(57)【要約】【課題】所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を効率よく製造するのに適した方法と、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体とを提供する。【解決手段】本発明の方法では、シード層１４表面の部分領域を酸化状態とし、シード層１４上に磁性材料を成膜することにより、シード層１４表面の非酸化領域１４ａ上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａと酸化領域１４ｂ上の非記録磁性部１２Ｂとを有する記録層１２を形成する。本発明の磁気記録媒体Ｘ１は、連続膜体である記録層１２とシード層１４の積層構造を含み、シード層１４は、記録層１２側表面に非酸化領域１４ａと酸化領域１４ｂを有し、記録層１２は、非酸化領域１４ａ上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａと、酸化領域１４ｂ上の非記録磁性部１２Ｂとを有する。【選択図】図２
2007287300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シード層を形成する工程と、
前記シード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程と、
前記シード層上に磁性材料を成長させることにより、前記シード層表面の非酸化領域上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記シード層表面の酸化領域上の非記録磁性部、を有する記録層を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
プレシード層を形成する工程と、
前記プレシード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程と、
前記プレシード層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に磁性材料を成長させることにより、前記プレシード層表面の非酸化領域に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記プレシード層表面の酸化領域に対応して位置する非記録磁性部、を有する記録層を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
連続膜体である記録層およびシード層からなる積層構造を含み、
前記シード層は、前記記録層の側の表面に酸化領域および非酸化領域を有し、
前記記録層は、前記非酸化領域上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記酸化領域上の非記録磁性部を有する、磁気記録媒体。
【請求項４】
連続膜体である記録層と、プレシード層と、当該記録層およびプレシード層の間のシード層と、からなる積層構造を含み、
前記プレシード層は、前記シード層の側の表面に酸化領域および非酸化領域を有し、
前記記録層は、前記非酸化領域に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記酸化領域に対応して位置する非記録磁性部を有する、磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非記録磁性部は面内磁気異方性を有する、請求項３または４に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を製造するための方法、および、そのような磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの記憶装置を構成するための記録媒体として、磁気ディスク（磁気記録媒体）が知られている。磁気ディスクは、ディスク基板と所定の磁性構造を有する記録層とを含む積層構造を有する。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、磁気ディスクについては高記録密度化の要求が高まっている。
【０００３】
磁気ディスクへの情報記録に際しては、磁気ディスクの記録面に対して記録用の磁気ヘッドが近接配置（浮上配置）され、当該磁気ヘッドにより、記録層に対し、その保磁力より強い記録磁界が印加される。磁気ディスクに対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの記録磁界の向きを順次反転させることにより、記録層の情報トラックにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、記録磁界方向を反転させるタイミングが制御されることにより、各々に所定の長さで記録マークが形成される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。
【０００４】
また、磁気ディスクの技術分野においては、高記録密度化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気ディスクが知られている。このような磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【０００６】
図２１および図２２は、ＤＴＭである従来の磁気ディスク４０を表す。図２１は、磁気ディスク４０の平面図であり、図２２は、磁気ディスク４０のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【０００７】
磁気ディスク４０は、ディスク基板４１、記録層４２、および保護層４３（図２１では図示略）からなる積層構造を有する。記録層４２は、複数の記録磁性部４２Ａと複数の非磁性部４２Ｂとからなる。記録磁性部４２Ａは、図２１にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスク４０の回転軸心Ａ’を共通中心としてディスク基板４１上にて同心円状に配置され、情報トラックを構成する。非磁性部４２Ｂは、記録磁性部４２Ａ間に介在する。保護層４３の露出面は磁気ディスク４０の記録面４４をなす。
【０００８】
このような磁気ディスク４０への情報記録時には、磁気ディスク４０の記録面４４に対して記録用の磁気ヘッドが浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層４２の一の記録磁性部４２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。
【０００９】
図２３および図２４は、従来の磁気ディスク４０の製造方法を表す。磁気ディスク４０の製造においては、まず、図２３（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により、ディスク基板４１上に所定の磁性材料が成膜されることによって磁性膜４２Ａ’が形成される。次に、図２３（ｂ）に示すように、磁性膜４２Ａ’上にフォトレジスト膜５１が形成される。次に、図２３（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜５１からレジストパターン５２が形成される。レジストパターン５２は、上述の非磁性部４２Ｂのパターン形状に対応する開口部５２ａを有する。当該リソグラフィ法においては、具体的には、所定装置によって所定パターン（潜像）がフォトレジスト膜５１に露光形成された後、当該フォトレジスト膜５１に現像処理が施される。このようにして、磁性膜４２Ａ’上にレジストパターン５２が形成される。この後、図２３（ｄ）に示すように、レジストパターン５２がマスクとして利用されて、磁性膜４２Ａ’に対して所定のエッチングが施され、上述の記録磁性部４２Ａがパターン形成される。
【００１０】
磁気ディスク４０の製造においては、次に、図２４（ａ）に示すようにレジストパターン５２が除去される。次に、図２４（ｂ）に示すように非磁性材料４２Ｂ’が堆積される。具体的には、例えばスパッタリング法により、記録磁性部４２Ａ間の隙間および記録磁性部４２Ａ上に非磁性材料４２Ｂ’が堆積される。次に、図２４（ｃ）に示すように、堆積された非磁性材料４２Ｂ’において記録磁性部４２Ａ間の隙間にない過剰部分を、例えば機械的研磨により除去する。本工程により、非磁性部４２Ｂ’が形成され、記録層４２が形成されることとなる。この後、図２４（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法により記録層４２上に所定材料が成膜されることによって保護層４３が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部４２Ａを記録層４２内に有する磁気ディスク４０が製造される。
【００１１】
本方法によると、記録面４４において充分な平坦性を得ることが困難である。本方法では、図２３（ｄ）を参照して上述したように、磁性膜４２Ａ’に対するエッチングにより記録磁性部４２Ａがパターン形成された後、図２４（ｂ）に示すように、記録磁性部４２Ａ間の隙間を充填すべく非磁性材料４２Ｂ’が堆積され、そして、図２４（ｃ）に示すように、非磁性材料４２Ｂ’における過剰部分が機械的加工手法により除去されて記録層４２が形成される。このような過程を経て形成される非連続膜体である記録層４２の図中上面については、充分な平坦性を得ることが困難であり、従って、記録層４２の表面平坦性が反映される記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難なのである。
【００１２】
一般に、磁気ディスクないしその記録層における面内記録密度が大きいほど、情報記録再生時に磁気ディスクに対して浮上配置される磁気ヘッドについては、より小さな浮上量（磁気ヘッドと記録面の間の距離）が要求される傾向にあるところ、小さな浮上量にて磁気ヘッドが適切に動作するためには、磁気ディスクの記録面は充分に平坦でなければならない。要求される浮上量が小さいほど（即ち、磁気ディスクの面内記録密度が大きいほど）、記録面に求められる平坦性は高くなる傾向にある。
【００１３】
しかしながら、上述の従来の方法によると、記録層４２ないし記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難である。このような方法により得られる磁気ディスク４０は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましくなく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましくない。
【００１４】
