(57)【要約】【課題】  より高い輝度とより優れた電流拡散を有する半導体発光デバイスを提供する。【解決手段】  基板、半導体発光積層体、第１電極、第１透明酸化物導電層、及び第２電極を有する半導体発光デバイスが提供される。半導体発光積層体は、基板に配置され、第１表面領域及び第２表面領域を有する。第１電極は第１表面領域に配置される。第１透明酸化物導電層は第２表面領域に配置される。第２電極は第１透明酸化物導電層上に配置される。発光デバイスの面積は2.5×105μm2より大きく、第１電極と第２電極との間隔は原則的に150μmと250μmとの間であり、且つ第１電極及び第２電極の面積は発光層の面積の15％から25％である。【選択図】図１
2007005813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
前記基板に配置された、第１表面領域及び第２表面領域を備える半導体発光積層体であり：
前記基板上に配置された第１半導体層；
前記第１半導体層上に配置された発光層；及び
前記発光層上に配置された第２半導体層；
を有する半導体発光積層体；
前記第１表面領域に配置された第１電極；
前記第２表面領域に配置された第１透明酸化物導電層；並びに
前記第１透明酸化物導電層上に配置された第２電極；
を有する半導体発光デバイスであって、
当該発光デバイスの面積が2.5×105μm2より大きく、前記第１電極の第１エッジと該第１エッジに隣接する前記第２電極の第２エッジとの間隔が原則的に150μmと250μmとの間であり、且つ前記第１電極及び前記第２電極の面積が前記発光層の面積の15％から25％であるところの半導体発光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記基板と前記半導体発光積層体との間に配置された接着層をさらに有する半導体発光デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体発光デバイスであって、前記接着層がポリイミド、ベンゾシクロブテン（BCB）、プレフルオロシクロブタン（PFCB）、インジウムスズ酸化物、In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Ni、Au-Be、Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、Au-Ge、PdIn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体発光デバイスであって、前記基板及び前記接着層の何れかの上に配置された反応層をさらに有する半導体発光デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体発光デバイスであって、前記反応層がSiNx、チタン、及びクロムから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体発光デバイスであって、前記発光積層体及び前記反応層の何れかの下に配置された反射層をさらに有する半導体発光デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体発光デバイスであって、前記反射層がIn、Sn、Al、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記半導体発光積層体の前記第２表面領域が高濃度にドープされたｐ型半導体コンタクト領域、リバーストンネル領域、又は表面が粗くされた領域であるところの半導体発光デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記第１半導体層がAlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及びAlGaAsから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記第２半導体層がAlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及びAlGaAsから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記第１電極の形状が螺旋形状、平面形状、又は分岐形状を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記第２電極の形状が螺旋形状、平面形状、又は分岐形状を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記第１透明酸化物導電層がインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、及び亜鉛スズ酸化物から成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項１４】
請求項１に記載の半導体発光デバイスであって、前記基板と前記半導体発光積層体との間に配置された第２透明酸化物導電層をさらに有する半導体発光デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体発光デバイスであって、前記第２透明酸化物導電層がインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、及び亜鉛スズ酸化物から成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有するところの半導体発光デバイス。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体発光デバイスであって、前記第１表面領域が前記第２透明酸化物導電層まで及んでいるところの半導体発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光デバイスに関し、特に、半導体発光デバイスの電極配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光デバイスは、光ディスプレー、信号機、データ記憶装置、通信装置、照明器具及び医療機器を含む多様な用途で使用されるに至っている。発光デバイスの発光効率を如何に向上させるかが技術的に重要な課題である。
