(57)【要約】【課題】  所望の段部の位置を制御できる、更には、型部の全ての段について、その段部の高さを揃えた、インプリントに直接用いられる型部あるいはインプリントに直接用いられる型部の原版となる型部材を提供する。同時に、そのような型部材の作製方法を提供する。【解決手段】  前記型部は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層を、Ｎ層以下の層数で積層した構造のもので、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい。【選択図】  図１
2007266193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板の１面側に所望のＮ段の段部からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材であって、前記型部は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層を、Ｎ層以下の層数で積層した構造のもので、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さいことを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項２】
請求項１に記載のインプリント用の型部材であって、前記型部は、各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、それぞれ、１層づつ、前記所定材質ベース層Ｂｉを配した積層構造のものであることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材であって、前記所定の材質がシリコンであることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材であって、前記各所定材質ベース層は、それぞれ、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させているものであることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項５】
請求項４に記載のインプリント用の型部材であって、前記不純物として、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）のいずれか１を用いていることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材であって、前記各所定材質ベース層は、それぞれ、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させているものであることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項７】
請求項６に記載のインプリント用の型部材であって、前記所定材質ベース層は所定の材質を単結晶シリコンとし、ベース基板を単結晶シリコン基板とするもので、これらを、ベース基材側から順に、結晶の面方位が｛１１１｝、｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の順にしたがうように、積層していることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項８】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材であって、前記型部は、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材であって、光硬化方式あるいは熱硬化方式のインプリント法用の型部材であることを特徴とするインプリント用の型部材。
【請求項１０】
ベース基材の１面側に、Ｎ段からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材を作製するための積層基板であって、前記型部の形成する各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、それぞれ、１層づつ、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとする所定材質ベース層Ｂｉを配して積層し、併せてＮ層とした積層構造のもので、前記各所定材質ベース層Ｂｉとベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さいことを特徴とする積層基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の積層基板であって、前記各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とする積層基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の積層基板であって、前記不純物として、ボロン（Ｂ）、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）のいずれか１を用いていることを特徴とする積層基板。
【請求項１３】
請求項１０に記載の積層基板であって、前記各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とする積層基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の積層基板であって、前記所定材質ベース層は所定の材質を単結晶シリコンとし、ベース基板を単結晶シリコン基板とするもので、これらを、ベース基材側から順に、結晶の面方位が｛１１１｝、｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の順にしたがうように、積層していることを特徴とする積層基板。
【請求項１５】
請求項１０に記載の積層基板であって、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の各層の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなることを特徴とする積層基板。
【請求項１６】
