(57)【要約】【課題】面積の大きな半導体発光素子を作成しようとすると、ウエハに内在する結晶欠陥などに原因してｐ−ｎ接合ができずに電流リークとなる点ができてしまう。この電流リーク点では発光が行われないばかりか、駆動回路にも影響を及ぼすため発光素子として使えない。従って、切り出すチップの面積が大きくなればなるほど、歩留まりが低下するという課題が生じる。【解決手段】ウエハから切り出したチップに分割した電極を設け、個々の電極で電流リーク検査を行い、電流リーク点のある電極にはバンプを設けない。【選択図】図７
2007266427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層されたｐ型およびｎ型の半導体と、
前記ｐ型半導体上に設けられた複数のｐ側電極と、
前記ｎ型半導体上に設けられた少なくとも１つ以上のｎ側電極と
前記ｐ側電極と前記ｎ側電極に接合されたバンプと
を有する半導体発光装置であって、
ｎ側電極と電流リークの状態にあるｐ側電極には、前記バンプが接合されていない半導体発光装置。
【請求項２】
基板上にｎ型半導体とｐ型半導体を積層する工程と、
前記ｎ型半導体上にｎ側電極を、前記ｐ型半導体上にｐ側電極を設ける工程と、
前記ｎ側電極とｐ側電極との間の電流リークをチェックする工程と、
前記ｎ側電極との間で電流リークの状態にあるｐ側電極に対応するサブマウント上にはバンプを設けず、電流リークの状態でないｐ側電極に対応するサブマウント上およびｎ側電極上にバンプを設ける工程と、
前記バンプを設けたサブマウントと前記ｎ側およびｐ側の電極を設けた基板を接合する工程と
を含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
基板上にｎ型半導体とｐ型半導体を積層する工程と
前記ｎ型半導体上にｎ側電極を、前記ｐ型半導体上にｐ側電極を設ける工程と、
前記ｎ側電極とｐ側電極との間の電流リークをチェックする工程と、
サブマウントにバンプを形成する工程と、
前記ｎ側電極との間で電流リークの状態にあるｐ側電極に対応するサブマウント上のバンプをつぶす工程と、
前記バンプを設けたサブマウントと前記ｎ側およびｐ側の電極を設けた基板を接合する工程と
を含む半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置とその製造方法に関わる。より具体的には、リーク点をある確率で本質的に含むウエハから、大面積のフリップチップタイプの半導体発光装置を作製する場合において、歩留まりの向上を目的とした半導体発光装置の製造方法とその製造方法によって作製された半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置は、消費電力を小さくすることができるため、照明用途への実用化が期待されている。現在、消費電力あたりの光束で、白熱電球より効率のよい半導体発光装置は実用化されている。しかし、蛍光灯に比較するとその効率は、まだまだ低い（非特許文献１参照）。
【０００３】
半導体発光装置が照明用として実用化されるためには、さらなる高出力と高効率が必要である。半導体発光装置の高出力には１つの素子の発光面積を大きくすることが１つの方法である。
【０００４】
図１４には、半導体発光装置の一般的な構成を示す（特許文献１参照）。
【０００５】
サファイア（Ａｌ2Ｏ3）、ＳｉＣやＧａＮなどの透明な基板５０上にＧａＮ系のｎ型半導体層とｐ型半導体層が積層されている。ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間にはＧａＩｎＮを主とした活性層がサンドイッチ状に設けられる。基板の一部は、ｐ型半導体層と活性層をエッチング等で削除され、ｎ型半導体層が露出されている。
【０００６】
この露出されたｎ型半導体層とｐ型半導体層にはそれぞれｎ側電極５２とｐ側電極５３が設けられる。それぞれの電極には主として金を用いたバンプ５４と呼ばれる電流路が設けられる。バンプ５４はサブマウント１２０上に設けられたＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ電極６６に接合されている。サブマウント１２０にはスルーホール７０が穿たれており、内部は導電体で満たされている。サブマウント１２０の下には電源からの電流端子に接続する接続電極６５が設けられており、サブマウント１２０のスルーホールを通じてＴｉ/Ｎｉ/Ａｕ電極６６と導通している。
