(57)【要約】【課題】  高精度露光が有する高精度という長所と、低精度露光が有する低コストという長所を兼ね備えた半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム、及びその方法を提供する。【解決手段】  ステップ１４において、ウェーハを準備する。そして、ステップ１６において、液浸リソグラフィにより少なくとも一つの露光をウェーハに行う。さらに、ステップ１８において、乾式リソグラフィにより少なくとも一つの露光をウェーハに行う。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層上に少なくとも一つの第１の露光工程を行う高精度フォトリソグラフィ工程と、
前記基板層上に少なくとも一つの第２の露光工程を行う低精度フォトリソグラフィ工程と、
を含むことを特徴とする基板層上にパターンを形成する方法。
【請求項２】
前記低精度フォトリソグラフィ工程の前に、前記高精度フォトリソグラフィ工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板層上にパターンを形成する方法。
【請求項３】
前記低精度フォトリソグラフィ工程の後に、前記高精度フォトリソグラフィ工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板層上にパターンを形成する方法。
【請求項４】
前記高精度フォトリソグラフィ工程は液浸フォトリソグラフィ工程であり、前記低精度フォトリソグラフィ工程は乾式フォトリソグラフィ工程であることを特徴とする請求項１に記載の基板層上にパターンを形成する方法。
【請求項５】
ウェーハに第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記ウェーハに第１のマスクを形成する工程と、
液浸フォトリソグラフィにより、前記第１のフォトレジスト層及び前記第１のマスクを用いて前記ウェーハ上に第１の露光工程を行う工程と、
乾式フォトリソグラフィにより、前記第１のフォトレジスト層を用いて前記ウェーハ上に第２の露光工程を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項６】
前記液浸フォトリソグラフィの開口率は０．８２よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項７】
前記第２の露光工程は、第２のマスクを使用することを特徴とする請求項５に記載の半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項８】
前記第２の露光工程は、マスクを使用しないことを特徴とする請求項５に記載の半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項９】
前記第２の露光工程は、第２のフォトレジスト層を使用することを特徴とする請求項５に記載の半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項１０】
前記第１の露光工程及び前記第２の露光工程の後に、前記ウェーハにエッチング工程を一回行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項１１】
前記第１の露光工程及び前記第２の露光工程の後に、前記ウェーハにそれぞれ第１のエッチング工程及び第２のエッチング工程を行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体製造のフォトリソグラフィ方法。
【請求項１２】
ウェーハに第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記ウェーハに第１のマスクを形成する工程と、
光束波長が１９３ｎｍよりも小さく、開口率が０．７５よりも大きい液浸リソグラフィにより、前記ウェーハに前記第１のフォトレジスト層及び前記第１のマスクを使用する第１の露光工程を行う工程と、
乾式フォトリソグラフィにより、前記ウェーハに第２のマスクを使用するかマスクを全く使用しない第２の露光工程を行う工程と、
を含むことを特徴とする半導体製造の二重露光フォトリソグラフィ方法。
【請求項１３】
第１のデューティ比領域及び第２のデューティ比領域を含む基板層にパターンを形成する方法であって、
第１の開口率を用い、前記第１のデューティ比領域に第１の液浸リソグラフィ工程を行う工程と、
第２の開口率を用い、前記第２のデューティ比領域に第２の液浸リソグラフィ工程を行う工程と、
