(57)【要約】【課題】良好な保護層を適切に形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】保護層形成工程に、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを溶剤に分散させるとともにガラス粉体を添加した塗工液を塗布する塗布工程を含んでいる。これにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラス粉体を溶融、凝固させたガラスフリット３４２Ｂとを備えた結晶ＭｇＯ層３４２を形成することができる。このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１の結合力を強めることができる。したがって、ＰＤＰの使用時における放電による単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制でき、放電確率の低下を抑制できる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層を形成する保護層形成工程には、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する塗布工程が含まれ、
前記塗工液には、ガラス粉体が添加されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層形成工程で形成された前記保護層を、前記ガラス粉体が溶融する条件で焼成する保護層焼成工程を含んでいる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工液における前記酸化マグネシウム粉体と前記ガラス粉体の質量の和に対する、前記ガラス粉体の含有率は、３ｗｔ％以上である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工液における前記酸化マグネシウム粉体と前記ガラス粉体の質量の和に対する、前記ガラス粉体の含有率は、５０ｗｔ％以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工液における前記酸化マグネシウム粉体と前記ガラス粉体の質量の和に対する、前記ガラス粉体の含有率は、３０ｗｔ％以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ガラス粉体の平均粒径は、前記酸化マグネシウム粉体の平均粒径よりも小さい
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ガラス粉体の塩基度は、前記酸化マグネシウム粉体の塩基度よりも高い
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記酸化マグネシウム粉体は、単結晶酸化マグネシウムからなる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層形成工程には、前記塗布工程の前段階において、酸化マグネシウムの薄膜を前記誘電体層上に成膜する下地酸化マグネシウム層成膜工程が含まれる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層には、酸化マグネシウム粉体と、ガラスフリットとが含まれる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記酸化マグネシウム粉体の間に前記ガラスフリットが介在する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記酸化マグネシウム粉体は、単結晶酸化マグネシウムからなる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
請求項１０ないし請求項１２のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記保護層には、前記誘電体層上に薄膜状に成膜された酸化マグネシウム成膜層と、この酸化マグネシウム成膜層上に設けられた前記酸化マグネシウム粉体および前記ガラスフリットとが含まれる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法、および、プラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイパネルの前面基板の内面側には、放電ギャップを介して対向する複数の透明電極およびこれら透明電極の一端部に積層するバス電極を備えた複数の表示電極対と、これら表示電極対間に設けられた複数のブラックストライプと、これら表示電極対およびブラックストライプ上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層と、などがそれぞれ設けられている。
【０００４】
上記保護層は、誘電体層が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層としての役割も持っている。また、発光は保護層を通して前面基板側から観察されるため可視光に対する透明性も必要とされる。このため、保護層の材料としては、低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性により酸化マグネシウム（以下、ＭｇＯと記す）が広く用いられている。
【０００５】
従来、このようなＭｇＯによる保護層の形成方法として、スプレーガンを用いたスプレー法により、ＭｇＯの微結晶粉末を溶剤に分散させた塗工液を基板に対して吹き付けるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
