(57)【要約】【課題】無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高く絶縁基材の表面に形成することができ、また混成集積回路パターンに適用することも可能な無機薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に、金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することにより金属イオンを含有する樹脂層２を形成する（１）工程。この金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層２の表面に析出させて無機薄膜３を形成する（２）工程。これらの工程を有して無機薄膜パターンを形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の無機薄膜パターンを形成する部位に、金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することにより金属イオンを含有する樹脂層を形成する（１）工程と、この金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層の表面に析出させて無機薄膜を形成する（２）工程とを、有することを特徴とする無機薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
上記の無機薄膜を形成する（２）工程は、金属イオンを還元処理することにより、金属イオンを金属として樹脂層の表面に析出させ、金属薄膜からなる無機薄膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
上記の無機薄膜を形成する（２）工程は、金属イオンを活性ガスと反応させることにより、金属イオンを金属酸化物あるいは半導体として樹脂層の表面に析出させ、金属酸化物薄膜あるいは半導体薄膜からなる無機薄膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
上記の無機薄膜を形成する（２）工程は、金属イオンを還元処理することにより、金属イオンを金属として樹脂層の表面に析出させて金属薄膜を形成する（２−１）工程と、この金属薄膜を酸化処理することにより金属酸化物薄膜あるいは半導体薄膜からなる無機薄膜を形成する（２−２）工程と、からなることを特徴とする請求項１に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
金属イオンを含有する樹脂組成物が、金属イオン配位カルボキシル基を有する樹脂の組成物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項６】
金属イオン配位カルボキシル基を有する樹脂が、金属イオン配位ポリアミド酸樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項７】
金属イオンを含有する樹脂組成物を描画装置により絶縁基材の無機薄膜パターンを形成する部位に塗布することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項８】
金属イオンを含有する樹脂組成物を転写法により絶縁基材の無機薄膜パターンを形成する部位に塗布することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項９】
金属イオンを含有する樹脂組成物をスクリーン印刷法により絶縁基材の無機薄膜パターンを形成する部位に塗布することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１０】
上記の（２）工程で樹脂層の表面に析出される無機薄膜は、無機ナノ粒子の集合体から形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１１】
無機ナノ粒子の集合体の一部は樹脂層に埋包されていることを特徴とする請求項１０に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１２】
上記の（１）工程よりも後に、絶縁基材を加熱処理する（３）工程を有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１３】
上記の絶縁基材を加熱処理する（３）工程は、上記の（２）工程の後に有することを特徴とする請求項１２に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１４】
上記の（２−１）工程と、上記の（２−２）工程の間に、絶縁基材を加熱処理する（３）工程を有することを特徴とする請求項４乃至１１のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１５】
金属酸化物薄膜あるいは半導体薄膜からなる無機薄膜を形成する上記の（２−２）工程は、金属薄膜を形成した絶縁基材を加熱処理すると同時に金属薄膜を酸化処理する工程であることを特徴とする請求項４乃至１１のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１６】
無機薄膜を形成した樹脂層の表面に無電解めっきを施す（４）工程を有することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１７】
絶縁基材を加熱処理する工程の後に、無電解めっきを施す（４）工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１８】
金属ナノ粒子の集合体をめっき析出核として無電解めっきを行なうことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項１９】
絶縁基材は、ポリイミド樹脂基材であることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項２０】
無機薄膜パターンは、回路パターン形状であることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【請求項２１】
