(57)【要約】【課題】基板上に生じる外部回路接続端子の位置に対応した段差を低減する。【解決手段】中継配線９１ｄ及び９１ｆと同層に形成された中継配線９１ｅの一部である外部回路接続端子１０２ｅは、接地電位線９３ａに電気的に接続された中継配線９１ｅに接続されているため、画像信号、第２電源信号ＶＳＳＸ、及び対向電極電位ＬＣＣＯＭの夫々が供給される外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆの高さ方向に沿った位置を統一できる。従って、ラビング処理の際に発生し得る、複数の外部回路接続端子１０２のエッチング深さの差異に起因したラビングロールの乱れ（即ち、ラビングロールのクロス材の毛乱れ）を殆ど無くすことができ、殆ど均一にラビング処理を行うことができる。その結果、ラビングロールの乱れに起因して画像表示におけるラビングスジが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。【選択図】図１５
2007206594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
画素領域に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
前記画素領域の周辺に形成される導電膜であって、前記上側電極と同層の第１導電膜、前記下側電極と同層の第２導電膜、及び前記第２導電膜よりも下層側に配置されており、且つ前記第２導電膜に電気的に接続された第３導電膜と、
前記周辺領域において前記第１導電膜の上層側に形成されており、前記第１導電膜及び前記第２導電膜を電気的に中継接続する中継層と、
前記第１乃至第３導電膜のうち少なくとも一つの導電膜で形成される端子部とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺領域において、前記端子部と異なる他の端子部を備えており、
前記他の端子部は、前記一の導電膜と同一膜である他の導電膜が前記層間絶縁膜から露出した部分であること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記端子部を形成する導電膜は、前記第１導電膜であり、前記端子部は、前記第１導電膜が前記層間絶縁膜から露出した部分であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上に、
画素領域に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
前記画素領域の周辺に形成される導電膜であって、前記上側電極と同層の第１導電膜、及び前記下側電極と同層の第２導電膜と、
前記第１導電膜の上層側に形成されており、前記第１導電膜及び前記第２導電膜を電気的に中継接続する中継層と、
前記第１導電膜と第２導電膜との少なくとも一方で形成される端子部と、
を備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
前記周辺領域において、前記端子部と異なる他の端子部を備えており、
前記他の端子部は、前記導電膜と同一膜である他の導電膜が前記層間絶縁膜から露出した部分であること
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記中継層は、前記画素電極と同一膜であること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記中継層は、前記層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して前記第１導電膜に電気的に接続されると共に、前記層間絶縁膜及び前記延在部を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して前記第２導電膜に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板及び前記基板と対向配置された対向基板を相互に接着するシール材を備え、
前記中継層は、前記周辺領域のうち前記シール材が配置されたシール領域の外側に形成されていること
を特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、画素電極等の表示用電極や、これを駆動するためのデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の回路部が設けられた基板上に、その一辺の縁に沿って、複数の外部回路接続端子が配列されている。基板上には更に、これら複数の外部回路接続端子から走査線駆動回路やデータ線駆動回路等の回路部へ複数種類の信号を供給するための複数の信号配線が配線される。
【０００３】
このような信号配線については、例えば特許文献１では、元々の配線に加えて、画素内の導電膜と同一膜から追加の配線を形成する、即ち冗長配線構造にすることにより、工程数を増加させずに配線の低抵抗化を図るという工夫がなされている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２９０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のように、複数の導電膜を用いて配線を形成する場合でも、配線と外部回路との接続を行うための入力端子は、全て同一膜で形成するのが好ましい。
【０００６】
その際、端子と異なる膜によって引き回されている配線については、配線の膜と端子の膜とを接続するためにコンタクトホールを形成する必要がある。
【０００７】
しかし、電気光学装置の構造によっては、当該コンタクトホールを形成する際に、画素に形成された蓄積容量を構成する誘電体膜に対してエッチングをしなくてはならない場合がある。
【０００８】
この際、蓄積容量を構成する誘電体膜に直接エッチング等によりコンタクトホールを形成すれば、誘電体膜の特性に悪影響を与えてしまい、正常な蓄積容量として機能させることが困難となるという技術的問題点がある。
【０００９】
本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、端子と該端子と異なる層で形成された配線とを接続する構造を備えた電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素領域に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、前記画素領域の周辺に形成される導電膜であって、前記上側電極と同層の第１導電膜、前記下側電極と同層の第２導電膜、及び前記第２導電膜よりも下層側に配置されており、且つ前記第２導電膜に電気的に接続された第３導電膜と、前記周辺領域において前記第１導電膜の上層側に形成されており、前記第１導電膜及び前記第２導電膜を電気的に中継接続する中継層と、前記第１乃至第３導電膜のうち少なくとも一つの導電膜で形成される端子部とを備える。
【００１１】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、基板上における画素領域には、複数の画素電極が、例えばマトリクス状に配列されている。即ち、画素領域には、例えば縦横に複数のデータ線及び複数の走査線が形成されており、これらデータ線及び走査線の交差に対応して画素電極が設けられている。各画素電極は、これに電気的に接続された、例えば画素スイッチング素子を介してデータ線及び走査線に電気的に接続される。ここに「画素領域」とは、基板上で平面的に見て複数の画素電極が配列された領域、即ち、複数の画素電極により画像を表示させるための領域を意味し、例えば本発明の実施形態に係る「画像表示領域」が、その一例或いは典型例となる。
【００１２】
このように構成された電気光学装置の動作時には、基板上では、例えば走査信号が供給されることによって各走査線は選択される。そして例えば、選択された走査線より走査信号が供給されることにより画素スイッチング素子がオン状態となると、データ線及び画素スイッチング素子を介して画素電極には画像信号が供給される。これらの結果、画素電極とこれに対向すると共に所定電位に維持された、例えば対向電極との間に印加電圧が印加される。これにより、電気光学装置では、画素電極及び対向電極間に狭持された、例えば液晶等の電気光学物質の配向状態を変化させて、光源から入射される光を変調し、画素領域において画像表示が行われる。この際、蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、画像を表示する際の高コントラスト化が可能となる。
