(57)【要約】【課題】片面２層の情報記憶媒体において層間クロストークの影響を防止する。【解決手段】レイヤー１のデータ領域の終了位置はレイヤー０のデータ領域の開始位置よりも層間クロストークに応じたクリアランスだけ外周に位置し、レイヤー０のデータリードイン領域はレイヤー１のデータリードアウト領域内のテストゾーンの両側にクリアランスを加えたガードトラックゾーンを含み、データリードアウト領域はデータリードイン領域内のテストゾーンとマネージメントゾーンの両側にクリアランスを加えたガードトラックゾーンを含む。【選択図】      図３１
2007272992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、
レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、
データリードアウト領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置され、該ガードトラックゾーンに対応するレイヤー０のデータリードイン領域には参照コードゾーン、Ｒ物理フォーマットインフォメーションゾーン、記録位置管理ゾーン、ドライブテストゾーンが配置される情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録方法において、
データリードイン領域のドライブテストゾーンのパディングと、データリードイン領域の記録位置管理ゾーン、データリードイン領域の参照コードゾーン、Ｒ物理フォーマットインフォメーションゾーンの記録との後に、データリードアウト領域のガードトラックゾーンのパディングが行われる情報記録方法。
【請求項２】
前記データリードアウト領域のガードトラックゾーンに対応するレイヤー０のデータリードイン領域には記録位置管理データデュプリケーションゾーンがさらに配置され、
前記記録位置管理データデュプリケーションゾーンの記録、パディングの後にデータリードアウト領域のガードトラックゾーンのパディングが行われる請求項１記載の情報記録方法。
【請求項３】
読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、
レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、
レイヤー０のミドル領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置され、該ガードトラックゾーンに対応するレイヤー１のミドル領域にはガードトラックゾーンが含まれる情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録方法において、
レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングの後に、レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングが行われる情報記録方法。
【請求項４】
前記ミドル領域のガードトラックゾーンの外周側にドライブテストゾーンがさらに配置され、
レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンとドライブテストゾーンのパディングの後に、レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングが行われる請求項３記載の情報記録方法。
【請求項５】
読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、
レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、
レイヤー０のミドル領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置される情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録方法において、
レイヤー０のデータ領域へのデータの記録とレイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングの後に、レイヤー１のデータ領域へのデータの記録が行われる情報記録方法。
【請求項６】
読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、
レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、
データリードアウト領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置され、該ガードトラックゾーンに対応するレイヤー０のデータリードイン領域には参照コードゾーン、Ｒ物理フォーマットインフォメーションゾーン、記録位置管理ゾーン、ドライブテストゾーンが配置される情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録装置において、
データリードイン領域のドライブテストゾーンをパディングする手段と、
データリードイン領域の記録位置管理ゾーン、データリードイン領域の参照コードゾーン、Ｒ物理フォーマットインフォメーションゾーンを記録する手段と、
前記パディング手段によるパディングと前記記録手段による記録の後にデータリードアウト領域のガードトラックゾーンをパディングする手段と、
を具備する情報記録装置。
【請求項７】
読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、
レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、
レイヤー０のミドル領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置され、該ガードトラックゾーンに対応するレイヤー１のミドル領域にはガードトラックゾーンが含まれる情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録装置において、
レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングする手段と、
前記パディング手段によるパディングの後に、レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングする手段と、
を具備する情報記録装置。
【請求項８】
読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、
レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、
レイヤー０のミドル領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置される情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録装置において、
レイヤー０のデータ領域へデータを記録する手段と、
レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングする手段と、
前記記録手段による記録と、前記パディング手段によるパディングの後に、レイヤー１のデータ領域へデータを記録する手段と、
を具備する情報記録装置。
【請求項９】
情報記憶媒体の記録方法において、
情報記憶媒体のデータリードイン領域の記録管理データデュプリケーションゾーンのリードイン領域にデータを記録し、
データリードイン領域の記録位置管理ゾーンに記録位置管理データを記録する記録方法。
【請求項１０】
データリードイン領域の記録管理データデュプリケーションゾーンのリードイン領域にデータが記録され、
データリードイン領域の記録位置管理ゾーンに記録位置管理データが記録された情報記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、記録可能な光ディスク等の情報記憶媒体、情報記録方法および情報記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大容量の光ディスクとしてＤＶＤ(Digital Versatile Disk)が実用化されている。記録可能なＤＶＤとして、追記型のＤＶＤ−Ｒ、書換え可能なＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭが規格化されている。追記型ディスクは情報が一旦記録されると、当該箇所の書換えはできない。従来の追記型ＤＶＤは内周側からＰＣＡ(Power Calibration Area)、ＲＭＡ(Recording Management Area)、実際の記録処理が実行される情報記録領域ＤＡと、により構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
さらに、情報記録領域ＤＡは後述するデータエリアに記録されている記録情報を再生する際に読み出すべき記録パラメータ情報等が記録されているリードインエリアと、当該記録情報が記録されるデータエリアと、データエリアに記録されている記録情報の再生を終了する際に読み出すべき終了情報等が記録されているリードアウトエリアと、により構成されている。リードインエリアはデータエリアに情報を記録するに当たってそれより先に記録パラメータ情報等が記録される領域であり、リードアウトエリアはＤＶＤ全体に対する記録情報の記録を完了する前に終了情報が記録される領域である。各領域の容量は予め決められており、変更はできない。
【０００４】
このようなＤＶＤに情報を記録する場合（データエリアの内周側から記録されるとする）、先ずＰＣＡ領域でテスト記録をする。これは、同じ種類の光ディスクでも製造者により特性が異なったり、使用環境の温度、レーザの動作環境等により、記録波形が異なるため、テスト記録の結果により光ディスクへ記録する際の記録波形のパラメータ（強度、パルス幅等）を調整する。
【０００５】
この後、管理情報とユーザデータとが、各々ＲＭＡ領域とデータエリアとに記録される。管理情報には、データエリアのどの部分が記録済か（どこまで記録したか）を示す情報等が含まれる。管理情報はユーザデータの記録の進捗状況に応じて、最新の管理情報に更新される。追記型ＤＶＤは情報が一旦記録されると当該箇所の書換えはできないため、管理情報の更新毎に、ＲＭＡ領域の残り容量は減少する。管理情報の更新の仕方によってはデータエリアの全領域への記録が完了する前に、ＲＭＡ領域に未記録部分が無くなってしまうことがある。ＲＭＡ領域に未記録部分が無くなると、管理情報の更新はできない。そのため、データエリアへの記録動作を中止せざるを得ない。
【０００６】
一方、上述したようにＤＶＤ装置では、温度変化や経時変化により、記録波形が変化する。また、ディスクの記録位置によって、最適な記録波形は変化する。これらの変化に応じて記録波形を調整するため、ＤＶＤ装置では、ＰＣＡ領域でテスト記録を実施し、記録波形のパラメータを調整する。管理情報の更新と同様にテスト記録の実施毎に、ＰＣＡ領域の残り容量は減少する。テスト記録の実施の仕方によっては、データエリアの全領域への記録が完了する前に、ＰＣＡ領域に未記録部分が無くなってしまうことがある。ＰＣＡ領域に未記録部分が無くなってしまうと、記録動作を中止するか、あるいは記録波形を調整せずにユーザデータや管理情報の記録をせざるを得ない。調整されていない記録波形で記録された部分からは、十分信頼性の高い情報再生はできない。
【０００７】
ＲＭＡ領域の不足や、ＰＣＡ領域の不足を防止するため、ＲＭＡ領域や、ＰＣＡ領域の容量を予め大きく確保することも考えられが、データエリアの容量が減少する。その結果、ＲＭＡ領域、ＰＣＡ領域の未記録部分が十分に余っているにも関わらず、データエリアの容量が不足することもある。
【０００８】
一方、記録容量を増大するために、レーザ光の波長を短くする、あるいは開口数ＮＡを大きくする等によりビームスポットを絞り込み記録容量を増やした次世代ＤＶＤの規格が提案されている。記録容量を増やす手法としては、ビームスポットを絞り込む以外にも、ディスクの片面に複数の記録層を設け、対物レンズを光軸方向に動かしてそれぞれの層にビームを集束させ、記録層毎に記録・再生できる片面多層の記憶媒体を用いることも考えられている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
片面多層の記憶媒体は片面単層の記憶媒体では生じない層間クロストークと言う問題点がある。説明を簡単化するために、２層を例に説明する。片面２層の記憶媒体は単一の読み出し面からレーザ光を各層に集束させる。読み出し面に近い層をレイヤー０、遠い層をレイヤー１と称する。それぞれの層にビームを集束させる際、所望のレイヤー以外のレイヤーにも多少のレーザビームが照射されてしまう。そのため、再生時において所望のレイヤー以外のレイヤーからの反射光が再生信号に混入し、層間クロストークが発生する。なお、層間クロストークは再生時のみらならず記録時にも問題になる。
【特許文献１】特開２００２−２４５６２５（段落００４１乃至段落００５２、図１）
【特許文献２】特開２００４−２０６８４９号公報（段落００３６乃至段落００４１、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように従来の追記型の光ディスクでは、管理領域の容量不足に起因し、記録すべきユーザデータの一部が記録できない、あるいは記録できたとしても、十分信頼性高く再生できないという問題がある。また、従来の多層の記録可能な情報記憶媒体には、ある所望のレイヤーにレーザ光束を集束させる際、それ以外のレイヤーにも一部の光が照射されることに起因する層間クロストークが発生する問題があった。
【００１１】
本発明の課題の１つは所望のレイヤー以外に照射される光による層間クロストークの発生が防止される多層の記録可能な情報記憶媒体、情報記録方法および情報記録装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様によれば、読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、データリードアウト領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置され、該ガードトラックゾーンに対応するレイヤー０のデータリードイン領域には参照コードゾーン、Ｒ物理フォーマットインフォメーションゾーン、記録位置管理ゾーン、ドライブテストゾーンが配置される情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録方法において、データリードイン領域のドライブテストゾーンのパディングと、データリードイン領域の記録位置管理ゾーン、データリードイン領域の参照コードゾーン、Ｒ物理フォーマットインフォメーションゾーンの記録との後に、データリードアウト領域のガードトラックゾーンのパディングが行われる。
【００１３】
本発明の他の態様によれば、読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー０のミドル領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置され、該ガードトラックゾーンに対応するレイヤー１のミドル領域にはガードトラックゾーンが含まれる情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録方法において、レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングの後に、レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングが行われる。
【００１４】
本発明のさらに他の態様によれば、読み出し面から順次レイヤー０、レイヤー１の記録層が配置され、レイヤー０は内周からシステムリードイン領域、データリードイン領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー１は内周からシステムリードアウト領域、データリードアウト領域、データ領域、ミドル領域が配置され、レイヤー０のミドル領域はデータ領域側にガードトラックゾーンが配置される情報記憶媒体へ情報を記録する情報記録方法において、レイヤー０のデータ領域へのデータの記録とレイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングの後に、レイヤー１のデータ領域へのデータの記録が行われる。
【発明の効果】
【００１５】
また、レイヤー１への記録を行う前にレイヤー０の対応する領域を記録状態が一定のゾーンとしたことにより、層間クロストークの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明による情報記憶媒体、情報記録方法及び情報記録装置の実施の形態を説明する。
【００１７】
《本発明の実施形態の特徴と効果のまとめ》
（１）トラックピッチ／ビットピッチと最適記録パワーの関係
…  従来のように基板形状変化を伴う記録原理の場合、トラックピッチが詰まると“クロスライト”“クロスイレーズ”が発生し、ビットピッチを詰めると符号間クロストークが発生する。本実施形態のように基板形状変化を伴わない記録原理を考案する事で、トラックピッチ／ビットピッチを詰められて高密度化が可能となる。また、同時に上記の記録原理では記録感度が向上し、最適記録パワーを小さく設定できるため高速記録化と記録膜の多層化が可能となる
（２）６２０ｎｍ以下の短波長光記録で、ＥＣＣブロックが複数の小ＥＣＣブロックの組み合わせで構成されると共に連続する２セクタ内の各データＩＤ情報が互いに異なる小ＥＣＣブロック内に配置
…  本実施形態に依れば、図１（ｂ）に示すように、記録層３-２内での局所的な光学特性変化を記録原理とするため、記録時の記録層３-２内での到達温度が透明基板２-２の塑性変形又は有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）による従来の記録原理よりも低い。従って、再生時の記録層３-２内での到達温度と記録温度の差が小さい。本実施形態では１ＥＣＣブロック内で小ＥＣＣブロック間のインターリーブ処理とデータＩＤの配置を工夫する事で繰り返し再生時に記録膜が万一劣化した場合の再生信頼性を向上させている。
【００１８】
（３）６２０ｎｍよりも短い波長の光で記録され、記録された部分が非記録部分より反射率が上がる
…  一般的な有機色素材料の吸収分光特性の影響で６２０ｎｍよりも短い波長の光では大幅に光吸収率が低下して記録感度が下がる。そのため従来のＤＶＤ−Ｒの記録原理である基板変形を発生させるには非常に大きな露光量を必要とする。本実施形態のように記録された部分（記録マーク）内で非記録部分より反射率が上がる“Ｌ→Ｈ”有機色素記録材料を採用する事で、“電子結合の分離による脱色作用”を用いた記録マークの形成により基板変形を不要とし、記録感度が向上する。
【００１９】
４．“Ｌ→Ｈ”有機色素記録膜とＰＳＫ／ＦＳＫ変調ウォブルグルーブ
…  再生時のウォブル同期が取り易く、ウォブルアドレスの再生信頼性が向上する
５．“Ｌ→Ｈ”有機色素記録膜と再生信号変調度規定
…  記録マークからの再生信号に関する高いＣ／Ｎ比が確保でき、記録マークからの再生信頼性が向上
６．“Ｌ→Ｈ”有機色素記録膜とミラー部での光反射率範囲
…  システムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号に関する高いＣ／Ｎ比が確保でき、高い再生信頼性が確保できる
７．“Ｌ→Ｈ”有機色素記録膜とオントラック時の未記録領域からの光反射率範囲
…  未記録領域内でのウォブル検出信号に関する高いＣ／Ｎ比が確保でき、ウォブルアドレス情報に対する高い再生信頼性を確保できる
８．“Ｌ→Ｈ”有機色素記録膜とウォブル検出信号振幅範囲
…  ウォブル検出信号に関する高いＣ／Ｎ比が確保でき、ウォブルアドレス情報に対する高い再生信頼性を確保できる
《    目    次    》
第０章  使用波長と本実施形態との関係説明
…  本実施形態適用範囲の使用波長説明
第１章  本実施形態における情報記憶媒体構成要素の組み合わせ説明
第２章  相変化記録膜と有機色素記録膜との再生信号の違い説明
２-１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い…λｍａｘ ｗｒｉｔｅの定義
２-２）プリピット／プリグルーブ領域内での光反射層形状の違い
光反射層形状（スピンコートとスパッタ蒸着の違い）、再生信号に及ぼす影響
第３章  本実施形態における有機色素記録膜の特徴説明
３-１）従来の有機色素材料を用いた追記記録膜（ＤＶＤ−Ｒ）での高密度化に対する問題点
３-２）本実施形態における有機色素記録膜に共通する基本的特徴説明
…  記録層厚みの下限値、本実施形態で効果が生まれるチャネルビット長／トラックピッチ、繰り返し再生可能回数、最適な再生パワー、
グルーブ幅とランド幅の比率…ウォブルアドレスフォーマットとの関係、
グルーブ部とランド部での記録層厚みの関係、
記録情報のエラー訂正能力の向上技術やＰＲＭＬとの組み合わせ
３-３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性…最適記録パワーの上限値
３-４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明
…  未記録での反射率の上限値、
λｍａｘ ｗｒｉｔｅの値とλｌｍａｘの値（未記録／既記録位置での吸光度最大波長）の関係
未記録／既記録位置での反射率と変調度と再生波長での吸光値の相対値範囲…ｎ・ｋ範囲
要求解像度特性と記録層厚みの上限値の関係
第４章  再生装置または記録再生装置と記録条件／再生回路の説明
４-１）本実施形態での再生装置もしくは記録再生装置の構造と特徴説明
…  使用波長範囲、ＮＡ値、ＲＩＭ  Intensity
第５章  本実施形態における有機色素記録膜の具体的実施形態説明
５-１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明
…  記録原理、未記録／既記録位置での反射率と変調度
５-２）本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する光吸収スペクトルの特徴
…  最大吸収波長λｍａｘ ｗｒｉｔｅの値、Ａｌ４０５の値とＡｈ４０５の値の設定条件
５-３）アニオン部：アゾ金属錯体＋カチオン部：色素
第６章  塗布形有機色素記録膜と光反射層界面でのプリグルーブ形状／プリピット形状に関する説明
６-１）光反射層（材質と厚み）
…  厚み範囲と不動態化構造  …  記録原理と劣化防止（基板変形や空洞より信号劣化し易い）
６-２）塗布形有機色素記録膜と光反射層界面でのプリピット形状に関する説明
…  システムリードイン領域でトラックピッチ／チャネルビットピッチを広げた効果
システムリードイン領域での再生信号振幅値と解像度
光反射層４-２でのランド部とプリピット部での段差量の規定
第７章  第１の次世代光ディスク：ＨＤ  ＤＶＤ方式（以下、Ｈフォーマットと称する）の説明
…  記録原理と再生信号劣化対策（基板変形や空洞より信号劣化し易い）…  誤り訂正符号（Error correction code）ＥＣＣ構造、ＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）方式
グルーブ領域内広い平坦領域とウォブルアドレスフォーマットの関係
追加記録時には非データ部であるＶＦＯ領域で多重書きする
…  多重書き領域でのＤＣ成分変化の影響が軽減。特に“Ｌ→Ｈ”記録膜で効果が顕著。
【００２０】
以下に本実施形態の説明を行う。
【００２１】
第０章  使用波長と本実施形態との関係説明…本実施形態適用範囲の使用波長説明  有機色素材料を記録材料に用いた追記形情報記憶媒体として、記録／再生用レーザ光源波長７８０ｎｍを用いたＣＤ−Ｒディスクと、記録／再生用レーザ光源波長６５０ｎｍを用いたＤＶＤ−Ｒディスクが既に市販されている。さらに、高密度化した次世代の追記形情報記憶媒体では、記録または再生用のレーザ光光源波長は４０５ｎｍ近傍（つまり３５５ｎｍから４５５ｎｍの範囲）が使われる事を想定している。有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体では、使用光源波長がわずかに変化するだけで記録／再生特性が敏感に変化する。原理的には記録／再生用レーザ光源波長の二乗に反比例して密度が上げられるので、記録／再生用に用いられるレーザ光源波長は短い方が望ましいが、上記の理由からＣＤ−ＲディスクやＤＶＤ−Ｒディスクに利用される有機色素材料を４０５ｎｍ用の追記形情報記憶媒体として使うことができない。しかも、４０５ｎｍは紫外線波長に近いので、“４０５ｎｍ光で容易に記録可能”な記録材料は紫外線照射により特性変化し易く、長期安定性に欠ける欠点が生じやすい。
【００２２】
利用される有機色素材料により特性が大幅に異なるので一般論として断定し辛いが、一例として具体的な波長で上記の特徴を説明する。６５０ｎｍ光で最適化された有機色素記録材料は使用する光が６２０ｎｍより短くなると、記録／再生特性が歴然と変化する。従って、６２０ｎｍよりも短い光で記録／再生を行う場合には、記録光または再生光の光源波長に最適な有機色素材料の新規開発が必要となる。５３０ｎｍより短い光で記録が容易な有機色素材料は紫外線照射による特性劣化を起こし易く、長期安定性に欠ける。本実施形態では、４０５ｎｍ近傍での使用に適した有機記録材料に付いての実施形態について説明を行うが、半導体レーザ光源のメーカーによる発光波長の変動も考慮に入れた３５５〜４５５ｎｍの範囲で安定に使用可能な有機記録材料に関する実施形態を説明する。すなわち、本実施形態の適応範囲は、６２０ｎｍ以下の光源に適合したもの、望ましくは５３０ｎｍより短い光（最も狭い範囲の定義では３５５〜４５５ｎｍの範囲）に対応している。
【００２３】
また、有機色素材料の光吸収スペクトルによる光記録感度も記録波長の影響を大きく受ける。長期安定性に適した有機色素材料は一般的に波長が短い光に対する吸光度が小さくなる傾向が有る。特に、６２０ｎｍより短い光に対して吸光度が大幅に低下し、５３０ｎｍより短い光では特に激減する。従って、最も厳しい条件として３５５〜４５５ｎｍの範囲のレーザ光で記録する場合には、吸光度が低いために記録感度が悪く、本実施形態に示すような新たな記録原理を採用すると言う新規考案が必要となる。
【００２４】
記録または再生に用いられる集光スポットのサイズは使用される光の波長に比例して小さくなる。従って、集光スポットサイズの観点のみから考えると、波長を上述した値まで短くすると、従来技術である現行ＤＶＤ−Ｒディスク（使用波長：６５０ｎｍ）に対して波長分だけトラックピッチやチャネルビット長を短くしたい。しかし“３−２−Ａ〕本実施形態の技術の適用を必要とする範囲”で後述するように、ＤＶＤ−Ｒディスクなど従来の追記形情報記憶媒体の記録原理を使用している限りトラックピッチやチャネルビット長を短くできないと言う問題が有る。下記に説明する本実施形態で考案した技術を利用する事で初めて上述した波長に比例してトラックピッチやチャネルビット長を短くできる。
【００２５】
第１章  本実施形態における情報記憶媒体構成要素の組み合わせ説明
本実施形態では６２０ｎｍ以下の光源に適合した有機記録材料（有機色素材料）を考案した所に大きな技術的特徴が有るが、その有機記録材料（有機色素材料）には記録マーク内で光反射率が増加すると言う従来のＣＤ−ＲディスクやＤＶＤ−Ｒディスクには存在しない独自な特徴Ｌ→Ｈ特性（Low to High特性）を有している。従って、本実施形態に示す有機記録材料（有機色素材料）の特徴をより効果的に生かす情報記憶媒体の構造、寸法あるいはフォーマット（情報記録形式）を組み合わせた所にも本実施形態の技術的な特徴とそれにより発生する新規な効果が生まれる。本実施形態での新たな技術的特徴と効果を生み出す組み合わせを下記に示す。すなわち、本実施形態における情報記憶媒体では構成要素としては
Ａ〕有機色素記録膜、
Ｂ〕プリフォーマット（プリグルーブ形状／寸法やプリピット形状／寸法など）、
Ｃ〕ウォブル条件（ウォブル変調方法やウォブル変化形状、ウォブル振幅、ウォブル配置方法など）
Ｄ〕フォーマット（情報記憶媒体に記録する／予め記録されたデータの記録形式など）
などが有り、各構成要素毎の具体的な実施形態として下記がある。
【００２６】
Ａ１）最大吸収波長λmax
Ａ２）記録マーク極性
Ａ３）アゾ金属錯体＋Ｃｕ
Ａ４）アゾ金属錯体：アニオン＋色素：カチオン
Ａ５）任意の塗布記録膜
Ｂ１）プリグルーブ形状（対トラックピッチ）
Ｂ２）プリピット形状（対トラックピッチ）
Ｂ３）任意グルーブ形状と任意ピット形状
Ｃ１）ＰＳＫ
Ｃ２）ＦＳＫ
Ｃ３）ＳＴＷ
Ｃ４）任意変調方式
Ｃ５）ウォブル振幅量
Ｃ６）任意振幅量
Ｄ１）追記方法
Ｄ２）Ｈフォーマット
Ｄ３）Ｂフォーマット
Ｄ４）任意の追記方法とフォーマット
上記した各構成要素毎の具体的な実施形態の組み合わせ方に本実施形態の技術的な特徴と独自な効果が発生している。以下に実施形態を説明する段階で個々の実施形態の組み合わせ状態を記載するが、特に組み合わせを指定しない構成要素に関しては
Ａ５）任意の塗布記録膜、
Ｂ３）任意グルーブ形状と任意ピット形状、
Ｃ４）任意変調方式、
Ｃ６）任意振幅量と、
Ｄ４）任意の追記方法とフォーマット
を採用している事を意味する。
【００２７】
第２章  相変化記録膜と有機色素記録膜との再生信号の違い説明
２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い…λｍａｘ ｗｒｉｔｅの定義
図１（ａ）に標準的な相変化記録膜構造（主に書替え形情報記憶媒体に使用されている）を示し、図１（ｂ）に標準的な有機色素記録膜構造（主に追記形情報記憶媒体に使用されている）を示す。本実施形態の説明文内では図１に示した透明基板２−１、２−２を除いた記録膜構造全体を（光反射層４−１、４−２を含めて）“記録膜”と定義し、記録材料が配置されている記録層単体３−１、３−２とは区別する。相変化を用いた記録材料では一般的に既記録領域（記録マーク内）と未記録領域（記録マーク外）での光学的な特性変化量が小さいので、再生信号の相対的な変化率を強調するためのエンハンス構造を採用している。そのため相変化記録膜構造では図１（ａ）に示すように透明基板２−１と相変化形記録層３−１との間に下地中間層５を配置し、光反射層４−２と相変化形記録層３−１との間に上側中間層６を配置している。本実施形態では透明基板２−１、２−２の材料として透明プラスチック材料であるポリカーボネートＰＣあるいはアクリルＰＭＭＡ（ポリ・メチル・メタクリレート）を採用している。本実施形態で使用されるレーザ光７の中心波長は４０５ｎｍであり、この波長におけるポリカーボネートＰＣの屈折率ｎ２１、ｎ２２は１．６２近傍になっている。
【００２８】
相変化形記録材料として最も一般的に用いられているＧｅＳｂＴｅ（ゲルマニウム・アンチモン・テルル）での４０５ｎｍにおける標準的な屈折率ｎ３１と吸収係数ｋ３１は結晶領域ではｎ３１≒１．５、ｋ３１≒２．５に対して非晶質領域ではｎ３１≒２．５、ｋ３１≒１．８となっている。このように相変化形記録材料における（非晶質領域内での）屈折率は透明基板２−１の屈折率と大きく異なり、相変化記録膜構造では各層の界面でのレーザ光７の反射が起こり易くなっている。上記のように（１）相変化記録膜構造がエンハンス（強調）構造を取っている、（２）各層間の屈折率差が大きいなどの理由から相変化記録膜に記録された記録マークからの再生時における光反射量変化（記録マークからの光反射量と未記録領域からの光反射量の差分値）は下地中間層５、記録層３−１、上側中間層６、光反射層４−２のそれぞれの界面で発生する多重反射光の干渉結果として得られる。図１（ａ）ではレーザ光７が下地中間層５と記録層３−１との間の界面、記録層３−１と上側中間層６との間の界面、上側中間層６と光反射層４−２との間の界面のみで反射しているように見えるが、実際には複数回の多重反射光間の干渉結果で光反射光量変化が得られている。
【００２９】
それに対して有機色素記録膜構造は有機色素記録層３−２と光反射層４−２のみの非常に簡素な積層構造を取っている。この有機色素記録膜を使用した情報記憶媒体（光ディスク）は追記形情報記憶媒体と呼ばれ、１回のみの記録が可能であるが、前記相変化記録膜を用いた書替え形情報記憶媒体のように一度記録した情報の消去処理や書き替え処理はできない。一般的な有機色素記録材料の４０５ｎｍでの屈折率はｎ３２≒１．４（各種の有機色素記録材料の４０５ｎｍでの屈折率範囲としてもｎ３２＝１．４〜１．９）、吸収係数ｋ３２≒０．２（各種の有機色素記録材料の４０５ｎｍでの吸収係数範囲としてもｋ３２≒０．１〜０．２）近傍が多い。有機色素記録材料と透明基板２−２間の屈折率差が小さいので記録層３−２と透明基板２−２との間の界面での光反射量はほとんど生じない。従って、有機色素記録膜からの光学的再生原理（反射光量変化を発生する理由）は上述したような相変化記録膜内での“多重干渉”では無く、“光反射層４−２で反射して戻って来るレーザ光７に対する光路途中での（干渉も含めた）光量損失”が主な要因となっている。光路途中での光量損失を引き起こす具体的な理由は“レーザ光７内で部分的に引き起こされる位相差による干渉現象”や“記録層３−２内での光吸収現象”が有る。プリグルーブやプリピットの無い鏡面上での未記録領域における有機色素記録膜の光反射率は光反射層４−２におけるレーザ光７の光反射率から記録層３−２内を通過する時の光吸収量を差し引いた値で単純に求まる所に特徴がある。上述したように“多重干渉”の計算により光反射率を求める相変化記録膜とは大きな違いが有る。
【００３０】
ここで、波長λ＝４０５ｎｍの青紫レーザを記録再生に用いるＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ（High Density DVD Recordable）の記録膜（有機色素記録材料）の耐光性（Light fastness of the disc）について述べておく。ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒの耐光性はISO-105-B02に準拠した装置と空冷キセノンランプにより試験される。この試験の条件では、ブラックパネル温度が４０℃未満とされ、相対湿度が７０〜８０％とされる。試験対象のディスクには基板の真上から垂直に試験光が照射される。この試験後に所定の仕様が全て満足される場合に、そのディスクは試験に合格したディスクとなる。
【００３１】
まず始めに従来技術として現行ＤＶＤ−Ｒディスクで解釈されている記録原理について説明する。現行ＤＶＤ−Ｒディスクでは記録膜にレーザ光７を照射すると、記録層３−２が局所的にレーザ光７のエネルギーを吸収して高熱になる。特定温度を越えると、透明基板２−２が局所的に変形する。透明基板２−２の変形を誘発するメカニズムはＤＶＤ−Ｒディスクの製造メーカーにより異なるが、
（１）記録層３−２の気化エネルギーによる局所的に透明基板２−２が塑性変形や
（２）記録層３−２から熱が透明基板２−２に伝わり、その熱により局所的に透明基板２−２が塑性変形
が原因と言われている。透明基板２−２が局所的に塑性変形すると、透明基板２−２を通過して光反射層４−２で反射し、再度透明基板２−２を通過して戻って来るレーザ光７の光学的距離が変化する。局所的に塑性変形した透明基板２−２の部分を通過して戻ってくる記録マーク内からのレーザ光７と、変形して無い透明基板２−２の部分を通過して戻ってくる記録マーク周辺部からのレーザ光７との間に位相差が生じるので、両者間の干渉により反射光の光量変化が生じる。また、特に、上記（１）のメカニズムが生じた場合には、記録層３−２の記録マーク内が気化（蒸発）により空洞化して生じる実質的な屈折率ｎ３２の変化、あるいは記録マーク内での有機色素記録材料の熱分解により生じる屈折率ｎ３２の変化も上記の位相差発生に寄与する。現行ＤＶＤ−Ｒディスクでは、透明基板２−２が局所的に変形するまで記録層３−２が高温（上記（１）のメカニズムでは記録層３−２の気化温度、（２）のメカニズムでは透明基板２−２を塑性変形させるために必要な記録層３−２内温度）になる必要や、記録層３−２の一部を熱分解または気化（蒸発）させるために高温にする必要が有り、記録マークを形成させるためにはレーザ光７の大きなパワーが必要となる。
【００３２】
記録マークを形成するには第１段階として記録層３−２がレーザ光７のエネルギーを吸収できる必要が有る。記録層３−２内の光吸収スペクトルが有機色素記録膜の記録感度に大きく影響を及ぼす。記録層３−２を形成する有機色素記録材料内での光の吸収原理を本実施形態の（Ａ３）を用いて説明する。
【００３３】
化１は上記した情報記憶媒体構成要素の具体的内容“（Ａ３）アゾ金属錯体＋Ｃｕ”の具体的な構造式を示している。
【化１】
2007272992.tif 000003
【００３４】
化１に示したアゾ金属錯体の中心金属Ｍを中心とした円形の周辺領域が発色領域８となる。この発色領域８をレーザ光７が通過すると、この発色領域８内の局在電子がレーザ光７の電場変化に共鳴（共振）してレーザ光７のエネルギーを吸収する。この局在電子が最も共鳴（共振）してエネルギーを吸収し易い電場変化の周波数に対してレーザ光７の波長に換算した値を最大吸収波長と呼び、λｍａｘで表す。化１に示すような発色領域８（共鳴範囲）の長さが長くなる程、最大吸収波長λｍａｘが長波長側にシフトする。また、化１において中心金属Ｍの原子を代える事で中心金属Ｍ周辺の局在電子の局在範囲（中心金属Ｍが局在電子をどれだけ中心付近に引き寄せられるか）が変化し、最大吸収波長λｍａｘの値が変化する。
【００３５】
絶対零度でかつ純度が高く発色領域８が一箇所しか無い場合の有機色素記録材料の光吸収スペクトルは最大吸収波長λｍａｘ近傍で幅の狭い線スペクトルを描く事が予想されるが、常温で不純物を含み更に、複数の光吸収領域を含んだ一般的な有機色素記録材料の光吸収スペクトルは最大吸収波長λｍａｘを中心とした光の波長に対する幅の広い吸光特性を示している。現行ＤＶＤ−Ｒディスクに用いられている有機色素記録材料の光吸収スペクトルの一例を図２に示す。図２において有機色素記録材料を塗布して形成した有機色素記録膜に対して照射する光の波長を横軸に取り、それぞれの波長の光を有機色素記録膜に照射した時の吸光度を縦軸に取ってある。吸光度とは追記形情報記憶媒体として完成した状態（あるいは透明基板２−２上に記録層３−２が形成されたのみの状態（図１（ｂ）の構造に対して光反射層４−２が形成される前の状態））に対して透明基板２−２側から入射強度Ｉｏのレーザ光を入射させ、反射したレーザ光強度Ｉｒ（記録層３−２側から透過したレーザ光の光強度Ｉｔ）を測定して得られる値で有る。吸光度Ａｒ（Ａｔ）は
Ａｒ≡−ｌｏｇ１０（Ｉｒ／Ｉｏ）                    （Ａ−１）
Ａｔ≡−ｌｏｇ１０（Ｉｔ／Ｉｏ）                    （Ａ−２）
で表される。今後特に断らない限り吸光度としては（Ａ−１）式で表させる反射形の吸光度Ａｒの事を示して説明を行うが、本実施形態においてはそれに限らず、（Ａ−２）式で表させる透過形の吸光度Ａｔとして考える事も出来る。図２に示した実施形態では発色領域８を含む光吸収領域が複数存在しているため、吸光度が極大になる位置が複数存在する。この場合には、吸光度が極大値を取る時の最大吸収波長λｍａｘが複数存在する。現行ＤＶＤ−Ｒディスクにおける記録用レーザ光の波長は６５０ｎｍになっている。本実施形態において最大吸収波長λｍａｘが複数存在した場合には、記録用レーザ光の波長に最も波長が近い最大吸収波長λｍａｘの値が重要になって来る。従って、本実施形態説明文中に限り、記録用レーザ光の波長に最も近い位置にある最大吸収波長λｍａｘの値を“λｍａｘ ｗｒｉｔｅ”と定義し、他のλｍａｘ（λｍａｘ ０）と区別する。
【００３６】
２−２）プリピット／プリグルーブ領域内での光反射層形状の違い…光反射層形状（スピンコートとスパッタ蒸着の違い）、再生信号に及ぼす影響
プリピット領域またはプリグルーブ領域１０での記録膜の形成形状比較を図３に示す。図３（ａ）は相変化記録膜に対する形状を示している。下地中間層５、記録層３−１、上側中間層６、光反射層４−１いずれの層を形成する場合にも真空中でスパッタ蒸着、真空蒸着またはイオンプレーティングのいずれかの方法を用いる。その結果、全ての層で透明基板２−１の凹凸形状を比較的忠実に複製する。例えば、透明基板２−１のプリピット領域またはプリグルーブ領域１０での断面形状が矩形または台形になっていた場合には、記録層３−１と光反射層４−１の断面形状も概略矩形または台形となる。
【００３７】
図３（ｂ）は有機色素記録膜を用いた場合の記録膜として従来技術である現行ＤＶＤ−Ｒディスクの一般的記録膜断面形状を示す。この場合の記録膜３−２の形成方法としては図３（ａ）とは異なりスピンコーティング（またはスピナーコーディング）と言う全く異なる方法を用いる。スピンコーティングとは記録層３−２を形成する有機色素記録材料を有機溶剤に溶かして透明基板２−２上に塗布した後、透明基板２−２を高速で回転させて遠心力で塗布剤を透明基板２−２の外周側へ広げ、有機溶剤を気化させる事で記録層３−２を形成する方法である。この方法を用いると有機溶剤の塗布工程を用いるため、記録層３−２表面（光反射層２−２との界面）が平坦になり易い。その結果、光反射層２−２と記録層３−２との間の界面での断面形状は透明基板２−２の表面（透明基板２−２と記録層３−２との界面）形状とは異なった形状となる。例えば、透明基板２−２の表面（透明基板２−２と記録層３−２との界面）の断面形状が矩形または台形となっているプリグルーブ領域では光反射層２−２と記録層３−２との間の界面での断面形状は概略Ｖ字形の溝形状に、プリピット領域では概略円錐の側面形状になる。更に、スピンコーティング時に有機溶剤が凹部に溜まり易いため、プリピット領域またはプリグルーブ領域１０内での記録層３−２の厚みＤｇ（図３（ｂ）に示すようにプリピット領域またはプリグルーブ領域１０の底面から光反射層２−２との界面の最も低くなった位置までの距離）がランド領域１２内での厚みＤｌよりも大幅に厚く（Ｄｇ＞Ｄｌと）なる。その結果、プリピット領域またはプリグルーブ領域１０での透明基板２−２と記録層３−２との界面の凹凸量が透明基板２−２と記録層３−２との界面での凹凸量より大幅に少なくなっている。
【００３８】
このように光反射層２−２と記録層３−２との間の界面での凹凸形状が鈍るとともに凹凸量も大幅に小さくなるため、記録膜形成方法の違いにより透明基板２表面（プリピット領域またはプリグルーブ領域１０）の凹凸形状と寸法が同じ場合には、レーザ光を照射した時の有機色素記録膜からの反射光の回折強度が相変化記録膜からの反射光の回折強度より大幅に劣化する。その結果、透明基板２表面（プリピット領域またはプリグルーブ領域１０）の凹凸形状と寸法が同じ場合には、従来の有機色素記録膜を用いた場合には相変化記録膜を用いた場合に比べて
（１）プリピット領域からの光再生信号の変調度が小さく、プリピット領域からの信号再生信頼性が悪い
（２）プリグルーブ領域からのプッシュプル法による充分大きなトラックずれ検出信号が得辛い
（３）プリグルーブ領域がウォブリング（蛇行）した場合の充分に大きなウォブル検出信号が得辛い
と言う特徴が有る。
【００３９】
また、ＤＶＤ−Ｒディスクではアドレス情報等の特定情報がランド領域１２に微少な凹凸（ピット）形状で記録されているため、プリピット領域またはプリグルーブ領域１０の幅Ｗｇよりもランド領域１２の幅Ｗｌが広く（Ｗｇ＞Ｗｌ）なっている。
【００４０】
第３章  本実施形態における有機色素記録膜の特徴説明
３−１）従来の有機色素材料を用いた追記記録膜（ＤＶＤ−Ｒ）での高密度化に対する問題点
“２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い”で既に説明したように、従来の有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体である現行のＤＶＤ−ＲとＣＤ−Ｒの一般的な記録原理は“透明基板２−２の局所的な塑性変形”あるいは“記録層３−２内の局所的な熱分解や気化”を伴っている。従来の有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体における記録マーク９位置での具体的な透明基板２−２の塑性変形状況を図４に示す。代表的な塑性変形状況は２種類存在し、図４（ａ）に示すように記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４の深さ（隣接するランド領域１２との間の段差量）が未記録領域でのプリグルーブ領域１１の底面の深さと異なる場合（図４（ａ）に示した例では記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４の深さが未記録領域よりも浅くなっている）と、図４（ｂ）に示すように記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４が歪み微少に湾曲する（底面１４の平坦性が崩れる：図４（ｂ）に示した例では記録マーク９位置でのプリグルーブ領域の底面１４が下側に向かって微少に湾曲している）場合が有る。いずれの場合でも記録マーク９位置での透明基板２−２の塑性変形範囲が広い領域に及ぶ特徴が有る。従来技術である現行のＤＶＤ−Ｒディスクではトラックピッチが０．７４μｍ、チャネルビット長が０．１３３μｍとなっている。この程度の大きな値の場合には記録マーク９位置での透明基板２−２の塑性変形範囲が広い領域に及んでも比較的安定な記録処理と再生処理が行える。
【００４１】
しかし。トラックピッチを上記の０．７４μｍより狭くしていくと、記録マーク９位置での透明基板２−２の塑性変形範囲が広い領域に及ぶために隣接トラックへの悪影響が現れ、隣接トラックまで記録マーク９が広がる“クロスライト”や多重書きにより既に存在している隣接トラックの記録マーク９を実質的に消してしまう（再生不能にする）“クロスイレーズ”の現象が発生する。また、トラックに沿った方向（円周方向）においてチャネルビット長を０．１３３μｍより狭くすると、符号間干渉が現れ、再生時のエラーレイトが大幅に増加して再生の信頼性が低下するという問題が発生する。
【００４２】
３−２）本実施形態における有機色素記録膜に共通する基本的特徴説明
３−２−Ａ〕本実施形態の技術の適用を必要とする範囲
図４に示すように透明基板２−２の塑性変形あるいは記録層３−２内の局所的な熱分解や気化現象を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）においてどの程度トラックピッチを詰めると悪影響が現れるか、あるいはどの程度チャネルビット長を詰めると悪影響が現れるか、及びその理由について技術的な検討を行った結果を以下に説明する。従来の記録原理を利用した場合に悪影響が出始める範囲が本実施形態に示す新規の記録原理により効果を発揮する（高密度化に適した）範囲を示している。
【００４３】
（１）記録層３−２の厚みＤｇの条件
許容チャネルビット長の下限値や許容トラックピッチの下限値を理論的に割り出すために熱解析を行おうとすると、実質的に可能な記録層３−２の厚みＤｇの範囲が重要となる。図４に示すような透明基板２−２の塑性変形を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）において、情報再生用集光スポットが記録マーク９内に有る場合と、記録層３−２の未記録領域内に有る場合の光反射量の変化は“記録マーク９内と未記録領域内での光学的距離の違いによる干渉効果”の要因が最も大きい。また、その光学的距離の違いは主に“透明基板２−２の塑性変形による物理的な記録層３−２の厚みＤｇ（透明基板２−２と記録層３−２の界面から記録層３−２と光反射層４−２の界面までの物理的な距離）の変化”と、“記録マーク９内での記録層３−２の屈折率ｎ３２の変化”が起因している。従って、記録マーク９内と未記録領域内との間で充分な再生信号（光反射量の変化）を得るためには、レーザ光の真空中の波長をλとした時、未記録領域での記録層３−２の厚みＤｇの値がλ／ｎ３２と比較して有る程度の大きさを持っている必要が有る。そうで無いと、記録マーク９内と未記録領域内との間での光学的距離の差（位相差）が現れず、光の干渉効果が薄くなる。実際には最低でも
