(57)【要約】      （修正有）【課題】所望する箇所で容易に切断できる構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、厚みが１００μｍ以下の半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたＩＣとを備える。半導体基板１には、ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域４が設けられている。スクライブライン領域４の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされているので、簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。【選択図】図２
2007134447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、
前記半導体基板には、前記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、
前記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記スクライブライン領域および前記他の領域には同種の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成され、
前記スクライブライン領域に形成される前記材料の厚みが、他の領域に形成される前記材料の厚みよりも薄くされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記スクライブライン領域および前記他の領域には同種の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成され、
前記他の領域には、さらに、前記スクライブライン領域上には無い異種の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記スクライブライン領域における前記半導体基板の厚みが、前記他の領域における前記半導体基板の厚みより薄くされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、前記半導体基板には、前記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、前記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備し、
前記半導体装置を、前記スクライブライン領域で折り曲げることによって切断し、ＩＣチップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置を上方から曲面部材の曲面部に向けて押圧しながら、または、曲面部材の曲面部を前記半導体装置に押し当てながら、
前記半導体装置を前記曲面部材の曲面部に這わせることによって前記折り曲げを行う請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置の厚みに応じて、前記曲面部の曲率を変えることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、前記半導体基板には、前記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、前記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備し、
前記半導体装置を、前記スクライブライン領域を加圧することによって切断し、ＩＣチップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記加圧は空気圧を加えることで行う請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記加圧は水圧を加えることで行う請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記加圧は押圧を加えることで行う請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、前記半導体基板には、前記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、前記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備し、
前記半導体装置を、前記スクライブライン領域を減圧下にさらすことで切断し、ＩＣチップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記スクライブライン領域を吸引することで前記切断を行う請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、前記半導体基板には、前記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、前記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備し、
前記半導体装置を、前記スクライブライン領域でへき開することによって切断し、ＩＣ
チップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、前記半導体基板には、前記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、前記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備し、
前記半導体装置を引っ張ることによって前記スクライブライン領域で切断し、ＩＣチップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に半導体装置に関するもので、より特定的には所望する箇所で容易に切断できる構造を有する半導体装置に関する。この発明はまたそのような半導体装置を切断し、ＩＣ（integrated circuit）チップに分割するための半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、デバイス（ＩＣ）を形成するウエーハ基板の大口径化、あるいは加工精度の向上によるデバイスの微細化を図ることで、一度に一枚のウエーハ基板上に、数百〜数千以上のＩＣを形成することができ、製造コストの低減、製造時間の短縮が可能となり、効率良い半導体装置の製造ができる。ウエーハ基板上に形成されたデバイスは分割され、ＩＣチップとして電化製品等に組み込まれることになる。
【０００３】
ＩＣチップに分割する方法としては、従来よりウエーハ基板を、図１４に示すようなダイサーやスクライバー、レーザ等で切断する方法が良く知られている（例えば特許文献１，２，３参照）。すなわち、ウエーハ基板１２に設けられたスクライブライン領域４が、例えばブレード１３で切断され、ＩＣチップに分割される。
【０００４】
【特許文献１】特開平１−１９６８５０号公報
【０００５】
【特許文献２】特開昭５８−９８９４５号公報
【０００６】
【特許文献３】特開２００２−３２４７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の方法を実現する切断装置は、切断部のダイサー、スクライバーやレーザの制御を行うための構造が複雑で、切断する位置、方向、距離を決めるために光学系の装置を組み込む必要があり、非常に高価な装置となる。
【０００８】
また、これらの切断方法は、個々のＩＣチップに切断していくことになるので、位置合わせや、切断に時間を要する事になる。
【０００９】
さらに、ウエーハ基板上に形成するＩＣは、ダイサー、スクライバー、レーザの切り代を考慮して、ＩＣ間の幅（スクライブライン幅）を切り代以上の値にする必要がある。ウエーハ基板上に形成されるＩＣの数は、デバイスの微細化のみならずスクライブライン幅に依存し、ＩＣチップ面積が小さい程、スクライブライン幅は無視できなくなる。
【００１０】
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、所望する箇所で容易に切断できる構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
この発明の他の目的は、そのような半導体装置を切断し、ＩＣチップに分割する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
この発明の他の目的は、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣを分割する際、分割する設備や装置の構造が単純で、コストがかからないように改良された半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
この発明の他の目的は、容易に分割でき、分割に時間を要しない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
この発明の他の目的は、スクライブライン幅を縮小でき、ウエーハ上に形成できるＩＣの数が増えるように改良された半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明にかかる半導体装置は、厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備える。上記半導体基板には、上記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられている。上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。
【００１６】
この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされているので、簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。
【００１７】
本発明の好ましい実施態様によれば、上記スクライブライン領域および上記他の領域には同種の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成され、上記スクライブライン領域に形成される前記材料の厚みが、他の領域に形成される前記材料の厚みよりも薄くされている（前記材料が残っていない場合も含む）という構造にすることにより、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。
【００１８】
