(57)【要約】      （修正有）【課題】透明基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、少量かつ十分の量の触媒層を透明基材に付着させることにより、透明基材に対してめっき膜を確実に密着させることができるとともに、非めっき膜形成部において触媒層を除去しなくても、透過率がよく、光学的特性が良好なめっき配線基板を形成する方法と配線基板の提供。【解決手段】透明基材２に、錫化合物を接触させる錫処理工程と、錫処理工程の後、透明基材２に銅化合物を接触させる銅処理工程と、銅処理工程の後、透明基材２にパラジウム化合物を接触させて触媒層５を形成するパラジウム処理工程と、触媒層５上に任意のパターンの銅めっき膜３を形成するめっき処理工程とを有し、触媒層５におけるパラジウム化合物の付着量を、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２とし、非めっき膜形成部７に形成されたレジスト８の表面高さと銅めっき膜３の表面高さとを同一高さ位置に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、前記透明基材の被処理面に形成された触媒層と、前記触媒層上に任意のパターンに形成されためっき膜とを有するめっき配線基板であって、
前記触媒層は、錫化合物、銅化合物、パラジウム化合物を用いて形成されていることを特徴とするめっき配線基板。
【請求項２】
前記触媒層におけるパラジウム化合物の付着量が、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１に記載のめっき配線基板。
【請求項３】
前記錫化合物が塩化錫を含み、前記パラジウム化合物が塩化パラジウムを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のめっき配線基板。
【請求項４】
前記銅化合物が硫酸銅を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のめっき配線基板。
【請求項５】
前記被処理面における前記めっき膜が形成されない非めっき膜形成部に透明材料からなるレジストが形成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のめっき配線基板。
【請求項６】
前記レジストの表面高さと前記めっき膜の表面高さとは、同一高さ位置であることを特徴とする請求項５に記載のめっき配線基板。
【請求項７】
透明基材に、錫化合物を接触させる錫処理工程と、
前記錫処理工程の後、前記透明基材に銅化合物を接触させる銅処理工程と、
前記銅処理工程の後、前記透明基材にパラジウム化合物を接触させて触媒層を形成するパラジウム処理工程と、
前記触媒層上に任意のパターンのめっき膜を形成するめっき処理工程とを有することを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項８】
前記触媒層におけるパラジウム化合物の付着量が、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項７に記載の無電解めっき方法。
【請求項９】
前記錫化合物が塩化錫を含み、前記パラジウム化合物が塩化パラジウムを含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の無電解めっき方法。
【請求項１０】
前記銅化合物が硫酸銅を含むことを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の無電解めっき方法。
【請求項１１】
前記パラジウム処理工程と前記無電解めっき工程との間に、前記透明基材の被処理面上における前記めっき膜が形成されない非めっき膜形成部に前記レジストを配置するとともに、前記めっき膜が形成されるめっき膜形成部における前記触媒層を露出させるレジスト形成工程を有することを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の無電解めっき方法。
【請求項１２】
前記レジストの表面高さと前記めっき膜の表面高さとを同一高さ位置に形成することを特徴とする請求項１１に記載の無電解めっき方法。
【請求項１３】
