(57)【要約】      （修正有）【課題】静電気保護回路を構成する保護素子等の静電気不良を低減することが可能な電気光学装置等を提供する。【解決手段】電気光学装置は、４色の着色層を有し、有効表示領域内に設けられたα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子等の電気光学装置用の構成要素を静電気から保護する静電気保護回路９８ａを有する。静電気保護回路９８ａは、複数のソース線２３の各々に接続された複数の第１の保護素子２２と、共通配線を構成する第１の保護素子２２の各々を電気的に並列に接続してなる接続用配線９０及び接続用配線に接続された折れ曲がり配線９６と、折れ曲がり配線９６に接続された第２の保護素子２３と、第２の保護素子２３に接続された定電位の配線たる接地用配線９５とを有し、特に、共通配線は、第１の保護素子２２が配置されてなる領域に一旦外れる方向に延びる部分を有する。【選択図】図５
2007156312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置から供給された信号をスイッチング素子を介して電気的に接続された画素電極に供給する複数の配線と、静電気から電気光学装置用の構成要素を保護する静電気保護回路と、を備え、
前記静電気保護回路は、
前記複数の配線の各々に電気的に接続された複数の第１の保護素子と、
前記複数の第１の保護素子の各々を電気的に並列に接続してなる共通配線と、
前記共通配線に電気的に接続された第２の保護素子と、
前記第２の保護素子に電気的に接続された定電位の配線と、を有し、
前記共通配線は、前記第１の保護素子が配置されてなる領域に一旦外れる方向に延びる部分を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記共通配線の一旦外れる方向に延びる部分は、前記第２の保護素子と前記複数の配線との間で蛇行するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記共通配線は、直線状の形状を有する本線と、前記本線から前記複数の配線側に各々分岐する複数の分岐線とを有し、
前記分岐線の各々は、対応する第１の保護素子の各々を介して、対応する前記配線の各々と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記共通配線の前記一旦外れる方向に延びる部分の一端側は前記本線の一端側に繋がっていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の第１の保護素子及び前記第２の保護素子の各々は、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを含んで構成される一対の保護素子を有し、
前記第１の保護素子の各々の前記一対の前記保護素子において、一方の前記保護素子と他方の前記保護素子は、対応する前記分岐線と、対応する前記配線との間において並列に接続され、前記一方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、対応する前記配線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は、対応する前記分岐線に接続され、前記他方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、対応する前記分岐線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は、対応する前記配線に接続され、
前記第２の保護素子の前記一対の前記保護素子において、一方の前記保護素子と他方の前記保護素子は、前記共通配線と前記定電位の配線との間において並列に接続され、当該一方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、前記共通配線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は前記定電位の配線に接続され、当該他方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、前記定電位の配線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は、前記共通配線に接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の第１の保護素子及び前記第２の保護素子の前記一対の前記保護素子の各々は、前記スイッチング素子と同一の構成を有することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記定電位の配線は電気光学パネルの表示領域を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、及びフィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置が知られている。
【０００３】
そのような電気光学装置の一例としてのＴＦＴ素子などのスイッチング素子を有するアクティブマトリクス方式の液晶装置では、その組立て時に生じる静電気やノイズに起因して表示領域内に設けられたＴＦＴ素子などが静電破壊するのを防止するために、アレイ基板側の所定位置に入力保護回路を設けることが多い。
【０００４】
例えば、かかる目的を実現するため、表示領域の外周に導電線を配置し、該導電線と走査電極との間にソース領域とゲートを短絡させたＭＯＳ型トランジスタと、ゲートとドレイン領域を短絡させたＭＯＳ型トランジスタとが直列に接続されてなる入力保護回路を有する液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００５】
また、その他にも、かかる目的を実現するため、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路に外部からの信号を入力するために用いられる外部回路接続端子部に静電気破壊防止回路として接地されたデュアルゲート型ＴＦＴを電気的に接続してなる電気光学装置が知られている（例えば、特許文献２を参照）。
【０００６】
また、静電気によって発生する異常電位からアクティブマトリクス駆動回路を保護する入力保護回路を備えるアクティブマトリクス液晶表示パネルが知られている（例えば、特許文献３を参照）。
【０００７】
なお、カラー型の液晶装置として、原色系のＲ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素に加え、補色系のシアン（Ｃ）の色のサブ画素を備えることで広範な色を表示することが可能な画像表示装置が例えば特許文献４に記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−９２４４８号公報
【特許文献２】特開２００１−１６６３３４号公報
【特許文献３】特開平５−３０７１９１号公報
【特許文献４】特開２００１−３０６０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、静電気保護回路を構成する保護素子等の静電気不良を低減することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１つの観点では、電気光学装置は、半導体装置から供給された信号をスイッチング素子を介して電気的に接続された画素電極に供給する複数の配線と、静電気から電気光学装置用の構成要素を保護する静電気保護回路と、を備え、前記静電気保護回路は、前記複数の配線の各々に電気的に接続された複数の第１の保護素子と、前記複数の第１の保護素子の各々を電気的に並列に接続してなる共通配線と、前記共通配線に電気的に接続された第２の保護素子と、前記第２の保護素子に電気的に接続された定電位の配線と、を有し、前記共通配線は、前記第１の保護素子が配置されてなる領域に一旦外れる方向に延びる部分を有する。
【００１１】
上記の電気光学装置は、ドライバＩＣなどの半導体装置から供給された信号（画像信号やゲート信号など）を、例えばＴＦＤ素子やＴＦＴ素子などのスイッチング素子を介して電気的に接続された画素電極に供給する複数の配線と、静電気から電気光学装置用の構成要素を保護する静電気保護回路と、を備えて構成される。
【００１２】
好適な例では、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を適用した場合には、複数の配線は、例えば画像信号が出力されるソース線、或いはゲート信号が出力されるゲート線とすることができる。これにより、画素電極に対応する位置を電気光学パネルの表示領域とすることができる。