【０００３】
特許文献１にＬＥＤ（発光ダイオード）が開示されている。電流を広げ、そしてＬＥＤの発光性能をさらに向上させるため、薄いNi/Auの透明導電層がｐ型コンタクト層上に形成されている。しかしながら、透明導電層の透過率はおよそ60％から70％であり、ＬＥＤの発光効率が影響されてしまう。
【０００４】
この問題を解決するため、伝統的なNi/Au透明導電層を置き換えるように、インジウムスズ酸化物及びそれに類するものから成る透明な酸化物導電層が用いられている。透明酸化物導電層はより高い透過率を有し、故に、ＬＥＤから放出される光の大部分は透明酸化物導電層を透過することができる。そうは言うものの、金属と比較すると透明酸化物導電層の抵抗が大きく、従って大型のＬＥＤに適用されると透明酸化物導電層の電流拡散効果が限られてしまう。
【０００５】
特許文献２に、デバイス、電極又は電極位置を変えることによって発光デバイスの電流を均一に広げる発光デバイスの電極構造が開示されている。また、特許文献３に、電流拡散を向上させる導電フィンガーを用いたＬＥＤが開示されている。さらに、特許文献４に、螺旋電極を有する窒化物ＬＥＤが開示されている。このＬＥＤはそのエピタキシャル構造の表面に螺旋状のトレンチを形成するためにエッチング又はポリッシング法を用いており、逆の電気的性質を有する２つの金属電極が平行な螺旋状パターン構造を有している。ＬＥＤは注入された電流を逆の電気的性質を有する２つの螺旋状電極間で均一に分散させ、電流拡散効率を高めている。
【０００６】
伝統的な発光デバイス又はＬＥＤの金属電極は光を吸収し、金属電極がＬＥＤ表面により高い密度を有する場合、ＬＥＤの輝度を低下させることになる。一方、金属電極がＬＥＤ表面により低い密度を有する場合には、電流拡散効果が低減され、駆動電圧が上昇させられることになる。結局、発光効率が低下してしまう。従って、ＬＥＤの最適輝度とより優れた電流拡散とのバランスを如何に取るかが技術的に重要な課題となる。
【特許文献１】米国特許第５５６３４２２号明細書
【特許文献２】米国特許第６３０７２１８号明細書
【特許文献３】米国特許第６６１４０５６号明細書
【特許文献４】米国特許第６５１８５９８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、より高い輝度とより優れた電流拡散を有する半導体発光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体発光デバイスは、基板、半導体発光積層体、第１電極、第１透明酸化物導電層及び第２電極を有する。前記半導体発光積層体は、前記基板に配置され、第１表面領域及び第２表面領域を有する。前記半導体発光積層体は、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を有する。前記第１半導体層は前記基板上に配置される。前記発光層は前記第１半導体層上に配置される。前記第２半導体層は前記発光層上に配置される。前記第１電極は前記第１表面領域に配置される。前記第１透明酸化物導電層は前記第２表面領域に配置される。前記第２電極は前記第１透明酸化物導電層上に配置される。前記発光デバイスの面積は2.5×105μm2より大きく、前記第１電極と前記第２電極との間隔は原則的に150μmと250μmとの間であり、且つ前記第１電極及び前記第２電極の面積は前記発光層の面積の15％から25％である。
【０００９】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスは、前記基板と前記半導体発光積層体との間に配置された接着層をさらに有する。
【００１０】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、接着層がポリイミド、ベンゾシクロブテン（BCB）、プレフルオロシクロブタン（PFCB）、インジウムスズ酸化物、In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Ni、Au-Be、Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、Au-Ge、PdIn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００１１】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスは、前記基板と前記接着層との間に配置された第１反応層をさらに有する。
【００１２】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第１反応層がSiNx、チタン、及びクロムから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００１３】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスは、前記基板と前記第１反応層との間に配置された反射層をさらに有する。
【００１４】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記反射層がIn、Sn、Al、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００１５】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスは、前記発光積層体と前記接着層との間に配置された第２反応層をさらに有する。
【００１６】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第２反応層がSiNx、チタン、及びクロムから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００１７】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスは、前記発光積層体と前記第２反応層との間に配置された反射層をさらに有する。
