(57)【要約】【課題】  半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。【解決手段】  ウエハＷ上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハＷを支持する、導電性を有する押圧ピン６４と、めっき液に接触するように押圧ピン６４に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂとから構成し、金属部材６４ｂが溶解して発生した電子を、押圧ピン６４を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置であって、
基板を支持する、導電部を有する支持部材と、
前記めっき液に接触可能に前記支持部材に設けられ、前記めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材と、
前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部を介して基板上の配線部に供給する電子供給路と
を具備することを特徴とする無電解めっき装置。
【請求項２】
前記電子供給路は、前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部および基板を介して基板上の配線部に供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき装置。
【請求項３】
前記金属部材は、基板上から流れ出ためっき液と接触するように前記支持部材に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の無電解めっき装置。
【請求項４】
前記支持部材は、基板を水平回転可能に支持することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の無電解めっき装置。
【請求項５】
前記金属部材は、前記支持部材に支持された基板と離間して、前記支持部材に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の無電解めっき装置。
【請求項６】
前記支持部材の前記導電部は導電性ＰＥＥＫ（ポリ・エーテル・エーテル・ケトン）からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の無電解めっき装置。
【請求項７】
前記電子供給路は、前記支持部材に支持された基板のアースを選択的に行えるように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の無電解めっき装置。
【請求項８】
前記金属部材は、基板上の配線部に用いられる金属よりも卑な金属からなることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の無電解めっき装置。
【請求項９】
前記支持部材および／または前記金属部材は交換可能であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の無電解めっき装置。
【請求項１０】
基板上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき方法であって、
基板を支持する、導電部を有する支持部材に、前記めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材を設けるとともに、前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部を介して基板上の配線部に供給可能に電子供給路を構成し、
前記金属部材に前記めっき液が接触するように、前記支持部材によって支持した基板上に前記めっき液を供給し、前記金属部材が前記めっき液に溶解して発生した電子を前記電子供給路によって基板上の配線部に供給させることを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項１１】
前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部および導電性材料からなる基板を介して基板上の配線部に供給するように前記電子供給路を構成することを特徴とする請求項１０に記載の無電解めっき方法。
【請求項１２】
基板上の配線部はＣｕ（銅）からなり、
前記無電解めっきによって形成される金属材料は、ＣｏＷＰ（コバルト・タングステン・リン）、ＣｏＭｏＰ（コバルト・モリブデン・リン）、ＣｏＴａＰ（コバルト・タンタル・リン）、ＣｏＭｎＰ（コバルト・マンガン・リン）およびＣｏＺｒＰ（コバルト・ジルコニウム・リン）のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の無電解めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置および無電解めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて半導体ウエハ（以下「基板」と記す）上に形成される配線には、半導体デバイスの動作速度を向上させるためにＣｕ（銅）が多く用いられている。このようなＣｕ配線の基板上への形成は通常、絶縁膜に配線を埋め込むための孔（ビア）および／または凹部（トレンチ）をエッチングにより形成し、この孔および／または凹部内にメタライゼーションプロセスにより銅配線を埋め込むダマシン法により行われる。
【０００３】
このようなＣｕ配線が設けられた半導体デバイスは近時、微細化および高集積化してきているため、電流密度が増加してエレクトロマイグレーション（電流によるＣｕ原子の輸送）が増大し、配線の断線を引き起こして信頼性の低下を招くといった問題点を有している。
【０００４】
このため、キャップメタルと称されるＣｏＷＢ（コバルト・タングステン・ホウ素）やＣｏＷＰ（コバルト・タングステン・リン）等の金属膜を無電解めっきによりＣｕ配線の表面に被覆して、半導体デバイスのエレクトロマイグレーション耐性を向上させる試みがなされている。
【０００５】
ところで、めっき液にＣｏＷＰを用いた場合には、ＣｏＷＰに含まれるＰ（リン）系還元剤の還元作用が弱いため、ＣｏＷＰめっき液をそのままＣｕ配線に供給しただけでは、ＣｏＷＰがＣｕ配線の表面に析出しない。そこで、ＣｏＷＰをＣｕ配線の表面に析出させるために、Ｐｄ（パラジウム）等の触媒をＣｕ配線の表面に付与するといったことが行われている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、ＰｄをＣｕ配線の表面に付与すると、その後の熱処理によってＰｄがＣｕ配線中に拡散して配線抵抗が上昇してしまい、半導体デバイスの動作速度を低下させてしまう。
【０００６】
