(57)【要約】【課題】パターン材料選択上の自由度を高めることができるとともに、高出力型の発光素子における十分な電力供給・放熱構造を得ることができる接合用パターンの構造を提供する。【解決手段】ＬＥＤ素子３を搭載する素子搭載基板６に配設される接合用パターン１００，１０１の構造であって、接合用パターン１００，１０１は、素子搭載基板６の素子搭載面の裏面に形成されたパターン部１００Ａ，１０１Ａと、パターン部１００Ａ，１０１Ａ内に埋設された補強部１００Ｂ，１０１Ｂとからなる。【選択図】    図１
2007115874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を搭載する素子搭載基板に配設される接合用パターンの構造であって、
前記接合用パターンは、前記素子搭載基板の素子搭載面の裏面に形成されたパターン部と、前記パターン部内に埋設された補強部とからなることを特徴とする接合用パターンの構造。
【請求項２】
前記パターン部は、電力供給用経路に配置され、導電性材料によって形成されている請求項１に記載の接合用パターンの構造。
【請求項３】
前記パターン部は、放熱用経路に配置され、熱伝導性材料によって形成されている請求項１に記載の接合用パターンの構造。
【請求項４】
前記パターン部は、電力供給用経路及び放熱用経路に配置され、熱伝導性材料によって形成されている請求項１に記載の接合用パターンの構造。
【請求項５】
前記素子搭載基板は、前記接合用パターンを介して実装用基板に実装されている請求項１乃至３のいずれかに記載の接合用パターンの構造。
【請求項６】
前記発光素子は、前記素子搭載基板にサブマウントを介して搭載されている請求項１に記載の接合用パターンの構造。
【請求項７】
前記発光素子は発光ダイオード素子からなる請求項１又は６に記載の接合用パターンの構造。
【請求項８】
光取出側に開口するケースを有するパッケージと、
前記ケース内に収容された発光素子と、
前記ケース内に充填されて前記発光素子を封止する封止部材とを備えた発光装置において、
請求項１乃至７のいずれかに記載の接合用パターンの構造を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
発光素子を搭載する素子搭載基板に配設される接合用パターンの形成方法であって、
前記素子搭載基板の素子搭載面の裏面に補強部を配置する工程と、
前記補強部の周囲にパターン部を形成する工程とを含むことを特徴とする接合用パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高出力型のＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）装置に使用して好適な接合用パターンの構造、その形成方法及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高出力のＬＥＤ素子の開発が進められてきており、既に数ワットの大出力タイプのものも製品化されている。ＬＥＤ素子は、発熱の少ないことが特徴であるが、高出力（高輝度）タイプのＬＥＤ素子は大電流が流れるため、無視できないレベルの発熱が生じる。このため、例えばセラミックス等の材料からなるパッケージ内にＬＥＤ素子を収容し、ＬＥＤ素子からの発生熱を効果的に放熱してその信頼性を確保することが行われる。
【０００３】
従来、この種のＬＥＤ素子を備えた発光装置は、光取出側に開口するケースを有するパッケージと、ケース内に収容されたＬＥＤ素子と、このＬＥＤ素子をケース内で封止する蛍光体含有の封止部材とを備えたものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
このような発光装置におけるパッケージの製造は、焼結前のセラミックスパッケージにスクリーン印刷によって配線・電極パターンを形成してから、セラミックスパッケージを焼結することにより行われる。
