(57)【要約】【課題】より高速な押印工程を実現し、優れたスループットを有する加工装置を提供する。【解決手段】パターンが形成されたモールドを被転写体に塗布されたレジストに押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工装置であって、前記モールドの３次元的な表面形状及び／又は厚さ分布、及び、前記被転写体の３次元的な表面形状及び／又は厚さ分布に基づいて、前記被転写体に塗布する前記レジストの塗布量分布を制御する制御手段を有することを特徴とする加工装置を提供する。【選択図】図１
2007296783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたモールドを被転写体に塗布されたレジストに押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工装置であって、
前記モールドの表面形状及び／又は厚さ分布、及び、前記被転写体の表面形状及び／又は厚さ分布に基づいて、前記被転写体に塗布する前記レジストの塗布量分布を制御する制御手段を有することを特徴とする加工装置。
【請求項２】
前記モールドの表面形状及び前記被転写体の表面形状は、前記モールド及び前記被転写体が保持手段に保持された状態の表面形状であることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項３】
前記モールドの表面形状及び／又は前記被転写体の表面形状を計測する計測手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項４】
前記計測手段は、マルチカンチレバーであることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項５】
前記被転写体を保持するチャックと、
前記パターンを前記被転写体に転写する転写位置に配置され、前記チャックを載置する第１のステージと、
前記被転写体の表面形状を計測する計測位置に配置され、前記チャックを載置する第２のステージとを更に有し、
前記チャックは、前記第１のステージと前記第２のステージとの間を移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項６】
前記レジストを吐出する複数のノズルを有し、前記被転写体に前記レジストを塗布する塗布手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記パターンの密度に基づいて、前記被転写体に塗布する前記レジストの塗布量分布を制御することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【請求項８】
パターンが形成されたモールドを被転写体に塗布されたレジストに押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工方法であって、
前記モールドを前記レジストに接触させる前に、前記被転写体の表面形状及び／又は厚さ分布を計測するステップと、
前記計測ステップで計測された計測結果に基づいて、前記被転写体に塗布する前記レジストの塗布量分布を決定するステップと、
前記決定ステップで決定された前記塗布量分布に従って、前記被転写体に前記レジストを塗布するステップとを有することを特徴とする加工方法。
【請求項９】
前記塗布ステップで前記被転写体に塗布された前記レジストと前記モールドとを接触させるステップと、
前記計測ステップ、前記決定ステップ、前記塗布ステップ及び前記接触ステップとを繰り返すステップとを更に有し、
前記計測ステップと前記接触ステップとは、時間的に少なくとも一部が重なることを特徴とする請求項８記載の加工方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の加工装置を用いて、被転写体にパターンを転写するステップと、
前記パターンが転写された前記被転写体をエッチングするステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、加工装置及び方法に係り、特に、原版となるモールドのパターンをウェハ等の基板に転写する加工装置及び方法に関する。本発明は、例えば、半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などを製造する微細加工のために、ナノインプリント技術を利用する加工装置及び方法に好適である。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィー技術を用いて微細な構造（電子回路、ＭＥＭＳ、グレーティングレンズなどのデバイス）を製造する際、投影露光装置が従来から使用されている。投影露光装置は、レチクル（マスク）に描画されたパターンをレジスト（感光剤）を塗布した基板（シリコンやガラス）に縮小投影してパターンを転写する。投影露光装置は、非常に微細な構造を形成することができるが、非常に高価であり、手軽に利用できるものではない。
【０００３】
一方、非常に微細な構造を形成可能で、且つ、低コストのパターニング法であるナノインプリントが注目されている。ナノインプリントとは、電子ビーム露光等によって微細なパターンが形成されたモールド（雛型）を、レジストとしての樹脂材料を塗布したウェハに押し付ける（押印する）ことによって、レジスト上にパターンを写し取るものである。ナノインプリントは、モールドを準備すれば、モールドを樹脂材料に押し付ける押印機構があればよいため、微細加工を低コストで実現することができる。現在、ナノインプリントは、１０ｎｍ程度の微細な形状を転写することが可能であり、微細化については十分な性能を有する。ナノインプリントは、投影露光装置では採算があわなかったために製造されなかった新しいデバイスへの適用が期待されており、特に、磁気記録媒体の微細な周期構造の形成手段として期待されている。
【０００４】
ナノインプリントには、転写方法として、熱サイクル法や光硬化法（「ＵＶ硬化型」とも言われる）などが提案されている。熱サイクル法は、加工対象の樹脂（熱可塑性材料）をガラス転移温度以上に加熱して（即ち、樹脂の流動性を高めて）モールドを押印し、冷却した後に離型する方法である。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を利用し、透明なモールドで押印した状態で感光及び硬化させてからモールドを剥離する方法である（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
