(57)【要約】【課題】従来のＥＬ発光体は、発光輝度または半減期の改善が困難であった。【解決手段】｛ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｉ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｔｍ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｅｒ，Ｎａ、ＺｎＳ:Ｔｂ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｎｄ，ＬｉおよびＺｎＳ:Ｓｍ，Ｎａ、ＣａＳを主体とし賦活剤を有するＣａＳ，Ｃｅ，Ｃｌ、ＣａＳ:Ｅｕ，ＣｌおよびＣａＳ：Ｔｂ，Ｃｌ、並びに、ＳｒＳを主体とし賦活剤を有するＳｒＳ:Ｃｅ，Ｃｌ｝から選択される１または複数の材料と｛ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、および、ＡｌＩｎＧａＰ｝から選択される１または複数の材料とを混合し加熱して得られる発光体により高輝度長寿命を実現した。【選択図】図１
2007186602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
｛ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｉ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｔｍ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｅｒ，Ｎａ、ＺｎＳ:Ｔｂ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｎｄ，ＬｉおよびＺｎＳ:Ｓｍ，Ｎａ、ＣａＳを主体とし賦活剤を有するＣａＳ，Ｃｅ，Ｃｌ、ＣａＳ:Ｅｕ，ＣｌおよびＣａＳ：Ｔｂ，Ｃｌ、並びに、ＳｒＳを主体とし賦活剤を有するＳｒＳ:Ｃｅ，Ｃｌ｝から選択される１または複数の材料と、｛ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＰ｝から選択される１または複数の材料とを混合し、加熱して得られる発光体。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極と対をなす第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され、請求項１に記載の発光体を含有する発光層と、
を備えるエレクトロルミネセンス素子。
【請求項３】
｛ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｉ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｔｍ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｅｒ，Ｎａ、ＺｎＳ:Ｔｂ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｎｄ，ＬｉおよびＺｎＳ:Ｓｍ，Ｎａ、ＣａＳを主体とし賦活剤を有するＣａＳ，Ｃｅ，Ｃｌ、ＣａＳ:Ｅｕ，ＣｌおよびＣａＳ：Ｔｂ，Ｃｌ、並びに、ＳｒＳを主体とし賦活剤を有するＳｒＳ:Ｃｅ，Ｃｌ｝から選択される１または複数の材料と、｛ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＰ｝から選択される１または複数の材料とを混合する工程と、
混合された混合物を加熱する工程と、
を有する発光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス発光体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量・薄型の面発光型素子としてエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子という）が注目されている。ＥＬ素子は大別すると、有機材料からなる蛍光体に直流電圧を印加し、電子とホールを再結合させて発光させる有機ＥＬ素子と、無機材料からなる蛍光体に交流電圧を印加し、およそ１０６Ｖ／ｃｍもの高電界で加速された電子を無機蛍光体の発光中心に衝突させて励起させ、その緩和過程で無機蛍光体を発光させる無機ＥＬ素子がある。
【０００３】
この無機ＥＬ素子には、無機蛍光体粒子を高分子有機材料からなるバインダ中に分散させ発光層とする分散型ＥＬ素子と、厚さが１μｍ程度の薄膜発光層の両側あるいは片側に絶縁層を設けた薄膜型ＥＬ素子とがある。これらのうち分散型ＥＬ素子は、消費電力が少なく、しかも製造が簡単なため製造コストが安くなる利点があるとして注目されている。
分散型ＥＬ素子と呼ばれているＥＬ素子について説明する。従来のＥＬ素子は層状の構造であり、基板側から順に、基板、第１電極、発光層、絶縁体層、第２電極からなる。発光層はＺｎＳ：Ｍｎ等の無機蛍光体粒子を有機バインダに分散させた構成をしており、絶縁体層はＢａＴｉＯ３などの強絶縁体を有機バインダにて分散させた構成をしている。第１電極と第２電極の間には交流電源が設置されており、交流電源から第１電極、第２電極間へ電圧を印加することでＥＬ素子は発光する。
【０００４】
分散型ＥＬ素子の構造において発光層は分散型ＥＬ素子の輝度と効率を決定付ける層であるが、この発光層の無機蛍光体粒子には、粒径１５〜３５μｍの大きさのものが用いられている（例えば、特許文献１）。また、分散型ＥＬ素子の発光層の発光色は発光層に用いられる無機蛍光体粒子によって決まり、例えば無機蛍光体粒子にＺｎＳ：Ｍｎを用いた場合には橙色の発光を示し、例えば無機蛍光体粒子にＺｎＳ：Ｃｕを用いた場合には青緑色の発光を示す。このように発光色は無機蛍光体粒子によって決まるため、それ以外の例えば白色の発光色を発光させる場合、例えば特許文献２に示されるように、有機色素を有機バインダに混合させることで発光色を変換し、目的の発光色を得ている。