【特許文献１】特開２００４−１１１９３７号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の発光装置においては、パッケージの製造時に焼結前のセラミックスパッケージに配線・電極パターンを形成し、セラミックスパッケージを焼結（焼結温度：１５００℃程度）するため、配線・電極パターンの材料としてはＷ（タングステン）等の高融点金属を用いざるを得ず、パターン材料選択上の自由度が低下するという問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に示す発光装置によると、ＬＥＤ素子がセラミックスパッケージ内の素子搭載面に単に搭載されているに過ぎず、このため高出力型のＬＥＤ素子（発光素子）における十分な電力供給・放熱構造を得ることができないという問題もあった。
【０００７】
従って、本発明の目的は、パターン材料選択上の自由度を高めることができるとともに、高出力型の発光素子における十分な電力供給・放熱構造を得ることができる接合用パターンの構造、その形成方法及び発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明は、上記目的を達成するために、発光素子を搭載する素子搭載基板に配設される接合用パターンの構造であって、前記接合用パターンは、前記素子搭載基板の素子搭載面の裏面に形成されたパターン部と、前記パターン部内に埋設された補強部とからなることを特徴とする接合用パターンの構造を提供する。
【０００９】
（２）本発明は、上記目的を達成するために、光取出側に開口するケースを有するパッケージと、前記ケース内に収容された発光素子と、前記ケース内に充填されて前記発光素子を封止する封止部材とを備えた発光装置において、上記（１）に記載の接合用パターンの構造を備えたことを特徴とする発光装置を提供する。
【００１０】
（３）本発明は、上記目的を達成するために、発光素子を搭載する素子搭載基板に配設される接合用パターンの形成方法であって、前記素子搭載基板の素子搭載面の裏面に補強部を配置する工程と、前記補強部の周囲にパターン部を形成する工程とを含むことを特徴とする接合用パターンの形成方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、パターン材料選択上の自由度を高めることができるとともに、高出力型の発光素子における十分な電力供給・放熱構造を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。
【００１３】
（発光装置１の全体構成）
図１において、表面実装型の発光装置１は、素子収容用のパッケージ２と、このパッケージ２に収容されたＬＥＤ素子３と、蛍光体９を含有し、パッケージ２内に充填されることによってＬＥＤ素子３を封止する封止部材８によって大略構成されており、実装用基板４上に搭載されている。実装用基板４は、例えば、ガラスエポキシ基板やセラミックス基板等の絶縁性材料によって形成されている。また、実装用基板４の装置搭載面には、電力供給用の回路パターン４Ｂが形成されている。
【００１４】
（パッケージ２の構成）
パッケージ２は、ＬＥＤ素子３を収容可能なケース５と、ケース５の下側に設けられる素子搭載基板６とを有している。素子搭載基板６の実装側面（裏面）には、実装用基板４に対する接合用パターン１００，１０１が配設されている。
【００１５】
接合用パターン１００，１０１は、素子搭載基板６の素子搭載面とは反対側の裏面に形成されたパターン部１００Ａ，１０１Ａと、これらパターン部１００Ａ，１０１Ａ内に埋設された補強部１００Ｂ，１０１Ｂとからなり、素子搭載基板６と実装用基板４との間に介装されている。
【００１６】
一方の接合用パターン１００は電力供給用経路に配置されている。パターン部１００Ａは、素子搭載基板６の第３配線パターン１６，１７（後述）に接続され、銀（Ａｇ）等の導電性材料によって形成されている。パターン部１００Ａの材料としては、銀（Ａｇ）の他に、銀（Ａｇ）−白金（Ｐｔ）合金や金（Ａｕ）が用いられる。補強部１００Ｂは、円柱状のガラス等からなり、素子搭載基板６の第３配線パターン１６，１７に縦横方向に複数個並列して配置されている。
【００１７】
