(57)【要約】【課題】反射率を向上させるためのアレイ基板とその製造方法、及びこれを具備した表示パネルを提供する。【解決手段】アレイ基板は、ゲート配線、ソース配線、画素部、スイッチング素子、及び画素電極を含む。ゲート配線は、第１方向に延長され形成される。ソース配線は、第１方向と交差する第２方向に延長され形成される。画素部は、ゲート配線及びソース配線によって定義される。スイッチング素子は、各画素部に形成されゲート配線とソース配線に連結される。画素電極は、スイッチング素子と電気的に連結され、中心部に凸パターンが形成された凹パターンが形成される。これによって、中心部に凸パターンが形成された凹パターンを形成することにより、凹パターンの反射率を向上させることができる。【選択図】図６
2007171937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延長されたゲート配線と、
前記第１方向と交差する第２方向に延長されたソース配線と、
前記ゲート配線及びソース配線によって定義された画素部と、
各画素部に形成されゲート配線及びソース配線に連結されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と電気的に連結され、中心部に凸パターンを有する凹パターンが形成された画素電極と、を有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記スイッチング素子と画素電極との間に形成された有機絶縁層を更に含み、
前記有機絶縁層の上部面には、前記凹パターンが形成されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記画素電極は、第１光を反射する反射電極であることを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記画素電極は、第１光を反射する反射電極、及び反射された第１光と同じ方向に第２光を透過する透過電極を含み、
前記凹パターンは、前記反射電極に形成されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記凹パターンの界面傾斜角度は、０°〜２０°であることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記凸パターンの界面傾斜角度は、５°〜１５°であることを特徴とする請求項５記載のアレイ基板。
【請求項７】
第１方向に延長されたゲート配線と該第１方向と交差する第２方向に延長されたソース配線とに連結されたスイッチング素子をベース基板上に形成する段階と、
前記スイッチング素子が形成されたベース基板上に有機絶縁層を形成する段階と、
基準面に対して凹である凹パターンと該凹パターンの中心部に該凹パターンの界面に対して凸である凸パターンとを有するように前記有機絶縁層をパターニングする段階と、
前記凹パターンが形成された有機絶縁層上に前記スイッチング素子と接触する画素電極を形成する段階と、を有することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
前記有機絶縁層をパターニングする段階は、
前記基準面に対応する領域に光を遮断する遮光部、前記凹パターンに対応する領域に前記光を透過する開口部、及び前記凸パターンに対応する領域に光の一部光を透過する部分開口部を有するマスクを利用して前記有機絶縁層をパターニングすることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記有機絶縁層をパターニングする段階は、
前記スイッチング素子と前記画素電極とを接触させるためのコンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記凹パターンの界面傾斜角度は、０°〜２０°であることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記凸パターンの界面傾斜角度は、５°〜１５°であることを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記有機絶縁層をパターニングする段階は、
前記反射電極が形成される領域に対応して前記凹パターン及び凸パターンを形成することを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記画素電極を形成する段階は、
前記凹パターンが形成された有機絶縁層上に前記スイッチング素子と接触する透過電極を形成する段階と、