【００１３】
そして、静電気保護回路は、複数の配線の各々に電気的に接続された複数の第１の保護素子と、複数の第１の保護素子の各々を電気的に並列に接続してなる共通配線と、共通配線に電気的に接続された第２の保護素子と、第２の保護素子に電気的に接続された定電位の配線（例えば、接地（アース）用の配線）と、を有する。好適な例では、前記定電位の配線は、静電気をシールドする効果を高めるため電気光学パネルの表示領域を取り囲むように配置されているのが好ましい。このため、共通配線に電気的に並列に接続されてなる複数の第１の保護素子は、当該共通配線を介して第２の保護素子及び定電位の配線に直列に接続されている。このように、第２の保護素子は複数の第１の保護素子を電気的に束ねる位置に配置されているため、この静電気保護回路は、第２の保護素子と複数の第１の保護素子との２段構成によって静電気を除去する。また、このような構成により、第１の保護素子の各々を直接的に定電位の配線に電気的に接続した場合と比べ、複数の第１の保護素子の各々で生じるリーク電流の大きさを小さくすることができ、電気光学装置の消費電力が大きくなるのを抑制できる。
【００１４】
好適な例では、第１の保護素子及び第２の保護素子は、ＴＦＴ素子とすることができる。  かかる構成により、この電気光学装置の製造過程において、例えば、外部から定電位の配線に静電気が飛び込んで、定電位の配線にある一定以上の電荷が蓄積されて放電が起こり、その放電された電流が第２の保護素子側に流れた場合には、第２の保護素子のスイッチがＯＮ状態となり、かかる電流は共通配線を経由して、さらに、複数の第１の保護素子側へ流れる。これにより、各第１の保護素子のスイッチがＯＮ状態となり、かかる電流は、上記の経路と逆の経路を辿り、最終的に定電位の配線へ流れ接地（アース）される。一方、表示領域となる画素電極側で静電気が生じた場合には、かかる静電気に対応する電流は複数の配線を通じて複数の第１の保護素子側に流れる。これにより、各第１の保護素子のスイッチがＯＮ状態となり、かかる電流は共通配線を経由して、さらに第２の保護素子側へ流れる。これにより、第２の保護素子のスイッチはＯＮ状態となり、かかる電流は最終的に定電位の配線へ流れ接地（アース）される。こうした静電気保護回路の作用により、静電気から電気光学装置用の構成要素、例えば表示領域側に設けられるスイッチング素子などの破損を防止することができる。
【００１５】
ここで、比較例として、上記の共通配線の一旦外れる方向に延びる部分に相当する、共通配線の一部が直線状の形状に形成され、複数の第１の保護素子と第２の保護素子とが共通配線の一部により直線的な位置関係で電気的に接続されている比較例を想定すると、比較例では、経験則上、次のような問題が生じる。即ち、比較例では、第２の保護素子と複数の第１の保護素子との相対的な位置関係及び電気的な接続が直線的であるので、比較例の製造過程において、外部から定電位の配線に静電気が飛び込んで定電位の配線にある一定以上の電荷が蓄積されると、複数の第１の保護素子を電気的に束ねる第２の保護素子がアンテナとしての役割を果たし、第２の保護素子周辺で静電気不良が生じてしまうという問題がある。この点につきもう少し説明を加えると、このとき、定電位の配線に蓄積された電荷が放電して、その放電された電流が第２の保護素子側に流れ、耐電圧以上の電位が第２の保護素子に印加された場合には、第２の保護素子の絶縁膜が絶縁破壊を起こして、かかる第２の保護素子が破損してしまう。また、静電気は経験則上に直進する性質を有するので、このとき、静電気に対応する電流は、さらに共通配線を横断して第２の保護素子付近に位置する一つ又は複数の第１の保護素子側へと流れる。このため、耐電圧以上の電位が当該一つ又は複数の第１の保護素子に印加された場合には、当該一つ又は複数の第１の保護素子の絶縁膜も静電破壊を起こして、かかる保護素子も破損してしまうことがある。これにより、静電気保護回路としての役割を果たさなくなる。そのため、かかる電流が表示領域に設けられたスイッチング素子側へと流れた場合には、さらに当該スイッチング素子までもが破損してしまうこともある。よって、比較例の構成では、第１及び第２の保護素子などの静電気不良を低減することが困難であるといった問題がある。
【００１６】
この点、この電気光学装置では、共通配線は、第１の保護素子が配置されてなる領域に一旦外れる方向に延びる部分を有する。好適な例では、共通配線の一旦外れる方向に延びる部分は、少なくとも１つの折れ曲がり部分を含み、複数の第１の保護素子と第２の保護素子とを非直線的に、つまり直線的でない位置関係で電気的に接続してなるのが好ましい。これにより、第２の保護素子が静電気を引き寄せるアンテナとして機能するのを抑制でき、かかる静電気は複数の第１の保護素子側へ進行し難くなる。その結果、複数の第１の保護素子及び第２の保護素子の静電気不良が生じるのを低減することができる。また、これにより、表示領域内に設けられたスイッチング素子等が静電気によって破損するのを防止できる。
【００１７】
好適な例では、前記共通配線は、直線状の形状を有する本線と、前記本線から前記複数の配線側に各々分岐する複数の分岐線とを有し、前記分岐線の各々は、対応する第１の保護素子の各々を介して、対応する前記配線の各々と電気的に接続されているのが好ましい。また、前記共通配線の前記一旦外れる方向に延びる部分の一端側は前記本線の一端側に繋がっているのが好ましい。これにより、第１の保護素子の各々を直接的に定電位の配線に電気的に接続した場合と比べ、複数の第１の保護素子の各々で生じるリーク電流の大きさを小さくすることができ、電気光学装置の消費電力が大きくなるのを抑制できる。
【００１８】
上記の電気光学装置の一つの態様では、共通配線の一旦外れる方向に延びる部分は、第２の保護素子と複数の配線との間で蛇行するように設けられているので、かかる静電気は１つ又は複数の第１の保護素子側に直進するようなことはない。よって、第２の保護素子が静電気を引き寄せるアンテナとして機能するのを抑制でき、複数の第１の保護素子及び第２の保護素子の静電気不良が生じるのを低減することができる。
【００１９】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記複数の第１の保護素子及び前記第２の保護素子の各々は、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを含んで構成される一対の保護素子を有し、前記第１の保護素子の各々の前記一対の前記保護素子において、一方の前記保護素子と他方の前記保護素子は、対応する前記分岐線と、対応する前記配線との間において並列に接続され、前記一方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、対応する前記配線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は、対応する前記分岐線に接続され、前記他方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、対応する前記分岐線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は、対応する前記配線に接続され、前記第２の保護素子の前記一対の前記保護素子において、一方の前記保護素子と他方の前記保護素子は、前記共通配線と前記定電位の配線との間において並列に接続され、当該一方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、前記共通配線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は前記定電位の配線に接続され、当該他方の前記保護素子において、前記ソース電極及び前記ゲート電極は、前記定電位の配線に接続されていると共に、前記ドレイン電極は、前記共通配線に接続されている。
【００２０】
この態様では、複数の第１の保護素子及び第２の保護素子の各々は、ゲート電極と、そのゲート電極上に形成された絶縁膜と、その絶縁膜上に形成されたアモルファスシリコン層（α−Ｓｉ層）などの半導体層と、その半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを含んで構成される一対の保護素子を有して構成される。
【００２１】
そして、第１の保護素子の各々の一対の保護素子において、一方の保護素子と他方の保護素子は、対応する分岐線と、対応する配線との間において並列に接続されている。また、一方の保護素子において、ソース電極及びゲート電極は、対応する配線に接続されていると共に、ドレイン電極は、対応する前記分岐線に接続され、他方の保護素子において、ソース電極及びゲート電極は、対応する分岐線に接続されていると共に、ドレイン電極は、対応する配線に接続されている。
