(57)【要約】【課題】透明電極との境界領域の反射電極の斜面の反射による黒輝度の低下を低減する。【解決手段】画素は、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の外部から入射する光を第２の絶縁基板側に通過させる透明電極ＴＰＸで構成された透過領域と、第２の絶縁基板側から入射する光を該第２の絶縁基板側に反射させる金属膜からなる反射電極ＲＰＸで構成された反射領域とを有する。反射電極ＲＰＸは透明電極ＴＰＸの上面の一部を覆って積層されており、この反射電極の矢印Ａで示す斜面の表面に可視光線を散乱する微小な凹凸ＲＳを設けた。この微小な凹凸ＲＳにより、反射率を低下させる。透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸを覆って配向膜ＯＲＩ１が覆われている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の主面にマトリクス配置された複数の画素と、第２の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記画素のそれぞれは、前記第１の絶縁基板の外部から入射する光を前記第２の絶縁基板側に通過させる透明電極で構成された透過領域と、前記第２の絶縁基板側から入射する光を該第２の絶縁基板側に反射させる金属膜からなる反射電極で構成された反射領域とを有し、
前記第１の絶縁基板は第１の配向膜を有し、前記第２の絶縁基板は第２の配向膜を有し、
前記反射領域を構成する前記反射電極は、前記透過領域を構成する前記透明電極の上面の一部を覆って積層されており、
前記反射電極は斜面を有し、前記斜面の表面に可視光線を散乱する微小な凹凸を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射電極の上に柱状スペーサを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記凹凸の高さが可視光線の波長の１０分の１以上、前記反射電極の膜厚以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記可視光線の波長を４００ｎｍ〜８００ｎｍとしたとき、前記凹凸の高さが４０ｎｍ以上、前記反射電極の膜厚以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかにおいて、
前記第１基板に形成された前記画素ごとに、前記透明電極および前記反射電極に映像信号を供給する薄膜トランジスタを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の主面にマトリクス配置された複数の画素と、第２の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の絶縁基板に、透明電極膜を成膜し、前記画素の透過領域を構成する透明電極としてパターニングする透明電極形成工程と、
前記透明電極の上に金属膜からなる反射電極膜を成膜し、前記透明電極と一部で重畳し、前記画素の反射領域を構成する反射電極としてパターニングする反射電極形成工程と、
前記透明電極と前記反射電極とを覆って前記反射電極とは異なる金属膜を成膜し、前記反射電極の斜面を除く前記反射電極の上層に前記反射電極とは異なる金属膜を残してキャップ層としてパターニングするキャップ層形成工程と、
前記反射電極の前記斜面の表面にエッチング処理を施して微小な凹凸を形成する凹凸形成工程と、
前記キャップ層を除去して前記反射電極を露呈させるキャップ層除去工程と、
前記透明電極および前記反射電極を含む前記第１の絶縁基板の主面を覆って第１の配向膜を形成し、焼成する第１の配向膜形成工程と、
前記第１の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与する第１のラビング工程と、
前記第２の絶縁基板の表面に第２の配向膜を形成する第２の配向膜形成工程と、
前記第２の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与する第２のラビング工程と、
を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の主面にマトリクス配置された複数の画素と、第２の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の絶縁基板に、透明電極膜を成膜し、前記画素の透過領域を構成する透明電極としてパターニングする透明電極形成工程と、
前記透明電極の上に金属膜からなる反射電極膜を成膜し、前記透明電極と一部で重畳し、前記画素の反射領域を構成する反射電極としてパターニングする反射電極形成工程と、
