(57)【要約】【課題】液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供する。【解決手段】キャリッジ２０に搭載された反射ミラー２７が、半導体レーザＬＤの出射したレーザ光Ｌｅをパターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿って照射位置Ｐｅに導く。また、制御装置が、パターン形成面４Ｓａに着弾した液滴Ｆｂを走査方向に沿って走査し、照射位置Ｐｅに位置する液滴Ｆｂの端部にレーザ光Ｌｅを入射する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成材料を液滴にして基板に吐出し、前記基板に着弾した前記液滴を乾燥して前記液滴からなるパターンを前記基板に形成するようにしたパターン形成方法において、
前記基板に着弾した前記液滴の端部に前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を照射し、前記液滴を乾燥するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
パターン形成材料を液滴にして基板に吐出し、前記基板に着弾した前記液滴を乾燥して前記液滴からなるパターンを前記基板に形成するようにしたパターン形成方法において、
前記基板に着弾した前記液滴が半球面状を呈するときに前記液滴の中心に向けてレーザ光を照射し、前記液滴を乾燥するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載のパターン形成方法において、
前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を前記液滴の中心に向けて照射して前記液滴を乾燥するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
パターン形成材料を液滴にして基板に吐出する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置において、
前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を前記基板に向けて照射するレーザ照射手段と、
前記基板を一方向に沿って前記液滴吐出ヘッドと前記レーザ照射手段とに対して相対的に走査する走査手段と、
前記基板に着弾した前記液滴の端部が前記レーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液滴吐出装置において、
前記走査手段は、前記基板を前記一方向と前記一方向の逆方向に沿って相対的に走査し、
前記レーザ照射手段は、略前記一方向と前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光を前記基板に向けて照射し、
前記制御手段は、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の端部が略前記一方向に沿うレーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御し、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向の逆方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の端部が前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の液滴吐出装置において、
前記制御手段は、前記基板に着弾した液滴が半球面状を呈するときに、前記液滴の端部が前記レーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
パターン形成材料を液滴にして基板に吐出する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置において、
前記基板に向けてレーザ光を照射するレーザ照射手段と、
前記基板を一方向に沿って前記液滴吐出ヘッドと前記レーザ照射手段とに対して相対的に走査する走査手段と、
前記基板に着弾した液滴が半球面状を呈するときに、前記液滴の中心が前記レーザ光の照射位置に位置するように、前記走査手段を駆動制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液滴吐出装置において、
前記レーザ照射手段は、前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を照射することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の液滴吐出装置において、
前記走査手段は、前記基板を前記一方向と前記一方向の逆方向に沿って相対的に走査し、
前記レーザ照射手段は、略前記一方向と前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光を前記基板に向けて照射し、
前記制御手段は、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の中心が略前記一方向に沿うレーザ光の照射位置に位置するように前記走査手段を駆動制御し、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向の逆方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の中心が前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光の照射位置に位置するように前記走査手段を駆動制御することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１０】
請求項４〜９のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記液滴吐出ヘッドを搭載するキャリッジを備え、
前記レーザ照射手段は、
前記キャリッジに搭載されて前記レーザ光を出射する半導体レーザと、
前記キャリッジに搭載されて前記半導体レーザの出射したレーザ光を前記液滴に照射する照射光学系と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１１】
請求項４〜１０のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記パターン形成材料は、金属微粒子の分散した金属インクであって、
前記基板は、低温焼成セラミック基板であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１２】
基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された金属配線と、を備えた回路モジュールにおいて、
