(57)【要約】【課題】３波長対応の光ピックアップ装置及び光情報記録再生装置を提供する。【解決手段】第１、第２、第３の波長の光源を備えた光ピックアップ装置であって、第１及び第２の光源の出射光路を第１のプリズムで合成した後で、第３の光源の出射光路を倍率変換レンズを介して合成する際、それぞれの光を第２のプリズムで合成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
短波長の第１の半導体レーザ光源と、中波長の第２の半導体レーザ光源と、長波長の第３の半導体レーザ光源と、前記第１、第２のレーザ光源からレーザビームを入射して光路を合成する第１のプリズムと、前記第３の半導体レーザ光源のレーザビームの光効率を高くするための倍率変換レンズと、この倍率変換レンズで倍率変換されたレーザビームの光路と前記第１のプリズムの出射光の光路を合成する第２のプリズムと、前記各レーザビームを光情報記録媒体に対して結像させる対物レンズと、光情報記録媒体で反射したレーザビームを受光して光情報を検出する受光素子と、前記各半導体レーザ光源から光情報記録媒体への光路と光情報記録媒体から前記受光素子への光路との分岐を行うビームスプリッタと、を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記各レーザ光源と各プリズムとの間に前記各光源の偏光方向を９０度回転させる１／２波長板が配設され、前記第１、第２及び第３のレーザ光源のレーザビームは前記第２のプリズムにＳ偏光で透過あるいは反射するよう入射し、前記第２のプリズムの出射光は、Ｓ偏光で前記ビームスプリッタに入射することを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記第１および第２のレーザ光源のうち、前記第１及び第２のプリズムを透過するレーザビームのレーザ光源は前記第１及び第２のプリズムと同一平面に配設され、前記第１のプリズムを反射し第２のプリズムを透過するレーザビームのレーザ光源は前記第１のプリズムに対して、上方、下方、斜め上方、斜め下方のいずれかに配置されることを特徴とする請求項１あるいは２記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記第１、第２及び第３のレーザ光源は、それぞれ波長４０５ｎｍ帯、６６０ｎｍ帯及び７８０ｎｍ帯のレーザビームを出射することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
同一チップあるいは同一パッケージに収容された短波長のレーザビームを出射する第１の半導体レーザ光源と中波長のレーザビームを出射する第２の半導体レーザ光源と、長波長のレーザビームを出射する第３の半導体レーザ光源と、前記同一チップあるいは同一パッケージからの出射光の光路と第３の半導体レーザ光源によるレーザビームの光路を合成するプリズムと、前記第３の半導体レーザ光源と前記プリズムの間に配置され、前記第３の半導体レーザ光源のレーザビームの光効率を高くするための倍率変換レンズと、各レーザビームを光ディスクに対して結像させる対物レンズと、光ディスクで反射したレーザビームを受光して光情報を検出する受光素子と、各半導体レーザ光源から光ディスクへの光路と光ディスクから前記受光素子への光路との分岐を行うビームスプリッタと、を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記各レーザ光源と前記プリズムとの間に前記各光源の偏光方向を９０度回転させる１／２波長板を配設し、前記第１、第２及び第３のレーザ光源のレーザビームは前記プリズムにＳ偏光で透過あるいは反射するよう入射し、前記プリズムの出射光はＳ偏光で前記ビームスプリッタに入射することを特徴とする請求項５記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記第１、第２及び第３のレーザ光源は、それぞれ波長４０５ｎｍ帯、６６０ｎｍ帯及び７８０ｎｍ帯のレーザビームを出射することを特徴とする請求項５あるいは６に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
