(57)【要約】【課題】本発明は、低消費電力化及び小型化が可能な発光モジュールの提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る発光モジュールは、半導体レーザ素子を搭載するキャリアと、半導体レーザ素子の後方光をモニタする受光素子を搭載するキャリアとを別体とすることにより、半導体レーザ素子の温度を制御するペルチェ素子の小型化及び低消費電力化を図るものである。また、本発明に係る発光モジュールは、アイソレータの構造において、従来の設置用台座に代えて磁石をキャリア上に直接搭載することで、小型化を図るものである。さらに本発明に係る発光モジュールは、ボンディングワイヤを削減し浮遊インダクタンスを小さくすることにより高速動作を図るものである。【選択図】図１
2007067314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子を搭載する第一サブキャリアと、
前記第一サブキャリアを搭載する第一キャリアと、
前記第一キャリアを搭載し、前記半導体レーザ素子の温度を制御するペルチェ素子と、
前記半導体レーザ素子からの後方光をモニタする受光素子と、
側面に前記受光素子を搭載する第二サブキャリアと、
前記第二サブキャリアを搭載する第二キャリアと、
を備える発光モジュール。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子からの光を集光するレンズと、
ファラデー回転子を２つの偏光子で挟み、前記レンズからの光は前記発光モジュールの外部に通過させ前記発光モジュールの外部からの光は遮断するアイソレータと、
前記ファラデー回転子に磁界を与える磁石と、をさらに前記第一キャリア上に搭載し、
前記磁石を第一キャリア上に直接配置し、前記磁石上に前記アイソレータを搭載したことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記半導体レーザ素子は直流電流で発光する発光部及び変調信号で前記発光した光を変調する変調部を含み、
前記変調部へ変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路と、
前記コプレーナ型導波路の端点で前記変調部に接続するボンディングワイヤ及び前記ボンディングワイヤに並列に接続され前記コプレーナ型導波路を電気的に終端する抵抗と、をさらに前記第一サブキャリア上に搭載したことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化の可能な発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光モジュールに内装される半導体レーザ素子及びモニタ用受光素子は、半導体レーザ素子を冷却する目的で共にペルチェ素子上に搭載され、共に温度制御されていた（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に開示された発光モジュールでは、半導体レーザ素子を搭載する第一サブキャリアとモニタ用受光素子を搭載する第二サブキャリアとが１つのキャリア上に搭載されており、さらに前記キャリアがペルチェ素子上に搭載されている。ペルチェ素子は半導体レーザ素子を温度制御するものであるにもかかわらず、キャリア及びキャリアの搭載物総てを温度制御することになる。従って、ペルチェ素子は大きくならざるを得ず、消費電力も大きくならざるを得なかった。
【０００４】
従来の発光モジュールの他の例について図５、図６及び図７を用いて説明する。
【０００５】
従来の一例を示す発光モジュールの断面図を図５に示す。図５に示す従来の発光モジュール９２は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子１２１と、半導体レーザ素子１２１からの後方光をモニタする受光素子１３１と、半導体レーザ素子１２１から出射された前方光を屈折させて並行光にするレンズ１８１と、レンズ１８１側からの光は通すが逆方向からの光は通さないことで半導体レーザ素子１２１の動作を安定化するアイソレータ１８６と、アイソレータ１８６に磁界を与える磁石１８５と、アイソレータ１８６を安定に配置する設置用台座１８７と、半導体レーザ素子１２１の温度を制御するペルチェ素子１２４と、上部キャリア１２７と、中部キャリア１２８と、下部キャリア１２９とを含む。
