(57)【要約】本発明は，ヌクレオシドおよびその誘導体，例えば，２’−アミノ，２’−Ｎ−フタロイル，２’−Ｏ−メチル，２’−Ｏ−シリル，２’−ＯＨヌクレオシド，Ｃ−ヌクレオシド，ヌクレオシドホスホルアミダイト，Ｃ−ヌクレオシドホスホルアミダイト，および非ヌクレオシド誘導体の化学合成の方法を提供する。
2004522695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2004522695.tif 000028
［式中，Ｒ１およびＲ２は，独立して，水素，ＮＲ１０Ｒ１１，（ＮＲ１０Ｒ１１）アルキル，アルキル，フルオロまたはクロロであり，ここで，Ｒ１０およびＲ１１は，独立して，水素，アルキル，アルカノイル，アシル，アルコキシ，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルであり；およびＲ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルである］
の化合物を合成する方法であって，
（ａ）式ＩＩ：
【化２】
2004522695.tif 000029
［式中，Ｒ１およびＲ２は式Ｉにおいて定義したとおりである］
の化合物に５’，３’−架橋シリル保護基を導入して，式ＩＩＩ：
【化３】
2004522695.tif 000030
［式中，Ｒ１およびＲ２は式Ｉにおいて定義したとおりであり，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］
の化合物を生成し；
（ｂ）工程（ａ）の生成物をアルキルして，式ＩＶ：
【化４】
2004522695.tif 000031
［式中，
Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は式Ｉにおいて定義したとおりであり，Ｒ４は式ＩＩＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；そして
（ｃ）工程（ｂ）の生成物を脱保護して式Ｉの化合物を得る，
の各工程を含む方法。
【請求項２】
式Ｖ：
【化５】
2004522695.tif 000032
［式中，Ｒ１およびＲ２は，独立して，水素，ＮＲ１０Ｒ１１，（ＮＲ１０Ｒ１１）アルキル，アルキル，フルオロまたはクロロであり，ここで，Ｒ１０およびＲ１１は，独立して水素，アルキル，アルカノイル，アシル，アルコキシ，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルであり；Ｒ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルであり；Ｒ５は酸不安定性保護成分であり；およびＲ６はリン含有成分である］
を有する化合物を合成する方法であって，
（ａ）式ＩＩの化合物に５’，３’−架橋シリル保護基を導入して式ＩＩＩの化合物を生成し；
（ｂ）工程（ａ）の生成物をアルキル化して式ＩＶの化合物を生成し；
（ｃ）工程（ｂ）の生成物に少なくとも１つの環外のアミン保護成分を導入し，
ただし，工程（ｂ）におけるＲ１またはＲ２の少なくとも１つはアミノであり；
（ｄ）工程（ｃ）の生成物を脱保護して式Ｉの化合物を生成し；そして
（ｅ）工程（ｄ）の生成物に酸不安定性保護成分を，次にリン含有成分を導入して式Ｖの化合物を得る，
の各工程を含む方法。
【請求項３】
Ｒ４がｔｅｒｔ−ブチルである，請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１がアミノであり，Ｒ２がＨである，請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
Ｒ１およびＲ２がアミノである，請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
Ｒ１がクロロであり，Ｒ２がＨである，請求項１または２記載の方法。
【請求項７】
式Ｉの化合物が２’−Ｏ−メチルアデノシンである，請求項１記載の方法。
【請求項８】
式Ｖの化合物が５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）である，請求項２記載の方法。
【請求項９】
工程（ｂ）における前記アルキル化がアルキルハロゲン化物および塩基の存在下で行われる，請求項１または２記載の方法。
【請求項１０】
式ＶＩ：
【化６】
2004522695.tif 000033
［式中，Ｒ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルであり；およびＲ７は，Ｈ，アシル，またはアリールアルカノイルである］
を有する化合物を合成する方法であって，
（ａ）イノシンに５’，３’−架橋シリル保護基を導入して式ＶＩＩ：
【化７】
2004522695.tif 000034
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物を生成し；
（ｂ）工程（ａ）の生成物にイミダゾール成分を導入して式ＶＩＩＩ：
【化８】
2004522695.tif 000035
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物を生成し；
（ｃ）工程（ｂ）の生成物をアルキル化して式ＩＸ：
【化９】
2004522695.tif 000036
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルであり，Ｒ３は式ＶＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；
（ｄ）工程（ｃ）の生成物をアミノ化して式Ｘ：
【化１０】
2004522695.tif 000037
［式中，Ｒ３およびＲ７は式ＶＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；そして
（ｅ）工程（ｄ）の生成物を脱シリル化して式ＶＩの化合物を得る，
の各工程を含む方法。
【請求項１１】
式ＶＩを有する化合物を合成する方法であって，
（ａ）イノシンに５’，３’−架橋シリル保護基を導入して，式ＸＩ：
【化１１】
2004522695.tif 000038
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物を生成し；
（ｂ）工程（ａ）の生成物にイミダゾール成分を導入して式ＸＩＩ：
【化１２】
2004522695.tif 000039
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物を生成し；
（ｃ）工程（ｂ）の生成物をアルキル化して，式ＸＩＩＩ：
【化１３】
2004522695.tif 000040
［式中，Ｒ３は式ＶＩにおいて定義したとおりであり，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］
の化合物を生成し；
（ｄ）工程（ｃ）のをアミノ化して，式ＸＩＶ：
【化１４】
2004522695.tif 000041
［式中，Ｒ３およびＲ７は，式ＶＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；そして
（ｅ）工程（ｄ）の生成物を脱シリル化して式ＶＩの化合物を得る，
の各工程を含む方法。
【請求項１２】
（ａ）工程（ｅ）の生成物に酸不安定性保護成分を，次にリン含有成分を導入して，式ＸＶ：
【化１５】
2004522695.tif 000042
［式中，Ｒ７およびＲ３は式ＶＩにおいて定義したとおりであり，Ｒ５は酸不安定性保護成分であり，Ｒ６はリン含有成分である］
の化合物を生成する工程をさらに含む，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
Ｒ４がイソプロピルである，請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
Ｒ４がｔｅｒｔ−ブチルである，請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
Ｒ３がメチルである，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１６】
Ｒ３がメチルである，請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
式ＶＩの化合物が２’−Ｏ−メチルアデノシンである，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１８】
工程（ｃ）におけるアルキル化がヨウ化メチルおよび水素化ナトリウムの存在下で行われる，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１９】
アシル成分がベンゾイル成分である，請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
式ＸＶの化合物が５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）である，請求項１２記載の方法。
【請求項２１】
式ＸＶＩ：
【化１６】
2004522695.tif 000043
［式中，Ｒ８はスクシネート成分，アルキルシリル成分，またはＨであり；およびＲ９は酸不安定性保護成分またはＨである］
を有する化合物を合成する方法であって，
（ａ）式ＸＶＩＩ：
【化１７】
2004522695.tif 000044
［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分である］
の化合物を脱ピリミジン化して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分であり，Ｒ９はＨである］の化合物を生成し；
（ｂ）工程（ａ）の生成物に酸不安定性保護成分を導入して式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分であり，Ｒ９は酸不安定性保護成分である］の化合物を生成し；
（ｃ）工程（ｂ）の生成物を脱保護して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はＨであり，Ｒ９は酸不安定性保護成分である］の化合物を生成し；そして
（ｄ）工程（ｃ）の生成物にスクシネート成分を導入して式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はスクシネート成分であり，Ｒ９は酸不安定性保護成分である］の化合物を生成する，
の各工程を含む方法。
【請求項２２】
式ＸＶＩ：
【化１８】
2004522695.tif 000045
［式中，Ｒ８はリン含有成分，アルキルシリル成分，またはＨであり；およびＲ９は酸不安定性保護成分またはＨである］
を有する化合物を合成する方法であって，
（ａ）式ＸＶＩＩ：
【化１９】
2004522695.tif 000046
［式中，Ｒ８はアルキルシリル成分である］
の化合物を脱ピリミジン化して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分であり，Ｒ９はＨである］の化合物を生成し；
（ｂ）工程（ａ）の生成物に酸不安定性保護成分を導入して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分であり，Ｒ９は酸不安定性保護成分である］の化合物を生成し；
（ｃ）工程（ｂ）の生成物を脱保護して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はＨであり，Ｒ９は酸不安定性保護成分である］の化合物を生成し；そして
（ｄ）式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はリン含有成分であり，Ｒ９は酸不安定性保護成分である］の化合物を得るのに適した条件下で工程（ｃ）の生成物にリン含有成分を導入する，
の各工程を含む方法。
【請求項２３】
式ＸＶＩＩのシリルアルキル成分が，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル，ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル，またはトリイソプロピルシリルである，請求項２１または２２記載の方法。
【請求項２４】
工程（ｂ）が，工程（ａ）の生成物をシリル化試薬および触媒で処理し，次に水素化および選択的脱シリル化して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分であり，Ｒ９はＨである］の前記化合物を得ることを含む，請求項２１または２２記載の方法。
【請求項２５】
シリル化試薬がヘキサメチルジシラザンを含む，請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
触媒が，硫酸，パラトルエンスルホン酸，または硫酸アンモニウムである，請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
触媒が，スルホン酸，ハロゲン化スルホニル，スルホネートまたはスルファミドである，請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
スルホン酸が，メタンスルホン酸またはトリフルオロメタンスルホン酸である，請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
スルファミドが，メタンスルファミドまたはスルファミドである，請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
ハロゲン化スルホニルが塩化メタンスルホニルである，請求項２７記載の方法。
【請求項３１】
スルホネートがトリメチルシリルメタンスルホネートである，請求項２７記載の方法。
【請求項３２】
選択的脱シリル化が，ピリジニウムトリフルオロ酢酸で処理することを含む，請求項２４記載の方法。
【請求項３３】
水素化が，水素ガスおよびパラジウム担持炭素を用いる触媒的水素化である，請求項２４記載の方法。
【請求項３４】
工程（ｃ）における脱保護条件が，エタノール中水酸化ナトリウムによる処理を含む，請求項２１または２２記載の方法。
【請求項３５】
工程（ｄ）の式ＸＶＩの化合物が３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−スクシネートである，請求項２１記載の方法。
【請求項３６】
工程（ｄ）の式ＸＶＩの化合物が３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）である，請求項２２記載の方法。
【請求項３７】
酸不安定性保護成分が，ジメトキシトリチル，モノメトキシトリチル，またはトリチルである，請求項２，２１または２２記載の方法。
【請求項３８】
酸不安定性保護成分が，ジメトキシトリチル，モノメトキシトリチル，またはトリチルである，請求項１２記載の方法。
【請求項３９】
リン含有成分がホスホルアミダイト成分である，請求項２，２１または２２記載の方法。
【請求項４０】
リン含有成分がホスホルアミダイト成分である，請求項１２記載の方法。
【請求項４１】
リン含有成分が三リン酸成分である，請求項２，２１または２２記載の方法。
【請求項４２】
リン含有成分が三リン酸成分である，請求項１２記載の方法。
【請求項４３】
ホスホルアミダイト成分が３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）成分である，請求項４０記載の方法。
【請求項４４】
工程（ｄ）におけるアミノ化がアンモニアを用いるアミノ化である，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項４５】
工程（ｄ）におけるアミノ化がアクリルアミドを用いるアミノ化である，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項４６】
アクリルアミドがベンズアミドである，請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
５’，３’−架橋シリル保護基が，塩基の存在下でジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて導入される，請求項１記載の方法。
【請求項４８】
５’，３’−架橋シリル保護基が，塩基の存在下で１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンを用いて導入される，請求項２記載の方法。
【請求項４９】
塩基が，トリエチルアミン，ジイソプロピルエチルアミン，ピリジン，コリジン，ルチジン，１−メチルイミダゾール，イミダゾール，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，またはこれらの組み合わせである，請求項４７または４８記載の方法。
【請求項５０】
工程（ｃ）における前記アルキル化が，アルキルハロゲン化物および塩基の存在下で行われる，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項５１】
アルキルハロゲン化物がヨウ化メチルであり，塩基が水素化ナトリウムである，請求項５０記載の方法。
【請求項５２】
５’および３’ヒドロキシルの脱保護が，酸，フッ素源，またはこれらの組み合わせである試薬を用いて行われる，請求項１または２記載の方法。
【請求項５３】
試薬が，ＨＦ／ピリジン，フッ化テトラブチルアンモニウム，水性ＨＦ溶液，ＨＦガス，またはＨＦ／トリエチルアミン付加物である，請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
工程（ａ），（ｂ），および（ｃ）が，独立して，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で行われる，請求項１記載の方法。
【請求項５５】
工程（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）および（ｅ）が，独立して，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で行われる，請求項２記載の方法。
【請求項５６】
工程（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）および（ｅ）が，独立して，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で行われる，請求項１０記載の方法。
【請求項５７】
工程（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）および（ｅ）が，独立して，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で行われる，請求項１１記載の方法。
【請求項５８】
工程（ａ）が，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で行われる，請求項１２記載の方法。
【請求項５９】
工程（ａ），（ｂ），（ｃ），および（ｄ）が，独立して，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で行われる，請求項２１記載の方法。
【請求項６０】
工程（ｅ）におけるリン含有成分が，クロロホスフィンおよび塩基を用いて導入される，請求項２記載の方法。
【請求項６１】
工程（ａ）におけるリン含有成分が，クロロホスフィンおよび塩基を用いて導入される，請求項１２記載の方法。
【請求項６２】
工程（ｄ）におけるリン含有成分が，クロロホスフィンおよび塩基を用いて導入される，請求項２１または２２記載の方法。
【請求項６３】
塩基が，トリエチルアミン，ジイソプロピルエチルアミン，ピリジン，コリジン，ルチジン，１−メチルイミダゾール，イミダゾール，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，またはこれらの組み合わせである，請求項６０および６１記載の方法。
【請求項６４】
塩基が，トリエチルアミン，ジイソプロピルエチルアミン，ピリジン，コリジン，ルチジン，１−メチルイミダゾール，イミダゾール，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，またはこれらの組み合わせである，請求項６２記載の方法。
【請求項６５】
式ＶＩＩＩ：
【化２０】
2004522695.tif 000047
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物。
【請求項６６】
式ＩＸ：
【化２１】
2004522695.tif 000048
［式中，Ｒ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルであり，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物。
【請求項６７】
式ＸＩＩ：
【化２２】
2004522695.tif 000049
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物。
【請求項６８】
式ＸＩＩＩ：
【化２３】
2004522695.tif 000050
［式中，Ｒ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，もしくはアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルであり，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルである］の化合物。
【請求項６９】
Ｒ４がイソプロピルである，請求項６５または６６記載の化合物。
【請求項７０】
Ｒ４がｔｅｒｔ−ブチルである，請求項６７または６８記載の化合物。
【請求項７１】
Ｒ３がメチルである，請求項６６または６８記載の化合物。
【請求項７２】
アルキルハロゲン化物がヨウ化メチルであり，塩基が水素化ナトリウムである，請求項９記載の方法。
【請求項７３】
イミダゾール成分が，リン試薬，ハロゲン化アルカン，およびイミダゾールの存在下で導入される，請求項１０または１１記載の方法。
【請求項７４】
リン試薬がトリフェニルホスフィンである，請求項７３記載の方法。
【請求項７５】
ハロゲン化アルカンが四塩化炭素である，請求項７３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は，ヌクレオシド，非ヌクレオシドおよびそれらの誘導体，例えば，ヌクレオシドおよび非ヌクレオシドホスホルアミダイトおよびスクシネートの化学合成に関する。
【０００２】
発明の背景
Ｂｅｉｇｅｌｍａｎらの米国特許出願（６０／２３０，０５７，２０００年９月１日出願，表題”ＭＥＴＨＯＤＳ  ＦＯＲ  ＳＹＮＴＨＥＳＩＺＩＮＧ  ＮＵＣＬＥＯＳＩＤＥＳ  ＡＮＤ  ＮＵＣＬＥＯＳＩＤＥ  ＤＥＲＩＶＡＴＩＶＥＳ”）およびＢｅｉｇｅｌｍａｎらの米国特許出願（６０／２８６，５７１，２００１年４月２５日出願，表題”ＭＥＴＨＯＤＳ  ＦＯＲ  ＳＹＮＴＨＥＳＩＺＩＮＧ  ＮＵＣＬＥＯＳＩＤＥＳ，ＮＵＣＬＥＯＳＩＤＥ  ＤＥＲＩＶＡＴＩＶＥＳ  ＡＮＤ  ＮＯＮ−ＮＵＣＬＥＯＳＩＤＥ  ＤＥＲＩＶＡＴＩＶＥＳ”）に基づく優先権を主張する。これらの出願は，図面を含めその全体を本明細書の一部としてここに引用する。
【０００３】
以下は，ヌクレオシドの合成の簡単な説明である。この概要は完全であることを意味するものではなく，以下に記載される本発明を理解するためにのみ提供される。この概要は，以下に記載される研究が本発明に対する先行技術であると認めるものではない。
【０００４】
オリゴヌクレオチドの構造的修飾は，これらの臨床的用途の可能性が現れるにつれてますます重要になってきている（Ｕｓｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９９６，Ｅｄ．，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ，Ｖｏｌ．１０，２４３−２６４；Ａｇｒａｗａｌ，１９９６，Ｔｒｅｎｄｓ  Ｂｉｏｔｅｃｈ．，１４，３７６−３８７；Ｃｈｒｉｓｔｏｆｆｅｒｓｅｎ  ａｎｄ  Ｍａｒｒ，１９９５，Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，３８，２０２３−２０３７）。効力を維持しながらヌクレアーゼ耐性を増加させるよう化学的に修飾された核酸の効率的な合成は，新規治療剤の開発の可能性にとって重要である。
【０００５】
リボ核酸における構造−機能相関に関する研究は，これまでは，そのような生物学的に関連性のある分子を製造する方法が限定されていたために妨げられていた（Ｃｅｃｈ，１９９２，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１７，７３８１−７３９３；Ｆｒａｎｃｋｌｙｎ  ａｎｄ  Ｓｃｈｉｍｍｅｌ，１９８９，Ｎａｔｕｒｅ，３３７，４７８−４８１；Ｃｏｏｋ  ｅｔ  ａｌ．，１９９１，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９，１５７７−１５８３；Ｇｏｌｄ，１９８８，Ａｎｎｕ．Ｒｅｖ．Ｂｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，５７，１９９−２３３）。酵素的方法は存在したが，構造機能相関を探索することができる方法は限られていた。均一な合成後化学修飾（Ｋａｒａｏｇｌｕ  ａｎｄ  Ｔｈｕｒｌｏｗ，１９９１，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９，５２９３−５３００），または部位特異的突然変異誘発（Ｊｏｈｎｓｏｎ  ａｎｄ  Ｂｅｎｋｏｖｉｃ，１９９０，Ｔｈｅ  Ｅｎｚｙｍｅｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｓｉｇｍａｎ  ａｎｄ  Ｂｏｙｅｒ，ｅｄｓ．，１５９−２１１）のみが利用可能であった。後者の場合，研究者は天然塩基を用いるよう制限された。幸運なことに，ホスホルアミダイトプロトコルをＲＮＡ合成に適用することにより，ＲＮＡに対する我々の理解は大きく加速された。所定のＲＮＡ中の任意の位置に修飾ヌクレオチドを部位特異的に導入することは，今や日常作業となった。さらに，単一の修飾に限定されず，各分子に多くの変形を含有させることができる。
【０００６】
小さい構造的修飾がそのような衝撃を有しうることは釣り合いがとれないように見えるが，リボフラノース環の２’−位に１個のヒドロキシルが存在することが，これまでＲＮＡ分野の研究が匹敵するＤＮＡ研究より遅れていたことの主な理由であった。ＤＮＡ合成の方法の改良が進歩し，このことにより構造的および治療的用途のための大量のアンチセンスデオキシオリゴヌクレオチドの製造が可能となった。ＲＮＡについては，同様の利益は最近になって初めて達成された（Ｗｉｎｃｏｔｔ  ｅｔ  ａｌ．，１９９５，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２３，２６７７−２６８４；Ｓｐｒｏａｔ  ｅｔ  ａｌ．，１９９５，Ｎｕｃｌｅｏｓｉｄｅｓ  ａｎｄ  Ｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ，１４，２５５−２７３；Ｖａｒｇｅｅｓｅ  ｅｔ  ａｌ．，１９９８，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２６，１０４６−１０５０）。
【０００７】
ＤＮＡ合成とＲＮＡ合成との間の隔たりは，５’−および２’−ヒドロキシルの直交保護基を同定することの困難性に起因する。歴史的には，ＲＮＡ合成の問題を解決しようとする化学者は，２つの標準的な方法を取ってきた。第１のアプローチは，当該技術分野において知られるＤＮＡ合成を適用しようとする方法を開発することを含み，一方，第２のアプローチは，ＲＮＡに特に適した方法を設計することを含む。ＤＮＡプロセスの適用は，非ＲＮＡホスホルアミダイトをＲＮＡオリゴマー中に容易に取り込ませることができる，より万能性の方法を与えるが，後者のアプローチの利点は，ＲＮＡ合成に最適なプロセスを開発することができ，その結果として，より高い収率を得ることができることである。しかし，いずれの場合においても，類似の問題点，例えば，合成条件に適合し，かつ適当な際に除去することができる保護基の同定の問題点が存在する。すなわち，この問題は，２’−および５’−ＯＨ基に関連するのみならず，塩基およびリン酸保護基をも含む。したがって，補助剤の選択に加えて，付随する脱保護工程が重要である。別の共通の障害は，モノマービルディングブロックの効率的な合成が必要であることである。
【０００８】
最も一般的な範例は，ＤＮＡ合成方法をＲＮＡに適用することであった。したがって，ＤＮＡ保護基と適合性があり，かつ，オリゴマーが合成された後に容易に除去することができる２’−ヒドロキシル保護基を同定することが重要である。塩基上に存在するアミド保護基および５’−Ｏ−ジメトキシトリチル（ＤＭＴ）基（または場合によっては９−（フェニル）キサンテン−９−イル（Ｐｘ）基）による制約のため，２’−ブロッキング基は酸および塩基の両方に安定でなければならない。さらに，２’−ブロッキング基は，酸化およびキャッピング試薬に対しても不活性でなければならない。最も広く用いられている２’−ヒドロキシル保護基はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル（ＴＢＤＭＳ）エーテルであるが，多くの他の保護基が研究されてきた。これらの代替２’−保護基としては，アセタール基，例えば，テトラヒドロピラニル（ＴＨＰ），メトキシテトラヒドロピラニル（ｍｔｈｐ），１−（２−フルオロフェニル）−４−メトキシピペリジン−４−イル（Ｆｐｍｐ），１−（２−クロロエトキシ）エチル，２−ヒドロキシイソフタレートホルムアルデヒドアセタール，および１−｛４−［２−（４−ニトロフェニル）エトキシカルボニルオキシ］−３−フルオロベンジルオキシ｝エチル基が挙げられる。さらに，光不安定基，例えば，ｏ−ニトロベンジル，ｏ−ニトロベンジルオキシメチル，およびｐ−ニトロベンジルオキシメチル基も用いられてきた。他の基としては，１，１−ジアニシル−２，２，２−トリクロロエチル基，ｐ−ニトロフェニルエチルスルホニル基，および２’−Ｏ−トリイソプロピルシリル−オキシ−メチル基が挙げられる。これまでに研究されたさらに別の２’−保護基は，Ｇａｉｔら（１９９１；Ｏｌｉｇｏｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｏｌｉｇｏｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ  ａｎｄ  Ａｎａｌｏｇｕｅｓ，Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ａｐｐｒｏａｃｈ（Ｆ．Ｅｃｋｓｔｅｉｎ，ｅｄ．），２５−４８，およびＢｅａｕｃａｇｅおよびＩｙｅｒ（１９９２，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，４８，２２２３−２３１１）に概説されている。
【０００９】
これまでのところ，最も普及している２’−保護基はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基であり，これは，原理的にはＯｇｉｌｖｉｅおよびその共同研究者らにより開発された（Ｕｓｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９８７，Ｊ．Ａ．Ｃ．Ｓ．，１０９，７８４５−７８５４）。合成（Ｗｉｎｃｏｔｔ  ｅｔ  ａｌ．，１９９５，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２３，２６７７−２６８４，Ｓｐｒｏａｔ  ｅｔ  ａｌ．，１９９５，Ｎｕｃｌｅｏｓｉｄｅｓ  ａｎｄ  Ｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ，１４，２５５−２７３，Ｖａｒｇｅｅｓｅ  ｅｔ  ａｌ．，１９９８，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，２６，１０４６−１０５０），および脱保護（Ｗｉｎｃｏｔｔ  ｅｔ  ａｌ．，（上掲）；Ｓｐｒｏａｔ  ｅｔ  ａｌ．，（上掲））の両方の領域におけるシリル化学の最近の進歩により，オリゴリボヌクレオチドの製造においてこれを使用する方法がさらに利用可能となった。
【００１０】
ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基のリボヌクレオチドの２’−位への導入は，通常は，硝酸銀またはイミダゾールのいずれかの存在下で５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−ヌクレオシドを塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルと反応させることにより行われる。得られた２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル，３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルおよびビス−置換（３’，２’−ジ−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）生成物の混合物は，通常はカラムクロマトグラフィーにより精製して，所望の２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル誘導体を単離しなければならない。単離された３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル誘導体をトリエチルアミン／メタノールまたはピリジン／水中における平衡により処理することにより，シリルエーテルを移動させることができ，このことにより追加の２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル生成物を単離することができる。多数回の再平衡を用いてますます少ない量の所望の２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル生成物を得ることができるが，このプロセスは，時間がかかり，平衡のたびに別々の精製工程を必要とする。したがって，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル異性体の形成は場合によっては動力学的に好ましいが，一般的に，得られた所望の２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル異性体の単離収率は，競合する３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルおよびビス置換異性体の形成のため減少する。したがって，ヌクレオシドの２’−ヒドロキシルにシリル保護を選択的に導入するのに有用な，ヌクレオシドホスホルアミダイト合成の一般的方法が求められている。
【００１１】