他方の接合用パターン１０１は放熱用経路に配置されている。パターン部１０１Ａは、素子搭載基板６の第４配線パターン１８（後述）に接続され、全体がＡｇ等の熱伝導性材料によって形成されている。パターン部１０１Ａの材料としては、パターン部１００Ａの材料と同様に、Ａｇの他に、Ａｇ−Ｐｔ合金やＡｕが用いられる。また、パターン部１０１Ａは実装用基板４への熱伝導を高めるために素子搭載基板６に設けられるビアパターン２２の直下に設けられる。補強部１０１Ｂは、円柱状のガラス等からなり、素子搭載基板６の第４配線パターン１８に縦横方向に複数個並列して配置されている。
【００１８】
（ケース５の構成）
ケース５は、基板側から光取出側に向かって広がる内部空間を有し、全体が例えばＡｌ2Ｏ3等のセラミックス材料からなる箱体によって形成されている。このケース５を構成する材料としてはＡｌ2Ｏ3の他にシリコン（Ｓｉ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、あるいは白色樹脂を用いることもできる。ケース５の内部空間には、ＬＥＤ素子３からの光を光取出側に反射するための傾斜面５ａが設けられている。内部空間には、前述したようにＬＥＤ素子３を封止する封止部材８が充填されている。
【００１９】
（素子搭載基板６の構成）
素子搭載基板６は、Ａｌ2Ｏ3のセラミックス材料によって形成されている。素子搭載基板６の材料としては、Ａｌ2Ｏ3の他に、ＳｉやＡｌＮあるいは白色樹脂を用いることができる。
【００２０】
素子搭載基板６の光取出側面（表面）には、第１パターン部１０Ａ及び第２パターン部１０Ｂを有するサブマウント１０を搭載する第１配線パターン１１が設けられている。また、素子搭載基板６の表面には、第１パターン部１０Ａ及び第２パターン部１０ＢにそれぞれＡｕからなるボンディングワイヤ１２，１３を介して接続する第２配線パターン１４，１５が設けられている。
【００２１】
素子搭載基板６の裏面には、ＬＥＤ素子３に対して電圧を印加するための第３配線パターン１６，１７が設けられている。また、素子搭載基板６の裏面には第４配線パターン１８が設けられている。
【００２２】
第１配線パターン１１と第４配線パターン１８は、素子搭載基板６を貫通するビアホール１９内に設けられたビアパターン２２で接続されて実装用基板４の回路パターン４Ｂへの放熱経路が設けられている。この第１配線パターン１１と第４配線パターン１８に接続される回路パターン４Ｂは給電用ではなく、放熱用に設けられるパターンである。
【００２３】
第２配線パターン１４，１５と第３配線パターン１６，１７は、それぞれ素子搭載基板６を貫通するビアホール２０，２１内に設けられたビアパターン２３，２４によって実装用基板４の回路パターン４Ｂに電気的に接続されている。
【００２４】
第１配線パターン１１及び第２配線パターン１４，１５・第３配線パターン１６，１７・第４配線パターン１８は、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）、等の高融点金属によりビアパターン２２、２３と一体的に形成されている。なお、第１配線パターン１１、第２配線パターン１４，１５、第３配線パターン１６，１７、第４配線パターン１８の表面には、必要に応じてニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ），白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ）、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなど単層又は積層あるいは半田材料による金属層が形成される。
【００２５】
（封止部材８の構成）
封止部材８は、シリコーン等の樹脂材料によって形成されており、ＬＥＤ素子３からの光（青色光）を受けて励起されることにより、波長変換光（黄色光）を発するＹＡＧ（ＹｔｔｒｉｕｍＡｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）等の蛍光体９を含有している。
【００２６】
（ＬＥＤ素子３の構成）
ＬＥＤ素子３は、ｐ側電極及びｎ側電極（共に図示せず）を有するフリップチップ型の青色ＬＥＤ素子からなり、素子搭載基板６上にサブマウント１０を介して搭載され、かつ、封止部材８によって封止されている。ＬＥＤ素子３は、サファイア基板上にＡｌＮバッファ層と、ｎ−ＧａＮ層と、発光層と、ｐ−ＧａＮ層とを順次結晶成長させることにより形成されている。このＬＥＤ素子３は１ｍｍ角のサイズで形成されている。
