(57)【要約】【課題】  粗化処理不良を抑制した銅合金箔を提供する。【解決手段】  質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下である。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下である銅合金箔。
【請求項２】
質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が3個／mm２以下である銅合金箔。
【請求項３】
質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の第１の介在物の粗化処理抜け発生確率を2％とし、S濃度20atm%未満の第２の介在物の粗化処理抜け発生確率を1％とし、第３の介在物として長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜け発生確率を11.2％とした時、前記第１の介在物乃至第３の介在物のmm２当りの発生個数に対し、対応する前記粗化処理抜け発生確率を乗じた値の合計が0.6個／mm２以下である銅合金箔。
【請求項４】
前記不可避的不純物がSeを含む請求項１ないし３のいずれかに記載の銅合金箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強度、耐熱性及び導電性に優れた銅合金箔に関し、例えばフレキシブルプリント基板やＩＣテープキャリアに好適に使用される銅合金箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）は可撓性を有し、電子機器内に屈曲して収納することにより機器の省スペースを図ることができるため、種々の分野で使用されている。又、ＦＰＣは折り畳み式携帯電話機等の可動部の接続にも使用されている。一方、ＬＳＩを液晶ディスプレイに接合する方法として、フィルム基板（キャリアテープ）を用いるＴＣＰ方式がある。
これらのＦＰＣやキャリアテープは、例えば、導電性の銅箔の表面を粗化処理した後、ポリイミド等の樹脂フィルムをラミネートし、さらにフィルム上に適宜ステンレス箔を積層して形成することができる。
【０００３】
ところで、導電性を向上させるために銅の純度を高くすると、強度及び耐熱性が低下する問題がある。従って、上記したラミネート工程や、ＦＰＣの使用環境等によって基板上の銅箔が高熱に曝され、強度が低下する恐れがある。
このようなことから、強度と導電率を向上させたCu-Cr-Zr系合金が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この合金は、析出型銅合金であり、銅の純度も高くすることができるため、強度と導電率を向上させることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平10-324936号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、Cu-Cr-Zr系合金を銅箔に用いると、部分的に粗化処理が不充分となる不良（粗化処理抜け）が生じるという問題がある。粗化処理抜けが生じると、樹脂フィルムとの密着性が低下したり、外観不良となるので好ましくない。通常、製品レベルでは、箔１mm２中に粗化処理抜けが１つ生じると不良品となる。
すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、粗化処理不良を抑制した銅合金箔の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは種々検討した結果、銅合金箔中のZrS系介在物が存在する部分の近傍に粗化処理抜けが発生し、又、特定の組成のZrS系介在物が特に粗化処理抜けを生じさせることを突き止めた。そこで、本発明においては、Sを低減し、又、特定の組成のZrS系介在物の個数や割合を規定することにより、粗化処理抜けを低減して上記課題を解決できることを見出した。
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の銅合金箔は、質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下である。
又、本発明の銅合金箔は、質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が3個／mm２以下である。
本発明の銅合金箔は、質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の第１の介在物の粗化処理抜け発生確率を2％とし、S濃度20atm%未満の第２の介在物の粗化処理抜け発生確率を1％とし、第３の介在物として長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜け発生確率を11.2％とした時、前記第１の介在物乃至第３の介在物のmm２当りの発生個数に対し、対応する前記粗化処理抜け発生確率を乗じた値の合計が0.6個／mm２以下である。
【０００８】
本発明において、前記不可避的不純物がSeを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、粗化処理不良を抑制した銅合金箔が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る銅合金箔の実施の形態について説明する。なお、本発明において％とは、特に断らない限り、質量％を示すものとする。
