(57)【要約】【課題】  ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止できるようにする。【解決手段】  半導体ウェハＷ３下にツィーザ３４が挿入された時に、ウェハカセット４１から前方にせり出した半導体ウェハＷ３を奥に押し込む突起部３６をツィーザ３４に設け、ウェハカセット４１の最も奥までウェハＷ３を押し込んだ状態で、ツィーザ３４上にウェハＷ３を載せることができるようにツィーザ３４上に配置する。【選択図】      図１
2007005342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの処理を行う縦型反応炉と、前記縦型反応炉およびウェハカセットの間でウェハを搬送するウェハ搬送装置とが設けられた半導体製造装置において、
前記縦型反応炉は、
一定の間隔を保持しながら積み重なるようにしてウェハを保持するウェハボートと、
前記ウェハボートに保持されたウェハを挿入する反応室と、
前記反応室内を加熱する加熱手段とを備え、
前記ウェハ搬送装置は、
ウェハを保持するツィーザと、
前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、
前記ツィーザを回転させる回転手段と、
前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、
前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、
前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記突起部は、前記ウェハカセットの最も奥までウェハを押し込んだ状態で、前記ツィーザ上に前記ウェハを載せることができるように前記ツィーザ上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
ウェハを保持するツィーザと、
前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、
前記ツィーザを回転させる回転手段と、
前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、
前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、
前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを前記ウェハカセットの奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とするウェハ搬送装置。
【請求項４】
ウェハが水平に保持されるようにウェハカセットを設置するステップと、
ツィーザ上に形成された突起部にて前記ウェハカセットの奥にウェハを押し込みながら、前記ツィーザを前記ウェハ下に挿入させるステップと、
前記ウェハ下に挿入された前記ツィーザに前記ウェハを吸着させるステップと、
前記前記ツィーザに吸着された前記ウェハを前記ウェハカセットから引き出すステップと、
前記ウェハを保持させながら前記ツィーザを上昇させることにより、ウェハボートの空き領域に前記ウェハを持ち上げるステップと、
前記ツィーザにて保持されたウェハを前記ウェハボートの空き領域に挿入するステップと、
前記ウェハボートの空き領域に挿入されたウェハの吸着を解除するステップと、
前記ウェハの吸着が解除されたツィーザを元の位置に戻すステップと、
前記ウェハボートにて保持されたウェハを反応室に挿入するステップと、
前記反応室に挿入されたウェハの熱処理または成膜処理を行うステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置、ウェハ搬送装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ウェハカセットに収容されたウェハをウェハボートに搬送する方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体製造プロセスでは、半導体ウェハに対して成膜処理や拡散処理を行うために、縦型反応炉を用いる方法がある。ここで、縦型反応炉に半導体ウェハを搬入する場合、ウェハカセットに収容されたウェハをウェハ搬送ロボットにてウェハボートに移載することが行われる。
図３は、従来の半導体製造装置の概略構成を示す斜視図である。
【０００３】
図３において、半導体製造装置には、ウェハボート１１１を搬入する反応室１０１が設けられ、反応室１０１の周囲には、反応室１０１内を加熱するヒータ１０２が設けられている。また、反応室１０１の下方には、反応室１０１内を排気する排気管１０４が接続されるとともに、反応室１０１内に反応ガスを導入するガス導入管１０５が接続されている。また、反応室１０１の下端には、ウェハボート１１１を出し入れするとともに、反応室１０１内を開閉可能なシャッタ１０３が設けられている。
【０００４】
また、ウェハボート１１１には、半導体ウェハＷ１０、Ｗ１１が積み重なるようにウェハＷ１０、Ｗ１１を配列する支柱１１２が設けられている。そして、支柱１１２には、半導体ウェハＷ１０、Ｗ１１の端部にかかるように構成され、一定の間隔を空けながら半導体ウェハＷ１０、Ｗ１１を積み重ねるようにして保持する爪１１３が設けられている。
