(57)【要約】【課題】本発明は基板の背面上に電導性物質が含まれているフォトレジストに構成された静電気防止用の導電性薄膜が形成されたカラーフィルター基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明に係るラーフィルター基板は、基板上に形成され画素領域を区画し、光漏れ現象を防ぐブラックマトリクス；前記ブラックマトリクスにより区画された画素領域に形成されたカラーフィルター；前記カラーフィルターにより形成された段差を除去し、基板の一側面を平坦化させるオーバーコーティング層；前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜；及び前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜を含み、前記導電性薄膜は電導性物質が含まれているフォトレジストに構成されたことを特徴とする。【選択図】図４
2007156405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にセル領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスと、
前記ブラックマトリクスにより区画されたセル領域に形成されたカラーフィルターと、  前記カラーフィルターにより形成された段差を補い、前記基板を平坦化させるオーバーコーティング層と、
前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜と、
前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜と
を備え、
前記導電性薄膜は電導性物質が含まれているフォトレジストで形成されることを特徴とするカラーフィルター基板。
【請求項２】
前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶を充填させるためのセルギャップを維持させるスペーサを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルター基板。
【請求項３】
前記基板の背面は、前記導電性薄膜が形成される前にエッチングされることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルター基板。
【請求項４】
前記導電性薄膜は前記電導性物質が含まれているフォトレジストを用いたコーティング及び熱処理工程を通じて形成されることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルター基板。
【請求項５】
前記フォトレジストに含まれている電導性物質はカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルター基板。
【請求項６】
基板上に画素領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスを形成する工程と、
前記ブラックマトリクスにより区画された画素領域にカラーフィルターを形成する工程と、
前記カラーフィルターにより段差が形成された基板を平坦化させるためのオーバーコーティング層を形成する工程と、
前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜を形成する工程と、
前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜を形成する工程と
を備え、
前記導電性薄膜は電導性物質が含まれているフォトレジストで形成されることを特徴とするカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項７】
前記オーバーコーティング層上に液晶の充填のためのセルギャップを維持させるスペーサを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載のカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板の背面に導電性薄膜を形成する前に、前記基板の軽薄小型化のために前記背面に対するエッチング工程を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載のカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項９】
導電性薄膜を形成する工程は、
前記基板の背面上に電導性物質を含んだ液状のフォトレジストを位置づける工程と、
前記フォトレジストに対するコーティング工程を行い、前記基板の背面上に液状のフォトレジストを塗布する工程と、
前記基板の背面に塗布された液状のフォトレジストを熱処理して硬化させる工程と
を含むことを特徴とする請求項６に記載のカラーフィルター基板の製造方法。
【請求項１０】
前記フォトレジストに含まれている電導性物質はカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項６に記載のカラーフィルター基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はカラーフィルター基板及びその製造方法に関し、特に基板の背面上に静電気を防ぐための導電性物質が含まれているフォトレジストに構成された導電性薄膜が形成されたカラーフィルター基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）は、電界を用いて液晶の光透過率を調節して画像を示す装置として、セル毎にスイッチング素子が形成されたアクティブマトリクス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）状に具現され、パソコン用モニター、事務機器、セルラフォン等の表示装置に適用されている。