【００２７】
（発光装置１の動作）
ＬＥＤ素子３に対して図示しない電源から回路パターン４Ｂ及び接合用パターン１００・第３配線パターン１６，１７・ビアパターン２３，２４・第２配線パターン１４，１５・ボンディングワイヤ１２，１３を介して電圧が印加されると、ＬＥＤ素子３の発光層において発光波長約４７０ｎｍの青色光を発し、この光がＬＥＤ素子３の光取出面から封止部材８に出射される。この場合、ＬＥＤ素子３からの出射光が封止部材８に含まれる蛍光体９に照射される。
【００２８】
次に、蛍光体９は入射した光（青色光）を受けて励起されることにより黄色の波長変換光を発する。このため、ＬＥＤ素子３から発せられる青色の放射光と蛍光体９から発せられる黄色の波長変換光とが混合されて白色光となる。そして、この白色光が封止部材８を透過し、その光出射面から外部に出射される。
【００２９】
一方、ＬＥＤ素子３において発生する熱がサブマウント１０を介して第１配線パターン１１及びビアパターン２２・第４配線パターン１８・接合用パターン１０１を介して実装用基板４の回路パターン４Ｂに放散される。
【００３０】
次に、本実施の形態に係る発光装置における接合用パターンの形成方法につき、図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
【００３１】
図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態に係る接合用パターンの形成方法を説明するために示す図である。図２（ａ）はグリーンシートの孔あけ工程を、図２（ｂ）はビアパターンの形成工程を、図２（ｃ）は補強部の形成工程を、図２（ｄ）は焼成工程を、図２（ｅ）はパターン部の形成工程をそれぞれ説明するために示す断面図である。
【００３２】
本実施の形態に示す接合用パターンの形成方法は、「グリーンシートの孔あけ」及び「ビアパターンの形成」・「補強部の形成」・「焼成」・「パターン部の形成」の各工程が順次実施されるため、これら各工程を順次説明する。
【００３３】
「グリーンシートの孔あけ」
先ず、素子搭載基板用のグリーンシート（厚さ１０〜５００μｍ程度のＡｌ2Ｏ3）Ｓにビアーホール１９〜２１となるパターン形成用の貫通孔を設ける。次に、孔あけ済みのグリーンシートＳに１５００℃余で熱処理を施す（焼成）。この場合、焼成後には、図２（ａ）に示すように、ビアホール１９〜２１（ビアホール１９のみ図示）を有する素子搭載基板６が形成される。なお、予めビアホール１９〜２１を有する素子搭載基板６を用意すれば、「グリーンシートの孔あけ」工程は不要である。
【００３４】
「ビアパターンの形成」
先ず、素子搭載基板６のビアホール１９〜２１にビアパターン２２〜２４に応じてＡｇペーストをスクリーン印刷する。次に、Ａｇペーストが印刷された素子搭載基板６に８５０℃余で熱処理を施す。この場合、素子搭載基板６に熱処理が施されると、図２（ｂ）に示すようにビアパターン２２〜２４（ビアパターン２２のみ図示）を有する素子搭載基板６が形成される。
【００３５】
「補強部の形成」
先ず、接合用パターン１００，１０１の補強部１００Ｂ，１０１Ｂに応じて補強部形成用の貫通孔が複数個配設されたハードマスクＭを素子搭載基板６の裏面に配置する。次に、図２（ｃ）に示すように、ハードマスクＭの各貫通孔ｍに補強部１００Ｂ，１０１Ｂに応じてガラスペーストＰをスクリーン印刷する。
【００３６】
「焼成」
素子搭載基板６からハードマスクを離脱し、素子搭載基板６に８５０℃余で熱処理を施す（焼成）。この場合、焼成後には、図２（ｄ）に示すように、ガラスからなる円柱状の補強部１００Ｂ，１０１Ｂ（補強部１００Ｂのみ図示）（高さ２μｍ程度）が縦横方向に複数個並列して接着される。
【００３７】
「パターン部の形成」
先ず、素子搭載基板６の裏面にパターン部１００Ａ，１０１Ａに応じてＡｇペーストをスクリーン印刷する。次に、Ａｇペーストが印刷された素子搭載基板６に８５０℃余で熱処理を施す。この場合、素子搭載基板６に熱処理が施されると、図２（ｅ）に示すようにパターン部１００Ａ，１０１Ａ（パターン部１００Ａのみ図示）を有する素子搭載基板６が形成される。そして、パターン部１００Ａは電力供給用経路に、またパターン部１０１Ａは放熱用経路にそれぞれ配置される。
