(57)【要約】【課題】  セル内部の脱ガス効果を持続させて、液晶内部の気泡発生を抑制することができる液晶パネルの製造方法を提供する。【解決手段】  シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、一対の基板を加熱する加熱工程と、一対の基板を加熱工程における加熱温度よりも低い温度で加熱しながら保管する加熱保管工程と、一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、を含む。  また、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、一対の基板を加熱する加熱工程と、一対の基板を減圧環境下で保管する減圧保管工程と、一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、を含む。【選択図】  図１
2007072037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、
前記一対の基板を加熱する加熱工程と、
前記一対の基板を前記加熱工程における加熱温度よりも低い温度で加熱しながら保管する加熱保管工程と、
前記一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、
を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記加熱保管工程における加熱温度を、前記加熱保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間に対応させることを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記加熱保管工程を減圧環境下で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程における加熱温度を１５０〜２５０℃の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記一対の基板を、複数の単品パネルに分割される大判基板とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、
前記一対の基板を加熱する加熱工程と、
前記一対の基板を減圧環境下で保管する減圧保管工程と、
前記一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、
を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
前記減圧保管工程を、加熱しながら実施することを特徴とする請求項６に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項８】
前記液晶配置工程を、前記減圧保管工程とは異なる減圧装置内で実施することを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項９】
液晶パネルを構成する一対の基板のうちいずれか一方の基板に枠状のシール材を形成するシール材形成工程と、
前記一対の基板のうち他方の基板を加熱する加熱工程と、
前記他方の基板を、前記加熱工程における加熱温度よりも低い温度で、加熱しながら保管する加熱保管工程と、
前記枠状のシール材を形成した基板におけるシール材の内側領域、あるいは他方の基板における前記シール材の内側領域に相当する領域に、液晶材料を配置する液晶配置工程と、
前記シール材を介して前記一対の基板を貼り合せる貼合工程と、
を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項１０】
液晶パネルを構成する一対の基板のうちいずれか一方の基板に、枠状のシール材を形成するシール材形成工程と、
前記一対の基板のうち他方の基板を加熱する加熱工程と、
前記他方の基板を、減圧環境下で、保管する減圧保管工程と、
前記枠状のシール材を形成した基板におけるシール材の内側領域、あるいは他方の基板における前記シール材の内側領域に相当する領域に、液晶材料を配置する液晶配置工程と、
前記シール材を介して前記一対の基板を貼り合せる貼合工程と、
を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの製造方法に関する。特に、セル内に液晶材料を配置する前に、基板に対して加熱保管処理あるいは減圧保管処理の少なくとも一方を行う液晶パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ電極を備えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板間に液晶材料を配置して構成されている。そして、この対向する電極に電圧を印加して液晶材料を配向させ、通過する光を偏向させることにより、画像表示させるものである。
ここで、かかる液晶材料をセル内（基板間隙）に配置する方法としては、大きく２種類に分類される。ひとつは、真空注入方式と呼ばれる方法であって、液晶注入時において、セル内外に圧力差を設けることで、液晶材料をセル内に注入する方法である。
より具体的には、まず、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を、真空装置内に保管することにより、セル内外をそれぞれ減圧状態とする。次いで、かかるシール材の一部に設けられた液晶注入口を液晶材料表面に接触させた後、セル外を大気開放することにより、セル内外に圧力差を形成し、液晶材料をセル内へと流入させることができる。
もう一つの方法は、いわゆる封口レス方式と呼ばれる方法であって、一対の基板のいずれか一方の基板上に、液晶材料を滴下させた後、他方の基板を貼り合わせることにより、液晶材料をセル内に配置する方法である。
より具体的には、まず、一対の基板のいずれか一方に、枠状のシール材を形成して、液晶を配置するための領域を形成する。次いで、かかる領域内に、液晶材料を適量滴下した後、他方の基板を、シール材を介して液晶材料を挟むように貼り合わせることで、液晶材料をセル内に配置することができる。
【０００３】
これらの真空注入方式及び封口レス方式のいずれの液晶配置方法を採用した場合であっても、液晶を配置する前の基板保管の際に、大気成分である二酸化炭素や水分等が、セル内面に付着する現象が生じていた。この付着した大気成分は、液晶材料を配置した後の温度変化の影響により、いわゆる高温衝撃や低温衝撃を発生させる原因となり、表示特性を低下させる要因の一つとなっていた。そこで、この気泡発生を防ぐ方法として、従来から、液晶注入前の基板を所定温度で加熱処理する方法（空セル加温）によって、基板表面を脱ガス処理して、気泡発生を抑制する方法が用いられていた。しかしながら、加熱処理から液晶注入までのストレージ時間や保管環境によっては、再び大気成分が付着して、所望の効果を十分得ることができていなかった。
【０００４】
そこで、このような気泡発生の問題を解決するために、液晶注入前の基板を真空オーブン内で加熱及び徐冷した後に、セル内を不活性ガスで置換することにより、大気成分が基板に付着することを防止した液晶表示素子の製造方法が提案されている。（例えば特許文献１参照）
