(57)【要約】 【課題】  初透磁率μｉ等の磁気特性を損なうことなく抗応力特性を向上したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を提供する。【解決手段】  本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、主成分の組成が、Ｆｅ２Ｏ３：４７〜４８．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：２２〜２８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４〜１０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である焼結体からなり、焼結体に含まれるＰ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３が、Ｐ２Ｏ５≦４０ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３≦３００ｐｐｍとする。Ｐ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３は、Ｐ２Ｏ５≦３５ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３≦２５０ｐｐｍであることが好ましい。【選択図】図１３
2007001780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分の組成が、Ｆｅ２Ｏ３：４７〜４８．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：２２〜２８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４〜１０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である焼結体からなり、
前記焼結体に含まれるＰ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３が、Ｐ２Ｏ５≦４０ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３≦３００ｐｐｍであることを特徴とするＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項２】
前記主成分の組成が、Ｆｅ２Ｏ３：４７．５〜４８．３ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項３】
前記主成分の組成が、ＺｎＯ：２３〜２７ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項４】
前記主成分の組成が、ＣｕＯ：５〜９ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項５】
前記主成分の組成が、ＮｉＯ：１７〜２２．５ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項６】
Ｐ２Ｏ５≦３５ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３≦２５０ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項７】
初透磁率μｉが３００以上、飽和磁束密度Ｂｓが４００ｍＴ以上、下記で定義されるインダクタンス変化率ΔＬの絶対値が５％以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
ΔＬ＝（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０×１００（％）
Ｌ１：一軸圧縮応力（１ｔ／ｃｍ２）印加時のインダクタンス値
Ｌ０：一軸圧縮応力（１ｔ／ｃｍ２）印加なしのインダクタンス値
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に関し、特に外部応力に対するインダクタンスＬの変化の小さい抗応力特性に優れたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、インダクタ・トランス・ノイズ除去のコアとして使用され、携帯電話やノート型パソコン等の携帯機器に広く使用されている。しかしながら、フェライト材料は、圧縮応力等の応力が加わると、インダクタンスＬ又は透磁率μが変化して、磁気特性が悪化する傾向がある。そのため、フェライト材料を用いた製品に応力が加わると、磁気特性に変化が生じ、製品の特性が変動するという問題点を抱えている。従って、外部応力が負荷されても、インダクタンスＬ（又は透磁率μ）の変化が少ないＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を得る必要がある。このように外部応力に対して特性が安定であることを、抗応力特性という。
【０００３】
この問題点に関し、特許文献１（特開２００３−２７２９１２公報）は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分組成を、Ｆｅ２Ｏ３：４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３２ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜１５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部、とし、且つ主成分組成の組成比総和に対し、ＳｎＯ２を０．２〜３ｗｔ％添加することにより、４０ＭＰａの圧縮応力が負荷された場合でも初透磁率μｉの変化率を±１０％以内に抑制し、且つ良好な直流重畳特性が得られることを開示している。
