(57)【要約】【課題】有機分子による保護膜に覆われた例えば直径がナノスケールの金属微粒子を用いることで、大規模な高真空蒸着装置などを用いずに、ナノスケールの厚みをもつ薄い電極を、導電性を高めて形成することができる。【解決手段】基体１１上に、導体もしくは半導体からなる微粒子とこの微粒子と結合した有機半導体分子とによって形成された導電路２４と、この導電路２４に接続する電極１７とを有する半導体装置の製造方法であって、前記電極１７を形成する工程は、前記基体１１上に電極１７を形成する領域上を開口したマスク層１２を形成する工程と、前記マスク層１２の開口部内の前記基体１１表面に金属微粒子１５を配置させて金属粒子層１６を形成する工程と、前記金属微粒子層１６を溶解して金属層（電極）１７を形成する工程とからなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、導体もしくは半導体からなる微粒子とこの微粒子と結合した有機半導体分子とによって形成された導電路と、この導電路に接続する電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記電極を形成する工程は、
前記基体上に電極を形成する領域上を開口したマスク層を形成する工程と、
前記マスク層の開口部内の前記基体表面に金属微粒子を配置させて金属粒子層を形成する工程と、
前記金属微粒子層を溶解して金属層を形成する工程と
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属微粒子層を形成する前に、前記開口部内の基体上に密着層を形成する工程
を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記密着層を形成する工程は、
前記基体上に電極を形成する領域上を開口したマスク層を形成する工程の後、
前記マスク層の開口部内の前記基体表面に密着層を形成する金属微粒子を配置させる工程と、
前記金属微粒子層を溶解して密着層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属微粒子層を形成する工程と、
前記金属微粒子層を溶解して金属層を形成する工程と
を繰り返し行う
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極は、トランジスタのソース電極およびドレイン電極である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基体上に、導体もしくは半導体からなる微粒子とこの微粒子と結合した有機半導体分子とによって形成された導電路と、この導電路に接続する電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記電極を形成する工程は、
前記基体上に有機分子による保護膜に覆われた金属微粒子が分散しているペースト材料を電極形成領域上にパターニングする工程と、
前記有機分子を脱離させることで金属微粒子を融合させて前記電極を形成する工程と
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属微粒子層を形成する前に、前記開口部内の基体上に密着層を形成する工程
を備えたことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記密着層を形成する工程は、
前記基体上に有機分子による保護膜に覆われた密着層を形成する金属微粒子が分散しているペースト材料を電極形成領域上にパターニングする工程と、
前記有機分子を脱離させることで密着層を形成する金属微粒子を融合させて密着層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記基体上に有機分子による保護膜に覆われた金属微粒子が分散しているペースト材料を電極形成領域上にパターニングする工程と、
前記有機分子を脱離させることで金属微粒子を融合させて前記電極を形成する工程と
を繰り返し行う
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極は、トランジスタのソース電極およびドレイン電極である