前記透明電極と前記反射電極とを覆って前記反射電極とは異なる金属膜を成膜し、前記反射電極の斜面を除く前記反射電極の上層に前記反射電極とは異なる金属膜を残してキャップ層としてパターニングするキャップ層形成工程と、
前記透明電極および前記反射電極および前記キャップ層を覆って感光性レジストを塗布し、ホトマスクを用いて前記キャップ層上の一部の感光性レジストを残して他の部分の感光性レジストを現像により除去することで、前記残された感光性レジストでスペーサを形成すると共に前記反射電極の前記斜面に前記現像液による微小な凹凸を形成するスペーサおよび凹凸形成工程と、
前記スペーサと前記反射電極との間を除いて前記キャップ層を除去して前記反射電極を露呈させるキャップ層除去工程と、
前記透明電極と前記反射電極と前記スペーサとを含む前記第１の絶縁基板の主面を覆って第１の配向膜を形成する第１の配向膜形成工程と、
前記第１の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与するラビング工程と、
前記第２の絶縁基板に第２の配向膜樹脂を形成する第２の配向膜形成工程と、
前記第２の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与するラビング工程と、
を含む液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に反射画像のコントラストを向上させて高品質の画像表示を可能とした半透過反射型の液晶表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は自発光型ではないので、作成した電子潜像を可視光により可視化してその観察面に顕像化する。明るい屋外のような外光の多い環境と夜間や屋内のような外光が無いか、あるいは少ない環境で使用される携帯電話機やＰＤＡなどでは、そのディスプレイに半透過反射型の液晶表示装置が多く採用されている。このような半透過反射型の液晶表示装置は、観察側から入射する外光を電子潜像で変調して同観察側に反射させ、あるいは背面から入射する光の透過量を変調して同観察側に透過させるようにしている。このような反射型と透過型の機能を兼ね備えた液晶表示装置を半透過反射型の液晶表示装置と称している。
【０００３】
このような半透過反射型の液晶表示装置に関する従来技術を開示したものとしては、特許文献１を挙げることができる。
【特許文献１】特開２００４−２７１７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１０は、半透過反射型の液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ基板の１画素を説明する要部断面図である。この液晶表示装置は、第１の絶縁基板としてのガラス基板ＳＵＢ１の主面に薄膜トランジスタＴＦＴが作り込まれている。この薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、シリコン半導体層ＡＳ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２で構成される。ドレイン電極ＳＤ２はドレイン配線（データ線）ＤＬに接続し、ソース電極ＳＤ１は画素電極に接続している。なお、ソース電極とドレイン電極とは動作中に入れ替わるが個々では図示のように固定して説明する。薄膜トランジスタＴＦＴは第１の保護膜ＰＡＳ１および第２の保護膜ＰＡＳ２で覆われている。
【０００５】
図１０では、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１は、ＩＴＯを好適とする透明電極ＴＰＸにその一部の上部で接続し、これらソース電極ＳＤ１と透明電極ＴＰＸの接続部分の上部に重畳して反射電極ＲＰＸが接続している。この反射電極ＲＰＸは、アルミニウムなどの反射性金属膜で構成される。そして、透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸとを覆っては配向膜ＯＲＩ１が塗布され、ラビング処理で液晶配向制御能が付与される。なお、この薄膜トランジスタ基板側に柱状スペーサを設けたものでは、透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸと共にこの柱状スペーサ（ＳＯＣと称する）を含めた薄膜トランジスタ基板の最上部に配向膜が塗布される。
【０００６】
このような薄膜トランジスタ基板では、画素電極（ＴＰＸとＲＰＸ）のうちの透明電極ＴＰＸのみの領域が透過領域ＴＡＲ、反射電極ＲＰＸの部分が反射領域ＲＡＲとなる。反射電極ＲＰＸの端部は、概して斜面になっている。また、ＲＰＸの端部以外でも保護膜ＰＡＳ２の斜面の上のＲＰＸも斜面となっている。