さらに、半導体製造装置には、ウェハカセット１４１に収容された半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３をウェハボート１１１に移載するウェハ搬送ロボット１３２が設けられている。ここで、ウェハカセット１４１の内周面にはカセット溝１４２が形成されている。そして、カセット溝１４２は、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３が水平になるようにウェハカセット１４１を倒した時に、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３の端部にかかるようにして半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３を保持し、一定の間隔を空けながら半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３が積み重なるようにしてウェハカセット１４１内に半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３を配列することができる。
【０００５】
また、ウェハ搬送ロボットには、半導体ウェハＷ１０〜Ｗ１３を保持するツィーザ１３４が設けられ、ツィーザ１３４には、半導体ウェハＷ１０〜Ｗ１３をツィーザ１３４上に吸着する吸引孔１３５が配置されている。そして、ツィーザ１３４は、スライド溝１３３に沿ってツィーザ１３４を前後にスライドさせるスライダ１３２上に配置されている。そして、スライダ１３２は、スライダ１３２を水平面内で回転させるとともに、上下に昇降可能な回転盤１３１上に配置されている。
【０００６】
そして、ウェハボート１１１に半導体ウェハＷ１０、Ｗ１１が移載されると、ウェハボート１１１が上昇することにより、ウェハボート１１１が反応室１０１内に挿入される。そして、ウェハボート１１１が反応室１０１内に挿入されると、シャッタ１０３が閉じられ、排気管１０４を介して反応室１０１内が排気される。そして、反応室１０１内が所定の真空度に達すると、ガス導入管１０５を介して反応ガスを反応室１０１内に導入しながら、半導体ウェハＷ１０、Ｗ１１の熱処理を行うことにより、半導体ウェハＷ１０、Ｗ１１に対して成膜処理や拡散処理が行われる。
【０００７】
ここで、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３をウェハボート１１１に移載する場合、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３が垂直になるようにウェハカセット１４１を立てることにより、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３をウェハカセット１４１に収容しながら、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３を持ち運ぶことができる。そして、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３を反応室１０１に搬送する場合、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３が水平になるようにウェハカセット１４１を倒した状態で、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット１４１を設置する。
【０００８】
そして、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット１４１が設置されると、ツィーザ１３４の先端がウェハカセット１４１の方向に向くように回転盤１３１が回転する。そして、ツィーザ１３４の先端がウェハカセット１４１の方向に向けられると、例えば、スライダ１３２が前方にスライドすることによりツィーザ１３４が半導体ウェハＷ１２下に挿入される。そして、ツィーザ１３４が上昇して半導体ウェハＷ１２が持ち上げられとともに、吸引孔１３５を介して半導体ウェハＷ１２がツィーザ１３４上に吸着され半導体ウェハＷ１２がツィーザ１３４上に固定される。そして、半導体ウェハＷ１２がツィーザ１３４上に固定されると、スライダ１３２が後方にスライドすることにより半導体ウェハＷ１２がウェハカセット１４１から引き出される。
【０００９】
そして、半導体ウェハＷ１２がウェハカセット１４１から引き出されると、ツィーザ１３４の先端がウェハボート１１１の方向に向くように回転盤１３１が回転する。そして、ツィーザ１３４の先端がウェハボート１１１の方向に向けられると、半導体ウェハＷ１２を保持しながらツィーザ１３４が上昇することにより、ウェハボート１１１の空き領域に半導体ウェハＷ１２が持ち上げられる。そして、スライダ１３２が前方にスライドすることによりツィーザ１３４がウェハボート１１１の空き領域に搬入され、半導体ウェハＷ１２の吸着を解除して半導体ウェハＷ１２をウェハボート１１１に設置してから、スライダ１３２が後方にスライドすることでツィーザ１３４が元の位置に戻される。
【００１０】
また、例えば、特許文献１には、ボートへのウェハの移載後にウェハの位置ずれを補正してウェハの膜質を均一化するために、反射式位置ずれ検出センサをボート上に設け、反射式位置ずれ検出センサにて特定された位置ずれのあるウェハの位置を補正する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１２７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３をウェハボート１１１に移載するために、半導体ウェハＷ１２、Ｗ１３が水平になるようにウェハカセット１４１を倒した場合、その時の衝撃などによって、例えば、半導体ウェハＷ１３がウェハカセット１４１の前方にせり出すことがある。
