(57)【要約】【課題】短ＴＡＴが要求される枚葉式レジスト除去洗浄において、薬液のレジスト除去性能を向上させて薬液処理時間を短縮し、ＴＡＴを向上させる。【解決手段】電子デバイスを搭載した基板１を設置する基板設置台２と、基板の上方から薬液を基板に向かって吐出する薬液吐出ノズル３とを備えた枚葉式の電子デバイス洗浄装置。基板の上方に、薬液からの有機物酸化種の生成を促進させる紫外線を照射する紫外線照射装置４を有する。薬液吐出と同時に電子デバイス基板表面近傍に有機物酸化種を効率よく生成させることができ、生成した活性な有機物酸化種によりフォトレジストおよびフォトレジスト残渣の酸化分解反応を促進させて効率よく除去することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを搭載した基板を設置する基板設置台と、
前記基板の上方から薬液を前記基板に向かって吐出する薬液吐出ノズルとを備えた枚葉式の電子デバイス洗浄装置において、
前記基板の上方に、前記薬液からの有機物酸化種の生成を促進させる紫外線を照射する紫外線照射装置を有する電子デバイス洗浄装置。
【請求項２】
前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に複数種の薬液を混合する薬液混合部を有し、
前記薬液吐出ノズルからは、前記複数種の薬液を含む混合薬液が吐出される請求項１に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項３】
前記基板の上方に設置された円盤状あるいは棒状の紫外線照射装置設置部材を有し、
前記紫外線照射装置は、前記紫外線照射装置設置部材に埋め込まれており、
前記紫外線照射装置設置部材は、上下方向へ移動可能な機構を有する請求項１または２に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項４】
前記紫外線照射装置は、前記薬液吐出ノズルと並列に配置されており、前記薬液吐出ノズルと前記紫外線照射装置とを同時に前記基板上で往復運動させる機構を有する請求項１または２に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項５】
前記紫外線照射装置は、前記薬液混合部に紫外線を照射する請求項２に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項６】
電子デバイスを搭載した基板を設置する基板設置台と、
前記基板の上方から薬液を前記基板に向かって吐出する薬液吐出ノズルとを備えた枚葉式の電子デバイス洗浄装置において、
前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に複数種の薬液を混合する薬液混合部を有し、前記薬液吐出ノズルからは、前記複数種の薬液を含む混合薬液が吐出されるとともに、
前記薬液混合部に超音波を照射する超音波照射装置を有する電子デバイス洗浄装置。
【請求項７】
前記基板設置台の周辺部に配置されたオゾンガス吐出ノズルを有し、
前記薬液吐出ノズルから前記基板に向けて薬液を吐出する際に、前記オゾンガス吐出ノズルから吐出されるオゾンガスにより前記基板表面をオゾンガス雰囲気で満たすように構成された請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項８】
前記基板設置台の周辺部に配置されたオゾンガス吐出ノズルを有し、
前記オゾンガス吐出ノズルから吐出されるオゾンガスにより、前記基板表面と、前記紫外線照射装置または前記超音波照射装置との間をオゾンガス雰囲気で満たすように構成された請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項９】
前記薬液は硫酸と過酸化水素を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子デバイス洗浄装置。
【請求項１０】
電子デバイスを搭載した基板に対して、その上方に位置する薬液吐出ノズルから前記基板に向かって薬液を吐出することにより前記電子デバイスを洗浄する電子デバイス洗浄方法において、
前記薬液吐出ノズルからの前記薬液の吐出に併せて、前記基板の上方から、前記薬液からの有機物酸化種の生成を促進させる紫外線を照射することを特徴とする電子デバイス洗浄方法。
【請求項１１】
前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に設けた薬液混合部により複数種の薬液を混合し、前記薬液吐出ノズルから、前記複数種の薬液を含む混合薬液を吐出する請求項１０に記載の電子デバイス洗浄方法。
【請求項１２】
前記紫外線を照射する紫外線照射装置を前記薬液吐出ノズルと並列に配置して、前記薬液吐出ノズルと前記紫外線照射装置とを同時に前記基板上を往復運動させる請求項１０または１１に記載の電子デバイス洗浄方法。
