(57)【要約】【課題】  音響信号に対するノイズ耐性を向上する音響センサを提供する。【解決手段】  音響センサ１００は、シリコン基板１上に形成された振動電極４と、振動電極４に対向し、所定の間隔を隔てて配置された固定電極６とを備え、振動電極４と固定電極６によりキャパシタを構成する。さらに、固定電極６をシリコン基板１に固定する膜として、低誘電率絶縁膜であるＳｉＯＣ膜［組成：ＳｉＯｘ（ＣＨ３）ｙ］に対して、イオン注入によってホウ素（Ｂ）を導入した改質ＳｉＯＣ層８ａを用いる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に設けられた第１電極と、
前記第１電極とキャパシタを構成するように前記第１電極に対向し、所定の間隔を隔てて配置された第２電極と、
前記第２電極の上に設けられ、前記第２電極を前記半導体基板に固定する第１絶縁膜と、を備え、
前記第１絶縁膜は、イオン注入によって絶縁膜に対して不純物が導入された膜であることを特徴とした音響センサ。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、イオン注入によってＳｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜に対して不純物が導入された膜であることを特徴とした請求項１に記載の音響センサ。
【請求項３】
前記第１絶縁膜は、前記不純物が導入された第１領域と、前記不純物が導入されていない第２領域を含むことを特徴とした請求項２に記載の音響センサ。
【請求項４】
前記不純物は、前記第１絶縁膜を介して前記第２電極に導入されていることを特徴とした請求請１〜３のいずれか一項に記載の音響センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響センサに関し、特に半導体基板上に形成された音響センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、音響振動を検出する半導体センサとして、コンデンサ型シリコンマイクロフォンが提案されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。このマイクロフォンは、振動電極（ダイアフラム電極）と、振動電極に対向し、所定の間隔を隔てて配置された固定電極（バックプレート電極）とを備え、振動電極と固定電極とにより、キャパシタが形成される。
【０００３】
そして、マイクロフォンに音圧がかかると、振動電極が振動し、この振動による振動電極と固定電極との間隔の変化に起因して、静電容量が変化する。さらに、静電容量の変化に伴う２電極間の電圧の変化を電気的に読み取ることで、音響信号を得る。
【特許文献１】特表昭６０−５００８４１号公報
【特許文献２】特開２００２−３２８１１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したマイクロフォンでは、振動による静電容量の変化を測定するため、ノイズ対策が重要となる。特に、振動などにより固定電極が変位すると、正確な容量変化を測定することができず、得られた音響信号にノイズが加わるという課題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記の課題に鑑み、音響信号に対するノイズ耐性を向上させた音響センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明のある態様の音響センサは、半導体基板の上に設けられた第１電極と、第１電極とキャパシタを構成するように第１電極に対向し、所定の間隔を隔てて配置された第２電極と、第２電極の上に設けられ、第２電極を半導体基板に固定する第１絶縁膜と、を備え、第１絶縁膜は、イオン注入によって絶縁膜に対して不純物が導入された膜であることを特徴とする。
【０００７】
イオン注入を用いた改質法では、不純物を注入中は、膜は実質的に８００℃程度まで高温化され、膜が緻密化された状態に変化する。この際、膜は緻密化されるが、不純物の注入によって膜中の結合を切断しながら緻密化されるので、膜応力としては緩和された状態にある。そして不純物の注入後、８００℃程度から室温の平衡状態に戻る際に膜が膨張しようとする力が生じ、膜応力として圧縮応力（下地に対して膨張する方向に働く応力）が引き起こされる。
