(57)【要約】本発明は、固定部と、連結手段によって前記固定部に接続される可動部とを有し、該可動部がさらに反射手段を備えている光マイクロミラーを製造するための方法に関するものである。この方法は、（ａ）構造基板２１と、熱酸化材料からなる第１の層２２と、可動部を形成するための、材料からなる少なくとも一つの第２の層２６と、から形成される積層体を作製し、（ｂ）連結手段２７を作製し、（ｃ）第２の層上に反射手段２９を作製し、（ｄ）材料からなる少なくとも第２の層をエッチングすることによって可動部を作製し、（ｅ）可動部を開放するように熱酸化層を除去する工程を有している。利用可能な用途は、光ルーティングもしくは像投影システムである。
2004522997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、連結手段によって前記固定部に接続される
可動部とを有し、該可動部がさらに反射手段を備えている光マイクロミラーを製造するための方法において、
（ａ）構造基板（３１）と、第１の層（３２，４２）と称される特定の厚さの熱酸化材料からなる犠牲層と、可動部を形成するための、第２の層（４１′）と称される材料からなる少なくとも一つの層を有する組と、から形成される積層体を作製し、
（ｂ）連結手段（４７）を作製し、
（ｃ）少なくとも一つのパターンが得られるように、少なくとも前記材料からなる第２の層をエッチングすることによって前記可動部を作製し、
（ｄ）前記可動部が自由になるように前記犠牲層を少なくとも部分的に取り去り、これにより、前記可動部が、前記連結手段によって前記固定部に相当する該マイクロミラーの残りの部分に結合するようにする
工程を有していることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
反射材料を単層もしくは多層にして堆積することにより、前記第２の層上に前記反射手段（４８）を作製することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、
前記第２の層をエピタクシー成長させる工程をさらに有し、エピタクシー後、次に前記第２の層上に前記反射手段を作製することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法において、
熱酸化材料からなる前記犠牲層の厚さを１ミクロン以上とすることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記第２の層を単結晶の層とすることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、
前記工程（ａ）は、前記基板上に熱酸化層を形成する工程と、その後、前記熱酸化材料層上に前記第２の層を堆積する工程を有していることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、
前記工程（ａ）は、構造基板上に第２の層を移植して着設する工程を有し、このとき、前記基板および／または前記第２の層における着設されるべき側に、移植後に前記第１の層を形成することになる熱酸化層を設ける工程を有していることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記移植する工程が、分子付着により密着させる工程を有していることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、
前記第２の層を接続領域（４６）によって中間基板に接合可能にし、前記接続領域によって、前記中間基板を除去可能にすることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、
前記工程（ｄ）の前に、前記基板の上側に堆積された層の局所的なエッチングを行い、これにより、少なくとも一つのバイア（２５，３４）を形成し、各バイアを通してエピタクシーを施すことで、各バイア内のエピタクシー材料が、前記連結手段の連結部材（２７）の全てもしくは一部を形成し、前記連結手段を作製することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法において、
−  移植の前に局所的なエッチングを行い、これにより、前記基板の上側に堆積された層内に少なくとも一つの第１のバイア（３４）を形成するとともに、前記基板に臨むことになる前記第２の層上に堆積された層内に少なくとも一つの第２のバイア（４４）を形成し、
−  前記第１のバイアを通してエピタクシー成長を行って前記連結部材の一方の部分を形成するとともに、前記第２のバイア内にエピタクシー成長を行って前記連結部材の他方の部分を形成し、移植を通してこれら２つの部分を対面させ、移植後に該連結手段の連結部材（４７）を形成することによって、
前記連結手段を作製することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の方法において、
前記マイクロミラーの連結手段を作製するために、単一の連結部材（２７，４７）を作製して前記可動部の下側に配置し、これにより、前記可動部分のためのピボットが形成されて、該ピボットにより前記可動部が固定部に接続されるようにすることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１又は請求項１０又は請求項１１に記載の方法において、
前記マイクロミラーの連結手段を作製するために、２つの連結部材を作製して前記可動部の両側に配置し、これにより、前記可動部を固定部に接続するヒンジ（５７）を形成することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１または請求項１３に記載の方法において、
前記第２の層をエッチングすることによって前記連結手段（５７）を作製することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法において、
前記基板をシリコンから形成し、前記第１の層をシリコンの熱酸化物とし、前記第２の層を単結晶シリコンから構成し、前記連結手段を単結晶シリコンから構成することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法において、
