(57)【要約】【課題】リードフレームの放熱ダイパッドにおけるハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中を緩和して、樹脂割れを防止することを目的とする。【解決手段】ハーフエッチングが施された放熱ダイパッド２に部分的に放熱ダイパッド２が除去された開口部を形成することにより、放熱ダイパッド２部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッド２とその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング領域１１端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。【選択図】図１
2007134467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に内蔵されて半導体チップを搭載するリードフレームであって、
前記半導体チップの搭載部となるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に形成される放熱ダイパッドと、
開口部を備えて前記放熱ダイパッドをハーフエッチングして形成されたハーフエッチング領域と、
前記半導体装置の端子となる複数のリードと、
前記リード上に形成されて前記半導体チップとの接続端子となるボンディングパッドと
を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記ハーフエッチング領域の前記ダイパッドの中心から最も遠い位置に設けた第１の放熱ランドと、前記ダイパッドの中心と前記第１の放熱ランドを結ぶ線にて２分した前記ハーフエッチング領域の各領域に１つずつ設けた第２の放熱ランドとを有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
半導体装置に内蔵されて半導体チップを搭載するリードフレームであって、
前記半導体チップの搭載部となるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に形成される放熱ダイパッドと、
開口部を備えて前記放熱ダイパッドをハーフエッチングして形成されたハーフエッチング領域と、
３分割されてそれぞれに放熱ランドを備える複数のリードと、
前記リード上に形成されて前記半導体チップとの接続端子となるボンディングパッドと、
前記ハーフエッチング領域の前記ダイパッドの中心から最も遠い位置に設けた第１の放熱ランドと、
前記ダイパッドの中心と前記第１の放熱ランドを結ぶ線にて２分した前記ハーフエッチング領域の各領域に１つずつ設けた第２の放熱ランドと
を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
前記ハーフエッチング領域と前記放熱ダイパッドの境界部分にくびれを設けることにより前記開口部を形成することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記ハーフエッチング領域と前記放熱ダイパッドの境界部分にくびれを設け、さらに、第１の放熱ランド，第２の放熱ランドおよびくびれ部で囲まれたハーフエッチング領域に開口部を形成することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記ハーフエッチング領域と前記放熱ダイパッドの境界部分に前記開口部を形成することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記第１の放熱ランドと前記第２の放熱ランド、前記第２の放熱ランドと前記放熱ダイパッドがそれぞれハーフエッチング領域を削減したリードで接続することにより前記開口部を形成することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項８】
２つの第２の放熱ランド同士が、さらに、ハーフエッチング領域を削減したリードで接続されることを特徴とする請求項７記載のリードフレーム。
【請求項９】
前記第２の放熱ランドのいずれか一方と前記第１の放熱ランドが非接続であることを特徴とする請求項７または請求項８のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記第１の放熱ランドおよび２つの前記放熱ランドが前記放熱ダイパッドとそれぞれ前記ハーフエッチング領域を削減したリードで接続することにより前記開口部を形成することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記第１の放熱ランドを前記ハーフエッチング領域および前記第２の放熱ランドと分離独立させることを特徴とする請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項１０のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１２】
前記リードフレームの４隅に実装性を確保するための補強ランドを設けることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項１０または請求項１１のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項１３】
請求項４または請求項７または請求項１０または請求項１１のいずれかに記載のリードフレームの前記ダイパッドに前記半導体チップを搭載し、
金属ワイヤーを用いて前記半導体チップ表面上の電極パッドと前記ボンディングパッドを電気的に接続し、
