(57)【要約】【課題】  透過型表示と反射型表示とで略同一の表示特性（階調特性）を得ることが可能な非マルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置等を提供する。【解決手段】  液晶装置は、ノーマリーブラックの表示モードを有するとともに、１つのサブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有し、その両者の領域においてセルギャップが同一に設定された構造を有する半透過反射型の液晶装置である。この液晶装置は、透過領域及び反射領域に各々独立した画素電極及びこれらに接続されたＴＦＤ素子を夫々有する。特に、この液晶装置では、透過領域及び反射領域におけるＴＦＤ素子の相対的な大きさ（面積）が異なるように設定されているため、反射領域に対応する表示特性（階調特性）と、透過領域に対応する表示特性（階調特性）とを略同一にすることができ、高品位な表示を得ることができる。【選択図】    図８
2007065602.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有し、ノーマリーブラックに設定されてなる液晶装置であって、
一対の基板を備え、
前記一対の基板のうち一方の基板は配線を有し、
前記一方の基板において前記透過領域及び前記反射領域には、各々独立した画素電極が配置されてなるとともに、前記画素電極及び前記配線にはそれぞれスイッチング素子が接続されてなり、
前記反射領域の前記スイッチング素子は、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線と前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線を揃えるように、前記透過領域の前記スイッチング素子と大きさが異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
１サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有し、ノーマリーブラックに設定されてなる液晶装置であって、
一対の基板を備え、
前記一対の基板のうち一方の基板は第１の配線を有し、
前記一方の基板において前記透過領域及び前記反射領域には、各々独立した画素電極が配置されてなるとともに、前記画素電極及び前記第１の配線にはそれぞれスイッチング素子が接続されてなり、
前記一方の基板は、前記第１の配線と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の配線をさらに有し、
前記透過領域及び前記反射領域において、前記スイッチング素子と前記第２の配線との間には保持容量が形成され、
前記第２の配線と前記画素電極の間隔及び前記保持容量の大きさは、前記透過領域と前記反射領域とで異なる値に設定されており、
前記反射領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線と前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線を揃えるように、前記透過領域の前記スイッチング素子と大きさが異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記一対の基板の間には負の誘電率異方性を有する液晶層が保持されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さと略同一に設定されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記反射領域に配置されてなる前記画素電極に接続されてなる前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域に配置されてなる前記画素電極に接続されてなる前記スイッチング素子の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記透過領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記１サブ画素領域の数量及び前記１サブ画素領域の大きさ又は前記透過領域の大きさに基づき設定されており、
前記反射領域の前記スイッチング素子の大きさは、
前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線の最大透過率１００％となる電圧をＶｔとし、前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線の最大反射率１００％となる電圧をＶｒとしたときに、下記の式、
Ｖｔ＝Ｖｒ又は｜Ｖｒ−Ｖｔ｜／Ｖｔ＜約０.１に基づき設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記透過領域の前記画素電極は、前記反射領域の前記画素電極と大きさが略同一に設定され、前記反射領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域の前記スイッチング素子の２倍の大きさに設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記反射領域に対応する前記一対の基板のうちいずれかには反射層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜上に形成された第２金属膜とを有して構成され、
当該スイッチング素子は、前記絶縁膜を介して前記第１金属膜と前記第２金属膜とが平面的に重なる領域に位置していることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１の配線及び前記第２の配線は、各々前記透過領域と前記反射領域とに渡って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記第２の配線は、前記第１の配線の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部を有すると共に、前記画素電極は、前記導電部の各々の間において前記導電部と略平行に配置された直線状の複数の透明導電部を有し、
前記第２の配線と前記画素電極の間隔は、前記導電部と当該導電部に隣接する前記透明導電部との電極間隔に対応していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、相互に対向する２枚の基板のうち、一方の基板に走査線等が形成される一方、他方の基板にデータ線、ＴＦＤ(Thin Film Diode)素子などのスイッチング素子及び画素電極等が形成され、その両基板の間に液晶が封入されて構成される半透過反射型の液晶装置が知られている。そのような液晶装置では、いずれか一方の基板の外面側に照明装置（バックライト）が配置されている。このため、かかる液晶装置では、バックライトから出射された照明光を利用して透過型表示が行われると共に、外光を利用して反射型表示が行われる。
【０００３】
ここで、かかる液晶装置において、液晶層の厚さ（セルギャップ）を「ｄ」、液晶の屈折率異方性を「Δｎ」、これらの積算値、即ち液晶のリタデーションを「Δｎｄ」とした場合、反射型表示が行われる反射領域に対応する、液晶のリタデーションは、入射光が液晶層を２回通過してから観察者に至るので「２×Δｎｄ」となる一方、透過型表示が行われる透過領域に対応する、液晶のリタデーションは、バックライトからの照明光が液晶層を１回だけ通過するので「１×Δｎｄ」となる。
【０００４】
このため、かかる液晶装置では、スイッチング素子等を通じて画素電極に同一の駆動電圧を印加した場合、反射型表示が行われる場合と透過型表示が行なわれる場合とで、コントラストや明るさ等の表示特性（階調特性）が異なってしまい、表示品位が低下してしまうという問題が生じ得る。
【０００５】
そこで、上記の不具合を解消する液晶装置として、例えば、反射表示部に相当する液晶層の厚さを、透過表示部に相当する液晶層の厚さより小さく設定することにより高コントラストな表示を得ることのできる半透過反射型の液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００６】
なお、反射率の低下を最小限に抑制することが可能な垂直配向モードの反射型液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献２を参照）。かかる特許文献２の液晶装置では、コンタクトホールを反射電極の中心に配置し、さらに、そのコンタクトホールと重なる位置に液晶分子の配向を制御する配向制御構造物を配置するようにしている。これにより、反射率の低下を最小限に抑制するようにしている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２２１９９５号公報
【特許文献２】特開２００３−１７７３８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記した特許文献１などの、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶装置では、画素領域における反射領域内等に所定厚さの絶縁層を設けるなどしてマルチギャップの形成のための製造工程を設ける必要がある。このため、マルチギャップを有しない構造、換言すれば、非マルチギャップ構造（シングルギャップ構造）を有する液晶装置を製造する場合と比較して、その分だけ製造工程が増え、製品コストが増加してしまうという問題がある。
【０００９】
また、このような液晶装置では、そのマルチギャップ構造によって、画素領域内にセルギャップの薄い領域とセルギャップの厚い領域との境に絶縁層が傾斜した領域（以下「テーパー領域」と呼ぶ）が形成されているため、そのテーパー領域において液晶の配向不良による光漏れが生じてコントラストが低下し、表示品位が低下してしまうという問題もある。
【００１０】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、透過型表示と反射型表示とで略同一の表示特性（階調特性）を得ることが可能な非マルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の１つの観点では、１サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有し、ノーマリーブラックに設定されてなる液晶装置は一対の基板を備え、前記一対の基板のうち一方の基板は配線を有し、前記一方の基板において前記透過領域及び前記反射領域には、各々独立した画素電極が配置されてなるとともに、前記画素電極及び前記配線にはそれぞれスイッチング素子が接続されてなり、前記反射領域の前記スイッチング素子は、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線と前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線を揃えるように、前記透過領域の前記スイッチング素子と大きさが異なっている。
【００１２】
上記の液晶装置は、一対の基板を備え、１サブ画素領域内に透過型表示が行われる透過領域及び反射型表示が行われる反射領域を有し、ノーマリーブラックに設定されてなる。つまり、この液晶装置は、ノーマリーブラックの表示モードを有する、半透過反射型の液晶装置である。
【００１３】
好適な例では、前記一対の基板の間には負の誘電率異方性を有する液晶層が保持されていると共に、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さと略同一に設定されており、非マルチギャップ（シングルギャップ）構造を有するのが好ましい。
【００１４】
この液晶装置において、一対の基板のうち一方の基板は配線を有している。ここで、配線は、データ信号が供給されるデータ線又は走査信号が供給される走査線とすることができる。また、一方の基板において、透過領域及び反射領域には、各々独立した画素電極が配置されてなるとともに、その画素電極及び配線には、それぞれＴＦＤ素子などのスイッチング素子が接続されている。これにより、この液晶装置では、透過領域及び反射領域の各々に対応する各スイッチング素子を通じて、対応する画素電極を各々独立に制御することができる。即ち、この液晶装置は、液晶の駆動時、透過領域に対応する液晶の配向制御と、反射領域に対応する液晶の配向制御を各々独立に実行することができる。
【００１５】
特に、この液晶装置では、反射領域のスイッチング素子は、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線と前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線を揃えるように、透過領域のスイッチング素子と大きさ（面積）が異なっている。好適な例では、前記反射領域に配置されてなる前記画素電極に接続されてなる前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域に配置されてなる前記画素電極に接続されてなる前記スイッチング素子の大きさよりも大きいのが好ましい。これにより、反射領域に対応する表示特性（階調特性）と、透過領域に対応する表示特性（階調特性）とを最適な関係に設定することができる。
【００１６】