半導体レーザ光源のレーザビームを光情報記録媒体に結像させて情報の記録、再生を行う光ピックアップ装置を備え、この光ピックアップ装置は請求項１乃至７のいずれかに記載の光ピックアップ装置であることを特徴とする光情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置及び光情報記録再生装置に関し、特に３波長の記録を行う光ピックアップ装置及び光情報記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、波長の短い青色レーザを用いた高密度光情報記録媒体や、その記録／再生を行う光ディスク装置の開発が活発に行われている。これらの装置では、ＣＤやＤＶＤといった波長の異なる媒体にも対応できることが要請されている。
【０００３】
そこで、長波長（ＣＤ用）、中波長（ＤＶＤ用）、短波長（青色レーザ）の３波長を対物レンズに近いビームスプリッタで２波長と１波長の２グループに分け、２波長に対しては、光学素子を共有することで、レイアウトスペースに考慮した光ピックアップが提案されている（例えば、特許文献１。）。
【０００４】
また、波長４０５ｎｍ帯のレーザビームを出射する第１の半導体レーザ光源と、波長６５０ｎｍ帯のレーザビームを出射する第２の半導体レーザ光源および波長７８０ｎｍ帯のレーザビームを出射する第３の半導体レーザ光源を一体化した半導体レーザ光源と、各波長帯のレーザビームの光路を合成する光路合成手段と、各レーザビームを光情報記録媒体に対して結像させる対物レンズと、光情報記録媒体で反射したレーザビームを受光して光情報を検出する受光素子と、各半導体レーザ光源から光情報記録媒体への光路と光情報記録媒体から前記受光素子への光路との分岐を行う光路分岐手段と、を備えた光ピックアップ装置であって、前記光路分岐手段と前記受光素子との間に、波長４０５ｎｍ帯、波長６５０ｎｍ帯および波長７８０ｎｍ帯の透過光量を調整するフィルター手段を備えたことを特徴とする光ピックアップが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１０３１３５号公報
【特許文献２】特開２００５−１４１８８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された光ピックアップでは、光ピックアップ用の受光素子であるＰＤＩＣ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ−ＩＣ）が３波長用の各光源・検出ユニットとして３系統必要であり、特許文献２に開示された光ピックアップでは、波長６５０ｎｍ帯のレーザビームを出射する第２の半導体レーザ光源および波長７８０ｎｍ帯のレーザビームを出射する第３の半導体レーザ光源を一体化しており、波長７８０ｎｍ帯の赤外光のみ光効率を上げるための倍率変換用のレンズを配置することができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情によりなされたもので、１系統の受光素子を用いて、赤外光のみの光効率を上げる３波長対応光学系を構成する光ピックアップ装置及び光情報記録再生装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、短波長の第１の半導体レーザ光源と、中波長の第２の半導体レーザ光源と、長波長の第３の半導体レーザ光源と、前記第１、第２のレーザ光源からレーザビームを入射して光路を合成する第１のプリズムと、前記第３の半導体レーザ光源のレーザビームの光効率を高くするための倍率変換レンズと、この倍率変換レンズで倍率変換されたレーザビームの光路と前記第１のプリズムの出射光の光路を合成する第２のプリズムと、前記各レーザビームを光情報記録媒体に対して結像させる対物レンズと、光情報記録媒体で反射したレーザビームを受光して光情報を検出する受光素子と、前記各半導体レーザ光源から光情報記録媒体への光路と光情報記録媒体から前記受光素子への光路との分岐を行うビームスプリッタと、を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の光ピックアップ装置であって、前記各レーザ光源と各プリズムとの間に前記各光源の偏光方向を９０度回転させる１／２波長板が配設され、前記第１、第２及び第３のレーザ光源のレーザビームは前記第２のプリズムにＳ偏光で透過あるいは反射するよう入射し、前記第２のプリズムの出射光は、Ｓ偏光で前記ビームスプリッタに入射することを特徴とする光ピックアップ装置である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１記載あるいは２の光ピックアップ装置であって、前記第１および第２のレーザ光源のうち、前記第１及び第２のプリズムを透過するレーザビームのレーザ光源は前記第１及び第２のプリズムと同一平面に配設され、前記第１のプリズムを反射し第２のプリズムを透過するレーザビームのレーザ光源は前記第１のプリズムに対して、上方、下方、斜め上方、斜め下方のいずれかに配置されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１０】
