(57)【要約】【課題】鉛フリー化されたメッキ処理部が直接の端子となる半導体装置において、端子の絶縁膜を正しく除去して、歩留まりの向上を図ることができる半導体装置の製造装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】両端の通電電極に鉛フリーのメッキ処理がなされたダイオードを、ダイオードの一方の端子に摺接する導電可動子２５と、ダイオードの他方の端子に摺接する導電固定子３４とによって擦るようにした。これにより、鉛フリー化に伴うメッキ処理部の表面に形成された絶縁膜を正しく除去することができ、ダイオードは正規の電気特性を発揮して、歩留まりの向上を図ることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子に鉛フリーのメッキ処理がなされた半導体装置の製造装置であって、
前記半導体装置を搬送する搬送テーブルと、
当該搬送テーブルを回動自在に支持するベース部材と、
前記搬送テーブルに向かって昇降自在に設けられ、前記半導体装置の一方の端子に摺接する導電可動子と、
前記ベース部材に設けられ、前記半導体装置の他方の端子に摺接する導電固定子と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造装置において、前記導電可動子は前記半導体装置に対して所定の荷重をもって押圧することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置の製造装置において、前記導電可動子および導電固定子は、導電物質よりなる電極本体と、当該電極本体に固着され前記半導体装置の端子に摺接する摺接電極と、一端が前記電極本体に接続され他端が制御機器に接続された配線と、からなることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造装置において、前記電極本体をベリリウム銅により構成し、前記摺接電極をタングステンにより構成したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
端子に鉛フリーのメッキ処理がなされた半導体装置の製造方法であって、
パーツフィーダにセットされた前記半導体装置を、搬送テーブルに供給する半導体装置のセット工程と、
前記搬送テーブルにセットされた前記半導体装置を、前記搬送テーブルを回動させてベース部材に固定された導電固定子上を移動させ、前記半導体装置の他方の端子を擦ると同時に、導電可動子が前記半導体装置の一方の端子に臨みつつ前記半導体装置の一方の端子を所定荷重で押圧して擦る半導体装置の擦り工程と、
当該擦られた前記半導体装置の端子に、導電可動子と導電固定子を介して通電し、前記半導体装置が正常であるか否かを判断する半導体装置の良否判断工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記導電可動子および導電固定子は、ベリリウム銅よりなる電極本体とタングステンよりなる摺接電極とを銀蝋付けして固着してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の良否判断を、所定のしきい値と比較することで判断し、当該判断結果が基準値から所定値ずれている場合には不良と判断し、所定値以内に収まっている場合には良品と判断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の良否判断工程の後に、前記半導体装置が良品である場合には、前記ベース部材に形成された良品用シュータに、前記半導体装置が不良品である場合には、前記ベース部材に形成された不良品用シュータに、それぞれ振り分けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の良品または不良品の振り分けに、前記半導体装置を前記搬送テーブルに保持する電磁石と、前記半導体装置を前記各シュータに落とす圧縮エア源と、を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鉛フリーのメッキ処理がなされた端子を両端に有する半導体装置の製造装置およびその製造方法に関し、特に、ＤＨＤ（ダブル・ヒートシンク・ダイオード）やＬＬＤ（ロー・ロスファストリカバリー・ダイオード）と呼ばれる半導体装置に利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＨＤまたはＬＬＤと呼ばれるダイオード（以下、ダイオードという。）は、ダイオード素子が組み込まれたチップが、表面に亜酸化銅皮膜が被着された一対のジュメット線によって挟持されて、円筒形状のガラス製封止体に収納されており、一対のジュメット線の各々の端部には、端子となる一対のリード線がそれぞれ引き出されている（例えば、特許文献１参照）。そして、特許文献１の技術においては、一対のリード線を一対のジュメット線に対して固着しており、鉛フリーの溶融半田が貯留された半田槽中において、各リード線の表面に錫皮膜を被着するようにしている。また、ダイオードのバリエーションとしては、リードレスタイプのダイオードがあり、当該リードレスタイプのダイオードの両端における端子には、近時、鉛フリー化されたメッキ処理を施すようにしている。
