(57)【要約】【課題】多層構造物の形成方法および多層構造物自体を提供すること。【解決手段】一実施形態においては、多層構造物の形成方法は、５０から１５０の間の誘電率を有する常誘電体フィラーとポリマーとを含む誘電体組成物を用意するステップと、前記誘導体組成物をキャリアフィルムに被着させ、それによって誘電体層とキャリアフィルム層とを含む多層フィルムを形成するステップと、前記多層フィルムを回路付きコアに貼り付けるステップであって、前記多層フィルムの誘電体層が前記回路付きコアと対向するステップと、加工の前に前記キャリアフィルム層を前記誘電体層から除去するステップと、金属層を前記誘電体層に被着させるステップであって、前記回路付きコア、誘電体層および金属層がプレーナキャパシタを形成するステップと、前記プレーナキャパシタを加工して多層構造物を形成するステップとを含む。【選択図】図２
2007053347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造物を形成する方法であって、
５０から１５０の間の誘電率を有する常誘電体フィラーおよびポリマーを含む誘電体組成物を用意するステップと、
前記誘導体組成物をキャリアフィルムに被着し、それによって誘電体層とキャリアフィルム層とを含む多層フィルムを形成するステップと、
前記多層フィルムを回路付きコアに貼り付けるステップであって、前記多層フィルムの誘電体層が前記回路付きコアと対向するステップと、
加工の前に前記キャリアフィルム層を前記誘電体層から除去するステップと、
金属層を前記誘電体層に被着させるステップであって、前記回路付きコア、誘電体層および金属層がプレーナキャパシタを形成するステップと、
前記プレーナキャパシタを加工して多層構造物を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
多層構造物を形成する方法であって、
５０から１５０の間の誘電率を有する常誘電体フィラーおよびポリマーを含む誘電体組成物を用意するステップと、
前記誘導体組成物を金属キャリアフィルムに被着させ、それによって誘電体層とキャリアフィルム層とを含む多層フィルムを形成するステップと、
前記多層フィルムを前記回路付きコアに貼り付けるステップであって、前記多層フィルムの誘電体層が前記回路付きコアと対向しており、前記回路付きコア、誘電体層およびキャリアフィルム層が、プレーナキャパシタを形成するステップと、
前記プレーナキャパシタを加工して多層構造物を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
剥離フィルム層を用意するステップと、
前記剥離フィルム層を前記誘電体層に被着させるステップと、
貼り付けの前に前記剥離フィルム層を取り除くステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体フィラーが、５から５５体積％の量で存在することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体組成物が、溶媒をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記常誘電体フィラーが、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ステアタイトおよびそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体フィラーの平均粒径が、２ミクロン未満であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
前記ポリマーが、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂およびポリイミド樹脂から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体組成物が、強誘電体フィラーをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項１０】
前記強誘電体フィラーが、一般式がＡＢＯ３であるペロブスカイト、結晶性チタン酸バリウム（ＢＴ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（ＰＬＺＴ）、ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰＭＮ）およびチタン酸カルシウム銅、ならびにこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１または２に記載の方法によって形成されることを特徴とする多層構造物。
【請求項１２】
