(57)【要約】【課題】  回路基板の熱伝導性を向上させる。【解決手段】  回路基板１０は、銅箔からなる配線層２０と、配線層２０の上に形成された絶縁基材３０とを備える。絶縁基材３０は、絶縁性樹脂膜３２および充填材３４を含む。絶縁性樹脂膜３２には、膜厚方向に複数の穴３３が規則的に配列した状態で形成されている。複数の穴３３は、絶縁性樹脂膜３２を貫通している。複数の穴３３には、絶縁性樹脂膜３２より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材３４が充填されている。【選択図】        図１
2007067237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、
前記絶縁基材の一方の面に形成された配線層と、
を備え、
前記絶縁基材が、膜厚方向に複数の穴が形成された絶縁性樹脂膜と、
前記複数の穴に充填され、前記絶縁性樹脂膜より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材と、
を含むことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記複数の穴が前記絶縁性樹脂膜を貫通していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記複数の穴の深さが前記絶縁性樹脂膜の厚さ未満であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記絶縁性樹脂膜が可撓性を有する樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
絶縁性樹脂膜と、
前記絶縁性樹脂膜より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材と、
を有する絶縁基材と、
前記絶縁基材の一方の面に接する配線層と、
を備え、
前記配線層が前記絶縁基材に部分的に食い込むことにより、前記配線層と前記充填材とが接触していることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路基板と、
前記回路基板に実装され、前記回路基板中の前記配線層と電気的に接続された回路素子と、
を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項７】
膜厚方向に複数の非貫通穴が形成された絶縁性樹脂膜と、
前記複数の非貫通穴に充填され、前記絶縁性樹脂膜より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材と、有する絶縁基材と、
前記絶縁基材の上に形成された配線層と、
を備え、
屈曲することによって、前記配線層と前記充填材とが接触することを特徴とするフレキシブル基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の熱伝導性に関する。より具体的には、本発明は、回路基板に含まれる絶縁基材の熱伝導性に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit:大規模集積回路）の高性能・高機能化要求にともない、消費電力は増大している。また、携帯機器などの小型化要求にともない、高密度実装の必要性が高まっている。これらの要求により、回路基板の体積当たりの消費電力（熱密度）は、上昇の一途をたどっている。このため、近年では、回路装置の基板として、高い放熱性を有する金属基板を用いるとともに、その金属基板上に、ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）や、ＬＳＩなどの回路素子を装着している（たとえば、特許文献１参照）。また、従来では、金属基板上に、ハイブリッドＩＣ（Hybrid Integrated Circuit：混成集積回路）が形成された構造も知られている。ここで、ハイブリッドＩＣとは、ＩＣチップやコンデンサ、抵抗などの回路素子を一つの基板上にまとめて組み込んだ回路装置を意味する。図１０は、上記特許文献１に開示された従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。図１０を参照して、従来の回路装置では、アルミニウムからなる金属基板１０１上に、絶縁層として機能するとともに、充填材としてのシリカが添加された樹脂層１０２が形成されている。樹脂層１０２上の所定領域には、樹脂からなる接着層１０３ａを介してＩＣチップ１０４が装着されている。また、樹脂層１０２上のＩＣチップ１０４の端部から所定の間隔を隔てた領域には、接着層１０３ｂを介して銅からなる金属配線１０５が形成されている。この金属配線１０５と金属基板１０１とは、樹脂層１０２によって絶縁されている。また、金属配線１０５とＩＣチップ１０４とは、ワイヤ１０６によって電気的に接続されている。