２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオチドを用いて，新規な酵素的核酸分子がインビトロで選択されている（Ｂｅａｕｄｒｙ  ｅｔ  ａｌ．，２０００，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｂｉｏｌｏｇｙ，７，３２３−３３４）。このように，２’−デオキシ−２’−アミノ含有オリゴヌクレオチドの効率的な合成に適した方法が必要とされている。Ｂｅｉｇｅｌｍａｎら（１９９５，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｒｅｓ．，２３，４４３４−４４４２）は，先に，オリゴヌクレオチド合成の間に２’−デオキシ−２’−アミノリボヌクレオチドホスホルアミダイトの２’−アミノ官能基のためにフタロイル保護基を用いることは，トリフルオロアセチルまたはＦｍｏｃ保護基より好ましいことを示している。Ｂｅｉｇｅｌｍａｎら（上掲）はまた，ネフキン（Ｎｅｆｋｉｎ）の方法（Ｎｅｆｋｉｎｓ  ｅｔ  ａｌ．，１９６０，Ｒｅｃｌ．Ｔｒａｖ．Ｃｈｉｍ．Ｐａｙｓ−Ｂａｓ．，７９，６８８−６９８）を用いて，２’−アミノウリジンから出発して，２’−Ｎ−フタロイルウリジンホスホルアミダイトを合成することを記載する。この方法は，出発物質として２’−デオキシ−２’−アミノ−ヌクレオシドを必要とする。
【００１２】
２’−アミノウリジンの最初の製造は，Ｖｅｒｈｅｙｄｅｎら（１９７１，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３６，２５０−２５４）により記載されている。この方法は，アジ化リチウムを用いて２，２’−Ｏ−アンヒドロウリジンを５０％の収率で開環し，次に触媒的還元により対応するアミンとする。これまでに，この方法を若干改変して用いたいくつかの報告が発表されている。２，２’−Ｏ−アンヒドロウリジンの３’−Ｏ−トリクロロアセチミデートの分子内環化，続いて酸加水分解を用いる方法が，アジドイオンの使用の代替法として発表されている（ＭｃＧｅｅ  ｅｔ  ａｌ．，１９９６，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６１，７８１−７８５）。２’−アミノプリンヌクレオシドの合成方法は，２’−アジド基を導入し，次にアミンに還元する，同じ一般的戦略を用いる。あるいは，２’−アジドプリンヌクレオシドは，２’−アジド−２’−デオキシリボース誘導体を用いるグリコシル化（Ｈｏｂｂｓ  ａｎｄ  Ｅｃｋｓｔｅｉｎ，１９７７，Ｊ．Ｏｒｇ．，Ｃｈｅｍ．，４２，７１４−７１９），２’−アミノ−２’−デオキシウリジンを用いるトランスグリコシル化（Ｉｍａｚａｗａ  ａｎｄ  Ｅｃｋｓｔｅｉｎ，１９７９，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４４，２０３９−２０４１），アジドイオンを用いる８，２−シクロプリンヌクレオシドの開環（Ｉｋｅｈａｒａｅｔ  ａｌ．，１９７７，Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．，２５，７５４−７６０；Ｉｋｅｈａｒａ  ａｎｄ  Ｍａｒｕｙａｍａ，１９７８，Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．，２６，２４０−２４４），およびアジドイオンを用いる対応する２’−アラビノトリフレートの置換（Ｒｏｂｉｎｓ  ｅｔ  ａｌ．，１９９２，Ｎｕｃｌｅｏｓｉｄｅｓ  ａｎｄ  Ｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ，１１，８２１−８３４）により製造されてきた。
【００１３】
他の刊行物もヌクレオシド誘導体の製造を記述しており，例えば，以下のものが挙げられる：Ｋａｒｐｅｉｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，国際公開ＷＯ９８／２８３１７（２’−Ｏ−アミノヌクレオシドの合成を記載），Ｂｅｉｇｅｌｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許５，９６２，６７５，（２’−Ｏ−メチルヌクレオシドの合成を記載），Ｆｕｒｕｓａｗａ，日本特許６０６７４９２（ヌクレオシド環状ケイ素誘導体の合成を記載），Ｆｕｒｕｓａｗａ，日本特許１０２２６６９７（２’−Ｏ−シリルヌクレオシドの合成を記載），Ｕｓｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許５，６３１，３６０（Ｎ−フタロイル保護２’−アミノヌクレオシドホスホルアミダイトを記載），Ｕｓｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許５，８９１，６８３（非ヌクレオシド含有酵素的核酸分子を記載），およびＭａｔｕｌｉｃ−Ａｄａｍｉｃ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許５，９９８，２０３（５’および／または３’−キャップ構造を含む酵素的核酸分子を記載）。
【００１４】
発明の概要
本発明は，より少ない合成工程を用い，アジドの使用を回避し，および同時に２’−アミンのＮ−フタロイル保護を導入する，２’−デオキシ−２’−アミノプリンおよびピリミジンヌクレオシドおよびＣ−ヌクレオシドを合成する普遍的な方法を提供する（図１を参照）。
【００１５】
１つの態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−アミノおよび２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを製造する方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に存在する脱離基の置換において，フタルイミドおよび／または置換フタルイミドを求核基として使用して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを生成することを含む。次に，適当な塩基を用いてフタロイル保護を切断することにより，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドが形成される。
【００１６】
本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；そして（ｂ）工程（ａ）からの前記脱離基をフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基で置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを得る。
【００１７】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は，以下の工程を含む：（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；（ｂ）工程（ａ）からの前記脱離基をフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基で置換して２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを生成し；そして（ｃ）前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを脱保護して前記２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドを得る。
【００１８】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−アミノおよび２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを製造する方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位に存在する脱離基の置換においてフタルイミドおよび／または置換フタルイミドを求核基として使用して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを生成することを含む。次に適当な塩基を用いてフタロイル保護を切断することにより，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドが形成される。
【００１９】
別の態様においては，本発明は，２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドを，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドの形成に適した条件下でフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供する。
【００２０】
別の態様においては，本発明は，２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドを，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドの形成に適した条件下でフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを合成する方法を提供する。
【００２１】
別の態様においては，本発明は，２’−メタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドを，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドの形成に適した条件下でフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供する。
【００２２】
別の態様においては，本発明は，２’−メタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドを，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドの形成に適した条件下でフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを合成する方法を提供する。
【００２３】
別の観点においては，本発明はまた，競合する３’−Ｏ−シリルヌクレオシド異性体の形成を回避し，このことにより２’−Ｏ−シリルヌクレオシドおよび３’−Ｏ−シリルヌクレオシド異性体の分離の必要を回避しながら全体的合成収率を改善する，核酸塩基保護２’−Ｏ−シリルヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドを合成する方法を提供する（図２）。本明細書に記載される方法は，３’−Ｏ−シリルヌクレオシド異性体を再平衡化させて追加の２’−Ｏ−シリルヌクレオシドを精製する慣例を回避する。さらに，本発明の方法は，核酸塩基の保護において別々の工程としてフラノシルヒドロキシルを一時的に保護する必要を回避する。
【００２４】
本発明はまた，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリルヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）ヌクレオシドに５’，３’−環状シリル保護基を導入し；（２）工程（１）の生成物に２’−Ｏ−シリル保護基を導入し；（３）必要な場合には工程（２）の生成物に核酸塩基保護を導入し；（４）工程（３）の生成物を選択的に脱シリル化し；（５）工程（４）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬を用いて工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入して，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドホスホルアミダイトを得る。
【００２５】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：（１）必要な場合にはヌクレオシドに核酸塩基保護を導入し；（２）工程（１）の生成物に５’，３’−環状シリル保護基を導入し；（３）工程（２）の生成物に２’−Ｏ−シリル保護基を導入し；（４）工程（３）の生成物を選択的に脱シリル化し；（５）工程（４）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬を用いて工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入して，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドホスホルアミダイトを得る。
【００２６】
別の態様においては，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドホスホルアミダイトの合成方法を用いて，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルヌクレオシド，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルヌクレオシド，２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシド，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースヌクレオシドホスホルアミダイトの両方を合成する。
【００２７】
本発明はまた，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）Ｃ−ヌクレオシドに５’，３’−環状シリル保護基を導入し；（２）工程（１）からの生成物に２’−Ｏ−シリル保護基を導入し；（３）必要な場合には工程（２）の生成物に核酸塩基保護を導入し；（４）工程（３）の生成物を選択的に脱シリル化し；（５）工程（４）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬を用いて工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【００２８】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：（１）必要な場合にはＣ−ヌクレオシドに核酸塩基保護を導入し；（２）工程（１）の生成物に５’，３’−環状シリル保護基を導入し；（３）工程（２）からの生成物に２’−Ｏ−シリル保護基を導入し；（４）工程（３）の生成物を選択的に脱シリル化し；（５）工程（４）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬を用いて工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【００２９】
別の態様においては，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法を用いて，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースＣ−ヌクレオシド，および２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの両方を合成する。
【００３０】
さらに別の観点においては，本発明は，２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する方法を提供する。２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドホスホルアミダイトは，２，６−ジアミノプリンヌクレオシドから，２，６−ジアミノプリンヌクレオシドを選択的にメチル化し，次に２，６−ジアミノプリンヌクレオシドを選択的に脱アミノ化して，２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドを得ることにより合成する。
【００３１】
本発明は，２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する実用的な方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて，２，６−ジアミノ−９−（β−リボフラノシル）プリンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンを形成し；（２）２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−β−リボフラノシル］プリンの単離に適した条件下で工程（１）の生成物をメチル化し；（３）Ｎ２−Ｎ６−２，６−ジアミノ−ジアシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンの単離に適した条件下で，工程（２）からの生成物のＮ２およびＮ６位にアシル保護を導入し；（４）２，６−ジアミノ−Ｎ２−アシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物のＮ６位を選択的に置換し；（５）Ｎ２−アシル−２’−Ｏ−メチルグアノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物をＮ６−アミンを化学的に脱アミノ化し，脱シリル化し；（６）Ｎ２−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（７）ホスフィチル化試薬を用いて，Ｎ２−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【００３２】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドを化学的に合成する方法を提供し，該方法は，以下の工程を含む：（１）ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて，２，６−ジアミノ−９−（β−リボフラノシル）プリンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−β−リボフラノシル］プリンを形成し；（２）２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンの単離に適した条件下で，工程（１）の生成物をメチル化し；（３）２，６−ジアミノ−Ｎ２−Ｎ６−ジアシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンの単離に適した条件下で，工程（２）からの生成物のＮ２およびＮ６位をアシル化し；（４）２，６−ジアミノ−Ｎ２−アシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物のＮ６位を選択的に脱アシル化し；（５）Ｎ２−アシル−２’−Ｏ−メチルグアノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物をＮ６−アミンを脱アミノ化し，脱シリル化し；そして（６）前記２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドの単離に適した条件下で，工程（ｅ）の生成物からＮ２−アミンを脱保護する。
【００３３】
さらに別の観点においては，本発明は，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する方法を提供する。２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドホスホルアミダイトは，アデノシンから，５’，３’−シランジイル保護アデノシンヌクレオシドの２’−ヒドロキシルを選択的にアルキル化し，次に５’，３’−シランジイルを選択的に脱保護して２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドを得ることにより合成する。所望の場合には，５’，３’−シランジイルのアルキル化の後，脱保護の前に，アデノシンのＮ６アミンを保護して，Ｎ６−アシル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンを得ることができる。オリゴヌクレオチド合成に適合した酸不安定性保護基およびリン含有基は，当該技術分野において知られるようにして導入することができる。
【００３４】
１つの態様においては，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドホスホルアミダイトは，イノシンから，５’，３’−シランジイル保護イノシンヌクレオシドのＯ６位にイミダゾールまたはトリアゾール成分を導入し，５’，３’−シランジイル保護アデノシンＮ６−イミダゾールヌクレオシドの２’−ヒドロキシルを選択的にアルキル化し，次に５’，３’−シランジイルをＮ６アミノ化および脱保護して，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドを得ることにより合成する。あるいは，５’，３’−シランジイル保護２’−Ｏ−アルキルアデノシンＮ６−イミダゾールヌクレオシドを脱シリル化して，２’−Ｏ−アルキルアデノシンＮ６−イミダゾールヌクレオシドとし，これをアンモニアでアミノ化して，２’−Ｏ−アルキルアデノシンを得る。当該技術分野において知られるように，オリゴヌクレオチド合成に適合した酸不安定性保護基およびリン含有基を導入することができる。
【００３５】
本発明は，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する実用的な方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いてアデノシンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−アデノシンを形成し；（２）５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（１）の生成物をアルキル化し；（３）Ｎ６−アシル−５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（２）からの生成物のＮ６位にアシル保護を導入し；（４）Ｎ２−アシル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物を脱シリル化し；（５）Ｎ６−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬を用いて，Ｎ６−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−アルキルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【００３６】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドを化学的に合成する方法を提供し，該方法は，以下の工程を含む：（１）ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて，アデノシンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）アデノシンを形成し；（２）５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（１）の生成物をアルキル化し；（３）Ｎ６−アシル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物を脱シリル化する。
【００３７】
本発明は，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する実用的な方法を提供する。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）イノシンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−保護−イノシンを形成し；（２）５’，３−保護−Ｎ６−イミダゾールアデノシンの単離に適した条件下で，工程（１）の生成物にＮ６イミダゾール成分を導入し；（３）５’，３’−保護−２’−Ｏ−アルキル−Ｎ６−イミダゾールアデノシンの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物をアルキル化し；（４）Ｎ６−アシル−５’，３’−保護−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（３）からの生成物のＮ６位にアシル保護を導入し；（５）Ｎ６−アシル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱シリル化し；（６）Ｎ６−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物に５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（７）ホスフィチル化試薬を用いて，Ｎ６−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−アルキルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【００３８】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−アルキルアデノシンヌクレオシドを化学的に合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：（１）イノシンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−保護イノシンを生成し；（２）Ｎ６−イミダゾール−５’，３’−保護アデノシンの単離に適した条件下で，工程（１）の生成物にＮ６イミダゾール成分を導入し；（３）Ｎ６−イミダゾール−５’，３’−保護−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物をアルキル化し；（４）Ｎ６−アシル−５’，３’−保護−２’−Ｏ−アルキルアデノシンまたは５’，３’−保護−２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（３）からの生成物のＮ６位をアミノ化し；（５）Ｎ６−アシル−２’−Ｏ−アルキルアデノシンまたは２’−Ｏ−アルキルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱シリル化する。
【００３９】
別の態様においては，脱シリル化の前または後に，Ｎ６−イミダゾール−５’，３’−保護−２’−Ｏ−アルキルアデノシンのアミノ化に，アクリルアミド，例えば，ベンズアミドを用いて，環外のアミン保護を導入する。
【００４０】
本発明はまた，１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体，例えば，１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールスクシネートおよびホスホルアミダイトを合成する実用的な方法を提供する。該方法は以下の工程を含む：（１）５−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，５’−Ｏ−保護チミジン誘導体を脱ピリミジン化し；（２）５−Ｏ−保護−３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，５−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールのＣ３ヒドロキシルに酸不安定性保護基を導入し；（３）３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物を選択的に５−Ｏ−脱保護し；そして（４）５−Ｏ−スクシニル−３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールまたは３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−ホスホルアミダイトの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物の５位にスクシネート成分またはホスホルアミダイト成分を含む化学成分を導入する。
【００４１】
図面の簡単な説明
図１は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシド，ヌクレオシドホスホルアミダイトおよびＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの合成を記述する一般的反応スキームの概略図である。
【００４２】
図２は，本発明の方法による，２’−Ｏ−シリルヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの合成を記述する一般的反応スキームの概略図である。
【００４３】
図３は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（８）および２’−デオキシ−２’−アミノシチジン（９）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００４４】
図４は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（１６）および２’−デオキシ−２’−アミノウリジン（１７）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００４５】
図５は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（２５）および２’−デオキシ−２’−アミノアデノシン（２６）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００４６】
図６は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（３６）および２’−デオキシ−２’−アミノグアノシン（３７）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００４７】
図７は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（４３）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００４８】
図８は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（４８）の合成に関与するスキームの概略図である。
【００４９】
図９は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（５４）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００５０】
図１０は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６０）の合成に関連するスキームの概略図である。
【００５１】
図１１は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６９）および２’−Ｏ−メチルグアノシン（７０）の合成に関与するスキームの概略図である。
【００５２】
図１２は，例えば，図３の工程ＩＶおよび図４および５の工程ＩＩＩにおいて生ずる競合的除去反応の概略図である。
【００５３】
図１３は，本発明の方法による，２’−Ｏ−メチルアデノシン（７５）の合成に関連するスキームの概略図である。図１３に示される合成の方法を用いて，オリゴヌクレオチド合成用の２’−Ｏ−メチルホスホルアミダイトおよび他の２’−Ｏ−メチル誘導体を合成することができる。
【００５４】
図１４は，Ｎ６−イミダゾールアデノシン中間体を用いる本発明の方法による，２’−Ｏ−メチルアデノシン（７５）の合成に関連するスキームの概略図である。図１４に示される合成の方法を用いて，オリゴヌクレオチド合成用の２’−Ｏ−メチルホスホルアミダイトおよび他の２’−Ｏ−メチル誘導体を合成することができる。
【００５５】
図１５は，本発明の方法による１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体の合成に関連するスキームの概略図である。図１５に示される合成方法を用いて，オリゴヌクレオチド合成において用いるための１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールホスホルアミダイトおよび１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールスクシネートを合成することができる。
【００５６】
発明の詳細な説明
本明細書において用いる場合，”ヌクレオシド”との用語は，糖，特にペントースとＮ−グリコシド結合している複素環窒素性塩基，特にプリンまたはピリミジンを表す。ヌクレオシドには，Ｌ−およびＤ−ヌクレオシド異性体の両方が含まれる。
【００５７】
本明細書において用いる場合，”Ｃ−ヌクレオシド”との用語は，糖，特にペントースとＣ−グリコシド結合している複素環または芳香族基またはアグリコンを表す。Ｃ−ヌクレオシドには，Ｌ−およびＤ−のＣ−ヌクレオシド異性体の両方が含まれる。
【００５８】
本明細書において用いる場合，”リボフラノシルヌクレオシド”との用語は，２’−ヒドロキシル基をＬ−またはＤ−ベータ−リボフラノシルコンフィギュレーションで含むヌクレオシドまたはヌクレオシド類似体を表す。
【００５９】
本明細書において用いる場合，”アラビノフラノシルヌクレオシド”との用語は，Ｌ−またはＤ−ベータ−アラビノフラノシルコンフィギュレーションで２’−ヒドロキシル基を含むヌクレオシドまたはヌクレオシド類似体を表す。
【００６０】
本明細書において用いる場合，”求核基”との用語は，孤立電子対を含み，炭素原子への新たな結合を形成する，塩基性の，電子に富む試薬を表す。求核基は，アニオンでもよく，または中性の電荷でもよい。例としては，限定されないが，カルバニオン，酸素アニオン，ハロゲン化物アニオン，イオウアニオン，窒素アニオン，窒素塩基，アルコール，水およびチオールが挙げられる。
【００６１】
本明細書において用いる場合，”脱離基”との用語は，炭素を容易に放出し，前記炭素原子から孤立電子対を取り出す弱塩基性の化学種を表す。例としては，限定されないが，トリフレート，ノシレート，ブロシレート，ｐ−トルエンスルホネート，トリフルオロ酢酸，およびメシレートが挙げられる。
【００６２】
本明細書において用いる場合，”ヒンダード塩基”との用語は，弱い求核性の強塩基性アミン塩基を表す。
【００６３】
本明細書において用いる場合，”保護１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシド”との用語は，保護基を含む１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドを表す。保護基は，ヌクレオシド中に存在する反応性基との望ましくない副反応を防止し，このことにより，目的とするヌクレオシド中の所望の位置における選択的反応を可能とするために用いられる。保護基は容易に導入および除去することができ，いずれの反応も高い収率で生ずる。例えば，アシル基による核酸塩基環外のアミンの保護，またはジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル基によるヌクレオシド５’，３’−ヒドロキシルの保護は，これらの位置における望ましくない反応を防止し，このことにより，標的ヌクレオシドの２’−ヒドロキシルにおける選択的反応を可能とする。
【００６４】
本明細書において用いる場合，”保護１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシド”との用語は，保護基を含む１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドを表す。保護基は，ヌクレオシド中に存在する反応性基との望ましくない副反応を防止し，このことにより目的とするヌクレオシド中の所望の位置における選択的反応を可能とするために用いられる。保護基は容易に導入および除去することができ，いずれの反応も高い収率で生ずる。例えば，アシル基による核酸塩基環外のアミンの保護，またはジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル基によるヌクレオシド５’，３’−ヒドロキシルの保護は，これらの位置における望ましくない反応を防止し，このことにより，標的Ｃ−ヌクレオシドの２’−ヒドロキシルにおける選択的反応を可能とする。
