(57)【要約】【課題】  樹脂膜の表面に形成される凹凸パターンを正確に検査できる液晶装置を提供する。【解決手段】  表示の最小単位であるサブ画素Ｄを基板７ａ上で複数、平面的に並べることよって形成された有効表示領域Ｖと、基板７ａ上で有効表示領域Ｖの周囲に該有効表示領域Ｖに連続して設けられた周辺領域Ｖｓと、有効表示領域Ｖと周辺領域Ｖｓとにわたって基板７ａ上に設けられた層間絶縁膜２２と、有効表示領域Ｖと周辺領域Ｖｓの絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンとを有する液晶表示装置である。一つのサブ画素Ｄは凹凸パターンが設けられた領域と凹凸パターンが設けられない領域とを有し、周辺領域Ｖｓにはサブ画素Ｄの領域に設けられた凹凸パターンと同じ凹凸パターンを含んで連続的に凹凸パターンが設けられている。【選択図】        図５
2007057639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示の最小単位であるサブ画素を基板上で複数、平面的に並べることよって形成された有効表示領域と、
前記基板上で前記有効表示領域の周囲に該有効表示領域に連続して設けられた周辺領域と、
前記有効表示領域と前記周辺領域とにわたって前記基板上に設けられた樹脂膜と、
前記有効表示領域と前記周辺領域の前記樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンとを有し、
一つの前記サブ画素は前記凹凸パターンが設けられた領域と前記凹凸パターンが設けられない領域とを有し、
前記周辺領域には前記サブ画素の領域に設けられた前記凹凸パターンと同じ凹凸パターンを含んで連続的に前記凹凸パターンが設けられている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、前記周辺領域には前記サブ画素の複数個分の凹凸パターンが設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、前記有効表示領域内であって前記サブ画素内の前記樹脂膜上には光反射膜が設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記基板と前記樹脂膜との間に信号線を有し、前記信号線は前記有効表示領域及び前記周辺領域の両方にわたって直線的に設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶装置において、前記基板と前記樹脂膜との間に２端子型のスイッチング素子をさらに有し、前記信号線は、前記２端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行の方向に延びるデータ線であることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項４記載の液晶装置において、前記基板と前記樹脂膜との間に３端子型のスイッチング素子をさらに有し、前記信号線は、前記３端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行の方向へ延びるデータ線と、前記３端子型のスイッチング素子に接続されて前記データ線と直交する方向へ延びる走査線との２種類であることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記有効表示領域内であって前記サブ画素内の前記樹脂膜には当該樹脂膜の厚み方向に貫通するコンタクトホールが設けられ、前記周辺領域内の前記樹脂膜には前記コンタクトホールは設けられないことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
表示の最小単位であるサブ画素を基板上で複数、平面的に並べることによって形成された有効表示領域と、
前記基板上で前記有効表示領域の周囲に該有効表示領域に連続して設けられた周辺領域と、
前記有効表示領域と前記周辺領域とにわたって前記基板上に設けられた樹脂膜と、
前記有効表示領域と前記周辺領域の前記樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンとを有し、
一つの前記サブ画素は前記凹凸パターンが設けられた領域と前記凹凸パターンが設けられない領域とを有し、前記周辺領域には前記サブ画素の領域に設けられた前記凹凸パターンと同じ凹凸パターンを含んで連続的に前記凹凸パターンが設けられている液晶装置の前記凹凸パターンを検査する検査方法において、
前記周辺領域内に設けられた前記樹脂膜の前記凹凸パターンに所定径の光を照射し、前記凹凸パターンの表面で散乱反射された反射光を検出し、前記凹凸パターンの光散乱性を検査することを特徴とする液晶装置の検査方法。
【請求項９】
請求項８記載の液晶装置の検査方法において、前記液晶装置は、前記基板と前記樹脂膜との間に設けられた２端子型のスイッチング素子と、該２端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行な方向に延びるデータ線とを有し、
前記周辺領域は、
互いに隣接する前記データ線同士に挟まれて成る第１検査領域と、
前記データ線が設けられない領域である第２検査領域と
を備えており、
前記第１検査領域又は前記第２検査領域のいずれかの検査領域の前記凹凸パターンに所定径の光を照射し、前記凹凸パターンの表面で散乱反射された反射光を検出し、前記凹凸パターンの光散乱性を検査することを特徴とする液晶装置の検査方法。
【請求項１０】
請求項８記載の液晶装置の検査方法において、前記液晶装置は、前記基板と前記樹脂膜との間に設けられた３端子型のスイッチング素子と、該３端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行な方向へ延びるデータ線と、前記３端子型のスイッチング素子に接続されて前記データ線と直交する方向へ延びる走査線とを有し、
前記周辺領域は、
互いに隣接する前記走査線同士に挟まれて成る第１検査領域と、
互いに隣接する前記データ線同士に挟まれて成る第２検査領域と、
前記データ線及び前記走査線が設けられない第３検査領域と
を備えており、
前記第１検査領域、前記第２検査領域、又は前記第３検査領域のいずれかの検査領域の前記凹凸パターンに所定径の光を照射し、前記凹凸パターンの表面で散乱反射された反射光を検出し、前記凹凸パターンの光散乱性を検査することを特徴とする液晶装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を用いて光を制御する液晶装置に関する。また、本発明は、その液晶装置を検査するための検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機といった各種の電子機器では、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、例えば、液晶装置が用いられている。この液晶装置として、例えば、透光性のガラス基板上にＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）素子等といったスイッチング素子や信号線等といった導電パターンを形成し、その上に樹脂膜を形成し、その上に光反射膜を形成した構造のものが知られている。いわゆる、反射型の液晶装置又は半透過反射型の液晶装置である。
【０００３】
上記のような構成の液晶装置では、表示が行われる領域である有効表示領域が複数のサブ画素によって形成される。そして、その有効表示領域の外側にある周辺領域、いわゆる見切り領域には、一般に、表示に用いられない数画素分の余分なサブ画素が設けられることが多い。このような領域は、例えば、一対の基板を貼り合わせて液晶装置を組立てる際、それらの基板同士の位置のズレ、いわゆる組みズレが発生することを考慮して設けられるものである。
【０００４】
このような構成の液晶装置においては、従来、樹脂膜の表面に凹凸パターンが形成されているものが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。この凹凸パターンは、例えば、上記の光反射膜に散乱特性や指向性を持たせるために用いられる。具体的には、その樹脂膜の表面に凹凸パターンを形成することにより、その樹脂膜の上に設けられる光反射膜に凹凸パターンを付与し、その凹凸パターンで光を反射することにより反射光を散乱させたり、反射光に指向性を持たせたりする。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１７１７９４号公報（第８頁、図１０）
【特許文献２】特開２００３−７５９８７号公報（第９頁、図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１及び特許文献２のような液晶装置では、一般に、凹凸パターンの形状を管理するために、凹凸パターンにおける光反射率の検査が行われる。具体的には、凹凸パターンが形成された樹脂膜の表面にスポット光を照射し、凹凸パターンにおいて反射されるスポット光の反射率を、例えば反射率計を用いて測定するものである。