このようにして、素子搭載基板６の裏面に接合用パターン１００，１０１を形成することができる。
【００３８】
なお、本実施の形態では、単一組の接合用パターン１００，１０１を形成する場合について説明したが、実際の接合用パターンは複数組形成される。このため、複数組の接合用パターンは、上述した接合用パターンの形成方法において、「パターン部の形成」の工程後にダイサーによって素子搭載基板毎に分離される。
【００３９】
（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
【００４０】
（１）素子搭載基板６にＷ等の高融点金属以外の金属を用いて容易に接合用パターン１００，１０１等のパターンを厚膜で形成することができるため、接合用パターン１００、１０１の材料選択の自由度が向上する。
【００４１】
（２）接合用パターン１００，１０１のパターン部１００Ａ，１０１Ａ内には補強部１００Ｂ，１０１Ｂが埋設されているため、膜厚の大なる接合用パターン１００，１０１を形成してもパターン部１００Ａ，１０１Ａのだれ発生を防止し、パターンの剥がれや導電不良、放熱不良を防ぐことができる。このため、パターン部１００Ａ，１０１Ａを種々の厚さで容易に形成することができ、凹凸が存在するような接合面に対してもパターンの膜厚調整によって対応できるので、パターン部１００Ａ，１０１Ａの設計に自由度が向上する。
【００４２】
なお、第１の実施の形態では、サブマウント１０を介してＬＥＤ素子３を素子搭載基板６にフリップ実装した発光装置１を説明したが、サブマウント１０を設けずにＬＥＤ素子３を素子搭載基板６に実装する発光装置１であっても良い。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００４４】
この発光装置１は、第１の実施の形態で説明した素子搭載基板６上に熱伝導性に優れるＡｇペースト等の接着剤３０によってフェイスアップ型のＬＥＤ素子３を固定し、ＬＥＤ素子３の電極を第２配線パターン１５および第３配線パターン１６にボンディングワイヤ１２，１３で接合している構成において第１の実施の形態と相違している。
【００４５】
（第２の実施の形態の効果）
上記した第２の実施の形態によれば、フェイスアップ型のＬＥＤ素子３を熱伝導性に優れる接着剤３０で素子搭載基板６に固定することにより、部品点数の削減を図りながらもＬＥＤ素子３の発光に伴う熱をビアパターン２２を介して接合用パターン１０１のパターン部１０１Ａに熱伝導させることができ、放熱性の良好な発光装置１を安価に提供できる。
【００４６】
（素子搭載基板６の他の構成）
図４は、素子搭載基板の他の形成方法を示す断面図である。第１及び第２の実施の形態では、表面に第１配線パターン１１及び第４配線パターン１８を有したグリーンシートＳを用いたが、基板形成時に配線パターンを導電ペーストで形成することもできる。
【００４７】
まず、図４（ａ）に示すように、未加工のグリーンシートＳを用意し、図４（ｂ）に示すように孔あけ加工によりビアホール１９〜２１（ビアホール１９のみ図示）を形成する。次に、図４（ｃ）に示すように素子搭載基板６の実装面側にＡｇペーストを膜状に塗布しつつビアホール１９〜２１を埋めた後、４００℃余で熱処理を施してＡｇペーストを乾燥させることにより第１配線パターン１１及びビアパターン２２〜２４（ビアパターン２４のみ図示）を形成する。次に、第１及び第２の実施の形態と同様に補強部形成用の貫通孔が複数個配設されたハードマスクを第１配線パターン１１上に配置し、ガラスペーストをスクリーン印刷し、ハードマスクを除去してガラスを固化させることによって、図４（ｄ）に示すように第１配線パターン１１上にマスクパターンに応じた間隔で補強部１００Ｂ、１０１Ｂ（補強部１０１Ｂのみ図示）を形成する。次に、補強部１００Ｂの形成面にＡｇペーストをスクリーン印刷し、素子搭載基板６に４００℃余で熱処理を施すことによってパターン部１００Ａ，１０１Ａ（パターン部１００Ａのみ図示）が形成される。このようにすることによっても、図４（ｅ）に示すように、パターン部１００Ａ、１０１Ａ及び補強部１００Ｂ、１０１Ｂからなる接合用パターン１００を有する素子搭載基板６を形成することができる。図４（ｅ）に示す素子搭載基板６は、サブマウント搭載面側に配線パターンを設けないものであるが、Ａｇペーストで形成することも可能である。