【０００８】
この態様によると、第１絶縁膜には、イオン注入によって圧縮応力（下地に対して膨張する方向に働く応力）が引き起こされるので、第２電極は外側方向（下地に対して膨張する方向）に引っ張られた状態で固定される。このため、第２電極に音圧がかかった場合に、第２電極の振動（変位）が抑制される。この結果、イオン注入していない絶縁膜を用いた場合に比べて、音響信号に加わるノイズが少なくなるので、正確な容量変化を測定できる低ノイズの音響センサを提供することができる。
【０００９】
また、本発明の別の態様の音響センサは、第１絶縁膜は、イオン注入によってＳｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜に対して不純物が導入された膜であることを特徴とする。
【００１０】
この態様によると、第１絶縁膜がＳｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜に対して不純物が導入された膜であるので、従来のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜に比べて低誘電率である。この結果、第１電極と第２電極との間の静電容量に加わる寄生容量、具体的には、第２電極を固定する第１絶縁膜に起因する寄生容量（寄生容量≒材料の比誘電率×面積／厚さ）を低減することができるので、音響センサの感度（感度≒バイアス電圧×振動による静電容量変化／静電容量）を向上させることができる。
【００１１】
また、Ｓｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜に対して不純物を導入しているため、イオン注入による膜の緻密化およびその後の膨張がより大きく変化するので、従来の絶縁膜に比べてより高い圧縮応力（下地に対して膨張する方向に働く応力）が引き起こされる。このため、第１絶縁膜によって第２電極は外側方向（下地に対して膨張する方向）に引っ張られた状態で固定され、第２電極に音圧がかかった場合に、第２電極の振動（変位）が抑制される。この結果、従来の絶縁膜を用いた場合に比べて、音響信号に加わるノイズが少なくなるので、正確な容量変化を測定できる低ノイズの音響センサを提供することができる。
【００１２】
また別の態様によると、第１絶縁膜は、不純物が導入された第１領域と、不純物が導入されていない第２領域を含むことを特徴とする。この態様によると、第２電極を固定する第１絶縁膜が不純物を導入した第１領域を含むことによって、第２電極が外側方向に引っ張られた状態に固定することができ、音波などの伝搬による第２電極の振動（変位）を抑制することができる。また、不純物を導入した絶縁膜は、イオン注入法によって膜が緻密化されるために、イオン注入前の絶縁膜に比べて比誘電率が高くなるので、第１絶縁膜が不純物を導入していない第２領域を含むことによって、第１絶縁膜を第１領域のみで構成した場合に比べて第１絶縁膜の比誘電率を低下させることができる。この結果、第１電極と第２電極との間の静電容量に加わる寄生容量、具体的には、第２電極を固定する第１絶縁膜に起因する寄生容量を低減することができるので、音響センサの感度を向上させることができる。
【００１３】
さらに別の態様によると、不純物は、第１絶縁膜を介して第２電極に導入されていることを特徴とする。このようにすることにより、第２電極と第１絶縁膜との界面でのミキシング作用によって第２電極と第１絶縁膜との密着性が向上し、第２電極がより強固に第１絶縁膜で引っ張られた状態に固定されるため、音響信号に対するノイズ耐性をさらに向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、音響信号に対するノイズ耐性を向上する音響センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る音響センサ１００の構成を示す上面図であり、図２は、図１の音響センサ１００のＡ−Ａ’断面図であり、図３は、図１の音響センサ１００のＢ−Ｂ’断面図である。
【００１７】
本発明の第１実施形態に係る音響センサ１００は、図１から図３に示すように、シリコン基板１上に形成された振動電極４と、振動電極４に対向し、所定の間隔を隔てて配置された固定電極６とを備え、振動電極４と固定電極６によりキャパシタを構成する。