【０００３】
図１０に示した従来の回路装置では、アルミニウムからなる金属基板１０１を用いるとともに、その金属基板１０１上に、樹脂層１０２を介してＩＣチップ１０４を装着することによって、ＩＣチップ１０４から多量の熱が発生したとしても、その熱を金属基板１０１により放熱することを可能としている。
【０００４】
また、樹脂層に充填材を充填する場合の充填率に関しては、特許文献２などに示されている。一方、特許文献３では、回路導体同士を電気的に接続するスルーホール内に金属層を形成後、スルーホール内の平坦化のため、樹脂ペーストを充填することが提案されている。
【特許文献１】特開平８−２８８６０５号公報
【特許文献２】特開平９−３３１１２２号公報
【特許文献３】特開２００１−７５１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、絶縁層である樹脂にシリカ、アルミナなどの高熱伝導率材料の充填材を充填することで、熱伝導率を高めてきた。しかしながら、充填材の充填量が少ないと（典型的には、４０％以下）、熱伝導の効果が低い。逆に、充填材の充填量が多いと（典型的には、６０％以上）、熱伝導率が急上昇する一方で、充填量に対する熱伝導率の変化が敏感になるため、熱伝導率のバラツキ制御が困難になるという問題や、粘度上昇により成型不良を起こすなどの問題がある。つまり、充填材の充填量の制御性に課題がある。たとえば、図１１に示すように、絶縁膜１５０中の充填材１５１の充填量が少ない場合には、充填材１５１同士の接触が少ないため、熱伝導率の向上は少ない。
【０００６】
また、スルーホールを用いた熱伝導は、最も有効な熱伝導手段であるものの、電気的に接続される配線同士しか接続することができないことから、スルーホール密度は低くならざるを得ず、熱伝導の向上への寄与は低い。
【０００７】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱伝導性が向上した回路基板および回路装置の提供にある。また、本発明の他の目的は、充填材の充填量を容易かつ確実に制御することが可能な回路基板および回路装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある態様は、回路基板である。この回路基板は、絶縁基材と、絶縁基材の一方の面に形成された配線層と、を備え、絶縁基材が、膜厚方向に複数の穴が形成された絶縁性樹脂膜と、複数の穴に充填され、絶縁性樹脂膜より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材と、を含むことを特徴とする。この態様によれば、縁性樹脂膜の膜厚方向に熱伝導の経路が形成されるため、回路基板の膜厚方向の熱伝導性が向上する。また、穴の数や径などを調節することによって、充填材の量を容易かつ確実に制御することができる。
【０００９】
上記態様の回路基板において、複数の穴が絶縁性樹脂膜を貫通していてもよい。この態様によれば、配線層と充填材とが接するため、熱の伝導性が向上する。
【００１０】
また、上記態様の回路基板において、複数の穴の深さが絶縁性樹脂膜の厚さ未満であってもよい。この態様によれば、たとえば、屈曲性または可撓性を有する材料で絶縁樹脂膜を形成した場合に、屈曲する部分において、穴の下の絶縁樹脂膜が押しのけられ、配線層と充填材とが接触する。これにより、屈曲する部分における熱伝導性を向上させることができる。
【００１１】
また、上記態様の回路基板において、絶縁性樹脂膜が可撓性を有する樹脂で形成されていてもよい。この態様によれば、熱伝導性が良好なフレキシブル基板が提供される。
【００１２】
