(57)【要約】【課題】磁気ディスク装置において、磁気記録素子の発熱による熱突出を抑制しつつ、加熱装置の発熱による突出量を増加させることができ、加熱装置による浮上量調整のための消費電力を低下させることができるようにすること。【解決手段】磁気ディスク装置は、情報を記録する磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体面１０上に対向するように浮上させて用いられる磁気ヘッドスライダ１とを備える。磁気ヘッドスライダ１は、スライダ基板部１ａと、このスライダ基板部１ａ上に薄膜プロセスを用いて積層されたスライダ薄膜ヘッド部１ｂとを備える。スライダ薄膜ヘッド部１ｂは、絶縁膜５と、この絶縁膜５に埋設された磁気記録素子２と、この磁気記録素子２とスライダ基板部１ａとの間に配設された加熱装置４とを備える。そして、加熱装置４とスライダ基板部１ａとの間の領域の熱伝導をその周囲の熱伝導よりも小さくしている。【選択図】図３
2007102957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体面上に対向するように浮上させて用いられる磁気ヘッドスライダと、を備え、
前記磁気ヘッドスライダは、スライダ基板部と、このスライダ基板部上に薄膜プロセスを用いて積層されたスライダ薄膜ヘッド部とを備え、
前記スライダ薄膜ヘッド部は、絶縁膜と、この絶縁膜に埋設された磁気記録素子と、この磁気記録素子と前記スライダ基板部との間に配設された加熱装置とを備えた磁気ディスク装置であって、
前記加熱装置と前記スライダ基板部との間の領域の熱伝導をその周囲の熱伝導よりも小さくした
ことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載された磁気ディスク装置において、前記磁気記録素子と前記スライダ基板部との間に磁気シールド膜を備え、この磁気シールド膜と前記スライダ基板部との間に前記加熱装置を配置したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
請求項２に記載された磁気ディスク装置において、前記磁気シールド膜の投影面内の領域に蛇行状に延びる薄膜抵抗体を形成して前記加熱装置としたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項４】
請求項２に記載された磁気ディスク装置において、前記スライダ基板部面上に下地絶縁膜を形成し、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に位置する前記下地絶縁膜の領域の厚さをその周囲の下地絶縁膜の厚さより厚くしたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項５】
請求項４に記載された磁気ディスク装置において、前記スライダ基板部をアルミナとチタンカーバイドの焼結体で形成し、前記下地絶縁膜をアルミナで形成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】
請求項５に記載された磁気ディスク装置において、前記加熱装置の投影面に位置する前記スライダ基板部の上面に凹部を形成し、前記下地絶縁膜を前記凹部内に突出して入り込むようにして厚肉部を形成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項７】
請求項１に記載された磁気ディスク装置において、前記磁気記録素子と前記加熱装置との間に磁気再生素子を配置し、前記加熱装置の中心位置と前記磁気ヘッドスライダの空気軸受面との距離が１５μｍ以上、４０μｍ以下の範囲内としたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
請求項１に記載された磁気ディスク装置において、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に周囲より熱抵抗の大きい樹脂膜を設けたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項９】
請求項８に記載された磁気ディスク装置において、前記加熱装置の投影面に位置する前記スライダ基板部の上面に凹部を形成し、前記樹脂膜を前記凹部内に位置して設けたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１０】
請求項１に記載された磁気ディスク装置において、前記磁気記録素子と前記加熱装置との間に磁気再生素子及び磁気シールド膜を備え、前記磁気シールド膜の投影面内の領域に蛇行状に延びる薄膜抵抗体を形成して前記加熱装置とし、前記スライダ基板部面上に下地絶縁膜を形成し、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に位置する前記下地絶縁膜の領域の厚さをその周囲の下地絶縁膜の厚さより厚くし、前記スライダ基板部をアルミナとチタンカーバイドの焼結体で形成し、前記下地絶縁膜をアルミナで形成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１１】