前記めっき処理工程の後に、めっき膜に熱および圧力のうち少なくとも一つを加える工程を有することを特徴とする請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の無電解めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき配線基板および無電解めっき方法に係り、特に、透明基材に対して任意のパターンのめっき膜が形成されためっき配線基板およびこのめっき配線基板を形成する無電解めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、例えば表示パネルのパネル基板を構成するめっき配線基板の基材として、光を透過するガラスや樹脂材料等からなる透明基材が用いられており、従来より、この透明基材に任意のパターンのめっき膜を形成する方法として、無電解めっき方法が知られている。
【０００３】
この無電解めっき方法は、例えば、粗面化処理されたガラス等からなる透明基材を塩化錫水溶液および塩化パラジウム水溶液に浸漬させて、透明基材に触媒層を形成した後、触媒層の表面におけるめっき膜が形成されない非めっき膜形成部にレジストを形成して、めっき膜が形成されるめっき膜形成部の触媒層を露出させる。続いて、透明基材を、銅めっき液に浸漬させて、触媒層上に銅めっき膜を形成する。これにより、透明基材に任意のパターンの銅めっき膜によってめっき配線が形成されためっき配線基板を形成していた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この従来の無電解めっき方法によれば、透明基材に対するめっき膜の密着力を向上させるため、触媒層を形成する前に、透明基材における銅めっき膜が形成される被処理面に粗面化処理を行うようになっている。
【０００５】
しかし、前述のように透明基材の被処理面に粗面化処理を施した場合、被処理面に形成された凹凸によって被処理面の表面積が大きくなり、触媒層における触媒の付着量が多くなってしまう。このように触媒層が過度に付着してしまうと、触媒層が褐色に着色されてしまうこととなる。
【０００６】
そして、触媒層が着色されてしまうと、めっき配線基板の透過率が低下して光学的特性が低下してしまうので、このようなめっき配線基板は、光を透過させて利用する表示パネルのパネル基板等として利用することができなくなってしまう。このため、このようなめっき配線基板をパネル基板として利用するには、非めっき膜形成部の触媒層をエッチング等により除去しなければならず、めっき配線基板の形成工程が増加してしまうという問題を有していた。
【０００７】
一方、触媒層が褐色に着色しないようにするために、触媒層の付着量を少なくすることも考えられるが、従来の方法によって触媒層を形成し、この触媒層を核としてめっき膜を形成しようとした場合、透明基材の被処理面は粗面化されて表面積が大きいため、ミクロに観察した場合の触媒密度が低下し、めっき反応が開始しなかったり、めっき厚のばらつきが大きくなったりしてしまう。また、表面積を小さくして十分な触媒密度となるように粗面化を行わない場合、アンカー効果が失われ、透明基材に対するめっき膜の密着力が低下してしまうこととなる。
【０００８】
また、透明基材の被処理面に粗面化処理が施されると、被処理面における凹凸によって透明基材を透過する照射光が拡散されてしまう結果、めっき配線基板の光学的特性が低下してしまうおそれがある。そして、このような光学的特性が低いめっき配線基板は、非めっき膜形成部の触媒層を除去した場合であっても、表示パネルのパネル基板に利用することができなかった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２５２４４５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、透明基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、少量かつ十分の量の触媒層を透明基材に付着させることにより、透明基材に対してめっき膜を確実に密着させることができるとともに、非めっき膜形成部において触媒層を除去しなくても透過率がよく光学的特性が良好なめっき配線基板および無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明に係るめっき配線基板の特徴は、透明基材と、前記透明基材の被処理面に形成された触媒層と、前記触媒層上に任意のパターンに形成されためっき膜とを有するめっき配線基板であって、前記触媒層は、錫化合物、銅化合物、パラジウム化合物を用いて形成されている点にある。
