(57)【要約】【課題】本発明は、波長変換層に過剰な蛍光体を含有させることなく発光効率を向上させることを目的とする。【解決手段】中近紫外線の範囲にピーク波長を有する励起光を発する発光素子５と、前記励起光を受けて可視光に波長変換する１種以上の蛍光体９および該蛍光体９を保持している透光性マトリックス７を備えた、前記励起光の一部を透過しうる、前記発光素子５に隣接または近接した波長変換層１１と、該波長変換層１１を被覆するように配置された、波長変換層１１の屈折率の１．８３倍以上の屈折率を備えた励起光反射層１３とを具備することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中近紫外線の範囲にピーク波長を有する励起光を発する発光素子と、前記励起光を受けて可視光に波長変換する１種以上の蛍光体および該蛍光体を保持している透光性マトリックスを備えた前記励起光の一部を透過しうる、前記発光素子に隣接または近接した波長変換層と、該波長変換層を被覆するように配置された、波長変換層の屈折率の１．８３倍以上の屈折率を備えた励起光反射層とを具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記励起光反射層が、該励起光反射層に入射した前記励起光の５０％以上を反射し、前記変換光のピーク波長から±５ｎｍ幅の波長領域で前記変換層の平均８０％以上の前記変換光を透過することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記励起光反射層が、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｓ３の群から選ばれる１種以上からなることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光体として、変換波長の異なる複数の蛍光体を具備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）などの発光素子から発せられる光を波長変換して外部に取り出す発光装置、特に、電子ディスプレイ用のバックライト電源、蛍光ランプ等に好適に用いられる発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料からなる発光素子（以後、ＬＥＤチップとも言う）は、小型で電力効率が高く鮮やかに発色する。また、ＬＥＤチップは、製品寿命が長い、オン・オフ点灯の繰り返しに強い、消費電力が低い、という優れた特徴を有するため、液晶等のバックライト光源や蛍光ランプ等の照明用光源への応用が期待されている。
【０００３】
近年、中近紫外線を励起光として放出するＬＥＤチップ（２９０〜４００ｎｍ）上に、このＬＥＤチップの発する中近紫外線を吸収、波長変換して赤色、緑色、青色の３種類の光の色を発する蛍光体を配置した、演色性の高い白色光を発する白色ＬＥＤが開発されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
一般に中近紫外線を励起光として放出するＬＥＤチップと蛍光体とを組み合わせたＬＥＤ照明装置においては、波長変換器より中近紫外線がもれ出ると、その分発光効率が減少することになる。また、中近紫外線の漏れ出る量が多くなりすぎると人体にも影響が出るため、ＬＥＤチップから中近紫外線をできる限り放射せずに演色性の高いＬＥＤチップを作製するために、紫外線吸収体剤を封止体に添加することにより、半導体からの中近紫外線を十分吸収させる設計（例えば、特許文献２を参照。）や、蛍光体層の厚みを増やして紫外線を放出しない設計が採用されている。
【特許文献１】特開２００５−２８５８０号公報
【特許文献２】特開２００２−７６４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＬＥＤチップから発光する紫外線を紫外線吸収体剤を用いて波長変換層で全吸収させると、外部量子効率が低くなるという問題、言い換えると発光効率が低くなるという問題が生じる。また、波長変換層の厚みを増やした場合にも同様の弊害が生じている。本発明は、波長変換層に過剰な蛍光体や紫外線吸収体剤を含有させることなく発光効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は、中近紫外線の範囲にピーク波長を有する励起光を発する発光素子と、前記励起光を受けて可視光に波長変換する１種以上の蛍光体および該蛍光体を保持している透光性マトリックスを備えた前記励起光の一部を透過しうる、前記発光素子に隣接または近接した波長変換層と、該波長変換層を被覆するように配置された、波長変換層の屈折率の１．８３倍以上の屈折率を備えた励起光反射層とを具備することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の発光装置は、前記励起光反射層が、該励起光反射層に入射した前記励起光の５０％以上を反射し、前記変換光のピーク波長から±５ｎｍ幅の波長領域で前記変換層の平均８０％以上の前記変換光を透過することが望ましい。
