(57)【要約】【課題】駆動電圧が低い発光素子の提供すること、更には駆動電圧が低く、高発光効率の発光素子を提供すること。【解決手段】一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、有機化合物層に下記一般式（I）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。【化３９】2007266598.tif 000041  式中、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ不飽和の六員環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子を表し、該原子は置換可能な場合、置換基を有していてもよい。Ｒ１は置換基を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、有機化合物層に下記一般式（I）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2007266598.tif 000032
式中、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ不飽和の六員環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子を表し、該原子は、必要により水素原子または置換基を有する。不飽和の六員環における結合は単結合または二重結合を表す。Ｒ１は置換基を表す。
【請求項２】
前記一般式（I）が、下記一般式（II−a）、一般式（II−b）および一般式（II−c）のいずれかで表されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2007266598.tif 000033
式中、R２、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は水素原子あるいは置換基を表す。R２、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R2とR3、R3とR4、R４とR5、R５とR6、R6とR7、R7とR8、R８とR9およびR9とR10が互いに結合し、環を形成してもよい。
【化３】
2007266598.tif 000034
式中、X1、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は炭素原子とともに不飽和のヘテロ環骨格を形成するのに必要な炭素あるいは窒素から選択される原子群を表す。炭素原子とX1、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４とで構成される不飽和のヘテロ環は、必要により水素原子または置換基を有する。R6、R7、R8、R9およびR10は一般式（II−a）におけるR6、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表す。不飽和のヘテロ環における結合は単結合または二重結合を表す。
【化４】
2007266598.tif 000035
式中、Q2は炭素原子とともに不飽和のヘテロ環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子群を表す。炭素原子とQ2とで構成される不飽和のヘテロ環は、必要により水素原子または置換基を有する。R2、R3、R4およびR5は一般式（II−a）におけるR2、R3、R4およびR5と同じ意味を表す。不飽和のヘテロ環における結合は単結合または二重結合を表す。
【請求項３】
前記一般式（I）において、Z1、Z2、Z3およびZ4が炭素原子あるいは窒素原子であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記一般式（II−a）が下記一般式（III）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【化５】
2007266598.tif 000036
式中、R11、R12、R13、R14、R15は水素原子あるいは置換基を表す。R11、R12、R13、R14、R15が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R3とR15、R11とR12、R12とR13、R13とR14およびR14とR15は互いに結合し、環を形成してもよい。R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は、一般式（II−a）におけるR3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表す。
【請求項５】
前記一般式（III）が下記一般式（IV）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【化６】
2007266598.tif 000037
式中、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25は水素原子あるいは置換基を表す。R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R14とR16、R7とR25、R16とR17、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R21とR22、R22とR23、R23とR24およびR24とR25が互いに結合し、環を形成してもよい。R3、R4、R5、R7、R8、R9およびR10は、一般式（III）におけるR3、R4、R5、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表し、R11、R12、R13およびR14は、一般式（III）におけるR11、R12、R13およびR14と同じ意味を表す。
【請求項６】
前記一般式（III）が下記一般式（Ｖ）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【化７】
2007266598.tif 000038
式中、R26, R27, R28、R29, R30,R31、R32, R33, R34、R35, R36,R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43は水素原子あるいは置換基を表す。R26, R27, R28、R29, R30, R31、R32, R33, R34、R35, R36, R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。ただし、R26とR27、R26とR43、R26とR39, R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33、R33とR34、R33とR38、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R37とR38、R39とR40、R40とR41、R41とR42、R42とR43が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は一般式（III）におけるR4と同じ意味を表す。
【請求項７】
前記一般式（III）が下記一般式（VI）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【化８】
2007266598.tif 000039
式中、R44, R45, R48およびR49は水素原子あるいは置換基を表す。R44, R45, R48およびR49が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよく、R44とR45、R48とR49が互いに結合し、環を形成してもよい。R46およびR47は水素原子あるいは置換基を表す。R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。ただしR27、R28、R29、R30、R31、R32、R46およびR47が置換基を表す場合、R32とR44、R32とR45、R44とR46、R45とR46、R47とR48、R47とR49、R49とR27、R27とR48が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は一般式（III）におけるR4と同じ意味を表す。R27、R28、R29、R30、R31およびR32は一般式（V）におけるR27、R28、R29、R30、R31およびR32と同じ意味を表す（即ち、R27、R28、R29、R30、R31およびR32は水素原子または置換基を表し、R27、R28、R29、R30、R31およびR32が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32が互いに結合し縮環を形成することはない。）。
【請求項８】
前記一般式（III）が下記一般式（VII）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子
【化９】
2007266598.tif 000040
式中、R50, R51, R52、R53,およびR54は水素原子あるいは置換基を表す。R50, R51, R52、R53,およびR54が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R50とR51、R51とR52、R52とR53、R53とR54が互いに結合し縮環を形成することはない。R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32およびR33は一般式（V）におけるR26、R27、R28、R29、R30、R31、R32およびR33と同じ意味を表す（即ち、式中、R26, R27, R28、R29, R30,R31、R32およびR33は水素原子あるいは置換基を表し、R26, R27,R28、R29, R30, R31、R32、およびR33が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R26とR27、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33が互いに結合し縮環を形成することはない）。R46およびR47は一般式（VI）におけるR46およびR47と同じ意味を表す（即ち、R46およびR47は水素原子または置換基を表し、R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R46とR33、R47とR26が互いに結合し縮環を形成することはない。）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子、特に有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう）は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されており研究開発が活発であるが、耐久性、発光効率、駆動電圧の低減など、さらなる改良が求められている。発光材料に関してはフェニルピリジン白金錯体やフェノキシピリジン白金錯体などの４座配位白金錯体（特許文献１、２、３参照）などのりん光発光材料を含有する素子が高い効率を示し、着目されている。さらなる耐久性、発光効率、駆動電圧を低減させるために、これらのりん光発光材料と組み合わせるホスト材料、特に電子輸送性のホスト材料の開発が強く望まれていた。シアノ基は強い電子求引性の置換基であり、最低非占有分子軌道（LUMO）のエネルギーを低下させ電子親和力を大きくするのに有効な置換基である。芳香族化合物にシアノ基を置換した例として、たとえばパーフルオロトリスフェニルベンゾニトリル化合物およびその製造方法が特許文献４に開示されているが、有機電界発光素子に適用した具体例については記載されていない。