【００６５】
本明細書において用いる場合，”５’，３’−環状シリル保護基”，または”５’，３’−架橋シリル保護基”，または”５’および３’ヒドロキシルの同時保護”との用語は，ヌクレオシドまたはＣ−ヌクレオシドの５’−ヒドロキシルと３’−ヒドロキシル基との間のヌクレオシド内シリルエーテル結合の架橋の形成を介して，ヌクレオシドまたはＣ−ヌクレオシドの５’および３’位の両方を選択的に保護する保護基を表す。このような架橋基としては，限定されないが，ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル基が挙げられる。
【００６６】
本明細書において用いる場合，”２’−Ｏ−シリル”との用語は，ヌクレオシドまたはＣ−ヌクレオシドの２’−位の置換シリルエーテル，例えば，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基を表す。
【００６７】
本明細書において用いる場合，”シリル化”との用語は，シリル基またはケイ素含有基を導入するプロセスを表す。シリル基としては，限定されないが，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル（ＴＢＤＭＳ），トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ），トリエチルシリル（ＴＥＳ），トリメチルシリル（ＴＭＳ），ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）が挙げられる。”環状シリル化”との用語は，架橋シリル基，例えば，ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル基を導入するプロセスを表す。
【００６８】
本明細書において用いる場合，”脱シリル化”との用語は，シリル基またはケイ素含有基を除去するプロセスを表す。
【００６９】
本明細書において用いる場合，”ジ−アルキルシランジイル”との用語は，ジアルキル−置換シリル基，例えば，ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル基を表す。
【００７０】
本明細書において用いる場合，”ホスフィチル化試薬”との用語は，ホスホルアミダイト成分を導入するために用いられる試薬を表す。
【００７１】
本明細書において用いる場合，”過渡的保護”との用語は，ヌクレオシドまたはＣ−ヌクレオシドの１またはそれ以上の糖ヒドロキシル基を保護基でマスキングすることを表し，これは例えば，核酸塩基保護基，例えば，アシル基を導入する前に，トリメチルシリルエーテルを形成し，次に保護基を加水分解して遊離ヒドロキシルを生じさせることにより行う。
【００７２】
本明細書において用いる場合，”核酸塩基保護”との用語は，環外のアミン保護基を導入すること，例えば，ヌクレオシドの核酸塩基上にアシル基またはホルムアミド基を導入することを表す。
【００７３】
”オリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基”または”酸不安定性保護成分”との用語は，固相または溶液相のオリゴヌクレオチド合成において用いることができる保護基，例えば，ジメトキシトリチル，モノメトキシトリチル，および／またはトリチル基または他の保護基を表す。
【００７４】
本明細書において用いる場合，”アシル基”との用語は，一般式Ｒ−Ｃ（Ｏ）−（ここで，Ｒは，脂肪族，脂肪族環，または芳香族基を表し，Ｃ（Ｏ）はカルボニルを表す）を含む化学種を表す。
【００７５】
本明細書において用いる場合，”アシル化”との用語は，酸，酸ハロゲン化物または酸無水物を用いて，ヒドロキシル基をエステルに，またはアミンをアミドに変換するプロセスを表す。
【００７６】
本明細書において用いる場合，”脱ピリミジン化”との用語は，ピリミジン塩基とヌクレオシド性糖成分との間のヌクレオシドＣ−Ｎグリコシル結合を切断することを表す。
【００７７】
本明細書において用いる場合，”スクシネート成分”との用語は，１またはそれ以上のスクシニル基を含む化学成分を表し，これらの塩，例えば，トリエチルアミン塩も含まれる。
【００７８】
本明細書において用いる場合，”ホスホルアミダイト成分”との用語は，窒素を含有する三価のリン誘導体，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイトを表す。
【００７９】
本明細書において用いる場合，”アルキル”との用語は，飽和脂肪族炭化水素を表し，直鎖，分枝鎖”イソアルキル”，および環状アルキル基が含まれる。”アルキル”との用語はまた，アルコキシ，アルキル−チオ，アルキル−チオ−アルキル，アルコキシアルキル，アルキルアミノ，アルケニル，アルキニル，アルコキシ，シクロアルケニル，シクロアルキル，シクロアルキルアルキル，ヘテロシクロアルキル，ヘテロアリール，Ｃ１−Ｃ６ヒドロカルビル，アリールまたは置換アリール基を含む。好ましくは，アルキル基は，１−１２個の炭素を有する。より好ましくは，これは１−７個の炭素，より好ましくは１−４個の炭素を有する低級アルキルである。アルキル基は置換されていても置換されていなくてもよい。置換されている場合，置換基は，好ましくは，ヒドロキシ，オキシ，チオ，アミノ，ニトロ，シアノ，アルコキシ，アルキル−チオ，アルキル−チオ−アルキル，アルコキシアルキル，アルキルアミノ，シリル，アルケニル，アルキニル，アルコキシ，シクロアルケニル，シクロアルキル，シクロアルキルアルキル，ヘテロシクロアルキル，ヘテロアリール，Ｃ１−Ｃ６ヒドロカルビル，アリールまたは置換アリール基を含む。”アルキル”との用語はまた，少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を含むアルケニル基を含み，直鎖，分枝鎖および環状基を含む。好ましくは，アルケニル基は２−１２個の炭素を有する。より好ましくは，これは２−７個の炭素，さらに好ましくは，２−４個の炭素を有する低級アルケニルである。アルケニル基は置換されていても置換されていなくてもよい。置換されている場合，置換基は，好ましくは，ヒドロキシ，オキシ，チオ，アミノ，ニトロ，シアノ，アルコキシ，アルキル−チオ，アルキル−チオ−アルキル，アルコキシアルキル，アルキルアミノ，シリル，アルケニル，アルキニル，アルコキシ，シクロアルケニル，シクロアルキル，シクロアルキルアルキル，ヘテロシクロアルキル，ヘテロアリール，Ｃ１−Ｃ６ヒドロカルビル，アリールまたは置換アリール基を含む。”アルキル”との用語はまた，少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を含むアルキニル基を含み，直鎖，分枝鎖および環状基を含む。好ましくは，アルキニル基は２−１２個の炭素を有する。より好ましくは，これは，２−７個の炭素，より好ましくは２−４個の炭素を含む低級アルキニルである。アルキニル基は置換されていても置換されていなくてもよい。置換されている場合，置換基は，好ましくは，ヒドロキシ，オキシ，チオ，アミノ，ニトロ，シアノ，アルコキシ，アルキル−チオ，アルキル−チオ−アルキル，アルコキシアルキル，アルキルアミノ，シリル，アルケニル，アルキニル，アルコキシ，シクロアルケニル，シクロアルキル，シクロアルキルアルキル，ヘテロシクロアルキル，ヘテロアリール，Ｃ１−Ｃ６ヒドロカルビル，アリールまたは置換アリール基を含む。本発明のアルキル基またはアルキル成分はまた，アリール，アルキルアリール，炭素環式アリール，複素環式アリール，アミドおよびエステル基を含んでいてもよい。アリール基の好ましい置換基は，ハロゲン，トリハロメチル，ヒドロキシル，ＳＨ，ＯＨ，シアノ，アルコキシ，アルキル，アルケニル，アルキニル，およびアミノ基である。”アルキルアリール”基とは，アリール基（上述したとおりである）に共有結合したアルキル基（上述したとおりである）を表す。炭素環式アリール基は，芳香族環の環原子がすべて炭素原子である基である。炭素原子は，任意に置換されていてもよい。複素環式アリール基は，芳香族環中に環原子として１−３個の複素原子を有し，環原子の残りが炭素原子である基である。適当な複素原子には，酸素，イオウ，および窒素が含まれ，例えば，フラニル，チエニル，ピリジル，ピロリル，Ｎ−低級アルキルピロロ，ピリミジル，ピラジニル，イミダゾリル等が挙げられ，これらはすべて任意に置換されていてもよい。”アミド”とは，−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ｒを表し，ここで，Ｒはアルキル，アリール，アルキルアリールまたは水素のいずれかである。”エステル”とは，−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ’基を表し，ここで，Ｒは，アルキル，アリール，アルキルアリールまたは水素のいずれかである。
【００８０】
本明細書において用いる場合，”アルカノイル”との用語は，カルボニル基を介して親分子の成分に結合しているアルキル基を表す。
【００８１】
本明細書において用いる場合，”アルコキシアルキル”との用語は，アルキル−Ｏ−アルキルエーテルを表し，例えば，メトキシエチルまたはエトキシメチルが含まれる。
【００８２】
本明細書において用いる場合，”アルキル−チオ−アルキル”との用語は，アルキル−Ｓ−アルキルチオエーテルを表し，例えば，メチルチオメチルまたはメチルチオエチルが含まれる。
【００８３】
本明細書において用いる場合，”アミノ”との用語は，当該技術分野において知られるように，１またはそれ以上の水素ラジカルを有機ラジカルにより置き換えることによりアンモニアから誘導される窒素含有基を表す。例えば，”アミノアシル”および”アミノアルキル”との用語は，それぞれアシルおよびアルキル置換基を有する特定のＮ−置換有機ラジカルを表す。
【００８４】
本明細書において用いる場合，”アミノ化”との用語は，有機分子中にアミノ基または置換アミンを導入するプロセスを表す。
【００８５】
本明細書において用いる場合，”環外のアミン保護成分”との用語は，オリゴヌクレオチド合成に適合した核酸塩基アミノ保護基，例えば，アシルまたはアミド基を表す。
【００８６】
本明細書において用いる場合，”シリル化試薬”との用語は，シリル基を化合物に導入するために用いられる化学試薬を表す。
【００８７】
本明細書において用いる場合，”選択的脱シリル化”との用語は，別のシリル基の存在下で化合物から１つのシリル基を選択的に除去することを表す。
【００８８】
本明細書において用いる場合，”アルケニル”との用語は，少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を含み，表示される数の炭素原子を有する直鎖または分枝鎖の炭化水素を表す。”アルケニル”の例としては，ビニル，アリル，および２−メチル−３−ヘプテンが挙げられる。
【００８９】
本明細書において用いる場合，”アルコキシ”との用語は，酸素架橋を介して親分子の成分に結合した，示される数の炭素原子のアルキル基を表す。アルコキシ基の例としては，例えば，メトキシ，エトキシ，プロポキシおよびイソプロポキシが挙げられる。
【００９０】
本明細書において用いる場合，”アルキニル”との用語は，少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を含む，所定の数の炭素原子の直鎖または分枝鎖の炭化水素を表す。”アルキニル”の例としては，プロパルギル，プロピン，および３−ヘキシンが挙げられる。
【００９１】
本明細書において用いる場合，”アリール”との用語は，少なくとも１つの芳香族環を含む芳香族炭化水素環系を表す。芳香族環は縮合していてもよく，あるいは，他の芳香族炭化水素環または非芳香族炭化水素環に結合していてもよい。アリール基の例としては，例えば，フェニル，ナフチル，１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンおよびビフェニルが挙げられる。アリール基の好ましい例としては，フェニルおよびナフチルが挙げられる。
【００９２】
本明細書において用いる場合，”シクロアルケニル”との用語は，少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を含むＣ３−Ｃ８環状炭化水素を表す。シクロアルケニルの例としては，シクロプロペニル，シクロブテニル，シクロペンテニル，シクロペンタジエン，シクロヘキセニル，１，３−シクロヘキサジエン，シクロヘプテニル，シクロヘプタトリエニル，およびシクロオクテニルが挙げられる。
【００９３】
本明細書において用いる場合，”シクロアルキル”との用語は，Ｃ３−Ｃ８の環状炭化水素を表す。シクロアルキルの例としては，シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル，シクロヘキシル，シクロヘプチルおよびシクロオクチルが挙げられる。
【００９４】
本明細書において用いる場合，”シクロアルキルアルキル”との用語は，上で定義したアルキル基を介して親分子成分に結合しているＣ３−Ｃ７のシクロアルキル基を表す。シクロアルキルアルキル基の例としては，シクロプロピルメチルおよびシクロペンチルエチルが挙げられる。
【００９５】
本明細書において用いる場合，”ハロゲン”または”ハロ”との用語は，フッ素，塩素，臭素，およびヨウ素を示すことを表す。
【００９６】
本明細書において用いる場合，”ヘテロシクロアルキル”との用語は，窒素，酸素，およびイオウから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含む非芳香族環系を表す。ヘテロシクロアルキル環は任意に縮合していてもよく，あるいは，他のヘテロシクロアルキル環および／または非芳香族炭化水素環に結合していてもよい。好ましいヘテロシクロアルキル基は，３−７個のメンバーを有する。ヘテロシクロアルキル基の例としては，例えば，ピペラジン，モルホリン，ピペリジン，テトラヒドロフラン，ピロリジン，およびピラゾールが挙げられる。好ましいヘテロシクロアルキル基としては，ピペリジニル，ピペラジニル，モルホリニル，およびピロリジニルが挙げられる。
【００９７】
本明細書において用いる場合，”ヘテロアリール”との用語は，窒素，酸素，およびイオウから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含む芳香族環系を表す。ヘテロアリール環は，縮合環であってもよく，あるいは，１またはそれ以上のヘテロアリール環，芳香族または非芳香族炭化水素環またはヘテロシクロアルキル環に結合していてもよい。ヘテロアリール基の例としては，例えば，ピリジン，フラン，チオフェン，５，６，７，８−テトラヒドロイソキノリンおよびピリミジンが挙げられる。ヘテロアリール基の好ましい例としては，チエニル，ベンゾチエニル，ピリジル，キノリル，ピラジニル，ピリミジル，イミダゾリル，ベンズイミダゾリル，フラニル，ベンゾフラニル，チアゾリル，ベンゾチアゾリル，イソオキサゾリル，オキサジアゾリル，イソチアゾリル，ベンズイソチアゾリル，トリアゾリル，テトラゾリル，ピロリル，インドリル，ピラゾリル，およびベンゾピラゾリルが挙げられる。
【００９８】
本明細書において用いる場合，”Ｃ１−Ｃ６ヒドロカルビル”との用語は，１−６個の炭素原子を有し，任意に１またはそれ以上の炭素−炭素二重結合または三重結合を有していてもよい，直鎖，分枝鎖，または環状のアルキル基を表す。ヒドロカルビル基の例としては，例えば，メチル，エチル，プロピル，イソプロピル，ｎ−ブチル，ｓｅｃ−ブチル，ｔｅｒｔ−ブチル，ペンチル，２−ペンチル，イソペンチル，ネオペンチル，ヘキシル，２−ヘキシル，３−ヘキシル，３−メチルペンチル，ビニル，２−ペンテン，シクロプロピルメチル，シクロプロピル，シクロヘキシルメチル，シクロヘキシルおよびプロパルギルが挙げられる。本明細書において，１または２個の二重結合または三重結合を含有するＣ１−Ｃ６ヒドロカルビルに関しては，１つの二重結合または三重結合についてはアルキル中に少なくとも２個の炭素が存在し，２個の二重結合または三重結合については少なくとも４個の炭素が存在することが理解される。
【００９９】
本明細書において用いる場合，”窒素保護基，”との用語は，当該技術分野において知られる，窒素に容易に導入し除去することができる基を表す。窒素保護基の例としては，Ｂｏｃ，Ｃｂｚ，ベンゾイル，およびベンジルが挙げられる。”Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ”，３ｒｄＥｄ．，Ｇｒｅｅｎｅ，Ｔ．Ｗ．および関連する刊行物も参照されたい。
【０１００】
無毒性の薬学的に許容しうる塩としては，限定されないが，無機酸，例えば，塩酸，硫酸，リン酸，二リン酸，臭化水素酸，および硝酸の塩，または有機酸，例えば，ギ酸，クエン酸，リンゴ酸，マレイン酸，フマル酸，酒石酸，コハク酸，酢酸，乳酸，メタンスルホン酸，ｐ−トルエンスルホン酸，２−ヒドロキシエチルスルホン酸，サリチル酸およびステアリン酸の塩が挙げられる。同様に，薬学的に許容しうるカチオンとしては，限定されないが，ナトリウム，カリウム，カルシウム，アルミニウム，リチウムおよびアンモニウムが挙げられる。当業者は，広範な種類の非毒性の薬学的に許容しうる付加塩を理解するであろう。本発明は，式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物のプロドラッグも包含する。
【０１０１】
本発明はまた，式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物のアシル化されたプロドラッグを含む。当業者は，式Ｉ−ＸＶＩＩに包含される化合物の無毒性の薬学的に許容しうる付加塩およびアシル化プロドラッグを製造するために用いることができる種々の合成方法論を理解するであろう。
【０１０２】
本発明はまた，式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物から誘導されるトリチウム標識プローブを提供する。トリチウム標識プローブ化合物は，トリチウム化酢酸中での白金触媒交換，トリチウム化トリフルオロ酢酸中での酸触媒交換，またはトリチウムガスとの不均一系触媒交換により，都合よく触媒的に製造することができる。そのような製造は，前段落で挙げた供給元のいずれかにより注文放射標識として都合よく実施される。さらに，トリチウムは，トリチウムガスとのトリチウム−ハロゲン交換，遷移金属触媒による不飽和結合のトリチウムガス還元，またはケトン，アルデヒド，およびイミンのホウ水素化ナトリウム還元により導入してもよい。
【０１０３】
本発明の化合物は，１またはそれ以上の非対称炭素原子を含むことができ，したがって化合物は異なる立体異性体形で存在することができる。これらの化合物は，例えば，ラセミ化合物，キラルの非ラセミ化合物またはジアステレオマーでありうる。このような場合，単一のエナンチオマー，すなわち光学的に活性な形は，非対称合成によりまたはラセミ体の分割により得ることができる。ラセミ化合物の分離は，例えば慣用的な方法により，例えば，分割剤の存在下での結晶化；例えば，キラルＨＰＬＣカラムを用いるクロマトグラフィー；またはラセミ混合物を分割試薬で誘導化してジアステレオマーを生成し，ジアステレオマーをクロマトグラフィーにより分離し，そして分割剤を除去して元の化合物をエナンチオマー的に濃縮した形で生成することにより，行うことができる。上述の方法のいずれも，化合物のエナンチオマー純度を高めるために繰り返すことができる。
【０１０４】
本明細書に記載される化合物がオレフィン性二重結合または他の幾何学的非対称中心を含む場合，特に示さない限り，化合物はシス，トランス，Ｚ−およびＥ−コンフィギュレーションを含むことが意図される。同様に，すべての互変異体も含まれることが意図される。
【０１０５】
出発物質および種々の中間体は，商業的供給元から入手可能であるか，市販の有機化合物から製造することができるか，またはよく知られる合成法を用いて製造することができる。本発明はまた，式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物のプロドラッグも包含する。当業者は，式Ｉ−ＸＶＩＩに包含される化合物の無毒性の薬学的に許容しうるプロドラッグを製造するために用いることができる種々の合成方法論を理解するであろう。当業者は，広範な種類の無毒性の薬学的に許容しうる溶媒化合物，例えば，水，エタノール，ミネラルオイル，植物油，およびジメチルスルホキシドを理解するであろう。
【０１０６】
一般式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物は，慣用的な無毒性の薬学的に許容しうる担体，アジュバントおよびベヒクルを含む用量単位処方中で，経口的に，局所的に，非経口的に，吸入またはスプレーにより，または直腸に投与することができる。本明細書において用いる場合，非経口的との用語には，経皮，皮下，血管内（例えば，静脈内），筋肉内，または包膜内注射または注入の手法等が含まれる。さらに，一般式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物および薬学的に許容しうる担体を含む医薬処方が提供される。一般式Ｉ−ＸＶＩＩの１またはそれ以上の化合物は，１またはそれ以上の無毒性の薬学的に許容しうる担体および／または希釈剤，および／またはアジュバント，および所望の場合には他の活性成分とともに存在することができる。一般式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物を含有する医薬組成物は，経口使用に適した形，例えば，錠剤，トローチ剤，菱形剤，水性または油性懸濁液，分散可能な粉体または顆粒，乳剤，硬カプセルまたは軟カプセル，またはシロップまたはエリキシル剤の形であることができる。
【０１０７】
経口で使用することが意図される組成物は，医薬組成物の製造について当該技術分野において知られる任意の方法にしたがって製造することができ，そのような組成物は，薬学的に洗練された口に合う製品を提供するために，１またはそれ以上のそのような甘味剤，芳香剤，着色剤または保存剤を含んでいてもよい。錠剤は，錠剤の製造に適した無毒性の薬学的に許容しうる賦形剤との混合物として活性成分を含む。これらの賦形剤は，例えば，不活性希釈剤，例えば，炭酸カルシウム，炭酸ナトリウム，ラクトース，リン酸カルシウムまたはリン酸ナトリウム；顆粒化剤および崩壊剤，例えば，コーンスターチ，またはアルギン酸；結合剤，例えば，デンプン，ゼラチンまたはアラビアゴム，および潤滑剤，例えば，ステアリン酸マグネシウム，ステアリン酸またはタルクでありうる。錠剤は被覆しなくても，既知の手法により被覆してもよい。場合によっては，既知の手法によりそのような被覆を調製して，崩壊および胃腸管における吸収を遅延させ，このことによりより長い期間の持続作用を与えることができる。例えば，遅延用材料，例えばグリセリルモノステアレートまたはグリセリルジステアレートを用いることができる。
【０１０８】
経口使用のための処方は，活性成分が不活性固体希釈剤，例えば，炭酸カルシウム，リン酸カルシウムまたはカオリンと混合されている硬ゼラチンカプセル，または活性成分が水または油状媒体，例えば，ピーナッツ油，液体パラフィンまたはオリーブ油と混合されている軟ゼラチンカプセルであってもよい。
【０１０９】
水性懸濁液は，水性懸濁液の製造に適した賦形剤との混合物中に活性物質を含む。そのような賦形剤は，懸濁剤，例えば，カルボキシメチルセルロースナトリウム，メチルセルロース，ヒドロプロピル−メチルセルロース，アルギン酸ナトリウム，ポリビニルピロリドン，トララガントガムおよびアラビアゴムである。分散剤または湿潤剤は，天然に生ずるホフファチド，例えば，レシチン，またはアルキレンオキサイドと脂肪酸との縮合生成物，例えば，ステアリン酸ポリオキシエチレン，またはエチレンオキサイドと長鎖脂肪族アルコールとの縮合生成物，例えば，ヘプタデカエチレンオキシセタノール，またはエチレンオキサイドと脂肪酸およびヘキシトールから誘導された部分エステルとの縮合生成物，例えば，ポリオキシエチレンソルビトールモノオレエート，またはエチレンオキサイドと脂肪酸および無水ヘキシトールから誘導された部分エステルとの縮合生成物，例えば，ポリエチレンソルビタンモノオレエートであってもよい。水性懸濁液はまた，１またはそれ以上の保存剤，例えば，エチル−，またはｎ−プロピル−ｐ−ヒドロキシベンゾエート，１またはそれ以上の着色剤，１またはそれ以上の芳香剤，および１またはそれ以上の甘味剤，例えばショ糖またはサッカリンを含んでいてもよい。
【０１１０】
油性懸濁液は，活性成分を植物油，例えば，アラキス油，オリーブ油，ゴマ油またはココナッツ油，または無機油，例えば液体パラフィン中に懸濁させることにより処方することができる。油性懸濁液は，増粘剤，例えば，密ロウ，硬パラフィンまたはセチルアルコールを含むことができる。甘味剤および芳香剤を加えて，口に合う経口製品を得ることができる。これらの組成物は，抗酸化剤，例えばアスコルビン酸を加えることにより保存することができる。
【０１１１】
水を加えることにより水性懸濁液を製造するのに適した分散可能な粉体および顆粒は，活性成分を，分散剤または湿潤剤，懸濁剤および１またはそれ以上の保存剤との混合物中で与える。適当な分散剤または湿潤剤または懸濁剤は，上で例示したとおりである。さらに別の賦形剤，例えば，甘味剤，芳香剤および着色剤が存在していてもよい。
【０１１２】
本発明の医薬組成物はまた，水中油エマルジョンの形であってもよい。油相は，植物油またはミネラルオイルまたはこれらの混合物であってもよい。適当な乳化剤としては，天然に生ずるガム，例えば，アラビアゴムまたはトラガガントゴム，天然に生ずるホスファチド類，例えば，大豆，レクチン，および脂肪酸から誘導されるエステルまたは部分エステルおよびヘキシトール，無水物，例えば，ソルビタンモノオレエート，および前記部分エステルとエチレンオキサイドとの縮合生成物，例えば，ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエートが挙げられる。エマルジョンは，甘味料および芳香剤を含んでいてもよい。
【０１１３】
シロップおよびエリキシルは，甘味剤，例えば，グリセロール，プロピレングリコール，ソルビトール，グルコースまたはショ糖を用いて処方することができる。このような処方はまた，粘滑剤，保存剤および甘味料および着色料を含んでいてもよい。医薬組成物は，滅菌した注射可能な水性または油性の懸濁液の形であってもよい。この懸濁液は，上述した適当な分散剤または湿潤剤および懸濁剤を用いて，当該技術分野において知られるように処方することができる。滅菌した注射可能な製品はまた，無毒性の非経口的に許容可能な希釈剤または溶媒中の滅菌した注射可能な溶液または懸濁液，例えば，１，３−ブタンジオール中の溶液であってもよい。用いることのできる許容可能なベヒクルおよび溶媒の例は，水，リンゲル溶液および等張塩化ナトリウム溶液である。さらに，滅菌し，凝固させた油を溶媒または懸濁媒体として便利に用いることができる。この目的のためには，任意の非刺激性の凝固させた油，例えば，合成のモノグリセリドまたはジグリセリドを用いることができる。さらに，脂肪酸，例えば，オレイン酸を注射可能な薬剤の製造において用いることができる。
【０１１４】
一般式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物はまた，例えば，薬剤の直腸投与用に，座剤の形で投与することができる。これらの組成物は，薬剤を，通常の温度では固体であるが直腸温度では液体であり，したがって直腸中で溶融して薬剤を放出する適当な非刺激性賦形剤と混合することにより製造することができる。そのような材料としては，カカオバターおよびポリエチレングリコールが挙げられる。
【０１１５】
一般式Ｉ−ＸＶＩＩの化合物は，滅菌媒体中で非経口的に投与することができる。薬剤は，使用するベヒクルおよび濃度に応じて，ベヒクル中に懸濁されていてもよく，溶解されていてもよい。アジュバント，例えば局所麻酔剤，保存剤および緩衝剤をベヒクル中に溶解することも有利である。
【０１１６】
上述した状態の治療には，体重１キログラムあたり１日あたり約０．１ｍｇ−約１４０ｍｇのオーダーの投与量レベルが有用である（患者あたり１日あたり約０．５ｍｇ−約７ｇ）。担体物質と組み合わせて１回投与量形を生成することができる活性成分の量は，治療される宿主および投与の特定のモードに依存して様々であろう。投与量単位形は，一般に，約１ｍｇ−約５００ｍｇの活性成分を含むであろう。
【０１１７】
しかし，特定の患者についての特定の投与量は，種々の因子，例えば，用いる特定の化合物の活性，年齢，体重，一般的健康状態，性別，食事，投与時間，投与経路，および排出速度，薬剤の組み合わせ，および治療をしている特定の疾病の重篤性に依存することが理解されるであろう。
【０１１８】
ヒト以外の動物に投与するためには，組成物を動物飼料または飲料水に加えてもよい。動物が治療上適当な量の組成物を飼料とともに接種できるよう，動物飼料および飲用水組成物を処方することが便利であろう。飼料または飲料水に加えるように組成物をプレミックスとして製造することも便利であろう。
【０１１９】
本発明の１つの観点においては，２’−デオキシ−２’−アミノプリンおよびピリミジンヌクレオシドおよびＣ−ヌクレオシドを合成する新規な方法が提供される。新規な方法は，より少ない合成工程を用い，アジドの使用を回避し，同時に２’−アミンのＮ−フタロイル保護を導入する。１つの態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’アミノおよび２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供する。該方法は，フタルイミドおよび／または置換フタルイミドを求核基として使用して，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に存在する脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを生成することを含む。次に，フタロイル保護を適当な塩基で切断すると，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドが形成される。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−アミノおよび２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを合成する方法を提供する。上述の方法と同様に，合成は，フタルイミドおよび／または置換フタルイミドを求核基として使用して，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位に存在する脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを生成することを含む。次に，フタロイル保護を適当な塩基で切断すると，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドが形成される。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。
【０１２０】
すなわち，好ましい態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は，以下の工程を含む：
（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；そして
（ｂ）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（ａ）からの脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを得る。
【０１２１】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドは，保護されていても保護されていなくてもよい。
【０１２２】
好ましくは，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’位の脱離基は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドを無水スルホン酸または塩化スルホニルと接触させることにより導入することができる。適当な試薬としては，無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，および塩化メタンスルホニルが挙げられる。
【０１２３】
また，置換工程（工程ｂ）は，ヒンダード塩基の存在下で行うことができる。好ましくは，ヒンダード塩基は，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンである。
【０１２４】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドの形成に適した条件下で，２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドをフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む。
【０１２５】
さらに別の好ましい態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドの形成に適した条件下で，２’−メタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドをフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む。上述の２つの方法において，適当な条件は，ヒンダード塩基の使用を含むことができる。好ましくは，ヒンダード塩基は，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンヒンダード塩基である。
【０１２６】
上述のいずれの態様においても，好ましいフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基としては，フタルイミド，４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６，−テトラクロロフタルアミド，３−ニトロフタルアミド，および４−ニトロフタルアミドが挙げられる。また，上述のいずれの態様においても，好ましい１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドとしては，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，および５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニンが挙げられる。
【０１２７】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドがアシル基（すなわち，環外のアミン保護）により保護されている場合には，アシル基は，アセチル，ベンゾイル，イソブチリル，フェノキシアセチル，フェニルアセチル，ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル，またはｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルである。
【０１２８】
また，グアノシンヌクレオシドの合成においては，好ましくは，ジメチルホルムアミジン（ＤＭＦ）保護を用いてＮ２窒素を保護する。
【０１２９】
