(57)【要約】 【課題】  低温ポリシリコン技術を用いて、基板の上にディスプレイパネルを製造する方法を提供する。【解決手段】  ディスプレイパネルは、少なくとも１つの表示域と表示域の表示部品を駆動する電子部品を有する周辺の回路域を含む。特に、表示域の表示部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層が変換されて形成されたポリシリコン層の上に製造され、周辺の回路域の電子部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層が処理された後、更にレーザーによりアニールされたレーザーポリシリコン層の上に形成される。よって、表示域は、レーザーアニールの処理に関連する欠陥がなく、より均一な結晶粒のポリシリコン層を有し、周辺の回路域は、より高い電子移動度のレーザーポリシリコン層を有する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にアモルファスシリコン層を設けるステップと、
前記アモルファスシリコン層を熱処理によりポリシリコン層に変換する固相成長法のステップとを含むディスプレイパネルの製造方法において、
前記ディスプレイパネルは、表示域を有する第１領域と、前記表示域に電気的に接続された回路域を有する第２領域とを有する基板の上に設けられ、
前記表示域は複数の表示部品を含み、前記回路域は複数の電子部品を含むものであり、
前記基板の上に前記アモルファスシリコン層を設けるステップと、
前記固相成長法のステップによって、前記第１領域と前記第２領域との前記アモルファスシリコン層をポリシリコン層に同時に変換するステップと、
前記第２領域の前記ポリシリコン層にレーザービームを用いてアニールを行い、レーザーアニールポリシリコン層を形成するステップと、
前記第１領域の前記ポリシリコン層の上に前記表示部品を形成するステップと、
前記第２領域の前記レーザーアニールポリシリコン層の上に前記電子部品を形成するステップと、
前記表示域と前記回路域との間に電気的に接続するステップとを含むことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記アモルファスシリコン層を基板に設けるステップの前に、前記基板の上にバッファ層を形成するステップを含む請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第１領域における前記ポリシリコン層の電子移動度は、前記第２領域における前記レーザーアニールポリシリコン層の電子移動度よりも小さい請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第１領域の前記表示部品は、有機発光素子を含む請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１領域の前記表示部品は、前記有機発光素子を制御するスイッチング素子を更に含む請求項４に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタを含む請求項５に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記第２領域の前記電子部品は、データ信号を前記表示域に提供する少なくとも１つの集積回路を含む請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記表示域は、２次元配列された前記表示部品を含み、前記第２領域の前記電子部品は、スキャン信号を前記表示部品に提供する少なくとも１つの集積回路を含む請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記第２領域の前記電子部品は、複数の薄膜トランジスタを含む請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記基板は、ガラス基板を含む請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
アモルファスシリコン層を熱処理変換して形成したポリシリコン層を基板上に設けたディスプレイパネルにおいて、
前記ポリシリコン層が設けられた第１領域と第２領域とを有する基板と、
前記第１領域は複数の表示部品を、前記第２領域は複数の電子部品を、それぞれ含み、
少なくとも１つの前記表示部品は、前記第２領域の電子移動度よりも小さい電子移動度を有するポリシリコン層より構成される表示域と、
少なくとも１つの前記電子部品は、前記第１領域の電子移動度よりも大きい電子移動度を有するポリシリコン層より構成される回路域とを含み、