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の用いるナノスケールの厚みをもつ薄い電極を作製することが容易な半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、次世代半導体装置として基本構成単位がナノスケールサイズの物質や分子を用いたものの研究・開発が盛んに行われている。その主たる動機の一つは、ナノスケールサイズの物質の利用により、近い将来に遭遇するであろう半導体装置の縮小化の限界を回避することである。加えて、現在の半導体装置より安価なものを作製するために、高真空蒸着装置などの大規模な製造装置を必要としない簡便な方法も模索されている。
【０００３】
例えば、poly（hexylthiophene）（Ｐ３ＨＴ）の塗布や、ペンタセン（pentacene）前駆体クロロフォルム溶液の塗布によって半導体層を形成した電界効果トランジスタなどがその好例である。また、微粒子分散溶液の基板への浸漬法やキャスト法、微粒子からなるラングミュア（Langmuir）膜の基板への転写による方法などで微粒子を有機分子によってネットワーク化した導電層を有するトランジスタを容易な方法で作製し、その有望性が見出されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００４】
しかし、大規模な製造装置が全く必要ないかと言えば、実際はそうではないことが多く、特に電極部の作製には、従来どおりの真空蒸着装置が用いられているのが現状であり、コストが高くなる要因になっている。さらに電極部形成の問題として、微粒子からなる単層膜を基板に形成する際に、予め作製されている厚みが５０ｎｍ程度の電極と単層膜の接触部において断切れが生じ、厚みをそれ以上に抑えた電極を大規模な装置を用いることなく作製する必要性も出てきている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−０８８０９０号公報
【特許文献２】国際公開番号ＷＯ  ２００４／００６３７７  Ａ１  パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
解決しようとする問題点は、従来の真空蒸着法等の製造方法で形成された電極の厚さは厚く、電極部上に微粒子からなる単層膜を形成した際に電極と単層膜の接触部において断切れが生じることである。
【０００７】
本発明は、高真空蒸着装置のような大規模製造装置を用いることなく、断切れが生じることなく微粒子からなる単層膜を電極上に形成することが可能な厚さの薄い電極の形成を可能にすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、導体もしくは半導体からなる微粒子とこの微粒子と結合した有機半導体分子とによって形成された導電路と、この導電路に接続する電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記電極を形成する工程は、前記基体上に電極を形成する領域上を開口したマスク層を形成する工程と、前記マスク層の開口部内の前記基体表面に金属微粒子を配置させて金属粒子層を形成する工程と、前記金属微粒子層を溶解して金属層を形成する工程とからなることを特徴とする。
【０００９】
この半導体装置の製造方法では、マスク層の開口部内の基体表面に金属微粒子を配置させて金属粒子層を形成する工程と、金属微粒子層を溶解して金属層を形成する工程とからなることから、例えばｎｍオーダーの膜厚の電極が形成される。これによって、電極上に微粒子からなる単層膜を形成した場合、断切れを生じることなく形成されるようになる。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、基体上に、導体もしくは半導体からなる微粒子とこの微粒子と結合した有機半導体分子とによって形成された導電路と、この導電路に接続する電極とを有する半導体装置の製造方法であって、前記電極を形成する工程は、前記基体上に有機分子による保護膜に覆われた金属微粒子が分散しているペースト材料を電極形成領域上にパターニングする工程と、前記有機分子を脱離させることで金属微粒子を融合させて前記電極を形成する工程とからなることを特徴とする。
【００１１】