【０００６】
従来の発光モジュール９２では、ペルチェ素子１２４は下部キャリア１２９を搭載し、その下部キャリア１２９は中部キャリア１２８を搭載し、また、中部キャリア１２８は半導体レーザ素子１２１と上部キャリア１２７とを搭載していた。ペルチェ素子１２４は、ペルチェ素子１２４上の下部キャリア１２９に中部キャリア１２８や上部キャリア１２７を搭載した後に、筺体１４０に収容していた。このためペルチェ素子１２４は、半導体レーザ素子１２１を温度安定化するためのものであるにもかかわらず、下部キャリア１２９全体を温度安定化していたため大型のものを使用せざるを得なかった。また、ペルチェ素子１２４に供給する消費電力が大きくならざるを得なかった。
【０００７】
図５に示す従来の発光モジュール９２における下部キャリア１２９とその搭載物の一部の拡大図を図６に示す。従来の発光モジュールでは、アイソレータ１８６を設置用台座１８７上に搭載し、設置用台座１８７を下部キャリア１２９に半田付けしていた。また、設置用台座１８７は半田付けの容易な金属を使用していた。例えば、ステンレススチール等である。この設置用台座１８７上のアイソレータ１８６の光軸１９２と半導体レーザ素子１２１の光軸１９２とを一致させるために、半導体レーザ素子１２１を搭載する下部キャリア１２９を厚くせざるを得なかった。従来のアイソレータ１８６の構造上、安定に配置する設置用台座１８７が必要であるため、発光モジュールの小型化に制限があった。
【０００８】
また、図７は、図５に示す従来の発光モジュールにおける中部キャリア１２８の一部を示す上面図である。図７は、発光部１２６及び変調部１２５を含む半導体レーザ素子１２１と、変調部１２５へ変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路１５１と、コプレーナ型導波路１５１の端点で変調部１２５に接続するボンディングワイヤ１６２と、コプレーナ型導波路１５１を電気的に終端する終端抵抗１５２と、終端抵抗１５２に接続された電極１５３と、変調部１２５及び電極１５３を接続するボンディングワイヤ１６３と、発光部１２６に直流電流を印加する直流電極１７１と、発光部１２６及び直流電極１７１を接続するボンディングワイヤ１６４とを含む。半導体レーザ素子１２１へ変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路１５１は、半導体レーザ素子１２１の変調部１２５へボンディングワイヤ１６２で接続され、続いてボンディングワイヤ１６２と直列に変調部１２５から電極１５３へボンディングワイヤ１６３で接続された後、終端抵抗１５２に接続され終端されていた。コプレーナ型導波路１５１から終端抵抗１５２までの距離が変調部１２５を経由することで長くなり、このため、高速信号で変調するとボンディングワイヤ１６３の浮遊インダクタンスにより変調の妨げとなっていた。
【特許文献１】特開２００３−１６３４０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、低消費電力化及び小型化が可能な発光モジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る発光モジュールは、半導体レーザ素子を搭載するキャリアと、半導体レーザ素子の後方光をモニタする受光素子を搭載するキャリアとを別体とすることにより、半導体レーザ素子の温度を制御するペルチェ素子の小型化及び低消費電力化を図るものである。また、本発明に係る発光モジュールは、発光モジュールの外部からの光を遮断するアイソレータの構造において、ファラデー回転子等を支える従来の台座に代えてファラデー回転子に磁界を与える磁石をキャリア上に直接配置することで、台座を削減して小型化を図るものである。さらに本発明に係る発光モジュールは、半導体レーザ素子に含まれる変調部に変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路を終端する終端抵抗と並列に、コプレーナ導波路端から前記変調部へボンディングワイヤを接続することで、コプレーナ型導波路と終端抵抗との距離を短くし、浮遊インダクタンスを小さくすることにより高速動作を図るものである。
