(57)【要約】【課題】貫通部を有する基板表面に配線パターンを良好に形成することができる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】厚さ方向に貫通する貫通部を有する基板表面に複数の配線で構成される配線パターンを設けた配線基板の製造方法であって、基板の表面に全面に亘って配線膜を形成する工程と、配線膜上に所定パターンのレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして配線膜をウェットエッチングすることによって所定形状にパターニングして貫通部の周縁近傍を含む領域に配線パターンを形成する工程とを有し、且つ配線パターンを形成する工程と同時又はそれ以前に、基板上の配線パターンと貫通部との間の領域の少なくとも一部に貫通部の周縁に沿ってダミー配線を形成する工程を有するようにする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に貫通する貫通部を有する基板表面に複数の配線で構成される配線パターンを設けた配線基板の製造方法であって、前記基板の少なくとも一方の面に配線膜を形成する工程と、該配線膜上に所定パターンのレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして前記配線膜をウェットエッチングすることによって所定形状にパターニングして前記貫通部の周縁近傍を含む領域に配線パターンを形成する工程とを有し、且つ前記配線パターンを形成する工程と同時又はそれ以前に、前記基板上の前記配線パターンと前記貫通部との間の領域の少なくとも一部に当該貫通部の周縁に沿ってダミー配線を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記貫通部の開口形状が角部を有する形状であり、前記ダミー配線をこの貫通部の角部に対応する領域に少なくとも形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記貫通部の角部に対応する領域の前記ダミー配線が曲線状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線膜をパターニングすることによって当該配線膜からなるダミー配線を前記配線パターンと同時に形成することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線膜が、前記基板上に設けられる密着膜と、該密着膜上に設けられる金属膜とで構成されることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線パターンを形成する工程が、前記金属膜をエッチングする第１の工程と、前記密着膜をエッチングする第２の工程と、前記金属膜を再びエッチングする第３の工程とを含み、各配線を構成する金属膜の幅が密着膜の幅よりも狭くなるようにすることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通部を有する基板の表面に配線パターンを設けた配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
貫通部を有する基板の表面に配線パターンを設けた配線基板を具備するものとしては、例えば、液体噴射ヘッドが挙げられる。例えば、その代表的な例であるインクジェット式記録ヘッドとしては、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側に接合されその表面に駆動ＩＣが実装される複数の配線で構成される配線パターンが設けられた封止基板（配線基板）とを有するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、このような配線パターンは、一般的に、スパッタリング法等により、封止基板上に金属材料等からなる配線膜を全面に形成し、レジスト膜等をマスクとしてこの配線膜をウェットエッチングすることによって所定形状にパターニングされる。また、配線膜をウェットエッチングする際には、エッチング液に配線膜が形成された封止基板を浸漬させ、この封止基板を揺動させている。すなわち、エッチング液に流れを生じさせた状態で配線膜をエッチングしている。
【０００４】
ここで、例えば、上記封止基板には、圧電素子と駆動ＩＣとを電気的に接続するための接続配線が設けられる貫通孔やリザーバ部等、封止基板を厚さ方向に貫通する貫通部が形成されている。
【０００５】
そして、このような封止基板にウェットエッチングによって配線パターンを形成すると、封止基板の貫通部近傍では、例えば、エッチング液の流速が速くなる等の要因によって配線膜がサイドエッチングされ易くなり、貫通部近傍に形成される配線の幅が細くなり断線等の不良が発生するという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−０５３０７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑み、貫通部を有する基板表面に配線パターンを良好に形成することができる配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、厚さ方向に貫通する貫通部を有する基板表面に複数の配線で構成される配線パターンを設けた配線基板の製造方法であって、前記基板の少なくとも一方の面に配線膜を形成する工程と、該配線膜上に所定パターンのレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして前記配線膜をウェットエッチングすることによって所定形状にパターニングして前記貫通部の周縁近傍を含む領域に配線パターンを形成する工程とを有し、且つ前記配線パターンを形成する工程と同時又はそれ以前に、前記基板上の前記配線パターンと前記貫通部との間の領域の少なくとも一部に当該貫通部の周縁に沿ってダミー配線を形成する工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法にある。