【特許文献１】特開２００４−３６３１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述のようなリードレスタイプのダイオードにおいては、ダイオードの両端におけるメッキ処理部を鉛フリー化すると、当該鉛フリー化に伴いメッキ処理部の表面に比較的硬化な酸化皮膜（絶縁膜）が形成され、この絶縁膜を正しく除去しないと半導体装置が正しく作動せず、正規の電気特性を得ることが困難であるといった問題が生じる。特に、リードレスタイプの半導体装置においては、鉛フリー化されたメッキ処理部が端子となるために、絶縁膜の除去は半導体装置を正しく作動させる上でも重要なファクタとなる。
【０００４】
本発明の目的は、鉛フリー化されたメッキ処理部が端子となる半導体装置において、端子の絶縁膜を正しく除去して、歩留まりの向上を図ることができる半導体装置の製造装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００７】
すなわち、本発明は、端子に鉛フリーのメッキ処理がなされた半導体装置の製造装置であって、前記半導体装置を搬送する搬送テーブルと、当該搬送テーブルを回動自在に支持するベース部材と、前記搬送テーブルに向かって昇降自在に設けられ、前記半導体装置の一方の端子に摺接する導電可動子と、前記ベース部材に設けられ、前記半導体装置の他方の端子に摺接する導電固定子と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明は、端子に鉛フリーのメッキ処理がなされた半導体装置の製造方法であって、パーツフィーダにセットされた前記半導体装置を、搬送テーブルに供給する半導体装置のセット工程と、前記搬送テーブルにセットされた前記半導体装置を、前記搬送テーブルを回動させてベース部材に固定された導電固定子上を移動させ、前記半導体装置の他方の端子を擦ると同時に、導電可動子が前記半導体装置の一方の端子に臨みつつ前記半導体装置の一方の端子を所定荷重で押圧して擦る半導体装置の擦り工程と、当該擦られた前記半導体装置の端子に、導電可動子と導電固定子を介して通電し、前記半導体装置が正常であるか否かを判断する半導体装置の良否判断工程と、からなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１０】
端子に鉛フリーのメッキ処理がなされた半導体装置を、半導体装置の一方の端子に摺接する導電可動子と、半導体装置の他方の端子に摺接する導電固定子とによって擦るようにしたので、鉛フリー化に伴うメッキ処理部の表面に形成された絶縁膜を正しく除去することができ、これにより、半導体装置は正規の電気特性を発揮して、歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図１ないし図７に基づいて詳細に説明する。なお、図１は本発明における半導体装置の製造装置によって製造された半導体装置を示す斜視図を、図２は本発明における半導体装置の製造装置を示す斜視図を、図３は本発明における半導体装置の製造方法を示すフローチャートを、図４は半導体装置を擦る手前の装置の状態を示す断面図を、図５は半導体装置を擦った後の装置の状態を示す断面図を、図６は半導体装置を良品と判断したときの装置の振り分けを示す断面図を、図７は半導体装置を不良品と判断したときの装置の振り分けを示す断面図を、それぞれ示している。
【００１２】
図１に示されるものは、本発明に係る半導体装置の製造装置によって製造された半導体装置（ダイオード）１０を示し、このダイオード１０は、所謂、ＤＨＤと呼ばれるダイオードである。ダイオード１０の図中中心部には、ダイオード素子が内部に組み込まれたチップ１１が設けられており、このチップ１１は、半導体ウェハの状態でダイオード素子が組み込まれ、ダイシング工程において略直方体形状に分断されたものである。
【００１３】
チップ１１の図中上下面は、それぞれアノード電極およびカソード電極となっており、当該両電極を介して電流が負荷されチップ１１が機能部品として機能するようになっている。チップ１１の図中上下面には、表面に亜酸化銅皮膜（Ｃｕ２Ｏ）が被着された円筒形状の一対のジュメット線１２ａ，１２ｂが設けられ、これらのジュメット線１２ａ，１２ｂは、チップ１１を挟持するとともに、チップ１１の上下面となる各電極に接触してチップ１１に通電電流を供給するようになっている。
【００１４】
各ジュメット線１２ａ，１２ｂの図中上下端面には、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）からなる円盤状の通電電極１３ａ，１３ｂが、スポット溶接法や圧接法等の結合手段によって結合されている。各ジュメット線１２ａ，１２ｂは、ガラスが使用されて円筒形状に形成された封止体１４に対して、所定の締代をもって圧入して固定されるようになっている。