【００１１】
具体的には、本発明に係る発光モジュールは、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を搭載する第一サブキャリアと、前記第一サブキャリアを搭載する第一キャリアと、前記第一キャリアを搭載し、前記半導体レーザ素子の温度を制御するペルチェ素子と、前記半導体レーザ素子からの後方光をモニタする受光素子と、側面に前記受光素子を搭載する第二サブキャリアと、前記第二サブキャリアを搭載する第二キャリアと、を備える。
【００１２】
ペルチェ素子は第一キャリアのみを搭載し、第二キャリアを搭載していた分が不要となるため、小型化することができる。また第一キャリアに搭載している半導体レーザ素子の温度を制御するのに半導体レーザ素子を搭載している第一キャリアのみを加熱冷却すればよいため消費電力を低減させることができる。
【００１３】
また、本発明に係る発光モジュールは、前記半導体レーザ素子からの光を集光するレンズと、ファラデー回転子を２つの偏光子で挟み、前記レンズからの光は前記発光モジュールの外部に通過させ前記発光モジュールの外部からの光は遮断するアイソレータと、前記ファラデー回転子に磁界を与える磁石と、をさらに前記第一キャリア上に搭載し、前記磁石を第一キャリア上に直接配置し、前記磁石上に前記アイソレータを搭載していることが好ましい。
【００１４】
従来のアイソレータの設置用台座の代わりに磁石を第一キャリア上に直接配置し、その磁石の上にファラデー回転子と偏光子とを搭載することで、従来の設置用台座を省くことができる。また、台座を省くことにより、アイソレータと半導体レーザ素子との光軸を合わせるために厚くしていた、半導体レーザ素子を搭載するキャリアを薄くすることができる。従って、発光モジュールの小型化が可能となる。
【００１５】
更に、本発明にかかる発光モジュールは、前記半導体レーザ素子は直流電流で発光する発光部及び変調信号で前記発光した光を変調する変調部を含み、前記変調部へ変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路と、前記コプレーナ型導波路の端点で前記変調部に接続するボンディングワイヤ及び前記ボンディングワイヤに並列に接続され前記コプレーナ型導波路を電気的に終端する抵抗と、をさらに前記第一サブキャリア上に搭載していることが好ましい。
【００１６】
コプレーナ型導波路の終端抵抗をコプレーナ型導波路の近くに配置することにより、コプレーナ型導波路から終端抵抗までの距離が短くなり浮遊インダクタンスを小さくすることができる。従って、安定して変調を行うことができ、また高速動作が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、低消費電力化及び小型化が可能な発光モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付の図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態は本発明の構成の例であり、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。
【００１９】
本実施形態に係る発光モジュールの一例について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る発光モジュールの一例を示す上面図である。但し、筺体の蓋は取り除いた状態である。