この半導体装置の製造方法では、有機分子による保護膜に覆われた金属微粒子が分散しているペースト材料を電極形成領域上にパターニングする工程と、有機分子を脱離させることで金属微粒子を融合させて電極を形成する工程とからなることから、例えばｎｍオーダーの膜厚の電極が形成される。これによって、電極上に微粒子からなる単層膜を形成した場合、断切れを生じることなく形成されるようになる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、有機分子による保護膜に覆われた例えば直径がナノスケールの金属微粒子を用いることで、大規模な高真空蒸着装置などを用いずに、ナノスケールの厚みをもつ薄い電極を形成することができるという利点がある。これにより、電極上に断切れを発生させることなく単層膜を形成することができる。また、高温プロセスを用いていないので、熱による変形などが生じ易いプラスチック基体などに、基体を変形させることなく電極形成を行うことが可能になるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の第１例を、図１および図２の模式的に示した製造工程断面図によって説明する。
【００１４】
図１（１）に示すように、基体１１上にマスク層１２を形成する。上記基体１１は、例えばシリコン基板２１上に絶縁膜２２が形成されたものである。この絶縁膜２２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜で、例えば１５０ｎｍの厚さに形成されている。
【００１５】
上記マスク層１２は、例えば回転塗布法によりレジストを塗布して形成する。このレジストには、ポジ型レジストもしくはネガ型レジストのいずれを用いてもよい。ここでは、一例としてポジ型レジストを用いる。次いで、リソグラフィー技術によって、最終的に作製したい電極構造に適したマスク（図示せず）を用いてレジストに紫外線を照射し、現像液によって紫外線の当たった部分を除去して、電極を形成する領域上を開口したマスク層１２を形成する。
【００１６】
次に、図１（２）に示すように、下地の酸化シリコンからなる絶縁膜２２と後に形成される金属電極との密着性を高めるために、上記マスク層１２の開口部内の上記基体１１表面に、密着性を高めるための金属微粒子１３を配置させる。この金属微粒子１３の配置は、例えば、ニッケル微粒子（例えば直径約５ｎｍ）がトルエンなどの有機溶媒に分散している濃度１ｍＭ溶液を基板表面に塗布し、同様の有機溶媒で表面を数回濯ぎ、余分に基板表面上に配置したニッケル微粒子を取り除き、有機溶媒が十分蒸発するまで（１時間以上）自然乾燥させる。この様にして、密着層１４を形成する。また、上記密着性を高めるための金属微粒子１３には、ニッケル、クロム、チタン、銅、またはこれらの合金の微粒子を用いても良い。ここで金属微粒子１３は平均粒径をｒAVE、金属微粒子１３の粒径の標準偏差をσとしたとき、σ／ｒAVE≦０．５を満足することが好ましい。尚、ｒAVEの範囲として５．０×１０-10ｍ≦ｒAVE≦１．０×１０-6ｍ、好ましくは５．０×１０-10ｍ≦ｒAVE≦１．０×１０-8ｍであることが望ましい。
【００１７】
次に、図１（３）に示すように、上記マスク層１２を用いて、その開口部内の上記密着層１４表面に金属微粒子１５を配置させて金属粒子層１６を形成する。上記金属微粒子１５には、クロム、チタン、ニッケル、銅などの金属微粒子、もしくはこれらの金属微粒子の合金からなる微粒子を用いることができる。ここで金属微粒子１５は平均粒径をｒAVE、金属微粒子１５の粒径の標準偏差をσとしたとき、σ／ｒAVE≦０．５を満足することが好ましい。尚、ｒAVEの範囲として５．０×１０-10ｍ≦ｒAVE≦１．０×１０-6ｍ、好ましくは５．０×１０-10ｍ≦ｒAVE≦１．０×１０-8ｍであることが望ましい。
【００１８】
上記金属微粒子層１６の形成方法は、具体的には、水中に上記基体１１を沈め、水面にアミノ基を持つ分子が表面に多数結合した金属微粒子として、例えば金微粒子（例えば直径約５ｎｍ）からなるラングミュア（Langmuir）膜（金微粒子層）を形成し、基体１１に上記ラングミュア膜を転写する。そして、基体１１上の水分が十分蒸発するまで（例えば１時間以上）自然乾燥させる。その結果、上記マスク層１２の開口部内の上記密着層１４上に金属微粒子１５が配列され、金微粒子からなる金属微粒子層１６が形成される。上記金属微粒子は、金（Ａｕ）の他に、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等を用いることもできる。
【００１９】
上記金属微粒子層１６の形成方法は、上記したラングミュア（Langmuir）膜（単層膜）の転写（単層膜法）の他に、または金属微粒子が有機溶媒に分散した溶液の基板上への滴下（滴下法）、または金属微粒子が有機溶媒に分散した溶液中へ基板を浸漬させる（浸漬法）等で行うことができる。