請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の光ピックアップ装置であって、前記第１、第２及び第３のレーザ光源は、それぞれ波長４０５ｎｍ帯、６６０ｎｍ帯及び７８０ｎｍ帯のレーザビームを出射することを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１１】
請求項５に係る発明は、同一チップあるいは同一パッケージに収容された短波長のレーザビームを出射する第１の半導体レーザ光源と中波長のレーザビームを出射する第２の半導体レーザ光源と、長波長のレーザビームを出射する第３の半導体レーザ光源と、前記同一チップあるいは同一パッケージからの出射光の光路と第３の半導体レーザ光源によるレーザビームの光路を合成するプリズムと、前記第３の半導体レーザ光源と前記プリズムの間に配置され、前記第３の半導体レーザ光源のレーザビームの光効率を高くするための倍率変換レンズと、各レーザビームを光ディスクに対して結像させる対物レンズと、光ディスクで反射したレーザビームを受光して光情報を検出する受光素子と、各半導体レーザ光源から光ディスクへの光路と光ディスクから前記受光素子への光路との分岐を行うビームスプリッタと、を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１２】
請求項６に係る発明は、請求項５記載の光ピックアップ装置であって、前記各レーザ光源と前記プリズムとの間に前記各光源の偏光方向を９０度回転させる１／２波長板を配設し、前記第１、第２及び第３のレーザ光源のレーザビームは前記プリズムにＳ偏光で透過あるいは反射するよう入射し、前記プリズムの出射光はＳ偏光で前記ビームスプリッタに入射することを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１３】
請求項７に係る発明は、請求項５あるいは６に記載の光ピックアップ装置であって、前記第１、第２及び第３のレーザ光源は、それぞれ波長４０５ｎｍ帯、６６０ｎｍ帯及び７８０ｎｍ帯のレーザビームを出射することを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１４】
請求項８に係る発明は、半導体レーザ光源のレーザビームを光情報記録媒体に結像させて情報の記録、再生を行う光ピックアップ装置を備え、この光ピックアップ装置は請求項１乃至７のいずれかに記載の光ピックアップ装置であることを特徴とする光情報記録再生装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、１系統の受光素子を用いて、赤外光のみの光効率を上げる３波長対応光学系を構成する光ピックアップ装置及び光情報記録再生装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は光ピックアップ装置の構成を示す概略図であって、図１（Ａ）は、上面から見た図であり、図１（Ｂ）は、側面から見た図である。
【００１８】
図１に示すように、この光ピックアップ装置は、青色レーザ対応の高密度メディア，赤色レーザ対応の光情報記録媒体，赤外レーザ対応の光情報記録媒体のいずれに対しても光情報の記録／再生を行うことが可能な３波長対応の光ピックアップ装置であって、波長４０５ｎｍ帯の青色レーザビームを出射する第１の半導体レーザ光源１０と、波長６６０ｎｍ帯の赤色レーザビームを出射する第２の半導体レーザ光源１２と、波長７８０ｎｍ帯の赤外レーザビームを出射する第３の半導体レーザ光源１４と、各光源の前に配置され、偏光方向を９０度回転させる１／２波長板１６、１８，２０と、第１の半導体レーザ光源１０及び第２の半導体レーザ光源１２の各レーザビームの光路を合成する第１のプリズム２２と、第１のプリズム２２からの出射光の光路と第３の半導体レーザ光源１４によるレーザビームの光路を合成する第２のプリズム２４と、１／２波長板２０と第２のプリズム２４の間に配置され第３の半導体レーザ光源１４の出射光の光効率を高くする倍率変換レンズ２６と、各レーザビームを光ディスク３０に対して結像させる対物レンズ２８と、光ディスク３０で反射したレーザビームを受光して光情報を検出する受光素子３２と、各半導体レーザ光源１０，１２，１４から光ディスク３０への光路（複数の丸印で示す往路）と光ディスク３０から受光素子３２への光路（複数の矢印で示す復路）との分岐を行うビームスプリッタ３４と、を備えている。