そして、ウェハカセット１４１から前方に飛び出した半導体ウェハＷ１３をツィーザ１３４にて保持すると、半導体ウェハＷ１３がツィーザ１３４の奥の方に寄った状態でウェハボート１１１に移載され、半導体ウェハＷ１０のようにウェハボート１１１から前方にせり出した状態で半導体ウェハＷ１０がウェハボート１１１に支持される。そして、半導体ウェハＷ１０がウェハボート１１１からせり出した状態で半導体ウェハＷ１０の成膜処理が行われると、半導体ウェハＷ１０上での膜厚均一性が劣化するという問題があった。
【００１２】
また、半導体ウェハＷ１０のせり出し量が大き過ぎると、ウェハカセット１４１とウェハボート１１１との間で半導体ウェハＷ１０を搬送する時に、半導体ウェハＷ１０がウェハカセット１４１またはウェハボート１１１と接触し、半導体ウェハＷ１０が破損することがあるという問題があった。
また、特許文献１に開示された方法では、ウェハの位置ずれを検出するために反射式位置ずれ検出センサが必要になり、装置構成の複雑化を招くとともに、ボートへのウェハの移載後にウェハの位置ずれを補正する必要があることから、スループットが低下するという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することが可能な半導体製造装置、ウェハ搬送装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う縦型反応炉と、前記縦型反応炉およびウェハカセットの間でウェハを搬送するウェハ搬送装置とが設けられた半導体製造装置において、前記縦型反応炉は、一定の間隔を保持しながら積み重なるようにしてウェハを保持するウェハボートと、前記ウェハボートに保持されたウェハを挿入する反応室と、前記反応室内を加熱する加熱手段とを備え、前記ウェハ搬送装置は、ウェハを保持するツィーザと、前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、前記ツィーザを回転させる回転手段と、前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを前記ウェハカセットの奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、ウェハカセットからせり出したウェハを奥に押し込みながら、ウェハカセットに収容されているウェハ下にツィーザを挿入することができる。このため、ウェハ下にツィーザを挿入するだけで、ウェハカセットからせり出したウェハを正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハがウェハカセットからせり出している場合においても、ツィーザの正規の位置でウェハを保持しながら、ウェハを搬送することができる。このため、ウェハがウェハカセットからせり出している場合においても、ツィーザにて保持されたウェハがウェハボートにせり出して配置されることを防止することが可能となり、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することが可能となる。この結果、装置構成の複雑化を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハでの膜厚均一性を向上させることが可能となるとともに、ウェハの位置ずれを補正するために、ウェハボートに一旦移載されたウェハを再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記突起部は、前記ウェハカセットの最も奥までウェハを押し込んだ状態で、前記ツィーザ上に前記ウェハを載せることができるように前記ツィーザ上に配置されていることを特徴とする。
これにより、ウェハカセットからせり出したウェハをウェハカセットの奥に押し込むことで、ウェハカセットに収容されているウェハを正規の位置に戻すことができ、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することができる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係るウェハ搬送装置によれば、ウェハを保持するツィーザと、前記ツィーザを前後にスライドさせるスライダと、前記ツィーザを回転させる回転手段と、前記ツィーザを昇降させる昇降手段と、前記ツィーザ上に保持されたウェハを吸着する吸着手段と、前記ツィーザ上に設けられ、前記ツィーザ上に配置されるウェハを奥に押し込む突起部とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、ウェハ下にツィーザを挿入しながら、ウェハカセットからせり出したウェハを正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハがウェハカセットからせり出している場合においても、ウェハカセットに収容されたウェハをウェハボートに移載させるために必要な工程内において、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを補正することが可能となる。