また、特許文献５（特開2006-135160号公報（2006/5/25公開））には、中心ベンゼン環に置換または無置換のアリール基または芳香族へテロ環基が五置換された化合物が開示されているが、シアノ基の効果について言与されたものではない。
更に、特許文献６、特許文献７においては、具体的化合物例にシアノ基を有する芳香族化合物が開示されているが、縮合多環芳香族、縮合多環複素環が置換していることに特徴がありシアノ基を有する芳香族化合物の効果については言及されていない。また発光効率についても言及されていなかった。
【特許文献１】国際公開特許第０５／０４２５５０号パンフレット
【特許文献２】国際公開特許第０５／０４２４４４号パンフレット
【特許文献３】国際公開特許第０４／１０８８５７号パンフレット
【特許文献４】特開２００５−２５５５３１号公報
【特許文献５】特開２００６−１３５１６０号公報（2006/5/25公開）
【特許文献６】特開２００３−１０5３３２号公報
【特許文献７】特開２００２−３２９５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、駆動電圧が低い発光素子を提供することであり、更には駆動電圧が低く、高発光効率の発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題は下記手段によって達成された。すなわち
（１）一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、有機化合物層に下記一般式（I）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
【０００５】
【化１０】
2007266598.tif 000002
【０００６】
式中、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ不飽和の六員環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子を表し、該原子は、必要により水素原子または置換基を有する。不飽和の六員環における結合は単結合または二重結合を表す。Ｒ１は置換基を表す。
（２）前記一般式（I）が、下記一般式（II−a）、一般式（II−b）および一般式（II−c）のいずれかで表されることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子。
【０００７】
【化１１】
2007266598.tif 000003
【０００８】
式中、R２、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は水素原子あるいは置換基を表す。R２、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R2とR3、R3とR4、R４とR5、R５とR6、R6とR7、R7とR8、R８とR9およびR9とR10が互いに結合し、環を形成してもよい。
【０００９】
【化１２】
2007266598.tif 000004
【００１０】
式中、X1、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は炭素原子とともに不飽和のヘテロ環骨格を形成するのに必要な炭素あるいは窒素から選択される原子群を表す。炭素原子とX1、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４とで構成される不飽和のヘテロ環は、必要により水素原子または置換基を有する。R6、R7、R8、R9およびR10は一般式（II−a）におけるR6、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表す。不飽和のヘテロ環における結合は単結合または二重結合を表す。
【００１１】
【化１３】
2007266598.tif 000005
【００１２】
式中、Q2は炭素原子とともに不飽和のヘテロ環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子群を表す。炭素原子とQ2とで構成される不飽和のヘテロ環は、必要により水素原子または置換基を有する。R2、R3、R4およびR5は一般式（II−a）におけるR2、R3、R4およびR5と同じ意味を表す。不飽和のヘテロ環における結合は単結合または二重結合を表す。
（３）前記一般式（I）において、Z1、Z2、Z3およびZ4が炭素原子あるいは窒素原子であることを特徴とする上記（１）に記載の有機電界発光素子。
（４）前記一般式（II−a）が下記一般式（III）で表されることを特徴とする上記（２）に記載の有機電界発光素子。
【００１３】
【化１４】
2007266598.tif 000006
【００１４】
式中、R11、R12、R13、R14、R15は水素原子あるいは置換基を表す。R11、R12、R13、R14、R15が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R3とR15、R11とR12、R12とR13、R13とR14およびR14とR15は互いに結合し、環を形成してもよい。R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は、一般式（II−a）におけるR3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表す。
（５）前記一般式（III）が下記一般式（IV）で表されることを特徴とする上記（４）に記載の有機電界発光素子。
【００１５】
【化１５】
2007266598.tif 000007
【００１６】
式中、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25は水素原子あるいは置換基を表す。R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R14とR16、R7とR25、R16とR17、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R21とR22、R22とR23、R23とR24およびR24とR25が互いに結合し、環を形成してもよい。R3、R4、R5、R7、R8、R9およびR10は、一般式（III）におけるR3、R4、R5、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表し、R11、R12、R13およびR14は、一般式（III）におけるR11、R12、R13およびR14と同じ意味を表す。
【００１７】
（６）前記一般式（III）が下記一般式（V）で表されることを特徴とする上記（４）に記載の有機電界発光素子
【００１８】
【化１６】
2007266598.tif 000008
【００１９】
式中、R26, R27, R28、R29, R30,R31、R32, R33, R34、R35, R36,R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43は水素原子あるいは置換基を表す。R26, R27, R28、R29, R30, R31、R32, R33, R34、R35, R36, R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。ただし、R26とR27、R26とR43、R26とR39, R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33、R33とR34、R33とR38、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R37とR38、R39とR40、R40とR41、R41とR42、R42とR43が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は一般式（III）におけるR4と同じ意味を表す。
【００２０】
（７）前記一般式（III）が下記一般式（VI）で表されることを特徴とする上記（４）に記載の有機電界発光素子。
【００２１】
【化１７】
2007266598.tif 000009
【００２２】
式中、R44, R45, R48およびR49は水素原子あるいは置換基を表す。R44, R45, R48およびR49が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよく、R44とR45、R48とR49が互いに結合し、環を形成してもよい。R46およびR47は水素原子あるいは置換基を表す。R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。
ただしR27、R28、R29、R30、R31、R32、R46およびR47が置換基を表す場合、R32とR44、R32とR45、R44とR46、R45とR46、R47とR48、R47とR49、R49とR27、R27とR48が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は一般式（III）におけるR4と同じ意味を表す。R27、R28、R29、R30、R31およびR32は一般式（V）におけるR27、R28、R29、R30、R31およびR32と同じ意味を表す（即ち、R27、R28、R29、R30、R31およびR32は水素原子または置換基を表し、R27、R28、R29、R30、R31およびR32が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32が互いに結合し縮環を形成することはない。）。
