(57)【要約】【課題】電極―絶縁膜―半導体基板構造において絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥と正孔捕獲欠陥の密度及び準位を評価する。【解決手段】表面に絶縁膜を有し、更にその上に金属電極を有するシリコン基板において、絶縁膜中欠陥に電子もしくは正孔を捕獲させて、光エネルギーによってその電子もしくは正孔を脱離させ、それに伴う際の容量−電圧曲線の電圧軸方向の変化量を計測し、膜中に存在する電子捕獲欠陥もしくは正孔捕獲欠陥の密度及び準位を独立に評価する。【選択図】図１
2007149798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁膜を有する半導体基板と該絶縁膜上に形成した金属電極から形成されるキャ
パシタ構造の試料を用いて、該絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥及び正孔捕獲欠陥の密度
と準位を評価する装置において、該絶縁膜中の欠陥に捕獲させた電子もしくは正孔を、光
エネルギーを供給することにより放出させ、その信号を検出することで該絶縁膜中に存在
する電子捕獲欠陥及び正孔捕獲欠陥のそれぞれの密度及び準位を独立に評価することを特
徴とする欠陥評価装置。
【請求項２】
請求項１記載の欠陥評価装置において、少なくとも該試料を固定する試料台と、該金属
電極と接続するアノード電極と、該半導体基板に接続するカソード電極と、該絶縁膜中欠
陥に電子もしくは正孔を捕獲させるために該アノード電極と該カソード電極との間に電圧
を印加して電流を流すための電源と、該試料の容量―印加電圧を測定することが可能なＬ
ＣＲメーターと、該電源と該LCRメーターとを切り替える切り替え器と試料温度調整用ス
テージが内部に設置されている測定用チャンバーと、該試料への光エネルギー供給のため
の光照射を行うための光源と分光器と光学素子を有することを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項３】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該分光器と該試料との間に、該試料への光照射
の有無を選択できる開閉式シャッターを有することを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項４】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該チャンバー上部に該試料への光照射を可能と
するための光透過用石英窓を有することを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項５】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該光源は１．５−８ｅＶの光を放出することが
可能であることを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項６】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該分光器は１．５〜８ｅＶの範囲の光を分光す
ることが可能であることを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項７】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該分光器の分解能は１０ｍｅＶ以上であること
を特徴とする欠陥評価装置。
【請求項８】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該光源と該分光器と該光学素子によって該試料
に照射される光の強度は１００uW以上であることを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項９】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該ＬＣＲメーターは容量―電圧曲線の電圧軸方
向のシフトを０．０１Ｖの精度で測定が可能であることを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項１０】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該試料温度調整ステージによって該試料温度は