【００１２】
この本発明に係るめっき配線基板によれば、錫化合物、銅化合物、およびパラジウム化合物を用いて触媒層を形成することにより、透明基材に対して密着力が高いめっき膜を形成することができる。このため、透明基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、めっき膜を形成することができるので、透明基材に触媒層が過度に付着してしまうのを防止することができ、これにより、触媒層が着色してしまうのを防止することができる。さらに、銅化合物を用いて触媒層を形成することにより触媒粒子が微粒化し、触媒層が褐色に着色してしまうことが抑えられる。
【００１３】
本発明に係る他のめっき配線基板の特徴は、前記触媒層におけるパラジウム化合物の付着量が、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２である点にある。
【００１４】
この本発明に係るめっき配線基板によれば、めっき配線間の絶縁性を十分に確保することができる。これとともに、触媒層におけるパラジウム化合物の付着量を１×１０１３ａｔｍｓ／ｃｍ２以上とすることにより、確実に触媒層を核としてめっき膜を形成することができ、５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２以下とすることにより、触媒層が褐色に着色してしまうことを確実に防止することができる。
【００１５】
本発明に係る他のめっき配線基板の特徴は、前記錫化合物が塩化錫を含み、前記パラジウム化合物が塩化パラジウムを含む点にある。
【００１６】
この本発明に係るめっき配線基板によれば、塩化錫および塩化パラジウムが溶液中で安定であることから、錫化合物とパラジウム化合物をそれぞれ安定して付与することが可能となり、良好なめっき配線基板を得ることができる。
【００１７】
本発明に係る他のめっき配線基板の特徴は、前記銅化合物が硫酸銅を含む点にある。
【００１８】
この本発明に係るめっき配線基板によれば、銅処理の際に錫化合物が銅化合物溶液に溶出することなく、触媒を安定して付与することが可能となり、良好なめっき配線基板を得ることができる。
【００１９】
本発明に係る他のめっき配線基板の特徴は、前記触媒層上における前記めっき膜が形成されない非めっき膜形成部に透明材料からなるレジストが形成された点にある。
【００２０】
この本発明に係るめっき配線基板によれば、レジストが透明材料であり、触媒層が着色していないため、透明基材の光学特性を損なわないめっき配線基板を容易に作成可能となる。
【００２１】
本発明に係る他のめっき配線基板の特徴は、前記レジストの表面高さと前記めっき膜の表面高さとが同一高さ位置である点にある。
【００２２】
この本発明に係るめっき配線基板によれば、めっき配線基板における銅めっき膜が形成された表面を平坦に形成することができる。このため、めっき配線基板の表面に例えばトランジスタ等を形成する場合に、レジストおよび触媒層を除去することによって表面に段差が形成されているめっき配線基板を用いる場合と比較して、ゲート絶縁膜を薄く形成することができるので、トランジスタが形成されためっき配線基板全体の厚みを薄く形成することができる。また、レジストおよび触媒層を除去することによってめっき配線基板の表面に段差が形成されると、この段差部においてめっき膜により形成されためっき配線の絶縁劣化が発生するおそれがあるが、めっき配線基板の表面を平坦に形成することにより、めっき配線の絶縁劣化の発生を防止することができる。
【００２３】
また、本発明に係る無電解めっき方法の特徴は、透明基材に、錫化合物を接触させる錫処理工程と、前記錫処理工程の後、前記透明基材に銅化合物を接触させる銅処理工程と、前記銅処理工程の後、前記透明基材にパラジウム化合物を接触させて触媒層を形成するパラジウム処理工程と、前記触媒層上に任意のパターンのめっき膜を形成するめっき処理工程とを有する点にある。
【００２４】