本発明の他の観点では、液晶装置は、１サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有し、ノーマリーブラックに設定されてなる液晶装置は、一対の基板を備え、前記一対の基板のうち一方の基板は第１の配線を有し、前記一方の基板において前記透過領域及び前記反射領域には、各々独立した画素電極が配置されてなるとともに、前記画素電極及び前記第１の配線にはそれぞれスイッチング素子が接続されてなり、前記一方の基板は、前記第１の配線と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の配線をさらに有し、前記透過領域及び前記反射領域において、前記スイッチング素子と前記第２の配線との間には保持容量が形成され、前記第２の配線と前記画素電極の間隔及び前記保持容量の大きさは、前記透過領域と前記反射領域とで異なる値に設定されており、前記反射領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線と前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線を揃えるように、前記透過領域の前記スイッチング素子と大きさが異なっている。
【００１７】
上記の液晶装置は、一対の基板を備え、１サブ画素領域内に透過型表示が行われる透過領域及び反射型表示が行われる反射領域を有し、ノーマリーブラックに設定されてなる。つまり、この液晶装置は、ノーマリーブラックの表示モードを有する、半透過反射型の液晶装置である。
【００１８】
好適な例では、前記一対の基板の間には負の誘電率異方性を有する液晶層が保持されていると共に、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さは、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さと略同一に設定されており、非マルチギャップ（シングルギャップ）構造を有するのが好ましい。
【００１９】
この液晶装置において、一対の基板のうち一方の基板は第１の配線を有している。また、一方の基板において、透過領域及び反射領域には、各々独立した画素電極が配置されてなるとともに、その画素電極及び配線には、それぞれＴＦＤ素子などのスイッチング素子が接続されている。また、一方の基板は、第１の配線と交差し、且つ画素電極に対向するように延び、その画素電極との間で電界を発生させる第２の配線と、をさらに有する。好適な例では、第２の配線は、データ信号が供給されるデータ線又は走査信号が供給される走査線とすることができる一方、それに対応して第１の配線は、走査線又はデータ線とすることができる。また、第２の配線は画素電極との間で、横方向の電界（横電界）を発生させる機能を有し、これにより液晶層内における液晶分子の配向が制御される。つまり、これにより、スイッチング素子を用いた横電界方式或いはＩＰＳ方式の液晶装置を構成することができる。
【００２０】
また、この液晶装置では、透過領域及び反射領域の各々に独立した画素電極を設けており、その各々の画素電極は、対応するスイッチング素子を介して第１の配線に接続されている。これにより、透過領域及び反射領域の画素電極を各々独立に制御することができる。即ち、液晶の駆動時、透過領域に対応する液晶の配向制御と、反射領域に対応する液晶の配向制御を各々独立に実行することができる。
【００２１】
さらに、この液晶装置では、透過領域及び反射領域において、スイッチング素子と第２の配線との間には保持容量が形成されており、第２の配線と画素電極の間隔及び保持容量の大きさは、透過領域と反射領域とで異なる値に設定されており、反射領域のスイッチング素子は、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線と前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線を揃えるように、透過領域のスイッチング素子と大きさ（面積）が異なっている。好適な例では、前記反射領域に配置されてなる前記画素電極に接続されてなる前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域に配置されてなる前記画素電極に接続されてなる前記スイッチング素子の大きさよりも大きいのが好ましい。
【００２２】
これにより、透過領域に対応する液晶の応答時間と反射領域に対応する液晶の応答時間を一致させることができる。また、透過領域に対応する液晶に印加される電圧と、反射領域に対応する液晶に印加される電圧を夫々異ならせることができ、透過領域に対応する液晶の再配向状態と、反射領域に対応する液晶の再配向状態を適切な関係に設定することができる。その結果、透過領域の光学的特性と反射領域の光学的特性とを所望の関係に設定することができる。即ち、反射領域に対応する表示特性（階調特性）と、透過領域に対応する表示特性（階調特性）とを最適な関係に設定することができる。
【００２３】
好適な例では、前記第１の配線及び前記第２の配線は、各々前記透過領域と前記反射領域とに渡って設けられている。これにより、第１の配線及び第２の配線を夫々透過領域と反射領域とで共通の配線として用いることができる。
【００２４】
また、好適な例では、前記第２の配線は、前記第１の配線の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部を有するのが好ましいと共に、前記画素電極は、前記導電部の各々の間において前記導電部と略平行に配置された直線状の複数の透明導電部を有するのが好ましく、また、前記第２の配線と前記画素電極の間隔は、前記導電部と当該導電部に隣接する前記透明導電部との電極間隔に対応しているのが好ましい。
【００２５】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記透過領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記１サブ画素領域の数量及び前記１サブ画素領域の大きさ又は前記透過領域の大きさに基づき設定されており、前記反射領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線の最大透過率１００％となる電圧をＶｔとし、前記反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線の最大反射率１００％となる電圧をＶｒとしたときに、下記の式、Ｖｔ＝Ｖｒ又は｜Ｖｒ−Ｖｔ｜／Ｖｔ＜約０.１に基づき設定されている。
【００２６】
この態様では、透過領域のスイッチング素子の大きさ（面積）は、この液晶装置に設けられる１サブ画素領域の数量、及び、１サブ画素領域の大きさ（面積）又は透過領域の大きさ（面積）に基づき設定されている。そして、反射領域のスイッチング素子の大きさ（面積）は、透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線（Ｖ−Ｔ特性曲線）の最大透過率１００％となる電圧をＶｔとし、また、反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線（Ｖ−Ｒ特性曲線）の最大反射率１００％となる電圧をＶｒとしたときに、下記の式、Ｖｔ＝Ｖｒ（ＶｔとＶｒとが等号となる式）、又は、｜Ｖｒ−Ｖｔ｜／Ｖｔ＜約０.１（ＶｒとＶｔの差の絶対値をＶｔで除算した値が約０.１未満を充足する式）に基づき設定されている。
【００２７】
これにより、かかるＶ−Ｒ特性曲線とＶ−Ｔ特性曲線とを略一致させる、或いは揃えることができる。その結果、反射領域に対応する表示特性（階調特性）と、透過領域に対応する表示特性（階調特性）とを略同一にすることができ、高品位な表示を得ることができる。
【００２８】
上記の液晶装置の他の態様では、前記透過領域の前記画素電極は、前記反射領域の前記画素電極と大きさが略同一に設定され、前記反射領域の前記スイッチング素子の大きさは、前記透過領域の前記スイッチング素子の２倍の大きさに設定されている。
【００２９】
この態様では、透過領域の画素電極は、反射領域の画素電極と大きさが略同一に設定されている。そして、反射領域のスイッチング素子の大きさは、透過領域のスイッチング素子の２倍の大きさに設定されている。
【００３０】
ここで、スイッチング素子の大きさ（面積）が大きくなると、それに伴ってスイッチング素子の容量は大きくなり、スイッチング素子の抵抗値は小さくなる。これにより、反射領域に対応する反射率−電圧の特性曲線（Ｖ−Ｒ特性曲線）はなだらかな曲線になると共に、当該Ｖ−Ｒ特性曲線は、透過領域に対応する透過率−電圧の特性曲線（Ｖ−Ｔ特性曲線）と略一致する或いは揃う。即ち、この態様では、反射領域に対応する液晶に印加される電圧が、透過領域に対応する液晶に印加される電圧の半分程度になる。このため、反射領域と透過領域とで液晶分子の傾倒角度を相対的に異ならせることができ、反射領域に対応する液晶のリタデーションと、透過領域に対応する液晶のリタデーションを略同一に設定することができる。その結果、反射領域に対応する表示特性（階調特性）と、透過領域に対応する表示特性（階調特性）とを略同一にすることができ、高品位な表示を得ることができる。
【００３１】
好適な例では、前記反射領域に対応する前記一対の基板のうちいずれかには反射層が設けられているのが好ましい。また、反射層としては、例えば、アルミニウムや銀などを薄膜状にしたものとすることができる、或いは、低屈折率物質（例えば、二酸化ケイ素など）からなる層と、高屈折率物質（例えば、二酸化チタンなど）からなる層とを交互に積層してなる誘電体ミラーとすることができる。
【００３２】
また、好適な例では、前記スイッチング素子は、タンタル膜などよりなる第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成され、酸化タンタル膜よりなる絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜上に形成され、クロム膜などよりなる第２金属膜とを有して構成され、ＴＦＤ素子などの二端子素子とすることができる。また、当該スイッチング素子は、前記絶縁膜を介して前記第１金属膜と前記第２金属膜とが平面的に重なる領域に位置しているのが好ましい。
【００３３】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各種の実施形態は、本発明を液晶装置に適用したものである。ここで、本発明の概要を述べると、本発明は、電圧をかけたときの透過率を調整するものであり、これにより透過型表示と反射型表示とで略同一の表示特性（階調特性）を得る。ところで、ノーマリーホワイトの液晶装置では、電圧無印加時に透過率のピークが来ており、透過表示時と反射表示時とで透過率に差がついてしまっている。このため、ノーマリーホワイトの表示モードを有する液晶装置では、本発明を適用しても調整できる範囲が限られてしまう。そこで、以下の各種の実施形態では、ノーマリーブラックの表示モードを有する液晶装置に本発明を適用する。但し、そのような問題を考慮しなくても良ければ、ノーマリーホワイトの液晶装置にも本発明を適用可能であることは勿論である。
［第１実施形態］
（液晶装置の構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成について説明する。
【００３５】
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。
【００３６】
ここに、第１実施形態の液晶装置１００は、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブ・マトリクス駆動方式であって、反射型表示モードと透過型表示モードを併せ持つ半透過反射型の液晶装置である。また、液晶装置１００は、ノーマリーブラックの表示モードを有する垂直配向方式の液晶装置である。また、液晶装置１００は、透過型表示が行われる透過領域に対応する液晶層の厚さと、反射型表示が行われる反射領域に対応する液晶層の厚さとが同一の大きさに設定された、非マルチギャップ（シングルギャップ）構造を有する液晶装置である。
【００３７】
まず、図２を参照して、透過型表示が行われる透過領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面構成について説明する。図２は、図１における切断線Ａ−Ａ’に沿った断面図であり、特に、透過領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面図である。
【００３８】
図２において、液晶装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが、複数の金属粒子などの導通部材７が混入された枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内側に負の誘電率異方性を有する液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。そして、透過領域に対応する液晶層４の厚さ（セルギャップ）はｄ１に設定されている。
【００３９】
まず、透過領域に対応する素子基板９１の断面構成は次の通りである。
【００４０】
下側基板１の内面上には、樹脂材料よりなる樹脂層１７が形成されている。樹脂層１７上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材料よりなる画素電極１０ｔが形成されている。樹脂層１７の内面上であって、相隣接する画素電極１０ｔの間には、クロムなどの金属材料よりなるデータ線３２が形成されている。樹脂層１７、画素電極１０ｔ及びデータ線３２等の内面上には図示しない垂直配向膜が形成されている。また、下側基板１の内面上の左右周縁部には、クロムなどの金属材料よりなる引き回し配線３１が形成されており、当該引き回し配線３１の終端部は、シール部材３内まで延在しており、その内部に混入された導通部材７と電気的に接続されている。
【００４１】
次に、透過領域に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は次の通りである。