前記半導体チップを搭載した前記リードフレームおよび金属ワイヤーを封止樹脂でトランスファーモールドすることにより封止することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランドグリッドアレイタイプの構造を実現し、放熱ダイパッドがハーフエッチングを有しているリードフレームおよびそのリードフレームを用いて製造された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型で薄型かつ小面積実装が可能な半導体装置として、片面封止されているＱＦＮ（ＱＵＡＤ  ＦＬＡＴ  ＮＯＮ−ＬＥＡＤＥＤ  ＰＡＣＫＡＧＥ）やＬＧＡ（ＬＡＮＤ  ＧＲＩＤ  ＡＲＲＡＹ）の開発が盛んに行われている。この半導体装置構造の１つに、製造コストの削減、放熱性の確保のために基材にリードフレームを用いている。
【０００３】
ここで、上記のようにリードフレームを基材として製造された従来のリードフレームの一例について図１７，図１８を参照しながら説明する。
図１７は従来のＬＧＡタイプの半導体装置に用いるリードフレームの構造を説明する図であり、図１７（ａ）は半導体装置用リードフレーム平面図である。図１７（ｂ）は半導体装置用リードフレームの断面図であり、図１７（ａ）のＣ−Ｃ１断面図である。図１７（ｃ）はリードにあるランド部の断面図である。図１８は従来のダイパッドが円形であるリードフレームの構造を説明する平面図であり、リードフレーム裏面から見た図である。
【０００４】
図１７において、このリードフレームは、ダイパッド４２と、このダイパッド４２をフレーム本体１に支持するための吊リード３０、フレーム本体１からダイパッド４２の４辺に対向するように複数のリードがあり、このリードは第１のボンディングパッド部３１を有する第１のリード４、第２のボンディングパッド部３２を有する第２のリード６、第３のボンディングパッド部３３を有する第３のリード８からなり、それぞれのリードの上面にあるボンディングパッド部に対応する下面に電極ランド３、５、７が設けられている。また、第１のリード４と第３のリード８は電気的に分離している。
【０００５】
このような構造をしたリードフレームを用いれば、ダイパッド４２にダイアタッチメント剤を介して半導体チップを搭載し、金属ワイヤーで半導体チップとフレームに配置されている第１のボンディングパッド部３１、第２のボンディングパッド部３２あるいは第３のボンディングパッド部３３のいずれかと接続し、トランスファーモールド成型することにより、ダイパッド２および第１から第３のリードにある第１から第３の電極ランドを半導体装置裏面に露出させ、リードフレームを基材に用いたランドグリッドアレイが完成する（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、従来型のＬＧＡタイプ半導体装置のように裏面に露出させるダイパッドが四角形であると、そのダイパッドに塗布する２次実装に使用する半田ペースト量が多くなり、隣接する電極ランドと半田ペーストが橋架けするためショートするという問題があったため、図１８に示すように、ダイパッド４２を縮小させることで半田ペースト量を減少させ、かつ、ハーフエッチング領域内に放熱ランド４３を設けることで放熱性を確保しつつ、実装性を確保させた。
【特許文献１】特開２００２−２６１２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体装置の厚みが約０．７７ｍｍであるのに対してハーフエッチング量は約０．０９０ｍｍであるため、ハーフエッチング領域とそのほかの領域に充填する樹脂厚差は極めて大きくなる。２次実装後半導体装置を使用する中で熱ストレスが印加した場合、熱膨張係数が異なるリードフレームと樹脂の加熱冷却伸縮が繰り返されるため、樹脂厚みの差が大きいハーフエッチング端部の樹脂に応力が集中し、樹脂割れが生じる。この樹脂割れは熱ストレスレベルを上げたり、熱ストレス印加時間を延ばしたりすることにより悪化することがわかっている。樹脂割れにより水分の浸入を容易にし、半導体装置内の電極間の耐圧不良となり、半導体装置としての信頼性を著しく低下させるという問題点があった。
【０００８】
上記問題点を解決するために、ハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中を緩和して、樹脂割れを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために請求項１記載のリードフレームは、半導体装置に内蔵されて半導体チップを搭載するリードフレームであって、前記半導体チップの搭載部となるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に形成される放熱ダイパッドと、開口部を備えて前記放熱ダイパッドをハーフエッチングして形成されたハーフエッチング領域と、前記半導体装置の端子となる複数のリードと、前記リード上に形成されて前記半導体チップとの接続端子となるボンディングパッドとを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載のリードフレームは、請求項１記載のリードフレームにおいて、前記ハーフエッチング領域の前記ダイパッドの中心から最も遠い位置に設けた第１の放熱ランドと、前記ダイパッドの中心と前記第１の放熱ランドを結ぶ線にて２分した前記ハーフエッチング領域の各領域に１つずつ設けた第２の放熱ランドとを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載のリードフレームは、半導体装置に内蔵されて半導体チップを搭載するリードフレームであって、前記半導体チップの搭載部となるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に形成される放熱ダイパッドと、開口部を備えて前記放熱ダイパッドをハーフエッチングして形成されたハーフエッチング領域と、３分割されてそれぞれに放熱ランドを備える複数のリードと、前記リード上に形成されて前記半導体チップとの接続端子となるボンディングパッドと、前記ハーフエッチング領域の前記ダイパッドの中心から最も遠い位置に設けた第１の放熱ランドと、前記ダイパッドの中心と前記第１の放熱ランドを