このような事態を回避するには、Ｚｎ（亜鉛）やＦｅ（鉄）等の金属を、Ｃｕ配線へのＣｏＷＰめっき液の供給前にあらかじめＣｕ配線に付着させたり、ＣｏＷＰめっき液に浸された基板上のＣｕ配線に接触させたりして、ＣｏＷＰめっき液中に溶解させ、電子がＣｕ配線に供給されるようにするといったことが考えられる。ところが、この場合には、Ｚｎ等の金属が、不純物として半導体デバイス内に取り込まれてしまったり、Ｃｕ配線との接触の際にＣｕ配線を損傷させてしまったりして、結果的に半導体デバイスの品質低下につながるおそれがある。
【特許文献１】特開平８−８３７９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置および無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置であって、基板を支持する、導電部を有する支持部材と、前記めっき液に接触可能に前記支持部材に設けられ、前記めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材と、前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部を介して基板上の配線部に供給する電子供給路とを具備することを特徴とする無電解めっき装置を提供する。
【０００９】
本発明において、前記電子供給路は、前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部および基板を介して基板上の配線部に供給するように構成されていることが好ましい。この場合に、前記金属部材は、基板上から流れ出ためっき液と接触するように前記支持部材に設けられていることが好ましい。
【００１０】
以上の本発明において、前記支持部材は、基板を水平回転可能に支持することが好ましく、前記金属部材は、前記支持部材に支持された基板と離間して、前記支持部材に設けられていることが好ましく、前記支持部材の前記導電部は導電性ＰＥＥＫ（ポリ・エーテル・エーテル・ケトン）からなることが好ましく、前記電子供給路は、前記支持部材に支持された基板のアースを選択的に行えるように構成されていることが好ましく、前記金属部材は、基板上の配線部に用いられる金属よりも卑な金属からなることが好ましく、前記支持部材および／または前記金属部材は交換可能であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明は、基板上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき方法であって、基板を支持する、導電部を有する支持部材に、前記めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材を設けるとともに、前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部を介して基板上の配線部に供給可能に電子供給路を構成し、前記金属部材に前記めっき液が接触するように、前記支持部材によって支持した基板上に前記めっき液を供給し、前記金属部材が前記めっき液に溶解して発生した電子を前記電子供給路によって基板上の配線部に供給させることを特徴とする無電解めっき方法を提供する。
【００１２】
本発明において、前記金属部材が溶解して発生した電子を、前記支持部材の前記導電部および導電性材料からなる基板を介して基板上の配線部に供給するように前記電子供給路を構成することが好ましく、基板上の配線部はＣｕ（銅）からなり、前記無電解めっきによって形成される金属材料は、ＣｏＷＰ（コバルト・タングステン・リン）、ＣｏＭｏＰ（コバルト・モリブデン・リン）、ＣｏＴａＰ（コバルト・タンタル・リン）、ＣｏＭｎＰ（コバルト・マンガン・リン）およびＣｏＺｒＰ（コバルト・ジルコニウム・リン）のうちのいずれかからなることが好適である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板を支持する、導電部を有する支持部材に、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材を設けるとともに、金属部材が溶解して発生した電子を、支持部材の導電部を介して基板上の配線部に供給可能に電子供給路を構成し、金属部材にめっき液が接触するように、支持部材によって支持した基板上にめっき液を供給し、金属部材がめっき液に溶解して発生した電子を電子供給路によって基板上の配線部に供給させるように構成したため、金属部材が配線部に直接接触したり、金属部材中の金属が配線部を被覆するめっき液に大量に取り込まれたりすることなく、めっき液を配線部に析出させることができる。したがって、基板の品質を低下させることなく、還元力の弱い還元剤を用いためっき液により基板上の配線部に無電解めっきを開始させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について具体的に説明する。
図１は本発明に係る無電解めっき装置を具備した無電解めっきシステムの概略構造を示す平面図であり、図２はその側面図であり、図３はその断面図である。
【００１５】
無電解めっきシステム１は、導電性材料、例えばシリコン（Ｓｉ）材料で形成されたウエハＷ（半導体基板）に無電解めっき処理および無電解めっき処理前後の熱的処理を施す処理部２と、ウエハＷの処理部２への搬入および処理部２からの搬出を行う搬入出部３とを備えている。なお、ウエハＷ上には、金属、例えばＣｕ（銅）からなる図示しない配線部が形成されているとともに、この配線部の防腐目的で図示しない有機系膜が設けられており、処理部２は、配線部に無電解めっき処理を施すためのものである。
【００１６】
搬入出部３は、複数枚、例えば２５枚のウエハＷを略水平姿勢で鉛直方向に所定の間隔で収容可能なフープ（ＦＯＵＰ；ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）Ｆを載置するための載置台６が設けられたイン・アウトポート４と、載置台６に載置されたフープＦと処理部２との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送機構７が設けられたウエハ搬送部５から構成されている。
【００１７】
フープＦは、一側面にウエハＷを搬入出するための搬入出口を有し、この側面に搬入出口を開閉可能な蓋体が設けられて構成されている。フープＦ内には、ウエハＷを収容するスロットが上下方向に複数ヶ所、例えば２５ヶ所形成されており、各スロットは、表面（配線部が形成された面）を上側にしてウエハＷを１枚ずつ収容する。
【００１８】
イン・アウトポート４の載置台６は、フープＦが無電解めっきシステム１の幅方向（Ｙ方向）に複数個、例えば３個並列に載置されるようになっており、フープＦが、搬入出口を有する側面をイン・アウトポート４とウエハ搬送部５との境界壁８側に向けて載置される。境界壁８には、フープＦの載置場所に対応する位置に窓部９が形成され、ウエハ搬送部５側に窓部９を開閉するシャッター１０が設けられている。
【００１９】