又、ZrSやZrSeは銅合金中に析出するのではなく、溶湯中で生成するため、本発明においては、これらを「介在物」と表す。
【００１１】
<第１の発明>
本発明の第１の発明に係る銅合金箔は、質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下である。
【００１２】
（組成）
［Cr］
Crは、合金を溶体化処理後、時効させることによりCu母相中に析出し、強度を向上させる。Crの含有量が0.01％未満であると析出効果が得られない。一方、Crの含有量0.3％を超えると、粗大なCrが母相中に残留し、圧延時の破断、ピンホール発生等により生産性の低下を招く。以上から、Cr含有量を0.01〜0.3％とする。
［Zr］
Zrは、時効処理によりCuと化合物を形成してCu母相中に析出し、強化する。Zrの含有量が0.01％未満であると析出効果が得られない。一方、Zrの含有量が0.1％を超えると、溶体化処理後に、固溶しない粗大なZrが残存し、生産性の低下を招く。以上からZrの含有量を0.01〜0.1％とする。
［S］
Sの含有量を5ppm以下とする。SはZrと共にZrS系介在物を生成し、この介在物が存在する部分に、粗化処理が不充分な粗化処理抜けが発生する。従って、Sの含有量を5ppm以下とすることにより、ZrS系介在物を低減する。
S濃度を管理する方法は、原料中のS濃度を低減する，脱硫剤を使用する等がある。
［不可避的不純物］
上記銅合金中の不可避的不純物の含有量は、例えば、ＪＩＳ  Ｈ２１２３に規格する無酸素型銅Ｃ１０１１と同様とすることができるが、銅合金の導電率を著しく低下させない範囲で、例えば、炉材や原料などから通常混入する範囲の成分を含有してもよい。
又、本発明においては、Seが通常、不可避的不純物として含まれる。
以上の組成を有する銅合金箔の厚みは例えば5〜100μｍ程度とすることができる。
【００１３】
（ZrS系介在物）
銅合金中に存在するZrS系介在物は、ZrとSを成分として含む組成であれば特に制限されない。ZrS系介在物の組成としては、Zr,S,O,Cuを成分とするものが挙げられる。
銅合金中のZrS系介在物の存在は、例えば試料の圧延平行面を観察面とし、FE-SEM（電界放射型走査電子顕微鏡）を用い、所定の視野について観察し、長径１μｍ以上の介在物の個数を数えて確認することができる。又、介在物の組成分析は、FE-SEMで確認したものについて、EDS（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）で行うことができる。なお、長径とは、粒子の最大長さをいう。
【００１４】
本発明者らが検討した結果、ZrS系介在物のうちS濃度が20atm%以上であるものが存在すると、粗化処理抜けが発生しやすいことが判明した。粗化処理抜けの発生の有無は、例えば、銅合金箔を粗化処理後、所定の視野について粗化処理抜けが生じた領域に印を付け、樹脂ラミネートする。次にこの視野領域の銅箔をエッチング溶解し、樹脂上に残った長径１μｍ以上の介在物の個数及び組成を上記方法により測定して行うことができる。この場合、（粗化処理抜けの発生個数／長径１μｍ以上の介在物の個数）によって、粗化処理抜けの発生確率が求められる。この発生確率を、介在物の種類毎に求めることにより、粗化処理抜けが発生しやすい介在物を明らかにすることができる。
本発明者らが上記粗化処理抜けの発生確率を求めたところ、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の粗化処理抜けの発生確率が、S濃度20atm%未満である介在物の粗化処理抜けの発生確率より高いことが判明した。S濃度は、EDSによって介在物の組成割合として測定される値から計算することができる。本発明者らの計算によれば、S濃度20atm%上の介在物の粗化処理抜けの発生確率は2％（介在物が存在すると、そのうちの2％が粗化処理抜けを引起す）、S濃度20atm%未満である介在物の粗化処理抜けの発生確率は1％である。
【００１５】
そこで、本発明の第１の発明に係る銅合金箔は、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、粗化処理抜けを発生し易いS濃度20atm%以上の介在物の個数を12個／mm２以下とする。長径が1μm未満の介在物は粗化処理抜けの発生の影響を与えることが少ないので、上記介在物の長径を1μm以上とする。又、上記介在物の個数が12個／mm２を超えると、粗化処理抜けが顕著に発生するので、個数を12個／mm２以下とする。
S濃度20atm%以上の介在物の個数を12個／mm２以下とする方法としては、上記したように銅中のS濃度を低減してZrS系介在物の生成自体を抑制することの他、銅合金の溶製時の酸素分圧を高くする (PO2=0.1〜1％程度)ことが挙げられる。
酸素分圧を高くすると，酸素がZrS系介在物と反応して，系外に除去されたり，介在物中のS濃度が低下すると考えられる。例えば、ZrにO2が反応し、ZrO2+XS→ZrSXO2の反応によって介在物中のS濃度の低下や介在物の系外への除去が生じると考えられる。ここで、上記反応式のX=0.3程度と考えられ、このXの値で生じるZrO2は凝集し易い為，サイズが大きくなり，溶湯から浮上分離し易いと考えられる。