【請求項１３】
前記紫外線の照射を、前記薬液混合部に対して行う請求項１１に記載の電子デバイス洗浄方法。
【請求項１４】
電子デバイスを搭載した基板に対して、その上方に位置する薬液吐出ノズルから前記基板に向かって薬液を吐出することにより前記電子デバイスを洗浄する電子デバイス洗浄方法において、
前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に設けた薬液混合部により複数種の薬液を混合し、前記薬液吐出ノズルから、前記複数種の薬液を含む混合薬液を吐出するとともに、
前記薬液混合部に超音波を照射することを特徴とする電子デバイス洗浄方法。
【請求項１５】
前記薬液吐出ノズルから前記基板に向けて薬液を吐出する際に、前記基板表面をオゾンガス雰囲気で満たす請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の電子デバイス洗浄方法。
【請求項１６】
前記薬液は硫酸と過酸化水素を含む請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の電子デバイス洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス洗浄装置、特に、電子デバイス基板表面に付着した有機物、フォトレジストあるいはフォトレジスト残渣などを酸化分解して除去する機能を有する電子デバイス洗浄装置、および電子デバイス洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイス製造におけるフォトレジスト除去工程では、一例として、Ｏ2プラズマ照射などによるアッシングプロセスが採用されていた。しかし、プラズマ処理を行うことで、電子デバイスを搭載した基板に対し、チャージアップによるダメージを与える、あるいはアッシングによって硬化されたレジスト残渣が基板に固着するという問題が発生する。そこで、そのような問題を回避する方法として、フォトレジスト除去工程に、ＳＰＭ（硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水(Ｈ2Ｏ2)との混合薬液）を用いた洗浄による、アッシングレスでのレジスト除去プロセスが用いられるようになっている。
【０００３】
また、近年では、レジスト剥離性およびレジスト残渣物の除去性の向上とＴＡＴ(Turn Around Time)の向上を目的に、枚葉式洗浄装置でＳＰＭを用いる洗浄方法が行なわれている（例えば、特許文献１参照）。さらに、今日においては、環境保全の点から酸・アルカリなどの薬液を使用せず、廃液処理が容易なオゾン水や過酸化水素水を使用したり、あるいはそれらの薬液に紫外線や超音波を照射したり加熱させたりすることで活性種の生成を促進させ、レジストのとの反応を促進させる方法が取られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平６−２９１０９８号公報
【特許文献２】特開２００２−１９２０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来例の洗浄方法では、活性種の寿命が短く、薬液がレジストと反応する時には活性種の大部分は既に失われている。また、レジストとの反応性も、特に、高濃度のイオンが注入されたフォトレジストを短時間で除去するという点において不十分である。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みて、短ＴＡＴが要求される枚葉式レジスト除去洗浄に用いられ、薬液のレジスト除去性能を向上させて薬液処理時間を短縮し、ＴＡＴを向上させる電子デバイス洗浄装置、および電子デバイス洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子デバイス洗浄装置は、電子デバイスを搭載した基板を設置する基板設置台と、前記基板の上方から薬液を前記基板に向かって吐出する薬液吐出ノズルとを備えた基本構成を有する。
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の構成の電子デバイス洗浄装置は、前記基板の上方に、前記薬液からの有機物酸化種の生成を促進させる紫外線を照射する紫外線照射装置を有する。
【０００８】
また、本発明の第２の構成の電子デバイス洗浄装置は、前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に複数種の薬液を混合する薬液混合部を有し、前記薬液吐出ノズルからは、前記複数種の薬液を含む混合薬液が吐出されるとともに、前記薬液混合部に超音波を照射する超音波照射装置を有する。
【０００９】