【特許文献１】特開２００１−２３５７６０（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、真空オーブン内を常圧に戻す際に不活性ガスを用いることで、基板へのガス吸着を抑制することができるようになったものの、不活性ガス充填後は、セル内の液晶注入口を開放したまま、大気内を搬送させなければならなかった。その場合には、やはり、液晶注入までのストレージ時間の長さや搬送環境よっては、液晶注入口を介して、セル内に大気成分が流入してしまい、上述した問題と同様、二酸化炭素や水分等が表面に付着して、気泡発生の原因となる場合が見られた。
また、かかる方法は、液晶注入前にセル構造を形成する液晶注入方式においてのみ有効な方法であって、封口レス方式に対して適用することはできないという問題も見られた。
【０００６】
そこで、本発明の発明者は鋭意検討した結果、セル内に液晶材料を配置する前に、基板に対して加熱処理及び減圧保管処理の少なくとも一方を行うことで、セル内部の脱ガス効果を持続させて、液晶内部の気泡発生を抑制することができることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、セル内のガス吸着を抑制したまま液晶材料を配置させて、液晶中に溶解する大気成分を減らすことで、使用環境が変化した場合であっても、低温衝撃及び高温衝撃による気泡発生を抑制して、優れた画像特性を維持することができる液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、一対の基板を加熱する加熱工程と、一対の基板を加熱工程における加熱温度よりも低い温度で加熱しながら保管する加熱保管工程と、一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、液晶注入方式を採用した液晶パネルの製造方法において、加熱による脱ガス効果を維持させた状態で、セル内に液晶材料を配置することができるようになり、液晶中に溶解している大気成分を低減させて、使用環境が変化した場合であっても、低温衝撃や高温衝撃による気泡発生を抑制することができる。
【０００８】
また、本発明を実施するにあたり、加熱保管工程における加熱温度を、加熱保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間に対応させることが好ましい。
このように実施することにより、液晶配置時における基板温度を一定にすることができるようになり、基板搬送などのハンドリング作業を容易に行うことができるようになる。
また、液晶配置工程に移すまでの時間を任意に選択することができるようになり、製造プロセスの設計を容易に行うことができるようになる。
【０００９】
また、本発明を実施するにあたり、加熱保管工程を減圧環境下で行うことが好ましい。
このように実施することにより、加熱処理により基板表面から脱離したガスを除去することができるようになり、基板表面への再付着を防止することができるようになる。
【００１０】
また、本発明を実施するにあたり、加熱工程における加熱温度を１５０〜２５０℃の範囲内の値とすることが好ましい。
このように実施することにより、後の加熱保管工程における脱ガス処理を、さらに効果的に行うことができるようになる。
【００１１】
また、本発明を実施するにあたり、一対の基板を、複数の単品パネルに分割される大判基板とすることが好ましい。
このように実施することにより、一度の液晶配置作業で、複数のセルに液晶材料を配置させることができるようになり、液晶配置工程における生産性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の別の態様は、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、一対の基板を加熱する加熱工程と、一対の基板を減圧環境下で保管する減圧保管工程と、一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法である。
すなわち、液晶注入方式を採用した液晶パネルの製造方法において、減圧保管による脱ガス効果を維持させた状態で、セル内に液晶材料を配置することができるようになり、液晶中に溶解している大気成分を低減させて、使用環境が変化した場合であっても、低温衝撃や高温衝撃による気泡発生を抑制することができる。
【００１３】
また、本発明を実施するにあたり、減圧保管工程を、加熱しながら実施することが好ましい。
このように実施することにより、加熱処理により基板表面から脱離したガスを除去することができるようになり、基板表面への再付着を防止することができるようになる。
【００１４】
また、本発明を実施するにあたり、液晶配置工程を、減圧保管工程とは異なる減圧装置内で実施することが好ましい。
このように実施することにより、工程毎に独立した減圧条件を設定できるようになり、作業性を向上させることができるようになる。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、液晶パネルを構成する一対の基板のうちいずれか一方の基板に枠状のシール材を形成するシール材形成工程と、一対の基板のうち他方の基板を加熱する加熱工程と、他方の基板を、加熱工程における加熱温度よりも低い温度で、加熱しながら保管する加熱保管工程と、枠状のシール材を形成した基板におけるシール材の内側領域、あるいは他方の基板におけるシール材の内側領域に相当する領域に、液晶材料を配置する液晶配置工程と、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法である。
すなわち、封口レス方式を採用した液晶パネルの製造方法において、加熱保管による脱ガス効果を維持させた状態で、セル内に液晶材料を配置することができるようになり、液晶中に溶解している大気成分を低減させて、使用環境が変化した場合であっても、低温衝撃や高温衝撃による気泡発生を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の別の態様は、液晶パネルを構成する一対の基板のうちいずれか一方の基板に、枠状のシール材を形成するシール材形成工程と、一対の基板のうち他方の基板を加熱する加熱工程と、他方の基板を、減圧環境下で、保管する減圧保管工程と、枠状のシール材を形成した基板におけるシール材の内側領域、あるいは他方の基板におけるシール材の内側領域に相当する領域に、液晶材料を配置する液晶配置工程と、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法である。
すなわち、封口レス方式を採用した液晶パネルの製造方法において、減圧保管による脱ガス効果を維持させた状態で、セル内に液晶材料を配置することができるようになり、液晶中に溶解している大気成分を低減させて、使用環境が変化した場合であっても、低温衝撃や高温衝撃による気泡発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
第１の実施形態は、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、一対の基板を加熱する加熱工程と、一対の基板を加熱工程における加熱温度よりも低い温度で加熱しながら保管する加熱保管工程と、一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、を含む液晶パネルの製造方法である。
以下、本実施形態の液晶パネルの製造方法として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、着色層を有する対向基板と、を備えた液晶パネルの製造方法を例に採って、図１〜図１２を参照しつつ説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであって、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することができる。