【０００４】
また、特許文献２（特許第３１４７４９６号公報）は、Ｆｅ２Ｏ３：４６．５〜４９．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜１２ｍｏｌ％、ＺｎＯ：２〜３０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部の割合で含有するＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に対して、Ｃｏ３Ｏ４：０．０５〜０．６重量％、Ｂｉ２Ｏ３：０．５〜２重量％、ＳｉＯ２とＳｎＯ２の合計量：０．１〜２重量％（但し、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２のどちらか一方が０重量％である場合を除く）となるような割合で配合したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、樹脂モールド処理時の収縮等の応力によるインダクタンスＬの変化を小さくできることを開示している。
【０００５】
さらに、特許文献３（特開２００２−１２４４０８号公報）は、所定のモル比のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに、ＳｎＯ２を０．４〜３．０ｗｔ％単独か、それに併せてＬｉ２ＣＯ３を０．３〜０．５ｗｔ％添加することにより、外部応力に対して特性の変動の少ない積層インダクタ等が得られることを開示している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２７２９１２公報
【特許文献２】特許第３１４７４９６号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上の特許文献１〜３は、抗応力特性の向上を図っているものの、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料として要求される初透磁率μｉあるいは飽和磁束密度Ｂｓが低いことが本発明者等の検討により明らかとなった。そこで本発明は、初透磁率μｉ等の磁気特性を損なうことなく抗応力特性を向上したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
かかる目的のもと、本発明者等は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分であるＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ及びＮｉＯの含有量を調整することにより、初透磁率μｉ等の磁気特性を損なうことなく抗応力特性を向上できること、さらにＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に不純物として含まれるＰ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３が抗応力特性に影響を与えることを新たに見出した。すなわち本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、主成分の組成が、Ｆｅ２Ｏ３：４７〜４８．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：２２〜２８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４〜１０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である焼結体からなり、焼結体に含まれるＰ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３が、Ｐ２Ｏ５≦４０ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３≦３００ｐｐｍとすることにより、上記目的を達成せんとするものである。
【０００９】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、主成分の組成は、Ｆｅ２Ｏ３：４７．５〜４８．３ｍｏｌ％、ＺｎＯ：２３〜２７ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜９ｍｏｌ％、ＮｉＯ：１７〜２２．５ｍｏｌ％であることが好ましい。また本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、Ｐ２Ｏ５≦３５ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３≦２５０ｐｐｍであることが好ましい。
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、初透磁率μｉが３００以上、飽和磁束密度Ｂｓが４００ｍＴ以上、下記で定義されるインダクタンス変化率（抗応力特性）ΔＬの絶対値が５％以下という特性を得ることができる。
ΔＬ＝（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０×１００（％）
