(57)【要約】【課題】  ラビングすじの発生を抑えた導電パターンを備えた液晶装置、液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】  所定方向からラビング処理が施してある基板における、配向膜が形成されていない領域に存在する導電パターンを、導電パターンの延在方向に対して直交する面で切断した断面形状が、基板と対向している下辺と、下辺と対向している上辺と、上辺の一方の端部に交差する第１の側辺と、上辺の他方の端部と下辺の一方の端部とに交差する第２の側辺と、下辺の他方の端部と第１の側辺とに交差する第３の側辺とを含む所定形状であるとともに、第１の側辺は所定方向に対向する側に位置しており、下辺の延長線と第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）が、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さく、下辺と第３の側辺とのなす角度（θ３）が下辺の延長線と第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）よりも大きくしてある。【選択図】  図３
2007072040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置であって、
前記基板は、それぞれ所定方向からラビング処理が施してあり、
前記基板における、前記配向膜が形成されていない領域に存在する導電パターンを、当該導電パターンの延在方向に対して直交する面で切断した断面形状が、前記基板と対向している下辺と、当該下辺と対向している上辺と、当該上辺の一方の端部に交差する第１の側辺と、前記上辺の他方の端部と前記下辺の一方の端部とに交差する第２の側辺と、前記下辺の他方の端部と前記第１の側辺とに交差する第３の側辺と、を含む所定形状であるとともに、
前記第１の側辺は所定方向に対向する側に位置しており、前記下辺の延長線と前記第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）が、前記下辺と前記第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さく、前記下辺と前記第３の側辺とのなす角度（θ３）が前記下辺の延長線と前記第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）よりも大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導電パターンが多層構造であって、その断面形状が、左右の斜面の傾斜角度（θ１、θ２）が異なる台形形状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記下辺と前記第１の側辺とのなす角度（θ１）を１０°〜４５°の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記下辺と前記第２の側辺とのなす角度（θ２）を１５°〜６０°の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記下辺と前記第３の側辺とのなす角度（θ３）を２０°〜１１０°の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置の製造方法において、
前記配向膜が形成されていない領域に存在する前記導電パターンにおける、前記基板と対向する下辺の一方の端部に交差する第１の側辺と前記下辺の他方の端部に交差する第２の側辺を、前記下辺と前記第１の側辺とのなす角度（θ１）が、前記下辺と前記第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さくなるように形成する工程と、
前記第１の側辺の一部を除去して前記下辺と前記第１の側辺とのなす角度（θ１）よりも大きな角度（θ３）で前記下辺に交差する第３の側辺を形成する工程と、
前記基板を、それぞれ所定方向からラビング材を用いてラビング処理を施す工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記ラビング材として、ラビングローラを用いてラビング処理を行い、当該ラビングローラの回転軸と、導電パターンの延在方向とのなす角度を０°〜６０°の範囲内の値とすることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記所定形状を有する導電パターンを、エッチング速度が異なる第１のドライエッチング及び第２のドライエッチングにより形成した後、フォトエッチング法あるいは機械的研磨法により、前記第３の側辺を形成することを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び液晶装置の製造方法に関する。特に、ラビング処理を施した場合であっても、精度の高い画像表示特性を発揮できる液晶装置及びそのような液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様として、一対の基板と、その間隙に狭持された液晶材料とからなる液晶装置が知られている。かかる液晶装置は、基板上に配置された電極に電圧を印加し液晶材料を配向させ、通過する光に変調を与えることで画像表示するものである。その基板表面上には、液晶材料を配向させるための配向膜が形成されている領域と、配向膜が形成されていない配向膜非形成領域があり、それぞれに配線パターンが存在する。配向膜の表面には、液晶の配向方向を制御するために、ラビング処理による物理的凹凸が形成される場合がある。この凹凸は直接接触する液晶材料に対して配向方向を規定する効果をもたらし、電圧印加時における効率的な液晶配向制御が可能となる。
【０００３】
しかしながら、かかるラビング処理は、基板全面に対して処理する作業であるため、基板上であって配向膜が形成されていない配向膜非形成領域（例えばドライバＩＣ実装領域近傍）にある配線パターンとラビング部材とが直接接触してしまう。このとき、配線パターンの断面形状によっては配線パターンとラビング部材との接触時の衝撃が大きくなり、ラビング部材の表面に歪みが生じる場合が見られた。具体的には、ラビング部材が先に当接する側の側面の傾斜角が所定角度以上となったような場合に、ラビングローラ表面に歪みが生じ、画像表示領域内にラビングすじと呼ばれる表示ムラが発生していた。
そこで、配線パターンの間隙にダミーパターンを配置することにより、配線パターンを擬似的に均一配置してラビングすじの発生を抑制する方法が提案されている。
より具体的には、図２１に示すように、基板６１２上であって、配線パターン６３０やドライバＩＣ６１６が配置されていない領域６１５ａ、６１５ｂに、ダミーパターン６１８ａ、６１８ｂを配置する方法である（特許文献１参照）。
また、ラビング処理の際に、ラビングマスクを用いることにより、所望の箇所にのみラビング処理を施す方法が提案されている。
より具体的には、図２２に示すように、基板７５０上に、フレーム部７３１と、押し圧部７３２と、エッジ部７３３と、からなるラビングマスク７３０を配置する方法である。（特許文献２参照）
【特許文献１】特開２００４−１１７５７６号公報（特許請求の範囲、図１）
【特許文献２】特開平９−１５６０３２号公報（特許請求の範囲、図４，図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されたダミーパターンは、配線パターンとの短絡を防ぐために一定間隔を開けて配置する必要があった。そのため、ラビング部材と配線パターンの側面とが接触することを防ぐことはできず、かかる配線パターンの断面形状において、ラビング部材が先に当接する側の側面の傾斜角が所定角度以上であった場合には、やはりラビングすじが発生する問題が生じる場合があった。また、ダミーパターンを設けると、近年の液晶装置の省スペース化による、配線ピッチの狭小化に対応することが非常に困難であった。
また、特許文献２に記載されたラビングマスクは、部分的にマスクするような場合、ラビングマスクの形状の加工が、非常に複雑な設計となり、製造上困難であった。
【０００５】
