(57)【要約】【課題】スペーサ近傍の電界が乱れることに起因した電子軌道の歪みが経時的に変化しても適切に修正することができる平面型表示装置を提供する。【解決手段】平面型表示装置は、複数の帯状の第１電極１３、及び、第１電極１３よりも下方に位置する複数の帯状の第２電極１１を備え、電子放出領域ＥＡを有するカソードパネルＣＰ、並びに、蛍光体領域２２及びアノード電極２４を備えたアノードパネルＡＰから成り、これらのパネルがそれらの周縁部で接合部材を介して接合されており、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間にはスペーサ４０が、複数、配設されており、スペーサ４０の下端面と、スペーサ４０の下端面の下方に位置するカソードパネルＣＰの部分との間には、カソードパネル側から、下部絶縁膜５２及び下部補助電極層５１が備えられている。【選択図】  図１
2007149410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第１の方向に延びる複数の帯状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延び、第１電極よりも下方に位置する複数の帯状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された電子放出領域を有するカソードパネル、並びに、
（Ｂ）蛍光体領域及びアノード電極を備えたアノードパネル、
から成り、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
カソードパネルとアノードパネルとの間には、スペーサが、複数、配設されており、
スペーサの下端面と、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分との間には、カソードパネル側から、下部絶縁膜及び下部補助電極層が備えられていることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
スペーサの下端面に、下部補助電極層が形成されており、
スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に、下部絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
スペーサの下端面に、下部補助電極層及び下部絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に、下部絶縁膜が形成されており、
下部絶縁膜上に、下部補助電極層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
各スペーサは、複数のスペーサ部材から構成されていることを特徴とする請求項４に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に、下部絶縁膜が形成されており、
下部補助電極層は、スペーサの下端面に形成された下部第１補助電極層、及び、下部絶縁膜上に形成された下部第２補助電極層から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項７】
各スペーサは、複数のスペーサ部材から構成されていることを特徴とする請求項６に記載の平面型表示装置。
【請求項８】
下部補助電極層に印加される電圧をＶDN（ボルト）、第１電極に印加される電圧をＶ1（ボルト）とするとき、−１００≦（ＶDN−Ｖ1）≦１００を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の平面型表示装置。
【請求項９】
下部絶縁膜の下には、第１電極と電気的に絶縁された収束電極が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の平面型表示装置。
【請求項１０】
下部補助電極層に印加される電圧をＶDN（ボルト）、収束電極に印加される電圧をＶF（ボルト）とするとき、−１００≦（ＶDN−ＶF）≦１００を満足することを特徴とする請求項９に記載の平面型表示装置。
【請求項１１】
（Ａ）第１の方向に延びる複数の帯状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延び、第１電極よりも下方に位置する複数の帯状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された電子放出領域を有するカソードパネル、並びに、
（Ｂ）蛍光体領域及びアノード電極を備えたアノードパネル、
から成り、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
カソードパネルとアノードパネルとの間には、スペーサが、複数、配設されており、
スペーサの上端面と、スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分との間には、アノードパネル側から、上部絶縁膜及び上部補助電極層が備えられていることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項１２】
スペーサの上端面に、上部補助電極層が形成されており、
スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分に、上部絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の平面型表示装置。
【請求項１３】
スペーサの上端面に、上部補助電極層及び上部絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の平面型表示装置。
【請求項１４】
スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分に、上部絶縁膜が形成されており、
上部絶縁膜上に、上部補助電極層が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の平面型表示装置。
【請求項１５】
各スペーサは、複数のスペーサ部材から構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の平面型表示装置。
【請求項１６】
スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分に、上部絶縁膜が形成されており、
上部補助電極層は、スペーサの上端面に形成された上部第１補助電極層、及び、上部絶縁膜上に形成された上部第２補助電極層から構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の平面型表示装置。
【請求項１７】
各スペーサは、複数のスペーサ部材から構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の平面型表示装置。
【請求項１８】
上部補助電極層に印加される電圧をＶUP（キロボルト）、アノード電極に印加される電圧をＶA（キロボルト）とするとき、−０．５≦（ＶUP−ＶA）≦０．５を満足することを特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれかに記載の平面型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平面型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）を備えたカソードパネルＣＰと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルＡＰとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが周縁部において接合部材を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルＣＰは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する表示装置の模式的な一部端面図を図３４に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図３６に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。
【０００５】
あるいは又、略平面状の電子放出部１５Ａを有する、所謂扁平型電界放出素子を有する表示装置の模式的な一部端面図を図３５に示す。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａから構成されている。電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。
【０００６】
そして、絶縁層１２及びゲート電極１３の上には層間絶縁層１６が設けられ、層間絶縁層１６にはゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａと連通する開口部（第３開口部１４Ｃ）が設けられ、更には、層間絶縁層１６上から第３開口部１４Ｃの側壁に亙り、収束電極１７が設けられている。尚、図３５及び図３６においては、層間絶縁層及び収束電極の図示を省略した。
【０００７】
これらの表示装置において、カソード電極１１はＹ方向に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、Ｙ方向とは異なるＸ方向に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルに相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ（平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域ＮＥが、この有効領域ＥＦの外側に位置し、有効領域ＥＦを額縁状に包囲している）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。
【０００８】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。また、１サブピクセルを構成する蛍光体領域２２のそれぞれは隔壁２１によって囲まれており、隔壁２１の平面形状は格子形状（井桁形状）である。尚、図中、参照番号１４０はスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は接合部材を表す。図３５及び図３６においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部の図示を省略した。
【０００９】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対向（対面）したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域ＥＦには、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において接合部材２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。
【００１０】
従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ１４０を配置しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。尚、スペーサ１４０の側面には、通常、例えば、ＣｒＯxやＣｒＡｌxＯyから成る帯電防止膜（図３４には図示せず）が形成されている。
【００１１】
