(57)【要約】      （修正有）【課題】ゲートドライバーの回路をより単純化し、製造費用をより低減したプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】サステイン信号を供給するための第１のスイッチング素子M20,M30,M40,M60，２スイッチング素子M50,M70を備えるサステインドライバー５００と、前記第１，２スイッチング素子それぞれを駆動するための第１ゲートドライバー510a〜d，２ゲートドライバー520a,520bとを備え、前記第１ゲートドライバーが、前記第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を前記第１ゲートドライバーの駆動電圧源P6から供給され、前記第２ゲートドライバーが、前記第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を前記第２ゲートドライバーの補助電圧P5から供給される様構成する。【選択図】図５
2007072471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、
前記電極にサステイン信号を供給し、前記サステイン信号を供給するための第１，２スイッチング素子を備えるサステインドライバーと、
前記第１，２スイッチング素子それぞれを駆動するための第１，２ゲートドライバーと
を備え、
前記第１ゲートドライバーは、前記第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を前記第１ゲートドライバーの駆動電圧源から供給され、
前記第２ゲートドライバーが、前記第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を供給する駆動電圧源を備え、
前記第２スイッチング素子が前記駆動電圧により駆動されるように前記駆動電圧を補助する補助電圧を前記第２ゲートドライバーの外部から供給されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２ゲートドライバーは、前記補助電圧を前記サステインドライバーのキャパシタから供給されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記補助電圧は、前記サステインドライバーのキャパシタから電圧を供給されて、前記第２スイッチング素子のゲート端に直列に接続した補助充電キャパシタに充電されて形成されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記補助充電キャパシタの両端には、それぞれの抵抗が直列に接続し、前記それぞれの抵抗が、前記サステインドライバーのキャパシタと直列に接続することを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記サステインドライバーは、前記電極に第１電圧から第２電圧まで共振により上昇し、前記第２電圧から第３電圧まで共振により上昇する信号を供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記サステインドライバーは、
前記電極に前記第１電圧から前記第２電圧まで共振により上昇した以後、前記第２電圧を所定の期間の間に維持するサステイン信号を供給することを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１電圧は、実質的にグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ）であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第３電圧は、実質的にサステイン電圧であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第２電圧は、実質的にサステイン電圧の半分であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記電極は、サステイン電極又はスキャン電極のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、
前記電極にサステイン信号を供給し、前記サステイン信号を供給するための第１，２，３スイッチング素子を備えるサステインドライバーと、
前記第１，２，３スイッチング素子それぞれを駆動するための第１，２，３ゲートドライバーと
を備え、
前記第１ゲートドライバーは、前記第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を前記第１ゲートドライバーの駆動電圧源から供給され、
前記第２ゲートドライバーは、前記第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を供給する駆動電圧源を備え、前記第２スイッチング素子が前記駆動電圧により駆動されるように、前記駆動電圧を補助する補助電圧を前記第２ゲートドライバーの外部から供給され、
前記第３ゲートドライバーは、前記第３スイッチング素子を駆動する駆動電圧を他のゲートドライバーから供給されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第２ゲートドライバーは、前記補助電圧を前記サステインドライバーのキャパシタから供給されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記補助電圧は、前記サステインドライバーのキャパシタから電圧を供給されて、前記第２スイッチング素子のゲート端に直列に接続した補助充電キャパシタに充電されて形成されることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記補助充電キャパシタの両端には、それぞれの抵抗が直列に接続し、前記それぞれの抵抗は、前記サステインドライバーのキャパシタと直列に接続することを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記第３ゲートドライバーは、前記第３ゲートドライバーの駆動電圧を前記第１ゲートドライバーから供給されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記駆動電圧は、前記第１スイッチング素子がターンオンする間、前記第１ゲートドライバーから前記第３ゲートドライバーに供給されることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記駆動電圧は、前記第１ゲートドライバーの充電キャパシタから電圧を供給されて、前記第３ゲートドライバーに備えられた充電キャパシタに充電されて形成されることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第３ゲートドライバーの充電キャパシタと前記第１ゲートドライバーの充電キャパシタとの間には、ダイオードがさらに備えられることを特徴とする請求項１７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記ダイオードのカソードは、前記第３ゲートドライバーの充電キャパシタと電気的に接続し、前記ダイオードのアノードが、前記第１ゲートドライバーの充電キャパシタと電気的に接続することを特徴とする請求項１８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記サステインドライバーは、前記電極にグラウンドレベルの電圧からサステイン電圧の半分の電圧まで共振により上昇し、
