(57)【要約】【課題】半導体ペレットを半導体ペレット取付部材に接合した後、ワイヤボンダビリティーを損なわないシリコーンゴム接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】シリコーンゴム接着剤組成物は、（Ａ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有し、前記アルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍｏｌ／１００ｇであるアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）１分子中に３個以上のＳｉＨ基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン、（Ｃ）白金族系触媒、及び（Ｄ）接着性付与剤を含有し、硬化後のせん断周波数１０Ｈｚにおける２３℃での複素弾性率が０．９ＭＰａ以上、かつ、ダイシェア強度が０．０５ＭＰａ以上である。また、半導体装置は、上記シリコーンゴム接着剤組成物を硬化してなるシリコーンゴム接着剤により、半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とが接合されてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有し、前記アルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍoｌ／１００ｇであるアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン                                                              １００重量部、
（Ｂ）１分子中に３個以上のＳｉＨ基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン
（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基が１．０〜５．０個となる量、
（Ｃ）白金族系触媒                                                      触媒量、
及び
（Ｄ）接着性付与剤                                          ０．３〜２０重量部
を含有し、硬化後のせん断周波数１０Ｈｚにおける２３℃での複素弾性率が０．９ＭＰａ以上、かつ、ダイシェア強度が０．０５ＭＰａ以上であることを特徴とするシリコーンゴム接着剤組成物。
【請求項２】
さらに、（Ｅ）比表面積が５０ｍ２／ｇ以上の無定形シリカ、平均粒径が１０μｍ以下の石英粉及び石英粉を溶融してなる石英ガラス粉から選ばれる少なくとも１種からなる充填剤を（Ａ）成分１００重量部に対して０〜４００重量部含有することを特徴とする請求項１に記載のシリコーンゴム接着剤組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）成分の２３℃における粘度が、０．１〜５００Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１に記載のシリコーンゴム接着剤組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコーンゴム接着剤組成物を硬化してなるシリコーンゴム接着剤により、半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とが接合されてなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコーンゴム接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置に係り、特に半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とを接合するシリコーンゴム接着剤組成物、及び前記組成物の硬化物により半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とが接合されてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、例えばＳｉからなる半導体ペレットがその支持体である半導体ペレット取付部材（タブ）にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の接着剤により接合され、さらに前記半導体ペレット上のボンディングパッドとリードフレームとが超音波圧着法、熱圧着法、超音波熱圧着法等によってワイヤボンディングされ、これらの一体化物が封止樹脂で封止されている。しかし、従来のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の接着剤では、半導体ペレットとタブとの熱膨張率の差に起因する応力によって、半導体ペレットに反りやクラックが発生し易い。
【０００３】
そこで、シリコーンゴム組成物により半導体ペレットとタブとを接合した半導体装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。これは、半導体ペレットとタブとの熱膨張差による内部歪をシリコーンゴム弾性体により緩和しようとしたものである。
【０００４】
しかしながら、従来のシリコーンゴム組成物を用いて半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とを接合した後、例えばリードフレームから前記半導体ペレット上のボンディングパッドに超音波圧着法等でワイヤボンディングすると、半導体ペレットが振動し易い。その結果、半導体ペレット上のボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合性（ワイヤボンダビリティー）が低下し易く、得られる半導体装置の信頼性が低下する傾向にあった。
