(57)【要約】【課題】アドレス放電特性を改善できるプラズマディスプレイパネルの駆動装置及びその方法を提供する。【解決手段】前記スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを傾斜的に変化させるレベル変換部２０と、前記変化されたバイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧をスキャン電極に順次印加するスキャン駆動部２２と、を含んでプラズマディスプレイパネルの駆動装置を構成する。【選択図】図３
2007102221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極にスキャンバイアス電圧を印加するプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを傾斜的に変化させるレベル変換部と、
前記変化されたバイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧をスキャン電極に順次印加するスキャン駆動部と、を含んで構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項２】
前記レベル変換部は、アドレス期間の間、前記バイアスレベルを変化させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項３】
前記レベル変換部は、アドレス期間の前半部では前記バイアスレベルを変化させず、前記アドレス期間の後半部では前記バイアスレベルを漸次減少させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項４】
前記レベル変換部は、アドレス期間の前半部では前記バイアスレベルを変化させず、前記アドレス期間の後半部では前記バイアスレベルを漸次増加させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項５】
前記レベル変換部は、アドレス期間の前半部から後半部にかけて、前記バイアスレベルを漸次減少させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項６】
前記レベル変換部は、前記アドレス期間の前半部から後半部にかけて、前記バイアスレベルを漸次増加させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項７】
前記スキャン駆動部は、デュアルスキャン方式でスキャンすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項８】
前記スキャン駆動部は、シングルスキャン方式でスキャンすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項９】
前記レベル変換部は、
アドレス期間の間に発生するスキャン同期信号に応答して三角波を発生する三角波発生部と、
前記発生した三角波のレベルを感知するレベル感知部と、
前記感知されたレベルに相応する前記バイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧を発生する電圧発生部と、を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１０】
前記レベル感知部は、
前記三角波発生部に電気的に連結される第１抵抗と、
前記第１抵抗と前記三角波発生部との間のノードと、接地電圧との間に電気的に連結される第２抵抗と、
前記第１抵抗に電気的に連結されるベースを有する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタのエミッターとコレクターとの間に連結される第３抵抗と、を含んで構成されることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１１】
前記レベル感知部で感知されたレベルは、前記第３抵抗の両端にかかる電圧であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１２】
前記電圧発生部は、
前記レベル感知部に電気的に連結される第４抵抗と、
前記第４抵抗と前記スキャンバイアス電圧との間に電気的に連結される第５抵抗と、
前記第４抵抗と第５抵抗との間のノードに接続された基準端子と、前記スキャンバイアス電圧と接地電圧にそれぞれ電気的に連結されるカソード及びアノード端子を有するシャントレギュレーターと、
前記シャントレギュレーターの前記カソード端子と前記スキャンバイアス電圧との間に設けられ、前記スキャンバイアス電圧のレベルに応答して、サステイン電圧を前記シャントレギュレーターの入力電圧として供給する帰還部と、を含んで構成されることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１３】
前記帰還部は、
前記カソード端子と前記スキャンバイアス電圧との間に連結され、前記感知されたレベルに相応する光を発生する発光部と、
前記発生した光を電気的な信号に変換する受光部と、
前記電気的な信号と前記三角波発生部の三角波とを比較し、その比較結果を出力する比較部と、
前記サステイン電圧と前記スキャンバイアス電圧との間に連結され、前記比較部から入力された比較結果に応答してターンオンになるスイッチと、
