(57)【要約】      （修正有）【課題】シールドリングが大型化してもシールドリングを容易に製作することができると共にシールドリングを容易に取り扱うことができ電極への取り付け作業等の作業性を高めることができ、しかもシールドリングとしての性能が低下することのないシールドリングを備えたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】シールドリング９Ａは周方向に繋いで用いられる複数の分割シールドリング９Ａ’からなり、一の分割シールドリング９Ａ’の一方の第１の分割端面にはジグザグ状の段部が形成されており、且つ、前記分割シールドリング９Ａ’の他方の第２の分割端面には別の分割シールドリング９Ａ’の第１の分割端面と係合するジグザグ状の段部が形成されており、隣接する分割シールドリング９Ａ’の繋ぎ目９Ｃは、一方の分割シールドリング９Ａ’の第１の分割端面と他方の分割シールドリング９Ａ’の第２の分割端面とが係合して形成されてなる。【選択図】図３
2007134737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示用基板の形状に即して形成された電極を有する載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部を被覆するシールドリングと、を備えたプラズマ処理装置において、
上記シールドリングは周方向に繋いで用いられる複数の分割部材からなり、
上記分割部材の一方の第１の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第１の端面部が連設されており、且つ、上記各第１の端面部にはそれぞれの端面部の下部を上記軸芯に沿う方向に切り欠いた切欠部が形成されて上記各第１の端面部から上記軸方向に後退する後退面部が形成されており、また、
上記分割部材の他方の第２の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第２の端面部が他の分割部材の上記各第１の端面部と当接するように連設されており、且つ、上記各第２の端面部にはそれぞれの下部が突出して上記他の分割部材の切欠部を補完する突出部が形成されてそれぞれの先端に上記各後退面部と当接する突出面部が形成されており、
隣接する上記分割部材の繋ぎ目は、一方の分割部材の第１の分割端面と他方の分割部材の第２の分割端面とが係合して形成されてなる
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
上記複数の後退面部はそれぞれの間に上記軸芯に沿う方向の段差を有すると共に、上記複数の突出面部はそれぞれの間に上記軸芯に沿う方向の段差を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
上記複数の第１、第２の端面部、上記複数の後退面部及び上記複数の突出面部は、いずれも上記軸芯に沿う方向と直交する方向の面からなり、上記各面間の段差部分はそれぞれ上記軸芯に沿う方向の面によって形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
液晶表示用基板の形状に即して形成された電極を有する載置台と、この載置台に対向して配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の周縁部を被覆するシールドリングと、を備えたプラズマ処理装置において、
上記シールドリングは周方向に繋いで用いられる複数の分割部材からなり、
上記分割部材の一方の第１の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第１の端面部が連設されており、且つ、上記各第１の端面部にはそれぞれの端面部の下部を上記軸芯に沿う方向に切り欠いた切欠部が形成されて上記各第１の端面部から上記軸方向に後退する後退面部が形成されており、また、
上記分割部材の他方の第２の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第２の端面部が他の分割部材の上記各第１の端面部と当接するように連設されており、且つ、上記各第２の端面部にはそれぞれの下部が突出して上記他の分割部材の切欠部を補完する突出部が形成されてそれぞれの先端に上記各後退面部と当接する突出面部が形成されており、
隣接する上記分割部材の繋ぎ目は、一方の分割部材の第１の分割端面と他方の分割部材の第２の分割端面とが係合して形成されてなる
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
上記複数の後退面部は互いに上記軸芯に沿う方向の段差を有すると共に、上記複数の突出面部は互いに上記軸芯に沿う方向の段差を有することを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
上記複数の第１、第２の端面部、上記複数の後退面部及び上記複数の突出面部は、いずれも上記軸芯に沿う方向と直交する方向の面からなり、上記各面間の段差部分はそれぞれ上記軸芯に沿う方向の面によって形成されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示体用基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関し、更に詳しくは、プラズマ用電極に伴ってシールドリングが大型化しても容易に製作することができると共に作業性を高めることができるシールドリングを備えたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から液晶表示体用基板（以下、「ＬＣＤ用基板」と称す。）にプラズマ処理を施すための装置が種々提案されている。例えば図１３はマルチチャンバータイプのプラズマ処理装置の外観を示す図である。同図に示すプラズマ処理装置は、例えば３室の処理室１０１と、これらの処理室１０１がゲートバルブ１０２を介して連結された矩形状の搬送室１０３と、この搬送室１０３にゲートバルブ１０４を介して連結されたロードロック室１０５と、ロードロック室１０５にゲートバルブ１０６を介して隣接する搬入搬出機構１０７と、搬入搬出機構１０７の左右に配設されたインデクサ１０８とを備えている。
【０００３】
インデクサ１０８にはＬＣＤ用基板Ｓを例えば２５枚収納したカセットＣが載置され、搬入搬出機構１０７を介してカセット内のＬＣＤ用基板Ｓをロードロック室１０５内へ搬入すると共に処理済みのＬＣＤ用基板Ｓをロードロック室１０５内から搬出する。ロードロック室１０５内へＬＣＤ用基板Ｓを搬入すると、ゲートバルブ１０６を閉じる。次いで、ロードロック室１０５内を所定の真空度まで減圧した後、搬送室１０３とロードロック室１０５間のゲートバルブ１０４が開き、ロードロック室１０５内のＬＣＤ用基板Ｓを搬送室１０３内の搬送機構（図示せず）を介して搬送室１０３内へ搬入した後、ゲートバルブ１０４を閉じる。搬送室１０３内では更に減圧してロードロック室１０５内よりも高い真空度まで減圧した後ゲートバルブ１０２を開き、処理室１０１内の下部電極との間で未処理のＬＣＤ用基板Ｓと処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’とを交換する（図１４参照）。交換後、処理室１０１内では下部電極と上部電極間にプラズマを発生させＬＣＤ用基板Ｓに対して所定のプラズマ処理を行う。３室の処理室１０１では同一の処理（例えばエッチング処理等）を行っても良いし、互いに異なった処理（例えばエッチング処理とアッシング処理等）を行うようにしても良い。