前記表示域と前記回路域とは電気コネクタにより電気的に接続されることを特徴とするディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記第２領域の前記電子部品を形成するポリシリコン層の結晶粒は、前記第１領域の前記表示部品を形成するポリシリコン層の結晶粒よりも大きい請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記第１領域の前記表示部品は、有機発光素子を含む請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記第１領域の前記表示部品は、前記有機発光素子を制御するスイッチング素子を更に含む請求項１３に記載のディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタを含む請求項１４に記載のディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記第２領域の前記電子部品は、データ信号を前記表示域に提供する少なくとも１つの集積回路を含む請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記表示域は、２次元配列された複数の表示部品を含み、前記第２領域の前記電子部品は、スキャン信号を前記表示部品に提供する少なくとも１つの集積回路を含む請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記第２領域の前記電子部品は、複数の薄膜トランジスタを含む請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記基板は、ガラス基板を含む請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記第１領域の前記ポリシリコン層は、固相成長法によって前記アモルファスシリコン層から変換されて形成される請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記第２領域の前記ポリシリコン層は、先ず固相成長法によって前記アモルファスシリコン層からポリシリコン層に変換された後、レーザービームを用いてアニールを行うことにより形成される請求項１１に記載のディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示域と回路域を有するディスプレイパネルに関し、特に、低温ポリシリコンでできたディスプレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポリシリコン薄膜トランジスタは、例えば、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ；ＡＭＬＣＤ）のフラットパネルディスプレイに既に広く用いられている。このディスプレイタイプのチャネル膜は、一般的にアモルファス（非晶質）相が先に積層され、続いて、熱処理によって結晶化され、比較的スムーズに大粒のポリシリコン膜が形成される。特に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をポリシリコンに変換する固相成長法（ｓｏｌｉｄ−ｐｈａｓｅ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ；ＳＰＣ）は、有望な技術である。
【０００３】
アモルファス相から多結晶相に変換する結晶化（もしくは成長）のプロセスは、核生成プロセスと粒子成長プロセスを通して生じる。固相成長法でポリシリコンを形成するシステムでは、可能な限り大きな粒子を達成することが望ましい。よって、粒子成長の速度に関係のある核生成を抑制することが好ましい。上述の理由により、固相成長法は、一般的には低温で行われる。しかしながら、低温焼鈍炉を用いる固相成長法は非常に長いアニール時間を必要とすることから、製品の生産能力が低下していた。また、固相成長法による結晶の欠陥が薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＴＦＴという）の性能に不利な影響を及ぼしていた。
【０００４】
高速熱アニール（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＲＴＡ）法によれば生産能力を増すことはできるが、高速熱アニールを行ったポリシリコンを用いているＴＦＴの性能は、低温の固相成長法により処理したポリシリコンＴＦＴよりも低い傾向がある。また、フレキシブル基板上にＴＦＴを製造する方法が開示されており（特許文献１）、そこでは、高温酸化のプロセスが、高品質のポリシリコンを達成させるために固相成長法によるポリシリコン材料に適用されている。しかし、このプロセスには、９００〜１１５０℃の高温度範囲が要求される。
【０００５】
また、レーザーアニール法は、シリコンをポリシリコンに変換するもう１つの低温アニール法である。レーザーアニール法によれば、ポリシリコン薄膜の電子移動度は高く、全体の品質が良好である。しかし、レーザー源の不安定性により、ポリシリコン領域内の結晶粒にかなり明らかな不均一性が発生し、表示の際に、いわゆるレーザー照射後に結晶が不均一となる現象（レーザームラ）が発生する。その原因により、レーザーアニール法によって製造されたポリシリコンは、一般的に高品質のディスプレイには適さない。
