(57)【要約】【課題】  画素電極を平坦な面に形成する。【解決手段】  第４層間絶縁膜４４は、第３中継電極４０２を覆い、且つ突部２０１の高さより厚い膜厚を有するように形成された後、第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃが露出するように平坦化処理が施されている。これにより、延在部４０２ｃの表面及び平坦化処理が施された第４層間絶縁膜４４の表面が面一な平坦面となる。【選択図】  図６
2007057847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部と、
前記部分的に除去された第１絶縁膜及び前記突部を覆う導電膜と、
前記導電膜を覆うように形成されており、前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように平坦化処理が施された第２絶縁膜と、
前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って形成された画素電極とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記平坦化処理は、前記突部の高さより厚い膜厚を有する前記第２絶縁膜を研磨する研磨処理と、前記研磨処理が施された第２絶縁膜の表面を前記延在部が露出するまでエッチングするエッチング処理とを含むこと
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記研磨処理の研磨条件は、前記基板上の画像表示領域及び前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域間で前記平坦化処理された第２絶縁膜に段差が生じないように設定されていること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記基板の基板面に交わる方向に沿って延びる平面によって前記突部を切った前記突部の断面形状は、上側に向かって先細りしたテーパ形状であること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記部分的に除去された第１絶縁膜を貫通する孔部を前記突部の上面の領域に備え、
前記導電膜は、前記部分的に除去された第１絶縁膜の下層側に設けられた他の導電膜と前記孔部を介して電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記導電膜は、複数の導電膜を含む多層構造を有しており、
前記多層構造の最上層に形成された上側導電膜はＴｉＮで形成されていること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極は、透明な導電材料で形成されていること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去したことによって露出した面及び前記突部を覆う導電膜と、
前記露出した面における前記導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有するように形成されており、前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように平坦化処理が施された第２絶縁膜と、
前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って形成された画素電極とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部と、
前記部分的に除去された第１絶縁膜及び前記突部を覆う第１導電膜と、
前記第１導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有するように形成されており、前記第１導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部の表面の少なくとも一部が露出する開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第１導電膜と電気的に接続されるように、前記第２絶縁膜の表面、前記開口部の側壁及び前記一部に渡って形成された第２導電膜とを備えたこと
を特徴とする接続構造。
【請求項１０】
前記基板の基板面に交わる方向に沿って延びる平面によって前記突部を切った前記突部の断面形状は、上側に向かって先細りしたテーパ形状であり、
前記平面によって前記開口部を切った前記開口部の断面形状は、下側に向かって先細りしたテーパ形状であること
を特徴とする請求項９に記載の接続構造。
【請求項１１】
基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって突部を形成する工程と、
前記部分的に除去された第１絶縁膜及び前記突部を覆う導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有する第２絶縁膜を形成する工程と、
前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように前記第２絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、
前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って画素電極を形成する工程とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって突部を形成する工程と、
前記第１絶縁膜を部分的に除去したことによって露出した面及び前記突部を覆う導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有する第２絶縁膜を形成する工程と、
前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように前記第２絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、
前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って画素電極を形成する工程とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば平坦化されるべき層間絶縁膜を有する液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器及び接続構造の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、このＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
これらＴＦＴ、データ線、走査線及び画素電極等は、基板上において積層構造をなして形成されるのが通常である。具体的には、例えば基板の表面に最も近い層にＴＦＴが形成され、このＴＦＴ上に層間絶縁膜を挟んでデータ線が形成され、このデータ線上に別の層間絶縁膜を挟んで画素電極が形成される。これにより、ＴＦＴ等の各種の要素と層間絶縁膜とが交互に積層されることによって積層構造が構築される。
【０００４】
