(57)【要約】【課題】成形性が良好であり、半導体装置に反りを起こすことなく封止することができるエポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）１分子当たり少なくとも３個のエポキシ基を有し、エポキシ当量が１７０以下であるエポキシ樹脂、（Ｂ）１分子内に１個のジフェノール核体と２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂（Ａ）に対する質量比で３５／６５〜６５／３５となる量で、（Ｃ）フェノール性硬化剤を、全組成物中に含まれるエポキシ基１モルに対して、該フェノール性硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５となる量で、（Ｄ）無機充填剤を、全組成物中８６〜９２質量％となる量で、含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子当たり少なくとも３個のエポキシ基を有し、エポキシ当量が１７０以下であるエポキシ樹脂、
（Ｂ）１分子内に１個のジフェノール核体と２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂（Ａ）に対する質量比で３５／６５〜６５／３５となる量で、
（Ｃ）フェノール性硬化剤を、全組成物中に含まれるエポキシ基１モルに対して、該フェノール性硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５となる量で、
（Ｄ）無機充填剤を、全組成物中８６〜９２質量％となる量で、
含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
エポキシ樹脂（Ｂ）の、ＡＳＴＭ  Ｄ４２８７に準拠してＩＣＩ  コーン／プレート粘度計を用いて１５０℃において測定される粘度が、０．００５〜０．０１Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
エポキシ樹脂（Ｂ）が、下記一般式（１）で示される請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化１】
2007231252.tif 000014
【請求項４】
エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ当量が、１２０〜１７０である請求項１〜３のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
フェノール性硬化剤（Ｃ）が、クレゾールノボラック型樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、及びナフタレン環含有フェノール樹脂からなる群より選ばれる請求項１〜４のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
無機充填剤（Ｄ）が、球状溶融シリカである請求項１〜５のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置が表面実装により基板と接続されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形性が良好であり、半導体装置の反り量が小さく表面実装性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。 
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、一般的に使用されている。ここ数年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化へと進む市場に伴い、半導体素子の高集積化がますます進み、また半導体装置の実装技術が促進される中で、半導体封止材として用いられているエポキシ樹脂への要求がますます厳しくなってきている。
【０００３】
例えば、高密度実装に優れるＬＯＣ（Ｌｅａｄ  ｏｎ  ｃｈｉｐ）型ＴＳＯＰ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）やＱＦＮなどが近年ＩＣやＬＳＩの主流となりつつあるが、これらのパッケージはリードフレーム上下の樹脂厚がアンバランスであったり、片面のみ封止するために成型後の反りが大きな問題となってきている。従来まで、反り改善のため１つの手法として樹脂の架橋密度を多くしガラス転移温度を高めることがあげられるが、鉛フリー化による半田温度上昇により、高温での弾性率が高く、また吸湿性も高いため半田リフロー後にエポキシ樹脂硬化物と基板との界面での剥離、半導体素子と半導体樹脂ペーストとの界面での剥離が問題となっている。低吸水化のために無機充填剤を高充填化する手法も考えられるが粘度が上昇しワイヤー流れや未充填など成形性が低下する。一方、架橋密度が低い、低溶融粘度の樹脂を用いて無機充填剤を高充填化することにより低吸水性、低膨張率、高温での低弾性率化を向上させられ、耐リフロー性に効果が期待されるが、ガラス転移温度が低い為、長期高温下に晒されると組成物中の不純物イオンが動きやすくなり、信頼性に影響を及ぼす。
【０００４】
特許第３１３７２０２号公報（特許文献１）では、エポキシ樹脂と硬化剤とからなるエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、１，１−ビス（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカンを用いることを特徴とするエポキシ樹脂組成物が開示されている。このエポキシ樹脂の硬化物は、極めて耐熱性に優れ、且つ耐湿性にも大変優れ、一般的に高耐熱エポキシ樹脂の硬化物が抱える、堅くて脆いという欠点を克服しているとされる。
【０００５】
更に特開２００５−１５６８９号公報（特許文献２）には、１，１−ビス（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン（ａ１）と１−（２，７−ジグリシジルオキシ−１−ナフチル）−１−（２−グリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン（ａ２）と１，１−ビス（２−グリシジルオキシ−１−ナフチル）アルカン（ａ３）とを含むエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）を必須とするエポキシ樹脂組成物であり、前記（ａ１）と前記（ａ２）と前記（ａ３）との合計１００重量部中に（ａ３）を４０〜９５重量部含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物が開示されている。
