(57)【要約】【課題】スレッショルド電圧の劣化を補償する表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】印加される駆動電流によって発光する発光素子と、前記発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、前記駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電圧に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答して前記データ電圧を前記キャパシタに供給する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有する。【選択図】      図２
2007156420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加される駆動電流によって発光する発光素子と、
前記発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、
前記駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電圧に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、
走査信号に応答して前記データ電圧を前記キャパシタに供給する第１のスイッチング部と、
ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１のスイッチング部は、前記走査信号に応答して前記駆動薄膜トランジスタをダイオード接続させる第１のスイッチング薄膜トランジスタと、
前記走査信号に応じて前記キャパシタに前記データ電圧を充電させる第２のスイッチング薄膜トランジスタとを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１のスイッチング部は、前記走査信号に応答して前記発光素子に印加される残余電流（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を除去するための第３のスイッチング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２のスイッチング部は、ダイオード接続されて発光信号線と前記駆動薄膜トランジスタとを連結する第４のスイッチング薄膜トランジスタと、
前記発光信号に応答して前記キャパシタと前記駆動薄膜トランジスタと前記発光素子とを連結する第５のスイッチング薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記キャパシタに維持される電圧は、接地電圧と前記スレッショルド電圧の和から前記データ電圧を除いた電圧であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記データ電圧は、負の値を有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１乃至第５のスイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動薄膜トランジスタは、非晶質シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光素子は、有機発光層を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１乃至第５のスイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動薄膜トランジスタは、ｎＭＯＳ薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１０】
順次に継続される第１乃至第４の区間の中で、前記第１の区間の間、前記第１及び第２のスイッチング部がターンオンされ、
前記第２の区間の間、前記第１のスイッチング部がターンオンされ、前記第２のスイッチング部がターンオフされ、
前記第３の区間の間、前記第１及び第２のスイッチング部がターンオフされ、
前記第４の区間の間、前記第１のスイッチング部がターンオフされ、前記第２のスイッチング部がターンオンされることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１１】
第１のノードと第２のノードとの間に形成されるキャパシタと、
印加される駆動電流によって発光する発光素子と、
前記発光素子と第３のノードとの間に形成され、前記発光素子を発光させるための前記駆動電流を制御する駆動薄膜トランジスタと、
走査信号に応答してゲーティング（ｇａｔｉｎｇ）される第１乃至第３のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第１のスイッチング薄膜トランジスタは前記第２のノードと前記第３のノードとの間に形成され、前記第２のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードとデータ線との間に形成され、前記第３のスイッチング薄膜トランジスタは前記発光素子と接地電圧との間に形成される第１のスイッチング部と、
発光信号に応答してゲーティングされる第４及び第５のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第４のスイッチング薄膜トランジスタは前記発光信号とダイオード接続され、第５のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードと前記発光素子との間に形成される第２のスイッチング部とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
印加される駆動電流によって発光する発光素子と、
前記発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、
前記駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電流に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート−ソース間電圧とスレッショルド電圧の差に相当する電圧を維持するキャパシタと、
走査信号に応答してデータ電流を前記キャパシタに伝達する第１のスイッチング部と、
ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに供給する第２のスイッチング部とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
前記第１のスイッチング部は、前記走査信号に応答して前記駆動薄膜トランジスタをダイオード接続させる第１のスイッチング薄膜トランジスタと、
前記走査信号に応じて前記キャパシタに前記駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電流に依存する電圧を充電させる第２のスイッチング薄膜トランジスタとを含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１のスイッチング部は、前記走査信号に応答して前記発光素子に印加される残余電流を除去するための第３のスイッチング薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２のスイッチング部は、ダイオード接続されて発光信号線と前記駆動薄膜トランジスタとを連結する第４のスイッチング薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１乃至第４のスイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動薄膜トランジスタは、非結晶質シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記発光素子は、有機発光層を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１乃至第４のスイッチング薄膜トランジスタ及び前記駆動薄膜トランジスタは、ｎＭＯＳ薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１９】