【００１８】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置について説明する。ここで、図１（ａ）に液晶装置１０の断面図を示し、図１（ｂ）に、図１（ａ）の液晶装置における素子基板６０の平面図を示す。さらに、図２に、液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
これらの図に示されるように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０とが、その周辺部においてシール材を介して貼り合わされ、それによって形成される間隙２１ａ内に液晶材料２１を配置して形成されている。
【００１９】
（２）対向基板
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、対向電極３３と、リタデーションを最適化するための層厚調整層４１と、配向膜４５と、を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって表面全域に形成された面状電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメントとしての着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂが配置されている。そして、この着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対向しない位置に、隣接色間の混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。
【００２０】
（３）素子基板
素子基板６０は、ガラス等からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３と、を主として備える基板である。
ここで、画素電極６３とは、反射領域Ｒにおいては、反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成される。また、この画素電極６３としての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。更に、この画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
【００２１】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１（ａ）の上側）表面には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図１（ａ）の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００２２】
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２３】
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３を介して画素電極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光透過量を低下させてしまうため、透過領域Ｔには形成されていない。
【００２４】
２．製造方法
（１）  素子基板の製造工程
（１）−１  ＴＦＴ素子形成工程
ＴＦＴ素子形成工程は、図３の図中Ｓ１aに示される工程で、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることにより、ＴＦＴ素子等のスイッチング素子を形成する工程である。
まず、スイッチング素子を形成するにあたり、図４（ａ）に示すように、ガラス基板からなる基体６１上に、ゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
【００２５】
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。このゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）等の電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成することができる。さらに、この半導体層７０の両端部分に、ドープトａ−Ｓｉ等によりコンタクト電極７７を形成することができる。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成することができる。このとき、ソース電極７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
【００２６】
（１）−２  画素電極等形成工程
次いで、画素電極等形成工程は、図３の図中Ｓ２aに示される工程で、ＴＦＴ素子が形成された基体上に、透明絶縁膜からなる保護膜と、透明導電膜からなる画素電極と、を順次形成する工程である。
より具体的には、まず、図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機絶縁膜８１を形成する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、この有機絶縁膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着した後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域にマトリクス状の光反射膜７９を形成する。一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成することができる。
最後に、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制御機能を持たせることができる。
【００２７】
（２）  対向基板の製造工程
（２）−１  着色層等形成工程
着色層等形成工程は、図３の図中Ｓ１a´に示される工程で、対向基板の基体上に着色層、遮光膜及び保護膜を順次形成する工程である。
より具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、基体３１上に、顔料や染料等の着色材を分散させた樹脂材料からなる感光性樹脂を基板上に塗布し、この感光性樹脂に対してパターン露光及び現像処理を順次施すことにより着色層を形成することができる。なお、かかる露光及び現像処理は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの色毎に繰り返すことで、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを形成することができる。
【００２８】
次いで、それぞれの画素領域の境界領域に遮光膜３９を形成する。この遮光膜３９に用いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。
例えば、金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、クロム（Ｃｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成する。
