(57)【要約】【課題】記録時にノイズの発生を防止して正確な情報記録を行うことができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること。【解決手段】非磁性層６の媒体対向面側から奥に向う深さを規定するＧｄ規定層４を、下部コア層２を含む基体上に形成し、非磁性層６を介在させた一対の磁極層５，７で構成された磁極層１３を基体上に形成し、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面が非磁性層６の間に位置するようにＧｄ規定層４を薄層化し、磁極層を狭幅化する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のコア層と、この一対のコア層の間に設けられ、非磁性層を介在させた一対の磁極層で構成された磁極部と、前記磁極部の下に形成されており、前記非磁性層の記録媒体側から奥に向う深さを規定するギャップデプス規定層と、を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁極部と前記ギャップデプス規定層との間の界面における前記ギャップデプス規定層の上面位置が前記非磁性層の上下面の間にあることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
非磁性層の記録媒体側から奥に向う深さを規定するギャップデプス規定層を下部コア層を含む基体上に形成する工程と、前記非磁性層を介在させた一対の磁極層で構成された磁極部を前記基体上に形成する工程と、前記磁極部と前記ギャップデプス規定層との間の界面における前記ギャップデプス規定層の上面が前記非磁性層の上下面の間に位置するように前記ギャップデプス規定層を薄層化する工程と、前記磁極部を狭幅化する工程と、を具備することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ギャップデプス規定層の薄層化が反応性イオンエッチングで行われ、前記磁極部の狭幅化がイオンミリングで行われることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば浮上式薄膜磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
浮上式薄膜磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドとしては、図７に示す磁極部を備えたものがある（特許文献１参照）。この薄膜磁気ヘッドは、図７に示すように、下部コア層１０１上に、下部磁極層１０２、非磁性層１０３及び上部磁極層１０４を順次積層してなる磁極部を有する。また、この薄膜磁気ヘッドは、記録媒体との対向面からの磁極部の長さ（深さ）を規定するギャップデプス（Ｇｄ）規定層１０５を有する。このＧｄ規定層１０５は、上部磁極層１０４の中間部周辺までの厚さを有している。
【特許文献１】特開２００２−１９７６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
磁極部を形成する場合、下部コア層１０１上に凹部を有するレジスト層を形成し、その凹部にメッキにより下部磁極層１０２、非磁性層１０３及び上部磁極層１０４を形成する。磁極部の幅であるトラック幅は、近年の高密度化により非常に狭くなってきており、例えばトラック幅を２００ｎｍ以下に設定すると、このような方法で細い磁極部を形成することができない。このため、メッキによる磁極部の形成後に、矢印方向からミリング加工を行って磁極部の幅を細くする。
【０００４】
しかしながら、上記のようにＧｄ規定層１０５の上面位置が上部磁極層１０４の中央部まであると、磁極部をミリング加工する際に生じた磁性材料の微細粉がＧｄ規定層１０５の側壁に付着してしまい、これによりフリンジング（磁極部からの記録磁場の広がり）が生じる。このようにフリンジングが生じると、情報記録時にノイズが生じてしまい、正確な情報記録を行うことができなくなる。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、記録時にノイズの発生を防止して正確な情報記録を行うことができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、一対のコア層と、この一対のコア層の間に設けられ、非磁性層を介在させた一対の磁極層で構成された磁極部と、前記磁極部の下に形成されており、前記非磁性層の記録媒体側から奥に向う深さを規定するギャップデプス規定層と、を備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記磁極部と前記ギャップデプス規定層との間の界面における前記ギャップデプス規定層の上面位置が前記非磁性層の上下面の間にあることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、磁極部のミリング加工の際の再付着によるフリンジングを抑制することができ、これにより、情報記録時のノイズ発生を防止して、正確な情報記録を行うことができる。