すなわち，１つの態様においては，本発明は，フタロイル保護２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシド（２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシド）を合成する方法を提供し，該方法は，以下の工程を含む：（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシド（保護されていても保護されていなくてもよい）を無水スルホン酸または塩化スルホニル，例えば無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，または塩化メタンスルホニルと接触させることにより，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；そして（ｂ）ヒンダード塩基，例えば，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物の存在下で，フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基，例えば４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６−テトラクロロフタルイミド，３−ニトロフタルイミド，および４−ニトロフタルイミドを用いて，工程（ａ）からの脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを得る。
【０１３０】
本発明の別の態様においては，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドを合成する方法が提供される。該方法は以下の工程を含む：
（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；
（ｂ）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（ａ）からの前記脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを生成し；そして
（ｃ）前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを脱保護して，前記２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドを得る。
【０１３１】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位は，保護されていても保護されていなくてもよい。
【０１３２】
好ましくは，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’位の脱離基は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドを無水スルホン酸または塩化スルホニルと接触させることにより導入する。適当な試薬としては，無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，および塩化メタンスルホニルが挙げられる。
【０１３３】
好ましいフタルイミド求核基としては，フタルイミド，または置換フタルイミド求核基，例えば，４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６，−テトラクロロフタルアミド，３−ニトロフタルアミド，および４−ニトロフタルアミドが挙げられる。
【０１３４】
また，好ましい１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドとしては，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，および５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニンが挙げられる。
【０１３５】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドがアシル基（すなわち，環外のアミン保護）で保護されている場合には，例えばアセチル，ベンゾイル，イソブチリル，フェノキシアセチル，フェニルアセチル，ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル，またはｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルを用いることができる。
【０１３６】
また，グアノシンヌクレオシドの合成においては，好ましくは，ジメチルホルムアミジン（ＤＭＦ）保護を用いてＮ２窒素を保護する。
【０１３７】
脱離基の置換は，ヒンダード塩基の存在下で行うことができる。好ましくは，ヒンダード塩基は，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンである。
【０１３８】
本発明の方法の脱保護工程は，塩基の存在下で行うことができる。好ましくは，塩基は，アルキルアミンまたはヒドラジンである。好ましくは，アルキルアミンは，メチルアミン，例えば，水性メチルアミン，エタノール性メチルアミン，メタノール性メチルアミンである。好ましくは，ヒドラジンはメチルヒドラジンである。さらに好ましくは，メチルアミンは水性メチルアミン，例えば，約３０−４０％の水性メチルアミンである。
【０１３９】
この方法を用いて，少なくとも１つの２’−デオキシ−２’アミノヌクレオシドを含むヌクレオシド，ヌクレオチドおよびオリゴヌクレオチドを合成することができる。好ましい態様においては，本発明の２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドを合成する方法を用いて，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオチド三リン酸を合成することができる。
【０１４０】
別の態様においては，本発明は，フタロイル保護２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシドホスホルアミダイト（２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（ａ）保護されていても保護されていなくてもよい１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドを無水スルホン酸または塩化スルホニルと接触させることにより，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；
（ｂ）ヒンダード塩基の存在下で，工程（ａ）からの脱離基をフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基で置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドを生成し；
（ｃ）５’−保護基を導入して，５’−ヒドロキシルを選択的に保護し；そして（ｄ）ホスフィチル化試薬を用いて，５’−保護−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドの３’−位にホスホルアミダイト基を導入する。
【０１４１】
適当な無水スルホン酸または塩化スルホニル試薬としては，無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，および塩化メタンスルホニルが挙げられる。
【０１４２】
適当なフタルイミドまたは置換フタルイミドとしては，フタルイミド，４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６−テトラクロロフタルイミド，３−ニトロフタルイミド，および４−ニトロフタルイミドが挙げられる。また，適当なヒンダード塩基としては，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物が挙げられ，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドが得られる。
【０１４３】
適当な５’−保護基の例は，ジメトキシトリチル基またはその同等物である。
【０１４４】
適当なホスフィチル化試薬の例は，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトである。
【０１４５】
本発明の方法の好ましい態様においては，工程（ｂ）で合成される２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドは，存在していても存在していなくてもよいシリルエーテルまたはジシリルエーテル保護基，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルまたは５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサン保護の選択的除去のために，工程（ｃ）の前に，フッ素イオン源，例えばＴＥＡ・３ＨＦ（トリエチルアミン三フッ化水素酸），ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて脱保護する。
【０１４６】
好ましい１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドとしては，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，および５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニンが挙げられる。
【０１４７】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドがアシル基（すなわち環外のアミン保護）により保護されている場合には，例えばアセチル，ベンゾイル，イソブチリル，フェノキシアセチル，フェニルアセチル，ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル，またはｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルを用いることができる。
【０１４８】
また，グアノシンホスホルアミダイトの合成においては，好ましくは，ジメチルホルムアミジン（ＤＭＦ）保護を用いてＮ２窒素を保護する。
【０１４９】
本発明の別の態様においては，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシド，およびフタロイル保護２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法が提供される。
【０１５０】
２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを合成する方法は以下の工程を含む：
（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し，そして
（ｂ）ヒンダード塩基の存在下で，フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（ａ）からの脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを得る。
【０１５１】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位は保護されていても保護されていなくてもよい。
【０１５２】
好ましくは，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’位の脱離基は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドを無水スルホン酸または塩化スルホニルと接触することにより導入する。適当な試薬としては，無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，または塩化メタンスルホニルが挙げられる。
【０１５３】
また，置換工程は，ヒンダード塩基の存在下で行うことができる。好ましくは，ヒンダード塩基は，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンである。
【０１５４】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドの形成に適した条件下で，２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドをフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む。
【０１５５】
さらに別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを合成する方法を提供し，該方法は，前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドの形成に適した条件下で，２’−メタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドをフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基と接触させる工程を含む。上述の２つの方法において，適当な条件はヒンダード塩基の使用を含む。好ましくは，ヒンダード塩基は，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンである。
【０１５６】
本発明の別の態様においては，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドを合成する方法が提供される。該方法は以下の工程を含む：
（ａ）１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；
（ｂ）工程（ａ）からの前記脱離基をフタルイミドまたは置換フタルイミド求核基で置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを生成し；そして
（ｃ）前記２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを脱保護して，前記２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドを得る。
【０１５７】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位は保護されていても保護されていなくてもよい。好ましくは，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’位の脱離基は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドを無水スルホン酸または塩化スルホニルと接触させることにより導入する。適当な試薬としては，無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，および塩化メタンスルホニルが挙げられる。
【０１５８】
置換はヒンダード塩基の存在下で行うことができる。好ましくは，ヒンダード塩基は，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンである。
【０１５９】
脱保護は，塩基の存在下で行うことができる。好ましくは，塩基はアルキルアミンまたはヒドラジンである。好ましくは，アルキルアミンはメチルアミン，例えば，水性メチルアミン，エタノール性メチルアミン，メタノール性メチルアミンである。好ましくは，ヒドラジンはメチルヒドラジンである。さらに好ましくは，メチルアミンは水性メチルアミン，例えば約３０−４０％水性メチルアミンである。
【０１６０】
本発明の方法を用いて，少なくとも１つの２’−デオキシ−２’アミノヌクレオシドを含むＣ−ヌクレオシド，Ｃ−ヌクレオチドおよびＣ−オリゴヌクレオチドを合成することができる。好ましい態様においては，本発明の２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドを合成する方法を用いて，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオチド三リン酸を合成することができる。
【０１６１】
別の態様においては，本発明は，フタロイル保護２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイト（２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（ａ）保護されていても保護されていなくてもよい１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドを無水スルホン酸または塩化スルホニルと接触させることにより，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドの２’−位に脱離基を導入し；
（ｂ）ヒンダード塩基の存在下で，フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（ａ）からの脱離基を置換して，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドを生成し；
（ｃ）５’−ヒドロキシルを選択的に保護するために５’−保護基を導入し；そして
（ｄ）ホスフィチル化試薬を用いて，５’−保護−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシドの３’−位にホスホルアミダイト基を導入する。工程（ａ）における適当な無水スルホン酸または塩化スルホニル試薬としては，無水トリフルオロメタンスルホン酸，塩化トリフルオロメタンスルホニル，無水メタンスルホン酸，および塩化メタンスルホニルが挙げられる。
【０１６２】
好ましいフタルイミドおよび置換フタルイミドとしては，フタルイミド，４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６−テトラクロロフタルイミド，３−ニトロフタルイミド，および４−ニトロフタルイミドが挙げられる。また，適当なヒンダード塩基としては，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物が挙げられ，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドが得られる。
【０１６３】
適当な５’−保護基の例は，ジメトキシトリチル基またはその同等物である。
【０１６４】
適当なホスフィチル化試薬の例は，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトである。
【０１６５】
本発明の方法の１つの態様においては，工程（ｂ）から合成される２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシドは，工程（ｃ）の前に，存在していても存在していなくてもよいシリルエーテルまたはジシリルエーテル保護基，例えば，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルまたは５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサン保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えばＴＥＡ・３ＨＦ（トリエチルアミントリヒドロフロリド），ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて脱保護する。
【０１６６】
Ｃ−ヌクレオシドを合成する方法を含む上述のいずれの態様においても，好ましいフタルイミドおよび置換フタルイミド求核基としては，フタルイミド，４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６，−テトラクロロフタルアミド，３−ニトロフタルアミド，および４−ニトロフタルアミドが挙げられる。
【０１６７】
また，Ｃ−ヌクレオシドを合成する方法を含む上述のいずれの態様においても，好ましい１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドとしては，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニン，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アシルシトシン，５’，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシル，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ニトロフェニルグアニン，および５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−アシル−Ｏ６−ジフェニルカルバモイルグアニンが挙げられる。
【０１６８】
１−β−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドが，アシル基（すなわち環外のアミン保護）により保護されている場合には，例えば，アセチル，ベンゾイル，イソブチリル，フェノキシアセチル，フェニルアセチル，ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシアセチル，またはｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルを用いることができる。
【０１６９】
また，グアノシンおよびグアノシンホスホルアミダイトの合成においては，好ましくは，ジメチルホルムアミジン（ＤＭＦ）保護を用いてＮ２窒素を保護する。
【０１７０】
本発明の別の態様においては，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジンホスホルアミダイトを合成する方法が提供される。例えば，本発明は，，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）アシル化試薬，例えば，無水酢酸を用いて，１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシンを得るのに適した条件下で，１−（−Ｄ−アラビノフラノシルシトシンのＮ４位にアシル基を導入し；
（２）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシンの単離に適した条件下で，工程（１）からの生成物の５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基を同時に保護するために保護基を導入し；
（３）ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，例えば，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシンを得るのに適した条件下で，工程（２）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（４）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（３）の生成物から脱離基を置換し；
（５）５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱保護し；
（６）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適当した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１７１】
１つの態様においては，脱離基の置換は，ヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドをＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンを得ることができる。
【０１７２】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する別の方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルシトシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルシトシンの単離に適した条件下で，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルシトシンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシルの保護を導入し；
（２）ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，例えば，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルシトシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルシトシンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（３）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（２）の生成物から脱離基を置換し；
（４）アシル化試薬，例えば，無水酢酸を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（３）の生成物のＮ４位にアシル基を導入し；
（５）５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱保護し；
（６）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１７３】
別の態様においては，脱離基の置換は，ヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドを，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジンを得ることができる。
【０１７４】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジンホスホルアミダイトを合成する方法を提供する。例えば，本発明は，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシルまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシルの単離に適した条件下で，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシルの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基に保護を導入し；
（２）例えば，ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシルまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルウラシルを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（３）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（２）の生成物から脱離基を置換し；
（４）２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジンの単離に適した条件下で５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するため，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，工程（３）の生成物を脱保護し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，−２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１７５】
１つの態様においては，脱離基の置換はヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドをＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジンを得ることができる。
【０１７６】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシンホスホルアミダイトを化学的に合成する方法を提供する。例えば，本発明は，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）アシル化剤，例えば，塩化ベンゾイルを用いて，１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデニンを得るのに適した条件下で，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニンのＮ６位にアシル基を導入し；
（２）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデニンの単離に適した条件下で，工程（ａ）からの生成物の５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基に保護を導入し；
（３）ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，例えば，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデニンを得るのに適した条件下で，工程（２）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（４）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（３）の生成物から脱離基を置換し；
（５）５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護の選択的除去のために，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱保護し；
（６）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１７７】
１つの態様においては，脱離基の置換はヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドを，ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンを得ることができる。
【０１７８】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する別の方法を提供する。該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニンの単離に適した条件下で，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基に保護基を導入し；
（２）ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，例えば，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（３）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（２）の生成物から脱離基を置換し；
（４）アシル化試薬，例えば，塩化ベンゾイルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（３）からの生成物のＮ６位にアシル基を導入し；
（５）５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱保護し；
（６）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１７９】
１つの態様においては，脱離基の置換はヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドをＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシンを得ることができる。
【０１８０】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシンホスホルアミダイトを合成する方法を提供する。例えば，本発明は，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）アシル化試薬，例えば，塩化イソブチリルを用いて，１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアニンを得るのに適した条件下で，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンのＮ２位にアシル基を導入し；
（２）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアニンの単離に適した条件下で，工程（ａ）からの生成物の５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基に保護基を導入し；
（３）ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，例えば，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアニンを得るのに適した条件下で，工程（２）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（４）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（３）の生成物から脱離基を置換し；
（５）５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱保護し；
（６）５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物を４’−４’−塩化ジメトキシトリチルと反応させ；そして
（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１８１】
１つの態様においては，脱離基の置換は，ヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドをＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアニンを得ることができる。
【０１８２】
別の態様においては，本発明は，２’−デオキシ−２’Ｎ−フタロイルグアノシンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する別の方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンまたはジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンの単離に適した条件下で，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基に保護基を導入し；
（２）ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）および／またはピリジンの存在下で，例えば，無水トリフリルまたは塩化トリフリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位に脱離基を導入し；
（３）フタルイミドまたは置換フタルイミド求核基を用いて，工程（２）の生成物から脱離基を置換し；