【００１３】
第１導電膜は、誘電体膜の延在部上に配置されており、第２導電膜は、誘電体膜より下層側に配置されている。第１導電膜及び第２導電膜は、後に述べる中継層によって互いに電気的に接続されている。第３導電膜は第２導電膜の下層側に形成されており、且つ第２導電膜に電気的に接続されている。したがって、第１導電膜、第２導電膜及び第３導電膜は、相互に電気的に接続されていることになり、これら導電膜の何れか一の導電膜が形成された層に端子部が設けられている。
【００１４】
端子部は、第１、第２及び第３導電膜から、例えば電気光学装置の設計に応じて選択された一の導電膜が、画素領域の周辺に位置する周辺領域において、例えば層間絶縁膜から露出した部分である。したがって、第１、第２及び第３導電膜を外部回路と接続するための外部回路接続端子等の端子部をこれら導電膜の夫々が形成された層の何れかの層に設けることが可能であり、周辺領域に設けられる複数の端子部相互の高さ方向（即ち、基板の厚み方向）に沿った位置を統一できる。より具体的には、例えば、外部回路接続端子等の端子部を第１導電膜から形成することなく、第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜、又は第３導電膜が層間絶縁膜から露出する部分を端子部とすることができる。言い換えれば、第１導電膜、第２導電膜及び第２導電膜が相互に電気的に接続されているため、これら導電膜の夫々を外部回路と接続するため端子部は、設計に応じて第１、第２及び第３導電膜の何れか一の導電膜と同層に設けることができ、例えば他の端子部の位置に合わせて一の導電膜を選択することによって、複数の外部回路接続端子等の端子部の位置を統一できる。
【００１５】
よって、複数の外部回路接続端子等の端子部を形成するための例えばエッチング等によるエッチング深さを揃えることができ、ラビング処理の際に発生し得る、複数の外部回路接続端子のエッチング深さの差異、即ち基板上に生じる段差に起因したラビングロールの乱れ（即ち、ラビングロールのクロス材の毛乱れ）を低減できる。その結果、ラビングロールの乱れに起因して画像を表示する際にラビングスジが発生してしまうことを低減でき、画質の高めることが可能である。
【００１６】
中継層は、第１導電膜と第２導電膜とを電気的に中継接続している。したがって、第１導電膜を第２導電膜に電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔する際に、例えばフォトエッチング等を、第１導電膜下に配置された誘電体膜の延在部に、直接即ち該延在部上に層間絶縁膜がない状態（言い換えれば、誘電体膜の延在部の上層側の表面が大気又は雰囲気にさらされた状態、即ち誘電体膜が露出された状態）で施さずに済む。即ち、例えばフォトエッチング等を、第１導電膜が形成されない領域に積層されることとなる層間絶縁膜を介して誘電体膜の延在部に施すことにより、誘電体膜の特性劣化を招くことなく第１導電膜を第２導電膜に電気的に接続するためのコンタクトホール（即ち、中継層を第２導電膜に電気的に接続するためのコンタクトホール）を開孔できる。従って、コンタクトホールを開孔するための例えばフォトエッチング等を誘電体膜の延在部に施すことによって、画素電極に電気的に接続された蓄積容量を構成する誘電体膜の特性に悪影響を及ぼしてしまうことを抑制或いは防止できる。これにより、蓄積容量の電位保持特性が低下することを抑制でき、画像表示におけるコントラストが低減してしまう等、画像品質が劣化してしまうことを抑制或いは防止できる。
【００１７】
加えて、本発明では特に、第１導電膜、第２導電膜及び第３導電膜の夫々が相異なる層に位置しているため、第１導電膜、第２導電膜及び第３導電膜の夫々に電気的に接続された配線等は、基板上で基板面の法線に沿った方向から見て少なくとも一部において互いに重なる部分を有する。よって、基板をその法線方向から見た一定領域内に、複数の信号配線等の導電膜を互いにショートしないように配線した場合でも、これら信号配線は、周辺領域において互いに同層に設けられた各端子部の夫々に電気的に接続されている。即ち、一本一本の配線幅を相対的に広く確保しつつ、より多くの信号配線を配線することが可能となる。これにより、画素領域を広く確保しつつ、周辺領域の削減による基板全体、惹いては電気光学装置の全体の小型化を図ることが可能となる。
【００１８】
尚、このような複数の信号配線の夫々は、複数の導電膜のうち、例えば信号の種類に対応した相互に異なる導電膜から形成されている。ここに「信号の種類」とは、画像信号等の画像を表示するための画像の内容に応じた信号、及び、画素部或いは周辺領域に配置された駆動回路を駆動するための電源をも含む。
【００１９】
以上説明したように、本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、基板サイズを縮小することができ、電気光学装置を小型化することが可能であると共に、ラビングムラに起因する画質の低を抑制できる。加えて、誘電体膜の特性が低下することを抑制でき、より一層高品位の画像を表示することが可能である。
【００２０】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記周辺領域において、前記端子部と異なる他の端子部を備えており、前記他の端子部は、前記一の導電膜と同一膜である他の導電膜が前記層間絶縁膜から露出した部分であってもよい。
【００２１】
この態様によれば、周辺領域に設けられた複数の端子部の夫々の高さ方向に沿った位置を相互に統一することができる。したがって、端子部の位置に応じて基板上に生じる段差を低減でき、ラビングムラに起因する画質の低下を抑制できる。
【００２２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記一の導電膜は、前記第１導電膜であり、前記端子部は、前記第１導電膜が前記層間絶縁膜から露出した部分であってもよい。
【００２３】
この態様によれば、第２導電膜又は第３導電膜が層間絶縁膜に露出した部分を端子部にする場合に比べて、中継層及び端子部間に生じる段差を相対的に小さくでき、ラビングムラをより効果的に低減できる。
【００２４】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素領域に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、前記画素領域の周辺に形成される導電膜であって、前記上側電極と同層の第１導電膜、及び前記下側電極と同層の第２導電膜と、前記第１導電膜の上層側に形成されており、前記第１導電膜及び前記第２導電膜を電気的に中継接続する中継層と、前記第１導電膜と第２導電膜との少なくとも一方で形成される端子部とを備える。
【００２５】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、上述の本発明の電気光学装置と同様に、第１導電膜及び第２導電膜間に介在する誘電体膜の特性を低下させることなく、端子部の高さ方向に沿った位置を統一できる。ラビングムラに起因する画質の低下を抑制できると共に、誘電体膜の特性が低下することを抑制でき、より一層高品位の画像を表示することが可能である。また、基板サイズを縮小することができ、電気光学装置を小型化することが可能である。
【００２６】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記周辺領域において、前記端子部と異なる他の端子部を備えており、前記他の端子部は、前記導電膜と同一膜である他の導電膜が前記層間絶縁膜から露出した部分であってもよい。
【００２７】
この態様によれば、周辺領域に設けられた複数の端子部の夫々の高さ方向に沿った位置を統一することができる。したがって、端子部の位置に応じて基板上に生じる段差を低減でき、ラビングムラに起因する画質の低下を抑制できる。
【００２８】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記中継層は、前記画素電極と同一膜であってもよい。
【００２９】
この態様によれば、画素電極を形成する際に並行して中継層を形成でき、簡便な製造プロセスによって中継層を形成することが可能である。「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。したがって、画素電極及び中継層が一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。
