(57)【要約】【課題】  インターポーザ上の電極へ溶融金属を高速で噴射し電極へ供給するメタルジェット式金属ボール搭載方法と装置を提供する。【解決手段】  インターポーザ上の電極に金属ボール形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、溶融金属をチャンバで一定温度に加熱して貯蔵し、チャンバ内の溶融金属をアクチュエータにより加圧することで噴射するノズルを有する溶融金属吐出機構と、噴射した金属ボールを、インターポーザ上の電極を加熱することで接合強度を向上させるヒータと、ノズルの位置とインターポーザ上の電極の位置とを相対的に移動させ、指定したインターポーザ上の電極に金属ボールを着弾させる移動機構を備える構成とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザ上の電極に金属ボールを形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、
チャンバ内の溶融金属をアクチュエータにより加圧することで前記溶融金属を噴射するノズルを有する溶融金属吐出機構と、
予め加熱をして金属を溶融して一定温度に加熱してから、前記チャンバに前記溶融金属を送る溶融金属貯蔵部と、
前記インターポーザを加熱するヒータと、
を具備するメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項２】
前記溶融金属は半田であることを特徴とする請求項１に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項３】
前記ヒータは、前記ノズルの位置と前記インターポーザ上の電極の位置とを相対的に移動させ、指定した前記インターポーザ上の前記電極に前記金属ボールを着弾後に溶融接合させる移動機構を有することを特徴とする請求項１に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項４】
前記ヒータからの発熱を前記移動機構に伝達させないための熱遮断部を有することを特徴とする請求項１に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項５】
前記熱遮断部は、支柱であることを特徴とする請求項４に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項６】
前記熱遮断部は、断熱材であることを特徴とする請求項４に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項７】
前記溶融金属貯蔵部は、複数のエリアに分かれ、少なくとも金属インゴットを投入するエリアと、前記チャンバに前記溶融金属を注入するエリアは異なるエリアであることを特徴とする請求項１に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項８】
前記移動機構は、高さ方向にも調整可能であることを特徴とする請求項３項に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項９】
前記溶融金属吐出機構は、ノズル穴付近に不活性ガス雰囲気を供給する不活性ガス供給部と経路を設けることを特徴とする請求項１に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項１０】
前記経路は、前記不活性ガスの注入口から徐々に前記不活性ガス供給部付近にかけ前記経路を広くすることを特徴とする請求項９に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項１１】
前記インターポーザ付近に不活性ガスを供給し、前記インターポーザ周辺の不活性ガスの濃度を一定にするために前記インターポーザを囲む枠を前記ヒータに設けることを特徴とする請求項１に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項１２】
インターポーザ上の電極に金属ボールを形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、