順次に継続される第１乃至第３の区間の中で、前記第１の区間の間、前記第１のスイッチング部がターンオンされ、前記第２のスイッチング部がターンオフされ、
前記第２の区間の間、前記第１及び第２のスイッチング部がターンオフされ、
前記第３の区間の間、前記第１のスイッチング部がターンオフされ、前記第２のスイッチング部がターンオンされることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２０】
第１のノードと第３のノードとの間に形成されるキャパシタと、
印加される駆動電流によって発光する発光素子と、
前記発光素子と第２のノードとの間に形成されて、前記発光素子を発光させるための前記駆動電流を制御する駆動薄膜トランジスタと、
走査信号に応答してゲーティングされる第１乃至第３のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第１のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードと前記第２のノードとの間に形成され、前記第２のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードとデータ線との間に形成され、前記第３のスイッチング薄膜トランジスタは前記発光素子と接地電圧との間に形成される第１のスイッチング部と、
発光信号に応答してゲーティングされる第４のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第４のスイッチング薄膜トランジスタは第２のノードと発光信号線との間に形成される第２のスイッチング部とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２１】
印加される駆動電流によって発光する発光素子と、該発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、該駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電圧に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答して前記データ電圧を前記キャパシタに供給する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有する表示装置が提供され、
前記キャパシタに所定の電圧をプリチャージする段階と、
前記キャパシタに前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を充電する段階と、
前記キャパシタに充電した前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持する段階と、
前記キャパシタに充電した前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を用いて前記発光素子を発光させる段階とを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記プリチャージする段階は、第１のスイッチング部は完全ターンオンされ、第２のスイッチング部は線形領域で動作して前記キャパシタをプリチャージすることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記充電する段階は、第１のスイッチング部は完全ターンオンされ、第２のスイッチング部は完全ターンオフされて前記キャパシタを充電することを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
前記維持する段階は、第１のスイッチング部及び第２のスイッチング部は完全ターンオフされて前記キャパシタの電圧を維持することを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２５】
前記発光させる段階は、第１のスイッチング部は完全ターンオフされ、第２のスイッチング部は完全ターンオンされて前記発光素子を発光させることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２６】
印加される駆動電流によって発光する発光素子と、該発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、該駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電流に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート−ソース間電圧とスレッショルド電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答してデータ電流を前記キャパシタに伝達する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有する表示装置が提供され、
前記キャパシタに所定の電圧を充電する段階と、
前記キャパシタに充電した所定の電圧を維持する段階と、
前記キャパシタに充電した所定の電圧を用いて前記発光素子を発光させる段階とを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその駆動方法に係り、さらに詳細には、駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧の劣化を補償する表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置、電界放出表示装置、有機発光表示装置、プラズマ表示装置など色々の平面表示装置が研究されている。
この中で有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、自己発光型で消費電力が小さく、視野角が広くて画像の応答速度が早いため高画質の動画像を表示しやすい。
【０００３】
有機発光表示装置は、有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）とこれを駆動する薄膜トランジスタを備える。この薄膜トランジスタは、活性層の種類に応じて多結晶シリコン薄膜トランジスタと非晶質シリコン薄膜トランジスタなどに大別される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置の場合、大画面を容易に得ることができる。しかしながら、非晶質シリコン薄膜トランジスタが所定時間以上使用されるようになれば、非晶質シリコン薄膜トランジスタ自体のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）が劣化して変化するようになる。これは、同一のデータ電圧が印加されても不均一な電流が有機発光素子に流れるようになるが、結局これによって有機発光表示装置の画質劣化が発生するようになる。
【０００５】