Ｄｇ≧λ／８ｎ３２                                （１）
望ましくは
Ｄｇ≧λ／４ｎ３２                                （２）
の条件が必要となる。
【００４４】
取りあえず、現在の検討の時点ではλ＝４０５ｎｍ近傍を仮定する。４０５ｎｍにおける有機色素記録材料の屈折率ｎ３２の値は一般的に１．３〜２．０の範囲に有る。従って、記録層３−２の厚みＤｇの値としては（１）式にｎ３２＝２．０を代入する結果、
Ｄｇ≧２５ｎｍ                                    （３）
が必須の条件となる。なお、ここでは透明基板２−２の塑性変形を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）の有機色素記録層を４０５ｎｍの光に対応させた時の条件について検討を行っている。後述するように本実施形態では透明基板２−２の塑性変形を起こさず、吸収係数ｋ３２の変化を記録原理の主要因として説明するが、記録マーク９からＤＰＤ（Differential Phase Detection）法を用いてトラックずれ検出をする必要が有るので、実際には記録マーク９内で屈折率ｎ３２の変化を起こしている。従って、（３）式の条件は透明基板２−２の塑性変形を起こさない本実施形態に於いても満たすべき条件となっている。
【００４５】
別の観点からも記録層３−２の厚みＤｇの範囲を指定できる。図３（ａ）に示した相変化記録膜の場合には透明基板の屈折率をｎ２１とした時、プッシュプル法を用いて最もトラックずれ検出信号が大きく出る時のプリピット領域とランド領域間の段差量はλ／（８ｎ２１）となる。しかし、図３（ｂ）に示した有機色素記録膜の場合には前述したように、記録層３−２と光反射層４−２の界面での形状が鈍り段差量も小さくなるので、透明基板２−２上でのプリピット領域とランド領域間の段差量はλ／（８ｎ２２）より大きくする必要が有る。透明基板２−２の材質として例えば、ポリカーボネートを用いた場合の４０５ｎｍでの屈折率はｎ２２≒１．６２なので、プリピット領域とランド領域間の段差量は３１ｎｍより大きくする必要が有る。スピンコーティング法を用いる場合、プリグルーブ領域内の記録層３−２の厚みＤｇを透明基板２−２上でのプリピット領域とランド領域間の段差量より大きくしないとランド領域１２での記録層３−２の厚みＤｌが無くなる危険性が有る。したがって上記の検討結果から
Ｄｇ≧３１ｎｍ                              （４）
と言う条件も満足する必要が有る。（４）式の条件も透明基板２−２の塑性変形を起こさない本実施形態に於いても満たすべき条件となっている。（３）式、（４）式で下限値の条件を示したが、熱解析に用いた記録層３−２の厚みＤｇとしては（２）式の等号部にｎ３２＝１．８を代入して得た値Ｄｇ≒６０ｎｍを利用した。
【００４６】
そして、透明基板２−２の材料として標準的に用いられているポリカーボネートを仮定し、透明基板２−２側の熱変形温度の見積もり値としてポリカーボネートのカラス転移温度である１５０℃を設定した。熱解析を用いた検討には４０５ｎｍにおける有機色素記録膜３−２の吸収係数の値としてｋ３２＝０．１〜０．２の値を想定した。さらに、集光用対物レンズのＮＡ値及び対物レンズ通過時の入射光強度分布を従来のＤＶＤ−Ｒフォーマットでの前提条件であるＮＡ＝０．６０及びＨフォーマット（ＮＡ＝０．６５）の場合を検討した。
【００４７】
（２）チャネルビット長の下限値条件
記録パワーを変化させた時の記録層３−２に接する透明基板２−２側の熱変形温度に達する領域のトラックに沿った方向での長さ変化を調べ、再生時のウィンドマージンも考慮した許容チャネルビット長さの下限値を検討した。その結果、チャネルビット長を１０５ｎｍより小さくするとわずかな記録パワーの変化に応じて透明基板２−２側の熱変形温度に達する領域のトラックに沿った方向での長さ変化が発生して充分なウィンドマージンが取れないと考えられる。熱解析の検討上ではＮＡの値として０．６０、０．６５、０．８５いずれの場合も類似した傾向を示している。ＮＡ値を変える事で集光スポットサイズは変化するが、熱の広がり範囲が広い（記録層３−２に接する透明基板２−２側の温度分布の勾配が比較的なだらか）のが原因と考えられる。上記熱解析では記録層３−２に接する透明基板２−２側の温度分布を検討しているため、記録層３−２の厚みＤｇの影響は現れない。
【００４８】
更に、図４に示す透明基板２−２の形状変化が生じた場合には基板変形領域の境界位置がぼやけている（曖昧）ため、より一層ウィンドマージンを低下させている。記録マーク９が形成されている領域の断面形状を電子顕微鏡で観察すると、基板変形領域の境界位置のぼけ量は記録層３−２の厚みＤｇの値が大きくなるほど広がると考えれる。上記記録パワー変化による熱変形領域長さの影響にこの基板変形領域の境界位置のぼけを考慮すると、充分なウィンドマージンが確保できるための許容されるチャネルビット長の下限値は記録層３−２の厚みＤｇの２倍程度が必要と考えられ、１２０ｎｍより大きい事が望ましい。
【００４９】
上記では透明基板２−２の熱変形が生じる場合の熱解析による検討に付いて主に説明した。従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）での他の記録原理（記録マーク９の形成メカニズム）として透明基板２−２の塑性変形が非常にわずかで記録層３−２内での有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）が中心の場合も存在するので、その場合についても付加説明する。有機色素記録材料の気化（蒸発）温度は有機色素材料により異なるが、一般的には２２０℃〜３７０℃の範囲内に有り、熱分解温度はそれより低い。上記検討では基板変形時の到達温度としてポリカーボネート樹脂のガラス転移温度１５０℃を前提としていたが、１５０℃と２２０℃との間の温度差は小さく、透明基板２−２が１５０℃に到達する時には記録層３−２内部では２２０℃を越えている。従って、有機色素記録材料による例外は有るが、透明基板２−２の塑性変形が非常にわずかで記録層３−２内での有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）が中心の場合でも上記検討結果とほぼ同じ結果が得られている。
【００５０】
上記チャネルビット長に関する検討結果をまとめると透明基板２−２の塑性変形を伴う従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）ではチャネルビット長を１２０ｎｍより狭くして行くとウィンドマージンの低下が発生し、更に、１０５ｎｍより小さいと安定な再生が難しくなると考えられる。すなわち、チャネルビットが１２０ｎｍ（１０５ｎｍ）より小さくなる時には本実施形態に示す新規記録原理を用いる事の効果が発揮される。
【００５１】
（３）トラックピッチの下限値条件
記録パワーで記録層３−２を露光すると、記録層３−２内でエネルギーを吸収して高温になる。従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）では透明基板２−２側が熱変形温度に達するまで記録層３−２内でエネルギーを吸収させる必要が有る。記録層３−２内で有機色素記録材料の構造変化が起こり屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２の値が変化を開始する温度は透明基板２−２が熱変形を開始するための到達温度より遙かに低い。従って、透明基板２−２側が熱変形している記録マーク９の周辺の記録層３−２内の比較的広い領域で屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２の値が変化し、これが隣接トラックへの“クロスライト”や“クロスイレーズ”の原因と思われる。透明基板２−２側が熱変形温度を超えた時の記録層３−２内での屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２を変化させる温度に到達する領域の広さで“クロスライト”や“クロスイレーズ”を起こさないトラックピッチの下限値を設定できる。上記の視点からトラックピッチが５００ｎｍ以下の所で“クロスライト”や“クロスイレーズ”が生じる考えられる。更に、情報記憶媒体の反りや傾きの影響や記録パワーの変化（記録パワーマージン）も考慮すると、透明基板２−２側が熱変形温度に達するまで記録層３−２内でエネルギーを吸収させる従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）ではトラックピッチを６００ｎｍ以下にするのは難しいと結論できる。上述したようにＮＡ値を０．６０、０．６５、０．８５と変化させても、中心部で透明基板２−２側が熱変形温度に達した時の周囲の記録層３−２内での温度分布の勾配が比較的なだらかで熱の広がり範囲が広いためほぼ同様の傾向を示している。従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）での他の記録原理（記録マーク９の形成メカニズム）として透明基板２−２の塑性変形が非常にわずかで記録層３−２内での有機色素記録材料の熱分解や気化（蒸発）が中心の場合でも、既に“(2)チャネルビット長の下限値条件”の所で説明したように“クロスライト”や“クロスイレーズ”が始まるトラックピッチの値はほぼ類似した結果が得られる。以上の理由からトラックピッチを６００ｎｍ（５００ｎｍ）以下にする時に本実施形態に示す新規記録原理を用いる事の効果が発揮される。
【００５２】
３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴
上述したように従来の追記形情報記憶媒体（ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ）での記録原理（記録マーク９の形成メカニズム）として透明基板２−２の塑性変形を伴う場合や記録層３−２内で局所的に熱分解や気化（蒸発）が発生する場合には、記録マーク９の形成時に記録層３−２内部や透明基板２−２表面が高温に達するためにチャネルビット長やトラックピッチを狭くできないと言う問題が発生する。上記問題の解決策として本実施形態では基板変形や記録層３−２内での気化（蒸発）を起こす事無く
『比較的低温で発生する記録層３−２内での局所的な光学特性変化を記録原理とする』
“有機色素材料の発明”と上記記録原理が生じ易い“環境（記録膜構造や形状）の設定”を行った所に大きな特徴が有る。本実施形態の具体的な特徴として以下の内容を上げることができる。
【００５３】
α〕記録層３−２内部の光学特性変化方法として
・発色特性変化
…  発色領域８（化１）の質的変化による光吸収断面積の変化やモル分子吸光係数の変化
発色領域８が部分的に破壊されたり、発色領域８のサイズが変わる事により実質的な光吸収断面積が変化する事で光吸収スペクトル（図２）プロファイル（特性）自体は保存されたままλｍａｘ ｗｒｉｔｅ位置での振幅（吸光度）が記録マーク９内で変化する
・発色現象に寄与する電子に対する電子構造（電子軌道）の変化
…  局所的な電子軌道の切断（局所的な分子結合の解離）による脱色作用や発色領域８（化１）の寸法や構造の変化に基付く光吸収スペクトル（図２）変化
・分子内（または分子間）の配向や配列の変化
…  例えば、化１に示したアゾ金属錯体内部の配向変化に基付く光学特性変化
・分子内部での分子構造変化
…  例えば、アニオン部とカチオン部との間の結合解離や、アニオン部またはカチオン部のどちらか一方の熱分解、あるいは分子構造自体が破壊され、炭素原子が析出するタール化（黒色のコールタールに変質する）のいずれかを起こす有機色素材料を考案する。その結果、記録マーク９内の屈折率ｎ３２や吸収係数ｋ３２を未記録領域に対して変化させて光学的再生を可能にする。
【００５４】
β〕上記〔α〕の光学特性変化を安定に起こし易い記録膜構造や形状の設定を行う
…  この技術に関する具体的内容については“３−２−Ｃ〕本実施形態に示した記録原理を発生させ易い理想的な記録膜構造”以降で詳細に説明する。
【００５５】
γ〕記録層内や透明基板表面が比較的低温の状態で記録マークを形成させるために記録パワーを下げる
…  上記〔α〕で示す光学特性変化は透明基板２−２の変形温度や記録層３−２内での気化（蒸発）温度より低い温度で生じる。そのため、記録時の露光量（記録パワー）を低くして透明基板２−２表面で変形温度を越えたり記録層３−２内で気化（蒸発）温度を越えるのを防止する。この内容については“３−３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性”で詳細に後述する。また、逆に記録時の最適パワーの値を調べる事で上記〔α〕で示す光学特性変化が起きているかの判定も可能となる。
【００５６】
δ〕発色領域での電子構造を安定化させ、紫外線や再生光照射に対する構造分解が生じ辛くする
…  記録層３−２に対して紫外線を照射したり、再生時に再生光を記録層３−２に照射すると記録層３−２内の温度上昇が起きる。その温度上昇に対する特性劣化を防止すると共に、基板変形温度や記録層３−２内での気化（蒸発）温度より低い温度で記録すると言う温度特性上は一見矛盾する性能が要求される。本実施形態では“発色領域での電子構造を安定化”させる事で上記の一見矛盾する性能を確保する。この具体的技術内容については“第４章  本実施形態における有機色素記録膜の具体的実施形態説明”の所で説明を行う。
【００５７】
ε〕紫外線や再生光照射による再生信号劣化が万一発生した場合に備えて再生情報の信頼性を向上させる
…  本実施形態では“発色領域での電子構造を安定化”させるための技術的工夫を行っているが、透明基板２−２表面の塑性変形や気化（蒸発）により生じた記録層３−２内の局所的な空洞から比べると本実施形態に示した記録原理で形成される記録マーク９の信頼性は原理的に低下すると言わざるを得ない。その対策として本実施形態では“第７章  Ｈフォーマットの説明”と“第８章  Ｂフォーマットの説明”で後述するように強力なエラー訂正能力（新規なＥＣＣブロック構造）との組み合わせにより高密度化と記録情報の信頼性確保を同時に達成する効果を発揮する。更に、本実施形態では“４−２）本実施形態での再生回路の説明”で説明するように再生方法としてＰＲＭＬ（Pertial Response Maximum Likelyhood）法を採用し、ＭＬ復調時のエラー訂正技術と組み合わせる事でより一層の高密度化と記録情報の信頼性確保を同時に達成している。
【００５８】
上記の本実施形態の具体的な特徴の中で〔α〕〜〔γ〕は“狭トラックピッチ化”と“狭チャネルビット長化”を実現するために本実施形態で新規に考案した技術的工夫内容になっている事は既に説明した。また、“狭チャネルビット長化”は“最小記録マーク長の縮小化”の実現にも繋がる。残りの〔δ〕と〔ε〕に関する本実施形態の意味（目的）について詳細に説明する。本実施形態におけるＨフォーマットでの再生時に記録層３−２を通過する集光スポットの通過速度（線速）を６．６１ｍ／ｓに設定し、Ｂフォーマットでの線速は５．０〜１０．２ｍ／ｓの範囲で設定する。いずれの場合でも、本実施形態における再生時の線速は５ｍ／ｓ以上になっている。図１２に示すように、Ｈフォーマットでのデータリードイン領域ＤＴＬＤＩの開始位置は直径４７．６ｍｍであり、Ｂフォーマットを視野に入れた場合でも直径４５ｍｍ以上の所でユーザーデータが記録される。直径４５ｍｍの円周は０．１４１ｍなので、この位置を線速５ｍ／ｓで再生する時の情報記憶媒体の回転数は３５．４回転／ｓとなる。本実施形態の追記形情報記憶媒体の利用方法の一つとしてＴＶ番組などの映像情報録画が有る。例えば、ユーザーが録画した映像の再生時にユーザーが“ポーズ（一時停止）ボタン”を押すと、再生用集光スポットはその一時停止位置のトラック上に留まる。一時停止位置のトラック上に止まっていればユーザーが“再生開始ボタン”を押した直後に一時停止した位置から再生を開始できる。例えば、ユーザーが“ポーズ（一時停止）ボタン”を押して用足しに立ち上がった直後に来客が来た場合、接客対応で１時間ポーズボタンを押したままで放置される事もある。１時間の間で追記形情報記憶媒体は
３５．４×６０×６０≒１３万回転
しており、集光スポットはその間中ずっと同一トラック上をトレース（１３万回繰り返し再生）する。もしその間に記録層３−２が繰り返し再生劣化して映像情報の再生が不可能になると、１時間後で戻って来たユーザーは一部分の映像が見れ無いので怒り心頭に発し、最悪の場合には裁判沙汰になる危険性が有る。従って、１時間程度放置（同一トラック内の連続再生）しても録画した映像情報が破壊され無い条件として最低でも１０万回繰り返し再生しても再生劣化しない事を保証する必要が有る。一般的なユーザー使用状況として同一場所に対して１時間のポーズ放置（繰り返し再生）を１０回繰り返す事はほとんど無い。従って、本実施の追記形情報記憶媒体として望ましくは１００万回の繰り返し再生が保証されれば、一般的なユーザー利用には問題が生じず、記録層３−２が劣化しない繰り返し再生回数の上限値としては１００万回程度に設定すれば充分と考えられる。繰り返し再生回数の上限値を１００万回を大幅に越えた値に設定すると、“記録感度が低下する”とか“媒体価格が上昇する”などの不都合が発生する。
【００５９】
上記繰り返し再生回数の上限値を保証する場合に、再生パワー値が重要な要因となる。本実施形態において記録パワーは後述する（８）式〜（１３）式で設定する範囲に規定される。半導体レーザの特性として最大使用パワーの８０分の１以下の値では連続発光が安定しないと言われている。最大使用パワーの１／８０のパワーではやっと発光を開始する（モードが立ち始める）所のため、モードホップし易い状況にある。従って、この発光パワーでは情報記憶媒体の光反射層４−２で反射した光が半導体レーザ光源に戻ると発光量が常に変動すると言う“戻り光ノイズ”が発生するためである。従って、本実施形態では再生パワーの値は（１２）式または（１３）式の右辺に記載されている値の１／８０の値を基準として
［最適な再生パワー］
＞０．１９×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）            （Ｂ−１）
［最適な再生パワー］
＞０．１９×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２        （Ｂ−２）
に設定している。
【００６０】
また、最適な再生パワーの値としてはパワーモニター用光検出器のダイナミックレンジにより制約される。図７の情報記録再生部１４１内に図示してないが記録／再生用の光学ヘッドが存在する。この光学ヘッド内には半導体レーザ光源の発光量をモニターする光検出器が内蔵されている。本実施形態では再生時の再生パワーの発光精度を向上させるため、この光検出器で発光量を検出し発光時の半導体レーザ光源に供給する電流量にフィードバックを掛けている。光学ヘッドの価格を下げるためには非常に安価な光検出器を使う必要が有る。市販されている安価な光検出器は樹脂でモールドされている（光検出部が囲まれている）場合が多い。
【００６１】
“第０章  使用波長と本実施形態との関係説明”で示したように本実施形態での光源波長は５３０ｎｍ以下（特に４５５ｎｍ以下）を使用する。この波長領域の場合、光検出部をモールドしている樹脂（主にエポキシ系）は前記波長光を照射すると紫外線を照射した時に生じるような劣化（黄濁色に変色またはクラック（細かな白い筋）の発生など）が起こり光検出特性を悪化させてしまう。特に、本実施形態に示す追記形情報記憶媒体の場合には、図６に示すようなプリグルーブ領域１１を持つのでモールド樹脂劣化を起こし易い。光学ヘッドの焦点ぼけ検出方式としてこのプリグルーブ領域１１からの回折光による悪影響を除去するため情報記憶媒体に対する結像位置（結像倍率Ｍは３〜１０倍程度）に光検出器を配置する“ナイフエッジ法”を採用する場合が最も多い。結像位置に光検出器を配置すると、光検出器上に光が集光するためモールド樹脂上に照射される光密度が高くなり、この光照射による樹脂劣化を起こし易くする。このモールド樹脂の特性劣化は主にフォトンモード（光学的作用）により生じるが、サーマルモード（熱励起）の光照射量との対比で許容照射量の上限値を予想できる。最悪の状態を想定して光学ヘッドとして結像位置に光検出器を配置する光学系を想定する。
【００６２】
“３−２−Ａ〕本実施形態の技術の適用を必要とする範囲”内の“（１）記録層３−２の厚みＤｇの条件”に記載した内容から本実施形態における記録時に記録層３−２内で光学特性変化（サーマルモード）が発生している時には記録層３−２内では一時的に８０℃〜１５０℃の範囲に温度上昇していると考えている。室温を１５℃前後と考えると、温度差ΔＴｗｒｉｔｅは６５℃〜１３５℃となる。記録時にはパルス発光しているが再生時には連続発光しているので、再生時にも記録層３−２内で温度上昇し、温度差ΔＴｒｅａｄが発生している。光学ヘッド内の検出系の結像倍率をＭとすると、光検出器上に集光する検出光の光密度は記録層３−２上に照射される収束光の光密度の１／Ｍ２になるので、再生時の光検出器上での温度上昇量は粗い見積もりとしてΔＴｒｅａｄ／Ｍ２となる。モールド樹脂劣化がフォトンモードで発生する事を考えると、光検出器上で照射可能な光密度の上限値を温度上昇量で換算すると、ΔＴｒｅａｄ／Ｍ２≦１℃程度と考えられる。光学ヘッド内の検出系の結像倍率をＭは一般的に３〜１０倍程度なので暫定的にＭ２≒１０と見積もると、
ΔＴｒｅａｄ／ΔＴｗｒｉｔｅ≦２０        （Ｂ−３）
になるように再生パワーを設定する必要が有る。記録時の記録パルスのデューティ比を仮に５０％と見積もると
［最適な再生パワー］≦［最適な記録パワー］／１０    （Ｂ−４）
が要求される。従って、後述する（８）式〜（１３）式と上記（Ｂ−４）式を加味すると最適な再生パワーは
［最適な再生パワー］
＜３×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）              （Ｂ−５）
［最適な再生パワー］
＜３×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２          （Ｂ−６）
［最適な再生パワー］
＜２×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）              （Ｂ−７）
［最適な再生パワー］
＜２×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２          （Ｂ−８）
［最適な再生パワー］
＜１．５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）          （Ｂ−９）
［最適な再生パワー］
＜１．５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２      （Ｂ−１０）
（各パラメーターの定義は“３−２−Ｅ〕本実施形態における記録層の厚み分布に関する基本的特徴”を参照。）
で与えられる。例えば、ＮＡ＝０．６５、Ｖ＝６．６ｍ／ｓの時には
［最適な再生パワー］＜３ｍＷ、
［最適な再生パワー］＜２ｍＷ、
または
［最適な再生パワー］＜１．５ｍＷ
となる。実際には情報記憶媒体は回転して相対的に移動しているのに比べて光検出器は固定されているので、更に、それを考慮に入れて最適な再生パワーを上記式の１／３程度以下にする必要が有る。本実施形態における情報記録再生装置では、再生パワーの値として０．４ｍＷ以上に設定している。
【００６３】
３−２−Ｃ〕本実施形態に示した記録原理を発生させ易い理想的な記録膜構造
本実施形態において上記記録原理が生じ易い“環境（記録膜構造や形状）の設定”方法に付いて説明する。
【００６４】
上記説明した記録層３−２内部の光学特性変化を起こし易い環境として
『記録マーク９形成領域内では光学特性変化が発生する臨界温度を超えると共に記録マーク９の中心部では気化（蒸発）温度を越えず、記録マーク９の中心部近傍の透明基板２−２表面が熱変形温度を超えない』
ように記録膜構造や形状に技術的工夫を行っている所に本実施形態の次の特徴が有る。
【００６５】
上記に関する具体的な内容について図５を用いて説明する。図５において中抜きの矢印は照射レーザ光７の光路を示し、破線の矢印は熱流を表している。図５（ａ）に示した記録膜構造が本実施形態に対応した記録層３−２内部の光学特性変化を最も起こし易い環境を示している。すなわち、図５（ａ）において有機色素記録材料からなる記録層３−２は（２）式、または（４）式に示す範囲の（充分に厚い）至る所均一な厚みを持ち、記録層３−２に対して垂直な方向からレーザ光７の照射を受ける。“６−１）光反射層（材質と厚み）”で詳しく後述するように、本実施形態では光反射層４−２の材質として銀合金を使用する。銀合金に限らず光反射率の高い金属を含む材質は一般に熱伝導率が高く放熱特性を持つ。従って、照射されたレーザ光７のエネルギーを吸収して記録層３−２の温度は上昇するが、放熱特性を持つ光反射層４−２へ向けて熱が放出される。図５（ａ）に示した記録膜は至る所均一な形状をしているため、記録層３−２内部では比較的均一な温度上昇が起き、中心部α点、及びβ点とγ点での温度差は比較的少ない。従って、記録マーク９の形成時にはβ点とγ点で光学特性変化が発生する臨界温度を超える時には中心部α点では気化（蒸発）温度を越える事無く、中心部α点に最も近い位置にある透明基板（図示して無い）表面が熱変形温度を超える事も無い。
【００６６】
それに比べて、図５（ｂ）に示すように記録膜３−２の一部に段差が有ると、δ点とε点では記録層３−２が配列されている方向に対して斜め方向からレーザ光７の照射を受けるため、単位面積当たりのレーザ光７の照射量が中心部α点に比べて相対的に低下し、その結果、δ点とε点での記録層３−２内の温度上昇量が低下する。δ点とε点でも光反射層４−２へ向かう熱放出が有るので、中心部α点に比べてδ点とε点での到達温度は大幅に低下する。そのため、β点からδ点へ向けて熱が流れると共にγ点からε点へ向けて熱が流れるので、中心部α点に対するβ点とγ点での温度差が非常に大きくなる。記録時にβ点とγ点での温度上昇量が低く、β点とγ点でなかなか光学特性変化が発生する臨界温度を超え無い。その対策としてβ点とγ点で光学特性変化を起こすため（臨界温度以上にするため）、レーザ光７の露光量（記録パワー）を上げる必要が有る。図５（ｂ）に示す記録膜構造ではβ点とγ点に対する中心部α点での温度差が非常に大きいため、β点とγ点で光学特性変化が起こる温度に上昇した時には中心部α点で気化（蒸発）温度を越えるか、中心部α点近傍の透明基板（図示して無い）表面が熱変形温度を越え易くなっている。
【００６７】
また、レーザ光７の照射を受ける側の記録層３−２の表面が至る所レーザ光７の照射方向に対して垂直になっていても、記録層３−２の厚みが場所により変化する場合には本実施形態の記録層３−２内部の光学特性変化を起こし辛い構造となる。例えば、図５（ｃ）に示すように中心部α点での記録層３−２の厚みＤｇに対して周辺部の厚みＤｌが大幅に薄い（例えば、（２）式や（４）式を満足しない）場合を考える。中心部α点でも光反射層４−２へ向けた熱の放出は有るが、記録層３−２の厚みＤｇが充分に厚いために熱の蓄積が行え高温に達する事が出来る。それに比べて記録層３−２の厚みがＤｌ大幅に薄いζ点とη点では充分な熱の蓄積を行う事無く光反射層４−２へ向けて熱が放出されるため、温度上昇量が少ない。その結果、光反射層４−２へ向けた熱の放出のみで無くβ点→δ点→ζ点へ向かう熱の放出、あるいはγ点→ε点→η点へ向かう熱の放出が起きるため、図５（ｂ）と同様にβ点とγ点に対する中心部α点での温度差が非常に大きくなる。β点とγ点で光学特性変化を起こすため（臨界温度以上にするため）にレーザ光７の露光量（記録パワー）を上げると、中心部α点で気化（蒸発）温度を越えるか、中心部α点近傍の透明基板（図示して無い）表面が熱変形温度を越え易くなる。
【００６８】
上記説明した内容に基づき本実施形態の記録原理が生じ易い“環境（記録膜構造や形状）の設定”を行うためのプリグルーブ形状／寸法に関する本実施形態における技術的工夫内容と記録層の厚み分布に関する本実施形態における技術的工夫内容に付いて図６を用いて説明する。図６（ａ）はＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒなどの従来の追記形情報記憶媒体における記録膜構造を示し、図６（ｂ）、（ｃ）に本実施形態における記録膜構造を示す。本説明において図６に示すようにプリグルーブ領域１１内に記録マーク９を形成する。
【００６９】
３−２−Ｄ〕本実施形態におけるプリグルーブ形状／寸法に関する基本的特徴
図６（ａ）に示すようにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒなどの従来の追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域１１が“Ｖ溝”形状をしている場合が多かった。この構造の場合には、図５（ｂ）で説明したようにレーザ光７のエネルギー吸収効率が低く、記録層３−２内の温度分布ムラが非常に大きく出る。図５（ａ）の理想状態に近付けるため、少なくとも“透明基板２−２側にプリグルーブ領域１１内に入射レーザ光７の進行方向に直行する平面領域を設ける”所に本実施形態の特徴が有る。図５（ａ）を用いて説明したように、この平面領域はなるべく広くする事が望ましい。従って、プリグルーブ領域１１内に平面領域を設けるだけでなく、プリグルーブ領域の幅Ｗｇをランド領域の幅Ｗｌよりも広くする（Ｗｇ＞Ｗｌ）所に本実施形態の次の特徴が有る。本説明上ではプリグルーブ領域の幅Ｗｇとランド領域の幅Ｗｌをプリグルーブ領域の平面位置での高さとランド領域の最も高くなった位置での高さとの中間高さを持つ平面とプリグルーブ内の斜面とが交差する位置でのそれぞれの幅として定義する。
【００７０】
熱解析による検討と実際に試作した追記形情報記憶媒体にデータを記録し、記録マーク９位置での断面ＳＥＭ（走査形電子顕微鏡）像による基板変形観察や記録層３−２内の気化（蒸発）により生じた空洞の有無観察を繰り返した結果、プリグルーブ領域の幅Ｗｇをランド領域の幅Ｗｌよりも広くする（Ｗｇ＞Ｗｌ）事で効果が有る事が分かった。更に、プリグルーブ領域幅Ｗｇとランド領域幅Ｗｌの比率をＷｇ：Ｗｌ＝６：４、望ましくはＷｇ：Ｗｌ＝７：３より大きくする事で、記録時により一層安定して記録層３−２内での局所的な光学特性変化が起き易くなると考えられる。このようにプリグルーブ領域幅Ｗｇとランド領域幅Ｗｌの違いを大きくすると、図６（ｃ）のようにランド領域１２上に平坦面が無くなる。従来のＤＶＤ−Ｒディスクではランド領域１２にプリピット（ランドプリピット：図示して無い）を形成し、ここにアドレス情報などを予め記録するフォーマットになっていた。そのためランド領域１２に平坦領域を形成する事が必須条件となり、結果的にプリグルーブ領域１１で“Ｖ溝”形状になる場合が多かった。また、従来のＣＤ−Ｒディスクでは周波数変調によりプリグルーブ領域１１にウォブル信号を入れていた。従来のＣＤ−Ｒディスクでの周波数変調方式では、スロット間隔（詳細については各フォーマット説明の所で後述する）が一定せずウォブル信号検波時の位相合わせ（ＰＬＬ：PhaseLockLoopの同期化）が比較的難しかった。そのため、再生用集光スポットの強度が最も高い中心付近にプリグルーブ領域１１の壁面を集中させる（Ｖ溝に近くさせる）と共にウォブル振幅量を大きくしてウォブル信号検出精度を保証していた。図６（ｂ）、（ｃ）に示すように本実施形態でのプリグルーブ領域１１内の平坦領域を広げ、プリグルーブ領域１１の斜面を再生用集光スポットの中心位置より相対的に外側へ移動させるとウォブル検出信号が得辛くなる。
【００７１】
本実施形態では上述したプリグルーブ領域の幅Ｗｇを広げると共にウォブル検出時のスロット間隔が常に固定に保たれる位相変調（ＰＳＫ：Phase Shift Keying）を利用したＨフォーマットまたはＦＳＫ（Frequency Shift Keying）やＳＴＷ（Saw Tooth Wobble）を利用したＢフォーマットを組み合わせる事で、低い記録パワーで安定な記録特性を保証（高速記録や多層化に適する）と共に安定なウォブル信号検出特性を保証している所にも大きな特徴が有る。特に、Ｈフォーマットでは上記組み合わせに加えて“ウォブル変調領域の比率を無変調領域よりも下げる”事でウォブル信号検出時の同期合わせをより一層容易にして更に、より一層ウォブル信号検出特性を安定化させている。
【００７２】
３−２−Ｅ〕本実施形態における記録層の厚み分布に関する基本的特徴
本説明では図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにランド領域１２内での最も記録層３−２が厚い部分での厚みをランド領域での記録層厚みＤｌと定義し、プリグルーブ領域１１内での最も記録層３−２が厚い部分での厚みをプリグルーブ領域での記録層厚みＤｇと定義する。既に図５（ｃ）を用いて説明したように、相対的にランド領域での記録層厚みＤｌを厚くする事で記録時に記録層３−２内で局所的な光学特性変化を安定に起こし易くなる。
【００７３】
上記と同様に熱解析による検討と実際に試作した追記形情報記憶媒体にデータを記録し、記録マーク９位置での断面ＳＥＭ（走査形電子顕微鏡）像による基板変形観察や記録層３−２内の気化（蒸発）により生じた空洞の有無観察を繰り返した結果、プリグルーブ領域での記録層厚みＤｇとランド領域での記録層厚みＤｌとの比率は最大でもＤｇ：Ｄｌ＝４：１以下にする必要が有る。更に、Ｄｇ：Ｄｌ＝３：１以下、望ましくはＤｇ：Ｄｌ＝２：１以下にすると本実施形態における記録原理の安定性が保証できる。
【００７４】
３−３）本実施形態における有機色素記録膜に共通する記録特性…最適記録パワーの上限値
“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”の一つとして〔γ〕で記載したように記録パワー制御が本実施形態における大きな特徴になっている。
【００７５】
記録層３−２内での局所的な光学特性変化による記録マーク９形成は従来の透明基板２−２の塑性変形温度や記録層３−２内での熱分解温度や気化（蒸発）温度よりも遙かに低い温度で起きるため、記録時に透明基板２−２が局所的に塑性変形温度を越えたり記録層３−２内で局所的に熱分解温度や気化（蒸発）温度を越えないように記録パワーの上限値を制限する。
【００７６】
熱解析による検討と平行して“４−１）本実施形態での再生装置もしくは記録再生装置の構造と特徴説明”で後述する装置を用い、“４−３）本実施形態での記録条件の説明”で後述する記録条件を用いて本実施形態に示した記録原理で記録が行われている場合の最適パワーの値の実証も行った。実証実験に用いた記録再生装置内の対物レンズＮＡ（Numerical Apperture）値は０．６５、記録時の線速は６．６１ｍ／ｓであった。後で“４−３）本実施形態での記録条件の説明”で定義する記録パワー（Peak Power）の値として
◎３０ｍＷでほとんどの有機色素記録材料で気化（蒸発）し、記録マーク内に空洞が生じる
…  記録層３−２近傍位置での透明基板２−２温度はガラス転移温度を大幅に超えている
◎２０ｍＷで記録層３−２近傍位置での透明基板２−２温度が塑性変形温度（ガラス転移温度）に達する
◎情報記憶媒体の面ブレ・反りや記録パワー変動などのマージンを見越して１５ｍＷ以下が望ましい
と言う事が分かった。
【００７７】
上記で説明した“記録パワー”とは記録層３−２に照射される露光量の総和を意味している。集光スポット中心部で有り最も光強度密度の高い部分での光エネルギー密度が本実施形態での検討対象パラメータとなる。集光スポットサイズはＮＡ値に反比例するので、集光スポット中心部での光エネルギー密度はＮＡ値の２乗に比例して増加する。従って、
［異なるＮＡにも適応可能な記録パワー］
＝［ＮＡ＝０．６５時の記録パワー］×０．６５２／ＮＡ２      （５）
の関係式を用いて後述するＢフォーマットでの最適な記録パワーの値に換算できる。
【００７８】
更に、最適な記録パワーは記録時の線速Ｖに依存して変化する。一般的に最適な記録パワーは相変化形記録材料では線速Ｖの１／２乗に比例して変化し、有機色素記録材料では線速Ｖに比例して変化すると言われている。従って、線速Ｖも考慮に入れた最適な記録パワーの換算式は（５）式を拡張させた
［一般的な記録パワー］
＝［ＮＡ＝０．６５；６．６ｍ／ｓ時の記録パワー］
×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）                （６）
または
［一般的な記録パワー］
＝［ＮＡ＝０．６５；６．６ｍ／ｓ時の記録パワー］
×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２            （７）
で得られる。以上の検討結果をまとめると本実施形態に示した記録原理を保証するための記録パワーとして
［最適な記録パワー］
＜３０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）      （８）
［最適な記録パワー］
＜３０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２      （９）
［最適な記録パワー］
＜２０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）      （１０）
［最適な記録パワー］
＜２０×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２      （１１）
［最適な記録パワー］
＜１５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）      （１２）
［最適な記録パワー］
＜１５×（０．６５／ＮＡ）２×（Ｖ／６．６）１／２      （１３）
と言う上限値を設定する事が望ましい。上記各式の内、（８）式または（９）式の条件は必須条件となり、（１０）式または（１１）式が目標条件、（１２）式または（１３）式が望ましい条件となる。
【００７９】
３−４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明
記録マーク９内の光反射量が未記録領域での光反射量よりも低くなる特性を有した記録膜を“Ｈ→Ｌ”記録膜と呼び、逆に高くなる記録膜を“Ｌ→Ｈ”記録膜と呼ぶ。この中で“Ｈ→Ｌ”記録膜は
（１）光吸収スペクトルのλｍａｘ ｗｒｉｔｅ位置での吸光度に対する再生波長での吸光度の比に上限値を設ける
（２）光吸収スペクトルプロファイルを変化させて記録マークを形成させる
所に本実施形態の大きな特徴が有る。
【００８０】
本実施形態におけるＨフォーマットでは変調方式としてＥＴＭ（Eight to Twelve：８ビットのデータコードを１２チャネルビットに変換する）、ＲＬＬ（１，１０）（変調後のコード列の中でチャネルビット長Ｔに対する最小反転長が２Ｔ、最大反転長が１１Ｔ）を採用している。“４−２）本実施形態での再生回路の説明”で後述する再生回路の性能評価を行った所、前記再生回路で安定に再生するには〔充分に長い長さ（１１Ｔ）の未記録領域からの再生信号量Ｉ１１Ｈ〕に対する〔前記Ｉ１１Ｈと充分に長い長さ（１１Ｔ）を持つ記録マークからの再生信号量Ｉ１１Ｌとの差分値Ｉ１１≡Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌ〕の比率が最低でも
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ≧０．４      （２０）
望ましくは
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ＞０．２      （２１）
を満足する必要が有る事が分かった。本実施形態では高密度に記録された信号再生時にＰＲＭＬ法を利用する。ＰＲＭＬ法で精度良く検出するためには再生信号の線形性（リニアリティー）が要求される。
【００８１】
具体的な“Ｈ→Ｌ”記録膜に適した有機色素材料の選定方法として本実施形態では光学的な膜設計を元に未記録状態での屈折率範囲がｎ３２＝１．３〜２．０、吸収係数範囲がｋ３２＝０．１〜０．２、望ましくはｎ３２＝１．７〜１．９、吸収係数範囲がｋ３２＝０．１５〜０．１７の有機色素材料を選定し、上記説明した一連の条件を満足させている。
【００８２】
“Ｈ→Ｌ”記録膜では未記録領域での光吸収スペクトルにおいてλｍａｘ ｗｒｉｔｅの波長が再生光または記録／再生光の波長（例えば、４０５ｎｍ）よりも短くなっているが、本発明においてそれに限らず例えば、λｍａｘ ｗｒｉｔｅの波長が再生光または記録／再生光の波長（例えば、４０５ｎｍ）よりも長くても良い。
【００８３】
上記（２２）式または（２３）式を満足させるためには記録層３−２の厚みＤｇが大きく影響する。例えば、記録層３−２の厚みＤｇが許容値を大幅に越えると、記録マーク９形成後の状態として記録層３−２内での透明基板２−２に接する一部のみの光学特性が変化するだけでその場所に隣接する光反射層４−２に接する部分の光学特性が他の未記録領域と同じ値のままになる。その結果、再生光量変化が低下して（２２）式または（２３）式におけるＩ３の値が小さくなり、（２２）式または（２３）式の条件が満足できなくなる。従って、（２２）式を満足させるためには、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように記録マーク９内の光反射層４−２に接する部分の光学特性まで変化させる必要が有る。さらに、記録層３−２の厚みＤｇが許容値を大幅に越えると記録マーク形成時に記録層３−２内の厚み方向で温度勾配が発生し、記録層３−２内の光反射層４−２に接する部分で光学特性変化温度に達する前に透明基板２−２に接する部分の気化（蒸発）温度を越えるか、透明基板２−２内で熱変形温度を超えてしまう。上記理由から本実施形態では熱解析検討により（２２）式を満足させるために記録層３−２の厚みＤｇを“３Ｔ”以下とし、（２３）式を満足させる条件として記録層３−２の厚みＤｇを“３×３Ｔ”以下にしている。基本的には記録層３−２の厚みＤｇが“３Ｔ”以下の場合には（２２）式を満足させる事が出来るが、追記形情報記憶媒体の面ブレ・反りによるチルトの影響や焦点ぼけに対するマージンを考慮すると“Ｔ”以下にする場合もある。既に説明した（１）式と（２）式の結果も考慮すると、本実施形態における記録層３−２の厚みＤｇの範囲は必要最低な条件としては
９Ｔ≧Ｄｇ≧λ／８ｎ３２      （２７）
望ましい条件としては
３Ｔ≧Ｄｇ≧λ／４ｎ３２      （２８）
で与えられる範囲で記録層３−２の厚みＤｇを設定している。それに限らず、最も厳しい条件としては
Ｔ≧Ｄｇ≧λ／４ｎ３２      （２９）
とする事も可能である。後述するようにチャネルビット長Ｔの値はＨフォーマットでは１０２ｎｍ、Ｂフォーマットでは６９ｎｍ〜８０ｎｍになっているので、３Ｔの値はＨフォーマットでは３０６ｎｍ、Ｂフォーマットでは２０７ｎｍ〜２４０ｎｍ、９Ｔの値はＨフォーマットでは９１８ｎｍ、Ｂフォーマットでは６２１ｎｍ〜７２０ｎｍとなる。ここでは“Ｈ→Ｌ”記録膜に関して説明しているが、（２７）式〜（２９）式の条件はそれに限らず、“Ｌ→Ｈ”記録膜に対しても適用できる。
【００８４】
第４章  再生装置または記録再生装置と記録条件／再生回路の説明
４−１）本実施形態での再生装置もしくは記録再生装置の構造と特徴説明…使用波長範囲、ＮＡ値、リムインテンシティ
情報記録再生装置の実施形態における構造説明図を図７に示す。図７において制御部１４３より上側が主に情報記憶媒体への情報記録制御系を表し、情報再生装置の実施形態では図７における前記情報記録制御系を除いた構造が該当する。図７に於いて太い実線矢印が再生信号または記録信号を意味するメイン情報の流れを示し、細い実線矢印が情報の流れ、一点鎖線矢印が基準クロックライン、細い破線矢印がコマンド指示方向を意味する。
【００８５】
図７に示した情報記録再生部１４１の中に図示してないが光学ヘッドが配置されている。本実施形態では光学ヘッド内に用いられる光源（半導体レーザ）の波長は４０５ｎｍで有るが、それに限らず本実施形態として前述したように使用波長が６２０ｎｍ以下または５３０ｎｍ以下の光源あるいは３５５〜４５５ｎｍの範囲の光源を使用する事が可能である。また、光学ヘッド内で上記波長の光を情報記憶媒体上に集光させるために用いられる対物レンズは２個搭載され、Ｈフォーマットの情報記憶媒体に対して記録／再生する場合はＮＡ値が０．６５の対物レンズを使用し、Ｂフォーマットの情報記憶媒体に記録／再生する場合にはＮＡ＝０．８５の対物レンズを使用するように対物レンズが切り替えられるような構造になっている。対物レンズに入射する直前の入射光の強度分布として、中心強度を“１”とした時の対物レンズ周辺（開口部境界位置）での相対的な強度を“リムインテンシティ（ＲＩＭ  Intensity）”と呼ぶ。Ｈフォーマットにおける前記リムインテンシティの値は５５〜７０％になるように設定してある。この時の光学ヘッド内での波面収差量は使用波長λに対して最大０．３３λ（０．３３λ以下）になるように光学設計されている。
【００８６】
本実施形態では情報再生にＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）を用い、情報記憶媒体の高密度化を図っている。種々の実験の結果、使用するＰＲクラスとしてはＰＲ（１，２，２，２，１）を採用すると線密度が高くできるとともに再生信号の信頼性（例えば、焦点ぼけやトラックずれなどサーボ補正誤差が発生した時の復調信頼性）を高くできるので、本実施形態ではＰＲ（１,２,２,２,１）を採用している。本実施形態では（ｄ，ｋ；ｍ，ｎ）変調規則（前述した記載方法ではｍ／ｎ変調のＲＬＬ（ｄ，ｋ）を意味している）に従って変調後のチャネルビット列を情報記憶媒体に記録している。
【００８７】
具体的には、変調方式としては８ビットデータを１２チャネルビットに変換（ｍ＝８，ｎ＝１２）するＥＴＭ（Eight to Twelve Modulation）を採用し、変調後のチャネルビット列の中で“０”が続く長さに制限を掛けるランレングスリミテッドＲＬＬ制約として“０”が連続する最小値をｄ＝１とし、最大値をｋ＝１０としたＲＬＬ（１，１０）の条件を課している。本実施形態では情報記憶媒体の高密度化を目指して極限近くまでチャネルビット間隔を短くしている。その結果、例えば、ｄ＝１のパターンの繰り返しである“１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０”のパターンを情報記憶媒体に記録し、そのデータを情報記録再生部１４１で再生した場合には再生光学系のＭＴＦ特性の遮断周波数に近付いているため、再生生信号の信号振幅はほとんどノイズに埋もれた形に成る。従って、そのようにＭＴＦ特性の限界（遮断周波数）近くまで密度を詰めた記録マークまたはピットを再生する方法としてＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）の技術を使っている。
【００８８】