情報を記録する磁気記録媒体面上に対向するように浮上させて用いられ、
スライダ基板部と、このスライダ基板部上に薄膜プロセスを用いて積層されたスライダ薄膜ヘッド部とを備え、
前記スライダ薄膜ヘッド部は、絶縁膜と、この絶縁膜に埋設された磁気記録素子と、この磁気記録素子と前記スライダ基板部との間に配設された加熱装置とを備えた磁気ヘッドスライダであって、
前記加熱装置と前記スライダ基板部との間の領域の熱伝導をその周囲の熱伝導よりも小さくした
ことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項１２】
請求項１１に記載された磁気ヘッドスライダにおいて、前記磁気記録素子と前記加熱装置との間に磁気再生素子及び磁気シールド膜を備え、前記磁気シールド膜の投影面内の領域に蛇行状に延びる薄膜抵抗体を形成して前記加熱装置とし、前記スライダ基板部面上に下地絶縁膜を形成し、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に位置する前記下地絶縁膜の領域の厚さをその周囲の下地絶縁膜の厚さより厚くし、前記スライダ基板部をアルミナとチタンカーバイドの焼結体で形成し、前記下地絶縁膜をアルミナで形成したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置及び磁気ヘッドスライダに係り、特に、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するために磁気ディスクと磁気ヘッドとの距離を調整する機能を備えた磁気ディスク装置及び磁気ヘッドスライダに好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、回転する磁気記録媒体と、磁気記録/再生素子を搭載しロードビームによって支持および径方向位置決めされる磁気ヘッドスライダとを有し、磁気ヘッドスライダが相対的に磁気記録媒体上を走行して磁気情報を磁気記録媒体上に書き込んだり磁気記録媒体から読み出したりする。磁気ヘッドスライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気記録媒体と磁気ヘッドスライダとが直接には固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッドスライダと磁気記録媒体との距離、すなわち磁気ヘッドスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でも磁気ヘッドスライダと磁気記録媒体とが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を設けた磁気ヘッドスライダを実現すれば、上記マージンを廃することができ、磁気ヘッドスライダと磁気記録媒体との接触を防ぎつつ、磁気記録/再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。
【０００４】
例えば、薄膜抵抗体から成る加熱装置を磁気記録素子と磁気再生素子の近傍に設け、磁気ヘッドスライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張、突出させ、磁気記録/再生素子と磁気記録媒体との距離を調整する磁気ヘッドスライダを用いた磁気ディスク装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
かかる浮上量調整スライダを用いた磁気ディスク装置の課題の一つは消費電力である。特に携帯用機器に搭載される磁気ディスク装置では厳しい消費電力の制限がある。平衡状態に達した後に浮上量を保持するには、熱アクチュエータは駆動中（浮上量調整中）ずっと電力を要するため、電力を変形量に変換する効率の良い熱アクチュエータを開発し、消費電力を低減する必要がある。
【０００７】
熱アクチュエータよる突出量を増やすためには、スライダ基板部上に形成された下地絶縁膜を厚くし、熱アクチュエータの加熱装置の熱をスライダ基板部へ逃げにくくするのが有効である。
【０００８】
しかし、下地絶縁膜の厚膜化は磁気記録素子の発熱のスライダ基板部への放熱性を悪くしてしまうため、磁気記録素子の発熱による熱突出を増大させてしまうという問題がある。記録時の磁気記録素子の発熱による熱突出とは、記録電流がコイルに流れる時の電磁誘導によって磁極で発生する渦電流損による発熱（鉄損）と記録電流によるコイル発熱（銅損）との和が磁気記録/再生素子の近辺を加熱し、熱膨張させることによるナノメートルオーダの熱突出である。