（４）アシル化剤，例えば，塩化イソブチリルを用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（３）からの生成物のＮ２位にアシル基を導入し；
（５）５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，ＴＥＡ・３ＨＦ，ＴＢＡＦまたはこれらの同等物を用いて，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンの単離に適した条件下で，工程（４）の生成物を脱保護し；
（６）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（ｅ）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（ｆ）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１８３】
１つの態様においては，脱離基の置換はヒンダード塩基の存在下で行うことができる。例えば，フタルイミドをＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン），ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン），Ｄａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン），および／または２−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−ペルヒドロ−１，３，２−ジアザホスホリンまたはこれらの同等物と組み合わせて用いて，５’，３’−ジ−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシンまたは５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシンを得ることができる。
【０１８４】
好ましい態様においては，本発明の方法により企図される２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジンヌクレオシドおよびヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシンヌクレオシドおよびヌクレオシドホスホルアミダイト，および２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシンヌクレオシドおよびヌクレオシドホスホルアミダイトの化学合成において，アシル化は，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基を保護した後に行うことができる。
【０１８５】
さらに別の態様においては，本発明の方法において企図される２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシンヌクレオシドおよびヌクレオシドホスホルアミダイトおよびこれらの同等物の化学合成において，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンのＯ６保護は，Ｏ６保護基，例えば，ニトロフェニルまたはジフェニルカルバモイル基を用いて，アシル化の前に行っても後に行ってもよい。
【０１８６】
さらに別の態様においては，１−β−Ｄ−アラビノフラノシルグアニンのＮ２保護は，ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）保護を用いて行うことができる。
【０１８７】
好ましくは，上述の態様のいずれにおいても，置換フタルイミド求核基は，４，５−ジクロロフタルイミド，３，４，５，６−テトラクロロフタルイミド，３−ニトロフタルイミド，または４−ニトロフタルイミドである。
【０１８８】
本発明の別の観点においては，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリルヌクレオシドホスホルアミダイトを製造する方法が提供される。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。
【０１８９】
１つの態様においては，２’−Ｏ−シリルヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いることにより，Ｄ−またはＬ−ヌクレオシドでありうるヌクレオシドに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）ヌクレオシドを形成し；
（２）例えば，工程（１）の生成物を置換塩化シリルおよび／またはシリルトリフレート，例えば，塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルおよびｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルトリフレートで処理することにより，２’−Ｏ−シリルエーテルを選択的に形成することにより２’−Ｏ−シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルヌクレオシドを形成し；
（３）必要な場合には，例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルヌクレオシドを塩化アシルまたは無水アシルで処理することにより，工程（２）の生成物に核酸塩基保護を導入し；
（４）例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルヌクレオシドをフッ素イオン源，例えば，ピリジン／ＨＦで処理することにより，工程（３）の生成物からの５’，３’−環状シリルエーテルを選択的に脱シリル化して，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシド，例えば，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルヌクレオシドを生成し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルヌクレオシドを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルヌクレオシド３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９０】
１つの態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法を提供し，該方法は，以下の工程を含む：
（１）必要な場合には，例えば，ヌクレオシドを塩化アシルまたは無水アシルで処理することにより，ＤまたはＬヌクレオシドでありうるヌクレオシドに核酸塩基保護を導入し；
（２）例えば，ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いることにより，工程（１）の生成物に５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）ヌクレオシドを形成し；
（３）例えば，工程（２）からの生成物を置換塩化シリルおよび／またはシリルトリフレート，例えば塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルおよびｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルトリフレートで処理することにより，２’−Ｏ−シリルエーテルを選択的に形成することにより２’−Ｏ−シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルヌクレオシドを生成し；
（４）例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルヌクレオシドをフッ素イオン源，例えばピリジン／ＨＦで処理することにより，工程（３）の生成物からの５’，３’−環状シリルエーテルを選択的に脱シリル化して，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシド，例えば２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルヌクレオシドを生成し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルヌクレオシドを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルヌクレオシド３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９１】
好ましい態様においては，，本発明は，２’−Ｏ−シリルシチジンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）アシル化試薬，例えば，無水酢酸を用いて，Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，シチジンのＮ４位にアシル基を導入し；
（２）例えば，ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−Ｎ４−アセチルシチジンの単離に適した条件下で，工程（１）からの生成物の５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基の保護を導入し；
（３）例えば，塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルを用いて，イミダゾールおよび／または硝酸銀の存在下で，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（２）の生成物の２’−位にシリル保護基を導入し；
（４）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，フッ化水素−ピリジン，トリブチルアミン−フッ化水素またはこれらの同等物を用いて，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物を脱保護し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９２】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリルシチジンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルシチジンの単離に適した条件下で，シチジンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基の保護を導入し；
（２）イミダゾールおよび／または硝酸銀の存在下で，例えば，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルを用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位にシリル保護基を導入し；
（３）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，アシル化試薬，例えば，塩化アセチルを用いて，工程（２）からの生成物のＮ４位にアシル基を導入し；
（４）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，フッ化水素−ピリジン，トリブチルアミン−フッ化水素またはこれらの同等物を用いて，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物を脱保護し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９３】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリルウリジンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルウラシルの単離に適した条件下で，ウリジンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基の保護を導入し；
（２）イミダゾールおよび／または硝酸銀の存在下で，例えば，塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルを用いることにより，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位にシリル保護基を導入し；
（３）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，フッ化水素−ピリジン，トリブチルアミン−フッ化水素またはこれらの同等物を用いて，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジンの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物を脱保護し；
（４）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジンを得るのに適した条件下で，工程（３）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（５）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（４）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９４】
別の態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリルアデノシンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を提供し，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルアデノシンの単離に適した条件下で，アデノシンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基の保護を導入し；
（２）イミダゾールおよび／または硝酸銀の存在下で，例えば，塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルを用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位にシリル保護基を導入し；
（３）アシル化試薬，例えば，塩化ベンゾイルを用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（２）からの生成物のＮ６位にアシル基を導入し；
（４）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，フッ化水素−ピリジン，トリブチルアミン−フッ化水素またはこれらの同等物で，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物を脱保護し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９５】
１つの態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリルグアノシンホスホルアミダイト，例えば，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を合成する方法を特徴とし，該方法は以下の工程を含む：
（１）例えば，ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）による環状シリル化を用いて，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルグアノシンの単離に適した条件下で，グアノシンの５’−ヒドロキシルおよび３’−ヒドロキシル基に保護を導入し；
（２）イミダゾールおよび／または硝酸銀の存在下で，例えば，塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルを用いることにより，５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（１）の生成物の２’−位にシリル保護基を導入し；
（３）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンを得るのに適した条件下で，アシル化試薬，例えば，塩化イソブチリルを用いて，工程（２）からの生成物のＮ２位にアシル基を導入し；
（４）５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル保護を選択的に除去するために，フッ素イオン源，例えば，フッ化水素−ピリジン，トリブチルアミン−フッ化水素またはこれらの同等物を用いて，２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物を脱保護し；
（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして
（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０１９６】
好ましい態様においては，本発明により企図される２’−デオキシ−２’−アミノおよび２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシド類似体の合成は，アデノシン，シチジン，ウリジン，およびグアノシンヌクレオシドおよびその対応するＬ−異性体に限定されず，多数のヌクレオシドまたはＣ−ヌクレオシド類似体の任意のもの，例えば，限定されないが，リボチミジンヌクレオシド，イノシンヌクレオシド，プリンヌクレオシド，２，６−ジアミノプリンヌクレオシド，ピリジン−４−オンヌクレオシド，ピリジン−２−オンヌクレオシド，フェニルＣ−ヌクレオシド，シュードウラシルヌクレオシド，２，４，６−トリメトキシベンゼンＣ−ヌクレオシド，３−メチルウラシルヌクレオシド，ジヒドロウリジンヌクレオシド，ナフチルＣ−ヌクレオシド，アミノフェニルＣ−ヌクレオシド，５−アルキルシチジンヌクレオシド（例えば，５−メチルシチジン），５−アルキルウリジンヌクレオシド（例えば，リボチミジン），５−ハロウリジンヌクレオシド（例えば，５−ブロモウリジン），６−アザピリミジンヌクレオシド，６−アルキルピリミジンヌクレオシド（例えば６−メチルウリジン），プロピンヌクレオシド，４’−チオヌクレオシド，炭素環式ヌクレオシド，これらの対応するＬ異性体および他のものが包含される。
【０１９７】
さらに別の態様においては，本発明により企図される２−Ｏ−シリルヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドの合成には，限定されないが，シチジン，ウリジン，アデノシン，グアノシン，イノシン，Ｌ−シチジン，Ｌ−ウリジン，Ｌ−アデノシン，Ｌ−グアノシン，Ｌ−イノシン，アラビノ−シチジン，アラビノ−ウリジン，アラビノ−アデノシン，アラビノ−グアノシン，アラビノ−イノシン，Ｌ−アラビノ−シチジン，Ｌ−アラビノ−ウリジン，Ｌ−アラビノ−アデノシン，Ｌ−アラビノ−グアノシン，Ｌ−アラビノ−イノシン，リボ−チミジン，アラビノ−チミジン，Ｌ−リボ−チミジン，およびＬ−アラビノ−チミジンからなる群より選択されるヌクレオシド；フェニル，ナフチル，アミノフェニル，および２，４，６−トリメトキシベンジルＣ−ヌクレオシドからなる群より選択されるＣ−ヌクレオシド，およびこれらの対応するＬおよびアラビノ異性体が含まれる。
【０１９８】
別の態様においては，２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成する方法を用いて，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースヌクレオシドホスホルアミダイトの両方を合成する。
【０１９９】
本発明はまた，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの製造のための合成方法を特徴とする。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）例えば，ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いることにより，ＤまたはＬのＣ−ヌクレオシドでありうるＣ−ヌクレオシドに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）Ｃ−ヌクレオシドを生成し；そして（２）例えば，工程（１）の生成物を置換塩化シリルおよび／またはシリルトリフレート，例えば，塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルおよびｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルトリフレートで処理することにより，２’−Ｏ−シリルエーテルの選択的形成により２’−Ｏ−シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドを生成し；そして（３）必要な場合には，例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドを塩化アシルまたは無水アシルで処理することにより，工程（２）の生成物に核酸塩基保護を導入し；そして（４）例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドをフッ素イオン源，例えばピリジン／ＨＦで処理することにより，工程（３）の生成物からの５’，３’−環状シリルエーテルを選択的に脱シリル化して，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシド，例えば２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルＣ−ヌクレオシドを生成し；そして（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルＣ−ヌクレオシドを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルＣ−ヌクレオシド３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０２００】
１つの態様においては，本発明は，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドホスホルアミダイトを化学的に合成する方法を特徴とする。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は，以下の各工程を含む：（１）必要な場合には，例えば，Ｃ−ヌクレオシドを塩化アシルまたは無水アシルで処理することにより，ＤまたはＬのＣ−ヌクレオシドでありうるＣ−ヌクレオシドに核酸塩基保護を導入し；（２）例えば，ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて，工程（１）の生成物に５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）Ｃ−ヌクレオシドを形成し；（３）例えば，工程（２）からの生成物を置換塩化シリルおよび／またはシリルトリフレート，例えば塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルおよびｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルトリフレートで処理して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドを形成することにより，２’−Ｏ−シリルエーテルの選択的形成により２’−Ｏ−シリル保護基を導入し；（４）例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドをフッ素イオン源，例えばピリジン／ＨＦで処理することにより工程（３）の生成物から５’，３’−環状シリルエーテルを選択的に脱シリル化して，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシド，例えば２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルＣ−ヌクレオシドを生成し；（５）例えば，塩化４’−４’−ジメトキシトリチルを用いることにより，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルＣ−ヌクレオシドを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルＣ−ヌクレオシド３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０２０１】
別の態様においては，２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｃ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの合成方法を用いて，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｄ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイト，２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｄ−アラビノフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−Ｌ−アラビノフラノースＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの両方を合成する。
【０２０２】
本発明はまた，２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−メチルグアノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造するための実用的な合成方法を特徴とする。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて，２，６−ジアミノ−９−（β−リボフラノシル）プリンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−β−リボフラノシル］プリンを形成し；（２）例えば，工程（１）の生成物を水素化ナトリウムの存在下でヨウ化メチルで処理することにより，２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−β−リボフラノシル］プリンをメチル化して，２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンを生成し；（３）例えば，２，６−ジアミノ−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンを塩化アシルまたは無水アシル，例えば，塩化イソブチリルで処理することにより，工程（２）からの生成物のＮ２およびＮ６位にアシル保護を導入して，Ｎ２−Ｎ６−２，６−ジアミノ−ジアシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンを生成し；（４）例えば，２，６−ジアミノ−Ｎ２−Ｎ６−ジアシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンをＴＥＡ／ＭｅＯＨで処理することにより，工程（３）の生成物のＮ６位を選択的に脱アシル化して，２，６−ジアミノ−Ｎ２−アシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンを生成し；（５）例えば，２，６−ジアミノ−Ｎ２−アシル−９−［５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチル−β−リボフラノシル］プリンを亜硝酸ナトリウム／酢酸で処理し，次にフッ素イオン源，例えば，ＨＦ−ピリジンで処理することにより，工程（４）の生成物をＮ６−アミンを化学的に脱アミノ化し，脱シリル化して，Ｎ２−アシル−２’−Ｏ−メチルグアノシンを生成し；（６）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，Ｎ２−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチルグアノシンを得るのに適した条件下で，工程（５）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（７）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，Ｎ２−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（６）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０２０３】
本発明はまた，２’−Ｏ−メチルアデノシンヌクレオシドおよび２’−Ｏ−メチルアデノシンヌクレオシドホスホルアミダイトを製造するための実用的な合成方法を特徴とする。該方法は，キログラムまたはそれ以上の量にスケールアップすることができる。該方法は以下の工程を含む：（１）ジシリルアルキルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いてアデノシンに５’，３’−環状シリル保護基を導入して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）アデノシンを形成し；（２）例えば，工程（１）の生成物を水素化ナトリウムの存在下でヨウ化メチルで処理することにより，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）アデノシンをメチル化して，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチルアデノシンを生成し；（３）例えば，５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチルアデノシンを塩化アシルまたは無水物，例えば塩化ベンゾイルで処理することにより，工程（２）からの生成物のＮ６位にアシル保護を導入して，Ｎ６−アシル−５’，３’−Ｏ−（ジ−アルキルシランジイル）−２’−Ｏ−メチルアデノシンを生成し；（４）フッ素イオン源，例えばＨＦ−ピリジンで処理することにより，工程（３）の生成物を脱シリル化して，Ｎ６−アシル−２’−Ｏ−メチルアデノシンを生成し；（５）例えば，４’−４’−塩化ジメトキシトリチルを用いることにより，Ｎ６−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチルアデノシンを得るのに適した条件下で，工程（４）の生成物にオリゴヌクレオチド合成に適合した５’−ヒドロキシル保護基を導入し；そして（６）ホスフィチル化試薬，例えば，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイトを用いて，Ｎ６−アシル−５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）の単離に適した条件下で，工程（５）の生成物の３’−位にホスホルアミダイト成分を導入する。
【０２０４】
本発明はまた，１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールホスホルアミダイト，例えば，３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−ホスホルアミダイトを合成する実用的な方法を提供する。該方法は以下の工程を含む：（１）５−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で５’−Ｏ−保護チミジン誘導体を脱ピリミジン化し；（２）５−Ｏ−保護−３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，５−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールのＣ３ヒドロキシルに酸不安定性保護基を導入し；（３）３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物を選択的に５−Ｏ−脱保護し；そして（４）３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−ホスホルアミダイトの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物に５−Ｏ−ホスホルアミダイト成分を導入する。
【０２０５】
本発明はまた，１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールスクシネート，例えば，３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−スクシネートを合成する実用的な方法を提供する。該方法は以下の工程を含む：（１）５−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，５’−Ｏ−保護チミジン誘導体を脱ピリミジン化し；（２）５−Ｏ−保護−３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，５−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールのＣ３ヒドロキシルに酸不安定性保護基を導入し；（３）３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの単離に適した条件下で，工程（２）の生成物を選択的に５−Ｏ−脱保護し；そして（４）３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−スクシネートの単離に適した条件下で，工程（３）の生成物に５−Ｏ−スクシネート成分を導入する。
【０２０６】
１つの態様においては，本発明は，式Ｉ：
【化２４】
2004522695.tif 000003
［式中，各Ｒ１およびＲ２は，独立して，水素，ＮＲ１０Ｒ１１，（ＮＲ１０Ｒ１１）アルキル，アルキル，またハロゲンを含み，ここで，Ｒ１０およびＲ１１は，独立して，水素，アルキル，アルカノイル，アシル，アルコキシ，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，およびアルキルを含む３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルを含み，Ｒ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，またはシアノアルキルである３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルを含む］
の化合物を合成する方法を特徴とし，該方法は，以下の工程を含む：（ａ）式ＩＩ：
【化２５】
2004522695.tif 000004
［式中，各Ｒ１およびＲ２は式Ｉにおいて記載したとおりである］
の化合物に５’，３’−架橋シリル保護基を導入して，式ＩＩＩ：
【化２６】
2004522695.tif 000005
［式中，各Ｒ１およびＲ２は，式Ｉにおいて記載したとおりであり，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含む］
の化合物を生成し；（ｂ）工程（ａ）の生成物をアルキル化して，式ＩＶ：
【化２７】