【００３０】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記中継層は、前記層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して前記第１導電膜に電気的に接続されると共に、前記層間絶縁膜及び前記延在部を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して前記第２導電膜に電気的に接続されていてもよい。
【００３１】
この態様によれば、第１導電膜は、例えば第１導電膜上層の層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して、第１導電膜に電気的に接続されると共に、第１導電膜上の層間絶縁膜と誘電体膜の延在部とを貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して、第２導電膜に電気的に接続される。よって、第１導電膜と第２導電膜とを、第１及び第２コンタクトホールを介して、中継層によって確実に電気的に接続することができる。特に、誘電体膜の延在部が露出している製造段階で、該誘電体膜に対してエッチングを施す状態を経る必要なく、誘電体膜を突き抜けて上下導通をとることが可能である。
【００３２】
本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記基板及び前記基板と対向配置された対向基板を相互に接着するシール材を備え、前記中継層は、前記周辺領域のうち前記シール材が配置されたシール領域の外側に形成されていてもよい。
【００３３】
この態様によれば、中継層によって画像表示が殆ど或いは全く妨げられることがなく、且つ、基板サイズを殆ど或いは全く大きくすることなく、中継層によって第１導電膜と第２導電膜とを電気的に中継できる。
【００３４】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００３５】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面を参照しながら本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器の各実施形態を説明する。以下の実施形態では、本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３８】
＜第１実施形態＞
先ず、図１から図２１を参照しながら、本発明の第１の発明に係る電気光学装置の実施形態を説明する。
【００３９】
本実施形態に係る液晶装置１の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置１の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４０】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４１】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの外側に設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って、複数の配線１０５が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の外部岐路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４４】
次に、液晶装置１の主要な構成について図３を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置１の要部の構成を示す平面図である。
【００４５】
図３において、液晶装置１は、例えば石英基板、ガラス基板或いはシリコン基板等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０（図２参照）とが液晶層を介して対向配置され、画像表示領域１０ａにおいて区画配列された画素電極９ａに印加する電圧を制御し、液晶層５０（図２参照）にかかる電界を画素毎に変調する構成となっている。これにより、両基板間の透過光量が制御され、画像が階調表示される。この液晶装置はＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、ＴＦＴアレイ基板１０における画素表示領域１０ａには、マトリクス状に配置された複数の画素電極９ａと、互いに交差して配列された複数の走査線１１ａ及びデータ線６ａとが形成され、画素に対応する画素部が構築されている。画像表示領域１０ａの周辺領域には、データ線駆動回路１０１等の駆動回路、外部回路接続端子１０２及び静電保護回路４１０が形成されている。静電保護回路４１０の具体的構成としては、例えばダイオード接続されたＴＦＴを介して、或いはダイオードを介して引回配線９０が電源配線等に接続された形式のものなど、既存の各種形式の静電保護回路を採用可能である。
【００４６】
更に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給するための画像信号線９１及び接地電位の電源である第２電源ＶＳＳＸ、ＶＳＳＹを供給するための接地電位線９３を含む複数の引回配線９０が、外部回路接続端子１０２からデータ線駆動回路１０１等の駆動回路へ引き回されている。
【００４７】
画像信号線９１及び対向電極電位線９９は夫々、画像信号線９１、対向電極電位線９９及び接地電位線９３を構成する導電膜と比べて高抵抗である放電抵抗７００を介して、接地電位線９３ａに電気的に接続されている。
【００４８】
対向基板２０（図２参照）上に、画素電極９ａに対向する対向電極２１が形成されている。引回配線９０は、対向電極２１に対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための対向電極電位線９９を含んでいる。ＴＦＴアレイ基板１０上に、対向電極電位線９９及び対向電極２１を相互に電気的に接続するための上下導通端子１０６が形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０（図２参照）間に、上下導通端子１０６及び対向電極２１（図２参照）を相互に電気的に接続する上下導通材１０７が設けられている。
【００４９】
次に、このように構成された本実施形態の液晶装置１の動作について、図３を参照しつつ説明する。
【００５０】
本実施形態の液晶装置１の動作時には、外部回路接続端子１０２にＦＰＣ等を介して接続された外部回路から外部回路接続端子１０２及び引回配線９０を経由して、データ線駆動回路１０１を動作させるための、クロック信号、第１電源信号ＶＤＤＸ、第２電源信号ＶＳＳＸ、制御信号及び画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６等の各種信号がデータ線駆動回路１０１に供給される。これと並行して、外部回路から外部回路接続端子１０２及び引回配線９０を経由して、走査線駆動回路１０４を動作させるための、クロック信号、第１電源信号ＶＤＤＹ、第２電源信号ＶＳＳＹ、制御信号等の各種信号が走査線駆動回路１０４に供給される。この際、引回配線９０のうち接地電位線９３ａを介して接地電位である第２電源信号ＶＳＳＸがデータ線駆動回路１０１に供給され、接地電位線９３ｂを介して接地電位である第２電源信号ＶＳＳＹが走査線駆動回路１０４に供給される。また、引回配線９０のうち画像信号線９１を介して画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がサンプリング回路７に供給される。他方で、引回配線９０のうち対向電極電位線９９を介して、更に上下導通端子１０６及び上下導通材１０７を介して、対向電極電位ＬＣＣＯＭが対向電極２１（図２参照）に供給される。これらにより、データ線駆動回路１０１によりデータ線６ａを介して画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が画素部に供給されると共に、走査線駆動回路１０４により走査線１１ａを介して走査信号が画素部に供給され、画素電極９ａ及び対向電極２１間に挟持された、液晶層５０を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が行なわれる。
【００５１】
