１００℃で５分間乾燥した後、重量（Ｔ）を測定する。残存した硬化したシリコーン樹脂層を除去し、アルミ板の重量（Ｕ）を測定し、下記式（ａ）により不溶化率（Ｙ）を算出する。
Ｙ＝〔（Ｔ−Ｕ）／（Ｓ−Ｕ）〕×１００            （ａ）。
【００３０】
また、本発明で用いる硬化したシリコーン樹脂層は有機溶剤を吸収し膨潤するという性質を有している。この膨潤により配線基板形成用キャリア上に形成した配線基板を容易に剥離することができる。このシリコーン樹脂層の膨潤率は１０重量％以上、５００重量％以下の範囲が好ましい。より好ましくは５０重量％以上、５００重量％以下の範囲である。膨潤率が１０重量％以上であると、配線基板形成用キャリア上に形成した配線基板の剥離が短時間で行える。膨潤率が５００重量％以下であると、シリコーン樹脂層が配線基板に残存するという問題が起きにくくなる。
【００３１】
シリコーン樹脂層を膨潤させる有機溶剤としては、シリコーン樹脂層を前記膨潤率の範囲に入るようにするものであれば特に制限はないが、炭素数５以上の炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、不飽和二重結合基を有するオレフィン炭化水素溶剤など用いることができる。炭素数５以上の炭化水素系溶剤としては、ペンタン、２−メチルブタン、ヘプタン、２−メチルヘキサン、オクタン、２−メチルヘプタンなどが挙げられる。また、有機溶剤に水を加えたものであっても良い。その他、界面活性剤や消泡剤を添加しても良い。
【００３２】
なお、シリコーン樹脂層の有機溶剤に対する膨潤率は以下の方法で測定することができる。厚さ０．２４ｍｍの脱脂したアルミ板上にシリコーン樹脂溶液を乾燥後厚みが４〜８μｍになるように塗布し、１３０℃で３分間乾燥し、膨潤率測定用のシリコーン樹脂層サンプルを作製する。膨潤率測定用としてアルミ板ごと１０×１０ｃｍに切り取り、初期重量（Ａ）を測定する。シリコーン樹脂層を膨潤させる有機溶剤を用い、浸漬温度３０℃、浸漬時間３０分にて、上記シリコーン樹脂層サンプルを溶剤槽中に浸漬させる。シリコーン樹脂層サンプルを溶剤槽から取り出し、付着している有機溶剤をガーゼで拭き取った後、重量（Ｂ）を測定する。残存したシリコーン樹脂層を除去し、アルミ板の重量（Ｕ）を測定し、下記式（ｂ）により膨潤率（Ｚ）重量％を算出する。
Ｚ＝〔（Ｂ−Ａ）／（Ａ−Ｕ）〕×１００              （ｂ）。
【００３３】
本発明の配線基板形成用キャリアは、支持体の両面に硬化したシリコーン樹脂層を設けてもよい。配線基板形成用キャリア上で多層配線層を製造する際やその後の部品実装プロセスの高温加熱により硬化したシリコーン樹脂層に熱収縮が生じたとしても、支持体の両面に均等の応力がかかるため配線基板形成用基材に反りが発生しにくい。
【００３４】
本発明の配線基板形成用キャリアにおいて、支持体と硬化したシリコーン樹脂層との接着力は重要であるので、支持体上にシリコーン樹脂を塗布する前に、支持体と硬化したシリコーン樹脂層との十分な接着性を得るための表面処理が施されていることが好ましい。このような表面処理方法としては、低温プラズマ処理や支持体表面にプライマー層を設けることなどが挙げられる。
【００３５】
上記のプライマー層は、支持体と硬化したシリコーン樹脂層との接着力を向上させるものであればよく、特に限定されるものではない。例えば、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などのカップリング剤、フェノール樹脂系、アクリル系、ポリアミド系、ポリイミド系、ポリエステル系、紫外線硬化樹脂系、ウレタン系材料を好ましく用いることができる。特に耐熱性に優れることから、シランカップリング剤、フェノール系、ポリイミド系がより好ましく用いられる。また、プライマー層を設ける支持体表面をあらかじめ低温プラズマ処理したものを用いても良い。低温プラズマ処理としては、例えば、放電電極としてアルミニウム電極を用い、電極密度２５０（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２）の条件で支持体にコロナ放電処理を行うことが挙げられる。
【００３６】
本発明の配線基板形成用基材は、配線基板形成用キャリアの硬化したシリコーン樹脂層上に少なくとも一層の導体層を有するものであるが、導体層が複数層であったり、絶縁層を有していてもよい。この導体層はパターンエッチング法などによって回路パターン形状に加工することができる。
【００３７】