【０００６】
下記式（１）で示されるエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物が知られている（特許文献３〜５）。しかし、該組成物は封止された半導体装置の反りを起こし易いことが見出された。
2007231252.tif 000002
【特許文献１】特許第３１３７２０２号公報
【特許文献２】特開２００５−１５６８９号公報
【特許文献３】特許３４５１１０４号公報
【特許文献４】特許３５３７８５９号公報
【特許文献５】特許３５５１２８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、成形性が良好であり、半導体装置の反り量が小さく、表面実装性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明は以下のものである。
（Ａ）１分子当たり少なくとも３個のエポキシ基を有し、エポキシ当量が１７０以下であるエポキシ樹脂、
（Ｂ）１分子内に１個のジフェノール核体と２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂（Ａ）に対する質量比で３５／６５〜６５／３５となる量で、
（Ｃ）フェノール性硬化剤を、全組成物中に含まれるエポキシ基１モルに対して、該フェノール性硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５となる量で、
（Ｄ）無機充填剤を、全組成物中８６〜９２質量％となる量で、
含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【発明の効果】
【０００９】
上記組成物は、所定の２種のエポキシ樹脂の組合せを含むことによって、成形性が良好であり、反り量が小さく表面実装性に優れ、長期高温信頼性にも優れた、封止された半導体装置を与える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、成分ごとに説明する。
［（Ａ）エポキシ樹脂］
本発明で用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、１分子内に３個以上エポキシ基を有し、エポキシ当量が１７０以下、好ましくは１００〜１７０、より好ましくは１２０〜１７０である。これらの樹脂を用いることにより硬化物の架橋密度があがるため、ガラス転移温度が上昇する。また硬化物の熱膨張係数が小さくなり半導体装置の反り量を抑えることが出来る。エポキシ当量は過塩素酸法で測定した。
【００１１】
化合物例を以下に挙げる。
【００１２】
【化１】
2007231252.tif 000003
ｎ＝１〜１０
【００１３】
【化２】
2007231252.tif 000004
【００１４】
【化３】
2007231252.tif 000005
【００１５】
【化４】
2007231252.tif 000006
これらの樹脂は１種でも２種以上併用しても良い。
【００１６】
［（Ｂ）エポキシ樹脂］
本発明で用いる１分子内に１個のジフェノール核体と２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ｂ）は、フェノールが一核体であるため、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスＡ型エポキシ樹脂等他の他２官能エポキシ樹脂にくらべ成形収縮率が小さく、半導体装置の反り量を抑えることが出来る。また、ＡＳＴＭ  Ｄ４２８７に準拠してＩＣＩ  コーン／プレート粘度計を用いて１５０℃において測定される粘度（以下「ＩＣＩ粘度」という）が０．００５〜０．０１Ｐａ・ｓ、更に好ましくは０．００５〜０．００９Ｐａ・ｓである。ＩＣＩ粘度が０．００５Ｐａ・ｓ以下の樹脂は、グリシジル化反応の未反応成分が不純物として含まれている場合が多く、１５０℃における揮発成分が多くなる為、ボイドなど引き起こす可能性があるため好ましくなく、０．０１Ｐａ・ｓ以上では粘度が上昇し、ワイヤー流れを引き起こす可能性があるので好ましくない。
【００１７】
このようなエポキシ樹脂（Ｂ）としては、例えば下記一般式（１）で示されるものが好ましい。
【００１８】
【化５】
2007231252.tif 000007
【００１９】
エポキシ樹脂（Ｂ）をエポキシ樹脂（Ａ）と併用することにより、ワイヤー流れ、未充填などの成形性を損なうことなく、低反り、耐リフロー性、長期高温信頼性等を達成することを見出された。
【００２０】
（Ａ）と（Ｂ）の併用比率としては３５／６５〜６５／３５質量比が好ましい。（Ａ）の比率が３５質量％未満であると硬化物のガラス転移温度が１４０℃未満となり、長期耐熱特性、反り特性が低下する場合がある。６５質量％を超えると最低溶融粘度が高くなり、ワイヤー流れ、未充填等を引き起こす可能性が増加する。また上記エポキシ樹脂（Ａ）及び（Ｂ）は、加水分解性塩素が１０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。加水分解性塩素が１０００ｐｐｍを超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００２１】
［その他のエポキシ樹脂］
なお、本発明においては、エポキシ樹脂成分として、上記特定のエポキシ化合物（Ａ）及び（Ｂ）以外に、他のエポキシ樹脂を併用しても良い。他のエポキシ樹脂としては、特に限定するものではなく、従来公知のエポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、上記以外のナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を使用することができる
【００２２】
［（Ｃ）フェノール性硬化剤］
本発明に用いる（Ｃ）フェノール性硬化剤は特に限定されるものではなく、具体的には、クレゾールノボラック樹脂、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂などが挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。これらのうち、クレゾールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂が好ましく使用される。
【００２３】