【０００８】
また、本発明の発光装置は、前記励起光反射層が、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｓ３の群から選ばれる１種以上からなることが望ましい。
【０００９】
また、本発明の発光装置は、前記蛍光体として、変換波長の異なる複数の蛍光体を具備することが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の発光装置によれば、励起光反射層の屈折率を、波長変換層の屈折率の１．８３倍以上とすることで、励起光反射層の励起光の反射率を高め、変換光の透過率を高めることができる。つまり、これにより励起光が発光装置から多量に漏れることを抑制するために過剰に蛍光体を用いずとも、波長変換層を励起光が透過しても、変換光を選択的に透過させるとともに、励起光を選択的に反射させて、励起光を波長変換層に戻すため、発光効率に優れた発光装置を提供できる。
【００１１】
特に、励起光反射層として、前記励起光の５０％以上を反射し、前記変換光のピーク波長から±５ｎｍ幅の波長領域で平均８０％以上の前記変換光を透過するものを用いることで、蛍光体による励起光や変換光の吸収に伴う光の損失を抑制することができるため、より発光効率に優れた発光装置となる。
【００１２】
また、励起光反射層として、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｓ３が挙げられ、これらを用いることにより、本発明の発光装置を容易に作製することができる。
【００１３】
また、変換波長の異なる複数の蛍光体を用いた場合には、演色性に優れた発光装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の発光装置は、例えば図１に示すように電極１が形成された基板３上に、少なくとも波長２９０〜４００ｎｍの中近紫外線を含む光を発生する発光素子５と、発光素子５を覆うように設けられた樹脂からなる透光性マトリックス７中に蛍光体９を含む波長変換層１１とを備えている。また、波長変換層１１の上に発光素子５が発した波長２９０〜４００ｎｍの中近紫外線を反射する励起光反射層１３を備えている。
【００１５】
発光素子５は基板３に、樹脂や金属からなる接着層１５で固定されており、発光素子５の端子（図示せず）と電極１とは金線などのボンディングワイヤ１７で電気的に接続されている。また、発光素子５を取り囲むように、励起光や変換光を所定の方向に誘導する枠体１９が形成されていてもよい。
【００１６】
そして、電極１、ボンディングワイヤ１７および端子を経由して発光素子５に電気が供給され、発光素子５が波長２９０〜４００ｎｍの中近紫外線を含む励起光を出す。この励起光の一部は波長変換層１１を透過して、一旦、励起光反射層１３に到達し、反射されて波長変換層１１に戻され、蛍光体９に吸収されて、変換光である可視光に波長変換される。そして、変換光は波長変換層１１と励起光反射層１３とを透過し、本発明の発光装置２１から出力される。
【００１７】
このように、従来、波長変換層１１を透過した場合には可視光として利用し得なかった中近紫外線の励起光を励起光反射層１３で波長変換層１１に戻し、そこで変換光に変わるため、発光装置２１の発光効率を高めることができる。
【００１８】
また、励起光が発光装置から直接あるいは間接的に蛍光体９に吸収され、可視光に変換された変換光は励起光反射層１３を透過し、本発明の発光装置２１から出力されることはいうまでもない。
【００１９】
そして、本発明の発光装置２１においては、励起光反射層１３が、波長変換層１１の屈折率の１．８３倍以上の屈折率を備えていることが重要である。これにより、波長変換層１１が励起光の一部を透過しうる構成とした場合であっても、一旦、波長変換層１１を透過した励起光を励起光反射層１３により再び波長変換層１１に反射させ、蛍光体９に吸収させることができるのである。
【００２０】
例えば、励起光反射層１３の屈折率が、波長変換層１１の屈折率の１．８３倍未満の場合には、中近紫外線に対する反射率を十分に確保することが出来ない。
【００２１】
また、本発明の発光装置２１においては励起光の５０％以上を反射し、変換光のピーク波長から±５ｎｍ幅の波長領域で平均８０％以上を透過する励起光反射層１３を備えていることが望ましく、さらに、発光効率を向上させるため、この変換光の透過率は変換光のピーク波長から±５ｎｍ幅の波長領域で変換光の平均８５％以上を透過することが望ましく、さらに９０％以上を透過することが望ましい。