また、上述の従来の方法は、製造効率の観点から磁気ディスク４０の量産に適さない。この方法では、図２３（ａ）を参照して上述した磁性膜４２Ａ’の形成に際しても、図２４（ｂ）を参照して上述した非磁性材料４２Ｂ’の堆積に際しても、図２４（ｄ）を参照して上述した保護層４３の形成に際しても、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、この方法では、図２３（ｄ）を参照して上述したように磁性膜４２Ａ’から記録磁性部４２Ａをパターン形成するにあたり、フォトレジスト膜５１をパターニングし、更に、磁性膜４２Ａ’をエッチングによりパターニングする必要があるところ、これらプロセスを実行するためには、チャンバ内において真空下で磁性膜４２Ａ’を形成した後、加工対象物を当該チャンバ内から取り出す必要がある。また、この方法では、図２４（ｃ）を参照して上述したように非磁性材料４２Ｂ’における過剰部分を除去するにあたり、研磨装置を使用する必要があるところ、そのためには、チャンバ内において真空下で非磁性材料４２Ｂ’を堆積させた後、加工対象物を当該チャンバ内から取り出す必要がある。このように、上述の従来の方法では、製造ラインにおける磁性膜４２Ａ’の形成工程と非磁性材料４２Ｂ’の堆積工程との間、および、当該堆積工程と保護層４３の形成工程との間で、各々、チャンバ内から加工対象物を取り出さなければならない（即ち、これら一連の工程をインライン化できない）。これら一連の工程をインライン化できないこのような方法は、磁気ディスク４０の量産化を図るうえで好ましくない。
【００１５】
加えて、図２４（ｂ）を参照して上述した工程では非磁性材料４２Ｂ’を比較的多量に堆積させる必要があること、および、図２４（ｃ）を参照して上述した工程では、記録磁性部４２Ａの上面に至った時点を検知してその時点で機械的研磨を停止させることに、高度の技術的困難性を伴うことからも、上述の従来の方法は、磁気ディスク４０の量産化を図るのに適さない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を効率よく製造するのに適した方法、および、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体を、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。本方法は、シード層を形成する工程（シード層形成工程）と、シード層の表面の部分領域を酸化する工程（パターン酸化工程）と、シード層上に磁性材料を成長させることにより、シード層表面の非酸化領域上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、シード層表面の酸化領域上の非記録磁性部、を有する記録層を形成する工程（記録層形成工程）とを含む。本発明におけるシード層は、その非酸化素地上に所定の磁性材料がエピタキシャル成長して形成される磁性膜の結晶面との格子整合をとることによって当該磁性膜の磁化容易軸をその膜面に対して垂直な方向に制御することが可能な結晶面ないし結晶構造を、層表面に形成し得る材料よりなる。記録層が例えば六方最密構造をなす磁性材料よりなる場合、シード層は、当該六方最密構造の結晶面との格子整合をとることによって当該六方最密構造の例えばｃ軸を垂直方向に制御することが可能な結晶面ないし結晶構造を、層表面に形成し得る材料よりなる。記録層が、六方最密構造をなす磁性材料よりなる場合、シード層も、六方最密構造をなす材料よりなるのが好ましい。
【００１８】
本方法におけるシード層形成工程では、シード層を、記録層を構成するための磁性材料からなる磁性膜の磁化容易軸を垂直方向に配向せしめるための結晶面ないし結晶構造を層表面に有するように、形成することができる。パターン酸化工程では、シード層表面における所定パターンの部分領域を（即ち、シード層表面を所定パターンで）酸化することができ、従って、シード層表面に、所定パターンの酸化領域と所定パターンの非酸化領域とを設けることができる。そして、記録層形成工程にて、そのようなシード層上に磁性材料を成長させることにより、記録磁性部と非記録磁性部とを有する上述の記録層を形成することができる。記録層形成工程におけるシード層表面の非酸化領域上では、磁性材料がシード層素地の結晶面との格子整合をとりつつエピタキシャル成長し、磁性膜の磁化容易軸が垂直方向に配向するように制御され、垂直磁気異方性を有する記録磁性部が形成される。また、記録層形成工程におけるシード層表面の酸化領域上では、シード層素地の結晶面との格子整合が酸化被膜により阻まれた磁性材料がランダム成長（非エピタキシャル成長）し、内部で複数の磁化容易軸がランダムに配向する（従って垂直磁気異方性を有しない）非記録磁性部が形成される。また、本方法においては、このような記録磁性部および非記録磁性部を有する記録層を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層の表面平坦性が反映される記録面において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００１９】
加えて、本方法はインライン化しやすい。本方法におけるシード層形成工程および記録層形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。シード層形成工程と記録層形成工程との間のパターン酸化工程は、シード層形成工程を経た加工対象物における当該シード層表面を部分的に酸素に曝露することにより、或は、シード層形成工程を経た加工対象物における当該シード層表面の全体を酸素に曝露した後に当該シード層酸化表面を部分的に還元することにより、或は、シード層形成工程を経た加工対象物における当該シード層表面に対して部分的に酸素供給物質（固体）を当接させて当該当接領域を酸化させることにより、実施することができる。このようなパターン酸化工程のプロセスは、チャンバ内にてシード層形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、パターン酸化工程に続いて記録層形成工程を実施することができる。そのため、本方法では、シード層形成工程から記録層形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、シード層形成工程から記録層形成工程までの一連の工程をインライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適する。
【００２０】
以上のように、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適するのである。
【００２１】
本発明の第２の側面によると別の磁気記録媒体製造方法が提供される。本方法は、プレシード層を形成する工程（プレシード層形成工程）と、プレシード層の表面の部分領域を酸化する工程（パターン酸化工程）と、プレシード層上にシード層を形成する工程（シード層形成工程）と、シード層上に磁性材料を成長させることにより、プレシード層表面の非酸化領域に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、プレシード層表面の酸化領域に対応して位置する非記録磁性部、を有する記録層を形成する工程（記録層形成工程）とを含む。本発明におけるプレシード層は、その非酸化素地上に所定の材料が成長して形成される材料膜の結晶面の方位を所定方向に方向付けるためのものである。また、本発明におけるプレシード層は、これが積層される下位の層（例えば軟磁性層）の結晶構造がシード層の結晶構造ないし磁化容易軸の配向に不当な影響を与えてしまうのを防止する機能をも併せて担うことができる。特にこの機能の観点からは、プレシード層は非晶質材料よりなるのが好ましい。
【００２２】
本方法におけるプレシード層形成工程では、プレシード層を、シード層を構成するための材料からなる材料膜の結晶面の方位を所定方向に方向付けるための組織を少なくとも層表面に有するように、形成することができる。パターン酸化工程では、プレシード層表面における所定パターンの部分領域を（即ち、プレシード層表面を所定パターンで）酸化することができ、従って、プレシード層表面に、所定パターンの酸化領域と所定パターンの非酸化領域とを設けることができる。シード層形成工程では、プレシード層表面の酸化領域および非酸化領域のパターンが反映されて層表面の結晶面の方位について所定パターンを有するシード層を、形成することができる。具体的には、プレシード層表面の非酸化領域上ではシード層材料が結晶面をそろえて整合よく成長しやすいのに対し、プレシード層表面の酸化領域上ではシード層材料が結晶面をそろえて整合よく成長しにくいことを利用して、シード層形成工程では、シード層表面に、記録層を構成するための磁性材料からなる磁性膜の磁化容易軸を垂直方向に配向せしめる結晶面ないし結晶構造を有する第１領域（プレシード層表面の非酸化領域が反映された領域）と、記録層を構成するための磁性材料からなる磁性膜の磁化容易軸を垂直方向に配向せしめることができない第２領域（プレシード層表面の酸化領域が反映された領域）とを、生じさせることができる。そして、記録層形成工程にて、そのようなシード層上に磁性材料を成長させることにより、記録磁性部と非記録磁性部とを有する上述の記録層を形成することができる。記録層形成工程におけるシード層表面の第１領域上では（即ち、プレシード層表面の非酸化領域に対応する位置では）、磁性材料がシード層素地の結晶面との格子整合をとりつつエピタキシャル成長し、磁性膜の磁化容易軸が垂直方向に配向するように制御され、垂直磁気異方性を有する記録磁性部が形成される。また、記録層形成工程におけるシード層表面の第２領域上では（即ち、プレシード層表面の酸化領域に対応する位置では）、磁性材料がランダム成長（非エピタキシャル成長）し、内部で複数の磁化容易軸がランダムに配向する（従って垂直磁気異方性を有しない）非記録磁性部が形成される。また、本方法においては、このような記録磁性部および非記録磁性部を有する記録層を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層の表面平坦性が反映される記録面において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本発明の第２の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００２３】
加えて、本方法はインライン化しやすい。本方法におけるプレシード層形成工程、シード層形成工程、および記録層形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。プレシード層形成工程とシード層形成工程との間のパターン酸化工程は、プレシード層形成工程を経た加工対象物における当該プレシード層表面を部分的に酸素に曝露することにより、或は、プレシード層形成工程を経た加工対象物における当該プレシード層表面の全体を酸素に曝露した後に当該プレシード層酸化表面を部分的に還元することにより、或は、プレシード層形成工程を経た加工対象物における当該プレシード層表面に対して部分的に酸素供給物質（固体）を当接させて当該当接領域を酸化させることにより、実施することができる。このようなパターン酸化工程のプロセスは、チャンバ内にてプレシード層形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、パターン酸化工程に続いてシード層形成工程を実施することができる。そのため、本方法では、プレシード層形成工程から記録層形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、プレシード層形成工程から記録層形成工程までの一連の工程をインライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適する。
【００２４】