前記構造物が、プリント配線板および集積回路パッケージから選択されることを特徴とする請求項１１に記載の多層構造物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の技術分野は、誘電体組成物およびフィルム、ならびに多層プリント回路などの電子回路および構成部品におけるそれらの使用に関する。多層プリント回路は、リジッド、フレキシブル、またはリジッドフレックス回路板、多層チップパッケージ、あるいはマルチチップパッケージとすることができる。
【背景技術】
【０００２】
集積回路構成部品を小型化し、その性能を向上させる必要性がますます高まっている。集積回路構成部品、例えばプレーナキャパシタ構成部品の共通の部品の１つに、誘電性機能性フィラー材料およびポリマーを含む組成物から形成される誘電体層がある。一般的に、高い誘電率（Ｋ）を有する誘電性機能性フィラー材料をキャパシタ中で使用すると、所与の誘電体層の厚さのとき、フィラーを使用しない場合に比べて、同量の電荷を小さなキャパシタ面積に貯蔵することが可能になる。
【０００３】
現在、様々な種類の誘電体層が回路板キャパシタの加工に使用されている。しかしながら、誘電体層の誘電率が限られており、低い絶縁耐電圧や高い漏洩電流など、いくつかの電気的性質に関して問題がある。これら２つの問題は、いずれも最終的なキャパシタの容量を制限し、多くの場合、キャパシタ内の誘電体層の厚さを所望のレベルまで低減する能力を制限する。
【０００４】
図１は、プリント回路板２５の一部分の断面図である。このプリント回路板は、ＩＣデバイス３０に接続されたＳＭＴキャパシタ５０を有し、従来技術のプリント回路板２５を形成している。ＩＣデバイス３０に信号を搬送する信号線が、ＩＣデバイス３０をキャパシタ５０に接続する回路トレース６０に接続されている。キャパシタ５０は、はんだパッド５２とはんだ継手５８の対の一方によって回路トレース７０に結合されており、はんだパッド４２とはんだ継手４８とによって回路トレース７０に結合されている。キャパシタ５０は、はんだパッド５２とはんだ継手５８の対の他方および回路トレース５９によって、ビアホール８０に結合されている。この配置で、２個のキャパシタ５０は信号線と直列に配置され、メッキした貫通孔ビア８０を経由して接地されている。この従来型の表面実装手法は、貴重な表面積の使用を必要とする。さらに、はんだ接続が必要とされるので、信頼性が低下し製造コストが上昇する。
【０００５】
【特許文献１】米国仮出願６０／６３７，８１３号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２９８，３３１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，６００，６４５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明者らは、電子部品中のキャパシタ形成に使用される、高い絶縁耐電圧や低い漏洩電流など、所望の電気的および物理的性質を有する誘電体組成物およびフィルムを提供することとした。これらの誘電組成物およびフィルムは、ループインダクタンスによる遅延を最小にして電荷を半導体に迅速に送出し、迅速な信号の立ち上がり時間を可能にし、半導体スイッチングノイズを弱めるために、これらを半導体デバイス（チップ、集積回路）に近接して設置する場合に特に有用である。本発明は、かかる組成物、フィルム、デバイス、およびかかるデバイスを作成する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、多層構造物の形成方法および多層構造物それ自体に関する。一実施形態においては、多層構造物の形成方法は、５０から１５０の間の誘電率を有する常誘電体フィラーおよびポリマーを含む誘電体組成物を用意するステップと、前記誘導体組成物をキャリアフィルムに被着させ、それによって誘電体層とキャリアフィルム層とを含む多層フィルムを形成するステップと、前記多層フィルムを回路付きコアに貼り付けるステップであって、前記多層フィルムの誘電体層が前記回路付きコアと対向するステップと、加工の前に前記キャリアフィルム層を前記誘電体層から除去するステップと、金属層を前記誘電体層に被着させるステップであって、前記回路付きコア、誘電体層および金属層がプレーナキャパシタを形成するステップと、前記プレーナキャパシタを加工して多層構造物を形成するステップとを含む。
【０００８】