【００１８】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記反射層がIn、Sn、Al、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００１９】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記基板がGaP、SiC、Al2O3、GaAs、AlGaAs、GaAsP、及びガラスから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００２０】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記半導体発光積層体の前記第２表面領域が高濃度にドープされたｐ型半導体コンタクト領域、リバーストンネル領域、又は表面が粗くされた領域である。
【００２１】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第１半導体層がAlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及びAlGaAsから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００２２】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記発光層がGaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、及びAlGaInPから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００２３】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第２半導体層がAlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、及びAlGaAsから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００２４】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第１電極の形状が螺旋形状、平面形状、及び分岐形状を有する。
【００２５】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第２電極の形状が螺旋形状、平面形状、及び分岐形状を有する。
【００２６】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第１透明酸化物導電層がインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、及び亜鉛スズ酸化物から成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００２７】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記半導体発光積層体が前記第２半導体層上に配置された第２透明酸化物導電層をさらに有する。
【００２８】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第２透明酸化物導電層がインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、及び亜鉛スズ酸化物から成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００２９】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第２透明酸化物導電層が前記第１表面領域を有する。
【００３０】
本発明の一実施形態に従った半導体発光デバイスでは、前記第１半導体層が前記第１表面領域を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の好適な実施形態、添付の図面に例示された実施例について詳細に述べる。可能な場合には、同一の又は同様の部分を示す図面及び記載において同一の参照符号を用いることとする。
【００３２】
図１及び図２は、それぞれ、本発明の第１実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略断面図及び上面図である。図１及び図２を参照するに、半導体発光デバイス1は主として、基板10、半導体発光積層体、透明酸化物導電層15、第１電極16及び第２電極17を有する。半導体発光積層体は、第１半導体層12、発光層13及び第２半導体層14を有する。基板は、GaP、SiC、Al2O3、GaAs、AlGaAs、GaAsP及びガラスから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。緩衝層11が選択的に基板10上に配置される。第１半導体層12は、緩衝層11上に配置され、第１表面領域12a及び第２表面領域12bを有する窒化物の積層体である。第１半導体層12の材料は、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、又はAlGaAsとすることができる。
【００３３】
発光層13は第１半導体層12の第２表面領域12b上に配置されている。発光層13の材料はGaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、又はAlGaInPとすることができる。第２半導体層14は発光層13上に配置されており、窒化物の積層体とすることができる。窒化物積層体の材料は、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、又はAlGaAsとすることができる。半導体発光積層体の第２半導体層14は高濃度にドープされたｐ型半導体コンタクト領域、リバーストンネル領域又は表面が粗くされた領域である。透明酸化物導電層15は第２半導体層14上に配置されており、透明酸化物導電層15の材料はインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、又は亜鉛スズ酸化物とすることができる。第１電極16は第１半導体層12の第１表面領域12a上に配置されている。第２電極17は透明酸化物導電層15上に配置されている。図２に示されるように、第１電極16は第２電極17に平行にされており、第１電極16と第２電極17との間隔はdである。第１電極16と第２電極17との間隔dによる発光デバイス1の輝度及び電流拡散への影響について以下で説明する。
