(57)【要約】【課題】  車載用電子機器の制御データが記憶されるＲＡＭが電源電圧の瞬断などによりリセットされても、リセット前の制御状態に正しく復帰することができる車載用電子機器制御装置を提供する。【解決手段】  車載用電子機器４０に指令すべき動作状態を示す制御データを、制御用にＲＡＭ１２の主制御メモリ１２ａに記憶するとともに、主制御メモリ１２ａに記憶されるデータをバックアップとして不揮発性メモリ２０の主復帰用固定メモリ２０ａ及びＲＡＭ１２のバックアップメモリ１２ｂに記憶し、バックアップメモリ１２ｂ内のバックアップ制御データを保護しつつ主制御メモリ１２ａをリセットするセミリセット処理が行なわれた後には、バックアップメモリ１２ｂの制御データを用いて車載用電子機器４０を動作復帰させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するＲＡＭ内に形成され、車載用電子機器に指令すべき動作状態を示す制御データを、制御状態の推移に対応させる形で更新しつつ記憶する主制御メモリと、
前記主制御メモリ内の前記制御データに基づいて前記車載用電子機器を動作制御する機器動作制御手段と、
不揮発性メモリ内に形成され、前記主制御メモリ内の制御データがＲＡＭリセットにより消去された場合に前記車載用電子機器を動作復帰させるための、主復帰用制御データが書き込まれる主復帰用固定メモリと、
前記ＲＡＭ内にて該主制御メモリとは別に設けられ、該主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーしたバックアップ制御データが前記主制御メモリとともに更新しつつ書き込まれるバックアップメモリと、
前記ＲＡＭの電源電圧を監視するとともに、前記電源電圧が予め定められた全リセット電圧未満に降下した場合は、前記主制御メモリを含めて前記ＲＡＭの記憶内容を全リセットし、前記電源電圧が、前記全リセット電圧よりは高く、かつ予め定められたセミリセット電圧未満に降下した場合は、前記バックアップメモリ内の前記バックアップ制御データを保護しつつ、前記主制御メモリをリセットするセミリセット処理を行なうＲＡＭリセット手段と、
前記電源電圧が、前記全リセット状態から電圧復帰した場合は前記リセット復帰用制御データを用いて前記車載用電子機器を動作復帰させる一方、前記セミリセット状態から電圧復帰した場合は前記バックアップ制御データを用いて前記車載用電子機器を動作復帰させるリセット復帰手段と、
を有することを特徴とする車載用電子機器制御装置。
【請求項２】
前記主復帰用固定メモリが形成される前記不揮発性メモリは、前記車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するとともに、書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定され、かつ、該電源電圧が前記ＲＡＭの記憶内容を全リセットする全リセット電圧未満に低下した場合においても記憶内容を保持するＥＥＰＲＯＭとされ、前記主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーした内容が前記主復帰用制御データとして書き込まれる請求項１記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項３】
前記車載用電子機器は、モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、互いに異なる複数の動作状態のいずれかに順次切り替えるものとして構成され、
前記主制御メモリは、前記操作スイッチへの操作が検出される毎に、記憶された前記制御データが次に切り替えるべき動作状態に対応した内容に書き換え更新されるとともに、
前記機器動作制御手段は、前記主制御メモリ内の前記制御データに基づいて前記車載用電子機器の動作状態を切り替える切り替え制御手段である請求項１又は請求項２に記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項４】
前記車載用電子機器はハザードランプであり、前記モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、点滅動作状態と消灯状態とが交互に切り替わるものである請求項３記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項５】
請求項２に記載の要件を備え、前記主制御メモリを構成するＲＡＭは、前記切り替え制御手段及び前記リセット復帰手段として機能するマイコンのＣＰＵに内部バスを介して接続されたものであり、前記主復帰用固定メモリを構成する前記ＥＥＰＲＯＭは、シリアル通信線を介して前記マイコンに接続されたものである請求項４記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項６】
前記ＥＥＰＲＯＭの電源電圧を監視するとともに、該電源電圧が予め定められた書込保障下限電圧よりも高い場合は前記主制御メモリ内の制御データを前記主復帰用固定メモリに書き込む一方、前記電源電圧が前記書込保障下限電圧より低下した場合は、前記主制御メモリ内の制御データを前記バックアップメモリに書き込む前記制御データバックアップ手段を有する請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項７】
