(57)【要約】【課題】この発明は基板を高速回転させて乾燥処理するとき、基板の下面に生じる負圧力によってその下面が汚染されるのを防止したスピン処理装置を提供することにある。【解決手段】カップ体１内に配設され基板を保持して回転駆動される回転体１２と、回転体に保持される基板の下面に対向する位置に設けられているとともに上面に開放した凹部５１が形成されたノズルヘッド４６と、回転体に保持される基板の下面に処理液を噴射する下部処理液用ノズル５５と、回転体の上面を覆うとともに基板の下面から滴下する処理液を凹部内に導入する開口部６８が形成され、回転する回転体の上面に乱流が生じるのを阻止する乱流防止カバー６６と、凹部に一端が接続されて設けられ凹部内に流入した処理液を排出する排液管５４と、基板を処理液によって処理してから乾燥処理するために高速回転させて基板の下面側が負圧になったときに排液管内に上昇気流が生じるのを阻止する気液分離槽を具備する。【選択図】      図１
2007115756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させてこの基板の下面を処理液で処理した後、基板を処理液による処理時よりも高速回転させて乾燥処理するスピン処理装置であって、
カップ体と、
このカップ体内に配設され上記基板を保持して回転駆動される回転体と、
この回転体に保持される上記基板の下面に対向する位置に設けられているとともに上面に開放した凹部が形成されたノズルヘッドと、
このノズルヘッドに設けられ上記回転体に保持される基板の下面に処理液を噴射する下部処理液用ノズルと、
上記回転体の上面を覆うとともに上記ノズルヘッドの上記凹部に対向する部分に上記基板の下面から滴下する処理液を上記凹部内に導入する開口部が形成されていて、上記回転体と一体に回転してこの回転体の上面に乱流が生じるのを阻止する乱流防止カバーと、
上記凹部に一端が接続されて設けられこの凹部内に流入した処理液を排出する排液管と、
上記基板を処理液によって処理してから乾燥処理するために高速回転させて上記基板の下面側が負圧になったときに上記排液管内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段と
を具備したことを特徴とするスピン処理装置。
【請求項２】
上記気流発生阻止手段は、上記排液管の他端を液封する液体が貯えられた気液分離槽であることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【請求項３】
上記気流発生阻止手段は、上記排液管に設けられこの排液管の上記凹部に接続された一端から他端への流体の流れを許容し上記他端から上記一端への流体の流れを阻止する逆止弁であることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【請求項４】
上記気流発生阻止手段は、上記排液管に設けられ上記下部処理液用ノズルから上記基板の下面に処理液を噴射しているときには開放され上記基板を高速回転させて乾燥処理するときには閉じられる開閉制御弁であることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板を回転させながら処理液で処理してから乾燥処理するスピン処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、半導体装置や液晶表示装置の製造工程においては、基板としての半導体ウエハや液晶用ガラス基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、上記基板に対して成膜処理と洗浄処理とが繰り返し行われ、洗浄処理後には乾燥処理が行なわれる。
【０００３】
上記基板の洗浄処理及び洗浄後の乾燥処理を行うためにはスピン処理装置が用いられる。このスピン処理装置はカップ体を有し、このカップ体内には回転駆動される回転体が設けられている。この回転体には基板を着脱可能に保持するための保持機構が設けられている。