【００１６】
なお、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数は、S濃度20atm%未満の介在物の個数より少ないことが好ましい。
上記したように、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の粗化処理抜けの発生確率は、S濃度20atm%未満である介在物の粗化処理抜けの発生確率より高い。そこで、S濃度20atm%以上の介在物の個数を、S濃度20atm%未満の介在物の個数より少なくすることにより、粗化処理抜けをより一層低減することができる。
S濃度20atm%以上の介在物の個数を、S濃度20atm%未満の介在物の個数より減らす方法としては、上記したように銅中のS濃度を低減してZrS系介在物の生成自体を抑制することの他、銅合金の溶製時の酸素分圧を上記した範囲で高くすることが挙げられる。銅中のS濃度を低減すると、ZrS系介在物に含まれるS濃度も低減すると考えられる。又、溶製時の酸素分圧を高くすると，酸素がZrS系介在物と反応して，系外に除去されたり，介在物中のS濃度が低下すると考えられる。
なお、S濃度20atm%未満の介在物の個数の上限を３０個とすることが好ましい。
【００１７】
（強度及び導電率）
本発明の銅合金箔は、例えば、0.2％耐力を550MPa以上、導電率を70％IACS以上とすることが好ましい。
なお、0.2％耐力（YS）は、ＪＩＳ  Ｚ２２４１に従い、試料の圧延平行方向の引張試験を行って求める。試料の作製方法も上記ＪＩＳに従って行うことができる。又、導電率は、四端子法によって行う。
【００１８】
<第２の発明>
本発明の第２の発明に係る銅合金箔は、質量率で、Cr：0.01〜0.2％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が3個／mm２以下である。
第２の発明に係る銅合金箔において、Cr,Zr,S及び不可避的不純物は第１の発明と同様であるので説明を省略する。
【００１９】
（ZrSe系介在物）
銅合金中に存在するZrSe系介在物は、ZrとSeを成分として含む組成であれば特に制限されない。銅合金中のZrSe系介在物の存在の確認、及び介在物の組成分析の方法は、第１の発明と同様であるので説明を省略する。
本発明者らが検討した結果、長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜けの発生確率は11.2％と極めて高い値となることが判明した。そこで、本発明の第２の発明において、長径1μm以上のZrSe系介在物の個数を3個／mm２以下とする。介在物の長径を1μm以上とする理由は、第１の発明と同様である。又、ZrSe系介在物の粗化処理抜けの発生確率は、第１の発明における介在物の粗化処理抜けの発生確率の約４倍である。そこで、介在物の個数の上限を第１の発明における介在物の１／４に規定することにより、粗化処理抜けの発生を同様に低減することができる。
介在物の個数を3個／mm２以下とする方法としては、銅合金の溶製時の酸素分圧を高くする (PO2=0.1〜1％程度)ことが挙げられる。酸素分圧を高くすると溶製時に酸素がZrSe系介在物と反応して，系外に除去されると考えられる。
【００２０】
<第３の発明>
本発明の第３の発明に係る銅合金箔は、質量率で、Cr：0.01〜0.3％、Zr：0.01〜0.1％、及びS:5ppm以下を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の第１の介在物の粗化処理抜け発生確率を2％とし、S濃度20atm%未満の第２の介在物の粗化処理抜け発生確率を1％とし、第３の介在物として長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜け発生確率を11.2％とした時、前記第１の介在物乃至第３の介在物のmm２当りの発生個数に対し、対応する前記粗化処理抜け発生確率を乗じた値の合計が0.6個／mm２以下である。
【００２１】
銅合金箔の成分組成、第１の介在物乃至第３の介在物の組成、粗化処理抜け発生確率については、既に説明した通りである。
第３の発明において、第１の介在物乃至第３の介在物の個数と、粗化処理抜け発生確率とから粗化処理抜けの個数を計算する。これにより、粗化処理抜けを発生させ易い介在物の影響を重み付けし、実際の粗化処理抜けの発生の有無を精度よく推定することができるので、生産管理を容易にして生産安定性を向上させる。
例えば、箔mm２当り、第１の介在物の個数が3個、第２の介在物の個数が6個である場合、粗化処理抜けの個数は、3×2(％)＋6×1(％)＝0.12（個／mm２）と計算される。
上記した値（粗化処理抜けの個数）が0.6個／mm２を超えると、実際に粗化処理抜け不良が発生する可能性が高くなるため、値を0.6個／mm２以下に規定する。
【００２２】
<銅合金箔の製造方法>
本発明の銅合金箔は、銅インゴットに上記各成分を溶解鋳造した後、適宜熱処理や加工を施して製造することができる。ここで、銅インゴットに上記添加元素とZrとを添加する順番については特に制限はないが、上記添加元素の硫化物発生の反応速度がZr硫化物発生の反応速度より小さい場合、Zrの添加に先立って上記添加元素を添加することが好ましい。
