(57)【要約】  【課題】半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。  【解決手段】半導体基板１に貫通孔２を形成し（図１（ａ））、続いて、絶縁層３を形成する（図１（ｂ））。半導体基板１の上記一表面側に第１の金属層４ａを形成し（図１（ｃ））、第１の金属層４ａをシード層として電解メッキ法により第１の金属部５ａを半導体基板１の厚み方向の途中まで析出させる（図１（ｄ），（ｅ））。絶縁層３の露出している部位の表面と貫通孔２の内側における第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層４ｂを形成し（図１（ｆ））、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により第２の金属部５ｂを析出させる（図１（ｇ））。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板への貫通配線の形成方法であって、半導体基板に厚み方向に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、半導体基板の一表面および他表面および貫通孔の内周面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、半導体基板の前記一表面側に第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、第１の金属層をシード層として電解メッキ法により貫通孔の内側を埋め込む貫通配線材料からなる第１の金属部を半導体基板の厚み方向の途中まで析出させる第１の電解メッキ工程と、第１の電解メッキ工程の後で絶縁層のうち半導体基板の他表面側および貫通孔の内側で露出している部位の表面と貫通孔の内側で露出している第１の金属部の表面とに跨って第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、第２の金属層をシード層として電解メッキ法により貫通孔の内側の充足されていない空間を埋め込むように貫通配線材料からなる第２の金属部を析出させる第２の電解メッキ工程とを備えることを特徴とする半導体基板への貫通配線の形成方法。
【請求項２】
前記第２の金属層形成工程では、前記第２の金属層をＣＶＤ法により成膜することを特徴とする請求項１記載の半導体基板への貫通配線の形成方法。
【請求項３】
前記第２の金属層形成工程では、前記絶縁層のうち前記半導体基板の前記他表面に形成された部位の表面に前記第２の金属層の一部を構成する第１金属膜をスパッタ法によって成膜した後で、第１金属膜とともに前記第２の金属層を構成する第２金属膜をＣＶＤ法によって成膜することを特徴とする請求項１記載の半導体基板への貫通配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板への貫通配線の形成方法に関し、例えば、ウェハレベルパッケージングなどで用いられる貫通配線の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体基板への貫通配線の形成方法が各所で研究開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、上述の半導体基板への貫通配線の形成方法について図３に基づいて説明するが、図３（ａ）〜（ｃ）における半導体基板１はダイシング工程により個々のチップに分離する前のウェハである。
【０００４】
まず、半導体基板１の一表面（図３（ａ）の上面）における貫通孔形成予定部位にエッチング加工などによって凹部１ａを形成してから、ＣＶＤ法や熱酸化法などによって半導体基板１の上記一表面および凹部１ａの内面に絶縁層３ａを形成するとともに半導体基板１の他表面（図３（ａ）の下面）に絶縁層３ｂを形成することにより、図３（ａ）に示す構造を得る。
【０００５】
その後、半導体基板１の上記一表面および凹部１ａの内面に形成されている絶縁層３ａに金属材料（例えば、銅、ニッケルなど）からなる金属層（金属薄膜）４をＣＶＤ法やスパッタ法などによって積層してから、当該金属層４をシード層として電解メッキ法などによって貫通配線材料（例えば、銅、ニッケルなどの金属材料）からなる金属部５を析出（堆積）させることにより、図３（ｂ）に示す構造を得る。
【０００６】
