(57)【要約】【課題】液体吐出ヘッドの形成によって回路パターンを形成する回路パターン形成方法において、液滴のサテライトによるショート等の回路動作不良を防止する。【解決手段】液体吐出ヘッド１０によって回路パターン１１を形成する装置において、液体吐出ヘッド１０の走査方向が、形成中の回路パターン１１の各線分パターンの長手方向と一致するように液体吐出ヘッド１０と基材１の相対位置を制御しながらパターン形成用溶液の吐出を行う。例えば４方向の線分パターンＡ〜Ｄを有する回路パターン１１を形成するときは、各線分パターンの長手方向が液体吐出ヘッド１０の走査方向と一致するように回転ステージ７を回転させて走査することで、走査方向前方のサテライトがパターン外に着弾するのを防ぐ。【選択図】図１
2007005429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体吐出ヘッドを基材に対して相対的に走査させながら、前記液体吐出ヘッドのノズルからパターン形成用溶液を吐出することにより前記基材に回路パターンを形成する回路パターン形成方法において、
回路パターンを複数の線分パターンに分割し、前記複数の線分パターンのそれぞれの長手方向を記憶手段に記憶する工程と、
記憶された前記長手方向に前記液体吐出ヘッドの走査方向を一致させて前記線分パターンを形成する工程と、を有し、
２つの前記線分パターンが接続する箇所は、いずれか一方の前記線分パターンの形成開始端であることを特徴とする回路パターン形成方法。
【請求項２】
液滴を基材に吐出するノズルを有する液体吐出ヘッドを、前記基材に対して相対的に走査させながら、前記ノズルからパターン形成用溶液を吐出することにより前記基材に回路パターンを形成する回路パターン形成装置において、
前記回路パターンを構成する複数の線分パターンのそれぞれの長手方向を記憶する記憶手段と、前記線分パターンの長手方向が前記基材に対する前記液体吐出ヘッドの走査方向と一致するように、前記基材と前記液体吐出ヘッドとの相対位置を制御するための手段と、を有することを特徴とする回路パターン形成装置。
【請求項３】
前記液体吐出ヘッドの走査方向において、往走査および復走査することで、前記線分パターンを前記基材に形成することを特徴とする請求項２に記載の回路パターン形成装置。
【請求項４】
前記長手方向と前記液体吐出ヘッドの走査方向とが一致するように前記基材を回転させるステージ回転手段を有することを特徴とする請求項２または３に記載の回路パターン形成装置。
【請求項５】
請求項１に記載の回路パターン形成方法によって形成された回路パターンを有することを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出方式によって回路パターンを形成する回路パターン形成方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、回路基板の回路パターン形成においてはサブトラクティブ法が一般的に用いられているが、近年では多品種・少量生産への対応が比較的容易なインクジェット記録法等の液体吐出方式を用いて、パターン形成用溶液を基材に吐出することにより回路パターンを形成する方法が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、基板と液体吐出器を相対移動させ、その相対移動中に液滴を吐出させて基板上に所望パターンを形成する装置が開示されている。この装置は、図１２に示すように、基板（基材）２０１をＸ方向移動台２０２とＹ方向移動台２０３上に搭載し、アーム２０４に固定された液滴吐出器２０５を基板２０１と相対向するように設置し、パターンを形成する際には、Ｘ方向移動台２０２およびＹ方向移動台２０３を移動させながら、液滴吐出器２０５から基板２０１へ向かってパターン形成用のインク２０６を吐出することにより所望形状の回路パターン２０７を形成する。