【０００９】
従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でも磁気ヘッドスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。そのため、記録時の発熱による熱突出はできるだけ小さく抑える必要があり、下地絶縁膜の厚さはなるべく薄くなるように設計されている。しかし、下地絶縁膜の薄膜化は、加熱装置の発熱を磁気ヘッドスライダ基板に放熱しやすくしてしまい、加熱装置による突出量を減らしてしまうため、浮上量調整のための消費電力を増加させてしまう、という問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、磁気記録素子の発熱による熱突出を抑制しつつ、加熱装置の発熱による突出量を増加させることができ、加熱装置による浮上量調整のための消費電力を低下させることができる磁気ディスク装置及び磁気ヘッドスライダを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前述の目的を達成するための本発明の第１の態様は、情報を記録する磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体面上に対向するように浮上させて用いられる磁気ヘッドスライダと、を備え、前記磁気ヘッドスライダは、スライダ基板部と、このスライダ基板部上に薄膜プロセスを用いて積層されたスライダ薄膜ヘッド部とを備え、前記スライダ薄膜ヘッド部は、絶縁膜と、この絶縁膜に埋設された磁気記録素子と、この磁気記録素子と前記スライダ基板部との間に配設された加熱装置とを備えた磁気ディスク装置であって、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間の領域の熱伝導をその周囲の熱伝導よりも小さくしたものである。
【００１２】
係る本発明の第１の態様におけるより好ましい具体的構成例は次の通りである。
（１）前記磁気記録素子と前記スライダ基板部との間に磁気シールド膜を備え、この磁気シールド膜と前記スライダ基板部との間に前記加熱装置を配置したこと。
（２）前記（１）に加えて、前記磁気シールド膜の投影面内の領域に蛇行状に延びる薄膜抵抗体を形成して前記加熱装置としたこと。
（３）前記（１）に加えて、前記スライダ基板部面上に下地絶縁膜を形成し、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に位置する前記下地絶縁膜の領域の厚さをその周囲の下地絶縁膜の厚さより厚くしたこと。
（４）前記（３）に加えて、前記スライダ基板部をアルミナとチタンカーバイドの焼結体で形成し、前記下地絶縁膜をアルミナで形成したこと。
（５）前記（４）に加えて、前記加熱装置の投影面に位置する前記スライダ基板部の上面に凹部を形成し、前記下地絶縁膜を前記凹部内に突出して入り込むようにして厚肉部を形成したこと。
（６）前記磁気記録素子と前記加熱装置との間に磁気再生素子を配置し、前記加熱装置の中心位置と前記磁気ヘッドスライダの空気軸受面との距離が１５μｍ以上、４０μｍ以下の範囲内としたこと。
（７）前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に周囲より熱抵抗の大きい樹脂膜を設けたこと。
（８）前記（７）に加えて、前記加熱装置の投影面に位置する前記スライダ基板部の上面に凹部を形成し、前記樹脂膜を前記凹部内に位置して設けたこと。
（９）前記磁気記録素子と前記加熱装置との間に磁気再生素子及び磁気シールド膜を備え、前記磁気シールド膜の投影面内の領域に蛇行状に延びる薄膜抵抗体を形成して前記加熱装置とし、前記スライダ基板部面上に下地絶縁膜を形成し、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に位置する前記下地絶縁膜の領域の厚さをその周囲の下地絶縁膜の厚さより厚くし、前記スライダ基板部をアルミナとチタンカーバイドの焼結体で形成し、前記下地絶縁膜をアルミナで形成したこと。
【００１３】
また、本発明の第２の態様は、情報を記録する磁気記録媒体面上に対向するように浮上させて用いられ、スライダ基板部と、このスライダ基板部上に薄膜プロセスを用いて積層されたスライダ薄膜ヘッド部とを備え、前記スライダ薄膜ヘッド部は、絶縁膜と、この絶縁膜に埋設された磁気記録素子と、この磁気記録素子と前記スライダ基板部との間に配設された加熱装置とを備えた磁気ヘッドスライダであって、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間の領域の熱伝導をその周囲の熱伝導よりも小さくしたものである。