次に、半導体基板１の上記他表面側を化学的機械的研磨（Chemical  Mechanical  Polishing：ＣＭＰ）技術などによって研磨して金属層４を露出させるとともに貫通孔２’を完成させ、続いて、金属部５および金属層４のうち半導体基板１の上記一表面側における不要部分を除去することによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。ここに、図３（ｃ）では、金属部５のうち貫通孔２’に埋め込まれている部分と金属層４のうち貫通孔２’に埋め込まれている部分とで貫通配線６を構成している。
【０００７】
ところで、上述の電解メッキ法により金属部５を析出させる工程においては、図４（ａ）に示すように半導体基板１の上記一表面および凹部１ａの内面の全体に亘って形成されている絶縁層３ａに積層された金属層４をシード層として利用しているので、金属部５は図４（ｂ）に示すように均一に成長するコンフォーマル成長により析出することとなる。
【０００８】
しかしながら、上述のコンフォーマル成長により金属部５を析出させる方法では、凹部１ａのアスペクト比が高くなるにつれて凹部１ａの内側にボイド（空洞）が形成されてしまう（言い換えれば、凹部１ａの内側を隙間なく埋め込むことができない）という問題が起こりやすかった。また、上述のコンフォーマル成長により金属部５を析出させる方法では、凹部１ａが半導体基板１の上記一表面側において上記一表面に近づくにつれて開口面積が徐々に小さくなる形状に形成されている場合に、金属部５の成長途中で凹部１ａの内側が完全に埋め込まれないうちに半導体基板１の一表面側において凹部１ａの開口面が金属部５によって塞がれてしまって凹部１ａの内側にボイドが形成されてしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、ボイドの発生が起こりにくい貫通配線の形成方法として、半導体基板の厚み方向に沿って貫通配線材料からなる金属部が成長するボトムアップ成長により金属部を析出させる方法が提案されている。
【００１０】
以下、ボトムアップ成長により金属部を析出させる方法を採用した貫通配線の形成方法の一例について図５に基づいて説明する。
【００１１】
まず、図５（ａ）の上側に示すようにエッチング加工などによって貫通孔２を形成した半導体基板１と、図５（ａ）の下側に示すように金属材料などからなる導電層１４が一表面上に形成された基板１５とを用意し、半導体基板１と基板１５とを導電層１４を介在させた形で接合あるいは貼り合わせることにより、図５（ｂ）に示す構造を得る。
【００１２】
その後、導電層１４をシード層として電解メッキ法により貫通配線材料からなる金属部５を析出させることにより、図５（ｃ）に示す構造を得る。ここにおいて、金属部５は導電層１４の表面から半導体基板１の厚み方向に沿って成長するボトムアップ成長により形成されることとなるので、貫通孔２の内側にボイドが発生しにくくなる。
【００１３】
さらにその後、上述の導電層１４が一表面側に形成されている基板１５を半導体基板１から剥離することにより、図５（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、金属部５のうち貫通孔２の内側に形成されている部分が貫通配線となる。その後は、例えば、半導体基板１の裏面（図５（ｄ）における下面）に電極層用の導体層を形成し、当該導体層の不要部分を除去すればよい。
【００１４】
次に、ボトムアップ成長により金属部を析出させる方法を採用した貫通配線の形成方法の他の例について図６に基づいて説明する。
【００１５】
まず、半導体基板１にエッチング加工などによって厚み方向に貫通する貫通孔２を形成することにより、図６（ａ）に示す構造を得る。その後、ＣＶＤ法や熱酸化法などによって半導体基板１の一表面（図６（ａ）における上面）および他表面（図６（ａ）における下面）および貫通孔２の内周面に絶縁層３を形成することにより、図６（ｂ）に示す構造を得る。
【００１６】
続いて、半導体基板１の上記他表面側に金属材料（例えば、銅、ニッケルなど）からなる金属層４をスパッタ法などによって形成することにより、図６（ｃ）に示す構造を得る。続いて、金属層４をシード層として電解メッキ法によって、貫通孔２の内側が埋め込まれるように貫通配線材料からなる金属部５を析出させることにより、図６（ｅ）に示す構造を得る。ここにおいて、金属部５は、図６（ｄ）に示すように半導体基板１の上記他表面側に析出して半導体基板１の上記他表面側において貫通孔２の開口面を塞ぐように成長した部分５０ａと、引き続いて、ボトムアップ成長により半導体基板１の厚み方向に沿って成長した部分５０ｂ（図６（ｅ）参照）とで構成されている。金属部５を形成した後は、金属部５や金属層４の不要部分の除去や平坦化を目的としたＣＭＰを行うことによって、金属部５のうち貫通孔２の内側に形成されている部分からなる貫通配線が完成する。その後は、例えば、半導体基板１の上記一表面側および上記他表面側それぞれに電極層用の導体層を形成し、各導体層の不要部分を除去すればよい。