前記制御データバックアップ手段は、前記電源電圧が前記書込保障下限電圧よりも低下した場合に、前記主復帰用固定メモリの書換えを禁止する請求項６記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項８】
前記電源電圧が前記書込保障下限電圧よりも高く確保されている状態において、前記主制御メモリ内の制御データは、前記主復帰用固定メモリとともに前記バックアップメモリにも書き込まれ、
前記リセット復帰手段は、前記セミリセット状態から復帰する場合において、前記バックアップメモリ内に前記制御データが書き込まれている場合には、必ず該バックアップメモリの記憶内容に基づいて前記動作復帰を行なう請求項２ないし請求項７のいずれか１項に記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項９】
前記リセット復帰手段は、前記セミリセット状態から復帰する場合において、前記バックアップメモリ内に前記制御データが書き込まれていない場合には、前記主復帰用固定メモリ内の制御データに基づいて前記主制御メモリの記憶内容を復元する請求項８記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項１０】
前記リセット復帰手段は、前記セミリセット状態から前記書込保障下限電圧よりも高電圧まで復帰した場合において、前記バックアップメモリ内の前記バックアップ制御データを用いて前記主制御メモリ及び前記主復帰用固定メモリの内容を更新する請求項２ないし請求項９のいずれか１項に記載の車載用電子機器制御装置。
【請求項１１】
前記バックアップメモリが前記ＲＡＭ内にて先頭アドレスの固定されたメモリ領域に設定されている請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の車載用電子機器制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車載用電子機器の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特願２００２−３４７５４１号公報
【０００３】
近年の車載用電子機器の制御装置には、車載用バッテリーから所定の電圧閾値以上の電圧供給を受けた状態で記憶内容の書き換えが可能とされ、電圧供給が遮断されても記憶内容が保持されるＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリと制御部とが接続されてなるものが存在する（例えば特許文献１）。
【０００４】
こうした制御装置の制御部は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を有する周知のマイコンにより構成されており、ＣＰＵがＲＯＭに格納された車載用電子機器を制御する制御プログラムをＲＡＭのワークメモリを使用する形で実行することにより、車載用電子機器の動作制御がなされる。ところが、通常のＲＡＭは、バッテリー電圧が低下した状態が続いている中で瞬断等が生じた場合、供給される電圧が予め定められた記憶内容保持電圧よりも下回ると、リセット処理が実行されて記憶内容がクリアされる。この場合、電圧が復帰したとしても、ＲＡＭ内に記憶されていた制御データはクリアされているので、車載用電子機器の動作状態を電圧瞬断直前の状態に戻すことは不可能となる。
【０００５】
そのため、不揮発性メモリに、ＲＡＭに記憶される制御データをバックアップしておき、電圧低下によりＲＡＭのリセット処理が実行された場合には、電圧復帰後に不揮発性メモリにバックアップデータした値をＲＡＭに書き込むことで、ＲＡＭリセット前の車載用電子機器の動作制御状態を再現する技術が既に存在している。
【０００６】
例えば、ハザードランプをモーメンタリー型の操作スイッチの操作により点灯制御（点滅動作状態と消灯状態との間での交互切り替え）を行なう制御装置として、車載用バッテリーの電圧低下によるＲＡＭリセットに備え、スイッチ操作が切り替えられる毎に、ハザードランプの動作制御指令情報を不揮発性メモリに記憶し、そして、ＲＡＭリセット後の復帰処理時には、不揮発性メモリに記憶された動作制御指令情報をＲＡＭに読み出し、リセット直前のハザードランプの点灯制御状態を再現するものが存在している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、一般的に、こうした不揮発性メモリには、ＲＡＭの記憶内容保持電圧より高い電圧レベルにて書込保障下限電圧が設定されており、これを下回った場合には、ソフトウェアにより不揮発性メモリへの記憶が禁止される。不揮発性メモリへの書き換えは、通信線を介してデータを転送する必要があるためデータの記憶までに時間がかかり、電源をなす車載用バッテリーにおいて低電圧状態が続くような状況下では、例えば電圧瞬断等により書込保障下限電圧を瞬間的に下回ってデータの記憶が確実に行なえない可能性があり、ＲＡＭのバックアップとして機能できない場合がある。