【００４８】
（素子搭載基板６の更に他の構成）
図５は、素子搭載基板の更に他の形成方法を示す断面図である。上記した素子搭載基板６の他の構成において補強部１００Ｂ、１０１Ｂを設ける際に、補強部１００Ｂ、１０１Ｂの形状が図５（ｄ）に示すように拡大されたものであっても良い。その他の工程については図４に示した基板形成工程と同様である。このような形状とした場合には、実装用基板への放熱性を確保しながらも補強部１００Ｂの強度をより高めることができる。
【００４９】
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図６において、図１と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５０】
図６に示すように、第３の実施の形態に示す発光装置４１は、電力供給用経路のみに配置された接合用パターン４２を備えた点に特徴がある。
【００５１】
このため、接合用パターン４２のパターン部４２Ａは、素子搭載基板６の第３配線パターン１６，１７に接続され、Ａｇ等の高導電性材料によって形成されている。パターン部４２Ａの材料としては、Ａｇの他に、Ａｇ−Ｐｔ合金やＡｕが用いられる。パターン部４２Ａの厚さは、後述する凸部３００の高さに応じて適宜設定される。接合用パターン４２の補強部４２Ｂは、円柱状のガラス等からなり、素子搭載基板６の第３配線パターン１６，１７に縦横方向に複数個並列して配置されている。
【００５２】
実装用基板４の裏面には、放熱用経路に位置し、かつ第４配線パターン１８に接続する凸部３００が突設されている。この凸部３００は、銅合金等の高熱伝導性を有する金属材料によって形成される。凸部３００は、実装用基板４の図示しない面との間に貫通状に設けられるビアホール４０２のビアパターン４０３と接続された回路パターン４Ｂに半田接合されている。
【００５３】
（第３の実施の形態の効果）
上記した第３の実施の形態によれば、接合用パターン４２のパターン部４２Ａ内に補強部４２Ｂが埋設されているため、膜厚の大なる接合用パターン４２を形成しても第１の実施の形態と同様にパターン部４２Ａのだれ発生を防止し、パターンの剥がれや導電不良を防ぐことができる。このため、パターン部４２Ａの厚さを比較的大きい寸法に設定することができ、高出力型のＬＥＤ素子（発光素子）における十分な電力供給構造を得ることができる。
【００５４】
また、第３の実施の形態では、凸部３００の底面がビアパターン４０３と接続された回路パターン４Ｂと接続されているので、実装用基板４の裏面側にＬＥＤ素子３の発光に伴う熱を効率良く伝えることができ、放熱性に優れる。なお、熱伝導性を高めるために凸部３００の底面と実装用基板４の表面にＡｕのフラッシュめっきによるめっき層又はＡｕ−Ｓｎ半田層を設け、このめっき層又はＡｕ−Ｓｎ半田層形成部分に半田リフローによる凸部３００と実装用基板４との半田接合を行うことがより好ましい。また、半田接合に代えてＡｇペーストで凸部３００と実装用基板４とを接合しても良い。
【００５５】
（第４の実施の形態）
図７は、本発明の第４の実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。図７において、図１と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５６】
図７に示すように、第４の実施の形態に示す発光装置５１は、放熱用経路のみに配置された接合用パターン５２を備えた点に特徴がある。
【００５７】
このため、接合用パターン５２のパターン部５２Ａは、素子搭載基板６の第４配線パターン１８に接続され、Ａｇ等の高熱伝導性材料によって形成されている。パターン部４２Ａの材料としては、Ａｇの他に、Ａｇ−Ｐｔ合金やＡｕが用いられる。パターン部５２Ａの厚さは、後述する凹部４００の深さに応じて適宜設定される。接合用パターン５２の補強部５２Ｂは、円柱状のガラス等からなり、素子搭載基板６の第４配線パターン１８に縦横方向に複数個並列して配置されている。