【０００３】
このような液晶表示装置は、液晶を駆動させる電界方向に応じて、垂直方向の電界を用いる垂直電界型と水平方向の電界を用いる水平電界型とに大別される。
【０００４】
この際、垂直電界型の液晶表示装置は、上部基板上に形成された共通電極と下部基板上に形成された画素電極とが互いに対向して配置され、この間に形成される垂直電界によりＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｓｔｉｃ）モードの液晶を駆動する。このような垂直電界型の液晶表示装置は開口率が大きいという利点を有する反面、視野角が９０度程に狭いという問題点を有する。
【０００５】
水平電界型の液晶表示装置は、下部基板に並べて配置された画素電極と共通電極間の水平電界によりイン・プレイン・スイッチ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈ：ＩＰＳ）モードの液晶を駆動する。このような水平電界印加型の液晶表示装置は視野角が１６０度程に大きいという利点を有する反面、開口率が小さいという問題点を有する。
【０００６】
以下、図１を参照して、液晶表示装置の構成について詳細に説明する。ここで、図１は水平電界を用いて液晶を駆動させる水平電界型の液晶表示装置の断面図である。
【０００７】
図１に示すように、水平電界型の液晶表示装置は、裏面に静電気等を防ぐ透明電極（ＩＴＯ）３が形成された上部ガラス基板２上に順次形成されたブラックマトリスク４、カラーフィルター６、オーバーコーティング層８、スペーサ１３及び上部配向膜１２から構成されたカラーフィルター基板と、下部ガラス基板３２上に形成された薄膜トランジスタ、共通電極１０、画素電極５６及び下部配向膜５２に構成される薄膜トランジスタ基板と、これらの基板の間の内部空間に注入される液晶（未図示）とを備える。
【０００８】
ここで、カラーフィルター基板を構成するブラックマトリクス４は、下部ガラス基板３２の薄膜トランジスタが形成された領域、未図示のゲートライン及びデータラインと重畳して形成され、カラーフィルター６が形成されるセル領域を区画する。この際、ブラックマトリクス４は光漏れ現象を防ぐと共に、外部光を吸収し、コントラストを増大させる役割をする。
【０００９】
カラーフィルター６は、ブラックマトリクス４により分離されたセル領域及びブラックマトリクス４に亘って形成される。この際、カラーフィルター６はＲ、Ｇ、Ｂ別に形成され、Ｒ、Ｇ、Ｂ色を具現する。
【００１０】
オーバーコーティング層８はカラーフィルター６により形成された段差を覆うように形成され、上部基板２を平坦化する。
【００１１】
スペーサ１３は上部及び下部ガラス基板２、３２の間にセルギャップを維持する役割をするものとして、オーバーコーティング層８と同一な物質に同時に形成されたり、または後続工程を通じて形成される。
【００１２】
上部配向膜１２はスペーサ１３が形成されたオーバーコーティング層８上に形成され、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の間に介在される液晶を所定方向に配向させる役割をする。
【００１３】
薄膜トランジスタ基板を構成する薄膜トランジスタは、ゲートライン（未図示）と共に下部ガラス基板３２上に形成されるゲート電極３８と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極３８と重畳される半導体層９２、９３と、半導体層９２、９３を介してデータライン（未図示）と共に形成されるソース電極４６及びドレイン電極４８を備える。
【００１４】
この際、薄膜トランジスタはゲートラインのスキャン信号に応じてデータラインから伝達される画素信号を、保護膜５０を貫通する接触ホールを通じてドレイン電極４８に接続された画素電極に伝達する。
【００１５】
共通電極１０は下部ガラス基板３２上にゲートラインと共に形成され、画素電極５６と交番されるストライプ状を有する。ここで、共通電極には共通ライン（未図示）を通じて液晶駆動時に基準となる基準電圧が供給される。
【００１６】
この際、薄膜トランジスタを通じて画素信号が供給された画素電極５６と共通ラインを通じて基準電圧が供給された共通電極１０との間には水平電界が形成され、このような水平電界は薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の間で水平方向に配列された液晶分子を所定方向に回転させて光透過率を変化させることにより画像を具現する。
【００１７】
下部配向膜５２は薄膜トランジスタを覆う保護膜（未図示）上に形成され、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の間に介在される液晶を所定方向に配向させる役割をする。
【００１８】
以下、図２Ａないし図２Ｉを参照して従来の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板の製造工程を詳細に説明する。
【００１９】
まず、ガラス基板２上にスパッタリング方式を通じて静電気防止用の透明導電膜（ＩＴＯ）３を形成する。
【００２０】
これを詳細に説明すると、図２Ａに示すように、アルゴン（Ａｒ）ガスが充填されたチャンバの内部に設けられた基板上にガラス基板２及びターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を実装させた状態で、高い高周波（直流）電源（ＲＦ（ＤＣ）ＰＯＷＥＲ）を印加する。
【００２１】