【００４２】
上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが形成されている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。図示のように、画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００４３】
上側基板２の内面上であって、各着色層６を区画する位置には、一方のサブ画素から他方のサブ画素への光の混入を防止するため、黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが可能である。なお、第１実施形態では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層６が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。黒色遮光層ＢＭ及び着色層６の内面上には、透明樹脂材料等からなる保護層１８が形成されている。この保護層１８は、カラーフィルタ基板９２の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６を保護する機能を有する。保護層１８の内面上には、ＩＴＯなどの透明導電材料よりなる走査線８が形成されている。走査線８はストライプ形状を有するように形成されている。そして、走査線８の一端側はシール部材３内まで延在しており、導通部材７と電気的に接続されている。このため、下側基板１の引き回し配線３１と、上側基板２の走査線８とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。下側基板２における走査線８等の内面上には、図示しない垂直配向膜が形成されている。
【００４４】
また、下側基板１の外面上には位相差板（１／４波長板）１３が配置され、その位相差板１３の外面上には偏光板１４が配置されている。また、偏光板１４の外面上には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。一方、上側基板２の外面上には位相差板（１／４波長板）１１が配置され、その位相差板１１の外面上には偏光板１２が配置されている。
【００４５】
さて、かかる構成を有する液晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、樹脂層１７、画素電極１０ｔ、走査線８及び着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ等を夫々通過して観察者に至る。このため、その照明光は、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを夫々透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４６】
次に、図３を参照して、反射型表示が行われる反射領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面構成について説明する。図３は、図１における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図であり、特に、反射領域を通る位置で切断したときの液晶装置１００の断面図である。
【００４７】
図３において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の配置関係は上記同様である。なお、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４の厚さは、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４の厚さと略同一のｄ１に設定されている。
【００４８】
まず、反射領域に対応する素子基板９１の断面構成は次の通りである。
【００４９】
下側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜材料により形成された反射層５が形成されている。反射層５及び下側基板２の内面上には樹脂層１７が形成されている。樹脂層１７上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、ＩＴＯなどの透明導電材料よりなり、画素電極１０ｔと独立に設けられた画素電極１０ｒが形成されている。なお、その他の断面構成は、上述した透過領域に対応する素子基板９１の断面構成と同様である。一方、反射領域に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成は、上記した透過領域に対応するカラーフィルタ基板９２の断面構成と同様である。
【００５０】
さて、かかる構成を有する液晶装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶装置１００に入射した外光は、図３に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが形成されている領域を夫々通過して、その着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの下側に位置する反射層５により反射され、再度、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを夫々通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００５１】
（電極及び配線構成）
次に、図１、図４及び図５を参照して、第１実施形態の素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の電極及び配線の構成について説明する。
【００５２】
図４は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における下方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図４は、カラーフィルタ基板９２を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときのカラーフィルタ基板９２の電極の構成を平面図として示す。図３及び図４において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００５３】
図１において、素子基板９１の画素電極１０と、カラーフィルタ基板９２の走査線８との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１、図３及び図４において、液晶装置１００の外形と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８となっている。
【００５４】
先ず、図４を参照して、素子基板９１の電極及び配線の構成などについて説明する。なお、図４では、素子基板９１の張り出し領域３６側の一辺９１ａから反対側の一辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、一辺９１ｄから一辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００５５】
素子基板９１は、複数のデータ線３２、複数のＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔ（図６を参照）、複数の画素電極１０ｒ及び１０ｔ（図６を参照）、複数の引き回し配線３１、ＹドライバＩＣ３４、複数のＸドライバＩＣ３３、複数の外部接続用配線３５、並びにＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）９０を備えている。なお、各サブ画素領域ＳＧは、図６に示すように、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒを有し、その領域の各々には、データ線と接続されたＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔと、その各ＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔに接続された画素電極１０ｒ及び１０ｔとを有しているが、この点については後述する。
【００５６】
各データ線３２は、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に延在するように形成されている。各データ線３２は、Ｘ方向に一定の間隔をおいて形成されている。
各引き回し配線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる屈曲部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に延在するように形成されている。また、各本線部分３１ａは、Ｘ方向に一定の間隔をおいて形成されている。各屈曲部分３１ｂは、額縁領域３８内において、各本線部分３１ａの終端部から左右に位置するシール部材３内まで延在するように形成されている。そして、各屈曲部分３１ｂの終端部は、シール部材３内において導通部材７に電気的に接続されている。
【００５７】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３４、及び、複数のＸドライバＩＣ３３が、図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して実装されている。
【００５８】
ＹドライバＩＣ３４は、複数の引き回し配線３１の駆動を担う。ＹドライバＩＣ３４の入力側は、ＡＣＦを介して、複数の外部接続用配線３５の一端側に電気的に接続されている一方、ＹドライバＩＣ３４の出力側は、ＡＣＦを介して、複数のデータ線３２の一端側に電気的に接続されている。
【００５９】
各ＸドライバＩＣ３３は、複数のデータ線３２の駆動を担う。各ＸドライバＩＣ３３の入力側は、ＡＣＦを介して、複数の外部接続用配線３５の一端側に電気的に接続されている一方、各ＸドライバＩＣ３３の出力側は、ＡＣＦを介して、複数の引き回し配線３１の一端側に電気的に接続されている。ＦＰＣ９０に設けられた複数の出力配線（図示略）は、ＡＣＦを介して、複数の外部接続用配線３５の他端側に電気的に接続されている。
【００６０】
以上の電極及び配線構造を有する素子基板９１では、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器からＦＰＣ９０、ＹドライバＩＣ３４及び各ＸドライバＩＣ３３を介して、それぞれデータ線３２にデータ信号が、また、引き回し配線３１に走査信号が出力される。
【００６１】
次に、カラーフィルタ基板９２の電極の構成について説明する。
【００６２】
図５に示すように、カラーフィルタ基板９２は、Ｘ方向に延在する複数の走査線８を有している。各走査線８の左端部或いは右端部は、図１及び図５に示すように、シール部材３内まで延在しており、そのシール部材３内に混入された導通部材７に電気的に接続されている。
【００６３】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９１の各走査線８は、素子基板９２の各データ線３２に対して略直交しており、且つ、Ｘ方向に列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、各走査線８と各画素電極１０とが重なり合う領域がサブ画素領域ＳＧを構成する。
【００６４】
また、カラーフィルタ基板９２の走査線８と、素子基板９１の引き回し配線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その走査線８と引き回し配線３１とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。つまり、カラーフィルタ基板９２の各走査線８と、素子基板９１の各引き回し配線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。このため、カラーフィルタ基板９２の各走査線８は、素子基板９１の各引き回し配線３１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＸドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００６５】
以上の構成を有する液晶装置１００では、ＹドライバＩＣ３４から複数の引き回し配線３１に走査信号が、また、各ＸドライバＩＣ３３から複数のデータ線３２にデータ信号が夫々出力されることにより、各ＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔを介して各画素電極１０ｒ及び１０ｔと各走査線８との間に所定の電圧を印加することにより、液晶層４の液晶分子の配向（傾倒方向）が制御され、光の透過率が変化して階調表示が行われる。
【００６６】
（画素構成）
次に、図６を参照して、１つの画素領域Ｇの平面構成について説明する。ここで、１つの画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する３つのサブ画素領域ＳＧにより構成され、さらに、各サブ画素領域ＳＧは、１つの反射領域Ｅｒと、その１つの反射領域Ｅｒの約２倍程度の大きさを有する、１つの透過領域Ｅｔとにより構成されている。なお、以下では、上記において説明した要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００６７】