前記透過電極の一部領域に反射電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１０記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極は、反射金属物質で形成された反射電極であることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
複数の画素部を含み、各画素部はスイッチング素子と該スイッチング素子と電気的に連結されて中心部に凸パターンを有する凹パターンが形成された画素電極とを含むアレイ基板と、
前記アレイ基板と向かい合うカラーフィルタ基板と、
前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に配置された液晶層と、を有することを特徴とする表示パネル。
【請求項１６】
前記画素電極は、反射金属物質で形成され第１光を反射する反射電極であることを特徴とする請求項１５記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記画素電極は、第１光を反射する反射電極、及び第２光を透過する透過電極を含み、
前記凹パターンは、前記反射電極に形成されることを特徴とする請求項１６記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記液晶層は、前記第１光を反射する反射領域と前記第２光を透過する透過領域とで互いに異なるセルギャップを有することを特徴とする請求項１７記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記凹パターンの界面傾斜角度は、０°〜２０°であることを特徴とする請求項１５記載の表示パネル。
【請求項２０】
前記凸パターンの界面傾斜角度は、５°〜１５°であることを特徴とする請求項１９記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板とその製造方法、及びこれを具備した表示パネルに係り、より詳細には、反射率を向上させるためのアレイ基板とその製造方法、及びこれを具備した表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は、液体と固体の中間的な性質を有する液晶を利用して、画像情報を表示する表示装置である。液晶表示装置では、２つのガラス基板間に介在された液晶層に電圧を印加して、液晶の分子配列角を変化させ、変化した配列角を有する液晶層に光を出射させて画像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は、採用される光源によって透過型、反射型、及び反射−透過型に分類される。透過型液晶表示装置は、背面光が表示パネルを透過して画像を表示し、反射型液晶表示装置は、表示パネルに入射する前面光（Ｆｒｏｎｔ−Ｌｉｇｈｔ）を反射して画像を表示し、反射−透過型液晶表示装置は、表示パネルを反射領域と透過領域とに分離し、透過領域には背面光を透過させ反射領域には前面光を反射させて画像を表示する。
【０００４】
反射型及び反射−透過型液晶表示装置は、前面光を反射させる反射電極を有し、反射型及び反射−透過型液晶表示装置は、反射電極を通じて反射する反射光を最大に得ることが最も重要である。反射電極の反射率を向上させることにより、液晶表示装置の消費電力を最小化することができ、又、反射モードで表示品質を向上させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、反射率を向上させるためのアレイ基板を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、アレイ基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の更に他の目的は、アレイ基板を含む表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴によるアレイ基板は、ゲート配線、ソース配線、画素部、スイッチング素子、及び画素電極を含む。前記ゲート配線は、第１方向に延長されて形成される。前記ソース配線は、前記第１方向と交差する第２方向に延長されて形成される。前記画素部は、前記ゲート配線及びソース配線によって定義される。前記スイッチング素子は、各画素部に形成されてゲート配線及びソース配線に連結される。前記画素電極は、前記スイッチング素子と電気的に連結され、中心部に凸パターンを有する凹パターンが形成される。
【０００９】