ベース基板の１面側に所望のＮ段の段部からなる型部（モールド）を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材で、前記型部は、各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層Ｂｉを、それぞれ、１層づつ配した積層構造で、且つ、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい、型部材を、作製するためのインプリント用の型部材の作製方法であって、  あらかじめ、ベース基材の一面側に、前記Ｎ層の所定材質ベース層Ｂｉを、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい順に積層した積層基板を加工用素材として用意しておき、該積層基板に対して、前記各段部に対応する所定材質ベース層Ｂｉを目的とする外形にするエッチングによる外形加工を、それぞれ、該所定材質ベース層Ｂｉに隣接する内側の所定材質ベース層を、あるいは、隣接する内側のベース基材を、エッチングストッパー層として行うものであることを特徴とするインプリント用の型部材の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のインプリント用の型部材の作製方法であって、前記各エッチング工程を、外側から、順に、各所定材質ベース層Ｂｉに対し、それぞれ、目的とする外形にする外形加工を行うもので、各エッチング工程は、対象とする所定材質ベース層Ｂｉ毎に、所望のエッチング領域のみ露出するように耐エッチング性層でマスキングして、その隣接する内側の所定材質ベース層を、あるいは、その隣接する内側のベース基材を、エッチングストッパー層として、実質的に、前記対象とする所定材質ベース層のみを加工するものであることを特徴とするインプリント用モールド部材の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６ないし１７のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材の作製方法であって、前記所定の材質がシリコンであることを特徴とするインプリント用の型部材の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材の作製方法であって、前記積層基板の各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とするインプリント用の型部材の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材の作製方法であって、前記積層基板の各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とするインプリント用の型部材の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載のインプリント用の型部材の作製方法であって、前記加工用素材は、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の各層の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなることを特徴とするインプリント用の型部材の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース基材の１面側に、Ｎ段からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材と、その作製方法、およびこれらに用いられる積層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特に半導体デバイスについては、微細化の一層の加速による高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムＬＳＩという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。
このような中、半導体デバイスプロセスのコアテクノロジーであるリソグラフィ技術は微細化が進むにつれ，装置が高価になってきている。
現在、光露光リソグラフィは最小線幅が１３０ｎｍであるＫｒＦレーザーリソグラフィからより高解像度なＡｒＦレーザーリソグラフィへの移行が始まりつつある。
そして、ＡｒＦレーザーリソグラフィの量産レベルでの最小線幅は１００ｎｍであるのに対して，２００３年には９０ｎｍ、２００５年には６５ｎｍ、２００７年には４５ｎｍデバイス製造が始まろうとしている。
このような状況でより微細な技術として期待されているのがＦ2 レーザー（Ｆ2 エキシマレーザー）リソグラフィや極端紫外線露光リソグラフィ（ＥＵＶＬ；Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、電子線縮小転写露光リソグラフィ（ＥＰＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、X 線リソグラフィである。
そして、これらのリソグラフィ技術は４０ｎｍ〜７０ｎｍのパターン作製に成功している。
しかし、微細化の進歩につれ、露光装置自身の初期コストが指数関数的に増大していることに加え、使用光波長と同程度の解像度を得るためのマスクの価格が急騰している問題がある。
これに対して１９９５年Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大学のＣｈｏｕらによって提案されたナノインプリントリソグラフィは安価でありながら、１０ｎｍ程度の解像度を有する加工技術として注目されている。（Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ、ｅｔ．ａｌ．、Ｓｃｉｅｎｃｅ、ｖｏｌ．２７２、ｐ．８５−８７、５Ａｐｒｉｌ、１９９６／非特許文献１、特表２００４−５０４７１８号公報／特許文献１を参照）
【０００３】
このナノインプリント方法は、簡単には、予めパターンを形成したＳｉＯ2 製の型部材（以下、モールドと言う）を半導体表面に塗布したレジストに押し付けることにより圧痕のパターンを形成し、圧痕のパターンを形成した樹脂をマスクにして半導体表面を加工する方法である。
この方法の１例の工程概略図を図８に示し、これを基に、簡単に説明しておく。
先ず、凸型のパターン１１１を形成したＳｉＯ2 製の型部材（モールドとも言う）１１０を準備する。（図８（ａ））
次いで、半導体ウェハ１２０の表面にレジスト１３０を塗布する。（図８（ｂ））
次いで、レジスト１３０に、ＳｉＯ2 製の型部材１１０を約１. ３×１０7 Ｐa の圧力で押し付け、圧痕のパターンを転写する。（図８（ｃ））
ここでは、レジストを変形させるときに熱を加えて、型部材を押して圧痕のパターンを固めるときに冷却している。
次いで、圧痕を形成したレジスト１３０を、酸素使用反応性イオンエッチング（酸素ＲＩＥ）で加工し（図８（ｄ））、圧痕部のないパターンを形成する。（図８（ｅ））
次いで、レジスト１３０をマスクにして、半導体表面をエッチングする。（図８（ｆ））
更に、レジスト１３０を除去する。（図８（ｇ））
このようにして、半導体ウエハ上に数ｎｍ〜数十ｎｍレベルの微細なパターンを形成することができる。
尚、ここでは、半導体ウェハ（シリコン）上のパターン転写層には、熱可塑性樹脂のＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル；ガラス転移温度１０５℃）が用いられており、また、モールドにはシリコン熱酸化膜上にレジストを塗布し、そのレジストを電子ビーム直接描画でパターニングし、それをマスクとしてドライエッチで加工したものを用いている。
このプロセスは、レジストを変形させるときに熱を加えて、型押しして固めるときに冷却しているので、熱サイクルナノインプリントリソグラフィと呼ばれている。