【０００７】
ところで、特許文献１及び特許文献２に開示された液晶装置では、例えば、樹脂層を挟んで設けられる電極と導電パターンとを電気的に導通させるためのコンタクトホールや、透過型表示を行う領域である樹脂膜の凹部等といった凹凸パターンがない部分が各サブ画素内に設けられている。また、基板と樹脂膜との間には、サブ画素に平面的に重なるように導電パターンが設けられている。そして、これらの樹脂膜の凹凸パターン、コンタクトホール、凹部、及び基板と樹脂膜の間の導電パターンは、有効表示領域内に設けられることは当然のことであるが、上記の周辺領域内の余分なサブ画素内にも設けられていた。
【０００８】
このような構成の液晶装置において、凹凸パターンの検査を行う際には、反射率を測定するためのスポット光が有効表示領域内のサブ画素内又は周辺領域内の余分なサブ画素内に照射されるが、いずれの場合でもそのスポット光が検査の対象である凹凸パターン以外の領域にも照射されることがあった。また、測定用のスポット光が基板と樹脂膜の間にある導電パターンにおいて反射するおそれがあった。これらの理由により、凹凸パターンにおける光反射率を正確に測定できないおそれがあった。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、樹脂膜の表面に形成される凹凸パターンを正確に検査することができる液晶装置及び液晶装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶装置は、表示の最小単位であるサブ画素を基板上で複数、平面的に並べることよって形成された有効表示領域と、前記基板上で前記有効表示領域の周囲に該有効表示領域に連続して設けられた周辺領域と、前記有効表示領域と前記周辺領域とにわたって前記基板上に設けられた樹脂膜と、前記有効表示領域と前記周辺領域の前記樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンとを有する液晶装置である。この液晶装置において、一つの前記サブ画素は前記凹凸パターンが設けられた領域と前記凹凸パターンが設けられない領域とを有し、前記周辺領域には前記サブ画素の領域に設けられた前記凹凸パターンと同じ凹凸パターンを含んで連続的に前記凹凸パターンが設けられていることを特徴とする。
【００１１】
この構成の液晶装置においては、サブ画素内の凹凸パターンと同じパターンの凹凸パターンを含んで連続的に設けられていて、凹凸パターンが設けられていない領域は設けられていない。従って、周辺領域には、凹凸パターンが設けられた領域を有効表示領域内に比べて十分に広く設けることができる。例えば、このような広い領域において、凹凸パターンが形成された樹脂膜の表面にスポット光を照射してその凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンを正確に検査できる。例えば、その凹凸パターンの形状を正確に検査できる。
【００１２】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記周辺領域には前記サブ画素の複数個分の凹凸パターンが設けられることが望ましい。こうすれば、周辺領域に凹凸パターンが設けられた領域をより広く設けることができるので、樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンの検査を容易に行うことができる。ここで、サブ画素の複数個分とは、１個、２個、３個・・・等といった整数個分に限られず、１．２個、２．５個、３．７個等といった１個のサブ画素の一部分の広さも含む意味である。
【００１３】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記有効表示領域内であって前記サブ画素内の前記樹脂膜上には光反射膜が設けられることが望ましい。本発明に係る液晶装置では、周辺領域において樹脂膜の凹凸パターンを正確に検査できる。そのため、樹脂膜上に設けられた光反射膜は、正確に検査された凹凸パターンに従って凹凸パターンを持つことができる。その結果、本実施形態の液晶装置は、所望の光反射特性を得ることができる。
【００１４】
次に、本発明に係る液晶装置においては、前記基板と前記樹脂膜との間に信号線を有し、前記信号線は前記有効表示領域及び前記周辺領域の両方にわたって直線的に設けられることが望ましい。こうすれば、信号線を用いて各サブ画素に適宜の信号を供給できる。また、このような信号線は、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった金属によって形成される場合がある。この場合、反射率を測定するためのスポット光が信号線に照射されると、その信号線において光が反射することがある。こうなると、凹凸パターンで反射した光以外の余分な光が測定されるおそれがある。
【００１５】
本発明に係る液晶装置では、周辺領域にもサブ画素と同じ凹凸パターンを設けているが、例えば、信号線が１種類のとき、周辺領域の４辺のうちの２辺の領域には信号線が設けられないことになる。従って、凹凸パターンの検査は当該２辺の領域内で行うことが望ましい。一方、信号線が互いに直交する２種類のとき、周辺領域の上下の２辺及び左右の２辺では信号線が１種類だけ設けられることになり、周辺領域の４隅の領域には信号線が設けられないことになる。従って、凹凸パターンの検査は周辺領域内の上下の２辺又は左右の２辺の領域で行うことが望ましい。また、凹凸パターンの検査は、周辺領域の４隅の領域において行うことが、さらに、望ましい。これらの領域では、信号線の影響を受けることなく正確に検査できる領域をサブ画素内より広く確保できるからである。
【００１６】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記基板と前記樹脂膜との間に２端子型のスイッチング素子をさらに有することができる。そしてその場合、前記信号線は、前記２端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行の方向に延びるデータ線とすることができる。この２端子型のスイッチング素子としては、例えば、ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有したＴＦＤ（Thin Film Diode）素子が考えられる。
【００１７】
このようなＴＦＤ素子をスイッチング素子として用いた場合、ＴＦＤ素子と同じ基板上に設けられる信号線としては、ＴＦＤ素子に接続されるデータ線が考えられる。この構成は、信号線が１種類である先に説明した場合に相当する構造である。すなわち、周辺領域の４辺のうちの２辺には信号線が設けられないことになるので、この領域で凹凸パターンの検査をすれば、信号線、すなわちデータ線の影響を受けることなく凹凸パターンを正確に検査できる。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記基板と前記樹脂膜との間に３端子型のスイッチング素子をさらに有することができる。そしてその場合、前記信号線は、前記３端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行の方向へ延びるデータ線と、前記３端子型のスイッチング素子に接続されて前記データ線と直交する方向へ延びる走査線との２種類とすることができる。この３端子型のスイッチング素子としては、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子が考えられる。
【００１９】
このようなＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた場合、ＴＦＴ素子と同じ基板上に設けられる信号線としては、ＴＦＴ素子に接続されるデータ線と、そのデータ線に平面視で直交する走査線とが考えられる。この構成は、信号線が２種類である先に説明した場合に相当する構造である。すなわち、周辺領域の上下の２辺及び左右の２辺では信号線が１種類だけ設けられることになり、周辺領域の４隅には信号線が設けられないことになるので、これらの領域で凹凸パターンの検査をすれば、信号線、すなわちデータ線の影響を受けることなく凹凸パターンを正確に検査できる。
【００２０】
次に、本発明に係る液晶装置においては、前記有効表示領域内であって前記サブ画素内の前記樹脂膜には当該樹脂膜の厚み方向に貫通するコンタクトホールが設けられ、前記周辺領域内の前記樹脂膜には前記コンタクトホールは設けられないことが望ましい。このコンタクトホールは、基板と樹脂膜との間に設けられたスイッチング素子と樹脂膜上に設けられた電極とを、光反射膜を介してまたは直接に導電接続するための貫通穴である。このようなコンタクトホールは凹凸パターンが設けられない領域である。このコンタクトホールは有効表示領域内であってサブ画素内に設けられ、周辺領域内には設けられないので、周辺領域では凹凸パターンを連続的に設けることができる。
【００２１】
