(57)【要約】  【課題】  被処理物が洗浄液によって汚染されるのを防ぐことができる枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法を提供する。  【解決手段】  ウェーハ回転台１１に載置された半導体ウェーハ（被処理物）６に所定の洗浄処理を施すウェーハ洗浄槽１と、ウェーハ洗浄槽１に連設されるとともに、洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハ洗浄槽１の内部から外部に導出するためのウェーハ導入槽（導出槽）２と、ウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２との間に設けられた開口部１０ｂを開閉するシャッター機構１０とを設ける。さらに、ウェーハ導入槽２の上部に設けたＦＦＵ（付着防止機構）１５を用いて開口部１０ｂの気流を制御することで、開口部１０ｂを通して、ウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に洗浄処理後の半導体ウェーハ６を搬出する場合に、ウェーハ洗浄槽１内部で使用された洗浄液が半導体ウェーハ６に付着するのを防止する。【選択図】  図２
2007053167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転自在な回転台を有し、回転台に載置された被処理物に洗浄処理を施す洗浄槽と、
前記洗浄槽に連設されるとともに、洗浄槽の内部で前記洗浄処理が施された被処理物を当該洗浄槽の内部から外部に導出するための導出槽と、
前記洗浄槽と前記導出槽との間に設けられた開口部を開閉するシャッター機構と、
前記開口部を通して、前記洗浄槽から前記導出槽に前記洗浄処理後の被処理物を搬出する場合に、洗浄槽の内部で使用された洗浄液が当該被処理物に付着するのを防止する付着防止機構と
を備えたことを特徴とする枚葉式洗浄処理装置。
【請求項２】
前記導出槽の内圧が、前記洗浄槽の内圧よりも高圧に調整されている請求項１に記載の枚葉式洗浄処理装置。
【請求項３】
前記付着防止機構は、前記導出槽側から前記洗浄槽側に流れる、前記開口部の気流を制御する請求項１または２に記載の枚葉式洗浄処理装置。
【請求項４】
前記付着防止機構は、前記洗浄処理後の被処理物の表面を覆うことにより、当該被処理物を保護する保護板を備えている請求項１〜３のいずれか１項に記載の枚葉式洗浄処理装置。
【請求項５】
前記付着防止機構は、前記シャッター機構に設けられ、かつ、前記洗浄槽側及び前記導出槽側から前記開口部をそれぞれ開閉する第１及び第２のシャッター部材を含んで構成されているとともに、
前記付着防止機構は、前記開口部を開く場合には、前記洗浄槽側の前記第１のシャッター部材及び前記導出槽側の前記第２のシャッター部材の順番で、各シャッター部材を開動作させ、かつ、前記開口部を閉じる場合には、前記導出槽側の前記第２のシャッター部材及び前記洗浄槽側の前記第１のシャッター部材の順番で、各シャッター部材を閉動作させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の枚葉式洗浄処理装置。
【請求項６】
被処理物を回転台に載置して洗浄処理を施す洗浄工程を含む板状の製品の製造方法であって、
前記洗浄処理を、請求項１〜５のいずれか１項に記載の枚葉式洗浄処理装置を用いて行うことを特徴とする製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハやガラス基板などの被処理物に洗浄処理を行う枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体集積回路は、種々の製造工程を経て半導体ウェーハ上に形成されるが、このような半導体ウェーハでは、各製造工程途中での搬送時や各工程の処理時などの際に、当該ウェーハ表面に不要な不純物が付着することがある。このように半導体ウェーハに不純物が付着すると、半導体ウェーハの製造歩留や品質の低下を招くだけでなく、当該ウェーハを用いた半導体集積回路の製品信頼性の低下をも招くことがある。それ故、半導体ウェーハを用いた半導体集積回路の製造方法では、通常、半導体ウェーハ毎に不純物を除去する洗浄工程が行われている。また、上記のような枚葉式の洗浄処理は、回転台に半導体ウェーハを載せて当該ウェーハを回転させながら、上方から洗浄液を供給することによって行われており、一般的に、回転台の周りに配置した筒状の飛散防止部材を用いることにより、回転台や回転中のウェーハによって洗浄液が回転台の周囲に飛散されるのを防いだ状態で実施されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【０００３】
また、従来の枚葉式洗浄処理装置には、洗浄槽を設けて、当該洗浄槽の内部で半導体ウェーハに対する洗浄処理を行うものが提供されている（例えば、下記特許文献２参照。）。具体的にいえば、図１６及び図１７に示すように、この従来の枚葉式洗浄処理装置には、上記洗浄処理を行うウェーハ洗浄槽５１と、このウェーハ洗浄槽５１に連続的に設置されたウェーハ導入槽５２とが設けられている。これらのウェーハ洗浄槽５１とウェーハ導入槽５２とは、シャッター機構５５によって連通状態または非連通状態とされるようになっている。同様に、ウェーハ導入槽５２と装置外部側とは、シャッター機構５３によって連通状態または非連通状態とされるようになっている。そして、各シャッター機構５３、５５は、半導体ウェーハＷが搬送されるときに開動作し、ウェーハ導入槽５２内に設置された搬送機５４によるウェーハＷの搬送動作を許容する。つまり、シャッター機構５３では、そのシャッター部材５３ａを開動作させることでウェーハ導入槽５２と装置外部側との間に設けられた開口部５３ｂを開放して、この開口部５３ｂを通して、搬送機５４がウェーハ導入槽５２と装置外部側との間で半導体ウェーハＷを搬送するのを可能とする。一方、シャッター機構５５では、そのシャッター部材５５ａを開動作させることでウェーハ洗浄槽５１とウェーハ導入槽５２との間に設けられた開口部５５ｂを開放して、この開口部５５ｂを通して、搬送機５４がウェーハ洗浄槽５１とウェーハ導入槽５２との間で半導体ウェーハＷを搬送するのを可能とする。
