(57)【要約】【課題】高効率、低コストであるとともに機械的強度も十分に確保できる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１の第一主表面上に少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を順次積層した発光層部を含む化合物半導体層と、前記化合物半導体層の第一主表面上の一部に形成された上部電極７と、前記光吸収性半導体基板の第二主表面側に形成された下部電極８とを有する半導体発光素子において、前記ｎ型ＧａＡｓ基板１と前記発光層部との間の前記上部電極７の下部に形成されたｐ型サイリスタ層２と、前記ｎ型クラッド層３の第二主表面側の前記上部電極７の下部以外の部分に形成された金属層１０と、前記ｎ型クラッド層３内の第二主表面側の前記上部電極７の下部以外の部分に形成されたオーミックコンタクト部９とを備えた構成とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収性半導体基板の第一主表面上に、少なくともｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を順次積層した発光層部を含む化合物半導体層と、前記化合物半導体層の第一主表面上の一部に形成された上部電極と、前記光吸収性半導体基板の第二主表面側に形成された下部電極とを有する半導体発光素子において、
前記光吸収性半導体基板と前記化合物半導体層との間の前記上部電極の下方に位置する部分に形成されたサイリスタ層と、前記化合物半導体層の第二主表面側の前記上部電極の下方に位置する部分以外の部分に形成された金属層と、前記金属層直上の化合物半導体層内の第二主表面側の前記上部電極の下方に位置する部分以外の部分に形成されたオーミックコンタクト部とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記光吸収性半導体基板は、前記上部電極の下部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記発光層部が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（但し、０≦Ｘ≦１、０．４≦Ｙ≦０．６）から成り、更に、前記光吸収性半導体基板がＧａＡｓから成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記金属層の材料が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｌ、Ｚｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｓｎのいずれかを９０重量パーセント以上含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記発光層部と前記上部電極との間に、膜厚が１０μｍ以上である電流分散層を設けることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記発光層部を含む前記化合物半導体層が、前記ｎ型クラッド層の直下に化合物半導体層を１０ペア以上積層して成るＤＢＲ（分布ブラッグ反射膜）層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に係り、特に、高効率で低コストの半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオードや半導体レーザー等の半導体発光素子は、使用される材料及び素子構造が飛躍的に進歩したことにより、半導体発光素子内部における光電変換効率が理論上の限界値に近い程度の値を得ることが可能となった。今後、更に飛躍的な高出力化を図るためには、光電変換後の半導体発光素子からの光取出し効率を高めることが極めて重要となる。
【０００３】
例えば、ＡｌＧａＩｎＰ４元混晶により発光層部が形成された半導体発光素子は、薄いＡｌＧａＩｎＰ（若しくはＡｌＧａＰ）活性層を、それよりもバンドギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とにより挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度を実現できる。このようなＡｌＧａＩｎＰダブルへテロ構造は、ＡｌＧａＩｎＰ４元混晶がＧａＡｓと格子整合するため、ＧａＡｓ単結晶基板上にＡｌＧａＩｎＰ４元混晶からなる各層をエピタキシャル成長させることにより形成できる。また、この半導体発光素子を利用する際には、通常、ＧａＡｓ単結晶基板をそのまま素子基板として利用することが多い。しかしながら、発光層部を構成するＡｌＧａＩｎＰ４元混晶はＧａＡｓよりもバンドギャップが大きいため、活性層にて等方的に放射された光の内、ＧａＡｓ基板の方向へ向かう光の殆どはＧａＡｓ基板にて吸収されてしまい、十分な光取出し効率を得ることができないという問題がある。
【０００４】