一方、有機発光素子も電流が長時間流れることによってそのスレッショルド電圧が変化する。ｎＭＯＳ薄膜トランジスタの場合、有機発光素子は、薄膜トランジスタのソースノードと連結される場合、有機発光素子のスレッショルド電圧が劣化されれば、駆動薄膜トランジスタのソース電圧が一緒に変動する。これにより、薄膜トランジスタのゲートに同一の電圧が印加されても駆動薄膜トランジスタのゲート−ソース間の電圧が変動するため不均一な電流が有機発光素子に流れるようになる。これもまた有機発光表示装置の画質劣化の一つの要因になるというなどの問題点があった。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６７７７７１０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は上記従来の有機発光表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、スレッショルド電圧の劣化を補償する表示装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、スレッショルド電圧の劣化を補償する表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、印加される駆動電流によって発光する発光素子と、前記発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、前記駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電圧に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答して前記データ電圧を前記キャパシタに供給する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、第１のノードと第２のノードとの間に形成されるキャパシタと、印加される駆動電流によって発光する発光素子と、前記発光素子と第３のノードとの間に形成され、前記発光素子を発光させるための前記駆動電流を制御する駆動薄膜トランジスタと、走査信号に応答してゲーティング（ｇａｔｉｎｇ）される第１乃至第３のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第１のスイッチング薄膜トランジスタは前記第２のノードと前記第３のノードとの間に形成され、前記第２のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードとデータ線との間に形成され、前記第３のスイッチング薄膜トランジスタは前記発光素子と接地電圧との間に形成される第１のスイッチング部と、発光信号に応答してゲーティングされる第４及び第５のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第４のスイッチング薄膜トランジスタは前記発光信号とダイオード接続され、第５のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードと前記発光素子との間に形成される第２のスイッチング部とを有することを特徴とする。
【００１１】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、印加される駆動電流によって発光する発光素子と、前記発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、前記駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電流に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート−ソース間電圧とスレッショルド電圧の差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答してデータ電流を前記キャパシタに伝達する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに供給する第２のスイッチング部とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、第１のノードと第３のノードとの間に形成されるキャパシタと、印加される駆動電流によって発光する発光素子と、前記発光素子と第２のノードとの間に形成されて、前記発光素子を発光させるための前記駆動電流を制御する駆動薄膜トランジスタと、走査信号に応答してゲーティングされる第１乃至第３のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第１のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードと前記第２のノードとの間に形成され、前記第２のスイッチング薄膜トランジスタは前記第１のノードとデータ線との間に形成され、前記第３のスイッチング薄膜トランジスタは前記発光素子と接地電圧との間に形成される第１のスイッチング部と、発光信号に応答してゲーティングされる第４のスイッチング薄膜トランジスタを含み、前記第４のスイッチング薄膜トランジスタは第２のノードと発光信号線との間に形成される第２のスイッチング部とを有することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の駆動方法は、印加される駆動電流によって発光する発光素子と、該発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、該駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電圧に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答して前記データ電圧を前記キャパシタに供給する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有する表示装置が提供され、前記キャパシタに所定の電圧をプリチャージする段階と、前記キャパシタに前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を充電する段階と、前記キャパシタに充電した前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を維持する段階と、前記キャパシタに充電した前記駆動薄膜トランジスタのゲート電圧と前記データ電圧との差に相当する電圧を用いて前記発光素子を発光させる段階とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の駆動方法は、印加される駆動電流によって発光する発光素子と、該発光素子を発光させるため前記駆動電流の大きさを制御する駆動薄膜トランジスタと、該駆動薄膜トランジスタのスレッショルド電圧とデータ電流に依存する電圧が充電され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート−ソース間電圧とスレッショルド電圧との差に相当する電圧を維持するキャパシタと、走査信号に応答してデータ電流を前記キャパシタに伝達する第１のスイッチング部と、ダイオード接続されて発光信号を前記駆動薄膜トランジスタに印加する第２のスイッチング部とを有する表示装置が提供され、前記キャパシタに所定の電圧を充電する段階と、前記キャパシタに充電した所定の電圧を維持する段階と、前記キャパシタに充電した所定の電圧を用いて前記発光素子を発光させる段階とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る表示装置及びその駆動方法によれば、電圧駆動線を発光信号線に取り替える場合に信号線を最小化して単位面積内での画素数を示すｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）を増加させて高画素密度が可能であって高解像度ディスプレイを実現できるという効果がある。
【００１６】
また、発光信号線を駆動電圧線として使用する場合には、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）の劣化を減らして、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）が線形領域で動作せず飽和領域で動作するようにすることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、本発明の開示が完全となり、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて決められなければならない。なお、明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。