【０００４】
また、ウェーハ洗浄槽５１の内部には、洗浄処理時に半導体ウェーハＷを載せて回転するウェーハ回転台５６、この回転台５６を囲むように配置された筒状の水滴飛散ガード５７、及び薬液または純水を洗浄液としてウェーハＷに供給する洗浄液ノズル５８が設けられている。また、このウェーハ洗浄槽５１の上部及び下部には、ＨＥＰＡフィルター５９及び排気口６２がそれぞれ設けられており、ウェーハ洗浄槽５１では、図１７に矢印にて示すように、ダウンフローをウェーハ洗浄槽５１内に生じさせた状態で半導体ウェーハＷに対する洗浄処理が行われる。
【０００５】
一方、ウェーハ導入槽５２の上部及び下部には、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）６０及び排気口６１がそれぞれ設けられており、図１７に矢印にて示すように、ダウンフローをウェーハ導入槽５２内に発生させるように構成されている。
【特許文献１】特開平９−１５３４４５号公報
【特許文献２】特開平９−１４８３９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献２に記載の従来装置では、洗浄処理後の半導体ウェーハＷをウェーハ洗浄槽５１からウェーハ導入槽５２を経て装置外部側に搬出する場合に、当該洗浄処理後の半導体ウェーハＷがウェーハ洗浄槽５１内で使用された洗浄液によって汚染されるという問題点を生じることがあった。詳細にいえば、図１８に示すように、ウェーハ洗浄槽５１では、洗浄処理中に、回転台５６にて半導体ウェーハＷを回転させつつ、当該ウェーハＷ表面上に洗浄液ｆを洗浄液ノズル５８から吐出するため、回転台５６の回転速度や洗浄液ｆの種類などによっては、洗浄液ｆがウェーハＷの遠心力により水滴飛散ガード５７を飛び越え、その水滴ｄがウェーハ洗浄槽５１の内壁やシャッター部材５５ａの表面に付着することがあった。そして、図１９に示すように、洗浄処理後の半導体ウェーハＷをウェーハ導入槽５２へ搬出するために、シャッター部材５５ａを開動作させると、図１９に矢印ａにて示すように、開口部５５ｂを経てウェーハ導入槽５２側からウェーハ洗浄槽５１側に流れる気流が、ウェーハ洗浄槽５１の内圧とウェーハ導入槽５２の内圧との圧力差に応じて発生し、この発生した気流によって上記内壁や表面に付着した洗浄液ｆの水滴ｄが搬出中の半導体ウェーハＷの方に吹き飛ばされることがあった。その結果、吹き飛ばされた洗浄液ｆの水滴ｄが洗浄処理後の半導体ウェーハＷの表面に付着して、当該ウェーハＷを汚染することがあった。
【０００７】
上記の課題を鑑み、本発明は、被処理物が洗浄液によって汚染されるのを防ぐことができる枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる枚葉式洗浄処理装置は、回転自在な回転台を有し、回転台に載置された被処理物に洗浄処理を施す洗浄槽と、
前記洗浄槽に連設されるとともに、洗浄槽の内部で前記洗浄処理が施された被処理物を当該洗浄槽の内部から外部に導出するための導出槽と、
前記洗浄槽と前記導出槽との間に設けられた開口部を開閉するシャッター機構と、
前記開口部を通して、前記洗浄槽から前記導出槽に前記洗浄処理後の被処理物を搬出する場合に、洗浄槽の内部で使用された洗浄液が当該被処理物に付着するのを防止する付着防止機構とを備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
上記のように構成された枚葉式洗浄処理装置では、上記開口部を通して、洗浄槽から導出槽に洗浄処理後の被処理物を搬出する場合に、付着防止機構が当該被処理物に洗浄槽の内部で使用された洗浄液が付着するのを防止している。これにより、被処理物が上記洗浄液によって汚染されるのを防ぐことができる。
【００１０】
また、上記枚葉式洗浄処理装置において、前記導出槽の内圧が、前記洗浄槽の内圧よりも高圧に調整されてもよい。
【００１１】
この場合、洗浄液を含んだ雰囲気が洗浄槽の内部から導出槽の内部に流入するのを防ぐことができ、当該雰囲気が装置外部側に漏洩するのを防止することができる。
【００１２】
また、上記枚葉式洗浄処理装置において、前記付着防止機構は、前記導出槽側から前記洗浄槽側に流れる、前記開口部の気流を制御することが好ましい。
【００１３】
この場合、付着防止機構が上記気流を制御することによって洗浄槽の内壁などに付着した洗浄液が吹き飛ばされるのを防ぐことができ、洗浄液が被処理物に付着するのを防止して、洗浄液による被処理物の汚染を防ぐことができる。
【００１４】
また、上記枚葉式洗浄処理装置において、前記付着防止機構は、前記洗浄処理後の被処理物の表面を覆うことにより、当該被処理物を保護する保護板を備えていることが好ましい。
【００１５】
この場合、防護板が被処理物の表面を覆って被処理物を保護しているので、上記洗浄液の被処理物への付着及び洗浄液による汚染をより確実に防ぐことができる。
【００１６】
また、上記枚葉式洗浄処理装置において、前記付着防止機構は、前記シャッター機構に設けられ、かつ、前記洗浄槽側及び前記導出槽側から前記開口部をそれぞれ開閉する第１及び第２のシャッター部材を含んで構成されているとともに、
前記付着防止機構は、前記開口部を開く場合には、前記洗浄槽側の前記第１のシャッター部材及び前記導出槽側の前記第２のシャッター部材の順番で、各シャッター部材を開動作させ、かつ、前記開口部を閉じる場合には、前記導出槽側の前記第２のシャッター部材及び前記洗浄槽側の前記第１のシャッター部材の順番で、各シャッター部材を閉動作させてもよい。
【００１７】
この場合、洗浄槽側の第１のシャッター部材の表面に付着した洗浄液が被処理物に付着するのをより確実に防止することができ、この洗浄液による被処理物の汚染を防ぐことができる。
【００１８】
また、本発明にかかる板状の製品の製造方法は、被処理物を回転台に載置して洗浄処理を施す洗浄工程を含む板状の製品の製造方法であって、
前記洗浄処理を、上記枚葉式洗浄処理装置のいずれかを用いて行うことを特徴とするものである。
【００１９】