かかる第１の態様では、ダミー配線を形成することで、配線パターンをウェットエッチングによって形成する際に配線パターンとなる配線膜がサイドエッチングされてしまうのを防止することができ、配線パターンを構成する各配線を所望の幅で良好に形成することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、前記貫通部の開口形状が角部を有する形状であり、前記ダミー配線をこの貫通部の角部に対応する領域に少なくとも形成することを特徴とする第１の態様の配線基板の製造方法にある。
かかる第２の態様では、配線パターンとなる配線膜がサイドエッチングされてしまうのをより確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、前記貫通部の角部に対応する領域の前記ダミー配線が曲線状に形成されていることを特徴とする第２の態様の配線基板の製造方法にある。
かかる第３の態様では、ダミー配線のサイドエッチング量が抑えられるため、配線パターンとなる配線膜がサイドエッチングされてしまうのをさらに確実に防止することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、前記配線膜をパターニングすることによって当該配線膜からなるダミー配線を前記配線パターンと同時に形成することを特徴とする第１〜３の何れかの態様の配線基板の製造方法にある。
かかる第４の態様では、製造工程を煩雑化することなくダミー配線を形成することができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、前記配線膜が、前記基板上に設けられる密着膜と、該密着膜上に設けられる金属膜とで構成されることを特徴とする第１〜４の何れかの態様の配線基板の製造方法にある。
かかる第５の態様では、密着性に優れた複数の配線からなる配線パターンを形成することができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、前記配線パターンを形成する工程が、前記金属膜をエッチングする第１の工程と、前記密着膜をエッチングする第２の工程と、前記金属膜を再びエッチングする第３の工程とを含み、各配線を構成する金属膜の幅が密着膜の幅よりも狭くなるようにすることを特徴とする第５の態様の配線基板の製造方法にある。
かかる第６の態様は、金属膜の剥離の発生を防止することができ、配線パターンを極めて良好に形成することができる。また、このような工程で配線パターンを形成すると、エッチング時間が長くなるが、ダミー配線を形成することで、各配線が所望の幅で良好に形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る製造方法によって製造された保護基板（配線基板）を具備するインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、インクジェット式記録ヘッドの断面図である。図３は、保護基板上の配線構造を示す平面図であり、図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その両面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。
【００１５】
この流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁によって区画された複数の圧力発生室１２が幅方向に並設されている。例えば、本実施形態では、複数の圧力発生室１２が２列に並設されている。また、各圧力発生室１２の列の外側には、各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成する連通部１３がそれぞれ形成され、各圧力発生室１２の長手方向一端部とそれぞれインク供給路１４を介して連通されている。
【００１６】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、あるいはステンレス鋼（ＳＵＳ）などからなる。
【００１７】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等からなる絶縁体膜５５が積層形成されている。また、絶縁体膜５５上には、下電極膜６０と圧電体層７０と上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。例えば、本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００１８】
さらに、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０の端部近傍には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続され、このリード電極９０は、後述するように圧電素子３００を駆動するための駆動回路に接続される。
【００１９】
