(57)【要約】【課題】  製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品、電子部品の製造方法、実装構造体、電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】  バンプ１７を形成する工程は、シリコンチップ１４に塗布されたレジスト３５のうちバンプ１７を形成する領域に塗布されたレジスト３５を除去することで、レジスト３５に露出部３６を形成する工程（Ｓ３）と、露出部３６に樹脂粒子２３を配置する工程（Ｓ４）と、樹脂粒子２３が配置された露出部３６に導電部材２４を充填する工程（Ｓ５）等を備えているので、バンプ１７中にのみ導電部材２４を存在させ接着剤４５中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子等を介したバンプ１７同士の電気的な接触を防止できる液晶装置１を製造することができる。【選択図】  図２
2007005587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、
前記導電部材に電気的に接続された配線と
を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記バンプは、前記電子部品が実装されてなる被実装部材に接続される接続面を有し、前記接続面の少なくとも一部と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、
前記電子部品が実装された基板と
を備えたことを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、
前記電子部品が実装された基板を有する電気光学パネルと
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、
前記バンプを形成する工程は、
前記バンプを形成する領域に弾性粒子を配置する工程と、
前記弾性粒子に導電部材を被覆する工程と
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。  
【請求項７】
基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、
前記バンプを形成する工程は、
前記基材にレジストを塗布する工程と、
前記基材に塗布されたレジストのうち前記バンプを形成する領域に塗布されたレジストを除去することで、前記レジストに前記基材の露出部を形成する工程と、
前記露出部に弾性粒子を配置する工程と、
前記弾性粒子が配置された露出部に導電部材を充填する工程と、
前記基材に塗布されたレジストを除去する工程と
を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記基材にレジストを塗布する工程の前に、前記基材の前記バンプが形成される領域に導電部を形成する工程を更に備え、
前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記導電部と前記弾性粒子とを逆の電荷に帯電させることで、前記弾性粒子を前記導電部に静電吸着させることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記弾性粒子を前記露出部に射出することを特徴とする請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記基材に設けられ前記導電部材に接続される導電部をメッキ槽内のメッキ液に浸漬させることでメッキにより行うことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記レジストに露出部を形成する工程で前記基材に除去されずに残ったレジストをマスクとして用いることで、前記導電部材を印刷することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記導電部材を前記弾性粒子が配置された前記露出部に射出することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器並びにこれらの電子機器に用いられる電子部品、実装構造体、電気光学装置及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として電気光学装置としての例えば液晶装置等が用いられている。この液晶装置等は、例えば、ドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が、金、銀等の導電粒子を含んだＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を介して、液晶パネルのガラス基板側に熱圧着して実装されているが、熱圧着時に加圧されても導電粒子が原形を保持したままで接続されるので、例えば導電粒子と、ドライバＩＣの接続端子との接触面積を十分に確保することが難しい、という問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば金属をゴム等に含有させた導電ゴムからなる導電粒子を絶縁性接着剤中に混合することで、ドライバＩＣをガラス基板に対して圧着し導電粒子を弾性変形させて、接触面積を大きくして導電不良の発生を防止しようとする技術が開示されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平５−１８２５１６号公報（段落［０００７］、図１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、例えばＡＣＦ等の中に導電粒子が混合されているため、電子部品等の端子の狭ピッチ化に伴い導電粒子を介した端子間でのリークの発生が生じてしまう、という問題がある。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品、電子部品の製造方法、実装構造体、電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電子部品は、弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明では、弾性粒子と弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材が存在し接着剤中に導電粒子等が存在せず、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、バンプ同士の電気的な接触を防止できる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品を得ることができる。