【００２３】
（８）前記一般式（III）が下記一般式（VII）で表されることを特徴とする上記（４）に記載の有機電界発光素子。
【００２４】
【化１８】
2007266598.tif 000010
【００２５】
式中、R50, R51, R52、R53,およびR54は水素原子あるいは置換基を表す。R50, R51, R52、R53,およびR54が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R50とR51、R51とR52、R52とR53、R53とR54が互いに結合し縮環を形成することはない。R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32およびR33は一般式（V）におけるR26、R27、R28、R29、R30、R31、R32およびR33と同じ意味を表す（即ち、式中、R26, R27, R28、R29, R30,R31、R32およびR33は水素原子あるいは置換基を表し、R26, R27,R28、R29, R30, R31、R32、およびR33が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R26とR27、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33が互いに結合し縮環を形成することはない）。R46およびR47は一般式（VI）におけるR46およびR47と同じ意味を表す（即ち、R46およびR47は水素原子または置換基を表し、R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R46とR33、R47とR26が互いに結合し縮環を形成することはない。）。
【００２６】
（９）前記発光層に少なくとも一種の三重項発光材料を含有することを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１０）前記三重項発光材料が白金錯体あるいはイリジウム錯体であることを特徴とする上記（８）に記載の有機電界発光素子。
（１１）前記三重項発光材料が白金錯体であることを特徴とする上記（９）に記載の有機電界発光素子。
（１２）下記一般式（V）で表される化合物。
【００２７】
【化１９】
2007266598.tif 000011
【００２８】
式中、R26, R27, R28、R29, R30,R31、R32, R33, R34、R35, R36,R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43は水素原子あるいは置換基を表す。R26, R27, R28、R29, R30, R31、R32, R33, R34、R35, R36, R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。ただし、R26とR27、R26とR43、R26とR39, R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33、R33とR34、R33とR38、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R37とR38、R39とR40、R40とR41、R41とR42、R42とR43が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は水素原子あるいは置換基を表す。
【００２９】
（１３）下記一般式（VI）で表される化合物。
【００３０】
【化２０】
2007266598.tif 000012
【００３１】
式中、R44, R45, R48およびR49は水素原子あるいは置換基を表す。R44, R45, R48およびR49が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよく、R44とR45R48とR49が互いに結合し、環を形成してもよい。R46およびR47は水素原子あるいは置換基を表す。R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。ただしR27、R28、R29、R30、R31、R32、R46およびR47が置換基を表す場合、R32とR44、R32とR45、R44とR46、R45とR46、R47とR48、R47とR49、R49とR27、R27とR48が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は水素原子あるいは置換基を表す。R27, R28、R29, R30, R31およびR32は水素原子あるいは置換基を表し、R27,R28、R29, R30, R31およびR32が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、が互いに結合し縮環を形成することはない。
【００３２】
（１４）前記一般式（I）、一般式（II-a）、一般式（II-ｂ）、一般式（II-ｃ）、一般式（III）、一般式（IV）、一般式（V）、一般式（VI）および一般式（VII）で表される化合物を含有する層が、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む酸化物からなる層と隣接していることを特徴とする上記（１）〜（１１）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１５）前記一般式（I）、一般式（II-a）、一般式（II-ｂ）、一般式（II-ｃ）、一般式（III）、一般式（IV）、一般式（V）、一般式（VI）および一般式（VII）で表される化合物を含有する層が、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の少なくとも一種を含む層と隣接していることを特徴とする上記（１）〜（１１）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１６）前記一般式（I）、一般式（II-a）、一般式（II-ｂ）、一般式（II-ｃ）、一般式（III）、一般式（IV）、一般式（V）、一般式（VI）および一般式（VII）で表される化合物を含有する層が、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むハロゲン化物からなる層と隣接していることを特徴とする上記（１）〜（１１）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【００３３】
（１７）前記一般式（I）、一般式（II-a）、一般式（II-ｂ）、一般式（II-ｃ）、一般式（III）、一般式（IV）、一般式（V）、一般式（VI）および一般式（VII）で表される最低励起三重項エネルギー準位が65kcal/mol(272.35 kJ/mol)以上、95 kcal/mol(398.05 kJ/mol)以下であることを特徴とする上記（１）〜（１６）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１８）前記一般式（I）、一般式（II-a）、一般式（II-ｂ）、一般式（II-ｃ）、一般式（III）、一般式（IV）、一般式（V）、一般式（VI）および一般式（VII）で表される化合物のガラス転移温度が１１０℃以上、４００℃以下であることを特徴とする上記（１）〜（１７）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の有機電界発光素子は、駆動電圧が低く、高発光効率である。本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター、分析用途等にも適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本明細書において、一般式（I）、（II-a）、（II-ｂ）、（II-ｃ）、（III）、（IV）、（V）、(VI)および（VII）で表される化合物は、「本発明の化合物」と同義で用いる。また本発明の化合物を含有する有機化合物層を有する有機電界発光素子は、「本発明の（発光）素子」と同義で用いる。
本明細書において、本発明の化合物に関して用いられる置換基群Aとは以下のように定義される。
【００３６】
（置換基群A）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシルが挙げられる。）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１０であり、例えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【００３７】
単環のアリール基（例えばフェニルが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【００３８】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、
【００３９】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
【００４０】
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【００４１】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくはフッ素原子が挙げられる）、
【００４２】
シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、オキソ基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、単環のヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよいが、置換基同士が互いに結合し縮合環を形成することはない。
【００４３】
以下に、一般式（I）について詳細に説明する。
【００４４】
一般式（I）において、Z1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれ、シアノ基が結合する炭素原子及びＲ１が結合する炭素原子とともに不飽和の六員環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子を表す。これらの原子は、必要により水素原子または置換基を有する。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる。Z1、Z2、Z3およびZ4を含んで構成される不飽和の六員環が複数の置換基を有する場合、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合し縮環を形成してもよい。Ｒ１は置換基を表し、その具体的な例としては、前記置換基群Aで説明した基と同義である。不飽和の六員環における結合は単結合または二重結合を表す。