前記第１の液浸リソグラフィ工程及び前記第２の液浸リソグラフィ工程により、前記基板層に前記パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする基板層にパターンを形成する方法。
【請求項１４】
前記第１のデューティ比領域内の線幅／間隔ピッチは０．２５μｍ以下であり、前記第２のデューティ比領域内の線幅／間隔ピッチは０．２５μｍよりも大きいことを特徴とする請求項１３に記載の基板層上にパターンを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイスの製造に関し、特に半導体製造におけるフォトリソグラフィ工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業が始まって以来、集積回路構成要素の形成にはフォトリソグラフィが使用されてきた。一般に、関連した集積回路の拡大画像がパターニングされているマスクに光束が透過される。そして、投射レンズにより光束をウェーハ上に集束し、ウェーハのフォトレジスト層内に集積回路の画像を発生させた。
【０００３】
その他の要素として、画像の解析度は、光学系の放射線波長及び開口率と関係がある。詳細には、密集回路の印刷は、短い波長と大きな開口率とを結合して行うことが望ましい。
【０００４】
集積回路の密度を向上させるには、機能の改善が必要であった。改良型リソグラフィ技術の一部は、波長の減少に集中されていた。現在、従来のリソグラフィシステムは、各デバイス上にある５億個以上のトランジスタを含む半導体デバイスを製造するため、１９３ｎｍの放射線波長を使用していた。
【０００５】
しかし、投射レンズにより１９３ｎｍよりも小さい波長の光束をウェーハまで送ると、その光束は透過せずに吸収されてしまうため、放射線波長を小さくすることは実際的でなかった。
【０００６】
そのため、半導体製造の向上には、光学系の開口率を向上させるなどによって、リソグラフィをさらに改良することが望ましかった。光学系の開口率を向上させる改良型リソグラフィ技術の一つとしては液浸リソグラフィがあった（例えば、特許文献１参照）。液浸リソグラフィ（湿式リソグラフィとも言われる）では、投射レンズとウェーハとの間に水が挿入される（その一方、乾式リソグラフィでは、投射レンズとウェーハとの間に空気が挿入される）。水の屈折率は１．４であるため、光学系の開口率は係数が１．４にまで向上する。これにより、画像の解析度を大幅に向上させていた。
【０００７】
液浸リソグラフィは、半導体製造において画像解析度を向上させることができるが、必要なＣＤ（Critical Dimension）均一性及び一部の半導体デバイスのエンドキャップ機能のために、一般に露光は複数行う必要があった。そのため液浸リソグラフィなどの改良型リソグラフィ技術（特に複数の露光を行う技術）は、コストが理想的でなかった。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−３２００１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の主な目的は、高精度露光が備える高精度という長所と、低精度露光が備える低コストという長所を兼備えた半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明の半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法は、ウェーハに露光を複数行う。この複数の露光のうち、少なくとも一つの露光は、液浸リソグラフィなどの高精度リソグラフィ方法により提供され、少なくとも一つのその他の露光は、乾式リソグラフィなどの低精度リソグラフィ方法により提供される。露光の順序は、実施形態の必要に応じて変えることができる。例えば、先ず高精度露光を行った後に低精度露光を行ってもよい。また他の実施形態では、その順序を反対にしてもよい。第３実施形態では、全ての露光を液浸リソグラフィで行い、一部の露光工程の精度を他の露光工程よりも高くする。また同様に、他の実施形態では、全ての露光を乾式リソグラフィで行い、一部の露光工程の精度を他の露光工程よりも高くしてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明が提供する半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法は、二重露光工程のコスト及び精度のバランスをとり、高精度露光が備える高精度という長所（例えば、波長が１９３ｎｍの液浸リソグラフィ）と、低精度露光が備える低コストという長所（例えば、波長が１９３ｎｍの乾式リソグラフィ）を兼備えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の好適な実施形態による簡略化されたフォトリソグラフィ方法１０を示す流れ図である。ステップ１４において、ウェーハを準備する。続いてステップ１６において、液浸リソグラフィによりウェーハへ少なくとも一つの露光を行う。さらにステップ１８において、乾式リソグラフィによりウェーハへ少なくとも一つの露光を行う。