【００２０】
次に、図２（４）に示すように、上記密着層１４および上記金属微粒子層１６を溶解して金属層からなる電極１７を形成する。この電極１７の形成は、例えば、基体１１をホットプレートで下面から温度１２０℃で３０分以上加熱し、ニッケル微粒子および金微粒子を溶解させることで、厚みが数ｎｍからなる金属電極となる。上記金属微粒子層１６の加熱および溶解は、例えば、電子線照射、レーザー光照射等のエネルギー線の照射により行うこともできる。
【００２１】
その後、レジストからなるマスク層１２を選択的に除去する。この除去方法としては、リムーバーによりレジストを除去する。この結果、図２（５）に示すように、意図した位置に、電極１７が形成される。さらに、上記電極１７上およびその間の絶縁膜２２上に、金属微粒子が有機分子によって架橋されてネットワークを構成した半導体分子層からなる導電路２４を形成する。この半導体分子層の形成方法は、例えば、微粒子の層を１層形成する。次いで、上記微粒子の層に有機半導体分子を接触させ、微粒子と有機半導体分子との結合体層を形成する。これによって、１層の結合体層が形成できる。そして、上記工程を繰り返し行うことで、所望の厚さに積層された結合体層からなる導電路２４が形成される。
【００２２】
上記導電路２４の具体的な製造方法は、例えば、本発明者らが発明した導電路を用いることができ、この導電路は、一例として、４，４’−ビフェニルジチオール等の有機半導体分子の両端にある官能基によって、金（Ａｕ）等の導体もしくは半導体からなる微粒子と上記有機半導体分子とを交互に結合させ、微粒子内の導電路と有機半導体分子内の導電路とが二次元または三次元的に連結されたネットワーク型の導電路を形成することにより形成される（特開２００４−８８０９０号公報参照）。
【００２３】
この半導体装置の製造方法では、マスク層１２の開口部内の基体１１表面に金属微粒子１５を配置させて金属粒子層１６を形成する工程と、金属微粒子層１６を溶解して金属層からなる電極１７を形成する工程とからなることから、例えばｎｍオーダーの膜厚の電極１７を形成することが可能になるので、電極１７上に断切れを生じせることなく微粒子からなる単層膜を形成することができる。
【００２４】
次に、前記第１例の製造方法を適用したトランジスタの製造方法を、図３および図４の模式的に示した製造工程断面図によって説明する。
【００２５】
図３（１）に示すように、基体１１上に電極を形成する領域上を開口したマスク層１２を形成する。上記基体１１は、例えば、樹脂基板、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板等の基板３１上にゲート電極３２を形成し、さらにゲート電極３２を被覆するゲート絶縁膜３３が形成されたものである。上記ゲート電極３２は、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、導電性高分子等の導電性物質もしくはこれらの導電性物質を組み合わせたものを用いて形成されている。また、上記ゲート絶縁膜３３は、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ＳＯＧ(Spin on glass)、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、金属酸化物の高誘電絶縁膜など、もしくはこれらを組み合わせたものを用いて形成されている。
【００２６】
上記マスク層１２は、例えば回転塗布法によりレジストを塗布して形成する。このレジストには、ポジ型レジストもしくはネガ型レジストのいずれを用いてもよい。ここでは、一例としてポジ型レジストを用いる。次いで、リソグラフィー技術によって、最終的に作製したい電極構造に適したマスク（図示せず）を用いてレジストに紫外線を照射し、現像液によって紫外線の当たった部分を除去して、電極を形成する領域上を開口したマスク層１２を形成する。
【００２７】
次に、図３（２）に示すように、下地の酸化シリコンからなるゲート絶縁膜３３と後に形成される金属電極との密着性を高めるために、上記マスク層１２の開口部内の上記基体１１表面に、密着性を高めるための金属微粒子１３を配置させる。この金属微粒子１３の配置は、例えば、ニッケル微粒子（例えば直径約５ｎｍ）がトルエンなどの有機溶媒に分散している濃度１ｍＭ溶液を基板表面に塗布し、同様の有機溶媒で表面を数回濯ぎ、余分に基板表面上に配置したニッケル微粒子を取り除き、有機溶媒が十分蒸発するまで（１時間以上）自然乾燥させた。なお、ニッケル以外にもクロム、チタン、またはこれらの合金の微粒子を用いても良い。これにより密着層１４が形成される。