【００４５】
次に一般式（I）の好ましい範囲について説明する。一般式（I）において、Z1、Z2、Z3およびZ4は、好ましくは、炭素、窒素、酸素から構成される場合であり、より好ましくは、炭素、窒素から構成される場合であり、さらに好ましくはZ1、Z2、Z3およびZ4で構成される不飽和の環が炭素、窒素から構成され、置換又は無置換のベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環あるいはピリダジン環を表す場合であり、特に好ましくは、Z1、Z2、Z3およびZ4は炭素により構成され、置換又は無置換のベンゼン環を表す場合である。Ｒ１は好ましくは、アリール基あるいはヘテロ環基であり、さらに好ましくはアリール基である。その好ましい例としては、前記置換基群Ａで説明したアリール基の好ましい範囲と同義である。好ましくはZ1、Z2、Z3およびZ4で構成される不飽和の環にR1が四置換されている場合であり、さらに好ましくは三置換されている場合であり、より好ましくは二置換されている場合である。
【００４６】
一般式（I）で表わされる化合物の中でも一般式（II−a）、一般式（II−b）、一般式（II−c）で表わされる化合物が好ましい。
次に、一般式（II−a）について説明する。一般式（II−a）において、R２、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は水素原子あるいは置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる。R２、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよく、R2とR3、R3とR4、R４とR5、R５とR6、R6とR7、R7とR8、R８とR9およびR9とR10が互いに結合し、環を形成してもよい。R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、ニトロ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、ニトロ基である。これらの置換基は更に置換されてもよい。R２、R3、R4およびR5において、好ましくはR２、R3、R4およびR5のうちいずれか三つが置換基を表す場合であり、さらに好ましくは二つが置換基を表す場合であり、より好ましくはいずれか一つが置換基を表す場合である。
【００４７】
次に、一般式（II−b）について説明する。一般式（II−b）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は炭素原子とともに不飽和のヘテロ環骨格を形成するのに必要な炭素あるいは窒素から選択される原子群を表す。炭素原子とＸ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４とで構成される不飽和の環は、必要により水素原子または置換基を有する。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる。不飽和のヘテロ環における結合は単結合または二重結合を表す。
一般式（II−b）において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、好ましくは、炭素、窒素から構成され、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環を表す場合であり、より好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環を表す場合であり、さらに好ましくは炭素原子とＸ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４で構成される不飽和の環が炭素、窒素から構成され、置換又は無置換のピリジン環を表す場合である。R6、R7、R8、R9およびR10は一般式（II−a）におけるR6、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表し、その好ましい範囲も同義である。
【００４８】
次に、一般式（II−c）について説明する。一般式（II−c）において、Ｑ2は炭素原子とともに不飽和のヘテロ環骨格を形成するのに必要な炭素、窒素、硫黄及び酸素から選択される原子群を表す。炭素原子とＱ２とで構成される不飽和のヘテロ環は、必要により水素原子または置換基を有する。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる。不飽和のヘテロ環における結合は単結合または二重結合を表す。
一般式（II−c）において好ましくは、Ｑ２は、炭素、窒素、酸素から構成される場合であり、より好ましくは、炭素、窒素から構成され、５員あるいは６員のヘテロ環が好ましく、さらに好ましくは炭素および窒素から構成されピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピラゾール環、イミダゾール環を形成する場合である。R2、R3、R4およびR5は一般式（II−a）におけるR2、R3、R4およびR5と同じ意味を表し、その好ましい範囲も同義である。
【００４９】
一般式（II−a）としては、一般式（III）で表わされるものがより好ましい。次に、一般式（III）について説明する。
一般式（III）において、R11、R12、R13、R14、R15は水素原子あるいは置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる。R11、R12、R13、R14、R15が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。あるいは、R3とR15、R11とR12、R12とR13、R13とR14およびR14とR15が互いに結合し、環を形成してもよい。R11、R12、R13、R14およびR15は好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、ニトロ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基、ニトロ基である。これらの置換基は更に置換されてもよい。R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は、一般式（II）におけるR3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表し、その好ましい範囲も同義である。R3、R4およびR5において、好ましくはR3、R4およびR5のうちいずれか二つが置換基を表す場合であり、さらに好ましくはいずれか一つが置換基を表す場合である。
【００５０】
一般式（II−a）としては、一般式（IV）で表わされるものがより好ましい。次に、一般式(IV)について説明する。
一般式（IV）において、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25は水素原子あるいは置換基を表す。置換基としては、前記置換基群Ａから選ばれる。R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよく、あるいは、R14とR16、R7とR25、R16とR17、R17とR18、R18とR19、R19とR20、R21とR22、R22とR23、R23とR24およびR24とR25が互いに結合し、環を形成してもよい。R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24およびR25は好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基であり、特に好ましくは水素原子あるいはアリール基である。これらの置換基は更に置換されてもよい。R3、R4、R5、R7、R8、R9およびR10は、一般式（III）におけるR3、R4、R5、R7、R8、R9およびR10と同じ意味を表し、R11、R12、R13およびR14は、一般式（III）におけるR11、R12、R13およびR14と同じ意味を表し、その好ましい範囲も同義である。R3、R4およびR5において、好ましくはR3、R4およびR5のうちいずれか二つが置換基を表す場合であり、さらに好ましくはいずれか一つが置換基を表す場合である。
【００５１】
一般式（II-a）としては、一般式（V）で表されるものがより好ましい。次に一般式（V）について説明する。
一般式（V）において、式中、R26, R27,R28、R29, R30, R31、R32, R33,R34、R35, R36, R37、R38, R39,R40、R41, R42およびR43は水素原子あるいは置換基を表す。置換基としては前記置換基群Aから選ばれる。
R 26, R27,R28、R29, R30, R31、R32, R33,R34、R35, R36, R37、R38, R39,R40、R41, R42およびR43は好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、ヘテロ環基である。R26, R27, R28、R29, R30, R31、R32, R33, R34、R35, R36, R37、R38, R39, R40、R41, R42およびR43が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R26とR27、R26とR43、R26とR39, R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33、R33とR34、R33とR38、R34とR35、R35とR36、R36とR37、R37とR38、R39とR40、R40とR41、R41とR42、R42とR43が互いに結合し縮環を形成することはない。
R4は一般式（III）におけるR4と同じ意味を表し、その好ましい範囲も同義である。
【００５２】
一般式（II-a）としては、一般式（VI）で表されるものがより好ましい。次に一般式（VI）について説明する。