【００２２】
本発明では、波長変換層１１により変換された可視光を通し、発光素子５が発生した波長２９０〜４００ｎｍの中近紫外線を反射させる励起光反射層１３を波長変換層１１の上に設置させる。この励起光反射層１３は、厚みを調節することで、特定の波長の光を選択的に透過させるようにできるものである。そして、励起光反射層１３がその機能を発現し、励起光を反射し、可視光を透過するためには、励起光反射層１３が、波長変換層１１に比べて１．８３倍以上の屈折率を備えることが重要である。つまり、波長変換層１１の屈折率を小さくし、励起光反射層１３の屈折率を大きくすることが重要である。
【００２３】
具体的には、波長変換層１１に用いる樹脂７として、アミノ変性シリコーン、メルカプト変性シリコーン、アミノシランカップリング剤、テレフタル酸、が挙げられる。また、励起光反射層１３としてＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｓｂ２Ｓ３が挙げられる。
【００２４】
特に、安価で容易に入手できることから、２．２の屈折率を有するＺｒＯ２からなる単結晶膜が望ましい。このＺｒＯ２からなる単結晶膜としては、立方晶ジルコニア、いわゆるキュービックジルコニアが挙げられる。また、２．４の屈折率を有するＺｎＯもさらに好適に用いられる。
【００２５】
なお、励起光反射層１３の光に対する反射率、透過率は波長に依存して変化する。そして、その変化は以下に記載する特性に依存している。そこで、以下の特性を種々変化させて、励起光反射層１３の光に対する反射率、透過率を計算することで最適な励起光反射層１３の特性を導くことができる。
【００２６】
例えば、複数の異なる変換光を出力する蛍光体を用いた場合には、演色性に優れた発光装置となるのであるが、さらに、それぞれの変換光に対して励起光反射層１３の透過率が高くなるようにすることで演色性に優れ、しかも発光効率の高い発光装置となる。
【００２７】
このような発光装置においては、例えば、反射率をγ、透過率をｔ、励起光の波長をｎ１、変換光の波長をｎ２、波長変換層の屈折率の逆数をη１、励起光反射層の屈折率の逆数をη２、励起光反射層の厚みをｄとしたとき、下記式１、２にｎ１を代入した時、γ≧０．４、ｔ≦０．６となるように設定し、かつ下記式にｎ２を代入した時、γ≦０．１、ｔ≧０．９の関係を満足させることで、出力光として特定の波長を選択することもできる。なお、反射率γおよび透過率ｔは、足して１となる。
【００２８】
ここでｎｘに励起光の波長ｎ１を代入した時にγが０．４以上であるということは、すなわち、励起光である中近紫外線の波長を前記励起光反射層により４０％以上反射させることができるということである。またｔが０．６以下であるということは、励起光である中近紫外線の光が励起光反射層を通して６０％以下にシャットダウンされるということである。ｎｘに波長変換層で可視光に変換された波長ｎ２を代入した時にγが０．２以下であるということは、すなわち、可視光の波長を前記励起光反射層により２０％以下で反射させることができるということである。またｔが０．８以上であるということは、励起光である中近紫外線の波長が前記励起光反射層を通して８０％以上透過するということである。
【００２９】
励起光反射層による反射γと透過ｔの値は数１に示す式１〜４によって導出される。
【数１】
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【００３０】
このような式において、透過率の値ｔが５０％以下になるように、可視光の波数をｋ１に代入したとき、反射率の値γの値を２０％以下になるように、また、透過率の値ｔを８０％以上になるように励起光反射層１３の厚みｄを設定することで、励起光を反射し、可視光を選択的に透過しうる発光装置となるのである。
【００３１】
例えば、蛍光体９として異なる波長の変換光を出力するものを用いることで演色性に優れた発光装置となるのであるが、それぞれの変換光の波長において下記式１、２のγ≦０．１、ｔ≧０．９の関係を満足することが望ましい。
【００３２】
なお、本発明の発光装置２１を作製するのは、制御すべき部材が多いことから、一見複雑にも思えるが、例えば、以下の手順で容易に本発明の発光装置２１を作製することができる。
【００３３】