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０１８０４８１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、低温ポリシリコン技術により、基板の上にディスプレイパネルを製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ディスプレイパネルは、少なくとも１つの表示域と前記表示域の表示部品を駆動する電子部品を有する周辺の回路域を含む。特に、前記表示域の電子部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が変換されて形成されたポリシリコン層の上に設けられ、前記周辺の回路域の電子部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が処理された後、レーザービームを用いて行うレーザーアニール法によって変換されて形成されたポリシリコン層（以下、このポリシリコン層を、レーザーアニールポリシリコン層という）の上に設けられる。従って、前記表示域は、レーザーアニール法の処理に伴う欠陥がなく、より均一な結晶粒のポリシリコン層を有し、前記周辺の回路域は、高電子移動度のレーザーアニールポリシリコン層を有する。
【０００９】
本発明の第１の目的は、ディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。前記ディスプレイパネルは、第１領域と第２領域を有する基板の上に設けられる。前記ディスプレイパネルの前記第１領域は表示域を有し、前記第２領域は回路域を有する。前記表示域は複数の表示部品を含み、前記回路域は複数の電子部品を含む。
【００１０】
本発明のディスプレイパネルの製造方法は、先ず、前記基板の上にアモルファスシリコン層を設ける。続いて、固相成長法によって、前記第１領域と第２領域の前記アモルファスシリコン層をポリシリコン層に同時に変換する。次に、前記第２領域の前記ポリシリコン層に、レーザーアニール法によりアニールを行い、レーザーアニールポリシリコン層を形成する。前記ポリシリコン層を設けた後、前記第１領域の前記ポリシリコン層の上に前記表示部品を設け、前記第２領域の前記レーザーアニールポリシリコン層の上に前記電子部品を設けて、前記表示域と前記回路域とを電気的に接続する。
【００１１】
前記固相成長法によって処理された第１領域のポリシリコン層は、レーザーアニール法による処理と関連がないため、比較的均一な結晶粒のポリシリコン層を有する。よって、前記第１領域に設けられた表示域は、レーザーアニール法により引き起こされるレーザー照射後に結晶が不均一となる現象（レーザームラ）を効果的に解決することができる。
【００１２】
前記第２領域のレーザーアニールポリシリコン層は、レーザーアニール法による処理を伴うため、比較的高い電子移動度を有する。例えば、本発明の第２領域の好ましい電子移動度は７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上である。よって、第２領域のレーザーアニールポリシリコン層の上にＴＦＴ素子を設けると、好ましいＴＦＴ素子の性能を得て、集積回路をディスプレイパネルに纏める可能性を増すことができる。
【００１３】
本発明の第２の目的は、第１領域と第２領域とを有する基板を含むディスプレイパネルを提供することにある。表示域は前記第１領域に設けられ、前記表示域は複数の表示部品を含む。前記表示部品は、電子移動度が７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃより小さいポリシリコンより形成される。回路域は前記第２領域に設けられ、前記回路域は複数の電子部品を含む。前記電子部品は、電子移動度が７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上のポリシリコンより形成され、前記回路域と前記表示域とは電気コネクタを介して電気的に接続される。
【００１４】
前記第１領域は比較的均一な結晶粒を有し、結晶粒の大きさは前記第２領域より小さい。よって、前記第１領域を表示域にすると、結晶粒が不均一なことから引き起こされるレーザー照射後に結晶が不均一となる現象（レーザームラ）を効果的に解決することができる。
【００１５】
前記第２領域の結晶粒の大きさは前記第１領域よりも大きく、前記第２領域は、電子移動度が７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃよりも大きいポリシリコン層（すなわち、レーザーアニールポリシリコン層）より形成される。よって、前記第２領域を回路域にすると、部品を含む装置の特性を効果的に向上させることができるとともに、その装置をディスプレイパネルに纏める可能性を増すことができる。
【００１６】
また、本発明は、基板上にアモルファスシリコン層を設けるステップと、前記アモルファスシリコン層を熱処理によりポリシリコン層に変換する固相成長法のステップとを含むディスプレイパネルの製造方法において、前記ディスプレイパネルは、表示域を有する第１領域と、前記表示域に電気的に接続された回路域を有する第２領域とを有する基板の上に設けられ、前記表示域は複数の表示部品を含み、前記回路域は複数の電子部品を含むものであり、前記基板の上に前記アモルファスシリコン層を設けるステップと、前記固相成長法のステップによって、前記第１領域と前記第２領域との前記アモルファスシリコン層をポリシリコン層に同時に変換するステップと、前記第２領域の前記ポリシリコン層にレーザービームを用いてアニールを行い、レーザーアニールポリシリコン層を形成するステップと、前記第１領域の前記ポリシリコン層の上に前記表示部品を形成するステップと、前記第２領域の前記レーザーアニールポリシリコン層の上に前記電子部品を形成するステップと、前記表示域と前記回路域との間に電気的に接続するステップとを含むことことが好ましい。