液晶装置等の電気光学装置は、液晶分子を配向制御するための配向膜を備えている。配向膜は、ＴＦＴ等を含む多層構造上に例えばポリイミド等の有機材料を塗布することによって形成されており、液晶装置の製造時にラビング処理が施される。ＴＦＴ及び各種配線等を含む各層に凹凸が生じていた場合、配向膜が形成される多層構造の表面もこれら凹凸に起因した段差が生じることになる。このような段差が存在している状態で配向膜にラビング処理を施した場合、ラビング処理が不均一となり、表示不良が発生する問題点がある。このような問題点に関して、特許文献１は、画素電極を形成する表面の高さを他の領域の高さと同等若しくはそれ以上にすることによってラビング処理のムラを低減し、表示品質を高める技術を開示している。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２７２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この種の電気光学装置では、例えばＴＦＴ及び配線を含む積層構造の層間絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールが形成されており、ＴＦＴ、データ線、走査線及び画素電極は所定のコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されている。
【０００７】
しかしながら、例えば積層構造の最上層に形成される画素電極と、この画素電極の下層側に層間絶縁膜を介して形成された配線とをコンタクトホールを介して電気的に接続した場合、画素電極全体を平坦な形状に形成できない場合が多い。より具体的には、画素電極のうちコンタクトホールと直接接する部分がコンタクトホール側に向かって部分的に周囲より窪んだ形状となってしまう。即ち、最上層に開口するコンタクトホールの存在によって、コンタクトホールの上側に形成される画素電極等の構成要素を平坦な形状に形成することが困難になる。このような画素電極上に配向膜を形成した場合、液晶の配向に乱れが生じ、光漏れ及び表示不良を招く問題点がある。特許文献１に開示された技術によれば、コンタクトホールの部分を周囲の領域と同等の高さにし、且つ画素電極及びその下層側に形成された配線を確実に電気的に接続することは難しい。
【０００８】
このような問題点を踏まえたうえで、本願発明者は、コンタクトホールに代わり、例えば層間絶縁膜に突部を設け、この突部に延在された配線と上層側の画素電極とを電気的に接続することを検討した。
【０００９】
しかしながら、画素電極が形成される表面は、通常ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の研磨処理によって平坦化処理されるため、コンタクトホールの代わりに設けられた突部に配線を延在させておいた場合には、配線のうち突部に延在された部分が層間絶縁膜と共に研磨され、配線が損傷を受ける。加えて、ＣＭＰ処理が施された配線から削られた導電材料が研磨用のパッドに付着する。このパッドをそのまま使用した場合、削られた導電材料が被研磨面に付着し、例えば絶縁不良等の不具合を生じさせる虞がある。
【００１０】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えばＴＦＴアレイ基板の最上層に形成される画素電極及びその下層側に形成された配線を電気的に接続でき、且つ平坦な形状を有する画素電極を備えた電気光学装置及びその製造方法、並びに上層側及び下層側の夫々に形成された配線を確実に電気的に接続できる接続構造、及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部と、前記部分的に除去された第１絶縁膜及び前記突部を覆う導電膜と、前記導電膜を覆うように形成されており、前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように平坦化処理が施された第２絶縁膜と、前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って形成された画素電極とを備える。
【００１２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、導電膜のうち突部の上面に延びる延在部の表面及び平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面が面一となり、延在部の表面及び平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面に渡って連続した平坦な画素電極が形成されている。
【００１３】
第１絶縁膜は、例えばその下層側に形成されたＴＦＴ及び配線と、第１絶縁膜の上層側に形成される画素電極とを電気的に絶縁するために形成されている。
【００１４】
突部は、例えば平面的に見て一部が残るように第１絶縁膜が任意の厚みだけ除去されることによって形成されている。したがって、突部は、部分的に除去された第１絶縁膜の表面から上側に突出していることになる。ここで、「部分的に」とは、第１絶縁膜がその厚み方向に沿って一部が残るように除去されていることを意味する。したがって、突部の周囲には、第１絶縁膜の表面が突部より低い一面に延びている。
【００１５】
導電膜は、部分的に除去された第１絶縁膜の表面から突部を覆うように形成されている。より具体的には、導電膜は、例えば部分的に除去された第１絶縁膜の表面及び突部を覆うように形成された後にパターニングされた配線層であり、部分的に除去された第１絶縁膜の表面及び突部に渡って形成されている。即ち、導電膜のうち突部の上面に延びる延在部は、第１絶縁膜の表面に延びる部分に比べて高い位置に形成されていることになる。
【００１６】
第２絶縁膜は、例えば突部の高さより厚い膜厚を有するように形成されている。ここで、「高さ」とは、突部の周辺に延びる一面に沿った第１絶縁膜の表面を基準にした高さである。したがって、第２絶縁膜は、導電膜のうち後述する延在部を除く部分を覆っていることになる。第２絶縁膜は、導電膜のうち突部の上面に延びる延在部が露出するように平坦化処理が施されているため、延在部の表面及びその周囲に延びる第１絶縁膜の表面は面一且つ平坦な表面を形成している。したがって、この面一且つ平坦な表面に画素電極を形成することによって、連続した平坦な画素電極を形成できる。このような画素電極によれば、例えば画素電極上に形成される配向膜を平坦な形状にすることができる。より具体的には、第２絶縁膜に形成されたコンタクトホールに対応する窪みが画素電極に生じることを低減でき、これに対応した凹凸が配向膜に形成されることを低減することが可能である。よって、例えば画素電極を覆うように形成される配向膜のうちコンタクトホール上に延びる部分が他の部分より窪んだ形状、即ち凹凸が生じることを抑制することによって、配向膜の凹凸によって生じる表示不良を低減できる。加えて、平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び延在部の表面に渡って画素電極を形成することによって、延在部及び画素電極が電気的に接続されていることになる。したがって、導電部が第２絶縁膜の下層側に設けられた配線及びＴＦＴ等の素子と電気的に接続されていれば、これら配線等及び画素電極が導電部を介して電気的に接続されていることになる。
【００１７】
以上説明したように本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、画素電極を形成される表面を平坦に形成でき、且つ画素電極を例えばその下層側に形成れた配線と確実に電気的に接続できる。
【００１８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記平坦化処理は、前記突部の高さより厚い膜厚を有する前記第２絶縁膜を研磨する研磨処理と、前記研磨処理が施された第２絶縁膜の表面を前記延在部が露出するまでエッチングするエッチング処理とを含んでいてもよい。
【００１９】
この態様によれば、例えばＣＭＰ処理等の研磨処理によって所定の膜厚になるように第２絶縁膜を研磨する。この段階で延在部はまだ露出してないため、研磨処理によって導電膜が損傷を受けることがない。したがって、研磨された導電膜の研磨くずが例えば研磨用パッドに付着することを低減できる。これにより、研磨用パッドの交換回数を減らすことができ、製造コストを抑制できる。その後、研磨処理が施された第２絶縁膜をエッチング処理によって延在部が露出するまでエッチングする。エッチング処理は、研磨処理に比べて均一且つ精度良く膜厚を制御しながら第２絶縁膜を除去できるため、延在部の表面及びその周囲の第２絶縁膜の表面が面一となるように第２絶縁膜を除去できる。