そこで、発明者は鋭意努力し、基板上に形成してある導電パターンの断面形状において、ラビング部材と先に当接する側に位置する辺と、基板と対向している側に位置する辺との交差部に、第３の側辺を有することで、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげることができ、ラビングすじの発生が抑えられることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち本発明は、導電パターンの断面形状を所定形状として、所定のラビング処理を施した場合であっても、精度の高い画像表示特性を発揮することができる液晶装置及び液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置であって、基板は、それぞれ所定方向からラビング処理が施してあり、基板における、配向膜が形成されていない領域に存在する導電パターンを、導電パターンの延在方向に対して直交する面で切断した断面形状が、基板と対向している下辺と、下辺と対向している上辺と、上辺の一方の端部に交差する第１の側辺と、上辺の他方の端部と下辺の一方の端部とに交差する第２の側辺と、下辺の他方の端部と第１の側辺とに交差する第３の側辺とを含む所定形状であるとともに、第１の側辺は所定方向に対向する側に位置しており、下辺の延長線と第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）が、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さく、下辺と第３の側辺とのなす角度（θ３）が下辺の延長線と第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）よりも大きいことを特徴とする液晶装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、配向膜非形成領域にある導電パターンの断面形状を上述した所定形状とすることにより、ラビング処理の際に、ラビング部材と導電パターンとの接触時における衝撃を和らげることが可能となる。具体的には、断面形状における第１の側辺が、前述したラビング部材と最初に接触するようにラビング処理を実施した場合に、ショートの発生を防止しつつラビングすじの発生を抑制する効果を得ることができる。
なお、ラビング処理における所定方向とは、相対的に、基板に対して、ラビング部材が進入してくる方向を意味する。すなわち、図５（ａ）において、導電パターン７０が形成された基板に対して、ラビング部材１９０が進入してくる方向Ｘを意味する。また、本発明における側辺と底辺との角度とは、図５（ａ）に示すように、下辺から第２の側辺８４へ向かう方向を正とした鋭角を意味する。但し、ラビング処理における所定方向とは、主として、基板に対して所定の一方向に処理することを意味する。
【０００７】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、導電パターンが多層構造であって、その断面形状が、左右の斜面の傾斜角度（θ１、θ２）が異なる台形形状であることが好ましい。
このように構成することにより、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を効果的に和らげ、ラビングすじの発生を低減することができる。
【０００８】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）を１０°〜４５°の範囲内の値であることが好ましい。
このような構成とすることにより、特に、ラビング部材と導電パターンとが接触する際にラビング部材の表面の歪みが生じやすい導電パターンについて、ラビング部材と導電パターンとの接触時における衝撃を和らげることができる。
【０００９】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）を１５°〜６０°の範囲内の値であることが好ましい。
このような構成とすることにより、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を効果的に和らげ、ラビングすじの発生を低減することができる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、下辺と第３の側辺とのなす角度（θ３）を２０°〜１１０°の範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成とすることにより、ラビング処理の際のラビング材の耐久性を向上することができる。また、導電パターンの幅を狭めることができるようになり、配線間ピッチを縮小することができる。
【００１１】
また、本発明の液晶装置の製造方法を実施するにあたり、基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置の製造方法において、配向膜が形成されていない領域に存在する導電パターンにおける、基板と対向する下辺の一方の端部に交差する第１の側辺と下辺の他方の端部に交差する第２の側辺を、下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）が、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さくなるように形成する工程と、第１の側辺の一部を除去して下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）よりも大きな角度（θ３）で下辺に交差する第３の側辺を形成する工程と、基板を、それぞれ所定方向からラビング材を用いてラビング処理を施す工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法とすることが好ましい。
このように実施することにより、例えば、導電パターンが複数の導電性材料からなる積層構造からなるような場合に、下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）を、下辺と第１の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さくしてある導電パターンを精度良くかつ容易に形成することができる。また、第１の側辺の一部を除去して下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）よりも大きな角度（θ３）で下辺に交差する第３の側辺を形成することで、切り欠き状を有する台形形状を形成することができる。かかる第３の側辺は、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげられ、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を効率的に製造することができる。
さらに、配線設計が微細化した場合であっても、このように製造することにより所定の断面形状を維持したまま配線ピッチを狭小化することができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置の製造方法を実施するにあたり、ラビング材として、ラビングローラを用いてラビング処理を行い、ラビングローラの回転軸と、導電パターンの延在方向とのなす角度を０°〜６０°の範囲内の値とすることが好ましい。
このように実施することにより、特に、ラビング部材と導電パターンとが接触する際にラビング部材の表面の歪みが生じやすい導電パターンについて、ラビング部材と導電パターンとの接触時における衝撃を和らげることができる。
【００１３】
また、本発明の液晶装置の製造方法を実施するにあたり、所定形状を有する導電パターンを、エッチング速度が異なる第１のドライエッチング及び第２のドライエッチングにより形成した後、フォトエッチング法あるいは機械的研磨法により、第３の側辺を形成することが好ましい。