【０００４】
上記基板は回路パターンが形成される面を上にして上記保持機構に保持され、その上面に向けて上部処理液用ノズルから処理液が噴射される。また、基板は上面だけでなく、下面の清浄度が要求されることもある。そのような場合には基板の上面だけでなく、下面に処理液を噴射する下部処理液用ノズルが配置される。
【０００５】
上記基板の下面側に下部処理液用ノズルを配置する場合、上記カップ体内の基板の下面に対向する部位にノズルヘッドを設け、このノズルヘッドに下部処理液用ノズルや基板の下面を処理した後に乾燥するために気体を噴射する気体用ノズルなどを設けるようにしている。
【０００６】
このような構成によると、基板の下面を処理するために下部処理液用ノズルから噴射された処理液の一部は、基板の下面で反射して上記ノズルヘッドの上面に滴下する。ノズルヘッドの上面に滴下した処理液は基板の乾燥処理時などに、基板の回転によってこの基板の下面側、つまり回転体の上面に生じる乱気流で飛散し、洗浄された基板の下面に付着して汚染の原因になるということがある。
【０００７】
そこで、回転体の上面を、この上面に乱気流が生じるのを防止する乱流防止カバーで覆うとともに、その中心部に開口部を形成する一方、上記ノズルヘッドの上面に凹部を開口して形成する。そして、基板の下面に供給され、この下面から滴下した処理液を上記乱流防止カバーの開口部から上記ノズルヘッドの凹部内に導入し、この凹部に接続された排液管によって排出させるということが行われている。このような従来技術は特許文献１に示されている。
【特許文献１】特開２００１−４４１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記構成のスピン処理装置によれば、乱流防止カバーによって回転体の上面に乱流が発生するのが防止されるとともに、基板の下面に供給されその下面から滴下する処理液は凹部を通じて排液管から排出される。そのため、基板の乾燥処理時に、乱気流が生じ難いため、基板の下面が汚染させるのを抑制することができる。
【０００９】
しかしながら、基板を乾燥処理するために高速回転させると、その回転によって基板の中心部から周辺部に向かう流れが生じるから、その流れによって基板の下面側が負圧になる。基板の下面側が負圧になると、ノズルヘッドの凹部に接続された排液管に上昇気流が生じる。それによって、排液管の内面に付着残留する処理液が排液管から基板の下面に向かって飛散し、その下面に付着して基板を汚染させるということがある。
【００１０】
この発明は、基板を高速回転させて乾燥処理する場合、排液管に付着した処理液が舞い上がるのを阻止して基板の下面の汚染を防止するようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、基板を回転させてこの基板の下面を処理液で処理した後、基板を処理液による処理時よりも高速回転させて乾燥処理するスピン処理装置であって、
カップ体と、
このカップ体内に配設され上記基板を保持して回転駆動される回転体と、
この回転体に保持される上記基板の下面に対向する位置に設けられているとともに上面に開放した凹部が形成されたノズルヘッドと、
このノズルヘッドに設けられ上記回転体に保持される基板の下面に処理液を噴射する下部処理液用ノズルと、
上記回転体の上面を覆うとともに上記ノズルヘッドの上記凹部に対向する部分に上記基板の下面から滴下する処理液を上記凹部内に導入する開口部が形成されていて、上記回転体と一体に回転してこの回転体の上面に乱流が生じるのを阻止する乱流防止カバーと、
上記凹部に一端が接続されて設けられこの凹部内に流入した処理液を排出する排液管と、
上記基板を処理液によって処理してから乾燥処理するために高速回転させて上記基板の下面側が負圧になったときに上記排液管内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段と
