(57)【要約】【課題】本発明は、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】まず、素子領域２ａを有する半導体基板２と、半導体基板２上に積層された複数の層間絶縁膜３ａ〜３ｄからなる層間絶縁膜群３と、ダイシングラインＲ１を含み或いはダイシングラインＲ１より素子領域２ａ側に位置する被レーザ加工領域Ｒ２かつ層間絶縁膜群３の内部に形成された金属ビア１１とを有する半導体ウェハ１０を形成する。次いで、被レーザ加工領域Ｒ２における層間絶縁膜群３及び金属ビア１１にレーザ光を照射して、半導体基板２から構成された底面１０ａ１を有する溝１０ａを形成する。そして、溝１０ａを形成した後に、ダイシングラインＲ１に沿って、半導体ウェハ１０をダイシングする。【選択図】図３
2007287780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、ダイシングラインを含み或いは前記ダイシングラインより前記素子領域側に位置する被レーザ加工領域かつ前記層間絶縁膜群の内部に形成された金属ビアとを有する半導体ウェハを形成する工程と、
前記被レーザ加工領域における前記層間絶縁膜群及び前記金属ビアにレーザ光を照射して、前記半導体基板から構成された底面を有する溝を形成する工程と、
前記溝を形成した後に、前記ダイシングラインに沿って、前記半導体ウェハをダイシングする工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属ビアは、前記層間絶縁膜の積層方向に前記層間絶縁膜群を貫通していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属ビアは、前記層間絶縁膜の積層方向或いは前記ダイシングラインに沿った方向に間隔をおいて複数配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、前記層間絶縁膜群内に形成された金属ビアとを備え、外周縁部に、前記半導体基板から構成された底面と、前記層間絶縁膜群から構成された側面とを有する切欠き及び溝の少なくともいずれかが形成された半導体装置であって、
前記金属ビアは、前記切欠き及び前記溝の少なくともいずれかより前記素子領域側に位置し、かつ前記層間絶縁膜の積層方向或いは前記半導体基板の外周に沿った方向に間隔をおいて複数配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、前記層間絶縁膜群内に形成された金属ビアとを備え、外周縁部に、前記半導体基板から構成された底面と、前記層間絶縁膜群から構成された側面とを有する切欠き及び溝の少なくともいずれかが形成された半導体装置であって、
前記金属ビアは、前記切欠き及び前記溝の少なくともいずれかより前記素子領域側に位置し、かつ前記層間絶縁膜の積層方向において前記層間絶縁膜群に対し非貫通の状態にあることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ製造プロセスの微細化に伴う配線遅延の問題を解決するために、比誘電率の低い層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が求められているが、このような層間絶縁膜は、ポーラス化構造となっているので、機械的強度が弱く、また密着性に関して従来のシリコン酸化膜に比べ著しく低いという問題を抱えている。
【０００３】
このことはウェハから製品であるチップに切り出す際に大きな問題となる。例えば、層間絶縁膜形成のプロセス上、ダイシングライン上にもこの層間絶縁膜が形成されているが、このウェハをブレードによりダイシングすると、Ｓｉ基板にチッピングが生じ、Ｓｉ基板から層間絶縁膜等にダメージが進行するとともに層間絶縁膜間において容易に膜剥れが生じてしまう。
【０００４】
現在、チッピングの進行を抑制するため及び耐湿性を向上させるために半導体素子を囲むチップリングが形成されているが（例えば特許文献１参照）、層間絶縁膜の機械的強度の低下が著しいので、チップリングだけではチッピングによるダメージの進行を抑制することは困難である。
【０００５】
そこで、ブレードによるダイシングライン上或いはその側方にレーザにより溝を形成して、溝によりチッピングによるダメージの進行を抑制する技術が提案されている。ブレードによる機械的切削加工ではブレードによる機械的ダメージが直接層間絶縁膜に加わってしまうが、レーザによる加工においては、瞬時に層間絶縁膜が昇華（アブレーション）するために機械的ダメージが少なく加工することができるという特徴を有している。
【０００６】
しかしながら、上記技術においては、層間絶縁膜が積層されており、かつ下層の層間絶縁膜より上層の層間絶縁膜の方がレーザ光の透過性が高い（吸収率が低い）場合には、上層の層間絶縁膜はレーザ光に対する加工性が劣るため、下層の層間絶縁膜の方が先にレーザによりアブレーション加工されてしまい、その影響により上層の層間絶縁膜が破壊されてしまう。この結果、上層の層間絶縁膜にダメージが生じてしまうとともに、溝の入口付近が広がった形状となってしまう。なお、レーザ加工においては、異なるレーザ加工性を有する積層膜を加工する場合、このような加工現象によるダメージを軽減するため、ある程度の熱加工を伴うアブレーション加工が有効であると考えられる。
