(57)【要約】【課題】接着剤なしで、薄く、軽く、軟らかく、丈夫でフレキシブルなプリント基板を量産すること。【解決手段】導電性薄板（2）とエンボス（20a）を有する転写基板（20）を重ね合わせて間隙（ｇ）を構成する工程と、導電性薄板（2）に絶縁基体（1）を蒸着重合法により効率よく形成する工程と、前記絶縁基体（1）上に所定の回路パタ−ン（3）を形成する工程と、回路パタ−ン（3）上に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層をカバ−シ−ト（4）として形成する工程を有するプリント基板の製造方法。従来のプリント基板に比べて大幅に薄く丈夫なプリント基板となる。接着剤を使用しないので製造が簡単ではがれにくい、プリント基板となる。絶縁基体とカバ−シ−トが同じ有機高分子材料を用いて製造可能である。導電性材料上に絶縁基体を蒸着重合した中間物品の量産性が良い。【選択図】図６
2007134536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）導電性薄板とエンボスを有する転写基板を重ね合わせて間隙を構成する工程；
（Ｂ）前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程；
（Ｃ）前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板を前記転写基板から剥離する工程；
（Ｄ）前記導電性薄板に回路パタ−ンを形成する工程；
（Ｅ）前記回路パタ−ン上に蒸着重合法により有機高分子材料を絶縁層として蒸着させる工程；
から成ることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記（Ｃ）の工程の後に、
前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板の前記転写基板の前記エンボスにより絶縁層が殆ど付着しなかった余白部分を裁断する工程；
を行なうことを特徴とする請求項1に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記（Ｄ）の工程の後に、
前記回路パタ−ンを形成した絶縁基体を蒸着用型に仮止めする工程；を行い、
ついで、前記（Ｅ）の工程；を行い、
さらに、前記（Ｅ）の工程において絶縁層を蒸着された、前記回路パタ−ンを形成した絶縁基体を前記蒸着用型から剥離する工程；と、
前記絶縁層を蒸着された前記回路パタ−ンを形成した絶縁基体の前記蒸着用型よりはみ出した余白部分を裁断する工程；とを
行うことを特徴とする請求項1または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
（Ａ）導電性薄板とエンボスを有する転写基板を重ね合わせて間隙を構成する工程；
（Ｂ）前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程；
（Ｃ）前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板を前記転写基板から剥離する工程；
（Ｄ）前記導電性薄板に回路パタ−ンを形成する工程；
（Ｅ）前記回路パタ−ンの表面に酸化防止のために導電性材料をメッキする工程；
（Ｆ）前記メッキした前記回路パタ−ン上に蒸着重合法により有機高分子材料を絶縁層として蒸着させる工程；
から成ることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記（Ｃ）の工程の後に、
前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板の前記転写基板の前記エンボスにより絶縁層が殆ど付着しなかった余白部分を裁断する工程；
を行うことを特徴とする請求項4に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ｅ）の工程の後に、
前記回路パタ−ンを形成し前記回路パタ−ンの表面に酸化防止のために導電性材料をメッキした絶縁基体を蒸着用型に仮止めする工程；を行い、
ついで、前記（Ｆ）の工程；を行い、
さらに、前記（Ｆ）の工程において絶縁層を蒸着された、前記回路パタ−ンを形成し前記回路パタ−ンの表面に酸化防止のために導電性材料をメッキした絶縁基体を前記蒸着用型から剥離する工程；と、
前記絶縁層を蒸着された前記回路パタ−ンを形成し前記導電性材料をメッキした絶縁基体の前記蒸着用型よりはみ出した余白部分を裁断する工程；とを
