(57)【要約】【課題】上部磁気シールドの突出部分は磁気抵抗効果素子の直近にあるため磁気抵抗効果素子の磁化状態に大きな影響を与え、出力変動などの不安定性の原因となる。【解決手段】電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。上部磁気シールド８の下面は磁気抵抗効果素子３、磁区制御層４、第１電極層５および第２電極層６によって生じた段差の凹凸にならって設けられるので、第１電極層５と第２電極層６の膜厚と第２電極層６の間隔を変えることによって下部磁気シールド１と上部磁気シールド８の距離を調節し、上部磁気シールド８の下面を適正な形状にすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上部に設けられた下部磁気シールドと、
該下部磁気シールドの上部に下部ギャップ層を介して設けられた磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子の両側に設けられた磁区制御層と、
該磁区制御層の上部に前記磁気抵抗効果素子に接触して設けられた第１電極層と、
該第１電極層の上部に当該第１電極層よりも大きな膜厚を有し、前記磁気抵抗効果素子から離れて設けられた第２電極層と、
前記磁気抵抗効果素子、第１電極層及び第２電極層の上部に設けられた上部ギャップ層と、
該上部ギャップ層の上部に設けられた上部磁気シールドと、を有し、
浮上面において、前記上部磁気シールドの前記磁気抵抗効果素子と対向する面と、前記第１電極層と対向する面の成す平均的な角度が２０°以下であり、前記磁気抵抗効果素子の端部から前記第２電極層までの距離が当該磁気抵抗効果素子の幅よりも大きいことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】
前記第１電極層はエレクトロマイグレーション耐性に優れた材料で構成され、前記第２電極層は前記第１電極層よりも低抵抗材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】
前記第１電極層は主としてＲｈ，Ｔａ及びＡｕの中の１種を含む金属材料で構成され、前記第２電極層は主としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌの中のいずれか１種を含む金属材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】
基板と、
該基板の上部に設けられた下部磁気シールドと、
該下部磁気シールドの上部に下部ギャップ層を介して設けられた再生トラック幅を決める磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子の両側に設けられた磁区制御層と、
該磁区制御層の上部に前記磁気抵抗効果素子に接触して設けられた第１電極層と、
該第１電極層の上部に当該第１電極層よりも大きな膜厚を有し、前記磁気抵抗効果素子から離れて設けられた第２電極層と、
前記磁気抵抗効果素子、第１電極層及び第２電極層の上部に設けられた上部ギャップ層と、
該上部ギャップ層の上部に設けられた上部磁気シールドと、を有し、
浮上面において、前記上部磁気シールドの前記磁気抵抗効果素子と対向する面と、前記第１電極層と対向する面の成す平均的な角度が２０°以下であり、前記磁気抵抗効果素子の再生トラック幅を決める端部から前記第２電極層までの距離が当該磁気抵抗効果素子の再生トラック幅よりも大きいことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果素子は、下地層、反強磁性層、強磁性体の固定層、Ｃｕからなる非磁性導電層、強磁性体の自由層とを有し、前記自由層の端部の間隔で再生トラック幅が決定されることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子は、下地層、反強磁性層、Ｒｕで分割された２枚のＣｏＦｅ層からなる固定層、Ｃｕからなる非磁性導電層、ＮｉＦｅとＣｏＦｅの２層膜からなる自由層とを有し、前記自由層の端部の間隔で再生トラック幅が決定されることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項７】
前記第１電極層はエレクトロマイグレーション耐性に優れた材料で構成され、前記第２電極層は前記第１電極層よりも低抵抗材料で構成されていることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項８】