次に、本発明に係る液晶装置の検査方法は、表示の最小単位であるサブ画素を基板上で複数、平面的に並べることによって形成された有効表示領域と、前記基板上で前記有効表示領域の周囲に該有効表示領域に連続して設けられた周辺領域と、前記有効表示領域と前記周辺領域とにわたって前記基板上に設けられた樹脂膜と、前記有効表示領域と前記周辺領域の前記樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンとを有し、一つの前記サブ画素は前記凹凸パターンが設けられた領域と前記凹凸パターンが設けられない領域とを有し、前記周辺領域には前記サブ画素の領域に設けられた前記凹凸パターンと同じ凹凸パターンを含んで連続的に前記凹凸パターンが設けられている液晶装置の前記凹凸パターンを検査する検査方法である。この検査方法は、前記周辺領域内に設けられた前記樹脂膜の前記凹凸パターンに所定径の光を照射し、前記凹凸パターンの表面で散乱反射された反射光を検出し、前記凹凸パターンの光散乱性を検査することを特徴とする。
【００２２】
この液晶装置の検査方法では、前記周辺領域の前記凹凸パターン上に所定径の光を照射したときの反射光に基づいて凹凸パターンを検査することができる。例えば、凹凸パターンで反射する所定径のスポット光の反射率を反射率計等によって測定すれば、樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンを検査できる。
【００２３】
液晶装置の周辺領域内にはサブ画素内の凹凸パターンと同じパターンの凹凸パターンを含んで連続的に設けられていて、凹凸パターンが設けられていない領域は設けられていない。従って、周辺領域には、凹凸パターンが設けられた領域である測定可能領域を有効表示領域内に比べて十分に広く設けることができる。このような広い領域において凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、樹脂膜の表面に設けられた凹凸パターンを容易に、且つ正確に検査できる。
【００２４】
次に、本発明に係る液晶装置の検査方法において、前記液晶装置は、前記基板と前記樹脂膜との間に設けられた２端子型のスイッチング素子と、該２端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行な方向に延びるデータ線とを有することができる。そしてその場合、前記周辺領域は、互いに隣接する前記データ線同士に挟まれて成る第１検査領域と、前記データ線が設けられない領域である第２検査領域とを備えており、前記第１検査領域又は前記第２検査領域のいずれかの検査領域の前記凹凸パターンに所定径の光を照射し、前記凹凸パターンの表面で散乱反射された反射光を検出し、前記凹凸パターンの光散乱性を検査することが望ましい。
【００２５】
この２端子型のスイッチング素子としては、例えば、ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有したＴＦＤ（Thin Film Diode）素子が考えられる。このようなＴＦＤ素子をスイッチング素子として用いた場合、ＴＦＤ素子には信号線としてのデータ線が接続される。この構成は、信号線が１種類である先に説明した場合に相当する構造である。このような構造の液晶装置では、周辺領域内の上下の２辺の領域が第１検査領域であり、また左右の２辺の領域が第２検査領域である。これらの第１検査領域又は第２検査領域は、有効表示領域内に比べて凹凸パターンが設けられた測定可能領域を十分に広く設けることができる。従って、これらの領域で凹凸パターンの検査をすれば、信号線、すなわちデータ線の影響を受けることなく凹凸パターンを正確に検査できる。
【００２６】
次に、本発明に係る液晶装置の検査方法において、前記液晶装置は、前記基板と前記樹脂膜との間に設けられた３端子型のスイッチング素子と、該３端子型のスイッチング素子に接続されて前記サブ画素の１辺と平行な方向へ延びるデータ線と、前記３端子型のスイッチング素子に接続されて前記データ線と直交する方向へ延びる走査線とを有することができる。そしてその場合、前記周辺領域は、互いに隣接する前記走査線同士に挟まれて成る第１検査領域と、互いに隣接する前記データ線同士に挟まれて成る第２検査領域と、前記データ線及び前記走査線が設けられない第３検査領域とを備えており、前記第１検査領域、前記第２検査領域、又は前記第３検査領域のいずれかの検査領域の前記凹凸パターンに所定径の光を照射し、前記凹凸パターンの表面で散乱反射された反射光を検出し、前記凹凸パターンの光散乱性を検査することが望ましい。
【００２７】
この３端子型のスイッチング素子としては、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子が考えられる。このようなＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いた場合、ＴＦＴ素子には信号線としてのデータ線とそのデータ線に平面視で直交する走査線とが接続される。この構成は、信号線が２種類である先に説明した場合に相当する構造である。このような構造の液晶装置では、周辺領域内の上下の２辺の領域が第１検査領域であり、また左右の２辺の領域が第２検査領域である。これらの第１検査領域及び第２検査領域では信号線が１種類だけ設けられる領域である。また、周辺領域の４隅の領域が第３検査領域であり、信号線が設けられない領域である。これらの第１検査領域、第２検査領域又は第３検査領域は、有効表示領域内に比べて凹凸パターンが設けられた測定可能領域を十分に広く設けることができる。従って、これらの領域で凹凸パターンの検査をすれば、信号線、すなわちデータ線の影響を受けることなく凹凸パターンを正確に検査できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（液晶装置及び液晶装置の検査方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置をその一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態は、スイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。
【００２９】
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。図２は、図１のＺ１−Ｚ１線に従った側面断面図である。図３は、図１の液晶表示装置における１つの画素部分を拡大して示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）は（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従ってサブ画素の短手側の断面構造を示している。図４は、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。
【００３０】
図１において、液晶装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。液晶パネル２にはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４が接続されている。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００３１】
液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６は図２に示すように素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６は図１に示すようにその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。注入された液晶は図２に示すようにセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。図１の液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口６ａを通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴を供給する方法も採用できる。
【００３２】
図２において、セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３３】
図１において、照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００３４】
素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｂで示す部分の拡大図である図４にも示すように、信号線としてのソース電極線１９が列方向Ｙ（すなわち、左右方向）に延びている。また、同じく信号線としてのゲート電極線２１が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子３１がソース電極線１９及びゲート電極線２１に接続して形成されている。
【００３５】