行うことを特徴とする請求項4または5に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程において、前記導電性薄板と前記エンボスを有する転写基板とを重ね合わせたものをロール状に丸めて蒸着重合装置の真空槽内に設置し、前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着重合させることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程において、前記導電性薄板とエンボスを有する転写基板とを重ね合わせたものを蛇腹状に屈曲させて蒸着重合装置の真空槽内に設置し、前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着重合させることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程において、前記導電性薄板と前記エンボスを有する転写基板とを上下に重ね合わせたものを多層に積んで蒸着重合装置の真空槽内に設置し、前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着重合させることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板を前記転写基板から剥離する工程において、前記導電性薄板と前記エンボスを有する転写基板とを重ね合わせたものをロール状に丸めた場合において、導電性薄板を巻取る第1の巻取り軸と前記エンボスを有する転写基板を巻き取る第2の巻取り軸を有する巻取り装置を設け、前記導電性薄板と前記エンボスを有する転写基板とを重ね合わせたものをロール状に丸めて前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として形成したものから、前記絶縁基体が蒸着した導電性薄膜を前記第1の巻取り軸に巻取り、前記エンボスを有する転写基板を前記第2の巻取り軸に巻き取ることにより剥離させることを特徴とする請求項7に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板を前記転写基板から剥離する工程において、前記導電性薄板と前記エンボスを有する転写基板とを重ね合わせたものを蛇腹状に屈曲させた場合において、導電性薄板を巻き取る第1の巻取り軸と前記エンボスを有する転写基板を巻き取る第2の巻取り軸を有する巻取り装置を設け、前記導電性薄板とエンボスを有する転写基板とを重ね合わせたものを蛇腹状に屈曲させて前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として形成したものから、前記絶縁基体が蒸着した導電性薄膜を前記第1の巻取り軸に巻取り、前記エンボスを有する転写基板を前記第2の巻取り軸に巻取ることにより剥離させることを特徴とする請求項8に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記巻取り装置に、回転刃または固定刃を設け、前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板の前記転写基板のエンボスにより絶縁層が殆ど付着しなかった余白部分を裁断することを特徴とする請求項10又は11のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性薄板は、銅、アルミ、金及び銀のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性薄板が銅、アルミの場合、その上に酸化防止のために、金、銀、ニッケル、スズのいずれかをメッキしたことを特徴とする請求項13に記載のプリント基板の製造方法
【請求項１５】
前記所定の回路パタ−ンの表面に酸化防止のために金、銀、ニッケル、スズのいずれか一つをメッキしたことを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層上に金属薄膜を形成することを特徴とする請求項1乃至15のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１７】
前記有機高分子はポリイミド、ポリアミド及びポリ尿素のいずれかである
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１８】
前記エンボスを有する転写基板が金属の場合、ステンレス、鉄、アルミニウム、銅、チタン、ニッケルのいずれかであること特徴とする請求項1乃至17のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１９】