次に、本実施形態に係る液晶装置１の画素部の構成について、図４から図７を参照して説明する。図４は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図５及び図６は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図であり、図５及び図６は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図５）と上層部分(図６)に相当する。図７は、図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５２】
図４において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５３】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５４】
画素電極９ａを介して液晶層５０の液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５５】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、対向電極電位ＬＣＣＯＭとなるように、対向電極電位線９９と電気的に接続された固定電位線である容量電極３００に電気的に接続されている。
【００５６】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図５から図７を参照して説明する。
【００５７】
図５から図７では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。また、各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３及び層間絶縁膜４９がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図５に示され、第４層から第５層が上層部分として図６に示されている。
【００５８】
（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図５のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図５のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａ´に対向する領域を含むように配置されている。このため、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、液晶装置をライトバルブとして用いて複板式のプロジェクタを構築した場合に、他の液晶装置から発せられプリズム等の合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光についても、走査線１１ａによりチャネル領域１ａ´を下層側から遮光できる。
【００５９】
（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａ及び半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６０】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【００６１】
尚、本実施形態に係るＴＦＴ３０は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもかまわない。
【００６２】
（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。
【００６３】
データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を部分的に覆うように形成されている。このため、チャネル領域１ａ´に近接配置可能なデータ線６ａによって、上層側からの入射光に対して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００６４】
尚、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａ´に対向する側には、データ線６ａの本体を構成するＡｌ膜等の導電膜に比べて反射率が低い導電膜を形成してもよい。このようにすれば、データ線６ａにおけるチャネル領域１ａ´に対向する側の面で戻り光が反射して、これから多重反射光や迷光等が発生することを防止できる。
【００６５】
中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図５に示したように、夫々が分断されるように形成されている。中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。
【００６６】
第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００６７】
（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。
【００６８】
本発明に係る「上側電極」の一例としての容量電極３００は、対向電極電位線９９に電気的に接続されており、容量電極３００の電位は対向電極電位ＬＣＣＯＭに保持される。
【００６９】
本発明に係る「下側電極」の一例である下部電極７１は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。即ち、下部電極７１は、中継層６００を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン１ｅと電気的に接続されている。
【００７０】
容量電極３００又は下部電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。このため、データ線６ａ上に層間絶縁膜４２を介して近接配置可能な蓄積容量７０によって、上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を、より一層確実に遮光できる。
【００７１】
図６に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成されている、即ち、開口領域に殆ど形成されていない。よって、誘電体膜７５が、仮に不透明な膜であっても、開口領域における透過率を低下させないで済む。従って、誘電体膜７５は、透過率を考慮せず、誘電率が高いプラズマシリコン窒化膜（ｐＳｉＮ）等から形成されている。このため更に、誘電体膜７５は、水分や湿気を防ぐための膜としても機能させることが可能となり、耐水性、耐湿性を高めることも可能となる。尚、誘電体膜としては、シリコン窒化膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。
【００７２】
第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第２層間絶縁膜４２の表面は、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）や研磨処理、スピンコート処理、凹への埋め込み処理等の平坦化処理がなされている。よって、下層側のこれらの要素に起因した凹凸が除去され、第２層間絶縁層４２の表面は平坦化されている。このため、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に挟みこまれた液晶層５０の配向状態に乱れを生じさせる可能性を低減することができ、より高品位な表示が可能となる。尚、このような平坦化処理は、他の層間絶縁膜の表面に対して行ってもよい。
【００７３】
（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、第２層間絶縁膜４２と同様にＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。
【００７４】
画素電極９ａ（図６中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図５及び図６参照）。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる。
【００７５】
画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、下部電極７１と電気的に接続されている（図７参照）。即ち、下部電極７１の電位は、画素電位となっている。
【００７６】
