(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上の平坦化膜におけるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜を実現できるコンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】誘電体膜形成工程において、誘電体材料の蒸着を０．１ｎｍ／ｓ以下の速度で行い、基板４を５００℃以下の温度で加熱するコンデンサの製造方法である。この発明により、低温で結晶性の高い誘電体膜７を得ることができる。このため、基板４上の平坦化膜５において第１導電部２及び第２導電部３の膨張によるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜７を実現できる。【選択図】  図２
2007067202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部、前記本体部に埋め込まれ互いに離れて配置される第１導電部および第２導電部を有する基板上に、絶縁体からなる平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、
前記平坦化膜上に、前記第１導電部と導通するように第１電極膜を形成する第１電極膜形成工程と、
前記第１電極膜の上に、ＰＶＤ法を用いて誘電体材料を蒸着させて誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、
前記誘電体膜の上に、前記第２導電部と導通するように第２電極膜を形成する第２電極膜形成工程とを含み、
前記誘電体膜形成工程において、前記誘電体材料の蒸着を０．１ｎｍ／ｓ以下の速度で行い、前記基板を５００℃以下の温度で加熱する、コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記平坦化膜と前記第２導電部との間の熱膨張係数の差の絶対値が１０ｐｐｍ／Ｋ以上である、請求項１に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記誘電体膜形成工程において、前記基板の温度を４００℃以上とする請求項１又は２に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記誘電体膜形成工程において、前記ＰＶＤ法が、前記誘電体材料を前記第１電極膜上にそのまま蒸着させる原料転写型ＰＶＤ法である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記原料転写型ＰＶＤ法が、パルスレーザーデポジション法である、請求項４に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記誘電体膜形成工程を、７Ｐａ以下の酸素分圧下で行う、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記誘電体材料が金属酸化物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記金属酸化物が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸鉛及びタンタル酸ストロンチウムビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項７に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記誘電体膜形成工程において、前記誘電体材料がチタン酸バリウムストロンチウムであり、前記誘電体材料の蒸着を０．０５ｎｍ／ｓ以下の速度で行う、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ＩＣ、不揮発性メモリ、超高密度ＤＲＡＭ等においてはコンデンサが用いられており、このようなコンデンサは一般に、シリコン単結晶、サファイヤなどのセラミック基板に形成されたスルーホールやプラグに導電体を充填し、その上に下部電極と上部電極を形成し、両電極間に強誘電材料などからなる誘電体膜を挟んだ構造を有している。
【０００３】
このようなコンデンサにおける誘電体膜の製造方法として、ＡＢＯ３で構成されるペロブスカイト型複合化合物に対し、Ａサイト及びＢサイトの元素の酸化物又は複合酸化物をターゲットとしてパルスレーザー光を照射して蒸発させ、同じくレーザー光を照射した基板上に被膜を堆積させることにより組成制御性良く低温で合成する、いわゆるパルスレーザーデポジション法を用いた方法が知られている（下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−２６７５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のようなコンデンサにおいては、導電体や下部電極材料としては一般に、Ａｇなどの比較的低い融点を有する金属が用いられており、この金属が拡散するのを防止するために拡散防止層が各導電体上に設けられ、拡散防止層の凹凸を平坦化するために当該拡散防止層上に絶縁性の平坦化膜が形成される。また近年、コスト低減の観点から、アルミナとガラスを主成分としたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板がセラミック基板として多用されるようになっている。