【０００７】
図１０に示したように、薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１の配向膜塗布面には段差（斜面）があり、これを覆って塗布された配向膜ＯＲＩ１もこの段差に倣った表面形状をもつものとなる。この配向膜ＯＲＩ１に液晶配向制御能を付与するラビング処理では、矢印Ａで示したような部分では、反射電極ＲＰＸの端部の配向膜ＯＲＩ１には、ラビング布の毛先が十分に届かない。そのため、このような部分の配向膜ＯＲＩ１は液晶に対する初期配向が不十分となって、液晶の配向を乱してしまう。矢印Ａで示した部分は反射領域ＲＡＲのエッジ部分であり、黒表示時の黒輝度が高く（反射率が高く）なって反射表示画像のコントラストを低下させる。
【０００８】
本発明の目的は、透明電極ＴＰＸとの境界領域の反射電極ＲＰＸの端部の斜面やＰＡＳ２の上の斜面における反射率を低下させて反射表示画像のコントラスト低下を抑制した液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するため、本発明は、反射電極の斜面の表面に微小凹凸を形成することで、この部分の反射率を低下させた。本発明の代表的な構成を記述すれば、次のとおりである。
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の主面にマトリクス配置された複数の画素と、第２の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に封入された液晶とを有する。
【００１１】
前記画素のそれぞれは、前記第１の絶縁基板の外部から入射する光を前記第２の絶縁基板側に通過させる透明電極で構成された透過領域と、前記第２の絶縁基板側から入射する光を該第２の絶縁基板側に反射させる金属膜からなる反射電極で構成された反射領域とを有することを特徴とする。
【００１２】
前記第１の絶縁基板は第１の配向膜を有し、前記第２の絶縁基板は第２の配向膜を有し、
前記反射領域を構成する前記反射電極は、前記透過領域を構成する前記透明電極の上面の一部を覆って積層されている。そして、前記反射電極は斜面を有し、前記斜面の表面に可視光線を散乱する微小な凹凸を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の液晶表示装置は、前記反射電極の上に柱状スペーサを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の液晶表示装置は、前記凹凸の高さが可視光線の波長の１０分の１以上、前記反射電極の膜厚以下であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の液晶表示装置は、前記可視光線の波長を４００ｎｍ〜８００ｎｍとしたとき、前記凹凸の高さが４０ｎｍ以上、前記反射電極の膜厚以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の液晶表示装置は、前記第１基板に形成された前記画素ごとに、前記透明電極および前記反射電極に映像信号を供給する薄膜トランジスタを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板の主面にマトリクス配置された複数の画素と、第２の絶縁基板と、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に封入された液晶とを有する液晶表示装置の製造方法である。
【００１８】
そして、本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記第１の絶縁基板に、透明電極膜を成膜し、前記画素の透過領域を構成する透明電極としてパターニングする透明電極形成工程と、
前記透明電極の上に金属膜からなる反射電極膜を成膜し、前記透明電極と一部で重畳し、前記画素の反射領域を構成する反射電極としてパターニングする反射電極形成工程と、
前記透明電極と前記反射電極とを覆って前記反射電極とは異なる金属膜を成膜し、前記反射電極の斜面を除く前記反射電極の上層に前記反射電極とは異なる金属膜を残してキャップ層としてパターニングするキャップ層形成工程と、
前記反射電極の前記斜面の表面にエッチング処理を施して微小な凹凸を形成する凹凸形成工程と、
前記キャップ層を除去して前記反射電極を露呈させるキャップ層除去工程と、
前記透明電極および前記反射電極を含む前記第１の絶縁基板の主面を覆って第１の配向膜を形成し、焼成する第１の配向膜形成工程と、