【０００８】
また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。
【０００９】
更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材が設けられているので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子が含まれることになるので、電子部品を基板に圧着するときにバンプが弾性変形し、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記バンプは、前記電子部品が実装されてなる被実装部材に接続される接続面を有し、前記接続面の少なくとも一部と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする。これにより、バンプは、電子部品が実装されてなる被実装部材に接続される接続面を有し、接続面の少なくとも一部と配線とが電気的に接続されているので、電子部品を例えば被実装部材に圧着して実装したときに、弾性粒子を効果的に弾性変形させて接続面と配線との電気的な接続を図ることができる。
【００１１】
本発明の他の観点に係る実装構造体は、弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、前記電子部品が実装された基板とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明では、弾性粒子と弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材が存在し接着剤中に導電粒子等が存在せず、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、バンプ同士の電気的な接触を防止できる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。また、例えば小型及び高性能な電子部品が基板に実装された実装構造体を得ることができる。
【００１３】
また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。
【００１４】
更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材が設けられているので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子が含まれることになるので、電子部品を基板に圧着するときにバンプが弾性変形し、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。例えばバンプの導電部材と基板側の例えば配線との接続不良を生じさせるような外力が、実装構造体の基板や電子部品に働いても、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積が確保されているので、接続不良の発生を防止可能な実装構造体とすることができる。
【００１５】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、弾性粒子と前記弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプと、前記導電部材に電気的に接続された配線とを備えた電子部品と、前記電子部品が実装された基板を有する電気光学パネルとを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明では、弾性粒子と弾性粒子を被覆するように設けられた導電部材とを有するバンプを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材が存在し接着剤中に導電粒子等が存在せず、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、バンプ同士の電気的な接触を防止できる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電気光学装置を得ることができる。また、電気光学装置は、例えば小型及び高性能な電子部品が基板に実装された電気光学パネルを備えているので、例えば電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【００１７】
また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。
【００１８】
更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材が設けられているので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子が含まれることになるので、電子部品を基板に圧着するときにバンプが弾性変形し、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。従って、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電気光学装置を得ることができる。例えばバンプの導電部材と電気光学パネルの基板側の例えば配線との接続不良を生じさせるような外力が、電気光学パネルの基板に働いても、バンプの導電部材と、基板側の例えば配線との接触面積が確保されているので、接続不良の発生を防止でき電気光学装置の表示品位を確保することができる。