上記の（１）工程は、絶縁基材の無機薄膜パターンを形成する部位に、異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂組成物をそれぞれ塗布することにより、異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂層を形成する工程であり、上記の（２）工程は、この各金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、それぞれの樹脂層の表面に析出させて、金属種の異なる複数種の無機薄膜からなる混成集積回路用の無機薄膜パターンを形成する工程であることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれかに記載の無機薄膜パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材の表面に、無機薄膜を回路パターンなど微細なパターンで形成するようにした無機薄膜パターン形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミド樹脂などで形成される絶縁基材の表面に回路パターンを形成する方法として、各種方法が提案されている。その中で、真空蒸着法やスパッタリング法などのドライプロセスが、密着信頼性に優れた微細な回路パターンを良好に形成することが可能な方法として知られているが、これらの方法は高価な装置を必要とし、しかも同時に生産性が低く、高コストであるという問題を有する。
【０００３】
そこで現在、最も一般的な回路パターン形成方法としては、予め絶縁基材の表面全体を金属薄膜で被覆して金属被覆材を作製し、フォトリソグラフ法により不必要な部位の金属薄膜をエッチング処理して除去するサブトラクティブ法が広く採用されている。金属被覆材における絶縁基材と金属薄膜との間の密着力は、絶縁基材の表面を粗化することに伴うアンカー効果、もしくは接着剤により確保されている。このサブトラクティブ法は、生産性に優れ、比較的簡便に回路パターンを形成するのに有用な方法であるが、回路パターンを作製する際に多量の金属薄膜を除去する必要があるため、金属材料の無駄が多く発生するという問題がある。それに加え、近年、電子回路基板の高密度化に伴ってより一層微細な回路パターンが要求されているが、サブトラクティブ法では、オーバーエッチングの発生や絶縁基材の表面の粗化による凹凸や接着剤の存在などにより、要求される微細回路パターン形成に対応することが困難であるという問題もある。
【０００４】
このため、サブトラクティブ法に代わる回路パターン形成法が盛んに研究されている。例えばフォトリソグラフ法の一種であるアディティブ法は、例えば、絶縁基材の表面の全面に感光性樹脂を塗布し、回路形成部位以外に紫外線照射することによって、回路形成部位以外を硬化させた後、未硬化部分を溶剤で回路パターン形状に除去し、無電解めっき法を用いて絶縁基材の表面に回路パターンを直接形成する方法である。無電解めっき法は溶液内の酸化還元反応を利用し、めっき触媒核が付与された絶縁基材表面に金属薄膜を形成する方法である。このアディティブ法は、前記のドライプロセスに比べて優れた生産性を有し、またサブトラクティブ法に比べて微細な回路パターン形成が可能であるが、絶縁基材と金属薄膜間の密着力を確保することが難しいため、密着信頼性に劣るといった問題点がある。また、アディティブ法は工程が複雑である上、微細な回路パターンを形成するためには高価な生産設備を必要とし、高コストになるという問題もある。
【０００５】
さらに、微細な回路パターンを簡便かつ安価に形成する方法として、インクジェット方式が注目されている。インクジェット方式は、絶縁基材の表面に金属ナノ粒子から構成されるインキをインクジェットノズルよりパターン形状に噴霧して、塗布した後、アニーリング処理して微細な金属薄膜からなる回路パターンを形成するようにしたものである。しかし、インクジェット方式で金属ナノ粒子を噴霧、塗布する際に、絶縁基材の表面の単位面積あたりの金属ナノ粒子数が不十分であると、アニーリング時の金属ナノ粒子間の焼結に伴う収縮により、得られる金属薄膜が断線する可能性があり、逆に金属ナノ粒子数が過剰であると、アニーリング後形成する金属薄膜の表面平滑性が失われる可能性があり、絶縁基材上への金属ナノ粒子の塗布量の制御が極めてシビアであるという問題点がある。また、絶縁基材と金属ナノ粒子の金属成分はその物性上、十分な密着信頼性を得ることが難しく、さらに、アニーリング時の金属ナノ粒子間の焼結に伴う収縮により寸法精度にも問題を有するものである。
【０００６】
そして近年、優れた密着信頼性を有する回路パターン形成技術として、絶縁基材の表面をアルカリ水溶液で処理してカルボキシル基を生成させ、該カルボキシル基に金属イオンを配位させてカルボキシル基の金属塩を形成したのち、フォトマスクを介して紫外線を該絶縁基材上に照射することによって、選択的に金属イオンを還元して金属薄膜を析出させ、必要に応じてめっき法により金属薄膜を増膜するようにした技術が提案されている（例えば特許文献１等参照）。この方法で形成された金属薄膜はその一部が絶縁基材の樹脂中に埋包されており、絶縁基材の表面に対する金属薄膜の密着信頼性を高く得ることができるのである。
【特許文献１】特開２００１−７３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の発明のように、フォトマスクを介した紫外線照射によるパターン形成法では、回路基板の高密度化に伴って要望される極めて微細な回路パターンに対応することが困難であるという問題があった。また、一つの絶縁基材には一種の金属の金属薄膜しか形成することができないため、例えば絶縁基材上に導体パターンの他に、抵抗体パターン、コンデンサーパターンなどの素子を形成した、いわゆる混成集積回路パターンに適用することはできないものであった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高く絶縁基材の表面に形成することができ、また混成集積回路パターンに適用することも可能な無機薄膜パターン形成方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に係る無機薄膜パターン形成方法は、絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に、金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することにより金属イオンを含有する樹脂層２を形成する（１）工程と、この金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層２の表面に析出させて無機薄膜３を形成する（２）工程とを、有することを特徴とするものである。
【００１０】
この発明によれば、無機薄膜パターンを形成する部位に選択的に金属イオン含有の樹脂層２を形成し、そしてこの樹脂層２の表面に金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として析出させて無機薄膜３を形成することができるものであり、フォトマスクなどを用いる必要なく、密着信頼性高く、且つパターン精度が高い無機薄膜パターンとして、無機薄膜３を形成することができるものである。