【特許文献１】特開２００４−２１４６２６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、本発明は、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、層間絶縁膜群のダメージが低減された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一の態様によれば、素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、ダイシングラインを含み或いは前記ダイシングラインより前記素子領域側に位置する被レーザ加工領域かつ前記層間絶縁膜群の内部に形成された金属ビアとを有する半導体ウェハを形成する工程と、前記被レーザ加工領域における前記層間絶縁膜群及び前記金属ビアにレーザ光を照射して、前記半導体基板から構成された底面を有する溝を形成する工程と、前記溝を形成した後に、前記ダイシングラインに沿って、前記半導体ウェハをダイシングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、前記層間絶縁膜群内に形成された金属ビアとを備え、外周縁部に、前記半導体基板から構成された底面と、前記層間絶縁膜群から構成された側面とを有する切欠き及び溝の少なくともいずれかが形成された半導体装置であって、前記金属ビアは、前記切欠き及び前記溝の少なくともいずれかより前記素子領域側に位置し、かつ前記層間絶縁膜の積層方向或いは前記半導体基板の外周に沿った方向に間隔をおいて複数配置されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、素子領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に積層された複数の層間絶縁膜からなる層間絶縁膜群と、前記層間絶縁膜群内に形成された金属ビアとを備え、外周縁部に、前記半導体基板から構成された底面と、前記層間絶縁膜群から構成された側面とを有する切欠き及び溝の少なくともいずれかが形成された半導体装置であって、前記金属ビアは、前記切欠き及び前記溝の少なくともいずれかより前記素子領域側に位置し、かつ前記層間絶縁膜の積層方向において前記層間絶縁膜群に対し非貫通の状態にあることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一の態様の半導体装置の製造方法によれば、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる。
【００１２】
本発明の他の態様の半導体装置によれば、層間絶縁膜群のダメージが低減された半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施の形態）
以下、図面を参照しながら第１の実施の形態について説明する。図１（ａ）は本実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、図１（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な平面図である。
【００１４】
半導体装置１は、Ｓｉ基板等の半導体基板２を備えている。半導体基板２の中央部には、トランジスタ等の半導体素子が形成された素子領域２ａが位置している。
【００１５】
半導体基板２上には、積層された複数の層間絶縁膜３ａ〜３ｄからなる層間絶縁膜群３が形成されている。層間絶縁膜３ａ〜３ｄとしては、例えば低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）、或いはＳｉＯ２膜等が挙げられる。低誘電率絶縁膜としては、例えば、有機Ｓｉ酸化膜、有機樹脂膜、或いはポーラスＳｉ酸化膜等が挙げられる。
【００１６】
層間絶縁膜群３上には、パッシベーション膜４が形成されている。パッシベーション膜４の構成材料としては、例えばＳｉＮ等が挙げられる。パッシベーション膜４上には、ポリイミド膜５が形成されている。ここで、図１（ａ）に示されるように、半導体装置１の外周縁部１ａにおいては、ポリイミド膜５は存在していない。
【００１７】
半導体装置１の外周縁部１ａには、半導体基板２から構成された底面１ｂ１と、層間絶縁膜群３等から構成された側面１ｂ２とを有する切欠き１ｂが形成されている。切欠き１ｂは、半導体装置１の外周に沿って、形成されている。
【００１８】
半導体装置１の外周縁部１ａにおける切欠き１ｂより素子領域２ａ側の領域には、層間絶縁膜群３内に金属ビア６が形成されている。金属ビア６は、金属から構成されているが、金属の中でもＣｕを使用すると、配線（図示せず）及び後述するチップリングと同じ工程で形成することができることからＣｕを使用することが好ましい。
【００１９】
金属ビア６は、半導体装置１の外周方向に沿って長く形成されている。金属ビア６は、層間絶縁膜３ａ〜３ｄの積層方向に層間絶縁膜群３を貫通している。即ち、金属ビア６は層間絶縁膜３ａ〜３ｄの積層方向に連続的に形成されている。なお、金属ビア６はパッシベーション膜４を貫通していない。
【００２０】
素子領域２ａの外周には、層間絶縁膜群３内にチップリング（図示せず）が配置されている。チップリングは、耐湿性を向上させるため及びチッピングの進行を抑制するためのものであり、素子領域２ａに形成された半導体素子を取り囲むように矩形の環状に形成されている。チップリングは、例えばＣｕから構成されている。チップリングは、層間絶縁膜群３を貫通しているが、パッシベーション膜４を貫通していない。
