(57)【要約】【課題】  基板の変形量を正確に且つ簡便に計測できるようにする。【解決手段】  ウエハホルダ等の搬送部材に保持されるウエハ等の基板に生じる変形量を計測する変形量計測装置１０である。前記基板と実質的に同一形状に形成されたダミー基板本体１１上に、ダミー基板本体１１に生じる歪みを検出する歪みゲージ１２及び歪み検出回路２０を設けて構成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送部材に保持される基板に生じる変形量を計測する変形量計測装置であって、
前記基板と実質的に同一形状に形成されたダミー基板本体と、
前記ダミー基板本体に生じる歪みを検出する、該ダミー基板本体上に設けられた歪み検出手段と、
を備えることを特徴とする変形量計測装置。
【請求項２】
前記歪み検出手段は、
前記ダミー基板本体に生じる歪みに応じて抵抗値が変化する、該ダミー基板本体上に配設された複数の歪みゲージを有することを特徴とする請求項１に記載の変形量計測装置。
【請求項３】
前記歪み検出手段は、前記歪みゲージの近傍の温度を検出する、前記ダミー基板本体上に設けられた温度検出手段を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の変形量計測装置。
【請求項４】
前記歪み検出手段の出力を記憶する、前記ダミー基板本体上に設けられた記憶回路を更に備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項５】
前記歪み検出手段の出力を無線送信する、前記ダミー基板本体上に設けられた送信回路を更に備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項６】
前記回路に電力を供給する、前記ダミー基板本体上に設けられた電源回路を更に備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項７】
前記回路は前記ダミー基板本体とは独立したシート状の回路基板上に形成され、該回路基板は前記ダミー基板本体上に一体的に貼着されたことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項８】
前記回路は前記ダミー基板本体上にリソグラフィ技術により直接形成されたことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項９】
前記基板は、マスクのパターンの像が露光転写される感光基板であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項１０】
前記回路を含む前記ダミー基板本体上に撥液膜が形成されたことを特徴とする請求項８に記載の変形量計測装置。
【請求項１１】
前記基板は、感光基板に露光転写されるべきパターンが形成されたマスクであることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の変形量計測装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の変形量計測装置による計測結果に基づいて、前記搬送部材に関するパラメータを調整するようにしたことを特徴とする調整方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の変形量計測装置による計測結果に基づいて、前記搬送部材による前記基板の保持状態の適否を判定するようにしたことを特徴とする判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の変形量を計測する変形量計測装置、該変形量計測装置の計測結果を用いる搬送部材の調整方法及び基板の保持状態の適否の判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置等の製造におけるリソグラフィ工程においては、マスク又はレチクル（以下、総称して「マスク」ともいう）等の原版に描かれたパターンを、レジストが塗布された半導体ウエハや透明ガラス基板等の感光基板上に転写するために、露光装置が用いられる。このような露光装置では、パターンの重ね合わせ精度（前の工程で形成されたパターンに対する後の工程で形成されるパターンの重ね合わせ精度）を向上するため、基板上から選択された複数のショット領域（サンプルショット）に付設されたアライメントマーク（数個〜数十個）を実測して得られた計測結果を統計処理して基板上における全ショット領域の配列を求め、この配列に従って各ショット領域の位置合わせ行うエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方式を用いている。
【０００３】
このようなＥＧＡ方式は、ショット配列が単純な変形モデルで表現できるということを前提としている。このため、基板の温度分布が一様でなく、単純な変形モデルでは表現できない複雑な変形が生じている場合には、ＥＧＡを行っても重ね合わせ精度を十分に向上することが困難な場合がある。特に、半導体デバイスの微細化のため、許される変形量が小さくなってきている。また、ウエハはウエハステージ上に設けられたウエハホルダに吸着保持されるが、この吸着保持に伴いウエハの形状が複雑に変形すると、やはり重ね合わせ精度を悪化させる要因となる。
【０００４】
従って、ウエハの複雑な形状変化は、ウエハの搬送系の温度管理、ホルダの形状や吸着動作の最適化等により最小限に抑えなくてはならず、このため、ウエハの変形量を正確に計測する必要が生じる。また、このような計測に多大な時間や工数が必要であるとすれば、作業効率が悪化するため、より簡便に計測できる必要もある。このことは、露光対象としての感光基板のみならず、転写されるべきパターンが形成されたマスクについても同様である。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、感光基板やマスク等の基板の変形量を正確に且つ簡便に計測できるようにすることを目的とする。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によると、搬送部材に保持される基板に生じる変形量を計測する変形量計測装置（工具基板）であって、前記基板と実質的に同一形状に形成されたダミー基板本体と、前記ダミー基板本体に生じる歪みを検出する、該ダミー基板本体上に設けられた歪み検出手段と、を備える変形量計測装置が提供される。
【０００７】