光硬化法は、比較的容易に温度を制御することができるため、半導体素子の製造に適している。また、半導体素子の製造には、高精度な重ね合わせ精度（基板にパターンを幾つか重ね合わせる際の精度）が必須となる。光硬化法は、透明なモールド越しに基板上のアライメントマークを観察することができ、アライメントの観点からも半導体素子の製造に適している。一方、熱サイクル法は、加熱する工程を含むため、基板及びモールドが温度上昇によって熱膨張し、重ね合わせ精度を維持することが非常に困難である。
【０００６】
図２１は、光硬化法によるナノインプリントを説明するための図であって、図２１（ａ）は押印工程、図２１（ｂ）は硬化工程、図２１（ｃ）は離型工程を示している。まず、紫外線を透過する材料（例えば、石英）からなるモールドＭＰを、図２１（ａ）に示すように、ＵＶ硬化樹脂ＵＣＲを塗布した基板（ウェハ）ＳＴに押し付ける。これにより、ＵＶ硬化樹脂ＵＣＲは、モールドＭＰに形成されたパターンに沿って流動する。
【０００７】
次に、モールドＭＰを基板ＳＴに押し付けた状態で、図２１（ｂ）に示すように、紫外線ＵＬを照射する。これにより、ＵＶ硬化樹脂ＵＣＲは、モールドＭＰの形（パターン）に硬化する。そして、図２１（ｃ）に示すように、モールドＭＰを基板ＳＴから引き離す。その結果、モールドＭＰの形を維持したＵＶ硬化樹脂ＵＣＲが基板ＳＴに残り、基板ＳＴにパターンが転写される。大きな基板に対しては、パターンの転写毎に基板を移動し、上述した工程を繰り返して基板全体にパターンを逐次転写する。転写された樹脂（レジスト）パターンは、パターンの下地を取り除くと、投影露光装置で転写されたレジストパターンと同等である。
【０００８】
光硬化法では、基板上に転写されたパターンが後工程のエッチング処理による影響をけないように、感光及び硬化させる際の樹脂の厚さを一定（均一）にすることが重要である。また、モールドを押し付ける際に、樹脂に厚みむらを発生させないことが重要である。従って、モールドのパターン面（パターンが形成された面）と基板（被転写面）とを平行に維持した状態でモールドを押し付ける必要がある。
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、実際のモールド及び基板は、除去しきれないうねり及び厚さ分布を有するため、モールドと基板との間の距離（ギャップ）が不均一になる。このような場合、基板に均一に樹脂を塗布してしまうと、例えば、基板の厚さが厚い領域には樹脂が回り込むまでの時間が長くなってしまう。換言すれば、押印工程に要する時間が長くなり、装置のスループットが低下してしまう。
【００１０】
そこで、本発明は、より高速な押印工程を実現し、優れたスループットを有する加工装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての加工装置は、パターンが形成されたモールドをレジストが塗布された被転写体に押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工装置であって、前記モールドの３次元的な表面形状及び／又は厚さ分布、及び、前記被転写体の３次元的な表面形状及び／又は厚さ分布に基づいて、前記被転写体に塗布する前記レジストの塗布量分布を制御する制御手段を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の別の側面としての加工方法は、パターンが形成されたモールドをレジストが塗布された被転写体に押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工方法であって、前記モールドを前記レジストに接触させる前に、前記被転写体の３次元的な表面形状及び／又は厚さ分布を計測するステップと、前記計測ステップで計測された計測結果に基づいて、前記被転写体に塗布する前記レジストの塗布量分布を決定するステップと、前記決定ステップで決定された前記塗布量分布に従って、前記被転写体に前記レジストを塗布するステップとを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の加工装置を用いて、被転写体にパターンを転写するステップと、前記パターンが転写された前記被転写体をエッチングするステップとを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、より高速な押印工程を実現し、優れたスループットを有する加工装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての加工装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の加工装置１の構成を示す概略断面図である。図２は、モールドチャック１９の近傍を示す拡大断面図である。
【００１７】
加工装置１は、パターンが形成されたモールドをレジストが塗布された被転写体に押し付けて、被転写体にパターンを転写する。加工装置１は、本実施形態では、光硬化法を利用したナノインプリント装置である。
【００１８】
加工装置１は、図１に示すように、ウェハチャック１０と、微動ステージ１１と、ＸＹステージ１２と、ベース定盤１３と、参照ミラー１４と、レーザー干渉計１５ａ及び１５ｂと、支柱１６と、天板１７とを有する。また、加工装置１は、モールド１８と、モールドチャック１９と、モールドチャックステージ２０と、紫外光源２１と、コリメータレンズ２２と、ガイドプレート２３と、ガイドバー２４と、アクチュエータ２５とを有する。更に、加工装置１は、塗布装置２６と、アライメントスコープ２７と、モールド制御部３２と、ウェハ制御部３４と、レジスト制御部３６と、主制御部３８とを有する。
【００１９】
ウェハチャック１０は、ウェハＷＦを保持する。微動ステージ１１は、ウェハＷＦのθ（ｚ軸回りの回転）方向位置、ｚ位置及び傾きを補正（調整）する機能を有する。微動ステージ１１は、ウェハＷＦを所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ１２に配置される。
【００２０】
ベース定盤１３は、ＸＹステージ１２を載置する。参照ミラー１４は、微動ステージ１１の位置を計測するために、レーザー干渉計１５ａからの光を反射する。参照ミラー１４は、微動ステージ１１上のｘ方向及びｙ方向に配置される。支柱１６は、ベース定盤１３上に屹立し、天板１７を支持する。
【００２１】
モールド１８は、図２に示すように、ウェハＷＦに転写される凹凸のパターンＰＴが形成された表面（モールド面）を有し、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャック１９に固定される。同様に、モールドチャック１９は、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャックステージ２０に載置される。