【０００４】
しかしながら、上記装置においては、Ｘ、Ｙ方向の移動台を制御しながら回路パターンを１本ずつ形成する必要があり、全回路パターンを形成するには多大な時間を要していた。そこで形成時間短縮を図るため、特許文献２では、液滴を吐出するノズルを多数配列したマルチノズルヘッドが使用されている。マルチノズルヘッドは、図１３の（ａ）に示すように、１個の液体吐出ヘッド１００に複数個のノズル１０１が長さＬに渡って列状に配置されており、各ノズル１０１から選択的に液滴を吐出することが可能である。マルチノズルヘッドを用いたパターンの形成は以下のように行われる。
【０００５】
図１３の（ｂ）に示すようなパターン１１０を形成する場合、液体吐出ヘッド１００を同図において左から右へ走査させながら液滴を吐出すると、同図の（ｃ）に示したようにノズル列の長さＬと同じ長さの範囲に対してパターン１１０の一部１１１を１回の走査にて形成することができる。このようにマルチノズルを用いた方法は、基板上に形成すべき全てのパターンを１本ずつ形成する方法に比べて全パターンの形成時間を大幅に短縮することが可能である。
【特許文献１】特開昭６２−１８１４９０号公報
【特許文献２】特開２００４−３４２９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
通常、インクジェット記録ヘッド等の液体吐出ヘッドにおいては、ノズルから液滴を吐出すると、主滴に伴ってサテライトと呼称される小液滴が同時に吐出されることが知られている。以下にインクジェット記録ヘッドの吐出過程および主滴・サテライトについて詳しく説明する。
【０００７】
図１４は、インクジェット記録ヘッドにおいてインクを吐出する過程を断面で示したものであり、同図の（ａ）に示すように、インクは液室３０１からインク路３０２を経て吐出口（ノズル）３０３まで充填されている。ヒータ３０４は、シリコン基板３０５上に形成されている。液室３０１に供給されたインクは、毛管力によりインク路３０２に進入する一方、インクタンクなどの供給部から発生する負圧力によってインク路３０２内のインクを引き戻そうとする力も働く。従って、非記録時には両者がつりあった状態で静止している。このとき、吐出口３０３におけるインクは液室３０１方向への負圧力により、凹状のメニスカス３０６を形成している。
【０００８】
図１４の（ｂ）〜（ｆ）は、同図の（ａ）の静止状態に対し、実際に記録する際の発泡、吐出、メニスカスの様子を示したものである。記録動作が開始され、ヒータ３０４に電圧が印加されると、ヒータ３０４から熱エネルギーが発生し、インク路３０２内のインクが加熱されて膜沸騰により気泡３０７が発生する。この気泡３０７は、ヒータ３０４が発熱している間膨張を続け、膨張力によってインク路３０２内のインクが動き出す。
【０００９】
すなわち、吐出口３０３付近のインクはメニスカス３０６を破って飛び出し、液室３０１に近いインクは、液室３０１に戻る方向に動いていく（図１４の（ｂ）参照）。
【００１０】
インクが吐出口３０３から大きく飛び出ている状態で、ヒータ３０４への電圧印加を停止すると、気泡３０７は収縮し、吐出口３０３付近のインクはインク路３０２内に大きく引き込まれる。このとき、飛び出していたインクは、インク路３０２内に引き込まれるインクと分離し、吐出口３０３から飛翔して行く。飛翔するインクは、主滴３０８とこれに続く小さなインク滴の集団であるサテライト３０９となり、これらが記録媒体に着弾する（図１４の（ｃ）参照）。
【００１１】
消泡後、毛管力によってインク路３０２内に引き込まれたメニスカス３０６が再び吐出口３０３方向に移動し、インク路３０２内にインクが再充填される（図１４の（ｄ）参照）。
【００１２】
インクのメニスカスは、初期状態であった吐出口付近の位置まで来ても慣性があるためすぐには停止せず、吐出口３０３より少し外側へ張り出す（図１４の（ｅ）参照）。
【００１３】