【特許文献１】特開昭６１−５５３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、半導体ペレットを半導体ペレット取付部材に接合した後、ワイヤボンダビリティーを損なわないシリコーンゴム接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、（Ａ）ベースポリマー、（Ｂ）架橋剤及び（Ｃ）白金系触媒を含有する付加反応硬化型のシリコーンゴム組成物において、（Ａ）ベースポリマーとして特定量のアルケニル基を含有するシロキサンを用いて硬化物の複素弾性率及びダイシェア強度を特定の範囲にすることによって、半導体ペレットとタブとを接合した後、半導体ペレット上のボンディングパッドとリードフレームとをワイヤボンディングする際のワイヤボンダビリティーが損なわれないことを見出し、本発明をなすに至った。
【０００７】
すなわち、本発明のシリコーンゴム接着剤組成物は、
（Ａ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有し、前記アルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍoｌ／１００ｇであるアルケニル基含有ポリオルガノシロキサン                                                              １００重量部、
（Ｂ）１分子中に３個以上のＳｉＨ基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン
（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基が１．０〜５．０個となる量、
（Ｃ）白金族系触媒                                                      触媒量、
及び
（Ｄ）接着性付与剤                                          ０．３〜２０重量部
を含有し、硬化後のせん断周波数１０Ｈｚにおける２３℃での複素弾性率が０．９ＭＰａ以上、かつ、ダイシェア強度が０．０５ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体装置は、シリコーンゴム接着剤組成物を硬化してなるシリコーンゴム接着剤により、半導体ペレットと半導体ペレット取付部材とが接合されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成により、半導体ペレットを半導体ペレット取付部材に接合した後、ワイヤボンダビリティーを損なわないシリコーンゴム接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明のシリコーンゴム接着剤組成物について説明する。
【００１１】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分はベースポリマーであり、１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する。ケイ素原子結合アルケニル基が２個未満であると、得られた組成物が十分に硬化し難くなる。
【００１２】
ケイ素原子結合アルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基等が挙げられ、特にビニル基が好ましい。ケイ素原子結合アルケニル基（ＳｉＶｉ基）の含有量は、（Ａ）成分１００ｇ中のモル数が３０〜６００ｍｍｏｌ、特に４０〜３００ｍｍｏｌであることが好ましい。３０ｍｍｏｌ未満であると、所望の複素弾性率が得られない。一方、６００ｍｍｏｌを越えると、所望のダイシェア強度が得られない。なお、ＳｉＶｉ基含有量は、（ＳｉＶｉ基の平均個数）／（理論平均分子構造の分子量）×１０００で算出することによって求めることができる。ケイ素原子結合アルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、得られる組成物の硬化速度、硬化物の物性、特に機械的強度の点から、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子、特に分子鎖両末端のケイ素原子に結合していることが好ましい。
【００１３】
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基あるいはこれらの水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子などで置換されたハロゲン化炭化水素基等の炭素原子数１〜１２個、好ましくは炭素原子数１〜８個程度のものが挙げられる。合成の容易さから、特にアルキル基、アリール基が好ましく、メチル基、フェニル基がより好ましい。
【００１４】
（Ａ）成分の２３℃における粘度は、０．１〜５００Ｐａ・ｓ、特に０．２〜３００Ｐａ・ｓであることが好ましい。０．１Ｐａ・ｓ未満であると、硬化物の良好な物性が得られず、脆くなり易い。一方、５００Ｐａ・ｓを超えると、得られた組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易くなる。
【００１５】
（Ａ）成分の分子構造は、例えば直鎖状、分岐状、三次元網目状等が挙げられ、１種単独又は２種以上を混合して用いることができる。例えば固体の場合には、直鎖状のアルケニル基含有ポリオルガノシロキサンで希釈し、２３℃における粘度を上記範囲（０．１〜５００Ｐａ・ｓ）に調整して用いてもよい。