図６（ａ）は、素子基板９１において、１つの画素領域Ｇの平面的なレイアウトを拡大して示す平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）における切断線Ｃ−Ｃ’に沿った部分断面図であり、特に、透過領域Ｅｔに対応して設けられたＴＦＤ素子２１ｔの断面構成を示す。
【００６８】
各反射領域Ｅｒに対応する下側基板１上には、矩形状の形状を有する反射層５が形成されている。各反射領域Ｅｒに対応する各反射層５上及び各透過領域Ｅｔに対応する下側基板１上等には、樹脂層１７が形成されている。各反射領域Ｅｒに対応する樹脂層１７上には、反射層５と略同一の大きさを有する画素電極１０ｒが形成されている。一方、各透過領域Ｅｔに対応する樹脂層１７上には、画素電極１０ｒと略同一の大きさを有する画素電極１０ａ、当該画素電極１０ａに比べて小さな形状を有する画素電極１０ｂ、及び、当該画素電極１０ａと略同一の大きさを有する画素電極１０ｃを含む画素電極１０ｔが形成されている。画素電極１０ａは、一定の間隔をおいて画素電極１０ｒ及び画素電極１０ｃと相隣接する位置に設けられ、当該画素電極１０ａと当該画素電極１０ｃとは、画素電極１０ｂを通じて繋がっている。このため、画素電極１０ａ、１０ｂ及び１０ｃは各々繋がっているが、それらの各画素電極は、画素電極１０ｒに繋がっていない。
【００６９】
樹脂層１７上において、各反射領域Ｅｒに対応する各画素電極１０ｒの右下隅の位置には１つのＴＦＤ素子２１ｒが設けられていると共に、各透過領域Ｅｔに対応する各画素電極１０ｃの右下隅の位置には１つのＴＦＤ素子２１ｔが設けられている。このため、各画素領域Ｇには、２つのＴＦＤ素子が設けられている。
【００７０】
ここで、図６（ｂ）を参照して、ＴＦＤ素子２１ｔの断面構成について説明する。なお、ＴＦＤ素子２１ｒの断面構成はＴＦＤ素子２１ｔの断面構成と同様であるため、以下では、その説明は省略する。
【００７１】
ＴＦＤ素子２１ｔは、第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３を有して構成される。第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３は、タンタル等からなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成され、酸化タンタルからなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間する第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６はデータ線３２の一部をなす一方、後者の第２金属膜３３６は画素電極１０ｃに接続するために用いられる。また、第１のＴＦＤ素子２２は、データ線３２側から画素電極１０ｃ側に向かって見ると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。第２のＴＦＤ素子２３は、データ線３２側から画素電極１０ｃ側に向かって見ると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、第１のＴＦＤ素子２２とは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２３の電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２２の電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１ｔは、２つのＴＦＤ素子２２及び２３を互いに逆向きに直列接続した状態となるため、１つのＴＦＤ素子を用いた場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００７２】
図６（ａ）に戻り、Ｘ方向に相隣接するサブ画素領域ＳＧの間に対応する樹脂層１７上には、データ線３２がＹ方向に延在するように形成されている。また、各データ線３２は、各反射領域Ｅｒに対応する各ＴＦＤ素子２１ｒを介して各画素電極１０ｒに接続されていると共に、当該各データ線３２は、各透過領域Ｅｔに対応する各ＴＦＤ素子２１ｔを介して各画素電極１０ｃに接続されている。このため、各画素電極１０ｒは、対応する各ＴＦＤ素子２１ｒを通じて、対応する各データ線３２に電気的に接続されていると共に、各画素電極１０ａ、各画素電極１０ｂ及び各画素電極１０ｃは、対応する各ＴＦＤ素子２１ｔを通じて、各データ線３２に電気的に接続されている。樹脂層１７、各データ線３２、各ＴＦＤ素子２１ｔ及び２１ｒ、並びに各画素電極１０ｒ及び１０ｔの上には、図示しない垂直配向膜が形成されている。また、Ｘ方向に列をなす複数の画素電極１０ｒ及び１０ｔは、対向基板たるカラーフィルタ基板９２に設けられた１つの走査線８（二点鎖線で囲まれる領域）と対向している。
【００７３】
（透過領域と反射領域における表示特性の調整方法）
次に、図７及び図８等を参照して、第１実施形態の液晶装置１００に係る、透過領域と反射領域における表示特性（階調表示）の調整方法について説明する。なお、本発明の説明中、「液晶の反射率・・・」という表現は、液晶装置１００内へ光が入射して液晶層４を透過し、その光が反射領域Ｅｒに設けられた反射層５によって反射された後に、その光が再度液晶層４を透過して観察者により観察された光と、液晶装置１００への入射光との比を表すものである。
【００７４】
図７（ａ）は、図６（ａ）における破線領域Ｅ１に対応する平面図であり、より具体的には、反射領域Ｅｒに設けられたＴＦＤ素子２１ｒを拡大して示す平面図である。一方、図７（ｂ）は、図６（ａ）における破線領域Ｅ２に対応する平面図であり、より具体的には、透過領域Ｅｔに設けられたＴＦＤ素子２１ｔを拡大して示す平面図である。
【００７５】
図８は、液晶の透過率（及び反射率）と印加電圧の関係を示すグラフである。図８において、縦軸は透過率（又は反射率）（％）を、また、横軸は液晶層４に印加する印加電圧（Ｖ）を夫々示す。また、図８において、グラフＧｒ’は、透過領域Ｅｔのセルギャップと反射領域Ｅｒのセルギャップを略同一に設定したときの、反射領域Ｅｒに対応する液晶の反射率−印加電圧の関係を示すグラフ（以下、「Ｖ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’」とも呼ぶ）である。グラフＧｒは、本発明を適用したときの反射領域Ｅｒに対応する液晶の反射率−印加電圧の関係を示すグラフ（以下、「Ｖ−Ｒ特性曲線Ｇｒ」とも称する）である。グラフＧｔは、透過領域Ｅｔに対応する液晶の透過率−印加電圧の関係を示すグラフ（以下、「Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｔ」とも称する）である。
【００７６】
一般的に、非マルチギャップ（シングルギャップ）構造を有する半透過反射型の液晶装置では、反射領域Ｅｒに対応するセルギャップと透過領域Ｅｔに対応するセルギャップが略同一の厚さに設定されている。このため、かかる液晶装置では、上記したように、反射領域Ｅｒに対応する液晶のリタデーションは「２×Δｎｄ」となる一方、透過領域Ｅｔに対応する液晶のリタデーションは「１×Δｎｄ」となる。そして、そのような構造を有する液晶装置において、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒの画素電極の大きさ（面積）を同一に設定し、且つ、ＴＦＤ素子等を通じて反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔの各画素電極に同一の駆動電圧を印加した場合、反射領域Ｅｒに対応する反射率−印加電圧の特性曲線は、図８に示すように、Ｖ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’になる一方、透過領域Ｅｔに対応する透過率−印加電圧の特性曲線は、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｔになる。このため、Ｖ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’は、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｔに比べて急峻性を有するグラフとなる。その結果、かかる液晶装置では、反射型表示が行われる場合と透過型表示が行なわれる場合とでコントラストや明るさ等の表示特性（階調特性）が異なってしまい、表示品位が低下してしまうという問題が生じ得る。
【００７７】
そこで、このような問題を解消する方法として、反射領域Ｅｒに対応するセルギャップを透過領域Ｅｔに対応するセルギャップの約１／２の厚さに設定して反射領域Ｅｒに対応する液晶のリタデーションと透過領域Ｅｔに対応する液晶のリタデーションを同一に設定し、これにより反射領域Ｅｒの表示特性（階調特性）と透過領域Ｅｔの表示特性（階調特性）を略同一に設定した、いわゆるマルチギャップ構造を有する半透過反射型の液晶装置（以下、「比較例」とも呼ぶ）が知られている。このような液晶装置では、通常、マルチギャップ構造を形成するために画素領域内において反射領域Ｅｒに対応する位置にセルギャップを調整するための絶縁層を設ける一方、透過領域Ｅｔに対応する位置に当該絶縁層を設けないこととしている。
【００７８】
このようなマルチギャップ構造を有する液晶装置は、上記のように透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとで表示特性（階調特性）を略同一に設定できるという利点はあるものの、以下のような問題がある。即ち、かかる液晶装置では、画素領域内にセルギャップの薄い領域とセルギャップの厚い領域との境に絶縁層が傾斜した領域（テーパー領域）が存在するため、そのテーパー領域において液晶の配向不良による光漏れが生じてコントラストが低下し、表示品位が低下するという問題を有している。また、かかる液晶装置では、非マルチギャップ構造を有する液晶装置と比較して、マルチギャップ構造を形成するための製造工程を設けなければならず、その分、製品コストが増加してしまうという問題がある。
【００７９】
そこで、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００では、以上に述べた課題を踏まえ、下記の方法を採用することにより、マルチギャップ構造を採用することなく、透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとで略同一の表示特性（階調特性）を実現して高品位な表示を得る。
【００８０】
概略を述べると、本発明の第１実施形態では、非マルチギャップ構造で、且つ、上記したように透過領域Ｅｔと反射領域Ｅｒとに各々独立の画素電極１０ｒ及び１０ｔ並びにこれらに接続されるＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔを夫々設けた構造を前提とした上で、さらに、所定の条件の下に、透過領域ＥｔのＴＦＤ素子２１ｔと反射領域ＥｒのＴＦＤ素子２１ｒとで素子寸法を夫々異ならせる。
【００８１】
まず、第１実施形態に係る液晶装置１００のように、１つのサブ画素領域ＳＧにおいて、反射領域Ｅｒに設けられる画素電極１０の大きさ（面積）と、透過領域Ｅｔに設けられる画素電極１０の大きさ（面積）とが非同一の場合には、次のようにして透過領域ＥｔのＴＦＤ素子２１ｔと、反射領域ＥｒのＴＦＤ素子２１ｒとで素子寸法を夫々異ならせる。
【００８２】
具体的には、まず、図１及び図６（ｂ）等において、液晶装置１００に設けられる、１つのサブ画素領域ＳＧの数量、及び精細度、即ち１つのサブ画素領域ＳＧの大きさ（面積）又は透過領域の画素電極の大きさ（面積）に基づいて、透過領域Ｅｔに設けられるＴＦＤ素子２１ｔの大きさ（面積）を設定する。
【００８３】
ここで、ＴＦＤ素子２１ｔの大きさ（面積）は、図７（ｂ）に示すように、第１のＴＦＤ素子２２の大きさ（面積）Ｓｔと、第２のＴＦＤ素子２３の大きさ（面積）Ｓｔを合計した値となる。第１のＴＦＤ素子２２の大きさ（面積）Ｓｔ及び第２のＴＦＤ素子２３の大きさ（面積）Ｓｔを夫々変えるには、第２金属膜３３６の線幅（Ｘ方向における長さ）ｄ６、及び、第２金属膜３１６を含むデータ線３２の線幅（Ｘ方向における長さ）ｄ６を夫々変えることにより（以下、「第１の線幅変更方法」と呼ぶ）、或いは、絶縁膜３２３を含む第１金属膜３２２の線幅（Ｙ方向における長さ）ｄ４を変えることにより（以下、「第２の線幅変更方法」と呼ぶ）、或いは、第１の線幅変更方法及び第２の線幅変更方法の両方を変えることにより（以下、「第３の線幅変更方法」と呼ぶ）実現可能である。
【００８４】
上記したように第２金属膜３１６を含むデータ線３２及び第２金属膜３１６は、クロム等の金属により形成され、また、第１金属膜３２２はタンタル等の材料により形成されるので、製造上の観点を考慮すると、本発明では、ＴＦＤ素子２１ｔの大きさ（面積）を高精度に変える方法として、上記した第３の線幅変更方法を採用するのが好ましい。なお、反射領域Ｅｒに対応して設けられるＴＦＤ素子２１ｒの大きさ（面積）は、上記したＴＦＤ素子２１ｔと同様に、第１乃至第３の線幅変更方法を用いて変えることができる。
【００８５】
次に、反射領域Ｅｒに対応して設けられるＴＦＤ素子２１ｒの大きさ（面積）は、図８において、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４に電圧を印加していったときに、かかるＶ−Ｔ特性曲線Ｇｔの最大透過率１００％に対応する印加電圧をＶｔとし、また、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４に電圧を印加していったときに、かかるＶ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’の最大透過率１００％に対応する印加電圧をＶｒとしたときに、Ｖｔ＝Ｖｒ、又は、｛｜Ｖｒ−Ｖｔ｜／Ｖｔ｝＜  約０.１に基づき設定する。なお、その大きさ（面積）は上記した方法により変えることができる。