ある程度張り出したところで、インクの表面張力とタンク内への負圧力によって再び吐出口３０３内へ引っ張られるように振動し、その振動は徐々に減衰していき、最終的に静止状態へ戻る（図１４の（ｆ）参照）。
【００１４】
１回の記録動作では主滴３０８は１滴のみ吐出されるが、サテライト３０９は１滴もしくは複数滴吐出される。また、サテライト３０９の大きさや主滴３０８との距離間隔も吐出口３０３毎に異なり、さらに、同一吐出口からの吐出においても動作毎に差が生じることが知られている。
【００１５】
そして、図１３に基づいて先述した回路パターン形成方法においては、このサテライトに起因する回路動作不具合が発生する可能性があり、以下に図１５を参照して詳細に説明する。図１５は、走査中の液体吐出ヘッド１００のノズル１０１からパターン形成用溶液の液滴を吐出した際の主滴１０３とサテライト１０４の着弾位置関係を示すもので、同図の（ａ）、（ｂ）に示すように、液体吐出ヘッド１００と基材１０２を相対的に移動させながら液滴を吐出してパターンを形成する。図１５の（ｃ）は１回の吐出動作によって基材１０２上に形成された液滴形状を示している。なお、図１５における相対移動では、基材１０２を固定し、液体吐出ヘッド１００を図中左から右方向へ移動させるものとする。
【００１６】
図１５の（ａ）に示すように、液体吐出ヘッド１００を走査中にノズル１０１から液滴を吐出すると、液体吐出ヘッド１００は右方向へ移動しているため、主滴１０３は右下方向へ飛翔する。そして、図１５の（ｂ）に示すように、主滴１０３の吐出に伴い１個または複数個のサテライト１０４が形成され、主滴１０３と同じく右下方向へ飛翔する。サテライト１０４は、主滴１０３よりも遅れて形成されるため、図１５の（ｃ）に示すように基材１０２上への着弾位置は、主滴１０３よりも若干右側（走査方向前方）へずれた位置となる。逆に、走査方向を左向きにした場合は、サテライト１０４は主滴１０３より左側に着弾する。また、主滴１０３とサテライト１０４の着弾位置間の距離Ｄは、ヘッドの走査速度、各液滴の吐出速度、各液滴の体積、液滴の成分、ノズルから基材までの距離などによって変化する。
【００１７】
次に、図１６に基づいて、液滴を連続的に吐出してパターンを形成する過程について説明する。図１６の（ａ）〜（ｄ）はヘッドの走査方向とパターンの長手方向が平行な場合について示しており、（ｅ）は直交している場合を示している。図１６の（ａ）はパターン形成領域１２０に１滴目の吐出液滴が着弾した状態を示している。吐出動作は１回であるが上述したように主滴の吐出に伴ってサテライトが形成されるため、着弾状態は図示のように主滴１０３とサテライト１０４の複数の着弾滴となる。図１６の（ｂ）は２滴目の液滴が着弾した状態を示している。２滴目も１滴目と同様に主滴１０５とサテライト１０６が着弾するが、２滴目の主滴１０５は、１滴目のサテライト１０４上に重なるように着弾する。なお、図１６の（ｃ）のように、１滴目の主滴１０３とサテライト１０４の着弾位置間距離が、より離れている際には、２滴目の主滴１０５は１滴目のサテライト１０４に重ならない。その場合は、３滴目以降の主滴が１滴目のサテライト１０４上に着弾することになる。そして、図１６の（ｄ）に示すように、吐出動作を繰り返してパターン形成領域１２０全域に渡って着弾した状態においては、パターン形成領域１２０の右端、すなわちヘッド走査方向における終端部に着弾させた主滴１０７に伴うサテライト１０８が、パターン形成領域１２０外に着弾する。
【００１８】
また、図１６の（ｅ）に示すように、ヘッドの走査方向とパターンの長手方向が直交している場合では、配列された複数のノズルから液滴を吐出することによって一度にパターンを形成することができるが、各液滴のサテライト１０９はパターン形成領域１２０外に着弾することになる。
【００１９】