【００２１】
このような半導体装置１は、以下の工程により作製することができる。なお、上記説明した内容と重複する内容については、省略することがある。図２は本実施の形態に係る半導体ウェハの模式的な平面図であり、図３（ａ）〜図４（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）は本実施の形態に係る他の半導体ウェハの模式的な平面図である。
【００２２】
まず、本実施の形態で使用する半導体ウェハ１０について説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される半導体ウェハ１０は、素子領域２ａが形成された半導体基板２を備えている。
【００２３】
半導体基板２上には、複数の層間絶縁膜３ａ〜３ｄからなる層間絶縁膜群３が形成されており、層間絶縁膜群３上には、パッシベーション膜４が形成されている。パッシベーション膜４上には、ポリイミド膜５が形成されている。
【００２４】
ここで、図２に示されるように、半導体ウェハ１０には、格子状にダイシングライン領域Ｒが形成されている。ダイシングライン領域Ｒにおいては、ポリイミド膜５は開口している。
【００２５】
ダイシングライン領域Ｒには、例えばブレードにより半導体ウェハ１０をダイシングするためのダイシングラインＲ１と、レーザ加工により層間絶縁膜群３に後述する溝１０ａを形成するための被レーザ加工領域Ｒ２と、被レーザ加工領域Ｒ２より素子領域２ａ側に位置する非レーザ加工領域Ｒ３とがダイシングライン領域Ｒに沿って存在している。本実施の形態では、被レーザ加工領域Ｒ２はダイシングラインＲ１を含むように存在している。
【００２６】
被レーザ加工領域Ｒ２には金属ビア１１が配置されており、非レーザ加工領域Ｒ３には金属ビア６が配置されている。金属ビア１１は、被レーザ加工領域Ｒ２の長手方向に長く形成されている。なお、金属ビア６，８の形状は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるような形状に限られず、例えば、図５（ａ）に示されるような平面形状が略正方形状になっていてもよく、また図５（ｂ）に示されるような平面形状が格子状になっていてもよい。
【００２７】
図３（ｂ）においては、金属ビア６，８は、ダイシングラインＲ１に沿った方向に繋がっているものである（即ち、金属ビア６，８は、ダイシングラインＲ１に沿った方向に連続的に形成されている）が、これに限定されず、図５（ａ）に示されるように金属ビア６，８がダイシングラインＲ１に沿った方向に間隔をおいて複数配置されていてもよい。即ち、金属ビア６，８は、ダイシングラインＲ１に沿った方向に非連続的に形成されていてもよい。また、金属ビア１１は、層間絶縁膜３ａ〜３ｄの積層方向に層間絶縁膜群３を貫通しているが、金属ビア１１は、パッシベーション膜４を貫通していない。
【００２８】
金属ビア１１は、金属から構成されているが、金属の中でも、Ｃｕは熱伝導性に優れており、またＣｕを使用すると、層間絶縁膜群３内に形成される配線（図示せず）やチップリングと同じ工程で形成することができることからＣｕから構成されていることが好ましい。
【００２９】
このような半導体ウェハ１０をリングフレーム（図示せず）に貼り付けた状態で、被レーザ加工領域Ｒ２における層間絶縁膜群３等の部分及び金属ビア１１にレーザ光を照射する。これにより、層間絶縁膜群３等がレーザ加工されて、図４（ａ）に示されるように溝１０ａが形成される。ここで、レーザ加工すると、被レーザ加工領域Ｒ２における層間絶縁膜３ａ等のみならず、金属ビア１１も除去される。なお、非レーザ加工領域Ｒ３には、レーザ光が照射されないので、金属ビア６は残存している。また、最下層の層間絶縁膜３ｄを完全に除去するためには、半導体基板２の上部の一部をも加工する必要があるので、溝１０ａの底面１０ａ１は半導体基板２となっている。
【００３０】
溝１０ａは、半導体基板２の上部のチッピングによる層間絶縁膜３ａ等へのダメージの伝播を抑制するために、溝１０ａの側面１０ａ２とダイシングラインＲ１との間隔は５〜２０μｍ以上なるように形成されることが好ましい。また、この間隔を広くすることにより、その後の工程で使用される封止樹脂やアンダーフィル樹脂との密着性を高めることができ、半導体装置端部の剥がれを抑制することができる。
【００３１】
レーザ装置としては、ＹＡＧレーザの３倍高調波である３５５ｎｍ以下の波長を発するものが好ましい。レーザ光の特徴としてはより短い波長の方が光の吸収率が高く、レーザ加工し易いからであり、また低誘電率絶縁膜をレーザ加工するレーザ装置は３５５ｎｍが一般的に使用されているからである。
【００３２】
パルス幅は、１０〜４００ｎｓが好ましく、低誘電率絶縁膜を有する層間絶縁膜の加工には３０〜３００ｎｓがより好ましい。パルス幅が１０ｎｓ未満であると、金属ビア１１や半導体基板２に対する加工性は向上するが、低誘電率絶縁膜等の多様な光学定数を有した積層膜に対してはそれぞれの膜の加工性が個々に違うため、同時に加工することは困難であるからである。また、パルス幅が４００ｎｓを超えると、パルス幅による熱影響により膜によっては加工され易くなるが、同時に金属ビア１１等に対する加工性は低下してしまうからである。