例えば、波長３９５ｎｍの中近紫外線を出力する発光素子を用い、波長変換層１１の屈折率１．３に対して、屈折率４の励起光反射層１３を用いた場合について説明する。励起光反射層１３の厚みを２μｍと設定したとき、図２に示すように励起光の波長３９５ｎｍで３０％以下の透過率になる。このとき、可視光域で透過する領域を選択して、その波長域の蛍光体９を選択する。可視光域で８０％以上透過する波長のピークは、およそ４２０、４６０、５００、５６０、６２５ｎｍである。この場合では、赤色：６２５ｎｍ、緑色：５６０ｎｍ、青色：４６０ｎｍの蛍光体９を波長変換層１１に用いることにより、演色性に優れた発光装置である白色ＬＥＤを作製することができる。
【００３４】
励起光反射層１３の構成材料は、例として屈折率１．１の透明樹脂を波長変換層１１に用いた場合、屈折率２．０１以上の励起光反射層１３を用いることが必要で、例えば、屈折率が２．２であるＺｒＯ２を用いることによって中近紫外線を反射することができる。同様に屈折率２の透明樹脂を波長変換層１１に用いた場合、励起光反射層１３に屈折率が約４のＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、Ｓｂ２Ｓ３などを用いることによって中近紫外線を効率的に反射することができる。
【００３５】
また、屈折率１．１の透明樹脂に対して、励起光反射層１３として屈折率が約４のＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、Ｓｂ２Ｓ３などを用いた場合には、波長変換層１１に対して、励起光反射層１３の屈折率は３．６４倍となる。
【００３６】
また、他の屈折率の異なる部材を用いた場合でも、式（１）〜（４）を利用すれば、最適の組み合わせを知ることができるのはいうまでもない。
【００３７】
なお、上記の説明では、蛍光体が波長変換層１１の屈折率に与える影響を無視して、透明樹脂の屈折率を例に挙げて説明したが、正確には、蛍光体９と透光性マトリックス７とからなる波長変換層１１の屈折率と励起光反射層１３の屈折率との関係が重要であるのはいうまでもない。
【００３８】
また、本発明の発光装置における電極１としては、例えば、金属粉末を含むメタライズ層などを用いることができる。この電気接続用パターンは、例えば、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｇ等の金属粉末のメタライズ層を基板３の表面や内部に形成することによって、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等のリード端子を基板３に埋設することによって、または、配線導体が形成された絶縁体から成る入出力端子を基板３に設けた貫通孔に嵌着接合させることによって設けられる。
【００３９】
なお、電気接続用パターンの露出する表面には、Ｎｉや金（Ａｕ）等の耐食性に優れる金属を１〜２０μｍ程度の厚さで被着させておくのが良く、電気接続用パターンの酸化腐食を有効に防止し得るともに、発光素子５と電気接続用パターンとの接続を強固にし得る。したがって、電気接続用パターンの露出表面には、例えば、厚さ１〜１０μｍ程度のＮｉメッキ層と厚さ０．１〜３μｍ程度のＡｕメッキ層とが電解メッキ法や無電解メッキ法により順次被着されているのがより好ましい。
【００４０】
基板３は、熱伝導性に優れ、かつ全反射率の大きな基板が用いられる。基板３としては、例えばアルミナ、窒素アルミニウム等のセラミック材料の他に、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂が好適に用いられる。
【００４１】
発光素子５としては、ピーク波長が２９０〜４００ｎｍの波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。発光素子５の構造には、特に限定はなく、公知の発光素子を用いてもよいが、同じ電流でより高い出力が得られるものが好ましい。
【００４２】
波長変換層１１には、例えば４３０ｎｍから４９０ｎｍの蛍光を発する青色蛍光体、５００ｎｍから５６０ｎｍの蛍光を発する緑色蛍光体、５４０ｎｍから６００ｎｍの蛍光を発する黄色蛍光体、および５９０ｎｍから７００ｎｍの蛍光を発する赤色蛍光体を含有させることが演色性の観点から望ましい。また、波長変換層１１の厚みは、０．１〜５ｍｍ、特に０．５〜１ｍｍであることが好ましい。この範囲であれば、発光素子５から発せられる励起光を高効率で出力光に変換することができ、さらに変換された出力光を高効率で外部に透過させることができる。
【００４３】