【特許文献１】特開２００３−３２８１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
ところで、上述の図５や図６のようにボトムアップ成長により金属部５を析出させる方法を採用した貫通配線の形成方法では、コンフォーマル成長による埋め込みが困難な貫通孔（高アスペクト比の微細孔）２への埋め込み性が改善される。しかしながら、ボトムアップ成長により形成された貫通配線では、コンフォーマル成長により成長された金属部５と当該金属部５の析出時のシード層たる金属層４とで構成される貫通配線６に比較して、貫通配線の下地である絶縁層３との密着性が低いので、金属部５の不要部分の除去や平坦化を目的としたＣＭＰを行った場合に、金属部５のうち貫通孔２の内側に形成されている部分の一部が剥離してチップ歩留まりが低下してしまう可能性があった。また、ボトムアップ成長により形成された貫通配線では、絶縁層３のうち貫通孔２の内周面に形成されている部位と金属部５との間に空隙が生じる可能性もあり、パッケージング時に上記空隙に起因して気密性が損なわれてしまう可能性があった。
【００１８】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体基板に貫設される貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
請求項１の発明は、半導体基板への貫通配線の形成方法であって、半導体基板に厚み方向に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、半導体基板の一表面および他表面および貫通孔の内周面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、半導体基板の前記一表面側に第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、第１の金属層をシード層として電解メッキ法により貫通孔の内側を埋め込む貫通配線材料からなる第１の金属部を半導体基板の厚み方向の途中まで析出させる第１の電解メッキ工程と、第１の電解メッキ工程の後で絶縁層のうち半導体基板の他表面側および貫通孔の内側で露出している部位の表面と貫通孔の内側で露出している第１の金属部の表面とに跨って第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、第２の金属層をシード層として電解メッキ法により貫通孔の内側の充足されていない空間を埋め込むように貫通配線材料からなる第２の金属部を析出させる第２の電解メッキ工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、第１の電解メッキ工程では貫通配線材料からなる第１の金属部のうち貫通孔の内側に形成される部分がボトムアップ成長により析出し、第２の電解メッキ工程では貫通配線材料からなる第２の金属部がコンフォーマル成長により析出するので、ボトムアップ成長により半導体基板の厚み方向の全長に亘って金属部を析出させる場合に比べて絶縁層のうち貫通孔の内側に形成されている部位と貫通配線との密着性を向上させることができ、しかも、コンフォーマル成長により第２の金属部を析出させる凹部のアスペクト比が従来のコンフォーマル成長のみにより貫通配線を形成する場合の凹部のアスペクト比よりも小さくなるので、コンフォーマル成長時にボイドが発生しにくくなり、半導体基板に貫設される貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能になる。
【００２１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記第２の金属層形成工程では、前記第２の金属層をＣＶＤ法により成膜することを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、前記第２の金属層をスパッタ法によって成膜する場合に比べて、前記貫通孔の内側での前記第２の金属層の被覆性および膜厚の均一性を向上させることができ、結果的に、貫通配線の埋め込み性を向上させることができる。