この本発明に係る無電解めっき方法によれば、錫化合物、銅化合物、およびパラジウム化合物を用いて触媒層を形成することにより、透明基材に対して密着力が高い触媒層を形成することができる。このため、透明基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、触媒層を形成することができるので、透明基材に触媒層が過度に付着してしまうのを防止することができ、これにより、触媒層が着色してしまうのを防止することができる。さらに、銅化合物を用いて触媒層を形成することにより触媒粒子が微粒化し、触媒層が褐色に着色してしまうことが抑えられる。
【００２５】
本発明に係る他の無電解めっき方法の特徴は、前記触媒層におけるパラジウム化合物の付着量が、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２である点にある。
【００２６】
この本発明に係る無電解めっき方法によれば、めっき配線間の絶縁性を十分に確保することができる。これとともに、触媒層におけるパラジウム化合物の付着量を１×１０１３ａｔｍｓ／ｃｍ２以上とすることにより、確実に触媒層を核としてめっき膜を形成することができ、５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２以下とすることにより、触媒層が褐色に着色してしまうことを確実に防止することができる。
【００２７】
本発明に係る他の無電解めっき方法の特徴は、前記錫化合物が塩化錫を含み、前記パラジウム化合物が塩化パラジウムを含む点にある。
【００２８】
この本発明に係る無電解めっき方法によれば、塩化錫および塩化パラジウムが溶液中で安定であることから、錫化合物とパラジウム化合物をそれぞれ安定して付与することが可能となり、良好なめっき膜を安定して得ることができる。
【００２９】
本発明に係る他の無電解めっき方法の特徴は、前記銅化合物が硫酸銅を含む点にある。
【００３０】
この本発明に係る無電解めっき方法によれば、銅処理の際に錫化合物が銅化合物溶液に溶出することなく、触媒を安定して付与することが可能となり、良好なめっき膜を安定して得ることができる。
【００３１】
本発明に係る他の無電解めっき方法の特徴は、前記パラジウム処理工程と前記めっき処理工程との間に、前記透明基材の被処理面上における前記めっき膜が形成されない非めっき膜形成部に前記レジストを配置するとともに、前記めっき膜が形成されるめっき膜形成部における前記触媒層を露出させるレジスト形成工程を有する点にある。
【００３２】
この本発明に係る他の無電解めっき方法によれば、任意のパターンのレジストを形成することにより、任意のパターンのめっき膜を得ることが可能となる。
【００３３】
本発明に係る他の無電解めっき方法の特徴は、前記レジストの表面高さと前記めっき膜の表面高さとを同一高さ位置に形成する点にある。
【００３４】
この本発明に係る他の無電解めっき方法によれば、めっき配線基板における銅めっき膜が形成された表面を平坦に形成することができる。このため、めっき配線基板の表面に例えばトランジスタ等を形成する場合に、レジストおよび触媒層を除去することによって表面に段差が形成されているめっき配線基板を用いる場合と比較して、ゲート絶縁膜を薄く形成することができるので、トランジスタが形成されためっき配線基板全体の厚みを薄く形成することができる。また、レジストおよび触媒層を除去することによってめっき配線基板の表面に段差が形成されると、この段差部においてめっき膜により形成されためっき配線の絶縁劣化が発生するおそれがあるが、めっき配線基板の表面を平坦に形成することにより、めっき配線の絶縁劣化の発生を防止することができる。
【００３５】
本発明に係る他の無電解めっき方法の特徴は、前記めっき処理工程の後に、めっき膜に熱および圧力のうち少なくとも一つを加える工程を有する点にある。
【００３６】
この本発明に係る他の無電解めっき方法によれば、めっき膜の密着性を更に向上させ、透明基材の光学特性を損なわない鏡面とした被処理面であっても、十分な密着性をもってめっき膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００３７】
以上述べたように、本発明に係るめっき配線基板および無電解めっき方法によれば、透明基材に触媒層が過度に付着されず、また触媒層が微粒化されているので、触媒層が褐色に着色してしまうのを防止することができ、これにより、めっき膜が形成されない非めっき膜形成部において触媒層を除去しなくても、透過率の高い光学的特性が良好なめっき配線基板を形成することができる。
【００３８】
