(57)【要約】【課題】  突起電極の理想的な微細凹凸形状を安定的に形成することにより、良好かつ安定な導電接続状態を実現する。【解決手段】  本発明の半導体装置１０は、基板１上に形成された樹脂材料で構成される突出体１１と、該突出体１１上に配置された粒体１２と、前記突出体１１及び前記粒体１２上に形成され前記粒体１２を反映した凹凸表面を備えた導電層１３とを有する突起電極１０を具備することを特徴とする。突出体１１上に粒体１２が配置されるため、導電層１３の表面には粒体１２を反映した微細な表面凹凸形状が形成され、この表面凹凸形状の凸部が実装時において配線の酸化膜を突き破ることにより、良好かつ安定な導電接続状態を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置された粒体と、前記突出体及び前記粒体上に形成され前記粒体を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記粒体は前記突出体に被着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記粒体は、０．０００１〜１．０μｍの平均粒径を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突出体は、前記樹脂材料の表面上に前記樹脂材料より硬い材料で形成された表面被膜を備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置され肉厚部分で構成された凸部を備えた下地層と、該下地層上に形成され前記凸部を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置と、
該半導体装置の突起電極に電気的に接続された配線を備える電気光学パネルと、を有し、
前記粒体は、前記配線と対向する領域に配置されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記配線の表面に形成された酸化膜を有し、
前記酸化膜は、前記導電層に設けられた前記凹凸表面の凸部に重なる領域の少なくとも一部で破断しており、
前記導電層は、前記破断している領域で前記配線に接触していることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置された粒体と、前記突出体及び前記粒体上に形成され前記粒体を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極が別基板上に形成された配線に導電接続されていることを特徴とする実装構造体。
【請求項９】
前記突出体は、前記樹脂材料の表面上に前記樹脂材料より硬い材料で形成された表面被膜を備えていることを特徴とする請求項８に記載の実装構造体。
【請求項１０】
基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置され肉厚部分で構成された凸部を備えた下地層と、該下地層上に形成され前記凸部を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極が別基板上に形成された配線に導電接続されていることを特徴とする実装構造体。
【請求項１１】
前記配線の表面に形成された酸化膜を有し、
前記酸化膜は、前記導電層に設けられた前記凹凸表面の凸部に重なる領域の少なくとも一部で破断しており、
前記導電層は、前記破断している領域で前記配線に接触していることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の実装構造体。
【請求項１２】
基板上に突出体を樹脂材料で形成する工程と、
前記突出体上に粒体を配置する工程と、
前記突出体及び前記粒体上に前記粒体を反映した凹凸表面を備えた導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする突起電極の製造方法。
【請求項１３】
前記突出体を樹脂材料で形成する工程では、前記樹脂材料の表面を前記樹脂材料よりも硬い被膜で覆う段階をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の突起電極の製造方法。
【請求項１４】
基板上に突出体を樹脂材料で形成する工程と、
前記突出体上に肉厚部分で構成された凸部を備えた下地層を配置する工程と、
前記下地層上に前記凸部を反映した凹凸表面を備えた導電層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする突起電極の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の突起電極の製造方法により突起電極を備えた半導体装置を形成し、該半導体装置を配線の設けられた別基板に実装する実装工程を具備し、