−２００℃まで冷却が可能であることを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項１１】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該測定用チャンバー内部は不活性雰囲気に置換
できることが可能であることを特徴とする欠陥評価装置。
【請求項１２】
請求項２記載の欠陥評価装置において、該ＬＣＲメーターと該電源とを切り替えること
が可能な切り替え器を有していることを特徴とする欠陥評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極―絶縁膜―半導体基板構造において絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥及
び正孔捕獲欠陥のそれぞれの密度及び準位を独立に評価する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、ゲート絶縁膜やＤＲＡＭ、フラシュメモリのキャパシタ絶縁
膜の薄膜化が進んでいる。それに伴い、絶縁膜中にもともと存在する欠陥、及び、素子動
作に伴い発生する欠陥による信頼性低下が問題となっている。これらの欠陥を特徴づける
重要なパラメーターには欠陥密度と欠陥準位である。ここで欠陥とは、絶縁膜のバンドギ
ャップ内に形成される状態のことであり、その準位は絶縁膜の伝導帯の底とのエネルギー
差で表される。これらの欠陥はキャパシタのリーク電流を増加させる、さらに、電荷を捕
獲してデバイスの動作電圧をシフトさせるなどの悪影響を引き起こすことが知られている
。
【０００３】
欠陥密度評価は、電極―絶縁膜―半導体基板構造からなるキャパシタのＣＶ曲線（容量
-電圧曲線）を測定し評価されることが多い。この方法は簡便である反面、その欠陥準位
については評価が不可能である。そこで欠陥の密度と準位の両方を評価する装置として熱
刺激電流（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｃｕｒｒｅｎｔ，ＴＳＣ）装置
が用いられている。金属と半導体基板との間に電圧を印加し電流を流す。すると、欠陥に
電子が捕獲される現象が起こる。電圧を印加したまま試料を低温まで冷却し、ついで、電
圧を切って試料温度を一定速度で昇温し、その際に流れる電流値を試料温度に対して観測
する。この際に観測される電流値が欠陥密度、その電流値を与える温度は欠陥準位に対応
する。電流値が大きいほど欠陥密度が大きいことを意味し、高温ほど深い欠陥準位を意味
している。この方法を用いると欠陥準位と密度が精度よく求められることが知られている
（非特許文献１）。
【０００４】
【非特許文献１】（Dielectrics and Electrical Insulation, IEEE Transactions on, Volume 6,p852-857, (1999)）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
熱刺激電流装置は、欠陥密度及び準位を評価するのに有効な方法である。しかし以下の
課題がある。大きいエネルギーの準位を評価するには試料温度を高温まで上げる必要があ
る。しかし、試料や装置の部材の熱安定性を考慮すると一般には数百℃が限界であるため
１．５eV以上の準位は評価が困難である。絶縁膜、たとえばＬＳＩにしばしば用いられる
シリコン窒化膜やシリコン酸化膜の絶縁膜中欠陥には１．５ｅＶの以上大きいエネルギー
の準位が存在すると言われており、従来の熱刺激電流装置を用いた評価では不十分である
。
【０００６】
また、電子捕獲欠陥と正孔捕獲欠陥の区別も不可能という欠点を有する。
【０００７】
本発明は、光エネルギーを利用して１．５〜８eVの準位を有する欠陥の密度と準位を評
価可能にする、かつ、電子捕獲欠陥と正孔捕獲欠陥を独立に評価することが可能なＰＳＣ
（Ｐｈｏｔｏ  Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）法を実行できる、上記
の課題を解決する欠陥評価装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、表面に絶縁膜を有する半導体基板と該絶縁膜上に形成した金属電極から形成