このように実施することにより、下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）を下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さくし、第１の側辺と、下辺との交差部に、第３の側辺が形成してある導電パターンが、微細化した場合であっても精度良く容易に形成することができる。したがって、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげられ、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を効率的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の液晶装置、液晶装置の製造方法、に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１５】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態は、基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置であって、基板は、それぞれ所定方向からラビング処理が施してあり、基板における、配向膜が形成されていない領域に存在する導電パターンを、導電パターンの延在方向に対して直交する面で切断した断面形状が、基板と対向している下辺と、下辺と対向している上辺と、上辺の一方の端部に交差する第１の側辺と、上辺の他方の端部と下辺の一方の端部とに交差する第２の側辺と、下辺の他方の端部と第１の側辺とに交差する第３の側辺とを含む所定形状であるとともに、第１の側辺は所定方向に対向する側に位置しており、下辺の延長線と第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）が、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さく、下辺と第３の側辺とのなす角度（θ３）が下辺の延長線と第１の側辺の延長線とのなす角度（θ１）よりも大きいことを特徴とする。
以下、本実施形態の液晶装置として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、着色層を有する対向基板と、を備えた液晶装置を例に採って、図１〜図６を参照しつつ説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであって、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することができる。
なお、それぞれの図において、同じ符号を付したものは同一の部材を示しており、適宜説明を省略する。
【００１６】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置について説明する。ここで、図１に液晶装置１０の断面図を示す。さらに、図２に、液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
これらの図に示されるように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０とが、その周辺部においてシール材を介して貼り合わされ、それによって形成される間隙２１ａ内に液晶材料が配置されている。
【００１７】
（２）対向基板
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、対向電極３３と、リタデーションを最適化するための層厚調整層４１と、配向膜４５と、を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって表面全域に形成された面状電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメントとしての着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂが配置されている。そして、この着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂに隣接しており、画素電極６３に垂直方向にならない位置に、隣接色間の混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。
【００１８】
（３）素子基板
素子基板６０は、ガラス等からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３と、を主として備える基板である。
ここで、画素電極６３とは、反射領域Ｒにおいては、反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成されている。また、この画素電極６３としての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。更に、この画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
【００１９】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１の表面）には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図１の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００２０】
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２１】
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３を介して画素電極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光透過量を低下させてしまうため、透過領域Ｔには形成されていない。
【００２２】
（３）−１  導電パターンの断面形状１
次に、素子基板における配向膜非形成領域にある導電パターン７０を、配線方向と直交する面で切った断面形状の構造について説明する。
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、導電パターンの断面形状は、基板と対向している下辺と、下辺と対向している上辺と、上辺の一方の端部に交差する第１の側辺８３ａと、上辺の他方の端部と下辺の一方の端部とに交差する第２の側辺８４ａと、下辺の他方の端部と第１の側辺とに交差する第３の側辺８８ａとを含む所定形状であるとともに、第１の側辺８３ａは所定方向に対向する側に位置しており、下辺の延長線と第１の側辺８３ａの延長線とのなす角度（θ１）が、下辺と第２の側辺８４ａとのなす角度（θ２）よりも小さく、下辺と第３の側辺８８ａとのなす角度（θ３）が下辺の延長線と第１の側辺８３ａの延長線とのなす角度（θ１）よりも大きくしてある。
例えば、かかる導電パターンを単層で形成する場合には、図３（ａ）に示すように、断面形状が台形形上であって、その構造を単層とした導電パターン７０ａにおいて、θ１＜θ２とし、さらにθ３＞θ１となるように第３の側辺８８ａが形成してある。
このように構成することにより、ラビング部材１９０と、導電パターン７０ａとの接触時に生じるラビング部材の表面の歪みを抑えることが可能となり、ラビングすじの発生を有効に抑えることができ、さらに、配線ピッチを狭めることができる。
また、かかる導電パターンを２層で形成する場合には、図３（ｂ）に示すように、断面形状が台形形上であって、その積層構造を第１の層８０ｂと、第２の層８１ｂとからなる２段積層構造とした導電パターン７０ｂにおいて、θ１＜θ２とし、さらにθ３＞θ１となるように第３の側辺８８ａが第１の層８０ｂに形成してある。
このように構成することにより、上述した効果に加え、最上層に相当する第２の層８１ｂをＩＴＯやＩＺＯといった透明導電性材料とした場合、その耐食性が向上するため、腐食による抵抗値の変動を抑えつつ、安定的に液晶装置を動作させることが可能となる。
【００２３】
また、かかる導電パターンを３層で形成する場合には、図３（ｃ）に示すように、断面形状が台形形上であって、その積層構造を第１の層８０ｃと、第２の層８１ｃと、第３の層８２ｃとを順次積層した３段積層構造とした導電パターン７０ｃにおいて、θ１＜θ２とし、さらにθ３＞θ１となるように第３の側辺８８ｃが第１の層８０ｃに形成してある。
