(57)【要約】 【課題】  工程数を低減することができ、かつ電子部品が接続されるランド部に接続用剤が付着することを防止することができる基板を提供する。【解決手段】  基板本体１３の厚み方向に貫通し、かつ表面実装部品１２が実装されるＳＭＤランド部１７と、配線パターンの接続ランド部１８とに挟まれる位置に、貫通孔１４を形成することによって、ＳＭＤランド部１７において表面実装部品１２を実装するための接続用剤１５に含まれる滲出し成分２０を、接続ランド部１８側に形成される貫通孔１４に流込ませることができるので、接続ランド部１８に対する滲出し成分２０の付着を防止できる。【選択図】      図４
2007266512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に貫通する貫通孔が形成される基板本体と、
前記基板本体の厚み方向一方側の表面部に形成され、電子部品が接続用剤によって接続される複数のランド部を有し、各ランド部のうち、少なくとも２つのランド部が、貫通孔を挟む位置に配置されるランド体とを備えることを特徴とする基板。
【請求項２】
前記ランド体は、間隔をあけて配置される２つのランド形成領域にそれぞれ形成されるランド部を有し、
前記基板本体には、複数の貫通孔が形成され、各貫通孔は、前記２つのランド形成領域間に挟まれる帯状のランド間領域に、並べて形成されることを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記貫通孔は、
放熱用のスルーホールまたは接続用のバイアホールであることを特徴とする請求項１または２記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に関し、特に実装部品が基板本体に実装されて構成される基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
抵抗素子、コンデンサおよびベアチップを含む実装部品は、たとえば、半田などの接続用剤が供給された基板本体の実装部品を実装すべき部分に配置された後、加熱されて実装される。接続用剤として用いられる半田には、基板本体および実装部品と半田との濡れ性を確保し、基板本体と実装部品との接合強度を高めるためのフラックスが含まれる。このフラックスは、実装部品の実装に欠くことができない。
【０００３】
図１は、第１の従来技術のベアチップ１が実装される基板２の平面図である。図２は、基板２の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。基板２は、接続用剤である半田３によって、基板本体４の厚み方向一方側の表面部４ａに形成される実装ランド部５にベアチップ１が実装されて構成される。ベアチップ１は、基板本体４の前記表面部４ａに形成される配線パターンの接続ランド部６と、ボンディングワイヤ７によって電気的に接続される。
【０００４】
図１および図２に示される基板２では、半田３に含まれるフラックス８が、加熱によって軟化して滲出し、接続ランド部６に付着することがある。接続ランド部６とベアチップ１とをボンディングワイヤ７で接続するワイヤボンディング工程において、接続ランド部６にフラックス８が付着すると、フラックス８は非導電性であるので、接続ランド部６とベアチップ１との電気的な接続に不良が発生する。接続用剤としてエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる場合においても、熱硬化性樹脂に含まれる低分子量成分が、加熱によって軟化して滲出て接続ランド部６に付着してしまい、接続ランド部６とベアチップ１との間に電気的な接続不良が発生する。
【０００５】
このようなベアチップなどの電子部品と接続ランド部との電気的な接続不良の発生を防止するために、第２の従来技術では、半田または熱硬化性樹脂による実装部品の実装後でかつワイヤボンディング工程の前に、半田から滲出したフラックスおよび熱硬化性樹脂から滲出した低分子量成分（以後、単に滲出し成分とも称する）を除去する除去工程が設けられる。除去工程では、たとえば、作業員による滲出し成分の拭取り作業および基板の洗浄作業によって、滲出し成分が基板から除去される。
【０００６】