本発明で用いられる導体層は、一般に回路形成用に用いられるものであればよい。好適に用いられる導体層としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、ステンレス、導電性接着剤、導電性ペースト、インクジェット用導電性インキなどの導体層が挙げられる。この中で特に好ましい導体層は、銅または銅を含む合金である。導体層が銅箔の場合、公知の配線基板用の圧延箔、電解箔などが好ましく用いられる。導体層の厚みは、導体層の電気低抵抗化および配線の形状因子から１μｍ以上４０μｍ以下である。銅箔を用いた場合のピンホールによる配線断線などの問題回避、および配線幅５０μｍ以下の配線の形成するために、導体層の厚みは、２μｍ以上、５μｍ以上が好ましく、また１８μｍ以下が好ましく使用される。厚みが４０μｍを超える場合には、硬化したシリコーン樹脂層の導体層保持力が不安定になり回路パターン作製のエッチング時に導体層が脱落するなどの問題がある。
【００３８】
本発明における硬化したシリコーン樹脂層と導体層との接着力は、多層配線層形成プロセスおよび／または電子部品実装プロセスに問題となる剥離を生じないものであって、かつ多層配線層の剥離時に多層配線層に損傷を与えないものであればよい。
【００３９】
ここでいう接着力とは導体層を支持体および硬化したシリコーン樹脂層から９０度の方向に５０ｍｍ／分の速度で剥がした時の応力を示し、測定方法はＪＩＳ−Ｃ６４８１の５．７引き剥がし強さ、５．７．３（１）常態での測定に準拠するものである。
【００４０】
接着力としては、配線基板形成用基材のフォトレジストおよびエッチング法による回路パターン形成能、および配線基板形成用キャリア上の多層配線層の剥離能から、１ｇ／１０ｍｍ以上３００ｇ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。接着力が１ｇ／１０ｍｍ未満では取り扱い時に剥がれやすくなり、また接着力が３００ｇ／１０ｍｍより大きいと配線基板形成用キャリア上の多層配線層を剥離したときに導体層に損傷を与えることがある。
【００４１】
本発明の配線基板形成用基材は、例えば次のようにして用いられる。硬化したシリコーン樹脂上で、導体層に回路パターン加工を行った後、ビルドアップ方により多層配線層を形成し、次に配線基板形成用キャリアを剥離することで、多層配線基板を作製する。このため、従来法のような多層配線基板を製造する際のコア基板となるＦＲ−４などのガラスエポキシ基材が多層配線基板内に存在しないため、薄型化、軽量化が可能となる。コア基板は微細な配線加工が難しく、一方で多層配線基板は微細配線であるビルドアップ層を有しており、各々配線ピッチやビアの大きさなどの設計ルールが異なる。これら両者を同じ配線基板として存在させるには、配線基板としての設計が複雑になったり、両者で設計ルールが異なることを吸収するために、余分な配線を形成したりする必要がある。これに対し、本発明はコア基板を有さずビルドアップ層のみからなる多層配線基板を得ることができるため、単一のルールで配線設計ができ、構造がシンプルで、配線数、配線層数をより少なくした配線が可能になるという長所がある。
【００４２】
また、支持体上に形成された硬化したシリコーン樹脂層が電気的絶縁性を有するために、配線基板形成用キャリアを剥離することなく、配線層の断線、短絡の検査および配線層上の表面実装部品の動作検査が可能となる。
【００４３】
本発明の配線基板形成用キャリアは、例えば、次のようにして製造される。まず、必要に応じて接着力向上のため表面をプライマー処理、または低温プラズマ処理した支持体上に、シリコーン樹脂層として構成すべき組成物溶液をリバースコーター、カレンダーロールコーター、ナイフコーター、メーヤバーコーターなどの通常のコーター、あるいはホエラのような回転塗布装置を用いて塗布し、乾燥する。乾燥は、通常６０〜１８０℃の温度で数分間熱処理して行い、十分に硬化せしめてシリコーン樹脂層を形成することにより配線基板形成用キャリアを得ることができる。
【００４４】
次いで、このようにして得られた配線基板形成用キャリアの硬化したシリコーン樹脂層上に、導体層に用いる銅箔を重ね合わせ、プレス、ロールラミネータ等で圧着する。温度および圧力等の条件は任意に選定することができる。このようにして配線基板形成用基材を得ることができる。
【００４５】
次に本発明の配線基板形成用キャリアを用いて多層配線基板を作製する方法について説明する。前記方法により製造された配線基板形成用基材の導体層から、公知のレジスト法を用い所定の回路パターンを作製する。フォトレジストはネガ型でもポジ型でも使用することができる。