【０００７】
半導体発光素子の発光は、電流がｐ型半導体層から活性層およびｎ型半導体層へのルートで流れることにより活性層で起こる。ｐ型半導体層から活性層およびｎ型半導体層の間では、ｐ−ｎ接合になっていることが必要である。もし、ｐ−ｎ接合が破壊され、電流が導通状態（以下「電流リーク状態」といい、導通状態になった点を「電流リーク点」という。）になっていると、発光しないばかりか、電流駆動回路などにダメージが発生する。  
【０００８】
従って、事前に電流リークが生じているか否かを検査することが行われている（特許文献２参照）。なお、電流リーク状態とは、ｐ型半導体層からｎ型半導体層だけでなく、逆方向にも抵抗値が著しく低下してしまうことである。
【特許文献１】特開２００５−７９５５１号公報
【特許文献２】特開平１１−１２１５６７号公報
【非特許文献１】「照明用高出力白色ＬＥＤ光源」松下電工技報（Ｖｏｌ．５３  Ｎｏ．１、２００５年２月）杉本勝他
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図１４で示した半導体発光素子は、ウエハと呼ばれる大きな基板に多数の素子をフォトリゾグラフィなどの技術を用いて作製し、切り出す事で得られる。このウエハは、非常に高い純度に精製した原料からつくられる単結晶材料であるが、わずかながら結晶欠陥が存在する。
【００１０】
この結晶欠陥はこのウエハ上に積層して生成するｐ型半導体層、活性層、ｎ型半導体層にも継承され、通常のｐ−ｎ接合にならず導通点となる。これが、半導体発光素子の電流リーク点となる。
【００１１】
図１５には、ウエハ上に電流リーク点９０が存在する事を例示する。図１５（ａ）は、小さな面積のチップを切り出す場合を示し、（ｂ）は大きな面積のチップを切り出す場合を示す。図１５の（ａ）および（ｂ）において、個々の格子は切り出しの大きさを表す。
【００１２】
例えば、図１５（ａ）は縦１９分割、横１８分割の計３４２個のチップを切り出せる。このウエハに５ヶ所の電流リーク点９０があったとすると、電流リーク点９０があるチップは５／３４２程度の割合となる。
【００１３】
一方、図１５（ｂ）のようにウエハから面積の大きな９個のチップを切り出すとすると、図の場合では、４つのチップが電流リーク点９０を含み、その割合は４／９となる。電流リーク点９０は、発光強度が低下したり発光しないばかりか駆動回路にダメージを与えるなどの不具合が発生するため、不良品となる。
【００１４】
すなわち、半導体発光素子のチップ面積が大きくなるに従い、電流リーク点を含む素子の割合は高くなる。これはすなわち歩留まりの低下につながる。
【００１５】
原材料のウエハの結晶欠陥の割合が少なくならない限り、この割合は低減できない。従って、電流リーク点を含む半導体発光素子を全て不良品として破棄すると、半導体発光素子はウエハから切り出すチップ面積を大きくするに従って、歩留まりは著しく低下することとなる。
【００１６】
本発明はこのような課題に対応するために発想されたもので、電流リーク点を含む半導体発光素子であっても、一定の発光量を確保しながら歩留まりの低下を抑制する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、ウエハから切り出した半導体発光素子上に作製した電極毎に電流リーク試験を行い、電流リーク点が存在する電極にはバンプを設置しない、もしくはバンプを非導通状態にする。このようにすることで、電流リーク点の存在する半導体発光素子であっても、電流リーク点を含まない部分では発光を得る事ができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は大面積の半導体発光素子上に複数の電極を設けることで、電流リーク点を含み導通状態になってしまう電極面積を限定し、その部分は使用しないようにしたので、電流リーク点を含むチップでも発光させることができる。従って、一定の割合で電流リーク点の原因となる格子欠損を含むウエハから大面積の半導体発光素子となるチップを切り出しても歩留まりの低下を抑制できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施の形態１）