【００１４】
係る本発明の第２の態様におけるより好ましい具体的構成例は次の通りである。
（１）前記磁気記録素子と前記加熱装置との間に磁気再生素子及び磁気シールド膜を備え、前記磁気シールド膜の投影面内の領域に蛇行状に延びる薄膜抵抗体を形成して前記加熱装置とし、前記スライダ基板部面上に下地絶縁膜を形成し、前記加熱装置と前記スライダ基板部との間に位置する前記下地絶縁膜の領域の厚さをその周囲の下地絶縁膜の厚さより厚くし、前記スライダ基板部をアルミナとチタンカーバイドの焼結体で形成し、前記下地絶縁膜をアルミナで形成したこと。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の磁気ディスク装置及び磁気ヘッドスライダによれば、磁気記録素子の発熱による熱突出を抑制しつつ、加熱装置の発熱による突出量を増加させることができ、加熱装置による浮上量調整のための消費電力を低下させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の複数の実施形態について図を用いて説明する。各実施形態の図における同一符号は同一物または相当物を示す。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の磁気ディスク装置及び磁気ヘッドスライダを図１から図１０を用いて説明する。
【００１７】
まず、本実施形態の磁気ディスク装置１３の全体構成及びその機能に関して図１を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実施形態の磁気ディスク装置１３の斜視図である。なお、図１はカバーを取り外した状態を示す。
【００１８】
磁気ディスク装置１３は、磁気情報が格納されスピンドルモータによって回転する磁気記録媒体１０と、磁気記録/再生素子を搭載しサスペンションを有する磁気ヘッド支持機構（ロードビーム）１５によって支持され、磁気記録媒体の径方向に位置決めされた磁気ヘッドスライダ１を有し、磁気ヘッドスライダ１が相対的に磁気記録媒体１０上を走行して磁気記録媒体１０上に記録された磁気情報を読み書きする。磁気ヘッドスライダ１は空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気記録媒体１０と磁気ヘッドスライダ１が直接は固体接触しないようになっている。回転する磁気記録媒体１０と対面し、空気流を受ける磁気ヘッドスライダ１の後端が磁気ヘッドスライダ１の流出端面となる。
【００１９】
磁気ディスク装置１３の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するためには、磁気ヘッドスライダ１と磁気記録媒体１０の距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。近年、スライダ浮上量は１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下まで縮められている。
【００２０】
磁気ヘッドスライダ１は、サスペンションを有する板ばね状のロードビーム１５に取り付けられており、ロードビーム１５によって磁気記録媒体１０面への押し付け荷重を与えられ、ロードビーム１５とともにボイスコイルモータ１６によって磁気記録媒体１０の径方向にシーク動作し、磁気記録媒体１０面全体で記録/再生を行う。磁気ヘッドスライダ１は、装置の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気記録媒体１０上からランプ１４上に待避する。なお、ここではロード・アンロード機構を備えた装置を示したが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ１が磁気記録媒体１０のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置１３でも本発明の効果は同様に得られる。
【００２１】
次に、磁気ヘッドスライダ１に関して図２を参照しながら説明する。図２は図１の磁気ディスク装置１３に用いる磁気ヘッドスライダ１の斜視図である。
【００２２】
磁気ヘッドスライダ１は、スライダ基板部１ａと、そのスライダ基板部１ａ上に薄膜プロセスを用いて積層された薄膜ヘッド部１ｂとを備える。スライダ基板部１ａは、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（以後アルチックと略す）に代表される材料で形成されている。薄膜ヘッド部１ｂは、そのスライダ基板部１ａ上に、薄膜プロセスで磁気記録素子２、磁気再生素子３やそれらに対する配線パターンなどが形成され、アルミナなどの硬質絶縁膜５で覆われて形成されている。
【００２３】