上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナトリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００２４】
本発明において、（Ａ）及び（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）成分フェノール樹脂との配合割合については、全組成物中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲であることが好ましい。
【００２５】
［（Ｄ）無機充填剤］
本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合される（Ｄ）成分の無機充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられ、これらのなかでも溶融シリカが好ましい。これら無機質充填剤の平均粒径や形状は、用途に応じて選択されるが、好ましくは平均粒径５〜３０μｍの球状である。また、（Ｄ）成分である無機質充填剤の充填量は、全組成物中８６〜９２質量％、好ましくは８６〜９０質量％である。このように高い無機充填剤量により、半導体装置の反りが抑制され、表面実装された装置の封止に適する。無機充填剤が前記下限値未満では熱膨張係数、吸湿量が大きくなり、反り特性、耐リフロー特性が低下する場合がある。一方、前記上限値を超えると最低溶融粘度が高くなり、ワイヤー流れ、未充填等を引き起こす危険性がある。なお、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディアン径）として求めることができる。
【００２６】
無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの反応物、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン、γ−エピスルフィドキシプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
【００２７】
［他の配合成分］
また、本発明において、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用いることが好ましい。硬化促進剤としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンの付加物などのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７などの第３級アミン化合物、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物及び前記化合物のマイクロカプセル化合物等を使用することができる。
【００２８】
硬化促進剤の配合量は有効量であるが、上記リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール樹脂）との硬化反応促進用の硬化促進剤は、（Ａ）、（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、０．１〜８質量部、特に０．５〜５質量部とすることが好ましい。
【００２９】
本発明の封止樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、カルナバワックス、酸化ポリエチレン、モンタン酸エステル等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、モリブデン酸亜鉛担持タルク、モリブデン酸亜鉛担持亜鉛、ホスファゼン化合物、シリコーン化合物等の難燃剤、ハイドロタルサイト類、ビスマス化合物、希土類酸化物等のハロゲントラップ剤、及び基板との密着性を高めるための上記カップリング剤等の添加剤を添加配合することができる。
【００３０】
離型剤成分としては、特に制限されず公知のものを全て使用することができる。例えばカルナバワックス、ライスワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、モンタン酸、モンタン酸と飽和アルコール、２−（２−ヒドロキシエチルアミノ）−エタノール、エチレングリコール、グリセリン等とのエステル化合物等のワックス；ステアリン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、等が挙げられこれら１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００３１】
離型剤の配合比率としては（Ａ）〜（Ｄ）成分の総量１００質量部に対して、０．１〜５質量部、更に好ましくは０．３〜４質量部であることが望ましい。
【００３２】
［エポキシ樹脂組成物の調製等］
本発明の封止樹脂組成物を成型材料として調製する場合の一般的な方法としては、（Ａ）〜（Ｄ）の成分及びその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
【００３３】
なお、組成物をミキサー等によって十分均一に混合するに際して、摩擦による熱を抑える為に、或いはウエッターとしてシランカップリング剤を配合することが好ましい。シランカップリング剤としては、（Ｄ）成分に関して上述したものを使用することができる。
【００３４】
このようにして得られる本発明の半導体封止用樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明の封止用樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８５℃で２〜２０時間行うことが望ましい。
【００３５】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、以下の例において部は何いずれも質量部である。
［実施例１〜７、参考例１〜４、比較例１〜４］
表１に示す量（質量部）の各成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。使用した原材料を下記に示す。
【００３６】
（Ａ）エポキシ樹脂
（イ）下記式で表されるエポキシ樹脂（エポキシ当量１６８）
【００３７】
【化６】
2007231252.tif 000008
ｎ＝１．２
【００３８】
（ロ）下記式で表されるエポキシ樹脂（エポキシ当量１５６）
【００３９】
【化７】
2007231252.tif 000009
【００４０】
（Ｂ）エポキシ樹脂
【００４１】
【化８】
