(57)【要約】【課題】  気体の巻き込みを抑制して基板表面から液体を効率良く吸引することのできる基板処理装置を提供する。【解決手段】  吸引ノズル３１は基板表面ＷＳの法線方向に対して傾斜されながら移動方向Ｘに沿って上下方向に互いに対向配置された上側先端部位３２と下側先端部位３３とを有する。これら先端部位３２，３３の間に吸引経路３４が形成され、基板Ｗを搬送しながら該吸引経路３４の一方端３４ａより基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引除去する。吸引経路３４の一方端３４ａは、Ｘ方向において下側先端部位３３の長さよりも長く形成された上側先端部位３２の延長領域３２１ｂによって上方より覆われるとともに、延長領域３２１ｂの下方側に広がる空間ＳＰが処理液によって満たされる。【選択図】  図４
2007005665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が付着する基板の表面から該液体を吸引除去する基板処理装置において、
前記基板に対して所定の移動方向に相対移動自在に設けられるとともに、その先端部に前記基板表面の法線方向に対して所定の角度をなすように傾斜されながら前記移動方向に沿って上下方向に互いに対向配置された一対の先端部位を有し、各々の先端部位の対向領域によって挟まれた間隙を吸引経路として該吸引経路の一方端が前記基板表面に近接しながら離間配置されたノズルと、
前記ノズルを前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる駆動手段と、
前記吸引経路の他方端に連通され、前記基板表面に付着する前記液体を前記吸引経路の一方端より吸引して前記基板表面から除去する吸引手段と
を備え、
前記ノズルは、前記吸引経路の一方端側において、前記一対の先端部位を構成する上側先端部位の前記移動方向における長さが下側先端部位の同方向における長さよりも長く形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ノズルでは、前記吸引経路の一方端が前記吸引経路の他方端に対して前記移動方向の上流側に位置するように前記一対の先端部位が傾斜されながら互いに対向配置される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記上側先端部位は、前記上側先端部位の対向領域に隣接するとともに前記基板表面を臨みながら前記移動方向の上流側に延長された延長領域と、該延長領域の前記移動方向の上流側に位置する上流辺部と接続されるとともに該上流辺部から前記移動方向の上流側を臨みながら前記延長領域から離れる方向に延設された傾斜面とをさらに有する請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記下側先端部位は前記基板表面に平行して対向する基板対向面をさらに有する請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記上側先端部位では、前記傾斜面が前記基板対向面に対して鋭角をなすように形成される請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記上側先端部位では、前記基板対向面を前記移動方向の上流側に延長した延長平面上に前記上流辺部が位置するように形成される請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板表面に対して平行でかつ前記移動方向に対して直交する方向を幅方向としたとき、
前記一対の先端部位の前記幅方向の幅は少なくとも前記基板の前記幅方向の幅以上に形成される請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液体が付着する基板表面から該液体を吸引除去する基板処理装置に関する。なお、基板には半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば液晶表示装置の製造工程においては、水平方向に敷設された搬送ローラによって基板を搬送しながら、搬送される基板表面に現像液、エッチング液、剥離液、洗浄液などの液層を形成することによって湿式処理が施される。これらの湿式処理が施された基板表面には湿式処理に使用された液体が付着しているため、液体が処理室から持ち出されることを防ぐため、基板表面に付着した液体を各湿式処理工程ごとに除去しておく必要がある。