以上のように、本発明の第２の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を、効率よく製造するのに適するのである。
【００２５】
本発明の第３の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、連続膜体である記録層およびシード層からなる積層構造を含む。シード層は、記録層の側の表面に酸化領域および非酸化領域を有する。記録層は、シード層表面の非酸化領域上に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、シード層表面の酸化領域上に対応して位置する非記録磁性部を有する。
【００２６】
本磁気記録媒体は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法によって製造することができる。本磁気記録媒体の製造過程においては、本発明の第１の側面に関して上述した技術的利益を享受することが可能であり、従って、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する本磁気記録媒体は、高い記録面平坦性を実現するのに適している。
【００２７】
本発明の第４の側面によると別の磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、連続膜体である記録層と、プレシード層と、当該記録層およびプレシード層の間のシード層とからなる積層構造を含む。プレシード層は、シード層の側の表面に酸化領域および非酸化領域を有する。記録層は、プレシード層表面の非酸化領域に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、プレシード層表面の酸化領域に対応して位置する非記録磁性部を有する。
【００２８】
本磁気記録媒体は、本発明の第２の側面に係る磁気記録媒体製造方法によって製造することができる。本磁気記録媒体の製造過程においては、本発明の第２の側面に関して上述した技術的利益を享受することが可能であり、従って、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する本磁気記録媒体は、高い記録面平坦性を実現するのに適している。
【００２９】
本発明における記録層は、好ましくは、Ｃｏを含む磁性材料よりなり、より好ましくは、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ2、またはＣｏＰｔ−ＳｉＯ2よりなる。これら材料によると、六方最密構造の記録層を形成することができる。
【００３０】
本発明におけるシード層は、好ましくは、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、およびＴｉからなる群より選択される単体金属、または、当該金属を含む合金よりなる。これら材料は、記録層の六方最密構造の結晶面との格子整合をとることによって当該六方最密構造のｃ軸を垂直方向に制御することが可能な結晶面ないし結晶構造を、層表面に形成し得る。シード層材料としてこれらを採用する場合、本発明の第２および第４の側面におけるプレシード層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、およびＧｅからなる群より選択される単体、または、当該化学種を含む化合物よりなるのが好ましい。
【００３１】
本発明における非記録磁性部は、好ましくは面内磁気異方性を有する。このような構成は、本発明に係る垂直磁気記録方式の磁気記録媒体の再生時において、非記録磁性部に由来する磁束が磁気ヘッドの再生信号検出部または再生用磁気ヘッドによって検出されてしまうのを抑制してノイズを抑制するうえで、好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクＸ１を表す。図１は、磁気ディスクＸ１の平面図であり、図２は、図１の磁気ディスクＸ１のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【００３３】
磁気ディスクＸ１は、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、シード層１４、および保護層１５（図１では図示略）を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディアとして構成されたものである。
【００３４】
ディスク基板１１は、主に、磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラス、または樹脂よりなる。
【００３５】
記録層１２は、図２に示すように、複数の記録磁性部１２Ａおよび複数の非記録磁性部１２Ｂを有する。記録磁性部１２Ａは、図１にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスクＸ１の回転軸心Ａを共通中心として同心円状に配置され、垂直磁気異方性を有して情報トラックを構成する。非記録磁性部１２Ｂは、ランダム磁化状態にあって、記録磁性部１２Ａ間に介在する。記録層１２は、連続膜体であり、従って、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂは共に同一材料よりなる。記録層１２の構成材料としては、主成分としてＣｏを含む磁性材料を採用するのが好ましい。そのような磁性材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ2、およびＣｏＰｔ−ＳｉＯ2を挙げることができる。これら磁性材料は、六方最密構造の結晶構造をとり得る。また、これら磁性材料は、垂直磁気異方性を有するグラニュラ構造をとり得る。記録層１２の厚さは例えば５〜５０ｎｍであり、記録磁性部１２Ａの幅は例えば３０〜２００ｎｍであり、非記録磁性部１２Ｂの幅は例えば２０〜１００ｎｍである。
【００３６】
軟磁性層１３は、記録時等に稼働する磁気ヘッドからの磁束を再び当該磁気ヘッドに還流させる磁路をディスク内に効率よく形成するためのものであり、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。軟磁性層１３を構成するための軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、およびＦｅＣｏ−ＡｌＯが挙げられる。軟磁性層１３の厚さは例えば２０〜２００ｎｍである。
【００３７】
シード層１４は、記録層１２の側の表面にて非酸化領域１４ａおよび酸化領域１４ｂを有して、記録層１２の各所の磁化状態を制御するためのものである。具体的には、シード層１４は、その非酸化素地上に所定の磁性材料がエピタキシャル成長して形成される磁性膜の結晶面との格子整合をとることによって当該磁性膜の磁化容易軸をその膜面に対して垂直な方向に制御することが可能な結晶面ないし結晶構造を、層表面に形成し得る材料よりなる。記録層１２が例えば六方最密構造をなす磁性材料よりなる場合、シード層１４は、当該六方最密構造の結晶面との格子整合をとることによって当該六方最密構造の例えばｃ軸を垂直方向に制御することが可能な結晶面ないし結晶構造を、層表面に形成し得る材料よりなる。シード層１４を構成する材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、およびＴｉからなる群より選択される単体金属、または、当該金属を含む合金を採用することができる。非酸化領域１４ａは、記録層１２の記録磁性部１２Ａに対応したパターン形状を有し、酸化領域１４ｂは非記録磁性部１２Ｂに対応したパターン形状を有する。すなわち、記録層１２の記録磁性部１２Ａは非酸化領域１４ａ上に位置し、非記録磁性部１２Ｂは酸化領域１４ｂ上に位置する。このようなシード層１４の厚さは例えば１０〜５０ｎｍである。
【００３８】
保護層１５は、記録層１２や軟磁性層１３などを外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。保護層１５の露出面は磁気ディスクＸ１の記録面１６をなす。
【００３９】
以上のようなディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、シード層１４、および保護層１５を含む磁気ディスクＸ１の積層構造中には、必要に応じて他の層が含まれてもよい。
【００４０】
このような磁気ディスクＸ１の情報記録時には、磁気ディスクＸ１の記録面１６に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層１２の一の記録磁性部１２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、情報記録進行中であって磁界が順次印加される記録磁性部１２Ａと、これの隣りの記録磁性部１２Ａとが、非記録磁性部１２Ｂにより分断されているため、当該隣りの記録磁性部１２Ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクは、トラックの狭ピッチ化ないし高記録密度化を図るうえで、好ましい。
【００４１】
図３および図４は、磁気ディスクＸ１を製造するための第１の方法を表す。本方法においては、まず、図３（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成する。軟磁性層１３の形成においては、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、ディスク基板１１上に上述の軟磁性材料を成膜する。
【００４２】
本方法においては、次に、図３（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にシード層１４’を形成する。シード層１４’の形成においては、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、シード層１４に関して上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。本工程では、シード層１４’は、上述の記録層１２を構成する磁性材料からなる磁性膜の磁化容易軸を垂直方向に配向せしめるための結晶面ないし結晶構造を層表面に有するように、形成される。
【００４３】
本方法においては、次に、図３（ｃ）に示すように、所定の真空度下において、マスク２１をシード層１４’に対して密着させる。マスク２１は、本体２１Ａおよびガス透過膜２１Ｂよりなり、本工程では、本体２１Ａがシード層１４’に対して密着される。本体２１Ａは、シード層１４の上述の酸化領域１４ｂのパターン形状に対応した開口部２１ａを有し、酸素非透過性の材料よりなる。当該酸素非透過性材料としては、例えば、ＳｉＯ2
、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｗ、またはダイアモンドを採用することができる。ガス透過膜２１Ｂを構成する材料としては、例えばＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア単結晶）やポリカーボネートを採用することができる。
【００４４】
