(57)【要約】【課題】低抵抗で、歩留まりが高く、更に信頼性の高いアンテナを提供することを課題とする。【解決手段】第１の基板と、第１のパターンと、第２の基板と、第２のパターンと、異方性導電材料とを有する。第１の基板は絶縁表面を有する。第１のパターンは第１の基板の絶縁表面（以下、第１の絶縁表面）上に導電材料でなる。第２の基板は、第１の基板の第１のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面（以下、第２の絶縁表面）を有する。第２のパターンは、第２の基板において、第１の基板と対向する絶縁表面（第２の絶縁表面）に設けられており、導電材料でなる。異方性導電材料は第１のパターンと第２のパターンを電気的に接続する。第１のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第２のパターンと重なる。【選択図】図１
2007181187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁表面を有する第１の基板と、
前記第１の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第１のパターンと、
前記第１の絶縁表面に対向して設けられた、第２の絶縁表面を有する第２の基板と、
前記第２の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第２のパターンと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に設けられ、前記第１のパターンと前記第２のパターンを電気的に接続する異方性導電材料と、を有し、
前記第１のパターンと前記第２のパターンは、前記第１のパターンと前記第２のパターンの一方が断線した場合に、他方及び前記異方性導電材料が当該断線した部分を電気的に接続するように配置されていることを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
第１の絶縁表面を有する第１の基板と、
前記第１の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第１のパターンと、
前記第１の絶縁表面に対向して設けられた、第２の絶縁表面を有する第２の基板と、
前記第２の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第２のパターンと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に設けられ、前記第１のパターンと前記第２のパターンを電気的に接続する異方性導電材料と、を有し、
前記第１のパターンと前記第２のパターンは、同じ形であって、重なって配置されていることを特徴とするアンテナ。
【請求項３】
第１の絶縁表面を有する第１の基板と、
前記第１の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第１のパターンと、
前記第１の絶縁表面に対向して設けられた、第２の絶縁表面を有する第２の基板と、
前記第２の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第２のパターンと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に設けられ、前記第１のパターンと前記第２のパターンを電気的に接続する異方性導電材料と、を有し、
前記第１のパターン上の全ての領域は、前記異方性導電材料を介して前記第２のパターンと重なることを特徴とするアンテナ。
【請求項４】
第１の絶縁表面を有する第１の基板と、
前記第１の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第１のパターンと、
前記第１の絶縁表面に対向して設けられた、第２の絶縁表面を有する第２の基板と、
前記第２の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第２のパターンと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に設けられ、前記第１のパターンと前記第２のパターンを電気的に接続する異方性導電材料と、を有し、
前記第１のパターン上の全ての領域は、前記異方性導電材料を介して前記第２のパターンと重なり、
前記第２のパターン上の全ての領域は、前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと重なることを特徴とするアンテナ。
【請求項５】
第１の絶縁表面を有する第１の基板と、
前記第１の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第１のパターンと、
前記第１の絶縁表面に対向して設けられた、第２の絶縁表面を有する第２の基板と、
前記第２の絶縁表面上に形成された導電材料でなる第２のパターンと、
前記第１のパターンと前記第２のパターンの間に設けられ、前記第１のパターンと前記第２のパターンを電気的に接続する異方性導電材料と、を有し、
前記第１のパターン上の全ての領域は、前記異方性導電材料を介して前記第２のパターンと重なり、
前記第１のパターンと前記第２のパターンは同じ形であることを特徴とするアンテナ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記異方性導電材料は、前記第１の絶縁表面の全体または前記第２の絶縁表面の全体を覆うように配置されていることを特徴とするアンテナ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のパターン及び前記第２のパターンは、コイル状であることを特徴とするアンテナ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のパターン及び前記第２のパターンは、線状であることを特徴とするアンテナ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記導電材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ又はＴｉを含む材料であることを特徴とするアンテナ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、可撓性を有することを特徴とするアンテナ。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、プラスチックからなることを特徴とするアンテナ。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリブチレンテレフタレート、又はポリイミドからなることを特徴とするアンテナ。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載の前記アンテナと、
前記アンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有し、前記アンテナを介した無線通信によってデータが入出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載の前記アンテナと、
前記第１の基板を貫通し前記第１のパターンに達するコンタクトホール、または前記第２の基板を貫通し前記第２のパターンに達するコンタクトホールにおいて、前記アンテナと電気的に接続される半導体集積回路とを有し、前記アンテナを介した無線通信によってデータが入出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４に記載の前記半導体装置と、
前記半導体装置とデータの入出力を行うリーダ／ライタとを有することを特徴とする無線通信システム。
【請求項１６】
第１の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第１のパターンを形成し、
第２の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第２のパターンを形成し、
前記第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成し、
前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと前記第２のパターンが電気的に接続され、且つ、前記第１のパターン上の全ての領域が前記第２のパターンと重なるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１７】
第１の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第１のパターンを形成し、
前記第１の基板の絶縁表面に垂直な方向からみた前記第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第２のパターンを形成し、
前記第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成し、
前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと前記第２のパターンが電気的に接続され、且つ、前記第１のパターン上の全ての領域が前記第２のパターンと重なるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記異方性導電材料は、前記第１の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一において、
前記第１のパターン及び前記第２のパターンは、液滴吐出法または印刷法によって形成されることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２０】
第１の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第１のパターンを形成し、
第２の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第２のパターンを形成し、
前記第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成し、
前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと前記第２のパターンが電気的に接続され、且つ、前記第１のパターン上の全ての領域が前記第２のパターンと重なるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせ、
前記第１のパターンまたは前記第２のパターンと電気的に接続されるように、半導体集積回路を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
第１の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第１のパターンを形成し、
前記第１の基板の絶縁表面に垂直な方向からみた前記第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第２のパターンを形成し、
前記第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成し、
前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと前記第２のパターンが電気的に接続され、且つ、前記第１のパターン上の全ての領域が前記第２のパターンと重なるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせ、
前記第１のパターンまたは前記第２のパターンと電気的に接続されるように半導体集積回路を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
第１の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第１のパターンを形成し、
第２の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第２のパターンを形成し、
前記第１の基板を貫通し前記第１のパターンに達するコンタクトホール、または前記第２の基板を貫通し前記第２のパターンに達するコンタクトホールを形成し、
前記第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成し、
前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと前記第２のパターンが電気的に接続され、且つ、前記第１のパターン上の全ての領域が前記第２のパターンと重なるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせ、
前記コンタクトホールにおいて前記第１のパターンまたは前記第２のパターンと電気的に接続されるように半導体集積回路を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
第１の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第１のパターンを形成し、
前記第１の基板の絶縁表面に垂直な方向からみた前記第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面上に導電材料でなる第２のパターンを形成し、