【００４６】
例えば、ポジ型のフォトレジストを使用し回路を形成する例を下記に説明する。導体層（銅箔）の全面にフォトレジストを塗布し、所定のマスクを介して露光をする。この露光工程で用いられる光源は、紫外線を豊富に発生するものであり、水銀灯、カーボンアーク灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、タングステンランプ、蛍光灯などを用いることができる。
【００４７】
次いで、現像を行うことによって、露光部のフォトレジスト層を除去する。次いで、塩化第２鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥し、導体層に回路パターンを形成する。回路パターンとして残るべき導体層の上にはフォトレジストが残るが、後述する絶縁シートの特性や密着性に問題がない限り、例えば絶縁シートの構成素材と同じ組成のレジストを用いた場合などには残存するレジストを除去しなくても良い。残存するレジストを除去する場合には、レジスト剥離液で剥離後に、適当なリンス液で洗浄、乾燥する。
【００４８】
このようにして得られた導体層回路パターンには、腐食防止や接着改良のための処理を行っても良い。また、導体層のエッチングにより露出した、硬化したシリコーン樹脂層表面および／または導体層回路パターン上に電子部品を搭載しても良いし、印刷法で抵抗、コンデンサ、インダクタなどを形成しても良い。
【００４９】
次に、上記によって形成した導体層回路パターン上に絶縁層を形成するために絶縁シートを圧着する。圧着は、図１に示すように、導体層回路パターン３の上に絶縁シート４を重ね合わせ５〜４００ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力をかけることで行う。これにより導体層回路パターン３を絶縁シート４に埋め込まれた形となる（図２）。または、図３に示すように、上述した方法によって形成した導体層回路パターン３の上に、硬化性樹脂を含む絶縁塗布液を導体層回路パターン３よりも厚く形成し、絶縁層５とすることも可能である。次いで目的に応じ、絶縁シートを硬化させた後、硬化したシリコーン樹脂層２および支持体１を硬化後の絶縁シートから剥離すると、導体層回路パターンが完全に絶縁シートに埋め込まれた配線基板を得ることができる。配線埋め込み時の圧力は、絶縁シートの樹脂の種類によって異なるが、形成した導体層回路パターン全体が埋め込まれるように選定する。
【００５０】
絶縁シートとしては、シート、フィルム状の硬化樹脂または半硬化樹脂からなる熱硬化性樹脂を有するもの、または、有機あるいは無機の繊維状基材に半硬化性樹脂からなる熱硬化性樹脂を含むシート状物などが挙げられる。さらに前述した絶縁シートの片面に銅箔などの金属箔を形成した金属箔付き絶縁シートも用いることができる。
【００５１】
絶縁シートの例としては、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン樹脂）、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フッソ系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。なおこれらの樹脂の中に、必要に応じ無機または有機フィラー（充填剤）が添加されていても良い。無機フィラーは限定されるものでなく、例えば、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウムなど一般に公知のフィラーが挙げられる。また、有機フィラーとしては、ポリイミド系樹脂、ポリアラミド系樹脂など公知のフィラーが挙げられる。
【００５２】
繊維状基材としては、ガラス繊維などの無機質繊維やフッ素系繊維などの合成繊維などからなる織布等の布帛が挙げられる。
【００５３】
導体層回路パターン上に配線を多層化する方法としては、ビルドアップ法などの公知の多層配線基板の製造方法を採ることができる。ここで、導体層回路パターンは多層配線基板の１層目の配線層となる。
【００５４】
配線基板形成用キャリアに形成した導体層に回路パターン加工を行ったものを起点として、１）上記した絶縁シートまたは片面金属箔付き絶縁シートに回路パターン加工を行った導体層を埋め込み、加熱硬化させた後、絶縁シートまたは片面金属箔付き絶縁シートにドリルや炭酸ガスレーザーを用いて層間接続用のスルーホールを形成する。
【００５５】