上記のように構成された板状の製品の製造方法では、洗浄液による汚染が防がれた被処理物を得ることができるので、信頼性に優れた板状の製品を容易に、かつ効率よく製造することができる。尚、ここでいう製品には、被処理物から製造される製品の最終的な形態（製造物）だけでなく、その最終製品が製造される途中の中間的な形態が含まれている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、被処理物が洗浄液によって汚染されるのを防ぐことができる枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の枚葉式洗浄処理装置及び板状の製品の製造方法を示す好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、以下の説明では、半導体ウェーハに洗浄処理を行う枚葉式洗浄処理装置に適用した場合を例示して説明する。
【００２２】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態にかかる枚葉式洗浄処理装置の概略平面図であり、図２は図１のII−II線断面図である。図１及び図２において、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置は、被処理物としての半導体ウェーハ６に所定の洗浄処理を施す密封可能なウェーハ洗浄槽１と、このウェーハ洗浄槽１に順次連設された密封可能なウェーハ導入槽２及びウェーハ搬入室３とを備えている。このウェーハ搬入室３には、装置外部側（図の左側）にウェーハロード部４が設けられており、複数の半導体ウェーハ６を収納可能なウェーハキャリヤ５を載置できるようになっている。また、このウェーハキャリヤ５は、ウェーハ搬入室３に設けられた開口部Ｔを通して装置外部との間で搬送されるようになっている。
【００２３】
上記ウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２とは、シャッター機構１０によって連通状態または非連通状態とされるようになっている。同様に、ウェーハ導入槽２とウェーハ搬入室３とは、シャッター機構８によって連通状態または非連通状態とされるようになっている。そして、各シャッター機構８、１０は、半導体ウェーハ６が搬送されるときに開動作し、ウェーハ搬送室３の内部及びウェーハ導入槽２の内部にそれぞれ設置された搬送機７及び９による半導体ウェーハ６の搬送動作を許容する。つまり、シャッター機構８では、そのシャッター部材８ａを開動作させることでウェーハ導入槽２とウェーハ搬送室３との間に設けられた開口部８ｂを開放する。このように、開口部８ｂが開かれると、搬送機７はウェーハキャリヤ５と搬送機９との間での半導体ウェーハ６の受渡動作を行うことが可能となり、洗浄処理前の半導体ウェーハ６は搬送機７によりウェーハ搬送室３からウェーハ導入槽２に搬入され、また洗浄処理後の半導体ウェーハ６は搬送機７によりウェーハ導入槽２からウェーハ搬送室３に搬出される。
【００２４】
一方、シャッター機構１０では、そのシャッター部材１０ａを開動作させることでウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２との間に設けられた開口部１０ｂを開放する。このように、開口部１０ｂが開かれると、搬送機９は搬送機７とウェーハ洗浄槽１内に回転自在に設けられたウェーハ回転台１１との間での半導体ウェーハ６の受渡動作を行うことが可能となり、洗浄処理前の半導体ウェーハ６は搬送機９によりウェーハ導入槽２からウェーハ洗浄槽１に搬入され、また洗浄処理後の半導体ウェーハ６は搬送機９によりウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に搬出される。
【００２５】
また、ウェーハ洗浄槽１の内部には、洗浄処理時に半導体ウェーハ６を載置して回転する上記ウェーハ回転台１１と、この回転台１１の周囲に取り付けられた筒状の水滴飛散ガード１２と、回転台１１上の半導体ウェーハ６に薬液または純水を洗浄液として供給する洗浄液ノズル１３とが設けられている。また、ウェーハ回転台１１は、上下方向に動作可能に構成されたものであり、水滴飛散ガード１２の内部空間内に設定された洗浄位置（図２参照）と、この洗浄位置から上方に設定され水滴飛散ガード１２が搬送機９の搬送動作を阻害しない受渡位置とに移動可能になっている。
【００２６】
また、ウェーハ洗浄槽１では、上記回転台１１上の半導体ウェーハ６の処理目的に応じた薬液を洗浄液ノズル１３から吐出する薬液処理、当該ノズル１３からの純水で半導体ウェーハ６上に残存する薬液を除去するリンス処理、及び回転台１１上の半導体ウェーハ６をスピン乾燥させて当該ウェーハ６上の純水を除く乾燥処理からなる一連の洗浄処理が適宜行われるようになっている。また、薬液処理に用いられる薬液には、金属汚染、パーティクル除去を目的とした場合、アンモニアと過酸化水素水の混合液が用いられる。また、リソグラフィー工程でウェーハ上にパターンを形成し、ドライエッチングやイオン注入処理を行った後、不要となったレジストを除去することを目的とした場合、硫酸と過酸化水素水の混合液が用いられる。また、半導体ウェーハ表面のシリコン酸化膜を除去することを目的とした場合、フッ酸が用いられる。
【００２７】
また、ウェーハ洗浄槽１の上部及び下部には、それぞれ外気導入口１４及び排気口１７が設けられており、図２に矢印にて示すように、外気導入口１４から排気口１７に向かって流れるダウンフローを発生させた状態で、上記洗浄処理が行われるようになっている。また、この洗浄槽１では、空気清浄度が所定値以下に保たれたクリーンルームの空気が外気導入口１４から導入されており、パーティクルの付着が極力防がれた雰囲気下で、半導体ウェーハ６に洗浄処理を行えるよう構成されている。さらに、この洗浄槽１では、外気導入口１４の開口面積は、上記ダウンフローの風速が所定値（例えば、０．１５ｍ／ｓ）以上となるように、クリーンルームの空気圧や排気口１７の開口面積などを考慮して定められており、洗浄液ノズル１３から半導体ウェーハ６に吐出された薬液が水滴飛散ガード１２の外周外方に飛散するのを極力防げるようになっている。また、排気口１７には、薬液を除去して回収するフィルター部材が設けられており、ウェーハ洗浄槽１から排気される雰囲気に薬液が含まれるのを防ぐようになっている。
【００２８】