前記第１の基板を貫通し前記第１のパターンに達するコンタクトホール、または前記第２の基板を貫通し前記第２のパターンに達するコンタクトホールを形成し、
前記第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成し、
前記異方性導電材料を介して前記第１のパターンと前記第２のパターンが電気的に接続され、且つ、前記第１のパターン上の全ての領域が前記第２のパターンと重なるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせ、
前記コンタクトホールにおいて前記第１のパターンまたは前記第２のパターンと電気的に接続されるように半導体集積回路を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２０乃至請求項２３のいずれか一において、
前記異方性導電材料は、前記第１の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２０乃至請求項２４のいずれか一において、
前記第１のパターン及び前記第２のパターンは、液滴吐出法または印刷法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナ及びその作製方法に関する。また、アンテナとアンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有し、アンテナを介した無線通信によりデータが入力、出力される半導体装置及びその作製方法に関する。更に、前記半導体装置と、無線通信によってデータの入力、出力を行うリーダ／ライタとを有する無線通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
個々の対象物にＩＤ（個体識別番号）を与えることで、その対象物の履歴を明確にし、生産、管理等に役立てるといった個体認識技術が注目されている。その中でも、無線タグ（ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、ＲＦＩＤ、ＲＦＩＤタグ、電子タグ、トランスポンダとも呼ばれる）等の無線通信によりデータの入力、出力を行う半導体装置を用いたＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術が利用され始めている。無線通信によりデータの入力、出力を行う半導体装置は、アンテナとアンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有する。
【０００３】
アンテナは、例えばプラスチック等のフイルム上に、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法によって形成することができる。スクリーン印刷法によって形成したアンテナ表面にめっきを行ったアンテナが提案されてる（特許文献１参照）。また、複数の基板それぞれにスクリーン印刷法によってコイル状のアンテナを形成し、複数の基板のコイル状のアンテナを互いに重なるように配置し、且つ電気的に直列に接続する。こうして、巻き数の多いコイル状のアンテナとする構成が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−１１３１４７号公報
【特許文献２】特開２００２−１８３６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
スクリーン印刷法で形成したアンテナは、膜厚を厚くすることが困難であり、抵抗を低くすることが難しい。また、歩留まりを高めることが難しい。なお、アンテナ表面をメッキする方法では、工程が増えるためコストがかかる。また、メッキ法によって膜厚を厚くするのにも限界がある。複数の基板のコイル状のアンテナを互いに重なるように配置し、且つ電気的に直列に接続する構成では、アンテナの抵抗値を低減することは困難である。それは、巻き数の多いコイル状のアンテナは得られるが、アンテナを構成する配線の断面積を大きくする構成ではないためである。また、複数のコイル状のアンテナの１つでも断線している場合にはアンテナとして正常に機能しない。
【０００５】
このように、従来のアンテナは、低抵抗とすること、及び歩留まりを高めることが難しかった。そのため、当該アンテナを用い、無線通信によりデータの入力、出力を行う従来の半導体装置は、通信距離を長くすること、コストを低くすること、及び信頼性を高めることが難しかった。
【０００６】
上記の実情に鑑み、低抵抗で、歩留まりの高いアンテナ及びその作製方法を提供することを課題とする。更に、当該アンテナを用いて、通信距離が長く、信頼性が高い半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のアンテナは、第１の基板と、第１のパターンと、第２の基板と、第２のパターンと、異方性導電材料とを有する。第１の基板は絶縁表面を有する。第１のパターンは第１の基板の絶縁表面（以下、第１の絶縁表面ともいう）上に形成されており、導電材料でなる。第２の基板は、第１の基板の第１のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面（以下、第２の絶縁表面ともいう）を有する。第２のパターンは、第２の基板において、第１の基板と対向する絶縁表面（第２の絶縁表面）に形成されており、導電材料でなる。異方性導電材料は第１のパターンと第２のパターンの間に設けられ、第１のパターンと第２のパターンを電気的に接続する。第１のパターンと第２のパターンは、第１のパターンと第２のパターンの一方が断線した場合（一部が欠けた場合も含む）に、他方及び異方性導電材料が当該断線した部分を電気的に接続するように配置される。例えば、第１のパターンと第２のパターンは、半導体集積回路等と接続するための電極以外の任意の２点において、異方性導電材料を介して電気的に接続される。また例えば、第１のパターンと第２のパターンは、同じ形であって、重なって配置されている。また例えば、第１のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第２のパターンと重なる。なお、第２のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第１のパターンと重なっていてもよい。更に、異方性導電材料は、第１の絶縁表面の全体または第２の絶縁表面の全体を覆うように配置されていてもよい。
【０００８】
また、本発明はアンテナに限定されず、任意の形状の配線に適用することもできる。
【０００９】
本発明は、上記構成のアンテナと、前記アンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有し、アンテナを介した無線通信によってデータが入力、出力される半導体装置であってもよい。なお、当該半導体集積回路は、第１の基板を貫通し第１のパターンに達するコンタクトホール、または第２の基板を貫通し第２のパターンに達するコンタクトホールにおいて、アンテナと電気的に接続されていてもよい。
【００１０】
本発明は、当該半導体装置、及び半導体装置とデータの入力、出力を行うリーダ／ライタを有する無線通信システムであってもよい。
【００１１】
本発明のアンテナの作製方法は、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）上に導電材料でなる第１のパターンを形成する。第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に導電材料でなる第２のパターンを形成する。第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成する。異方性導電材料を介して第１のパターンと第２のパターンが電気的に接続され、且つ、第１のパターン上の全ての領域が第２のパターンと重なるように、第１の基板と第２の基板とを貼りあわせる。なお、第２のパターンは、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）に垂直な方向からみた第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に形成してもよい。即ち、第１の絶縁表面に垂直な方向からみた第１のパターンと、第２の絶縁表面に垂直な方向からみた第２のパターンとが、線対称となるように、第２のパターンを形成してもよい。更に、異方性導電材料は、第１のパターンの全体を覆い、且つ第１の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されていてもよい。
【００１２】
また、本発明はアンテナの作製方法に限定されず、任意の形状の配線の作製方法に適用することもできる。
【００１３】
本発明の半導体装置の作製方法は、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）上に導電材料でなる第１のパターンを形成する。第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に導電材料でなる第２のパターンを形成する。第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成する。異方性導電材料を介して第１のパターンと第２のパターンが電気的に接続され、且つ、第１のパターン上の全ての領域が第２のパターンと重なるように、第１の基板と第２の基板とを貼りあわせる。第１のパターンまたは第２のパターンと電気的に接続されるように、半導体集積回路を設ける。なお、第２のパターンは、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）に垂直な方向からみた第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に形成してもよい。即ち、第１の絶縁表面に垂直な方向からみた第１のパターンと、第２の絶縁表面に垂直な方向からみた第２のパターンとが、線対称となるように、第２のパターンを形成してもよい。更に、異方性導電材料は、第１のパターンの全体を覆い、且つ第１の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されていてもよい。
【００１４】
本発明の半導体装置の作製方法は、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）上に導電材料でなる第１のパターンを形成する。第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に導電材料でなる第２のパターンを形成する。第１の基板を貫通し第１のパターンに達するコンタクトホール、または第２の基板を貫通し第２のパターンに達するコンタクトホールを形成する。第１のパターンの全体を覆うように異方性導電材料を形成する。異方性導電材料を介して第１のパターンと第２のパターンが電気的に接続され、且つ、第１のパターン上の全ての領域が第２のパターンと重なるように、第１の基板と第２の基板とを貼りあわせる。前記コンタクトホールにおいて第１のパターンまたは第２のパターンと電気的に接続されるように半導体集積回路を設ける。なお、第２のパターンは、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）に垂直な方向からみた第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に形成してもよい。即ち、第１の絶縁表面に垂直な方向からみた第１のパターンと、第２の絶縁表面に垂直な方向からみた第２のパターンとが、線対称となるように、第２のパターンを形成してもよい。更に、異方性導電材料は、第１のパターンの全体を覆い、且つ第１の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成されていてもよい。
【００１５】
本発明のアンテナの作製方法及び本発明の半導体装置の作製方法では、第１のパターン及び第２のパターンは、液滴吐出法や印刷法によって形成してもよい。液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を示す。液滴吐出法は、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれる。印刷法とは、スクリーン印刷法やオフセット印刷法を示す。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のアンテナでは、第１のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第２のパターンと重なる。そのため、実質的に、第１のパターンの膜厚と第２のパターンの膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナの膜厚を厚くし、アンテナの抵抗を小さくすることができる。また、第１のパターンが断線しても、当該断線を第２のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率を低減することができる。そのため、アンテナの歩留まりを向上させることができる。
【００１７】
また、第１のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第２のパターンと重なり、且つ第２のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第１のパターンと重なる構成とすることもできる。この構成では、同一形状のパターンが異方性導電材料を介して重なった構成となる。そのため、第１のパターンと第２のパターンの一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率をより低減することができる。こうして、アンテナの歩留まりをより向上させることができる。