【００１３】
フォトリソグラフィ方法１０は、例えばメモリデバイス（スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）を含むがこれだけに限定されるわけではない。）、ロジックデバイス（ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含むがこれだけに限定されるわけではない。）及び／又はその他のデバイスなど、様々な半導体デバイスの製造に用いられてもよい。フォトリソグラフィ方法１０は、フィーチャサイズが５６ｎｍよりも小さい半導体デバイスの製造へ特に応用することができる。以下、図２から図８と合わせてフォトリソグラフィ方法１０をさらに説明する。
【００１４】
図２から図６は、典型的なトリム工程を示すものであり、第１の露光に液浸リソグラフィなど改良性が高い技術を用い、第２の露光に乾式リソグラフィなど改良性が低い技術を用いる二重露光工程を説明する。
【００１５】
図２は、コンデンサ２２により集光される光束２３を放射する光源２１を含むフォトリソグラフィシステム２０を簡単に示した模式図である。パターンを含むマスク２４へ光束２７を均一に照射する。光束２５は、マスク２４を透過した後、ウェーハ２８へ照射される前に投射レンズ２６により集束される。
【００１６】
以下、二重露光工程の第１の露光をさらに説明する。図３は、図２のシステムから選択された構成要素を示し、それら構成要素は、ウェーハ２８、投射レンズ２６及びマスク２４を含む。ウェーハ２８は、フォトリソグラフィ方法１０（図１に示す）のステップ１４において準備される。
【００１７】
本実施形態のウェーハ２８はフォトレジスト層３０２を含む。フォトレジスト層３０２は、スピンコーティング及び／又はその他の工程によりウェーハ上に堆積されてもよい。本実施形態において、フォトレジスト溶液はウェーハ２８の表面上に塗布され、フォトレジスト溶液のほとんどが乾くまで高速で回転させる。一実施形態のフォトレジスト層３０２は、酸触媒を用いる化学増幅型レジストである。本実施形態のフォトレジスト層は、キャスト溶液内に酸感応性重合体を溶解することにより形成されてもよい。
【００１８】
投射レンズ２６は、溶融シリカ（非晶質二酸化ケイ素）及び／又はその他公知の適当な材料でもよい。
【００１９】
マスク２４は、電子回路の顕微画像を含む高精度のプレートでもよい。マスク２４は、例えば石英、ソーダ石灰、ホワイトクラウン及び／又はその他の材料など、様々な材料を含んでもよい。一般に、マスク２４の一側にはクロム層が含まれ、そのクロム層（符号２４ａで示す）内には電子回路（一般に幾何学的な配線である。）がエッチングされている。一実施形態のマスク２４は、厚みが約６０から２５０μｍの間である。
【００２０】
一実施形態では、投射レンズ２６とウェーハ２８との間に液体（図示せず）を挿入し、少なくともその一部をカバーする。液体は、水、ドープ水（Ｃｒイオン）、ＰＨ値が７よりも大きい流動体、屈折率が１よりも大きい流動体及び／又はその他の物質を含んでもよい。一実施形態において、ウェーハ２８の露光領域をカバーする液膜３０８は、投射レンズ２６のハウジング内の開口から注入してもよい。
【００２１】
続いて、フォトリソグラフィ方法１０のステップ１６において、液浸フォトリソグラフィによりウェーハ２８の第１の露光を行う。一実施形態において、液浸リソグラフィは、波長が２５０ｎｍよりも小さい電磁波発生源及び／又はその他の光源などの光源（図示せず）を含んでもよい。一実施形態において、光源から放射される光束は、その波長が約１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又はその他の数値でもよい。ここで予想できることは、光学系の開口率（Numerical Aperture：ＮＡ）は約０．８２よりも大きく、好ましくは約０．７５より大きいということである。
【００２２】
図４に示すように、第１の露光を行った後に、真空装置（図示せず）及び／又はその他適当な方法により液膜３０８を除去してもよい。その後、フォトレジスト層３０２を公知の方法により現像し、フォトレジスト構造３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃを得てもよい。
【００２３】