この際、高周波（直流）電源（ＲＦ（ＤＣ）ＰＯＷＥＲ）により形成されたプラズマ内の高いエネルギーを有しているＡｒ（Ｈｅ）が（−）電荷を失い、Ａｒ＋状態になって、ターゲットの表面と衝突し、増着しようとするターゲット粒子が飛び出て、ガラス基板２上に増着されることにより、図２Ｂに示すように、ガラス基板２の背面上に静電気の発生を防止したり、または、静電気を除去する透明導電膜（ＩＴＯ）３を形成する。
【００２２】
前述のように、静電気防止のための透明導電膜３を形成した後、図２Ｃに示すように、ガラス基板２上に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクス４を形成する。
【００２３】
これを更に詳細に説明すると、透明導電膜３が形成されたガラス基板２の他方の一側面上に不透明物質を全面塗布する。この際、不透明物質はクロム（Ｃｒ）を含む不透明金属、または不透明樹脂が用いられる。以後、マスクを用いて不透明物質に対するフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通したパターニングを行うことにより、ブラックマトリクス４を形成する。
【００２４】
前述のように、ブラックマトリクス４を形成した後、ガラス基板２の上記他方の一側面上にブラックマトリクスにより区画された領域にＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルターを形成する。
【００２５】
これを更に詳細に説明すると、図２Ｄに示すように、ブラックマトリクス４が形成されたガラス基板２の上に赤色の感光性カラー樹脂を全面増着する。以後、マスクを用いて赤色の感光性カラー樹脂に対するフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通したパターニングを行って赤色カラーフィルターＲを形成する。
【００２６】
前述のように、赤色カラーフィルターを形成した後、図２Ｅに示すように、赤色カラーフィルターＲが形成されたガラス基板２上に緑色の感光性カラー樹脂を全面増着させる。以後、マスクを用いて緑色の感光性カラー樹脂に対するフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通じたパターニングを行うことにより、緑色カラーフィルターＧを形成する。
【００２７】
前述のように、緑色カラーフィルターＲを形成した後、図２Ｆに示すように、赤色及び緑色カラーフィルターＲ、Ｇが形成されたガラス基板２上に青色の感光性カラー樹脂を全面増着させる。以後、マスクを用いて青色樹脂に対するフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通したパターニングを行うことにより、青色カラーフィルターＢを形成することによって、最終的にカラーフィルター６を完成する。
【００２８】
前述のように、ガラス基板２上の透明導電膜３が形成されていない側の一側面上にＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルター６を形成した後、図２Ｇに示すように、ガラス基板２を平坦化させるためのオーバーコーティング層８を形成する。
【００２９】
これを更に詳細に説明すると、カラーフィルター６が形成されたガラス基板２の上に有機絶縁物を全面コーティング処理する。以後、マスクを用いて有機絶縁物に対するフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングを行うことにより、ガラス基板２を平坦化させるオーバーコーティング層８を形成する。
【００３０】
前述のように、オーバーコーティング層８を形成した後、図２Ｈに示すように、ガラス基板２の透明導電膜３が形成されていない側の一側面上に薄膜トランジスタとカラーフィルター基板の間のセルギャップを維持させるためのスペーサ１３を形成する。
【００３１】
これを更に詳細に説明すると、オーバーコーティング層８が形成されたガラス基板２の上にオーバーコーティング層８と同一な有機絶縁物を全面コーティング処理する。以後、マスクを用いて有機絶縁物に対するフォトリソグラピ工程及びエッチング工程によるパターニングを行うことにより、セルギャップを維持させるスペーサ１３を形成する。
【００３２】
前述のように、スペーサ１３を形成した後、図２Ｉに示すように、スペーサ１３が形成されたガラス基板２上に所定方向に液晶を配向させるための配向膜１２を形成することにより、最終的なカラーフィルター基板を完成する。
【００３３】
従来技術においては、前述のような製造工程を通じてカラーフィルター基板を形成する場合において、ガラス基板２の背面に形成される透明導電膜（ＩＴＯ）３は、チャンバ内でターゲット物質を用いたスパッタリングを通じて形成されるため、工程時間（Ｔａｃｔ  Ｔｉｍｅ）が増えるだけでなく、作業工程が複雑であるという問題点があった。
【００３４】
更に、従来のカラーフィルター基板を形成する場合において、ガラス基板２の背面上に透明導電膜３が形成された状態で、他の一側面上にブラックマトリクス、カラーフィルター、オーバーコーティング層及び配向膜が形成されることにより、ガラス基板２に対するエッチングが不可能であるため、カラーフィルター基板に対する軽薄小型化が不可能であるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３５】
従って、本発明の目的は、基板の背面上に静電気を防ぐための導電性物質が含まれているフォトレジストに構成された導電性薄膜を構成することにより、製造工程にかかる工程時間（Ｔａｃｔ  Ｔｉｍｅ）を低減させ得るカラーフィルター基板及びその製造方法を提供することである。
【００３６】
