(57)【要約】【課題】記憶容量の増大化に対応する上で有利なメモリカードを提供する。【解決手段】メモリカード１０は、絶縁材料からなり厚さ方向の一方の面をなす上面に凹部１６が形成されたハウジング１２と、凹部１６に収容された矩形のマルチチップパッケージ１４とで矩形の薄板状に形成されている。ハウジング１２は、矩形の底壁２０と、底壁２０の４辺のうちの３辺から起立する側壁２２を有し、それら側壁２２のうち２つの側壁２２Ａは互いに対向しており、残りの１つの側壁２２Ｂはそれら２つの側壁２２Ａの一方の端部を接続している。凹部１６は底壁２０と３つの側壁２２とにより上方および側方に開放状に形成されている。【選択図】        図１
2007156738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなり厚さ方向の一方の面をなす上面に凹部が形成されたハウジングと、前記凹部に収容された矩形のマルチチップパッケージとで矩形の薄板状に形成されたメモリカードであって、
前記ハウジングは、矩形の底壁と、前記底壁の４辺のうちの３辺から起立する側壁を有し、
前記凹部は前記底壁と３つの側壁とにより上方および側方に開放状に形成され、
前記マルチチップパッケージは、前記凹部内において前記底壁の全域にわたって延在している、
ことを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
前記メモリカードの４つの側面のうちの３つの側面は前記ハウジングの側壁で形成され、残りの１つの側面は、前記底壁の端面と、互いに対向する２つの側壁の端面と、前記凹部に収容された前記マルチチップパッケージの側面で形成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項３】
前記残りの１つの側面を構成する前記底壁の端面と、２つの側壁の端面と、前記マルチチップパッケージの側面は同一面上を延在していることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項４】
前記マルチチップパッケージの上面は、前記側壁が起立していない底壁上に位置する前記マルチチップパッケージの１辺に沿った箇所を除いた残りの箇所に延在する平坦面と、前記マルチチップパッケージの１辺に沿った箇所に前記平坦面よりも大きな高さで該１辺に沿って延在する指掛け用の凸条とで構成されていることを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【請求項５】
前記平坦面に外部装置との間で信号を伝達するための複数の接片が設けられていることを特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【請求項６】
前記平坦面で前記凸条と対向する辺の箇所に該辺に沿って外部装置との間で信号を伝達するための複数の接片が並べられて設けられていることを特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【請求項７】
前記マルチチップパッケージは、
絶縁材料からなる矩形薄板状の保持体と、前記保持体の上面に配設されデータの書き込みおよび／または読み出しが可能な記憶部が形成された基板とを備え、
前記平坦面は前記基板の上面で形成され、
前記接片は前記基板の上面に形成されている、
ことを特徴とする特徴とする請求項５または６記載のメモリカード。
【請求項８】
前記凸条は前記平坦面に臨む内側面と、前記内側面と反対側に位置し前記マルチチップパッケージの１つの側面を構成する外側面と、それら内側面と外側面とを接続する上端面とを有し、
前記マルチチップパッケージは、
絶縁材料からなる矩形薄板状の保持体と、前記保持体の上面に配設されデータの書き込みおよび／または読み出しが可能な記憶部が形成された基板とを備え、
前記平坦面は前記基板の上面で形成され、
前記凸条に、前記内側面から前記外側面に向かう溝が前記凸条の延在方向に沿って延在形成され、
前記基板の端部は前記溝に挿入されている、
ことを特徴とする特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【請求項９】
前記凸条は前記平坦面に臨む内側面と、前記内側面と反対側に位置し前記マルチチップパッケージの１つの側面を構成する外側面と、それら内側面と外側面とを接続する上端面とを有し、