【００２３】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記第２の金属層形成工程では、前記絶縁層のうち前記半導体基板の前記他表面に形成された部位の表面に前記第２の金属層の一部を構成する第１金属膜をスパッタ法によって成膜した後で、第１金属膜とともに前記第２の金属層を構成する第２金属膜をＣＶＤ法によって成膜することを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、請求項２の発明に比べて、前記第２の金属層と前記絶縁層との密着性を向上させることができるとともに、前記第２の金属層のうち前記貫通孔の内側に形成される部位の膜厚および膜質の均一性を高めることができ、結果的に、前記第２の電解メッキ工程での埋め込み性が改善されるとともに前記貫通配線と前記絶縁層との密着性が向上する。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１の発明では、半導体基板に貫設される貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能になるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（実施形態１）
以下、本実施形態における半導体基板への貫通配線の形成方法について図１に基づいて説明するが、図１（ａ）〜（ｈ）における半導体基板１はダイシング工程を行う前のウェハである。また、本実施形態では、半導体基板１としてシリコン基板を用いる場合について例示する。
【００２７】
まず、半導体基板１における貫通孔形成予定部位を反応性イオンエッチング装置や誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置などを利用してドライエッチングすることで半導体基板１に半導体基板１の厚み方向に貫通する円形状の貫通孔２を形成する貫通孔形成工程を行うことにより、図１（ａ）に示す構造を得る。なお、貫通孔形成工程では、当該ドライエッチング前に貫通孔形成予定部位に対応する開孔窓を有するエッチングマスク層を形成することは勿論であり、図１（ａ）は当該ドライエッチング後にエッチングマスク層を除去した状態を示している。
【００２８】
貫通孔形成工程の後、熱酸化法やＣＶＤ法などによって半導体基板１の上記一表面および上記他表面および貫通孔２の内周面にシリコン酸化膜からなる絶縁層３を形成する絶縁層形成工程を行うことにより、図１（ｂ）に示す構造を得る。
【００２９】
続いて、半導体基板１の上記一表面側に金属材料（例えば、銅、ニッケルなど）よりなる第１の金属層４ａを形成する第１の金属層形成工程を行うことにより、図１（ｃ）に示す構造を得る。ここで、第１の金属層４ａは、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法などによって成膜すればよい。
【００３０】
第１の金属層形成工程の後、第１の金属層４ａをシード層として電解メッキ法により貫通孔２の内側を埋め込む貫通配線材料（例えば、銅、ニッケルなど）からなる第１の金属部５ａを半導体基板１の厚み方向の途中（例えば、半導体基板１の厚みの半分程度、言い換えれば、貫通孔２の全長の半分程度）まで析出させる第１の電解メッキ工程を行うことにより、図１（ｅ）に示す構造を得る。ここで、第１の電解メッキ工程において形成される第１の金属部５ａは、図１（ｄ）に示すように半導体基板１の上記一表面側に析出して半導体基板１の上記一表面側において貫通孔２の開口面を塞ぐように成長してから、引き続いて、半導体基板１の厚み方向に沿って図１（ｄ）における下方向へボトムアップ成長することにより形成されている。
【００３１】
上述の第１の電解メッキ工程の後、絶縁層３のうち半導体基板１の上記他表面側および貫通孔２の内側で露出している部位の表面と貫通孔２の内側で露出している第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層（例えば、銅、ニッケルなど）を形成する第２の金属層形成工程を行うことにより、図１（ｆ）に示す構造を得る。ここで、第２の金属層４ｂは、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法などによって成膜すればよいが、第２の金属層４ｂをＣＶＤ法により成膜するようにすれば、第２の金属層４ｂをスパッタ法によって成膜する場合に比べて、貫通孔２の内側での第２の金属層４ｂの被覆性および膜厚の均一性を向上させることができ、結果的に、後述の貫通配線６（図１（ｈ））の埋め込み性を向上させることができる。なお、第２の金属層４ｂをＣＶＤ法によって成膜する場合には、半導体基板１の上記一表面側からのプラズマ処理によって第１の金属部５ａのうち貫通孔２の内側で露出している表面を活性化した後で、ＣＶＤ法によって第２の金属層４ｂを成膜することが望ましい。
【００３２】