通常、スペーサ１４０は、導電性を有するセラミックスから作製されている。そして、例えば、特表平１１−５００８５６に開示されたスペーサにおいては、図３４に示すように、スペーサ１４０の上端面にエッジ金属被覆ストリップ１４０Ａが形成され、スペーサ１４０の下端面にエッジ金属被覆ストリップ１４０Ｂが形成されている。尚、金属被覆ストリップ１４０Ａはアノード電極制御回路３４に接続され、金属被覆ストリップ１４０Ｂは収束電極制御回路３３に接続されている。具体的には、スペーサ１４０の長手方向端部に接続部が設けられており、アノード電極制御回路３４から延びる配線及び収束電極制御回路３３から延びる配線と、金属被覆ストリップ１４０Ａ，１４０Ｂとはコネクター（図示せず）によって接続されている。このようなエッジ金属被覆ストリップ１４０Ａ，１４０Ｂを形成することによって、スペーサ１４０の上部の電位はアノード電極２４の電位と等しくなり、スペーサ１４０の下部の電位は収束電極１７の電位と等しくなり、スペーサ１４０には常に微小電流が流れる。そして、これによって、スペーサの存在によってスペーサ近傍の電界が乱れることに起因した電子ビーム軌道の歪みの修正を行う。
【００１２】
尚、このような、スペーサ１４０の近傍における電子ビーム軌道の歪みの修正を行わないと、スペーサ１４０の近傍に位置する蛍光体領域２２の発光状態と、スペーサ１４０から離れたところに位置する蛍光体領域２２の発光状態との間に差異が生じ、スペーサ１４０の存在が視認される虞がある。
【００１３】
【特許文献１】特表平１１−５００８５６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、表示装置の長期間の作動によって、スペーサ１４０の表面の帯電状態に変化が生じたり、スペーサ１４０の電気抵抗値に経時的な変化が生じる結果、スペーサ１４０の近傍における電子ビーム軌道の歪みに経時的な変化が生じ、スペーサ１４０の近傍における電子ビーム軌道の歪みを適切に修正できなくなる虞がある。また、例えば、スペーサ１４０の品質バラツキや表示装置の製造時のバラツキに起因して、表示装置設計時のスペーサ近傍における電界の分布（電界分布設計値）と、実際に製造した表示装置におけるスペーサ１４０の近傍における電界の分布（電界分布初期値）との間に差異が生じる虞もある。
【００１５】
然るに、一般に、アノード電極２４及び収束電極１７に印加される電圧は一定である。従って、特表平１１−５００８５６に開示された技術にあっては、スペーサ１４０に印加される電圧も一定である。それ故、上述したスペーサ１４０の近傍における電子ビーム軌道の歪みの経時的な変化に対する修正を行うことや、電界分布設計値と電界分布初期値との間に生じた差異を修正することは、極めて困難である。
【００１６】
従って、本発明の目的は、スペーサの存在によってスペーサ近傍の電界が乱れることに起因した電子ビーム軌道の歪みが経時的に変化しても適切に修正することができ、また、平面型表示装置設計時のスペーサ近傍における電界の分布（電界分布設計値）と、実際に製造した平面型表示装置におけるスペーサ近傍における電界の分布（電界分布初期値）との間の差異を適切に修正することができる構成、構造を有する平面型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る平面型表示装置は、
（Ａ）第１の方向に延びる複数の帯状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延び、第１電極よりも下方に位置する複数の帯状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された電子放出領域を有するカソードパネル、並びに、
（Ｂ）蛍光体領域及びアノード電極を備えたアノードパネル、
から成り、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
カソードパネルとアノードパネルとの間には、スペーサが、複数、配設されており、
スペーサの下端面と、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分との間には、カソードパネル側から、下部絶縁膜及び下部補助電極層が備えられていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサの上端面はアノード電極と接触しており、接触の形態として、スペーサの上端面に形成された電極を介して接触している形態とすることもできるが、後述する本発明の第２の態様に係る平面型表示装置におけるアノード電極とスペーサの上端面との接触形態を採用することが望ましい。
【００１９】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置においては、スペーサの下端面に下部補助電極層が形成されており、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に下部絶縁膜が形成されている態様（以下、第１Ａの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合には、各スペーサは１本のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。あるいは又、スペーサの下端面に下部補助電極層及び下部絶縁膜が形成されている態様（以下、第１Ｂの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合にも、各スペーサは１本のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。あるいは又、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に下部絶縁膜が形成されており、下部絶縁膜上に下部補助電極層が形成されている態様（以下、第１Ｃの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合には、各スペーサは、１本のスペーサ部材から構成され、あるいは又、複数のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。あるいは又、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に下部絶縁膜が形成されており、下部補助電極層は、スペーサの下端面に形成された下部第１補助電極層、及び、下部絶縁膜上に形成された下部第２補助電極層から構成されている態様（以下、第１Ｄの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合には、各スペーサは、１本のスペーサ部材から構成され、あるいは又、複数のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。ここで、各スペーサを複数のスペーサ部材から構成する形態とすれば、スペーサ部材の長さを短くすることができ、スペーサ部材の製造が容易となる。
【００２０】
以上の好ましい形態、構成、態様を含む本発明の第１の態様に係る平面型表示装置においては、下部補助電極層に印加される電圧をＶDN（ボルト）、第１電極に印加される電圧をＶ1（ボルト）とするとき、−１００≦（ＶDN−Ｖ1）≦１００を満足することが、スペーサ近傍における電子ビーム軌道の歪みの経時的な変化に対する修正や、電界分布設計値と電界分布初期値との間の差異の修正を一層確実に行うといった観点から望ましい。尚、スペーサ近傍における電子ビーム軌道の歪みの修正は、ＶDNの値を調整することで行うことができる。
【００２１】
あるいは又、以上の好ましい形態、構成、態様を含む本発明の第１の態様に係る平面型表示装置においては、下部絶縁膜の下には第１電極と電気的に絶縁された収束電極が設けられている形態とすることができ、この場合には、下部補助電極層に印加される電圧をＶDN（ボルト）、収束電極に印加される電圧をＶF（ボルト）とするとき、−１００≦（ＶDN−ＶF）≦１００を満足することが、スペーサ近傍における電子ビーム軌道の歪みの経時的な変化に対する修正や、電界分布設計値と電界分布初期値との間の差異の修正を一層確実に行うといった観点から望ましい。尚、スペーサ近傍における電子ビーム軌道の歪みの修正は、ＶDNの値を調整することで行うことができる。
【００２２】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る平面型表示装置は、
（Ａ）第１の方向に延びる複数の帯状の第１電極、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に延び、第１電極よりも下方に位置する複数の帯状の第２電極を備え、第１電極と第２電極との重複領域から構成された電子放出領域を有するカソードパネル、並びに、
（Ｂ）蛍光体領域及びアノード電極を備えたアノードパネル、
から成り、カソードパネルとアノードパネルとがそれらの周縁部で接合部材を介して接合された平面型表示装置であって、
カソードパネルとアノードパネルとの間には、スペーサが、複数、配設されており、
スペーサの上端面と、スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分との間には、アノードパネル側から、上部絶縁膜及び上部補助電極層が備えられていることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第２の態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサの下端面はカソードパネルと接触しており、接触の形態として、スペーサの下端面に形成された電極を介して接触している形態とすることもできるが、上述した本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におけるカソードパネルとスペーサの下端面との接触形態を採用することが望ましい。
【００２４】
本発明の第２の態様に係る平面型表示装置においては、スペーサの上端面に上部補助電極層が形成されており、スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分に上部絶縁膜が形成されている態様（以下、第２Ａの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合には、各スペーサは１本のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。あるいは又、スペーサの上端面に上部補助電極層及び上部絶縁膜が形成されている態様（以下、第２Ｂの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合にも、各スペーサは１本のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。あるいは又、スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分に上部絶縁膜が形成されており、上部絶縁膜上に上部補助電極層が形成されている態様（以下、第２Ｃの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合には、各スペーサは、１本のスペーサ部材から構成され、あるいは又、複数のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。あるいは又、スペーサの上端面の上方に位置するアノード電極の部分に上部絶縁膜が形成されており、上部補助電極層は、スペーサの上端面に形成された上部第１補助電極層、及び、上部絶縁膜上に形成された上部第２補助電極層から構成されている態様（以下、第２Ｄの態様と呼ぶ場合がある）とすることができ、この場合には、各スペーサは、１本のスペーサ部材から構成され、あるいは又、複数のスペーサ部材から構成されていることが好ましい。ここで、各スペーサを複数のスペーサ部材から構成する形態とすれば、スペーサ部材の長さを短くすることができ、スペーサ部材の製造が容易となる。
【００２５】
以上の好ましい形態、構成、態様を含む本発明の第２の態様に係る平面型表示装置においては、上部補助電極層に印加される電圧をＶUP（キロボルト）、アノード電極に印加される電圧をＶA（キロボルト）とするとき、−０．５≦（ＶUP−ＶA）≦０．５を満足することが、スペーサ近傍における電子ビーム軌道の歪みの経時的な変化に対する修正や、電界分布設計値と電界分布初期値との間の差異の修正を一層確実に行うといった観点から望ましい。尚、スペーサ近傍における電子ビーム軌道の歪みの修正は、ＶUPの値を調整することで行うことができる。