【０００８】
具体的には、上記のようなハザードランプの点灯制御を行なう制御装置の場合において、車載用バッテリーの低電圧時にスイッチ操作が行なわれても、動作制御用にＲＡＭのワークメモリに記憶される制御データが不揮発性メモリに正しくバックアップ（記憶）されず、ＲＡＭと不揮発性メモリとの間でデータの不一致が生じてしまう可能性がある。こうした状況下で電圧瞬断等によりＲＡＭの記憶内容保持電圧を下回るところまで電源電圧が低下し、ＲＡＭリセットが実行されると、その復帰処理後、ハザードランプの点灯状態が電圧瞬断前とは異なる状態で再開される可能性がある。例えば、電圧瞬断前にハザードランプが点滅動作状態であったものが電圧瞬断により消灯状態となってしまう場合や、あるいはその逆の場合もあり、こうした場合、ユーザーによる操作スイッチの再操作が必要となってしまう。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、車載用電子機器の制御データが記憶されるＲＡＭが電源電圧の瞬断などによりリセットされても、リセット前の制御状態に正しく復帰することができる車載用電子機器制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の車載用電子機器制御装置は、
車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するＲＡＭ内に形成され、車載用電子機器に指令すべき動作状態を示す制御データを、制御状態の推移に対応させる形で更新しつつ記憶する主制御メモリと、
主制御メモリ内の制御データに基づいて車載用電子機器を動作制御する機器動作制御手段と、
不揮発性メモリ内に形成され、主制御メモリ内の制御データがＲＡＭリセットにより消去された場合に車載用電子機器を動作復帰させるための、主復帰用制御データが書き込まれる主復帰用固定メモリと、
ＲＡＭ内にて該主制御メモリとは別に設けられ、該主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーしたバックアップ制御データが主制御メモリとともに更新しつつ書き込まれるバックアップメモリと、
ＲＡＭの電源電圧を監視するとともに、電源電圧が予め定められた全リセット電圧未満に降下した場合は、主制御メモリを含めてＲＡＭの記憶内容を全リセットし、電源電圧が、全リセット電圧よりは高く、かつ予め定められたセミリセット電圧未満に降下した場合は、バックアップメモリ内のバックアップ制御データを保護しつつ、主制御メモリをリセットするセミリセット処理を行なうＲＡＭリセット手段と、
電源電圧が、全リセット状態から電圧復帰した場合はリセット復帰用制御データを用いて車載用電子機器を動作復帰させる一方、セミリセット状態から電圧復帰した場合はバックアップ制御データを用いて車載用電子機器を動作復帰させるリセット復帰手段と、
を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明によると、全リセット電圧までは到達しない比較的低い軽微な寸断時（セミリセット時）に限って記憶内容を保持できるバックアップメモリをＲＡＭ内に確保し、ここにカレントの制御データ（主制御メモリ内の制御データ）をバックアップコピーしたバックアップ制御データを書き込むようにしている。そして、電子機器の制御ワークメモリとなるＲＡＭが寸断等によりリセットされたときの復帰用制御データは、不揮発性メモリ内に予め用意された主復帰用制御データの他、このバックアップ制御データも活用することができる。バックアップ制御データは、ＲＡＭの記憶保持が物理的に不能となるような大規模な寸断が起きれば、ＲＡＭが全リセットされるので失われ、不揮発性メモリ内の主復帰用制御データほどのリセット耐性は有していない。しかし、軽微な寸断であればセミリセットとなり、寸断直前の状態を示すバックアップ制御データがバックアップメモリ内に残されているので、これを用いて動作復帰させることができる。例えば、主復帰用制御データが寸断直前の制御状態を示すものでない場合（例えば、マスクＲＯＭに記憶された固定制御状態（後述のハザードランプの場合は、例えば点灯状態：リセット復帰後は必ずハザード点灯状態として復帰させることができる）においても、セミリセット時に限っては、ＲＡＭ内のバックアップメモリから、確実に寸断前の動作状態に復帰することができる。
【００１２】
また、上記本発明の構成において、主復帰用固定メモリが形成される不揮発性メモリは、車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するとともに、書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定され、かつ、該電源電圧がＲＡＭの記憶内容を全リセットする全リセット電圧未満に低下した場合においても記憶内容を保持するＥＥＰＲＯＭとされ、主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーした内容が主復帰用制御データとして書き込まれるものとできる。
【００１３】