更に、本発明の目的は、基板の背面上にフォトレジストに構成された導電性薄膜を形成する前にエッチング工程を行うことにより、基板に対する軽薄小型化ができるカラーフィルター基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３７】
前記目的の達成のため、本発明に係る水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板は、基板上に形成され画素領域を区画し、光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクスにより区画された画素領域に形成されたカラーフィルターと、前記カラーフィルターにより形成された段差を補い、基板の一側面を平坦化させるオーバーコーティング層と、前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜と、前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜とを含み、前記導電性薄膜は電導性物質が含まれているフォトレジストに構成されたことを特徴とする。
【００３８】
更に本発明は、オーバーコーティング層上に形成され、液晶を充填させるためのセルギャップを維持させるスペーサを含むことを特徴とする。
【００３９】
更に本発明に係る基板の背面は、導電性薄膜が形成される前にエッチング工程を通じて軽薄小型化されることを特徴とする。
【００４０】
更に本発明に係る導電性薄膜は、電導性物質であるカーボンナノチューブが含まれているフォトレジストをコーティング処理して形成されたことを特徴とする。
【００４１】
更に本発明に係る導電性薄膜を形成するフォトレジストに含まれている電導性物質はカーボンナノチューブであることを特徴とする。
【００４２】
この際、電導性物質はカーボンナノチューブに限られなく、多様な種類の電導性を有する物質を意味するものとして理解するのが好ましい。
【００４３】
前記目的の達成のため、本発明に係る水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板の製造方法は、基板上に画素領域を区画すると同時に光漏れ現象を防ぐブラックマトリクスを形成する工程と、前記ブラックマトリクスにより区画された画素領域にカラーフィルターを形成する工程と、前記カラーフィルターにより段差が形成された基板を平坦化させるためのオーバーコーティング層を形成する工程と、前記オーバーコーティング層上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜を形成する工程と、前記基板の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜を形成する工程とを含み、前記導電性薄膜は電導性物質が含まれているフォトレジストから構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００４４】
前述のように、本発明に係るカラーフィルター基板及びその製造方法は、基板の背面上に電導性物質が含まれているフォトレジストを用いて静電気防止用の導電性薄膜を形成することにより、スパッタリング装置等を用いた従来の製造工程に比べ工程時間（Ｔａｃｔ  Ｔｉｍｅ）を短縮させることができるという効果を提供する。
【００４５】
更に、本発明はガラス基板の背面に静電気防止のための導電性薄膜を形成する前に、基板に対するエッチング工程を行うことにより、カラーフィルター基板を軽薄小型化することができるという効果を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、添付図面を参照して本発明に係る好ましい実施の形態について説明する。
【００４７】
まず、図３及び図４を参照して、本発明に係る水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板の構成について説明すると下記の通りである。ここで、図３は本発明に係るカラーフィルター基板の平面図であり、図４は図３において線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【００４８】
図３及び図４を参照すると、本発明に係るカラーフィルター基板は、基板１０１上に形成されたブラックマトリクス１０２と、ブラックマトリクス１０２により区画された画素領域に形成されるカラーフィルター１０４と、カラーフィルター１０４により形成された段差を除去し、基板１０１の一側面を平坦化させるオーバーコーティング層１０６と、オーバーコーティング層１０６上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜１０８と、基板１０１の背面上に形成され、静電気の発生を防ぐ導電性薄膜１１０とを含んで構成される。
【００４９】
この際、本発明に係るカラーフィルター基板は、オーバーコーティング層１０６上に形成され、液晶を充填させるためのセルギャップを形成するスペーサ１０７を更に含んで構成してもよい。
【００５０】
ここで、ブラックマトリクス１０２は、基板１０１上にマトリクス状に形成され、カラーフィルター１０４が形成される複数のセル領域を区画すると同時に、隣接したセル領域間の光干渉を防ぐ役割をするものとして、薄膜トランジスタ基板の画素電極を除いた領域であるゲートライン、データライン及び薄膜トランジスタと重畳して形成される。
【００５１】
この際、ブラックマトリクス１０２は、基板１０１上に不透明金属、例えば、クロム（ＣｒまたはＣｒＯｘ）等の不透明金属を約１５００〜２０００Åの厚さ及び５〜２５μｍの線幅を有するように増着させた後、これをフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングさせることにより形成される。