【００２６】
ここで、上述したとおり、以上の好ましい形態、構成、態様を含む本発明の第２の態様に係る平面型表示装置を、以上の好ましい形態、構成、態様を含む本発明の第１の態様に係る平面型表示装置と組み合わせることもできる。尚、このような組合せを含む、以上に説明した好ましい構成を含む本発明の第１の態様及び第２の態様に係る平面型表示装置を、総称して、以下、単に本発明と呼ぶ場合がある。
【００２７】
本発明において、下部補助電極層、上部補助電極層を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、下部補助電極層、上部補助電極層の形成方法として、下部補助電極層、上部補助電極層を構成する材料にも依るが、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法を含む物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スクリーン印刷法；インクジェット印刷法；メタルマスク印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができるし、これらの方法とエッチング法との組合せを挙げることもできる。ここで、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた下部補助電極層、上部補助電極層を形成することも可能である。
【００２８】
下部補助電極層、上部補助電極層を無効領域まで延在させ、下部補助電極層、上部補助電極層に電圧を印加するための電源から延びる配線と、適切な手段（例えばコネクター）によって接続することで、下部補助電極層、上部補助電極層に所望の電圧を印加することができる。
【００２９】
ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域は、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲している。
【００３０】
下部絶縁膜、上部絶縁膜や、後述する絶縁層、層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。下部絶縁膜、上部絶縁膜や絶縁層、層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００３１】
スペーサ（スペーサ部材を包含する）は、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等に記載されている材料を用いることもできる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。スペーサは、例えば、隔壁（後述する）と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネル及び／又はカソードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００３２】
スペーサは、例えば、
（ａ）セラミックス粉末、導電性付与材料粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーを成形して、グリーンシートを得、その後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことにより製造することができる。グリーンシート焼成品を切断した後、下部補助電極層、上部補助電極層や下部絶縁膜、上部絶縁膜を形成してもよいし、グリーンシート焼成品に下部補助電極層、上部補助電極層や下部絶縁膜、上部絶縁膜を形成した後、係るグリーンシート焼成品を切断してもよい。
【００３３】
グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミックス粉末を構成する材料として、上述したセラミックスを挙げることができる。尚、グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料は、グリーンシート用スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。導電性付与材料は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の導電性付与材料も焼成されるが、焼成された導電性付与材料が導電性を示すものであればよい。グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料として、例えば、金や白金等の貴金属；モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物等の金属酸化物；チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物；モリブデン酸アンモニウム等の金属塩を挙げることができる。更には、これらの混合物であってもよい。即ち、導電性付与材料は、単一の種類の材料から成る態様であってもよいし、複数の種類の材料から成る態様であってもよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料（例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール）あるいは無機系バインダー材料（例えば、水ガラス）を挙げることができる。
【００３４】
スペーサ（スペーサ部材を包含する）の表面には、帯電防止膜が設けられていることが好ましい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。より具体的には、例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ2等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＣｒＡｌxＯy、Ｎｄ2Ｏ3、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢ2、ＴｉＢ2等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ2、ＷＳ2等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜を（第１の金属酸化物，第２の金属酸化物）の混合物から構成することもできる。（第１の金属酸化物，第２の金属酸化物）の組み合わせとして、（クロム酸化物，チタン酸化物）、（クロム酸化物，インジウム酸化物）、（マンガン酸化物，チタン酸化物）、（マンガン酸化物，インジウム酸化物）、（亜鉛酸化物，チタン酸化物）あるいは（亜鉛酸化物，インジウム酸化物）を挙げることができる。帯電防止膜は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法により形成することができる。帯電防止膜は、スペーサの側面部上に直接設けられていてもよいし、例えば、密着性改善用等の下地膜がスペーサの上に形成されており、下地膜の上に帯電防止膜が形成されていてもよい。
【００３５】
本発明において、カソードパネルを構成する支持体として、あるいは又、アノードパネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁被膜が形成された石英基板、表面に絶縁被膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００３６】
本発明におけるカソードパネルにおいては、第１電極の射影像と第２電極の射影像とは直交することが、即ち、第１の方向と第２の方向とは直交することが、平面型表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。
【００３７】
本発明において、第２電極の本数（Ｎ）及び第１電極の本数（Ｍ）の値の組合せ（Ｎ，Ｍ）として、具体的には、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【００３８】
本発明において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【００３９】
ここで、平面型表示装置を、冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子と略称する）を備えた冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電界放出素子は、
（ａ）支持体上に形成された帯状のカソード電極、
（ｂ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成された帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複部分に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成り、
電子放出領域は、１又は複数の電界放出素子から構成されており、
ゲート電極が第１電極に相当し、カソード電極が第２電極に相当する形態とすることができる。
【００４０】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。カソードパネルにおいて、第１電極（ゲート電極）と第２電極（カソード電極）とが重複する重複部分（重複領域）が電子放出領域を構成し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００４１】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分は、具体的には、例えば、ゲート電極とゲート電極との間に露出した上述の絶縁層の部分であり、この場合には、第１Ａの態様、第１Ｃの態様、あるいは、第１Ｄの態様にあっては、係る絶縁層を下部絶縁膜に該当させてもよいし、絶縁層とは別に下部絶縁膜を形成してもよい。あるいは又、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分は、具体的には、例えば、ゲート電極、及び、ゲート電極とゲート電極との間に露出した上述の絶縁層の部分であり、この場合には、下部補助電極層とゲート電極との間に短絡が生じないように、絶縁層とは別に下部絶縁膜を形成する必要がある。収束電極が設けられている場合には、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分は、具体的には、スペーサの下端面の下方に位置する収束電極の部分であり、あるいは又、収束電極と収束電極との間に露出した層間絶縁層の部分である。
【００４２】
一方、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、スペーサの下端面の接するカソードパネル構成部材は、具体的には、ゲート電極とゲート電極との間に露出した上述の絶縁層の部分であり、あるいは又、ゲート電極、及び、ゲート電極とゲート電極との間に露出した上述の絶縁層の部分である。また、収束電極が設けられている場合には、スペーサの下端面の接するカソードパネル構成部材は、具体的には、収束電極であり、あるいは又、収束電極と収束電極との間に露出した層間絶縁層の部分である。
【００４３】
そして、冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、第１電極（ゲート電極）及び第２電極（カソード電極）に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００４４】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧（アノード電圧ＶA）は、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をＤ0（但し、０．５ｍｍ≦Ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／Ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧ＶC及びゲート電極に印加する電圧ＶGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。