また、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０には、インク供給路１４とは反対側の端部近傍から引き出され、圧力発生室１２の列間に対向する領域の弾性膜５０上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。
【００２０】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、厚さ方向に貫通する貫通部を有すると共に表面に配線パターンが形成された配線基板、本実施形態では、保護基板３０が接合されている。この保護基板３０は、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００を保護するための空間である圧電素子保持部３１を有し、圧電素子３００はこの圧電素子３００内に配置されている。なお、圧電素子保持部３１は、密封されていても密封されていなくてもよい。
【００２１】
また、保護基板３０には、連通部１３に対向する領域に、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通部であるリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０には、圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、貫通部である接続孔３３が設けられ、この接続孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。
【００２２】
なお、保護基板３０は、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、例えば、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２３】
そして、この保護基板３０上には、接続孔３３の両側、すなわち、圧力発生室１２の各列に対向する領域に、各列の圧電素子３００をそれぞれ選択的に駆動するための２つの駆動ＩＣ１１０が実装されている。すなわち、保護基板３０上には、接続孔３３の周囲に複数の配線１２１で構成される所定形状の配線パターン１２０が設けられており、２つの駆動ＩＣ１１０は、この配線パターン１２０上に実装されている。この配線パターン１２０を構成する各配線１２１は、詳しくは後述するが、密着膜と密着膜上に設けられる金属膜からなる配線膜をパターニングすることによって形成される。また、保護基板３０は、長辺が数十ｍｍ程度の極めて微小な基板であるため、配線パターン１２０は、接続孔３３の近傍を保護基板３０表面の広い領域に形成されている。
【００２４】
なお、配線パターン１２０には、例えば、ＦＰＣ等の外部配線（図示なし）が電気的に接続され、この外部配線からの駆動信号及び駆動電圧が、配線パターン１２０を介して各駆動ＩＣ１１０に供給されるようになっている。また、駆動ＩＣ１１０の上面には、各圧電素子３００に対応して出力端子１１１が設けられており、この出力端子１１１は、ボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなり接続孔３３内に設けられる出力用接続配線１１５を介して各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０と電気的に接続されている。
【００２５】
また、保護基板３０上には、配線パターン１２０と、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通部である接続孔３３との間の領域に、駆動信号等が供給されることのないダミー配線１３０が、接続孔３３の周囲に亘って連続的に形成されている。このダミー配線１３０は、本実施形態では、後述するように配線パターン１２０と同時に形成され、各配線１２１と同様、密着膜と金属膜とからなる配線膜で構成されている。
【００２６】
保護基板３０上には、リザーバ部３２に対向する領域に、例えば、ＰＰＳフィルム等の可撓性を有する材料からなる封止膜４１及び、金属材料等の硬質材料からなる固定板４２とで構成されるコンプライアンス基板４０が接合されている。固定板４２のリザーバ部３２に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ部３２の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２７】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口４４からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ１１０からの駆動信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に駆動電圧を印加し、弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２８】