上記他の目的を達成するためになされた本発明の一特徴によるアレイ基板の製造方法は、第１方向に延長されたゲート配線と該第１方向と交差する第２方向に延長されたソース配線とに連結されたスイッチング素子をベース基板上に形成する段階、前記スイッチング素子が形成されたベース基板上に有機絶縁層を形成する段階、基準面に対して凹である凹パターンと該凹パターンの中心部に該凹パターンの界面に対して凸である凸パターンとを有するように前記有機絶縁層をパターニングする段階、及び前記凹パターンが形成された有機絶縁層上に前記スイッチング素子と接触する画素電極を形成する段階を有する。
【００１０】
上記更に他の目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示パネルは、アレイ基板及びカラーフィルタ基板を含む。前記アレイ基板は複数の画素部を含み、各画素部は、スイッチング素子と該スイッチング素子と電気的に連結されて中心部に凸パターンを有する凹パターンが形成された画素電極とを含む。前記カラーフィルタ基板は、前記アレイ基板と向かい合って液晶層を収容する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるアレイ基板とその製造方法、及びこれを具備した表示パネルによれば、反射電極に凸パターンを含む凹パターンを形成することにより、凹パターンの界面傾斜角度が１０°である領域の分布を拡張させて反射率を向上させることができる。
具体的に、凹パターンの界面傾斜角度は、反射光の出射角が正面（０°）を基準に一定の角度分布で、例えば、約−３０°〜３０°範囲の円錐形態を有するように０°〜２０°に形成される。又、凹パターンの中心部に凸パターンが形成されることにより、凹パターンに反射率が高い界面傾斜角度１０°領域の分布が増える。これによって、反射電極の反射率を顕著に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明のアレイ基板とその製造方法、及びこれを具備した表示パネルを実施するための最良の形態の具体例を、添付図面を参照しながらより詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施例による反射レンズを形成するためのマスクの平面図であり、図２は、図１のマスクを利用して形成された反射レンズの断面図である。
【００１４】
図１に示すように、マスク１０は、遮光部１１、開口部１３、及び部分開口部１５を含む。遮光部１１はＵＶ光を遮断する領域で、開口部１３はＵＶ光を透過させる領域で、部分開口部１５はスリットパターン及びハーフトンパターンが形成され、ＵＶ光の散乱及び回折により開口部１３に対して相対的に少ないＵＶ光を透過させる領域である。
【００１５】
遮光部１１は、複数個のパターンが連結された網形状を有する。パターンは、例えば、多角形パターン、円形パターン等で形成される。開口部１３は、遮光部１１によって定義された多角形パターンの内部領域であり、部分開口部１５は、開口部１３の中心部に形成される。部分開口部１５は、スリットパターン及びハーフトンパターンで形成される。
【００１６】
図２に示すように、マスク１０は、パターンを形成するための感光性樹脂層２０上に配置される。マスク１０上でＵＶ光を照射し、マスク１０を通過したＵＶ光によって感光性樹脂層２０にはパターンが形成される。
【００１７】
具体的に、遮光部１１に対応する感光性樹脂層２０の第１領域は、ＵＶ光が遮断され反射レンズの基準面２１が形成され、開口部１３に対応する感光性樹脂層２０の第２領域は、ＵＶ光がフルで照射され基準面２１に対して凹な界面を有する凹パターン２３が形成される。一方、部分開口部１５に対応する感光性樹脂層２０の第３領域は、スリットパターンまたはハーフトンパターンによって開口部１３に対して相対的に少ない量のＵＶ光が照射される。これによって凹パターン２３の中心部には、凹パターン２３の界面より相対的に凸な凸パターン２５が形成される。
【００１８】
開口部１３によって形成された凹パターン２３は、反射光が一定の角度分布で反射されるように約０°〜２０°の界面傾斜角（θｔ）を有するように形成される。又、部分開口部１５によって形成された凸パターン２５によって、凹パターン２３に界面傾斜角が１０°である領域の分布率を向上させるために、凸パターン２５の界面傾斜角は、５°〜１５°に形成される。凹パターン２３が凸パターン２５を含まない場合、凹パターン２３の中心の界面傾斜角が０°になる。しかし、本実施例では、凹パターン２３が中心に凸パターン２５を含んで凹パターン２３の中心の界面傾斜角が１０°になることができ、界面傾斜角が１０°である領域が広くなる。界面傾斜角が１０°である場合、反射光が正面に反射される反射率が一番高い。
【００１９】
従って、中心部に凸パターン２５が形成された凹パターン２３は、反射率を顕著に向上させることができる。
【００２０】
図３は、スネルの法則を説明するための概念図である。図４は、図２に示すレンズパターンの傾斜角度による反射光の出射角度を示すグラフである。
【００２１】