【００１７】
また、本発明のディスプレイパネルの製造方法は、前記アモルファスシリコン層を基板に設けるステップの前に、前記基板の上にバッファ層を形成するステップを含むこと、前記第１領域における前記ポリシリコン層の電子移動度は、前記第２領域における前記レーザーアニールポリシリコン層の電子移動度よりも小さいこと、前記第１領域の前記表示部品は有機発光素子を含むこと、前記第１領域の前記表示部品は、前記有機発光素子を制御するスイッチング素子を更に含むこと、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタを含むこと、前記第２領域の前記電子部品は、データ信号を前記表示域に提供する少なくとも１つの集積回路を含むことが、それぞれ好ましい。
【００１８】
また、本発明のディスプレイパネルの製造方法は、前記表示域が、２次元配列された前記表示部品を含み、前記第２領域の前記電子部品が、スキャン信号を前記表示部品に提供する少なくとも１つの集積回路を含むこと、前記第２領域の前記電子部品が、複数の薄膜トランジスタを含むこと、前記基板は、ガラス基板を含むことが、それぞれ望ましい。
【００１９】
また、本発明は、アモルファスシリコン層を熱処理変換して形成したポリシリコン層を基板上に設けたディスプレイパネルにおいて、前記ポリシリコン層が設けられた第１領域と第２領域とを有する基板と、前記第１領域が複数の表示部品を、前記第２領域が複数の電子部品を、それぞれ含み、少なくとも１つの前記表示部品は、前記第２領域の電子移動度よりも小さい電子移動度を有するポリシリコン層より構成される表示域と、少なくとも１つの前記電子部品が、前記第１領域の電子移動度よりも大きい電子移動度を有するポリシリコン層より構成される回路域とを含み、前記表示域と前記回路域とが電気コネクタにより電気的に接続されることが好ましい。
【００２０】
また、本発明のディスプレイパネルは、前記第２領域の前記電子部品を形成するポリシリコン層の結晶粒は、前記第１領域の前記表示部品を形成するポリシリコン層の結晶粒よりも大きいこと、前記第１領域の前記表示部品は、有機発光素子を含むこと、前記第１領域の前記表示部品は、前記有機発光素子を制御するスイッチング素子を更に含むこと、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタを含むこと、前記第２領域の前記電子部品は、データ信号を前記表示域に提供する少なくとも１つの集積回路を含むことが、それぞれ望ましい。
【００２１】
また、本発明のディスプレイパネルは、前記表示域が、２次元配列された複数の表示部品を含み、前記第２領域の前記電子部品が、スキャン信号を前記表示部品に提供する少なくとも１つの集積回路を含むこと、前記第２領域の前記電子部品が複数の薄膜トランジスタを含むこと、前記基板がガラス基板を含むこと、前記第１領域の前記ポリシリコン層が、固相成長法によって前記アモルファスシリコン層から変換されて形成されること、前記第２領域の前記ポリシリコン層が、先ず固相成長法によって前記アモルファスシリコン層からポリシリコン層に変換された後、レーザービームを用いてアニールを行うことにより形成されることが、それぞれ好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、結晶粒が不均一なことから引き起こされるレーザー照射後に結晶が不均一になる現象（レーザームラ）を効果的に解決することができ、しかも、部品を含む装置の特性を効果的に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
【実施例】
【００２４】
本発明は、２つの異なる低温ポリシリコンの製造方法を用いて、同じ基板１０上に第１領域のポリシリコン層と第２領域のポリシリコン層とを設ける。図１に示すように、この第１領域のポリシリコン層は、主に、ディスプレイパネル２の表示域４として用いられ、第２領域のポリシリコン層は、主に、ディスプレイパネル２の周辺の回路域６として用いられる。例えば、ディスプレイパネル２は、アクティブマトリクス型有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）のパネルであることが好ましい。表示域４は、複数のＡＭＯＬＥＤの画素を含み、これらの画素は２次元配列される。ディスプレイパネル２の周辺の回路域６は、複数の集積回路及びデータと制御信号とを画素に提供するバスラインまたはコネクタを含む。
【００２５】
図２に示すように、周辺の回路域６の集積回路は、１つまたは１つ以上のＤＡＴＡ  ＡＳＩＣｓ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  の略；特定用途向け集積回路；図２では右下に設けている）と、１つまたは１つ以上のＳＣＡＮ  ＡＳＩＣｓ（特定用途向け集積回路；図２では左上に設けている）とを含む。表示域４は、ＳＣＡＮ  ＡＳＩＣからのスキャンライン（図２では横もしくは水平方向のライン）をシェアする１列の画素（１，１）（図２におけるＰ（１，１）に相当）、画素（１，２）（（図２におけるＰ（１，２）に相当））…
と、ＤＡＴＡ  ＡＳＩＣからのデータライン（図２では縦もしくは垂直方向のライン）をシェアする１行の画素（１，１）、画素（２，１）（図２におけるＰ（２，１）に相当）…とを含む。各画素（１，１）、（１，２）、（２，１）…