一般式（VI）において、式中、R44、R45、R48およびR49は水素原子あるいは置換基を表す。置換基としては前記置換基群Aから選ばれる。R44、R45、R48およびR49が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよく、また、R44とR45、R48とR49が互いに結合し、環を形成してもよい。R44、R45、R48およびR49は好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアリール基であり、特に好ましくはR44、 R45、R48およびR49がアリール基を表し、R44とR45、R48とR49が互いに結合し、窒素原子とともにカルバゾール環を形成する場合である。R46およびR47は水素原子あるいは置換基を表す。R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。R46およびR47は好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子あるいはアリール基である。ただしR27、R28、R29、R30、R31、R32、R46およびR47が置換基を表す場合、R32とR44、R32とR45、R44とR46、R45とR46、R47とR48、R47とR49、R49とR27、R27とR48が互いに結合し縮環を形成することはない。R4は一般式（III）におけるR4と同じ意味を表し、その好ましい範囲も同義である。R27、R28、R29、R30、R31およびR32は一般式（V）におけるR27、R28、R29、R30、R31およびR32と同じ意味を表し（即ち、R27、R28、R29、R30、R31およびR32は水素原子または置換基を表し、、R27、R28、R29、R30、R31およびR32が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32が互いに結合し縮環を形成することはない。）、その好ましい範囲も同義である。
【００５３】
一般式（II-a）としては、一般式（VII）で表されるものがより好ましい。次に一般式（VII）について説明する。
式中、R50, R51,R52、R53,およびR54は水素原子あるいは置換基を表す。置換基としては前記置換基群Aから選ばれる。R50, R51, R52、R53,およびR54は好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、ヘテロ環基である。R50, R51, R52、R53,およびR54が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R50とR51、R51とR52、R52とR53、R53とR54が互いに結合し縮環を形成することはない。R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32およびR33は一般式（V）におけるR26、R27、R28、R29、R30、R31、R32およびR33と同じ意味を表し（即ち、式中、R26, R27, R28、R29, R30, R31、R32およびR33は水素原子あるいは置換基を表し、R26, R27, R28、R29, R30, R31、R32、およびR33が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R26とR27、R27とR28、R28とR29、R30とR31、R31とR32、R32とR33が互いに結合し縮環を形成することはない。）、その好ましい範囲も同義である。R46およびR47は一般式（VI）におけるR46およびR47と同じ意味を表す。（即ち、R46およびR47は水素原子または置換基を表し、R46およびR47が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよいが、R46とR33、R47とR26が互いに結合し縮環を形成することはない。）R46およびR47の好ましい範囲は、一般式(VI)におけるR46およびR47と同義である。
【００５４】
本発明の化合物は低分子化合物のみならず、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（１）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００５５】
本発明の化合物の最低励起三重項エネルギー準位（以下、T1と略す場合もある。）は、好ましくは６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ）以上、９５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３９８．０５ｋＪ／ｍｏｌ）以下であり、さらに好ましくは、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ）以上、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ）以下であり、より好ましくは、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ）以上、７５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（３１４．３ｋＪ／ｍｏｌ）以下であり、特に好ましくは、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ）以上、７０ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２９３．３ｋＪ／ｍｏｌ）以下である。
【００５６】
化合物の最低励起三重項エネルギー準位については、井上晴夫、高木克彦、佐々木政子、朴鐘震共著「光化学Ｉ」、３４〜３８頁、丸善株式会社１９９９年発行や徳丸克巳著「光化学の世界」、４８〜５４頁、大日本図書社１９９３年発行等に詳しく説明されており、そこに挙げた記載の方法等により算出することができる。
また、化合物の最高占有分子軌道（HOMO）、最低非占有分子軌道（LUMO）、イオン化ポテンシャルおよび電子親和力と有機電界発光素子の発光原理との関係については、時任静士、安達千波矢、村田英幸共著「有機ELディスプレイ」、１７〜３２頁、オーム社２００４年発行等の成書に詳しく説明されている。
【００５７】
本発明の化合物は、蒸着性、熱安定性、膜のアモルファス性、結晶化抑制の観点から、ガラス転移温度（以下Tgと略す）が１１０℃以上、４００℃以下が好ましく、さらに好ましくは１４０℃以上、３５０℃以下であり、より好ましくは、１５０℃以上、３００℃以下である。
【００５８】
次に本発明の化合物の具体例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００５９】
【化２１】
2007266598.tif 000013
【００６０】
【化２２】
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【００６１】
【化２３】
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【００６２】
【化２４】
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【００６３】
【化２５】
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【００６４】
【化２６】
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【００６５】
【化２７】
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【００６６】
【化２８】
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【００６７】
【化２９】
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【００６８】
【化３０】
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【００６９】
【化３１】
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【００７０】
【化３２】
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【００７１】
本発明の化合物は、例えば、Angewante Chemie International Edition in English, 38(16), 2413-2416, (1999)やJournal of the American Chemical Society, 122(17), 4020-4028, (2000)に記載の方法等を参照として合成することができるが、ここで挙げた方法に限定されるものではない。
【００７２】
本発明の化合物のうち、例示化合物（１）及び（２）の具体的な合成例を示すが、この方法に限定されるものではない。
【００７３】
【化３３】
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【００７４】
【化３４】
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【００７５】
【化３５】
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【００７６】
【化３６】
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【００７７】
＜化合物(1)の合成＞
３００ｍＬの三口フラスコに、化合物（A）５．１６ｇ（30.0 mmol）、フェニルホウ酸７．７０ｇ（63.1 mmol）、フッ化カリウム１０．５ｇ(180 mmol)、THF５２ｍｌを加え、室温下で撹拌しているところに、酢酸パラジウム０．１３ｇ（０．５８ mmol）、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピルビフェニル０．４３ｇ（０．９０ mmol）を加え、室温下で６時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、水を加え、さらに１時間撹拌した。生じた粗結晶を濾別し、クロロホルムに溶解させ無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた結晶をヘキサンで分散洗浄し、５．０６ｇ（収率：６６．１％）の化合物（1）を得た。
1H-NMR (400 MHz, in CDCl3):δ(ppm)= 7.40-7.53 (m, 8H), 7.56-7.61 (m, 4H), 7.67(dd, J = 7.6 , 7.8 Hz, 1H).