【００１８】
更に、異方性導電材料は、第１の絶縁表面の全体または第２の絶縁表面の全体を覆うように配置された構成とすることもできる。こうして、第１の基板と第２の基板と異方性導電材料とによって囲まれた領域にアンテナが設けられた構成とすることができる。そのため、アンテナは外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナが外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナの劣化を低減し、アンテナの信頼性を高めることができる。
【００１９】
本発明のアンテナは、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性を高くすることができる。そのため、当該アンテナと、アンテナに電気的に接続された半導体集積回路とを有し、アンテナを介した無線通信によってデータが入力、出力される半導体装置に本発明を適用することによって、半導体装置の通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。
【００２０】
また、半導体集積回路は、第１の基板を貫通し第１のパターンに達するコンタクトホール、または第２の基板を貫通し第２のパターンに達するコンタクトホールにおいて、アンテナと電気的に接続される構成とすることができる。こうして、アンテナの外部への露出を小さく抑えて、アンテナと半導体集積回路を電気的に接続することができる。よって、半導体装置の信頼性を更に高めることができる。
【００２１】
本発明の半導体装置は、通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。そのため、当該半導体装置を用いた無線通信システムに本発明を適用することによって、無線通信システムの適用範囲を広げることができる。
【００２２】
本発明のアンテナの作製方法において、異方性導電材料を介して第１のパターンと第２のパターンが電気的に接続され、且つ、第１のパターン上の全ての領域が第２のパターンと重なるように、第１の基板と第２の基板とを貼りあわせる。そのため、作製されたアンテナは、実質的に、第１のパターンの膜厚と第２のパターンの膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナの膜厚を厚くし、抵抗の小さいアンテナを作製することができる。また、第１のパターンが断線しても、当該断線を第２のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率を低減することができる。そのため、アンテナの歩留まりを向上させることができる。
【００２３】
また、第２のパターンは、第１の基板の絶縁表面（第１の絶縁表面）に垂直な方向からみた第１のパターンと線対称となるように、第２の基板の絶縁表面（第２の絶縁表面）上に形成してもよい。こうして、同一形状のパターンが異方性導電材料を介して重なった構成のアンテナを形成することができる。そのため、第１のパターンと第２のパターンの一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナが断線する確率をより低減することができる。こうして、アンテナの歩留まりをより向上させることができる。
【００２４】
更に、異方性導電材料は、第１のパターンの全体を覆い、且つ第１の基板の絶縁表面の全体を覆うように形成してもよい。こうして、第１の基板と第２の基板と異方性導電材料とによって囲まれた領域にアンテナを設けることができる。そのため、アンテナは外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナが外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナの劣化を低減し、アンテナの信頼性を高めることができる。
【００２５】
特に、液滴吐出法や印刷法によって形成されたアンテナでは、膜厚を厚くして抵抗を低くすること、歩留まりを高めることが難しかった。本発明のアンテナの作製方法では、液滴吐出法や印刷法によって第１のパターン及び第２のパターンを形成した場合においても、第１のパターンと第２のパターンをあわせてアンテナとして用いるので、アンテナの抵抗を小さくすることができ、また、アンテナの歩留まりを向上させることができる。
【００２６】
本発明のアンテナの作製方法は、抵抗の小さいアンテナを作製することができ、歩留まりを高くすることができ、且つ信頼性を高くすることができる。そのため、当該アンテナに半導体集積回路を電気的に接続して形成され、アンテナを介した無線通信によってデータが入力、出力される半導体装置の作製方法に本発明を適用することによって、半導体装置の通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。
【００２７】
また、半導体集積回路は、第１の基板を貫通し第１のパターンに達するコンタクトホール、または第２の基板を貫通し第２のパターンに達するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにおいて第１のパターンまたは第２のパターンと電気的に接続されるように設けることができる。こうして、アンテナの外部への露出を小さく抑えて、アンテナと半導体集積回路を電気的に接続することができる。よって、半導体装置の信頼性を更に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。また、本発明において、接続されているとは電気的に接続されていることと同義である。したがって、間に別の素子などが配置されていてもよい。
【００２９】
（実施の形態１）
本発明のアンテナの構成について説明する。アンテナの構成を図１に示す。図１（Ａ）にアンテナの斜視図を示す。また、図１（Ｂ）に図１（Ａ）におけるａ乃至ａ′の断面図を示す。図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）中の領域１０９の拡大図である。なお、図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）において同じ部分は同じ符号を用いて示す。アンテナ１００は、第１の基板１０１と、第１のパターン１０２と、第２の基板１０３と、第２のパターン１０４と、異方性導電材料１０５とを有する。第１の基板１０１は第１の絶縁表面１０６を有する。第１のパターンは第１の絶縁表面１０６上に形成されており、導電材料でなる。第２の基板１０３は、第１の基板１０１の第１のパターン１０２が形成された面に対向して設けられており、第２の絶縁表面１０７を有する。第２のパターン１０４は、第２の絶縁表面１０７上に形成されており、導電材料でなる。異方性導電材料１０５は第１のパターン１０２と第２のパターン１０４を電気的に接続する。第１のパターン１０２上の全ての領域は異方性導電材料１０５を介して第２のパターン１０４と重なる。更に、第１の絶縁表面１０６及び第２の絶縁表面１０７に垂直な方向から観察した場合に、第２のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第１のパターンと重なる。異方性導電材料１０５は、第１の絶縁表面１０６の全体及び第２の絶縁表面１０７の全体を覆うように配置される。
【００３０】
第１のパターン１０２を構成する導電材料と第２のパターン１０４を構成する導電材料とは同じであってもよいし異なっていてもよい。第１のパターン１０２や第２のパターン１０４の導電材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ又はＴｉを含む材料を用いることができる。
【００３１】
第１の基板１０１及び第２の基板１０３は可撓性を有していてもよい。第１の基板１０１及び第２の基板１０３はプラスチックからなっていてもよい。第１の基板１０１と第２の基板１０３とは同じ材料からなっていてもよいし異なる材料からなっていてもよい。第１の基板１０１や第２の基板１０３は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリブチレンテレフタレート、又はポリイミドからなっていてもよい。
【００３２】
異方性導電材料１０５は、第１の絶縁表面１０６及び第２の絶縁表面１０７に垂直な方向に対しては導電性をもち、平行な方向に対しては絶縁性をもっている。異方性導電材料１０５としては、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を熱硬化させたものや異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を熱硬化させたものを用いることができる。異方性導電ペーストは、バインダ層と呼ばれる主成分が接着剤である層中に、導電性の表面を有する粒子（以下、導電性の粒子という）が分散した構造を有している。異方性導電膜は、熱硬化または熱可塑性の樹脂フィルムの中に導電性の表面を有する粒子（以下、導電性の粒子という）が分散した構造を有している。図１において、異方性導電材料１０５に含まれる導電性の粒子１０８を示した。したがって、異方性導電ペーストや異方性導電膜を用いることにより第１のパターン１０２と第２のパターン１０４との導通を確保すると同時に、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを接着することができる。
【００３３】
異方性導電材料１０５として異方性導電ペーストや異方性導電膜を用いる場合には、異方性導電材料１０５中の導電性の粒子１０８の粒径と、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４の形状とは所定の関係を満たすように定めることができる。例えば、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４がコイル状である場合を考える。第１のパターン１０２が短絡しないように、導電性の粒子１０８の粒径と第１のパターン１０２の配線の間隔を定める必要がある。更に、第２のパターン１０４が短絡しないように、導電性の粒子１０８の粒径と第２のパターン１０４の配線の間隔を定める必要がある。少なくとも、第１のパターン１０２の配線の間隔及び第２のパターンの配線の間隔よりも導電性の粒子１０８の粒径が小さくなるように、導電性の粒子１０８の粒径と各パターンを構成する配線の間隔を定める必要がある。
【００３４】
図１では、第１の絶縁表面１０６と第２の絶縁表面１０７とは、同じ形状の例を示したがこれに限定されない。第１の絶縁表面１０６と第２の絶縁表面１０７は、一方が他方よりも大きくてもよい。異方性導電材料１０５は、第１の絶縁表面１０６の全体及び第２の絶縁表面１０７の全体を覆うように配置された例を示したがこれに限定されない。異方性導電材料１０５は、第１の絶縁表面１０６の全体または第２の絶縁表面１０７の全体を覆うように配置されていてもよい。
【００３５】
また、図１では、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４を巻き数が３で方形のコイル状とした例を示したがこれに限定されない。第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４は様々な形状とすることができる。第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４は、巻き数が１のコイル状とすることもできるし、任意の巻き数のコイル状とすることもできる。また、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４は、三角形のコイル状、円形のコイル状、多角形のコイル状であってもよい。更に、図１（Ａ）では、コイル状の第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４の角部全てが約９０°となる構成を示したがこれに限定されない。三角形のコイル状、方形のコイル状または多角形のコイル状において、角部は丸みを帯びた形状であっても良いし、面取りした形状であっても良い。また、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４は、コイル状に限定されず、線状としてもよい。例えば、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４各々を、一対の線状のパターンとすることによって、アンテナ１００をダイポール状のアンテナとしてもよい。
【００３６】
アンテナ１００をダイポール状のアンテナとした例を図１４に示す。なお、図１と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
【００３７】
本発明のアンテナ１００は、第１のパターン１０２上の全ての領域が異方性導電材料１０５を介して第２のパターン１０４と重なる。そのため、アンテナ１００は、実質的に、第１のパターン１０２の膜厚と第２のパターン１０４の膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナ１００の膜厚を厚くし、アンテナ１００の抵抗を小さくすることができる。
【００３８】
また、第１のパターン１０２上の全ての領域は異方性導電材料１０５を介して第２のパターン１０４と重なり、且つ第２のパターン１０４上の全ての領域は異方性導電材料を介して第１のパターン１０２と重なる構成となっている。即ち、第１のパターン１０２と第２のパターン１０４は同一形状のパターンであり、異方性導電材料１０５を介して互いに重なっている。そのため、第１のパターン１０２と第２のパターン１０４の一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナ１００全体が断線する確率を低減することができる。こうして、アンテナ１００の歩留まりを向上させることができる。