図３及び図４を参照すると、スネルの法則は、次の数式１のように、光が第１屈折率（ｎ１）を有する第１媒質から第２屈折率（ｎ２）を有する第２媒質に進行する時、入射角（θｉ１）と第１屈折角（θｏ１）のサイン値の比は常に一定である。
【００２２】
同様な原理で、レンズパターンによって反射された反射光が第２媒質から第１媒質に進行する時、第１媒質に入射する反射光の入射角（θｉ２）と第２屈折角（θｏ２）のサイン値の比も常に一定である。
【００２３】
〔数式１〕
（Ｓｉｎθｉ１）／（Ｓｉｎθｏ１）＝（ｎ２）／（ｎ１）
（Ｓｉｎθｉ２）／（Ｓｉｎθｏ２）＝（ｎ１）／（ｎ２）
【００２４】
数式１を参照すると、第２屈折角（θｏ２）は、次の数式２のように定義される。
【００２５】
〔数式２〕
θｏ２＝ｓｉｎ−１｛（ｎ２／ｎ１）ｓｉｎθｉ２｝
θｉ２＝ｓｉｎ−１｛（ｎ１／ｎ２）ｓｉｎθｉ１｝−２θｔ
ここで、θｔは、レンズパターンの界面傾斜角度である。
【００２６】
数式２によって、図４に示すように、レンズパターンの界面傾斜角度（θｔ）が０°〜２０°の範囲である時、第２屈折角（θｏ２）は、正面（０°）を基準に一定の角度分布で、例えば、約−３０°〜３０°範囲の円錐形態を有する。好ましく、第２屈折角（θｏ２）が０°、即ち、正面に出射されるためには、レンズパターンの界面傾斜角度（θｔ）は１０°にならなければならない。
【００２７】
結果的に、反射レンズは、界面傾斜角度（θｔ）が１０°である領域が多いほど、反射効率に優れることがわかる。
【００２８】
図５は、本発明の一実施例による反射−透過型アレイ基板の平面図であり、図６は、図５に示すＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図であって、反射−透過型アレイ基板を含む表示パネルの断面図である。図７は、図６に示す反射電極に対する拡大図である。
【００２９】
図５乃至図７に示すように、表示パネルは反射−透過型アレイ基板１００、カラーフィルタ基板２００、及び液晶層３００を含む。
【００３０】
アレイ基板１００は第１ベース基板１０１を含み、第１ベース基板１０１上に第１方向に延長された複数のゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）と第１方向と交差する第２方向に延長された複数のソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）が形成される。第１ベース基板１０１上には、ゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）及びゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）と交差するソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）によって複数の画素部Ｐが定義される。各画素部Ｐには、ゲート配線ＧＬｎとソース配線ＤＬｍに対応して連結されたスイッチング素子ＴＦＴと、スイッチング素子ＴＦＴに連結された画素電極ＰＥ及びストレージキャパシタＣＳＴが形成される。
【００３１】
スイッチング素子ＴＦＴは、ゲート配線ＧＬｎから延長されたゲート電極１１１と、ソース配線ＤＬｍから延長されたソース電極１１３及び画素電極ＰＥとコンタクトホール１１６を通じて連結されたドレイン電極１１４を含む。
【００３２】
ゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）及びゲート電極１１１上には、ゲート絶縁層１０２が形成される。ゲート電極１１１が形成された領域に対応してゲート絶縁層１０２上にはチャンネル部１１２が形成される。チャンネル部１１２は、活性層１１２ａ及び抵抗性接触層１１２ｂが形成され、ソース及びドレイン電極１１３、１１４間の離隔領域に対応して抵抗性接触層１１２ｂが除去され、スイッチング素子ＴＦＴのチャンネルが定義される。スイッチング素子ＴＦＴとソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）上には、保護絶縁層１０３が形成される。
【００３３】
画素電極ＰＥは、透過電極１１７及び反射電極１１８を含む。具体的に、透過電極１１７は、コンタクトホール１１６を通じてドレイン電極１１４と電気的に連結され画素部Ｐが定義された領域に形成される。反射電極１１８は、透過電極１１７の一部分に形成され、画素部Ｐを反射領域ＲＡと透過領域ＴＡとして定義する。
【００３４】
図７に示すように、反射電極１１８は、中心部に凸パターン１２５が形成された凹パターン１２３が形成される。
【００３５】