【特許文献１】国際公開第０３／０２０８４８号パンフレット
【特許文献２】特開平７−２１６３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＬ素子に用いられる発光体は、発光輝度が低く、また、寿命が短いという問題があった。
【０００６】
発光輝度を上昇させる方法として、発光層への印加電圧を上げる方法が考えられる。この場合、発光体の光の出力の半減期が印加電圧に比例して減少しまうという課題がある。一方、半減期を長くする、つまり寿命を長くする方法として、発光層への印加電圧を下げる方法が考えられるが、発光輝度が低下してしまうという課題がある。このように、発光輝度と半減期は、発光層への印加電圧の増減によって一方を改善しようとするともう一方が悪化する関係にある。したがって、発光輝度か半減期の何れかを選択しなければならなくなる。なお、本明細書における半減期とは、発光体の光出力が元の輝度の半分の出力に減少するまでの時間である。
【０００７】
本発明は、以上課題を解決し、寿命が長く、発光輝度も高い発光体、発光体の製造方法およびエレクトロルミネセンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的のうち１つは、以下の発光体によって達成される。
｛ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｉ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｔｍ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｅｒ，Ｎａ、ＺｎＳ:Ｔｂ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｎｄ，ＬｉおよびＺｎＳ:Ｓｍ，Ｎａ、ＣａＳを主体とし賦活剤を有するＣａＳ，Ｃｅ，Ｃｌ、ＣａＳ:Ｅｕ，ＣｌおよびＣａＳ：Ｔｂ，Ｃｌ、並びに、ＳｒＳを主体とし賦活剤を有するＳｒＳ:Ｃｅ，Ｃｌ｝から選択される１または複数の材料と、｛ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＰ｝から選択される１または複数の材料とを混合し、加熱して得られる発光体。
【０００９】
上記目的のうち１つは、以下のエレクトロルミネセンス素子によって達成される。
第１の電極と、
前記第１の電極と対をなす第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され、請求項１に記載の発光体を含有する発光層と、
を備えるエレクトロルミネセンス素子。
【００１０】
上記目的のうち１つは、以下の発光体の製造方法によって達成される。
｛ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｉ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｔｍ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｅｒ，Ｎａ、ＺｎＳ:Ｔｂ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｎｄ，ＬｉおよびＺｎＳ:Ｓｍ，Ｎａ、ＣａＳを主体とし賦活剤を有するＣａＳ，Ｃｅ，Ｃｌ、ＣａＳ:Ｅｕ，ＣｌおよびＣａＳ：Ｔｂ，Ｃｌ、並びに、ＳｒＳを主体とし賦活剤を有するＳｒＳ:Ｃｅ，Ｃｌ｝から選択される１または複数の材料と、｛ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＰ｝から選択される１または複数の材料とを混合する工程と、混合された混合物を加熱する工程と、
を有する発光体の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、寿命が長く、発光輝度も高い発光体および発光体の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００１３】
［実施の形態１］
＜ＥＬ素子の概略構成＞
図１は、本実施の形態のＥＬ素子の概略構成図である。発光体を含有する発光層３は、第１の電極である透明電極２と、第２の電極である背面電極５との間に構成されている。また、背面電極５と発光層３の間には、誘電体層４が構成されている。これらを支えるものとして、基板１が透明電極２に隣接して構成されている。透明電極２と背面電極５とは、電源６を介して電気的に接続されている。
【００１４】
電源６から電力が供給されると、透明電極２および背面電極５の間に電位差が生じ、電圧が印加される。そして、透明電極２および背面電極５の間に配置されている発光層３の発光体が発光し、その光が透明電極２および基板１を透過してＥＬ素子１００の外部に取り出される。
本実施の形態においては、誘電体層４を設けているため、電源６として交流電源を用いている。
【００１５】
なお、上述の構成に限られず、発光層３を複数層設ける、誘電体層４を複数設ける、誘電体層４を設けない、第１の電極および第２の電極を入れ替える、第１の電極および第２の電極を両方透明電極２にする、または、直流電源６を用いる等、適宜変更が可能である。
【００１６】
以下、各構成について詳述する。
【００１７】
＜基板＞