尚、ここでは、このような方式を、単に、熱インプリント法とも言う
解像度はモールドの作製精度によって決まることが実証され、現状のフォトマスクと同様に、モールドさえ入手できれば，従来のフォトリソグラフィより簡便に、遥かに安価な装置により、極微細構造が形成できることから、上記技術は大きなインパクトを与えた。  尚、図８（ｅ）の後にリフトオフ処理を行う場合も挙げられている。
この場合は、図８（ｅ）の状態の後、スパッタ等により、所望の膜１５０の形成を行い図８（ｆ１）、レジスト１３０の除去とともに膜パターン１５１を形成する。図８（ｇ１）
【非特許文献１】Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ、ｅｔ．ａｌ．、Ｓｃｉｅｎｃｅ、ｖｏｌ．２７２、ｐ．８５−８７、５Ａｐｒｉｌ、１９９６
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【０００４】
上記熱サイクルナノインプリントリソグラフィに対し、熱で形状が変化する熱可塑性樹脂の代わりに、紫外光で形状が硬化する光硬化樹脂を用いた、光ナノインプリントリソグラフィも知られている。（特開２００２−９３７４８号公報／特許文献２参照）
尚、ここでは、光ナノインプリントリソグラフィを、単に、光インプリント法とも言う。
このプロセスは、光硬化樹脂を型部材（モールド）で変形させて、その後に紫外光を照射して樹脂を硬化させ、モールドを離すことによりパターンを得るものである。
パターンを得るのに紫外光の照射のみで行えるので、前述の熱サイクルのものに比べ、スループットが高く、温度による寸法変化等を防ぐことができる。
また、モールドには紫外光を透過するモールドを使用するので、モールドを透過しての位置合わせが行える利点もある。
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【０００５】
また、高粘性材料としてスピンオングラス（ＳＯＧ；Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いて、Ｓｉ基板の上に塗布形成し、型部材（モールド）を押し付け、その後、モールドを剥離することでパターン転写を行う方法も知られている。
高粘性材料を用いているたえめ、型部材を剥離した後も、型部材の形状が保持される。  しかし、このタイプのものは、型部材により形成された形状が時間により劣化する問題がある。
【特許文献３】特開２００３−１００６０９号公報
【０００６】
このような中、マイクロレンズ等の光学用部材のパターンや半導体素子等の微細のパターンとして、複数の段部からなる形状の作製も、求められるようになってきた。
しかし、このような、複数の段部からなる形状のパターンを作製、上記の熱インプリント法、光インプリント法で行う場合、
その型部（モールド）について、型の各段部の段の高さを、全面にわたり、均一に揃えることは難しく、問題となっていた。
この理由は、従来、加工される型部は各段部とも一体の同じ材質で形成され、加工は、各段について、目的とする形状に外形加工を、所望のエッチングしたい領域のみを露出して、耐エッチング層でマスキングして、エッチングにて行うため、エッチングの際、エッチング領域の面積がバラツキ、エッチングされる深さにバラツキが出ることによる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、インプリント法、特に、半導体デバイスの、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の微細なパターン形成用として、ナノインプリントリソグラフィが注目され、種々検討されているが、従来は、その型部（モールド）について、型の各段部の段の高さを、全面にわたり、均一に揃えることは難しく、この対応が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、所望の段部の位置を制御できる、更には、型部の全ての段について、その段部の高さを揃えることができる、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材を提供しようとするものである。
同時に、そのような型部材の作製方法を提供しようとするものである。
また、このような型部材とその作製方法に用いられる積層基板を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のインプリント用の型部材は、ベース基板の１面側に所望のＮ段の段部からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材であって、前記型部は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層を、Ｎ層以下の層数で積層した構造のもので、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さいことを特徴とするものである。
そして、上記のインプリント用の型部材であって、前記型部は、各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、それぞれ、１層づつ、前記所定材質ベース層Ｂｉを配した積層構造のものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかのインプリント用の型部材であって、前記所定の材質がシリコンであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのインプリント用の型部材であって、前記各所定材質ベース層は、それぞれ、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させているものであることを特徴とするものであり、
前記不純物として、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）のいずれか１を用いていることを特徴とするものである。
あるいは、上記いずれかのインプリント用の型部材であって、前記各所定材質ベース層は、それぞれ、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させているものであることを特徴とするものであり、前記所定材質ベース層は所定の材質を単結晶シリコンとし、ベース基板を単結晶シリコン基板とするもので、これらを、ベース基材側から順に、結晶の面方位が｛１１１｝、｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の順にしたがうように、積層していることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記いずれかのインプリント用の型部材であって、前記型部は、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのインプリント用の型部材であって、光硬化方式あるいは熱硬化方式のインプリント法用の型部材であることを特徴とするものである。