【００３３】
なお、本実施の形態において、パルスエネルギーが５〜３０μＪ、加工速度であるパルス移動量が約０．５〜２．０μｍ／パルスでレーザ加工を行った場合には、良好な加工が得られた。
【００３４】
半導体ウェハ１０に溝１０ａを形成した後、図４（ｂ）に示されるようにダイシングラインＲ１に沿ってブレードにより半導体基板２のみをダイシングする。これにより、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示される個片化された半導体装置１が得られる。なお、溝１０ａが存在する位置でダイシングするので、溝１０ａは切欠き１ｂとなる。
【００３５】
本実施の形態では、被レーザ加工領域Ｒ２に金属ビア１１を配置しているので、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群３のダメージを低減することができるとともにレーザ加工によって形成される溝１０ａの加工形状を改善することができる。即ち、金属ビア１１は熱伝導性に優れているので、被レーザ加工領域Ｒ２にレーザ光が照射されると、熱は金属ビア１１に沿って伝達される。これにより、上層にレーザ加工し難い層間絶縁膜が存在しても、上層の層間絶縁膜からレーザ加工が進行する。それ故、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群３のダメージを低減することができるとともに溝１０ａの加工形状を改善することができる。
【００３６】
層間絶縁膜３ａ等が低誘電率絶縁膜の場合、低誘電率絶縁膜は、機械的強度が弱く、密着性にも劣るので、膜にストレスが加わると、膜剥がれを起こすおそれがある。これに対し、本実施の形態では、上層の層間絶縁膜３ａからレーザ加工を進行させることができるので、層間絶縁膜３ａ等に加わるストレスを低減することができる。これにより、層間絶縁膜３ａ等の膜剥がれを低減させることができる。
【００３７】
本実施の形態では、非レーザ加工領域Ｒ３に金属ビア６が配置されているので、半導体ウェハ１０をダイシングする際に半導体基板２にチッピングが生じ、溝１０ａにより層間絶縁膜群３におけるダメージの進行が抑えられなかった場合であっても、金属ビア６により層間絶縁膜群３におけるダメージの進行を抑制することができる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
以下、図面を参照しながら第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態で説明した内容と重複する内容については、省略することがある。図６（ａ）は本実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、図６（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な平面図である。
【００３９】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示されるように、半導体装置１の外周縁部１ａには、半導体基板２から構成された底面１ｃ１と、層間絶縁膜群３等から構成された側面１ｃ２とを有する溝１ｃが形成されている。溝１ｃは、半導体装置１の外周に沿って、形成されている。
【００４０】
金属ビア６は、半導体装置１の外周縁部１ａにおける溝１ｃより素子領域２ａ側の領域及び溝１ｃと半導体装置１の外周端面との間の領域にそれぞれ形成されている。
【００４１】
このような半導体装置１は、以下の工程により作製することができる。図７（ａ）〜図８（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【００４２】
まず、本実施の形態で使用する半導体ウェハ１０について説明する。本実施の形態では、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示されるようにダイシングライン領域Ｒには、ダイシングラインＲ１と、被レーザ加工領域Ｒ２と、被レーザ加工領域Ｒ２より素子領域２ａ側に位置する非レーザ加工領域Ｒ３と、ダイシングラインＲ１と被レーザ加工領域Ｒ２との間に位置する非レーザ加工領域Ｒ４とがダイシングライン領域Ｒに沿って存在している。本実施の形態では、被レーザ加工領域Ｒ２はダイシングラインＲ１より素子領域２ａ側に位置している。
【００４３】
被レーザ加工領域Ｒ２には金属ビア１１が配置されており、非レーザ加工領域Ｒ３，Ｒ４には金属ビア６がそれぞれ配置されている。金属ビア１１等の配置形態、形状、構成材料は第１の実施の形態と同様である。
【００４４】
このような半導体ウェハ１０をリングフレーム（図示せず）に貼り付けた状態で、被レーザ加工領域Ｒ２における層間絶縁膜群３等の部分及び金属ビア１１にレーザ光を照射する。これにより、層間絶縁膜群３等がレーザ加工されて、図８（ａ）に示されるように溝１ｃが形成される。ここで、非レーザ加工領域Ｒ３，Ｒ４には、レーザ光が照射されないので、金属ビア６は残存している。
【００４５】
半導体ウェハ１０に溝１ｃを形成した後、図８（ｂ）に示されるようにダイシングラインＲ１に沿ってブレードにより半導体基板２等をダイシングする。これにより、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示される個片化された半導体装置１が得られる。
