(57)【要約】【課題】塩化マグネシウムおよび外部ドナーからなるオレフィン重合触媒の化学構造に基づいて、その水素レスポンス性能を評価する装置を提供することにより、新規な外部ドナー触媒の設計を効率的に行う方法を提供する。【解決手段】オレフイン重合触媒の評価装置であって、以下の構成要素（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とするオレフィン重合触媒の評価装置に関する。(a)塩化マグネシウム表面および外部ドナーの構造を入力する入力装置、(b)入力装置に入力された塩化マグネシウム表面および外部ドナーの構造に基づき、これらにより形成される最安定構造およびその電子エネルギー値を計算する演算装置、(c)演算装置により得られた最安定構造および電子エネルギー値を記憶する記憶装置、および(d)表示装置。【選択図】図１
2007023248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［Ａ］塩化マグネシウム固体成分、［Ｂ］チタン成分、並びに[Ｃ]外部ドナー成分からなるオレフイン重合触媒の評価装置であって、以下の構成要素（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とするオレフィン重合触媒の評価装置。(a)塩化マグネシウム表面および外部ドナーの構造を入力する入力装置、(b)入力装置に入力された塩化マグネシウム表面および外部ドナーの構造に基づき、これらにより形成される最安定構造およびその電子エネルギー値を計算する演算装置、(c)演算装置により得られた最安定構造および電子エネルギー値を記憶する記憶装置、および(d)表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の評価装置を用いて、オレフイン重合触媒の水素レスポンスを評価することを特徴とするオレフィン重合触媒の評価方法。
【請求項３】
請求項１に記載の重合触媒について、水素分子の触媒への吸着エネルギーの値から評価する請求項２記載のオレフィン重合触媒の評価方法。
【請求項４】
請求項１に記載の重合触媒について、触媒へ吸着した水素分子の水素原子解離エネルギーの値から評価する請求項２記載のオレフィン重合触媒の評価方法。
【請求項５】
請求項１に記載の重合触媒について、触媒へ吸着した水素分子の水素原子間結合距離の値から評価する請求項２記載のオレフィン重合触媒の評価方法。
【請求項６】
請求項３記載の水素分子吸着エネルギーと請求項４記載の水素分子解離エネルギーとの和の値から評価する請求項２記載のオレフィン重合触媒の評価方法。
【請求項７】
請求項３記載の水素分子吸着エネルギーと請求項４記載の水素分子解離エネルギーとの商の値から評価する請求項２記載のオレフィン重合触媒の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は塩化マグネシウム、チタン原子および外部ドナーからなるオレフィン重合触媒の水素レスポンス性能評価装置及び評価方法に関するものである。
に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車材料、家電材料を中心とした射出成形分野では、製品の薄肉化、軽量化を目的として、高溶融流動性、且つ、高剛性、高耐熱性のα−オレフィン重合体のニーズが高まっている。そのようなα−オレフィン重合体を製造するには、重合時に水素レスポンスの高い触媒を用いることが重要である。具体的には、α−オレフィン重合体の分子量を調整するために連鎖移動剤として水素を重合系に共存させることが一般的には行われている。特に、α−オレフィン重合体の溶融流動性を高めるためには、水素により、分子量を低下させる必要がある。α−オレフィン重合体の溶融流動性の指標としては一般的にメルトフローレイト（ＭＦＲ）が用いられており、α−オレフィン重合体の分子量が低くなるとメルトフローレイトが高くなるという関係がある。水素レスポンスが低いとは、α−オレフィン重合体のメルトフローレイトを高めるために重合系内に多量の水素を必要とすることであり、水素レスポンスが高いとは同じメルトフローレイトのα−オレフィン重合体を得る場合に水素レスポンスが低い場合ほどの水素量を必要としない。したがって、水素レスポンスが低いと、過剰の量の水素を重合系に導入してα−オレフィン重合体のメルトフローレイトを高めなければならず、生産プロセスにおいて、安全上、耐圧限界のある重合装置では水素分圧が高くなる関係で、重合温度を下げざるを得ず、生産速度ならびに品質に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００３】
第９４回触媒討論会討論会Ａ予稿集，209ページでは、α−オレフィン重合体製造における、重合時の水素レスポンスは触媒表面の二価のチタン成分が関与していると報告している。しかしながら、これは二価のチタン成分が水素レスポンスに関与することを解明したものであり、水素レスポンスの評価装置に関するものではない。