下部電極７１、中継層６００、及びＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅは、コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。即ち、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、中継層６００及び容量電極３００を中継して中継接続されている。従って、画素電極９ａ及びドレイン間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を回避できる。しかも、積層構造及び製造工程の複雑化を招かない。
【００７７】
画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。
【００７８】
以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。
【００７９】
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図７では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００８０】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、ラビング処理等の配向処理が施された配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８１】
以上に説明した画素部の構成は、図５及び図６に示すように、各画素部に共通である。前述の画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８２】
次に、図７に加えて、図８及び図９を参照しながら放電抵抗７００の構成を説明する。図８は、図３におけるＣ１の部分拡大平面図である。図９は、図８におけるＢ−Ｂ´線断面図である。
【００８３】
図８において、対向電極電位線９９は、放電抵抗７００としての放電抵抗７００Ｌを介して、接地電位線９３ａに電気的に接続されている。
【００８４】
画像信号線９１は、シリアル−パラレル展開された複数の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が供給される複数の画像信号線９１Ａ〜９１Ｆからなり、複数の画像信号線９１Ａ〜９１Ｆの夫々は、放電抵抗７００として複数の放電抵抗７００ａ〜７００ｆのうち対応する一の放電抵抗を介して接地電位線９３ａに電気的に接続されている。
【００８５】
図９において、放電抵抗７００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁膜１２を介して、不純物ドープされた半導体層７００ａから構成されている。半導体層７００ａには、画素スイッチング用のＴＦＴを構成する半導体膜に対して行われる不純物ドープとは別である専用の不純物ドープが行なわれることで、半導体素子を構成する半導体膜とは異なる抵抗値を有する。更に、放電抵抗７００と画像信号線９１及び対向電極電位線９９との接続部には、放電抵抗７００よりも高濃度に不純物ドープされた半導体層７００ａから構成された高濃度不純物ドープ部分７００ｄ及び７００ｅが局所的に存在している。放電抵抗７００上には、高濃度不純物ドープ部分７００ｄ及び７００ｅへ通じるコンタクトホール８６及び８７が夫々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００８６】
第１層間絶縁層４１の上には、対向電極電位線９９及び接地電位線９３ａが形成されている。対向電極電位線９９は、コンタクトホール８６を介して、高濃度不純物ドープ部分７００ｄに電気的に接続されており、接地電位線９３ａは、コンタクトホール８７を介して、高濃度不純物ドープ部分７００ｅに電気的に接続されている。対向電極電位線９９上には第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３が順に形成されており、接地電位線９３ａ上には第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００８７】
尚、本実施形態においては、放電抵抗７００は、データ線駆動回路用の接地電位線９３ａに接続されているが、走査線駆動回路用の接地電位線９３ｂに接続されていてもよい。
【００８８】
また、画像信号線９１は、対応するコンタクトホール及び接地電位線９３ａを介して各放電抵抗７００に電気的に接続されている。したがって、したがって、画像信号線９１及び対向電極電位線９９の夫々に蓄積された電荷を接地電位線９３ａに逃がすことが可能である。
【００８９】
次に、図１０乃至図１５を参照しながら、本実施形態に係る端子部の構成を説明する。図１０乃至図１２は、複数の外部回路接続端子１０２のうち画像信号線９１に電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｄ、接地電位線９３ａに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｅ、及び対向電極電位線９９に電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｆの夫々の構成を示す平面図である。図１３は、図１０におけるＤ−Ｄ´線断面図である。図１４は、図１１におけるＥ−Ｅ´線断面図である。図１５は、図１２におけるＦ−Ｆ´線断面図である。
【００９０】
図１３乃至図１５に示すように、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａの外側に本発明の第１の発明に係る「他の端子部」の夫々一例である外部回路接続端子１０２ｄ及び１０２ｅ、並びに本発明の第１の発明に係る「端子部」の一例である１０２ｆを備えている。液晶装置１は、外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆの夫々に対応して中継配線９１ｄ、中継配線９１ｅ、中継層９０１ｅ、コンタクトホール１９１ｅ及び１９２ｅ、中継配線９３ｅ、中継配線９１ｆ、中継層９０１ｆ、コンタクトホール１９１ｆ及び１９２ｆ、中継配線９３ｆ、コンタクトホール１９３ｆ、及び中継配線９９ｆを備えている。尚、外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆは、画像信号線９１を構成する導電膜、即ち、容量電極３００を構成する導電膜と同一膜から形成されている。即ち、中継配線９１ｄ及び９１ｅの夫々が、本発明の第１の発明に係る「他の導電膜」の一例である。
【００９１】
図１３乃至図１５に示すように、誘電体膜７５は、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａの外側に延在する延在部７５ｓを有している。延在部７５ｓの下層側には、層間絶縁膜４９が、例えばＮＳＧによって形成されている。尚、層間絶縁膜４９は、ＮＳＧの他、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００９２】
図１０及び図１３において、外部回路接続端子１０２ｄは、中継配線９１ｄに電気的に接続されている。中継配線９１ｄは、誘電体膜７５のうちシール領域５２ａの外側に延びる延在部７５ｓ上に形成された外部回路接続端子１０２ｄと同一膜として一体的に形成されている。より具体的には、外部回路接続端子１０２ｄは、中継配線９１ｄのうち第３層間絶縁膜４３に形成された開口部に露出する部分である。
【００９３】
図１１及び図１４に示すように、外部回路接続端子１０２ｅは、中継配線９３ｅに電気的に接続された中継配線９１ｅのうち、第３層間絶縁膜４３に形成された開口部から露出した部分である。中継配線９１ｅは、図６に示した誘電体膜７５のうちシール領域の外側に延びる延在部７５ｓ上に形成されており、中継配線９１ｄが形成された層と同一層に同一膜として形成されている。中継層９０１ｅは、第３層間絶縁膜４３上に画素電極９ａと同一機会に形成された同一膜である。中継層９０１ｅは、中継配線９１ｅに電気的に接続されたコンタクトホール１９１ｅと、延在部７５ｓの下側の形成された層間絶縁膜４９の下層側に延びる中継配線９３ｅに電気的に接続されたコンタクトホール１９２ｅとを電気的に中継接続する。したがって、中継層９０１ｅは、中継配線９３ｅ及び外部回路接続端子１０２ｅを電気的に接続しており、外部回路接続端子１０２ｅに供給される接地電位である第２電源信号ＶＳＳＸが中継層９０１ｅを介して中継配線９３ｅに供給される。
【００９４】
中継配線９３ｅは、図３、図８及び図９に示した接地電位線９３ａと同一膜として形成されており、接地電位線９３ａと相互に電気的に接続されている。
【００９５】