前記実装工程において、前記突起電極の前記導電層が前記別基板の前記配線の表面に形成された酸化膜を突き破ることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
請求項６又は７に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の実装構造体を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置、電気光学装置、実装構造体、突起電極の製造方法、及び、電子機器に係り、特に、基板上に形成される突起電極の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップを配線基板上に実装する場合、半導体チップの実装面（例えば、能動面）に突起電極を形成し、この突起電極を配線基板上に形成された配線（接続パッド）に導電接続させるようにしている。この場合、突起電極としては、半田ボール等をチップ面上に形成された電極パッド上に固着させたものや、電気めっきなどによって電極パッド上に突設するように形成されたものなどがよく知られている。
【０００３】
ところが、近年、半導体チップの小型化が進み、突起電極の狭ピッチ化が要請されるようになってきたことから、隣接電極間のショート（電気的短絡）を防止するために、突起電極の突出形状を高いアスペクト比（突起電極の高さと幅又は直径の比）で形成することが必要となってきた。このため、基板上に樹脂材料からなる突出体を形成し、この突出体上にさらに導電層を形成して、この導電層を基板上に配置された電極に導電接続させた構造が提案されている（例えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
また、配線との導電接続性を向上させ、コンタクト抵抗の低減を図るため、配線に貫入するように適合された凹凸形状を備えた粗面化された表面を有する金属突起電極の製造方法が提案されている（例えば、以下の特許文献２参照）。この凹凸形状は電気めっきやエッチングで形成される。
【０００５】
さらに、上記と同じ目的で、電極感光性樹脂等を用いて頂部に微細な凹凸を設けた突出体を形成し、この突出体上に導電層を被着することによって、導電層の表面に上記微細な凹凸を反映した微細な凹凸構造を有する突起電極を形成する方法が知られている（例えば、以下の特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００１−１１０８３１号公報
【特許文献２】米国特許第５４８７９９９号明細書
【特許文献３】米国特許第６３３３５５５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の粗面化された金属突起電極の形成方法では、金属材料に対して電気めっきやエッチングを施す必要があるが、電気めっきやエッチングでは凹凸形状の制御も難しいため、凹凸形状の再現性も低く、安定した導電接続状態が実現できないという問題点がある。特に、鋭い凹凸形状を形成しようとすると、表面状態の再現性がさらに悪化するため、導電接続の信頼性が低下したり、コンタクト抵抗に大きなばらつきが生じたりする。
【０００７】
一方、樹脂材料からなる突出体に微細な凹凸形状を形成し、この上に導電層を形成することによって導電層の表面に突出体の微細な凹凸形状を反映した凹凸構造を形成する方法では、フォトリソグラフィ法等により樹脂材料に鋭い凹凸形状を形成することは困難であり、このため、導電層の表面の凹凸形状もなだらかな凹凸形状になりやすいため、配線の自然酸化膜等を確実に突き破ることができず、良好な導電接続状態を得ることが難しいという問題点がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、突起電極の理想的な凹凸形状を安定的に形成することにより、良好かつ安定な導電接続状態を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
斯かる実情に鑑み、本発明の半導体装置は、基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置された粒体と、前記突出体及び前記粒体上に形成され前記粒体を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極を具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、樹脂材料で構成される突出体上に粒体が配置され、突出体及び粒体上に導電層が形成されていることにより、導電層の表面に配置された粒体を反映した凹凸表面が形成される。したがって、導電接続時において配線の自然酸化膜等を突き破るに充分な微細凹凸形状を容易に、しかも安定して得ることができる。
【００１１】