すなわち、情報記録再生部１４１から再生された信号はＰＲ等化回路１３０により再生波形補正を受ける。ＡＤ変換器１６９で基準クロック発生回路１６０から送られてくる基準クロック１９８のタイミングに合わせてＰＲ等化回路１３０通過後の信号をサンプリングしてデジタル量に変換し、ビタビ復号器１５６内でビタビ復号処理を受ける。ビタビ復号処理後のデータは従来のスライスレベルで２値化されたデータと全く同様なデータとして処理される。ＰＲＭＬの技術を採用した場合、ＡＤ変換器１６９でのサンプリングタイミングがずれると、ビタビ復号後のデータのエラー率は増加する。従って、サンプリングタイミングの精度を上げるため、本実施の形態の情報再生装置ないしは情報記録再生装置では特にサンプリングタイミング抽出用回路（シュミットトリガー２値回路１５５とＰＬＬ回路１７４の組み合わせ）を別に持っている。このシュミットトリガー回路は２値化するためのスライス基準レベルに特定の幅（実際にはダイオードの順方向電圧値）を持たせ、その特定幅を越えた時のみ２値化される特性を持っている。従って、例えば、上述したように“１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０”のパターンが入力された場合には、信号振幅が非常に小さいので２値化の切り替わりが起こらず、それよりも疎のパターンである例えば、“１００１００１００１００１００１００１００１”などが入力された場合に再生生信号の振幅が大きくなるので、シュミットトリガー２値化回路１５５で“１”のタイミングに合わせて２値化信号の極性切り替えが起きる。本実施の形態ではＮＲＺＩ（Non Return to Zero Invert）法を採用しており、上記パターンの“１”の位置と記録マークまたはピットのエッジ部（境界部）が一致している。
【００８９】
ＰＬＬ回路１７４ではこのシュミットトリガー２値化回路１５５の出力である２値化信号と基準クロック発生回路１６０から送られる基準クロック１９８信号との間の周波数と位相のずれを検出してＰＬＬ回路１７４の出力クロックの周波数と位相を変化させている。基準クロック発生回路１６０ではこのＰＬＬ回路１７４の出力信号とビタビ復号器１５６の復号特性情報（具体的には図示してないが、ビタビ復号器１５６内のパスメトリックメモリ内の収束長（収束までの距離）の情報）を用いてビタビ復号後のエラーレートが低くなるように基準クロック１９８（の周波数と位相）にフィードバックを掛ける。この基準クロック発生回路１６０で発生される基準クロック１９８は再生信号処理時の基準タイミングとして利用される。
【００９０】
同期コード位置抽出部１４５はビタビ復号器１５６の出力データ列の中に混在している同期コード（シンクコード）の存在位置を検出し、上記出力データの開始位置の抽出役目を担っている。この開始位置を基準としてシフトレジスタ回路１７０に一時保存されたデータに対して復調回路１５２で復調処理を行う。本実施形態では１２チャネルビット毎に復調用変換テーブル記録部１５４内に記録された変換テーブルを参照して元のビット列に戻す。その後はＥＣＣデコーディング回路１６２によりエラー訂正処理が施され、デスクランブル回路１５９によりデスクランブルされる。本実施形態の記録形（書替え形または追記形）情報記憶媒体ではウォブル変調によりアドレス情報が事前に記録されている。ウォブル信号検出部１３５で、このアドレス情報を再生し（すなわち、ウォブル信号の内容を判別し）希望場所へのアクセスに必要な情報を制御部１４３に対して供給する。
【００９１】
制御部１４３より上側に有る情報記録制御系について説明する。情報記憶媒体上の記録位置に合わせてデータＩＤ発生部１６５からデータＩＤ情報が生成され、ＣＰＲ＿ＭＡＩデータ発生部１６７でコピー制御情報が発生されるとデータＩＤ、ＩＥＤ、ＣＰＲ＿ＭＡＩ、ＥＤＣ付加部１６８により記録すべき情報にデータＩＤ、ＩＥＤ、ＣＰＲ＿ＭＡＩ、ＥＤＣの各種情報が付加される。その後、デスクランブル回路１５７でデスクランブルされた後、ＥＣＣエンコーディング回路１６１でＥＣＣブロックが構成され、変調回路１５１でチャネルビット列に変換された後、同期コード生成・付加部１４６で同期コードが付加されて情報記録再生部１４１内で情報記憶媒体にデータが記録される。変調時にはＤＳＶ（Digital Sum Value）値計算部１４８で変調後のＤＳＶ値が逐次計算され、変調時のコード変換にフィードバックされる。
【００９２】
図７に示した同期コード位置検出部１４５を含む周辺部の詳細構造を図８に示す。同期コードは固定パターンを持った同期位置検出用コード部と可変コード部から構成されている。ビタビ復号器１５６から出力されたチャネルビット列の中から同期位置検出用コード検出部１８２により上記固定パターンを持った同期位置検出用コード部の位置を検出し、その前後に存在する可変コードのデータを可変コード転送部１８３、１８４が抽出してシンクフレーム位置識別用コード内容の識別部１８５により検出された同期コードが後述するセクタ内のどのシンクフレームに位置するかを判定する。情報記憶媒体上に記録されたユーザー情報はシフトレジスタ回路１７０、復調回路１５２内の復調処理部１８８、ＥＣＣデコーディング回路１６２の順に順次転送される。
【００９３】
本実施形態の内、Ｈフォーマットではデータ領域、データリードイン領域、データリードアウト領域では再生にＰＲＭＬ方式を使う事で情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成すると共に、システムリードイン領域、システムリードアウト領域では再生にスライスレベル検出方式を使う事で、現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。（詳細については“第７章  Ｈフォーマットの説明”の所で後述する。）
第５章  本実施形態における有機色素記録膜の具体的説明
５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明…記録原理、未記録／既記録位置での反射率と変調度  未記録領域に比べて記録マーク内で光反射量が低下する特性を有する“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する説明を行う。この記録膜を用いた場合の記録原理としては“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”で説明した記録原理の中で主に
・発色特性変化
・発色現象に寄与する電子に対する電子構造（電子軌道）の変化〔脱色作用など〕
・分子間の配列変化
のいずれかを利用し、吸光スペクトルの特性を変化させる。“Ｌ→Ｈ”記録膜に関しては、特に未記録場所と既記録場所での反射量範囲を片面２層構造を持った再生専用情報記憶媒体の特性を視野に入れて規定した所に大きな特徴が有る。
【００９４】
本実施形態における各種記録膜での非記録位置と既記録位置での反射率を図９示す。Ｈフォーマット（“第７章  Ｈフォーマットの説明”を参照の事）を採用した場合、グルーブレベルを基準として“Ｌ→Ｈ”記録膜ではエンボス領域（システムリードイン領域ＳＹＬＤＩなど）と記録マーク領域（データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯやデータ領域ＤＴＡ）で同じ方向に信号が現れる。同様に“Ｈ→Ｌ”記録膜ではグルーブレベルを基準としてエンボス領域（システムリードイン領域ＳＹＬＤＩなど）と記録マーク領域（データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯやデータ領域ＤＴＡ）で反対方向に信号が現れる。この現象を利用し、“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜間での記録膜識別に使えるだけでなく、“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜に対応した検出回路設計が容易となる。また、本実施形態に示した“Ｌ→Ｈ”記録膜上に記録した記録マークから得られる再生信号特性を“Ｈ→Ｌ”記録膜から得られる信号特性に合わせて（２０）式〜（２３）式を満足させる。これにより、“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜いずれの記録膜を用いた場合にも同一の信号処理回路が使え、信号処理回路の簡素化と低価格化が図れる。
【００９５】
図９に示した“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の光反射率の関係を示す実施例に対する他の実施例について図２３を用いて説明する。
【００９６】
本実施例では図６に示すように、プリグルーブ領域１１の幅Ｗｇがランド領域１２の幅Ｗｌよりも広くなるように設定している。これによりプリグルーブ領域１１上（データーリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデーター領域ＤＴＡ、データーリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内）をトラッキングした時のプリグルーブ領域１１からの信号レベル(Iot)grooveを高くした事が特徴となっている。
【００９７】
本実施例では“光反射率”を以下のように光学ヘッドを用いて検出された検出信号レベルを用いて定義する。
【００９８】
まず情報記憶媒体１１１１のプリピットやプリグルーブなどの微少な凹凸形状の無い特定領域に入射光量ＩＯの平行レーザー光を照射し、情報記憶媒体１１０１から反射された平行レーザー光の反射光量ＩＲを測定してＲｓ＝ＩＲ／ＩＯの値を光反射率Ｒｓの基準として利用する。このように光学ヘッドを使用せずに測定した値をキャリブレートされた光反射率Ｒｓと定義する。次にその所定領域での光学ヘッドを用いて検出された検出信号レベルを反射光パワーＤｓとし、（Ｒｓ／Ｄｓ） の値を情報記憶媒体１１０１の各位置で光学ヘッドを用いて検出された検出信号レベルから“光反射率”に換算するための換算係数として利用する。
【００９９】
本実施例における、“Ｈ→Ｌ”記録膜のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩの光反射率は、１６％以上および、３２％以下になるように情報記憶媒体の反射率を規定しているところに特徴がある。
【０１００】
更に本実施例における“Ｈ→Ｌ”記録膜での未記録領域での光反射量 (Iot)groove のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩにおける反射率Ｉ１１ＨＰに対する比率 (Iot)groove／Ｉ１１ＨＰ は０．５以上１．０以下の範囲に入るように高いレベルに規定している。本実施例では図６（ｂ）および（ｃ）に示すようにグルーブ領域１１の幅Ｗｇをランド領域１２の幅Ｗｌよりも狭くする事で(Iot)groove のレベルを高くしてた所に大きな技術的な特徴が有る。また、特に“Ｈ→Ｌ”記録膜においては、図６（ｂ）または（ｃ）に示すように記録層３−２の厚みＤｇを厚くすることによりグルーブとランド領域の段差量Ｈｒを小さくし、それにより (Iot)groove のレベルを高めて (Iot)groove／Ｉ１１ＨＰ の値が５０％以上になるようにしている。その結果、グルーブ領域１１内に記録された記録マークからの光反射量（Ｉ１１ＨＭ）が大きく取れ、グルーブ領域１１１１上の記録マークからの検出信号振幅を大きくしている。
【０１０１】
次に図２３を用い、“Ｌ→Ｈ”記録膜における検出信号レベルの説明を行う。
【０１０２】
図２３（ａ）を用いて本実施例における、検出信号（とその信号検出回路）の説明を行う。半導体レーザー１１２１から出射されたレーザー光１１１７はコリメーターレンズ１１２２を経て平行光となる。その後ビームスプリッター１１２３を通過した後、対物レンズ１１２８により情報記憶媒体１１０１のプリグルーブ領域１１１１上に集光される。情報記憶媒体１１０１のプリグルーブ領域１１１１で反射された光は、再度対物レンズ１１２８を通過後ビームスプリッター１１２３で反射され、集光レンズ１１２４を通り光検出器１１２５上に照射される。光検出器１１２５は光検出セル１１２５−１と光検出セル１１２５−２を有しており、光検出セル１１２５−１からはＩ１の信号が検出されるとともに、光検出セル１１２５−２からはＩ２の信号が検出される。“Ｌ→Ｈ”記録膜におけるシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの光反射量は、“Ｈ→Ｌ”記録膜と同様（Ｒｓ／Ｄｓ）×Ｉ１１ＨＰで定義される。本実施例において、“Ｌ→Ｈ”記録膜におけるシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの光反射率は１４％以上２８％以下に規定している。“Ｌ→Ｈ”記録膜では図６（ｂ）、（ｃ）に示すプリグルーブ領域１１とランド領域１２の記録膜３−２の厚みＤｇ、Ｄｌを相対的に薄くしている。そのため、未記録領域でのトラックループＯＮ時のプリグルーブ領域２１４での未記録領域の検出信号レベル (Iot)groove は、“Ｈ→Ｌ”記録膜よりも低くなっている。その結果、本実施例ではデーターリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデーター領域ＤＴＡ、データーリードアウトＤＴＬＤＯでの未記録位置でのプリグルーブ領域２１４上での光反射量 (Iot)groove の比率 (Iot)groove／Ｉ１１ＨＰ を４０％以上８０％以下の範囲内に入るよう“Ｈ→Ｌ”記録膜よりも低めに設定している。“Ｌ→Ｈ”記録膜において記録マーク内での光反射率が未記録領域の反射率よりも増加するため、図２３（ｂ）に示すような再生信号波形を有する。図２３（ｂ）においても光反射量は、記録マークからの再生信号の検出信号レベルの最も高いところ（Ｉ１１ＨＭ）を用い、（Ｒｓ／Ｄｓ）×Ｉ１１ＨＭ により反射率を規定している。本実施例において“Ｌ→Ｈ”記録膜での反射率は１４％以上２８％以下にしている。
【０１０３】
本実施例において、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内での光反射率範囲が“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜で一部重なるように規定している所に特徴がある。本実施例ではこのシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩにおける“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の反射率範囲の重なる方法として、各記録層３−２の光学特性を制御することによりシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内での“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜の反射率の重なり部分を作っている。更に本実施例では、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ又はデータ領域ＤＴＡ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯでのトラックループＯＮ時の光反射率範囲の重なり部分も持っている。この重なり部分については、“Ｈ→Ｌ”記録膜における未記録領域での (Iot)groove レベルを図２３に示す“Ｌ→Ｈ”記録膜における未記録領域の検出信号レベル (Iot)groove の信号レベルよりも高く設定することで、両者の光反射率の重なり部分が存在するようにしているところに大きな特徴がある。
【０１０４】
具体的には図６に示すように、記録層３−２の膜厚Ｄｇ、Ｄｌの厚みを“Ｌ→Ｈ”記録膜よりも“Ｈ→Ｌ”記録膜のほうが厚くなるように設定している。その結果、“Ｌ→Ｈ”記録膜よりも“Ｈ→Ｌ”記録膜での光反射層４−２での段差Ｈｒが小さくなり、その結果“Ｈ→Ｌ”記録膜における未記録領域の検出信号レベル (Iot)groove が高くなる。本実施例では、トラックループＯＮ時での光反射率範囲は“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜が一致しているばかりで無く、データ領域ＤＴＡ内などでの“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜間での光反射率の重なり部分を最大にしている。更に本実施例では、システムリードイン領域内ＳＹＬＤＩでの光反射率が重なる部分と、データ領域ＤＴＡ内での光反射率が重なる部分との間の光反射率が重なる部分が存在するようにしている。
【０１０５】
本実施例では図６（ｂ）又は（ｃ）に示すように、プリグルーブ領域１１の幅Ｗｇをランド領域１２の幅Ｗｌより広げ、データ領域ＤＴＡ内等の未記録領域でのグルーブからの検出信号レベル (Iot)groove を低くすることでαとβとの間の光反射率の重なり部分γを広くしている。
【０１０６】
５−２）本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する光吸収スペクトルの特徴…最大吸収波長λｍａｘ ｗｒｉｔｅの値、Ａｌ４０５の値とＡｈ４０５の値の設定条件
“３−４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明”で説明したように“Ｈ→Ｌ”記録膜では未記録領域での相対的な吸光度が基本的に低いため、再生時に再生光を照射された時にその再生光のエネルギーを吸収して生じる光学特性変化が起こりにくい。仮に吸光度が高い記録マーク内で再生光のエネルギーを吸収して光学特性変化（記録作用の更新）が生じたとしても記録マーク内からの光反射率が下がる一方なので、再生信号の振幅（Ｉ１１≡Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌ）が増加する方向に働き、再生信号処理への悪影響は少ない。
【０１０７】
それに比べて、“Ｌ→Ｈ”記録膜は“未記録部の光反射率が記録マーク内より低い”と言う光学的特性を持つ。この事は図１（ｂ）を用いて説明した内容から分かるように、記録マーク内より未記録部の吸光度が高い事を意味している。そのため、“Ｌ→Ｈ”記録膜は“Ｈ→Ｌ”記録膜に比べると再生時の信号劣化が起こり易い。“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”内で説明したように、“ε〕紫外線や再生光照射による再生信号劣化が万一発生した場合に備えて再生情報の信頼性を向上させる”必要が有る。
【０１０８】
有機色素記録材料の特性を詳細に調べた結果、再生光のエネルギーを吸収して光学特性変化を起こすメカニズムと紫外線照射による光学特性変化のメカニズムがほぼ類似している事が分かった。その結果、未記録領域での紫外線照射に対する耐久性を向上させる構造を持たせると再生時の信号劣化が起き辛くなる。そのため、“Ｌ→Ｈ”記録膜ではλｍａｘ ｗｒｉｔｅ（記録光の波長に最も近い極大吸収波長）の値を記録光または再生光の波長（４０５ｎｍ近傍）よりも長くした所に本実施形態の大きな特徴がある。これにより紫外線に対する吸収率を低くでき、紫外線照射に対する耐久性を大幅に向上できる。図１１から分かるように、λｍａｘ ｗｒｉｔｅ近傍での既記録部と未記録部間での吸光度の違いが小さく、λｍａｘ ｗｒｉｔｅ近傍の波長光で再生した場合の再生信号変調度（信号振幅）が小さくなる。半導体レーザ光源の波長変動も視野に入れると、３５５ｎｍ〜４５５ｎｍの範囲では充分に大きな再生信号変調度（信号振幅）を取れる事が望ましい。従って、本実施形態においてλｍａｘ ｗｒｉｔｅの波長は３５５ｎｍ〜４５５ｎｍの範囲外（すなわち、４５５ｎｍよりも長波長側）に存在するように記録膜３−２の設計を行っている。
【０１０９】
本実施形態での“Ｌ→Ｈ”記録膜における光吸収スペクトルの一例を図１０に示す。“５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明”で説明したように、仮に本実施形態において“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部（“Ｌ”部）の光反射率の下限値βを１８％、上限値γを３２％に設定してみると、１−０．３２＝０．６８より上記条件を満足するためには４０５ｎｍにおける未記録領域での吸光度の値Ａｌ４０５として
Ａｌ４０５≧６８％      （３６）
を満足すべきなのが直感的に理解できる。図１における光反射層４−２の４０５ｎｍにおける光反射率は１００％より若干低下するが、説明の簡略化のためほぼ１００％に近いと仮定する。従って、吸光度Ａｌ＝０の時の光反射率はほぼ１００％になる。図１０においてλｍａｘ ｗｒｉｔｅの波長での記録膜全体としての光反射率をＲλｍａｘ ｗｒｉｔｅで表す。この時の光反射率がゼロ（Ｒλｍａｘ ｗｒｉｔｅ≒０）と仮定して（３６）式を導いているが、実際には“０”とはならないので、より厳密な式を導く必要が有る。“Ｌ→Ｈ”記録膜の非記録部（“Ｌ”部）の光反射率の上限値γを３２％に設定する厳密な条件式は
１−Ａｌ４０５×（１−Ｒλｍａｘ ｗｒｉｔｅ）≦０．３２      （３７）
で与えられる。従来の追記形情報記憶媒体は全て“Ｈ→Ｌ”記録膜を使用しており、“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する情報の蓄積が無いが、“５−３）アニオン部：アゾ金属錯体＋カチオン部：色素”で後述する本実施形態を使用した場合には（３７）式を満たす最も厳しい条件として
Ａｌ４０５≧８０％      （３８）
となる。上記実施形態で後述する有機色素記録材料を使用した場合には、製造時の特性ばらつきや記録層３−２の厚み変化などのマージンも含めて記録膜の光学設計を行うと“５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明”で説明した反射率を満足する最低限の条件としては
Ａｌ４０５≧４０％      （３９）
を満足すれば良い事が分かった。さらに
Ａｌ３５５≧４０％      （４０）
Ａｌ４５５≧４０％      （４１）
のいずれかを満足する事で３５５ｎｍから４０５ｎｍの範囲あるいは４０５ｎｍから４５５ｎｍの範囲（両方の式が同時に満足する場合には３５５ｎｍから４５５ｎｍの範囲）で光源の波長が変化しても安定な記録特性または再生特性を確保できる。
【０１１０】
本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜における記録後の光吸収スペクトル変化状況を図１１に示す。記録マーク内での最大吸収波長λｌｍａｘの値がλｍａｘ ｗｒｉｔｅの波長からずれており、分子間の配列変化（例えば、アゾ金属錯体同士の配列変化）が生じていると考えられる。更に、λｌｍａｘの所での吸光度と４０５ｎｍでの吸光度Ａｌ４０５のいずれもが低下していると共に光吸収スペクトルの広がり自体が広がっている所から平行して脱色作用（局所的な電子軌道の切断（局所的な分子結合の解離））が起きていると考えられる。
【０１１１】
本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜においても（２０）、（２１）、（２２）、（２３）の各式を満足させる事で“Ｌ→Ｈ”記録膜と“Ｈ→Ｌ”記録膜どちらに対しても同一の信号処理回路を使えるようにして信号処理回路の簡素化と低価格化を図っている。（２０）式において
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ≡（Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌ）／Ｉ１１Ｈ≧０．４      （４２）
を変形すると
Ｉ１１Ｈ≧／Ｉ１１Ｌ／０．６      （４３）
となる。既に説明したように本実施形態において“Ｌ→Ｈ”記録膜の未記録部（“Ｌ”部）の光反射率の下限値βを１８％に設定しており、この値がＩ１１Ｌに対応する。更に、概念的に
Ｉ１１Ｈ≒１−Ａｈ４０５×（１−Ｒλｍａｘ ｗｒｉｔｅ）      （４４）
と対応するので、（４３）式と（４４）式から
１−Ａｈ４０５×（１−Ｒλｍａｘ ｗｒｉｔｅ）≧０．１８／０．６  （４５）
となる。１−Ｒλｍａｘ ｗｒｉｔｅ≒０の時は（４５）式は
Ａｈ４０５≦０．７      （４６）
で得られる。上記（４６）式と（３６）式を比較すると吸光度の値として６８％〜７０％近傍を境にＡｌ４０５とＡｈ４０５の値を設定すれば良さそうな事が分かる。更に、Ａｌ４０５の値として（３９）式の範囲になる場合と、信号処理回路の性能安定性を考えると、厳しい条件として
Ａｈ４０５≦０．４      （４７）
がある。なお、可能で有れば
Ａｈ４０５≦０．３      （４８）
を満足する事が望ましい。
【０１１２】
５−３）アニオン部：アゾ金属錯体＋カチオン部：色素
“５−１）本実施形態における“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する特徴説明”で説明した特徴を有し、“５−２）本実施形態の“Ｌ→Ｈ”記録膜に関する光吸収スペクトルの特徴”で示した条件を満足する本実施形態における具体的に有機色素材料について説明する。記録層３−２の厚みは（３）、（４）、（２７）、（２８）の各式で示した条件を満足し、スピナーコーティング（スピンコーティング）により形成する。比較のために一例を上げると、“食塩”の結晶はプラスに帯電する“ナトリウムイオン”とマイナスに帯電する“塩素イオン”との間の“イオン結合”で組み立てられている。それと同様、高分子においても“イオン結合”に近い形で異なる複数の高分子が組み合わさり有機色素材料を構成する場合が有る。
【０１１３】
本実施形態における有機色素記録膜３−２はプラス側に帯電する“カチオン部”とマイナス側に帯電する“アニオン部”で構成されている。特にプラス側に帯電する“カチオン部”に発色特性を有する“色素”を利用し、対イオン部を意味しマイナス側に帯電する“アニオン部”に有機金属錯体を利用する事で結合の安定性を高め、“３−２−Ｂ〕本実施形態における有機色素記録材料に共通する基本的特徴”の中で示した“δ〕発色領域での電子構造を安定化させ、紫外線や再生光照射に対する構造分解が生じ辛くする”の条件を満足させた所に技術的な大きな特徴が有る。
【０１１４】
具体的な内容として本実施形態では有機金属錯体として化１に一般構造式を示した“アゾ金属錯体”を利用している。アニオン部とカチオン部の組み合わせからなる本実施形態においてこのアゾ金属錯体の中心金属Ｍとしてコバルトまたはニッケルを使用して光安定性を高めているが、それに限らずスカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀などを使っても良い。
【０１１５】
本実施形態ではカチオン部に使用する色素として化２に一般構造式を示したシアニン色素、図示しないスチリル色素、モノメチンシアニン色素のいずれかを使用する。本実施形態ではアニオン部にアゾ金属錯体を使用しているが、それに限らず例えば、ホルマザン金属錯体を使用しても良い。上記アニオン部とカチオン部からなる有機色素記録材料は最初粉末状になっている。記録層３−２を形成する場合にはこの粉末状の有機色素記録材料を有機溶剤に溶かした後、透明基板２−２上にスピンコーティングを行う。この時に使用する有機溶剤として例えば、フッ素アルコール系のＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）やペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、石油エーテル、石油ベンジンなどの炭化水素類、アルコール類、フェノール類、エーテル類、ニトリル類、ニトロ化合物や含硫化合物のいずれかかまたはそれらの組み合わせを使用する。
【化２】
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【０１１６】
第６章  塗布形有機色素記録膜と光反射層界面でのプリグルーブ形状／プリピット形状に関する説明
６−１）光反射層（材質と厚み）…厚み範囲と不動態化構造…記録原理と劣化防止
“第０章  使用波長と本実施形態との関係説明”に記載したように本実施形態では４０５ｎｍを中心とした特に３５５〜４５５ｎｍの範囲を考えている。この波長帯での光反射率の高い金属材料は光反射率の高い順に並べるとＡｇが９６％前後、Ａｌが８０数％前後、Ｒｈが８０数％前後となっている。有機色素記録材料を用いた追記形情報記憶媒体では図１（ｂ）に示すように光反射層４−２からの反射光が基本になっているので光反射層４−２では光反射率の高い特性が要求される。特に本実施形態の“Ｈ→Ｌ”記録膜の場合には未記録領域での光反射率が低いので、光反射層４−２単体での光反射率が低いと特にプリピット（エンボス）領域からの再生信号Ｃ／Ｎ比が低く再生時の安定性に欠けてしまうので、特に光反射層４−２単体での光反射率が高い事が必須となる。従って、本実施形態では上記波長帯において最も反射率の高いＡｇ（銀）を中心とした材料を使用する。光反射層４−２の材料として銀単体では“原子が移動し易い”、“腐食し易い”と言う問題が生じる。最初の問題点に対し別の原子を添加して一部合金化すると銀原子が移動し辛くなる。
【０１１７】
別原子を入れる第１の実施形態として光反射層４−２の材質をＡｇＮｄＣｕにする。ＡｇＮｄＣｕは固溶状態になるので銀単体の状態よりは若干反射率が下がる。別原子を入れる第２の実施形態では光反射層４−２の材質をＡｇＰｄにして電位を変える事で電気化学的に腐食し辛くする。銀の酸化などにより光反射層４−２が腐食すると光反射率が低下する。
【０１１８】
図１（ｂ）に示す記録膜構造を有する有機色素記録膜で特に“第３章  本実施形態における有機色素記録膜の特徴説明”で示す有機色素記録膜の場合には、特に記録層３−２と光反射層４−２との間の界面での光反射率が非常に重要となる。この界面で腐食が発生すると光反射率が低下し光学的な界面形状がぼやけ、そこでの反射光によるトラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号、プリピット（エンボス）領域からの検出信号特性が劣化する。特に、図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにプリグルーブ領域１１の幅Ｗｇがランド領域幅Ｗｌよりも広い場合には、トラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号が出辛いので腐食による記録層３−２と光反射層４−２との間の界面での光反射率の劣化の影響は大きくなる。
【０１１９】
この界面での光反射率の劣化を防止するため、第３の実施形態として光反射層４−２にＡｇＢｉを使用する。ＡｇＢｉは表面（記録層３−２と光反射層４−２との間の界面）に不動態皮膜を形成するため非常に安定相を形成し、上記界面での光反射率の劣化を防止する。すなわち、ＡｇにＢｉ（ビスマス）をわずかに添加させると、Ｂｉが上記界面に浮き上がり、それが酸化して酸化ビスマスと言う非常に緻密な膜（不動態皮膜）を形成し、内部での酸化を食い止める働きが有る。この不動態皮膜は上記界面上に形成されて非常に安定な相を形成するため光反射率の劣化が起きず長期に亘ってトラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号、プリピット（エンボス）領域からの検出信号特性の安定性を保証する。３５５〜４５５ｎｍ範囲の波長帯において銀単体が最も光反射率が高く、別原子の添加量を上げるに従って光反射率が低下する。そのため、本実施形態でのＡｇＢｉ内のＢｉ原子の添加量は５ａｔ％以下が望ましい（ａｔ％はatomic percentを意味し、例えば、ＡｇＢｉの合計原子数１００の中でＢｉ原子が５個存在する事を示している）。
【０１２０】
実際に作成して特性評価した所、Ｂｉ原子の添加量が０．５ａｔ％以上有れば不動態皮膜化が可能な事が分かった。その評価結果に基付き本実施形態での光反射層４−２内のＢｉ原子添加量を１ａｔt％としている。この第３の実施形態では添加原子がＢｉのみなので第１の実施形態ＡｇＮｄＣｕ（Ａｇ内にＮｄとＣｕの２種類の原子を添加する）と比べると添加原子量を少なくでき、ＡｇＮｄＣｕよりＡｇＢｉの方が光反射率を上げる事が出来る。その結果、本実施形態の“Ｈ→Ｌ”記録膜や図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにプリグルーブ領域１１の幅Ｗｇがランド領域幅Ｗｌよりも広い場合でも、安定して精度の良いトラックずれ検出信号（プッシュプル信号）やウォブル信号、プリピット（エンボス）領域からの検出信号が得られる。
【０１２１】
上記第３の実施形態はＡｇＢｉに限らず、他に不動態皮膜を作る銀合金としてＡｇＭｇ、ＡｇＮｉ、ＡｇＧａ、ＡｇＮｘ、ＡｇＣｏ、ＡｇＡｌもしくは前記記載された原子を含む３元系を用いても良い。この光反射層４−２の厚みとしては５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に設定している。厚みが５ｎｍより薄いと光反射層４−２が均一にならずランド状に形成されてしまう。そのため光反射層４−２の厚みは５ｎｍにしている。ＡｇＢｉ膜は厚みが８０ｎｍ以下にすると裏側に透過し出すので、片面１記録層の場合には厚みを８０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１５０ｎｍとし、片面２記録層の場合には厚みを５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に設定する。
【０１２２】
６−２）塗布形有機色素記録膜と光反射層界面でのプリピット形状に関する説明
本実施形態のＨフォーマットではシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩを持ち、この中ではエンボスピット領域２１１になっており、プリピットの形で事前に情報が記録されている。この領域での再生信号は再生専用情報記憶媒体からの再生信号特性に合わせ、図７に示す情報再生装置または情報記録再生装置内の信号処理回路を再生専用情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体で兼用させている。この領域から検出される信号に対する定義は“３−４）本実施形態における“Ｈ→Ｌ”記録膜に関する特徴説明”の定義に合わせる。すなわち、充分に長い長さ（１１Ｔ）のスペース領域１４からの再生信号量をＩ１１Ｈと定義し、前記Ｉ１１Ｈと充分に長い長さ（１１Ｔ）を持つプリピット（エンボス）領域１３からの再生信号をＩ１１Ｌと定義すると共に両者の差分値をＩ１１≡Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌとする。本実施形態ではこの領域での再生信号を再生専用情報記憶媒体からの再生信号特性に合わせて
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ≧０．３      （５４）
望ましくは
Ｉ１１／Ｉ１１Ｈ＞０．５      （５５）
とする。２Ｔ長さのプリピット（エンボス）領域１３とのスペース領域１４の繰り返し信号振幅をＩ２とした時
Ｉ２／Ｉ１１≧０．５      （５６）
望ましくは
Ｉ２／Ｉ１１＞０．７      （５７）
にしている。
【０１２３】
上記（５４）式または（５５）式を満足するための物理的な条件に付いて説明する。既に図１（ｂ）で説明したように、プリピットからの信号特性は主に光反射層４−２での反射光により支配される。従って、光反射層４−２でのスペース領域１４とプリピット（エンボス）領域１３間の段差量Ｈｐｒにより再生信号振幅値Ｉ１１が決まる。光学的な近似計算を行うとこの段差量Ｈｐｒは再生光波長λ、記録層３−２内の屈折率ｎ３２に対して
Ｉ１１∝ｓｉｎ２｛（２π×Ｈｐｒ×ｎ３２）／λ｝      （５８）
の関係が有り、（５８）式からＨｐｒ≒λ／（４×ｎ３２）の時にＩ１１が最大となることがわかる。（５４）式または（５５）式を満たすには（５８）式から最低でも
Ｈｐｒ≧λ／（１２×ｎ３２）      （５９）
望ましくは
Ｈｐｒ＞λ／（６×ｎ３２）      （６０）
を満足している必要が有る。“第０章  使用波長と本実施形態との関係説明”で説明したように本実施形態ではλ＝３５５ｎｍ〜４５５ｎｍを利用しており、“２−１）記録原理／記録膜構造の違いと再生信号生成に関する基本的な考え方の違い”で説明したようにｎ３２＝１．４〜１．９なので、この値を（５９）式または（６０）式に代入すると
Ｈｐｒ≧１５．６ｎｍ      （６２）
望ましくは
Ｈｐｒ＞３１．１ｎｍ      （６３）
の条件を満たすように段差を作っている。従来の追記形情報記憶媒体ではスペース領域で記録層３−２の厚みが薄かったために光反射層４−２と記録層３−２との界面での段差が小さく、（６２）式を満足できなかった。それに対して本実施形態ではプリピット（エンボス）領域１３での記録層３−２の厚みＤｇとスペース領域１４での記録層３−２の厚みＤｌの関係が“３−２−Ｅ〕本実施形態における記録層の厚み分布に関する基本的特徴”に記載した条件に合うように工夫した結果、（６２）式または（６３）式を満足させる充分に大きな段差Ｈｐｒを確保する事ができた。
【０１２４】
上記のような光学的近似検討を行い、本実施形態では（５６）式または（５７）式を満足できるように充分な再生信号の解像度を確保するにはプリピット（エンボス）領域１３の幅Ｗｐをトラックピッチの半分以下とし、プリピット（エンボス）領域１３からの再生信号の解像度を大きく取れるように工夫している。
【０１２５】
第７章  Ｈフォーマットの説明
以下に本実施形態におけるＨフォーマットの説明を行う。
【０１２６】
図１２に本実施形態における情報記憶媒体の構造及び寸法を示す。実施形態としては
・再生専用で記録が不可能な“再生専用形情報記憶媒体”
・１回のみの追記記録が可能な“追記形情報記憶媒体”
・何回でも書き替え記録が可能な“書替え形情報記憶媒体”
の３種類の情報記憶媒体実施形態を明示する。図１２に示すように、上記３種類の情報記憶媒体では大部分の構造と寸法が共通化されている。３種類の情報記憶媒体いずれも内周側からバーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、コネクション領域ＣＮＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡが配置された構造になっている。ＯＰＴ形再生専用媒体以外は全て外周部にデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯが配置されている。後述するように、ＯＰＴ形再生専用媒体では外周部にミドル領域ＭＤＡが配置される。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩではエンボス（プリピット）の形で情報が記録されており、追記形および書替え形のいずれもこの領域内は再生専用（追記不可能）となっている。再生専用形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内もエンボス（プリピット）の形で情報が記録されているのに対し、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内は記録マーク形成による新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域となっている。
【０１２７】
後述するように、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内は新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域とエンボス（プリピット）の形で情報が記録されている再生専用領域の混在になっている。前述したように、図１２に示すデータ領域ＤＴＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ、ミドル領域ＭＤＡではそこに記録されている信号の再生にＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）方式を使う事で情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成すると共に、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯでは、そこに記録されている信号の再生にスライスレベル検出方式を使う事で現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。
【０１２８】
現行ＤＶＤ規格とは異なり、図１２に示す実施形態ではバーストカッティング領域ＢＣＡとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとが重ならずに位置的に分離されている。両者を物理的に分離する事で情報再生時のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内に記録された情報とバーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録された情報との間の干渉を防止し、精度の高い情報再生が確保できる。
【０１２９】
以下に図１２に示すバーストカッティング領域ＢＣＡ内のデーター構造について説明する。ＢＣＡ信号の測定時には、光学ヘッドから出射されるレーザー光の集光スポットが、記録層上に集光されている必要がある。下記バーストカッティング領域ＢＣＡから得られる再生信号は、遮断周波数が550kHzの２次のローパス・ベッセル・フィルターでフィルタリングされる。情報記憶媒体内の中心から、半径22.4mmから23.0mmまでの間にバーストカッティング領域ＢＣＡの下記の信号特性が規定される。バーストカッティング領域ＢＣＡからの再生信号では、ＢＣＡコード、チャネルビットが“０”の時の最大と最小レベルを IBHmax と IBHmin で定義し、ＢＣＡコード、チャンネルビット“１”の最大のボトムレベルを IBLmax で定義する。また中間レベルを（IBHmin+IBLmax）/２ で定義する。
【０１３０】
本実施例では各検出信号特性を（IBLmax/IBHmin）が0.8以下になる条件と、（IBHmax/IBHmin）が1.4以下になる条件とする。IBLとIBHの平均レベルを基準とし、ＢＣＡ信号がその基準位置をクロスする位置で、エッジ位置とみなす。ＢＣＡ信号の周期は、回転速度が 2760rpm（46.0Hz）の時に規定される。先頭エッジ（立ち下がり位置）間の周期はを 4.63×n±1.00μs 、光量が低下する場所でのパルス位置の幅（立ち下がり位置から次の立ち上がり位置までの間隔）を 1.56±0.75μs とする。
【０１３１】
ＢＣＡコードは、情報記憶媒体製造終了後に記録される場合が多い。しかし、ＢＣＡコードがプリピットとしてあらかじめ記録されていてもよい。ＢＣＡコードが情報記憶媒体の円周に沿った方向で記録され、パルス幅の狭い方向が光反射率の低い方向に一致されるように記録される。ＢＣＡコードは、ＲＺ変調方法により変調されて記録される。パルス幅が狭い（＝反射率の低い）パルスは、この変調されたＢＣＡコードのチャネルクロック幅の半分よりも狭い必要が有る。
【０１３２】
図２４にＢＣＡデーター構造を示す。ＢＣＡデーターは、２個のＢＣＡプリアンブル７３、７４と２個のポストアンブル７６、７７及び２個のＢＣＡデーター領域ＢＣＡＡを持ち、各ＢＣＡデーター領域ＢＣＡＡには各ＢＣＡエラー検出コードＥＤＣＢＣＡとＢＣＡエラー訂正コードＥＣＣＢＣＡ が付加され、その間にはＢＣＡ連結領域７５が配置されている。更に各４バイト毎には１バイトずつのシンクバイトＳＢＢＣＡ またはリシンクＲＳＢＣＡ  が挿入されている。前記ＢＣＡプリアンブル７３、７４は４バイトで構成され、全て“００ｈ”が記録される。また各ＢＣＡプリアンブル７３、７４の直前にはシンクバイトＳＢＢＣＡが配置される。ＢＣＡデーター領域ＢＣＡＡ内には、７６バイトが設定されている。ＢＣＡポストアンブル７６、７７は４バイトで構成され、全て“５５ｈ”の繰り返しパターンが記録されている。ＢＣＡ連結領域７５は、４バイトで構成され、全て“ＡＡｈ”が繰り返し記録される。
【０１３３】
図２５にＢＣＡデーター領域内に記録されたＢＣＡ情報内容の例を示す。ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡは、７６バイトの情報が記録可能となっており、データはＢＣＡレコードユニットＢＣＡＵ単位で記録される。このＢＣＡレコードユニット内ＢＣＡＵ内に記録される情報をＢＣＡレコードと呼ぶ。各ＢＣＡレコードのサイズは、４バイトの整数倍になっている。各ＢＣＡレコード内は図２５（ｃ）に示すように２バイトで構成されるＢＣＡレコードＩＤ  ６１と、１バイトで構成されるバージョン番号情報６２と、１バイトで構成される記録データのデータ長情報６３、４ｍバイトのデータレコード（記録データ６４）が順次記録される。ＢＣＡレコードＩＤ  ６１に設定されるＩＤは、0000h〜7FFFFhまでが公式利用方法に割り当てられ、8000hからFFFFhまでが個別な利用方法に割り当てられる。１バイトで構成されるバージョン番号情報６２は、上位４ビットのメジャー数字７１と、下位４ビットのマイナー数字７２に分けられる。メジャー数字７１はバージョン番号の整数一桁目が記録され、マイナー数字７２にはバージョン番号の小数点以下一桁目の値が記録される。例えばバージョン“２．４”の場合にはメジャー数字７１の欄に、“２”が記録されマイナー数字７２の欄には“４”の数字が記録される。
【０１３４】
本実施例のＨフォーマットにおいては、前記ＢＣＡレコード内に図２５（ｅ）に示すように、ＨＤ  ＤＶＤ規格書タイプの識別情報８０が記録される。具体的にこの情報の内容は、図２５（ｆ）に示すようにＢＣＡレコードＩＤ  ８１とバージョン番号情報８２と記録データのデータ長情報８３が記録されるとともに、４ビットで構成される規格書タイプ情報８４と、４ビットで構成されるディスクタイプ情報８５と拡張パートバージョン情報８６（１バイト）とリザーブ領域８７（２バイト）が記録される。前記ディスクタイプ情報８５内の上位１ビットには、記録マークの極性（Ｈ→Ｌか、Ｌ→Ｈかの識別）情報８８が配置され、残り３ビットはリザーブ領域８９に割り当てられている。
【０１３５】
図２５に示すデータ構造の別例として、次のような構成も可能である。すなわち、図２５（ｂ）のＢＣＡレコードユニットＢＣＡＵ＃１（８バイト）に記録されるＢＣＡレコードには、以下の情報を以下の順序で含むことができる：
（１）ＨＤ  ＤＶＤブックタイプ識別子である２バイトの“BCA Record ID”
（２）バージョン番号を示す１バイトの“Version number”
（３）データ長を示す１バイトの“Data length”
（４）ブックタイプおよびディスクタイプを示す１バイトの“Book type and Disc type”
（５）拡張部バージョンを示す１バイトの“Extended Part version”
（６）予約用の２バイト。
【０１３６】
ここで、上記“Book type and Disc type”に含まれる“Disc type”は、“Mark polarity”および“Twin format flag”を記述できるように構成される。この“Disc type”に記述された“Mark polarity”は前述した「記録マークの極性情報８８」に対応した情報であり、“Mark polarity=0ｂ”のときは「マークからの信号がスペースからの信号より大きい」“Low-to-High disc”であることが示され、“Mark polarity=1ｂ”のときは「マークからの信号がスペースからの信号より小さい」“High-to-Low disc”であることが示される。
【０１３７】