【００２２】
モールドチャック１９は、モールド１８を固定する際に、モールド１８のモールドチャック１９上の位置を規制する複数の位置決めピンＡＰを有する。また、モールドチャック１９は、ｘ方向及びｙ方向の位置を計測するために、レーザー干渉計１５ｂからの光を反射する反射面を有する。
【００２３】
モールドチャックステージ２０は、モールド１８（モールドチャック１９）のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置及び傾きを補正（調整）する機能を有する。モールドチャック１９及びモールドチャックステージ２０は、紫外光源２１からコリメータレンズ２２を介して照射される紫外光を、モールド１８に導光するための
開口１９ａ及び２０ａをそれぞれ有する。
【００２４】
ガイドプレート２３は、ガイドバー２４を固定する。ガイドバー２４は、天板１７を貫通し、一端がモールドチャックステージ２０に固定され、他端がガイドプレート２３に固定される。
【００２５】
アクチュエータ２５は、エアシリンダ又はリニアモータからなるリニアアクチュエータであり、ガイドバー２４をｚ方向に駆動する。これにより、モールドチャック１９に保持されたモールド１８をウェハＷＦに押し付けたり（押印）、モールド１８をウェハＷＦから引き離したりすることができる（離型）。
【００２６】
塗布装置２６は、ウェハＷＦの表面に液状のレジストＲＴを塗布し、例えば、レジストＲＴを吐出するノズルとかかるノズルを駆動する２次元駆動機構とから構成される。また、塗布装置２６は、１次元ノズルアレイ又は２次元ノズルアレイとかかるノズルを駆動する１次元駆動機構とから構成されてもよい。勿論、１次元ノズルアレイ又は２次元ノズルアレイは、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向及びθ方向の全て又は一部の方向に微動可能とする微動機構を有してもよい。
更に、塗布装置２６は、押印工程において（即ち、モールド１８をウェハＷＦに押し付ける際に）、ノズル又はノズルアレイとモールド１８とが接触しないように、図示しない退避機構を有する。
【００２７】
図３は、塗布装置２６の具体的な構成の一例を示す概略ブロック図である。まず、図３を参照して、ノズルからレジストＲＴを吐出するポンプの方式（本実施形態では、３種類）について説明する。但し、ポンプの方式はこれらに限定するものではなく、また、これらの何れのポンプを用いてもよいことは言うまでもない。
【００２８】
図３（ａ）は、熱を瞬間的に加え、沸騰による気泡の発生を動力源として利用したポンプを有する塗布装置２６を示している。図３（ａ）に示す塗布装置２６は、光硬化樹脂タンク２６ａと、ノズル２６ｂと、ヒーター２６ｃとを有し、ヒーター２６ｃに印加する電流パルスによって、ノズル２６ｂから光硬化樹脂（レジストＲＴ）を吐出する。
【００２９】
図３（ｂ）は、ピエゾ素子に電圧を印加し、かかるピエゾ素子の変形力を動力源として利用したポンプを有する塗布装置２６を示している。図３（ｂ）に示す塗布装置２６は、光硬化樹脂タンク２６ａと、ノズル２６ｂと、ピエゾ素子２６ｄとを有し、ピエゾ素子２６ｄに印加する電圧パルスによって、ノズル２６ｂから光硬化樹脂（レジストＲＴ）を吐出する。
【００３０】
図３（ｃ）は、空気圧を動力源として利用したポンプを有する塗布装置２６を示している。図３（ｃ）に示す塗布装置２６は、光硬化樹脂タンク２６ａと、ノズル２６ｂと、シリンジ２６ｅと、バルブ２６ｆと、ポンプ２６ｇとを有する。図３（ｃ）に示す塗布装置２６は、ポンプ２６ｇで圧縮した気体をバルブ２６ｆを瞬間的に開けてシリンジ２６ｅに導入することによって、ノズル２６ｂから光硬化樹脂（レジストＲＴ）を吐出する。
【００３１】
図３に示すようなポンプとノズルとの組み合わせをノズルヘッドと呼ぶ。加工装置１で用いるノズルヘッドアレイの構成の一例を図４に示す。図４に示すように、ノズルヘッド２６２が縦横に並び、例えば、１ｍｍ間隔で３５ｍｍ角のヘッドアレイを構成すると、１２９６個のノズルヘッドアレイ２６０となる。各々のノズルヘッド２６２は、動力源（上述したヒーター、ピエゾ素子、気体ポンプなど）を有する。
【００３２】
加工装置１で用いる別のノズルヘッドアレイの別の構成を図５に示す。ノズルヘッドアレイ２６０Ａは、図５に示すように、１ｍｍ間隔で一列に３６個のノズルヘッド２６２Ａが配列されている。ノズルヘッドアレイ２６０Ａは、図示しないアレイヘッド駆動機構を有しており、例えば、１ｍｍ間隔で３５ｍｍの長さにわたりノズルヘッドアレイ２６０Ａを駆動できる。各々のノズルヘッド２６２Ａは、動力源（上述したヒーター、ピエゾ素子、気体ポンプなど）を有する。
【００３３】
図５に示すノズルヘッドアレイ２６０Ａは、１ライン分のノズルヘッド２６２Ａのみを有しているが、複数ラインのノズルヘッド２６２Ａを走査（スキャン）してもよい。
【００３４】
また、図６に示すように、開口の大きさを変えた（即ち、開口の大きさの異なる）ノズルヘッドを配置したノズルヘッドアレイ２６０Ｂ及び２６０Ｃを加工装置１に用いてもよい。図６（ａ）に示すノズルヘッドアレイ２６０Ｂは、ノズルヘッドアレイ２６０の変形例であり、大開口のノズルヘッド２６２Ｂと、小開口のノズルヘッド２６４Ｂとを有する。図６（ｂ）に示すノズルヘッドアレイ２６０Ｃは、ノズルヘッドアレイ２６０Ａの変形例であり、大開口のノズルヘッド２６２Ｃと、小開口のノズルヘッド２６４Ｃとを有する。
【００３５】
大開口のノズルヘッド２６２Ｂ及び２６２Ｃは、粗量の光硬化樹脂（レジストＲＴ）を吐出（塗布）し、小開口のノズルヘッド２６４Ｂ及び２６４Ｃは、微量の光硬化樹脂（レジストＲＴ）を吐出（塗布）する。これにより、ノズルヘッドアレイ２６０Ｂ及び２６０Ｃは、レジストＲＴの吐出量（塗布量）をより正確に制御することができる。また、ノズルヘッドアレイ２６０Ｂ及び２６０Ｃは、２種類のノズルヘッドを用いることでレジストＲＴの吐出量を多くすることが可能となり、装置のスループットの向上に寄与する。
【００３６】
アライメントスコープ２７は、ウェハＷＦ及びモールド１８に配置されたアライメントマークを観察するための光学系及び撮像系を有し、ウェハＷＦとモールド１８とのｘ方向及びｙ方向の位置ずれを計測する。
【００３７】
モールド制御部３２は、モールドチャックステージ２０に接続し、モールドチャックステージ２０が有するモールド１８のθ方向位置及び傾きの補正機能を介して、モールド１８の姿勢を制御する。
【００３８】
ウェハ制御部３４は、微動ステージ１１に接続し、微動ステージ１１が有するウェハＷＦのθ方向位置、ｚ位置及び傾きの補正機能を介して、ウェハＷＦの姿勢を制御する。