また、突起電極が樹脂材料で構成される突出体を備えているため、配線に対する導電接続時において外圧によって突出体が弾性変形した状態で導電層と配線が圧接され、この状態が接着剤等の樹脂材料によって固定されることで、コンタクト圧を維持・確保することができる。
【００１２】
なお、本発明においては、上記導電層が粒体を完全に被覆している必要はなく、粒体の上部が導電層から突出して露出した状態となっていても構わない。また、粒体は突出体を構成する樹脂材料よりも硬いことが好ましく、特に、導電層よりも硬いことが望ましい。さらに、粒体は導電体で構成されていることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記粒体は前記突出体に被着されていることが好ましい。粒体が突出体に被着されていることにより、導電層に形成される表面凹凸形状の強度が高まるので、導電接続時において配線の自然酸化膜等を確実に突き破ることが可能になる。粒体が突出体に被着されている状態とは、粒体を突出体から離間させるための引き離し力を要する状態を言い、粒体が突出体に固着されている状態、粒体の一部が突出体の表面に埋め込まれている状態などが含まれる。
【００１４】
本発明において、前記粒体は、０．０００１〜１．０μｍの平均粒径を有することが好ましい。粒体の平均粒径は、突起電極と配線との導電接続面に凹凸形状を形成できるものであればよく、導電接続面の大きさや導電層の厚さ等に依存するが、突起電極の幅の１／１０以下であることが望ましい。特に、上記範囲の平均粒径とすることで、多くの半導体装置に適用できる。
【００１５】
本発明において、前記突出体は、前記樹脂材料の表面上に前記樹脂材料より硬い材料で形成された表面被膜を備えていることが好ましい。これによれば、突出体の表面に樹脂材料より硬い表面被膜が形成されていることにより、粒体が表面被膜上に支持されるので、導電層の表面に形成される微細な凹凸形状の剛性を高めることができ、これによって、配線との導電接続時において微細な凹凸形状を配線により確実に食い込ませることができるため、導電接続状態を向上させることができる。上記表面被膜を構成する材料は、金属などの導電体であることがさらに望ましい。これによれば、表面被膜が設けられていることで突起電極の電気抵抗をさらに低減できる。
【００１６】
次に、本発明の別の半導体装置は、基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置され肉厚部分で構成された凸部を備えた下地層と、該下地層上に形成され前記凸部を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極を具備することを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、樹脂材料で構成される突出体上に肉厚部分で構成された凸部を備えた下地層が配置され、この下地層上に導電層が形成されていることにより、導電層の表面に下地層の凸部を反映した凹凸表面が形成される。この下地層は突出体とは別に形成されているため、材料や製法に関する制約が少ないことから、導電接続時において配線の自然酸化膜等を突き破るに充分な微細凹凸形状を容易に、しかも安定して得ることができる。
【００１８】
次に、本発明の電気光学装置は、上記のいずれかに記載の半導体装置と、該半導体装置の突起電極に電気的に接続された配線を備える電気光学パネルとを有し、前記粒体は、前記配線と対向する領域に配置されることを特徴とする。半導体装置は、電気光学パネル（具体的にはパネルを構成する基板）に直接実装されていてもよく、或いは、電気光学パネルに導電接続された配線基板上に実装されていてもよい。
【００１９】
次に、本発明の実装構造体は、基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置された粒体と、前記突出体及び前記粒体上に形成され前記粒体を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極が別基板上に形成された配線に導電接続されていることを特徴とする。ここで、別基板は、配線基板、半導体基板、電気光学パネルを構成する基板などのいずれでも構わない。この場合、前記突出体は、前記樹脂材料の表面上に前記樹脂材料より硬い材料で形成された表面被膜を備えていることが好ましい。
【００２０】
本発明の別の実装構造体は、基板上に形成された樹脂材料で構成される突出体と、該突出体上に配置され他より厚く形成された突出部を備えた下地層と、該下地層上に形成され前記凸部を反映した凹凸表面を備えた導電層とを有する突起電極が別基板上に形成された配線に導電接続されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の実装構造体は、前記配線の表面に形成された酸化膜を有し、前記酸化膜は、前記導電層に設けられた前記凹凸表面の凸部に重なる領域の少なくとも一部で破断しており、前記導電層は、前記破断している領域で前記配線に接触していることが好ましい。
