(57)【要約】【課題】半導体チップと配線基板、及び半導体装置とマザー基板との接続信頼性を向上させ、高密度実装の実現のために半導体装置を薄くさせ、半導体チップを保護する。【解決手段】開口部を有する絶縁基材上に、開口部上を通る配線が形成された配線基板と、配線基板上に搭載され、開口部上を通る配線と接続される電極を有する半導体チップと、半導体チップと配線基板との間に、半導体チップと配線基板とを接合するように設けられ、半導体チップと配線基板との熱膨張差により半導体チップと配線基板との間に加わる熱応力を吸収する熱応力吸収体と、半導体チップ上に半導体チップを覆うように設けられ、半導体チップと配線基板との熱膨張差により半導体チップに反りを付与する熱応力を打ち消す方向に半導体チップに熱応力を付与する反り防止体とを有する。【選択図】図１
2007266447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する絶縁基材上に、前記開口部上を通る配線が形成された配線基板と、
前記配線基板上に搭載され、前記開口部上を通る配線と接続される電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップと前記配線基板との間に、前記半導体チップと前記配線基板とを接合するように設けられ、前記半導体チップと前記配線基板との熱膨張差により前記半導体チップと前記配線基板との間に加わる熱応力を吸収する熱応力吸収体と、
前記半導体チップ上に該半導体チップを覆うように設けられ、前記半導体チップと前記配線基板との熱膨張差により前記半導体チップに反りを付与する熱応力を打ち消す方向に前記半導体チップに熱応力を付与する反り防止体と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁基材の開口部上を通る配線が、前記熱応力吸収体に設けられた開口部内で、折り曲げられるようにして前記半導体チップの電極に接続され、
前記絶縁基材の開口部が絶縁体で封止されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
【請求項３】
前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、
前記接合層または前記高弾性層のうち少なくとも１つの層の熱膨張率が前記配線基板の熱膨張率と同等以上である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、
前記高弾性層の弾性率が前記半導体チップの弾性率と同等以上であって、前記高弾性層の厚さが１５μｍ以上１００μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、
前記接合層が無溶媒であって接着性を有するペースト材料から成る
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、
前記接合層の弾性率が１Ｇｐａ以上である
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記反り防止体の外周が、前記半導体チップの周辺部を保護するように前記半導体チップの外周よりはみ出している
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、
前記高弾性層が、前記半導体チップとの対向面に溝を有しており、
前記接合層が、前記溝の内部に充填されるように設けられる
ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの一方の面に、前記接合層を介して前記高弾性層を接合し、前記接合層の硬化完了を待って、前記反り防止体を形成した後、
前記半導体チップの他方の面に、前記熱応力吸収体を介して前記配線基板を接合する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チップを配線基板に実装する半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化、高性能化の要求に伴い、半導体チップとほぼ同じ大きさの半導体装置を実現する実装技術として、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）技術が実用化されている。
【０００３】
ＣＳＰ技術により製造される半導体装置は、半導体チップが、半導体チップとほぼ同じ大きさの配線基板上に搭載され、半導体チップの回路配置面に設けられた電極と配線基板上の配線とが、半田ボール等を介して接続される。
また、半導体装置は、さらに他の配線基板（以下、マザー基板と呼ぶ）上に搭載され、半導体装置の裏面に設けられた電極とマザー基板上の配線とが、半田ボール等を介して接続される。
【０００４】
半導体チップは、微細配線が表面に形成されたシリコン基板を主材料とし、一方、半導体チップを搭載する配線基板は、銅配線等が表面に形成されたポリイミド等の絶縁テープ材を主材料とする。