【００３９】
レジスト制御部３６は、塗布装置２６に接続し、ウェハＷＦに塗布（滴下）されるレジストＲＴの塗布量を制御する。レジスト制御部３６は、後述するように、ウェハＷＦの表面形状や厚さ分布、或いは、モールド１８の表面形状や厚さ分布に応じて（後述する主制御部３８の算出結果に基づいて）、レジストＲＴの塗布量を制御する。換言すれば、レジスト制御部３６は、ウェハＷＦの位置（領域）に応じてレジストＲＴの塗布量を異ならせ、レジストＲＴの塗布量分布を制御する。
【００４０】
例えば、塗布装置２６が図４に示すノズルヘッドアレイ２６０である場合、レジスト制御部３６は、各々のノズルヘッド２６２の駆動（レジストＲＴの吐出量及び移動位置）を制御する。また、塗布装置２６が図５に示すノズルヘッドアレイ２６０Ａである場合、レジスト制御部３８は、１ライン分のノズルヘッド２６２ＡによるレジストＲＴの塗布（吐出）が終了したら、図示しない駆動機構を介してノズルヘッド２６２Ａを１ｍｍ分走査させる。更に、レジスト制御部３８は、各々のノズルヘッド２６２Ａの駆動（レジストＲＴの吐出量）を制御する。これを繰り返すことによって、ウェハＷＦ上の転写領域の全面にレジストＲＴが塗布される。
【００４１】
主制御部３８は、モールド制御部３２、ウェハ制御部３４及びレジスト制御部３６を介して、モールド１８及びウェハＷＦの姿勢やウェハＷＦに塗布されるレジストＲＴの塗布量（塗布量分布）を制御する。
【００４２】
主制御部３８は、ウェハチャック１０の３次元的な表面形状（平面度）、ウェハＷＦの厚さ分布（厚さのばらつき）、モールドチャック１９の３次元的な表面形状（平面度）、モールド１８の厚さ分布（厚さのばらつき）等の情報を取得する。主制御部３８は、かかる情報に基づいて、モールド１８やウェハＷＦの最適な姿勢を算出し、モールド制御部３２及びウェハ制御部３４を介して、モールド１８及びウェハＷＦを最適な姿勢に制御する。
【００４３】
主制御部３８は、本実施形態では、ウェハＷＦの表面形状及び／又は厚さ分布、モールド１８の表面形状及び／又は厚さ分布、モールド１８のパターンＰＴの密度に基づいて、ウェハＷＦの各々の位置（領域）におけるレジストＲＴの塗布量を算出する。換言すれば、主制御部３８は、ウェハＷＦに形成される塗布量分布を算出し、かかる算出結果に基づいて、レジスト制御部３６を制御する。
【００４４】
以下、加工装置１の動作、特に、主制御部３８の制御方法（加工方法）について説明する。図７は、加工装置１の動作を説明するためのフローチャートである。加工装置１の動作は、押印工程、硬化工程、離型工程を含む。但し、硬化工程及び離型工程は、図２１を参照して説明した硬化工程及び離型工程と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略し、押印工程について説明する。
【００４５】
図７を参照するに、まず、予め計測されたウェハチャック１０の３次元的な表面形状（平面度）を取得する（ステップ１０２）。同様に、ウェハＷＦをウェハチャック１０に載置する前に計測されたウェハＷＦの厚さ分布を取得する（ステップ１０４）。この際、ウェハＷＦの厚さ分布は、ウェハＷＦのショット毎の情報として取得する。そして、取得したウェハチャック１０の３次元的な表面形状及びウェハＷＦの厚さ分布に基づいて、ウェハＷＦをウェハチャック１０に載置させた時のウェハＷＦの３次元的な表面形状（平面度）を算出する（ステップ１０６）。
【００４６】
次に、予め計測されたモールドチャック１９の３次元的な表面形状（平面度）を取得する（ステップ１０８）。同様に、モールド１８をモールドチャック１９に載置する前に計測されたモールド１８の厚さ分布を取得する（ステップ１１０）。そして、取得したモールドチャック１９の３次元的な表面形状及びモールド１８の厚さ分布に基づいて、モールド１８をモールドチャック１９に載置させた時のモールド１８の３次元的な表面形状（平面度）を算出する（ステップ１１２）。
【００４７】
なお、モールド１８の平面度が良好である場合には、ステップ１０８乃至１１２を省略してもよい。同様に、ウェハチャック１０及びモールドチャック１９の平面度が良好である場合には、ステップ１０２及び１０８を省略してもよい。また、本実施形態では、説明の都合上、ウェハＷＦの３次元的な平面度を算出した後で、モールド１８の３次元的な平面度を算出しているが、モールド１８の３次元的な平面度を算出した後で、ウェハＷＦの３次元的な平面度を算出してもよい。勿論、モールド１８の３次元的な平面度及びウェハＷＦの３次元的な平面度を同時に算出してもよい。
【００４８】
次に、ステップ１０６及び１１２で算出したウェハＷＦ及びモールド１８の３次元的な表面形状に基づいて、モールド１８にウェハＷＦに押印した時のモールド１８とウェハＷＦとの間の距離の分布（ギャップ間距離分布）を算出する（ステップ１１４）。
【００４９】
一方、モールド１８のパターン情報（パターンＰＴの形状）に基づいて、パターンＰＴの空間的な密度を算出し、更に、かかる空間的密度とパターンＰＴの深さに基づいて、単位面積あたりの平均的な深さ分布を算出する（ステップ１１６）。
【００５０】
次に、ステップ１１４で算出されたギャップ間距離分布及びステップ１１６で算出された深さ分布に基づいて、ウェハＷＦに塗布するレジストＲＴの塗布量分布を算出する（ステップ１１８）。具体的には、ウェハＷＦの表面形状及び厚さ分布やモールド１８の表面形状及び厚さ分布に応じて、モールド１８とウェハＷＦの間の距離（即ち、モールド１８とウェハＷＦに塗布したレジストＲＴとの距離）が均一となるような塗布量分布を算出する。従って、ウェハＷＦに塗布されるレジストＲＴの厚さは、ウェハＷＦの位置によって異なることになる。更に、算出した塗布量分布を形成するために、塗布装置２６（例えば、各々のノズルヘッド２６２）から吐出（塗布）するレジストＲＴの吐出量を算出する。
【００５１】
次に、算出した吐出量に応じてレジストＲＴをウェハＷＦに塗布する（素ステップ１２０）。これにより、ウェハＷＦには、ステップ１１８で算出した塗布量分布を有するレジストＲＴが塗布され、モールド１８をウェハＷＦに押し付けた時のモールド１８とレジストＲＴとの距離が均一になる。そして、レジストＲＴが塗布されたウェハＷＦにモールド１８を押印する（ステップ１２２）。
【００５２】
ここで、ステップ１１４乃至１１８について更に詳細に説明する。
【００５３】