【００２２】
次に、本発明の突起電極の製造方法は、基板上に突出体を樹脂材料で形成する工程と、前記突出体上に粒体を配置する工程と、前記突出体及び前記粒体上に前記粒体を反映した凹凸表面を備えた導電層を形成する工程と、を具備することを特徴とする。ここで、前記突出体を樹脂材料で形成する工程では、前記樹脂材料の表面を前記樹脂材料よりも硬い被膜で覆う段階をさらに有することが好ましい。
【００２３】
また、本発明の別の突起電極の製造方法は、基板上に突出体を樹脂材料で形成する工程と、前記突出体上に肉厚部分で構成された凸部を備えた下地層を配置する工程と、前記下地層上に前記凸部を反映した凹凸表面を備えた導電層を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明の実装構造体の製造方法は、上記のいずれかの突起電極の製造方法により突起電極を備えた半導体装置を形成し、該半導体装置を配線の設けられた別基板に実装する実装工程を具備し、前記実装工程において、前記突起電極の前記導電層が前記別基板の前記配線の表面に形成された酸化膜を突き破ることを特徴とする。
【００２５】
さらに、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の半導体装置、上記の電気光学装置、上記の実装構造体のいずれかを備えたことを特徴とする。このような電子機器としては、コンピュータ装置、ディスプレイ装置、印刷装置などの一般的な電化製品のほか、電子時計、携帯電話機、携帯型情報端末等の携帯型電子機器が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形態の突起電極近傍の構造を示す拡大断面図、図２は同実施形態の突起電極近傍の構造を示す拡大平面図である。
【００２７】
突起電極１０の形成されている基板１は、半導体、ガラス、セラミックスなどの各種の素材で構成されたものとすることができる。例えば、基板１がシリコン基板等の半導体基板である場合には、その内部に種々の半導体回路が形成される。この基板１の表面上には酸化シリコン、窒化シリコンなどで構成される絶縁膜（パッシベーション膜）２が形成されている。また、基板１上にはパッド状に形成された電極３が露出した状態に設けられている。この電極３は、上記半導体回路が基板１内に形成されている場合には半導体回路に導電接続されたものとされる。電極３は、アルミニウム、銅、ニッケル、金、クロム、タングステンなどの種々の導電体、或いは、これらの導電体を、コンタクト用の金属、例えば、金、ニッケル、タングステン等からなる表面層で被覆したもの等で形成することができる。
【００２８】
突起電極１０は基板１上に形成された突出体１１を備えている。この突出体１１は樹脂材料で形成されたものである。樹脂材料としては、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよく、また、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの種々の樹脂基材を用いることができる。特に、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより形成したものであることが望ましい。このような樹脂材料で構成される突出体１１を設けることで、アスペクト比の高い突起電極形状（高さと幅若しくは直径の比の大きい形状）を容易に形成できる。
【００２９】
さらに、突出体１１は、図１及び図２に示すように、平坦な上面１１ａを有することが好ましい。これによれば、後述する実装時において、加圧力の大小によって導電接触面積が増減することを防止することができる。ただし、本発明の突出体１１の上面は平坦な形状に限定されるものではなく、例えば、当該上面が凸曲面状に構成されていてもよい。
【００３０】
また、突出体１１は、上記の樹脂材料の表面上に別の素材で形成される表面被膜１１ｐ（図示点線で示す。）を備えたものであってもよい。例えば、樹脂材料の表面にＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉなどの金属膜を形成したものであってもよい。このように突出体１１の表面に表面被膜１１ｐを形成することで、突出体１１の形状作成の容易性を確保しつつ、突出体１１の表面硬度を制御できる。特に、突出体１１を構成する樹脂材料よりも表面被膜１１ｐの硬度を高くすることが好ましい。このようにすると、後述する粒体１２を支持する支持面を硬くすることができるため、突起電極１０の表面の微細な凹凸形状の剛性を高めることができる。
【００３１】
突出体１１の形状寸法は、通常、高さが１０〜１５μｍ、幅或いは直径が１０〜２０μｍ程度とされる。また、突出体１１は、傾斜した側面１１ｂを備えていることが好ましい。この側面１１ｂの少なくとも一部には後述する導電層１３の段差部１３ｂが形成されるので、導電層１３の形成時における段差部１３ｂの被覆性（ステップカバレッジ）を考慮して側面１１ｂの傾斜角が設定される。