さらなる実施形態においては、多層構造物の形成方法は、５０から１５０の間の誘電率を有する常誘電体フィラーおよびポリマーを含む誘電体組成物を用意するステップと、前記誘導体組成物を金属キャリアフィルムに被着させ、それによって誘電体層とキャリアフィルム層とを含む多層フィルムを形成するステップと、前記多層フィルムを前記回路付きコアに貼り付けるステップであって、前記多層フィルムの誘電体層が前記回路付きコアと対向しており、前記回路付きコア、誘電体層およびキャリアフィルム層がプレーナキャパシタを形成するステップと、前記プレーナキャパシタを加工して多層構造物を形成するステップと、を含む。
【０００９】
以下の詳細な説明では、添付の図面を参照する。図面中、同じ数字は同じ要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、常誘電体フィラー、およびポリマーを含み、前記常誘電体フィラーが５０から１５０の間の誘電率を有する誘電体組成物に関する。本発明はさらに、フィルムおよびフィルムを含むキャパシタを形成するために加工されている上記の組成物に関する。
【００１１】
本発明のさらなる実施形態は、２個の導電性電極と、前記キャパシタを含むプリント配線板との間に配設されている上記誘電体組成物を含むキャパシタである。本発明のさらなる実施形態は、前記キャパシタを含むプリント回路であって、最も外側の２つの導電層および前記導電層間の誘電体層が、プリント配線板の片側または両側に前記キャパシタを形成するプリント回路である。本発明のさらなる実施形態は、前記キャパシタを含むプリント回路であって、最も外側の導電層および上記導電層間の誘電体層によって、プリント配線板の片側または両側に１個以上のキャパシタが形成されるプリント回路である。
【００１２】
さらなる実施形態は、埋め込みプレーナキャパシタを形成する方法であって、上記誘電体組成物を、ポリエステル樹脂（ＰＥＴ）などのキャリアフィルム上にコーティングするステップと、前記誘電体組成物を、一般的に、真空積層、平圧プレス、ホットロール、またはオートクレーブ積層によって、パワーコア（本明細書に参照として組み込まれる特許文献１参照）などの回路付きコアに移転させるステップとを含む方法に関する。
【００１３】
多くの実施形態は、埋め込み式のパワー、接地、および信号用受動部品を含む回路付きコアを構成することができる。回路付きコアの一実施形態は、少なくとも１つの埋め込み式単一キャパシタを含む少なくとも１つの埋め込み式単一キャパシタ層と、少なくとも１つのプレーナキャパシタ積層物とを含むパワーコアであって、前記プレーナキャパシタ積層物が、前記少なくとも１つの単一キャパシタに電荷を供給する低インダクタンス経路として働き、前記少なくとも１つの単一キャパシタが前記プレーナキャパシタ積層物の少なくとも１つと平行に接続され、前記パワーコアが、少なくとも１つの信号層と相互接続されているパワーコアである。
【００１４】
さらなる実施形態は、プレーナキャパシタを形成する方法であって、前記誘電体組成物を用意するステップと、前記誘電体組成物を金属層に被着させ、それによって金属サイドと誘電体サイドを形成するステップと、この構造物を、誘電体組成物がプリント回路板と対向する状態で、プリント回路板に貼り付けるステップとを含む方法に関する。さらなる実施形態もプレーナキャパシタを形成する方法に関するものであって、前記誘電体組成物を用意するステップと、前記誘電体組成物を第１金属層に被着させ、それによって金属サイドと誘電体サイドを形成するステップと、第２の金属層を前記誘電体サイドに被着させるステップと、第２の誘電体層を提供するステップと、前記第２の誘電体層および第１の誘電体層ならびにその２つの金属層を、第２の誘電体層が第１の誘電体層とプリント回路板との間に置かれるようにプリント回路板に貼り付けるステップとを含む方法に関する。さらなる実施形態は、前記の諸方法によって形成されたプレーナキャパシタ、ならびにそれらのキャパシタを含む多層構造物である。
【００１５】
本発明の組成物を使用して構築されたキャパシタは、一般的に高い静電容量密度ならびにその他の所望の電気的および物理的性質を有している。このキャパシタは、例えば、プリント配線板上および集積回路基板上に取り付けることができ、また集積回路パッケージおよび集積受動デバイスを形成するのに使用することができる。
【００１６】
当業者は、添付の図面を参照しながら、実施形態についての以下の詳細な説明を読めば、上述の利点および本発明の様々なさらなる実施形態の利点および利益を理解するであろう。
【００１７】
一般的な慣行に従って、以下で論じる図面の様々なフィーチャは、必ずしも原寸法に比例して描いてはいない。図面中の様々なフィーチャおよび要素の寸法は、本発明の実施形態をより明瞭に図示するために、拡大または縮小されていることがある。
【００１８】