結ぶ線にて２分した前記ハーフエッチング領域の各領域に１つずつ設けた第２の放熱ランドとを有することを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載のリードフレームは、請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記ハーフエッチング領域と前記放熱ダイパッドの境界部分にくびれを設けることにより前記開口部を形成することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載のリードフレームは、請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記ハーフエッチング領域と前記放熱ダイパッドの境界部分にくびれを設け、さらに、第１の放熱ランド，第２の放熱ランドおよびくびれ部で囲まれたハーフエッチング領域に開口部を形成することを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載のリードフレームは、請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記ハーフエッチング領域と前記放熱ダイパッドの境界部分に前記開口部を形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載のリードフレームは、請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記第１の放熱ランドと前記第２の放熱ランド、前記第２の放熱ランドと前記放熱ダイパッドがそれぞれハーフエッチング領域を削減したリードで接続することにより前記開口部を形成することを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載のリードフレームは、請求項７記載のリードフレームにおいて、２つの第２の放熱ランド同士が、さらに、ハーフエッチング領域を削減したリードで接続されることを特徴とする。
【００１７】
請求項９記載のリードフレームは、請求項７または請求項８のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記第２の放熱ランドのいずれか一方と前記第１の放熱ランドが非接続であることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０記載のリードフレームは、請求項２または請求項３のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記第１の放熱ランドおよび２つの前記放熱ランドが前記放熱ダイパッドとそれぞれ前記ハーフエッチング領域を削減したリードで接続することにより前記開口部を形成することを特徴とする。
【００１９】
請求項１１記載のリードフレームは、請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項１０のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記第１の放熱ランドを前記ハーフエッチング領域および前記第２の放熱ランドと分離独立させることを特徴とする。
【００２０】
請求項１２記載のリードフレームは、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６または請求項７または請求項８または請求項１０または請求項１１のいずれかに記載のリードフレームにおいて、前記リードフレームの４隅に実装性を確保するための補強ランドを設けることを特徴とする。
【００２１】
請求項１３記載の半導体装置は、請求項４または請求項７または請求項１０または請求項１１のいずれかに記載のリードフレームの前記ダイパッドに前記半導体チップを搭載し、金属ワイヤーを用いて前記半導体チップ表面上の電極パッドと前記ボンディングパッドを電気的に接続し、前記半導体チップを搭載した前記リードフレームおよび金属ワイヤーを封止樹脂でトランスファーモールドすることにより封止することを特徴とする。
【００２２】
以上により、熱ストレスが印加された場合、放熱ダイパッド中心から最も遠いハーフエッチング端部は、樹脂厚の差があること、リードフレームと樹脂の熱膨張係数の差があることから構造上熱ストレス時の応力が集中しやすく、そこを基点にして樹脂が割れる問題を解決するために、ハーフエッチング領域を削減することでその部分の樹脂厚を増加させて補強し、かつ、ハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中を緩和して、樹脂割れを防止することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、ハーフエッチングが施された放熱ダイパッドに部分的に放熱ダイパッドが除去された開口部を形成することにより、放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明のリードフレームは、フレーム本体に支持され半導体チップを搭載する円形または楕円形等の形状のダイパッドと、搭載された半導体チップと電気的に接続される複数のリードとにより構成され、ダイパッドの周辺にはハーフエッチングが施された放熱ダイパッドを備え、さらに、放熱ダイパッドの一部分には放熱ダイパッドが除去された開口部を設けている。この開口部により、放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
【００２５】
ここで、ダイパッドを円形または楕円形としたが、四角形等のその他の形状であっても良い。
以下、本発明のリードフレームおよびリードフレームを用いた半導体装置について図を参照しながら具体的な実施の形態を説明する。なお、図１を用いて説明したものは同様の番号を付与することで、以後その詳細な説明を省略する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