上記ウェーハ導入槽２の上部及び下部には、それぞれファンフィルターユニット（ＦＦＵ）１５及び排気口１６が設けられており、図２に矢印にて示すように、ＦＦＵ１５から排気口１６に向かって流れるダウンフローを当該導入槽２内に発生させるように構成されている。また、この導入槽２では、その内圧がウェーハ洗浄槽１の内圧よりも高圧に調整されており、シャッター機構１０が開動作して開口部１０ｂが開放された場合でも、洗浄液を含んだ雰囲気が洗浄槽１の内部から当該導入槽２の内部に流入するのを防がれている。すなわち、本実施形態では、ウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２とが連通状態にされて、搬送機９が開口部１０ｂを通して半導体ウェーハ６を搬送する場合でも、洗浄槽１内の洗浄液を含んだ雰囲気が導入槽２の内部、ひいてはウェーハ搬入室３の内部及び装置外部側に漏洩するのを防止することができる。これにより、ウェーハ洗浄槽１において、人体に非常に有害な物質や金属を腐食する物質を含む、上記のような薬液が使用されたときでも、その薬液が装置外部側に漏れ出るのを防ぐことができる。
【００２９】
また、上記ＦＦＵ１５は、開口部１０ｂを通して、ウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に洗浄処理後の半導体ウェーハ６を搬出する場合に、ウェーハ洗浄槽１の内部で使用された洗浄液が当該半導体ウェーハ６に付着するのを防止する付着防止機構として機能するように構成されている。つまり、このＦＦＵ１５は、ウェーハ導入槽２側からウェーハ洗浄槽１側に流れる、開口部１０ｂの気流を制御することにより、洗浄槽１の内壁やシャッター部材１１の表面に洗浄液（薬液や純水）が付着しているときでも、これらの付着物が開口部１０ｂを流れる気流によって吹き飛ばされるのを防ぐことができるように、その出力が制御されるようになっている。より具体的には、このＦＦＵ１５は、上記気流の風速が所定値（例えば、２ｍ／ｓ）未満となるように、ウェーハ洗浄槽１の外気導入口１４や排気口１７の各開口面積などで規定される当該洗浄槽１の内圧（上記ダウンフローの風速）と、ＦＦＵ自体のフィルター形状やウェーハ導入槽２の排気口１６などで規定される当該導入槽２の内圧（上記ダウンフローの風速）とに応じて、ＦＦＵ１５に含まれたファン部材が制御されるようになっている。
【００３０】
上記のように構成された本実施形態の動作について、図１〜図４を参照して具体的に説明する。
【００３１】
図３のステップＳ１に示すように、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、搬送機７によるウェーハキャリヤ５からの半導体ウェーハ６の取出動作が行われる。次に、シャッター機構８がそのシャッター部材８ａを開動作させて開口部８ｂを開放状態とした後、搬送機７は搬送機９への半導体ウェーハ６の受渡動作を行う。さらに、この受渡動作が完了すると、シャッター機構８はシャッター部材８ａを閉動作させて開口部８ｂを閉じる（ステップＳ２）。これにより、半導体ウェーハ６は、ウェーハ導入槽２に搬送される。
【００３２】
続いて、シャッター機構１０がそのシャッター部材１０ａを開動作させて開口部１０ｂを開放状態とする（ステップＳ３）。その後、搬送機９はウェーハ回転台１１への半導体ウェーハ６の受渡動作を行って半導体ウェーハ６がウェーハ洗浄槽１に搬送されると（ステップＳ４）、シャッター機構１０はシャッター部材１０ａを閉動作させて開口部１０ｂを閉じる（ステップＳ５）。そして、ウェーハ洗浄槽１では、ウェーハ回転台１１がその受渡位置から洗浄位置まで降下して洗浄処理が開始される。
【００３３】
すなわち、この洗浄処理では、まずウェーハ回転台１１にて半導体ウェーハ６を回転させつつ、洗浄液ノズル１３から当該ウェーハ６上に薬液を吐出する薬液処理が行われる（ステップＳ６）。続いて、上記洗浄液ノズル１３から回転中の半導体ウェーハ６に対し純水を吐出させて、当該ウェーハ６上に残存する薬液を除去するリンス処理が実施される（ステップＳ７）。最後に、ウェーハ回転台１１を上記薬液処理及びリンス処理を行う場合よりも高速に回転させて、半導体ウェーハ６をスピン乾燥し当該ウェーハ６上の純水を除く乾燥処理が行われる（ステップＳ８）。
【００３４】
次に、ウェーハ回転台１１が洗浄位置から受渡位置まで上昇すると（ステップＳ９）、シャッター機構１０はそのシャッター部材１０ａを開動作させて開口部１０ｂを開放状態とする（ステップＳ１０）。このとき、図４に矢印ａにて図示する気流がウェーハ洗浄槽１の内圧とウェーハ導入槽２の内圧との圧力差に応じて発生するが、この気流の風速はＦＦＵ１５によって所定値未満に制御されているので、同図４に示すように、たとえ洗浄液（薬液や純水）の水滴ｄがウェーハ洗浄槽１の内壁やシャッター部材１０ａの表面に付着しているときでも、これらの水滴ｄが当該気流によって吹き飛ばされるのが防がれている。
【００３５】
続いて、搬送機９が洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハ回転台１１から取り出して、ウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に搬出すると（ステップＳ１１）、シャッター機構１０はシャッター部材１０ａを閉動作させて開口部１０ｂを閉じる（ステップＳ１２）。
【００３６】
次に、シャッター機構８がそのシャッター部材８ａを開動作させて開口部８ｂを開放状態とした後、搬送機９から搬送機７への半導体ウェーハ６の受渡動作が行われる。さらに、この受渡動作が完了すると、シャッター機構８はシャッター部材８ａを閉動作させて開口部８ｂを閉じる（ステップＳ１３）。その後、搬送機７は、洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハキャリヤ５に戻す（ステップＳ１４）。
【００３７】
以下、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、ウェーハロード部４にセットされたウェーハキャリヤ５に収納された全ての半導体ウェーハ６に対して、上記ステップＳ１〜Ｓ１４の動作が順次行われ、ウェーハ洗浄処理が完了される。