前記マルチチップパッケージは、
絶縁材料からなる矩形薄板状の保持体と、前記保持体の上面に配設されデータの書き込みおよび／または読み出しが可能な記憶部が形成された基板とを備え、
前記平坦面は前記基板の上面で形成され、
前記凸条に、前記内側面から前記外側面に貫通する溝が前記凸条の延在方向に沿って延在形成され、
前記基板の端部で前記溝に対応する部分は前記溝に挿入され、前記部分は前記外側面と同一面上に位置している、
ことを特徴とする特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【請求項１０】
前記凸条に対向する側壁の上面は前記マルチチップパッケージの平坦面と連続状に形成されていることを特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【請求項１１】
前記凸条の延在方向の両端に位置する２つの側壁の各端部を除くそれら２つの側壁の上面は前記マルチチップパッケージの平坦面よりも大きな高さで形成され、
前記凸条の延在方向の両端に位置する２つの側壁の各端部の上面は、前記２つの側壁の各端部を除く前記３つの側壁の上面よりも大きな高さで、かつ、前記凸条の上面と同じ高さで形成され、
前記凸条に対向する側壁の上面は前記マルチチップパッケージの平坦面と連続状に形成されている、
ことを特徴とする請求項４記載のメモリカード。
【請求項１２】
前記側壁が起立されていない前記底壁の一辺にハウジング側係合部が設けられ、
前記マルチチップパッケージが前記底壁に臨む下面で前記底壁の一辺に対応する箇所に前記ハウジング側係合部に係合可能なパッケージ側係合部が設けられ、
前記ハウジング側係合部と前記パッケージ側係合部は係合している、
ことを特徴とする請求項１記載のメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
データの書き換えが可能なフラッシュメモリを有し、このフラッシュメモリにデータを書き込みおよび読み出すメモリカードが提供されている。
このようなメモリカードとして、絶縁材料からなり厚さ方向の一方の面をなす上面に上方に開放状で平面視矩形の凹部が形成されたハウジングと、フラッシュメモリを含み凹部に収容された矩形のマルチチップパッケージとで矩形の薄板状に形成されたものが提供されている（特許文献１参照）。
このメモリカードでは、ハウジングは、矩形の底壁と、底壁の４辺から起立する側壁を有し、メモリカードの４つの側面がハウジングの４つの側壁で形成されている。
【特許文献１】特開２００１-３３８２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、近年、メモリカードの記憶容量の増大が求められていることから、マルチチップパッケージ内に組み込まれるフラッシュメモリの大きさが増大し、マルチチップパッケージの外形寸法が増大している。
一方、ハウジングの外形寸法は、メモリカードの仕様によって決定されていることから、ハウジングの凹部に収容できるマルチチップパッケージの大きさには限界があり、メモリカードの記憶容量の増大化に対応する上で不利がある。
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、記憶容量の増大化に対応する上で有利なメモリカードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述の目的を達成するため、本発明は、絶縁材料からなり厚さ方向の一方の面をなす上面に凹部が形成されたハウジングと、前記凹部に収容された矩形のマルチチップパッケージとで矩形の薄板状に形成されたメモリカードであって、前記ハウジングは、矩形の底壁と、前記底壁の４辺のうちの３辺から起立する側壁を有し、前記凹部は前記底壁と３つの側壁とにより上方および側方に開放状に形成され、前記マルチチップパッケージは、前記凹部内において前記底壁の全域にわたって延在していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明のメモリカードによれば、ハウジングに形成された凹部内においてマルチチップパッケージが底壁の全域にわたって延在しているので、従来に比べて１つの側壁を取り除いた分、マルチチップパッケージの面積を大きく確保でき、したがって、従来のメモリカードと大きさが同じであるにも拘わらず、記憶容量が増大して外形寸法が大きくなったマルチチップパッケージを有するメモリカードを得ることができ、記憶容量の増大化に対応する上で有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