【００２６】
図１において、本発明のリードフレームは、金属板、たとえば銅材などよりなるフレーム本体１と、フレーム本体１の開口領域内に配設された半導体チップを搭載するダイパッド４２がアップセットされている放熱ダイパッド２を持つ。ハーフエッチング領域１１のダイパッド４２の中心から最も遠い位置に第１の放熱ランド１２を設け、ダイパッド４２の中心と第１の放熱ランド１１を結ぶ線にて２分したハーフエッチング領域１１の各領域に１つずつ第２の放熱ランド１３を設ける。また、ハーフエッチング領域１１と放熱ダイパッド２との接続部分に０．３〜１．５ｍｍ四方程度のくびれ部１４を有している。
【００２７】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１にくびれを形成してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２における半導体装置用のリードフレームを、図２，図３を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００２８】
図２は実施の形態２における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図、図３は実施の形態２における放熱ランドが独立した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
【００２９】
図２において、実施の形態２におけるリードフレームは、実施の形態１で示したリードフレームに対して、第１の放熱ランド１２、第２の放熱ランド１３およびくびれ部１４で囲まれたハーフエッチング領域１１をエッチングなどで削減し、第１の放熱ランドおよび第２の放熱ランドはハーフエッチング加工した結果形成されるリード１５で連結している。フレーム本体と接続されていない前記第２のリードと前記第２の電極ランドなどは、リードフレーム裏面全体にポリイミドなどのテープ材を貼りかつテープ材と接触する部分に粘着材を用いる。
【００３０】
さらに、図３に示すように、２つの第２の放熱ランド１３と第１の放熱ランド１２を接続するリード１５を切断し、第１の放熱ランド１２を独立しているリードフレームもある。
【００３１】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１を削減してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３における半導体装置用リードフレームのハーフエッチング領域について図４，図１２を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００３２】
図４は実施の形態３における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図、図１２は実施の形態３における放熱ランドが独立した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
【００３３】
図４において、実施の形態３におけるリードフレームは、１つの第１の放熱ランド１２および２つの第２の放熱ランド１３間と２つの第２の放熱ランド１３と放熱ダイパッド２間とを、ハーフエッチング領域１１をエッチングなどの切削加工をすることで形成されたハーフエッチング状態のリード１５により接続し、ハーフエッチング領域１１の中心部に開口部を形成する。
【００３４】
さらに、図１２に示すように、１つの第１の放熱ランド１２および２つの第２の放熱ランド１３間に形成されたリード１５を切断し、第２の放熱ランドに伝わる熱ストレス印加時の熱伸縮応力を低減緩和するリードフレームもある。
【００３５】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１を削減してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４における半導体装置用リードフレームのハーフエッチング領域について図５，図６を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００３６】
図５は実施の形態４における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図、図６は実施の形態４における放熱ランドの保持を補強した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
【００３７】
図５において、実施の形態４におけるリードフレームは、実施の形態３におけるリードフレームに対して、さらに、２つの第２の放熱ランド１３間をリード１５で連結し、第２の放熱ランド１３間の保持を実施の形態３よりも補強する。
【００３８】
また、図６に示すように、ハーフエッチング領域１１が第１の放熱ランド１２と第２の放熱ランド１３を有しており、放熱ダイパッド２との接続が２本のハーフエッチングを施したリード１５で行われる構成でも良い。この構成により図５に示す形態よりも第１の放熱ランド１２および第２の放熱ランド１３の保持が補強可能なリードフレーム構造もある。
【００３９】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１を削減してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５における半導体装置用リードフレームのハーフエッチング領域について図７，図８を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００４０】
図７は実施の形態５における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図、図８は実施の形態５における別リードを切断した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