本発明に係る変形量計測装置は、基板と実質的に同一形状のダミー基板本体に歪み検出手段を設けているので、搬送部材（例えば、ホルダ）に保持された状態で、ダミー基板本体には実際の基板とほぼ同様の変形が生じることになり、基板の実際の変形量に近い計測結果を得ることが可能である。また、この変形量計測装置は、基板と実質的に同一形状であるから、基板と同じ搬送系を用いて、計測に係る位置まで搬送して計測を実施し、計測後に同様に回収することができるので、計測に伴う作業工数が少なく、短時間で高効率的な計測を行うことができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、基板の変形量を正確に且つ簡便に計測できるようになるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
［ウエハ型歪み計測装置］
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施形態に係るウエハ型歪み計測装置（計測工具としての工具基板）の構成を示す平面図、図２は図１の断面図、図３は歪みゲージの一例を示す図、図４は歪み検出回路のブロック図である。
【００１０】
まず、図１及び図２参照する。このウエハ型歪み計測装置１０は、ダミー基板本体１１上に、複数の歪みゲージ１２及び歪み検出回路２０を含む回路層を一体的に設けて構成されている。ダミー基板本体１１は、半導体装置を製造するために通常使用されるウエハ（プロセスウエハ）と同一の材料（ここでは、シリコン）からなり、その外形及び厚さが当該プロセスウエハと実質的に同一のものを用いて形成されている。処理対象であるプロセスウエハとして、例えば、直径３００ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ〜０．８ｍｍ程度のものを用いる場合には、これと実質的に同一のものを用いる。プロセスウエハそのものを用いてもよい。但し、プロセスウエハと実質的に同等の歪み特性を有するものであれば、プロセスウエハと異なる材料を用いてもよく、あるいは回路層の厚さ及び歪み特性を考慮して、全体としてプロセスウエハと実質的に同一の厚さ及び歪み特性となるように、プロセスウエハよりも僅かに薄いものを用いてもよい。ダミー基板本体１１には、ここでは、プロセスウエハにノッチが設けられているものとして、これと同様のノッチ１３が形成されている。プロセスウエハとしてオリエンテーションフラット（オリフラ）を有するものを用いる場合には、同様のオリエンテーションフラットが形成されたダミー基板本体１１を用いる。
【００１１】
ダミー基板本体１１上には、絶縁層１４が形成され、絶縁層１４上に複数の配列形成された歪みゲージ１２、及び各歪みゲージ１２の抵抗値の変化に基づいてダミー基板本体１１の局所的ないし全体的な変形を計測する歪み検出回路２０が形成されている。歪みゲージ１２としては、形状変化に伴いその抵抗値が変化する、例えば金属線又は金属箔を、図３に示されているような形状に成形してなるものを用いることができる。但し、歪みゲージ１２としては、他の形状のものを採用してもよい。歪みゲージ１２は、ここでは、所定の１軸方向（ｘ方向）の歪みを検出するｘゲージ１２ｘと当該１軸方向に直交する２軸方向（ｙ方向）の歪みを検出するｙゲージ１２ｙとを一対として、ダミー基板本体１１の板面上で網羅的となるように配列形成されている。
【００１２】
各歪みゲージ１２は、配線１５を介して、歪み検出回路２０に接続されている。絶縁層１４上の歪みゲージ１２、歪み検出回路２０、配線１５は、樹脂等からなる保護層１６で保護されている。このウエハ型歪み計測装置１０は後述する液浸型露光装置にも用いることができるように、保護層１６上に撥水膜１７が形成されている。保護層１６の一部には、撥水膜１７が形成されておらず、この部分に複数の電極１８が形成されている。複数の電極１８は配線１９を介して歪み検出回路２０にそれぞれ接続されている。これらの電極１８は、歪み検出回路２０に外部から電力を供給するとともに、歪み検出回路２０による検出信号（歪み情報）を外部に取り出すために用いられるものである。
【００１３】
ダミー基板本体１１上への絶縁層１４、歪みゲージ１２、歪み検出回路２０、配線１５，１９、電極１８、保護層１６（これらをまとめて回路層という）の形成は、ここでは、リソグラフィ技術により直接的に作り込むことにより行うものとするが、回路層を、ダミー基板本体１１とは別にフレキシブル基板として形成しておき、これをダミー基板本体１１上に接着剤等を用いて貼着するようにしてもよい。
【００１４】
次に、歪み検出回路２０の構成について、図４を参照して説明する。歪み検出回路２０は、抵抗値検知部２１、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換部２２、制御部２３、記憶部２４及び電源部（バッテリ）２５を備えて構成されている。抵抗値検知部２１には各歪みゲージ１２が接続されている。抵抗値検知部２１は、各歪みゲージ１２の抵抗値を検知し、検知信号（アナログ信号）をＡ／Ｄ変換器２２に送る。Ａ／Ｄ変換器２２は、当該検知信号（アナログ信号）をデジタル変換して制御部２３に送る。制御部２３はデジタル変換された検知信号を該制御部２３が有する時計に基づく時間情報と関連付けて、記憶部（メモリ）２４に歪み情報として逐次記憶させる。制御部２３は電極１８（信号入出力端子）を介して必要に応じて接続される外部のコンピュータから送られる読出命令に応じて、記憶部２４に記憶された各歪みゲージ１２の歪み情報を時間情報とともに、当該コンピュータに送る。電源部２５は各部２１，２２，２３に必要な電力を供給する。電源部２５は、ここでは蓄電池（バッテリ）であり、電極１８（電力供給端子）を介して必要に応じて接続される外部電源から電力の供給を受けることにより充電される。
【００１５】
このウエハ型歪み計測装置１０からの歪み情報の読み出し、及び外部からの電力の供給は、例えば、専用の収納ボックスを設け、このウエハ型歪み計測装置１０をこの収納ボックス内に収納することにより、電極１８が収納ボックスに設けられた対応する電極に接触ないし圧接するようにし、該収納ボックスの電極を介してコンピュータ及び外部電源に接続されるようにすることができる。なお、収納ボックスとコンピュータとの接続は、例えば、ＵＳＢコネクタ等を介して行うようにできる。また、この場合の外部のコンピュータは、歪み計測用の専用のコンピュータを用いてもよいし、露光装置が備える制御装置（後述する制御装置ＣＮＴ）を構成するコンピュータや上位のホストコンピュータを用いてもよい。
【００１６】