（第１の実施の形態）
次に本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１はメモリカード１０の斜視図、図２はメモリカード１０の分解斜視図、図３は図１のＡ矢視図、図４は図１のＢＢ線断面図、図５はハウジング１２の斜視図である。
なお、本明細書において、メモリカード１０はメモリスティックマイクロ（ソニー株式会社の登録商標）である。
【０００７】
図１、図２に示すように、メモリカード１０は、絶縁材料からなり厚さ方向の一方の面をなす上面に凹部１６が形成されたハウジング１２と、凹部１６に収容された矩形のマルチチップパッケージ１４とで矩形の薄板状に形成されている。
ハウジング１２を構成する絶縁材料としては、例えば、ポリカーボネートやポリブチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂を用いることができる。
図５に示すように、ハウジング１２は、矩形の底壁２０と、底壁２０の４辺のうちの３辺から起立する側壁２２を有し、それら側壁２２のうち２つの側壁２２Ａは互いに対向しており、残りの１つの側壁２２Ｂはそれら２つの側壁２２Ａの一方の端部を接続している。
凹部１６は底壁２０と３つの側壁２２とにより上方および側方に開放状に形成されている。
互いに対向する側壁２２Ａの端部には、該端部を除く残りの側壁２２Ａの上面２２０２よりも上方に突出する凸部２４が形成されている。
互いに対向する側壁２２Ａの外側面には、このメモリカード１０が外部装置に設けられたカードコネクタ（カードスロット）に挿入された際に、メモリカード１０の挿入状態をロックするロック機構が嵌合するため凹部２２１０が形成されている。
【０００８】
マルチチップパッケージ１４は、凹部１６内において底壁２０の全域にわたって延在している。
そして、図１、図３に示すように、メモリカード１０の４つの側面のうちの３つの側面はハウジング１２の側壁２２(２２Ａ、２２Ｂ)で形成され、残りの１つの側面は、底壁２０の端面２００２と、互いに対向する２つの側壁２２Ａの端面２２０４と、凹部１６に収容されたマルチチップパッケージ１４の側面１４０２で形成されている。
図１に示すように、残りの１つの側面を構成する底壁２０の端面２００２と、２つの側壁２２Ａの端面２２０４と、マルチチップパッケージ１４の側面１４０２は同一面上を延在している。
【０００９】
マルチチップパッケージ１４の上面は、側壁２２(２２Ａ、２２Ｂ)が起立していない底壁２０上に位置するマルチチップパッケージ１４の１辺に沿った箇所を除いた残りの箇所に延在する平坦面１４１０と、マルチチップパッケージ１４の１辺に沿った箇所に平坦面１４１０よりも大きな高さで該１辺に沿って延在する指掛け用の凸条４０とで構成されている。
マルチチップパッケージ１４は、絶縁材料からなる矩形薄板状の保持体３０（図４参照）と、保持体３０に配設されデータの書き込みおよび／または読み出しが可能な記憶部３４（図４参照）が形成された基板３２（図４参照）とを備え、平坦面１４１０は基板３２の上面で形成され、接片３６は基板３２の上面に形成されている。
より詳細には、平坦面１４１０で凸条４０と対向する辺の箇所に該辺に沿って複数の接片３６が並べられて設けられている。
図４に示すように、凸条４０は平坦面１４１０に臨む内側面４００２と、内側面４００２と反対側に位置しマルチチップパッケージ１４の１つの側面１４０２を構成する外側面４００４と、それら内側面４００２と外側面４００４とを接続する上端面４００６とを有している。
図３、図４に示すように、凸条４０に、内側面４００２から外側面４００４に向かう溝４２が凸条４０の延在方向に沿って延在形成され、基板３２の端部３２１０は溝４２に挿入されている。
【００１０】
図１に示すように、凸条４０の延在方向の両端に位置する２つの側壁２２Ａの各端部（凸部２４）を除くそれら２つの側壁２２Ａの上面２２０２はマルチチップパッケージ１４の平坦面１４１０よりも大きな高さで形成されている。