【００１１】
また請求項２の発明は、請求項１において、上記の無機薄膜３を形成する（２）工程は、金属イオンを還元処理することにより、金属イオンを金属として樹脂層２の表面に析出させ、金属薄膜３ａからなる無機薄膜３を形成する工程であることを特徴とするものである。
【００１２】
この発明によれば、無機薄膜パターンを金属薄膜３ａで形成することができ、絶縁基材１を基板とする電子回路基板などに用いることができるものである。
【００１３】
また請求項３の発明は、請求項１において、上記の無機薄膜３を形成する（２）工程は、金属イオンを活性ガスと反応させることにより、金属イオンを金属酸化物あるいは半導体として樹脂層２の表面に析出させ、金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂからなる無機薄膜３を形成する工程であることを特徴とするものである。
【００１４】
この発明によれば、無機薄膜パターンを金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂで形成することができ、金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂで抵抗素子や半導体素子などの素子を形成することによって、各種の電子部品に用いることができるものである。
【００１５】
また請求項４の発明は、請求項１において、上記の無機薄膜３を形成する（２）工程は、金属イオンを還元処理することにより、金属イオンを金属として樹脂層２の表面に析出させて金属薄膜４を形成する（２−１）工程と、この金属薄膜４を酸化処理することにより金属酸化物薄膜あるいは半導体薄膜３ｂからなる無機薄膜３を形成する（２−２）工程と、からなることを特徴とするものである。
【００１６】
この発明によれば、無機薄膜パターンを金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂで形成することができ、金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂで抵抗素子や半導体素子などの素子を形成することによって、各種の電子部品に用いることができるものである。
【００１７】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、金属イオンを含有する樹脂組成物が、金属イオン配位カルボキシル基を有する樹脂の組成物であることを特徴とするものである。
【００１８】
この発明によれば、金属イオン配位カルボキシル基は陽イオン（金属イオン）を容易に配位、離脱することができるので、還元や酸化の処理で、金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、樹脂層２の表面に容易に析出させることができ、無機薄膜３の形成が容易になるものである。
【００１９】
また請求項６の発明は、請求項５において、金属イオン配位カルボキシル基を有する樹脂が、金属イオン配位ポリアミド酸樹脂であることを特徴とするものである。
【００２０】
この発明によれば、ポリアミド酸樹脂は高耐熱性のポリイミドに変質させることができるので、耐熱性のフレキシブル回路基板などに用いることができるものである。
【００２１】
また請求項７の発明は、請求項１乃至６のいずれかにおいて、金属イオンを含有する樹脂組成物を描画装置により絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に塗布することを特徴とするものである。
【００２２】
この発明によれば、描画装置を用いて金属イオンを含有する樹脂組成物を精度の高い微細なパターンで塗布することができ、パターン精度が高い微細な無機薄膜パターンとして、無機薄膜３を形成することができるものである。
【００２３】
また請求項８の発明は、請求項１乃至６のいずれかにおいて、金属イオンを含有する樹脂組成物を転写法により絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に塗布することを特徴とするものである。
【００２４】
この発明によれば、転写法を用いて金属イオンを含有する樹脂組成物を精度の高い微細なパターンで塗布することができ、パターン精度が高い微細な無機薄膜パターンとして、無機薄膜３を形成することができるものである。
【００２５】
また請求項９の発明は、請求項１乃至６のいずれかにおいて、金属イオンを含有する樹脂組成物をスクリーン印刷法により絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に塗布することを特徴とするものである。
【００２６】
この発明によれば、スクリーン印刷法を用いて金属イオンを含有する樹脂組成物を精度の高い微細なパターンで塗布することができ、パターン精度が高い微細な無機薄膜パターンとして、無機薄膜３を形成することができるものである。
【００２７】
また請求項１０の発明は、請求項１乃至９のいずれかにおいて、上記の（２）工程で樹脂層２の表面に析出される無機薄膜３は、無機ナノ粒子の集合体から形成されていることを特徴とするものである。
【００２８】
この発明によれば、無機ナノ粒子の集合体が有する樹脂層２に対するアンカーロッキング効果で、樹脂層２に対する無機薄膜３の密着強度を高めることができると共に、無機ナノ粒子の集合体が有する触媒作用を利用して、無機薄膜３の表面に無電解めっきを行なうことが容易になるものである。
【００２９】
また請求項１１の発明は、請求項１０において、無機ナノ粒子の集合体の一部は樹脂層２に埋包されていることを特徴とするものである。
【００３０】
この発明によれば、樹脂層２に対するアンカーロッキング効果で、無機ナノ粒子の集合体からなる無機薄膜３を樹脂層２の表面に強固に密着させることができるものである。
【００３１】
また請求項１２の発明は、請求項１乃至１１のいずれかにおいて、上記の（１）工程よりも後に、絶縁基材１を加熱処理する（３）工程を有することを特徴とするものである。
【００３２】
この発明によれば、加熱処理によって絶縁基材１に対する樹脂層２の密着強度を高めることができ、ひいては絶縁基材１に対する無機薄膜３の密着強度を高めることができるものである。
【００３３】
また請求項１３の発明は、請求項１２において、上記の絶縁基材１を加熱処理する（３）工程は、上記の（２）工程の後に有することを特徴とするものである。
【００３４】
この発明によれば、加熱処理によって絶縁基材１に対する樹脂層２の密着強度を高めることができ、ひいては絶縁基材１に対する無機薄膜３の密着強度を高めることができるものである。
【００３５】
また請求項１４の発明は、請求項４乃至１１のいずれかにおいて上記の（２−１）工程と、上記の（２−２）工程の間に、絶縁基材１を加熱処理する（３）工程を有することを特徴とするものである。