尚、ここでは、「所定材質」とは、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する材質を意味し、「所定材質ベース層」とは、このような所定材質をベースとする層を言う。
例えば、Ｓｉ（シリコン）を所定の材質とした場合、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣのような酸化物、窒化物、炭化物は、所定材質には含まれない。
また、ここで言う、「所定材質ベース層を積層した構造」とは、所定材質ベース層を直接積層したものの他に、各所定材質ベース層間およびまたは所定材質ベース層とベース基板間に接着に寄与し、且つ、所定材質ベース層に比べて無視できる程度に薄い薄膜層を介して実質的に直接積層した構造のものを含む。
【０００９】
本発明の積層基板は、ベース基材の１面側に、Ｎ段からなる型部を配設した、
インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材を作製するための積層基板であって、前記型部の形成する各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、それぞれ、１層づつ、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとする所定材質ベース層Ｂｉを配して積層し、併せてＮ層とした積層構造のもので、前記各所定材質ベース層Ｂｉとベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さいことを特徴とするものである。
そして、上記の積層基板であって、前記各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とするものであり、前記不純物として、ボロン（Ｂ）、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）のいずれか１を用いていることを特徴とするものである。
あるいは、上記の積層基板であって、前記各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とするものであり、前記所定材質ベース層は所定の材質を単結晶シリコンとし、ベース基板を単結晶シリコン基板とするもので、これらを、ベース基材側から順に、結晶の面方位が｛１１１｝、｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の順にしたがうように、積層していることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記の積層基板であって、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の各層の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなることを特徴とするものである。
尚、ここでも、「所定材質」とは、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する材質を意味し、「所定材質ベース層」とは、このような所定材質をベースとする層を言う。
例えば、Ｓｉ（シリコン）を所定の材質とした場合、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣのような酸化物、窒化物、炭化物は、所定材質には含まれない。
また、ここでも、「所定材質ベース層を積層した構造」とは、所定材質ベース層を直接積層したものの他に、各所定材質ベース層間およびまたは所定材質ベース層とベース基板間に接着に寄与し、且つ、所定材質ベース層に比べて無視できる程度に薄い薄膜層を介して実質的に直接積層した構造のものを含む。
【００１０】
本発明のインプリント用の型部材の作製方法は、ベース基板の１面側に所望のＮ段の段部からなる型部（モールド）を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材で、前記型部は、各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層Ｂｉを、それぞれ、１層づつ配した積層構造で、且つ、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい、型部材を、作製するためのインプリント用の型部材の作製方法であって、あらかじめ、ベース基材の一面側に、前記Ｎ層の所定材質ベース層Ｂｉを、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい順に積層した積層基板を加工用素材として用意しておき、該積層基板に対して、前記各段部に対応する所定材質ベース層Ｂｉを目的とする外形にするエッチングによる外形加工を、それぞれ、該所定材質ベース層Ｂｉに隣接する内側の所定材質ベース層を、あるいは、隣接する内側のベース基材を、エッチングストッパー層として行うものであることを特徴とするものである。
そして、上記のインプリント用の型部材の作製方法であって、前記各エッチング工程を、外側から、順に、各所定材質ベース層Ｂｉに対し、それぞれ、目的とする外形にする外形加工を行うもので、各エッチング工程は、対象とする所定材質ベース層Ｂｉ毎に、所望のエッチング領域のみ露出するように耐エッチング性層でマスキングして、その隣接する内側の所定材質ベース層を、あるいは、その隣接する内側のベース基材を、エッチングストッパー層として、実質的に、前記対象とする所定材質ベース層のみを加工するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのインプリント用の型部材の作製方法であって、前記所定の材質がシリコンであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのインプリント用の型部材の作製方法であって、前記積層基板の各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記いずれかのインプリント用の型部材の作製方法であって、前記積層基板の各所定材質ベース層Ｂｉは、いずれも、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させたものであることを特徴とするものである。
あるいはまた、上記いずれかのインプリント用の型部材の作製方法であって、前記加工用素材は、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の各層の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなることを特徴とするものである。
尚、ここでも、「所定材質」とは、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する材質を意味し、「所定材質ベース層」とは、このような所定材質をベースとする層を言う。
例えば、Ｓｉ（シリコン）を所定の材質とした場合、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣのような酸化物、窒化物、炭化物は、所定材質には含まれない。