2007231252.tif 000010
ＩＣＩ粘度＝０．００８Ｐａ・ｓ（１５０℃）
【００４２】
比較例で使用のエポキシ樹脂
（ニ）下記式で表されるフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ−４０００Ｋ（（株）ＪＥＲ製）エポキシ当量１９０）
【００４３】
【化９】
2007231252.tif 000011
【００４４】
（Ｃ）フェノール性硬化剤
（ホ）クレゾールノボラック型樹脂：Ｈ−４（明和化成（株）製）フェノール性水酸基当量１１０
（ヘ）ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：ＭＥＨ−７８００ＳＳ（明和化成（株）製）フェノール性水酸基当量１７５
（ト）下記式で表されるナフタレン含有フェノール樹脂：カヤハードＮＨＮ（日本化薬（株）製）フェノール性水酸基当量１４０
【００４５】
【化１０】
2007231252.tif 000012
【００４６】
（Ｄ）無機充填剤
（チ）無機充填剤：球状溶融シリカ（（株）龍森製）
（Ｅ）その他の成分
（リ）硬化促進剤：２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成（株）製）
（ヌ）硬化促進剤：トリフェニルホスフィン
（ル）離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ（株）製）
【００４７】
（ヲ）難燃剤：モリブデン酸亜鉛担持亜鉛  ＫＥＭＧＡＲＤ  ９１１Ｂ  （シャーウインウイリアムズ製）
（ワ）難燃剤：ホスファゼン化合物  ＳＰＥ−１００（大塚化学（株）製）
（カ）シランカップリング剤：ＫＢＭ−４０３、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
（ヨ）着色剤：デンカブラック（電気化学工業（株）製）
（タ）イオントラップ剤：ハイドロタルサイト化合物  ＤＨＴ−４Ａ−２（協和化学（株）製）
【００４８】
これらの組成物につき、以下の諸特性を測定した。結果を表１に示す。
（ａ）スパイラルフロー値
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ２の条件で測定した。
（ｂ）溶融粘度
高化式フローテスターを用い、１０ｋｇｆの加圧下、直径１ｍｍのノズルを用い、温度１７５℃で粘度を測定した。
【００４９】
（ｃ）ガラス転移温度および線膨張係数
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ２、成形時間１２０秒の条件で成形し５ｘ５ｘ１５ｍｍの試験片を得た。室温でノギスを用い、長さＬｍｍを０．０１ｍｍの単位まで正確に測定し、熱膨張計にセットし、昇温５℃／分、荷重１９．６ｍＮで３００℃まで測定した。寸法変化と温度のグラフを作成し、ガラス転移温度以下で寸法変化―温度曲線の接線が得られる任意の温度２点  Ａ１、Ａ２、ガラス転移温度以上で接線が得られる任意の２点Ｂ１，Ｂ２、２５０℃、２８０℃の寸法（単位μｍ）をそれぞれ読み取り、次式により膨張係数を算出した。
ガラス転移温度以下の線膨張係数  （Ａ２での寸法−Ａ１での寸法）／（（Ａ２−Ａ１）＊（Ｌ＊１０００））
ガラス転移温度以下の線膨張係数  （Ｂ２での寸法−Ｂ１での寸法）／（（Ｂ２−Ｂ１）＊（Ｌ＊１０００））
【００５０】
（ｄ）ワイヤー流れ量
７×７×０．３０ｍｍの大きさのシリコンチップを１００ｐｉｎ  ＱＦＰ  フレーム（Ｃｕ，スポットＡｇメッキ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリードフレームとを２３μｍφの金線でループ高さ２００ｕｍ、ワイヤー長さ４ｍｍ、ボール径７５ｕｍの条件でワイヤボンディングした。これにエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ２、トランスファー時間９ｓで成形し、ワイヤーの変形量（％）をマイクロフォーカスＸ線ＴＶ検査装置（ポニー工業（製））を用いて測定した。
【００５１】
（ｅ）パッケージ反り量
０．４０ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板に、１０ｘ１０ｘ０．３ｍｍのシリコンチップを搭載し、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ２、キュア時間２分のトランスファー条件でサイズが３２ｘ３２ｍｍで厚みが１．２ｍｍのパッケージを成型し、 その後１７５℃で５時間、ポストキュアを行ったものをレ−ザ−三次元測定機を用いて、パッケージの対角線方向に高さの変位を測定し、２０パッケージのうち最も大きい変位差を反り量（μｍ）とした。
【００５２】
（ｆ）耐リフロー性
パッケージ反り量測定で用いたパッケージを、８５℃／６０％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置して吸湿させた後、ＩＲリフロー装置を用い下図１のＩＲリフロー条件を３回通した後に、超音波探査装置を用いて内部クラックの発生状況と剥離発生状況を観察した。合計２０パッケージ中の、クラック又は剥離が認められたパッケージ数を数えた。
【００５３】
（ｇ）耐熱信頼性
５μｍ幅、５μｍ間隔のアルミニウム配線を形成した６×６ｍｍの大きさのシリコンチップを１４ｐｉｎ−ＤＩＰフレーム（４２アロイ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリードフレームとを２５μｍφの金線でワイヤボンディングした後、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ２、成形時間１２０秒で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。このパッケージ２０個を１７５℃の雰囲気中−１０Ｖの直流バイアス電圧をかけて１，０００時間放置した後、抵抗値の平均値を調べた
【００５４】
【表１】
2007231252.tif 000013
【産業上の利用可能性】
【００５５】
表１から分かるように、本発明の組成物は、反りが小さく、ワイヤー流れの無いパッケージを形成することができる。該パッケージは、熱によるクラック等の発生もなく、抵抗値の上昇も見られず信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】耐リフロー性測定で使用したＩＲリフロー炉の温度プロフィールを示すチャートである。
【図１】
2007231252.tif 000015