【００４１】
図７において、実施の形態５におけるリードフレームは、図５におけるリードフレームに対して、一方の第２の放熱ランドと第１の放熱ランドを接続しているハーフエッチングを施したリード１５を金型などで切断する。
【００４２】
また、図８に示すように、切断するハーフエッチングを施したリード１５は第１の放熱ランドと第２の放熱ランド間のハーフエッチングを施したリード１５のいずれを切断しても良い。
【００４３】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１を削減してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６における半導体装置用リードフレームのハーフエッチング領域について図９，図１０を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
図９は実施の形態６における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図、図１０は実施の形態６における放熱ランドをハーフエッチング領域に形成する半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
【００４５】
図９において、実施の形態６におけるリードフレームは、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１をエッチングなどの切削加工をすることにより、１つの第１の放熱ランド１２および２つの第２の放熱ランド１３をそれぞれ別個にハーフエッチングを施したリード１５で接続する構成である。
【００４６】
また、図１０に示すように、２つの第２の放熱ランド１３はハーフエッチング領域１１に形成し、第１の放熱ランド１２をハーフエッチング領域１１にハーフエッチングを施したリード１５で接続して保持する構成も可能である。
【００４７】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１を削減してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７における半導体装置用リードフレームのハーフエッチング領域について図１１を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００４８】
図１１は実施の形態７における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図であり、リードフレームのダイパッド端部を下方から見た平面図である。
図１１において、実施の形態７におけるリードフレームは、２つの第２の放熱ランド１３はハーフエッチング領域１１に形成し、第１の放熱ランド１２を独立させた構成である。
【００４９】
以上のように、放熱ダイパッド２のハーフエッチング領域１１を削減してハーフエッチング領域１１の存在しない開口部を形成する。この開口部により放熱ダイパッド部分にも樹脂膜の厚い領域が存在するので、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８における半導体装置について図１３を参照しながら説明する。なお、図１を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００５０】
図１３は本発明の実施の形態８における半導体装置の要部断面図であり、実施の形態１で説明したリードフレームを用いて製造した半導体装置の片側断面図である。
図１３において、半導体チップ１８をダイパッド４２に接着剤２０で接着し、半導体チップ１８の表面に設けられた電極パッド１９とリードフレームの電極ランドを金属ワイヤー２１で電気的接続を行い、トランスファーモールド成型をすることにより封止樹脂２２で半導体チップ１８、金属ワイヤー２１、実施の形態１で説明したリードフレームを電気的に独立させ、かつそれらの保護をする。また、多くの場合、半導体チップ１８などを一括トランスファーモールド成型で行い、その後に回転ブレードにて製品化するという製造フローである。
【００５１】
実施の形態１のリードフレームを用いて製造した半導体装置において、放熱ダイパッド２とハーフエッチング領域１１の接続にくびれ部１４を設けることにより、熱ストレスによる放熱ダイパッド２の熱伸縮応力を伝えるハーフエッチング領域１１が削減すし、削減したハーフエッチング領域１１の開口部に厚みのあるモールド樹脂が充填する。このことから、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態９）
本発明の実施の形態９における半導体装置について図１４を参照しながら説明する。なお、図１と図１３を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００５２】
図１４は本発明の実施の形態９における半導体装置の要部断面図であり、実施の形態３で説明したリードフレームを用いて製造した半導体装置の片側断面図である。
図１４において、ハーフエッチング領域１１をエッチングなどで切削加工することにより形成したリード１５を用いて、第１の放熱ランド１２と第２の放熱ランド１３、および第２の放熱ランド１３と放熱ダイパッド２を連結させる実施の形態３のリードフレームを用いた半導体装置において、放熱ダイパッド２からの放熱性を確保し、かつ、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態１０）
本発明の実施の形態１０における半導体装置について図１５を参照しながら説明する。なお、図１および図１３を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
【００５３】
図１５は本発明の実施の形態１０における半導体装置の要部断面図であり、実施の形態６で説明したリードフレームを用いて製造した半導体装置の片側断面図である。