各凹パターン１２３の界面傾斜角度（θｔ）は、数式１及び数式２に示すように、反射光の出射角が正面（０°）を基準に一定の角度分布で、例えば、約−３０°〜３０°範囲の円錐形態を有するように０°〜２０°に形成され、好ましくは、１０°（θｔ）で形成することにより反射率が高くなる。
【００３６】
又、凹パターン１２３の中心部に、界面傾斜角度が５°〜１５°を有する凸パターン１２５が形成されることにより、凹パターン１２３に反射率が高くなる１０°（θｔ）近辺の領域の分布が増える。
【００３７】
このように反射電極１１８に凹パターン１２３と凸パターン１２５を形成することにより、反射率は顕著に向上する。
【００３８】
スイッチング素子ＴＦＴと透過電極１１７との間には有機絶縁層１０４が形成され、凹パターン１２３は、有機絶縁層１０４の上部面にパターニングされ形成される。即ち、凹パターン１２３が形成された有機絶縁層１０４上に反射電極１１８が形成されることにより、反射電極１１８の上部面には凹パターン１２３が形成される。
【００３９】
ストレージキャパシタＣＳＴは、画素部に共通に形成された共通配線１３１と、ドレイン電極１１４から延長され共通配線１３１上に重なるように形成された電極パターン１３２を含む。共通配線１３１上には、ゲート絶縁層１０２、保護絶縁層１０３、及び有機絶縁層１０４が順次に形成される。好ましく、ストレージキャパシタＣＳＴは、反射領域ＲＡに形成される。
【００４０】
図６に示すように、カラーフィルタ基板２００は第２ベース基板２０１を含み、第２ベース基板２０１上にカラーフィルタ層２１０及び共通電極層２２０が形成される。
【００４１】
カラーフィルタ層２１０には、反射領域ＲＡに対応して一定領域が除去されたライトホール２１１が形成される。ライトホール２１１は、反射電極１１８で反射された第１光Ｌ１の反射率を向上させるために形成される。
【００４２】
カラーフィルタ層２１０は、反射領域ＲＡに対応して第１厚みｔ１に形成され、透過領域ＴＡに対応して第１厚みｔ１より厚い第２厚みｔ２に形成されて、透過領域ＴＡで高純度のカラーを表示する。
【００４３】
反射領域ＲＡの第１光Ｌ１の光経路は、カラーフィルタ層２１０を２回通過する反面、透過領域ＴＡの第２光Ｌ２の光経路は、カラーフィルタ層２１０を１回通過する。これによって、相対的に透過領域ＴＡのカラーフィルタ層２１０を厚く形成することにより、透過領域ＴＡと反射領域ＲＡの色再現性を実質的に同じにする。
【００４４】
共通電極層２２０は、カラーフィルタ層２１０上に形成され、アレイ基板１００の画素電極ＰＥ（透過電極及び反射電極１１７、１１８）に対向して形成される。
【００４５】
液晶層３００は、アレイ基板１００及びカラーフィルタ基板２００の間に介在され、反射領域ＲＡと透過領域ＴＡに対応してそれぞれ異なるセルギャップを有する。反射領域ＲＡの第１セルギャップｄ１と透過領域ＴＡの第２セルギャップｄ２の関係は、反射領域ＲＡを透過する第１光Ｌ１の光経路と透過領域ＴＡを透過する第２光Ｌ２の経路の関係によって第１セルギャップｄ１は、第２セルギャップｄ２の１／２倍になるように形成される。
【００４６】
図８乃至図１０は、図５に示す反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【００４７】
図５及び図８に示すように、第１ベース基板１０１上にゲート金属層を蒸着及びパターニングしてゲート金属パターンを形成する。ゲート金属パターンは、ゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）、スイッチング素子ＴＦＴのゲート電極１１１、及びストレージキャパシタＣＳＴの共通配線１３１を含む。ゲート金属層は、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタニウム、タングステン、銅、銀のような金属又はこれらの合金を含む低抵抗金属層である。又、ゲート金属層は、物理的性質が異なる２つ以上の多層構造に形成することができる。ゲート金属層は、スパッタリング工程によって蒸着され、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされる。
【００４８】
ゲート金属パターン上には、ゲート絶縁層１０２が形成される。ゲート絶縁層１０２は、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方式を通じて、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約４０００Å程度の厚みに形成される。
【００４９】
ゲート絶縁層１０２上には、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる活性層１１２ａ及びｎ＋イオンが高濃度でドーピングされた抵抗性接触層１１２ｂが順次に蒸着及びパターニングされチャンネル部１１２が形成される。チャンネル部１１２は、スイッチング素子ＴＦＴのゲート電極１１１上に形成される。