凸条４０の延在方向の両端に位置する２つの側壁２２Ａの各端部（凸部２４）の上面２２３０は、２つの側壁２２Ａの各端部を除く３つの側壁２２Ａ、２２Ｂの上面２２０２、２２２０よりも大きな高さで、かつ、凸条４０の上面４００６と同じ高さで形成されている。
図１、図４に示すように、凸条４０に対向する側壁２２Ｂの上面２２２０はマルチチップパッケージ１４の平坦面１４１０と連続状に形成され、メモリカード１０を外部装置のカードコネクタやカードスロットに円滑に挿入できるように図られている。
なお、本実施の形態では、上述の円滑な挿入を図るため、上面２２２０は先端に到るにつれて下方に位置する傾斜面で形成されているが、この傾斜面は、上面２２２０から平坦面１４１０の端部にわたり連続状に形成するようにしてもよい。
【００１１】
次にマルチチップパッケージ１４について詳細に説明する。
図６、図７はマルチチップパッケージ１４の斜視図、図８（Ａ）はマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図である。
図４に示すように、マルチチップパッケージ１４は、上述の保持体３０、基板３２、記憶部３４、複数の接片３６に加えコントローラ３８を備えている。
保持体３０を構成する絶縁材料としては、例えば、ガラス繊維が含まれたエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いることができる。
基板３２は、絶縁材料から矩形薄板状に形成され、その表面あるいは内部に導電パターンが形成されており、保持体３０の上面に位置している。
記憶部３４は、基板３０の下面に取着された状態で保持体３０に埋設されデータの書き込みおよび／または読み出しが可能に構成されている。本実施の形態では、記憶部３４はデータの書き換えが可能なフラッシュメモリで構成されている。
接片３６は、保持体３０の厚さ方向の一方の面である上面に設けられている。具体的には、基板３２は上面を除いた部分が保持体３０に埋設されており、接片３６は基板３２の上面から下面にわたり貫通して形成されている。基板３２の表面（上面）は絶縁材料からなるレジスト３２０２で覆われており、レジスト３２０２には接片３６に対応する部分が開口され、この開口を介して接片３６が外方に露出されている。
コントローラ３８は、保持体３０に埋設され接片３６を介して外部装置との間でデータ通信を行うことにより記憶部３４に対するデータの書き込みおよび／または読み出しを行なうものである。本実施の形態では、コントローラ３８は、記憶部３４の上の保持体３０の箇所に埋設されているが、コントローラ３８が基板３２の上の保持体３０の箇所に埋設されていてもよい。
なお、図４において、符号４０は、記憶部３４と基板３２のパターンとの間、コントローラ３８と基板３２のパターンとの間、記憶部３４と接片３６との間、コントローラー３８と接片３６との間をそれぞれ電気的に接続するボンディングワイヤである。
図２に示すように、マルチチップパッケージ１４は、接着剤Ｓにより下面が凹部１６の底壁２０に取着されて配設され、凹部１６内において底壁２０の全域にわたって延在している。
【００１２】
図９はメモリカード１０の接片３６と信号名の対応を示す図である。
図８（Ａ）に示すように、接片３６は、接片３６−１〜３６−１１の１１個接片で構成されており、図９に示すように、接片３６−１０、３６−１１が未使用であり、残り９個の接片に信号が割り当てられている。
すなわち、複数の接片３６は、コントローラ３８に対して信号の授受を行う信号端子と、コントローラ３８および記憶部３４に対してグランド電位を供給するためのグランド端子と、コントローラ３８および記憶部３４に対して電源を供給するための電源端子を含んでいる。
接片３６−１〜３６−７は前記信号端子であり、接片３６−８は前記電源端子であり、接片３６−９は前記グランド端子である。
詳細に説明すると、接片３６−１はデータ信号ＤＡＴＡ０〜ＤＡＴＡ３で通信されるデータの区切りを示すバスステート信号ＢＳが入力される信号端子である。
接片３６−２はデータ信号ＤＡＴＡ１の入出力を行う信号端子、接片３６−３はデータ信号ＤＡＴＡ０の入出力を行う信号端子、接片３６−４はデータ信号ＤＡＴＡ２の入出力を行う信号端子、接片３６−６はデータ信号ＤＡＴＡ３の入出力を行う信号端子である。
接片３６−５は挿抜検出接片であり、前記外部装置がメモリカードの挿抜検出のために使用するＩＮＳ信号を授受する信号端子である。