【００１９】
本発明の他の観点にかかる電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２０】
本発明では、製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れた電子部品を備えた電気光学装置を備えているので、例えば表示性能に優れた電子機器を得ることができる。
【００２１】
本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法は、基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、前記バンプを形成する工程は、前記バンプを形成する領域に弾性粒子を配置する工程と、前記弾性粒子に導電部材を被覆する工程とを具備することを特徴とする。  
【００２２】
本発明では、バンプを形成する工程は、バンプを形成する領域に弾性粒子を配置する工程と、弾性粒子に導電部材を被覆する工程とを備えているので、例えばバンプを形成する領域に弾性粒子を配置し弾性粒子に導電部材を被覆しバンプを容易に製造することができ、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材を存在させ接着剤中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、例えばバンプ同士の電気的な接触を防止して電子部品を製造することができる。
【００２３】
本発明の他の観点に係る電子部品の製造方法は、基材に設けられたバンプを有する電子部品の製造方法であって、前記バンプを形成する工程は、前記基材にレジストを塗布する工程と、前記基材に塗布されたレジストのうち前記バンプを形成する領域に塗布されたレジストを除去することで、前記レジストに前記基材の露出部を形成する工程と、前記露出部に弾性粒子を配置する工程と、前記弾性粒子が配置された露出部に導電部材を充填する工程と、前記基材に塗布されたレジストを除去する工程とを具備することを特徴とする。
【００２４】
本発明では、バンプを形成する工程は、基材に塗布されたレジストのうちバンプを形成する領域に塗布されたレジストを除去することで、レジストに基材の露出部を形成する工程と、露出部に弾性粒子を配置する工程と、弾性粒子が配置された露出部に導電部材を充填する工程と、基材に塗布されたレジストを除去する工程とを備えているので、例えば導電粒子を含まない接着剤を介して電子部品を基板に実装する場合には、バンプ中にのみ導電部材を存在させ接着剤中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電子部品を基板に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、例えばバンプ同士の電気的な接触を防止して電子部品を製造することができる。
【００２５】
また、例えば球状の弾性粒子をバンプを形成する位置に配置し、導電部材を弾性粒子の周りに設けるだけでバンプを形成することができるので、製造が容易となる。
【００２６】
更に、例えばバンプを形成する位置にのみ導電部材を配置するので、例えば導電部材の使用量を減少させたり、接着剤として導電粒子等を含まない安価な接着剤を用いたりして低コスト化を図ることができる。そして、バンプ中に弾性粒子を含ませることができるので、例えば電子部品を基板に圧着するときにバンプを弾性変形させ、バンプの導電部材と、電子部品の配線との接触面積を確保して導電性を確保することができる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記基材にレジストを塗布する工程の前に、前記基材の前記バンプが形成される領域に導電部を形成する工程を更に備え、前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記導電部と前記弾性粒子とを逆の電荷に帯電させることで、前記弾性粒子を前記導電部に静電吸着させることを特徴とする。これにより、基材にレジストを塗布する工程の前に、基材のバンプが形成される領域に導電部を形成する工程を更に備え、露出部に弾性粒子を配置する工程は、導電部と弾性粒子とを逆の電荷に帯電させることで、弾性粒子を導電部に静電吸着させるので、例えば静電気による力を用いて容易かつ選択的に弾性粒子をレジストの露出部内に配置することができる。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記露出部に弾性粒子を配置する工程は、前記弾性粒子を前記露出部に射出することを特徴とする。これにより、露出部に弾性粒子を配置する工程は、弾性粒子を露出部に射出するので、例えば電気的な力を用いるために導電部を形成する製造工程を不要とすることも可能となり低コスト化を図ることができると共に、露出部に狙い打つように弾性粒子を射出させることで、選択的に露出部に弾性粒子を配置することができる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記基材に設けられ前記導電部材に接続される導電部をメッキ槽内のメッキ液に浸漬させることでメッキにより行うことを特徴とする。これにより、露出部に導電部材を充填する工程は、基材に設けられ導電部材に接続される導電部をメッキ槽内のメッキ液に浸漬させることでメッキにより行うので、例えば弾性粒子を露出部に配置するときに用いた導電部を、メッキ用の電極として用いることができ、製造コストの増加を抑えつつ確実に導電部材を露出部に充填することができる。
【００３０】
本発明の一の形態によれば、前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記レジストに露出部を形成する工程で前記基材に除去されずに残ったレジストをマスクとして用いることで、前記導電部材を印刷することを特徴とする。これにより、露出部に導電部材を充填する工程は、レジストに露出部を形成する工程で基材に除去されずに残ったレジストをマスクとして用いて導電部材を印刷するので、新たにマスクを形成する必要がなく製造時間及びコストの増加を抑えることができると共に、例えば導電部材を直接的かつ確実に露出部に充填することができる、無駄になる導電部材の量を減少させて低コスト化を図ることができる。