前記スイッチと前記スキャンバイアス電圧との間に連結されるインダクターと、を含んで構成されることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１４】
前記帰還部は、
前記カソード端子と前記スキャンバイアス電圧との間に連結され、前記感知されたレベルに相応する光を発生する発光部と、
前記発生した光を電気的な信号に変換する受光部と、
前記電気的な信号と前記三角波発生部の三角波とを比較し、その比較結果を出力する比較部と、
前記発光部に連結される２次側を有する変圧器と、
前記サステイン電圧の負の端子と前記変圧器の１次側との間に連結され、前記比較部から入力された比較結果に応答してターンオンになるスイッチと、
前記変圧器の２次側と前記スキャンバイアス電圧との間にそれぞれ連結される正極及び負極を有するダイオードと、を含んで構成されることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１５】
スキャン電極にスキャンバイアス電圧を印加するプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
前記スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを傾斜的に変化させる段階と、
前記変化されたバイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧をスキャン電極に順次印加する段階と、を含んで構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１６】
前記バイアスレベルを変化させる段階は、
アドレス期間の間に発生するスキャン同期信号に応答して三角波を発生する段階と、
前記発生した三角波のレベルを感知する段階と、
前記感知されたレベルに相応する前記バイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧を発生する段階と、を含んで構成されることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：以下、"ＰＤＰ"という）に関するもので、詳しくは、スキャン電極に供給されるスキャンアップ信号及びスキャンダウン信号を発生するＰＤＰの駆動装置及びその方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の交流型面放電ＰＤＰは、画像の階調を実現するために、一フレームを発光回数の異なる多数のサブフィールドに分け、時分割駆動を行うようになる。このとき、各サブフィールドは、全画面を初期化させるためのリセット期間と、スキャンラインを選択し、この選択されたスキャンラインでセルを選択するためのアドレス期間と、放電回数によって階調を実現するサステイン期間とに分けられる。
【０００３】
図１は、二つのサブフィールドに供給されるＰＤＰの駆動波形を例示的に示した波形図で、スキャン電極に供給される信号Ｙ、サステイン電極に供給される信号Ｚ及びアドレス電極に供給される信号Ｘを示している。
【０００４】
図１に示すように、各サブフィールドは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に分けられる。リセット期間において、セットアップ期間では全てのスキャン電極Ｙに上昇ランプ波形Ｒａｍｐ‐ｕｐが同時に印加される。また、セットダウン期間では上昇ランプ波形が供給された後、上昇ランプ波形のピーク電圧より低い正極性電圧から落ちる下降ランプ波形Ｒａｍｐ‐ｄｏｗｎが各スキャン電極Ｙに同時に印加される。
【０００５】
アドレス期間では、負極性スキャンパルスＳｃａｎが各スキャン電極Ｙに順次印加され、これと同時に、各アドレス電極Ｘに正極性のデータパルスｄａｔａが印加される。このスキャンパルスとデータパルスとの電圧差と、リセット期間に生成された壁電圧が加えられることで、データパルスが印加される各セル内にはアドレス放電が発生する。
【０００６】
サステイン期間には、サステインパルスＳｕｓがスキャン電極Ｙ及びサステイン電極Ｚに交互に印加される。
【０００７】
図１に示した従来のＰＤＰ駆動方法においては、アドレス区間の動作特性がＰＤＰ放電特性に決定的な影響を及ぼす。従来のＡＤＳ（Ａｄｄｒｅｓｓ  ａｎｄ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）駆動方式の場合、リセット動作後、壁電荷の状態がアドレッシングに適切でないと、アドレス放電が不安になり、後続するサステイン動作が良好に行えないという問題点があった。特に、アドレス期間の終了時点では、リセット区間を通して形成された壁電荷が消失されたり、前ラインよりも低下したプライミング効果（ｐｒｉｍｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）によって誤放電問題が発生したりする。
【０００８】
図２は、セットダウン直後に、伝達電圧（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｖｏｌｔａｇｅ：Ｖｔ）―閉曲線上の壁電荷分布を示した図である。同図グラフにおいて、縦軸はアドレス−サステイン間の電圧（Ｘ−Ｙ電圧）であり、横軸はスキャン−サステイン間の電圧である。