【００３９】
異方性導電材料１０５は、第１のパターン１０２の全体を覆い、且つ第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６の全体を覆うように形成している。こうして、第１の基板１０１と第２の基板１０３と異方性導電材料１０５とによって囲まれた領域にアンテナ１００を設けることができる。アンテナ１００は外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナ１００を保護することができる。また、アンテナ１００が外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナ１００の劣化を低減し、アンテナの信頼性を高めることができる。
【００４０】
以上によって、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナが得られる。
【００４１】
（実施の形態２）
本発明のアンテナの作製方法について説明する。説明には図２を用いる。なお、図１と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
【００４２】
図２（Ａ）に示すように、第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６上に導電材料でなる第１のパターン１０２を形成する。第１のパターン１０２は、液滴吐出法や印刷法によって形成することができる。なお、第１のパターン１０２は、フォトリソグラフィーなどを用いて導電膜をエッチング加工することによって形成してもよい。次いで、第１のパターン１０２の全体を覆うように異方性導電材料１０５を形成する。図２（Ａ）において、異方性導電材料１０５中の導電性の粒子１０８は図示していない。図２（Ａ）では、第１の絶縁表面１０６の全体を覆うように異方性導電材料１０５を形成する例を示した。なお、図２（Ａ）において、ａ乃至ａ′の断面図を図２（Ｃ）に示す。
【００４３】
図２（Ｂ）に示すように、第２の基板１０３の第２の絶縁表面１０７上に導電材料でなる第２のパターン１０４を形成する。なお、図２（Ｂ）において、ｂ乃至ｂ′の断面図を図２（Ｄ）に示す。第２のパターン１０４は、第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６に垂直な方向からみた第１のパターン１０２と線対称となるように、第２の基板１０３の第２の絶縁表面１０７上に形成する。つまり、図２中ｃ乃至ｃ′の線を第１の絶縁表面１０６に平行な方向に延びた直線であるとし、図２に示した形状の第１のパターン１０２と第２のパターン１０４はｃ乃至ｃ′の線に対して対称な形状となっている。第２のパターン１０４は、液滴吐出法や印刷法によって形成することができる。なお、第２のパターン１０４は、フォトリソグラフィーなどを用いて導電膜をエッチング加工することによって形成してもよい。
【００４４】
その後、第１の絶縁表面１０６と第２の絶縁表面１０７が向かい合い、且つ、第１のパターン１０２上の全ての領域が第２のパターン１０４と重なるように、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを重ね合わせる。そして、熱圧着することによって、異方性導電材料１０５を介して第１のパターン１０２と第２のパターン１０４を電気的に接続すると同時に、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを貼りあわせる。こうして、図１（Ａ）に示したようなアンテナ１００を作製することができる。
【００４５】
本発明のアンテナの作製方法では、第１のパターン１０２上の全ての領域は異方性導電材料１０５を介して第２のパターン１０４と重なる。そのため、アンテナ１００は、実質的に、第１のパターン１０２の膜厚と第２のパターン１０４の膜厚を合計した膜厚のアンテナとなる。こうして、実質的にアンテナ１００の膜厚を厚くし、アンテナ１００の抵抗を小さくすることができる。
【００４６】
また、第２のパターン１０４は、第１の絶縁表面１０６に垂直な方向からみた第１のパターン１０２と線対称となるように、第２の絶縁表面１０７上に形成する。そのため、同一形状のパターンが異方性導電材料１０５を介して重なった構成のアンテナ１００が得られる。よって、第１のパターン１０２と第２のパターン１０４の一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができるので、アンテナ１００全体が断線する確率を低減することができる。こうして、アンテナ１００の歩留まりを向上させることができる。
【００４７】
更に、異方性導電材料１０５は、第１のパターン１０２の全体を覆い、且つ第１の絶縁表面１０６の全体を覆うように形成する。こうして、第１の基板１０１と第２の基板１０３と異方性導電材料１０５とによって囲まれた領域にアンテナ１００を設けることができる。そのため、アンテナ１００は外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナ１００が外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナ１００の劣化を低減し、アンテナ１００の信頼性を高めることができる。
【００４８】
特に、液滴吐出法や印刷法によって形成されたアンテナでは、膜厚を厚くして抵抗を低くすること、歩留まりを高めることが難しかった。本発明のアンテナの作製方法では、液滴吐出法や印刷法によって第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４を形成した場合においても、第１のパターン１０２と第２のパターン１０４を組み合わせてアンテナ１００として用いるので、アンテナ１００の抵抗を小さくすることができ、また、アンテナの歩留まりを向上させることができる。
【００４９】
以上によって、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナが得られる。
【００５０】
本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００５１】
（実施の形態３）
本発明の半導体装置の構成について説明する。説明には図３を用いる。なお、図１及び図２と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
【００５２】
図３（Ａ）に半導体装置の斜視図を示す。また、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）に図３（Ａ）におけるａ乃至ａ′の断面図を示す。なお、図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）において同じ部分は同じ符号を用いて示す。半導体装置３００は、アンテナ１００とアンテナ１００に電気的に接続された半導体集積回路１３３とを有する。半導体装置３００は、アンテナ１００によって無線信号を送信、受信し、データの入力、出力を行う。
【００５３】
図３（Ｂ）のように、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４に達する一対のコンタクトホール１３０を設ける。図３（Ｂ）の構成では、コンタクトホール１３０は第２のパターン１０４を貫通しない。コンタクトホール１３０において、第２のパターン１０４と接続するように電極１３１を設ける。電極１３１上に設けられた異方性導電材料１３２によって、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４と電極１３１は電気的に接続される。図３において、異方性導電材料１３２に含まれる導電性の粒子１３５を示した。こうして、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４の一方はアンテナ１００の一端と電気的に接続され、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４の他方はアンテナ１００の他端と電気的に接続される。なお、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４と電極１３１とは、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤によって電気的に接続されていてもよいし、半田によって電気的に接続されていてもよい。
【００５４】
なお、図３（Ｃ）のように、一対のコンタクトホール１３０は、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４を貫通してもよい。また、一対のコンタクトホール１３０は、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４の一部を除去するように形成されていてもよい。
【００５５】
図３（Ｂ）のように、コンタクトホール１３０が第２のパターン１０４まで形成されている構成（第２のパターン１０４を貫通しない構成）では、コンタクトホール１３０が形成された部分においても第２のパターン１０４が存在する。そのため、コンタクトホール１３０が形成された部分において、第１のパターン１０２と第２のパターン１０４をより確実に電気的に接続することができる。一方、図３（Ｃ）のように、コンタクトホール１３０が第２のパターン１０４を貫通する形状では、第２のパターン１０４と電極１３１との密着性を高めることができる。そのため、電極１３１と第２のパターン１０４をより確実に電気的に接続することができる。なお、図３では、第２の基板１０３にコンタクトホール１３０を形成する構成を示したがこれに限定されない。コンタクトホール１３０は、第１の基板１０１を貫通し第１のパターン１０２に達する構成であってもよい。
【００５６】
本発明の半導体装置３００は、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。更に、半導体集積回路１３３は、第１の基板１０１を貫通し第１のパターン１０２に達するコンタクトホール１３０、または第２の基板１０３を貫通し第２のパターン１０４に達するコンタクトホール１３０において形成された電極１３１によって、アンテナ１００と電気的に接続される。こうして、アンテナ１００の外部への露出を小さく抑えて、アンテナ１００と半導体集積回路１３３を電気的に接続することができる。よって、半導体装置３００の信頼性を更に高めることができる。
【００５７】
以上によって、通信距離が長く、低コストで、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００５８】
本実施の形態は、実施の形態１や実施の形態２と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００５９】
（実施の形態４）
本発明の半導体装置の作製方法について説明する。説明には図４及び図５を用いる。なお、図１乃至図３と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
【００６０】
図４（Ａ）に示すように、第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６上に導電材料でなる第１のパターン１０２を形成する。更に、第１のパターン１０２の全体を覆うように異方性導電材料１０５を形成する。図４（Ａ）において、異方性導電材料１０５中の導電性の粒子１０８は図示していない。なお、図４（Ａ）において、ａ乃至ａ′の断面図を図４（Ｃ）に示す。
【００６１】
図４（Ｂ）に示すように、第２の基板１０３の第２の絶縁表面１０７上に導電材料でなる第２のパターン１０４を形成する。なお、図４（Ｂ）において、ｂ乃至ｂ′の断面図を図４（Ｄ）に示す。第２のパターン１０４は、第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６に垂直な方向からみた第１のパターン１０２と線対称となるように、第２の基板１０３の第２の絶縁表面１０７上に形成する。つまり、第１のパターン１０２とと第２のパターン１０４は、図４中ｃ乃至ｃ′の線に対して対称な形状となっている。図４（Ｄ）に示すように、第２の基板１０３を貫通し第２のパターン１０４に達する一対のコンタクトホール１３０を形成する。コンタクトホール１３０の周辺部分４０１の拡大図を図４（Ｅ）に示す。図４（Ｅ）では、コンタクトホール１３０は、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４まで達するように形成した。しかし、図４（Ｆ）のように、コンタクトホール１３０は、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４を貫通するように形成してもよいし、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４の一部を除去するように形成してもよい。コンタクトホール１３０はカッターやナイフ等を用いて機械的に形成してもよいし、レーザーを用いてもよい。第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４を貫通するようにコンタクトホール１３０を形成する場合、カッターやナイフ等を用いることができる。第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４まで、または、第２の基板１０３を貫通し、第２のパターン１０４の一部を除去するようにコンタクトホール１３０を形成する場合、レーザーを用いることができる。