接片３６−７はクロック信号ＳＣＬＫが入力される信号端子であり、前記バスステート信号ＢＳおよびデータ信号ＤＡＴＡ０〜ＤＡＴＡ３はこのクロック信号ＳＣＬＫに同期して通信される。
接片３６−８は電源Ｖｃｃが入力される電源端子である。
接片３６−９はグランドレベル（Ｖｓｓ）に接続されるグランド端子である。
なお、未使用の接片３６−１０、３６−１１は拡張用として設けられている。
【００１３】
本実施の形態によれば、ハウジング１２に形成された凹部１６が底壁２０と３つの側壁２２とにより上方および側方に開放状に形成され、この凹部１６内においてマルチチップパッケージ１４が底壁２０の全域にわたって延在しているので、従来に比べて１つの側壁を取り除いた分、基板３２（マルチチップパッケージ１４）の面積を大きく確保でき、したがって、従来のメモリカードと大きさが同じであるにも拘わらず、記憶容量が増大して外形寸法が大きくなった記憶部３４（マルチチップパッケージ１４）を有するメモリカード１０を得ることができ、あるいは、従来のメモリカードよりも大きさを小さくしたにも拘わらず、記憶容量が同一の記憶部３４を有するメモリカード１０を得ることができる。
また、マルチチップパッケージ１４の上面に指掛け用の凸条４０を設けたので、メモリカード１０の装脱が簡単に行なえ、この凸条４０に溝４２を設け、基板３２の端部３２１０を溝４２に挿入するようにしたので、基板３２の面積を確保する上でより有利となる。
【００１４】
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態について説明する。
図１０（Ａ）は第２の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図である。なお、以下の実施の形態においては第１の実施の形態と同様の部分、部材には同一の符号を付して説明する。
第２の実施の形態は、基板３２の端部３２１０が挿入される溝４２の形状が異なっている。
すなわち、第１の実施の形態では、溝４２は凸条４０の全長にわたって延在形成されていたのに対し、第２の実施の形態では、溝４２は凸条４０の延在方向の両端を除いた部分にわたって設けられている。
詳細に説明すると、溝４２は凸条４０の延在方向の中央部で第１の実施の形態よりも大きな値の深さで延在する第１の溝部４２Ａと、第１の溝部の両端から深さが次第に小さくなり内側面４００２に接続する第２の溝部４２Ｂとで構成されている。
第２の実施の形態によれば、第１の溝部４２Ａにより基板３２の面積を確保する上でより有利となり、また、第２の溝部４２Ｂの奥部を構成する側壁部分４４により凸条４０の強度を確保している。
このような第２の実施の形態によっても第１の実施の形態と同様な効果が奏されることは無論である。
【００１５】
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１１（Ａ）は第３の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図である。
第３の実施の形態は、基板３２の端部３２１０が挿入される溝４２の形状が異なっている。
すなわち、第１の実施の形態では、溝４２は凸条４０の全長にわたって延在形成されていたのに対し、第２の実施の形態では、溝４２は凸条４０の延在方向に間隔をおいて複数形成されている。
詳細に説明すると、各溝４２は第１の実施の形態よりも大きな値の深さで延在形成され、各溝４２の間は壁部４６が位置している。
そして、各溝４２に対応する基板３２の端部３２１０の箇所はそれぞれ各溝４２に挿入されている。
第３の実施の形態によれば、複数の溝４２により基板３２の面積を確保する上でより有利となり、また、壁部４６により凸条４０の強度を確保している。
このような第３の実施の形態によっても第１の実施の形態と同様な効果が奏されることは無論である。
【００１６】
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１２（Ａ）は第３の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図である。
第４の実施の形態は、基板３２の端部３２１０が挿入される溝４２の形状が異なっている。
すなわち、溝４２は凸条４０の延在方向の両端を残して内側面から外側面に向かって貫通形成され、溝４２の延在方向の両端に壁部４８が残存している。