図１７は、実際の導電パターン（回路パターン）を形成した際に起こり得る不具合について説明するもので、図１３の回路パターン１１０を形成したものを拡大すると、回路パターン１１０に対して吐出・着弾した主滴１１２に伴って形成されたサテライト１１３が回路パターン１１０外に多数着弾している。前述したように、主滴１１２とサテライト１１３の着弾距離の間隔は近いものから遠いものまでさまざまであり、サテライト１１３の着弾状態によっては、２本のパターンが電気的に接続して短絡部１１４が生じることがあり、その結果、回路基板の回路動作に不具合が起こってしまう。
【００２０】
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、サテライトに起因する回路不具合を回避できる回路パターン形成方法および装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の目的を達成するため、本発明の回路パターン形成方法は、液体吐出ヘッドを基材に対して相対的に走査させながら、前記液体吐出ヘッドのノズルからパターン形成用溶液を吐出することにより前記基材に回路パターンを形成する回路パターン形成方法において、回路パターンを複数の線分パターンに分割し、前記複数の線分パターンのそれぞれの長手方向を記憶手段に記憶する工程と、記憶された前記長手方向に前記液体吐出ヘッドの走査方向を一致させて前記線分パターンを形成する工程と、を有し、２つの前記線分パターンが接続する箇所は、いずれか一方の前記線分パターンの形成開始端であることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の回路パターン形成装置は、液滴を基材に吐出するノズルを有する液体吐出ヘッドを、前記基材に対して相対的に走査させながら、前記ノズルからパターン形成用溶液を吐出することにより前記基材に回路パターンを形成する回路パターン形成装置において、前記回路パターンを構成する複数の線分パターンのそれぞれの長手方向を記憶する記憶手段と、前記線分パターンの長手方向が前記基材に対する前記液体吐出ヘッドの走査方向と一致するように、前記基材と前記液体吐出ヘッドとの相対位置を制御するための手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
走査方向に発生するサテライトを形成中の線分パターンに取り込むことで、サテライトによるパターンの乱れを防ぎ、短絡や絶縁不良のない良好な回路パターンを効率的に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１の（ａ）は一実施の形態による回路パターン形成装置を示す模式斜視図である。回路パターンを形成して回路基板とするための基材１は、保持台２上に固定されている。基材１はフィルム状、シート状、板状などの平面形状を有し、材質は、ポリエステルフィルムや芳香族ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルムのような熱可塑性樹脂フィルム、あるいは、ガラス繊維やポリエステル繊維、芳香族ポリアミド繊維による織物や不織布に熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂を含浸硬化させシート状としたものや、通常の回路基板に用いられるガラスエポキシ積層板等である。
【００２５】
回路パターンを形成するための導電性の溶液（パターン形成用溶液）を吐出する液体吐出ヘッド１０は、吐出口であるノズルを列状に複数個有し、溶液が注入されたタンクとともにキャリッジ３に取り付けられている。なお、液体吐出ヘッド１０のノズル数は複数個でなく、１個のみを備えた液体吐出ヘッドを用いてもよい。液体吐出ヘッド１０は、支柱４に支持されたスライダ５に沿って往復走査することができる。保持台２は、直動ステージ６上のステージ回転手段である回転ステージ７に設置されており、直動ステージ６の動作と液体吐出ヘッド１０の走査により、基材１の所望位置に対して溶液を吐出することができる。