【０００３】
このような基板表面に付着した液体を該基板表面から除去するものとして、基板表面に付着する液体をノズルによって吸引することで除去する基板処理装置がある（特許文献１参照）。この基板処理装置では、基板の幅方向にスリット状に開口した吸引口を有する吸引ノズルを基板表面の法線方向に対して所定の角度をなすように基板搬送方向の下流側に傾斜させながら基板表面に付着する薬液の吸引を実行している。つまり、吸引口を基板表面に対向させつつ基板搬送方向の上流側に向くように吸引ノズルを傾斜させて、薬液の吸引方向と基板搬送方向とを近づけるようにしている。これにより、基板の幅方向に薬液を吸引しながら基板を搬送させることで基板表面全体から該基板表面に付着する薬液を吸引している。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−５０６５０号公報（図１、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、吸引ノズルを基板表面の法線方向に対して所定の角度をなすように傾斜させた場合には、次のような問題が生じる場合があった。すなわち、上記従来装置のように、吸引ノズルを基板表面の法線方向に直立姿勢で配置した状態から基板搬送方向の下流側に傾斜させると、吸引口全体が基板表面と平行して対向する状態から吸引口のうち基板搬送方向の上流側部分が基板表面に付着する薬液の液面から上方の外部雰囲気に露出する機会が増加してしまう。このため、吸引ノズルが基板表面に付着する薬液を吸引する際に、除去対象物である薬液のみならず外部雰囲気であるエア（気体）を巻き込み、薬液の吸引効率が低下するという問題が生じていた。しかしながら、上記従来装置では、この点について何ら考慮されていなかった。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、気体の巻き込みを抑制して基板表面から液体を効率良く吸引することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、液体が付着する基板の表面から該液体を吸引除去する基板処理装置であって、基板に対して所定の移動方向に相対移動自在に設けられるとともに、その先端部に基板表面の法線方向に対して所定の角度をなすように傾斜されながら移動方向に沿って上下方向に互いに対向配置された一対の先端部位を有し、各々の先端部位の対向領域によって挟まれた間隙を吸引経路として該吸引経路の一方端が基板表面に近接しながら離間配置されたノズルと、ノズルを基板に対して移動方向に相対移動させる駆動手段と、吸引経路の他方端に連通され、基板表面に付着する液体を吸引経路の一方端より吸引して基板表面から除去する吸引手段とを備え、ノズルは、吸引経路の一方端側において、一対の先端部位を構成する上側先端部位の移動方向における長さが下側先端部位の同方向における長さよりも長く形成されている。
【０００８】
このように構成された発明では、ノズルは基板表面の法線方向に対して所定の角度をなすように傾斜されながら移動方向に沿って上下方向に互いに対向配置された一対の先端部位を有し、一対の先端部位に挟まれた間隙が吸引経路となって、該吸引経路の一方端より基板表面に付着する液体を吸引しながら基板に対して相対移動する。ここで、吸引経路の一方端では、一対の先端部位を構成する上側先端部位の移動方向における長さが下側先端部位の同方向における長さよりも長く形成されている。このため、吸引経路の一方端が下側先端部位よりも長く形成された上側先端部位によって上方より覆われ外部雰囲気からの気体の侵入が防止される。さらに、下側先端部位よりも長く形成された上側先端部位の下方側に広がる空間が移動方向に沿って相対移動されてくる液体によって満たされ、吸引経路の一方端が外部雰囲気に露出するのが防止される。これにより、気体の巻き込みを抑制して液体の吸引効率を高めることができる。