溶融金属をチャンバ内の前記溶融金属をアクチュエータにより加圧することで前記溶融金属を噴射する複数のノズルを有する溶融金属吐出機構と、
前記インターポーザ上の前記電極を加熱するヒータと、
を具備するメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項１３】
インターポーザ上の電極に金属ボールを形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、
溶融金属を貯蔵する溶融金属貯蔵部は、複数のエリアに分かれ、少なくとも金属インゴットを投入するエリアと、前記溶融金属を吐出するエリアは隔壁により分けられ、前記エリアの前記隔壁の中央付近に１つ以上の開口部を有し、
前記溶融金属貯蔵部の面に沿って不活性ガスを注入する経路を有し、
前記溶融金属の液面の監視結果に基づき、補給コンベアを制御することにより必要量だけ前記金属インゴットを供給することを特徴とするメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項１４】
前記開口部には不純物除去用のフィルタを設けることを特徴とする請求項１３に記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【請求項１５】
前記不活性ガスを供給する経路は前記溶融金属貯蔵部の側面を波のように通ることで、前記不活性ガスの温度を前記溶融金属と略同一とすることを特徴とする請求項１３記載のメタルジェット式金属ボール搭載装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶融金属を噴射させてインターポーザ上の回路に接合構造体を作製する実装技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属ボール（半田ボール、バンプ）の搭載方法として、インターポーザ（基板など）の電極部に、フラックスを塗布して、そこに半田ボールを供給し、リフロー（リフロー装置に通す）して半田ボールを溶解させて電極部に接合させている。
【０００３】
あるいは、リフロー装置を利用しない替わりに、レーザ光を用いて、レーザのエネルギーで固体半田ボール溶解して、不活性ガスで覆われたインターポーザに、フラックスレスで接合する方式などが提案されている。
【０００４】
特許文献１によれば、フラックスなしで半田付けするために、基板およびパッドの表面をレーザ浄化することで半田付けに適した表面を生成し、さらに半田をレーザにより溶融し半田付けする提案がされている。
【０００５】
特許文献２によれば、溶融金属を吐出ノズルから噴射して半田ボールや三次元構造体を作成する提案がされている。
特許文献３によれば、半田を基板に塗布するために、基板の端部の直径が半田ボールの直径より大きく、テーパ部の排出口の直径が半田ボールの直径より小さいように構成される毛細管をホルダに備えている。この構成により半田を基板上に十分に精密な配置をするとともに、ホルダの位置決めへの要求条件の精密さを減少させるものである。
【０００６】
特許文献４によれば、溶融半田を利用しバンプを形成する提案がされている。
【特許文献１】特表平１１−５０９３７５号公報
【特許文献２】国際公開番号  ＷＯ２００４／０８７３５２
【特許文献３】特表２００４−５３４４０９号公報
【特許文献４】特開２０００−２９４５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１によれば適量の半田を貯蔵ユニットから供給し、レーザにより半田を再溶融して半田付けを行うため、装置の構造が複雑になり制御が困難である。また特許文献２によれば半田ボールなどを作るための製造に適しているが、半田をインターポーザ上に正確に効率よく搭載することができない。
【０００８】
特許文献３によれば、半田ボールを供給し、半田付けの際にホルダ内でレーザにより溶融させ、圧縮気体によりインターポーザに塗布する構造であるため装置の構造が複雑になり制御が困難である。またインターポーザに塗布するまでの工程が複雑である。
【０００９】