【００１８】
音響センサ１００は、エアギャップ層１１、改質ＳｉＯＣ層８ａ、犠牲層５、固定電極６、振動電極４、基板開口部１０ａ、音響ホール７ａ、振動電極用パッド電極９ａ、固定電極用パッド電極９ｂ、エッチストッパ２ａ、シリコン基板１等を含む。尚、図２および図３から明らかなように、図１において、エアギャップ層１１等は上面から直接見ることができない。しかしながら、ここでは構造の理解を容易にするために、直接見えない部分も適宜見えるように示してある。
【００１９】
シリコン基板１は、音響センサ１００の基板となる。シリコン基板１には、図２および図３に示すように、シリコン基板１の上側から下側に音孔１０が穿設されている。また、図１に示すように、シリコン基板１の上側の表面における音孔１０の基板開口部１０ａは、四角形の形状を有している。また、シリコン基板１の上側の表面は、エッチストッパ２ａを備える。
【００２０】
振動電極４は、図２および図３に示すように、シリコン基板１の断面における音孔１０を覆うように形成されている。音孔１０の下側から音圧が伝達され、音圧によって振動電極４は振動できるように構成されている。具体的には、振動電極４は、音孔１０を覆う領域は浮動状態に形成し、音孔１０の外周領域においてシリコン基板１（エッチストッパ２ａ）上に固定されている。
【００２１】
固定電極６は、図２および図３に示すように、振動電極４の上方に設けられて、振動電極４と共にキャパシタを形成する。当該キャパシタは、音圧によって振動電極４が振動すれば、静電容量の値が変化する特性を有する。また、固定電極６は、基板開口部１０ａ、即ち音孔１０の少なくとも一部分を占めるような大きさで設計されている。
【００２２】
改質ＳｉＯＣ層８ａは、図２および図３に示すように、固定電極６を覆うように形成され、固定電極６の外周部において固定電極６をシリコン基板１に固定している。ここで、改質ＳｉＯＣ層８ａは、低誘電率絶縁膜の１つであるＳｉＯＣ膜［組成：ＳｉＯｘ（ＣＨ３）ｙ］に対してイオン注入法を用いてホウ素（Ｂ）などの不純物を導入した膜である。
【００２３】
犠牲層５は、図２および図３に示すように、振動電極４と固定電極６とを絶縁するように形成されている。ここで、改質ＳｉＯＣ層８ａおよび固定電極６が、振動電極４との間に作ったスペースをエアギャップ層１１と呼ぶ。また、改質ＳｉＯＣ層８ａおよび固定電極１４は、複数の音響ホール７ａを形成している。
【００２４】
振動電極用パッド電極９ａと、固定電極用パッド電極９ｂは、振動電極４と固定電極６にそれぞれ接続して、所定の電圧を印加する。また、振動電極４と固定電極６によるキャパシタの静電容量が変化すれば、振動電極用パッド電極９ａと固定電極用パッド電極９ｂとの間の電位差も変化するので、当該変化した電位差を音声信号として出力する。即ち、振動電極用パッド電極９ａと固定電極用パッド電極９ｂは、キャパシタの静電容量の変化を間接的に検出する。出力した音声信号は、例えば、スピーカによって出力されたり、デジタル信号に変換して記憶されたりする。
【００２５】
尚、シリコン基板１は本発明の「半導体基板」、振動電極４は本発明の「第１電極」、固定電極６は本発明の「第２電極」、及び改質ＳｉＯＣ層８ａは本発明の「第１絶縁膜：Ｓｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜に対して不純物が導入された膜」の一例である。
【００２６】
表１に、改質ＳｉＯＣ層８ａの膜特性（残留応力、ＢＨＦエッチングレート、比誘電率）についてまとめる。尚、残留応力（内部応力）には、下地膜に対して収縮する方向に働く応力（引張応力）と、膨張する方向に働く応力（圧縮応力）があり、表中ではプラスの値が圧縮応力を示し、マイナスの値が引張応力を示している。
【００２７】
【表１】
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固定電極６を固定する絶縁膜が圧縮応力を有することによって、絶縁膜が固定電極６を外周方向（下地に対して膨張する方向）に引っ張るように作用するため、大きな圧縮応力を有する絶縁膜であればあるほど固定電極６をより強固に引っ張った状態に固定することができる。
【００２８】