前記第１の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与する第１のラビング工程と、
前記第２の絶縁基板の表面に第２の配向膜を形成する第２の配向膜形成工程と、
前記第２の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与する第２のラビング工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記第１の絶縁基板に、透明電極膜を成膜し、前記画素の透過領域を構成する透明電極としてパターニングする透明電極形成工程と、
前記透明電極の上に金属膜からなる反射電極膜を成膜し、前記透明電極と一部で重畳し、前記画素の反射領域を構成する反射電極としてパターニングする反射電極形成工程と、
前記透明電極と前記反射電極とを覆って前記反射電極とは異なる金属膜を成膜し、前記反射電極の斜面を除く前記反射電極の上層に前記反射電極とは異なる金属膜を残してキャップ層としてパターニングするキャップ層形成工程と、
前記透明電極および前記反射電極および前記キャップ層を覆って感光性レジストを塗布し、ホトマスクを用いて前記キャップ層上の一部の感光性レジストを残して他の部分の感光性レジストを現像により除去することで、前記残された感光性レジストでスペーサを形成すると共に前記反射電極の前記斜面に前記現像液による微小な凹凸を形成するスペーサおよび凹凸形成工程と、
前記スペーサと前記反射電極との間を除いて前記キャップ層を除去して前記反射電極を露呈させるキャップ層除去工程と、
前記透明電極と前記反射電極と前記スペーサとを含む前記第１の絶縁基板の主面を覆って第１の配向膜を形成する第１の配向膜形成工程と、
前記第１の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与するラビング工程と、
前記第２の絶縁基板に第２の配向膜樹脂を形成する第２の配向膜形成工程と、
前記第２の配向膜を繊維布で擦って配向制御能を付与するラビング工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２０】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施の形態で説明する構成に限るものではなく、反射電極における其の他の段差等でラビング不足が生じる部分に微小凹凸を設けるなどの構成も本発明の技術思想に含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の図１乃至図７では、透明電極と反射電極の接続部分、あるいは柱状スペーサと反射電極の接続部分のみを示し、保護膜などは簡略に図示してある。
【実施例１】
【００２２】
図１は、本発明の液晶表示装置の実施例１を説明する要部断面図である。この液晶表示装置は、第１の絶縁基板であるガラス基板ＳＵＢ１の主面にＩＴＯで形成した透明電極ＴＰＸと、この透明電極ＴＰＸの一部の上に接続されたアルミニウムＡｌからなる反射電極ＲＰＸが形成されている。反射電極ＲＰＸと透明電極ＴＰＸの接続部分を除いては両電極の間に保護絶縁膜ＰＡＳが形成されている。この保護絶縁膜ＰＡＳは、図１０のＰＡＳ１とＰＡＳ２に相当する。なお、図１０に示されたソース電極ＳＤ１は図示していない。
【００２３】
また、ＩＴＯとアルミニウムＡｌと間の電気的接続を良好にするために、ＩＴＯとＡｌの間にＭｏＷなどの図示しないバリア層を形成することが望ましい。
【００２４】
矢印Ａで示す反射電極ＲＰＸの端部段差（斜面）や保護絶縁膜ＰＡＳの上のＲＰＸの斜面には微小な凹凸ＲＳを形成してある。この微小な凹凸ＲＳは、反射電極ＲＰＸを構成するアルミニウムの当該端部段差の表面のみを荒らすことで形成できる。この微小な凹凸ＲＳは、光の反射率を低下させる効果があり、ラビング不足で液晶配向制御能の付与が十分でないために液晶配向に乱れが生じている反射電極ＲＰＸの端部の黒輝度を低下させる。そして、透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸを覆ってガラス基板ＳＵＢ１の全面に配向膜（薄膜トランジスタ基板側の配向膜）ＯＲＩ１が塗布され、ラビングによる液晶配向制御能が付与されている。これにより、反射表示画像のコントラスト低下が抑制されて、高品質の画像表示を得ることができる。
【００２５】
図２乃至図４は、本発明の実施例１の液晶表示装置の製造方法の説明図である。以下、図２の（Ａ）から図４の（Ｊ）を順に参照して説明する。
【００２６】