コンタクトホール１９２ｅは、第３層間絶縁膜４３、延在部７５ｓ及び層間絶縁膜４９を貫通する孔部に画素電極９ａを構成する導電材料が埋め込まれて形成されている。したがって、延在部７５ｓ、即ち誘電体膜７５のうちコンタクトホール１９２ｅが形成されない領域に位置する部分は、第３層間絶縁膜４３によって覆われており、コンタクトホール１９２ｅを形成する際に第３層間絶縁膜４３、延在部７５ｓ及び層間絶縁膜４９に施すエッチング処理によって誘電体膜７５のうちコンタクトホール１９２ｅが形成されない領域に位置する部分の特性が劣化することを低減できる。
【００９６】
図１２及び図１５に示すように、本発明の第１の発明に係る「端子部」の一例である外部回路接続端子１０２ｆは、本発明の第１の発明に係る「第１導電膜」の一例である中継配線９１ｆ、本発明の第１の発明に係る「第２導電膜」の一例である中継配線９３ｆ、及び本発明の第１の発明に係る「第３導電膜」の一例である中継配線９９ｆのうち本発明の第１の発明に係る「一の導電膜」の一例とされる中継配線９１ｆが、第３層間絶縁膜４３の開口部から露出する部分である。
【００９７】
中継配線９９ｆは、第１層間絶縁膜４１上に形成されたデータ線６ａ及び中継層６００と同一層に同一膜として形成されている。したがって、中継配線９９ｆは、対向電極電位線９９と同一膜として形成されており、相互に電気的に接続されている。中継配線９３ｆは、第２層間絶縁膜４２上に下側電極７１及び接地電位線９３ａと同一膜として形成されている。中継配線９９ｆは、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１９３ｆを介して、中継配線９３ｆに電気的に接続されている。
【００９８】
中継配線９１ｆは、誘電体膜７５の延在部７５ｓ上に形成されている。中継配線９１ｆは、中継配線９１ｄ及び９１ｅ、並びに容量電極３００と同一膜として形成されており、本発明の第１の発明に係る「第１コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール１９１ｆ、本発明の第１の発明に係る「中継層」の一例である中継層９０１ｆ、及び本発明の第１の発明に係る「第２コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール１９２ｆを介して中継配線９３ｆに電気的に接続されている。したがって、外部回路接続端子１０２ｆは、コンタクトホール１９１ｆ、中継層９０１ｆ、コンタクトホール１９２ｆ、中継配線９３ｆ及びコンタクトホール１９３を介して中継配線９９ｆに電気的に接続されている。したがって、外部回路接続端子１０２ｆに供給される対向電極電位ＬＣＣＯＭは、外部回路接続端子１０２ｆの下層側に位置する中継配線９９ｆに電気的に接続された対向電極電位線９９に供給される。
【００９９】
コンタクトホール１９１ｆ及び１９２ｆは、コンタクトホール１９１ｅ及び１９２ｅと同様の方法を用いて形成されている。したがって、誘電体膜７５のうちコンタクトホール１９２ｆが形成されない領域に位置する部分は、第３層間絶縁膜４３によって覆われており、コンタクトホール１９２ｅを形成する際に第３層間絶縁膜４３、延在部７５ｓ及び層間絶縁膜４９に施すエッチング処理によって誘電体膜７５のうちコンタクトホール１９２ｅが形成されない領域に位置する部分の特性が劣化することを低減できる。
【０１００】
より具体的には、本実施形態では特に、上述の如き中継層９０１ｅ及び９０１ｆを備えているので、コンタクトホール１９２ｅ及び１９２ｆを開孔する際のフォトエッチングは、誘電体膜７５の延在部７５ｓに層間絶縁膜４３がある状態で行われる。即ち、誘電体膜７５の延在部７５ｓに、直接即ち該延在部７５ｓ上に層間絶縁膜がない状態（言い換えれば、誘電体膜７５の延在部７５ｓの上層側の表面が大気又は雰囲気にさらされた状態、即ち誘電体膜７５が露出された状態）で施さずに済む。
【０１０１】
すなわち、仮に中継配線９１ｅから直接９３ｅに達するコンタクトホールを開口しようとすると、誘電体膜７５が露出した状態でエッチングを行わなくてはならないから、誘電体膜７５にダメージを与えてしまうおそれがあるが、上述の構成であれば、誘電体膜７５が露出した状態ではエッチングが行われないので、上記の不具合を解消できる。
【０１０２】
よって、コンタクトホールを開孔するためのフォトエッチング等のエッチング処理を誘電体膜７５の延在部７５ｓに施すことによって、画素電極９ａに電気的に接続された蓄積容量７０を構成する誘電体膜７５の特性に悪影響を及ぼしてしまうことを抑制或いは防止できる。これにより、画像表示におけるコントラストが低減してしまう等、画像品質が劣化してしまうことを抑制或いは防止できる。
【０１０３】
本実施形態に係る液晶装置１によれば、対向電極電位線９９に対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための外部回路接続端子１０２ｆが中継配線９１ｄと同層に形成された中継配線９１ｆに形成されているため、相互に外部回路接続端子の高さ方向に沿った位置を統一できる。したがって、高さ方向に沿って互いに異なる位置に形成された外部回路接続端子によって生じる段差を低減できる。よって、このような段差に起因して生じるラビングムラを低減でき、画質の低下を抑制することが可能である。
【０１０４】
加えて、中継配線９１ｄ及び９１ｆと同層に形成された中継配線９１ｅの一部である外部回路接続端子１０２ｅは、接地電位線９３ａに電気的に接続された中継配線９１ｅに接続されているため、画像信号、第２電源信号ＶＳＳＸ、及び対向電極電位ＬＣＣＯＭの夫々が供給される外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆの高さ方向に沿った位置を統一できる。従って、ラビング処理の際に発生し得る、複数の外部回路接続端子１０２のエッチング深さの差異に起因したラビングロールの乱れ（即ち、ラビングロールのクロス材の毛乱れ）を殆ど無くすことができ、殆ど均一にラビング処理を行うことができる。その結果、ラビングロールの乱れに起因して画像表示におけるラビングスジが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
【０１０５】
本実施形態に係る液晶装置１では、特に外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆが容量電極３００と同一層、即ち画像信号線９１、接地電位線９３ａ及び対向電極電位線９９のうち最も上層に位置する配線と同一層に設けられているため、下層側に外部回路接続端子を設ける場合に比べて相対的に中継層９０１との間に生じる段差がより一層低減されており、ラビングムラを低減させる観点からみれば、外部回路接続端子の位置はより好ましい位置に統一されていることになる。
【０１０６】
外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆによれば、これら外部回路接続端子の夫々に電気的に接続される、例えば画像信号線９１、接地電位線９３ａ、及び対向電極電位線９９をＴＦＴアレイ基板１０上で相互に重なるように互いに異なる層の夫々に形成できるため、これら配線を形成するために要する面積を低減できる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを縮小することができ、液晶装置１を小型化することが可能である。
【０１０７】
本実施形態では特に、中継層９０１ｅ及び９０１ｆは、周辺領域のうちシール領域５２ａの外側に配置されているので、画像表示領域１０ａにおける画像表示を殆ど或いは全く妨げることなく、且つ、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを殆ど或いは全く大きくすることなく、外部回路接続端子１０２ｅ及び１０２ｆの夫々を接地電位線９３ａ及び対向電極電位線９９の夫々に電気的に接続することも可能である。
【０１０８】
（変形例）
次に、図１６乃至図２１を参照しながら、本実施形態の液晶装置の変形例を説明する。尚、以下では上述の液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付して説明し、共通する部分の詳細な説明を省略する。図１６乃至図１８は、中継配線９１ｇに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｇ、中継配線９３ｈに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｈ、及び中継配線９９ｉに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｉの夫々の構成を示す平面図である。尚、中継配線９１ｇは、画像信号線９１に電気的に接続されている。中継配線９３ｈは、接地電位線９３ａに電気的に接続されている。中継配線９９ｉは、対向電極電位線９９に電気的に接続されている。図１９は、図１６におけるＧ−Ｇ´線断面図である。図２０は、図１７におけるＨ−Ｈ´線断面図である。図２１は、図１８におけるＩ−Ｉ´線断面図である。尚、以下では、外部回路接続端子の構成を主として説明する。