【００６２】
図５（Ａ）に示すように、第１の絶縁表面１０６と第２の絶縁表面１０７が向かい合い、且つ、第１のパターン１０２上の全ての領域が第２のパターン１０４と重なるように、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを重ね合わせる。
【００６３】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、熱圧着することによって、異方性導電材料１０５を介して第１のパターン１０２と第２のパターン１０４を電気的に接続すると同時に、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを貼りあわせる。次いで、コンタクトホール１３０において第２のパターン１０４と接続するように一対の電極１３１を設ける。
【００６４】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、半導体集積回路１３３が有する一対の電極１３４上に異方性導電材料１３２を設ける。なお、異方性導電材料１３２は電極１３１上に設けてもよい。
【００６５】
次いで、図５（Ｄ）に示すように、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４と電極１３１とが異方性導電材料１３２を介して重なるように配置する。
【００６６】
その後、図５（Ｅ）に示すように、熱圧着することによって、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４と電極１３１を電気的に接続する。こうして、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４の一方はアンテナ１００の一端と電気的に接続され、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４の他方はアンテナ１００の他端と電気的に接続される。なお、半導体集積回路１３３の一対の電極１３４と電極１３１とは、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤によって電気的に接続さしてもよいし、半田によって電気的に接続してもよい。こうして、本発明の半導体装置３００が完成する。
【００６７】
本発明の半導体装置の作製方法は、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００が得られるので、半導体装置の通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。更に、半導体集積回路１３３は、第２の基板１０３を貫通し第２のパターン１０４に達するコンタクトホール１３０において形成された電極１３１によって、アンテナ１００と電気的に接続される。こうして、アンテナ１００の外部への露出を小さく抑えて、アンテナ１００と半導体集積回路１３３を電気的に接続することができる。よって、半導体装置３００の信頼性を更に高めることができる。
【００６８】
以上によって、通信距離が長く、低コストで、信頼性の高い半導体装置が得られる。
【００６９】
本実施の形態は、実施の形態１乃至実施の形態３と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例１】
【００７０】
本発明のアンテナを実際に作製した例について説明する。説明には図６を用いる。なお、図１乃至図５と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
【００７１】
図６（Ａ）に示すように、第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６上に導電材料でなる第１のパターン１０２を形成した。また、第２の基板１０３の第２の絶縁表面１０７上に導電材料でなる第２のパターン１０４を形成した。第２のパターン１０４は、第１の基板１０１の第１の絶縁表面１０６に垂直な方向からみた第１のパターン１０２と線対称となるように、第２の基板１０３の第２の絶縁表面１０７上に形成した。つまり、図６中ｃ乃至ｃ′の線に対して対称な形状となっている。
【００７２】
第１の基板１０１及び第２の基板１０３としてポリエチレンナフタレートからなる厚さ５０μｍのフィルムを用いた。第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４はスクリーン印刷法によって形成した。第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４は、約７６ｍｍ（外周）×約４５ｍｍ（外周）（約６１ｍｍ（内周）×約２９ｍｍ（内周））の方形のコイル状とした。配線の幅を約８００μｍ、配線の間隔を約３００μｍ（アンテナに半導体集積回路を電気的に接続するためのコンタクトホール周辺以外の部分での間隔）、巻き数を７とした。スクリーン印刷法では、所望のパターンの開口を有する版をマスクとして金属粒子を含むペーストを所望の表面上に配置し、その後、熱焼成を行うことで所望のパターンを形成する。本実施例では、Ａｇの金属粒子を含むペーストを用いたスクリーン印刷法によって第１のパターン１０２を形成した。この際、Ａｇの金属粒子を含むペーストとして、住友電気工業株式会社製のＡＧＥＰ２０１Ｘを用いた。また、熱焼成は１６０℃で３０分行った。
【００７３】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、第１のパターン１０２の全体を覆い、且つ第１の絶縁表面１０６の全体を覆うように異方性導電材料１０５として異方性導電ペーストを形成した。異方性導電ペーストとしては、株式会社スリーボンド製の３３７３Ｃを用いた。
【００７４】
なお、本実施例では、第１の基板１０１と第２の基板１０３を重ねる前に、アンテナに半導体集積回路を電気的に接続するためのコンタクトホール１３０を形成した。図６（Ｂ）において、コンタクトホールの周辺部分１６０の拡大図を図６（Ｃ）に示す。アンテナに半導体集積回路を電気的に接続するためのコンタクトホール１３０は、第２の基板１０３を貫通し第２のパターン１０４も貫通するように形成した。コンタクトホール１３０はカッターを用いて機械的に開けた。
【００７５】
図６において、コンタクトホール周辺部分１６０では、コイル状の第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４の配線の間隔が狭くなっている。これは、半導体集積回路の一対の電極（図５中、電極１３４に相当）の間隔に対して、アンテナ１００の一対の電極（図５中、電極１３１に相当）の間隔をあわせるためである。半導体集積回路の一対の電極とアンテナ１００の一対の電極とを異方性導電材料によって電気的に接続する場合には、このように各電極の位置をあわせる必要がある。なお、コンタクトホール周辺部分１６０において、コイル状の第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４の配線の間隔を狭くせず、半導体集積回路の一対の電極に電気的に接続される配線を設け、当該配線を引き回して、半導体集積回路の一対の電極とアンテナ１００の一対の電極とを電気的に接続してもよい。
【００７６】
その後、第１の絶縁表面１０６と第２の絶縁表面１０７が向かい合い、且つ、第１のパターン１０２上の全ての領域が第２のパターン１０４と重なるように、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを重ね合わせた。そして、異方性導電ペーストが１６０℃になるような状態で１６０ＭＰａの圧力を２０秒間加えた。こうして、異方性導電材料１０５を介して第１のパターン１０２と第２のパターン１０４を電気的に接続すると同時に、第１の基板１０１と第２の基板１０３とを貼りあわせた。
【００７７】
以上の工程によって、図６（Ｄ）に示したようなアンテナ１００を作製した。
【００７８】
作製したアンテナ１００の抵抗を測定し結果、約８．２Ωであった。一方、第１のパターン１０２の抵抗を測定した結果、約２１Ωであり、第２のパターン１０４の抵抗を測定した結果、約１７Ωであった。以上の結果から、アンテナ１００の抵抗を小さくすることができた。
【００７９】
アンテナ１００は、同一形状のパターンが異方性導電材料１０５を介して重なった構成となっているので、第１のパターン１０２と第２のパターン１０４の一方のパターンが断線しても、当該断線を他方のパターンによって電気的に接続することができる。こうして、アンテナ１００全体が断線する確率をより低減し、アンテナ１００の歩留まりをより向上させることができる。
【００８０】
異方性導電材料１０５は、第１のパターン１０２の全体を覆い且つ第１の絶縁表面１０６の全体を覆うように形成されているので、第１の基板１０１と第２の基板１０３と異方性導電材料１０５とによって囲まれた領域にアンテナ１００を設けることができる。そのため、アンテナ１００は外部に露出しないので、外部の衝撃からアンテナを保護することができる。また、アンテナ１００が外気に曝されて腐食する等の変質を防止することができる。こうして、アンテナ１００の劣化を低減し、アンテナ１００の信頼性を高めることができる。
【００８１】
以上によって、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナが得られた。
【００８２】
本実施例は、実施の形態１乃至実施の形態４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例２】
【００８３】
本発明の半導体装置が有する半導体集積回路１３３の具体的構成の一例及びその作製方法について説明する。説明には図７及び図９を用いる。なお、図１乃至図６と同じ部分は同じ符号を用いて示す。
【００８４】
半導体集積回路１３３は、複数の薄膜トランジスタを有する素子群６０１を有する。図では、素子群６０１としてＮチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとを代表で示す。基板６００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の合成樹脂からなる可撓性を有する基板を用いても良い。基板の表面を、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などの研磨により平坦化しておいても良い。また、ガラス基板、石英基板や、半導体基板を研磨して薄くした基板を用いてもよい。例えば、単結晶シリコンの結晶軸〈１００〉または〈１１０〉近傍に垂直な表面を有する単結晶シリコン基板において、当該基板の厚さを０．１μｍより厚く２０μｍ以下、代表的には１μｍ以上５μｍ以下の厚さに研磨したものを用いることができる。
【００８５】
基板６００上に設けられている下地層６６１としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地層６６１によって、基板６００に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層６６２に拡散し薄膜トランジスタの特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図７では、下地層６６１を単層の構造としているが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地層６６１を必ずしも設ける必要はない。
【００８６】
なお、高密度プラズマによって基板６００の表面を直接処理してもよい。高密度プラズマは、高周波、例えば２．４５ＧＨｚを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が１０１１〜１０１３／ｃｍ３かつ電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下であるものを用いる。このように低電子温度が特徴である高密度プラズマは、活性種の運動エネルギーが低いため、従来のプラズマ処理に比べプラズマダメージが少なく欠陥が少ない膜を形成することができる。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いた高周波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。高周波を発生するアンテナから基板６００までの距離を２０〜８０ｍｍ（好ましくは２０〜６０ｍｍ）とする。
【００８７】
窒化性雰囲気、例えば、窒素（Ｎ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、または窒素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、またはアンモニア（ＮＨ３）と希ガス雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を行うことによって、基板６００表面を窒化することができる。基板６００としてガラスや石英、シリコンウエハ等を用いた場合、基板６００の表面に形成された窒化物層は窒化珪素を主成分とするので、基板６００側から拡散してくる不純物のブロッキング層として利用することができる。この窒化物層の上に酸化珪素膜または酸窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成して下地層６６１としても良い。
【００８８】