前記金属配線は、請求項４〜１１のいずれか１つに記載の液滴吐出装置によって形成されたことを特徴とする回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子などの電子部品を搭載する回路モジュールには、ガラスセラミックからなる低温焼成セラミックス多層基板（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ多層基板）を有するものが知られている。ＬＴＣＣ多層基板は、積層したグリーンシートを９００℃以下の低温で焼成できるため、内部配線に銀や金などの低融点金属を使用することができ、内部配線の低抵抗化を図ることができる。
【０００３】
こうしたＬＴＣＣ多層基板の製造工程では、金属ペーストや金属インクを利用し、積層する前の各グリーンシート上に配線パターンを描画する。この描画方法として、特許文献１は、金属インクを微小な液滴にして吐出する、いわゆるインクジェット法を提案している。インクジェット法は、微小な液滴を接合して配線パターンを描画するため、内部配線の設計変更（例えば、内部配線の高密度化や配線幅及び配線ピッチの狭小化）に対して迅速に対応することができる。
【特許文献１】特開２００５−５７１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、グリーンシートに着弾した液滴は、グリーンシートの表面状態や液滴の表面張力に基づいて、サイズや形状などを経時的に変動する。サイズや形状の変動する液滴は、乾燥するタイミングに応じて、配線パターンのサイズを規定する。例えば、外径が３０μｍの金属インクからなる液滴は、親液性のグリーンシートに着弾して１００ミリ秒を経過すると、外径を７０μｍに拡張し、２００ミリ秒を経過すると、外径をさらに１００μｍにする。そのため、液滴の乾燥タイミングが、１００ミリ秒後〜２００ミリ秒後の範囲でばらつくと、対応する配線パターンの線幅が約７０μｍ〜１００μｍの範囲でばらつく。
【０００５】
そこで、こうした液滴の乾燥方法には、パターンサイズのばらつきを抑制させるため、グリーンシートに着弾した液滴にレーザ光を照射するレーザ乾燥が提案されている。レーザ乾燥では、レーザ光の照射領域のみで液滴の乾燥処理を行う。そのため、着弾した液滴の乾燥タイミングを高い精度で制御させることができ、パターンサイズのばらつきを抑制させることができる。
【０００６】
しかしながら、インクジェット法に使用する液滴吐出装置では、一般的に、液滴の着弾精度を確保するため、液滴吐出ヘッドと対象物との間の間隙を数百μｍに狭くしている。そのため、着弾直後の液滴、すなわち液滴吐出ヘッドの直下に位置する液滴を乾燥する場合には、液滴吐出ヘッドと対象物との間の狭い間隙に、対象物の略接線方向に沿ったレーザ光を照射しなければならない。この結果、対象物に形成するレーザ光の光断面（ビームスポット）が拡大し、液滴を乾燥させるために必要なレーザ光の強度を確保できなくなる。そのため、液滴の乾燥不足を招いて、パターンの形成不良を来たす虞があった。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料を液滴にして基板に吐出し、前記基板に着弾した前記液滴を乾燥して前記液滴からなるパターンを前記基板に形成するようにしたパターン形成方法において、前記基板に着弾した前記液滴の端部に前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を照射し、前記液滴を乾燥するようにした。
【０００９】
本発明のパターン形成方法によれば、基板に着弾した液滴の端部が、基板の略接線方向、すなわち液滴表面の法線方向に近いレーザ光を受ける。よって、液滴に入射するレーザ光が、液滴の頂部などから入射する場合に比べて、その液滴表面における反射量を減少させることができる。この結果、液滴に対するレーザ光の吸収効率を向上させることができ、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００１０】
本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料を液滴にして基板に吐出し、前記基板に着弾した前記液滴を乾燥して前記液滴からなるパターンを前記基板に形成するようにしたパターン形成方法において、前記基板に着弾した前記液滴が半球面状を呈するときに前記液滴の中心に向けてレーザ光を照射し、前記液滴を乾燥するようにした。
【００１１】
本発明のパターン形成方法によれば、略半球面状を呈する液滴が、その液滴表面の略法線方向に沿うレーザ光を受ける。よって、液滴に入射するレーザ光が、液滴表面における反射量を減少させることができる。この結果、液滴に対するレーザ光の吸収効率を向上させることができ、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００１２】
また、このパターン形成方法において、前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を前記液滴の中心に向けて照射して前記液滴を乾燥するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、液滴の領域上に各種部材（例えば、液滴を吐出する液滴吐出ヘッド）が位置する場合であっても、照射するレーザ光を、同部材に遮蔽されることなく液滴の領域に導くことができる。そして、レーザ光を液滴表面の略法線方向から照射する分だけ、液滴の乾燥効率を向上させることができる。よって、基板の適用範囲や液滴吐出装置の装置構成に関する自由度などを制約させることなく、パターンの形成不良を低減させることができる。
【００１３】
本発明の液滴吐出装置は、パターン形成材料を液滴にして基板に吐出する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置において、前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を前記基板に向けて照射するレーザ照射手段と、前記基板を一方向に沿って前記液滴吐出ヘッドと前記レーザ照射手段とに対して相対的に走査する走査手段と、前記基板に着弾した前記液滴の端部が前記レーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御する制御手段と、を備えた。
【００１４】
本発明の液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段が、基板の略接線方向に沿うレーザ光を基板に着弾した液滴の端部に入射する。よって、基板に着弾した液滴の端部には、液滴表面の略法線方向に沿うレーザ光が入射する。この結果、液滴に入射するレーザ光が、液滴表面における反射量を減少させ、液滴に対するレーザ光の吸収効率を向上させることができる。そのため、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００１５】
また、この液滴吐出装置は、前記走査手段が、前記基板を前記一方向と前記一方向の逆方向に沿って相対的に走査し、前記レーザ照射手段が、略前記一方向と前記一方向の略逆