【０００４】
ところが、ＬＣＤ用基板Ｓは半導体ウエハと異なり処理面積が大きく、プラズマ装置自体が半導体ウエハ用と比較して大型であるため、半導体ウエハ用のプラズマ処理装置の仕様では対応しきれない種々の問題がある。例えば、下部電極におけるＬＣＤ用基板Ｓの受け渡し機構も以下で説明するように半導体ウエハの場合とは異なる独自の機構がある。また、下部電極、上部電極等の構成部材は半導体ウエハ用の場合と比較して大きく、しかも最近はＬＣＤ用基板Ｓ自体が益々大面積化しているため、液晶表示体基板用プラズマ処理装置独自の難しい問題がある。
【０００５】
さて、ここで液晶表示体基板用プラズマ処理装置独自の機構であるＬＣＤ用基板Ｓの受け渡し機構について図１４、図１５を参照しながら説明する。処理室１０１内には図１５に示すようにＬＣＤ用基板Ｓを載置する載置台を兼ねる下部電極１０９が配設され、搬送室１０３内には例えば多関節型の搬送機構（図１４ではハンド１１０のみを図示してある）が配設されている。また、下部電極１０９には第１、第２受け渡し機構１１１、１１２が配設され、第１、第２受け渡し機構１１１、１１２を介して下部電極１０９と搬送機構のハンド１１０との間で未処理ＬＣＤ用基板Ｓ及び処理済みＬＣＤ用基板Ｓ’の受け渡しを行う。ハンド１１０は図１４に示すように上下二段のフォーク１１０Ａ、１１０Ｂを有し、上フォーク１１０Ａで未処理のＬＣＤ用基板Ｓを支持し、下フォーク１１０Ｂで処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を支持する。
【０００６】
第１、第２受け渡し機構１１１、１１２について図１４、図１５を参照しながら更に説明する。第１受け渡し機構１１１は、例えば下部電極１０９の左右両側縁部の前後に配設された二対の第１昇降ピン１１１Ａを有し、ＬＣＤ用基板Ｓの左右両側縁からＬＣＤ用基板Ｓを水平に支持する。第２受け渡し機構１１２は、例えば下部電極１０９の周囲を被覆する枠状のシールドリング１１３の左右に配設された二対の第２昇降ピン１１２Ａを有している。第２昇降ピン１１２Ａは例えば上端部が水平方向、上方向へ二度に渡って９０°ずつ折曲形成され、Ｌ字状の先端で第１昇降ピン１１１Ａよりも高い位置で未処理のＬＣＤ用基板Ｓを支持する。また、第２昇降ピン１１２Ａは正逆方向に回転可能になっており、ＬＣＤ用基板Ｓを受け渡す時には図１５の（ｂ）に示すようにＬ字状部を反時計方向へ９０°回転させ下部電極１０９の内側に向け、その他の時にはＬ字状部を時計方向へ９０°回転させてシールドリング１１３に形成された凹部１１３Ａ内に後退し、蓋１１２Ｂで凹部１１３Ａを閉じる。
【０００７】
従って、未処理及び処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の受け渡し（交換）は以下のように実施する。まず、第２受け渡し機構１１２では図１５の（ａ）の状態から蓋１１２Ｂが開いた後、同図の（ｂ）の矢印で示すように第２昇降ピン１１２Ａがシールドリング１１３の凹部１１３Ａから上昇すると共にＬ字状部を下部電極１０９の内側に向ける。引き続き第１受け渡し機構１１１では第１昇降ピン１１１Ａが上昇して処理済みＬＣＤ用基板Ｓ’を水平に持ち上げる。そして、搬送機構のハンド１１０が下部電極１０９に向けて進出すると、上フォーク１１０Ａに載置された未処理のＬＣＤ用基板Ｓが第２昇降ピン１１２ＡのＬ字状部のやや上方に位置すると共に下フォーク１１０Ｂが処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’のやや下方に位置する。次いで、第２昇降ピン１１２Ａが上昇して上フォーク１１０Ａから未処理のＬＣＤ用基板Ｓを受け取った後、第１昇降ピン１１１Ａが下降して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を下フォーク１１０Ｂへ引き渡す。引き続きハンド１１０が下部電極１０９から後退し、第１昇降ピン１１１Ａがやや上昇すると共に第２昇降ピン１１２Ａが下降し、未処理のＬＣＤ用基板Ｓを第２昇降ピン１１２Ａから第１昇降ピン１１１Ａへ引き渡す。更に、第１昇降ピン１１１Ａが下降して下部電極１０９内に後退しＬＣＤ用基板Ｓを下部電極１０９上に載置する。第２昇降ピン１１２Ａは未処理のＬＣＤ用基板Ｓを引き渡した後、Ｌ字状部が逆向きに９０°回転した後下降してシールドリング１１３の凹部１１３Ａ内へ後退し、蓋１１２Ｂを閉じ、一連のＬＣＤ用基板の受け渡しを終了する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、第２受け渡し機構１１２の第２昇降ピン１１２Ａはシールドリング１１３の凹部１１３Ａ内に収納され、蓋１１２Ｂによって凹部１１３Ａを閉じるようにしているため、蓋１１２Ｂと凹部１１３Ａには開閉用のクリアランスが必要である。また、第２昇降ピン１１２Ａの駆動部は下部電極中の空洞に配設されているため、プラズマ処理時にはこのクリアランスを通って異常放電が発生する虞があり、また、このクリアランスからプラズマ副生成物が侵入し、副生成物が凹部１１３Ａ内に堆積し、パーティクルの原因になる虞がある。また、第２受け渡し機構１１２がＬＣＤ用基板Ｓに隣接するシールドリング１１３に設けられているため、その可動部から発生したパーティクルが隣のＬＣＤ用基板Ｓを汚染する虞がある。
【０００９】
また、下部電極、上部電極等の構成部材は半導体ウエハ用の場合と比較して大きく、しかも最近はＬＣＤ用基板Ｓ自体が益々大面積化しているため、例えば下部電極１０９の外周縁部を被覆するシールドリング１１３自体に液晶表示体基板用プラズマ処理装置独自の難しい問題がある。つまり、シールドリング１１３は例えばセラミック等の耐プラズマ性材料によって形成されているが、シールドリング１１３がＬＣＤ用基板Ｓの大面積化に伴って大型化するとセラミック等の耐プラズマ性材料によって一体物として作製することが極めて難しく、また、シールドリング１１３が大型化するほど電極への組付作業等の取り扱いも難しくなる。そこで、シールドリング１１３を複数に分割する方法が考えられるが、シールドリング１１３を複数に分割すると、プラズマ処理時に繋ぎ目の隙間において異常放電が発生すると共にこの隙間にプラズマ副生成物が侵入して堆積し、パーティクルの原因になるなどというシールドリングとしての性能が低下するという新たな問題を生じる。