【００５８】
実装用基板４は、熱伝導性に優れる金属材料からなるグランド層４０１が積層されており、発光装置１の実装面には、放熱用経路に位置し、かつ接合用パターン５２に接続する接触面４００Ａを有する凹部４００が設けられている。この凹部４００の接触面４００Ａにはグランド層４０１が露出しており、接合用パターン５２が半田接合されている。
【００５９】
（第４の実施の形態の効果）
上記した第４の実施の形態によれば、接合用パターン５２のパターン部５２Ａ内には補強部５２Ｂが埋設されているため、膜厚の大なる接合用パターン５２を形成しても第１及び第２の実施の形態と同様にパターン部５２Ａのだれ発生を防止し、パターンの剥がれや放熱不良を防ぐことができる。このため、パターン部５２Ａの厚さを比較的大きい寸法に設定することができ、高出力型のＬＥＤ素子（発光素子）における十分な放熱構造を得ることができる。
【００６０】
また、実装用基板４に積層されたグランド層４０１に接合用パターン５２が半田接合されているので、グランド層４０１にＬＥＤ素子３の発光に伴う熱を逃がすことができ、放熱性に優れる。
【００６１】
以上、本発明の発光装置を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。
【００６２】
（１）各実施の形態では、素子搭載基板６にビアパターン２２〜２４を形成し、これらビアパターン２２〜２４を介してＬＥＤ素子３と接合用パターンとが接続される場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図８に示すように素子搭載基板６の表裏両面及び側面にかけて回路パターン６１を形成し、この回路バターン６１を介して接合用パターン１００とＬＥＤ素子３（図１に示す）とを接続することも可能である。
【００６３】
（２）各実施の形態では、ＬＥＤ素子２から発せられる光（青色光）を受けて励起されることにより黄色の波長変換光を発する蛍光体９を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、紫外ＬＥＤ素子から発せられる紫色光（波長３７０〜３９０ｎｍ）を受けて励起されることにより白色の波長変換光を発する蛍光体９であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態に係る接合用パターンの形成方法を説明するために示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図４】素子搭載基板の他の形成方法を示す断面図である。
【図５】素子搭載基板の更に他の形成方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置を説明するために示す断面図である。
【図８】本発明の各実施の形態に係る接合用パターンの構造を備えた発光装置の変形例を説明するために示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１，４１，５１…発光装置、２…パッケージ、３…ＬＥＤ素子、４…実装用基板、４Ｂ…回路パターン、５…ケース、５ａ…傾斜面、６…素子搭載基板、８…封止部材、９…蛍光体、１０…サブマウント、１０Ａ…第１パターン部、１０Ｂ…第２パターン部、１１…第１配線パターン、１２，１３…ボンディングワイヤ、１４，１５…第２配線パターン、１６，１７…第３配線パターン、１８…第４配線パターン、１９〜２１…ビアホール、２２〜２４…ビアパターン、３０…接着剤、４２，５２，１００，１０１…接合用パターン、４２Ａ，４５Ａ，１００Ａ，１０１Ａ…パターン部、４２Ｂ，５２Ｂ，１００Ｂ，１０１Ｂ…補強部、６１…回路パターン、３００…凸部、４００…凹部，４００Ａ…接触面、４０１…グランド層、４０２…ビアホール、４０３…ビアパターン、Ｍ…ハードマスク、ｍ…貫通孔、Ｐ…ガラスペースト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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