シャッター１０は、窓部９の開閉と同時に、フープＦに設けられた蓋体をも開閉することができるようになっている。シャッター１０は、フープＦが載置台６の所定位置に載置されていないときに動作しないように、インターロックを有して構成されることが好ましい。シャッター１０が窓部９を開放してフープＦの搬入出口とウエハ搬送部５とが連通すると、ウエハ搬送部５に設けられたウエハ搬送機構７のフープＦへのアクセスが可能となる。なお、窓部９の上部には図示しないウエハ検査機構が設けられており、フープＦ内に収納されたウエハＷの枚数および状態をスロット毎に検出することができるようになっている。このようなウエハ検査機構は、シャッター１０に装着させることも可能である。
【００２０】
ウエハ搬送部５に設けられたウエハ搬送機構７は、ウエハＷを保持する搬送ピック１１を有してＹ方向に移動可能である。搬送ピック１１は、無電解めっきシステム１の長さ方向（Ｘ方向）に進退可能であり、かつ、無電解めっきシステム１の高さ方向（Ｚ方向）に昇降可能であり、かつ、Ｘ−Ｙ平面内（θ方向）で回転可能となっている。これにより、ウエハ搬送機構７は、載置台６に載置された任意のフープＦと対向する位置に移動して、搬送ピック１１を対向しているフープＦの任意の高さのスロットにアクセスさせることができるとともに、処理部２に設けられた後述するウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６と対向する位置に移動して、搬送ピック１１をウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６にアクセスさせることができる。すなわち、ウエハ搬送機構７は、フープＦと処理部２との間でウエハＷを搬送するように構成されている。
【００２１】
処理部２は、ウエハ搬送部５との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを一時的に載置するウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６と、ウエハＷにめっき処理を施す無電解めっきユニット（ＰＷ：無電解めっき装置）１２と、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２でのめっき処理前後のウエハＷを加熱処理するホットプレートユニット（ＨＰ）１９と、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９で加熱されたウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＯＬ）２２と、これら全てのユニットにアクセス可能であり、これらのユニット間でウエハＷの搬送を行う主ウエハ搬送機構１８とを備えている。また、処理部２には、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２に送液するめっき液等の所定の液体を貯蔵する液体貯蔵ユニット（ＣＴＵ）２５が、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２の下側に設けられている。
【００２２】
ウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６は、処理部２の略中央部に設置された主ウエハ搬送機構１８とウエハ搬送部５との間に、例えば、上下２段に積み重ねられて設けられており、下段のウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６は、搬入出部３から処理部２に搬送されるウエハＷを載置するために用いられ、上段のウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６は、処理部２から搬入出部３へ搬送されるウエハＷを載置するために用いられる。
【００２３】
ホットプレートユニット（ＨＰ）１９は、例えば、ウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６のＹ方向両側にそれぞれ、上下４段に積み重ねられて設けられている。冷却ユニット（ＣＯＬ）２２は、例えば、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９と隣接するように、主ウエハ搬送機構１８のＹ方向両側にそれぞれ、上下４段に積み重ねられて設けられている。
【００２４】
無電解めっきユニット（ＰＷ）１２は、冷却ユニット（ＣＯＬ）２２および主ウエハ搬送機構１８に隣接するように、Ｙ方向に２列に並んで、かつ、上下２段に積み重ねられて設けられており、Ｙ方向に並列する無電解めっきユニット（ＰＷ）１２同士は、その境界をなしている壁面４１に対してほぼ対称な構造を有している。無電解めっきユニット（ＰＷ）１２の詳細については後に説明する。
【００２５】
主ウエハ搬送機構１８は、Ｚ方向に延在する垂直壁２７、２８およびこれらの間の側面開口部２９を有する筒状支持体３０と、その内側に筒状支持体３０に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体３１とを有している。筒状支持体３０は、モータ３２の回転駆動力によって回転可能であり、それに伴ってウエハ搬送体３１も一体的に回転するように構成されている。
【００２６】
ウエハ搬送体３１は、搬送基台３３と、搬送基台３３に沿って前後に移動可能な３本の搬送アーム３４、３５、３６とを備えており、搬送アーム３４、３５、３６は、筒状支持体３０の側面開口部２９を通過可能な大きさを有している。これら搬送アーム３４、３５、３６は、搬送基台３３内に内蔵されたモータおよびベルト機構によってそれぞれ独立して進退移動することが可能となっている。ウエハ搬送体３１は、モータ３７によってベルト３８を駆動させることにより昇降する。なお、符号３９は駆動プーリー、４０は従動プーリーである。
【００２７】
処理部２の天井には、各ユニットおよび主ウエハ搬送機構１８に清浄な空気をダウンフローするためのフィルターファンユニット（ＦＦＵ）２６が設けられている。
【００２８】
無電解めっきシステム１は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ１１１に接続されて制御されるように構成されている。プロセスコントローラ１１１には、工程管理者が無電解めっきシステム１の各部または各ユニットを管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、各部または各ユニットの稼動状況を可視化して表示するディスプレイなどからなるユーザインターフェース１１２と、無電解めっきシステム１で実行される各処理をプロセスコントローラ１１１の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等を記録したレシピが格納された記憶部１１３とが接続されている。
【００２９】
そして、必要に応じて、ユーザインターフェース１１２からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部１１３から呼び出してプロセスコントローラ１１１に実行させることで、プロセスコントローラ１１１の制御下で無電解めっきシステム１において所望の各処理が行われる。また、前記レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリ等の読み出し可能な記憶媒体に格納されたものを利用したり、もしくは、無電解めっきシステム１の各部または各ユニット間あるいは外部の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３０】