【０００９】
ここで、吸引経路の一方端が吸引経路の他方端に対して移動方向の上流側に位置するように一対の先端部位を傾斜されながら互いに対向配置させるように構成するのが好ましい。この構成によれば、吸引経路の一方端は基板表面を臨みながらも液体が運ばれてくる移動方向の上流側に向けられており、液体は速やかに吸引経路の一方端よりに取り込まれるとともに、そのまま移動方向の下流側に位置する吸引経路の他方端にスムーズに案内される。このため、基板表面に付着する液体が乱れるのを抑えながら効率良く吸引することができる。
【００１０】
また、上側先端部位は、上側先端部位の対向領域に隣接するとともに基板表面を臨みながら移動方向の上流側に延長された延長領域と、該延長領域の移動方向の上流側に位置する上流辺部と接続されるとともに該上流辺部から移動方向の上流側を臨みながら延長領域から離れる方向に延設された傾斜面とをさらに有するように構成してもよい。このように構成することで、基板表面に付着する液体の一部が傾斜面によって掻き取られることによって、上流辺部の下方側に仕切られた液体の厚み（液体量）が一定とされる。これにより、気体の巻き込みを抑制しながらも、基板表面に付着する液体量にかかわらず、安定して吸引を行うことができる。
【００１１】
さらに、下側先端部位が基板表面に平行して対向する基板対向面を備えるように構成すると、吸引経路の一方端を基板表面により近接して配置させることができ、吸引経路の一方端を基板表面に付着する液体で封じ込める観点から有利となる。また、基板表面と該基板表面に近接配置された基板対向面との間に液体が入り込むことで基板対向面と基板表面との間から吸引経路の一方端に気体が侵入するのを防止できる。
【００１２】
ここで、傾斜面が基板対向面に対して鋭角をなすように構成すると、液体の飛散を抑えながらノズル先端部（一対の先端部位）を基板表面に付着する液体中に入り込ませていくことができる。これにより、上側先端部位（延長領域）の下方側に広がる空間を速やかに液体で満たすことができ、気体の巻き込みを効果的に抑制することができる。
【００１３】
また、基板対向面を移動方向の上流側に延長した延長平面上に上流辺部が位置するように構成すると、基板対向面を基板表面に近接させた場合に、延長領域を基板表面の近傍に対向させながら配置させることができる。このため、延長領域の下方側に広がる空間、つまり基板表面と該基板表面の近傍に配置された延長領域とで挟まれた空間を確実に液密状態にすることが可能となる。その結果、吸引経路の一方端への気体の侵入を確実に防止して液体の吸引効率を高めることができる。
【００１４】
ここで、基板表面に対して平行でかつ移動方向に対して直交する方向を幅方向としたとき、一対の先端部位の幅方向の幅を少なくとも基板の幅方向の幅以上に形成するように構成するのが好ましい。この構成によれば、ノズルを基板に対して相対移動させることにより、上記した作用効果を基板の幅方向の全体にわたって得つつ、基板表面全体から一度に液体を吸引除去することができ、スループットを向上させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、一対の先端部位の間に形成される吸引経路の一方端側において、一対の先端部位を構成する上側先端部位の移動方向における長さが下側先端部位の同方向における長さよりも長く形成されている。このため、吸引経路の一方端が上方より覆われ外部雰囲気からの気体の侵入が防止されるとともに、下側先端部位よりも長く形成された上側先端部位の下方側に広がる空間が液体によって満たされ、吸引経路の一方端が外部雰囲気に露出するのが防止される。したがって、気体の巻き込みを抑制して液体の吸引効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜基板処理装置の全体構成＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す側断面図である。また、図２は図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は基板Ｗ（具体的には、液晶表示装置用の矩形ガラス基板）を水平搬送しながらエッチング液などの処理液（本発明の「液体」に相当）によって基板Ｗに対してエッチング処理を行うものであり、前工程より基板Ｗを受け入れる搬入部１０と、基板Ｗにエッチング処理を施す処理部２０と、基板Ｗの表面ＷＳに残存した処理液を除去する液切り部３０とが一体に形成されている。また、処理液を貯留する受槽４０が設けられている。