【００３１】
本発明の一の形態によれば、前記露出部に導電部材を充填する工程は、前記導電部材を前記弾性粒子が配置された前記露出部に射出することを特徴とする。これにより、露出部に導電部材を充填する工程は、導電部材を弾性粒子が配置された露出部に射出するので、例えば、露出部に狙い打つように導電部材を射出させることができ、無駄な導電部材の量を減少させて低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明に実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置としての液晶装置、具体的には反射半透過型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス方式の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器、及び液晶装置に実装された電子部品について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００３３】
（第１の実施形態）
【００３４】
図１は本発明に係る第１の実施形態の液晶装置の概略斜視図、図２は図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図、図３は図１の液晶装置のドライバＩＣの部分拡大平面図である。
【００３５】
（液晶装置の構成）
【００３６】
液晶装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に接続された回路基板３とを備えている。なお、液晶装置１は、液晶パネル２を支持する図示を省略したフレーム等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００３７】
液晶パネル２は、基板４と、基板４に対向するように設けられた基板５と、基板４、５の間に設けられたシール材６及び基板４、５により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）が用いられている。
【００３８】
基板４及び基板５は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。基板４の液晶側には、ゲート電極７、ソース電極８、薄膜トランジスタ素子Ｔ及び画素電極９が形成されており、基板５の液晶側には、共通電極５ａが形成されている。
【００３９】
ゲート電極７はＸ方向に、ソース電極８はＹ方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ソース電極８は、例えば図１に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ゲート電極７及びソース電極８の本数は、液晶装置１の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
【００４０】
薄膜トランジスタ素子Ｔは、ゲート電極７、ソース電極８及び画素電極９にそれぞれ電気的に接続される３つの端子を備えている。薄膜トランジスタ素子Ｔは画素電極９、ゲート電極７、ソース電極８に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極７に電圧を印加したときにソース電極８から画素電極９に又はその逆に電流が流れるように構成されている。
【００４１】
また、基板４は、基板５の外縁から張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する）４ａを備えている。張り出し部４ａの面上には、例えば液晶を駆動するための電子部品としてのＹドライバＩＣ１１、ＸドライバＩＣ１２及び１３が実装されている。
【００４２】
ＹドライバＩＣ１１は、図２に示すように、シリコンチップ１４と、シリコンチップ１４の基板４と対向する面側に設けられた例えばアルミニウム製の入力端子１５、出力端子１６と、入力端子１５、出力端子１６にそれぞれ電気的に接続されＹドライバＩＣ１１の実装面側に突設されたバンプ１７と、入力端子１５、出力端子１６にそれぞれ一端が接続された配線５５、５６とを備えている。
【００４３】
シリコンチップ１４は、例えば略矩形状のチップであり、基板４と対向する面側には、図３に示すように複数の入力端子１５、出力端子１６がそれぞれＹ方向に例えば間隔ａで配列されている。間隔ａは、例えば１０μｍとされている。シリコンチップ１４の基板４と対向する側の面は、図２に示すように例えば入力端子１５、出力端子１６の中央部を除いてパッシベーション１８により被覆されている。
【００４４】
入力端子１５、出力端子１６は、例えば略矩形状であり、それぞれＹ方向に略等間隔で設けられている。入力端子１５、出力端子１６の基板４側には、図２に示すようにＴｉＷ層２１、Ａｕ層２２が積層されたシード層２０が形成されている。ＴｉＷ層２１、Ａｕ層２２は、例えば外縁部がパッシベーション１８に重なって設けられている。
【００４５】
バンプ１７は、図３に示すようにＹ方向の幅ｂが例えば２０μｍとされている。バンプ１７は、図２に示すように例えば略球形状の弾性粒子としての樹脂粒子２３と、樹脂粒子２３を被覆するように設けられた導電部材２４とを備えている。
【００４６】
樹脂粒子２３は、弾性を有しており、例えばＹドライバＩＣ１１の基板４への実装時等に弾性変形可能であり、例えばＺ方向に押し潰された状態で設けられている。実装後に何らかの理由でＹドライバＩＣ１１のシリコンチップ１４と基板４とが離れた場合には、樹脂粒子２３はシリコンチップ１４と基板４との距離の変化に追従して元の形状に戻ろうとする。そのため、ＹドライバＩＣ１１と基板４との電気的接続を保つことができる。樹脂粒子２３の押し潰される前の直径は、例えば１５μｍ、図２に示すように入力端子１５、出力端子１６に対応するパッシベーション１８の開口のＸ方向の幅ｃ、ＴｉＷ層２１、Ａｕ層２２がパッシベーション１８に重なるＸ方向の幅ｄ、幅ｅは適宜変更可能である。例えば、幅ｃ、幅ｄ及び幅ｅの長さは、例えば７μｍ、６μｍ及び６μｍ程度に設定されている。バンプ１７には、例えばそれぞれ１個の樹脂粒子２３が含まれている。なお、バンプ１７に含まれる樹脂粒子２３の個数は、１個に限定されず、例えば複数個含まれるようにしてもよい。