滲出し成分の拭取り作業では、作業員が溶剤を用いて基板に付着している滲出し成分を手作業で拭取るので、滲出し成分が付着していない部分にまで滲出し成分を広げたり、ハンドリングミスによって基板を損傷したりするおそれがある。基板の洗浄作業では、洗浄のための大規模な設備が必要となり、基板の製造コストが増大するという問題がある。また滲出し成分を除去するための除去工程を設ける必要があるので、工程数が増加するという問題がある。
【０００７】
第３の従来技術では、基板本体に設けられるダイパッドの外側に流れ出した接続用剤が接続ランド部に付着しないように、基板本体に接続用剤流れ防止手段として機能する平面視環状のレジストパターンおよびざぐり溝が形成される（たとえば、特許文献１参照）。
【０００８】
図３は、第３の従来技術のベアチップ１が実装される基板１０の平面図である。基板本体４には、ベアチップ１が実装される実装ランド部の周囲に接続用剤流れ防止手段として機能するレジストパターン９が形成される。基板１０では、レジストパターン９の形成される部分で、接続用剤である半田３およびフラックス８が塞止められることによって、接続ランド部６側への半田３およびフラックス８の流出が防止される。これによって、接続ランド部６への半田３およびフラックス８の付着を防止することができ、接続ランド部６とベアチップ１との電気的な接続において、接続不良の発生を防ぐことができる。
【０００９】
また接続用剤流れ防止手段としてざぐり溝を形成することによって、滲出し成分を含む接続用剤をざぐり溝に流込ませることができる。これによって、接続ランド部への滲出し成分を含む接続用剤の付着を防止することができ、接続ランド部と電子部品との電気的な接続不良の発生を防ぐことができる。
【００１０】
第４の従来技術では、実装部品を基板本体に接合するろう材の流れを防止するために、実装部品の基板本体に実装される側の面および基板本体の実装部品が実装される側の面に、実装される実装部品を横断するように溝が形成される（たとえば、特許文献２参照）。
【００１１】
第５の従来技術では、ＩＣチップと基板本体とを接続するためのスズ（Ｓｎ）が溶融して流れ出してＩＣチップのバンプ部に到達することによる電気的な接続不良を防止するために、接続用剤流れ防止手段としてシールドパターンが形成される（たとえば、特許文献３参照）。
【００１２】
第３〜第５の従来技術に記載される実装部品の実装方法では、滲出し成分を含む接続用剤が接続ランド部に付着することを防止できるので、滲出し成分を除去するための除去工程を設ける必要はない。
【００１３】
【特許文献１】特開平７−４５６４１号公報
【特許文献２】特開２００３−４６２１６号公報
【特許文献３】特開２００２−１６４６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
第３および第５の従来技術では、接続用剤流れ防止手段としてレジストパターン９またはシールドパターン（以後、単にパターンと称する）を形成する。接続用剤流れ防止手段としてパターンが形成される場合、接続用剤の流出を防止するために、厚み方向の長さ寸法が３０〜４０μｍ程度のパターンを形成する必要がある。このような長さ寸法のパターンを形成するためには、レジストを複数回塗布する工程を設ける必要があるので、工程数が増加するという問題が生じる。
【００１５】
また第３の従来技術では、接続用剤流れ防止手段として基板本体にざぐり溝を形成し、第４の従来技術では、実装部品を基板本体に接合するろう材の流れを防止するために基板本体に溝を形成する。このように、基板本体にざぐり溝または溝（以後、単に溝と称する）を形成する場合は、形成された溝に基板本体の屑が残留し、このような屑が接続ランド部に付着することがある。基板本体の屑が接続ランド部に付着すると、接続ランド部と電子部品との間に電気的な接続不良が発生する。屑が接続ランド部に付着することによる電気的な接続不良の発生を防止するためには、溝の形成時に発生する屑を除去する屑除去工程を設ける必要があるので、工程数が増加するという問題が生じる。
【００１６】