【００１７】
一体に形成された各構成部１０，２０，３０の槽内部には、複数の搬送ローラ１が水平方向Ｘに列設されており、各構成部１０，２０，３０を横断する水平搬送路を形成している。そして、装置全体を制御する制御部５０からの制御指令に応じてローラ駆動部２が本発明の「駆動手段」として搬送ローラ１の一部（あるいは全て）を回転させることで基板Ｗを（＋Ｘ）方向に直線的に搬送する。このように、この実施形態では、水平方向（＋Ｘ）が本発明の「所定の移動方向」に相当しており、以下の説明においては、水平方向（＋Ｘ）を単に「移動方向」と称する。複数の搬送ローラ１は水平方向Ｘと略直交する方向に配設された支持軸（図示せず）に軸支され、基板Ｗをほぼ水平姿勢で支持して搬送する。
【００１８】
さらに、各構成部１０，２０，３０の槽壁には、搬送路上を搬送される基板Ｗが通過できるようにそれぞれ透孔３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄが設けられている。また、処理部２０の槽壁に設けられた透孔３ｂ，３ｃには各々、処理液の流出を防ぐための扉４ａ，４ｂが設けられており、制御部５０からの動作指令に応じて開閉される。
【００１９】
処理部２０は、その内部が処理液を貯留可能な処理槽を構成しており、基板Ｗにエッチング処理を施す際には、搬送路上を搬送される基板Ｗを浸漬させる程に処理部２０の槽内に処理液が貯留される。処理部２０は、基板Ｗの搬送路を上下から挟み込むように、その内部に上下に分かれてそれぞれ水平方向Ｘに沿って配設された複数のノズル２１，２２を備えている。これらのノズル２１，２２は受槽４０と接続されており、受槽４０から送液される処理液を基板Ｗに供給する。
【００２０】
液切り部３０は、基板Ｗの表面ＷＳに近接しながら対向可能な吸引ノズル３１を備えている。この吸引ノズル３１は移動方向において固定して配置されている。吸引ノズル３１は排液ポンプ５ａが介挿された回収管４１によって受槽４０と連通されている。これにより、制御部５０が排液ポンプ５ａを作動させることで吸引ノズル３１から基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引して受槽４０に回収することが可能となっている。また、吸引ノズル３１にはアクチュエータ７が連結されており、制御部５０からの動作指令に応じてアクチュエータ７が作動することで基板表面ＷＳからの吸引ノズル３１の高さ位置を調整して、吸引ノズル３１と基板表面ＷＳとの離間距離を制御することが可能となっている。なお、吸引ノズル３１の構成および動作については後で詳述する。
【００２１】
受槽４０は、その内部に処理液を貯留しており、送液ポンプ５ｂが介挿された送液管４２によってノズル２１，２２と連通されている。詳しくは、受槽４０を起点として送液ポンプ５ｂを介挿した送液管４２は、管路途中からノズル２１，２２に向けてそれぞれ分岐しており、これら分岐管４２ａ，４２ｂには開閉弁４３ａ，４３ｂが各々介挿されている。これにより、制御部５０が送液ポンプ５ｂを作動させるとともに開閉弁４３ａ，４３ｂを開閉制御することで各ノズル２１，２２から独立して処理部２０に処理液を噴出することが可能となっている。
【００２２】
また、各構成部１０，２０，３０は、それぞれ回収管４４ａ，４４ｂ，４４ｃを介して受槽４０と連通されている。処理部２０に接続された回収管４４ｂには開閉弁４５が介挿されており、開閉弁４５を開とすることで処理部２０に貯留されている処理液を排出することが可能となっている。
【００２３】