【００３６】
この発明によれば、加熱処理によって絶縁基材１に対する樹脂層２の密着強度を高めることができ、（２−２）工程の処理の際に樹脂層２が剥離するようなことを防ぐことができるものである。
【００３７】
また請求項１５の発明は、請求項４乃至１１のいずれかにおいて、金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂからなる無機薄膜３を形成する上記の（２−２）工程は、金属薄膜４を形成した絶縁基材１を加熱処理すると同時に金属薄膜４を酸化処理する工程であることを特徴とするものである。
【００３８】
この発明によれば、加熱処理をすることによって、絶縁基材１に対する樹脂層２の密着強度を高めることができると同時に、金属薄膜４を酸化させ金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂを形成することができるものである。
【００３９】
また請求項１６の発明は、請求項１乃至１５のいずれかにおいて、無機薄膜を形成した樹脂層の表面に無電解めっきを施す（４）工程を有することを特徴とするものである。
【００４０】
この発明によれば、無機薄膜３の表面に無電解めっき膜５を増膜して膜厚を厚くすることができ、無機薄膜３で回路等を形成することができるものである。
【００４１】
また請求項１７の発明は、請求項１６において、絶縁基材１を加熱処理する工程の後に、無電解めっきを施す（４）工程を有することを特徴とするものである。
【００４２】
この発明によれば、無機薄膜３の表面に無電解めっき膜５を増膜して膜厚を厚くすることができ、無機薄膜３で回路等を形成することができると共に、絶縁基材１に対する樹脂層２の密着強度を高めることができ、無電解めっきの工程で樹脂層２が剥離するようなことを防ぐことができるものである。
【００４３】
また請求項１８の発明は、請求項１６又は１７において、金属ナノ粒子の集合体をめっき析出核として無電解めっきを行なうことを特徴とするものである。
【００４４】
この発明によれば、金属ナノ粒子の集合体からなる無機薄膜３の表面にめっきを析出させて、無機薄膜３の表面のみに選択的に無電解めっきを行なうことができるものであり、無機薄膜３の表面に無電解めっき膜５を増膜するにあたって、増膜後もパターン精度を高く保つことができるものである。
【００４５】
また請求項１９の発明は、請求項１乃至１８のいずれかにおいて、絶縁基材１は、ポリイミド樹脂基材であることを特徴とするものである。
【００４６】
この発明によれば、ポリイミド樹脂は高耐熱性であると共に、フィルム状に形成することができるので、フレキシブル回路基板として使用することができるものである。
【００４７】
また請求項２０の発明は、請求項１乃至１９のいずれかにおいて、無機薄膜パターンは、回路パターン形状であることを特徴とするものである。
【００４８】
この発明によれば、絶縁基材１を基板とする電子回路基板などに用いることができるものである。
【００４９】
また請求項２１の発明は、請求項１乃至２０のいずれかにおいて、上記の（１）工程は、絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に、異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂組成物をそれぞれ塗布することにより、異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂層２を形成する工程であり、上記の（２）工程は、この各金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、それぞれの樹脂層２の表面に析出させて、金属種の異なる複数種の無機薄膜３からなる混成集積回路用の無機薄膜パターンを形成する工程であることを特徴とするものである。
【００５０】
この発明によれば、金属種の異なる複数種の無機薄膜３からなる無機薄膜パターンを形成することができ、導体パターンの他に、抵抗体パターンやコンデンサーパターンなどの素子パターンが混成された、混成集積回路用に適用した無機薄膜パターンを形成することができるものである。
【発明の効果】
【００５１】
本発明によれば、無機薄膜パターンを形成する部位に選択的に金属イオン含有の樹脂層２を形成し、そしてこの樹脂層２の表面に金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として析出させて無機薄膜３を形成することができるものであり、フォトマスクなどを用いる必要なく、密着信頼性高く、且つパターン精度が高い無機薄膜パターンとして、無機薄膜３を形成することができるものである。また異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂組成物を用いることによって、金属種の異なる複数種の無機薄膜３からなる混成集積回路用の無機薄膜パターンを形成することが可能になるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００５３】
本発明において絶縁基材１としては、耐熱性、耐薬品性、機械的強度、耐燃性、電気絶縁特性等に優れた基材であることが望ましい。具体的には、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂のフィルムや成形板、またガラスの成形板などを用いることができるが、なかでも高耐熱性であるポリイミド樹脂基材を選択することが望ましい。また絶縁基材１の形態は特に制限されるものではなく、フィルムや板の他、任意の形態に形成することができる。
【００５４】
そして本発明は、まず（１）工程で、絶縁基材１の表面に金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布することによって、金属イオンを含有する樹脂層２を図１（ａ）のように絶縁基材１に積層して形成する。ここで、金属イオンを含有する樹脂組成物の塗布は、無機薄膜パターンを形成する部位に、所定のパターン形状で行なうものである。樹脂層２の厚みは特に限定されるものではないが、後述のようにして得られる無機薄膜３の連続性や平滑性、パターン精度、並びに後述の無電解めっき層５の厚みをを含めた総厚みの制御を考慮すると、１μｍ〜５０μｍの範囲であることが望ましい。
【００５５】