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、シールドリングが大型化してもシールドリングを複数の分割部材として容易に製作することができると共にシールドリングを複数の分割部材として容易に取り扱うことができ、電極への取り付け作業等の作業性を高めることができ、しかもシールドリングとしての異常放電を防止すると共に分割部材の繋ぎ目からのプラズマ副生成物の侵入を阻止することができるプラズマ処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載のプラズマ処理装置は、液晶表示用基板の形状に即して形成された電極を有する載置台と、この載置台を構成する電極の周縁部を被覆するシールドリングと、を備えたプラズマ処理装置において、上記シールドリングは周方向に繋いで用いられる複数の分割部材からなり、上記分割部材の一方の第１の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第１の端面部が連設されており、且つ、上記各第１の端面部にはそれぞれの端面部の下部を上記軸芯に沿う方向に切り欠いた切欠部が形成されて上記各第１の端面部から上記軸方向に後退する後退面部が形成されており、また、上記分割部材の他方の第２の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第２の端面部が他の分割部材の上記各第１の端面部と当接するように連設されており、且つ、上記各第２の端面部にはそれぞれの下部が突出して上記他の分割部材の切欠部を補完する突出部が形成されてそれぞれの先端に上記各後退面部と当接する突出面部が形成されており、隣接する上記分割部材の繋ぎ目は、一方の分割部材の第１の分割端面と他方の分割部材の第２の分割端面とが係合して形成されてなることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項２に記載のプラズマ処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記複数の後退面部はそれぞれの間に上記軸芯に沿う方向の段差を有すると共に、上記複数の突出面部はそれぞれの間に上記軸芯に沿う方向の段差を有することを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項３に記載のプラズマ処理装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記複数の第１、第２の端面部、上記複数の後退面部及び上記複数の突出面部は、いずれも上記軸芯に沿う方向と直交する方向の面からなり、上記各面間の段差部分はそれぞれ上記軸芯に沿う方向の面によって形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項４に記載のプラズマ処理装置は、液晶表示用基板の形状に即して形成された電極を有する載置台と、この載置台に対向して配置された上部電極と、この上部電極を構成する電極の周縁部を被覆するシールドリングと、を備えたプラズマ処理装置において、上記シールドリングは周方向に繋いで用いられる複数の分割部材からなり、上記分割部材の一方の第１の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第１の端面部が連設されており、且つ、上記各第１の端面部にはそれぞれの端面部の下部を上記軸芯に沿う方向に切り欠いた切欠部が形成されて上記各第１の端面部から上記軸方向に後退する後退面部が形成されており、また、上記分割部材の他方の第２の分割端面には上記分割部材の上記シールドリングの軸芯に沿う方向で互いに段差を有し且つ上記軸芯に沿う方向と直交する方向へ複数の第２の端面部が他の分割部材の上記各第１の端面部と当接するように連設されており、且つ、上記各第２の端面部にはそれぞれの下部が突出して上記他の分割部材の切欠部を補完する突出部が形成されてそれぞれの先端に上記各後退面部と当接する突出面部が形成されており、隣接する上記分割部材の繋ぎ目は、一方の分割部材の第１の分割端面と他方の分割部材の第２の分割端面とが係合して形成されてなることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項５に記載のプラズマ処理装置は、請求項４に記載の発明において、上記複数の後退面部は互いに上記軸芯に沿う方向の段差を有すると共に、上記複数の突出面部は互いに上記軸芯に沿う方向の段差を有することを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項６に記載のプラズマ処理装置は、請求項４または請求項５に記載の発明において、上記複数の第１、第２の端面部、上記複数の後退面部及び上記複数の突出面部は、いずれも上記軸芯に沿う方向と直交する方向の面からなり、上記各面間の段差部分はそれぞれ上記軸芯に沿う方向の面によって形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、シールドリングが大型化してもシールドリングを複数の分割部材として容易に製作することができると共にシールドリングを複数の分割部材として容易に取り扱うことができ、電極への取り付け作業等の作業性を高めることができ、しかもシールドリングとしての異常放電を防止すると共に分割部材の繋ぎ目からのプラズマ副生成物の侵入を阻止することができるプラズマ処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図１〜図１２に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態の液晶表示体基板用プラズマ処理装置（以下、単に「プラズマ処理装置」と称する。）は、基本的には従来と同様に、ＬＣＤ用基板Ｓにプラズマ処理を施す上部電極及び下部電極を有する処理室と、この処理室に連結された搬送機構を有する搬送室とを備えている。本実施形態の処理室１の側壁には図１の（ａ）に示すようにゲートバルブＧが取り付けられ、このゲートバルブＧを介して処理室１と搬送室（図示せず）は連通可能になっている。この処理室１内には下部電極２Ａを有する載置台２が配設され、この載置台２の上方には隙間を介してプロセスガスの供給部を兼ねる上部電極３が対向配置されている。上部電極３はマッチング回路３Ａを介して高周波電源３Ｂに接続され、高周波電源３Ｂから上部電極３に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する。また、処理室１の外側にはプロセスガス供給源４が配設され、このプロセスガス供給源４からプロセスガスを処理室１内に供給する。従って、プロセスガス供給源４から処理室１内へプロセスガスを供給すると共に上部電極３に高周波電力を印加することにより、下部電極２Ａと上部電極３間でプロセスガスのプラズマを発生させ、ＬＣＤ用基板Ｓに対してエッチングあるいはアッシング等のプラズマ処理を行うことができる。
【００１９】