【００２０】
この態様では、前記研磨処理の研磨条件は、前記基板上の画像表示領域及び前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域間で前記平坦化処理された第２絶縁膜に段差が生じないように設定されていてもよい。
【００２１】
この態様によれば、研磨処理を第２絶縁膜に施した際に、例えば画像表示領域及び周辺領域に設けられた素子及び配線の密度に応じて生じる段差を低減できる。より具体的には、延在部が露出しないように、研磨処理を施す際の研磨時間或いは研磨処理によって除去される第２絶縁膜の厚みを段差が生じない程度に予め設定しておけばよい。ここで、「段差」とは、画像表示領域及び周辺領域間で素子及び配線等に密度差が存在する場合に、両領域の双方の上に形成された第２絶縁膜に対してＣＭＰ処理を実施することによって両領域間で第２絶縁膜に生じた高さの相違を意味する。より具体的には、回路素子等が形成されている周辺領域より相対的に素子が低密度に形成されている画像表示領域の方がＣＭＰ処理によって研磨され易いため、第２絶縁膜の研磨が進むにつれて第２絶縁膜の画像表示領域に重なる部分がその周辺より深く研磨された結果生じる段差を意味する。このような段差を低減するように研磨条件を予め設定しておくことにより、画素電極が形成される表面を平坦化できる。尚、研磨条件は、電気光学装置の設計或いは第２絶縁悪を構成する絶縁材料の個別に条件によって異なるため、個別具体的に、或いは経験的に設定すればよい。
【００２２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記基板の基板面に交わる方向に沿って延びる平面によって前記突部を切った前記突部の断面形状は、上側に向かって先細りしたテーパ形状であってもよい。
【００２３】
この態様によれば、例えば突部の上側から導電材料を蒸着させた場合、導電膜が突部の上面及び側面に均一且つ切れ目なく形成されることになる。したがって、コンタクトホールの上側から導電材料をこのコンタクトホールの側壁および底面に蒸着させる場合に比べて高品質の導電膜を形成でき、導電膜が画素電極と確実に接続されることになる。
【００２４】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記部分的に除去された第１絶縁膜を貫通する孔部を前記突部の上面の領域に備え、前記導電膜は、前記部分的に除去された第１絶縁膜の下層側に設けられた他の導電膜と前記孔部を介して電気的に接続されていてもよい。
【００２５】
この態様によれば、導電膜は、例えば第１絶縁膜に形成された孔部を介して下層側に形成された素子又は配線等の他の導電膜と電気的に接続されている。したがって、第１絶縁膜を含む多層構造の異なる層間で電気的な接続がなされることになる。
【００２６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記導電膜は、複数の導電膜を含む多層構造を有しており、前記多層構造の最上層に形成された上側導電膜はＴｉＮで形成されていてもよい。
【００２７】
この態様によれば、ＴｉＮは第１絶縁膜を形成する絶縁材料に比べて相対的に研磨されにくいため、第２絶縁膜に平坦化処理を施した際に延在部が選択的に研磨されることを抑制できる。これにより、第１絶縁膜の表面より延在部の表面が窪んだ形状になることによって画素電極が窪んだ形状になることを低減できる。加えて、導電膜をＡｌ導電材料のみで形成した場合に比べて、導電材料のマイグレーション及び光の反射を低減できる。
【００２８】
この態様では、前記画素電極は、透明な導電材料で形成されていてもよい。
【００２９】
この態様によれば、画素電極が、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料で形成されている場合でも、導電膜のうち画素電極に接触する部分がＴｉＮであるため接触部分から画素電極が腐食することを低減できる。
【００３０】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部と、前記第１絶縁膜を部分的に除去したことによって露出した面及び前記突部を覆う導電膜と、前記露出した面における前記導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有するように形成されており、前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように平坦化処理が施された第２絶縁膜と、前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って形成された画素電極とを備える。
【００３１】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、第１絶縁膜を部分的に除去することによって突部を形成でき、第１の発明に係る電気光学装置と同様に平坦な形状を有する画素電極を形成できる。
【００３２】
本発明の第３の発明に係る接続構造は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部と、前記部分的に除去された第１絶縁膜及び前記突部を覆う第１導電膜と、前記第１導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有するように形成されており、前記第１導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部の表面の少なくとも一部が露出する開口部を有する第２絶縁膜と、前記第１導電膜と電気的に接続されるように、前記第２絶縁膜の表面、前記開口部の側壁及び前記一部に渡って形成された第２導電膜とを備える。
【００３３】
本発明に係る接続構造によれば、第１導電膜のうち突部の上面に延びる延在部と、第２絶縁膜が有する開口部に延びる第２導電膜を電気的に接続することができる。加えて、第２導電膜は、第２絶縁膜を貫通するコンタクトホールより浅い開口部に形成されるため、開口部の側壁及び底面における導電材料の付きまわりも良好である。
【００３４】
本発明の第３の発明に係る接続構造の一の態様では、前記基板の基板面に交わる方向に沿って延びる平面によって前記突部を切った前記突部の断面形状は、上側に向かって先細りしたテーパ形状であり、前記平面によって前記開口部を切った前記開口部の断面形状は、下側に向かって先細りしたテーパ形状であってもよい。
【００３５】
この態様によれば、第１導電膜を上側蒸着形成した場合、突部がテーパ形状を有している分だけ上面及び側面に切れ目なく均一に第１導電膜が形成される。加えて、第２導電膜を蒸着形成した場合、開口部が下側に向かって先細りしたテーパ形状を有している分だけ、導電材料の付きまわりが良好である。したがって、この態様によれば、上側から例えば蒸着法によって第１導電膜及び第２導電膜の夫々を形成した場合、これら導電膜を確実に電気的に接続できる。
【００３６】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって突部を形成する工程と、前記部分的に除去された第１絶縁膜及び前記突部を覆う導電膜を形成する工程と、前記導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有する第２絶縁膜を形成する工程と、前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように前記第２絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って画素電極を形成する工程とを備える。
【００３７】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１の発明に係る電気光学装置と同様に、画素電極を形成される表面を平坦に形成でき、且つ画素電極を例えばその下層側に形成れた配線と確実に電気的に接続できる。