一方、“Disc type”に記述された“Twin format flag”は、該当ディスクがツインフォーマットディスクであるか否かを示す情報で、“Twin format flag=0ｂ”はツインフォーマットディスクでないことを示し、“Twin format flag=1ｂ”はツインフォーマットディスクであることを示す。ここで、「ツインフォーマットディスク」とは、該当ディスクが２つの記録再生層を持ち、各記録再生層に異なるフォーマット（ＤＶＤフォーラムで規定された別のフォーマット）が適用されるディスクをいう。この“Twin format flag”をＢＣＡレコードとして持つことにより、個々の多層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ（High Density DVD Recordable）ディスクにおいて、そのディスクが単一フォーマットだけのディスクなのかマルチフォーマットのディスクなのかを容易に判別できる。
【０１３８】
図２４に示すように、ＢＣＡプリアンブル７３とＢＣＡポストアンブル７６に囲まれたＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡと同じ情報がＢＣＡプリアンブル７４とＢＣＡポストアンブル７７に囲まれたＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡに記載されている。このように同じ情報が複数のＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡに多重書きされているため、仮に情報記憶媒体の表面にできたゴミや傷の影響で一方のデータの再生が不可能になっても、他方のＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡからのデータ再生が可能となる。その結果、ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡに記録されたデータの信頼性が大幅に向上する。
【０１３９】
さらに図２４に示したＢＣＡデータ構造では、従来から存在するＢＣＡエラー検出コードＥＤＣＢＣＡに加えてさらにＢＣＡエラー訂正コードＥＣＣＢＣＡが存在するため、ＢＣＡデータ領域ＢＣＡＡ内のデータにエラーが発生してもＢＣＡエラー訂正コードＥＣＣＢＣＡによりエラーを訂正することができ、さらに信頼性が向上する。
【０１４０】
他の実施形態として“Ｌ→Ｈ形”記録膜を使った場合にバーストカッティング領域ＢＣＡの配置場所に予め微細な凹凸形状を形成する方法もある。
【０１４１】
後述するように、本実施形態では“Ｌ→Ｈ”記録膜を使う場合も考慮する。バーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録するデータ（バーコードデータ）は記録膜に対して局所的にレーザ露光する事で形成する。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩはエンボスピット領域で形成するため、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号は鏡面からの光反射レベルと比べて光反射量が減る方向に現れる。もし、バーストカッティング領域ＢＣＡを鏡面状態にし、“Ｌ→Ｈ”記録膜を用いた場合にはバーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録されたデータからの再生信号は（未記録状態の）鏡面からの光反射レベルよりも光反射量が増加する方向に現れる。その結果、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号の最大レベルと最小レベルの位置（振幅レベル）とシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号の最大レベルと最小レベルの位置（振幅レベル）との間に大きく段差が生じてしまう。
【０１４２】
情報再生装置または情報記録再生装置は
（１）バーストカッティング領域ＢＣＡ内の情報の再生
→（２）システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報データゾーンＣＤＺ内の情報の再生
→（３）データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の情報の再生（追記形または書替え形の場合）
→（４）参照コード記録ゾーンＲＣＺ内での再生回路定数の再調整（最適化）
→（５）データ領域ＤＴＡ内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録
の順で処理を行う。そのため、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号振幅レベルとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号振幅レベルに大きな段差が有ると情報再生の信頼性が低下すると言う問題が生じる。その問題を解決するため、この実施形態としては記録膜に“Ｌ→Ｈ”記録膜を使用する場合には、このバーストカッティング領域ＢＣＡに予め微細な凹凸形状を形成しておく所に特徴が有る。予め微細な凹凸形状を形成しておくと、局所的なレーザ露光によりデータ（バーコードデータ）を記録する前の段階で光の干渉効果により光反射レベルが鏡面２１０からの光反射レベルよりも低くなり、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号振幅レベル（検出レベル）とシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩからの再生信号振幅レベル（検出レベル）の段差が大きく減り、情報再生の信頼性が向上し、上記の（１）から（２）へ移行する際の処理が容易になると言う効果が生まれる。
【０１４３】
“Ｌ→Ｈ”記録膜を使用する場合には、バーストカッティング領域ＢＣＡに予め形成する微細な凹凸形状の具体的内容として図１３に示すようにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内と同様にエンボスピット領域２１１とする方法が有るが、他の実施形態としてデータリードイン領域ＤＴＬＤＩやデータ領域ＤＴＡと同様にグルーブ領域２１４あるいはランド及びグルーブ領域にする方法もある。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩとバーストカッティング領域ＢＣＡを分離配置させる実施形態の説明の所に説明したように、バーストカッティング領域ＢＣＡ内とエンボスピット領域２１１が重なると不要な干渉によるバーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号へのノイズ成分が増加する事を既に説明した。
【０１４４】
バーストカッティング領域ＢＣＡ内の微細な凹凸形状の実施形態としてエンボスピット領域２１１にせずにグルーブ領域２１４あるいはランド及びグルーブ領域にすると、不要な干渉によるバーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成されたデータからの再生信号へのノイズ成分が減少して再生信号の品質が向上すると言う効果が有る。
【０１４５】
バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成するグルーブ領域２１４あるいはランド及びグルーブ領域のトラックピッチをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩのトラックピッチに合わせると情報記憶媒体の製造性が向上する効果が有る。すなわち、情報記憶媒体の原盤製造時に原盤記録装置の露光部の送りモータ速度を一定にしてシステムリードイン領域内のエンボスピットを作成している。この時、バーストカッティング領域ＢＣＡ内に形成するグルーブ領域２１４あるいはランド及びグルーブ領域のトラックピッチをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内のエンボスピットのトラックピッチに合わせる事でバーストカッティング領域ＢＣＡとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとで引き続き送りモータ速度を一定に保持できるため、途中で送りモータの速度を変える必要が無いのでピッチムラが生じ辛く情報記憶媒体の製造性が向上する。
【０１４６】
再生専用形または追記形情報記憶媒体に対して書替え専用形情報記憶媒体の方がトラックピッチ及び線密度（データビット長）を詰める事により記録容量を高くしている。後述するように、書替え専用形情報記憶媒体ではランドグルーブ記録を採用する事で隣接トラックのクロストークの影響を低減させてトラックピッチを詰めている。または再生専用形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体、書替え形情報記憶媒体のいずれにおいてもシステムリードイン/アウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチ（記録密度に対応）をデータリードイン/データリードアウト領域ＤＴＬＤＩ/ＤＴＬＤＯよりも大きく（記録密度を低く）している所に特徴が有る。
【０１４７】
システムリードイン/システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチを現行ＤＶＤのリードイン領域の値に近付けることで現行ＤＶＤとの互換性を確保している。
【０１４８】
本実施形態でも現行ＤＶＤ−Ｒと同様に追記形情報記憶媒体のシステムリードイン/システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯでのエンボスの段差を浅く設定している。これにより、追記形情報記憶媒体のプリグルーブの深さを浅くし、プリグルーブ上に追記により形成する記録マークからの再生信号変調度を高くする効果が有る。逆に、その反作用としてシステムリードイン/システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯからの再生信号の変調度が小さくなると言う問題が生じる。それに対して、システムリードイン/システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯのデータビット長（とトラックピッチ）を粗くする事で、最も詰まった位置でのピットとスペースの繰り返し周波数を再生用対物レンズのＭＴＦ（Modulation Transfer Function）の光学的遮断周波数から離す（大幅に小さくする）事で、システムリードイン/システムリードアウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯからの再生信号振幅を引き上げ、再生の安定化を図る事が出来る。
【０１４９】
図１３に示すように、イニシャルゾーンＩＮＺはシステムリードインＳＹＬＤＩの開始位置を示している。イニシャルゾーンＩＮＺ内に記録されている意味を持った情報としては、物理セクタ番号ＰＳＮ：Physical Sector Number（あるいは物理セグメント番号ＰＳＮ：Physical Segment Number）または論理セクタ番号の情報を含むデータＩＤ（Identification Data）情報が離散的に配置されている。１個の物理セクタ内には後述するようにデータＩＤ、ＩＥＤ（ID Error Detection code）、ユーザ情報を記録するメインデータ、ＥＤＣ（Error Detection Code）から構成されるデータフレーム構造の情報が記録されるが、イニシャルゾーンＩＮＺ内にも上記のデータフレーム構造の情報が記録される。しかしイニシャルゾーンＩＮＺ内ではユーザ情報を記録するメインデータの情報を全て“００ｈ”に設定するため、イニシャルゾーンＩＮＺ内での意味の有る情報は前述したデータＩＤ情報のみとなる。この中に記録されている物理セクタ番号または論理セクタ番号の情報から現在位置を知る事ができる。すなわち、図７の情報記録再生部１４１で情報記憶媒体からの情報再生を開始する時にイニシャルゾーンＩＮＺ内の情報から再生開始した場合には、まずデータＩＤ情報の中に記録されている物理セクタ番号または論理セクタ番号の情報を抽出して情報記憶媒体内の現在位置を確認しつつ制御データゾーンＣＤＺへ移動する。
【０１５０】
バッファゾーン１ ＢＦＺ１及びバッファゾーン２ ＢＦＺ２はそれぞれ３２ＥＣＣブロックから構成されている。１ＥＣＣブロックはそれぞれ３２物理セクタから構成されているので、３２ＥＣＣブロックは１０２４物理セクタ分に相当する。バッファゾーン１ ＢＦＺ１及びバッファゾーン２ ＢＦＺ２内もイニシャルゾーンＩＮＺと同様にメインデータの情報を全て“００ｈ”に設定している。
【０１５１】
コネクション領域（Connection Area）ＣＮＡ内に存在するコネクションゾーンＣＮＺはシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩを物理的に分離するための領域で、この領域はいかなるエンボスピットやプリブルーブも存在しないミラー面（鏡面）になっている。
【０１５２】
再生専用形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の参照コード記録ゾーン（Reference code zone）ＲＣＺは再生装置の再生回路調整用に用いられる領域で、前述したデータフレーム構造の情報が記録されている。参照コードの長さは１ＥＣＣブロック（＝３２セクタ）になっている。再生専用形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の参照コード記録ゾーン（Reference code zone）ＲＣＺをデータ領域（Data Area）ＤＴＡの隣りに配置する所に本実施形態の特徴が有る。現行ＤＶＤ−ＲＯＭディスク及び現行ＤＶＤ−Ｒディスクいずれの構造においても参照コード記録ゾーン（Reference code zone）とデータ領域（Data Area）との間に制御データゾーンが配置されており、参照コード記録ゾーンとデータ領域との間が離れている。参照コード記録ゾーンとデータ領域との間が離れていると、情報記憶媒体の傾き量や光反射率あるいは（追記形情報記憶媒体の場合には）記録膜の記録感度が若干変化し、参照コード記録ゾーンの所で再生装置の回路定数を調整してもデータ領域での最適な回路定数がずれてしまうと言う問題が発生する。上記問題を解決するために、参照コード記録ゾーン（Reference code zone）ＲＣＺをデータ領域（Data Area）ＤＴＡに隣接配置すると、参照コード記録ゾーン（Reference code zone）ＲＣＺ内で情報再生装置の回路定数を最適化した場合に、隣接するデータ領域（Data Area）ＤＴＡ内でも同じ回路定数で最適化状態が保持される。データ領域（Data Area）ＤＴＡ内の任意の場所で精度良く信号再生したい場合には、
（１）参照コード記録ゾーン（Reference code zone）ＲＣＺ内で情報再生装置の回路定数を最適化する
→（２）データ領域ＤＴＡ内の参照コード記録ゾーンＲＣＺに最も近い部分を再生しながら情報再生装置の回路定数を再度最適化する
→（３）データ領域ＤＴＡ内の目的位置と（２）で最適化した位置との中間位置で情報再生しながら回路定数を再々度最適化する
→（４）目的位置に移動して信号再生する
のステップを経る事で非常に精度良く目的位置での信号再生が可能となる。
【０１５３】
追記形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体内に存在するガードトラックゾーン１、２（Guard track zone）ＧＴＺ１、ＧＴＺ２はデータリードイン領域ＤＴＬＤＩの開始境界位置とディスクテストゾーンＤＫＴＺ、ドライブテストゾーンＤＲＴＺの境界位置を規定するための領域で、この領域には記録マーク形成による記録をしてはいけない領域として規定される。ガードトラックゾーン１ ＧＴＺ１、ガードトラックゾーン２ ＧＴＺ２はデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内に存在するため、この領域内には追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域、または書替え形情報記憶媒体ではグルーブ領域とランド領域は事前に形成されている。プリグルーブ領域、あるいはグルーブ領域、ランド領域内はウォブルアドレスが予め記録されているので、このウォブルアドレスを用いて情報記憶媒体内の現在位置を判定する。
【０１５４】
ディスクテストゾーンＤＫＴＺは情報記憶媒体の製造メーカーが品質テスト（評価）を行うために設けられた領域である。
【０１５５】
ドライブテストゾーンＤＲＴＺは情報記録再生装置が情報記憶媒体への情報を記録する前に試し書きするための領域として確保されている。情報記録再生装置は予めこの領域内で試し書きを行い、最適な記録条件（ライトストラテジ）を割り出した後、その最適記録条件でデータ領域ＤＴＡ内に情報を記録する事が出来る。
【０１５６】
書替え形情報記憶媒体内に有るディスク識別ゾーンＤＩＺ内の情報はオプショナル情報記録領域で記録再生装置の製造メーカー名情報とそれに関する付加情報及びその製造メーカーが独自に記録可能な領域から構成されるドライブ記述子（Drive description）を１組みとして１組み毎に追記可能な領域となっている。
【０１５７】
書替え形情報記憶媒体内に有る欠陥管理ゾーン１ ＤＭＡ１、欠陥管理ゾーン２ ＤＭＡ２はデータ領域ＤＴＡ内の欠陥管理情報が記録される場所で、例えば、欠陥個所が発生した時の代替え箇所情報などが記録されている。ここで、上記ＤＭＡ１およびＤＭＡ２の他にＤＭＡ管理情報（DMA Manager1）をあわせて欠陥管理領域（Defect Management Zone）として取り扱うことができる。
【０１５８】
追記形情報記憶媒体ではＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）と記録位置管理ゾーンＲＭＺ、Ｒ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺが独自に存在する。記録位置管理ゾーンＲＭＺ内にはデータの追記処理により更新されるデータの記録位置に関する管理情報で有る記録位置管理データＲＭＤ（Recording Management Data）が記録される（詳細は後述する）。後ほど図１３の所で説明するように本実施形態では各ボーダー内領域ＢＲＤＡ毎にそれぞれ記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定し、記録位置管理ゾーンＲＭＺの領域の拡張を可能としている。その結果、追記頻度が増加して必要とする記録位置管理データＲＭＤ領域が増加しても、逐次記録位置管理ゾーンＲＭＺを拡張する事で対応可能なため、追記回数を大幅に増やせると言う効果が生まれる。その場合、本実施形態では各ボーダー内領域ＢＲＤＡに対応した（各ボーダー内領域ＢＲＤＡの直前に配置された）ボーダーインＢＲＤＩ内に記録位置管理ゾーンＲＭＺを配置する。本実施形態では最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１に対応したボーダーインＢＲＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩを兼用化し、データ領域ＤＴＡ内での最初のボーダーインＢＲＤＩの形成を省略してデータ領域ＤＴＡの有効活用を行っている。すなわち、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺは最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１に対応した記録位置管理データＲＭＤの記録場所として利用されている。
【０１５９】
ＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）は記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の下記の条件を満足する記録位置管理データＲＭＤの情報を記録する場所で、本実施形態のように記録位置管理データＲＭＤを重複して持つ事で、記録位置管理データＲＭＤの信頼性を高めている。すなわち、追記形情報記憶媒体表面に付いたゴミや傷の影響で記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤが不可能になった場合、このＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内に記録された記録位置管理データＲＭＤを再生し、更に、残りの必要な情報をトレーシングにより収集する事で最新の記録位置管理データＲＭＤの情報を復元できる。
【０１６０】
このＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内には（複数の）ボーダーをクローズする時点での記録位置管理データＲＭＤが記録される。後述するように１個のボーダーをクローズし、次の新たなボーダー内領域を設定する毎に新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを定義するので、新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを作成する毎に、その前のボーダー内領域に関係した最後の記録位置管理データＲＭＤをこのＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内に記録すると言っても良い。追記形情報記憶媒体上に記録位置管理データＲＭＤを追記する毎に同じ情報をこのＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）に記録すると、比較的少ない追記回数でＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）が一杯になってしまうため追記回数の上限値が小さくなってしまう。それに比べて本実施形態のようにボーダーをクローズした時やボーダーインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーン内が一杯になり、Ｒゾーンを用いて新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを形成するなど新たに記録位置管理ゾーンを作る場合に、今までの記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の最後の記録位置管理データＲＭＤのみをＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内に記録する事でＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内を有効活用して追記可能回数を向上できる効果が有る。
【０１６１】
例えば、追記途中の（クローズする前の）ボーダー内領域ＢＲＤＡに対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤが追記形情報記憶媒体表面に付いたゴミや傷の影響で再生不可能になった場合には、このＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内の最後に記録された記録位置管理データＲＭＤを読み取る事で既にクローズされたボーダー内領域ＢＲＤＡの場所が分かる。従って、情報記憶媒体のデータ領域ＤＴＡ内のそれ以外の場所をトレースする事で追記途中の（クローズする前の）ボーダー内領域ＢＲＤＡの場所とそこに記録された情報内容を収集でき、最新の記録位置管理データＲＭＤの情報を復元できる。
【０１６２】
制御データゾーンＣＤＺ内の物理フォーマット情報ＰＦＩ（後で詳細に説明する）に類似した情報がＲ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺ内に記録される。
【０１６３】
追記形情報記憶媒体内に有るＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）と記録位置管理ゾーンＲＭＺ内のデータ構造を図１３に示す。図１３（ａ）はシステムリードイン領域とデータリードイン領域内のデータ構造を比較する図を示し、図１３（ａ）内のＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）と記録位置管理ゾーンＲＭＺの拡大図が図１３（ｂ）に示されている。上述したようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺには最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ内に対応した記録位置管理に関するデータが１個の記録位置管理データ（Recording Management Data）ＲＭＤの中にそれぞれまとめて記録され、追記形情報記憶媒体への追記処理が行われた時に発生する記録位置管理データＲＭＤの中身が更新される毎に新たな記録位置管理データＲＭＤとして順次後ろ側に追記される。すなわち、記録位置管理データ（Recording Management Data）ＲＭＤは１物理セグメントブロック（物理セグメントブロックに付いては後述する）のサイズ単位で記録され、データ内容が更新される毎に新たな記録位置管理データＲＭＤとして順次後ろに追記されて行く。図１３（ｂ）の例では事前に記録位置管理データＲＭＤ＃１と＃２が記録されていた所に管理データに変更が生じたので、変更後（アップデート後）のデータを記録位置管理データＲＭＤ＃３として記録位置管理データＲＭＤ＃２の直後に記録した例を示している。従って、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内では更に、追記可能なように予約領域２７３が存在している。
【０１６４】
図１３（ｂ）ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ中に存在する記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の構造を示しているが、それに限らず後述するボーダーインＢＲＤＩ内またはボーダー内領域ＢＲＤＡ内に有る記録位置管理ゾーンＲＭＺ（または拡張記録位置管理ゾーン：拡張ＲＭＺと呼ぶ）内の構造も図１３（ｂ）に示した構造と同じである。
【０１６５】
本実施形態では最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１をクローズするかデータ領域ＤＴＡの終了処理（ファイナライズ）をする場合には、最後の記録位置管理データＲＭＤで図１３（ｂ）に示した予約領域２７３を全て埋める処理を行う。これにより、
（１）“未記録状態”の予約領域２７３が無くなり、ＤＰＤ（Differential Phase Detection）検出法によるトラッキング補正の安定化を保証する
（２）かつての予約領域２７３に最後の記録位置管理データＲＭＤを多重書きする事になり、最後の記録位置管理データＲＭＤに関する再生時の信頼性が大幅に向上する
（３）誤って未記録状態の予約領域２７３に異なった記録位置管理データＲＭＤを記録する事件を防止できる
と言う効果が有る。
【０１６６】
上記処理方法はデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺに限らず、本実施形態では後述するボーダーインＢＲＤＩ内またはボーダー内領域ＢＲＤＡ内に有る記録位置管理ゾーンＲＭＺ（または拡張記録位置管理ゾーン：拡張ＲＭＺと呼ぶ）に対しても対応するボーダー内領域ＢＲＤＡをクローズするかデータ領域ＤＴＡの終了処理（ファイナライズ）をする場合には最後の記録位置管理データＲＭＤで予約領域２７３を全て埋める処理を行う。
【０１６７】
ＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内はＲＤＺリードインＲＤＺＬＩと対応ＲＭＺ最後の記録位置管理データＲＭＤの記録領域２７１に分かれている。ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの中は図１３（ｂ）に示すようにデータサイズが４８ＫＢのシステム予約領域ＳＲＳＦとデータサイズが１６ＫＢのユニークＩＤ領域ＵＩＤＦから構成される。システム予約領域ＳＲＳＦ内は全て“００ｈ”にセットされる。
【０１６８】
本実施形態では追記可能なデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内にＲＤＺリードインＲＤＺＬＩを記録する所に特徴が有る。本実施形態の追記形情報記憶媒体では製造直後はＲＤＺリードインＲＤＺＬＩは未記録の状態で出荷される。ユーザサイドの情報記録再生装置内でこの追記形情報記憶媒体を使う段階で初めてＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの情報を記録する。従って、追記形情報記憶媒体を情報記録再生装置に装着直後にこのＲＤＺリードインＲＤＺＬＩに情報が記録されているか否かを判定する事で、対象の追記形情報記憶媒体が製造・出荷直後の状態か少なくとも一回でも使用したかを容易に知る事が出来る。更に、図１３に示すようにＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）が最初のボーダー内領域ＢＲＤＡに対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺより内周側に配置され、ＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内にＲＤＺリードインＲＤＺＬＩが配置される所に本実施形態の次の特徴が有る。
【０１６９】
追記形情報記憶媒体が製造・出荷直後の状態か少なくとも一回でも使用したかの情報（ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩ）を共通な利用目的（ＲＭＤの信頼性向上）に使われるＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内に配置する事で情報収集の利用効率が向上する。また、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩを記録位置管理ゾーンＲＭＺより内周側に配置する事で必要情報収集に必要な時間の短縮化が図れる。情報記憶媒体を情報記録再生装置に装着すると、情報記録再生装置は図１２に記載されるように最内周側に配置されたバーストカッティング領域ＢＣＡから再生を開始し、順次外側に再生位置を移動させながらシステムリードイン領域ＳＹＬＳＩ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩへと再生場所を変えて行く。ＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内のＲＤＺリードインＲＤＺＬＩに情報が記録されているかを判別する。出荷直後で一度も記録されて無い追記形情報記憶媒体では記録位置管理ゾーンＲＭＺ内には一切の記録位置管理データＲＭＤが記録されて無いので、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩに情報が記録されて無い場合には“出荷直後で未使用”と判定し、記録位置管理ゾーンＲＭＺの再生を省く事が出来、必要情報収集に必要な時間の短縮化が図れる。
【０１７０】
ユニークＩＤ領域ＵＩＤＦ内は図１３（ｃ）に示すように、初めて出荷直後の追記形情報記憶媒体を使用した（記録を開始した）情報記録再生装置に関する情報が記録される。すなわち、情報記録再生装置のドライブメーカーＩＤ２８１や情報記録再生装置のシリアル番号２８３、モデル番号２８４が記録される。ユニークＩＤ領域ＵＩＤＦ内は図１３（ｃ）に示した２ＫＢ（厳密には２０４８バイト）の同じ情報が８回繰り返し記録されている。ユニークディスクＩＤ２８７内情報には図１３（ｄ）に示すように初めて使用（記録を開始）した時の年情報２９３、月情報２９４、日情報２９５、時間情報２９６、分情報２９７、秒情報２９８が記録される。それぞれの情報のデータタイプは図１３（ｄ）に記載されているようにＨＥＸ、ＢＩＮ、ＡＳＣＩＩで記載され、使用バイト数も２バイトもしくは４バイト使われる。
【０１７１】
このＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの領域のサイズと前記１個の記録位置管理データＲＭＤのサイズが６４ＫＢすなわち、１個のＥＣＣブロック内のユーザデータサイズの整数倍になっている所に本実施形態の特徴がある。追記形情報記憶媒体の場合、１個のＥＣＣブロック内のデータの一部を変更後に情報記憶媒体に変更後のＥＣＣブロックのデータを書き替えると言う処理が出来ない。従って、特に追記形情報記憶媒体の場合には後述するように、１個のＥＣＣブロックを含むデータセグメントの整数倍で構成されるレコーディングクラスタ単位で記録される。従って、ＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの領域のサイズと前記１個の記録位置管理データＲＭＤのサイズがＥＣＣブロック内のユーザデータサイズと異なると、レコーディングクラスター単位に合わせるためのパディング領域またはスタッフィング領域が必要となり、実質的な記録効率が低下する。本実施形態のようにＲＤＺリードインＲＤＺＬＩの領域のサイズと前記１個の記録位置管理データＲＭＤのサイズが６４ＫＢの整数倍に設定する事で記録効率の低下を防止できる。
【０１７２】
図１３（ｂ）における対応ＲＭＺ最後の記録位置管理データＲＭＤ記録領域２７１についての説明を行う。登録２６２１４５９号に記載されているように、リードイン領域の内側に記録中断時の中間情報を記録する方法が有る。この場合には記録を中断する毎あるいは追記処理を行う毎に、この領域に中間情報（本実施形態では記録位置管理データＲＭＤ）を逐次追記する必要が有る。そのため、頻繁に記録中断または追記処理が繰り返されると、この領域が直ぐに満杯となり更なる追加処理が不可能になると言う問題が発生する。この問題を解決するために、本実施形態では特定の条件を満たす時にのみ更新された記録位置管理データＲＭＤを記録できる領域としてＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）を設定し、特定条件の下で間引かれた記録位置管理データＲＭＤを記録する事を特徴とする。このようにＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内に追記される記録位置管理データＲＭＤの頻度を低下させる事でＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内で満杯になるのを防ぎ、追記形情報記憶媒体に対する追記可能な回数を大幅に向上できると言う効果が有る。これと並行して、追記処理毎に更新される記録位置管理データＲＭＤは図１４（ｃ）に示すボーダーインＢＲＤＩ内（最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１に関しては図１３（ａ）に示すようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内）の記録位置管理ゾーンＲＭＺ、あるいは後述するＲゾーンを利用した記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に逐次追記される。そして、次のボーダー内領域ＢＲＤＡを作成（新たなボーダーインＢＲＤＩを設定）したりＲゾーン内に新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定するなど新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを作る時に、最後の（新たな記録位置管理ゾーンＲＭＺを作る直前の状態での最新の）記録位置管理データＲＭＤをＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）（の中の対応ＲＭＺ最後の記録位置管理データＲＭＤ記録領域２７１）内に記録する。これにより、追記形情報記憶媒体への追記可能回数が大幅に増大するだけでなく、この領域を利用する事で最新のＲＭＤ位置検索が容易になると言う効果が生まれる。
【０１７３】
再生専用形、追記形、書替え形いずれの情報記憶媒体においてシステムリードイン領域がデータリードイン領域を挟んでデータ領域の反対側に配置され、更に、図１２に示すようにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩを挟んでバーストカッティング領域ＢＣＡとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩが互いに反対側に配置されている所に本実施形態の特徴が有る。情報記憶媒体を図７に示した情報再生装置または情報記録再生装置に挿入すると、情報再生装置または情報記録再生装置は
（１）バーストカッティング領域ＢＣＡ内の情報の再生
→（２）システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報データゾーンＣＤＺ内の情報の再生
→（３）データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の情報の再生（追記形または書替え形の場合）
→（４）参照コード記録ゾーンＲＣＺ内での再生回路定数の再調整（最適化）
→（５）データ領域ＤＴＡ内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録
の順で処理を行う。
【０１７４】
上記処理の順に沿って情報が内周側から順に配置されているため、不要な内周へのアクセス処理が不要となり、アクセス回数を少なくしてデータ領域ＤＴＡへ到達できるため、データ領域ＤＴＡ内に記録された情報の再生もしくは新たな情報の記録の開始時間を早める効果が有る。また、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩでの信号再生にスライスレベル検出方式を利用し、データリードイン領域ＤＴＬＤＩとデータ領域ＤＴＡでは信号再生にＰＲＭＬを用いるので、データリードイン領域ＤＴＬＤＩとデータ領域ＤＴＡを隣接させると、内周側から順に再生した場合、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩとデータリードイン領域ＤＴＬＤＩの間で１回だけスライスレベル検出回路からＰＲＭＬ検出回路に切り替えるだけで連続して安定に信号再生が可能となる。そのため、再生手順に沿った再生回路切り替え回数が少ないので処理制御が簡単になりデータ領域内再生開始時間が早くなる。
【０１７５】
再生専用形情報記憶媒体においてデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯとシステムリードアウト領域ＳＹＬＤＯ内に記録されているデータはデータフレーム構造（データフレーム構造に付いては後述）を持ち、その中のメインデータの値を全て“００ｈ”に設定している。再生専用形情報記憶媒体ではデータ領域ＤＴＡ内の全領域に亘りユーザデータの事前記録領域２０１として使用できるが、後述するように追記形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体のいずれの実施形態でもユーザデータの書替え／追記可能範囲２０２〜２０５がデータ領域ＤＴＡよりも狭くなっている。
【０１７６】
追記形情報記憶媒体あるいは書替え形情報記憶媒体ではデータ領域ＤＴＡの最内周部に代替え領域（Spare Area）ＳＰＡが設けて有る。データ領域ＤＴＡ内に欠陥場所が発生した場合に前記代替え領域ＳＰＡを使って代替え処理を行い、書替え形情報記憶媒体の場合にはその代替え履歴情報（欠陥管理情報）を欠陥管理ゾーン１ ＤＭＡ１、欠陥管理ゾーン２ ＤＭＡ２及び欠陥管理ゾーン３ ＤＭＡ３、欠陥管理ゾーン４ ＤＭＡ４に記録する。欠陥管理ゾーン３ ＤＭＡ３、欠陥管理ゾーン４ ＤＭＡ４に記録される欠陥管理情報は欠陥管理ゾーン１ ＤＭＡ１、欠陥管理ゾーン２ ＤＭＡ２に記録される情報と同じ内容が記録される。追記形情報記憶媒体の場合には代替え処理を行った場合の代替え履歴情報（欠陥管理情報）はデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内及び後述するボーダーゾーン内に存在する記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報Ｃ_ＲＭＺ内に記録される。現行のＤＶＤ−Ｒディスクでは欠陥管理を行わなかったが、ＤＶＤ−Ｒディスクの製造枚数の増加に連れて一部に欠陥場所を持つＤＶＤ−Ｒディスクが出廻るようになり、追記形情報記憶媒体に記録する情報の信頼性向上を望む声が大きくなっている。
【０１７７】
ドライブテストゾーンＤＲＴＺは情報記録再生装置が情報記憶媒体への情報を記録する前に試し書きするための領域として確保されている。情報記録再生装置は予めこの領域内で試し書きを行い、最適な記録条件（ライトストラテジ）を割り出した後、その最適記録条件でデータ領域ＤＴＡ内に情報を記録する事が出来る。
【０１７８】
ディスクテストゾーンＤＫＴＺは情報記憶媒体の製造メーカーが品質テスト（評価）を行うために設けられた領域である。
【０１７９】
追記形情報記憶媒体では内周側と外周側の２箇所にドライブテストゾーンＤＲＴＺを設けて有る。ドライブテストゾーンＤＲＴＺに行う試し書きの回数が多い程、細かくパラメータを振って最適な記録条件を詳細に探すことが出来てデータ領域ＤＴＡへの記録精度が向上する。書替え形情報記憶媒体では重ね書きによるドライブテストゾーンＤＲＴＺ内の再利用が可能となるが、追記形情報記憶媒体では試し書きの回数を多くして記録精度を上げようとするとドライブテストゾーンＤＲＴＺ内をすぐに使い切ってしまうと言う問題が発生する。その問題を解決するために本実施形態では外周部から内周方向に沿って逐次拡張ドライブテストゾーン（Extended Drive Test Zone）ＥＤＲＴＺの設定を可能とし、ドライブテストゾーンの拡張を可能とする所に特徴が有る。
【０１８０】
拡張ドライブテストゾーンの設定方法とその設定された拡張ドライブテストゾーン内での試し書き方法に関する特徴として、本実施形態では、
１．拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの設定（枠取り）は外周方向（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに近い方）から内周側にむけて順次まとめて設定する
…  データ領域内の最も外周に近い場所（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに最も近い場所）からまとまった領域として拡張ドライブテストゾーン１ ＥＤＲＴＺ１を設定し、その拡張ドライブテストゾーン１ ＥＤＲＴＺ１を使い切った後で、それより内周側に存在するまとまった領域として拡張ドライブテストゾーン２ ＥＤＲＴＺ２を次に設定可能とする。
【０１８１】
２．拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの中では内周側から順次試し書きを行う
…  拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの中で試し書きを行う場合には内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域２１４に沿って行い、前回試し書きをした（既に記録された）場所のすぐ後ろの未記録場所に今回の試し書きを行う。
【０１８２】
データ領域内は内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域２１４に沿って追記される構造となっており、拡張ドライブテストゾーン内での試し書きが直前に行われた試し書き場所の後ろに順次追記する方法で行う事により、“直前に行われた試し書き場所の確認”→“今回の試し書きの実施”の処理がシリアルに行えるため、試し書き処理が容易となるばかりでなく、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内での既に試し書きされた場所の管理が簡単になる。
【０１８３】
３．拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺも含めた形でデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの再設定可能
…  データ領域ＤＴＡ内に２箇所拡張代替え領域１ ＥＳＰＡ１、拡張代替え領域２ ＥＳＰＡ２を設定し、２箇所の拡張ドライブテストゾーン１ ＥＤＲＴＺ１、拡張ドライブテストゾーン２ ＥＤＲＴＺ２を設定した例を示す。この場合に本実施形態では拡張ドライブテストゾーン２ ＥＤＲＴＺ２までを含めた領域に対してデーターリードアウト領域ＤＴＬＯとして再設定出来る所に特徴が有る。これに連動して範囲を狭めた形でデータ領域ＤＴＡの範囲の再設定を行うことになり、データ領域ＤＴＡ内に存在するユーザデータの追記可能範囲２０５の管理が容易になる。
【０１８４】
拡張代替え領域１ ＥＳＰＡ１の設定場所を“既に使い切った拡張代替え領域”と見なし、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内の拡張代替え領域２ ＥＳＰＡ２内のみに未記録領域（追記の試し書きが可能な領域）が存在すると管理する。この場合、拡張代替え領域１ ＥＳＰＡ１内に記録され、代替えに使われた非欠陥の情報はそっくりそのまま拡張代替え領域２ ＥＳＰＡ２内の未代替え領域の場所に移され、欠陥管理情報が書き替えられる。この時再設定されたデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの開始位置情報は記録位置管理データＲＭＤ内のＲＭＤフィールド０の最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報内に記録される。
【０１８５】
図１５を参照して追記形情報記憶媒体におけるボーダー領域の構造について説明する。追記形情報記憶媒体に初めて１個のボーダー領域を設定した時は図１５（ａ）に示すように内周側（データリードイン領域ＤＴＬＤＩに最も近い側）にボーダー内領域（Bordered Area）ＢＲＤＡ＃１を設定後、その後ろにボーダーアウト（Border out）ＢＲＤＯを形成する。
【０１８６】