図１に示す発光モジュール９１は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子２１と、半導体レーザ素子２１を搭載し半導体レーザ素子２１からの熱を伝搬する第一サブキャリア２２と、第一サブキャリア２２を搭載し第一サブキャリア２２からの熱を伝搬する第一キャリア２３と、第一キャリア２３を搭載し半導体レーザ素子２１の温度を制御するペルチェ素子２４と、半導体レーザ素子２１から出射された前方光１０１を集光し平行光に変換するレンズ８１と、半導体レーザ素子２１から出射されレンズ８１を透過してきた前方光１０１は発光モジュール９１の外部へ通過させ逆方向の光は遮断するアイソレータ８６と、半導体レーザ素子２１からの後方光１０１’をモニタする受光素子３１と、側面に受光素子３１を搭載し受光素子３１を安定に設置する第二サブキャリア３２と、第二サブキャリア３２を搭載し上部に配線パターンを含む第二キャリア３３と、第一サブキャリア２２に搭載され半導体レーザ素子２１の変調部２５に変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路５１と、第一サブキャリア２２に搭載され半導体レーザ素子２１の発光部２６に直流電流を送る直流電極７１と、これらの部品を保持する筺体４０と、第二キャリア３３上の配線パターンに接続するリード端子４３と、を備える。
【００２０】
半導体レーザ素子２１は、出射光１０１及び１０１’を出射する。例えば、端面発光型レーザを用いることができる。出射する光の波長、振幅、放射角等の特性は限定しない。半導体レーザ素子２１の出射する光の波長は、例えば、７６０ｎｍから２４００ｎｍに含まれる波長帯域であってもよい。また、８５０ｎｍ、１３１０ｎｍ、１５５０ｎｍがよく利用されるがこれらの波長に限定しない。
【００２１】
発光部２６は、上下にクラッド層で挟まれた活性層を含み、直流電流で発光する。活性層は、ＧａＡｓ等のＩＩＩ‐Ｖ族化合物を用いることが好ましいが、これに限定されるものではない。発光部２６は直流電極７１にボンディングワイヤで接続されている。
【００２２】
変調部２５は、発光部２６から出射された光を変調する。変調方式としては、振幅変調方式、パルス幅変調方式、周波数変調方式等を用いることができる。また、高周波重畳変調方式を用いてもよい。変調部２５は、コプレーナ型導波路５１とボンディングワイヤ６２を介して高周波信号を印加される。
【００２３】
第一サブキャリア２２は、半導体レーザ素子２１を搭載する。第一サブキャリア２２は、半導体レーザ素子２１の発生する熱を第一キャリア２３へ伝搬する。また、第一サブキャリア２２は、半導体レーザ素子２１へ直流電流及び高周波信号を供給するための配線パターンを含む。従って、第一サブキャリア２２は、熱伝導性が良く、半導体レーザ素子２１と熱膨張率が近く、絶縁体であるＡｌＮ（窒化アルミ）を用いることが好ましい。また、第一サブキャリア２２は、第一キャリア２３に搭載されている。第一サブキャリア２２は、第一キャリア２３に半田付けにより固定するのが好ましい。ＹＡＧレーザ溶接、振動溶接、超音波溶接又は熱溶接でもよい。
【００２４】
第一キャリア２３は、ペルチェ素子２４に搭載され、第一サブキャリア２２からの熱をペルチェ素子２４へ伝搬する。例えば、熱伝導性の良いＣｕＷ（銅タングステン）を用いることができる。又は、銅、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、シリコンカーバイド、モリブデン若しくはＤＭＣＨ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｍｅｔａｌ−Ｃｏｍｐｏｓｔｅ  ｆｏｒ  Ｈｅａｔ  Ｓｉｎｋ）でもよい。
【００２５】
ペルチェ素子２４は、半導体レーザ素子２１を冷却し、半導体レーザ素子２１の動作を安定させるものである。半導体レーザ素子２１の近傍にサーミスタを配置し、サーミスタの検出する温度が一定になるように、ペルチェ素子２４が搭載する第一キャリア側の温度を制御することが好ましい。
【００２６】
受光素子３１は、半導体レーザ素子２１の後方向への出射光１０１’をモニタするものである。受光素子３１からの出力は、リード端子４３を経由して半導体レーザ素子２１の駆動直流電流に反映し、半導体レーザ素子２１の動作に負のフィードバック効果を与える。受光素子３１としては、例えば、ＰＩＮフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード等を用いることができる。波長に応じてシリコンフォトダイオードや４元系のフォトダイオードを適用する。受光素子３１は、第二サブキャリア３２の側面に搭載されている。受光面での反射光が半導体レーザ素子２１に戻って半導体レーザ素子２１の動作を不安定にすることを阻止するため、受光素子３１の受光面を半導体レーザ素子２１に対して僅かに斜めにすることが好ましい。