【００３８】
本発明の第５の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を部分的に除去することによって突部を形成する工程と、前記第１絶縁膜を部分的に除去したことによって露出した面及び前記突部を覆う導電膜を形成する工程と、前記導電膜を覆い、且つ前記突部の高さより厚い膜厚を有する２絶縁膜を形成する工程と、前記導電膜のうち前記突部の上面に延びる延在部が露出するように前記第２絶縁膜に平坦化処理を施す工程と、前記延在部と電気的に接続されるように、前記平坦化処理が施された第２絶縁膜の表面及び前記延在部の表面に渡って画素電極を形成する工程とを備える。
【００３９】
本発明の第５の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第２の発明に係る電気光学装置と同様に、第１絶縁膜上に別に形成された第２絶縁膜を部分的に除去することによって突部を形成でき、第１の発明に係る電気光学装置と同様に平坦な形状を有する画素電極を形成できる。
【００４０】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００４１】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置及びその製造方法、並びに接続構造及び電子機器の実施形態を説明する。以下の第１及び第２実施形態の電気光学装置として、本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置を駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用した例を挙げる。
【００４４】
＜第１実施形態＞
（電気光学装置の全体構成）
先ず、図１及び図２を参照しながら本実施形態の液晶装置の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００４５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００４７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。なお、本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００４８】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４９】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５１】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５２】
（画素部における構成）
以下では、本発明の本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３から図６を参照して説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図４及び図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分かって図示している。
【００５３】
図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５４】
（画素部の回路構成）
図３において、本実施形態における液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５５】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されている。液晶装置１は、所定のタイミングで走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。
【００５６】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５７】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００５８】
（画素部の具体的構成）
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される液晶装置１の具体的な構成を図４乃至図６を参照しながら説明する。
【００５９】
図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００６０】
次に、図６に示すように、液晶装置１は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００６１】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０の側には平坦な形状を有する画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６２】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００６３】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図６に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図４に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。
【００６４】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図４のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００６５】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図６に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６６】
また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図４に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００６７】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図６に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００６８】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６９】
下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図４によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００７０】
側壁部３ｂは、コンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が走査線１１ａと接するようにされている。走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００７１】
（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図４の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、液晶装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００７２】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、中継電極７１９を介して行われている。
【００７３】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００７４】