【００４５】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複部分（重複領域）におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００４６】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複部分（重複領域）におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００４７】
本発明において、収束電極が備えられている場合、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている構造、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている構造とすることができる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極及び層間絶縁層には、開口部（第３開口部）が設けられている。
【００４８】
第１電極、第２電極、カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法やＣＶＤ法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状の第１電極や第２電極、カソード電極、ゲート電極を形成することが可能である。
【００４９】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によっても形成することができる。
【００５０】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００５１】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。収束電極及び層間絶縁層に設けられた第３開口部の形成も同様の方法で行うことができる。
【００５２】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００５３】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体薄膜を形成してもよい。抵抗体薄膜を形成することによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体薄膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系抵抗体材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体抵抗体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体薄膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０6〜１×１０11Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。
【００５４】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体領域の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。尚、メタルバック膜がアノード電極を兼ねる構成とすることもできる。
【００５５】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとはアノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。このように、アノード電極を有効領域のほぼ全面に亙って形成する代わりに、より小さい面積を有するアノード電極ユニットに分割した形で形成すれば、アノード電極ユニットと電子放出領域との間の静電容量を減少させることができる。その結果、放電の発生を低減することができ、放電に起因したアノード電極や電子放出領域の損傷の発生を効果的に減少させることができる。
【００５６】
アノード電極をアノード電極ユニットから構成する場合であって隔壁（後述する）が形成されている場合、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面上に亙り形成されている形態とすることができる。尚、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面の途中まで形成されている形態であってもよい。
【００５７】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のＰＶＤ法；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、アノード電極抵抗体層も、アノード電極と同様の、あるいは、類似した方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。
【００５８】
アノード電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、アノード電極抵抗体層を形成する場合、アノード電極抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、アノード電極抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。
【００５９】
蛍光体領域のそれぞれは、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体の領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００６０】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体ペースト、緑色発光蛍光体ペースト、青色発光蛍光体ペーストを順次、塗布した後、各蛍光体塗布領域を順次露光、現像して、各蛍光体領域を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００６１】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。
【００６２】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子といった、所謂後方散乱電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。
【００６３】
隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００６４】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００６５】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００６６】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層から成る接合部材を用いて行ってもよいし、あるいは、棒状あるいはフレーム状（枠状）であってガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から構成された枠体と接着層とから成る接合部材を用いて行ってもよい。枠体と接着層とから成る接合部材を用いる場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみから成る接合部材を使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００６７】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスとすることが好ましいが、大気中で行うこともできる。
【００６８】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【発明の効果】
【００６９】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサの下端面に、カソードパネルの構成要素と下部絶縁膜によって電気的に絶縁された下部補助電極層が形成されているので、スペーサに印加される電圧を、カソードパネルの構成要素に印加される電圧と独立して印加することができる。また、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサの上端面に、アノード電極と上部絶縁膜によって電気的に絶縁された上部補助電極層が形成されているので、スペーサに印加される電圧を、アノード電極に印加される電圧と独立して印加することができる。従って、スペーサの存在によってスペーサ近傍の電界が乱れることに起因した電子ビーム軌道の歪みが経時的に変化しても、下部補助電極層あるいは上部補助電極層に印加する電圧を制御することで、容易に、しかも、確実に、適切に修正することが可能となるし、平面型表示装置設計時のスペーサ近傍における電界の分布と、実際に製造した平面型表示装置におけるスペーサ近傍における電界の分布（電界分布初期値）との間の差異の修正を、平面型表示装置の完成品検査時、下部補助電極層あるいは上部補助電極層に印加する電圧を制御することで、容易に、しかも、確実に、適切に行うことができる。その結果、平面型表示装置における画面の輝度の均一性を長期に亙って確保することができ、高品位の表示画面を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７０】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、実施例１〜実施例４における平面型表示装置の共通した概要を、以下、説明する。ここで、実施例１〜実施例４における平面型表示装置は、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）である。実施例１〜実施例４における表示装置にあっては、第１の方向に延びる帯状の第１電極（例えば走査電極）はゲート電極１３から構成され、第２の方向に延びる帯状の第２電極（例えばデータ電極）はカソード電極１１から構成されている。
【００７１】
実施例１〜実施例４における表示装置は、第２の方向に沿った表示装置の模式的な一部端面図である図２１〜図２６に示すように、
（Ａ）第１の方向（図面におけるＸ方向参照）に延びる複数の帯状の第１電極（ゲート電極１３）、及び、第１の方向とは異なる第２の方向（図面におけるＹ方向参照）に延び、第１電極よりも下方に位置する複数の帯状の第２電極（カソード電極１１）を備え、第１電極（ゲート電極１３）と第２電極（カソード電極１１）との重複領域から構成された電子放出領域ＥＡを有するカソードパネルＣＰ、並びに、
（Ｂ）蛍光体領域２２及びアノード電極２４を備えたアノードパネルＡＰ、
から成り、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとがそれらの周縁部で接合部材２６を介して接合されている。
【００７２】
ここで、実施例１〜実施例４の表示装置は、有効領域ＥＦ、及び、有効領域ＥＦを取り囲む無効領域ＮＥを有する。尚、有効領域ＥＦとは、表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する表示領域であり、この有効領域ＥＦは、額縁状に包囲する無効領域ＮＥによって囲まれている。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とによって挟まれた空間は真空（圧力：例えば１０-3Ｐａ以下）に保持されている。カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのアノードパネルＡＰ及びカソードパネルＣＰの一部分の模式的な部分的分解斜視図は、基本的に、図３６に示したと同様である。
【００７３】