また、触媒層を除去する工程を省略して光学的特性が良好なめっき配線基板を形成することができるので、めっき配線基板の製造工程の簡易化、短時間化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明に係るめっき配線基板、およびこのめっき配線基板のめっき膜を形成する無電解めっき方法の一実施形態を図１から図３を参照して説明する。
【００４０】
図１は、本実施形態に係るめっき配線基板を示す概念図、図２は、本実施形態に係る無電解めっき方法の各工程を示すフローチャート、図３（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の無電解めっき方法の各工程を示す概略図である。ここで、本実施形態においては、基材に銅めっき膜を形成する場合を用いて説明するが、本発明に係る無電解めっき方法は、銅めっき膜を形成する場合に限定されず、種々のめっき膜を形成する場合に用いることができる。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態に係るめっき配線基板１は、ガラス材料や、ポリイミド、エポキシ、ポリカーボネート等の樹脂材料等からなる透明基材２を有し、透明基材２における銅めっき膜３を形成する被処理面４には、錫化合物、銅化合物およびパラジウム化合物を用いて触媒層５が形成されている。本実施形態においては、錫化合物としては塩化錫、銅化合物としては硫酸銅、パラジウム化合物としては塩化パラジウムを用いており、また、この触媒層５における塩化パラジウムの付着量は、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００４２】
また、前記触媒層５における任意の部分には銅めっき膜３が形成されており、銅めっき膜３が形成されない非めっき膜形成部７には、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やシクロオレフィンポリマー等の透明材料からなるレジスト８が形成されている。本実施形態においては、このレジスト８の表面高さと、銅めっき膜３の表面高さとは、同一高さ位置に形成されることが好ましい。
【００４３】
次に、本実施形態に係るめっき配線基板１の銅めっき膜３を形成する無電解めっき方法について説明する。
【００４４】
図２および図３（ａ）に示すように、本実施形態においては、まず、透明基材２に対し、この透明基材２に付着したごみや油脂類等の不純物を除去するための脱脂洗浄等の前処理工程を行う（ＳＴ１）。この前処理工程は、公知の方法によって行うことができる。
【００４５】
前処理工程の後、前記透明基材２を塩化第１錫からなる塩化錫水溶液に浸漬させる等により、透明基材２における銅めっき膜３を形成する面である被処理面４に塩化錫を接触させる錫処理工程を行う（ＳＴ２）。
【００４６】
前記錫処理工程の後、前記透明基材２を硫酸銅水溶液に浸漬させる等により、透明基材２の被処理面４に硫酸銅を接触させる銅処理工程を行う（ＳＴ３）。
【００４７】
さらに、前記銅処理工程の後、前記透明基材２を塩化パラジウム水溶液に浸漬させる等により、透明基材２の被処理面４に塩化パラジウムを接触させるパラジウム処理工程を行う（ＳＴ４）。
【００４８】
すると、銅処理工程において塩化錫により硫酸銅が還元されて透明基材２の被処理面４に銅が付着し、さらにパラジウム処理工程において銅および塩化錫により塩化パラジウムのパラジウムイオンが還元されて透明基材２の被処理面４にパラジウムが付着し、これにより、図３（ｂ）に示すように、触媒層５が形成される。この触媒層５における触媒粒子は微粒化されており、着色が抑えられている。
【００４９】
本実施形態においては、触媒層５におけるパラジウムの付着量が、１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２となる条件によってパラジウム処理工程が行われることが好ましい。
【００５０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、透明基材２における触媒層５の表面に、フォトレジスト法等によって透明材料からなる任意のパターンのレジスト８を形成するレジスト形成工程を行う（ＳＴ５）。
【００５１】
これにより、透明基材２の被処理面４における銅めっき膜３が形成されない非めっき膜形成部７にレジスト８を形成するとともに、銅めっき膜３が形成されるめっき膜形成部６の触媒層５を露出させる。