この構成であれば、前述のバックアップ制御データと同様の寸断直前の状態を示す制御データが、主復帰用制御データとしてＥＥＰＲＯＭ内に更新しつつ残されているので、これを用いれば、全リセット時においても、寸断直前の状態に制御復帰することができる。また、バッテリー電圧降下によりＥＥＰＲＯＭへの主復帰用制御データの更新書込が不能となった場合においても、その後の瞬断がセミリセットに留まる場合は、ＲＡＭ側のバックアップ制御データにより、寸断直前の状態へ同様に制御復帰できる。また、ＥＥＰＲＯＭの電源電圧が低下して主復帰用制御データの更新が不能となっている場合においても、ＲＡＭ側のバックアップ制御データにより、寸断直前の状態へ同様に制御復帰できる。なお、ＥＥＰＲＯＭはフラッシュメモリを概念として含む。
【００１４】
また、上記本発明の構成における車載用電子機器は、モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、互いに異なる複数の動作状態のいずれかに順次切り替えるものとして構成され、主制御メモリは、操作スイッチへの操作が検出される毎に、記憶された制御データが次に切り替えるべき動作状態に対応した内容に書き換え更新されるとともに、機器動作制御手段は、主制御メモリ内の制御データに基づいて車載用電子機器の動作状態を切り替える切り替え制御手段であるとすることができる。
【００１５】
モーメンタリー型のスイッチが操作スイッチとして使用されている場合、スイッチの操作付勢状態はユーザーが操作力を解除すれば解消されてしまうので、操作履歴をスイッチの物理状態として保持することができない。従って、モーメンタリー型のスイッチを用いる場合は、操作履歴と制御状態との間に一義的な対応関係を定めておき、スイッチ付勢による例えば信号レベルの変化エッジ検出により操作の有無を検出するとともに、上記の対応関係に従って対応する制御状態を、制御データの形でワークメモリ（ＲＡＭ：主制御メモリ）に記憶しておく必要がある。この場合、そのＲＡＭにリセットがかかると、スイッチの物理状態から操作履歴を復元できないので、リセット直前の機器の制御状態も失われてしまう。しかし、本発明の適用により、上記のようなモーメンタリー型のスイッチを用いる場合でも、ＲＡＭリセット状態からの制御復帰を問題なく行なうことができる。
【００１６】
また、上記本発明の構成において、車載用電子機器はハザードランプであり、モーメンタリー型の操作スイッチへの操作が検出される毎に、点滅動作状態と消灯状態とが交互に切り替わるものとできる。モーメンタリー型のスイッチにより操作される電子機器がハザードランプである場合、本発明の適用により、ＲＡＭリセットにより、リセット前に動作していたハザードランプがリセット後に消えてしまう不具合を効果的に抑制できる。
【００１７】
また、この場合、主復帰用固定メモリが形成される不揮発性メモリは、車載用バッテリー電圧を直接的な電源電圧とする形で動作するとともに、書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定され、かつ、該電源電圧がＲＡＭの記憶内容を全リセットする全リセット電圧未満に低下した場合においても記憶内容を保持するＥＥＰＲＯＭとされ、主制御メモリ内の制御データをバックアップコピーした内容が主復帰用制御データとして書き込まれるものとされ、さらに、主制御メモリを構成するＲＡＭは、切り替え制御手段及びリセット復帰手段として機能するマイコンのＣＰＵに内部バスを介して接続されたものであり、主復帰用固定メモリを構成するＥＥＰＲＯＭは、シリアル通信線を介してマイコンに接続されたものとできる。
【００１８】
書込処理等に時間を要するＥＥＰＲＯＭを、シリアル通信線を介して外付けする構成では、主復帰用制御データの更新処理に時間はかかるが、機器動作制御手段を構成するマイコン（ＥＣＵ）への処理負担は確実に減らすことができる。そして、モーメンタリー型のスイッチの操作状態は、人為的操作により大きな時間スパンで変化するため、主復帰用制御データの更新に時間がかかってもそれほど問題は表面化しない。なお、ウィンカー使用時の片消灯状態も「消灯状態」の概念に含む。
【００１９】
また、上記本発明の構成は、ＥＥＰＲＯＭの電源電圧を監視するとともに、該電源電圧が予め定められた書込保障下限電圧よりも高い場合は主制御メモリ内の制御データを主復帰用固定メモリに書き込む一方、電源電圧が書込保障下限電圧より低下した場合は、主制御メモリ内の制御データをバックアップメモリに書き込む制御データバックアップ手段を有するものとできる。この構成によると、電源電圧が書込保障下限電圧よりも高ければ、ＥＥＰＲＯＭの主復帰用固定メモリに制御データをリセット耐性の高い形で書き込むことができ、書込保障下限電圧よりも低下した場合はバックアップメモリを用いて復帰用の制御データを保護することができる。
【００２０】
また、この場合の制御データバックアップ手段は、電源電圧が書込保障下限電圧よりも低下した場合に、主復帰用固定メモリの書換えを禁止するものとできる。この構成によると、電源電圧が書込保障下限電圧よりも下がった場合に、ＥＥＰＲＯＭへの書込動作が禁止されるので、主復帰用固定メモリ内に動作不安定等に基づいて誤った内容の制御データが書き込まれる心配が無くなる。