本発明の電子デバイス洗浄方法は、電子デバイスを搭載した基板に対して、その上方に位置する薬液吐出ノズルから前記基板に向かって薬液を吐出することにより前記電子デバイスを洗浄する方法である。
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の第１の電子デバイス洗浄方法は、前記薬液吐出ノズルからの前記薬液の吐出に併せて、前記基板の上方から、前記薬液からの有機物酸化種の生成を促進させる紫外線を照射することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の電子デバイス洗浄方法は、前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に設けた薬液混合部により複数種の薬液を混合し、前記薬液吐出ノズルから、前記複数種の薬液を含む混合薬液を吐出するとともに、前記薬液混合部に超音波を照射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
上記第１の構成の電子デバイス洗浄装置、あるいは第１の電子デバイス洗浄方法によれば、薬液吐出と同時に電子デバイス基板表面近傍に有機物酸化種を効率よく生成させることができる。そのため、生成した活性な有機物酸化種によりフォトレジストおよびフォトレジスト残渣の酸化分解反応を促進させて効率よく除去することができる。
【００１３】
上記第２の構成の電子デバイス洗浄装置、あるいは第２の電子デバイス洗浄方法によれば、薬液混合時に生成される有機物酸化種の生成を促進させ、その後速やかにデバイス基板上に吐出することができる。そのため、デバイス表面近傍においてフォトレジストおよびフォトレジスト残渣と有機物酸化種との反応を促進させることができる。
【００１４】
上記作用により、通常のフォトレジスト除去およびフォトレジスト残渣除去洗浄においては、処理時間が大幅に短縮され、ＴＡＴの向上が図れるとともに、特に、高エネルギー、高ドーズ量の注入後フォトレジストにおいては、アッシングレスでのレジスト除去性能を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の上記第１の構成の電子デバイス洗浄装置において、前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に複数種の薬液を混合する薬液混合部を有し、前記薬液吐出ノズルからは、前記複数種の薬液を含む混合薬液が吐出されることが好ましい。このような構成により、活性種が充分にある状態で洗浄を行なうことができる。
【００１６】
また、上記第１の構成の電子デバイス洗浄装置において、前記基板の上方に設置された円盤状あるいは棒状の紫外線照射装置設置部材を有し、前記紫外線照射装置は、前記紫外線照射装置設置部材に埋め込まれており、前記紫外線照射装置設置部材は、上下方向へ移動可能な機構を有する構成とすることができる。このような構成により、デバイス基板表面近傍で薬液吐出および紫外線照射を行うことができ、デバイス基板表面全面にわたり表面近傍での有機物酸化種の生成を促進させることができる。
【００１７】
また、上記第１の構成の電子デバイス洗浄装置において、前記紫外線照射装置は、前記薬液吐出ノズルと並列に配置されており、前記薬液吐出ノズルと前記紫外線照射装置とを同時に前記基板上で往復運動させる機構を有する構成とすることができる。このような構成により、デバイス基板全面にわたり表面近傍での有機物酸化種の生成を促進させることができる。また、デバイス基板上に付着したフォトレジストおよびフォトレジスト残渣に対し、直接紫外線を照射することができ、フォトレジストおよびフォトレジスト残渣自体を活性化させ、デバイス基板表面近傍で生成した有機物酸化種との反応を促進させることができる。
【００１８】
また、上記第１の構成の電子デバイス洗浄装置において、前記紫外線照射装置は、前記薬液混合部に紫外線を照射する構成とすることができる。それにより、薬液混合時に生成される有機物酸化種の生成を促進させ、その後速やかにデバイス基板上に吐出することができる。そのため、デバイス表面近傍においてフォトレジストおよびフォトレジスト残渣と有機物酸化種との反応を促進させることができる。
【００１９】
また、上記第１または第２の構成の電子デバイス洗浄装置において、前記基板設置台の周辺部に配置されたオゾンガス吐出ノズルを有し、前記薬液吐出ノズルから前記基板に向けて薬液を吐出する際に、前記オゾンガス吐出ノズルから吐出されるオゾンガスにより前記基板表面をオゾンガス雰囲気で満たすように構成することができる。それにより、デバイス基板表面近傍での有機物酸化種の生成を加速させることができる。
【００２０】