【００１６】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分のポリオルガノハイドロジェンシロキサンは架橋剤である。１分子中に３個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有している。ＳｉＨ基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよい。その分子構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状あるいは三次元網目状構造のいずれでもよい。
【００１７】
（Ｂ）成分としては、平均組成式：
Ｒ１ａＨｂＳｉＯ［４−（ａ＋ｂ）］／２
で示されるものが用いられる。
上記式中、Ｒ１は、脂肪族不飽和炭化水素基を除く、置換または非置換の１価炭化水素基である。Ｒ１としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられる。これらのうちで、炭素数が１〜４のものが好適であり、合成のし易さ、コストの面からアルキル基が好ましい。メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基がより好ましく、特にメチル基が好ましい。
【００１８】
また、ａ、ｂはそれぞれ正数であり、かつ、０．５≦ａ≦２、０＜ｂ≦２、０．５＜ａ＋ｂ≦３を満足する数であり、特に０．６≦ａ≦１．９、０．０１≦ｂ≦１．０、０．６≦ａ＋ｂ≦２．８を満足する数であることが好ましい。
【００１９】
（Ｂ）成分の２３℃における粘度は、０．０１〜０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００２０】
（Ｂ）成分の配合量は、前記（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基の合計個数が１．０〜５．０個、特に１．５〜４．０となる量が好ましい。１．０個未満であると、得られた組成物が十分に硬化し難くなり、硬化後、所望の複素弾性率及びダイシェア強度が得られ難くなる。一方、５．０個を越えると、硬化後の物性が経時で変化し易くなる。
【００２１】
［（Ｃ）成分］
（Ｃ）成分は、本組成物の硬化を促進させる成分である。
【００２２】
（Ｃ）成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒を用いることができる。例えば白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。
【００２３】
（Ｃ）成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、（Ａ）成分１００重量部に対し白金元素に換算して０．１〜１０００ｐｐｍ、特に１〜２００ｐｐｍの範囲であることが好ましい。
【００２４】
［（Ｄ）成分］
（Ｄ）成分は、本組成物に半導体ペレット、タブ等への接着性を付与する成分であり、公知のものが使用でき、本組成物の付加加硫を阻害しないものであればよい。
（Ｄ）成分は、オルガノシラン、またはケイ素原子数２〜５０個、特に４〜２０個のオルガノシロキサンオリゴマー等の有機ケイ素化合物が好適に用いられる。このような有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に結合したアルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基を有し、かつ、Ｓｉ−Ｈ基、アルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、メルカプト基、エステル基、無水カルボキシ基、アミノ基及びアミド基から選ばれる少なくとも１個の反応性官能基を有することが好ましい。
【００２５】
（Ｄ）成分としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン等のアルケニル基含有アルコキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシランが挙げられる。また、オルガノシロキサンオリゴマーとしては、下記のような化合物が挙げられる。
【化１】
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【００２６】
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．３〜２０重量部、特に２．０〜１５重量部であることが好ましい。０．３重量部未満では、十分な接着性が得られない。一方、２０重量部を越えると、硬化物の所望の複素弾性率、ダイシェア強度が得られ難くなる。
【００２７】
上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を基本成分とし、これらに必要に応じて、以下の（Ｅ）成分、その他の任意成分を含有してもよい。
【００２８】
［（Ｅ）成分］
（Ｅ）成分は充填剤であり、本組成物に良好な作業性と接着耐久性を付与する成分である。
（Ｅ）成分としては、比表面積が５０ｍ２／ｇ以上の無定形シリカ、平均粒径が１０μｍ以下の石英粉及び石英粉を溶融してなる石英ガラス粉が挙げられ、１種単独又は２種以上を併用して用いることができる。経時による充填剤の沈降を防止し、さらには塗膜の均一性及び接着耐久性を向上させる上で、無定形シリカを含む２種以上を併用して用いることが好ましい。
【００２９】
上記無定形シリカを用いる場合のそのＢＥＴ比表面積は、５０ｍ２／ｇ以上、特に５０〜４００ｍ２／ｇであることが好ましい。また、上記石英粉及び／又は石英ガラス粉を用いる場合のその平均粒径は、１０μｍ以下、特に０．１〜５μｍであることが好ましい。１０μｍを超えると、十分な接着耐久性を付与し難くなる。なお、平均粒径は、例えばレーザー光回折法による粒度分布測定により得ることができ、重量平均値（又はメジアン径）等として求めることができる。
【００３０】