図１の（ａ）に示すようにプロセスガス供給源４はマスフローコントローラ４Ａ、開閉バルブ４Ｂ及びガス配管５を介して上部電極３に接続され、処理室１近傍のガス配管５は処理室１の側壁に形成された貫通孔１Ａを貫通している。また、処理室１は上端近傍で上下に二分割されて処理室１の上部が開閉可能になっており、内部のメンテナンスを行い易いようにしてある。これに伴ってガス配管５も分割され、同図の（ｂ）に拡大して示すようにそれぞれの分割端にはフランジ５Ａ、５Ａが取り付けられている。フランジ５Ａの周縁部は処理室１の側壁の分割面に穿設されたリング状凹陥部１Ｂ内に収納されている。そして、フランジ５Ａ、５Ａの衝合面間、各フランジ５Ａとリング状凹陥部１Ｂとの衝合面間にはそれぞれシール部材５Ｂ、５Ｃが介装され、更に、側壁の分割面間にもシール部材１Ｃが介装され、これらのシール部材１Ｃによって処理室１内の気密を保持している。このようにガス配管５を処理室１の壁面内に収納することで処理室１を開閉する場合にはガス配管５が邪魔になることがない。また、上部電極３を冷却する場合にはその冷媒配管を側壁の貫通孔１Ａに通しても良い。
【００２０】
処理室１の底面には図１の（ａ）、図２に示すように排気口１Ｅが５箇所に略均等に分散して形成され、これらの排気口１Ｅから処理室１内のガスを排気する。排気口１Ｅは載置台２の周囲の他、載置台２の下方にも形成され、排気口１Ｅに接続された排気管６を介して排気の高速化や処理室１内の排気流の均一化を図るようにしてあるため、処理室１内のプロセスガスの分布を均一化してエッチング処理等のプラズマ処理の均一化を実現することができる。
【００２１】
載置台２は処理室１の底面中央に配置され、例えば４本の中空状の支柱７によって底面から浮上した状態で支持されている。この支柱７は図２に示すように処理室１の底面の貫通孔１Ｆに対してフランジ結合されており、ユーティリティ関連の収納配管を兼ねている。即ち、下部電極２Ａの内部には冷媒流路２Ｂが形成され、この冷媒流路２Ｂは冷媒供給源（図示せず）に連なる冷媒配管２Ｃに接続され、この冷媒配管２Ｃを介して冷媒流路２Ｂを循環する冷媒により下部電極２Ａを所定の温度まで冷却制御する。また、下部電極２Ａの表面には静電チャック８が配設され、静電チャック８を介してＬＣＤ用基板Ｓを静電吸着する。この静電チャック８は配線８Ａを介して電源８Ｂに接続されている。これらの冷媒配管２Ｃ、配線８Ａ及び下部電極２Ａのアース配線２Ｄ等のユーティリティ関連の配管、配線が支柱７内に収納されている。
【００２２】
また、図１の（ａ）に示すように下部電極２Ａの外周縁部はセラミックス等の耐プラズマ性材料によって枠状に形成されたシールドリング体９によって被覆され、このシールドリング体９によって下部電極２Ａ外周縁部をスパッタリングによる損傷から防止すると共に上部電極３の間に発生したプラズマの下部電極２Ａの外側への広がりを防止する。また、このシールドリング体９は、下部電極２Ａの外周縁部を被覆するシールドリング９Ａと、下部電極２Ａの外周面を被覆する筒状体９Ｂからなっている。これら両者９Ａ、９Ｂは同図に示すように分割されたものであっても一体化したものであっても良い。
【００２３】
本実施形態のシールドリング９Ａは例えば図３に示すように４つの分割シールドリング体９Ａ’として分割されている。このため、本実施形態ではＬＣＤ用基板Ｓの大面積化に伴って大型化してもシールドリング９Ａを一体物として製作するのではなく、分割シールドリング９Ａ’を分割部材として製作するため、一体物のシールドリング９Ａと比較して個々の分割シールドリング９Ａ’を極めて容易に製作することができる。しかも分割シールドリング９Ａ’は枠状の一体物と比較して極めて容易に取り扱うことができるため、製作後の搬送作業や下部電極２Ａに対する組付け作業等の作業性を格段に高めることができる。
【００２４】
隣接する分割シールドリング９Ａ’、９Ａ’ の繋ぎ目には軸方向（水平方向）の段差が設けられ、その繋ぎ目において分割シールドリング９Ａ’、９Ａ’が互いに隙間なく密着している。しかも、繋ぎ目９Ｃには異物（例えば、プラズマ副生成物）の侵入を阻止する部分が形成されている。例えば同図に示すように、各分割シールドリング９Ａ’の側面の繋ぎ目９Ｃにはそれぞれ水平方向の重合面９Ｄと垂直方向の重合面９Ｅが連設され、これらの重合面９Ｄ、９Ｅが重なって接触することで繋ぎ目９Ｃが形成されている。具体的には、これらの重合面９Ｄ、９Ｅは図３に示すように水平方向及び垂直方向に連設され、水平方向の重合面９Ｄの水平方向前後両端に連設された垂直方向の重合面９Ｅ、９Ｅ間に段差を形成し、各分割シールドリング９Ａ’それぞれの重合面９Ｄ、９Ｅが互いに重合して側面の繋ぎ目９Ｃを形成している。側面上側の垂直方向の重合面９Ｅが手前縦方向の分割シールドリング９Ａ’の第１の端面部を形成し、この端面部に当接する横方向の分割シールドリング９Ａ’の重合面９Ｄが第２の端面部を形成している。また、側面下側の重合面９Ｅが手前縦方向の分割シールドリング９Ａ’の後退面部を形成し、この後退面部に当接する横方向の分割シールドリング９Ａ’の重合面９Ｅが突出端面部を形成している。分割シールドリング９Ａ’、９Ａ’上面の繋ぎ目の重合面９Ｄ、９Ｅも同様に構成されている。このように繋ぎ目９Ｃは水平方向の重合面９Ｄと及び垂直方向の重合面９Ｅによって形成された段差のある端面が噛み合って密着しているため、プラズマ処理時の異常放電を防止することができ、繋ぎ目９Ｃ内へのプラズマ副生成物の侵入を阻止することができる。これらの各重合面９Ｄ、９Ｅは方向を異にする面であれば、水平方向及び垂直方向の面でなくても良く、また、これらの重合面９Ｄ、９Ｅは水平方向及び垂直方向でそれぞれ複数連設されて複数の段差を形成することが好ましい。複数の段差を設けることでプラズマ副生成物の侵入をより確実に防止することができる。
【００２５】
静電チャック８は図１の（ａ）に示すように下部電極２Ａの周縁部に配設されたシールドリング９Ａ及びその上面のガス整流ブロック１０によって囲まれている。ガス整流ブロック１０はＬＣＤ用基板Ｓを搬入、搬出する場合には上部電極３の方に上昇するようになっている。このガス整流ブロック１０はセラミック等の耐プラズマ性材料によって図４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように断面がＬ字状を呈する枠状に形成され、上部電極３から下降流で供給されるプロセスガスがＬＣＤ用基板Ｓ表面全体に均一な流速で行き渡るようにしてある。即ち、上部電極３からプロセスガスを下降流で供給した後、使用後のガスを排気口１Ｅから排気する。この時の排気流はＬＣＤ用基板Ｓの中央部よりも周縁部の方が速いが、ガス整流ブロック１０を設けることでガス流がガス整流ブロック１０によって堰き止められてＬＣＤ用基板Ｓの周縁部のガス流速が遅くなる。この結果、ガス整流ブロック１０内側のＬＣＤ用基板Ｓ全面でのプロセスガスの密度が均一化され、プラズマ処理を均一化することができる。このような結果をより確実に得るためには、ガス整流ブロック１０のＬＣＤ用基板Ｓ表面からの高さは例えば２５mm程度に設定することが好ましい。
【００２６】
