(57)【要約】【課題】  基板に形成された素子や絶縁膜等の損傷を防ぐことができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用基板を提供すること。【解決手段】  複数の短絡配線部１８を電気的に接続する接続部２０を形成するので、当該接続部２０により接続された複数の短絡配線部１８の電位を等しくすることができる。各短絡配線部１８の間に電位差がなくなるため、静電気が発生しても各短絡配線部１８に分散させることができる。これにより、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０に形成されたＴＦＤ素子１４０や絶縁膜等の損傷を防ぐことができる。【選択図】  図３
2007057884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子と当該スイッチング素子に電気信号を供給する配線とが形成された複数の機能領域を有する電気光学装置用基板を、前記機能領域ごとに切断して複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学装置用基板の外周部に少なくとも搬送用保持部及びアライメントマークのうち少なくとも一方を形成する工程と、
前記スイッチング素子及び前記配線に電気的に接続する短絡配線部を、前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークを形成した領域で分断して前記電気光学装置用基板の外周に沿うように形成する工程と、
前記分断された複数の短絡配線部を前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークを迂回して電気的に接続する接続部を形成する工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記接続部を、前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークの内側の領域を迂回して形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記短絡配線部と前記接続部とを同時に形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記接続部を、前記基板のうち前記機能領域の外側の領域に形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
基材にスイッチング素子と当該スイッチング素子に電気信号を供給する配線とが形成された複数の機能領域を有する電気光学装置用基板であって、
前記基材の外周部に少なくとも搬送用保持部及びアライメントマークのいずれか一方が形成され、
前記スイッチング素子及び前記配線に電気的に接続する短絡配線部が、前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークが形成された領域で分断されて前記基材の外周に沿うように形成され、
前記分断された複数の短絡配線部を前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークを迂回して電気的に接続する接続部と
を具備することを特徴とする電気光学装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機ＥＬ装置等の電気光学装置を製造する際には、例えば大判のマザー基板上に複数パネル分の配線や素子、絶縁膜等を形成し、当該マザー基板を切断して複数パネルに分割する多面取りと呼ばれる手法が広く行われている。この製造工程においては、静電気が発生することが多く、静電気によって素子や絶縁膜等が損傷される場合があり、動作不良の原因になる。これに対して、配線や素子に電気的に接続された短絡配線部を別途形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この技術では、マザー基板の周縁部に短絡配線部が形成され、静電気が発生しても電荷を当該短絡配線部に分散させることができるようになっている。
【０００３】
一方、例えばスパッタリング等によりマザー基板に導電膜や絶縁膜を形成する場合、当該マザー基板の周縁部を保持する必要がある。また、例えば２枚のマザー基板を貼り合わせて液晶装置を形成する場合、マザー基板の周縁部に位置合わせをするためのアライメントマークを形成することが多い。したがって、マザー基板の周縁部において、短絡配線部と保持部及びアライメントマークとが重なってしまう。このため、従来では、このような保持部となる領域やアライメントマークを形成する領域には間隙が設けられており、各短絡配線部は間隔をおいて配置されている。  
【特許文献１】特開２００３−２０７７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、短絡配線部を途切れた状態で設ける場合、各短絡配線部の間で電位差が生じることがある。静電気が発生すると、この電位差によって電流が流れ、短絡配線部に接続された素子や絶縁膜等が損傷されるおそれがある。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板に形成された素子や絶縁膜等の損傷を防ぐことができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、スイッチング素子と当該スイッチング素子に電気信号を供給する配線とが形成された複数の機能領域を有する電気光学装置用基板を、前記機能領域ごとに切断して複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記電気光学装置用基板の外周部に少なくとも搬送用保持部及びアライメントマークのうち少なくとも一方を形成する工程と、前記スイッチング素子及び前記配線に電気的に接続する短絡配線部を、前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークを形成した領域で分断して前記電気光学装置用基板の外周に沿うように形成する工程と、前記分断された複数の短絡配線部を前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークを迂回して電気的に接続する接続部を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、スイッチング素子及び配線に電気的に接続する短絡配線部を、搬送用保持部或いはアライメントマークを形成した領域で分断して電気光学装置用基板の外周に沿うように形成するので、電気光学装置用基板の外周部に搬送用保持部やアライメントマークが形成されていても、その部分で短絡配線部が断線されることは無い。