特許文献４によれば、（１）半田を貯蔵して溶融する容器を有しているが、半田がヒータにより溶融され、次の溶融半田の貯蔵容器に蓄えられるまで時間がかかり、溶融半田の供給が円滑に行うことができない。  また、溶融半田を貯蔵する貯蔵ユニットなどに半田インゴットを補充するときに、溶融半田の液温度が下がってしまうという問題がある。
（２）不活性ガスを注入した際の半田の冷却凝固と、（３）半田ボールの飛行を考慮して着弾させることについて考慮されていない。つまり、不活性ガスの注入位置、雰囲気カバーの位置が望ましいものでないため、正確に着弾することが困難である。（４）溶融半田をノズルに渡す配管にフィルタを配置して不純物の除去を行うために目詰まりを起こしやすく、またメンテナンスが困難である。（５）トーチにより半田ボール部分を集中的に温めるだけではインターポーザ（基板）との接合に問題がある。（６）バンプ制御装置が複数のバンプを形成する際の制御について記載されていない。
【００１０】
また、一般的なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ：ボールグリッドアレー）の半田付けをするとき次のような問題点がある。１）半田粒形の揃った、半田ボールの入手が必要である。２）電極数に一致する、半田ボールを過不足なく供給することが必要である（過不足検出付きボール吸着冶具と搭載装置が必要）。３）半田ボールを電極に半田付けするためにフラックス塗布が必要である。４）半田ボールを電極に半田付け後、フラックス洗浄が必要である（洗浄装置、洗浄液の処理が必要）。
【００１１】
また、従来の工程の場合、１）半田ボール購入、２）基板セット、３）半田ボールを規定数量、搭載治具にバキューム吸着（全端子一括搭載）、４）基板へフラックス塗布、５）基板上半田ボール搭載（フラックス材でボール仮固定）、６）リフロー炉（半田ボール溶融固定）、７）フラックス洗浄、８）外観検査、少なくとも従来工程において上記３）〜７）の５工程を必要とする。
【００１２】
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたものであり、インターポーザ上の電極へ溶融半田を規定容量、高速で噴射して電極へ供給できるインターポーザの位置を制御するメタルジェット式半田ボール搭載方法と装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の態様のひとつであるメタルジェット式金属ボール搭載装置は、インターポーザ上の電極に金属ボールを形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、チャンバ内の溶融金属をアクチュエータにより加圧することで上記溶融金属を噴射するノズルを有する溶融金属吐出機構と、予め加熱をして金属を溶融して一定温度に加熱してから、上記チャンバに上記溶融金属を送る溶融金属貯蔵部と、上記インターポーザを加熱するヒータと、を具備する構成である。
【００１４】
好ましくは、上記溶融金属は半田であってもよい。
好ましくは、上記ヒータは、上記ノズルの位置と上記インターポーザ上の電極の位置とを相対的に移動させ、指定した上記インターポーザ上の上記電極に上記金属ボールを着弾後に溶融接合させる移動機構を有する構成としてもよい。
【００１５】
好ましくは、上記ヒータからの発熱を上記移動機構に伝達させないための熱遮断部を有する構成としてもよい。
好ましくは、上記熱遮断部は、支柱であってもよい。
【００１６】
好ましくは、上記熱遮断部は、断熱材であってもよい。
好ましくは、上記溶融金属貯蔵部は、複数のエリアに分かれ、少なくとも金属インゴットを投入するエリアと、上記チャンバに上記溶融金属を注入するエリアは異なるエリアである構成としてもよい。
【００１７】
好ましくは、上記移動機構は、高さ方向にも調整可能であってもよい。
好ましくは、上記溶融金属吐出機構は、ノズル穴付近に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と経路を設ける構成としてもよい。
【００１８】
好ましくは、上記経路は、上記不活性ガスの注入口から徐々に上記不活性ガス供給部付近にかけ上記経路を広くする構成としてもよい。
好ましくは、上記インターポーザ付近に不活性ガスを供給し、上記インターポーザ周辺の不活性ガスの濃度を一定にするために上記インターポーザを囲む枠を上記ヒータに設ける構成としてもよい。