それらのＴＦＤ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１の上に、それらを覆う絶縁膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３６】
層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３７】
光反射膜２３及び画素電極２４は、図１の素子基板７上に矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、各ソース電極線１９と各ゲート電極線２１とが交差する位置に設けられていて、個々のＴＦＴ素子３１に接続されている。
【００３８】
図４において、層間絶縁膜２２には、光反射膜２３とＴＦＴ素子３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２５が形成されている。このコンタクトホール２５は、層間絶縁膜２２の厚み方向に貫通する穴であり、平面的に見てすなわち平面視でＴＦＴ素子３１の素子本体部分に重ならない位置であって、光反射膜２３と重なる位置に形成される。
【００３９】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子３１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子３１は、ゲート電極３２、ゲート絶縁層３３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層３４、ソース電極３５、そしてドレイン電極３６を有する。ドレイン電極３６は、その一端が半導体層３４に接続し、その他端がコンタクトホール２５を介して光反射膜２３及び画素電極２４に接続する。ソース電極３５は図４の左右方向（列方向Ｙ）に延びるソース電極線１９の一部として形成されている。このソース電極線１９は画素電極２４へデータ信号を供給するためのデータ線として機能する。また、ゲート電極３２は、ソース電極線１９と直角の方向すなわち図４の紙面垂直方向（行方向Ｘ）に延びるゲート電極線２１から延びている。このゲート電極線２１は画素電極２４へ走査信号を供給するための走査線として機能する。
【００４０】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＴ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶装置１において鮮明な表示を行うことができる。
【００４１】
図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００４２】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図４にも示すように、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に共通電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００４３】
着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て図４の紙面垂直方向（行方向Ｘ）及び左右方向（列方向Ｙ）にマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００４４】
なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった遮光性の材料が考えられる。なお、本明細書において、複数色の着色膜を重ねて形成された遮光膜は、重ね遮光膜と呼ばれることがある。
【００４５】
着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、共通電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。共通電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。共通電極４４の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４６】
図１において、共通電極４４は、カラーフィルタ基板８の表面の全面に設けられている。一方、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極２４とカラーフィルタ基板８上に設けられた共通電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状部分で重なっている。このように重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の有効表示領域Ｖが形成され、この有効表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００４７】
有効表示領域Ｖの外側であってシール材６で囲まれた領域には、表示に寄与しない枠状の周辺領域Ｖｓが設けられている。この周辺領域Ｖｓに関しては後に詳しく説明する。
【００４８】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図３（ａ）に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００４９】
図４において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。本実施形態において、領域Ｔは図３（ａ）に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の方形状の領域である。また、領域Ｒはサブ画素Ｄの領域内であって領域Ｔ以外の領域であり領域Ｔの周りの領域である。
【００５０】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図４において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒで反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図４の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５１】
層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。
【００５２】
また、層間絶縁膜２２は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１２の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、図４において、光反射膜２３が設けられる反射表示領域Ｒに所定の層厚を有する層間絶縁膜２２が設けられている。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１２の層厚ｔ０が薄く設定される。一方、光反射膜２３が設けられない透過表示領域Ｔには層間絶縁膜２２が設けられていない。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１２の層厚ｔ１がｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定される。
【００５３】
反射型表示が行われる際、反射光Ｌ０は液晶層１２を往復で２回通過する。これに対し、透過表示が行われる際、透過光Ｌ１は液晶層１２を１回だけ通過する。従って、液晶層１２がｔ１＝ｔ０に設定されていると、反射型表示と透過型表示との間で表示の濃さが不均一になるおそれがある。これに対し、本実施形態のようにｔ１＞ｔ０に設定すれば、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１２を通過する光路の長さを等しく又は近づけることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で濃さが均一な表示を行うことができる。
【００５４】
次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４６を有している。この張出し部４６の表面には、配線４７がフォトエチング処理等によって形成されている。配線４７は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４６の辺端には複数の外部接続用端子４８が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４８は、図１に示したＦＰＣ基板４に形成される複数の配線（図示せず）に導電接続される。
【００５５】