方向に沿うレーザ光を前記基板に向けて照射し、前記制御手段が、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の端部が略前記一方向に沿うレーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御し、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向の逆方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の端部が前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御するようにしてもよい。
【００１６】
この液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段が、一方向と、該一方向の逆方向に相対的に走査される液滴の端部に対し、該液滴の略走査方向に沿うレーザ光を入射する。よって、液滴の走査方向と該液滴に対するレーザ光の入射方向を略同一方向にすることができる。この結果、液滴の乾燥効率を、より高い再現性の下で向上させることができ、液滴からなるパターンの形成不良を、より確実に低減させることができる。
【００１７】
また、この液滴吐出装置において、前記制御手段は、前記基板に着弾した液滴が半球面状を呈するときに、前記液滴の端部が前記レーザ光の領域に位置するように前記走査手段を駆動制御するようにしてもよい。
【００１８】
この液滴吐出装置によれば、基板の略接線方向に沿うレーザ光が、半球面状を呈する液滴の端部に入射する。よって、液滴の端部に対応する液滴表面には、その略法線方向からのレーザ光が入射する。この結果、液滴に照射したレーザ光が、液滴表面における反射量を、さらに減少させ、液滴に対するレーザ光の吸収効率を、より確実に向上させることができる。
【００１９】
本発明の液滴吐出装置は、パターン形成材料を液滴にして基板に吐出する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置において、前記基板に向けてレーザ光を照射するレーザ照射手段と、前記基板を一方向に沿って前記液滴吐出ヘッドと前記レーザ照射手段とに対して相対的に走査する走査手段と、前記基板に着弾した前記液滴が半球面状を呈するときに、前記液滴の中心が前記レーザ光の照射位置に位置するように、前記走査手段を駆動制御する制御手段と、を備えた。
【００２０】
本発明の液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段が、半球面状を呈する液滴に対して、その中心に向かうレーザ光を入射する。よって、半球面状を呈する液滴には、液滴表面の略法線方向に沿ってレーザ光が入射する。この結果、液滴に入射するレーザ光が、液滴表面における反射量を減少させることができ、液滴に対するレーザ光の吸収効率を向上させることができる。そのため、液滴の乾燥効率を向上させ、液滴からなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００２１】
また、この液滴吐出装置において、前記レーザ照射手段は、前記基板の略接線方向に沿うレーザ光を照射してもよい。
この液滴吐出装置によれば、レーザ光が、基板の略接線方向に沿って照射される。そのため、着弾した液滴が液滴吐出ヘッドと対向する領域で半球面状を呈する場合であっても、レーザ光が液滴表面の略法線方向に沿って入射する。よって、着弾直後の液滴を乾燥させることができ、パターンの形状やサイズの自由度を拡大させることができる。
【００２２】
また、この液滴吐出装置は、前記走査手段が、前記基板を前記一方向と前記一方向の逆方向に沿って相対的に走査し、前記レーザ照射手段が、略前記一方向と前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光を前記基板に向けて照射し、前記制御手段が、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向に沿って前記レーザ照射手段に対して相対移動するときに、前記液滴の中心が略前記一方向に沿うレーザ光の照射位置に位置するように前記走査手段を駆動制御し、前記基板に着弾した前記液滴を前記一方向の逆方向に沿って前記レーザ照射手段に
対して相対移動するときに、前記液滴の中心が前記一方向の略逆方向に沿うレーザ光の照射位置に位置するように前記走査手段を駆動制御するようにしてもよい。
【００２３】
この液滴吐出装置によれば、レーザ照射手段が、一方向と、該一方向の逆方向に相対的に走査される液滴の端部に対し、該液滴の略走査方向に沿うレーザ光を入射する。よって、液滴の走査方向と該液滴に対するレーザ光の入射方向を略同一方向にすることができる。この結果、液滴の乾燥効率を、より高い再現性の下で向上させることができ、液滴からなるパターンの形成不良を、より確実に低減させることができる。
【００２４】
また、この液滴吐出装置において、前記液滴吐出ヘッドを搭載するキャリッジを備え、前記レーザ照射手段は、前記キャリッジに搭載されて前記レーザ光を出射する半導体レーザと、前記キャリッジに搭載されて前記半導体レーザの出射したレーザ光を前記液滴に照射する照射光学系と、を備えてもよい。
【００２５】
この液滴吐出装置によれば、キャリッジに搭載した液滴吐出ヘッドが、基板に向けて液滴を吐出し、同キャリッジに搭載した半導体レーザと照射光学系が、基板に着弾した液滴の領域に向けてレーザ光を照射する。よって、液滴の着弾位置に対して、レーザ光の相対位置を維持することができる。そのため、着弾した液滴の端部や半球面状を呈する液滴の中心を、より確実に、レーザ光の照射位置に位置させることができる。この結果、液滴表面の法線方向に沿うレーザ光を、より確実に、液滴の領域に照射させることができる。さらには、液滴吐出装置の小型化や軽量化を図ることができる。
【００２６】
また、この液滴吐出装置において、前記パターン形成材料は、金属微粒子の分散した金属インクであって、前記基板は、低温焼成セラミック基板であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、レーザ光が、低温焼成セラミック基板上に着弾した金属インクの液滴の領域を照射し、液滴表面における反射量を減少させる。よって、金属インクの乾燥効率を向上させることができ、金属インクからなるパターン（例えば、低温焼成セラミック基板の配線パターンや素子パターン）の形成不良を低減させることができる。
【００２７】
本発明の回路モジュールは、基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された金属配線と、を備えた回路モジュールにおいて、前記金属配線は、上記液滴吐出装置によって形成された。
【００２８】
本発明の回路モジュールによれば、金属配線の形成不良を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図７に従って説明する。まず、本発明の回路モジュール１について説明する。
図１において、回路モジュール１には、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、そのＬＴＣＣ多層基板２の上側に、ワイヤーボンディング接続あるいはフリップチップ接続された複数の半導体チップ３と、が備えられている。