【００８６】
これにより、かかるＶ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’は、図８において、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｔと略一致或いは揃う方向にシフトしてＶ−Ｒ特性曲線Ｇｒとなる。その結果、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００において、反射領域Ｅｒに対応する表示特性（階調特性）と、透過領域Ｅｔに対応する表示特性（階調特性）とを略同一にすることができ、高品位な表示を得ることができる。
【００８７】
また、第１実施形態に係る液晶装置１００において、１つのサブ画素領域ＳＧにおいて、反射領域Ｅｒに設けられる画素電極１０の大きさ（面積）と、透過領域Ｅｔに設けられる画素電極１０の大きさ（面積）とを略同一に設定した場合には（図示略）、反射領域ＥｒのＴＦＤ素子２１ｒの要素である第１及び第２のＴＦＤ素子の大きさ（面積）Ｓｒと、透過領域ＥｔのＴＦＤ素子２１ｔの第１及び第２のＴＦＤ素子の大きさ（面積）Ｓｔとの関係を、Ｓｒ＝２×Ｓｔに設定する、即ち、反射領域ＥｒのＴＦＤ素子２１ｒの大きさ（面積）を、透過領域ＥｔのＴＦＤ素子２１ｔの大きさ（面積）の２倍に設定する。
【００８８】
ここで、ＴＦＤ素子の大きさ（面積）が大きくなると、それに伴ってＴＦＤ素子の容量は大きくなり、ＴＦＤ素子の抵抗値は小さくなる。これにより、図８において、Ｖ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’はなだらかな曲線になると共に、当該Ｖ−Ｒ特性曲線Ｇｒ’は、Ｖ−Ｔ特性曲線Ｇｔと略一致或いは揃う方向にシフトしてＶ−Ｒ特性曲線Ｇｒとなる。即ち、この場合、かかる液晶装置１００では、反射領域Ｅｒに対応する液晶に印加される電圧が、透過領域Ｅｔに対応する液晶に印加される電圧の半分程度になる。このため、この液晶装置１００では、反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔとで液晶分子の傾倒角度を相対的に異ならせることができ、反射領域Ｅｒに対応する液晶のリタデーションと、透過領域Ｅｔに対応する液晶のリタデーションを略同一に設定することができる。その結果、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００において、反射領域Ｅｒに対応する表示特性（階調特性）と、透過領域Ｅｔに対応する表示特性（階調特性）とを略同一にすることができ、高品位な表示を得ることができる。
【００８９】
［第２実施形態］
第２実施形態は、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式を有する液晶装置に本発明を適用し、上記の第１実施形態と同様の作用効果を得る。
【００９０】
（液晶装置の構成）
まず、本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成について説明する。なお、以下において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は簡略化又は省略する。
【００９１】
図９は、第２実施形態に係る液晶装置２００の概略構成を模式的に示す平面図である。図９では、主として、液晶装置２００の電極及び配線の構成を平面図として示している。
ここに、第２実施形態に係る液晶装置２００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブ・マトリクス駆動方式の液晶装置である。また、液晶装置２００は、ノーマリーブラックの表示モードを有する垂直配向方式の液晶装置である。また、この液晶装置２００は、電極が形成された基板側において、当該基板面に略平行な方向に電界を発生させて液晶分子の配向を制御する、ＩＰＳ方式などのいわゆる横電界方式の液晶装置である。このため、この液晶装置２００では高い視野角を得ることが可能となっている。また、この液晶装置２００は、反射型表示モードと透過型表示モードを併せ持つ、いわゆる半透過反射型の液晶装置でもある。また、この液晶装置２００は、透過型表示が行われる透過領域に対応する液晶層の厚さと、反射型表示が行われる反射領域に対応する液晶層の厚さとが同一の大きさに設定された、非マルチギャップ（シングルギャップ）構造を有する液晶装置である。特に、この液晶装置２００では、透過領域Ｅｔ及び反射領域Ｅｒに各々独立の画素電極５０ｔ及び５０ｒ並びにこれらに接続されるＴＦＤ素子２１ｔ及び２１ｒが夫々設けられ、この点に関し第１実施形態と同様の構成を有している。
【００９２】
図１０は、図９の液晶装置２００において、１つの横列をなす反射領域を通る切断線Ｄ−Ｄ’に沿った概略断面図である。一方、図１１は、図９の液晶装置２００において、１つの横列をなす透過領域を通る切断線Ｅ−Ｅ’に沿った概略断面図である。図１０及び図１１おいて、１つのサブ画素領域ＳＧは、１つの反射領域Ｅｒと１つの透過領域Ｅｔとを含んで構成されている。
【００９３】
まず、図１０を参照して、１つの横列をなす反射領域Ｅｒに対応する液晶装置２００の断面構成について説明し、続いて、図１１を参照して、１つの横列をなす透過領域Ｅｔに対応する液晶装置２００の断面構成について説明する。そして、その後、素子基板９３の電極及び配線の構成について説明する。なお、第２実施形態では、素子基板９３が電極及び配線を有する基板を構成している。
【００９４】
図１０において、液晶装置２００は、素子基板９３と、その素子基板９３に対向して配置されるカラーフィルタ基板９４とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内部に、負の誘電率異方性を有する液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。また、この液晶装置２００において、素子基板９３とカラーフィルタ基板９４の間であって、反射領域Ｅｒの適切な位置には、スペーサ（図示略）が配置され、かかるスペーサにより透過領域に対応する液晶層４の厚さ（セルギャップ）はｄ２に設定されている。
【００９５】
下側基板１の内面上には、表面に微細な凹凸を有する樹脂散乱層７１が形成されている。樹脂散乱層７１の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。反射領域Ｅｒに対応する樹脂散乱層７１の内面上には、反射層５が形成されている。各反射層５には樹脂散乱層７１の微細な凹凸が反映されており、各反射層５の内面上には微細な凹凸が形成されている。好適な例では、各反射層５は、絶縁性を有する反射層、いわゆる「誘電体ミラー」を適用することができる。ここで、「誘電体ミラー」とは、一般に、低屈折率物質（例えば、二酸化ケイ素など）からなる層と、高屈折率物質（例えば、二酸化チタンなど）からなる層とを交互に積層してなるものをいう。誘電体ミラーの要素である各層の厚さ、積層数等を最適な値に設定することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの各波長の光を選択的に効率良く反射させることができる。
【００９６】
樹脂散乱層７１及び反射層５の内面上には、保護層１９が形成されている。保護層１９の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。この保護層１９は、液晶装置２００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から反射層５などを保護する機能を有する。反射領域Ｅｒに対応する保護層１９の内面上には、データ線７２の要素である、第１導電部７２ａ、第２導電部７２ｂ、第３導電部７２ｃ及び第４導電部７２ｄなどを含む１つの電極部７２Ｒが形成されている。第１導電部７２ａと第２導電部７２ｂ、第２導電部７２ｂと第３導電部７２ｃ、及び第３導電部７２ｃと第４導電部７２ｄは、それぞれ一定の間隔をおいて保護層１９の内面上に配置されている。電極部７２Ｒを含むデータ線７２はタンタルタングステン（ＴａＷ）等にて形成されている。なお、データ線７２の表面上には絶縁膜が形成されているが、図１０では、便宜上、その絶縁膜の図示は省略している。
【００９７】
また、反射領域Ｅｒに対応する保護層１９の内面上において、第１導電部７２ａと第２導電部７２ｂの間、第２導電部７２ｂと第３導電部７２ｃの間、及び第３導電部７２ｃと第４導電部７２ｄの間には、画素電極５０の要素である第１透明電極部５０ａ、第２透明電極部５０ｂ及び第３透明電極部５０ｃを有する１つの画素電極５０ｒが形成されている。
【００９８】
また、下側基板１の内面上の左右周縁部には、引き回し配線３１が形成されており、各引き回し配線３１は樹脂散乱層７１により覆われている。少なくとも電極部７２Ｒを含むデータ線７２、画素電極５０ｒ及び保護層１９等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、下側基板１の内面上であって且つ各反射領域Ｅｒの隅の位置近傍には、ＴＦＤ素子２１ｒ（図１３を参照）が形成されている。
【００９９】
一方、上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。そして、着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂの各々は、反射領域Ｅｒ内における電極部７２Ｒ及び画素電極５０ｒ、及び、後述する透過領域Ｅｔ内における電極部７２Ｔ及び画素電極５０ｔに対向している。また、上側基板２の内面上であって且つ各着色層６を区画する位置には、黒色遮光層ＢＭが形成されている。着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなる保護層１８が形成されている。なお、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４の厚さは、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４の厚さと略同一のｄ２に設定されている。
【０１００】
下側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３が配置され、その位相差板１３の外面上には偏光板１４が配置されている一方、偏光板１４の外面上には、バックライト１５が配置されている。
【０１０１】
さて、本実施形態の液晶装置２００において反射型表示がなされる場合、液晶装置２００に入射した外光は、図１０に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶装置２００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６、画素電極５０及び保護層１９等が形成されている領域を通過して、その保護層１９の下側にある反射層５により反射され、再度保護層１９、画素電極５０及び着色層６等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【０１０２】
続いて、図１１を参照して、１つの横列をなす透過領域Ｅｔに対応する、液晶装置２００の断面構成について説明する。
【０１０３】
透過領域Ｅｔに対応する下側基板１の内面上には、データ線７２の要素である、第１導電部７２ｋ、第２導電部７２Ｌ、第３導電部７２ｍ及び第４導電部７２ｎなどを含む１つの電極部７２Ｔが形成されている。第１導電部７２ｋと第２導電部７２Ｌ、第２導電部７２Ｌと第３導電部７２ｍ、及び第３導電部７２ｍと第４導電部７２ｎは、それぞれ一定の間隔をおいて下側基板１の内面上に配置されている。電極部７２Ｔは、上記した電極部７２Ｒと同様にタンタルタングステン（ＴａＷ）等にて形成されており、その電極部７２Ｔの表面上には図示しない絶縁膜が形成されている。また、透過領域Ｅｔに対応する下側基板１の内面上において、第１導電部７２ｋと第２導電部７２Ｌの間、第２導電部７２Ｌと第３導電部７２ｍの間、及び第３導電部７２ｍと第４導電部７２ｎの間には、画素電極５０の要素である、第１透明電極部５０ｄ、第２透明電極部５０ｅ及び第３透明電極部５０ｆを有する１つの画素電極５０ｔが形成されている。少なくとも電極部７２Ｔを含むデータ線７２、画素電極５０ｔ及び下側基板１等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、下側基板１の内面上であって且つ各透過領域Ｅｔの隅の位置近傍には、ＴＦＤ素子２１ｔ（図１３を参照）が形成されている。
【０１０４】
一方、図１１に示されるカラーフィルタ基板９４の構成は、図１０と同様であるため、その説明は省略する。
【０１０５】
さて、本実施形態の液晶装置２００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図１１に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極５０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【０１０６】
（素子基板の電極及び配線構成）
次に、図９及び図１２を参照して、第２実施形態の素子基板９３の電極及び配線の構成について説明する。図１２は、素子基板９３を正面方向（即ち、図１０及び図１１における上方）から観察したときの素子基板９３の電極及び配線などの構成を平面図として示す。また、図１２において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【０１０７】