以下、配線基板である保護基板３０の製造方法、特に、保護基板３０上に配線パターン１２０を形成する方法について説明する。なお、図４は、保護基板の製造工程を示す断面図であり、図５は、保護基板の製造工程を示す拡大断面図であり、図６は、保護基板の接続孔近傍を示す平面図である。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、まずは保護基板３０となるシリコン基板１５０に、圧電素子保持部３１を形成すると共に、貫通部であるリザーバ部３２及び接続孔３３を形成する。これら圧電素子保持部３１等の形成方法は特に限定されないが、例えば、本実施形態では、シリコン基板１５０をその表面に形成した二酸化シリコン膜（図示なし）をマスクとしてウェットエッチングすることによって形成している。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１５０上に密着膜１２２と金属膜１２３とをスパッタリング法等によって順次積層し、シリコン基板１５０表面にこれら密着膜１２２と金属膜１２３とからなる配線膜１２４を全面に亘って形成する。配線膜１２４を構成する金属膜１２３の材料は、比較的導電性の高い材料であれば特に限定されないが、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等を用いることが好ましい。例えば、本実施形態では、金属膜１２３の材料として金（Ａｕ）を用い、金属膜１２３を１μｍ程度の厚さで形成した。密着膜１２２は、金属膜１２３とシリコン基板１５０との密着性を確保するための役割を果たすものであり、その材料は金属膜１２３の材料に応じて適宜決定されればよいが、例えば、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）又はクロム（Ｃｒ）、若しくはこれらの化合物等が好適に用いられる。例えば、本実施形態では、金属膜１２３が金（Ａｕ）からなるため、密着膜１２２の材料としてニッケルクロム（ＮｉＣｒ）を用いている。なお、密着膜１２２の厚さは５０ｎｍ程度である。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示すように、金属膜１２３上にレジストを塗布等することによりレジスト膜１６０を形成する。具体的には、例えば、ネガレジストをスピンコート法等により金属膜１２３上に塗布し、その後、所定形状のマスクを用いて露光・現像・ベーク等を行うことによって所定パターンのレジスト膜１６０を形成する。勿論、ネガレジストの代わりにポジレジストを用いてもよい。
【００３２】
次に、図４（ｄ）に示すように、このレジスト膜１６０をマスクとして配線膜１２４、すなわち金属膜１２３及び密着膜１２２をウェットエッチングすることにより、複数の配線１２１からなる配線パターン１２０を形成する。また、本実施形態では、このように配線パターン１２０を形成する際に、同時にダミー配線１３０を形成している。すなわち、レジスト膜１６０をマスクとして配線膜１２４をウェットエッチングすることにより、配線パターン１２０を形成すると共に、配線パターン１２０（配線１２１）と貫通部である接続孔３３との間の領域に、接続孔３３の周縁に沿ってダミー配線１３０を形成している（図３参照）。
【００３３】
これら配線パターン１２０及びダミー配線１３０の形成手順としては、まず図５（ａ）に示すように、レジスト膜１６０をマスクとして金属膜１２３をウェットエッチングして所定形状にパターニングする。すなわち、密着膜１２２が露出するまで金属膜１２３をウェットエッチングする。次いで、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜１６０をマスクとして密着膜１２２をウェットエッチングして所定形状にパターニングする。すなわち、シリコン基板１５０の表面が露出するまで密着膜１２２をウェットエッチングする。このとき、密着膜１２２は、深さ方向にエッチングされると共に面内方向にもエッチング（サイドエッチング）され、金属膜１２３の下側の一部まで除去されてしまう。なお、このように密着膜１２２がサイドエッチングされてしまうのは、金属膜１２３と密着膜１２２との間で生じる電食反応に起因するものと考えられる。そして、このように密着膜１２２が金属膜１２３の下側まで除去された状態では、金属膜１２３が剥離し易い。このため、本実施形態では、密着膜１２２をパターニングした後に、図５（ｃ）に示すように、金属膜１２３の端部が密着膜１２２上に位置するように、金属膜１２３をさらにエッチング（サイドエッチング）している。これにより、金属膜１２３の剥離を防止することができる。図示しないが、その後、レジスト膜１６０を除去することにより、複数の配線１２１からなる配線パターン１２０及びダミー配線１３０が形成される。すなわち、配線パターン１２０を有する配線基板である保護基板３０が形成される。
【００３４】
なお、実際には、このような保護基板３０は、シリコンウェハに複数一体的に形成された後、所定の大きさに分割される。
【００３５】
ここで、このような配線膜１２４（金属膜１２３及び密着膜１２２）のエッチングは、配線膜１２４を形成したシリコン基板１５０を所定のエッチング液に浸漬させ、このシリコン基板１５０をエッチング液中で揺動させながら、すなわち、エッチング液に流れを生じさせた状態で行っている。そして、シリコン基板１５０に形成されている貫通部、例えば、接続孔３３の開口縁部近傍では、接続孔３３内を通過するエッチング液の流れ等の影響によってエッチング液の流速が速くなるせいか、配線膜１２４（金属膜１２３及び密着膜１２２）がエッチング（サイドエッチング）され易い。このため、接続孔３３の周囲に設けられる配線１２１の幅が所望の幅よりも細くなってしまう場合がある。接続孔３３の開口形状が角部を有する形状である場合、この角部に対応する領域では、特にこのような現象が発生し易い。
【００３６】