【００２７】
第二キャリア３３は、強度、高靱性及び耐熱衝撃性に優れ、また絶縁体であるアルミナを用いることが好ましい。また第二キャリア３３は、上部に配線パターンを含む。この配線パターンは、筺体４０の外部でリード端子４３と接続する。一方、筺体４０の内部で受光素子３１、コプレーナ型導波路５１及び直流電極７１とボンディングワイヤで接続し、直流電流や高速信号を伝搬する。
【００２８】
第二サブキャリア３２は、受光素子３１を搭載し第二キャリアに安定に設置するものである。また、第二サブキャリア３２は、第二キャリア３３上の配線に影響を与えないように配置されている。受光素子３１からの信号取り出しについては、第二サブキャリア３２の底面に設けた電極パターンと第二キャリア３３とのフリップチップ接続により行うことができる。フリップチップ接続は、例えば、半田や金による金属接合、導電性接着剤による接着によって行えばよい。また、フリップチップ接続の代わりに、ボンディングワイヤを用いて接続してもよい。また、第二サブキャリア３２は、強度、高靱性及び耐熱衝撃性に優れ、また絶縁体であるアルミナを用いることが好ましい。
【００２９】
リード端子４３は、第二キャリア３３上の配線パターンと接続している。またリード端子４３には、第二キャリア３３に用いたアルミナと熱膨張係数が近いコバールを用いるのが好ましい。
【００３０】
本実施形態に係る発光モジュールの一例について図２を用いて説明する。図２は、図１のＡ−Ａ’面における断面図である。図１における筺体４０は、図２における筺体底部４１および筺体側部４２を含む。筺体底部４１は、ペルチェ素子２４を搭載している。筺体底部４１は、ペルチェ素子２４から伝搬する熱を放熱するため第一キャリア２３と同じく、熱伝導性が良いＣｕＷ（銅タングステン）が好ましい。又はＳｉ材料又はＡｌ、Ｃｕ等の金属材料を含む部材またはＡｌＮ（窒化アルミ）でもよい。筺体側部４２は、熱膨張率が低いコバール（鉄ニッケルコバルト合金）を用いることが好ましい。筺体底部４１及び筺体側部４２の固定と、筺体側部４２及び第二キャリア３３の固定は、ロウ付けを用いることが好ましい。また、第一キャリア２３は筺体底部４１に、第二キャリア３３は筺体側部４２に搭載していることが好ましい。半導体レーザ素子２１は１０〜１００ｍＡ程度の大電流を要し、一方、受光素子３１は１００〜１０００μＡ程度の小電流しか流れない。従って、第一キャリア２３と第二キャリア３３とを別体とすることにより、小電流しか流れない受光素子３１が、半導体レーザ素子２１の要する大電流の影響を受けにくくなり動作が安定化する。また、第一キャリア２３と第二キャリア３３とを別体とすることにより、ペルチェ素子２４は第一キャリア２３のみを温度制御すればよいため、省電力化が図れる。
【００３１】
本実施形態に係る発光モジュールの一例について図３を用いて説明する。図３は、図２に示す本実施形態に係る発光モジュールの第一キャリア２３とその搭載物の拡大図である。図３では、半導体レーザ素子２１からの光を集光するレンズ８１と、ファラデー回転子８４を入射偏光子８２及び出射偏光子８３で挟み、レンズ８１からの光は発光モジュールの外部に通過させ発光モジュールの外部からの光は遮断するアイソレータ８６と、ファラデー回転子８４に磁界を与える磁石８５と、をさらに第一キャリア２３上に搭載し、磁石８５を第一キャリア２３上に直接配置し、磁石８５上にアイソレータ８６を搭載している。
【００３２】
レンズ８１は、半導体レーザ素子２１とアイソレータ８６との間に配置される。レンズ８１は、半導体レーザ素子２１からの前方向への出射光１０１を集光し平行光になるように屈折させる。例えば、凸型非球面レンズ、ボールレンズ、半球レンズ、角型非球面レンズ又は円筒型非球面レンズを用いることができる。レンズ８１は単レンズでも複合レンズでもよい。レンズ８１は、表面実装型の角型非球面レンズであることが好ましい。レンズ８１が表面実装型の角型非球面レンズであれば、精度良く平行光に変換することができ、第一キャリア２３への載置が容易になる。レンズ８１は、第一キャリア２３に半田付けにより固定するのが好ましい。ＹＡＧレーザ溶接、振動溶接、超音波溶接又は熱溶接でもよい。