【００３２】
突出体１１の上面１１ａ上には複数の粒体１２が分散配置されている。粒体１２は、通常、平均粒径が０．０００１〜１．０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、０．０１〜０．２μｍの範囲内であることが望ましい。また、粒体１２の平均粒径は、突出体１１の幅或いは直径の１／１０以下、好ましくは１／５０以下で、かつ、突出体１１の高さの１／１０００以上、好ましくは１／１００以上である。上記の各範囲を下回ると、突起電極１０の後述する表面凹凸が小さくなり、配線の表面に形成される自然酸化膜等を突き破ることが難しくなり、逆に上記の各範囲を上回ると、突起電極１０の表面に形成される微細な凹凸形状の周期が大きくなりすぎて、コンタクト面積が充分に確保できなくなり、コンタクト抵抗が高くなるので、いずれにしても導電接続性の向上が実現できなくなる。
【００３３】
粒体１２は、突出体１１を構成する樹脂材料よりも硬いことが好ましく、さらに、後述する導電層１３よりも硬いことが望ましい。粒体１２の硬度を高くすることで、配線の自然酸化膜などを容易に突き破ることが可能になる。また、粒体１２は導電体で構成されていることが好ましい。これにより、粒体１２が直接に配線に接触した場合でも、コンタクト抵抗の低下が期待できる。上記の硬度及び導電性の観点から見ると、粒体１２は金属で構成されていることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｓ、Ｂ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｓｎなどが挙げられる。これらの中でも、充分な硬度を有し、入手性にも優れている点で、Ｎｉ，Ｔｉなどが望ましい。
【００３４】
粒体１２は、突出体１１の上面１１ａに被着されていることが好ましい。特に、粒体１２が突出体１１に固着されていたり、粒体１２の一部が突出体１１に埋め込まれていたりすることが好ましい。このように、粒体１２が突出体１１に被着されていると、粒体１２が突出体１１に対して所定の被着力で拘束されていることとなるので、当該粒体１２上に形成される後述する導電層１３の微細な凹凸形状の形状保持力も生じるため、配線に対する安定かつ確実な導電接続性を実現できる。
【００３５】
なお、図１及び図２に示す粒体１２の形状は模式的に示すものに過ぎず、実際の粒形状を示すものではない。粒体１２の形状としては、角錐、角柱、四面体、六面体等の各種の多面体形状であることが好ましいが、針状、軸状などであってもよく、さらには、球状、回転楕円体形状であっても構わない。ただし、一般的には回転対称性の低い形状など、導電層１３で覆われたときに導電層１３の表面凹凸の高低差を大きくするような形状であることが好ましい。
【００３６】
突起電極１０では、上記突出体１１及び粒体１２上にさらに導電層１３が形成されている。導電層１３は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属層であることが好ましいが、その他の金属で構成されていてもよく、金属以外の導電体で構成されていても構わない。
【００３７】
導電層１３は、突出体１１上に配置された粒体１２を反映した微細な凹凸形状を備えた表面１３ａを備えている。表面１３ａの微細な凹凸形状は、粒体１２の粒径や数、粒体１２の分散配置の態様などによって影響を受けるが、上記粒体１２の粒径に対応する高さ及び大きさを備えた微小突起を含むことが望ましい。
【００３８】
本実施形態では、導電層１３は、基板１上に露出した電極３と導電接続されている。具体的には、少なくとも電極３に重なる部分１３ｃから上記突出体１１の側面１１ｂ上の段差部１３ｂを経て上面１１ａに重なる部分（上面）１３ａまで、伸びるように帯状に構成されている。
【００３９】
一般的には、一つの突出体１１に一つの突起電極１０のみが形成されていてもよいが、図２にも示すように、単一の突出体１１に複数の突起電極１０が分離して形成されたものとすることができる。特に、突出体１１をリブ状に形成して、突出体１１の延長方向に複数の突起電極１０が配列されるように構成することができる。このように構成すると、突出体１１の構造を簡易化することができるとともに、複数の突起電極１０の高さ及び幅若しくは直径のばらつきを低減できる。
【００４０】
ここで、図示例では、突出体１１上の粒体１２が導電層１３により完全に被覆されているが、本発明はこのような構造に限定されない。例えば、粒体１２の下部が導電層１３に埋め込まれた状態になっているが、粒体１２の上部が導電層１３から突出して露出した状態となっていても構わない。このような構造では、粒体１２を導電体で構成することにより、良好かつ安定した導電接続状態を得ることができる。