【００２２】
また、第２の保護素子の一対の保護素子において、一方の保護素子と他方の保護素子は、共通配線と、定電位の配線との間において並列に接続されている。また、一方の保護素子において、ソース電極及びゲート電極は、共通配線に接続されていると共に、ドレイン電極は定電位の配線に接続され、他方の保護素子において、ソース電極及びゲート電極は、定電位の配線に接続されていると共に、ドレイン電極は、共通配線に接続されている。
【００２３】
このため、この電気光学装置の製造過程において、例えば、外部から定電位の配線に静電気が飛び込んで、定電位の配線にある一定以上の電荷が蓄積されて第２の保護素子との間で放電が起こった場合には、その放電された電流は第２の保護素子の一対の保護素子のうち、他方の保護素子のソース電極及びゲート電極に流れる。これにより、かかるソース電極とゲート電極とが同電位となり、かかる電流は他方の保護素子の絶縁膜及び半導体層を介してドレイン電極側に流れ、さらに、かかる電流は共通配線の本線及び分岐線を経由して、各第１の保護素子の一対の保護素子のうち、他方の保護素子のソース電極及びゲート電極に流れる。これにより、かかるソース電極とゲート電極とが同電位となり、かかる電流は、各第１の保護素子の一対の保護素子のうち、一方の保護素子のソース電極及びドレイン電極に流れる。これにより、かかるソース電極とドレイン電極とが同電位となり、かかる電流は一方の保護素子の絶縁膜及び半導体層を介してドレイン電極に流れ、さらに、共通配線の分岐線及び本線を経由して、第２の保護素子の一対の保護素子のうち、一方の保護素子のソース電極及びゲート電極に流れる。これにより、かかるソース電極とゲート電極とが同電位となり、かかる電流は、当該一方の保護素子の絶縁膜及び半導体層を介してドレイン電極に流れ、最終的に、定電位の配線に流れ接地（アース）される。
【００２４】
一方、表示領域となる画素電極側で静電気が生じた場合には、かかる静電気に対応する電流は各配線に流れ、さらに、かかる電流は、複数の第１の保護素子の一対の保護素子のうち、一方の保護素子のソース電極及びドレイン電極に流れる。これにより、かかるソース電極とゲート電極とが同電位となり、かかる電流は一方の保護素子の絶縁膜及び半導体層を介してドレイン電極に流れ、さらに、かかる電流は、対応する共通配線の分岐線及び本線を経由して、第２の保護素子の一対の保護素子のうち、一方の保護素子のソース電極及びゲート電極に流れる。これにより、かかるソース電極とゲート電極とが同電位となり、かかる電流は、当該一方の保護素子の絶縁膜及び半導体層を介してドレイン電極に流れ、最終的に、定電位の配線に流れ接地（アース）される。こうした静電気保護回路の作用により、静電気から電気光学装置用の構成要素、例えば表示領域側に設けられるスイッチング素子などの破損を防止することができる。
【００２５】
好適な例では、前記複数の第１の保護素子及び前記第２の保護素子の一対の保護素子の各々は、前記スイッチング素子と同一の構成を有するのが好ましい。これにより、この電気光学装置の製造過程において、複数の第１の保護素子、及び第２の保護素子を、スイッチング素子と同一の工程で作製することができ、工程が増加するのを防止できる。
【００２６】
本発明の他の観点では、上記の電気光学装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各種実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶装置に適用したものである。
【００２８】
各種実施形態は、本発明を、１画素が４色の色相の着色領域を有する透過型の液晶装置に適用したものである。ここで、４色の色相の着色領域は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）の各色相の着色領域を有する。
【００２９】
[第１実施形態]
（液晶装置の構成）
まず、図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の構成等について説明する。
【００３０】
図１は、第１実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、紙面手前側（観察側）にカラーフィルタ基板９２が、また、紙面奥側に素子基板９１が夫々配置されている。なお、図１では、素子基板９１の張り出し領域３６側の一辺９１ａから反対側の一辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、一辺９１ｄから一辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。また、図１において、４色の各着色層６に対応する領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示していると共に、それら４つのサブ画素領域ＳＧにより構成される１行４列の画素配列は、１つの画素領域ＡＧを示している。なお、以下では、１つのサブ画素領域ＳＧ内に存在する１つの表示領域を「サブ画素」と称し、また、１つの画素領域ＡＧ内に対応する表示領域を「１画素」と称する。
【００３１】
液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール材５を介して貼り合わされ、そのシール材５の内側に、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。
【００３２】
液晶装置１００は、４色の色相の着色領域に対応する複数の着色層６を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子としてα−Ｓｉ型のＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置１００は、透過型表示を行う透過型の液晶装置である。
【００３３】
まず、素子基板９１の平面構成について説明する。素子基板９１の内面上には、主として、定電位の配線９５（以下、「接地用配線９５」と称する）と、共通配線を構成するＬ字状の形状を有する折れ曲がり配線９６及び接続用配線９０と、複数の第１の保護素子２２と、第２の保護素子２３と、を含む複数の静電気保護回路９８ａ及び９８ｂと、配線を構成する複数のソース線３２及び複数のゲート線３３と、複数の補助容量線３４と、複数のα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１と、複数の画素電極１０と、半導体装置の一例としてのＸドライバＩＣ４１及びＹドライバＩＣ４２と、外部接続用配線３５及びＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）４０とが形成若しくは実装されている。
【００３４】
図１に示すように、素子基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一辺側から外側へ張り出してなる張り出し領域３６を有しており、その張り出し領域３６上には、ＸドライバＩＣ４１及びＹドライバＩＣ４２が夫々実装されている。ＸドライバＩＣ４１及びＹドライバＩＣ４２の各入力側の端子（図示略）は、複数の外部接続用配線３５の一端側と電気的に接続されていると共に、複数の外部接続用配線３５の他端側はＦＰＣ４０と電気的に接続されている。ＦＰＣ４０の一端側は、図示しない電子機器と接続されている。
【００３５】
各ソース線３２は、Ｙ方向に延在するように且つＸ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ソース線３２の一端側は、ＸドライバＩＣ４１の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。
【００３６】
各ゲート線３３は、Ｙ方向に延在するように形成された第１配線３３ａと、その第１配線３３ａの終端部からＸ方向に且つ後述する有効表示領域Ｖ内に延在するように形成された第２配線３３ｂとを備えている。各ゲート線３３の第２配線３３ｂは、各ソース線３２と交差する方向、即ちＸ方向に延在するように且つＹ方向に適宜の間隔をおいて形成されており、各ゲート線３３の第１配線３３ａの一端側は、ＹドライバＩＣ４２の出力側の端子（図示略）に電気的に接続されている。
【００３７】
各補助容量線３４は、ゲート線３３の第２配線３３ｂと同方向に延在するように設けられ、且つ、Ｙ方向に相隣接する、ゲート線３３の第２配線３３ｂの間に設けられている。
【００３８】