【００４７】
導電部材２４は、Ａｕ層２２、ＴｉＷ層２１を介して、それぞれ入力端子１５、出力端子１６に接続されると共に、それぞれ配線２５、２６に接続されている。導電部材２４の構成材料には、例えば金、銀、銅、ニッケル等の金属材料が用いられている。このように、ＹドライバＩＣ１１の入力側のバンプ１７を介して、基板４に設けられた配線２５が入力端子１５に接続され、ＹドライバＩＣ１１の出力側のバンプ１７を介して、基板４に設けられた配線２６が出力端子１６に接続されている。なお、本実施形態では、導電部材２４が接続面２４ａの略全面で入力端子２５に接続されている例を示したが、バンプ１７の接続面２４ａの少なくとも一部が配線５５に電気的に接続されるようにすればよい。
【００４８】
配線５５、５６は、例えば他端がシリコンチップ１４内に設けられた図示を省略したトランジスタ等の電子回路に接続されている。配線５５、５６は、バンプ１７に電気的に接続されている。
【００４９】
ＹドライバＩＣ１１は、ＹドライバＩＣ１１と、基板４との間に設けられた例えばエポキシ樹脂製の接着剤４５により基板４に接着されている。ＹドライバＩＣ１１は、接着剤４５により封止されている。
【００５０】
なお、ＸドライバＩＣ１２の図示しない入出力のバンプを介して、図１に示すように基板４に設けられた配線２７、２８がＸドライバＩＣ１２の図示しない入出力端子にそれぞれ接続され、ＸドライバＩＣ１３の図示しない入出力のバンプを介して、基板４に設けられた配線２９、３０がＸドライバＩＣ１３の図示しない入出力端子にそれぞれ接続されている。配線２６はゲート電極７、配線２８、３０はソース電極８にそれぞれ電気的に繋がっている。
【００５１】
回路基板３は、図１に示すように、張り出し部４ａに例えば接着剤等を介して接続されている。回路基板３は、可撓性基材３１と、可撓性基材３１に設けられた出力配線３２、入力配線３３と、ＹドライバＩＣ１１等を制御するために可撓性基材３１に実装された半導体ＩＣ３４とを備えている。
【００５２】
可撓性基材３１には、例えば半導体ＩＣ３４が実装されており、この他にも図示を省略した電源供給用の半導体ＩＣ等が実装されている。
【００５３】
出力配線３２は、図１に示すように、例えばＸ方向に引き回されており、その一端が、可撓性基材３１に形成された図示を省略したスルーホール内に設けられた接続部材を介してＡＣＦ等により配線２５の端部に接続されている。出力配線３２の他端は、ＡＣＦ等を介して半導体ＩＣ３４の図示を省略した出力端子に接続されている。
【００５４】
入力配線３３は、図１に示すように、例えばＸ方向に引き回されている。入力配線３３の一端は、図１に示すように例えば半導体ＩＣ３４の図示しない入力端子にＡＣＦ等を介して接続されている。入力配線３３の他端は、例えば図示しない外部装置に接続されている。
【００５５】
（液晶装置の製造方法）
【００５６】
次に、液晶装置１の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５７】
図４は第１の実施形態の液晶装置１の製造工程を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、図５に示す入出力端子１５、１６の中央部がパッシベーション１８の開口部から露出しているシリコンチップ１４を製造する工程、及びステップ８の液晶パネル２の製造工程については、公知技術と同様なのでその説明を省略する。
【００５８】
まず、図５に示すシリコンチップ１４の入出力端子１５、１６が露出する側の面を覆うように、例えばスパッタにより、図６に示すようにＴｉＷ層２１、Ａｕ層２２からなるシード層２０を形成する（Ｓ１）。このとき、例えば、ＴｉＷ層２１がシリコンチップ１４の入力端子１５、出力端子１６側の面を被覆するように、また、Ａｕ層２２がＴｉＷ層２１を被覆するようにする。これにより、ＴｉＷ層２１、Ａｕ層２２には、入力端子１５、出力端子１６と、パッシベーション１８とで形成された段差に沿う段差が形成される。
【００５９】
次いで、Ａｕ層２２を図７に示すようにレジスト３５により覆う（Ｓ２）。このとき、レジスト３５のＺ方向の厚さは、例えば樹脂粒子２３の直径等に応じて適宜変更される。
【００６０】
次に、基材としてのシリコンチップ１４のＡｕ層２２に塗布されたレジスト３５のうちバンプ１７を形成する領域に塗布されたレジスト３５を除去することで、図８に示すようにレジスト３５に露出部３６を形成する（Ｓ３）。これにより、露出部３６からＡｕ層２２が露出するようにする。露出部３６は、樹脂粒子２３を少なくとも１個配置することができる形状となる。
【００６１】
続いて、図９に示すように、配線３７を介してシード層２０を図示しない負極に接続し、筒状部材３８を正極に接続し、例えば筒状部材３８内を通過する樹脂粒子２３に電圧を印加し、正電荷を帯びた樹脂粒子２３を、静電気の力によって筒状部材３８から露出部３６に選択的に配置（散布）する（Ｓ４）。これにより、例えば露出部３６にそれぞれ１個の樹脂粒子２３が配置される。
【００６２】
次に、図１０に示す電解メッキ装置４０を用いて例えば金メッキ処理を施すことで、図１１に示すように樹脂粒子２３が配置された露出部３６内を導電部材２４により充填する（Ｓ５）。例えば、電解メッキ装置４０のメッキ槽４１内のメッキ液４３中に、図９に示すシリコンチップ１４を浸漬させ、電解メッキ装置４０のメッキ用陽極４２を配線４４を介して正極とし、シード層２０を配線３７を介して負極として、例えば金メッキする。なお、このとき、図２に示すバンプ１７の接続面２４ａの少なくとも一部が配線５５に電気的に接続されるようにすればよい。
【００６３】
続いて、図１２に示すように、塗布されたレジスト３５を除去する（Ｓ６）。これにより、バンプ１７以外の領域に設けられたシード層２０が露出する。
【００６４】
次に、図１３に示すように、露出したシード層２０を除去する（Ｓ７）。
【００６５】