前記サステイン電圧の半分の電圧からサステイン電圧まで共振により上昇する信号を供給することを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイ装置は、画像を表示するプラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルを駆動する駆動部がプラズマディスプレイパネルの背面に付着されて形成される。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは、画像が表示されるプラズマディスプレイパネルの前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁により形成された複数の放電セルを有するものであって、各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）又はネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノンとを含有する不活性ガスが充填されている。このような放電セルは、複数個が集まって１つのピクセルをなす。例えば、赤色（Ｒｅｄ，Ｒ）放電セル、緑色（Ｇｒｅｅｎ，Ｇ）放電セル、青色（Ｂｌｕｅ，Ｂ）放電セルが集まって１つのピクセルをなす。
【０００４】
駆動部は、このようなプラズマディスプレイパネルを駆動するための様々な機能の駆動信号を供給する。
【０００５】
このような駆動部のうち、各放電セル内の放電が維持されるように高電圧のサステイン信号を供給することがサステインドライバーである。
【０００６】
サステインドライバーが、このように高い電圧を含むサステイン信号を制御し供給するために、サステインドライバーのスイッチング素子も高い電圧を制御するスイッチング素子で構成される。
【０００７】
サステインドライバーのスイッチング素子は、制御部から供給される低電圧の制御信号により直接制御されるものではなく、サステインドライバーのスイッチング素子のゲート端を制御するゲートドライバーに制御信号が供給されて、ゲートドライバーにより制御される。
【０００８】
図１は、一般的なサステインドライバー及びゲートドライバーについて説明するための図である。
【０００９】
同図に示すように、サステインドライバー１００の各スイッチング素子ＭＨ，ＭＬには、各スイッチング素子ＭＨ，ＭＬを制御するためのゲートドライバー回路１１０，１２０が電気的に接続する。
【００１０】
ここで、各スイッチング素子ＭＨ，ＭＬは、ゲート端Ｇがソース端Ｓより５〜１５Ｖ以上であれば、ターンオンし、５〜１５Ｖ以下であれば、ターンオフする。
【００１１】
ここで、各スイッチング素子ＭＨ，ＭＬを制御するためのゲートドライバー回路１１０，１２０をブートストラップ方式の回路という。
【００１２】
ブートストラップ方式の回路は、印加電圧Ｖｓと接地電圧（ＧＮＤ）を選択的に出力端Ｖｏｕｔに供給するためのスイッチング素子ＭＨ，ＭＬを制御信号ＨＩ，ＬＩを利用してターンオン又はターンオフするためのものであって、ＦＥＴスイッチング素子に接続するブートストラップ回路とは、充電キャパシタＣＨ，ＣＬを利用して、各スイッチング素子ＭＨ，ＭＬのゲート端Ｇにソース端Ｓより５〜１５Ｖ以上の高い電圧を供給させる回路を意味する。
【００１３】
同図に示すように、サステイン信号のグラウンド電圧を供給するスイッチング素子ＭＬと、サステイン信号のサステイン電圧を供給するスイッチング素子ＭＨがそれぞれ１個ずつある場合、スイッチング素子ＭＬがターンオンするための電圧は、ゲート端Ｇとソース端Ｓとの間の電圧差が１５Ｖ程度であれば良い。
【００１４】
したがって、ゲートドライバー１１０は、第１電流パスに沿って１５Ｖ電源Ｐを利用して充電キャパシタＣＬに駆動電圧を充電した後、ラインＬＩに供給される制御信号により、Ｖｃｃ端とＬＯ端とが互いに接続するように動作して、スイッチング素子ＭＬのゲート端に充電キャパシタＣＬに充電された電圧を供給することによって、ゲート端とソース端との間に１５Ｖの電圧差を発生させて、スイッチング素子ＭＬをターンオンさせることができる。
【００１５】
また、ゲートドライバー１１０は、ＬＯ端とＣＯＭ端とを互いに接続させる制御信号により、スイッチング素子ＭＬをターンオフさせる。
【００１６】
ゲートドライバー１２０もスイッチング素子ＭＨのゲート端に駆動電圧を供給して、ゲート端とソース端との間に１５Ｖの電圧差を発生させて、スイッチング素子ＭＨをターンオンさせることができる。
【００１７】
ここで、スイッチング素子ＭＨのゲート端とソース端との間に１５Ｖの電圧差を発生するために、充電キャパシタＣＨに１５Ｖの電圧を充電しなければならない。
【００１８】
但し、ここで、充電キャパシタＣＨが充電されるためには、スイッチング素子ＭＬがターンオンしなければならない。それは、スイッチング素子ＭＬがターンオンすることにより、１５Ｖの定電圧源の電圧がＣＨキャパシタに充電され得る第２電流パスが形成されるためである。
【００１９】
さらに詳細には、スイッチング素子ＭＬがターンオンして出力電圧Ｖｏｕｔがグラウンドレベルの電圧となる時点において、同図に示すような電流パスが形成されて、１５Ｖ電源Ｐ電圧がダイオードＤを介して充電キャパシタＣＨが充電されて、スイッチング素子ＭＨの駆動電圧が形成される。
【００２０】
以後、充電キャパシタＣＨが充電されて、スイッチング素子ＭＨの駆動電圧は、ラインＨＩに供給される制御信号によりゲートドライバー１２０のＶｂ端とＨＯ端とが互いに接続して、スイッチング素子ＭＨのゲート端に充電キャパシタＣＨに充電された電圧を供給することによって、ゲート端とソース端との間に１５Ｖの電圧差を発生させて、スイッチング素子ＭＨをターンオンさせることができる。
【００２１】
また、ゲートドライバー１２０は、ＨＯ端とＶb端とを互いに接続させる制御信号により、スイッチング素子ＭＨをターンオフさせる。
【００２２】
ここで、ゲートドライバー１１０のような回路をブートストラップ（Ｂｏｏｔ−Ｓｔｒａｐ）方式の回路といい、ゲートドライバー１２０のように駆動電圧を他のゲートドライバーの電圧源から供給される回路をブートストラップチェーン（Ｂｏｏｔ−Ｓｔｒａｐ  Ｃｈａｉｎ）方式の回路という。
【００２３】
同図に示すように、サステインドライバーがサステイン信号として正極性サステイン電圧のみを供給する場合には、サステインドライバーのスイッチを駆動するための回路として、ブートストラップ回路又はブートストラップチェーン回路の適用が容易である。
【００２４】
しかしながら、サステインドライバーがサステイン信号として正極性サステイン電圧の半分の電圧２／Ｖｓ、正極性サステイン電圧Ｖｓのように、多様なレベルの電圧を供給する場合には、上述したようなブートストラップ回路又はブートストラップチェーン回路のみでサステインドライバーを制御することができないという問題が発生する。
【００２５】
これは、ブートストラップチェーン回路であるゲートドライバー１２０の場合、サステインドライバーのスイッチング素子ＭＬがターンオンして、充電キャパシタＣＨの一方がグラウンド電圧レベル（ＧＮＤ）と接続する場合のみに電流パスが形成されて、１５Ｖ電源Ｐの電圧が充電キャパシタＣＨに供給されることができるためである。