そして、上述の第２の金属層形成工程の後、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により貫通孔２の内側の充足されていない空間を埋め込むように貫通配線材料（例えば、銅、ニッケルなど）からなる第２の金属部５ｂを析出させる第２の電解メッキ工程を行うことにより、図１（ｇ）に示す構造を得る。ここで、第２の電解メッキ工程において第２の金属層４ｂをシード層として第２の金属部５ｂをを析出させる際には、第２の金属部５ｂは第２の金属層４ｂの表面の全面から一様に成長するコンフォーマル成長で析出する。
【００３３】
上述の第２の電解メッキ工程の後、半導体基板１の上記一表面側および上記他表面側それぞれの不要部分をＣＭＰによって除去する研磨工程を行うことにより、図１（ｈ）に示す構造を得る。ここにおいて、研磨工程では、半導体基板１の上記一表面側および上記他表面側それぞれにおいて絶縁層３が露出するまでＣＭＰを行うことにより各金属部５ａ，５ｂおよび各金属層４ａ，４ｂそれぞれの不要部分を除去しており、各金属部５ａ，５ｂの残りの部分と第２の金属層４ｂの残りの部分とで貫通配線６を構成している。
【００３４】
なお、研磨工程の後は、例えば、半導体基板１の上記一表面側で貫通配線６に電気的に接続されるパッドを形成したり、半導体基板１の上記他表面側で貫通配線６に電気的に接続されるパッドを形成したりすればよい。
【００３５】
以上説明した半導体基板１への貫通配線６の形成方法によれば、第１の電解メッキ工程では第１の金属部５ａのうち貫通孔２の内側に形成される部分がボトムアップ成長により析出し、第２の電解メッキ工程では第２の金属部５ｂがコンフォーマル成長により析出するので、図５や図６の従来例のようにボトムアップ成長により半導体基板１の厚み方向の全長に亘って金属部５を析出させる場合に比べて絶縁層３のうち貫通孔２の内側に形成されている部位と貫通配線６との密着性を向上させることができる。しかも、コンフォーマル成長により第２の金属部５ｂを析出させる凹部１ｂ（図１（ｆ）参照）のアスペクト比が図３の従来例のようにコンフォーマル成長のみにより貫通配線を形成する場合の凹部１ａのアスペクト比よりも小さくなるので、コンフォーマル成長時にボイドが発生しにくくなる。
【００３６】
しかして、本実施形態の半導体基板１への貫通配線６の形成方法によれば、半導体基板１に貫設される貫通孔２の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔２の内周面に形成された絶縁層３との密着性が良好な貫通配線６を形成可能になる。なお、本実施形態では、図５や図６の従来例のボトムアップ成長のみにより金属部５を成長させる方法に比べて、第１の金属部５ａの成長時間と第２の金属部５ｂの成長時間とを合わせた成長時間を短くすることが可能となる。
【００３７】
（実施形態２）
以下、本実施形態における半導体基板への貫通配線の形成方法について図２に基づいて説明するが、基本的には実施形態１と略同じなので、実施形態１と同様の工程については説明を適宜省略する。
【００３８】
まず、半導体基板１に半導体基板１の厚み方向に貫通する円形状の貫通孔２を形成する貫通孔形成工程を行うことにより、図２（ａ）に示す構造を得てから、熱酸化法やＣＶＤ法などによって半導体基板１の一表面（図２（ａ）における上面）および他表面（図２（ａ）における下面）および貫通孔２の内周面にシリコン酸化膜からなる絶縁層３を形成する絶縁層形成工程を行うことにより、図２（ｂ）に示す構造を得る。
【００３９】
続いて、半導体基板１の一表面側に金属材料（例えば、銅、ニッケルなど）よりなる第１の金属層４ａを形成する第１の金属層形成工程を行うことにより、図２（ｃ）に示す構造を得て、その後、第１の金属層４ａをシード層として電解メッキ法により貫通孔２の内側を埋め込む貫通配線材料（例えば、銅、ニッケルなど）からなる第１の金属部５ａを半導体基板１の厚み方向の途中まで析出させる第１の電解メッキ工程を行うことにより、図２（ｅ）に示す構造を得る。ここで、第１の電解メッキ工程において形成される第１の金属部５ａは、図２（ｄ）に示すように半導体基板１の上記一表面側に析出して半導体基板１の上記一表面側において貫通孔２の開口面を塞ぐように成長してから、引き続いて、半導体基板１の厚み方向に沿って図２（ｄ）における下方向へボトムアップ成長することにより形成されている。
【００４０】