ここで、金属イオンを含有する樹脂組成物としては、金属イオンを含有する樹脂を主剤とし、これにバインダー、溶剤、無機フィラー、増粘剤、レベリング剤などの助剤を必要に応じて配合したものを用いることができる。主剤となる金属イオンを含有する樹脂としては、金属イオン配位酸性基を有する樹脂を挙げることができるものであり、酸性基としてはスルホン酸基、カルボキシル基を例示することができる。好ましくは金属イオン配位カルボキシル基を有する樹脂、すなわち、カルボキシル基の金属塩（−ＣＯＯＭ：Ｍは金属原子）を含む樹脂であり、さらに具体的には、金属イオン配位ポリアミド酸樹脂が好ましい。特に、絶縁基材１としてポリイミド樹脂基材を用いる場合、金属イオン配位ポリアミド酸樹脂を選択すると、ポリアミド酸はポリイミドに変質することができるので、絶縁基材１と樹脂層２との密着性を高く得ることができると共に、耐電圧特性や耐イオンマイグレーション性などの絶縁信頼性を高めることができるものである。また上記の助剤は、所望とする塗布パターンの形状、線幅、塗布方法などに応じて、適宜選択して使用されるものであり、粘度、絶縁基材１との濡れ性、平滑性、揮発性などを考慮して配合することができるものである。尚、樹脂組成物に溶剤が含まれる場合は、塗布後に乾燥を行なって溶剤を揮発させることが望ましい。
【００５６】
樹脂組成物に含有する金属イオンとしては、金イオン、銀イオン、銅イオン、白金アンミン錯体、パラジウムアンミン錯体、タングステンイオン、タンタルイオン、チタンイオン、錫イオン、インジウムイオン、カドミウムイオン、バナジウムイオン、クロムイオン、マンガンイオン、アルミニウムイオン、鉄イオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオンなどを例示することができるものであり、これらの中から１種以上を選択することができるものである。
【００５７】
ここで、金属イオンを含有する樹脂は、例えば、酸性基を有する樹脂に金属イオン含有水溶液を作用させることによって調製することができる。すなわち、樹脂に導入されている酸性基が金属イオンと反応して金属塩を形成し、樹脂に金属イオンを含有させることができるものである。具体的には、酸性基を有する樹脂と金属イオン含有水溶液とを混合することにより、金属塩を形成した後、遠心分離などによって樹脂分を分離することにより、金属イオンを含有する樹脂を得ることができるものである。
【００５８】
そして上記のように、絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に選択的に所定のパターン形状で塗布するにあたっては、例えば、インクジェット印刷装置や、マイクロディスペンサー等の描画装置を用いて行なうことができる。すなわち例えば、金属イオンを含有する樹脂組成物をインクジェット印刷装置のインクとして用い、所定のパターンにこの樹脂組成物を噴射・塗布することによって、無機薄膜パターンを形成する部位に選択的に樹脂組成物を塗布することができるものである。インクジェット印刷装置としては、サーマル方式、ピエゾ方式など任意のものを用いることができる。
【００５９】
また、転写法によって樹脂組成物を、絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に選択的に所定のパターン形状で塗布することもできる。転写法としては特に制限されるものではないが、例えば電子写真法、オフセット印刷法などを用いることができる。
【００６０】
さらにスクリーン印刷法によって樹脂組成物を、絶縁基材１の無機薄膜パターンを形成する部位に選択的に所定のパターン形状で塗布することもできる。例えば、アクリル系樹脂等をバインダーとして金属イオン含有樹脂組成物のペーストを作製し、これを所定パターンのスクリーン版を用いて印刷することによって、所定パターン形状に樹脂組成物を塗布することができるものである。
【００６１】
上記のように（１）工程で、絶縁基材１に金属イオン含有の樹脂層２を積層した後、（２）工程で、金属イオン含有樹脂層２の金属イオンを、金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として樹脂層２の表面に析出させ、金属薄膜３ａ、もしくは金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂからなる、無機薄膜３を樹脂層２の表面に図１（ｂ）のように形成する。尚、このように金属イオン含有樹脂層２の金属イオンを、金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として樹脂層２の表面に析出させると、樹脂層２は金属イオンを含有しない樹脂層２′となるものである。例えば、金属イオン含有ポリアミド酸樹脂で金属イオン含有樹脂層２を形成した場合には、金属イオンを、金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として析出させると、金属イオンを含有しないポリアミド酸樹脂で樹脂層２′が形成されることになるものである。
【００６２】
ここで、金属イオン含有樹脂層２の金属イオンを金属として析出させる場合には、金属イオンを還元処理することによって行なうことができる。還元処理は、例えば、還元剤を含む溶液で樹脂層２の表面を処理したり、還元ガスや不活性ガスの雰囲気下で絶縁基板１を熱処理することによって行なうことができる。還元条件は金属イオンの種類によって異なるが、還元剤を含む溶液で処理する場合、還元剤として例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸及びその塩、ジメチルアミンボラン等を使用することができる。また還元ガスで処理する場合、還元ガスとして例えば水素及びその混合ガス、ボラン−窒素混合ガス等を使用することができ、不活性ガスで処理する場合、不活性ガスとして例えば窒素ガス、アルゴンガス等を使用することができる。このように樹脂層２′の表面に無機薄膜３として金属薄膜３ａを形成するにあたって、回路パターン形状に金属薄膜３ａを形成することによって、絶縁基材１からなる基板の表面に金属薄膜３ａからなる回路を設けた電子回路基板などの電子部品として用いることができるものである。
【００６３】
また、金属イオン含有樹脂層２の金属イオンを金属酸化物あるいは半導体として析出させる場合には、活性ガス雰囲気で加熱処理等して金属イオンを活性ガスと反応させることによって行なうことができる。反応条件は金属イオンの種類によって異なるが、活性ガスとして例えば酸素及びその混合ガス、窒素及びその混合ガス、硫黄ガス及びその混合ガス等を使用し、絶縁基材１の表面を活性ガスと接触させることによって、処理を行なうことができる。
【００６４】