【００４１】
図３は、上記突起電極１０による導電接続部を備えた実装構造体を示す概略断面図である。図示例の場合、基板１上に形成された突起電極１０は、基板４上に形成された配線（或いは対向電極）５と導電接触した状態とされ、当該状態は、接着機能を有する樹脂材料（接着剤）６によって保持されている。
【００４２】
基板４は、フレキシブル基板やリジッド基板等の配線基板、ガラス基板、セラミックス基板のいずれでもよく、さらに、半導体基板であってもよい。
【００４３】
また、配線５は、Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉなどの配線材料、ＩＴＯなどの透明導電体等の表面上に、オーミックコンタクトや良好な密着性を実現するためのＡｕ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗなどの導電体からなる表面層を備えたものであることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
上記の実装構造体は、未硬化の樹脂材料６を介して突起電極１０と配線５を整合させて基板１と基板４をつき合わせ、加圧した状態で、上記樹脂材料６を硬化させることによって構成される。このとき、上記の加圧によって突出体１１が僅かに弾性変形するので、そのまま樹脂材料６で基板１と４が固定されると、突出体１１の弾性力が突起電極１０と配線５の間にコンタクト圧として及ぼされ、この状態が維持される。したがって、温度変化や外部応力にも強く、信頼性の高い導電接続構造とすることができる。
【００４５】
上記の未硬化の樹脂材料６としては、エポキシ系樹脂等で構成されたＮＣＦ（Non-Conductive Film）を用いることが最も好ましいが、ＮＣＰ（Non-Conductive Paste）を用いることもできる。また、これらの樹脂材料６は導電接続前に基板１と４の間に配置されるものであるが、突起電極１０と配線５とをコンタクトさせた後に樹脂材料（サイドフィル材）を基板１と４の間に充填する方法で実装を行ってもよい。これらの方法は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）等を用いた従来の実装方法に比べて、突起電極１０の狭ピッチ化を図っても隣接電極間のショート（電気的短絡）の発生確率を低減できるといった利点がある。
【００４６】
また、突起電極１０には、図１３に示すように、導電層１３の上面１３ａに上記の微細な表面凹凸形状が形成されているので、配線５の表面に自然酸化膜（配線５の形成工程やその後の熱処理時、保管時などに生ずる酸化膜）５ｘが存在していても、上記表面凹凸形状の凸部１３ｘが自然酸化膜５ｘを突き破るため、確実かつ安定した導電接続状態を得ることができる。
【００４７】
図１４は、上記実施形態とは異なる突起電極２０の構造を示す概略縦断面図である。この実施形態では、樹脂材料で構成された突出体２１上に肉厚部分で構成された凸部２２ｘを備えた下地層２２を形成し、この下地層２２上にさらに導電層２３を形成している。導電層２３には上記凸部２２ｘを反映した凹凸表面が構成されている。この凹凸表面は上記配線５の自然酸化被膜５ｘを破ることのできる凸部２３ｘを備えている。なお、突起電極２０の全体的な突起形状は凸曲面状に構成されているが、上記突起電極１０と同様に台形状に構成されていてもよい。
【００４８】
本実施形態では、下地層２２を絶縁体で構成することもできるが、導電体で構成することが好ましい。例えば、突出体２１上に無電解めっき等によってＮｉ等の導電体で下地層２２を形成することができる。この場合、無電解めっき前に突出部２１の表面にパラジウム等を付着させるなどの方法で異常成長を生じさせることにより、下地層２２に凸部２２ｘを形成することができる。この場合、凸部２２ｘの大きさや突出量などは処理条件によって調整することができる。
【００４９】
上記の構成では、突出体２１や導電層２３とは別の下地層２２に、その肉厚部分によって構成される凸部２２ｘを設け、この凸部２２ｘを反映して導電層２３の凹凸表面が構成されているため、突出体２１を構成する樹脂材料や導電層２３を構成する導電体とは別の素材で下地層２２を形成することができるため、製造上の制約が少なくなることから、下地層２２に容易に凸部２２ｘを設けることができる。したがって、導電層２３の凹凸表面の凸部２３ｘが配線の酸化膜を容易に突き破ることができる形状となることのできる凸部２２ｘを安定的に下地層２２に設けることが可能になる。
【００５０】
次に、図４乃至図１１を参照して、本実施形態の突起電極１０の製造方法について説明する。最初に、図４に示すように、上記基板１上に絶縁膜２及び配線３を公知の方法で形成する。
【００５１】
その後、図５に示すように、基板１上に感光性樹脂１１ｘを塗布する。感光性樹脂１１ｘの塗布方法は、スピンコート法、ロールコート法、印刷法等の種々の方法を用いることができる。感光性樹脂１１ｘの厚さは、上記突出体１１の高さに対応したものとすることが好ましい。