次に、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２の詳細について説明する。
図４は本発明に係る無電解めっき装置（無電解めっきユニット）１２の概略平面図であり、図５はその概略断面図である。
【００３１】
無電解めっきユニット（ＰＷ）１２は、ハウジング４２と、ハウジング４２内に設けられたアウターチャンバ４３と、アウターチャンバ４３内に設けられたインナーカップ４７と、インナーカップ４７内に設けられたウエハＷを支持するためのスピンチャック４６と、スピンチャック４６に支持されたウエハＷの下面に対向するように昇降可能に設けられた、ウエハＷの温度を調節するためのアンダープレート４８と、スピンチャック４６に支持されたウエハＷ上にめっき液や洗浄液等の液体および気体を供給するノズル部５１とを備えている。
【００３２】
ハウジング４２は、側壁に窓部４４ａが形成されており、窓部４４ａは、第１シャッター４４により開閉自在となっている。搬送アーム３４（または３５、３６）は、窓部４４ａを通してウエハＷの無電解めっきユニット（ＰＷ）１２への搬入および無電解めっきユニット（ＰＷ）１２からの搬出を行い、窓部４４ａは、ウエハＷの搬入出時以外には、第１シャッター４４によって閉塞された状態に保たれる。第１シャッター４４は、ハウジング４２の内部から窓部４４ａを開閉するようになっている。
【００３３】
アウターチャンバ４３は、スピンチャック４６に支持されたウエハＷを囲繞する高さ位置に、内壁が下方から上方に向かってテーパー状に形成されたテーパー部４３ｃを有している。アウターチャンバ４３のテーパー部４３ｃには、ハウジング４２の窓部４４ａに対向するように窓部４５ａが形成され、窓部４５ａは、第２シャッター４５によって開閉自在となっている。搬送アーム３４（または３５、３６）は、窓部４４ａおよび窓部４５ａを通してアウターチャンバ４３内外に進退し、スピンチャック４６との間でウエハＷの受け渡しを行う。窓部４５ａは、ウエハＷの受け渡し時以外には、第２シャッター４５によって閉塞された状態に保たれる。第２シャッター４５は、アウターチャンバ４３の内部から窓部４５ａを開閉するようになっている。
【００３４】
アウターチャンバ４３の上壁には、アウターチャンバ４３内に窒素ガス（Ｎ２）を供給してダウンフローを形成するためのガス供給孔８９が設けられている。アウターチャンバ４３の底壁には、排気・排液を行うドレイン８５が設けられている。
【００３５】
インナーカップ４７は、アウターチャンバ４３のテーパー部４３ｃと対応するように、下方から上方に向かってテーパー状に形成されたテーパー部４７ａを上端部に有し、底壁にドレイン８８を有している。インナーカップ４７は、ガスシリンダー等の昇降機構により、上端がスピンチャック４６に支持されたウエハＷよりも上側となり、かつ、テーパー部４７ａがウエハＷを囲繞する処理位置（図５において実線で示される位置）と、上端がスピンチャック４６に支持されたウエハＷよりも下側となる退避位置（図５において仮想線で示される位置）との間で昇降自在となっている。
【００３６】
インナーカップ４７は、搬送アーム３４（または３５、３６）とスピンチャック４６との間でウエハＷの受け渡しが行われる際に、搬送アーム３４の進退を妨げないように退避位置に保持され、スピンチャック４６に支持されたウエハＷに無電解めっき処理が施される際に処理位置に保持される。したがって、インナーカップ４７によりウエハＷに供給されためっき液の周囲への飛散が防止される。また、ウエハＷ上から直接落下しためっき液、あるいはウエハＷ上を跳ねてインナーカップ４７またはインナーカップ４７のテーパー部４７ａにあたっためっき液は下方のドレイン８８へと導かれる。ドレイン８８には、図示しないめっき液回収ラインが接続されており、このめっき液回収ラインによりめっき液が回収または廃棄（排液）されるようになっている。
【００３７】
スピンチャック４６は、水平方向に回転可能な回転筒体６２と、回転筒体６２の上端部から水平に広がる環状の回転プレート６１と、回転プレート６１の外縁部に設けられた、ウエハＷを載置して支持する載置ピン６３と、回転プレート６１の外縁部に設けられた、載置ピン６３に支持されたウエハＷの縁部に、押圧するように当接してウエハＷを支持する押圧ピン（支持部材）６４とを有している。搬送アーム３４（または３５、３６）とスピンチャック４６との間のウエハＷの受け渡しは、載置ピン６３を利用して行われる。載置ピン６３は、ウエハＷを確実に支持する観点から、少なくとも周方向に間隔をあけて３箇所設けることが好ましい。
【００３８】
押圧ピン６４は、搬送アーム３４（または３５、３６）とスピンチャック４６との間でのウエハＷの受け渡しを妨げないように、図示しない押圧機構によって回転プレート６１の下部に位置する部分を回転プレート６１側に押し当てることにより、上端部（先端部）が回転プレート６１の外側に移動して傾斜することができるようになっている。押圧ピン６４も、ウエハＷを確実に支持する観点から、少なくとも周方向に間隔をあけて３箇所設けることが好ましい。
【００３９】
押圧ピン６４には、図６に示すように（図６は押圧ピン６４の要部を示す断面図）、ノズル部５１から供給されるめっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂが設けられている。金属部材６４ｂは、ウエハＷの配線部に用いられるＣｕよりも卑な金属、例えばＺｎ（亜鉛）から形成されている。押圧ピン６４は、その上端面が支持したウエハＷの上面と略同一平面上に位置するように形成されており、金属部材６４ｂは、ウエハＷ上から流れ出ためっき液と接触するように、押圧ピン６４の上端面から露出して押圧ピン６４を貫通して、押圧ピン６４に支持されたウエハＷと離間した位置に設けられている。また、金属部材６４ｂは、容易に交換できるように、取り外し可能に押圧ピン６４に設けられている。なお、金属部材６４ｂが設けられた押圧ピン６４ごと交換できるように、押圧ピン６４を取り外し可能に回転プレート６１に設けてもよい。
【００４０】
また、押圧ピン６４は、導電性を有するとともに、耐酸性および耐アルカリ性に優れ、機械的強度の高い導電性ＰＥＥＫ（ポリ・エーテル・エーテル・ケトン）材料、例えばカーボン・ＰＥＥＫで形成されている。ここでは、押圧ピン６４全体が導電部を構成している。これにより、押圧ピン６４は、支持したウエハＷと金属部材６４ｂとを電気的に導通する電子供給路の一部の役割を果たし、金属部材６４ｂがめっき液に溶解して発生した電子を、ウエハＷを介してウエハＷ上の配線部に供給するように構成されている。ここでは、金属部材６４ｂ、押圧ピン６４およびウエハＷが、ウエハＷ上の配線部に電子を供給するための電子供給路を構成する。押圧ピン６４には、支持したウエハＷをアース可能な通電ライン６４ｃが接続されている。通電ライン６４ｃは、スイッチ部６４ｄを有し、スイッチ部６４ｄのＯＮ／ＯＦＦによってウエハＷのアースが選択的に行われるように構成されている（図６（ａ）に示すのがウエハＷをアースした状態）。