本発明は、高い絶縁耐電圧および低い漏洩電流、ループインダクタンスによる遅延を最小にした電荷の半導体への迅速な送出、速い信号の立ち上がり時間、半導体スイッチングノイズの低減など、プリント回路板および集積回路パッケージの改善された電気特性を可能にする誘電体組成物および誘電体フィルムに関する。誘電体組成物は、それだけに限定されないが、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＡＩ２Ｏ３、ステアタイトなどの常誘電体フィラーおよびポリマーを含む。フィラーは、誘電率が１０と１５０の間であるどの常誘電体フィラーでもよい。常誘電体フィラーは、バルク形態で、相対的に高い絶縁抵抗（低い漏洩電流）および絶縁破壊電圧を有する。
【００１９】
常誘電体フィラー
誘電率が１０と１５０の間であり、高い絶縁抵抗および高い絶縁破壊電圧を有する常誘電体フィラーは、本発明に欠くことのできないものである。本明細書において、常誘電体セラミックフィラーとは、電圧に対して電荷または分極が線形応答を示すセラミック粒子を意味するものと定義される。常誘電体フィラーは、かけられた電場が取り除かれた後、結晶内で電荷の全体的可逆分極を示す。強誘電体フィラーは、通常常誘電体フィラーより高い誘電率を有しているので、従来から誘電体の誘電率を上げるのに強誘電体フィラーが使用されている。強誘導体のより高い誘電率は、電圧に対する電荷または分極の非線形応答に起因する。この非線形応答が、強誘電体材料の重要な性質である。また強誘導体フィラーは、結晶構造の非可逆的変化のため、かけられた電場による分極のヒステリシス効果を示す。強誘電体フィラーは、より高い誘電率を有してはいるが、強誘電特性のため、重要な好ましくない電気的性質を有している。強誘電体材料は、常誘電体材料に比べて、絶縁抵抗が小さく（漏洩電流が大きく）なる傾向がある。また強誘導体材料は、絶縁耐電圧が低く、静電容量の温度変動がより広くなる傾向がある。充填したポリマーフィルムについて高い静電容量を実現するために、３つの要因が利用できる。すなわち、充填粉末の誘電率を上げること、充填粉末の濃度を高めること、および充填ポリマーフィルムの厚みを薄くすることである。強誘電体フィラーは、確かに誘電率がより高いという利点を有している。しかしながら、常誘電体フィラーの絶縁耐電圧がより大きく漏洩電流がより小さいので、これらキャパシタフィルムをより高い濃度で充填し、より薄いフィルムに含めることが可能となり、それでも必要とされる全ての電子的特性を実現することが可能となる。
【００２０】
本発明において、有用な常誘電体フィラー粉末には、それだけには限らないが、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＡＩ２Ｏ３、およびステアタイトならびにそれらの混合物が含まれる。これら常誘電体材料は、バルク状態において、１ミル（０．０２５４ミリメートル）当たり約１０００ボルト以上の高い絶縁破壊抵抗と１０１２ｏｈｍ−ｃｍ以上の体積抵抗率とを示す。一般的に、常誘電体フィラー粉末は、２ミクロン未満の平均粒径（Ｄ５０）を有する。一実施形態においては、平均粒径が０．１〜０．３ミクロンの範囲である。常誘電体フィラー粉末は、組成物中に約５〜５５体積％存在する。
【００２１】
一実施形態においては、常誘電体フィラーは、５０〜１１７の誘電率を有するＴｉＯ２である。本発明において有用なＴｉＯ２の一例は、Ｅ．Ｉ．ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙから入手可能なＴｉ−Ｐｕｒｅ（登録商標）Ｒ１０１である。
【００２２】
ポリマー
ポリマーは、本発明の組成物にとって重要である。ポリマーの最も重要な特徴の１つは、常誘電体フィラーおよび場合によっては他のフィラーを、組成物中に分散させる能力である。本発明において有用なポリマーには、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂およびポリイミド樹脂が含まれる。本発明に使用するのに適したポリイミドは本明細書に参照として組み込まれる特許文献２に開示されている。
【００２３】
一実施形態において、本発明の常誘電体フィラー／ポリマー組成物の絶縁抵抗および絶縁耐電圧は、それぞれ１０１０ｏｈｍ／ｃｍ２超および２５０ボルト超である。ただし、絶縁耐電圧とは、誘電体が少なくとも３０秒間耐えることのできる電圧であると定義される。
【００２４】
追加成分
この組成物に、強誘電体セラミックフィラー、溶媒、分散剤、接着剤、および当業者に知られている他の添加物を加えることができる。
【００２５】