更に、その次のボーダー内領域（Bordered Area）ＢＲＤＡ＃２を設定したい場合には、図１５（ｂ）に示すように前の（＃１の）ボーダーアウトＢＲＤＯの後ろに次の（＃１の）ボーダーイン（Border in）ＢＲＤＩを形成した後に次のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃２を設定し、次のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃２をクローズしたい場合にはその直後に（＃２）のボーダーアウトＢＲＤＯを形成する。本実施形態ではこの前の（＃１の）ボーダーアウトＢＲＤＯの後ろに次の（＃１の）ボーダーイン（Border in）ＢＲＤＩを形成して組みにした状態をボーダーゾーン（Border Zone）ＢＲＤＺと呼んでいる。ボーダーゾーンＢＲＤＺは情報再生装置（ＤＰＤ検出法を前提）で再生した時の各ボーダー内領域ＢＲＤＡ間で光学ヘッドがオーバーランするのを防止するために設定している。従って、情報が記録された追記形情報記憶媒体を再生専用装置で再生する場合には、このボーダーアウトＢＲＤＯとボーダーインＢＲＤＩが既に記録されると共に最後のボーダー内領域ＢＲＤＡの後ろにボーダーアウトＢＲＤＯが記録されるボーダークローズ処理がなされる事が前提となる。最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１は４０８０個以上の物理セグメントブロックで構成され、追記形情報記憶媒体上の半径方向で最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１が１．０ｍｍ以上の幅を持っている必要が有る。図１５（ｂ）ではデータ領域ＤＴＡ内に拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺを設定した例を示している。
【０１８７】
追記形情報記憶媒体をファイナライズ（Finalization）した後の状態を図１５（ｃ）に示す。図１５（ｃ）の例では拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺをデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内に組み込み、更に、拡張代替え領域ＥＳＰＡも設定済みの例を示している。この場合にはユーザデータの追加可能範囲２０５を残さないように最後のボーダーアウトＢＲＤＯで埋める。
【０１８８】
上記説明したボーダーゾーンＢＲＤＺ内の詳細なデータ構造を図１５（ｄ）に示す。各情報は後述する１物理セグメントブロック（Physical Segment Block）のサイズ単位で記録される。ボーダーアウトＢＲＤＯ内の最初には記録位置管理ゾーンへ記録された内容のコピー情報Ｃ_ＲＭＺが記録され、ボーダーアウトＢＲＤＯで有る事を示すボーダー終了用目印（Stop Block）ＳＴＢが記録される。さらに次のボーダーインＢＲＤＩが来る場合には、このボーダー終了用目印（Stop Block）ＳＴＢが記録された物理セグメントブロックから数えて“Ｎ１番目”の物理セグメントブロックに次にボーダー領域が来る事を示す最初の目印（Next Border Marker）ＮＢＭが、そして“Ｎ２番目”の物理セグメントブロックに次にボーダー領域が来る事を示す２番目の目印ＮＢＭ、“Ｎ３番目”の物理セグメントブロックに次にボーダー領域が来る事を示す３番目の目印ＮＢＭがそれぞれ１物理セグメントブロックのサイズ毎に離散的に合計３箇所に記録される。
【０１８９】
次のボーダーインＢＲＤＩ内にはアップデートされた物理フォーマット情報（Updated Physical Format Information）Ｕ_ＰＦＩが記録される。現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスクでは次のボーダー領域が来ない場合には（最後のボーダーアウトＢＲＤＯ内では）、図１５（ｄ）に示した“次のボーダーを示す目印ＮＢＭ”を記録すべき場所（１物理セグメントブロックサイズの場所）は“全くデータを記録しない場所”のまま保持される。この状態でボーダークローズされると、この追記形情報記憶媒体（現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスク）は従来のＤＶＤ−ＲＯＭドライブまたは従来のＤＶＤプレーヤーでの再生が可能な状態となる。従来のＤＶＤ−ＲＯＭドライブまたは従来のＤＶＤプレーヤーではこの追記形情報記憶媒体（現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスク）上に記録された記録マークを利用してＤＰＤ（Differential Phase Detection）法を用いたトラックずれ検出を行う。しかし、上記の“全くデータを記録しない場所”では１物理セグメントブロックサイズにも亘って記録マークが存在しないので、ＤＰＤ（Differential Phase Detection）法を用いたトラックずれ検出が行え無いので安定にトラックサーボがかから無いと言う問題が有る。
【０１９０】
上記の現行のＤＶＤ−ＲまたはＤＶＤ−ＲＷディスクの問題点の対策として、本実施形態では、
（１）次のボーダー領域が来ない場合には“次のボーダーを示す目印ＮＢＭを記録すべき場所”には予め特定パターンのデータを記録しておく、
（２）次のボーダー領域が来る場合には上記予め特定パターンのデータが記録されている“次のボーダーを示す目印ＮＢＭ”の場所には部分的かつ離散的に特定の記録パターンで『重ね書き処理』を行う事で“次のボーダー領域が来る事”を示す識別情報として利用する、と言う方法を新規に採用している。
【０１９１】
このように重ね書きにより次のボーダーを示す目印を設定する事で、（１）に示すように次のボーダー領域が来ない場合でも“次のボーダーを示す目印ＮＢＭを記録すべき場所”には予め特定パターンの記録マークが形成でき、ボーダークローズ後に再生専用の情報再生装置でＤＰＤ法によりトラックずれ検出を行っても安定にトラックサーボが掛かると言う効果が生まれる。追記形情報記憶媒体において既に記録マークが形成されている部分に対して部分的にでもその上に新たな記録マークを重ね書きすると、情報記録再生装置または情報再生装置において図７に示したＰＬＬ回路の安定化が損なわれる危惧が有る。その危惧対策として本実施形態では更に、
（３）１物理セグメントブロックサイズの“次のボーダーを示す目印ＮＢＭ”の位置に重ね書きする時に同一データセグメント内の場所により重ね書き状況を変化させる方法と
（４）シンクデータ４３２内に部分的に重ね書きを行い、シンクコード４３１上での重ね書きを禁止する
（５）データＩＤとＩＥＤを除いた場所に重ね書きする
と言う方法を更に、新規に採用している。後で詳細に説明するように、ユーザデータを記録するデータフィールド４１１〜４１８とガード領域４４１〜４４８が交互に情報記憶媒体上に記録される。データフィールド４１１〜４１８とガード領域４４１〜４４８を組み合わせた組をデータセグメント４９０と呼び、１個のデータセグメント長は１個の物理セグメントブロック長に一致する。図７に示したＰＬＬ回路はＶＦＯ領域４７１、４７２内で特にＰＬＬの引き込みがし易くなっている。従って、ＶＦＯ領域４７１、４７２の直前ならばＰＬＬが外れてもＶＦＯ領域４７１、４７２を用いてＰＬＬの再引き込みが容易に行われるので、情報記録再生装置または情報再生装置内でのシステム全体としての影響は軽減される。この状況を利用し上記のように（３）データセグメント内の場所により重ね書き状況を変化させ、同一データセグメント内のＶＦＯ領域４７１、４７２に近い後ろの部分で特定パターンの重ね書き量を増やす事で“次のボーダーを示す目印”の判別を容易にすると共に再生時の信号ＰＬＬの精度劣化を防止できると言う効果が有る。
【０１９２】
１個の物理セクタ内はシンクコード４３３（ＳＹ０〜ＳＹ３）が配置されている場所と、そのシンクコード４３３の間に配置されたシンクデータ４３４の組み合わせで構成されている。情報記録再生装置あるいは情報再生装置は情報記憶媒体上に記録されているチャネルビット列の中からシンクコード４３３（ＳＹ０〜ＳＹ３）を抽出し、チャネルビット列の切れ目を検出している。後述するようにデータＩＤの情報から情報記憶媒体上に記録されているデータの位置情報（物理セクタ番号または論理セクタ番号）を抽出している。その直後に配置されたＩＥＤを用いてデータＩＤのエラーを検知している。従って、本実施形態では（５）データＩＤとＩＥＤ上での重ね書きを禁止するとともに（４）シンクコード４３１を除いたシンクデータ４３２内に部分的に重ね書きを行う事で、“次のボーダーを示す目印ＮＢＭ”内でもシンクコード４３１を用いたデータＩＤ位置の検出とデータＩＤに記録された情報の再生（内容判読）を可能にしている。
【０１９３】
追記形情報記憶媒体におけるボーダー領域の構造に関する図１５とは異なる他の実施形態を図１４に示す。図１４（ａ）、（ｂ）は図１５（ａ）、（ｂ）と同じ内容を示している。図１４では追記形情報記憶媒体をファイナライズ（Finalization）した後の状態が図１５（ｃ）とは異なる。例えば、図１４（ｃ）に示すようにボーダー内領域ＢＲＤＡ＃３内の情報記録を終了させたのちにファイナライズ（Finalization）したい場合には、ボーダークローズ処理としてボーダー内領域ＢＲＤＡ＃３の直後にボーダーアウトＢＲＤＯを形成する。その後、ボーダー内領域ＢＲＤＡ＃３直後のボーダーアウトＢＲＤＯの後ろにターミネータ（Terminator）領域ＴＲＭを形成し、ファイナライズに必要な時間の短縮を図っている。
【０１９４】
図１５（ｃ）の実施形態では拡張代替え領域ＥＳＰＡの直前までボーダーアウトＢＲＤＯで埋める必要があり、このボーダーアウトＢＲＤＯ形成のために長時間必要となりファイナライズ時間が掛かる問題が生じる。これに対して、図１４（ｃ）の実施形態では比較的長さの短いターミネーター領域ＴＲＭを設定し、ターミネーターＴＲＭより外側全てを新たなデータリードアウト領域ＮＤＴＬＤＯと再定義し、ターミネーターＴＲＭより外側にある未記録部分を使用禁止領域９１１に設定する。すなわち、データ領域ＤＴＡがファイナライズされる時には記録データの最後（ボーダーアウトＢＲＤＯの直後）にターミネーター領域ＴＲＭを形成する。この領域内のメインデータの情報を全て“００ｈ”に設定する。この領域のタイプ情報をデータリードアウトＮＤＴＬＤＯの属性に設定される事で、図１４（ｃ）に示すようにこのターミネーター領域ＴＲＭを新たなデータリードアウト領域ＮＤＴＬＤＯとして再定義される。この領域のタイプ情報は後述するようにデータＩＤ内の領域タイプ情報９３５に記録される。すなわち、このターミネーター領域ＴＲＭ内でのデータＩＤ内の領域タイプ情報９３５を“１０ｂ”に設定することでデータリードアウトＤＴＬＤＯ内に有る事を示す。本実施形態ではデータＩＤ内領域タイプ情報９３５によりデータリードアウト位置の識別情報を設定する所に大きな特徴がある。
【０１９５】
図７に示した情報記録再生装置または情報再生装置において情報記録再生部１４１が追記形情報記憶媒体上の特定目標位置に粗アクセスした場合を考える。粗アクセス直後は情報記録再生部１４１は追記形情報記憶媒体上の何処に到達したか知るために必ずデータＩＤを再生し、データフレーム番号９２２を解読する必要が有る。データＩＤ内にはデータフレーム番号９２２の近くに領域タイプ情報９３５が有るため、同時にこの領域タイプ情報９３５を解読するだけで情報記録再生部１４１がデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内に居るか否かが即座に分かるため、アクセス制御の簡素化と高速化を図ることが出来る。上述したようにターミネーター領域ＴＲＭのデータＩＤ内設定によりデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの識別情報を持たせる事でターミネーター領域ＴＲＭ検出が容易となる。
【０１９６】
特例としてもし最後のボーダーアウトＢＲＤＯがデータリードアウトＮＤＴＬＤＯの属性として設定された場合（すなわち、ボーダーアウトＢＲＤＯ領域内のデータフレームのデータＩＤ内の領域タイプ情報９３５を“１０ｂ”に設定した場合）には、このターミネーター領域ＴＲＭの設定は行わない。従って、データリードアウトＮＤＴＬＤＯの属性を持ったターミネーター領域ＴＲＭが記録されると、このターミネーター領域ＴＲＭがデータリードアウト領域ＮＤＴＬＤＯの一部と見なされるためデータ領域ＤＴＡへの記録が不可能となり、図１４（ｃ）のように使用禁止領域９１１として残る場合が有る。
【０１９７】
本実施形態ではターミネーター領域ＴＲＭのサイズを追記形情報記憶媒体上の位置により変える事でファイナライズ時間の短縮化と処理の効率化を図っている。このターミネーター領域ＴＲＭは記録データの最後位置を示すだけでなく、ＤＰＤ方式でトラックずれ検出を行う再生専用装置に使用した場合でもトラックずれによるオーバーランを防止するためにも利用されている。従って、このターミネーター領域ＴＲＭの追記形情報記憶媒体上での半径方向の幅（ターミネーター領域ＴＲＭで埋められた部分の幅）としては、再生専用装置の検出特性の関係から最低でも０．０５ｍｍ以上の長さが必要となる。追記形情報記憶媒体上での１周の長さは半径位置により異なるため、１周内に含まれる物理セグメントブロック数が半径位置で異なる。そのため、半径位置すなわち、ターミネーター領域ＴＲＭ内最初に位置する物理セクタの物理セクタ番号によりターミネーター領域ＴＲＭのサイズが異なり、外周側に行くに従ってターミネーター領域ＴＲＭのサイズが大きくなっている。許容されるターミネーター領域ＴＲＭの物理セクタ番号の最小値は“０４ＦＥ００ｈ”より大きい必要がある。これは前述したように最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１は４０８０個以上の物理セグメントブロックで構成され、追記形情報記憶媒体上の半径方向で最初のボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１が１．０ｍｍ以上の幅を持っている必要が有るための制約条件から来る。ターミネーター領域ＴＲＭは物理セグメントブロックの境界位置から開始する必要が有る。
【０１９８】
図１４（ｄ）では前述したのと同じ理由から各情報が記録される場所が１物理セグメントブロックサイズ毎に設定され、各１個の物理セグメントブロック内に３２個の物理セクタ内に分散記録された合計６４ＫＢのユーザデータが記録される。それぞれの情報に対して図１４（ｄ）に示すように相対的な物理セグメントブロック番号が設定されており、相対的な物理セグメントブロック番号の若い順に追記形情報記憶媒体に各情報が順次記録される形になっている。図１４に示した実施形態では図１５（ｄ）の記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報記録領域Ｃ_ＲＭＺ内に同一内容であるＲＭＤのコピーＣＲＭＤ＃０〜＃４が５回多重書きされている。このように多重書きする事で再生時の信頼性を向上させ、追記形情報記憶媒体上にゴミや傷が付いても安定して記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報ＣＲＭＤを再生できる。図１４（ｄ）におけるボーダー終了目印ＳＴＢは図１５（ｄ）のボーダー終了用目印ＳＴＢと一致しているが、図１４（ｄ）の実施形態では図１５（ｄ）の実施形態に示すような次のボーダーを示す目印ＮＢＭを持た無い。リザーブ領域９０１、９０２内でのメインデータの情報は全て“００ｈ”に設定する。
【０１９９】
ボーダーインＢＲＤＩの最初にはアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ_ＰＦＩとして全く同じ情報が相対的な物理セグメントブロック番号としてＮ＋１からＮ＋６まで６回多重書きされ、図１５のアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ_ＰＦＩを構成している。このようにアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ_ＰＦＩを多重書きする事で情報の信頼性を向上させている。
【０２００】
図１４（ｄ）ではボーダーゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺをボーダーインＢＲＤＩ内に持たせた所に大きな特徴がある。図１３に示すようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺのサイズが比較的小さく、新たなボーダー内領域ＢＲＤＡの設定を頻繁に繰り返すと記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に記録される記録位置管理データＲＭＤが飽和し、途中で新たなボーダー内領域ＢＲＤＡの設定が不可能になってしまう。図１４（ｄ）の実施形態のようにボーダーインＢＲＤＩ内にその後に続くボーダー内領域ＢＲＤＡ＃３内に関する記録位置管理データＲＭＤを記録する記録位置管理ゾーンを設けた事により、新たなボーダー内領域ＢＲＤＡの設定を多数回行えると共にボーダー内領域ＢＲＤＡ内での追記回数を大幅に増やせると言う効果が生まれる。このボーダーゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺが含まれるボーダーインＢＲＤＩに続くボーダー内領域ＢＲＤＡ＃３がクローズされるかデータ領域ＤＴＡがファイナライズされる場合には、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の未記録状態にある予約領域２７３内全てに対して最後の記録位置管理データＲＭＤを繰り返し記録して全て埋める必要が有る。これにより、未記録状態の予約領域２７３を無くし、再生専用装置での再生時の（ＤＰＤによる）トラック外れを防止すると共に記録位置管理データＲＭＤの多重記録により記録位置管理データＲＭＤの再生信頼性を向上させる事ができる。リザーブ領域９０３の全てのデータを“００ｈ”に設定している。
【０２０１】
ボーダーアウトＢＲＤＯはＤＰＤを前提とした再生専用装置でのトラック外れによるオーバーラン防止の役割が有るが、ボーダーインＢＲＤＩ内はアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ_ＰＦＩとボーダーゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺの情報を持つ以外は特に大きなサイズを持つ必要が無い。従って、新たなボーダー内領域ＢＲＤＡ設定時の（ボーダーゾーンＢＲＤＺ記録に必要な）時間短縮の意味からなるべくサイズを小さくしたい。図１４（ａ）に対してボーダークローズによるボーダーアウトＢＲＤＯ形成前の時には、ユーザデータの追記可能範囲２０５は充分広く追記回数も多く行われる可能性が高いので、ボーダーゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺには多数回記録位置管理データが記録できるように図１４（ｄ）の“Ｍ”の値を大きく取っておく必要が有る。それに比べて、図１４（ｂ）に対してボーダー内領域ＢＲＤＡ＃２をボーダークローズする前でボーダーアウトＢＲＤＯを記録する前の状態では、ユーザデータの追記可能範囲２０５が狭まっているのでボーダーゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に追記される記録位置管理データの追記回数もそれ程多くはならないと考えられる。従って、ボーダー内領域ＢＲＤＡ＃２の直前にあるボーダーインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定サイズ“Ｍ”は相対的に小さく取れる。すなわち、ボーダーインＢＲＤＩが配置される場所が内周側の方が記録位置管理データの追記予想回数が多く、外周に行くに従って記録位置管理データの追記予想回数が少なくなるので、ボーダーインＢＲＤＩサイズが外周側で小さくすると言う特徴を持たせている。その結果、新ボーダー内領域ＢＲＤＡ設定時間の短縮化と処理効率化が図れる。
【０２０２】
図１５（ｃ）に示すボーダー内領域ＢＲＤＡ内に記録する情報の論理的な記録単位をＲゾーン（R Zone）と呼ぶ。従って、１個のボーダー内領域ＢＲＤＡ内には少なくとも１個以上のＲゾーンから構成されている。現行のＤＶＤ−ＲＯＭではファイルシステムにＵＤＦ（Universal Disc Format）に準拠したファイル管理情報とＩＳＯ９６６０に準拠したファイル管理情報の両方が同時に１枚の情報記憶媒体内に記録される“ＵＤＦブリッジ”というファイルシステムを採用している。ＩＳＯ９６６０に準拠したファイル管理方法では１個のファイルが情報記憶媒体内に必ず連続して記録されなければならない決まりが有る。すなわち、１個のファイル内の情報が情報記憶媒体上に離散的な位置に分割配置する事を禁止している。従って、例えば、上記ＵＤＦブリッジに準拠して情報が記録された場合、１個のファイルを構成する全情報が連続的に記録されるので、この１個のファイルが連続して記録される領域が１個のＲゾーンを構成するように適応させる事もできる。
【０２０３】
図１６に制御データゾーンＣＤＺとＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内のデータ構造を示す。図１６（ｂ）に示すように制御データゾーンＣＤＺ内には物理フォーマット情報（Physical Format Information）ＰＦＩと媒体製造関連情報（Disc Manufacturing Information）ＤＭＩが存在し、Ｒ物理情報ゾーンＲＩＺ内には同じく媒体製造関連情報（Disc Manufacturing Information）ＤＭＩとＲ物理フォーマット情報（R-Physical Format Information）Ｒ_ＰＦＩから構成される。
【０２０４】
媒体製造関連情報ＤＭＩ内は媒体製造国名に関する情報２５１と媒体メーカー所属国情報２５２が記録されている。販売された情報記憶媒体が特許侵害している時に製造場所が有る国内または情報記憶媒体を消費して（使って）いる国内に対して侵害警告を掛ける場合が多い。情報記憶媒体内に前記の情報の記録を義務付ける事で製造場所（国名）が判明し、特許侵害警告が掛け易くする事で知的財産が保証され技術の進歩が促進される。更に、媒体製造関連情報ＤＭＩ内はその他媒体製造関連情報２５３も記録されている。
【０２０５】
物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内には記録場所（先頭からの相対的なバイト位置）により記録される情報の種類が規定されている所に本実施形態の特徴が有る。すなわち、物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内の記録場所として０バイト目から３１バイト目までの３２バイトの領域にはＤＶＤファミリー内の共通情報２６１が記録され、３２バイト目から１２７バイト目までの９６バイトが本実施形態の対象となっているＨＤ  ＤＶＤファミリー内の共通な情報２６２が記録され、１２８バイト目から５１１バイト目までの３８４バイトが各規格書タイプやパートバージョンに関するそれぞれ独自な情報（固有情報）２６３が記録され、５１２バイト目から２０４７バイト目までの１５３６バイトが各リビジョンに対応した情報が記録される。このように情報内容により物理フォーマット情報内の情報配置位置を共通化する事で媒体の種類に依らず記録されている情報の場所が共通化されているので、情報再生装置あるいは情報記録再生装置の再生処理の共通化と簡素化が図れる。０バイト目から３１バイト目までに記録されているＤＶＤファミリー内の共通情報２６１は図１６（ｄ）に示すように更に、０バイト目から１６バイト目までに記録されている再生専用形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体の全てに共通に記録して有る情報２６７と１７バイト目から３１バイト目までに書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体には共通に記録され再生専用形では記録されて無い情報２６８に分かれる。
【０２０６】
次に、図１６（ｃ）に示した１２８バイト目から５１１バイト目までの各規格書のタイプとバージョンの固有情報２６３の意味と５１２バイト目から２０４７バイト目までの各リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４の意味について説明する。５１２バイト目から２０４７バイト目までの各リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４としてはタイプが異なる書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体との違いのみならず同じ種類の媒体においてもリビジョンが異なると各バイト位置での記録情報内容の意味が異なる事を許容する。
【０２０７】
具体的な情報記録再生装置の実装方法を以下に説明する。規格書（バージョンブック）あるいはリビジョンブックで“Ｈ→Ｌ”記録膜からの再生信号特性と“Ｌ→Ｈ”記録膜からの再生信号特性の両方を併記し、それに対応して図７のＰＲ等化回路１３０とビタビ復号器１５６内に２通りずつの対応回路を用意しておく。情報再生部１４１内に情報記憶媒体を装着すると、まず始めにシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報を読むためのスライスレベル検出回路１３２を起動させる。このスライスレベル検出回路１３２で、１９２バイト目に記録された記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの識別）情報を読み取った後“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの判別を行い、それに合わせてＰＲ等化回路１３０とビタビ復号器１５６内の回路を切り替えた後に、データリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ内に記録されている情報を再生する。上記の方法により比較的早くしかも精度良くデータリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデータ領域ＤＴＡ内の情報を読む事が出来る。１７バイト目に最高記録速度を規定したリビジョン番号情報と１８バイト目に最低記録速度を規定したリビジョン番号情報が記載されているが、前記の情報は最高と最低を規定した範囲情報でしかない。最も安定に記録する場合には記録時に最適な線速情報が必要となるので、その情報が１９３バイト目に記録されている。
【０２０８】
各リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４内に含まれる各種の記録条件（ライトストラテジ）情報に先立つ位置に光学系条件情報として１９４バイト目の円周方向に沿った光学系のリムインテンシティ値と１９５バイト目の半径方向に沿った光学系のリムインテンシティ値の情報が配置されている所に本実施形態の次の大きな特徴が有る。これらの情報は後ろ側に配置される記録条件を割り出す時に使用した光学ヘッドの光学系の条件情報を意味している。リムインテンシティとは情報記憶媒体の記録面上に集光する前に対物レンズに入射する入射光の分布状況を意味し、
『入射光強度分布の中心強度を“１”とした時の対物レンズ周辺位置（瞳面外周位置）での強度値』
で定義される。対物レンズへの入射光強度分布は点対称ではなく、楕円分布をし、情報記憶媒体の半径方向と円周方向でリムインテンシティ値が異なるので２通りの値が記録される。リムインテンシティ値が大きいほど情報記憶媒体の記録面上での集光スポットサイズが小さくなるので、このリムインテンシティ値により最適な記録パワー条件が大きく変わる。情報記録再生装置は自分が持っている光学ヘッドのリムインテンシティ値情報を事前に知っているので、まず情報記憶媒体内に記録されている円周方向と半径方向に沿った光学系のリムインテンシティ値を読み取り、自分が持っている光学ヘッドの値と比較する。比較した結果に大きな違いが無ければ後ろ側に記録されている記録条件を適用できるが、比較した結果で大きな食い違いが有れば後ろ側に記録されている記録条件を無視し、ドライブテストゾーンＤＲＴＺを利用して記録再生装置自ら試し書きをしながら最適な記録条件の割り出しを始める必要が有る。
【０２０９】
このように後ろ側に記録されている記録条件を利用するか、その情報を無視して自ら試し書きをしながら最適な記録条件の割り出しを始めるかの判断を早急に行う必要が有る。推奨される記録条件が記録されている位置に対する先行位置にその条件を割り出した光学系の条件情報を配置する事で、まず始めにそのリムインテンシティ情報を読み取る事が出来、後に配置される記録条件の適合可否を高速に判定出来ると言う効果が有る。
【０２１０】
上述したように本実施形態では大きく内容が変更に、なった時にバージョンを変更させる規格書（バージョンブック）と記録速度など小変更に、対応してリビジョンを変更して発行するリビジョンブックに分け、記録速度が向上する毎にリビジョンのみを更新したリビジョンブックのみを発行できるようにしている。従って、リビジョン番号が異なるとリビジョンブック内の記録条件が変化するので、記録条件（ライトストラテジ）に関する情報が主にこの５１２バイト目から２０４７バイト目までの各リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４の中に記録される。
【０２１１】
追記形情報記憶媒体において、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ内のＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内に記録されたＲ物理フォーマット情報（R-physical format information）は物理フォーマット情報ＰＦＩ（ＨＤ  ＤＶＤファミリーの共通情報のコピー）にボーダーゾーンの開始位置情報（First borderの最外周アドレス）が付加されて記録されている。図１５（ｄ）または図１４（ｄ）に示すボーダーインＢＲＤＩ内のアップデートされた物理フォーマット情報Ｕ_ＰＦＩ内には物理フォーマット情報ＰＦＩ（ＨＤ  ＤＶＤファミリーの共通情報のコピー）にアップデートされた開始位置情報（自己borderの最外周アドレス）が付加されて記録されている。アップデートされた開始位置情報もボーダーゾーンの開始位置情報と同様にピークパワーやバイアスパワー１など記録条件に関する情報（各リビジョン毎に固有に設定できる情報内容２６４）よりも先行した位置で有り、かつＤＶＤファミリー内の共通情報２６２よりも後の位置である２５６バイト目から２６３バイト目に配置される。
【０２１２】
ボーダーゾーンの開始位置情報に関する具体的な情報内容は２５６バイト目から２５９バイト目に現在使用している（カレントの）ボーダー内領域ＢＲＤＡの外側にあるボーダーアウトＢＲＤＯの開始位置情報が物理セクタ番号（ＰＳＮ：Physical Sector Number）あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ：Physical Segment Number）で記載され、２６０バイト目から２６３バイト目には次に使用されるボーダー内領域ＢＲＤＡに関するボーダーインＢＲＤＩの開始位置情報が物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）で記載されている。
【０２１３】
アップデートされた開始位置情報に関する具体的な情報内容はボーダー内領域ＢＲＤＡが新たに設定された場合の最新のボーダーゾーン位置情報を示し、２５６バイト目から２５９バイト目に現在使用している（カレントの）ボーダー内領域ＢＲＤＡの外側にあるボーダーアウトＢＲＤＯの開始位置情報が物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）で記載され、２６０バイト目から２６３バイト目には次に使用されるボーダー内領域ＢＲＤＡに関するボーダーインＢＲＤＩの開始位置情報が物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）で記載されている。次のボーダー内領域ＢＲＤＡが記録不可能な場合には、ここ（２６０バイト目から２６３バイト目）は全て“００ｈ”で埋められる。
【０２１４】
これに対して、追記形情報記憶媒体のＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内では該当するボーダー内領域ＢＲＤＡの中での既記録データの最後の位置情報が記録される。
【０２１５】
更に、再生専用形情報記憶媒体内では再生側光学系から見た手前の層である“０層”内での最後のアドレス情報と書替え形情報記憶媒体内ではランド領域とグルーブ領域間の各開始位置情報の差分値の情報も記録されている。
【０２１６】
図１５（ｄ）に示すように記録位置管理ゾーンＲＭＺのコピー情報が記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報Ｃ_ＲＭＺとしてボーダーアウトＢＲＤＯ内にも存在している。この記録位置管理ゾーンＲＭＺの中は図１３（ｂ）に示すように１物理セグメントブロックサイズと同じデータサイズを持った記録位置管理データ（Recording Management Data）ＲＭＤが記録され、その記録位置管理データＲＭＤの内容が更新される毎に更新された新たな記録位置管理データＲＭＤとして順次後ろに追記可能な形になっている。記録位置管理データＲＭＤ内は更に、１個が２０４８バイトサイズの細かなＲＭＤフィールド情報ＲＭＤＦに分割されている。記録位置管理データＲＭＤ内の最初の２０４８バイトはリザーブ領域になっている。
【０２１７】
次の２０４８バイトサイズのＲＭＤフィールド０には記録位置管理データフォーマットコード情報、対象の媒体が(1)未記録状態か、(2)ファイナライズ前の記録途中か、(3)ファイナライズ後かのいずれかで有るかを示す媒体状態情報、ユニークディスクＩＤ（ディスク識別情報）、データ領域ＤＴＡの配置位置情報と最新の（更新された）データ領域ＤＴＡの配置位置情報、記録位置管理データＲＭＤの配置位置情報が順次配置されている。データ領域ＤＴＡの配置位置情報の中には初期状態でのユーザデータの追記可能範囲を示す情報としてデータ領域ＤＴＡの開始位置情報と初期時におけるユーザデータの記録可能範囲の最終位置情報が記録される。
【０２１８】
図７に示した情報再生装置または情報記録再生装置ではウォブル信号検出部１３５でプッシュプル信号を用いたトラックずれ検出を兼用している。トラックずれ検出回路（ウォブル信号検出部１３５）では上記プッシュプル信号 (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ の値として ０.１≦ (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ ≦０.８ の範囲で安定にトラックずれ検出が行え、特に “Ｈ→Ｌ”記録膜 に対しては ０.２６≦ (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ ≦０.５２ の範囲、“Ｌ→Ｈ”記録膜 に対しては ０.３０≦ (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ ≦０.６０ の範囲で一層安定にトラックずれ検出が行える。
【０２１９】
従って本実施例において、プッシュプル信号は ０.１≦ (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ ≦０.８ の範囲（好ましくは“Ｈ→Ｌ”記録膜 に対しては ０.２６≦ (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ ≦０.５２ の範囲、“Ｌ→Ｈ”記録膜 に対しては ０.３０≦ (I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ ≦０.６０ の範囲）に入るように情報記憶媒体特性を規定している。上記の範囲はデーターリードイン領域ＤＴＬＤＩまたはデーター領域ＤＴＡ、データーリードアウト領域ＤＴＬＤＯにおける既記録場所（記録マークが存在する場所）と未記録場所（記録マークが存在しない場所）の両方において成り立つように規定しているが、本実施例はそれに限らず例えば既記録場所（記録マークが存在する場所）のみで成り立つまたは未記録場所（記録マークが存在しない場所）のみで成り立つように規定することもできる。
【０２２０】
本実施例において追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域上をトラッキングする（プリグルーブ領域上に記録マークを形成する）ので、このオントラック信号とはプリグルーブ領域上をトラッキングした時の検出信号レベルを意味している。すなわち上記オントラック情報とは、例えば図２３（ｂ）に示されたトラックループＯＮ時の未記録領域の信号レベル (Iot)groove を意味している。ただし、本発明においてプリグルーブ領域にしか記録マークを形成できないことを意味せず、プリグルーブ領域の間に記録マークを形成することも可能であり、その場合「groove」を「land」として読み替えればよい。
【０２２１】
Ｒ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩにおいてはデータ領域ＤＴＡの開始位置情報を現す物理セクタ番号（030000h）が記録されるとともに、該当するボーダー内領域の中での最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号が記録される。
【０２２２】
アップデートされた物理フォーマット情報Ｕ_ＰＦＩ内では、データ領域ＤＴＡの開始位置情報をあらわす物理セクタ番号（030000h）と、該当するボーダー内領域の中での最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号が記録される。
【０２２３】
これらの位置情報は物理セクタ番号で記述する代わりに、他の実施形態としてＥＣＣブロックアドレス番号で記述する事も可能となる。後述するように本実施形態では３２セクタで１ＥＣＣブロックを構成する。従って、特定のＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットは隣接するＥＣＣブロック内の先頭位置に配置されたセクタのセクタ番号と一致する。ＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットが“０００００”になるように物理セクタ番号を設定した場合には、同一ＥＣＣブロック内に存在する全てのセクタの物理セクタ番号の下位６ビット目以上の値が一致する。従って、上記同一ＥＣＣブロック内に存在するセクタの物理セクタ番号の下位５ビットデータを除去し、下位６ビット目以上のデータのみを抽出したアドレス情報をＥＣＣブロックアドレス情報（またはＥＣＣブロックアドレス番号）と定義する。後述するように、ウォブル変調により予め記録されたデータセグメントアドレス情報（または物理セグメントブロック番号情報）は上記ＥＣＣブロックアドレスと一致するので、記録位置管理データＲＭＤ内の位置情報をＥＣＣブロックアドレス番号で記述すると
（１）特に未記録領域へのアクセスが高速化する
…  記録位置管理データＲＭＤ内の位置情報単位とウォブル変調により予め記録されたデータセグメントアドレスの情報単位が一致するため差分の計算処理が容易となるため
（２）記録位置管理データＲＭＤ内の管理データサイズを小さくできる
…  アドレス情報記述に必要なビット数が１アドレス当たり５ビット節約できるため
と言う効果が生まれる。後述するように１物理セグメントブロック長は１データセグメント長に一致し、１データセグメント内に１ＥＣＣブロック分のユーザデータが記録される。従って、アドレスの表現として“ＥＣＣブロックアドレス番号”とか“ＥＣＣブロックアドレス”あるいは“データセグメントアドレス”、“データセグメント番号”、“物理セグメントブロック番号”などの表現を行うが、これらは全て同義語の意味を持つ。
【０２２４】
ＲＭＤフィールド０内に有る記録位置管理データＲＭＤの配置位置情報には、この記録位置管理データＲＭＤを内部に順次追記できる記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定されたサイズ情報がＥＣＣブロック単位または物理セグメントブロック単位で記録されている。図１３（ｂ）に示したように、１個の記録位置管理ゾーンＲＭＤが１個の物理セグメントブロック毎に記録されているので、この情報で記録位置管理ゾーンＲＭＺの中に何回更新（アップデート）された記録位置管理データＲＭＤが追記できるかが分かる。その次には記録位置管理ゾーンＲＭＺ内での現在の記録位置管理データ番号が記録される。これは記録位置管理ゾーンＲＭＺ内で既に記録された記録位置管理データＲＭＤの数情報を意味している。例えば、図１３（ｂ）に示す例として今この情報が記録位置管理データＲＭＤ＃２内の情報だとすると、この情報は記録位置管理ゾーンＲＭＺ内で２番目に記録された記録位置管理データＲＭＤなので、“２”の値がこの欄の中に記録される。その次には記録位置管理ゾーンＲＭＺ内での残量情報が記録される。この情報は記録位置管理ゾーンＲＭＺ内での更に追加可能な記録位置管理データＲＭＤ数の情報を意味し、物理セグメントブロック単位（＝ＥＣＣブロック単位＝データセグメント単位）で記述される。上記３情報の間には
［ＲＭＺの設定されたサイズ情報］
＝［現在の記録位置管理データ番号］＋［ＲＭＺ内での残量］
の関係が成立する。記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤの既使用量または残量情報を記録位置管理データＲＭＤの記録領域内に記録する所に本実施形態の特徴が有る。
【０２２５】
例えば、１枚の追記形情報記憶媒体に１回で全ての情報を記録する場合には、記録位置管理データＲＭＤは１回だけ記録すれば良いが、１枚の追記形情報記憶媒体に非常に細かくユーザデータの追記を繰り返して記録したい場合には、追記毎に更新された記録位置管理データＲＭＤも追記する必要が有る。この場合、頻繁に記録位置管理データＲＭＤを追記すると、図１３（ｂ）に示す予約領域２７３が無くなってしまい、情報記録再生装置としてはそれに対する善処が必要となる。従って、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データＲＭＤの既使用量または残量情報を記録位置管理データＲＭＤの記録領域内に記録する事で記録位置管理ゾーンＲＭＺ領域内の追記不可能な状態が事前に分かり情報記録再生装置の早めの対処が可能となる。
【０２２６】
図７に示した情報記録再生装置で新たに拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ（図１４、図１５）を設定し、そこに試し書きを行う処理方法の一例について説明する。
【０２２７】
（１）追記形情報記憶媒体を情報記録再生装置に装着する
→（２）情報記録再生部１４１でバーストカッティング領域ＢＣＡに形成されたデータを再生し、制御部１４３へ送る→制御部１４３内で転送された情報を解読し、次のステップへ進めるか判定する
→（３）情報記録再生部１４１でシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の制御データゾーンＣＤＺに記録されて有る情報を再生し、制御部１４３へ転送する
→（４）制御部１４３内で推奨記録条件を割り出した時のリムインテンシティの値と情報記録再生部１４１で使われている光学ヘッドのリムインテンシティの値を比較し、試し書きに必要な領域サイズを割り出す
→（５）情報記録再生部１４１で記録位置管理データ内の情報を再生し、制御部１４３へ送る。制御部ではＲＭＤフィールド４内の情報を解読し、（４）で割り出した試し書きに必要な領域サイズの余裕の有無を判定し、余裕が有る場合には（６）へ進み、余裕が無い場合には（９）へ進む
→（６）ＲＭＤフィールド４内から試し書きに使用するドライブテストゾーンＤＲＴＺまたは拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内の既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報から今回試し書きを開始する場所を割り出す
→（７）  （６）で割り出した場所から（４）で割り出したサイズ分試し書きを実行する
→（８）  （７）の処理により試し書きに使用した場所が増えたので、既に試し書きに使用した場所の最後の位置情報を書き替えた記録位置管理データＲＭＤをメモリー部１７５に一時保存し、（１２）へ進む
→（９）ＲＭＤフィールド０に記録されて有る“最新のユーザデータの記録可能範囲２０５の最終位置”の情報または物理フォーマットＰＦＩ内のデータ領域ＤＴＡの配置場所情報内に記録されている“ユーザデータの追記可能範囲の最後の位置情報”を情報記録再生部１４１で読み取り、制御部１４３内で更に、新たに設定する拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの範囲を設定する
→（１０）  (９)の結果に基付きＲＭＤフィールド０に記録されて有る“最新のユーザデータの記録可能範囲２０５の最終位置”の情報を更新すると共にＲＭＤフィールド４内の拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの追加設定回数情報を１だけインクリメント（回数を１だけ加算）し、さらに新たに設定する拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの開始／終了位置情報を付け加えた記録位置管理データＲＭＤをメモリー部１７５に一時保存する
→（１１）  →（７）→（１２）へ移動する
→（１２）  （７）で行った試し書きの結果得られた最適な記録条件でユーザデータの追記可能範囲２０５内に必要なユーザ情報を追記する
→（１３）  （１２）に対応して新たに発生したＲゾーン内の開始/終了位置情報を追記して更新された記録位置管理データＲＭＤをメモリー部１７５に一時保存する
→（１４）制御部１４３が制御して情報記録再生部１４１がメモリー部１７５に一時保存されている最新の記録位置管理データＲＭＤを記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の予約領域２７３（例えば、図１３（ｂ））内に追加記録する
本実施例に示す追記形情報記憶媒体において最後に記録された位置を示す物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）の情報は“最後に設定を行った拡張記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の最後に記録された記録位置管理データＲＭＤ”内の情報から得る事が出来る。すなわち記録位置管理データＲＭＤ内にはＲＭＤフィールド７以降に記載されているｎ番目の“完結形Ｒゾーン（ Complete R Zone ）”の終了位置情報（物理セクタ番号）または“ｎ番目のＲゾーン内最後の記録位置を表す物理セクタ番号ＬＲＡ”の情報があるので、最後に設定された拡張ＲＭＺ内の最後に記録された記録位置管理データＲＭＤ（例えば図１３（ｂ）のＲＭＤ＃３参照）内から最後に記録された場所の物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）を読取り、その結果から最後に記録された場所を知ることができる。
【０２２８】
情報再生装置ではトラックずれ検出に Push-Pull 法では無くＤＰＤ（ Differencital Phase Detection ）法を用いるためにエンボスピットまたは記録マークが存在する領域しかトラッキング制御が行えない。そのため情報再生装置は追記形情報記憶媒体の未記録領域へアクセスすることができず、未記録領域を含むＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）内の再生が不可能となる。そのため、その中に記録されている記録位置管理データＲＭＤを再生できない。その代わり情報再生装置は物理フォーマット情報ＰＦＩおよびＲ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺとアップデートされた物理フォーマット情報ＵＰＦＩを再生することができるので、最後に記録された場所を探すことができる。