Ｌ１：一軸圧縮応力（１ｔ／ｃｍ２）印加時のインダクタンス値
Ｌ０：一軸圧縮応力（１ｔ／ｃｍ２）印加なしのインダクタンス値
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、磁気特性を損なうことなく、抗応力特性を向上したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を提供することができる。具体的には、３００以上の初透磁率μｉ、４００ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓを備え、かつ上記したインダクタンス変化率ΔＬの絶対値が５％以下の抗応力特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の組成限定理由について説明する。
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分を構成するＦｅ2Ｏ３の含有量が４７ｍｏｌ％未満だと、初透磁率μｉ及び飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。一方、Ｆｅ2Ｏ３の含有量が４８．５ｍｏｌ％を超えると抗応力特性が劣化する。したがって、本発明ではＦｅ2Ｏ３の含有量を４７〜４８．５ｍｏｌ％とする。好ましいＦｅ２Ｏ３の含有量は４７．５〜４８．３ｍｏｌ％、さらに好ましいＦｅ2Ｏ３の含有量は４７．８〜４８．２ｍｏｌ％である。
【００１２】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分を構成するＺｎＯの含有量は、２２〜２８ｍｏｌ％である。ＺｎＯの含有量が２２ｍｏｌ％未満だと、抗応力特性ΔＬの絶対値が高くなってしまうとともに、初透磁率μｉが低くなる。一方、ＺｎＯの含有量が２８ｍｏｌ％を超えると、飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。したがって、本発明ではＺｎＯの含有量を２２〜２８ｍｏｌ％とする。好ましいＺｎＯの含有量は２３〜２７ｍｏｌ％、さらに好ましいＺｎＯの含有量は２４〜２５ｍｏｌ％である。
【００１３】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、主成分を構成するＣｕＯの含有量を４〜１０ｍｏｌ％とする。ＣｕＯの含有量は、抗応力特性に大きな影響を及ぼす。ＣｕＯの含有量が４ｍｏｌ％未満又は１０ｍｏｌ％を超えると抗応力特性ΔＬの絶対値が５％を超えてしまう。好ましいＣｕＯの含有量は５〜９ｍｏｌ％、さらに好ましいＣｕＯの含有量は５．５〜８．５ｍｏｌ％である。
【００１４】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分の残部が実質的にＮｉＯであるが、ＮｉＯの含有量は１７〜２２．５ｍｏｌ％であることが好ましい。ＮｉＯの含有量が１７ｍｏｌ％未満だと、飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。一方、ＮｉＯの含有量が２２．５ｍｏｌ％を超えると、初透磁率μｉが低くなり、加えて抗応力特性が劣化する。したがって、本発明ではＮｉＯの含有量を１７〜２２．５ｍｏｌ％とする。さらに好ましいＮｉＯの含有量は１８．５〜２１．５ｍｏｌ％、より好ましいＮｉＯの含有量は１９．５〜２０．５ｍｏｌ％である。
【００１５】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、原料に由来して不純物としてＰ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３を含むが、前述したように、この二つの化合物の含有量が抗応力特性に影響することを見出した。一般的に不純物は、所定量含まれることが抗応力特性にとって有効とみなされてきたが、本発明者等の検討により、Ｐ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３はその存在量を低減することが抗応力特性にとって有効であることが見出された。後述する実施例に示すように、Ｐ２Ｏ５を４０ｐｐｍ以下に規制し、かつＡｌ２Ｏ３を３００ｐｐｍ以下に規制することにより、抗応力特性を向上することができる。Ｐ２Ｏ５は、好ましくは３５ｐｐｍ以下、さらに好ましくは３０ｐｐｍ以下に規制する。また、Ａｌ２Ｏ３は、好ましくは２５０ｐｐｍ以下、さらには２００ｐｐｍ以下に規制する。
【００１６】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、原料由来の不純物及び製造工程上不可避的に混入する不純物であるＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣａＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２等の酸化物が通常の範囲で含有されていても、磁気特性、抗応力特性に影響は見られない。