このような構成のウエハ型歪み計測装置１０では、計測装置１０がフラットな状態（理想的には計測装置１０に何らの力も作用しない状態）における各歪みゲージ１２からの信号（初期の抵抗値）を計測・保持しておき、これを基準として計測時における各歪みゲージ１２からの信号に基づく抵抗値の変化を検出する必要がある。この実施形態では、ウエハ型歪み計測装置１０を正確にフラットで水平に設定された基準面を有する定盤の該基準面上に載置し、この状態で各歪みゲージ１２からの信号に係る初期情報を校正情報として、予め記憶保持するようにしている。この校正情報の採取は、正確に温度管理された状態で行う。また、校正情報の採取は、定期的にあるいは必要に応じて行う。採取された校正情報は、歪み検出回路２０の記憶部２４に記憶させておき、制御部２３がこの校正情報に基づいて、抵抗値検知部２１からＡ／Ｄ変換部２２を介して送られる検知信号を校正して、校正後の情報を歪み情報として記憶部２４に記憶させ、必要に応じて接続された外部コンピュータからの読出命令に応じて校正後の情報を転送するようにしてもよく、あるいは外部コンピュータ側で校正情報を記憶保持しておき、制御部２３から送られる未校正の歪み情報を該外部コンピュータにおいて校正するようにしてもよい。
【００１７】
このような校正情報の採取は、実用的には上述したような定盤を用いる方法で十分に対応可能であると考えられるが、より正確な校正情報を得るためには、無重力に近い状態で採取することが望ましい。この場合には、このウエハ型歪み計測装置１０の比重と同程度の比重を有する液体中で変形しないように保持した状態（浮遊させた状態）で採取するようにできる。このデータの採取は、例えば恒温漕内で正確に温度管理された液体中で行う。また、歪みゲージ１２は、一般に温度変化によってもその抵抗値が変化するため、計測時に計測装置１０に全体的又は部分的な温度変化があると、検出結果に誤差が生じる得る。この場合には、各歪みゲージ１２に対応して、それぞれの近傍に白金測温抵抗体等の温度検出回路を併設し、その計測温度に応じて、歪みゲージ１２からの検出値を補正するようにするとよい。
【００１８】
図５はウエハ型歪み計測装置の他の例を示す図である。図１に示したものと同一の構成部分については同一の番号を付して、その説明は省略する。図１に示したものでは、歪みゲージ１２は、長手方向の寸法が比較的に小さいものをダミー基板本体１１上に分散的に配設して、各歪みゲージ１２によりそれぞれ局所的に歪みを計測するものを例示した。これに対して、図５に示すものでは、各歪みゲージとして、長手方向の寸法を長いものから短いものまで４種類の歪みゲージ３１ｘ、３１ｙ、３２ｘ、３２ｙ、３３ｘ、３３ｙ、３４ｘ、３４ｙを互いに干渉しないように（交差しないように）組み合わせて配設している。このような構成とすることにより、ダミー基板本体１１の比較的に大きな領域に渡って生じる歪みは長さの長い歪みゲージ３１ｘ、３１ｙによって計測することができ、ダミー基板本体１１内の比較的に小さい領域内で局所的に生じる歪みは長さの短い歪みゲージ３４ｘ、３４ｙによって計測することができ、更にこれらの中間的な領域に生じる歪みは中間の長さの歪みゲージ３２ｘ、３２ｙ、３３ｘ、３３ｙによって計測することができる。
【００１９】
なお、図５に示したものでは、長さの異なる各歪みゲージ３１ｘ、３１ｙ、３２ｘ、３２ｙ、３３ｘ、３３ｙ、３４ｘ、３４ｙを同一の層内に設けるため、互いに干渉しないように、同図に示したような配置を採用したが、これと異なる配置であってもよい。この場合に、各歪みゲージを、その長さに応じて、あるいは適宜にグループ分けして、多層構造を採用して、それぞれを各層に配置するようにしてもよく、このようにすれば、歪みゲージの長さの選定や配置に関する自由度をより大きくすることが可能である。但し、この場合の層数は、多すぎると、回路層全体の厚さが大きくなり、ウエハ型歪み計測装置１０自体の厚さが大きくなり過ぎる場合があるため、プロセスウエハの厚さと、対象となる露光装置やウエハ搬送装置の厚さに関する許容範囲との関係で、適宜に設定することが望ましい。また、あまりに厚過ぎると、計測装置１０の歪み特性に影響を与えてしまい、プロセスウエハの歪みを十分に反映できなくなるおそれがあるため、これとの関係も考慮して、その層数ないし厚さを設定することが望ましい。また、図５に示したものでは、歪み検出回路２０を歪みゲージと同一の層に配置しているため、歪み検出回路２０が存在する部分には、歪みゲージを設けることができないが、これについても層を分割して配置、即ち、歪みゲージと歪み検出回路を階層的に配置することにより、ダミー基板本体１１の全域に渡って歪み計測を行うことができる。
【００２０】
図６は歪み検出回路の他の構成を示すブロック図である。なお、図４と実質的に同一の構成部分については、同一の番号を付して、その説明は省略する。図４に示したものでは、歪み検出回路２０の制御部２３と外部コンピュータとの通信は、電極１８を介して、必要に応じて互いに電気的に直接接続することにより行うようにしていた。これに対して、図６に示すものでは、歪み検出回路２０内に無線通信装置としての送受信部４１を設け、歪み検出回路２０と外部コンピュータとの間の通信を、無線通信により行うようにしている。このため、図７に示すように、アンテナ４８を有する送受信部４７及び入出力部４９を備える受信ステーション４６を設け、入出力部４９に外部のコンピュータ４５を接続している。コンピュータ４５からの歪み情報の読出命令は、入出力部４９、送受信部４７、アンテナ４８を介して無線送信され、ウエハ型歪み計測装置１０において、アンテナ４２、送受信部４１を介して受信される。制御部２３は、この命令に応じて、記憶部２４から歪み情報を読み出す。読み出された歪み情報は、送受信部４１、アンテナ４２を介して無線送信され、受信ステーション４６において、アンテナ４８、送受信部４７を介して受信され、入出力部４９を介して、コンピュータ４５に送られる。なお、ここでは、コンピュータ４５側からの読出命令に応じて、ウエハ型歪み計測装置１０が記憶部２４に記憶保持された歪み情報を転送するようにしたが、ウエハ型歪み計測装置１０が検出した歪み情報を逐次転送するようにしてもよい。この場合には、検出した歪み情報を記憶部２４に記憶させることなく、直ちにコンピュータ４５へ転送するようにしてもよい。このようにすれば、記憶部２４の記憶容量を小さく若しくは記憶部２４を省略することができ、歪み検出回路２０の構成を簡略化することができる。また、このように歪み情報を無線通信により逐次転送するようにすると、ウエハ型歪み計測装置２０において、歪み情報に関する時間の管理を不要とすることもでき、これによっても、歪み検出回路２０の構成を簡略化することが可能である。
【００２１】
また、図４に示したものでは、歪み検出回路２０の電源部２５には、電極１８に必要に応じて電気的に直接接続される外部電源から電力を供給し、これを電源部２５にて充電して用いるものを示した。これに対して、図６では、光電変換部（例えば、いわゆる太陽電池）４３を設けて、この光電変換部４３に光を照射することにより、光エネルギを電気エネルギに変換して、電源部２５を充電するようにしている。光電変換部４３への光エネルギの供給は、別途設けられた専用の照明装置により行ってもよいし、あるいは露光光等の露光装置内に設けられる照明装置を用いて行うようにしてもよい。また、このような光電変換部４３に代えて、電磁誘導を用いて非接触で電源部２５の充電を行うようにしてもよい。