【００２６】
なお、本実施の形態における回路パターンを形成するための溶液には導電性微粒子が含まれており、一例を挙げると、ＡｇやＳｎＯ2 の金属コロイドが用いられるが、これらに限定されるものではない。また、形成された回路パターンの均一性や安定性の観点から、導電性微粒子径は数１０〜数１００ｎｍの範囲のものが好適に用いられる。
【００２７】
図１の（ｂ）に示すように、形成する回路パターン１１を直線状の線分パターンに分割する。例えば、４種類の線分パターンの組み合わせにより構成された回路パターン１１を、左右に延びる線分パターンＡ（Ａ方向パターン）、右下がりの斜め方向に延びる線分パターンＢ（Ｂ方向パターン）、上下に延びる線分パターンＣ（Ｃ方向パターン）、右上がりに延びる線分パターンＤ（Ｄ方向パターン）に分割する。
【００２８】
例えば、図２の（ａ）に示す形状の回路パターン２１においては、パターンの方向が変わる箇所（エッジ部）２１ａにおいて、Ａ〜Ｄ方向の直線状の線分パターン２１〜２４に分割する。すなわち、図２の（ｂ）に示すように、回路パターン２１は、Ａ方向パターン２２、Ｂ方向パターン２３、Ｃ方向パターン２４、Ｄ方向パターン２５の各線分パターンに分割される。なお、エッジ部２１ａの扱いについては以下のように留意する必要がある。
【００２９】
図２の（ｃ）、（ｄ）は、線分パターン２２、２３の間のエッジ部２１ａの周辺を拡大した図である。なお、同図は理解し易いようにパターン形成用溶液を着弾させた状態で示している。エッジ部２１ａに着弾する液滴Ｑは、図２の（ｃ）に示すように、Ａ方向パターン２２の端部と、（ｄ）に示すようなＢ方向パターン２３の端部との両方向パターンになり得るが、この液滴Ｑを両方のパターンに重複させてしまうと形成する際に２滴重ねて着弾してしまい、局所的にパターンが厚くなってしまう。そこで、エッジ部２１ａに該当する液滴Ｑをどちらか一方の線分パターンのみに属するように分割することが必要である。
【００３０】
図３は、回路パターン２１の各エッジ部２１ａの形成方法を示す図である。同図の（ａ）に示すように、Ａ方向パターンとＢ方向パターン間のエッジ部に該当する液滴Ｑ1 を着弾させる箇所は次に形成するＢ方向パターンの形成開始端として扱い、（ｂ）のようにＢ方向パターンとＣ方向パターン間のエッジ部に該当する液滴Ｑ2 を着弾させる箇所はＣ方向パターンの形成開始端とする。同様に、図３の（ｃ）のようにＣ方向パターンとＤ方向パターン間のエッジ部に該当する液滴Ｑ3 を着弾させる箇所はＤ方向パターンの形成開始端、（ｄ）のようにＤ方向パターンとＡ方向パターン間のエッジ部に該当する液滴Ｑ4 を着弾させる箇所はＡ方向パターンの形成開始端として扱う。すなわち、図２に示す液滴Ｑは、Ｂ方向パターン２３の形成開始端とするように分割する。
【００３１】
このようにして、サテライトがパターン外に着弾するのを効果的に抑制し、サテライトによるショート等の回路不具合を回避する。
【００３２】
次に、図１の装置の制御を説明する。
【００３３】
図４に示すように、回路パターン形成装置の制御部（ステージ制御手段）は、例えばホスト装置（回路パターンなどのデータ供給源をなすものであり、情報処理装置としてのコンピュータ）から、基材１上に形成すべきパターンデータ１２が本装置の通信部１３を介してパターンデータ記憶部１４ａに格納される。また、記憶手段である方向別パターン記憶部１４ｂは、パターンデータ記憶部１４ａに格納されたパターンデータを上述した方法にて線分パターンに分割し、分割された各線分パターンを長手方向別に格納する。形成データ記憶部１４ｃは、方向別パターン記憶部１４ｂに格納（記憶）された長手方向データをもとに、実際にパターンを形成するための詳細データを格納する。
【００３４】