フォトリソグラフィ方法１０のステップ１８において（他の実施形態ではステップ１６を行う前に行ってもよい。）、乾式リソグラフィによりウェーハ２８の第２の露光を行ってもよい。図５は、マスク４０２及びウェーハ２８’を含むリソグラフィシステムの選択された構成要素を示す。さらにマスク４０２は、電子回路の顕微画像を含む高精度プレートでもよく、例えば石英、ソーダ石灰、ホワイトクラウン及び／又はその他の材料など、様々な材料を含んでもよい。一般にマスク４０２の一側にはクロム層が含まれ、そのクロム層（符号４０２ａで示す）内には電子回路（一般に幾何学的な配線である。）がエッチングされてもよい。
【００２４】
第２の露光は、公知技術を含む乾式フォトリソグラフィにより行われてもよい。乾式リソグラフィの放射線波長は、約１９３ｎｍ、２４８ｎｍ及び／又はその他の数値でもよい。ここで注意しなければならないことは、他の実施形態では、マスク４０２を省略してマスクが無い露光を行ってもよいという点である。
【００２５】
他の実施形態では、第１の露光及び第２の露光の両方は、異なる開口率を有する液浸リソグラフィにより行ってもよい。一チップ内にある高デューティ比領域及び低デューティ比領域を露光するときは、開口率が大きい第１の液浸リソグラフィを用いて高デューティ比領域を露光し、開口率が小さい第２の液浸リソグラフィを用いて低デューティ比領域を露光してもよい。製造コストが増大してしまうが、大きい開口率で高デューティ比領域を露光すると、良好な画像解析度を得ることができる。一方、小さい開口率を用いて低デューティ比領域を露光すると、製造コストを減らすことができる。他の実施形態では、第１の液浸リソグラフィ及び第２の液浸リソグラフィの両方を、例えばステッパー又はスキャナなど、同じ露光ツールで行ってオーバレイの質を維持してもよい。本実施形態において、高デューティ比領域内の線幅／間隔ピッチは、約０．２５μｍ以下であり、低デューティ比領域内の線幅／間隔ピッチは、約０．２５μｍよりも大きい。
【００２６】
第２の露光及び現像を行った後に、図５に示すフォトレジスト層３０４ａ、３０４ｃを除去すると図６に示すような状態となる。
【００２７】
上述の実施形態において注意しなければならないことは、第１の露光は乾式リソグラフィにより行われ、第２の露光は液浸リソグラフィにより行われてもよいという点である。上述の実施形態においてさらに注意しなければならないことは、液浸リソグラフィ及び／又は乾式リソグラフィは付加的な露光により行ってもよいということである。
【００２８】
ここで注意しなければならないことは、本実施形態はフォトリソグラフィ方法１０を利用して様々に応用できるという点である。第２実施形態において、フォトリソグラフィ方法１０は、例えば位相シフトマスク（パッド工程）を用いるホール印刷工程など、アクティブパターン及びダミーパターンの混合パターンへ用いてもよい。このパッド工程は、米国特許第６６６４０１１号明細書において開示されている内容を併せて参照する。
【００２９】
図７Ａを参照する。図７Ａは、本発明の好適な実施形態によるフォトレジストパターン７００を示す平面図である。本実施形態のフォトリソグラフィ方法１０のステップ１６において、先ず第１のマスクで、波長が１９３ｎｍである液浸リソグラフィにより第１の露光を行ってから、フォトレジスト層（図示せず）の現像の後にフォトレジストパターン７００を形成する。図７Ａに示すように、アクティブパターン７０２はダミーパターン７０４により囲まれている。ダミーパターン７０４は、ダミーバー、線端のバーチャルバー、コーナーラウンディングのバーチャルバー、ダミーパッド及び／又はその他のパターンを含んでもよい。
【００３０】
図７Ｂを参照する。フォトリソグラフィ方法１０のステップ１８において、ダミーパターン７０４は、波長が２４８ｎｍのドライリソグラフィにより第２の露光を行って除去してもよい。第２の露光は、第２のマスクで行ったり、マスク無しで行ってもよい。一実施形態において、乾式リソグラフィの光源は、電磁波発生源、光束源及び／又はその他適切な発生源でもよい。ここで注意しなければならないことは、第２の露光は液浸リソグラフィにより行ってもよいという点である。
【００３１】