本発明の他の実施態様によれば、上記スクライブライン領域および上記他の領域には同種の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成され、さらに、上記他の領域には、上記スクライブライン領域には無い異種の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成されているという構造にすることにより、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。
【００１９】
本発明のさらに他の実施態様によれば、上記スクライブライン領域における上記半導体基板の厚みが、他の領域における上記半導体基板の厚みより薄くされているという構造にすることにより、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。
【００２０】
この発明の他の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、まず、厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、上記半導体基板には、上記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備する。上記半導体装置を、上記スクライブライン領域で折り曲げることによって切断し、ＩＣチップに分割する。
【００２１】
この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を用いるので、上記スクライブライン領域で折り曲げるという簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。
【００２２】
上記折り曲げは、上記半導体装置を上方から曲面部材の曲面部に向けて押圧しながら、または、曲面部材の曲面部を上記半導体装置に押し当てながら、上記半導体装置を上記曲面部材の曲面部に這わせることによって行われるのが好ましい。この場合、上記半導体装置の厚みに応じて、上記曲面部の曲率を変えるのが好ましい。
【００２３】
この発明の他の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、まず、厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、上記半導体基板には、上記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備する。上記半導体装置を、上記スクライブライン領域を加圧することによって切断し、ＩＣチップに分割する。
【００２４】
この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を用いるので、上記スクライブライン領域を加圧するという簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。この場合、上記加圧は空気圧を加えることで行うのが好ましい。上記加圧は水圧を加えることで行ってもよい。さらに、上記加圧は押圧を加えることで行ってもよい。
【００２５】
この発明のさらに他の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、まず厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、上記半導体基板には、上記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備する。上記半導体装置を、上記スクライブライン領域を減圧下にさらすことで切断し、ＩＣチップに分割する。
【００２６】
この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を用いるので、上記スクライブライン領域を減圧下にさらすという簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。
【００２７】
上記スクライブライン領域を減圧下にさらすことは、上記スクライブライン領域を吸引することによって行うのが好ましい。
【００２８】
この発明のさらに他の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、まず厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、上記半導体基板には、上記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備する。上記半導体装置を、上記スクライブライン領域でへき開することによって切断し、ＩＣチップに分割する。
【００２９】
この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を用いるので、上記スクライブライン領域でへき開するという簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。
【００３０】