改質ＳｉＯＣ膜は、表１から明らかなように、改質していないＳｉＯＣ膜の引張応力とは反対の圧縮応力を有しており、さらにシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）に比べても２倍近く大きな圧縮応力を有している。これは、改質ＳｉＯＣ膜（イオン注入によって不純物を導入したＳｉＯＣ膜）は、イオン注入による膜の緻密化およびその後の膨張によって、イオン注入前のＳｉＯＣ膜と比べて圧縮応力（下地に対して膨張する方向に働く応力）が引き起こされているためである。
【００２９】
第１実施形態では、高い圧縮応力を有する改質ＳｉＯＣ膜からなる改質ＳｉＯＣ層８ａが固定電極６を固定しているので、固定電極６は外側方向（下地に対して膨張する方向）に引っ張られた状態で固定される。このため、固定電極６に音圧がかかった場合に、固定電極６の振動（変位）が抑制される。この結果、不純物を導入していないＳｉＯＣ膜を用いた場合に比べて、音響信号に加わるノイズが少なくなるので、正確な容量変化を測定できる低ノイズの音響センサ１００を提供することができる。
【００３０】
次に、本発明の第１実施形態に係る音響センサ１００の製造方法について、図４〜図７を用いて説明する。尚、図４〜図７は、図２と同様に、図１の音響センサ１００でのＡ−Ａ’断面に対応する。
【００３１】
まず、図４（Ａ）に示す工程１において、両面研磨シリコン基板１上に、減圧ＣＶＤ法を用いて、エッチストッパ２ａ、２ｂを約２００ｎｍ成膜する。エッチストッパ２ｂは、シリコン基板１を裏面からエッチングする際のマスクとなり、エッチストッパ２ａは、後にシリコン基板１を裏面からエッチングする際のストッパとなる。エッチストッパ２ａ、２ｂには、シリコン窒化膜を用いることが一般的である。シリコン窒化膜を形成する際に用いるガスは、モノシランとアンモニア、ジクロロシランとアンモニアなどであり、成膜温度は、３００〜６００℃である。
【００３２】
図４（Ｂ）に示す工程２において、エッチストッパ２ａの全面上に、プラズマＣＶＤ法または常圧ＣＶＤ法を用いて、約５００ｎｍの厚みを有する犠牲層３を形成する。犠牲層３には、リン（Ｐ）を含むシリコン酸化膜を用いることが一般的であるが、フッ酸（ＨＦ）に可溶であればどの膜を用いてもよい。この犠牲層３は、後にＨＦによるエッチングで除去するため、最終的な構造体には残らない膜である。その後、犠牲層３に対して、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００３３】
図４（Ｃ）に示す工程３において、エッチストッパ２ａおよび犠牲層３の全面上に、振動電極４を約１μｍ成膜する。振動電極４には、ポリシリコンを用いることが一般的であるが、その他の導電性のある材料を用いてもよい。そして、振動電極４に対して、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００３４】
図５（Ｄ）に示す工程４において、振動電極４の上に３μｍ程度の犠牲層５を成膜する。犠牲層５には、犠牲層３と同様、リン（Ｐ）を含むシリコン酸化膜を用いることが一般的であるが、フッ酸（ＨＦ）に可溶であればどの膜を用いてもよい。後工程でエアギャップ層１１（図２参照）となる部分の犠牲層５は、後にＨＦによるエッチングで除去するため、最終的な構造体には残らない。尚、最終的な構造体には残る部分の犠牲層５については、振動電極４と固定電極６とを絶縁する絶縁層として機能する。そして、犠牲層５に対して、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて周辺部を除去し、開口部を有する犠牲層５を形成する。ここで、犠牲層５の膜厚は、最終的な電極間のエアギャップ距離となることから、容量（Ｃ＝ｅ＊Ｓ／ｔ、ｅ：誘電率、Ｓ：電極面積、ｔ：エアギャップ距離）、つまり感度に反映されるとともに、音響センサ１００の構造の強固性にも大きな影響を及ぼす。例えば、エアギャップ層１１が狭すぎると振動電極４と固定電極６が接触してしまい、センシング出来なくなる。
【００３５】
図５（Ｅ）に示す工程５において、犠牲層５の上に、固定電極６を形成する導電膜を成膜する。機械強度の観点から、本導電膜は、ポリシリコンが望ましい。そして、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。このパターニングの際、エアギャップ層内の空気が振動電極４の変位に応じて移動するための音響ホール７を同時にパターニングしておく。