第３実施形態において、フォトリソグラフィ方法１０は、ブラインドホール工程に適用してもよい。図８Ａは、フォトレジストパターン８００を示す平面図である。フォトレジストパターン８００は、フォトリソグラフィ方法１０のステップ１６において形成され、波長が１９３ｎｍの液浸リソグラフィによりウェーハを露光する。この説明において、フォトレジストパターン８００は、パターン８０２、８０６、８０８を有するが、パターン８０４が不足している（図８Ｂに示す）。フォトリソグラフィ方法１０のステップ１８では、波長が１９３ｎｍの乾式リソグラフィにより第２の露光を行う。当業者であるなら分かるように、一つ以上の中間ステップ（例えば付加的なフォトレジスト層及び／又はその他のステップなど）を行ってもよい。乾式リソグラフィは、マスクの有無を問わない公知の方法を含み、これは電子ビーム露光を含むがこれだけに限定されるわけではない。続いて、現像工程の後に、図８Ｂに示すように所望のパターン８０４を形成する。ここで注意しなければならないことは、第２の露光は、液浸リソグラフィにより行ってもよいという点である。例えば、第１の露光は、波長が１９３ｎｍの液浸リソグラフィであり、第２の露光は、波長が２４８ｎｍの液浸リソグラフィである。
【００３２】
上述の実施形態は、以下のように変化させてもよい。一実施形態において、フォトリソグラフィ方法１０をアクティブパターン及びダミーパターンを含む混合パターンへ適用する場合、アクティブパターンのＣＤは９０ｎｍよりも小さい線幅ＣＤ、１２０ｎｍよりも小さい間隔ＣＤ及び／又は１２０ｎｍよりも小さいホールＣＤを含んでもよい。他の実施形態において、フォトリソグラフィ方法１０は、一つのフォトレジスト層又は複数のフォトレジスト層を含む多重露光工程へ適用してもよい。第３実施形態において、フォトリソグラフィ方法１０は、多重露光を行った後に行う一つのエッチング工程を含む多重露光工程へ適用してもよい。第４実施形態では、一つの露光工程を行った後に、ウェーハへそれぞれ適用する複数のエッチングステップを使用してもよい。第５実施形態では、フォトリソグラフィ方法１０は、例えば線端短縮、少なくとも一つのダミーゲートの除去、欠如パターンの修復、密集パターンと孤立パターンとの間の不均一を低減する効果及び／又はその他の工程など、様々な工程へ適用してもよい。
【００３３】
図９に示すように、図３に示すウェーハ２８は、基板９１０、誘電体層９１４及びＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）層９２０まで拡張してもよい。
【００３４】
基板９１０は、少なくとも一つの絶縁体、導電体及び／又は半導体層を含んでもよい。例えば、基板９１０は、結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン及び／又はゲルマニウムなどの元素半導体、炭化シリコン及び／又はガリウムヒ素などの化合物半導体、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及び／又はＧａＩｎＰなどの合金半導体を含んでもよい。この他、基板９１０はバルクシリコンなどのバルク半導体を含み、バルク半導体はエピタキシャルシリコン層を含んでもよい。また、例えばＳＯＩ（Silicon-On-Insulator）基板又は薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor：ＴＦＴ）基板など、半導体で覆われた絶縁基板（Semiconductor-On-Insulator）を含んでもよい。基板９１０は、多数シリコン構造又は多層化合物半導体構造を含んでもよい。
【００３５】
誘電体層９１４は、基板９１０の表面上に堆積されてもよい。誘電体層９１４は、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＶＤ、スピンコーティング及び／又はその他の工程により形成されてもよい。誘電体層９１４は、ＩＭＤ（Inter-Metal Dielectric）でもよく、低誘電率材料、二酸化ケイ素、ポリイミド、ＳＯＧ（Spin-On-Glass）、フッ素化ケイ酸塩ガラス（Fluoride-Doped Silicate Glass：ＦＳＧ）、アプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッド（Applied Materials Incorporated）の製品であるブラック・ダイアモンド（登録商標）、キセロゲル、エーロゲル、非晶質フッ素化炭素及び／又はその他の材料を含んでもよい。
【００３６】
ＢＡＲＣ層９２０は、スピンコーティング、ＰＶＤ、ＣＶＤ及び／又はその他の工程を含む（しかしこれらだけに限定されるわけではない）様々な技術により誘電体層９１４上に堆積されてもよい。
【００３７】
一実施形態では、ＢＡＲＣ層９２０により、フォトレジスト層３０２の底部を不用意に透過した光を吸収してもよい。ＢＡＲＣ層９２０は、光を吸収する高い吸光係数及び／又は相当の厚みを有する材料を含んでもよい。一方、ＢＡＲＣ層９２０の高い係数によりＢＡＲＣ層の高反射率を得て、ＢＡＲＣ層９２０の有効性を打ち消してもよい。そのため、ＢＡＲＣ層９２０は、約０．２から０．５の間の係数値と、約２００ｎｍの厚みを有することが分かる。また、ここで注意しなければならないことは、本発明の係数値及び厚みは、その他の範囲でもよい点である。