フィルムの電気的特性を向上させるために、強誘電体セラミックフィラーを、具体的な応用分野に応じて組成物に様々な量で加えることができる。一般的に、これら追加の強誘電体セラミックフィラーは、５から２５体積％の量で存在する。ほとんどの場合、強誘電体フィラーは、常誘電体フィラーよりも濃度が低いはずである。組成物に加えることができる強誘電体セラミックフィラーの具体例には、一般式がＡＢＯ３であるペロブスカイト、結晶性チタン酸バリウム（ＢＴ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン（ＰＬＺＴ）、ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰＭＮ）およびチタン酸カルシウム銅、ならびにこれらの混合物が含まれる。フィラーは、粉末の形態でよい。これら強誘電体フィラーは、個別にまたは組み合わせて使用することができる。これら強誘電体フィラーは、本発明の常誘電体フィラーの定義に合致しないことに留意されたい。一実施形態においては、適切なチタン酸バリウムフィラー（Ｔａｍ  ＣｅｒａｍｉｃｓまたはＦｕｊｉ  Ｔｉｔａｎｉｕｍから入手可能）が組成物に加えられる。さらに、組成物内の分散を助けるために、強誘電体フィラーを分散剤で被覆してもよい。分散を助けるために、溶媒を加えることもできる。溶媒を何にするかは、それがポリマーおよび所望の組成物の特徴に適合する限り重要ではない。典型的な溶媒の例には、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリド、イソプロピルアルコールなどの脂肪酸アルコール、例えば、酢酸エステルやプロピル酸エステルなどこれらアルコールのエステル；パイン油やα−およびβ−テルピネオールなどのテルペン類、あるいはこれらの混合物；エチレングリコール、ならびにグリコールモノブチルエーテルや酢酸ブチルセロソルブなどそれらのエステル；ブチルカルビトール、酢酸ブチルカルビトール、酢酸カルビトールなどのカルビトールエステル、および他の適切な溶媒が含まれる。
【００２６】
フィルムの形成
本発明の組成物は、常誘電体フィラーおよび場合によっては他の添加フィラーを供給し、フィラーを望ましいポリマーと混合し、組成物を従来のダイカスト技法など、当業者に知られている技術によってフィルムの形状に注型することにより、「フィルム」にすることができる。フィルムは、単一層または多層構造に形成することができる。フィルムは、ポリエステル樹脂（ＰＥＴ）などのキャリアフィルム上に形成することができ、ここからプリント回路板に移される。あるいは、フィルムを、銅フォイルなどの金属キャリアフィルム上に形成することもでき、金属キャリアフィルムは、プリント回路板に貼り付けるとき、誘電体フィルムと一緒に残る。フィルムを銅フォイル上に形成することもでき、銅フォイルは、プリント回路に貼り付けたとき誘電体フィルムと一緒に残るが、その後化学エッチング段階で部分的にまたは完全に除去される。また、フィルムは「自立型」フィルムとして形成することもでき、その際、誘電体組成物は平らな表面上に被覆され、プリント回路板に貼り付ける前にそこから剥離される。フィルムは、ロールおよびシートの形を含めて、様々な実施形態で形成することができる。
【００２７】
多層構造物を形成する手段として、押出し−貼付け法、熱圧着法、溶液塗布法、および共押出し法を含めて、当技術分野で知られている様々な方法を使用することができる。これらは多層膜を形成するために利用できる方法の典型的ではあるが、限定的ではない例示である。
【００２８】
本発明の組成物／フィルムを使用した電気構成部品の形成
本発明のフィルムは、キャパシタ、例えば、本発明の誘電体組成物の１つまたは複数の層から形成されるプレーナキャパシタ積層品など、様々な電子構成部品の形成に使用することができる。
【００２９】
この組成物およびフィルムの１つの具体的な効用は、キャパシタ、フィラーなどを形成するための特許文献３に記載の誘電体組成物にある。したがって、一実施形態において、本発明は、本発明の常誘電体フィラーがその中に分散された高分子マリックスを含む誘電体組成物を対象とする。別の実施形態では、本発明は、２つの導電性電極の間に配設された誘電体組成物を含む電気キャパシタであって、誘電体組成物が、本発明の常誘電体フィラーがその中に分散された高分子マトリックスを含む、電気キャパシタを対象とする。さらに別の実施形態では、本発明は、本発明の粒子がその中に分散された高分子マトリクスを含む高分子厚膜キャパシタ用の、事前焼成セラミック誘電体を対象とする。本発明の誘電体組成物およびフィルムの使用は、電子回路および電子構成部品の様々な側面の形成に組み込むことができるが、本明細書では、本発明の一実施形態を表すために、プレーナキャパシタ積層物の形成におけるその使用について説明する。
【００３０】
プレーナキャパシタ積層物は、金属フォイル−誘電体−金属フォイルの積層構造を含むことのできる材料から形成することができ、その誘導体は本発明の誘導体フィルムの１つまたは複数の層を含む。複数の層を使用する場合、それらの層は異なる材料であってもよい。かかる誘導体は、インピーダンス制御のために薄い層で製造される。
【００３１】