特許文献１に記載の構成では、直径が１〜２μｍのＭｇＯの微結晶粉末をエチルアルコールを分散溶媒として分散させ、吹き付けに用いる懸濁液としている。そして、スプレーガンに懸濁液と霧化用の高圧エアを供給し、懸濁液をガラス基板上にスプレー塗布した後、ガラス基板を２００℃に加熱しエチルアルコールを充分に蒸発させ、ＭｇＯ微結晶が積層したＭｇＯ膜を得る構成が採用されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平７−２９６７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような特許文献１のような構成では、ガラス基板を誘電体層が溶けない２００℃で加熱してＭｇＯ膜を得るため、ＭｇＯ膜が誘電体層上に載っている状態で設けられてしまい、ＭｇＯ膜と誘電体層との結合力が弱くなるおそれがある。
このため、例えばプラズマディスプレイパネルの使用時における放電により、ＭｇＯが飛散してしまい、放電確率の低下を引き起こすおそれがある。
【０００９】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、良好な保護層を形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネルを提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層を形成する保護層形成工程には、酸化マグネシウム粉体を溶剤に分散させた塗工液を塗布する塗布工程が含まれ、前記塗工液には、ガラス粉体が添加されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１１】
請求項１０に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層には、酸化マグネシウム粉体と、ガラスフリットとが含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図２は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。図５は、保護層近傍の部分拡大図である。図６は、塗工装置の概略構成を示す概念図である。
【００１３】
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
本実施形態において、図１に示すように、１はプラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）であり、このＰＤＰ１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このＰＤＰ１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板２および前面基板３を備えている。
【００１４】
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、当該空間にはＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。
【００１５】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、図１に示すように、複数の直線状のアドレス電極２１と、これらアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）と、などがそれぞれ設けられている。
【００１６】
具体的には、アドレス電極２１は、例えばＡｌ（アルミニウム）などにて形成され、図１および２に示すように、背面基板２の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極２１の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極２１に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
【００１７】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図１，３および４に示すように、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００１８】
隔壁２３は、図１および３に示すように、例えばアドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間Ｓ（図３参照）をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００１９】
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、図１，３および４に示すように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００２０】
前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、例えば背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図１に示すように、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００２１】
具体的には、表示電極対３１は、図２および３に示すように、放電ギャップＧ（図２参照）を介して対向する複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
【００２２】
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、図２に示すように、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００２３】