図２に示す複数の配線４７は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４７の一部は、素子基板７上のソース電極線１９（図３参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４７の他の一部は、シール材６に囲まれた領域内において素子基板７の側辺に沿って列方向Ｙに延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。これらの配線４７は、素子基板７上のゲート電極線２１（図３参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【００５６】
図２の張出し部４６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５１を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５２が実装されている。駆動用ＩＣ５２は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、ソース電極線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、ゲート電極線２１へ走査信号を伝送する。
【００５７】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００５８】
上記の反射型表示を行う場合、図４において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００５９】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の共通電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６０】
以下、素子基板７の周辺領域Ｖｓについて詳しく説明する。図５（ａ）は、図１の素子基板７のうち、有効表示領域Ｖと周辺領域Ｖｓとの境界近傍を矢印Ａ方向から平面的に示す図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面図である。図５では、樹脂膜としての層間絶縁膜２２を主に示しており、層間絶縁膜２２上に形成される光反射膜２３や画素電極２４等（図３参照）の要素は図示を省略している。なお、サブ画素Ｄは、図３（ａ）に示すように画素電極２４によって規定される領域であり、層間絶縁膜２２上では区画されていない領域であるが、図５（ａ）では、説明のためにこのサブ画素Ｄと同様の領域を細い実線で区画して示している。
【００６１】
周辺領域Ｖｓは、図５（ａ）に示すように、有効表示領域Ｖの周囲であって有効表示領域Ｖに連続して設けられている。そして、これら連続した有効表示領域Ｖ及び周辺領域にわたって層間絶縁膜２２が設けられている。この層間絶縁膜２２の表面の全域には凹凸パターンが設けられている。この凹凸パターンは、有効表示領域Ｖと周辺領域Ｖｓとで同じパターンに形成されている。
【００６２】
上記の周辺領域Ｖｓはサブ画素Ｄの複数個分の広さに形成されている。例えば、本実施形態では、行方向Ｘに関しては有効表示領域Ｖの片側にサブ画素Ｄの３個分、両側で６個分の広さの周辺領域Ｖｓが形成されている。他方、列方向Ｙに関しては有効表示領域Ｖの片側にサブ画素Ｄの２個分、両側で４個分の広さの周辺領域Ｖｓが形成されている。従って、周辺領域Ｖｓには、サブ画素Ｄの複数個分の凹凸パターンが連続して設けられている。なお、ここで言う複数個分とは、整数個分に限られず、１個のサブ画素Ｄの一部分の広さも含む意味である。
【００６３】
有効表示領域Ｖにおいて、サブ画素Ｄ内には、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが設けられない領域である透過表示領域Ｔ及びコンタクトホール２５が設けられている。これに対し、周辺領域Ｖｓにおいては、層間絶縁膜２２の表面の凹凸パターンが全域に設けられ、透過表示領域Ｔやコンタクトホール２５等といった凹凸パターンが設けられない領域は設けられていない。
【００６４】
また、有効表示領域Ｖにおいては、図５（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２２と基板７ａとの間に、データ線としてのソース電極線１９及び走査線としてのゲート電極線２１が設けられている。ソース電極線１９は、図５（ａ）で平面的に示すように、列方向Ｙに沿ったサブ画素Ｄの１辺と平行に複数のサブ画素Ｄにわたって延びている。このソース電極線１９は、有効表示領域Ｖに列方向Ｙに並べて設けられたサブ画素Ｄの列のそれぞれに対して設けられており、複数本が行方向Ｘに並んでストライプ状に設けられている。一方、ゲート電極線２１は、行方向Ｘに沿ってサブ画素Ｄの他の１辺と平行に複数のサブ画素Ｄにわたって延びている。このゲート電極線２１は、有効表示領域Ｖに行方向Ｘに並べて設けられたサブ画素Ｄの列のそれぞれに対して設けられており、複数本が列方向Ｙに並んでストライプ状に設けられている。これらのソース電極線１９とゲート電極線２１とは、図５（ａ）において平面的に見ると、各サブ画素Ｄに設けられたＴＦＴ素子３１の部分で交差しており、各サブ画素Ｄの領域内には、１辺と平行の方向にソース電極線１９が設けられ、他の１辺と平行の方向にゲート電極線２１が設けられている。
【００６５】
これに対し、周辺領域Ｖｓ内においては、ソース電極線１９又はゲート電極線２１のどちらか一方のみが設けられている領域と、どちらも設けられていない領域とがある。具体的には、有効表示領域Ｖの列方向Ｙの端辺Ｅｙよりも外側（すなわち、図５（ａ）における有効表示領域Ｖよりも上側）の領域が、有効表示領域Ｖから延びるソース電極線１９のみが設けられている領域である。また、有効表示領域Ｖの行方向Ｘの端辺Ｅｘよりも外側（すなわち、図５（ａ）における有効表示領域Ｖよりも左側）の領域が、有効表示領域Ｖから延びるゲート電極線２１のみが設けられている領域である。また、有効表示領域Ｖの列方向Ｙの端辺Ｅｙよりも外側であって、且つ行方向Ｘの端辺Ｅｘよりも外側（すなわち、周辺領域Ｖｓの４隅）の領域が、ソース電極線１９及びゲート電極線２１のどちらも設けられていない領域である。
【００６６】
ところで、従来の液晶装置では、周辺領域においても、有効表示領域と同じく層間絶縁膜に透過表示領域やコンタクトホールといった凹凸パターンが無い部分が設けられていた。また、基板と層間絶縁膜の間のソース電極線やゲート電極線といった信号線も有効表示領域内と同じ構成に設けられていた。
【００６７】
これに対し本実施形態の液晶装置１は、周辺領域Ｖｓ内にサブ画素Ｄの複数個分の広い領域にわたってサブ画素Ｄの凹凸パターンと同じパターンの凹凸パターンを含んで連続的に設けられていて、凹凸パターンが設けられていない領域は設けられていない。従って、周辺領域Ｖｓには、有効表示領域Ｖ内に比べて凹凸パターンが設けられた領域を十分に広く設けることができる。このような広い領域において、凹凸パターンが形成された層間絶縁膜２２の表面にスポット光を照射してその凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンを正確に検査できる。
【００６８】
（液晶装置の検査方法）
次に、以上に説明した液晶装置１に関する凹凸パターンの検査方法について説明する。本検査方法は、液晶装置１のうち、図４に示す層間絶縁膜２２の凹凸パターンの形状を検査するものである。この検査は、液晶装置１を製造する途中の工程において実行されるものである。具体的には、まず図４の第１透光性基板７ａ上にＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１を、例えばフォトエッチング処理等によって所定のパターンに形成する。その後、感光性樹脂を、例えばスピンコート等によってＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９及びゲート電極線２１を覆う膜状に形成する。その後、その感光性樹脂を、例えばフォトリソグラフィ処理によって所定のパターンにパターニングする。本実施形態では、感光性樹脂の全域の表面に凹凸パターンを形成し、透過表示領域Ｔの部分の感光性樹脂を除去し、ＴＦＴ素子３１に平面的に重なる位置にコンタクトホール２５を形成する。こうして、層間絶縁膜２２が形成される。
【００６９】
このように形成された層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンについて、その形状を検査する。具体的には、図５（ａ）において周辺領域Ｖｓに在る層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンにスポット光を照射し、そのスポット光を凹凸パターンにおいて反射させる。そしてその反射した光の反射率を、例えば反射率計によって測定することにより凹凸パターンの形状を検査する。より具体的には、まず、層間絶縁膜２２の凹凸パターンにスポット光を照射する。このスポット光の径は、３０μｍ〜５０μｍ、望ましくは３０μｍである。スポット光を凹凸パターンに照射すると、そのスポット光は凹凸パターンで反射する。このように凹凸パターンで反射した光の鏡面反射率を反射率計によって測定する。
【００７０】