される試料を用いて、該絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥と正孔捕獲欠陥の密度と準位を
評価する装置におけるものである。該試料を冷却可能な試料温度ステージ上に設置し、さ
らにそれらを外気から遮断する測定用チャンバー内部に設置する。ついで電源により該絶
縁膜中の欠陥に電子もしくは正孔を捕獲させた後に光源、分光器、光学素子にて開閉式シ
ャッター及び光透過用石英窓を通して該試料に光エネルギーを供給する。この光エネルギ
ーによって欠陥に捕獲された電子もしくは正孔は放出されるために、該試料の容量-印可
電圧が電圧軸方向にシフトする。この電圧軸方向のシフトをLCRメーターにて検出するこ
とで該絶縁膜中に存在する電子捕獲欠陥と正孔捕獲欠陥の密度と準位を独立に評価するこ
とを可能とするものである。
【０００９】
その際、光エネルギーは、該試料への光照射によって供給されると好適である。
【００１０】
また、光照射に用いる光源と分光器を有していると良い。
【００１１】
さらにまた、該分光器と該試料との間に開閉式シャッターを有していると良い。
【００１２】
そしてまた、該分光器と該試料との間に光透過用石英窓を有していると好適である。
【００１３】
そしてまた、該光源は１．５〜８eVのエネルギーの光を放出することが可能であると好
適である。
【００１４】
そしてまた、該分光器は１．５〜８eVの範囲の光を分光することが可能であると好適で
ある。
【００１５】
また、該分光器の分解能は１０ｍｅＶ以上であると良い。
【００１６】
そしてまた、該光源と該分光器と該光学素子によって該試料に照射される光の強度は１
００uWであると好適である。
【００１７】
更にまた、試料温度調整ステージに液体窒素を供給することで該試料温度を−２００℃
まで冷却することが可能であると良い。
【００１８】
また、該LCRメーターは該電圧軸方向のシフトを０．０１Vの精度で測定が可能であると
好適である。
【００１９】
そしてまた、該測定用チャンバーの内部は不活性雰囲気下に置換できるとよい。
【００２０】
更にまた、該LCRメーターと該電源とを切り替えることが可能であるような切り替え器
を有していると好適である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の欠陥評価装置において、光エネルギーを用いることにより従来の熱エネルギー
のみを用いた装置では不可能であった、１．５−８eVの範囲に存在する絶縁膜中の欠陥準
位を１０ｍｅVの感度で測定することができ、さらに、欠陥密度を１×１０１０／ｃｍ３
の感度で評価することが可能となる。また、電子捕獲膜中欠陥と正孔捕獲膜中欠陥の両者
を独立に評価することが可能となる。つまり膜中に存在するほぼすべての欠陥の密度と準
位を評価することが可能となり、信頼性の高いLSIが形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下本発明の欠陥評価装置の実施形態を、図を用いて具体的に説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は本実施例で用いた欠陥評価装置の概略図である。試料台１０１、アノード電極１
０２、カソード電極１０３、電源１０４、微小電流計１０５、LCRメーター１０６、電源
１０４と微小電流計１０５とLCRメーター１０６の切り替え器１０７、光源１０８、分光
器１０９、レンズやミラーなどの光学素子１１０、それらを載せる光学ステージ１１１、
開閉式シャッター１１２、光透過用石英窓１１３、試料温度調整用ステージ１１４、試料
温度測定用熱電対１１５、試料温度測定器１１６、液体窒素入りデュワー１１７、測定用
チャンバー１１８、測定用チャンバー１１８内部を真空にする真空排気ポンプ１１９、測
定用チャンバー１１８内部にヘリウムガスを導入するためのヘリウムボンベ１２０とから
構成されている。
【００２４】
図２を用いて光による欠陥評価装置の操作方法を具体的に説明する。試料台１０１の上
に表面が厚み５０nmのシリコン窒化膜２０１で被覆されたn型シリコン基板ウェハ２０２
を設置する。ここで、シリコン窒化膜２０１上には光を透過し、かつ、電気的導通が確保
できる金属電極２０３として厚み１０nm以下の金薄膜が形成されている。また、n型シリ