次に基板処理装置の動作について説明する。基板Ｗは、搬送ローラ１によって搬送されて、搬入部１０、処理部２０、液切り部３０を順次通過しながら各処理が施される。なお、扉４ａ，４ｂ、開閉弁４３ａ，４３ｂ，４５はすべて閉じられた状態とされている。
【００２４】
先ず、透孔３ａから搬入部１０に基板Ｗが搬入されると、扉４ａが一時的に開放されることで基板Ｗは透孔３ｂを通過して処理部２０に搬入される。このとき、処理部２０に貯留される処理液の液面の高さ位置は透孔３ｂよりも低い位置とされている。そして、基板Ｗが処理部２０に搬入され扉４ａが閉鎖されると、ノズル２１から処理部２０に処理液が供給され、基板Ｗを浸漬させる程に処理部２０の槽内に処理液が貯留される。これにより、透孔３ｂから処理部２０の槽内の処理液が流出するのが防止される。
【００２５】
但し、透孔３ｂの開口面積は基板Ｗの通過に支障がない範囲で小さくされており、また処理液の液面と透孔３ｂとの高低差は比較的小さいものとされている。そのため、基板Ｗを浸漬させる程に処理部２０に処理液を貯留した状態で扉４ａを一時的に開放することも可能である。この場合、透孔４ｂからの処理液の流出量は限定的であり、しかも流出した処理液は回収管４４ａを介して受槽４０に回収される。
【００２６】
処理部２０に搬入された基板Ｗは処理液によって浸されながら所定時間搬送路に沿って往復運動を行うことによって基板Ｗにエッチング処理が施される。なお、浸潰処理に変えて、または加えて、ノズル２２から処理液を基板Ｗの表面ＷＳに直接に供給することによってエッチング処理を行うようにしてもよい。
【００２７】
処理部２０で所定のエッチング処理を施された基板Ｗは、扉４ｂが開放されることで透孔３ｃを通過して液切り部３０に搬入される。このとき、扉４ｂが開放される前に開閉弁４５を開くことによって基板Ｗが処理液から露出する程度に処理液が受槽４０に回収される。この場合においても、入口側の透孔３ｂの場合と同様の理由で、処理液を受槽４０に回収することなく扉４ｂを開放してもよい。なお、透孔３ｂ，３ｃより溢流した処理液は、搬入部１０および液切り部３０の底部から、回収管４４ａ，４４ｃを介して受槽４０に還流されることにより循環利用される。
【００２８】
そして、基板Ｗが液切り部３０に搬入され扉４ｂが閉鎖されると、基板Ｗに対して所定の液切り処理が実行される。なお、液切り部３０における液切り処理においては後で詳述する。こうして、液切り処理が実行されると、基板Wは透孔３ｄから搬出される。
【００２９】
＜吸引ノズル＞
次に、液切り部３０に装備された吸引ノズル３１の構成および動作について図３および図４を参照しつつ詳述する。図３は、図１の基板処理装置の液切り部の構成を示す斜視図である。さらに、図４は、図１の基板処理装置の液切り部に装備された吸引ノズルの要部を示す断面図である。吸引ノズル３１は、その先端部が先細りの楔形状をなしており、搬送路上を搬送されてくる基板Ｗの表面ＷＳに近接しながら対向配置されている。吸引ノズル３１は、その先端部に一対の先端部位３２，３３を有しており、一対の先端部位３２，３３が基板表面ＷＳの法線方向に対して一定の角度α（０°＜α＜９０°）をなして移動方向の下流側（＋Ｘ）に傾斜されながら、上下方向に互いに平行して対向配置されている。各々の先端部位３２，３３の対向面３２１，３３１によって挟まれた間隙は吸引経路３４を構成しており、移動方向の上流側（−Ｘ）に位置する吸引経路３４の一方端３４ａが基板表面ＷＳに近接しながら離間配置される一方で、移動方向の下流側（＋Ｘ）に位置する吸引経路３４の他方端３４ｂがノズル内部に設けられたマニホールド３５を介して排液ポンプ５ａに連通されている。
【００３０】
一対の先端部位３２，３３は、基板表面ＷＳに対して平行でかつ移動方向に直交する方向（Ｙ方向；本発明の「幅方向」に相当）における幅Ｗ１が、基板Ｗの幅方向の幅Ｗ２以上の大きさで形成されている。そして、一対の先端部位３２，３３の間に形成された吸引経路３４は、幅方向に延びるスリットを形成しながら一方端３４ａにおいて開口されている。これにより、吸引経路３４の一方端３４ａより幅方向に吸引させながら、基板Ｗが搬送路に沿って移動方向に搬送されることで、基板表面全体を処理することが可能となっている。