【００３８】
以上のように構成された本実施形態では、洗浄処理後の半導体ウェーハ６が開口部１０ｂを通して、ウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に搬送される場合に、ＦＦＵ（付着防止機構）１５が当該開口部１０ｂを流れる気流の風速を所定値未満に制御することにより、ウェーハ洗浄槽１の内壁やシャッター部材１０ａの表面に付着した洗浄液が当該気流によって吹き飛ばされるのが防がれている。これにより、本実施形態では、上記特許文献２の従来例と異なり、洗浄処理後の半導体ウェーハ６に洗浄液が付着するのを防止することができ、当該半導体ウェーハ６が洗浄液によって汚染されるのを防ぐことができる。この結果、洗浄液の付着に起因するパターン欠陥やウォーターマークなどの製品不良が生じるのを防止することが可能となり、信頼性に優れた半導体ウェーハ６及びこれを用いた半導体製品を効率よく、かつ容易に製造することができる。
【００３９】
ここで、本願発明の発明者が実施した検証試験の試験結果について、具体的に説明する。
【００４０】
この検証試験では、図２に示した本実施形態の枚葉式洗浄処理装置（以下、“本実施形態品”という）と、図１７に示した従来の枚葉式洗浄処理装置（以下、“従来品”という）とを用いて、下記試験を実施して、本実施形態品の効果を確認した。なお、これらの本実施形態品及び従来品では、ウェーハ洗浄槽上部の外気導入構造のみが異なり、それ以外の各部は全て同一のものを用いた。
【００４１】
まず、発明者は、従来品において、開口部５５ｂを閉じた場合に、ウェーハ洗浄槽５１の内圧がウェーハ導入槽５２の内圧に対し２０Ｐａ以上低いときに、開口部５５ｂを完全に開口した場合の気流の風速が２ｍ／ｓ以上となり、その開口部５５ｂの開放時にその気流による洗浄液の水滴飛散が発生することを見出した。詳細には、発明者は、通常、一定出力で動作される、ウェーハ導入槽５２のＦＦＵ６０の出力を変化させ、開口部５５ｂを通る気流の風速を測定した。その測定結果を図５に◆にて示す。尚、上記ＦＦＵ６０の出力をパラメーターとした理由は、ＨＥＰＡフィルター５９では、風量の制御する機能がないためである。図５に示されるように、この従来品では、ＦＦＵ６０を動作させない場合でも、２ｍ／ｓ以上の気流が開口部５５ｂに発生しており、これは、ウェーハ洗浄槽５１内を流れる空気回路（ダウンフロー）において、ＨＥＰＡフィルター５９で大きな圧損が生じているためと考えられる。
【００４２】
これに対して、本実施形態品では、クリーンルームの雰囲気が外気導入口１８でほとんど抵抗なく、ウェーハ洗浄槽１内に導入されることから、図５に●にて示すように、ＦＦＵ１５の出力を変更することにより、開口部１０ｂを通る気流の風速を大きく変化できることが確認された。さらには、本実施形態品では、ＦＦＵ１５の出力を７０％以下にすることにより、ウェーハ洗浄槽１の内壁などの付着面に付着した洗浄液を剥離させない、２ｍ／ｓ未満の風速に制御できることが確かめられた。
【００４３】
また、発明者は、ＦＦＵ１５の出力を変更するとともに、各出力において開口部１０ｂの開閉動作を３０回繰り返したときの本実施形態品での水滴飛散の発生率を調査した。その結果を示す図６より明らかなように、ＦＦＵ１５の出力を減少させるに従い、水滴飛散発生率が減少することが実証された。また、７０％以下の出力では、水滴飛散は全く起こらないことが確かめられた。
【００４４】
また、発明者は、本実施形態品及び従来品において、ＦＦＵ出力を一定（６０％）とし、パターンウェーハを、１０００枚洗浄処理を行ったときの水滴付着発生率を調べた。その結果を示す図７より明らかなように、本実施形態品では、従来品と異なり、パターンウェーハへの水滴付着は全く生じておらず、この水滴付着に起因するパターン欠陥の発生が完全に防げることが実証された。
【００４５】
尚、上記の説明では、ウェーハ導入槽２に設けたＦＦＵ１５を用いて開口部１０ｂを流れる気流の風速を所定値未満に制御する構成について説明したが、本実施形態の付着防止機構はこれに限定されるものではなく、例えば図９に示すように、ウェーハ洗浄槽１の上部にＦＦＵ１８及びＨＥＰＡフィルター１９を設置し、このＦＦＵ１８とウェーハ導入槽２のＦＦＵ１５の双方を制御することにより、開口部１０ｂを流れる気流の風速を所定値未満にする構成でもよい。また、このようにＨＥＰＡフィルター１９を使用したときでは、空気清浄度が所定値以下に保たれていないクリーンルーム以外の箇所に、処理装置が設置されたときでも、当該装置は洗浄処理を行うことができる。
【００４６】
また、上記の説明では、一体的に構成されたファン部材とフィルターとを有するＦＦＵ１５をウェーハ導入槽２の上部に設けた場合について説明したが、この導入槽２に導入される外気の清浄度によってはフィルターを備えていないファン部材を設け、上記気流を制御する構成でもよい。また、ウェーハ洗浄槽１やウェーハ導入槽２の排気口１６、１７側にファンを設けて、このファン出力を制御することで上記気流の制御を行うこともできる。
【００４７】
［第２の実施形態］
図９は、本発明の第２の実施形態にかかる枚葉式洗浄処理装置の概略平面図である。図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、付着防止機構に、洗浄処理後の半導体ウェーハの表面を覆うことにより、当該半導体ウェーハを保護する保護板を用いた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００４８】
すなわち、図９に示すように、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、円形の水滴保護板２０と、この水滴保護板２０を駆動する駆動機構２１とがウェーハ洗浄槽１の内部に設置されている。また、このウェーハ洗浄槽１の上部側には、第１の実施形態とは異なり、ＨＥＰＡフィルター１９が取り付けられており、このＨＥＰＡフィルター１９を介して外気が導入されるようになっている。
【００４９】