実施例１〜実施例４において、電子放出領域を構成する電界放出素子は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、
（ａ）支持体１０に形成されたカソード電極（第２電極）１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極（第１電極）１３、
（ｄ）カソード電極１１とゲート電極１３の重複する重複部分に位置するゲート電極１３及び絶縁層１２の部分に設けられ、底部にカソード電極１１が露出した開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に露出したカソード電極１１上に設けられ、カソード電極１１及びゲート電極１３への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部１５、
から構成されている。ここで、電子放出部１５の形状は円錐形である。
【００７４】
あるいは又、実施例１〜実施例４にあっては、電子放出素子は、例えば扁平型電界放出素子から構成されている。即ち、扁平型電界放出素子は、図３５に示したように、
（ａ）支持体１０上に形成されたカソード電極（第２電極）１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極（第１電極）１３、
（ｄ）カソード電極１１とゲート電極１３の重複する重複部分に位置するゲート電極１３及び絶縁層１２の部分に設けられ、底部にカソード電極１１が露出した開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に露出したカソード電極１１上に設けられ、カソード電極１１及びゲート電極１３への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部１５Ａ、
から構成されている。ここで、電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。
【００７５】
カソードパネルＣＰにおいて、カソード電極１１は第２の方向（図面におけるＹ方向参照）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、第２の方向とは異なる第１の方向（図面におけるＸ方向参照）に延びる帯状である。カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡには複数の電界放出素子が設けられており、１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ内に、２次元マトリクス状に配列されている。
【００７６】
また、図２４〜図２６に示すように、表示装置によっては、絶縁層１２及びゲート電極１３上には層間絶縁層１６が設けられており、更には、収束電極１７が、電子放出領域ＥＡを取り囲むように層間絶縁層１６上に設けられており、複数の電子放出領域ＥＡに共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極１７及び層間絶縁層１６には、第３開口部１４Ｃが設けられている。カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥには、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管（図示せず）が取り付けられている。
【００７７】
実施例１〜実施例４においては、図２１あるいは図２４に示すように、アノードパネルＡＰは、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された蛍光体領域２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）、及び、アノード電極２４から構成されている。そして、蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間の基板２０上には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。アノード電極２４は、厚さ約０．３μｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域ＥＦを覆う薄い１枚のシート状であり、蛍光体領域２２を覆う状態で設けられている。
【００７８】
あるいは又、実施例１〜実施例４においては、図２２あるいは図２５に示すように、アノードパネルＡＰにおいて、各蛍光体領域２２を取り囲む格子状の隔壁２１が基板２０上に形成されている構成、構造とすることもできる。ここで、１画素（１ピクセル）は、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂから構成されており、１サブピクセルは、蛍光体領域２２から構成されている。そして、各蛍光体領域２２は、隔壁２１によって囲まれている。格子状の隔壁２１における蛍光体領域２２を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）は、矩形形状（長方形）であり、これらの平面形状（開口領域の平面形状）は２次元マトリクス状（より具体的には、井桁）に配列され、格子状の隔壁２１が形成されている。
【００７９】
あるいは又、実施例１〜実施例４においては、図２３あるいは図２６に示すように、アノード電極２４は、各蛍光体領域２２を覆い、且つ、隔壁２１の側面まで延びているが、隔壁２１の頂面にはアノード電極２４は形成されていない構成、構造とすることもできる。即ち、アノード電極２４は、複数の（より具体的には、サブピクセルに対応した）アノード電極ユニット２４Ａから構成されている。尚、隣接するアノード電極ユニット２４Ａ間は、アノード電極抵抗体層２７によって電気的に接続されている。
【００８０】
実施例１〜実施例４における隔壁２１とスペーサ４０と蛍光体領域２２の配置状態の一例を模式的に図２７〜図３２に示す。尚、図２２、図２３、図２５、図２６に示す表示装置における蛍光体領域等の配列を、図２８あるいは図３０に示す構成としている。また、図２７〜図３２においてはアノード電極の図示を省略している。隔壁２１の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体領域２２の四方を取り囲む形状（図２７、図２８、図２９、図３０参照）、あるいは、略矩形の（あるいは帯状の）蛍光体領域２２の対向する二辺と平行に延びる帯状形状を挙げることができる（図３１及び図３２参照）。尚、図３１に示す蛍光体領域２２にあっては、蛍光体領域２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを、図３１の上下方向に延びる帯状とすることもできる。隔壁２１の一部は、スペーサ４０を保持するためのスペーサ保持部としても機能する。
【００８１】
そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間には、平板状のスペーサ４０が、複数、配設されている。尚、スペーサ４０は、第１の方向（図面におけるＸ方向参照）あるいは第２の方向（図面におけるＹ方向参照）に沿って延びている。スペーサ４０は、図２１〜図２６にあっては、第１の方向（Ｘ方向であり、紙面垂直方向）に沿って延びており、図面の点線で囲まれた領域に配設される。スペーサ４０、あるいは、スペーサを構成するスペーサ部材は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3，純度９９．８重量％）から成り、スペーサ４０（あるいはスペーサ部材）の頂面と底面との間の抵抗値は、約１×１０10Ω（約１０ＧΩ，比抵抗値では約６×１０7Ω・ｍ）である。また、スペーサ４０（あるいはスペーサ部材）の側面には、ＲＦスパッタリング法に基づき、厚さ４ｎｍの酸化クロム（ＣｒＯx）から成る帯電防止膜４１が形成されている。酸化クロムは、２次電子放出係数が比較的小さく、スペーサ４０（あるいはスペーサ部材）が正に帯電するような条件下では、帯電防止膜として非常に好ましい材料である。
【００８２】
実施例１〜実施例４の表示装置において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極１７が設けられている場合には、収束電極１７は収束電極制御回路３３に接続され、後述する下部補助電極層は下部補助電極層制御回路（図示せず）に接続され、後述する上部補助電極層は上部補助電極層制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路３４に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。表示装置の実動作時、アノード電極制御回路３４からアノード電極２４に印加されるアノード電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルト、具体的には、例えば、９キロボルト（例えば、Ｄ0＝２．０ｍｍ）とすることができる。一方、表示装置の実動作時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよい。
【００８３】
表示装置の実動作時、カソード電極１１には相対的に負電圧（ＶC）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（ＶG）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極１７には収束電極制御回路３３から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧ＶA）がアノード電極制御回路３４から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５，１５Ａから電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧ＶG、及びカソード電極１１に印加される電圧ＶCによって制御される。
【実施例１】
【００８４】
実施例１は、本発明の第１の態様及び第２の態様に係る本発明の平面型表示装置に関し、より具体的には、第１Ａの態様及び第２Ａの態様に関する。実施例１における表示装置は、図２１に示した表示装置である。
【００８５】
即ち、本発明の第１の態様に則り表現すれば、スペーサ４０の下端面と、スペーサ４０の下端面の下方に位置するカソードパネルＣＰの部分との間には、カソードパネル側から、下部絶縁膜５２及び下部補助電極層５１が備えられている。
【００８６】
また、本発明の第２の態様に則り表現すれば、スペーサ４０の上端面と、スペーサ４０の上端面の上方に位置するアノード電極２４の部分との間には、アノードパネル側から、上部絶縁膜６２及び上部補助電極層６１が備えられている。
【００８７】
そして、実施例１にあっては、より具体的には、スペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１に示すように、スペーサ４０の下端面には下部補助電極層５１が形成されており、スペーサ４０の下端面の下方に位置するカソードパネルＣＰの部分には下部絶縁膜５２が形成されている。ここで、実施例１にあっては、ゲート電極１３とゲート電極１３との間に露出した絶縁層１２の部分を下部絶縁膜５２に該当させているが、絶縁層１２とは別に下部絶縁膜５２を形成してもよい。
【００８８】
一方、スペーサ４０の上端面には上部補助電極層６１が形成されており、スペーサ４０の上端面の上方に位置するアノード電極２４の部分には上部絶縁膜６２が形成されている。
【００８９】
ここで、下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１は、厚さ１μｍのクロム（Ｃｒ）から成り、下部絶縁膜５２及び上部絶縁膜６２は、厚さ５μｍのＳｉＯＮから成る。また、各スペーサ４０は１本のスペーサ部材から構成されており、図１に示す例においては、スペーサ４０は第１の方向（Ｘ方向）に沿って延びている。
【００９０】