各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２と各ゲート線３３の第２配線３３ｂの交差位置付近に対応して設けられている。そして、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１は、各ソース線３２、各ゲート線３３及び各画素電極１０等に電気的に接続されている。各画素電極１０は、各サブ画素領域ＳＧ内に設けられている。
【００３９】
静電気保護回路９８ａは、素子基板９１上における張り出し領域３６と逆側の位置に設けられている一方、静電気保護回路９８ｂは、素子基板９１上の一辺９１ｅ側の額縁領域３８に設けられているが、これらの詳細な構成は後述する。
【００４０】
１つの画素領域ＡＧがＸ方向及びＹ方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しない額縁領域３８となっている。
【００４１】
次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。カラーフィルタ基板９２は、遮光層（一般に「ブラックマトリクス」と呼ばれ、以下では、単に「ＢＭ」と略記する）、４色の色相の着色領域に対応する複数の着色層６、及び共通電極８などを備える。
【００４２】
４色の色相の着色領域に対応する複数の着色層は、赤（Ｒ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｒと、緑（Ｇ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｇと、青（Ｂ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｂと、シアン（Ｃ）の色相の着色領域を有する着色層６Ｃと、を備えている。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。ＢＭは、後述する各補助容量部７０、各ゲート線３３の第２配線３ｂ、各ソース線３２、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１及び補助容量部７０（図３及び図４を参照）に対応する位置などに形成されている。共通電極８は、画素電極と同様にＩＴＯなどの透明導電材料からなり、シール材５の内側の領域に略一面に亘って形成されている。共通電極８は、シール材５の隅の領域Ｅ１において配線１５の一端側と電気的に接続されていると共に、当該配線１５の他端側は、ドライバＩＣ４０のＣＯＭに対応する出力端子（接地用端子）と電気的に接続されている。このため、共通電極８と接地用配線９５とは電気的に同電位となっている。
【００４３】
以上の構成を有する液晶装置１００は、図２に示すような等価回路を有し、その駆動時に次のようにして動作を行う。
【００４４】
まず、画像信号を供給するソース線３２はα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のソース電極３２ｘ（図３及び図４を参照）に繋がっており、画素電極１０は、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のドレイン電極３７（図３及び図４を参照）に接続されている。そして、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１のゲート電極３３ｘ（図３及び図４を参照）にはゲート線３３が繋がっており、スイッチング素子であるα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、ソース線３２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。この画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、或いは、相隣接する複数のゲート線３２同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ゲート信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、ゲート線３３に所定のタイミングでパルス的に、この順に線順次で印加される。
【００４５】
画素電極１０を介して液晶層４に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、カラーフィルタ基板９２に設けられた共通電極８（図４を参照）との間で一定期間保持される。そして、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１０と共通電極８との間に形成される液晶容量Ｃｌｃと並列に、前述の補助容量線３４等にて構成される補助容量部７０（図３及び図４を参照）の補助容量Ｃｓを付加する。このようにして、例えば画素電極１０の電圧は、補助容量部７０の補助容量Ｃｓによりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持され、保持特性はさらに改善され、コントラスト比を向上させることができる。以上のようにして、この液晶装置１００では、液晶層４の表示状態が、非表示状態または中間表示状態に切り替えられ、液晶層４内の液晶分子の配向状態が制御されることとなる。これにより、有効表示領域Ｖ内において所望の画像を表示することができる。
【００４６】
（画素構成）
次に、図３及び図４を参照して、第１実施形態に係る画素構成について説明する。
【００４７】
図３は、カラーフィルタ基板９２を透視した状態で、当該カラーフィルタ基板９２側から素子基板９１側を平面視したときの１画素分に対応する液晶装置１００の部分平面図である。図４は、図２における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図であり、具体的には液晶装置１００における１画素内の一部分を通る位置で切断した部分断面図である。
【００４８】
まず、素子基板９１における画素構成について説明する。
【００４９】
下側基板１の内面上には、複数のゲート線３３の第２配線３３ｂ及び補助容量線３４が夫々Ｘ方向に延在するように設けられている。複数のゲート線３３の第２配線３３ｂ及び補助容量線３４は、遮光性を有する導電材料、例えばアルミニウム、モリブデン、クロム或いはこれらの合金等の導電材料にて形成されているのが好ましい。第１実施形態では、複数のゲート線３３は、上記の導電材料による多層構造をなしている。これは、素子基板９１の製造過程において生じる温度変化によって、ゲート線３３を含む各種の配線の剥離等が起こらないようにするために多層構造としているものである。各第２配線３３ｂは、Ｙ方向に適宜の間隔をおいて設けられている一方、補助容量線３４は、その相隣接する第２配線３３ｂの間に且つ当該各第２配線３３ｂのうち一方の第２配線３３ｂ側の近傍位置に設けられている。各第２配線３３ｂは、サブ画素毎にゲート電極３３ｘを有し、後述する他の要素と共にα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を構成する。補助容量線３４は、サブ画素毎に、その一部を幅広とすることにより形成された補助容量電極３４ｘを有する。
【００５０】
下側基板１、複数の接地用配線９５、各第２配線３３ｂ及び各補助容量電極３４ｘ等の内面上には、窒化シリコンなどの透明樹脂材料よりなるゲート絶縁膜５０が設けられている。ゲート絶縁膜５０の内面上であって、各ゲート電極３３ｘに対応する位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を構成する、α−Ｓｉ層３６が島状に設けられている。ゲート絶縁膜５０の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧの間にはソース線３２がＹ方向に延在するように設けられている。
【００５１】