上記水滴防護板２０は、半導体ウェーハ６の搬送時以外は、図９に示す待機位置に配置されている。そして、ウェーハ搬送時には、水滴防護板２０は、駆動機構２１にて半導体ウェーハ６の上方に移動され、このウェーハ表面を上方から覆うことができる保護位置に移動されるようになっている（図１０参照。）。また、水滴防護板２０と半導体ウェーハ６との離間距離は、例えば０．５〜３ｃｍに設定されている。
【００５０】
上記のように構成された本実施形態の動作について、図９〜図１２を参照して具体的に説明する。
【００５１】
図１２のステップＳ１５に示すように、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、搬送機７によるウェーハキャリヤ５からの半導体ウェーハ６の取出動作が行われる。次に、シャッター機構８がそのシャッター部材８ａを開動作させて開口部８ｂを開放状態とした後、搬送機７は搬送機９への半導体ウェーハ６の受渡動作を行う。さらに、この受渡動作が完了すると、シャッター機構８はシャッター部材８ａを閉動作させて開口部８ｂを閉じる（ステップＳ１６）。これにより、半導体ウェーハ６は、ウェーハ導入槽２に搬送される。
【００５２】
続いて、シャッター機構１０がそのシャッター部材１０ａを開動作させて開口部１０ｂを開放状態とする（ステップＳ１７）。その後、搬送機９はウェーハ回転台１１への半導体ウェーハ６の受渡動作を行って半導体ウェーハ６がウェーハ洗浄槽１に搬送されると（ステップＳ１８）、シャッター機構１０はシャッター部材１０ａを閉動作させて開口部１０ｂを閉じる（ステップＳ１９）。そして、ウェーハ洗浄槽１では、ウェーハ回転台１１がその受渡位置から洗浄位置まで降下して洗浄処理が開始される。
【００５３】
すなわち、この洗浄処理では、まずウェーハ回転台１１にて半導体ウェーハ６を回転させつつ、洗浄液ノズル１３から当該ウェーハ６上に薬液を吐出する薬液処理が行われる（ステップＳ２０）。続いて、上記洗浄液ノズル１３から回転中の半導体ウェーハ６に対し純水を吐出させて、当該ウェーハ６上に残存する薬液を除去するリンス処理が実施される（ステップＳ２１）。最後に、ウェーハ回転台１１を上記薬液処理及びリンス処理を行う場合よりも高速に回転させて、半導体ウェーハ６をスピン乾燥し当該ウェーハ６上の純水を除く乾燥処理が行われる（ステップＳ２２）。
【００５４】
次に、ウェーハ回転台１１が洗浄位置から受渡位置まで上昇すると（ステップＳ２３）、駆動機構２１が水滴防護板２０を待機位置から保護位置に移動させて当該防護板２０により洗浄処理後の半導体ウェーハ６を保護する（ステップＳ２４）。その後、シャッター機構１０は、そのシャッター部材１０ａを開動作させて開口部１０ｂを開放状態とする（ステップＳ２５）。このとき、図１１に矢印ａにて図示する気流がウェーハ洗浄槽１の内圧とウェーハ導入槽２の内圧との圧力差に応じて発生する。そして、この気流によって、ウェーハ洗浄槽１の内壁やシャッター部材１０ａの表面に付着していた洗浄液（薬液や純水）の水滴ｄが、同図１１に示すように、半導体ウェーハ６の方に吹き飛ばされてきたとしても、半導体ウェーハ６の表面は水滴防護板２０で覆われているため、水滴防護板２０は半導体ウェーハ６への水滴ｄの付着を阻止することができる。
【００５５】
続いて、搬送機９が洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハ回転台１１から取り出して、ウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に搬出すると（ステップＳ２６）、シャッター機構１０はシャッター部材１０ａを閉動作させて開口部１０ｂを閉じる（ステップＳ２７）。その後、駆動機構２１は、水滴防護板２０を保護位置から待機位置に移動させる（ステップＳ２８）。
【００５６】
次に、シャッター機構８がそのシャッター部材８ａを開動作させて開口部８ｂを開放状態とした後、搬送機９から搬送機７への半導体ウェーハ６の受渡動作が行われる。さらに、この受渡動作が完了すると、シャッター機構８はシャッター部材８ａを閉動作させて開口部８ｂを閉じる（ステップＳ２９）。その後、搬送機７は、洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハキャリヤ５に戻す（ステップＳ３０）。
【００５７】
以下、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、ウェーハロード部４にセットされたウェーハキャリヤ５に収納された全ての半導体ウェーハ６に対して、上記ステップＳ１５〜Ｓ３０の動作が順次行われ、ウェーハ洗浄処理が完了される。
【００５８】
以上のように構成された本実施形態では、洗浄処理後の半導体ウェーハ６がウェーハ洗浄槽１から搬出される場合に、水滴防護板２０が半導体ウェーハ６の表面を覆って当該ウェーハ６を物理的に保護しているので、上記洗浄液の半導体ウェーハ６への付着及び洗浄液による汚染をより確実に防ぐことができる。この結果、上記第１の実施形態と同様に、信頼性に優れた半導体ウェーハ６及びこれを用いた半導体製品を効率よく、かつ容易に製造することができる。
【００５９】
尚、上記の説明では、円形の水滴防護板２０を用いた場合について説明したが、本発明の防護板は半導体ウェーハ（被処理物）６の表面を覆って被処理物を物理的に保護することができるものであれば何等限定されるものではなく、四角形などの多角形な形状を有するものでもよい。
【００６０】
また、上記の説明では、ウェーハ導入槽２に搬出される直前に水滴防護板２０を半導体ウェーハ６上方に移動させる場合について説明したが、例えば半導体ウェーハ６のスピン乾燥処理を行う前に、水滴防護板２０をウェーハ上の保護位置に移動させて、ウェーハ洗浄槽１内の雰囲気とウェーハ６とを水滴防護板２０にて遮断した状態で乾燥処理を実施してもよい。また、搬送機９による洗浄処理後の半導体ウェーハ６の搬出動作に合わせて、水滴防護板２０を保護位置から開口部１０ｂの近傍まで動かすこともできる。このように水滴防護板２０を駆動させたときは、ウェーハ洗浄槽１内部に付着していた洗浄液が自然落下したときでも、その洗浄液の半導体ウェーハ６への付着を防ぐことも可能となる。
【００６１】
［第３の実施形態］