このように構成することにより、上述した効果に加え、例えば、ＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリックス構造を有する液晶装置としたような場合、導電パターンの材料を素子電極及び画素電極の材料と一致させることで、これらを同時形成することができる。
【００２４】
また、図３（ａ）〜（ｃ）に示した導電パターン７０ａ〜７０ｃの断面形状において、導電パターンが多層構造であって、その断面形状が、左右の斜面の傾斜角度（θ１、θ２）が異なる台形形状であることが好ましい。
この理由は、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を効果的に和らげ、ラビングすじの発生を低減することができるためである。
また、図３（ａ）〜（ｃ）に示した導電パターン７０ａ〜７０ｃの断面形状において、下辺と第３の側辺とのなす角度（θ１）を１０°〜４５°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、特に、ラビング部材と導電パターンとが接触する際にラビング部材の表面の歪みが生じやすい導電パターンについて、ラビング部材と導電パターンとの接触時における衝撃を和らげることができるためである。すなわち、第１の側辺と下辺の延長部とのなす角度（θ１）を１５°〜４０°の範囲とすることが好ましく、２０°〜３５°の範囲とすることがさらに好ましい。
さらに、図３（ａ）〜（ｃ）に示した導電パターン７０ａ〜７０ｃの断面形状において、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）を１５°〜６０°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を効果的に和らげ、ラビングすじの発生を低減することができるためである。すなわち下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）を２０°〜５５°の範囲とすることが好ましく、２５°〜５０°の範囲とすることがさらに好ましい。
また、下辺と第３の側辺とのなす角度（θ３）が、２０°〜１１０°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ラビング処理の時の、ラビング材の耐久性を向上することができ、導電パターンの幅を狭めることができるようになり、配線ピッチを狭小化することができるためである。すなわち、θ３を３０°〜１００°の範囲とすることが好ましく、４０°〜９０°の範囲とすることがさらに好ましい。
【００２５】
（３）−２  導電パターンの断面形状２
なお、図４（ａ）に示すように、断面形状が台形形上であって、その積層構造を第１の層８０ｃと、第２の層８１ｃと、第３の層８２ｃとを順次積層した３段積層構造とした導電パターン７０ｃにおいて、θ１＜θ２とし、第１の側辺の延長線と、下辺との交差部に、第２の層８１ｃから第１の層８０ｃにかけて、第３の側辺８８ｃが形成してある。このように構成することにより、上述した効果に加え、例えば、本発明の液晶装置にＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリックス構造を有する液晶装置としたような場合、導電パターンの材料を素子電極及び画素電極の材料と一致させることで、これらを同時形成することができる。
また、図４（ｂ）に示すように、第２の側辺８４ａにも第３の側辺８８ａと同等の角度θ３を構成するような第３´の側辺８８ａ´があり、下辺と第３´の側辺８８ａ´とのなす角θ３´が形成されている。このように構成することにより、ラビング部材１９０と、導電パターン７０ａとの接触時に生じるラビング部材の表面の歪みを抑えることが可能となり、ラビングすじの発生を有効に抑えることができ、さらに、配線ピッチを狭めることができる。
尚、２層の場合でも３層の場合でも同様に実施することができる。
【００２６】
（３）−３  導電パターンの配線方向
また、ラビング部材がラビングローラである場合に、ラビングローラの回転軸と導電パターンの延在方向とのなす角度を０°〜６０°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ラビング部材の表面の歪みが最も生じやすい、回転軸Ｚとのなす角度が比較的小さい導電パターンのみを選択して、上述した断面形状を備えた導電パターンとすることができるためである。すなわち、ラビングローラの回転軸と導電パターンとのなす角度を５°〜５５°とすることが好ましく、１０°〜５０°とすることがさらに好ましい。
より具体的には、図６に示すように、所定の回転軸Ｚを備えたラビングローラ１９０を配置した後、基板６０を図中Ｌの方向に移動させて配向膜４５に凹凸形状を形成するが、その際、基板６０上に配置された導電パターン７０の中で、ラビング部材の回転軸Ｚと導電パターンの配線方向とのなす角度が範囲Ａ及び範囲Ｂで示される０°〜６０°の範囲となる導電パターン７０ａが、ラビング部材からの衝撃を受けやすい。そのため、かかる導電パターン７０ａに対して、本発明における断面形状を適用することによりラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげられ、ラビングすじの発生を抑えることができる。
【００２７】
また、着色層３７や遮光膜３９上には、基板表面の平坦化を図るとともに、遮光膜３９等の導電性の材料からなる部材と、走査電極３３との電気絶縁性を図るために、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料からなる表面保護層４１が形成されている。
また、表面保護層４１の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査電極３３が形成されている。かかる走査電極３３は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されている。そして、この走査電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜４５が形成されている。
【００２８】
［第２実施形態］
第２実施形態は、基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置の製造方法において、配向膜が形成されていない領域に存在する導電パターンにおける、基板と対向する下辺の一方の端部に交差する第１の側辺と下辺の他方の端部に交差する第２の側辺を、下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）が、下辺と第２の側辺とのなす角度（θ２）よりも小さくなるように形成する工程と、第１の側辺の一部を除去して下辺と第１の側辺とのなす角度（θ１）よりも大きな角度（θ３）で下辺に交差する第３の側辺を形成する工程と、基板を、それぞれ所定方向からラビング材を用いてラビング処理を施す工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
以下、図７〜図１３を適宜参照しながら、第２実施形態について詳細に説明する。また、本実施形態における液晶装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、カラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板とから構成され、素子基板上に設けられた導電パターンは、タンタル、クロムを順次積層した２段積層構造である場合を例に採って説明する。
【００２９】
１．素子基板の製造工程
（１）第１の層形成工程
第１の層形成工程は、図７に示すフロー図中Ｓ１〜Ｓ２で表される工程である。
まず、図８（ａ）に示すように、基体６１上に、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて、タンタル層８０を形成する。このとき、タンタル層８０は、タングステン等を混合させることによりタンタル合金層とすることができる。
また、かかるタンタル層８０を形成する前に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁層８０´を形成することも好ましい。この理由は、密着性を著しく向上させるとともに、基体６１からの不純物拡散を効率的に抑制することが可能となるためである。
【００３０】