【０００５】
しかしながら、本発明者らは、上記のような平坦化膜を有するコンデンサにおいて、５００℃を超える温度で基板を加熱すると、誘電体膜の結晶性が向上して高誘電率が実現されるものの、コンデンサの作製に多大な時間を要するほか、上部電極と電気的に接続される導電体と平坦化膜との熱膨張差により平坦化膜にクラックが発生し、上部電極と下部電極との間の絶縁性が低下して、高電圧印加時に両電極間で短絡が生じるおそれがあることを見出した。そのため、基板を５００℃以下の温度で加熱することが望ましいが、この場合、誘電体膜の結晶性が十分に向上せず、高誘電率が実現されなくなる。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板上の平坦化膜におけるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜を実現できるコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した。その結果、本発明者らは、誘電体膜をＰＶＤ法で蒸着するときの蒸着速度と、そのときの基板温度が特定の範囲にあることで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち本発明は、本体部、前記本体部に埋め込まれ互いに離れて配置される第１導電部および第２導電部を有する基板上に、絶縁体からなる平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、前記平坦化膜上に、前記第１導電部と導通するように第１電極膜を形成する第１電極膜形成工程と、前記第１電極膜の上に、ＰＶＤ法を用いて誘電体材料を蒸着させて誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、前記誘電体膜の上に、前記第２導電部と導通するように第２電極膜を形成する第２電極膜形成工程とを含み、前記誘電体膜形成工程において、前記誘電体材料の蒸着を０．１ｎｍ／ｓ以下の速度で行い、前記基板を５００℃以下の温度で加熱する、コンデンサの製造方法である。
【０００９】
この発明によれば、低温で結晶性の高い誘電体膜を得ることができる。このため、第２導電部と平坦化膜との間に熱膨張差があっても、基板上の平坦化膜において第２導電部の膨張によるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜を実現できる。したがって、第１電極膜と第２電極膜との間での短絡を十分に防止し得るコンデンサが得られる。
【００１０】
本発明のコンデンサの製造方法は、前記平坦化膜と前記第２導電部との間の熱膨張係数の差の絶対値が１０ｐｐｍ／Ｋ以上である場合に有効である。この場合、特に、平坦化膜におけるクラックの発生が顕著となる。
【００１１】
上記誘電体膜形成工程においては、基板の温度を４００℃以上とすることが好ましい。基板の温度が４００℃未満では、４００℃以上の場合に比べて誘電率が大幅に小さくなる傾向がある。
【００１２】
上記誘電体膜形成工程においては、ＰＶＤ法が、前記誘電体材料を前記第１電極膜上にそのまま蒸着させる原料転写型ＰＶＤ法であることが好ましい。この場合、ＰＶＤ法が、原料転写型ＰＶＤ法以外のＰＶＤ法である場合と比べて、より低い基板温度において高い誘電率が得られる傾向がある。
【００１３】
ここで、原料転写型ＰＶＤ法がパルスレーザーデポジション法であることが好ましい。この場合、パルスレーザーが誘電体材料を励起させることで、誘電体材料が高エネルギー状態とされる。このため、より低温で誘電体材料を結晶化させることが可能となる。
【００１４】
上記コンデンサの製造方法においては、前記誘電体膜形成工程を、７Ｐａ以下の酸素分圧下で行うことが好ましい。この場合、７Ｐａを超える場合と比べて、低温での結晶化が容易となる傾向がある。
【００１５】
上記コンデンサの製造方法においては、前記誘電体材料が金属酸化物であることが好ましい。この場合、誘電体材料が金属酸化物以外の材料である場合に比べて高い誘電率を実現させることができる。
【００１６】
本発明のコンデンサの製造方法は、上記金属酸化物が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸鉛及びタンタル酸ストロンチウムビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む場合に有効である。上記金属酸化物は、結晶化による高誘電率化を実現するために一般には高温アニールを必要とし、これにより基板が劣化してしまう場合があるが、本発明によれば、基板を劣化しない程度の低い温度で、結晶化を促進して高い誘電率を有する誘電体膜を得ることができる。