【００２９】
次いで、図５（ｂ）に示すように、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂや遮光膜３９等が形成された対向基板３０上に、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等を用いて、全面的に層厚調整層４１を形成する。この層厚調整層４１は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のための層であって、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニングを施すことにより形成される。
【００３０】
（２）−２  対向電極等形成工程
対向電極等形成工程は、図３の図中Ｓ２a´に示される工程で、対向基板に形成された保護膜上に、透明導電材料等からなる対向電極を形成する工程である。
より具体的には、図５（ｃ）に示すように、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ及び遮光膜３９が形成された基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により、表示領域全面に対向電極３３を形成する。
さらに、この対向電極３３が形成された基板表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成することで、対向基板３０を形成することができる。
ここで、素子基板に用いられるスイッチング素子が、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）の場合には、この対向電極３３は、それぞれのセル領域に対応した面状電極としてパターニングされる。
【００３１】
（３）シール材形成工程
シール材形成工程は、図３の図中Ｓ３aに示される工程で、素子基板あるいは対向基板上の所定箇所に、両基板を貼り合わせるための接着部材としてのシール材を形成する工程である。本実施形態では、素子基板側に形成する場合を例に採って説明する。
より具体的には、まず、図６（ａ）に示すように、素子基板６０に対して、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材を塗布した後、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域を囲むようにパターニングすることでシール材２３を形成する。このとき、図２に示すように、シール材２３の一部に、液晶材料を注入するための液晶注入口２３ａを形成することで、後述する液晶配置工程Ｓ７aにおいて、間隙２１ａ内に液晶材料を注入させることができるようになる。
【００３２】
（４）貼合工程
貼合工程は、図３の図中Ｓ４aに示される工程で、素子基板と対向基板とを、シール材を介して貼り合わせる工程である。
より具体的には、図６（ｂ）に示すように、対向基板３０と、シール材２３が形成された素子基板６０と、を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、対向基板３０と素子基板６０とを貼合せることにより、間隙２１ａを備えた一対の基板２０が形成される。
【００３３】
また、この組立工程と並行して行う処理として、注入する液晶材料に対して脱泡処理を施すことが好ましい。より具体的には、この液晶材料を、真空度が１×１０-5〜１×１０0Ｐａの真空容器内に、０．５〜１０時間放置しておくことが好ましい。この理由は、液晶材料を加熱処理した際に、液晶中に溶解していた空気が突沸することによる気泡発生を未然に防止することができるためである。
【００３４】
（５）加熱工程
加熱工程は、図３の図中Ｓ５aに示される工程で、一対の基板２０を、所定条件下で加熱処理することで、基板表面に付着しているガスを取り除く工程である。
このとき、加熱温度は１５０〜２５０℃の範囲内の値とすることが好ましい。このような温度範囲で処理することにより、使用材料の熱変形といった問題を防止しながら、効率的に脱ガス効果を発揮することができる。
また、この加熱工程は、不活性ガス雰囲気中で実施することが好ましい。不活性ガス雰囲気で加熱処理することで、基板表面に露出した配向膜等の表面が酸化されることを効果的に抑制し、優れた画像特性を得ることができる。ここで用いられる不活性ガスは特に限定されるものではないが、汎用性、反応性の点から、窒素ガスやアルゴンガスを用いることが好ましい。
また、加熱処理時間は、その態様に合わせて適宜変更することができるが、使用材料の耐熱性の点から、０．５〜１０時間とすることが好ましく、１〜３時間とすることがより好ましい。
【００３５】
（６）加熱保管工程
加熱保管工程は、図３の図中Ｓ６aに示される工程で、加熱工程終了から減圧工程開始までの間、一対の基板２０を所定環境下で保管しておく工程である。
このとき、加熱温度としては、加熱保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間（ストレージ時間）に対応させることが好ましい。このように加熱温度を規定することで、加熱処理による基板への負荷を抑制しながら、加熱工程における脱ガス効果を効率的に維持することができる。
【００３６】
ここで、図７に、加熱保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間（ストレージ時間）と、脱ガス効果と、の関係を表す特性図を示す。この特性図において、横軸はストレージ時間を表し、縦軸は、発生した気泡が液晶中に溶解して消滅するまでの時間（気泡消滅時間）を表している。ここで、気泡消滅時間とは、発生した気泡の個数及び体積に比例して増加する数値であり、この時間が短いほど、気泡発生量が少なく脱ガス効果が高いことを意味している。
また、図中Ａに示される曲線は、加熱保管工程における加熱温度が８０℃のときの、ストレージ時間に対する気泡消滅時間を示した曲線である。かかる曲線から理解できるように、ストレージ時間が短いほど、気泡消滅時間が短くなり、更には、ストレージ時間１０分以下の範囲において、気泡消滅時間が急激に減少していると言える。
すなわち、ストレージ時間の範囲としては、加熱温度を８０℃と規定した場合には、１時間以内とすることが好ましく、１０分以内とすることがより好ましいと言える。
一方、図中Ｂに示される曲線は、加熱保管工程における加熱温度が６０℃のときの、ストレージ時間に対する気泡消滅時間を表した曲線である。かかる曲線（Ｂ）と、上述した曲線（Ａ）とを比較すると、加熱温度が高いほど、同一ストレージ時間で比較した場合に、その脱ガス効果は高いことが理解できる。言い換えれば、加熱保管工程においては、加熱温度を高く設定するほど、ストレージ時間を長く設定することができるようになり、プロセス設計を容易に行うことができるようになると言える。
【００３７】
また、この加熱保管工程は、減圧環境下で行うことが好ましい。このような条件下で行うことで、加熱処理により基板表面から脱離したガスを、減圧装置により除去することができるようになり、基板表面への再付着を防止することができるようになる。
より具体的には、加熱機構を備えた真空チャンバ（真空アニール装置）を用いて、真空度１００（Ｐａ）以下で保管することが好ましく、１（Ｐａ）以下とすることがより好ましい。このように設定することにより、セル内外に生じる差圧による基板変形を抑制しながら、ガスの再付着を効果的に得ることができるようになる。