【００１８】
次に、本発明に係る表示装置及びその駆動方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態による有機発光表示装置のブロック図である。
図１を参照すると、表示装置１は表示板１００及びこれに連結された走査駆動部３００とデータ駆動部５００と発光駆動部７００及びこれらを制御する信号制御部９００を含む。
表示板１００は、複数の信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｎ、Ｓ１〜Ｓｎ）に連結されており、大略行列の形態に配列された複数の画素を含む。一つの画素による具体的な説明は図２〜図４を参照して後述する。
【００２０】
複数の信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｎ、Ｓ１〜Ｓｎ）は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）とデータ信号を伝達する複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｎ）、そして発光信号を伝達する複数の発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を含む。走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）と発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）は大略行方向に伸びており、互いに殆ど平行し、データ線（Ｄ１〜Ｄｎ）は大略列方向に伸びており、互いに殆ど平行する。
【００２１】
従来の表示装置の場合には、表示板１００内に駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する駆動電圧線が別に連結されるが、本発明は発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を駆動電圧線として用いる。そうすれば、発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を駆動電圧線として用いる場合に信号線数を最小化して単位面積内で画素数（ｐｐｉ）を増加させて高画素密度が可能となり高解像度ディスプレイを実現することができる。
【００２２】
走査駆動部３００は、表示板１００の走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に連結されてスイッチング薄膜トランジスタをターンオンさせるゲートオン電圧（Ｖｏｎ）とターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）の組み合わせからなった走査信号を走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に印加し、複数の集積回路からなることができる。
データ駆動部５００は、表示板１００内のデータ線（Ｄ１〜Ｄｎ）と連結されて画像信号を示すデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を画素に印加し、複数の集積回路からなることができる。
【００２３】
発光駆動部７００は、表示板１００の発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）に連結されてスイッチング薄膜トランジスタをターンオンさせるゲートオン電圧（Ｖｏｎ）とターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）の組み合わせからなった発光信号を発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）に印加し、複数の集積回路からなることができる。
信号制御部９００は、走査駆動部３００、データ駆動部５００及び発光駆動部７００などの動作を制御する。
【００２４】
走査駆動部３００、データ駆動部５００又は発光駆動部７００は複数の駆動集積回路チップの形態で表示板１００上に装着されるか、或いは可撓性印刷回路フィルム（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）の形態で表示板１００に付着することができる。これとは違って、走査駆動部３００、データ駆動部５００又は発光駆動部７００は表示板１００に集積されてもよい。
【００２５】
信号制御部９００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びこれを制御する入力制御信号、例えば垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などを受ける。信号制御部９００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づいて入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板１００の動作条件に合うように適切に処理し、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）及び発光制御信号（ＣＯＮＴ３）などを生成する。引き続き、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を走査駆動部３００に送り、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理した画像信号（ＤＡＴ）はデータ駆動部５００に送り、発光制御信号（ＣＯＮＴ３）は発光制御部７００に送る。
【００２６】
走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の走査開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）（図示せず）とゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）とデータ線（Ｄ１〜Ｄｎ）に当該データ電圧（Ｖｄａｔａ）を印加しろというロード信号（ＬＯＡＤ）（図示せず）及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）（図示せず）などを含む。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素についての等価回路図である。
図２を参照すると、各画素は有機発光素子（ＯＬＥＤ）、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、第１のスイッチング部（ＳＩ）、第２のスイッチング部（ＳＩＩ）を含む。
【００２８】
有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）によって提供された電子と、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）によって提供されたホールが結合されて発光する発光層（ＥＭｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含む。ここで、動作特性を向上させるため電子輸送層に電子を注入する電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）と、ホール輸送層にホールを注入するホール注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）をさらに含むことができる。
【００２９】