よって、当該接続部により接続された複数の短絡配線部の電位を等しくすることができる。各短絡配線部の間に電位差がなくなるため、静電気が発生しても各短絡配線部に分散させることができる。これにより、電気光学装置用基板に形成された素子や絶縁膜等の損傷を防ぐことができる。
【０００７】
また、前記接続部を、前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークの内側の領域を迂回して形成することが好ましい。  
本発明によれば、接続部が搬送用保持部或いはアライメントマークの内側の領域を迂回して形成されるので、当該アライメントマークが認識できなくなったり、基板に配線を形成する場合に当該基板の周縁部を十分に保持できなかったりすることは無い。
【０００８】
また、前記複数の短絡配線部と前記接続部とを同時に形成することが好ましい。  
本発明では、複数の短絡配線部と接続部とを同時に形成することにより、製造工程を簡略化することができる。
【０００９】
また、前記接続部を、前記基板のうち前記機能領域の外側の領域に形成することが好ましい。  
機能領域の外側の領域は、電気光学装置用基板を切断するときに切り落とされる領域である。本発明では、この切り落とされる領域に接続部を形成するので、製造された電気光学装置に不要な部分が残されることはない。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置用基板は、基材にスイッチング素子と当該スイッチング素子に電気信号を供給する配線とが形成された複数の機能領域を有する電気光学装置用基板であって、前記基材の外周部に少なくとも搬送用保持部及びアライメントマークのいずれか一方が形成され、前記スイッチング素子及び前記配線に電気的に接続する短絡配線部が、前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークが形成された領域で分断されて前記基材の外周に沿うように形成され、前記分断された複数の短絡配線部を前記搬送用保持部或いは前記アライメントマークを迂回して電気的に接続する接続部とを具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、スイッチング素子及び配線に電気的に接続する短絡配線部が、搬送用保持部或いはアライメントマークを形成した領域で分断して電気光学装置用基板の外周に沿うように、電気光学装置用基板の外周部に搬送用保持部やアライメントマークが形成されていても、その部分で短絡配線部が断線されることは無い。よって、当該接続部により接続された複数の短絡配線部の電位を等しくすることができる。各短絡配線部の間に電位差がなくなるため、静電気が発生しても各短絡配線部に分散させることができる。これにより、素子や絶縁膜等の損傷を防ぐことが可能な電気光学装置用基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。本実施形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明する。本実施形態では、一組のマザー基板から複数の液晶パネルを製造する、いわゆる多面取りを行う場合を例に挙げて説明する。  
まず、本実施形態で製造する液晶装置１０１の構成について簡単に説明する。図１は、液晶装置１０１の全体構成を示す平面図である。
【００１３】
液晶装置１０１は、スイッチング素子として例えばＴＦＤ（Thin Film Diode）を用いたアクティブマトリクス型であり、ＴＦＤアレイ基板１０４とカラーフィルタ基板１０５とがシール材１０７によって貼り合わされ、このシール材１０７によって区画された領域内に液晶１０６が封入された構成になっている。シール材１０７の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）１０８が形成されている。周辺見切り１０８の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域１０９になっている。表示領域１０９には、複数のドット領域１１０がマトリクス状に設けられている。
【００１４】
ＴＦＤアレイ基板１０４の周縁部は、カラーフィルタ基板１０５から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路１１１が形成されている。図中上辺側には、左右の走査線駆動回路１１１の間を接続する配線１１３が引き回されている。図中下辺側には、信号線への電気信号を生成する信号線駆動回路１１２と、外部の回路等に接続するための接続端子１４とが形成されている。走査線駆動回路１１１と接続端子１１４との間の領域には、両者を接続する配線１１５が形成されている。カラーフィルタ基板１０５の各角部には、ＴＦＤアレイ基板１０４とカラーフィルタ基板１０５との間で電気的に接続するための基板間導通材１１７が設けられている。
【００１５】
図２は、図１のＡ−Ａ断面に沿った構成を示す断面図である。  
ＴＦＤアレイ基板１０４は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料からなる基材１０４ａの液晶側に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料によって形成された画素電極１１８や、スイッチング素子であるＴＦＤ素子１４０、当該ＴＦＤ素子に接続された走査線等が形成され、これら画素電極１１８、ＴＦＤ素子１４０等を覆うように配向膜１１６が設けられた構成になっている。