コン基板ウェハ２０２と金属電極２０３はそれぞれアノード電極１０２及びカソード電極
１０３と金ワイヤ２０４によって電気的導通が確保されている。まず、真空排気ポンプ１
１９を用いて測定用チャンバー１１８の内部を１×１０−２Pa程度まで排気する。ついで
ヘリウムボンベ１２０からヘリウムを導入し、測定用チャンバー１１８内部をヘリウム雰
囲気にする。そして、試料温度測定用熱電対１１５と試料温度測定器１１６で試料温度を
観察しながら、試料温度調整用ステージ１１４に液体窒素入りデュワー１１７から液体窒
素を導入して試料を−２００℃まで冷却する。なお、金属電極２０３としてここでは金を
用いたが、ITO(Indium−Tin-Oxide)など光を透過し導通が確保できる材料であればよい。
また、金ワイヤ２０４についても、電気的導通が確保できる材料であればよく、アルミニ
ウムなどの他金属でもかまわない。また、ここでは測定用チャンバー１１８内を置換する
ためにヘリウムを用いたが不活性雰囲気下にできれば窒素やアルゴンでも支障はない。な
お、液体窒素を用いて試料温度を−２００℃まで低下させたが、これは熱雑音低減、及び
、下記に示した、電子捕獲欠陥からの電子の熱放出を防止するためであり、温度が低けれ
ば低いほど望ましい。
【００２５】
開閉式シャッター１１２を閉めて試料に光を照射しない状態で切り替え器１０７によっ
てアノード電極１０２及びカソード電極１０３をLCRメーター１０６に接続し容量―電圧
曲線を測定する。この際、容量―電圧曲線の測定条件は、例えば金電極２０３に印可する
直流電圧を−１Vから１Vまで０．０１V刻みで掃引し、重畳する交流電圧は電圧１０mV、
周波数は1kHzである。ついで、切り替え器１０７によってアノード電極１０２及びカソー
ド電極１０３を電源１０４に接続し、金属電極２０３に１０Vの電圧を１時間印加して電
子による電流を流し、シリコン窒化膜２０１中に存在する、電子捕獲欠陥に電子を捕獲さ
せる。ここで、電源１０４にて印加する電圧値と時間は、膜中欠陥を電子で飽和させるよ
うな条件であればよい。ついで、切り替え器１０７によってアノード電極１０２及びカソ
ード電極１０３と電源１０４からきりはなし、LCRメーター１０６に接続し、容量―電圧
曲線を測定する。測定条件は前述した条件と同じである必要がある。そして開閉式シャッ
ター１１２を開いた状態にし、光学ステージ１１１上に設置されている光源１０８から出
る光を分光器１０９で特定のエネルギーに分光し、光学素子１１０を経由させて光透過用
石英窓１１３を通して試料に３０秒間照射して膜中に存在する電子捕獲欠陥から電子を放
出させる。この光照射によって、照射した光のエネルギーよりも小さい準位を有する電子
捕獲欠陥からは電子が放出される。照射光よりも大きなエネルギーの準位を有する電子捕
獲欠陥からは電子は放出されない。その後、開閉式シャッター１１２を閉じてLCRメータ
ー１０６にて電圧−容量曲線を測定する。測定条件は前述した条件と同じである必要があ
る。ついで開閉式シャッター１１２を開き、先のエネルギーよりも１０meV大きいエネル
ギーを有する光を３０秒間照射した後に開閉式シャッター１１２を閉じてLCRメーター１
０６にて容量―電圧曲線の測定を行う。光のエネルギーを１．５から８eVまで１０ｍeV刻
みで変えながら以上の測定を繰り返して測定を行う。
【００２６】
図３はLCRメーター１０６にて測定した容量―電圧曲線であり、曲線３０１は膜中に存
在する電子捕獲欠陥に電子を捕獲させる前の状態、曲線３０２は欠陥に電子を捕獲させた
直後の状態、曲線３０３は欠陥に電子を捕獲させた後に２．５eVに分光した光を３０秒間
照射した後に測定した容量−電圧曲線を示す。曲線３０２は電子捕獲欠陥による電子の捕
獲のために曲線３０１と比較して正の電圧軸方向にシフトしている。また、曲線３０３は
光によって２．５ｅＶ以下の欠陥準位を有する電子捕獲欠陥から電子が放出されたことに
対応して、曲線３０２と比較して負の電圧方向にシフトしている。この電圧シフト量をΔ
Ｖ３０４とすると、膜中に存在する電子捕獲欠陥の密度との間には次の式（１）が成り立
つ。
【００２７】
【数１】
2007149798.tif 000003
ここで、Nt、ε0、εSiN、q、TSiNはそれぞれ２．５ｅＶ以下膜の欠陥準位を有する電
子捕獲欠陥の密度、真空の誘電率、シリコン窒化膜２０１の比誘電率、素電荷量、シリコ