誘電体膜７５は、図６に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００７５】
本実施形態において、この誘電体膜７５は、図６に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。
【００７６】
なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。
【００７７】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０乃至ゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７８】
第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。加えて、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００７９】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。データ線６ａは、図６に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図６における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図６における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図６における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００８０】
第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。例えば図５中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有する容量配線用中継層６ａ１、更にその右方に容量配線用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。
【００８１】
ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。
【００８２】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、且つデータ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、コンタクトホール８８２が形成されている。
【００８３】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。容量配線４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つデータ線６ａよりも幅広に形成されている。図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００８４】
さらには、図５中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、この隅部を埋めるようにして略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００８５】
第４層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００８６】
他方、容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００８７】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
データ線６ａの上、且つ容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された本発明の第１の発明に係る「第１絶縁膜」の一例である第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層間絶縁膜４３には、第３層間絶縁膜を部分的に除去することによって形成された突部２０１が設けられている。突部２０１の上面及びその周辺の第３層間絶縁膜４３の表面に渡って本発明の第１の発明に係る「導電膜」の一例である第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、第２層間絶縁膜４３に形成された本発明の第１の発明に係る「孔部」の一例であるコンタクトホール８０４を介して本発明の第１の発明に係る「他の導電膜」の一例である第２中継電極６ａ２に電気的に接続されている。第３層間絶縁膜４３の表面には、容量配線４００及び容量配線用中継層６ａ１が形成されている。容量配線４００及び容量配線用中継層６ａ１は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８０３を介して互いに電気的に接続されている。
【００８８】
第３中継電極４０２は、下から順に下層電極４０２ａ及び上層電極４０２ｂからなる２層構造を有している。下層電極４０２ａは、例えばＡｌ等の導電材料で形成された電極層であり、上層電極４０２ｂは、例えばＴｉＮ等の導電材料で形成された電極層である。上層電極４０２ｂは第３層間絶縁膜４３を形成する絶縁材料に比べて相対的に研磨されにくいため、後述する第４層間絶縁膜４４に平坦化処理を施した際に第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃが選択的に研磨されることを抑制できる。これにより、第４層間絶縁膜４３の表面より延在部４０２ｃの表面が窪んだ形状になることを低減でき、後述する画素電極９ａが窪んだ形状になることを低減することが可能になる。加えて、ＴｉＮで形成された上層電極４０２ｂによれば、Ａｌで形成された下層電極４０２ａのマイグレーション及び下層電極４０２ａによる光の反射を低減でき、液晶装置の信頼性及び表示品質を高めることが可能である。
【００８９】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる本発明の第１の発明に係る「第２絶縁膜」の一例である第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４は、第３中継電極４０２を覆い、且つ突部２０１の高さより厚い膜厚を有するように形成された後、第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃが露出するように平坦化処理が施されている。これにより、延在部４０２ｃの表面及び平坦化処理が施された第４層間絶縁膜４４の表面が面一な平坦面となる。尚、第４層間絶縁膜４４の平坦化処理については、後述する液晶装置の製造方法を説明する中で詳細に説明する。
【００９０】
画素電極９ａは、延在部４０２ｃと電気的に接続されるように、平坦化処理が施された第４層間絶縁膜４４の表面及び延在部４０２ｃの表面に渡って形成されている。画素電極９ａが形成される第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ処理によって平坦化されているため、第４層間絶縁膜４４の下層側に形成された各種素子及び配線層のレイアウト、即ち画像表示領域及び周辺領域間における密度差に対応した段差が低減されている。したがって、画素電極９ａは平坦な形状に形成され、且つＩＴＯ等の透明電極材料を第４層間絶縁膜４４の表面及び延在部４０２ｃの表面に蒸着させることによって第３中継電極４０２と電気的に接続された画素電極９ａを形成できる。これにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、第３中継層４０２、コンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して電気的に接続される。ＩＴＯ等の透明導電材料で形成された画素電極９ａは、第３中継電極４０２の最上層に形成された上層電極４０２ｂと接触している。上層電極４０２ｂはＴｉＮで形成されているため、Ａｌで形成された下層電極４０２ａに画素電極９ａが直接接する場合に比べて、画素電極９ａが腐食することを低減できる。