図２は、本発明の一実施形態を表し、電子パッケージを正面から見た断面図である。この実施形態では、誘導体フィルム７０００および６０００の「ビルドアップ」層が、コアに被着されて（一般的には貼り付けられて）いる。これらビルドアップ層の１つまたは複数が、本発明の誘電体組成物または誘電体フィルムを含むことができる。ビルドアップ層は、パワーコアの回りに、対称的にあるいは非対称的に配置することができる。ビルドアップ層は、誘電体フィルムもしくは液体（カーテン被覆）、または金属層（例えば、銅フォイル）上に被覆された樹脂として、あるいは、例えばＢ段階樹脂などの補強プリプレグとして、被着させる（貼り付ける）ことができる。補強材は、織布でも不織布でもよく、無機物（例えばガラス）でも有機物（例えばアラミド繊維）でもよい。
【００３２】
図２は、ビルドアップ層の表面上にメタライズマイクロビア（ブラインドビア）接続および回路を含む、「ビルドアップ」層を有する構造物を表す。マイクロビア（９０００）は、レーザ穿孔、フォトリソグラフィ、または深さ制御式機械的穿孔によって形成することができる。ビルドアップ層の表面およびマイクロビアの孔壁の初期メタライゼーションは、金属シード層を、例えば無電解銅を堆積させることによって実現することができる。シード層堆積物は、表面上に堆積させた触媒、例えば一実施形態においてはパラジウム、あるいはビルドアップ層の全体に分散させた触媒または金属の前駆体によって活性化することができる。あるいは、ビルドアップ層を、金属層（銅フォイル）によってキャップすることができ、マイクロビアの穿孔後、金属層の上に金属シード層が堆積される。
【００３３】
図２は、またビルドアップ層の表面上にパターン化した導体含む、電子パッケージ構造物（多層構造物）を表す。ビルドアップ層上の連続する金属カバーから開始して、導体のパターン化は、セミアディティブ（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ、ＳＡＰ）法、または「テント＆エッチ（ｔｅｎｔ＆ｅｔｃｈ）」法、あるいはパターンメッキ法、またはパネル板／テント＆エッチ改良法によって行うことができる。図２は、２つのビルドアップ層の表面上のパターン化した導体（Ｓ、Ｐ、およびＧ）を示す。
【００３４】
マイクロビア（９０００）は、電気メッキ工程中に、メッキした銅（１００００）で充填することができ（「メッキ閉鎖（ｐｌａｔｉｎｇ  ｓｈｕｔ）」、注：図２のマイクロビアは、全て銅で充填されている。充填されていないマイクロビアは、マイクロビアの側面および底面だけに銅を有する）、導電性のインクまたはペーストで充填することができ、非導電性材料で充填することもでき、あるいは充填しないままにしておいて、第１の誘電体ビルドアップ層上に被着される第２の誘電体ビルドアップ層で充填することもできる。
【００３５】
層が個別に構築され、次いで一段階で貼り合わされる垂直相互接続（ビア充填、プリント、エッチング、メッキバンプ）の例が本発明で利用できる。「コアレス／スタックドビアパッケージ」と呼ばれる、埋設プレーナキャパシタと埋設ディスクリートキャパシタの組合せも利用可能である。その一例が、ＡＬＩＶＨ（Ａｎｙ  Ｌａｙｅｒ  Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）法である（松下から入手可能）。ＡＬＩＶＨ法で、プレーナキャパシタとディスクリートキャパシタを組み込むこともできる。別のかかるスタックドビア法は、Ｂ２ｉｔ  ｐｒｏｃｅｓｓ（登録商標）（株式会社東芝から入手可能）であり、プレーナキャパシタとディスクリートキャパシタを類似の方法で組み込むことができる。他の例には、ＮＭＢＩ（Ｎｅｏ  Ｍａｎｈａｔｔａｎ  Ｂｕｍｐ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）法（Ｎｏｒｔｈ  Ｃｏｒｐ．）、およびパターン化プリプレグレイアップ法（ＰＡＬＡＰ）（株式会社デンソー）が含まれる。
【００３６】
図２は、ビルドアップ層の表面上のパターン化された導体と、類似の方法で形成され、金属化され、パターン化された後続のビルドアップ層とを含むパワーコア構造物を、正面から見た断面図である。図２はさらに、プレーナキャパシタ層（７０００）を、ビルドアップ誘電体に組み込むことができることを示している。マイクロビアは、下にあるマイクロビアの位置に合わせて積み重ねることもでき、ジグザグ式に配置することもできる。スタックドビアは、金属で充填する必要がある。次いでパッケージを、高温ハンダ付けステップでフリップチップのバンプと接続することができ、低温ハンダ付けステップではんだ接合部を介してマザーボードと接続することができる。導電性の、一般的に銅のフィーチャは、Ｙ軸の導体およびＺ軸のビアを介して、はんだ接合部に至る連続する接続を形成することが理解される。