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、一対の透明電極３１１ａ，３１１ｂにおける放電ギャップＧ（図２参照）に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２ａ，３１２ｂのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１ａ，３１１ｂに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２ａ，３１２ｂは、図３に示すように、透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと、これらバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂに積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる主導電層３１４ａ，３１４ｂとを備えた２層構造となっている。
【００２４】
ブラックストライプ３２は、図２および３に示すように、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層３１３ａ，３１３ｂにて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２５】
誘電体層３３は、図３および４に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２６】
保護層３４は、図１，３，４および５に示すように、誘電体層３３の内周面の全面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなる酸化マグネシウム成膜層としての薄膜ＭｇＯ層３４１と、この薄膜ＭｇＯ層３４１を被覆する結晶ＭｇＯ層３４２とを備えた２層構造となっている。
【００２７】
薄膜ＭｇＯ層３４１は、例えば蒸着法やスパッタリング法などにより形成される。
【００２８】
結晶ＭｇＯ層３４２は、後述するスプレー法にて形成される。なお、結晶ＭｇＯ層３４２を、スクリーン印刷、ダイコータを用いた方法など、液状、スラリ状、ペースト状の塗工液を塗工可能な方法を用いて形成してもよい。
この結晶ＭｇＯ層３４２は、酸化マグネシウム粉体としての単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラスフリット３４２Ｂとにより層状に設けられている。具体的には、単結晶ＭｇＯ３４２Ａは、薄膜ＭｇＯ層３４１上を被覆する状態に設けられている。ガラスフリット３４２Ｂは、図５における上下左右方向に隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士を結合させる状態に、かつ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１を結合させる状態に設けられている。
【００２９】
このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。
【００３０】
〔ＰＤＰの製造方法〕
次に、上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、ＰＤＰ１の背面基板２の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に金属薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極２１のパターンを形成する。このアドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。そして、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１の背面基板２が完成する。
【００３２】
次に、ＰＤＰ１の前面基板３の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にＡｇペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層３１３ａ，３１３ｂおよび主導電層３１４ａ，３１４ｂからなる２層構造のバス電極３１２ａ，３１２ｂを形成する。この後、これらバス電極３１２ａ，３１２ｂ間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ３２を形成する。さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂ、バス電極３１２ａ，３１２ｂおよびブラックストライプ３２を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布する。そして、このガラスペーストを焼成して誘電体層３３を形成する。この後、誘電体層３３の上に保護層３４を形成する保護層形成工程と、この形成された保護層３４を焼成する保護層焼成工程とを実施する。ここで、保護層焼成工程では、誘電体層３３のガラスペーストの軟化点よりも低く、かつ、後述する塗工液ＬＱに含有されているガラス粉体の軟化点よりも高い温度で焼成が実施される。これにより、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。
【００３３】
ここで、保護層形成工程は、蒸着法により薄膜ＭｇＯ層３４１を形成する下地酸化マグネシウム形成工程としての薄膜ＭｇＯ層形成工程と、薄膜ＭｇＯ層３４１上に結晶ＭｇＯ層３４２を形成するための塗工液ＬＱを塗布する塗布工程とを含んでいる。以下に、塗布工程で用いるスプレー法について詳細に説明する。
【００３４】
（スプレー法の構成）
まず、スプレー法で用いる塗工装置について説明する。
図６において、９００は塗工装置で、この塗工装置９００は、ガラス基板Ｋの上述した薄膜ＭｇＯ層３４１上に詳細は後述する所定の組成の塗工液ＬＱをスプレー塗布する装置である。
そして、塗工装置９００は、塗工液ＬＱを貯留する塗工液タンク９１０と、この塗工液タンク９１０に配管９１１を介して接続されて塗工液タンク９１０内の塗工液ＬＱを吸引する液送ポンプ９２０と、この液送ポンプ９２０に配管９２１を介して接続された三方弁９３０と、この三方弁９３０に配管９３１を介して接続されて塗工液ＬＱをガラス基板Ｋ上に対してスプレー塗布するスプレーガン９４０とを備えている。また、三方弁９３０は、配管９３２を介して塗工液タンク９１０内に接続されている。