磁気ヘッドスライダ１は、ウエハ状態で、薄膜ヘッド部１ｂをスライダ基板部１ａ上に積層した後に、このウエハをバー状態に切断し、切断面を研磨して平滑に仕上げることにより製作される。磁気ヘッドスライダ１は、例えば長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面８、空気流入端面１１、空気流出端面１２、両側の側面、背面の計６面から構成される。磁気ヘッドスライダ１の寸法が更に小さくても本発明の効果は同様に奏することができる。浮上面８にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差（ステップ軸受）が設けられており、この段差が磁気記録媒体１０（図１参照）と対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。
【００２４】
浮上面８には前記のように段差が設けられ、この段差は実質的に平行な３種類の面に分類される。最も磁気記録媒体１０に近いレール面８ａ、このレール面８ａより約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面８ｂ、レール面８ａより約１μｍ深くなっている深溝面８ｃの３種類である。磁気記録媒体１０が回転することで生じる空気流が、浅溝面８ｂからレール面８ａへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面８ａや浅溝面８ｂから深溝面８ｃへ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。なお、図２は概念を示したものであり、寸法関係は正確ではない。ステップ高さは強調して示してある。
【００２５】
磁気ヘッドスライダ１は空気流入端１１側の浮上量が空気流出端１２側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って、空気流出端１２近傍の浮上面が磁気記録媒体１０に最も接近する。空気流出端１２近傍では、レール面８ａが周囲の浅溝面８ｂ、深溝面８ｃに対して磁気記録媒体１０側に突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面８ａが最も磁気記録媒体１０に近づくことになる。磁気記録/再生素子を構成する磁気記録素子２および磁気再生素子３は、レール面８ａの薄膜ヘッド部１ｂに属する部分に形成されている。ロードビーム１５から押し付けられる荷重と浮上面８で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録素子２および磁気再生素子３から磁気記録媒体１０までの距離が１０ｎｍ程度の適切な値に保つよう、浮上面８の形状が設計されている。
【００２６】
なお、本実施形態では、浮上面８が実質的に平行な３種類の面８ａ、８ｂ、８ｃから形成される、二段ステップ軸受浮上面の磁気ヘッドスライダ１について説明したが、４種類以上の平行な面から形成されるステップ軸受浮上面の磁気ヘッドスライダでも本発明は同様の効果が得られる。
【００２７】
次に、磁気ヘッドスライダ１のスライダ薄膜ヘッド部１ｂの構成及びその機能に関して図３から図６を参照しながら説明する。図３は図２のＡ−Ａ断面拡大図、図４は図３のＢ−Ｂ断面図、図５は図３のＣ−Ｃ断面図、図６は比較例の磁気ヘッドスライダ１の要部断面図である。なお、図６は図３に対応する断面図である。
【００２８】
磁気情報を読み書きするスライダ薄膜ヘッド部１ｂは、コイルを流れる電流で磁極間に磁界を発生して磁気情報を記録するインダクティブ記録素子２（図２参照）と、磁界によって抵抗値が変化するのを測る磁気抵抗型の再生素子３（図２参照）とを備える。具体的には、スライダ薄膜ヘッド部１ｂは、図３に示すように、スライダ基板部１ａ上に、メッキ、スパッタリング、研磨などの薄膜プロセスを用いて形成された、下地絶縁膜２２、加熱装置４、下部磁気シールド膜９、磁気抵抗素子（再生素子）１７、上部磁気シールド膜１８、磁極１９、ライトコイル２０、絶縁膜２１および絶縁膜５などによって構成されている。下部磁気シールド膜９と上部磁気シールド膜１８は、磁気記録/再生素子の磁気シールド膜である。
【００２９】
スライダ基板部１ａ側から、下地絶縁膜２２、加熱装置４、下部磁気シールド膜９、磁気抵抗素子１７（再生素子配線２４）、上部磁気シールド膜１８、磁極１９（ライトコイル２０、絶縁膜２１）の順に、絶縁膜５の中に埋設された状態で設置されている。
【００３０】
浮上面８には上述したステップ軸受が形成されており、浮上面８で最も磁気記録媒体１０と接触する可能性の高いレール面８ａ上には磁気記録媒体１０との短時間かつ軽微な接触が起こっても摩耗しないよう、また磁気記録素子２および磁気再生素子３の腐食を防ぐため、厚さ数ｎｍの炭素保護膜が形成されている。
【００３１】