また、ここでも、「所定材質ベース層を積層した構造」とは、所定材質ベース層を直接積層したものの他に、各所定材質ベース層間およびまたは所定材質ベース層とベース基板間に接着に寄与し、且つ、所定材質ベース層に比べて無視できる程度に薄い薄膜層を介して実質的に直接積層した構造のものを含む。
【００１１】
（作用）
本発明のインプリント用の型部材は、このような構成にすることにより、ベース基材の１面側に、所望のＮ段からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材で、所望の段部の位置を制御した型部材の提供を可能としている。
具体的には、型部は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとし、且つ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる所定材質ベース層を、Ｎ層以下の層数で積層した構造のもので、前記各所定材質ベース層とベース基板とは、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さいことにより、これを達成している。
詳しくは、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なる積層の境界において、位置精度良くエッチングを止めることを可能としており、結果、所望の段部の位置を制御できる。
また、型部は、各段部Ｄｉ（ｉ＝１〜Ｎ）に対応して、それぞれ、１層づつ、前記所定材質ベース層Ｂｉを配した積層構造のものである、請求項２の発明の形態とすることにより、型部の全ての段について、その段部の高さを揃えた、インプリント法に用いられる型部（モールド）あるいは該型部の原版を配設した、インプリント用の型部材の提供を可能としている。
前記所定の材質がシリコンである、請求項３の発明の形態が挙げられる。
この形態の場合、汎用のシリコンを用いるため、所定材質ベース層の形成を容易なものとできる。
そして、前記各所定材質ベース層は、それぞれ、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させているものである、請求項４の発明の形態、前前記各所定材質ベース層は、それぞれ、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させているものである、請求項６の発明の形態、前記型部は、前記ベースとする所定の材質への不純物濃度を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層と、前記ベースとする所定の材質の結晶の面方位を変えて、所定のエッチング工程におけるエッチングレートを変化させた所定材質ベース層との両方を積層してなる、請求項８の発明の形態が挙げられる。
請求項４の発明の形態の場合、具体的には、前記不純物として、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）のいずれか１を用いている、請求項５の発明の形態が挙げられる。
シリコンを所定の材質とした場合には、これらを不純物として用いても良い。
また、ガリウム砒素を所定の材質とした場合には、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）を不純物として用いても良い。
請求項６の発明の形態の場合、具体的には、前記所定材質ベース層は所定の材質を単結晶シリコンとし、ベース基板を単結晶シリコン基板とするもので、これらを、ベース基材側から順に、結晶の面方位が｛１１１｝、｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の順にしたがうように、積層している、請求項７の発明の形態が挙げられる。
【００１２】
本発明の積層基板は、このような構成にすることにより、ベース基材の１面側に、所望のＮ段からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材で、型部の全ての段部について、それぞれ、その高さを揃えた、型部（モールド）を配設した型部材の作製を可能とする、積層基板の提供を可能とするものである。
【００１３】
本発明のインプリント用の型部材の作製方法は、このような構成にすることにより、ベース基材の１面側に、所望のＮ段からなる型部を配設した、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材で、型部の全ての段部について、それぞれ、その高さを揃えた、型部（モールド）配設した型部材の作製を可能とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、このように、所望の段部の位置を制御できる、更には、型部の全ての段について、その段部の高さを揃えた、インプリントに直接用いられる型部材あるいはインプリントに直接用いられる型部材の原版となる型部材の提供を可能とした。
同時に、そのような型部材の作製方法の提供を可能とした。
また、このような型部材あるいはこのような型部材の作製に用いられる積層基板の提供を可能とした。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明のインプリント用の型部材の１例の一部を示した断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すインプリント用の型部材を作製する際に用いる積層基板の一部断面図で、図２（ａ）は図１（ａ）に示すインプリント用の型部材の変形例の一部を示した断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すインプリント用の型部材を作製する際に用いる積層基板の一部断面図で、図３（ａ）〜図３（ｊ）は図１（ａ）に示すインプリント用の型部材の作製方法の工程を示した工程断面図で、図４（ａ）〜図４（ｄ）は図１（ａ）に示す型部材からインプリントにより型部を形成する処理工程を示した断面図で、図５（ａ）〜図５（ｈ）は従来の型部材の作製方法と該型部材の作製方法における問題を説明するための断面図で、図６（ａ）〜図６（ｄ）は面方位｛１１１｝の単結晶シリコン基板の一面に面方位｛１００｝の単結晶シリコン層を加工層として配した場合の、ドライエッチング状態、ウエットエッチング状態を説明するために工程断面図で、図７（ａ）〜図７（ｄ）は面方位がない加工基材の場合の、ドライエッチング状態、ウエットエッチング状態を説明するために工程断面図である。
図１〜図７中、１は基材、２は第１の所定材質ベース層、２ａは開口、３は第２の所定材質ベース層、３ａは開口、４、４Ａはレジスト（耐エッチング層）、４ａ、４Ａａは開口、５は型部（モールドとも言う）、５ａは加工領域、６は接着用薄膜、８は基材、９は型形成材料、１０はインプリント用の型部材、１０Ａは積層基板、２０は基材、２５、２５Ａはエッチング除去部、３０、３５はレジスト（耐エッチング層）、３０ａ、３５ａは開口、ｈ１、ｈ２は段部の高さ、４０は面方位｛１１１｝の単結晶シリコン基板、４１は面方位｛１００｝の単結晶シリコン層、４１ａ、４１ｂは開口、４１Ａ、４１Ｂは開口、４２はレジスト（耐エッチング層）、４２ａ、４２ｂは開口、５０は面方位がないシリコン基板、５２はレジスト（耐エッチング層）、５２ａ、５２ｂは開口、５５ａ、５５ｂはエッチング除去部、５５Ａ、５５Ｂはエッチング除去部である。