【００３０】
ＬＴＣＣ多層基板２には、シート状に形成された複数の低温焼成セラミック基板（以下単に、絶縁層４という。）が積層されている。各絶縁層４は、それぞれガラスセラミック系材料（例えば、ホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミック成分の混合物）からなる焼結体であり、その厚みが数百μｍで形成されている。
【００３１】
各絶縁層４の層間には、抵抗素子や容量素子、コイル素子などの各種の回路素子５と、各回路素子５を電気的に接続する金属配線としての複数の内部配線６と、が形成されている。各回路素子５と各内部配線６は、それぞれ銀や銀合金などの金属微粒子の焼結体であ
って、本発明の液滴吐出装置１０を利用して形成される。各絶縁層４の層内には、スタックビア構造やサーマルビア構造を呈するビア配線７が形成され、各回路素子５や各内部配線６を層間で電気的に接続する。各ビア配線７は、各回路素子５や各内部配線６と同じく、銀や銀合金などの金属微粉末の焼結体である。
【００３２】
次に、上記ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法について図２に従って説明する。
図２において、まず、絶縁層４を切出し可能にする基板としてのグリーンシート４Ｓにパンチ加工やレーザ加工を施し、ビアホール７Ｈを打抜き形成する。次いで、グリーンシート４Ｓに金属ペーストを用いたスクリーン印刷を複数回施し、ビアホール７Ｈの中に金属ペーストを充填し、金属ペーストからなるビアパターン７Ｆを形成する。次いで、金属ナノ微粒子を水系溶媒に分散させたパターン形成材料としての金属インクＦ（本実施形態では、水系銀インク）を用いて、グリーンシート４Ｓの上面（以下単に、パターン形成面４Ｓａという。）にインクジェット印刷を施す。
【００３３】
詳述すると、パターン形成面４Ｓａであって、回路素子５及び内部配線６を形成するための領域（以下単に、パターン形成領域という。）に金属インクＦの液滴Ｆｂを吐出し、パターン形成領域に着弾した液滴Ｆｂを乾燥する。そして、この吐出動作と、乾燥動作と、を繰り返し、パターン形成領域に対応する素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画する。この際、パターン形成領域に着弾した液滴Ｆｂの乾燥は、着弾した液滴Ｆｂにレーザ光Ｌｅを入射することによって行う。
【００３４】
グリーンシート４Ｓに素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ及びビアパターン７Ｆを形成すると、複数のグリーンシート４Ｓを一括して積層し、ＬＴＣＣ多層基板２に対応する領域を積層体４Ｂとして切り出して焼成する。すなわち、グリーンシート４Ｓ、素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ及びビアパターン７Ｆを一括積層し、同時に焼成する。これによって、絶縁層４、回路素子５、内部配線６及びビア配線７を有したＬＴＣＣ多層基板２を形成する。
【００３５】
次に、上記素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画するための液滴吐出装置１０について図３に従って説明する。図３は、液滴吐出装置１０を示す全体斜視図である。
図３において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を備えている。基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形成されている。案内溝１２の上方には、案内溝１２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動する走査手段としてのステージ１３が備えられている。ステージ１３の上面には、載置部１４が形成され、上記パターン形成面４Ｓａを上側にしたグリーンシート４Ｓを載置する。載置部１４は、載置された状態のグリーンシート４Ｓをステージ１３に対して位置決め固定し、グリーンシート４ＳをＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送する。本実施形態では、図３において、Ｙ矢印方向が走査方向として定義される。また、グリーンシート４Ｓの走査方向に沿う搬送速度が、走査速度Ｖｙとして定義される。
【００３６】
基台１１には、その走査方向と直交するＸ矢印方向両側に、門型に形成されたガイド部材１６が基台１１を跨ぐように架設されている。ガイド部材１６の上側には、Ｘ矢印方向に延びるインクタンク１７が配設されている。インクタンク１７は、金属インクＦを貯留し、下方に配設される液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２１に、それぞれ所定の圧力で金属インクＦを供給する。
【００３７】
ガイド部材１６の反Ｙ矢印方向側には、そのＸ矢印方向略全幅にわたって、Ｘ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール１８が形成されている。一対のガイドレール１８には、キャリッジ２０が取り付けられ、ガイドレール１８に沿ってＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動する。キャリッジ２０の底面２０ａであって、その走査方向側には、吐出ヘッド２
１が搭載されている。図４は、吐出ヘッド２１を下側（グリーンシート４Ｓ側）から見た斜視図であって、図５は、図４のＡ−Ａ線断面図である。図６は、キャリッジ２０の概略側面図である。
【００３８】
図４において、吐出ヘッド２１は、Ｘ矢印方向に延びる直方体形状に形成されている。吐出ヘッド２１の下側（グリーンシート４Ｓ側：図４の上側）には、ノズルプレート２２が備えられている。ノズルプレート２２は、Ｘ矢印方向に延びる板状に形成され、その下面（図４の上面）には、ノズル形成面２２ａが形成されている。ノズル形成面２２ａは、グリーンシート４Ｓのパターン形成面４Ｓａと略平行に形成され、グリーンシート４Ｓが吐出ヘッド２１の直下に位置するときに、ノズル形成面２２ａとパターン形成面４Ｓａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定の距離（本実施形態では、３００μｍ）に保持する。そのノズル形成面２２ａには、ノズル形成面２２ａの法線方向に貫通形成された複数のノズルＮがＸ矢印方向に沿って配列されている。
【００３９】
図５において、各ノズルＮの上側には、それぞれインクタンク１７に連通するキャビティ２３が形成されている。キャビティ２３は、インクタンク１７からの金属インクＦを対応するノズルＮに供給する。各キャビティ２３の上側には、上下方向に振動してキャビティ２３内の容積を拡大及び縮小する振動板２４が貼り付けられている。振動板２４の上側には、ノズルＮに対応する複数の圧電素子ＰＺが配設されている。
【００４０】