なお、かかる減圧環境下であっても、加熱温度及び保管時間については、図７に示す関係をもとに、各条件を設定することができる。
【００３８】
（７）液晶配置工程
液晶配置工程は、図３の図中Ｓ７aに示す工程で、図６（ｂ）における一対の基板２０の間隙２１ａに、液晶材料を注入する工程である。より具体的には、間隙２１ａ内外を減圧する注入準備工程としての減圧工程と、液晶注入口と液晶材料とを接触させて間隙２１ａ内部に液晶材料を注入する注入工程と、注入終了後に液晶注入口２３ａを封止して密閉する封止工程と、から構成される。
【００３９】
（７）−１  減圧工程
減圧工程は、図３の図中Ｓ７a−１に示す工程で、間隙２１ａを大気圧以下に減圧する工程である。
より具体的には、図８（ａ）に示すように、所定の大きさに裁断した一対の基板２０を真空チャンバ２００内に搬入した後、この真空チャンバ２００内を真空ポンプ２０１により減圧する。これにより、真空チャンバ２００内の気圧である外気圧と、間隙２１ａ内部の気圧である間隙内圧と、をそれぞれ大気圧以下とすることができる。
なお、真空チャンバ２００内に図示してある矢印は、減圧過程での気流方向を表している。
【００４０】
ここで、一対の基板の大きさは、基板及び真空容器のサイズに合わせて適宜変更することが好ましい。例えば、面積が変更された一対の基板として、個々の単品パネルに分割される前段階の大判基板（例えば短冊状基板）を対象とすることが好ましい。
より具体的には、図９（ａ）〜（ｂ）に示すように、短冊状基板２０´を、真空チャンバ２００内に搬入することで、上述した方法と同様に減圧作業を実施することができる。
その結果、一度の注入作業で、複数のセルに液晶材料の注入ができるようになり、注入工程での生産効率を高めることができる。
【００４１】
（７）−２  注入工程
注入工程は、図３の図中Ｓ７a−２に示される工程で、間隙内部を減圧状態に維持したまま、液晶材料の液面と、シール材に設けられた液晶注入口と、を接触させた後、外気を大気圧以上に加圧することにより、液晶材料を充填する工程である。
より具体的には、まず、図８（ｂ）に示すように、一対の基板２０のシール材２３に設けられた液晶注入口２３ａを、液晶材料２１の液面に接触させる。
次いで、真空チャンバ２００に設けられた開放弁２０１ａを開くことで、真空チャンバ２００内を大気開放させる。これにより、液晶材料２１の液面には、外気圧（Ｐ１）と間隙内圧（Ｐ２）との圧力差（Ｐ１−Ｐ２）に相当する力が間隙内側方向に加わることとなり、かかる液晶材料２１は間隙２１ａ内部に注入される。
【００４２】
（７）−３  液晶材料の種類
また、液晶材料の種類に関して、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、垂直配向用液晶材料であることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、垂直配向用液晶材料の特性をいかして、視野角が広い液晶装置を提供することができるためである。
ここで、垂直配向用液晶材料は、負の誘電異方性を有する液晶材料と定義される。したがって、図１０（ａ）に示すように、電圧非印加状態では、垂直配向用液晶材料は垂直方向に配向して、透過光を所定の偏向をさせ、図示しない偏向膜との関係で、かかる透過光を全て遮断してブラック表示となる。なお、液晶装置の上方に示された矢印Ａ、Ｂ、Ｃが透過光の進行方向を示し、さらにその上の四角表示が、画像表示における透過光の見え方であって、網線でブラック表示となることを示している。そして、図１０（ａ）に示す液晶装置の場合、矢印Ａ、Ｂ、Ｃで表されている透過光は、液晶装置の外部まで到達しているように記載されているが、実際は電気光学装置の両面に図示しない一対の偏向膜が設けてあり、その偏向膜を透過することができない構成となっている。
【００４３】
また、図１０（ｂ）は、液晶装置の電極間に中間的な電圧を印加した場合の、垂直配向用液晶材料の配向状態を示している。すなわち、このような中間的な電圧に対応して、垂直配向用液晶材料は斜め方向に配向し、矢印Ａ、Ｂ、Ｃで表される透過光のうち、矢印Ａ及びＣで表される透過光は、半分程度遮断され、部分的な網線で示されるブラック表示となる一方、矢印Ｂで表される透過光は、完全透過とは言えないものの、液晶装置及び図示しない偏向膜をほぼ透過して、ホワイト表示に近くなる。
さらに、図１０（ｃ）は、液晶装置の電極間に、配向に相当する電圧を印加した場合の、垂直配向用液晶材料の配向状態を示している。すなわち、このような電圧に対応して、垂直配向用液晶材料は水平方向に配向し、矢印Ａ、Ｂ、Ｃで表される透過光を全て所定方向に偏向して、図示しない一対の偏向膜との関係で、その偏向膜を全て透過して、ホワイト表示となる。
よって、このような負の誘電異方性を有する垂直配向用液晶材料は、電圧非印加状態においても、所定の配向をするため、その液晶分子における立体障害に起因した流動特性の関係で、気泡が生じやすいという問題がある。しかしながら、本発明によれば、そのような垂直配向用液晶材料であっても、セル内に液晶材料を配置する前に、加熱保管処理または減圧保管処理を行うことで、セル内部の脱ガス効果を持続させて、液晶内部の気泡発生を抑制することができることから、それを使って、視野角が広い液晶装置を容易に得ることができる。
【００４４】
また、図１１に、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）を変えた場合の、それぞれの密度と、温度との関係を示す。すなわち、図１１は、横軸に絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）を採って示してあり、縦軸に垂直配向用液晶材料の密度（ｇ／ｃｍ3）を採って示してある。
かかる図１１から容易に理解できるように、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）によって、近似曲線の係数等は変わってくるものの、垂直配向用液晶材料の密度と、絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）とはほぼ比例関係にあると言える。
したがって、垂直配向用液晶材料の注入温度を考慮する際に、垂直配向用液晶材料の密度を参考にすることができる。
【００４５】
また、図１２に、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）を変えた場合の、それぞれの動粘性係数と、温度との関係を示す。すなわち、図１２は、横軸に絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）を採って示してあり、縦軸に垂直配向用液晶材料の動粘性係数（ｍｍ2／ｓ）を採って示してある。
かかる図１２から容易に理解できるように、垂直配向用液晶材料の種類（Ａ及びＢ）によって、実線で表される実測値及び点線で表される近似曲線の係数等は変わってくるものの、垂直配向用液晶材料の動粘性係数と、絶対温度（Ｋ）の逆数（１／Ｔ）とは、それぞれ所定の相関関係があると言える。
したがって、垂直配向用液晶材料の注入温度を考慮する際に、垂直配向用液晶材料の動粘性係数についても参考にすることができる。
【００４６】
（７）−４  封止工程
封止工程は、図３の図中Ｓ７a−３に示される工程で、上述した方法により液晶材料を充填した後、液晶注入口２３ａを封止材にて封止する工程である。
この封止材については、特に制限されるものではないが、シール材同様、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂あるいは紫外線硬化性樹脂等を用いることが好ましい。