この発明のさらに他の局面に従う半導体装置の製造方法によれば、まず厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備え、上記半導体基板には、上記ＩＣを切断によりチップに分割するためのスクライブライン領域が設けられており、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を準備する。上記半導体装置を引っ張ることによって上記スクライブライン領域で切断し、ＩＣチップに分割する。
【００３１】
この発明によれば、上記スクライブライン領域の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている半導体装置を用いるので、該半導体装置を引っ張るという簡単な操作で、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣチップを分割することができる。
【発明の効果】
【００３２】
この発明によれば、ＩＣが形成されたウエーハ基板からＩＣを分割する際、分割する設備や装置の構造が単純でコストがかからず、容易に分割でき、分割に時間を要しない。また、スクライブライン幅を縮小でき、ウエーハ上に形成できるＩＣの数が増えることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
厚みが１００μｍ以下の半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたＩＣとを備えた半導体装置において、所望する箇所で容易に切断できるようにするという目的を、スクライブライン領域の切断強度を、他の領域の切断強度よりも弱くするということによって実現した。
【００３４】
以下、図面を用いて、本発明の実施例を詳述する。
【実施例１】
【００３５】
図１は、従来技術を用いてウエーハ基板１上にＩＣが形成された半導体装置の断面図である。切断領域となるスクライブライン領域４を挟んでＩＣ３が形成されている。スクライブライン領域４には、ゲート電極７、層間絶縁膜８、金属配線膜９及びパッシベーション膜１０の、半導体装置を製造するうえで必要な材料が、ＩＣ３が形成される部分と同様に形成されている。この従来技術では、切断領域(斜線部)１１であるスクライブライン領域４における前記材料の総厚みは、基板１の表面から１μｍ以上となり切断強度が強く、ダイサー、スクライバー、レーザ等を用いて機械的にスクライブライン領域４を切断することでＩＣチップに分割される。
【００３６】
一方、図２、３、４は、本実施例にかかる半導体装置の断面図で、切断領域(斜線部)１１が、他の領域に比べ、その切断強度が弱くされた構造を有するものである。
【００３７】
図２に示す半導体装置では、スクライブライン領域４とＩＣ部３上に同一材料のパッシベーション膜１０が同じ膜厚で形成されているが、ＩＣ部３にゲート電極７、層間絶縁膜８、金属配線９が形成されるに対し、スクライブライン領域４にこれらの材料は形成されておらず、スクライブライン領域４に形成される、半導体装置を製造するうえで必要な材料の基板１の表面からの総厚みは、ＩＣ３が形成される部分に比べ、約５０％以下となり、切断領域(斜線部)１１の切断強度が他の領域に比べ弱くなっている。図中、２はＩＣ形成領域である。
【００３８】
スクライブライン領域４にゲート電極材、層間絶縁膜、金属配線材を形成しない方法としては、図示しないが、スクライブライン領域４のみ開口するようなレジスト膜等をパターンニングにより形成し、このレジスト膜を用いて、スクライブライン領域４に形成された材料をエッチング、除去する方法が好ましい。
【００３９】
なお、図２の半導体装置では、スクライブライン領域４にゲート電極７、層間絶縁膜８、金属配線９が形成されていない場合を図示したが、他の、半導体装置を製造するうえで必要な材料も同様で、パターニング後スクライブライン領域４に形成された材料をエッチング、除去することで、切断領域(斜線部)１１の切断強度が、他の領域に比べ、弱い構造を形成できる。
【００４０】
図３に示す半導体装置では、ウエーハ基板１上に形成されたＩＣ形成領域２の中の、切断部にあたるスクライブライン領域４に形成されている材料の膜厚Ａ部分は、ＩＣ部３上に形成されている材料の膜厚Ｂ部分と同じ材料(ゲート電極材７、層間絶縁膜８、金属配線材９、パッシベーション膜１０)で形成されている。但し、膜厚Ａは、膜厚Ｂよりも薄くされている。スクライブライン領域４およびＩＣ部３上に同一材料（ゲート電極材７、層間絶縁膜８、金属配線材９、パッシベーション膜１０）の複数層が形成されている場合においても、複数層の同一材料の総膜厚について、スクライブライン領域４の方をＩＣ部３上より薄く形成することにより、切断領域(斜線部)１１の切断強度を、他の領域（ＩＣ部３が形成される領域）の切断強度よりも弱くすることができる。
【００４１】
スクライブライン領域４に形成された膜厚ＡをＩＣ部３上に形成された膜厚Ｂより薄くする方法としては、スクライブライン領域４のみ開口するようなレジスト膜等をパターニングにより形成し（図示せず）、このレジスト膜を用いてスクライブライン上に形成された膜をエッチング、除去することで、スクライブライン領域４に形成された膜の厚みを薄くする方法が好ましい。
【００４２】
図４に示す半導体装置では、スクライブライン領域４のウエーハ基板１の厚みＣが、ＩＣ部３のウエーハ基板１の厚みＤより薄くされ、切断領域(斜線部)１１の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。
【００４３】