【００２１】
上記本発明の構成では、電源電圧が書込保障下限電圧よりも高く確保されている状態において、主制御メモリ内の制御データは、主復帰用固定メモリとともにバックアップメモリにも書き込まれ、リセット復帰手段は、セミリセット状態から復帰する場合において、バックアップメモリ内に制御データが書き込まれている場合には、必ず該バックアップメモリの記憶内容に基づいて動作復帰を行なうものとできる。ＥＥＰＲＯＭの電源電圧とは無関係にバックアップメモリにバックアップ制御データを書き込むようにし、セミリセット復帰時においてバックアップ制御データが存在する場合は、必ずそのバックアップ制御データで動作復帰するように構成することで、電源異常以外のトラブルでＥＥＰＲＯＭに主復帰用制御データが書き込めなかった（あるいは読み出せない）場合などにおいても、セミリセットからの復帰であれば問題なく動作復帰することができる
【００２２】
また、この場合のリセット復帰手段は、セミリセット状態から復帰する場合において、バックアップメモリ内に制御データが書き込まれていない場合には、主復帰用固定メモリ内の制御データに基づいて主制御メモリの記憶内容を復元するものとできる。この構成によると、バックアップメモリ内に制御データが記憶されない場合においても、主復帰用固定メモリ内の制御データを基に動作復帰を果たすことができる。
【００２３】
また、上記本発明の構成において、リセット復帰手段は、セミリセット状態から書込保障下限電圧よりも高電圧まで復帰した場合において、バックアップメモリ内のバックアップ制御データを用いて主制御メモリ及び主復帰用固定メモリの内容を更新することができる。セミリセット状態から、電源電圧が書込保障下限電圧よりも高電圧まで復帰していれば、主復帰用固定メモリの書き換えは正常に行なうことができる。ところが、主復帰用固定メモリには、セミリセット前に書き換えが禁止され、記憶内容がセミリセット直前の制御状態を反映していない可能性がある。上記構成によると、セミリセット復帰時に、主制御メモリと主復帰用固定メモリの双方の記憶内容が、セミリセット直前の制御状態を反映した制御データに更新されるので、例えば、セミリセット復帰直後にＲＡＭの全リセットがなされても、全リセット復帰後には、主復帰用固定メモリに記憶された制御データにより、先のセミリセット直前の制御状態を再現できる。
【００２４】
また、本発明におけるバックアップメモリを、ＲＡＭ内にて先頭アドレスの固定されたメモリ領域に設定することができる。この構成によると、ＲＡＭ内のバックアップメモリ内の制御データの有無を、固定アドレス化されたメモリ領域内のサムチェック等により簡単に確認できる。また、機器動作制御手段を実現するアプリケーションにて、主制御メモリがリロケータブルに設定されている場合も、バックアップメモリの記憶内容で主制御メモリを動作復帰用に復元する場合、その復元処理を単純化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る車載用電子機器制御装置の電気的ブロック図の概略を示す図である。図１の車載用電子機器制御装置１００は、制御部を構成するマイコン１０と、このマイコン１０とシリアル通信線１８を解して接続される不揮発性の外部記憶装置２０とを備えて構成されたＥＣＵであり、これらマイコン１０及び外部記憶装置２０は車載用バッテリー電圧ＶＢを直接的な電源電圧とする形で動作する。
【００２６】
このマイコン１０は、本実施形態においては、車載用電子機器４０の動作制御を司る制御部（制御回路）である。図１に示すように、ＣＰＵ１１、ワークメモリ１２ａを備えるＲＡＭ１２、各種プログラムを記憶するＲＯＭ１３、内部バス１４、入出力部（図中では「Ｉ／Ｏ」と表示）１５、他のＥＣＵ２００等と接続されるシリアル通信バス１５０に接続される通信インターフェース（図中では「Ｉ／Ｆ」と表示）１０６、及び外部記憶装置（本実施形態ではＥＥＰＲＯＭ）２０とシリアル通信線１８を介して接続される通信インターフェース１７を備えて構成される。
【００２７】
入出力部１５には、モーメンタリー型の操作スイッチ３０と、車載用電子機器４０に接続されたコントローラ４１とが接続されている。また、入出力部１５のＡ／Ｄ変換ポートには、車載用バッテリー電圧ＶＢの電圧を検出するための電圧検出信号が入力されており、マイコン１０は入力された電圧信号により車載用バッテリー電圧ＶＢを監視している。つまり、車載用バッテリー電圧ＶＢの電圧を検出して電圧検出信号を出力する回路部が電源電圧検知手段として機能し、マイコン１０はその電圧検出信号により電源電圧ＶＢを監視する電源電圧監視手段として機能している。
【００２８】
モーメンタリー型の操作スイッチ３０は、プッシュロック式の操作スイッチのように、ユーザーの付勢操作によって、車載用電子機器４０の動作状態を直接的に切り替え制御するレベル制御信号を切り替えるものではなく、ユーザーの付勢操作によって車載用電子機器４０の動作状態を変更するトリガーとなる信号のみを発生させるものである。発生したトリガー信号はマイコン１０に入力される。
【００２９】