スライダ基板部１ａと下部磁気シールド膜９との間には、薄膜抵抗体による加熱装置４が薄膜プロセスを用いて形成されている。本実施形態では、その薄膜抵抗体として、材質がニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、厚さが約０．１２μｍ、幅が約２μｍの細線を、奥行き約２０μｍ、幅約２０μｍの領域に蛇行させ（図４参照）、間隙がアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）で埋められて形成され、加熱装置４を構成している。加熱装置４の抵抗値は約４５０Ωである。積層方向に垂直な面における加熱装置４が占める領域の面積は下部磁気シールド膜９が占める領域の面積より小さく、加熱装置４は下部磁気シールド膜９の投影面内に配置されている。本発明における投影面は、スライダ基板部１ａの法線方向、すなわち薄膜積層方向に投影した面を称する。また、下部磁気シールド膜９、上部磁気シールド膜１８及び磁極１９は実質的に同じ面積でかつ実質的に同じ投影面に配置されている。
【００３２】
浮上面８から加熱装置４の中心までの距離Ｄ１（図４参照）は、１５μｍ以上、４０μｍ以下とするのが適当である。その理由を以下に示す。第１に、浮上面８から加熱装置４の中心位置までの距離が１５μｍ未満であると、加熱装置４が発熱した場合に磁気再生素子３の位置における温度上昇が高くなりすぎ、磁気再生素子３の寿命に及ぼす影響が無視できなくなる。第２に、浮上面８から加熱装置４の中心位置までの距離が４０μｍを超えると、磁気再生素子３の位置における必要な浮上変化量を得るのに消費電力がかかりすぎ、携帯機器に用いられる磁気ディスク装置１３では無視できない消費電力となる。従って、距離Ｄ１は１５μｍ以上、４０μｍ以下とするのが良い。
【００３３】
本実施形態では、スライダ基板部１ａの法線方向、すなわち薄膜積層方向に関して、加熱装置４の下面を基準としたときに、加熱装置４の下部のアルミナ等の下地絶縁膜２２の厚みＨ１を加熱装置４の下部以外の部分の絶縁膜の厚みＨ２よりも厚くしてある。アルミナは磁気抵抗素子１７、磁気シールド膜９、１８、磁極１９及びライトコイル２０等の金属部分やスライダ基板部１ａの材料であるアルチックと比べて、熱伝導率が低いため、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２を厚くすることにより、この厚い部分からの放熱を小さくすることができ、この加熱装置４に通電した際の熱がアルチックスライダ基板部１ａに逃げにくくなり、加熱装置４による熱を素子部分に集中させることができる。その結果、本実施形態の突出量は、図６に示すような加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２を厚くしていない比較例の場合と比べて大きくすることができる。突出した形状Ｓ２を図３に破線で示す。なお、図３、図６は概念図であり、寸法関係は正確ではない。突出形状Ｓ２は、本来ナノメートルオーダの突出量を、強調して示してある。
【００３４】
下地絶縁膜２２は、その領域面積が加熱装置４の領域面積と実質的に同一で、かつ同じ投影面となるように配置されている。
【００３５】
次に、磁気ヘッドスライダ１の浮上量に関して図７及び図８を参照しながら説明する。
【００３６】
図７に変形シミュレーション及び薄膜気体潤滑解析によって、加熱装置４の下部のアルミナ等の下地絶縁膜２２の厚みが、磁気再生素子位置における加熱装置４の加熱前後の浮上量変化に及ぼす影響を調べた結果を示す。加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の厚さ（図３のＨ１）を通常の０．７μm（Ｈ２と同じ）から１．７μm、３．７μm、５．７μmと変化させて解析を行った。加熱装置４の発熱量は０．０５Ｗとした。横軸は流出端面１２からの距離（長手方向位置）、縦軸は浮上面の突出量、幅方向に関してはスライダ中心断面での値をプロットした。磁気再生素子２があるのは、流出端からの距離が４０μｍの位置である。
【００３７】
図７の加熱装置４による浮上変化解析結果より、加熱装置４無しの場合に比べて、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の厚さＨ１が厚いほど（下方向への突出量が大きいほど）、素子位置の浮上変化量が大きく、消費電力が低減されることが分かった。また、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２を厚くすることにより、加熱装置４の発熱による浮上変化量が増加していることが確認できた。加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２が５．７μｍ場合は、０．７μｍ（Ｈ２と同じ）の場合を比べると、約１５％浮上変化量が大きくなることが確認でき、消費電力が１５％低減されることになる。