各ソース線３２は、アルミニウム等の導電材料にて形成され、第１部分３２ａ、第２部分３２ｂ及びソース電極３２ｘを有する。各ソース線３２において、各第１部分３２ａは、Ｘ方向に相隣接する画素電極１０の間に設けられていると共に、各第２部分３２ｂは、Ｘ方向に相隣接する補助容量部７０の間に設けられている。各第２部分３２ｂの線幅（Ｘ方向の長さ）は、各第１部分３２ａの線幅（Ｘ方向の長さ）より相対的に小さくなるように形成されている。このように、第２部分３２ｂの線幅を第１部分３２ａの線幅より小さくしている理由は、第２部分３２ｂと補助容量電極３４ｘとの間において表示品質に悪影響を与える寄生容量が生じるのを防止するためである。また、各ソース電極３２ｘは、第１部分３２ａの一端側から各α−Ｓｉ層３６側に分岐してなる。各ソース電極３２ｘは、各α−Ｓｉ層３６と部分的に重なっており、その両者は電気的に接続されている。補助容量部７０に位置するゲート絶縁膜５０、及び各α−Ｓｉ層３６等の内面上には、例えばソース線３２と同一の材料により形成されたドレイン電極３７が設けられている。このため、ドレイン電極３７の一端側は、各α−Ｓｉ層３６と電気的に接続されている。こうして、各ゲート線３３の第２配線３３ｂと各ソース線３２との交差位置には、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１が形成されている。そして、α−Ｓｉ層３６とゲート電極３３ｘとの間には、ゲート絶縁膜５０を誘電体とする素子容量Ｃｔｆｔが形成されている。一方、各補助容量電極３４ｘとドレイン電極３７との間には、ゲート絶縁膜５０を誘電体とする補助容量Ｃｓが形成されている。なお、本明細書中では、補助容量Ｃｓが形成されている領域を「補助容量部７０」と称する。
【００５２】
ゲート絶縁膜５０、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、及び各補助容量電極３４ｘの内面上には、例えば無機絶縁材料よりなる保護絶縁膜５１が設けられている。保護絶縁膜５１は、各補助容量電極３４ｘに対応する位置にコンタクトホール５１ａを有する。このため、各補助容量部７０に対応するドレイン電極３７の内面上には保護絶縁膜５１が設けられていない。保護絶縁膜５１の内面上には、例えば有機絶縁材料よりなる層間絶縁膜５２が設けられている。層間絶縁膜５２は、補助容量部７０に対応する位置にコンタクトホール５２ａを有する。
【００５３】
層間絶縁膜５２及び各補助容量部７０に対応するドレイン電極３７の内面上であって、各サブ画素領域ＳＧに対応する位置には、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料よりなる画素電極１０が設けられている。このため、各画素電極１０は、コンタクトホール５１ａ及び５２ａを夫々通じて、各補助容量部７０に位置するドレイン電極３７と電気的に接続されている。また、層間絶縁膜５２及び画素電極１０等の内面上には、所定の方向にラビング処理が施された配向膜１９が設けられている。また、下側基板１の外面上には、偏光板１１が設けられている。偏光板１１の外面上には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。
【００５４】
次に、上記の素子基板９１の画素構成に対応するカラーフィルタ基板９２の構成について説明する。
【００５５】
上側基板２の内面上であって、各補助容量部７０、各ゲート線３３の第２配線３３ｂ、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１、各ソース線３２及び各補助容量部７０の各々と重なる位置には遮光性を有するＢＭが設けられている。ＢＭ及び上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、着色層６Ｒ、着色層６Ｇ、着色層６Ｂ及び着色層６Ｃが設けられている。ここで、１画素に着目した場合、各着色層６の配列順序は、Ｘ方向に向かって、着色層６Ｒ、着色層６Ｇ、着色層６Ｂ、着色層６Ｃに設定されている。各着色層６の内面上には、画素電極１０と同一の材料よりなる共通電極８が設けられている。共通電極８の内面上には、所定の方向にラビング処理が施された配向膜１８が設けられている。また、上側基板２の外面上には、偏光板１２が配置されている。
【００５６】
上記した画素構成を有する、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とはシール材５（図１を参照）を介して対向しており、その両基板の間にはＴＮ型の液晶が封入されて液晶層４が形成されている。また、この液晶装置１００では、素子基板９１に設けられた配向膜１９と、カラーフィルタ基板９２に設けられた配向膜１８との間であって、且つ、各α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１と各補助容量部７０との間に設けられたスペーサ３９によって液晶層４の厚さが一定の厚さに規定されている。
【００５７】
以上の構成を有する液晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図４に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及びＲ、Ｇ、Ｂ、Ｃの各着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、その各着色層６を通過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。特に、この液晶装置１００は、原色系のＲ、Ｇ、Ｂの３色に加え、補色系のＣの１色を用いて構成されているので、人間の視感度が高いＧの色の光の輝度の低下が抑制され、また、国際照明委員会（ＣＩＥ）のｘｙ色度図において、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色にて構成される液晶装置と比較して、色再現範囲（色度域）が大きくなっており、高演色表示を実現することが可能となっている。
【００５８】
（静電気保護回路の構成）
次に、図１、図５及び図６を参照して、本発明の第１実施形態に係る静電気保護回路の構成について説明する。
【００５９】
図５は、図１における破線領域Ｅ２に対応する部分拡大平面図であり、特に、素子基板９１に設けられた静電気保護回路９８ａの一部を拡大して示す。図６は、図５に示す静電気保護回路９８ａを構成する一部の等価回路を示す。
【００６０】
素子基板の製造過程では、外部から飛び込む静電気、或いは素子基板の内部で発生する静電気によって、電気光学パネルの有効表示領域Ｖ内に設けられるスイッチング素子等が破損してしまうことがある。このため、通常、素子基板には静電気保護回路が設けられている。
【００６１】
この点、第１実施形態でも、図１に示すように、素子基板９１に静電気不良対策用の静電気保護回路９８ａ及び９８ｂを設けるようにしている。
【００６２】
静電気保護回路９８ａは、素子基板９１の一辺９１ｂ側の額縁領域３８に設けられている一方、静電気保護回路９８ｂは、素子基板９１の一辺９１ｅ側の額縁領域３８に設けられている。なお、本発明では、素子基板９１における静電気保護回路９８ａ及び９８ｂの設定位置は上記の位置に限定されるものではない。ここで、静電気保護回路９８ａ及び９８ｂは、それぞれ、定電位の配線たる接地用配線９５と、共通配線を構成する折れ曲がり配線９６及び接続用配線９０と、複数の第１の保護素子２２及び第２の保護素子２３と、を含んで構成される。
【００６３】
まず、静電気保護回路９８ａの構成について説明する。
【００６４】
接地用配線９５は、ゲート線３３と同一の工程で且つ同一の金属材料により形成されている。接地用配線９５は、静電気をシールドする効果を高めるため電気光学パネルの有効表示領域Ｖを取り囲むように配置されている。即ち、接地用配線９５は、下側基板１の外周部上に沿ってリング形状をなすように引き回され、当該接地用配線９５の一端及び他端は、それぞれ、ＸドライバＩＣ４１及びＹドライバＩＣ４２のＣＯＭに対応する各出力端子（接地用端子）と電気的に接続されている。つまり、接地用配線９５は接地（アース）されている。
【００６５】
接続用配線９０は、ソース線３２又はゲート線３３と同一の金属材料により形成されている。接続用配線９０は、素子基板９１の一辺９１ｂ側の額縁領域３８に対応する下側基板１上に設けられ、Ｘ方向に延在する直線状の本線９０ａと、本線９０ａから有効表示領域Ｖ側に且つ対応する各ソース線３２側に分岐する複数の分岐線９０ｂと、を有する。
【００６６】
折れ曲がり配線９６（図５の破線領域Ｅ３の部分に相当）は、Ｌ字状の形状を有し、１つの折れ曲がり部分９６ａを含み、複数の第１の保護素子２２と第２の保護素子２３とを非直線的に電気的に接続、つまり直線的でない位置関係で電気的に接続する機能を有する。本例では、製造工程の削減を考慮して、接続用配線９０と折れ曲がり配線９６とは一体的に形成されている。そのため、折れ曲がり配線９６の一端側は本線９０ａの一端側と繋がっている。
【００６７】