前記第２の層のシンニングを行う工程をさらに有していることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法において、
前記可動部の複数端部の一つの少なくとも一部に臨む少なくとも一つの空孔部（１９，３６）を前記構造基板内に作製する工程をさらに有していることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、
非等方エッチングによって前記基板の一つもしくは複数の前記空孔部を作製することを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法において、
前記構造基板ならびに前記可動部に、互いに向き合う構造基板側の電極（２４，３３）及び可動部側の電極（２３，４３）を形成することによって制御手段を作製する工程を有し、前記マイクロミラーが電気的に制御されるようにすることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法において、
前記基板と前記可動部が少なくとも対向する半導体材料部分であるときに、後からドーパントの然るべき熱拡散を行うか行わないかにかかわらず、ドーパントをイオン注入することによって前記電極を形成することを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法において、
ドーパントをイオン注入してから該ドーパントをしかるべく熱拡散することによって、制御用電子機器回路への前記電極の接続ライン（６２）を作製し、このとき、前記可動部に臨む前記基板の表面に前記接続ラインを形成し、前記連結手段を介して前記ラインの一つもしくは幾つかに前記可動部の電極を接続し、さらに、前記制御用電子機器回路に前記ラインを接続するために、前記ラインの終端部に前記コネクタ（６０）を設けることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法において、
前記基板を貫くめっきスルーホール（７０）によって、制御用電子機器回路への前記電極の接続ライン（６２）を作製し、このとき、前記連結手段を介して前記めっきスルーホールの一つもしくは複数に前記可動部の一つもしくは複数の電極を接続し、さらに、前記制御用電子機器回路に前記ラインを接続するために、前記ラインの終端部に前記コネクタ（７１）を設けることを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１に記載の方法において、
前記可動部を、少なくとも２つの部分（３，４）、すなわち、反射手段を有する第１の部分（４）、及び該第１の部分を取り囲む少なくとも一つの第２の部分（３）から構成し、前記第２の部分を、前記連結手段によって前記固定部に接続し、前記可動部の前記第１の部分を、中間連結手段（６）によって前記第２の部分に接続することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法において、
前記中間連結手段がヒンジを有するようにすることを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法において、
前記第２の層をエッチングすることによって前記中間連結手段を作製することを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項１から請求項２５のいずれか１項に記載の方法において、
複数のマイクロミラーからなるアレイを作製する工程を有することを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項１から請求項２６に記載の方法によって得られるマイクロミラーもしくは複数のマイクロミラーからなるアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光マイクロミラーならびにマイクロミラーの製造方法、もしくは本発明の方法により得られる複数マイクロミラーのアレイ（マトリックス）に関する。これらのマイクロミラーは、電気的に制御することができる。
【０００２】
マイクロミラーは、一般に、光束を偏向するようなシステム、とりわけ光ルーティングシステムもしくは画像投影システムに用いられている。
【背景技術】
【０００３】
デジタル式もしくはアナログ式に（多くは静電的な力、電磁的な力、圧電による力、熱弾性による力を用いて）角度位置が設定可能な電気的に制御されるマイクロミラーが文献より公知となっている。これらのマイクロミラーは、通常、ヒンジによる構成を用いており、これにより、用いられる技術水準の複雑さにもよるが、一軸線（単一ヒンジ）、もしくは、大抵直角になるように揃えられた２つの回転軸線（二重ヒンジ）の周りに振動させることができるようになっている。
【０００４】
図１ａは、上記のような静電的に制御されるマイクロミラーであって、光ルーティングシステムに用いられ、２つの直角な軸線を基準とした回転を可能にするマイクロミラーを示している。基板１に取り付けられているのは、マイクロミラーの固定フレーム２、そして、２つの直角な軸線周りに所望の回転を可能にするヒンジ５，６の周りに、それぞれ連結された可動部３，４である。上記回転軸線のそれぞれは、別々のヒンジを通っている。可動部４は、反射率の高い材料の層で被覆されている。
【０００５】
図１ｂは、この種のマイクロミラーを構成する様々な部材の概略的な断面図である（ヒンジ５の軸線を通る断面）。この図にはさらに、マイクロミラーの様々な制御電極７，８，９，１０も示されている。互いに向き合う電極７，８は、可動部３のヒンジ５周りの回転を可能にし、その一方で、互いに向き合う電極９，１０は、可動部のヒンジ６周りの回転を可能にしている。
【０００６】
製造工程は、構造基板から始めて、一つもしくは複数のマイクロミラーの種々の部材（制御電極、可動部、ヒンジ等々）を形成可能にする適した材料の堆積とエッチングの工程を含み、さらに、除去することで可動部を自由にすることができる一つもしくは複数の犠牲層を用いる工程を含んでいる。
【０００７】