2004522695.tif 000006
［式中，各Ｒ１，Ｒ２およびＲ３は，式Ｉにおいて定義したとおりであり，Ｒ４は，式ＩＩＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；そして（ｃ）工程（ｂ）の生成物を脱保護して，式Ｉの化合物を得る。
【０２０７】
別の態様においては，本発明は，式Ｖ：
【化２８】
2004522695.tif 000007
［式中，Ｒ１およびＲ２は，独立して，水素，ＮＲ１０Ｒ１１，（ＮＲ１０Ｒ１１）アルキル，アルキル，またはハロゲンを含み，ここで，Ｒ１０およびＲ１１は，独立して，水素，アルキル，アルカノイル，アシル，アルコキシ，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，およびアルキルを含む３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルを含み，およびＲ３は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロ，およびシアノアルキルを含む３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルを含み，Ｒ５は，酸不安定性保護成分を含み，およびＲ６はリン含有成分を含む］
を有する化合物を合成する方法を特徴とし，該方法は以下の工程を含む：（ａ）式ＩＩの化合物に５’，３’−架橋シリル保護基を導入して式ＩＩＩの化合物を生成し；（ｂ）工程（ａ）の生成物をアルキル化して式ＩＶの化合物を生成し；（ｃ）工程（ｂ）におけるＲ１またはＲ２が独立してアミノ成分を含む場合には，工程（ｂ）の生成物に少なくとも１つの環外のアミン保護成分を導入し；（ｄ）工程（ｃ）の生成物を脱保護して式Ｉの化合物を生成し；そして（ｅ）工程（ｄ）の生成物に酸不安定性保護成分を，次にリン含有成分を導入して，式Ｖの化合物を生成する。
【０２０８】
別の態様においては，本発明の式ＩＩおよびＩＩＩのＲ４はｔｅｒｔ−ブチル成分を含む。
【０２０９】
別の態様においては，本発明の式Ｉ−ＶのＲ１はアミノ成分を含み，本発明の式Ｉ−ＶのＲ２はＨを含む。
【０２１０】
別の態様においては，本発明の式Ｉ−ＶのＲ１およびＲ２は，それぞれアミノ成分を含む。
【０２１１】
別の態様においては，本発明の式Ｉ−ＶのＲ１はクロロ成分を含み，本発明の式Ｉ−ＶのＲ２はＨを含む。
【０２１２】
１つの態様においては，式Ｉの化合物は，２’−Ｏ−メチルアデノシンを含む。
【０２１３】
別の態様においては，本発明の式Ｖの化合物は，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を含む。
【０２１４】
別の態様においては，本発明のアルキル化は，ヨウ化メチルおよび水素化ナトリウムを用いるアルキル化を含む。
【０２１５】
１つの態様においては，本発明は，式ＶＩ：
【化２９】
2004522695.tif 000008
［式中，Ｒ３は，アルキル，アルコキシアルキル，アリールアルキル，アルキル−チオ−アルキル，またはシアノアルキル成分を含み，およびＲ７は，Ｈまたはアシル成分を含む］
を有する化合物を合成する方法を特徴とし，該方法は以下の工程を含む：（ａ）イノシンに５’，３’−架橋シリル保護基を導入して，式ＶＩＩ：
【化３０】
2004522695.tif 000009
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含む］
の化合物を生成し；（ｂ）工程（ａ）の生成物にイミダゾール成分を導入して，式ＶＩＩＩ：
【化３１】
2004522695.tif 000010
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含む］
の化合物を生成し；（ｃ）工程（ｂ）の生成物をアルキル化して，式ＩＸ：
【化３２】
2004522695.tif 000011
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含み，およびＲ３は，式ＶＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；（ｄ）工程（ｃ）の生成物をアミノ化して，式Ｘ：
【化３３】
2004522695.tif 000012
［式中，各Ｒ３およびＲ７は，式ＶＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；そして（ｅ）工程（ｄ）の生成物を脱シリル化して，式ＶＩの化合物を得る。
【０２１６】
別の態様においては，本発明は，式ＶＩを有する２’−Ｏ−アルキルアデノシン誘導体を合成する方法を特徴とし，該方法は以下の工程を含む：（ａ）イノシンに５’，３’−架橋シリル保護基を導入して，式ＸＩ：
【化３４】
2004522695.tif 000013
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含む］
の化合物を生成し；（ｂ）工程（ａ）の生成物にイミダゾール成分を導入して，式ＸＩＩ：
【化３５】
2004522695.tif 000014
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含む］
の化合物を生成し；（ｃ）工程（ｂ）の生成物をアルキル化して，式ＸＩＩＩ：
【化３６】
2004522695.tif 000015
［式中，Ｒ３は，式ＶＩにおいて定義したとおりであり，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキル成分を含む］
の化合物を生成し；（ｄ）工程（ｃ）の生成物をアミノ化して，式ＸＩＶ：
【化３７】
2004522695.tif 000016
［式中，各Ｒ３およびＲ７は，式ＶＩにおいて定義したとおりである］
の化合物を生成し；および（ｅ）工程（ｄ）の生成物を脱シリル化して，式ＶＩの化合物を生成する。
【０２１７】
別の態様においては，本発明は，式ＸＶ：
【化３８】
2004522695.tif 000017
［式中，各Ｒ３およびＲ７は，式ＶＩにおいて定義したとおりであり，Ｒ５は，酸不安定性保護成分を含み，およびＲ６はリン含有成分を含む］
を有する化合物を合成する方法を特徴とし，該方法は，以下の工程を含む：（ａ）式ＶＩの化合物に酸不安定性保護成分を，次にリン含有成分を導入して，式ＸＶの化合物を得る。
【０２１８】
別の態様においては，本発明のＲ４はイソプロピル成分を含む。
【０２１９】
別の態様においては，本発明のＲ４はｔｅｒｔ−ブチル成分を含む。
【０２２０】
別の態様においては，本発明のＲ３はメチル成分を含む。
【０２２１】
別の態様においては，本発明の式ＶＩの化合物は２’−Ｏ−メチルアデノシンを含む。
【０２２２】
別の態様においては，本発明のＲ７はベンゾイル成分を含む。
【０２２３】
別の態様においては，本発明のＲ７はＨを含む。
【０２２４】
別の態様においては，本発明の式ＸＶの化合物は，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を含む。
【０２２５】
１つの態様においては，本発明は，式ＸＶＩ：
【化３９】
2004522695.tif 000018
［式中，Ｒ８は，スクシネート成分，シリルアルキル成分，またはＨを含み，Ｒ９は，酸不安定性保護成分またはＨを含む］
を有する化合物を合成する方法を特徴とし，該方法は以下の工程を含む：（ａ）式ＸＶＩＩ：
【化４０】
2004522695.tif 000019
［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含む］
の化合物を脱ピリミジン化して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含み，Ｒ９はＨを含む］の化合物を生成し；（ｂ）工程（ａ）の生成物に酸不安定性保護成分を導入して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含み，Ｒ９は酸不安定性保護成分を含む］の化合物を生成し；（ｃ）工程（ｂ）の生成物を脱保護して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はＨを含み，Ｒ９は酸不安定性保護成分を含む］の化合物を生成し；そしておよび（ｄ）工程（ｃ）の生成物にスクシネート成分を導入して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はスクシネート成分を含み，Ｒ９は酸不安定性保護成分を含む］の化合物を得る。
【０２２６】
別の態様においては，本発明は，式ＸＶＩ：
【化４１】
2004522695.tif 000020
［式中，Ｒ８は，リン含有成分，シリルアルキル成分，またはＨを含み，Ｒ９は，酸不安定性保護成分またはＨを含む］
を有する化合物を合成する方法を特徴とし，該方法は以下の工程を含む：（ａ）式ＸＶＩＩ：
【化４２】
2004522695.tif 000021
［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含む］
の化合物を脱ピリミジン化して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含み，Ｒ９はＨを含む］の化合物を生成し；（ｂ）工程（ａ）の生成物に酸不安定性保護成分を導入して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含み，Ｒ９は酸不安定性保護成分を含む］の化合物を生成し；（ｃ）工程（ｂ）の生成物を脱保護して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はＨを含み，Ｒ９は酸不安定性保護成分を含む］の化合物を生成し；そして（ｄ）工程（ｃ）の生成物にリン含有成分を導入して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はリン含有成分を含み，Ｒ９は酸不安定性保護成分を含む］の化合物を生成する。
【０２２７】
別の態様においては，本発明の式ＸＶＩおよびＸＶＩＩのシリルアルキル成分Ｒ８は，ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル，ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル，またはトリイソプロピルシリル成分を含む。
【０２２８】
別の態様においては，本発明の脱ピリミジン化条件は，式ＸＶＩの化合物をシリル化試薬および触媒で処理し，次に水素化し，そして選択的に脱シリル化して，式ＸＶＩ［式中，Ｒ８はシリルアルキル成分を含み，Ｒ９はＨを含む］の化合物を生成することを含む。
【０２２９】
別の態様においては，脱ピリミジン化において用いられる本発明のシリル化試薬はヘキサメチルジシラザンを含む。
【０２３０】
別の態様においては，脱ピリミジン化において用いられる本発明の触媒は，硫酸，パラ−トルエンスルホン酸，および硫酸アンモニウムを含む。
【０２３１】
別の態様においては，脱ピリミジン化において用いられる本発明の触媒は，スルホン酸，ハロゲン化スルホニル，スルホネートまたはスルファミド，例えば，メタンスルホン酸，トリフルオロメタンスルホン酸，メタンスルファミド，スルファミド，塩化メタンスルホニル，またはトリメチルシリルメタンスルホネートを含む。
【０２３２】
別の態様においては，本発明の脱ピリミジン化反応において用いられる選択的脱シリル化反応は，ピリジニウムトリフルオロ酢酸による処理を含む。
【０２３３】
別の態様においては，本発明の方法の脱ピリミジン化工程において用いられる水素化反応は，水素ガスおよびパラジウム担持炭素を用いる触媒的水素化を含む。
【０２３４】
別の態様においては，Ｒ８がシリルアルキル成分を含み，Ｒ９が酸不安定性保護成分を含む本発明の式ＸＶＩの化合物の脱保護条件は，エタノール中水酸化ナトリウムによる処理を含む。
【０２３５】
別の態様においては，Ｒ８がスクシネート成分を含み，Ｒ９が酸不安定性保護成分を含む本発明の式ＸＶＩの化合物は，３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−スクシネートを含む。
【０２３６】
別の態様においては，Ｒ８がホスホルアミダイト成分を含み，Ｒ９が酸不安定性保護成分を含む本発明の式ＸＶＩの化合物は，３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）を含む。
【０２３７】
１つの態様においては，本発明の酸不安定性保護成分は，ジメトキシトリチル，モノメトキシトリチル，またはトリチル成分を含む。
【０２３８】
別の態様においては，本発明のリン含有成分はホスホルアミダイト成分を含む。
【０２３９】
別の態様においては，本発明のリン含有成分は三リン酸成分を含む。
【０２４０】
別の態様においては，本発明のホスホルアミダイト成分は３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）成分を含む。
【０２４１】
別の態様においては，本発明の化合物のアミノ化は，アンモニアを用いるアミノ化を含む。
【０２４２】
別の態様においては，本発明の化合物のアミノ化は，アクリルアミドを用いるアミノ化を含む。
【０２４３】
別の態様においては，本発明のアクリルアミドはベンズアミドである。
【０２４４】
別の態様においては，本発明の５’，３’−架橋シリル保護基は，塩基の存在下でジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）を用いて導入する。
【０２４５】
別の態様においては，本発明の５’，３’−架橋シリル保護基は，塩基の存在下で１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンを用いて導入する。
【０２４６】
別の態様においては，本発明の５’，３’−架橋シリル保護基を導入するために用いられる塩基は，トリエチルアミン，ジイソプロピルエチルアミン，ピリジン，コリジン，ルチジン，１−メチルイミダゾール，イミダゾール，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，またはこれらの組み合わせを含む。
【０２４７】
別の態様においては，本発明のアルキル化は，アルキルハロゲン化物および塩基の存在下で行う。
【０２４８】
別の態様においては，本発明のアルキル化において用いられるアルキルハロゲン化物はヨウ化メチルを含み，および本発明のアルキル化において用いられる塩基は水素化ナトリウムを含む。
【０２４９】
別の態様においては，本発明の，例えば，ヌクレオシドの５’および３’ヒドロキシルのシリル脱保護は，酸，フッ素源，またはこれらの組み合わせ，例えば，ＨＦ／ピリジン，フッ化テトラブチルアンモニウム，水性ＨＦ溶液，ＨＦガス，またはＨＦ／トリエチルアミン付加物を含む試薬を用いて行う。
【０２５０】
１つの態様においては，本発明の反応工程は，独立して，約−２０（Ｃから約５０（Ｃの温度で実施する。
【０２５１】
別の態様においては，本発明のリン含有成分はクロロホスフィンおよび塩基を用いて導入する。
【０２５２】
別の態様においては，本発明のリン含有成分を導入するために用いられる塩基は，トリエチルアミン，ジイソプロピルエチルアミン，ピリジン，コリジン，ルチジン，１−メチルイミダゾール，イミダゾール，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン，またはこれらの組み合わせを含む。
【０２５３】
１つの態様においては，本発明は，式ＶＩＩＩ：
【化４３】
2004522695.tif 000022
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルを含む］の組成物を特徴とする。
【０２５４】
別の態様においては，本発明は，式ＩＸ：
【化４４】
2004522695.tif 000023
［式中，Ｒ４は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロおよびアルキルを含む３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルを含み，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルを含む］
の組成物を特徴とする。
【０２５５】
１つの態様においては，本発明は，式ＸＩＩ：
【化４５】
2004522695.tif 000024
［式中，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルを含む］の組成物を特徴とする。
【０２５６】
別の態様においては，本発明は，式ＸＩＩＩ：
【化４６】
2004522695.tif 000025
［式中，Ｒ４は，独立して，アルキル，アルコキシアルキル，アルキル−チオ−アルキル，シアノアルキル，または，ハロゲン，アルコキシ，ニトロおよびアルキルを含む３個までの基で独立して置換されていてもよいアリールアルキルを含み，各Ｒ４は，独立して，アルキル，アリールまたはイソアルキルを含む］
の組成物を特徴とする。
【０２５７】
１つの態様においては，本発明の式ＸＩＩＩおよびＩＸのＲ４はイソプロピルを含む。
【０２５８】
別の態様においては，式ＸＩＩおよびＸＩＩＩのＲ４はｔｅｒｔ−ブチルを含む。
【０２５９】
別の態様においては，式ＩＸおよびＸＩＩＩのＲ３はメチルを含む。１つの態様においては，本発明の５−Ｏ−保護−３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトールの選択的５−Ｏ−脱保護に適した条件は，水酸化ナトリウム，例えばエタノール中の還流水酸化ナトリウムの使用を含む。
【０２６０】
別の態様においては，本発明の３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−スクシネートは３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−スクシネートである。
【０２６１】
別の態様においては，本発明の３−Ｏ−保護−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−ホスホルアミダイトは３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）である。
【０２６２】
さらに別の態様においては，本発明の方法を用いて，ＬおよびＤ−ヌクレオシドの両方，例えば，限定されないが２’−Ｏ−シリル−β−Ｌ−リボフラノシルヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−β−Ｌ−リボフラノシルヌクレオシドホスホルアミダイトを合成することができる。
【０２６３】
さらに別の態様においては，本発明の本発明を用いて，ＬおよびＤ−Ｃ−ヌクレオシドの両方，例えば，限定されないが，２’−Ｏ−シリル−β−Ｌ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドおよび２’−Ｏ−シリル−β−Ｌ−リボフラノシルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトを合成することができる。
【０２６４】
本発明の２’−デオキシ−２’−アミノ，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル，２’−Ｏ−メチル，Ｄ−リボ，およびＬ−リボヌクレオシドおよびＣ−ヌクレオシドおよび１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体は，核酸分子中への選択的取り込みのためのビルディングブロックとして，ヌクレオチド，Ｃ−ヌクレオチド，ヌクレオチド−三リン酸，Ｃ−ヌクレオチド三リン酸および／またはヌクレオシドホスホルアミダイトおよびＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの化学合成において用いることができる。２’−デオキシ−２’−アミノ，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル，２’−Ｏ−メチル，Ｄ−リボおよびＬ−リボヌクレオシド，Ｃ−ヌクレオシド，および１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体をオリゴヌクレオチド中に取り込ませることは，例えば，限定されないが，そのような基を有しない分子と比較して，ヌクレアーゼ耐性の付与，改良された触媒活性，および増加した機能性等の多くの目的に利用することができる。これらのヌクレオシドの使用はまた，追加の官能基，リンカー，生物分子，ペプチド，蛋白質，糖，オリゴヌクレオチド，固体支持体，小分子，化学的ヌクレアーゼ，および核酸分子の所望の活性を調節するのに有用な他の分子の共有結合のための有用な足場を提供することができる。さらに，これらの核酸分子は，酵素的核酸分子，アンチセンス核酸，２−５Ａアンチセンスキメラ，デコイ核酸分子，アプタマー核酸分子，トリプレックス形成オリゴヌクレオチド，キメラ核酸分子，アゴニスト核酸分子，アンタゴニスト核酸分子，または他の任意の核酸分子種として用いることができる。上述の用語は当該技術分野においてよく知られる構造および組成物を表すものであり，これに関するさらなる情報は以下に記載される。本発明の核酸分子はまた，例えば，限定されないが，治療剤，診断試薬，および研究試薬としての用途の目的のために用いることもできる。核酸分子の他の用途には，ＲＮＡまたはＤＮＡの合成および／またはシークエンシングのためのプローブまたはプライマーとしての使用が含まれる。
【０２６５】
さらに，２’−デオキシ−２’−アミノ，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル，２’−Ｏ−メチル，Ｄ−リボ，およびＬ−リボヌクレオシド，Ｃ−ヌクレオシドおよびヌクレオシドおよびＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトおよび１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体は，酵素的核酸分子の合成において用いることができる。例えば，これらのヌクレオシドは，ハンマーヘッド，ＮＣＨ（イノザイム），Ｇ−切断剤，アンバーザイム，チンザイムおよび／またはＤＮＡザイムモチーフを有する酵素的核酸分子等の合成において用いることができる。
【０２６６】
本明細書において用いる場合，”核酸分子”との用語は，ヌクレオチドを有する分子を表す。核酸は，一本鎖，二本鎖，または多重鎖であることができ，修飾または未修飾ヌクレオチドまたは非ヌクレオチド，またはこれらの種々の混合物および組み合わせを含むことができる。
【０２６７】
本明細書において用いる場合，”アンチセンス核酸”との用語は，ＲＮＡ−ＲＮＡまたはＲＮＡ−ＤＮＡまたはＲＮＡ−ＰＮＡ（蛋白質核酸；Ｅｇｈｏｌｍ  ｅｔ  ａｌ．，１９９３，Ｎａｔｕｒｅ，３６５，５６６）相互作用により標的ＲＮＡに結合し，標的ＲＮＡの活性を変化させる非酵素的核酸分子を表す（概説として，Ｓｔｅｉｎ  ａｎｄ  Ｃｈｅｎｇ，１９９３，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２６１，１００４およびＷｏｏｌｆ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許５，８４９，９０２を参照）。典型的には，アンチセンス分子は，アンチセンス分子の１つの連続する配列に沿って標的配列に相補的であろう。しかし，ある種の態様においては，アンチセンス分子は基質分子がループを形成するように基質に結合することができ，および／またはアンチセンス分子はアンチセンス分子がループを形成するように結合することができる。すなわち，アンチセンス分子は，２つ（またはさらにそれ以上）の非連続的な基質配列に相補的であってもよく，あるいは，アンチセンス分子の２つ（またはさらにそれ以上）の非連続的な配列部分が標的配列に相補的であってもよく，これらの両方であってもよい。現在のアンチセンス戦略の概説としては，Ｓｃｈｍａｊｕｋ  ｅｔ  ａｌ．，１９９９，Ｊ．Ｂｉｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２７４，２１７８３−２１７８９，Ｄｅｌｉｈａｓ  ｅｔ  ａｌ．，１９９７，Ｎａｔｕｒｅ，１５，７５１−７５３，Ｓｔｅｉｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９９７，Ａｎｔｉｓｅｎｓｅ  Ｎ．Ａ．Ｄｒｕｇ  Ｄｅｖ．，７，１５１，Ｃｒｏｏｋｅ，１９９８，Ｂｉｏｔｅｃｈ．Ｇｅｎｅｔ．Ｅｎｇ．Ｒｅｖ．，１５，１２１−１５７，Ｃｒｏｏｋｅ，１９９７，Ａｄ．Ｐｈａｒｍａｃｏｌ．，４０，１−４９を参照されたい。さらに，アンチセンスＤＮＡを用いてＤＮＡ−ＲＮＡ相互作用によりＲＮＡをターゲティングし，このことにより，ＲＮａｓｅＨを活性化し，これがデュープレックス中の標的ＲＮＡを切断することができる。アンチセンスＤＮＡは，化学的に合成してもよく，あるいは，一本鎖ＤＮＡ発現ベクターまたはその同等物を用いて発現させてもよい。
【０２６８】
本明細書において用いる場合，”２−５Ａアンチセンスキメラ”との用語は，５’リン酸化２’−５’−結合アデニル酸残基を含有するアンチセンスオリゴヌクレオチドを表す。これらのキメラは配列特異的様式で標的ＲＮＡに結合し，細胞性２−５Ａ−依存性リボヌクレアーゼを活性化させ，次にこれは標的ＲＮＡを切断する（Ｔｏｒｒｅｎｃｅ  ｅｔ  ａｌ．，１９９３  Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．ＵＳＡ  ９０，１３００）。
【０２６９】
本明細書において用いる場合，”トリプレックス形成オリゴヌクレオチド”との用語は，配列特異的様式で二本鎖ＤＮＡに結合して，三本鎖ヘリックスを形成しうるオリゴヌクレオチドを表す。そのような三重ヘリックス構造の形成は，標的遺伝子の転写を阻害することが示されている（Ｄｕｖａｌ−Ｖａｌｅｎｔｉｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９９２  Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．ＵＳＡ  ８９，５０４）。
【０２７０】
本明細書において用いる場合，”酵素的核酸分子”との用語は，基質結合領域において特定の遺伝子標的に相補性を有し，さらに，標的ＲＮＡを特異的に切断する作用をする酵素的活性を有する核酸分子を表す。すなわち，酵素的核酸分子は，分子間でＲＮＡを切断し，このことにより標的ＲＮＡ分子を不活性化することができる。これらの相補的領域により，酵素的核酸分子が標的ＲＮＡに十分にハイブリダイズし，したがって切断をすることが可能である。相補性は高ければ高いほど，すなわち１００％であることが好ましいが，５０−７５％程度の相補性も本発明において有用でありうる。核酸は，塩基，糖，および／またはリン酸基で修飾されていてもよい。酵素的核酸との用語は，リボザイム，触媒的ＲＮＡ，酵素的ＲＮＡ，触媒的ＤＮＡ，アプタザイムまたはアプタマー結合リボザイム，制御可能リボザイム，触媒的オリゴヌクレオチド，ヌクレオザイム，ＤＮＡザイム，ＲＮＡ酵素，エンドリボヌクレアーゼ，エンドヌクレアーゼ，ミニザイム，リードザイム，オリゴザイムまたはＤＮＡ酵素等の用語と互換的に用いられる。これらの用語はすべて酵素的活性を有する核酸分子を記述する。本明細書に記載される特定の酵素的核酸分子は限定を意味するものではなく，当業者は，本発明の酵素的核酸分子において重要なことは，これが標的核酸領域の１またはそれ以上に相補的な特異的基質結合部位を有し，この基質結合部位中またはその周囲に分子に核酸切断活性を付与するヌクレオチド配列を有することであることを認識するであろう（Ｃｅｃｈ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許４，９８７，０７１；Ｃｅｃｈ  ｅｔ  ａｌ．，１９８８，ＪＡＭＡ）。
【０２７１】
本明細書において用いる場合，”デコイＲＮＡ”との用語は，リガンドとの天然の結合ドメインを模倣するＲＮＡ分子を表す。したがって，デコイＲＮＡは，特定のリガンドの結合について天然の結合標的と競合する。例えば，ＨＩＶトランスアクチベーション応答（ＴＡＲ）ＲＮＡの過剰発現が”デコイ”として作用することができ，ＨＩＶ  ｔａｔ蛋白質に効率的に結合し，このことによりこれがＨＩＶ  ＲＮＡ中でコードされるＴＡＲ配列に結合することを妨害することが示されている（Ｓｕｌｌｅｎｇｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，１９９０，Ｃｅｌｌ，６３，６０１−６０８）。これは特定の例であることを意味する。当業者は，これが唯一の例ではなく，当該技術分野において一般に知られる手法を用いて他の態様を容易になしうることを理解するであろう。
【０２７２】
本明細書において用いる場合，”アゴニストＲＮＡ”との用語は，高い親和性をもって蛋白質レセプターに結合することができ，特定の細胞経路の刺激を引き起こすことができるＲＮＡ分子を表す。
【０２７３】
本明細書において用いる場合，”アンタゴニストＲＮＡ”との用語は，細胞蛋白質に結合することができ，これが正常な生物学的機能を発揮することを妨げることができるＲＮＡ分子を表す（例えば，Ｔｓａｉ  ｅｔ  ａｌ．，１９９２  Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．ＵＳＡ  ８９，８８６４−８８６８を参照）。
【０２７４】
本発明のヌクレオシドを用いることができる酵素的核酸分子の例には，ハンマーヘッド，ＮＣＨまたはイノザイム，Ｇ−切断剤，チンザイム，および／またはアンバーザイムモチーフを有するもの，ならびにＤＮＡザイムが含まれる。これらの構造モチーフはすべて当該技術分野において記述され，したがって当業者にはよく知られている。しかし，構造および関連する技術について以下に簡単に説明する。
【０２７５】
”ハンマーヘッド”モチーフの例は，Ｕｓｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９９６，Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｏｐｉｎｉｏｎ  ｉｎ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  Ｂｉｏｌｏｇｙ，１，５２７−５３３（図面を含めその全体を本明細書の一部としてここに引用する）に示される。
【０２７６】
”ＮＣＨ”または”イノザイム”モチーフの例は，Ｌｕｄｗｉｇ  ｅｔ  ａｌ．，米国特許出願．０９／４０６，６４３（１９９９年９月２７日出願，表題”ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ  ＨＡＶＩＮＧ  ＲＮＡ  ＣＬＥＡＶＩＮＧ  ＡＣＴＩＶＩＴＹ”），および国際公開ＷＯ９８／５８０５８およびＷＯ９８／５８０５７（いずれも図面を含めその全体を本明細書の一部としてここに引用する）に示される。
【０２７７】
”Ｇ−切断剤”モチーフの例は，Ｅｃｋｓｔｅｉｎ  ｅｔ  ａｌ．，国際公開Ｎｏ．ＷＯ９９／１６８７１（図面を含めその全体を本明細書の一部としてここに引用する）に見いだされる。
【０２７８】
”チンザイム”モチーフは，例えば，Ｂｅｉｇｅｌｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，国際公開Ｎｏ．ＷＯ９９／５５８５７（図面を含めその全体を本明細書の一部としてここに引用する）に記載されるようなモチーフを含むクラスＩＩ酵素的核酸分子である。チンザイムは，活性のためにはそれ自身の核酸配列中にリボヌクレオチド（２’−ＯＨ）基を必要としない酵素的核酸分子の非限定的例である。
【０２７９】
”アンバーザイム”モチーフは，例えば，Ｂｅｉｇｅｌｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，国際公開Ｎｏ．ＷＯ９９／５５８５７（図面を含めその全体を本明細書の一部としてここに引用する）に記載されるようなモチーフを含むクラスＩ酵素的核酸分子である。アンバーザイムは，活性のためにはそれ自身の核酸配列中にリボヌクレオチド（２’−ＯＨ）基を必要としない酵素的核酸分子の非限定的例である。
【０２８０】
’ＤＮＡザイム’との用語は，その活性のためにはＤＮＡザイム分子中にリボヌクレオチド（２’−ＯＨ）基の存在を必要としない酵素的核酸分子を表すことを意味する。特定の態様においては，酵素的核酸分子は，結合したリンカーまたは他の結合または付随した基，成分，または２’−ＯＨ基を有する１またはそれ以上のヌクレオチドを含有する鎖を有することができる。ＤＮＡザイムは，化学的に合成してもよく，あるいは一本鎖ＤＮＡベクターまたはそれらの同等物を用いてインビボで内生的に発現させてもよい。
【０２８１】
”・・を含む”とは，”・・を含む”の単語の前にあるものを含むがそれには限定されないことを意味する。すなわち，”・・を含む”との用語の使用は，挙げられる要素が必要または強制的なものであるが，他の要素は任意であり，存在しても存在しなくてもよいことを示す。”・・からなる”とは，”・・からなる”の語句の前にあるものをすべて含みかつそれに限定されることを意味する。すなわち，”・・からなる”との語句は，挙げられる要素が必要な要素から実質的に構成され，他の要素は実質的に存在しないことを示す。”本質的に・・からなる”とは，この語句の前に挙げられるすべての要素を含み，挙げられる要素についての開示において特定される活性または作用を妨害せずまたはそれに貢献する他の要素に限定されることを意味する。すなわち，”本質的に・・からなる”との語句は，挙げられる要素は必要な要素から実質的に構成されるが，他の要素は任意であり，それらが挙げられる要素の活性または作用に影響を及ぼすか否かによって，存在しても存在しなくてもよいことを示す。
【０２８２】
本発明の他の特徴および利点は，以下の本発明の好ましい態様の説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。本発明の広範な範囲は，以下の実施例を参照することにより最もよく理解される。これらの実施例は，本発明を以下に記載される特定の態様に限定することを意図するものではない。
【０２８３】
実施例１：５’−Ｏ−ＤＭＴ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（８ａ，Ｒ＝アセチル）の合成，図３
１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシン（２，Ｒ＝アセチル）（Ｂｈａｔ，Ｖ；ｅｔ  ａｌ．，１９８９，Ｎｕｃｌｅｏｓｉｄｅｓ  ＆  Ｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ，８（２），１７９−８３を改変）
１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−シトシン（シタラビン）（１），（２５ｇ，１０２．７５ｍｍｏｌ，  Ｐｆａｎｓｔｉｅｈｌ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ，Ｃａｔ．Ｎｏ．Ｃ−１２３，Ｌｏｔ＃２４１７Ｂ）をＤＭＦ（１２０−ｍｌ）で３回共蒸発させ，次に無水ＤＭＦ（２５０ｍｌ）に溶解した。無水酢酸（１１．６２ｍｌ，１２３．３０ｍｍｏｌ）を撹拌しながら滴加した。室温で２４時間撹拌した後，ＴＬＣ（２０％ＭｅＯＨ／ＣＨ２Ｃｌ２）は反応の完了を示した。反応を無水ＭｅＯＨ（２５ｍｌ）で急冷し，ＤＭＦを回転蒸発により除去し，トルエンと３回共蒸発させた。粗生成物である黄色泡状物をジエチルエーテル／メタノール（１０：１．）の混合物から結晶化した。結晶化生成物を濾過し，ジエチルエーテルで洗浄し，乾燥して，２７．５ｇ（９４％）の所望の生成物（２，Ｒ＝アセチル）を得た。
【０２８４】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシン（３，Ｒ＝アセチル）