溶解、鋳造後、適宜均質化熱処理を行うことができ、具体的には、熱間圧延開始時点での温度を好ましくは８００℃以上、より好ましくは８５０℃以上とすることができる。
次に、熱間圧延を行うが、材料の温度が下がらないようにして、粒子の粗大化を防ぐ点から圧延終了温度を好ましくは７００℃以上、より好ましくは７５０℃以上とすることができる。
さらに、例えば７００℃程度で溶体化処理を行い、冷間圧延を行って時効工程での析出を促進する。冷間圧延の加工度を４０％以上とするのが望ましい。
次いで、強度、導電性を向上させるため時効処理を好ましくは３００〜７００℃で行った後、最終の冷間圧延および歪取焼鈍を行うことができる。
【００２３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されない。又、本発明の作用効果を奏する限り、上記実施形態における銅合金がその他の成分を含有してもよい。
【実施例】
【００２４】
次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】
<実施例１〜４、比較例１〜６>
S濃度が5ppm以下の電気銅に、Cr0.2%、Zr0.1%を添加し、真空誘導溶解炉により銅合金を溶解し、酸素を1000ppm程度混合したAr雰囲気下でインゴットを鋳造した。得られたインゴットを熱間圧延後、厚み12μmの箔を製造し、実施例１〜６の試料とした。
次に、銅合金箔を粗化処理し，光学顕微鏡を用いて倍率100倍で箔表面100mm2について観察し，処理抜けの個数を数え，マーキングした。そして，エッチングにより粗化粒を取り除き，処理抜け発生部位の直下に存在する介在物の成分分析をEDS（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）で行った。
この試料に対し、FE-SEM（電界放射型走査電子顕微鏡）を用い、倍率1000倍で100視野（1mm２に相当）について観察し、長径1μｍ以上の介在物の個数を数えた。
又、長径1μｍ以上の介在物の化学組成分析をEDS（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）で行った。
又、粗化処理抜けの発生の有無を目視判定した。
【００２６】
比較として、Sの含有量が5ppmを超える電気銅を用いて上記と同様にインゴットを鋳造し、得られたインゴットを熱間圧延後、厚み12μmの箔を製造した。これらの試料を比較例１〜６とする。
得られた結果を表１に示す。
【表１】
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【００２７】
表１から明らかなように、実施例１〜４の場合は粗化処理抜けが生じず、又、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下であった。
一方、比較例１〜４の試料はSの含有量が5ppmを超えたため、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下を超え、粗化処理抜けが発生した。
又、比較例５の試料はSの含有量が5ppmを超え、粗化処理抜けが発生した。比較例６の試料はSの含有量が5ppmを超え、さらに長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が４個／mm２であり、粗化処理抜けが発生した。
なお、実施例１〜４の試料は、いずれも長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が2個／mm２であった。
【００２８】
さらに、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の第１の介在物の粗化処理抜け発生確率を2％とみなし、S濃度20atm%未満の第２の介在物の粗化処理抜け発生確率を1％とみなし、第３の介在物として長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜け発生確率を11.2％とみなし、表１に示す第１の介在物〜第３の介在物のmm２当りの発生個数に対し、上記各介在物の粗化処理抜け発生確率を乗じた値の合計（粗化処理抜けの発生個数）を計算で求めたところ、実施例１〜４の試料は計算値がいずれも0.6個／mm２以下であった。一方、比較例１〜６の試料は計算値がいずれも0.6個／mm２を超えた。
【００２９】
<実施例５〜８、比較例７〜１０>
S濃度が5ppm以下の電気銅に、Cr0.2%、Zr0.1%を添加し、真空誘導溶解炉により銅合金を溶解し、酸素を1000ppm程度混合したAr雰囲気下でインゴットを鋳造した。得られたインゴットを熱間圧延後、厚み12μmの箔を製造し、実施例７〜１０の試料とした。
各試料について、実施例１〜６と同様に粗化処理し，処理抜けの個数を数え，マーキングした。そして，実施例１〜６と同様にしてエッチングにより粗化粒を取り除き，処理抜け発生部位の直下に存在する介在物の成分分析をEDSで行った。
この試料に対し、FE-SEM（電界放射型走査電子顕微鏡）を用い、倍率1000倍で100視野（1mm２に相当）について観察し、長径1μｍ以上の介在物の個数を数えた。
又、長径1μｍ以上の介在物の化学組成分析をEDS（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）で行った。