前記第１電極層は主としてＲｈ、Ｔａ及びＡｕの中の１種を含む金属材料で構成され、前記第２電極層は主としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＡｌの中のいずれか１種を含む金属材料で構成されていることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項９】
基板と、
該基板の上部に設けられた下部磁気シールドと、
該下部磁気シールドの上部に下部ギャップ層を介して設けられた磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子の両側に設けられた磁区制御層と、
該磁区制御層の上部に前記磁気抵抗効果素子に接触して設けられた第１電極層と、
該第１電極層の上部に当該第１電極層よりも大きな膜厚を有し、前記磁気抵抗効果素子から離れて設けられた第２電極層と、
前記磁気抵抗効果素子、第１電極層及び第２電極層の上部に設けられた上部ギャップ層と、
該上部ギャップ層の上部に設けられた部磁気シールドと、を具備し、
浮上面において、前記上部磁気シールドの前記磁気抵抗効果素子と対向する面と、前記第１電極層と対向する面の成す平均的な角度が２０°以下であり、前記磁気抵抗効果素子の端部から前記第２電極層までの距離が当該磁気抵抗効果素子の幅よりも大きい磁気抵抗効果型ヘッドと、
前記上部磁気シールドの上部に非磁性層を介して設けられた下部磁極と、
浮上面において前記下部磁極との間に記録ギャップを構成し、バックギャップにおいて当該下部磁極に磁気的に接続された上部磁極と、
前記下部磁極と上部磁極の間に設けられたコイルと、を具備する記録ヘッドと、
を有することを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記磁気抵抗効果型ヘッドの第１電極層はエレクトロマイグレーション耐性に優れた材料で構成され、前記第２電極層は前記第１電極層よりも低抵抗材料で構成されていることを特徴とする請求項９記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置に用いる磁気ヘッドに関し、特に再生ヘッドとして用いる磁気抵抗効果型ヘッドの構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置では面記録密度を向上させるための技術開発が進められている。面記録密度の向上のためには、トラック密度および線記録密度の増大が必要であり、磁気ヘッドとしては記録および再生ヘッドのトラック幅の狭幅化や再生ギャップの狭小化が必須となる。従来の再生ヘッドでは、ＧＭＲ効果を用いた磁気抵抗効果素子と、その両側に磁気抵抗効果素子の磁気特性を制御するための永久磁石膜と、磁気抵抗効果素子へ電流を供給する電極層が形成されている。これらの層の上部に絶縁層を介して軟磁気特性を有する磁気シールド層、磁気抵抗再生素子の下部には絶縁層を介して軟磁気特性を有する磁気シールド層が形成されている。
【０００３】
磁気ヘッドとして良好な再生特性を得るには、電極層の電気抵抗は低い方が熱雑音が低減できるので好ましいが、ヘッド作製工程において浮上面加工における加工性や通電時の電流によるエレクトロマイグレーションも考慮した構造・材料の選択が必要である。このために、たとえば特許文献１には、電極構造を二段階にして、磁気抵抗効果素子に接触して浮上面に露出する第１の電極部分と、浮上面に露出せずに第１の電極に接続された第２電極を設ける技術が開示されている。また、特許文献２には、低抵抗金属と高融点金属の多層膜を電極に用いて低抵抗と耐エレクトロマイグレーション性を高めた電極構造が開示されている。
【０００４】
また、再生トラック端部では、電極や磁区制御層が形成されるためにＧＭＲ素子の膜厚よりも膜厚が大きくなるので、上下の磁気シールド層の間隔がトラック中央部よりも広がる。特に狭トラック化を進めてくると、再生トラック端部の間隔が短くなってくるので、上下磁気シールド間隔の広がりによる影響が増大し、再生トラック端部での分解能の低下や、読みにじみによる隣接トラックとのクロストークなどが発生する。これを回避する方法として、特許文献３には電極や磁区制御層の厚さをできるだけ薄くすることが、特許文献４には、電極部位置における磁気シールド層の間隔を、感磁部位置における磁気シールド膜の間隔と同じかもしくは狭くする技術が、特許文献５には電極層及び磁区制御層が積層された位置におけるシールド層の間隔を磁気抵抗効果膜位置における間隔よりも狭くする技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】欧州特許出願公開第５９０９０５号明細書