前記エンボスを有する転写基板が有機高分子のシート材である場合、ポリイミド、ポリアミド、ポリ尿素、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンであること特徴とする請求項1乃至17のいずれかに記載のプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報機器、電子機器、携帯機器、自動車部品、航空宇宙機器、などのフラットケ−ブルや平面アンテナ、或いは半導体デバイス機器、半導体ソケットなどに用いて好適なフレキシブルなプリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のフレキシブルプリント基板Ｐは、例えば、図8に断面図を示す構造となっている。さらに図9に、同フレキシブルプリント基板Ｐの拡大断面図を示す。以下、従来のフレキシブルプリント基板Ｐの製法につき、図10及び図11を参照して説明する。絶縁基体（ポリイミドのシ−ト等）1１（図  10A）の表面に接着剤1２（図10B）により薄い銅板1３を接着し（図10C）、さらにその表面に、図示せずとも感光乳剤を塗布し、露光・現像、エッチングを施し、回路パタ−ン14を形成した（図11A）。この回路パタ−ン14の表面に接着剤15を塗布し（図11B）、絶縁層としてカバ−シ−ト（ポリイミドのシ−ト等）16を接着している（図11C）。図11Cにおいて、カバ−シ−ト16には接着剤の収縮によって凹部16ａが生じている。このようにして、プリント基板Ｐを柔軟なものにして、電子機器の屈曲部や筐体内の立体配線として使われる。
【０００３】
一方、従来のプリント基板の中間層の形成にポリイミド樹脂の蒸着重合技術を用いるものがある（例えば、特許文献1参照）。これは、まず樹脂成形体や樹脂フィルムなどの絶縁基体上に、蒸着重合によってポリイミドの薄膜を中間層として形成する。その後、前記中間層上に金属膜を形成する。ポリイミド樹脂の中間層が樹脂基体及び金属膜の双方と高い密着性を持つことを利用して、樹脂基体に対する金属膜の密着性を得ることを目的としたものである。
しかしながら、絶縁基体として樹脂成形体や樹脂フィルムを用いるので、薄くて軽いプリント基板は得られない。また、量産性の向上を目的としたものでもない。
【０００４】
また、従来のプリント基板の中間層の形成にポリイミド樹脂の蒸着重合技術を用いるものがある（例えば、特許文献2参照）。これは、まず熱伝導性の高い炭素質の絶縁基体上に、蒸着重合によってポリイミドの薄膜を形成する。その後、前記中間膜上に金属膜を形成する。ポリイミド樹脂の中間層が炭素質基体及び金属膜の双方と高い密着性を持つことを利用して、炭素質基体に対する金属膜の密着性とを高めて、放熱性の向上を得ることを目的としたものである。
しかしながら、絶縁基体として炭素繊維強化炭素複合材料を用いるので、薄くて軽いプリント基板は得られない。また、量産性の向上を目的としたものでもない。  
【０００５】
また、従来のプリント基板の絶縁層の形成にポリイミド樹脂の蒸着重合技術を用いるものがある（例えば、特許文献3参照）。まず、成形品である立体回路基板の上に銅薄膜膜を形成し、レ−ザ加工で回路パタ−ンを形成し、ついで絶縁層を蒸着重合もしくはプラズマ重合により形成する。前記工程を繰り返して多層基板を得るというものである。
しかしながら、絶縁基体として成形品を用いるので、薄くて軽いプリント基板は得られない。また、量産性の向上を目的としたものでもない。
【特許文献１】特開2003−34883号公報（第3頁、図1）
【特許文献２】特開2002−151811号公報（第2頁、図1）
【特許文献３】特開2002−164657号公報（第3頁、図1）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子機器の薄型化、軽量化の要求が増大している。すなわち、携帯電話に代表されるモバイル機器（ＰＤＡ、情報端末等）やノ−トパソコンの薄型化、軽量化の加速により、軽くて薄い筐体の限られた空間に折り曲げ実装されるため、フレキシブルプリント基板は薄く、軽く、軟らかく、丈夫であることを求められる。
【０００７】
しかし、絶縁基体としてシ−ト材11を使用すると、シ−ト材11自体が一定以上の厚みがないと取り扱いにくい。同様に、導電層材としてシ−ト材13を使用すると、シ−ト材13自体に一定以上の厚みがないと取り扱いにくい。さらに、図10及び図11に示す製造工程によって、絶縁基体としてのシ−ト材11と導電層材としてのシ−ト材13を接着剤によって張り合わせていたため、図8に示す完成したフレキシブルプリント基板Pは、厚いものとなっていた。そのため、充分な柔軟性を得るのが難しかった。