【０００４】
重合触媒の評価として、Organometallics, 1995, 14, 746、J. Am. Chem. Soc.,1995, 117, 12793（非特許文献１）などには、メタロセン型重合触媒の活性を、メタロセン化合物及びモノマーの化学構造に基づいて、分子軌道法などを用いて評価する試みが報告されている。また、特開平１０−２１８９２５（特許文献１）には、メタロセン型錯体と助触媒とからなる触媒系について化学構造に基づいて、重合触媒活性を評価する装置が提案されている。
また、触媒，Ｖｏｌ．Ｎｏ．８  ２００４（非特許文献２）には、Ziegler-Natta型プロピレン重合触媒の重合活性を評価する装置が提案されているが、これは触媒系中の外部ドナーを考慮した触媒評価装置になっておらず、また水素レスポンス性能を評価するものではない。
さらに、Makromol. Chem., 1992, 193, 1413（非特許文献３）にはZiegler-Natta型プロピレン重合触媒における外部ドナーと触媒性能の関係を評価する装置を報告しているが、これも上記と同じく、重合活性を評価したものであり、水素レスポンス性能を評価するものではない。
このように、塩化マグネシウムおよび外部ドナーからなる高活性担持型オレフィン重合触媒についてその水素レスポンスを外部ドナーを考慮した触媒表面の分子構造と電子エネルギーを計算することによって評価する装置については知られていない。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２１８９２５
【非特許文献１】Organometallics, 1995, 14, 746、J. Am. Chem. Soc.,1995, 117, 12793.
【非特許文献２】触媒，Ｖｏｌ．Ｎｏ．８  ２００４
【非特許文献３】Makromol. Chem., 1992, 193, 1413
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は塩化マグネシウムおよび外部ドナーからなるオレフィン重合触媒の化学構造に基づいて、その水素レスポンス性能を評価する装置を提供することにより、新規な外部ドナー触媒の設計を効率的に行う方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、塩化マグネシウム固体成分、チタン原子、並びに外部ドナー成分からなるオレフイン重合触媒の評価装置であって、以下の構成要素（ａ）〜（ｄ）を含むことを特徴とするオレフィン重合触媒の評価装置に関する。(a)塩化マグネシウム表面、その表面上に固定された２価のチタン原子、およびこのチタン原子と塩化マグネシウム表面上のマグネシウム原子と配位する外部ドナーの構造を入力する入力装置、(b)入力装置に入力された塩化マグネシウム表面および外部ドナーの構造に基づき、これらにより形成される最安定構造およびその電子エネルギー値を計算する演算装置、(c)演算装置により得られた最安定構造および電子エネルギー値を記憶する記憶装置、および(d)表示装置。
また、本発明は、上記の評価装置を用いて、オレフイン重合触媒の水素レスポンスを評価することを特徴とするオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【０００８】
上記の評価装置を用いて、オレフイン重合触媒の水素レスポンスを評価することを特徴とするオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【０００９】
上記の重合触媒について、水素分子の触媒への吸着エネルギーの値から評価する上記のオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【００１０】
上記の重合触媒について、触媒へ吸着した水素分子の水素原子解離エネルギーの値から評価する上記のオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【００１１】
上記の重合触媒について、触媒へ吸着した水素分子の水素原子間結合距離の値から評価する上記のオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【００１２】
上記の水素分子吸着エネルギーと上記の水素分子解離エネルギーとの和の値から評価する上記のオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【００１３】
上記の水素分子吸着エネルギーと上記の水素分子解離エネルギーとの商の値から評価する上記のオレフィン重合触媒の評価方法に関する。
【発明の効果】
【００１４】
新規なドナーおよび塩化マグネシウムからなる触媒の水素レスポンス性能を外部ドナー合成および重合試験を行わず、計算のみで高い精度で見積もることができ、触媒開発のための時間を大幅に短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