【００３８】
図８に変形シミュレーション及び薄膜気体潤滑解析によって、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の厚みが、磁気記録素子２の発熱による熱突出へ及ぼす影響を調べた結果を示す。加熱装置４の加熱による、浮上変化量計算と同じように、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の厚さ（図３のＨ１）を通常の０．７μｍ（Ｈ２と同じ）から１．７μｍ、３．７μｍ、５．７μｍと変化させて解析を行った。磁気記録素子２の発熱は図３のライトコイル２０に０．０２Ｗの発熱量を与えた。０．０２Ｗの発熱量はライトコイル２０の抵抗値と記録電流の値、及び電磁誘導によって磁極で発生する渦電流損による発熱から見積もった値である。
【００３９】
図８の記録発熱による浮上変化解析結果より、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２を厚くしても、磁気記録素子２の発熱による浮上量変化はほとんど変わらず、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の厚膜化は磁気記録素子２の発熱による熱突出へほとんど影響を与えないことがわかる。これは、磁気記録素子２の発熱による熱のスライダ基板部１ａへの放熱経路と加熱装置４による熱のスライダ基板部１ａへの放熱経路が違うためである。
【００４０】
次に、磁気ヘッドスライダ１の加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の形成方法に関して図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００４１】
本実施形態の加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２の形成方法を図９に示す。まず、図９（ａ）に示すように、スライダ基板部１ａ上にアルミナ等の下地絶縁膜２２ａが形成されている状態から、図９（ｂ）に示すように、加熱装置４を形成する付近をイオンミリングやエッチングプロセスを使用して、下地絶縁膜２２ａおよびスライダ基板部１ａを必要な深さ（Ｈ１）まで削り込む。次いで、削り込んだ部分に、図９（ｃ）に示すように、下地絶縁膜２２ｂをスパッタリングなどにより成膜し、下地絶縁膜２２ａ及び下地絶縁膜２２ｂにより下地絶縁膜２２を形成する。その後、図９（ｄ）に示すように、厚くなった下地絶縁膜２２ｂ上に加熱装置４を形成することにより、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２ｂを周囲２２ｂより厚くすることができる。
【００４２】
なお、図１０に示すように、下地絶縁膜２２を形成するようにしてもよい。図１０（ａ）に示すように、初期状態で、スライダ基板部１ａ上に、下地絶縁膜２２が形成されていない状態から、図１０（ｂ）に示すように、加熱装置４を形成する付近をイオンミリングやエッチングプロセスを使用して、スライダ基板部１ａを必要な深さまで削り込む。次いで、削り込んだ部分に、図１０（ｃ）に示すように、下地絶縁膜２２ｃをスパッタリングなどにより成膜する。次いで、図１０（ｄ）に示すように、下地絶縁膜２２ｃ及びスライダ基板部１ａ上に下地絶縁膜２２ｄをスパッタリングなどにより成膜する。次いで、図１０（ｅ）に示すように、下地絶縁膜２２ｃの上方に位置して、下地絶縁膜２２ｄの上に加熱装置４を形成することにより、加熱装置４の下部の下地絶縁膜２２ｂを周囲２２ｂより厚くすることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図１１を用いて説明する。図１１は本発明の第２実施形態の磁気ディスク装置に用いる磁気ヘッドスライダ１の要部断面図である。この第２実施形態は、次に述べる点で第１実施形態と相違するものであり、その他の点については第１実施形態と基本的には同一であるので、重複する説明を省略する。
【００４３】
この第２実施形態では、図９におけるスライダ基板部１ａと下地絶縁膜２２を削り込んだ部分に、樹脂膜２３を形成したものである。この第２実施形態の構造でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。さらには、樹脂膜はアルミナと比べて、熱伝導率がさらに低いため、加熱装置４の熱をスライダ基板部１ａに逃げにくくする効果がさらに高まり、加熱装置４の発熱による突出量をさらに大きくすることが可能となる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について図１２を用いて説明する。図１２は本発明の第３実施形態の磁気ディスク装置に用いる磁気ヘッドスライダ１の要部断面図である。この第３実施形態は、次に述べる点で第２実施形態と相違するものであり、その他の点については第２実施形態と基本的には同一であるので、重複する説明を省略する。