【００９１】
このように、本実施形態の液晶装置によれば、画素電極が形成される絶縁膜の表面を平坦に形成でき、且つ画素電極をその下層側に形成された配線と確実に電気的に接続できる。
【００９２】
（積層構造・周辺領域上の構成―ＣＭＯＳ型ＴＦＴ等―）
図７は、周辺領域上に形成されるスイッチング素子の一例たるＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２の実際的な構造を示す断面図である。
【００９３】
図７において、ＣＭＯＳ型ＴＦＴ２０２は、ｐ型ＴＦＴ２０２ｐとｎ型ＴＦＴ２０２ｎを含み、これらそれぞれは、半導体層２０２ａ、絶縁膜２、ゲート電極膜２０２ｂ、半導体層２０２ａのドレイン及びソースに接続される各種電極２１０ａ乃至２１０ｄ並びに配線２２０からなる。図７においては、符号１２、４１、４２、４３及び４４等が示されていることかわかるように、ＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２及びその上層の構築物は、図６に示した画素部における構成と同一の機会に形成されているものである（後述の図８乃至図１０を参照する製造方法の説明参照。）。すなわち、半導体層２０２ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａと同一の機会に形成されており、ゲート電極膜２０２ｂは、ゲート電極３ａと同一の機会に形成されている、などというようである。なお、図６において蓄積容量７０を構成していた下部電極７１及び容量電極３００についても、図７において、これらと同一の機会に形成された配線膜７１１及び７１２が、各種電極２１０ａ乃至２１０ｄを構成している。また、図６においてデータ線６ａを構成していた三層の膜（アルミニウムからなる膜４１Ａ、窒化チタンからなる膜４１ＴＮ及び窒化シリコンからなる膜４０１）についても、図７において配線２２０を構成する配線膜２２１乃至２２３と同一の機会に形成される。なお、図７においては図示されていないが、図６における容量配線４００と同一の機会に薄膜を形成し、これをＣＭＯＳ型ＴＦＴ２０２の構成の一部として（例えば、配線として利用する等）よいことは言うまでもない。
【００９４】
このように、画素部における構成と周辺領域におけるＣＭＯＳ型ＴＦＴ２０２等の各種の回路素子及び配線等々を同一の機会に形成する構成によれば、これらを別々に形成する態様に比べて、その製造工程の簡略化、或いは省略化等を達成することができる。
【００９５】
以上説明したような画素部における構成は、図４及び図５に示すように、各画素部において共通である。図１及び図２を参照して説明した画像表示領域１０ａには、かかる画素部における構成が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００９６】
走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１は、複数のスイッチング素子としてのＴＦＴや配線等々から構成されている。このため、画素電極９ａが形成された画像表示領域１０ａ及び周辺領域間には、素子及び配線の密度差が生じていることになる。このような密度差の下で、第４層間絶縁膜４４にＣＭＰ処理等の研磨処理を施した場合、この密度差に起因する段差が第４層間絶縁膜４４に生じ易い。しかしながら、後述する電気光学装置の製造方法で説明するように、画像表示領域１０ａ及びその周辺領域で段差が生じないようにＣＭＰ処理の処理条件を適切な条件に設定しておくことにより第４層間絶縁膜４４を平坦化することも可能である。
【００９７】
（電気光学装置の製造方法）
次に、図８乃至図１３を参照しながら、上述の液晶装置の製造方法を説明する。図８は、液晶装置の製造方法における主要な製造プロセスを示したフローチャートである。図９及び図１０は、図８に対応する液晶装置の製造プロセスにおける工程断面図である。図１１は、液晶装置が１枚のガラス基板上において一挙に複数形成されることを説明するための説明図である。図１２は、本実施形態の液晶装置の製造方法の比較例を示すフローチャートであり、図１３は、図１２のフローチャートに従って製造された液晶装置の主要な構成を示す断面図である。尚、以下では本実施形態において特徴的な第３層間絶縁膜４３以降の製造工程について特に詳しく説明することとし、それ以前の走査線１１ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａ、蓄積容量７０及びデータ線６ａ等々の製造工程の説明に関しては省略する。
【００９８】
本実施形態の液晶装置の製造工程の説明に入る前に、その前提として、本実施形態に係る液晶装置は、図１１に示すような比較的大きなサイズのガラス基板Ｓの上において、一挙に複数形成される形態がとられる。すなわち、ガラス基板Ｓの上において、図１に示した液晶装置が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各液晶装置においては、それぞれ、図６及び図７に示したような各種の要素（ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、ＣＭＯＳ型ＴＦＴ２０２、これを含む走査線駆動回路１０４、或いはデータ線駆動回路１０１等々）を含む積層構造が構築されることになるのである。ちなみに、図１１において示されるガラス基板Ｓは、図６及び図７に示されるＴＦＴアレイ基板「１０」に該当する。図１１では、ＴＦＴアレイ基板１０の側が形成されるガラス基板Ｓのみについて図示されているが、これとは別に、他の図示しないガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜２２等が形成されて対向基板２０が複数形成されるとともに、最終的には、前記ガラス基板Ｓと前記図示しないガラス基板とを対向させて貼り合わせその間に液晶を封入し、更には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各別に応じて裁断することによって、図１乃至図７に示したような各個別の液晶装置が製造されることになる。
【００９９】
次に、液晶装置の製造方法を詳細に説明する。図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上に第２層間絶縁膜４２を形成し（Ｓ１０１）、第２層間絶縁膜４２にコンタクトホール８８２、８０１及び８１の夫々を形成した後に容量配線用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２及びデータ線６ａを形成する。ここで、第２中継電極６ａ２は、下層側から順にＡｌ配線膜、ＴｉＮ配線膜及びＳｉＮ配線膜から構成されている（Ｓ１０２〜１０４）。
【０１００】
次に、データ線６ａ、容量配線用中継層６ａ１、及び第２中継電極６ａ２を覆うように第２層間絶縁膜４３の前駆体４３１形成し（図９（ａ）参照）、前駆体４３１にＣＭＰ処理を施すことによって前駆体４３１の表面を平坦化し、図９（ｂ）に示すように第３層間絶縁膜４３を形成する（Ｓ１０５）。前駆膜４３１は、例えば、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法等により形成することができる。この場合、第３層間絶縁膜４３は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜からなる。前駆体４３１は、図９（ａ）に示すようにその下層側に位置するデータ線６ａ、容量配線用中継電極６ａ１及び第２中継電極６ａ２が固有に有する高さ、或いは、その更に下層に位置するゲート電極３ａ及び中継電極７１９等々が固有に有する高さに起因した段差が形成されている。このように、下層に位置する各種の要素が固有に有する高さが上層にいわば伝播することによって、積層構造の最表層（現時点では、前駆膜４３１の表面）において、不均一な段差を生じさせることになる。殊に、本実施形態のように、前述した要素のほか、蓄積容量７０や各種のコンタクトホールが形成される構造では、上述の段差は極めて複雑な様相を呈する可能性もある。そこで、本実施形態においては特に、この段差を消滅させるために、後述するように、前駆膜４３１に対してＣＭＰ処理を施し、平坦な表面を有する第３層間絶縁膜４３を形成する。