【００２２】
図６のような構成を採用すると、ウエハ型歪み計測装置１０に、バッテリの充電及びコンピュータとの通信のための電極を設ける必要がなくなるので、このウエハ型歪み計測装置１０を後述する液浸型露光装置で用いる場合に、電極が濡れてしまうことがなく、好適である。また、ウエハ型歪み計測装置１０からリアルタイムで歪み情報を取得することができるので、当該歪み情報を分析することにより、例えば、搬送経路中の障害の有無（後述する搬送装置のアーム等による吸着不良等）を素早く検知することができ、より適切な対策を講じることが可能となる。
【００２３】
なお、図４又は図６に示した歪み検出回路２０は、その機能を実現するための電気回路（ハードウエア）のみで構成してもよいし、その一部をマイクロコンピュータ及びソフトウェア・プログラムによって実現してもよい。
【００２４】
［露光装置］
次に、上述したウエハ型歪み計測装置を適用可能な露光装置について、図８を参照して説明する。この露光装置ＥＸは、いわゆる液浸型の露光装置であるとともに、投影光学系ＰＬに対してレチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンの像をウエハＷ上のショット領域に逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。照明光学系ＩＬは、ＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）等の光源から射出されるレーザ光の断面形状をスキャン方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に伸びるスリット状に整形するとともに、その照度分布を均一化して照明光ＥＬとして射出する。なお、本実施形態では、光源としてＡｒＦエキシマレーザ光源を備える場合を例に挙げて説明するが、これ以外にｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（波長１５７ｎｍ）、その他の光源を用いることができる。
【００２５】
レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴ上に吸着保持されており、レチクルステージＲＳＴ上の一端にはレチクル用干渉計システムＩＦＲからの測長用のレーザビームが照射される移動鏡ＭＲｒが固定されている。レチクルＲの位置決めは、レチクルステージＲＳＴを光軸ＡＸと垂直なＸＹ平面内で並進移動させるとともに、ＸＹ平面内で微小回転させるレチクル駆動装置（不図示）によって行われる。このレチクル駆動装置は、レチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に転写する際には、レチクルステージＲＳＴを一定速度で所定のスキャン方向（Ｘ方向）に走査する。レチクルステージＲＳＴの上方には、レチクルＲの周辺に複数形成されたレチクルアライメント用のマークを光電検出するアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２がスキャン方向に沿ってそれぞれ設けられている。アライメント系ＯＢ１，ＯＢ２の検出結果は、レチクルＲを投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して所定の精度で位置決めするためなどに使用される。干渉計システムＩＦＲは、移動鏡ＭＲｒにレーザビームを投射し、その反射ビームを受光してレチクルＲの位置変化を計測する。
【００２６】
レンズ等の複数の光学素子を有する投影光学系ＰＬの下方には、ウエハＷを載置してＸＹ平面に沿って２次元移動するウエハステージＷＳＴが設けられている。ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハテーブルＷＴＢが設けられ、ウエハテーブルＷＴＢには、ウエハＷを真空吸着するウエハホルダＷＨが交換可能に設けられている。ウエハテーブルＷＴＢは、不図示のオートフォーカス機構（ＡＦ機構）の計測値に基づいて、ウエハホルダＷＨをＺ方向（光軸ＡＸ方向）に微小移動させるとともに微小傾斜させる。ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での移動座標位置とヨーイングによる微小回転量とは、ウエハ用干渉計システムＩＦＷによって計測される。この干渉計システムＩＦＷは、レーザ光源（不図示）からの測長用のレーザビームをウエハステージＷＳＴのウエハテーブルＷＴＢに固定された移動鏡ＭＲｗに照射し、その反射光と所定の参照光とを干渉させてウエハステージＷＳＴの座標位置と微小回転量（ヨーイング量）とを計測する。ウエハテーブルＷＴＢ上には、その外形が矩形状に形成され、そのほぼ中央部には、ウエハＷの外径よりも僅かに大きい内径の開口（円形開口）ＰＴａが形成された撥水プレートＰＴが適宜に交換可能に設けられている。撥水プレートＰＴの表面には、フッ素系の材料等を用いた撥水処理（撥水コート）が施されている。
【００２７】
また、図示を省略しているが、ウエハホルダＷＨの中央部には、上下方向（Ｚ方向）に上下動可能なセンタテーブルが設けられている。センタテーブルは、ウエハステージＷＳＴ（ウエハホルダＷＨ）に対するウエハＷの搬出入を行うための上下動機構であり、その先端位置において、後述する所定の受渡位置よりも上側の上死点とウエハホルダＷＨのウエハＷの載置面よりも下側の下死点との間で任意の位置で位置決め可能に構成されており、その中心にウエハＷを負圧吸着するための吸着口が配置されている。
【００２８】
投影光学系ＰＬの側方には、ウエハＷに形成されたウエハマーク（アライメントマーク）の位置情報を計測するための、オフ・アクシス型のアライメントセンサＡＬＧが設けられている。アライメントセンサＡＬＧとしては、この実施形態では、ウエハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に受光された対象マークの像と、不図示の指標（センサ内に設けれらた指標板上の指標マーク）の像とを２次元ＣＣＤ(Charge Coupled Device)等からなる撮像素子（カメラ）で撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ(Field Image Alignment)系のセンサが用いられている。アライメントセンサＡＬＧによる計測結果は、露光装置を全体的に制御する制御装置ＣＮＴに供給されるようになっている。
【００２９】