【００７８】
＜化合物(2)の合成＞
３００ｍＬの三口フラスコに、化合物（A）３．４４ｇ（20.0 mmol）、2-ビフェニルホウ酸８．３２ｇ（４２．０ mmol）、フッ化カリウム１０．５ｇ(１２０ mmol)、THF３４ｍｌを加え、室温下で撹拌しているところに、酢酸パラジウム０．０９ｇ（０．４０ mmol）、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピルビフェニル０．２９ｇ（０．６１ mmol）を加え、室温下で６時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、水を加え、さらに１時間撹拌した。生じた粗結晶を濾別し、クロロホルムに溶解させ無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた結晶をヘキサンで分散洗浄し、７．２０ｇ（収率：８８．３％）の化合物（2）を得た。
1H-NMR (300 MHz, in dmso-d6):δ(ppm)＝ 6.9-7.6 (m, 21H).
【００７９】
＜化合物(19)の合成＞
２００ｍＬの三口フラスコに、化合物（A）１．７２ｇ（10．0 mmol）、3-ニトロフェニルホウ酸３．５０ｇ（２１．０ mmol）、フッ化カリウム３．５ｇ(６０ mmol)、THF５０ｍｌを加え、室温下で撹拌しているところに、酢酸パラジウム０．０６７ｇ（０．３０ mmol）、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピルビフェニル０．１４ｇ（０．２９ mmol）を加え、室温下で１時間撹拌したのち加熱還流下で３時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、水を加え、さらに１時間撹拌した。生じた粗結晶を濾別し、ヘキサン、酢酸エチル（１：１）の混合溶媒で分散洗浄して、３．００ｇ（収率：８７．０％）の化合物（19）を得た。
1H-NMR (400 MHz, in CDCl3):δ(ppm)＝ 7.62 (d, 2H, J = 7.8 Hz), 7.73 (t, 2H, J = 8.0 Hz), 7.95-8.00 (m, 2H), 8.35-8.40 (m, 2H), 8.48-8.55 (m, 2H).
【００８０】
＜化合物(91)の合成＞
２００ｍＬの三口フラスコに、化合物（A）１．９７ｇ（11.5 mmol）、3-ビフェニルホウ酸５．０ｇ（２５ mmol）、フッ化カリウム４．０ｇ(69 mmol)、THF５０ｍｌを加え、室温下で撹拌しているところに、酢酸パラジウム０．０５１ｇ（０．２３ mmol）、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピルビフェニル０．１６ｇ（０．３３ mmol）を加え、室温下で６時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、水を加え、さらに１時間撹拌した。生じた粗結晶を濾別し、クロロホルムに溶解させ無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製したのち、ヘキサンで分散洗浄して、４．３７ｇ（収率：９３．５％）の化合物（91）を得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3):δ(ppm)＝ 7.33 (m, 2H), 7.43-7.50 (m, 4H), 7.54-7.62 (m, 6H), 7.64-7.74 (m, 7H), 7.82-7.85 (m, 2H).
【００８１】
＜化合物(101)の合成＞
２００ｍＬの三口フラスコに、化合物（A）１．５１ｇ（8.79 mmol）、3,5-ビストリフルオロメチルフェニルホウ酸５．０ｇ（１９ mmol）、フッ化カリウム３．１ｇ(５３ mmol)、THF５０ｍｌを加え、室温下で撹拌しているところに、酢酸パラジウム０．０４０ｇ（０．１８ mmol）、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピルビフェニル０．１３ｇ（０．２７ mmol）を加え、室温下で１時間撹拌したのち加熱還流下で３時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、水を加え、さらに１時間撹拌した。生じた粗結晶を濾別し、クロロホルムに溶解させ無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝ 7.63 (d, 2H, J = 7.8 Hz), 7.85 (dd, 1H, J = 6.9, 8.4 Hz), 8.02 (br.s, 2H), 8.05 (br.s, 4H).
【００８２】
＜化合物(B)の合成＞
３００ｍＬの三口フラスコに、還元鉄７．２ｇ（129  mmol）、塩化アンモニウム０．７２ｇ（１３．５ mmol）、２−プロパノール１００ｍｌ、水１０ｍｌを加え、加熱還流下攪拌しているところに、酢酸０．７ｍｌを加えさらに１０分間攪拌した。さらに加熱還流条件下において化合物（19）７．２ｇ（20.9 mmol）を少しずつ加えた。加熱還流下で１時間撹拌したのち、セライトろ過を行った。ろ過物を熱２−プロパノールで洗浄したのちろ液を濃縮した。得られた残渣をヘキサン、酢酸エチルで分散洗浄して、１．７３ｇ（収率：２９．０％）の化合物（B）を得た。  
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝ 3.78 (br.s, 4H, -NH2), 6.76 (dd, 2H, 0.9, 8.0 Hz), 6.88 (br.t, 2H, J= 1.9 Hz), 6.92-6.96 (m, 2H), 7.25-7.29 (m, 2H), 7.43 (br.d, 2H, J = 7.6 Hz), 7.61 (dd, 2H, J = 7.2Hz, 8.2 Hz).
【００８３】
＜化合物(102)の合成＞
３００ｍＬの三口フラスコに、化合物（B）２．３８ｇ（8.34 mmol）、2,2’-ジブロモビフェニル５．２０ｇ（16.7 mmol）、tert-ブトキシナトリウム４．８０ｇ(49.9 mmol)、トルエン１００ｍｌを加え、室温下で撹拌しているところに、ジベンジリデンパラジウム０．２９ｇ（0.50 mmol）、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,4’,6’-トリイソプロピルビフェニル０．４８ｇ（1.01 mmol）を加え、加熱還流下で３時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、水、酢酸エチルを加え、さらに１時間撹拌した。反応混合物をセライトろ過した後、ろ液を酢酸エチルで抽出した。集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣を酢酸エチルで分散洗浄して、１．７３ｇ（収率：３５．０％）の化合物（102）を得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝ 7.26-7.34 (m, 4H), 7.40-7.45 (m, 4H), 7.55-7.62 (m, 6H), 7.66-7.85 (m, 9H), 8.15 (br.d, 4H, J = 7.7 Hz).