は、例えば、いくつかのスイッチング素子（ＴＦＴ１とＴＦＴ２）と、発光素子（ＯＬＥＤ）を有する。
【００２６】
図３Ａないし図３Ｃはアモルファスシリコン層をポリシリコン層に変換するプロセスを示す。図３Ｂに示されるように、第１領域のポリシリコン層１６は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層から変換されて形成されたものである。また、図３Ｃに示されるように、このポリシリコン層１６のうちの第２領域のポリシリコン層１７は、先ず、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層から変換された後、レーザーアニール法による処理によって形成されたものであり、以下、これをレーザーアニールポリシリコン層という。
【００２７】
図３Ａに示すように、アモルファスシリコン層１４とバッファ層（ＳｉＯｘ、またはＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ）１２は、例えば、ガラス基板などの基板の上に設置される。図３Ｂに示すように、アモルファスシリコンよりなるアモルファスシリコン層１４は、固相成長法によってポリシリコンよりなるポリシリコン層１６に変換される。しかし、図３Ｃに示すように、固相成長法によって製造されたポリシリコン層１６のうちの選択された一部は、レーザーアニール法を用いて更にアニールを行うことにより、レーザーアニールポリシリコン層１７を形成する。
【００２８】
続いて、固相成長法によるポリシリコン層とレーザーによりアニールされたレーザーアニールポリシリコン層とが同じ基板上に形成された後、表示域４に必要とされる各種の電子部品が、図４に示すように、固相成長法によるポリシリコン層の上に形成される。また、図５に示すように、周辺の回路域６に必要な各種の電子部品は、レーザーによりアニールされたレーザーアニールポリシリコン層の上に形成される。図４と図５は、それぞれ表示域４と周辺の回路域６におけるスイッチング素子の概略断面図を表している。この表示域４と周辺の回路域６との間の相互接続は、その二領域間に導電性の電気コネクタを介して接続することで達成される。例えば、ＴＦＴｓ、ＡＭＯＬＥＤと電気コネクタなどの電子部品を製造するプロセスは、当技術分野で周知のものである。
【００２９】
要約して言えば、本実施例に基づいたディスプレイパネル２は、少なくとも１つの表示域４と周辺の回路域６とを含むことが好ましい。表示域４の電子部品は、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層から変換されて形成されたポリシリコン層の上に形成されることが好ましい。これに対して、周辺の回路域６の電子部品は、先ず、固相成長法（ＳＰＣ）によってアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を変換した後、更に、レーザーアニール法で処理されたレーザーアニールポリシリコン層の上に形成されることが好ましい。よって、表示域４は、実質的にレーザーアニール法により処理された後の結晶に関連する欠陥が無く、より均一な結晶粒のポリシリコン層を有し、周辺の回路域６は、より高い電子移動度のポリシリコン層を有することになる。表示域４と周辺の回路域６との間の相互接続は、導電性の電気コネクタによって達成される。
【００３０】
表示域４は、例えば、有機発光素子のような複数の表示部品を有する。これらの表示部品は、２次元配列されることが好ましい。この表示域４は、例えばＴＦＴの複数のスイッチング素子を更に含み、これらの表示部品を制御する。周辺の回路域６は、１つまたは１つ以上の集積回路を有し、データ信号を表示域４に提供し、１つまたは１つ以上の集積回路は、スキャン信号を上述の２次元配列に提供する。
【００３１】
表１は、固相成長法によってアモルファスシリコン層から変換されたポリシリコン層の性質と、レーザーを用いてアニールするレーザーアニール法によって更に変換されたレーザーアニールポリシリコン層の性質との要約を示す。
【表１】
2007134675.tif 000003
【００３２】
一般的に固相成長法によるポリシリコン層の電子移動度は、７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃより小さく、レーザーアニール法によるポリシリコン層（すなわち、レーザーアニールポリシリコン層）の電子移動度は、７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃより大きいことが好ましい。また、固相成長法によるポリシリコンの粒子（もしくは、結晶粒；以下同様）の大きさは、一般的に数十ナノメーター（ｎｍ）から数百ナノメーター（ｎｍ）までの範囲にあり、レーザーアニール法によるレーザーアニールポリシリコンの粒子の大きさは、数百ナノメーター（ｎｍ）から数マイクロメーター（μｍ）までの範囲にあることが好ましく、用いるレーザーの種類と技術によって決まる。
【００３３】