【特許文献２】特開２００４−１１８９５３号公報
【特許文献３】特開平６−６０３２６号公報
【特許文献４】特開平１１−２５４３１号公報
【特許文献５】特開２００４−２０６８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電極層を薄くして再生トラック端部での読みにじみを低減する方法では、電極層の薄膜化により抵抗が増加する。二段電極構造とすることにより、読みにじみを低減する方法であっても、磁気抵抗効果素子の両端部の電極層の膜厚が薄すぎると抵抗が増加する。さらに、再生トラック幅が狭まるにつれ、電極抵抗を増加させずに読みにじみの低減を図るだけでは不十分であることが判明した。すなわち、下部磁気シールドと上部磁気シールドの間隔の広がりは両側の電極層端部の部分から発生し始めるので、再生トラック幅が狭くなり端部間隔が狭まってくると、上部磁気シールドの形状は、電極層の段差により、磁気抵抗効果素子と対向する部分で磁気抵抗効果素子の方向に突出する形状となる。実使用状態における媒体からの信号磁界や検査における磁界印加によって、この上部磁気シールドの突出部分が磁化されて、不均一な磁区構造を持つようになる。この上部磁気シールドの突出部分は磁気抵抗効果素子の直近にあるため磁気抵抗効果素子の磁化状態に大きな影響を与え、出力変動などの不安定性の原因となる。
【０００７】
本発明の目的は、再生トラック端部での読みにじみが少なく、出力変動の少ない磁気抵抗効果型ヘッドを提供することである。
本発明の他の目的は、記録動作の繰り返しによる再生出力の不安定性を軽減できる記録再生分離型磁気ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、電極を二段構造とし、磁気抵抗効果素子に接して設ける第１電極層の厚さを薄くして、さらに磁気抵抗効果素子から離れた部分の第２電極層の膜厚を厚くすること、および第２電極層の材料として比抵抗の低い材料を適用することによって解決することができる。
本発明の代表的な磁気抵抗効果型ヘッドは、基板の上部に設けられた下部磁気シールドと、下部ギャップ層を介して設けられた磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の両側に設けられた磁区制御層と、磁区制御層の上部に設けられた第１電極層と、第１電極層の上部に第１電極層よりも大きな膜厚を有し、磁気抵抗効果素子から離れて設けられた第２電極層と、これらの上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールドと、を有し、浮上面において、上部磁気シールドの磁気抵抗効果素子と対向する面と、第１電極層と対向する面の成す平均的な角度が２０°以下であり、磁気抵抗効果素子の端部から第２電極層までの距離が磁気抵抗効果素子の幅よりも大きい。
本発明の代表的な記録再生分離型磁気ヘッドは、前記磁気抵抗効果型ヘッドに隣接して、下部磁極と、浮上面において下部磁極との間に記録ギャップを構成し、バックギャップにおいて下部磁極に磁気的に接続された上部磁極と、下部磁極と上部磁極の間に形成されたコイルと、を有する記録ヘッドが設けられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、磁気抵抗効果型ヘッドの再生トラック端部での読みにじみを少なくし、出力変動を少なくすることができる。また、記録再生分離型磁気ヘッドの記録動作の繰り返しによる再生出力の不安定性を軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッド１００を浮上面から見た図である。図２は第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッド１００と記録ヘッド２００を複合化した第２の実施例による記録再生分離型磁気ヘッド３００の浮上面側の構成を示す斜視図である。図１及び図２を参照して第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッド１００の構成を説明する。図示されていないアルミナ・チタンカーバイドの焼結体を基板とし、この上に図示されていない絶縁層を介して下部磁気シールド１が設けられる。下部磁気シールド１の上部には絶縁層（下部ギャップ層）２が設けられ、その上に所定の幅（再生トラック幅）の磁気抵抗効果素子３が設けられる。磁気抵抗効果素子３の両側には磁気抵抗効果素子３の磁気特性を制御するための磁区制御層４が設けられ、磁区制御層４の上部に磁気抵抗効果素子３に電流を供給するための第１電極層５が磁気抵抗効果素子３の両端部に接して設けられる。さらに磁気抵抗効果素子３から離れて両側に第２電極層６が設けられる。磁気抵抗効果素子３、第１電極層５及び第２電極層６の上部に絶縁層（上部ギャップ層）７が設けられ、その上に上部磁気シールド８が設けられる。