従って、配線基板の熱膨張率は、半導体チップの熱膨張率より一般的に大きく、半導体チップの熱が配線基板へ伝導した場合、配線基板は半導体チップよりも大きく熱膨張する。
【０００５】
配線基板が半導体チップより大きく熱膨張した場合、半導体チップの回路配置面（すなわち配線基板との接合面）と、配線基板の配線面（すなわち半導体チップとの接合面）とを面方向に相対的にずらそうとする熱応力が生じる。そしてこのずれは、半導体チップと配線基板との接続信頼性を損なう。
【０００６】
また、半導体チップの非回路配置面（すなわち配線基板との接合面とは反対側の面）を凹ますように、半導体チップを反らそうとする熱応力が生じる。そしてこの反りは、半導体チップと配線基板との接続信頼性を損なう。さらに半導体チップの反りは、半導体装置の反りも生じさせ、半導体装置とマザー基板との接続信頼性を損なう。
【０００７】
そこで、半導体チップの回路配置面と、配線基板の配線面とを面方向に相対的にずらそうとする熱応力を緩和する実装方法として、半導体チップと配線基板とを弾性体を介して接合する実装方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００８】
一方、半導体装置において、半導体チップの非回路配置面が露出していると、半導体装置が外的な衝突等を受けた場合に、半導体チップにキズ、カケが生じ易い。半導体チップのキズ、カケは、半導体装置の正常動作を妨げるばかりでなく、半導体チップの割れの原因となる。
【０００９】
そこで、半導体チップを保護する実装方法として、半導体チップの裏面（非回路配置面）を絶縁樹脂で完全に覆うトランスファモールド封止方法が知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１０７１７２
【特許文献２】特開２０００−８８５１１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、半導体チップと配線基板とを弾性体を介して接合する実装方法では、半導体チップの回路配置面と、配線基板の配線面とを面方向に相対的にずらそうとする熱応力は緩和できるものの、半導体チップを反らそうとする熱応力を完全に抑えることは出来ない。
そのため、半導体チップ、及び半導体装置に反りが生じ、半導体チップと配線基板との接続信頼性、さらには半導体装置とマザー基板との接続信頼性が損なわれる。
【００１１】
この際、半導体チップの反りを防止するには、半導体チップの剛性を高めるよう半導体チップを厚くする方法も考えられるが、その場合、半導体装置が厚くなってしまい、高密度実装が困難となる。
【００１２】
また、上記において、半導体チップを保護するために、半導体チップの裏面（非回路配置面）を絶縁樹脂で完全に覆うトランスファモールド封止方法を行うこととすれば、半導体装置は更に厚くなってしまい、高密度実装が一層困難となる。
【００１３】
そこで本発明は、半導体チップと配線基板との接続信頼性、及び半導体装置とマザー基板との接続信頼性を向上させ、高密度実装のために半導体装置を薄くし、半導体チップを外部衝撃から保護することができる半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の発明にかかる半導体装置は、開口部を有する絶縁基材上に、前記開口部上を通る配線が形成された配線基板と、前記配線基板上に搭載され、前記開口部上を通る配線と接続される電極を有する半導体チップと、前記半導体チップと前記配線基板との間に、前記半導体チップと前記配線基板とを接合するように設けられ、前記半導体チップと前記配線基板との熱膨張差により前記半導体チップと前記配線基板との間に加わる熱応力を吸収する熱応力吸収体と、前記半導体チップ上に該半導体チップを覆うように設けられ、前記半導体チップと前記配線基板との熱膨張差により前記半導体チップに反りを付与する熱応力を打ち消す方向に前記半導体チップに熱応力を付与する反り防止体とを有する。
【００１５】
なお、第１の発明にかかる半導体装置は、前記絶縁基材の開口部上を通る配線が、前記熱応力吸収体に設けられた開口部内で、折り曲げられるようにして前記半導体チップの電極に接続され、前記絶縁基材の開口部が絶縁体で封止されている構成としてもよい。
【００１６】
また、第１の発明にかかる半導体装置は、前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、前記接合層または前記高弾性層のうち少なくとも１つの層の熱膨張率が前記配線基板の熱膨張率と同等以上である構成としてもよい。
【００１７】
また、第１の発明にかかる半導体装置は、前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、前記高弾性層の弾性率が前記半導体チップの弾性率と同等以上であって、前記高弾性層の厚さが１５μｍ以上１００μｍ以下である構成としても良い。
【００１８】
また、第１の発明にかかる半導体装置は、前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、前記接合層が無溶媒であって接着性を有するペースト材料から成る構成としても良い。