【００２６】
このような場合には、充電キャパシタに充電するための電圧源として、体積と電力消費の大きいフローティング電源を使用せざるをえないという問題が発生する。
【００２７】
このようなフローティング電源を物理的に具現するためには、同図に示す電源Ｐより相対的に大きい面積が求められ、回路構成要素が複雑に追加されるだけでなく、比較的高価の素子が求められるため、製造費用が上昇するという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、サステインドライバーのスイッチング素子を制御するゲートドライバーにおいてフローティング電源を使用せず、接地を基準とする電源を使用することにより、ゲートドライバーの回路がより単純化し、製造費用がより低減したプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記目的を達成すべく、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の一例によれば、電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、前記電極にサステイン信号を供給し、前記サステイン信号を供給するための第１，２スイッチング素子を備えるサステインドライバーと、前記第１，２スイッチング素子それぞれを駆動するための第１，２ゲートドライバーとを備え、前記第１ゲートドライバーが、前記第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を前記第１ゲートドライバーの駆動電圧源から供給され、前記第２ゲートドライバーが、前記第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を供給する駆動電圧源を備え、前記第２スイッチング素子が前記駆動電圧により駆動されるように前記駆動電圧を補助する補助電圧を前記第２ゲートドライバーの外部から供給される。
【００３０】
また、プラズマディスプレイ装置の他の一例によれば、電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、前記電極にサステイン信号を供給し、前記サステイン信号を供給するための第１，２，３スイッチング素子を備えるサステインドライバーと、前記第１，２，３スイッチング素子それぞれを駆動するための第１，２，３ゲートドライバーとを備え、前記第１ゲートドライバーが、前記第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を前記第１ゲートドライバーの駆動電圧源から供給され、前記第２ゲートドライバーが、前記第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を供給する駆動電圧源を備え、前記第２スイッチング素子が前記駆動電圧により駆動されるように、前記駆動電圧を補助する補助電圧を前記第２ゲートドライバーの外部から供給され、前記第３ゲートドライバーが、前記第３スイッチング素子を駆動する駆動電圧を他のゲートドライバーから供給される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、ゲートドライバーの回路がより単純化し、製造費用がより低減したプラズマディスプレイ装置を得ることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面に基づき詳細に説明する。
【００３３】
プラズマディスプレイ装置の一例は、電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、電極にサステイン信号を供給し、サステイン信号を供給するための第１，２スイッチング素子を備えるサステインドライバーと、第１，２スイッチング素子それぞれを駆動するための第１，２ゲートドライバーとを備え、第１ゲートドライバーが、第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を第１ゲートドライバーの駆動電圧源から供給され、第２ゲートドライバーが、第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を供給する駆動電圧源を備え、第２スイッチング素子が駆動電圧により駆動されるように駆動電圧を補助する補助電圧を第２ゲートドライバーの外部から供給される。
【００３４】
ここで、第２ゲートドライバーが、補助電圧をサステインドライバーのキャパシタから供給されることが好ましい。
【００３５】
ここで、補助電圧は、サステインドライバーのキャパシタから電圧を供給されて、第２スイッチング素子のゲート端に直列に接続した補助充電キャパシタに充電されて形成されることが好ましい。
【００３６】
ここで、補助充電キャパシタの両端には、それぞれの抵抗が直列に接続し、それぞれの抵抗が、サステインドライバーのキャパシタと直列に接続することが好ましい。
【００３７】
また、サステインドライバーは、電極に第１電圧から第２電圧まで共振により上昇し、第２電圧から第３電圧まで共振により上昇する信号を供給することが好ましい。
【００３８】
また、サステインドライバーは、電極に第１電圧から第２電圧まで共振により上昇した以後、第２電圧を所定の期間の間に維持するサステイン信号を供給することがが好ましい。
【００３９】
ここで、第１電圧は、実質的にグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ）であることが好ましい。
【００４０】
また、第３電圧は、実質的にサステイン電圧であることが好ましい。
【００４１】
また、第２電圧は、実質的にサステイン電圧の半分であることが好ましい。
【００４２】
また、電極は、サステイン電極又はスキャン電極のうちのいずれかであることが好ましい。
【００４３】
プラズマディスプレイ装置の他の一例は、電極を備えるプラズマディスプレイパネルと、電極にサステイン信号を供給し、サステイン信号を供給するための第１，２，３スイッチング素子を備えるサステインドライバーと、第１，２，３スイッチング素子それぞれを駆動するための第１，２，３ゲートドライバーとを備え、第１ゲートドライバーが、第１スイッチング素子を駆動する駆動電圧を第１ゲートドライバーの駆動電圧源から供給され、第２ゲートドライバーが、第２スイッチング素子を駆動する駆動電圧を供給する駆動電圧源を備え、第２スイッチング素子が駆動電圧により駆動されるように、駆動電圧を補助する補助電圧を第２ゲートドライバーの外部から供給され、第３ゲートドライバーが、第３スイッチング素子を駆動する駆動電圧を他のゲートドライバーから供給される。
【００４４】
ここで、第２ゲートドライバーは、補助電圧をサステインドライバーのキャパシタから供給されることが好ましい。
【００４５】
また、補助電圧は、サステインドライバーのキャパシタから電圧を供給されて、第２スイッチング素子のゲート端に直列に接続した補助充電キャパシタに充電されて形成されることが好ましい。
【００４６】
また、補助充電キャパシタの両端には、それぞれの抵抗が直列に接続し、それぞれの抵抗が、サステインドライバーのキャパシタと直列に接続することが好ましい。