【００３６】
図５（Ｆ）に示す工程６において、固定電極６および犠牲層５の上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、Ｓｉ，Ｏ，Ｃを含む絶縁膜であるＳｉＯＣ膜８を約２μｍ成膜する。具体的には、トリメチルシランおよび酸素からなる混合ガスを用いて、約３５０℃の成膜温度、約４．０Ｔｏｒｒの成膜圧力および約６００Ｗの高周波電力の条件で行う。これにより、組成がＳｉＯｘ（ＣＨ３）ｙからなる低誘電率ＳｉＯＣ膜８が形成される。
【００３７】
図６（Ｇ）に示す工程７において、ＳｉＯＣ膜８を改質するために、イオン注入を行う。具体的には、ボロンイオン（Ｂ＋）を、約１４０ｋｅＶの注入エネルギおよび約２×１０１５ｃｍ−２の注入量の条件下で注入する。これにより、膜中にボロンが導入された改質ＳｉＯＣ層８ａが形成される。
【００３８】
イオン注入を用いた改質法では、不純物を注入中は、膜は実質的に８００℃程度まで高温化され、膜が緻密化された状態に変化する。この際、膜は緻密化されるが、不純物の注入によって膜中の結合を切断しながら緻密化されるので、膜応力としては緩和された状態にある。そして不純物の注入後、８００℃程度から室温の平衡状態に戻る際に膜が膨張しようとする力が生じ、膜応力として圧縮応力（下地に対して膨張する方向に働く応力）が引き起こされる。この結果、高い圧縮応力を有する改質ＳｉＯＣ層８ａが得られる。
【００３９】
また、イオン注入法を用いて、ＳｉＯＣ膜８にボロンイオンを導入することで、固定電極６とＳｉＯＣ膜８との界面でのミキシング作用によって、固定電極６と改質ＳｉＯＣ層８ａとの密着性が向上し、固定電極６がより強固に改質ＳｉＯＣ層８ａで引っ張られた状態で固定されるため、音響信号に対するノイズ耐性をさらに向上させることができることになる。
【００４０】
図６（Ｈ）に示す工程８において、改質ＳｉＯＣ層８ａに対して、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。ここでの不要な部分とは、周辺部だけでなく、パッド部分２０と音響ホール７ａを含む。この改質ＳｉＯＣ層８ａのパターニングの際、先に加工した音響ホール７に位置を整合し、導電膜により形成したものより径が小さい音響ホール７ａを同時に形成している。これにより、固定電極６の側壁にも、改質ＳｉＯＣ層８ａが設けられるため、改質ＳｉＯＣ層８ａと固定電極６とがより強固に固定される。
【００４１】
図６（Ｉ）に示す工程９において、パッド部分２０に、振動電極用パッド電極９ａや固定電極用パッド電極９ｂ（図示せず）のパッド電極を形成する。パッド電極には、アルミニウム、銅、金などの低抵抗金属膜が特に適している。形成方法としては、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いる方法もあるが、いわゆるメッキレジスト法やレジストエッチオフ方などの技術を適用してもよい。
【００４２】
図７（Ｊ）に示す工程１０において、シリコン基板１の裏面側のエッチストップ２ｂに対して、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００４３】
図７（Ｋ）に示す工程１１において、パターニングされたエッチストップ２ａをマスクとして用いて、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）や水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）などのアルカリエッチング液で等方性エッチングを行う。この等方性エッチングは、工程１において成膜したエッチストッパ２ａで自動的にエッチングストップされる。これにより、シリコン基板１に基板開口部１０が形成される。
【００４４】
図７（Ｌ）に示す工程１２において、シリコン基板１の裏面側からこの開口した部分のエッチストッパ２ａをエッチング液（例えば、リン酸）やドライエッチにより除去する。その後に、シリコン基板１の裏面側から、ＨＦを用いて犠牲膜３を除去するとともに、音響ホール７ａ側から犠牲膜５を選択的にエッチング除去して、エアギャップ層１１を最終的に形成する。
【００４５】
（第２実施形態）