また、酸化珪素や酸窒化珪素などからなる下地層６６１の表面に対し同様な高密度プラズマ処理を行うことにより、その表面及び表面から１〜１０ｎｍの深さを窒化処理をすることができる。このきわめて薄い窒化珪素の層は、ブロッキング層として機能し、且つその上に形成する半導体層６６２へ与える応力の影響が少ないので好ましい。
【００８９】
下地層６６１上に半導体層６６２を形成する。半導体層６６２としては、島状の結晶性半導体膜や非晶質半導体膜を用いることができる。また、有機半導体膜を用いてもよい。結晶性半導体膜は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層６６２は、チャネル形成領域６６２ａと、導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域６６２ｂとを有する。なお、チャネル形成領域６６２ａと一対の不純物領域６６２ｂとの間に、不純物領域６６２ｂよりも低濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域６６２ｃを有する構成を示したがこれに限定されない。低濃度不純物領域６６２ｃを設けない構成であってもよい。また、一対の不純物領域６６２ｂの上面の一部（特に、配線６６６と接する部分）または全面にシリサイドが形成された構造としてもよい。
【００９０】
なお、半導体層６６２と同時に形成される配線は、基板６００の上面に垂直な方向から見た場合に角部が丸くなるよう引き回すのが好ましい。上記配線の引き回し方法について図９に模式的に示す。半導体層と同時に形成される配線を配線３０１１で示す。図９（Ａ）は従来の配線の引き回し方法である。図９（Ｂ）は本発明の配線の引き回し方法である。従来の角部１２０１ａに対して角部１２０２ａは丸くなっている。角部を丸くすることによって、ゴミ等が配線の角部に残るのを防止することができる。こうして、半導体装置のゴミによる不良を低減し歩留まりを高めることができる。
【００９１】
薄膜トランジスタのチャネル形成領域６６２ａにおいて、導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。こうして、薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。
【００９２】
半導体層６６２上に第１の絶縁層６６３を形成する。第１の絶縁層６６３としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。この場合において、第１の絶縁層６６３の表面を酸化雰囲気又は窒化雰囲気で高密度プラズマによって処理し、酸化又は窒化処理して緻密化しても良い。高密度プラズマは、前述と同様に、高周波、例えば２．４５ＧＨｚを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が１０１１〜１０１３／ｃｍ３かつ電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下であるものを用いる。プラズマの生成はラジアルスロットアンテナを用いた高周波励起のプラズマ処理装置を用いることができる。また、高密度プラズマを発生させる装置において、高周波を発生するアンテナから基板６００までの距離を２０〜８０ｍｍ（好ましくは２０〜６０ｍｍ）とする。
【００９３】
なお、第１の絶縁層６６３を成膜する前に、半導体層６６２の表面に対して上記高密度プラズマ処理を行って、半導体層の表面を酸化又は窒化処理してもよい。このとき、基板６００の温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気又は窒化雰囲気で処理することにより、その上に堆積する第１の絶縁層６６３と良好な界面を形成することができる。
【００９４】
窒化雰囲気としては、窒素（Ｎ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、または窒素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、またはアンモニア（ＮＨ３）と希ガス雰囲気を用いることができる。酸化雰囲気としては、酸素（Ｏ）と希ガス雰囲気下、または酸素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、または一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と希ガス雰囲気を用いることができる。
【００９５】
第１の絶縁層６６３上にゲート電極６６４を形成する。ゲート電極６６４としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金、若しくは該元素の化合物を用いることができる。またこれらの元素、合金、化合物からなる単層または積層構造を用いることができる。図では、２層構造のゲート電極６６４を示した。なお、ゲート電極６６４やゲート電極６６４と同時に形成される配線は、基板６００の上面に垂直な方向から見た場合に角部が丸くなるよう引き回すのが好ましい。引き回しの方法は図９（Ｂ）に示した方法と同様とすることができる。ゲート電極６６４やゲート電極６６４と同時に形成される配線を配線３０１２で示す。角部１２０１ｂに対して角部１２０２ｂの様に角部を丸くすることによって、ゴミ等が配線の角部に残るのを防止することができる。こうして、半導体装置のゴミによる不良を低減し歩留まりを高めることができる。
【００９６】
薄膜トランジスタは、半導体層６６２と、ゲート電極６６４と、半導体層６６２とゲート電極６６４との間のゲート絶縁膜として機能する第１の絶縁層６６３とによって構成される。本実施例では、薄膜トランジスタをトップゲート型のトランジスタとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のトランジスタであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のトランジスタであっても良い。
【００９７】
ゲート電極６６４の側面に接するように絶縁膜（図７中、サイドウォール６６７ａと表記）が設けられている。サイドウォール６６７ａを形成した後、半導体層６６２に対して導電型を付与する不純物元素を添加することによって、自己整合的に低濃度不純物領域６６２ｃを形成することができる。また、一対の不純物領域６６２ｂにシリサイドが形成された構造をサイドウォール６６７ａを用いて自己整合的に形成してもよい。なお、サイドウォール６６７ａを設ける構成を示したが、これに限定されず、サイドウォールを設けなくてもよい。
【００９８】
ゲート電極６６４及びサイドウォール６６７ａ上に第２の絶縁層６６７を形成する。第２の絶縁層６６７は窒化珪素膜などイオン性不純物をブロッキングするバリア性の絶縁膜であることが望ましい。第２の絶縁層６６７は窒化珪素または酸窒化珪素で形成する。この第２の絶縁層６６７は、半導体層６６２の汚染を防ぐ保護膜としての機能を有している。第２の絶縁層６６７を堆積した後に、水素ガスを導入して前述のような高密度プラズマ処理をすることで、第２の絶縁層６６７の水素化を行っても良い。または、アンモニア（ＮＨ３）ガスを導入して、第２の絶縁層６６７の窒化と水素化を行っても良い。または、酸素、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスなどと水素ガスを導入して、第２の絶縁層６６７の酸化窒化処理と水素化処理を行っても良い。この方法により、窒化処理、酸化処置若しくは酸化窒化処理を行うことにより第２の絶縁層６６７の表面を緻密化することができる。こうして第２の絶縁層６６７の保護膜としての機能を強化することができる。第２の絶縁層６６７に導入された水素は、その後４００〜４５０℃の熱処理をすることにより放出されて、半導体層６６２の水素化をすることができる。なお当該水素化処理は、第１の絶縁層６６３を用いた水素化処理と組み合わせてもよい。
【００９９】
第２の絶縁層６６７上に第３の絶縁層６６５を形成する。第３の絶縁層６６５としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜の単層または積層構造を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法により形成された酸化珪素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。
【０１００】
また、第３の絶縁層６６５として、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることもできる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１０１】
第３の絶縁層６６５上に配線６６６を形成する。配線６６６としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金を用いることができる。またこれらの元素、合金からなる単層または積層構造を用いることができる。図では、単層構造の例を示した。なお、配線６６６は、基板６００の上面に垂直な方向から見た場合に角部が丸くなるよう引き回すのが好ましい。引き回しの方法は図９（Ｂ）に示した方法と同様とすることができる。配線６６６を配線３０１３で示す。角部１２０１ｃに対して角部１２０２ｃの様に角部を丸くすることによって、ゴミ等が配線の角部に残るのを防止することができる。こうして、半導体装置のゴミによる不良を低減し歩留まりを高めることができる。配線３０１３は、コンタクトホール３０１４によって配線３０１１と接続される。図７（Ａ）乃至図７（Ｂ）に示した構成では、配線６６６は、薄膜トランジスタのソースやドレインと接続される配線となる。
【０１０２】
配線６６６上に第４の絶縁層６６９を形成する。第４の絶縁層６６９としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜の単層または積層構造を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法により形成された酸化珪素膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。
【０１０３】
また、第４の絶縁層６６９として、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることもできる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１０４】
第４の絶縁層６６９上に電極１３４を形成する。電極１３４としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金を用いることができる。またこれらの元素、合金からなる単層または積層構造を用いることができる。図では、単層構造の例を示した。
【０１０５】
図７で示した構成において、半導体集積回路１３３をフィルムで覆うことによって封止してもよい。該フイルムの表面は、二酸化珪素（シリカ）の粉末により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。つまり、耐湿性の機能を持たせることができる。また、該フイルムの表面に帯電防止の機能を持たせてもよい。また、該フイルムの表面は、炭素を主成分とする材料（例えば、ダイヤモンドライクカーボン）によりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、半導体装置の劣化や破壊を抑制することができる。また、フィルムは、基材の材料（例えば樹脂）と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混ぜ合わせた材料により形成してもよい。また、界面活性剤をフィルムの表面に塗る、もしくは界面活性剤をフィルムに直接練り込むことで帯電防止の機能を持たせることができる。
【０１０６】
半導体集積回路１３３とアンテナ１００とを電気的に接続する構成は、実施の形態３及び実施の形態４で示した構成と同様であるので、説明は省略する。
【０１０７】
上記構成の本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。
【０１０８】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例３】
【０１０９】
本発明の半導体装置が有する半導体集積回路１３３の具体的構成の一例及びその作製方法について、実施例２で示し構成とは別の構成を説明する。実施例２において図７に示した構成の半導体装置では、素子群６０１は基板６００上に形成されたものをそのまま使用した。しかし、基板６００上に形成した素子群６０１を基板６００から剥離し、当該素子群６０１をフレキシブル基板に貼り合わせてもよい。本実施例では、素子群６０１を基板６００から剥離しフレキシブル基板上に設ける方法について、図８を用いて説明する。
【０１１０】
図８（Ａ）に示すように、基板６００上に絶縁層７１１、剥離層７１２、絶縁層７１３を形成する。基板６００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の合成樹脂からなる可撓性を有する基板を用いても良い。基板の表面を、ＣＭＰ法などの研磨により平坦化しておいても良い。絶縁層７１１及び絶縁層７１３としては、気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法により形成した、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を用いることができる。剥離層７１２としては、スパッタリング法等により、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｉ等から選ばれた元素または該元素を主成分とする合金若しくは化合物材料を含む層を、単層で又は積層して形成する。なお、珪素を含む層は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでも良い。