【００１７】
上記誘電体膜形成工程においては、前記誘電体材料がチタン酸バリウムストロンチウムであり、前記誘電体材料の蒸着を０．０５ｎｍ／ｓ以下の速度で行うことが好ましい。
【００１８】
この場合、より高い誘電率を有する誘電体膜が得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるコンデンサの製造方法によれば、低温で結晶性の高い誘電体膜を得ることができるので、基板上の平坦化膜において第１導電部及び第２導電部の膨張によるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明に係るコンデンサの製造方法の実施形態について詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明に係るコンデンサの製造方法で製造されるコンデンサの一例を示す断面図である。図１に示すように、コンデンサ１０は基板４を有する。基板４は、セラミック製の本体部１を有し、本体部１には複数（図１では２つのみ示す）のスルーホール１ａ，１ｂが形成されている。スルーホール１ａ，１ｂは互いに離れて配置されており、スルーホール１ａには、例えばＡｇからなる導電体（第１導電部）２が充填され、スルーホール１ｂには、例えばＡｇからなる導電体（第２導電部）３が充填されている。従って、導電体２，３は互いに離れて配置されることになる。そして、基板４のうち本体部１の上には絶縁性の平坦化膜５、下部電極膜（第１電極膜）６、誘電体膜７および上部電極膜（第２電極膜）８が順次積層されている。下部電極膜（第１電極膜）６、誘電体膜７および上部電極膜（第２電極膜）８はコンデンサ部を構成している。
【００２２】
また導電体２と下部電極膜６との間には拡散防止層１１が設けられ、導電体３と上部電極膜８との間にも拡散防止層１１が設けられている。
【００２３】
即ち、下部電極膜６は、拡散防止層１１を介して導電体２に接触するように設けられており、導電体２と導通されている。また上部電極膜８は、拡散防止層１１を介して導電体３に接触するように設けられており、導電体３と導通されている。
【００２４】
平坦化膜５は、例えばＳｉＯ２などの絶縁性材料で構成され、下部電極膜６及び上部電極８は、例えばＰｔなどの導電材料で構成され、誘電体膜７は金属酸化物で構成される。
【００２５】
次に、上記コンデンサの製造方法について図２（ａ）〜（ｆ）を参照して詳細に説明する。図２（ａ）〜（ｆ）は、図１のコンデンサ１０の一連の製造工程を示す工程図である。
【００２６】
まず基板４を用意する。基板４としては、本体部１を低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板材料で構成したものが用いられる。ここで、ＬＴＣＣ基板材料は、アルミナ及びガラスを主成分として含む材料で構成され、導電体２，３は、例えばＡｇなどで構成される。
【００２７】
次に、基板４を焼成する。基板４の焼成温度は、例えば３５０〜５００℃とすればよい。
【００２８】
続いて、焼成後の基板４に対し、導電体２，３を覆うように拡散防止層１１を形成する。拡散防止層１１の構成材料は特に限定されるものではないが、このような構成材料としては、例えば、Ｔａ、Ｔｉ等の拡散防止能に富んだ金属材料又はその化合物を用いることが好ましい。特に、拡散防止層１１は、上記金属材料の化合物からなる金属化合物層と、上記金属材料単体からなる金属単体層との積層構造体（図示せず）で構成されることが特に好ましい。この場合、より高い拡散防止能と導電体２，３への密着性とが得られる。このような効果が得られる積層構造体としては、例えば、ＴｉＮ／Ｔｉ積層構造体、ＴａＮ／Ｔａ積層構造体が特に好ましい。ここで、例えばＴｉＮ／Ｔｉ積層構造体とは、金属化合物層がＴｉＮから構成され、金属単体層がＴｉから構成される積層構造体を意味する。このとき、積層構造体の導電体２，３側を金属単体層とすると、拡散防止層１１と導電体２，３との間で更に高い密着性が得られるため特に好ましい。積層構造体の膜厚は材料によって適宜選択されるが、例えば、金属化合物層を１００〜５００ｎｍ、金属単体層を５〜２０ｎｍの範囲とすると、導電体２，３との密着性と拡散阻止能のいずれも高く得られるため好ましい。拡散防止層１１は、公知のスパッタリング法、蒸着法等の成膜方法により容易に成膜することができる。
【００２９】
この拡散防止層１１は、リークを防止するために導電体２，３の表面のみに形成することが望ましい。拡散防止層１１の形成領域の限定は、従来公知のフォトリソグラフィーを用いて容易に行うことができる。上記のように拡散防止層１１を導電体２，３の表面上のみに形成する場合、基板４の全面に形成した拡散防止膜の一部を除去して拡散防止膜をパターン処理することが必要となるが、拡散防止膜の除去は、従来公知の各種方法、例えば、不活性ガスイオンの照射や、ハロゲン系の反応性ガスプラズマを用いたイオンエッチング等を用いることができる。
【００３０】