【００１６】
はじめに、本発明のインプリント用の型部材の実施の形態の１例を、図１（ａ）に基づいて説明する。
本例のインプリント用の型部材１０は、ベース基材１の１面側に、型部（モールド）５を配設した、インプリントに直接用いられる型部材で、型部５は、所定の同一元素から成り、かつ、同一の結晶構造を有する所定の材質をベースとする第１の所定材質ベース層２（以下、Ｂ１とも言う）を第１の段部Ｄ１とし、また、前記所定の材質をベースとする第２の所定材質ベース層３（以下、Ｂ２とも言う）を第２の段部Ｄ２として、この順に、積層した構造のものである。
ベース基材１と第１の所定材質ベース層２とは、また、第１の所定材質ベース層２と第２の所定材質ベース層３とは、それぞれ、所定のエッチング工程におけるエッチングレートが異なり、いずれも、ベース基板１側がエッチングレートが小さくなっている。
本例のインプリント用の型部材１０は、各所定ベース層を加工対象として、それぞれ、貫通してパターニングする所定のエッチング工程を２回行って作製される。
【００１７】
ベース基材１と、第１の所定材質ベース層２と、第２の所定材質ベース層３としては、例えば、ベース基材１を結晶の面方位が｛１１１｝の単結晶シリコン基材とし、候補となる結晶の面方位｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の各単結晶シリコン層の中から、２種の面方位の単結晶シリコン層を所定材質ベース層用として選び、その２つの中で、ベース基材１側から、シリコンの結晶の面方位でのエッチンレートが小さい順に、第１の所定材質ベース層２、第２の所定材質ベース層３とする。
ここでは、前記所定のエッチング工程として、選択比を考慮して、ＨＢｒ、ＣＣｌ４等に酸素を添加したガスをエッチングガスとして用いたドライエッチング方法、あるいは、選択比を考慮して、酸化ナトリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液をエッチング液として用いたウエットエッチングによるエッチング方法が用いられる。
ドライエッチング方法においては、他には、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＳＦ６ガスもエッチングガスとして用いられるが、選択比を考慮して、ＨＢｒ、ＣＣｌ４等に酸素を添加したガスが好ましく用いられる。
選択比だけを考えるなら、他には、ベース基材１を結晶の面方位が｛１１１｝の単結晶シリコン基材とし、第２の所定材質ベース層３として結晶の面方位｛１００｝として、第１の所定材質ベース層２として結晶の面方位｛１１０｝、｛３３１｝の単結晶層のいずれかを選択する組み合わせも挙げられる。
結晶の面方位の異なる単結晶を積層を作製する方法としては、基本的に「貼り合わせ」しかなく、例えば、予め全く別の材料として作製しておいた材料同士を接合するが、表面をプラズマ照射、あるいは、レーザー照射するなどの処理をして、界面活性化し、直接接合して貼り合わせる。
尚、表面をプラズマで処理する手法は、特許（ＷＯ９９１０９２７）に開示されており、また、レーザーで処理する方法は、下記の非特許文献に開示されている。
Ｈ．  Ｔａｋａｇｉ  ｅｔ．  Ａｌ．，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ７４（１９９９）ｐ２３８７
この場合、所定材質ベース層としては、結晶面方位が存在する材料であることが必須で、上記のようなシリコンをベースとする層の他には、ＧａＡｓやダイヤモンドをベースとする層も挙げられるが、インプリント時における圧力への耐性を考慮するならば、シリコンとダイヤモンドが望ましい。
【００１８】
また別に、例えば、ベース基材１をシリコン基材とし、第１の所定材質ベース層２と、第２の所定材質ベース層３として、例えば、シリコンをベースとする層に、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）等の不純物が異なる濃度で含んだ層が挙げられる。
このような、不純物が異なる濃度で含まれる層の作製方法としては、例えば、以下のような方法が知られている。
（１）貼り合わせ法
先にも述べたが、この方法は、予め全く別の材料として作製しておいた材料同士を接合してやる方法で、表面をプラズマで処理し、あるいは、レーザーで処理して、界面活性化し、直接接合して貼り合わせる。
尚、表面をプラズマで処理する手法は、特許（ＷＯ９９１０９２７）に開示されており、また、レーザーで処理する方法は、下記の非特許文献に開示されている。
Ｈ．  Ｔａｋａｇｉ  ｅｔ．  Ａｌ．，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ７４（１９９９）ｐ２３８７
（２）結晶成長法、堆積法
この方法は、エピタキシャル成長またはＣＶＤにより、表面に新たに材料を積層させていく手法で、気相、液相、固相の全ての方法で不純物添加が可能である。
例えば、気相の場合、成長材料となるガスのひとつに、不純物を含んだガスを加えることで不純物を含んだ結晶を成長させることが可能である。
（３）イオン注入法
この方法は、ドーパント（不純物）のイオンが高いエネルギーを持ったイオンビームを照射することで、基板材料に不純物を添加することが可能である。
イオン注入は、最表面層のイオン濃度を変化させることも可能だが、基板のある一定深さに対してイオンを打ち込み、アニールすることで、基板内部に不純物濃度の異なる層を形成することも可能である。
（４）拡散法
この方法は、ドーパントを含んだ材料を基板表面に塗布または積層させ、これを加熱し、そして最後に前記基板表面に塗布または積層した材料を剥離させる。
加熱温度は材料により異なるが、一般にシリコンでは８００〜１２００℃、ＧａＡｓでは６００〜１０００℃である。
上記の（１）〜（４）の方法により、不純物が異なる濃度で含まれる層の作製は可能であるが、不純物濃度を上げるには装置上の限界や、結晶としての限界が存在するため、無限ではない。
また、各層の相間の濃度差がはっきりしない限り、選択比も得られにくく、選択比を10以上得るために必要な濃度差としては、1.０×１０3 ／ｃｍ3 以上の差が必要であり望ましい。  当然、濃度差が大きいほうが選択比はより向上する。      
したがって、実際に積層を行なう場合、不純物濃度差が1.０×１０3 ／ｃｍ3 である二層で積層を行う。
濃度を３種以上の場合の複数層積層の場合も、各積層においては、この条件を満たすことが要求される。
尚、濃度を三種類以上となると、基板作製難易度が上がる。
この場合、所定材質ベース層としては、不純物濃度により、エッチングレートに差をつけられる材料が好ましく、シリコン、ＧａＡｓや、ＳｉＯ2 が挙げられるが、上述したように圧力に対する強度を考慮するならばシリコンとＳｉＯ２が望ましい。