このため、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを補正するために、ウェハの位置ずれを検出するセンサを設ける必要がなくなるとともに、ウェハボートに一旦移載されたウェハを再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハでの膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハが水平に保持されるようにウェハカセットを設置するステップと、ツィーザ上に形成された突起部にて前記ウェハカセットの奥にウェハを押し込みながら、前記ツィーザを前記ウェハ下に挿入させるステップと、前記ウェハ下に挿入された前記ツィーザに前記ウェハを吸着させるステップと、前記前記ツィーザに吸着された前記ウェハを前記ウェハカセットから引き出すステップと、前記ウェハを保持させながら前記ツィーザを上昇させることにより、ウェハボートの空き領域に前記ウェハを持ち上げるステップと、前記ツィーザにて保持されたウェハを前記ウェハボートの空き領域に挿入するステップと、前記ウェハボートの空き領域に挿入されたウェハの吸着を解除するステップと、前記ウェハの吸着が解除されたツィーザを元の位置に戻すステップと、前記ウェハボートにて保持されたウェハを反応室に挿入するステップと、前記反応室に挿入されたウェハの熱処理または成膜処理を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、ウェハの位置ずれを検出することなく、ウェハボートに移載されるウェハの位置ずれを防止することが可能となる。このため、スループットの低下を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハでの膜厚均一性を向上させることが可能となり、半導体装置のコストダウンを図りつつ、半導体装置の品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係る半導体製造装置および半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す斜視図である。
図１において、半導体製造装置には、ウェハボート１１を搬入する反応室１が設けられ、反応室１の周囲には、反応室１内を加熱するヒータ２が設けられている。また、反応室１の下方には、反応室１内を排気する排気管４が接続されるとともに、反応室１内に反応ガスを導入するガス導入管５が接続されている。また、反応室１の下端には、ウェハボート１１を出し入れするとともに、反応室１内を開閉可能なシャッタ３が設けられている。
【００２２】
また、ウェハボート１１には、半導体ウェハＷ１が積み重なるようにウェハＷ１を配列する支柱１２が設けられている。そして、支柱１２には、半導体ウェハＷ１の端部にかかるように構成され、一定の間隔を空けながら半導体ウェハＷ１を積み重ねるようにして保持する爪１３が設けられている。
さらに、半導体製造装置には、ウェハカセット４１に収容された半導体ウェハＷ２、Ｗ３をウェハボート１１に移載するウェハ搬送ロボット３２が設けられている。ここで、ウェハカセット４１の内周面にはカセット溝４２が形成されている。そして、カセット溝４２は、半導体ウェハＷ２、Ｗ３が水平になるようにウェハカセット４１を倒した時に、半導体ウェハＷ２、Ｗ３の端部にかかるようにして半導体ウェハＷ２、Ｗ３を保持し、一定の間隔を空けながら半導体ウェハＷ２、Ｗ３が積み重なるようにしてウェハカセット４１内に半導体ウェハＷ２、Ｗ３を配列することができる。
【００２３】
また、ウェハ搬送ロボットには、半導体ウェハＷ１〜Ｗ３を保持するツィーザ３４が設けられ、ツィーザ３４には、半導体ウェハＷ１〜Ｗ３をツィーザ３４上に吸着する吸引孔３５が配置されている。そして、ツィーザ３４は、スライド溝３３に沿ってツィーザ３４を前後にスライドさせるスライダ３２上に配置されている。そして、スライダ３２は、スライダ３２を水平面内で回転させるとともに、上下に昇降可能な回転盤３１上に配置されている。
【００２４】
そして、ツィーザ３４には、半導体ウェハＷ３下にツィーザ３４が挿入された時に、ウェハカセット４１から前方にせり出した半導体ウェハＷ３を奥に押し込む突起部３６が設けられている。ここで、突起部３６は、ウェハカセット４１の最も奥までウェハＷ３を押し込んだ状態で、ツィーザ３４上にウェハＷ３を載せることができるようにツィーザ３４上に配置すること好ましい。
【００２５】
そして、ウェハボート１１に半導体ウェハＷ０、Ｗ１が移載されると、ウェハボート１１が上昇することにより、ウェハボート１１が反応室１内に挿入される。そして、ウェハボート１１が反応室１内に挿入されると、シャッタ３が閉じられ、排気管４を介して反応室１内が排気される。そして、反応室１内が所定の真空度に達すると、ガス導入管５を介して反応ガスを反応室１内に導入しながら、半導体ウェハＷ０、Ｗ１の熱処理を行うことにより、半導体ウェハＷ０、Ｗ１に対して成膜処理や拡散処理が行われる。
【００２６】
ここで、ツィーザ３４上に突起部３６を設けることにより、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３を奥に押し込みながら、ウェハカセット４１に収容されているウェハＷ３下にツィーザ３４を挿入することができる。このため、ウェハＷ３下にツィーザ３４を挿入するだけで、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３を正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハＷ３がウェハカセット４１からせり出している場合においても、ツィーザ３４の正規の位置でウェハＷ３を保持しながら、ウェハＷ３をウェハボート１１に搬送することができる。このため、ウェハＷ３がウェハカセット４１からせり出している場合においても、ツィーザ３４にて保持されたウェハＷ３がウェハボート１１にせり出して配置されることを防止することが可能となり、ウェハＷ３の位置ずれを検出することなく、ウェハボート１１に移載されるウェハＷ３の位置ずれを防止することが可能となる。この結果、装置構成の複雑化を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハＷ３での膜厚均一性を向上させることが可能となるとともに、ウェハＷ３の位置ずれを補正するために、ウェハボート１１に一旦移載されたウェハＷ３を再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制することができる。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態に係るウェハ搬送方法を示す斜視図である。