【００８４】
＜化合物(107)の合成＞
化合物（19）、化合物（102）を合成した方法と同様にして出発化合物(C)より化合物(107)を合成した。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝ 7.26-7.37 (m, 4H), 7.40-7.47 (m, 4H), 7.57 (br.d, 4H, J = 8.2 Hz), 7.65-7.74 (m, 2H), 7.75-7.85 (m, 8H), 8.15(br.d, 4H, J = 7.8 Hz).
【００８５】
＜化合物(F)の合成＞
European  Journal of  Organic  Chemistry  2004, (3), 643-646.などに記載の方法によって合成できる化合物(E)   10.0 g（28.7 mmol）を四塩化炭素１００ｍｌに溶解させ、過酸化ベンゾイル０．６９ｇ（1.01 mmol）、N-ブロモスクシンイミド１７．９ｇ（100 mmol）を加えて１２時間加熱還流した。反応混合物にアセトニトリルを加えて生じた化合物(F)の結晶をろ別した。この(F)はこれ以上精製することなく速やかに次の反応に用いた。
【００８６】
＜化合物(I)の合成＞
化合物(F)の粗結晶 １２．０ｇ（20.5 mmol）に酢酸ナトリウム１０．１ｇ（123 mmol）、酢酸５０ｍｌを加え、加熱還流下６時間攪拌した。反応混合物に水を加え、生じた化合物(G)の粗結晶をろ別し、３００ｍｌの三口フラスコに移した後、エタノール５０ｍｌ、水酸化リチウム一水和物３．４４ｇ（82.0 mmol）を加え、加熱還流下で４時間攪拌した。反応混合物に水を加え、生じた粗結晶をアセトニトリルにより分散洗浄した。得られた化合物(H) 3.60 g(9.08 mmol)にジクロロメタン２５０ｍｌ、ピリジニウムクロロクロメート7.0 ｇ（32 mmol）を加え、室温下で１２時間攪拌した。クロム残渣をセライトろ過により取り除き、ろ液を希塩酸で洗浄した。集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣を酢酸エチルで分散洗浄して、２．６５ｇ（収率：３５．０％）の化合物（I）を得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝ 7.27-7.38 (m, 6H), 7.40-7.55 (m, 9H),  9.71 (s, 3H, -CHO),.
【００８７】
＜化合物(111)の合成＞
２００ｍＬの三口フラスコに、化合物（I）１．４１ｇ（3.61 mmol）、ヒドロキシルアミン塩酸塩１．０ｇ（14.4 mmol）、ピリジン2．3 ml(28 mmol)、トルエン５４ｍｌを加え、加熱還流下で３時間撹拌した。反応の終結をTLCで確認した後、室温まで冷却し、水、希塩酸、酢酸エチルを加えた。反応混合物を酢酸エチルで抽出した。集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣を500mlの三口フラスコに移し、ジクロロメタン１００mlを加えた。室温下で、トリフェニルホスフィン3.41 g(13.0 mmol)を加え、少しずつN-クロロスクシンイミド1.73 g(13.0 mmol)を加えた。室温下で２時間攪拌し、反応の終結をTLCで確認した後、水、酢酸エチルを加えた。酢酸エチルで抽出して、集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無機塩を濾別したのち、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し１．２０ｇ（収率：87％）の化合物（111）を得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝ 7.62 (br.s, 15H), . 13C-NMR (75 MHz, in CDCl3): δ(ppm)＝114.5, 115.0, 129.0, 129.2, 131.0, 134.0, 154.6.
(300 MHz, in DMSO-d6): δ(ppm)＝ 7.62-7.67 (m, 9H), 7.70-7.77 (m, 6H).
【００８８】
本発明の化合物を合成する際の反応時間は反応の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上２４時間以下がさらに好ましい。
【００８９】
本発明の化合物を合成する際の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。
【００９０】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を使用することが特徴であり、通常の発光システム、駆動方法、利用形態などを用いることができる。本発明の化合物は、発光材料、ホスト材料、励起子ブロック材料、電荷ブロック材料あるいは電荷輸送材料として利用する場合が好ましく、ホスト材料、励起子ブロック材料あるいは電荷輸送材料として利用する場合がさらに好ましい。発光材料として用いる場合は、紫外発光であっても赤外発光であっても良く、また蛍光発光であっても燐光発光であっても良い。電荷輸送材料として利用する場合、正孔輸送性であっても電子輸送性であってもよい。また本発明の化合物は、国際公開特許第０４／０９９３３９号パンフレット、同０４／００６４９８号パンフレット、同０４／１０８８５７号パンフレットに記載の金属錯体と組み合わせて使用することが好ましい。
本発明の化合物を発光層における発光材料として使用する場合、発光層中に０．１〜４０質量％で含まれることが好ましく、０．５〜２０質量％で含まれることが好ましい。
また、発光層中のホスト材料として使用される場合には、発光層中に６０〜９９．９質量％で含まれることが好ましく、８０〜９９．５質量％で含まれることが好ましい。
発光層以外に含まれる場合には、該層中に０．５〜１００質量％で含まれることが好ましく、１０〜１００質量％で含まれることが好ましい。
特に、シアノ基のオルト位に芳香族環あるいはヘテロ環が置換している構造を有する本発明の化合物を、特に発光層中のホスト材料として燐光発光材料と組み合わせて使用することにより、駆動電圧の低下および高耐久性の有機電界発光素子が得られ、好ましい。
【００９１】
［有機電界発光素子］
以下、本発明の有機電界発光素子について詳細に説明する。
本発明の発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に有機発光層（以下、単に「発光層」と称する場合もある。）を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明であることが好ましい。
【００９２】
次に、本発明の発光素子を構成する要素について、詳細に説明する。
【００９３】
＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【００９４】
基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【００９５】
基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００９６】
基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００９７】
＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陽極は、通常透明陽極として設けられる。
【００９８】
陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００９９】
陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。
【０１００】
本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に構成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【０１０１】
なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１０２】
陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【０１０３】
陽極の抵抗値としては、１０3Ω／□以下が好ましく、１０2Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【０１０４】
なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、これを本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【０１０５】
＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【０１０６】
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【０１０７】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【０１０８】
なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらに記載の材料を、本発明においても適用することができる。
【０１０９】
陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【０１１０】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【０１１１】
本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【０１１２】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【０１１３】
＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。