このように金属イオン含有樹脂層２の金属イオンを金属酸化物あるいは半導体として析出させて金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂとして無機薄膜３を形成する場合、金属酸化物としては、例えば酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、酸化バナジウム、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化コバルト、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、インジウム−錫複合酸化物、ニッケル−鉄複合酸化物、コバルト−鉄複合酸化物などを挙げることができる。このように樹脂層２′の表面に無機薄膜３として金属酸化物薄膜３ｂを形成することによって、金属酸化物薄膜３ｂのパターンでコンデンサー、透明導電膜を形成し、また絶縁基材を基板とする放熱材、磁気記録材料、エレクトロクロミズム素子、センサー、触媒、発光材料などとして使用することができるものである。
【００６５】
また半導体としては、例えば硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化カドミウム、硫化銀、硫化銅、リン化インジウムなどを挙げることができる。このように樹脂層２′の表面に無機薄膜３として半導体薄膜３ｂを形成することによって、半導体薄膜３ｂで発光素子、トランジスタ素子、メモリー素子などを形成して、発光材料、トランジスタ、メモリー材料などとして使用することができるものである。
【００６６】
上記のように（２）工程で、金属イオン含有樹脂層２の金属イオンを、金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として樹脂層２′の表面に析出させるにあたって、無機薄膜３を構成するこの金属、金属酸化物、半導体は、粒径２〜１００ｎｍのナノ粒子で形成されているものである。これらの無機ナノ粒子はその極めて高い表面エネルギーのために容易に凝集して、ナノ粒子の集合体として存在して無機薄膜３を構成しているものである。そして金属イオンの濃度、還元剤の濃度、雰囲気温度、活性ガスの濃度等の条件により程度は異なるものの、無機ナノ粒子の集合体の一部は樹脂層２′の樹脂内で安定化しており、すなわち無機ナノ粒子の集合体の一部が樹脂層２′の表層部内に埋包された状態となっており、この際のアンカーロッキング効果によって、樹脂層２′に対して無機ナノ粒子の集合体からなる無機薄膜３を強固に密着させることができるものであり、樹脂層２′を介した絶縁基材１に対する無機薄膜３の高い密着強度を得ることができるものである。基板の表面を化学的、もしくは物理的に粗化することによってアンカーロッキング効果を得る場合、表面粗さはμｍオーダーとなるが、本発明のような無機ナノ粒子と樹脂層２′とのアンカーロッキング効果の場合、表面粗さがナノスケールで優れた密着特性を得ることができるものであり、高周波領域の電子信号を伝達するための電子回路基板として使用するのに適しているものである。
【００６７】
上記のようにして（２）工程で形成される無機薄膜３は膜厚が１０〜５００ｎｍ程度である。一方、例えば電子回路基板において回路の厚みは概ねμｍ単位の膜厚が必要である。このため、電子回路基板などとして使用する場合には、無機薄膜３に増膜を施して膜厚を厚く形成することが望ましい。このため、（２）の工程の後に、絶縁基材１に設けた無機薄膜３の表面に無電解めっきを施して無電解めっき膜５を設ける（４）工程を有するものである。
【００６８】
無電解めっきは例えば、無電解めっき浴に絶縁基材１を浸漬することによって行なうことができるものであり、無機薄膜３を構成する上記の無機ナノ粒子の集合体をめっきの析出核として、無機薄膜３の表面にめっき金属を析出させて図１（ｃ）のように無電解めっき膜５を形成することができるものである。すなわち、無機ナノ粒子の集合体は、極めて広大な比表面積を有するので、優れた触媒活性を示すものであり、多くの点から均一にめっき金属の析出が始まり、無電解めっきの析出核として利用すると、良好な密着性と電気特性を示す無電解めっき膜５を得ることができるものである。またこのように無機薄膜３を構成する上記の無機ナノ粒子の集合体をめっきの析出核とすることにより、絶縁基材１の表面のうち、無機薄膜３の表面にのみ無電解めっき膜５を選択的に析出させて形成することができるものであり、無機薄膜３に無電解めっき膜５を増膜して回路を形成するにあたって、マスクなどを必要とすることなく、増膜後も無機薄膜３の回路パターンの精度を保つことができるものである。尚、無電解めっき浴は、絶縁基材１のポリイミド樹脂などの樹脂の改質を防ぐため、中性もしくは弱アルカリ性であることが望ましい。
【００６９】
図２は本発明の他の実施の形態の一例を示すものであり、図１の実施の形態と同様にして、（１）工程で、金属イオンを含有する樹脂層２を図２（ａ）のように絶縁基材１に積層し、次に（２）工程で、金属薄膜３ａ、もしくは金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂからなる、無機薄膜３を樹脂層２′の表面に図２（ｂ）のように形成し、この後に、絶縁基材１を加熱処理する（３）工程を有するものである。このように絶縁基材１を加熱処理することによって、絶縁基材１に対する樹脂層２′の密着性を高めることができるものであり、樹脂層２′を介した絶縁基材１に対する無機薄膜３の高い密着強度を得ることができるものである。特に絶縁基材１が樹脂基材である場合、加熱処理することによって図２（ｃ）のように樹脂層２′と絶縁基材１との間に明確な境界がなくなり、絶縁基材１と樹脂層２′との密着性はより高まるものである。
【００７０】
加熱処理の条件は、絶縁基材１や樹脂層２の種類や組み合わせによって異なるが、例えば絶縁基材１をポリイミド樹脂、樹脂層２をポリアミド酸樹脂で形成した場合には、処理温度を１００〜４００℃程度、処理時間を１〜２時間程度に設定するのが好ましい。この条件で加熱処理すると、樹脂層２のポリアミド酸樹脂がポリイミド化し、絶縁信頼性が高まると共に絶縁基材１のポリイミド樹脂との境界面が不明確となって密着強度が高まるものである。
【００７１】
上記のように（３）工程で絶縁基材１を加熱処理した後、必要に応じて、図１の実施の形態と同様にして、無機薄膜３の表面に無電解めっきを施す（４）工程で、図２（ｄ）のように無電解めっき膜５を形成することができるものである。ここで、無機薄膜３に無電解めっきを施す（４）工程は、無機薄膜３を形成する（２）工程の後に行なうようにしてもよいが、図２の実施の形態のように絶縁基材１を加熱処理する（３）工程の後で無電解めっきを施す（４）工程を行なうと、加熱処理によって絶縁基材１に対する樹脂層２の密着性を高めた状態で無電解めっきの処理を行なうことができるので、無電解めっきの工程で樹脂層２が絶縁基材１から剥離するようなことを防ぐことができるものである。
【００７２】