【００３３】
アイソレータ８６は、レンズ８１を透過してきた半導体レーザ２１からのレーザ光は透過させるが筺体４０の外部で接続されている光ファイバ端面からの戻り光を遮断することで、半導体レーザ素子２１の動作を安定化させるものである。アイソレータ８６は、ファラデーアイソレータを用いることが好ましい。ファラデーアイソレータは、入射偏光子８２、磁界を与えると透過光の偏光面を回転させるファラデー回転子８４及び出射偏光子８３を順に組み合わせたもので一方向にのみ光を透過させるものである。ファラデー回転子８４としては、例えば、ガーネットフェライト材料又はガーネット型セラミック材料を用いることができる。
【００３４】
磁石８５は、第一キャリア２３上に直接配置され、ファラデー回転子８４に磁界を与える。磁石８５は、ネオジム、サマリウムコバルト、アルニコ、異方性フェライト、等方性フェライト等を用いることができる。磁石８５の固定には、熱減磁がおきるためＹＡＧレーザ溶接は困難である。本実施形態では、磁石８５にはアイソレータ８６のみが搭載され小型化しているため、磁石８５の固定に樹脂系の接着剤を用いることができる。
【００３５】
本実施形態では、磁石８５を第一キャリア２３上に直接配置し図６における従来の設置用台座１８７の代わりに用いることで、発光モジュールの小型化が可能となる。また従来例の図６では、設置用台座１８７上のアイソレータ１８６と半導体レーザ１２１との光軸１９２を合わせるため下部キャリア１２９を厚くしていた。本実施形態では、従来の設置用台座１８７を削減することで、従来の下部キャリア１２９より薄型の第一キャリア２３を用いることができる。従って、発光モジュールの小型化が可能となる。
【００３６】
本実施形態における第一サブキャリア２２上の配線パターンについて図４を用いて説明する。図４は、本実施形態における第一サブキャリア２２の上面図である。図４は、直流電流で発光する発光部２６及び変調信号でこの発光した光を変調する変調部２５を含む半導体レーザ素子２１と、変調部２５へ変調信号を伝搬するコプレーナ型導波路５１と、コプレーナ型導波路５１の端点で変調部２５に接続するボンディングワイヤ６２と、このボンディングワイヤ６２と並列に接続されコプレーナ型導波路５１を電気的に終端する終端抵抗５２と、この終端抵抗５２に接続された電極５３と、電極５３を接地するボンディングワイヤ６１と、発光部２６に直流電流を印加する直流電極７１と、発光部２６及び直流電極７１を接続するボンディングワイヤ６４とを含む。
【００３７】
コプレーナ型導波路５１は、中心導体と接地導体が同じ面上で中心導体を接地導体が囲み、中心導体と接地導体との間を絶縁したものである。コプレーナ型導波路５１は、高周波信号を半導体レーザ素子２１の変調部２５へ伝搬するものである。高周波信号を半導体レーザ素子２１に伝搬するものとしては、マイクロストリップ線路、ストリップ線路、同軸ケーブル、誘電体導波路、スラブ導波路及びゾンゲル導波路でもよい。終端抵抗５２は、コプレーナ型導波路５１を電気的に終端する抵抗である。終端抵抗５２は、電極５３からボンディングワイヤ６１を経て接地している。このボンディングワイヤ６１の長さを調節することにより回路のインピーダンス整合を取ることができる。
【００３８】
コプレーナ型導波路５１の終端抵抗５２は、半導体レーザ素子２１を経由せず半導体レーザ素子２１と並列に直接接続している。このため、従来例である図７におけるボンディングワイヤ１６３を削減できる。従って、ボンディングワイヤ１６３の浮遊インダクタンスを削減でき、高周波信号の高速化が可能となる。
【００３９】
次に、本実施形態における発光モジュールの動作について図１を用いて説明する。リード端子４３から直流電極７１を経て半導体レーザ素子２１の発光部２６に直流電流が印加される。また、リード端子４３からコプレーナ型導波路５１を経て半導体レーザ素子２１の変調部２５に高周波信号が印加される。発光部２６から出射したレーザ光は、変調部２５で変調され前方光１０１として出射する。前方光１０１は、レンズ８１を通過し平行光に変換される。続いて前方光１０１は、アイソレータ８６中の入射偏光子８２を通過し、ファラデー回転子８４で偏光面が回転され、出射偏光子８３を通過する。以上の動作を経て、筺体４０の外部で接続している光ファイバへ光信号を送信することができる。