【０１０９】
図１６及び図１９に示すように、本発明の第１の発明に係る「端子部」の一例である外部回路接続端子１０２ｇは、本発明の第１の発明に係る「第３導電膜」の一例である中継配線９９ｇ、本発明の第１の発明に係る「第２導電膜」の一例である中継配線９３ｇ、及び本発明の第１の発明に係る「第１導電膜」の一例である中継配線９１ｇのうち本発明の第１の発明に係る「一の導電膜」の一例とされる中継配線９９ｇが、第３層間絶縁膜４３の開口部から露出する部分である。
【０１１０】
中継配線９９ｇは、第１層間絶縁膜４１上に形成されたデータ線６ａ及び中継層６００と同一層に同一膜として形成されている。中継配線９３ｇは、第２層間絶縁膜４２上に下側電極７１及び接地電位線９３ａと同一膜として形成されている。中継配線９９ｇは、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１９３ｇを介して、中継配線９３ｇに電気的に接続されている。
【０１１１】
中継配線９１ｇは、誘電体膜７５の延在部７５ｓ上に形成されている。中継配線９１ｇは、容量電極３００と同一膜として形成されており、本発明の第１の発明に係る「第１コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール１９２ｇ、中継層９０１ｇ、及び本発明の第１の発明に係る「第２コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール１９１ｇを介して中継配線９３ｇに電気的に接続されている。中継層９０１ｇは、第３層間絶縁膜４３上に画素電極９ａと同一膜として形成されている。コンタクトホール１９１ｇは、第３層間絶縁膜４３、延在部７５ｓ及び層間絶縁膜４９を貫通する孔部に画素電極９ａを構成する導電材料を埋め込んで形成されている。
【０１１２】
したがって、外部回路接続端子１０２ｇは、中継配線９９ｇ、コンタクトホール１９３ｇ、中継配線９３ｇ、コンタクトホール１９１ｇ、中継層９０１ｇ及びコンタクトホール１９２ｇを介して、外部回路接続端子１０２ｇの上層側に形成された中継配線９１ｇに電気的に接続されている。中継配線９１ｇは、画像信号線９１に電気的に接続されているため、外部回路接続端子１０２ｇは、画像信号線９１に電気的に接続されていることになる。
【０１１３】
尚、誘電体膜７５は、第３層間絶縁膜４３に覆われているため、コンタクトホール１９１ｇを形成する際に延在部７５ｓをエッチング処理することによって誘電体膜７５の特性が劣化することを低減或いは防止できる。これにより、画像表示におけるコントラストが低減してしまう等、画像品質が劣化してしまうことを抑制或いは防止できる。
【０１１４】
図１７及び図２０に示すように、外部回路接続端子１０２ｈは、中継配線９９ｈのうち第３層間絶縁膜４３に形成された開口部から露出した部分である。中継配線９９ｈは、第１層間絶縁膜４１に対向電極電位線９９と同一膜として形成されており、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１９３ｈを介して中継配線９３ｈに電気的に接続されている。中継配線９３ｈは、接地電位線９３ａと同一膜として形成されており、相互に電気的に接続されている。
【０１１５】
したがって、外部回路接続端子１０２ｈに供給される接地電位である第２電源信号ＶＳＳＸは、コンタクトホール１９３ｈ及び中継配線９３ｈを介して接地電位線９３ａに供給される。
【０１１６】
図１８及び図２１において、外部回路接続端子１０２ｉは、対向電極電位線９９に電気的に接続された中継配線９９ｉが第３層間絶縁膜４３の開口部から露出する部分である。
【０１１７】
このように、本例の液晶装置が備える外部回路接続端子１０２ｇ、１０２ｈ及び１０２ｉは、第１層間絶縁膜４１上の同一層に設けられている。したがって、上述の外部回路接続端子１０２ｄ、１０２ｅ及び１０２ｆと同様にＴＦＴアレイ基板１０上の互いに異なる層の夫々に形成された画像信号線９１、接地電位線９３ａ及び対向電極電位線９９の夫々に対して、互いに同一層に形成された外部回路接続端子１０２ｇ、１０２ｈ及び１０２ｉから画像信号、第２電源信号ＶＳＳＸ及び対向電極電位ＬＣＣＯＭの夫々を供給できる。外部回路接続端子１０２ｇ、１０２ｈ及び１０２ｉは高さ方向に沿った位置が統一されており、ラビングロールの乱れに起因して画像表示におけるラビングスジが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
【０１１８】
＜第２実施形態＞
次に、図２２から図２７を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の実施形態を説明する。図２２乃至図２４は、中継配線９１ｊに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｊ、中継配線９３ｋに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｋ、及び中継配線９９ｌに電気的に接続された外部回路接続端子１０２ｌの夫々の構成を示す平面図である。図２５は、図２２におけるＪ−Ｊ´線断面図である。図２６は、図２３におけるＫ−Ｋ´線断面図である。図２７は、図２４におけるＬ−Ｌ´線断面図である。
【０１１９】
図２２乃至図２４に示すように、本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａの外側に、本発明の第２の発明に係る「他の端子部」の夫々一例である外部回路接続端子１０２ｋ及び１０２ｌ、並びに本発明の第２の発明に係る「端子部」の一例である１０２ｊを備えている。本実施形態に係る液晶装置は、各外部回路接続端子１０２ｊ、１０２ｋ及び１０２ｌの夫々に対応して設けられた中継配線９１ｊ、中継層９０１ｊ、コンタクトホール１９１ｊ及び１９２ｊ、中継配線９３ｊ、９３ｋ、９３ｌ、及び９９ｌ、並びにコンタクトホール１９３ｌを備えている。
【０１２０】
尚、外部回路接続端子１０２ｊ、１０２ｋ及び１０２ｌは、接地電位線９３ａと同一膜から形成されており、中継配線９３ｊは、本発明の第２の発明に係る「一方の導電膜」の一例であり、中継配線９３ｋ及び９３ｌの夫々は、本発明の第２の発明に係る「他の導電膜」の一例である。
【０１２１】
図２２及び図２５において、外部回路接続端子１０２ｊは、本発明の第２の発明に係る「第２導電膜」の一例でもある中継配線９３ｊが第３層間絶縁膜４３の開口部から露出する部分であり、本発明の第２の発明に係る「第２コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール１９２ｊ、本発明の第２の発明に係る「中継層」の一例である中継層９０１ｊ、及び本発明の第２の発明に係る「第１コンタクトホール」の一例であるコンタクトホール１９１ｊを介して、本発明の第２の発明に係る「第１導電膜」の一例である中継配線９１ｊに電気的に接続されている。
【０１２２】
中継配線９３ｊは、図７に示した下側電極７１と同一膜として形成されている。中継配線９１ｊは、容量電極３００と同一膜として形成されており、画像信号線９１に電気的に接続されている。したがって、外部回路接続端子１０２ｊに供給される画像信号は、外部回路接続端子１０２ｊの上層側に形成された画像信号線９１に供給される。
【０１２３】
コンタクトホール１９２ｊは、第３層間絶縁膜４３、延在部７５ｓ及び層間絶縁膜４９を貫通する孔部に画素電極９ａを構成する導電材料が埋め込まれて形成されている。したがって、延在部７５ｓ、即ち誘電体膜７５のうちコンタクトホール１９２ｊが形成されない領域に位置する部分は、第３層間絶縁膜４３によって覆われている。これにより、コンタクトホール１９２ｊを形成する際に第３層間絶縁膜４３、延在部７５ｓ及び層間絶縁膜４９に施すエッチング処理によって誘電体膜７５のうちコンタクトホール１９２ｊが形成されない領域に位置する部分の特性が劣化することを低減できる。
【０１２４】
図２３及び図２６に示すように、外部回路接続端子１０２ｋは、第３層間絶縁膜４３に形成された開口部から中継配線９３ｋが露出した部分である。外部回路接続端子１０２ｋに供給された第２電源電位ＶＳＳＸは、中継配線９３ｋを介して接地電位線９３ａに供給される。