本発明の目的は、工程数を低減することができ、かつ電子部品が接続されるランド部に接続用剤が付着することを防止することができる基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明（１）に従えば、基板本体の厚み方向に貫通し、かつ電子部品が接続用剤によって接続される複数のランド部のうち、少なくとも２つのランド部に挟まれる位置に、貫通孔を形成する。このような貫通孔を形成することによって、貫通孔を挟む２つのランド部のうち、一方のランド部において電子部品を実装するための接続用剤に含まれる成分が滲出しても、滲出した接続用剤に含まれる成分（以後、滲出し成分と称する）が一方のランド部と他方のランド部との間に形成される貫通孔に流込むので、他方のランド部に対する滲出し成分の付着が防止される。電子部品とは、抵抗素子、コンデンサおよびベアチップを含む実装部品、またはボンディングワイヤなどの接続用部品である。
【００１８】
本発明（２）に従えば、間隔をあけて配置される２つのランド形成領域にランド部をそれぞれ形成し、２つのランド形成領域間に挟まれる帯状のランド間領域に、複数の貫通孔を並べて形成する。このように複数の貫通孔を形成すると、滲出し成分を複数の貫通孔に流込ませることができるので、他方のランド部に対する滲出し成分の付着が確実に防止される。
【００１９】
本発明（３）に従えば、貫通孔は、放熱用のスルーホールまたは接続用のバイアホールであるので、接続用剤の滲出し成分を流込ませるための貫通孔を、スルーホールまたはバイアホールとは個別に形成することが不要となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明（１）によれば、一方のランド部において電子部品を実装するための接続用剤に含まれる成分が滲出しても、接続用剤の滲出し成分が一方のランド部と他方のランド部との間に形成される貫通孔に流込むので、他方のランド部に対する滲出し成分の付着が防止される。これによって、他方のランド部と電子部品との電気的な接続に不良が発生することを防止できる。また貫通孔を形成するときに屑が発生しても、屑が基板本体に残留しないので、発生する屑を除去する屑除去工程が不要となる。したがって、基板の製造における工程数を低減することができる。
【００２１】
本発明（２）によれば、間隔をあけて配置される２つのランド形成領域にランド部をそれぞれ形成し、２つのランド形成領域間に挟まれる帯状のランド間領域に、複数の貫通孔が並べて形成されるので、滲出し成分を複数の貫通孔に確実に流込ませることができる。これによって、他方のランド部に対する滲出し成分の付着を確実に防止することができ、他方のランド部と電子部品との電気的な接続において、接続不良が発生することを防止することができる。
【００２２】
本発明（３）によれば、貫通孔は、放熱用のスルーホールまたは接続用のバイアホールであるので、接続用剤の滲出し成分を流込ませるための貫通孔を、スルーホールまたはバイアホールとは個別に形成することが不要となる。したがって、貫通孔とスルーホールまたはバイアホールとを併用することができ、基板本体の厚み方向一方側の表面部において、貫通孔がスルーホールまたはバイアホールと別に形成される場合よりも実装部品の実装領域を増加させることができる。これによって、基板本体に対する実装部品および基板本体に形成される配線パターンの高密度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成のほかの部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合わせることも可能である。
【００２４】
図４は、本発明の第１の実施形態である基板１１の平面図である。本実施の形態の基板１１は、配線パターンが形成され、表面実装部品（Surface Mount Device；略称ＳＭＤ）１２が基板本体１３に実装されて構成される配線基板であり、たとえば車載用ＥＣＵ（
Electric Computer Unit）に適用される。本実施の形態の基板１１は、車載用以外の据置型または携帯型の電子機器に適用される場合もある。
【００２５】
基板１１は、基板本体１３と、ランド体１９とを備える。ランド体１９は、基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａに形成され、ＳＭＤ１２が接続用剤１５によって接続されるＳＭＤランド部１７および接続ランド部１８を有する。基板本体１３には、厚み方向に貫通する貫通孔１４が形成される。貫通孔１４は、ＳＭＤランド部１７と接続ランド部１８とに挟まれる位置に形成される。
【００２６】