【００３８】
この他、ＢＡＲＣ層９２０には値整合アプローチを任意に応用してもよい。この場合、ＢＡＲＣ層９２０は、これらの光に合致する屈折率及び厚みを有する材料を含んでもよい。ＢＡＲＣ層９２０に光が照射されると、その一部は反射され、その残りはＢＡＲＣ層９２０へ入り、位相がシフトした光に変換され、ＢＡＲＣ層９２０から反射された光の第１の部分と干渉し、光反射率を減らす。
【００３９】
ＢＡＲＣ層９２０は、所望の結果を得るため、光吸収及び値整合アプローチの両方を利用してもよい。また他の実施形態では、ＢＡＲＣ層９２０の除去が困難である場合、誘電体層９１４上にＢＡＲＣ層９２０だけを残し、ウェーハ１８の拡散障壁にしてもよい。
【００４０】
そして、フォトレジスト層を堆積した後、ウェーハ２８は、ソフトベーキング及び二重露光工程（フォトリソグラフィ方法１０において既に述べた。）を行う。
【００４１】
その後、付加的な工程により半導体デバイスを完成させることができる。これら付加的な工程は、この発明の属する技術分野における通常の知識を有する者なら分かるため、ここでは繰り返して述べない。
【００４２】
本発明では好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知するものなら誰でも、本発明の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って本発明の保護の範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態によるフォトリソグラフィの方法を示す流れ図である。
【図２】本発明の実施形態によるフォトリソグラフィシステムを示す模式図である。
【図３】本発明の実施形態によるフォトリソグラフィシステムの選択された構成要素を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態によるフォトリソグラフィシステムの選択された構成要素を示す模式図である。
【図５】本発明の実施形態によるフォトリソグラフィシステムの選択された構成要素を示す模式図である。
【図６】本発明の実施形態によるフォトリソグラフィシステムの選択された構成要素を示す模式図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態によるフォトレジストパターンを示す模式図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態によるフォトレジストパターンを示す模式図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態によるフォトレジストパターンを示す模式図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態によるフォトレジストパターンを示す模式図である。
【図９】本発明の実施形態によるウェーハを示す模式図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  フォトリソグラフィ方法
２０  フォトリソグラフィシステム
２１  光源
２２  コンデンサ
２３  光束
２４  マスク
２４ａ  クロム層
２５  光束
２６  投射レンズ
２７  光束
２８  ウェーハ
２８’  ウェーハ
３０２  フォトレジスト層
３０４ａ  フォトレジスト層
３０４ｂ  フォトレジスト層
３０４ｃ  フォトレジスト層
３０８  液膜
４０２  マスク
４０２ａ  クロム層
７００  フォトレジストパターン
８００  フォトレジストパターン
７０２  アクティブパターン
７０４  ダミーパターン
８０２  パターン
８０６  パターン
８０８  パターン
８０４  所望のパターン
９１０  基板
９１４  誘電体層
９２０  ＢＡＲＣ層
【図１】
2007067376.tif 000003
【図２】
2007067376.tif 000004
【図３】
2007067376.tif 000005
【図４】
2007067376.tif 000006
【図５】
2007067376.tif 000007
【図６】
2007067376.tif 000008
【図７Ａ】
2007067376.tif 000009
【図７Ｂ】
2007067376.tif 000010
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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