【００５２】
さらに、パターニング工程の後、図３（ｄ）に示すように、透明基材２を銅めっき液に浸漬させる等により、透明基材２の処理面にめっき液を接触させるめっき処理工程を行い、これにより、めっき膜形成部６の触媒層５を核として銅めっき膜３を形成する（ＳＴ６）。
【００５３】
ここで、めっき膜形成部６における銅めっき膜３の表面高さと、非めっき膜形成部７におけるレジスト８の表面高さと同一高さ位置となるように形成することが好ましい。
【００５４】
また、めっき処理工程の各種処理条件は、公知の無電解銅めっき方法を利用することができ、また、銅めっき液としては、例えば、銅イオンの他、ニッケルイオンや、酒石酸ナトリウムカリウム四水和物等の錯化剤、ホルムアルデヒド等の還元剤、水酸化ナトリウム等のｐＨ調整剤、およびキレート剤等を含む銅めっき液を用いることができる。
【００５５】
さらに、銅めっき膜３が形成された透明基材２を、十分洗浄して乾燥させた後、例えば、窒素ガス灯の不活性ガス雰囲気中や真空中等の実質的に酸素および水素を含まない雰囲気中において、所定の熱処理温度により所定の熱処理時間加熱する加圧・加熱処理工程を行う（ＳＴ７）。
【００５６】
これにより、透明基材２に任意のパターンの銅めっき膜３によってめっき配線が形成されためっき配線基板１が完成する。
【００５７】
次に、本実施形態に係るめっき配線基板１および無電解めっき方法の作用について説明する。
【００５８】
本実施形態によれば、塩化錫、硫酸銅、および塩化パラジウムを用いて触媒層５を形成し、加圧・加熱処理することにより、透明基材２に対して密着力が高い触媒層５を形成することができる。このため、透明基材２の被処理面４に粗面化処理を施すことなく触媒層５を形成することができ、これにより、透明基材２に触媒層５が過度に付着してしまうのを防止することができる。
【００５９】
したがって、透明基材２に触媒層５が過度に付着されず、さらに触媒粒子が微粒化されているので、触媒層５が褐色に着色してしまうのを防止することができ、これにより、非めっき膜形成部７において触媒層５を除去しなくても、透過率の高い光学的特性が良好なめっき配線基板１を形成することができる。この結果、表示パネルのパネル基板に用いられる透過率の高いめっき配線基板１を形成するにあたり、触媒層５を除去する工程を省略してめっき配線基板１を形成することができるので、めっき配線基板１の製造工程の簡易化、短時間化を図ることができる。
【００６０】
また、触媒層５における塩化パラジウムの付着量を１×１０１３〜５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２とすることにより、めっき配線間の絶縁性を十分に確保することができる。これとともに、触媒層５における塩化パラジウムの付着量を１×１０１３ａｔｍｓ／ｃｍ２以上とすることにより、確実に触媒層５を核として銅めっき膜３を形成することができ、５×１０１４ａｔｍｓ／ｃｍ２以下とすることにより、触媒層５が褐色に着色してしまうことを防止して、非めっき膜形成部７において透過率の高いめっき配線基板１を形成することができる。
【００６１】
さらに、レジスト８の表面高さと銅めっき膜３の表面高さとを、同一高さ位置に形成することにより、めっき配線基板１における銅めっき膜３が形成された表面を平坦に形成することができる。これにより、めっき配線基板１の表面にトランジスタを形成する場合に、レジスト８および触媒層５を除去することによって表面に段差が形成されているめっき配線基板１を用いる場合と比較して、ゲート絶縁膜を薄く形成することができるので、トランジスタが形成されためっき配線基板１全体の厚みを薄く形成することができる。さらにまた、レジスト８および触媒層５を除去することによってめっき配線基板１の表面に段差が形成されると、この段差部においてめっき配線の絶縁劣化が発生するおそれがあるが、めっき配線基板１の表面を平坦に形成することにより、めっき配線の絶縁劣化の発生を防止することができる。
【実施例】
【００６２】
透明基材として、ホウ珪酸ガラスからなる外形が１００ｍｍΦ、厚み寸法が０．７ｍｍｔの透明基材を用意し、前処理工程として、前記透明基材を、液温が５０℃、水酸化ナトリウムの濃度が１５％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、３分間脱脂洗浄した。