例えば、ステップ１１４で算出されるギャップ間距離分布を図８（ａ）に示す。図８（ａ）において、曲線は等高線を示している。但し、実際には、位置についての高次多項式などの関数としての情報であってもよい。また、図８（ａ）に示すような詳細なギャップ間距離分布ではなく、図８（ｂ）に示すような簡易化したギャップ間距離分布であってもよい。図８（ｂ）に示すギャップ間距離分布は、領域を４分割（領域ｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４）し、それぞれの領域ｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４のギャップ間距離は、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍである。以下、説明を感嘆するために、図８（ｂ）に示すギャップ間距離分布を例として説明する。
【００５４】
次に、図９に示すようなモールド１８を考える。モールド１８のパターンＰＴは、図９（ａ）に示すように、領域ｅ１のみに形成され、パターンＰＴの深さは、図９（ｂ）に示すように、２００ｎｍである。また、パターンＰＴの密度（凹部と凸部との面積比）は、１：１である。この場合、領域ｅ１の平均モールド深さは、１００ｎｍ（１００×０．５）となる。また、他の領域ｅ２、ｅ３及びｅ４の平均モールド深さは０ｎｍとなる。従って、ステップ１１６で算出される単位面積当たりの平均的な深さ密度は、図９（ｃ）に示すような分布となる。
【００５５】
図９（ｃ）を参照するに、領域ｅ１では、実質的な平均的なギャップ間距離が１００ｎｍ大きくなったのと同じであるから、モールド１８のパターンＰＴの平均深さを考慮したギャップ間距離は、図１０（ａ）に示すように算出される。換言すれば、ステップ１１４及び１１６を考慮したギャップ間距離は、領域ｅ１、ｅ２、ｅ３及びｅ４において、それぞれ、２５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍである。かかる情報に基づいて、例えば、図１０（ｂ）に示すように、１ｍｍ２あたりの目標塗布量（即ち、押印工程においてモールド１８とレジストＲＴとの距離が均一になるような塗布量）に換算する。具体的には、レジストＲＴを塗布するｘｙ方向の単位間隔にあわせて１ショット内を分割し、それぞれの領域における塗布量に換算する。
【００５６】
本実施形態では、領域を４分割した例について説明したが、勿論、図８（ａ）に示すギャップ間距離分布を高次多項式で表現し、以後の工程も同様に処理してもよい。また、図８（ａ）に示すギャップ間距離分布を図１０（ｃ）に示すようなメッシュ状に分割し、位置及びパラメータ（ギャップ間距離、塗布量分布など）のデジタルデータ配列として処理してもかまわない。なお、メッシュ状に分割する際に、塗布装置２６のノズルの間隔や、ノズルのステップ幅にあわせた寸法にするのもよい。
【００５７】
このように、加工装置１は、モールド１８及びウェハＷＦの表面形状や厚さ分布に応じて、押印工程におけるモールド１８とレジストＲＴとの距離が均一となるようにレジストＲＴを塗布することができる。これにより、加工装置１は、押印工程に要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。また、押印時にレジストＲＴが回りこまないことが防止され、転写するパターンＰＴの欠陥を低減し、歩留まりを向上させることができる。
【００５８】
図１１は、加工装置１の変形例である加工装置１Ａの構成を示す概略断面図である。加工装置１Ａは、モールド１８のパターンＰＴを転写する位置に配置された転写ステージ４０と、ウェハＷＦの３次元的な表面形状（平面度）を計測する計測ステーション５０を有する。計測ステーション５０は、本実施形態では、計測装置５２と、計測ステージ５４とを有する。
【００５９】
ウェハＷＦは、計測ステージ５４と転写ステージ４０の２つのステージの間を、チャック１０Ａに載置（吸着）された状態で搬送される。転写ステージ４０では、レジストＲＴを塗布したウェハＷＦにモールド１８が押印される。
【００６０】
チャック１０Ａには、ウェハＷＦの位置を計測するためのチャックマークＣＭが配置されている。計測ステージ５４において、チャックマークＣＭとウェハＷＦとの３次元的な位置関係がアライメント検出系４２ａによって計測される。また、計測されたウェハＷＦは、チャック１０Ａに吸着されたまま転写ステージ４０に移動する。
【００６１】
転写ステージ４０では、チャックマークＣＭの３次元的な位置がアライメント検出系４２ｂによって計測される。かかる計測結果及びウェハＷＦとチャックマークＣＭとの位置関係に基づいて、転写ステージ４０におけるウェハＷＦの３次元的な位置（ｘｙｚ方向の位置）が検出される。
【００６２】
計測ステージ５４には、ウェハＷＦの表面形状を計測する計測装置５２として、図１２に示すように、複数のカンチレバー６０が配置されている。図１２は、計測装置５２としてのカンチレバー６０の配置例を示す概略平面図である。本実施形態では、１辺が３５ｍｍの正方形領域内において、カンチレバー６０を１ｍｍ間隔で縦横に各３６個（合計１２９６個）配置している。このように、カンチレバー６０を複数配列したものをマルチカンチレバーと呼ぶ。
【００６３】
カンチレバー６０は、市販の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等において使用されており、計測対象とカンチレバー６０との間に作用する原子間力（ファンデルワールス力）を利用して計測対象のＺ方向（紙面垂直方向）位置を計測する。
【００６４】
図１３は、カンチレバー６０によるウェハＷＦの表面形状計測の原理を説明するための図である。任意の位置を基準としたＺ方向におけるカンチレバー６０の位置（例えば、カンチレバー６０の背面６０ｂの位置）を位置Ｃ、計測対象としてのウェハＷＦの計測点の表面位置を位置ｄとすると、両者の関係は図１４に示すようになる。図１４は、位置Ｃに保持したカンチレバー６０にウェハＷＦを徐々に近接させた場合のカンチレバー６０の位置ＣとウェハＷＦの表面位置ｄとの関係を示したグラフ（フォースカーブ）である。なお、図１３に示すＺ方向（図中上方向）が正方向である。
【００６５】
カンチレバー６０がウェハＷＦから充分離れている場合、ウェハＷＦをカンチレバー６０に近づけてもカンチレバー６０の位置Ｃは変化しない。但し、ある程度まで近接してウェハＷＦの表面位置が位置ｄ１になると（即ち、カンチレバー６０のプローブ６０ａとウェハＷＦの表面との間の距離が所定距離になると）、双方に原子間力が作用し始めて互いに引き合う。そして、ウェハＷＦがカンチレバー６０に更に近づくと、カンチレバー６０が引力でウェハＷＦの表面に引きつけられ、カンチレバー６０の位置Ｃが徐々に小さくなる（引力領域）。更に、ウェハＷＦがカンチレバー６０に近づき、ウェハＷＦの表面位置が位置ｄ２になると、原子間力によって双方が逆に反発し合う。ウェハＷＦがカンチレバー２８に更に近づくと、カンチレバー６０が斥力でウェハＷＦの表面から遠ざかろうとし、カンチレバー６０の位置Ｃが急激に大きくなる（斥力領域）。