【０００９】
図２に示すように、セットダウン動作後、壁電荷は、Ｖｔ曲線内の点１０の位置に分布する。しかしながら、壁電荷の分布は、スキャン動作中に壁電荷分布が減少する場合、矢印１２だけ移動するようになる。この状態で各電圧Ｖｙ，Ｖｚが印加されると、Ｖｔ曲線の臨界値を越えられず、不安定なアドレス放電によって誤放電現象が発生するという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、アドレス放電特性を改善できるプラズマディスプレイパネルの駆動装置及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを傾斜的に変化させるレベル変換部と、前記変化されたバイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧をスキャン電極に順次印加するスキャン駆動部と、を含んで構成される。
【００１２】
ここで、前記レベル変換部は、アドレス期間の前半部では前記バイアスレベルを変化させず、前記アドレス期間の後半部では前記バイアスレベルを漸次増加または減少させる。
【００１３】
また、前記レベル変換部は、アドレス期間の前半部から後半部にかけて、前記バイアスレベルを漸次増加または減少させる。
【００１４】
そして、前記レベル変換部は、アドレス期間の間に発生するスキャン同期信号に応答して三角波を発生する三角波発生部と、前記発生した三角波のレベルを感知するレベル感知部と、前記感知されたレベルに相応する前記バイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧を発生する電圧発生部と、を含んで構成される。
【００１５】
ここで、前記レベル感知部は、前記三角波発生部に電気的に連結される第１抵抗と、前記第１抵抗と前記三角波発生部との間のノードと、接地電圧との間に電気的に連結される第２抵抗と、前記第１抵抗に電気的に連結されるベースを有する第１トランジスタと、前記第１トランジスタのエミッターとコレクターとの間に連結される第３抵抗と、を含んで構成される。
【００１６】
そして、前記電圧発生部は、前記レベル感知部に電気的に連結される第４抵抗と、前記第４抵抗と前記スキャンバイアス電圧との間に電気的に連結される第５抵抗と、前記第４抵抗と第５抵抗との間のノードに接続された基準端子と、前記スキャンバイアス電圧と接地電圧との間に電気的に連結されるカソード及びアノード端子を有するシャントレギュレーターと、前記シャントレギュレーターの前記カソード端子と前記スキャンバイアス電圧との間に設けられ、前記スキャンバイアス電圧のレベルに応答して、サステイン電圧を前記シャントレギュレーターの入力電圧として供給する帰還部と、を含んで構成される。
【００１７】
このとき、前記帰還部は、前記カソード端子と前記スキャンバイアス電圧との間に連結され、前記感知されたレベルに相応する光を発生する発光部と、前記発生した光を電気的な信号に変換する受光部と、前記電気的な信号と前記三角波発生部の三角波とを比較し、その比較結果を出力する比較部と、前記サステイン電圧と前記スキャンバイアス電圧との間に連結され、前記比較部から入力された比較結果に応答してターンオンになるスイッチと、前記スイッチと前記スキャンバイアス電圧との間に連結されるインダクターと、を含んで構成される。
【００１８】
また、前記帰還部は、前記カソード端子と前記スキャンバイアス電圧との間に連結され、前記感知されたレベルに相応する光を発生する発光部と、前記発生した光を電気的な信号に変換する受光部と、前記電気的な信号と前記三角波発生部の三角波とを比較し、その比較結果を出力する比較部と、前記発光部に連結される２次側を有する変圧器と、前記サステイン電圧の負の端子と前記変圧器の１次側との間に連結され、前記比較部から入力された比較結果に応答してターンオンになるスイッチと、前記変圧器の２次側と前記スキャンバイアス電圧との間にそれぞれ連結される正極及び負極を有するダイオードと、を含んで構成される。
【００１９】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを傾斜的に変化させる段階と、前記変化されたバイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧をスキャン電極に順次印加する段階と、を含んで構成される。
【００２０】
ここで、前記バイアスレベルを変化させる段階は、アドレス期間の間に発生するスキャン同期信号に応答して三角波を発生する段階と、前記発生した三角波のレベルを感知する段階と、前記感知されたレベルに相応する前記バイアスレベルを有する前記スキャンバイアス電圧を発生する段階と、を含んで構成される。
【００２１】
本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付の図面に基づく実施の形態によって明らかになるだろう。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置及びその方法は、アドレス期間において、スキャンバイアス電圧のレベルを、アドレス期間の終了時点で誤放電が生じない範囲内で漸次増加または減少させるので、図２に示すように壁電荷が変わる場合も、矢印方向の変化量だけスキャンダウン電圧を補償するため、アドレス期間の終了時点におけるアドレス放電特性及びセット放電の特性を向上させて信頼性を増加できる。また、三角波及びスキャン同期信号を用いて、アドレス期間のみでスキャンバイアス電圧のレベルを簡単に変化させられるので、回路実現のための費用を節減でき、高速のアドレス動作が可能になり、ジッタ特性を向上できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置の構成及び動作と、その駆動方法を、添付の図面に基づいて説明する。