また、前記基板設置台の周辺部に配置されたオゾンガス吐出ノズルを有し、前記オゾンガス吐出ノズルから吐出されるオゾンガスにより、前記基板表面と、前記紫外線照射装置または前記超音波照射装置との間をオゾンガス雰囲気で満たすように構成することができる。それにより、デバイス基板表面近傍での有機物酸化種の生成を加速させることができる。
【００２１】
また、前記薬液は、硫酸と過酸化水素を含むことが好ましい。それにより、特にレジスト除去プロセスにおいて、効率的にレジスト除去を行なうことができる。
本発明の上記第１の電子デバイス洗浄方法において、前記薬液吐出ノズルに至る流路の吐出口近傍に設けた薬液混合部により複数種の薬液を混合し、前記薬液吐出ノズルから、前記複数種の薬液を含む混合薬液を吐出することが好ましい。
【００２２】
また、前記紫外線を照射する紫外線照射装置を前記薬液吐出ノズルと並列に配置して、前記薬液吐出ノズルと前記紫外線照射装置とを同時に前記基板上を往復運動させてもよい。
【００２３】
また、前記紫外線の照射を、前記薬液混合部に対して行うこともできる。
【００２４】
また、本発明の第１および第２の電子デバイス洗浄方法において、前記薬液吐出ノズルから前記基板に向けて薬液を吐出する際に、前記基板表面をオゾンガス雰囲気で満たすことが好ましい。
【００２５】
また、前記薬液は、硫酸と過酸化水素を含むことが好ましい。
【００２６】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における電子デバイス洗浄装置および電子デバイス洗浄方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は、本実施形態における半導体洗浄装置の構成を示す断面図である。本洗浄装置において、電子デバイスを搭載した電子デバイス基板１は、基板設置台２に載置、保持される。基板設置台２は、電子デバイス基板１を回転させるように構成されてもよい。基板設置台２の上方には、ＳＰＭを吐出するための混合薬液吐出ノズル３が設置されている。混合薬液吐出ノズル３は、紫外線照射装置４が設置された紫外線照射装置設置盤５の中央部を貫通して下方に開口している。紫外線照射装置設置盤５は、円盤状もしくは棒状の形状を有する。紫外線照射装置設置盤５の周辺下部には、オゾンガス供給ノズル６が設置され、電子デバイス基板１と紫外線照射装置設置盤５の間の空間に向かって開口している。
【００２９】
混合薬液吐出ノズル３は、上部において薬液混合部７に接続され、薬液混合部７には、硫酸供給配管８と過酸化水素水供給配管９が接続されている。すなわち、硫酸供給配管８を介して供給される硫酸と、過酸化水素水供給配管９を介して供給される過酸化水素水が、薬液混合部７において混合され、ＳＰＭとして混合薬液吐出ノズル３から吐出される。
【００３０】
本洗浄装置は、混合薬液吐出ノズル３から硫酸と過酸化水素水の混合薬液ＳＰＭを、基板設置台２上に設置された電子デバイス基板１に吐出して、基板上に付着したフォトレジストおよびフォトレジスト残渣を酸化分解して除去する機能を有する。
【００３１】
本実施形態においては、図１に示すように、硫酸と過酸化水素水との混合を、混合薬液吐出ノズル３から薬液が吐出される直前に設置された薬液混合部７において行なっている。このため、Ｈ2Ｏ2濃度が高い状態（活性種が充分にある状態）で洗浄を行なうことができる。
【００３２】
また、本実施形態では、さらに紫外線照射装置設置盤５に紫外線照射装置４が設置されており、混合薬液吐出時に電子デバイス基板１表面全面に紫外線を照射できる。このため、電子デバイス基板１上に付着したフォトレジストおよびフォトレジスト残渣と混合薬液の接触点で、混合薬液から有機物酸化種を効率よく生成し、フォトレジストの除去性を向上させることができる。
【００３３】
従来のＳＰＭおよび紫外線照射されたオゾン水または過酸化水素水を用いた枚葉式洗浄では、例えば、非常に強い酸化力をもつ活性な有機物酸化種であるＯＨ・(ヒドロキシラジカル、酸化還元電位：２．８１ｅＶ)を発生させ、その酸化効果を利用してフォトレジストおよびフォトレジスト残渣をＣＯ2またはＨ2Ｏへと酸化分解除去するものであった。しかしながら、大気中および薬液中でのＯＨ・(ヒドロキシラジカル)のライフタイムは非常に短く、半減期は２００ｎｓｅｃ以下とも言われている。このことから、薬液中で生成したＯＨ・(ヒドロキシラジカル)は、電子デバイス基板１の表面上に付着したフォトレジストとの反応時においては大部分が失われ、フォトレジストとの反応性が低下していたものと推定される。
【００３４】
一方、本実施形態では、紫外線照射装置４により電子デバイス基板１の全面に絶えず紫外線を照射することができるため、混合薬液とフォトレジストの界面で有機物酸化種を生成させることが可能となる。この結果、有機物酸化種が自己消滅する前にフォトレジストと反応させることで、フォトレジスト除去性の効率を向上させることができる。
【００３５】