を具備したことを特徴とするスピン処理装置にある。
【００１２】
上記気流発生阻止手段は、上記排液管の他端を液封する液体が貯えられた気液分離槽であることが好ましい。
【００１３】
上記気流発生阻止手段は、上記排液管に設けられこの排液管の上記凹部に接続された一端から他端への流体の流れを許容し上記他端から上記一端への流体の流れを阻止する逆止弁であることが好ましい。
【００１４】
上記気流発生阻止手段は、上記排液管に設けられ上記下部処理液用ノズルから上記基板の下面に処理液を噴射しているときには開放され上記基板を高速回転させて乾燥処理するときには閉じられる開閉制御弁であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、乾燥処理時に基板を高速回転させることで、この基板の下面側が負圧になっても、その負圧によって排液管に上昇気流が生じるのが阻止されるから、排液管に付着残留する処理液が舞い上がって基板の下面を汚染するのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１７】
図１乃至図３はこの発明の第１の実施の形態を示し、図２に示すスピン処理装置はカップ体１を有する。このカップ体１は載置板２上に設けられた下カップ３と、この下カップ３の上側に図示しない上下駆動機構によって上下駆動可能に設けられた上カップ４とからなる。
【００１８】
上記下カップ３の底壁の中心部と載置板２とにはこれらを貫通する通孔５が形成されており、また上記下カップ３の周壁３ａは上記上カップ４の二重構造の周壁４ａにスライド自在に嵌挿し、これら周壁によってラビリンス構造をなしている。
【００１９】
上記上カップ４の上面は開口していて、この上カップ４が下降方向に駆動されることで、後述するようにカップ体１内で処理された半導体ウエハなどの基板Ｗを取り出したり、未処理の基板Ｗを供給できるようになっている。さらに、上記下カップ３の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管６の一端が接続され、他端は図示しない吸引ポンプに連通している。それによって、上記基板Ｗを洗浄処理したり、乾燥処理することで上記カップ体１内を飛散する処理液が排出されるようになっている。
【００２０】
上記カップ体１の下面側には板状のベース７が配置されている。このベ−ス７には上記カップ体１の通孔５と対応する位置に取付け孔８が形成されていて、この取付け孔８には駆動手段を構成するパルス制御モ−タ９の固定子９ａの上端部が嵌入固定されている。
【００２１】
上記固定子９ａは筒状をなしていて、その内部には同じく筒状の回転子９ｂが回転自在に嵌挿されている。この回転子９ｂの上端面には筒状の連結体１１が下端面を接触させて一体的に結合されている。この連結体１１の下端面には上記固定子９ａの内径寸法よりも大径な鍔部１１ａが形成されている。この鍔部１１ａは上記固定子９ａの上端面に摺動自在に接触しており、それによって回転子９ｂの回転を阻止することなくこの回転子９ａが固定子９ｂから抜け落ちるのを規制している。
【００２２】
上記連結体１１は上記カップ体１の通孔５からその内部に突出し、上端面には円板状の回転体１２が取付け固定されている。この回転体１２は図１に示すように下板１３ａと上板１３ｂとを接合させた二重板構造をなしていて、その中心部には通孔１４が形成されている。
【００２３】
図２に示すように、上記下カップ３の通孔５の周辺部には環状壁３ｂが突設され、上記回転体１２の外周面には上記環状壁３ｂの外周面に内周面を対向させた環状壁１２ｂが垂設され、これら環状壁３ｂ、１２ｂによって処理液が回転体１２の下面側に回り込むのを防止するラビリンス構造をなしている。
【００２４】