ＣＰＵ１５は本装置における全ての構成要素を制御し、ステージ制御部１６は直動ステージ６および回転ステージ７に対して動作指令を出力し、キャリッジ制御部１７は液体吐出ヘッド１０のキャリッジ３の走査を制御し、駆動信号発生部１８は液体吐出ヘッド１０から液滴を吐出するための駆動信号を発生・出力する役割を担っている。
【実施例１】
【００３５】
図５は、実施例１による回路パターン形成工程を説明するフローチャートであり、図６はパターンを形成する過程を示す図である。
【００３６】
図５のステップＳ１では、図６の（ａ）に示すような形成すべき回路パターン２１を前述の方法により同図の（ｂ）に示すように分割し、分割された線分パターン２２〜２５の長手方向を検出し、それらを方向別パターン記憶部１４ｂに格納する（ステップＳ２）。
【００３７】
ステップＳ３では、各線分パターン２２〜２５を形成（描画）する際の形成（描画）方向を決定する。本実施例では、図６の（ｂ）に矢印で示すように、Ａ方向パターン２２は左から右、Ｂ方向パターン２３は左上から右下、Ｃ方向パターン２４は上から下、Ｄ方向パターン２５は左下から右上の方向へ形成するものとする。
【００３８】
ステップＳ４では、ステップＳ１ないしステップＳ３で行った処理結果より、実際の形成（描画）に必要な各線分パターンおよび形成方向のデータを形成（描画）データ記憶部１４ｃに格納する。
【００３９】
ステップＳ５ないしステップＳ７は、形成（描画）対象であるパターンをＡ方向パターンからＤ方向パターンまで、合計４回繰り返すが、以下にその要所について説明する。
【００４０】
ステップＳ５では、形成対象とする線分パターンを選択する。そのパターンの長手方向と液体吐出ヘッド１０の走査方向が一致するように回転ステージ７を回転させる（ステップＳ６）。ここでは、最初にＡ方向パターンを形成対象とすることとして説明する。
【００４１】
ステップＳ７では、形成対象の線分パターン（現段階ではＡ方向パターン）のみ形成する。図６の（ｃ）はＡ方向パターン２２に対して形成した際の拡大図であり、図６の（ｂ）のＲ部近傍を表している。現段階では、形成方向終端部に吐出・着弾した主滴２２ａに伴って形成されたサテライト２２ｂがＡ方向パターン２２外に着弾している。
【００４２】
ステップＳ８にてＡ〜Ｄ全方向の線分パターン２２〜２５への形成が完了したか否かを判定し、完了していなければステップＳ５の形成する線分パターンを選択する処理から繰り返す。
【００４３】
ステップＳ５へ戻り、まだ形成していない線分パターンを選択するが、ここではＢ方向、Ｃ方向、Ｄ方向の順に形成対象パターンを選択することとして説明する。ステップＳ６にて、Ｂ方向パターン２３の長手方向と液体吐出ヘッド１０の走査方向を一致させ、ステップＳ７にてＢ方向パターン２３を形成した状態を図６の（ｄ）に示す。Ｂ方向パターン２３に着弾した１滴目の主滴２３ａは、Ａ方向パターン２２外に着弾していたサテライト２２ｂ上に重なって着弾する。同様に、Ｂ方向パターン２３外に着弾したサテライト２３ｂは、Ｃ方向パターン２４を形成した際の主滴が重なることにより隠れてしまう。そして、４方向目となるＤ方向パターン２５の形成が完了すると全パターンの形成が完成となる。
【００４４】
なお、本実施例では形成する線分パターンの選択をＡ方向からＤ方向まで順番に選択した場合について記述したが、この順に限定されるものではなく、どのような順番にて形成しても何ら問題はない。例えば、Ｂ方向パターンを形成した後にＡ方向パターンを形成した場合については、図６の（ｅ）に示すように、後から形成されたＡ方向パターン２２の形成終了端に吐出・着弾した主滴２２ａに伴って形成されたサテライト２２ｂは、先に形成されているＢ方向パターン２３の１滴目の主滴２３ａ上に重なるように着弾している。従って、各方向の線分パターンをどのような順序で形成した場合においても、線分パターンが接続する箇所のサテライトは接続する線分パターンの主滴に隠れてしまう。
【００４５】