本実施形態において、個々のサブ画素Ｄは、図５（ａ）で示すように長方形状に形成されている。この長方形の寸法に関しては、サブ画素Ｄの短辺をｄ１とし、長辺をｄ２としたとき、ｄ２＝３×ｄ１である。これらの寸法は、液晶装置の表示の精細度によって異なるが、本実施形態では、例えば、ｄ１＝３４μｍ、ｄ２＝１０２μｍとすることができる。これらの寸法は、液晶装置の精細度が高くなればさらに小さくなる場合がある。
【００７１】
凹凸パターンの反射率の測定を正確に行うためには、凹凸パターンが設けられた領域のみにスポット光を確実に照射する必要がある。仮に、有効表示領域Ｖ内において測定を行うとすれば、スポット光を照射すべき領域（すなわち、測定可能領域）は、図５（ａ）にＶ０で示すように、サブ画素Ｄ内であって透過表示領域Ｔ、コンタクトホール２５、ＴＦＴ素子３１、ソース電極線１９、及びゲート電極線２１が設けられていない狭い領域である。この領域Ｖ０はスポット光の径と略同じか又はそれより狭い領域であることが多い。
【００７２】
そのため、この領域Ｖ０で凹凸パターンの測定を行う場合には、スポット光が測定可能領域以外の領域に照射されるおそれがある。仮に、スポット光の一部が透過表示領域Ｔやコンタクトホールといった凹凸パターン以外の領域に照射された場合には、凹凸パターン以外の部分の形状を測定してしまい、正確な検査ができないおそれがある。また仮に、スポット光の一部が層間絶縁膜２２の下層に設けられたソース電極線１９等の信号線に照射された場合には、スポット光がその信号線で反射するおそれがあり、この場合にも正確な検査ができないおそれがある。
【００７３】
本発明に係る液晶装置の検査方法において、凹凸パターンの反射率の測定は、図５に示す周辺領域Ｖｓを用いて行われる。周辺領域Ｖｓ内には、サブ画素Ｄの複数個分の広い領域にわたって凹凸パターンが設けられている。この周辺領域Ｖｓ内に設けられた凹凸パターンはサブ画素Ｄの凹凸パターンと同じパターンであるので、周辺領域Ｖｓ内で測定した場合と有効表示領域Ｖ内で測定した場合とでは同じ結果が得られる。また、この凹凸パターンは周辺領域Ｖｓ内に連続的に設けられており、周辺領域Ｖｓ内には凹凸パターンが設けられていない領域は設けられていない。従って、周辺領域Ｖｓには、有効表示領域Ｖ内に比べて凹凸パターンが設けられた領域、すなわち測定可能領域を十分に広く設けることができる。このような広い領域において、凹凸パターンが形成された層間絶縁膜２２の表面にスポット光を照射して凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンを正確に検査できる。
【００７４】
また、周辺領域Ｖｓは、さらに３つの異なる領域に区画することができ、それぞれの領域で凹凸パターンの検査を行うことができる。まず第１の検査領域Ｖ１は、有効表示領域Ｖの列方向Ｙの端辺Ｅｙよりも外側（すなわち、図５（ａ）における有効表示領域Ｖよりも上側）の領域であり、有効表示領域Ｖから延びるソース電極線１９に挟まれた領域である。次に、第２の検査領域Ｖ２は、有効表示領域Ｖの行方向Ｘの端辺Ｅｘよりも外側（すなわち、図５（ａ）における有効表示領域Ｖよりも左側）の領域であり、ゲート電極線２１に挟まれた領域である。次に、第３の検査領域Ｖ３は、有効表示領域Ｖの列方向Ｙの端辺Ｅｙよりも外側で、且つ行方向Ｘの端辺Ｅｘよりも外側（すなわち、図５（ａ）における周辺領域Ｖｓの４隅）の領域であり、ソース電極線１９及びゲート電極線２１のどちらも設けられていない領域である。
【００７５】
第１検査領域Ｖ１では、行方向Ｘにおける測定可能領域の幅は有効表示領域Ｖ内のサブ画素Ｄと同じである。しかしながら、第１検査領域Ｖ１内には透過表示領域Ｔやコンタクトホールが設けられていないので、有効表示領域Ｖ内において検査を行う場合に比べて測定可能領域を広く設けることができる。
【００７６】
また、第２検査領域Ｖ２では、ソース電極線１９が設けられていないので、測定可能領域の行方向Ｘの幅はサブ画素Ｄの短辺の幅ｄ１の複数個分（本実施形態では、サブ画素Ｄの３個分）の幅とすることができる。また、測定可能領域の列方向Ｙの幅は、ゲート電極線２１に挟まれた幅（すなわち、サブ画素Ｄの長辺の幅ｄ２）とすることができる。従って、第２検査領域Ｖ２は、第１検査領域Ｖ１に比べて測定可能領域を広く設けることができるので、この第２検査領域Ｖ２において検査を行うことが望ましい。
【００７７】
また、第３検査領域Ｖ３では、測定可能領域の行方向Ｘの幅は、第２検査領域Ｖ２と同じく、サブ画素Ｄの短辺の幅ｄ１の複数個分（本実施形態では、サブ画素Ｄの３個分）の幅とすることができる。また、測定可能領域の列方向Ｙの幅は、ゲート電極線２１が設けられていないので、サブ画素Ｄの長辺の幅ｄ２の複数個分（本実施形態では、サブ画素Ｄの２個分）の幅とすることができる。従って、第３検査領域Ｖ３は、第２検査領域Ｖ２に比べて測定可能領域を広く設けることができるので、この第３検査領域Ｖ３において検査を行うことがさらに望ましい。これら第１検査領域Ｖ１、又は第２検査領域Ｖ２、又は第３検査領域Ｖ３において、凹凸パターンが形成された層間絶縁膜２２の表面にスポット光を照射して凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンを正確に検査できる。
【００７８】
（液晶装置及び液晶装置の検査方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶装置の他の実施形態を説明する。本実施形態は、アクティブ素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものである。本実施形態に係る液晶装置の外観形状は、概ね、図１と同じである。図６は本実施形態に係る液晶装置の１画素部分の構造を示しており、（ａ）は平面構造を示し、（ｂ）は（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従ったサブ画素の短手側の断面構造を示している。図７は、図６（ａ）のＺ６−Ｚ６線に従ってサブ画素の長手側の断面構造、すなわち図２の矢印Ｂで示す部分を示している。なお、図１に示す構成と図６及び図７に示す構成との間で異なる構成がある場合は、図６及び図７に示す構成が本実施形態の構成である。
【００７９】
素子基板７は、図２において、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成された第１透光性基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、図７に示すように、データ線１９が列方向Ｙに延びて形成されている。そして、アクティブ素子として機能する非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子６１がデータ線１９に接続して形成されている。図２において、データ線１９は複数本が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に間隔を空けて互いに平行に設けられている。また、ＴＦＤ素子６１は、図７において複数個が各データ線１９に沿って列方向Ｙ（すなわち、左右方向）に等間隔に設けられている。
【００８０】
それらのＴＦＤ素子６１及びデータ線１９の上に、それらを覆うように樹脂膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。
【００８１】
光反射膜２３は、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８２】
ＴＦＤ素子６１は、本実施形態では、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素６５ａ及び６５ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素６５ａは、第１素子電極６６、絶縁膜６８、そして第２素子電極６７ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素６５ｂは、第１素子電極６６、絶縁膜６８、そして第２素子電極６７ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極６６は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜６８は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極６７ａ，６７ｂは、例えばＣｒによって形成される。
【００８３】
第２ＴＦＤ要素６５ｂは画素電極２４に導電接続される要素であるが、この第２ＴＦＤ要素６５ｂの第２素子電極６７ｂはその先端に図６（ａ）に示すように端子部６９を有する。この端子部６９に平面的に重なる位置に、層間絶縁膜２２の厚さ方向に貫通する穴であるコンタクトホール２５が設けられている。このコンタクトホール２５を介してＴＦＤ素子６１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われている。
【００８４】