このような有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）が供給する電流（ＩＯＬＥＤ）によって発光するが、この電流（ＩＯＬＥＤ）は駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲート−ソース間電圧（図２では第２のノード（Ｎ２）と第４のノード（Ｎ４）の間の電圧）に依存する。
【００３０】
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は、第３のノード（Ｎ３）と第４のノード（Ｎ４）との間に形成され、ゲートは第２のノード（Ｎ２）に連結される。第３のノード（Ｎ３）は、第４のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）を通じて発光信号線（Ｓｉ）に連結されている。
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１のノード（Ｎ１）と第２のノード（Ｎ２）との間に形成される。第１のスイッチング部（ＳＩ）であるスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）は走査信号に応答して動作する。
【００３１】
スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）の第３のノード（Ｎ３）と第２のノード（Ｎ２）との間に連結されており、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ２）はデータ電圧（Ｖｄａｔａ）と第１のノード（Ｎ１）との間に連結されており、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ３）は第４のノード（Ｎ４）と接地電圧（Ｖｓｓ）との間に連結されている。
第２のスイッチング部（ＳＩＩ）であるスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）は発光信号に応答して動作する。
【００３２】
スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）は、発光信号線（Ｓｉ）と第３のノード（Ｎ３）との間に連結されており、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ５）はキャパシタ（Ｃｓｔ）と第４のノード（Ｎ４）との間に連結されている。
【００３３】
このようなスイッチング及び駆動薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５、Ｑｄ）は、非晶質シリコンからなるｎチャネル金属酸化膜半導体（以下、ｎＭＯＳという。）薄膜トランジスタからなる。しかしながら、これらトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５、Ｑｄ）はｐチャネル金属酸化膜半導体（以下、ｐＭＯＳという。）薄膜トランジスタからなることもでき、この場合ｐＭＯＳ薄膜トランジスタとｎＭＯＳ薄膜トランジスタは互いに相補型なので、ｐＭＯＳ薄膜トランジスタの動作と電圧及び電流は、ｎＭＯＳ薄膜トランジスタのそれと反対になる。
【００３４】
以下で有機発光装置の表示動作について図３乃至図７を参照して詳細に説明する。
図３は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図であり、図４〜図７は図３に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【００３５】
図３を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置は、プリチャージング区間（Ｔ１）、充電区間（Ｔ２）、維持区間（Ｔ３）、発光区間（Ｔ４）を通じて動作する。
【００３６】
図３及び図４を参照すると、プリチャージング区間（Ｔ１）は走査信号（Ｖｇｉ）及び発光信号（Ｖｓｉ）全てハイレベルである区間である。従って、第１のスイッチング部（ＳＩ）と第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５）は全てターンオンされる。一方、図４では、第１のスイッチング部（ＳＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）は完全ターンオンされているため電気的に短絡されたように示し、第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）は線形領域で動作するので所定大きさの抵抗（ｒ１、ｒ２）に示す。
【００３７】
プリチャージング区間（Ｔ１）における動作を詳細に説明すれば次の通りである。
第１の抵抗（ｒ１）を通じて提供された発光信号（Ｖｓｉ）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）がダイオード接続されているため、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）をターンオンさせる。従って、このように駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を通過した電流は接地電圧（Ｖｓｓ）に抜ける。ここで、プリチャージング区間（Ｔ１）では有機発光素子（ＯＬＥＤ）が不要な発光動作を行わないので、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の表示品質を改善できる。
【００３８】
一方、データ信号（Ｖｄａｔａ）は、第２の抵抗（ｒ２）を通じて接地電圧（Ｖｓｓ）に抜ける。
ここで、第１のノード（Ｎ１）と第２のノード（Ｎ２）との間に連結されたキャパシタ（Ｃｓｔ）は第１のノード（Ｎ１）と第２のノード（Ｎ２）の間の電圧差をプリチャージングする。具体的には、第１のノード（Ｎ１）の電圧レベルはデータ信号（Ｖｄａｔａ）の電圧レベルと同一であり、第２のノード（Ｎ２）の電圧レベルは第１の抵抗（ｒ１）によって電圧降下された発光信号（Ｖｓｉ）の電圧レベルと同一である。
【００３９】
図３及び図５を参照すると、充電区間（Ｔ２）は、走査信号（Ｖｇｉ）はハイレベルであり、発光信号（Ｖｓｉ）はローレベルである区間である。従って、第１のスイッチング部（ＳＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）はターンオンされ、第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）はターンオフされる。一方、図５では第１のスイッチング部（ＳＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）は完全ターンオンされているため電気的に短絡されたように示し、第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）は完全ターンオフされているため電気的にオープン（開放）されたように示す。
【００４０】
充電区間（Ｔ２）における動作を詳細に説明すれば次の通りである。
プリチャージング区間（Ｔ１）でキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）がダイオード接続されているため駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）をターンオンさせる。従って、このように駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を通過した電流は接地電圧（Ｖｓｓ）に抜ける。その結果、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲート電圧が低くなる。ゲート電圧の電圧降下は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）ゲート−ソース間の電圧（図２の第２のノード（Ｎ２）と第４のノード（Ｎ４）との間の電圧）（Ｖｇｓ）が駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）と同じになって電流が流れないときまで続く。