基板１は、その上に形成する各層を支持できるものを用いる。また、基板１側から光を取り出す場合、発光体から発せられる光の波長に対し光透過性を有する材料であることが求められる。このような材料としては、例えば、コーニング１７３７等のガラス、石英、セラミック等を用いることができる。通常のガラスに含まれるアルカリイオン等が発光素子へ影響しないように、無アルカリガラスや、ガラス表面にイオンバリア層としてアルミナ等をコートしたソーダライムガラスであってもよい。また、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート系、ポリクロロトリフルオロエチレン系とナイロン６の組み合わせやフッ素樹脂系材料、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミドなどの樹脂フィルム等を用いることもできる。樹脂フィルムは耐久性、柔軟性、透明性、電気絶縁性、防湿性の優れた材料を用いる。なお、これらは例示であって、基板１の材料は特にこれらに限定されるものではない。
また、基板側から光を取り出さない構成の場合は、上述の光透過性は不要であり、透光性を有していない材料も用いることができる。
【００１８】
＜電極＞
光を取り出す側の透明電極２の材料は、光透過性を有するものであればよく、低抵抗であることが好ましい。透明電極２の材料として、特に好適なものは、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２をドープしたものであり、インジウム錫酸化物ともいう。）やＺｎＯなどの金属酸化物、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどの薄膜金属、あるいはポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェンなどの導電性高分子等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００１９】
ＩＴＯはその透明性を向上させ、あるいは抵抗率を低下させる目的で、スパッタリング法、エレクトロンビーム蒸着法、イオンプレーティング法等の成膜方法で成膜できる。また成膜後に、抵抗率制御の目的でプラズマ処理などの表面処理を施してもよい。透明電極２２の膜厚は、必要とされるシート抵抗値と可視光透過率から決定される。
【００２０】
光を取り出さない側の背面電極５には、一般に良く知られている導電材料であればいずれでも適用できる。例えば、ＩＴＯやＺｎＯなどの金属酸化物、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ〔ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）〕／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）などの導電性高分子、あるいは導電性カーボンなどが用い得る。
【００２１】
透明電極２は、層内を前面覆うように構成されてもよく、また、層内に複数の電極をストライプ状に構成されてもよい。さらに、第１の電極および第２の電極をともに複数の電極をストライプ状に構成し、第１の電極の各ストライプ状の電極と第２の電極のすべてのストライプ状の電極とが、それぞれねじれの位置の関係であり、かつ、第１の電極の各ストライプ状の電極を発光面に投影したものと第２の電極のすべてのストライプ状の電極を発光面に投影したものとがそれぞれ交わるように構成してもよい。この場合、第１の電極の各ストライプ状の電極、および、第２の電極の各ストライプ状の電極からそれぞれ選択した電極に電圧を印加することにより、所定位置を発光されるディスプレイを構成することが可能となる。
【００２２】
＜誘電体層＞
誘電体層４の材料は、誘電率が高く、且つ電気絶縁性が高いものが好ましい。本実施の形態のような交流駆動型の無機ＥＬ素子１００では、発光に寄与する発光層内を流れる電流が誘電体層４の容量にほぼ比例する。従って、誘電体層４の容量を大きくすることで、駆動電圧が低下し、高輝度を得ることができる。誘電体材料としては、酸化物や窒化物、あるいはこれらを複合した材料が用いられる。好適な例としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＰｂＯ、ＰｂＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｌｉ２Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｙ２Ｏ３、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴａ２Ｏ６、ＬｉＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＯ３、Ｐｂ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ３、ＰｂＮｂ２Ｏ６等が用いられるが、これらに限定されない。尚、これらを２種以上用いてもよく、別層にして積層しても、あるいは混合してもよい。更に、誘電体層側から光を取り出す場合、光透過性を有することが必要となる。
【００２３】
誘電体層４の成膜方法としては、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等を用いることができる。また、誘電体層４の膜厚としては、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．１〜０．５μｍ程度である。また、誘電体層４は、成膜後に空気、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ等の単独又は混合ガス雰囲気、あるいは真空中で、加熱処理を行ってもよい。これにより、誘電体層４の結晶性を向上するなどして、高輝度化を図ることができる。加熱処理の温度は、誘電体層４の材料の融点以下の温度で、且つ発光層３の材料や基板等への影響を考慮して決定される。
【００２４】