片面金属箔付き絶縁シートを用いる場合は、絶縁シート面が導体層に接するようにして、片面金属箔付き絶縁シートを積層する。無電解めっき等により、前記層間接続用スルーホールを介した金属箔と導体層の電気的接続を行う。無電解メッキ工程では、層間接続用スルーホール内壁の絶縁物と、導体層、金属箔に金属が析出し、全体を導体化する。その後、必要に応じて、電解めっきを行い、めっき層を厚くする。次に、フォトレジストなどを用いて、めっき層、金属箔のパターンエッチングを行い、回路を形成する。
【００５６】
金属箔のついていない絶縁シートを用いる場合は、前記の方法で層間接続用スルーホールを形成した絶縁シートを導体層上に積層する。その後に無電解めっきなどを行い、層間接続用スルーホール内壁の絶縁物と、導体層、絶縁シート表面に金属を析出させ、全体を導体化する。その後、必要に応じて、電解めっきを行い、めっき層を厚くする。次に、フォトレジストなどを用いて、めっき層のパターンエッチングを行い、回路を形成する。
【００５７】
このようにして配線基板形成用キャリア上に２層目の配線層を製造することができる。さらに多層化する場合、引き続き最外の配線層を起点として上記１）工程を繰り返すことにより配線基板形成用キャリア上に多層配線層を製造することができる。このほか配線層間の接続に、めっきではなく導電性ペーストを用いることもできる。
【００５８】
本発明の配線基板形成用基材は、多層配線層加工時の薬液や高温加熱によって反りやうねりが発現せず、寸法安定性に優れていることから、ＬＳＩやチップ部品などの電子部品を高精度に表面および／または内層に実装することができる。また、配線基板形成用キャリア上に形成した単層あるいは多層配線層、電子部品を実装した単層あるいは多層配線層はダイシング装置などの切断装置を用いて個片化することもできる。
【００５９】
目的とする単層あるいは多層配線基板、表面および／または内層に電子部品を実装した単層あるいは多層配線基板は、上記により作製した配線基板形成用キャリア上の単層あるいは多層配線層、表面および／または内層に電子部品を実装した単層あるいは多層配線層から配線基板形成用キャリア部分を剥離することにより得ることができる。この剥離を行う前に配線基板形成用キャリアにあるシリコーン樹脂層を有機溶剤にて膨潤させるとシリコーン樹脂層と作製した単層あるいは多層配線層、表面および／または内層に電子部品を実装した単層あるいは多層配線層間の接着力が低下するので剥離が容易となる。
【００６０】
シリコーン樹脂層を膨潤させる手段としては、配線基板形成用基材全体をシリコーン樹脂層を膨潤させる有機溶剤の入った溶剤槽に浸漬させる方法が簡便であり好ましい。シリコーン樹脂層を膨潤させるときの有機溶剤の温度は、大気圧下において、凝固点以上、発火点以下であればよく、より好ましくは制御しやすい点で２５℃以上の温度が好ましい。また、密閉容器に配線基板形成用基材およびシリコーン樹脂層を膨潤させる有機溶剤を入れ、加圧してシリコーン樹脂層を膨潤させることもできる。
【００６１】
本発明で用いる電子部品としては、シリコン系半導体、ＧａＡｓなどの化合物系半導体からなるＩＣチップ、ＬＳＩチップ、レーザー、発光ダイオード、フォトディテクターや、抵抗、インダクタ、コンデンサなどのチップ部品などが挙げられる。これらを配線基板に内蔵したり、表面実装することができる。チップ部品には、０４０２、０６０３規格などの小型のものを用いると高密度実装ができる。その他、配線基板内、表面に導体、絶縁体、抵抗体からなる層を任意の形状となるように形成して、インダクタ、キャパシタ、レジスターなどの電子部品を作り込んでも良い。電子部品の作り込みは、導体や、絶縁体や、抵抗体のペーストを用いて印刷法によりパターン形成、硬化などすることで実現できる。キャパシタ用の絶縁体には、チタン酸バリウムなどの高誘電率フィラーを分散したペーストを用いることで、高静電容量化でき好ましい。
【実施例】
【００６２】
以下に実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実体顕微鏡による、位置ずれ不良、断線の有無および剥離不良の評価方法、接着力の測定方法は次のとおりである。なお、試料の作製および評価等の作業は２５℃、５０％ＲＨに調温・調湿された室内で行った。
【００６３】
以下に実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実体顕微鏡による、位置ずれ不良、断線の有無および剥離不良の評価方法、接着力の測定方法は次のとおりである。なお、試料の作製および評価等の作業は２５℃、５０％ＲＨに調温・調湿された室内で行った。
【００６４】
（ａ）熱線膨張測定