【００４７】
また、第３ゲートドライバーは、第３ゲートドライバーの駆動電圧を第１ゲートドライバーから供給されることが好ましい。
【００４８】
ここで、駆動電圧は、第１スイッチング素子がターンオンする間、第１ゲートドライバーから第３ゲートドライバーに供給されることが好ましい。
【００４９】
また、駆動電圧は、第１ゲートドライバーの充電キャパシタから電圧を供給されて、第３ゲートドライバーに備えられた充電キャパシタに充電されて形成されることが好ましい。
【００５０】
また、第３ゲートドライバーの充電キャパシタと第１ゲートドライバーの充電キャパシタとの間には、ダイオードがさらに備えられることを特徴が好ましい。
【００５１】
また、ダイオードのカソードが、第３ゲートドライバーの充電キャパシタと電気的に接続し、ダイオードのアノードが、第１ゲートドライバーの充電キャパシタと電気的に接続することが好ましい。
【００５２】
また、サステインドライバーが、電極にグラウンドレベルの電圧からサステイン電圧の半分の電圧まで共振により上昇し、
サステイン電圧の半分の電圧からサステイン電圧まで共振により上昇する信号を供給することが好ましい。
【００５３】
上記のようなプラズマディスプレイ装置の一例を、添付した図面を参照して詳細に説明すれば、次の通りである。
【００５４】
図２は、プラズマディスプレイ装置の一例を説明するための図である。
【００５５】
同図に示すように、プラズマディスプレイ装置の一例は、プラズマディスプレイパネル２００、第１駆動部２１０、第２駆動部２２０及び第３駆動部２３０を備える。
【００５６】
第１駆動部２１０及び第２駆動部２２０は、サステインドライバーを備え、第３駆動部２３０は、データ駆動部を備える。
【００５７】
第１駆動部２１０は、プラズマディスプレイパネル２００の第１電極Ｙ１〜Ｙｎを駆動する。
【００５８】
ここで、第１駆動部２１０は、サステインドライバーを備え、サステインドライバーは、放電を維持して映像が表示され得るようにマルチレベルのサステイン信号をサステイン期間において第１電極Ｙ１〜Ｙｎに供給できる。
【００５９】
例えば、マルチレベルのサステイン信号は、正極性サステイン電圧の半分、正極性サステイン電圧を含むことができる。
【００６０】
このようなサステインドライバーは、サステイン信号を制御するための複数のスイッチング素子を備え、このような複数のスイッチング素子は、ゲートドライバーの制御される。
【００６１】
このようなゲートドライバーは、少なくとも２種類のゲートドライバーを備える。このようなゲートドライバーについては、図５以下を通じて説明する。
【００６２】
また、第１駆動部２１０は、第１電極Ｙ１〜Ｙｎに放電セル内に壁電荷が均一に形成されるように、リセット期間においてリセット信号を供給することができ、アドレス期間においてスキャン基準電圧、スキャン信号を供給することができる。
【００６３】
第２駆動部２２０は、プラズマディスプレイパネル２００の第２電極Ｚを駆動する。
【００６４】
ここで、第２駆動部２２０は、サステインドライバーを備え、このようなサステインドライバーは、サステイン期間においてマルチレベルのサステイン信号を供給することができる。
【００６５】
第３駆動部２３０は、データ駆動部を備え、データ駆動部は、アドレス期間においてプラズマディスプレイパネル２００に形成された第３電極Ｘ１〜Ｘｍにデータ信号を供給する。
【００６６】
図３は、図２に示すプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図である。
【００６７】
同図に示すように、プラズマディスプレイパネル２００は、画像がディスプレイされる表示面である前面基板３０１に放電を維持する第１電極３０２，Ｙ及び第２電極３０３，Ｚが形成された前面パネル３００と、背面をなす後面基板３１１上に上述した第１電極３０２，Ｙと第２電極３０３，Ｚに交差するように複数の第３電極３１３，Ｘが配列された後面パネル３１０とが一定距離を隔てて並列に結合される。
【００６８】
前面パネル３００は、１つの放電空間、すなわち放電セルで相互放電させ、放電セルの発光を維持するための第１電極３０２，Ｙ及び第２電極３０３，Ｚが備えられる。このような維持電極は、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極ａ及び金属材質で製作されたバス電極ｂで備えられた第１電極３０２，Ｙ及び第２電極３０３，Ｚが対をなして形成されることができる。第１電極３０２，Ｙ及び第２電極３０３，Ｚは、放電電流を制限し、電極対間を絶縁させる１つ以上の上部誘電体層３０４により覆われ、上部誘電体層３０４の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層３０５が形成されることができる。
【００６９】
後面パネル３１０は、複数個の放電空間すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（又はウェルタイプ）の隔壁３１２が並列に配列され得る。また、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数の第３電極３１３，Ｘが隔壁３１２に対して並列に配置されることができる。後面パネル３１０の上側面には、アドレス放電の際の画像表示のための可視光線を放出するＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体３１４が塗布される。第３電極３１３，Ｘと蛍光体３１４との間には、第３電極３１３，Ｘを保護するための下部誘電体層３１５が形成されることができる。
【００７０】
この図３では、プラズマディスプレイパネル２００の一例のみを示し説明したもので、このような構造に限定されるものではない。
【００７１】
例えば、図３では、上述した維持電極である第１電極３０２，Ｙ及び第２電極３０３，Ｚは、それぞれ透明電極３０２ａ，３０３ａ及びバス電極３０２ｂ，３０３ｂからなることのみを示しているが、これとは異なり、第１電極３０２，Ｙと第２電極３０３，Ｚのうちの１つ以上は、バス電極３０２ｂ，３０３ｂのみからなることも可能である。
【００７２】
また、例えば、図面では、上部誘電体層３０４の厚さを一定に示したが、上部誘電体層３０４は、領域別に厚さと誘電定数が異なることもあり、隔壁３１２の間隔を一定に示したが、ホワイトバランスを合せるために、Ｂ放電セルの隔壁３１２の間隔がより広く形成されることもできる。
【００７３】
また、隔壁３１２の側面が凹凸状になるようにし、塗布される蛍光体層３１４も凹凸の形状に沿って形成させることにより、プラズマディスプレイパネル２００に具現される映像の輝度をより高くすることができる。
【００７４】
また、プラズマディスプレイパネルを製造する工程において、排気特性の向上のために、隔壁３１２の側面にトンネルが形成されることもできる。
【００７５】
次は、図２において上述したそれぞれの駆動部２１０，２２０，２３０がプラズマディスプレイパネル２００の複数の電極を駆動させるための駆動方法の一例を、添付した図４を参照して詳細に説明すれば、次の通りである。
【００７６】
図４は、プラズマディスプレイパネルを駆動する方法の一例を説明するための図である。
【００７７】