【０００８】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、非磁性層の記録媒体側から奥に向う深さを規定するギャップデプス規定層を下部コア層を含む基体上に形成する工程と、前記非磁性層を介在させた一対の磁極層で構成された磁極部を前記基体上に形成する工程と、前記磁極部と前記ギャップデプス規定層との間の界面における前記ギャップデプス規定層の上面が前記非磁性層の上下面の間に位置するように前記ギャップデプス規定層を薄層化する工程と、前記磁極部を狭幅化する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記ギャップデプス規定層の薄層化が反応性イオンエッチングで行われ、前記磁極部の狭幅化がイオンミリングで行われることが好ましい。
【００１０】
これらの方法によれば、磁極部のミリング加工の際の再付着によるフリンジングを抑制することができるので、情報記録時のノイズ発生を防止して、正確な情報記録を行うことができる薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、非磁性層の記録媒体側から奥に向う深さを規定するギャップデプス規定層を下部コア層を含む基体上に形成し、前記非磁性層を介在させた一対の磁極層で構成された磁極部を前記基体上に形成し、前記磁極部と前記ギャップデプス規定層との間の界面における前記ギャップデプス規定層の上面が前記非磁性層の上下面の間に位置するように前記ギャップデプス規定層を薄層化し、前記磁極部を狭幅化する磁極部のミリング加工の際の再付着によるフリンジングを抑制するので、情報記録時のノイズ発生を防止して、正確な情報記録を行うことができる薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの一部を示す正面図であり、図２は、図１におけるII−II線に沿う部分縦断面図である。
【００１３】
本実施の形態においては、薄膜磁気ヘッドが記録用のインダクティブヘッドである場合について説明する。なお、本発明においては、インダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＡＭＲ（Anisotropic  Magneto-Resistive）ヘッド、ＧＭＲ（Giant  Magneto-Resistive）ヘッド、ＴＭＲ（Tunneling  Magneto-Resistive）ヘッドなど）が積層された構造であっても良い。
【００１４】
図１及び図２において参照符号２は、例えばＦｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）などの軟磁性合金で構成された下部コア層を示す。下部コア層２は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）などの軟磁性材料で構成されており、フレームメッキ法などにより形成される。下部コア層２の下側に再生用ヘッドが積層される場合、下部コア層２に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けても良く、あるいはシールド層を設けず、下部コア層２を再生用ヘッドの上部シールド層として機能させても良い。なお、下部コア層２のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の両側には絶縁層（図示せず）が形成されている。
【００１５】
図１に示すように、薄膜磁気ヘッド１の下部コア層２上には、メッキ下地層３、下部磁極層５、ギャップ層である非磁性層６、及び上部磁極層７が順次積層されており、これら下部磁極層５、非磁性層６及び上部磁極層７により磁極部１３が構成されている。
【００１６】
メッキ下地層３は、スパッタリング法などにより設けられ、下部コア層２と同じ材料で構成されても良く、異なる材料で構成されても良い。また、メッキ下地層３は、単層膜で構成されても良く、多層膜で構成されても良い。なお、メッキ下地層３は必要に応じて形成すれば良く、必須の構成層ではない。
【００１７】
下部磁極層５は、下部コア層２と磁気的に接続されており、下部コア層２と同じ材料で構成されても良く、異なる材料で構成されても良い。また、下部磁極層５は、単層膜で構成されても良く、多層膜で構成されても良い。なお、下部磁極層５の厚さは、例えば約０．２５μｍ〜約０．５μｍであることが好ましい。下部磁極層５の体積を大きくすることにより、高記録密度下における磁気飽和を抑制することができ、上部磁極層７から下部コア層２へ発生する漏れ磁界によるライトフリンジングを防止することができる。なお、下部磁極層５は、下部コア層２の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましく、このようにすることにより、磁気ギャップＧ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能となる。