図８は、本発明の第２実施形態に係る音響センサ１００ａを示した断面図である。第１実施形態と異なる箇所は、固定電極６を固定する絶縁膜がＳｉＯＣ膜８ｃと改質ＳｉＯＣ層８ｂとが積層膜になっていることである。それ以外については第１実施形態と同様である。
【００４６】
積層膜の形成は、第１実施形態における工程７において、ＳｉＯＣ膜８への注入エネルギを小さくすることによって、改質深さを制御することで容易に実現できる。第２実施形態では、例えば、注入エネルギを１００ｋｅＶとしている。
【００４７】
なお、改質ＳｉＯＣ層８ｂは本発明の「第１領域」の一例であり、ＳｉＯＣ膜８ｃは本発明の「第２領域」の一例である。
【００４８】
表１に示したように、ＳｉＯＣ膜の残留応力は引張応力であり、固定電極６を引っ張った状態で固定できないものの、膜の比誘電率が３．０であり、シリコン酸化膜（比誘電率４．２）やシリコン窒化膜（比誘電率７）に比べて低い誘電率ある。第２実施形態では、固定電極６を固定する絶縁膜が、不純物を導入した改質ＳｉＯＣ層８ｂを含むことによって、固定電極６が外側方向に引っ張られた状態に固定することができ、音波などの伝搬による固定電極６の振動（変位）を抑制することができる。また、改質ＳｉＯＣ層８ｂは、イオン注入法によって膜が緻密化されるためにイオン注入前のＳｉＯＣ膜に比べて比誘電率が高くなるので、固定電極６を固定する絶縁膜が不純物を導入していないＳｉＯＣ膜８ｃを含むことによって、固定電極６を固定する絶縁膜を改質ＳｉＯＣ層８ａのみで構成した場合に比べて膜の比誘電率を低下させることができる。この結果、振動電極４と固定電極６との間の静電容量に加わる寄生容量、具体的には、固定電極６を固定する絶縁膜（改質ＳｉＯＣ層８ｂ、ＳｉＯＣ膜８ｃ）に起因する寄生容量（寄生容量≒材料の比誘電率×面積／厚さ）を低減することができるので、音響センサ１００ａの感度（感度≒バイアス電圧×振動による静電容量変化／静電容量）を向上させることができる。
【００４９】
さらに、表１に示したように、ＳｉＯＣ膜８ｃおよび改質ＳｉＯＣ層８ｂは、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜に比べて、いずれもＢＨＦ（バッファードフッ酸）のエッチングレートが小さい。このため、犠牲層３および犠牲層５を除去する際のＨＦ処理による膜減りが抑制されるので、固定電極６を固定する絶縁膜が実質的に厚膜化したのと同じ効果が得られる。この結果、固定電極６をより強固に引っ張った状態で固定することができる。さらに、ＢＨＦのエッチングレートが小さいため、実際の製造プロセス（工程１２）の犠牲層除去のプロセスマージンが拡大し、高性能、且つ、高歩留まりの音響センサを実現することができる。
【００５０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る音響センサの構成を示す上面図である。
【図２】図１の音響センサのＡ―Ａ’断面図である。
【図３】図１の音響センサのＢ―Ｂ’断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る音響センサの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る音響センサの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る音響センサの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る音響センサの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る音響センサを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  シリコン基板
２ａ、２ｂ  エッチストップ
３  犠牲層
４  振動電極
５  犠牲層
６  固定電極
７ａ  音響ホール
８ａ  改質ＳｉＯＣ層
９ａ  振動電極用パッド電極
１０ａ  基板開口部
１１  エアギャップ層
１００  音響センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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