支持体の熱膨張係数の測定はＴＭＡ（セイコーインスツルメント（株）製、ＴＭＡ／ＳＳ６０００）により、窒素気流下、昇温速度５℃／分、２５℃から２００℃間の平均線膨張係数を測定した。
【００６５】
（ｂ）吸水率測定
吸水率は、１００℃で１時間加熱した支持体を２５℃、１％ＲＨ以下の環境で２０分放冷した後の重量を吸水前支持体重量とし、この支持体を２５℃水中に２４時間浸漬した後の重量を吸水後支持体重量として、吸水前後の重量変化から支持体が吸水した量を重量％として測定した。
【００６６】
（ｃ）断線、短絡の有無
配線基板形成用キャリア上の導体層または多層配線基板の配線層の検査を行い、断線および短絡の有無を判定した。断線および短絡がなければ○と評価し、１本でも観察されれば×とした。
【００６７】
（ｄ）位置ずれ不良
配線基板形成用キャリアとの剥離により得られた多層配線基板の剥離面の配線の間隔を測定し、設計値とのずれで評価した。配線間隔が設計値より±５％未満の場合を○と評価し、±５％以上の場合は不良×とした。
【００６８】
（ｅ）剥離性
配線基板形成用キャリア上の多層配線層を配線基板形成用キャリアから剥離し、剥離により得られた多層配線基板の剥離面にシリコーン樹脂が付着していないか観察し、付着がない場合、○と評価し、シリコーン樹脂が付着していた場合、不良×とした。さらに、剥離により得られた配線基板形成用キャリアの剥離面（硬化したシリコーン樹脂層表面）に導体層残りの有無を観察した。残りがない場合、○と評価し、一つでも残りがあれば不良×とした。
【００６９】
（ｆ）反り
配線基板形成用キャリア上に多層配線基板を作製するのと同じ薬液、洗浄、乾燥、加熱処理工程を配線基板形成用キャリアのみにて行い、幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの形状の配線基板形成用キャリアを定盤の上に置き、四隅で一番持ち上がり量の大きいところを反り量ｍｍとして測定した。
【００７０】
実施例１
厚さ４１８μｍの片面銅張りガラスエポキシ基板（松下電工（株）製：”Ｒ−１７６１”、銅箔厚み１８μｍ）のガラスエポキシ部分の熱膨張係数および吸水率を測定した。結果を表１に示した。この片面銅張りガラスエポキシ基板のガラスエポキシ基板表面に、下記の組成の付加型シリコーン樹脂層を、乾燥後の膜厚が５μｍになるように塗布して、１４０℃×２分間乾燥硬化し、配線基板形成用キャリアを得た。
【００７１】
シリコーン樹脂は、両末端ビニル基のポリジメチルシロキサン（平均分子量５０，０００）を１００重量部、（ＣＨ３）３ＳｉＯ（ＳｉＯ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３０−（ＳｉＨ（ＣＨ３）Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）３  を６重量部、塩化白金酸・メチルビニルサイクリック錯体を０．３重量部、ヘキサン  ４５０重量部を用いて作製した。
【００７２】
上記シリコーン樹脂層の上に、厚さ１２μｍの電解銅箔（古河サーキットフォイル（株）：Ｆ０−ＷＳ）の光沢面を重ね合わせラミネートした。次に、銅箔の上全面に、ドライフィルムフォトレジスト（ニチゴー・モートン（株）：ＡＬＰＨＯ  ＮＩＴ２１５）をラミネートし、線幅４０μｍ、配線ピッチ８０μｍを有する配線回路マスクを重ね、２８℃の温度で３ｋＷの超高圧水銀灯（オーク製作所（株）製）を用い、ＵＶメーター（オーク製作所（株）製ライトメジャータイプＵＶ３６５）で２．４ｍＷ／ｃｍ２の照度で３５秒間露光した。露光後、マスクを外し、１％Ｎａ２ＣＯ３水溶液によりアルカリスプレー現像し、不要なレジストを除去し水洗、乾燥した。次いで、塩化第２鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去、水洗、乾燥した後、配線パターン上のレジストを剥離し、配線ピッチ８０μｍの導体層を形成した。得られた配線基板形成用キャリア上の導体層を観察し、断線および短絡の有無を評価した。結果を表１に示す。
【００７３】
次いで形成された導体層上に、下記の工程により多層配線層で構成される多層配線基板を作製した。
【００７４】
（Ａ）導体層または配線層を黒化処理液に浸漬し、導体層または配線層表面に針状結晶の酸化皮膜を形成した。
【００７５】