【００２４】
図３は、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を示したブロック図で、図示したように、プラズマディスプレイパネルの駆動装置は、レベル変換部２０及びスキャン駆動部２２を含んで構成される。
【００２５】
図３に示したレベル変換部２０は、アドレス期間の間、スキャンバイアス電圧Ｖｙのバイアスレベルを傾斜的に変化させる役割を行う。このために、レベル変換部２０は、入力端子ＩＮ１を通して入力されるサステイン電圧ＶＳから、傾斜的なバイアスレベルを有するスキャンバイアス電圧Ｖｙを生成できる。
【００２６】
本発明の一実施形態によるレベル変換部２０は、全てのアドレス期間にかけてスキャンバイアス電圧のバイアスレベルを変化させる。また、本発明の他の実施形態によるレベル変換部２０は、アドレス期間の前半部でスキャンバイアス電圧のバイアスレベルを変化させず、アドレス期間の後半部のみでスキャンバイアス電圧のバイアスレベルを漸次変化させる。
【００２７】
このとき、レベル変換部２０は、アドレス期間の間、スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを徐々に増加または減少させる。
【００２８】
そして、図３に示したスキャン駆動部２２は、アドレス期間の間、レベル変換部２０によってバイアスレベルが変換されたスキャンバイアス電圧をスキャンダウン（ｄｏｗｎ）電圧として、各スキャン電極に順次印加する。本発明によると、スキャン駆動部２２は、デュアルスキャン方式またはシングルスキャン方式でスキャンする。
【００２９】
以下、本発明の理解を助けるために、一実施形態として、レベル変換部２０がスキャンバイアス電圧のバイアスレベルを徐々に減少させる場合、図３に示したＰＤＰ駆動装置及びその実施形態の構成及び動作を図面に基づいて説明する。
【００３０】
図４は、本発明に係るＰＤＰの駆動装置によって発生する波形を例示的に示した波形図で、アドレス電極に供給される信号Ｘ、各スキャン電極に供給される信号Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…及びＹｍ）及びサステイン電極に供給される信号Ｚを示している。ここで、図面符号３０、３２、３４、・・・３６（図４中の破線）は、従来のＰＤＰ駆動方法によって生成されるスキャンアップ電圧を示しており、これらスキャンアップ電圧は、互いに同一のバイアスレベルを有する。
【００３１】
図４に示すように、本発明に係るＰＤＰ駆動装置において、リセット期間では、一つのサブフィールドに対する全画面を初期化させ、アドレス期間では、全画面をスキャンしながらデータＤＰを記入し、サステイン期間では、データが記入された各セルの発光状態を維持させる。
【００３２】
図３に示したレベル変換部２０は、アドレス期間の前半部から後半部にかけて、スキャンバイアス電圧Ｖｙ１，Ｖｙ２，Ｖｙ３，…及びＶｙｍのバイアスレベルを、図４に示すように漸次減少させる。その結果、スキャン駆動部２２は、漸次減少するバイアスレベルを有するスキャンバイアス電圧Ｖｙ１，Ｖｙ２，Ｖｙ３，…Ｖｙｍをスキャンダウン電圧ＳＰとして、各スキャン電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…Ｙｍに順次供給する。
【００３３】
しかし、レベル変換部２０が、アドレス期間の前半部でスキャンバイアス電圧のバイアスレベルを変化させず、アドレス期間の後半部のみでスキャンバイアス電圧のバイアスレベルを漸次変化させる場合、各スキャン電極Ｙ１〜Ｙｍ／２に供給されるスキャンダウン電圧Ｖｙ１，…Ｖｙｍ／２のレベルは同一に示されるが、各スキャン電極Ｙｍ／２＋１〜Ｙｍに供給されるスキャンダウン電圧Ｖｙ（ｍ／２＋１），…Ｖｙｍのレベルは、徐々に増加または減少するように示される。
【００３４】
図５は、図３に示したレベル変換部２０の実施形態を示したブロック図で、本発明のレベル変換部２０は、三角波発生部４０、レベル感知部４２及び電圧発生部４４を含んで構成される。
【００３５】
図５に示したレベル変換部２０の三角波発生部４０は、アドレス期間の間に発生して入力端子ＩＮ２を通して入力されたスキャン同期信号に応答して三角波を発生し、この発生した三角波をレベル感知部４２に出力する。スキャンダウン電圧を生成するためのスキャンバイアス電圧Ｖｙは、リセット期間のセットダウン（Ｓｅｔ‐ｄｏｗｎ）電圧を発生するために用いられることもあるが、この場合、スキャンバイアス電圧のバイアスレベルを変化させてはならない。すなわち、スキャンバイアス電圧のバイアスレベルは、アドレス期間のみで変化させるべきである。これを実現するために、三角波発生部４０は、スキャン同期信号に応答して、アドレス期間のみで三角波を発生する。このとき、スキャンバイアス電圧の前半部でバイアスレベルを変化させず、スキャンバイアス電圧の後半部のみでバイアスレベルを変化させる場合、スキャン同期信号を用いてスキャンバイアス電圧の後半部のみで三角波を発生させることができる。例えば、三角波発生部４０が”高"論理レベルのスキャン同期信号に応答して三角波を発生すると仮定すると、このために、スキャン同期信号は、アドレス期間の前半部で"低"論理レベルを有し、アドレス期間の後半部で”高"論理レベルを有するように発生する。