車載用電子機器４０は、操作スイッチ３０からのトリガー信号が入力部１５に入力される毎に、互いに異なる複数の動作状態が順次切り替えられるようマイコン１０により制御される。マイコン１０からのレベル信号の入力を受け、入力された制御レベル信号の信号レベルに対応する動作状態に制御される。また、入力される制御レベル信号の信号レベルが切り替わると、車載用電子機器４０の動作状態もこれに応じて切り替わる。本実施形態における車載用電子機器４０は車両左右で対をなすハザードランプであり、ハザードコントローラ４１に入力されるマイコン１０からの制御レベル信号が切り替えられることで、コントローラ４１は、その制御レベル信号の信号レベルに応じて、ハザードランプ４０に対し該ハザードランプを点滅動作させる点滅制御信号、あるいは該ハザードランプを消灯させる消灯制御駆動信号のいずれかを出力する。これにより、ハザードランプ４０は、点滅動作状態と消灯状態との２種の間で切り替えられる。なお、ハザードランプの動作制御（点灯制御）には、ウィンカー使用時の片点滅点灯状態及び片消灯状態とする制御も含まれる。
【００３０】
外部記憶装置２０は、本実施形態では不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ（Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory）として構成されている。このＥＥＰＲＯＭ２０は、メモリ記憶値が「１」と「０」との間で二値切替え可能とされたメモリセルの集合からなるものであり、車載用バッテリー電圧ＶＢを直接的な電源電圧とする形で動作する。書込時の動作電圧が読出時の動作電圧よりも高く設定されており、該電源電圧ＶＢがＲＡＭ１２の記憶内容を全リセットする全リセット電圧Ｖ０未満に低下した場合においても記憶内容が保持することができる。消去モードにおいては、全メモリセルを一括して「１」とする形でのみ消去処理が可能であり、書込モードにあっては、任意のメモリセルを「１」から「０」へ変更する処理は可能であって、「０」から「１」へ変更する処理は不能である。
【００３１】
このＥＥＰＲＯＭ２０には、後述するワークメモリ１２ａ内の制御データをバックアップコピーした内容が主復帰用制御データとして書き込まれる復帰用メモリ領域（主復帰用固定メモリ）２０ａが形成されている。主復帰用制御データは、ワークメモリ１２ａ内の制御データが後述するＲＡＭリセットプログラム１３ａの実行により消去された場合に、車載用電子機器４０を動作復帰させるために使用されるものである。なお、復帰用メモリ領域２０ａは、必ずしもマイコン１０の外部に設けられたデータ記憶領域に設定される必要はなく、マイコン１０内のデータ記憶領域に定められてもよい。
【００３２】
ＲＡＭ１２は、車載用バッテリー電圧ＶＢを直接的な電源電圧とする形で動作するものであり、車載用電子機器４０に指令すべき動作状態を示す制御データが、制御状態の推移に対応した形で更新される形で記憶されるワークエリア（主制御メモリ）１２ａと、ワークエリア１２ａとは別に設けられ、該ワークエリア１２ａ内の制御データをバックアップコピーしたバックアップ制御データを記憶するバックアップメモリ領域（バックアップメモリ）１２ｂとが形成されている。ワークエリア１２ａは、操作スイッチ３０への操作が検出される毎に、記憶された制御データが次に切り替えるべき動作状態に対応した内容に書き換え更新される。バックアップメモリ領域１２ｂは、ワークエリア１２ａが更新される毎に、対応するバックアップ制御データが書き換え更新される。
【００３３】
このバックアップメモリ領域１２ｂは、ＲＡＭ１２内にて先頭アドレスの固定されたメモリ領域として設定されている。これにより、ＲＡＭ内のバックアップメモリ内の制御データの有無を、固定アドレス化されたメモリ領域内のサムチェック等により簡単に確認できる。なお、ワークメモリ１２ａはＲＡＭ１２内にてリロケータブルに設定されるものであってもよい。
【００３４】
また、ＲＯＭ１３には、ＲＡＭ１２のリセット処理（初期化処理）を実行するＲＡＭリセットプログラム１３ａと、そのリセット処理後に車載用電子機器４０の動作制御（ハザードランプの点灯制御）を復帰させるリセット後復帰プログラム１３ｂと、操作スイッチ３０からのトリガー信号の有無を監視するスイッチ操作監視プログラム１３ｃと、ハザードランプ４０側に指令すべき動作状態を示す制御データを、ＥＥＰＲＯＭ２０の復帰用メモリ領域２０ａやバックアップ用にＲＡＭ１２のバックアップメモリ領域１２ｂに記憶するハザード点灯状態記憶プログラム１３ｄと、ハザードランプ４０の点灯状態を点滅点灯状態と消灯状態との２種間で切り替えるハザード点灯制御プログラム１３ｅとを格納している。以下、これらのプログラム１３ａ〜１３ｅの詳細を、図２〜図６に示すフローチャートを用いて説明する。
【００３５】