同図に示すように、図２において上述したそれぞれの駆動部２１０，２２０，２３０は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間の間に第１電極Ｙ、第２電極Ｚ及び第３電極Ｘに駆動信号を供給する。
【００７８】
第１駆動部２１０は、リセット期間のセットアップ期間では、第１電極Ｙに示すようなセットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐを供給することができる。
【００７９】
このようなセットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐにより前画面の放電セル内には、弱い暗放電（Ｄａｒｋ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が起きる。このセットアップ放電により第２電極Ｚと第３電極Ｘ上には、正極性壁電荷が蓄積され、第１電極Ｙ上には、負極性の壁電荷が蓄積される。
【００８０】
また、第１駆動部２１０は、セットダウン期間において第１電極Ｙにセットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐを供給した後、セットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐの最高電圧より低い正極性電圧から落ち始めて、グラウンド（ＧＮＤ）レベル電圧以下の特定電圧レベルまで落ちるセットダウン信号Ｓｅｔ−ｄｏｗｎを供給することができる。これにより、放電セル内に微弱な消去放電を起こすことによって、放電セル内に過度に形成された壁電荷を十分に消去させるようになる。このセットダウン放電により、アドレス放電が安定して起きることができる程度の壁電荷が放電セル内に均一に残留する。
【００８１】
この図４では、リセット期間においてセットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐとセットダウン信号Ｓｅｔ−ｄｏｗｎが全て供給される場合に対してのみ例に挙げたが、これとは異なり、セットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐとセットダウン信号Ｓｅｔ−ｄｏｗｎのうちの少なくとも１つは、グラウンドレベルの電圧を維持させることもでき、セットアップ信号Ｓｅｔ−ｕｐがセットアップ期間の間、正極性サステイン電圧と同じレベルの電圧に維持される信号となるようにすることができる。
【００８２】
また、第１駆動部２１０は、アドレス期間においてスキャン基準電圧Ｖｓｃを第１電極に供給し、第３駆動部２３０が供給するデータ信号Ｖａがアドレス期間中に第３電極に供給される時点に合せることにより、第１駆動部２１０は、スキャン基準電圧Ｖｓｃから負極性電圧−Ｖｙまで下降するスキャン信号Ｓｃａｎを第１電極Ｙに供給できる。
【００８３】
このようなスキャン信号Ｓｃａｎとデータ信号Ｖａとの電圧差と、リセット期間に生成された壁電圧とが加算され、かつデータ信号Ｖａが供給される放電セル内にはアドレス放電が発生する。
【００８４】
このようなアドレス放電により選択された放電セル内には、サステイン電圧Ｖｓが印加される際、放電をおこす程度の壁電荷が形成される。これにより、第１電極Ｙがスキャニングされる。
【００８５】
図４では、第１駆動部２１０がアドレス期間の間に第１電極Ｙにスキャン基準電圧Ｖｓｃを供給することを一例に挙げて説明したが、これとは異なり、スキャン基準電圧Ｖｓｃの代わりに、スキャンバイアス電圧−Ｖｙ＋Ｖｓｃを供給することもできる。
【００８６】
サステイン期間では、第１駆動部１１０に備えられたサステインドライバーと第２駆動部１２０に備えられたサステインドライバーは、第１電極Ｙと第２電極Ｚとにサステイン信号を交互に供給できる。
【００８７】
ここで、サステイン信号は、同図に示すように、正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２、正極性サステイン電圧Ｖｓのような多様な電圧を含む。
【００８８】
また、第１電極Ｙと第２電極Ｚに互いに交互に供給されるサステイン信号は、一部又は全てが重なるように供給されることができる。
【００８９】
このようにサステイン期間の間に供給されるサステイン信号により、アドレス放電により選択された放電セルは、放電セル内の壁電圧とサステイン信号ｓｕｓとが加算されながら、毎サステイン信号ｓｕｓが印加されるごとに、第１電極Ｙと第２電極Ｚとの間にサステイン放電すなわち、表示放電がおきるようになる。
【００９０】
このような駆動方法は、一例として説明したものであって、消去期間がさらに追加されることもできる。
【００９１】
図５は、図４に示すサステイン信号を供給するためのサステインドライバー及びゲートドライバーについて説明するための図である。
【００９２】
同図に示すように、サステイン信号を供給するためのサステインドライバー５００は、第１スイッチング素子Ｍ２０，Ｍ３０，Ｍ４０，Ｍ６０、第２スイッチング素子Ｍ５０，Ｍ７０、第３スイッチング素子Ｍ１０，Ｍ８０と複数個のインダクターＬ１〜Ｌ４、複数個のキャパシタＣ１１〜Ｃ１４を備える。
【００９３】
このようなサステインドライバー５００は、正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２、正極性サステイン電圧Ｖｓを含むマルチ電圧レベルのサステイン信号を供給することができる。
【００９４】
また、図１に示す第１駆動部又は第２駆動部のうち、少なくとも１つに備えられることができる。
【００９５】
このようなサステインドライバー５００が動作する方法は、図７及び図８ａ〜図８ｈを通じて詳細に説明する。
【００９６】
ここで、第１，２，３スイッチング素子Ｍ１０〜Ｍ８０は、ゲート端の電圧がソース端の電圧より５〜１５Ｖ以上高ければターンオンし、５〜１５Ｖ以下であればターンオフする。
【００９７】
制御信号を供給して、上述した第１，２，３スイッチング素子Ｍ１０〜Ｍ８０を制御するためのゲートドライバーは、第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂ，５１０ｃ，５１０ｄ、第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂ、第３ゲートドライバーら５３０ａ，５３０ｂを備える。
【００９８】
それぞれの第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂ，５１０ｃ，５１０ｄは、それぞれのラインＨＩ又はラインＬＩを介して供給されたそれぞれの制御信号に応じて、それぞれの第１スイッチング素子Ｍ２０，Ｍ３０，Ｍ４０，Ｍ６０を制御する。
【００９９】
このような第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂ，５１０ｃ，５１０ｄは、駆動電圧源Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ６、駆動電圧源Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ６から供給された電圧を充電して駆動電圧を形成する充電キャパシタＣ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ６を備え、回路動作の安定性確保のために、ダイオードＤ２，Ｄ３，Ｄ５をさらに備えることができる。