【００３６】
レベル感知部４２は、三角波発生部４０から発生する三角波のレベルを感知し、この感知されたレベルを電圧発生部４４に出力する。
【００３７】
電圧発生部４４は、レベル感知部４２で感知されたレベルに相応して決定されたバイアスレベルを有するスキャンバイアス電圧Ｖｙを発生する。その結果、電圧発生部４４は、三角波のレベルが徐々に増加または減少するにつれて、徐々に増加または減少するレベルを有するスキャンバイアス電圧Ｖｙを発生できる。
【００３８】
図６は、図５に示したレベル変換部２０の実施形態を示した回路図で、図６に示すように、レベル変換部２０は、三角波発生部６０、レベル感知部６２及び電圧発生部６４を含んで構成される。
【００３９】
図６に示した三角波発生部６０、レベル感知部６２及び電圧発生部６４は、図５に示した三角波発生部４０、レベル感知部４２及び電圧発生部４４とそれぞれ同一の役割を行う。
【００４０】
本発明によると、レベル感知部６２は、図６に示すように、各抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３とトランジスタＱ１によって実現される。ここで、第１抵抗Ｒ１は、三角波発生部６０から発生する三角波に連結される一側を有し、第２抵抗Ｒ２は、三角波発生部６０から発生する三角波と接地電圧との間に連結される。このとき、第１トランジスタＱ１は、第１抵抗Ｒ１の他側に連結されるベースを有し、第３抵抗Ｒ３は、第１トランジスタＱ１のコレクターとエミッターとの間に連結される。このような構成において、レベル感知部６２で感知されたレベルは、第３抵抗Ｒ３の両端にかかる電圧に該当する。
【００４１】
一方、電圧発生部６４は、シャントレギュレーター（Ｓｈｕｎｔ  Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ：ＳＲ）、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５及び帰還部７０によって実現される。シャントレギュレーターＳＲは、基準端子７２及び帰還部７０を通してスキャンバイアス電圧Ｖｙと接地電圧との間にそれぞれ連結されるカソード及びアノード端子７６，７４を有する。ここで、シャントレギュレーターＳＲの基準端子７２は、シャントレギュレーターＳＲに内蔵される比較器（図示せず）の入力端子に該当する。このとき、第４抵抗Ｒ４は、第３抵抗Ｒ３とシャントレギュレーターＳＲの基準端子７２との間に連結され、第５抵抗Ｒ５は、基準端子７２とスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間に設けられる。帰還部７０は、シャントレギュレーターＳＲのカソード端子７６とスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間に設けられ、スキャンバイアス電圧Ｖｙのレベルに応答して、サステイン電圧ＶｓをシャントレギュレーターＳＲの入力電圧として供給する。
【００４２】
図６に示した構成において、三角波の所定電圧にしたがってトランジスタＱ１のベースを通して流れる電流量が変わるので、トランジスタＱ１のエミッターとコレクターとの間の抵抗値ＲＱｃｅが可変になる。ここで、抵抗値ＲＱｃｅは、三角波の電圧にしたがって、時間に比例して増加または減少する。例えば、電圧発生部６４から発生するスキャンバイアス電圧Ｖｙは、次の数学式１のように表現される。
【００４３】
【数１】
2007102221.tif 000003
【００４４】
ここで、Ｖｒｅｆは、シャントレギュレーターＳＲの内部基準電圧を示す。
【００４５】
図７は、図６に示した帰還部７０の一実施形態を説明するための回路図である。
【００４６】
図７に示したレベル感知部８４は、図６に示したレベル感知部６２と同一の構成を有して同一の役割を行うので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００４７】
図７に示した電圧発生部８２は、シャントレギュレーターＳＲ、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５及び帰還部８６によって実現される。ここで、シャントレギュレーターＳＲ、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５は、図６に示したシャントレギュレーターＳＲ、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５と同一の役割を行うので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００４８】
帰還部８６は、帰還部７０と同一の役割を行う。このために、図７に示すように、帰還部８６は、スイッチ８８、インダクターＬ、比較部９０、受光部９２及び発光部１００によって実現される。ここで、発光部１００は、シャントレギュレーターＳＲのカソード端子とスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間に連結され、レベル感知部８４で感知されたレベルに相応する光を発生する。このとき、受光部９２は、発光部１００から発した光を受信し、この受信された光を電気的な信号に変換し、この変換された電気的な信号を比較部９０に出力する。