スクライブライン領域４のウエーハ基板１の厚みをＩＣ部３のウエーハ基板１の厚みより薄くする方法としては、スクライブライン領域４のみ開口するようなレジスト膜等をパターニングにより形成し（図示せず）、このレジスト膜を用い、スクライブライン領域４のウエーハ基板１を基板表面から１μｍ程度エッチングすることで、スクライブライン領域４のウエーハ基板１の厚みを薄くする。そのエッチング形状がＶ字形だと、切断力が集中し、切断し易い。
【００４４】
なお、図４に示す半導体装置では、スクライブライン領域４に、半導体装置を製造するうえで必要な材料が形成されていない場合を例示したが、スクライブライン領域４に前記材料が形成されていてもよい。但し、スクライブライン領域４に形成された前記材料の切断強度が、他の領域３に形成された前記材料の切断強度よりも弱くされているのが好ましい。
【実施例２】
【００４５】
次に、上述のように、切断領域の切断強度が、他の領域よりも弱くされた半導体装置を用いて、ＩＣを分割、分離する本発明の方法について詳述する。
【００４６】
図５に示すように、先ず上記のような手法でウエーハ基板上に切断領域の切断強度が他の領域より弱い構造を備えるＩＣを形成した後、ウエーハ研磨時にＩＣを保護するために、ウエーハ表面にテープを貼る。次にウエーハ裏面を機械研磨や化学研磨、または両者を組合せた研磨を行い、ウエーハ基板の厚みを１００μｍ以下に加工を行い、図６に示す本発明の半導体装置を形成する。次に図７に示すように、ＩＣチップに切断する際に、ウエーハを固定すると共に切断したチップの飛散を防ぎチップ回収を容易にするために、金属製のウエーハリング１５に付けた伸張性を有するテープ１６上に、本発明のＩＣを形成した厚さ１００μｍ以下のウエーハ基板１４を貼り付け、マウントする。ウエーハ基板１４をマウント後、ウエーハ基板１４を下記切断方法１〜５によってＩＣチップに切断する。
【００４７】
（切断方法１）  曲面(曲線)部に這わせ切断
【００４８】
方法１−１
【００４９】
ウエーハ基板１４を円の曲線部に這わせることで切断するもので、図８に示すように、テープ１６が付いたウエーハリング１５にマウントされたウエーハ基板１４を準備する。切断領域となるスクライブライン領域４と同一方向に円筒ローラー１７を図のように配置する。ウエーハ基板１４（固定）の裏面に、テープ１６を介して、円筒ローラー１７の曲面部を１００ＭＰａ程度の力で押し当てながら、ローラー１７を矢印方向に一定速度で移動させることにより、ウエーハ基板１４をローラー１７の曲面部に這わせ、ウエーハ基板１４を切断する。
【００５０】
また、逆に、ローラー１７を固定し、上方から１００ＭＰａ程度の力をウエーハ基板１４に印加しながら、ウエーハ基板１４を、ローラー１７の曲面部に這わせながら一定速度で移動させても、ウエーハ基板１４を切断できる。
【００５１】
図９に示すように、ウエーハ基板１４を上方から曲面部材１７の曲面部に向けて押圧しながら、または、曲面部材１７の曲面部をウエーハ基板１４に押し当てながら、ウエーハ基板１４をローラー１７の曲面部に這わせることで、ウエーハ基板１４が曲げられ、切断強度の弱い切断領域１１で切断されることになる。Ｘ、Ｙ方向に対し２度行うのみで、Ｘ、Ｙ方向に形成されたスクライブラインを切断することができ、ＩＣチップに容易に分割することができる。
【００５２】
方法１−２
【００５３】
ウエーハ基板１４を半球１８の曲面部に這わせることで切断するもので、図１０に示すように、テープ１６が付いたウエーハリング１５にマウントされたウエーハ基板１４を準備する。固定された半球１８を準備する。ウエーハ基板１４をテープ１６を介して上方から半球１８（固定）の曲面部に向けて１００ＭＰａ程度の力で押圧しながら、ウエーハ基板１４を矢印方向に一定速度で移動させ、ウエーハ基板１４を半球１８の曲面部を這わせることで、ウエーハ基板１４を切断強度の弱いスクライブライン領域４で切断する。
【００５４】
また、逆に、ウエーハ基板１４を固定しておき、一定速度で移動する半球１８の曲面部をウエーハ基板１４に１００ＭＰａ程度の力で押し当てながら、ウエーハ基板１４を半球１８の曲面部に這わせても、ウエーハ基板１４を切断できる。
【００５５】
このように、ウエーハ基板１４を半球１８の曲面部に這わすことで、Ｘ、Ｙ方向に形成されたスクライブライン領域４を一度に切断することができ、ＩＣチップに容易に分割することができる。
【００５６】
これらの方法では、ウエーハ基板１４を切断するにあたり、ウエーハ基板１４に１００ＭＰａ程度の力を印加する必要があり、方法１−１、１−２で記述したウエーハ基板１４を曲面(曲線)部に這わす際には、ウエーハ基板１４に１００ＭＰａ程度の力が印加できるようローラー１７や半球１８の押し当てを調整する。また、ウエーハ基板１４の厚みが１００μｍと厚い場合は曲面(曲線)部の曲率を小さくし、厚みが５０μｍまたは３０μｍと薄い場合は曲面(曲線)部の曲率を大きくするといったように、ウエーハ基板１４の厚みに応じて曲率を変えることで効率良く切断ができる。
【００５７】
（切断方法２）  加圧による切断
【００５８】
ウエーハ基板１４に加圧することで切断するもので、図７に示すようにテープ１６が付