【０２２９】
情報再生装置ではシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の情報再生を行った後、Ｒ物理情報ゾーンＲ−ＰＦＩＺ内に記録された既情報データ最後の位置情報（表１内に記載された“該当するボーダー内領域中の最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号”情報）を読取る。その結果、ボーダー内領域ＢＲＤＡ＃１の最後の場所を知る事ができ、その直後に配置されたボーダーアウトＢＲＤＯの位置を確認した後、その直後に記録されたボーダーインＢＲＤＩ内に記録されたアップデートされた物理フォーマットＵＰＦＩの情報を読み取る事が出来る。
【表１】
2007272992.tif 000005
【０２３０】
表１内に記載された“該当するボーダー内領域中の最後のＲゾーン内で最後に記録された場所を示す物理セクタ番号”を利用する前記方法の代わりに、“ボーダーゾーンの開始位置（図１４（ｃ）から分かるように、この開始位置はボーダーアウトＢＲＤＯの開始位置を意味する）を示す物理セクタ番号ＰＳＮ”の情報を用いてボーダーアウトＢＲＤＯの開始位置へアクセスしても良い。
【０２３１】
次に、既記録データの最後の位置にアクセスし、アップデートされた物理フォーマット情報ＵＦＰＩ内の既記録データの最後の位置情報（表１）を読取る。アップデートされた物理フォーマット情報内に記録された「最後に記録された物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）の情報」を読取り、そしてその情報に基づき最後に記録された物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）までアクセスするという処理を、最後のＲゾーン内の最後に記録された物理セクタ番号ＰＳＮに到達するまで繰り返す。すなわちアクセス後に到達して情報を読取っている場所が、本当に最後のＲゾーン内の最後に記録された位置かを判断し、最後に記録された位置でない場合には上記のアクセス処理を繰り返す。Ｒ物理情報ゾーンＲ-ＰＦＩＺ内と同様、本実施例ではアップデートされた物理フォーマット情報ＵＰＦＩ内の“ボーダーゾーンの開始位置を示すアップデートされた物理セクタ番号あるいは物理セグメント番号（ＰＳＮ）の情報を利用してボーダーゾーン（ボーダーインＢＲＤＩ）内に記録されているアップデートされた物理フォーマット情報ＵＰＦＩの記録位置を検索しても良い。
【０２３２】
最後のＲゾーン内の最後に記録された物理セクタ番号（あるいは物理セグメント番号）の位置を発見すると、情報再生装置は直前のボーダーアウトＢＲＤＯの位置から再生を行う。その後ＳＴ４６に示すように、最後のボーダー内領域ＢＲＤＡ内を先頭から逐次再生しながら最後に記録された位置に到達する。その後、最後のボーダーアウトＢＲＤＯ位置の確認を行う。本実施例に示す追記形情報記憶媒体では上記最後のボーダーアウトＢＲＤＯの外側にはデーターリードアウトＤＴＬＤＯ位置まで記録マークが記録されて無い未記録領域が続く。情報再生装置は追記形情報記憶媒体上の未記録領域ではトラッキングが行われず、またそこでは物理セクタ番号ＰＳＮの情報も記録されて無いので、上記最後のボーダーアウトＢＲＤＯ以降の位置での再生は不可能となる。そのため、最後のボーダーアウト位置まで到達するとアクセス処理と連続再生処理は終了する。
【０２３３】
記録位置管理データＲＭＤ内の情報内容の更新を行うタイミング（更新条件）に付いて表２を用いて説明する。記録位置管理データＲＭＤの情報を更新する条件は、５種類存在する。
【表２】
2007272992.tif 000006
【０２３４】
（条件１ａ）ＲＭＤフィールド“０”内の媒体状態情報（Disc status）が変更される場合
…  但しターミネータ（最後に記録されたボーダーアウトＢＲＤＯの後ろ（外周側）に記録する“終端位置情報”）の記録時には記録位置管理データＲＭＤの更新処理は行わない。
【０２３５】
（条件１ｂ）ＲＭＤフィールド“１”内で特定される内側テストゾーンアドレスあるいは外側テストゾーンアドレス（Inner or outer test zone address）が変更される場合
（条件２）ＲＭＤフィールド“３”内で特定されるところの、ボーダーアウトＢＲＤＯの開始位置情報（Start Physical Sector Number of Boder-out area）またはオープン（追記可能な）状態になっている記録位置管理ゾーンＲＭＺの番号（open Extended RMZ number）が変更される場合
（条件３）ＲＭＤフィールド“４”内で下記のいずれかの情報が変更される場合
(1)未指定状態のＲゾーン数とオープン形Ｒゾーン数と完結形Ｒゾーン数の合計数、あるいは認識できないＲゾーンの番号（Invisible RZone number）
(2)最初のオープン形Ｒゾーンの番号情報（First Open RZone number）
(3)２番目のオープン形Ｒゾーンの番号情報（Second RZone number）
なお、本実施例において、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ等の追記形情報記憶媒体に（ディスクドライブにより）一連の情報記録動作を行っている期間中は、ＲＭＤの更新は行わなくて良い。例えば映像情報を録画する場合には連続記録が保障される必要が有る。もし映像情報記録（録画）途中で記録位置管理データＲＭＤの更新を行う（ために記録管理データーＲＭＤ位置までのアクセス制御を行う）と、そこで映像情報の記録が中断されるために連続記録が保障されなくなる。従ってＲＭＤの更新は映像録画が終了後に行われるのが一般的である。しかし一連の映像情報の記録動作が余りにも長期間連続すると、現時点での追記形情報記憶媒体上に最後に記録された場所と、追記形情報記憶媒体に既に記録されている記録位置管理データＲＭＤ内の最後の位置情報が大幅にずれてしまう。この時に連続記録途中の異常現象が発生して情報記録再生装置（ディスクドライブ）を強制終了した場合には“記録位置管理データＲＭＤ内の最後の位置情報”と強制終了直前の記録位置との間の乖離が大きくなり過ぎる。その結果、情報記録再生装置の復旧後に行う“記録位置管理データＲＭＤ内の最後の位置情報”に対する強制終了直前の記録位置に合わせたデーター修復が難しくなる危険性が発生する。そのため本実施例では下記の更新条件を更に追加する。
【０２３６】
（条件４）最新の記録位置管理データＲＭＤ内に記録されている“Ｒゾーン内での最後の記録位置を示す物理セクタ番号ＬＲＡ”と連続記録中に逐次変化する“現時点におけるＲゾーン内での最後に記録された場所の物理セクタ番号ＰＳＮ”との間の開き（“ＰＳＮ−ＬＲＡ”の差分結果）が８１９２を超えた場合（に記録位置管理データＲＭＤの情報を更新する）
…  但し、上記の“（条件１ｂ）”あるいは“（条件４）”において、記録位置管理ゾーンＲＭＺ内での未記録場所予約領域２７３）のサイズが４物理セグメントブロック分（４×６４ＫＢ）以下の場合には更新を行わない。
【０２３７】
次に拡張記録位置管理ゾーンに付いて説明を行う。記録位置管理ゾーンＲＭＺの配置場所として、本実施例では下記の３種類を規定している。
【０２３８】
（１）データーリードイン領域DTLDI内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ-ＲＭＺ）
図１４（ｂ）から分かるように、本実施例では最初のボーダー内領域に対応したボーダーインＢＲＤＩをデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内の一部が兼用している。そのため図１３（ａ）に示すように最初のボーダー内領域に対応したボーダーインＢＲＤＩ内に記録されるべき記録位置管理ゾーンＲＭＺがデーターリードイン領域ＤＴＬＤＩ内に予め設定されている。この記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の構造は図１３（ｂ）に示すように６４Ｋバイト（１物理セグメントブロックサイズ）毎に、逐次記録位置管理データＲＭＤを追記できるようになっている。
【０２３９】
（２）ボーダーインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｂ-ＲＭＺ）
本実施例における追記形情報記憶媒体において、記録された情報を再生専用装置で再生する前には、ボーダークローズ処理が必要となる。一度ボーダークローズされた後に新たな情報を記録する場合には、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡを設定する必要がある。この新たなボーダ内領域ＢＲＤＡに先行した位置にボーダーインＢＲＤＩが設定される。ボーダークローズ処理の段階で最新記録位置管理ゾーン内の未記録領域（図１３（ｂ）に示す予約領域２７３）が塞がれてしまうため、新たなボーダ内領域ＢＲＤＡ内に記録された情報の位置を示す記録位置管理データーＲＭＤを記録する新たな領域（記録位置管理ゾーンＲＭＺ）を設定する必要が有る。本実施例では図１４（ｄ）に示すように、新たに設定されたボーダーインＢＲＤＩ内に記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する所に大きな特徴が有る。このボーダーゾーン内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の構造は“最初のボーダー内領域に対応した記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ-ＲＭＺ）と全く同じ構造をしている。また、この領域内に記録される記録位置管理データーＲＭＤ内の情報は対応したボーダー内領域ＢＲＤＡ内に記録されるデーターに関する記録位置管理データーのみならず、先行するボーダー内領域ＢＲＤＡ内に記録されているデーターに関する記録位置管理情報も一緒に記録される。
【０２４０】
（３）ボーダー内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）
上記（２）で示した、ボーダーインＢＲＤＩ内のＲＭＺ（Ｂ-ＲＭＺ）は新たなボーダー内領域ＢＲＤＡを作らない限り設定できない。また、上記（１）に示した最初のボーダー内領域管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ-ＲＭＺ）のサイズは有限なため、追記を繰り返すうちに予約領域２７３が枯渇し、新たな記録位置管理データＲＭＤが追記不可能となる。その問題を解消するため本実施例ではボーダー内領域ＢＲＤＡ内に記録位置管理ゾーンＲＭＺを記録する為のＲゾーンを新たに設け、更なる追加が可能なようにしている。すなわち上記“ボーダー内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）”が設定されている特殊なＲゾーンが存在する。
【０２４１】
また、最初のボーダー内領域管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ-ＲＭＺ）内の未記録領域（予約領域２７３）の残りのサイズが少なくなった場合に限らず、本実施例では“ボーダーインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｂ-ＲＭＺ）”や既に設定されている“ボーダー内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）”内の未記録領域（予約領域２７３）の残りのサイズが少なくなった場合にも新たに上記“ボーダー内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）”を設定できる。
【０２４２】
このボーダー内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）内に記録される情報内容は図１３（ｂ）に示すデーターリードイン領域DTLDI内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ-ＲＭＺ）内と全く同じ構造をしている。また、この領域内に記録される記録位置管理データーＲＭＤ内の情報は対応したボーダー内領域ＢＲＤＡ内に記録されるデーターに関する記録位置管理データーのみならず、先行するボーダー内領域ＢＲＤＡ内に記録されているデーターに関する記録位置管理情報も一緒に記録される。
【０２４３】
上記各種の記録位置管理ゾーンＲＭＺの中で
１．データーリードイン領域DTLDI内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｌ-ＲＭＺ）の位置はユーザーデーター記録前に予め設定されているが、本実施例では
２．ボーダーインＢＲＤＩ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｂ-ＲＭＺ）と
３．ボーダー内領域ＢＲＤＡ内の記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）は
ユーザーデーター記録（追記）状況に合わせて適宜 情報記録再生装置が設定（増設）するため、“拡張（形）記録位置管理ゾーンＲＭＺ”と呼ぶ。
【０２４４】
現在使われている記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の未記録領域（予約領域２７３）が１５物理セクタブロック（１５×６４ｋＢ）以下になった場合、ボーダー内領域ＢＲＤＡ内での記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）の設定をすることができる。設定時のボーダー内領域ＢＲＤＡ内での記録位置管理ゾーンＲＭＺ（Ｕ-ＲＭＺ）のサイズは１２８物理セグメントブロックのサイズ（１２８×６４ｋＢ）とし、そこを記録位置管理ゾーンＲＭＺ専用のＲゾーンとする。
【０２４５】
本実施例における追記形情報記憶媒体では、上記３種類の記録位置管理ゾーンＲＭＺの設定が可能になるため、１枚の追記形情報記録記憶媒体上に非常に多くの記録位置管理ゾーンＲＭＺの存在を許容する。そのため本実施例では最新の記録位置管理データーＲＭＤ記録場所への検索容易性を目的として下記の処理を行っている。
【０２４６】
（１）新たに記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する場合には、今まで使われていた記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に最新の記録位置管理データＲＭＤを多重書きし、今まで使われていた記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に未記録領域が存在しないようにする。（それにより現在使われているか、新たな場所に記録位置管理ゾーンが設定されたかの識別が可能となる。）
（２）新たに記録位置管理ゾーンＲＭＺを設定する毎に、最新の記録位置管理データＲＭＤのコピー情報４８をＲＭＤディプリケーションゾーンＲＭＺ内に記録する。それにより、現在使われている記録位置管理ゾーンＲＭＺ場所の検索を容易にしている。
【０２４７】
本実施例における追記形情報記憶媒体内では多くの未記録領域の存在を許容している。しかし再生専用装置ではトラックずれ検出にＤＰＤ（ Differencial Phase Detection ）法を用いているため、未記録領域でのトラッキングが不可能となる。そのため上記追記形情報記憶媒体を再生専用装置で再生させる前にはボーダークローズ処理を行い、未記録領域が存在しないようにする必要がある。
【０２４８】
参照コード記録ゾーンＲＣＺに記録される参照コードのパターン内容に付いて詳細に説明する。現行ＤＶＤでは変調方式として８ビットデータを１６チャネルビットに変換する“８／１６変調”方式を採用し、変調後の情報記憶媒体に記録されるチャネルビット列としての参照コードのパターンは“００１０００００１００００００１００１０００００１００００００１”の繰り返しパターンが用いられている。それに比べて、本実施形態では８ビットデータを１２チャネルビットに変調するＥＴＭ変調を用い、ＲＬＬ（１,１０）のランレングス制約を行っていると共にデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ及びミドル領域ＭＤＡからの信号再生にＰＲＭＬ法を採用している。従って、上記変調規則とＰＲＭＬ検出に最適な参照コードのパターンを設定する必要が有る。ＲＬＬ（１,１０）のランレングス制約に従えば“０”が連続する最小値は“ｄ＝１”で“１０１０１０１０”の繰り返しパターンとなる。“１”または“０”のコードから次の隣接コードまでの距離を“Ｔ”とすると、上記パターンでの隣接する“１”間の距離は“２Ｔ”となる。
【０２４９】
本実施形態では情報記憶媒体の高密度化のため、前述したように情報記憶媒体上に記録した“２Ｔ”の繰り返しパターン（“１０１０１０１０”）からの再生信号は光学ヘッド内の対物レンズ（図７の情報記録再生部１４１内に存在する）のＭＴＦ（Modulation Transfer Fuction）特性の遮断周波数近傍にあるため、ほとんど変調度（信号振幅）が得られ無い。従って、情報再生装置あるいは情報記録再生装置の回路調整に使用する再生信号として“２Ｔ”の繰り返しパターン（“１０１０１０１０”）からの再生信号を用いた場合にはノイズの影響が大きく安定化に乏しい。従って、ＲＬＬ（１,１０）のランレングス制約に従って行う変調後の信号に対しては次に密度の高い“３Ｔ”のパターンを使って回路調整を行うのが望ましい。
【０２５０】
再生信号のＤＳＶ（Digital Sum Value）値を考えた場合には“１”の直後に来る次の“１”までの間の“０”が連続する回数に比例してＤＣ（直流）値の絶対値が増加して直前のＤＳＶ値に加算される。この加算されるＤＣ値の極性は“１”が来る毎に反転する。従って、参照コードが連続するチャネルビット列が続いた所でＤＳＶ値を“０”にする方法としてＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列内でＤＳＶ値が“０”になるように設定するより、ＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列に出現する“１”の発生数を奇数個にして１２チャネルビットからなる１組の参照コードセルで発生するＤＣ成分を次の組からなる１２チャネルビットの参照コードセルで発生するＤＣ成分で相殺させる方が参照コードパターン設計の自由度が増す。従って、本実施形態ではＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列からなる参照コードセル内で出現する“１”の数を奇数個に設定している。
【０２５１】
本実施形態では、高密度化のために、“１”の所が記録マークもしくはエンボスピットの境界位置に一致するマークエッジ記録法を採用している。例えば、“３Ｔ”の繰り返しパターン（“１００１００１００１００１００１００１００”）が続いた場合に記録条件あるいは原盤作成条件により記録マークもしくはエンボスピットの長さとその間にあるスペースの長さが若干異なる場合が生じる。ＰＲＭＬ検出法を用いた場合には再生信号のレベル値が非常に重要となり、前記のように記録マークもしくはエンボスピットの長さとその間にあるスペースの長さが若干異なった場合でも安定かつ精度良く信号検出できるようにその若干の異なり分を回路的に補正する必要が生じる。従って、回路定数を調整するための参照コードとしては“３Ｔ”の長さの記録マークもしくはエンボスピットと同じく“３Ｔ”の長さのスペースが有った方が回路定数の調整の精度が向上する。そのため、本実施形態の参照コードパターンとして“１００１００１”のパターンが内部に含まれると、必ず“３Ｔ”の長さの記録マークもしくはエンボスピットとスペースが配置される事になる。
【０２５２】
また、回路調整には密度の詰まったパターン（“１００１００１”）だけで無く、密度が疎の状態のパターンも必要となる。従って、ＥＴＭ変調後の１２個のチャネルビット列の中で“１００１００１”のパターンを除いた部分で密度が疎の状態（“０”が連続して多く発生するパターン）を発生させ、かつ“１”の出現数を奇数個に設定する事を考慮すると参照コードパターンは“１００１００１０００００”の繰り返しが最適条件となる。変調後のチャネルビットパターンが前記パターンにするには図示していないが本実施形態のＨフォーマットで規定された変調テーブルを利用すると変調前のデータワードは“Ａ４ｈ”に設定する必要が有る。この“Ａ４ｈ”（１６進法表現）のデータはデータシンボル“１６４”（１０進法表現）に対応する。
【０２５３】
前記のデータ変換規則に従った具体的なデータの作り方を以下に説明する。前述したデータフレーム構造内でメインデータ“Ｄ０〜Ｄ２０４７”にデータシンボル“１６４”（＝“０Ａ４ｈ”）をまず設定する。次にデータフレーム１からデータフレーム１５に対してイニシャルプリセット番号“０Ｅｈ”で予めプリスクランブルを掛けておき、データフレーム１６からデータフレーム３１に対してはイニシャルプリセット番号“０Ｆｈ”で予めプリスクランブルを掛けておく。予めプリスクランブルを掛けておくと前記のデータ変換規則に従ってスクランブルを掛けた時に二重でスクランブルを掛けた事になり、（二重でスクランブルを掛けると元のパターンに戻る）データシンボル“１６４”（＝“０Ａ４ｈ”）がそのまま現れる。３２物理セクタからなる参照コード全てにプリスクランブルを掛けるとＤＳＶ制御が出来なくなるので、データフレーム０だけは事前のプリスクランブルは掛けない。前記スクランブルを掛けた後、変調パターンが情報記憶媒体上に記録される。
【０２５４】
本発明では記録形（書替え形あるいは追記形）情報記憶媒体におけるアドレス情報はウォブル変調を用いて予め記録されている。ウォブル変調方式として±９０度（１８０度）の位相変調を用いると共にＮＲＺ（Non Returen to Zero）方法を採用して情報記憶媒体に対してアドレス情報を事前に記録する所に本実施形態の特徴がある。図１７を用いて具体的な説明を行う。本実施形態ではアドレス情報に関しては１アドレスビット（アドレスシンボルとも呼ぶ）領域５１１内を４ウォブル周期で表現し、１アドレスビット領域５１１内は至る所周波数および振幅と位相は一致している。アドレスビットの値として同じ値が連続する場合には各１アドレスビット領域５１１の境界部（図１７の“三角印”を付けた部分）で同位相が継続し、アドレスビットが反転する場合にはウォブルパターンの反転（位相の１８０度シフト）が起きる。
【０２５５】
図７に示した情報記録再生装置のウォブル信号検出部１３５内では上記アドレスビット領域５１１の境界位置（図１７の“三角印”を付けた場所）と１ウォブル周期の境界位置であるスロット位置４１２を同時に検出している。ウォブル信号検出部１３５内では図示してないがＰＬＬ（Phase Lock Loop）回路が内蔵され、上記アドレスビット領域５１１の境界位置とスロット位置４１２の両方に同期してＰＬＬが掛かる。このアドレスビット領域５１１の境界位置またはスロット位置４１２がずれるとウォブル信号検出部１３５では同期が外れて正確なウォブル信号の再生（判読）が不可能となる。隣接するスロット位置４１２間の間隔をスロット間隔５１３と呼び、このスロット間隔５１３が物理的に短い程ＰＬＬ回路の同期が取り易く、安定にウォブル信号の再生（情報内容の解読）が可能となる。
【０２５６】
図１７から明らかなように１８０度または０度にシフトする１８０度の位相変調方式を採用すると、このスロット間隔５１３は１ウォブル周期と一致する。ウォブルの変調方法としてウォブル振幅を変化させるＡＭ（Amplitude Modulation）方式では情報記憶媒体表面に付着したゴミや傷の影響を受け易いが、上記位相変調では信号振幅では無く位相の変化を検出するため、比較的情報記憶媒体表面のゴミや傷の影響を受け辛い。他の変調方式として周波数を変化させるＦＳＫ（Frequency Shift Keying）方式ではウォブル周期に対してスロット間隔５１３が長く、ＰＬＬ回路の同期が相対的に取り辛い。従って、本実施形態のようにウォブルの位相変調によりアドレス情報を記録するとスロット間隔が狭く、ウォブル信号の同期が取り易いと言う効果が有る。
【０２５７】
図１７に示すように１アドレスビット領域５１１にはそれぞれ“１”か“０”かのバイナリーデータが割り振られるが、本実施形態におけるビットの割り振り方法を図１８に示す。図１８の左側に示すように１ウォブルの開始位置から最初に外周側に蛇行するウォブルパターンをＮＰＷ（Normal Phase Wobble）と呼び、“０”のデータを割り当てる。右側に示すように１ウォブルの開始位置から最初に内周側に蛇行するウォブルパターンをＩＰＷ（Invert Phase Wobble）と呼び、“１”のデータを割り当てる。
【０２５８】
本実施例では、図６（ｂ）、（ｃ）に示すようにプリグルーブ領域１１の幅Ｗｇをランド領域１２の幅Ｗｌより広くしている。その結果、ウォブル検出信号の検出信号レベルが下がり、Ｃ／Ｎ比が低下するという問題が発生する。それに対して本実施例では、無変調領域を変調領域よりも広げることでウォブル信号検出の安定化を図っているところに特徴がある。
【０２５９】
図２６を用いて本実施例のＨフォーマットにおけるウォブルアドレスフォーマットの説明を行う。図２６（ｂ）に示すように本実施例のＨフォーマットでは７個の物理セグメント５５０〜５５６により１個の物理セグメントブロックを構成している。１個の物理セグメント５５０〜５５７は図２６（ｃ）に示すようにそれぞれ１７個ずつのウォブルデータユニット５６０〜５７６から構成されている。更に各ウォブルデータユニット５６０〜５７６はウォブルシンク領域５８０または、変調開始マーク５８１、５８２およびウォブルアドレス領域５８６、５８７のいずれかを構成する変調領域と全て連続したＮＰＷが存在している無変調領域５９０、５９１から構成されている。図１９に各ウォブルデータユニット内の変調領域と無変調領域の存在比を説明している。図１９（ａ）から（ｄ）のいずれもウォブルデータユニット内で１６ウォブルにより変調領域５９８が構成されており６８ウォブルにより無変調領域５９３が構成されている。本実施例では、変調領域５９８よりも無変調領域５９３の方が広くなるように設定していることを特徴としている。無変調領域５９３を広くすることで、無変調領域５９３を用い安定にウォブル検出信号、ライトクロック、あるいは、再生クロックのＰＬＬ回路の同期を取ることができる。安定に同期を取るために、無変調領域５９３は変調領域５９８の幅より２倍以上広いことが望ましい。
【０２６０】
本発明追記形情報記憶媒体のＨフォーマットにおけるウォブル変調を用いたアドレス情報の記録形式について説明する。本実施形態におけるウォブル変調を用いたアドレス情報設定方法では“シンクフレーム長４３３を単位として割り振りを行っている”所に大きな特徴がある。１セクタは２６シンクフレームから構成され、１ＥＣＣブロックは３２物理セクタから成り立っているので、１ＥＣＣブロックは２６×３２＝８３２個のシンクフレームから構成される。
【０２６１】
各物理セグメント毎にそれぞれ１７個のウォブルデータユニット（ＷＤＵ：Wobble Data Unit）に分割する。１個のウォブルデータユニットの長さにはそれぞれ７個のシンクフレーム分が割り当てられる
各ウォブルデータユニット＃０５６０〜＃１１５７１の中は図１９に示すように１６ウォブル分の変調領域５９８と６８ウォブル分の無変調領域５９２、５９３から構成される。本実施形態では変調領域に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくしている所に大きな特徴がある。無変調領域５９２、５９３は常に一定周波数でグルーブ領域またはランド領域がウォブルしているため、この無変調領域５９２、５９３を利用してＰＬＬ（Phase Locked Loop）を掛け、情報記憶媒体に記録された記録マークを再生する時の基準クロックまたは新たに記録する時に使用する記録用基準クロックを安定に抽出（生成）する事が可能となる。
【０２６２】
このように本実施形態において変調領域５９８に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくする事で、再生用基準クロックの抽出（生成）または記録用基準クロックの抽出（生成）の精度と抽出（生成）安定性を大幅に向上させる事が出来る。すなわち、ウォブルでの位相変調を行った場合、波形整形のために再生信号をバンドパスフィルターに通過させると位相変化位置前後で整形後の検出信号波形振幅が小さくなる現象が現れる。従って、位相変調による位相変化点の頻度が多くなると波形振幅変動が多くなって上記のクロック抽出精度が落ち、逆に変調領域内で位相変化点の頻度が低いとウォブルアドレス情報検出時のビットシフトが発生しやすくなると言う問題点が生じる。そのため、本実施形態では位相変調による変調領域と無変調領域を構成し、無変調領域の占有率を高くする事で上記のクロック抽出精度を向上させる効果が有る。
【０２６３】
本実施形態では変調領域と無変調領域の切り替わり位置が予め予想できるので、上記のクロック抽出に対しては無変調領域にゲートを掛けて無変調領域のみの信号を検出し、その検出信号から上記クロック抽出を行うことが可能となる。特に、本実施形態による記録原理を用いた有機色素記録材料で記録層３−２を構成する場合には“３−２）本実施形態における有機色素膜に共通する基本的特徴説明”内の“３−２−Ｄ〕本実施形態におけるプリグルーブ形状／寸法に関する基本的特徴”に記載するプリグルーブ形状／寸法を用いた場合に比較的ウォブル信号が取り辛くなる。この状況に対して上記のように変調領域に対する無変調領域５９０、５９１の占有比を大幅に大きくする事でウォブル信号検出の信頼性を向上させている。
【０２６４】
無変調領域５９２、５９３から変調領域５９８に移る時には４ウォブル分または６ウォブル分を使って変調開始マークとしてのＩＰＷ領域を設定し、図１９（ｃ）、（ｄ）に示すウォブルデータ部ではこの変調開始マークであるＩＰＷ領域を検出直後にウォブル変調されたウォブルアドレス領域（アドレスビット＃２〜＃０）が来るように配置されている。図１９（ａ）、（ｂ）は後述する図２０（ｃ）に示すウォブルシンク領域５８０に対応したウォブルデータユニット＃０５６０内の中身を表し、図１９（ｃ）、（ｄ）は図２０（ｃ）のセグメント情報７２７からＣＲＣコード７２６までのウォブルデータ部に対応したウォブルデータユニットの中身を示している。図１９（ａ）、（ｃ）は後述する変調領域の１次配置場所（Primary position）７０１に対応したウォブルデータユニット内を示し、図１９（ｂ）、（ｄ）は変調領域の２次配置場所（Secondary position）７０２に対応したウォブルデータユニット内を示している。図１９（ａ）、（ｂ）に示すようにウォブルシンク領域５８０ではＩＰＷ領域に６ウォブル、ＩＰＷ領域に囲まれたＮＰＷ領域に４ウォブルを割り当て、図１９（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータ部ではＩＰＷ領域と全てのアドレスビット領域＃２〜＃０それぞれに４ウォブル分を割り当てている。
【０２６５】
図２０に追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する実施形態を示す。図２０（ａ）には比較のため、書替え形情報記憶媒体のウォブルアドレス情報内のデータ構造を示した。追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する２通りの実施形態に付いて図２０（ｂ）と（ｃ）に示す。
【０２６６】
ウォブルアドレス領域６１０では１２ウォブルで３アドレスビットを設定（図１７を参照）している。つまり、連続する４ウォブルで１アドレスビットを構成している。このように本実施形態ではアドレス情報を３アドレスビット毎に分散配置させた構造を取っている。ウォブルアドレス情報６１０を情報記憶媒体内の一箇所に集中記録すると、表面のゴミや傷が付いた時に全ての情報が検出困難になる。本実施形態のようにウォブルアドレス情報６１０を１個のウォブルデータユニット５６０〜５７６に含まれる３アドレスピット（１２ウォブル）毎に分散配置し、３アドレスビットの整数倍アドレスビット毎にまとまった情報を記録し、ゴミや傷の影響で一箇所の情報検出が困難な場合でも他の情報の情報検出を可能に出来るという効果が有る。
【０２６７】
上記のようにウォブルアドレス情報６１０を分散配置させると共に１物理セグメント毎にウォブルアドレス情報６１０を完結的に配置させることで物理セグメン毎にアドレス情報が分かるので、情報記録再生装置がアクセスした時に物理セグメント単位での現在位置を知る事ができる。
【０２６８】
本実施形態では図１７に示すようにＮＲＺ法を採用しているので、ウォブルアドレス領域６１０内では連続する４ウォブル内で位相が変化する事は無い。この特徴を利用してウォブルシンク領域５８０を設定している。すなわち、ウォブルアドレス情報６１０内では発生し得無いウォブルパターンをウォブルシンク領域５８０に対して設定する事で、ウォブルシンク領域５８０の配置位置識別を容易にしている。本実施形態では連続する４ウォブルで１アドレスビットを構成するウォブルアドレス領域５８６、５８７に対してウォブルシンク領域５８０位置では１アドレスビット長を４ウォブル以外の長さに設定している所に特徴がある。すなわち、ウォブルシンク領域５８０では図１９（ａ）、（ｂ）に示すようにウォブルビットが“１”になる領域（ＩＰＷ領域）を４ウォブルとは異なる“６ウォブル→４ウォブル→６ウォブル”と言う図１９（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータ部では起こり得ないウォブルパターン変化を設定している。ウォブルデータ部では発生し得無いウォブルパターンをウォブルシンク領域５８０に対して設定する具体的な方法として上述したようにウォブル周期を変える方法を利用すると
（１）図７のウォブル信号検出部１３５内で行っているウォブルのスロット位置５１２（図１７）に関するＰＬＬが崩れる事無く安定にウォブル検出（ウォブル信号の判定）を継続できる
（２）図７のウォブル信号検出部１３５内で行っているアドレスビット境界位置のずれにより容易にウォブルシンク領域５８０と変調開始マーク５６１、５８２の検出が行える
と言う効果が生まれる。図１９に示すようにウォブルシンク領域５８０を１２ウォブル周期で形成してウォブルシンク領域５８０の長さを３アドレスビット長に一致させているする所にも本実施形態の特徴が有る。これにより、１個のウォブルデータユニット＃０５６０内での変調領域（１６ウォブル分）全てをウォブルシンク領域５８０に割り当てる事で、ウォブルアドレス情報６１０の開始位置（ウォブルシンク領域５８０の配置位置）の検出容易性を向上させている。このウォブルシンク領域５８０は物理セグメント内の最初のウォブルデータユニットに配置されている。このようにウォブルシンク領域５８０を物理セグメント内の先頭位置に配置する事で、ウォブルシンク領域５８０の位置を検出するだけで容易に物理セグメントの境界位置を抽出できると言う効果が生じる。
【０２６９】
図１９（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータユニット＃１５６１〜＃１１５７１内ではアドレスビット＃２〜＃０に先行し、先頭位置に変調開始マークとしてのＩＰＷ領域（図１８参照）が配置されている。それに先行した位置に配置されている無変調領域５９２、５９３では連続的にＮＰＷの波形になっているので、図７に示したウォブル信号検出部１３５ではＮＰＷからＩＰＷへの切り替わり目を検出して変調開始マークの位置を抽出する。
【０２７０】
参考までに図２０（ａ）に示した書替え形情報記憶媒体におけるウォブルアドレス情報６１０の中身は
（１）物理セグメントアドレス６０１
…  トラック内（情報記憶媒体２２１内での１周内）での物理セグメント番号を示す情報。
【０２７１】
（２）ゾーンアドレス６０２
…  情報記憶媒体２２１内のゾーン番号を示している。
【０２７２】
（３）パリティー情報６０５
…  ウォブルアドレス情報６１０からの再生時のエラー検出用に設定された物で、予約情報６０４からゾーンアドレス６０２までの１４アドレスビットを各アドレスビット単位で個々に加算し、加算結果が偶数か奇数かの表示を行う情報で、このアドレスパリティ情報６０５の１アドレスビットも含めた合計１５アドレスビットに対して各アドレスビット単位で排他的ＯＲ（Exclusive OR）を取った結果が“１”になるようにパリティー情報６０５の値を設定する。
【０２７３】
（４）ユニティー領域６０８
…  前述したように各ウォブルデータユニットの中は１６ウォブル分の変調領域５９８と６８ウォブル分の無変調領域５９２、５９３から構成されように設定し、変調領域５９８に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくしている。更に、無変調領域５９２、５９３の占有比を広げて再生用基準クロックまたは記録用基準クロックの抽出（生成）の精度と安定性をより向上させている。ユニティー領域６０８内は全てＮＰＷ領域が連続しており、均一位相の無変調領域になっている。
【０２７４】
が記録される。上記各情報に割り当てたアドレスビット数を図２０（ａ）に示した。上述したようにウォブルアドレス情報６１０内はそれぞれ３アドレスビット毎に分離されて各ウォブルデータユニット内に分散配置される。情報記憶媒体表面のゴミや傷によりバーストエラーが発生しても異なる各ウォブルデータユニットを跨ってエラーが広がっている確率は非常に低い。従って、同一情報が記録される場所として異なるウォブルデータユニット間を跨る回数を極力減らし、各情報の切れ目とウォブルデータユニットの境界位置を一致させるように工夫している。これにより、仮に情報記憶媒体表面のゴミや傷によりバーストエラーが発生して特定の情報が読めなくても、他の各ウォブルデータユニット内に記録された他の情報が読めるようにしてウォブルアドレス情報の再生信頼性を向上させている。
【０２７５】
図２０（ａ）〜（ｃ）に示すようにウォブルアドレス情報６１０内でユニティ領域６０８、６０９を最後に配置した所も本実施形態の大きな特徴となっている。上述したようにユニティ領域６０８、６０９ではウォブル波形はＮＰＷに成っているので、実質的に３個もの連続したウォブルデータユニット内で連続してＮＰＷが続く。この特徴を利用して図７のウォブル信号検出部１３５では３個のウォブルデータユニット５７６分の長さで連続してＮＰＷが続く場所を探す事で容易にウォブルアドレス情報６１０の最後に配置されたユニティ領域６０８の位置が抽出でき、その位置情報を利用してウォブルアドレス情報６１０の開始位置を検出できる効果が生まれる。
【０２７６】
図２０（ａ）に示した各種アドレス情報の内、物理セグメントアドレス６０１とゾーンアドレス６０２は隣接トラック間で同じ値を示しているのに対し、グルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７は隣接トラック間で値が変わる。従って、グルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７が記録される領域には不定ビット領域５０４が現れる。この不定ビット頻度を低減させるため、本実施形態ではグルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７に関してはグレイコードを用いてアドレス（番号）を表示している。グレイコードとは元の値が“１”変化した時の変換後のコードが何処でも“１ビット”だけしか変化しないコードを意味している。これにより不定ビット頻度を低減させてウォブル検出信号のみならず記録マークからの再生信号も信号検出安定化が図れる。
【０２７７】
図２０（ｂ）、（ｃ）に示すように追記形情報記憶媒体においても書替え形情報記憶媒体と同様ウォブルシンク領域６８０を物理セグメント先頭位置に配置し、物理セグメントの先頭位置あるいは隣接する物理セグメント間の境界位置の検出を容易にしている。図２０（ｂ）に示した物理セグメントのタイプ識別情報７２１は上述したウォブルシンク領域５８０内のウォブルシンクパターンと同様物理セグメント内の変調領域の配置位置を示す事で同一物理セグメント内の他の変調領域５９８の配置場所が事前に予測でき、次に来る変調領域検出の事前準備が出来るので変調領域での信号検出（判別）精度を上げる事ができると言う効果が有る。具体的には
・物理セグメントのタイプ識別情報７２１が“０”の時は図２２（ｂ）に示す物理セグメント内全てが１次配列場所（Primary Position）になっているか、あるいは図２２（ｄ）に示す１次配置場所と２次配置場所の混合状態を表し、
・物理セグメントのタイプ識別情報７２１が“１”の時は図２２（ｃ）に示すように物理セグメント内全てが２次配置場所（Secondary Position）になっている事を示す。
【０２７８】
上記の実施形態に対する他の実施形態としてウォブルシンクパターンと物理セグメントのタイプ識別情報７２１の組み合わせにより物理セグメント内の変調領域の配置場所を示す事も出来る。前記２種類の情報を組み合わせる事で図２２（ｂ）から（ｄ）に示した３種類以上の変調領域の配置パターンを表現でき、変調領域の配置パターンを複数持たせる事が可能となる。なお上記の実施形態ではウォブルシンク領域５８０と物理セグメントのタイプ識別情報７２１が含まれている物理セグメント内の変調領域の配置場所を示しているが、本発明ではそれに限らず例えば、他の実施形態としてウォブルシンク領域５８０と物理セグメントのタイプ識別情報７２１は次に来る物理セグメント内の変調領域の配置場所を示しても良い。そうするとグルーブ領域に沿って連続的にトラッキングしている場合に次の物理セグメント内の変調領域の配置場所が事前に分かり、変調領域検出の準備時間が長く取れると言う効果が有る。
【０２７９】
図２０（ｂ）に示した追記形情報記憶媒体における層番号情報７２２とは片面１記録層か片面２記録層の場合のどちらの記録層を示しているかを表し、
・“０”の時には片面１記録層媒体か片面２記録層の場合の“Ｌ０層”（レーザ光入射側の手前層）
・“１”の時には片面２記録層の“Ｌ１層”（レーザ光入射側の奥側の層）
を意味する。
【０２８０】
物理セグメント順番情報７２４は同一物理セグメントブロック内の相対的な物理セグメントの配置順を示している。図２０（ａ）と比較して明らかなようにウォブルアドレス情報６１０内での物理セグメント順番情報７２４の先頭位置は書替え形情報記憶媒体における物理セグメントアドレス６０１の先頭位置に一致している。物理セグメント順番情報位置を書替え形に合わせる事で媒体種別間の互換性を高め、書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の両方が使える情報記録再生装置でのウォブル信号を用いたアドレス検出用制御プログラムの共有化により簡素化が図れる。
【０２８１】
図２０（ｂ）のデータセグメントアドレス７２５はデータセグメントのアドレス情報を番号で記述する。既に説明したように本実施形態では３２セクタで１ＥＣＣブロックを構成する。従って、特定のＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットは隣接するＥＣＣブロック内の先頭位置に配置されたセクタのセクタ番号と一致する。ＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットが“０００００”になるように物理セクタ番号を設定した場合には同一ＥＣＣブロック内に存在する全てのセクタの物理セクタ番号の下位６ビット目以上の値が一致する。従って、上記同一ＥＣＣブロック内に存在するセクタの物理セクタ番号の下位５ビットデータを除去し、下位６ビット目以上のデータのみを抽出したアドレス情報をＥＣＣブロックアドレス（またはＥＣＣブロックアドレス番号）とする。ウォブル変調により予め記録されたデータセグメントアドレス７２５（または物理セグメントブロック番号情報）は上記ＥＣＣブロックアドレスと一致するので、ウォブル変調による物理セグメントブロックの位置情報をデータセグメントアドレスで表示すると、物理セクタ番号で表示するのと比べて５ビットずつデータ量が減り、アクセス時の現在位置検出が簡単になると言う効果が生まれる。
【０２８２】
図２０（ｂ）、（ｃ）のＣＲＣコード７２６は物理セグメントのタイプ識別情報７２１からデータセグメントアドレス７２５までの２４アドレスビットに対するＣＲＣコード（エラー訂正コード）またはセグメント情報７２７から物理セグメント順番情報７２４までの２４アドレスビットに対するＣＲＣコードで部分的にウォブル変調信号を誤って判読してもこのＣＲＣコード７２６により部分的に修正できる。
【０２８３】
追記形情報記憶媒体では残りの１５アドレスビット分に相当する領域はユニティ領域６０９に割り当てられ、１２番目から１６番目までの５個のウォブルデータユニット内は全てＮＰＷになっている（変調領域５９８が存在しない）。
【０２８４】
図２０（ｃ）における物理セグメントブロックアドレス７２８とは７個の物理セグメントから１個のユニットを構成する物理セグメントブロック毎に設定されるアドレスで、データリードインＤＴＲＤＩ内の最初の物理セグメントブロックに対する物理セグメントブロックアドレスを“１３５８ｈ”に設定する。データ領域ＤＴＡを含め、データリードインＤＴＬＤＩ内の最初の物理セグメントブロックからデータリードアウトＤＴＬＤＯ内の最後の物理セグメントブロックまで順次この物理セグメントブロックアドレスの値が１ずつ加算されて行く。
【０２８５】
物理セグメント順番情報７２４は１個の物理セグメントブロック内での各物理セグメントの順番を表し、最初の物理セグメントに対して“０”、最後の物理セグメントに対して“６”を設定する。
【０２８６】
図２０（ｃ）の実施形態において物理セグメント順番情報７２４より先行した位置に物理セグメントブロックアドレス７２８を配置所に特徴がある。例えば、ＲＭＤフィールド１のようにアドレス情報をこの物理セグメントブロックアドレスで管理する場合が多い。これらの管理情報に従って所定の物理セグメントブロックアドレスにアクセスする場合、図７内に示したウォブル信号検出部１３５内ではまず始めに図２０（ｃ）に示したウォブルシンク領域５８０の場所を検出し、その後ウォブルシンク領域５８０の直後に記録された情報から順次解読していく。物理セグメント順番情報７２４より先行した位置に物理セグメントブロックアドレスが有る場合には、先に物理セグメントブロックアドレスを解読し、物理セグメント順番情報７２４を解読せずに所定の物理セグメントブロックアドレスか否かを判定できるため、ウォブルアドレスを用いたアクセス性が向上すると言う効果が有る。
【０２８７】
セグメント情報７２７内はタイプ識別情報７２１と予約領域７２３から構成されている。タイプ識別情報７２１は物理セグメント内の変調領域の配置場所を表し、このタイプ識別情報７２１の値が
“０ｂ”の場合は後述する図２２（ｂ）の状態を表し、
“１ｂ”の場合には後述する図２２の（ｃ）または（ｄ）の状態を表している。
【０２８８】
図２０（ｃ）においてウォブルシンク領域５８０の直後にタイプ識別情報７２１が配置されている所にも本実施形態の特徴が有る。上述したように図７内に示したウォブル信号検出部１３５内ではまず始めに図２０（ｃ）に示したウォブルシンク領域５８０の場所を検出し、その後ウォブルシンク領域５８０の直後に記録された情報から順次解読していく。従って、ウォブルシンク領域５８０の直後にタイプ識別情報７２１を配置する事で即座に物理セグメント内の変調領域の配置場所確認が行えるため、ウォブルアドレスを用いたアクセス処理の高速化が実現できる。
【０２８９】
本実施形態では、Ｈフォーマットを使用しているため、ウォブルの信号周波数の所定値としては、６９７ｋＨｚに設定している。
【０２９０】
