(57)【要約】【課題】  面発光レーザの共振器におけるリーク電流を低減することができる面発光レーザおよび光伝送モジュールを提供する。【解決手段】  活性層１３、活性層１３の下層側に形成された下部ＤＢＲ１２および活性層１３の上層側に形成された上部ＤＢＲ１４を有して構成される共振器と、活性層１３を通る電流の流路を制限する絶縁領域をなすものであって、該絶縁領域が少なくとも活性層１３の下側又は上側の一部から活性層１３の周辺部位まで連続して形成されている電流狭窄層（第１酸化狭窄層１８Ａ）とを有することを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層、前記活性層の下層側に形成された下側反射層および前記活性層の上層側に形成された上側反射層を有して構成される共振器と、
絶縁領域が少なくとも前記活性層の下側又は上側の一部から該活性層の周辺部位まで連続して形成されている電流狭窄層とを有することを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記共振器の全部又は一部は、基板に対して凸形状の柱部を構成しており、
前記電流狭窄層は、前記柱部の側壁部の内側から該側壁部の外側まで連続して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記電流狭窄層は、前記活性層の直下又は直上に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記電流狭窄層は、前記活性層の上方及び下方の両方に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記共振器の側面の少なくとも一部は、階段状に形成されており、
前記電流狭窄層の上面の一部は、露出していることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記共振器の側面の少なくとも一部は、該共振器の光軸を基準として傾斜しており、
前記電流狭窄層の側面は前記光軸を基準として傾斜していることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記電流狭窄層の厚みは、１０ｎｍ以上あることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の面発光レーザを有して構成されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザおよび光伝送モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速動作が可能であり低消費電力であるという特徴を持つ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が、通信データ量の増大などに伴い注目されている。面発光レーザの利点としては検査が容易であり、端面発光型の半導体レーザと比較すると安価である点も挙げられる。この特徴を生かすためには、製造工程で高価な生産設備の投資をすることなく、歩留まりの向上を図る必要がある。
【０００３】
また、比較的高い信頼性を持ちながら簡便に製造できる面発光レーザとして、酸化狭窄型面発光レーザが研究・開発されている。酸化狭窄型面発光レーザは、共振器の少なくとも一部をなす凸形状の柱部における一部の層を酸化して形成した酸化狭窄層（電流狭窄層）を備えたものである。酸化狭窄層により、柱部の活性層を流れる電流の密度が向上し、レーザ出力の効率化などが図れる（例えば、特許文献１から３参照）。
【特許文献１】特開２００３−１６８８４５号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７５３６号公報
【特許文献３】特開２００４−２５３４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１から３に記載の面発光レーザを含む従来の面発光レーザでは、共振器の柱部の側面（外周表面）を流れるリーク電流が少なからず生じ、レーザ発振動作の低閾値化を阻害しているという問題点がある。この閾値の上昇は、面発光レーザの変調駆動速度の高速化及び低消費電力化を阻害することとなる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、面発光レーザの共振器におけるリーク電流を低減することができる面発光レーザおよび光伝送モジュールの提供を目的とする。
また、本発明は、面発光レーザの共振器の柱部における外周表面を流れるリーク電流を低減することができ、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる面発光レーザおよび光伝送モジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の面発光レーザは、活性層、前記活性層の下層側に形成された下側反射層および前記活性層の上層側に形成された上側反射層を有して構成される共振器と、前記活性層を通って流れる電流の流路を制限する絶縁領域をなすものであって、該絶縁領域が少なくとも前記活性層の下側又は上側の一部から該活性層の周辺部位（前記活性層の下側又は上側から外れた部位）まで連続して形成されている電流狭窄層とを有することを特徴とする。