【００６６】
本実施形態では、斥力領域における反発特性を利用するために、カンチレバー６０とウェハＷＦとの距離がＣ−ｄ２以下となるように配置する。勿論、引力領域における引力特性を利用することも可能であるが、引力領域では１つのカンチレバー６０の位置Ｃに対するウェハＷＦの位置が複数となる場合がある。従って、カンチレバー６０の位置Ｃから一義的にウェハＷＦの位置が決定されない場合があるので注意が必要である。
【００６７】
カンチレバー６０とウェハＷＦの距離を設定する際には、ウェハＷＦの表面形状の高さバラツキを考慮する必要がある。ウェハＷＦの表面形状の高さバラツキよりもカンチレバー６０とウェハＷＦとの距離を小さくしてしまうと、カンチレバー６０のプローブ６０ａがウェハＷＦの表面に接触してしまう場合があるからである。
【００６８】
例えば、１０００個以上のカンチレバー６０を配列してマルチカンチレバーを構成する際には、ナノメートルオーダーでの高さバラツキが発生してしまう。従って、ウェハＷＦの表面を計測する前に、予め平面度が判明しているサンプル工具（所謂、治具）を用いて複数のカンチレバー６０の各々の高さバラツキを校正するキャリブレーション作業が必要となる。
【００６９】
以下、カンチレバー６０の高さバラツキを３ｎｍ以下の精度に校正する場合のキャリブレーションの手順について説明する。予め平面度が判明している治具としてのサンプルウェハの表面計測範囲が、カンチレバー６０（マルチカンレバー）のプローブ６０ａの先端の下方５００ｎｍに位置するように設定する。そして、サンプルウェハを＋Ｚ方向（即ち、マルチカンチレバーに近接する方向）に移動させつつ、５ｎｍ移動させるごとにマルチカンチレバーの各カンチレバー６０のＺ方向位置を光学的に計測する。
【００７０】
移動距離が６００ｎｍとなるまでこれを繰り返し、合計１２０箇所における計測データを取得する。各計測データに基づいて、各カンチレバー６０のフォースカーブを作成し、各カンチレバー６０の引力領域から斥力領域に遷移する遷移点の位置（即ち、図１４における位置ｄ２）を把握する。各カンチレバー６０の遷移点の位置ｄ２の情報及びサンプルウェハの平面度の情報に基づいて、各カンチレバー６０の高さバラツキを算出する。算出された各カンチレバー２８の高さバラツキを、実際のウェハＷＦの表面形状計測に適用することによって、ナノメートルオーダーでのカンチレバー６０の高さバラツキの影響を最小限に低減することができる。また、サンプルウェハをＸＹ面内で９０°ずつ回転させて合計４回のキャリブレーションを行い、その平均値を使用することによって、サンプルウェハの平面度による影響を更に低減することができる。
【００７１】
図１５は、複数のカンチレバー６０を有するマルチカンチレバーがウェハＷＦの表面を計測している様子を側面から見た図である。図１５に示すカンチレバー６０の計測方式は、光テコ方式と呼ばれる。カンチレバー６０は、上述したように、計測プローブ６０ａとウェハＷＦの表面との間に作用する原子間力によってウェハＷＦの表面の高さ位置に応じて上下移動する。カンチレバー６０の背面６０ｂに斜入射光ＧＩＬを入射させ、背面６０ｂからの反射光をＣＣＤ等の光検出器５６によって検出することにより、カンチレバー６０の高さ、即ち、ウェハＷＦの表面形状を計測することができる。
【００７２】
図１６は、複数のカンチレバー６０による高さ計測を１つの光学系によって行う光テコ方式のフォーカス検出系５８の構成を示す概略側面図である。レーザー光源５８ａから発せられた測定光ＭＬは、マルチスポット発生部５８ｂによって分割され、投光光学系５８ｃを介して複数のカンチレバー６０の各々の背面６０ｂに斜入射光ＧＩＬとして入射する。複数の背面６０ｂからの反射光は、受光光学系５８ｄを介して光検出器５８ｅの受光面に導かれる。市販のＡＦＭは、光検出器として四分割センサを用いるが、本実施形態は、光検出器５８ｅとして２次元撮像素子（例えば、エリア型ＣＣＤ等）を用いる。カンチレバー６０の背面６０ｂの高さ（Ｚ方向）位置に応じて光検出器５８ｅでの受光位置が変化するため、光検出器５８ｅで受光した光を光電変換することによってカンチレバー６０のＺ方向位置を計測することができる。
【００７３】
計測ステージ５４におけるウェハＷＦの表面計測は、転写ステージ４０におけるウェハＷＦへのパターンＰＴの転写前に行われる。詳細には、まず、ウェハＷＦ上で最初にパターンＰＴが転写されるショット領域の表面形状を複数のカンチレバー６０によって計測する。
【００７４】
次に、ウェハＷＦを移動させ、その他の各ショット領域の表面形状を複数のカンチレバー６０によって計測する。全てのショット領域の表面形状を計測したら、ウェハＷＦのＸＹ方向位置を得るために、アライメント検出系（オフアクシススコープ）４２ａによってアライメントを行う。かかるアライメントにおいて、多くの場合は、グローバルアライメントによるアライメントが行われ、チャック１０Ａに設けられたチャックマークＣＭのＸＹＺ位置をアライメント検出系４２ａを用いて計測する。
【００７５】
計測ステージ５４において表面形状が計測されたウェハＷＦは、チャック１０Ａに載置されたまま転写ステージ４０に移動し、レジストＲＴが塗布され、パターンＰＴが転写される。なお、ウェハＷＦへのパターンＰＴの転写を開始すると共に、計測ステージ５４には、表面形状を計測する（即ち、新たな）ウェハＷＦが搬入される。このように、ウェハＷＦへのパターンＰＴの転写と次にパターンＰＴを転写するウェハの表面形状の計測とを同時に実施することによって、加工装置１Ａのスループットの低下を防止することができる。また、ウェハＷＦに塗布されるレジストＲＴは、計測装置５２が計測するウェハＷＦの表面形状（後述するように、モールド１８の表面形状を含んでもよい）を用いて、モールド１８とレジストＲＴとの距離が均一になるような塗布量分布となっている。
【００７６】
以下、加工装置１Ａの動作、即ち、ウェハＷＦの表面形状の計測及びウェハＷＦへのパターンＰＴの転写について説明する。
【００７７】
まず、計測ステージ５４及び転写ステージ４０の３次元的な表面形状（平面度）を計測する。かかる計測結果に基づいて、チャック１０Ａを計測ステージ５４又は転写ステージ４０に載置させた時のチャック１０Ａの表面形状（平面度）のオフセット（差）を算出する。かかる算出結果は、例えば、図示しないメモリーに格納される。但し、加工装置１で示した主制御部３８に格納してもよい。
【００７８】
次に、計測ステージ５４にウェハＷＦを搬入し、ウェハＷＦの表面形状を計測装置５２によって計測し、ウェハＷＦの表面形状をショット毎に図示しないメモリーに格納する。そして、表面形状を計測したウェハＷＦをチャック１０Ａに載置させたまま、転写ステージ４０に移動させる。