上記回転体１２の上面には周方向に所定間隔、この実施の形態では６０度間隔で６つのボス部１５（図１に２つだけ示す）が突設されている。このボス部１５には滑り軸受１６が設けられ、この滑り軸受１６には保持部材１７が回転自在に挿入支持されている。
【００２５】
上記保持部材１７は、図１に示すように上部が上記ボス部１５の外径寸法とほぼ同径の大径部１８に形成され、この大径部１８の下面に上記滑り軸受１６に支持される軸部１９が一体形成されてなる。上記大径部１８の上面には中心部に円錐状の支持ピン２１が突設され、径方向周辺部である偏心位置には逆テ−パ状のロックピン２２が突設されている。
【００２６】
上記６本の保持部材１７の支持ピン２１上には上記基板Ｗが下面を支持されて載置される。その状態で上記ロックピン２２が基板Ｗの外周面に当接することで、その基板Ｗは回転体１２と一体的に保持されるようになっている。ロックピン２２が基板Ｗの外周面に当接した状態で、上記保持部材１７を強制的に回転させて上記ロックピン２２が基板Ｗの外周面から離れる方向に保持部材１７の回転中心に対して偏心回転させれば、上記ロックピン２２による上記基板Ｗの保持状態が解除されるようになっている。
【００２７】
図１に示すように、上記保持部材１７の各軸部１９の下端部は回転体１２の下面から突出し、その下端部にはセクタギヤからなる子歯車２３が嵌合固定されている。各子歯車２３は上記連結体１１の外周面に軸受２４によって回転自在に設けられた平歯車からなる親歯車２５に噛合している。この親歯車２５は上記子歯車２３と対応する間隔で６つの凸部２５ａ（２つのみ図示）が周方向に所定間隔で形成されていて、その凸部２５ａの先端に上記子歯車２３と噛合する歯が形成されている。
【００２８】
図１に示す上記連結体１１の外周面には付勢手段としての捩じりコイルばね２６が装着されている。この捩じりコイルばね２６は一端を上記連結体１１に係合させ、他端を上記親歯車２５に係合させることで、上記親歯車２５を所定方向に付勢している。それによって、上記子歯車２３は親歯車２５と逆方向に付勢されるから、この子歯車２３の回転に保持部材１７が連動し、上記ロックピン２２が回転体１２の中心方向へ偏心回転して基板Ｗの外周面に当接するようになっている。
【００２９】
上記ロックピン２２による基板Ｗのロック状態の解除は、図２に示す解除機構３１によって行えるようになっている。この解除機構３１はガイド付きの解除シリンダ３２を有する。この解除シリンダ３２は上記固定子９ａの下端面に一端を固定したほぼＬ字状のブラケット３３の他端に軸線を垂直にして取付けられている。
【００３０】
上記解除シリンダ３２の駆動軸３４にはクランク状に折曲されたア−ム３５の下端が連結されている。このア−ム３５の上端部は上記ベース７に形成された挿通孔７ａを通されて上記親歯車２５の下面近傍まで延出され、その上端には解除ピン３６が垂直に立設されている。
【００３１】
上記保持部材１７のロックピン２２が基板Ｗの外周面に当接してこの基板Ｗが保持された状態において、上記解除シリンダ３２が作動してその駆動軸３４が突出方向に駆動され、その動きにア−ム３５が連動すると、このア−ム３５の上端に設けられた解除ピン３６は上記親歯車２５の１つの凸部２５ａの側面に係合し、上記親歯車２５が所定方向に回転するのを阻止する。
【００３２】
上記解除ピン３６によって親歯車２５の回転を阻止した状態で、パルス制御モ−タ９を駆動してその回転子９ｂを回転させれば、上記回転体１２が捩じりコイルばね２６の付勢力に抗して連結体１１とともに回転する。
【００３３】
それによって、上記親歯車２５に噛合した上記子歯車２３は回転体１２とともに公転しながら自転するから、この子歯車２３と一体的に設けられた保持部材１７が回転する。そして、保持部材１７の回転によってロックピン２２が基板Ｗの外周面から離れる方向へ偏心回転するから、このロックピン２２による基板Ｗの保持状態が解除されることになる。
【００３４】