本方法においては、次に、図３（ｄ）に示すように、酸素曝露により、シード層１４’表面においてマスク２１の本体２１Ａが密着していない領域を酸化し、酸化領域１４ｂを形成する（パターン酸化工程）。本工程では、酸素が、マスク２１のガス透過膜２１Ｂを透過し、シード層１４’表面においてマスク２１の本体２１Ａが密着していない領域に作用して酸化する。シード層１４’表面において本体２１Ａが密着している領域は、酸化作用を受けず、非酸化状態を維持する。このような本工程により、所定パターンの非酸化領域１４ａおよび所定パターンの酸化領域１４ｂを有するシード層１４を形成することができる。
【００４５】
本方法においては、次に、前工程の酸素を充分に除去した所定の真空度下において、図４（ａ）に示すようにマスク２１を取り外す。次に、図４（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、記録層１２に関して上述した磁性材料をシード層１４上に成膜することによって記録層１２を形成する。本工程において、シード層１４表面の非酸化領域１４ａ上では、磁性材料がシード層１４素地の結晶面との格子整合をとりつつエピタキシャル成長し、磁性膜の磁化容易軸が垂直方向に配向するように制御され、垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａが形成される。これとともに、シード層１４表面の酸化領域１４ｂ上では、シード層１４素地の結晶面との格子整合が酸化被膜により阻まれた磁性材料がランダム成長（非エピタキシャル成長）し、内部で複数の磁化容易軸がランダムに配向する非記録磁性部１２Ｂが形成される。
【００４６】
本方法においては、次に、図４（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１５を形成する。保護層１５の形成においては、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、保護層１５に関して上述した構成材料を記録層１２上に成膜する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００４７】
本方法においては、図４（ｂ）を参照して上述したように、表面に非酸化領域１４ａおよび酸化領域１４ｂを有するシード層１４上に磁性材料を成膜することによって、所定パターンの記録磁性部１２Ａを内部に有する記録層１２を形成することができる。また、このような記録層１２は、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００４８】
加えて、本方法はインライン化しやすい。図３（ｂ）を参照して上述したシード層１４’の形成工程、および、図４（ｂ）を参照して上述した記録層１２の形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、シード層１４’形成工程と記録層１２形成工程との間の、図３（ｃ）から図４（ａ）を参照して上述した一連の工程は、チャンバ内にてシード層１４’形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、当該一連の工程に続いて記録層１２形成工程を実施することができる。このような本方法では、シード層１４’形成工程から記録層１２形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、少なくとも、シード層１４’形成工程から記録層１２形成工程までの一連の工程を、インライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を、効率よく製造するのに適する。
【００４９】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を、効率よく製造するのに適するのである。
【００５０】
図５および図６は、磁気ディスクＸ１を製造するための第２の方法を表す。本方法においては、まず、図５（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびシード層１４’を順次形成する。軟磁性層１３およびシード層１４’の形成手法ならびにシード層１４’の構成は、第１の方法において上述したのと同様である。
【００５１】
本方法においては、次に、図５（ｂ）に示すように、酸素曝露により、シード層１４’の露出面全体を酸化し、酸化被膜１４ｂ’を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｃ）に示すように、所定の真空度下において、マスク２２をシード層１４’ないし酸化被膜１４ｂ’に対して密着させる。マスク２２は、本体２２Ａおよびガス透過膜２２Ｂよりなり、本工程では、本体２２Ａがシード層１４’ないし酸化被膜１４ｂ’に対して密着される。本体２２Ａは、シード層１４の上述の非酸化領域１４ａのパターン形状に対応する開口部２２ａを有し、本実施形態では、水素ガス非透過性の材料よりなる。ガス透過膜２２Ｂは、本実施形態では、水素ガス透過性の材料よりなる。当該水素ガス透過性材料としては、例えばＰｄ−Ａｇ合金を挙げることができる。
【００５３】
本方法においては、次に、図５（ｄ）に示すように、水素（還元ガス）への曝露により、シード層１４’表面（酸化被膜１４ｂ’）においてマスク２２の本体２２Ａが密着していない領域を還元し、非酸化領域１４ａを形成する。本工程は、必要に応じて加熱条件下で行う。加熱温度は例えば２００〜５００℃である。本工程では、水素が、マスク２２のガス透過膜２２Ｂを透過し、シード層１４’（酸化被膜１４ｂ’）表面においてマスク２２の本体２２Ａが密着していない領域に作用して還元する。シード層１４’表面において本体２２Ａが密着している領域は、還元作用を受けず、酸化状態を維持する。このような本工程により、所定パターンの非酸化領域１４ａおよび所定パターンの酸化領域１４ｂを有するシード層１４を形成することができる。
【００５４】
本方法においては、次に、前工程の水素を充分に除去した所定の真空度下において、図６（ａ）に示すようにマスク２２を取り外す。次に、図６（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、記録層１２を形成する。記録層１２の形成については、第１の方法における記録層１２の形成に関して図４（ｂ）を参照して上述したのと同様である。次に、図６（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１５を形成する。保護層１５の形成手法は、図４（ｃ）を参照して第１の方法において上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００５５】
本方法においては、図６（ｂ）を参照して上述したように、表面に非酸化領域１４ａおよび酸化領域１４ｂを有するシード層１４上に磁性材料を成膜することによって、所定パターンの記録磁性部１２Ａを内部に有する記録層１２を形成することができる。また、このような記録層１２は、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００５６】
加えて、本方法はインライン化しやすい。図５（ａ）を参照して上述したシード層１４’の形成工程、および、図６（ｂ）を参照して上述した記録層１２の形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、シード層１４’形成工程と記録層１２形成工程との間の、図５（ｂ）から図６（ａ）を参照して上述した一連の工程は、チャンバ内にてシード層１４’形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、当該一連の工程に続いて記録層１２形成工程を実施することができる。このような本方法では、シード層１４’形成工程から記録層１２形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、少なくとも、シード層１４’形成工程から記録層１２形成工程までの一連の工程を、インライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を、効率よく製造するのに適する。
【００５７】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を、効率よく製造するのに適するのである。
【００５８】
図７および図８は、磁気ディスクＸ１を製造するための第３の方法を表す。本方法においては、まず、図７（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびシード層１４’を順次形成する。軟磁性層１３およびシード層１４’の形成手法ならびにシード層１４’の構成は、第１の方法において上述したのと同様である。
【００５９】
本方法においては、次に、図７（ｂ）に示すように、基材２３をシード層１４’に押し当てる。基材２３は、凸部２３ａを有し、例えばＮｉやＮｉ合金よりなる。凸部２３ａは、シード層１４の上述の酸化領域１４ｂに対応したパターン形状を有する。少なくとも凸部２３ａの先端には、酸素供給体２４（固体）が被着形成されている。酸素供給体２４は、例えば、Ｙ2Ｏ3（酸化イットリウム−イットリア）、ＴｉＯ2（酸化チタン）、またはＰＣＭＯ（ＰｒxＣａ1-xＭｎＯ3）などの過飽和状態の金属酸化物よりなり、スパッタリング法により基材２３表面上に成膜されたものである。本工程では、凸部２３ａの先端に形成された酸素供給体２４を、位置合わせしつつ、シード層１４’に対して当接させる。
【００６０】
本方法においては、次に、図７（ｃ）に示すように、シード層１４’および基材２３の間に所定の大きさの電圧を印加することにより、シード層１４’表面において酸素供給体２４が当接している領域を酸化し、酸化領域１４ｂを形成する（パターン酸化工程）。本工程では、基材２３の凸部２３ａとシード層１４’との間に介在する酸素供給体２４においては、基材２３から電子の供給を受けて酸素イオン（Ｏ2-）が生じ、当該酸素イオンがシード層１４’に向かって移動する。シード層１４’表面においては、酸素供給体２４と当接する領域に酸素イオンが取り込まれて酸化する。シード層１４’表面において酸素供給体２４と当接していない領域は、酸化作用を受けず、非酸化状態を維持する。このような本工程により、所定パターンの非酸化領域１４ａおよび所定パターンの酸化領域１４ｂを有するシード層１４を形成することができる。
【００６１】
本方法の図７（ｂ）を参照して上述した工程では、酸素供給体２４として、過飽和金属酸化物により構成されたものに代えて、固体電解質や酸化性固体により構成されたものを用いてもよい。酸素供給体２４を構成する固体電解質としては、例えばＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）やＺｒＯ2（酸化ジルコニウム）を採用することができる。また、酸素供給体２４を構成する酸化性固体としては、例えばＮａＣｌＯ3（塩素酸ナトリウム）を採用することができる。酸素供給体２４として固体電解質を用いる場合、シード層１４’表面に酸化領域１４ｂを形成する際に、シード層１４’と基材２３との間に電圧を印加し、必要に応じて加熱条件下で行う。加熱温度は、例えば２５０〜８００℃である。シード層１４’表面においては、酸素供給体２４と当接する領域に酸素イオンが取り込まれて酸化する。一方、酸化性固体は酸化力が非常に強いので、酸素供給体２４として酸化性固体を用いる場合、酸素供給体２４をシード層１４’に当接させるだけで当該当接領域が酸化する。したがって、この場合、シード層１４’表面に酸化領域１４ｂを形成する際に、電圧印加や加熱などの処理は不要である。