図９において、紙面横方向に延在する、各引き回し配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂと、紙面縦方向に延在する各データ線７２とが交差する付近の領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、１つのサブ画素領域ＳＧは、上記したように、１つの反射領域Ｅｒと１つの透過領域Ｅｔとを含んで構成される。このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。なお、図９及び図１２において、液晶装置２００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【０１０８】
素子基板９３は、複数のＴＦＤ素子２１ｔ及び２１ｒ、複数の画素電極５０ｔ及び５０ｒ、複数の引き回し配線３１、複数のデータ線７２、ＹドライバＩＣ３４、複数のＸドライバＩＣ３３、並びに複数の外部接続用端子３５などを備えている。
【０１０９】
素子基板９３の張り出し領域３６上には、複数のＸドライバＩＣ３３、及びＹドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦを介して、それぞれ実装されている。張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。複数のＸドライバＩＣ３３、及びＹドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、ＦＰＣ９０に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶装置２００へ信号や電力が供給される。
【０１１０】
複数のＸドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の引き回し配線３１に接続されている。各ＸドライバＩＣ３３は、複数の引き回し配線３１の駆動を担う。すなわち、複数のＸドライバＩＣ３３によって、１垂直走査期間において引き回し配線３１が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された引き回し配線３１には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の引き回し配線３１には、非選択電圧の走査信号が供給される。
【０１１１】
ＹドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線７２に接続されている。ＹドライバＩＣ３４は、複数のデータ線７２の駆動を担う。すなわち、ＹドライバＩＣ３４は、各ＸドライバＩＣ３３により選択された引き回し配線３１に対応する画素電極５０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線７２を介して供給するものである。
【０１１２】
各画素電極５０は、引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂとデータ線７２との交差する位置付近に形成される。各画素電極５０は、サブ画素領域ＳＧ毎に、画素電極５０ｒ及び５０ｔを有して構成される。画素電極５０ｒは、図１３を参照して理解されるように、更に、複数の透明電極部により構成され、サブ画素領域ＳＧ内における反射領域Ｅｒ内に形成される一方、画素電極５０ｔは、複数の透明電極部により構成され、サブ画素領域ＳＧ内における透過領域Ｅｔ内に形成される。
【０１１３】
各ＴＦＤ素子２１ｒは、各サブ画素領域ＳＧ内における各反射領域Ｅｒの隅の位置近傍に形成され（図１３を参照）、対応する各引き回し配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂに電気的に接続されている。各ＴＦＤ素子２１ｒは、各反射領域Ｅｒ内に対応する画素電極５０ｒを駆動する機能を有する。
【０１１４】
各ＴＦＤ素子２１ｔは、各サブ画素領域ＳＧ内における各透過領域Ｅｔの隅の位置近傍に形成され（図１３を参照）、対応する各引き回し配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂに電気的に接続されている。各ＴＦＤ素子２１ｔは、各透過領域Ｅｔ内に対応する画素電極５０ｔを駆動する機能を有する。
【０１１５】
複数のデータ線７２は、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に延在するように形成されていると共に、各データ線７２は一定の間隔をおいて形成されている。各データ線７２は、本線部分７２ｙ、電極部７２Ｒ及び７２Ｔを有している。１つの電極部７２Ｒ及び１つの電極部７２Ｔは１つのサブ画素領域ＳＧ内に形成される。本線部分７２ｙは、Ｙ方向に相隣接する、各サブ画素領域ＳＧ内の電極部７２Ｒ及び７２Ｔを電気的に接続する機能を有している。
【０１１６】
複数の引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂは、第１実施形態と異なり、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に額縁領域３８から有効表示領域Ｖ内にかけて形成されている。また、各折れ曲がり部分３１ｂは、適宜の間隔をおいて、対応する各ＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔに電気的に接続されており、各ＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔは、対応する各画素電極５０ｒ及び５０ｔに電気的に接続されている。そして、以上に述べた素子基板９３と、カラーフィルタ基板９４とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図９に示されている。
【０１１７】
かかる液晶装置２００では、各ＸドライバＩＣ３３から複数の引き回し配線３１に走査信号が、ＹドライバＩＣ３４から複数のデータ線７２にデータ信号が夫々出力されると、図１０及び図１１に示すように、各サブ画素領域ＳＧ内において、データ線７２の要素である電極部７２Ｒと画素電極５０ｒの間で、及び、データ線７２の要素である電極部７２Ｔと画素電極５０ｔの間で、素子基板９３の基板面に略平行な方向に横電界Ｅが生じて、液晶分子の配向が制御され表示状態が制御される。
【０１１８】
（サブ画素の構成）
次に、図１３乃至図１６等を参照して、第２実施形態に係る素子基板９３における、１つのサブ画素の構成について説明する。
【０１１９】
図１３は、図１２における素子基板９３を平面視したときの、１つのサブ画素領域ＳＧに対応する複数の要素を拡大して示す部分平面図である。図１３において、二点鎖線にて囲まれる領域は、１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【０１２０】
図１４（ａ）は、図１３における切断線Ｈ−Ｈ’に沿った部分断面図であり、特に反射領域Ｅｒ内に形成される電極部７２Ｒ及び画素電極５０ｒ等のレイアウトを示す部分断面図を示している。一方、図１４（ｂ）は、図１３における切断線Ｉ−Ｉ’に沿った部分断面図であり、特に透過領域Ｅｔ内に形成される電極部７２Ｔ及び画素電極５０ｔ等のレイアウトを示す部分断面図を示している。
【０１２１】
図１５（ａ）は、図１３における切断線Ｆ−Ｆ’に沿った部分断面図である。特に、図１５（ａ）は、反射領域Ｅｒ内に形成される補助電極部３３６ａ、及び、透過領域Ｅｔ内に形成される補助電極部３３６ｂを通る位置で切断したときの、反射領域Ｅｒ内の各要素と透過領域Ｅｔ内の各要素のレイアウトを示す部分断面図である。一方、図１５（ｂ）は、図１３における切断線Ｇ−Ｇ’に沿った部分断面図である。特に、図１５（ｂ）は、反射領域Ｅｒ内に形成されるＴＦＤ素子２１ｒ、及び、透過領域Ｅｔ内に形成されるＴＦＤ素子２１ｔを通る位置で切断したときの、反射領域Ｅｒ内の各要素と透過領域Ｅｔ内の各要素のレイアウトを示す部分断面図である。なお、図１４及び図１５において、データ線７２の表面上には絶縁膜が形成されているが、便宜上、その図示は省略している。
【０１２２】
図１３に示すように、１つのサブ画素領域ＳＧは、１つの反射領域Ｅｒと、１つの透過領域Ｅｔとを含んで構成され、当該１つの反射領域Ｅｒは、当該１つの透過領域Ｅｔの上側に位置している。
【０１２３】
まず、図１３、図１４（ａ）及び図１５等を参照して、１つの反射領域Ｅｒ内に形成される複数の要素の構成等について説明する。
【０１２４】
反射領域Ｅｒ内には、複数の要素、即ち、樹脂散乱層７１、反射層５、保護層１９、データ線７２の要素である電極部７２Ｒ、画素電極５０ｒ及びＴＦＤ素子２１ｒ等が形成される。電極部７２Ｒは、略櫛歯状に類似した形状をなしており、第１導電部７２ａ、第２導電部７２ｂ、第３導電部７２ｃ、第４導電部７２ｄ、第５導電部７２ｅ及び第６導電部７２ｆ等を更に有している。画素電極５０ｒは、第１透明電極部５０ａ、第２透明電極部５０ｂ及び第３透明電極部５０ｃを更に有している。
【０１２５】
反射領域Ｅｒに対応する下側基板１上には、電極部７２Ｒの要素のうち、少なくとも第５導電部７２ｅ及び第６導電部７２ｆ、並びに、樹脂散乱層７１及びＴＦＤ素子２１ｒが夫々形成される。第５導電部７２ｅは、第１部分７２ｅａ（Ｌ字状の破線部分）と、第２部分７２ｅｂ（矩形状の破線部分）とを結合した形状を有している。図１３に示すように、第５導電部７２ｅは、反射領域Ｅｒ内の下側付近に且つＸ方向に延在するように形成されている。第６導電部７２ｆは、直線状の形状をなし、反射領域Ｅｒ内の上側付近に且つＸ方向に延在するように形成されている。下側基板１上であって且つ第５導電部７２ｅと第６導電部７２ｆの間に対応する位置には、樹脂散乱層７１（一点鎖線にて囲まれる領域）が一定の膜厚を有するように形成されている。なお、樹脂散乱層７１の周囲は、テーパー状の形状に形成されているが、図１５等ではその図示を省略している。樹脂散乱層７１上には、誘電体ミラーとしての反射層５が形成されている。反射層５上には、保護層１９が一定の膜厚を有するように形成されている。なお、保護層１９の周囲は、テーパー状の形状を有するように形成されているが、図１５等ではその図示を省略している。ＴＦＤ素子２１ｒは、下側基板１上であって且つ反射領域Ｅｒ内の左下隅付近に形成されている。
【０１２６】
ここで、第２実施形態のＴＦＤ素子２１の断面構成は、上記した第１実施形態と同様であるが、当該ＴＦＤ素子２１と他の要素との相対的な位置関係についての理解を容易とするため、以下では、図１６（ａ）を参照して、ＴＦＤ素子２１等の断面構成について簡略化して説明する。図１６（ａ）は、図１３における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図であり、特に反射領域Ｅｒ内に形成されるＴＦＤ素子２１ｒ付近の断面構成を示す。
【０１２７】
ＴＦＤ素子２１ｒは、図１６（ａ）に示すように、第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３により構成される。第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３の第２金属膜３１６は、引き回し配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂが用いられる。
【０１２８】
第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３の第２金属膜３３６の一部分（補助電極部３３６ａ）は、図１３及び図１６（ａ）において、第５導電部７２ｅの要素である第２部分７２ｅｂと平面的に重なる位置に形成される。なお、第２実施形態では、補助電極部３３６ａは、当該第２部分７２ｅｂの面積と略同一に設定されているが、実際には、後述のように各種の設計仕様に応じてその面積は変えられる。そして、補助電極部３３６ａは、図１６（ａ）に示すように、絶縁膜３２３を介して、第５導電部７２ｅの要素である第２部分７２ｅｂに対向している。これにより、補助電極部３３６ａと第５導電部７２ｅの間には絶縁膜３２３を誘電体とする保持容量Ｃ１が形成されている。また、補助電極部３３６ａは、図１３及び図１６（ａ）に示すように、反射領域Ｅｒ内の画素電極５０ｒと電気的に接続される。保護層１９上には、電極部７２Ｒの要素のうち、第１導電部７２ａ、第２導電部７２ｂ、第３導電部７２ｃ及び第４導電部７２ｄ、並びに画素電極５０ｒの構成要素である、第１透明電極部５０ａ、第２透明電極部５０ｂ及び第３透明電極部５０ｃが夫々形成されている。
【０１２９】
第１導電部７２ａ、第２導電部７２ｂ、第３導電部７２ｃ及び第４導電部７２ｄは、直線状の形状をなし、夫々適宜の間隔Ｌ１０をおいて形成されている。このため、第１導電部７２ａと第２導電部７２ｂの間、第２導電部７２ｂと第３導電部７２ｃの間、第３導電部７２ｃと第４導電部７２ｄの間には、夫々一定の間隔Ｌ１０を有する間隙４０が形成されている。
【０１３０】
第１導電部７２ａは、Ｙ方向に延在するように形成されており、反射領域Ｅｒ内において左端付近に位置している。第１導電部７２ａの上端は第６導電部７２ｆの左端側に繋がっていると共に、第１導電部７２ａの下端は第５導電部７２ｅの要素である第２部分ｅａの左端側に繋がっている。第２導電部７２ｂは、第１導電部７２ａに隣接する位置に且つＹ方向に延在するように形成されている。第２導電部７２ｂの上端は第６導電部７２ｆに繋がっていると共に、第２導電部７２ｂの下端は第５導電部７２ｅの要素である第１部分７２ｅａに繋がっている。第３導電部７２ｃは、第２導電部７２ｂに隣接する位置に且つＹ方向に延在するように形成されている。第３導電部７２ｃの上端は第６導電部７２ｆに繋がっていると共に、第３導電部７２ｃの下端は第５導電部７２ｅの要素である第２部分７２ｅｂに繋がっている。第４導電部７２ｄは、第３導電部７２ｃに隣接する位置に且つＹ方向に延在するように形成されている。また、第４導電部７２ｄは、反射領域Ｅｒ内の右端付近に位置している。第４導電部７２ｄの上端は第６導電部７２ｆに繋がっていると共に、第４導電部７２ｄの下端は第５導電部７２ｅの要素である第２部分７２ｅｂに繋がっている。