【００３５】
（スプレー塗布方法）
塗工装置９００を用いて、スプレー塗布を実施する場合にのみ、三方弁９３０をスプレーガン９４０側に切り換えて塗工液ＬＱをスプレーガン９４０に供給し、スプレーガン９４０から薄膜ＭｇＯ層３４１上に塗工液ＬＱを吹き付ける。一方、スプレー塗布を実施しない間は、塗工液タンク９１０、配管９１１、液送ポンプ９２０、配管９２１、三方弁９３０、配管９３２、塗工液タンク９１０と順に塗工液ＬＱを循環させ、スプレー塗布の実施の有無に関わらず塗工液ＬＱを絶えず循環させておく。
【００３６】
（塗工液の組成）
上述の塗工装置９００でスプレー塗布する塗工液ＬＱは、以下の組成となっている。
塗工液ＬＱは、無機粉粒物である単結晶ＭｇＯ３４２ＡからなるＭｇＯ粉体と、ガラス粉体とを含有する無機物含有スラリである。この塗工液ＬＱは、溶剤にＭｇＯ粉体を分散するとともにガラス粉体を添加して、ＭｇＯ粉体およびガラス粉体の混合物の含有率（以下、混合物含有率と記す）が５ｗｔ％となる状態に調製されている。また、ＭｇＯ粉体とガラス粉体の質量の和に対するガラス粉体の含有率（以下、ガラス粉体含有率と記す）が、３ｗｔ％以上かつ３０ｗｔ％以下となる状態に調整されている。なお、分散剤を適宜添加することが好ましい。
【００３７】
ＭｇＯ粉体には、例えば、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００Å以上（好ましくは２０００Å以上）の単結晶ＭｇＯ３４２Ａが用いられる。なお、ＭｇＯ粉体としては、これに限らない。
【００３８】
ガラス粉体には、平均粒径が単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも小さいものが用いられる。また、ガラス粉体には、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも塩基度が高い材料である酸化鉛−ホウケイ酸ガラスが用いられる。ここで、ガラス粉体としては、酸化鉛−ホウケイ酸ガラスの他、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏなどのアルカリ金属酸化物などの含有量が多く、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも塩基度が高いものを用いることが好ましい。さらに、ガラス粉体には、軟化点が誘電体層３３を形成するガラスペーストよりも低いものが用いられる。なお、ガラス粉体としては、これに限らない。
【００３９】
ここで、軟化点が誘電体層３３よりも低いガラス粉体を用いるのは、以下の理由によるものである。すなわち、ＰＤＰ１は、図３に示すように、列方向に隣接する放電セル２３１へ放電が飛び移ることによる誤放電を防止するために、誘電体層３３のバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分の膜厚が他の部分よりも厚くなっている構成、すなわち誘電体層３３がパターンニングされている構成を有している。このため、ガラス粉体の軟化点が誘電体層３３よりも高いと、ガラス粉体を溶融させる温度で焼成した場合に誘電体層３３も溶融して、バス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分の膜厚が他の部分と略等しくなってしまい、誤放電を防止できなくなるおそれがあるためである。
なお、誘電体層３３のバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分の膜厚が他の部分と略等しい構成の場合、誘電体層３３が溶融しても溶融前とは形状がほとんど変化しないので、ガラス粉体として、軟化点が誘電体層３３と略等しいあるいは誘電体層３３よりも高いものを用いることができる。
【００４０】
このようなＭｇＯ粉体およびガラス粉体を含有する塗工液ＬＱを用いて結晶ＭｇＯ層３４２を形成することにより、ＰＤＰ１の放電特性が改善（放電遅れの減少、放電確率の向上）されることになる。すなわち、放電によって発生する電子線の照射によって、結晶ＭｇＯ層３４２に含まれる粒径の大きな単結晶ＭｇＯ３４２Ａから、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ（特に、２３５ｎｍ付近、２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。そして、当該単結晶ＭｇＯ３４２Ａは、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができる。この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られ、結果として、放電遅れが減少し、放電確率が向上する。
【００４１】
また、ガラス粉体が溶融、凝固して形成されるガラスフリット３４２Ｂが、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士を結合するとともに、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１を結合する状態で設けられる。このため、放電時における単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制できる。また、薄膜ＭｇＯ層３４１におけるスパッタリングされやすい部分である単結晶ＭｇＯ３４２Ａに隣接する部分に、ガラスフリット３４２Ｂが介在することにより、薄膜ＭｇＯ層３４１がスパッタリングされるのを抑制できる。
【００４２】
さらに、単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士がガラスフリット３４２Ｂにより結合されることにより、スパッタリングされたＭｇＯ分子が放電に寄与する単結晶ＭｇＯ３４２Ａの上部まで到達するのを防ぐことができ、ＭｇＯ分子が結晶ＭｇＯ層３４２上で成長するのを抑制できる。さらに、ガラスフリット３４２Ｂは、ＭｇＯとは異種の材質であるため、ＭｇＯ分子の成長が起こりにくい。以上のことから、結晶ＭｇＯ層３４２上でのＭｇＯ分子の成長が抑制され、結果として、放電確率の低下を抑制できるとともに、高寿命化を図ることができる。