【００３７】
さらに、複数のビルドアップ誘電体層を、順次形成することができ、各ビルドアップ層が、適用可能な導体パターンと、各誘電体層上のスルーホール接続と、導電性スルーホール接続とを含み、それによって電子パッケージ全体を形成していることが、当業者によって理解される。
【００３８】
実施形態についてのこの詳細な説明を添付の図面を参照しながら読めば、上述の利点ならびに本発明の様々な実施形態のその他の利点および利益が当業者には理解されよう。
【００３９】
一般的な慣行に従って、図面の様々なフィーチャは、必ずしも原寸に比例して描いてはいない。本発明の実施形態をより明瞭に図示するために、図面中の様々なフィーチャおよび要素の寸法は、拡大または縮小されていることがある。
【００４０】
本発明の上述の説明は、本発明の一実施形態を説明し記述するものである。さらに、この開示は、本発明の選択された好ましい実施形態のみを示し説明したものであるが、本発明は他の様々な組合せ、改変、および環境において使用でき、本明細書で表明した本発明の概念の範囲内で、上記の教示に従って、かつ／または関連技術の技能あるいは知識の範囲内で、変更または改変ができることを理解すべきである。
【００４１】
上記で説明した実施形態はさらに、本発明を実施するための知られている最良の形態を説明し、当業者が、本発明を、かかる実施形態またはその他の実施形態において、特定の適用分野または本発明の使用において必要とされる様々な改変を加えて利用できるようにするためのものである。したがって、この説明は、本発明を本明細書で開示した形態に限定することを意図するものではない。また、添付の特許請求の範囲は、詳細な説明において明示されていない代替実施形態を含むものと解釈すべきものとする。
【実施例】
【００４２】
ＴｉＯ２充填誘電体フィルムの調製
先ず、Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製Ｔｉ−Ｐｕｒｅ（登録商標）Ｒ−１０１二酸化チタン粉末３０ｇを、高剪断力混合器中で、ＭＥＫ（メチルエチルケトン）溶媒（入手源：ＥＩＴ−Ｅｎｄｉｃｏｔｔ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）中にエポキシベースの樹脂ＤｒｉＣｌａｄ（登録商標）を含む溶液中に分散させた。溶液の重量は２１１ｇで、１６０ｇの樹脂を含んでいた（固形分７５．８％）。２−メチルイミダゾール（０．２０８ｇ）を、ＭＥＫ９０ｇ中に溶解し、分散液に加えた（イミダゾールと樹脂の比は、０．１３対１００）。得られた分散液の粘度は１９ｃｐｓ、固形分は５５．８３％であった。次に分散液を、１５０ミクロンのボードコーティングブレード（ｂｏａｒｄ  ｃｏａｔｉｎｇ  ｂｌａｄｅ）を使用して、約２５ミクロン厚さのＭｙｌａｒ（登録商標）フォイル上にボードコーティングした。乾燥した被覆の厚さは約４０ミクロン、被覆幅は約１８ｃｍ、被覆長さは約１３７ｃｍであった。被覆を、熱風ブロアーで乾燥した。次に、巻き付けたときに、被覆フォイル同士がくっつかないように、被覆の表面をシリコーン剥離用Ｍｙｌａｒ（登録商標）フォイルで覆った。次に、被覆フォイルを直径７．５ｃｍのプラスチック芯に巻き取った。
【００４３】
パターン化基板への、ＴｉＯ２充填誘電体フィルムの貼り付け
フィルムを、Ｍｅｉｋｉ真空貼付け機を使用して、回路付き試験媒体に貼り付けた。ポリエステル剥離シートを先ず取り除いた。次に、ＴｉＯ２充填被覆が回路付き試験パターンと対向する状態でフィルムを試験媒体に貼り付けた。樹脂で被覆したＭｙｌａｒ（登録商標）カバーは、貼付け中フィルムの上面に残った。貼付け条件は、１２０℃、３分、１４５ｐｓｉ（約１０．２ｋｇ／ｃｍ２）であった。次にＭｙｌａｒ（登録商標）カバーを取り除き、ＴｉＯ２充填フィルムを熱風オーブン中、１９５℃で２時間硬化させた。
【００４４】
試験媒体の調製
銅被覆積層物（標準的なエポキシ／ガラスＦＲ−４誘電体）を、標準的プリント配線板加工法を使用してパターン化した。すなわち、ドライフィルムレジストをホットロール貼付け機（ＨＲＬ）で銅被覆積層物に貼り付け、ＵＶ結像装置中でハロゲン化銀フォトツールを使用して、試験パターンのネガチブ画像を用いて露光し、水溶液中で現像し、酸でエッチングし、レジストをストリップした。銅の厚さは１／２オンス（約１７ミクロン）であった。銅トレースは、幅約５０ミクロンであった。銅トレース間の空間は幅約６５ミクロンであった。
【００４５】
貼付け結果
パターン化した基板上の積層フィルム断面のＳＥＭから、４０ミクロン厚のＴｉＯ２充填フィルムが、銅フィーチャを完全に封入していることが判明した。積層体フィルムの表面はほぼ平面であった。
【００４６】
（実施例＃１）