各圧電素子ＰＺは、それぞれ上下方向に収縮及び伸張して対応する振動板２４の領域を上下方向に振動し、対応するノズルＮから金属インクＦを所定容量（本実施形態では、１０ｐｌ）の液滴Ｆｂにして吐出する。液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行し、対向するパターン形成面４Ｓａ上の位置に着弾する。本実施形態では、パターン形成面４Ｓａ上の位置であって、各ノズルＮの反Ｚ矢印方向に対応する位置、すなわち液滴Ｆｂの着弾する位置が、それぞれ着弾位置Ｐとして定義される。
【００４１】
着弾する液滴Ｆｂは、パターン形成面４Ｓａの面方向に沿う伸縮振動を繰り返した後に、Ｚ矢印方向の厚みが１０μｍ以上になる半球面状を呈し、やがて、パターン形成面４Ｓａに沿って濡れ広がる。本実施形態では、着弾した液滴Ｆｂが半球面状を呈するまでに要する時間を、照射待機時間Ｔとして定義する。また、この照射待機時間Ｔの間に液滴Ｆｂの走査される距離が、照射待機距離ＷＦ（＝走査速度Ｖｙ×照射待機時間Ｔ）として定義され、着弾位置Ｐから走査方向に照射待機距離ＷＦだけ変位する位置が、照射位置Ｐｅとして定義される。
【００４２】
すなわち、着弾位置Ｐに着弾する液滴Ｆｂは、着弾時から照射待機時間Ｔだけ経過すると、その着弾位置Ｐから走査方向に照射待機距離ＷＦだけ変位し、その中心を照射位置Ｐｅにした半球面状を呈する。なお、本実施形態では、超高速度カメラなどの着弾観測カメラを利用して着弾した液滴Ｆｂの形状を観測し、その液滴形状の経時変化に基づいて照射待機時間Ｔ（例えば、５００マイクロ秒）を規定する。
【００４３】
図６において、キャリッジ２０の底面２０ａであって、吐出ヘッド２１の反走査方向（反Ｙ矢印方向）には、キャリッジ２０の内部にまでを貫通する出射孔Ｈが形成されている。出射孔Ｈは、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と略同じサイズで形成されている。その出射孔Ｈの上側には、レーザ照射手段を構成する半導体レーザＬＤが配設されている。
【００４４】
半導体レーザＬＤは、出射孔ＨのＸ矢印方向略全幅に広がる帯状のコリメートされた直線偏光のレーザ光Ｌｅを下方に向けて出射する。半導体レーザＬＤの出射するレーザ光Ｌｅの波長は、金属インクＦの吸収波長の範囲（本実施形態では、８０８ｎｍ）に設定され
ている。
【００４５】
出射孔Ｈの内部には、照射光学系を構成するシリンドリカルレンズ２５が配設されている。シリンドリカルレンズ２５は、Ｙ矢印方向にのみ曲率を有するレンズであり、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。シリンドリカルレンズ２５は、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌｅを受けるときに、レーザ光ＬｅのＹ矢印方向（又は反Ｙ矢印方向）の成分のみを収束して下方に出射する。なお、収束するレーザ光Ｌｅは、そのビームウエストの幅を１０μｍ以下する。
【００４６】
出射孔Ｈの下側には、キャリッジ２０の下方に延びるミラーステージ２６と、ミラーステージ２６に回動可能に支持されて照射光学系を構成する反射ミラー２７と、が配設されている。ミラーステージ２６は、Ｘ矢印方向に沿う回動軸を中心にして反射ミラー２７を回動可能に支持する。反射ミラー２７は、シリンドリカルレンズ２５側に反射面２７ｍを有したガルバノミラーであって、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。
【００４７】
反射ミラー２７は、シリンドリカルレンズ２５からのレーザ光Ｌｅを反射面２７ｍで受け、レーザ光Ｌｅをパターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿って反射し、レーザ光Ｌｅと、パターン形成面４Ｓａの法線と、のなす角度（照射角θｅ）を略９０°（本実施形態では、８８°）にする。また、反射ミラー２７は、反射するレーザ光Ｌｅのビームウエストを吐出ヘッド２１の下方に位置する照射位置Ｐｅに導く。照射位置Ｐｅに導かれるレーザ光Ｌｅは、着弾した液滴Ｆｂが照射位置Ｐｅに位置するときに、液滴Ｆｂの反走査方向側の端部から液滴Ｆｂの内方に向かって入射する。
【００４８】
なお、本発明における液滴Ｆｂの端部とは、着弾した液滴Ｆｂの表面（気液界面）の一領域であって、該液滴Ｆｂの中心からパターン形成面４Ｓａの面方向（反Ｙ矢印方向）に最も離間する領域である。例えば、液滴Ｆｂが半球面状を呈する場合には、液滴Ｆｂの底部外周部が、液滴Ｆｂの端部となる。また、液滴Ｆｂが円盤状を呈する場合には、液滴Ｆｂの側面が、液滴Ｆｂの端部となる。
【００４９】
この液滴Ｆｂの端部では、液滴表面の法線とパターン形成面４Ｓａの接線とのなす角度が、他の液滴表面（例えば、液滴Ｆｂの頂部表面）の法線とパターン形成面４Ｓａの接線とのなす角度よりも小さくなる。そのため、この液滴Ｆｂの端部では、液滴表面の法線とレーザ光Ｌｅとのなす角度（「入射角」）が、他の液滴表面における「入射角」よりも小さくなる。
【００５０】
しかも、本実施形態の液滴Ｆｂは、その中心が照射位置Ｐｅに位置するときに、半球面形状を呈する。照射位置Ｐｅに導かれるレーザ光Ｌｅは、その半球面状の液滴表面から、該液滴Ｆｂの中心に向かって入射する。そのため、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅは、液滴Ｆｂの中心が照射位置Ｐｅに位置するときに、その入射方向に関わらず、液滴表面の略法線方向に沿って入射し、その「入射角」を略０°にする。
【００５１】
一方、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅは、液滴Ｆｂに透過しない分を反射光として反射する。レーザ光Ｌｅの反射率は、偏光状態がＰ偏光の場合（反射率Ｒｐ）と、Ｓ偏光の場合（反射率Ｒｓ）と、において、それぞれ以下の式で導かれる。ただし、空気の屈折率をＮ１とし、液滴Ｆｂの屈折率をＮ２とし、前記「入射角」をθとする。
【００５２】
【数１】
2007296425.tif 000003
【００５３】
【数２】
2007296425.tif 000004
【００５４】
ただし、
【００５５】
【数３】
2007296425.tif 000005
【００５６】
反射率Ｒｐ及び反射率Ｒｓは、それぞれ「入射角」が小さくなるに連れて小さくなり、「入射角」が略０°になると、いずれも数％になる。そのため、液滴Ｆｂの端部に向かって略接線方向に沿って入射するレーザ光Ｌｅ、あるいは半球面状を呈する液滴Ｆｂの中心に向かって入射するレーザ光Ｌｅは、「入射角」を略０°にするために、その殆どが液滴Ｆｂに透過して吸収される。
【００５７】
この結果、レーザ光Ｌｅは、その吸収率を向上させることができ、対応する液滴Ｆｂを確実に乾燥して乾燥不足のない層パターンＦＰを形成する。そして、この層パターンＦＰを順に積層させることによって、配線パターン６Ｆを形成することができ、その形成不良を低減させることができる。
【００５８】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図７に従って説明する。