次いで、図８（ｂ）に示すように、基体６１上のタンタル層８０に対して、感光性樹脂材料をスピンコータ等の塗布装置を用いて均一に塗布し、樹脂層１２５ｘを形成する。この場合、スピンコータを用いた場合の条件としては、６００〜２、０００ｒｐｍの回転数で、５〜２０秒の塗布時間とし、厚さ１〜１０μｍの樹脂層とすることが好ましい。
また、図示しないものの、解像度や密着性を向上させるために、樹脂層１２５ａをプリベークする。この場合、例えば、ホットプレートを用いて、８０〜１２０℃、１〜１０分のプリベーク条件とすることが好ましい。
ここで、樹脂層を構成する感光性材料の種類は特に制限されるものではないが、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂、オキセタン系樹脂等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、感光性材料としては、光透過部を透過した光が照射された箇所が光分解して、現像剤に対して可溶化するポジ型と、光透過部を透過した光が照射された箇所が硬化し、現像剤に対して不溶化するネガ型とがあるが、いずれも好適に使用することができる。
なお、以下の説明では、ポジ型の感光性材料を使用した場合を例に採って説明する。
【００３１】
次いで、図８（ｃ）に示すように、樹脂層１２５ｘに対して、フォトマスク１０９を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。
その後、現像液を滴下して樹脂層硬化部分を除去することで、所定形状にパターニングされたレジストパターンとしての樹脂層１２５ａとすることができる。
次いで、タンタル層８０に対して、例えば、ドライエッチング処理を実施することにより、樹脂層１２５ａに形成した開口部分１２５´の直下にあるタンタル層が選択的にエッチングされ、パターニングされた第１の層を形成することができる。
【００３２】
（２）第２の層形成工程
第２の層形成工程は、図７に示すフロー図中Ｓ３〜Ｓ４で表される工程である。
まず、図９（ｂ）に示すように、基体６１上にスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いてクロム層８１を形成する。このとき、クロム層８１は、すでに形成された第１の層上に形成されることから、第１の層８０の斜面領域８０´付近に形成されるクロム層８１の斜面領域８１´は、その流動性に起因して、第１の層８０の斜面領域８０´よりも、傾斜が緩やかに形成される。
【００３３】
次いで、クロム層上に、レジストパターンとしての樹脂層を形成する。ここで、塗布条件等については第１の層と同様にすることができるが、第２の層形成工程においては、すでに形成された第１の層上に樹脂層１２５Ｙを形成するため、樹脂層１２５Ｙの材料の流動性により、図９（ｃ）に示すように、斜面領域上に形成される樹脂層１２５Ｙ´の厚さが、平面領域上に形成される樹脂層１２５Ｙ´´の厚さよりも薄く形成される。
【００３４】
次いで、かかる樹脂層１２５Ｙに対して、図１０（ａ）に示すように、フォトマスク１０９´を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。
このとき、フォトマスク１０９´のマスクパターンが、既に形成してある第１の層８０に対して、所定方向にずらして配置されるように、フォトマスク１０９´を載置する。その際にずらす方向は、後述するラビング工程において、導電パターンに対して、ラビング部材が先に当接する方向と一致させておく必要がある。
その後、所定の現像処理を実施することで、図１０（ｂ）に示すように、斜面領域上の樹脂層１２５ｂ´の厚さが、平面領域上の樹脂層１２５ｂ´´の厚さよりも薄くなった樹脂層１２５ｂを形成することができる。
【００３５】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、クロム層に対してエッチング処理を実施することにより、樹脂層１２５ｂに形成した開口部分の直下にあるクロム層が選択的にエッチングされ、第１の層に対して所定方向にずらした位置に、第２の層を形成することができる。例えば、容器１７７内のフッ酸液等のエッチング液１７８に、基板６１を浸漬させるウェットエッチング法を用いることで、傾斜角θ１となる第１の側辺８３ｎを形成することができる。
【００３６】
ここで、かかるエッチング処理における断面形状の詳細図を、図１１（ａ）〜（ｂ）に示す。図１１（ａ）は、樹脂層パターニング終了後であって、エッチング前の状態を表しており、図１１（ｂ）はエッチング後の状態を表している。
図１１（ａ）において、樹脂層１２５ｂは、上述したとおり、斜辺領域上の樹脂層１２５ｂ´の厚さｈ２が、平面領域上の樹脂層１２５ｂ´´の厚さｈ１よりも薄くなっている。そして、かかる状態の基板に対して、図１１（ｂ）に示すようにエッチング処理を実施した場合、クロム層８１のエッチングが進行するとともに、エッチング液による樹脂層１２５ｂの横方向の後退もまた生じる。このとき、かかる後退量は、樹脂層厚さに起因しており、樹脂層厚さが薄い領域ほど、後退量は大きくなる。すなわち、厚さｈ２の樹脂層領域１２５ｂ´に対応する後退量ｄ１は、厚さｈ１の樹脂層領域１２５ｂ´´に対応する後退量ｄ１´よりも大きくなる。
【００３７】
このように、第２の層を第１の層に対して所定方向にずらして形成することにより、クロム層の流動性やエッチング時の後退量の違いから、第１の側辺８３ｎの傾斜角θ１は、第２の側辺８４ｎの傾斜角θ２よりも緩やかな傾斜となる。したがって、例えば、第１の層８０と第２の層８１とを同一条件で形成したような場合でも、第１の側辺８３ｎの傾斜角θ１を、第２の側辺８４ｎの傾斜角θ２よりも小さくすることができる。
その後、硫酸等により樹脂層を除去することにより、図１０（ｄ）に示すように、θ１＜θ２となる断面形状を有する導電パターン７０を形成することができる。
【００３８】
（３）第３の側辺の形成工程
第３の側辺の形成は、図７に示すフロー図中Ｓ５で示される工程である。ここでは、第３の側辺を第１の層に一箇所形成する場合を例にとって説明する。他の部分に第３の側辺を形成する場合も同様に実施することができる。
まず、第１、第２の層形成工程と同様に二層を形成し、第２の層であるクロム層上に、レジストパターンとしての樹脂層を形成する。ここで、塗布条件等についても層の形成工程と同様にすることができる。
具体的には、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、樹脂層に対して、フォトマスク１０９´´を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。このフォトマスクは、層の斜面９０の基板に接している端部から中部に位置する部分に覆われている。
【００３９】
具体的には、かかる樹脂層１２５Ｙに対して、図１２（ａ）に示すように、フォトマスク１０９´´を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。
その後、図１２（ｂ）に示すように、所定の現像処理を実施することで、第３の側辺を形成するためのレジストパターンを形成することができる。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、クロム層に対してエッチング処理を実施することにより、樹脂層１２５ｂ´に形成した開口部分の直下にあるクロム層が選択的にエッチングされ、所定の部分に第３の側辺を形成することができる。例えば、容器１７７´内のフッ酸液等のエッチング液１７８´に、基板６１を浸漬させるウェットエッチング法を用いることで第３の側辺を形成することができる。
【００４０】
ここで、かかるエッチング処理における断面形状の詳細図を、図１３（ａ）〜（ｂ）に示す。図１３（ａ）は、樹脂層パターニング終了後であって、エッチング前の状態を表しており、図１３（ｂ）はエッチング後の状態を表している。
図１３（ａ）において、かかる状態の基板に対して、図１３（ｂ）に示すようにエッチング処理を実施した場合、クロム層８１のエッチングが進行する。
【００４１】
また、ここでは、上記の方法に限らず、層の傾斜を適宜変化させることができるハーフトーンマスクを使用することもできる。