この問題に対する対策として、ＧａＡｓ基板上に少なくともｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層を順次積層させて発光層部を形成し、発光層部の上にＡｕからなる金属層を形成した後、金属層上に発光した光に対して透明な導電性基板、例えば、Ｓｉ基板を貼り合わせる。その後、ＧａＡｓ基板をエッチングにより除去する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。この方法により、金属層が光反射層としての機能を有するため、Ｓｉ基板方向へ放射した光は金属層にて反射され、基板における光の吸収を抑制することができる。また、上記の方法において、反射率の波長依存性がＡｕよりも小さいＡｌにて金属層を構成することにより、半導体発光素子の光反射強度を高めるようにした技術も開示されている（例えば、非特許文献１参照。）。具体的には、発光層部とＳｉ基板との間にＡｌ反射層が配置され、さらに、Ａｌ反射層とＳｉ基板との間には、Ｓｉ基板と発光層部との貼合わせ接合を容易にするために、Ａｕ層を介在させている。つまり、発光層部側に形成したＡｌ反射層を覆うようにＡｕ層を形成し、他方Ｓｉ基板側にもＡｕ層を形成して、それらＡｕ層同士を密着させて貼合わせを行なうようにしている。
【０００５】
また、上記の構成において、Ｓｉからなる導電性基板には半導体発光素子の強度を確保する機能や、ダイシング前のウェハの状態でウェハの厚さが極度に薄いためにハンドリングが困難になるということを防止する機能も有する。
【特許文献１】特開２００１−３３９１００号公報
【非特許文献１】「明るさ１００倍の発光ダイオード  蛍光管の置き換えが視野に」日経エレクトロニクス、日経ＢＰ社、2002年10月21日号 no.833、p．123−132
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の構成では、Ａｕ層を介してＳｉ基板を発光層部に貼り合わせ、ＧａＡｓからなる成長用の出発基板を除去するため、製造工程が多く、製造に掛かるコストが高くなり易い。また、Ｓｉ基板と発光層部との間に十分な強度を確保するため、加熱しながら貼り合わせを行なう必要があるが、Ａｕ層を介在させた状態で加熱を行なうと、Ｓｉ基板あるいは光反射層を成すＡｌ層と当該Ａｕ層とが共晶反応や拡散合金化などの冶金的反応を起すため、光反射率が低下し易くなり、取出し効率の低下を招いてしまう。
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決し、高効率、低コストであるとともに機械的強度も十分に確保できる半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を達成するために本発明は、光吸収性半導体基板の第一主表面上に、少なくともｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を順次積層した発光層部を含む化合物半導体層と、前記化合物半導体層の第一主表面上の一部に形成された上部電極と、前記光吸収性半導体基板の第二主表面側に形成された下部電極とを有する半導体発光素子において、前記光吸収性半導体基板と前記化合物半導体層との間の前記上部電極の下方に位置する部分に形成されたサイリスタ層と、前記化合物半導体層の第二主表面側の前記上部電極の下方に位置する部分以外の部分に形成された金属層と、前記金属層直上の化合物半導体層内の第二主表面側の前記上部電極の下方に位置する部分以外の部分に形成されたオーミックコンタクト部とを備えた構成としたものである。
【０００９】
前記光吸収性半導体基板は、前記上部電極の下部に形成されている。
【００１０】
前記発光層部が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（但し、０≦Ｘ≦１、０．４≦Ｙ≦０．６）から成り、更に、前記光吸収性半導体基板がＧａＡｓから成る。
【００１１】
前記金属層の材料が、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｌ、Ｚｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｓｎのいずれかを９０重量パーセント以上含む。
【００１２】
前記発光層部と前記上部電極との間に、膜厚を１０μｍ以上とする電流分散層が設けられている。
【００１３】
前記発光層部を含む前記化合物半導体層は、前記ｎ型クラッド層の直下に化合物半導体層を１０ペア以上積層して成るＤＢＲ（分布ブラッグ反射膜）層を有してもよい。
【発明の効果】
【００１４】
従って、本発明によれば、光吸収性半導体基板と発光層部との間の上部電極の下部にサイリスタ層を形成し、さらに、化合物半導体層内の第二主表面側の前記上部電極の下部以外の部分にオーミックコンタクト部を形成するとともに該化合物半導体層の第二主表面側の前記上部電極の下部以外の部分に高反射率の金属層を形成したことにより、高効率で低コスト、且つ十分な機械的強度を有する半導体発光素子を製作することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係る発光波長６３０nm付近の赤色ＬＥＤの断面を示したものである。エピタキシャル成長方法、エピタキシャル層膜厚、エピタキシャル構造や電極形成方法及びＬＥＤ素子製作方法は、以下の通りである。
【００１７】