図７において、制御手段としての制御装置４０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを有し、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ１３及びキャリッジ２０を移動させるとともに、半導体レーザＬＤ及び各圧電素子ＰＺを駆動制御する。
【００５９】
制御装置４０には、起動スイッチ、停止スイッチなどの操作スイッチを有した入力装置４１が接続されている。入力装置４１は、描画平面（パターン形成面４Ｓａ）に対するパターン形成領域（層パターンＦＰ）の位置座標に関する情報を既定形式の描画情報Ｉａとして制御装置４０に入力する。制御装置４０は、入力装置４１からの描画情報Ｉａを受け、ビットマップデータＢＭＤを生成する。
【００６０】
ビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するデータである。ビットマップデータＢＭＤは、吐出ヘッド２１の通過する描画平面（パターン形成面４Ｓａ）上の各位置に、それぞれ液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定するデータである。すなわち、ビットマップデータＢＭＤは、パターン形成領域に規定される各目標位置に液滴Ｆｂを吐出させるためのものである。
【００６１】
制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路４２が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路４２に
対応する駆動制御信号を出力する。Ｘ軸モータ駆動回路４２は、制御装置４０からの駆動制御信号に応答し、キャリッジ２０を移動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。Ｘ軸モータ駆動回路４２には、Ｘ軸エンコーダＸＥが接続されて、Ｘ軸エンコーダＸＥからの検出信号が入力される。Ｘ軸モータ駆動回路４２は、Ｘ軸エンコーダＸＥからの検出信号に基づいて、パターン形成面４Ｓａに対するキャリッジ２０（各着弾位置Ｐ）の移動方向及び移動量に関する信号を生成し、制御装置４０に出力する。
【００６２】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路４３が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路４３に対応する駆動制御信号を出力する。Ｙ軸モータ駆動回路４３は、制御装置４０からの駆動制御信号に応答し、ステージ１３を移動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。すなわち、制御装置４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４３を介して、照射待機時間Ｔの間にステージ１３（パターン形成面４Ｓａ）を照射待機距離ＷＦだけ走査し、着弾位置Ｐに着弾した液滴Ｆｂの中心を照射位置Ｐｅまで走査する。
【００６３】
Ｙ軸モータ駆動回路４３には、Ｙ軸エンコーダＹＥが接続されて、Ｙ軸エンコーダＹＥからの検出信号が入力される。Ｙ軸モータ駆動回路４３は、Ｙ軸エンコーダＹＥからの検出信号に基づいて、ステージ１３（パターン形成面４Ｓａ）の移動方向及び移動量に関する信号を生成し、制御装置４０に出力する。制御装置４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４３からの信号に基づいて、パターン形成面４Ｓａに対する着弾位置Ｐの相対位置を演算し、目標位置が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに吐出タイミング信号ＬＰを出力する。
【００６４】
制御装置４０には、半導体レーザ駆動回路４４が接続されて、描画動作を開始するときに描画開始信号Ｓ１を出力し、描画動作を終了するときに描画終了信号Ｓ２を出力する。半導体レーザ駆動回路４４は、制御装置４０からの描画開始信号Ｓ１を入力して半導体レーザＬＤにレーザ光Ｌｅを出射させ、制御装置４０からの描画終了信号Ｓ２を入力して半導体レーザＬＤにレーザ光Ｌｅの出射を停止させる。すなわち、制御装置４０は、半導体レーザ駆動回路４４を介して、描画動作の間に半導体レーザＬＤを駆動制御し、レーザ光Ｌｅの照射動作を行う。
【００６５】
制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路４５が接続されて、各圧電素子ＰＺを駆動するための圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を前記吐出タイミング信号ＬＰと同期させて出力する。また、制御装置４０は、ビットマップデータＢＭＤに基づいて、所定のクロック信号に同期した吐出制御信号ＳＩを生成し、吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路４５にシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路４５は、制御装置４０からの吐出制御信号ＳＩを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。吐出ヘッド駆動回路４５は、制御装置４０からの吐出タイミング信号ＬＰを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した吐出制御信号ＳＩをラッチし、選択される各圧電素子ＰＺにそれぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給する。
【００６６】
次に、液滴吐出装置１０を使用して素子パターン５Ｆと配線パターン６Ｆを描画する方法について説明する。
まず、図３に示すように、パターン形成面４Ｓａが上側になるようにグリーンシート４Ｓをステージ１３に載置する。このとき、ステージ１３は、グリーンシート４Ｓをキャリッジ２０の反走査方向に配置する。
【００６７】
この状態から、描画情報Ｉａが入力装置４１から制御装置４０に入力され、制御装置４０が描画情報Ｉａに基づいたビットマップデータＢＭＤを生成して格納する。次いで、グリーンシート４Ｓが走査されるときに、各目標位置が対応する着弾位置Ｐを通過するように、制御装置４０が、Ｘ軸モータ駆動回路４２を介してキャリッジ２０（吐出ヘッド３１）を所定の位置に配置移動する。キャリッジ２０が配置移動すると、制御装置４０が、Ｙ
軸モータ駆動回路４３を介してグリーンシート４Ｓの走査を開始する。
【００６８】
グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、制御装置４０が、描画開始信号Ｓ１を半導体レーザ駆動回路４４に出力し、半導体レーザＬＤからレーザ光Ｌｅを出射する。半導体レーザＬＤの出射するレーザ光Ｌｅは、反射ミラー２７によって、グリーンシート４Ｓの略接線方向に反射され、パターン形成面４Ｓａの照射位置Ｐｅに導かれる。
【００６９】