一方、液晶パネル２を製造した後（Ｓ８）、液晶パネル２に対してＹドライバＩＣ１１を圧着して実装する（Ｓ９）。このとき、例えば導電粒子を含むＡＣＦ等の接着膜を用いずに、導電粒子を含まないエポキシ樹脂等からなる接着剤４５によりＹドライバＩＣ１１と、液晶パネル２の基板４とを接着する。これにより、ＹドライバＩＣ１１を接着剤４５により封止する。
【００６６】
そして、液晶パネル２の基板４と、半導体ＩＣ１３が実装された回路基板３とを接着剤等により接続し偏光板やバックライトユニット等を設ける等して液晶装置１を製造する（Ｓ１０）。
【００６７】
以上で液晶装置１の製造方法についての説明を終了する。
【００６８】
このように本実施形態によれば、バンプ１７を形成する工程は、シリコンチップ１４に塗布されたレジスト３５のうちバンプ１７を形成する領域に塗布されたレジスト３５を除去することで、レジスト３５に露出部３６を形成する工程（Ｓ３）と、露出部３６に樹脂粒子２３を配置する工程（Ｓ４）と、樹脂粒子２３が配置された露出部３６に導電部材２４を充填する工程（Ｓ５）と、シリコンチップ１４に塗布されたレジスト３５を除去する工程（Ｓ６）とを備えているので、バンプ１７中にのみ導電部材２４を存在させ接着剤４５中に導電粒子等を存在させないようにでき、例えば導電粒子を含む異方性導電膜を用いてＹドライバＩＣ１１を基板４に実装する場合にリークを防止するために必要なバンプ間のピッチよりピッチが狭いときでも、例えば導電粒子等を介したバンプ１７同士の電気的な接触を防止できる液晶装置１を製造することができる。
【００６９】
また、球状の樹脂粒子２３を露出部３６に配置すると共に、導電部材２４を露出部３６内の樹脂粒子２３の周りに充填する等するだけでバンプ１７を形成することができるので、製造が容易となる。
【００７０】
更に、例えばバンプ１７を形成する位置にのみ導電部材２４を形成するので、例えば従来のようにＡＣＦを用いる場合に比べて、導電部材２４の使用量を減少させたり、導電粒子等を含まない安価な接着剤４５を用いたりして低コスト化を図ることができる。
【００７１】
また、バンプ１７中に樹脂粒子２３が含まれることになるので、例えばＹドライバＩＣ１１を基板４に圧着するときにバンプ１７を弾性変形させ、バンプ１７の導電部材２４と、ＹドライバＩＣ１１の配線２５との接触面積を確保して導電性を確保することができる。
【００７２】
更にまた、シリコンチップ１４にレジスト３５を塗布する工程（Ｓ２）の前に、導電部材２４に接続されるシード層２０をシリコンチップ１４に形成する工程（Ｓ１）を備え、露出部３６に樹脂粒子２３を配置する工程（Ｓ４）では、シード層２０と樹脂粒子２３とを逆の電荷に帯電させるので、例えば静電気による力を用いて静電吸着により樹脂粒子２３をレジスト３５の露出部３６内に配置することができる。
【００７３】
また、露出部３６に導電部材２４を充填する工程（Ｓ５）は、シード層２０をメッキ槽４１内のメッキ液４３に浸漬させることでメッキにより行うので、例えば樹脂粒子２３を露出部３６に配置するときに用いたシード層２０を、メッキ用の電極として用いることができ、製造コストの増加を抑えつつ確実に導電部材２３を露出部３６に充填することができる。
【００７４】
更に、バンプ１７は、樹脂粒子２３が１個収まる程度の大きさであるので、ＹドライバＩＣ１１を例えば基板４の配線２５等に圧着するときに、樹脂粒子２３を効率的に弾性変形させることができ、バンプ１７と配線２５等との接続信頼性を更に向上させることができると共に、樹脂粒子２３の使用量を減少させることで低コスト化を図ることができる。なお、バンプを、樹脂粒子が複数収まる大きさにすることで、例えば多数の樹脂粒子が導電部材に被覆されたバンプ等のように多種多様なバンプを形成するようにしてもよい。また、図２に示すバンプ１７の接続面２４ａの少なくとも一部が配線５５に電気的に接続されるようにした（バンプ１７の接続面２４ａから樹脂粒子２３が露出している）ドライバＩＣを用いる場合にも、例えば配線２５と配線５５とを同様に電気的に接続することができる。
【００７５】
（第１の変形例）
【００７６】
次に、本発明に係る第１の変形例の液晶装置１の製造方法について説明する。なお、本変形例以降においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付しその説明を省略し、異なる箇所を中心に説明する。
【００７７】
本変形例の製造工程については、第１の実施の形態とはステップ５のみが異なるので、ステップ５について説明する。
【００７８】
上記第１の実施の形態では、ステップ５において電解メッキ装置４０を用いて金メッキすることにより、露出部３６内に導電部材２４を形成する例を示した。しかし、本変形例では、ステップ５において、例えば導電部材２４を含む液状材料を射出可能な図１４に示すインクジェット式の射出装置５０を用いる。
【００７９】
インクジェット式の射出装置５０は、図１４に示すように、液状材料を射出する射出ヘッド５１、射出ヘッド５１に液状材料を供給するための供給ライン５２等を備えている。
【００８０】
射出ヘッド５１は、供給ライン５２から供給された液状材料を収容する収容室５３と、収容室５３に連通する射出室５４と、射出室５４内に動作可能に設けられた圧電体で構成された圧電部５７とを備えている。射出室５４には、液状材料を射出させるための射出口５８が形成されている。圧電部５７は外部からの駆動電圧により変形し、射出室５４内の体積を増減させるように構成されている。
【００８１】
インクジェット式の射出装置５０を用いて、レジスト３５の露出部３６に、例えば導電部材２４を含む液状材料を射出する。なお、液状材料は、例えば有機膜に被覆されたＡｇを、水やピロリドン等の溶媒に混入させて製造されている。インクジェット式の射出装置５０で露出部３６内に射出された液状材料を例えば１５０°Ｃ〜２００°Ｃに加熱し溶剤を揮発させ有機膜を焼失させる等する。これにより、露出部３６内の樹脂粒子２３をＡｇからなる導電部材２４で被覆するように、露出部３６内を導電部材２４で充填する。
【００８２】