まず、スイッチ操作監視プログラム１３ｃについて説明する。スイッチ操作監視プログラム１３ｃは、図２に示すように、まず、Ｓ１１では、Ｓ１２において操作スイッチ３０の操作に伴い発生するトリガー信号が検知されるまで待機状態を保つ。トリガー信号は、操作スイッチ３０からマイコン１０に入力される信号電圧の、スイッチ操作に伴い発生する信号のエッジ信号である。このエッジが検知されるとＳ１３に進む。Ｓ１３では、現在ワークメモリ１２ａに記憶されている制御データを、予め定められた他の制御データに切り替える。具体的に、現在ワークメモリ１２ａに記憶されている制御データが、ハザードランプ４０に点滅点灯状態を指令する制御データである場合には、ハザードランプ４０に消灯状態を指令する制御データに書き換え、逆に、消灯状態を指令する制御データが記憶されている場合には、点滅点灯状態を指令する制御データに書き換える。そして、Ｓ１３後、本プログラム１３ｃを終了する。なお、このプログラム１３ｃは、プログラム終了後も繰り返し実行される。このスイッチ操作監視プログラム１３ｃは、ＣＰＵ１１により実行されることで、操作スイッチ３０への操作の検出するスイッチ操作検出手段として機能する。
【００３６】
ハザード点灯状態記憶プログラム１３ｄについて説明する。ハザード点灯状態記憶プログラム１３ｄは、図３に示すように、ＥＥＰＲＯＭ２０に供給される車載用バッテリー電圧ＶＢを監視し、Ｓ２１にて、その電圧ＶＢをリードし、Ｓ２２にて、リードした電圧ＶＢが予め定められたＥＥＰＲＯＭ２０の書込保障下限電圧Ｖ２よりも高いか否かを判定する。書込保障下限電圧Ｖ２とは、ＥＥＰＲＯＭ２０において確実にデータの書き換えを行なうことができるとされる、予め定められた電圧下限値である。電圧ＶＢが書込保障下限電圧Ｖ２より高い場合には、Ｓ２３及びＳ２４にて、ＲＡＭ１２のワークメモリ１２ａ内の制御データがＥＥＰＲＯＭ２０の復帰用メモリ領域２０ａとＲＡＭ１２のバックアップメモリ領域１２ｂとの双方に書き込まれる。一方、電圧ＶＢが書込保障下限電圧Ｖ２より低下している場合には、ＥＥＰＲＯＭ２０の復帰用メモリ領域２０ａへの書換えが禁止され、Ｓ２５にて、ＲＡＭ１２のワークメモリ１２ａ内の制御データはＲＡＭ１２のバックアップメモリ領域１２ｂのみに記憶される。Ｓ２４又はＳ２５が終了すると、本プログラム１３ｄは終了する。なお、このプログラム１３ｄは、終了後も繰り返し実行される。このハザード点灯状態記憶プログラム１３ｄは、ＣＰＵ１１により実行されることで、バッテリー電圧ＶＢの電圧レベルに応じて、制御データをバックアップ用にＲＡＭの記憶領域１２ｂやＥＥＰＲＯＭ２０の記憶領域２０ａに記憶する制御データバックアップ手段、及び電圧ＶＢが書込保障下限電圧Ｖ２より低下した場合に、不揮発性メモリの書き換えを禁止する書換禁止手段として機能する。
【００３７】
ハザード点灯制御プログラム１３ｅについて説明する。ハザード点灯制御プログラム１３ｅは、図４に示すように、まず、Ｓ３１にて、ＲＡＭ１２のワークエリア１２ａから制御データをリードし、Ｓ３２にて、リードした制御データが示すハザードランプ４０の点灯状態（動作状態）が、点滅動作を示すものであるか否かを判定する。点滅動作を示すものであった場合には、Ｓ３３にて、マイコン１０がハザードコントローラ４１に対し、ハザードランプ４０を点滅動作させる制御レベル信号を出力し、ハザードランプ４０が点滅動作するよう制御される。一方、リードした制御データが点滅動作を示すものでなかった場合には、Ｓ３４にて、マイコン１０がハザードコントローラ４１に対し、ハザードを消灯させる制御レベル信号を出力し、ハザードランプ４０が消灯するよう制御される。Ｓ３３又はＳ３４が終了すると、本プログラム１３ｅは終了する。なお、このプログラム１３ｅは、終了後も繰り返し実行される。このハザード点灯制御プログラム１３ｅは、ＣＰＵ１１により実行されることで、バッテリー電圧ＶＢの電圧レベルに応じて、ワークメモリ１２ａ内の制御データに基づいて車載用電子機器４０を動作制御する機器動作制御手段、及びワークメモリ１２ａ内の制御データに基づいて車載用電子機器４０の動作状態を切り替える切り替え制御手段として機能する。
【００３８】
以上述べたように、上記プログラム１３ｃ、１３ｄ、１３ｅが実行されることで、マイコン１０は、ハザードランプ４０の動作制御指令情報（制御データ）をＲＡＭ１２のワークエリア１２ａに記憶し、この動作制御指令情報に基づいてハザードランプ４０の制御レベル信号を出力して、ハザードランプ４０の点灯制御を実行する。
【００３９】
ところが、ＲＡＭ１２のワークエリア１２ａに記憶される動作制御指令情報（制御データ）は、ＲＡＭ１２のリセット処理により記憶内容がクリアされる可能性がある。このため、動作制御指令情報（制御データ）は、ＲＡＭ１２のワークエリア１２ａ以外の記憶領域にも、バックアップ用として記憶されている。以下、ＲＡＭ１２をリセットするＲＡＭリセットプログラム１３ａについて説明する。
【００４０】