しかしながら、本実施形態では、ウェットエッチングより配線パターン１２０を形成するのと同時に、この配線パターン１２０と接続孔３３との間の領域にダミー配線１３０を設けるようにしたので、配線パターン１２０を構成する各配線１２１の幅が細くなってしまうことがない。すなわち、ダミー配線１３０が堤防の役割を果たし、ダミー配線１３０自体がサイドエッチングされて幅が細くなることはあるが、配線パターン１２０を構成する各配線１２１が所望の幅よりも細くなってしまうのを防止することができる。したがって、所望の形状を有する配線パターン１２０を極めて良好に形成することができる。
【００３７】
このようなダミー配線１３０の幅は、特に限定されないが、できるだけ広く形成しておくのが好ましい。ダミー配線１３０の幅が細すぎると、ダミー配線１３０がサイドエッチングされたときに、ダミー配線１３０上のレジスト膜１６０が脱落して異物となってしまう等の問題が生じる虞がある。
【００３８】
なお、本実施形態では、ダミー配線１３０を、接続孔３３の周囲に、接続孔３３の開口形状に沿って形成するようにしている。このため、接続孔３３の角部３３ａに対応して、ダミー配線１３０にも角部１３０ａが存在する（図５参照）。ダミー配線１３０を比較的広い幅で形成できる場合には、ダミー配線１３０にこのような角部１３０ａが存在していてもよいが、角部１３０ａが存在すると、この角部１３０ａからサイドエッチングが進行し易い。このため、ダミー配線１３０には、このような角部１３０ａが存在しないようにするのが望ましい。例えば、図６に示すように、接続孔３３の角部３３ａに対応する領域のダミー配線１３０を曲線状に形成し、ダミー配線１３０に角部が存在しないようにするのが好ましい。これにより、配線パターン１２０を構成する各配線１２１の幅が細くなってしまうのをより確実に防止することができる。
【００３９】
なお、本実施形態では、ダミー配線１３０を残すようにしているが、最終的に除去するようにしてもよい。ただし、その場合には、配線パターン１２０を構成する各配線１２１に悪影響を及ぼすことがないように除去する必要がある。
【００４０】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を説明したが、インクジェット式記録ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。上述の実施形態では、シリコン基板１５０上に形成した配線膜１２４（密着膜１２２及び金属膜１２３）をパターニングすることにより、配線パターン１２０と同時にダミー配線１３０を形成するようにしたが、本発明は、これに限定されるものではない。ダミー配線を、配線パターンを形成する前に形成するようにしてもよく、またダミー配線を、配線パターンとは異なる材料で形成するようにしてもよい。何れにしても、配線膜をウェットエッチングによってパターニングして配線パターンを形成する際に、ダミー配線が形成されていれば、上述した効果が得られる。
【００４１】
また、上述の実施形態では、ダミー配線を接続孔の周囲に亘って連続的に形成するようにしたが、これに限定されず、ダミー配線は、接続孔の周囲の一部に設けられていてもよい。例えば、エッチング液の流速の速さに起因する各配線のサイドエッチングが起こり易い接続孔の角部に対応する領域のみにダミー配線を形成するようにしてもよい。
【００４２】
さらに、上述の実施形態では、貫通部である接続孔と配線パターンとの間の領域にダミー配線を形成するようにしたが、ダミー配線を形成する領域は、勿論、接続孔の周囲に限定されるものではない。例えば、リザーバ部、他の貫通部の近傍に配線パターンを形成する場合には、その貫通部と配線パターンとの間の領域にダミー配線を形成してもよい。
【００４３】
また、上述の実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを一例として本発明を説明したが、本発明は、他の液体噴射ヘッドの製造にも好適に用いられるものである。液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等を挙げることができる。
【００４４】
勿論、本発明は、このような液体噴射ヘッドだけでなく、貫通部を有する基板上に配線パターンを有するあらゆる配線基板の製造に適用可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】インクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図である。
【図２】インクジェット式記録ヘッドの断面図である。
【図３】保護基板上の配線構造を示す平面図である。
【図４】実施形態１に係る保護基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る保護基板の製造工程を示す拡大断面図である。
【図６】実施形態１に係る保護基板の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  流路形成基板、  ２０  ノズルプレート、  ３０  保護基板、  ３２  リザーバ部、  ３３  接続孔、  ４０  コンプライアンス基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  １１０  駆動ＩＣ、  １２０  配線パターン、  １２１  配線、  １２２  密着膜、  １２３  金属膜、  １２４  配線膜、  １３０  ダミー配線、  １５０  シリコン基板、  １６０  レジスト膜、  ３００  圧電素子
【図１】
2007266276.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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