【００１７】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は抗応力特性の絶対値を５％以下にすることができる。ここで、抗応力特性とは、圧縮応力に対するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料のインダクタンス値Ｌの変化の程度を言う。樹脂モールドタイプのインダクタンス素子ではＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を樹脂モールドするが、樹脂硬化時にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に圧縮応力が加わる。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は圧縮応力の大きさに応じてインダクタンス値Ｌが変化するため、樹脂モールドタイプのインダクタンス素子では圧縮応力に対してインダクタンス値Ｌの変化が少ない、抗応力特性に優れたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料であることが望まれる。絶対値で５％以下の抗応力特性を有している本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、この要請に応え樹脂モールドタイプのインダクタンス素子用Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料として用いることができる。本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、抗応力特性の絶対値を４％以下とすることができる。
【００１８】
本発明において抗応力特性は、具体的には以下のように求める。
後述する角柱の試料にワイヤを２０回巻線した後、これに一定速度で一軸圧縮応力を印加し、このときのインダクタンス値Ｌを連続的に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率ΔＬを算出する。このときの一軸圧縮応力は１ｔ／ｃｍ２とし、インダクタンス変化率ΔＬは以下の式により求める。
ΔＬ＝（Ｌ１−Ｌ０）／Ｌ０×１００（％）
Ｌ１：一軸圧縮応力印加時のインダクタンス値
Ｌ０：一軸圧縮応力印加なしのインダクタンス値
【００１９】
次に、本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の好適な製造方法を工程順に説明する。
主成分をなす原料粉末として、例えば、Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＣｕＯ粉末、ＺｎＯ粉末およびＮｉＯ粉末を用意する。
用意する各原料粉末の粒径は０．１〜１０μｍの範囲で適宜選択すればよい。また、用意された原料粉末は例えばボールミルを用いて湿式混合する。混合は、ボールミルの運転条件にも左右されるが、２０時間程度行なえば均一な混合状態を得ることができる。
なお、本発明では、上述の主成分の原料に限らず、２種以上の金属を含む複合酸化物の粉末を主成分の原料としてもよい。例えば、塩化鉄、塩化Ｎｉを含有する水溶液を酸化培焼することによりＦｅ、Ｎｉを含む複合酸化物の粉末が得られる。この粉末とＺｎＯ粉末を混合して主成分原料としてもよい。
【００２０】
原料粉末を混合した後、仮焼きを行なう。仮焼きは、保持温度を７００〜９５０℃の範囲とし、また、雰囲気を大気とすればよい。仮焼き後に、仮焼き粉は例えば平均粒径０．５〜２．０μｍ程度まで粉砕される。
【００２１】
仮焼き粉を粉砕して得られた粉砕粉末は、後の成形工程を円滑に実行するために顆粒に造粒することが好ましい。粉砕粉末に適当な結合材、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を少量添加し、これをスプレードライヤで噴霧、乾燥することにより顆粒を得ることができる。得られる顆粒の粒径は６０〜２００μｍ程度とすることが好ましい。
【００２２】
得られた顆粒は、例えば所定形状の金型を有するプレスを用いて所望の形状に成形され、この成形体は焼成工程に供される。
焼成は、１０１０〜１２４０℃の範囲とすることが好ましい。１０１０℃未満では十分な焼結密度を得ることが困難であり、１２４０℃を超えると異常粒成長が起こり、初透磁率μｉが低下する。好ましい焼成温度は１０２０〜１２１０℃、さらに好ましい焼成温度は１０４０〜１１９０℃である。
【実施例１】
【００２３】
主成分をなす原料粉末として、Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末およびＣｕＯ粉末を最終的に表１に示す組成（ｍｏｌ％）になるように秤量した。
次に、これらの原料を鋼鉄製のボールミルを用いて湿式混合し、得られた混合粉末を９００℃で２時間仮焼きした。この仮焼き粉を鋼鉄製のボールミルにて粉砕した。得られた粉砕粉末は、平均粒径が０．５μｍであった。
【００２４】
次いで、得られた各粉砕粉に、バインダとしてポリビニルアルコール水溶液を添加して造粒した。こうして得られた平均粒径７０μｍの顆粒をプレス成形して、電磁気特性評価に用いるトロイダル形状試料（外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍ、高さ５ｍｍ）用の成形体を得た。また、抗応力特性評価に用いる角柱試料（幅５ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ３０ｍｍ）用の成形体を得た。なお、いずれも成形密度が３．２０Ｍｇ／ｍ３となるように成形した。これら成形体を大気中、１１００℃で２時間焼成し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料からなるトロイダル形状試料及び角柱試料を得た。
【００２５】