各第１の保護素子２２は、一対の保護素子２２ａ及び２２ｂを有して構成され、各保護素子２２ａ及び２２ｂは、上記したα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１と略同様の構成を有する。  即ち、各保護素子２２ａ及び２２ｂは、図６に示すように、ゲート電極２２ｖ、絶縁膜２２ｗ、α−Ｓｉ層２２ｘ、ソース電極２２ｙ及びドレイン電極２２ｚを有する。ゲート電極２２ｖは、ゲート線３３と同一の層に形成されている。ゲート電極２２ｖ上には絶縁膜２２ｗが設けられていると共に、絶縁膜２２ｗ上にはα−Ｓｉ層２２ｘが設けられている。ソース電極２２ｙ及びドレイン電極２２ｚは、絶縁膜２２ｗ及びα−Ｓｉ層２２ｘの上に設けられており、その両者は、α−Ｓｉ層２２ｘと電気的に接続されている。以上の構成から分かるように、各第１の保護素子２２は、素子基板９１の製造過程において、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１と同一の工程により作製され、製造工程の削減が図られている。
【００６８】
各保護素子２２ａ及び２２ｂは、対応する各ソース線３２と、対応する分岐線９０ｂとの間に設けられている。そして、各保護素子２２ａのソース電極２２ｙ及びドレイン電極２２ｚと、各保護素子２２ｂのソース電極２２ｙ及びドレイン電極２２ｚとの相対的な位置関係は逆になっており、各保護素子２２ａのソース電極２２ｙ及びゲート電極２２ｖ、並びに、各保護素子２２ｂのドレイン電極２２ｗは、対応する各ソース線３２に電気的に接続されている一方、各保護素子２２ａのドレイン電極２２ｗ、並びに、各保護素子２２ｂのソース電極２２ｙ及びゲート電極２２ｖは、対応する各分岐線９０ｂに電気的に接続されている。このため、各保護素子２２ａと、各保護素子２２ｂとは、各ソース線３２及び各分岐線９０ｂに並列に接続されてなる。
【００６９】
第２の保護素子２３は、上記した各第１の保護素子２２と同一の構成を有する。即ち、第２の保護素子２３は、一対の保護素子２３ａ及び２３ｂを有して構成され、各保護素子２３ａ及び２３ｂは、図６に示すように、ゲート電極２３ｖ、絶縁膜２３ｗ、α−Ｓｉ層２３ｘ、ソース電極２３ｙ及びドレイン電極２３ｚを有する。ゲート電極２３ｖは、ゲート線３３と同一の層に形成されている。ゲート電極２３ｖ上には絶縁膜２３ｗが設けられていると共に、絶縁膜２３ｗ上にはα−Ｓｉ層２３ｘが設けられている。ソース電極２３ｙ及びドレイン電極２３ｚは、絶縁膜２３ｘ及びα−Ｓｉ層２３ｘの上に設けられており、その両者は、α−Ｓｉ層２３ｘと電気的に接続されている。以上の構成から分かるように、第２の保護素子２３は、素子基板９１の製造過程において、α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１と同一の工程により作製され、製造工程の削減が図られている。
【００７０】
各保護素子２３ａ及び２３ｂは、折れ曲がり配線９６と接地用配線９５との間に設けられている。そして、保護素子２３ａのソース電極２３ｙ及びドレイン電極２３ｚと、保護素子２３ｂのソース電極２２ｙ及びドレイン電極２２ｚとの相対的な位置関係は逆になっており、保護素子２３ａのソース電極２３ｙ及びゲート電極２３ｖ、並びに、保護素子２３ｂのドレイン電極２３ｚは、折れ曲がり配線９６に電気的に接続されている一方、保護素子２３ａのドレイン電極２３ｚ、並びに、保護素子２３ｂのソース電極２３ｙ及びゲート電極２３ｖは、接地用配線９５に電気的に接続されている。このため、第２の保護素子２３は、折れ曲がり配線９６及び接地用配線９５に並列に接続されてなる。
【００７１】
以上に述べた静電気保護回路９８ａでは、接続用配線９０に電気的に並列に接続されてなる複数の第１の保護素子２２は、折れ曲がり配線９６を介して第２の保護素子２３及び接地用配線９５に直列に接続されている。このように、第２の保護素子２３は複数の第１の保護素子２２を電気的に束ねる位置に配置されているため、この静電気保護回路９８ａは、第２の保護素子２３と複数の第１の保護素子２２との２段構成によって静電気を除去する。また、このような構成により、第１の保護素子２２の各々を直接的に接地用配線９５に電気的に接続した場合と比べ、複数の第１の保護素子２２の各々で生じるリーク電流の大きさを小さくすることができ、液晶装置１００の消費電力が大きくなるのを抑制できる。
【００７２】
次に、図６の破線領域Ｅ４に着目して、素子基板９１の製造過程において静電気が生じた場合の静電気保護回路９８ａの基本的な動作について説明する。
【００７３】
素子基板９１の製造過程において、有効表示領域Ｖ側において静電気が発生した場合には、かかる静電気は破線Ｌ１の経路を辿り、最終的に接地用配線９５へ流れ接地される。具体的には、有効表示領域Ｖ側で発生した静電気に対応する電流は、まず、ソース線３２を通じて第１の保護素子２２の要素である保護素子２２ａのソース電極２２ｙ及びゲート電極２２ｖ側に流れる。このため、ソース電極２２ｙとゲート電極２２ｖとは同電位となり、保護素子２２ａのスイッチがＯＮ状態となる。これにより、かかる電流は、絶縁膜２２ｗ、α−Ｓｉ層２２ｘ、ドレイン電極２２ｚ、分岐線９０ｂ、本線９０ａ、折れ曲がり配線９６を通じて、第１の保護素子２３の要素である保護素子２３ａのソース電極２３ｙ及びゲート電極２３ｖ側に流れる。このため、ソース電極２３ｙとゲート電極２３ｖとは同電位となり、保護素子２３ａのスイッチはＯＮ状態となる。これにより、かかる電流は、絶縁膜２３ｗ、α−Ｓｉ層２３ｘ及びドレイン電極２３ｚを通じて、接地用配線９５へ流れ接地される。よって、有効表示領域Ｖ内のα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１等の破損を防止することができる。
【００７４】
一方、外部から接地用配線９５側に静電気が飛び込んだ場合は、実線Ｌ２の経路を辿り、さらに破線Ｌ１の経路に迂回するようにして、最終的に接地用配線９５へ流れ接地される。具体的には、外部から接地用配線９５に静電気が飛び込んで、接地用配線９５にある一定以上の電荷が蓄積されて放電が起こり、その放電された電流が第２の保護素子２３側に流れた場合には、第２の保護素子２３の要素である保護素子２３ｂのソース電極２３ｙ及びゲート電極２３ｖに流れる。このため、ソース電極２３ｙと、ゲート電極２３ｖとが同電位となり、保護素子２３ｂのスイッチがＯＮ状態となる。これにより、かかる電流は、絶縁膜２３ｗ、α−Ｓｉ層２３ｘ、ドレイン電極２３ｚ、折れ曲がり配線９６、本線９０ａ、分岐線９０ｂを通じて、第１の保護素子２２の要素である保護素子２２ｂのソース電極２２ｙ及びゲート電極２２ｖ側に流れる。このため、ソース電極２２ｙとゲート電極２２ｖとが同電位となり、保護素子２２ｂのスイッチがＯＮ状態となる。これにより、かかる電流は、第２の保護素子２２の要素である保護素子２２ａのソース電極２２ｙ及びゲート電極２２ｖ側に流れる。このため、ソース電極２２ｙと、ゲート電極２２ｖとが同電位となり、保護素子２２ａのスイッチがＯＮ状態となる。これにより、かかる電流は、絶縁膜２２ｗ、α−Ｓｉ層２２ｘ、ドレイン電極２２ｚ、分岐線９０ｂ、本線９０ａ、折れ曲がり配線９６を通じて、第２の保護素子２３の要素である保護素子２３ａのソース電極２３ｙ及びゲート電極２３ｖ側に流れる。このため、ソース電極２３ｙと、ゲート電極２３ｖとが同電位となり、保護素子２３ａがＯＮ状態となる。これにより、絶縁膜２３ｗ、α−Ｓｉ層２３ｘ及びドレイン電極２３ｚを通じて、最終的に接地用配線９５へ流れ接地される。よって、有効表示領域Ｖ内のα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１等の破損を防止することができる。
【００７５】
次に、静電気保護回路９８ｂの構成について説明する。なお、静電気保護回路９８ｂは静電気保護回路９８ａと略同様の構成を有するので、以下では、静電気保護回路９８ａと相違する点について説明し、静電気保護回路９８ａと同一の要素についての説明は簡略化又は省略する。
【００７６】
静電気保護回路９８ｂの接続用配線９０は、図１に示すように、素子基板９１の一辺９１ｅ側の額縁領域３８に対応する下側基板１上に設けられ、Ｙ方向に延在する直線状の本線９０ａと、本線９０ａから有効表示領域Ｖ側に且つ対応する各ゲート線の第２配線３３ｂ側に分岐する複数の分岐線９０ｂと、を有する。また、静電気保護回路９８ｂの折れ曲がり配線９６の一端側は、本線９０の一端側に接続されていると共に、その折れ曲がり配線９６の他端側は、第２の保護素子２３に接続されている。
【００７７】
また、静電気保護回路９８ｂにおいて、各第１の保護素子２２は、本線９０ａと各ゲート線３３の第２配線３３ｂとの間に設けられ、対応する分岐線９０ｂ及び第２配線３３ｂに電気的に接続されている。このため、各第１の保護素子２２において、保護素子２２ａと保護素子２２ｂとは、各第２配線３３ｂ及び各接続用配線９０に並列に接続されてなる。また、静電気保護回路９８ｂにおいて、第２の保護素子２３は、接地用配線９５と折れ曲がり配線９６との間に設けられ、その両者に電気的に接続されている。このため、第２の保護素子２３において、保護素子２３ａと保護素子２３ｂとは、各ゲート線３３の第２配線３３ｂ及び各接続用配線９０に並列に接続されてなる。こうして、第１実施形態に係る静電気保護回路９８ｂが構成されている。かかる構成を有する静電気保護回路９８ｂの基本的な動作は、上述した静電気保護回路９８ａと同様であり、その説明は省く。