【０１１１】
剥離層７１２が単層構造の場合、好ましくは、Ｗ、Ｍｏ、ＷとＭｏの混合物、Ｗの酸化物、Ｗの酸化窒化物、Ｍｏの酸化物、Ｍｏの酸化窒化物、ＷとＭｏの混合物の酸化物、ＷとＭｏの混合物の酸化窒化物のいずれかを含む層を用いることができる。
【０１１２】
剥離層７１２が２層の積層構造の場合、好ましくは、１層目として、Ｗ、Ｍｏ、ＷとＭｏの混合物のいずれかを含む層を用い、２層目として、Ｗの酸化物、Ｗの酸化窒化物、Ｍｏの酸化物、Ｍｏの酸化窒化物、ＷとＭｏの混合物の酸化物、ＷとＭｏの混合物の酸化窒化物のいずれかを含む層を用いることができる。これらの酸化物や酸化窒化物は、１層目の表面を酸素プラズマ処理、またはＮ２Ｏプラズマ処理することによって形成することができる。
【０１１３】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、絶縁層７１３上に半導体層６６２を形成して素子群６０１を形成する。素子群６０１の形成方法については、図７を用いて説明した方法と同様であるので説明は省略する。素子群６０１を形成した後、素子群６０１を覆う絶縁層７１４を形成する。絶縁層７１４としては、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の樹脂を用いることができる。絶縁層７１４は第４の絶縁層６６９に相当する。図８（Ｂ）では示していないが、アンテナ１００と素子群６０１の電気的接続をとるために、当該絶縁層７１４において配線６６６の一部が露呈するような開口部を設けておく。
【０１１４】
次に、図８（Ｃ）に示すように、少なくとも剥離層７１２の一部が露呈するような開口部７１５を形成する。開口部７１５は、レーザービームを照射することによって形成することができる。レーザーは、紫外領域である１５０〜３８０ｎｍの波長の固体レーザーを用いることができる。
【０１１５】
次に、図８（Ｄ）に示すように、接着層７１６によって絶縁層７１４上に基板７１７を貼り付ける。
【０１１６】
次に、図８（Ｅ）に示すように、基板６００から素子群６０１を剥離させる。基板６００から素子群６０１を剥離させる方法は、（Ａ）応力を加えることによって物理的に剥離する方法、（Ｂ）剥離層をエッチング剤により除去する方法、（Ｃ）剥離層をエッチング剤により部分的に除去し、その後物理的に剥離する方法のいずれを用いてもよい。
【０１１７】
図８（Ｅ）では、剥離層７１２と絶縁層７１３との界面で剥離されているが、これに限らず、剥離層７１２と絶縁層７１１との界面で剥離されても良いし、剥離層７１２自身が２つに分かれても良い。
【０１１８】
次いで、図８（Ｆ）のように、さらにフレキシブル基板７０１を接着剤によって素子群６０１に貼り合わせる。フレキシブル基板７０１は、可撓性を有し、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等のプラスチック基板を用いることができる。また、剥離した素子群６０１のフレキシブル基板７０１への貼り付けは、市販の接着剤を用いればよく、例えば、エポキシ樹脂系接着剤を用いればよい。
【０１１９】
次いで、図８（Ｇ）のように、素子群６０１をフレキシブル基板７０１に貼り付けた後、基板７１７を除去する。例えば、接着層７１６として加熱処理により接着力が低下する層を用い、加熱処理を行うことによって素子群６０１を基板７１７から剥離させることができる。こうしてフレキシブル基板７０１上に素子群６０１を設けることができる。
【０１２０】
こうして、素子群６０１をフレキシブル基板に設けることによって、厚さが薄く、軽く、落下しても割れにくい半導体装置が得られる。安価なフレキシブル基板を用いると、安価な半導体集積回路１３３を提供することができる。
【０１２１】
半導体集積回路１３３とアンテナ１００とを電気的に接続する手法は、実施の形態３及び実施の形態４で示した手法と同様であるので、説明は省略する。
【０１２２】
図８（Ｇ）で示した構成において、半導体集積回路１３３をフィルムで覆うことによって封止してもよい。該フイルムの表面は、二酸化珪素（シリカ）の粉末により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。つまり、耐湿性の機能を持たせることができる。また、該フイルムの表面に帯電防止の機能を持たせてもよい。また、該フイルムの表面は、炭素を主成分とする材料（例えば、ダイヤモンドライクカーボン）によりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、半導体装置の劣化や破壊を抑制することができる。また、フィルムは、基材の材料（例えば樹脂）と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混ぜ合わせた材料により形成してもよい。また、フィルムに界面活性剤を表面に塗る、もしくは界面活性剤を直接練り込むことで帯電防止の機能を持たせることができる。
【０１２３】
本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。
【０１２４】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１、実施例２と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例４】
【０１２５】
本発明の半導体装置が有する半導体集積回路１３３の具体的構成の一例及びその作製方法について、実施例２や実施例３で示し構成とは別の構成を説明する。説明には図１０を用いる。なお、図１乃至図８と同じ部分は同じ符号を用いて示す。実施例２や実施例３において、薄膜トランジスタを用いて素子群６０１を形成した構成を示した。本実施例は、シリコンウエハー等の半導体基板に形成されたトランジスタ（単結晶トランジスタ）を用いて素子群６０１を形成した例である。
【０１２６】
図１０（Ａ）は、図７（Ａ）に示した構成における薄膜トランジスタを単結晶トランジスタに置き換えた例である。図１０（Ｂ）は、図７（Ｂ）に示した構成における薄膜トランジスタを単結晶トランジスタに置き換えた例である。
【０１２７】
半導体基板７４０に導電型を付与する不純物元素を添加することによって、チャネル形成領域６６２ａと一対の不純物領域６６２ｂと、不純物領域６６２ｂよりも低濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域６６２ｃを形成する。また、絶縁層７４１を設けることによって複数の素子間を絶縁している。なお、図１０では低濃度不純物領域６６２ｃを有する構成を示したがこれに限定されず低濃度不純物領域６６２ｃを設けない構成であってもよい。半導体基板７４０としては、例えば、単結晶シリコンの結晶軸〈１００〉または〈１１０〉近傍と垂直な表面を有する単結晶シリコン基板において、当該基板の厚さを０．１μｍより厚く２０μｍ以下、代表的には１μｍ以上５μｍ以下の厚さに研磨したものを用いることができる。
【０１２８】
本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。
【０１２９】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１乃至実施例３と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例５】
【０１３０】
本実施例では、本発明のアンテナを用い、アンテナを介した無線通信によりデータが入出力される半導体装置（以下、ＲＦＩＤとも呼ぶ）について説明する。また、ＲＦＩＤを用いた無線通信システムについて説明する。
【０１３１】
図１３（Ａ）に、ＲＦＩＤ３０００と、ＲＦＩＤ３０００と無線通信によってデータの交信を行うリーダ／ライタ（図１３中、Ｒ／Ｗ２２０１と表記）とを有する無線通信システムの構成を示す。ＲＦＩＤ３０００は、アンテナ２２０２と、アンテナ２２０２と信号の入出力を行う回路部２２０３とを有する。アンテナ２２０２として本発明のアンテナ１００を用いることができる。Ｒ／Ｗ２２０１は、アンテナ２２０６と、アンテナ２２０６と信号の入出力を行う回路部２２０７とを有する。ＲＦＩＤ３０００とＲ／Ｗ２２０１とは、アンテナ２２０２とアンテナ２２０６とによって、変調された搬送波（無線信号ともいう）を送受信することによりデータの入出力を行う。回路部２２０３は、アナログ部２２０４及びデジタル部２２０５を有する。アナログ部２２０４は、アンテナ２２０２と信号の入出力を行う。デジタル部２２０５は、アナログ部２２０４と信号の入出力を行う。
【０１３２】
図１３（Ｂ）に、アナログ部２２０４及びデジタル部２２０５の構成を示す。アナログ部２２０４は、共振容量２５０１と、帯域フィルタ２５０２と、電源回路２５０３と、復調回路２５０６と、変調回路２５０７とを有する。共振容量２５０１は、アンテナ２２０２が所定の周波数の信号を受信し易くするように設けられている。デジタル部２２０５は、コード抽出回路２３０１と、コード判定回路２３０２と、巡回冗長検査回路（図１３中、ＣＲＣ回路２３０３と表記）と、メモリ回路２３０５と、制御回路２３０４とを有する。
【０１３３】
ＲＦＩＤ３０００がデータを受信する場合について説明する。アンテナ２２０２から入力された変調された搬送波は、帯域フィルタ２５０２によってノイズを除去され、電源回路２５０３及び復調回路２５０６に入力される。電源回路２５０３は、整流回路及び保持容量を有する。帯域フィルタ２５０２を介して入力された変調された搬送波は、整流回路によって整流され、更に保持容量によって平滑化される。こうして、電源回路２５０３は直流電圧を生成する。電源回路２５０３において生成された直流電圧は電源電圧として、ＲＦＩＤ３０００が有する回路部２２０３内の各回路に供給される。なお、電源回路２５０３から出力される電源電圧は、定電圧回路（レギュレータ）を介して回路部２２０３内の各回路に供給されてもよい。帯域フィルタ２５０２を介して入力された変調された搬送波は、復調回路２５０６によって復調され、復調された信号はデジタル部２２０５に入力される。アナログ部２２０４から入力された信号、即ち、変調された搬送波を復調回路２５０６によって復調した信号は、コード抽出回路２３０１に入力され、信号の有するコードが抽出される。コード抽出回路２３０１の出力は、コード判定回路２３０２に入力され、抽出されたコードが解析される。解析されたコードは、ＣＲＣ回路２３０３に入力され、送信エラーを識別するための演算処理が行われる。こうして、ＣＲＣ回路２３０３は受信データに誤りがあるか否かを制御回路２３０４に出力する。なお、復調回路２５０６の出力を用いて信号に同期した所定の周波数のクロックを生成する位相同期回路を有していてもよい。位相同期回路としては、フェーズ・ロックド・ループ回路（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ回路：ＰＬＬ回路）を用いることができる。
【０１３４】
次いで、ＲＦＩＤ３０００がデータを送信する場合について説明する。メモリ回路２３０５は、コード判定回路２３０２から入力される信号に応じて、記憶された固有識別子（ＵＩＤ）を制御回路２３０４に出力する。メモリ回路は、メモリと、当該メモリからのデータの読み出しを制御するメモリコントローラとを有する。メモリとして、マスクＲＯＭを用いることができる。ＣＲＣ回路２３０３は、送信データに対応するＣＲＣ符号を計算し、制御回路２３０４に出力する。制御回路２３０４は送信データにＣＲＣ符号を付加する。また、制御回路２３０４は、送信データにＣＲＣ符号が付加されたデータを符号化する。更に、制御回路２３０４は、符号化された情報を、所定の変調方式に対応して搬送波を変調するための信号に変換する。制御回路２３０４の出力は、アナログ部２２０４の変調回路２５０７に入力される。変調回路２５０７は、入力された信号に応じて搬送波を負荷変調し、アンテナ２２０２に出力する。
【０１３５】
本実施の形態は、実施の形態、実施例１乃至実施例４と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例６】
【０１３６】
本実施例では、本発明の半導体装置の半導体集積回路１３３が有するメモリ（図１３中、メモリ回路２３０５の有するメモリに相当）の作製方法について説明する。メモリとしてマスクＲＯＭを用いる例を説明する。
【０１３７】
マスクＲＯＭは複数のトランジスタで形成され、マスクＲＯＭを構成するトランジスタは、フォトリソグラフィを用いて形成される。その際、トランジスタ上に形成された層間絶縁膜において、トランジスタの例えばドレイン領域と接続する配線用のコンタクトホールを開口するか開口しないか選択する。こうして、異なるデータを書き込むことができる。例えば開口する場合は１、開口しない場合は０のデータを、メモリセルに書き込むことが可能である。
【０１３８】
フォトレジストを露光する工程において、ステッパなどの露光装置を用いてレチクル（フォトマスク）を通して露光する工程の前又は後に、上記コンタクトホールが開口される領域上のフォトレジストに電子ビーム又はレーザーを照射する。その後、通常どおり現像、エッチング、フォトレジストの剥離などの工程をおこなう。こうすることで、レチクル（フォトマスク）を交換せずに、電子ビーム又はレーザーの照射領域を選択するのみで、上記コンタクトホールを開口するパターンと開口しないパターンをつくり分けることができる。すなわち、レチクル（フォトマスク）を変えることなく、電子ビーム又はレーザーの照射領域を選択することで、半導体装置毎に異なるデータが書き込まれたマスクＲＯＭを作製することが可能となる。