下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１は、無効領域ＮＥに位置するスペーサ４０の部分まで延在しており、下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１に電圧を印加するための電源（図示せず）から延びる配線（図示せず）と、例えばコネクター（図示せず）によって接続されている。そして、これによって、下部補助電極層５１に例えば、
ＶDN＝（Ｖ1−１００）ボルト乃至（Ｖ1＋１００）ボルト
を印加し、上部補助電極層６１に例えば、
ＶUP＝（ＶA−０．５）キロボルト乃至（ＶA＋０．５）キロボルト
を印加する。尚、表示装置の実動作時、第１電極（ゲート電極１３）に印加される電圧Ｖ1（ＶG）は、例えば２０（ボルト）であり、アノード電極２４に印加される電圧ＶAは、例えば９（キロボルト）である。以下の実施例２〜実施例４においても、同様とすることができる。
【００９１】
このように下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１に印加する電圧ＶDN，ＶUPを、ゲート電極１３及びアノード電極２４に印加する電圧Ｖ1（ＶG），ＶAと独立して制御することができるので、スペーサ４０の存在によってスペーサ近傍の電界が乱れることに起因した電子ビーム軌道の歪みの経時的な変化を、容易に、しかも、確実に、適切に修正することが可能となるし、表示装置設計時のスペーサ近傍における電界の分布（電界分布設計値）と、実際に製造した表示装置におけるスペーサ近傍における電界の分布（電界分布初期値）との間の差異の修正を、表示装置の完成品検査時、容易に、しかも、確実に、適切に行うことができる。
【００９２】
より具体的には、例えばスペーサ４０近傍における電子ビームがスペーサ側に近づくように偏向される結果、スペーサ４０の不可視性が損なわれる場合には、第１電極（ゲート電極１３）に印加される電圧Ｖ1（ＶG）、あるいは、後述するように収束電極１７が設けられている場合には収束電極に印加される電圧ＶFよりも相対的に負の電圧ＶDNを、下部補助電極層５１に印加すればよい。あるいは又、アノード電極２４に印加される電圧ＶAよりも相対的に負の電圧ＶUPを、上部補助電極層６１に印加すればよい。これによって、電子ビームには、スペーサ４０から遠ざかる方向の力が働き、結果的に所定の蛍光体領域２２に電子ビームを衝突させることができる。スペーサ４０近傍における電子ビームがスペーサ側から遠ざかるように偏向される場合には、相対的に正の電圧ＶDNを下部補助電極層５１に印加すればよいし、相対的に正の電圧ＶUPを上部補助電極層６１に印加すればよい。以下の実施例においても同様である。
【００９３】
尚、実施例１にあっては、表示装置として、図２２あるいは図２３に示した表示装置とすることもできる。
【００９４】
実施例１の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図２に示す。この実施例１の変形例−１における表示装置は、図２１に示した表示装置であるが、図１と相違する点は、スペーサ４０が延びる方向が第２の方向（Ｙ方向）と平行である点にある。そして、スペーサ４０の下端面に下部補助電極層５１が形成されている点は図１と同じであるが、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分、具体的には、ゲート電極１３の上、及び、ゲート電極１３とゲート電極１３との間に露出した絶縁層１２の部分の上に、下部絶縁膜５２が形成されている点が、図１と異なる。
【００９５】
実施例１の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図３に示す。この実施例１の変形例−２における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例１の変形例−２が図１と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に層間絶縁層１６が形成され、層間絶縁層１６上に収束電極１７が形成されており、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分、具体的には、収束電極１７の上に下部絶縁膜５２が形成されている点にある。そして、下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１は、無効領域ＮＥに位置するスペーサ４０の部分まで延在しており、下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１に電圧を印加するための電源（図示せず）から延びる配線（図示せず）と、例えばコネクター（図示せず）によって接続されている。そして、これによって、下部補助電極層５１に例えば、
ＶDN＝（ＶF−１００）ボルト乃至（ＶF＋１００）ボルト
を印加し、上部補助電極層６１に例えば、
ＶUP＝（ＶA−０．５）キロボルト乃至（ＶA−０．５）キロボルト
を印加する。尚、表示装置の実動作時、収束電極１７に印加される電圧ＶFは、例えば２０（ボルト）であり、アノード電極２４に印加される電圧ＶAは、例えば９（キロボルト）である。以下の実施例１〜実施例４の収束電極を備えた表示装置においても、同様とすることができる。
【００９６】
実施例１の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図４に示す。この実施例１の変形例−３における表示装置は、図２５に示した表示装置である。ここで、この実施例１の変形例−３が図３に示した実施例１の変形例−２と相違する点は、アノードパネルＡＰにおいて、隔壁２１の一部から構成されたスペーサ保持部２５によってスペーサ４０の上部が保持されており、スペーサ保持部２５に上部絶縁膜６２が形成されている点にある。尚、この実施例１の変形例−３における表示装置を、図２６に示した表示装置とすることもできる。
【００９７】
実施例１の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図５に示す。この実施例１の変形例−４における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例１の変形例−４が図３に示した実施例１の変形例−２と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、スペーサ４０の下方には収束電極１７が設けられておらず、層間絶縁層１６が露出しており、この露出した層間絶縁層１６の部分の上に下部絶縁膜５２が形成されている点にある。このように層間絶縁層１６の一部を露出させるためには、蒸着法等によって収束電極１７を形成する際、ワイヤー等でマスキングしておけばよい。以下の実施例における変形例にあっても同様とすることができる。尚、この露出した層間絶縁層１６の部分を下部絶縁膜５２に該当させてもよい。また、表示装置を図２５あるいは図２６に示した表示装置とすることもできる。
【実施例２】
【００９８】
実施例２は、実施例１の変形であり、より具体的には、第１Ｂの態様及び第２Ｂの態様に関する。実施例２における表示装置も、図２１に示した表示装置である。
【００９９】
実施例２にあっては、より具体的には、スペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図６に示すように、スペーサ４０の下端面に、下部補助電極層５１及び下部絶縁膜５２が形成されている。一方、スペーサ４０の上端面に、上部補助電極層６１及び上部絶縁膜６２が形成されている。
【０１００】
ここで、下部補助電極層５１、上部補助電極層６１、下部絶縁膜５２、上部絶縁膜６２の厚さや構成材料は、実施例１と同様とすることができるし、各スペーサ４０は１本のスペーサ部材から構成されており、図６に示す例においては、スペーサ４０は第１の方向（Ｘ方向）に沿って延びている。
【０１０１】
尚、実施例２にあっても、表示装置として、図２２あるいは図２３に示した表示装置とすることもできる。
【０１０２】
実施例２の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図７に示す。この実施例２の変形例−１における表示装置は、図２１に示した表示装置であるが、図６と相違する点は、スペーサ４０が延びる方向が第２の方向（Ｙ方向）と平行である点にある。
【０１０３】
実施例２の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図８に示す。この実施例２の変形例−２における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例２の変形例−２が図６と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に層間絶縁層１６が形成され、層間絶縁層１６上に収束電極１７が形成されている点にある。
【０１０４】
実施例２の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図９に示す。この実施例２の変形例−３における表示装置は、図２５に示した表示装置である。ここで、この実施例２の変形例−３が図８に示した実施例２の変形例−２と相違する点は、アノードパネルＡＰにおいて、隔壁２１の一部から構成されたスペーサ保持部２５によってスペーサ４０の上部が保持されている点にある。尚、この実施例２の変形例−３における表示装置を、図２６に示した表示装置とすることもできる。
【０１０５】
実施例２の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１０に示す。この実施例２の変形例−４における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例２の変形例−４が図８に示した実施例２の変形例−２と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、スペーサ４０の下方には収束電極１７が設けられておらず、層間絶縁層１６が露出している点にある。また、表示装置を図２５あるいは図２６に示した表示装置とすることもできる。
【実施例３】
【０１０６】
実施例３も、実施例１の変形であり、より具体的には、第１Ｃの態様及び第２Ｃの態様に関する。実施例３における表示装置も、図２１に示した表示装置である。
【０１０７】
実施例３にあっては、より具体的には、スペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１１に示すように、スペーサ４０の下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に下部絶縁膜５２が形成されており、下部絶縁膜５２上に下部補助電極層５１が形成されている。ここで、実施例３にあっては、ゲート電極１３とゲート電極１３との間に露出した絶縁層１２の部分を下部絶縁膜５２に該当させているが、絶縁層１２とは別に下部絶縁膜５２を形成してもよい。
【０１０８】
一方、スペーサ４０の上端面の上方に位置するアノード電極２４の部分に上部絶縁膜６２が形成されており、上部絶縁膜６２上に上部補助電極層６１が形成されている。
【０１０９】
ここで、下部補助電極層５１、上部補助電極層６１、下部絶縁膜５２、上部絶縁膜６２の厚さや構成材料は、実施例１と同様とすることができるし、各スペーサ４０は１本のスペーサ部材から構成されており、図１１に示す例においては、スペーサ４０は第１の方向（Ｘ方向）に沿って延びている。あるいは又、各スペーサ４０を、複数のスペーサ部材から構成することもできる。下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１は、無効領域ＮＥに位置する支持体１０、基板２０の部分まで延在しており、下部補助電極層５１及び上部補助電極層６１に電圧を印加するための電源（図示せず）から延びる配線（図示せず）と、例えばコネクター（図示せず）によって接続されている。
【０１１０】
尚、実施例３にあっても、表示装置として、図２２あるいは図２３に示した表示装置とすることもできる。
【０１１１】