【００１８】
非磁性層６は、アルミナなどの絶縁材料やＮｉＰなどの非磁性金属材料のような非磁性材料で構成される。また、非磁性層６は、本実施の形態においては、図１に示すように、磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が最も小さく形成された部分に配置されている。下部磁極層５、非磁性層６及び上部磁極層７を連続してメッキ形成することを考慮すると、非磁性層６は、非磁性金属材料で構成されることが好ましい。これにより、磁極部１３を容易に形成することができる。非磁性金属としては、ＮｉＰ，ＮｉＰｄ，ＮｉＷ，ＮｉＭｏ，ＮｉＲｈ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｃｒ，ＮｉＰＲｅのうち１種又は２種以上を選択することが好ましい。また、非磁性層６は、単層膜で構成されても良く、多層膜で構成されても良い。本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１においては、非磁性層６のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の最大幅を、約０．４μｍ以下、例えば約０．１μｍ〜約０．４μｍとすることが好ましい。また、非磁性層６の厚さは、例えば約０．０５μｍ〜０．１５μｍであることが好ましい。
【００１９】
上部磁極層７は、後述する上部コア層１２と磁気的に接続する。なお、上部磁極層７は、上部コア層１２と同じ材料で構成されても良く、異なる材料で構成されても良い。また、上部磁極層７は、単層膜で構成されても良く、多層膜で構成されても良い。上部磁極層７の厚さは、例えば約１．０μｍ〜約３．０μｍであることが好ましい。
【００２０】
上記構成を有する磁極部１３は、磁気ギャップＧからトラック幅Ｔｗの漏れ磁界により記録媒体に対し情報の書き込みを行う。磁極部１３は、図２に示すように、媒体対向面１４よりハイト方向（図示矢印Ｙ方向）の奥側（薄膜磁気ヘッドの深さ方向ともいう）で後述するギャップデプス（Ｇｄ）規定層４まで延在している。
【００２１】
磁極部１３の構成については、下部磁極層５、非磁性層６及び上部磁極層７の積層構造に限らず、非磁性層６及び上部磁極層７で構成されても良い。また、媒体対向面１４からみて、磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅は、磁極部１３に磁束を集中させることを考慮すると、下部コア層２のトラック幅方向の幅よりも狭くすることが好ましい。また、媒体対向面１４からみて、磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅は、後述する上部コア層１２のトラック幅方向の幅よりも狭いことがより好ましい。
【００２２】
磁極部１３の下部磁極層５は、図１に示すように、媒体対向面１４からみて、そのトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が、その膜厚方向（図示Ｚ軸方向）に非磁性層６から離れるにしたがって漸次大きくなるように形成されている。また、磁極部１３の上部磁極層７は、そのトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が、その膜厚方向（図示Ｚ軸方向）に非磁性層６から離れるにしたがって漸次大きくなるように形成されている。また、非磁性層６は、そのトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が、磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅のうち最も小さい部分を含むように形成されている。
【００２３】
磁極部１３を構成する下部磁極層５及び上部磁極層７は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材料で構成されても良く、異なる材料で構成されても良いが、記録密度を向上させるためには、非磁性層６に対向する下部磁極層５及び上部磁極層７は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層５及び上部磁極層７が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００２４】
図１に示すように、磁極部１３の基端から延びる下部コア層２の上面４０ａは、トラック幅方向（図示Ｘ軸方向）と平行な方向に延在しても良く、あるいは、上部コア層１２から離れる方向に傾斜する傾斜面４０ｂを有していても良い。下部コア層２の上面に傾斜面４０ｂが形成されることにより、ライトフリンジング（サイドフリンジング）の発生をより適切に低減させることができる。なお、傾斜面４０ｂの水平面とのなす角θ１は、ライトフリンジングの抑制効果や再生用ヘッドのノイズなどを考慮すると、約２°〜約１０°であることが好ましい。