（Ｂ）下記組成の絶縁スラリーをドクターブレード法により乾燥後の厚みが２５μｍ、２０ｃｍ角の絶縁シートを作製した。絶縁スラリーは、ＢＴレジン（三菱ガス化学（株）製）を５０容量％、球状シリカ（体積平均粒径２μｍ）を５０容量％、溶剤として酢酸ブチルを２０重量部を用いて作製した。得られた絶縁シートを上記（Ａ）で作製した黒化処理後の導体層または配線層に重ね合わせ、真空加熱プレスで圧力５０ｋｇ／ｃｍ２、加圧時間１５分、温度１２０℃の条件で導体層または配線層を絶縁シートに埋め込ませ、温度を２００℃に昇温し、１００分加熱し絶縁シートを硬化させた。
【００７６】
（Ｃ）炭酸ガスレーザーにより絶縁シートに直径５０μｍのスルーホールを形成した。
（Ｄ）デスミア処理液によりスルーホール内壁および導体層または配線層のスミアの除去を行った。
【００７７】
（Ｅ）絶縁シート表面およびスルーホール内部およびスルーホール底部に露出した導体層または配線層に無電解銅メッキを行い、続いて電解銅メッキを行い１２μｍ厚みの銅層を形成した。
【００７８】
（Ｆ）（Ｅ）で形成した銅層に配線層をフォトレジストおよび金属エッチング法により形成した。これより配線基板形成用キャリア上に２層の配線層を有する多層配線層（下記（Ｇ）の工程により後に多層配線基板となる）を得た。得られた配線基板形成用キャリア上の多層配線層の層間の断線および短絡の有無を評価した。結果を表１に示す。
【００７９】
（Ｇ）（Ｆ）で得られた配線層に（Ａ）〜（Ｆ）の工程を４回行い配線基板形成用キャリア上に１層の導体層と５層の配線層を有する６配線層の多層配線基板を得た。
【００８０】
（Ｇ）で得られた配線基板形成用キャリア上の６配線層の多層配線層から配線基板形成用キャリアを剥離することにより６配線層の多層配線基板を得た。配線基板形成用キャリアに接していた６配線層の多層配線基板の導電層を実体顕微鏡により、位置ずれ不良、剥離性について観察した。また、剥離後の配線基板形成用キャリアを実体顕微鏡により剥離性について観察した。結果を表１に示す。
【００８１】
実施例２
厚さ４１８μｍの片面銅張りガラスエポキシ基板（松下電工（株）製：”Ｒ−１７６１”、銅箔厚み１８μｍ）の銅箔全面を塩化第２鉄溶液を用いてエッチングし、銅を完全に取り除いた後、水洗し、乾燥した。支持体としてこのガラスエポキシ基板を用いた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。
【００８２】
実施例３
実施例２の支持体の両面に実施例１の硬化したシリコーン樹脂層および導体層の形成により配線基板形成用基材を作製した以外は、実施例１と同様に作製し評価した。
【００８３】
実施例４
支持体として厚み１５０μｍの銅板を用いた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示した。
【００８４】
実施例５
支持体として厚み５５０μｍのシリコンウエハを用いた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示した。
【００８５】
実施例６
支持体として厚み５００μｍのアルミナ基板を用いた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示した。
【００８６】
実施例７
支持体として厚み５００μｍの石英基板を用いた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示した。
【００８７】
実施例８
支持体として厚み５００μｍのガラス基板（ＨＯＹＡ  ＣＡＮＤＥＤ  ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ（株）製：無アルカリガラス”ＮＡ３５”を用いた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示した。
【００８８】
実施例９
厚さ４１８μｍの片面銅張りガラスエポキシ基板（松下電工（株）製：”Ｒ−１７６１”、銅箔厚み１８μｍ）の銅箔全面を塩化第２鉄溶液を用いてエッチングし、完全に取り除いた後、水洗し、乾燥した。支持体としてこのガラスエポキシ基板を用いて、この基板の両面に実施例１と同様の方法で、ガラスエポキシ基板の両面に６層の配線層を有する多層配線層を形成し、剥離し、１つの配線基板形成用キャリアから２つの多層配線基板を得た。
【００８９】
実施例１０
実施例１と同様にして６層の配線層を有する多層配線層を配線基板形成用キャリア上に作製した。その後、最上層の配線層に、設けたパッド電極に錫メッキを施した。次に、平均高さ２０μｍのバンプ電極付きＴＥＧチップ（２５６バンプ／チップ、ピッチ６５μｍ、金メッキバンプ）をフリップチップボンディング装置（トライテック（株）製、ＤＢ−１００）を用いてフリップチップ実装した。ＴＥＧチップはすべてのバンプ間がデージーチェーンでバンプ、パッド間を直列で導通確認ができるようになっているものを用いた。さらにチップと基板の間にアンダーフィルを注入した後、加熱し、アンダーフィルを硬化させた。このようにして、半導体が実装された多層配線層を設けた配線基板形成用基材を得た。