【００１５】
各通電電極１３ａ，１３ｂの図中上下面は、ダイオード１０の被取り付け対象となるリード線や基板（いずれも図示せず）を接続するための端子となっており、当該端子の表面にはメッキ処理が施されている。このメッキ処理には、従前のＳｎＰｂ（すず・鉛）材に替えて、ＳｎＢｉ（すず・ビスマス）材，ＳｎＣｕ（すず・銅）材とＰｄ（パラジウム）材を選定して使用しており、所謂、鉛フリーのメッキ処理を施すようにしている。
【００１６】
図２に示すように、半導体装置の製造装置２０は、上述のように各通電電極１３ａ，１３ｂの表面にメッキ処理を施した後の半完成品としてのダイオード１０を、製品として完成させるための装置である。この製造装置２０は、ダイオード１０の各通電電極１３ａ，１３ｂに鉛フリーのメッキ処理によって形成された酸化皮膜（絶縁膜）を除去するとともに、ダイオード１０に通電して電気特性を検査し、ダイオード１０の良否判断を行い、良品と不良品とに振り分けるように構成されている。
【００１７】
製造装置２０は、ワークとしてのダイオード１０を搬送する搬送テーブル２１と、当該搬送テーブル２１を回動自在に支持するベース部材２２とを備え、ベース部材２２の図２中下方には搬送テーブル２１を回動させる電動モータ２３が設けられている。この電動モータ２３は回転軸２３ａを備え、当該回転軸２３ａは、ベース部材２２に設けられた穿孔（図示せず）を介して搬送テーブル２１に連結されている。
【００１８】
搬送テーブル２１の外周縁近傍には、ダイオード１０を収装するとともに、搬送テーブル２１を上下方向に貫通する収装孔２１ａが、周方向に沿って等間隔で、例えば、５ｍｍのピッチ毎に複数箇所設けられている。
【００１９】
搬送テーブル２１の図２中略０°の部分には、ダイオード１０を搬送テーブル２１の収装孔２１ａに収装するためのパーツフィーダ２４が設けられ、このパーツフィーダ２４には、ダイオード１０を縦に並ぶように案内する縦溝２４ａが形成されている。そして、この縦溝２４ａには、図２中矢印で示す方向から図示しないパーツ供給手段から半完成品のダイオード１０が順次供給されるようになっている。なお、パーツフィーダ２４の縦溝２４ａの出口部分（図２中下方）は、収装孔２１ａと丁度対向するようになっており、ダイオード１０が縦溝２４ａを滑って自動的に落下することによって、ダイオード１０が収装孔２１ａ内に収装されるようになっている。
【００２０】
搬送テーブル２１の図２中における時計周り方向略９０°の部分には、搬送テーブル２１に向かって昇降自在に設けられ、先端側がダイオード１０の一方側の端子、すなわち、図中上方の通電電極１３ａに摺接する導電可動子２５が配置されている。この導電可動子２５は、図４に示すように、抵抗値の小さい導電性に優れたベリリウム銅材よりなる電極本体２５ａと、当該電極本体２５ａの図４中下端側に銀蝋付けされた高硬度の耐摩耗性に優れたタングステン材よりなる摺接電極２５ｂと、電極本体２５ａの図４中上端側に一端側が半田付けされた配線２５ｃとから構成されている。
【００２１】
導電可動子２５は、中空のパイプ材２５ｄの先端側に設けられ、当該パイプ材２５ｄの基端側は、ブロック２６上を図２中矢印に示すように水平方向に移動可能で、かつ、揺動可能なアーム２７に固定されている。そして、パイプ材２５ｄの内部には配線２５ｃが収納され、当該配線２５ｃの他端側は、図示しない制御機器に接続されている。
【００２２】
ブロック２６の図２中上面には、アーム２７の基端側を回転自在に支持するとともに、ブロック２６上を水平方向に移動可能な支持プレート２８が設けられている。当該支持プレート２８の図２中右側には、固定部材２９がブロック２６に対して固定されており、この固定部材２９にはボルト３０とナット３１が固定して設けられている。ボルト３０の外周には、コイルばね３２が設けられており、当該コイルばね３２は、アーム２７を図２中左方向に向かってばね力を負荷するようになっている。
【００２３】
アーム２７は、その基端側から先端側に向かって徐々に肉厚となるテーパ部２７ａを備えており、当該テーパ部２７ａによって、アーム２７が図２中左右側に水平移動した際に、アーム２７が図２中矢印に示すように昇降動作するようになっている。なお、アーム２７のテーパ部２７ａには、ブロック２６の上面に設けられた案内ロッド３３の先端側が摺接するようになっている。
【００２４】
アーム２７の先端側を下降させるには、支持プレート２８を図２に示す基準位置にある状態から、ブロック２６内に設けられた図示しない電磁ブレーキを開放して、コイルばね３２のばね力によって図２中左側に移動させる。また、アーム２７の先端側を上昇させるには、支持プレート２８をブロック２６内に設けられた図示しない駆動機構によってコイルばね３２のばね力に抗して図２中右側に移動させる。
【００２５】
ベース部材２２には、導電可動子２５の図２中垂直方向に対向するようにして、導電固定子３４が埋め込むようにして設けられている（図４参照）。この導電固定子３４は、上述した導電可動子２５と同様の材質・構造を採っており、電極本体３４ａ，摺接電極３４ｂおよび配線３４ｃによって構成されている。そして、配線３４ｃの他端側は、図示しない制御機器に接続されている。