【０００８】
また、上記部材を張り合わせるために接着剤を使うので、接着剤自体の収縮も考慮して部材の長さや幅を調整する必要があった。したがって量産性は良くなかった。
【０００９】
上記欠点を除去し量産性を向上させるのが本発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題は「（Ａ）導電性薄板とエンボスを有する転写基板を重ね合わせて間隙を構成する工程；
（Ｂ）前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程；
（Ｃ）前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板を前記転写基板から剥離する工程；
（Ｄ）前記導電性薄板に回路パタ−ンを形成する工程；
（Ｅ）前記回路パタ−ン上に蒸着重合法により有機高分子材料を絶縁層として蒸着させる工程；
から成ることを特徴とするプリント基板の製造方法」によって解決される。
【００１１】
または、以上の課題は「（Ａ）導電性薄板とエンボスを有する転写基板を重ね合わせて間隙を構成する工程；
（Ｂ）前記間隙に蒸着重合法により有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体として蒸着する工程；
（Ｃ）前記絶縁基体が蒸着した前記導電性薄板を前記転写基板から剥離する工程；
（Ｄ）前記導電性薄板に回路パタ−ンを形成する工程；
（Ｅ）前記回路パタ−ンに導電性材料をメッキする工程；
（Ｆ）前記回路パタ−ン上に蒸着重合法により有機高分子材料を絶縁層として蒸着させる工程；
から成ることを特徴とするプリント基板の製造方法」によって解決される。
【発明の効果】
【００１２】
従来のプリント基板に比べて大幅に薄く丈夫なプリント基板となる。
また、接着剤を使用しないので製造が簡単ではがれにくいプリント基板となる。
また、絶縁基体とカバ−シ−トが同じ有機高分子材料を用いて製造可能である。
また、導電性材料上に絶縁基体を蒸着重合した中間物品の量産性が良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
図7は、本発明の実施の形態により製造されたプリント基板Ｐ’の断面図（図7Ａ）及び拡大断面図（図7Ｂ）である。図7Ａにおいて、有機高分子材料の絶縁層を絶縁基体（1）として形成し、絶縁基体（1）上に所定の回路パタ−ン（3）を形成し、さらに回路パタ−ン（3）上に有機高分子材料の絶縁層がカバ−シ−ト（4）として形成されている。  
【００１５】
ここで、図1を参照して、本発明に適用される蒸着重合装置６０について説明する。
【００１６】
基板３２及び真空槽30の壁をモノマ−の蒸発温度程度（200℃）に加熱しておき、この中に２種類のモノマ−を図1に示すように導入する。モノマ−の飽和蒸気圧が等しくなる温度に加熱、導入して複雑形状の表面にポリイミド膜を形成する方法が開発されている（全方向同時蒸着重合）。
【００１７】
図1においてモノマ−としてＰＭＤＡ３４（無水ピロメリト酸）及びＯＤＡ（オキシジアニリン）３６が真空槽３０内に導入される。
【００１８】
１種類のモノマ−だけを導入した場合には、真空槽30の壁及び基板３２上にモノマ−は付着できず、再蒸発して排気されるが、２種類のモノマ−を同時に導入すると、両者が基板上で反応して蒸気圧の低い二重体や三重体となり基板３２上に付着し、更に反応して高重合体へと成長する。未反応モノマ−分子が真空槽30の壁面全体から再蒸発するため均一な膜圧分布の薄膜が得られる。このようにして、複雑形状の基板、部品などに均一な膜厚のポリイミド膜を被覆することが出来る。
【００１９】
蒸着重合法は、モノマ−の輸送を通常の真空昇華精製するプロセスと同じ手法で行うことから、生成する膜の純度が高く、しかも溶媒の添加・除去・回収などの工程がなく（無公害）、不純物の混入が極めて少ない膜が得られる。また、基板表面の凸凹形状に忠実に膜が成長するため、細孔の内面でも均質に成膜できる。
【００２０】
図４は前記本発明の実施形態のプリント基板Ｐ’の回路パタ−ン形成前の製造工程を示している。
【００２１】
図４Ａはエンボス20ａを有する転写基板としてステンレス板20を用意した。
エンボス20ａはステンレス板20の長さ方向にピッチａで並んでいる（図2参照）。また、エンボス20ａはステンレス板20の幅方向にピッチｃで並んでいる。尚、エンボス20ａの部分はほとんど点接触であるため有機高分子材料がほとんど付着しないため製品にできるのは、幅方向のエンボス20ａの外周間の長さｂの部分である。
【００２２】
図４Ｂは導電性薄板として銅板2を用意し、ステンレス板20に重ねた図である。