【００４１】
なお、押圧ピン６４は、図６（ｃ）に示すように、ウエハＷの縁部との当接部（導電部）６４ａのみを導電性ポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）、例えばカーボン・ＰＥＥＫ製としてもよい。この場合には、通電ライン６４ｃを、例えば、当接部６４ａおよび金属部材６４ｂ間の通電を可能に設け、スイッチ部６４ｄによって、当接部６４ａと金属部材６４ｂとの電気的導通、および当接部６４ａに当接したウエハＷのアースを選択的に行うことができるように構成することができる。ここでは、金属部材６４ｂ、通電ライン６４ｃ、当接部６４ａおよびウエハＷが、ウエハＷ上の配線部に電子を供給するための電子供給路を構成する。
【００４２】
回転筒体６２の外周面には、モータ６６の駆動によって回転するベルト６５が巻き回されており、これにより、回転筒体６２が回転して載置ピン６３および押圧ピン６４に支持されたウエハＷが水平または略水平に回転するようになっている。押圧ピン６４は、重心の位置が調整されることにより、ウエハＷの回転時に、ウエハＷを押圧する力が調整されるようになっており、例えば、重心が回転プレート６１よりも下側に設けられると、回転プレート６１よりも下側の部分に遠心力が掛かって上端部が内側に移動しようとするため、ウエハＷを押圧する力が高められる。
【００４３】
アンダープレート４８は、内蔵された図示しないヒータにより所定の温度に保持され、回転プレート６１の上側、かつ載置ピン６３および押圧ピン６４で囲繞された空間内に配置され、回転筒体６２内を貫通して設けられたシャフト６７に接続されている。シャフト６７は、回転筒体６２の下側に設けられた水平板６８を介して、エアシリンダ等を有する昇降機構６９に接続されており、この昇降機構６９により昇降可能となっている。アンダープレート４８の上面には、ウエハＷの裏面に向かって純水や乾燥ガス等の処理流体を供給する処理流体供給口８１が例えば複数設けられ、アンダープレート４８内およびシャフト６７内には、温調流体としての純水や乾燥ガスとしての窒素ガス等の処理流体を処理流体供給口８１に流通させる処理流体供給路８７が設けられている。シャフト６７内の処理流体供給路８７上には、熱交換器８４が設けられており、処理流体供給路８７を流れる処理流体が、熱交換器８４によって所定の温度に加熱されて処理流体供給口８１からウエハＷの裏面に向かって供給されるように構成されている。
【００４４】
アンダープレート４８は、スピンチャック４６と搬送アーム３４（または３５、３６）との間でウエハＷの受け渡しが行われる際に、搬送アーム３４と衝突しないように回転プレート６１に近接するように下降し、スピンチャック４６に支持されたウエハＷにめっき処理が施される際に、ウエハＷに近接するまで上昇し（図５の仮想線参照）、所定の温度に加熱調節された純水を処理流体供給口８１からウエハＷの裏面に供給してウエハＷを所定の温度に加熱調節する。
【００４５】
なお、アンダープレート４８を所定高さに固定しておき、回転筒体６２を昇降させることによって、スピンチャック４６に支持されたウエハＷとアンダープレート４８との間隔をめっき処理の進行に合わせて調整するように構成してもよい。すなわち、アンダープレート４８とスピンチャック４６に支持されたウエハＷとは、一方が他方に対して相対的に昇降可能であればよい。
【００４６】
ノズル部５１は、水平または略水平方向に延び、アウターチャンバ４３と連通するように設けられたノズル部格納室５０内に先端側（めっき液等をウエハＷ上に吐出する側）の所定部分が格納されている。ノズル部５１は、薬液と純水と窒素ガスとをウエハＷ上に供給可能な薬液ノズル５１ａと、乾燥ガスとしての窒素ガスをウエハＷ上に供給可能な乾燥ノズル５１ｂと、めっき液をウエハＷ上に供給可能なめっき液ノズル５１ｃとを一体的に有している。薬液ノズル５１ａ、乾燥ノズル５１ｂおよびめっき液ノズル５１ｃは、水平または略水平方向に並列に配置されている。また、薬液ノズル５１ａ、乾燥ノズル５１ｂおよびめっき液ノズル５１ｃはそれぞれ、下方に向かって屈曲するノズルチップ５２ａ、５２ｂ、５２ｃを先端部に有している。
【００４７】
図７はノズル部５１およびノズル部５１にめっき液等の処理流体を送るための処理流体供給システムの概略構成を示す図である。
【００４８】
図７に示すように、処理流体供給システム６０は、薬液ノズル５１ａに薬液等を送るための薬液供給システム７０と、めっき液ノズル５１ｃにめっき液を送るためのめっき液供給システム９０とを有している。
【００４９】
薬液供給システム７０は、液体貯蔵ユニット（ＣＴＵ）２５に配置された、薬液を所定の温度に加熱調節して貯留する薬液貯留タンク７１と、薬液貯留タンク７１内の薬液を汲み上げるポンプ７３と、ポンプ７３によって汲み上げられた薬液を薬液ノズル５１ａへの送液に切り替えるバルブ７４ａとを有している。薬液ノズル５１ａへは、薬液供給システム７０による薬液の他、所定の温度に加熱調節された純水および窒素ガスが送られるようになっており、バルブ７４ａ、７４ｂ、７４ｃの開閉を切り替えることによって、薬液、純水、窒素ガスのいずれかが選択されて送られるように構成されている。薬液ノズル５１ａおよび乾燥ノズル５１ｂに送られる窒素ガス供給源は例えば同一のものとすることができ、乾燥ノズル５１ｂへの窒素ガスの供給は、別途設けたバルブ７４ｄの開閉によって制御することができる。
【００５０】
めっき液供給システム９０は、液体貯蔵ユニット（ＣＴＵ）２５に配置された、めっき液を貯留するめっき液貯留タンク９１と、めっき液貯留タンク９１内のめっき液を汲み上げるポンプ９２と、ポンプ９２によって汲み上げられためっき液をめっき液ノズル５１ｃへの送液に切り替えるバルブ９３と、バルブ９３を通過してめっき液ノズル５１ｃに送られるめっき液を所定の温度に加熱する加熱源９４とを有している。めっき液貯留タンク９１には、還元力の弱い還元剤を有するめっき液、例えばＣｏＷＰ、ＣｏＭｏＰ、ＣｏＴａＰ、ＣｏＭｎＰおよびＣｏＺｒＰのうちのいずれかからなるめっき液が貯留されている。加熱源９４はヒータや熱交換器等で構成される。
【００５１】
ノズル部５１は、ノズル格納室５０の外壁を構成する壁部５０ａに設けられた略環状または筒状ノズル保持部材５４に保持されている。ノズル保持部材５４は、壁部５０ａに形成された挿通孔５７を閉塞するように、かつ、上下方向にスライド可能に設けられており、外周に３枚の板状部材５４ａ、５４ｂ、５４ｃを所定の間隔をあけて有している。一方、壁部５０ａの挿通孔５７の縁部には、板状部材５４ａ、５４ｂ、５４ｃと厚さ方向に密封的に係合する係合部５０ｂが形成されており、板状部材５４ａ、５４ｂ、５４ｃと係合部５０ｂとが密封的に係合することにより、ノズル格納室５０内の雰囲気が外部に漏れ難くなっている。
【００５２】