得られたトロイダル形状試料及び角柱試料を用いて、初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬを測定した。測定条件は以下に示す通りである。また、このフェライト材料について、Ｐ２Ｏ５及びＡｌ２Ｏ３含有量を測定した。以上の結果を表１に示すとともに、Ｆｅ２Ｏ３含有量と初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬの関係を図１〜図３に示す。
初透磁率μｉ：上記トロイダル形状試料にワイヤを２０回巻線した後、ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製  ＨＰ４１９２）にて１００ｋＨｚにおける初透磁率μｉを測定した。
飽和磁束密度Ｂｓ：上記トロイダル形状試料にワイヤを４０回巻線した後に印加磁界４０００Ａ／ｍに設定し、飽和磁束密度Ｂｓを直流磁化特性試験装置（メトロン技研製  ＳＹ１１０）で測定した。
抗応力特性ΔＬ：上記角柱試料にワイヤを３０回巻線した後、ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製  ＨＰ４１９２）にて１００ｋＨｚでのインダクタンス値Ｌ０を測定した。角柱試料の長軸方向に圧縮応力（１ｔ／ｃｍ２）を印加し、圧縮応力印加時のインダクタンス値Ｌを測定し、インダクタンスの変化率ΔＬ（％）（ΔＬ＝（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０×１００）を算出した。
【００２６】
【表１】
2007001780.tif 000003
【００２７】
表１及び図１に示すように、Ｆｅ２Ｏ３含有量が本発明の範囲にあると、３００、さらには４００を超える初透磁率μｉを得ることができる。
表１及び図２に示すように、Ｆｅ２Ｏ３含有量が多くなるにつれて飽和磁束密度Ｂｓが高くなる傾向にあり、４００ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓを得るためにはＦｅ２Ｏ３含有量を４７ｍｏｌ％以上とする。
表１及び図３に示すように、Ｆｅ２Ｏ３含有量が多くなるにつれて抗応力特性ΔＬが劣化する傾向にあり、抗応力特性ΔＬの絶対値を５％以下にするには、Ｆｅ２Ｏ３含有量を４８．５ｍｏｌ％以下とすべきである。
以上の通りであり、初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓを確保しつつ抗応力特性ΔＬを向上するためには、本発明ではＦｅ２Ｏ３含有量を４７〜４８．５ｍｏｌ％とし、好ましくはＦｅ２Ｏ３含有量を４７．５〜４８．３ｍｏｌ％、さらに好ましくはＦｅ２Ｏ３含有量を４７．８〜４８．２ｍｏｌ％とする。
【実施例２】
【００２８】
主成分をなす原料粉末として、Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末およびＣｕＯ粉末を最終的に表２に示す組成（ｍｏｌ％）になるように秤量した後に、実施例１と同様にしてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料からなるトロイダル形状試料及び角柱試料を得た。得られた試料を用いて、実施例１と同様に初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬを測定した。以上の結果を表２に示すとともに、ＺｎＯ含有量と初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬの関係を図４〜図６に、ＮｉＯ含有量と初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬの関係を図７〜図９に示す。
【００２９】
【表２】
2007001780.tif 000004
【００３０】
表２及び図４に示すように、ＺｎＯ含有量が多くなるにつれて初透磁率μｉが向上する傾向にあり、ＺｎＯ含有量が２２ｍｏｌ％以上になると３００以上の初透磁率μｉを得ることができる。
表２及び図５に示すように、ＺｎＯ含有量が多くなるにつれて飽和磁束密度Ｂｓが低下する傾向にあり、４００ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓを得るためにはＺｎＯ含有量を２８ｍｏｌ％以下とする。
表２及び図６に示すように、ＺｎＯ含有量が多くなるにつれて抗応力特性ΔＬが向上する傾向にあり、抗応力特性ΔＬの絶対値を５％以下にするには、ＺｎＯ含有量を２２ｍｏｌ％以上とする。
以上の通りであり、初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓを確保しつつ抗応力特性ΔＬを向上するためには、本発明ではＺｎＯ含有量を２２〜２８ｍｏｌ％とし、好ましくはＺｎＯ含有量を２３〜２７ｍｏｌ％、さらに好ましくはＺｎＯ含有量を２４〜２５ｍｏｌ％とする。
【００３１】
表２及び図７に示すように、ＮｉＯ含有量が多くなるにつれて初透磁率μｉが低下する傾向にあり、ＮｉＯ含有量を２２．５ｍｏｌ％以下にすると３００以上の初透磁率μｉを得ることができる。
表２及び図８に示すように、ＮｉＯ含有量が多くなるにつれて飽和磁束密度Ｂｓが向上する傾向にあり、４００ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓを得るためにはＮｉＯ含有量を１７ｍｏｌ％以上とする。
表２及び図９に示すように、ＮｉＯ含有量が多くなるにつれて抗応力特性ΔＬが劣化する傾向にあり、抗応力特性ΔＬの絶対値を５％以下にするには、ＮｉＯ含有量を２２．５ｍｏｌ％以下とする。