【００２８】
次に、図３（３）に示すように、上記マスク層１２を用いて、その開口部内の上記密着層１４表面に金属微粒子１５を配置させて金属粒子層１６を形成する。具体的には、水中に上記基体１１を沈め、水面にアミノ基を持つ分子が表面に多数結合した金属微粒子として、例えば金微粒子（例えば直径約５ｎｍ）からなるラングミュア（Langmuir）膜（金微粒子層）を形成し、基体１１に上記ラングミュア膜を転写する。そして、基体１１上の水分が十分蒸発するまで（例えば１時間以上）自然乾燥させる。その結果、上記マスク層１２の開口部内の上記密着層１４上に金属微粒子１５が配列され、金微粒子からなる金属微粒子層１６が形成される。上記金属微粒子は、金（Ａｕ）の他に、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等を用いることもできる。
【００２９】
次に、図４（４）に示すように、上記密着層１４および上記金属微粒子層１６を溶解して金属層からなる電極（ソース電極）１７（１７Ｓ）、金属層からなる電極（ドレイン電極）１７（１７Ｄ）を形成する。この電極形成は、例えば、基体１１をホットプレートで下面から温度１２０℃で３０分以上加熱し、ニッケル微粒子および金微粒子を溶解させることで、厚みが数ｎｍからなるソース電極１７Ｓ、ドレイン電極１７Ｄを形成する。
【００３０】
その後、レジストからなるマスク層１２を選択的に除去する。この除去方法としては、リムーバーによりレジストを除去する。この結果、図４（５）に示すように、意図した位置に、ソース電極１７Ｓ、ドレイン電極１７Ｄが形成される。さらに、上記ソース電極１７Ｓ上、ドレイン電極１７Ｄ上およびその間のゲート絶縁膜３３上に、チャネル層３４を形成する。このチャネル層３４の形成方法は、例えば、微粒子の層を１層形成する。次いで、上記微粒子の層に有機半導体分子を接触させ、微粒子と有機半導体分子との結合体層を形成する。これによって、１層の結合体層が形成できる。そして、上記工程を繰り返し行うことで、所望の厚さに積層された結合体層からなるチャネル層３４が形成される。
【００３１】
上記チャネル層３４の具体的な製造方法は、前記半導体分子層の製造方法と同様である。
【００３２】
上記製造方法により、導電性を高めた電極によりソース電極１７Ｓおよびドレイン電極１７Ｄを形成することが可能になるので、ソース電極１７Ｓおよびドレイン電極１７Ｄの厚さを薄く、例えば１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下の厚さに形成することができる。これによって、金属微粒子が有機分子によって架橋されネットワーク化された半導体分子層からなるチャネル層３４とソース電極１７Ｓおよびドレイン電極１７Ｄとの接触部において、チャネル層３４が断切れを起こすことなく連続的に密着した状態で形成することが可能になる。よって、半導体装置の特性向上を果たすことができる。
【００３３】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の第２例を、図５によって説明する。
【００３４】
図５（１）に示すように、印刷法、モールドによる転写法、リソグラフィー技術などによって、有機分子による保護膜に覆われた金属微粒子（例えば金（Ａｕ）微粒子）が分散しているペースト材料を用いて基体１１上にパターン４１を形成する。上記基体１１は、例えばシリコン基板２１上に絶縁膜２２が形成されたものである。この絶縁膜２２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜で、例えば１５０ｎｍの厚さに形成されている。
【００３５】
その後、金属微粒子から有機分子を脱離させる作用のある有機溶剤中に基板を浸漬する。その有機溶剤によって基体１１を必要によっては数回すすぐなどして、金属微粒子から有機分子を取り除く。すすぎなどは有機分子が十分取り除かれるまで必要に応じて十分長い時間に渡って基体１１の浸漬、多数回のすすぎを行う。
【００３６】