上記回転子９ｂの内部には中空状の固定軸４１が挿通されている。この固定軸４１の下端部は上記パルス制御モ−タ９の下方に配置された支持部材４２の取付け孔４２ａに嵌入固定されている。
【００３５】
図１に示すように、上記固定軸４１の端部は上記回転体１２の通孔１４に対向位置する。この固定軸４１の上端にはノズルヘッド４６が嵌入固定されている。このノズルヘッド４６は回転体１２の上面側に突出していて、その外周部には上記通孔１４の周辺部に突設された環状壁４７を内部に収容する環状溝４８が下面に開放して形成されている。つまり、環状壁４７と環状溝４８とでラビリンス構造を形成しており、回転体１２の上面側で飛散する処理液が通孔１４を通り、固定軸４１に沿ってカップ体１の外部へ流出するのを阻止している。
【００３６】
上記ノズルヘッド４６には上面に開放した凹部５１が形成されている。この凹部５１は上部から下部にゆくにつれて小径となる円錐形状に形成されている。ノズルヘッド４６の上面の上記凹部５１の周辺部は径方向外方に向かって低く傾斜した傾斜面５２に形成されている。上記凹部５１の底部には排液孔５３が穿設され、この排液孔５３には排液管５４の一端が接続されている。
【００３７】
上記ノズルヘッド４６には、先端を上記凹部５１の内面に開口させた複数の下部処理液用ノズル５５（１つのみ図示）と、１つの下部気体用ノズル５６とが周方向にほぼ９０度間隔で形成されている。つまり、各ノズル５５，５６は上記ノズルヘッド４６に穿設された管路からなり、先端が凹部５１の内面に開口している。
【００３８】
各ノズル５５，５６の基端は上記ノズルヘッド４６の下面に開口して設けられた第１、第２の接続孔５７，５８にそれぞれ連通している。第１の接続孔５７には図１に示すように処理液供給管５９が接続され、第２の接続孔５８には気体供給管６１が接続されている。
【００３９】
下部処理液用ノズル５５からは、処理液供給管５９を通じて洗浄処理時に純水、過酸化水素水、フッ酸などの処理液が保持部材１７に保持された基板Ｗの下面に向けて噴射され、下部気体用ノズル５６からは気体供給管６１を通じて乾燥処理時に窒素などの気体が噴射されるようになっている。
【００４０】
各ノズル５５，５６の噴射方向はノズルヘッド４６の中心軸線に対して所定角度で傾斜している。すなわち、下部処理液用ノズル５５は、保持部材１７に保持された基板Ｗの回転中心に向けて処理液を噴射するようになっている。また、下部気体用ノズル５６からの気体も基板Ｗの径方向中心部、つまり回転中心に向けて噴射されるようになっている。
【００４１】
それによって、処理液は回転する基板Ｗの遠心力によって下面のほぼ全体に分散するとともに、基板Ｗで反射した処理液のほとんどが凹部５１内に滴下することになり、また気体も基板Ｗの下面ほぼ全体に作用することになる。
【００４２】
なお、処理液は基板Ｗの回転中心からわずかにずれた位置に向けて噴射するようにしてもよく、その場合基板Ｗの下面で反射した処理液が凹部５１内に滴下する角度で処理液を噴射することが好ましい。同様に、気体も基板Ｗの回転中心からわずかにずれた位置に向けて噴射するようにしてもよい。
【００４３】
上記排液管５４、処理液供給管５９及び気体供給管６１は上記固定軸４１に通されて外部に導かれている。上記排液管５４の他端は気流発生阻止手段を構成する気液分離槽６２に接続されていて、その下端部は上記気液分離槽６２に貯えられた処理液内に浸漬されている。つまり、排液管５４の他端は液封されている。
【００４４】
上記気液分離槽６２には内部の処理液の液面よりも高い位置に排気管路６３が接続され、液面とほぼ同じ高さに排液管路６４が接続されている。それによって、気液分離槽６２内の圧力は大気圧に維持され、液面は排液管５４を液封する一定の高さに維持されるようになっている。
【００４５】