【００１６】
一方、カラーフィルタ基板１０５については、ＴＦＤアレイ基板１０４と同様にガラスや石英等の透光性材料からなる基材１０５ａの液晶側に、例えば赤色層、緑色層、青色層の３色の色層からなるカラーフィルタ層１３０が形成され、当該カラーフィルタ層１３０の周囲には遮光膜１３１が形成されている。また、カラーフィルタ層１３０及び遮光膜１３１を覆うように信号電極１２８が形成され、信号電極１２８上には配向膜１２６が形成されている。信号電極１２８は、画素電極１１８と同様、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料によって形成されている。  
液晶１０６は、配向膜１１６と配向膜１２６とに接するように設けられている。ＴＦＤアレイ基板１０４及びカラーフィルタ基板１０５の外側（液晶とは反対側）には、偏光板１１９、１２９が設けられている。
【００１７】
上記のように構成される液晶装置１０１は、複数のＴＦＤアレイ基板１０４となるＴＦＤアレイ側マザー基板１０（図３等参照）を形成し、当該ＴＦＤアレイ側マザー基板１０５に液晶を塗布し、複数のカラーフィルタ基板１０５となるカラーフィルタ側マザー基板を形成し、この２枚のマザー基板を貼り合わせて大判パネルを形成し、当該大判パネルを複数の液晶パネルに切断して製造される。
【００１８】
ここで、本実施形態で製造するＴＦＤアレイ側マザー基板１０の構成を説明する。図３は、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０の構成を示したものである。  
同図に示すように、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透明な材料からなる矩形の基材１０ａを主体として構成されており、この基材１０ａは、チップ領域１１と、周縁領域１２とに区画されている。
【００１９】
チップ領域１１は、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０にマトリクス状に設けられており、ＴＦＤアレイ基板１０４となる機能領域である。各チップ領域１１には、上述した画素電極１１８や、ＴＦＤ素子１４０、走査線等が形成されている。  
周縁領域１２は、大判パネルを切断する工程で切り落とされる部分である。周縁領域１２には、短絡配線部１８、間隙１９及び接続部２０が形成されている。
【００２０】
図４は、図３におけるＢ−Ｂ断面図である。同図に示すように、酸化タンタル層１７と短絡配線部１８とは重なった構造になっている。  
酸化タンタル層１７は、ＴａＯｘ（酸化タンタル）により形成されており、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０の外周に沿って環状に設けられている透明な層である。この酸化タンタル層１７は、ほぼ一定の線幅ｔ（図４参照）で形成されている。線幅ｔは、例えば１５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲とすることが好ましい。
【００２１】
短絡配線部１８は、酸化タンタル層１７の上に例えばＣｒ等の導電材料によって線幅ｔになるように形成されており、図３に示すように、間隙１９により隔てられた状態で複数設けられている。この短絡配線部１８は、ＴＦＴアレイ側マザー基板１０で発生した静電気を分散させるガードリングである。
【００２２】
間隙１９においては、酸化タンタル層１７上に短絡配線部１８が設けられておらず、酸化タンタル層１７が剥き出しの状態になっている。この間隙１９は、ＴＦＴアレイ側マザー基板１０の製造工程において、チップ領域１１に配線を形成する際に保持される搬送用保持部である。また、基材１０ａ上において間隙１９が設けられる部分には、アライメントマーク２１が形成されている。酸化タンタル層１７が透明であるため、アライメントマーク２１が酸化タンタル層１７上からも視認可能になっている。
【００２３】
接続部２０は、例えば短絡配線部１８と同一の材料、本実施形態ではＣｒによって構成されている。この接続部２０は、短絡配線部１８と一体的に設けられており、当該短絡配線部１８同士を電気的に接続している。この接続部２０は、間隙１９が設けられた領域の外側の領域に、搬送用保持部やアライメントマーク２１を迂回するように、例えばコの字型に設けられている。  
また、図３に示すように、各チップ領域１１に設けられた画素電極１１８や、ＴＦＤ素子１４０、走査線等は、配線２２を介して短絡配線部１８に接続されている。
【００２４】
カラーフィルタ側マザー基板については、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０と同様に例えばガラスや石英、プラスチック等の透明な材料からなる矩形の基材を主体として構成されており、この基材が、チップ領域と、周縁領域とに区画されている。なお、カラーフィルタ側マザー基板についても、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０と同様に、短絡配線部が形成された構成であっても良い。
【００２５】
次に、液晶装置１０１の製造工程を説明する。  
まず、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０の製造工程を説明する。  
基材１０ａの全面に、例えばＴａ２Ｏ５からなる下地絶縁膜を形成する。また、下地絶縁膜上にアライメントマーク２１を形成する。次に、図５に示すように、下地絶縁膜上に、例えばタンタル（Ｔａ）からなる膜（タンタル膜）５１を、例えばスパッタリング法等によって１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の膜厚に形成する。
【００２６】
タンタル膜５１を形成したら、このタンタル膜５１を例えばフォトエッチング法によってパターニングする。具体的には、図６に示すように、チップ領域１１については主にＴＦＤ素子１４０や走査線のパターンであるパターン５２を形成する。周縁領域１２については短絡配線部１８のパターンであるパターン５３を形成する。また、後述する陽極酸化を行う際の電極となる電極パターン５４も形成する。