【０１００】
このような第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂ，５１０ｃ，５１０ｄが第１スイッチング素子Ｍ２０，Ｍ３０，Ｍ４０，Ｍ６０を制御する方法を、５１０ｃを一例に挙げて説明すれば、次の通りである。
【０１０１】
第１ゲートドライバー５１０ｃの駆動電圧源Ｐ３は、１５Ｖの定電圧をダイオードＤ３を介して充電キャパシタＣ３に供給し、充電キャパシタＣ３に充電された１５Ｖ駆動電圧は、ラインＨＩ又はラインＬＩを介して供給された制御信号に応じて、ラインＨＩ又はラインＬＩの上段又は下段のスイッチをターンオンさせて、スイッチング素子Ｍ３０を制御する。
【０１０２】
ここで、仮りに、制御信号に応じてラインＨＩ又はラインＬＩの上段スイッチがターンオンすれば、スイッチング素子Ｍ３０のゲート端Ｇに充電キャパシタＣ３に充電された１５Ｖ駆動電圧が供給される。
【０１０３】
このようになれば、スイッチング素子Ｍ３０のゲート端Ｇとソース端Ｓとの間の電圧差が１５Ｖとなって、スイッチング素子Ｍ３０がターンオンする。
【０１０４】
そして、仮りに、制御信号に応じてラインＨＩ又はラインＬＩの下段スイッチがターンオンすれば、スイッチング素子Ｍ３０のゲート端Ｇとソース端Ｓとの間の電圧差が生じなくても、スイッチング素子Ｍ３０はターンオフする。
【０１０５】
このように、それぞれの第１ゲートドライバーは、それぞれの第１スイッチング素子がターンオン又はターンオフするように制御するものである。
【０１０６】
それぞれの第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂは、それぞれの第２スイッチング素子Ｍ５０，Ｍ７０を制御する。
【０１０７】
このような第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂは、駆動電圧源Ｐ７，Ｐ５から供給された電圧を充電して駆動電圧を形成する充電キャパシタＣ７，Ｃ５、第２スイッチング素子Ｍ５０，Ｍ７０が駆動電圧により駆動されるようにするために、駆動電圧を補助する補助電圧を第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂの外部から供給されて充電する補助充電キャパシタＣ９，Ｃ１０、補助充電キャパシタＣ９，Ｃ１０の両端にそれぞれ直列に接続する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備える。
【０１０８】
ここで、ゲートドライバー５２０ａを例に挙げて説明すれば、一方が、補助充電キャパシタＣ９の一方と第２スイッチング素子Ｍ７０のゲート端Ｇとの間に接続し、他方が、サステインドライバー５００のキャパシタＣ１２の一方に直列に接続した抵抗Ｒ２は、第２スイッチング素子Ｍ５０がターンオンするように、第２スイッチング素子Ｍ５０のゲート端Ｇとソース端Ｓとに１５Ｖ駆動電圧が形成されるようにする機能し、補助充電キャパシタＣ９の他方に一方が接続し、サステインドライバー５００のキャパシタＣ１２の他方に他方が接続した抵抗Ｒ１は、回路の安定性を確保する機能を果たす。
【０１０９】
このように、第２ゲートドライバーに補助電圧を供給することは、充電キャパシタＣ５，Ｃ７に駆動電圧が充電されていても、スイッチング素子Ｍ５，Ｍ７のソース端が駆動中にフローティングされるため、充電キャパシタＣ５，Ｃ７に充電された駆動電圧のみでは駆動できないためである。
【０１１０】
したがって、このように補助電圧を供給することによって、スイッチング素子Ｍ５，Ｍ７のゲート端とソース端とに電圧差を形成することができることから、安定してスイッチング素子Ｍ５，Ｍ７を制御することができる。
【０１１１】
このような第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂが駆動される方法は、図６ａを通じて詳細に説明する。
【０１１２】
それぞれの第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂは、それぞれの第３スイッチング素子Ｍ１０，Ｍ８０を制御する。
【０１１３】
このような第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂは、第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂ，５１０ｃ，５１０ｄ又は第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂとは異なり、駆動電圧源を含まず、他のゲートドライバーから供給された電圧を充電して第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂの駆動電圧を形成するための充電キャパシタＣ８，Ｃ１と逆電流を遮断するダイオードＤ７，Ｄ１を備える。
【０１１４】
ここで、ダイオードＤ７，Ｄ１のカソードは、第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂの充電キャパシタＣ８，Ｃ１と電気的に接続し、ダイオードＤ７，Ｄ１のアノードは、第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂの充電キャパシタＣ６，Ｃ２と電気的に接続する。
【０１１５】
このように、第３ゲートドライバーは、別途の駆動電圧源を含まないため、回路がより単純となり、かつ製造費用が低減するという効果がある。
【０１１６】
このような第３ゲートドライバーが駆動される方法は、図６ｂを通じて詳細に説明する。
【０１１７】
図５では、第１，２，３ゲートドライバーが全て回路に備えられたことを一例として説明したが、第３ゲートドライバーの代わりに、第２ゲートドライバーを用いて第１，２ゲートドライバーのみを使用することもでき、第１，３ゲートドライバーのみを使用することもできる。
【０１１８】
このように、第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂと第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂにフローティング電圧源を使用しないことにより、駆動回路の面積と体積を低減することができ、フローティング電圧源を物理的に具現するための高価の素子を使用しないことから、製造費用を低減できるという効果がある。
【０１１９】
さらに詳細に説明すれば、マルチレベルのサステイン信号を供給するサステインドライバーのスイッチング素子を制御するためには、ゲートドライバーの全ての回路を第１ゲートドライバーのみで構成することができない。
【０１２０】
これは、第１ゲートドライバーのみで構成するためには、必ずゲートドライバーの駆動電圧源が接地と接続しなければならず、サステインドライバーの全てのスイッチング素子のソース端が駆動中に必ずグラウンドレベルの電圧（ＧＮＤ）を有する期間が必要となるが、このようなマルチレベルのサステイン信号を供給するサステインドライバーでは、Ｍ１０，Ｍ５０，Ｍ７０，Ｍ８０のように、上記の要件を満たさないスイッチング素子が必ず備えられるためである。
【０１２１】