【００３１】
吸引経路３４の一方端３４ａ側では、一対の先端部位３２，３３を構成する上側先端部位３２が下側先端部位３３に対して延長して形成されている。すなわち、上側先端部位３２の対向面３２１は、下側先端部位３３の対向面３３１（対向領域）に対向する対向領域３２１ａと、該対向領域３２１ａに隣接しながら移動方向の上流側（−Ｘ）に延長された延長領域３２１ｂとを有している。この延長領域３２１ｂは吸引経路３４の一方端３４ａを起点として基板表面ＷＳを臨みながら該基板表面ＷＳに近接するように延設されており、延長領域３２１ｂによって吸引経路３４の一方端３４ａが上方から覆われる。また、上側先端部位３２の他の側面３２２が移動方向の上流側（−Ｘ）で、かつ上方を向いた面となっている。詳しくは、側面３２２が対向面３２１を規定する辺部のうち移動方向の上流側（−Ｘ）に位置する上流辺部３２３と接続されるとともに該上流辺部３２３から移動方向の上流側（−Ｘ）を臨みながら対向面３２１（延長領域３２１ｂ）から離れる方向に延設されており、本発明の「傾斜面」に相当している。
【００３２】
また、下側先端部位３３の一側面（下面）３３２は基板表面ＷＳと平行して対向する基板対向面となっている。この基板対向面３３２と上側先端部位３２の側面３２２とは鋭角θをなしている。また、基板対向面３３２を移動方向の上流側（−Ｘ）に延長した延長平面ＥＰ上に上側先端部位３２の上流辺部３２３が位置している。
【００３３】
次に、上記のように構成された吸引ノズル３１の動作について説明する。処理部２０において処理液中に浸漬されエッチング処理を受けた基板Ｗの表面ＷＳには多量の処理液が付着している。そして、搬送ローラ１によって基板Ｗが液切り部３０に搬入されると、制御部５０は排液ポンプ５ａを作動させる。また、制御部５０は処理液の種類（例えば処理液の粘性）、基板Ｗの搬送速度などのプロセス条件に応じて、アクチュエータ７を予め作動させることで基板表面ＷＳからの吸引ノズル３１の高さ位置を調整しておく。ここでは、下側先端部位３３の基板対向面３３２が基板表面ＷＳに付着して持ち出された処理液の液面ＬＬより下方に位置するように吸引ノズル３１の高さ位置を設定する。このとき、吸引ノズル３１の開口、つまり吸引経路３４の一方端３４ａを基板表面ＷＳに近づける程、吸引効率を高めることができるが、基板Ｗを吸着して基板Ｗと接触するおそれがある。そこで、基板Ｗの高さ方向（Ｚ方向）の搬送精度も考慮しながら、基板Ｗとの接触を回避できる範囲で吸引効率が最大となるよう吸引ノズル３１の高さ位置を設定する。この実施形態においては、下側先端部位３３の基板対向面３３２を基板表面ＷＳに平行に構成しているので、吸引経路３４の一方端３４ａを基板表面ＷＳにより近接して配置することができる。
【００３４】
基板Ｗが吸引ヘッド３１の配設位置に達すると、基板表面ＷＳに付着する処理液の一部、つまり上流辺部３２３により上方に位置する処理液が側面３２２によって掻き取られる。これによって、上流辺部３２３の下方側に仕切られた処理液の厚み（液量）が一定とされる。そして、上流辺部３２３の下方から処理液は延長領域３２１ｂの下方側に広がる空間ＳＰに回り込み該空間ＳＰが処理液で満たされる。具体的には、延長領域３２１ｂと基板対向面３３２から移動方向の上流側（−Ｘ）に延長された延長平面ＥＰとで挟まれた、断面形状が略三角形の幅方向に延びる三角柱状の空間が液密状態とされる。これにより、吸引経路３４の一方端３４ａが処理液の厚みが規定された状態で延長領域３２１ｂの下方側に広がる空間ＳＰに入り込んでくる処理液によって満たされながらノズル内に取り込まれ吸引経路３４の他方端３４ｂに向けて吸引されていく。このとき、吸引経路３４の一方端３４ａは基板表面ＷＳを臨みながらも基板Ｗの移動方向の上流側（−Ｘ）に向けられているので、移動方向に運ばれる処理液は吸引経路３４の一方端３４ａより速やかに取り込まれるとともに、移動方向の下流側（＋Ｘ）に位置する吸引経路３４の他方端３４ｂにスムーズに案内される。なお、吸引しきれずにノズルの上流側端部、特に側面３２２に滞留する処理液は基板表面ＷＳに再付着することなく、基板表面ＷＳから側方に排出される。こうして、基板Ｗの幅方向の全体にわたって処理液が基板表面ＷＳから除去されながら、搬送ローラ１によって移動方向に基板Ｗが搬送されることで基板表面ＷＳの全体から処理液が除去される。