また、ウエハステージＷＳＴのウエハテーブルＷＴＢ上には、ＡＦ機構が備えるＡＦセンサのキャリブレーションやベースライン量の計測等に用いられる基準板ＦＭＢが取り付けられている。基準板ＦＭＢの表面には、レチクルＲのマークとともにアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２で検出可能な基準マーク（フィジューシャルマーク）やその他のマークが形成されている。ＡＦセンサは投影光学系ＰＬの像面に対するウエハＷの表面のずれ量を計測するセンサである。ベースライン量とは、ウエハＷ上に投影されるレチクルのパターン像の基準位置（例えば、パターン像の中心）とアライメントセンサＡＬＧの視野中心との距離を示す量である。
【００３０】
この露光装置は、液浸型であるため、投影光学系ＰＬの像面側（ウエハＷ側）の先端部近傍には、液浸機構を構成する液体供給ノズルＳＵＮと、これと対向するように液体回収ノズルＲＥＮとが設けられている。液体供給ノズルＳＵＮは、不図示の液体供給装置に供給管を介して接続されており、液体回収ノズルＲＥＮには、不図示の液体回収装置に接続された回収管が接続されている。液体としては、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が透過する超純水が用いられる。ＡｒＦエキシマレーザ光に対する水の屈折率ｎは、ほぼ１．４４である。この水の中では、照明光（露光光）ＥＬの波長は、１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。制御装置ＣＮＴが、液体供給装置及び液体回収装置を適宜に制御して、液体供給ノズルＳＵＮから液体（純水）を供給するとともに、液体回収ノズルＲＥＮから液体を回収することにより、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に、一定量の液体Ｌｑが保持される。なお、この液体Ｌｑは露光処理中は常に入れ替わっている。
【００３１】
［ウエハ搬送装置］
次に、上述した露光装置ＥＸに付属されるウエハ搬送装置について、図９を参照して説明する。このウエハ搬送装置ＷＬは、所定のフープ位置Ｐ１に搬入されたウエハキャリア（ウエハカセット）ＷＣ又は露光装置の前の処理工程であるレジスト塗布処理を行うレジスト塗布装置（コータ）若しくは後の処理工程である現像処理を行う現像装置（デベロッパ）に対する搬出入位置Ｐ２と、露光装置ＥＸのウエハステージＷＳＴに対する所定の受渡位置Ｐ４との間で、搬送対象としてのウエハ（プロセスウエハ）Ｗを搬送する装置である。上述したウエハ型歪み計測装置１０は、ウエハＷと実質的に同一の形状であるので、ウエハＷと全く同様にウエハ搬送装置ＷＬによって搬送することができる。
【００３２】
ウエハ搬送装置ＷＬは、不図示のウエハローダチャンバ内に収容されており、ウエハローダベースＷＬＢ上に、搬出入テーブルユニット１１０、ロードロボット１２０、クーリングユニット１３０、ロードスライダ１４０、アンロードスライダ１５０、アンロードロボット１６０、及び必要に応じて位置Ｐ６に設けられる水除去ユニット（不図示）を配置して構成されている。ウエハローダチャンバ内には、露光装置ＥＸに付属する空調装置からダクトを介して所定温度に温調された気体（ここでは、空気）がダウンフロー供給されている。
【００３３】
搬出入テーブルユニット（インラインテーブル）１１０は、詳細図示は省略されているが、ウエハＷがそれぞれ載置される上下に２段のテーブルを有しており、上段は図外のレジスト塗布装置から送られるウエハＷを受け取るためのテーブルであり、下段は図外の現像装置に対してウエハＷを受け渡すためのテーブルである。搬出入テーブルユニット１１０には、第１プリアライメント部が併設されている。第１プリアライメント部では、ウエハＷを回転させつつ外形を検出してウエハＷの中心及びノッチ（又はオリフラ）の方位をラフに計測する第１プリアライメントが実施される。第１プリアライメント部は、搬出入テーブルユニット１１０の上段テーブル１１１の中央部に形成された貫通穴を貫通した状態で、昇降及び回転可能なターンテーブル１１２と、上段テーブル１１１の上方に設けられた外形検出用のラインセンサ（ラインＣＣＤセンサ）Ｓ１１とを備えて構成されている。
【００３４】
ロードロボット１２０は、ロボットベース１２１にその一端側が回動可能に取り付けられた第１アーム１２２、第１アーム１２２の他端側にその一端側が回動可能に取り付けられた第２アーム１２３、及び第２アーム１２３の他端側にその基端部側が回動可能に取り付けられたハンド部１２４を備えて構成されたスカラー型の多関節ロボットである。ロボットベース１２１は、Ｚ軸ユニット１２７によりＺ軸方向（上下方向）にスライド可能に支持されており、Ｚ軸ユニット１２７が備えるサーボモータ及びリニアエンコーダ等からなる駆動部により、Ｚ軸方向の所定範囲の任意の位置に位置決めできるようになっている。ロボットベース１２１、第１アーム１２２、第２アーム１２３、及びハンド部１２４のそれぞれの連結部分には、サーボモータ及びロータリーエンコーダ等からなる駆動部が設けられており、これらを制御することにより、ハンド部１２４を任意の位置に任意の姿勢で位置決めできるようになっている。
【００３５】
ハンド部１２４は、その先端側に一対の指部１２５ａ，１２５ｂを有しており、各指部１２５ａ，１２５ｂの先端部近傍には、ウエハＷを真空吸着するための負圧を供給する吸着溝１２６ａ，１２６ｂが配置されている。ハンド部１２４の指部１２５ａ，１２５ｂは、一方の指部１２５ａよりも他方の指部１２５ｂの長さが短くなるように、左右非対称に構成されている。このような非対称な構成としたのは、後述するアンロードロボット１６０のハンド部１６４の指部１６５ａ，１６５ｂの非対称性、並びにハンド部１２４，１６４のウエハＷを受け渡す時の姿勢及び進行方向との関係で、ウエハＷを受け渡す際に互いに干渉しないようにするためである。吸着溝１２６ａ，１２６ｂは、ウエハＷを保持したときに、ウエハＷの裏面が指部１２５ａ，１２５ｂに接触しないように、その外壁部分が僅かに高く形成されており、裏面側の負圧供給管に連通された孔（不図示）を介して真空吸引することにより、ウエハＷを吸着保持するようになっている。吸着溝１２６ａ，１２６ｂは、ここでは互いに相対する側が凹となるように円弧状に形成されている。
【００３６】
クーリングユニット１３０は、重ね合わせ精度（ウエハＷのある層に形成されるパターンとその後に形成されるパターンとの重ね合わせ精度）を向上させるため、ウエハＷを露光装置ＥＸによる露光時の温度とほぼ同じ温度に冷却（温調）するためのユニットである。クーリングユニット１３０は、温調されるクールプレート１３１を備え、このクールプレート１３１上にウエハＷを所定時間だけ載置することにより、ウエハＷの全面を予め定められた所定の温度に温調する。クーリングユニット１３０は、ロードロボット１２０から温調すべきウエハＷを受け取るため、クールプレート１３１の中心に対して放射状に等配的に設けられた３本のピン部材１３２を有する昇降装置を備えている。昇降装置は、ロードロボット１２０により位置Ｐ３においてクールプレート１３１から離間して上方に搬入されたウエハＷを、ピン部材１３２を上昇させることにより受け取り、ロードアーム１２０が待避された後にピン部材１３２を降下させて、ウエハＷをクールプレート１３１の上面に載置させる。クールプレート１３１で温調されたウエハＷは、ピン部材１３２が上昇されて、後述するスライダアーム１４３に受け渡されるようになっている。なお、各ピン部材１３２の先端には、ウエハＷを真空吸引するための吸着口（不図示）が形成されている。