したがって、このようなマルチレベルのサステイン信号を供給するサステインドライバーは、Ｍ１０，Ｍ５０，Ｍ７０，Ｍ８０のようなスイッチング素子を制御するためには、必ずフローティング電圧源を必要とする。
【０１２２】
しかしながら、フローティング電圧源を物理的に具現するためには、相対的に大きい体積と大きい面積を使用する素子が必須に要求され、回路の構成もより複雑となって、製造費用が上昇する。
【０１２３】
しかしながら、同図に示すように、第２ゲートドライバーと第３ゲートドライバーのように回路を構成すれば、回路の体積と面積を低減することができ、回路の構成もフローティング電圧源を使用したゲートドライバーより単純となるという効果がある。
【０１２４】
したがって、プラズマディスプレイ装置の製造費用も低減するという効果がある。
【０１２５】
図６ａは、図５に示す第２ゲートドライバーが動作される方法を説明するための図である。
【０１２６】
同図に示すように、図５において上述したそれぞれの第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂは、サステインドライバー５００のキャパシタＣ１２，Ｃ１４と接続して、補助電圧を第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂの外部のサステインドライバー５００のキャパシタＣ１２，Ｃ１４から供給される。
【０１２７】
さらに詳細に説明すれば、補助電圧は、サステインドライバー５００のキャパシタＣ１２，Ｃ１４から電圧を供給されて、第２スイッチング素子Ｍ５０，Ｍ７０のゲート端Ｇに直列に接続した補助充電キャパシタＣ９，Ｃ１０に充電されて形成されることができる。
【０１２８】
このような第２ゲートドライバー５２０ａ，５２０ｂの駆動方法は、次の通りである。
【０１２９】
まず、スイッチング素子Ｍ７０を制御するゲートドライバー５２０ａは、１５Ｖ駆動電圧源、充電キャパシタＣ７、補助充電キャパシタＣ９、抵抗Ｒ１，Ｒ２を備える。
【０１３０】
ここで、１５Ｖ駆動電圧は、Ｐ７（＋），Ｄ６，Ｃ７，Ｐ７（−）につながる電流パス（図示せず）によって、１５Ｖ駆動電圧源Ｐ７からダイオードＤ６を介して充電キャパシタＣ７に充電される。
【０１３１】
補助電圧は、同図に示すようなＣ１２（＋），Ｒ２，Ｃ９，Ｒ１，Ｃ１２（−）につながる第１電流パスを介してＣ１２からＣ９に充電される。
【０１３２】
ここで、Ｃ１２に充電された両端の電圧をＶ１とすれば、Ｃ９に電圧Ｖ１がそのまま充電される。
【０１３３】
以後、ゲートドライバー５２０ａのラインＨＩを介してスイッチング素子Ｍ７０をターンオンさせる制御信号が供給されれば、ＨＩ上段のスイッチがターンオンする。
【０１３４】
ＨＩ上段のスイッチがターンオンすれば、Ｒ１とＣ９との間のノードの電圧は１５Ｖとなり、Ｃ９はＶ１電圧がそのまま維持されるため、Ｃ９とＲ２との間のノード電圧はＶ１＋１５Ｖとなる。そして、Ｃ１２（−）端の電圧は、グラウンドと接続しているため、Ｃ１２（＋）端の電圧はＶ１となる。したがって、Ｒ２とＣ１２（＋）との間のノードの電圧はＶ１となる。
【０１３５】
したがって、Ｒ２の両端には、１５Ｖの電圧差が発生し、スイッチング素子Ｍ７０のゲート端Ｇとソース端Ｓとの電圧差は、Ｒ２の両端の電圧差と同一であるから、スイッチング素子Ｍ７０がターンオンする。
【０１３６】
次に、スイッチング素子Ｍ５０を制御するゲートドライバー５２０ｂは、１５Ｖ駆動電圧源Ｐ５，充電キャパシタＣ５、補助充電キャパシタＣ１０、抵抗Ｒ３，Ｒ４を備える。
【０１３７】
ここで、１５Ｖ駆動電圧は、スイッチング素子Ｍ４０がターンオンすれば、Ｐ５（＋）、Ｄ４，Ｃ５，Ｍ４０，Ｐ５（−）につながる電流パス（図示せず）が形成されて１５Ｖ駆動電圧源Ｐ５からＣ５充電キャパシタに充電される。
【０１３８】
補助電圧は、同図に示すように、Ｃ１４（＋），Ｒ４，Ｃ１０，Ｒ３，Ｃ１４（−）につながる第２電流パスを介して、Ｃ１４からＣ１０に充電される。
【０１３９】
このような１５Ｖ駆動電圧と補助電圧とがゲートドライバー５２０ｂに形成された後、ゲートドライバー５２０ｂに制御信号が供給されれば、スイッチング素子Ｍ５０がターンオンする。
【０１４０】
ここで、ゲートドライバー５２０ｂによりスイッチング素子Ｍ５０がターンオンする方法は、５２０ａによりスイッチング素子Ｍ７０がターンオンする方法と同一である。
【０１４１】
図６ｂは、図５に示す第３ゲートドライバーが動作する方法を説明するための図である。
【０１４２】
同図に示すように、第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂは、第３スイッチング素子Ｍ１０，Ｍ８０を駆動する駆動電圧を他のゲートドライバーから供給される。
【０１４３】
例えば、第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂは、第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂの駆動電圧を第１ゲートドライバー５１０ａ，５１０ｂから供給されることができる。
【０１４４】
このような第３ゲートドライバー５３０ａ，５３０ｂの駆動方法は、次の通りである。
【０１４５】
まず、スイッチング素子Ｍ８０を制御するゲートドライバー５３０ａは、充電キャパシタＣ８、ダイオードＤ７を備える。
【０１４６】
ここで、ダイオードＤ７のカソードは、ゲートドライバー５３０ａの充電キャパシタＣ８と電気的に接続し、ダイオードＤ７のアノードは、ゲートドライバー５１０ａの充電キャパシタＣ６と電気的に接続する。
【０１４７】
まず、ゲートドライバー５１０ａが制御するスイッチング素子Ｍ６０がターンオンすれば、Ｃ６（＋），Ｄ７，Ｃ８，Ｌ２，Ｄ９，Ｍ６０，Ｃ６（−）につながる第１電流パスにより、Ｃ６に充電されていた１５Ｖ駆動電圧がＣ８に充電される。
【０１４８】
このようにゲートドライバー５３０ａに１５Ｖ駆動電圧が形成された以後、ゲートドライバー５３０ａにラインＨＩにスイッチング素子Ｍ５０がターンオンするように制御信号が供給されれば、スイッチング素子Ｍ５０はターンオンする。
【０１４９】
ゲートドライバー５３０ａに１５Ｖ駆動電圧が形成される場合と同じ方式により、ゲートドライバー５３０ｂも、図示の第２電流パスに沿って充電キャパシタＣ２から充電キャパシタＣ１に電圧が充電されて駆動電圧が形成され、ゲートドライバー５３０ｂのラインＨＩに供給される制御信号に応じて、スイッチング素子Ｍ１０はターンオンする。
【０１５０】
このように第３ゲートドライバーのように、駆動電圧源を別途に具備せず、他のゲートドライバーから駆動電圧を供給されて利用すれば、第３ゲートドライバーを駆動するための別途の駆動電圧源を使用しなくてもよいから、製造費用を低減するという効果がある。
【０１５１】
次に、図７は、図５に示すサステインドライバーのスイッチングタイミング図及び出力されるサステイン信号を示す図である。
【０１５２】
図８ａ〜図８ｈは、図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【０１５３】
図７に示すように、図５に示すサステインドライバー５００は、正極性サステイン電圧の半分、正極性サステイン電圧を含むサステイン信号を供給する。
【０１５４】
このように、サステイン信号がグラウンドレベルから正極性サステイン電圧まで上昇するとき、サステイン信号が一度に上昇せず、このように２段階で上昇させることにより、サステインドライバー５００に備えられるスイッチング素子の耐電圧特性を低くすることができることから、製造費用が低減するという効果がある。