【００６３】
続いて、錫処理工程において、液温が室温、塩化第１錫の濃度が５×１０−３ｍｏｌ／Ｌの塩酸酸性の塩化錫水溶液を用意し、透明基材を前記塩化錫水溶液に３分間浸漬させた。
【００６４】
次に、銅処理工程において、液温が室温、硫酸銅の濃度が７．２×１０−３ｍｏｌ／Ｌの硫酸銅水溶液を用意し、透明基材を前記硫酸銅水溶液に３分間浸漬させた。
【００６５】
さらに、パラジウム処理工程において、液温が３０℃、パラジウムイオンの濃度が３×１０−３ｍｏｌ／Ｌの塩化パラジウム水溶液を用意し、前記透明基材を前記塩化パラジウム水溶液に２分間浸漬させて触媒層を形成した。
【００６６】
これにより、透明基材の被処理面に、２．５〜４．６×１０１３ａｔｍｓ／ｃｍ２のパラジウムが付着した。
【００６７】
続いて、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を用いて、フォトレジスト法により任意のパターンのレジストを形成し、透明基材の被処理面における非めっき膜形成部にレジストを形成し、めっき膜形成部における触媒層を露出させた。
【００６８】
そして、前記透明基材に対してめっき処理を行った。めっき処理工程においては、２．５ｇ／Ｌ（０．０３９ｍｏｌ／Ｌ）の銅イオンと、０．１３８ｇ／Ｌのニッケルイオンが添加され、錯化剤として酒石酸ナトリウムカリウム４水和物（ロッシェル塩）と、還元剤として、約０．２％のホルムアルデヒドと、約０．１％のキレート剤とを含む銅めっき液を用意した。さらに、前記銅めっき液には、ｐＨ調整として約１．５ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）が含まれており、ｐＨは１２．６に調整されている。そして、前記透明基材を、液温が３０℃に設定された前記銅めっき液に１時間浸漬させて、基材上に１μｍの膜厚の銅めっき膜を形成した。
【００６９】
その後、透明基材に対し、窒素雰囲気中において３００℃の熱処理温度および１時間の熱処理時間の条件の下、３ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を加えながら、熱処理工程を行って銅めっき膜を形成し、銅めっき膜が形成されためっき配線基板を完成させた。
【００７０】
このようにめっき配線基板を形成した場合、図４に示すように、触媒層およびレジストが形成された非めっき膜形成部における光の透過率は、透明基材の光の透過率とほぼ同じであり、約４００〜１２００ｎｍの波長において９０％以上の透過率を得ることができた。これにより、非めっき膜配線部において透過率の高い光学的特性が良好なめっき配線基板を形成することができた。
【００７１】
一方、比較例として、塩化錫および塩化パラジウムからなるいわゆる二液性触媒によって触媒層を形成し、他の形成条件は本実施例と同一の形成条件によってめっき配線基板を形成した。この場合、比較例のめっき配線基板の触媒層およびレジストが形成された非めっき膜形成部における光の透過率は、透明基材の光の透過率と比較して低く、特に約４００〜７００ｎｍの波長においての透過率は９０％以下であった。
【００７２】
また、透明基材における銅めっき膜の引っ張り強度は３０〜６０Ｍｐａとなり、触媒層を介して透明基材と銅めっき膜との十分な密着力を確保することができた。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係るめっき配線基板の一実施形態を示す概念図
【図２】本発明に係る無電解めっき方法の工程の一実施形態を示すフローチャート
【図３】（ａ）は、図２の無電解めっき方法の前処理工程の透明基材を示す概念図、（ｂ）は、触媒層が形成された透明基材を示す概略図、（ｃ）は、レジストが形成された透明基材を示す概略図、（ｄ）は、めっき膜が形成された透明基材を示す概略図
【図４】本発明に係るめっき配線基板の非めっき膜形成部における透過率を示すグラフ
【符号の説明】
【００７４】
１  めっき配線基板
２  透明基材
３  銅めっき膜
４  被処理面
５  触媒層
６  めっき膜形成部
７  非めっき膜形成部
８  レジスト
【図１】
2007191731.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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