【００１９】
本発明の態様のひとつであるメタルジェット式金属ボール搭載装置は、インターポーザ上の電極に金属ボールを形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、溶融金属をチャンバ内の上記溶融金属をアクチュエータにより加圧することで噴射する複数のノズルを有する溶融金属吐出機構と、上記インターポーザ上の上記電極を加熱するヒータと、を具備する構成である。
【００２０】
好ましくは、インターポーザ上の電極に金属ボールを形成するメタルジェット式金属ボール搭載装置において、溶融金属を貯蔵する溶融金属貯蔵部は、複数のエリアに分かれ、少なくとも金属インゴットを投入するエリアと、上記溶融金属を吐出するエリアは隔壁により分けられ、上記エリアの上記隔壁の中央付近に１つ以上の開口部を有し、上記溶融金属貯蔵部の面に沿って不活性ガスを注入する経路を有し、上記溶融金属の液面の監視結果に基づき、補給コンベアを制御することにより必要量だけ上記金属インゴットを供給する構成としてもよい。
【００２１】
好ましくは、上記開口部には不純物除去用のフィルタを設ける構成としてもよい。
また、上記不活性ガスを注入する経路は前記溶融金属貯蔵部の側面を波のように通ることで、上記不活性ガスの温度を上記溶融金属と略同一とする。
【００２２】
上記構成により、インターポーザ上の電極に金属ボールを高速に正確に搭載することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、溶融半田を吐出してインターポーザ上の電極に高速に正確に搭載することができ、さらに省スペース、工程の短縮、コスト低減ができる。また、洗浄レスによる環境負荷低減ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下図面に基づいて、本発明の実施形態について詳細を説明する。
（実施例１）
図１に本発明であるメタルジェット式の半田搭載技術の構成について示す。メタルジェット式の金属搭載装置１またはメタルジェット式の半田搭載装置は、金属または半田を吐出する金属溶融吐出機構２（半田溶融吐出機構）と、移動機構３、溶融金属貯蔵部４から構成される。本実施例では、溶融金属貯蔵部４と金属溶融吐出機構２はステンレスなどで作製し、溶融半田を送る配管の繋ぎ目は各ステンレス板に穴を開けて繋ぎ合わせている。
（金属溶融吐出機構）
金属溶融吐出機構２は、アクチュエータ５、ダイアフラム６、チャンバ７、スリット板８、ノズル９から構成される。
【００２５】
アクチュエータ５は、チャンバ７内の溶融半田１０（溶融金属）を噴射するために、チャンバ７内を加圧する機構を有する。また、チャンバ７は、溶融半田１０を貯蔵するユニットであり一定温度に溶融半田１０の温度を保つように制御される。溶融半田１０は、後述する溶融金属貯蔵部４からチャンバ７内に供給される。そしてアクチュエータ５により加圧された溶融半田１０は、チャンバ７底部のノズル穴径と加圧などにより規定された容量の溶融半田１０をノズル穴１１より噴射する。
【００２６】
ここで、図２に高速に金属をインターポーザ１４に搭載する構成を示す。アクチュエータ５は、例えば圧電素子（ピエゾ）を使用することで高速に金属ボール１２（バンプを形成する金属）を噴射することができる。また、圧電素子以外でも磁歪素子などを用いて、チャンバ７内を加圧する構成としてもかまわないし、メカニカルな方法によって溶融半田１０をノズル穴１１より吐出させることもできる。なお、圧電素子などを使用する場合は圧電素子を溶融半田１０の熱から保護するために断熱材１９を用いることも好適である。さらに強制空冷をすることが望ましい。
【００２７】
次に、同図ダイヤフラム６は溶融半田１０へピストン的な動作を行う。またスリット板８はノズル穴１１の径を決定するものであり、例えば、半田であれば２２０℃程度で溶けている状態になり、表面張力が働き、溶融した金属が流れ出ないように、例えば２０〜５００μｍ程度の穴が空いている。
【００２８】