誘電体層４は、層内を前面覆うように構成されてもよく、また、複数の電極をストライプ状に構成した場合に、これと平行にストライプ状に構成してもよい。
【００２５】
＜発光体＞
発光体の材料は、｛ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ:Ｃｕ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｉ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｃｕ，Ｍｎ，Ｃｌ、ＺｎＳ:Ｍｎ、ＺｎＳ:Ｔｍ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｅｒ，Ｎａ、ＺｎＳ:Ｔｂ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｎｄ，Ｌｉ、ＺｎＳ:Ｓｍ，Ｎａ、Ｃａを主体とし賦活剤を有するＣａＳ，Ｃｅ，Ｃｌ、ＣａＳ:Ｅｕ，Ｃｌ、および、Ｓｒを主体とし賦活剤を有するＳｒＳ:Ｃｅ，Ｃｌ｝から選択される１または複数の材料と、｛ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、および、ＡｌＩｎＧａＰ｝から選択される１または複数の材料とを混合し、加熱して得られる材料を用いる。
【００２６】
以下、ＺｎＳを主体とし賦活剤を有するＺｎＳ:Ｃｕ，Ｃｌと、ＧａＮとを混合し、加熱して得られる材料からなる発光体の製造方法の一実施例を説明する。なお、上述の他の材料からなる発光体についても同様の製造方法が利用可能である。
【００２７】
（１）活性化された硫化亜鉛ＺｎＳに主たる活性化剤として硫化銅、硫黄および硫化亜鉛の適量を溶融物質と一緒に配合したＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ粒子を１００ｇと、マンガンＭｎを１８ｇとを用意する。
（２）これらを混合し、坩堝に入れ、真空中（１０-5Ｔｏｒｒ）にて約１２５０℃の温度で約３時間焼成する。これにより、焼成ケークを得る。
（３）焼成ケークを坩堝から取り出し、冷却し、脱イオン水でｐＨ６以下になるまで洗浄して融剤を除去する。その後、乾燥させる。
（４）洗浄、乾燥した焼成ケークをボルテックス理論の分級粉砕機により粉砕して粒径５〜２０μｍの中間生成粒子Ａを得る。
（５）中間生成粒子Ａと粒径１〜３μｍのＧａＮとを混合し、プラスチックボトルに
入れ、撹拌機で２０分間撹拌、混合し、中間生成粒子Ｂを得る。
（６）中間生成粒子Ｂを坩堝に入れ、窒素ガス中に硫黄ガスが約数１０％混合した混合ガスを送入しながら、約６５０℃の温度で約３時間焼成して中間生成物Ｃを得る。中間生成物Ｃは、六方晶のＺｎＳから立方晶系形へ転移したものとなる。
（７）中間生成物Ｃを酢酸（焼成された生成物１００ｇ当たり熱脱イオン水１リットル＋１５０ｍｌ氷酢酸）で洗浄して、過剰の化合物並びに融剤添加剤及び不純物を除去し、次いで脱イオン水でｐＨ６以下になるまで洗浄する。
（８）洗浄された中間生成物Ｃを濾過し、約１８０℃で２時間乾燥させ、冷却させる。  （９）濾過、乾燥された中間生成物Ｃをボルテックス理論の分級機により分級し、篩い分けして、発光体の粒子を得る。
【００２８】
＜発光層＞
発光層３は、上述の発光体の粒子を含有する。
発光層３の成膜方法について説明する。薄膜の発光層の場合には、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて上述の発光体を成膜することができる。また、発光体の粒子が有機高分子材料中に分散された発光層の場合には、任意の有機溶媒等に発光体の粒子と有機高分子材料とを分散、溶解した後、インクジェット法、ディッピング法、スピンコート法、スクリーン印刷法、バーコート法、その他公知の溶剤キャスト法を使用して成膜することができる。
【００２９】
＜効果＞
本実施の形態に係る発光体は、従来の発光体よりも高い輝度および長い半減期を得ることができた。また、本実施の形態に係る発光体を用いたエレクトロルミネセンス素子は、従来のエレクトロルミネセンス素子よりも高い輝度および長い半減期を得ることができた。
【００３０】
＜比較例＞
比較例として、以下の製造方法により、発光体を得た。
（１）活性化された硫化亜鉛ＺｎＳに主たる活性化剤として硫化銅、硫黄および硫化亜鉛の適量を溶融物質と一緒に配合したＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ粒子を１００ｇと、マンガンＭｎを１８ｇとを用意する。
（２）これらを混合し、坩堝に入れ、真空中（１０-5Ｔｏｒｒ）にて約１２５０℃の温度で約３時間焼成する。これにより、焼成ケークを得る。
（３）焼成ケークを坩堝から取り出し、冷却し、脱イオン水でｐＨ６以下になるまで洗浄して融剤を除去する。その後、乾燥させる。
（４）洗浄、乾燥した焼成ケークをボルテックス理論の分級粉砕機により粉砕して粒径５〜２０μｍの発光体の粒子（比較例）を得る。
【００３１】
発光体の比較例と、上述の製造方法の実施例によって得られる本願発明の発光体の実施例との発光輝度を比較すると、本願発明の発光体の実施例は比較例に比べ、数十倍明るかった。また、本願発明の発光体の実施例は比較例に比べ、半減期が長かった。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
延長された半減期と高い発光輝度を有する本発明のＥＬは、ＬＣＤのバックライト、照明、ディスプレイ等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本実施の形態に係るエレクトロルミネセンス素子の概略構成図
【符号の説明】
【００３４】
１  基板
２  透明電極
３  発光層
４  誘電体層
５  背面電極
６  電源
１００  エレクトロルミネセンス素子
【図１】
2007186602.tif 000003