次に本発明の実施の形態について説明する。ウエハには、直径２インチのＧａＮ基板１００を用いる。厚さは３５０μｍである。このウエハ上に８００μｍ四方の半導体発光素子を形成する。ウエハは、半導体発光素子が個別のチップに分割される前に、必要に応じて基板の裏面側から研磨して１００μｍ〜３００μｍの厚さに薄くする。
【００２０】
図１にウエハから切り出し作製した半導体発光素子を用いた半導体発光装置の構成を示す。半導体発光素子は、ＧａＮ基板１００上にＧａＮのｎ型半導体層１０１、ＩｎＧａＮの活性層１０２及びＧａＮのｐ型半導体層１０３をこの順で積層した。
【００２１】
そして、ｐ型半導体層１０３および活性層１０２の一部をエッチングし、ｎ型半導体層１０１を露出させる。この露出したｎ型半導体層１０１の表面にｎ側電極１０４を形成した。ｐ型半導体層１０３の表面にはｐ側電極１０５が形成されている。図で明らかなように、この半導体発光素子は、片面電極タイプである。
【００２２】
なお、青色ＬＥＤの構成としては、ここで挙げた例に限定されるものではない。例えば、ＧａＮ基板１００の替わりとしては、ＳｉＣ基板を用いても良いし、絶縁性のサファイア基板を用いても良い。また例えば、ｎ型半導体層１０１やｐ型半導体層１０３としては、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮを用いてもよいし、ｎ型半導体層１０１と、ＧａＮ基板１００との間に、ＧａＮやＩｎＧａＮで構成したバッファ層を用いることも可能である。また、例えば、活性層１０２は、ＩｎＧａＮとＧａＮが交互に積層した多層構造（量子井戸構造）としてもよい。
【００２３】
半導体発光素子のｐ側電極１０５とｎ側電極１０４にはバンプ１０６が接合され、さらにそれぞれｐ側ワイヤボンド用引出電極１０７とｎ側ワイヤボンド用引出電極１０８に接合されている。ｐ側ワイヤボンド用引出電極１０７とｎ側ワイヤボンド用引出電極１０８はｐ側電極１０５とｎ側電極１０４に電流を供給するために設けられる電極である。これらの引出電極はサブマウント１２０上に設けられる。以上のように半導体発光装置は構成される。
【００２４】
なお、本明細書を通して電極形成された半導体発光素子に、少なくともバンプが接合されれば半導体発光装置とする。
【００２５】
また、本明細書を通じて半導体発光素子の厚み方向の表し方として、ｐ型半導体を積層した方向を「ｐ方向」、基板の側を「ｓ方向」と呼ぶ。また基板にｐ型半導体までを積層し、ウエハから切り出した状態をチップと呼ぶ。さらに、上記の「方向」の呼称は半導体発光装置の場合にも援用する。
【００２６】
図２に半導体発光素子に形成した電極の様子を示す。図２（ａ）は電極を形成したチップを横から見た図である。ｐ−ｎ接合部１１０は図１におけるｎ型半導体層１０１、ＩｎＧａＮの活性層１０２及びＧａＮのｐ型半導体層１０３をまとめて記載したものである。図２（ｂ）はｐ方向から見た図である。
【００２７】
電極は１６箇所設けられており、１つはｎ側電極１０４で、残りはｐ側電極１０５である。電極の大きさは１５０μｍ四方である。１つの素子上に設ける電極の面積は、バンプの大きさでその最小面積が限定され、下限はおよそ１００μｍ四方である。
【００２８】
従って電極は、バンプの断面積よりも大きければ設置は可能であるが、電極が大きいと電極下に電流リーク点があった際に、使えなくなる電極面積が大きくなることになる。使えない電極面積が大きくなることは発光面積が小さくなることであるから、発光素子としての性能が落ちる。
【００２９】
電極の面積は、ウエハに存在する結晶欠陥の密度と、製造時の精度限界などから、最終的に目標とする歩留まりを考慮して決められる。本実施の形態では切り出したチップを１６の区画に分け、ｎ側電極１０４を１箇所、ｐ型電極を１５箇所設けた。
【００３０】
図３には、電流リーク検査の様子を示す。ｎ側電極用プローブ針２１０は、ｎ側電極１０４に接する検査端子で、その他のｐ側電極用プローブ針２１２はｐ側電極１０５に接する検査端子である。これらの端子はあらかじめカード状の基板に必要数が固定配置されており、半導体発光素子の所定の電極が接するように半導体発光素子を移動させられる。もちろん、検査端子が移動してもよいが、検査対象が動く方がよい。検査端子を移動させるのは機構的に複雑になるからである。なお、ここでは検査対象はチップとしているが、ウエハのままでもかまわない。
【００３１】