【００４９】
図８は、図７に示した比較部９０の動作を例示的に説明するための波形図である。
【００５０】
比較部９０は、受光部９２から入力された電気的な信号と三角波とを比較し、その比較結果をスイッチ８８の制御信号として出力する。例えば、比較部９０は、図８（ａ）に示すように、受光部９２から入力された電気的な信号１１０と三角波１１２とを比較し、その比較結果である矩形波状の図８（ｂ）に示した信号を、スイッチ８８の制御信号としてスイッチ８８に出力する。
【００５１】
このとき、スイッチ８８は、サステイン電圧Ｖｓとスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間に連結され、比較部９０から入力された比較結果に応答してターンオンになる。帰還部８６は、スイッチ８８とスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間にインダクターＬをさらに設けている。
【００５２】
図９は、図６に示した帰還部７０の他の実施形態を説明するための回路図である。
【００５３】
図９に示したレベル感知部１２４は、図６に示したレベル感知部６２と同一の構成を有して同一の役割を行うので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００５４】
図９に示した電圧発生部１２２は、シャントレギュレーターＳＲ、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５及び帰還部１２６によって実現される。ここで、シャントレギュレーターＳＲ、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５は、図６に示したシャントレギュレーターＳＲ、第４及び第５抵抗Ｒ４，Ｒ５と同一の役割を行うので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００５５】
帰還部１２６は、帰還部７０と同一の役割を行う。このために、図９に示すように、帰還部１２６は、スイッチ１３０、変圧器１３２、比較部１３６、受光部１３４及び発光部１３８によって実現される。ここで、発光部１３８は、シャントレギュレーターＳＲのカソード端子とスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間に連結され、レベル感知部１２４で感知されたレベルに相応する光を発生する。このとき、受光部１３４は、発光部１３８から発した光を受信し、この受信された光を電気的な信号に変換し、この変換された電気的な信号を比較部１３６に出力する。
【００５６】
比較部１３６は、受光部１３４から入力された電気的な信号と三角波とを比較し、その比較結果をスイッチ１３０の制御信号として出力する。このとき、変圧器１３２は、発光部１３８に連結される２次側を有し、スイッチ１３０は、サステイン電圧Ｖｓの負の端子と変圧器１３２の１次側との間に連結され、比較部１３６から入力された比較結果に応答してターンオンになる。帰還部１２６は、変圧器１３２の２次側とスキャンバイアス電圧Ｖｙとの間にそれぞれ連結される正極及び負極を有するダイオードＤをさらに設けている。
【００５７】
以上説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想から逸脱しない範囲で多様に変更及び修正可能である。
【００５８】
したがって、本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載された内容によって限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】一般的なＰＤＰの駆動波形を例示的に示した波形図である。
【図２】図１のセットダウン直後、伝達電圧―閉曲線上の壁電荷分布を示した図である。
【図３】本発明に係るＰＤＰの駆動装置を示したブロック図である。
【図４】本発明に係るＰＤＰの駆動装置によって発生する波形を例示的に示した波形図である。
【図５】図３に示したレベル変換部の実施形態を示したブロック図である。
【図６】図５に示したレベル変換部の実施形態を示した回路図である。
【図７】図６に示した帰還部の一実施形態を示した回路図である。
【図８】図７に示した比較部の動作を例示的に示した波形図である。
【図９】図６に示した帰還部の他の実施形態を示した回路図である。
【符号の説明】
【００６０】
２０  レベル変換部
２２  スキャン駆動部
４０  三角波発生部
４２  レベル感知部
４４  電圧発生部
【図１】
2007102221.tif 000004
【図２】
2007102221.tif 000005
【図３】
2007102221.tif 000006
【図４】
2007102221.tif 000007
【図５】
2007102221.tif 000008
【図６】
2007102221.tif 000009
【図７】
2007102221.tif 000010
【図８】
2007102221.tif 000011
【図９】
2007102221.tif 000012