図１に示すように、上記回転体１２の上面側には乱流防止カバー６６が設けられている。この乱流防止カバー６６は上記保持部材１７に保持された基板Ｗの下面側に位置し、周辺部には上記保持部材１７の上部を露出させる第１の開口部６７が形成され、中心部には上記ノズルヘッド４６の凹部５１を開口させる第２の開口部６８が形成されている。第２の開口部６８の周辺部は凹部５１内に入り込むよう折り曲げられた遮蔽部６９に形成されている。なお、遮蔽部６９はノズルヘッド４６の凹部５１内面に対して非接触となっている。
【００４６】
上記乱流防止カバー６６によって回転体１２の凹凸状の上面が覆われている。それによって、回転体１２の回転に伴う乱流の発生が抑制されるから、基板Ｗを洗浄した塵埃を含む処理液がカップ体１内であらゆる方向に飛散し、たとえば基板Ｗの下面側に舞い込んで付着するのを防止できるようになっている。とくに、上記乱流防止カバー６６の上面と基板Ｗの下面との間隔を所定の間隔に設定すると、乱流の抑制効果が高くなる。
【００４７】
さらに、乱流防止カバー６６にノズルヘッド４６の凹部５１内に入り込む遮蔽部６９を形成したことで、第２の開口部６８によって生じるノズルヘッド４６と乱流防止カバー６６との隙間を閉塞することができる。
【００４８】
それによって、洗浄処理時にカップ体１内に飛散する処理液が乱流防止カバー６６の内面側に入り込んで付着し、付着した処理液に含まれる塵埃が乾燥処理時に飛散して基板Ｗを汚染するということを防止できる。
【００４９】
回転体１２の保持部材２２によって保持された基板Ｗの上方には、上部処理液用ノズル７１及び上部気体用ノズル７２が配置されている。上部処理液用ノズル７１からは上記基板Ｗの上面に向けて処理液が噴射され、上部気体用ノズル７２からは窒素などの乾燥用の気体が噴射されるようになっている。
【００５０】
つぎに、上記構成のスピン処理装置によって基板Ｗを洗浄処理する場合について説明する。
【００５１】
未処理の基板Ｗを回転体１２に供給し、保持部材１７のロックピン２２によって保持したならば、回転体１２を回転させるとともに、基板Ｗの上面および下面に上部処理液用ノズル７１及び下部処理液用ノズル５５から処理液を噴射することで、この基板Ｗの上下面を洗浄処理することができる。
【００５２】
下部処理液用ノズル５５から噴射される処理液は基板Ｗの回転中心に向けて噴射される。そのため、処理液は、基板Ｗの回転によって生じる遠心力で径方向外方に向かって流れるから、基板Ｗの下面全体を処理液によって確実に処理することができる。
【００５３】
下部処理液用ノズル５５から噴射された基板Ｗの下面で反射した処理液のほとんどはノズルヘッド４６の凹部５１内に滴下する。この凹部５１の形状は円錐状であり、しかも内面には上下方向に沿って案内溝６２が形成されている。そのため、凹部５１に滴下した処理液はその底部に形成された排液孔５３へ円滑に導かれ、排液管５４から気液分離槽６２に排出されることになる。
【００５４】
基板Ｗの洗浄が終了したならば、その上下面に上部気体用ノズル７１と下部気体用ノズル５６とから乾燥用の気体を噴射しながら回転体１２とともに基板Ｗを高速回転させ、その上下面に付着した処理液を除去して基板Ｗを乾燥させる。
【００５５】
下部気体用ノズル５６から噴射された気体は基板Ｗの径方向外方に向かって流れる。そのため、その気体の流れによって基板Ｗの下面を全体にわたって良好に乾燥処理することができる。
【００５６】
上記基板Ｗの下面側には乱流防止カバー６６が設けられ、回転体１２が高速回転しても、その上面の凹凸形状によって乱流が発生するのを防止する。そのため、基板Ｗの下面側に浮遊するミスト状の処理液は、カップ体１に接続された排出管６から円滑に排出されるから、カップ体１内で舞い上がって基板Ｗに再付着することがほとんどない。
【００５７】
乾燥処理時に基板Ｗを高速回転させると、この基板Ｗの下面側には径方向中心部から外方に向かう気流が発生するから、その気流によって基板Ｗの下面側が負圧になる。基板Ｗの下面側が負圧になると、その圧力がノズルヘッド４６の凹部５１に接続された排液管５４に作用する。