上記計算装置を、図１に基づいて説明する。図１は計算装置の構成の一例を示すブロック図である。入力装置1、演算装置2、記憶装置3、および表示装置4からなる計算装置の例である。
【００１６】
入力装置1としてはキーボード、マウスの他、ライトペンやイメージリーダなどの図形入力装置やパンチカードリーダなどを用いることができる。またこれらの装置を2種類以上併用することができる。
【００１７】
演算装置2としてはＣＰＵとしていわゆるパーソナルコンピュータを用いることができる。また必要に応じて、ミニコンピュータやスーパーコンピュータなども用いることができる。
【００１８】
記憶装置3としてはフロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、テープ、CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD＋RW、DVD-RAMなどを用いることができる。
【００１９】
表示装置4としては、ブラウン管、液晶ディスプレイ、各種プリンタ、プロッタ、プロジェクタなどが好適に用いられる。これらを併用してもよい。
【００２０】
以下に、上記の計算装置の各構成部分の働きについて詳細に説明する。
【００２１】
入力装置は塩化マグネシウム、チタン原子および外部ドナーの化学構造を入力するための装置である。化学構造については図形情報として入力してもよく、既存のデータベース中にある空間座標を入力してもよい。
【００２２】
演算装置2においては塩化マグネシウムおよび外部ドナーからなる触媒の差異安定構造を計算する。この場合使用する手法としては、半経験的分子軌道法および非経験的分子軌道法などを用いられる。中でも、非経験的分子軌道法が公的に用いられる。
【００２３】
本発明が適用できる重合触媒としては、［Ａ］塩化マグネシウム固体成分、［Ｂ］チタン原子、並びに[Ｃ]外部ドナー成分からなるオレフイン重合触媒が挙げられる。
【００２４】
成分［Ａ］塩化マグネシウム固体成分の代表的な製造方法として、（１）マグネシウム化合物、電子供与体、ハロゲン化チタン化合物を共粉砕、あるいは溶媒中で分散、溶解により接触させて調製する方法、（２）トルエン等の溶媒にマグネシウム化合物及び電子供与体を溶解し、この溶液にハロゲン化チタン化合物を添加、反応させて触媒固体を析出させる方法などが挙げられる。
【００２５】
固体触媒成分［Ａ］の調製に使用できるマグネシウム化合物としては、ハロゲン化マグネシウム、ジ（アルコキシ）マグネシウムが挙げられる。
【００２６】
固体触媒成分［Ａ］の調製に使用できるハロゲン化チタン化合物の具体例としては、テトラクロロチタン、テトラブロモチタンのテトラハライドチタンを挙げることができる。特に、テトラクロロチタンが好ましい。
【００２７】
固体触媒成分［Ａ］の調製に使用する電子供与体としては、ルイス塩基性の化合物であり、好ましくは芳香族ジエステル、好ましくは、オルトフタル酸ジエステルである。
【００２８】
外部ドナーとしては、有機ケイ素化合物が挙げられる。有機ケイ素化合物としては、Ｒ1n Ｓｉ（ＯＲ2）4-n、Ｒ1n Ｓｉ（ＯＲ2）4-n-m （ＮＲ3Ｒ4） m 、Ｒ1n Ｓｉ（ＯＲ2）4-n-m  Ｒ5 mなどが挙げられる。（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は炭素数 1〜24の炭化水素基を示し、Ｒ5は環状アミノ基を示し、ｎ、ｍ は0 〜2 である。）
例えば、ジアルキルジアルコキシシラン、（ジアルキルアミノ）トリアルコキシシラン、アルキル（ジアルキルアミノ）アルコキシシラン、ビス（環状アミノ）アルコキシシラン、アルキル（環状アミノ）アルコキシシランなどが挙げられる。
具体的な有機ケイ素化合物としては、ジメチルアミノトリメトキシシラン、ジエチルアミノトリメトキシシラン、メチル−ｎ―プロピルアミノトリメトキシシラン、ｔ−ブチルアミノトリメトキシシラン、エチル−ｎ−プロピルアミノトリメトキシシラン及びメチルエチルアミノトリメトキシシラン、パーヒドロイソキノリノトリメトキシシラン、パーヒドロキノリノトリメトキシシラン、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリノトリメトキシシラン、１，２，３，４−テトラヒドロキノリノトリメトキシシラン、ジメチルアミノトリエトキシシラン、ジエチルアミノトリエトキシシラン、メチル−ｎ―プロピルアミノトリエトキシシラン、ｔ−ブチルアミノトリエトキシシラン、エチル−ｎ−プロピルアミノトリエトキシシラン及びメチルエチルアミノトリエトキシシラン、パーヒドロイソキノリノトリエトキシシラン、パーヒドロキノリノトリエトキシシラン、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリノトリエトキシシラン、１，２，３，４−テトラヒドロキノリノトリエトキシシラン、ビス（パーヒドロイソキノリノ）ジメトキシシラン、ビス（パーヒドロキノリノ）ジメトキシシラン、ビス（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリノ）ジメトキシシラン、ビス（１，２，３，４−テトラヒドロキノリノ）ジメトキシシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジメトキシシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、エチルパーヒドロイソキノリノジメトキシシラン、シクロペンチルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサエトキシジシロキサン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジエチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペンタン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジエチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロヘキサン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジメチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペンタン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジメチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロヘキサン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペンタン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロヘキサン、２，２−ジエトキシ−１，３−ジ−ｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペンタン、トランス−７，９−ジアザ−７，９−ジメチル−８，８−ジエトキシ−８−シラ−ビシクロ［４，３，０］オクタン、トランス−７，９−ジアザ−７，９−ジエチル−８，８−ジエトキシ−８−シラ−ビシクロ［４，３，０］オクタン、シス−７，９−ジアザ−７，９−ジエチル−８，８−ジエトキシ−８−シラ−ビシクロ［４，３，０］オクタン、などである。
また、ジエーテル化合物を適用することもできる。具体的なジエーテル化合物としては、２，２−ジイソプロピル−１，３−ジメトキシプロパン、２−イソプロピル−２−イソブチル−１，３−ジメトキシプロパン、２，２−ジイソブチル−１，３−ジメトキシプロパンなどである。
更に、内部ドナーとして用いられているルイス塩基性の芳香族ジエステル化合物を適用することもできる。例えば、オルトフタル酸ジエステルである。オルトフタル酸ジエステルの具体例としては、オルトフタル酸ジメチル、オルトフタル酸（エチル）メチル、オルトフタル酸ジエチル、オルトフタル酸（エチル）ｎ−プロピル、オルトフタル酸ジｎ−プロピル、オルトフタル酸（ｎ−ブチル）ｎ−プロピル、オルトフタル酸（ｎ−ブチル）エチル、オルトフタル酸（イソブチル）エチル、オルトフタル酸ジｎ−ブチル、オルトフタル酸ジイソブチル、オルトフタル酸ジｎ−ペンチル、オルトフタル酸ジイソペンチル、オルトフタル酸ジｎ−ヘキシル、オルトフタル酸ビス（２−エチルヘキシル）、オルトフタル酸ジｎ−ヘプチル、オルトフタル酸ジｎ−オクチルなどである。
【００２９】
上記の触媒系におけるα−オレフィンの重合法としては、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの無極性溶媒を使用するスラリ−重合法、モノマ−を気体状態で触媒と接触して重合を行う気相重合法、あるいは液化状態のモノマ−を溶媒としてその中で重合させるバルク重合法などが採用できる。また、上記重合法で、連続重合、バッチ重合のいずれを行ってもよい。
【００３０】
また、エチレンあるいはα−オレフィンを前記の各種重合方法に従って予備重合してから、α−オレフィンの本重合を行うことが好ましい。予備重合の効果としては、重合活性の向上、重合体の立体規則性の向上、重合体の粒子形状の安定化が挙げられる。予備重合の方法としては、あらかじめ触媒固体成分［Ａ ］を有機アルミニウム成分［Ｂ ］及び有機ケイ素化合物成分［Ｂ ］及び有機ケイ素化合物成分［Ｃ ］と接触処理し、限定された量のエチレンあるいはα−オレフィンを重合することにより予備重合処理固体を調製することができる。また、場合によっては、エチレンあるいはα−オレフィンを重合せずに触媒固体成分［Ａ ］を有機アルミニウム成分［Ｂ ］及び有機ケイ素化合物成分［Ｂ ］及び有機ケイ素化合物成分［Ｃ ］と接触処理した予備処理固体を調製することができる
【００３１】
水素などの連鎖移動剤を使用することができる。所望の立体規則性、融点及び分子量を有するα−オレフィン重合体を製造するための水素の使用量は、重合方法及び重合条件によって、適宜決定することができるが、通常、水素分圧０ ．０５ 〜３の範囲である。