【００５２】
更に、ブラックマトリクス１０２は、基板１０１上に絶縁性樹脂を１．０〜１．５μｍの厚さを有すると共に、５〜２５μｍの線幅を有するように形成した後、これをフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングさせることにより形成することもできる。
【００５３】
カラーフィルター１０４は、ブラックマトリクス１０２により区画された複数のセル領域に形成される。この際、カラーフィルター１０４は、赤色、緑色及び青色を有する感光性カラー樹脂を顔料噴射法を用いて基板１０１上に順次噴射した後、マスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングすることにより、赤色を具現する赤色カラーフィルター１０４Ｒ、緑色を具現する緑色カラーフィルター１０４Ｇ及び青色を具現する青色カラーフィルター１０４Ｂを構成する。
【００５４】
この際、カラーフィルター１０４を具現する方法は、感光性カラー樹脂を用いた顔料噴射法に限られず、その他にも各種方法、例えば、染色法、電着法及び印刷法等、多様な方法を通じて形成され得ると解釈するのが好ましい。
【００５５】
オーバーコーティング層１０６は、カラーフィルター１０４により基板１０１上に形成された段差を無くすように形成されるため、後続工程において形成される配向膜１０８は平坦な形に形成することができる。
【００５６】
スペーサ１０７は、薄膜トランジスタとカラーフィルター基板の間に液晶が充填されるようにするセルギャップを維持させる役割をする。この際、スペーサ１０７は、オーバーコーティング層１０６と同一物質で、ブラックマトリクス１０２と重畳されるように形成される。
【００５７】
配向膜１０８は、スペーサ１０７が形成されたオーバーコーティング層１０６上に形成され、液晶分子を所定方向に配向させる役割をする。この際、配向膜１０８はポリーミド等の有機配向膜を用いたラビング工程を通して形成され、液晶を所定方向に整列させるための配向溝（未図示）が形成されている。
【００５８】
導電性薄膜１１０は、基板１０１の背面上に電導性物質を含むフォトレジストを用いたコーティング工程を行って形成される物として、カラーフィルター基板に発生する静電気を防ぐ役割をする。この際、導電性薄膜１１０を形成するフォトレジストに含まれている電導性物質はカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）である。
【００５９】
ここで、カーボンナノチューブは地球上に多量に存在する炭素からなる炭素同素体として、一つの炭素が他の炭素原子と六角形の蜂の巣のような柄に結合されチューブ形態を成し、チューブの直径がナノメートル（ｎｍ＝１０億分の１メートル）水準で、極めて小さな領域の物質である。この際、カーボンナノチューブは電気電導度が銅とほぼ同じであり、熱電導率は自然界において最も優れていて、強度はダイアモンドと等しい。
【００６０】
前述のような電導性を有するカーボンナノチューブを含んだ液状のフォトレジストを基板１０１の背面上に位置づけた後、コーティング工程及び熱処理工程を行うことにより、基板１０１の背面上に静電気を防ぐ導電性薄膜１１０が形成される。
【００６１】
以下、添付図面を参照して本発明に係る水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板の製造方法について詳細に説明する。
【００６２】
まず、図５Ａ及び図５Ｂを参照して本発明に係るカラーフィルター基板を構成するブラックマトリクスを形成する過程について説明する。ここで、図５Ａは、本発明に係るブラックマトリクスが形成されたカラーフィルター基板の平面図であり、図５Ｂは図５Ａにおいて線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【００６３】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、カラーフィルター基板を構成する基板１０１上に、不透明金属、例えば、クロム（ＣｒまたはＣｒＯｘ）等の不透明金属を約１５００〜２０００Åの厚さ及び５〜２５μｍの線幅を有するように増着させる。
【００６４】
以後、基板１０１上に増着された不透明金属に対し、マスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を行うことにより、基板１０１上にカラーフィルター１０４が形成される複数のセル領域を区画すると同時に、隣接したセル領域間の光干渉を防ぐ役割をするマトリクス状のブラックマトリクス１０２を形成する。
【００６５】
この際、基板１０１上に形成されるブラックマトリクス１０２は、絶縁性樹脂を１．０〜１．５μｍの厚さ及び５〜２５μｍの線幅を有するように形成した後、これをフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングさせることにより形成することもできる。
【００６６】
前述のように、基板１０１上にブラックマトリクス１０２を形成した後、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ブラックマトリクスにより区画されたセル領域にカラーフィルターを形成する。ここで、図６Ａは本発明に係るカラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板の平面図であり、図６Ｂは図６Ａにおいて線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【００６７】