ＳｉＯ2 には、半導体材料としての「シリコン酸化膜」も、ガラスとしての「石英」も含まれるが、実際に不純物濃度の差により明確なエッチングレートの差が出るのは「シリコン酸化膜」、つまり単結晶であるものである。
多結晶である「石英」は効果が表れにくい。
「石英」は多結晶で面方位は無いが、効果ゼロではない。
結晶が単結晶、多結晶でもエッチングレートが変わるものが好ましい。
また、ベース基材層としては、シリコン層の他に窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）などのセラミックス、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属、石英、六方晶窒化ホウ素、可動イオン（主としてナトリウム）を含むガラスが挙げられる。
【００１９】
次に、本例のインプリント用の型部材１０の作製方法の１例を、図３に基づいて、簡単に説明しておく。
尚、これを以って、本発明のインプリント用の型部材の作製方法の説明とする。
あらかじめ、ベース基材１（図３（ａ））の一面側に、前記２層の所定材質ベース層Ｂ１、Ｂ２を、ベース基材１を含めて、ベース基板側から順に所定のエッチング工程におけるエッチングレートが小さい順に積層した積層構造の積層基板１０Ａを加工用素材として用意しておく。（図３（ｂ））
例えば、ベース基材１を結晶の面方位が｛１１１｝の単結晶シリコン基材とし、候補となる結晶の面方位｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の各単結晶シリコン層の中から、２種の面方位の単結晶シリコン層を所定材質ベース層用として選び、その２つの中で、ベース基材１側から、シリコンの結晶の面方位でのエッチンレートが小さい順に、第１の所定材質ベース層２、第２の所定材質ベース層３として積層した積層基板１０Ａを加工用素材として用意しておく。
このような積層基板１０Ａの形成方法は、先に述べており、ここでは、説明を省く。
次いで、先ず、第１のエッチング工程を行い、第２の所定材質ベース層Ｂ２に対し、目的とする外形にする外形加工を行う。（図３（ｃ）〜図３（ｆ））
この第１のエッチング工程は、対象とする第２の所定材質ベース層Ｂ２に、耐エッチング性レジスト４を全面に塗布し（図３（ｃ））、製版して、所望のエッチング領域のみ露出するように耐エッチング性層でマスキングする。（図３（ｄ））
このとき耐エッチング性層は必ずしもレジストである必要はない。
例えばこのパターン形成にもインプリントを用いるのであるならば、先に説明したように耐エッチング性層は感光性を持たない樹脂やＳＯＧなどになる。
次いで、その隣接する内側の第１の所定材質ベース層Ｂ１をエッチングストッパー層として、実質的に、前記対象とする所定材質ベース層Ｂ２のみをエッチングして、外形加工する。（図３（ｅ））
そして、レジストを除去した後（図３（ｆ））、上記と同様に、第２のエッチング工程を行い、第１の所定材質ベース層Ｂ１に対し、目的とする外形にする外形加工を行う。（図３（ｇ）〜図３（ｊ））
この第２のエッチング工程は、耐エッチング性レジスト４Ａを全面に塗布し（図３（ｇ））、製版して、所望のエッチング領域のみ露出するように耐エッチング性層でマスキングする。（図３（ｈ））
次いで、その隣接する内側のベース基材１をエッチングストッパー層として、実質的に、前記対象とする所定材質ベース層Ｂ１のみをエッチングして、外形加工する。（図３（ｉ））
そして、レジストを除去して、図１（ａ）に示す、本例のインプリント用の型部材を得る。（図３（ｊ））
このように作製するとにより、型部の全ての段について、その段部の高さを揃えた、型部材の提供を可能としている。
【００２０】
上記と同じような形状の型部を１つの材質に作製する、従来の作製方法の１例について、ここで、図５に基づいて、簡単に説明しておく。
ここでは、先ず、第１のエッチング工程により、凹部の深さが２段となる領域および凹部の深さが１段となる領域について、１段分の高さでエッチングを行う。（図５（ａ）〜図５（ｅ））
ここでは、ドライエッチング方法にてエッチングを行い、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＨＢｒ、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＳＦ６ガスがエッチングガスとして用いられる。
基材２０（図５（ａ））の一面に耐エッチング性のレジスト３０塗布し（図５（ｂ））、製版して、エッチングする領域のみを露出させて、レジスト３０でマスキング（図５（ｃ））して、エッチングをドライエッチングにて行う。（図５（ｄ））
次いで、レジストを除去した（図５（ｅ））後、第２のエッチング工程により、凹部の深さが２段となる領域について、１段分の高さでエッチングを行う。（図５（ｆ）〜図５（ｇ））
そして、レジストを除去して、図１（ａ）に示す、本例のインプリント用の型部材と同様の型部材を得る。（図５（ｈ））
しかし、このようにして作製された場合、エッチング領域が狭い場合と、広い場合とでエッチングの深さ方向の進行に差が出てしまい、図５（ｈ）では、ｈ１よりｈ２が大きくなってしまう。
このような従来の作製方法では、型部の全ての段について、その段部の高さを揃えることはできない。
【００２１】
更に、段部の高さの揃えとエッチング形状について、図６、図７に基づいて、簡単に説明しておく。
図６には、１回のエッチング工程を行うもので、狭いレジストの開口４２ａと広い開口４２ｂとから、それぞれ、面方位が｛１１１｝の単結晶シリコン基板４０の一面に配に面方位が｛１００｝の単結晶シリコン層４１を加工層として積層した加工用基材をドライエッチングする場合で、本発明のインプリント用の型部材の作製方法の別の例でもある。
ここでは、ドライエッチングする場合、ウエットエッチングする場合があり、それぞれの場合の、エッチングの深さとその形状が相対的に示してある。
ここでは、選択比を考慮して、ドライエッチングには、ＨＢｒ、ＣＣｌ４等に酸素を添加したガスをエッチングガスとして用い、また、ウエットエッチングには、選択比を考慮して、水酸化ナトリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液等のアルカリ性水溶液をエッチング液として用いるものとする。
なお、溶液中にイソプロピルアルコールを添加したものを使用した場合、｛１１０｝と｛１００｝ではエッチング速さが｛１００｝の方が速くなるため、この場合には積層の順を考慮する必要がある。
図６においては、面方位が｛１００｝の単結晶シリコン層４１を加工層としてエッチング加工する際に、面方位が｛１１１｝の単結晶シリコン基板４０が、エッチングストッパとして機能するため、いずれのエッチングにおいても加工層のみをエッチングすることができ、エッチングの深さは、エッチング領域の大小によらず均一とすることができる。
また、図７には、狭いレジストの開口５２ａと広い開口５２ｂとから、それぞれ、基材の一面をドライエッチングする場合と、ウエットエッチングする場合におけるエッチングの深さとその形状が示してある。
ここでも、ドライエッチングには、ＨＢｒ、ＣＣｌ４等に酸素を添加したガスをエッチングガスとして用い、また、ウエットエッチングには、水酸化ナトリウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液をエッチング液として用いるものとする。