【００１１】
上部磁気シールド８の下面は磁気抵抗効果素子３、磁区制御層４、第１電極層５および第２電極層６によって生じた段差の凹凸にならって設けられるので、第１電極層５と第２電極層６の膜厚と第２電極層６の間隔を変えることによって下部磁気シールド１と上部磁気シールド８の距離を調節し、上部磁気シールド８の下面を適正な形状にすることができる。磁気抵抗効果素子３の近傍の上下の磁気シールド間距離を狭くして段差勾配を小さくすることによって、読みにじみを小さくするとともに、シールド段差部分の磁化分布が均一化して、不安定な磁化分布の発生が抑止されて出力の安定性が確保できる。また第２電極層６の膜厚を厚くすることによって、再生ヘッド（磁気抵抗効果ヘッド）全体の抵抗を下げることができるため、熱雑音の抑止が可能となり、再生ヘッドの電磁変換性能の向上を図ることができる。
【００１２】
さらに図１及び図２を参照して上記磁気抵抗効果ヘッド１００の作製方法について説明する。図示されていないアルミナ・チタンカーバイドの焼結体を基板とし、この上に図示されていない絶縁層を介してパーマロイからなる膜厚約１μｍの下部磁気シールド１をスパッタリングあるいはめっきにより形成する。次にこの上に膜厚約１０ｎｍのアルミナ絶縁層２をスパッタリングにて形成し、続いて磁気抵抗効果素子３をスパッタリングにより積層する。磁気抵抗効果素子３はスピンバルブ構造を有する多層膜で、アルミナ絶縁層２側から下地層、反強磁性層、Ｒｕで分割された２枚のＣｏＦｅ層からなる固定層、Ｃｕからなる非磁性導電層、ＮｉＦｅとＣｏＦｅの２層膜からなる自由層とを有する。固定層の磁化方向は反強磁性層との交換結合により所定の方法に固定されている。
【００１３】
磁気抵抗効果素子３の自由層の端部の間隔が再生トラック幅に相当し、その幅は約１００ｎｍである。このトラック幅加工では、通常のホトリソグラフィでホトレジストパターンを形成した後、イオンミリングによりトラック幅部分を除く磁気抵抗効果膜を除去する。本実施例では、磁区制御層４と自由層の膜厚方向の高さを合わせるため、磁気抵抗効果膜のうち下地層と反強磁性層を残すようにした。続いてレジストパターンをそのままにして、磁区制御層４としてＣｏＣｒＰｔをスパッタリングにより積層し、さらに第１電極層５としてＲｈを磁気抵抗効果素子３の両端にめっきにて形成する。磁区制御層４の膜厚は約１０ｎｍで、第１電極層５の膜厚は約２０ｎｍである。その後トラック部分のレジストを溶解して所望の部分だけに磁区制御層４と第１電極層５を形成する。次に第２電極層６を形成するために、磁気抵抗効果素子３を中心にして幅約４００ｎｍのレジストパターンを形成し、そこにＴａ/Ａｕ/Ｔａを成膜して続いてリフトオフすることにより第２電極層６を形成する。なお、Ａｕの膜厚は約１００ｎｍとし、上下のＴａ層は膜厚約５ｎｍでＡｕの接着層として働く。その後膜厚約１０ｎｍのアルミナ絶縁層７をスパッタリングにて形成し、アルミナ絶縁層７の上に膜厚約1．０μｍのパーマロイをめっきにて形成することにより上部磁気シールド層８を形成する。
【００１４】
磁気抵抗効果素子３の総膜厚は約３０ｎｍで、上下のアルミナ絶縁層２，７はそれぞれ膜厚約１０ｎｍである。したがって、磁気抵抗効果素子３における上下の磁気シールド間隔は約５０ｎｍとなり、再生ヘッドのギャップ間隔Ｇｓは約５０ｎｍとなる。
【００１５】
本実施例のように、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子３の電気抵抗は約５１Ωを実現することができた。さらに再生出力の再現性は、±１０％以上変化するものを不良としたときその不良率を２．５％にすることができた。
【００１６】
なお、上記実施例では第１電極層５にＲｈを使用したが、ＴａやＡｕなど通常電極材料として用いられる他の材料を選択することもできる。さらに第２電極層６としてはＡｕの例を開示したが、ほかの低抵抗電極材料としてＡｇ，Ｃｕ，Ａｌなどを用いることが可能である。
【００１７】