ランド体１９とは、ＳＭＤランド部１７および接続ランド部１８を含む複数のランド部の集合体である。また電子部品とは、抵抗素子、コンデンサおよびベアチップを含む実装部品、またはボンディングワイヤなどの接続用部品である。
【００２７】
ＳＭＤランド部１７には、ＳＭＤ１２が接続用剤１５で接続されて実装される。接続ランド部１８は、配線パターンとボンディングワイヤとが接続用剤によって接続される部分である。ＳＭＤ１２を接続する接続用剤１５と、ボンディングワイヤを接続する接続用剤とは、同じ接続用剤を用いてもよいし、異なる接続用剤を用いてもよい。ただしボンディングワイヤを接続する接続用剤としては、導電性の材料を用いる。
【００２８】
基板本体１３は、樹脂製またはセラミックス製の配線基板であり、平板状に形成される。基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａには、ＳＭＤ１２を搭載するためのＳＭＤランド部１７が形成される。また基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａには、図示しない導電材料からなる配線パターンが形成され、ＳＭＤ１２と電気的に接続される接続ランド部１８が形成される。
【００２９】
基板本体１３のＳＭＤランド部１７には、ＳＭＤ１２が実装される。ＳＭＤ１２は、たとえば次のようにして実装される。まず基板本体１３のＳＭＤランド部１７にクリーム半田などの接続用剤１５を供給する。接続用剤１５を供給する場合、たとえば、マスクを用いて印刷する方法およびディスペンサによる個別供給方法が用いられる。ＳＭＤランド部１７に接続用剤１５が供給されると、ＳＭＤランド部１７の予め定める位置に、ＳＭＤ１２を配置する。その後ＳＭＤ１２を配置した基板本体１３を加熱し、接続用剤１５によってＳＭＤ１２をＳＭＤランド部１７に接続する。
【００３０】
ＳＭＤ１２を基板本体１３に接続するとき、加熱によって、接続用剤１５に含まれる成分が接続用剤１５から滲出すことがある。たとえば、接続用剤１５として半田を用いた場合、フラックスが半田から滲出す。フラックスは、基板本体１３およびＳＭＤ１２と半田との濡れ性を確保することによって基板本体１３とＳＭＤ１２との接合強度を高めるために半田に含まれる。また接続用剤１５としてエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いた場合、熱硬化性樹脂に含まれる低分子量成分が、熱硬化性樹脂から滲出す。以下の説明では、半田から滲出したフラックスおよび熱硬化性樹脂から滲出した低分子量成分を、滲出し成分２０と称する。
【００３１】
滲出し成分２０は非導電性である。したがって滲出し成分２０が接続ランド部１８に付着すると、接続ランド部１８とＳＭＤ１２との電気的な接続において接続不良が発生する。本実施の形態では、基板本体１３に貫通孔１４を形成することによって、接続ランド部１８への滲出し成分２０の付着を防止する。
【００３２】
本実施の形態の基板本体１３には、ＳＭＤランド部１７と接続ランド部１８とに挟まれる位置に、貫通孔１４が形成される。本実施の形態では、貫通孔１４は、基板本体１３の厚み方向一方側から見て、円形状に形成される。貫通孔１４が円形状に形成されると、応力の集中が生じにくく、基板本体１３が破断するおそれが少ないので好ましい。本実施形態では貫通孔１４は円形状に形成されるけれども、これに限定されることなく、矩形状であってもよい。
【００３３】
基板本体１３に貫通孔１４が形成されることによって、ＳＭＤランド部１７においてＳＭＤ１２を実装するための接続用剤１５に含まれる成分が滲出しても、滲出し成分２０がＳＭＤランド部１７と接続ランド部１８との間に形成される貫通孔１４に流込む。これによって、接続ランド部１８に対する滲出し成分２０の付着を防止することができる。
【００３４】
本実施の形態では、貫通孔１４が３つ形成されるけれども、貫通孔１４が形成される数はこれに限定されない。貫通孔１４は、放熱用のスルーホールおよび接続用のバイアホールなどの貫通孔とともに、スルーホールおよびバイアホールと同様の方法によって形成される。
【００３５】