【００４７】
（８）  後工程
後工程は、図３の図中Ｓ８aに示される工程で、上述した方法により得られた液晶パネルにおいて、対向基板及び素子基板のそれぞれの外面に所定の偏光板や位相差板を配置するとともに、素子基板上の張り出し部に、半導体素子等の電子部品を実装したり、フレキシブル回路基板やバックライト等を接続したりするとともに、筐体に組み込むことで図１に示すような液晶装置１０を製造する工程である。
より具体的には、図６（ｂ）に示すように、素子基板６０の張り出し部６０Ｔ上に、走査線７５と端子６７とを電気接続するように半導体素子９１を実装するとともに、この端子６７の端部に、フレキシブル基板９３を電気接続することで、図２に示すような液晶装置１０が形成される。
【００４８】
［第２実施形態］
第２の実施形態は、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、一対の基板を加熱する加熱工程と、一対の基板を減圧環境下で保管する減圧保管工程と、一対の基板間に液晶材料を配置する液晶配置工程と、を含む液晶パネルの製造方法である。
以下、第１の実施形態と同様に、液晶パネルの製造方法として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、着色層を有する対向基板と、を備えた液晶パネルの製造方法を例に採って、図１３〜図１４を参照しつつ説明する。なお、上述した第１の実施形態との共通部分については適宜省略し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００４９】
１．液晶装置の基本的構成
本実施形態に係る液晶装置は、第１実施形態と同様、図１及び図２に示すように、対向基板３０と素子基板６０とが、シール材２３を介して貼り合わされることにより構成される液晶装置１０とすることができる。また、この対向基板３０及び素子基板６０のそれぞれの構成についても、第１実施形態と同様とすることができる。
【００５０】
２．製造方法
図１３に、第２の実施形態に係る製造方法のフロー図を示す。このフロー図において、素子基板の製造工程であるＳ１b〜Ｓ３bと、対向基板の製造工程であるＳ１b´〜Ｓ２b´と、一対の基板の製造工程であるＳ４b、Ｓ５b、Ｓ７b、Ｓ８bについては、第１の実施形態に示した、それぞれ対応する工程と同様に実施することができる。よって、ここでは、第２の実施形態の特徴的部分である減圧保管工程Ｓ６bについて具体的に説明する。
【００５１】
（１）減圧保管工程
減圧保管工程は、図１３の図中Ｓ６bに示される工程で、加熱工程Ｓ５b終了後、減圧工程Ｓ７b−１開始までの間、一対の基板２０を所定環境下で保管しておく工程である。
ここで、図１４に、保管環境をそれぞれ変更した場合の、減圧保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間（ストレージ時間）と、脱ガス効果と、の関係を表す特性図を示す。
この特性図において、横軸はストレージ時間を表し、縦軸は、発生した気泡が液晶中に溶解して消滅するまでの時間（気泡消滅時間）を表している。ここで、気泡消滅時間とは、発生した気泡の個数及び体積に比例して増加する数値であり、この時間が短いほど、気泡発生量が少なく脱ガス効果が高いことを意味している。
また、図中Ｃに示される曲線は、減圧環境下（常温、真空度１００Ｐａ）で減圧保管したときの、ストレージ時間に対する気泡消滅時間を表した曲線である。また、図中Ｄに示される曲線は、加熱環境下（加熱温度８０℃、常圧）で加熱保管したときの、ストレージ時間に対する気泡消滅時間を表した曲線である。更に、図中Ｅに示される曲線は、通常環境下（常温、常圧）で保管したときの、ストレージ時間に対する気泡消滅時間を表した曲線である。かかる曲線（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）から理解できるように、加熱保管することで、常温常圧環境下で保管した場合に比べて、高い脱ガス効果を得ることができ、また、減圧保管することで、更に高い脱ガス効果を得ることができると言える。
また、減圧保管した場合には、より高い真空度の減圧環境下で保管することが好ましいと言える。より具体的には、真空度を１００（Ｐａ）以下で保管することが好ましく、１（Ｐａ）以下とすることがより好ましい。
【００５２】
また、この減圧保管工程は、加熱しながら実施することが好ましい。すなわち、図１４において、曲線（Ｃ）の条件と曲線（Ｄ）の条件とを重畳させることが好ましい。
このような条件で実施することにより、加熱処理により基板表面から脱離したガスの基板表面への再付着を防止して、より高い脱ガス効果を得ることができるようになる。
【００５３】
また、この減圧保管工程は、図１３の図中Ｓ７bに示す液晶配置工程に用いられる減圧装置とは、異なる減圧装置内で実施することが好ましい。
すなわち、双方の工程で用いられる減圧装置を、別個独立に設けることにより、例えば、減圧保管工程においては、脱ガス効果を得る目的から１００Ｐａ程度に設定しながら、液晶配置工程においては、液晶配置を効率的に実施するという目的から０．０２５ＭＰａ程度に設定するといった調整ができるようになり、工程毎の作業性を上げることができる。
また、減圧保管工程において基板表面から脱離したガスが、液晶配置工程において、再付着することを防ぐことができるようになり、効率的に脱ガス効果を維持することができるようになる。
【００５４】
［第３の実施形態］
第３実施形態は、液晶パネルを構成する一対の基板のうちいずれか一方の基板に枠状のシール材を形成するシール材形成工程と、一対の基板のうち他方の基板を加熱する加熱工程と、他方の基板を、加熱工程における加熱温度よりも低い温度で、加熱しながら保管する加熱保管工程と、枠状のシール材を形成した基板におけるシール材の内側領域、あるいは他方の基板におけるシール材の内側領域に相当する領域に、液晶材料を配置する液晶配置工程と、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法である。
以下、第１及び第２の実施形態と同様に、液晶パネルの製造方法として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、着色層を有する対向基板と、を備えた液晶パネルの製造方法を例に採って、図１５〜図１８を参照しつつ説明する。なお、上述した第１及び第２の実施形態との共通部分については適宜省略して説明する。
【００５５】
１．液晶装置の基本的構成
本実施形態に係る液晶装置は、第１実施形態と同様、図１及び図２に示すように、対向基板３０と素子基板６０とが、シール材２３を介して貼り合わされることにより構成される液晶装置１０とすることができる。また、この対向基板３０及び素子基板６０のそれぞれの構成についても、第１及び第２の実施形態と同様とすることができる。
【００５６】
２．製造方法
図１５に、第３の実施形態に係る製造方法のフロー図を示す。このフロー図において、素子基板の製造工程であるＳ１c〜Ｓ２cと、対向基板の製造工程であるＳ１c´〜Ｓ２c´については、第１実施形態に示した、それぞれ対応する工程と同様に実施することができる。
（１）シール材形成工程
シール材形成工程は、図１５の図中Ｓ３cに示される工程で、素子基板あるいは対向基板上の所定箇所に、両基板を貼り合わせるための接着部材としてのシール材を形成する工程である。本実施形態では、素子基板側に形成する場合を例に採って説明する。