【００６２】
本方法においては、次に、図８（ａ）に示すように基材２３を取り外し、図８（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、記録層１２を形成する。記録層１２の形成については、第１の方法における記録層１２の形成に関して図４（ｂ）を参照して上述したのと同様である。次に、図８（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１５を形成する。保護層１５の形成手法は、図４（ｃ）を参照して第１の方法において上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００６３】
本方法においては、図８（ｂ）を参照して上述したように、表面に非酸化領域１４ａおよび酸化領域１４ｂを有するシード層１４上に磁性材料を成膜することによって、所定パターンの記録磁性部１２Ａを内部に有する記録層１２を形成することができる。また、このような記録層１２は、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００６４】
また、本方法では、非酸化領域１４ａおよび酸化領域１４ｂを有するシード層１４を形成するために用いられる基材２３は、金属製であるため充分な剛性を確保することが可能である。このような基材２３を用いることにより、非酸化領域１４ａおよび酸化領域１４ｂは、比較的にその寸法精度が良好なものとなる。したがって、本方法によると、非酸化領域１４ａ上および酸化領域１４ｂ上にそれぞれ形成される記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂについても、その寸法精度が良好なものとすることができる。
【００６５】
加えて、本方法はインライン化しやすい。図７（ａ）を参照して上述したシード層１４’の形成工程、および、図８（ｂ）を参照して上述した記録層１２の形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、シード層１４’形成工程と記録層１２形成工程との間の、図７（ｂ）から図８（ａ）を参照して上述した一連の工程は、チャンバ内にてシード層１４’形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、当該一連の工程に続いて記録層１２形成工程を実施することができる。このような本方法では、シード層１４’形成工程から記録層１２形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、少なくとも、シード層１４’形成工程から記録層１２形成工程までの一連の工程を、インライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を、効率よく製造するのに適する。
【００６６】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を、効率よく製造するのに適するのである。
【００６７】
図９は、本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクＸ２のディスク径方向に沿った部分断面図である。磁気ディスクＸ２は、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、プレシード層１７、シード層１４、および保護層１５（図１では図示略）を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディアとして構成されたものである。磁気ディスクＸ２は、軟磁性層１３とシード層１４の間にプレシード層１７を追加的に有する点において、磁気ディスクＸ１と異なる。
【００６８】
プレシード層１７は、シード層１４の側の表面にて非酸化領域１７ａおよび酸化領域１７ｂを有し、シード層１４における非酸化領域１７ａ上の箇所の結晶面の方位を所定方向に方向付けるためのものであり、また、軟磁性層１３の結晶構造がシード層１４の結晶構造ないし磁化容易軸の配向に不当な影響を与えてしまうのを防止すべく軟磁性層１３とシード層１４の間に設けられたものである。このようなプレシード層１７は、好ましくは非晶質材料よりなる。プレシード層１７を構成する材料としては、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、およびＧｅからなる群より選択される単体、または、当該化学種を含む化合物を採用することができる。非酸化領域１７ａは、記録層１２の記録磁性部１２Ａに対応したパターン形状を有し、酸化領域１７ｂは非記録磁性部１２Ｂに対応したパターン形状を有する。すなわち、記録層１２の記録磁性部１２Ａは非酸化領域１７ａに対応して位置し、非記録磁性部１２Ｂは酸化領域１７ｂ上に対応して位置する。プレシード層１７の厚さは例えば０.５〜５０ｎｍである。このようなプレシード層１７の採用により、シード層１４を薄く設定することが可能であり、従って、プレシード層１７の採用は、磁気ディスクＸ２の薄型化に資する。
【００６９】
図１０および図１１は、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法を表す。本方法においては、まず、図１０（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成する。軟磁性層１３の形成においては、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、軟磁性層１３に関して上述した構成材料をディスク基板１１上に成膜する。
【００７０】
本方法においては、次に、図１０（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレシード層１７’を形成する。プレシード層１７’の形成においては、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、プレシード層１７に関して上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。本工程では、プレシード層１７’は、シード層１４を構成するための材料からなる材料膜の結晶面の方位を所定方向に方向付けるための結晶面ないし結晶構造を少なくとも層表面に有するように、形成される。
【００７１】
本方法においては、次に、図１０（ｃ）に示すように、所定の真空度下において、マスク２１をプレシード層１７’に対して密着させる。このマスク２１の構成は、磁気ディスクＸ１を製造するための第１の方法において図３（ｃ）を参照して上述したのと同様である。
【００７２】
本方法においては、次に、図１０（ｄ）に示すように、酸素曝露により、プレシード層１７’表面においてマスク２１の本体２１Ａが密着していない領域を酸化し、酸化領域１７ｂを形成する（パターン酸化工程）。本工程では、酸素が、マスク２１のガス透過膜２１Ｂを透過し、プレシード層１７’表面においてマスク２１の本体２１Ａが密着していない領域に作用して酸化する。プレシード層１７’表面において本体２１Ａが密着している領域は、酸化作用を受けず、非酸化状態を維持する。このような本工程により、所定パターンの非酸化領域１７ａおよび所定パターンの酸化領域１７ｂを有するプレシード層１７を形成することができる。
【００７３】
本方法においては、次に、前工程の酸素を充分に除去した所定の真空度下において、図１１（ａ）に示すようにマスク２１を取り外す。次に、図１１（ｂ）に示すように、プレシード層１７上にシード層１４を形成する。シード層１４の形成においては、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、シード層１４に関して上述した構成材料をプレシード層１７上に成膜する。本工程では、プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａおよび酸化領域１７ｂのパターンが反映されて層表面の結晶面の方位について所定パターンを有するシード層１４が形成される。具体的には、プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａ上ではシード層材料が結晶面をそろえて整合よく成長しやすいのに対し、プレシード層１７表面の酸化領域１７ｂ上ではシード層材料が結晶面をそろえて整合よく成長しにくいことを利用して、本工程では、シード層１４表面に、記録層１２を構成するための磁性材料からなる磁性膜の磁化容易軸を垂直方向に配向せしめる結晶面ないし結晶構造を有する第１領域（プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａが反映された領域）と、記録層１２を構成するための磁性材料からなる磁性膜の磁化容易軸を垂直方向に配向せしめることができない第２領域（プレシード層１７表面の酸化領域１７ｂが反映された領域）とを、生じさせる。
【００７４】
本方法においては、次に、図１１（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、記録層１２を形成する。本工程において、シード層１４表面の第１領域上では（即ち、プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａに対応する位置では）、磁性材料がシード層１４素地の結晶面との格子整合をとりつつエピタキシャル成長し、磁性膜の磁化容易軸が垂直方向に配向するように制御され、垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａが形成される。これとともに、シード層１４表面の第２領域上では（即ち、プレシード層１７表面の酸化領域１７ｂに対応する位置では）、磁性材料がランダム成長（非エピタキシャル成長）し、内部で複数の磁化容易軸がランダムに配向する非記録磁性部１２Ｂが形成される。
【００７５】
次に、図１１（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１５を形成する。保護層１５の形成手法は、図４（ｃ）を参照して第１の方法において上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【００７６】
本方法においては、図１１（ｃ）を参照して上述したように、表面に第１領域（プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａが反映された領域）および第２領域（プレシード層１７表面の酸化領域１７ｂが反映された領域）を有するシード層１４上に磁性材料を成膜することによって、所定パターンの記録磁性部１２Ａを内部に有する記録層１２を形成することができる。また、このような記録層１２は、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００７７】