そして、基板３２の端部３２１０で溝４２に対応する部分は溝４２に挿入され、前記部分は外側面４００４と同一面上に位置している。
第４の実施の形態によれば、溝４２により基板３２の面積を確保する上でより有利となり、また、壁部４８により凸条４０の強度を確保している。
このような第４の実施の形態によっても第１の実施の形態と同様な効果が奏されることは無論である。
【００１７】
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１３（Ａ）は第５の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４を上下反転した斜視図、（Ｂ）はマルチチップパッケージ１４の斜視図、（Ｃ）はハウジング１２の斜視図である。
第５の実施の形態は、マルチチップパッケージ１４をハウジング１２により強固に取着するようにしたものである。
すなわち、図１３（Ｃ）に示すように、側壁２２が形成されていない底壁２０の一辺に、底壁２０から上方に突出する傾斜面５０（ハウジング側係合部）が一辺に沿って膨出形成されている。
一方、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、凸条４０の下方に位置するマルチチップパッケージ１４の下面の箇所に、突起５０に係合可能な傾斜面５２（パッケージ側係合部）が延在形成されている。
そして、マルチチップパッケージ１４の下面が接着剤Ｓにより凹部１６の底壁２０に取着される際に、傾斜面５０、５２が係合し、マルチチップパッケージ１４のハウジング１２への取り付けをより強固なものとしている。また、傾斜面５０、５２が係合することで、マルチチップパッケージ１４のハウジング１２への位置決めを簡単に行なう上で有利となる。
このような第５の実施の形態によっても第１の実施の形態と同様な効果が奏されることは無論である。
【００１８】
（第６の実施の形態）
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１４（Ａ）は第６の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４を上下反転した斜視図、（Ｂ）はマルチチップパッケージ１４の斜視図、（Ｃ）はハウジング１２の斜視図である。
第６の実施の形態は、マルチチップパッケージ１４をハウジング１２により強固に取着するようにしたものである。
すなわち、側壁２２が形成されていない底壁２０の一辺に、底壁２０から上方に突出する突起５４（ハウジング側係合部）が一辺に沿って膨出形成されている。
一方、凸条４０の下方に位置するマルチチップパッケージ１４の下面の箇所に、突起５４に係合可能な凹部５６（パッケージ側係合部）が延在形成されている。
そして、マルチチップパッケージ１４の下面が接着剤Ｓにより凹部１６の底壁２０に取着される際に、突起５４と凹部５６が係合し、マルチチップパッケージ１４のハウジング１２への取り付けをより強固なものとしている。また、突起５４と凹部５６が係合することで、マルチチップパッケージ１４のハウジング１２への位置決めを簡単に行なう上で有利となる。
このような第６の実施の形態によっても第１の実施の形態と同様な効果が奏されることは無論である。
【００１９】
（第７の実施の形態）
次に、第７の実施の形態について説明する。
図１５は第７の実施の形態のメモリカード１０の斜視図、図１６（Ａ）、（Ｂ）は第７の実施の形態のメモリカード１０の接片３６と信号名の対応例を示す図である。
第７の実施の形態は、マルチチップパッケージ１４の接片３６−１〜３６−１１に加えて新たに９個の接片３６−１２〜３６−２０を設けることにより、第１の実施の形態では通信可能なデータ信号の数が４ビットであったのに対し、通信可能なデータ信号の数を８ビットに増加させたものである。
すなわち、図１５に示すように、接片３６−１〜３６−１１は、第１の実施の形態と同様に、平坦面１４１０で凸条４０と対向する辺の箇所に該辺に沿って並べられて設けられており、新たに加えた接片３６−１２〜３６−２０は、平坦面１４１０で凸条４０の近傍の辺の箇所に該辺に沿って並べられて設けられている。
図１６（Ａ）に示す例では、接片３６−１３はＤＡＴＡ５の入出力を行なう信号端子、接片３６−１４はＤＡＴＡ４の入出力を行なう信号端子、接片３６−１５はＤＡＴＡ６の入出力を行なう信号端子、接片３６−１６はＤＡＴＡ７の入出力を行なう信号端子である。残りの接片３６−１２、３６−１７〜３６−２０は未使用である。