より具体的には、まず、図１６（ａ）に示すように、素子基板６０に対して、エポキシ樹脂等を主成分とするシール材を塗布した後、スクリーン印刷やディスペンサにより、表示領域を囲むようにパターニングすることでシール材２３を形成する。このとき、シール材２３は開口部を設けない閉環形状とすることができる。
なお、このシール材形成工程は、一対の基板のうち、いずれの基板に対しても実施することができるが、素子基板に形成することが好ましい。
この理由は、シール材を形成した基板は、シール材が硬化してしまうことから、後述する加熱工程及び加熱保管工程を実施することができないためである。すなわち、シール材を形成する基板は、加熱工程による脱ガス効果が少ない方の基板を選ぶことが好ましい。
このような観点から見ると、素子基板は、対向基板に比べ、無機材料の露出面積が広く、表面へのガス吸着量は比較的少ないため、シール材を形成する基板として、素子基板を選ぶことにより、より効果的に脱ガス効果による気泡発生の抑制をすることができるようになる。
【００５７】
（２）加熱工程
加熱工程は、図１５の図中Ｓ４cに示される工程で、一対の基板２０を、所定条件下で加熱処理することで、基板表面に付着しているガスを取り除く工程である。
この加熱工程は、一対の基板２０のうち、シール材形成工程Ｓ３cを行わない方の基板に対して実施する工程である。
この理由は、上述したとおり、シール材の熱硬化を防止するためであり、一対の基板のうち、いずれの基板を加熱処理するかについては、表面へのガス吸着量との関係から、対向基板とすることが好ましい。
【００５８】
また、この加熱工程は、不活性ガス雰囲気中で実施することが好ましい。不活性ガス雰囲気で加熱処理することで、基板表面に露出した配向膜等の表面が酸化されることを効果的に抑制し、優れた画像特性を得ることができる。ここで用いられる不活性ガスは特に限定されるものではないが、汎用性、反応性の点から、窒素ガスやアルゴンガスを用いることが好ましい。
また、加熱温度としては１５０〜２５０℃とすることが好ましく、加熱処理時間としては、０．５〜１０時間とすることが好ましく、１〜３時間とすることがより好ましい。
【００５９】
（３）加熱保管工程
加熱保管工程は、図１５の図中Ｓ５cに示される工程で、加熱工程終了から減圧工程開始までの間、一対の基板２０のうちシール材形成工程Ｓ３cを行わない方の基板を、所定環境下で保管しておく工程である。
このとき、加熱温度としては、加熱保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間（ストレージ時間）に対応させることが好ましい。このように加熱温度を規定することで、加熱処理による基板への負荷を抑制しながら、加熱工程における脱ガス効果を効率的に維持することができる。ここで、ストレージ時間と脱ガス効果との関係については、第１実施形態における図７に示す特性図を用いて得ることができる。
【００６０】
また、この加熱保管工程は、減圧環境下で行うことが好ましい。このような条件下で行うことで、加熱処理により基板表面から脱離したガスを、減圧装置により除去することができるようになり、基板表面への再付着を防止することができるようになる。
より具体的には、加熱機構を備えた真空チャンバ（真空アニール装置）を用いて、真空度１００（Ｐａ）以下で保管することが好ましい。なお、減圧環境下であっても、加熱温度及び保管時間については、図７に示す関係をもとに、各条件を設定することができる。
【００６１】
（４）液晶配置工程
液晶配置工程は、図１５の図中Ｓ６cに示される工程で、素子基板あるいは対向基板のいずれか一方の基板上に、液晶材料を配置させる工程である。
より具体的には、図１６（ｂ）に示すように、シール材形成工程Ｓ３cにおいて枠状のシール材が形成してある素子基板６０において、シール材の内側領域２３ｂに、液晶材料を滴下させることができる。また、液晶材料の滴下方法としては、ノズル８０でシール材の内側領域２３ｂ内に液晶を滴下させるディスペンス方式や、ノズル先端部に圧電素子を備えることで、吐出量を高精度に制御することができるようにした液晶吐出方式（インクジェット方式）といった方法を用いることができる。
【００６２】
また、他の方法として、枠状のシール材２３が形成されない基板である対向基板３０上に液晶材料２１を滴下させることも好ましい。
より具体的には、図１７に示すように、対向基板３０における、素子基板６０のシール材の内側領域に相当する領域２３ｂ´に、上述した方法を用いて液晶材料２１を滴下させることができる。すなわち、かかる領域２３ｂ´は、素子基板６０と対向基板３０とを貼り合わせた後に、画像表示部分となる領域と一致することとなる。
【００６３】
（５）貼合工程
貼合工程は、図１５の図中Ｓ７cに示される工程で、素子基板と対向基板とを、シール材を介して貼り合わせる工程である。
より具体的には、まず、図１６（ｂ）に示すように、シール材の内側領域２３ｂ内に液晶材料２１を配置してある素子基板６０と、対向基板３０と、を対向配置させた後、それぞれの基板上に形成されたアライメントマークを用いて、両基板を所定位置に調整する。
次いで、図１６（ｃ）に示すように、素子基板６０と対向基板３０とを位置合わせした状態で、それぞれの基板を重ね合わせて接合させた後、シール材２３に対して硬化処理を行うことにより、内部に液晶材料２１を備えた液晶パネル１０を形成することができる。
なお、ここではシール材を形成してある基板に液晶材料を滴下した場合の方法を例に採って説明しているが、上述したように、シール材が形成されない基板に液晶材料を滴下した場合であっても、同様の方法を用いて実施することができる。
【００６４】
また、かかる貼合工程は、真空装置内で実施することも好ましい。このように実施することにより、基板間隙内に残留する気泡量を減らすことができるようになり、使用環境が変化した場合であっても、低温衝撃及び高温衝撃による気泡発生を抑制して、優れた画像特性を維持することができるようになる。
より具体的には、図１８（ａ）に示すように、真空チャンバ２０２内に、素子基板６０と対向基板３０とを、上述した方法により位置合わせして配置する。このとき、上面側に配置される基板（本実施形態では対向基板３０）は、静電チャック２０３等を用いて保持させておくことができる。この静電チャックとは、チャック部材に電圧を印加したときに発生するクーロン力を利用して、基板を吸着し保持する基板保持方法である。この方法を用いることにより、真空環境下であっても、基板を正確に保持することができるようになる。
次いで、図１８（ｂ）に示すように、静電チャック２０３を下方に移動させて、両基板を重ね合わせて接合させた後、シール材２３に対して硬化処理を行うことにより、内部に液晶材料２１を備えた液晶パネルを形成することができる。
【００６５】
（６）後工程
後工程は、図１５の図中Ｓ８cに示される工程で、第１実施形態における後工程Ｓ８aと同様に実施することができる。
【００６６】
［第４実施形態］
第４の実施形態は、液晶パネルを構成する一対の基板のうちいずれか一方の基板に、枠状のシール材を形成するシール材形成工程と、一対の基板のうち他方の基板を加熱する加熱工程と、他方の基板を、減圧環境下で、保管する減圧保管工程と、枠状のシール材を形成した基板におけるシール材の内側領域、あるいは他方の基板におけるシール材の内側領域に相当する領域に、液晶材料を配置する液晶配置工程と、シール材を介して一対の基板を貼り合せる貼合工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法である。