貫通孔１４の大きさは、貫通孔１４形成時の加工最小寸法および公差によって決定される。また貫通孔１４の大きさは、基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａにおける面積、基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａにおけるＳＭＤランド部１７の専有面積、ＳＭＤランド部１７と接続ランド部１８との間隔、および形成される貫通孔１４の個数に応じて決定される。本実施の形態のように、基板本体１３の厚み方向一方側から見た形状が円形である貫通孔１４が３つ形成される場合、貫通孔１４の直径Ｄは、３００μｍ以上５００μｍ以下である。
【００３６】
貫通孔１４の直径Ｄが前記範囲であると、貫通孔１４を容易に形成することができる。また基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａにおける貫通孔１４の専有面積を大きくしすぎることなく、接続用剤１５の滲出し成分２０を貫通孔１４に流込ませて接続ランド部１８への滲出し成分の付着を防止することができる。
【００３７】
貫通孔１４の直径Ｄが３００μｍ未満に決定されると、貫通孔１４の形成が困難である。貫通孔１４が形成できたとしても、直径Ｄが３００μｍ未満であると、貫通孔１４に流込んだ滲出し成分２０が、基板本体１３の厚み方向他方側の表面部に到達する。貫通孔１４の直径Ｄが５００μｍを超えると、貫通孔１４の直径Ｄが前記範囲である場合よりも、基板本体１３の厚み方向一方側の表面部１３ａにおける貫通孔１４の専有面積が大きくなり過ぎて、基板本体１３に対するＳＭＤ１２などの実装部品および基板本体１３に形成される配線パターンの密度が小さくなる。
【００３８】
また本実施の形態のように貫通孔１４が複数個形成される場合、複数の貫通孔１４のうち、隣合う２つの貫通孔１４同士の間隔は、上記ＳＭＤランド部１７の専有面積およびＳＭＤランド部１７と接続ランド部１８との間隔に応じて決定される。たとえば直径Ｄが前記範囲である貫通孔１４が形成される場合、貫通孔１４同士の間隔Δｄは、５００μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００３９】
貫通孔１４同士の間隔Δｄがこのような範囲であると、隣合う２つの貫通孔１４の間の基板本体表面部１３ａから接続用剤１５が流出し、滲出し成分２０が接続ランド部１８に付着するおそれを低減することができる。また基板本体１３に対する貫通孔１４の形成が容易である。
【００４０】
貫通孔１４同士の間隔Δｄが５００μｍ未満であると、貫通孔１４同士の間隔Δｄが前記範囲にある場合よりも貫通孔１４同士の間隔が小さくなり、貫通孔１４の形成が困難になる。また貫通孔１４の形成が可能であっても、貫通孔１４同士の間隔Δｄが前記範囲にある場合よりも基板本体１３の強度が低下し、基板本体１３が破断するおそれがある。貫通孔１４同士の間隔Δｄが１０００μｍを超えると、基板本体１３表面部１３ａにおける隣合う２つの貫通孔１４の間に接続用剤１５が滲出し、貫通孔１４を設けても滲出し成分２０が接続ランド部１８に付着する場合がある。
【００４１】
貫通孔１４の形成される個数は、貫通孔１４およびＳＭＤランド部１７の専有面積に応じて決定される。
【００４２】
図５は、基板１１の製造方法を示すフローチャートである。基板１１の製造方法は、ステップｓ１の貫通孔形成工程と、ステップｓ２の接続用剤供給工程と、ステップｓ３の実装部品配置工程と、ステップｓ４の接続工程と、ステップｓ５のワイヤボンディング工程とを含む。
【００４３】
基板本体１３に実装する実装部品の実装位置が決定されると、ステップｓ１の貫通孔形成工程において、基板本体１３に、放熱用のスルーホールおよび接続用のバイアホールなどの貫通孔とともに、滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔１４を形成する。基板本体１３に貫通孔１４が形成されると、ステップｓ２に進む。ここで、基板本体１３には、ステップｓ１の前に、またはステップｓ１の後であってかつステップｓ２の前に、導電材料からなる配線パターン、ＳＭＤランド部１７および接続ランド部１８が形成される。
【００４４】
ステップｓ２の接続用剤供給工程では、ＳＭＤランド部１７に、クリーム半田などの接続用剤１５を供給する。接続用剤１５がＳＭＤランド部１７に供給されると、ステップｓ３に進む。ステップｓ３の実装部品配置工程では、接続用剤１５が供給されたＳＭＤランド部１７に、ＳＭＤ１２を配置する。接続用剤１５が供給されたＳＭＤランド部１７にＳＭＤ１２が配置されると、ステップｓ４に進む。
【００４５】