【００３７】
クーリングユニット１３０には第２プリアライメント部が併設されており、ここで第２プリアライメントが行われる。このため、ウエハＷの周縁部の所定の３箇所を撮像するための二次元ＣＣＤカメラ等からなる撮像装置Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３がクールプレート１３１の上方に設けられている。また、各撮像装置Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３に照明光を供給する照明装置（ここでは、有機ＥＬ発光体）ＥＬ２１，ＥＬ２２，ＥＬ２３が、クールプレート１３１に形成された貫通穴を介して下側から照明するように設けられている。位置Ｐ３に位置されたウエハＷの外周の３箇所が、それぞれ撮像装置Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３により撮像され、その撮像結果（所定の基準に対する位置誤差及び回転誤差）に基づき、クーリングユニット１３０を全体的に支持している微調整テーブル（不図示）を駆動して、微小回転させると共に、Ｘ及びＹ方向へ微小移動させて、ウエハＷの中心位置及び回転位置を該所定の基準に位置合わせするものである。
【００３８】
ロードスライダ１４０は、ガイド１４１に沿ってスライド可能なスライダ１４２に取り付けられたスライダアーム（ロードスライダアーム）１４３を備えて構成され、スライダアーム１４３がクーリングユニット１３０及び第２プリアライメント部が配置された位置Ｐ３と、ウエハステージＷＳＴの露光装置ＥＸに対する所定の受渡位置Ｐ４との間で往復移動されるようになっている。
【００３９】
スライダアーム１４３は、一対の指部１４５ａ，１４５ｂを有しており、各指部１４５ａ，１４５ｂには搬送するウエハＷを真空吸着するための一対の吸着溝１４６ａ，１４６ｂが設けられている。吸着溝１４６ａ，１４６ｂは、ウエハＷを保持したときに、ウエハＷの裏面がスライダアーム１４３に接触しないように、その外壁部分が僅かに高く形成されており、裏面側の負圧供給管に連通された不図示の孔を介して真空吸引することにより、ウエハＷを吸着保持するようになっている。なお、図９において、ＣＴ１はウエハステージＷＳＴのウエハホルダＷＨの中央部に上下動可能に設けられたセンタテーブルであり、センターテーブルＣＴ１の先端面には、ウエハＷを真空吸着保持するための負圧を供給する複数（ここでは、３個）の吸着孔が設けられている。
【００４０】
アンロードスライダ１５０は、ガイド１５１に沿ってスライド可能なスライダ１５２に取り付けられたハンド部１５３を備えて構成される。ハンド部１５３は、左右非対称に配置された一対の指部１５５ａ，１５５ｂを有しており、各指部１５５ａ，１５５ｂには搬送するウエハＷを真空吸着するための吸着ピン１５６ａ，１５６ｂ，１５６ｃが設けられている。吸着ピン１５６ａ，１５６ｂ，１５６ｃは、ウエハＷを保持したときに、ウエハＷの裏面が指部１５５ａ，１５５ｂに接触しないように、その外壁部分が僅かに高く形成されており、裏面側の負圧供給管に連通された不図示の孔を介して真空吸引することにより、ウエハＷを吸着保持するようになっている。スライダ１５２は不図示のリニアモータ及びリニアエンコーダ等を有する駆動部により駆動され、ハンド部１５３が、ウエハステージＷＳＴとの受渡位置Ｐ４と、アンロードロボット１６０のハンド部１６４との受渡位置Ｐ５との間で往復移動されるようになっている。
【００４１】
アンロードロボット１６０は、ロボットベース１６１にその一端側が回動可能に取り付けられた第１アーム１６２、第１アーム１６２の他端側にその一端側が回動可能に取り付けられた第２アーム１６３、及び第２アーム１６３の他端側にその基端部側が回動可能に取り付けられたハンド部１６４を備えて構成されたスカラー型の多関節ロボットである。ロボットベース１６１、第１アーム１６２、第２アーム１６３、及びハンド部１６４のそれぞれの連結部分には、サーボモータ及びロータリーエンコーダ等からなる駆動部が設けられており、これらを制御することにより、ハンド部１６４を任意の位置に任意の姿勢で位置決めできるようになっている。
【００４２】
ハンド部１６４は、その先端側に一対の指部１６５ａ，１６５ｂを有しており、各指部１６５ａ，１６５ｂの先端部近傍には、ウエハＷを真空吸着するための負圧を供給する吸着溝１６６ａ，１６６ｂが配置されている。ハンド部１６４の指部１６５ａ，１６５ｂは、左右非対称になるように構成されている。ここでは、一方の指部１６５ａよりも他方の指部１６５ｂの長さが短く形成されるとともに、指部１６５ａの長手方向と指部１６５ｂの長手方向が互いに斜交するように形成された形状を有している。この一対の指部１６５ａ，１６５ｂを左右非対称性にしたのは、前述したロードロボット１２０のハンド部１２４における指部１２５ａ，１２５ｂの非対称性及びハンド部１２４，１６４のウエハＷを受け渡す時の姿勢及び進行方向との関係で、アンロードスライダ１５０のハンド部１５３の指部１５５ａ，１５５ｂの非対称性及びハンド部１５３，１６４のウエハＷを受け渡す時の姿勢及び進行方向との関係で、ウエハＷを受け渡す際に互いに干渉しないようにするためである。吸着溝１６６ａ，１６６ｂは、ウエハＷを保持したときに、ウエハＷの裏面が指部１６５ａ，１６５ｂに接触しないように、その外壁部分が僅かに高く形成されており、裏面側の負圧供給管に連通された孔（不図示）を介して真空吸引することにより、ウエハＷを吸着保持するようになっている。吸着溝１６６ａ，１６６ｂは、ここでは互いに平行となるように直線状に形成されている。
【００４３】
次に、この搬送装置ＷＬにおけるウエハＷの搬送動作について説明する。フープ（ＦＯＵＰ）位置Ｐ１に搬入されたウエハキャリアＷＣ内に収納されたウエハＷを処理する場合には、ウエハキャリアＷＣ内のウエハＷが、ロードロボット１２０により取り出され、搬出入テーブルユニット１１０が設置された位置Ｐ２まで搬送され、上段テーブル１１１に載置される。また、レジスト塗布装置からインラインで搬入されるウエハＷを処理する場合には、レジスト塗布装置の搬送装置によりウエハＷが上段テーブル１１１上に載置されている。この搬出入テーブルユニット１１０には、第１プリアライメント部が併設されており、ここで第１プリアライメントが行われる。この第１プリアライメントは、ウエハＷのノッチの位置及び偏芯を検出し、その位置及び回転を補正するために行われる。上段テーブル１１１上に載置されたウエハＷは、ターンテーブル１１２が上昇されることによって、ターンテーブル１１２上に渡され、ターンテーブル１１２の吸着機能により、ターンテーブル１１２に吸着保持される。