エンボス20ａによりステンレス板20との間には間隙ｇが形成される。
尚、図2Ｂに銅板2をステンレス板20に重ねたところの斜視図を示す。このように重ねた銅板2とステンレス板20を一緒に巻き取ると、図3Ｂに斜視図を示すロール状に巻いた状態Ｒとなり、外形が小さくかさばらずに蒸着重合装置60（図1）の槽30に収めることが出来る。これは量産化において大変有利である。
【００２３】
図４Ｃのように、蒸着重合により前記間隙ｇにポリイミド層1が形成される。
図6に長さ方向から見た拡大断面図を示す。銅板2にステンレス板20を重ねると、エンボス20ａ（ほぼ半球状）の部分はほとんど点接触であることが分かる。
【００２４】
図４Ｄのように、ステンレス板20から取り外すと銅板2の一方の面にポリイミド層1が残る。
尚、前記ステンレス板20からの取り外しは、例えば図3Ａに示すように、特に図示しない駆動装置によって回転される第1の巻取り軸41及び第2の巻取り軸42を有する巻取り装置40を用意し、ステンレス板20は巻取り軸41に、ポリイミド層1の付いた銅板2は巻取り軸42に巻取るようにすると効率よく行うことが出来る。
【００２５】
図４Ｅのように、ステンレス板20から取り外した後、プリント基板の製造のための余白部分17を切り取ることにより、「銅箔基板」と呼ばれる状態の中間物品Ｍを得る。
尚、余白部分17の切り取りは図3Ａに示す回転刃43、回転刃受け45により行う。図13に巻取り装置40の回転刃43、回転刃受け45の設置状況を示す。特に図示しない駆動装置によって回転される第１の回転軸44及び第２の回転軸46がある。回転刃43は第１の回転軸44に、回転刃受け45は第２の回転軸に取り付けられている。この回転刃43、回転刃受け45によって、余白部分17が切り取られ、巻取り軸42には中間物品Ｍが巻取られることになる。
【００２６】
図4Ｆのように、図4Ｅに示す製造工程で作成した「銅箔基板」Ｍの導電性薄板上に図示しないが感光乳剤を塗布し、パターンマスクをあてがって露光し、現像し、エッチングを施し、回路パタ−ン3を形成している。尚、図12に一例としての回路パタ−ン3の平面図を示す。また、回路パターン3の形成方法は、この方法に限らず他の方法でも良い。例えば、導電性薄板2を回転刃またはレ−ザ−加工器で削り回路パターン3を形成する方法等が使用できる。
【００２７】
図5には、本発明の実施形態のプリント基板Ｐ’の回路パタ−ン3の形成後の製造工程を示している。
図5Ａには、プリント基板Ｐ’の回路パタ−ン3の形成後の断面図を示す。
【００２８】
図5Ｂは、回路パターン3を形成した銅箔基板Ｍの回路パタ−ン3の上にポリイミド層4を形成するために、回路パターン3を形成した銅箔基板Ｍを蒸着用型21に仮止めする状況を示す。
【００２９】
図5Ｃは蒸着重合によりプリント基板Ｐ’の回路パタ−ン3上にポリイミド層4が形成されていることを示す。
【００３０】
図5Ｄに示すように、回路パタ−ン3上にポリイミド層4が形成された回路パターン3を形成した銅箔基板Ｍを蒸着用型21から取り外した後、プリント基板P’の製造のための余白部分18を切り取ることによりプリント基板Ｐ’を得る。
【００３１】
図7Ａは、本発明の実施の形態の製法により得られた最終生成物Ｐ’（図5Ｄ）のフレキシブルプリント基板Ｐ’の断面図である。図7Ｂは、本発明の実施の形態の製法で得られたフレキシブルプリント基板Ｐ’の拡大断面図を示す。従来は、例えば図9の拡大断面図に示すようにポリイミド層（絶縁材シ−ト）11及び16を接着剤12及び15で貼り付けていた。この場合プリント基板の全体厚さｔは約80μであったが、本発明の実施の形態によれば図7Ｂに示すように全体厚さｔ’は約24μとなる。
【００３２】
こうして得られたプリント基板Ｐ’（図7Ａ）は非常に薄くフレキシブルなものとなる。撓みやすく、曲げる部分のある回路構成も銅箔の如く容易に行われ、種々の加工が容易となる。
【００３３】
本発明の実施例によれば、更に図7Ａにおいてポリイミドの絶縁基体（1）及びカバ−シ−ト（4）の上に導電性の材料（例えばアルミ二ウム）がスパッタされて、図示しないがアルミ膜が形成される。これにより、外部から内部への、及び内部から外部への電磁波シ−ルドを行うことができる。
【００３４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００３５】
例えば、以上の実施の形態では、回路パタ−ンを形成する導電性の材料として銅を用いたが、これに限ることなく他の導電性材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）であってもよい。