【００２７】
次に、電極パターン５４に電源を接続し、基材１０ａを例えば０．０１〜０．１重量％程度のクエン酸水溶液等の電解液に漬け、当該電極パターン５４に電圧を印加して、パターン５２及びパターン５３の表面を陽極酸化する。この陽極酸化により、図７に示すように、当該パターン５２及びパターン５３の表面には陽極酸化膜（ＴａＯｘ）５５が形成される。
【００２８】
次に、パターン５２及びパターン５３を覆うように、例えばスパッタリング法によってクロム（Ｃｒ）からなる膜（クロム膜）５６を形成する。形成したクロム膜５６は、タンタル膜５１と同様にフォトエッチング法等によってエッチングする。図８に示すように、パターン５２上には例えば走査線等を構成するパターン５７が形成され、パターン５３上には上述した短絡配線部１８が形成される。また、この工程では、パターン５３上のクロム膜５６について、間隙１９が形成されるようにパターニングする。加えて、クロム膜５６のうち間隙１９が形成される部分については、接続部２０が形成されるようにエッチングする。
【００２９】
次に、図９に示すように、電極パターン５４を除去すると共に、フォトエッチング法等によってパターン５２をさらにエッチングし、ＴＦＤ素子１４０となる導電膜５８を形成する。また、この導電膜５８や上記のパターン５２、５３、５４を含む領域には、図示しない層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜は、例えば、透光性を有するポジ型の感光性アクリル樹脂を用いて、膜厚１．５〜３．０μｍ程度に形成することができる。樹脂材料の塗布にはスピンコート法等を用いることができる。
【００３０】
次に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料を用いて画素電極１１８をパターン形成し、導電膜５８と画素電極１１８とを電気的に接続し、これらを覆うように配向膜１１６を形成する。配向膜１１６が形成されたら、当該配向膜１１６上にシール材１０７を形成し、シール材１０７で囲まれた領域に液晶を塗布する。このように、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０が形成される。
【００３１】
一方、カラーフィルタ基板１０５となる対向側マザー基板については、ＴＦＤアレイ側マザー基板の場合と同様に、ガラスやプラスチック等の透光性材料からなる大判の基材にカラーフィルタ層１３０や、信号電極１２８等を形成する。なお、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０と同様に、カラーフィルタ側マザー基板についても、基板周縁部に短絡配線部を形成しても良い。
【００３２】
次に、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせて大判パネルを形成する。両基板を近接させ、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０のチップ領域１１及び周縁領域１２と、カラーフィルタ側マザー基板のチップ領域及び周縁領域とが平面的に重なるように、アライメントマーク２１ＴＦＤアレイ側マザー基板１０とカラーフィルタ側マザー基板上のシール材とを接着させる。
【００３３】
ＴＦＤアレイ側マザー基板１０とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせた後、当該大判パネルにスクライブ線を形成し、当該スクライブ線に沿って大判パネルを切断し、各液晶パネルに分離する。その後、液晶パネルの洗浄を行い、各液晶パネルの外側表面に偏光板１１９、１２９を貼着し、各液晶パネルに駆動ドライバ等を実装して、液晶装置１０１が完成する。
【００３４】
このように、本実施形態によれば、複数の短絡配線部１８を電気的に接続する接続部２０を形成するので、当該接続部２０により接続された複数の短絡配線部１８の電位を等しくすることができる。各短絡配線部１８の間に電位差がなくなるため、静電気が発生しても各短絡配線部１８に分散させることができる。これにより、ＴＦＤアレイ側マザー基板１０に形成されたＴＦＤ素子１４０や絶縁膜等の損傷を防ぐことができる。
【００３５】
また、間隙１９が設けられた領域の外側の領域に接続部２０を形成するので、例えば別途形成されるアライメントマーク２１が認識できなくなったり、基材１０ａ上にスパッタリング法等によりパターンを形成する場合に当該基材１０ａを十分に保持できなかったりすることは無い。
【００３６】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限られることはなく、例えば有機ＥＬ装置等を形成する際にも本発明の適用は可能である。  
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】液晶装置の全体構成を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係るＴＦＴアレイ側マザー基板の構成を示す平面図である。
【図４】ＴＦＴアレイ側マザー基板の一部の構成を示す断面図である。
【図５】液晶装置の製造の様子を示す工程図である。
【図６】同、工程図である。
【図７】同、工程図である。
【図８】同、工程図である。
【図９】同、工程図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０…ＴＦＤアレイ側マザー基板  １０ａ…基材  １１…チップ領域  １２…周縁領域  １６…短絡配線部  １９…間隙  ２０…接続部  １０１…液晶装置  １４０…ＴＦＤ素子
【図１】
2007057884.tif 000003
【図２】
2007057884.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007057884.tif 000009
【図８】
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【図９】
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