本発明のさらに他の態様は、回路基板である。この回路基板は、絶縁性樹脂膜と、絶縁性樹脂膜より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材と、を有する絶縁基材と、絶縁基材の一方の面に接する配線層と、を備え、配線層が絶縁基材に部分的に食い込むことにより、線層と充填材とが接触していることを特徴とする。この態様によれば、配線層の食い込み領域を、熱伝導性が要求される箇所に選択的に設けることにより、配線層の熱を効率的に外部に伝導させることができる。
【００１３】
本発明の他の態様は回路装置である。この回路装置は、上述したいずれかの回路基板と、回路基板に実装され、回路基板中の配線層と電気的に接続された回路素子と、を備えることを特徴とする。この態様によれば、熱伝導性が改良された回路装置が提供される。
【００１４】
本発明のさらに他の態様は、フレキシブル基板である。このフレキシブル基板は、膜厚方向に複数の非貫通穴が形成された絶縁性樹脂膜と、複数の非貫通穴に充填され、絶縁性樹脂膜より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材と、有する絶縁基材と、絶縁基材の上に形成された配線層と、を備え、屈曲することによって、配線層と充填材とが接触することを特徴とする。この態様によれば、熱がこもりやすいフレキシブル基板の屈曲部分における膜厚方向の熱伝導性が向上する。
【００１５】
なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、熱伝導性が向上した回路基板、回路装置、フレキシブル基板または表示装置が提供される。また、絶縁性樹脂膜に充填される充填材の量を容易かつ確実に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１８】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る回路基板１０の構造を示す断面図である。回路基板１０は、銅箔からなる配線層２０と、配線層２０の上に形成された絶縁基材３０とを備える。
【００１９】
配線層２０としては、屈曲性あるいは可撓性が必要とされる場合には、圧延銅箔を用いることができ、屈曲性あるいは可撓性が必要とされない場合には、電解銅箔を用いることができる。
【００２０】
絶縁基材３０は、絶縁性樹脂膜３２および充填材３４を含む。絶縁性樹脂膜３２としては、屈曲性あるいは可撓性が必要とされない場合には、たとえば、エポキシ樹脂が用いられ、屈曲性あるいは可撓性が必要とされる場合には、たとえば、ポリイミド、液晶ポリマーフィルム、ポリエーテルケトン類、ポリフェニレンサルファイド、シンジオタクチックポリスチレンなどが用いられる。
【００２１】
絶縁性樹脂膜３２には、膜厚方向に複数の穴３３が形成されている。本実施形態では、絶縁性樹脂膜３２の膜面に複数の穴３３が規則的に配列されている。また、複数の穴３３は、絶縁性樹脂膜３２を貫通している。複数の穴３３には、絶縁性樹脂膜３２より熱伝導率が高く、かつ絶縁性の充填材３４が充填されている。充填材３４は、アルミナ（熱伝導率：１８Ｗ／（ｍ・Ｋ））、窒化ホウ素（熱伝導率：６０Ｗ／（ｍ・Ｋ））、窒化アルミニウム（熱伝導率：１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ））からなる群から選ばれている。なお、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの熱伝導率は、いずれも０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、充填材３４として例示した材料の方が熱伝導率が高い。
【００２２】
絶縁性樹脂膜３２の膜厚方向に熱伝導の経路が形成されているため、膜厚方向の熱伝導性に優れた回路基板１０が提供される。また、絶縁性樹脂膜３２に形成する複数の穴３３の数、穴の径などを調節することによって、充填材の量を容易かつ確実に制御することができる。このため、充填材の充填率を６０％以上にしても、回路基板１０の熱伝導率を適切に設定することができる。また、絶縁性樹脂膜３２の膜面に複数の穴３３が規則的に配列することにより、膜面方向の熱伝導率が均一化が図られる。また、穴３３が絶縁性樹脂膜３２を貫通していることにより、配線層２０と充填材３４とが接するため、熱の伝導性が向上する。
【００２３】