【０１３１】
図１３及び図１６（ａ）に示すように、画素電極５０ｒの要素のうち、第１透明電極部５０ａは、第１導電部７２ａと第２導電部７２ｂの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第１透明電極部５０ａと第２導電部７２ｂとの間は一定の間隔Ｌ１に設定されている。また、第１透明電極部５０ａの上端は、第６導電部７２ｆの下端付近に位置している。なお、第６導電部７２ｆの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第１透明電極部５０ａの上端と第６導電部７２ｆとは電気的に接続されていない。また、第１透明電極部５０ａの下端付近は、略Ｌ字状の形状に形成されており、その略Ｌ字状の形状に対応する部分は、第５導電部７２ｅの要素である第１部分７２ｅａ及び第２部分７２ｅｂの一部分と平面的に重なり合っている。また、第１透明電極部５０ａの下端付近は、図１３及び図１６（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａ上に位置しており、当該補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【０１３２】
第２透明電極部５０ｂは、直線状の形状をなしており、第２導電部７２ｂと第３導電部７２ｃの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第２透明電極部５０ｂと第３導電部７２ｃとの間は一定の間隔Ｌ１に設定されている。また、第２透明電極部５０ｂの上端は、第６導電部７２ｆの下端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部７２ｆの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第２透明電極部５０ｂの上端と第６導電部７２ｆとは電気的に接続されていない。第２透明電極部５０ｂの下端付近は、図１３及び図１６（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａ上に位置しており、当該補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【０１３３】
第３透明電極部５０ｃは、第２透明電極部５０ｂと同一形状をなしており、第３導電部７２ｃと第４導電部７２ｄの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第３透明電極部５０ｃと第４導電部７２ｄとの間は一定の間隔Ｌ１に設定されている。また、第３透明電極部５０ｃの上端は、第６導電部７２ｆの下端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部７２ｆの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第３透明電極部５０ｃの上端と第６導電部７２ｆとは電気的に接続されていない。第３透明電極部５０ｃの下端付近は、図１３及び図１６（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａ上に位置しており、当該補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【０１３４】
次に、図１３、図１４（ｂ）及び図１５等を参照して、１つの透過領域Ｅｔ内に形成される複数の要素の構成について説明する。
【０１３５】
透過領域Ｅｔに対応する下側基板１上には、複数の要素、データ線７２の要素である電極部７２Ｔ、画素電極５０ｔ及びＴＦＤ素子２１ｔ等が形成される。
【０１３６】
電極部７２Ｔは、図１３に示すように、電極部７２Ｒを略上下反転させた形状を有しており、第１導電部７２ｋ、第２導電部７２Ｌ、第３導電部７２ｍ、第４導電部７２ｎ、第５導電部７２ｐ及び第６導電部７２Ｑ等を有している。
【０１３７】
第５導電部７２ｐは、第５導電部７２ｅを上下反転させた形状をなしていると共に、第１部分７２ｐａ（Ｌ字状の破線部分）と、第２部分７２ｐｂ（矩形状の破線部分）とを結合した形状を有している。第５導電部７２ｐは、引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第５導電部７２ｅと対称的な位置に配置されている。ここで、引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂは、図１３に示すように、下側基板１上において、反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔの間に形成されている。このため、第５導電部７２ｐは、透過領域Ｅｔ内の上側付近に位置している。第６導電部７２Ｑは、第６導電部７２ｆと同一形状をなし、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準に、第６導電部７２ｆと対称的な位置に配置されている。このため、第６導電部７２Ｑは、透過領域Ｅｔ内の下側付近に位置している。
【０１３８】
第１導電部７２ｋ、第２導電部７２Ｌ、第３導電部７２ｍ及び第４導電部７２ｎは、直線状の形状をなし、夫々適宜の間隔Ｌ１０をおいて形成されている。このため、第１導電部７２ｋと第２導電部７２Ｌの間、第２導電部７２Ｌと第３導電部７２ｍの間、第３導電部７２ｍと第４導電部７２ｎの間には、夫々一定の間隔Ｌ１０を有する間隙４０が形成されている。
【０１３９】
第１導電部７２ｋは、第１導電部７２ａと同一形状をなし、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第１導電部７２ｅと対称的な位置に配置されている。このため、第１導電部７２ｋは、透過領域Ｅｔ内の左端付近に位置している。第１導電部７２ｋの上端は第５導電部７２ｐの要素である第１部分７２ｐａの左端側に繋がっていると共に、第１導電部７２ｋの下端は第６導電部７２Ｑの左端側に繋がっている。
【０１４０】
第２導電部７２Ｌは、第２導電部７２ｂと同一形状をなし、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第２導電部７２ｂと対称的な位置に配置されている。第２導電部７２Ｌの上端は第５導電部７２ｐの要素である第１部分７２ｐａに繋がっていると共に、第２導電部７２Ｌの下端は第６導電部７２Ｑに繋がっている。
【０１４１】
第３導電部７２ｍは、第３導電部７２ｃと同一形状をなし、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第３導電部７２ｃと対称的な位置に配置されている。第３導電部７２ｍの上端は第５導電部７２ｐの要素である第２部分７２ｐｂに繋がっていると共に、第３導電部７２ｍの下端は第６導電部７２Ｑに繋がっている。
【０１４２】
第４導電部７２ｎは、第４導電部７２ｄと同一形状をなし、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第４導電部７２ｄと対称的な位置に配置されている。このため、第４導電部７２ｎは、透過領域Ｅｔ内の右端付近に位置している。第４導電部７２ｎの上端は第５導電部７２ｐの要素である第２部分７２ｐｂに繋がっていると共に、第４導電部７２ｎの下端は第６導電部７２Ｑに繋がっている。
【０１４３】
ＴＦＤ素子２１ｔは、図１３に示すように、透過領域Ｅｔ内の左上隅付近に形成されている。図１６（ｂ）は、図１３における切断線Ｘ１−Ｘ３に沿った部分断面図であり、特に透過領域Ｅｔ内に形成されるＴＦＤ素子２１ｔ付近の断面構成を示す。
【０１４４】
図１６（ｂ）に示すように、ＴＦＤ素子２１ｔは、第１のＴＦＤ素子２２及び第２のＴＦＤ素子２３により構成される。ＴＦＤ素子２１ｔの要素である第２金属膜３３６の一部分（補助電極部３３６ｂ）は、図１３及び図１６（ｂ）において、第５導電部７２ｐの要素である第２部分７２ｐｂと平面的に重なる位置に形成される。なお、第２実施形態では、補助電極部３３６ｂは、当該第２部分７２ｐｂの面積と略同一に設定されているが、上記した補助電極部３３６ａと同様に、実際には、後述のように各種の設計仕様に応じてその面積は変えられる。そして、補助電極部３３６ｂは、図１６（ｂ）に示すように、絶縁膜３２３を介して、第５導電部７２ｐの要素である第２部分７２ｐｂに対向している。これにより、補助電極部３３６ｂと第５導電部７２ｐの間には絶縁膜３２３を誘電体とする保持容量Ｃ２が形成されている。また、補助電極部３３６ｂは、図１３及び図１６（ｂ）に示すように、透過領域Ｅｔ内の画素電極５０ｔと電気的に接続される。
【０１４５】
画素電極５０ｔは、図１３に示すように、画素電極５０ｒを上下反転させた形状を有しており、第１透明電極部５０ｄ、第２透明電極部５０ｅ及び第３透明電極部５０ｆを有している。
【０１４６】
図１３及び図１４（ｂ）に示すように、第１透明電極部５０ｄは、第１導電部７２ｋと第２導電部７２Ｌの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第１透明電極部５０ｄと第２導電部７２Ｌとの間は一定の間隔Ｌ２（≠Ｌ１）に設定されている。このため、第１透明電極部５０ｄは、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたとき、第１透明電極部５０ａと対称的な位置に配置されていない。第１透明電極部５０ｄの上端付近は、略Ｌ字状の形状に形成されており、その略Ｌ字状の形状に対応する部分は、第５導電部７２ｐの要素である第１部分７２ｐａ及び第２部分７２ｐｂの一部分と平面的に重なり合っている。第１透明電極部５０ｄの上端付近は、図１３及び図１６（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ｂ上に位置しており、当該補助電極部３３６ｂと電気的に接続されている。一方、第１透明電極部５０ｄの下端は、第６導電部７２Ｑの上端付近に位置している。なお、第６導電部７２Ｑの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第１透明電極部５０ｄの下端と第６導電部７２Ｑとは電気的に接続されていない。
【０１４７】
第２透明電極部５０ｅは、第２導電部７２Ｌと第３導電部７２ｍの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第２透明電極部５０ｅと第３導電部７２ｍとの間は一定の間隔Ｌ２（≠Ｌ１）に設定されている。このため、第２透明電極部５０ｅは、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたとき、第２透明電極部５０ｂと対称的な位置に配置されていない。第２透明電極部５０ｅの上端は、図１３及び図１６（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ｂ上に位置しており、当該補助電極部３３６ｂと電気的に接続されている。一方、第２透明電極部５０ｅの下端は、第６導電部７２Ｑの上端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部７２Ｑの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第２透明電極部５０ｅの上端と第６導電部７２Ｑとは電気的に接続されていない。
【０１４８】
第３透明電極部５０ｆは、第３導電部７２ｍと第４導電部７２ｎの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第３透明電極部５０ｆと第４導電部７２ｎとの間は一定の間隔Ｌ２（≠Ｌ１）に設定されている。このため、第３透明電極部５０ｆは、図１３に示す引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたとき、第３透明電極部５０ｃと対称的な位置に配置されていない。第３透明電極部５０ｆの上端は、図１３及び図１６（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ｂ上に位置しており、当該補助電極部３３６ｂと電気的に接続されている。一方、第３透明電極部５０ｆの下端は、第６導電部７２Ｑの上端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部７２Ｑの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第３透明電極部５０ｆの上端と第６導電部７２Ｑとは電気的に接続されていない。
【０１４９】
また、１つのサブ画素領域ＳＧ内における、反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔの間の構成は次の通りである。
【０１５０】
即ち、下側基板１上であって且つ反射領域Ｅｒと透過領域Ｅｔの間には、１つの引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂ、及び、データ線７２の要素である本線部分７２ｙが形成されている。１つの引き回し配線３１の折れ曲がり部分３１ｂは、Ｘ方向に延在するように形成されている。本線部分７２ｙは、第２導電部７２ｂと第２導電部７２Ｌの間に位置しており、反射領域Ｅｒ内の電極部７２Ｒと、透過領域Ｅｔ内の電極部７２Ｔとを繋いでいる。なお、図１３に示される反射領域Ｅｒ内の電極部７２Ｒは、その反射領域Ｅｒの上側に且つ隣接する他のサブ画素における透過表示領域内の電極部３１Ｔ（図示略）と本線部分７２ｙにより繋がっていると共に、同図に示される透過領域Ｅｔ内の電極部７２Ｔは、その透過領域Ｅｔの下側に且つ隣接する他のサブ画素における反射領域内の電極部７２Ｒ（図示略）と本線部分７２ｙにより繋がっている。