また、ガス整流ブロック１０は、図４の（ａ）、（ｂ）に示すように、矩形状の基板枠１０Ａと、この基板枠１０Ａの内周縁に着脱自在に複数の固定用ピン１０Ｂを介して取り付けられた整流枠１０Ｃと、この整流枠１０Ｃを基板枠１０Ａに装着した状態で整流枠１０Ｃを側面から押圧し固定用ピン１０Ｂを介して基板枠１０Ａ上に整流枠１０Ｃを固定するカム等の固定具１０Ｄとを有している。固定用ピン１０Ｂは整流枠１０Ｃの下端に所定間隔を空けて全周に渡って垂直下方に向けて取り付けられ、基板枠１０Ａに設けられたピン孔に嵌入するようになっている。また、カム等の固定具１０Ｄは例えば図４の（ａ）に示すように基板枠１０Ａの各辺に取り付けられている。従って、メンテナンス時には整流枠１０Ｃは固定具１０Ｄを手動操作することで基板枠１０Ａから簡単に着脱することができるため、整流枠１０Ｃにプラズマ副生成物が付着、堆積した場合にはクリーニングを簡単に行うことができる。尚、基板枠１０Ａに対する整流枠１０Ｃの位置決め及び取り付けは、固定用ピン１０Ｂ以外の構成を採用することもできる。例えば、図４の（ｃ）に示すように整流枠１０Ｃの下端部に段部１０Ｅを設けると共に基板枠１０Ａの内周に段部１０Ｅと係合する凸部１０Ｆを設け、段部１０Ｅと凸部１０Ｆを係合させて一体化しても良い。
【００２７】
而して、図５に示すように処理室１内には搬送室の搬送機構と載置台２との間でＬＣＤ用基板Ｓを受け渡す第１、第２受け渡し機構１１、１２が配設されている。第１受け渡し機構１１は同図に示すように従来と同様に下部電極２Ａの内周縁部に沿って配設された４本の昇降ピン１１Ａを有している。図示してないが、これらの昇降ピン１１Ａは太さ（外径）が一定のピンであっても良く、また、上端部のみが太くその下方から縊れて一定の細さになったピンであっても良い。昇降ピン１１Ａが出没する下部電極２Ａの孔には絶縁性材料によって形成されたブッシュ（図示せず）が装着され、このブッシュに従って昇降ピン１１Ａが昇降する。このブッシュは下部電極２Ａを形成する電極板（図示せず）の裏面側に装着され、ブッシュ自体が電極表面に露呈しないようになっており、下部電極２Ａの孔での放電を防止している。一方、第２受け渡し機構１２は、載置台２に隣接させて処理室１の底面に第１受け渡し機構１１に対応して配設されている。
【００２８】
そこで、第２受け渡し機構１２について詳述する。第２受け渡し機構１２は、例えば図５、図６に示すように、正逆回転可能で且つ昇降可能な支持ロッド１３と、この支持ロッド１３の上端から水平に張り出す長円形状の支持部材１４と、この支持部材１４を上端開口から受け入れて下降端で収納する長円形状の筐体１５と、この筐体１５を支持する支持機構１６とを有している。この筐体１５は載置台２の側面に平行に配置され、その上端が載置台２の載置面より１０〜５０ｍｍだけ低く位置している。そして、筐体１５等の各部材は基本的には表面がアルマイト加工されたアルミニウムによって形成されている。
【００２９】
図６に示すように支持ロッド１３は処理室１の底面に形成された貫通孔１Ｇを貫通し、底面の下方に配設されたリフタ１７に対して接続部材１３Ａを介して連結されている。このリフタ１７は底面の下方に配設された回転駆動機構及び昇降駆動機構（共に図示せず）を介して正逆回転及び昇降可能になっている。従って、支持ロッド１３はリフタ１７を介して正逆回転及び昇降可能になっており、しかも、接続部材１３Ａを介してリフタ１７から取り外せるようになっている。また、底面の貫通孔１Ｇの裏側にはフランジ１８Ａを介してベローズ１８が取り付けられ、このベローズ１８内にリフタ１７が収納されている。支持ロッド１３は筐体１５よりも下側の部分が筒状部材１９内に収納されている。この筒状部材１９の下端にはフランジ１９Ａが形成され、このフランジ１９Ａを介して支持機構１６の基板１６Ａの一端に固定されている。そして、筒状部材１９の上端開口にはブッシュ１９Ｂが装着され、筒状部材１９内ひいては底面下側空間から処理室１内を遮断し、底面下方の駆動機構によって発生するパーティクルが筒状部材１９から処理室１内へ入り込まないようにしてある。また、ブッシュ１９Ｂは支持ロッド１３の昇降ガイドの機能も有している。
【００３０】
また、図６に示すように支持部材１４は筐体１５内に収まるように筐体１５と相似形状を呈するように形成され、その基端で支持ロッド１３の上端に連結されている。この支持部材１４は、ＬＣＤ用基板Ｓを受ける受け部材１４Ａと、筐体１５の上端開口を開閉する蓋部材１４Ｂとを有している。受け部材１４Ａは例えば表面がアルマイト加工されたアルミニウムによって先端側が薄肉状の受け部として形成されていると共に基端側が厚肉状に形成され、受け部においてＬＣＤ用基板Ｓを受けるようになっている。この受け部材１４Ａの表面にはフッ素系樹脂等の摩擦係数の大きな耐熱、耐食性の材料からなる滑り止め１４Ｃが設けられ、この滑り止め１４ＣによってＬＣＤ用基板Ｓの受け部材１４Ａからの滑落を防止している。蓋部材１４Ｂはセラミックス等の耐プラズマ性材料によって平面形状が筐体１５と略同一大きさに形成され、受け部材１４Ａの厚肉部に固定されている。従って、支持部材１４が支持ロッド１３を介して下降端に達すると、筐体１５の上端開口を蓋部材１４Ｂによって閉じるようになっている。筐体１５の開口端面には全周に渡ってシール部材２０が取り付けられ、シール部材２０を介して筐体１５内を処理室１から遮断し、プラズマ処理時にプラズマ副生成物が筐体１５内に侵入して付着、堆積しないようにしてある。従って、ＬＣＤ用基板Ｓを載置する受け部材１４Ａは常に清浄に保たれる。
【００３１】
筐体１５の底面には図６に示すように基端部に支持ロッド１３が遊嵌する孔１５Ａが形成され、また、その底面には長軸線に沿って所定間隔を空けて２個の孔が形成され、これらの孔を介して支持機構１６が連結されている。支持機構１６は、同図に示すように、筐体１５の２個の孔をそれぞれ垂直に貫通するガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂと、ガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂの上端がそれぞれ挿着されたフランジを有する第１スリーブ１６Ｃ、１６Ｃと、第１スリーブ１６Ｃ、１６Ｃとそれぞれ所定間隔を空けてそれぞれの下方に装着された第２スリーブ１６Ｄ、１６Ｄと、第１、第２スリーブ１６Ｃ、１６Ｄの間に弾装された弾性部材（例えばコイルスプリング）１６Ｅ、１６Ｅと、コイルスプリング１６Ｅ、１６Ｅをそれぞれ囲んで筐体１５の下面にそれぞれ固定された第３スリーブ１６Ｆ、１６Ｆとを有している。各ガイドロッド１６Ｂ、１６Ｂは第１スリーブ１６Ｃ、１６Ｃ上端のフランジから突出し、突出端において連結板１６Ｇを介して互いに連結されている。第１スリーブ１６Ｃ、１６Ｃは筐体１５内に位置するフランジを介して筐体１５の底面に固定されている。従って、支持ロッド１３が下降して支持部材１４が筐体１５内へ収納される時に、蓋部材１４Ｂが下降端に達すると支持機構１６のスプリング１６Ｅを介して弾力的に支持された筐体１５の開口端面と弾力的に接触し、シール部材２０を介して筐体１５内を確実に封止する。尚、蓋部材１４Ｂは筐体１５の開口端面に弾力的に接触するため、シール部材２０を省略することもできる。
【００３２】