ノズル保持部材５４には、ノズル格納室５０の外側に略Ｌ字型のアーム５５を介してノズル昇降機構５６ａが接続されており、このノズル昇降機構５６ａにより、ノズル保持部材５４が昇降可能であり、すなわち、ノズル保持部材５４に保持されたノズル部５１が昇降可能である。また、ノズル保持部材５４には、ノズル格納室５０の内側に、ノズル部５１を囲繞する蛇腹状の伸縮部５４ｄが設けられている。ノズル部５１は、ノズル格納室５０の外側に設けられたノズルスライド機構５６ｂにより長手方向にスライド可能であり、ノズル部５１のスライドに伴って伸縮部５４ｄが伸縮する。
【００５３】
ノズル格納室５０とアウターチャンバ４３との境界の壁部には、ノズル部５１を出入りさせるための窓部４３ａが設けられており、この窓部４３ａは、扉機構４３ｂによって開閉自在となっている。ノズル部５１は、窓部４３ａが開放され、ノズル昇降機構５６ａによって窓部４３ａと対応する高さに調整された状態になると、ノズルスライド機構５６ｂによって先端側部がアウターチャンバ４３の内外に進退可能となる。
【００５４】
ノズル部５１は、図８に示すように（図８はノズル部５１の移動態様を説明するための図）、最大限退避すると、先端側部がノズル格納室５０内に格納された状態となり（実線参照）、最大限進出すると、ノズルチップ５２ａ、５２ｂ、５２ｃがウエハＷの略中心に配置された状態となる（仮想線参照）。また、ノズル部５１は、ノズルチップ５２ａ、５２ｂ、５２ｃがインナーカップ４７内に配置された状態で、ノズル昇降機構５６ａにより昇降することで、ノズルチップ５２ａ、５２ｂ、５２ｃの先端とウエハＷとの距離が調整され、ノズルスライド機構５６ｂによりノズルチップ５２ａ、５２ｂ、５２ｃがウエハＷの略中心と周縁との間で直線的にスライドすることで、ウエハＷの所望の径方向位置にめっき液等を供給することができる。
【００５５】
なお、ノズル部５１の表面には、ウエハＷの洗浄処理に使用される酸性の薬液およびアルカリ性のめっき液に対する耐食性に優れた樹脂、例えば、フッ素樹脂によるコーティングを施しておくことが好ましく、ノズル格納室５０の内壁やアウターチャンバ４３の内壁、アウターチャンバ４３内に配置される下部テーブル等４８の種々の部品についても、このようなコーティングを施しておくことが好ましい。また、ノズル格納室５０には、ノズル部５１の先端部を洗浄する洗浄機構を設けておくことも好ましい。
【００５６】
次に、無電解めっきシステム１におけるウエハＷの処理工程について説明する。
図９は無電解めっきシステム１におけるウエハＷの処理工程の概略を示すフローチャートであり、図１０は無電解めっき装置１２におけるウエハＷの処理工程の概略を示すフローチャートである。
【００５７】
無電解めっきシステム１におけるウエハＷの処理工程では、最初に、搬送ロボットやオペレータ等によって、処理前のウエハＷが収納されたフープＦがイン・アウトポート４の載置台６上の所定位置に載置される（ステップ１）。次に、搬送ピック１１が、フープＦから１枚ずつウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷをウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６（複数のうちのいずれか）に搬送する（ステップ２）。
【００５８】
搬送ピック１１がウエハＷをウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６に搬送すると、主ウエハ搬送装置１８が、搬送アーム３４〜３６のいずれか、例えば、搬送アーム３４によりウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６上のウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）１９（複数のうちのいずれか）に搬送し、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９でウエハＷをプリベーク処理して（ステップ３）、ウエハＷ上に設けられた、Ｃｕ配線を防腐するための有機系膜を昇華させる。そして、主ウエハ搬送装置１８が、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９内のウエハＷを冷却ユニット（ＣＯＬ）２２（複数のうちのいずれか）に搬送し、冷却ユニット（ＣＯＬ）２２でウエハＷを冷却処理する（ステップ４）。
【００５９】
冷却ユニット（ＣＯＬ）２２でのウエハＷの冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送装置１８が、冷却ユニット（ＣＯＬ）２２内のウエハＷを無電解めっきユニット（ＰＷ）１２（複数のうちのいずれか）に搬送し、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２でウエハＷをめっき処理する（ステップ５）。
【００６０】
無電解めっきユニット（ＰＷ）１２でのウエハＷのめっき処理（ステップ５）は次の順序で行われる。最初に、ハウジング４２に設けられた第１シャッター４４およびアウターチャンバ４３に設けられた第２シャッター４５が窓部４４ａおよび窓部４５ａを開放するとともに、インナーカップ４７は退避位置に下降し、アンダープレート４８は回転プレート６１に近接した位置に降下する。そして、主ウエハ搬送装置１８の搬送アーム３４は、アウターチャンバ４３内に進入してスピンチャック４６に設けられた載置ピン６３にウエハＷを受け渡し、押圧ピン６４はこのウエハＷを支持する。ウエハＷを載置ピン６３で支持したら、搬送アーム３４がアウターチャンバ４３から退出し、第１シャッター４４および第２シャッター４５が窓部４４ａおよび窓部４５ａを閉塞する。
【００６１】
次に、窓部４３ａが開放され、ノズル部５１の先端側部がアウターチャンバ４３内に進入してウエハＷ上に配置される。そして、薬液ノズル５１ａによりウエハＷ上に純水が供給されて、ウエハＷのプリウエット処理が行われ、ウエハＷを親水化させる（ステップ５−１）。ウエハＷのプリウエット処理は、例えば、ウエハＷを静止またはゆっくりした回転数で回転させた状態でウエハＷ上に処理液、ここでは純水のパドルを形成し、所定時間保持したり、ウエハＷを所定の回転数で回転させた状態でノズル部５１、ここでは薬液ノズル５１ａから所定量の純水をウエハＷに吐出しながら、薬液ノズル５１ａのノズルチップ５２ａをウエハＷの中心部と周縁部との間で直線的にスキャンさせるように、ノズル部５１を移動させたりして行われる。後述するウエハＷの洗浄処理、リンス処理、無電解めっき処理および乾燥処理も同様に、このような方法で行うことができる。ウエハＷの回転数は、洗浄処理や無電解めっき処理等の処理条件によって適宜選定される。
【００６２】
ウエハＷのプリウエット処理が終了して、スピンチャック４６の回転によりウエハＷに付着した純水がある程度振り切られると、薬液ノズル５１ａによりウエハＷ上に薬液貯留タンク７１からの薬液が供給され、ウエハＷの前洗浄処理が行われる（ステップ５−２）。これにより、ウエハＷの配線部に付着していた酸化膜が除去される。ウエハＷから振り切られたり流れ落ちたりした薬液は、ドレイン８５から排液され、再利用または廃棄される。
【００６３】