図７において、第１ＴＦＤ要素６５ａ内の第２素子電極６７ａはデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素６５ｂ内の第２素子電極６７ｂはコンタクトホール２５を介して画素電極２４に接続されている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素６５ａと第２ＴＦＤ要素６５ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００８５】
本実施形態では、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＤ素子６１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子６１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において表示を見易くできる。
【００８６】
図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は第２透光性基板８ａを有し、その外側表面には偏光板１８ｂが装着されている。他方、第２透光性基板８ａの内側表面には、図７に示すように、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に帯状電極６４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極６４は、行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。この帯状電極６４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。また、配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８７】
図１において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、図６（ａ）に示すように、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極６４は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４と平面的に見て重なるように並んでいる。このように画素電極２４と帯状電極６４は平面的に見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより図１に示す有効表示領域Ｖが形成され、この有効表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００８８】
図７において、層間絶縁膜２２の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。光反射膜２３は、そのような凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、散乱光や指向性を持った光とすることができる。
【００８９】
カラーフィルタ基板８において着色膜４１の周囲に形成された遮光膜４２は、図６（ａ）に示すように、サブ画素Ｄの周囲を取り囲むように形成されている。この遮光膜４２は、サブ画素Ｄの周囲から光が漏れ出るのを防止して表示のコントラストを向上させる。
【００９０】
次に、図２において、張出し部４６の表面には配線４７及び外部接続用端子４８が矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子４８に導電接続される。
【００９１】
複数の配線４７の一部はデータ線１９となって第１透光性基板７ａの表面上を延びている。また、複数の配線４７の残りの一部はシール材６の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材４９を介して図７においてカラーフィルタ基板８上に設けられた帯状電極６４に導電接続されている。図２において、導通材４９は模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材６の断面の幅よりも小さいものであり、シール材６の１つの断面内に複数の導通材４９が含まれるのが普通である。張出し部４６の表面に実装された駆動用ＩＣ５２は、例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５２は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５２，５２は、カラーフィルタ基板８上に形成された帯状電極６４へ走査信号を伝送する。
【００９２】
図８（ａ）は、図２の素子基板７のうち、有効表示領域Ｖと周辺領域Ｖｓとの境界近傍を矢印Ａ方向から平面的に示す図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＺ７−Ｚ７線に従った断面図である。本実施形態においても、周辺領域Ｖｓは、図８（ａ）に示すように、有効表示領域Ｖの周囲であって有効表示領域Ｖに連続して設けられている。そして、これら連続した有効表示領域Ｖ及び周辺領域Ｖｓにわたって層間絶縁膜２２が設けられている。この層間絶縁膜２２の表面の全域には凹凸パターンが設けられている。この凹凸パターンは、有効表示領域Ｖと周辺領域Ｖｓとで同じパターンに形成されている。
【００９３】
上記の周辺領域Ｖｓはサブ画素Ｄの複数個分の広さに形成されている。例えば、本実施形態では、行方向Ｘに関しては有効表示領域Ｖの片側にサブ画素Ｄの３個分、列方向Ｙに関しては片側にサブ画素Ｄの２個分の広さの周辺領域Ｖｓが形成されている。
【００９４】
有効表示領域Ｖにおいて、サブ画素Ｄ内には、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンが設けられない領域である透過表示領域Ｔ及びコンタクトホール２５が設けられている。これに対し、周辺領域Ｖｓにおいては、層間絶縁膜２２の表面の凹凸パターンが全域に設けられ、透過表示領域Ｔやコンタクトホール２５等といった凹凸パターンが設けられない領域は設けられていない。
【００９５】
また、有効表示領域Ｖにおいては、図８（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２２と基板７ａとの間に、データ線１９が設けられている。データ線１９は、図８（ａ）で平面的に示すように、列方向Ｙに沿ったサブ画素Ｄの１辺と平行に複数のサブ画素Ｄにわたって延びている。このデータ線１９は、有効表示領域Ｖに列方向Ｙに並べて設けられたサブ画素Ｄの列のそれぞれに対して設けられており、複数本が行方向Ｘに間隔を空けて並んでストライプ状に設けられている。このデータ線１９は、ＴＦＤ素子６１に接続されており、各サブ画素Ｄの領域内には、平面的に見てサブ画素Ｄの１辺と平行の方向にデータ線１９が設けられている。
【００９６】
これに対し、周辺領域Ｖｓ内においては、データ線１９が設けられている領域と設けられていない領域とがある。具体的には、有効表示領域Ｖの列方向Ｙの端辺Ｅｙよりも外側（すなわち、図８（ａ）における有効表示領域Ｖよりも上側）の領域が、有効表示領域Ｖから延びるデータ線１９が設けられている領域である。また、有効表示領域Ｖの行方向Ｘの端辺Ｅｘよりも外側（すなわち、図８（ａ）における有効表示領域Ｖよりも左側）の領域が、有効表示領域Ｖから延びるデータ線１９が設けられていない領域である。
【００９７】
このように本実施形態の液晶装置１は、周辺領域Ｖｓ内にサブ画素Ｄの複数個分の広い領域にわたってサブ画素Ｄの凹凸パターンと同じパターンの凹凸パターンを含んで連続的に設けられていて、凹凸パターンが設けられていない領域は設けられていない。従って、周辺領域Ｖｓには、有効表示領域Ｖ内に比べて凹凸パターンが設けられた領域を十分に広く設けることができる。このような広い領域において、凹凸パターンが形成された層間絶縁膜２２の表面にスポット光を照射して凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンを正確に検査できる。
【００９８】
（液晶装置の検査方法）
次に、以上に説明した液晶装置１の検査方法について説明する。本検査方法は、先の第１実施形態における検査方法と同じく、液晶装置１を製造する途中の工程において層間絶縁膜２２の凹凸パターンの形状を検査するものである。具体的には、まず図７の第１透光性基板７ａ上にＴＦＤ素子６１、データ線１９を、例えばフォトエッチング処理等によって所定のパターンに形成する。その後、感光性樹脂を、例えばスピンコート等によってＴＦＤ素子６１、データ線１９を覆う膜状に形成する。その後、その感光性樹脂を、例えばフォトリソグラフィ処理によって所定のパターンにパターニングする。本実施形態では、感光性樹脂の全域の表面に凹凸パターンを形成し、透過表示領域Ｔの部分の感光性樹脂を除去し、ＴＦＤ素子６１に平面的に重なる位置にコンタクトホール２５を形成する。こうして、層間絶縁膜２２が形成される。