また図３の実施の形態は、図２の実施の形態において、（２）工程で金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂとして無機薄膜３を形成する場合に、加熱処理によって金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂを形成するようにしたものであり、図３（ｂ）に示すように、この加熱によって絶縁基材１を加熱処理する（３）工程も同時に行なうことができるものである。
【００７３】
図４は本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、図１の実施の形態と同様にして（１）工程で、金属イオンを含有する樹脂層２を図４（ａ）のように絶縁基材１に積層し、次に（２）工程で樹脂層２の表面に無機薄膜３を形成するにあたって、まず、（２−１）工程で、金属イオンを還元処理することにより、金属イオンを金属として樹脂層２の表面に析出させて図４（ｂ）のように金属薄膜４を形成するようにしてある。金属イオンを金属として析出させるには、既述と同様に金属イオンを還元処理することによって行なうことができる。このように金属イオンを金属として析出させることによって、金属イオンを含有する樹脂層２は金属イオンを含有しない樹脂層２′となる。次に、（２−２）工程で、この金属薄膜４を酸化処理することによって、金属酸化物薄膜３ｂあるいは半導体薄膜３ｂからなる無機薄膜３を図４（ｃ）のように形成することができるものである。酸化処理は、例えば空気雰囲気下、１００〜４００℃程度の温度で１〜６時間加熱するなど、既述と同様な方法で行なうことができる。
【００７４】
上記のように（２−１）工程と（２−２）工程からなる（２）工程で無機薄膜３を形成した後、上記の各実施の形態と同様にして、絶縁基材１を加熱処理する（３）工程を行なうことによって、図４（ｄ）のように絶縁基材１と樹脂層２との間の境界が不明確になるようにして密着強度を高めることができるものであり、さらに無機薄膜３の表面に無電解めっき層５を設ける（４）工程を行なうことによって、図４（ｅ）のように増膜することができるものである。
【００７５】
図４の実施の形態では、（２−２）工程の後に絶縁基材１を加熱処理する（３）工程を行なうようにしたが、図５の実施の形態のように、図５（ｂ）のように金属薄膜４を形成する（２−１）工程の後、図５（ｄ）のように金属薄膜４を酸化処理して無機薄膜３を形成する（２−２）工程の前に、図５（ｃ）のように絶縁基材１を加熱処理する（３）工程を行なうようにしてもよい。
【００７６】
また図６の実施の形態では、図６（ｂ）のように金属薄膜４を形成する（２−１）工程の後、金属薄膜４を酸化処理して無機薄膜３を形成する（２−２）工程において、酸化処理を絶縁基材１を加熱して行なうようにしたものであり、この場合には、図６（ｃ）のように（２−２）工程と（３）工程とを同時に行なうことができるものである。
【００７７】
上記の各実施の形態のように、（１）工程で、絶縁基材１の表面に金属イオンを含有する樹脂組成物を塗布して金属イオン含有樹脂層２を形成し、（２）工程で、樹脂層２の表面に無機薄膜３を形成するにあたって、樹脂組成物として、異なる金属イオンを含有する複数種のものを用いることができる。そしてこのように異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂組成物をそれぞれ塗布することによって、（１）工程で、異なる金属イオンを含有する複数種の樹脂層２を絶縁基材１の表面に形成することができるものであり、また（２）工程で、この複数種の各金属イオンを金属として、もしくは金属酸化物あるいは半導体として、それぞれの樹脂層２の表面に析出させることによって、金属種の異なる複数種の無機薄膜３を絶縁基材１に形成することができるものである。そしてこのように金属種の異なる複数種の無機薄膜３からなる無機薄膜パターンを形成することができるので、導体パターンの他に、抵抗体パターンやコンデンサーパターンなどの素子パターンが混成された、混成集積回路を形成することができるものである。
【実施例】
【００７８】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００７９】
（実施例１）
ポリアミド酸に５０ｍＭ濃度のＣｕＳＯ４水溶液を混合することによって、ポリアミド酸に銅イオンを配位させ、遠心分離によりゲル状の銅イオン含有ポリアミド酸を分離し、さらに蒸留水で余分な金属を除去した。そしてゲル状の銅イオン含有ポリアミド酸をＮ−メチルピロリドンに溶解させることによって、銅イオン含有ポリアミド酸樹脂組成物を得た。
【００８０】
一方、ポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトン２００−Ｈ」）をエタノール溶液に浸漬し、５分間超音波洗浄を施した後、オーブン中で１００℃、６０分間乾燥することによって、ポリイミドフィルムの表面を清浄化した。
【００８１】
そしてプリントヘッドのインクカートリッジに上記の銅イオン含有樹脂組成物を充填し、ピエゾ方式のインクジェット印刷装置を用いてポリイミドフィルムの表面に線幅５０μｍの回路パターンを描画することによって、銅イオン含有樹脂層を形成した。（図２（ａ）参照）。
【００８２】
次に、還元溶液として５ｍＭ濃度のＮａＢＨ４水溶液を用い、この還元溶液にポリイミドフィルムを５分間浸漬して、蒸留水で洗浄したところ、樹脂層の表面に銅薄膜が析出していることが確認された（図２（ｂ）参照）。この銅薄膜の厚みは３００ｎｍ、線幅は５０μｍであり、また銅薄膜の電気抵抗は５×１０−３Ωｃｍであり、樹脂層のパターンと同形状の回路パターンを形成することができた。
【００８３】
次に、管状炉にポリイミドフィルムを入れ、水素気流下、ピーク温度２００℃、保持時間６０分の条件で加熱処理を行なった（図２（ｃ）参照）。
【００８４】
この後、ポリイミドフィルムを５０℃に温度調整した次の組成の中性無電解銅めっき浴に３時間浸漬した。
【００８５】
ＣｕＣｌ２           ：０．０５Ｍ
エチレンジアミン    ：０．６０Ｍ
Ｃｏ（ＮＯ３）２      ：０．１５Ｍ
アスコルビン酸      ：０．０１Ｍ
２，２′−ビピリジル：２０ｐｐｍ
（ｐＨ              ：６．７５）
このように無電解銅めっきを行なうことによって、銅薄膜の表面に銅が析出し、膜厚が４μｍの均一な無電解銅めっき膜が得られた（図２（ｄ）参照）。無電解銅めっき膜の電気抵抗は３×１０−５Ωｃｍであり、先の銅薄膜とこの銅めっき膜とで電子回路基板の回路を形成することができた。
【００８６】
（実施例２）
ポリアミド酸に５０ｍＭ濃度のＮｉＳＯ４水溶液を混合することによって、ポリアミド酸にニッケルイオンを配位させ、遠心分離によりゲル状のニッケルイオン含有ポリアミド酸を分離し、さらに蒸留水で余分な金属を除去した。そしてゲル状のニッケルイオン含有ポリアミド酸をＮ−メチルピロリドンに溶解させることによって、ニッケルイオン含有ポリアミド酸樹脂組成物を得た。
【００８７】