ハーフトーンマスクは、部分的に光透過率が異なり、塗布した樹脂に対して露光処理することを特徴とする。すなわち、このように実施することにより、一定の露光量で、一度の露光処理をすることにより、樹脂に対して、反射領域と透過領域とで異なる露光量で露光処理することができるためである。したがって、効率的に所定の層を形成することができる。
具体的には、層の上部にレジストパターンである樹脂層を上記の条件と同様に塗布する。ハーフトーンマスクは、第３の側辺を形成する部分に対して、光透過率を低くする。一方、第３の側辺を形成しない部分に対しては、光透過率を高くし、ハーフトーンマスクを形成し、露光する。
ここで、かかる露光工程においては、露光量を、例えば、１８０〜２２０ｍＪ／ｃｍ2の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、このように実施することにより、マスクパターンにおいて、光透過率の低い部分に該当する反射領域においては、露光量が減少され、所定の厚さの層領域を形成することができるためである。一方で、厚さを厚くする必要のある透過領域に関しては、マスクパターンにおける光の透過率が高い部分を透過した、高い露光量で露光されることにより、より厚膜の層領域を形成することができるためである。したがって、一回の露光処理によって、効率的に所定の凹凸を形成することができる。このように、露光した後、第３の側辺を形成する部分には、薄い樹脂層が形成され、他の部分に関しては、厚みのある樹脂層が形成される。
次いで、クロム層に対してエッチング処理を実施することにより、薄い部分の樹脂層の直下にあるクロム層ほど、最初にエッチングされることになり、所定の部分に第３の側辺を形成することができる。上記と同様に、容器内のフッ酸液等のエッチング液に、基板を浸漬させるウェットエッチング法を用いることで第３の側辺を形成することができる。
【００４２】
（４）画素電極等の形成工程
画素電極等の形成は、図７に示すフロー図中、Ｓ６で示される工程である。例えば、基板６１上に対して、まず、図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機絶縁膜８１を形成する。
次いで、図３（ｃ）に示すように、この有機絶縁膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着した後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域にマトリクス状の光反射膜７９を形成する。一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成することができる。
最後に、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制御機能を持たせることができる。
【００４３】
（５）ラビング工程
次いで実施するラビング工程は、図７に示すフロー図中Ｓ７で表される工程である。例えば、図６に示すように、ラビング部材１９０に対して、矢印Ｌの方向に基板６０を挿入することにより、両者が接触し、かかる配向膜上に凹凸形状を形成する。
このとき、本実施形態においては、第２の層を形成する際に、第１の層に対してずらした方向側からラビング部材を当接させるように、基板を挿入する。このように実施することにより、導電パターンにおける、ラビング部材が先に当接する側の辺（第１の側辺）の傾斜角が、より緩やかに形成されているために、ラビングローラが導電パターンに接触する際の衝撃を和らげることができる。したがって、ラビングローラ表面の歪みを少なくして、表示領域内においてラビングすじが発生することを防止することができる。
【００４４】
２．カラーフィルタ基板の製造工程
（１）電極等の形成
次に、カラーフィルタ基板３０の製造方法について説明する。
カラーフィルタ基板３０は、図１に示すように、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等からなる基体３１上に、それぞれの画素領域に対応する複数の開口部を備えた遮光膜３９を形成する。
このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。ただし、膜厚が薄い場合であっても遮光性を確保することができるとともに、遮光膜３９による段差を小さくすることができることから、クロム等の金属膜を遮光膜として使用することが好ましい。
かかる金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属材料を蒸着法等により第１の基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成することができる。
【００４５】
（２）カラーフィルタ等の形成
次いで、遮光膜３９が形成された基板３１上に、着色層３７を形成する。
かかる着色層３７は、例えば、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、遮光膜３９が形成された基板３１上に、スピンコータやスリットコータを用いて塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。そして、色毎に上記工程を繰り返すことにより、複数色の着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを配列形成する。
なお、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００４６】
次いで、基板３１上に全面的に光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料を塗布するとともに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、少なくとも表示領域に相当する領域に表面保護層４１を形成する。すなわち、基板表面を平坦化することにより、当該表面保護層上に形成される第１の電極３３を平坦化したり、セルギャップの均一化を図ったりできるために、表示ムラの発生を低減することができるためである。
かかる樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコータやスリットコータなどを用いて塗布することができる。
【００４７】
（３）走査電極の形成
次いで、表面保護層４１上に全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層を、一例として、スパッタリング法により形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、走査電極３３を形成する。
最後に、走査電極３３を形成した基板上に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成する。
【００４８】
（４）ラビング処理
次いで実施するラビング処理工程は、図７に示すフロー図中Ｓ４´で表される工程である。かかる工程は、素子基板の製造工程におけるＳ６に示されるラビング工程と同様の条件で実施することができる。
【００４９】
３．組立工程
次いで、カラーフィルタ基板又は素子基板のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板及び素子基板を貼り合わせて、セル構造を形成する。
その後、セル内に、シール材の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入した後、封止材２５等により封止する。
【００５０】
４．後工程
次いで、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）４７、７７及び偏光板４９、７９を配置したり、ドライバを実装したりすることにより、液晶装置を製造することができる。
【００５１】
５．検査工程
次いで、ドライバに所定信号を入力し、画像表示させることにより、ラビング処理に起因して発生するラビングすじの有無を検査する検査工程を実施する。
かかる検査工程は、基本的には視覚による官能検査であり、例えば、５段階の基準を設けて、その品質を評価する。その結果、ラビングすじが視認された液晶装置については、不良品と判定することができるため、電子機器等への組み込みを中止することができる。