【００３５】
また、上記のように基板表面ＷＳから処理液を除去することにより、基板表面ＷＳから全ての処理液を可能なかぎり除去するほか、基板表面ＷＳに所定量の処理液を残すように基板表面ＷＳに残留させる液量をコントロールすることも容易となる。すなわち、エッチング処理後のエッチングむらを防止するために基板表面ＷＳに所定の厚みで液膜を残す場合であっても、側面３２２によって処理液を掻き取りながら処理液の厚みを規定しながら吸引を実行しているので、基板表面ＷＳに付着する処理液の液量にかかわらず、基板表面ＷＳに残留させる処理液の厚みを均一にすることができる。さらに、吸引ノズル３１の高さ位置や吸引量を設定変更することで、基板表面ＷＳに残留させる処理液の厚みを微細にコントロールすることも可能である。
【００３６】
以上のように、この実施形態によれば、吸引ノズル３１は基板表面ＷＳの法線方向に対して傾斜させながら移動方向Ｘに沿って上下方向に互いに対向配置された一対の先端部位３２，３３を有し、該一対の先端部位３２，３３の間に形成された吸引経路３４の一方端３４ａにおいて、上側先端部位３２のＸ方向における長さを下側先端部位３３の同方向における長さよりも長く形成している。このため、吸引経路３４の一方端３４ａより基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引する際に、吸引経路３４の一方端３４ａが下側先端部位３３よりも長く形成された上側先端部位３２の延長領域３２１ｂによって上方より覆われ外部雰囲気からのエアの侵入が防止される。さらに、延長領域３２１ｂの下方側に広がる空間ＳＰが移動方向に沿って運ばれてくる処理液によって満たされ、吸引経路３４の一方端３４ａが外部雰囲気に露出するのが防止される。したがって、エアの巻き込みを抑制して処理液の吸引効率を高めることができる。
【００３７】
また、吸引経路３４の一方端３４ａが他方端３４ｂに対して基板Ｗの移動方向の上流側（−Ｘ）に位置するように一対の先端部位３２，３３を傾斜配置されている。このため、移動方向に沿って運ばれてくる処理液は速やかに吸引経路３４の一方端３４ａより取り込まれるとともに他方端３４ｂに向けて案内される。その結果、基板表面ＷＳに付着する処理液が乱れるのを抑えながら効率良く吸引することができる。
【００３８】
また、上側先端部位３２に設けられた側面３２２によって基板表面ＷＳに付着する処理液の一部を掻き取りながら吸引経路３４の一方端３４ａより吸引を行っている。このため、処理液の厚み（液量）が一定とされた状態で吸引が行われ、エアの巻き込みを抑制しながらも、基板表面ＷＳに付着する処理液の液量にかかわらず、安定して吸引を行うことができる。
【００３９】
また、下側先端部位３３の基板対向面３３２は基板表面ＷＳに平行して対向配置されているので、吸引経路３４の一方端３４ａを基板表面ＷＳにより近接して配置させることができる。このため、吸引経路３４の一方端３４ａを基板表面ＷＳに付着する処理液で封じ込める点で有利である。また、基板表面ＷＳと該基板表面ＷＳに近接配置された基板対向面３３２との間に処理液が入り込むことにより、基板対向面３３２と基板表面ＷＳとの間から吸引経路３４の一方端３４ａへエアが侵入するのを防止できる。
【００４０】
また、基板対向面３３２と側面３２２とが鋭角θをなすように構成されているため、処理液の飛散を抑えながらノズル先端部（一対の先端部位３２，３３）を基板表面ＷＳに付着する処理液中に入り込ませていくことができ、延長領域３２１ｂの下方に広がる空間ＳＰを速やかに処理液で満たすことができる。これにより、エアの巻き込みを効果的に抑制することができる。さらに、基板対向面３３２を移動方向の上流側（−Ｘ）に延長した延長平面ＥＰ上に上流辺部３２３が位置するように上側先端部位３２を構成しているため、延長領域３２１ｂを基板表面ＷＳの近傍に対向させながら配置させることができ、延長領域３２１ｂの下方に広がる空間ＳＰを確実に液密状態とすることができる。その結果、吸引経路３４の一方端３４ａへのエアの侵入を効果的に防止して処理液の吸引効率を高めることができる。