【００４３】
また、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも平均粒径が小さいガラス粉体を用いているので、ガラス粉体が溶融、凝固したガラスフリット３４２Ｂで単結晶ＭｇＯ３４２Ａの表面が覆われて表面積が減少してしまうのを抑制でき、放電確率の低下をより抑制できる。そして、単結晶ＭｇＯ３４２Ａよりも塩基度が高いガラス粉体を用いているので、単結晶ＭｇＯ３４２Ａあるいは薄膜ＭｇＯ層３４１と、ガラスフリット３４２Ｂとの結合力を高めることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士、あるいは単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１をより強固に結合できる。
【００４４】
〔実施例〕
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
【００４５】
（塗工液におけるガラス粉体含有率と、結晶ＭｇＯ層の付着力との関係）
塗工液におけるガラス粉体含有率と、結晶ＭｇＯ層の付着力との関係について調べた。
ＭｇＯ粉体は、平均粒径が約１μｍで、放電確率が薄膜ＭｇＯ層のＭｇＯよりも高い単結晶ＭｇＯを用いた。
ガラス粉体は、材質が酸化鉛−ホウケイ酸ガラス、軟化点が５３０℃、平均粒径が約０．２μｍのものを用いた。
これらＭｇＯ粉体およびガラス粉体の混合は、エアーブローにより混合槽内の粉粒体を流動させる方式を用いて実施した。そして、ＭｇＯ粉体およびガラス粉体の混合物を、塗工液の混合物含有率が５ｗｔ％となるように溶剤のＩＰＡ（２−プロパノール）に分散させた。この混合物の分散には、超音波振動を用い、塗工液の温度が常温から５０℃になるまで超音波振動させた。
【００４６】
スプレー法に利用する塗工装置９００として、液送ポンプ９２０に定量性のあるギヤポンプを使用し、スプレーガン９４０にエア霧化方式の２流体ノズル（エア、塗工液）を用いた。そして、スプレーガン９４０の霧化エア圧力を、０．２Ｍｐａに設定した。また、塗工液タンク９１０内では、塗工液の沈降防止のために攪拌を行なった。
そして、このような塗工装置９００を用いて、以下のような、実施例１−１〜１−４の基板と、比較例１−１の基板とを用意した。
【００４７】
ここで、実施例１−１〜１−４、比較例１−１の基板の構成について説明する。
実施例１−１〜１−４の基板を作製する際には、基板の誘電体層上に、混合物含有率が５ｗｔ％であり、かつ、ガラス粉体含有率が１，３，５，１０ｗｔ％の塗工液をスプレー塗布し、５６０℃の温度で焼成することにより、単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットを備えた結晶ＭｇＯ層を形成した。
比較例１−１の基板を作製する際には、基板の誘電体層上に、混合物含有率が５ｗｔ％であり、かつ、ＭｇＯ粉体とガラス粉体の質量の和に対するガラス粉体含有率（以下単に、ガラス粉体含有率とする）が０ｗｔ％の塗工液をスプレー塗布し、５６０℃の温度で焼成することにより、単結晶ＭｇＯのみを備えた結晶ＭｇＯ層を形成した。
なお、塗工液および焼成条件は、結晶ＭｇＯ層形成後の基板の透過率（以下、設定透過率と記す）が７０％となるように調製および設定した。
【００４８】
結晶ＭｇＯ層の付着力の評価は、以下のようにして実施した。
まず、硬度７０°のゴムを結晶ＭｇＯ層の表面に約１０ｇ／ｃｍ２の一定荷重で押し付けて、３往復分擦る。そして、表面をＩＰＡで洗浄した後に透過率を測定した。この透過率の測定結果を図７に示す。
【００４９】
図７より、ガラス粉体含有率が０，１ｗｔ％の基板（比較例１−１，実施例１−１）は、透過率が８０％以上となり、３，５，１０ｗｔ％の基板（実施例１−２〜１−４）は、透過率が約７０％となることがわかる。
これは、ガラス粉体含有率が０，１ｗｔ％のもの（比較例１−１，実施例１−１）は、ガラス粉体の溶融により形成されるガラスフリットの量が少なく、単結晶ＭｇＯ同士、あるいは、単結晶ＭｇＯおよび誘電体層が十分に結合されないため、結晶ＭｇＯ層が剥がれてしまい、透過率が設定透過率の７０％よりもはるかに大きくなったことを意味している。また、ガラス粉体含有率が３，５，１０ｗｔ％のもの（実施例１−２〜１−４）は、ガラスフリットの量が多く、単結晶ＭｇＯ同士、あるいは、単結晶ＭｇＯおよび誘電体層が十分に結合されているため、結晶ＭｇＯ層が剥がれずに、透過率が設定透過率の７０％から変化していないことを意味している。
以上のことから、結晶ＭｇＯ層の付着力を十分に確保するためには、ガラス粉体含有率を３ｗｔ％以上にする必要があることがわかる。
【００５０】
（塗工液におけるガラス粉体含有率と、規格化放電確率との関係）
次に、塗工液におけるガラス粉体含有率と、規格化放電確率との関係について調べた。
以下のような、実施例２−１〜２−４のＰＤＰと、比較例２−１，２−２のＰＤＰとを用意した。
【００５１】
ここで、実施例２−１〜２−４、比較例２−１，２−２のＰＤＰの構成について説明する。
実施例２−１〜２−４のＰＤＰを作製する際には、誘電体層上に例えば蒸着法を用いて薄膜ＭｇＯ層を形成する。そして、薄膜ＭｇＯ層上に、上述した塗工装置９００を用いて、混合物含有率が５ｗｔ％であり、かつ、ガラス粉体含有率が１０，３０，５０，７０ｗｔ％の塗工液をスプレー塗布し、５６０℃の温度で焼成することにより単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットを備えた結晶ＭｇＯ層を形成した。そして、薄膜ＭｇＯ層および結晶ＭｇＯ層が形成された各基板を用いて、通常の工程にて実施例２−１〜２−４のＰＤＰを製造した。
比較例２−１のＰＤＰを作製する際には、薄膜ＭｇＯ層上に上述した比較例１−１の例（ガラス粉体含有率：０ｗｔ％）、すなわち単結晶ＭｇＯのみを備えた結晶ＭｇＯ層が形成された基板を用いて、通常の工程にて比較例２−１のＰＤＰを製造した。