【００２６】
搬送テーブル２１の図２における反時計周り方向略９０°の部分には、圧縮エア源３５が設けられ、当該圧縮エア源３５の内部には、圧縮エアを生成するエアコンプレッサ，圧縮エアを貯留するエアタンクおよび圧縮エアの給排を制御する給排弁（いずれも図示せず）が設けられている。圧縮エア源３５には、２つの管路３５ａの基端側が接続して設けられており、管路３５ａの先端側には電磁石３５ｂが設けられている。
【００２７】
電磁石３５ｂは、図示しない制御機器によって制御されるようになっており、電磁石３５ｂをＯＮ制御することにより管路３５ａにダイオード１０が吸着され、電磁石３５ｂをＯＦＦ制御することによって管路３５ａからダイオード１０を離すように作動する。また、制御機器によって圧縮エア源３５の給排弁を開制御することによって、管路３５ａ内に圧縮エアが導入されるようになっている。
【００２８】
管路３５ａの先端側、すなわち、電磁石３５ｂと対向するようにして、ベース部材２２には、孔（図示せず）が形成されており、この孔には中空パイプよりなるシュータ３６の基端側が接続されている。そして、一方のシュータ３６は良品用シュータとして構成され、その先端側は良品ボックス３７に接続されている。他方のシュータ３６は不良品用シュータとして構成され、その先端側は不良品ボックス３８に接続されている。
【００２９】
次に、以上のように構成された製造装置２０の動作、すなわち、ダイオード１０の製造方法について以下詳細に説明する。
【００３０】
図３に示される、パーツフィーダによるダイオードのセット工程Ｋ１においては、まず、半完成品としてのダイオード１０が、図示しないパーツ供給手段からパーツフィーダ２４の縦溝２４ａに縦に並ぶように供給される。その後、搬送テーブル２１が所定の回動速度で回動するとともに、縦溝２４ａが搬送テーブル２１の収装孔２１ａに対向したところでダイオード１０が、順次、収装孔２１ａに供給（セット）される。
【００３１】
図３に示される、ダイオードの擦り工程Ｋ２においては、図４に示すように、ダイオード１０が搬送テーブル２１の回動によって移動され、ダイオード１０の通電電極１３ｂがベース部材２２の導電固定子３４に対向する。すると、同時に導電可動子２５が下降してダイオード１０の通電電極１３ａに臨みつつ所定の荷重（例えば、２００ｇ）で押圧する。このとき導電可動子２５は、図５に示すように通電電極１３ａを擦りつつ搬送テーブル２１の回動方向へ移動される。ここで、導電可動子２５および導電固定子３４によって、通電電極１３ａおよび１３ｂの酸化皮膜（絶縁膜）は削り取られるが、導電可動子２５による押圧力の作用・反作用によって削り量は略同じ量となっている。また、この削り量は、コイルばね３２を他のばね定数を有するコイルばねに交換することによって調整することができる。
【００３２】
図３に示される、ダイオードの通電検査工程Ｋ３においては、図５に示す状態、すなわち、通電電極１３ａおよび１３ｂに形成された絶縁膜を除去した後、当該通電電極１３ａおよび１３ｂに対して、制御機器から導電可動子２５および導電固定子３４を介して所定の大きさ電流を通電する。このときの通電電流の大きさは、ダイオード１０の作動許容範囲内の大きさに設定されている。
【００３３】
図３に示される、ダイオードの良否判断工程Ｋ４においては、導電可動子２５および導電固定子３４を介して読み取ったダイオード１０の実抵抗値を、制御機器が予め設定されたダイオード１０用のしきい値（基準抵抗値）と比較する。そして、実抵抗値がしきい値から所定値以上（例えば、０．００５Ωの振れ幅以上）ずれている場合には、検査対象のダイオード１０は不良品と判断する。一方、実抵抗値がしきい値に対して所定値以内（例えば、０．００５Ωの振れ幅以内）にある場合には、検査対象のダイオード１０は良品と判断する。その後、良品と判断されたダイオード１０における封止体１４の外周に帯状のマーキングが施される。
【００３４】
図３に示される、ダイオードの良品・不良品振り分け工程Ｋ５においては、まず、図６に示すようにダイオード１０が良品（ダイオード１０の完成品）である場合には、搬送テーブル２１の回動によって、良品ボックス３７に対応する管路３５ａと対向する部分に移動され、その後、ベース部材２２の孔および良品用のシュータ３６を介して良品ボックス３７に振り分けられる。このとき、電磁石３５ｂは制御機器によってＯＦＦ制御されている。また、圧縮エア源３５の給排弁は開制御されて良品用のシュータ３６に対応する管路３５ａには、圧縮エアが供給されている。
【００３５】
一方、図７に示すようにダイオード１０が不良品である場合には、搬送テーブル２１の回動によって、不良品ボックス３８に対応する管路３５ａと対向する部分に移動され、その後、ベース部材２２の孔および不良品用のシュータ３６を介して不良品ボックス３８に振り分けられる。このとき、良品用のシュータ３６に対応する電磁石３５ｂは制御機器によってＯＮ制御されるとともに、不良品用のシュータ３６に対応する電磁石３５ｂは制御機器によってＯＦＦ制御されている。また、圧縮エア源３５の給排弁は開制御されて不良品用のシュータ３６に対応する管路３５ａには圧縮エアが供給されている。