【００９０】
次に、配線基板形成用基材の配線基板形成用キャリアから多層配線層（剥離後の多層配線基板）を剥離し、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【００９１】
比較例１
支持体として厚さ５０μｍのポリエーテルスルホンフィルム（住友ベークライト（株）製：”ＦＳ−１３００”）を用いた以外は実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示す。
【００９２】
比較例２
支持体として厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製：商品名”ユーピレックス７５Ｓ”）を用いた以外は実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示す。
【００９３】
【表１】
2007067382.tif 000004
【００９４】
上記のように実施例１、２において、反り量がそれぞれ０．１ｍｍ、０．１５ｍｍであるが配線基板の作製には問題なく、許容範囲内であった。実施例３〜７は位置ずれ不良、断線・短絡、剥離不良の全くない良好な多層配線基板が得られた。比較例１、２は反り量が大きい問題を有している上、熱線膨張係数および吸水率の大きな支持体のため、位置ずれ不良、剥離不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。
【００９５】
実施例１１
実施例２と同様にして６層の配線層を有する多層配線層を配線基板形成用キャリア上に作製した。その後、最上層の配線層に、設けたパッド電極に錫メッキを施した。次に、平均高さ２０μｍのバンプ電極付きＴＥＧチップ（２５６バンプ／チップ、ピッチ６５μｍ、金メッキバンプ）をフリップチップボンディング装置（トライテック（株）製、ＤＢ−１００）を用いてフリップチップ実装した。ＴＥＧチップはすべてのバンプ間がデージーチェーンでバンプ、パッド間を直列で導通確認ができるようになっているものを用いた。さらにチップと基板の間にアンダーフィルを注入した後、加熱し、アンダーフィルを硬化させた。このようにして、半導体が実装された多層配線層が形成された配線基板形成用基材を得た。次に得られた配線基板形成用基材をダンシング装置を用いて、形状が３ｃｍ角、配線基板形成用キャリアの切り残し量が３９５μｍになるよう切削を行った。このようにして格子状になった配線基板形成用基材を得た。次にこの得られた格子状の配線基板形成用基材を浸漬温度３０℃、浸漬時間３０分にて、“アイソパーＥ”（イソパラフィン系炭化水素、エクソン化学（株）製）中に浸漬し取り出した。また、有機溶剤として“アイソパーＥ”を用いた場合のシリコーン樹脂層の膨潤率は、以下に示した測定方法で確認したところ３３０重量％であった。シリコーン樹脂層の膨潤後、半導体が実装された多層配線層（剥離後の多層配線基板）を配線基板形成用基材から剥離したところ、剥離に要した時間は、シリコーン樹脂層を膨潤せずに剥離に要した時間の５０％の時間であった。また、半導体が実装された多層配線基板に位置ずれ不良はなく、剥離性は良好であった。また、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【００９６】
膨潤率
厚さ０．２４ｍｍの脱脂したアルミ板上にシリコーン樹脂溶液を乾燥後厚みが５μｍになるように塗布し、１３０℃で３分間乾燥し、膨潤率測定用のシリコーン樹脂層サンプルを作製した。これをアルミ板ごと膨潤率測定用として１０×１０ｃｍに切り取り、初期重量（Ａ）を測定する。上記シリコーン樹脂層サンプルを膨潤溶剤（各実施例で用いた有機溶剤）の入った溶剤槽中に温度３０℃、時間３０分の条件で浸漬させる。シリコーン樹脂層サンプルを溶剤槽から取り出し、付着している有機溶剤をガーゼで拭き取った後、重量（Ｂ）を測定した。残存したシリコーン樹脂層を除去し、アルミ板の重量（Ｕ）を測定し、下記式（ｂ）により膨潤率（Ｚ）重量％を算出した。
Ｚ＝〔（Ｂ−Ａ）／（Ａ−Ｕ）〕×１００              （ｂ）。
【００９７】
実施例１２