【００１９】
また、第１の発明にかかる半導体装置は、前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、前記接合層の弾性率が１Ｇｐａ以上である構成としても良い。
【００２０】
また、第１の発明にかかる半導体装置は、前記反り防止体の外周が、前記半導体チップの周辺部を保護するように前記半導体チップの外周よりはみ出している構成としても良い。
【００２１】
また、第１の発明にかかる半導体装置は、前記反り防止体が、前記半導体チップ上に搭載される高弾性層と、前記半導体チップと前記高弾性層との間に、前記半導体チップと前記高弾性層とを接合するように設けられる接合層と、を有し、前記高弾性層が、前記半導体チップとの対向面に溝を有しており、前記接合層が、前記溝の内部に充填されるように設けられる構成としても良い。
【００２２】
第２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、  前記半導体チップの一方の面に、前記接合層を介して前記高弾性層を接合し、前記接合層の硬化完了を待って、前記反り防止体を形成した後、  前記半導体チップの他方の面に、前記熱応力吸収体を介して前記配線基板を接合する構成としても良い。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による半導体装置及びその製造方法によれば、半導体チップと配線基板との接続信頼性、及び半導体装置とマザー基板との接続信頼性を向上させることが可能となり、高密度実装のために半導体装置を薄くすることが可能となり、さらに、半導体チップを外部衝撃から保護することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の断面図である。図２、及び図３は、本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【００２５】
（１）半導体装置１の構成
本発明の一実施形態にかかる半導体装置１は、図１に示す通り、配線基板としてのテープキャリア１０と、テープキャリア１０上に熱応力吸収体３０を介して搭載される半導体チップ２０と、半導体チップ２０を覆うように設けられた反り防止体４０と、から構成される。
【００２６】
（１−１）テープキャリア１０の構成
テープキャリア１０は、ポリイミドやエポキシ等から成る絶縁フィルム１１と、絶縁フィルム１１の表面に形成された銅配線１３とを有する。  
絶縁フィルム１１には開口部１２が設けられており、銅配線１３の一部は開口部１２上を通るよう形成されている。
【００２７】
なお、絶縁フィルム１１の裏面には、半田金属より成るバンプ１６が設けられている。バンプ１６は、絶縁フィルム１１に設けられたビアホール１５を介して、テープキャリア１０表面側の銅配線１３と接続されている。バンプ１６は、半導体装置をマザー基板（図示しない）上に実装して接続する際に用いられる。
【００２８】
（１−２）半導体チップ２０の構成
半導体チップ２０とは、シリコンなどの半導体基板の一方の表面に、微細回路を配置したものである。半導体チップ２０の回路配置面（すなわち、熱応力吸収体３０を介してテープキャリア１０と対向する面）には、信号の入出力や電源供給を行うための電極２１が設けられている。なお、回路配置面は、半導体チップ２０が作動すると発熱する。
【００２９】
（１−３）熱応力吸収体３０の構成
熱応力吸収体３０は、テープキャリア１０と半導体チップ２０との間に、テープキャリア１０の配線面と半導体チップ２０の回路配置面とを接合するように設けられる。
【００３０】
熱応力吸収体３０は、半導体チップ２０とテープキャリア１０との熱膨張の差を吸収し、半導体チップ２０の接合面と、テープキャリア１０の接合面とを面方向に相対的にずらそうとする熱応力を緩和する。
【００３１】
熱応力吸収体３０は発泡性の弾性体を主材料とし、例えば、発泡性の弾性体の両面に、接着剤が塗布された３層構造から成る。
【００３２】
また、熱応力吸収体３０には、前記テープキャリア１０の開口部１２と重なる部分に開口部３１が設けられる。開口部３１内では、テープキャリア１０の開口部１２上を通る銅配線１３が、半導体チップ２０の電極２１と接続される。かかる銅配線１３を、インナーリード１４と呼ぶ。インナーリード１４は、熱応力吸収体３０に設けられた開口部３１内にて、折り曲げられるように収納される。
【００３３】
テープキャリア１０に設けられた開口部１２、熱応力吸収体３０に設けられた開口部３１、及び半導体チップ２０の側面は、封止絶縁体５０により封止される。また、熱応力吸収体３０の側面も、封止絶縁体５０により封止されてもよい。なお、本発明の一実施形態にかかる半導体装置１において、封止絶縁体５０は必ずしも必須ではない。
【００３４】
（１−４）反り防止体４０の構成
反り防止体４０は、半導体チップ２０の非回路配置面（テープキャリア１０と対向しない面）を覆うように設けられている。
【００３５】