本発明によれば、活性層の側面（外周表面）を流れるリーク電流を、絶縁体からなる電流狭窄層によって大幅に低減することができる。例えば上記リーク電流は、上側反射層の側面から活性層の側面を通り下側反射層の側面にまで流れる流路となる。本発明の面発光レーザでは、電流狭窄層が活性層の下側（又は上側）から活性層の周辺部位まで張り出しているので、上記リーク電流の流路を電流狭窄層によって遮断することができる。したがって、本発明によれば、リーク電流を大幅に低減でき、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる。
【０００７】
また、本発明の面発光レーザは、前記共振器の全部又は一部が基板に対して凸形状の柱部を構成しており、前記電流狭窄層は、前記柱部の側壁部の内側から該側壁部の外側まで連続して形成されていることが好ましい。
本発明によれば、面発光レーザの共振器の柱部における外周表面を流れるリーク電流の流路を、電流狭窄層によって遮断することができる。したがって、前記リーク電流を大幅に低減でき、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる。
【０００８】
また、本発明の面発光レーザは、前記電流狭窄層が前記活性層の直下又は直上に配置されていることが好ましい。
本発明によれば、活性層の外周を通るリーク電流を、電流狭窄層により、効果的に低減することができる。
【０００９】
また、本発明の面発光レーザは、前記電流狭窄層が前記活性層の上方及び下方の両方に配置されていることが好ましい。
本発明によれば、活性層の上方及び下方の両方に形成された電流狭窄層により、リーク電流をより効果的に低減することができる。
【００１０】
また、本発明の面発光レーザは、前記共振器の側面の少なくとも一部が階段状に形成されており、前記電流狭窄層の上面の一部は露出していることが好ましい。
本発明によれば、電流狭窄層の上面の一部が共振器の側面において露出しているので、面発光レーザの共振器の外周表面を流れるリーク電流を大幅に低減することができる。
【００１１】
また、本発明の面発光レーザは、前記共振器の側面の少なくとも一部が該共振器の光軸を基準として傾斜しており、前記電流狭窄層の側面は前記光軸を基準として傾斜していることが好ましい。
本発明によれば、電流狭窄層の側面が傾斜しているので、傾斜していない場合よりも、その側面の幅を大きくすることができる。これにより、前記リーク電流の流路を遮断する絶縁体の幅（前記側面の幅）を比較的に簡便に増大でき、リーク電流を簡便に低減することができる。電流狭窄層の側面の幅は、例えば１０ｎｍ以上あることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の面発光レーザは、前記電流狭窄層の厚みが１０ｎｍ以上あることが好ましい。
本発明によれば、前記リーク電流を効果的に低減することができる。
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の光伝送モジュールは、前記面発光レーザを有して構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、良好な高周波特性を有し、消費電力が低い光伝送モジュールを提供することができる。したがって、本発明の光伝送モジュールは、通信等の高速化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために、各構成要素の縮尺を適宜変更して表示している。
【００１５】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。面発光レーザ１０は、半導体基板１１と、下部ＤＢＲ（下側反射層）１２と、活性層１３と、上部ＤＢＲ（上側反射層）１４と、コンタクト層１５と、第１酸化狭窄層（電流狭窄層）１８Ａと、第２酸化狭窄層（電流狭窄層）１８Ｂと、絶縁層１９と、第１電極２０と、第２電極２１とを有して構成されている。
【００１６】
半導体基板１１は、化合物半導体からなり、例えばｎ型ＧａＡｓ基板で構成される。下部ＤＢＲ１２は、半導体基板１１の上層に形成されている。下部ＤＢＲ１２は、屈折率の異なる層を交互に積層した反射層で構成されている。例えば下部ＤＢＲ１２は、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布反射型多層膜ミラー（ＤＢＲミラー）を構成している。活性層１３は、下部ＤＢＲ１２の上層に形成されている。そして、活性層１３は、例えば厚さ３ｎｍのＧａＡｓのウエル層と厚さ３ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓのバリア層からなり、そのウエル層が３層で構成されている量子井戸活性層を構成している。
【００１７】
上部ＤＢＲ１４は、活性層１３の上に設けられている。そして、上部ＤＢＲ１４は、屈折率の異なる層を交互に積層した反射層で構成されている。例えば上部ＤＢＲ１４は、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラー（ＤＢＲミラー）を構成している。
【００１８】
下部ＤＢＲ１２は、Ｓｉがドーピングされることによりｎ型半導体にされている。上部ＤＢＲ１４は、Ｃがドーピングされることによりｐ型半導体にされている。活性層１３には、不純物がドーピングされていない。これらにより、下部ＤＢＲ１２、活性層１３及び上部ＤＢＲ１４は、ｐｉｎダイオードを構成しており、面発光レーザ１０の共振器を構成している。この共振器における活性層１３及び上部ＤＢＲ１４は、半導体基板１１及び下部ＤＢＲ１２の上面に凸形状に形成された円柱形状の柱部を構成している。なお、下部ＤＢＲ１２も凸形状として、その下部ＤＢＲ１２における上側の一部を柱部の一部としてもよい。この柱部の上面及び下面が面発光レーザ１０のレーザ光出射面となる。