【００４４】
この第３実施形態では、スライダ基板部１ａは削り込まず、下地絶縁膜２２を削り込み、スライダ基板部１ａの上面と加熱装置４の下面との間に樹脂膜２３を形成したものである。第２実施形態で述べたように、樹脂膜はアルミナと比べて熱伝導率がさらに低いため、スライダ基板部１ａと加熱装置４の間のみの膜厚でも、加熱装置４の熱をスラだ基板部１ａに逃げにくくする効果は十分にあり、この第３実施形態の構造でも、第１実施形態と同様の効果が得られる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について図１３を用いて説明する。図１３は本発明の第４実施形態の磁気ディスク装置に用いる磁気ヘッドスライダ１の製造方法を示す行程図である。この第４実施形態は、次に述べる点で第１実施形態と相違するものであり、その他の点については第１実施形態と基本的には同一であるので、重複する説明を省略する。
【００４５】
比較例では、図１３（ａ）に示すように、加熱装置４を下地絶縁膜２２上に形成しているため、加熱装置４と磁気再生素子の配線２４との距離が近くなり、加熱装置４から磁気再生素子へのクロストークの問題が生じるおそれがある。クロストークを低減するためには、配線間の静電容量を低減させる必要があり、加熱装置４と磁気再生素子配線２４との距離を大きくするのが有効である。しかし、最近の磁気ヘッドは環境温度上昇時の下部磁気シールド膜９及び上部磁気シールド膜１８部分の突出を低減するために、下部磁気シールド膜９の厚さを薄くしているので、加熱装置４と磁気再生素子配線２４との距離が近くなり、静電容量が増加してしまう。
【００４６】
そこで、この第４実施形態では、図１３（ｂ）に示すように、加熱装置４を形成する前に下地絶縁膜２２を削り込み、削り込んだ部分に加熱装置４を形成するようにしている。これにより、加熱装置４から磁気再生素子配線２４までの距離Ｈ４を図１３（ａ）の比較例の距離Ｈ３より大きくすることができるため、加熱装置４から磁気再生素子１７へのクロストークを低減することができる。
【００４７】
本発明は、上述した各実施形態に開示した形態に限られるものではなく、公知技術などに基づく変更を許容するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施形態の磁気ディスク装置の斜視図である。
【図２】図１の磁気ディスク装置に用いる磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面拡大図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】比較例の磁気ヘッドスライダの要部拡大図である。
【図７】第１実施形態における下地絶縁膜の膜厚による浮上量の解析結果を示す図である。
【図８】第１実施形態における磁気記録素子の発熱による熱突出に関する浮上量の解析結果を示す図である。
【図９】第１実施形態の下地絶縁膜の製造工程例１を説明する図である。
【図１０】第１実施形態の下地絶縁膜の製造工程例２を説明する図である。
【図１１】本発明の第２実施形態の磁気ヘッドスライダの要部断面図である。
【図１２】本発明の第３実施例の磁気ヘッドスライダの要部断面図である。
【図１３】本発明の第４実施例の磁気ヘッドスライダの要部断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…磁気ヘッドスライダ、１ａ…スライダ基板部、１ｂ…スライダ薄膜ヘッド部、２…磁気記録素子、３…磁気再生素子、４…加熱装置、５…絶縁膜、８…浮上面、８ａ…レール面、８ｂ…浅溝面、８ｃ…深溝面、９…下部磁気シールド膜、１０…磁気記録媒体、１１…空気流入端、１２…空気流出端、１３…磁気ディスク装置、１４…ランプ、１５…ロードビーム（磁気ヘッド支持機構）、１６…ボイスコイルモータ、１７…磁気抵抗素子、１８…上部磁気シールド膜、１９…磁極、２０…コイル、２１…コイル絶縁樹脂膜、２２…下地絶縁膜、２３…樹脂膜、２４…再生素子配線、２５…磁気記録媒体回転方向、Ｓ１…非加熱時の浮上面形状、Ｓ２…加熱時の浮上面形状、Ｈ１…加熱装置下部の下地絶縁膜の厚さ、Ｈ２…加熱装置４の下部以外の部分の下地絶縁膜の厚さ、Ｈ３…比較例の加熱装置と再生素子配線との距離、Ｈ４…第４実施形態の加熱装置と再生素子配線との距離、Ｄ１…浮上面から加熱装置の中心までの距離。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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