【００３２】
また、本発明に係わるα−オレフィンの重合方法では、α−オレフィンの本重合時に有機アルミニウム化合物成分［Ｂ ］に加えて有機ケイ素化合物成分［Ｃ ］を添加する事により、さらに重合活性の向上、重合体の立体規則性を向上させる事ができる。
【００３３】
α−オレフィンとしては、プロピレン、１ −ブテン、１ −ヘキセン、４ −メチルペンテン−１ 、１ −オクテンなどを挙げることができ
る。本発明ではフィルムのヒ−トシ−ル温度を下げるため、融点を下げたり、フィルムの透明性を高めるなどの目的でα−オレフィンの重合において少量のエチレンあるいは他のα−オレフィンと共重合することもできる。
【実施例】
【００３４】
水素分子モデルの最安定構造を演算装置1を用いて計算した。
【００３５】
（実施例１）
ジエチルアミノトリエトキシシラン(Ｕドナー)について表面二層の塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体モデル（第一の塩化マグネシウム表面モデル）の最安定構造を、演算装置1を用いて計算した。図２にそのモデルの構造を示す。
【００３６】
得られた構造に対し、Ｔｉ付近にＨ2分子が配位した構造のモデルについてその最安定構造を演算装置1を用いて計算した。図３にそのモデルの構造を示す。
【００３７】
得られた構造に対し、二つのＨ原子のうちの一つを塩化マグネシウム表面上から離して二つのＨ原子間の距離を１０Å以上とした。この構造のモデルについてその最安定構造を演算装置2を用いて計算した。なお、塩化マグネシウム表面から距離のあるほうのＨ原子の座標は構造最適化計算において固定した。水素分子の構造について演算装置1を用いて計算した。図４にそのモデルの構造を示す。
【００３８】
2007023248.tif 000003
2007023248.tif 000004
は図２のモデルのエネルギーである。
【００３９】
2007023248.tif 000005
2007023248.tif 000006
【００４０】
（実施例２）
ジエチルアミノトリエトキシシラン(Ｕドナー)について表面三層の塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体モデル（第二の塩化マグネシウム表面モデル）の最安定構造を演算装置1を用いて計算した。図５にそのモデルの構造を示す。
【００４１】
得られた構造に対し、Ｔｉ付近にＨ2分子が配位した構造のモデルについてその最安定構造を演算装置1を用いて計算した。図６にそのモデルの構造を示す。
【００４２】
得られた構造に対し、二つのＨ原子のうちの一つを塩化マグネシウム表面上から離して二つのＨ原子間の距離を１０Å以上とした。この構造のモデルについてその最安定構造を演算装置2を用いて計算した。なお、塩化マグネシウム表面から距離のあるほうのＨ原子の座標は構造最適化計算において固定した。水素分子の構造について演算装置1を用いて計算した。図７にそのモデルの構造を示す。
【００４３】
2007023248.tif 000007
【００４４】
（実施例４）
ＵドナーをＤドナーとした以外は実施例３と同様の操作を行った。
【００４５】
（実施例５）
Ｕドナーをジイソプロピルジメトキシシラン（Ｐドナー）とした以外は実施例３と同様の操作を行った。
【００４６】
（実施例６）
Ｕドナーをシクロヘキシルメチルジメトキシシラン（Ｃドナー）とした以外は実施例３と同様の操作を行った。
【００４７】
＜ジエチルアミノトリエトキシシランの合成例＞
マグネットシール攪拌機及び滴下ロートを備えた容量１Ｌの４つ口フラスコを窒素置換した。ここへ、トルエン１００ｍｌ、テトラヒドロフラン１０ｍｌ、ジエチルアミン１４．６ｇ（０．２ｍｏｌ）を順次導入して混合攪拌した。一方、滴下ロートには、グリニャール試薬（力価＝１．７１ｍｏｌ／ｌ）を１２９ｍｌ（０．２２ｍｏｌ）入れた。その後、攪拌しながら、室温下（空冷）、滴下ロートから、グリニャール試薬を３０分かけてフラスコ内に滴下した。滴下終了後、６０℃で１時間攪拌を行い、グリニャール交換反応を行った。その後、あらかじめ滴下ロートに導入しておいたテトラエトキシシラン４１．７ｇ（０．２ｍｏｌ）を１５分かけてフラスコ内に滴下した。滴下終了後、６０℃で２時間反応を行った。この時、フラスコ内にはマグネシウムエトキシクロリドの固体が析出した。反応液を一部採取して、ガスクロマトグラフィーで目的物が生成しているのを確認した後に、窒素雰囲気下、Ｇ４ガラスフィルターを備えた容器にフラスコ内の反応液をすべて移液し、低圧窒素（０．０１ＭＰａ）で加圧ろ過を行った。さらにろ残（マグネシウムエトキシクロリド）をトルエンでろ液中に目的物が確認できなくなるまで洗浄、ろ過を繰り返した。ろ液ならびにろ残洗浄混合液は減圧下、濃縮してトルエン等の溶媒成分を留去し、続いて、蒸留精製を行い、目的物を回収した。目的物の外観は無色透明の液体で、沸点は５２℃／０．１ｍｍＨｇ、ＧＣ純度は９８．０％であった。