【００５２】
［第３実施形態］
第３実施形態は、第２実施形態の層の形成方法とは異なる層の形成方法である。具体的には、所定形状を有する導電パターンを、エッチング速度が異なる第１のドライエッチング及び第２のドライエッチングにより形成した後、フォトエッチング法あるいは機械的研磨法により、第３の側辺を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法である。
以下、図１４〜図１９を適宜参照しながら、第３実施形態について詳細に説明する。
また、本実施形態における液晶装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、カラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板とから構成されている。また、素子基板上に設けられた導電パターンとして、タンタルからなる単層構造の導電パターンを例に採って説明する。
以下、第２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の構成とできる点については適宜説明を省略する。
【００５３】
１．素子基板の製造工程
（１）タンタル層形成工程
まず、図１４（ａ）に示すように、基体６１上に、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて、タンタル層８０ｐ形成する。かかる工程は、上述した第２実施形態におけるタンタル層の形成と同条件で実施可能であるため、詳細な説明は省略する。
【００５４】
（２）第１のレジストパターン形成工程
次いで、タンタル層８０ｐ上に樹脂層を形成した後、所定のフォトマスクを介して露光した後、現像することで、図１４（ｂ）に示すように、パターニングされたレジストパターンとしての樹脂層１２５ｐを形成する。
なお、かかる第１のレジストパターン形成工程は、第２実施形態における条件と同条件で実施することが可能となることから、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５５】
（３）第１のドライエッチング工程
次いで、図１４（ａ）〜（ｂ）に示すように、樹脂層１２５ｐに形成した開口部分の直下にあるタンタル層を選択的にエッチングして、タンタル層８０ｐに所定のパターンを形成する。かかる工程を実施することで、基板６１上には辺８３ｐ及び８５ｐを含むパターニングされたタンタル層８０ｐ´が形成される。
ここで、辺８５ｐは、後述の第２のドライエッチング工程では、レジストマスクによって被覆される箇所であるため、本工程において、第２の側辺８４ｐとして形成される。
【００５６】
ここで、ドライエッチング処理の概略について説明する。かかる第１のドライエッチング工程は、図１４（ｃ）に示すようにＳＦ４、ＳＦ６等の反応性ガスを主成分としたエッチングガスに酸素を混合させた混合ガス１７４によって、タンタル層をエッチングする工程である。
まず、減圧したチャンバー１７１内に、基体６１と、基体６１に対向する位置に電極１７０を配置するとともに、電極１７０と基体６１との間に所定周波数の交流電圧１７３を印加する。次いで、チャンバー１７１内にＳＦ６、ＳＦ４等の反応性ガス１７４を流入させることにより、電極１７０と基板６１との間隙に、フッ素ラジカル及び酸素イオンを含むプラズマ領域１７５が形成される。このとき、フッ素ラジカル及び酸素イオンは、交流電圧によって生じた電界の影響により、電極１７０と基体６１の間を振動し、その一部が基板６０表面に衝突する。
かかる衝突の際、フッ素ラジカルはタンタル層８０ｐと反応して５フッ化タンタル（ＴａＦ5）を生成し、一方、酸素イオンは樹脂層１２５ｐ内の炭素と反応して二酸化炭素（ＣＯ2）を生成することにより、タンタル層８０ｐと樹脂層１２５ｐは、それぞれ反応性ガスと酸素の混合比に対応したエッチングレートでエッチングされることになる。
【００５７】
そして、図１５（ａ）に示すように、タンタル層８０のエッチング速度が、樹脂層１２５のエッチング速度に比べて十分速い場合、樹脂層の水平方向のエッチング量ｄ２に比べ、タンタル層の深さ方向のエッチング量Ｌが十分大きくなるため、第１の側辺８３ｋ及び第２の側辺８４ｋは、ほぼ垂直な辺を形成することができる。
一方、図１５（ａ）に比べ酸素ガス流量を優位に混合させた場合は、図１５（ｂ）に示すように、樹脂層の水平方向のエッチング量ｄ３がある程度進行するため、第１の側辺８３ｍ及び第２の側辺８４ｍは、図１５の条件に比べて、より緩やかに傾斜することになる。
すなわち、ドライエッチング法においては、エッチングガスにおける反応性ガスと酸素との混合比もしくは酸素流量の絶対量を変更することにより、導電パターンの傾斜角を任意に調整することができる。
【００５８】
次いで、アッシング又は濃硫酸を用いてレジスト除去を行うことで、図１４（ｄ）に示すように、パターニングされたタンタル層８０ｐ´を形成することができる。
【００５９】
（４）第２のレジストパターンの形成工程
次いで、パターニングされたタンタル層８０ｐ´上に、第２のレジストパターンを形成する。かかる第２のレジストパターン形成は、基本的に、第１のレジストパターン形成と同様の条件で実施することができるが、ここでは、第１のレジストパターンに対して、ラビング部材１９０と先に当接する側に所定量ずらした位置に形成する。
より具体的には、図１６（ａ）に示すように、第２の側辺８４ｐと上辺にのみ樹脂層１２５ｑが残るように、第２のレジストパターンを形成する。
なお、ここでは第２の側辺８４ｐ上を被覆するようにずらした場合を例に採って説明するが、辺８３ｐ上のみを被覆するようにずらした場合であっても、後述する第２のドライエッチング条件を調整することで、同様の効果を得ることができる。
【００６０】
（５）第２のドライエッチング工程
次いで、第２のレジストパターンに対して、第２のドライエッチングを行う。ここでのドライエッチング条件は、第１のドライエッチング条件と比較して、エッチングガスと酸素との流量比を変更した条件で実施する必要がある。
より具体的には、図１６（ｂ）に示すように、辺８４ｐが、第２の側辺８４ｐの傾斜角θ２とは異なる傾斜角θ１となる第１の側辺８３ｑとなるように、ドライエッチング条件を決定する。例えば、第１のドライエッチング条件に比べて酸素流量比を大きくすることにより、上述した図１５（ａ）〜（ｂ）に示すように、θ１＜θ２とすることができる。
これらの処理の後、樹脂層１２５ｑを除去することで、図１６（ｃ）に示すように、θ１＜θ２となる断面形状を有する導電パターン７０ｑを形成することができる。
【００６１】
（６）第３の側辺の形成工程
次いで、所定の断面形状に対して、第３の側辺を形成する。ここでは、第３の側辺を第１の層に形成する場合を例にとって説明するが他の部分に形成する場合でも、同様に実施することができる。
第３の側辺の形成は、図２０に示すフロー図中Ｓ６で示される工程である。ここでは、第３の側辺を第１の層に一箇所形成する場合を例にとって説明する。
まず、第１、第２の層形成工程と同様に二層を形成し、第２の層であるクロム層上に、レジストパターンとしての樹脂層を形成する。ここで、塗布条件等についても層の形成工程と同様にすることができる。
具体的には、図１７に示すように、樹脂層１２５ｘに対して、フォトマスク１０９´´を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。このフォトマスクは、層の斜面９０の基板に接している端部から中部に位置する部分に覆われている。
【００６２】
次いで、かかる樹脂層１２５Ｙに対して、図１７（ａ）に示すように、フォトマスク１０９´´を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。
その後、図１７（ｂ）に示すように、所定の現像処理を実施することで、第３の側辺を形成するためのレジストパターンを形成することができる。
次いで、図１７（ｃ）に示すように、クロム層に対してエッチング処理を実施することにより、樹脂層１２５ｂ´に形成した開口部分の直下にあるクロム層が選択的にエッチングされ、所定の部分に第３の側辺を形成することができる。例えば、容器１７７´内のフッ酸液等のエッチング液１７８´に、基板６１を浸漬させるウェットエッチング法を用いることで第３の側辺を形成することができる。