【００５０】
チャンネル部１１２が形成された第１ベース基板１０１上にソース金属層を蒸着及びパターニングしてソース金属パターンを形成する。
【００５１】
ソース金属パターンは、ソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）、スイッチング素子ＴＦＴのソース電極１１３、及びドレイン電極１１４を含む。又、ストレージキャパシタＣＳＴの共通配線１３１上に重なって形成された電極パターン１３２を含む。ソース金属層は、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタニウム、タングステン、銅、銀のような金属又はこれらの合金を含む低抵抗金属層である。又、ゲート金属層は、物理的性質が異なる２つ以上の多層構造で形成することができる。ゲート金属層はスパッタリング工程によって蒸着され、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされる。
【００５２】
ソース金属パターンが形成された第１ベース基板１０１上には保護絶縁層１０３が形成される。保護絶縁層１０３は、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方式を通じて窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約１０００Å程度の厚みに形成される。
【００５３】
図５及び図９に示すように、保護絶縁層１０３が形成された第１ベース基板１０１上に有機絶縁層１０４を形成する。有機絶縁層１０４は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約４μｍ程度の厚みに形成される。
【００５４】
有機絶縁層１０４は、マスク４００を通じて反射領域ＲＡと透過領域ＴＡに対応してそれぞれパターニングされる。マスク４００は、反射領域ＲＡに対応して遮光部４１０、遮光部４１０によって定義された第１開口部４３０、及び第１開口部４３０の中心部に形成された部分開口部４５０を有し、透過領域ＴＡに対応して全体領域が開口された第２開口部４７０が形成される。部分開口部４５０は、スリットパターン又はハーフトンパターンを含む。
【００５５】
マスク４００を通じて有機絶縁層１０４を露光及び現像してパターニングする。有機絶縁層１０４は、第１開口部４３０を通じて露光された領域で凹パターン１２３が形成され、部分開口部４５０を通じて露光された領域は、凹パターン１２３に対して相対的に凸である凸パターン１２５が形成される。又、第２開口部４７０によって露光された領域は有機絶縁層１０４が除去される。
【００５６】
即ち、反射領域ＲＡに対応する有機絶縁層１０４には凹パターン１２３が形成され、凹パターン１２３の中心部には凸パターン１２５が形成される。
【００５７】
凹パターン１２３の界面傾斜角度（θｔ）は、数式１及び数式２に示すように、反射光の出射角が正面（０°）を基準に一定の角度分布で、例えば、約−３０°〜３０°範囲の円錐形態を有するように０°〜２０°に形成され、好ましくは１０°（θｔ）で形成することにより反射率が高くなる。
【００５８】
又、凹パターン１２３の中心部に、凸パターン１２５が形成されることにより、凹パターン１２３に反射率が高くなる界面傾斜角度１０°近辺の領域の分布が増える。
【００５９】
透過領域ＴＡに対応する有機絶縁層１０４は除去される。又、反射領域ＲＡに対応する有機絶縁層１０４の一部領域にはコンタクトホール１１６が形成され、ドレイン電極１１４の一部領域を露出させる。
【００６０】
図５及び図１０に示すように、パターニングされた有機絶縁層１０４上にコンタクトホール１１６を通じてドレイン電極１１４と電気的に連結される画素電極ＰＥを形成する。具体的に、パターニングされた有機絶縁層１０４上に透明伝導性物質を蒸着及びパターニングして透過電極１１７を形成する。透明伝導性物質は、インジウム−ティン−オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛−オキサイド（ＩＺＯ）、又はインジウム−ティン−亜鉛−オキサイドを含む。
【００６１】
透過電極１１７は、コンタクトホール１１６を通じてドレイン電極１１４と電気的に連結される。以後、透過電極１１７上に反射金属層を蒸着及びパターニングして反射電極１１８を形成する。反射電極１１８は、アルミニウム、ネオジウム、モリブデン、タングステン、及び銀等のような金属又はこれらの合金を含む金属物質で形成される。
【００６２】