プローブスイッチ２０６には、ｎ側電極用プローブ針２１０が接続されるｎ側スイッチ端子２３２と、ｐ側電極プローブ針２１２が接続されるｐ側スイッチ端子２３４を有する。プローブスイッチ２０６は、ｎ側スイッチ端子２３２の１つを電流源２０８の一方の電極に接続する切り替えスイッチと、ｐ側スイッチ端子２３４の１つを電流源２０８の他方の電極に切り替えるスイッチを内部に有する。すなわち、プローブスイッチ２０６は接続されたｐ側電極用プローブ針２１２の１つとｎ側電極用プローブ針２１０の１つを電流源２０８の電極につなぐことができる。これらの指示は制御装置２０２の指示による。
【００３２】
なお、それぞれの電極用プローブ針にはそれぞれ番号が決められており、どの電極用プローブ針に電流を印加したかはこの番号で管理される。
【００３３】
電流源２０８はこのプローブスイッチ２０６の電極に結合され制御装置２０２の指示で検査用の所定電流の順方向電流を発生させる。
【００３４】
電圧測定器２０４は電流源２０８とプローブスイッチ２０６の間に配置され、ｎ側電極用プローブ針２１０とｐ側電極用プローブ針２１２の間に発生する順方向電圧を測定する。測定のタイミングは制御装置２０２の指示による。
【００３５】
制御装置２０２は検査装置全体を制御し、検査対象となる電極を設けたチップを順次プローブの下に移動させ、プローブ針をチップ上の電極に接触させる。その後、ｐ−ｎ接合の順方向に所定の電流を印加してｎ側電極１０４とｐ側電極１０５の間に発生する順方向電圧を順次検査する。
【００３６】
図４に制御装置２０２が行う電流リーク検査の動作フローを示す。
【００３７】
検査対象となるチップが所定の位置に配置され、プローブ針がチップ上の電極に接触したことを確認してからこのフローはスタートする（Ｓｔｅｐ１０００）。
【００３８】
まずプローブスイッチ２０６でｎ側電極用プローブ針２１０と、ｐ側電極用プローブ針２１２を１つずつ選択する。本実施の形態の場合はｎ側電極１０４は１つなので、選択されるｎ側電極プローブ針２１０は固定であり、ｐ側電極プローブ針２１２の１つが選択される（Ｓｔｅｐ１０１０）。
【００３９】
次に制御装置２０２は電流源２０８に検査用の順方向電流を指示し発生させる（Ｓｔｅｐ１０２０）。その後、電圧測定器２０４に順方向電圧を測定させる（Ｓｔｅｐ１０３０）。フローには省略したが、測定後は電流の発生を止めるのがよい。次の測定に移る際の電源の負担を軽減させるためである。印加したｐ側電極プローブ針２１２の番号と、その時の電流値と電圧値が１つの測定値のセットとして管理される。
【００４０】
１つのｐ側電極プローブ針２１２とｎ側電極プローブ針２１０の間の抵抗測定が終わったら、未検査のｐ側電極プローブ針２１２とｎ側電極プローブ針２１０の組み合わせがないかを確認し（Ｓｔｅｐ１０４０）、あればプローブ針の選択から行う。検査が全部終わったら、この検査対象チップに対する検査は終了する。
【００４１】
電流リーク点は、得られた測定値のセットのうち、順方向電圧値が所定の値より低い場合で判断する。電流リーク点があると判断されたｐ側電極１０５はその位置を記録され、後のバンプ形成時に参照される。なお、ここで示した測定ルーチンは一例であって、これに限定されるものではない。例えば、ｐ側電極１０５を１つずつ検査するのではなく、まとめて順方向電圧値を測定し、順方向電圧値が所定の値より小さければ初めて個々のｐ側電極１０５について検査を行ってもよい。
【００４２】
電流リーク点の有無は、例えばＧａＮ系材料からなる半導体発光素子の場合は、１０マイクロアンペア程度の順方向電流を印加した時の順方向電圧が２ボルト程度より高いか低いかで判断でき、２ボルト程度より低い場合は電流リーク点があると判断できる。
【００４３】
以上、電流リーク検査方法として順方向電流を印加してその時発生する順方向電圧を測定して判断する方法を記述したが、これ以外にも、ｐ−ｎ接合に逆方向電圧を印加してその時流れる逆方向電流を測定して判断する方法や、ｐ−ｎ接合に順方向電圧を印加してその時流れる順方向電流を測定して判断する方法もある。
【００４４】
図５（ａ）にチップにｎ側電極１０４およびｐ側電極１０５を施し、バンプ１０６を介してサブマウント１２０に搭載した状態を示す。サブマウント１２０は主としてＳｉツェナーダイオードや、ＡｌＮ（窒化アルミ）やＡｌ2Ｏ3（アルミナ）等のセラミックが用いられる。そして、主としてｎ側電極１０４およびｐ側電極１０５から電源への端子取り出しが目的である。従って、サブマウント１２０は、ｐ側電極１０５をまとめて取り出すｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４とｎ側電極１０４を取り出すｎ側ワイヤボンド用引出電極３０２を有する。これらの引出電極は、Ａｌ等の薄膜をサブマウント１２０上に堆積させて作製する。