上記金属微粒子の分散を可能にしていた有機分子が取り除かれることによって、図５（２）の写真に示すように、金属微粒子同士の融合が可能になり、その後、図５（３）に示すように、意図したパターン形状の電極４２を形成し、さらに、金属微粒子が有機分子によって架橋されてネットワーク化された導電層（もしくは半導体層）４３を成膜して半導体装置が形成される。また、上記製造方法では、真空蒸着装置を用いることなく配線を行うことが可能になり、微細なエレクトロニクスの作製を容易に行うことができる。上記金属微粒子同士を融合させる加熱処理は、例えば、電子線照射、レーザー光照射等のエネルギー線照射により行うこともできる。
【００３７】
また、基体１１表面（絶縁膜２２表面）と電極４２との密着性が低い場合には、基体１１表面との密着性が良い物質として、有機分子による保護膜に覆われたクロム、チタン、ニッケル、銅、またはこれらの合金の微粒子を用い、それらを印刷法、モールドによる転写法、リソグラフィー技術などを用いて基体１１表面にパターン形成を行い、その後有機分子を脱離させることで融解させ、基体１１と電極４２との密着性を高めるための密着層を形成することが好ましい。
【００３８】
また、図５によって説明した第２例は、前記図３および図４によって説明した半導体装置の製造方法におけるソース電極、ドレイン電極の形成方法に適用することができる。
【００３９】
この半導体装置の製造方法では、電極形成領域上に、有機分子による保護膜に覆われた金属微粒子が分散しているペースト材料のパターン４１を形成する工程と、有機分子を脱離させることで金属微粒子を融合させてソース電極、ドレイン電極等の電極４２を形成する工程とからなることから、電極４２の導電性を高めることが可能になる。これによって、例えばｎｍオーダーの膜厚の電極を形成することが可能になるので、電極上に微粒子からなる単層膜を形成することができるようになる。
【００４０】
また、上記第１例、第２例ともに、トランジスタの製造工程において電極（例えばソース電極およびドレイン電極）および半導体層（例えばチャネル層）を塗布により作製する際に、両者に同一の微粒子を用いることが可能になり、作製過程での煩雑さを低減することができる。また、熱による変形などが生じる柔らかいプラスチック基板などに電極形成を行う際には、予め意図した場所に配置した金属微粒子に結合している有機分子からなる保護膜を脱離させることによって電極形成を行うことにより、基板の変形を防ぐことができる。
【００４１】
以上、説明したように、本発明の半導体装置の製造方法は、有機分子による保護膜に覆われた例えば直径がナノスケールの金属微粒子を用いることで、大規模な高真空蒸着装置などを用いずに、ナノスケールの厚みをもつ薄い電極を形成することができるという利点がある。また、高温プロセスを用いていないので、熱による変形などが生じ易いプラスチック基体などに、基体を変形させることなく電極形成を行うことが可能になるという利点がある。
【００４２】
上記説明では、一例として、ボトムゲート型の半導体装置を説明したが、トップゲート型の半導体装置にも本発明は適用することができる。すなわち、表面に絶縁膜が形成された基板上に、本発明の製造方法により、ソース電極およびドレイン電極を形成する。次いで、ソース電極上およびドレイン電極上およびソース電極とドレイン電極との間の絶縁膜上にチャネル層を形成する。そのチャネル層上にゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜上で上記ソース電極、ドレイン電極間の所望の位置にゲート電極を形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の第１例を模式的に示した製造工程断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の第１例を模式的に示した製造工程断面図である。
【図３】第１例の製造方法を適用したトランジスタの製造方法を模式的に示した製造工程断面図である。
【図４】第１例の製造方法を適用したトランジスタの製造方法を模式的に示した製造工程断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態の第２例を模式的に示した製造工程断面図および写真である。
【符号の説明】
【００４４】
１１…基体、１２…マスク層、１５…金属微粒子、１６…金属微粒子層、１７…電極、２４…導電路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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