本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層から構成されていてもよい。
【０１１４】
−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。
【０１１５】
−有機発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料（三重項発光材料）であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【０１１６】
使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０１１７】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【０１１８】
本発明の素子は、発光層中に燐光発光材料を少なくとも一種含んでいることが好ましい。使用できる燐光発光材料の例としては、白金錯体またはイリジウム錯体であることが好ましく、白金錯体であることが好ましい。その具体的な例としては、国際公開特許第０４／０９９３３９号パンフレット、同０４／００６４９８号パンフレット、同０４／１０８８５７号パンフレットに記載の白金錯体と組み合わせて使用することが好ましい。
【０１１９】
燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【０１２０】
また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。
【０１２１】
発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
【０１２２】
−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２３】
−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。
【０１２４】
電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２５】
−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２６】
本発明の化合物を含有する層が、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む酸化物からなる層と隣接していてもよい。アルカリ金属を含む酸化物としては、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属を含む酸化物としては、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムが挙げられる。
【０１２７】
本発明の化合物を含有する層が、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の少なくとも一種を含む層と隣接していてもよい。そのアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムが挙げられる。
【０１２８】
本発明の化合物を含有する層が、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むハロゲン化物からなる層と隣接していてもよい。アルカリ金属を含むハロゲン化物としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムのフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられる。アルカリ土類金属を含むハロゲン化物としては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムのフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物が挙げられる。
【０１２９】
＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、SiＯ、SiＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、SiＮx、SiＮxＯy等の金属窒化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１３０】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１３１】
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０１３２】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を通電することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【実施例】
【０１３３】
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【０１３４】
【化３７】
2007266598.tif 000029
【０１３５】
（比較例１）
洗浄したＩＴＯ電着層を有する基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着し、この上にＣＢＰ及びCompound(79)（国際公開特許２００４／１０８８５７号に記載の化合物）を１０：１の質量比で４０ｎｍ蒸着し、さらにこの上にＢＡｌｑを３ｎｍ、さらにこの上にＡｌｑを３０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後アルミニウムを６０ｎｍ蒸着して比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子に電流密度５００A/ｍ２の直流定電流を通電したところ、発光が観測された。輝度３００ｃｄ／ｍ2で１０時間発光させた。
【０１３６】
（実施例１）
比較例１において、Balqの代わりに、本発明の化合物(2)を用いた以外は比較例１と同様にして実施例１の有機ＥＬ素子を作成した。得られた有機ＥＬ素子に電流密度５００A/ｍ２の直流定電流を通電したところ、発光が観測された。輝度３００ｃｄ／ｍ2で１０時間発光させたところ、比較例１と比較して駆動電圧が低く、電圧の上昇幅も小さかった。
【０１３７】
【化３８】
2007266598.tif 000030
【０１３８】
（比較例２）
洗浄したＩＴＯ電着層を有する基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着し、この上にＢａｌｑ及びIr(piq)3を２０：１の質量比で２９ｎｍ蒸着し、さらにこの上にＡｌｑを５０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、フッ化リチウムを１ｎｍ蒸着した後アルミニウムを６０ｎｍ蒸着して比較例２の有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子に電流密度５００A/ｍ２の直流定電流を通電したところ、赤色発光が観測された。作製した有機電界発光素子を島津製作所製の発光スペクトル測定システム（ELS1500）にセットし、輝度が１００Cd/ｍ２時の発光効率（外部量子効率）を測定したところ９．７％であり、駆動電圧は１０Vであった。
【０１３９】
（実施例２）
比較例２において、ＢＡｌｑの代わりに、本発明の化合物（２）を用いた以外は、比較例２と同様にして実施例２の有機ＥＬ素子を作成した。得られた有機ＥＬ素子に電流密度５００Ａ/m2の直流電流を通電したところ、赤色発光が観測された。作製した有機電界発光素子を島津製作所製の発光スペクトル測定システム（ELS1500）にセットし、輝度が１００Cd/ｍ２時の発光効率（外部量子効率）を測定したところ１０．２％であり、駆動電圧は９．５Vであった。
【０１４０】
（比較例３）
洗浄したＩＴＯ電着層を有する基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンCuPcを１０nm、ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着し、この上にMCP及び国際公開特許2006/098505号パンフレットに記載の化合物(2)を２０：１の質量比で２９ｎｍ蒸着し、さらにこの上にBＡｌｑを５０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、フッ化リチウムを１ｎｍ蒸着した後アルミニウムを６０ｎｍ蒸着して比較例３の有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子に電流密度３６０A/ｍ２の直流定電流を通電したところ、青色発光が観測された。作製した有機電界発光素子を島津製作所製の発光スペクトル測定システム（ELS1500）にセットし、輝度が１００Cd/ｍ２時の発光効率（外部量子効率）を測定したところ６．０％であった。
【０１４１】
（実施例３）
比較例３において、ＢＡｌｑの代わりに、本発明の化合物（２）を用いた以外は、比較例３と同様にして実施例４の有機電界発光素子を作成した。得られた有機ＥＬ素子に電流密度３６０Ａ/m2の直流電流を通電したところ、発光が観測された。作製した有機電界発光素子を島津製作所製の発光スペクトル測定システム（ELS1500）にセットし、輝度が１００Cd/ｍ２時の発光効率（外部量子効率）を測定したところ１３．３％であった。
【０１４２】
実施例３において、本発明の化合物（２）の代わりに、本発明の（９１）、（１０１）、（１０７）、（１１１）を用いた有機電界発光素子の結果について下記に示した。本発明の化合物を用いた有機電界発光素子の駆動電圧は比較例と同等以下であり、外部量子効率に優れる。
【０１４３】
【表１】
2007266598.tif 000031
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター、分析用途等にも適用可能である。