いたウエーハリング１５にマウントされたウエーハ基板１４を、図１１に示すように、切断領域１１を挟む支持台２０上に設置した後、ウエーハ基板１４に、１００ＭＰａ程度の力の空気圧、水圧、押圧１９を、切断領域１１となるスクライブライン領域上に矢印方向に印加し、切断強度の弱い切断領域１１で切断する。その際、隣接するスクライブライン上には加圧しないようにする。それをＸ、Ｙ方向に対し複数回繰り返すことで、ＩＣチップに分割することができる。また、全ての切断領域１１を挟む支持台上にウエーハ基板１４を設置した後、ウエーハ基板全面を均一に１００ＭＰａ程度の力で加圧をすることで、一度にウエーハ基板１４上の全てのＩＣをチップに切断することができる。
【００５９】
（切断方法３）  減圧による切断
【００６０】
ウエーハ基板１４を減圧下に曝すことで切断するもので、図７に示すように、テープ１６が付いたウエーハリング１５にマウントされたウエーハ基板１４を、図１２に示すように、切断領域１１を挟む支持台２２上にウエーハ基板１４を密着させ、切断領域１１となるスクライブライン領域を、矢印方向に１００ＭＰａ程度の力で吸引２１（減圧）することで、切断強度の弱い切断領域１１で切断する。その際、隣接するスクライブライン領域は減圧しないようにする。それをＸ、Ｙ方向に対し複数回繰り返すことでＩＣチップに分割することができる。また、全ての切断領域１１を挟む支持台上にウエーハ基板１４を密着させ、ウエーハ基板全面を、均一に１００ＭＰａ程度の力で減圧をすることで、一度にウエーハ基板１４上の全てのＩＣをチップに切断することができる。
【００６１】
（切断方法４）  へき開による切断
【００６２】
ウエーハ基板１４をへき開にて切断するもので、切断領域となるスクライブラインに１００ＭＰａ程度の力を印加することで、切断強度の弱い切断領域１１で切断され、ウエーハ基板が、シリコンの場合では、切断面が｛１,１,０｝または｛１,０,０｝にへき開される。それをＸ、Ｙ方向に対し複数回繰り返すことで、ＩＣチップに分割することができる。
【００６３】
（切断方法５）  引っ張りによる切断
【００６４】
ウエーハ基板１４を引っ張りにより切断するもので、図７に示すように、テープ１６が付いたウエーハリング１５にマウントされたウエーハ基板１４を、図１３に示すように、切断領域１１を挟む支持台２４、２５上に、上記半導体装置を密着させ、支持台２４を固定したまま、引っ張り２３により支持台２５を矢印方向に１００ＭＰａ程度の力で移動させることで、ウエーハ基板１４での切断強度の弱い切断領域１１で切断する。それをＸ、Ｙ方向に対し複数回繰り返すことで、ＩＣチップに分割することができる。
【００６５】
上記切断法１〜５によってＩＣチップに切断したのち、各チップを突き上げピン等によりテープ１６から剥がし、ＩＣチップを基板等に貼り付け、ワイヤーを張り、樹脂で固めることで、電化製品等に組み込まれるＩＣチップが完成する。
【００６６】
今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
この発明は、素子の大容量化に対応すべく、ＩＣチップの積層化や、ＩＣカード等で、ＩＣチップ厚みの極薄化が要求されるデバイスに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】従来技術にかかる半導体装置の断面図である。
【図２】本発明にかかる半導体装置の断面図である。
【図３】本発明にかかる他の半導体装置の断面図である。
【図４】本発明にかかるさらに他の半導体装置の断面図である。
【図５】ＩＣチップに分割する処理フローを示す図である。
【図６】本発明にかかる半導体装置の断面図である。
【図７】ウエーハ基板をウエーハリングへマウントしたときの概略図である。
【図８】本発明による、ＩＣが形成されたウエーハ基板を、円筒の曲率に這わすことでウエーハ基板からＩＣチップを切断する方法の概略図である。
【図９】本発明による、ＩＣが形成されたウエーハ基板を円筒の曲率に這わすことで、ウエーハ基板からＩＣチップを切断する方法を、半導体装置の断面で示した図である。
【図１０】本発明による、ＩＣが形成されたウエーハ基板を球の曲率に這わすことでウエーハ基板からＩＣチップを切断する方法の概略図である。
【図１１】本発明による、ＩＣが形成されたウエーハ基板を加圧することで、ウエーハ基板からＩＣチップを切断する方法を、半導体装置の断面で示した図である。
【図１２】本発明による、ＩＣが形成されたウエーハ基板を吸引することで、ウエーハ基板からＩＣチップを切断する方法を、半導体装置の断面で示した図である。
【図１３】本発明による、ＩＣが形成されたウエーハ基板を引っ張ることで、ウエーハ基板からＩＣチップを切断する方法を、半導体装置の断面で示した図である。
【図１４】従来技術における、ＩＣが形成されたウエーハ基板からダイサーによりＩＣチップを切断する方法の概略図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  ウエーハ基板
２  ＩＣ形成領域
３  ＩＣ部
４  スクライブライン部
５  ソース・ドレイン
６  素子分離領域
７  ゲート電極
８  層間絶縁膜
９  金属配線
１０  パッシベーション膜
１１  切断領域
１２，１４  ウエーハ基板
１３  ブレード
１５  ウエーハリング
１６  テープ
１７  ローラー
１８  半球
１９  空気圧、水圧、押圧
２０  支持台
２１  吸引
２２  支持台
２３  引っ張り
２４、２５  支持台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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