また、グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、制御装置４０が、ビットマップデータＢＭＤに基づいて生成した吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路４５に出力する。
また、グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、着弾位置Ｐが対応する目標位置に位置するたびに、制御装置４０が、吐出タイミング信号ＬＰを吐出ヘッド駆動回路４５に出力する。すなわち、制御装置４０が、吐出制御信号ＳＩに基づいて液滴Ｆｂを吐出するためのノズルＮを選択し、選択したノズルＮに対応する着弾位置Ｐが目標位置に位置するたびに、同目標位置に向けて液滴Ｆｂを吐出する。吐出された液滴Ｆｂは、パターン形成面４Ｓａ上の対応する目標位置に着弾する。
【００７０】
目標位置に着弾する液滴Ｆｂは、制御装置４０によるグリーンシート４Ｓの走査によって、着弾時から照射待機時間Ｔだけ経過すると、走査方向に照射待機距離ＷＦだけ移動し、対応する照射位置Ｐｅに到達する。照射位置Ｐｅに到達する液滴Ｆｂは、照射位置Ｐｅを中心にした半球面形状を呈する。そして、照射位置Ｐｅに到達する液滴Ｆｂには、その反走査方向の端部から照射位置Ｐｅに向けてレーザ光Ｌｅが入射する。
【００７１】
液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅは、「入射角」が略０°であるため、その殆どが液滴Ｆｂに透過して吸収される。この結果、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅは、その吸収率を向上させることができ、対応する液滴Ｆｂを確実に乾燥して乾燥不足のない層パターンＦＰを形成する。以後同様に、この層パターンＦＰを順に積層させることによって、配線パターン６Ｆを形成することができ、その形成不良を低減させることができる。
【００７２】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、キャリッジ２０に搭載された反射ミラー２７が、半導体レーザＬＤの出射したレーザ光Ｌｅをパターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿って照射位置Ｐｅに導く。そして、制御装置４０が、パターン形成面４Ｓａに着弾した液滴Ｆｂを走査方向に沿って走査し、照射位置Ｐｅに位置する液滴Ｆｂの端部にレーザ光Ｌｅを入射する。
【００７３】
よって、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅの入射方向と、対応する液滴表面の法線方向と、のなす角度（「入射角」）を小さくすることができる。この結果、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅが、液滴表面における反射量を減少させ、液滴に対するレーザ光の吸収効率を向上させることができる。そのため、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００７４】
（２）上記実施形態によれば、制御装置４０が、パターン形成面４Ｓａに着弾した液滴Ｆｂを走査方向に沿って走査し、液滴Ｆｂが半球面状を呈するときに、液滴Ｆｂの端部にレーザ光Ｌｅを入射する。
【００７５】
よって、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅの入射方向と、対応する液滴表面の法線方向と、のなす角度が、さらに小さくすることができる。この結果、液滴の乾燥効率を、さらに向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を、より低減させることができる。
【００７６】
（３）上記実施形態によれば、キャリッジ２０に搭載された反射ミラー２７が、半導体
レーザＬＤの出射したレーザ光Ｌｅをパターン形成面４Ｓａの照射位置Ｐｅに導く。そして、制御装置４０が、パターン形成面４Ｓａに着弾した液滴Ｆｂを走査方向に沿って走査し、液滴Ｆｂが半球面状を呈するタイミングで、同液滴Ｆｂの中心を照射位置Ｐｅにする。
【００７７】
よって、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅの入射方向と、対応する液滴表面の法線方向と、のなす角度（「入射角」）を略０°にすることができる。この結果、液滴Ｆｂに入射するレーザ光Ｌｅが、液滴表面における反射量を減少させ、液滴に対するレーザ光の吸収効率を向上させることができる。そのため、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００７８】
（４）上記実施形態によれば、反射ミラー２７が、半導体レーザＬＤの出射したレーザ光Ｌｅをパターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿って反射する。よって、照射位置Ｐｅが吐出ヘッド２１の直下に位置する場合であっても、レーザ光Ｌｅを照射位置Ｐｅまで導くことができる。この結果、着弾直後の液滴Ｆｂを乾燥させることができ、各種パターンの形状やサイズの自由度を拡大させることができる。
【００７９】
（５）上記実施形態によれば、キャリッジ２０が、吐出ヘッド２１、半導体レーザＬＤ、シリンドリカルレンズ２５及び反射ミラー２７を搭載する。よって、着弾した液滴Ｆｂに対するレーザ光Ｌｅの相対位置を維持させることができる。この結果、レーザ光Ｌｅを、より高い再現性の下で、液滴Ｆｂの端部に入射することができる。また、レーザ光Ｌｅを、より高い再現性の下で、半球面状を呈する液滴Ｆｂの中心に導くことができる。この結果、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆの乾燥状態を安定させることができ、回路素子５と内部配線６の形成不良を、さらに低減させることができる。
【００８０】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、レーザ光Ｌｅを、液滴Ｆｂの端部から該液滴Ｆｂの中心に向けて入射させる構成にした。これに限らず、例えば、レーザ光Ｌｅを、液滴Ｆｂの端部から該液滴Ｆｂの中心以外の内方に向けて入射させる構成であってもよい。つまり、パターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿うレーザ光Ｌｅを、液滴Ｆｂの端部に入射させる構成であればよい。
【００８１】
・上記実施形態では、パターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿うレーザ光Ｌｅを、液滴Ｆｂの端部に入射する構成した。これに限らず、半球面形状を呈する液滴Ｆｂの中心に向けてレーザ光Ｌｅが入射する構成であれば、その入射方向と入射位置が、それぞれパターン形成面４Ｓａの略接線方向と液滴Ｆｂの中心に限定されるものではない。
【００８２】
・上記実施形態では、レーザ照射手段を液滴吐出ヘッドのＹ矢印方向に配設し、レーザ光Ｌｅを略Ｙ矢印方向に沿ってのみ照射する構成にした。これに限らず、例えば、吐出ヘッド２１を対称中心にした一対のレーザ照射手段（半導体レーザＬＤ、シリンドリカルレンズ２５及び反射ミラー２７）を、それぞれキャリッジ２０のＹ矢印方向側と反Ｙ矢印方向側に搭載する構成にしてもよい。そして、略Ｙ矢印方向に沿うレーザ光Ｌｅと、略反Ｙ矢印方向に沿うレーザ光Ｌｅとを、それぞれ異なる液滴Ｆｂに向けて照射する構成にしてもよい。