反射電極１１８は、凹パターン１２３及び凸パターン１２５が形成された有機絶縁層１０４上に形成されることにより、凹パターン１２３及び凸パターン１２５と実質的に同じパターンが形成される。凹パターン１２３の界面の傾斜角度範囲は０°〜２０°が好ましく、傾斜角度が１０°である領域で反射率が最も高い。これによって、凹パターン１２３の中心部に凸パターン１２５を形成して、凹パターン１２３の界面傾斜角度が１０°である領域を拡張させて反射率を向上させる。
【００６３】
図１１は、本発明の他の実施例による反射型アレイ基板の平面図であり、図１２は、図１１に示すＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って切断した断面図であって、反射型−アレイ基板を含む表示パネルの断面図である。
【００６４】
図１１及び図１２に示すように、表示パネルは、反射型アレイ基板５００、カラーフィルタ基板６００、及び液晶層７００を含む。
【００６５】
反射型アレイ基板５００は第１ベース基板５０１を含み、第１ベース基板５０１上に第１方向に延長された複数のゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）と第１方向と交差する第２方向に延長された複数のソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）が形成される。第１ベース基板５０１上には、ゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）及びソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）によって複数の画素部Ｐが定義される。各画素部Ｐには、ゲート配線ＧＬｎとソース配線ＤＬｍによって連結されたスイッチング素子ＴＦＴと、スイッチング素子ＴＦＴに連結された画素電極ＰＥ及びストレージキャパシタＣＳＴが形成される。
【００６６】
スイッチング素子ＴＦＴは、ゲート配線ＧＬｎから延長されたゲート電極５１１と、ソース配線ＤＬｍから延長されたソース電極５１３及び反射電極５１８とコンタクトホール５１６を通じて連結されたドレイン電極５１４を含む。
【００６７】
ゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）及びゲート電極５１１上には、ゲート絶縁層５０２が形成される。ゲート電極５１１が形成された領域に対応してゲート絶縁層５０２上にはチャンネル部５１２が形成される。チャンネル部５１２は、活性層５１２ａ及び抵抗性接触層５１２ｂが形成され、ソース及びドレイン電極５１３、５１４間の離隔領域に対応して抵抗性接触層５１２ｂが除去されスイッチング素子ＴＦＴのチャンネルが定義される。スイッチング素子ＴＦＴとソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）上には保護絶縁層５０３が形成される。
【００６８】
スイッチング素子ＴＦＴ上には有機絶縁層５０４が形成され、有機絶縁層５０４の上部面には中心部に凸パターン５２５が形成された凹パターン５２３が形成される。有機絶縁層５０４は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約４μｍ程度の厚みに形成される。
【００６９】
反射電極５１８は、アルミニウム、ネオジウム、モリブデン、タングステン、及び銀等のような金属又はこれらの合金を含む金属物質で形成される。
【００７０】
反射電極５１８は、凹パターン５２３及び凸パターン５２５が形成された有機絶縁層５０４上に形成されることにより、凹パターン５２３及び凸パターン５２５と実質的に同じパターンが形成される。
【００７１】
凹パターン５２３の界面傾斜角度（θｔ）は、数式１及び数式２に示すように、反射光の出射角が正面（０°）を基準に一定の角度分布、例えば、約−３０°〜３０°範囲の円錐形態を有するように０°〜２０°に形成され、好ましくは１０°（θｔ）で形成することにより反射率が高くなる。
【００７２】
又、凹パターン５２３の中心部に、凸パターン５２５が形成されることにより、凹パターン５２３に反射率が高くなる界面傾斜角度が１０°近辺の領域の分布が増える。上述のように反射電極５１８に凹パターン５２３と凸パターン５２５を形成することにより反射率は顕著に向上する。
【００７３】
ストレージキャパシタＣＳＴは、画素部に共通に形成された共通配線５３１と、ドレイン電極５１４から延長され共通配線５３１上に重なるように形成された電極パターン５３２を含む。共通配線５３１上には、ゲート絶縁層５０２、保護絶縁層５０３、及び有機絶縁層５０４が形成される。
【００７４】