一方、上部電極３は図１の（ａ）に示すように中空状に形成され、処理室１上面の中央孔に絶縁性部材からなる枠体２１を介して装着されている。この上部電極３の下面（下部電極と対向する面）全面には多数の分散孔３Ｃが均等に分散配置され、各分散孔３Ｃから処理室１内全体へプロセスガスを下降流で供給する。また、同図に示すように上部電極３の内部には第１、第２バッフル板２２、２３が上下二段に所定間隔を空けて取り付けられている。各バッフル板２２、２３にはそれぞれ全面に渡って分散孔２２Ａ、２３Ａが均等に分散して形成され、しかも各分散孔２２Ａ、２３Ａは互い違いになっている。
【００３３】
また、上部電極３の上壁内面と第１バッフル板２２は、例えば図７に示すように、第１、第２仕切板２４、２５によって連結され、上壁と第１バッフル板２２間の空間を３つの部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆに分割している。第１仕切板２４は平面形状が上部電極３と相似形の枠体として形成され、第２仕切板２５は第１仕切板２４の両側面と上部電極３の内壁面を連結する矩形板として形成されている。また、各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆには図１の（ａ）に示すようにガス配管５の分岐管５Ｄ、５Ｅ、５Ｆが連結されている。これらの分岐管５Ｄ、５Ｅ、５Ｆにはコントロールバルブ２６、２６、２６がそれぞれ取り付けられ、各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへのプロセスガスの流量を個別に制御できるようにしてある。このように各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへのガス流量を個別に制御することにより、ＬＣＤ用基板Ｓが大面積化してもＬＣＤ用基板Ｓ全領域でのガス流量を均等化することができ、ひいてはプラズマ処理を均一化することができる。
【００３４】
また、上部電極３の下面周縁部には図１の（ａ）に示すように本実施形態に係る枠状のシールドリング２７が取り付けられ、このシールドリング２７は基本的には下部電極２Ａのシールドリング体９のシールドリング９Ａと実質的に同様の構成及び機能を有するもので、耐プラズマ性材料によって形成されている。このシールドリング２７はＬＣＤ用基板Ｓの大面積化に伴って大型化するため、一体物では取り扱いなどが難しく、例えば図８に示すように４つに分割し、４つの分割シールドリング２７Ｂが互いに繋ぎ目２７Ａで隙間なく密着している。しかも、各繋ぎ目２７Ａは例えば同図に示すように水平方向及び垂直方法に段差を有し、繋ぎ目同士が重なるようになっているため、プラズマ処理時の異常放電を防止することができ、繋ぎ目からプラズマ副生成物が侵入しない。
【００３５】
次に、動作について説明する。処理室１内でＬＣＤ用基板Ｓのプラズマ処理を終了すると、ゲートバルブＧが開く。これに伴って第２受け渡し機構１２は支持ロッド１３が図６に示す状態から一点鎖線で示す上方の接続部材１３Ａの位置まで上昇した後、図５に示すように時計方向へ９０°回転し、支持部材１４を載置台２の内側に向ける。引き続き第１、第２受け渡し機構１１、１２及び搬送室内の搬送機構（図示せず）が作動し、載置台２においてＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の受け渡しを行う。この際、搬送機構及び第１受け渡し機構１１は従来と同様に作動するため、第２受け渡し機構１２の動作を中心に説明する。即ち、第１受け渡し機構１１を介して処理済みＬＣＤ用基板Ｓ’を水平に持ち上げ、搬送機構を介してＬＣＤ用基板Ｓが支持部材１４の受け部材１４Ａと蓋部材１４Ｂの隙間に侵入する。次いで、支持ロッド１３が上昇して搬送機構から未処理のＬＣＤ用基板Ｓを受け部材１４Ａで受け取った後、第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａが下降して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を搬送機構へ引き渡すと、搬送機構は従来と同様に処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を処理室１から搬出した後、ゲートバルブＧを閉じる。
【００３６】
一方、処理室１内では第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａがやや上昇すると共に第２受け渡し機構１２の支持ロッド１３が下降し、未処理のＬＣＤ用基板Ｓを支持部材１４から第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａへ引き渡す。これと同時に支持ロッド１３を介して支持部材１４が反時計方向へ９０°回転し、載置台２から退避すると共に支持ロッド１３を介して支持部材１４が下降し、蓋部材１４Ｂが筐体１５の開口端面へ弾力的に着地し筐体１５を密閉すると共に受け部材１４Ａが筐体１５内へ収納される。この間に第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａが下降して下部電極２Ａ内に後退し、ＬＣＤ用基板Ｓを下部電極２Ａ上へ引き渡し、一連のＬＣＤ用基板Ｓ、Ｓ’の交換を終了する。下部電極２Ａ上のＬＣＤ用基板Ｓは静電チャック８によって確実に固定される。
【００３７】
次いで、処理室１内では上部電極３に高周波電力を印加してプラズマ処理を行う。この際、プロセスガスはガス配管５の分岐管５Ｄ、５Ｅ、５Ｆを介して上部電極３の各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへ分配供給される。各部屋３Ｄ、３Ｅ、３Ｆへ供給されたプロセスガスは第１、第２バッフル板２２、２３及び上部電極３の分散孔２２Ａ、２３Ａ及び３Ｃを経由して処理室１内へ下降流で供給される。この時点で上部電極３には高周波電力が印加されているため、下部電極２Ａと上部電極３間でプロセスガスのプラズマを生成する。この際、載置台２のシールドリング体９（更に詳しくは、シールドリング９Ａ）には従来のように受け渡し機構が存在せず、ひいてはシールドリング９Ａ表面には受け渡し機構に起因する隙間（クリアランス）がないため、上部電極３との間で異常放電を発生することがない。しかもプラズマは下部電極２Ａ及び上部電極３それぞれのシールドリング９Ａ、２７の働きで各電極の外側へ広がることない。上部電極３からのプロセスガスは下降流でＬＣＤ用基板Ｓの表面に達し、ガス整流ブロック１０の働きでＬＣＤ用基板Ｓ中央部のガス流速とその周縁部のガス流速が略均一になり、ＬＣＤ用基板Ｓに対して均一なプラズマ処理を施すことができる。しかも、処理室１の底面には全領域に分散配置した排気口１Ｅを介して処理室１全体から高速且つ均等に排気することができ、プロセスガスの遍在を防止することができ、更にＬＣＤ用基板Ｓに対して均一なプラズマ処理を施すことができる。
【００３８】