加えて、本方法はインライン化しやすい。図１０（ｂ）を参照して上述したプレシード層１７’の形成工程、図１１（ｂ）を参照して上述したシード層１４の形成工程、および、図１１（ｃ）を参照して上述した記録層１２の形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、プレシード層１７’形成工程とシード層１４形成工程との間の、図１０（ｃ）から図１１（ａ）を参照して上述した一連の工程は、チャンバ内にてプレシード層１７’形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、当該一連の工程に続いてシード層１４形成工程を実施することができる。このような本方法では、プレシード層１７’形成工程から記録層１２形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、少なくとも、プレシード層１７’形成工程から記録層１２形成工程までの一連の工程を、インライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ２を、効率よく製造するのに適する。
【００７８】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を、効率よく製造するのに適するのである。
【００７９】
図１２および図１３は、磁気ディスクＸ２を製造するための第２の方法を表す。本方法においては、まず、図１２（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレシード層１７’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレシード層１７’の形成手法ならびにプレシード層１７’の構成は、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法において上述したのと同様である。
【００８０】
本方法においては、次に、図１２（ｂ）に示すように、酸素曝露により、プレシード層１７’の露出面全体を酸化し、酸化被膜１７ｂ’を形成する。
【００８１】
次に、図１２（ｃ）に示すように、前工程の酸素を充分に除去した所定の真空度下において、マスク２２をプレシード層１７’ないし酸化被膜１７ｂ’に対して密着させる。このマスク２２の構成は、磁気ディスクＸ１を製造するための第２の方法において図５（ｃ）を参照して上述したのと同様である。
【００８２】
本方法においては、次に、図１２（ｄ）に示すように、水素（還元ガス）への曝露により、プレシード層１７’表面（酸化被膜１７ｂ’）においてマスク２２の本体２２Ａが密着していない領域を還元し、非酸化領域１７ａを形成する。本工程は、必要に応じて加熱条件下で行う。加熱温度は例えば２００〜５００℃である。本工程では、水素が、マスク２２のガス透過膜２２Ｂを透過し、プレシード層１７’表面（酸化被膜１７ｂ’）においてマスク２２の本体２２Ａが密着していない領域に作用して還元する。プレシード層１７’表面において本体２２Ａが密着している領域は、還元作用を受けず、酸化状態を維持する。このような本工程により、所定パターンの非酸化領域１７ａおよび所定パターンの酸化領域１７ｂを有するプレシード層１７を形成することができる。
【００８３】
本方法においては、次に、前工程の水素を充分に除去した所定の真空度下において、図１３（ａ）に示すようにマスク２２を取り外す。次に、図１３（ｂ）に示すように、プレシード層１７上にシード層１４を形成する。シード層１４の形成については、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法において図１１（ｂ）を参照して上述したのと同様である。次に、図１３（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、記録層１２を形成する。記録層１２の形成については、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法において図１１（ｃ）を参照して上述したのと同様である。次に、図１３（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１５を形成する。保護層１５の形成については、磁気ディスクＸ１を製造するための第１の方法において図４（ｃ）を参照して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【００８４】
本方法においては、図１３（ｃ）に示す工程にて、表面に第１領域（プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａが反映された領域）および第２領域（プレシード層１７表面の酸化領域１７ｂが反映された領域）を有するシード層１４上に磁性材料を成膜することによって、所定パターンの記録磁性部１２Ａを内部に有する記録層１２を形成することができる。また、このような記録層１２は、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００８５】
加えて、本方法はインライン化しやすい。図１２（ａ）を参照して上述したプレシード層１７’の形成工程、図１３（ｂ）を参照して上述したシード層１４の形成工程、および、図１３（ｃ）を参照して上述した記録層１２の形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、プレシード層１７’形成工程とシード層１４形成工程との間の、図１２（ｂ）から図１３（ａ）を参照して上述した一連の工程は、チャンバ内にてプレシード層１７’形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、当該一連の工程に続いてシード層１４形成工程を実施することができる。このような本方法では、プレシード層１７’形成工程から記録層１２形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、少なくとも、プレシード層１７’形成工程から記録層１２形成工程までの一連の工程を、インライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ２を、効率よく製造するのに適する。
【００８６】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を、効率よく製造するのに適するのである。
【００８７】
図１４および図１５は、磁気ディスクＸ２を製造するための第３の方法を表す。本方法においては、まず、図１４（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレシード層１７’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレシード層１４’の形成手法ならびにプレシード層１７’の構成は、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法において上述したのと同様である。
【００８８】
本方法においては、次に、図１４（ｂ）に示すように、表面に酸素供給体２４が形成され基材２３をプレシード層１７’に押し当てる。これら基材２３および酸素供給体２４の構成は、磁気ディスクＸ１を製造するための第３の方法において図７（ｂ）を参照して上述したのと同様である。本工程では、基材２３の凸部２３ａの先端に形成された酸素供給体２４を、位置合わせしつつ、プレシード層１７’に対して当接させる。
【００８９】
本方法においては、次に、図１４（ｃ）に示すように、プレシード層１７’および基材２３の間に所定の大きさの電圧を印加することにより、プレシード層１７’表面において酸素供給体２４が当接している領域を酸化し、酸化領域１７ｂを形成する（パターン酸化工程）。本工程では、基材２３の凸部２３ａとプレシード層１７’との間に介在する酸素供給体２４においては、基材２３から電子の供給を受けて酸素イオン（Ｏ2-）が生じ、当該酸素イオンがプレシード層１７’に向かって移動する。プレシード層１７’表面においては、酸素供給体２４と当接する領域に酸素イオンが取り込まれて酸化する。プレシード層１７’表面において酸素供給体２４と当接していない領域は、酸化作用を受けず、非酸化状態を維持する。このような本工程により、所定パターンの非酸化領域１７ａおよび所定パターンの酸化領域１７ｂを有するプレシード層１７を形成することができる。
【００９０】
本方法の図１４（ｂ）を参照して上述した工程では、酸素供給体２４として、過飽和金属酸化物により構成されたものに代えて、固体電解質や酸化性固体により構成されたものを用いてもよい。固体電解質や酸化性固体からなる酸素供給体２４の構成は、磁気ディスクＸ１を製造するための第３の方法において上述したのと同様である。酸素供給体２４として固体電解質を用いる場合、プレシード層１７’表面に酸化領域１７ｂを形成する際に、プレシード層１７’と基材２３との間に電圧を印加し、必要に応じて加熱条件下で行う。加熱温度は、例えば２５０〜８００℃である。プレシード層１７’表面においては、酸素供給体２４と当接する領域に酸素イオンが取り込まれて酸化する。一方、酸化性固体は酸化力が非常に強いので、酸素供給体２４として酸化性固体を用いる場合、酸素供給体２４をプレシード層１７’に当接させるだけで当該当接領域が酸化する。したがって、この場合、プレシード層１７’表面に酸化領域１７ｂを形成する際に、電圧印加や加熱などの処理は不要である。
【００９１】
本方法においては、次に、図１５（ａ）に示すように基材２３を取り外し、図１５（ｂ）に示すように、プレシード層１７上にシード層１４を形成する。シード層１４の形成については、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法において図１１（ｂ）を参照して上述したのと同様である。次に、図１５（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、所定の真空度下において、記録層１２を形成する。記録層１２の形成については、磁気ディスクＸ２を製造するための第１の方法において図１１（ｃ）を参照して上述したのと同様である。次に、図１５（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１５を形成する。保護層１５の形成手法については、磁気ディスクＸ１を製造するための第１の方法において図４（ｃ）を参照して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【００９２】
本方法においては、図１５（ｃ）に示す工程にて、表面に第１領域（プレシード層１７表面の非酸化領域１７ａが反映された領域）および第２領域（プレシード層１７表面の酸化領域１７ｂが反映された領域）を有するシード層１４上に磁性材料を成膜することによって、所定パターンの記録磁性部１２Ａを内部に有する記録層１２を形成することができる。また、このような記録層１２は、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適する。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００９３】