図１（ａ）に示すようなｎ型（Ｓｉドープ）ＧａＡｓ基板１（光吸収性半導体基板）上に、図１（ｂ）に示すようにｐ型（Ｍｇドープ）ＧａＡｓサイリスタ層（膜厚２００nm、キャリア濃度４×１０１７／cm３）２、ｎ型（Ｓｉドープ）（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層（膜厚４００nm、キャリア濃度１×１０１８／cm３）３、アンドープ（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層（膜厚６００nm）４、ｐ型（Ｍｇドープ）（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層（膜厚４００nm、キャリア濃度１．２×１０１８／cm３）５、ｐ型（Ｍｇドープ）ＧａＰ電流分散層（膜厚１５μｍ、キャリア濃度２×１０１８／cm３）６を、ＭＯＶＰＥ法で順次積層成長させた。
【００１８】
ここで、ＭＯＶＰＥ成長での成長温度は、上記ｐ型ＧａＡｓサイリスタ層２からｐ型電流分散層６までを６６０℃とした。その他の成長条件は、成長圧力５０Ｔｏｒｒ、各層の成長速度は０．３〜１．０nm／ｓｅｃ、Ｖ／III比は約１５０で行った。因みに、ここで言うＶ／III比とは、分母をＴＭＢａやＴＭＡｌなどのIII族原料のモル数とし、分子をＡｓＨ３ 、ＰＨ３などのＶ族原料のモル数とした場合の比率（商）を指す。
【００１９】
また、ＭＯＶＰＥ成長において用いる原料は、例えばＧａの場合、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、又はトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、Ａｌの場合、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、Ｉｎの場合はトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属を用い、Ａｓ源としてはアルシン（ＡｓＨ３）、Ｐ源としてはホスフィン（ＰＨ３）等の、水素化物ガスを用いた。例えば、前記ｎ型クラッド層３のようなｎ型層の添加物原料としては、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を用いた。また、前記ｐ型クラッド層５や前記ｐ型電流分散層６の様なｐ型層の導電型決定不純物の添加物原料としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いた。その他に、ｎ型層の導電型決定不純物の添加物原料として、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジエチルテルル（ＤＥＴｅ）、ジメチルテルル（ＤＭＴｅ）を用いることもできる。その他に、Ｚｎの供給源としてはジメチルジンク （ＤＭＺｎ）を用いる事もできる。
【００２０】
そして、図１（ｃ）に示すようにｐ型電流分散層６の第一主表面上に、レジストやマスクアライナなどの一般的なフォトリソグラフィプロセスに用いられる機材等を用いて、直径１１０μｍの上部電極７をドットマトリックス状に真空蒸着法で形成した。また、蒸着後の電極形成にはリフトオフ法を用いた。上部電極７は、ＡｕＢｅ合金（金・ベリリウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）を、それぞれ１００nm、１０nm、７５０nmの順に蒸着した。更に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の底面には、上部電極７の略直下に位置する場所に下部電極８を上部電極７と同じ方法によって形成した。下部電極８は、ＡｕＧｅ（金・ゲルマニウム合金、ゲルマニウム含有率７．４％）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）を、それぞれ１５０nm、１０nm、５００nmの順に蒸着し、その後、上部電極７、及び下部電極８を合金化するためのアロイ工程において、４００℃の窒素ガス雰囲気中に５分間熱処理を行った。ちなみに、電流分散層６の第一主表面上における上部電極７が形成された以外の部分が光取出し面となる。
【００２１】
次に、図１（ｄ）に示したように、ｎ型ＧａＡｓ基板１及びｐ型サイリスタ層２の上部電極７の直下以外の部分をダイシング等の加工技術を用いて除去し、開口部１３を得る。具体的には、ダイシング加工とＧａＡｓのウェットエッチングによってｎ型ＧａＡｓ基板１を部分的に除去し、そして、露出したｐ型サイリスタ層２をエッチングによって除去することでｎ型クラッド層３を露出させるように開口部１３を得る。この時、ウェットエッチングに、例えばアンモニア水と過酸化水素水の混合エッチャントなどを使用することでｎ型ＧａＡｓ基板１を容易にエッチングすることができる。ここまでの工程を行った半導体発光素子の裏面状態を図２に示す。
【００２２】