【００２５】
図２に示すように、下部コア層２上（メッキ下地層を介しても良い）であって媒体対向面１４よりハイト方向（矢印Ｙ方向）奥側には、ギャップデプス（Ｇｄ）規定層４が形成されている。Ｇｄ規定層４は、レジストなどの有機絶縁材料、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やＳｉＯ2などの無機絶縁材料、Ｃｕなどの非磁性金属材料などの非磁性材料で構成される。上述のように、磁極部１３が媒体対向面よりＧｄ規定層４までハイト方向の奥側に延在しているので、媒体対向面より上部磁極層７と非磁性層６との間の接合面がＧｄ規定層４に接するまでの距離をギャップデプスＧｄとして規定することができる。なお、図１に示すように、Ｇｄ規定層４は、磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）両側に延在している。Ｇｄ規定層４のハイト方向（矢印Ｙ方向）の最大の長さＲは、約３μｍ〜約８μｍであることが好ましく、Ｇｄ規定層４の最大厚さ（矢印Ｚ方向）は、約０．７μｍ〜約３μｍであることが好ましい。
【００２６】
ここで、Ｇｄ規定層４の高さと磁極層１３との間の関係について説明する。図３は、本発明における薄膜磁気ヘッドのＧｄ規定層４の高さと磁極層１３との間の関係を説明するための図である。図３に示すように、本発明においては、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面位置Ａが非磁性層６の間にある。この場合において、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面位置Ａが非磁性層６の間にあれば良く、Ｇｄ規定層４のその他の領域における高さについては特に制限はない。したがって、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面位置Ａが非磁性層６の間であれば、Ｇｄ規定層４のその他の領域における高さが非磁性層６よりも上に位置しても非磁性層６よりも下に位置しても良い。Ｇｄ規定層４と非磁性層６との間でこのような位置関係を有することにより、磁極層１３をイオンミリングなどにより狭幅化してもサイドフリンジングの発生を有効に抑制することができる。これにより、情報記録時のノイズ発生を防止して、正確な情報記録を行うことができる。
【００２７】
図２に示すように、下部コア層２上であってＧｄ規定層４よりさらにハイト方向（矢印Ｙ方向）奥側には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）などの軟磁性合金で構成された接続層９が形成されている。ここでは、接続層９の上面は、上部磁極層７と上部コア層１２との間の接合面と略同一面となっている。また、接続層９は、多層膜で構成しても良く、Ｃｕなどの導電性材料で構成しても良い。
【００２８】
図１及び図２に示すように、磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）両側、Ｇｄ規定層４のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）両側及びハイト方向（矢印Ｙ方向）奥側並びに接続層９の周りには、絶縁層８が形成されている。絶縁層８は、例えば、ＡｌＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ，ＡｌＮ，Ａ１ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＳｉＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＮｉＯ，ＷＯ，ＷＯ3，ＢＮ，ＣｒＮ，ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で構成されていることが好ましい。また、ここでは、絶縁層８の上面は、上部磁極層７と上部コア層１２との間の接合面と略同一面とされている。
【００２９】
絶縁層８上には、コイル層１０が螺旋状に形成されている。ここでは、コイル層１０は、Ｃｕなどの導電性材料で構成された導電材料層１０ａと、この導電材料層１０ａを酸化から防止するＮｉなどで構成された導電性保護層１０ｂとで構成され、絶縁層８上に平面視において渦巻状に形成されている。コイル層１０は、下部コア層２と上部コア層１２との間に絶縁層を介した状態で配置され、コイル層１０に記録電流が与えられると、上部コア層１２、下部コア層２並びにこれら両層と磁気的に接続する上部磁極層７及び下部磁極層５に記録磁界が誘導され、媒体対向面１４における磁気ギャップＧからの漏れ磁界を発生させる。