【００１９】
上記の３つの半導体レーザ光源１０，１２，１４の２つ以上が同時に点灯することはなく、例えば、光ディスク３０の厚さの違いや光ディスク３０に記録されて情報に応じて、どのレーザ光源を使うかが判断される。その判断に基づいて３つのレーザ光源１０，１２，１４のいずれか１つが点灯し、レーザビームが出射して、光ディスク３０の情報記録面に対する光情報の記録又は再生が行われる。
【００２０】
青色レーザ光源１０から出射するレーザビームは、楕円状の光強度分布を有する発散光束である。赤色，赤外レーザ光源１２，１４から出射するレーザビームは、楕円状の光強度分布を有する発散光束である。
【００２１】
青色、赤色レーザ光源１０、１２から楕円状の光強度分布で発散するように出射したレーザビームは、ＤＰＰ法若しくは３ビーム法によるトラッキングを行うために回折格子１７、１９に入射して、光ディスク３０に対する記録／再生を行うためのメインビーム(０次光)と、トラッキングエラーを検出するための２つのサブビーム(±１次光)と、に分割される。回折格子１７，１９から出射したレーザビーム(メインビーム)は、対物レンズ２８でのリム強度の関係で、紙面に垂直方向に長い楕円形となり、同時に偏光方向は第１のプリズム２２に対してＰ偏光となっている。ビームスプリッタ３４へ、Ｓ偏光で入射させる必要があるので、１／２波長板１６，１８で偏光方向を９０度回転された後、第１のプリズム２２に対してＳ偏光で入射する。
【００２２】
第１のプリズム２２は、光路を合成するもので、例えば、多層光学薄膜から成るダイクロイック膜（図示しない）を介して２つのガラスプリズムを貼り合わせた構成とする。ここでのダイクロイック膜は、波長４０５ｎｍ帯のレーザビームを透過させ、波長６６０ｎｍ帯のレーザビームを反射させる波長選択性を有している。図２に示すように、第１のプリズム２２の分光特性は、４０５ｎｍ帯でのＳ偏光は透過率Ｔｓが１００％に近く６６０ｎｍ帯でのＳ偏光の反射率Ｒｓが１００％に近くなっている。
【００２３】
赤外レーザ光源１４から出射したレーザビームは、１／２波長板２０でＰ偏光をＳ偏光に変換され、ＤＰＰ法若しくは３ビーム法によるトラッキングを行うために回折格子２１に入射して、光ディスク３０に対する記録／再生を行うためのメインビーム(０次光)と、トラッキングエラーを検出するための２つのサブビーム(±１次光)と、に分割される。そして回折格子２１から出射したレーザビーム(メインビーム)は、倍率変換レンズ２６に入射される。
【００２４】
波長７８０ｎｍ帯は波長４０５ｎｍ帯または波長６６０ｎｍ帯よりもスポットサイズに対して記録密度が低いため、リム強度が下がり、スポットサイズが大きくなっても、光効率を高くし、記録速度を速くする方が利用価値が高い。
【００２５】
そこで、倍率変換レンズ２６を通すことによって、波長７８０ｎｍ帯のレーザビームの光効率を高くしている。倍率変換レンズ２６をコンパクトに配置するためには、波長７８０ｎｍ帯の光源１４とプリズム２４の間隔を長くする必要があり、波長４０５ｎｍ帯と波長６６０ｎｍ帯のレーザビームを合成した後に波長７８０ｎｍ帯のレーザビームを合成する配置にするのが好適である。
【００２６】
第１のプリズム２２で合成されたレーザビームと、倍率変換レンズ２６で倍率変換されたレーザビームは、第２のプリズム２４に入射する。
【００２７】
第２のプリズム２４は光路を合成するもので、例えば多層光学薄膜から成るダイクロイック膜（図示しない）を介して２つのガラスプリズムが貼り合わされた構成になっている。図３に示すように、係るダイクロイック膜は、波長４０５ｎｍ帯のレーザビームと波長６６０ｎｍ帯のレーザビームをＳ偏光の透過率Ｔｓが１００％近くで透過させ、波長７８０ｎｍ帯のレーザビームをＳ偏光の反射率Ｒｓが１００％近くで反射させる波長選択性を有している。
【００２８】
倍率変換レンズ２６は、波長７８０ｎｍのレーザ光の焦点位置を第２のプリズム２４の光路上に合わせるパワーを備えたものである。したがって３本のレーザビームは、第２のプリズム２４での光路合成により、共通経路でビームスプリッタ３４にＳ偏光で入射する。