【００３６】
また、回路パタ−ンとしての銅表面に酸化防止のためにニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）のいずれか一つをメッキするようにしても良い。本発明の回路パタ−ンにはこのような場合も含むものとする。図14にその断面図を示す。回路パタ−ン3の表面にメッキ層（5）が形成されている。
【００３７】
また、蒸着重合させて得られる有機高分子としてポリイミドを用いたが、他の蒸着重合させて得られる有機高分子材料、例えばポリ尿素やポリアミドであってもよい。モノマ−の種類を変えて、種々の有機高分子材料の蒸着重合物が得られ、その特性に応じて用いることができる
【００３８】
また、重ねた導電薄板と転写基板を一緒に巻き取り、ロール状に巻いた状態にして蒸着重合槽に収めたが、蛇腹状に屈曲させても良いし、平らなままのものを多層に積んでも良い。
【００３９】
また、重ねた導電薄板と転写基板の間隙ｇに蒸着重合で絶縁基体を形成させた後、剥離する工程で巻取り装置を用意したが、間隙ｇに刃を差し込んで剥がすような単純な工具であっても良い。
【００４０】
また、重ねた導電薄板と転写基板の間隙に蒸着重合で絶縁基体を形成させた後、エンボスによって絶縁層が殆ど付着しなかった余白部分を裁断するのに回転刃を用いたが、固定刃によっても良いし、単純に工具を使って裁断しても良い。
【００４１】
また、エンボスを有する転写基板の材料としてステンレスを用いたが、鉄、アルミニウム、銅、チタン、ニッケルでも良い。さらに有機高分子材料であるポリイミド、ポリアミド、ポリ尿素、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンのシート材をエンボスを有する転写基板の材料として用いても良い。蒸着重合によって形成された有機高分子材料の絶縁層が剥離しやすいものであれば、転写基板の材料として使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に適用される蒸着重合装置の模式図である。
【図２】本発明のプリント基板の製造方法の実施例におけるステンレス板の斜視図である。Ａはエンボスを有する転写基板20の例を示す斜視図である。ＢはＡのエンボスを有する転写基板20に導電性薄板2を重ねたところを示す斜視図である。
【図３】本発明のプリント基板の製造方法において、エンボスを有する転写基板20と導電性薄板2を重ねてロ−ル状に巻いた図である。Ａは前記ロ−ル状態の平面図、Ｂはロ−ル状態の斜視図を示す。
【図４】本発明の実施形態によるプリント基板の回路パタ−ン形成前の製造工程をＡ〜Ｆの順で示す断面図。
【図５】本発明の実施形態によるプリント基板の回路パタ−ン形成後の製造工程をＡ〜Ｄの順で示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態のプリント基板の製造方法の実施例で、絶縁基体1を生成する工程の拡大断面図である。
【図７】本発明のプリント基板Ｐ’の実施例の断面図である。Ａは断面図、Ｂは拡大断面図である。
【図８】比較のための従来の製法のフレキシブルプリント基板Ｐの断面図である    。
【図９】比較のための従来の製法のフレキシブルプリント基板Ｐの拡大断面図である。
【図１０】従来のプリント基板の回路パタ−ン形成前の製造工程をＡ〜Ｃの順で示す断面図である。
【図１１】従来のプリント基板の回路パタ−ン形成後の製造工程をＡ〜Ｃの順で示す断面図である。
【図１２】回路パタ−ンの一例を示す平面図である。
【図１３】巻取り装置の回転刃43、回転刃受け45の設置状況を示す正面図である。
【図１４】本発明の実施形態によるプリント基板の回路パタ−ン形成の後、回路パタ−ンにメッキを施した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１・・・絶縁基体（ポリイミド膜）、2・・・導電性薄板（銅板）、3・・・回路パタ−ン、4・・・カバ−シ−ト（ポリイミド膜）、5・・・メッキ層、17・・・余白部分、18・・・余白部分
２０・・・転写基板（ステンレス板）、２１・・・型（蒸着用型）
３０・・・真空槽、３２・・・基板、３４・・・PMDA、３６・・・ODA
４０・・・巻取り装置、４１・・・巻取り軸、４２・・・巻取り軸、４３・・・回転刃、４４・・・回転軸、４５・・・回転刃受け、４６・・・回転軸
６０・・・蒸着重合装置
【図１】
2007134536.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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