最後に、形成された全ての回路パターンの定着が完了すれば回路基板が完成するが、さらに良好な特性を有する回路基板とするためには、別途用意されたベーク装置によりベークする必要がある。導電性微粒子として使用している金属コロイドが充分溶解する温度でベークすることにより、金属コロイドが溶解して金属結合となるためパターンの導電率が向上した回路基板を形成することができる。
【００４６】
本実施例によれば、サテライトによって回路パターンが乱れることがないため、短絡等の回路不良が発生しない良好な回路パターンを形成することができる。
【実施例２】
【００４７】
図７は、実施例２によるパターン形成（描画）工程を説明するフローチャートであり、図８は、形成（描画）するパターンデータより、パターン形成用溶液を吐出するためのデータ処理を説明するための図である。
【００４８】
ステップＳ１１では、図８の（ａ）に示すような形成すべき回路パターン２１を前述の方法により（ｂ）のように分割し、分割された各線分パターン２２〜２５の長手方向を検出し、その方向別に方向別パターン記憶部１４ｂに格納する（ステップＳ１２）。
【００４９】
次に、ステップＳ１３にて各線分パターン２２〜２５について、図８の（ｃ）に示すようにそれぞれの長手方向における中間点３２〜３５を検出し、各線分パターン２２〜２５を（ｄ）に示すように分割する。すなわち、Ａ方向パターン２２は中間点３２を境界とした分割パターンである左側パターン４１と右側パターン４２、Ｂ方向パターン２３は中間点３３を境界とした分割パターンである左上パターン４３と右下パターン４４、Ｃ方向パターン２４は中間点３４を境界とした分割パターンである上パターン４５と下パターン４６、Ｄ方向パターン２５は中間点３５を境界とした分割パターンである右上パターン４７と左下パターン４８にそれぞれ分割される。なお、ここで述べた中間点は、各線分パターンを二つに分割することが目的であり、必ずしも二等分するための位置でなくてもよい。
【００５０】
また、形成方向については、各線分パターンの中間点３２〜３５へ向かう方向に形成する。例えば、Ａ方向パターン２２においては、左側パターン４１では中間点３２へ向かう方向である左から右へ形成するものとし、右側パターン４２では右から左が形成方向となる。
【００５１】
ステップＳ１４では、ステップＳ１１ないしステップＳ１３で行った処理結果より、実際の形成に必要な各線分パターンを二つに分割した各パターンおよびそれらの形成方向を形成（描画）データ記憶部１４ｃに格納する。
【００５２】
続いて、パターン形成用溶液を吐出してパターンを形成する過程について図９に基づいて説明する。ステップＳ１５にて形成対象とする線分パターンを選択する。ここでは、先ずＡ方向パターンを選択することとする。次に、ステップＳ１６にて、図９の（ａ）に示すように、Ａ方向パターン２２の長手方向が液体吐出ヘッド１０の往復の走査方向と一致するように回転ステージ７を駆動する。そして、ステップＳ１７にて、図９の（ｂ）に示すように液体吐出ヘッド１０の往路走査時にＡ方向パターン２２の左側端部から中間点３２まで、すなわちＡ方向パターン２２の左側パターン４１に形成パターンＰ１を形成する。次に、ステップＳ１８にて図９の（ｃ）に示すように液体吐出ヘッド１０の復路走査で、Ａ方向パターン２２の右側端部から中間点３２まで、すなわちＡ方向パターン２２の右側パターン４２に形成パターンＰ２を形成する。
【００５３】
ここで、ステップＳ１７およびステップＳ１８を行った際に中間点３２近傍におけるパターン形成過程について図１０を参照して説明する。図１０の（ａ）は図９の（ｂ）の中間点３２の近傍を拡大した模式断面図であり、液体吐出ヘッド１０の往路走査にて形成パターンＰ１を形成するために吐出された液滴に伴って発生したサテライトＰ１ｂは、中間点３２を若干越えた右側パターン４２内に着弾する。次に、図１０の（ｂ）に示すように、液体吐出ヘッド１０の復路走査にて形成パターンＰ２を形成するために吐出された液滴Ｐ２ａは、先に着弾しているサテライトＰ１ｂに重なるように着弾する。また、図１０の（ｃ）に示すように、中間点３２近傍に吐出された液滴Ｐ２ａに伴って形成されたサテライトＰ２ｂは、既に形成された形成パターンＰ１上に着弾する。その結果、往路と復路とでそれぞれ形成されたサテライトは、何れもパターン内に着弾することになる。