【００３０】
コイル層１０を覆うように、例えば有機絶縁材料などの絶縁材料で構成された絶縁層１１が形成されている。絶縁層１１は、ノボラック樹脂などの有機絶縁材料で構成され、コイル層１０と上部コア層１２との間の絶縁性を確保している。
【００３１】
図１及び２に示すように、上部磁極層７及び絶縁層１１上には、例えば、フレームメッキ法で形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）などの軟磁性合金で構成された上部コア層１２が形成されている。上部コア層１２の先端部１２ａは、上部磁極層７と磁気的に結合されている。また、上部コア層１２の基端部１２ｂは、接続層９及びメッキ下地層３を介して下部コア層２と磁気的に接続されている。すなわち、上部コア層１２の先端部１２ａが媒体対向面１４から後方（矢印Ｙ方向）に引き込んだ位置に配置され、下部コア層２とメッキ下地層３と接続層９及び磁極部１３とで磁気ギャップＧを有する磁気回路を構成している。このように、上部コア層１２の先端部１２ａが媒体対向面１４から後方（矢印Ｙ方向）に引き込んだ位置に配置されることにより、さらに効果的にサイドフリンジングの発生を抑制することができる。なお、上部コア層１２は、絶縁層（図示せず）で覆われている。
【００３２】
なお、本実施の形態においては、コイル層が１層である場合について説明しているが、コイル層は２層以上で構成されていても良い。この場合、例えば下部コア層２上であって、磁極部１３のハイト方向（矢印Ｙ方向）後方の絶縁層８中に絶縁性を確保した状態でコイル層が埋設され、絶縁層８上にさらにコイル層１０が形成されることになる。このようにコイル層を多層化することにより、コイル層より発生する磁界を大きくすることができ、高記録密度化が可能になる。また、媒体対向面１４から接続層９までの距離を短く設定することができるので短磁路となり、高周波における記録により有利になる。
【００３３】
このようにして、一対のコア層２，１２と、この一対のコア層２，１２の間に設けられ、非磁性層６を介在させた一対の磁極層５，７で構成された積層体構造とを備えた薄膜磁気ヘッド１が構成されている。この薄膜磁気ヘッドにおいては、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面位置Ａが非磁性層６の間にあるので、磁極層１３をイオンミリングなどにより狭幅化してもサイドフリンジングの発生を有効に抑制することができる。これにより、情報記録時のノイズ発生を防止して、正確な情報記録を行うことができる。
【００３４】
次に、薄膜磁気ヘッド１の製造方法について説明する。本実施の形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、非磁性層６の媒体対向面側から奥に向う深さを規定するＧｄ規定層４を、下部コア層２を含む基体上に形成し、非磁性層６を介在させた一対の磁極層５，７で構成された磁極層１３を基体上に形成し、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面が非磁性層６の間に位置するようにＧｄ規定層４を薄層化し、磁極層を狭幅化する。ここで、基体とは、下部コア層２を含む下地構造をいい、下部コア層２より下層の構造に制限はない。また、Ｇｄ規定層４を基体上に形成する場合、下部コア層２上に直接Ｇｄ規定層４を形成しても良く、下部コア層２上にメッキ下地層３のような他の層を介してＧｄ規定層４を形成しても良い。
【００３５】
先ず、図４（ａ）に示すように、下部コア層２上にメッキ下地層３を形成する。さらに、メッキ下地層３上にＧｄ規定層４を形成する。Ｇｄ規定層４を形成する場合、まず、メッキ下地層３上にＧｄ規定層４を構成するＳｉＯ2やＴａ2Ｏ5などの無機絶縁材料の無機絶縁層を形成した後、無機絶縁層上にレジスト層を形成し、Ｇｄ規定層形成領域上にレジスト層が残存するようにレジスト層をパターニングし、残存したレジスト層をマスクとして無機絶縁層をイオンミリングやＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）などのドライエッチング法で除去してＧｄ規定層４を形成し、Ｇｄ規定層４上のレジスト層を除去する。なお、媒体対向面となる面１４ａからギャップデプス分だけハイト方向の位置に紫外線硬化樹脂などからなる有機絶縁層、例えばレジストを用いてＧｄ規定層４を直接矩形状に形成しても良い。
【００３６】
次いで、図４（ｂ）に示すように、メッキ下地層３上にレジスト層を塗布形成してＧｄ規定層４を覆い、このレジスト層をパターニングして媒体対向面になる面１４ａからＧｄ規定層４に至るような溝１７ａ及び接続層９に対応する孔１７ｂを形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、溝１７ａ内に電気メッキにより下部磁極層５、非磁性層６及び上部磁極層７を順次形成して磁極部１３を構成する。なお、磁極層１３としては、下部磁極層５を形成せずに、下部コア層２上に、メッキ下地層３（必要に応じて）、非磁性層６及び上部磁極層７を順次形成して構成しても良い。また、磁極部１３の形成と同時に、又は別に、孔１７ｂ内に接続層９を、電気メッキ法を用いて形成し、その後、図４（ｃ）に示すように、メッキ下地層３上のレジスト層１７を除去する。この状態においては、Ｇｄ規定層４の上面位置と磁極層１３との間の位置関係は図５に示すようになっている。