【００１９】
コンタクト層１５は上部ＤＢＲ１４の上に形成されている。コンタクト層１５は例えばｐ型のＧａＡｓ層で形成されている。絶縁層１９は、下部ＤＢＲ１２及び活性層１３などから第２電極２１を絶縁するための層である。第１電極２０は、面発光レーザ１０のカソード電極をなすものである。第２電極２１は、面発光レーザ１０のアノード電極をなすものである。第２電極２１は、コンタクト層１５を介して上部ＤＢＲと電気的に接続されている。
【００２０】
第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂは、活性層を通って流れる電流の流路を制限する絶縁領域をなすものである。すなわち、第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂは、面発光レーザ１０の共振器内で流れる電流の流域を狭くして電流密度を向上させるものである。電流密度を高くすることで、低電流でレーザ発振することができる高性能な面発光レーザ１０を構成できる。
【００２１】
第１酸化狭窄層１８Ａは活性層１３の直下に配置されている。第２酸化狭窄層１８Ｂは活性層１３の直上に配置されている。第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂの平面形状は、それぞれドーナツ形状となっている。
【００２２】
第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂは、例えばＡｌ酸化物を主体とする絶縁層で構成する。第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂは、例えば活性層１３の近傍に酸化されやすい層（主にＡｌを多く含む層、例えば、Ａｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層）を設け、４００℃程度の高温の水蒸気（酸化ガス）を用いた酸化反応で形成できる。これにより、円柱形状の柱部における酸化されやすい層がその柱部の側面から酸化されて行き、その酸化された部分がドーナツ形状の絶縁体となり、第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂとなる。
【００２３】
さらに、第１酸化狭窄層１８Ａは、平面的に見て、活性層１３の直下から活性層１３の周辺部位まで連続して形成されている。換言すれば、平面的に見て、第１酸化狭窄層１８Ａの一部は活性層１３を含む柱部の内部に存在し、第１酸化狭窄層１８Ａの他の一部は柱部の側面から張り出して張出し部１８Ａ’を構成している。すなわち、平面的に見て、第１酸化狭窄層１８Ａの内周は柱部の内側に存在しているが、第１酸化狭窄層１８Ａの外周は柱部の外側に存在している。第１酸化狭窄層１８Ａの厚みは、例えば１０ｎｍ以上あることが好ましい。
【００２４】
第２酸化狭窄層１８Ｂは、活性層１３を含む柱部の内部に配置されている。なお、第２酸化狭窄層１８Ｂについても、第１酸化狭窄層１８Ａと同様に張出し部１８Ａ’を有する形状としてもよい。
【００２５】
これらにより、本実施形態の面発光レーザ１０によれば、張出し部１８Ａ’を有する第１酸化狭窄層１８Ａにより、活性層１３の側面（外周面）を流れるリーク電流を大幅に低減することができる。すなわち、上部ＤＢＲ１４の外周面から活性層１３の外周面を通り下部ＤＢＲ１２の外周面にまで流れるリーク電流を、第１酸化狭窄層１８Ａの張出し部１８Ａ’により遮断することができる。したがって、本実施形態の面発光レーザ１０によれば、リーク電流を大幅に低減でき、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる。
【００２６】
また、本実施形態の面発光レーザ１０は、張出し部１８Ａ’を有する第１酸化狭窄層１８Ａが活性層１３の直下に配置されているので、活性層１３を含む柱部の外周を通るリーク電流を、より効果的に低減することができる。
【００２７】
図２は、本実施形態の面発光レーザ１０の製造例を示す部分断面図である。図２において図１の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本製造例では、第１酸化狭窄層１８Ａにおける張出し部１８Ａ’の長さｄが約０．６μｍとなっている。張出し部１８Ａ’の長さｄは、０．１μｍから１μｍとしてもよい。
【００２８】
図３は、本実施形態の面発光レーザ１０の動作特性例を示すグラフである。横軸は、面発光レーザ１０を流れる電流、すなわち図１の第２電極２１から第１電極２０に流れる電流の値［ｍＡ］である。縦軸は、面発光レーザ１０の光出力［ｍＷ］と、面発光レーザ１０の電圧（第２電極２１と第１電極２０間の電位差）［Ｖ］である。
【００２９】
図３における曲線Ｐは、面発光レーザ１０の光出力を示している。曲線Ｅは、面発光レーザ１０の電圧を示している。曲線Ｅｄは、面発光レーザ１０の電圧の変化率を示している。横軸における点Ｘ１は、面発光レーザ１０に供給する電流を徐々に上げていった場合に光出力が発生する電流値、すなわち閾値を示している。
【００３０】