【００４５】
図５（ｂ）は、サブマウント１２０とｎ側ワイヤボンド用引出電極３０２およびｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４とバンプ１０６をチップ側から見た状態を示す。一点鎖線はチップが搭載される位置を示す。バンプ１０６が設けられる位置は点線で示した。
【００４６】
図５（ｂ）が示すようｎ側ワイヤボンド用引出電極３０２とｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４はバンプ１０６が形成される領域（一点鎖線部分）と電源との接続を有する領域（一点鎖線以外）を有する。
【００４７】
ｎ側ワイヤボンド用引出電極３０２とｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４に接続するためのバンプ１０６は、次のように設けられる。まずｎ側ワイヤボンド用引出電極３０２とｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４に下地を設け、その上にバンプ１０６を作製する。
【００４８】
バンプ１０６の形成方法としては、メッキ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法、液滴射出法、ワイヤーバンプ法等を用いることができる。また、バンプ材としては、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、半田、Ｉｎ合金、ポリマー等を用いることができる。
【００４９】
本実施の形態では、Ａｕワイヤーの一端をボンダーにてサブマウント上のバンプ形成領域に接着した後、ワイヤーを切断することでＡｕバンプを形成する。なお、液滴射出法とは、金などの微粒ナノ粒子を揮発性溶剤に分散した液をインクジェット印刷と同様な手法で印刷し、溶剤を揮発除去してナノ粒子の集合体としてのバンプを形成する方法をいう。
【００５０】
この際、上記の電流リーク検査の結果を参照し、電流リーク点があると判断されたｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４に対応するバンプ１０６はサブマウント１２０上に設けない。そして、バンプ１０６を形成したサブマウント１２０にｐ側電極１０５を構成したチップを載せ接合する。このようにすることで、電流リーク点のないｐ−ｎ接合ができるｐ側電極１０５だけがバンプ１０６と接合されることとなり、半導体発光装置として発光が可能となる。
【００５１】
図６にはｐ側電極１０５の１箇所が電流リーク点を有すると判断された場合のサブマウント１２０、バンプ１０６およびチップを示す。３２０で指示する箇所はバンプ１０６のないｐ側電極１０５である。この部分は上記の電流リーク検査によって電流リーク点があると判断され、このチップが搭載されるサブマウント上にバンプ形成されなかった部分である。
【００５２】
図７には、図６の一点鎖線で示した部分の断面図を示す。３２０の箇所はバンプ１０６がなく、従って対応するｐ側電極１０５からは電流は印加されることはない。
【００５３】
半導体発光素子はｐ型半導体層からｎ型半導体層へ電流が流れ、その間にある活性層で発光が生じる。特にＧａＮ系材料からなる半導体発光素子においては、一般的にｐ型半導体層の抵抗率が高いため、ｐ型半導体層の面内で横方向に電流が拡がりにくく、ｐ側電極１０５の直下の活性層でのみ発光が生じる。従ってバンプ１０６からの電流供給がない部分では発光が発生しない。図６のチップの場合、１５箇所のｐ側電極１０５のうち１４箇所でしか発光が生じない。
【００５４】
しかし、電流リーク点を有する電極にバンプ経由で電流が供給されると、その電極は抵抗が著しく低いので、ｐ側ワイヤボンド用引出電極に供給される電流のほとんどがその電極に流れてしまう。電流リーク点ではｐ−ｎ接合が崩れているため発光は行われない。結果、半導体発光素子自体の発光が著しく弱くなったり、全く発光しなくなることになる。