【００４８】
＜プロピレンの重合例＞
プロピレンの重合は、攪拌機付の内容積２Ｌのステンレス製オ−トクレ−ブを用いて行った。先ず、オ−トクレ−ブ内部を窒素で充分に置換した後、室温下にて、市販の東邦キャタリスト社製ＴＨＣ−ＪＣ型（Ｔｉ含有量＝１．７ｗｔ％）のｎ−ヘプタンスラリ−をチタン原子換算で０．００２５ｍｍｏｌ、トリエチルアルミニウム２．２ｍｍｏｌ、ジエチルアミノトリエトキシシラン又はジシクロペンチルジメトキシシラン０．３６ｍｍｏｌを順次導入し、次いで０．４ＭＰａの水素、液化プロピレン１．２Ｌを導入した。オ−トクレ−ブ内を室温から７０℃に昇温し、７０℃で１時間重合を行った。この時の重合圧力は３．８ＭＰａであった。重合終了後、未反応プロピレンガスを放出し、重合体を６０℃で１５時間減圧乾燥して、白色の粉末状ポリプロピレンを得た。その後、得られたポリプロピレンのＭＦＲと立体規則性を測定した。ＭＦＲはＡＳＴＭ−Ｄ１２３８に準じて２３０℃、２.１６ｋｇの加重下で１０分間の溶融重合体の重量（ｇ）を測定した。また、重合体の立体規則性の指標であるアイソペンタッド分率（ｍｍｍｍ）は、プロピレン重合体においてＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ８，６８７(１９７５)に基づいて帰属した13Ｃ−ＮＭＲスペクトルのピ−ク強度比より算出した。13Ｃ−ＮＭＲスペクトルは、日本電子製  ＥＸ−４００の装置を用い、ＴＭＳを基準とし、温度１３０℃、ｏ−ジクロロベンゼン溶媒を用いて測定した。
【００４９】
得られたＭＦＲおよび第一の塩化マグネシウムモデルを使った本発明の評価装置による結果を表１に示した。
【００５０】
【表１】
2007023248.tif 000008
【００５１】
表１からＵドナーはＤドナーと比べて水素分子を吸着しやすいことがわかる。また、チタン原子に吸着した水素分子の水素原子間結合距離がＵドナーの方が長く、これもＵドナーのほうが水素原子を解離させやすいということを示している。これはＵドナーがＤドナーよりも水素レスポンスが良好であるということを示しており、実測のＭＦＲ値と対応している。
【００５２】
得られたＭＦＲおよび第二の塩化マグネシウムモデルを使った本発明の評価装置による結果を表２に示した。
【００５３】
【表２】
2007023248.tif 000009
【００５４】
表２から水素分子を吸着した状態から水素原子を解離させやすいドナーほど実測のＭＦＲ値が大きいということがわかる。さらにはチタン原子に吸着した水素分子の水素原子間結合距離が長いほど実測のＭＦＲ値が大きいということがわかる。
【００５５】
図５に第二の塩化マグネシウムモデルにおけるEadとEdissの和と実測のMFR値との関係をグラフで示した。図5から、これら４つのドナーのEad+Ediss値と実測のMFR値と良好な相関がとれているということがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の計算装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】実施例１における、塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体の最安定構造を演算装置1を用いて計算したモデル構造である。
【図３】実施例１における、塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体に水素分子がチタン原子に配位したモデルの最安定構造を演算装置1を用いて計算したモデル構造である。
【図４】実施例１における、塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体の、チタン原子に水素原子が結合し、この水素原子から１１Å距離をとった位置にもうひとつの水素原子を配置させたモデルの最安定構造を演算装置1を用いて計算したモデル構造である。
【図５】実施例３における、塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体の最安定構造を演算装置1を用いて計算したモデル構造である。
【図６】実施例３における、塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体に水素分子がチタン原子に配位したモデルの最安定構造を演算装置1を用いて計算したモデル構造である。
【図７】実施例３における、塩化マグネシウム上で二価のチタンと配位結合により形成される複合体の、チタン原子に水素原子が結合し、この水素原子から１１Å距離をとった位置にもうひとつの水素原子を配置させたモデルの最安定構造を演算装置1を用いて計算したモデル構造である。
【図８】Ead+EdissとＭＦＲとの関係
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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