【０１５１】
このため、各ＸドライバＩＣ３３から出力された走査信号は、本線部分３１ａ（図１２を参照）、折れ曲がり部分３１ｂ、ＴＦＤ素子２１ｒ及び２１ｔ、並びに画素電極５０ｒ及び５０ｔの順に出力されると共に、ＹドライバＩＣ３４から出力されたデータ信号は、本線部分７２ｙ、電極部７２Ｔ、本線部７２ｙ、電極部７２Ｒ、本線部分７２ｙの順に出力される。これにより、図１３において、素子基板９３等の基板面と略平行なＸ方向に横電界Ｅが生じ、液晶層４の液晶分子の配向が制御される。
【０１５２】
次に、第２実施形態に係る液晶装置２００に特有の点について説明する。
【０１５３】
第２実施形態に係る液晶装置２００は、各種の設計仕様に応じて、一般的に知られた横電界方式のしきい値電圧Ｖｃ（フレデリクス転移のしきい値電圧Ｖｃ）の式に基づいて、反射領域Ｅｒの光学的特性と透過領域Ｅｔの光学的特性とが所望の関係になるように設定することができるという特有の点がある。
【０１５４】
ここで、横電界方式のしきい値電圧Ｖｃは、液晶層４の粘性係数、弾性係数、誘電率異方性、液晶層４に印加される電界強度等の因子によって決定される。
【０１５５】
具体的には、しきい値電圧Ｖｃの式は、
Ｖｃ  ＝  （π×Ｌ／ｄ）×√｛Ｋ２／（ε０×｜Δε｜）｝        （式１）
で与えられる。なお、上記の式１において、「Ｌ」は電極間ギャップ、「ｄ」はセルギャップ、「Ｋ２」はツイストの弾性定数、「ε０」は真空の誘電率、「Δε」は誘電率異方性を夫々示している。
【０１５６】
第２実施形態の液晶装置２００において、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４のしきい値電圧をＶｃ１、及び、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４のしきい値電圧をＶｃ２とした場合に、当該しきい値電圧Ｖｃ１の値と、当該しきい値電圧Ｖｃ２の値とが一致するように、容量比の大きさ、セルギャップの厚さ、透明電極部と導電部との電極間隔の大きさを夫々最適な値に設定することにより、上記の目的を達成することができる。なお、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ１の値と、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ２の値を同一に設定することにより、反射領域Ｅｒに対応する液晶分子の動き始めの応答時間と、透過領域Ｅｔに対応する液晶分子の動き始めの応答時間とを一致させることができる。
【０１５７】
ここで、上記の式１の右項中、「π」、及び「｛Ｋ２／（ε０×｜Δε｜）｝」の値を一定とし、反射領域Ｅｒ及び透過領域Ｅｔの各々に対応する容量比を考慮した場合、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ１と、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ２は、夫々次式のように変形できる。
【０１５８】
まず、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ１の式は、
Ｖｃ１  ＝  ｛ａ１／（１＋ａ１）｝×（Ｌ１／ｄ２）        （式２）
で与えられる。ここで、「ａ１」は容量比（実質的な画素電極５０の容量をＴＦＤ素子２１ｒの容量で除算した値）であり、具体的には「画素電極５０ｒの容量」と「補助電極部３３６ａの位置に形成される保持容量Ｃ１」を加算した値を、「ＴＦＤ素子２１ｒの容量」で除算した値であり、「Ｌ１」は第１透明電極部５０ａと第２導電部７２ｂの間隔、第２透明電極部５０ｂと第３導電部７２ｂの間隔、及び、第３透明電極部５０ｃと第４導電部７２ｄの間隔であり、「ｄ２」は反射領域Ｅｒに対応するセルギャップ（図１０に示す液晶層４の厚さ）である。
【０１５９】
一方、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ２の式は、
Ｖｃ２  ＝  ｛ａ２／（１＋ａ２）｝×（Ｌ２／ｄ２）        （式３）
で与えられる。ここで、「ａ２」は容量比（実質的な画素電極５０ｔの容量をＴＦＤ素子２１ｔの容量で除算した値）であり、具体的には「画素電極５０ｔの容量」と「補助電極部３３６ｂの位置に形成される保持容量Ｃ２」を加算した値を、「ＴＦＤ素子２１ｔの容量」で除算した値であり、「Ｌ２」は第１透明電極部５０ｄと第２導電部７２Ｌの間隔、第２透明電極部５０ｅと第３導電部７２ｍの間隔、及び、第３透明電極部５０ｆと第４導電部７２ｎの間隔であり、「ｄ２」は透過領域Ｅｔに対応するセルギャップ（図１１に示す液晶層４の厚さ）である。
【０１６０】
そして、上記の式２の右項と上記の式３の右項とを等号で結び、例えば、（Ｌ２／ｄ２）について求めると、
（Ｌ２／ｄ２）＝｛｛（１＋ａ２）×ａ１｝／｛（１＋ａ１）×ａ２｝｝×（Ｌ１／ｄ２）        （式４）
を得ることができる。
【０１６１】
本発明の液晶装置２００では、各種の設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように、「Ｌ２」、「ｄ２」、「ａ２」、「ａ１」、「Ｌ１」の各パラメータの値を変えて、反射領域Ｅｒに対応する液晶の配向制御と、透過領域Ｅｔに対応する液晶の配向制御とを各々独立に実行にする。これにより、反射領域Ｅｒに対応する液晶層４に印加する電圧と、透過領域Ｅｔに対応する液晶層４に印加する電圧を異ならせることができ、反射領域Ｅｒに対応する液晶の再配向状態と、透過領域Ｅｔに対応する液晶の再配向状態を適切な関係に設定することができる。その結果、第２実施形態では、反射領域Ｅｒの光学的特性と透過領域Ｅｔの光学的特性とを所望の関係に設定することができる。
【０１６２】
第２実施形態に係る液晶装置２００における好適な設計値の一例として、上記の式４に基づき、透過領域Ｅｔに対応する各パラメータを、「ｄ２」＝３μｍ、「Ｌ２」＝５μｍ、「ａ２」＝１／８に夫々設定した場合には、反射領域Ｅｒに対応する各パラメータを、「ｄ２」＝３μｍ、「Ｌ１」＝２.５μｍ、「ａ１」＝１／８に夫々設定することができる。なお、ここで、透過領域Ｅｔの容量比である「ａ２」及び反射領域Ｅｒの容量比である「ａ１」は、夫々保持容量Ｃ２及びＣ１の大きさを変えることにより調整できる。保持容量Ｃ２及びＣ２の大きさは、一般的な静電容量の式に基づいて、例えば、図１３及び図１６において、補助電極部３３６ａ及び３３６ｂの面積を変える、或いは補助電極部３３６ａと第５導電部７２ｅの要素である第２部分７２ｅｂとの間の絶縁膜３２３の厚さｄ３０を変える、及び／又は、補助電極部３３６ｂと第５導電部７２ｐの要素である第２部分７２ｐｂとの間の絶縁膜３２３の厚さｄ３１を変えるなどの方法により調整することができる。なお、上記の設計値は一例であり、第２実施形態では、設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように種々の設計をすることができる。
【０１６３】
以上の構成を有する第２実施形態では、特に、透過領域Ｅｔに対応する画素電極５０ｔの大きさ（面積）と、反射領域Ｅｒに対応する画素電極５０ｒの大きさ（面積）が略同一に設定されているので、反射領域ＥｒのＴＦＤ素子２１ｒの大きさ（面積）を、透過領域ＥｔのＴＦＤ素子２１ｔの大きさ（面積）の２倍に設定することで、上記した第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１６４】
また、第２実施形態では、図１３を参照して理解されるように、反射領域Ｅｒに対応する画素電極５０ｔの要素である、第１透明電極部５０ａ、第２透明電極部５０ｂ及び第３透明電極部５０ｃの線幅（Ｘ方向における長さ）を変えることにより、また、透過領域Ｅｔに対応する画素電極５０ｔの要素である、第１透明電極部５０ｄ、第２透明電極部５０ｅ及び第３透明電極部５０ｆの各線幅（Ｘ方向における長さ）を変えることにより、反射領域Ｅｒに対応する画素電極５０ｒと、透過領域Ｅｔに対応する画素電極５０ｔとの相対的な大きさ（面積）を変えることができる。この場合、反射領域Ｅｒに対応する画素電極５０ｒの大きさ（面積）と、透過領域Ｅｔに対応する画素電極５０ｔの大きさ（面積）が非同一となるので、上記した第１実施形態と同様の方法に基づき、透過領域Ｅｔに対応するＴＦＤ素子２１ｔと、反射領域Ｅｒに対応するＴＦＤ素子２１ｒの相対的な大きさ（面積）を変えることで、上記した第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１６５】
［変形例］
上記の第１又は第２実施形態では、素子基板９１又は９３側に反射層５を設けるように構成したが、これに代えて、本発明では、当該反射層５をカラーフィルタ基板９２又は９４側に設けるようにしても構わない。また、本発明では、その趣旨を逸脱しない範囲において液晶装置１００及び２００の構成等につき種々の変形をすることが可能である。
【０１６６】
［電子機器］
次に、本発明による液晶装置１００又は２００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【０１６７】
図１７は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶装置１００又は２００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶装置１００又は２００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１６８】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１６９】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１７０】
次に、本発明に係る液晶装置１００又は２００を適用可能な電子機器の具体例について図１８を参照して説明する。
【０１７１】
まず、本発明に係る液晶装置１００又は２００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１８（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１７２】
続いて、本発明に係る液晶装置１００又は２００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１８（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶装置１００又は２００を適用した表示部７２４を備える。
【０１７３】
なお、本発明に係る液晶装置１００又は２００を適用可能な電子機器としては、図１８（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１８（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１７４】
また、本発明は、液晶装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る液晶装置の透過領域を通る断面図。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の反射領域を通る断面図。
【図４】第１実施形態に係る素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の電極の構成を示す平面図。
【図６】１つの画素領域の構成を示す平面図及びＴＦＤ素子の断面図。
【図７】ＴＦＤ素子の大きさを変える方法を説明するＴＦＤ素子の平面図。
【図８】透過領域及び反射領域に対応する液晶の透過率（反射率）−電圧特性を示す。
【図９】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図。
【図１０】第２実施形態に係る液晶装置の反射領域を通る断面図。
【図１１】第２実施形態に係る液晶装置の透過領域を通る断面図。
【図１２】第２実施形態に係る素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図１３】１つのサブ画素領域に対応する要素の構成等を示す平面図。
【図１４】図１３の切断線Ｈ−Ｈ’及びＩ−Ｉ’に沿った素子基板の部分断面図。
【図１５】図１３の切断線Ｆ−Ｆ’及びＧ−Ｇ’に沿った素子基板の部分断面図。
【図１６】図１３の切断線Ｘ１−Ｘ２及びＸ１−Ｘ３に沿ったＴＦＤ素子等の断面図。
【図１７】本発明の液晶装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１８】本発明の液晶装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１７６】
１  上側基板、  ２  下側基板、  ４  液晶層、  ６  着色層、  ８  走査線、  １０、５０  画素電極、  ２１、２１ｔ、２１ｒ  ＴＦＤ素子、  ２２  第１のＴＦＤ素子、  ２３  第２のＴＦＤ素子、  ９１、９３  素子基板、  ９２、９４  カラーフィルタ基板、  １００、２００  液晶装置。
【図１】
2007065602.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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