図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、ブラックマトリクス１０２が形成された基板１０１上に、赤色、緑色及び青色を有する感光性カラー樹脂を顔料噴射法を用いて順次形成した後、マスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通して、赤色カラーフィルター１０４Ｒ、緑色カラーフィルター１０４Ｇ及び青色カラーフィルター１０４Ｂに構成されたカラーフィルター１０４を形成する。
【００６８】
これを更に具体的に説明すると、図７Ａに示すように、ブラックマトリクス１０２により区画された基板１０１上に顔料噴射法を用いて赤色の感光性カラー樹脂を全面塗布する。
【００６９】
以後、赤色の感光性カラーフィルターに対してマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングを行うことにより、ブラックマトリスク１０２により区画されたセル領域に赤色を表す赤色カラーフィルター１０４Ｒを形成する。
【００７０】
前述のように、赤色カラーフィルターを形成した後、図７Ｂに示すように、基板１０１上に顔料噴射法を用いて緑色の感光性カラー樹脂を全面塗布する。
【００７１】
以後、緑色の感光性カラーフィルターに対してマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングを行うことにより、ブラックマトリスク１０２により区画されたセル領域に緑色を表す緑色カラーフィルター１０４Ｇを形成する。
【００７２】
前述のように、赤色及び緑色カラーフィルターを形成した後、図７Ｃに示すように、基板１０１上に顔料噴射法を用いて青色の感光性カラー樹脂を全面塗布する。
【００７３】
以後、青色の感光性カラーフィルターに対してマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングを行うことにより、ブラックマトリスク１０２により区画されたセル領域に青色を表す青色カラーフィルター１０４Ｂを形成し、ガラス基板１０１上に最終的なカラーフィルター１０４を形成する。
【００７４】
前述のように、ブラックマトリクスにより区画された複数のセル領域にカラーフィルターを形成した後、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、基板１０１上にカラーフィルター１０４により形成された段差を補って、平坦化するためのオーバーコーティング層１０６を形成する。ここで、図８Ａは本発明に係るオーバーコーティング層１０６が形成されたカラーフィルター基板の平面図であり、図８Ｂは図８Ａにおいて線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【００７５】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、カラーフィルター１０４が形成された基板１０１上に当該カラーフィルター１０４により形成された段差を補償するため、熱硬化性樹脂、より具体的には、ポリ・ディメチル・シロキサン等のような熱硬化性樹脂を全面形成する。
【００７６】
以後、基板１０１上に形成された熱硬化性樹脂に対してマスクを用いたフォトリソグラピ工程及びエッチング工程を通してパターニングを行うことにより、カラーフィルター１０４により形成された基板１０１上の段差を補うためのオーバーコーティング層１０６を形成する。この際、オーバーコーティング層１０６の形成時に、液晶を充填させる空間（セルギャップ）を確保する役割をするスペーサ１０７を同時に形成することもできる。
【００７７】
ここで、オーバーコーティング層１０６は、カラーフィルター１０４により基板１０１上に形成された段差を補償することにより、後続工程において形成される配向膜１０８が平坦な形に基板１０１上に形成され得るようにする役割を更に果たしている。
【００７８】
前述のように、オーバーコーティング層１０６及びスペーサ１０７を形成した後、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、オーバーコーティング層１０６上に所定方向に液晶を配向させるための配向膜１０８を形成する。ここで、図９Ａは本発明に係る配向膜が形成されたカラーフィルター基板の平面図であり、図９Ｂは図９Ａにおいて線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【００７９】
図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、オーバーコーティング層１０６が形成された基板１０１上に、配向膜１０８の形成時に用いられるポリーミド等の有機配向膜を全面塗布する。以後、有機配向膜に対するラビング工程を行うことにより、所定方向に液晶を配向させる配向溝を有する配向膜１０８を形成する。
【００８０】
前述のように、配向膜を形成した後、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、基板１０１の背面上に静電気を除去するための導電性薄膜を形成する。ここで、図１０Ａは本発明に係る導電性薄膜が形成されたカラーフィルター基板の平面図であり、図１０Ｂは図１０Ａにおいて線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【００８１】
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、基板１０１の背面上に静電気を除去するための導電性薄膜１１０を電導性物質が含まれているフォトレジスト（ＰＲ）を用いたコーティング工程を通じて形成する。ここで、基板１０１の背面上に導電性薄膜１１０を形成する前に、カラーフィルター基板の軽薄小型化のために基板１０１に対するエッチング工程を行うこともできる。