【００２９】
このように、上記３本のレーザービームは、それぞれ１００％近くのＳ偏光透過率あるいは１００％近くのＳ偏光反射率を有する第１のプリズム２２あるいは第２のプリズム２４を透過あるいは反射して光路合成されてビームスプリッタ３４にＳ偏光で入射するので、往路の光効率を３波長とも高くすることができる。
【００３０】
ビームスプリッタ３４は、平行平面板状のものが好適で、基板となる透明な平行平面板（図示しない）と、その一方の面に施された多層光学薄膜(又は保護膜で覆われた多層光学薄膜)から成る偏光分離膜（図示しない）と、他方の面に施された多層光学薄膜(又は保護膜で覆われた多層光学薄膜)から成る反射防止膜（図示しない）とで構成され、光路分岐の機能を果たすものである。偏光分離膜は、入射光束のＳ偏光成分をどの波長でも多く反射させ、かつ、Ｐ偏光成分およびＳ偏光成分をどの波長でも一定量を透過させる偏光分離特性を有するものであり、このときの偏光分離膜に対するレーザビームの偏光方向はＳ偏光である。したがってレーザビームは、空気との接触状態にある偏光分離膜で大部分が反射され、これにより各レーザ光源１０，１２，１４から光ディスク３０への光路が形成される。
【００３１】
第２のプリズム２４を透過あるいは反射した光は、ビームスプリッタ３４で反射され対物レンズ２８へ向かう。図４に示すように、ビームスプリッタ３４の分光特性は、３波長帯(波長４０５ｎｍ帯，波長６６０ｎｍ帯，波長７８０ｎｍ帯)において、Ｓ偏光の反射率Ｒｓが８０％になっている。平行平面板状の偏光ビームスプリッタ３４を用いることにより、ビームスプリッタ３４を透過する戻り光に対し非点収差を発生させることができるので、非点収差法によるフォーカシングやエラー検出も可能となっている。
【００３２】
図４に示すように、ビームスプリッタ３４は、入射するレーザビームのＳ偏光成分の一部を透過率Ｔｓが２０％で透過させる。ビームスプリッタ３４を透過したレーザビームは、光量モニタ用ＰＤＩＣ３６で受光される。光量モニタ用ＰＤＩＣ３６は、ビームスプリッタ３４を透過したレーザビームで各レーザ光源１０，１２，１４のレーザ出力を波長に応じた光量を検出する、モニタ用受光素子である。光量モニタＰＤＩＣ３６は、ゴーストを防止するためにレーザビームの主光線に対して傾けるのが好適である。
【００３３】
ビームスプリッタ３４で反射したレーザビームは、コリメートレンズ３８に入射する。コリメートレンズ３８は、入射してきたレーザビームを略平行ビームに変換する。コリメートレンズ３８で略平行ビームに変換されたレーザビームは、１／４波長板４０で円偏光に変換され、対物レンズ２８に入射して、光ディスク３０の情報記録面上で光スポットとして結像する。対物レンズ２８は波長互換タイプのもので、単レンズ方式に限らず、ツインレンズ方式でもよい。
【００３４】
光ディスク３０の記録面上で結像したレーザビームは、記録面で反射されて戻り光となり、対物レンズ２８，１／４波長板４０，コリメートレンズ３８を順に通過して、偏光ビームスプリッタ３４に戻る。レーザビームは、ビームスプリッタ３４に戻ってくる途中、１／４波長板４０を通過するため、偏光分離膜へはＰ偏光として入射し、図４に示すようにＰ偏光の透過率Ｔｐが３０％近くで透過する。このＰ偏光成分の透過により光ディスク３０から受光素子である信号検出用ＰＤＩＣ３２への光路が形成される。
【００３５】
ビームスプリッタ３４を透過した光は、非点収差用のセンサレンズ４２を通り、信号検出用ＰＤＩＣ３２に入射する。入射光に含まれている光情報が、信号検出用ＰＤＩＣ３２で検出される。
【００３６】
本実施の形態では、フォーカシングエラー検出は、いわゆる非点収差法を採用することができ、トラッキングエラー検出は、ＤＰＤ法又はＤＰＰ法(differential push-pull method)を採用することができる。傾いた平行平面板をレーザビームが通過する際に非点収差が付加されるので、簡単な構成でフォーカスエラー信号を得ることができる。
【００３７】
受光素子としての信号検出用ＰＤＩＣ３２は、例えば、多分割されたＰＩＮフォトダイオードで構成し、入射光束の強度に比例した電流出力又は１Ｖ変換された電圧を各素子から出力する。その出力から、例えば図示しない検出回路を経て、情報信号，フォーカスエラー信号，トラックエラー信号が生成される。
【００３８】