また、本方法では、非酸化領域１７ａおよび酸化領域１７ｂを有するプレシード層１７を形成するために用いられる基材２３は、金属製であるため充分な剛性を確保することが可能である。このような基材２３を用いることにより、非酸化領域１７ａおよび酸化領域１７ｂは、比較的にその寸法精度が良好なものとなる。したがって、本方法によると、非酸化領域１７ａおよび酸化領域１７ｂにそれぞれ対応する位置に形成される記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂについても、その寸法精度が良好なものとすることができる。
【００９４】
加えて、本方法はインライン化しやすい。図１４（ａ）を参照して上述したプレシード層１７’の形成工程、図１５（ｂ）を参照して上述したシード層１４の形成工程、および、図１５（ｃ）を参照して上述した記録層１２の形成工程では、所定のチャンバ内にて、当該チャンバ内を所定の真空度とした状態で、所定の薄膜形成プロセスが実行される。一方、プレシード層１７’形成工程とシード層１４形成工程との間の、図１４（ｂ）から図１５（ａ）を参照して上述した一連の工程は、チャンバ内にてプレシード層１７’形成工程に続いて実施することができ、且つ、当該チャンバ内では、当該一連の工程に続いてシード層１４形成工程を実施することができる。このような本方法では、プレシード層１７’形成工程から記録層１２形成工程までの間においてチャンバ内から加工対象物を取り出す必要はなく、少なくとも、プレシード層１７’形成工程から記録層１２形成工程までの一連の工程を、インライン化することが可能である。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ２を、効率よく製造するのに適する。
【００９５】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を、効率よく製造するのに適するのである。
【実施例】
【００９６】
〔実施例１〕
〈サンプル膜体の作製〉
図１６に示す積層構成を有する積層構造体を実施例１のサンプル膜体として作製した。本実施例のサンプル膜体の作製においては、まず、スパッタリング法により、ガラス基板上に所定組成比のＣｏＺｒＮｂを成膜して厚さ１００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層を形成した。ＣｏＺｒＮｂは、磁気ディスクにおける軟磁性層の構成材料として用いられるものである。本スパッタリングは、所定のチャンバ内において、所定のスパッタリング装置を使用して行った（後出のスパッタリングについても同様である）。本スパッタリングでは、チャンバ内のガス圧を０.８Ｐａとした。
【００９７】
次に、スパッタリング法により、ＣｏＺｒＮｂ層上にＲｕを成膜して厚さ５０ｎｍのＲｕ層を形成した。Ｒｕは、磁気ディスクにおけるシード層の構成材料として用いられるものである。本スパッタリングでは、チャンバ内のガス圧を０.６Ｐａとした。
【００９８】
次に、スパッタリング法により、Ｒｕ層上にＣｏ77Ｃｒ20Ｐｔ3−ＳｉＯ2を成膜して厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を形成した。ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2は、磁気ディスクにおける記録層の構成材料として用いられるものである。以上のようにして、本実施例のサンプル膜体を作製した。
【００９９】
〈保磁力測定〉
本実施例のサンプル膜体について、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）を使用して、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層の垂直方向の保磁力と面内方向の保磁力を測定した。その結果を図１７および図１８のグラフに示す。図１７のグラフでは、Ｒｕ層形成後であってＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層形成前にＲｕ層を酸素に曝露した時間（秒）を横軸にて表し（実施例１では酸素曝露を行っていない）、垂直方向の保磁力（Ｏｅ）を縦軸にて表し、本実施例のサンプル膜体についての測定結果をプロットＥ１で表す。図１８のグラフでは、Ｒｕ層形成後であってＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層形成前にＲｕ層を酸素に曝露した時間（秒）を横軸にて表し、面内方向の保磁力（Ｏｅ）を縦軸にて表し、本実施例のサンプル膜体についての測定結果をプロットＥ１’で表す。
【０１００】
〔実施例２〕
図１６に示す積層構成を有する他の積層構造体を実施例２のサンプル膜体として作製した。本実施例のサンプル膜体の作製においては、まず、実施例１と同様にして、ガラス基板上に厚さ１００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層、および、厚さ５０ｎｍのＲｕ層を順次形成した。次に、チャンバ内に酸素を導入して当該チャンバ内の圧力を０.２Ｐａまで上昇させて、１秒間、Ｒｕ層を酸素曝露した。この後、チャンバ内から酸素を充分に除去してチャンバ内の到達真空度を１×１０-6Ｐａとした後、スパッタリング法により、Ｒｕ層上にＣｏ77Ｃｒ20Ｐｔ3−ＳｉＯ2を成膜して厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を形成した。以上のようにして、本実施例のサンプル膜体を作製した。本実施例のサンプル膜体について、実施例１のサンプル膜体と同様にして、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層の垂直方向の保磁力と面内方向の保磁力を測定した。その結果を図１７および図１８のグラフにてプロットＥ２，Ｅ２’で表す。
【０１０１】
〔実施例３〜７〕
Ｒｕ層の酸素曝露時間を１秒に代えて２秒（実施例３）、４秒（実施例４）、８秒（実施例５）、１６秒（実施例６）、または３０秒（実施例７）とした以外は、実施例２と同様にして、実施例３〜７のサンプル膜体を作製した。そして、各実施例のサンプル膜体について、実施例１のサンプル膜体と同様にして、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層の垂直方向の保磁力と面内方向の保磁力を測定した。実施例３〜７における垂直方向保磁力の結果を図１７のグラフにてプロットＥ３〜Ｅ７で表し、実施例３〜７における面内方向保磁力の結果を図１８のグラフにてプロットＥ３’〜Ｅ７’で表す。
【０１０２】
〔評価〕
図１７のグラフからは、シード層としてのＲｕ層の酸素曝露により、当該Ｒｕ層上に形成される磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層の垂直方向保磁力は約３５００Ｏｅから急激に減弱して約１０００Ｏｅに至ることが判る。一方、図１８のグラフからは、シード層としてのＲｕ層の酸素曝露により、当該Ｒｕ層上に形成される磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層の面内方向保磁力は略０Ｏｅから急激に上昇して約１６００Ｏｅに至ることが判る。図１７および図１８からは、シード層としてのＲｕ層の酸素曝露により、当該Ｒｕ層上に形成される磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層において、磁化容易軸が垂直に配向する状態から、略等方的に配向する状態に変化することが判る。
【０１０３】
〔実施例８〕
図１９に示す積層構成を有して第１の実施形態に相当する磁気ディスクを、本実施例の磁気ディスクとして作製した。
【０１０４】
本実施例の磁気ディスクの作製においては、まず、スパッタリング法によりディスク状のガラス基板（外径：６５ｍｍ）の上に所定組成比のＣｏＺｒＮｂを成膜することによって、軟磁性層としての厚さ１００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層を形成した。本スパッタリングは、所定のチャンバ内において、所定のスパッタリング装置を使用して行った（後出のスパッタリングについても同様である）。本スパッタリングでは、チャンバ内のガス圧を０.８Ｐａとした。
【０１０５】
次に、スパッタリング法により軟磁性層上にＲｕを成膜することによって、シード層としての厚さ５０ｎｍのＲｕ層を形成した。本スパッタリングでは、チャンバ内のガス圧を０.６Ｐａとした。
【０１０６】
次に、チャンバ内の到達真空度を１×１０-6Ｐａとした後、図３（ｃ）に示すのと同様にして、マスク２１としての酸素透過膜付マスクをシード層に密着させた。このマスクの本体は、形成すべき非記録磁性部のパターン形状に対応する開口部を有する。この後、チャンバ内に酸素を導入した（酸素導入により、チャンバ内の圧力を０.２Ｐａとした）。このような酸素曝露により、シード層においてマスク本体が密着していない領域を酸化させ、シード層表面に非酸化領域および酸化領域を形成した。
【０１０７】
次に、チャンバ内から酸素を充分に除去して当該チャンバ内の到達真空度を再び１×１０-6Ｐａとした後、マスクを取り外した。そして、スパッタリング法により、シード層上にＣｏ77Ｃｒ20Ｐｔ3−ＳｉＯ2を成膜することによって、記録層としての厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を形成した。
【０１０８】
次に、ＣＶＤ法により記録層上にダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜することによって、保護層１５としての厚さ２ｎｍのＤＬＣ層を形成した。本工程では、チャンバ内の圧力を０.４Ｐａとした。以上のようにして、本実施例の磁気ディスクを作製した。
【０１０９】
〔実施例９〕
図１９に示す積層構成を有して第１の実施形態に相当する他の磁気ディスクを、本実施例の磁気ディスクとして作製した。
【０１１０】
本実施例の磁気ディスクの作製においては、まず、実施例１と同様にして、ガラス基板上に、軟磁性層としての厚さ１００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層、および、シード層としての厚さ５０ｎｍのＲｕ層を順次形成した。
【０１１１】
次に、チャンバ内に酸素を導入した（酸素導入により、チャンバ内の圧力を０.２Ｐａとした）。このような酸素曝露により、シード層の露出面全体を酸化し、酸化被膜を形成した。
【０１１２】
次に、チャンバ内から酸素を充分に除去して当該チャンバ内の到達真空度を１×１０-6Ｐａとした後、図５（ｃ）に示すのと同様にして、マスク２２としての水素透過膜付マスクをシード層ないし酸化被膜に対して密着させた。このマスクの本体は、形成すべき記録磁性部のパターン形状に対応した開口部を有する。この後、還元ガスとしての水素をチャンバ内に導入した（水素導入により、チャンバ内の圧力を１０Ｐａとした）。このような水素曝露により、シード層表面（酸化被膜）においてマスク本体が密着していない領域を還元し、シード層表面において非酸化領域および酸化領域を形成した。
【０１１３】
次に、チャンバ内から水素を充分に除去した後、スパッタリング法により、シード層上にＣｏ77Ｃｒ20Ｐｔ3−ＳｉＯ2を成膜することによって、記録層としての厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を形成した。