実施例３の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１２に示す。この実施例３の変形例−１における表示装置は、図２１に示した表示装置であるが、図１１と相違する点は、スペーサ４０が延びる方向が第２の方向（Ｙ方向）と平行である点にある。そして、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分、具体的には、ゲート電極１３の上、及び、ゲート電極１３とゲート電極１３との間に露出した絶縁層１２の部分の上に、下部絶縁膜５２が形成されている点が、図１１と異なる。
【０１１２】
実施例３の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１３に示す。この実施例３の変形例−２における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例３の変形例−２が図１１と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に層間絶縁層１６が形成され、層間絶縁層１６上に収束電極１７が形成されており、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分、具体的には、収束電極１７の上に下部絶縁膜５２が形成されている点にある。
【０１１３】
実施例３の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１４に示す。この実施例３の変形例−３における表示装置は、図２５に示した表示装置である。ここで、この実施例３の変形例−３が図１３に示した実施例３の変形例−２と相違する点は、アノードパネルＡＰにおいて、隔壁２１の一部から構成されたスペーサ保持部２５によってスペーサ４０の上部が保持されており、スペーサ保持部２５に上部絶縁膜６２が形成されている点にある。尚、この実施例３の変形例−３における表示装置を、図２６に示した表示装置とすることもできる。
【０１１４】
実施例３の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１５に示す。この実施例３の変形例−４における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例３の変形例−４が図１３に示した実施例３の変形例−２と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、スペーサ４０の下方には収束電極１７が設けられておらず、層間絶縁層１６が露出しており、この露出した層間絶縁層１６の部分の上に下部絶縁膜５２が形成されている点にある。尚、この露出した層間絶縁層１６の部分を下部絶縁膜５２に該当させてもよい。また、表示装置を図２５あるいは図２６に示した表示装置とすることもできる。
【実施例４】
【０１１５】
実施例４も、実施例１の変形であり、より具体的には、第１Ｄの態様及び第２Ｄの態様に関する。実施例４における表示装置も、図２１に示した表示装置である。
【０１１６】
実施例４にあっては、より具体的には、スペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１６に示すように、スペーサ４０の下端面の下方に位置するカソードパネルの部分に下部絶縁膜５２が形成されており、下部補助電極層は、スペーサ４０の下端面に形成された下部第１補助電極層５１Ａ、及び、下部絶縁膜５２上に形成された下部第２補助電極層５１Ｂから構成されている。ここで、実施例４にあっては、ゲート電極１３とゲート電極１３との間に露出した絶縁層１２の部分を下部絶縁膜５２に該当させているが、絶縁層１２とは別に下部絶縁膜５２を形成してもよい。
【０１１７】
一方、スペーサ４０の上端面の上方に位置するアノード電極２４の部分に上部絶縁膜６２が形成されており、上部補助電極層は、スペーサ４０の上端面に形成された上部第１補助電極層６１Ａ、及び、上部絶縁膜６２上に形成された上部第２補助電極層６１Ｂから構成されている。
【０１１８】
ここで、下部第１補助電極層５１Ａ、下部第２補助電極層５１Ｂ、上部第１補助電極層６１Ａ、上部第２補助電極層６１Ｂ、下部絶縁膜５２、上部絶縁膜６２の厚さや構成材料は、実施例１と同様とすることができるし、各スペーサ４０は１本のスペーサ部材から構成されており、図１６に示す例においては、スペーサ４０は第１の方向（Ｘ方向）に沿って延びている。あるいは又、各スペーサ４０を、複数のスペーサ部材から構成することもできる。下部第２補助電極層５１Ｂ及び上部第２補助電極層６１Ｂは、無効領域ＮＥに位置する支持体１０、基板２０の部分まで延在しており、下部第２補助電極層５１Ｂ及び上部第２補助電極層６１Ｂに電圧を印加するための電源（図示せず）から延びる配線（図示せず）と、例えばコネクター（図示せず）によって接続されている。
【０１１９】
尚、実施例４にあっても、表示装置として、図２２あるいは図２３に示した表示装置とすることもできる。
【０１２０】
実施例４の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１７に示す。この実施例４の変形例−１における表示装置は、図２１に示した表示装置であるが、図１６と相違する点は、スペーサ４０が延びる方向が第２の方向（Ｙ方向）と平行である点にある。そして、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分、具体的には、ゲート電極１３の上、及び、ゲート電極１３とゲート電極１３との間に露出した絶縁層１２の部分の上に、下部絶縁膜５２が形成されている点が、図１６と異なる。
【０１２１】
実施例４の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１８に示す。この実施例４の変形例−２における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例４の変形例−２が図１６と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に層間絶縁層１６が形成され、層間絶縁層１６上に収束電極１７が形成されており、スペーサの下端面の下方に位置するカソードパネルの部分、具体的には、収束電極１７の上に下部絶縁膜５２が形成されている点にある。
【０１２２】
実施例４の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図１９に示す。この実施例４の変形例−３における表示装置は、図２５に示した表示装置である。ここで、この実施例４の変形例−３が図１８に示した実施例４の変形例−２と相違する点は、アノードパネルＡＰにおいて、隔壁２１の一部から構成されたスペーサ保持部２５によってスペーサ４０の上部が保持されており、スペーサ保持部２５に上部絶縁膜６２が形成されている点にある。尚、この実施例４の変形例−３における表示装置を、図２６に示した表示装置とすることもできる。
【０１２３】
実施例４の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）を図２０に示す。この実施例４の変形例−４における表示装置は、図２４に示した表示装置である。ここで、この実施例４の変形例−４が図１８に示した実施例４の変形例−２と相違する点は、カソードパネルＣＰにおいて、スペーサ４０の下方には収束電極１７が設けられておらず、層間絶縁層１６が露出しており、この露出した層間絶縁層１６の部分の上に下部絶縁膜５２が形成されている点にある。尚、この露出した層間絶縁層１６の部分を下部絶縁膜５２に該当させてもよい。また、表示装置を図２５あるいは図２６に示した表示装置とすることもできる。
【０１２４】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。尚、実施例及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造と、従来のスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造と組み合わせてもよいし、実施例及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造と、従来のスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造と組み合わせてもよい。
【０１２５】
実施例１及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造を、実施例２〜実施例４及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造に適用することができるし、実施例２及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造を、実施例１、実施例３、実施例４及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造に適用することができるし、実施例３及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造を、実施例１、実施例２、実施例４及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造に適用することができるし、実施例４及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造を、実施例１〜実施例３及びその変形例において説明したスペーサの下端面及びカソードパネルＣＰの部分の構成、構造に適用することができる。
【０１２６】
また、実施例１及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造を、実施例２〜実施例４及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造に適用することができるし、実施例２及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造を、実施例１、実施例３、実施例４及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造に適用することができるし、実施例３及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造を、実施例１、実施例２、実施例４及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造に適用することができるし、実施例４及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造を、実施例１〜実施例３及びその変形例において説明したスペーサの上端面及びアノードパネルＡＰの部分の構成、構造に適用することができる。
【０１２７】
実施例にあっては、スペーサ４０の軸線に垂直な仮想平面で補助電極層を切断したときの断面形状を薄板状あるいは「コ」の字型としたが、これらに限定されるものではなく、補助電極層の断面形状は、本質的に、任意の形状とすることができる。また、スペーサ４０の軸線に垂直な仮想平面で絶縁膜を切断したときの断面形状を薄板状あるいは「コ」の字型としたが、これに限定されるものではなく、絶縁膜の断面形状は、本質的に、任意の形状とすることができる。
【０１２８】
実施例にあっては、スペーサの形状を細長い板状としたが、スペーサの形状はこのような形状に限定されない。図３３の（Ａ）の概念的な部分的平面図に示すように、十字型のスペーサ４０Ａと板状のスペーサ４０を組合せてもよいし、図３３の（Ｂ）の概念的な部分的平面図に示すように、十字型のスペーサ４０Ａのみを用いることもできる。尚、十字型のスペーサ４０Ａの基本的な構成、構造は、実施例１〜実施例４において説明した細長い板状の構成、構造と同様とすればよい。
【０１２９】