【００７９】
次に、チャック１０Ａの表面形状（平面度）のオフセット（差）及び計測装置５２によって計測されたウェハＷＦの表面形状に基づいて、転写ステージ４０に載置されたウェハＷＦの表面形状を算出する。かかる算出結果は、図示しないメモリーに格納される。
【００８０】
次に、転写ステージ４０に載置されたウェハＷＦの表面形状及びモールドチャック１９に保持されたモールド１８の表面形状に基づいて、モールド１８をウェハＷＦに押し付ける時のギャップ間距離分布を算出する。なお、モールドチャック１９に保持されたモールド１８の表面形状は、予め計測されたモールド１８の厚さ分布及びモールドチャック１９の表面形状に基づいて、算出しておくことが好ましい。
【００８１】
次に、モールド１８のパターン情報（パターンＰＴの形状）に基づいて、パターンＰＴの空間的な密度を算出し、更に、かかる空間的密度とパターンＰＴの深さに基づいて、単位面積あたりの平均的な深さ分布を算出する。
【００８２】
次に、算出されたギャップ間距離分布及び深さ分布に基づいて、ウェハＷＦに塗布するレジストＲＴの塗布量分布（モールド１８とウェハＷＦに塗布したレジストＲＴとの距離が均一となるような塗布量分布）を算出する。更に、算出した塗布量分布を形成するために、塗布装置２６（例えば、各々のノズルヘッド２６２）から吐出（塗布）するレジストＲＴの吐出量を算出する。
【００８３】
次に、算出した吐出量に応じてレジストＲＴをウェハＷＦに塗布する。これにより、ウェハＷＦには、算出した塗布量分布を有するレジストＲＴが塗布され、モールド１８をウェハＷＦに押し付けた時のモールド１８とレジストＲＴとの距離が均一になる。そして、レジストＲＴが塗布されたウェハＷＦにモールド１８を押印し、紫外線を照射してレジストＲＴを硬化させた後、モールド１８を離型する。なお、モールド１８の押印、レジストＲＴの硬化及びモールド１８の離型は、ウェハＷＦ上の全てのショットにパターンＰＴが転写されるまで繰り返し、全てのショットにパターンＰＴが転写されたウェハＷＦを搬出する。
【００８４】
一方、表面形状を計測したウェハＷＦを転写ステージ４０に移動させた後、計測ステージ５４では、次にパターンＰＴを転写させるウェハＷＦが搬送され、表面形状が計測される。なお、次にパターンＰＴを転写されるウェハＷＦの表面形状の計測は、上述した表面形状を計測したウェハＷＦにパターンＰＴを転写する間に実施するようにする。換言すれば、ウェハＷＦの表面形状の計測は、図１７に示すように、ウェハＷＦへのパターンＰＴの転写と時間的に少なくとも一部が重なるようにする。図１７は、加工装置１Ａの動作において、ウェハ毎のステージ位置（即ち、計測ステージ５４及び転写ステージ４０）と時間との関係を示す図である。図１７を参照するに、加工装置１Ａは、ウェハＷＦの表面形状を計測するにもかかわらず、ウェハＷＦの表面形状の計測とウェハＷＦへのパターンＰＴの転写を同時に実施しているため、スループットの低下を防止できることがわかる。勿論、加工装置１Ａは、加工装置１と同様に、モールド１８及びウェハＷＦの表面形状や厚さ分布に応じて、押印工程におけるモールド１８とレジストＲＴとの距離が均一となるようにレジストＲＴを塗布することができる。これにより、加工装置１Ａは、押印工程に要する時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。また、押印時にレジストＲＴが回りこまないことが防止され、転写するパターンＰＴの欠陥を低減し、歩留まりを向上させることができる。
【００８５】
また、加工装置１Ａは、本実施形態では、ウェハＷＦを載置したチャック１０Ａが計測ステージ５４と転写ステージ４０との間を移動可能に構成されている。しかしながら、図１８に示すように、計測ステージ５４又は転写ステージ４０がウェハＷＦを載置したチャック１０Ａと共に計測位置と転写位置とを相互に往復するように構成してもよい。ここで、図１８は、加工装置１Ａの計測ステージ５４及び転写ステージ４０の構成の一例を示す概略平面図である。
【００８６】
本実施形態の加工装置１Ａでは、塗布装置２６は、ウェハＷＦにパターンＰＴを転写する押印機構側に配置されているが、ウェハＷＦの表面形状を計測する計測側に配置してもよい。この場合、ウェハＷＦの全ショットの表面形状を計測した後に、ウェハＷＦにレジストＲＴを塗布し、転写ステージ４０に搬送する。
【００８７】
また、モールド１８の表面形状（モールドチャック１９に装着された状態）は、例えば、マルチカンレバーを用いて計測することができる。具体的には、予め参照用のウェハを計測ステージ５４に搬入し、表面形状を計測する。そして、かかるウェハを転写ステージ４０に移動し、実際にパターンＰＴを転写する時と同じ条件で押印工程（塗布、押印、硬化）を実施する。この際、転写は１ショットだけでよい。かかるウェハを計測ステージ５４に再び搬送し、転写後の表面形状をマルチカンチレバーによって計測する。そして、計測ステージ５４上でのチャック１０Ａの表面形状、転写ステージ４０上でのチャック１０Ａの表面形状、参照用のウェハの表面形状、参照用のウェハの転写後の表面形状に基づいて、モールド１８の表面形状を算出すればよい。なお、モールド１８の表面形状の計測は、モールド１８を交換した際に一度だけ行えばよい。
【００８８】
次に、図１９及び図２０を参照して、加工装置１又は１Ａを利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（モールド製作）では、設計した回路パターンを形成したモールドを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、モールドとウェハを用いて、ウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８９】
図２０は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハにレジスト（樹脂）を塗布する。ステップ１６（転写）では、加工装置１又は１Ａによってモールドをレジストに押し付けて回路パターンを転写する。ステップ１７（エッチング）では、転写した回路パターン以外の部分を削り取る。ステップ１８（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも生産性よくデバイスを製造することができる。このように、加工装置１又は１Ａを使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００９０】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一側面としての加工装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す加工装置のモールドチャックの近傍を示す拡大断面図である。