図７においては、面方位をもたないシリコン基板５０の一面をエッチング加工する際に、エッチングストッパとして機能するものはないため、いずれのエッチングにおいても、エッチングの深さは、エッチング領域の大小によらず左右され、大の場合は小の場合に比べて深くなってしまう。
【００２２】
このようにして得られたインプリント用の型部材は、例えば、先に説明したようにインプリントして、ガラス等からなる基材８にその型を形成することができる。
例えば、先ず、図４（ａ）に示すような所定の型形成用材９で凹凸型をガラス等からなる基材８に形成する。
次いで、型形成用材９を所定のガスを用いてドライエッチングして、薄肉部９ａを除去し（図４（ｂ））、更に、型形成用材９と基材８とを所定のガスでドライエッチングし、型形成用材７がが無くなった時点でエッチングを止める。（図４（ｃ）〜図４（ｄ））
このようにして、ガラス等からなる基材８にその型を形成することができる。
【００２３】
尚、図１（ａ）に示すインプリント用の型部材の変形例としては、図２（ａ）に示すように、所定材質ベース層２と定材質ベース層３間およびまたは所定材質ベース層２とベース基板１間に接着に寄与し、且つ、所定材質ベース層に比べて無視できる程度に薄い接着用薄膜層６を設けて、実質的に、直接積層した構造のものも挙げられる。
この変形例のインプリント用の型部材に用いられる積層基板の断面は、図２（ｂ）のようになる。
変形例のインプリント用の型部材の作製方法は、実質的に、図３に示す、本例のインプリント用の型部材の作製方法と同じである。
例えば、ベース基材１を結晶の面方位が｛１１１｝の単結晶シリコン基材とし、候補となる結晶の面方位｛３３１｝、｛１１０｝、｛１００｝の各単結晶シリコン層の中から、２種の面方位の単結晶シリコン層を所定材質ベース層用として選び、その２つの中で、ベース基材１側から、シリコンの結晶の面方位でのエッチンレートが小さい順に、第１の所定材質ベース層２、第２の所定材質ベース層３とし、更に、
第１の所定材質ベース層２、第２の所定材質ベース層３間に、また、第１の所定材質ベース層２とベース基材１との間に、これらに比べて無視できる程度薄いＳｉＯ２層を接着用薄膜層６として設けた構造が挙げられる。
また、上記本例のインプリント用の型部材、変形例のインプリント用の型部材は、実質的に加工層として２層の所定材質ベース層を設けた構造であるが、所定材質ベース層を所望の３層以上のＮ層としても良い。
所定材質ベース層を所望の３層以上のＮ層とした場合のインプリント用の型部材の作製方法については、本例のインプリント用の型部材の作製方法と同じ、エッチング工程を、層数に応じて行えば良い。
勿論、このインプリント用の型部材においては、各所定材質ベース層に対応した各段部を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）は本発明のインプリント用の型部材の１例の一部を示した断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すインプリント用の型部材を作製する際に用いる積層基板の一部断面図である。
【図２】図２（ａ）は図１（ａ）に示すインプリント用の型部材の変形例の一部を示した断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すインプリント用の型部材を作製する際に用いる積層基板の一部断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｊ）は図１（ａ）に示すインプリント用の型部材の作製方法の工程を示した工程断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｄ）は図１（ａ）に示す型部材からインプリントにより型部を形成する処理工程を示した断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｈ）は従来の型部材の作製方法と該型部材の作製方法における問題を説明するための断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は面方位｛１１１｝の単結晶シリコン基板の一面に面方位｛１００｝の単結晶シリコン層を加工層として配した場合の、ドライエッチング状態、ウエットエッチング状態を説明するために工程断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｄ）は面方位がない加工基材の場合の、ドライエッチング状態、ウエットエッチング状態を説明するために工程断面図である。
【図８】従来のインプリント方法の工程断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１                基材
２                第１の所定材質ベース層
２ａ              開口
３                第２の所定材質ベース層
３ａ              開口
４、４Ａ          レジスト（耐エッチング層）
４ａ、４Ａａ      開口
５                型部（モールドとも言う）
５ａ              加工領域
６                接着用薄膜
８                基材
９                型形成材料
１０              インプリント用の型部材
１０Ａ            積層基板
２０              基材
２５、２５Ａ      エッチング除去部
３０、３５        レジスト（耐エッチング層）
３０ａ、３５ａ    開口
ｈ１、ｈ２        段部の高さ
４０              面方位｛１１１｝の単結晶シリコン基板
４１              面方位｛１００｝の単結晶シリコン層
４１ａ、４１ｂ    開口
４１Ａ            ４１Ｂは開口
４２              レジスト（耐エッチング層）
４２ａ、４２ｂ    開口
５０              面方位がないシリコン基板
５２              レジスト（耐エッチング層）
５２ａ、５２ｂ    開口
５５ａ、５５ｂ    エッチング除去部
５５Ａ、５５Ｂ    エッチング除去部
１１０            型部材（モールドとも言う）
１１１            凸型のパターン
１２０            半導体ウェハ
１２１            パターン
１３０            レジスト
１３１            圧痕部
１４０            反応性イオンエッチングガス
１５０            膜
１５１            膜パターン
【図１】
2007266193.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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