【００３４】
【表１】
2007005813.tif 000003
発光デバイスが一定面積3×105μm2（480μm×640μm）を有し、定電流0.07Aが発光デバイスに送られ、そして第１電極16及び第２電極17の面積が共に1.53×104μm2である条件下で、第１電極16と第２電極17との間隔を変化させた。発光デバイスの輝度、順方向バイアス及び発光効率の変化を表１に示す。図３は輝度と第１及び第２電極の間隔との関係を例示している。図３に示されるように、第１電極と第２電極との間隔が130μmから200μmの範囲で、輝度はその間隔と共に上昇した。発光デバイスの輝度は、２つの電極間の間隔が200μmから250μmの間にあるときに最適となり、２つの電極間の間隔が250μmより大きくなると低下した。図４は発光効率（すなわち、輝度を順方向バイアスで割ったもの）と第１及び第２電極の間隔との関係を例示している。図４に示されるように、発光デバイス1の輝度及び発光効率は、第１電極と第２電極との間隔が150μmから280μmの間にあるときに最適となった。
【００３５】
図５及び図６は、それぞれ、本発明の第２実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略断面図及び上面図である。図５及び図６を参照するに、半導体発光デバイス2は主として、基板20、第１半導体層22、発光層23、第２半導体層24、透明酸化物導電層25、第１電極27及び第２電極28を有する。緩衝層21が選択的に基板20上に配置される。第１半導体層22は、緩衝層21上に配置され、窒化物の積層体とすることができる。窒化物積層体の材料は、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、又はAlGaAsとすることができる。発光層23は第１半導体層22上に配置されている。発光層23の材料はGaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、又はAlGaInPとすることができる。第２半導体層24は発光層23上に配置されており、窒化物の積層体とすることができる。窒化物積層体の材料は、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、又はAlGaAsとすることができる。透明酸化物導電層25は第２半導体層24上に配置されており、透明酸化物導電層25の材料はインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、又は亜鉛スズ酸化物とすることができる。螺旋溝26が透明酸化物導電層25、第２半導体層24及び発光層23に形成されており、第１半導体層22の一部を露出させ、第１電極領域22aを形成している。第１電極27は第１電極領域22aに配置されている。第２電極28は透明酸化物導電層25上に配置されている。図６に示されるように、第１電極27及び第２電極28は螺旋形状であり、第１電極27の第１エッジE1と、第１エッジE1に隣接する第２電極28の第２エッジE2との間隔はdである。第１及び第２電極の面積の発光層の面積に対する比による発光デバイス2の輝度及び電流拡散への影響について以下で説明する。
【００３６】
図７は、半導体発光デバイスの順方向電流と発光効率との関係を例示している。図７に示されるように、発光デバイスの面積1×106μm2（1000μm×1000μm）、入力電流350mA、そして第１電極及び第２電極の面積が発光層の面積の24.4％の条件下では、第１電極27と第２電極28との間隔が130μm、166μm及び210μmのそれぞれである場合、電極間隔が166μm及び210μmである発光デバイスの発光効率は、電極間隔が130μmである発光デバイスのそれより高い。しかしながら、電極間隔の増加に伴って順方向バイアスが増大している。さらに、第１実施形態の実験結果から、順方向バイアスは第１及び第２電極の面積を変えることにより、順方向バイアス増大の問題を解決するように調整可能である。
【００３７】
発光デバイスの面積1×106μm2、第１電極と第２電極との間隔166μm、そして第１電極及び第２電極の面積が発光層の面積の14.3％、15.6％、17.8％、18.4％、23％、24.4％又は30％の条件下での、半導体発光デバイスの第１及び第２電極の面積の発光層の面積に対する比と発光効率との関係を図８に示す。半導体発光デバイスの発光効率は、第１及び第２電極の面積の発光層面積に対する比がおよそ15％から25％である場合に比較的優れる。さらに、半導体発光デバイスの発光効率は、電極面積の発光層面積に対する比がおよそ17％から24.4％である場合に最適である。
【００３８】
図９は本発明の第３実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略断面図である。半導体発光デバイス3は、基板30、接着層31、発光積層体、螺旋溝37、第１電極38及び第２電極39を有する。接着層31は、第１透明酸化物導電層32、AlInGaPを基礎とする第１半導体積層体33、発光層34、AlInGaPを基礎とする第２半導体積層体35及び第２透明酸化物導電層36を有する発光積層体を接着するために基板30上に配置されている。本発明の一実施形態では、接着層31は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（BCB）、プレフルオロシクロブタン（PFCB）、インジウムスズ酸化物、In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Ni、Au-Be、Au-Sn、Au-Si、Pb-Sn、Au-Ge、PdIn及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００３９】