【００４４】
次いで、ターンテーブル１１２が回転され、ラインＣＣＤセンサＳ１１によりウエハＷの外形及びノッチ部（あるいはオリフラ部）が検出される。ウエハＷの回転方向のズレは、ターンテーブル１１２が当該ズレを相殺するように回転された位置で停止することにより補正され、中心位置のズレは、ロードロボット１２０によりウエハＷが取り出されるときの該ロードロボット１２０のハンド部１２４の位置を補正することにより解消される。第１プリアライメントが終了したウエハＷは、ロードロボット１２０により取り出され、クーリングユニット１３０との受渡位置Ｐ３まで搬送され、上昇した３本のピン部材１３２（以下、センターテーブル１３２ともいう）上に渡される。
【００４５】
次いで、クーリングユニット１３０に併設されている第２プリアライメント部による第２プリアライメントが行われる。即ち、クーリングユニット１３０に設けられた照明装置ＥＬ２１，ＥＬ２２，ＥＬ２３による照明光の照射が行われると共に、撮像装置Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３によるウエハＷの周縁部の所定の３箇所が撮像され、その撮像結果に基づいて、ウエハＷの中心位置及び回転位置の所定の基準に対する誤差が検出される。これらの誤差は、クーリングユニット１３０の位置及び回転を微調整する不図示の微調整テーブルが駆動されることにより補正される。
【００４６】
第２プリアライメントが終了したウエハＷは、センターテーブル１３２が降下されることにより、クーリングプレート１３１の上面上に載置され、所定の時間だけクーリングプレート１３１上に載置されることにより、その温度が全面に渡って一様に所定温度となるように調整される。ウエハＷの冷却が終了したならば、−Ｙ軸方向側の所定の待機位置にロードスライダ１４０のスライダアーム１４３が予め待機している状態で、センターテーブル１３２が上昇された後に、該スライダアーム１４３が所定の受渡位置Ｐ３まで前進（＋Ｙ軸方向に移動）されて停止される。その後、センターテーブル１３２による吸着保持が解除された状態で該センターテーブル１３２が降下されることにより、温調（冷却）されたウエハＷがスライダアーム１４３に渡される。次いで、ロードスライダ１４０により、＋Ｙ軸方向に搬送されて、ウエハステージＷＳＴとの受渡位置Ｐ４まで搬送される。
【００４７】
次に、センターテーブルＣＴ１の先端面がスライダアーム１４３の上面（吸着溝１４６ａ，１４６ｂの上面より僅かに上に位置した状態で、センターテーブルＣＴ１の上昇が停止され、センターテーブルＣＴ１によるウエハＷの吸着保持が行われる。センターテーブルＣＴ１によるウエハＷの吸着保持が行われたならば、次いで、スライダアーム１４３を待避させると共に、センターテーブルＣＴ１を降下させ、ウエハＷがウエハステージＷＳＴ（ウエハホルダＷＨ）上に載置される直前に、センターテーブルＣＴ１によるウエハＷの吸着保持を解除し、センターテーブルＣＴ１を更に降下させることにより、ウエハＷがウエハステージＷＳＴ上に載置される。
【００４８】
次いで、ウエハステージＷＳＴ上において、ウエハＷはウエハホルダＷＨに吸着保持され、ウエハステージＷＳＴにより所定の露光位置に搬送されて、アライメントセンサＡＬＧによるウエハＷ上のマークを計測するサーチアライメント及びファインアライメントが実施された後に、露光装置ＥＸによりレチクルＲのパターンの像がウエハＷ上に露光転写される。ウエハＷに対する露光処理が終了したならば、ウエハステージＷＳＴが移動されて、受渡位置Ｐ４に再度位置される。露光処理が終了したウエハＷはセンタテーブルＣＴ１を介してアンロードスライダ１５０のアンロードアーム１５３に渡される。
【００４９】
次いで、ウエハＷはアンロードスライダ１５０により、アンロードロボット１６０との受渡位置Ｐ５まで搬送され、アンロードロボット１６０のハンド部１６４に渡される。アンロードロボット１６０のハンド部１６４に渡されたウエハＷは、位置Ｐ６まで搬送され、位置Ｐ６に除水ユニットが設けられている場合には、ウエハＷ上の水分が取り除かれた後に、ロードロボット１２０のハンド部１２４に渡され、ロードロボット１２０により、フープ位置Ｐ１に設置されたウエハキャリアＷＣ内まで、又は位置Ｐ２の搬出入テーブルユニット１１０の現像装置に対して搬出するための下段テーブルまで搬送される。
【００５０】
［ウエハ歪み計測］
次に、上述したウエハ型歪み計測装置１０を上述した露光装置及びウエハ搬送装置を備えた露光システムに適用した場合の運用方法について説明する。まず、ウエハ搬送装置のウエハキャリアＷＣの所定の棚に、ウエハ型歪み計測装置１０を予め収納する。このウエハ型歪み計測装置１０は、処理対象としてのウエハＷと実質的に同一の形状であるので、ウエハＷと全く同様にウエハカセットＷＣに収納することができる。なお、ウエハ型歪み計測装置１０はウエハキャリアＷＣに収納するのではなく、例えばフープ位置Ｐ１近傍でロードロボット１２０の作業領域内に専用の棚又は置き台を設けて、これに収納又は載置しておくようにしてもよい。なお、ここでは、ウエハ型歪み計測装置１０の歪み検出回路は、図６に示したワイヤレスタイプのものであるものとし、図７に示した受信ステーション４６が露光装置ＥＸの近傍に設置されているものとする。また、図７のコンピュータ４５として、露光装置ＥＸが備える制御装置ＣＮＴが接続されているものとする。
【００５１】
この状態で、制御装置ＣＮＴによる制御の下、ウエハ歪み計測シーケンスの実行が開始される。制御装置ＣＮＴは受信ステーション４６を介して、ウエハ型歪み計測装置１０による歪み情報の計測の開始を指示する。次いで、通常のウエハＷの搬送と同様の処理により、ウエハ型歪み計測装置１０は、ロードロボット１２０により取り出され、第１プリアライメント位置Ｐ２、クーリングユニット１３０、ロードスライダ１４０を経て、受渡位置Ｐ４まで搬送され、受渡位置Ｐ４に待機しているウエハステージＷＳＴのウエハホルダＷＨ上に受け渡される。露光装置ＥＸにおいて、通常の露光処理時の動作と同様に、ウエハステージＷＳＴが移動されて、露光位置にウエハ型歪み計測装置１０が位置され、露光時と同様の動作が行われる。但し、ここでは、歪み計測を目的としているため、レチクルＲの搬入、露光光の照射、及び液体Ｌｑの供給は行わないものとする。なお、これらを行ってもよい。露光光の照射を行う場合には、ウエハ型歪み計測装置１０の表面に露光光が回路層へ進入して障害を与えることがないように、遮光層の形成、その他の手段を講じることが望ましい。露光光の照射をも行えば、露光光のエネルギ吸収による温度変化に伴う歪み情報をも採取することが可能となる。