図１３は、本発明の第３の実施形態にかかる枚葉式洗浄処理装置の内部を説明する断面図である。図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、上記開口部を開閉するシャッター機構に、ウェーハ洗浄槽側及びウェーハ導入槽側から当該開口部をそれぞれ開閉する第１及び第２のシャッター部材を設けて、これらのシャッター部材を付着防止機構に用いた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００６２】
すなわち、図１３に示すように、本実施形態では、ウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２とは、シャッター機構３０によって連通状態または非連通状態とされるようになっている。このシャッター機構３０では、ウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２との間に設けられた開口部３０ｂに対して、ウェーハ洗浄槽１側から開閉する第１のシャッター部材３０ａと、ウェーハ導入槽２側から開閉する第２のシャッター部材３０ｃとが設けられている。また、これらの各シャッター部材３０ａ、３０ｃは、互いに独立して開閉動作されるように構成されている。
【００６３】
上記のように構成された本実施形態の動作について、図１３〜図１５を参照して具体的に説明する。
【００６４】
図１４のステップＳ３１に示すように、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、搬送機７によるウェーハキャリヤ５からの半導体ウェーハ６の取出動作が行われる。次に、シャッター機構８がそのシャッター部材８ａを開動作させて開口部８ｂを開放状態とした後、搬送機７は搬送機９への半導体ウェーハ６の受渡動作を行う。さらに、この受渡動作が完了すると、シャッター機構８はシャッター部材８ａを閉動作させて開口部８ｂを閉じる（ステップＳ３２）。これにより、半導体ウェーハ６は、ウェーハ導入槽２に搬送される。
【００６５】
続いて、シャッター機構３０は、図１５（ａ）も参照して、まずウェーハ洗浄槽１側のシャッター部材３０ａを開動作させた後（ステップＳ３３）、ウェーハ導入槽２側のシャッター部材３０ｃを開動作させて、開口部１０ｂを開放状態とする（ステップＳ３４）。その後、搬送機９が、ウェーハ回転台１１への半導体ウェーハ６の受渡動作を行うことにより、半導体ウェーハ６をウェーハ洗浄槽１に搬送する（ステップＳ３５）。
【００６６】
次に、シャッター機構３０は、図１５（ｂ）も参照して、まずウェーハ導入槽２側のシャッター部材３０ｃを閉動作させた後（ステップＳ３６）、ウェーハ洗浄槽１側のシャッター部材３０ａを閉動作させて、開口部３０ｂを閉塞状態とする（ステップＳ３７）。この順序で開口部３０ｂを閉塞状態とすることにより、シャッター部材３０ａと３０ｃとの間のスペースの圧力は、ウェーハ洗浄槽１の内圧に近い圧力に保たれる。
【００６７】
続いて、ウェーハ洗浄槽１では、ウェーハ回転台１１がその受渡位置から洗浄位置まで降下して洗浄処理が開始される。すなわち、この洗浄処理では、まずウェーハ回転台１１にて半導体ウェーハ６を回転させつつ、洗浄液ノズル１３から当該ウェーハ６上に薬液を吐出する薬液処理が行われる（ステップＳ３８）。続いて、上記洗浄液ノズル１３から回転中の半導体ウェーハ６に対し純水を吐出させて、当該ウェーハ６上に残存する薬液を除去するリンス処理が実施される（ステップＳ３９）。最後に、ウェーハ回転台１１を上記薬液処理及びリンス処理を行う場合よりも高速に回転させて、半導体ウェーハ６をスピン乾燥し当該ウェーハ６上の純水を除く乾燥処理が行われる（ステップＳ４０）。また、この洗浄処理中において、ウェーハ洗浄槽１側のシャッター部材３０ａには、薬液や純水の水滴が付着することがあるが、ウェーハ導入槽２側のシャッター３０ｃは、上記シャッター３０ａにより、洗浄槽１と物理的に遮られているため、薬液や水滴が付着するのが防がれている。
【００６８】
次に、ウェーハ回転台１１が洗浄位置から受渡位置まで上昇すると（ステップＳ４１）、シャッター機構３０は図１５（ａ）に示した動作に従い、まずシャッター部材３０ａを開動作させる（ステップＳ４２）。この開動作では、シャッター部材３０ｃにより開口部３０ｂは閉塞状態で維持されており、また、シャッター部材３０ａと３０ｃとの間のスペースの圧力は、ウェーハ洗浄槽１の内圧に近い圧力に保たれていることから、ウェーハ洗浄槽１の内部に流入する気流は発生しない。この結果、洗浄液がウェーハ洗浄槽１の内部側に付着していたとしても、その水滴飛散の発生を防止することができる。
【００６９】
続いて、シャッター機構３０は、ウェーハ導入槽２側のシャッター部材３０ｃを開動作させて（ステップＳ４３）、開口部３０ｂを開放状態とする。また、このシャッター部材３０ｃの開動作のときには、シャッター部材３０ａは開動作を終えて半導体ウェーハ６よりも下方に移動されており、このシャッター部材３０ａから半導体ウェーハ６への水滴飛散を防ぐことができる。一方、シャッター部材３０ｃでは、上述したように、洗浄処理中にシャッター部材３０ａによってウェーハ洗浄槽１と隔離され、洗浄液が付着されない状態であるため、当該シャッター部材３０ｃから半導体ウェーハ６への水滴飛散は発生しない。
【００７０】
次に、搬送機９が洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハ回転台１１から取り出して、ウェーハ洗浄槽１からウェーハ導入槽２に搬出すると（ステップＳ４４）、シャッター機構３０は図１５（ｂ）に示した動作に従い、まずシャッター部材３０ｃを閉動作させる（ステップＳ４５）。その後、シャッター機構３０はシャッター部材３０ａを閉動作させて、開口部３０ｂを閉塞状態とする（ステップＳ４６）。
【００７１】
続いて、シャッター機構８がそのシャッター部材８ａを開動作させて開口部８ｂを開放状態とした後、搬送機９から搬送機７への半導体ウェーハ６の受渡動作が行われる。さらに、この受渡動作が完了すると、シャッター機構８はシャッター部材８ａを閉動作させて開口部８ｂを閉じる（ステップＳ４７）。その後、搬送機７は、洗浄処理後の半導体ウェーハ６をウェーハキャリヤ５に戻す（ステップＳ４８）。
【００７２】