また、本実施形態の洗浄装置を用いることにより、電子デバイス基板１上に直接紫外線を照射することができることから、電子デバイス基板１上に付着したフォトレジストおよびフォトレジスト残渣の表面に対しても直接紫外線を照射することができ、それにより活性化されたフォトレジストと有機物酸化種との反応が促進され、フォトレジストおよびフォトレジスト残渣の除去性を向上させることができる。
【００３６】
さらに、オゾンガス供給ノズル６から電子デバイス基板１と紫外線照射装置設置盤５の間にオゾンガスを供給することで、電子デバイス基板１の表面近傍において、オゾンガスからも有機物酸化種を発生させ、レジスト除去性を向上させることができる。
【００３７】
図２は、本実施形態における電子デバイス洗浄装置における、レジスト除去パーティクル数と洗浄条件との関係を示す図である。この図は、電子デバイス基板１であるシリコン基板全面に厚さ３．０μｍのフォトレジストを塗布し、その後ＳＰＭ洗浄にてレジスト除去を行った結果を示す。実験結果は、レジスト除去後、パーティクルカウンターにて、シリコン基板上のパーティクル数のカウントに基づいて示される。すなわち、図には、パーティクルサイズ：０．１２μｍ以上のパーティクルが２０個以下となるＳＰＭ薬液処理時間が表示されている。
【００３８】
図２から判るように、パーティクル数が２０個以下となる薬液処理時間は、（バス式ＳＰＭ洗浄：１８００ｓｅｃ）＞（従来枚葉式ＳＰＭ洗浄：６０ｓｅｃ）＞（枚葉ＳＰＭ洗浄＋紫外線：３０ｓｅｃ）＞（枚葉ＳＰＭ洗浄＋紫外線＋オゾンガス：２５ｓｅｃ）の関係になっている。
【００３９】
このように、本実施形態によれば、紫外線照射あるいはオゾンガス添加の効果により、電子デバイス基板１枚あたりの薬液処理時間を、従来の枚葉式ＳＰＭ洗浄に比べて、３０〜３５ｓｅｃ程度短縮でき、ＴＡＴ向上に対して有益である。これは、上述のとおり、本実施形態における電子デバイス洗浄装置を用いることにより、紫外線照射およびオゾン添加によって、有機物酸化種の生成が促進されたためである。
【００４０】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態における電子デバイス洗浄装置および電子デバイス洗浄方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
図３は、本実施形態における電子デバイス洗浄装置の構成を示す断面図である。第１の実施の形態における電子デバイス洗浄装置の構成要素と同一の要素については、同一の参照番号を付して、説明の繰り返しを省略する。本洗浄装置は、混合薬液吐出ノズル１０と平行に設置された紫外線照射装置１１を備える。紫外線照射装置１１は、混合薬液吐出ノズル１０とともに電子デバイス基板１上を往復し、電子デバイス基板１全体に混合薬液とともに紫外線を照射することを可能とする機構（図示せず）に支持されている。
【００４２】
このような構成を有することにより、電子デバイス基板１表面近傍での有機物酸化種の生成を促進させ、フォトレジストおよびフォトレジスト残渣との反応性を向上させることができる。
【００４３】
また、混合薬液吐出ノズル１０と紫外線照射装置１１を電子デバイス基板１上で往復運動させることにより、電子デバイス基板１の外周部にまで有機物酸化種をより活性な状態で供給することを可能にし、外周部の除去性を向上させることができる。
【００４４】
さらに、オゾンガス供給ノズル１２からオゾンガスを供給し、電子デバイス基板１表面近傍でオゾンガスからも有機物酸化種を発生させ、レジスト除去性を向上させることもできる。
【００４５】
図４は、本実施形態における電子デバイス洗浄装置における、レジスト除去パーティクル数と洗浄条件との関係を示す図である。この図は、電子デバイス基板１であるシリコン基板全面に厚さ３．０μｍのフォトレジストを塗布し、その後ＳＰＭ洗浄にてレジスト除去を行った結果を示す。また、洗浄に際しては、混合薬液吐出ノズル１０とそれに平行に設置された紫外線照射装置１１を、シリコン基板上で往復運動させている。実験結果は、レジスト除去後、パーティクルカウンターにて、シリコン基板上のパーティクル数のカウントに基づいて示される。すなわち、図には、パーティクルサイズ：０．１２μｍ以上のパーティクルが２０個以下となるＳＰＭ薬液処理時間が表示されている。
【００４６】
図４から判るように、パーティクル数が２０個以下となる薬液処理時間は、（バス式ＳＰＭ洗浄：１８００ｓｅｃ)＞（従来枚葉式ＳＰＭ洗浄：６０ｓｅｃ)＞（枚葉ＳＰＭ洗浄＋紫外線：４０ｓｅｃ)＞（枚葉ＳＰＭ洗浄＋紫外線＋オゾンガス：３５ｓｅｃ)の関係になっている。
【００４７】
このように、本実施形態によれば、紫外線照射あるいはオゾンガス添加の効果により、電子デバイス基板１枚あたりの薬液処理時間を、従来の枚葉ＳＰＭ洗浄に比べて２０〜２５ｓｅｃ程度短縮でき、ＴＡＴ向上に対して有益である。これは、本実施形態における電子デバイス洗浄装置を用いることにより、紫外線照射およびオゾン添加によって、有機物酸化種の生成が促進されたためである。