（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して、０〜４００重量部、特に０〜３００重量部が好ましい。４００重量部を越えると、得られた組成物の流動性が低下して作業性及び成形性が悪化し易くなる。
【００３１】
さらに必要に応じて、その他任意成分として硬化速度を調整するための反応抑制剤、着色剤、難燃性付与剤、耐熱性向上剤、可塑剤等を本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。
【００３２】
本発明のシリコーンゴム接着剤組成物の製造方法としては、例えば（Ａ）〜（Ｅ）成分及びその他任意成分をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合する方法等が挙げられる。なお、各成分の添加順序は特に限定されるものではない。
【００３３】
得られた組成物を硬化させる方法は限定されず、例えば本組成物を半導体ペレットとタブとの間に介在させた後、室温で放置する方法、又は１００〜１５０℃で３０〜６０分程度加熱する方法等が挙げられる。
【００３４】
硬化後の複素弾性率は、２３℃、せん断周波数１０Ｈｚにおいて、０．９ＭＰａ以上、特に０．９〜１００ＭＰａが好ましい。０．９ＭＰａ未満であると、半導体ペレットとリードフレームをワイヤボンディングする際に、半導体ペレットが振動し易く、ワイヤボンダビリティーが損なわれる恐れがある。なお、２３℃、せん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率は、例えばシリコーンゴム接着剤（硬化物）を厚さ１ｍｍ、直径２５ｍｍの円板プレート状に調整した後、これを動的粘弾性測定装置により測定することによって求められる。
【００３５】
また、硬化後のダイシェア強度は、０．０５ＭＰａ以上、特に０．０５〜１００ＭＰａが好ましい。０．０５ＭＰａ未満であると、半導体ペレットとリードフレームをワイヤボンディングする際に、半導体ペレットが振動する恐れがある。なお、ダイシェア強度は、例えば図２に示すように、シリコーンゴム接着剤組成物を半導体チップ２２とアルミナ板２３等との間に介在させて加熱硬化し、シリコーンゴム接着剤２１を形成した後、接触工具２４により半導体チップ２２に対して横方向に力を加え、アルミナ板２３から半導体チップ２２が剥がれる時の強度を測定することによって求められる。
【００３６】
したがって、本発明のシリコーンゴム接着剤組成物は、硬化後の複素弾性率（２３℃、せん断周波数１０Ｈｚ）が０．９ＭＰａ以上であるとともに、ダイシェア強度が０．０５ＭＰａ以上であるため、ダイボンディング後のワイヤボンダビリティーが阻害されない。したがって、特に１ｍｍ×１ｍｍ以下の半導体ペレットと、タブとを接合するシリコーン接着剤として好適である。
【００３７】
次に、図１を用いて、本組成物の硬化物を適用した半導体装置の一例について説明する。
半導体装置１は、タブ２と半導体ペレット３との間に、本組成物の硬化物であるシリコーンゴム接着剤層４が介在されている。また、半導体ペレット３に設けられたボンディングパッド５とリードフレーム６とがボンディングワイヤ７により接続されており、これらの一体化物が封止樹脂８で封止されている。シリコーンゴム接着剤層４の厚さは、１０〜１００μｍであることが好ましい。
【実施例】
【００３８】
本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例中、粘度は２３℃において測定した値である。また、実施例及び比較例で得られたシリコーンゴム接着剤組成物は、以下のようにして評価し、結果を表１に示した。表１に示した特性は、２３℃において測定した値である。
【００３９】
［複素弾性率］
得られたシリコーンゴム接着剤組成物を１５０℃で１時間加熱硬化させて、厚さ１ｍｍ、直径２５ｍｍの円板プレート状のシリコーンゴム接着剤を作製した。このシリコーンゴム接着剤のせん断周波数１０Ｈｚにおける複素弾性率を動的粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製）により測定した。
【００４０】
［ダイシェア強度］
得られたシリコーンゴム接着剤組成物を４ｍｍ×４ｍｍの半導体チップとアルミナ板との間に厚さ１０μｍで介在させ、１５０℃で１時間加熱硬化させた。次に、ダイシェア強度測定装置（デイジ社製）により、接触工具によって半導体チップに横方向に力を加え、アルミナ板から半導体チップが剥がれる時の強度を測定した。
【００４１】
［ワイヤボンダビリティー性］
得られたシリコーンゴム接着剤組成物を半導体ペレットとタブとの間に介在させ、１５０℃で１時間加熱硬化した。次に、リードフレームから半導体ペレットの上端部に設けられたＡｌパッドに、超音波熱圧着法によりＡｕ線でワイヤボンディングした。このとき、半導体ペレットが振動することなく結線可能であった場合を○とし、半導体ペレットが振動して結線不可能であった場合を×とした。
【００４２】
［実施例１］
（Ａ−１）粘度が３Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．０８ｍｍｏｌ／ｇ）１０重量部、（Ａ−２）２３℃で固体である三次元網目状ビニル基含有ポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．６ｍｍｏｌ／ｇ）９０重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）１１重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．２重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．４重量部、（Ｅ−３）ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇの無定形シリカ粉末８重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合して、シリコーンゴム接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４３】