【００５２】
次に、感光性樹脂１１ｘ上に、透光領域１４ａを備えた遮光マスク１４を形成して、透光領域１４ａを通して露光を行う。ただし、遮光マスクを内蔵した公知の露光装置を用いてもよい。その後、感光性樹脂１１ｘを現像することによって、図７に示すように突出体１１が形成される。なお、図示例ではネガ型の感光材料を用いているが、ポジ型の感光材料を用いる場合には露光パターンを反転させればよい。
【００５３】
なお、図示例では突出体１１を樹脂材料のみで形成する場合を示すが、上記のように、樹脂材料で形成された突出体１１の表面に無電解めっき等の成膜方法によってＮｉ等からなる上記の表面被膜１１ｐを形成してもよい。この場合には、突出体１１の樹脂材料によって弾性変形が可能であるにも拘わらず、突出体１１の表面硬度を高めることができるので、導電層１３の微細な凹凸形状による配線５の表面被膜の突き破り作用を強化することができる。
【００５４】
次に、図８に示すように、粒体１２を突出体１１上に配置する。粒体１２は、導電層１３の被覆性を向上させるために、突出体１１の上面１１ａにのみ（すなわち、側面１１ｂに配置されないように）粒体１２を配置することが好ましい。
【００５５】
粒体１２の配置方法としては、上述の材料からなる粉体を図示例のように突出体１１上に散布すればよい。この場合には、熱処理を施したり、物理的に加圧したりすることによって、粒体１２が突出体１１に被着（固着或いは埋め込み）された状態とすることが好ましい。
【００５６】
また、上記配置方法として、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの各種の気相成長法を用いることもできる。この場合には、突出体１１の表面に核が生成され、これらの核が島状に分散している間に材料供給を停止する。すなわち、気相成長法で材料が連続的な薄膜になる前に成長を止めることにより、突出体１１上に分散配置された粒体１２を形成できる。もちろん、成膜条件を意図的に悪化させることにより異常成長を生じさせることで、粒体１２を形成してもよい。
【００５７】
さらに、無電解めっき等の化学的析出現象、或いは、液相成長法などの物理的な析出現象を用いることもできる。この方法でも、突出体１１上に析出する材料が島状に分散している段階で処理を停止することによって、粒体１２を分散配置することができる。この場合でも、成膜条件を意図的に悪化させることにより異常析出を生じさせることで、粒体１２を形成してもよい。なお、図１４に示すように下地層２２を形成する場合には、異常成長を生じさせつつ、突出体を覆うように被膜を形成する。
【００５８】
なお、突出体１１に表面被膜１１ｐが設けられる場合には、表面被膜１１ｐの素材上に上記気相成長法や液相成長法を適用することが必要になるので、上記素材に合わせて成長条件を調整することが好ましい。
【００５９】
その後、図９に示すように、上記突出体１１及び粒体１２上に導電層１３ｘを形成する。この導電層１３ｘは、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の各種の気相成長法やＬＰＤ法などの液相成長法で形成することができる。その後、図１０に示すように導電層１３ｘ上にマスクパターン１５を形成してパターニングすることなどにより、図１１に示すように導電層１３が形成される。
【００６０】
なお、先にも述べたように、突出体１１上の粒体１２が導電層１３により完全に被覆される必要はない。例えば、粒体１２の下部が導電層１３に埋め込まれた状態になっているが、粒体１２の上部が導電層１３から突出して露出した状態となっていても構わない。このような状態は、例えば、粒体１２の粒径に比べて導電層１３の厚みが小さい場合や、粒体１２が配置された突出体１１に対する導電層１３の被覆性（ステップカバレッジ）が悪い場合において生ずる。
【００６１】
図１２は、電気光学装置１００に上記基板１及び突起電極１０を備えた半導体チップ５０を直接実装した状態を示す概略構成図である。半導体チップ５０は、上記の基板１にドライバ回路等を形成したものである。
【００６２】
図示例では、電気光学パネル１００Ｐとして、液晶表示パネルを構成した例を示すものであり、その構造は、ガラス等の基板１０１と１０２をシール材１０３で貼り合わせ、基板１０１と１０２の間に液晶１０４を封入したものである。基板１０１の内面上には複数の電極１０１ａが形成され、基板１０２の内面上にも複数の電極１０２ａが形成されている。そして、相互に対向配置される電極１０１ａと１０２ａの間に電圧を印加することにより、液晶１０４の配向状態が制御され、所望の光変調が行われるようになっている。
【００６３】