そして、基板４のうち、パターン処理により得られる拡散防止層１１を含む全面に絶縁性の平坦化膜５を形成する。平坦化膜５の形成は、例えば、ゾル−ゲル法のような溶液法を用いて行うことができる（平坦化膜形成工程）。平坦化膜５の構成材料は、絶縁性材料であればよく、このような絶縁性材料としては、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等が挙げられる。
【００３１】
次に、平坦化膜５の上にレジスト膜（図示せず）を形成した後、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、このパターニングされたレジスト膜をマスクとして平坦化膜５をエッチングし、スルーホール１ａに充填された導電体２を露出させるように平坦化膜５に開口部５ａを形成する（図２（ａ）参照）。
【００３２】
続いて、スパッタリングにより、例えばＰｔからなる下部電極層６Ａを形成する（図２（ｂ）参照）。この下部電極層６Ａ上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、パターン化されたレジスト膜をマスクとして下部電極層６Ａをエッチングし、下部電極膜６を形成する（図２（ｃ）参照）。こうして、導電体２の表面上に設けられる拡散防止層１１と下部電極膜６とが接触し、導電体２と下部電極膜６とが拡散防止層１１を介して電気的に接続されるようになる（第１電極膜形成工程）。
【００３３】
次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極膜６及び、露出している平坦化膜５の上に、ＰＶＤ法を用いて誘電体材料を蒸着させて誘電体膜７を形成する（誘電体膜形成工程）。このとき、誘電体材料の蒸着を０．１ｎｍ／ｓ以下の速度で行い、基板４を５００℃以下の温度で加熱する。ここで、ＰＶＤ法としては、パルスレーザーでポジション法を用いる。即ち、基板４を加熱したまま、ターゲットである誘電体材料にパルスレーザー光を集光して蒸発させ、誘電体材料を下部電極膜６及び露出した平坦化膜５の上にそのまま堆積させ、誘電体膜７を形成する。こうして、原料である誘電体材料をそのまま下部電極膜６及び平坦化膜５の上に転写して誘電体膜７を形成する。これにより、誘電体材料が結晶化され、高誘電率の誘電体膜７が得られる。
【００３４】
ここで、誘電体材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸鉛、タンタル酸ストロンチウムビスマスなどの金属酸化物が用いられる。
【００３５】
なお、蒸着速度は、誘電体材料の種類により異なるため一概には言えないが、レーザー光の繰り返し周波数及びレーザー出力の両方を制御することにより調整することができる。
【００３６】
上記誘電体材料がチタン酸バリウムストロンチウムである場合には、特に誘電体材料の蒸着を０．０５ｎｍ／ｓ以下の速度で行うことが好ましい。この場合、より高い誘電率を有する誘電体膜７が得られる。
【００３７】
また、誘電体材料の蒸着の際には、基板４の温度を４００℃以上とすることが好ましい。基板４の温度が４００℃未満では、４００℃以上の場合に比べて誘電率が大幅に小さくなる傾向がある。
【００３８】
上記のようにして誘電体膜７を形成したならば、誘電体膜７の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をフォトリソグラフィーによりパターニングし、このレジスト膜をマスクとして誘電体膜７の一部及び平坦化膜５の一部をエッチングして、導電体３上に設けられる拡散防止層１１を露出させるように開口部９を形成する（図２（ｅ）参照）。
【００３９】
そして、スパッタリングにより、例えばＰｔからなる上部電極層（図２（ｆ）参照）８Ａを形成する。この上部電極層８Ａ上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜をマスクとして上部電極層８Ａをエッチングし、上部電極膜８を形成する。こうして、導電体３の表面上に設けられる拡散防止層１１が上部電極膜８と接触し、導電体３が拡散電極１１を介して上部電極膜８と電気的に接続されるようになる（第２電極膜形成工程）。
【００４０】
以上のようにして、基板４の上に、下部電極膜６、誘電体膜７及び上部誘電体膜８で構成されたコンデンサ部が形成され、基板４とコンデンサ部とからなるコンデンサ１０が得られる。
【００４１】
こうしてコンデンサ１０を製造すると、５００℃以下の低温で結晶性の高い誘電体膜７を得ることができる。このため、導電体３と平坦化膜５との間に熱膨張差があっても、導電体３の膨張が十分に防止されるため、基板４上の平坦化膜５において導電体３の膨張によるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜７を実現できる。したがって、下部電極膜６と上部電極膜８との間での短絡を十分に防止し得るコンデンサ１０が得られる。
【００４２】
このように５００℃以下の低温で結晶性が向上する理由は定かではないが、基板４の温度を低くし且つ低い蒸着速度で誘電体材料の蒸着を行うことで、下部電極膜６及び平坦化膜５上で誘電体材料の表面拡散が十分に進むためではないかと本発明者らは考えている。