プラズマ処理中には副生成物が生成し、処理室１内の隙間に侵入するが、本実施形態では下部電極２Ａのシールドリング体９には第２受け渡し機構１２に起因する隙間がないため、副生成物がシールドリング体９内に侵入することがない。また、下部電極２Ａのシールドリング体９（シールドリング９Ａ）及び上部電極３のシールドリング２７にはそれぞれ繋ぎ目９Ｃ、２７Ａがあるが、これらの繋ぎ目９Ｃ、２７は段違いに重ねて接合されているため、繋ぎ目９Ｃ、２７Ａから副生成物が内部へ侵入することがない。また、第２受け渡し機構１２の筐体１５は支持部材１４の蓋部材１４Ｂによって密閉されているため、筐体１５内へ副生成物が侵入することはない。
【００３９】
プラズマ処理が終了すると、上部電極３への高周波電力の印加を停止し、上述した要領で処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’と未処理のＬＣＤ用基板Ｓを交換する。そして、所定枚数のＬＣＤ用基板Ｓの処理が終了し、処理室１内のクリーニングを行ったり、メンテナンスを行う場合には、処理室１の上部を開放した状態で内部のクリーニング、メンテナンスを行うことができる。この際、ガス配管５は処理室１の壁面内に収納されているため、ガス配管５等が邪魔になることはない。
【００４０】
尚、本実施形態では搬送室の搬送装置が図１４に示すように上下二段のフォーク１１０Ａ、１１０Ｂを有する場合について説明したが、一枚のフォークを有する搬送装置を用いた場合にも本発明を適用することができる。即ち、まず、搬送装置のフォークにより未処理のＬＣＤ用基板Ｓを処理室１内の載置台２の上方まで搬入する。この状態で、第２受け渡し機構１２の支持ロッド１３が上昇、回転してＬＣＤ用基板Ｓを受け部材１４Ａと蓋部材１４Ｂの間に配置した後、支持ロッド１３を上昇させて受け部材１４ＡでフォークからＬＣＤ用基板Ｓを受け取る。次いで、フォークが載置台２から一旦退避した後、第１受け渡し機構１１の昇降ピン１１Ａが上昇して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を下部電極２Ａから持ち上げる。次いで、フォークが処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’のやや下方から載置台２上へ進出した後、昇降ピン１１Ａが下降して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’をフォークへ引き渡す。この状態でフォークが載置台２から後退して処理済みのＬＣＤ用基板Ｓ’を処理室１から搬出した後、受け部材１４Ａから昇降ピン１１Ａに未処理のＬＣＤ用基板Ｓを引き渡し、昇降ピン１１Ａを介して未処理のＬＣＤ用基板Ｓを下部電極２Ａ上へ載置することができる。
【００４１】
以上説明したように本実施形態によれば、下部電極２Ａのシールドリング９Ａ及び上部電極３のシールドリング２７をそれぞれ４つに分割した分割シールドリング９Ａ’からなるため、シールドリング９Ａ、２７が大型化しても分割シールドリング９Ａ’、２７Ｂを容易に製作することができると共に容易に取り扱うことができ、もって分割シールドリング９Ａ’、２７Ｂの搬送作業や電極への取り付け作業等の作業性を高めることができる。更に、各分割シールドリング９Ａ’２７Ｂはそれぞれの繋ぎ目９Ｃ、２７Ａに形成された段差が互いに重なって密着、接合した繋ぎ目９Ｃ、２７Ａを形成しているため、これらの繋ぎ目９Ｃ、２７Ａでのプラズマ処理時の異常放電を防止することができると共にこれらの繋ぎ目９Ｃ、２７Ａ内への副生成物の侵入を防止することができ副生成物の堆積に起因するパーティクルの発生を防止することができ、延いてはシールドリングとしての性能が一体物と比較して低下する虞がない。
【００４２】
また、第２受け渡し機構１２を載置台２の外側近傍に設けたため、載置台２のシールドリング体９のシールドリング９Ａに従来のような隙間がなく、プラズマ処理中に異常放電を発生することがなく、均一で安定したプラズマ処理を行うことができる。また、第２受け渡し機構１２は載置台２から離間し、しかも可動部が筒状部材１９によって処理室１から隔絶されているため、その可動部からパーティクルが発生することがあってもパーティクルは排気口に向かうため下部電極２Ａ上のＬＣＤ用基板Ｓを汚染から防止することができる。
【００４３】
また、第２受け渡し機構１２の支持部材１４は、筐体１５の上端開口を閉じる蓋部材１４Ｂとを有しているため、プラズマ処理中に筐体１５内へ副生成物が堆積することを防止し、パーティクルの発生源を少なくすることができる。また、支持ロッド１３をリフタ１７から取り外し可能にしてあるため、適宜交換したり、取り外してクリーニングしたりすることができる。筐体１５の上端面にはシール部材２０が取り付けられているため、筐体１５内をより確実に密閉することができる。支持機構１６は、ガイドロッド１６Ｂと、このガイドロッド１６Ｂの上端に挿着された第１スリーブ１６Ｃと、第１スリーブ１６Ｃと所定間隔を空けてその下方に装着された第２スリーブ１６Ｄと、第１、第２スリーブ１６Ｃ、１６Ｄの間に弾装されたコイルスプリング１６Ｅと、このコイルスプリング１６Ｅを囲むように筐体１５の下面に固定された第３スリーブ１６Ｆとを有し、筐体１５をコイルスプリング１６Ｅを介して弾力的に支持するようにしたため、支持部材１４を筐体１５内へ円滑に収納することができ、筐体１５内を確実に密閉することができる。
【００４４】
また、図９〜図１１はプラズマ処理装置の他の実施形態を示す図である。このプラズマ処理装置は、上記実施形態の上部電極に代えて高周波アンテナが誘導結合プラズマの発生源として用いられている。図示してないが、このプラズマ処理装置は上記実施形態で説明した載置台及び第１、第２受け渡し機構を備えて構成されている。本実施形態では図９に示すように処理室１の上部がセラミック、石英等からなる誘電体壁３１によって水平に仕切られ、誘電体壁３１の上方に渦巻状の高周波アンテナ３２を収納するアンテナ室３３が形成され、誘電体壁３１の下方にプラズマ処理室３４が形成されている。この高周波アンテナ３２の給電部３２Ａは処理室１の上壁を貫通し、マッチング回路３２Ｂ及び高周波電源３２Ｃに接続されている。
【００４５】
誘電体壁３１は図１０に示すように十文字に４分割され、ＬＣＤ用基板が大面積化しても誘電体壁３１の製作、搬送、組立が容易なようになっている。４枚の誘電体壁ユニット３１Ａはそれぞれ十字状の接続部材３５を介して互いに接合され、例えば四フッ化エチレン樹脂等の合成樹脂板３６を介してアンテナ室３３側で誘電体３１として一体化している。そして、各誘電体壁ユニット３１Ａ及び接続部材３５は吊持部材３７を介して処理室１の上壁に取り外し可能に連結され、吊持部材３７を介して処理室１の上壁で吊持されている。この吊持部材３７の両端にはフランジ３７Ａが形成され、フランジ３７Ａを介して処理室１の上壁及び誘電体壁ユニット３１Ａ側に固定するようになっている。そして、合成樹脂板３６は外周が枠状の押さえ部材３８によって処理室１の内周面全周に渡って段状の係止部１Ａに固定されている。
【００４６】
また、図９、図１１に示すように接続部材３５の上面には吊持部材３７に対応する位置に突起３５Ａが形成され、この突起３５Ａと吊持部材３７のフランジ３７Ａが合成樹脂板３６を介して連結されている。そして、合成樹脂板３６と突起３５Ａ間にはシール部材３９が介装されプラズマ処理室３４の真空漏れを防止している。更に、図１１に示すように合成樹脂板３６と係止部１Ａ間にもシール部材３９が介装され、プラズマ処理室３４の真空漏れを防止している。