従って本実施の形態のように、電流リーク点を検査したのち、そのｐ側電極に対応するバンプを形成しなければ全く発光しなかったり、発光が著しく弱くなったりすることを回避することができる。
【００５５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは別の電流リーク点の検査方法を示す。図８はｎ側電極１０４およびｐ側電極１０５のそれぞれのｎ側電極プローブ針２１０およびｐ側電極プローブ針２１２の様子を示す。ｎ側電極用プローブ針２１０はｎ側電極１０４に接触したままであるが、ｐ側電極プローブ針２１２が、ｐ側電極１０５を順次スキャンしながら検査を行う。スキャンとは、１つのｐ側電極１０５にｐ側電極プローブ針２１２を接触させ、電流リーク検査を行った後、ｐ側電極プローブ針２１２を上げ、次に検査する電極まで移動し、ｐ側電極プローブ針２１２を下ろして電極に接触させるという行為を次々と続けることである。
【００５６】
この検査方法であれば、プローブスイッチが不要になりその分だけ検査装置は簡単になる。しかし、プローブ針を電極に沿ってスキャンする機構が必要になる。検査の結果得られる情報は実施の形態１の場合と同じであり、後の工程で参照される。
【００５７】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、基板上へのｎ型半導体層１０１、ｐ型半導体層１０３の形成や電流リーク検査は実施の形態１と同じである。
【００５８】
本実施の形態の特徴は、サブマウント１２０上にバンプ１０６をすべて作製し、電流リーク点がある電極に対応するバンプ１０６をつぶすことによって電流リーク点への電流の流れ込みを回避する点である。
【００５９】
図９にはバンプ１０６の破壊装置および動作を示す。バンプ１０６を形成したサブマウント（図では省略した）は図示しない移動手段によってハンマー３８０の下の所定の位置に配置される。ハンマー３８０は断面積がバンプ１０６よりも大きく、また隣接するバンプ１０６をつぶすほど大きくはない。ハンマー３８０は、バンプ１０６の存在する場所に対応する位置に移動することができる。従ってサブマウント１２０上に形成されたどのバンプ１０６の上にも来ることができる。
【００６０】
サブマウント１２０がハンマー３８０の下に配置されたら、上記で説明した電流リーク検査の結果を参照し、電流リーク点を含む電極に対応するバンプ１０６の上方にハンマー３８０が移動し（図９（ａ））、バンプ１０６を押しつぶす（図９（ｂ）ないし図９（ｃ））。
【００６１】
図１０には、上記のように押しつぶされたバンプ３２２を有するサブマウント１２０にチップが接合された時の断面図を示す。電流リーク点を有する電極に対応するバンプ３２２はハンマー３８０によってつぶされているので、ｐ側電極１０５と接触することがなく、この電極への電流の流入を回避している。
【００６２】
本実施の形態のようにすると、バンプ形成を一括で行うことができ、バンプ形成時の効率を高くすることができる。
【００６３】
（実施の形態４）
図１１に本実施の形態の半導体発光素子を横から見た図１１（ａ）とｐ方向から見た図１１（ｂ）を示す。本実施の形態では、使用する基板自体がｎ型半導体である場合を示す。すなわち、ｎ型半導体基板上にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層を形成して半導体発光素子を作製する。ｎ型半導体基板９９はＧａＮにドナーを添加しｎ型にしたものを使用する。もちろんこれに限定されるものではない。ｐ−ｎ接合層１１１はｎ型半導体基板９９にｎ型半導体層１０１と活性層１０２とｐ型半導体層１０３を積層することで形成する。
【００６４】
ｎ型半導体層１０１、活性層１０２、ｐ型半導体層１０３に関しては実施の形態１と同じである。この半導体発光素子は基板がｎ型半導体であるので、ｎ側電極１０４はｐ型半導体層１０３が形成された面と反対の面に形成する。そして、ｐ型半導体層１０３上にはｐ側電極１０５のみを形成する。このようにすることで、発光面積を大きくすることができる。
【００６５】
図１２（ａ）にはこのチップがバンプ１０６を通じてサブマウント１２０に搭載されている様子を示す。発光面積を大きくできる反面、半導体発光素子の発光方向であるｓ方向にｎ側電極１０４を設けなければならない構成になっている。ｎ側電極１０４には通電用の配線３９０が接続されている。
【００６６】