なお、半田ボール１２（半田滴）のサイズは、溶融半田１０がチャンバ７のノズル穴１１からの噴射に係り、ノズル穴１１の径と、溶融半田１０の自重と、チャンバ７内へのアクチュエータ５による加圧のかけ方に関係している。また半田吐出後は半田ボール１２の表面張力に依存している。
【００２９】
これらの条件が最終的に電極１５上に形成される半田ボール１２の形成に影響してくる。特にノズル穴１１および溶融半田１０がある程度一定であれば、半田ボール１２の大きさは加圧する力を制御することで調整することが可能である。加圧を強くかければ半田ボール径は大きくなり、弱ければ半田ボール径は小さいものとなる。
【００３０】
図１のノズル９は、ノズル穴１１から溶融半田１０を吐出し、吐出された半田ボール１２は、移動機構部３の不活性ガス１３（窒素ガス：Ｎ２）雰囲気で覆われたインターポーザ１４上の電極１５へ着弾する。そのとき、インターポーザ１４は、図示しないが例えばバキュームなどによりヒータ１６に固定され、温められているため、電極１５に着弾した半田ボール１２は溶融接合する。
【００３１】
また、ノズル９はダイヤフラム、チャンバ、スリット板などを組み合わせて構成されている。
（移動機構部）
移動機構部３（本実施例ではＸ−Ｙテーブルを設けている）は半田を塗布する電極１５の位置にインターポーザ１４を移動するように制御する。このとき溶融半田１０の噴射スピードとインターポーザ１４を搭載するＸ−Ｙテーブル１７のスピードとのタイミングを合わせ噴出させて電極配置に従って半田ボール１２（バンプ）を形成する。
（ヒータの発熱防止）
ヒータ１６から発生する熱は、制御装置に影響を及ぼすため、Ｘ−Ｙテーブル１７のように繊細な制御を必要とする機器と直接接触しないように熱断熱部として支柱１８を設けている。そして該支柱１８はヒータ１６を支えている。
【００３２】
なお、支柱１８は熱伝導がよくないものが好ましい。また、支柱１８などを設けるスペースがないときは断熱材などを設けてもかまわない。なお、ヒータ１６の温度は、本実施例では１５０℃に設定（半田融点約２２０℃）している（例えば２５〜２４０℃とし、セラミック基板を用いた場合は、４００℃としてもよい）。
（溶融金属貯蔵部）
（溶融半田の温度低下の改善）
チャンバ７から半田が減っていった場合、半田インゴット２０補充時の温度低下は半田吐出の際に悪影響がある。そこでチャンバ７に直接半田インゴット２０を投入せず、溶融金属貯蔵部４（半田槽）を別に設けることで回避することができる。さらに、溶融金属貯蔵部４は複数のエリアに分けてインゴット２０をヒータ２１により溶融する構成とする。
【００３３】
インゴット２０を最初に投入するエリア（第１槽）でインゴット２０を溶融し、次に溶融された半田はさらに温められ次のエリア（第２槽）に流れる。そして最後のエリア（第３槽）で吐出するために適切な温度に調整されてチャンバ７に供給する。ここで、本実施例では３段の構造にしているが限定するものではない。
【００３４】
なお、溶融金属貯蔵部４には不活性ガス１３を注入しておき半田の酸化を防止する。
溶融金属貯蔵部４の溶融半田１０の供給は、１）半田インゴット２０の供給を第１槽で実施する（インゴット補給時に溶融半田１０の温度が下がる）。図３では補給コンベア２２により半田インゴット２０を供給する。補給コンベア２２は、センサ２３とインゴット補給信号（補給液面センサ）２４から構成されるセンサにより、溶融半田１０の液面を監視し、監視結果により、溶融半田１０が溶融金属貯蔵部４に不足または過剰供給されないように半田インゴット２０の供給量を制御する。ここで、センサ２３は、導通のある金属に電圧をかけ、溶融半田１０に触れたとき電圧を感知するような単純なものが好適である。例えばステンレス棒を加工した単純なセンサを本例では用いている。
【００３５】
２）補給時の溶融半田１０の温度安定化のため３槽化し、温度変化を少なく抑えるために溶融半田１０を第２槽へ供給する。そのために隔壁の半田液面と槽底面との中央に１槽から２槽への供給する開口部２５を設ける。３）異物除去のため第２槽と第３槽の間にフィルタ設置する開口部２６を設け、設置位置は上記１）同様、第２槽と３槽隔壁の中央に設ける。４）第３槽からノズル５への配管３７は、異物除去のため槽底面より立ち上げる。
【００３６】