ウエハＷの前洗浄処理に用いられる薬液としては、１〜８０ｇ／ｌの濃度のりんご酸またはマロン酸溶液を用いることが好ましい。種々の酸性の薬液で洗浄処理を行った後、後述するめっき処理時において、インキュベーションタイム（ウエハＷがめっき液に浸漬されてからウエハＷへのめっきが開始されるまでの時間）を測定したところ、薬液にりんご酸またはマロン酸溶液を用いると、他の酸性溶液を用いた場合と比較して、インキュベーションタイムが短いことが確認されたためである（表１参照）。
【００６４】
【表１】
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【００６５】
ウエハＷの前洗浄処理が終了すると、薬液ノズル５１ａによりウエハＷ上に純水が供給され、ウエハＷのリンス処理が行われる（ステップ５−３）。ウエハＷのリンス処理の際には、押圧ピン６４に設けられた通電ライン６４ｃのスイッチ部６４ｄが切り替えられてウエハＷがアースされる（図６（ａ）参照）。したがって、純水の供給によってウエハＷ上に発生する静電気が逃がされ、ウエハＷ上に設けられたｌｏｗ−ｋ膜等の各種膜の静電破壊が防止される。なお、ウエハＷのリンス処理中またはリンス処理後には、アンダープレート４８が上昇してウエハＷに近接し、処理流体供給口８１から所定の温度に加熱された純水を供給して、ウエハＷを所定の温度に加熱する。
【００６６】
ウエハＷのリンス処理が終了して、スピンチャック４６の回転によりウエハＷに付着した純水がある程度振り切られると、インナーカップ４７が処理位置に上昇する。そして、押圧ピン６４に設けられた通電ライン６４ｃのスイッチ部６４ｄが切り替えられてウエハＷと金属部材６４ｂとが電気的に導通し（図６（ｂ）参照）、所定の温度に加熱されたウエハＷ上に、めっき液貯留タンク９１からのめっき液が加熱源９４を通ってめっき液ノズル５１ｃから供給され、ウエハＷの無電解めっき処理が開始される（ステップ５−４）。なお、無電解めっき処理の際には、ウエハＷの温度とウエハＷ上に供給されるめっき液の温度とが一致していることが望ましい。これらの温度が異なると、めっき成長速度が変化し、面内均一性を失うおそれがあるためである。
【００６７】
ウエハＷの無電解めっき処理の仕組みを具体的に説明すると、まず、めっき液ノズル５１ｃからウエハＷ上に供給されためっき液を、ウエハＷ上から流れ出て押圧ピン６４に設けられた金属部材６４ｂに接触させる。めっき液の金属部材６４ｂへの接触は、スピンチャック４６によるウエハＷの回転の遠心力を用いて行うことができる。ウエハＷから振り切られたり流れ落ちたりしためっき液は、ドレイン８８から排液され、再利用または廃棄される。金属部材６４ｂは、めっき液に接触すると、めっき液に溶解して電子を発生する（例えばＺｎ→Ｚｎ２＋＋２ｅ−）。金属部材６４ｂは、ウエハＷ上から流れ出てウエハＷ上に戻ることのないめっき液に溶解するため、配線部を被覆するめっき液に取り込まれてしまうおそれがほとんどない。この電子は、金属部材６４ｂから押圧ピン６４およびウエハＷを通ってウエハＷ上の配線部に供給される。すなわち、金属部材６４ｂとウエハＷ上の配線部とが非接触状態で電子の受け渡しを行うことができるため、金属部材６４ｂによって配線部が傷付いてしまうといったことがない。これにより、配線部の電位が上昇して、ウエハＷ上の配線部とめっき液界面との電位が非平衡状態となり、配線部へのめっき液による金属膜の析出を促進し、めっきを開始させることとなる。したがって、ウエハＷまたは半導体デバイスの品質を損なうことなく、Ｃｕからなる配線部に還元作用の弱い還元剤Ｐを含むめっきを確実に被覆することができる。
【００６８】
なお、押圧ピン６４を、図６（ｃ）に示すように、ウエハＷの縁部との当接部６４ａのみ導電性ＰＥＥＫ製とした場合には、無電解めっき処理の際に、通電ライン６４ｃのスイッチ部６４ｄを切り替えて当接部６４ａと金属部材６４ｂとを電気的に導通可能にする。これにより、金属部材６４ｂがめっき液に溶解して発生した電子は、金属部材６４ｂから通電ライン６４ｃ、当接部６４ａ、ウエハＷを通ってウエハＷ上の配線部に供給され、配線部へのめっき液による金属膜、の析出を促進することとなる。
【００６９】
ウエハＷの無電解めっき処理が終了すると、アンダープレート４８の処理流体供給口８１からの純水の供給が停止されるとともに、インナーカップ４７が退避位置に下降する。そして、薬液ノズル５１ａによりウエハＷ上に薬液貯留タンク７１からの薬液が供給され、ウエハＷの後洗浄処理が行われる（ステップ５−５）。これにより、ウエハＷ上に付着していためっき液の残渣が除去されてコンタミネーションが防止される。ウエハＷから振り切られたり流れ落ちたりした薬液は、ドレイン８５から排液され、再利用または廃棄される。
【００７０】
ウエハＷの後洗浄処理が終了すると、押圧ピン６４に設けられた通電ライン６４ｃのスイッチ部６４ｄが切り替えられてウエハＷがアースされ（図６（ａ）参照）、薬液ノズル５１ａによりウエハＷ上に純水が供給されて、ウエハＷのリンス処理が行われる（ステップ５−６）。リンス処理時には、最初に薬液ノズル５１ａ内に残留していた薬液が吐出されて薬液ノズル５１ａ内の洗浄が同時に行われる。
【００７１】
なお、リンス処理においては、薬液ノズル５１ａからの純水の供給を一時的に停止してウエハＷを高速回転させ、ウエハＷ上の純水を一旦除去した後に、ウエハＷの回転数を戻して再びウエハＷ上に純水を供給するという手順を繰り返して行ってもよい。
【００７２】
リンス処理時またはリンス処理後には、アンダープレート４８が下降してウエハＷと離間する。そして、リンス処理が完全に終了すると、スピンチャック４６によってウエハＷを回転させるとともに、薬液ノズル５１ａからウエハＷ上に窒素ガスを供給してウエハＷの乾燥処理を行う（ステップ５−７）。
【００７３】
乾燥処理の際には、下降したアンダープレート４８の処理流体供給口８１からウエハＷの裏面に窒素ガスを供給するとともに、アンダープレート４８が再び上昇してウエハＷに近接し、ウエハＷの裏面を乾燥する。ウエハＷの乾燥処理は、例えば、ウエハＷを所定の時間低速回転してから所定の時間高速回転させることにより行うことができる。
【００７４】
ウエハＷの乾燥処理が終了すると、必要に応じて、ノズル昇降機構５６ａによりノズル部５１が所定の高さに移動し、ノズルスライド機構５６ｂによりノズル部５１の先端部分がノズル格納室５０内に格納されて、窓部４３ａが閉塞される。次に、アンダープレート４８が降下してウエハＷと離間し、ウエハＷが、押圧ピン６４による押圧から開放されて、載置ピン６３のみで支持される状態となる。続いて、窓部４４ａおよび窓部４５ａが開放され、搬送アーム３４がアウターチャンバ４３内に進入して、載置ピン６３に支持されたウエハＷを受け取る。その後、ウエハＷを受け取った搬送アーム３４が無電解めっきユニット（ＰＷ）１２から退出し、窓部４４ａおよび窓部４５ａが閉塞される。
【００７５】