ステップｓ４の接続工程では、ＳＭＤ１２が配置される基板本体１３を加熱し、接続用剤１５を軟化させた後硬化させて、ＳＭＤ１２をＳＭＤランド部１７に接続する。ＳＭＤ１２がＳＭＤランド部１７に接続されると、ステップｓ５に進む。ステップｓ５のワイヤボンディング工程では、ＳＭＤランド部１７に接続されたＳＭＤ１２および接続ランド部１８を、ボンディングワイヤによって電気的に接続する。ＳＭＤ１２および接続ランド部１８が電気的に接続されると、基板１１の製造に係る動作を終了する。
【００４６】
本実施の形態の基板１１の製造方法によれば、貫通孔形成工程において屑が発生しても、屑が基板本体１３に残留しないので、発生する屑を除去するための屑除去工程が不要となる。したがって、滲出し成分２０が接続ランド部１８に付着することを防止でき、接続ランド部１８とＳＭＤ１２との電気的な接続における不良の発生を防止することができるとともに、工程数を減少させることができる。
【００４７】
また本実施の形態の基板１１の製造方法によれば、滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔１４を、基板本体１３に形成される放熱用のスルーホールまたは接続用のバイアホールを形成する工程において、スルーホールまたはバイアホールとともに、同じ工程で形成することができる。したがって、滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔１４のみを形成するための工程を別途設ける必要がない。
【００４８】
このような基板１１としては、上記の構成に限定されることなく、種々の変更が可能である。
【００４９】
図６は、本発明の第２の実施形態である基板２１の平面図である。基板２１の特徴は、ランド体２２が、間隔をあけて配置される２つのランド形成領域２３，２４にそれぞれ形成される実装ランド部２５および接続ランド部２６を有し、基板本体２７には、複数の貫通孔２８が形成され、各貫通孔２８は、２つのランド形成領域２３，２４間に挟まれる帯状のランド間領域２９に、並べて形成されることである。
【００５０】
本実施の形態では、基板本体２７の実装ランド部２５に、ベアチップ３０が実装される。基板本体２７の実装ランド部２５は、実装ランド形成領域２３に形成される。また基板本体２７に配線パターンの接続ランド部２６が複数個形成され、各接続ランド部２６は、実装ランド部２５の周囲の接続ランド形成領域２４に形成される。図６において、実装ランド形成領域２３を破線で示し、接続ランド形成領域２４を二点鎖線で示す。
【００５１】
さらに本実施の形態では、複数の貫通孔２８が形成され、各貫通孔２８は、２つのランド形成領域２３，２４間に挟まれる帯状のランド間領域２９に、複数の接続ランド部２６に対応するように、各接続ランド部２６が実装ランド部２５を臨む側の位置に、複数の貫通孔２８が並べて形成される。図６において、ランド間領域２９を実装ランド形成領域２３と接続ランド形成領域２４との間に挟まれる二点鎖線で示す。貫通孔２８が接続ランド部２６に対応するように形成されるとき、貫通孔２８は、ランド間領域２９内における前記接続ランド部２６と実装ランド部２５との間に形成される。
【００５２】
複数の貫通孔２８が、本実施の形態のように複数の接続ランド部２６に対応するように形成されると、各接続ランド部２６側に流れる滲出し成分２０を、各接続ランド部２６に対応するように形成される各貫通孔２８に流込ませることができる。したがって、複数の貫通孔２８は、複数の接続ランド部２６に対応するように並べて形成されることに限定されないけれども、接続ランド部２６に対応するように形成されることによって、貫通孔が接続ランド部に対応するように形成されない場合よりも、接続ランド部２６に対して滲出し成分２０が付着することを確実に防止することができる。
【００５３】
また本実施の形態では、複数の貫通孔１４がランド間領域２９に並べて形成されるので、複数の貫通孔２８に滲出し成分２０を流込ませることができる。これによって接続ランド部２６に対する滲出し成分２０の付着を確実に防止することができる。
【００５４】
本実施の形態においても、貫通孔２８の直径Ｄおよび隣合う貫通孔２８同士の間隔Δｄは、前述の第１の実施形態と同様にして定められる。
【００５５】
図７は、本発明の第３の実施形態である基板３１の平面図である。本実施の形態では、貫通孔３２が放熱用のスルーホール３２であることを特徴とする。