【０１０１】
次に、第３層間絶縁膜４３を部分的に除去することによって第３層間絶縁膜４３上に突部２０１を形成する（Ｓ１０６）。突部２０１は、平面的に見て一部が残るように第３層間絶縁膜４３を任意の厚みだけ除去することによって形成されている。したがって、突部２０１は、第３層間絶縁膜４３の表面から上側に突出していることになる。
【０１０２】
次に、第３層間絶縁膜４３のコンタクトホール８０４を形成する（Ｓ１０７）。これにより、第３層間絶縁膜４３には突部２０１及びコンタクトホール８０４が形成されることになる（図９（ｃ）参照）。
【０１０３】
次に、第３層間絶縁膜４３の表面、コンタクトホール８０４及び突部２０１を覆う下層電極４０２ａ及び上層電極４０２ｂを形成する（Ｓ１０８及びＳ１０９）ことによって第３中継電極４０２が形成される（図９（ｄ）参照）。第３中継電極４０２は、第３層間絶縁膜４３の表面及び突部２０１を覆うように形成された後に所定の平面形状にパターニングされている。第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃは、第３層間絶縁膜４３の表面に延びる第３中継電極４０２の他の部分に比べて高い位置に形成されている。尚、第３層間絶縁膜４３の表面には、第３中継電極４０２と同時に或いは相前後して容量配線４００が形成される。
【０１０４】
次に、容量配線４００及び第３中継電極４０２を覆う第４層間絶縁膜４４を形成した後、第４層間絶縁膜４４の前駆体４４１を所定に膜厚になるまでＣＭＰ処理する（Ｓ１１０）（図１０（ａ）参照）。このＣＭＰ処理及び後述するエッチング処理が本発明の「平坦化処理」の一例を構成する。前駆体４４１にＣＭＰ処理を施した段階では、延在部４０２ｃは第４層間絶縁膜４４から露出してないため、ＣＭＰ処理によって延在部４０２ｃが損傷を受けることがない。したがって、研磨された第３中継電極４０２から除去された研磨くずが研磨用パッドに付着することを低減できる。これにより、研磨用パッドの交換回数を減らすことができ、製造コストを抑制できる。
【０１０５】
ここで、ＣＭＰ処理の処理条件は、画像表示領域１０ａ及びその周辺に位置する周辺領域間で第４層間絶縁膜４４に段差が生じないように設定しておくことができる。より具体的には、延在部４０２ｃが露出しないように、ＣＭＰ処理を施す際の処理時間或いはＣＭＰ処理によって除去される第４層間絶縁膜４４に段差が生じない程度に予め第４層間絶縁膜４４が厚めになるように設定しておけばよい。ここで、「段差」とは、画像表示領域１０ａ及び周辺領域間で素子及び配線等に密度差が存在する場合に、両領域の双方の上に形成された第４層間絶縁膜４４に対してＣＭＰ処理を実施すると、両領域間で生じる第４層間絶縁膜４４の高さの相違を意味する。このような段差を低減するようにＣＭＰ処理条件を予め設定しておくことにより、画素電極９ａが形成されるべき第４層間絶縁膜４４の表面を平坦化できる。尚、ＣＭＰ処理の処理条件は、液晶装置の設計或いは第４層間絶縁膜４４構成する絶縁材料の個別の条件によって異なるため、個別具体的に、或いは経験的に設定すればよい。
【０１０６】
次に、延在部４０２ｃが露出するまで第４層間絶縁膜４４にエッチング処理を施す（Ｓ１１１）。これにより、延在部４０２ｃの表面及び第４層間絶縁膜４４の表面が面一且つ平坦な面となる（図１０（ｂ）参照）。エッチング処理は、ＣＭＰ処理に比べて均一且つ精度良く膜厚を制御しながら第４層間絶縁膜４４を除去できるため、延在部４０２ｃの表面及びその周囲に延びる第４層間絶縁膜４４の表面が面一且つ平坦になるように第４層間絶縁膜４４を除去できる。
【０１０７】
このようにして、面一且つ平坦化された延在部４０２ｃの表面及び第４層間絶縁膜４４の表面に渡って画素電極９ａを形成する（Ｓ１１２）。これにより、液晶装置の画素電極９ａまでの構造が形成される（図１０（ｃ）参照）。以上までの工程により、第４層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホールを介して第３中継電極４０２及び画素電極９ａを電気的に接続する場合に比べて、画素電極９ａが形成される表面を平坦に形成できる。したがって、画素電極９ａ上に形成される配向膜１６も平坦な形状にすることができ、配向膜１６の凹凸に起因して生じる液晶分子の配向不良を低減できる。加えて、画素電極９ａをその下層側に形成れた配線と確実に電気的に接続できる。
【０１０８】
以上までの工程が完了したら、画素電極９ａ上に配向膜１６を成膜すれば、ＴＦＴアレイ基板１０側の液晶装置の製造が完了する。そして、これに引き続き、或いは並行して、前述のように、ガラス基板Ｓとは別のガラス基板上に、対向電極２１、配向膜２２等を形成して対向基板２０を製造するとともに、ガラス基板Ｓ及び別のガラス基板間にシール材５２を介在させて貼り合わせ、液晶層５０を封入することによって、液晶装置の製造が完了する。
【０１０９】
次に図１２及び図１３を参照しながら、上述の本実施形態の液晶装置の製造方法の比較例及びこの比較例によって製造された液晶装置の構造に対して本実施形態の液晶装置が優位な点を詳細に説明する。図１２は、本実施形態の液晶装置の製造方法の比較例を示すフローチャートであり、図１３は図１２に示す製造プロセスによって製造された液晶装置の構成を示す断面図である。尚、図１３は、図６に示した本実施形態の液晶装置の断面図と対応する面で液晶装置を切った断面図である。
【０１１０】
図１２に示すように、比較例のフローチャートは、図８に示した第３層間絶縁膜４３にパターング処理を施す工程（Ｓ１０６）、第４層間絶縁膜４４にＣＭＰ処理を施す工程（Ｓ１１０）及び第４層間絶縁膜４４にエッチング処理を施す工程（Ｓ１１１）がないことが分かる。したがって、図１３に示すように、比較例に係る液晶装置では、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２を電気的に接続するためのコンタクトホール８９の形状がそのまま画素電極９ａの平面形状に反映される。より具体的には画素電極９ａのうちコンタクトホール８９に延びる部分は、画素電極９ａのうち第４層間絶縁膜４４の表面に沿って延びる部分に比べて窪んだ形状となる。これにより、コンタクトホール８９上で窪んだ形状を有する配向膜１６によって液晶層５０を構成する液晶分子の配向不良が発生してしまう。そこで、上述したように本実施形態の液晶装置によれば、第３層間絶縁膜４３に突部２０１を形成しておくことにより、第３中継電極４０２の他の部分より高さが高い位置に延びる延在部４０２ｃを介して第３中継電極４０２が画素電極９ａと電気的に接続され、コンタクトホール８９を第４層間絶縁膜４４に形成することによって画素電極９ａの平坦性が損なわれることを低減できる。
【０１１１】
尚、突部２０１は、図１４に示す突部２０１ａのような形状であってもよい。より具体的には、図１４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に交わる方向に沿って延びる平面によって突部２０１ａを切った際の突部２０１ａの断面形状は、上側に向かって先細りしたテーパ形状である。
【０１１２】
突部２０１ａによれば、第３中継電極４０２を形成する際に突部２０１ａの上側から導電材料を蒸着させた場合でも、第３中継電極４０２が突部２０１ａの上面及び側面に均一且つ切れ目なく形成される。したがって、導電材料をコンタクトホールの上側からコンタクトホールの側壁および底面に蒸着させる場合に比べて高品質の第３中継電極４０２を形成でき、結果的に第３中継電極４０２及び画素電極９ａを確実に電気的に接続できる。
【０１１３】
＜第２実施形態＞