【００７８】
次に、図５及び図６を参照して、比較例と比較した、本発明の第１実施形態に係る静電気保護回路９８の特有の作用効果について説明する。
【００７９】
まず、比較例の構成及びその作用効果について説明する。
【００８０】
比較例では、図５に示すように、静電気保護回路９８ａにおいて、第２の保護素子２３が破線領域Ｅ５の位置に設けられている。そして、第１実施形態の折れ曲がり配線９６に対応する配線が直線状の配線９７（以下、「直線状配線９７」と称す）に形成され、複数の第１の保護素子２２と第２の保護素子２３とが直線状配線９７により直線的な位置関係で電気的に接続されている。このような構成を有する比較例では、経験則上、次のような問題が生じる。即ち、比較例では、第２の保護素子２３と複数の第１の保護素子２２との相対的な位置関係及び電気的な接続が直線的であるので、比較例の製造過程において、外部から接地用配線９５に静電気が飛び込んで当該接地用配線９５にある一定以上の電荷が蓄積されると、複数の第１の保護素子２２を電気的に束ねる位置に配置された第２の保護素子２３がアンテナとしての役割を果たし、接地用配線９５に蓄積された電荷が放電して、その放電された電流が第２の保護素子２３側に流れる。このとき、耐電圧以上の電位が第２の保護素子２３に印加された場合には、第２の保護素子２３の絶縁膜２３ｗが絶縁破壊を起こして、かかる第２の保護素子２３が破損してしまうことがある。また、静電気は直進する性質を有するので、かかる静電気に対応する電流は、本線９０ａを横断して分岐線９０ｂに流れ、さらに第２の保護素子２３付近に位置する一つ又は複数の第１の保護素子２２側へと流れる。このため、耐電圧以上の電位が当該一つ又は複数の第１の保護素子２２に印加された場合には、当該一つ又は複数の第１の保護素子２２の絶縁膜２２ｗも静電破壊を起こして、かかる保護素子２２も破損してしまうことがある。これにより、静電気保護回路９８ａとしての役割を果たさなくなる。そのため、かかる電流が有効表示領域Ｖに設けられたα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１側へと流れた場合には、さらに当該α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１までもが破損してしまうこともある。よって、比較例の構成では、第１の保護素子２２及び第２の保護素子２３などの静電気不良を低減することが困難であるといった問題がある。
【００８１】
この点、この液晶装置１００では、共通配線を構成する折れ曲がり配線９６及び接続用配線９０は、第１の保護素子２２が配置されてなる領域に一旦外れる方向に延びる部分を有する。好適な例では、共通配線の一旦外れる方向に延びる部分は、折れ曲がり配線９６とすることができる。また、折れ曲がり配線９６は、１つの折れ曲がり部分９６ａを含み、複数の第１の保護素子２２と第２の保護素子２３とを非直線的に電気的に接続、つまり直線的でない位置関係で電気的に接続してなるのが好ましい。かかる構造によれば、接地用配線９５と第２の保護素子２３を直線的に結ぶ方向の延長線Ｌ３上付近に複数の第１の保護素子２２が存在しなくなる。また、この構造により、第２の保護素子２３が静電気を引き寄せるアンテナとして機能するのを抑制でき、かかる静電気は複数の第１の保護素子２２側へ進行し難くなる。もし、この液晶装置１００の製造過程において、外部から接地用配線９５側に静電気が飛び込み、接地用配線９５にある一定以上の電荷が蓄積されて第２の保護素子２３との間で放電が起こった場合でも、かかる静電気は、接地用配線９５と第２の保護素子２３とを結ぶ延長線Ｌ３における、図５の矢印Ｙ１方向に直進するため、かかる静電気に対応する電流が、複数の第１の保護素子２２側へ回り込み難くなる。その結果、複数の第１の保護素子２２及び第２の保護素子２３の静電気不良が生じるのを低減することができる。また、これにより、有効表示領域Ｖ内に設けられたα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１等が静電気によって破損するのを防止できる。
【００８２】
[第２実施形態]
次に、図７を参照して、本発明の第２実施形態に係る静電気保護回路の構成について説明する。図７は、図５に対応する、第２実施形態に係る静電気保護回路９９の部分平面図である。なお、以下では、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略又は簡略化する。
【００８３】
第２実施形態では、上記した比較例と略同様の位置に第２の保護素子２３が設けられている点で比較例と共通する。しかし、第２実施形態と比較例とでは次の点で構成上相違する。即ち、比較例では、第２の保護素子２３と複数の第１の保護素子２２とは直線状配線９７等を介して接続されていたのに対し、第２実施形態では、第２の保護素子２３と複数の第１の保護素子２２とは３つの折れ曲がり部分９６ａを有する折れ曲がり配線９６（破線領域Ｅ６の部分に相当）等を介して電気的に接続されている点で、その両者は構成上相違する。また、第２実施形態において、共通配線の一旦外れる方向に延びる部分は、折れ曲がり配線９６とすることができる。第２実施形態では、その折れ曲がり配線９６は、別の表現をすると、第２の保護素子２３と接続用配線９０との間を蛇行するように形成されているともいえる。
【００８４】
ここで、第２実施形態の製造過程おいて、接地用配線９５から第２の保護素子２３側に静電気が放電したと仮定した場合、かかる静電気は、その性質上、図７においてＹ１方向に直進する。しかしながら、第２の保護素子２３に対応する位置において、共通配線を構成する折れ曲がり配線９６及び接続用配線９０は、第１の保護素子２２が配置されてなる領域に一旦外れる方向に延びる部分を有し、その共通配線の一旦外れる方向に延びる部分としての折れ曲がり配線９６と、本線９５ａとは非直線的に電気的に接続されているので、つまり直線的な位置関係で電気的に接続されていない（言い換えれば、非直線的な位置関係で電気的に接続されている）ので、かかる静電気は矢印Ｙ１方向に沿って直進し、本線９５ａ及び分岐線９０ｂを経由して１つ又は複数の第１の保護素子２２側に直進するようなことはない。よって、第２の保護素子２３が静電気を引き寄せるアンテナとして機能するのを抑制でき、上記の第１実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００８５】
［他の実施形態］
上記の説明では、４色の色相の着色領域として、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｃの４色の色相の着色領域の一例を挙げて説明したが、本発明の適用はこれには限定されず、他の４色の色相の着色領域により１画素を構成することもできる。
【００８６】
この場合、４色の色相の着色領域は、波長に応じて色相が変化する可視光領域（３８０〜７８０ｎｍ）のうち、青系の色相の着色領域（「第１着色領域」とも呼ぶ。）、赤系の色相の着色領域（「第２着色領域」とも呼ぶ。）と、青から黄までの色相の中で選択された２種の色相の着色領域（「第３着色領域」、「第４着色領域」とも呼ぶ。）からなる。ここで「系」との語を用いているが、例えば青系であれば純粋の青の色相に限定されるものでなく、青紫や青緑等を含むものである。赤系の色相であれば、赤に限定されるものでなく橙を含む。また、これら着色領域は単一の着色層で構成されても良いし、複数の異なる色相の着色層を重ねて構成されても良い。また、これら着色領域は色相で述べているが、当該色相は、彩度、明度を適宜変更し、色を設定し得るものである。
【００８７】
具体的な色相の範囲は、
・青系の色相の着色領域は、青紫から青緑であり、より好ましくは藍から青である。
・赤系の色相の着色領域は、橙から赤である。
・青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、青から緑であり、より好ましくは青緑から緑である。
・青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、緑から橙であり、より好ましくは緑から黄である。もしくは緑から黄緑である。
【００８８】
ここで、各着色領域は、同じ色相を用いることはない。例えば、青から黄までの色相で選択される２つの着色領域で緑系の色相を用いる場合は、他方は一方の緑に対して青系もしくは黄緑系の色相を用いる。
【００８９】
これにより、従来のＲＧＢの着色領域よりも広範囲の色再現性を実現することができる。
【００９０】