又、粗化処理抜けの発生の有無を目視判定した。
【００３０】
比較として、溶解及び鋳造中の雰囲気中酸素濃度を低く(酸素を混合しないAr雰囲気下で鋳造)したこと以外は上記と同様にインゴットを鋳造し、得られたインゴットを熱間圧延後、厚み12μmの箔を製造した。これらの試料を比較例７〜１０とする。
得られた結果を表２に示す。
【表２】
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【００３１】
表２から明らかなように、実施例５〜８の場合は粗化処理抜けが生じず、又、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２以下であった。さらに、実施例５〜８の場合は長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が2個／mm２以下であった。
一方、比較例７の試料は長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の介在物の個数が12個／mm２を超え、粗化処理抜けが発生した。
比較例８〜１０の試料はSの含有量が5ppmを超え、粗化処理抜けが発生した。
なお、比較例７〜１０の試料は、原料(電気銅)中に含まれていたSeが系外に出なかったため、長径1μm以上のZrSe系介在物の個数が３個／mm２を超えた。これらの試料の製造時に酸素分圧を高くした為，ZrO2が多く生成し，そのZrO2とSeが反応(ZrO2+XSe=ZrO2SeX)して生じたZrO2が凝集し易い為，サイズが大きくなり，浮上分離して減少したと考えられる。
【００３２】
さらに、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の第１の介在物の粗化処理抜け発生確率を2％とみなし、S濃度20atm%未満の第２の介在物の粗化処理抜け発生確率を1％とみなし、第３の介在物として長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜け発生確率を11.2％とみなし、表１に示す第１の介在物〜第３の介在物のmm２当りの発生個数に対し、上記各介在物の粗化処理抜け発生確率を乗じた値の合計（粗化処理抜けの発生個数）を計算で求めたところ、実施例５〜８の試料は計算値がいずれも0.6個／mm２以下であった。一方、比較例７〜１０の試料は計算値がいずれも0.6個／mm２を超えた。
【００３３】
<実施例９〜１２、比較例１１〜１６>
S濃度が5ppm以下の電気銅に、Cr0.2%、Zr0.1%を添加し、真空誘導溶解炉により銅合金を溶解し、酸素を1000ppm程度混合したAr雰囲気下でインゴットを鋳造した。得られたインゴットを熱間圧延後、厚み12μmの箔を製造し、実施例９〜１２の試料とした。
各試料について、実施例１〜４と同様に粗化処理し，処理抜けの個数を数え，マーキングした。そして，実施例１〜４と同様にしてエッチングにより粗化粒を取り除き，処理抜け発生部位の直下に存在する介在物の成分分析をEDSで行った。
この試料に対し、FE-SEM（電界放射型走査電子顕微鏡）を用い、倍率1000倍で100視野（1mm２に相当）について観察し、長径1μｍ以上の介在物の個数を数えた。
又、長径1μｍ以上の介在物の化学組成分析をEDS（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）で行った。
【００３４】
比較として、S濃度又は溶製時の酸素分圧を低くしたこと以外は上記と同様にインゴットを鋳造し、得られたインゴットを熱間圧延後、厚み12μmの箔を製造した。これらの試料を比較例１１〜１６とする。
【００３５】
そして、長径1μm以上のZrS系介在物のうち、S濃度20atm%以上の第１の介在物の粗化処理抜け発生確率を2％とみなし、S濃度20atm%未満の第２の介在物の粗化処理抜け発生確率を1％とみなし、第３の介在物として長径1μm以上のZrSe系介在物の粗化処理抜け発生確率を11.2％とみなし、表１に示す第１の介在物〜第３の介在物のmm２当りの発生個数に対し、上記各介在物の粗化処理抜け発生確率を乗じた値の合計（粗化処理抜けの発生個数）を計算で求めた。
又、粗化処理抜けの発生の有無を目視判定した。
得られた結果を表３に示す。
【表３】
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【００３６】
表３から明らかなように、実施例９〜１２の場合は粗化処理抜けが生じず、又、粗化処理抜けの発生個数の計算値がいずれも0.6個／mm２以下であった。
一方、比較例１１〜１６の試料はSの含有量が5ppmを超え、粗化処理抜けが発生し、粗化処理抜けの発生個数の計算値がいずれも0.6個／mm２を超えた。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】試料の機械研磨面のFE-SEM像を示す図である。
【図２】EDSによる図１の介在物の化学組成分析チャートを示す図である。
【図１】
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【図２】
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