ン窒化膜２０１の厚みである。
【００２８】
ここに窒素シリコン膜２０１の厚みなどを入れ計算すると式（２）となる。
【００２９】
【数２】
2007149798.tif 000004
ΔVを０．０１V以下の精度で求めることができれば、膜中に存在する電子捕獲欠陥の密
度を＜１×１０１０（／ｃｍ３）の感度で求めることが可能となることが分かる。また、
欠陥準位の測定分解能は光のエネルギー分解能と等しく１０meVとなり、測定可能なエネ
ルギー範囲は光のエネルギー範囲と等しく１．５−８eVとなる。つまり本装置で光エネル
ギーを利用し、０．０１V以下の電圧シフトが観察可能なLCRメーター１０６を用いて測定
を行うことによって、膜中に存在する電子捕獲欠陥の密度と準位を評価することが可能で
あり、その測定可能な準位のエネルギー範囲は１．５−８eV、エネルギー分解能は１０ｍ
eV、密度の測定感度は＜１×１０１０（／ｃｍ３）であることが分かる。
【００３０】
また、たとえば１．５eVのエネルギーを持つ光を照射した際には１．５eV以下のエネル
ギーの準位を持つ電子捕獲欠陥から電子が放出される。１．５eVよりも大きなエネルギー
の準位を有する欠陥からは、電子が放出されない。つまり、照射する光のエネルギーを変
化させながらΔＶ３０４を測定すれば膜中に存在する電子捕獲欠陥の密度と準位を図４の
ように求めることができる。
【実施例２】
【００３１】
ついで、同じ試料を用いて膜中に存在する正孔捕獲欠陥の密度と準位を評価する方法に
ついて説明する。測定に入るまでの準備は実施例１と同じである。
【００３２】
開閉式シャッター１１２を閉めて試料に光を照射しない状態で切り替え器１０７によっ
てアノード電極１０２及びカソード電極１０３をLCRメーター１０６に接続し容量―電圧
曲線を測定する。この際、容量―電圧曲線の測定条件は、例えば、実施例１と同じである
。ついで、開閉式シャッター１１２を開けて光学ステージ１１１上に設置されている光源
１０８から出る光を分光器１０９で１．５eVに分光し、光学素子１１０を経由させて光透
過用石英窓１１３を通して試料に照射する。この状態を維持したまま、切り替え器１０７
によってアノード電極１０２及びカソード電極１０３を電源１０４に接続し、金属電極２
０３に−１０Vの電圧を１時間印加して電流を流す。金属電極２０３にー１０Vを印加する
とn型シリコン基板ウェハ２０２が空乏化を起こすため、光を照射しない場合には電流が
流れない。しかし、１．５eVの光を照射した場合にはn型シリコン基板ウェハ２０２内部
に電子正孔対が発生するため電流が流れる。この現象により、正孔による電流を流すこと
が可能となり、膜中に存在する正孔捕獲欠陥に正孔を捕獲させることができる。なお、こ
こでは１．５eVの光を照射しているが、n型シリコン基板ウェハ２０２内部に電子正孔対
を発生させるようなエネルギーの光であればいくつでもよい。また、−１０Vを一時間印
加したが、この電圧値、時間は欠陥を正孔で飽和させるような条件であればいくつでもよ
い。この状態で電源１０４からの電圧印加を止め、開閉式シャッター１１２を閉じ、切り
替え器１０７によってアノード電極１０２及びカソード電極１０３と電源１０４からきり
はなし、LCRメーター１０６に接続し、容量―電圧曲線を測定する。測定条件は前述した
条件と同じである必要がある。
【００３３】
その後、開閉式シャッター１１２を開き電圧を印加しない状態で試料に３０秒の間１．
５eVの光を照射し続ける。この光照射によって、照射した光のエネルギーよりも小さい準
位を有する正孔捕獲欠陥からは正孔が放出される。照射光よりも大きなエネルギーの準位
を有する正孔捕獲欠陥からは正孔は放出されない。その後開閉式シャッター１１２を閉じ
、切り替え器１０７によってアノード電極１０２及びカソード電極１０３と電源１０４か
らきりはなし、LCRメーター１０６に接続し、容量―電圧曲線を測定する。測定条件は前
述した条件と同じである必要がある。そして開閉式シャッター１１２を開き、１．５１eV
に分光した光を試料に３０秒間照射して膜中に存在する正孔捕獲欠陥から正孔を放出させ
る。その後、開閉式シャッター１１２を閉じてLCRメーター１０６にて電圧−容量曲線を
測定する。測定条件は前述した条件と同じである必要がある。ついで開閉式シャッター１
１２を開き、先のエネルギーよりも１０meV大きいエネルギーを有する光を３０秒間照射