【００４１】
従って、この区間で駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲート−ソース間の電圧（図２の第２のノード（Ｎ２）と第４のノード（Ｎ４）の間の電圧）は数式１の通りである。
【００４２】
（数１）
Ｖｇｓ＝Ｖｔｈ
【００４３】
一方、データ電圧（Ｖｄａｔａ）がキャパシタ（Ｃｓｔ）の第１のノード（Ｎ１）に印加され続ける。従って、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電される電圧（Ｖｃ）は駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）ゲート−ソース間の電圧（図２の第２のノード（Ｎ２）と第４のノード（Ｎ４）の間の電圧）とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差であるためこれは次の数式２の通りである。
【００４４】
（数２）
Ｖｃ＝Ｖｓｓ＋Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ
【００４５】
数式２によれば、キャパシタ（Ｃｓｔ）はデータ電圧（Ｖｄａｔａ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）に依存する電圧（Ｖｃ）を充電する。
従って、この電圧（Ｖｃ）が発光区間（Ｔ４）で有機発光素子（ＯＬＥＤ）に流れる電流（ＩＯＬＥＤ）を決定する。
【００４６】
図３及び図６を参照すると、維持区間（Ｔ３）は走査信号（Ｖｇｉ）及び発光信号（Ｖｓｉ）全てローレベルである区間である。従って、第１のスイッチング部（ＳＩ）と第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５）は全てターンオフされる。一方、図６では第１のスイッチング部（ＳＩ）と第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５）は完全ターンオフされているため電気的にオープン（開放）されたように示す。
【００４７】
維持区間（Ｔ３）における動作を詳細に説明すれば次の通りである。
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）がダイオード接続されていずキャパシタ（Ｃｓｔ）にデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が印加されない。駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）に有機発光素子（ＯＬＥＤ）が連結されている。しかしながら、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）を通じて電流が流れないため駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のソース（図２では第４のノード（Ｎ４））も開放された状態と同一である。従って、キャパシタ（Ｃｓｔ）は充電区間（Ｔ２）で充電した電圧を維持する。
【００４８】
一方、もし充電区間（Ｔ２）が終了した後直ちに発光区間（Ｔ４）が繋がれば、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１）がターンオフされる前にスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）がターンオンされることができる。そうすれば、発光信号（Ｖｓｉ）から電荷が流入されてキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電した電圧が変わることができる。従って、充電区間（Ｔ２）と発光区間（Ｔ４）との間に維持区間（Ｔ３）を置いてスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１）を確実にターンオフさせた後、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）をターンオンさせる必要がある。
【００４９】
図３及び図７を参照すると、発光区間（Ｔ４）は走査信号（Ｖｇｉ）はローレベルであり、発光信号（Ｖｓｉ）はハイレベルである区間である。従って、第１のスイッチング部（ＳＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）はターンオフされ、第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）はターンオンされる。一方、図７では第１のスイッチング部（ＳＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）は完全ターンオフされているため電気的にオープン（開放）されたように示し、第２のスイッチング部（ＳＩＩ）の多数のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）は完全ターンオンされているため電気的に短絡されたように示す。
【００５０】
発光区間（Ｔ４）における動作を詳細に説明すれば次の通りである。
キャパシタ（Ｃｓｔ）にデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が印加されず、キャパシタ（Ｃｓｔ）の第１のノード（Ｎ１）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のソース（図２の第４のノード（Ｎ４））が短絡されながら駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）がターンオンされる。従って、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲート−ソース電圧は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧（Ｖｃ）と同一であり（Ｖｇｓ＝Ｖｃ）、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）はこの電圧によって制御される出力電流（ＩＯＬＥＤ）を有機発光素子（ＯＬＥＤ）に供給する。
【００５１】
ところで、キャパシタ（Ｃｓｔ）は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）による負荷に関係なく充電区間（Ｔ２）で充電された電圧（Ｖｃ）を維持し続けるため（Ｖｃ＝Ｖｓｓ＋Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ）、出力電流（ＩＯＬＥＤ）は次の数式３の通りである。
【００５２】
（数３）
ＩＯＬＥＤ＝（１／２）ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２
＝（１／２）ｋ（Ｖｓｓ＋Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ）２
＝（１／２）ｋ（Ｖｓｓ−Ｖｄａｔａ）２
ここで、ｋは薄膜トランジスタの特性による定数であって、
ｋ＝μ・ＣＳＩＮＸ・Ｗ／Ｌであり、
μは電界効果移動度、ＣＳＩＮＸは絶縁層の容量、Ｗは薄膜トランジスタのチャネル幅、Ｌは薄膜トランジスタのチャネル長さを示す。
【００５３】
数式３ように、発光区間（Ｔ４）における出力電流（ＩＯＬＥＤ）はデータ電圧（Ｖｄａｔａ）と接地電圧（Ｖｓｓ）によってのみ決定される。従って、出力電流（ＩＯＬＥＤ）は駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧の変化に影響を受けない。また、出力電流（ＩＯＬＥＤ）は有機発光素子（ＯＬＥＤ）のスレッショルド電圧の変化に影響を受けない。すなわち、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のスレッショルド電圧が変わって駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のソース（図２の第２のノード（Ｎ２））電圧が一緒に変わってもキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電している電圧は変わらない。