比較例２−２のＰＤＰは、比較例２−１のＰＤＰに結晶ＭｇＯ層を設けていない構成、すなわち保護層として薄膜ＭｇＯ層のみを形成した構成を有している。なお、この比較例２−２のＰＤＰの構成は、現状における一般的なＰＤＰの構成である。
【００５２】
そして、比較例２−２のＰＤＰの面内２０点について、放電確率を調べた。この後、実施例２−１〜２−４、比較例２−１のＰＤＰの面内２０点について放電確率を調べ、比較例２−２の放電確率の平均値で規格化した確率を、規格化放電確率として算出した。この規格化放電確率の算出結果を図８に示す。
【００５３】
図８より、ガラス粉体含有率が小さいものほど、面内でのばらつきが小さく、かつ、比較例２−２と比べて放電確率が十分に増加していることがわかる。また、ガラス粉体含有率が大きいものほど、放電確率が低下し、ガラス粉体含有率が７０ｗｔ％のもの（実施例２−４）は、規格化放電確率が１程度で比較例２−２と性能的に大差ないことがわかる。
これは、ガラス粉体含有率が大きくなるほど、結晶ＭｇＯ層の付着力が向上するが、ガラスフリットの量が増加するためガラスフリットによる単結晶ＭｇＯの被覆率が大きくなり、表面積が減少して放電確率が低下してしまうことを意味している。
以上のことから、現状の一般的なＰＤＰ（比較例２−２）よりも良好な放電確率を得るためには、ガラス粉体含有率を５０ｗｔ％以下にする必要があることがわかる。さらに、結晶ＭｇＯ層が単結晶ＭｇＯのみで構成され、単結晶ＭｇＯがガラスフリットで覆われないため放電確率が最大となるＰＤＰ（比較例２−１）と同様の放電確率を得るために、ガラスフリット含有率を３０ｗｔ％以下にする必要があることがわかる。
【００５４】
（塗工液におけるガラス粉体含有率と、ＰＤＰの寿命との関係）
次に、塗工液におけるガラス粉体含有率と、ＰＤＰの寿命との関係について調べた。
上述した実施例２−１，２−４、比較例２−１，２−２のＰＤＰを用意した。
【００５５】
そして、実施例２−１，２−４、比較例２−１，２−２のＰＤＰについて、輝度の劣化に基づいて寿命を評価した。
この結果、単結晶ＭｇＯが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４、比較例２−１）の輝度の劣化が、蒸着法でＭｇＯが設けられたＰＤＰ（比較例２−２）よりも小さいことが確認できた。また、単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４）の輝度の劣化は、略等しく、かつ、単結晶ＭｇＯのみが設けられたＰＤＰ（比較例２−１）よりも小さいことが確認できた。
これは、ガラスフリットにより結晶ＭｇＯ層および薄膜ＭｇＯ層の結合が強くなり、放電時に単結晶ＭｇＯが飛散しにくくなったことを意味する。単結晶ＭｇＯは、薄膜ＭｇＯ層のＭｇＯよりも結晶性がよいためにスパッタリング耐性があり、基板への付着力が強ければ、長時間安定して放電特性改善に寄与することとなる。
【００５６】
さらに、５００００時間使用後に相当する実施例２−１，２−４、比較例２−１，２−２のＭｇＯをＳＥＭ（走査電子顕微鏡）で観察すると、結晶ＭｇＯ層が設けられていないＰＤＰ（比較例２−２）は、蒸着法により設けられたＭｇＯが柱状結晶となっており結晶としての強度が弱いため、維持電極のエッジ上のＭｇＯがスパッタリングにより掘られており、下地の誘電体層が露出していたことが確認できた。
また、単結晶ＭｇＯのみが設けられたＰＤＰ（比較例２−１）は、維持電極のエッジ上のＭｇＯが多少掘られていたことが確認できた。
さらに、単結晶ＭｇＯおよびガラスフリットが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４）は、ＭｇＯが飛散した跡が確認できないとともに、単結晶ＭｇＯ上のＭｇＯの多結晶、アモルファスでの成長がガラスフリットを備えないＰＤＰ（比較例２−１）よりも少ないことが確認できた。
これは、ガラスフリットにより結晶ＭｇＯ層および薄膜ＭｇＯ層の結合が強くなり、放電時に単結晶ＭｇＯが飛散しにくくなったため、維持電極のエッジ上のＭｇＯも飛散しなくなったことを意味する。
【００５７】
また、残像特性（輝度残像）は、ガラスフリットが設けられたＰＤＰ（実施例２−１，２−４）の方が、ガラスフリットが設けられていないＰＤＰ（比較例２−１）よりも良好であることが確認できた。
これは、ガラスフリットが設けられたＰＤＰは、結晶ＭｇＯ層および薄膜ＭｇＯ層の結合力が強いので、輝度残像の発生がガラスフリットが設けられていないＰＤＰと比べて低下することを示している。具体的には、ＭｇＯが関連する残像は、ＭｇＯの状態が関係している。すなわち、ある一部分のセルを放電させたときには、そこから飛ばされるスパッタリングなどで生じるＭｇＯが周りのセルに移る。そして、このセルが放電する際に、飛ばされてきたＭｇＯにより、他の部分よりも輝度が増加して残像現象が発生する。
このため、ガラスフリットが設けられていないＰＤＰ（比較例２−１）は、ＭｇＯが飛散しやすいために、残像が発生やすい。また、ガラスフリットが設けられたＰＤＰは、残像の程度は結晶ＭｇＯ層が設けられていないＰＤＰ（比較例２−２）と同程度であり、ガラスフリットが設けられていないＰＤＰ（比較例２−１）と比べて、良好な結果となった。
【００５８】
〔実施形態の効果〕
上述したように、上記実施の形態におけるＰＤＰ１によれば、以下の効果を奏することができる。
【００５９】
（１）保護層形成工程に、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを溶剤に分散させるとともにガラス粉体を添加した塗工液ＬＱを塗布する塗布工程を含んでいる。
これにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラス粉体を溶融、凝固させたガラスフリット３４２Ｂとを備えた結晶ＭｇＯ層３４２を形成することができる。
このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３上の構造物の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を強めることができる。したがって、ＰＤＰ１の使用時における放電による単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制でき、放電確率の低下を抑制できる。
よって、良好な保護層３４が形成されたＰＤＰ１を得ることができる。
【００６０】
（２）保護層形成工程で形成された保護層３４を焼成する保護層焼成工程を含んでいる。
このため、一連の製造ラインで保護層３４の形成および焼成を実施することができ、製造性を向上できる。
【００６１】
（３）ＭｇＯ粉体とガラス粉体の質量の和に対するガラス粉体の含有率、すなわちガラス粉体含有率を、３ｗｔ％以上としている。
このため、結晶ＭｇＯ層３４２におけるガラスフリット３４２Ｂの量を十分な量にすることができる、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を、擦った程度では単結晶ＭｇＯ３４２Ａが剥がれないくらいまで大きくすることができる。
【００６２】
（４）ガラス粉体含有率を、５０ｗｔ％以下としている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａがガラスフリット３４２Ｂにより覆われて表面積が減少してしまうのを抑制でき、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を高めた状態で、ＰＤＰ１の放電確率を現状の一般的なものよりも高くすることができる。
【００６３】
（５）ガラス粉体含有率を、３０ｗｔ％以下としている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を高めた状態で、放電確率を単結晶ＭｇＯ３４２Ａがガラスフリット３４２Ｂで覆われないものと同様にすること、すなわち放電確率を最大限まで高めることができる。
【００６４】
（６）ガラス粉体の平均粒径を、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの平均粒径よりも小さくしている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａがガラスフリット３４２Ｂにより覆われて表面積が減少してしまうのをより抑制でき、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を高めた状態で、ＰＤＰ１の放電確率を現状の一般的なものよりもより高くすることができる。
【００６５】
（７）ガラス粉体の塩基度を、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの塩基度よりも高くしている。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａ同士、あるいは単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび薄膜ＭｇＯ層３４１をより強固に結合でき、放電確率の低下をより抑制できる。
【００６６】
（８）ＭｇＯ粉体を、単結晶ＭｇＯ３４２Ａにより構成している。
このため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを用いて薄膜ＭｇＯ層３４１を形成することにより、ＰＤＰ１において、放電遅れが減少しかつ放電確率が向上するなど、放電特性を改善することができる。
【００６７】
（９）保護層形成工程に、塗布工程の前段階において、薄膜ＭｇＯ層３４１を誘電体層３３上に成膜する薄膜ＭｇＯ層形成工程を含んでいる。
このため、薄膜ＭｇＯ層形成工程により、十分な低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性を向上させるべく結晶ＭｇＯ層３４２を薄膜ＭｇＯ層３４１に積層形成しているので、特に、略均一な厚さで形成することができるがある程度の厚さで形成しにくく、柱状結晶構造で溶剤が侵入しやすくかつ抜けにくい蒸着やスパッタリングにより形成される薄膜ＭｇＯ層３４１のＭｇＯが潮解したり不純物が吸着するなどの特性変化を生じず、十分な厚さで良好な特性の保護層３４を形成できる。したがって、輝度の経時劣化が小さく、長期間安定した特性のＰＤＰ１を容易に製造できる。
さらに、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けることにより、設けない場合と比べて放電応答速度が速くなるので、点灯させる放電セル２３１（以下、点灯セル２３１と記す）と点灯させない放電セル２３１（以下、非点灯セル２３１と記す）を設定するアドレス工程の時間短縮を図ることができる。さらには、放電応答速度が速いので、ＰＤＰ１の上または下のいずれか一方のみに列電極駆動部を設置し、上から下まであるいは下から上までＰＤＰ１全体に対して１つの列電極駆動部で、点灯セル２３１および非点灯セル２３１を設定することができる。したがって、列電極駆動部を１つ削減でき、部品点数を低減できる。さらに、アドレス工程の時間を短縮できるので、いわゆるサブフィールド数を増やすことができ、表示色数が増加し高解像度の表示が可能となる。
【００６８】
〔実施形態の変形〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００６９】
例えば、前記実施形態では、ガラス粉体含有率を３ｗｔ％以上かつ３０ｗｔ％以下としたが、わずかでもガラス粉体が含有されていれば３ｗｔ％未満であってもよいし、３０ｗｔ％以上、さらには５０ｗｔ％以上とする構成としてもよい。これらのような構成にしても、塗工液ＬＱにガラス粉体を含有せずに、結晶ＭｇＯ層３４２にガラスフリット３４２Ｂを設けない構成と比べて、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を強めることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散による放電確率の低下を抑制できる。