第１の絶縁基板としての透明なガラス基板ＳＵＢ１を準備する（図２（Ａ））。このガラス基板ＳＵＢ１の主面にはゲート配線（走査線）、ドレイン配線（データ線）、マトリクス配置される多数の画素回路を構成する薄膜トランジスタ、容量配線等が作り込まれている。このガラス基板ＳＵＢ１の主面に、各画素ごとに有する薄膜トランジスタの出力電極に接続する透明電極膜としてのＩＴＯ膜ＴＰＸ‐Ｆをスパッタリングで成膜する（図２（Ｂ））。
【００２７】
ＩＴＯ膜ＴＰＸ‐Ｆの上に感光性レジストを塗布し、透明電極のパターンを有するホトマスクを用いて露光し、アルカリ現像液で感光性レジストを選択的に除去する。感光性レジストがポジ型の場合は露光部分が除去され、ネガ型の場合は未露光部分が除去される。残ったレジストパターンをマスクとしてエッチング液（例えば蓚酸）を用いてＩＴＯ膜ＴＰＸ‐Ｆをエッチング処理し、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））を用いてレジストを除去する。このプロセスで透明電極ＴＰＸが形成される（図２（Ｃ））。
【００２８】
次に、前記透明電極ＴＰＸの上に金属膜からなる反射電極膜（反射金属膜）ＲＰＸ‐Ｆをスパッタリングで成膜する。この金属膜にはアルミニウム（Ａｌ）を用いた。その膜厚は、本実施例では１５０ｎｍとした（図２（Ｄ））。この反射電極膜ＲＰＸ‐Ｆをパターニングし、透明電極ＴＰＸの上に金属膜からなる反射電極膜ＲＰＸ‐Ｆを成膜し、透明電極ＴＰＸと一部で重畳し、画素の反射領域を構成する反射電極ＲＰＸとしてパターニングする。（図２（Ｅ））。このパターニングは、概して透明電極ＴＰＸと同様の方法で行うが、金属膜のエッチングには、りん酸を含有する溶液を用いる。
【００２９】
透過領域の透明電極ＴＰＸと反射領域を形成する反射電極ＲＰＸを覆って該反射電極ＲＰＸとは異なる金属膜ＣＰＬ-Ｆを成膜し（図３（Ｆ））、前記反射電極ＲＰＸの端部段差を除く上層に前記反射電極ＲＰＸとは異なる金属膜ＣＰＬ-Ｆを残してキャップ層ＣＰＬとしてＲＰＸのパターニングをする。すなわち、反射電極ＲＰＸの上部に略々一致する部分を残して、反射電極ＲＰＸの斜面部分と透明電極ＴＰＸの部分の上にある金属膜ＣＰＬ-Ｆを除去する（図３（Ｇ））。実施例１では、この金属膜ＣＰＬ-Ｆに、反射電極ＲＰＸとは異なる金属であるＭｏＷを用い、スパッタリングで成膜した。キャップ層ＣＰＬは耐エッチング保護膜として機能する。
【００３０】
次に、反射電極ＲＰＸの斜面の表面をエッチング処理することにより、表面に微小な凹凸ＲＳが形成される。保護絶縁膜ＰＡＳの斜面の上の反射電極ＲＰＸの斜面も同様に処理される（図３（Ｈ））。このエッチング処理にはアルカリ溶液を用いた。反射電極ＲＰＸの斜面の表面をエッチング処理後、りん酸を含有する溶液を用いてキャップ層ＣＰＬを除去する（図４（Ｉ））。
【００３１】
透明電極ＴＰＸおよび反射電極ＲＰＸを含む第１の絶縁基板ＳＵＢ１の主面を覆って配向膜（薄膜トランジスタ基板側の配向膜）ＯＲＩ１を塗布し、２３０℃で１０分間焼成した後、ナイロン繊維布で擦って（ラビングして）液晶配向制御能を付与する（図４（Ｊ））。
【００３２】
配向膜ＯＲＩ１をラビングする際、透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸが接続する部分の反射電極ＲＰＸの端部段差の近傍にはラビング布の毛先が十分に触れない。そのため、この部分の基板近傍には十分な液晶配向制御能が付与されない。その結果、この部分の液晶の配向に乱れが生じるが、実施例１のように、この端部段差の表面（斜面）に微小な凹凸ＲＳを形成したことで、反射率が低下し、黒表示時の輝度が抑えられ、反射表示でのコントラスト低下が抑制され、高画質の表示が得られる。保護絶縁膜ＰＡＳの上の反射電極ＲＰＸの斜面も同様に処理される。尚、保護絶縁膜ＰＡＳ等の形成工程などは説明を省略した。
【実施例２】
【００３３】
図５は、本発明の液晶表示装置の実施例２を説明する要部断面図である。この液晶表示装置は、第１の絶縁基板であるガラス基板ＳＵＢ１の主面に透明電極ＴＰＸと、この透明電極ＴＰＸの一部の上に接続された反射電極ＲＰＸが形成されている構成は実施例１と同じである。実施例２では、反射電極ＲＰＸの一部上に柱状スペーサＳＯＡが形成されている。柱状スペーサＳＯＡの下層で反射電極ＲＰＸの上に、反射電極ＲＰＸを形成する金属であるアルミニウム（Ａｌ）とは異なる金属としてモリブデン・タングステン（ＭｏＷ）のキャップ層ＣＰＬが介在している。そして、反射電極ＲＰＸの端部段差（斜面）および保護絶縁膜ＰＡＳの斜面の表面（矢印Ａで示した斜面部分）に微小な凹凸ＲＳが形成されている。
【００３４】
キャップ層ＣＰＬは反射電極ＲＰＸの斜面の表面に上記した微小な凹凸を形成するためのエッチング処理で当該反射電極ＲＰＸの主要反射面である上面をエッチングから保護するために成膜された耐エッチング保護膜として機能するものである。このエッチング処理を施した後に、上記主要反射面である上面にあるキャップ層ＣＰＬを除去することで柱状スペーサＳＯＡで隠された部分を残してキャップ層ＣＰＬが除去される。