図１５において、ハーフエッチング領域１１をエッチングなどの切削加工をすることにより、１つの第１の放熱ランド１２および２つの第２の放熱ランド１３をそれぞれ放熱ダイパッド２とハーフエッチングを施したリード１５で連結させる実施の形態６のリードフレーム形状で製造した半導体装置において、放熱ダイパッド２からの放熱性を確保し、かつ、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
（実施の形態１１）
本発明の実施の形態１１における半導体装置について図１６を参照しながら説明する。なお、図１および図１３を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことでその詳細な説明を省略する。
【００５４】
図１６は本発明の実施の形態１１における半導体装置の要部断面図であり、実施の形態７で説明したリードフレームを用いて製造した半導体装置の片側断面図である。
図１６において、ハーフエッチング領域１１をエッチングなどの切削加工をすることにより、第１の放熱ランド１２をハーフエッチング領域１１および第２の放熱ランド１３から独立分離させる実施の形態７のリードフレーム形状で製造した半導体装置において、放熱ダイパッド２からの放熱性を確保し、かつ、ハーフエッチングされた放熱ダイパッドとその周辺での樹脂膜厚の差が緩和されてハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明はハーフエッチング端部にある樹脂の応力集中が緩和され、樹脂割れを防止することができ、ランドグリッドアレイタイプの構造を実現して放熱ダイパッドがハーフエッチングを有しているリードフレームおよびそのリードフレームを用いて製造された半導体装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施の形態１における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図２】実施の形態２における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図３】実施の形態２における放熱ランドが独立した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図４】実施の形態３における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図５】実施の形態４における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図６】実施の形態４における放熱ランドの保持を補強した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図７】実施の形態５における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図８】実施の形態５における別リードを切断した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図９】実施の形態６における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図１０】実施の形態６における放熱ランドをハーフエッチング領域に形成する半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図１１】実施の形態７における半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図１２】実施の形態３における放熱ランドが独立した半導体装置用リードフレームを説明する要部平面図
【図１３】本発明の実施の形態８における半導体装置の要部断面図
【図１４】本発明の実施の形態９における半導体装置の要部断面図
【図１５】本発明の実施の形態１０における半導体装置の要部断面図
【図１６】本発明の実施の形態１１における半導体装置の要部断面図
【図１７】従来のＬＧＡタイプの半導体装置に用いるリードフレームの構造を説明する図
【図１８】従来のダイパッドが円形であるリードフレームの構造を説明する平面図
【符号の説明】
【００５７】
１    フレーム本体
２    放熱ダイパッド
１１    ハーフエッチング領域
１２    放熱ランド
１３    放熱ランド
１４    くびれ部
１５    リード
１８    半導体チップ
１９    電極バッド
２０    接着剤
２１    金属ワイヤー
２２    封止樹脂
３０    吊リード
３１    ボンディングパッド部
３２    ボンディングパッド部
３３    ボンディングパッド部
４２    ダイパッド
４３    放熱ランド
【図１】
2007134467.tif 000003
【図２】
2007134467.tif 000004
【図３】
2007134467.tif 000005
【図４】
2007134467.tif 000006
【図５】
2007134467.tif 000007
【図６】
2007134467.tif 000008
【図７】
2007134467.tif 000009
【図８】
2007134467.tif 000010
【図９】
2007134467.tif 000011
【図１０】
2007134467.tif 000012
【図１１】
2007134467.tif 000013
【図１２】
2007134467.tif 000014
【図１３】
2007134467.tif 000015
【図１４】
2007134467.tif 000016
【図１５】
2007134467.tif 000017
【図１６】
2007134467.tif 000018
【図１７】
2007134467.tif 000019
【図１８】
2007134467.tif 000020