【００４８】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態における電子デバイス洗浄装置および電子デバイス洗浄方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４９】
図５は、本実施形態に係る半導体洗浄装置の構成を示す断面図である。第１および第２の実施の形態における電子デバイス洗浄装置の構成要素と同一の要素については、同一の参照番号を付して、説明の繰り返しを省略する。本洗浄装置は、混合薬液吐出ノズル１４の直前に設置された薬液混合部１６に対して、紫外線照射装置１５から紫外線を照射することが可能なように構成したものである。
【００５０】
これにより、混合薬液内における有機物酸化種の生成を促進させ、また、第１の実施形態において述べたように、薬液を混合した直後に吐出させることから、Ｈ2Ｏ2濃度が高い状態（活性種が充分にある状態）で洗浄を行なうことができ、レジスト剥離性を向上させることが出来る。
【００５１】
この構成において、薬液混合部１６での有機物酸化種の発生促進のためには、紫外線照射装置１５に代えて超音波発生装置を設けることによっても、同様の効果を得ることが可能である。
【００５２】
また、オゾンガス供給ノズル１２からオゾンガスを供給し、電子デバイス基板１表面近傍でオゾンガスからも有機物酸化種を発生させ、レジスト除去性を向上させることもできる。
【００５３】
図６は、本実施形態における電子デバイス洗浄装置における、レジスト除去パーティクル数と洗浄条件との関係を示す図である。この図は、電子デバイス基板１であるシリコン基板全面に厚さ３．０μｍのフォトレジストを塗布し、その後ＳＰＭ洗浄にてレジスト除去を行った結果を示す。実験結果は、レジスト除去後、パーティクルカウンターにて、シリコン基板上のパーティクル数のカウントに基づいて示される。すなわち、図には、パーティクルサイズ：０．１２μｍ以上のパーティクルが２０個以下となるＳＰＭ薬液処理時間が表示されている。
【００５４】
図６から判るように、パーティクル数が２０個以下となる薬液処理時間は、（バス式ＳＰＭ洗浄：１８００ｓｅｃ)＞（従来枚葉式ＳＰＭ洗浄：６０ｓｅｃ)＞（枚葉ＳＰＭ洗浄＋紫外線：３５ｓｅｃ)＞（枚葉ＳＰＭ洗浄＋紫外線＋オゾンガス：３０ｓｅｃ)の関係になっている。
【００５５】
このように、本実施形態によれば、紫外線照射あるいはオゾンガス添加の効果により、電子デバイス基板１枚あたりの薬液処理時間を従来の枚葉ＳＰＭ洗浄に比べて、２５〜３０ｓｅｃ程度短縮でき、ＴＡＴ向上に対して有益である。なお、紫外線照射に代えて超音波照射を用いた場合にも同様な結果が得られる。これは、本実施形態における電子デバイス洗浄装置において、紫外線照射あるいは超音波照射およびオゾン添加によって、有機物酸化種の生成が促進されたためである。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の電子デバイス洗浄装置および洗浄方法は、枚葉式レジスト除去洗浄において、薬液のレジスト除去性能を向上させて薬液処理時間を短縮し、ＴＡＴを向上させるものであり、特に、電子デバイス基板表面に付着した有機物、フォトレジストあるいはフォトレジスト残渣などを酸化分解して除去するための洗浄に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施形態における電子デバイス洗浄装置を示す断面図
【図２】同電子デバイス洗浄装置を用いた洗浄におけるレジスト除去パーティクル数と洗浄条件との関係を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態における電子デバイス洗浄装置を示す断面図
【図４】同電子デバイス洗浄装置を用いた洗浄におけるレジスト除去パーティクル数と洗浄条件との関係を示す図
【図５】本発明の第３の実施形態における電子デバイス洗浄装置を示す断面図
【図６】同電子デバイス洗浄装置を用いた洗浄におけるレジスト除去パーティクル数と洗浄条件との関係を示す図
【符号の説明】
【００５８】
１  電子デバイス基板
２  基板設置台
３  混合薬液吐出ノズル
４  紫外線照射装置
５  紫外線照射装置設置盤
６  オゾンガス吐出ノズル
７  薬液混合部
８  硫酸供給配管
９  過酸化水素水供給配管
１０  混合薬液吐出ノズル
１１  紫外線照射装置
１２  オゾンガス吐出ノズル
１３  薬液混合部
１４  混合薬液吐出ノズル
１５  紫外線照射装置
１６  薬液混合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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