【００９９】
このように形成された層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンについて、その形状を検査する。図５（ａ）に示す実施形態と同様に、図８（ａ）において周辺領域Ｖｓに在る層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンに、例えば、３０μｍ〜５０μｍ、望ましくは３０μｍの径のスポット光を照射し、そのスポット光を凹凸パターンにおいて反射させる。そしてその反射した光の反射率を、例えば反射率計によって測定することにより凹凸パターンの形状を検査する。
【０１００】
本実施形態において、個々のサブ画素Ｄは、図８（ａ）で示すように長方形状に形成されている。この長方形の寸法に関しては、サブ画素Ｄの短辺をｄ１とし、長辺をｄ２としたとき、ｄ２＝３×ｄ１である。これらの寸法は、液晶装置の表示の精細度によって異なるが、本実施形態では、例えば、ｄ１＝３４μｍ、ｄ２＝１０２μｍとすることができる。これらの寸法は、液晶装置の精細度が高くなればさらに小さくなる場合がある。
【０１０１】
凹凸パターンの反射率の測定を正確に行うためには、凹凸パターンが設けられた領域のみにスポット光を確実に照射する必要がある。仮に、有効表示領域Ｖ内において測定を行うとすれば、スポット光を照射すべき領域（すなわち、測定可能領域）は、図８（ａ）にＶ０で示すように、サブ画素Ｄ内であって透過表示領域Ｔ、コンタクトホール２５、ＴＦＤ素子６１、データ線１９が設けられていない狭い領域である。この領域Ｖ０はスポット光の径と略同じか又はそれより狭い領域であることが多い。
【０１０２】
そのため、この領域Ｖ０で凹凸パターンの測定を行う場合には、スポット光が測定可能領域以外の領域に照射されるおそれがある。仮に、スポット光の一部が透過表示領域Ｔやコンタクトホールといった凹凸パターン以外の領域に照射された場合には、凹凸パターン以外の部分の形状を測定してしまい、正確な検査ができないおそれがある。また仮に、スポット光の一部が層間絶縁膜２２の下層に設けられたデータ線１９等の信号線に照射された場合には、スポット光がその信号線で反射するおそれがあり、この場合にも正確な検査ができないおそれがある。
【０１０３】
本発明に係る液晶装置の検査方法において、凹凸パターンの反射率の測定は、図８に示す周辺領域Ｖｓを用いて行われる。周辺領域Ｖｓ内には、サブ画素Ｄの複数個分の広い領域にわたって凹凸パターンが設けられている。この周辺領域Ｖｓ内に設けられた凹凸パターンはサブ画素Ｄの凹凸パターンと同じパターンであるので、周辺領域Ｖｓ内で測定した場合と有効表示領域Ｖ内で測定した場合とでは同じ結果が得られる。また、この凹凸パターンは周辺領域Ｖｓ内に連続的に設けられており、周辺領域Ｖｓ内には凹凸パターンが設けられていない領域は設けられていない。従って、周辺領域Ｖｓには、有効表示領域Ｖ内に比べて凹凸パターンが設けられた領域、すなわち測定可能領域を十分に広く設けることができる。このような広い領域において、凹凸パターンが形成された層間絶縁膜２２の表面にスポット光を照射して凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンを正確に検査できる。
【０１０４】
また、周辺領域Ｖｓは、さらに２つの異なる領域に区画することができ、それぞれの領域で凹凸パターンの検査を行うことができる。まず第１の検査領域Ｖ５は、有効表示領域Ｖの列方向Ｙの端辺Ｅｙよりも外側（すなわち、図８（ａ）における有効表示領域Ｖよりも上側）の領域であり、有効表示領域Ｖから延びるデータ線１９に挟まれた領域である。次に、第２の検査領域Ｖ６は、有効表示領域Ｖの行方向Ｘの端辺Ｅｘよりも外側（すなわち、図８（ａ）における有効表示領域Ｖよりも左側）の領域であり、データ線１９が設けられていない領域である。
【０１０５】
第１検査領域Ｖ５では、行方向Ｘにおける測定可能領域の幅は有効表示領域Ｖ内のサブ画素Ｄと同じである。しかしながら、第１検査領域Ｖ５内には透過表示領域Ｔやコンタクトホールが設けられていないので、有効表示領域Ｖ内において検査を行う場合に比べて測定可能領域を広く設けることができる。
【０１０６】
また、第２検査領域Ｖ６では、データ線１９が設けられていないので、測定可能領域の行方向Ｘの幅はサブ画素Ｄの短辺の幅ｄ１の複数個分（本実施形態では、サブ画素Ｄの３個分）の幅とすることができる。また、第２検査領域Ｖ６の列方向Ｙに関しては、凹凸パターンのみが設けられているので、第２検査領域Ｖ６の全域を測定可能領域とすることができる。従って、第２検査領域Ｖ６は、第１検査領域Ｖ５に比べて測定可能領域を広く設けることができるので、この第２検査領域Ｖ６において検査を行うことが望ましい。これら第１検査領域Ｖ５又は第２検査領域Ｖ６において、凹凸パターンが形成された層間絶縁膜２２の表面にスポット光を照射して凹凸パターンで反射するスポット光の反射率を測定すれば、層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンの形状を正確に検査できる。
【０１０７】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、図４に示した第１実施形態では、スイッチング素子として３端子型素子であるアモルファスシリコンＴＦＴを用いたが、その他の３端子型素子、例えば低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。
【図３】図２の液晶装置の１つの画素部分を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従った行部分の断面図である。
【図４】図２の矢印Ｂで示す領域を拡大して示す図、従って図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った列部分の断面図である。
【図５】図２の素子基板の一例の１つの隅部を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ４−Ｚ４線に従った断面図である。
【図６】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の１つの画素部分を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ５−Ｚ５線に従った断面図である。
【図７】図６のＺ６−Ｚ６線に従った列部分の断面図である。
【図８】図６の素子基板の他の一例を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＺ７−Ｚ７線に従った断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、  
６．シール材、  ７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、  
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、  
１６．光反射層、  １７．光拡散層、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、  
１９．ソース電極線、データ線（信号線）、  ２１．ゲート電極線（信号線）、
２２．層間絶縁膜（樹脂膜）、  ２３．光反射膜、  ２４．画素電極、
２５．コンタクトホール、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  
３１．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、  ３２．ゲート電極、  ３３．ゲート絶縁膜、
３４．半導体層、  ３５．ソース電極、  ３６．ドレイン電極、  ４１．着色膜、
４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート層、  ４４．共通電極、  ４６．張出し部、
４７．配線、  ４８．外部接続用端子、  ４９．導通材、  ５１．ＡＣＦ、
５２．駆動用ＩＣ、  ６１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、  ６４．帯状電極、
６５ａ．第１ＴＦＤ要素、  ６５ｂ．第２ＴＦＤ要素、  ６６．第１素子電極、
６７ａ，６７ｂ．第２素子電極、  ６８．絶縁膜、  ６９．端子部
Ｄ．サブ画素、  Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０，Ｌ１．光、  Ｒ．反射表示領域、  
Ｔ．透過表示領域、  Ｖ．有効表示領域、  Ｖ１,Ｖ５．第１検査領域、  
Ｖ２，Ｖ６．第２検査領域、  Ｖ３．第３検査領域、  Ｖｓ．周辺領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2007057639.tif 000009
【図８】
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