次に、ウォブル検出信号のキャリアレベルの最大値（Cwmax）と最小値（Cwmin）の測定例について記述する。
【０２９１】
本実施例の追記型記憶媒体ではＣＬＶ(Constant Lineor Vilocity)記録方式を使用しているため、トラック位置により隣接トラック間でのウォブル位相が変化する。隣接トラック間のウォブル位相が一致した場合、最もウォブル検出信号のキャリアレベルが高くなり、最大値（Cwmax）になる。また、隣接トラック間のウォブル位相が逆位相になった時、隣接トラックのクロストークの影響でウォブル検出信号が最も小さくなり、最小値（Cwmin）になる。従って、トラックに沿って内周から外周方向にトレースしている場合、検出されるウォブル検出信号のキャリアの大きさは４トラック周期で変動する。
【０２９２】
本実施形態では、４トラック毎にウォブルキャリア信号を検出し、４トラック毎の最大値（Cwmax）と最小値（Cwmin）を測定する。そして、ステップＳＴ０３で最大値（Cwmax）と最小値（Cwmin）のペアを３０ペア以上のデータとして蓄積する。
【０２９３】
次に、下記の計算式を利用して、ステップＳＴ０４で最大値（Cwmax）と最小値（Cwmin）の平均値から最大振幅（Wppmax）と最小振幅（Wppmin）を算出する。
【０２９４】
下記の式において、Rはスペクトラムアナライザのターミネートされた抵抗値を表している。以下に、CwmaxとCwminの値からWppmaxとWppminを換算する式の説明を行う。
【０２９５】
dBm単位系では、0dBm＝1mWを基準とする。ここで、電力Wa＝1mWとなる電圧振幅Voは
Wao
＝IVo
＝Vo×Vo／R
＝1／1000W
である。従って、
Vo＝（R／1000）１／２
となる。
【０２９６】
次に、ウォブル振幅Wpp［V］とスペアナで観測されたキャリアレベルCw［dBm］の関係は下記の通りとなる。ここで、Wppは正弦波なので、振幅を実効値に直すと、
Wpp−rms＝Wpp／（2×2１／２）
Cw＝20×log（Wpp−rms／Vo）［dBm］
となる。従って、
Cw＝10×log（Wpp−rms／Vo）２
上式のlogを変換して
（Wpp−rms／Vo）２
＝10（Ｃｗ／１０）
＝｛［Wpp／（2×2１／２）］／Vo｝２
＝｛Wpp／（2×2２）／（R／1000）１／２｝２
＝（Wpp２／8）／（R／1000）
WPP2２
＝（8×R）／（1000×10（Ｃｗ／１０））
＝8×R×10（−３）×10（Ｃｗ／１０）
＝8×R×10（Ｃｗ／１０）（−３）
Wpp＝｛8×R×10（Ｃｗ／１０）（−３）｝１／２          （６１）
以上説明したように、本実施形態は下記の効果を奏する。
【０２９７】
（１）トラックずれ検出信号である（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐに対するウォブル検出信号の振幅の最小値（Wppmin）の比率を０．１以上にすることにより、トラックずれ検出信号のダイナミックレンジに比べて十分に大きなウォブル検出信号が得られ、その結果ウォブル検出信号の検出精度を大きく取ることができる。
【０２９８】
（２）ウォブル検出信号の振幅の最大値（Wppmax）と、ウォブル検出信号の振幅の最小値（Wppmin）との比率を２．３以下にすることにより、隣接トラックからのウォブルのクロストークの影響を大きく受けずに安定にウォブル信号を検出することができる。
【０２９９】
（３）ウォブル検出信号の２乗結果のＮＢＳＮＲの値を２６dB以上に確保することにより、Ｃ／Ｎ比が高い安定なウォブル信号を確保させ、ウォブル信号の検出精度を向上させることができる。
【０３００】
本実施形態の追記形情報記憶媒体ではグルーブ領域の上に記録マークを形成し、ＣＬＶ記録方式を採用している。この場合隣接トラック間でのウォブルスロット位置がずれるため、ウォブル再生信号に隣接ウォブル間の干渉が乗り易い事を説明した。この影響を除去するため、本実施形態では変調領域が隣接トラック間で互いに重ならないように変調領域をずらす工夫をしている。
【０３０１】
具体的には図２１に示すように変調領域の配置場所に１次配置場所（Primary Position）７０１と２次配置場所７０２（Secondary Position）を設定可能とする。基本的には配置場所として仮に全て１次配置場所で配置を行い、隣接トラック間で変調領域が一部重なる場所が生じたら部分的に２次配置場所にずらす方法を取る。例えば、図２１においてグルーブ領域５０５の変調領域を１次配置場所に設定すると隣接するグルーブ領域５０２の変調領域とグルーブ領域５０６の変調領域とが一部重なってしまうので、グルーブ領域５０５の変調領域を２次配置場所にずらす。これにより、ウォブルアドレスからの再生信号における隣接トラックの変調領域間の干渉を防止し、安定にウォブルアドレスを再生できる効果が生じる。
【０３０２】
変調領域に関する具体的な１次配置場所と２次配置場所は同一のウォブルデータユニット内配置場所の切り替えにより設定する。本実施形態では変調領域より無変調領域の占有率を高く設定しているので、同一のウォブルデータユニット内での配置変更のみで１次配置場所と２次配置場所の切り替えが行える。具体的には１次配置場所（Primary Position）７０１では図１９（ａ）、（ｃ）に示すように１個のウォブルデータユニット内の先頭位置に変調領域５９８を配置し、２次配置場所７０２（Secondary Position）では図１９（ｂ）、（ｄ）に示すように１個のウォブルデータユニット５６０〜５７１内の後半位置に変調領域５９８を配置する。
【０３０３】
図１９で示した１次配置場所（Primary Position）７０１と２次配置場所７０２（Secondary Position）の適応範囲すなわち、１次配置場所または２次配置場所が連続的に続く範囲を本実施形態では物理セグメントの範囲に規定している。すなわち、図２２に示すように同一物理セグメント内での変調領域の配置パターンを（ｂ）から（ｄ）までの３種類（複数種類）持たせ、物理セグメントのタイプ識別情報７２１の情報から物理セグメント内での変調領域の配置パターンを図７のウォブル信号検出部１３５が識別すると、同一物理セグメント内の他の変調領域５９８の配置場所が事前に予測できる。その結果、次に来る変調領域検出の事前準備が出来るので変調領域での信号検出（判別）精度を上げる事ができると言う効果が有る。
【０３０４】
図２２（ｂ）は物理セグメント内のウォブルデータユニットの配置を示し、各枠内に記述された番号は同一物理セグメント内のウォブルデータユニット番号を示す。０番目のウォブルデータユニットは１段目に示すようにシンクフィールド７１１と呼び、このシンクフィールド内の変調領域にウォブルシンク領域が存在している。１番目から１１番目のウォブルデータユニットをアドレスフィールド７１２と呼び、このアドレスフィールド７１２内の変調領域にアドレス情報が記録される。更に、１２番目から１６番目のウォブルデータユニット内はウォブルパターンが全てＮＰＷのユニティフィールド７１３になっている。
【０３０５】
図２２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に記載された“Ｐ”のマークはウォブルデータユニット内で変調領域が１次配置場所になっている事を示し、“Ｓ”のマークはウォブルデータユニット内で変調領域が２次配置場所になっている事を示している。“Ｕ”のマークはウォブルデータユニットがユニティフィールド７１３に含まれ、変調領域が存在しない事を示している。図２２（ｂ）に示した変調領域の配置パターンは物理セグメント内全てが１次配置場所（Primary Position）になっている事を示し、図２２（ｃ）に示した変調領域の配置パターンは物理セグメント内全てが２次配置場所（Secondary Position）になっている事を示す。図２２（ｄ）は同一物理セグメント内で１次配置場所と２次配置場所が混合されており、０番目から５番目のウォブルデータユニット内で変調領域が１次配置場所になり、６番目から１１番目のウォブルデータユニット内で変調領域が２次配置場所になる。図２２（ｄ）のようにシンクフィールド７１１とアドレスフィールド７１２を合わせた領域に対して１次配置場所と２次配置場所を半々にする事で細かく隣接トラック間での変調領域の重なりを防止する事が出来る。
【０３０６】
以上説明したウォブル変調によりアドレス情報が事前に記録されている物理セグメントもしくは物理セグメントブロックに対して前述したデータセグメントデータを記録する方法について説明する。書替え形情報記憶媒体及び追記形情報記憶媒体いずれも連続してデータを記録する単位としてレコーディングクラスター単位でデータを記録する。このように書き替え単位を表すレコーディングクラスターが１個以上のデータセグメントから構成される構造にする事で少ないデータ量を何度も書き替える事の多いＰＣデータ（ＰＣファイル）と多量のデータを一度に連続して記録するＡＶデータ（ＡＶファイル）の同一情報記憶媒体への混在記録処理を容易に出来ると言う効果が生まれる。すなわち、パーソナルコンピュータ用に使われるデータは比較的少量のデータを何度も書き替える場合が多い。従って、書替え又は追記のデータ単位を極力小さく設定するとＰＣデータに適した記録方法になる。本実施形態では３２物理セクタからＥＣＣブロックが構成されので、ＥＣＣブロックを１個のみ含むデータセグメント単位で書き替え又は追記を行うことが効率良く書替え又は追記を行う最小の単位となる。従って、書替え単位または追記単位を表す記録用クラスター内に１個以上のデータセグメントが含まれる本実施形態における構造がＰＣデータ（ＰＣファイル）に適した記録構造となる。ＡＶ（Audio Video）データでは非常に多量な映像情報や音声情報が途中で途切れる事無く連続的に記録される必要が有る。この場合、連続的に記録されるデータは１個のレコーディングクラスターとしてまとめて記録される。ＡＶデータ記録時に１個のレコーディングクラスターを構成するデータセグメント毎にランダムシフト量やデータセグメント内の構造、データセグメントの属性などを切り替えると、切り替わり処理の時間が掛かり、連続記録処理が難しくなる。本実施形態では同一形式（属性やランダムシフト量を変えず、データセグメント間に特定情報を挿入する事無く）のデータセグメントを連続して並べてレコーディングクラスターを構成する事で多量のデータを連続して記録するＡＶデータ記録に適した記録フォーマットを提供できるだけでなく、レコーディングクラスター内の構造の簡素化を果たして記録制御回路と再生検出回路の簡素化を達成して情報記録再生装置または情報再生装置の低価格化を可能とする。レコーディングクラスター５４０内の（拡張ガードフィールド５２８を除いた）データセグメントが連続して並んだデータ構造は再生専用情報記憶媒体及び追記形情報記憶媒体と全く同じ構造をしている。このように再生専用形／追記形／書替え形に依らず全ての情報記憶媒体で共通のデータ構造になっているため、媒体の互換性が確保され、互換性が確保された情報記録再生装置または情報再生装置の検出回路の兼用化が図れ、高い再生信頼性が確保できると共に低価格化の実現が可能となる。
【０３０７】
書替え形のガード領域の中にポストアンブル領域、エキストラ領域、バッファ領域、ＶＦＯ領域、プリシンク領域が含まれ、連続記録終了場所に限り拡張ガードフィールドが配置される。書替え時の重複箇所で拡張ガード領域と後側のＶＦＯ領域が一部重複するように書き換えまたは追記を行う所に本実施形態の特徴があるそのように一部重複させて書替えまたは追記する事でレコーディングクラスター間に隙間（記録マークが形成されない領域）の発生を防止し、片面２記録層の記録可能な情報記憶媒体における層間クロストークを除去する事で安定した再生信号を検出できる。
【０３０８】
本実施形態における１個のデータセグメント内の書替え可能なデータサイズは
６７＋４＋７７３７６＋２＋４＋１６＝７７４６９（データバイト）
となる。１個のウォブルデータユニット５６０は
６＋４＋６＋６８＝８４（ウォブル）
で構成されており、図２６に示すように、１７個のウォブルデータユニットで１個の物理セグメント５５０を構成し、７個の物理セグメント５５０〜５５６の長さが１個のデータセグメント５３１の長さに一致しているので１個のデータセグメント５３１の長さ内には
８４×１７×７＝９９９６（ウォブル）
が配置される。従って、上記の式から１個のウォブルに対して
７７４９６÷９９９６＝７．７５（データバイト／ウォブル）が対応する。
【０３０９】
物理セグメントの先頭位置から２４ウォブル以降に次のＶＦＯ領域５２２と拡張ガードフィールド５２８の重なり部分が来るが物理セグメント５５０の先頭から１６ウォブルまではウォブルシンク領域５８０となるが、それ以降６８ウォブル分は無変調領域５９０内になる。したがって２４ウォブル以降の次のＶＦＯ領域５２２と拡張ガードフィールド５２８が重なる部分は無変調領域５９０内となる。このように物理セグメントの先頭位置２４ウォブル以降にデータセグメントの先頭位置が来るようにする事で重複箇所が無変調領域５９０内になるだけでなくウォブルシンク領域５８０の検出時間と記録処理の準備時間が相応に取れるので、安定でかつ精度の良い記録処理を保証できる。
【０３１０】
本実施形態における書替え形情報記憶媒体の記録膜は相変化記録膜を用いている。相変化記録膜では書き替え開始／終了位置近傍で記録膜の劣化が始まるので、同じ位置での記録開始／記録終了を繰り返すと記録膜の劣化による書き替え回数の制限が発生する。本実施形態では上記問題を軽減するため、書き替え時にはＪｍ＋１／１２データバイト分ずらし、ランダムに記録開始位置をずらしている。
【０３１１】
上記説明では基本概念を説明するため拡張ガードフィールドの先頭位置とＶＦＯ領域の先頭位置が一致しているとしたが、厳密に言うとＶＦＯ領域の先頭位置がランダムにずれている。
【０３１２】
現行の書替え形情報記憶媒体であるＤＶＤ−ＲＡＭデイスクでも記録膜として相変化記録膜を使用し、書替え回数向上のためにランダムに記録開始／終了位置をずらしている。現行のＤＶＤ−ＲＡＭディスクでのランダムなずらしを行った時の最大ずらし量範囲は８データバイトに設定している。現行のＤＶＤ−ＲＡＭディスクでの（ディスクに記録される変調後のデータとして）チャネルビット長は平均０．１４３μｍに設定されている。本実施形態の書替え形情報記憶媒体実施形態ではチャネルビットの平均長さは（０．０８７＋０．０９３）÷２＝０．０９０（μｍ）となる。物理的なずらし範囲の長さを現行のＤＶＤ−ＲＡＭディスクに合わせた場合には、本実施形態でのランダムなずらし範囲として最低限必要な長さは上記の値を利用して
８バイト×（０．１４３μｍ÷０．０９０μｍ）＝１２．７バイト
となる。本実施形態では再生信号検出処理の容易性を確保するため、ランダムなずらし量の単位を変調後の“チャネルビット”に合わせた。本実施形態では変調に８ビットを１２ビットに変換するＥＴＭ変調（Eight to Twelve modulation）を用いているので、ランダムなずらし量を表す数式表現としてデータバイトを基準として
Ｊｍ／１２（データバイト）
で表す。Ｊｍの取り得る値としては上式の値を用いて
１２．７×１２＝１５２．４
なので、Ｊｍは０から１５２となる。以上の理由から上式を満足する範囲で有ればランダムなずらしの範囲長さは現行ＤＶＤ−ＲＡＭディスクと一致し、現行ＤＶＤ−ＲＡＭディスクと同様な書き替え回数を保証できる。本実施形態では現行以上の書き替え回数を確保するため、最低限必要な長さに対してわずかにマージンを持たせ、
ランダムなずらし範囲の長さを１４（データバイト）
に設定した。これらの式から１４×１２＝１６８なので
Ｊｍの取り得る値は０〜１６７
と設定した。上記のようにランダムシフト量をＪｍ／１２（０≦Ｊｍ≦１５４）より大きな範囲とする事で、ランダムシフト量に対する物理的な範囲の長さが現行ＤＶＤ−ＲＡＭと一致するため、現行ＤＶＤ−ＲＡＭと同様な繰り返し記録回数を保証できると言う効果が有る。
【０３１３】
記録用クラスター内でのバッファ領域とＶＦＯ領域の長さは一定となっている。同一の記録用クラスター内では全てのデータセグメントのランダムずらし量Ｊｍは至る所同じ値になっている。内部に多量のデータセグメントを含む１個の記録用クラスターを連続して記録する場合には、記録位置をウォブルからモニターしている。すなわち、図２０に示すウォブルシンク領域５８０の位置検出をしたり、図１９の無変調領域５９２、５９３内ではウォブルの数を数えながら情報記憶媒体上の記録位置の確認を記録と同時に行う。この時にウォブルのカウントミスや情報記憶媒体を回転させている回転モータの回転ムラによりウォブルスリップ（１ウォブル周期分ずれた位置に記録する事）が生じ、情報記憶媒体上の記録位置がずれる事が希に有る。本実施形態の情報記憶媒体では上記のように生じた記録位置ずれが検出された場合には書替え形のガード領域内で調整を行い、記録タイミングの修正を行う所に特徴が有る。ここでは、Ｈフォーマットに付いて説明しているがこの基本的な考え方は後述するようにＢフォーマットでも採用されている。ポストアンブル領域、エキストラ領域、プリシンク領域ではビット欠落やビット重複が許容できない重要な情報が記録されるが、バッファ領域、ＶＦＯ領域では特定パターンの繰り返しになっているため、この繰り返し境界位置を確保している限りでは１パターンのみの欠落や重複が許容される。従って、本実施形態ではガード領域の中で特にバッファ領域またはＶＦＯ領域で調整を行い、記録タイミングの修正を行う。
【０３１４】
本実施形態では位置設定の基準となる実際のスタートポイント位置はウォブル振幅“０”の（ウォブルの中心）位置と一致するように設定される。しかし、ウォブルの位置検出精度は低いので本実施形態では“±１max”と記載されているように、実際のスタートポイント位置は最大
±１データバイト”までのずれ量
を許容している。
【０３１５】
データセグメントでのランダムシフト量をＪｍとし（上述したように記録用クラスター内は全てのデータセグメントのランダムシフト量は一致する）、その後に追記するデータセグメントのランダムシフト量をＪｍ＋１とする。上記式に示すＪｍとＪｍ＋１の取り得る値として例えば、中間値を取り、Ｊｍ＝Ｊｍ＋１＝８４であり、実際のスタートポイントの位置精度が充分高い場合には拡張ガードフィールドの開始位置とＶＦＯ領域の開始位置が一致する。
【０３１６】
これに対してデータセグメントが最大限後位置に記録され、後で追記または書き替えられるデータセグメントが最大限前位置に記録された場合にはＶＦＯ領域の先頭位置がバッファ領域内へ最大１５データバイトまで入り込む事が有る。バッファ領域の直前のエキストラ領域には特定の重要情報が記録されている。従って、本実施形態において
バッファ領域の長さは１５データバイト以上
必要となる。実施形態では１データバイトの余裕を加味し、バッファ領域のデータサイズを１６データバイトに設定している。
【０３１７】
ランダムシフトの結果、拡張ガード領域とＶＦＯ領域の間に隙間が生じると片面２記録層構造を採用した場合にその隙間による再生時の層間クロストークが発生する。そのため、ランダムシフトを行っても必ず拡張ガードフィールドとＶＦＯ領域の一部が重なり、隙間が発生しない工夫がされている。従って、本実施形態において拡張ガードフィールドの長さは１５データバイト以上に設定する必要が有る。後続するＶＦＯ領域は７１データバイトと充分に長く取って有るので、拡張ガードフィールドとＶＦＯ領域の重なり領域が多少広くなっても信号再生時には支障が無い（重ならないＶＦＯ領域で再生用基準クロックの同期を取る時間が充分確保されるため）。従って、拡張ガードフィールドは１５データバイトよりもより大きな値に設定する事が可能である。連続記録時に希にウォブルスリップが発生し、１ウォブル周期分記録位置がずれる場合が有る事を既に説明した。１ウォブル周期は７．７５（≒８）データバイトに相当するので本実施形態では
拡張ガードフィールドの長さを（１５＋８＝）２３データバイト以上
に設定している。実施形態ではバッファ領域と同様に１データバイトの余裕を加味し、拡張ガードフィールドの長さを２４データバイトに設定している。
【０３１８】
記録用クラスター５４１の記録開始位置を正確に設定する必要が有る。本実施形態の情報記録再生装置では書替え形または追記形情報記憶媒体に予め記録されたウォブル信号を用いてこの記録開始位置を検出する。ウォブルシンク領域以外は全て４ウォブル単位でパターンがＮＰＷからＩＰＷに変化している。それに比べてウォブルシンク領域ではウォブルの切り替わり単位が部分的に４ウォブルからずれているため、ウォブルシンク領域が最も位置検出し易い。そのため、本実施形態の情報記録再生装置ではウォブルシンク領域位置を検出後、記録処理の準備を行い、記録を開始する。そのためレコーディングクラスターの開始位置はウォブルシンク領域の直後の無変調領域の中に来る必要が有る。この場合は、物理セグメント（Physical segment）の切り替わり直後にウォブルシンク領域が配置されている。ウォブルシンク領域の長さは１６ウォブル周期分になっている。更に、そのウォブルシンク領域を検出後、記録処理の準備にマージンを見越して８ウォブル周期分必要となる。従って、レコーディングクラスターの先頭位置に存在するＶＦＯ領域の先頭位置がランダムシフトを考慮していも物理セグメントの切り替わり目位置から２４ウォブル以上後方に配置される必要が有る。
【０３１９】
書替え時の重複箇所では何度も記録処理が行われる。書替えを繰り返すとウォブルグルーブまたはウォブルランドの物理的な形状が変化（劣化）し、そこからのウォブル再生信号品質が低下する。本実施形態では書替え時あるいは追記時の重複箇所がウォブルシンク領域やウォブルアドレス領域内に来るのを避け、無変調領域内に記録されるように工夫している。無変調領域は一定のウォブルパターン（ＮＰＷ）が繰り返されるだけなので、部分的にウォブル再生信号品質が劣化しても前後のウォブル再生信号を利用して補間できる。このように書替え時あるいは追記時の重複箇所位置を無変調領域内に来るように設定したため、ウォブルシンク領域またはウォブルアドレス領域内での形状劣化によるウォブル再生信号品質の劣化を防止し、ウォブルアドレス情報からの安定なウォブル検出信号を保証できると言う効果が生じる。
【０３２０】
以上は主に片面単層の情報記憶媒体を説明したが、次に片面多層（ここでは片面２層）の追記型の情報記憶媒体を説明する。片面単層と同じ構成は説明を省略し、異なる点のみ説明する。
【０３２１】
《測定条件》
記憶媒体の特性は規格で決められており、記憶媒体を販売する前にその規格を満たすか否かをテストする必要がある。このため、ディスクの特性を測定する装置が必要であり、規格には測定装置の測定条件も決められている。媒体の特性測定用の光学ヘッドの特性は次のように規定されている。
【０３２２】
波長（λ）：４０５±５ｎｍ
偏光：円偏光
偏光ビームスプリッタ：使用される
開口数：０．６５±０．０１
対物レンズの瞳孔縁の光強度：最大強度レベルの５５〜７０％
理想的な基板を通過後の波面収差：０．０３３λ(最大)
ディスク上の正規化検出器サイズ：１００＜Ａ／Ｍ２＜１４４μｍ２
ここで、
Ａ：光ヘッドの中央検出器エリア
Ｍ：ディスクから検出器までの横倍率
光検出器は、焦点位置よりも対物レンズ側に寄った位置に置かれる必要がある。これは、光検出器の位置に応じて層間クロストークの影響が異なり検出値にバラツキが生じることを抑えるために、かならず焦点位置の手前側に置くことを決めたものである。ここで、焦点位置とはディスクからの反射光路における光学系の像点である。
【０３２３】
レーザダイオードの相対強度雑音（ＲＩＮ）＊：−１２５ｄＢ／Ｈｚ（最大）
＊ＲＩＮ（ｄＢ／Ｈｚ）＝１０ｌｏｇ[（ＡＣ出力密度／Ｈｚ）／ＤＣ出力]
《追記型片面２層ディスクの断面構造》
図２７に追記型の片面２層ディスクの断面図を示す。片面２層ディスクは、対物レンズから照射されるレーザ光７の入射面（読み出し面）側にポリカーボネートから成る第１の透明基板２−３を有する。第１の透明基板２−３はレーザ光の波長に対して透光性を有する。レーザ光の波長は４０５（±５）ｎｍである。
【０３２４】
第１の透明基板２−３の光入射面と反対側の面には第１の記録層（レイヤー０）３−３が設けられる。第１の記録層３−３には記録情報に応じたピットが設けられる。第１の記録層３−３の上には光半透過層４−３が設けられる。
【０３２５】
光半透過層４−３の上にはスペースレイヤー７が設けられる。スペースレイヤー７はレイヤー１に対する透明基板の働きをするものであり、レーザ光の波長に対して透光性を有する。
【０３２６】
スペースレイヤー７の光入射面と反対側の面には第２の記録層（レイヤー１）３−４が設けられる。第２の記録層３−４には記録情報に応じたピットが設けられる。第２の記録層３−４上には光反射層４−４が設けられる。光反射層４−４の上には基板８が設けられる。
【０３２７】
《スペースレイヤー７の厚み》
追記型の片面２層ディスクにおけるスペースレイヤー７の厚みは２５．０±５．０μｍである。薄いと層間クロストークが大きいし、製造しにくいので、ある程度の厚みが規定されている。片面２層の再生専用型記憶媒体では、スペースレイヤー７の厚みは２０．０±５．０μｍである。追記型は再生専用型に比べて層間クロストークの影響が大きいので、再生専用型に比べて若干厚く、スペースレイヤー７の厚みの中心値が２５μｍ以上と規定されている。
【０３２８】
《複屈折を含む反射率》
“Ｈ→Ｌ”ディスクのシステムリードイン領域およびシステムリードアウト領域の反射率は４．５〜９．０％であり、“Ｌ→Ｈ”ディスクは４．２〜８．４％である。
【０３２９】
“Ｈ→Ｌ”ディスクのデータリードイン領域、データ領域、ミドル領域およびデータリードアウト領域における反射率は４．５〜９．０％であり、“Ｌ→Ｈ”ディスクは４．５〜９．０％である。
【０３３０】
この反射率は高ければ高い方が良いが、限度があり、繰返し再生回数と再生信号特性が所定の基準を満たすように決められている。レイヤー０の記録層は半透明である必要があるので、反射率は単層の場合より低い。
【０３３１】
《層間クロストーク》
上述したように、片面多層記憶媒体は他のレイヤーからの反射光が再生信号に影響を与えるという問題（層間クロストーク）がある。詳しく説明すると、一方のレイヤー（例えばレイヤー１）を再生中に、その再生光束が照射される他方のレイヤー（例えばレイヤー０）の信号の記録状態が変化すると、そのクロストークによって再生中のレイヤー１の信号がオフセットするという問題が発生する。また、レイヤー１に信号を記録する場合、レイヤー０が記録済みであるか、未記録であるかによって最適な記録パワーが異なるという問題がある。これらの問題は、レイヤー０の記憶媒体の透過率及び反射率が記録状態と未記録状態で変化することや、光学的な収差を抑えるためにスペースレイヤーの厚みをあまり大きくできないことなどが原因で発生するが、このような特性を物理的に低減することは非常に難しい。そこで、本発明の光ディスクでは各層にクリアランス（記録状態一定領域）を設けたことにより、このような信号のオフセットが生じることが無いという特徴を持っている。
【０３３２】
《クリアランスの定義》
片面多層ディスクでは、ディスクのあるレイヤー上で集束する光束が、他のレイヤーにも拡散して、他のレイヤーや光の集束するレイヤーで反射する（図２８参照）。したがって、あるレイヤーの読み書きは、ディスクの他のレイヤーで反射する光の影響を受ける。この影響を回避するため、ディスクの他のレイヤーの状態を、記録マークの存在に関して一定にする必要がある。あるレイヤーの読み書きの質に影響を与える領域は、集束する点を基準として、ディスクの他のレイヤー上で明らかに定義する必要がある。こうして、レイヤー上のある箇所における読み書きは、ディスクの他のレイヤー上のこの領域の状態を一定に維持することにより、適切に行われることになる。この領域の径方向の距離を「クリアランス」と呼ぶ（図２９参照）。
【０３３３】
クリアランスは、あるレイヤーに集束する光束の他のレイヤーにおける半径と、レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径誤差の最大値と、レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径方向ランアウトの最大値の３つの要素を考慮して、計算する必要がある。これらの値は、以下の通り定義される。
【０３３４】
レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径誤差の最大値と
Ｒｄｍａｘ＝４０μｍ
レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径方向ランアウトの最大値
Ｒｒｍａｘ＝（４０＋６０）／２＝５０μｍ
トラック形状の真円からのずれ（径方向のランアウト）は、レイヤー０では４０μｍ（ピークツーピーク）、レイヤー１では６０μｍ（ピークツーピーク）なので、ディスクで平均をとると、５０μｍとなる。
【０３３５】
あるレイヤーに集束する光束の他のレイヤーにおける半径の理論値
Ｒｃ_theoretical＝Ｔｓｌ×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ＮＡ／ｎ））＝１４μｍ
Ｔｓｌ（スペースレイヤーの厚さの最大値）＝３０μｍ
ＮＡ（開口数）＝０．６５
ｎ（スペースレイヤーの屈折率）＝１．５
実際の半径であるＲｃ_practicalは、光束の強度は中央部で最大となり、縁で最小となるので、有効半径としては約１０μｍであると考えてよい。
【０３３６】
ディスクのクリアランスのＣｌは、以下の数式で計算される。
【０３３７】
Ｃｌ
＝Ｒｄｍａｘ＋Ｒｒｍａｘ＋Ｒｃ_practical
＝１００μｍ
情報領域のフォーマットは、情報領域内の各エリアのエッジのクリアランスを考慮して構築される。
【０３３８】
なお、図２９は位置ずれの例を示したに過ぎず、径方向の相対的なずれはレイヤー１では必ず外側にずれる訳ではなく、径方向ランアウトの相対的なずれはレイヤー０では必ず内側にずれる訳ではない。
【０３３９】
《クリアランスの例（物理セクタ数）》
互換性の観点からクリアランスを物理セクタ数で簡略的に表すことは有意義である。
【０３４０】
表３のＡＭが位置Ｍ（図３０参照）におけるクリアランス（物理セクタ数）を示す。
【表３】
2007272992.tif 000007
【０３４１】
図３０はレイヤー０のある物理セクタ番号ＰＳＮとそれに対応するレイヤー１の記録可能な物理セクタを示す。レイヤー０とレイヤー１の物理セクタ番号はビット反転の関係がある。
【０３４２】
《一般パラメータ》
追記型片面１層ディスクと比較した追記型片面２層ディスクの一般パラメータを表４に示す。
【表４】
2007272992.tif 000008
【０３４３】
追記型片面２層ディスクの一般パラメータは１層ディスクの一般パラメータとほとんど同じであるが、以下の点で異なる。ユーザが使用可能な記録容量は３０ＧＢであり、データ領域の内半径がレイヤー０では２４．６ｍｍであり、レイヤー１では２４．７ｍｍであり、データ領域の外半径が５８．１ｍｍ（レイヤー０、レイヤー１共通）である。
【０３４４】
《情報領域のフォーマット》
２層のレイヤーにわたって設けられる情報領域は７つの領域：システムリードイン領域、コネクション領域、データリードイン領域、データ領域、データリードアウト領域、システムリードアウト領域、ミドル領域からなる。各レイヤーにミドル領域が設けられることにより、再生ビームをレイヤー０からレイヤー１に移動させることができる（図３４参照）。データ領域はメインデータを記録する。システムリードイン領域は制御データと参照（リファレンス）コードとを含む。データリードアウト領域は連続するスムーズな読み出しを可能とする。
【０３４５】
《リードアウト領域》
システムリードイン領域とシステムリードアウト領域はエンボスピットからなるトラックを含む。レイヤー０のデータリードイン領域、データ領域、ミドル領域と、レイヤー１のミドル領域、データ領域、データリードアウト領域はグルーブトラックを含む。グルーブトラックはレイヤー０のデータリードイン領域の開始位置からミドル領域の終了位置まで連続であり、レイヤー１のミドル領域の開始位置からデータリードアウト領域の終了位置まで連続である。なお、片面２層ディスクを張り合わせると、２つの読み出し面を有する両面２層ディスクとなる。
【０３４６】
システムリードイン領域、システムリードアウト領域の各トラックはデータセグメントに分割される。
【０３４７】
データリードイン領域、データ領域、データリードアウト領域、ミドル領域内のトラックはＰＳブロックに分割される。各ＰＳブロックは７物理セグメントに分割される。各物理セグメントは１１０６７バイトである。
【０３４８】
《リードイン領域、リードアウト領域およびミドル領域》
リードイン領域とリードアウト領域の概要を図３１に示す。レイヤー０とレイヤー１の初期状態のミドル領域の概要を図３２に示す。ミドル領域のレイアウトは再配置によって変更可能であり、図３２は変更前のものである。リードイン領域、リードアウト領域およびミドル領域の各ゾーン、各エリアの境界はデータセグメントの境界と一致している必要がある。
【０３４９】
レイヤー０の内周側には最内周から順にシステムリードイン領域、コネクション領域、データリードイン領域、データ領域が設けられる。レイヤー１の内周側には最内周から順にシステムリードアウト領域、コネクション領域、データリードアウト領域、データ領域が設けられる。このように、管理領域が含まれるデータリードイン領域はレイヤー０にしか設けられていないので、レイヤーＬ１でファイナライズした時、レイヤーＬ１の情報もレイヤーＬ０のデータリードイン領域に書く。これにより、起動時にレイヤーＬ０だけを読めば全部の管理情報が得られ、いちいちレイヤーＬ０、レイヤーＬ１を読まなくても良いという利点がある。なお、レイヤーＬ１にデータを記録するためには、レイヤーＬ０が全部書かれていなければならない。管理領域を埋めるのは、ファイナライズする時である。
【０３５０】
レイヤー０のシステムリードイン領域は内周側から順にイニシャルゾーン、バッファーゾーン、制御（コントロール）データゾーン、バッファーゾーンからなる。レイヤー０のデータリードイン領域は内周側から順にブランクゾーン、ガードトラックゾーン、ドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、Ｌ−ＲＭＤ（記録位置管理データ）、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンからなる。レイヤー０のデータエリアの開始アドレス（内周側）とレイヤー１のデータエリアの終了アドレス（内周側）とはクリアランスの分だけずれており、レイヤー１のデータエリアの終了アドレス（内周側）の方がレイヤー０のデータエリアの開始アドレス（内周側）より外周側である。
【０３５１】
レイヤー１のデータリードアウト領域は内周側から順にブランクゾーン、ディスクテストゾーン、ドライブテストゾーン、ガードトラックゾーンからなる。
【０３５２】
ブランクゾーンは溝はあるが、データが記録されない領域である。ガードトラックゾーンはテストのための特定パターンを記録するゾーンであり、変調前のデータ“００ｈ”が記録される。レイヤー０のガードトラックゾーンはレイヤー１のディスクテストゾーン、ドライブテストゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー０のガードトラックゾーンはレイヤー１のディスクテストゾーン、ドライブテストゾーンに少なくともクリアランスを加えた範囲に対応している。レイヤー１のガードトラックゾーンはレイヤー０のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、Ｌ−ＲＭＤ、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー１のガードトラックゾーンはレイヤー０のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、Ｌ−ＲＭＤ、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンに少なくともクリアランスを加えた範囲に対応している。
【０３５３】
図３２に示すように、レイヤー０、レイヤー１のミドル領域はともに内周側から順にガードトラックゾーン、ドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーンからなる。レイヤー０のガードトラックゾーンはレイヤー１のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー０のガードトラックゾーンの終了位置はレイヤー１のディスクテストゾーンの開始位置よりも少なくともクリアランスの分だけ外周側に位置する。レイヤー１のブランクゾーンはレイヤー０のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー１のブランクゾーンの終了位置はレイヤー０のドライブテストゾーンの開始位置よりも少なくともクリアランスの分だけ内周側に位置する。
【０３５４】
《トラックパス》
本実施形態ではレイヤー０からレイヤー１への記録の連続性を維持するために、図３３に示すようなオポジットトラックパスが採用されている。シーケンシャル記録ではレイヤー０の記録が終了しないと、レイヤー１の記録に移らない。
【０３５５】
《物理セクタレイアウトと物理セクタ番号》
各ＰＳブロックは３２個の物理セクタを含む。片面２層ディスク用のＨＤ  ＤＶＤ−Ｒのレイヤー０の物理セクタ番号（ＰＳＮ）は、図３４に示すように、システムリードイン領域において連続的に増分し、データリードイン領域の最初からミドル領域の最後まで連続的に増分する。しかし、レイヤー１のＰＳＮは、レイヤー０の物理セクタ番号に対しては反転ビットを取り、ミドル領域（外側）の最初からデータリードアウト領域（内側）の最後まで連続的に増分し、システムリードアウト領域の外側からシステムリードアウト領域の内側まで連続的に増分する。
【０３５６】
ビット反転の数値はビット値の“１”が“０”（逆も同様）になるように計算される。互いにＰＳＮがビット反転された各レイヤーの物理セクタは、ディスクの中心部からの距離がほぼ同じである。
【０３５７】
ＰＳＮがＸの物理セクタは、Ｘを３２で割り、端数を切り捨てした値によって計算されたＰＳブロックアドレスのＰＳブロックに含まれる。
【０３５８】
システムリードイン領域のＰＳＮは、システムリードイン領域の終了位置の物理セクタを“１３１０７１”（０１  ＦＦＦＦｈ）として計算する。
【０３５９】
システムリードイン領域を除くレイヤー０のＰＳＮは、データリードイン領域の後のデータ領域の開始位置の物理セクタのＰＳＮを“２６２１４４”（０４  ００００ｈ）として計算する。システムリードアウト領域を除くレイヤー１のＰＳＮは、ミドル領域の後のデータ領域の開始位置の物理セクタのＰＳＮを“９１８４２５６”（８Ｃ  ２４００ｈ）として計算する。
【０３６０】
《物理セグメント構造》
データリードイン領域、データ領域、データリードアウト領域、ミドル領域は物理セグメントを具備する。物理セグメントは物理セグメントオーダーとＰＳブロックアドレスにより指定される。
【０３６１】
《ＷＡＰレイアウト》
物理セグメントは周期位置におけるウォブルアドレス情報ＷＡＰ（Wobble Address in Periodic position）に揃える必要がある。各ＷＡＰ情報は、１７個のウォブルデータユニットＷＤＵ（Wobble Data Unit）によって示される。物理セグメント長は、１７個のＷＤＵの長さと同じである。ＷＡＰのアドレスフィールドのレイアウトを図３５に示す。図３５は片面１層の場合の図２０の（ｃ）、（ｄ）に対応する。ＷＡＰレイアウトのフィールドの数値は物理セグメントにおけるＷＤＵ番号を示す。物理セグメントにおける最初のＷＤＵは“０”の必要がある。
【０３６２】
ＷＡＰのｂ０〜ｂ８がＣＲＣ、ｂ９〜ｂ１１が物理セグメントオーダー、ｂ１２〜ｂ３０がＰＳブロックアドレス、ｂ３１〜ｂ３２がセグメント情報を記述し、セグメント情報のうちｂ３１はリザーブ領域、ｂ３２がタイプを記述する。タイプは物理セグメントのタイプ（０ｂはタイプ１（図２２の（ｂ））、１ｂはタイプ２（図２２の（ｃ））またはタイプ３（図２２の（ｄ））を示す。ＰＳブロックアドレスは各ＰＳブロックに割り当てられる。物理セグメントオーダーは０００ｂがＰＳブロック内の第１物理セグメントにセットされ、他の６種類の物理セグメントについては同様に割り当てられる。
【０３６３】
ＷＤＵは８４ウォブルからなる。ウォブルの周期は９３Ｔ（Ｔはチャネルクロック周期）である。ＳＹＮＣフィールド内のプライマリＷＤＵを表５に示す。
【表５】
2007272992.tif 000009
【０３６４】
アドレスフィールド内のプライマリＷＤＵを表６に示す。アドレスフィールドには３ビット（ノーマル位相ウォブルＮＰＷとして０ｂ、反転位相ウォブルＩＰＷとして１ｂ）が記録される。
【表６】
2007272992.tif 000010
【０３６５】
ＳＹＮＣフィールド内のセカンダリＷＤＵを表７に示す。
【表７】
2007272992.tif 000011
【０３６６】
アドレスフィールド内のセカンダリＷＤＵを表８に示す。アドレスフィールドには３ビット（ノーマル位相ウォブルＮＰＷとして０ｂ、反転位相ウォブルＩＰＷとして１ｂ）が記録される。
【表８】
2007272992.tif 000012
【０３６７】
ユニティフィールド内のＷＤＵを表９に示す。ユニティフィールドのＷＤＵは変調されない。
【表９】
2007272992.tif 000013
【０３６８】
ＮＰＷ、ＩＰＷは図１８に示す波形でトラックに記録される。物理セグメントの開始位置はＳＹＮＣフィールドの開始位置と等しい。
【０３６９】
表５から表８に示すように、プライマリＷＤＵとセカンダリＷＤＵという２つの変調ウォブル位置がある。通常はプライマリＷＤＵが選択される。しかしながら、マスタリング処理の間には隣接トラックに変調ウォブルが既に存在することがある。そのような場合は、図２１に示すように、変調ウォブルが隣接することを防ぐために、セカンダリＷＤＵが選択される。物理セグメントは変調ウォブル位置によって図２２に示すようにタイプ１、タイプ２、タイプ３に分類される。
【０３７０】
物理セグメントのタイプは次のようなルールで選択される。
【０３７１】
１）タイプ１、またはタイプ２の物理セグメントは１０回、またはそれ以上繰り返される。
【０３７２】
２）タイプ２の物理セグメントは２８回以上繰り返されない。
【０３７３】
３）タイプ３の物理セグメントはタイプ１の物理セグメントからタイプ２の物理セグメントへの遷移位置で一度選択される。
【０３７４】
４）変調ウォブル位置は隣接するトラックの一方から２ウォブル長以上分離される。
【０３７５】
《リードイン領域の構造》
図３６にレイヤー０のリードイン領域の構造を示す。システムリードイン領域は内周側から順にイニシャルゾーン、バッファーゾーン、コントロールデータゾーン、バッファーゾーンが配置される。データリードイン領域は内周側から順にブランクゾーン、ガードトラックゾーン、ドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、データリードイン領域内の記録位置管理（レコーディングマネージメント）ゾーン（Ｌ−ＲＭＺ）、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンが配置される。
【０３７６】
《システムリードイン領域の詳細》
イニシャルゾーンは、エンボスされたデータセグメントを含む。イニシャルゾーンのデータセグメントとして記録されたデータフレームのメインデータは、“００ｈ”に設定される。
【０３７７】
バッファーゾーンは、３２個のデータセグメントからの１０２４の物理セクタで構成される。このゾーンのデータセグメントとして記録されたデータフレームのメインデータは、“００ｈ”に設定される。
【０３７８】
コントロールデータゾーンは、エンボスされたデータセグメントを含む。データセグメントはエンボスされた制御データを含む。コントロールデータは、ＰＳＮ  １２３９０４（０１  Ｅ４００ｈ）を起点とする１９２のデータセグメントから構成される。
【０３７９】
コントロールデータゾーンの構成を図３７に示す。
【０３８０】
コントロールデータセクションのデータセグメントの構成を図３８に示す。コントロールデータセクションの最初のデータセグメントの内容は、１６回、繰り返される。各データセグメントの最初の物理セクタは、物理フォーマット情報を含む。各データセグメントの２番目の物理セクタは、ディスク製造情報を含む。各データセグメントの３番目の物理セクタは、著作権保護情報を含む。各データセグメントの他の物理セクタの内容は、システム使用のためにリザーブ領域とされる。
【０３８１】
コントロールデータセクション内の物理フォーマット情報を表１０に示す。
【表１０】
2007272992.tif 000014
【０３８２】
各バイト位置（ＢＰ）の機能の説明は以下に述べる。ＢＰ１３２からＢＰ１５４に示すリードパワー、記録速度、データ領域の反射率、プッシュプル信号、オントラック信号の値は一例である。これらの実際の値は、エンボス情報の規定、記録後のユーザデータの特性の規定を満足する値の中からディスク製造者が選ぶことができる。
【０３８３】
ＢＰ４〜ＢＰ１５のデータエリア配置の詳細を表１１に示す。
【表１１】
2007272992.tif 000015
【０３８４】
ＢＰ１４９、ＢＰ１５２はレイヤー０、レイヤー１のデータ領域の反射率を指定する。例えば、００００  １０１０ｂは５％を示す。実際の反射率は次の式で指定される。
【０３８５】
実際の反射率＝値×（１／２）
ＢＰ１５０、ＢＰ１５３はレイヤー０、レイヤー１のプッシュプル信号を指定する。ビットｂ７は各レイヤーのディスクのトラック形状を指定する。ビットｂ６〜ｂ０はプッシュプル信号の振幅を指定する。
【０３８６】
トラック形状：０ｂ（グルーブ上のトラック）
１ｂ（ランド上のトラック）
プッシュプル信号：例えば、０１０  １０００ｂは０．４０を示す。
【０３８７】
プッシュプル信号の実際の振幅は次の式で指定される。
【０３８８】
プッシュプル信号の実際の振幅＝値×（１／１００）
ＢＰ１５１、ＢＰ１５４はレイヤー０、レイヤー１のオントラック信号の振幅を指定する。
【０３８９】
オントラック信号：例えば、０１００  ０１１０ｂは０．７０を示す。
【０３９０】
オントラック信号の実際の振幅は次の式で指定される。
【０３９１】
オントラック信号の実際の振幅＝値×（１／１００）
《コネクション領域》
レイヤー０のコネクション領域は、システムリードイン領域とデータリードイン領域を接続することが目的である。ＰＳＮが“０１  ＦＦＦＦｈ”のシステムリードイン領域の終点物理セクタの中心線間の距離および、ＰＳＮが“０２  ６Ｂ００ｈ”のデータリードイン領域の開始物理セクタの中心線間の距離は、１．３６〜５．１０μｍである。単層の場合は上限が１０．２０μｍである。これは、２層媒体は層間クロストークがあるので、狭くしたいからである。コネクション領域には、エンボスされたピットや溝はない。
【０３９２】
《データリードイン領域の詳細》
ブランクゾーンのデータセグメントには、データが記録されない。
【０３９３】
ガードトラックゾーンのデータセグメントは、レイヤー１に記録する前に、“００ｈ”で埋められる。
【０３９４】
ディスクテストゾーン
このゾーンは、ディスクメーカーによる品質テストを目的とする。
【０３９５】
ドライブテストゾーンは、ドライブによるテストを目的とする。このゾーンは、外側のＰＳブロックから内側のＰＳブロックに記録される必要がある。このゾーンのすべてのデータセグメントは、ディスクをファイナライズする前に記録される必要がある。
【０３９６】