【００８２】
これを更に具体的に説明すると、所定の導電性物質であるカーボンナノチューブが含まれている液状のフォトレジスト（ＰＲ）を基板１０１の背面上に落とす。
【００８３】
ここで、カーボンナノチューブは炭素からなる炭素同素体として、一つの炭素が他の炭素原子と六角形の蜂の巣のような柄に結合されチューブ形態を成し、チューブの直径がナノメートル（ｎｍ＝１０億分の１メートル）水準で、極めて小さな領域の物質である。この際、カーボンナノチューブは電気電導度が銅とほぼ同じであり、熱電導率は自然界において最も優れていて、強度はダイアモンドと等しい。
【００８４】
以後、基板１０１を固定させる回転軸（未図示）を用いてフォトレジストに対するコーティング工程を行うことにより、基板１０１の背面上に導電性物質を含んだ液状のフォトレジストを全面塗布する。
【００８５】
前述のように、導電性物質を含んだフォトレジストを全面形成した後、所定の熱処理環境下において液状のフォトレジストに対する熱処理を行って硬化処理することにより、基板１０１の背面に静電気を除去する導電性薄膜１１０を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】従来の水平電界型の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２Ａ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｂ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｃ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｄ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｅ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｆ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｇ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｈ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図２Ｉ】従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板を形成する過程を示す工程図である。
【図３】本発明に係る従来の水平電界型の液晶表示装置を構成するカラーフィルター基板の平面図である。
【図４】図３において線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取ったカラーフィルター基板の断面図である。
【図５Ａ】本発明に係るブラックマトリクスが形成されたカラーフィルター基板の平面図である。
【図５Ｂ】本発明に係るブラックマトリクスが形成されたカラーフィルター基板の断面図である。
【図６Ａ】本発明に係るカラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板の平面図である。
【図６Ｂ】本発明に係るカラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板の断面図である。
【図７Ａ】本発明に係るブラックマトリクスにより区画されたセル領域にカラーフィルターを形成する過程を示す工程図である。
【図７Ｂ】本発明に係るブラックマトリクスにより区画されたセル領域にカラーフィルターを形成する過程を示す工程図である。
【図７Ｃ】本発明に係るブラックマトリクスにより区画されたセル領域にカラーフィルターを形成する過程を示す工程図である。
【図８Ａ】本発明に係るオーバーコーティング層が形成されたカラーフィルター基板の平面図である。
【図８Ｂ】本発明に係るオーバーコーティング層が形成されたカラーフィルター基板の断面図である。
【図９Ａ】本発明に係る配向膜が形成されたカラーフィルター基板の平面図である。
【図９Ｂ】本発明に係る配向膜が形成されたカラーフィルター基板の断面図である。
【図１０Ａ】本発明に係るガラス基板の背面に導電性薄膜が形成されたカラーフィルター基板の平面図である。
【図１０Ｂ】本発明に係るガラス基板の背面に導電性薄膜が形成されたカラーフィルター基板の断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１００  カラーフィルター基板、１０１  ガラス基板、１０２  ブラックマトリクス、１０４  カラーフィルター、１０４Ｒ  赤色カラーフィルター、１０４Ｇ  緑色カラーフィルター、１０４Ｂ  青色カラーフィルター、１０６  オーバーコーティング層、１０７  スペーサ、１０８  配向膜、１１０  導電性薄膜。
【図１】
2007156405.tif 000003
【図２Ａ】
2007156405.tif 000004
【図２Ｂ】
2007156405.tif 000005
【図２Ｃ】
2007156405.tif 000006
【図２Ｄ】
2007156405.tif 000007
【図２Ｅ】
2007156405.tif 000008
【図２Ｆ】
2007156405.tif 000009
【図２Ｇ】
2007156405.tif 000010
【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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