【００３７】
次いで、図４（ｄ）に示すように、ＲＩＥなどの方法により、Ｇｄ規定層４を薄層化する。Ｇｄ規定層４が、例えばＳｉＯ2やＴａ2Ｏ5などの無機絶縁材料で構成されていれば、ＣＦ4などのフッ素系ガスを用いたＲＩＥで薄層化し、Ｇｄ規定層４がレジストなど有機絶縁材料で構成されていれば、Ｏ2アッシングやＣＦ4などを用いたＲＩＥで薄層化する。この薄層化は、磁極層１３とＧｄ規定層４との間の界面におけるＧｄ規定層４の上面が非磁性層６の間に位置するように行う。なお、この薄層化については、サイドフリンジングの発生を抑えるために、ミリング以外の方法で行うことが好ましい。その後、磁極層１３を図２におけるＸ方向にイオンミリングして所望のトラック幅Ｔｗにする。
【００３８】
次いで、図４（ｅ）に示すように、下部コア層２上に絶縁層８を形成して磁極部１３と接続層９とを覆い、その後、絶縁層８をＣＭＰ法（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）で研磨して平坦化する。その後、スパッタリング法、電気めっき法及びフォトリソグラフィー技術を組み合わせて、平坦化された絶縁層８上にコイル層１０を形成する。そして、絶縁層８上に絶縁層１１を形成してコイル層１０を覆い、この絶縁層１１上に上部コア層１２をフレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。その後、図示しない絶縁層で覆われた上記薄膜磁気ヘッドのコイル層の引き回しや、外部端子を形成することにより、図１及び図２に示す本発明の薄膜磁気ヘッド１を製造する。
【００３９】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
上記のように製造した、図３に示す位置関係のＧｄ規定層６を有する薄膜磁気ヘッド（実施例）を用いて、実際に記録媒体に情報記録した。このときの記録用電流（Ｉｗ）とオーバーライト出力（Ｏｗ）との関係を調べた。その結果を図６に示す。また、比較のために、図７に示す位置関係のＧｄ規定層を有する薄膜磁気ヘッド（比較例）を用いて、実際に記録媒体に情報記録した。このときの記録用電流（Ｉｗ）とオーバーライト出力（Ｏｗ）との関係を調べた。その結果を図６に併記する。
【００４０】
図６から分かるように、実施例では、磁極層１３の狭幅化の際にフリンジングの発生が抑制されているので、記録用電流値に対してオーバーライト出力が比較的高く、情報記録時にノイズが生じずに、正確な情報記録を行うことができている。一方、比較例では、磁極層１３の狭幅化の際にフリンジングが発生しているので、記録用電流値に対してオーバーライト出力が比較的低く、情報記録時にノイズが生じ、正確な情報記録を行うことができない。特に、記録用電流が小さい場合にこの差が顕著である。
【００４１】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、本実施の形態における各層の材質や寸法、各プロセスなどは例示であり、それに限定されない。また、本発明は、磁極層と磁極層に隣接するＧｄ規定層とを有する構造を含むすべての薄膜磁気ヘッドに適用することができる。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの一部を示す正面図である。
【図２】図１におけるII−II線に沿う部分縦断面図である。
【図３】本発明における薄膜磁気ヘッドのＧｄ規定層の高さと磁極層１３との間の関係を説明するための図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドのＧｄ規定層４の高さと磁極層１３との間の関係を説明するための図である。
【図６】記録用電流とオーバーライト出力との関係を示す特性図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの一部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  薄膜磁気ヘッド
２  下部コア層
３  メッキ下地層
４  Ｇｄ規定層
５  下部磁極層
６  非磁性層
７  上部磁極層
８，１１  絶縁層
９  接続層
１０  コイル層
１２  上部コア層
【図１】
2007172708.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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