ＲＭＤデュプリケーションゾーンは、図３９に示すようにＲＤＺリードインから構成される。ＲＤＺリードインは、Ｌ−ＲＭＺの最初のＲＭＤを記録する前に記録される必要がある。ＲＭＤデュプリケーションゾーンの他のフィールドはリザーブされ、“００ｈ”で埋められる必要がある。ＲＤＺリードインのサイズは６４ｋＢであり、システムリザーブフィールド（４８ｋＢ）とユニークＩＤ（固有識別子）フィールド（１６ｋＢ）で構成される必要がある。システムリザーブフィールドのデータは、“００ｈ”に設定され、ユニークＩＤフィールドは８ユニットで構成され、それぞれが２ｋＢのサイズの情報を有する。各ユニットはドライブ製造者ＩＤ、シリアル番号、モデル番号、ユニークディスクＩＤ、リザーブ領域からなる。
【０３９７】
データリードイン領域内の記録位置管理ゾーン（Ｌ−ＲＭＺ）は、ＰＳＮの“０３  ＣＥ００ｈ”から“０３  ＦＦＦＦｈ”まで記録される必要がある。記録位置管理ゾーンＲＭＺは、記録位置管理データＲＭＤで構成される。Ｌ−ＲＭＺの未記録部は、ディスクをファイナライズする前に現在の記録位置管理データＲＭＤで記録される必要がある。
【０３９８】
データリードイン領域内の記録位置管理データＲＭＤは、ディスクの記録位置についての情報を格納する必要がある。ＲＭＤのサイズは６４ｋＢであり、記録位置管理データＲＭＤのデータ構成を図４０に示す。
【０３９９】
各ＲＭＤは２０４８バイトのメインデータで構成され、所定の信号処理により記録される必要がある。
【０４００】
ＲＭＤフィールド０はディスクの一般情報を指定し、このフィールドの内容を表１２に示す。
【表１２】
2007272992.tif 000016
【０４０１】
ＢＰ２のディスクステータスは
００ｈ：ディスクが空であることを示す。
【０４０２】
０１ｈ：ディスクが記録モード１であることを示す。
【０４０３】
０２ｈ：ディスクが記録モード２であることを示す。
【０４０４】
０３ｈ：ディスクがファイナライズされていることを示す。
【０４０５】
０８ｈ：ディスクが記録モードＵであることを示す。
【０４０６】
１１ｈ：フォーマット処理が進行中であることを示す。他はリザーブされている。
【０４０７】
ＢＰ４６〜４７のパディングステータスの各ビットは以下を示す。
【０４０８】
ｂ１５…０ｂ：レイヤー０の内周ガードトラックゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４０９】
１ｂ：レイヤー０の内周ガードトラックゾーンがパディングされていることを示す。
【０４１０】
ｂ１４…０ｂ：レイヤー０の内周ドライブテストゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４１１】
１ｂ：レイヤー０の内周ドライブテストゾーンがパディングされていることを示す。
【０４１２】
ｂ１３…０ｂ：ＲＭＤデュプリケーションゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４１３】
１ｂ：ＲＭＤデュプリケーションゾーンがパディングされていることを示す。
【０４１４】
ｂ１２…０ｂ：参照コードゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４１５】
１ｂ：参照コードゾーンがパディングされていることを示す。
【０４１６】
ｂ１１…０ｂ：レイヤー０の外周ガードトラックゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４１７】
１ｂ：レイヤー０の外周ガードトラックゾーンがパディングされていることを示す。
【０４１８】
ｂ１０…０ｂ：レイヤー０の外周ドライブテストゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４１９】
１ｂ：レイヤー０の外周ドライブテストゾーンがパディングされていることを示す。
【０４２０】
ｂ９…０ｂ：レイヤー０の追加ガードトラックゾーンがパディングされていない、あるいは割り当てられていないことを示す。
【０４２１】
１ｂ：レイヤー０の追加ガードトラックゾーンがパディングされていることを示す。
【０４２２】
ｂ８…０ｂ：レイヤー０の追加ドライブテストゾーンがパディングされていない、あるいは割り当てられていないことを示す。
【０４２３】
１ｂ：レイヤー０の追加ドライブテストゾーンがパディングされていることを示す。
【０４２４】
ｂ７…０ｂ：レイヤー１の外周ガードトラックゾーンがパディングされていないことを示す。
【０４２５】
１ｂ：レイヤー１の外周ガードトラックゾーンがパディングされていることを示す。
【０４２６】
ｂ６〜ｂ５…００ｂ：ターミネータの記録が開始されていないことを示す。
【０４２７】
０１ｂ：ターミネータの記録が進行中であることを示す。
【０４２８】
１０ｂ：リザーブされている。
【０４２９】
１１ｂ：ターミネータの記録が完了したことを示す。
【０４３０】
その他はリザーブされている。  ＢＰ２２〜ＢＰ３３のデータ領域配置の詳細を表１３に示す。
【表１３】
2007272992.tif 000017
【０４３１】
ＢＰ３４〜ＢＰ４５の更新されたデータ領域配置の詳細を表１４に示す。
【表１４】
2007272992.tif 000018
【０４３２】
ＢＰ５２〜ＢＰ９９のドライブテストゾーン配置の詳細を表１５に示す。
【表１５】
2007272992.tif 000019
【０４３３】
ＲＭＤフィールド１は最適記録パワーを決定する最適パワー制御（ＯＰＣ:Optical Power Control）関連情報を含む。ＲＭＤフィールド１には、表１６、表１７に示すように、システム内で共存する最大４ドライブのＯＰＣ関連情報の記録が可能である。
【表１６】
2007272992.tif 000020
【表１７】
2007272992.tif 000021
【０４３４】
ドライブが１台の場合、ＯＰＣ関連情報はフィールド♯１に記録され、他のフィールドは“００ｈ”に設定される。どの場合も、ＲＭＤフィールド１の未使用フィールドは、“００ｈ”に設定される。現在のドライブのＯＰＣ関連情報は、常にフィールド♯１に記録される。現在のＲＭＤのフィールド♯１に現在のドライブの情報（ドライブメーカーＩＤ、シリアルナンバー、モデルナンバー）が格納されていない場合、現在のＲＭＤのフィールド♯１〜＃３の情報が、新しいＲＭＤのフィールド♯２〜＃４にコピーされ、現在のＲＭＤのフィールド♯４の情報は破棄される。現在のＲＭＤのフィールド♯１が現在のドライブ情報を格納している場合、フィールド♯１の情報は更新され、他のフィールドの情報は新しいＲＭＤのフィールド♯２〜＃４にコピーされる。
【０４３５】
ＢＰ７２〜ＢＰ７５、ＢＰ３２８〜ＢＰ３３１、ＢＰ５８４〜ＢＰ５８７、ＢＰ８４０〜ＢＰ８４３のレイヤー０の内周側ドライブテストゾーンアドレス：
これらのフィールドは、最新のパワーキャリブレーションが実行された、データリードイン領域におけるドライブテストゾーンの最小ＰＳブロックアドレスを指定する。現在のドライブが、レイヤー０の内周側テストゾーンでパワーキャリブレーションを実行しない場合、現在のＲＭＤのレイヤー０の内周側ドライブテストゾーンアドレスは新しいＲＭＤの内周側ドライブテストゾーンアドレスにコピーされる。これらのフィールドが“００ｈ”に設定されている場合、このテストゾーンは使用されない。
【０４３６】
ＢＰ７６〜ＢＰ７９、ＢＰ３３２〜ＢＰ３３５、ＢＰ５８８〜ＢＰ５９１、ＢＰ８４４〜ＢＰ８４７のレイヤー０の外周側ドライブテストゾーンアドレス：
これらのフィールドは、最新のパワーキャリブレーションが実行された、レイヤー０のミドル領域におけるドライブテストゾーンの最小ＰＳブロックアドレスを指定する。現在のドライブが、レイヤー０の外周側ドライブテストゾーンでパワーキャリブレーションを実行しない場合、現在のＲＭＤのレイヤー０の外周側ドライブテストゾーンアドレスは新しいＲＭＤの外周側ドライブテストゾーンアドレスにコピーされる。これらのフィールドが“００ｈ”に設定されている場合、このテストゾーンは使用されない。
【０４３７】
ＢＰ１０６、ＢＰ３６２、ＢＰ６１８、ＢＰ８７４のテストゾーン使用記述子：
これらのフィールドは、４つのテストゾーンについての使用法を指定する。
【０４３８】
各ビットは次のように割り当てられる。
【０４３９】
ｂ７〜ｂ４…リザーブ領域。
【０４４０】
ｂ３…０ｂ：ドライブはレイヤー０の内周側ドライブテストゾーンを使用しなかった。
【０４４１】
１ｂ：ドライブはレイヤー０の内周側ドライブテストゾーンを使用した。
【０４４２】
ｂ２…０ｂ：ドライブはレイヤー０の外周側ドライブテストゾーンを使用しなかった。
【０４４３】
１ｂ：ドライブはレイヤー０の外周側ドライブテストゾーンを使用した。
【０４４４】
ｂ１…０ｂ：ドライブはレイヤー１の内周側ドライブテストゾーンを使用しなかった。
【０４４５】
１ｂ：ドライブはレイヤー１の内周側ドライブテストゾーンを使用した。
【０４４６】
ｂ０…０ｂ：ドライブはレイヤー１の外周側ドライブテストゾーンを使用しなかった。
【０４４７】
１ｂ：ドライブはレイヤー１の外周側ドライブテストゾーンを使用した。
【０４４８】
ＢＰ１０８〜ＢＰ１１１、ＢＰ３６４〜ＢＰ３６７、ＢＰ６２０〜ＢＰ６２３、ＢＰ８７６〜ＢＰ８７９のレイヤー１の内周側ドライブテストゾーンアドレス：
これらのフィールドは、最新のパワーキャリブレーションが実行された、データリードアウト領域におけるドライブテストゾーンの最小ＰＳブロックアドレスを指定する。現在のドライブが、レイヤー１の内周側ドライブテストゾーンでパワーキャリブレーションを実行しない場合、現在のＲＭＤのレイヤー１の内周側ドライブテストゾーンアドレスは新しいＲＭＤの内周側ドライブテストゾーンアドレスにコピーされる。これらのフィールドが“００ｈ”に設定されている場合、このテストゾーンは使用されない。
【０４４９】
ＢＰ１１２〜ＢＰ１１５、ＢＰ３６８〜ＢＰ３７１、ＢＰ６２４〜ＢＰ６２７、ＢＰ８８０〜ＢＰ８８３のレイヤー１の外周側ドライブテストゾーンアドレス：
これらのフィールドは、最新のパワーキャリブレーションが実行された、レイヤー１のミドル領域におけるドライブテストゾーンの最小ＰＳブロックアドレスを指定する。現在のドライブが、レイヤー１の外周側ドライブテストゾーンでパワーキャリブレーションを実行しない場合、現在のＲＭＤのレイヤー１の外周側ドライブテストゾーンアドレスは新しいＲＭＤの外周側ドライブテストゾーンアドレスにコピーされる。これらのフィールドが“００ｈ”に設定されている場合、このテストゾーンは使用されない。
【０４５０】
ＲＭＤフィールド２はユーザー専用のデータを指定する。このフィールドを使用しない場合は、フィールドに“００ｈ”を設定する。ＢＰ０〜ＢＰ２０４７がユーザー専用データに使用可能なフィールドである。
【０４５１】
ＲＭＤフィールド３のすべてのバイトはリザーブされ、“００ｈ”に設定される。
【０４５２】
ＲＭＤフィールド４はＲゾーンの情報を指定する。このフィールドの内容は表１８に示す。ユーザデータを記録するためにリザーブされているデータ記録可能領域の一部分を、Ｒゾーンと呼ぶ。Ｒゾーンは、記録条件に応じて、２タイプに分けられる。オープン（Open）Ｒゾーンでは、データを追加することができる。コンプリート（Complete）Ｒゾーンでは、ユーザデータを追加することはできない。データ記録可能領域には、オープンＲゾーンを３つ以上、存在させることはできない。データ記録用にリザーブされていないデータ記録可能領域の一部分を、インビジブル（Invisible）Ｒゾーンと呼ぶ。Ｒゾーンに続くエリアは、インビジブルＲゾーンにリザーブすることができる。それ以上、データが追加できない場合、インビジブルＲゾーンは存在しない。
【０４５３】
ＢＰ０〜ＢＰ１のインビジブルＲゾーン数はインビジブルＲゾーン、オープンＲゾーン、コンプリートＲゾーンの合計数である。
【表１８】
2007272992.tif 000022
【０４５４】
ＲＭＤフィールド５〜ＲＭＤフィールド２１は、Ｒゾーンの情報を指定する。このフィールドの内容を表１９に示す。これらのフィールドが使用されない場合、すべて“００ｈ”に設定される。
【表１９】
2007272992.tif 000023
【０４５５】
データリードイン領域内のＲ物理フォーマット情報ゾーンは、ＰＳＮ  ２６１８８８（０３  ＦＦ００ｈ）を起点とする７個のＰＳブロック（２２４物理セクタ）で構成される。Ｒ物理情報ゾーンにおける最初のＰＳブロックの内容は、７回繰り返される。Ｒ物理フォーマット情報ゾーンにおけるＰＳブロックの構成を図４１に示す。
【０４５６】
データリードイン領域内の物理フォーマット情報の内容を表２０に示す。表２０はシステムリードイン領域内の物理フォーマット情報の内容を示す表１０と同じである。ＢＰ０〜ＢＰ３はシステムリードイン領域内の物理フォーマット情報からコピーされる。ＢＰ４〜ＢＰ１５のデータ領域配置は表１３とは異なり、表２１に示す。ＢＰ１６〜ＢＰ２０４７はシステムリードイン領域内の物理フォーマット情報からコピーされる。
【表２０】
2007272992.tif 000024
【表２１】
2007272992.tif 000025
【０４５７】
《ミドル領域》
ミドル領域の構造は、ミドル領域拡張によって変更される。ユーザが記録したデータが少ない場合、ミドル領域を拡張することにより、ファイナライズ用のダミーデータ量を少なくすることができ、ファイナライズ時間を短縮することができる。
【０４５８】
ミドル領域拡張の概要を図４２に示す。拡張の詳細は後述する。拡張前後のミドル領域の構造を図４３、図４４、図４５に示す。図４３は拡張前のミドル領域の構造を説明する図である。図４４、図４５は拡張後のミドル領域の構造を説明する図である。拡張の態様は２通りあり、ミドル領域の拡張サイズに応じて図４４、または図４５のいずれかが実行される。拡張サイズ（ガードトラックの拡張分（７３ＤＣ００ｈ−７２６Ｃ００ｈ））が１７０００ｈセクタより小さいか否かに応じて小サイズか大サイズかが決まる。図４４は拡張サイズが小サイズ、図４５は拡張サイズが大サイズの場合の拡張後の構造である。拡張後のガードトラックゾーンのサイズ、レイヤー０の追加ガードトラックゾーンの形成、追加ドライブテストゾーンの形成は、レイヤー０のデータ領域の終了ＰＳＮに依存する。ガードトラックゾーンにおける物理セクタの数であるＹおよびＺの値は、表２２に示す。
【表２２】
2007272992.tif 000026
【０４５９】
レイヤー０におけるガードトラックゾーンのデータセグメントは、レイヤー１への記録前に“００ｈ”で埋められる必要がある。レイヤー１におけるガードトラックゾーンのデータセグメントは、ディスクのファイナライズ前に“００ｈ”で埋められる必要がある。
【０４６０】
ドライブテストゾーンは、ドライブによるテストを目的とする。これらのゾーンは、外側のＰＳブロックから内側のＰＳブロックに記録される。レイヤー０におけるドライブテストゾーンのすべてのデータセグメントは、レイヤー１への記録前に“００ｈ”で埋められてもよい。
【０４６１】
ディスクテストゾーンはディスク製造者による品質テストを目的とする。
【０４６２】
ブランクゾーンのデータセグメントは、データを含まない。レイヤー０における最も外側のブランクゾーンのサイズは、９６８ＰＳブロック以上の必要がある。レイヤー１における最も外側のブランクゾーンのサイズは、２４６４ＰＳブロック以上の必要がある。
【０４６３】
《リードアウト領域》
リードアウト領域の構造を図４６に示す。データリードアウト領域は外側から順にガードトラックゾーン、ドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーンが配置されてなる。システムリードアウト領域はシステムリードアウトゾーンからなる。
【０４６４】
ガードトラックゾーンのデータセグメントは、ディスクのファイナライズの前に“００ｈ”で埋める必要がある。  ドライブテストゾーンは、ドライブによるテストを目的とする。これらのゾーンは、外側のＰＳブロックから内側のＰＳブロックに記録される。
【０４６５】
ブランクゾーンのデータセグメントには、データが記録されない。
【０４６６】
《レイヤー１のコネクション領域》
レイヤー１のコネクション領域は、データリードアウト領域とシステムリードアウト領域を接続することを目的とする。データリードアウト領域の終点物理セクタの中心線間、ＰＳＮがＦＥ  ０００ｈであるシステムリードアウト領域の始点物理セクタの中心線間の距離は、１．３６〜５．１０μｍの必要がある。コネクション領域には、エンボスされたピットや溝はない。
【０４６７】
システムリードアウト領域に物理セクタとして記録されたデータフレームのすべてのメインデータは、“００ｈ”に設定される必要がある。
【０４６８】
《フォーマッティング》
フォーマッティングはディスクを使う時に適用されるプロセスであり、初期化、データ領域再配置（ミドルエリアの拡張）、パディング及びファイナライズからなる。
【０４６９】
初期化：
ディスクにユーザデータを記録する前に、ＲＭＤデュプリケーションゾーン内のＲＤＺリードインが記録され、記録モードが選択される必要がある。
【０４７０】
ミドル領域の拡張：
レイヤー１のデータ領域に記録する前に、ミドル領域拡張を実行することができる。ミドル領域拡張は、ミドル領域を拡大し、同時にデータ領域を縮小する。ミドル領域の構造はミドル領域拡張により変更される。レイヤー０のデータ領域のデフォルトの終了ＰＳＮは７３  ＤＢＦＦｈであり、レイヤー１のデータ領域のデフォルトの開始ＰＳＮは８Ｃ  ２４００ｈである。レイヤー１のデータ領域に記録する前に、ドライブは、レイヤー０のデータ領域の新しい終了ＰＳＮに対し、７３  ＤＢＦＦｈ以下のＰＳＮを再割り当てできる。ＲＭＤフィールド０はミドル領域拡張によって更新される必要があり、レイヤー０のデータ領域の新しい終了ＰＳＮは、データ領域がファイナライズによって再配置されることを除いて、Ｒ物理フォーマット情報ゾーンに記録される必要がある。
【０４７１】
ミドル領域拡張が実行され、レイヤー０のデータ領域の終了ＰＳＮがＸ（＜７３  ＤＢＦＦｈ）になれば、Ｘのビット反転値はレイヤー１のデータ領域の開始ＰＳＮとなり、レイヤー０の追加ガードトラックゾーンが形成され、レイヤー１のブランクゾーンが形成され、レイヤー１のガードトラックゾーンが再配置される必要がある。さらに、Ｘが７２  ６Ｃ００ｈよりも小さいならば、追加ドライブテストゾーンとブランクゾーンがレイヤー０に形成され、追加ドライブテストゾーンがレイヤー１に形成される。（図４２参照）。
【０４７２】
レイヤー１記録前要件：
ターミネータの記録を除いてレイヤー１に記録する前に、レイヤー０の影響（層間クロストークの発生）を避けるため、あるゾーンは“００ｈ”で埋められる（パディングする）必要がある。
【０４７３】
ミドル領域が拡張されない場合は、データリードイン領域とミドル領域に配置されるレイヤー０のガードトラックゾーンは“００ｈ”で埋められる必要がある。レイヤー０のミドル領域内のドライブテストゾーンも“００ｈ”で埋められる必要がある。
【０４７４】
ミドル領域の拡張サイズが小サイズの場合は、図４２の（ｂ）に示すように、データリードイン領域とミドル領域に配置されるレイヤー０のガードトラックゾーン、及びレイヤー０のミドル領域に配置される追加ガードトラックゾーンは“００ｈ”で埋められる必要がある。レイヤー０のミドル領域内のドライブテストゾーンも“００ｈ”で埋められる必要がある。
【０４７５】
ミドル領域の拡張サイズが大サイズの場合は、図４２の（ｃ）に示すように、データリードイン領域に配置されるガードトラックゾーン、及びレイヤー０のミドル領域に配置される追加ガードトラックゾーンは“００ｈ”で埋められる必要がある。レイヤー１のドライブテストゾーンの記録の前に、レイヤー０のミドル領域に配置されるガードトラックゾーンも“００ｈ”で埋められる必要がある。レイヤー０のミドル領域内のドライブテストゾーン、追加ドライブテストゾーンも“００ｈ”で埋められる必要がある。
【０４７６】
これらのゾーンが“００ｈ”で埋められる場合、ＲＭＤフィールド０の情報は更新される必要がある。
【０４７７】
ファイナライズ：
データ領域がファイナライズされる場合、データ領域の未記録部にターミネータが記録される。ターミネータのメインデータは“００ｈ”に設定され、それのエリアタイプは、データリードアウトの属性である。レイヤー１にユーザデータが記録されている場合、ターミネータは、図５２に示すように、データ領域の未記録部すべてに記録される。
【０４７８】
レイヤー１にデータ領域が記録されていない場合、ターミネータは、図５３に示すように、レイヤー０およびレイヤー１に記録される。レイヤー０のターミネータは、データ領域に接触するように記録される必要がある。データ領域とミドル領域の間に未記録のデータセグメントが十分にある場合、ターミネータをそれらすべてに記録する必要はなく、レイヤー１に新しくターミネータテストゾーンを作成することが許される（図５３（ａ）参照）。新しいターミネータテストゾーンはドライブによるテストのためであり、そのサイズは４８０  ＰＳブロックの必要がある。レイヤー０のターミネータの終了ＰＳＮおよび、レイヤー１のターミネータの開始ＰＳＮを表２３に示す。
【表２３】
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【０４７９】
ターミネータの記録後、データリードアウト領域およびミドル領域に置かれるレイヤー１のガードトラックゾーン、およびレイヤー１の追加ガードトラックゾーンを、もしもそれらが未記録であれば、“００ｈ”で埋める必要がある。データリードアウト領域に置かれるガードトラックゾーンが埋められる前に、データリードイン領域におけるドライブテストゾーン、ＲＭＤデュプリケーションゾーンの未記録部、Ｌ−ＲＭＺ、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、および参照コードゾーンが記録される必要がある。
【０４８０】
図５３（ａ）に示すように、ミドル領域にターミネータが接しない場合、レイヤー０およびレイヤー１のミドル領域に置かれるガードトラックゾーン、およびレイヤー０のミドル領域に配置される追加ガードトラックゾーンは記録されなくてもよい。
【０４８１】
《データリードイン領域、データ領域、ミドル領域、データリードアウト領域の動作信号の測定条件》
オフセットキャンセラは次のように単層に比べて広げられている。
【０４８２】
−３ｄＢクローズドループ帯域：２０．０ｋＨｚ〜２５．０ｋＨｚ
単層では５ｋＨｚであったが、余裕を持たせるために帯域を広げた。
【０４８３】
《バーストカッティング領域（ＢＣＡ）コード》
ＢＣＡは、ディスク製造プロセスの完了後の記録情報の領域である。読み出し信号がＢＣＡコード信号仕様を満たしている場合、プリピットを用いた複製プロセスを通して、ＢＣＡコードを記述することが許されている。ＢＣＡは、片面２層ディスクのレイヤー１に存在している必要がある。これは、再生専用型もレイヤー１に存在しているので、ドライブの互換性を保つためである。
【０４８４】
《ＲＭＤの更新条件》
ＲＭＤは、以下の条件に１つでも該当する場合は、更新される必要がある。
【０４８５】
１．ＲＭＤフィールド０で指定された内容が１つでも変更された場合
２．ＲＭＤフィールド１で指定されたドライブテストゾーンアドレスが変更された場合
３．ＲＭＤフィールド４で指定されたインビジブルＲゾーン番号、最初のオープンＲゾーン番号または２番目のＲゾーン番号が変更された場合
４．Ｒゾーン♯ｉに最後に記録された物理セグメントのＰＳＮと、最新のＲＭＤに登録されたＲゾーン♯ｉの最後に記録されたＰＳＮの差が３７８８８より大きくなった場合
注：ＲＭＤの更新はドライブによってデータ記録動作が進行する限り、必要はない。
【０４８６】
２番目または４番目の条件においては、ＲＭＺの未記録部が４ＰＳブロックに等しいかあるいはそれ未満の場合、ＲＭＤの更新は実行されるべきではない。
【０４８７】
《物理セグメントタイプの選択のガイドライン》
図２２に示すように、本実施例では、追記形情報記憶媒体上における物理セグメント内の変調領域の配置場所が３種類存在している。具体的な追記形情報記憶媒体上での各半径位置での変調領域配置タイプの設定例について以下に説明を行う。基本的な考え方は、下記に示す通りである。
【０４８８】
基本的な変調領域の配置場所のタイプ設定の目的は隣接トラック間での変調領域が重なることを防止するためにある。
【０４８９】
図４８および図４９はレイヤー０のトラックに関するタイプ選択を示す。レイヤー１のトラックについては、レイヤー０に関する図４７（ａ）をレイヤー１に関する図４７（ｂ）に置換したのと同じ方法で図４８および図４９の各図を置換することで容易に理解できる。
【０４９０】
手順の原則を以下に記述する。
【０４９１】
タイプ選択の目的は、変調されたウォブルが並ぶことを避けるためである。２つの隣接するトラックの概要を図４７に示す。トラック♯ｉの始点は、物理セグメントの♯ｎの始点と同じで、ｉとｎは自然数を示す。トラック♯ｉは、ｊ個の物理セグメント、ｋ個のＷＤＵおよびｍ個のウォブルで構成され、ｊは自然数、ｋとｍは非負の整数を示す。ｋとｍの両方ともがゼロでない場合、物理セグメントの♯ｎ＋ｊはトラック♯ｉと♯ｉ＋１に配置される。
【０４９２】
トラック♯ｉと♯ｉ＋１の変調ウォブル間の相対位置は、ｍに依存する。ｍが２１以上かつ６３未満の場合、トラック♯ｉ＋１で、タイプ１の物理セグメントが選択される必要がある（図４８（ａ）参照）。そうでない場合、トラック♯ｉ＋１で、タイプ２の物理セグメントが選択される必要がある（図４８（ｂ）参照）。トラック♯ｉでは、どの場合においても、タイプ１の物理セグメントが選択される必要がある。
【０４９３】
タイプ１の物理セグメントからタイプ２の物理セグメントへの遷移位置において、タイプ３の物理セグメントの選択が一度だけ可能である。タイプ３の物理セグメントの選択は、ｍだけでなく、ｋにも依存する。タイプ３の物理セグメントが選択されるべき場合の例を、図４９に示す。以下の条件の１つに該当する場合、タイプ３の物理セグメントが選択される必要があります。
【０４９４】
１．ｋが６以上、１２未満の場合で、ｍが０以上、２１未満の場合。
【０４９５】
２．ｋが５以上、１１未満の場合で、ｍが６３以上、８４未満の場合。
【０４９６】
物理セグメントのタイプを選択するための手順は第１実施形態に関する図５０と同じである。手順内の反復プロセスは、ほぼ２トラックに対して実行される。各プロセスを以下に示す。
【０４９７】
反復プロセスの長さは、第３ステップで選択された物理セグメントの数に依存する。
【０４９８】
（１）１つのトラックにおけるウォブルの数の予測（ＳＴ８２）
現在のトラックにおけるウォブルの小数点以下の値は、前のトラックの値から推測する。
【０４９９】
ウォブルＮｗの整数値は、小数を整数の近似値に、端数を切り捨てることによって得られる。
【０５００】
（２）ｊ、ｋ、ｍの計算（ＳＴ８３）
ｊ、ｋおよびｍは以下の通り計算する。
【０５０１】
ｊ  ＝  Ｎｗ−（Ｎｗ  ｍｏｄ  １４２８）／１４２８，
ｍ  ＝  Ｎｗ  ｍｏｄ  ８４，
ｋ  ＝  （（Ｎｗ−ｍ）／８４）  ｍｏｄ  １７
演算“ｘ  ｍｏｄ  ｙ”は、ｘをｙで割った後の法を示す。
【０５０２】
（３）タイプの選択（ＳＴ８４）
物理セグメントのタイプは、以下の通り、ｋおよびｍの条件にしたがって、選択される。
【０５０３】
条件１：２１＜ｍ＜６３
２ｊ個のタイプ１物理セグメントが選択される。
【０５０４】
条件２：０＜ｋ＜６および０＜ｍ＜２１または、０＜ｋおよび６３＜ｍ＜８４
ｊ個のタイプ１物理セグメントおよびｊ個のタイプ２物理セグメントが選択される。
【０５０５】
条件３：６＜ｋ＜１２および０＜ｍ＜２１または、５＜ｋ＜１１および６３＜ｍ＜８４
ｊ個のタイプ１物理セグメント、１つのタイプ３物理セグメントおよびｊ個のタイプ２物理セグメントが選択される。
【０５０６】
条件４：１２＜ｋ＜１７および０＜ｍ＜２１または、１１＜ｋ＜１７および６３＜ｍ＜８４
ｊ＋１個のタイプ１物理セグメントおよびｊ＋１個のタイプ２物理セグメントが選択される。
【０５０７】
具体的な変調領域の配置タイプ選定方法を図５０のフローチャートに示す。変調領域の配置タイプの選定を開始すると（ＳＴ８１）、まず始めにＳＴ８２に示すように内周側のトラック１周分のウォブル数 ＮＷ を見積もる。実際の１トラック分のウォブル数には端数（小数点以下の値）が現れるが、その実際の値に対して小数点１桁目の切り捨て処理を行いデシマル関数値に概算して“１トラック分のウォブル数”として整数値である ＮＷ の値を求める。次にｊとｋ、ｍ の値を計算する（ＳＴ８３）。ここで、ｘをｙで割ったときの余りの値を“ x mod y ”と定義する。そしてＳＴ８３で行う ｊ、ｋ、ｍ の値の計算を下記の各式を用いて行う。
【０５０８】
(1) j =｛ Nｗ − ( Nｗ mod １４２８）｝／１４２８
(2) m = Nｗ mod ８４
(3) k =｛（ Nｗ − ｍ ）／８４ ｝mod １７
次にＳＴ８４に示すように、タイプ（タイプ１〜３）と反復数（ｊ、２ｊ、ｊ＋１）を選択する。
【０５０９】
上記ｋおよびｍの条件に従い選択された物理セグメントのタイプは、次のようになる：
条件(1)  ２１ ≦ ｍ ＜ ６３  の場合、
２ｊ個の物理セグメントがタイプ１物理セグメント（図２２（ｂ）参照）として選定される。
【０５１０】
条件(2)  ０ ≦ ｋ ＜ ６ 及び   ０ ≦ ｍ ＜ ２１  であるか、または
０ ≦ ｋ ＜ ５ 及び ６３ ≦ m ＜ ８４  の場合には
ｊ個のタイプ１物理セグメント（図２２（ｂ）参照）とｊ個のタイプ２物理セグメント（図２２（ｃ）参照）が選定される。
【０５１１】
条件(3)  ６ ≦ ｋ ＜ １２ 及び   ０ ≦ ｍ ＜ ２１  であるか、または
５ ≦ ｋ ＜ １１ 及び ６３ ≦ ｍ ＜ ８４  の場合、 
ｊ個のタイプ１物理セグメント（図２２（ｂ）参照）と１個のタイプ３物理セグメント（図２２（ｄ）参照）とｊ個のタイプ２物理セグメント（図２２（ｃ）参照）が選択される。
【０５１２】
条件(4)  １２ ≦ ｋ ＜ １７ 及び ０ ≦ ｍ ＜ ２１  であるか、または
１１ ≦ ｋ ＜ １７ 及び ６３ ≦ ｍ ＜ ８４  の場合には
ｊ＋１個のタイプ１物理セグメント（図２２（ｂ）参照）とｊ＋１個のタイプ２物理セグメント（図２２（ｃ）参照）が選択される。
【０５１３】
更に上記のＳＴ８２からＳＴ８４の処理を全トラック行い、全トラック分の選択が終了した（ＳＴ８５）後、変調領域の配置タイプの選定が終了（ＳＴ８６）する。
【０５１４】
《ディスクの耐光性》
ディスクの耐光性は空調されたキセノンランプと、ＩＳＯ−１０５−Ｂ０２に適合する装置を用いて試験される。
【０５１５】
試験条件…ブラックパネル温度：４０℃未満
相対湿度：７０〜８０％
ディスク照明…基板を介する通常の照射
《記録パワー》
記録パワーには、ピークパワー、バイアスパワー１、バイアスパワー２およびバイアスパワー３の４レベルがある。これらはディスクの読み出し面への光学パワーの投射を示し、マークやスペースの書き込みに使用される。
【０５１６】
ピークパワー、バイアスパワー１、バイアスパワー２およびバイアスパワー３は制御データゾーンに記載される。最大ピークパワーは１３．０ｍＷを越えない。最大バイアスパワー１、バイアスパワー２およびバイアスパワー３は６．５ｍＷを越えない。
【０５１７】
《記録手順例》
図５１は図３１、図３２に示す構造の未記録の情報記憶媒体がドライブに挿入された時の動作を示すフローチャートである。
【０５１８】
未記録のブランクディスクが挿入されると、動作が開始する。
【０５１９】
ステップＳ２でＢＣＡ領域のデータを読み取り、ディスクの種別を判別する。ディスクの種別とは片面／両面、一層／二層、再生専用／追記型／書換え型等がある。ここでは、片面２層ディスクであるか否かが判定される。
【０５２０】
ステップＳ４でデータリードイン領域のＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）のＲＤＺリードインを記録し、ステップＳ６でＲＤＺリードイン以外のＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）を“００ｈ”で埋める（パディングする）。ＲＭＤデュプリケーションゾーンは、図３９に示すようにＲＤＺリードインを含む。ＲＤＺリードインは、レコーディングマネージメントゾーンＬ−ＲＭＺの最初のレコーディングマネージメントデータＲＭＤを記録する前に記録される必要がある。ＲＭＤデュプリケーションゾーンの他のフィールドはリザーブされ、“００ｈ”で埋められる必要がある。
【０５２１】
データリードイン領域の記録位置管理ゾーン（Ｌ−ＲＭＺ）は、ＰＳＮの“０３  ＣＥ００ｈ”から“０３  ＦＦＦＦｈ”まで記録される必要がある。記録位置管理ゾーンＬ−ＲＭＺは、記録位置管理データＲＭＤで構成される。Ｌ−ＲＭＺの未記録部は、ディスクをファイナライズする前に現在の記録位置管理データＲＭＤで記録される必要がある。
【０５２２】
データリードイン領域内の記録位置管理データＲＭＤは、ディスクの記録位置についての情報を格納する必要がある。ＲＭＤのサイズは６４ｋＢであり、記録位置管理データＲＭＤのデータ構成は図４０に示した。
【０５２３】
ステップＳ８でデータリードイン領域のガードトラックゾーンのデータセグメントをパディングする。
【０５２４】
ステップＳ１０でレイヤー０のデータ領域にデータを記録する。ここでは、記録データのサイズがレイヤー０のデータ領域の記録容量以上であり、レイヤー０のデータ領域への記録に加えてレイヤー１のデータ領域への記録も行われるとする。レイヤー１への記録の前に、ファイナライズのためのレイヤー０へのパディングが行われる。ファイナライズとは、プレーヤーにより読むことができるようにするためのものである。
【０５２５】
すなわち、ステップＳ１２でレイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングする。
【０５２６】
ステップＳ１４でレイヤー０のミドル領域のドライブテストゾーンをパディングする。なお、ステップＳ１４は省略可能である。
【０５２７】
ステップＳ１６でレイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングする。
【０５２８】
次に、ステップＳ１８でレイヤー１のデータ領域にデータを記録する。
【０５２９】
レイヤー１へのデータ記録後のファイナライズは次のように行われる。レイヤー１のデータ領域の途中で記録データが終わる場合は、ステップＳ２０で図５２に示すようにデータ領域の未記録部の全てにターミネータを記録する。ターミネータのメインデータは“００ｈ”に設定され、そのエリアタイプはデータリードアウト領域の属性である。レイヤー１のデータ領域の全てにデータが記録される場合は、ターミネータは記録されない。
【０５３０】
なお、レイヤー１にデータ領域が記録されない場合は、ターミネータは、図５３に示すように、レイヤー０およびレイヤー１の両方に記録される。レイヤー０のターミネータは、データ領域に接触するように記録される必要がある。データ領域とミドル領域の間に未記録のデータセグメントが十分にある場合、ターミネータをそれら全てに記録する必要はなく、レイヤー１に新しくドライブテストゾーンを作成することが許される（図５３（ａ）参照）。新しいドライブテストゾーンのサイズは４８０（ＰＳブロック）の必要がある。レイヤー０のターミネータの終了ＰＳＮおよび、レイヤー１のターミネータの開始ＰＳＮは表２３で上述した。
【０５３１】
ステップＳ２２でレイヤー０のデータリードイン領域のドライブテストゾーンをパディングする。
【０５３２】
ステップＳ２４でレイヤー０のデータリードイン領域の記録位置管理ゾーン（Ｌ−ＲＭＺ）を記録する。
【０５３３】
ステップＳ２６でレイヤー０のデータリードイン領域のＲ物理フォーマットインフォメーションインゾーンＲＰＦＩと参照コードゾーンＲｅｆを記録する。
【０５３４】
ステップＳ２８でレイヤー１のデータリードアウト領域のガードトラックゾーンをパディングする。ターミネータの記録以降がファイナライズ処理である。
【０５３５】
その後、ディスク排出が行われる。  記録動作は記録データの内容、ドライブの制御方法等により具体的な順番は適宜変更可能であるが、記録順番に関する基本的な制約は以下の通りである。
【０５３６】
レイヤー１のデータリードアウト領域のガードトラックゾーンをパディングする（“００ｈ”で埋める）ためには、レイヤー０の対応する領域の記録状態が不連続（記録部、未記録部が混在）であると層間クロストークの影響により安定した記録ができないので、レイヤー０の対応する領域が全て記録済みになっている必要がある。そのため、ガードトラックゾーンのパディングステップＳ２８の前に、ステップＳ４（ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）のＲＤＺリードインの記録）、ステップＳ６（ＲＭＤデュプリケーションゾーンのパディング）、ステップＳ８（データリードイン領域のガードトラックゾーンのデータセグメントのパディング）、ステップＳ２２（データリードイン領域のドライブテストゾーンのパディング）、ステップＳ２４（データリードイン領域の記録位置管理ゾーン（Ｌ−ＲＭＺ）の記録）、ステップＳ２６（データリードイン領域のＲ物理フォーマットインフォメーションインゾーンＲ−ＰＦＩと参照コードゾーンＲｅｆの記録）が行われなければならない。また、ステップＳ２４（データリードイン領域のＬ−ＲＭＺ記録）の前に、ステップＳ４（ＲＤＺリードインの記録）を必ず実行しなければならない。しかし、ステップＳ６、Ｓ８、Ｓ２２、Ｓ２６の順番は適宜変更可能である。
【０５３７】
また、同様な理由で、レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングステップＳ１６の前に、レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングステップＳ１２、レイヤー０のミドル領域のドライブテストゾーンのパディングステップＳ１４が行われなければならない。ただし、ステップＳ１２、Ｓ１４の順番は適宜変更可能である。レイヤー１のデータ領域へのデータ記録ステップＳ１８の前に、レイヤー０のデータ領域へのデータ記録ステップＳ１０、レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングステップＳ１２が行われなければならない。ただし、ステップＳ１０、Ｓ１２の順番は適宜変更可能である。
【０５３８】
図５１の記録動作の変形例を以下に説明する。
【０５３９】
レイヤー０のデータ領域へのデータ記録ステップＳ１０からレイヤー１のデータ領域へのデータ記録ステップＳ１８への移行の際にミドル領域（レイヤー０、レイヤー１）のパディングを行っているが、この移行時間を短縮するために、パディングを別のタイミングで行っても良い。データのサイズが予め分かっていないストリームを記録する場合、パディングの時間だけデータ記録が中断してしまう。そのため、レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングステップＳ１２をより早いタイミングで実施するために、ステップＳ４、Ｓ６、Ｓ８のいずれかの前後に実行してもよい。レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングステップＳ１６をより遅いタイミングで実施するために、ステップＳ２２、Ｓ２４、Ｓ２６のいずれかの前後に実行してもよい。
【０５４０】
別の変形例として、レイヤー０のデータ領域へのデータ記録（ステップＳ１０）をできるだけ早いタイミングで開始するために、図５４に示すようにステップＳ４（ＲＭＤデュプリケーションゾーンのＲＤＺリードイン記録）の直後にステップＳ１０を実行してもよい。図５４においても、レイヤー０のミドル領域のドライブテストゾーンのパディング（ステップＳ１４）は省略可能である。ただし、記録データのサイズがレイヤー０のデータ領域の記録容量より大きく、データがレイヤー０からレイヤー１に跨って記録される場合は、若干不都合がある。その場合は、図５５に示すようにステップＳ４（ＲＭＤデュプリケーションゾーンのＲＤＺリードイン記録）の後にステップＳ１２（レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディング）を行ってからステップＳ１０（レイヤー０のデータ領域へのデータ記録）、ステップＳ１８（レイヤー１のデータ領域へのデータ記録）を実行してもよい。ステップＳ１２でレイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングしておけば、レイヤー１への記録が開始できる。
【０５４１】
ターミネータの記録に関する変形例としてレイヤー０のみに記録し、レイヤー１には記録しない場合を説明する。ターミネータがミドル領域に接しない図５３の（ａ）の場合は、図５６に示すようにステップＳ１４（レイヤー０のミドル領域のドライブテストゾーンのパディング）の後に、ステップＳ２０でターミネータを記録する。
【０５４２】
ターミネータがミドル領域に接する図５３の（ｂ）の場合は、図５７に示すようにステップＳ１０（レイヤー０のデータ記録ステップ）の後、ステップＳ２０Ａでレイヤー０にターミネータを記録し、ステップＳ１２（レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディング）、ステップＳ１４（レイヤー０のミドル領域のドライブテストゾーンのパディング）の後、ステップＳ２０Ｂでレイヤー１にターミネータを記録する。
【０５４３】
ミドル領域の拡張は同時にデータ領域の縮小を伴う。ミドル領域を拡張すると、未記録のデータ領域をファイナライズ時にターミネータで埋める時間が短縮でき、ファイナライズ時間を短縮することができる。
【０５４４】
本実施形態では、ステップＳ１２でレイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングした後でもミドル領域の拡張が可能である。ミドル領域の拡張ステップは、図５１のステップＳ１６（レイヤー１のミドル領域のガードトラックゾーンのパディング）かステップＳ１８（レイヤー１のデータ領域へのデータを記録）の直前に実行される。
【０５４５】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。例えば、図１（ａ）に示すような記録層が２層の構造を、図１（ｂ）に示すような色素系記録膜に適用してもよい。具体的には、２またはそれ以上の色素系記録膜が多層化された片面多層のＤＨ＿ＤＶＤ−Ｒディスクに、この発明が適用されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０５４６】
【図１】標準的な相変化記録膜構造と有機色素記録膜構造を示す図。
【図２】現行ＤＶＤ−Ｒディスクに用いられている有機色素記録材料の光吸収スペクトル特性の一例の説明図。
【図３】相変化記録膜と有機色素記録膜でのプリピット領域またはプリグルーブ領域１０での記録膜の形成形状比較を示す図。
【図４】従来の有機色素材料を用いた追記形情報記憶媒体における記録マーク９位置での具体的な透明基板２−２の塑性変形状況を示す図。
【図５】記録原理を起こし易くする記録膜に関する形状や寸法に関する説明図。
【図６】記録膜の形状と寸法の特徴説明図。
【図７】本発明の情報記録再生装置の一実施形態の構造説明図。
【図８】図７に示した同期コード位置抽出部１４５を含む周辺部の詳細構造を示す図。
【図９】“Ｈ→Ｌ”記録膜と“Ｌ→Ｈ”記録膜から検出される検出信号の極性説明図。
【図１０】“Ｌ→Ｈ”記録膜における未記録状態での光吸収スペクトル特性の説明図。
【図１１】“Ｌ→Ｈ”記録膜における既記録状態と未記録状態での光吸収スペクトル特性変化を表す図。
【図１２】情報記憶媒体内の構造及び寸法の一例を示す図。
【図１３】追記形情報記憶媒体内にあるＲＺＤ（ＲＭＤディプリケーションゾーン）と記録位置管理ゾーンＲＭＺ内のデータ構造を示す図。
【図１４】追記形情報記憶媒体におけるボーダー領域の構造を示す図。
【図１５】追記形情報記憶媒体におけるボーダー領域の他の構造を示す図。
【図１６】制御データゾーンＣＤＺとＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内のデータ構造を示す図。
【図１７】ウォブル変調における１８０度位相変調とＮＲＺ法の説明図。
【図１８】アドレスビット領域内でのウォブル形状とアドレスビットの関係説明図。
【図１９】ウォブルシンクパターンとウォブルデータユニット内の位置関係の比較説明図。
【図２０】追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する説明図。
【図２１】追記形情報記憶媒体上における変調領域の配置場所の説明図。
【図２２】追記形情報記憶媒体上における物理セグメント内の変調領域の配置場所の説明図。
【図２３】“Ｌ→Ｈ”記録膜におけるＨフォーマットでの検出信号レベルの他の実施例を説明する図。
【図２４】ＢＣＡデーター構造説明図。
【図２５】ＢＣＡデーター領域内に記録されたＢＣＡ情報内容例の説明図。
【図２６】追記形情報記憶媒体におけるウォーブルアドレスフォーマット説明図。
【図２７】本発明の第２の実施形態としての追記型の片面２層ディスクの断面図。
【図２８】ディスクのあるレイヤーの記録・再生中の他のレイヤー上の光線束を示す図。
【図２９】他のレイヤーの影響を防ぐクリアランスを説明するための図。
【図３０】レイヤー０のＰＳＮと、レイヤー１の対応する記録可能な物理セクタを示す図。
【図３１】リードイン領域、リードアウト領域の構成を示す図。
【図３２】当初のミドル領域の構成を示す図。
【図３３】トラックパスを示す図。
【図３４】物理セクタレイアウトと物理セクタ番号を示す図。
【図３５】ウォブルアドレス情報ＷＡＰのアドレスフィールドのレイアウトを示す図。
【図３６】リードイン領域の構造を示す図。
【図３７】システムリードイン領域内の制御データゾーンの構造を示す図。
【図３８】制御データゾーンの制御データセクションのデータセグメントの構造を示す図。
【図３９】データリードイン領域内のＲＭＤデュプリケーションゾーンのレイアウトを示す図。
【図４０】データリードイン領域内の記録位置管理ゾーン（Ｌ−ＲＭＤ）のデータ構造を示す図。
【図４１】データリードイン領域内のＲ−物理フォーマット情報ゾーン（Ｒ−ＰＦＩＺ）のＰＳブロックの構造を示す図。
【図４２】拡張前後のミドル領域の構成を示す図。
【図４３】拡張前のミドル領域の構成を示す図。
【図４４】小サイズの拡張後のミドル領域の構成を示す図。
【図４５】大サイズの拡張後のミドル領域の構成を示す図。
【図４６】リードアウト領域の構造を示す図。
【図４７】物理セグメントタイプの選択手順を説明するための２つの隣接するトラックの概要を示す図。
【図４８】物理セグメントタイプの選択手順を説明するための２つの隣接するトラックを示す図。
【図４９】タイプ３の物理セグメントが選択されるべき場合を示す図。
【図５０】変調領域の配置タイプ選定方法説明図。
【図５１】未記録の情報記憶媒体の記録手順を示す図。
【図５２】レイヤー１のファイナライズ時に記録されるターミネータの一例を示す図。
【図５３】レイヤー１のファイナライズ時に記録されるターミネータの他の例を示す図。
【図５４】図５１の記録手順の変形例を示す図。
【図５５】図５１の記録手順の他の変形例を示す図。
【図５６】図５３に示すターミネータの記録手順の一例を示す図。
【図５７】図５３に示すターミネータの記録手順の他の例を示す図。
【符号の説明】
【０５４７】
１３５…ウォブル信号検出部、１４１…情報記録再生部、１４３…制御部、１５１…変調回路、１５２…復調回路、１５６…ビタビ復号器、１５９…デスクランブル回路、１６１…ＥＣＣエンコーディング回路、１６２…ＥＣＣデコーディング回路、１７１…データＩＤ部とＩＥＤ部抽出部、１７２…データＩＤ部のエラーチェック部、１７４…ＰＬＬ回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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