【００５４】
発光区間（Ｔ４）は、次フレームでｉ番目行の画素についてのプリチャージング区間（Ｔ１）が再開始されるときまで続き、ｉ＋１番目行の画素についても前述した各区間（Ｔ１〜Ｔ４）における動作を反復する。但し、例えば（ｉ＋１）番目行のプリチャージング区間（Ｔ１）はｉ番目行の充電区間（Ｔ２）が終了された後開始する。このような方式で、全ての走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）及び発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）について順次に区間（Ｔ１〜Ｔ４）を制御して全ての画素を表示する。
【００５５】
ここで、各区間（Ｔ１〜Ｔ４）の長さは必要に応じて調整できる。
また、接地電圧（Ｖｓｓ）は、例えば０Ｖに設定できる。発光信号（Ｖｓｉ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に電荷を供給し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）が出力電流（ＩＯＬＥＤ）を流れるようにするように十分に高い電圧に設定できるが、例えば１５Ｖでありうる。この時、データ電圧（Ｖｄａｔａ）は負の値を有し、その絶対値が大きいほどこれに対応する出力電流（ＩＯＬＥＤ）が大きい。
【００５６】
図８は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一つの画素についての等価回路図である。説明の便宜上、図２に示した各部材と同一機能を有する部材は同一符号で示し、従ってその説明は省略する。
【００５７】
図８を参照すると、各画素は第１のスイッチング部（ＳＩ）と第２のスイッチング部（ＳＩＩ’）を含んでいるが、第２のスイッチング部（ＳＩＩ’）はスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）を一つのみ含む。
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は、第２のノード（Ｎ２）と第３のノード（Ｎ３）との間に形成され、ゲートは第１のノード（Ｎ１）に連結される。第２のノード（Ｎ２）は第４のスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）を通じて発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）に連結されている。
【００５８】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１のノード（Ｎ１）と第３のノード（Ｎ３）との間に形成される。
スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ１）は、第２のノード（Ｎ２）と第１のノード（Ｎ１）との間に連結されており、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ２）はデータ線（Ｄｊ）と駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲートに連結されており、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ３）は第３のノード（Ｎ３）と接地電圧（Ｖｓｓ）との間に連結されている。
スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）は、発光信号線（Ｓｉ）と第２のノード（Ｎ２）との間に連結されている。
【００５９】
図９は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図であり、図１０〜図１２は図９に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。説明の便宜上、図３〜図７に示す各部材と同一機能を有する部材は同一符号で示し、従ってその説明は省略する。
【００６０】
図９を参照すると、本発明の他の実施形態による表示装置は、充電区間（Ｔ１）、維持区間（Ｔ２）、発光区間（Ｔ３）によって動作する。前述したプリチャージング区間がない。これは直接データ電流（Ｉｄａｔａ）がデータ線を通じて書き込まれるためである。
【００６１】
図９及び図１０を参照すると、充電区間（Ｔ１）は走査信号（Ｖｇｉ）はハイレベルであり、発光信号（Ｖｓｉ）はローレベルである区間である。
【００６２】
充電区間（Ｔ２）における動作を詳細に説明すれば次の通りである。
キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電される電圧（Ｖｇｓ）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲートとソース（図５の第１のノード（Ｎ１）と第３のノード（Ｎ３））間の電圧差である。データ電流（Ｉｄａｔａ）は次の数式４の通りである。
【００６３】
（数４）
Ｉｄａｔａ＝（１／２）ｋ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２
【００６４】
数式４をＶｇｓについて整理すれば、以下の数式５のように表現される。
（数５）
Ｖｇｓ＝Ｖｔｈ＋√（２Ｉｄａｔａ／ｋ）
すなわち、数式５ほどの電圧がキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電される。
【００６５】
図９及び図１１を参照すると、維持区間（Ｔ２）は走査信号（Ｖｇｉ）及び発光信号（Ｖｓｉ）全てローレベルである区間である。図１１を参照すると、本発明の一実施形態による維持区間と同様に、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧が維持されることが分かる。
【００６６】
図９及び図１２を参照すれば、発光区間（Ｔ３）は走査信号（Ｖｇｉ）はハイレベルであり、発光信号（Ｖｓｉ）はローレベルである区間である。
【００６７】
図１２を参照すると、キャパシタ（Ｃｓｔ）は駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のゲートと駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のソース（図５の第３のノード（Ｎ３））間に連結され、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）は発光信号（Ｖｓｉ）及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）と連結される。これは、本発明の一実施形態による発光区間と同様の連結状態である。
【００６８】
出力電流（ＩＯＬＥＤ）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧の変化に影響を受けない。これは自動補償のためである。すなわち、劣化される前の駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧及びキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧をそれぞれＶｔｈ１及びＶｇｓ１と言い、劣化された後の駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧及びキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧をそれぞれＶｔｈ２及びＶｇｓ２とする。その時、劣化前後に駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧がＶｔｈ１とＶｔｈ２に変化すれば、自動補償によって