無電解めっきユニット（ＰＷ）１２でのウエハＷの無電解めっき処理が終了すると、主搬送装置１８は、搬送アーム３４によって受け取ったウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）１９に搬送し、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９でウエハＷをポストベーク処理して（ステップ６）、ウエハＷ上配線部に被覆されためっき膜に含有する有機物を昇華させるとともに、ウエハＷ上の配線部とめっき膜との付着性を高める。そして、主ウエハ搬送装置１８が、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９内のウエハＷを冷却ユニット（ＣＯＬ）２２に搬送し、冷却ユニット（ＣＯＬ）２２でウエハＷを冷却処理する（ステップ７）。
【００７６】
冷却ユニット（ＣＯＬ）２２でのウエハＷの冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送装置１８は、搬送アーム３４によってウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６に搬送して載置し（ステップ８）、次に、搬送ピック１１がウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６に載置されたウエハＷを取り出して、そのウエハＷが収納されていたフープＦの元のスロットに収納することとなる（ステップ９）。
【００７７】
無電解めっきシステム１では、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）２６により、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２内の雰囲気がウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）１６および主ウエハ搬送機構１８が設けられた搬送室内に流入しないように、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２内よりも搬送室内のほうが陽圧に保持され、搬送室内の雰囲気がホットプレートユニット（ＨＰ）１９および冷却ユニット（ＣＯＬ）２２内に流入しないように、搬送室内よりもホットプレートユニット（ＨＰ）１９および冷却ユニット（ＣＯＬ）２２内のほうが陽圧に保持されている。したがって、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２内から搬送室内へのパーティクル等の侵入が防止され、搬送室内からホットプレートユニット（ＨＰ）１９および冷却ユニット（ＣＯＬ）２２内へのパーティクル等の侵入が防止される。すなわち、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２内からホットプレートユニット（ＨＰ）１９および冷却ユニット（ＣＯＬ）２２内へのパーティクル等の侵入が防止されるため、加熱処理によって清浄になったウエハＷの表面の酸化および汚染を確実に防止することができ、ウエハＷ上の配線部への良好なめっき被膜を得ることができる。なお、搬送室内の雰囲気が、無電解めっきシステム１自体が設置された例えばクリーンルーム内に流入しないように、クリーンルーム内のほうが搬送室内よりも陽圧に保持されている。
【００７８】
なお、無電解めっきユニット（ＰＷ）１２は、図１１に示すように（図１１はトッププレートを有する無電解めっき装置１２の概略断面図）、アウターチャンバ４３内に、スピンチャック４６に支持されたウエハＷ上と対向するトッププレート４９を設けた構成とすることもできる。トッププレート４９は、枢軸１００の下端に接続されており、モータ１０２によって回転可能となっている。枢軸１００は、水平板１０１の下面に回転自在に支持され、水平板１０１は、アウターチャンバ４３の上壁に固定されたエアシリンダ等からなる昇降機構１０３により昇降可能である。枢軸１００およびトッププレート４９には、スピンチャック４６に支持されたウエハＷ上に純水を供給することができる純水供給孔１０５が設けられている。
【００７９】
スピンチャック４６と搬送アーム３４との間でウエハＷの受け渡しが行われる際には、トッププレート４９は、搬送アーム３４と衝突しないようにアウターチャンバ４３の上壁に近い位置に保持される。ウエハＷ上の洗浄処理または無電解めっき処理を行う際には、薬液ノズル５１ａまたはめっき液ノズル５１ｃによってウエハＷ上に薬液またはめっき液が供給されてパドルが形成された後に、トッププレート４９を降下させてパドルに接触させ、ウエハＷ上とトッププレート４９の間に薬液層またはめっき液層を形成する。この際に、薬液またはめっき液の温度が低下しないように、トッププレート４９には図示しないヒータを内蔵させることが好ましい。また、ウエハＷのリンス処理は、例えば、純水供給孔１０５からウエハＷに純水を供給しながら、トッププレート４９とウエハＷを所定の回転数で回転させることによって行うことができる。
【００８０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、めっき液に溶解して電子を発生する金属部材は、基板を支持する支持部材の基板との当接部に設けてもよい。この場合には、金属部材が導電部を兼ねることになる。また、基板、基板上の配線部、めっき液、支持部材および金属部材はそれぞれ、上記実施形態の材料に限らず、他の材料を用いて形成してもよい。さらに、基板は、半導体ウエハに限らず、その他のＬＣＤ用ガラス基板やセラミック基板等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明に係る無電解めっき装置を具備した無電解めっきシステムの概略構造を示す平面図である。
【図２】無電解めっきシステムの概略構造を示す側面図である。
【図３】無電解めっきシステムの概略構造を示す断面図である。
【図４】無電解めっき装置の概略平面図である。
【図５】無電解めっき装置の概略断面図である。
【図６】無電解めっき装置に設けられた押圧ピンの要部を示す断面図である。
【図７】無電解めっき装置に設けられたノズル部および処理液供給システムの概略構成を示す図である。
【図８】ノズル部の動作態様（移動態様）を説明するための図である。
【図９】無電解めっきシステムにおけるウエハの処理工程の概略を示すフローチャートである。
【図１０】無電解めっき装置におけるウエハの処理工程の概略を示すフローチャートである。
【図１１】トッププレートを有する無電解めっき装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１２；無電解めっきユニット（ＰＷ）（無電解めっき装置）
６４；押圧ピン（支持部材）
６４ａ；当接部（導電部）
６４ｂ；金属部材
６４ｃ；通電ライン
６４ｄ；スイッチ部
Ｗ；ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007154298.tif 000010
【図８】
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【図９】
2007154298.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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