ゲート配線（ＧＬｎ−１、ＧＬｎ）、ソース配線（ＤＬｍ−１、ＤＬｍ）、共通配線５３１、電極パターン５３２、ゲート電極５１１、ソース電極５１３、及びドレイン電極５１４は、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタニウム、タングステン、銅、銀のような金属又はこれらの合金を含む低抵抗金属層である。
【００７５】
カラーフィルタ基板６００は第２ベース基板６０１を含み、第２ベース基板６０１上にカラーフィルタ層６１０及び共通電極層６２０が形成される。カラーフィルタ層６１０は、固有のカラーを発現してカラー階調を表示する。共通電極層６２０は、透明伝導性物質で形成される。透明伝導性物質は、インジウム−ティン−オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛−オキサイド（ＩＺＯ）、又はインジウム−ティン−亜鉛−オキサイドを含む。
【００７６】
液晶層７００は、アレイ基板５００及びカラーフィルタ基板６００の間に介在され、アレイ基板５００の反射電極５１８とカラーフィルタ基板６００の共通電極層６２０の電位差によって液晶分子の配列角が変化する。
【００７７】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施例による反射レンズを形成するためのマスクの平面図である。
【図２】図１のマスクを利用して形成された反射レンズの断面図である。
【図３】スネルの法則を説明するための概念図である。
【図４】図２に示すレンズパターンの傾斜角度による反射光の出射角度を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例による反射−透過型アレイ基板の平面図である。
【図６】図５に示すＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図であって、反射−透過型表示パネルの断面図である。
【図７】図６に示す反射電極に対する拡大図である。
【図８】図５に示す反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図５に示す反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図５に示す反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】本発明の他の実施例による反射型アレイ基板の平面図である。
【図１２】図１１に示すＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って切断した断面図であって、反射型−表示パネルの断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０    マスク
１１    遮光部
１３    開口部
１５    部分開口部
２０    感光性樹脂層
２１    基準面
２３    凹パターン
２５    凸パターン
１００、５００    アレイ基板
１０１、５０１    第１ベース基板
１０２、５０２    ゲート絶縁層
１０３、５０３    保護絶縁層
１０４、５０４    有機絶縁層
１１１、５１１    ゲート電極
１１２、５１２    チャンネル部
１１２ａ、５１２ａ    活性層
１１２ｂ、５１２ｂ    抵抗性接触層
１１３、５１３    ソース電極
１１４、５１４    ドレイン電極
１１６、５１６    コンタクトホール
１１７    透過電極
１１８、５１８    反射電極
１２３、５２３    凹パターン
１２５、５２５    凸パターン
１３１、５３１    共通配線
１３２、５３２    電極パターン
２００、６００    カラーフィルタ基板
２０１、６０１    第２ベース基板
２１０、６１０    カラーフィルタ層
２１１    ライトホール
２２０、６２０    共通電極層
３００、７００    液晶層
４００    マスク
４１０    遮光部
４３０    第１開口部
４５０    部分開口部
４７０    第２開口部
【図１】
2007171937.tif 000003
【図２】
2007171937.tif 000004
【図３】
2007171937.tif 000005
【図４】
2007171937.tif 000006
【図５】
2007171937.tif 000007
【図６】
2007171937.tif 000008
【図７】
2007171937.tif 000009
【図８】
2007171937.tif 000010
【図９】
2007171937.tif 000011
【図１０】
2007171937.tif 000012
【図１１】
2007171937.tif 000013
【図１２】
2007171937.tif 000014