以下、本実施形態の枚葉式洗浄処理装置では、ウェーハロード部４にセットされたウェーハキャリヤ５に収納された全ての半導体ウェーハ６に対して、上記ステップＳ３１〜Ｓ４８の動作が順次行われ、ウェーハ洗浄処理が完了される。
【００７３】
以上のように構成された本実施形態では、ウェーハ洗浄槽１とウェーハ導入槽２との間に設けられた開口部３０ｂを開閉するシャッター機構３０を、当該開口部３０ｂをウェーハ洗浄槽１側及びウェーハ導入槽２側からそれぞれ開閉する第１及び第２のシャッター部材３０ａ、３０ｃを備えた二重シャッター構造としている。また、これらのシャッター部材３０ａ、３０ｃ（付着防止機構）を用いて、洗浄液の半導体ウェーハ６への付着を防止しているので、洗浄液による半導体ウェーハ６の汚染を防ぐことができる。この結果、上記各実施形態と同様に、信頼性に優れた半導体ウェーハ６及びこれを用いた半導体製品を効率よく、かつ容易に製造することができる。また、上記ステップＳ４２及びＳ４３で説明したように、第１のシャッター部材３０ａの表面に付着した洗浄液が半導体ウェーハ６に付着するのをより確実に防止することを可能としているので、この洗浄液による半導体ウェーハ６の汚染を完全に防ぐことができる。
【００７４】
尚、上記の説明では、被処理物としての半導体ウェーハに洗浄処理を行う枚葉式洗浄処理装置に適用した場合について説明したが、本発明は、回転台に載置された被処理物に所定の洗浄処理を施す洗浄槽と、この洗浄槽に連設されるとともに、洗浄槽の内部で洗浄処理が施された被処理物を当該洗浄槽の内部から外部に導出するための導出槽と、これら洗浄槽と導出槽との間に設けられた開口部を開閉するシャッター機構と、上記開口部を通して、洗浄槽から導出槽に洗浄処理後の被処理物を搬出する場合に、その洗浄槽の内部で使用された洗浄液が当該被処理物に付着するのを防止する付着防止機構とを設けたものであれば何等限定されない。具体的には、洗浄槽と、この洗浄槽に被処理物を導入及び導出するための導入槽及び導出槽とが、例えば直線上に配置され、洗浄処理前の被処理物と洗浄処理後の被処理物の搬送経路が異なる枚葉式洗浄処理装置にも適用することができる。また、被処理物は半導体ウェーハに限定されず、液晶表示装置やＰＤＰに使用されるガラス基板等の板状の製品を洗浄処理してもよい。
【００７５】
また、上記第１〜第３の各実施形態を適宜組み合わせて枚葉式洗浄処理装置を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる枚葉式洗浄処理装置の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】図１に示した枚葉式洗浄処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】図１に示したウェーハ洗浄槽とウェーハ導入槽との間の開口部を開放した場合での上記枚葉式洗浄処理装置の内部を説明する断面図である。
【図５】上記ウェーハ導入槽に設けられたＦＦＵの出力を変化させた場合での上記開口部の風速の測定結果を示すグラフである。
【図６】上記ＦＦＵの出力を変化させた場合での水滴飛散発生率の検証結果例を示すグラフである。
【図７】本実施形態品と従来品との比較結果の一例を示すグラフである。
【図８】上記枚葉式洗浄処理装置の変形例の内部を説明する断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態にかかる枚葉式洗浄処理装置の概略平面図である。
【図１０】図９に示した水滴防護板により被処理物を保護した場合での上記枚葉式洗浄処理装置の概略平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI線断面図である。
【図１２】図９に示した枚葉式洗浄処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の第３の実施形態にかかる枚葉式洗浄処理装置の内部を説明する断面図である。
【図１４】図１３に示した枚葉式洗浄処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１５】図１３に示した第１及び第２のシャッター部材の動作を説明する図であり、（ａ）及び（ｂ）は図１３に示した開口部をそれぞれ開放及び閉塞する場合での説明図である。
【図１６】従来の枚葉式洗浄処理装置の概略平面図である。
【図１７】図１６のＰ−Ｐ線断面図である。
【図１８】洗浄処理中のウェーハ洗浄槽の内部を説明する断面図である。
【図１９】上記従来の枚葉式洗浄処理装置での問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  ウェーハ洗浄槽（洗浄槽）
２  ウェーハ導入槽（導出槽）
６  半導体ウェーハ（被処理物）
１０、３０  シャッター機構
１０ｂ、３０ｂ  開口部
１１  ウェーハ回転台（回転台）
１５  ファンフィルターユニット（付着防止機構）
２０  水滴防護板（付着防止機構）
３０ａ  第１のシャッター部材（付着防止機構）
３０ｃ  第２のシャッター部材（付着防止機構）
【図１】
2007053167.tif 000003
【図２】
2007053167.tif 000004
【図３】
2007053167.tif 000005
【図４】
2007053167.tif 000006
【図５】
2007053167.tif 000007
【図６】
2007053167.tif 000008
【図７】
2007053167.tif 000009
【図８】
2007053167.tif 000010
【図９】
2007053167.tif 000011
【図１０】
2007053167.tif 000012
【図１１】
2007053167.tif 000013
【図１２】
2007053167.tif 000014
【図１３】
2007053167.tif 000015
【図１４】
2007053167.tif 000016
【図１５】
2007053167.tif 000017
【図１６】
2007053167.tif 000018
【図１７】
2007053167.tif 000019
【図１８】
2007053167.tif 000020
【図１９】
2007053167.tif 000021