無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、無水４，４’−オキシジフタール酸（ＯＤＰＡ）および１，３−ビス−（４−アミノフェニキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４）の各モノマーから誘導したポリアミド酸１６０ｇの溶液を、ジメチルアセトアミン（ＤＭＡＣ）溶媒１２０ｇおよびＤｕＰｏｎｔ製Ｔｉ−Ｐｕｒｅ（登録商標）Ｒ−１０１二酸化チタン３０ｇと混合した。この溶液を、高速混合器で粉末が溶解するまで攪拌した。少量の追加のモノマーを、粘度が５００ポイズに達するまで加えた。次にこの溶液を、固体表面に均一な被覆として被覆した。次にこの被覆を１７０℃で乾燥して、約７０％から８０％の溶媒を除去した。次に形成されたフィルムを固体表面から剥離した。次にこのフィルムを、オーブン中で、３５０℃で１時間硬化した。最終的に得られたフィルムの厚さは１．１ミル（約０．０２８ミリメートル）で、フィラーの充填量は２６体積％であった。
【００４７】
硬化した二酸化チタン充填フィルムを、次に２枚の銅フォイルの間に貼り付けた。各銅シートの厚さは３６ミクロンであった。貼付けプレスサイクルは、シートを真空下、２５０℃で１．５時間保持することから開始した。最後の０．５時間に、１０ｐｓｉ（約０．７ｋｇ／ｃｍ２）の圧力をシートに加えた。次に温度を３５０℃に上げて、さらに１時間保持した。温度を上げてから３０分後に、圧力を３５２ｐｓｉ（約２４．８ｋｇ／ｃｍ２）に上げた。次に熱をオフにし、冷却後にサンプルを取り出した。
【００４８】
フォトレジストイメージングおよび銅エッチングを使用して、直径１インチ（約２．５４ｃｍ）のキャパシタを試験のためにイメージ化した。イメージ化したキャパシタの電気試験から、ＤＣ５００ボルトの絶縁耐電圧テストに合格できたことがわかった。３ボルトにおける誘電体の両端間の抵抗は、１０１０ｏｈｍ／ｃｍ２を超えていた。ＤＣ１００ボルトにおける漏洩電流は、０．１μＡ／ｃｍ２未満であった。強誘電体フィラーであるチタン酸バリウムで充填した類似のサンプルは、３ボルトにおいて４×１０８ｏｈｍ／ｃｍ２の抵抗を有し、絶縁耐電圧試験ではＤＣ１００ボルトでのみ合格し、ＤＣ１００ボルトにおける漏洩電流は、１００μＡ／ｃｍ２を超えていた。
【００４９】
（実施例＃２）
ＤＭＡＣ１８ポンド（約８．２ｋｇ）およびＤｕＰｏｎｔ製Ｔｉ−Ｐｕｒｅ（登録商標）Ｒ−１０１二酸化チタン粉末１８ポンド（約８．２ｋｇ）の溶液を、高速混合器中で１時間攪拌した。次に、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、無水４，４’−オキシジフタール酸（ＯＤＰＡ）および１，３−ｂｉｓ−（４−アミノフェニキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４）の各モノマーから誘導したポリアミド酸８４ポンド（約３８．１ｋｇ）の溶液を加えた。この混合物をさらに３０分間攪拌した。少量の追加のモノマーを、粘度が４００ポイズに達するまで加えた。
【００５０】
この溶液を、次に銅フォイル（厚さは３６ミクロン）の連続シート上に注型した。溶液を１９０℃で乾燥して、固形分を約９０％とした。次に、被覆した銅をオーブン中、３５０℃で１時間硬化させた。最終的なフィルムの厚さは８ミクロンおよび１２ミクロンであった。フィラー充填量は、２９体積％であった。
【００５１】
銅フォイル上に被覆した充填ポリイミドフィルムを、銅フォイルのシートに貼り付けた。銅シートの厚さは３５ミクロンであった。この貼り付けでは、真空下、オートクレーブを使用し、貼付けの最高温度は３５０℃であった。
【００５２】
フォトレジストイメージングおよび銅エッチングを使用して、直径１インチ（約２．５４ｃｍ）のキャパシタを試験のためにイメージ化した。イメージ化したキャパシタの電気試験において、これらは厚さ８ミクロンの誘電体サンプルの絶縁耐電圧試験で、ＤＣ２５０ボルトで合格することができた。３ボルトにおける誘電体の両端間の抵抗は、１０１０ｏｈｍｓ／ｃｍ２を超えていた。ＤＣ１００ボルトにおける漏洩電流は、０．１マイクロアンペア／ｃｍ２未満であった。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】従来技術による表面実装技術（ＳＭＴ）キャパシタを有する、プリント配線板の正面断面図を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による埋め込んだ容量性デバイスを有する、プリント配線板の部分断面図である。
【図１】
2007053347.tif 000003
【図２】
2007053347.tif 000004
【外国語明細書】
2007053347000001.pdf