なお、第３の側辺を形成する方法は、上記のようなフォトエッチング法以外に、機械的研磨法を用いてもよい。
機械研磨法とは、図１８（ａ）に示すような研磨ブレード３００を用い、図１８（ｂ）のように、第３の側辺を形成する上部にセットする。次に研磨ブレード３００を回転させ、図１８（ｃ）のように研磨剤を塗布した層に接触させ研磨する。研磨が終われば、図１８（ｄ）のように、研磨ブレード３００を所定の位置まで引き上げ停止させる。
第３の側辺を形成する方法としては、フォトエッチングや機械的研磨法を適宜実施することができる。
【００６３】
（７）画素電極等の形成
次いで、画素電極等形成工程は、ＴＦＴ素子が形成された基体上に、透明絶縁膜からなる保護膜と、透明導電膜からなる画素電極と、を順次形成する工程である。
より具体的には、まず、図１９（ｂ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機絶縁膜８１を形成する。
次いで、図１９（ｃ）に示すように、この有機絶縁膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着した後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域にマトリクス状の光反射膜７９を形成する。一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成することができる。
最後に、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制御機能を持たせることができる。
【００６４】
（８）ラビング工程
次いで、ラビング工程は図２０に示すフロー図中Ｓ８で表される工程で、上述した導電パターンを形成した基板上に配向膜を形成した後、図６に示すように、所定方向Ｍに回転したラビング部材１９０に対して、矢印Ｌの方向に基板６０を挿入することにより、両者が接触し、かかる配向膜上に凹凸形状を形成するものである。
このとき、本実施形態においては、導電パターンを形成する際に、酸素流量比が大きい方の条件で形成した辺側からラビング部材を当接させるように、基板を挿入する。このように実施することにより、導電パターンにおける、ラビング部材が先に当接する側の辺（第１の側辺）の傾斜角が、より緩やかに形成されているために、ラビングローラが導電パターンに接触する際の衝撃を和らげることができる。したがって、ラビングローラ表面の歪みを少なくして、表示領域内においてラビングすじが発生することを防止することができる。
【００６５】
２．カラーフィルタ基板の製造工程
かかるカラーフィルタ基板の製造工程は、図２０に示すフロー図中、Ｓ１´〜Ｓ４´で示される工程で、第２実施形態におけるカラーフィルタ基板の製造工程と同様に実施することが可能であるため、ここでの説明は省略する。
【００６６】
３．組立、後工程及び検査工程
かかる工程は、図２０に示すフロー図中、Ｓ９〜Ｓ１１で示される工程であり、これらは第２実施形態における組立、後工程及び検査工程と同様に実施することが可能であるため、ここでの説明は省略する。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の液晶装置によれば、導電パターンの断面形状を所定形状とし、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を備えることにより、画像表示特性に優れた液晶装置を効率的に提供することができる。
したがって、ＴＦＴ素子を備えた液晶装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器などに幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の液晶装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の液晶装置を示す概略斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、所定の断面形状を備えた導電パターンの積層構造及び傾斜角の関係を説明するために供する図である。（その１）
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、所定の断面形状を備えた導電パターンの積層構造及び傾斜角の関係を説明するために供する図である。（その２）
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、断面形状の傾斜角について説明するために供する図である。
【図６】ラビング部材と導電パターンとの平面方向の位置関係を説明するために供する図である。
【図７】第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明するフロー図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である。（その１）
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である。（その２）
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である。（その３）
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、第１の層と第２の層をずらして形成した場合の断面形状を説明するために供する図である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態における第３の側辺の形成方法を説明するための図である（その１）。
【図１３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第２実施形態における第３の側辺の形成方法を説明するための図である（その２）。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、ドライエッチング条件と導電パターンの断面形状の関係を説明するために供する図である（その１）。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、ドライエッチング条件と導電パターンの断面形状の関係を説明するために供する図である（その２）。
【図１６】ドライエッチングを説明するための図である。
【図１７】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の第３実施形態における第３の側辺を形成するためのフォトエッチングを説明するための図である。
【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、機械的研磨法で第３の側辺を形成する方法を説明するための図である
【図１９】画素電極形成方法を説明するための図である。
【図２０】第３実施形態における液晶装置の製造方法を説明するフロー図である。
【図２１】従来の液晶装置を説明するために供する図である（その１）。
【図２２】従来の液晶装置を説明するために供する図である（その２）。
【符号の説明】
【００６９】
１０：液晶装置、１１：液面、１８：未注入部、２０：一対の基板、２１：電気光学物質（液晶材料）、２３：シール部、２３ａ：液晶注入口、２４：液晶注入皿、３０：対向基板（カラーフィルタ基板）、３１：基体、３３：走査電極、３５：光反射膜、３５ａ：開口部、３９：遮光膜、４１：保護膜（層厚調整層）、４７：位相差板、４９：偏光板、６０：素子基板、６１：基体、６３：光反射膜、６５：データ線、６６：ドレイン電極、６９：ＴＦＴ素子、７１：ゲート電極、７２：ゲート絶縁膜、７３：ソース電極、７５：走査線、７７：コンタクト層、８１：有機絶縁膜、８２：第３の層、８３：第１の側辺、８４：第２の側辺、８５：配向膜、８７：位相差板、８８：第３の側辺、８９：偏光板、９０：層の斜面、９３：フレキシブル基板、１０９：フォトマスク、１２５：樹脂層、１９０：ラビング部材、３００：研磨ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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