図４は、従来の面発光レーザの動作特性例を示すグラフである。すなわち、図１の面発光レーザ１０において、第１酸化狭窄層１８Ａが張出し部１８Ａ’を有しない構成としたものの特性例である。従来の面発光レーザは、張出し部１８Ａ’以外は図１の面発光レーザと同一構成とした。図４の各符号は図３の符号に対応している。横軸における点Ｘ２は従来の面発光レーザの閾値を示している。点Ｘ２は、点Ｘ１より２０〜４０パーセント大きな値となる。これらにより、本実施形態の面発光レーザ１０は、従来の面発光レーザよりも閾値を小さくすることができることが、実際に確認できた。
【００３１】
［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。図５において図１の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本実施形態の面発光レーザ１０Ａにおける第１実施形態の面波高レーザ１０との相違点は、共振器の側面が階段状に形成されている点である。すなわち、下部ＤＢＲ１２、第１酸化狭窄層１８Ａ、活性層１４、第２酸化狭窄層１８Ｂ及び上部ＤＢＲ１４を有してなる共振器の側面が階段状に形成されている。さらに、第１酸化狭窄層１８Ａの一部は共振器の側面において露出している。
【００３２】
本実施形態の面発光レーザ１０Ａによれは、第１酸化狭窄層１８Ａの一部が共振器の側面において露出しているので、面発光レーザの共振器の外周表面を流れるリーク電流を大幅に低減することができる。したがって、面発光レーザ１０Ａによれば、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる。
【００３３】
［第３実施形態］
図６は、本発明の第３実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。図６において図１の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本実施形態の面発光レーザ１０Ｂにおける第１実施形態の面発光レーザ１０との相違点は、共振器の側面が共振器の光軸を基準として傾斜している点である。すなわち、下部ＤＢＲ１２、第１酸化狭窄層１８Ａ、活性層１４、第２酸化狭窄層１８Ｂ及び上部ＤＢＲ１４を有してなる共振器の側面が光軸を基準として傾斜している。
【００３４】
本実施形態の面発光レーザ１０Ｂによれば、第１酸化狭窄層１８Ａ及び第２酸化狭窄層１８Ｂの側面が傾斜しているので、傾斜していない場合よりも、その側面の幅ｄ１，ｄ２を大きくすることができる。これにより、リーク電流の流路を横切る絶縁体の幅（前記側面の幅ｄ１，ｄ２）を比較的に簡便に増大でき、リーク電流を簡便に低減することができる。ここで、側面の幅ｄ１，ｄ２は、例えば１０ｎｍ以上あることが好ましい。
【００３５】
［第４実施形態］
図７は、本発明の第４実施形態に係る面発光レーザを示す図である。図７（ａ）は模式平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の位置ＬＬについての模式断面図である。図７において図１の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本実施形態の面発光レーザ１０Ｃにおける第１実施形態の面発光レーザ１０との相違点は、共振器が柱部を構成していない点である。
【００３６】
下部ＤＢＲ１２は、半導体基板（図示せず）の上層に形成されている。下部ＤＢＲ１２の上層には、活性層１３及び上部ＤＢＲ１４が積層されている。孔３０１，３０２，３０３，３０４は、上部ＤＢＲ１４の上面から活性層１３の底面まで掘られた穴である。第１酸化狭窄層１１８Ａは、絶縁体で構成されており、図１の第１酸化狭窄層１８Ａに相当する。第２酸化狭窄層１１８Ｂは、絶縁体で構成されており、図１の第２酸化狭窄層１８Ｂに相当する。
孔３０１，３０２，３０３，３０４は、上部ＤＢＲ１４の上面から第１酸化狭窄層１８Ａの一部にまで掘られた穴でもよい。換言すると、第１酸化狭窄層１８Ａに凹部を形成するように孔３０１，３０２，３０３，３０４を設けてもよい。
【００３７】
孔３０１，３０２，３０３，３０４に囲まれている部分が、面発光レーザ１０Ｃの共振器として動作する。また、その共振器を流れる電流は、第１酸化狭窄層１１８Ａ及び第２酸化狭窄層１１８Ｂにより、流域が限定される。これにより閾値を下げることができる。さらに、共振器の外側（例えば孔３０１，３０２，３０３，３０４の側面）を通るリーク電流は、第１酸化狭窄層１１８Ａによって大幅に低減することができる。これにより、さらに閾値を下げることができる。
【００３８】
［光伝送モジュール］
図８に、本実施形態の面発光レーザを用いた光伝送モジュールの一例を示す。光伝送モジュールとしてのＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１００は、システム１０１の上に、上記で説明した面発光レーザ１０（又は面発光レーザ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ）が取り付けられている。また、面発光レーザ１０の上方で、かつ面発光レーザ１０の光軸上に、レンズ１０３が配置されている。また、システム１０１の台から光ファイバ１０４の一部まで、外部の環境から面発光レーザ１０等を保護するために、カバー１０２が形成されている。また、レンズ１０３の光軸上に光ファイパ１０４が配置されている。また、本実施形態では、カバー１０２は、樹脂製であり、レンズ１０３と一体で形成されている。
【００３９】