次に、図１（ｅ）に示すように、上記の工程で露出したｎ型クラッド層３の第二主表面上に上部電極７及び下部電極８と同様の方法でオーミック電極を部分的に複数個形成する。そして、再度熱処理を施し、オーミック電極とｎ型クラッド層３とを合金化させてオーミックコンタクト部９を得る。この時のオーミックコンタクト部９は、前記ｎ型クラッド層３の第二主表面全体を覆うように形成するのではなく、図３に示すように１０μｍ〜２０μｍ程度の円形電極を数μｍ〜数十μｍの間隔を有してドット状に形成する。また、露出したｎ型クラッド層３の第二主表面の表面積に対してオーミックコンタクト部９の占有面積がおよそ５％〜３０％程度になるように適宜設定する。
【００２３】
ここで、オーミックコンタクト部９の領域を得るには、まず、オーミック電極として選ばれる好適な材料を一般的なフォトリソグラフィ技術と真空蒸着法やスパッタ法などの金属膜形成方法を用いて形成する。本実施形態における好適なオーミック電極の材料は、ｎ型クラッド層３の表面側からＮｉ（ニッケル）、ＡｕＧｅ（金・ゲルマニウム合金、ゲルマニウム含有率７．４％）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）であり、それぞれを１０nm、１５０nm、１０nm、５００nmの順と厚さで形成した。本実施形態のようにｎ型のＡｌＧａＩｎＰ半導体に対しては、電極を形成しただけではオーミック接合を得ることは極めて難しく、上記のように熱処理を施し、オーミック電極を半導体領域に拡散させることで初めてオーミック接合を得ることができる。この時の熱処理は、およそ３００℃〜４５０℃程度の温度にて５分乃至は３０分程度行うのが好ましい。
【００２４】
露出したｎ型クラッド層３の第二主表面全面にオーミック電極を形成し、更に熱処理を加え、全面をオーミックコンタクト領域とした場合、電極材料である金属が熱により半導体中に拡散し、熱処理前と比較して、その面は全て反射率の低い領域となってしまい、半導体発光素子の出力が低下してしまう。
【００２５】
逆に、オーミックコンタクト領域を全く形成しない場合、電流は後述する開口部１３に形成される金属層１０とダイレクトに接続された経路で流れるか、若しくはｐ型サイリスタ層２を経路として流れることになる。しかし、どちらの場合においても半導体と金属との電位障壁か、若しくはｐ型サイリスタ層２の電位障壁を介するため、そこでの電圧降下が生じ、半導体発光素子の駆動電圧が著しく高くなる。
【００２６】
従って、これらの問題を解決する方法として、部分的にオーミックコンタクト部９を形成することが好ましい。
【００２７】
次に、図１（ｆ）に示すように、露出したｎ型クラッド層３の第二主表面上、つまり開口部１３に公知のメッキの技術、例えば電解メッキ法や無電解メッキ法を用いて、ＡｌやＡｇなどの金属を埋め込み、成長的に金属層１０を形成する。金属層１０を形成した半導体発光素子の裏面状態を図４に示す。
【００２８】
開口部１３に形成された金属層１０によって半導体発光素子から発せられる熱は効率的に当該半導体発光素子と接続されるステムやリードフレーム（図示せず）に放熱される。尚、金属層１０は、メッキ法で形成する以外にも金属ペースト、所謂導電性接着剤でも良い。但し、開口部１３に埋め込み的に形成される材料が、出発基板材料のＧａＡｓよりも熱伝導性に優れる材料でなければ放熱性の向上を望む事はできない。
【００２９】
例えば、ＧａＡｓの熱伝導率は、およそ４６Ｗ／(ｍ・Ｋ)であり、これよりも優れる金属ペーストは、Ａｇを９０質量パーセント以上有するものなどが挙げられる。Ａｇフィラーの含有率を高めることで、これらの熱伝導率を、およそ６０Ｗ／(ｍ・Ｋ)まで高めることができるため、半導体発光素子の放熱性を向上させることが可能である。この放熱性の向上により、電流駆動時に発生する光電変換効率の低下を抑制することができるため、通常駆動する半導体発光素子の電流域よりも格段に高い電流域においての安定駆動が可能となり、高出力の半導体発光素子を得ることができる。また、放熱用途として形成する金属の材料をＡｌやＡｇなどの高反射率材料で形成することによって、半導体発光素子の裏面側へ放射された光を半導体発光素子の表面側へ効率良く反射させることができるため、半導体発光素子の発光出力を大いに高めることができる。
【００３０】
本発明の半導体発光素子は、化合物半導体層中にｐ型サイリスタ層２が形成されていることでその経路の電位障壁は非常に高くなり、ｐ型サイリスタ層２に流れる電流は著しく制限され、電流の経路は金属層１０へ強制的に曲げられる。つまり、ｐ型サイリスタ層２において電流ブロック効果が働き、上部電極７の直下での発光が効果的に抑制される。更に、金属層１０はＡｌやＡｇなどの高反射率金属で構成され、且つオーミックコンタクト部９は数十％程度の低い反射率の部分となっているため、オーミックコンタクト部９を透過する光の確立が高くなり、金属層１０にて光を光取出し面へ効率よく反射することができ、高効率の半導体発光素子を得ることができる。
【００３１】
また、本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板１を全て除去するのではなく、図１（ｄ）のように上部電極７直下以外の部分のみを除去し、その後、開口部１３に導電性の物質を充填する構成とした。これにより、ｎ型ＧａＡｓ基板１の残部が機械的自立の機能を果たすため、機械的強度の保持するためにシリコン基板などの導電性基板を新たに貼り合せる必要がなくなり、製造にかかるコストを低く抑えることができる。更に、貼り合わせに必要な熱処理も不要となるので、冶金的反応等により金属層１０の反射率を低下させる心配もない。