反り防止体４０は、半導体チップ２０とテープキャリア１０との熱膨張差により半導体チップ２０を反らすように生じる熱応力を相殺する方向に、半導体チップ２０の非回路配置面（テープキャリア１０と対向しない面）側から熱応力を生じさせる。これにより、半導体チップ２０、及び半導体装置１の反りの発生が抑制される。
【００３６】
反り防止体４０は、半導体チップ２０の非回路配置面（テープキャリアと対向しない面）上に搭載される高弾性層４２と、半導体チップ２０と高弾性層４２との間に、半導体チップ２０と高弾性層４２とを接合するように設けられる接合層４１と、を有する。
【００３７】
反り防止体４０の高弾性層４２は、銅、ニッケル、鉄、又はこれらの合金、及び珪素のいずれかを材料とすることが望ましい。銅、ニッケル、鉄、又はこれらの合金を用いる場合には、その表面に、ニッケルめっき、酸化膜、樹脂コート等の表面処理を実施することが望ましい。
【００３８】
一方、反り防止体４０の接合層４１は、無溶媒タイプの接着性を有するペースト材料から成ることが望ましい。具体的には、エポキシ系やポリイミド系樹脂から成ることが望ましい。
また、接合層４１の硬化温度は、より低温で硬化させることにより硬化後の接合層４１の収縮が少なくなる。そのため、接合層４１の硬化温度は、半導体チップ２０とテープキャリア１０とを接着する熱応力吸収体３０の接着剤よりも低温であることが望ましい。
【００３９】
接合層４１または高弾性層４２のいずれかの層の熱膨張率は、テープキャリア１０の熱膨張率と同等以上であることが望ましい。具体的には、５０ｐｐｍ／℃であることが望ましい。なお、接合層４１及び高弾性層４２の両方の熱膨張率が、テープキャリア１０の熱膨張率と同等以上であることがより望ましい。
【００４０】
また、高弾性層４２の厚さは、１５μｍ以上１００μｍ以下であることが望ましい。
【００４１】
また、高弾性層４２の弾性率は、半導体チップ２０の弾性率と同等以上であることが望ましい。一方、接合層４１の弾性率は１ＧＰａ以上であることが望ましい。
【００４２】
なお、反り防止体４０の高弾性層４２は、２つ以上の層を積層して得られる多層材であっても良い。積層される各層の材料、厚さは、同一であっても、同一でなくても良い。
【００４３】
また、本発明の他の実施形態として、図２に示すとおり、反り防止体４０が、半導体チップ２０の外周よりはみ出すように構成されていてもよい。このような構成とすることにより、半導体チップ２０の周辺部に関しても、外部衝撃から保護することが可能となる。ここで、半導体チップ２０の周辺部とは、半導体チップ２０の外周の内側部分をいい、半導体チップ２０のエッジ部分周辺をいう。
なお、この場合において、接合層４１または高弾性層４２の両方が半導体チップの外周よりはみ出すように構成されていてもよいし、いずれか一方だけが半導体チップの外周よりはみ出すように構成されていてもよい。
【００４４】
更に、本発明の他の実施形態として、図３に示すとおり、反り防止体４０は、高弾性層４２の裏面（接合層４１と対抗する面）に溝が設けられ、この溝に接合層４１が充填されるように構成されていても良い。このような構成とすることにより、反り防止体４０を薄く構成することができるため、好ましい。
また、半導体チップ２０の長手方向等、半導体チップ２０が反りやすい方向に沿って溝が設けられることにより、半導体装置１の反りを効果的に抑制することができるため、より好ましい。
【００４５】
（２）半導体装置１の製造方法
続いて、本実施の一実施形態にかかる半導体装置１の製造方法を、図１を用いて説明する。
【００４６】
まず、半導体チップ２０の非回路配置面と、高弾性層４２の裏面とを、接合層４１を介して接合し、半導体チップ２０の非回路配置面に反り防止体４０を形成する。
【００４７】
その後、半導体チップ２０の回路配置面と、テープキャリア１０の配線形成面とを、熱応力吸収体３０を介して接合し、前述の半導体装置１の製造を完了する。
【００４８】
なお、半導体チップ２０の回路配置面と、テープキャリア１０の配線形成面との接合は、接合層４１の硬化反応の終了後に行うことが望ましい。
これは、先に接合層４１を硬化させ半導体チップ２０と反り防止体４０とを一体化させることによってこれを一方側に反らせておくことにより、この後の熱応力吸収体３０との接合による反対側（テープキャリア１０側）への反り発生を効果的に生じさせることが出来るからである。
【００４９】
その後、絶縁フィルム１１の開口部１２上を通る銅配線１３を切断し、銅配線１３を熱応力吸収体３０の開口部３１内に押し込み、半導体チップ２０の電極２１へ接続して、インナーリード１４を形成する。
【００５０】
その後、テープキャリア１０に設けられた開口部１２、熱応力吸収体３０に設けられた開口部３１、及び半導体チップ２０の側面を、封止絶縁体５０により封止する。なお、熱応力吸収体３０の側面を封止絶縁体５０で封止しても良い。
【００５１】
その後、テープキャリア１０の裏面に、半田金属より成るバンプ１６を形成する。
【００５２】
本発明の一実施形態によれば、以下のような効果を得ることが出来る。
【００５３】