システム１０１のピンを介して、面発光レーザ１０の第１電極２０と第２電極２１間に電圧を印加すると、面発光レーザ１０が駆動する。面発光レーザ１０から放出された光はレンズ１０３に到達する。到達した光は、レンズ１０３で集光され、光ファイバ１０４へ入射する。
【００４０】
これらにより、本実施形態のＯＳＡ１００は、リーク電流が少なく閾値の低い面発光レーザ１０を備えているので、良好な高周波特性を有し、消費電力を低減することができる。したがって、本実施形態のＯＳＡ１００は、通信等の高速化を図ることができる。
【００４１】
［光伝達装置］
図９は、本発明の実施形態に係る面発光レーザ１０（又は面発光レーザ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ）を有してなる光伝達装置を示す図である。光伝達装置２００は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器２０２を相互に接続するものである。電子機器２０２は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置２００は、ケーブル２０４の両端にプラグ２０６が設けられたものであってもよい。ケーブル２０４は、光ファイバを含む。プラグ２０６は、図１に示す面発光レーザ１０（又は面発光レーザ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ）を内蔵する。プラグ２０６は、半導体チップをさらに内蔵してもよい。
【００４２】
ケーブル２０４の一方の端部に設けられたプラグ２０６は上述の実施形態に係る面発光レーザ１０を内蔵し、ケーブル２０４の他方の端部に設けられたプラグ２０６は受光素子を内蔵することとしてもよい。このようなケーブル２０４及びプラグ２０６を２組用いることにより、双方向通信をすることができる。すなわち、電子機器２０２から出力された電気信号は、ケーブル２０４の一方端部のプラグ２０６において光信号に変換される。この光信号は、ケーブル２０４を通りそのケーブル２０４の他方端部のプラグ２０６において電気信号に変換される。この電気信号は、他方端部のプラグ２０６が接続されている電子機器２０２に取り込まれる。同様にして、逆方向への信号伝送も行われる。こうして、本実施形態に係る光伝達装置２００によれば、光信号を用いて、電子機器２０２間において情報伝達を行うことができる。
【００４３】
［光伝達装置の使用形態］
図１０は、図９に示す光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置２１２は、図９の光伝達装置２００に相当するものである。光伝達装置２１２は、電子機器２１０間を接続する。電子機器２１０として、液晶表示モニタ又はディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Point of Sale Scanning）用）、ビデオ、チューナ、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
【００４４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００４５】
例えば、上記実施形態において、各半導体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。また、本発明に係る電気光学素子は、光を用いる電子機器などに対して広く適用できる。すなわち、本発明に係る電気光学素子を備えた応用回路又は電子機器としては、光インターコネクション回路、光ファイバ通信モジュール、レーザプリンタ、レーザビーム投射器、レーザビームスキャナ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、変位センサ、圧力センサ、ガスセンサ、血液血流センサ、指紋センサ、高速電気変調回路、無線ＲＦ回路、携帯電話、無線ＬＡＮなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。
【図２】同上の面発光レーザの製造例を示す部分断面図である。
【図３】同上の面発光レーザの動作特性例を示す図である。
【図４】従来の面発光レーザの動作特性例を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る面発光レーザを示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る光伝送モジュールの一例を示す模式断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る光伝送装置を示す図である。
【図１０】同上の光伝送装置の使用形態を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…面発光レーザ、１１…半導体基板、１２…下部ＤＢＲ（下側反射層）、１３…活性層、１４…上部ＤＢＲ（上側反射層）、１５…コンタクト層、１８Ａ…第１酸化狭窄層（電流狭窄層）、１８Ｂ…第２酸化狭窄層（電流狭窄層）、１９…絶縁層、２０…第１電極、２１…第２電極、１００…光伝送モジュール、１０１…システム、１０２…カバー、１０３…レンズ、１０４…光ファイバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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