ＲＡＭリセットプログラム１３ａは、図５に示すように、まず、Ｓ１０１にて車載用バッテリー電圧ＶＢに係る値をリードする。続いてＳ１０２では、リードしたその電圧ＶＢが、セミリセットを行なうべき電圧レベルまで降下したか否かを判定する。ＲＡＭのリセットに関しては、ＲＡＭ１２の記憶内容を全リセットするための電圧閾値である全リセット電圧Ｖ０と、全リセット電圧Ｖ０よりも高くＥＥＰＲＯＭ２０の書込保障下限電圧Ｖ２よりは低く定められ、バックアップメモリ領域１２ｂ内のバックアップ制御データを保護しつつ、ワークメモリ１２ａのみをリセットするセミリセット処理のための電圧閾値であるセミリセット電圧Ｖ１とが設定されているので、Ｓ１０２では、リードした電圧ＶＢが、セミリセット電圧Ｖ１未満に降下したか否かにより判定を行う。降下していない場合には、全リセット処理及びセミリセット処理のいずれを行なうことなく本プログラム１３ａを終了する。一方、降下していた場合には、Ｓ１０３に進む。Ｓ１０３では、Ｓ１０１にてリードした電圧ＶＢが、全リセット電圧Ｖ０未満に降下したか否かを判定する。降下している場合には、Ｓ１０４及びＳ１０５にて上記全リセット処理を行ない、本プログラム１３ａを終了する。一方、降下していない場合には、Ｓ１０６及びＳ１０７にて上記セミリセット処理を行ない、本プログラム１３ａを終了する。全リセット処理及びセミリセット処理は、リセット対象となる記憶領域に対し、ベリファイチェックを行なった上で、リセット対象記憶領域のゼロクリアを実施する形で行なわれる。なお、このプログラム１３ａは、終了後も繰り返し実行される。このＲＡＭリセットプログラム１３ａは、ＣＰＵ１１により実行されることで、上記全リセット処理及び上記セミリセット処理を実行するＲＡＭリセット手段として機能する。
【００４１】
なお、このＲＡＭリセットプログラム１３ａは、車載用バッテリー電圧ＶＢの低下を定期的に監視する形で実行されるだけでなく、他の要因でマイコン１０の入出力部１５に外部からのリセット信号が入力されて実行されるものであってもよい。
【００４２】
そして、ＲＡＭリセットが実行された後には、リセット状態からの復帰処理が実行される。全リセット処理が実行された場合には、バッテリー電圧ＶＢが電圧復帰したときに、ＥＥＰＲＯＭ２０の復帰用メモリ領域２０ａに記憶されたリセット復帰用制御データを用いて車載用電子機器４０を動作復帰させる。
【００４３】
セミリセット処理後に、バッテリー電圧ＶＢが電圧復帰した場合は、バックアップ制御データを用いて車載用電子機器４０が動作復帰する。具体的には、図６に示すリセット後復帰プログラム１３ｂを実行して復帰処理が行なわれる。リセット後復帰プログラム１３ｂは、まずＳ１１１にて、ＲＡＭ１２のバックアップメモリ領域１２ｂにバックアップ制御データが正しく書き込まれているか否かを、例えばサムチェックやミラーチェック等を実行して判定する。正しく書き込まれたものが存在する場合は、Ｓ１１２にてこのバックメモリ領域１２ｂに記憶されたバックアップ制御データを用いてワークメモリ１２ａの記憶内容を復元し、車載用電子機器４０を動作復帰させる。なお、このとき、バッテリー電圧ＶＢがセミリセット状態から書込保障下限電圧Ｖ２よりも高電圧まで復帰した場合には、バックアップメモリ１２ｂ内のバックアップ制御データを用いてワークメモリ１２ａだけでなく、ＥＥＰＲＯＭ２０の復帰用メモリ領域２０ａの内容も更新して、後の全リセット処理に対応可能な状況としておく。一方、正しく書き込まれていなかった場合は、Ｓ１１３にてＥＥＰＲＯＭ２０の復帰用メモリ領域２０ａに記憶されたリセット復帰用制御データを用いてワークメモリ１２ａの記憶内容を復元し、車載用電子機器４０を動作復帰させる。
【００４４】
なお、このプログラム１３ｂは、ＣＰＵ１１により、セミリセット処理実行後に実行されるものであり、車載用電子機器４０を動作復帰させるリセット復帰手段として機能する。
【００４５】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、次の実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。上記実施形態においては、車載用電子機器としてハザードランプを例示しているが、これに限られるものではなく、例えば、上記バックアップ方式が採用可能なものであれば、どのような電子機器や機能であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の車載用電子機器制御装置の一実施形態の電気的構成を示すブロック図。
【図２】スイッチ操作監視処理の流れを説明するフローチャート。
【図３】ハザード点灯状態記憶処理の流れを説明するフローチャート。
【図４】ハザード点灯制御処理の流れを説明するフローチャート。
【図５】ＲＡＭリセット処理の流れを説明するフローチャート。
【図６】リセット後復帰処理の流れを説明するフローチャート。
【符号の説明】
【００４７】
１００  車載用電子機器制御装置
１０  マイコン（制御部）
１１  ＣＰＵ（機器動作制御手段（切り替え制御手段）、ＲＡＭリセット手段、リセット復帰手段、制御データバックアップ手段）
１２  ＲＡＭ
１２ａ  ワークメモリ（主制御メモリ１２ａ）
１２ｂ  バックアップメモリ領域（バックアップメモリ１２ｂ）
１３  ＲＯＭ
２０  ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）
２０ａ  復帰用メモリ領域（主復帰用固定メモリ２０ａ）
３０  モーメンタリー型の操作スイッチ
４０  車載用動作機器（ハザードランプ）
ＶＢ  車載用バッテリー電圧
Ｖ０  全リセット電圧
Ｖ１  セミリセット電圧
Ｖ２  書込保障下限電圧Ｖ２
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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