１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシン（２，Ｒ＝アセチル）（２７．００ｇ，９４．６７ｍｍｏｌ）を無水ピリジン（２５０ｍｌ）と２回共蒸発させ，無水ピリジン（４００ｍｌ）に溶解し，氷／水浴中で０ｏＣに冷却した。１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（３６．３４ｍｌ，１１３．６ｍｍｏｌ）を撹拌した０ｏＣの反応混合物に２時間かけて滴加した。反応液を室温に平衡化させ，２時間後，ピリジニウム塩酸塩の白色沈殿物が認められた。次に，５時間撹拌した後（ＴＬＣ１０％ＭｅＯＨ／ＣＨ２Ｃｌ２），反応を無水メタノール（１０ｍｌ）で急冷した。ピリジンを回転蒸発により除去し，黄色生成物をＣＨ２Ｃｌ２（４００ｍｌ）に溶解し，ＮａＨＣＯ３（４００ｍｌ）で２回洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，蒸発乾固させた。生成物を水／ＥｔＯＨ（１：１，３００ｍｌ総容量，さらに数滴のＥｔＯＨを熱溶液に加えて曇りを除去する。フィルターは６０−１００ミクロンであるべきである）の混合物から結晶化した。結晶をＰ２Ｏ５で真空下で一夜乾燥した。この反応の総収量は４４．２ｇ（８９％）であった。
【０２８５】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシン（４，Ｒ＝アセチル）
無水ジクロロメタン（３００ｍｌ）中の，５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ−４−アセチルシトシン（３，Ｒ＝アセチル）（４４ｇ，８３．２３ｍｍｏｌ），ＤＭＡＰ（３０．５４ｇ，２５０．００ｍｍｏｌ）およびピリジン（２０．２２ｍｌ，２５０．００ｍｍｏｌ）の，０ｏＣでアルゴン下で撹拌した溶液に，無水トリフリル（１８．２０ｍｌ，１０８．２ｍｍｏｌ）をシリンジを用いて３０分間かけて滴加した。添加の間に発熱しないように，温度および無水トリフリルの添加の速度をモニターした。０ｏＣで４時間撹拌し，反応混合物が黄色味／橙色に変化し，ＴＬＣ（７０％ＥｔＯＡｃ／ＣＨ２Ｃｌ２）が反応の完了を示した後，反応を無水ＭｅＯＨ（２０ｍｌ）で急冷した。冷１．５％酢酸または水中クエン酸（２Ｘ１０００ｍｌ）で，次に水性炭酸水素ナトリウム（１０００ｍｌ）で洗浄することによりピリジンおよびＤＭＡＰを除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，濾液を真空下で蒸発させた。トリフレートはさらに精製することなく用いた。
【０２８６】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン（５ａ，Ｒ＝アセチル）
アルゴン下で無水アセトニトリル（２００ｍｌ）中で０ｏＣで撹拌した５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−Ｎ４−アセチルシトシン−２’−Ｏ−トリフレート（４，Ｒ＝アセチル）（粗生成物，２９．３４ｇ，４４．４５ｍｍｏｌ）およびフタルイミド（７．８５ｇ，５３．３４ｍｍｏｌ）の溶液に，ＤＢＵ（７．９６ｍｌ，５３．３４ｍｍｏｌ）をシリンジによりゆっくり加えた。ＤＢＵを加えるまで沈殿物は溶解せず，加えたとき，反応液は橙色／赤色に変化し，白色沈殿物が形成された。反応混合物を室温で２４時間撹拌し，このとき，ＴＬＣ（７０％ＥｔＯＡｃ／ＣＨ２Ｃｌ２）は反応の完了を示した。白色沈殿物を濾過し，アセトニトリル（７５ｍｌ）で３回洗浄した。濾液を合わせ，蒸発乾固させた。残渣を２００ｍｌのジクロロメタンに溶解し，炭酸水素ナトリウム（３ｘ１５０）で３回洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，蒸発乾固させた。得られた泡状物を酢酸エチルに溶解し，シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。次に残渣をトルエン／ヘキサン（１：２）から結晶化して，所望の生成物を灰白色固体として得た。１８．００ｇ，６４．５％，２工程。
【０２８７】
主要な競合副反応（１０−１５％）は，１’と２’炭素との間に二重結合を有する除去生成物の形成である（例えば，図１２を参照）。
【０２８８】
２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン（６ａ，Ｒ＝アセチル）
アルゴン下で無水ＴＨＦ中で０ｏＣで撹拌した５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキサン−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン（５ａ，Ｒ＝アセチル）（２７．００ｇ，４１．１ｍｍｏｌ）の溶液に，ＴＥＡ・３ＨＦ（１４．７ｍｌ，９０．４１ｍｍｏｌ）をシリンジにより滴加した。反応混合物を室温で平衡化させ，４時間撹拌した。ＴＬＣ（２０％ＭｅＯＨ／ＣＨ２Ｃｌ２）は反応の完了を示し，溶媒を真空下で除去し，反応混合物をＴＨＦ（２００ｍｌ）で２回共蒸発させた。得られた白色／黄色固体を少量のメタノールを含むＣＨ２Ｃｌ２から結晶化して，１５．０ｇ（８８％）の６ａ，Ｒ＝アセチルを得た。
【０２８９】
５’−Ｏ−ＤＭＴ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン（７ａ，Ｒ＝アセチル）
２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン（６ａ，Ｒ＝アセチル）（１４．７ｇ，３５．５ｍｍｏｌ）を無水ピリジンとともに２回共蒸発させ，次に無水ピリジンに溶解した。４’，４’−塩化ジメトキシトリチル（１５．６２ｇ，４６．１０ｍｍｏｌ）を，０（Ｃで反応混合物に加えた。０（Ｃで一夜撹拌した後，ＴＬＣ（５％ＥｔＯＨ／ＥｔＯＡｃ）は反応の完了を示した。反応を１０ｍｌの無水ＭｅＯＨで急冷し，溶媒を真空下で除去した。残渣をジクロロメタン（５００ｍｌ）に溶解し，炭酸水素ナトリウム（５００ｍｌ）で２回洗浄し，有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，蒸発乾固させた。残渣をトルエンから結晶化して，所望の生成物（７ａ，Ｒ＝アセチル）を白色結晶固体として得た。２３．８ｇ（９４％）。
【０２９０】
５’−Ｏ−ＤＭＴ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（８ａ，Ｒ＝アセチル）
アルゴン下で無水ジクロロメタン（３５０ｍｌ）中で０ｏＣで撹拌した５’−ＤＭＴ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチルシチジン（７ａ，Ｒ＝アセチル）（２６．００ｇ，３６．３５ｍｍｏｌ）の溶液に，ジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＰＥＡ，１７．７３ｍｌ，１０１．７７ｍｍｏｌ）および１−メチルイミダゾール（１２．９０ｍｌ，３６．３５ｍｍｏｌ）を加えた。塩化Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノシアノエチルホスホルアミジン（１０．５３ｍｌ，４７．２６ｍｍｏｌ）を反応混合物に滴加した。室温で４時間後，ＴＬＣ（１００％ＥｔＯＡｃ）は反応の完了を示した。反応を無水ＭｅＯＨ（３ｍｌ）で急冷し，蒸発乾固させた。残渣を６０％−１００％ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの勾配を用いてフラッシュクロマトグラフィーにより精製して，９５％の収率を得た。
【０２９１】
実施例２：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−ウリジン３’−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（１６ａ）の合成，図４
５’，３’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジ−イル）−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−ウラシル（１１）の合成
１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−ウラシル（１０）（２．４４ｇ，１０ｍｍｏｌ）を，無水ピリジンと２回共蒸発させることにより乾燥し，次に無水ピリジン中に再溶解した。上述の溶液を冷却し（０（Ｃ），１０ｍＬの無水ジクロロメタン中の１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルシロキサン（３．５２ｍＬ，１１．０ｍｍｏｌ）の溶液を，撹拌しながら滴加した。添加が完了した後，反応混合物を室温まで暖め，さらに２時間撹拌した。次に反応をＭｅＯＨ（１０ｍＬ）で急冷し，蒸発乾固させた。残渣をジクロロメタンに溶解し，飽和ＮａＨＣＯ３およびブラインで洗浄し，Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し，濾過した。有機層を蒸発乾固させ，次にトルエンと共蒸発させて，痕跡量のピリジンを除去して，４．８ｇ（９８％）の化合物（１１）を得，これをさらに精製することなく用いた。
【０２９２】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−ウラシル（１２）
無水ジクロロメタン中の５’，３’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジ−イル）−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−ウラシル（１１）（４ｇ，８．２ｍｍｏｌ）の撹拌氷冷溶液に，無水トリフルオロメタンスルホン酸（１．６６ｍＬ，９．８６ｍｍｏｌ）を加え，反応混合物を−５ｏＣで３０分間撹拌した。次に反応液をジクロロメタンで希釈し，冷１％水性酢酸で，次に飽和水性炭酸水素ナトリウムおよびブラインで洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，真空下で蒸発乾固させた。残渣はさらに精製することなく次の工程（実施例１０）で用いた。
【０２９３】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−ウリジン（１３ａ）
表題化合物は，実施例１の５’，３’−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチル−シチジンと同様に製造した。収率＝６５−７０％。
【０２９４】
２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−ウリジン（１４ａ）
表題化合物は，実施例１の２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチル−シチジンと同様に製造した。収率＝９０％。
【０２９５】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−ウリジン（１５ａ）の合成
表題化合物は，実施例１の５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ４−アセチル−シチジンと同様に製造し，フラッシュクロマトグラフィーにより５％−１０％アセトン／ジクロロメタンの勾配を溶出液として用いて精製した。収率＝９０％。この精製は，トルエンおよびヘキサンからの結晶化で置き換えることができる。
【０２９６】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−ウリジン３’−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（１６ａ）の合成
表題化合物は，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物（９）について記載したとおり）にしたがって製造した。シリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィーにより，６０％−１００％ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの勾配を溶出液として用いて精製した。収率＝８５％。
【０２９７】
実施例３：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ｔｅｒｔブチルベンゾイルアデノシン−３’−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（２５ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）の合成，図５
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−アデニン（１９）
１−β−Ｄ−アラビノフラノシル−アデニンＨＣｌ（１８）（５ｇ，１６．４６ｍｍｏｌ，Ｐｆａｎｓｔｉｅｈｌ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ）を無水ピリジンから２回共蒸発させ，無水ピリジン（５０ｍｌ）に懸濁し，氷水中で０ｏＣに冷却した。１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（６．６ｍｌ，２０．２３ｍｍｏｌ）を，冷撹拌ヌクレオシド溶液に加えた。添加が完了した後，反応混合物を室温まで暖め，さらに２時間撹拌した。次に反応を１ｍｌのエタノールで急冷した。溶媒を真空下で除去し，残渣をジクロロメタンに溶解し，飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，蒸発乾固させて，８．５ｇの（１９）を白色泡状物（８．５ｇ）として得た。生成物（１９）はさらに精製することなく用いた。
【０２９８】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−トリフルオロメタンスルホニル−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン（２０）
無水ジクロロメタン中の（１９）の冷溶液（−１０ｏＣ）を塩化トリフルオロメタンスルホニル（１．５３ｍＬ，１４．４ｍｍｏｌ）で２０分間処理した。得られた溶液を無水ジクロロメタンで希釈し，冷（０ｏＣ）１％水性酢酸で，次に飽和水性ＮａＨＣＯ３およびブラインで洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，蒸発乾固させて，誘導体（２０）を得，これをさらに精製することなく用いた。
【０２９９】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−アデノシン（２１ａ）
ＤＢＵ（２．８ｍｌ，１８．７ｍｍｏｌ）を，無水アセトニトリル中の５’，３’−テトライソプロピルジシロキシ−１−β−Ｄ−アラビノフラノシルアデニン−２’−トリフレート（２０）（１０ｇ）およびフタルイミド（２．５２ｇ，１７．２ｍｍｏｌ）の撹拌溶液に正のアルゴン圧の下で滴加した。混合物を室温で一夜撹拌した。次に反応混合物を蒸発乾固させ，ジクロロメタンに溶解し，飽和水性炭酸水素ナトリウム溶液およびブラインで洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，真空下で蒸発乾固させた。粗生成物をフラッシュクロマトグラフィーにより精製して，５．４ｇ（１８から５１％）の２’−Ｎ−フタロイル誘導体（２１ａ）を得た。
【０３００】
５’，３’−Ｏ−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルアデノシン（２２ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）
２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル誘導体（２１ａ）（５．４ｇ，８．４５ｍｍｏｌ）を無水ピリジンに溶解し，塩化４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル（１．２当量）を０ｏＣで加え，反応混合物を室温で一夜放置した。次に反応液をメタノール（１０ｍＬ）で急冷し，溶媒を真空下で除去し，残渣をトルエンに溶解し，蒸発乾固させた。得られた油状物をジクロロメタンに溶解し，飽和水性ＮａＨＣＯ３およびブラインで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，蒸発乾固させた。残渣をシリカ上のフラッシュクロマトグラフィーでＥｔＯＡｃ−ヘキサン（１：２）混合物を溶出液として用いて精製して，５．０６ｇ（７５％）の完全に保護されたシントン（２２ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）を得た。
【０３０１】
２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルアデノシン（２３ａ）の合成
５’，３’−テトライソプロピルジシロキシ−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルアデノシン（２２ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）（２．４ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの無水ＴＨＦに溶解した。トリエチルアンモニウムフッ化水素酸塩（１．４７ｍｌ，９．０ｍｍｏｌ）を加え，反応混合物を室温で一夜撹拌した。次に，撹拌しながら炭酸水素ナトリウム溶液を加えて反応を急冷し，塩化メチレンで抽出し，硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，真空下で蒸発乾固させた。この物質をフラッシュクロマトグラフィーにより精製して，１．５２ｇ（９１％）の２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ２−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルアデノシン（２３ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）を得た。
【０３０２】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルアデノシン（２４ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）の合成  表題化合物は，標準的なジメトキシトリチル化方法（実施例１において記載したとおり）を用いて製造した。収率９０％。
【０３０３】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル−Ｎ６−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイルアデノシン−３’−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（２５ａ，Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚ）
表題化合物は，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物９について記載したとおり）にしたがって製造した。シリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィーにより，溶出液として６０％−１００％ＥｔＯＡｃ／ヘキサンの勾配を用いて精製して，（２５ａ），Ｒ＝ｔ−ＢｕＢｚを得た。収率９５％。
【０３０４】
実施例４：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（４３）の合成，図７
５’，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン（４０）
ＤＭＦ（２０ｍｌ）中のシチジン（３８）（２．４３ｇ，１０ｍｍｏｌ）の懸濁液を，０ｏＣでメタンスルホン酸（０．７１ｍｌ，１１ｍｍｏｌ）で処理した。ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルジトリフレート（３．６ｍｌ，１１ｍｍｏｌ）を得られた溶液に加え，反応液を０ｏＣで３０分間撹拌した。次にイミダゾール（４．０８ｇ，６０ｍｍｏｌ）を加え，反応混合物を室温で３０分間撹拌した。塩化Ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル（１．８１ｇ，１２ｍｍｏｌ）を加え，得られた反応混合物を６０°Ｃで２時間加熱し，室温に冷却し，溶媒を真空下で除去した。残渣をジクロロメタンと水との間に分配した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，蒸発させて，粗生成物（３９）を黄色がかった油状物として得た。粗生成物（３９）を乾燥クロロホルム（２０ｍｌ）に溶解し，次に，ピリジン（２．５ｍｌ）および無水酢酸（１．４２ｍｌ，１５ｍｍｏｌ）を加えた。室温で一夜反応を進行させ，クロロホルム（２５ｍｌ）で希釈し，水で，次に炭酸水素ナトリウムで洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，溶媒を真空下で除去した。残渣を酢酸エチルから結晶化して，（４０）を無色結晶として得た。４．１２ｇ，収率７６％。
【０３０５】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン（４２）
フッ化水素−ピリジン（Ａｌｄｒｉｃｈ，０．２ｍｌ，８ｍｍｏｌ）を冷却しながら注意深くピリジン（１．２ｍｌ）で希釈した。得られた溶液を，ジクロロメタン（１０ｍｌ）中の（４０）（１．０８ｇ，２ｍｍｏｌ）の０ｏＣの撹拌懸濁液にゆっくり加えた。０（Ｃで２時間反応を進行させた。反応混合物をジクロロメタンで希釈し，水，次に飽和炭酸水素ナトリウム溶液で希釈した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，蒸発させて，０．８６ｇの粗生成物（４１）を白色結晶として得た。これをピリジン（５ｍｌ）に溶解し，塩化ジメトキシトリチル（０．７４ｇ，２．２ｍｍｏｌ）で０ｏＣで処理した。反応混合物を０ｏＣで一夜保存し，無水メタノール（０．２ｍｌ）で急冷し，真空下で蒸発させた。残渣をジクロロメタンと水との間に分配した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，溶媒を真空下で除去した。フラッシュクロマトグラフィー（勾配４０−６０％アセトン−ヘキサン）により，（４２）を白色泡状物として得た。１．１ｇ，７８％。
【０３０６】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル（シアノエチル）ホスホルアミダイト（４３）
化合物（４３）は，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイト（２．５当量），Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（４当量）および１−メチルイミダゾール（０．５当量）を用いて，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物９について記載したとおり）により，白色泡状物として得た。収率８４％。
【０３０７】
実施例５：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（４８）の合成，図８
５’，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン（４５）
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルジトリフレート（１．８ｍｌ，５．５ｍｍｏｌ）を，ＤＭＦ（１０ｍｌ）中のウリジン（４４）（１．２２ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に加え，反応液を０ｏＣで３０分間撹拌した。イミダゾール（１．７ｇ，２５ｍｍｏｌ）を加え，反応混合物を室温で３０分間撹拌し，次に塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル（０．９ｇ，６ｍｍｏｌ）で処理した。６０ｏＣで２時間撹拌した後，溶媒を真空下で除去し，残渣をジクロロメタンと水との間に分配した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，蒸発させた。残渣をアセトニトリルから結晶化して，（４５）を白色結晶として得た。１．９４ｇ，収率７７．９％。
【０３０８】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン（４７）
フッ化水素−ピリジン（Ａｌｄｒｉｃｈ，０．１ｍｌ，４ｍｍｏｌ）を冷却しながら注意深くピリジン（０．６ｍｌ）で希釈した。得られた溶液をジクロロメタン（５ｍｌ）中の（４５）（０．５ｇ，１ｍｍｏｌ）の０ｏＣの撹拌溶液にゆっくり加え，０ｏＣで１時間反応を進行させた。次に，反応混合物をジクロロメタンで希釈し，水で，次に飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，蒸発させて，粗生成物（４６）を白色結晶として得た。これをピリジン（３ｍｌ）に溶解し，塩化ジメトキシトリチル（０．３７ｇ，１．１ｍｍｏｌ）で０（Ｃで処理した。反応混合物を０ｏＣで一夜保存し，無水メタノール（０．２ｍｌ）で急冷し，真空下で蒸発させた。残渣をジクロロメタンと水との間に分配した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，溶媒を真空下で除去した。フラッシュクロマトグラフィー（勾配２０−４０％酢酸エチル−ヘキサン）により（４７）を黄色がかった泡状物として得た。０．６ｇ，９０．９％。
【０３０９】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル（シアノエチル）ホスホルアミダイト（４８）
化合物（４８）は，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイト（２．５当量），Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（４当量）および１−メチルイミダゾール（０．５当量）を用いて，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物９について記載したとおり）により，灰白色泡状物として得た。収率８３％。
【０３１０】
実施例６：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（５４）の合成，図９
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアデノシン（５０）
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルジトリフレート（３．６ｍｌ，１１ｍｍｏｌ）を，無水ＤＭＦ（８０ｍｌ）中のアデノシン（１０．６９ｇ，４０ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に０ｏＣで１５分間かけて滴加した。得られた溶液を０ｏＣで３０分間撹拌し，次にイミダゾール（１３．６ｇ，２００ｍｍｏｌ）を一度に加えた。混合物を０ｏＣで５分間，次に室温で２５分間撹拌した。得られた懸濁液をｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン（７．２４ｇ，４８ｍｍｏｌ）で処理した。６０ｏＣで２時間反応を進行させた。約４５分後に沈殿物が消失し，１時間後に（５０）の結晶が形成された。化合物（５０）を濾過により回収し，冷アセトニトリルで洗浄し，次に真空下で乾燥した。収量１７．８９ｇ（８５．７％）。
【０３１１】
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン（５１）
塩化ベンゾイル（８ｍｌ，６８．８６ｍｍｏｌ）を，無水ピリジン（１００ｍｌ）中の（５０）（１７．８９ｇ，３４．２８ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に０ｏＣで滴加した。５分後，反応液を室温に暖め，２．５時間撹拌した。混合物を０ｏＣに冷却した後，撹拌しながらモルホリン（１２ｍｌ，１３７．９ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。０ｏＣで４５分後，反応混合物を蒸発させ，残渣を塩化メチレンと水との間に分配した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し，真空下で蒸発させた。アセトニトリル（１００ｍｌ）から結晶化して，（５１）を結晶物質として得た。収量１６．４７ｇ（７６．８％）。
【０３１２】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン（５３）
フッ化水素−ピリジン（Ａｌｄｒｉｃｈ，２．７ｍｌ，１０５．３ｍｍｏｌ）を，ピリジン（１７ｍｌ）で注意深く希釈した。得られた溶液を，無水塩化メチレン（１３０ｍｌ）中の５１（１６．４７ｇ，２６．３ｍｍｏｌ）の撹拌溶液にゆっくり加え，０ｏＣで１時間反応を進行させた。次に反応混合物を水で，次に飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，真空下で蒸発させた。この物質のピリジン（５０ｍｌ）中の溶液に，塩化ジメトキシトリチル（９．８ｇ，２８．９３ｍｍｏｌ）を加え，反応混合物を０ｏＣで一夜撹拌した。次に無水メタノール（０．２５ｍｌ）を加えて反応を急冷し，真空下で蒸発させた。得られた残渣を塩化メチレンと水との間に分配した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，真空下で蒸発させた。シリカ上のフラッシュクロマトグラフィーにより，酢酸エチル／ヘキサン勾配（３０−５０％）を用いて，（５３）を白色泡状物として得た。収量１９．２ｇ（９４．８％）。
【０３１３】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピル（シアノエチル）ホスホルアミダイト（５４）
化合物（５４）は，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイト（２．５当量），Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（４当量）および１−メチルイミダゾール（０．５当量）を用いて，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物９について記載したとおり）により，白色泡状物として得た。収率８５％。
【０３１４】
実施例７：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６０）の合成，図１０
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルグアノシン（５６）
無水グアノシン（５５，１１．３３ｇ，４０ｍｍｏｌ，一水和物を真空下で１００（Ｃで７時間乾燥することにより製造）を無水ＤＭＦ（８０ｍｌ）に懸濁し，０ｏＣで撹拌しながらジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルジトリフレート（１４．３ｍｌ，４４ｍｍｏｌ）を１５分間かけて滴加した。得られた溶液を０ｏＣで３０分間撹拌し，次にイミダゾール（１３．６ｇ，２００ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を０ｏＣで５分間，次に室温で２５分間撹拌した。Ｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン（７．２４ｇ，４８ｍｍｏｌ）を加え，反応を６０ｏＣで２時間進行させた。得られた（５６）の沈殿物を濾過により分離し，冷メタノールで洗浄し，真空下で乾燥した。収量１８．８１ｇ（８７．４％）。
【０３１５】
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルエノ−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン（５７）
塩化イソブチリル（１０．４ｍｌ，１００ｍｍｏｌ）を，０ｏＣで，無水塩化メチレン（１００ｍｌ）およびピリジン（３０ｍｌ）中の（５６）（２６．８９ｇ，５０ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に滴加した。室温で３時間反応させ，メタノール（４０ｍｌ）で希釈し，氷浴中で冷却した。メチルアミンのエタノール性溶液（８Ｍ，２５ｍｌ，２００ｍｍｏｌ）を反応混合物にゆっくり加えた。３０分後，反応混合物を蒸発させて，スラリーを得，これをメタノール（１００ｍｌ）で希釈し，０ｏＣで２時間放置した。得られた沈殿物を濾過し，冷メタノールで洗浄し，真空下で乾燥して，２９．２６ｇ（９６．２％）の化合物（５７）を得た。
【０３１６】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン（５９）
フッ化水素−ピリジン（Ａｌｄｒｉｃｈ，４ｍｌ，１５４ｍｍｏｌ）を，冷却しながらピリジン（２５ｍｌ）で注意深く希釈した。得られた溶液を，無水塩化メチレン（２００ｍｌ）中の（５７）（２４．３６ｇ，４０ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に０ｏＣでゆっくり加え，０ｏＣで２時間反応を進行させた。得られた溶液を水で，次に飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，蒸発させて，粗生成物（５８）を半晶質物質として得た。これをピリジン（８０ｍｌ）に溶解し，塩化ジメトキシトリチル（１４．９１ｇ，４４ｍｍｏｌ）を０ｏＣで加えた。反応混合物を０ｏＣで一夜保存し，無水メタノール（０．５ｍｌ）で急冷し，真空下で蒸発させた。得られた残渣を塩化メチレンと水との間に分配した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，濃縮して，粗生成物（５９）を得，これをジクロロメタン（２０ｍｌ）およびエーテル（２００ｍｌ）から再結晶して，化合物（５９）を白色細粉末として得た。収率２４．１６ｇ（７８．４％）。
【０３１７】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６０）
化合物６０は，２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルクロロホスホルアミダイト（２．５当量），Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（４当量）および１−メチルイミダゾール（０．５当量）を用いて，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物９について記載したとおり）により，白色泡状物として得た。収率８６％。
【０３１８】
実施例８：５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６９）の合成，図１１
２，６−ジアミノ−９−（３’，５’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−β−Ｄ−リボフラノシル）プリン（６２）