そしてプリントヘッドのインクカートリッジに上記のニッケルイオン含有樹脂組成物を充填し、ピエゾ方式のインクジェット印刷装置を用いて、実施例１と同様に表面清浄化したポリイミドフィルムの表面に線幅５０μｍの回路パターンを描画することによって、ニッケルイオン含有樹脂層を形成した。（図２（ａ）参照）。
【００８８】
次に、還元溶液として１５０ｍＭ濃度のヒドラジン水溶液を用い、この還元溶液にポリイミドフィルムを５分間浸漬して、蒸留水で洗浄したところ、樹脂層の表面にニッケル薄膜が析出していることが確認された（図２（ｂ）参照）。このニッケル薄膜の厚みは１２００ｎｍ、線幅は５０μｍであり、またニッケル薄膜の電気抵抗は１．５×１０−２Ωｃｍであり、樹脂層のパターンと同形状の回路パターンを形成することができた。
【００８９】
このニッケル薄膜パターンを形成したポリイミドフィルムを用い、実施例１と同様にして電子回路基板を得た。
【００９０】
（実施例３）
０．１Ｍ濃度の硫酸インジウム水溶液と０．１Ｍ濃度の硫酸錫水溶液を混合し、インジウムイオンと錫イオンのモル比がインジウム／錫＝１５／８５の金属イオン含有酸性水溶液を調製した。そしてポリアミド酸にこの金属イオン含有酸性水溶液を混合することによって、ポリアミド酸にインジウムイオンと錫イオンを配位させ、遠心分離によりゲル状の金属イオン含有ポリアミド酸を分離し、さらに蒸留水で余分な金属を除去した。そしてゲル状の金属イオン含有ポリアミド酸をＮ−メチルピロリドンに溶解させることによって、金属イオン含有ポリアミド酸樹脂組成物を得た。
【００９１】
そしてプリントヘッドのインクカートリッジに上記の金属イオン含有樹脂組成物を充填し、サーマル方式のインクジェット印刷装置を用いて、実施例１と同様に表面清浄化したポリイミドフィルムの表面に線幅１５μｍの回路パターンを描画することによって、金属イオン含有樹脂層を形成した。
【００９２】
次にこのポリイミドフィルムを水素雰囲気下、３５０℃で３時間加熱して還元処理することによって、インジウム−錫合金のナノ粒子集合体からなる金属薄膜を樹脂層の表面に形成した。このインジウム−錫合金の金属薄膜の膜厚は２００ｎｍであった。
【００９３】
この後、ポリイミドフィルムを空気雰囲気下、３００℃で６時間加熱処理することによって、インジウム−錫合金と酸素とを反応させて、ＩＴＯからなる無機薄膜を形成させた。このＩＴＯ薄膜の線幅は１６μｍ、シート抵抗は０．７Ω／□であった。
【００９４】
（実施例４）
ポリアミド酸に１００ｍＭ濃度のＡｇＮＯ３水溶液を混合することによって、ポリアミド酸に銀イオンを配位させ、遠心分離によりゲル状の銀イオン含有ポリアミド酸を分離し、さらに蒸留水で余分な金属を除去した。そしてゲル状の銀イオン含有ポリアミド酸１００質量部に、ターピネオール１０質量部、ブチルジグリコールアセテート１０質量部を配合することによって、ペースト状の銀イオン含有ポリアミド酸樹脂組成物を得た。
【００９５】
そしてスクリーン印刷法により、実施例１と同様に表面清浄化したポリイミドフィルムの表面に線幅５０μｍの回路パターンを印刷し、１５０℃で２０分間乾燥することによって、銀イオン含有樹脂層を形成した。（図１（ａ）参照）。
【００９６】
次に、還元溶液として１００ｍＭ濃度のジメチルアミンボラン水溶液を用い、この還元溶液にポリイミドフィルムを１０分間浸漬して、蒸留水で洗浄したところ、樹脂層の表面に銀薄膜が析出していることが確認された（図１（ｂ）参照）。この銀薄膜の厚みは３０００ｎｍ、線幅は５０μｍであり、また銀薄膜の電気抵抗は５×１０−３Ωｃｍであり、樹脂層のパターンと同形状の回路パターンを形成することができた。
【００９７】
この後、ポリイミドフィルムを７５℃に温度調整した次の組成の中性無電解ニッケルめっき浴に３時間浸漬した。
【００９８】
ＮｉＳＯ４          ：０．１Ｍ
ＣＨ３ＣＯＯＨ      ：１．０Ｍ
ＮａＨ２ＰＯ２       ：０．２Ｍ
（ｐＨ             ：４．５）
このように無電解ニッケルめっきを行なうことによって、銀薄膜の表面にニッケルが析出し、膜厚が４μｍの均一な無電解ニッケルめっき膜が得られた（図１（ｃ）参照）。無電解ニッケルめっき膜の電気抵抗は３×１０−５Ωｃｍであり、先の銀薄膜とこのニッケルめっき膜とで電子回路基板の回路を形成することができた。
【００９９】
（実施例５）
ポリアミド酸に１００ｍＭ濃度のＡｇＮＯ３水溶液を混合することによって、ポリアミド酸に銀イオンを配位させ、遠心分離によりゲル状の銀イオン含有ポリアミド酸を分離し、さらに蒸留水で余分な金属を除去した。そしてゲル状の銀イオン含有ポリアミド酸をＮ−メチルピロリドンに溶解させることによって、銀イオン含有ポリアミド酸樹脂組成物を得た。また、実施例２と同様にして、ニッケルイオン含有ポリアミド酸樹脂組成物を得た。
【０１００】
そしてプリントヘッドの２つのインクカートリッジにそれぞれ、上記の銀イオン含有ポリアミド酸樹脂組成物とニッケルイオン含有樹脂組成物を充填し、ピエゾ方式のインクジェット印刷装置を用いて、実施例１と同様に表面清浄化したポリイミドフィルムの表面に線幅５０μｍの回路パターンを描画した。このとき、両樹脂組成物で異なる回路パターンを描画することによって、同一のポリイミドフィルムに銀イオン含有樹脂層とニッケルイオン含有樹脂層とを形成した。
【０１０１】
次に、還元溶液として５ｍＭ濃度のＮａＢＨ４水溶液を用い、この還元溶液にポリイミドフィルムを５分間浸漬して、蒸留水で洗浄したところ、銀イオン含有樹脂層の表面に銀薄膜が、ニッケルイオン含有樹脂層の表面にニッケル薄膜が析出していことが確認されたこの銀薄膜の厚みは３００ｎｍ、線幅は５０μｍであり、ニッケル薄膜の厚みは１２０ｎｍ、線幅は５０μｍであった。
【０１０２】
さらに大気雰囲気下、３００℃で５時間加熱処理をして、ニッケル薄膜のニッケルを酸素と反応させることによって、酸化ニッケル薄膜を形成した。このようにして、同一基材の上に銀薄膜が導体、酸化ニッケル薄膜が抵抗体となる、混成集積回路パターンを形成することができた。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、電子部品、機械部品、特にフレキシブル回路板、フレックスリジッド回路板、ＴＡＢキャリアなどの回路板の製造に広く利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１  絶縁基材
２  樹脂層
３  無機薄膜
３ａ  金属薄膜
３ｂ  金属酸化物薄膜、半導体薄膜
４  金属薄膜
５  無電解めっき膜
【図１】
2007100134.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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