【００３２】
従って、発光層部が反射層で覆われた構造を有しつつも、反射層を成す金属層１０を介してシリコン基板などの自立基板を発光層部に貼り合わせる工程が不要であり、しかも製造時のハンドリングに耐える十分な機械的強度も容易に確保できる半導体発光素子が実現できる。
【００３３】
また、電流分散層６は、発光層部よりもドーパント濃度を高めた化合物半導体層として形成することができるほか、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍｕ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物から成る透明導電膜によって形成することもできる。ＩＴＯなどの透明導電膜は、一般的に用いられる化合物半導体電流分散層（例えばＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ）に比べて格段に導電性が高い。この為、前記透明導電膜の活用により、半導体発光素子の面内に均一に電流を流す効果が高くなり、半導体発光素子の発光出力向上に大きく寄与することができる。
【００３４】
本発明の実施形態においては、エピタキシャル層の構造に半導体多層膜によって構成されるＤＢＲ（分布ブラッグ反射膜）層を設けない構造としたが、図５のように、ｎ型クラッド層３の直下に化合物半導体層を１０ペア以上積層して成るＤＢＲ層１１を設ける構造としても本発明の意図する効果を得ることができる。ここで、本実施形態においては、ｎ型クラッド層３内の第二主表面側にオーミックコンタクト部９を形成したが、図５の構成では、金属層１０とＤＢＲ層１１との間において電位障壁が発生するため、ＤＢＲ層１１内の第二主表面側に本実施形態と同様の方法でオーミックコンタクト部９を形成した。
【００３５】
また、本発明の実施形態においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１を除去する際にダイシング加工とウェットエッチングを併用した方法を明示したが、例えばこの方法以外に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に保護膜（例えばレジスト膜や、ＳｉＯ２膜）を形成し、これをフォトリソグラフィなどによって所望の形状にパターンニングすることでマスク材とし、更にこの状態でウェットエッチングなどによりｎ型ＧａＡｓ基板１を除去する方法を採る事も可能である。
【００３６】
更に、本発明の実施形態においては、露出したｎ型クラッド層３の第二主表面上のオーミック電極を熱処理することによりオーミックコンタクト部９を形成し、開口部１３にメッキ処理などの技術によって金属層１０を形成したが、図６に示すようにオーミックコンタクト部９を部分的に形成した後、当該面上に一般的なフォトリソグラフィ技術と真空蒸着法やスパッタ法を用いて高反射率の反射層１２を形成し、電解メッキ法や無電解メッキ法などのメッキの技術や金属ペースト層を充填するなどして金属層１０を形成し、金属層１０の裏面側に本発明の実施形態と同様の方法で下部電極８を形成した構造の半導体発光素子としても良い。
【００３７】
例えば、金属層１０がＣｕ（銅）を主成分とした材料で構成される場合、金属層１０の反射率はＡｇやＡｌといった高反射率材料よりも反射率が劣り、ＡｇやＡｌを用いた発光素子よりも発光出力が低くなる。しかし、ＣｕはＡｇなどの材料に比べて安価であり、また、Ａｌなどと比較した場合、Ｃｕの方が熱伝導性に優れるという特徴を有する。従って、高反射率の材料で反射層１２を形成し、且つ高熱伝導性で安価な材料で金属層１０を形成することで、高出力、且つ低コストの半導体発光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態に係る赤色ＬＥＤの断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る赤色ＬＥＤにおける図１（ｄ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る赤色ＬＥＤにおける図１（ｅ）のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る赤色ＬＥＤにおける図１（ｆ）のＣ−Ｃ線の断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る赤色ＬＥＤの断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る赤色ＬＥＤの断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
２  ｐ型サイリスタ層
３  ｎ型クラッド層
４  活性層
５  ｐ型クラッド層
６  電流分散層
７  上部電極
８  下部電極
９  オーミックコンタクト部
１０  金属層
１１  ＤＢＲ（分布ブラッグ反射膜）層
１２  反射層
１３  開口部
【図１】
2007149716.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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