本実施形態の回路基板１０に、ＬＳＩチップ、ＩＣチップなどの半導体素子や、キャパシタ、抵抗などの受動素子などの回路素子を実装し、配線層２０と電気的に接続することにより、熱伝導性に優れた回路装置が得られる。
【００２４】
（絶縁基材および複合基材の製造方法）
図２は、実施形態１の回路基板１０の製造方法を示す工程断面図である。
【００２５】
まず、図２（Ａ）に示すように、配線層２０と絶縁性樹脂膜３２とが貼り合わされた構造体を形成する。配線層２０と絶縁性樹脂膜３２とを貼り合わす方法としては、スパッタまたはメッキなどにより絶縁性樹脂膜３２の上に銅を成膜するメタライゼーション法、銅箔にポリイミドなどの前駆体を塗布、乾燥、硬化するキャスティング法、熱可塑性のポリイミドなどを銅箔に熱圧着するラミネート法などがある。
【００２６】
次に、図２（Ｂ）に示すように、充填材を充填するための凹部３３を絶縁性樹脂膜３２に形成する。この凹部３３は、たとえば、キャスティング法により絶縁性樹脂膜３２を形成した場合には、絶縁性樹脂膜３２が硬化する前に、凹部３３を型取るための突起を有する型を硬化する前の絶縁性樹脂膜３２に押し当てた後、型を外す方法（インプリント方法）により形成することができる。これにより、多数の凹部３３を簡便かつ確実に形成することができる。なお、この凹部３３の直径は絶縁性樹脂膜３２の膜厚の半分程度が望ましい。
【００２７】
次に、図２（Ｃ）に示すように、熱伝導率が高く、電気絶縁性を備えた充填材３４を各凹部３３に充填する。充填材３４としては、たとえば、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどを用いることができる。充填材３４を凹部３３に充填する場合には、たとえば各凹部３３の領域を開口とするマスクを用いてスクリーン印刷する手法を適用することができる。以上の工程により、膜厚方向の熱伝導性が改良された回路基板１０が製造される。
【００２８】
（実施形態２）
図３は、実施形態２に係る回路基板１１の構造を示す断面図である。回路基板１１の説明において、回路基板１０と同様な構成については説明を適宜省略する。
【００２９】
回路基板１１は、銅箔からなる配線層２０と、配線層２０の上に形成された絶縁基材３０とを備える。絶縁基材３０は、絶縁性樹脂膜３２および充填材３４を含む。実施形態１の回路基板１０では、穴３３が絶縁性樹脂膜３２を貫通しているが、本実施形態では、絶縁性樹脂膜３２を貫通しない非貫通穴３５に充填材３４が充填されている。すなわち、複数の非貫通穴３５の深さが絶縁性樹脂膜３２の厚さ未満である。このような非貫通穴は３５、たとえば、実施形態１の製造方法で説明したインプリント法において、型の凸部の高さを絶縁性樹脂膜３２の膜厚より小さくすることにより形成可能である。
【００３０】
本実施形態のように、非貫通穴３５に充填材３４を充填することにより、たとえば、屈曲性または可撓性を有する材料で絶縁性樹脂膜３２を形成した場合に、屈曲する部分において、非貫通穴３５の下の絶縁性樹脂膜３２が押しのけられ、配線層２０と充填材３４とが接触する。これにより、屈曲する部分における熱伝導性を向上させることができる。
【００３１】
（実施形態３）
図４は、実施形態３に係る回路基板１２の構造を示す断面図である。回路基板１２の説明において、回路基板１０と同様な構成については説明を適宜省略する。
【００３２】
回路基板１１は、銅、アルミニウムなどの金属からなる金属基板５０と、金属基板５０の上に積層された複数の配線層２０および絶縁基材３０を有する。各絶縁基材３０は、実施形態１と同様に、絶縁性樹脂膜３２および充填材３４を含む。層が異なる配線層２０間は、絶縁基材３０を貫通するビアプラグ（図示せず）により電気的に接続されている。本実施形態のように、多層配線構造を配線層２０および絶縁基材３０で形成することにより、膜厚方向の熱伝導性が向上し、配線層２０などで発生した熱が金属基板５０に速やかに伝導するため、放熱性に優れた多層配線構造を有する回路基板が実現される。
【００３３】
（実施形態４）
図５は、実施形態４に係るフレキシブル基板１３の構造を示す断面図である。フレキシブル基板１３の説明において、回路基板１０と同様な構成については説明を適宜省略する。
【００３４】