Ｉｄａｔａ＝（１／２）ｋ（Ｖｇｓ１−Ｖｔｈ１）２＝（１／２）ｋ（Ｖｇｓ２−Ｖｔｈ２）２
となるようにＶｇｓ１とＶｇｓ２が調整される。
【００６９】
本発明に関するより詳細な内容は次の具体的な模擬試験結果によって説明し、ここに記載されない内容は当業者であれば十分に技術的に類推できることであるため説明を省略する。
【００７０】
（模擬試験例）
模擬試験の条件は次の通りである。
駆動及びスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｄ、Ｑｓ１〜Ｑｓ５）のＷ／Ｌは全て２００／４μｍであり、キャパシタ（Ｃｓｔ）のキャパシタンスは０．３ｐＦである。駆動電圧（Ｖｄｄ）は１５Ｖであり、接地電圧（Ｖｓｓ）は０Ｖである。走査信号（Ｖｇｉ）と発光信号（Ｖｓｉ）は全て−７Ｖ〜２０Ｖのスイング幅を有する。
【００７１】
図１３及び図１４は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動薄膜トランジスタとスイッチング薄膜トランジスタのスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）が劣化されるときに生ずる有機発光素子（ＯＬＥＤ）出力電流偏差を示したグラフである。
【００７２】
図１３を参照すれば、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）が２．１Ｖ〜５．１Ｖに劣化された場合である。ここで、「ａ」は駆動電圧線の代わりに発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を用いる場合（本発明、６−ＴＦＴ）であり、「ｂ」は駆動電圧線と発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を共に用いる場合（従来技術、６−ＴＦＴ）であり、「ｃ」は従来技術の２個のトランジスタ（従来技術、２−ＴＦＴ）の場合である。また、横軸は駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）であり、縦軸は電流維持率である。
【００７３】
有機発光素子（ＯＬＥＤ）出力電流（ＩＯＬＥＤ）において、「ａ」は「ｂ」と比較して見れば、劣化補正能力が類似することが分かる。しかしながら、「ｃ」を用いた画素回路と比較して見れば、「ａ」を用いた画素回路が劣化補正能力が卓越していることが分かる。
【００７４】
図１４を参照すれば、模擬試験結果で時間は特定時間についての結果ではない。（本発明、６−ＴＦＴ）でスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）の劣化程度は（従来技術、６−ＴＦＴ）でのスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）が劣化される水準の０．７倍に設定した場合である。
すなわち、（従来技術、６−ＴＦＴ）の場合にスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）が１Ｖシフトする場合に（本発明、６−ＴＦＴ）の場合はスイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）のスレッショルド電圧（Ｖｔｈ）が１Ｖ×０．７＝０．７Ｖシフトすると仮定して模擬試験した結果である。ここで、「ｄ」は駆動電圧線と発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を共に用いる場合（従来技術、６−ＴＦＴ）であり、「ｅ」は駆動電圧線の代わりに発光信号線（Ｓ１〜Ｓｎ）を用いる場合（本発明、６−ＴＦＴ）である。また横軸は時間であり、縦軸は初期有機発光素子電流と任意の時間で有機発光素子電流の比（ＩＯＬＥＤ／初期ＩＯＬＥＤ）である。
【００７５】
模擬試験各時点についてのパラメータ（スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）のスレッショルド電圧劣化）は以下の表１の通りである。
【表１】
2007156420.tif 000003
【００７６】
スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ４）が劣化される場合、初期有機発光素子電流と任意の時間での有機発光素子電流の比（ＩＯＬＥＤ／初期ＩＯＬＥＤ）を比較して見れば、「ｅ」が「ｄ」に比べて比の値が少なく減少することが分かる。これは、「ｅ」が「ｄ」に比べて電流の偏差が少ないことを示している。
【００７７】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、有機発光表示装置及びその駆動方法に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施形態による有機発光表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素についての等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図である。
【図４】図３に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図５】図３に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図６】図３に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図７】図３に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図８】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一つの画素についての等価回路図である。
【図９】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図である。
【図１０】図９に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図１１】図９に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図１２】図９に示した各区間における一つの画素についての等価回路図である。
【図１３】本発明と従来技術の有機発光表示装置の駆動薄膜トランジスタ及びスイッチング薄膜トランジスタのスレッショルド電圧対電流維持率を示すグラフである。
【図１４】本発明と従来技術の有機発光表示装置の有機発光素子電流偏差を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８０】
１          表示装置
１００      表示板
３００      走査駆動部
５００      データ駆動部
７００      発光駆動部
９００      信号制御部
【図１】
2007156420.tif 000004
【図２】
2007156420.tif 000005
【図３】
2007156420.tif 000006
【図４】
2007156420.tif 000007
【図５】
2007156420.tif 000008
【図６】
2007156420.tif 000009
【図７】
2007156420.tif 000010
【図８】
2007156420.tif 000011
【図９】
2007156420.tif 000012
【図１０】
2007156420.tif 000013
【図１１】
2007156420.tif 000014
【図１２】
2007156420.tif 000015
【図１３】
2007156420.tif 000016
【図１４】
2007156420.tif 000017