【０１１４】
次に、ＣＶＤ法により記録層上にダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜することによって、保護層１５としての厚さ２ｎｍのＤＬＣ層を形成した。本工程では、チャンバ内の圧力を０.４Ｐａとした。以上のようにして、本実施例の磁気ディスクを作製した。
【０１１５】
〔実施例１０〕
図２０に示す積層構成を有して第２の実施形態に相当する磁気ディスクを、本実施例の磁気ディスクとして作製した。
【０１１６】
本実施例の磁気ディスクの作製においては、まず、スパッタリング法によりディスク状のガラス基板（外径：６５ｍｍ）の上に所定組成比のＣｏＺｒＮｂを成膜することによって、軟磁性層としての厚さ１００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層を形成した。本スパッタリングでは、チャンバ内のガス圧を０.８Ｐａとした。
【０１１７】
次に、スパッタリング法により軟磁性層上にＴａを成膜することによって、プレシード層としての厚さ５ｎｍのＴａ層を形成した。本スパッタリングでは、チャンバ内のガス圧を０.８Ｐａとした。
【０１１８】
次に、チャンバ内の到達真空度を１×１０-6Ｐａとした後、図１０（ｃ）に示すのと同様にして、マスク２１としての酸素透過膜付マスクをプレシード層に密着させた。このマスクの本体は、形成すべき非記録磁性部のパターン形状に対応する開口部を有する。この後、チャンバ内に酸素を導入した（酸素導入により、チャンバ内の圧力を０.２Ｐａとした）。これにより、プレシード層においてマスク本体が密着していない領域を酸化させ、プレシード層表面に非酸化領域および酸化領域を形成した。
【０１１９】
次に、チャンバ内から酸素を充分に除去して当該チャンバ内の到達真空度を再び１×１０-6Ｐａとした後、マスクを取り外した。そして、スパッタリング法により、プレシード層上にＲｕを成膜することによって、シード層としての厚さ２０ｎｍのＲｕ層を形成した。
【０１２０】
次に、スパッタリング法により、シード層上にＣｏ77Ｃｒ20Ｐｔ3−ＳｉＯ2を成膜することによって、記録層としての厚さ１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を形成した。本工程では、チャンバ内の圧力を０.６Ｐａとした。
【０１２１】
次に、ＣＶＤ法により記録層上にダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜することによって、保護層１５としての厚さ２ｎｍのＤＬＣ層を形成した。本工程では、チャンバ内の圧力を０.４Ｐａとした。以上のようにして、本実施例の磁気ディスクを作製した。
【０１２２】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【０１２３】
（付記１）シード層を形成する工程と、
前記シード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程と、
前記シード層上に磁性材料を成長させることにより、前記シード層表面の非酸化領域上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記シード層表面の酸化領域上の非記録磁性部、を有する記録層を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記２）前記シード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程においては、前記シード層表面を部分的に酸素に曝露する、付記１に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記３）前記シード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程においては、前記シード層表面の全体を酸素に曝露した後に当該シード層酸化表面を部分的に還元する、付記１に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記４）前記シード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程においては、前記シード層表面に対して部分的に酸素供給物質を当接させて当該当接領域を酸化する、付記１に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記５）プレシード層を形成する工程と、
前記プレシード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程と、
前記プレシード層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に磁性材料を成長させることにより、前記プレシード層表面の非酸化領域に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記プレシード層表面の酸化領域に対応して位置する非記録磁性部、を有する記録層を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記６）前記プレシード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程においては、前記プレシード層表面を部分的に酸素に曝露する、付記５に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記７）前記プレシード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程においては、前記プレシード層表面の全体を酸素に曝露した後に当該プレシード層酸化表面を部分的に還元する、付記５に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記８）前記プレシード層の表面の部分領域を酸化状態とする工程においては、前記プレシード層表面に対して部分的に酸素供給物質を当接させて当該当接領域を酸化する、付記５に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記９）前記シード層は、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、およびＴｉからなる群より選択される単体金属、または、当該金属を含む合金よりなる、付記１から８のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記１０）前記プレシード層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、およびＧｅからなる群より選択される単体、または、当該化学種を含む化合物よりなる、付記５から９のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記１１）前記記録層は、Ｃｏを含む磁性材料よりなる、付記１から１０のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記１２）前記磁性材料は、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ2、またはＣｏＰｔ−ＳｉＯ2である、付記１１に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記１３）連続膜体である記録層およびシード層からなる積層構造を含み、
前記シード層は、前記記録層の側の表面に酸化領域および非酸化領域を有し、
前記記録層は、前記非酸化領域上にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記酸化領域上の非記録磁性部を有する、磁気記録媒体。
（付記１４）連続膜体である記録層と、プレシード層と、当該記録層およびプレシード層の間のシード層と、からなる積層構造を含み、
前記プレシード層は、前記シード層の側の表面に酸化領域および非酸化領域を有し、
前記記録層は、前記非酸化領域に対応する位置にて垂直磁気異方性を有する記録磁性部、および、前記酸化領域に対応して位置する非記録磁性部を有する、磁気記録媒体。
（付記１５）前記非記録磁性部は面内磁気異方性を有する、付記１３または１４に記載の磁気記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図３】図１に示す磁気ディスクを製造するための第１の方法における一部の工程を表す。
【図４】図３の後に続く工程を表す。
【図５】図１に示す磁気ディスクを製造するための第２の方法における一部の工程を表す。
【図６】図５の後に続く工程を表す。
【図７】図１に示す磁気ディスクを製造するための第３の方法における一部の工程を表す。
【図８】図７の後に続く工程を表す。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクの部分断面図である。
【図１０】図９に示す磁気ディスクを製造するための第１の方法における一部の工程を表す。
【図１１】図１０の後に続く工程を表す。
【図１２】図９に示す磁気ディスクを製造するための第２の方法における一部の工程を表す。
【図１３】図１２の後に続く工程を表す。
【図１４】図９に示す磁気ディスクを製造するための第３の方法における一部の工程を表す。
【図１５】図１４の後に続く工程を表す。
【図１６】サンプル膜体の積層構成を表す。
【図１７】実施例１〜７のサンプル膜体について、磁性膜の垂直方向保磁力の測定結果を表すグラフである。
【図１８】実施例１〜７のサンプル膜体について、磁性膜の面内方向保磁力の測定結果を表すグラフである。
【図１９】実施例８，９における積層構成を表す。
【図２０】実施例１０における積層構成を表す。
【図２１】ディスクリートトラックメディアである従来の磁気ディスクの平面図である。
【図２２】図２１に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図２３】図２１に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図２４】図２３の後に続く工程を表す。
【符号の説明】
【０１２５】
Ｘ１，Ｘ２，４０      磁気ディスク
１１，４１      ディスク基板
１２，４２      記録層
１２Ａ，４２Ａ      記録磁性部
１２Ｂ      非記録磁性部
１３      軟磁性層
１４，１４’      シード層
１４ａ，１７ａ      非酸化領域
１４ｂ，１７ｂ      酸化領域
１４ｂ’，１７ｂ’      酸化被膜
１５，４３      保護層
１６，４４      記録面
１７，１７’      プレシード層
２１，２２      マスク
２１Ａ，２２Ａ      本体
２１Ｂ，２２Ｂ      ガス透過膜
２３      基材
２４      酸素供給体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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