波長変換層１１に含まれる青色蛍光体および緑色蛍光体は、一般的に用いられる蛍光体を採用できる。変換効率が６０％以上の青色蛍光体および緑色蛍光体としては、例えば、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ１７：Ｅｕ、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ１２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、（Ｙ，Ｇｄ、Ｅｕ）ＢＯ３、（Ｙ，Ｇｄ、Ｅｕ）２Ｏ３、ＹＶＯ４：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、ＹＡＧ：Ｃｅ等が用いられる。なお、青色蛍光体は、〔（Ｍ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、〕（ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｂａの内少なくとも１種）または〔ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ〕が好適に用いられ、緑色蛍光体は、〔ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ〕、〔ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ〕または〔ＭＧａ２Ｓ４：Ｅｕ〕が好適に用いられる。
【００４４】
波長変換層１１に含まれる黄色蛍光体および赤色蛍光体は、半導体粒子からなることが好ましく、変換効率が６０％以上の黄色蛍光体および赤色蛍光体としては、例えば、周期律表第Ｉ族、第ＩＩ族、第ＩＩＩ族、第ＩＶ族、第Ｖ族、第ＶＩ族に属する少なくとも２種類以上の元素からなる半導体超微粒子であることがさらに好ましい。例えば、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＯ、ＺｎＳ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＡｌｘ）Ｓ２、ＣｕＩｎＳ２、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓ２（ｘ及びｙは、それぞれ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１で示される値）、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＡｌＳ２、Ａｇ（Ｉｎ１−ｘＡｌｘ）Ｓ２、ＡｇＩｎＳ２、Ａｇ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓ２、ＺｎＡｇＩｎＳ２（ｘ及びｙは、それぞれ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１で示される値）などが好適に用いられる。
【００４５】
また、蛍光体５として半導体粒子の表面に、結合ユニット数が５〜５００で珪素−酸素の繰り返し構造からなる化合物が配位している微粒子を用いることが好ましい。例えば、トリフェニルホスフィンオキサイドや長鎖炭化水素系アミン、長鎖炭化水素系カルボン酸が表面に配位している半導体超微粒子では、高分子樹脂への分散が不十分となる場合がある。それに対して、結合ユニット数が５〜５００で珪素−酸素の繰り返し構造からなる化合物が表面に配位している半導体超微粒子は、高分子樹脂、特に耐光性および耐熱性に優れたシリコーン系の高分子樹脂への分散性が大きい。このような分散性の高い半導体超微粒子を用いれば、波長変換層１１内における半導体粒子の高分子樹脂、例えばシリコーン系高分子樹脂などの耐光性および耐熱性に優れた樹脂への分散性を向上させることができる。また、このような耐光性および耐熱性に優れた樹脂と、上記分散性の高い半導体超微粒子とを用いれば、波長変換層１１の耐光性、耐熱性および透明性を向上させることができる。その結果、耐光性、耐熱性および透明性に優れた発光装置を得ることができる。
【００４６】
結合ユニット数が５〜５００で珪素−酸素の繰り返し構造からなる化合物が、表面に配位している蛍光体５である半導体超微粒子を作製するには、例えば、半導体粒子と配位結合が可能な珪素−酸素の結合を２つ以上繰り返し構造からなる化合物とを混合し、加熱しながら攪拌する、といった処理をすることが挙げられる。
【００４７】
以上説明した本発明によれば、波長変換層１１に過剰な蛍光体９を含有させることなく発光効率に優れる発光装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の発光装置を示す断面図である。
【図２】本発明の発光装置における励起光反射層１３の反射率と透過率の波長依存性の一例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
５・・・発光素子
７・・・透光性マトリックス
９・・・蛍光体
１１・・・波長変換層
１３・・・励起光反射層
【図１】
2007266174.tif 000004
【図２】
2007266174.tif 000005