電子放出領域は、第１電極と第２電極との重複領域から構成されているが、第１電極から枝配線（第１枝配線）が延び、第２電極から枝配線（第２枝配線）が延び、第１枝配線と第２枝配線との重複領域が電子放出領域に相当する形態も、あるいは又、第１電極から枝配線（第１枝配線）が延び、第２電極から枝配線（第２枝配線）が延び、第１枝配線と第２枝配線の対向部分に電子放出領域が設けられている（第１枝配線の端部と第２枝配線の端部に跨って電子放出領域が設けられている）形態も、あるいは又、第１電極から枝配線（第１枝配線）が延び、第１枝配線と第２電極との重複領域が電子放出領域に相当する形態も、あるいは又、第１電極から枝配線（第１枝配線）が延び、第１枝配線と第２配線の対向部分に電子放出領域が設けられている（第１枝配線の端部と第２配線の側部に跨って電子放出領域が設けられている）形態も、あるいは又、第２電極から枝配線（第２枝配線）が延び、第２枝配線と第１電極との重複領域が電子放出領域に相当する形態も、更には、第２電極から枝配線（第２枝配線）が延び、第２枝配線と第１配線の対向部分に電子放出領域が設けられている（第２枝配線の端部と第１配線の側部に跨って電子放出領域が設けられている）形態も、『電子放出領域は、第１電極と第２電極との重複領域から構成されている』形態に包含される。
【０１３０】
例えば、予め、スペーサの近傍における電子ビーム軌道の歪みの経時的な変化量の標準的な値（即ち、経過時間と変化量のデータ）を求めておき、通電時間（動作時間の積分値）やクーロンドーズ量に応じて、下部補助電極層や上部補助電極層への印加電圧を自動的に補正すれば、良好な画質を維持することができる。また、このような補正は、ユーザーが画面を見ながら行うこともできる。更には、表示装置の動作中のスペーサのチャージアップの影響、スペーサ表面物性の変化によるスペーサ近傍における電位分布の乱れなどによる電子ビーム軌道の変化を補正することもできる。更には、例えば輝度に応じて下部補助電極層や上部補助電極層への印加電圧を変えれば、電子ビームが微小偏向されて、スペーサの帯電や熱による電子ビームの偏向を補正することもできる。
【０１３１】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１３２】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極（例えば、第１電極）に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極（例えば、第２電極）に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極（第１電極及び第２電極）に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】図１は、実施例１の平面型表示装置におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図２】図２は、実施例１の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図３】図３は、実施例１の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図４】図４は、実施例１の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図５】図５は、実施例１の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図６】図６は、実施例２の平面型表示装置におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図７】図７は、実施例２の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図８】図８は、実施例２の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図９】図９は、実施例２の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１０】図１０は、実施例２の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１１】図１１は、実施例３の平面型表示装置におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１２】図１２は、実施例３の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１３】図１３は、実施例３の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１４】図１４は、実施例３の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１５】図１５は、実施例３の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１６】図１６は、実施例４の平面型表示装置におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１７】図１７は、実施例４の平面型表示装置の変形例−１におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１８】図１８は、実施例４の平面型表示装置の変形例−２におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図１９】図１９は、実施例４の平面型表示装置の変形例−３におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図２０】図２０は、実施例４の平面型表示装置の変形例−４におけるスペーサ近傍の拡大した模式的な一部端面図（但し、分解図）である。
【図２１】図２１は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る実施例１〜実施例４の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２２】図２２は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置の変形例から成る実施例１〜実施例４の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２３】図２３は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置の別の変形例から成る実施例１〜実施例４の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２４】図２４は、収束電極を備えたスピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る実施例１〜実施例４の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２５】図２５は、収束電極を備えたスピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置の変形例から成る実施例１〜実施例４の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２６】図２６は、収束電極を備えたスピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置の別の変形例から成る実施例１〜実施例４の平面型表示装置の一部端面図である。
【図２７】図２７は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図２８】図２８は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図２９】図２９は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図３０】図３０は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図３１】図３１は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図３２】図３２は、平面型表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。
【図３３】図３３の（Ａ）及び（Ｂ）は、スペーサの形状の変形例を示す概念的な部分的平面図である。
【図３４】図３４は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る従来の平面型表示装置の一部端面図である。
【図３５】図３５は、扁平型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る従来の平面型表示装置の概念的な一部端面図である。
【図３６】図３６は、冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１３４】
ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、ＥＡ・・・電子放出領域、ＥＦ・・・有効領域、ＮＥ・・・無効領域、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１４Ｃ・・・第３開口部、１５，１５Ａ・・・電子放出部、１６・・・層間絶縁層、１７・・・収束電極、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２４Ａ・・・アノード電極ユニット、２６・・・接合部材、２７・・・アノード電極抵抗体層、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・収束電極制御回路、３４・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ、４１・・・帯電防止膜、５１・・・下部補助電極層、５１Ａ・・・下部第１補助電極層、５１Ｂ・・・下部第２補助電極層、５２・・・下部絶縁膜、６１・・・上部補助電極層、６１Ａ・・・上部第１補助電極層、６１Ｂ・・・上部第２補助電極層、６２・・・上部絶縁膜
【図１】
2007149410.tif 000003
【図２】
2007149410.tif 000004
【図３】
2007149410.tif 000005
【図４】
2007149410.tif 000006
【図５】
2007149410.tif 000007
【図６】
2007149410.tif 000008
【図７】
2007149410.tif 000009
【図８】
2007149410.tif 000010
【図９】
2007149410.tif 000011
【図１０】
2007149410.tif 000012
【図１１】
2007149410.tif 000013
【図１２】
2007149410.tif 000014
【図１３】
2007149410.tif 000015
【図１４】
2007149410.tif 000016
【図１５】
2007149410.tif 000017
【図１６】
2007149410.tif 000018
【図１７】
2007149410.tif 000019
【図１８】
2007149410.tif 000020
【図１９】
2007149410.tif 000021
【図２０】
2007149410.tif 000022
【図２１】
2007149410.tif 000023
【図２２】
2007149410.tif 000024
【図２３】
2007149410.tif 000025
【図２４】
2007149410.tif 000026
【図２５】
2007149410.tif 000027
【図２６】
2007149410.tif 000028
【図２７】
2007149410.tif 000029
【図２８】
2007149410.tif 000030
【図２９】
2007149410.tif 000031
【図３０】
2007149410.tif 000032
【図３１】
2007149410.tif 000033
【図３２】
2007149410.tif 000034
【図３３】
2007149410.tif 000035
【図３４】
2007149410.tif 000036
【図３５】
2007149410.tif 000037
【図３６】
2007149410.tif 000038