【００３６】
前記実施の形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００３７】
１）  鉛フリーのメッキ処理がなされたダイオード１０の通電電極１３ａ，１３ｂを、導電可動子２５と導電固定子３４とによって擦るようにしたので、通電電極１３ａ，１３ｂの表面に形成された絶縁膜を正しく除去して接触安定性を向上することができ、これにより、ダイオード１０は正規の電気特性を発揮することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【００３８】
２）  導電可動子２５は、通電電極１３ａに対して所定の荷重をもって押圧するので、通電電極１３ａ，１３ｂの表面に形成された絶縁膜を確実に除去することができ、ダイオード１０の電気特性における選別信頼性を向上できる。
【００３９】
３）  導電可動子２５および導電固定子３４は、それぞれ電極本体２５ａ，３４ａと摺接電極２５ｂ，３４ｂとを有するので、導電性の良い電極本体（ベリリウム銅材など）や高硬度の耐摩耗性に優れた摺接電極（タングステン材など）を自由に選択・組み合わせることができ、製造装置の設計自由度を向上させることができる。
【００４０】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能あることはいうまでもない。
【００４１】
例えば、前記実施の形態においては、半導体装置として、リードレスタイプのＤＨＤを適用したものを示したが、これに限らず、リードレスタイプのＬＬＤを適用することもできる。また、リードレスタイプの半導体装置に限ることなく、本発明における製造装置において製造工程を経た後、リードを固着するようにしても良く、このようにして、リード付きタイプの半導体装置の製造工程の途中に本発明における製造装置による製造工程を組み込むようにしても良い。
【００４２】
さらに、前記実施の形態においては、工程Ｋ１から工程Ｋ５を経て不良品を振り分けるようにしたものを示したが、これに限らず、工程Ｋ４において不良品と判断した場合に、工程Ｋ５を経ずに工程Ｋ２戻って再び擦るようにしても構わない。この場合、例えば、上記工程を３回繰り返したら半導体装置本体が不良であると判断するようにすれば良い。
【００４３】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるダイオードに適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、鉛フリーのメッキ処理がなされた端子を両端に有するトランジスタ，コンデンサ，レジスタ，抵抗素子等の半導体装置全般に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明における半導体装置の製造装置およびその製造方法は、鉛フリーのメッキ処理がなされた端子を両端に有する半導体装置全般に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明における半導体装置の製造装置によって製造された半導体装置を示す斜視図である。
【図２】本発明における半導体装置の製造装置を示す斜視図である。
【図３】本発明における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】半導体装置を擦る手前の装置の状態を示す断面図である。
【図５】半導体装置を擦った後の装置の状態を示す断面図である。
【図６】半導体装置を良品と判断したときの装置の振り分けを示す断面図である。
【図７】半導体装置を不良品と判断したときの装置の振り分けを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０    ダイオード（半導体装置）
１３ａ，１３ｂ    通電電極（端子）
２０    製造装置
２１    搬送テーブル
２２    ベース部材
２４    パーツフィーダ
２５    導電可動子
２５ａ    電極本体（ベリリウム銅材）
２５ｂ    摺接電極（タングステン材）
２５ｃ    配線
３４    導電固定子
３４ａ    電極本体（ベリリウム銅材）
３４ｂ    摺接電極（タングステン材）
３４ｃ    配線
３５    圧縮エア源
３５ｂ    電磁石
３６    シュータ（良品用シュータ，不良品用シュータ）
【図１】
2007134514.tif 000003
【図２】
2007134514.tif 000004
【図３】
2007134514.tif 000005
【図４】
2007134514.tif 000006
【図５】
2007134514.tif 000007
【図６】
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【図７】
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