図２（ａ）において、半導体ウェハＷ３をウェハボート１１に移載する場合、半導体ウェハＷ３が垂直になるようにウェハカセット４１を立てることにより、半導体ウェハＷ３をウェハカセット４１に収容しながら、半導体ウェハＷ３を持ち運ぶことができる。そして、半導体ウェハＷ３を反応室１に搬送する場合、半導体ウェハＷ３が水平になるようにウェハカセット４１を倒した状態で、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット４１を設置する。ここで、半導体ウェハＷ３が垂直になるようにウェハカセット４１を立てると、半導体ウェハＷ３はウェハカセット４１の最も奥に配置され、ウェハカセット４１の最も奥に半導体ウェハＷ３が配置された状態が半導体ウェハＷ３の正規の位置となる。そして、半導体ウェハＷ３が水平になるようにウェハカセット４１を倒した時の衝撃などによって、半導体ウェハＷ３がウェハカセット４１の前方にせり出したものとする。
【００２８】
そして、ウェハ搬送ロボットの周囲にウェハカセット４１が設置されると、ツィーザ３４の先端がウェハカセット４１の方向に向くように回転盤３１が回転する。そして、ツィーザ３４の先端がウェハカセット４１の方向に向けられると、図２（ｂ）に示すように、スライダ３２が前方にスライドすることによりツィーザ３４が半導体ウェハＷ３下に挿入される。
【００２９】
ここで、半導体ウェハＷ３下にツィーザ３４が挿入されると、図２（ｃ）に示すように、ツィーザ３４上に形成された突起部３６がウェハＷ３の端部に押し当てられ、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３が奥に押し込まれながら、半導体ウェハＷ３下にツィーザ３４が配置される。そして、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３がウェハカセット４１の最も奥に押し込まれると、スライダ３２のスライド動作が停止し、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３がウェハカセット４１の正規の位置に戻される。そして、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３がウェハカセット４１の正規の位置に戻されると、ツィーザ３４が上昇して半導体ウェハＷ３が持ち上げられとともに、吸引孔３５を介して半導体ウェハＷ３がツィーザ３４上に吸着され半導体ウェハＷ３がツィーザ３４上に固定される。そして、半導体ウェハＷ３がツィーザ３４上に固定されると、スライダ３２が後方にスライドすることにより半導体ウェハＷ３がウェハカセット４１から引き出される。
【００３０】
そして、半導体ウェハＷ３がウェハカセット４１から引き出されると、図２（ｄ）に示すように、ツィーザ３４の先端がウェハボート１１の方向に向くように回転盤３１が回転する。そして、ツィーザ３４の先端がウェハボート１１の方向に向けられると、半導体ウェハＷ３を保持しながらツィーザ３４が上昇することにより、ウェハボート１１の空き領域に半導体ウェハＷ３が持ち上げられる。そして、スライダ３２が前方にスライドすることによりツィーザ３４がウェハボート１１の空き領域に搬入され、半導体ウェハＷ３の吸着を解除して半導体ウェハＷ３をウェハボート１１に設置してから、スライダ３２が後方にスライドすることでツィーザ３４が元の位置に戻される。
【００３１】
これにより、ウェハＷ３下にツィーザ３４を挿入しながら、ウェハカセット４１からせり出したウェハＷ３を正規の位置に戻すことが可能となり、ウェハＷ３がウェハカセット４１からせり出している場合においても、ウェハカセット４１に収容されたウェハＷ３をウェハボート１１に移載させるために必要な工程内において、ウェハボート１１に移載されるウェハＷ３の位置ずれを補正することが可能となる。このため、ウェハボート１１に移載されるウェハＷ３の位置ずれを補正するために、ウェハＷ３の位置ずれを検出するセンサを設ける必要がなくなるとともに、ウェハボート１１に一旦移載されたウェハＷ３を再移動させる必要がなくなり、スループットの低下を抑制しつつ、縦型反応炉内で成膜処理されるウェハＷ３での膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】本発明の一実施形態に係るウェハ搬送方法を示す斜視図。
【図３】従来の半導体製造装置の概略構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【００３３】
１  反応室、２  ヒータ、３  シャッタ、４  排気管、５  ガス導入管、１１  ウェハボート、１２  支柱、１３  爪、３１  回転盤、３２  スライダ、３３  スライド溝、３４  ツィーザ、３５  吸引孔、３６  突起部、４１  ウェハカセット、４２  カセット溝、Ｗ０〜Ｗ３  ウェハ
【図１】
2007005342.tif 000003
【図２】
2007005342.tif 000004
【図３】
2007005342.tif 000005