【００５４】
そして、ステップＳ１９にてＡ〜Ｄ全線分パターン２２〜２５（分割パターン４１〜４８）の形成が完了したか否かを判定し、完了していなければステップＳ１５へ戻り、次に形成する線分パターンを選択する処理から繰り返す。
【００５５】
現段階においては、Ａ方向パターン２２の形成しか完了していないため、再度ステップＳ１５からの処理を行った際の処理について図１１を参照して説明する。なお、ステップＳ１５で選択する、次に形成する線分パターンはＢ方向パターンとして説明する。
【００５６】
図１１の（ａ）に示すように、Ｂ方向パターン２３の長手方向が液体吐出ヘッド１０の往復走査方向と一致するように回転ステージ７を駆動する（ステップＳ１６）。そして、図１１の（ｂ）に示すように液体吐出ヘッド１０の往路走査時にＢ方向パターン２３の左側端部から中間点３３までの形成パターンＰ３を形成する（ステップＳ１７）。次に、図１１の（ｃ）に示すように、液体吐出ヘッド１０の復路走査で、Ｂ方向パターン２３の右側端部から中間点３３までの形成パターンＰ４を形成する（ステップＳ１８）。
【００５７】
以下、上記と同様な処理を行い、最終的に図１１の（ｄ）に示すように全線分の形成パターンＰを形成する。そして、ステップＳ１９にて全パターン形成が完了したと判定され、パターン形成処理を終了する。なお、線分パターンを選択する順序は、本説明で選択した順序に限定されるものではない。
【００５８】
最後に、ベーク装置によりベークすることにより、金属コロイドが溶解して金属結合となるためパターンの導電率が向上した回路基板を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】一実施の形態による回路パターン形成方法および装置を説明する図である。
【図２】パターンの分割を説明する図である。
【図３】エッジ部の形成を説明する図である。
【図４】回路パターン形成装置の制御部を示すブロック図である。
【図５】実施例１によるパターン形成手順を示すフローチャートである。
【図６】実施例１によるパターン形成データのデータ処理を説明するための図である。
【図７】実施例２によるパターン形成手順を示すフローチャートである。
【図８】実施例２によるパターン形成データのデータ処理を説明するための図である。
【図９】実施例２によるパターン形成過程を示す図である。
【図１０】実施例２による主滴およびサテライトの着弾位置を説明する図である。
【図１１】実施例２によるパターン形成過程を示す図である。
【図１２】従来例を説明する図である。
【図１３】マルチノズルヘッドおよびマルチノズルヘッドを用いたパターン形成を説明する図である。
【図１４】液滴の吐出過程を示す図である。
【図１５】液滴の吐出および着弾位置を示す図である。
【図１６】主滴とサテライトの位置関係を示す図である。
【図１７】サテライトに起因する回路不具合を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１    基材
５    スライダ
６    直動ステージ
７    回転ステージ
１０    液体吐出ヘッド
１４ａ    パターンデータ記憶部
１４ｂ    方向別パターン記憶部
１４ｃ    形成データ記憶部
１５    ＣＰＵ
１６    ステージ制御部
１７    キャリッジ制御部
１８    駆動信号発生部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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