【００５２】
その後、ウエハステージＷＳＴが受渡位置Ｐ４に移動され、アンロードスライダ１５０、アンロードロボット１６０、ロードロボット１２０を経て、ウエハ型歪み計測装置１０が元の位置Ｐ１まで搬送され、当該ウエハキャリアＷＣ内に戻される。制御装置ＣＮＴは受信ステーション４６を介して、ウエハ型歪み計測装置１０による歪み情報の計測の終了を指示し、記憶部２４に記憶保持された歪み情報を時間情報とともに転送を受けて、これらを制御装置ＣＮＴが備える記憶部（メモリ）に記憶させる。なお、ここでは、ウエハ型歪み計測装置１０による全ての経路における歪み計測が終了した後に、歪み情報を一括転送するものとしたが、搬送中に逐次転送するようにしてもよい。
【００５３】
計測された歪み情報の利用方法としては、各種のものが考えられるが、例えば、ウエハ型歪み計測装置１０がウエハホルダＷＨに吸着保持された状態での歪み情報に基づいて、当該ウエハホルダＷＨによるウエハの吸着の動的特性を推定することができる。これに基づき、ウエハホルダＷＨの各種のパラメータ、例えば、吸着圧、吸着溝ないし孔の形状や配置等の最適化を図ることが可能となる。ウエハ搬送装置ＷＬにおけるロードロボット１２０のアーム部１２４等のウエハＷの吸着動作を行う全ての部分において、同様の最適化を図ることが可能となる。また、ウエハの各部材間（例えば、ロードロボット１２０とアンロードロボット１６０間）のウエハ受渡時の歪み情報に基づいて、そのときのウエハの挙動を推定することもでき、これら各部材の位置関係等も最適化することが可能となる。
【００５４】
また、ウエハを吸着保持する部材（例えば、ロードロボット１２０のアーム部１２４等）におけるウエハＷの吸着の良／不良やウエハＷが載置される面上への異物の存否等も判定（判断）することが可能である。また、各部材によるウエハの位置決め等の際の位置補正やその他のパラメータの補正、あるいは調整を、計測結果に基づいて適宜に行うことができる。
【００５５】
さらに、ウエハ型歪み計測装置１０がウエハホルダＷＨに吸着保持された状態での歪み情報に基づいて、プロセスウエハに対して実際に露光処理を行う際のＥＧＡ計測におけるウエハ上のマーク（アライメントマーク）の選定、マークのリジェクト（特定のマークをＥＧＡ演算処理から除外すること）、マーク検出条件（ＦＩＡ／ＬＳＡ、信号処理アルゴリズム（エッジ抽出法、テンプレートマッチング法、折り返し自己相関法等）の選定、ＥＧＡ演算（統計演算）の際に使用する統計演算モデル（６パラメータモデル、１０パラメータモデル、ショット内平均化モデル、ショットファクタ間接適用モデル、高次ＥＧＡ処理条件（使用次数と使用補正係数）等）、重み付けＥＧＡ処理条件、ＥＧＡオプション機能の拡張ＥＧＡ処理条件（ショット内多点ＥＧＡ実施条件、ＥＧＡ計算モデル、ショット成分補正条件等）の選定、及び計測されたマークの計測位置に加えるべき補正量（アライメント補正値等）の算出等を行うようにすることもできる。
【００５６】
上述した実施形態では、ウエハ型の歪み計測装置を例として説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、露光対象としてのガラス基板やその他の基板について上記と同様に構成して、該基板の歪みを計測するようにしてもよい。また、レチクル（マスク）型の歪み計測装置として、レチクルについての歪み情報を得るようにしてもよい。
【００５７】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、上記実施形態においては、液浸型のステップ・アンド・スキャン方式の露光装置に適用した場合について説明したが、液浸型でなくてもよく、また、ステップ・アンド・リピート方式等の露光装置等に適用することも可能である。
【００５８】
また、半導体素子のみならず、液晶表示素子、プラズマディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、及びＤＮＡチップ等の製造にも用いられる露光装置、並びにレチクル又はマスクを製造するための露光装置にも本発明を適用できる。即ち本発明は、露光装置の露光方式や用途等に関係なく適用可能である。更に、上述した実施形態では、露光装置においてウエハなどの基板の歪みを計測する装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、露光装置以外の基板処理システム（例えば、レジスト塗布装置、現像装置等）に適用することも可能である。
【００５９】
なお、デバイスとしての半導体素子は、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいて、レチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製造するステップ、上述した実施形態の露光装置等によりレチクルのパターンをウエハに露光転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態のウエハ型歪み計測装置の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態のウエハ型歪み計測装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態の歪みゲージの構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施形態の歪み検出回路の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の実施形態の歪みゲージの他の配置を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態の歪み検出回路の他の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の実施形態の受信ステーションの構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の実施形態の露光装置の構成を示す正面図である。
【図９】本発明の実施形態のウエハ搬送装置の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０…ウエハ型歪み計測装置、１１…ダミー基板本体、１２…歪みゲージ、１８…電極、２０…歪み検出回路、４１…送受信部、４３…光電変換部、ＥＸ…露光装置、ＷＳＴ…ウエハステージ、ＷＨ…ウエハホルダ、Ｗ…ウエハ、ＷＬ…ウエハ搬送装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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