【０１５５】
このようなサステインドライバー５００の駆動方法は、次の通りである。
【０１５６】
まず、図示のように、サステインドライバー５００のキャパシタＣ１１及びＣ１２には、Ｖｓ／２の電圧が充電されており、キャパシタＣ１３及びＣ１４には、Ｖｓ／４の電圧が充電されていると仮定する。そして、ここで電圧Ｖsは、サステイン信号の正極性サステイン電圧と同じ電圧を意味する。
【０１５７】
まず、図７のｔ１期間においてスイッチング素子Ｍ３０，Ｍ４０がターンオンすれば、図８ａのように、ＧＮＤ，Ｍ４０，Ｍ３０，Ｖｏｕｔにつながる電流パスが形成され、サステイン信号のグラウンドレベルの電圧がＶｏｕｔを介して電極に供給される。
【０１５８】
次に、図７のｔ２期間においてスイッチング素子Ｍ４０，Ｍ６０がターンオンすれば、図８ｂのように、ＧＮＤ，Ｍ４０，Ｃ１４，Ｍ６０，Ｌ４，Ｖｏｕｔにつながる電流パスが形成されて、サステイン信号のグラウンドレベルの電圧がインダクターＬ４とパネルとの間の共振により、正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２まで上昇する。
【０１５９】
次に、図７のｔ３期間において、スイッチング素子Ｍ２０，Ｍ４０がターンオンすれば、図８ｃのように、ＧＮＤ，Ｍ４０，Ｃ１４，Ｃ１３，Ｍ２０，Ｖｏｕｔにつながる電流パスが形成され、サステイン信号は、正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２を所定の時間の間に維持する。ここで、所定の時間は、プラズマディスプレイパネルの内部放電セルの壁電荷状態により変わることができ、スイッチング素子Ｍ２０，Ｍ４０がターンオンした時間により調節される。
【０１６０】
次に、図７のｔ４期間においてスイッチング素子Ｍ８０，Ｍ２０がターンオンすれば、図８ｄのように、ＧＮＤ，Ｍ８０，Ｌ２，Ｄ９，Ｃ１３，Ｍ２０，Ｖｏｕｔにつながる電流パスが形成され、サステイン信号は、正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２から正極性サステイン電圧Ｖｓまで上昇する。これは、キャパシタＣ１２の電圧Ｖｓ／２から、インダクターＬ２とキャパシタＣ１３との間に共振により、Ｖｓ／２分の電圧値が上昇するためである。
【０１６１】
次に、図７のｔ５期間においてスイッチング素子Ｍ１０，Ｍ２０がターンオンすれば、図８ｅのように、ＧＮＤ，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｍ１０，Ｍ２０，Ｖｏｕｔにつながる電流パスが形成され、サステイン信号は、正極性サステイン電圧Ｖｓを維持し、放電セル内では、正極性サステイン電圧Ｖｓによりサステイン放電が発生する。
【０１６２】
次に、図７のｔ６期間においてスイッチング素子Ｍ７０，Ｍ２０がターンオンすれば、図８ｆのように、Ｖｏｕｔ，Ｍ２０，Ｃ１３，Ｄ８，Ｍ７０，Ｃ１２，ＧＮＤにつながる電流パスが形成され、サステイン信号は、正極性サステイン電圧Ｖｓから正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２まで下降する。これは、正極性サステイン電圧から、インダクターＬ１とキャパシタＣ１３との間の共振により、電圧値がＶｓ／２分下降するためである。
【０１６３】
次に、図７のｔ７期間においてスイッチング素子Ｍ２０，Ｍ４０がターンオンすれば、図８ｇのように、Ｖｏｕｔ，Ｍ２０，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｍ４０，ＧＮＤにつながる電流パスが形成され、サステイン信号は、キャパシタＣ１３の電圧とキャパシタＣ１４の電圧値により、正極性サステイン電圧の半分Ｖｓ／２を維持する。
【０１６４】
次に、図７のｔ８期間においてスイッチング素子Ｍ４０，Ｍ５０がターンオンすれば、図８ｈのように、Ｖｏｕｔ，Ｄ１０，Ｌ３，Ｍ５０，Ｃ１４，Ｍ４０，ＧＮＤにつながる電流パスが形成され、サステイン信号は、サステイン電圧の半分から、インダクターＬ３とパネルとの間の共振により、グラウンドレベルの電圧まで下降する。
【０１６５】
このように、サステイン信号がグラウンドレベルの電圧から正極性サステイン電圧まで一度に上昇せず、図７及び図８ａ〜図８ｈのように、グラウンドレベルの電圧から正極性サステイン電圧の半分まで上昇し、再び正極性サステイン電圧の半分から正極性サステイン電圧まで上昇させれば、低い耐電圧特性のスイッチング素子をサステインドライバーに使用することができることから、製造費用を低減することができる。
【０１６６】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】一般的なサステインドライバー及びゲートドライバーについて説明するための図である。
【図２】プラズマディスプレイ装置の一例を説明するための図である。
【図３】図２に示すプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図である。
【図４】プラズマディスプレイパネルを駆動する方法の一例を説明するための図である。
【図５】図４に示すサステイン信号を供給するためのサステインドライバー及びゲートドライバーについて説明するための図である。
【図６ａ】図５に示す第２ゲートドライバーが動作される方法を説明するための図である。
【図６ｂ】図５に示す第３ゲートドライバーが動作される方法を説明するための図である。
【図７】図５に示すサステインドライバーのスイッチングタイミング図及び出力されるサステイン信号を説明するための図である。
【図８ａ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｂ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｃ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｄ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｅ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｆ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｇ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図８ｈ】図７に示すスイッチングタイミングに応じてサステインドライバーが駆動する方法を説明するための図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図８ｅ】
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【図８ｆ】
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【図８ｇ】
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【図８ｈ】
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