次に、上記第１の実施例の構造によって再生出力の再現性が向上し、不良率が低減して歩留まりが改善した現象について検証する。図３に上部磁気シールド８の素子部分近傍を拡大した磁化分布を模式的に示す。トラック幅Ｔｗｒ部分に対応する磁化をＭ１、第１電極層５の斜面に対応する部分の磁化をＭ２および第２電極層６の斜面に対応する部分の磁化をＭ３とする。上部磁気シールド８の下面に近い部分の磁化は、静磁エネルギーを下げるため表面に磁荷が生じないように下面の形状に倣うように磁化の向きが変化する。このときＭ１とＭ２は傾きが異なるために両者の境界Ａで磁化の向きが変化する。また同様に境界Ｂでも磁化の向きが変化する。境界部分での磁壁エネルギーを検討するためＭ１とＭ２の磁化を抜き出して、拡大して図４に示す。
【００１８】
図４において、Ｍ１およびＭ２が容易軸に対してなす角度をそれぞれθ１およびθ２とすると、一般に磁化Ｍ１がＭ２に方向を変えるときは磁化のエネルギーは磁壁に蓄えられ、ブロッホ磁壁の場合の角度依存性は、Ｅwb＝σb×(Sin([θ1+θ2]/2))2で表され、ネール磁壁の場合の角度依存性は、Ｅwn＝σn×（１−Cos（[θ1+θ2]/2）2で表される。ここで、σbは１８０°ブロッホ磁壁エネルギー、σnは１８０°ネール磁壁エネルギーである。これらの角度依存性を求めた結果を図５の実線（ブロッホ磁壁）と破線（ネール磁壁）に示す。Ｍ１およびＭ２の両磁化のなす角度θ1+θ2の増加に伴って、両磁壁エネルギーとも増大していくのがわかる。実際の磁壁エネルギーはブロッホ磁壁成分とネール磁壁成分が合成されたものからなり、その割合は全エネルギーが最小となるように決まる。このように両磁化のなす角度が大きくなって磁壁のエネルギーが高くなるとその磁壁は不安定になり、もっと複雑な磁区構造をとってエネルギーを低くする状態に移る確率が増加する。不安定な磁壁は外部ストレスなどによって、いろいろな磁化状態に変化し易く、例えば媒体からの信号磁界によっても磁気シールドの磁化や磁壁構造が変化する可能性がある。このような再生素子近傍の磁気シールド磁化の変化は、バイアス点の変化に現れ、再生出力の再現性の低下などを生じる。
【００１９】
この現象を調べるめために、トラック幅部分に対応する磁気シールド磁化Ｍ１と第１電極層５に対応する磁気シールド斜面部の磁化Ｍ２のなす角度が１０、２０、３０、１１０°となるように、第１電極層５の膜厚を１５、２５、４０、１１０ｎｍと変えて、第１電極層５に対応する磁気シールド斜面部の角度が上記の１０、２０、３０、１１０°となるようにヘッドを作製した。第１電極層５には、先に述べた実施例と同様にＲｈ電極を用いた。ところで実際の素子接合部分近傍には電極膜厚の微小な変化による局所的な斜面角度の変化はあるので、上記斜面部の角度は、おおよそトラック幅相当の長さにおける平均的な斜面角度の値として求めたものである。またこの実験では各部分の磁化の角度は、磁気シールド下面の平均的な斜面角度と平行であることを前提として磁化のなす角度を求めた。測定は電気特性の出力の安定性および波形上下非対称性を計測し、仕様に対する歩留まりを評価した。結果を同図中の白丸で示す。角度が２０°までは、歩留まりが９５％以上で、再現性・安定性は良好であるが、３０°および６０°では７５％および５０％まで歩留まりが低下して、安定性が低下していることがわかる。
【００２０】
したがって、安定した電気特性を得るには、トラック幅部分の磁化Ｍ１の方向と第１電極部分の磁化Ｍ２の方向の角度が２０°以下すなわち、第１電極層斜面部の角度が２０°以下であることが好ましいことがわかる。一方、第２電極層６の積層に関しては、図３に示すように、領域Ｂの磁化変化領域がトラック幅中央部に影響を与えるが、Ａ領域に比べて再生素子中心との距離が離れている。Ｂ領域の磁化の不均一性から発生した漏洩磁界の強度は、距離の平方に逆比例する。トラック端部からの第２電極層６が形成する斜面開始位置までの距離をＬとし、Ｌがトラック幅の１．０倍の場合、すなわちトラック幅と同等の場合、トラック中心までの距離はトラック幅の１．５倍となる。第１電極層開始位置とトラック中心との距離はトラック幅の０．５倍であるから、距離の比としては３倍の開きがある。このため影響を与える漏洩磁界の大きさは９分の１に減衰し、さらにＬがトラック幅の１．５倍あれば１６分の１に減衰する。第１電極層端部に磁化不均一部分ができた場合、出力の不安定性は最大で出力の約３０％の範囲で発生するが、上記のように漏洩磁界を１０分の１程度まで減衰させれば、出力変化は３％まで低減することができる。したがって、第２電極層６の斜面開始位置とトラック端部の距離Ｌとして、トラック幅Ｔｗｒの１．０倍から１．５倍よりも大きくすれば十分であることがわかる。
【００２１】