図１６（Ｂ）に示す例では、接片３６−１３はＤＡＴＡ５の入出力を行なう信号端子、接片３６−１４はＤＡＴＡ４の入出力を行なう信号端子、接片３６−１９はＤＡＴＡ６の入出力を行なう信号端子、接片３６−２０はＤＡＴＡ７の入出力を行なう信号端子である。残りの接片３６−１２、３６−１５〜３６−１８は未使用である。
なお、接片３６−１〜３６−１１に対する信号の割り当ては図９に示したものと同様である。
このような第７の実施の形態によれば、通信可能なデータ信号の数を８ビットに増加できることは無論のこと、第１の実施の形態と同様な効果が奏される。
【００２０】
なお、実施の形態では、メモリカード１０がメモリスティックマイクロである場合について説明したが、メモリカード１０の形式はこれらに限定されるものではない。
また、実施の形態では、記憶部３４としてデータの書き換えが可能なフラッシュメモリを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、記憶部３４はデータの書き込みおよび／または読み出しが行われるものであればよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】メモリカード１０の斜視図である。
【図２】メモリカード１０の分解斜視図である。
【図３】図１のＡ矢視図である。
【図４】図１のＢＢ線断面図である。
【図５】ハウジング１２の斜視図である。
【図６】マルチチップパッケージ１４の斜視図である。
【図７】マルチチップパッケージ１４の斜視図である。
【図８】（Ａ）はマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図である。
【図９】メモリカード１０の接片３６と信号名の対応を示す図である。
【図１０】（Ａ）は第２の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図である。
【図１１】（Ａ）は第３の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢＢ線断面図である。
【図１２】（Ａ）は第３の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ矢視図である。
【図１３】（Ａ）は第５の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４を上下反転した斜視図、（Ｂ）はマルチチップパッケージ１４の斜視図、（Ｃ）はハウジング１２の斜視図である。
【図１４】（Ａ）は第６の実施の形態のメモリカード１０のマルチチップパッケージ１４を上下反転した斜視図、（Ｂ）はマルチチップパッケージ１４の斜視図、（Ｃ）はハウジング１２の斜視図である。
【図１５】第７の実施の形態のメモリカード１０の斜視図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）は第７の実施の形態のメモリカード１０の接片３６と信号名の対応例を示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０……メモリカード、１２……ハウジング、１４……マルチチップパッケージ、１６……凹部、２０……底壁、２２……側壁。
【図１】
2007156738.tif 000003
【図２】
2007156738.tif 000004
【図３】
2007156738.tif 000005
【図４】
2007156738.tif 000006
【図５】
2007156738.tif 000007
【図６】
2007156738.tif 000008
【図７】
2007156738.tif 000009
【図８】
2007156738.tif 000010
【図９】
2007156738.tif 000011
【図１０】
2007156738.tif 000012
【図１１】
2007156738.tif 000013
【図１２】
2007156738.tif 000014
【図１３】
2007156738.tif 000015
【図１４】
2007156738.tif 000016
【図１５】
2007156738.tif 000017
【図１６】
2007156738.tif 000018