［実施例２］
（Ａ−１）粘度が３Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．０８ｍｍｏｌ／ｇ）１０重量部、（Ａ−２）２３℃で固体である三次元網目状ビニル基含有ポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．６ｍｍｏｌ／ｇ）９０重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）１１重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．４重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．８重量部、（Ｅ−１）平均粒経が５μｍの石英粉１００重量部、（Ｅ−３）ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇの無定形シリカ粉末１重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合して、シリコーンゴム接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４４】
［実施例３］
（Ａ−１）粘度が３Ｐａ・ｓであり、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．０８ｍｍｏｌ／ｇ）８０重量部、（Ａ−４）粘度が０．３Ｐａ・ｓであるビニル基含有ポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量２．４ｍｍｏｌ／ｇ）２０重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）１１重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．３重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．６重量部、（Ｅ−２）平均粒経が２μｍの石英ガラス粉５０重量部、（Ｅ−３）ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇの無定形シリカ粉末１重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合して、シリコーンゴム接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４５】
［実施例４］
（Ａ−３）粘度が２００Ｐａ・ｓである三次元網目状ビニル基含有ポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量１．５ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）３０重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．２重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．４重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合して、シリコーンゴム接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４６】
［比較例１］
（Ａ−１）粘度が３Ｐａ・ｓであり、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．０８ｍｍｏｌ／ｇ）８０重量部、（Ａ−２）２３℃で固体である三次元網目状ビニル基含有ポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量０．６ｍｍｏｌ／ｇ）２０重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）３．７重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．２重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．４重量部、（Ｅ−３）ＢＥＴ比表面積が１３０ｍ２／ｇの無定形シリカ粉末７重量部を万能混錬器に添加し、均一に混合して、シリコーンゴム接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【表１】
2007154099.tif 000004
【００４７】
表１から明らかなように、（Ａ）ベースポリマーとしてアルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍｏｌ／１００ｇであるシロキサンを用いた各実施例は、硬化後のせん断周波数１０Ｈｚにおける２３℃での複素弾性率が０．９ＭＰａ以上であり、かつ、ダイシェア強度が０．０５ＭＰａ以上である。これによって、ワイヤボンダビリティー性を損なわず、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本組成物の硬化物を適用した半導体装置の一例を示す断面図。
【図２】ダイシェア強度の試験条件を示す略図。
【符号の説明】
【００４９】
１…半導体装置、２…タブ、３…半導体ペレット、４…シリコーンゴム接着剤層、５…ボンディングパッド、６…リードフレーム、７…ボンディングワイヤ、８…封止樹脂。
【図１】
2007154099.tif 000005
【図２】
2007154099.tif 000006