基板１０１は基板１０２の外形から張り出した基板張出部１０１Ｔを有し、この基板張出部１０１Ｔの内面上に、上記電極１０１ａ，１０２ａにそれぞれ導電接続された複数の配線１０５が形成されるとともに、外部からの信号を受ける入力端子１０６が形成されている。そして、配線１０５及び入力端子１０６に共に導電接続されるように半導体チップ５０が実装されている。すなわち、半導体チップ５０は、配線１０５に導電接続される複数の突起電極１０と、入力端子１０６に導電接続される別の複数の突起電極１０とを備えている。なお、実装方法及び実装構造は、図３を参照して説明したものと同じであるので、それらの説明は省略する。
【００６４】
最後に、上記突起電極１０を備えた実装構造体或いは電気光学装置１００を搭載した電子機器について説明する。図１５及び図１６は上記電気光学装置１００を搭載した電子機器を示す概略斜視図である。
【００６５】
図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを示している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操作装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２ａを備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は開閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の電気光学装置（液晶表示装置）１００が内蔵されており、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、パーソナルコンピュータ２００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
【００６６】
図１６は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口などを備えた操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有し、表示部３０２の内部に上記の電気光学装置１００が組み込まれてなる。そして表示部３０２の表示画面３０２ａにおいて電気光学装置１００により形成された表示画像を視認することができるようになっている。この場合、携帯電話機３００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
【００６７】
なお、電子機器としては、上記のように電気光学装置１００を搭載したものに限らず、単に、上記の突起電極１０を備えた半導体装置や上記実装構造体を搭載したものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】実施形態の突起電極近傍の構造を示す拡大断面図。
【図２】実施形態の突起電極近傍の構造を示す拡大平面図。
【図３】実施形態の実装構造体を示す概略断面図。
【図４】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図５】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図６】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図７】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図８】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図９】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図１０】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図１１】実施形態の突起電極の製造工程を示す工程断面図。
【図１２】実施形態の電気光学装置の構造を示す概略断面図。
【図１３】実施形態の突起電極と配線の導電接続部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図１４】異なる実施形態の突起電極の断面構造を示す縦断面図。
【図１５】実施形態の電子機器の外観を示す概略斜視図。
【図１６】実施形態の他の電子機器の外観を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００６９】
１０…突起電極、１１…突出体、１２…粒体、１３…導電層、１３ｘ…凸部、２０…突起電極、２１…突出体、２２…下地層、２２ｘ…凸部、２３…導電層、２３ｘ…凸部、１００…電気光学装置、１００Ｐ…電気光学パネル、５０…半導体チップ、５…配線、５ｘ…自然酸化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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