【０１２５】
図２４及び図２７に示すように、外部回路接続端子１０２ｌは、中継配線９３ｌが第３層間絶縁膜４３の開口部から露出する部分である。中継配線９３ｌは、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール１９３ｌを介して中継配線９９ｌに電気的に接続されている。中継配線９９ｌは、第２層間絶縁膜４２を介して中継配線９３ｌの下層側に形成されている。したがって、外部回路接続端子１０２ｌに供給された対向電極電位ＬＣＣＯＭは、外部回路接続端子１０２ｌが形成された層と異なる層に形成された中継配線９９ｌを介して対向電極電位線９９に供給される。
【０１２６】
本実施形態に係る液晶装置によれば、中継配線９９ｌに対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための外部回路接続端子１０２ｌ、第２電源信号ＶＳＳＸが供給される外部回路接続端子１０２ｋ、及び画像信号が供給される外部回路接続端子１０２ｊが、ＴＦＴアレイ基板１０上の同一層に形成されていることになる。したがって、外部回路接続端子を形成する際に第３層間絶縁膜４３等に対して施すエッチング処理の深さが統一されることになり、外部回路接続端子の位置に応じてＴＦＴアレイ基板１０上に生じる段差を低減できる。したがって、ラビング処理の際に発生し得る、複数の外部回路接続端子１０２のエッチング深さの差異に起因したラビングロールの乱れ（即ち、ラビングロールのクロス材の毛乱れ）を殆ど無くすことができ、殆ど均一にラビング処理を行うことができる。その結果、ラビングロールの乱れに起因して画像表示におけるラビングスジが発生してしまうことを抑制或いは防止できる。
【０１２７】
また、本実施形態に係る液晶装置が備える外部回路接続端子１０２ｊ、１０２ｋ及び１０２ｌによれば、これら外部回路接続端子の夫々に電気的に接続される画像信号線、接地電位線、及び対向電極電位線をＴＦＴアレイ基板１０上で互いに重なるように互いに異なる層の夫々に形成できるため、これら配線を形成するために要する面積を低減できる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを縮小することができ、液晶装置を小型化することが可能である。
【０１２８】
本実施形態では特に、中継層９０１ｊは、周辺領域のうちシール領域５２ａの外側に配置されているので、画像表示領域１０ａにおける画像表示を殆ど或いは全く妨げることなく、且つ、ＴＦＴアレイ基板１０のサイズを殆ど或いは全く大きくすることなく、外部回路接続端子１０２ｊを画像信号線９１に電気的に接続できる。
【０１２９】
以上説明したように、第１及び第２実施形態に係る液晶装置によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上で互いに重なる配線等の導電膜を、互いに同一層に形成された外部回路接続端子に電気的に接続でき、誘電体膜７５の特性劣化を低減或いは防止しつつ、複数の外部回路接続端子相互の高さ方向に沿った位置の相違によって生じる段差を低減できる。これにより、ラビングムラを低減或いは防止することが可能となり、ラビングスジが生じない高品位の画像を表示できる電気光学装置を提供できる。
【０１３０】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置の一例である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。尚、ここでは、液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１３１】
図２８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図２８に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。ランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１３２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１３３】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１３４】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１３５】
プロジェクタ１１００は、ラビングスジが低減された液晶パネルを備えて構成されているため、高品位の画像を表示できる。
【０１３６】
尚、図２８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に上述の電気光学装置を適用可能であるのは言うまでもない。
【０１３７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置１の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置１の要部の構成を示す平面図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図５】ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である（その１）。
【図６】ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である（その２）。
【図７】図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´線断面図である。
【図８】図３におけるＣ１の部分拡大平面図である。
【図９】図８におけるＢ−Ｂ´線断面図である。
【図１０】第１実施形態に係る電気光学装置が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その１）である。
【図１１】第１実施形態に係る電気光学装置が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その２）である。
【図１２】第１実施形態に係る電気光学装置が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その３）である。
【図１３】図１０におけるＤ−Ｄ´線断面図である。
【図１４】図１１におけるＥ−Ｅ´線断面図である。
【図１５】図１２におけるＦ−Ｆ´線断面図である。
【図１６】第１実施形態に係る電気光学装置の変形例が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その１）である。
【図１７】第１実施形態に係る電気光学装置の変形例が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その２）である。
【図１８】第１実施形態に係る電気光学装置の変形例が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その３）である。
【図１９】図１６におけるＧ−Ｇ´線断面図である。
【図２０】図１７におけるＨ−Ｈ´線断面図である。
【図２１】図１８におけるＩ−Ｉ´線断面図である。
【図２２】第２実施形態に係る電気光学装置の変形例が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その１）である。
【図２３】第２実施形態に係る電気光学装置の変形例が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その２）である。
【図２４】第２実施形態に係る電気光学装置の変形例が備える外部回路接続端子の構成を示す平面図（その２）である。
【図２５】図２２におけるＪ−Ｊ´線断面図である。
【図２６】図２３におけるＫ−Ｋ´線断面図である。
【図２７】図２４におけるＬ−Ｌ´線断面図である。
【図２８】本実施形態に係る電子機器の一例の構成を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１・・・液晶装置、９１・・・画像信号線、９３・・・接地電位線、９０・・・引回配線、１０２・・・外部回路接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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