なお、半田噴射ノズル９への供給は第３槽より実施する。第３槽は溶融金属表面の酸化防止のため密閉する蓋に極小穴２７、２８を２つ空ける、１つから不活性ガス１３（窒素など）を微量注入して溶融金属表面の酸化を防ぐ。他方の穴からは不活性ガス１３を排出させることで、不活性雰囲気を維持しつつ半田槽の第３槽表面を大気圧に保つ。
【００３７】
次に第３槽の溶融半田１０液面の高さを測り、液面高さが一定になるように材料の投入を制御する。例えばセンサ２９、３０により液面を監視し、液面の高さに異常があるとき（溶融半田不足、溶融半田過剰）は、液面異常検出部３１に送り半田インゴット２０の供給量を制御する。本例では補給コンベア２２を制御する。また、溶融半田不足、溶融半田過剰供給の異常を監視し知らせ、また、補給コンベア２２を停止する。
（半田の酸化防止）
不活性ガス１３（Ｎ２）は、図１および図４に示す溶融金属貯蔵部４の不活性ガスの経路３２で加熱され、さらに金属溶融吐出機構２の不活性ガス経路３３を経由する。溶融金属貯蔵部４の側面を波のような経路をたどることで、不活性ガス１３の温度を溶融半田１０と略同一にする。溶融半田１０と略同一温度の不活性ガス１３をノズル９の噴射口周辺に供給することにより溶融半田１０の噴射直後の冷却凝固を防止し、かつ高温になっている溶融半田１０の酸化を防止できる。
【００３８】
ここで、図４に示す不活性ガス供給部３４は、ノズル９付近へ不活性ガス１３を供給する。図４に示すように不活性ガス供給部３４に近づくにつれノズル穴１１への経路を徐々に広くする（経路３５より不活性ガス供給部３４は広い）。このような構造にすることで不活性ガス１３の風圧を緩和し、半田ボール１２の飛行の影響を低減する。なお、事前に不活性ガス１３の経路に加熱ヒータを設けても加熱してもよい。
【００３９】
また、着地点までの距離を短くし、さらにノズル穴１１付近の半田残りの酸化、半田ボール１２の飛行中の酸化を防止するために、不活性ガス枠３６を設けて不活性ガス１３の濃度を一定になるよう維持する。
【００４０】
不活性ガス１３の噴射は、基本的に溶融半田１０がノズル９から噴射された瞬間から、酸素があれば酸化が始まるため、ノズル９から着地するインターポーザ１４上の基板パターンまでの範囲が不活性ガス１３で覆われていることが望ましい、ただし、酸素が完全に排除されている必要はない。
【００４１】
不活性ガス１３は、実施例は不活性ガス１３として窒素ガスを用い、溶融半田１０の酸化を防止してフラックスレスで、半田ボール１２と基板パターン（電極１５）との半田接合を実現した。
（着弾精度の改善）
ノズル穴１１から吐出される半田ボール１２が、不活性ガス１３の流れにより、飛行方向を変えられ正しく電極１５に着弾することができないことがある。
【００４２】
不活性ガス１３の風圧も下げ、また、ノズル９と基板間距離を短くすることで着弾精度を上げる。
上記説明した不活性ガス１３は窒素（Ｎ２）以外に、半田（ＳｎＡｇＣｕ）と反応しなければ良いのでアルゴン、ヘリウムなどを使用してもよい。
【００４３】
次に、ノズル９とインターポーザ１４の距離は、現状１〜１０ｍｍの範囲が好適であるが、球状の溶融半田１０が飛行するので、着地点の精度などから短い方（１〜２ｍｍ）がよい。なお、テーブル１７は高さ方向に制御する構成にしてもよい。
【００４４】
上記、説明した半田搭載方法を実施する工程は、１）半田バルク購入、２）基板セット、３）溶融半田噴射（電極毎に半田を搭載）、４）不活性ガス注入による雰囲気（フラックスレスのため）５）外観検査を必要とする。しかし実際の半田搭載の工程は１工程となり、従来例に比べて格段に工程が少なくなる。
【００４５】
また、本実施例によれば、１秒間に例えば４０個の半田ボール１２を噴射する構成とすることも可能であり、その場合、例えば８６個の半田ボール１２を持つＢＧＡパッケージへの半田ボール搭載時間は２．１５秒（＝１／４０秒×８６）となる。すなわち、２．１５秒で１ワークの半田ボール１２を全て搭載できる。
【００４６】
また、従来工程の場合、球形の揃った（誤差±１０〜２０μｍ以下）半田ボールを購入しているが、購入半田はインゴット状態であるため粒の揃った半田ボールより大幅に安価で購入することができる。半田ボールを購入して作業するよりも原価が安価になる。
【００４７】
さらに設備スペースについても同様に装置自体の大きさが小型化でき、半田噴射装置が小さい事と従来工程の「リフロー炉」、「洗浄装置」が省くことができる。