した後に開閉式シャッター１１２を閉じてLCRメーター１０６にて容量―電圧曲線の測定
を行う。光のエネルギーを１．５から８eVまで１０ｍeV刻みで変えながら以上の測定を繰
り返して測定を行う。
【００３４】
図５はLCRメーター１０６にて測定した容量―電圧曲線であり、曲線５０１は膜中に存
在する正孔捕獲欠陥に正孔を捕獲させる前の状態、曲線５０２は正孔を捕獲させた直後の
状態、曲線５０３は正孔を捕獲させた後に２．７eVに分光した光を３０秒間照射した後に
測定した容量−電圧曲線を示す。曲線５０２は欠陥による正孔の捕獲のために曲線５０１
と比較して負の電圧軸方向にシフトしている。また、曲線５０３は光によって２．７ｅＶ
以下の欠陥準位を有する正孔捕獲欠陥から正孔が放出されたことに対応して、曲線５０２
と比較して生の電圧方向にシフトしている。この電圧シフト量をΔＶ５０４とすると、膜
中に存在する欠陥の密度との間には実施例１で述べた式（１）が成り立つ。ただし、この
場合の膜中欠陥密度は正孔捕獲欠陥の密度である。
【００３５】
照射する光のエネルギーを変化させながらΔＶ５０４を測定すれば正孔捕獲欠陥の密度
と準位を図６のように求めることができる。
【００３６】
つまり、試料に電圧を印加する際の光照射有無によって電子捕獲欠陥と正孔捕獲欠陥と
を区別して評価することが可能となる。
【００３７】
なお、この例ではn型シリコン基板ウェハを用いたが、ｐ型シリコン基板ウェハを用い
る場合には電源１０４による印加電圧の符号を逆にすればよく、同じ評価が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に用いた欠陥評価装置の概略図である。
【図２】本発明に用いた欠陥評価装置に試料をセットした場合の概略図である。
【図３】本発明における、試料の容量値と印加電圧の相関図である。膜中に存在する電子捕獲欠陥に電子を捕獲させる前、させた直後、２．５ｅＶの光を照射した後、の曲線を示す。
【図４】本発明における、光照射による、電子捕獲欠陥の密度と準位を評価した結果の図である。
【図５】本発明における、試料の容量値と印加電圧の相関図である。膜中に存在する正孔捕獲欠陥に正孔を捕獲させる前、させた直後、２．７ｅＶの光を照射した後、の曲線を示す。
【図６】本発明における、光照射による、正孔捕獲欠陥の密度と準位を評価した結果の図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１…試料台、１０２…アノード電極、１０３…カソード電極、１０４…電源、１０
５…微小電流計、１０６…ＬＣＲメーター、１０７…切り替え器、１０８…ハロゲンまた
は重水素光源、１０９…分光器、１１０…レンズやミラーなどの光学素子、１１１…光学
ステージ、１１２…開閉式シャッター、１１３…光透過用石英窓、１１４…試料温度調整
用ステージ、１１５…試料温度測定用熱電対、１１６…試料温度測定器、１１７…液体窒
素入りデュワー、１１８…測定用チャンバー、１１９…ロータリーポンプ、１２０…ヘリ
ウムボンベ、１２１…加熱用電源、２０１…シリコン窒化膜、２０２…シリコン基板ウェ
ハ、２０３…金属電極、２０４…金ワイヤ、３０１…膜中に存在する電子捕獲欠陥に電子
を捕獲させる前の容量−電圧曲線、３０２…欠陥に電子を捕獲させた直後の容量−電圧曲
線、３０３…欠陥に電子を捕獲させた後に２．５ｅＶの光を照射させてから測定した容量
−電圧曲線、３０４…３０２と３０３の容量−電圧曲線の電圧シフト量、４０１…３０１
図と式（１）から算出した膜中に存在する電子捕獲欠陥の準位と密度の相関図、５０１…
膜中に存在する正孔捕獲欠陥に正孔を捕獲させる前の容量−電圧曲線、５０２…欠陥に正
孔を捕獲させた直後の容量−電圧曲線、５０３…欠陥に正孔を捕獲させた後に２．７ｅＶ
の光を照射させてから測定した容量−電圧曲線、５０４…５０２と５０３の容量−電圧曲
線の電圧シフト量、６０１…５０１図と式（１）から算出した膜中に存在する正孔捕獲欠
陥の準位と密度の相関図。
【図１】
2007149798.tif 000005
【図２】
2007149798.tif 000006
【図３】
2007149798.tif 000007
【図４】
2007149798.tif 000008
【図５】
2007149798.tif 000009
【図６】
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