第１透明酸化物導電層32は接着層31上に配置され、インジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、及び亜鉛スズ酸化物から成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。AlInGaPを基礎とする第１半導体積層体33は第１透明酸化物導電層32上に配置されている。発光層34はAlInGaPを基礎とする第１半導体積層体33上に配置されている。AlInGaPを基礎とする第２半導体積層体35は発光層34上に配置されている。第１透明酸化物導電層36はAlInGaPを基礎とする第２半導体積層体35上に配置され、インジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、アルミニウムスズ酸化物、及び亜鉛スズ酸化物から成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。螺旋溝37が第２透明酸化物導電層36、AlInGaPを基礎とする第２半導体積層体35、発光層34、及びAlInGaPを基礎とする第１半導体積層体33に形成されており、第１透明酸化物導電層32の一部を露出させ、第１電極領域32aを形成している。第１電極38は第１電極領域32aに配置されている。第２電極39は第２透明酸化物導電層36上に配置されている。半導体発光デバイス3の上面図は半導体発光デバイス2のそれと同様である。
【００４０】
発光デバイスの面積5.6×105μm2（750μm×750μm）、入力電流350mA、そして第１電極38及び第２電極39の面積が発光層34の面積の24.4％の条件下では、第１電極38の第１エッジE1と第２電極39の第２エッジE2との間隔が130μm又は166μmである場合、発光デバイスの発光パワーはそれに応じて58.35mW又は67.47mWとなる。入力電流400mAの条件下では、第１電極38と第２電極39との間隔が130μm又は166μmである場合、発光パワーはそれに応じて66.03mW又は76.33mWとなる。入力電流600mAの条件下では、第１電極38と第２電極39との間隔が130μm又は166μmである場合、発光パワーはそれに応じて93.18mW又は100.87mWとなる。上記データに従って、電極間隔が166μmである発光デバイスの発光パワーは電極間隔が130μmである発光デバイスのそれより大きい。
【００４１】
図１０は、半導体発光デバイスの第１及び第２電極の面積の発光層の面積に対する比と発光効率との関係を例示している。発光デバイスの面積5.6×105μm2、第１電極と第２電極との間隔166μm、そして第１電極及び第２電極の面積が発光層の面積の14.3％、15.6％、17.8％、18.4％、23％、24.4％又は30％の条件下では、発光デバイスの発光効率は、第１及び第２電極の面積が発光層面積の15％から25％である場合に比較的優れる。さらに、発光デバイスの発光効率は、第１及び第２電極の面積が発光層面積の17％から18.4％である場合に最適である。
【００４２】
本発明は、中程度の入力パワー（約0.3W）で発光層の面積が2.56×105μm2の発光デバイス、及び大きな入力パワー（1W超）で発光層の面積が1×106μm2より大きい発光デバイスに適用されるのに適している。
【００４３】
図１１Ａ及び図１１Ｂは、第１電極及び第２電極の異なる配置を例示する概略上面図である。図１１Ａ及び図１１Ｂを参照するに、第１電極16及び第２電極17の形状は平面形状、又は樹枝のような分岐形状とし得る。
【００４４】
また、本発明の一実施形態では、半導体発光デバイスは基板と接着層との間に配置された第１反応層をさらに有する。第１反応層は、SiNx、チタン、及びクロムから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００４５】
本発明の一実施形態では、半導体発光デバイスは基板と第１反応層との間に配置された反射層をさらに有する。反射層は、In、Sn、Al、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００４６】
本発明の一実施形態では、半導体発光デバイスは発光積層体と接着層との間に配置された第２反応層をさらに有する。第２反応層は、SiNx、チタン、及びクロムから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００４７】
本発明の一実施形態では、半導体発光デバイスは発光積層体と第２反応層との間に配置された反射層をさらに有する。反射層は、In、Sn、Al、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、及びAuZnから成るグループから選択される少なくとも１つの材料を有する。
【００４８】
本発明の範囲又は意図を逸脱することなく様々な変更及び変形が本発明の構造に為され得ることは当業者に明らかになるところである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略上面図である。
【図３】輝度と第１及び第２電極間の間隔との関係を例示する図である。
【図４】発光効率と第１及び第２電極間の間隔との関係を例示する図である。
【図５】本発明の第２実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略上面図である。
【図７】半導体発光デバイスの順方向電流と発光効率との関係を例示する図である。
【図８】半導体発光デバイスの、第１及び第２電極の面積と発光層の面積との比と、発光効率との関係を例示する図である。
【図９】本発明の第３実施形態に従った半導体発光デバイスを例示する概略断面図である。
【図１０】半導体発光デバイスの、第１及び第２電極の面積と発光層の面積との比と、発光効率との関係を例示する図である。
【図１１Ａ】第１電極及び第２電極の異なる配置を例示する概略上面図である。
【図１１Ｂ】第１電極及び第２電極の異なる配置を例示する概略上面図である。
【符号の説明】
【００５０】
1、2、3…半導体発光デバイス
10、20、30…基板
11、21、31…接着層（又は緩衝層）
12、22、33…第１半導体層
13、23、34…発光層
14、24、35…第２半導体層
15、25、32、36…透明酸化物導電層
16、27、38…第１電極
17、28、39…第２電極
12a、22a、32a…第１表面（電極）領域
12b…第２表面（電極）領域
26、37…溝
E1…第1電極のエッジ
E2…第２電極のエッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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