次に、図１５を参照しながら本実施形態の液晶装置を説明する。図１５は本実施形態の液晶装置１００の構成を示す断面図である。尚、本実施形態の液晶装置は、本発明の第２の発明に係る電気光学装置の一例であり、第１実施形態で説明した液晶装置と共通する部分について共通の参照符号を付して説明する。
【０１１４】
図１５において、液晶装置１００が第１実施形態で説明した液晶装置と異なる点は、第３層間絶縁膜４３上に形成された突部２０１ｂが、第３層間絶縁膜４３に一旦形成された他の絶縁膜を部分的に除去することによって形成されている点である。より具体的には、第３層間絶縁膜４３を形成した後、且つ第３中継電極４０２を形成する前に形成された本発明の第２の発明に係る「第１絶縁膜」の一例である他の絶縁膜を部分的に除去することによって残った絶縁膜の一部が突部２０１ｂとされている。尚、本実施形態では、他の絶縁膜の突部２０１ｂを除く部分を全て除去しているが、他の絶縁膜のうち突部２０１ｂを除く部分が残っていてもよい。
【０１１５】
このような液晶装置１００によれば、第１実施形態で説明した液晶装置１と同様の作用効果を得られることに加えて、第３層間絶縁膜４３を構成する絶縁材料に限定されることなく、液晶装置の設計に応じて突部２０１ｂを構成する絶縁材料を個別に選択できる利点がある。
【０１１６】
＜第３実施形態＞
次に、図１６及び図１７を参照しながら本発明の第３の発明に係る接続構造の実施形態を説明する。図１６は、接続構造の構成を示す断面図である。図１７は、図１６に示した接続構造の変形例の構成を示す断面図である。
【０１１７】
図１６において、接続構造１５０は、基板１０ｂ、絶縁膜４３ａ、突部２０１ｃ、導電膜４０２ｅ、絶縁膜４４ａ、及び導電膜１９ａを備えている。
【０１１８】
突部２０１ｃは、基板１０ｃ上に形成された絶縁膜４３ａを部分的に除去することによって形成されている。導電膜４０２ｅは、部分的に除去された絶縁膜４３ａ及び突部２０１ｃを覆うように形成されている。絶縁膜４４ａは、導電膜４０２ｅを覆い、且つ突部２０１ｃの高さより厚い膜厚を有するように形成されている。絶縁膜４４ａは、導電膜４０２ｅのうち突部２０１ｃの上面に延びる延在部４０１ｄの表面の少なくとも一部が露出するように絶縁膜４４ａを除去することによって形成された開口部１８９ａを有している。
導電膜１９ａは、絶縁膜４４ａの表面、開口部１８９ａの側壁及び延在部２０１ｄの表面に渡って形成されており、延在部４０２ｄを介して導電膜４０２ｅと電気的に接続されている。
【０１１９】
接続構造１５０によれば、導電膜４０２ｅのうち延在部４０２ｄと、絶縁膜４４ａが有する開口部１８９ａに延びる導電膜１９ａとを電気的に接続することができる。導電膜１９ａは、絶縁膜４４ａを貫通するコンタクトホールより浅い開口部１８９ａに形成されるため、開口部１８９ａの側壁及び底面における導電材料の付きまわりは良好であり、導電膜１９ａ及び４０２ｅが確実に電気的に接続される。
【０１２０】
（変形例）
次に、図１７を参照しながら上述の接続構造の変形例を説明する。図１７は、本例に係る接続構造１５０ａの構成を示す断面図である。
【０１２１】
図１７において、接続構造１５０ａは、基板１０ｃ、絶縁膜４３ｂ、突部２０１ｄ、導電膜４０２ｇ、絶縁膜４４ｂ、及び導電膜１９ｂを備えている。以下では、接続構造１５０と相違する点を中心に説明する。
【０１２２】
基板１０ｃの基板面に交わる方向に沿って延びる平面によって突部２０１ｄを切った突部２０１ｄの断面形状は、図中上側に向かって先細りしたテーパ形状である。絶縁膜４４ｂに形成された開口部１８９ｂの断面形状は、図中下側に向かって先細りしたテーパ形状である。
【０１２３】
このような断面形状を有する突部２０１ｄ及び開口部１８９ｂによれば、導電膜４０２ｇを図中上側から突部２０１ｄ及び絶縁膜４３ｂの表面に蒸着形成した場合、突部２０１ｄがテーパ形状を有している分だけ突部２０１ｄの上面及び側面に切れ目なく均一に導電膜４０２ｇが形成される。加えて、導電膜１９ｂを図中上側から蒸着形成した場合、開口部１８９ｂが下側に向かって先細りしたテーパ形状を有している分だけ、導電材料の付きまわりが良好であり、均一且つ切れ目のない導電膜１９ｂを形成できる。接続構造１５０ａによれば、図中上側から蒸着法によって導電膜４０２ｇ及び導電膜１９ｂの夫々を形成した場合、これら導電膜を確実に電気的に接続できる。
【０１２４】
（応用例）
次に、図１８を参照しながら本実施形態の接続構造の応用例を説明する。図１８は、本実施形態の接続構造を応用した電気光学装置の断面図である。尚、図１８は、画素電極９ｂ及びその下層側の接続構造に特徴を有しており、そのほかの構成要素は図１５と同様である。
【０１２５】
図１８に示すように、第３中継電極４０２上に形成されたコンタクトホール８０９に画素電極９ｂが延在されることにより、画素電極９ｂ及び第３中継電極４０２間の電気的な接続が確実に行われる。
【０１２６】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１９は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１２７】
図１９において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１２８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに接続構造及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】第１実施形態の液晶装置１を対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】第１実施形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図５】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（蓄積容量）を越えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。
【図７】周辺領域上のＣＭＯＳ型ＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図８】第１実施形態の液晶装置の製造方法における主要な製造プロセスを示したフローチャートである。
【図９】図８に示したフローチャートに対応する液晶装置の製造プロセスの工程断面図（その１）である。
【図１０】図８に示したフローチャートに対応する液晶装置の製造プロセスの工程断面図（その２）である。
【図１１】液晶装置が１枚のガラス基板上において一挙に複数形成されることを説明するための説明図である。
【図１２】第１実施形態の液晶装置の製造方法の比較例を示すフローチャートである。
【図１３】図１２のフローチャートに従って製造された液晶装置の主要な構成を示す断面図である。
【図１４】突部の変形例を示す透視斜視図である。
【図１５】第２実施形態の液晶装置の構成を示す断面図である。
【図１６】第３実施形態の接続構造の構成を示す断面図である。
【図１７】図１６に示した接続構造の変形例を示す断面図である。
【図１８】第３実施形態の接続構造を応用した電気光学装置の断面図である。
【図１９】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１３０】
１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１０ａ・・・画像表示領域、１１ａ・・・走査線、６ａ・・・データ線、３０・・・ＴＦＴ、１０４・・・走査線駆動回路、１０１・・・データ線駆動回路、２０２・・・ＣＭＯＳ型ＴＦＴ、４３・・・第３層間絶縁膜、４４・・・第４層間絶縁膜
【図１】
2007057847.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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