上述の第１の電解メッキ工程の後、絶縁層３のうち半導体基板１の上記他表面側および貫通孔２の内側で露出している部位の表面と貫通孔２の内側で露出している第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層（例えば、銅、ニッケルなど）４ｂを形成する第２の金属層形成工程を行うことにより、図２（ｇ）に示す構造を得る。ここで、本実施形態における第２の金属層形成工程では、絶縁層３のうち半導体基板１の上記他表面に形成された部位の表面に第２の金属層４ｂの一部を構成する第１金属膜４ｂ１をスパッタ法によって成膜した後で、第１金属膜４ｂ１の表面および貫通孔２の内側で露出している第１の金属部５ａの表面をプラズマ処理により活性化してから、第１金属膜４ｂ１とともに第２の金属層４を構成する第２金属膜４ｂ２をＣＶＤ法によって成膜するようにしている。
【００４１】
第２の金属層形成工程の後、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により貫通孔２の内側の充足されていない空間を埋め込むように貫通配線材料（例えば、銅、ニッケルなど）からなる第２の金属部５ｂを析出させる第２の電解メッキ工程を行うことにより、図２（ｈ）に示す構造を得る。ここで、第２の電解メッキ工程において第２の金属層４ｂをシード層として第２の金属部５ｂをを析出させる際には、第２の金属部５ｂは第２の金属層４ｂの表面の全面から一様に成長するコンフォーマル成長で析出する。
【００４２】
上述の第２の電解メッキ工程の後は、実施形態１と同様に、半導体基板１の上記一表面側および上記他表面側それぞれの不要部分をＣＭＰによって除去する研磨工程を行い（なお、実施形態１と同様、各金属部５ａ，５ｂの残りの部分と第２の金属層４ｂの残りの部分とが貫通配線６となる）、研磨工程の後は、例えば、半導体基板１の上記一表面側で貫通配線６に電気的に接続されるパッドを形成したり、半導体基板１の上記他表面側で貫通配線６に電気的に接続されるパッドを形成したりすればよい。
【００４３】
しかして、本実施形態の半導体基板１への貫通配線６の形成方法によれば、実施形態１と同様に、半導体基板１に貫設される貫通孔２の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔２の内周面に形成された絶縁層３との密着性が良好な貫通配線６を形成可能になる。また、本実施形態では、第２の金属層形成工程において、上述のように、絶縁層３のうち半導体基板１の上記他表面に形成された部位の表面に第２の金属層４ｂの一部を構成する第１金属膜４ｂ１をスパッタ法によって成膜した後で、第１金属膜４ｂ１とともに第２の金属層４ｂを構成する第２金属膜４ｂ２をＣＶＤ法によって成膜するようにしているので、実施形態１に比べて、第２の金属層４ｂと絶縁層３との密着性を向上させることができるとともに、第２の金属層４ｂのうち貫通孔２の内側に形成される部位の膜厚および膜質の均一性を高めることができ、結果的に、第２の電解メッキ工程での埋め込み性が改善されるとともに貫通配線６と絶縁層３との密着性が向上する。
【００４４】
なお、上記各実施形態では、半導体基板１としてシリコン基板を採用しているが、半導体基板１はシリコン基板に限らず、例えば、ガリウム砒素基板、インジウム燐基板などを採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施形態１における半導体基板への貫通配線の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図２】実施形態２における半導体基板への貫通配線の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図３】従来例における半導体基板への貫通配線の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】同上における半導体基板への貫通配線の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図５】他の従来例における半導体基板への貫通配線の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図６】別の従来例における半導体基板への貫通配線の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体基板
２  貫通孔
３  絶縁層
４ａ  第１の金属層
４ｂ  第２の金属層
５ａ  第１の金属部
５ｂ  第２の金属部
６  貫通配線
【図１】
2007005404.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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