【００４７】
また、図９に示すように処理室１の上壁中心にはガス配管４０が貫通し、このガス配管４０は更にアンテナ室３３を貫通して十字状の接続部材３５の中心に連結されている。また、図９〜図１１に示すように十字状の接続部材３５内には接続部材３５の形状に沿った十字状のガス流路３５Ｂが形成され、このガス流路３５Ｂは図１０に示すように接続部材３５の十字に沿って所定間隔を空けた複数箇所でプラズマ処理室３４内へのガス供給口３５Ｃとして開口している。従って、プロセスガスは接続部材３５のガス流路３５Ｂ及びガス供給口３５Ｃを経由してプラズマ処理室３４全体に均等に供給される。
【００４８】
従って、高周波アンテナ３２に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加した状態でプロセスガスを、ガス配管４０を介して供給すると、プロセスガスは十字状の接続部材２５内部のガス流路３５Ｂを経由してガス供給口３５Ｃからプラズマ処理室３４全体に均等に供給される。これによりプラズマ処理室３４では高密度の誘導結合プラズマが発生し、載置台（図示せず）上のＬＣＤ用基板がプラズマ処理を受ける。
【００４９】
また、図１２は本発明の他の実施形態に係る第２受け渡し機構１２の要部を示す断面図ある。尚、本実施形態では上記実施形態と同一部分または相当部分には同一符号を附して説明する。本実施形態では、蓋部材１４Ｂは受け部材１４Ａと共に昇降するが、受け部材１４Ａと共には回転しないようになっている。即ち、蓋部材１４Ｂの両端部にはガイドロッド５１がそれぞれ取り付けられ、これらのガイドロッド５１は蓋部材１４Ｂから垂直下方に延設されている。また、筐体１５の底部両端部には２本のガイドロッド５１に対応するガイドスリーブ５２が貫通して取り付けられ、これらのガイドスリーブ５２をガイドロッド５１が昇降自在に貫通している。更に、筐体１５底面の両端部にはガイドスリーブ５２を貫通したガイドロッド５１を収納し処理室１内の雰囲気から遮断する筒状部材５３が取り付けられている。この筒状部材５３は筐体１５の底面から垂直下方に延設されている。また、受け部材１４Ａの基端部の厚肉部上面には円形状の凹陥部５４が支持ロッド１３と同軸状に形成され、この凹陥部５４に蓋部材１４Ｂに取り付けられた軸部材５５が同軸状に嵌入している。これらの凹陥部５４と軸部材５５間にはスラストベアリング及びラジアルベアリングからなるベアリング５６が介在し、受け部材１４Ａが支持ロッド１３を介して軸部材５５を中心に回転するようになっている。尚、図１２では省略されているが、図６に示す機構と同じ態様で支持機構１６、筒状部材１９等が設けられる。
【００５０】
従って、支持ロッド１３が上昇すると、受け部材１４Ａ及び蓋部材１４Ｂがガイドロッド５１及びガイドスリーブ５２を介して上昇する。そして、支持ロッド１３が回転すると、受け部材１４Ａは蓋部材１４Ｂの軸部材５５を中心に回転して載置台の内側に張り出するが、蓋部材１４Ｂはガイドロッド５１及びガイドスリーブ５２で拘束されて回転せず載置台の側方で平行状態を維持する。つまり、ガイドロッド５１及びガイドスリーブ５２は蓋部材１４Ｂの回転を拘束する機構として機能する。このように本実施形態によれば、プラズマ処理中に蓋部材１４Ｂの上面にパーティクルが付着しても、ＬＣＤ用基板を交換する時に受け部材１４Ａが載置台の上方へ回転しても蓋部材１４Ｂは載置台の側方から動くことがないため、蓋部材１４Ｂ上に堆積したパーティクルが交換中のＬＣＤ用基板上に落下することがなく、蓋部材１４ＢのパーティクルによってＬＣＤ用基板を汚染することがない。
【００５１】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜設計変更することができる。例えば、上記実施形態ではシールドリングを４つに分割した場合を例に挙げて説明したが、本発明のシールドリングはその大きさ、形状に即して複数に分割し、製作、取り扱い上の利便性を高めた構造であれば良く、４つの分割部材に制限されるものではない。また、分割部材に繋ぎ目の構造も上記実施形態以外にも種々の形態を採用することができる。更に、上記実施形態では被処理体としてＬＣＤ用基板を例に挙げて説明したが、ＬＣＤ用基板以外の被処理体であっても電極が大型化した場合に本発明を適用することができる。要は、シールドリングが複数の分割部材からなり、各分割部材間の繋ぎ目同士が重なって隙間を作ることなく密着する構造を有し、プラズマ処理時に、繋ぎ目内にプラズマ副生成物が侵入せず、しかも繋ぎ目において異常放電しない繋ぎ目構造であれば良い。繋ぎ目の構造としては繋ぎ目に二方向にジグザグに形成された段差が互いに噛み合う構造であれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明のプラズマ処理装置を示す図で、（ａ）は処理室の断面図、（ｂ）は処理室の接合部を拡大して示す断面図である。
【図２】図１に示す処理室の底面を示す平面図である。
【図３】図１に示す下部電極のシールドリングを示す斜視図である。
【図４】図１に示すガス整流ブロックを示す図で、（ａ）はその斜視図、（ｂ）、（ｃ）はガス整流ブロックを固定する状態を示す側断面図である。
【図５】図１に示すプラズマ処理装置に用いられる第２受け渡し機構と下部電極の関係を示す部分斜視図である。
【図６】図５に示す第２受け渡し機構を示す断面図である。
【図７】図１に示す上部電極の内部を上方から見た示す平面図である。
【図８】図１に示す上部電極のシールドリングを示す斜視図である。
【図９】他のプラズマ処理装置の要部を示す断面図である。
【図１０】図９に示す誘電体壁を下方から見た平面図である。
【図１１】図９の一部を拡大して示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る第２受け渡し機構を示す断面図である。
【図１３】マルチチャンバー処理装置を示す斜視図である。
【図１４】図１３に示すプラズマ処理装置の搬送機構で下部電極のＬＣＤ用基板を交換する状態を示す斜視図である。
【図１５】図１４の受け渡し機構を示す図で、（ａ）は受け渡し機構が作動していない状態を示す斜視図、（ｂ）は受け渡し機構が作動している状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    処理室
２    載置台
２Ａ  下部電極
３    上部電極
９Ａ、２７    シールドリング
９Ａ’、２７Ｂ  分割シールドリング（分割部材）
９Ｃ、２７Ａ  繋ぎ目
９Ｄ  重合面
９Ｅ  重合面
【図１】
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【図２】
2007134737.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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