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルビス（トリフルオロメタンスルホネート）（１７．８ｍｌ，５５ｍｍｏｌ）を，１００ｍｌ無水ＤＭＦ中の２，６−ジアミノプリンリボシド（６１）（１４．１１ｇ，５０ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に０ｏＣでゆっくり加えた。得られた溶液を０ｏＣで３０分間撹拌し，次にイミダゾール（８．１６ｇ，１２０ｍｍｏｌ）を加えた。０ｏＣで５分間，次に室温で３０分間反応を進行させた。溶液を真空下で濃縮してスラリーとし，これをメタノール（１２０ｍｌ）で希釈した。化合物（６２）を濾過により回収し，冷メタノールで洗浄し，次に真空下で６０ｏＣで乾燥した。収量１７．２ｇ（８３．８％）。
【０３１９】
２，６−ジアミノ−９−（３’，５’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−メチル−β−Ｄ−リボフラノシル）プリン（６３）
無水ＤＭＦ（４０ｍｌ）中の（６２）（２．１１ｇ，５ｍｍｏｌ）の−２０ｏＣの撹拌溶液に，ヨウ化メチル（０．９３ｍｌ，１５ｍｍｏｌ）を加え，次に水素化ナトリウムを６０％ミネラルオイル懸濁液（０．３ｇ，７．５ｍｍｏｌ）として加えた。反応混合物を−２０ｏＣで１．５時間撹拌し，塩化アンモニウム（１．５ｇ）で急冷した。得られた懸濁液をクロロホルム（７５ｍｌ）と水（５０ｍｌ）との間に分配した。水性層を追加のクロロホルムで洗浄した。合わせたクロロホルム抽出物を５０ｍｌの水で洗浄し，水性層をクロロホルムで逆抽出した。得られた有機溶液を硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，溶媒を真空下で除去した。ジクロロメタン−ヘキサン混合物（１：１）から結晶化して，（６３）を無色結晶として得た。収量１．９２ｇ（８８％）。
【０３２０】
２，６−ジアミノ−Ｎ２，Ｎ６−ジ−イソブチリル−９−（３’，５’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−メチル−β−Ｄ−リボフラノシル）プリン（６４）
無水ピリジン（１０ｍｌ）中の（６３）（１．７５ｇ，４ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に，０ｏＣで塩化イソブチリル（１．０４ｍｌ，２．５ｍｍｏｌ）を加えた。反応混合物を室温で２時間撹拌し，メタノール（０．５ｍｌ）で急冷し，真空下で蒸発させた。得られた残渣を塩化メチレンと水との間に分配した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，濾過し，溶媒を真空下で除去した。アセトニトリルから結晶化して，１．９５ｇの（６４）を白色結晶として得た。収率８４．８％。
【０３２１】
２，６−ジアミノ−Ｎ２−イソブチリル−９−（３’，５’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−メチル−β−Ｄ−リボフラノシル）プリン（６５）
メタノール（５ｍｌ）およびトリエチルアミン（０．３ｍｌ）中の（６４）（１．１５ｇ，２ｍｍｏｌ）の溶液を室温で２４時間保存した。次に得られた沈殿物（６５）を濾過し，冷メタノールで洗浄し，真空下で乾燥した。収量０．９ｇ（８９％）。
【０３２２】
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン（６６）
酢酸（５ｍｌ），ＴＨＦ（５ｍｌ），ジクロロメタン（３ｍｌ）および水（１ｍｌ）の撹拌混合物中の（６５）（０．７６ｇ，１．５ｍｍｏｌ）の溶液に，亜硝酸ナトリウム（０．８３ｇ）を加えた。３時間後，追加の亜硝酸ナトリウムを加え，撹拌した反応混合物を室温で４８時間保存した。次に反応混合物を水とジクロロメタンとの間に分配し，有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，濾過し，真空下で濃縮した。酢酸エチルから結晶化して，（６６）を僅かに黄色の結晶として得た。０．６５ｇ，収率８５％。
【０３２３】
２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリル−グアノシン（６７）
無水ジクロロメタン（５ｍｌ）中の（６６）（０．５１ｇ，１ｍｍｏｌ）の撹拌溶液に，ピリジン（０．５ｍｌ）を，次にフッ化水素−ピリジン（３８．５Ｍ，０．１ｍｌ）を加えた。１５分後，溶媒を真空下で除去した。５−１０％メタノール／ジクロロメタンの勾配を用いるフラッシュクロマトグラフィーにより，（６７）を白色泡状物として得た。０．３４ｇ，収率９３％。
【０３２４】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン（６８）
化合物（６８）は，標準的なジメトキシトリチル化方法（実施例１において記載したとおり）を用いて製造した。
【０３２５】
５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６９）
化合物（６９）は，標準的なホスフィチル化方法（実施例１において化合物９について記載したとおり）にしたがって製造した。シリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィーにより６０％−１００％のＥｔＯＡｃ／ヘキサンの勾配を溶出液として用いて精製し，真空下で蒸発させた後に，（６９）を白色泡状物として得た。
【０３２６】
実施例９：２’−Ｏ−メチル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン（７５）の合成（図１３）
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイルアデノシン（７２）
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリルジトリフレート（５０ｇ，１１３ｍｍｏｌ）を，ＤＭＦ（２００ｍｌ）中のアデノシン（７１）（２７．５ｇ，１０３ｍｍｏｌ）の撹拌懸濁液に０（Ｃで３０分間かけて滴加した。得られた溶液を０（Ｃで３０分間撹拌し，次にイミダゾール（１６．２ｇ，２３７ｍｍｏｌ）を一度に加えた。混合物を０（Ｃで４５分間撹拌し，（７２）の沈殿物を濾別し，メタノールで洗浄し，真空下で乾燥して，３１ｇの（７２）を白色細粉末として得た。母液を蒸発させ，残渣をメタノール中で砕いて，第２取得分の（７２）を得た。４．９ｇ。（７２）の合わせた収量は３５．９ｇ（８５．５％）であった。
【０３２７】
５’，３’−Ｏ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシランジイル−２’−Ｏ−メチルアデノシン（７３）
化合物（７２）（３５．９ｇ，８８．１ｍｍｏｌ）を１−メチル−２−ピロリジノン（６０ｍｌ）およびＤＭＦ（２４０ｍｌ）の混合物に８０（Ｃで溶解した。得られた溶液を−３５（Ｃに冷却し，硫酸ジメチル（２０．９ｍｌ，２２０．４ｍｍｏｌ）を加えた。水素化ナトリウム（５．９９ｇ，６０％懸濁液，ミネラルオイル中，１４９．８ｍｍｏｌ）を約７５ｍｌのトルエンで洗浄し，次にトルエンに懸濁した（約１５ｍｌ）。得られた懸濁液をシリンジを用いて撹拌しながら反応混合物に滴加した。ほぼすべての出発物質が消費されるまで−３５（Ｃで反応を進行させた（約４時間）。メタノール（２００ｍｌ），次に水（１００ｍｌ）を注意深く加えることにより反応を急冷した。得られた懸濁液を−２０から−３０（Ｃで３０分間撹拌した。（７３）の沈殿物を濾別し，フィルターベッド上でメタノールで２回洗浄し，次に真空下で乾燥して，約８５％の純度を有する２８．１ｇの粗生成物（７３）を得た。収率６０−６５％。
【０３２８】
２’−Ｏ−Ｍｅ−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン（７５）
１７０ｍｌのピリジン中の粗生成物（７３）（２８．１ｇ，約５６ｍｍｏｌ）の懸濁液を０（Ｃで塩化ベンゾイル（１３ｍｌ，１１２ｍｍｏｌ）で処理し，反応液を室温で一夜撹拌した。モルホリン（２０．５ｍｌ，２５６ｍｍｏｌ）を０（Ｃで反応混合物に加え，混合物を０（Ｃで１．５時間撹拌し，次に真空下で濃縮した。残渣をジクロロメタンと水との間に分配した。有機層をさらに水で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，濃縮して，粗生成物（７４）を無色泡状物として得た。後者をジクロロメタン（２１０ｍｌ）およびピリジン（１８ｍｌ）に溶解し，０（Ｃに冷却し，フッ化水素−ピリジン（Ａｌｄｒｉｃｈ，７０％，３．３ｍｌ，１２７ｍｍｏｌ）で処理した。混合物を０（Ｃで２時間撹拌し，得られた沈殿物を濾別し，ジクロロメタンで洗浄して，１９．０ｇの粗生成物（７５）を得た。母液を蒸発させ，残渣をアセトン（２０ｍｌ）およびメタノール（３ｍｌ）の混合物から結晶化して，第２取得分の粗生成物（７５）を得た。３．１ｇ。すべての粗生成物（７５）（２２．１ｇ）をメタノール（６０ｍｌ）から再結晶して，１５．９ｇの純粋な（７５）を得た。アデノシン（７１）出発物質に基づく合計収率は４０．１％であった。
【０３２９】
実施例１０：１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体の合成（図１５）
５−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール（８５ａ）
メタンスルホン酸（０．６５ｍｌ，１０ｍｍｏｌ）を３０ｍｌのＨＭＤＳに滴加し，得られた懸濁液を均一になるまでアルゴン雰囲気下で還流した（約４５分間）。得られた溶液に５’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチミジン（８２ａ，３．５６ｇ，１０ｍｍｏｌ）を加え，混合物を３時間加熱還流した。この８３ａの反応溶液を室温にし，水素化フラスコに移し，Ｐｄ／Ｃ（１０％，０．３ｇ）で３５ｐｓｉの水素圧で室温で１時間水素化した。触媒を濾別し，濾液を蒸発させ，残渣を３５ｍｌのジクロロメタンに溶解した。得られた溶液をリン酸ナトリウム一塩基（１５％，１５ｍｌ）の撹拌溶液にゆっくり加えた。混合物を１５分間激しく撹拌し，２ｇのセライトで処理し，チミンをセライトとともに濾別した。有機相を分離し，飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，蒸発乾固させた。粗生成物８４ａをメタノール（２０ｍｌ）に溶解し，溶液にピリジニウムトリフルオロ酢酸（０．１ｇ，０．５ｍｍｏｌ）を加えた。３０分後，メタノールを除去し，粗生成物８５ａをシリカゲルで２０−３０％酢酸エチル／ヘキサンの勾配を用いてカラムクロマトグラフィーにより精製して，１．８ｇ（７７．６％）の純粋な８５ａをわずかに黄色の油状物として得た。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：４．４０（ｍ，１Ｈ，Ｈ３），４．０２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ１ａ，１ｂ＝８．２Ｈｚ，Ｊ１，２＝５．４Ｈｚ，Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ），３．８４（ｍ，２Ｈ，Ｈ４，Ｈ５ａ），３．６１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ５ａ，５ｂ＝１１．６Ｈｚ，Ｊ５，４＝７．６Ｈｚ，Ｈ５ｂ），２．２４（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ａ），１．９８（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ｂ），１．９６（ｍ，１Ｈ，ＯＨ），０．９８（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ），０．１５（ｓ，６Ｈ，Ｍｅ）。異なる触媒を使用した８２から８３への変換は表ＩＩに示される。
【０３３０】
３−Ｏ−ジメトキシトリチル−５−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール（８６ａ）
５’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチミジン（８２ａ，２８．５２ｇ，８０ｍｍｏｌ）を上述したように粗生成物８５ａに変換した。このようにして製造した粗生成物８５ａをピリジン（１００ｍｌ）と共蒸発させ，次にピリジン（８０ｍｌ）に溶解した。塩化ジメトキシトリチル（２４．４ｇ，７２ｍｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン（１ｇ，８．２ｍｍｏｌ）を加え，室温で一夜反応を進行させた。減圧下で濃縮した後，混合物をジクロロメタンと水との間に分配した。有機相を分離し，飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，蒸発させて，茶色残渣を得た。残渣をシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで５−１０％酢酸エチル−ヘキサンの勾配を用いて精製して，８６ａを黄色がかった油状物として得た。収量２９．８ｇ（６９．６％）。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．４３（ｍ，９Ｈ，Ｐｈ），６．９２（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ），４．２１（ｍ，１Ｈ，Ｈ３），４．０２（ｍ，１Ｈ，Ｈ４），３．９６（ｍ，２Ｈ，Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ），３．８８（ｓ，６Ｈ，ＯＣＨ３），３．５４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ５ａ，５ｂ＝１１．１Ｈｚ，Ｊ５ａ，４＝３．２Ｈｚ，Ｈ５ａ），３．３８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ５ｂ，５ａ＝１１．１Ｈｚ，Ｊ５ｂ，４＝４．４Ｈｚ，Ｈ５ｂ），１．５４（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ａ），１．３２（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ｂ），０．８９（ｓ，９Ｈ，ｔ−Ｂｕ），０．０４（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ），０．０２（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ）。
【０３３１】
３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール（８７）
水酸化ナトリウム（１０Ｎ溶液，９ｍｌ）を，エタノール（１２０ｍｌ）中の８６ａ（１６．２ｇ，２９．６ｍｍｏｌ）の溶液に加え，反応混合物を６時間還流した。室温に冷却した後，反応混合物を減圧下で蒸発させ，ジクロロメタンと水との間に分配した。有機層を水で，次にリン酸ナトリウム一塩基溶液（１５％）で洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥し，蒸発させた。残渣をシリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィーで４０−６０％酢酸エチル−ヘキサンの勾配を用いて精製して，１１．６ｇ（９３．２％）の８７を白色泡状物として得た。１Ｈ  ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：７．３６（ｍ，９Ｈ，Ｐｈ），６．９６（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ），４．５２（ｔ，１Ｈ，ＪＯＨ，５＝５．６Ｈｚ，ＯＨ），４．１０（ｍ，１Ｈ，Ｈ３），３．８１（ｓ，６Ｈ，ＯＣＨ３），３．７５（ｍ，３Ｈ，Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ，Ｈ４），３．１８（ｍ，１Ｈ，Ｈ５ａ），３．１３（ｍ，１Ｈ，Ｈ５ｂ），１．４８（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ａ），１．１９（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ｂ）。
【０３３２】
３−Ｏ−ジメトキシトリチル−１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール−５−スクシネート，トリエチルアンモニウム塩（８８）
無水コハク酸（３．０７ｇ，３０．７ｍｍｏｌ）およびＤＭＡＰ（０．３４ｇ，２．８ｍｍｏｌ）を，ピリジン（３０ｍｌ）中の８７（１１．６ｇ，２７．６ｍｍｏｌ）の溶液に加え，４０（Ｃで一夜反応を進行させた。減圧下で濃縮した後，残渣を酢酸エチルと水との間に分配した。有機層を分離し，冷１０％クエン酸で，次に水で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥し，蒸発させた。残渣をジクロロメタン（６０ｍｌ）に溶解し，トリエチルアミン（５．８ｍｌ，４１．４ｍｍｏｌ）で処理し，混合物を，ジクロロメタン中２％ＭｅＯＨおよび２％トリエチルアミンの混合物で予め平衡化したシリカゲルカラムに負荷した。ジクロロメタン中３−１０％メタノールおよび０．５％トリエチルアミンの混合物で溶出した後，適当な画分を合わせ，蒸発させ，真空下で一夜乾燥して，８８を白色泡状物として得た。収量１４．９ｇ，８７％。１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ：７．４０（ｍ，９Ｈ，Ｐｈ），６．９２（ｍ，４Ｈ，Ｐｈ），４．１６（ｍ，１Ｈ，Ｈ３），３．９８（ｍ，４Ｈ，Ｈ１ａ，Ｈ１ｂ，Ｈ４，Ｈ５ａ），３．８７（ｓ，６Ｈ，ＯＣＨ３），３．６５（ｍ，１Ｈ，Ｈ５ｂ），３．０４（ｑ，６Ｈ，ＣＨ３−ＣＨ２−Ｎ），２．５８（ｍ，４Ｈ，ＣＯ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯ），１．６３（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ａ），１．５３（ｍ，１Ｈ，Ｈ２ｂ），１．２７（ｔ，９Ｈ，ＣＨ３−ＣＨ２−Ｎ）。
【０３３３】
実施例１１：置換フタルイミドヌクレオシド
化合物５ｂ−ｅ（図３）は，それぞれ化合物４ｂ−ｅから，図３に示される条件下で合成した。４種類のシチジン５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−デオキシ−２’−フタルイミド（化合物７ｂ−ｅ，図３）を，異なる条件下で（４０％水性メチルアミン，メタノール性メチルアミン，およびメタノール性メチルアミンおよび１０％水），５’−Ｏ−ＤＭＴ−２’−アミノシチジンに変換した。すべての場合において，室温で２−３時間後に，薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）により判定して，５’−ＤＭＴ−２’−デオキシ−２’−アミノシチジンの形成において完全なフタロイル脱保護が認められた（表１を参照）。
【０３３４】
表１：種々のフタルイミドを用いるトリフレートの置換
【表１】
2004522695.tif 000026
ＲＴ： 室温，ｈ：時間
【０３３５】
表２：種々の触媒を用いるチミジン誘導体の脱ピリミジン化
【表２】
2004522695.tif 000027
【０３３６】
これらの実施例は非限定的であることを意味し，当業者は，本発明において記載されるものと類似の戦略を他のヌクレオシドおよびヌクレオシド類似体，例えば，他の２’デオキシ−２’−Ｎ−フタロイル，２’−デオキシ−２’−アミノ，２’−Ｏ−メチル，ＬおよびＤリボヌクレオシド，Ｃ−ヌクレオシド，ヌクレオシド類似体およびＣ−ヌクレオシド類似体の合成に容易に適合させることができ，これらも本発明の範囲内であることを理解するであろう。
【０３３７】
本明細書において言及されるすべての特許および刊行物は，本発明の属する技術分野の技術者のレベルを示す。本明細書において引用されるすべての参考文献は，それぞれの参考文献が個々にその全体が本明細書の一部としてここに引用されることと同じ程度に，本明細書の一部として引用される。
【０３３８】
当業者は，本発明が，その目的を実施し，記載される結果および利点，ならびに本明細書に固有のものを得るためによく適合していることを容易に理解するであろう。本明細書に記載される方法および組成物は，現在のところ好ましい態様の代表的なものであり，例示的なものであって，本発明の範囲を限定することを意図するものではない。当業者は，特許請求の範囲において定義される本発明の精神の中に包含される変更および他の用途をなすであろう。
【０３３９】
当業者は，本発明の範囲および精神から逸脱することなく，本明細書に開示される本発明に対して種々の置換および改変をなすことが可能であることを容易に理解するであろう。すなわち，そのような追加の態様は，本発明および特許請求の範囲の範囲内である。
【０３４０】
本明細書に例示的に記載されている発明は，本明細書に特定的に開示されていない任意の要素または限定なしでも適切に実施することができる。本明細書において用いられる用語および表現は，説明の用語として用いるものであり，限定ではない。そのような用語および表現の使用においては，示されかつ記載されている特徴またはその一部の等価物を排除することを意図するものではなく，特許請求の範囲に記載される本発明の範囲中で種々の変更が可能であることが理解される。すなわち，好ましい態様および任意の特徴により本発明を特定的に開示してきたが，当業者には本明細書に記載される概念の変更および変種が可能であり，そのような変更および変種も，明細書および特許請求の範囲に定義される本発明の範囲内であると考えられることが理解されるべきである。
【０３４１】
さらに，発明の特徴および観点がマーカッシュグループまたは他の代替グループの用語で記載されている場合，当業者は，本発明が，マーカッシュグループまたは他のグループの個々のメンバーまたはサブグループに関してもまた記載されていることを認識するであろう。
【０３４２】
本明細書に例示的に記載されている発明は，本明細書に特定的に開示されていない任意の要素または限定なしでも適切に実施することができる。本明細書において用いられる用語および表現は，説明の用語として用いるものであり，限定ではない。そのような用語および表現の使用においては，示されかつ記載されている特徴またはその一部の等価物を排除することを意図するものではなく，特許請求の範囲に記載される本発明の範囲中で種々の変更が可能であることが理解される。すなわち，好ましい態様および任意の特徴により本発明を特定的に開示してきたが，当業者には本明細書に記載される概念の変更および変種が可能であり，そのような変更および変種も，明細書および特許請求の範囲に定義される本発明の範囲内であると考えられることが理解されるべきである。
【０３４３】
当業者は，本発明の方法およびプロセスの使用が，本明細書に記載される化合物に限定されるものではなく，アミノ，および／またはＮ−フタロイル基を含有する多くの異なるヌクレオシドおよび非ヌクレオシド分子，ならびにＬ−リボース糖および／またはＤ−リボース糖官能基を含有する分子の合成に適用しうることを認識するであろう。本発明により企図される修飾ヌクレオシドの非限定的例は，以下の文献に概説されている：Ｕｓｍａｎ  ａｎｄ  Ｃｅｄｅｒｇｒｅｎ，１９９２，ＴＩＢＳ．１７，３４；Ｕｓｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９９４，Ｎｕｃｌｅｉｃ  Ａｃｉｄｓ  Ｓｙｍｐ．Ｓｅｒ．３１，１６３；Ｂｕｒｇｉｎ  ｅｔ  ａｌ．，１９９６，Ｂｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，３５，１４０９０。
【０３４４】
他の態様も特許請求の範囲の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−アミノヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−アミノＣ−ヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルヌクレオシド，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルＣ−ヌクレオシド，ヌクレオシドホスホルアミダイトおよびＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの合成を記述する一般的反応スキームの概略図である。
【図２】図２は，本発明の方法による，２’−Ｏ−シリルヌクレオシドホスホルアミダイトおよび２’−Ｏ−シリルＣ−ヌクレオシドホスホルアミダイトの合成を記述する一般的反応スキームの概略図である。
【図３】図３は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（８）および２’−デオキシ−２’−アミノシチジン（９）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図４】図４は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（１６）および２’−デオキシ−２’−アミノウリジン（１７）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図５】図５は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（２５）および２’−デオキシ−２’−アミノアデノシン（２６）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図６】図６は，本発明の方法による，２’−デオキシ−２’−Ｎ−フタロイルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（３６）および２’−デオキシ−２’−アミノグアノシン（３７）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図７】図７は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ４−アセチルシチジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（４３）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図８】図８は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルウリジン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（４８）の合成に関与するスキームの概略図である。
【図９】図９は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ６−ベンゾイルアデノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（５４）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図１０】図１０は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６０）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図１１】図１１は，本発明の方法による，５’−Ｏ−ジメトキシトリチル−２’−Ｏ−メチル−Ｎ２−イソブチリルグアノシン３’−Ｏ−（２−シアノエチル−Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホルアミダイト）（６９）および２’−Ｏ−メチルグアノシン（７０）の合成に関与するスキームの概略図である。
【図１２】図１２は，例えば，図３の工程ＩＶおよび図４および５の工程ＩＩＩにおいて生ずる競合的除去反応の概略図である。
【図１３】図１３は，本発明の方法による，２’−Ｏ−メチルアデノシン（７５）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図１４】図１４は，Ｎ６−イミダゾールアデノシン中間体を用いる本発明の方法による，２’−Ｏ−メチルアデノシン（７５）の合成に関連するスキームの概略図である。
【図１５】図１５は，本発明の方法による１，４−アンヒドロ−２−デオキシ−Ｄ−エリスロ−ペンチトール誘導体の合成に関連するスキームの概略図である。
【図１】
2004522695.tif 000051
【図２】
2004522695.tif 000052
【図３】
2004522695.tif 000053
【図４】
2004522695.tif 000054
【図５】
2004522695.tif 000055
【図６】
2004522695.tif 000056
【図７】
2004522695.tif 000057
【図８】
2004522695.tif 000058
【図９】
2004522695.tif 000059
【図１０】
2004522695.tif 000060
【図１１】
2004522695.tif 000061
【図１２】
2004522695.tif 000062
【図１３】
2004522695.tif 000063
【図１４】
2004522695.tif 000064
【図１５】
2004522695.tif 000065
【国際公開パンフレット】
2004522695.tif 000066
2004522695.tif 000067
2004522695.tif 000068
2004522695.tif 000069
2004522695.tif 000070
2004522695.tif 000071
2004522695.tif 000072
2004522695.tif 000073
2004522695.tif 000074
2004522695.tif 000075
2004522695.tif 000076
2004522695.tif 000077
2004522695.tif 000078
2004522695.tif 000079
2004522695.tif 000080
2004522695.tif 000081
2004522695.tif 000082
2004522695.tif 000083
2004522695.tif 000084
2004522695.tif 000085
2004522695.tif 000086
2004522695.tif 000087
2004522695.tif 000088
2004522695.tif 000089
2004522695.tif 000090
2004522695.tif 000091
2004522695.tif 000092
2004522695.tif 000093
2004522695.tif 000094
2004522695.tif 000095
2004522695.tif 000096
2004522695.tif 000097
2004522695.tif 000098
2004522695.tif 000099
2004522695.tif 000100
2004522695.tif 000101
2004522695.tif 000102
2004522695.tif 000103
2004522695.tif 000104
2004522695.tif 000105
2004522695.tif 000106
2004522695.tif 000107
2004522695.tif 000108
2004522695.tif 000109
2004522695.tif 000110
2004522695.tif 000111
2004522695.tif 000112
2004522695.tif 000113
2004522695.tif 000114
2004522695.tif 000115
2004522695.tif 000116
2004522695.tif 000117
2004522695.tif 000118
2004522695.tif 000119
2004522695.tif 000120
2004522695.tif 000121
2004522695.tif 000122
2004522695.tif 000123
2004522695.tif 000124
2004522695.tif 000125
2004522695.tif 000126
2004522695.tif 000127
2004522695.tif 000128
2004522695.tif 000129
2004522695.tif 000130
2004522695.tif 000131
2004522695.tif 000132
2004522695.tif 000133
2004522695.tif 000134
2004522695.tif 000135
2004522695.tif 000136
2004522695.tif 000137
2004522695.tif 000138
2004522695.tif 000139
2004522695.tif 000140
2004522695.tif 000141
2004522695.tif 000142
2004522695.tif 000143
2004522695.tif 000144
2004522695.tif 000145
2004522695.tif 000146
2004522695.tif 000147
2004522695.tif 000148
2004522695.tif 000149
2004522695.tif 000150
2004522695.tif 000151
2004522695.tif 000152
2004522695.tif 000153
2004522695.tif 000154
2004522695.tif 000155
2004522695.tif 000156
2004522695.tif 000157
2004522695.tif 000158
2004522695.tif 000159
2004522695.tif 000160
2004522695.tif 000161
2004522695.tif 000162
2004522695.tif 000163
2004522695.tif 000164
2004522695.tif 000165
2004522695.tif 000166
2004522695.tif 000167
2004522695.tif 000168
2004522695.tif 000169
2004522695.tif 000170
2004522695.tif 000171
2004522695.tif 000172
2004522695.tif 000173
2004522695.tif 000174
2004522695.tif 000175
2004522695.tif 000176
2004522695.tif 000177
2004522695.tif 000178
2004522695.tif 000179
2004522695.tif 000180
2004522695.tif 000181
2004522695.tif 000182
2004522695.tif 000183
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004522695.tif 000184
2004522695.tif 000185
【国際調査報告】
2004522695.tif 000186
2004522695.tif 000187
2004522695.tif 000188
2004522695.tif 000189
2004522695.tif 000190