（実施例２）
図５は複数の半田ボール１２を一度に吐出する場合の例である。インターポーザ１４上に配置された電極１５のピッチに合わせて、ノズル９を配置する。そして実施例１同様、各チャンバ７に取付けられている各アクチュエータ５を制御することで、各チャンバ７を加圧して溶融半田１０を吐出する。
【００４８】
上記構成により、インターポーザ１４上の電極１５への半田ボール１２の搭載が、さらに高速に実施することが可能になる。
このとき、同時にアクチュエータ５を制御してチャンバ７内を加圧してもかまわないし、それぞれのアクチュエータ５を制御してもかまわない。このように制御することで、インターポーザ１４上の複数の電極１５の配置間隔と、複数のノズル９の配置間隔とが等し場合に高速に半田ボール１２の搭載ができる。
【００４９】
また、異なる種類の金属を各チャンバ７に供給。抵抗体・コンデンサなどの部品作成と配線とを同時に作ることができる。
（実施例３）
上記実施例２では、溶融半田１０を、不活性ガス１３の雰囲気で覆われた、加熱ヒータ１６に搭載したインターポーザ１４上の電極１５へ噴射している。しかし装置を簡素な機構にするために、不活性ガス１３の雰囲気を省略してしまうと、半田ボール１２の酸化は避けられなくなる。そのかわりに電極１５に着弾後の半田ボール１２の品質を確保するため、フラックスの塗布およびリフロー工程を追加する。その場合、１）半田バルク購入、２）基板セット、３）溶融半田噴射（電極毎搭載）、４）基板へフラックス塗布、５）リフロー炉（半田ボール溶融固定）、６）フラックス洗浄、７）外観検査の工程が必要であるが、半田ボール搭載に必要な肯定は４工程となる。
【００５０】
また、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のメタルジェット式金属ボール搭載装置を示す図である。
【図２】本発明の溶融半田（溶融金属）吐出に関する構造を示す図である。
【図３】本発明のメタルジェット式金属ボール搭載装置の溶融金属貯蔵部の構造を示す図である。
【図４】本発明の不活性ガスの経路と供給口付近の構造を示す図である。
【図５】本発明のメタルジェット式複数金属ボール搭載装置の吐出を行う構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  ・・・  メタルジェット式の金属搭載装置
２  ・・・  金属溶融吐出機構（半田溶融吐出機構）
３  ・・・  移動機構
４  ・・・  溶融金属貯蔵部（溶融半田貯蔵部：半田槽）
５  ・・・  アクチュエータ
６  ・・・  ダイアフラム
７  ・・・  チャンバ
８  ・・・  スリット板
９  ・・・  ノズル
１０  ・・・  溶融半田（溶融金属）
１１  ・・・  ノズル穴
１２  ・・・  金属ボール（半田ボール：金属：バンプ）
１３  ・・・  不活性ガス（窒素ガス：Ｎ２）
１４  ・・・  インターポーザ
１５  ・・・  電極
１６  ・・・  ヒータ
１７  ・・・  Ｘ−Ｙテーブル
１８  ・・・  支柱
１９  ・・・  断熱材
２０  ・・・  半田インゴット
２１  ・・・  ヒータ
２２  ・・・  補給コンベア
２３  ・・・  センサ
２４  ・・・  インゴット補給信号（補給液面センサ）
２５  ・・・  第１槽から第２槽への供給穴
２６  ・・・  第２槽と第３槽の間にフィルタ設置穴
２７、２８  ・・・  極小穴
２９、３０  ・・・  センサ
３１  ・・・  液面異常検出部
３２  ・・・  溶融金属貯蔵部４の不活性ガスの経路
３３  ・・・  金属溶融吐出機構２の不活性ガス経路
３４  ・・・  不活性ガス供給部
３５  ・・・  経路
３６  ・・・  不活性ガス枠
３７  ・・・  配管
【図１】
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【図２】
2007005567.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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