【図３】図１に示す加工装置の塗布装置の具体的な構成の一例を示す概略ブロック図である。
【図４】図１に示す加工装置で用いるノズルヘッドアレイの構成の一例を示す概略平面図である。
【図５】図１に示す加工装置で用いるノズルヘッドアレイの別の構成を示す概略平面図である。
【図６】図１に示す加工装置で用いるノズルヘッドアレイの別の構成を示す概略平面図である。
【図７】図１に示す加工装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図８】図７に示すステップ１１４で算出されるギャップ間距離分布の一例を示す図である。
【図９】図１に示す加工装置のモールドの構成の一例を示す図である。
【図１０】図９に示すモールドのパターンの平均深さを考慮したギャップ間距離及びレジストの塗布量分布を示す図である。
【図１１】本発明の一側面としての加工装置の構成を示す概略断面図である。
【図１２】図１に示す加工装置の計測装置としてのカンチレバーの配置例を示す概略平面図である。
【図１３】カンチレバーによるウェハの表面形状計測の原理を説明するための図である。
【図１４】カンチレバーによるウェハの表面形状計測の原理を説明するための図である。
【図１５】図１に示す加工装置の計測装置の具体的な構成の一例を示す概略側面図である。
【図１６】図１に示す加工装置の計測装置の具体的な構成の一例を示す概略側面図である。
【図１７】図１１に示す加工装置の動作において、ウェハ毎のステージ位置（計測ステージ及び転写ステージ）と時間との関係を示す図である。
【図１８】図１１に示す加工装置の計測ステージ及び転写ステージの構成の一例を示す概略平面図である。
【図１９】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図２０】図１９に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図２１】光硬化法によるナノインプリントを説明するための図である。
【符号の説明】
【００９２】
１                        加工装置
１０                      ウェハチャック
１１                      微動ステージ
１２                      ＸＹステージ
１３                      ベース定盤
１４                      参照ミラー
１５ａ及び１５ｂ          レーザー干渉計
１６                      支柱
１７                      天板
１８                      モールド
１９                      モールドチャック
２０                      モールドチャックステージ
２１                      紫外光源
２２                      コリメータレンズ
２３                      ガイドバープレート
２４                      ガイドバー
２５                      アクチュエータ
２６                      塗布装置
２６ａ                    光硬化樹脂タンク
２６ｂ                    ノズル２６ｂ
２６ｃ                    ヒーター
２６ｄ                    ピエゾ素子
２６ｅ                    シリンジ
２６ｆ                    バルブ
２６ｇ                    ポンプ
２６０乃至２６０Ｃ        ノズルヘッドアレイ
２６２及び２６２Ａ        ノズルヘッド
２６２Ｂ及び２６２Ｃ      ノズルヘッド（大開口）
２６４Ｂ及び２６４Ｃ      ノズルヘッド（小開口）
２７                      アライメントスコープ
３２                      モールド制御部
３４                      ウェハ制御部
３６                      レジスト制御部
３８                      主制御部
１Ａ                      加工装置
１０Ａ                    チャック
４０                      転写ステージ
４２ａ及び４２ｂ          アライメント検出系
５０                      計測ステーション
５２                      計測装置
５４                      計測ステージ
５６                      光検出器
６０                      カンチレバー
５８ａ                    レーザー光源
５８ｂ                    マルチスポット発生部
５８ｃ                    投光光学系
５８ｄ                    受光光学系
５８ｅ                    光検出器
８０                      洗浄装置
ＰＴ                      パターン
ＷＦ                      ウェハ
ＲＴ                      レジスト
【図３】
2007296783.tif 000003
【図６】
2007296783.tif 000004
【図９】
2007296783.tif 000005
【図１４】
2007296783.tif 000006
【図２０】
2007296783.tif 000007
【図１】
2007296783.tif 000008
【図２】
2007296783.tif 000009
【図４】
2007296783.tif 000010
【図５】
2007296783.tif 000011
【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２１】
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