以上の通りであり、初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓを確保しつつ抗応力特性ΔＬを向上するためには、本発明ではＮｉＯ含有量を１７〜２２．５ｍｏｌ％とし、好ましくはＮｉＯ含有量を１８．５〜２１．５ｍｏｌ％、さらに好ましくはＮｉＯ含有量を１９．５〜２０．５ｍｏｌ％とする。
【実施例３】
【００３２】
主成分をなす原料粉末として、Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末およびＣｕＯ粉末を最終的に表３に示す組成（ｍｏｌ％）になるように秤量した後に、実施例１と同様にしてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料からなるトロイダル形状試料及び角柱試料を得た。得られた試料を用いて、実施例１と同様に初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬを測定した。また、このフェライト材料のＰ２Ｏ５含有量及びＡｌ２Ｏ３含有量を測定した。以上の結果を表３に示すとともに、ＣｕＯ含有量と初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬの関係を図１０〜図１２に示す。
【００３３】
【表３】
2007001780.tif 000005
【００３４】
表３及び図１０に示すように、ＣｕＯ含有量が多くなるにつれて初透磁率μｉが低下する傾向にあるものの、ＣｕＯ含有量が本発明の範囲にあると３００を超える初透磁率μｉを得ることができる。
表３及び図１１に示すように、ＣｕＯ含有量が本発明の範囲において、飽和磁束密度Ｂｓの変動はほとんどなく、４００ｍＴ以上の高い値を得ることができる。
表３及び図１２に示すように、抗応力特性ΔＬはＣｕＯ含有量によってピークが存在し、絶対値で５％以下の抗応力特性ΔＬを得るために、本発明はＣｕＯ含有量を４〜１０ｍｏｌ％とする。好ましいＣｕＯ含有量は５〜９ｍｏｌ％、さらに好ましくはＣｕＯ含有量を５．５〜８．５ｍｏｌ％とする。最も好ましいＣｕＯ含有量は７〜８ｍｏｌ％である。
【実施例４】
【００３５】
主成分として実施例１の試料Ｎｏ．４の組成を採用し、かつ異なる純度の原料粉末を用いる以外は、実施例１と同様にしてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料からなるトロイダル形状試料及び角柱試料を得た。得られた試料を用いて、実施例１と同様に初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ及び抗応力特性ΔＬを測定した。また、このフェライト材料のＰ２Ｏ５含有量及びＡｌ２Ｏ３含有量を測定した。以上の結果を表４に示すとともに、Ｐ２Ｏ５含有量と抗応力特性ΔＬの関係を図１３に、Ａｌ２Ｏ３含有量と抗応力特性ΔＬの関係を図１４に示す。
【００３６】
【表４】
2007001780.tif 000006
【００３７】
表４及び図１３に示すように、Ｐ２Ｏ５含有量によって抗応力特性ΔＬは大きく変動し、Ｐ２Ｏ５含有量が４０ｐｐｍを超えると抗応力特性ΔＬは著しく劣化する。そこで本発明ではＰ２Ｏ５含有量を４０ｐｐｍ以下に規制する。好ましいＰ２Ｏ５含有量は３５ｐｐｍ以下、さらに好ましいＰ２Ｏ５含有量は３０ｐｐｍ以下である。
また、表４及び図１４に示すように、Ａｌ２Ｏ３含有量によっても抗応力特性ΔＬは大きく変動し、Ａｌ２Ｏ３含有量が３００ｐｐｍを超えると抗応力特性ΔＬは著しく劣化する。そこで本発明ではＡｌ２Ｏ３含有量を３００ｐｐｍ以下に規制する。好ましいＡｌ２Ｏ３含有量は２５０ｐｐｍ以下、さらに好ましいＡｌ２Ｏ３含有量は２００ｐｐｍ以下である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】Ｆｅ２Ｏ３含有量と初透磁率μｉの関係を示すグラフである。
【図２】Ｆｅ２Ｏ３含有量と飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフである。
【図３】Ｆｅ２Ｏ３含有量と抗応力特性ΔＬの関係を示すグラフである。
【図４】ＺｎＯ含有量と初透磁率μｉの関係を示すグラフである。
【図５】ＺｎＯ含有量と飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフである。
【図６】ＺｎＯ含有量と抗応力特性ΔＬの関係を示すグラフである。
【図７】ＮｉＯ含有量と初透磁率μｉの関係を示すグラフである。
【図８】ＮｉＯ含有量と飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフである。
【図９】ＮｉＯ含有量と抗応力特性ΔＬの関係を示すグラフである。
【図１０】ＣｕＯ含有量と初透磁率μｉの関係を示すグラフである。
【図１１】ＣｕＯ含有量と飽和磁束密度Ｂｓの関係を示すグラフである。
【図１２】ＣｕＯ含有量と抗応力特性ΔＬの関係を示すグラフである。
【図１３】Ｐ２Ｏ５含有量と抗応力特性ΔＬの関係を示すグラフである。
【図１４】Ａｌ２Ｏ３含有量と抗応力特性ΔＬの関係を示すグラフである。
【図１】
2007001780.tif 000007
【図２】
2007001780.tif 000008
【図３】
2007001780.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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