図１２（ｂ）にはｓ方向から見た状態を示す。サブマウント１２０はｐ側電極１０５からの引出を行えばよいので、ｐ側ワイヤボンド用引出電極３０４だけが設けられている。３２０で示した部分は電流リーク試験によって電流リーク点があり、バンプ１０６を設けなかった部分を示している。
【００６７】
図１３には、本実施の形態で用いるチップの検査装置を示す。本実施の形態のチップはｎ側電極１０４がｐ側電極１０５の反対面に形成されているので、チップを置いたときのステージ２２２をｎ側電極用プローブ針として兼用できる。従って、ｐ側電極用プローブ針２１２は自由に配置することができるため、ｐ側電極用プローブ針２１２を複数本用意し、チップ上のｐ側電極１０５の列もしくは行毎に検査をしながらスキャンすることもできる。
【００６８】
この場合の検査の手順としては、ｐ側電極用プローブ針２１２を順次切り替えながら各電極毎に検査する手順、用意されたｐ側電極用プローブ針２１２すべてに通電し、電流リーク点があれば、各電極毎に検査する方法のどちらも利用することができる。もちろん実施の形態１もしくは２で示した方法を適宜変更して用いることもでき、検査手順は限定されるものではない。
【００６９】
なお、ここではバンプ１０６はサブマウント１２０の上に形成したが、サブマウント１２０を用いずに、半導体発光素子を搭載するパッケージの搭載面に直接バンプを形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
ウエハから切り出すチップに形成する電極を分割電極とし、ウエハ上に存在する電流リーク点を含む電極にはバンプを接合しないようにしたので、比較的大きな面積の半導体発光素子を用いる半導体発光装置の歩留まり向上に効果がある。従って、半導体発光装置の好適な製造方法として産業上の利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】半導体発光装置の構成を示す図
【図２】半導体発光素子に形成した電極の様子を示す図で、（ａ）は電極を形成したチップを横から見た図、（ｂ）はｐ方向から見た図
【図３】電極をつけたチップの抵抗値検査を行う検査装置の概略を示す図
【図４】制御装置が行う電流リーク検査の動作フローを示す図
【図５】チップをサブマウント上に搭載した状態を示す図で、（ａ）はチップに電極を施しサブマウントに搭載した状態を示す図、（ｂ）はサブマウントと引出電極とバンプをチップ側から見た状態を示す図
【図６】バンプを形成しなかった部分を有する半導体発光装置を示す図
【図７】バンプを形成しなかった部分を有する半導体発光装置の断面を示す図
【図８】他の方法による抵抗値検査を示す図
【図９】電流リーク点のあるバンプを押しつぶす装置の動作を示す図で、（ａ）はバンプを押しつぶす前の図、（ｂ）はバンプを押しつぶす図、（ｃ）はバンプを押しつぶした後の図
【図１０】押しつぶされたバンプを有する半導体発光装置を示す図
【図１１】ｎ側電極の位置が異なるチップを示す図で、（ａ）は横から見た図、（ｂ）はｐ方向から見た図
【図１２】図１１のチップを半導体発光装置とした図で、（ａ）はチップがサブマウントに搭載されている様子を示す図、（ｂ）はｐ方向から見た状態を示す図
【図１３】図１１のチップの抵抗値検査を行う場合の測定概要を示す図
【図１４】半導体発光装置の一般的な構成を示す図
【図１５】ウエハ上に電流リーク点が存在する事を例示する図で、（ａ）は小さな面積のチップを切り出す場合の図、（ｂ）は大きな面積のチップを切り出す場合の図
【符号の説明】
【００７２】
１００  ＧａＮ基板
１０１  ｎ型半導体層
１０２  活性層
１０３  ｐ型半導体層
１０４  ｎ側電極
１０５  ｐ側電極
１０６  バンプ
１０７  ｐ側ワイヤボンド用引出電極
１０８  ｎ側ワイヤボンド用引出電極
１１０  ｐ−ｎ接合部
１２０  サブマウント
２０２  制御装置
２０４  電圧測定器
２０６  プローブスイッチ
２０８  電流源
２１０  ｎ側電極用プローブ針
２１２  ｐ側電極用プローブ針
３０２  ｎ側ワイヤボンド用引出電極
３０４  ｐ側ワイヤボンド用引出電極
３２０  バンプを形成しなかった電極
３２２  バンプをつぶした部分の電極
３８０  ハンマー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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