以上説明したように、第１の実施例によれば、磁気抵抗効果素子に接する電極を第１電極層とし、この電極層の膜厚を調整することによって、この電極部分における上下磁気シールド間隔の広がりを抑えることができる。これによって、再生トラック端部での読みにじみが低減できる。また第１電極層の膜厚の段差が小さいので、上部磁気シールドに発生する段差も小さくなり、この部分の磁化の乱れが低減して磁気抵抗効果素子に及ぼす影響を低減できる。さらに磁気抵抗効果素子から離れた位置で上記第１電極層に接して形成された第２電極層の膜厚を第１電極層よりも厚くすることによって電極の電気抵抗を下げることができる。さらに、第２電極層の材料として、第１電極層の比抵抗よりも小さい材料を選ぶことによって一層電極抵抗を下げることができる。
【００２２】
このように電極を二段構造にすることによって、磁気抵抗効果素子に接する第１の電極層は磁気抵抗効果素子に対する拡散現象や、高電流密度の電流で生じるエレクトロマイグレーション現象などに配慮した材料選択ができる。さらに、磁気抵抗効果素子から離れた場所に形成される第２電極層は第１電極層と比べて流れる電流密度も低く材料的な制約は少ないので、低抵抗材料の選択の自由度は広がる。
【００２３】
次に図２を参照して、上記第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッド１００と記録ヘッド２００を組み合わせた記録再生分離型磁気ヘッド３００を第２の実施例として製造工程順に従って説明する。磁気抵抗効果ヘッド１００の上部に分離用非磁性層１０をスパッタリングにて形成し、その上に記録ヘッド２００を構成する下部磁極１１、突起部１２、磁気ギャップ１３、上部磁極先端層１４、コイル１５、上部磁極主層１６をめっきにて形成する。下部磁極１１の突起部１２，磁気ギャップ１３，上部磁極先端層１４は、イオンミリングにより記録トラック幅に相当する幅にトリミングする。下部磁極１１と上部磁極主層１６はバックギャップにおいて磁気的に接続される。分離用非磁性層１０は膜厚約０．５μｍのアルミナで、下部磁極１１にはＮｉ４６％Ｆｅを用い、突起部１２の記録ギャップ近傍にはＣｏＮｉＦｅ合金からなる高Ｂｓ材料を用いた。コイル１５は２層構造で膜厚約２．０μｍのＣｕを用い、上部磁極先端層１４にはＣｏＮｉＦｅ合金からなる高Ｂｓ材料を用い、上部磁極主層１６にはＮｉ４６％Ｆｅを用いた。本実施例によれば、記録ヘッド２００の記録動作の繰り返しによって発生する再生ヘッド１００の出力不安定性はほとんどなく、また再生ヘッド１００の抵抗低減による雑音の低減によりヘッドＳ／Ｎが従来ヘッドよりも約０．５ｄＢ向上した。
【００２４】
次に、図６に上記実施例による磁気抵抗効果ヘッド１００あるいは記録再生分離型磁気ヘッド３００を搭載した磁気ディスク装置の概略構成を示す。磁気ディスク１５はＣｏＣｒＰｔＢからなる記録媒体を有し、スピンドルモータ１７に固定されて回転駆動される。磁気抵抗効果ヘッド１００あるいは記録再生分離型磁気ヘッド３００はサスペンション１６の先端に取り付けられ、ボイスコイルモータ１８により磁気ディスク１５の半径方向に移動され、磁気ディスク１５の任意の記録トラックに位置付けされ磁気情報の再生あるいは記録を行う。本磁気ディスク装置は、ヘッド抵抗の小さい再生ヘッドを搭載しているので、再生出力の雑音が低く抑えられ、良好な再生特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施例による磁気抵抗効果ヘッドの浮上面から見た構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの斜視図である。
【図３】上部磁気シールドの磁化状態の模式図である。
【図４】上部磁気シールドのトラック幅部分に対応する部分の磁化と第１電極層の斜面に対応する部分の磁化の角度を示す模式図である。
【図５】本発明の効果を表す図で、磁壁エネルギーと磁壁を挟んだ両磁化のなす角度の関係およびヘッドの安定性歩留まりと磁化のなす角度の関係を示す図である。
【図６】実施例による磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００２６】
１…下部部磁気シールド、２…絶縁層、３…磁気抵抗効果素子、４…磁区制御層、５…第１電極層、６…第２電極層、７…絶縁層、８…上部磁気シールド、１０…分離非磁性膜、１１…下部磁極、１２…突起部、１３…磁気ギャップ、１４…上部磁極先端層、１５…コイル、１６…上部磁極主層、１００…磁気抵抗効果型ヘッド、２００…記録ヘッド、３００…記録再生分離型磁気ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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