【００３５】
この微小な凹凸ＲＳは、反射電極ＲＰＸを構成するアルミニウムの当該端部などの表面（斜面）のみを荒らすことで形成できる。この微小な凹凸ＲＳは、実施例１と同様に、光の反射率を低下させる効果があり、ラビング不足で液晶配向制御能の付与が十分でないために液晶配向に乱れが生じている反射電極ＲＰＸの端部などの黒輝度を低下させる。これにより、反射表示画像のコントラスト低下が抑制されて、高品質の画像表示を得ることができる。
【００３６】
図６と図７は、本発明の実施例２の液晶表示装置の製造方法の説明図である。以下、図６の（Ａ）から図７の（Ｅ）を順に参照して説明する。実施例２の製造方法は、実施例１における図３の（Ｇ）までは同じである。図６の（Ａ）は図３の（Ｇ）に相当する。
【００３７】
反射電極ＲＰＸの端部段差などを露出させた状態で、全面に感光性レジストＰＲを塗布する（図６の（Ｂ））。所定のパターンを有するホトマスクを用いて露光し、アルカリ現像液で現像して柱状スペーサＳＯＡの部分の感光性レジストＰＲを残す（図６の（Ｃ））。この現像プロセスにおいて、キャップ層ＣＰＬから露出した反射電極ＲＰＸの端部段差（斜面）などがアルカリ現像液によって荒され、微小な凹凸ＲＳが形成される。
【００３８】
その後、反射電極ＲＰＸの上面にあるキャップ層ＣＰＬを柱状スペーサＳＯＡの下層を除いて除去する。この除去は、実施例１のプロセスと同様に、りん酸を含有する溶液を用いたエッチングで行う（図７の（Ｄ））。
【００３９】
透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸと柱状スペーサＳＯＡとを覆ってガラス基板ＳＵＢ１の主面の全域に配向膜ＯＲＩ１を塗布し、実施例１と同様に、ラビング処理で液晶配向制御能を付与する（図７の（Ｅ））。実施例２では、柱状スペーサＳＯＡの形成と反射電極ＲＰＸの端部段差などへの微小な凹凸ＲＳの形成を兼ねることでプロセスが簡略化される。
【００４０】
配向膜ＯＲＩ１をラビングする際、透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸが接続する部分の反射電極ＲＰＸの端部段差の近傍などにはラビング布の毛先が十分に触れない。そのため、この部分の基板近傍には十分な液晶配向制御能が付与されない。その結果、この部分の液晶の配向に乱れが生じるが、実施例２のように、この端部段差の表面（斜面）などに微小な凹凸ＲＳを形成したことで、反射率が低下し、黒表示時の輝度が抑えられ、反射表示でのコントラスト低下が抑制され、高画質の表示が得られる。
【００４１】
以上の実施例において説明したように、反射電極の端部段差（エッジ部）などの斜面に微小な凹凸を設けることによって、当該斜面などにおける反射率を低下させることができる。可視光線の波長を４００ｎｍ〜８００ｎｍとすれば、微小な凹凸の高さが４０ｎｍよりも小さい場合、すなわち、ほとんど平坦な場合は、あまり散乱が生じないため、反射率を低下させる効果が低い。微小な凹凸の高さが４０ｎｍ〜８０ｎｍの場合はレーリー散乱(Rayleigh scattering)によって散乱が生じ、反射率を低下させることができる。尚、凹凸の高さが８０nm以上の場合でも、光は正面には反射せずに別の方向へ散乱されるので、反射率を低下させることができる。
【００４２】
したがって、反射電極の端部段差において、微小な凹凸の高さが４０ｎｍ以上のものが含まれていれば、反射率を低下させることができる。尚、全ての凹凸の高さが４０ｎｍ以上のものである必要はなく、一部に高さが４０ｎｍより小さい凹凸が含まれていたとしても、一部に凹凸の高さが４０ｎｍ以上のものが含まれていれば反射率を低下させる効果を生じさせることが可能である。
【００４３】
また、微小な凹凸を形成する場合に、反射電極が部分的に除去されて、反射電極の膜厚と同じ高さの凹凸が形成される場合があるが、その場合でも反射率を低下させる効果がある。したがって、この凹凸の高さの上限は、反射電極の膜厚と同じである。反射率を低下させる観点からは、凹凸の高さが４０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲のものが多く含まれていることが望ましい。
【００４４】