このように本変形例によれば、露出部３６に導電部材２４を充填する工程（Ｓ５）では、樹脂粒子２３が配置された露出部３６に、インクジェット式の射出装置５０により、導電部材２４を含んだ液状材料を射出するので、例えば、露出部３６に狙い打つように導電部材２４を含んだ液状材料を射出させることができ、無駄な導電部材２４の量を減少させて低コスト化を図ることができる。
【００８３】
（第２の変形例）
【００８４】
次に、本発明に係る第２の変形例の液晶装置１の製造方法について説明する。
【００８５】
本変形例の製造工程については、第１の実施の形態とはステップ５のみが異なるので、ステップ５について説明する。
【００８６】
本変形例では、第１の実施の形態のステップ５の代りに、レジスト３５に露出部３６を形成したときにシリコンチップ１４に除去されずに残ったレジスト３５をスクリーン印刷用のマスクとして用い、図１５に示すように、例えば樹脂板６０等をレジスト３５の表面に略平行に移動させることで、導電部材２４を含むペースト６１を露出部３６に充填（印刷）する。これにより、導電部材２４が露出部３６内に充填される。
【００８７】
このように本変形例では、露出部３６に導電部材２４を充填する工程（Ｓ５）では、レジスト３５に露出部３６を形成する工程（Ｓ３）でシリコンチップ１４側に除去されずに残ったレジスト３５をマスクとして用いて、導電部材２４を含むペースト６１を露出部３６に充填（印刷）するので、別途、マスクを用意する必要がなく製造コストを抑えることができ、例えば導電部材２４を直接的かつ確実に露出部３６内に充填することができると共に、無駄になる導電部材２４の量を減少させて低コスト化を図ることができる。
【００８８】
（第３の変形例）
【００８９】
次に、本発明に係る第３の変形例の液晶装置１の製造方法について説明する。なお、本変形例の製造工程については、第１の実施の形態とはステップ４のみが異なるので、ステップ４について説明する。
【００９０】
本変形例では、ステップ４において、例えば射出装置５０と略同じ構造の樹脂粒子２３を射出可能なインクジェット式の射出装置を用いて、レジスト３５の露出部３６に、樹脂粒子２３を射出するようにしてもよい。このような変形例によれば、露出部３６に狙い打つように樹脂粒子２３を噴出させることで、選択的に露出部３６に樹脂粒子２３を配置することができる。
【００９１】
また、露出部３６に導電部材２４を充填する工程（Ｓ５）は、シード層２０をメッキ槽４１内のメッキ液４３に浸漬させることでメッキにより行うので、シード層２０を、メッキ用の電極として用いることでメッキにより導電部材２４を露出部３６に充填することができる。
【００９２】
なお、第３の変形例のステップ５を、例えば導電部材２４を含む液状材料を射出可能なインクジェット式の射出装置５０を用いて、レジスト３５の露出部３６に射出するようにしてもよい。この場合には、露出部３６に樹脂粒子２３を配置する工程（Ｓ４）及び導電部材２４をレジスト３５の露出部３６に充填する工程（Ｓ５）において、シード層２０を用いる必要がないので、図４に示すステップ１、ステップ７が不要となり、製造時間を短縮することができると共に、ＡｕやＴｉＷ等の金属材料を使用する必要がないので、低コスト化を図ることができる。
【００９３】
また、第３の変形例のステップ５を、例えば樹脂板６０等をレジスト３５の表面に略平行に移動させることで、導電部材２４を含むペースト６１を露出部３６に充填（印刷）するようにしてもよい。この場合には、露出部３６に樹脂粒子２３を配置する工程（Ｓ４）及び導電部材２４をレジスト３５の露出部３６に充填する工程（Ｓ５）において、シード層２０を用いる必要がないので、図４に示すステップ１、ステップ７が不要となり、製造時間を短縮することができると共に、ＡｕやＴｉＷ等の金属材料を使用する必要がないので、低コスト化を図ることができる。
【００９４】
更に、上記実施形態及び変形例では、液晶装置が、入出力端子１５、１６のＺ方向の直下にバンプ１７を備えるドライバＩＣ１１等を備える例を示した。しかし、例えば図１６に示すように、液晶装置が、入力端子１５からＹ方向にずれた位置にバンプ７０を備えたドライバＩＣを備えるようにしてもよい。
【００９５】
バンプ７０は、弾性を有する樹脂粒子２３と、樹脂粒子２３を被覆するように設けられた導電部材７２とを備えている。導電部材７２は、シリコンチップ１４からＺ方向に突出するように設けられる突設部７２ａと、突設部７２ａと入力端子１５とを接続する接続部７２ｂとを備えている。突設部７２ａは配線２５に接続されている。例えばバンプ７０は、上記実施形態と同様に例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成するようにすればよい。接着剤４５には、ＡＣＦではなく、例えばエポキシ樹脂等が用いればよい。
【００９６】
これにより、例えば上記実施形態等と同様にフォトリソグラフィ技術を用いて、バンプ７０を形成することができるので、製造が容易である。また、接着剤４５中に導電粒子等を存在させずにバンプ７０にのみ導電部材７２を存在させることができるので、接着剤４５中に含まれる導電粒子等によるバンプ７０同士の短絡を防止でき、狭ピッチ化されたバンプ７０の導電信頼性を向上させることができると共に、安価な接着剤４５を用いて低コスト化を図ることができる。
【００９７】
なお、本実施形態では、樹脂粒子２３を入力端子１５、出力端子１６に対応する位置に設けるために、露出部３６を形成したレジスト３５を用いる例を示したが、これに限定されず、例えば、図８に示す露出部３６を形成したレジスト３５と同形状のマスク部材を用いるようにしてもよい。この場合には、例えば、シリコンチップ１４の入力端子１５、出力端子１６と、マスク部材の開口部とが対応するようにマスク部材をセットした後、樹脂粒子２３を、静電気の力によって筒状部材３８からマスク部材の図示しない開口部に選択的に配置（散布）するようにすればよい（図９参照）。続いて、図１０に示す電解メッキ装置４０を用いて例えば金メッキ処理を施すことで、樹脂粒子２３が配置されたマスク部材の開口部内を導電部材２４により充填する。そして、マスク部材をシリコンチップ１４側から剥離し、露出したシード層２０を除去するなどしてバンプ１７を形成するようにしてもよい。
【００９８】
（第２の実施形態・電子機器）
【００９９】