【００４３】
また、本実施形態においては、誘電体材料が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸チタン酸鉛、タンタル酸ストロンチウムビスマスなどの金属酸化物で構成されている。一般にこれら金属酸化物は、結晶化のために通常、７００℃以上の高温でのアニ―ルを必要とする。本実施形態の製造方法によれば、５００℃以下の低温で十分に結晶化が行われるため、上記のような高温アニールが不要となる。このため、基板４を構成する本体部１がＬＴＣＣで構成されていても、誘電体材料の結晶化を促進して高い誘電率を有する誘電体膜７を得ることができる。
【００４４】
また本実施形態では、誘電体材料の蒸着を、パルスレーザーデポジション法で行っているが、この場合、パルスレーザーが誘電体材料を励起させることで、誘電体材料が高エネルギー状態とされる。このため、パルスレーザーデポジション法以外のＰＶＤ法で蒸着される場合と比較して、より低温で誘電体材料を結晶化させることが可能となる。
【００４５】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば平坦化膜５と導電体３との間の熱膨張係数の差の絶対値は、特に限定されない。但し、本発明は、熱膨張率の差の絶対値が１０以上である場合に特に有効である。この場合に、特に平坦化膜５にクラックの発生が顕著になるからである。
【００４６】
また、上記誘電体材料の蒸着の際には、酸素分圧は特に制限されないが、誘電体材料の蒸着は７．０Ｐａ以下の酸素分圧下で行うことが好ましい。この場合、７．０Ｐａを超える場合と比べて、低温での結晶化が特に容易となる傾向がある。
【００４７】
更に、上記実施形態では、誘電体材料の蒸着がパルスレーザーデポジション法で行われているが、誘電体材料の蒸着は、原料転写型のＰＶＤ法で行われればよく、例えばスパッタリング法、イオンビームスパッタ法、電子線蒸着法、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法などで行うこともできる。
【００４８】
更にまた、上記実施形態では、基板４が、本体部をＬＴＣＣ基板材料で構成したものとなっているが、基板は本体部をシリコン単結晶やサファイヤで構成したものであってもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明の内容を、実施例及び比較例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
（実施例１）
まず基板４を用意した。基板４としては、複数のスルーホール１ａ，１ｂが形成された本体部１を用意し、スルーホール１ａ，１ｂにＡｇからなる導電材料を充填したＬＴＣＣ基板材料を用いた。
【００５１】
そして、反応性スパッタリング法により、Ｔａ（５ｎｍ）とＴａＮ（５００ｎｍ）をこの順に形成し、この積層体を拡散防止膜とした。その後、この拡散防止膜及び基板の表面上に、ノボラック樹脂からなるレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、スルーホール１ａ，１ｂのＡｇ表面上にマスクが形成されるようにした。更に、Ａｒイオンビームを用いたミリング法によって、拡散防止膜のうちスルーホール１ａ，１ｂ上以外の部分を除去し、拡散防止層１１がスルーホール１ａ，１ｂを覆うように拡散防止膜をパターン処理した。
【００５２】
続いて、基板４上の拡散防止層１１及びＬＴＣＣ基板の上に、溶液法を用いてＳｉＯ２からなる厚さ１０μｍの平坦化膜を形成した。
【００５３】
次に、平坦化膜５の上にノボラック樹脂からなるレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、このパターニングされたレジスト膜をエッチングして、スルーホール１ａに充填された導電体２上の拡散防止層を露出させるように開口部を形成した。
【００５４】
続いて、スパッタリングにより、Ｐｔからなる厚さ０．２μｍの下部電極層を形成した。この下部電極層上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜をマスクとしてエッチングし、下部電極膜６を形成した。こうして、導電体２に拡散防止層を介して下部電極膜６を接触させ、導電体２を、拡散防止層を介して下部電極膜６と電気的に接続させた。
【００５５】
次に、下部電極膜６及び露出している平坦化膜５の上に、パルスレーザーデポジション法を用いて誘電体材料を蒸着させて誘電体膜７を形成した。具体的には、基板４を加熱したまま、ターゲットである誘電体材料にパルスレーザー光を照射して蒸発させ、誘電体材料を下部電極膜６及び露出した平坦化膜５の上にそのまま堆積させ、誘電体膜７を形成した。このとき、パルス光源として、発振波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを用い、誘電体材料としては、Ｂａ０．７Ｓｒ０．３Ｔｉ０．３を用いた。そして、レーザー出力を３Ｊ／ｃｍ２、レーザー光の繰り返し周波数を５Ｈｚとし、これにより誘電体材料の蒸着速度を０．０２５ｎｍ／ｓとした。また、蒸着時の酸素分圧を１．３Ｐａとし、基板４の加熱温度は４００℃とした。