【０１３９】
このようなマスクＲＯＭの作製方法を用いることによって、製造時に半導体装置毎に固有識別子（ＵＩＤ：Ｕｎｉｑｕｅ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）を設定することが可能となる。異なるＵＩＤを設定する場合においても、レチクル（フォトマスク）を変える必要がないので、より低コストで半導体装置を作製することが可能となる。
【０１４０】
なお、本発明の半導体装置の半導体集積回路１３３は、マスクＲＯＭのかわりに、追記が可能なメモリを有していてもよいし、書き換え可能なメモリを有していてもよい。また、マスクＲＯＭとこれらのメモリの両方を有していてもよい。
【０１４１】
本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。
【０１４２】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１乃至実施例５と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例７】
【０１４３】
本実施例では、無線通信によってデータが入出力される半導体装置（ＲＦＩＤ）における、無線通信の搬送波について説明する。
【０１４４】
搬送波の周波数は、サブミリ波である３００ＧＨｚ以上３ＴＨｚ以下、ミリ波である３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ未満、マイクロ波である３ＧＨｚ以上３０ＧＨｚ未満、極超短波である３００ＭＨｚ以上３ＧＨｚ未満、超短波である３０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ未満、短波である３ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ未満、中波である３００ＫＨｚ以上３ＭＨｚ未満、長波である３０ＫＨｚ以上３００ＫＨｚ未満、及び超長波である３ＫＨｚ以上３０ＫＨｚ未満のいずれの周波数も用いることができる。例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数の搬送波を用いてもよいし、２．４５ＧＨｚの周波数の搬送波を用いてもよい。
【０１４５】
アンテナ１００の形状、即ち、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４の形状は、搬送波の周波数に応じて変えることができる。また、アンテナ１００の形状、即ち、第１のパターン１０２及び第２のパターン１０４の形状は、無線通信の伝送方式に応じて変えることができる。例えば、電磁誘導方式を用いる場合はコイル状とし、マイクロ波方式を用いる場合はダイポール状とすることができる。
【０１４６】
本発明の半導体装置は、低抵抗で、歩留まりを高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。
【０１４７】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１乃至実施例６と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例８】
【０１４８】
本実施例では、本発明の半導体装置の用途について図１１を用いて説明する。本発明の半導体装置３００は、アンテナ１００を有し、アンテナ１００を介した無線通信によってデータが入出力されることを特徴とする。半導体装置３００は、例えば、紙幣、硬貨、有価証券、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１１（Ａ）参照）に設けて使用することができる。また、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１１（Ｂ）参照）に設けて使用することもできる。ＤＶＤソフトやＣＤやビデオテープ等の記録媒体（図１１（Ｃ）参照）に設けて使用することもできる。車やバイクや自転車等の乗物類（図１１（Ｄ）参照）に設けて使用することもできる。鞄や眼鏡等の身の回り品（図１１（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することもできる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、テレビジョン装置（単にテレビまたはテレビ受像器とも呼ぶ）および携帯電話機等を指す。
【０１４９】
半導体装置３００は、物品の表面に貼り付けたり、物品に埋め込んだりして物品に固定することができる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に半導体装置３００を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に半導体装置３００を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に半導体装置３００を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に半導体装置３００を埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。
【０１５０】
本発明の半導体装置３００は、低抵抗で、歩留まりが高く、且つ信頼性が高いアンテナ１００を用いるので、通信距離を長く、コストを低く、信頼性を高くすることができる。よって、半導体装置３００は多種多様なものに設けて使用することができる。。
【０１５１】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１乃至実施例７と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例９】
【０１５２】
本実施例では、本発明の半導体装置３００を用いた無線通信システムの一形態について、図１２を用いて説明する。表示部９５２１を含む端末９５２０には、アンテナ及び当該アンテナに接続されたリーダライタが設けられている。物品Ａ９５３２には本発明の半導体装置３００が設けられ、物品Ｂ９５２２にも本発明の半導体装置３００が設けられている。図１２（Ａ）では、物品Ａや物品Ｂの一例として内服薬を示した。物品Ａ９５３２が含む半導体装置３００に端末９５２０のアンテナをかざすと、表示部９５２１に物品Ａ９５３２の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴、商品の説明等の商品に関する情報が表示される。物品Ｂ９５２２が含む半導体装置３００に端末９５２０のアンテナをかざすと、表示部９５２１に物品Ｂ９５２２の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴、商品の説明等の商品に関する情報が表示される。
【０１５３】
図１２（Ａ）に示すシステムを利用したビジネスモデルの一例を示す。説明には図１２（Ｂ）のフローチャートを用いる。端末９５２０において、アレルギーの情報を入力しておく（第１のステップ４００１）。アレルギーの情報とは、所定の人物がアレルギー反応を起こす医薬品またはその成分等の情報である。端末９５２０に設けられたアンテナによって、前述のとおり物品Ａ９５３２である内服薬Ａの情報を取得する（第２のステップ４００２）。内服薬Ａの情報には内服薬Ａの成分等の情報が含まれる。アレルギーの情報と取得した内服薬Ａの成分等の情報とを比較し、一致するか否かを判断する（第３のステップ４００３）。一致する場合、所定の人物は内服薬Ａに対してアレルギー反応を起こす危険性があるとし、端末９５２０の使用者に注意を呼びかける（第４のステップ４００４）。一致しない場合、所定の人物は内服薬Ａに対してアレルギー反応を起こす危険性が少ないとし、端末９５２０の使用者にその旨（安全である旨）を知らせる（第５のステップ４００５）。第４のステップ４００４や第５のステップ４００５において、端末９５２０の使用者に情報を知らせる方法は、端末９５２０の表示部９５２１に表示を行う方法であっても良いし、端末９５２０のアラーム等を鳴らす方法であっても良い。
【０１５４】
また、別のビジネスモデルの例を図１２（Ｃ）に示す。端末９５２０に、同時に服用すると危険な内服薬または同時に服用すると危険な内服薬の成分の組み合わせの情報（以下、組み合わせの情報という）を入力しておく（第１のステップ４１０１）。端末９５２０に設けられたアンテナによって、前述のとおり物品Ａ９５３２である内服薬Ａの情報を取得する（第２のステップ４１０２）。内服薬Ａの情報には内服薬Ａの成分等の情報が含まれる。次いで、端末９５２０に設けられたアンテナによって、前述のとおり物品Ｂ９５２２である内服薬Ｂの情報を取得する（第３のステップ４１０３）。内服薬Ｂの情報には内服薬Ｂの成分等の情報が含まれる。こうして、複数の内服薬の情報を取得する。組み合わせの情報と取得した複数の内服薬の情報とを比較し、一致するか否か、即ち、同時に使用すると危険な内服薬の成分の組み合わせが有るか否かを判断する（第４のステップ４１０４）。一致する場合、端末９５２０の使用者に注意を呼びかける（第５のステップ４１０５）。一致しない場合、端末９５２０の使用者にその旨（安全である旨）を知らせる（第６のステップ４１０６）。第５のステップ４１０５や第６のステップ４１０６において、端末９５２０の使用者に情報を知らせる方法は、端末９５２０の表示部９５２１に表示を行う方法であっても良いし、端末のアラーム等を鳴らす方法であっても良い。
【０１５５】
本発明の半導体装置は、通信距離を長くし、コストを低くし、更に信頼性を高めることができる。そのため、当該半導体装置を用いた無線通信システムに本発明を適用することによって、無線通信システムの適用範囲を広げることができる。
【０１５６】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例１乃至実施例８と自由に組み合わせて実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】実施の形態１の構成を示す図。
【図２】実施の形態２の構成を示す図。
【図３】実施の形態３の構成を示す図。
【図４】実施の形態４の構成を示す図。
【図５】実施の形態４の構成を示す図。
【図６】実施例１の構成を示す図。
【図７】実施例２の構成を示す図。
【図８】実施例３の構成を示す図。
【図９】実施例２の構成を示す図。
【図１０】実施例４の構成を示す図。
【図１１】実施例８の構成を示す図。
【図１２】実施例９の構成を示す図。
【図１３】実施例５の構成を示す図。
【図１４】実施の形態１の構成を示す図。
【符号の説明】
【０１５８】
１００  アンテナ
１０１  第１の基板
１０２  第１のパターン
１０３  第２の基板
１０４  第２のパターン
１０５  異方性導電材料
１０６  第１の絶縁表面
１０７  第２の絶縁表面
１０８  導電性の粒子
１０９  領域
１３０  コンタクトホール
１３１  電極
１３２  異方性導電材料
１３３  半導体集積回路
１３４  電極
１３５  導電性の粒子
１６０  周辺部分
３００  半導体装置
４０１  周辺部分
６００  基板
６０１  素子群
６６１  下地層
６６２  半導体層
６６２ａ  チャネル形成領域
６６２ｂ  不純物領域
６６２ｃ  低濃度不純物領域
６６３  第１の絶縁層
６６４  ゲート電極
６６５  第３の絶縁層
６６６  配線
６６７  第２の絶縁層
６６７ａ  サイドウォール
６６９  第４の絶縁層
７０１  フレキシブル基板
７１１  絶縁層
７１２  剥離層
７１３  絶縁層
７１４  絶縁層
７１５  開口部
７１６  接着層
７１７  基板
７４０  半導体基板
７４１  絶縁層
１２０１ａ  角部
１２０１ｂ  角部
１２０１ｃ  角部
１２０２ａ  角部
１２０２ｂ  角部
１２０２ｃ  角部
２２０１  Ｒ／Ｗ
２２０２  アンテナ
２２０３  回路部
２２０４  アナログ部
２２０５  デジタル部
２２０６  アンテナ
２２０７  回路部
２５０１  共振容量
２５０２  帯域フィルタ
２５０３  電源回路
２５０６  復調回路
２５０７  変調回路
２３０１  コード抽出回路
２３０２  コード判定回路
２３０３  ＣＲＣ回路
２３０４  制御回路
２３０５  メモリ回路
３０００  ＲＦＩＤ
３０１１  配線
３０１２  配線
３０１３  配線
３０１４  コンタクトホール
４００１  第１のステップ
４００２  第２のステップ
４００３  第３のステップ
４００４  第４のステップ
４００５  第５のステップ
４１０１  第１のステップ
４１０２  第２のステップ
４１０３  第３のステップ
４１０４  第４のステップ
４１０５  第５のステップ
４１０６  第６のステップ
９５２１  表示部
９５２０  端末
９５３２  物品Ａ
９５２２  物品Ｂ
【図１】
2007181187.tif 000003
【図２】
2007181187.tif 000004
【図３】
2007181187.tif 000005
【図４】
2007181187.tif 000006
【図５】
2007181187.tif 000007
【図７】
2007181187.tif 000008
【図８】
2007181187.tif 000009
【図９】
2007181187.tif 000010
【図１０】
2007181187.tif 000011
【図１１】
2007181187.tif 000012
【図１２】
2007181187.tif 000013
【図１３】
2007181187.tif 000014
【図１４】
2007181187.tif 000015
【図６】
2007181187.tif 000016