【００７０】
前記実施形態では、ガラス粉体の塩基度を単結晶ＭｇＯ３４２Ａの塩基度よりも高くしたが、これに限らず低くしてもよい。このような構成により、ガラス粉体の材質が限定されることがなくなるので、ガラス粉体の調達を容易にできる。
【００７１】
前記実施形態では、ＭｇＯ粉体を単結晶ＭｇＯ３４２Ａからなるとしたが、多結晶あるいはアモルファスのＭｇＯからなる構成としてもよい。このような構成により、ＭｇＯ粉体の材質が限定されることがなくなるので、ＭｇＯ粉体の調達を容易にできる。
【００７２】
前記実施形態では、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けたが、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けない構成としてもよい。このような構成の場合、前記実施形態と同様の作用効果を奏するためには、結晶ＭｇＯ層３４２の単結晶ＭｇＯ３４２Ａが薄膜ＭｇＯ層３４１の役割を果たす必要があり、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを高密度で誘電体層３３上に塗工する必要がある。
このため、塗工液中における単結晶ＭｇＯ３４２Ａの濃度を高くすることができる塗工方法、すなわちスクリーン印刷、ダイコータ、フィルムを利用した方法を用いることが好ましい。
スプレー法を用いる場合、霧粒子の乾燥時に粒体が凝集しやすいため、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを高密度で塗工するのは困難である。このため、分散剤を添加して、誘電体層３３との付着力を増加させることや、粉体濃度を高くして単結晶ＭｇＯ３４２Ａの含有量を増やす必要がある。
一方、スクリーン印刷、ダイコータ、フィルムを利用した方法を用いる場合、高密度の塗工を実施しやすいが、バインダーを使用する際には、バインダー樹脂が完全に除去でき、バインダー除去時に発生する反応ガスにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａの放電確率が低下しないものを選択する必要がある。また、このようなバインダーには、分子量が高く、粘度が高い分散剤を選択することもできる。
【００７３】
また、薄膜ＭｇＯ層３４１を設けない構成の場合、塗工する単結晶ＭｇＯ３４２Ａが、少なくとも放電領域付近では密集していることが好ましい。これは、密集しておらず被覆率が低い場合、放電確率が低下するためである。さらに、被覆率のばらつきは、放電確率のばらつきとなるため、面内でのばらつきが大きいと輝度ムラを引き起こすこととなる。したがって、塗工分散状態が高いほど、良好なＰＤＰとすることができる。
【００７４】
前記実施形態のＰＤＰ１を、前面基板３に表示電極対３１を形成し誘電体層３３によって被覆しかつ背面基板２側に蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）とアドレス電極２１を形成した反射型交流ＰＤＰとするとしたが、これに限らない。すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面基板に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面基板側に蛍光体層を形成し背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極対とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ、放電空間の表示電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することができる。
【００７５】
前記実施形態では、隔壁２３を梯子状に形成するとしたが、これに限らず、井桁状やストライプ状の隔壁としてもよい。
【００７６】
〔実施形態の作用効果〕
上述したように、前記実施形態では、保護層形成工程に、単結晶ＭｇＯ３４２Ａを溶剤に分散させるとともにガラス粉体を添加した塗工液ＬＱを塗布する塗布工程を含んでいる。
これにより、単結晶ＭｇＯ３４２Ａと、ガラス粉体を溶融、凝固させたガラスフリット３４２Ｂとを備えた結晶ＭｇＯ層３４２を形成することができる。
このため、ガラスフリット３４２Ｂを、隣り合う単結晶ＭｇＯ３４２Ａの間、あるいは、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３上の構造物の間に介在させることができ、単結晶ＭｇＯ３４２Ａおよび前面基板３の結合力を強めることができる。したがって、ＰＤＰ１の使用時における放電による単結晶ＭｇＯ３４２Ａの飛散を抑制でき、放電確率の低下を抑制できる。
よって、良好な保護層３４が形成されたＰＤＰ１を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。
【図２】前記実施形態におけるプラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】前記実施形態における保護層近傍の部分拡大図である。
【図６】前記実施形態における塗工装置の概略構成を示す概念図である。
【図７】前記実施形態における塗工液におけるガラス粉体含有率と透過率との関係である。
【図８】前記実施形態における塗工液におけるガラス粉体含有率と規格化放電確率との関係である。
【符号の説明】
【００７８】
１…プラズマディスプレイパネル
２…背面基板
３…前面基板
３１…表示電極対
３３…誘電体層
３４…保護層
３４１…酸化マグネシウム成膜層としての薄膜ＭｇＯ層
３４２Ａ…酸化マグネシウム粉体としての単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
３４２Ｂ…ガラスフリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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