【００５６】
こうして誘電体膜７を形成したならば、誘電体膜７の上にポジ型のフォトレジスト膜からなるレジスト膜を形成し、このレジスト膜をフォトリソグラフィーによりパターニングしてこのレジスト膜をマスクとして誘電体膜７の一部及び平坦化膜５の一部をエッチングして導電体３上に形成された拡散防止層を露出させるように開口部を形成した。
【００５７】
そして、スパッタリングにより、Ｐｔからなる厚さ０．２μｍの上部電極層を形成した。この上部電極層上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによりレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜をマスクとしてエッチングし、上部電極膜８を形成した。こうして、導電体３に拡散防止層を介して上部電極膜８を接触させ、導電体３を、拡散防止層を介して上部電極膜８と電気的に接続させた。
【００５８】
以上のようにして、基板４の上に、下部電極膜６、誘電体膜７及び上部誘電体膜８で構成されたコンデンサ部を形成し、コンデンサ１０を得た。
【００５９】
（実施例２）
レーザー光の繰り返し周波数を１０Ｈｚとすることにより、蒸着速度を０．０７ｎｍ／ｓとしたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６０】
（実施例３）
誘電体材料の蒸着の際に基板の温度を５００℃としたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６１】
（実施例４）
誘電体材料としてジルコン酸チタン酸鉛を用いたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６２】
（実施例５）
基板４を構成する本体部の材料として、ＳｉＯ２に代えて、ＴｉＯ２を用い、導電体として、Ａｇに代えてＣｕを用いたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６３】
（実施例６）
誘電体材料の蒸着を、パルスレーザーデポジション法に代えて、スパッタリング法を用いたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６４】
（実施例７）
誘電体材料の蒸着の酸素分圧を１．３Ｐａに代えて、１３Ｐａとしたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６５】
（実施例８）
誘電体材料の蒸着の際に基板の温度を４５０℃としたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６６】
（比較例１）
レーザー光の繰り返し周波数を１５Ｈｚとすることにより、蒸着速度を０．１１ｎｍ／ｓとし、上部電極膜を得た後に誘電体膜を４００℃でアニールしたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６７】
（比較例２）
誘電体材料の蒸着の際に基板の温度を５５０℃としたこと以外は実施例１と同様にしてコンデンサを得た。
【００６８】
実施例１〜７及び比較例１，２に係るコンデンサについて、金属顕微鏡および走査型電子顕微鏡による表面観察を用いて、平坦化膜にクラックが発生しているかどうかを調べた。その結果、実施例１〜７に係るコンデンサについては、平坦化膜においてクラックが発生していないことが確認された。これに対し、比較例１，２に係るコンデンサについては、平坦化膜においてクラックが発生していることが確認された。結果を表１にまとめた。
【表１】
2007067202.tif 000003
【００６９】
また、実施例１〜８及び比較例１，２に係るコンデンサについて誘電率を測定したところ、誘電率は表１に示す通りであった。
【００７０】
以上の実施例１〜８及び比較例１，２の結果より、本発明のコンデンサの製造方法によれば、基板上の平坦化膜におけるクラックの発生を防止でき、且つ高誘電率の誘電体膜を実現できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係るコンデンサの製造方法により得られるコンデンサの一例を示す図である。
【図２】図１のコンデンサの一連の製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…本体部、２…導電体（第１導電部）、３…導電体（第２導電部）、４…基板、５…平坦化膜、６…下部電極膜（第１電極膜）、７…誘電体膜、８…上部電極膜（第２電極膜）。
【図１】
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【図２】
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