【００８３】
なお、この際、制御装置４０は、着弾した液滴ＦｂをＹ矢印方向に沿って走査するときに、該液滴Ｆｂ（の中心位置）に向けて、略Ｙ矢印方向に沿うレーザ光Ｌｅを選択照射する構成が好ましい。また、制御装置４０は、着弾した液滴Ｆｂを反Ｙ矢印方向に沿って走査するときに、該液滴Ｆｂ（の中心位置）に向けて、略反Ｙ矢印方向に沿うレーザ光Ｌｅを選択照射する構成が好ましい。
【００８４】
これによれば、着弾した液滴Ｆｂ（基板）を、Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向の双方に相対的に走査させることができる。しかも、各液滴Ｆｂの端部に、それぞれ液滴Ｆｂの略走査方向と略同一方向のレーザ光Ｌｅを入射させることができる。この結果、液滴Ｆｂの乾燥効率を、より高い再現性の下で向上させることができ、液滴からなるパターンの形成不良を、より確実に低減させることができる。
【００８５】
・上記実施形態では、各液滴Ｆｂを、共通するレーザ光Ｌｅによって乾燥する構成にした。これに限らず、例えば半導体レーザＬＤの出射したレーザ光Ｌｅを各ノズルＮに対応させて分割し、分割した各レーザ光Ｌｅを、それぞれ対応する液滴Ｆｂのみ照射する構成にしてもよい。
【００８６】
・あるいは、半導体レーザＬＤをノズルＮの数量分だけ配設し、各半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌｅを、それぞれ対応する液滴Ｆｂの領域に照射する構成にしてもよい。この際、制御装置４０、半導体レーザ駆動回路４４及び吐出ヘッド駆動回路４５を、以下のように構成するのが好ましい。
【００８７】
すなわち、図８に示すように、制御装置４０は、各半導体レーザＬＤを駆動するための半導体レーザ駆動電圧ＣＯＭ２を前記吐出タイミング信号ＬＰと同期させて半導体レーザ駆動回路４４に出力する。吐出ヘッド駆動回路４５は、半導体レーザ駆動回路４４に設けられた遅延回路４４ａに、ラッチした吐出制御信号ＳＩを順次出力する。半導体レーザ駆動回路４４は、吐出ヘッド駆動回路４５からの吐出制御信号ＳＩを遅延回路４４ａで受け、吐出制御信号ＳＩに基づいて吐出した液滴Ｆｂが照射位置Ｐｅに到達するまで待機する。そして、同液滴Ｆｂが照射位置Ｐｅに到達するタイミングで、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択される各半導体レーザＬＤに、それぞれ半導体レーザ駆動電圧ＣＯＭ２を供給する。これによれば、着弾した液滴Ｆｂにのみレーザ光Ｌｅを照射するため、レーザ光Ｌｅの利用効率を向上させることができる。
【００８８】
・上記実施形態では、レーザ光Ｌｅによって、液滴Ｆｂを乾燥させる構成にした。これに限らず、レーザ光Ｌｅによって、液滴Ｆｂを、乾燥及び焼成させる構成にしてもよい。これによれば、局所的に照射するレーザ光Ｌｅによって、素子パターン５Ｆと配線パターン６Ｆの焼成不良を低減させることができる。
【００８９】
・上記実施形態では、描画情報Ｉａに基づいてビットマップデータＢＭＤを生成する構成にした。これに限らず、予め外部装置で生成したビットマップデータＢＭＤを入力装置４１から制御装置４０に入力する構成にしてもよい。
【００９０】
・上記実施形態では、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌｅがガルバノミラーを介して液滴Ｆｂの領域を照射する構成にした。これに限らず、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌｅがプリズムミラーを介して液滴Ｆｂの領域を照射する構成であってもよく、あるいは、シリンドリカルレンズ２５の出射したレーザ光Ｌｅが直接液滴Ｆｂを照射する構成であってもよい。
【００９１】
・上記実施形態では、液滴吐出ヘッドを、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２１に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。
【００９２】
・上記実施形態では、全ての回路素子５及び内部配線６をインクジェット法で形成する構成にした。これに限らず、比較的に微細な回路素子５あるいは内部配線６のみを、上記するインクジェット法によって形成する構成であってもよい。
【００９３】
・上記実施形態では、パターン形成材料を、金属インクに具体化した。これに限らず、例えば、パターン形成材料を、絶縁膜材料や有機材料の分散した液状体に具体化してもよい。つまり、パターン形成材料は、レーザ光を受けて乾燥し、固相のパターンを形成する材料であればよい。
【００９４】
・上記実施形態では、パターンを、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆに具体化した。これに限らず、パターンを、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、平面状の電子放出素子を備えた電界効果型表示装置（ＦＥＤやＳＥＤなど）などに備えられる各種金属配線に具体化してもよい。あるいは、パターンを、複数の線パターンやドットパターンからなる識別コードに具体化してもよい。つまり、パターンは、乾燥した液滴によって形成される固相のパターンであればよい。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の回路モジュールを示す斜視図。
【図２】同じく、回路モジュールの製造方法を説明する説明図。
【図３】同じく、液滴吐出装置を示す斜視図。
【図４】同じく、液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図５】同じく、液滴吐出ヘッドを説明する説明図。
【図６】同じく、半導体レーザを説明する説明図。
【図７】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。
【図８】変更例の液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。
【符号の説明】
【００９６】
１…回路モジュール、４Ｓ…基板としてのグリーンシート、５…回路素子、５Ｆ…パターンを構成する素子パターン、６…金属配線としての内部配線、６Ｆ…パターンを構成する配線パターン、１０…液滴吐出装置、１３…走査手段としてのステージ、２０…キャリッジ、２１…液滴吐出ヘッド、４０…制御手段としての制御装置、Ｆ…パターン形成材料としての金属インク、Ｆｂ…液滴、Ｌｅ…レーザ光、ＬＤ…レーザ照射手段を構成する半導体レーザ、Ｐｅ…照射位置。
【図１】
2007296425.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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