シリコーン樹脂層を膨潤させる溶剤として“アイソパーＭ”（イソパラフィン系炭化水素、エクソン化学（株）製）を用いた以外は、実施例１１と同様に作製し評価した。有機溶剤として“アイソパーＭ”を用いた場合のシリコーン樹脂層の膨潤率は２００重量％であった。シリコーン樹脂層の膨潤後、半導体が実装された多層配線層を配線基板形成用基材から剥離したところ、剥離に要した時間は、シリコーン樹脂層を膨潤せずに剥離に要した時間の５０％の時間であった。また、半導体が実装された多層配線基板に位置ずれ不良はなく、剥離性は良好であった。また、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【００９８】
実施例１３
シリコーン樹脂層を膨潤させる溶剤として“ＡＦソルベント４号”（ナフテン系炭化水素、新日本石油（株）製）を用い、さらに浸漬温度５０℃、浸漬時間６０分にした以外は、実施例１１と同様に作製し評価した。有機溶剤として“ＡＦソルベント４号”を用いた場合のシリコーン樹脂層の膨潤率は１５０重量％であった。シリコーン樹脂層の膨潤後、半導体が実装された多層配線層を配線基板形成用基材から剥離したところ、剥離に要した時間は、シリコーン樹脂層を膨潤せずに剥離に要した時間の５０％の時間であった。また、半導体が実装された多層配線基板に位置ずれ不良はなく、剥離性は良好であった。また、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【００９９】
実施例１４
シリコーン樹脂層を膨潤させる溶剤として“０号ソルベント（Ｌ）”（パラフィン系炭化水素、新日本石油（株）製）を用い、さらに浸漬温度５０℃、浸漬時間６０分にした以外は、実施例１１と同様に作製し評価した。有機溶剤として“０号ソルベント（Ｌ）”を用いた場合のシリコーン樹脂層の膨潤率は１１０重量％であった。シリコーン樹脂層の膨潤後、半導体が実装された多層配線層を配線基板形成用基材から剥離したところ、剥離に要した時間は、シリコーン樹脂層を膨潤せずに剥離に要した時間の５０％の時間であった。また、半導体が実装された多層配線基板に位置ずれ不良はなく、剥離性は良好であった。また、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【０１００】
実施例１５
シリコーン樹脂層を膨潤させる溶剤として“ＤＥＤＧ”（ジエチレングリコールジエチルエーテル、日本乳化剤（株）製）を用い、さらに浸漬温度４０℃、浸漬時間６０分にした以外は、実施例１１と同様に作製し評価した。有機溶剤として“ＤＥＤＧ”を用いた場合のシリコーン樹脂層の膨潤率は６０重量％であった。シリコーン樹脂層の膨潤後、半導体が実装された多層配線層を配線基板形成用基材から剥離したところ、剥離に要した時間は、シリコーン樹脂層を膨潤せずに剥離に要した時間の５０％の時間であった。また、半導体が実装された多層配線基板に位置ずれ不良はなく、剥離性は良好であった。また、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【０１０１】
実施例１６
シリコーン樹脂層を膨潤させる溶剤として“ＥＨＧ”（エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、日本乳化剤（株）製）を用い、さらに浸漬温度４０℃、浸漬時間６０分にした以外は、実施例１１と同様に作製し評価した。有機溶剤として“ＥＨＧ”を用いた場合のシリコーン樹脂層の膨潤率は１５重量％であった。シリコーン樹脂層の膨潤後、半導体が実装された多層配線層を配線基板形成用基材から剥離したところ、剥離に要した時間は、シリコーン樹脂層を膨潤せずに剥離に要した時間の７０％の時間であった。また、半導体が実装された多層配線基板に位置ずれ不良はなく、剥離性は良好であった。また、ＴＥＧチップの動作確認を行ったところ、デージーチェーン間に断線がないことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の配線基板形成用キャリアに形成された導体層に絶縁シートを重ねた形態を示した断面図。
【図２】本発明の配線基板形成用キャリアに形成された導体層を絶縁層に埋め込んだ形態を示した断面図。
【図３】本発明の配線基板形成用キャリアに形成された導体層上に絶縁塗液により作製した絶縁層を形成した断面図。
【符号の説明】
【０１０３】
１  支持体
２  硬化したシリコーン樹脂層
３  導体層
４  絶縁シート（絶縁層）
５  絶縁塗布液により作製した絶縁層
【図１】
2007067382.tif 000005
【図２】
2007067382.tif 000006
【図３】
2007067382.tif 000007