本発明の一実施形態によれば、熱応力吸収体３０により、半導体チップ２０の接合面と、テープキャリア１０の接合面とを面方向に相対的にずらそうとする熱応力が緩和され、ずれを抑制できる。さらに、反り防止体４０により、半導体チップ２０を反らすように生じる熱応力が相殺され、反りを抑制できる。
従って、半導体チップ２０とテープキャリア１０との接続信頼性、及び半導体装置１とマザー基板との接続信頼性を向上することが可能となる。
【００５４】
また、本発明の一実施形態によれば、半導体チップ２０を厚くしなくとも、半導体チップ２０および半導体装置１の反りを抑制できる。従って、高密度実装のために半導体装置１を薄くすることが可能となる。
【００５５】
また、本発明の一実施形態によれば、反り防止体４０が、半導体チップ２０の非回路配置面を覆うように形成されているため、半導体チップ２０を外部衝撃から保護し、キズ、カケの発生を防止することが可能となる。
さらに、図２に示すとおり、反り防止体４０が、半導体チップ２０の外周よりはみ出すように構成されている場合には、半導体チップ２０の周辺部に関しても、保護を強化することが可能となる。
【００５６】
さらに、本発明の一実施形態によれば、半導体装置１全体を封止絶縁体５０で封止しておらず、図５に示すトランスファモールド実装方法に比べて、放熱性が損なわれない。
また、反り防止体４０に放熱性の高い材料を用いることで、半導体チップ２０の放熱性を高めることも可能となる。
【実施例】
【００５７】
以下に、実施例を、比較例と共に説明する。
（実施例１）
【００５８】
テープキャリア１０については、絶縁フィルム１１はポリイミドから成り、その厚さは５０μｍである。また、銅配線１３の厚さは１８μｍである。
なお、熱膨張係数は、絶縁フィルム１１と銅配線１３が共に１６ｐｐｍ／℃である。また、弾性率は、絶縁フィルム１１が９ＧＰａであり、銅配線１３が７０ＧＰａである。
【００５９】
熱応力吸収体３０の厚さは、１００μｍである。
【００６０】
半導体チップ２０の厚さは、１５０μｍである。
【００６１】
反り防止体４０については、高弾性層４２は、厚さ２０μｍの銅の両面に、それぞれニッケル層を各２．５μｍ設けたものであり、その総厚は２５μｍである。一方、接合層４１の厚さは２５μｍである。従って、反り防止体４０の総厚は５０μｍとなる。
なお、熱膨張係数は、高弾性層４２が１６ｐｐｍ／℃であり、接合層４１が８０ｐｐｍ／℃である。また、高弾性層４２の弾性率は、９０ＧＰａである。
【００６２】
以上より、半導体チップ２０と反り防止体４０との総厚は２００μｍとなり、半導体装置１の総厚は、３６８μｍとなる。
（実施例２）
【００６３】
反り防止体４０については、高弾性層４２は、厚さ３０μｍの銅の両面に、それぞれニッケル層を各２．５μｍ設けたものであり、その総厚は３５μｍである。一方、接合層４１の厚さは同様に２５μｍである。従って、反り防止体４０の総厚は６０μｍとなる。
【００６４】
他の条件は、実施例１と同一である。
【００６５】
以上より、半導体チップ２０と反り防止体４０との総厚は２１０μｍとなり、半導体装置１の総厚は、３７８μｍとなる。
（比較例）
【００６６】
比較例においては、半導体チップ２０の厚さは、２００μｍである。また、図４に示すとおり、比較例は反り防止体４０を有さない。
【００６７】
他の条件は、実施例１と同一である。
【００６８】
以上より、半導体チップ２０の総厚は２００μｍとなり、半導体装置１の総厚は、３６８μｍとなる。
【００６９】
以上の実施例、及び比較例について、半導体チップ２０を作動させ、半導体チップ２０の反りの大きさを測定した。
その結果、比較例１における反りの大きさを１００％とした場合、実施例１は５６％、実施例２は４０％と低減できていることが確認できた。すなわち、特に実施例１と比較例とを比較すると、半導体装置１の総厚を増やすことなく、半導体チップ２０の反りを低減できていることが確認できた。
【００７０】
以上の結果を表１にまとめる。
【表１】
2007266447.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図４】半導体チップと配線基板とを弾性体を介して接合する実装方法による半導体装置の断面図である。
【図５】トランスファモールドで封止する実装方法による半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１    半導体装置
１０    テープキャリア（配線基板）
１１    絶縁フィルム（絶縁基材）
１２    開口部（絶縁基材に設けられた開口部）
１３    銅配線
２０    半導体チップ
２１    電極
３０    熱応力吸収体
３１    開口部（熱応力吸収体に設けられた開口部）
４０    反り防止体
４１    接合層
４２    高弾性層
５０    封止絶縁体（絶縁体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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