反射電極の膜厚は、量産性や配向膜形成の観点から、１００ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲であることが好ましい。該反射電極の膜厚が１００ｎｍより小さい場合は、反射特性が良好ではなく、350ｎｍより大きい場合は、配向膜の段差が大きくなりすぎるからである。実施例では、特に好ましい数値として、２００ｎｍ(Ａ１：１５０ｎｍ／ＭｏＷ：５０ｎｍ)を例示した。尚、反射電極の上に絶縁膜（例えば、有機絶縁膜や無機絶縁膜）や他の導電膜を形成することにより平坦化する場合には、膜厚の上限は３５０ｎｍには制限されず、反射電極の膜厚は１００ｎｍ〜１０００ｎｍであっても構わない。
【００４５】
図８は、本発明の液晶表示装置の配線構造例を説明する薄膜トランジスタ基板の模式平面図である。薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１の主面には、Ｘ方向に複数の走査線（ゲート配線）ＧＬとＹ方向に複数のドレイン配線（データ線）ＤＬが形成され、また容量線ＹＬも形成されている。データ線ＤＬとゲート配線ＧＬの交差部に対応して図示しない薄膜トランジスタが形成されている。ゲート配線ＧＬはゲートドライバ（ゲート線駆動回路）ＧＤrで選択され、データ線ＤＬはドレインドライバ（ドレイン線駆動回路）ＤＤrにより表示データが供給される。
【００４６】
図９は、液晶表示装置全体の構成例を模式的に説明する展開斜視図である。薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）ＳＵＢ１の主面には薄膜トランジスタ回路を用いたマトリクス配列の複数の画素を構成する画素電極ＰＸ、画素のマトリクス配列領域（表示領域）の周囲に実装されたゲートドライバＧＤ、ドレインドライバＤＤおよび付属回路ＣＩＲが形成されている。この表示領域を含む最表面を覆ってＴＦＴ基板側配向膜ＯＲＩ１が成膜されている。画素電極ＰＸは、前記した透明電極ＴＰＸと反射電極ＲＰＸで構成されるが、図９では画素電極ＰＸとしてまとめて記載してある。
【００４７】
カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）ＳＵＢ２の主面には対向電極（この方式では共通電極とも称する）ＣＴと遮光膜（ブラックマトリクス）で区画されたカラーフィルタＣＦが形成され、前記表示領域に対応する領域を含む最表面を覆ってＣＦ基板ＳＵＢ２側の配向膜ＯＲＩ２が成膜されている。そして、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の配向膜ＯＲＩ１とＣＦ基板ＳＵＢ２の配向膜ＯＲＩ２の間に液晶ＬＣが封入されてシールＳＬで封止されている。
【００４８】
なお、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の外面、およびＣＦ基板ＳＵＢ２の外面には、それぞれ偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が積層されている。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の背面には、透過表示のための補助照明装置であるバックライトＢＬが設置されている。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１を説明する要部断面図である。
【図２】本発明の実施例１の液晶表示装置の製造方法の説明図である。
【図３】本発明の実施例１の液晶表示装置の製造方法の図２に続く説明図である。
【図４】本発明の実施例１の液晶表示装置の製造方法の図３に続く説明図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の実施例２を説明する要部断面図である。
【図６】本発明の実施例２の液晶表示装置の製造方法の説明図である。
【図７】本発明の実施例２の液晶表示装置の製造方法の図６に続く説明図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の配線構造例を説明する薄膜トランジスタ基板の模式平面図である。
【図９】液晶表示装置全体の構成例を模式的に説明する展開斜視図である。
【図１０】半透過反射型の液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ基板の１画素を説明する要部断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
ＳＵＢ１・・・第１の絶縁基板であるガラス基板、ＴＰＸ・・・ＩＴＯで形成した透明電極、ＲＰＸ・・・アルミニウムＡｌからなる反射電極、ＰＡＳ・・・保護膜、ＲＳ・・・微小な凹凸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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