【００４１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、上側先端部位３２の延長領域３２１ｂは対向領域３２１ａと同一平面である対向面３２１上に形成されているが、これに限定されない。例えば、図５に示すように、上側先端部位３２の対向面３２１に隣接しながら基板表面ＷＳと平行に移動方向の上流側（−Ｘ）に延びる延長面３２４（延長領域）を形成するようにしてもよい。要は、ノズル先端側（吸引経路の一方端側）で、Ｘ方向（相対移動方向）において一対の先端部位を構成する上側先端部位の長さが下側先端部位の長さよりも長く形成されていればよい。
【００４２】
また、上記実施形態では、一対の先端部位３２，３３を吸引経路３４の一方端３４ａが他方端３４ｂに対して移動方向の上流側（−Ｘ）に位置するように傾斜配置させているが、吸引経路３４の一方端３４ａが他方端３４ｂに対して移動方向の下流側（＋Ｘ）に位置するように傾斜配置させるようにしてもよい。このように構成した場合でも、吸引経路３４の一方端３４ａ側で、移動方向において上側先端部位３２の長さが下側先端部位３３の長さよりも長く形成されることで、吸引経路３４の一方端３４ａへのエアの侵入を防止しながら、上側先端部位３２の下方に広がる空間ＳＰを処理液で満たしてエアの巻き込みを抑制することができる。
【００４３】
また、上記実施形態では、一方向（＋Ｘ方向）に搬送される基板Ｗの表面ＷＳから該基板表面ＷＳに付着する処理液を除去しているが、これに限定されない。例えば回転される半導体ウエハやガラス基板等の表面ＷＳから処理液の除去を行う基板処理装置にも適用することができる。
【００４４】
また、上記実施形態では、吸引ノズル３１を移動方向に固定して基板Ｗを搬送しながら液切り処理するようにしているが、これに限定されない。例えば基板Ｗを固定して吸引ノズル３１を移動させながら液切り処理するようにしてもよいし、基板Ｗと吸引ノズル３１の双方を移動させながら液切り処理するようにしてもよい。
【００４５】
また、上記実施形態では、吸引経路３４の一方端３４ａを幅方向（Ｙ方向）に延びるスリット形状の単一の開口としているが、幅方向に複数の開口を配列させるように構成してもよい。
【００４６】
また、上記実施形態では、エッチング処理後に基板表面ＷＳに付着するエッチング液の液切りを行っているが、これに限定されない。例えば、「液体」として現像液、剥離液、洗浄液などの液切りを行うようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などを含む基板全般の表面から湿式処理後に該基板表面に付着する液体を除去する基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す側断面図である。
【図２】図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理装置の液切り部の構成を示す斜視図である。
【図４】図１の基板処理装置の液切り部に装備された吸引ノズルの要部を示す断面図である。
【図５】吸引ノズルの変形形態を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
２…ローラ駆動部（駆動手段）
５ａ…排液ポンプ（吸引手段）
３１…吸引ノズル（ノズル）
３２…上側先端部位
３２１ａ…対向領域
３２１ｂ…延長領域
３２２…側面（傾斜面）
３２３…上流辺部
３２４…延長面（延長領域）
３３…下側先端部位
３３１…対向面（対向領域）
３３２…基板対向面
３４…吸引経路
ＥＰ…延長平面
Ｗ…基板
Ｗ１…一対の先端部位の幅方向の幅
Ｗ２…基板の幅方向の幅
ＷＳ…基板表面
Ｘ…移動方向
Ｙ…幅方向
θ…鋭角
【図１】
2007005665.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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