【００５６】
基板本体３３には、ベアチップ３０が実装される実装ランド部３４に放熱用のスルーホール３２が形成される。本実施の形態のスルーホール３２は、実装ランド部３４の外縁部付近に複数個が形成される。このスルーホール３２によって、ベアチップ３０で発生する熱を基板３１から基板３１外に放出することができる。またベアチップ３０を実装するための接続用剤１５の滲出し成分２０を、スルーホール３２に流込ませることができるので、接続ランド部２６に滲出し成分２０が付着することを防止できる。
【００５７】
滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔として用いられる放熱用のスルーホール３２の大きさは、前述の第１の実施形態における貫通孔１４の大きさと同様に、スルーホール３２形成時の加工最小寸法および公差によって決定される。またスルーホール３２の大きさは、実装されるベアチップ３０の大きさ、ベアチップ３０からの発熱量および形成されるスルーホール３２の個数に応じて決定される。基板本体３３の厚み方向一方側から見た形状が円形であるスルーホール３２が形成される場合、スルーホール３２の直径Ｄ１は、３００μｍ以上５００μｍ以下である。
【００５８】
スルーホール３２の直径Ｄ１が前記範囲であると、スルーホール３２を容易に形成することができる。またスルーホール３２が滲出し成分２０によって塞がれることなくベアチップ３０で発生する熱を放出することができるとともに、滲出し成分２０をスルーホール３２に流込ませることによる接続ランド部２６に対する滲出し成分２０の付着防止効果が発揮される。
【００５９】
スルーホール３２の直径Ｄ１が３００μｍ未満に決定されると、スルーホール３２の形成が困難である。スルーホール３２が形成できたとしても、直径Ｄ１が３００μｍ未満であると、滲出し成分２０がスルーホール３２に流込むことによってスルーホール３２が滲出し成分２０によって塞がれ、ベアチップ３０で発生する熱をスルーホール３２から放出することができなくなる。スルーホール３２の直径Ｄ１が５００μｍを超えると、スルーホール３２の直径Ｄ１が前記範囲である場合よりも、基板本体３３の表面部３３ａにおけるスルーホール３２の専有面積が大きくなる。これによって、スルーホール３２の直径Ｄ１が前記範囲である場合よりも、実装ランド部３４のスルーホール３２が形成されない部分の専有面積が減少し、ベアチップ３０と基板本体３３との接合強度が低下する。
【００６０】
また本実施形態のようにスルーホール３２が複数個形成される場合、複数のスルーホール３２同士の間隔は、実装ランド部３４の専有面積に応じて決定されるけれども、スルーホール３２同士の間隔Δｄ１は、５００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
スルーホール３２同士の間隔Δｄ１がこのような範囲であると、ベアチップ３０から発生する熱をスルーホール３２から迅速に放出することができるとともに、接続ランド部２６に対する滲出し成分２０の付着を確実に防止することができる。また基板本体３３に対するスルーホール３２の形成が容易である。
【００６２】
スルーホール３２同士の間隔Δｄ１が５００μｍ未満であると、スルーホール３２同士の間隔Δｄ１が前記範囲である場合よりも、スルーホール３２同士の間隔が小さくなるので、スルーホール３２の形成が困難になる。またスルーホール３２の形成が可能であっても、基板本体３３の強度が低下して、基板本体３３が破断するおそれがある。スルーホール３２同士の間隔Δｄ１が１０００μｍを超えると、隣合う２つのスルーホール３２の間から接続ランド部２６側に接続用剤１５が滲出し、スルーホール３２を設けても滲出し成分２０が接続ランド部２６に付着する。また同じ大きさのスルーホールが形成されると仮定すると、スルーホール３２同士の間隔Δｄ１が大きくなることによって、実装ランド３４が形成される領域内にスルーホール３２を形成できる個数が減少するので、ベアチップ３０から発生する熱が放出され難くなるとともに、接続ランド部２６に対する滲出し成分２０の付着を防止することが困難となる。
【００６３】
滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔が放熱用のスルーホール３２と併用されると、貫通孔をスルーホール３２とは別に形成することが不要となる。これによって、基板本体３３の厚み方向一方側の表面部３３ａにおいて、滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔とスルーホール３２とが別個形成される場合よりも、実装部品の実装領域および配線パターンを形成可能な領域を増加させることができる。したがって、基板本体３３に対するベアチップ３０などの実装部品および基板本体３３に形成される配線パターンの高密度化が可能である。
【００６４】
また高密度化が要求されない基板の製造においては、基板３１の小形化を図ることが可能である。基板３１を小形化することができると、基板本体３３についてのコストダウンが可能である。また基板３１を小形化することができると、配線パターンの形成される長さを短縮することができる。配線パターンの形成される長さが短縮されると、配線パターンの断線が発生するおそれの低減、応答性の向上、および配線パターンに電流が流れるときに発生する電力損失の量の低減が可能となるので、電気的性能に対する信頼性を向上させることができる。
【００６５】
本実施の形態では、滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔が放熱用のスルーホール３２であるけれども、これに限定されない。滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔は、たとえば、接続用のバイアホールであってもよい。
【００６６】
接続用のバイアホールは、基板本体に形成された貫通孔の内壁面に金属などの導電性材料が析出された円筒状の接続部である。バイアホールには、導電性材料が析出される内壁面から貫通孔中心側に中央孔が形成される。バイアホールの中央孔は、基板本体の厚み方向に貫通して形成される。バイアホールの内壁面に析出される導電性材料は、抵抗値が小さいほど好ましい。バイアホールの内壁面に析出される導電性材料として好ましく用いられる材料としては、半田または銅などの材料が挙げられる。バイアホールの中央孔の直径は、第１の実施形態における貫通孔１４の直径Ｄと同様の寸法に形成されることが好ましい。
【００６７】
滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔が接続用のバイアホールであると、滲出し成分２０を流込ませるための貫通孔とスルーホール３２とが別個形成される場合よりも、実装部品の実装領域および配線パターンの形成領域を増加させることができる。これによって、基板本体に対する実装部品および基板本体に形成される配線パターンの高密度化または基板の小形化を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１の従来技術のベアチップ１が実装される基板２の平面図である。
【図２】基板２の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。
【図３】第３の従来技術のベアチップ１が実装される基板１０の平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態である基板１１の平面図である。
【図５】基板１１の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第２の実施形態である基板２１の平面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態である基板３１の平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１１，２１，３１  基板
１２  表面実装部品（ＳＭＤ）
１３，２７，３３  基板本体
１４，２８  貫通孔
１５  接続用剤
１７  ＳＭＤランド部
１８，２６  接続ランド部
１９，２２  ランド体
２０  滲出し成分
２３  実装ランド形成領域
２４  接続ランド形成領域
２５，３４  実装ランド部
２９  ランド間領域
３０  ベアチップ
３２  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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