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１００】
図１７は本発明の第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成の概略構成図である。
【０１０１】
電子機器３００は、表示制御系として例えば図１７に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。
【０１０２】
また、液晶パネル２には表示領域Ｉを駆動するＹドライバＩＣ１１等を含む駆動回路３６１を有する。
【０１０３】
表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。
【０１０４】
また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【０１０５】
このように本実施形態によれば、製造が容易であり、狭ピッチ化されたバンプの導電信頼性に優れたＹドライバＩＣ１１が実装された液晶装置１を備えているので、表示品位に優れた電子機器を得ることができる。
【０１０６】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１等が適用可能なのは言うまでもない。
【０１０７】
なお、本発明のＸ，ＹドライバＩＣ１２、１３、１１、液晶パネル２及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。
【０１０８】
例えば、上述の実施形態ではＴＦＴ型の液晶装置１等について説明したがこれに限られるものではなく、例えばＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）型アクティブマトリックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１０９】
また、上記実施形態及び変形例では、半導体ＩＣ３４の図示しないバンプは、可撓性基材３１に設けられた出力配線３２、入力配線３３にＡＣＦを介して接続されている例を示した。しかし、例えば可撓性基材３１の出力配線３２、入力配線３３に、ＡＣＦを介さずに、例えば導電粒子を含まない接着剤を用いて、ドライバＩＣ１１のバンプ１７と同様な構造のバンプを備えた半導体ＩＣを実装するようにてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明に係る第１の実施形態の液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の液晶装置のドライバＩＣの部分拡大平面図である。
【図４】第１の実施形態の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】シード層形成前のドライバＩＣの断面図である。
【図６】シード層が形成された状態のドライバＩＣ（Ｓ１）の断面図である。
【図７】レジストが塗布された状態のドライバＩＣ（Ｓ２）の断面図である。
【図８】レジストに露出部が形成された状態のドライバＩＣ（Ｓ３）の断面図である。
【図９】露出部に樹脂粒子が配置された状態のドライバＩＣ（Ｓ４）の断面図である。
【図１０】ドライバＩＣの金メッキ工程（Ｓ５）の説明図である。
【図１１】露出部に導電部材が充填された状態のドライバＩＣ（Ｓ５）の断面図である。
【図１２】レジストが除去された状態のドライバＩＣ（Ｓ６）の断面図である。
【図１３】シード層が除去された状態のドライバＩＣ（Ｓ７）の断面図である。
【図１４】第１の変形例の射出装置を用いたバンプの製造工程を説明する説明図である。
【図１５】スクリーン印刷によるバンプの製造工程を説明するための説明図である。
【図１６】入出力端子からずれたバンプを備えるドライバＩＣの断面図である。
【図１７】本発明に係る第３の実施形態の電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１１】
Ｔ…薄膜トランジスタ素子、  ａ…間隔、  Ｉ…表示領域、  １…液晶装置、  ２…液晶パネル、  ３…回路基板、  ４、５…基板、  ４ａ…張り出し部、  ５ａ…共通電極、  ６…シール材、  ７…ゲート電極、  ８…ソース電極、  ９…画素電極、  １１、１２、１３、３４…半導体装置、  １４…シリコンチップ、  １５…入力端子、  １６…出力端子、  １７、７０…バンプ、  １８…パッシベーション、  ２０…シード層、  ２１…ＴｉＷ層、  ２２…Ａｕ層、  ２３…樹脂粒子、  ２４、７２…導電部材、  ２４ａ…接続面、  ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３７、４４、５５、５６…配線、  ３１…可撓性基材、  ３２…出力配線、  ３３…入力配線、  ３５…レジスト、  ３６…露出部、  ３８…筒状部材、  ４０…電解メッキ装置、  ４１…メッキ槽、  ４２…メッキ用陽極、  ４３…メッキ液、  ４５…接着剤、５０…射出装置、  ５１…吐出ヘッド、  ５２…供給ライン、  ５３…収容室、  ５４…射出室、  ５７…圧電部、  ５８…射出口、  ６０…樹脂板、  ６１…ペースト、  ７２ａ…突設部、７２ｂ…接続部、  ３００…電子機器、  ３６１…駆動回路、  ３９０…表示制御回路
【図１】
2007005587.tif 000003
【図２】
2007005587.tif 000004
【図３】
2007005587.tif 000005
【図４】
2007005587.tif 000006
【図５】
2007005587.tif 000007
【図６】
2007005587.tif 000008
【図７】
2007005587.tif 000009
【図８】
2007005587.tif 000010
【図９】
2007005587.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2007005587.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2007005587.tif 000018
【図１７】
2007005587.tif 000019