【００４０】
ここで、半導体レーザ素子２１、レンズ８１及びアイソレータ８６は、光軸が略一致している。また、互いの距離を調節することで、レンズ８１を通過した光は平行光に変換され、アイソレータ８６に入射される。
【００４１】
また、発光部２６から出射した光の一部は、後方光１０１’として出射する。後方光１０１’は、受光素子３１によってモニタされ、リード端子４３へ出力される。この出力は半導体レーザ素子２１の駆動直流電流に反映し、半導体レーザ素子２１の動作に負のフィードバック効果を与える。従って、半導体レーザ素子２１は安定した強度のレーザ光を出射できる。
【００４２】
以上説明したように、発光モジュール９１は、第一キャリア２３と第二キャリア３３とを別体とすることで、ペルチェ素子２４の小型化が可能となり、また電気的分離により受光素子３１の動作を安定化することができる。また、ペルチェ素子２４の小型化により、省電力化及び発光モジュール９１の小型化が可能となる。図６におけるアイソレータ１８６の設置用台座１８７を削減し、代わりに磁石８５を利用することで、第一キャリア２３を薄くできる。従って、さらに発光モジュール９１の小型化が可能となる。またコプレーナ型導波路５１の終端抵抗５２をコプレーナ型導波路５１に近接して配置することで、浮遊インダクタンスを低減でき高速動作が可能となる。さらに、終端抵抗５２を接地するボンディングワイヤ６１の長さを調節することで回路のインピーダンス整合を取ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、発光モジュールの小型化、動作の安定化及び高速化を可能とするので、幹線通信用トランシーバや装置内トランシーバに搭載することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施形態に係る発光モジュールの一例を示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’面における断面図である。
【図３】図２に示す本実施形態に係る発光モジュールの第一キャリア２３とその搭載物の拡大図である。
【図４】本実施形態における第一サブキャリア２２の上面図である。
【図５】従来の一例を示す発光モジュールの断面図である。
【図６】図５に示す従来の発光モジュールにおける下部キャリア１２９とその搭載物の一部の拡大図である。
【図７】図５に示す従来の発光モジュールにおける中部キャリア２８の一部を示す上面図である。
【符号の説明】
【００４５】
２１  半導体レーザ素子
２２  第一サブキャリア
２３  第一キャリア
２４  ペルチェ素子
２５  変調部
２６  発光部
３１  受光素子
３２  第二サブキャリア
３３  第二キャリア
４０  筺体
４１  筐体底部
４２  筺体側部
４３  リード端子
５１  コプレーナ型導波路
５２  終端抵抗
５３  電極
６１、６２、６４  ボンディングワイヤ
７１  直流電極
８１  レンズ
８２  入射偏光子
８３  出射偏光子
８４  ファラデー回転子
８５  磁石
８６  アイソレータ
９１  発光モジュール
９２  従来の発光モジュール
１０１、１０１’  半導体レーザ素子からの出射光
１２１  半導体レーザ素子
１２４  ペルチェ素子
１２５  変調部
１２６  発光部
１２７  上部キャリア
１２８  中部キャリア
１２９  下部キャリア
１３１  受光素子
１４０  筺体
１５１  コプレーナ型導波路
１５２  終端抵抗
１５３  電極
１６２、１６３、１６４  ボンディングワイヤ
１７１  直流電極
１８１  レンズ
１８５  磁石
１８６  アイソレータ
１８７  設置用台座
１９２  光軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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