図４に示すように、ポリシリコン層１６は、バッファ層１２を有する基板１０の上に設けられ、バッファ層１２は、二酸化シリコンまたはその類似物質であることが好ましく、基板１０は、透明ガラスまたはフレキシブル透明プラスチックボードであることが望ましい。基板１０の上とポリシリコン層１６の上は、ゲート誘電体層１８、ゲート金属２０、誘電体層２４及びソース／ドレイン金属２２が順次に形成される。ゲート金属２０はソース／ドレイン金属２２の間に設けられ、ソース／ドレイン金属２２は、ビアによって誘電体層２４を穿通し、ゲート誘電体層１８は、ポリシリコン層１６に電気的に接続され、ＴＦＴを形成する。
【００３４】
ポリシリコン層１６は、固相成長法によってアモルファスシリコン層から変換されて形成される。また、ポリシリコン層１６は、比較的均一な結晶粒を有し、ソース／ドレイン金属２２でキャリアがポリシリコン層１６を透過した際、キャリアは等しい電子移動速度を有することができる。ポリシリコン層１６は、表示域４のスイッチング素子として働き、表示の際、レーザー照射後に結晶が不均一になる現象（いわゆる、レーザームラ）の発生を減少させることができる。
【００３５】
薄膜トランジスタのソース／ドレイン金属２２の上にパターン化した保護層２６と導電層２８とが更に形成される。パターン化した保護層２６は基板１０の表面を平坦化し、導電層２８の一部はソース／ドレイン金属２２と電気的に接続することによって、信号を表示素子に送ることができる。表示部品は、有機発光素子を含むことができる。
【００３６】
図５に示すように、レーザーアニールポリシリコン層１７は、バッファ層１２を有する基板１０の上に設けられ、バッファ層１２は、二酸化シリコンまたはその類似物質であることができ、基板１０は、透明ガラスまたはフレキシブル透明プラスチックボードであることができる。基板１０の上とレーザーアニールポリシリコン層１７の上は、ゲート誘電体層１８、ゲート金属２０、誘電体層２４及びソース／ドレイン金属２２が順次に形成される。ゲート金属２０はソース／ドレイン金属２２の間にあり、ソース／ドレイン金属２２は、ビアを通して誘電体層２４を穿通し、ゲート誘電体層１８は、ポリシリコン層１７に電気的に接続され、ＴＦＴを形成する。
【００３７】
レーザーアニールポリシリコン層１７は、固相成長法によってアモルファスシリコン層が処理された後、更に、レーザーアニール法により形成される。レーザーアニールポリシリコン層１７は、前記ポリシリコン層１６よりも大きな結晶粒を有し、ソース／ドレイン金属２２でキャリアがレーザーアニールポリシリコン層１７を透過した際に、好ましい電子移動度（例えば、７０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上）を有することができる。レーザーアニールポリシリコン層１７は回路域６の電子部品として働き、好ましい信号伝送能力を有する。電子部品は、ＴＦＴであることが好ましい。
【００３８】
ＴＦＴのソース／ドレイン金属２２の上にパターン化した保護層２６と導電層２８とが更に形成される。パターン化した保護層２６は基板１０の表面を平坦化し、導電層２８の一部は、ソース／ドレイン金属２２と電気的に接続することによって信号を表示域４に送ることができる。
【００３９】
注意すべきことは、図４及び図５に示す電子部品の主な目的は、本発明を説明するために用いられるもので、本発明の範囲を限定するものではない。また、図１に示すディスプレイパネル２は、表示域４を含む。しかし、ディスプレイパネル２に２つまたは２つ以上の表示域４を形成して、周辺の回路域６とともに纏めることもできる。
【００４０】
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。従って、本発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に基づいたディスプレイパネルの構造図である。
【図２】周辺の回路域における複数の集積回路と表示域の複数の画素を表すディスプレイパネルの部分構造図である。
【図３Ａ】基板上に設けられたアモルファスシリコン層とバッファ層の断面図である。
【図３Ｂ】アモルファスシリコン層を固相成長法により処理後、変換されて形成されたポリシリコン層の断面図である。
【図３Ｃ】アモルファスシリコン層を固相成長法により処理した後のポリシリコン層と、そのポリシリコン層の一部をレーザーアニール法により変換して形成したレーザーアニールポリシリコン層との断面図である。
【図４】固相成長法による処理にて変換されて形成されたポリシリコン層の上に設置された表示域におけるスイッチング素子の概略断面図である。
【図５】固相成長法とレーザーアニール法とにより変換されて形成されたポリシリコン層の上に設置された周辺の回路域におけるスイッチング素子の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
２  ディスプレイパネル
４  表示域
６  回路域
１０  基板
１２  バッファ層
１４  アモルファスシリコン層
１６  固相成長法により処理されたポリシリコン層
１７  固相成長法により処理された後、レーザーアニール法にて処理されたレーザーアニールポリシリコン層
１８  ゲート誘電体層
２０  ゲート金属
２２  ソース／ドレイン金属
２４  誘電体層
２６  パターン化した保護層
２８  導電層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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