【００５８】
排液管５４に負圧力が作用すると、その内部に上昇気流が発生し、その気流とともに排液管５４の内面に付着残留した処理液が舞い上がり、基板Ｗの下面に付着して基板Ｗを汚染する虞がある。
【００５９】
しかしながら、上記排液管５４の下端は気液分離槽６２に貯えられた処理液に浸漬されることで液封されている。そのため、基板Ｗの乾燥処理時に基板Ｗの下面が負圧になっても、排液管５４に上昇気流が生じるのが阻止されるから、基板Ｗの下面が排液管５４に付着残留する処理液によって汚染されるのが防止される。
【００６０】
図３は従来構造のスピン処理装置と、この発明のスピン処理装置とで直径３００ｍｍの基板Ｗを所定枚数洗浄処理してから乾燥処理した場合に、基板Ｗの下面が汚染される割合を示したグラフである。すなわち、このグラフの縦軸は汚染が発生する基板Ｗの枚数を％で示し、横軸は基盤Ｗの回転数を示している。
【００６１】
図中四角印は従来を示し、三角印はこの発明を示している。従来のスピン処理装置の場合、基板Ｗの回転数が１０００回転のときには汚染される基板Ｗの割合が０であったが、１５００回転では約７％の基板Ｗの下面に汚染が発生し、１７００回転では１６％の基板Ｗの下面に汚染が発生した。  
これに対して、この発明のスピン処理装置では、１０００回転、１５００回転及び１７００回転のいずれでも、基板Ｗの下面に汚染が発生することがなかった。
【００６２】
上記第１の実施の形態では気流発生阻止手段として気液分離槽を用いる場合について説明したが、図４に示す第２の実施の形態のように排液管５４の中途部に逆支弁７１を設け、この排液管５４の他端を排液槽７２に接続するようにしてもよい。なお、排液槽７２には排気管路６３及び排液管路６４が上記一実施の形態と同様に接続されている。
【００６３】
上記逆止弁７１の流れの方向は、同図に矢印で示すようにノズルヘッド４６に接続された一端から他端に向かう方向であって、排液槽７２に接続された他端から一端に向かう逆方向に流れが生じないようになっている。それによって、基板Ｗを高速回転させて乾燥処理する際、基板Ｗの下面が負圧になっても、上記排液管５４に上昇気流が発生するのを阻止することができる。
【００６４】
図５はこの発明の第３の実施の形態を示し、この実施の形態は排液管５４に気流発生阻止手段として図４に示す逆止弁７１に代わり開閉制御弁７５が設けられている。この開閉制御弁７５は制御装置７６によって開閉が制御される。すなわち、下部処理用ノズル５５によって基板Ｗの下面を処理液によって処理するときには上記開閉制御弁７５は制御装置７６によって開放され、基板Ｗを乾燥処理するときには閉じられる。それによって、上記各実施の形態と同様、基板Ｗの乾燥処理時に排液管５４に上昇気流が発生するのを阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】この発明の第１の実施の形態を示すスピン処理装置の回転体の拡大断面図。
【図２】スピン処理装置の全体の構造を示す断面図。
【図３】この発明と従来のスピン処理装置によって基板を処理した場合に基板が汚れる割合を測定したグラフ。
【図４】この発明の第２の実施の形態の気流発生阻止手段としての排液管に設けられた逆支弁を示す図。
【図５】この発明の第３の実施の形態の気流発生阻止手段としての排液管に設けられた開閉制御弁を示す図。
【符号の説明】
【００６６】
１…カップ体、１２…回転体、４６…ノズルヘッド、５１…凹部、５４…排液管、５５…下部処理用ノズル、６２…気液分離槽（気流発生阻止手段）、６６…乱流防止カバー、６８…開口部、７１…逆止弁（気流発生阻止手段）。
【図１】
2007115756.tif 000003
【図２】
2007115756.tif 000004
【図３】
2007115756.tif 000005
【図４】
2007115756.tif 000006
【図５】
2007115756.tif 000007