【００４６】
本実施の形態では、被レーザ加工領域Ｒ２に金属ビア１１を配置しているので、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４７】
本実施の形態では、ダイシングラインＲ１と被レーザ加工領域Ｒ２との間に位置する非レーザ加工領域Ｒ４に金属ビア６を配置しているので、半導体ウェハ１０をダイシングする際に半導体基板２にチッピングが生じた場合には、金属ビア６により層間絶縁膜群３におけるダメージの進行を抑制することができる。
【００４８】
（第３の実施の形態）
以下、図面を参照しながら第３の実施の形態について説明する。図９（ａ）は本実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、図９（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【００４９】
図９（ａ）に示されるように、金属ビア６は、層間絶縁膜群３を貫通していなくともよい。本実施の形態では、金属ビア６は層間絶縁膜３ｂ〜３ｄを貫通しているが、層間絶縁膜３ａを貫通していない。
【００５０】
また、金属ビア１１においても、図９（ｂ）に示されるように層間絶縁膜群３を貫通していなくともよい。本実施の形態では、金属ビア１１は層間絶縁膜３ａ〜３ｃを貫通しているが、層間絶縁膜３ｄを貫通していない。
【００５１】
（第４の実施の形態）
以下、図面を参照しながら第３の実施の形態について説明する。図１０（ａ）は本実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、図１０（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【００５２】
図１０（ａ）に示されるように、金属ビア６は、一部の層間絶縁膜のみに配置されていてよい。本実施の形態においては、金属ビア６は層間絶縁膜３ａ，３ｃのみに配置されている。即ち、金属ビア６は、層間絶縁膜３ａ〜３ｄの積層方向に非連続的に配置されている。この場合、チッピングによるダメージが進行し易い層間絶縁膜内に金属ビア６を配置させておくことにより、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５３】
また、金属ビア１１においても、図１０（ｂ）に示されるように金属ビア１１は一部の層間絶縁膜のみに配置されていてもよい。本実施の形態においては、金属ビア１１は層間絶縁膜３ａ，３ｃのみに配置されている。この場合、レーザ加工し難い層間絶縁膜に金属ビア１１を配置させておくことにより、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５４】
なお、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体ウェハの模式的な平面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は第１の本実施の形態に係る他の半導体ウェハの模式的な平面図である。
【図６】（ａ）は第２の実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、（ｂ）は第２の実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な平面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は第２の本実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は第２の本実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【図９】（ａ）は第３の実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、（ｂ）は第３の実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【図１０】（ａ）は第４の実施の形態に係る半導体装置の外周部付近の模式的な縦断面図であり、（ｂ）は第４の実施の形態に係る半導体装置の製造プロセス図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…半導体装置、１ａ…外周縁部、１ｂ…切欠き、１ｃ，１０ａ…溝、２…半導体基板、２ａ…素子領域、３…層間絶縁膜群、３ａ〜３ｄ…層間絶縁膜、６，１１…金属ビア、１０…半導体ウェハ、Ｒ…ダイシングライン領域、Ｒ１…ダイシングライン、Ｒ２…被レーザ加工領域、Ｒ３，Ｒ４…非レーザ加工領域。
【図１】
2007287780.tif 000003
【図２】
2007287780.tif 000004
【図３】
2007287780.tif 000005
【図４】
2007287780.tif 000006
【図５】
2007287780.tif 000007
【図６】
2007287780.tif 000008
【図７】
2007287780.tif 000009
【図８】
2007287780.tif 000010
【図９】
2007287780.tif 000011
【図１０】
2007287780.tif 000012