上記した半導体レーザ光源の配置は、図１に示した実施形態に限られない。上面から見た図５（Ａ）、側面から見た図５（Ｂ）に示すように、波長６６０ｎｍ帯の光源１２を第１のプリズム２２の上方から、合成することもできる。尚、図示しないが、波長６６０ｎｍ帯の光源１２を第１のプリズム２２の下方から、合成することもできる。
【００３９】
さらに、上面から見た図６（Ａ）、側面から見た図６（Ｂ）に示すように、波長６６０ｎｍ帯の光源１２を第１のプリズム２２の斜め下方向から、合成することもできる。尚、図示しないが、波長６６０ｎｍ帯の光源１２を第１のプリズム２２の斜め上方向から、合成することもできる。
【００４０】
また、図５および図６に示す波長４０５ｎｍ帯の光源１０と波長６６０ｎｍ帯の光源１２の位置を入れ替えることもできる。この場合、波長４０５ｎｍ帯の光源１０を第１のプリズム２２の上方、下方、斜め上方、斜め下方のいずれかから、合成することができる。
【００４１】
上記のように、波長４０５ｎｍ帯の光源１０あるいは波長６６０ｎｍ帯の光源１２を第１のプリズム２２の上方、下方、斜め上方、斜め下方のいずれかから、合成することにより、光学系の限られたレイアウトスペースを拡大することなくスペースを有効に活用でき、３波長対応の光ピックアップ装置の小型化に寄与できる。
【００４２】
さらに、上面から見た図７（Ａ）、側面から見た図７（Ｂ）に示すように、波長４０５ｎｍの光源と波長６６０ｎｍの光源を同一チップまたは同一パッケージに収納し、第１のプリズムを使用せず、第２のプリズム２４のみで、３つの波長のレーザビームの光路を合成することもできる。この場合においても、倍率変換レンズ２６を通すことによって、波長７８０ｎｍ帯のレーザビームの光効率を高くしている。また上記３本のレーザービームは、それぞれの波長に対して１００％近くのＳ偏光透過率あるいは１００％近くのＳ偏光反射率を有する第２のプリズム２４を透過あるいは反射して光路合成されてビームスプリッタ３４にＳ偏光で入射するので、往路の光効率を３波長とも高くすることができる。さらに波長４０５ｎｍの光源と波長６６０ｎｍの光源を同一チップまたは同一パッケージに収納しているので、光学系の限られたレイアウトスペースを拡大することなくスペースを有効に活用でき、３波長対応の光ピックアップ装置の小型化に寄与できる。
【００４３】
本発明の実施形態に係る半導体レーザ光源のレーザビームを光情報記録媒体に結像させて情報の記録、再生を行う光ピックアップ装置は、光情報記録再生装置に組み込むことができる。
【００４４】
上述したように、本実施形態によれば、高密度メディアに対応可能であって、簡単な構成で、往路と復路を分離するビームスプリッタに対して３波長ともＳ偏光で入射させることができ、往路の光効率を３波長とも高くすることができる。また、赤外光の光学倍率を低くすることで、光効率を高くすることができ、対物レンズからの光量を多くすることで、記録速度を速くすることができる。
【００４５】
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１のプリズムの分光特性を示す図である。
【図３】第２のプリズムの分光特性を示す図である。
【図４】ビームスプリッタの分光特性を示す図である。
【図５】他の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す概略図である。
【図６】他の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す概略図である。
【図７】他の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・青色レーザ光源(第１の半導体レーザ光源)、１２・・・赤色レーザ光源(第２の半導体レーザ光源)、１４・・・赤外レーザ光源(第３の半導体レーザ光源)、１６、１８、２０・・・１／２波長板、１７,１９、２１・・・回折格子、２２・・・第１のプリズム、２４・・・第２のプリズム、２６・・・倍率変換レンズ、２８・・・対物レンズ、３０・・・光ディスク、３２・・・信号検出用ＰＤＩＣ、３４・・・ビームスプリッタ、３６・・・光量モニタＰＤＩＣ、３８・・・コリメートレンズ、４０・・・１／４波長板、４２・・・非点収差用のセンサレンズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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