他の具体的な例として、着色領域を透過する波長で表現すると以下のようになる。
・青系の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが４１５〜５００ｎｍにある着色領域、好ましくは、４３５〜４８５ｎｍにある着色領域である。
・赤系の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが６００ｎｍ以上にある着色領域で、好ましくは、６０５ｎｍ以上にある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある着色領域で、好ましくは、４９５〜５２０ｎｍにある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、該着色領域を透過した光の波長のピークが５００〜５９０ｎｍにある着色領域、好ましくは５１０〜５８５ｎｍにある着色領域、もしくは５３０〜５６５ｎｍにある着色領域である。
【００９１】
この波長は、透過表示の場合は、照明装置としてのバックライト１５からの照明光がカラーフィルタ（着色層）を通して得られた数値である。反射表示の場合は、外光を反射して得られた数値である。
他の具体的な例として、ｘ、ｙ色度図で表現すると以下のようになる。
・青系の着色領域は、ｘ≦0.151、ｙ≦0.200にある着色領域であり、好ましくは、0.134≦ｘ≦0.151、0.034≦ｙ≦0.200にある着色領域である。
・赤系の着色領域は、0.520≦ｘ、ｙ≦0.360にある着色領域であり、好ましくは、0.550≦ｘ≦0.690、0.210≦ｙ≦0.360にある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される一方の着色領域は、ｘ≦0.200、0.210≦ｙにある着色領域であり、好ましくは、0.080≦ｘ≦0.200、0.210≦ｙ≦0.759にある着色領域である。
・青から黄までの色相で選択される他方の着色領域は、0.257≦ｘ、0.450≦ｙにある着色領域であり、好ましくは、0.257≦ｘ≦0.520、0.450≦ｙ≦0.720にある着色領域である。
【００９２】
このｘ、ｙ色度図は、透過表示の場合は、照明装置としてのバックライト１５からの照明光がカラーフィルタ（着色層）を通して得られた数値である。反射表示の場合は、外光を反射して得られた数値である。
【００９３】
これら４色の着色領域は、１つのサブ画素領域ＳＧに透過領域と反射領域を備えた場合、透過領域及び反射領域も上述した範囲で適用することができるものである。
【００９４】
なお、バックライト１５にはＲＧＢの光源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）、蛍光管、有機ＥＬ（organic electroluminescence）などを用いても良い。または白色光源を用いても良い。なお、白色光源は青の発光体とYAG蛍光体により生成される白色光源でもよい。
【００９５】
但し、ＲＧＢ光源としては、以下のものが好ましい。
・Ｂは発光する光の波長のピークが４３５ｎｍ〜４８５ｎｍにあるもの
・Ｇは発光する光の波長のピークが５２０ｎｍ〜５４５ｎｍにあるもの
・Ｒは発光する光の波長のピークが６１０ｎｍ〜６５０ｎｍにあるもの
そして、ＲＧＢ光源の波長によって、上記した着色層を適切に選定すればより広範囲の色再現性を得ることができる。また、波長が例えば、４５０ｎｍと５６５ｎｍにピークがくるような、複数のピークを持つ光源を用いても良い。
【００９６】
上記の４色の色相の着色領域の構成の例としては、具体的には以下のものが挙げられる。
・色相が、赤、青、緑、シアン（青緑）の着色領域。これは、上記の各実施形態の構成例である。
・色相が、赤、青、緑、黄の着色領域
・色相が、赤、青、深緑、黄の着色領域
・色相が、赤、青、エメラルド、黄の着色領域
・色相が、赤、青、深緑、黄緑の着色領域
・色相が、赤、青緑、深緑、黄緑の着色領域
［変形例］
本発明では、上記の構成に限らず、静電気保護回路９８における、共通配線の一旦外れる方向に延びる部分としての折れ曲がり配線９６は、少なくとも１つの折れ曲がり部分９６ａを有して構成されていればよい。
【００９７】
また、上記の各実施形態では、画素領域ＡＧ単位毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの配列順序で着色層６をストライプ状に配置するように構成したが、本発明では、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの４色の着色層６の配列順序について特に限定はなく、例えば、図８（ａ）に示すように、Ｂ、Ｇ、Ｒ、Ｃの配列順序で着色層６をストライプ状に配置するように構成しても構わない。また、これに代えて、本発明では、図８（ｂ）に示すように、画素領域ＡＧ単位毎に、Ｒ、Ｇ、Ｃ、Ｂの各々に対応する各着色層６を田型若しくはモザイク型となるように配置しても構わない。
【００９８】
また、上記の各実施形態では、４色の着色層を用いて液晶装置を構成したが、これに限らず、本発明では、３色の着色層を用いて液晶装置を構成するようにしても構わない。
【００９９】
また、上記の各実施形態では、透過型の液晶装置に本発明を適用したが、これに限らず、本発明は、半透過反射型又は反射型の液晶装置にも適用可能である。
【０１００】
また、本発明は、上記した三端子型素子の一例としてのα−Ｓｉ型ＴＦＴ素子２１を用いた液晶装置１００の他にも、二端子素子の一例としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いた液晶装置にも適用可能である。
【０１０１】
その他、本発明は、上記の各実施形態及び変形例の構成に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形をすることが可能である。
【０１０２】
[電子機器]
次に、上述した本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００並びに第２実施形態及び各種変形例に係る液晶装置等を適用可能な電子機器の具体例について図９を参照して説明する。
【０１０３】
まず、本発明の液晶装置１００等を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図９（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７１３とを備えている。
【０１０４】
続いて、本発明に係る液晶装置１００等を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図９（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００等を適用した表示部７２４を備える。
【０１０５】
なお、本発明に係る液晶装置１００等を適用可能な電子機器としては、図９（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図９（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１０６】
また、本発明は、液晶装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置の等価回路図。
【図３】第１実施形態の画素構成を示す平面図。
【図４】図３における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図。
【図５】第１実施形態に係る静電気保護回路の一部を拡大して示す部分平面図。
【図６】図５に対応する静電気保護回路の一部に対応する等価回路図。
【図７】第２実施形態に係る静電気保護回路の一部を拡大して示す部分平面図。
【図８】変形例に係る各種画素構成を示す平面図。
【図９】本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１０８】
２１  α−Ｓｉ型ＴＦＴ素子、  ２２  第１の保護素子、  ２３  第２の保護素子、  ３８  額縁領域、  Ｖ  有効表示領域、  ９０  接続用配線、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  ９５  接地用配線、  ９６  折れ曲がり配線、  ９６ａ  折れ曲がり部分、  ９８ａ、９８ｂ、９９  静電気保護回路、  １００  液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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