以下、第１乃至第３の実施形態と同様に、液晶パネルの製造方法として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子構造を有する素子基板と、着色層を有する対向基板と、を備えた液晶パネルの製造方法を例に採って、図１９〜図２０を参照しつつ説明する。なお、上述した第１乃至第３の実施形態との共通部分については適宜省略して説明する。
【００６７】
１．液晶装置の基本的構成
本実施形態に係る液晶装置は、第１実施形態と同様、図１及び図２に示すように、対向基板３０と素子基板６０とが、シール材２３を介して貼り合わされることにより構成される液晶装置１０とすることができる。また、この対向基板３０及び素子基板６０のそれぞれの構成についても、第１実施形態と同様とすることができる。
【００６８】
２．製造方法
図１９に、第４の実施形態に係る製造方法のフロー図を示す。このフロー図において、素子基板の製造工程であるＳ１d〜Ｓ３d、Ｓ６dと、対向基板の製造工程であるＳ１d´〜Ｓ２d´、Ｓ４dと、一対の基板の製造工程であるＳ７d、Ｓ８dについては、第３実施形態に示した、それぞれ対応する工程と同様に実施することができる。よって、ここでは、第４の実施形態の特徴的部分である減圧保管工程Ｓ５dについて具体的に説明する。
また、本実施形態においては、この減圧保管工程Ｓ５dを、一対の基板のうち、対向基板側に対して実施する場合を例に採って説明するが、いずれの基板に対しても実施することができる。
【００６９】
（１）減圧保管工程
減圧保管工程は、図１９の図中Ｓ５dに示される工程で、加熱工程Ｓ４d終了後、液晶配置工程Ｓ６d開始までの間、一対の基板２０のうちシール材形成工程Ｓ３dを行わない方の基板を、所定環境下で保管しておく工程である。
ここで、減圧保管工程から液晶配置工程に移すまでの時間（ストレージ時間）と脱ガス効果との関係については、第２実施形態において説明した図１３及び１４に示す特性図と同様の効果を得ることができる。すなわち、減圧保管工程においては、より高い真空度の減圧環境下で保管することが好ましく、より具体的には、真空度を１００（Ｐａ）以下で保管することが好ましく、１（Ｐａ）以下とすることがより好ましい。
【００７０】
この減圧保管工程は、一対の基板のうち、いずれの基板に対しても実施することができるが、素子基板に対して実施することが好ましい。
この理由は、シール材を形成した基板は、シール材が硬化してしまうことから、減圧保管工程を実施することができないためである。すなわち、シール材を形成する基板は、減圧保管工程による脱ガス効果が少ない方の基板を選ぶことが好ましい。
このような観点から見ると、素子基板は、対向基板に比べ、無機材料の露出面積が広く、表面へのガス吸着量は比較的少ないため、シール材を形成する基板として、素子基板を選ぶことにより、より効果的に脱ガス効果による気泡発生を抑制することができるようになる。
【００７１】
また、この減圧保管工程は、加熱しながら実施することが好ましい。すなわち、図１４において、曲線（Ｃ）の条件と曲線（Ｄ）の条件とを重畳させることが好ましい。
このような条件で実施することにより、加熱処理により基板表面から脱離したガスの基板表面への再付着を防止して、より高い脱ガス効果を得ることができるようになる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の液晶パネルの製造方法によれば、セル内に液晶材料を配置する前に、基板に対して加熱保管処理あるいは減圧保管処理の少なくとも一方を行うことにより、セル内部の脱ガス効果を持続させて、液晶内部の気泡発生を抑制することができるようになる。
したがって、本発明に係る液晶パネルは、高品位であって、高い経済性を発揮することができる。すなわち、本発明に係る液晶パネルやそれを用いた電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器や、電子放出素子を使用した装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、プラズマディスプレイ装置、有機エレクトロルミネッセンス装置及び無機エレクトロルミネッセンス装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、第１実施形態に係る液晶装置を説明するために供する断面図及び平面図である。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置を説明するために供する概略断面図である。
【図３】第１実施形態における液晶装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、対向基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、一対の基板の製造工程を説明するために供する図である。
【図７】ストレージ時間と気泡消滅時間との関係を示す特性図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、液晶注入過程を説明するために供する図である。（その１）
【図９】（ａ）〜（ｂ）は、液晶注入過程を説明するために供する図である。（その２）
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、垂直配向用液晶材料の動作を説明するために供する図である。
【図１１】垂直配向用液晶材料の密度と温度との関係を説明するために供する図である。
【図１２】垂直配向用液晶材料の動粘性係数と、温度との関係を説明するために供する図である。
【図１３】第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【図１４】ストレージ時間と気泡消滅時間との関係を示す特性図である。
【図１５】第３実施形態における液晶装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、封口レス方式における製造工程を説明するために供する図である。（その１）
【図１７】封口レス方式における製造工程を説明するために供する図である。（その２）
【図１８】（ａ）〜（ｂ）は、封口レス方式における製造工程を説明するために供する図である。（その３）
【図１９】第４実施形態における液晶装置の製造方法を説明するために供するフロー図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０：液晶装置、２０：一対の基板、２１：電気光学物質（液晶材料）、２３：シール部、２３ａ：液晶注入口、２４：液晶注入皿、３０：対向基板（カラーフィルタ基板）、３１：基体、３３：画素電極、３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ：カラーフィルタ、３９：遮光膜、４１：保護膜（層厚調整層）、４５：配向膜、４７：位相差板、４９：偏光板、６０：素子基板、６１：基体、６３：光反射膜、６６：ドレイン電極、６９：ＴＦＴ素子、７１：ゲート電極、７２：ゲート絶縁膜、７３：ソース電極、７５：走査線、７７：コンタクト層、８１：有機絶縁膜、８３：コンタクトホール、８７：位相差板、８９：偏光板、２００：真空チャンバ、２０１：真空ポンプ、２０１ａ：開放弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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