フレキシブル基板１３は、銅箔からなる配線層２０と、配線層２０の上に形成された絶縁基材３０とを備える。各絶縁基材３０は、実施形態１と同様に、絶縁性樹脂膜３２および充填材３４を含む。充填材３４は、絶縁性樹脂膜３２を貫通する穴３３に充填されている。絶縁基材３０には、配線層２０が形成された面と反対側にも、銅箔からなる配線層２１が形成されている。配線層２０および配線層２１は、ポリイミドなどの屈曲性または可撓性を有する材料で形成された樹脂層６０、樹脂層６１によりそれぞれ被覆されている。
【００３５】
このように、配線層２０および配線層２１が接する絶縁基材３０に膜厚方向に充填材３４を形成することにより、フレキシブル基板１３の膜厚方向の熱伝導性が向上する。
【００３６】
（実施形態５）
図６（Ａ）は、実施形態５に係るフレキシブル基板１４の構造を示す断面図である。図６（Ｂ）は、実施形態５のフレキシブル基板１４を屈曲させた状態を示す断面図である。
【００３７】
フレキシブル基板１４の説明において、実施形態４のフレキシブル基板１３と同様な構成については説明を適宜省略する。
【００３８】
実施形態４のフレキシブル基板１３では、充填材３４は、絶縁性樹脂膜３２を貫通する穴３３に充填されているが、実施形態５のフレキシブル基板１４では、充填材３４は、絶縁性樹脂膜３２に設けられた非貫通穴３５に充填されている。このため、図６（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板１４を屈曲させると、屈曲部分において、非貫通穴３５と配線層２０との間の絶縁性樹脂膜３２が押しのけられ、充填材３４と配線層２０とが接触する。これにより、熱がこもりやすい屈曲部分における膜厚方向の熱伝導性が向上する。
【００３９】
（実施形態６）
図７は、実施形態６に係る回路基板１５の構造を示す断面図である。回路基板１５の説明において、回路基板１０と同様な構成については説明を適宜省略する。
【００４０】
本実施形態の回路基板１５は、配線層２０、配線層２１および絶縁基材３０を備える。絶縁基材３０の一方の面に配線層２０が形成され、絶縁基材３０の他方の面に配線層２１が形成されている。絶縁基材３０は、絶縁性樹脂膜３２および充填材３７を含む。充填材３７の粒径は、絶縁性樹脂膜３２の膜厚より小さく、絶縁性樹脂膜３２の膜厚と配線層２０が食い込んでいる深さとの差に相当している。充填材３７は、絶縁性樹脂膜３２が配線層２０と接している面と反対側の面に一部が露出している。配線層２０は、絶縁基材３０に部分的に食い込んでいる食い込み領域２２を有する。食い込み領域２２は、たとえば、配線層２０を所定の型で絶縁基材３０の方向に押し込むことにより形成されうる。この食い込み領域２２において、絶縁性樹脂膜３２が押しのけられ、配線層２０と充填材３７とが接触している。
【００４１】
これにより、配線層２０の熱が充填材３７を経由して絶縁性樹脂膜３２の膜厚方向に速やかに伝導するため、回路基板１５の熱伝導性が向上する。
【００４２】
また、配線層２０の食い込み領域２２を、熱伝導性が要求される箇所に選択的に設けることにより、配線層２０の熱を効率的に外部に伝導させることができる。
【００４３】
なお、絶縁性樹脂膜３２をポリイミドなどの可撓性を有する樹脂で形成することにより、回路基板１５をフレキシブル基板とすることができる。この場合には、最外層に配線層２０および配線層２１を保護する樹脂層（図示せず）が設けられる。
【００４４】
（実施形態７）
図８は、実施形態７に係る表示装置７０の構造を示す断面図である。実施形態７に係る表示装置７０は、いわゆる電子ペーパーと知られる屈曲性を有する表示装置である。
【００４５】
前面基板８０と背面基板として機能する絶縁基材３０が所定の間隔で対向配置されている。前面基板８０は、透光性を有し、たとえば、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性樹脂によって形成されている。
【００４６】
前面基板８０および絶縁性樹脂膜３２の対向面には、それぞれ、透明電極８２および透明電極８２と対となる電極として機能する配線層２０が設けられている。透明電極８２は、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電膜で形成されている。
【００４７】
透明電極８２と配線層２０の間に、バインダ１１２および球形状の複数のマイクロカプセル１１４からなる表示層１１０が設けられている。
【００４８】
個々のマイクロカプセル１１４には、分散媒１１６と分散媒１１６に分散された電気泳動粒子１１８とが、マイクロカプセル化法に予め封入されている。電気泳動粒子１１８は、たとえば、白色顔料等の電気泳動粒子で構成される。また、分散媒１１６は、たとえば黒色の着色剤で着色された着色分散媒で構成される。
【００４９】
バインダ１１２は、透明な樹脂で形成されている。バインダ１１２の材料として、たとえば、シリコーン系の化合物、アクリル系、エステル系またはウレタン系の樹脂を用いることができる。
【００５０】
透明電極８２と配線層２０との間に所定の電圧を印加することにより、マイクロカプセル１１４内の電気泳動粒子１１８が上下に移動し、前面基板８０側から見たときに白または黒の画素が形成される。
【００５１】
本実施形態のように、背面基板として実施形態１で説明した絶縁基材３０を用いることにより、放熱性に優れた電子ペーパーが実現される。
【００５２】
なお、マイクロカプセル１１４に代えて、バインダ１１２中に回転可能に設けられ、正または負の帯電領域ごとに、２色に塗り分けられた帯電ビーズを用いてもよい。
【００５３】
（実施形態８）
図９は、実施形態８に係る回路装置１２０の構造を示す断面図である。本実施形態では、可撓性を有する絶縁基材３０の上に、所定パターンの配線層２０が形成されている。すなわち、絶縁基材３０および配線層２０はフレキシブル基板である。配線層２０の所定領域に、ＬＳＩチップ１２１が、電極形成面となる表面にアレイ状に配設されたハンダバンプ１２２を介して、フリップチップ接続されている。同様に、配線層２０の他の所定領域に、ＬＳＩチップ１２３が、電極形成面となる表面にアレイ状に配設されたハンダバンプ１２４を介して、フリップチップ接続されている。
【００５４】
このように、フレキシブル基板の上に、複数のＬＳＩチップを実装することにより、その屈曲性の高さゆえ、折り曲げが可能な高密度３次元実装モジュールが実現される。さらに、絶縁基材３０の熱伝導性が向上しているため、３次元実装のさらなる高密度化を実現することができる。
【００５５】
本発明は、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施形態１に係る回路基板の構造を示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）−（Ｃ）は、実施形態１の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】実施形態２に係る回路基板の構造を示す断面図である。
【図４】実施形態３に係る回路基板の構造を示す断面図である。
【図５】実施形態４に係るフレキシブル基板の構造を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、実施形態５に係るフレキシブル基板の構造を示す断面図であり、図６（Ｂ）は、実施形態５のフレキシブル基板を屈曲させた状態を示す断面図である。
【図７】実施形態６に係る回路基板の構造を示す断面図である。
【図８】実施形態７に係る表示装置の構造を示す断面図である。
【図９】実施形態８に係る回路装置の構造を示す断面図である。
【図１０】従来の回路装置の構造を概略的に示した断面図である。
【図１１】従来の絶縁膜に充填された充填材の状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  回路基板、２０  配線層、３０  絶縁基材、３２  絶縁性樹脂膜、３３  穴、３４  充填材、３５  非貫通穴。
【図１】
2007067237.tif 000003
【図２】
2007067237.tif 000004
【図３】
2007067237.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007067237.tif 000007
【図６】
2007067237.tif 000008
【図７】
2007067237.tif 000009
【図８】
2007067237.tif 000010
【図９】
2007067237.tif 000011
【図１０】
2007067237.tif 000012
【図１１】
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