このようなデバイスを得るための代替技術は多く存在している。この点については、非特許文献１、非特許文献２、非特許文献３を参考にすることができる。
【０００８】
実施される技術的工程の構造ないし流れの細かい部分には、かなりの多様なアプローチが使われるが、今日開発されているデバイスには、以下の共通点が存在する：
−  可動部もしくはマイクロミラーの部材を作製するのに用いられる材料は、多くの場合、極めて伝統的な技術（真空蒸着、陰極スパッタリング、気相堆積、ＣＶＤ等々）を用いて堆積されるアモルファスもしくは多結晶（多結晶シリコン、アルミニウム、種々の金属等々）である。
−  犠牲層を作製するのに用いられる材料は、様々な種類（シリカ、種々の有機材料等々）にすることができるが、常に堆積法（ＣＶＤ、回転による堆積、陰極スパッタリング等々）によって得られる。この方法は、用いられる厚さを非常に正確に制御するのには無理があるが（通常、ミクロンの厚さに対して数十ナノメートル）、かなり柔軟に使用できるという長所を持っている。
【０００９】
従来技術のアプローチの欠点は、幾つかのレベルで存在する：
−  先ず、厚さ制御がさほど高度でない堆積法によって作製された犠牲層をもちいる結果として、角度変位における精度が不十分である（通常、１０−１〜１０−２の間）。
特定のシステム構造、特に光ルーティングに用いられるシステム構造では、この点は、問題であり、従来技術において提案されるどんな製造方法によっても、この問題を正しく克服することはできない。
−  さらに、可動部を構成する薄膜のアモルファスもしくは多結晶の層が機械的特性に乏しく、なかんずく自由にした後で変形や脆さが増して、表面の平坦性を乱すことである。
【００１０】
この点は、光波面の優れた品質を要求する結像機能を実現しなければならないような高度な表面のマイクロミラー（１平方ミリメータないしは１平方ミリメータの何分の一かの程度）の場合には、とりわけ重要である。
【非特許文献１】
"Mirrors on a chip", IEEE SPECTRUM, November 1993
【非特許文献２】
L. J. Hornbeck, "Micro-machining and micro-fabrication" "95", October 1995, Austin (US)
【非特許文献３】
D. J. Bischop and V. A. Aksyuk, "Optical MEMS answer high-speed networking requirements", Electronic Design, 5 April 1999
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、光マイクロミラーを作製するための方法、ならびに本発明の方法により得られて従来技術の欠点を持たない光マイクロミラーないしマイクロミラーのアレイを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
とりわけ、本発明の方法により得られたマイクロミラーは、十分な角度変位を持ちながらも、角度変位精度に優れている。加えて、本発明の方法により得られたマイクロミラーの可動部は、機械的特性を有しているので、優れた平面性が得られることになる。本発明のマイクロミラーは、ヒンジに取付けられたマイクロミラー（単一のヒンジもしくは二重のヒンジ）であってもよいし、また、旋回心軸（ピボット）に取付けられて回転するマイクロミラーであってもよい。後者のマイクロミラーのタイプは、これまでに無い初めてのタイプであり、本発明の方法の特徴によって初めて得ることができる。
【００１３】
より正確には、本発明の目的は、固定部と、連結手段によって前記固定部に接続される可動部とを有し、該可動部がさらに反射手段を備えている光マイクロミラーを製造するための方法である。この方法は、以下の工程を有している：
（ａ）構造基板と、第１の層と称される特定の厚さの熱酸化材料からなる犠牲層と、可動部を形成するための、第２の層と呼ばれる少なくとも一つの材料層を持つ組と、から形成された積層体を作製し、
（ｂ）連結手段を作製し、
（ｃ）少なくとも一つのパターンが得られるように、少なくとも前記材料の第２の層をエッチングすることによって前記可動部を作製し、
（ｄ）前記可動部が自由になるように前記犠牲層の少なくとも一部を取り去り、これにより、前記可動部が、前記連結手段によって前記固定部に相当する該マイクロミラーの残りに結合するようにする。
【００１４】
本発明の方法による複数の工程は、上述した順番に行うこともできるし、あるいは、他の順番で行うこともできるし、さらには、特定の実施形態において、幾つかの工程を他の工程に組み込むこともできる。本発明によれば、上記基板または上記層は、単一材料から形成されている必要は必ずしもなく、従って、上記基板は、複数の層を有し、さらにこれらの層が幾つかの下位の層を有していてもよい。
【００１５】
本発明によれば、熱酸化材料の層を用いることによって、犠牲層として使用可能な、厚さが極めて良好に制御される層が得られる。かくして、可動部の角度変位の値は、極めて正確であり、しかも再現性がある。しかもそれは十分な水準にすることができる。
【００１６】
熱酸化材料の犠牲層は、１ミクロンに等しいかそれよりも厚い厚さを有していることが好ましい。
【００１７】
シリコン基板の場合には、例えば、本発明の方法により、全体が数ミクロンないし数十ミクロンの厚さに対しておおよそ数ナノメートルの精度を有する熱シリカの層を得ることができる。これは、犠牲層の厚さに関して従来技術で得られる精度のおよそ１０倍である。この結果、角度精度もおよそ１０倍向上する。
【００１８】
熱酸化層は、部分的に除去することができる。熱酸化層は、少なくとも上記可動部が自由になるようにエッチングされなければならない。
【００１９】
好ましくは、上記反射手段は、例えば金、銀、アルミニウムのような金属、または、例えばＳｉＯ２／ＴｉＯ２ないしＳｉＯ２／ＨｆＯ２のような絶縁体といった単層もしくは多層の反射材料を堆積することによって形成される。これらの材料は、通常、工程（ｂ）の後に、例えば第２の層上への真空蒸着もしくは陰極スパッタリングによって堆積される。
【００２０】
第２の層が用途上十分な反射性を有している場合には、エピタクシー後の第２の層上に上記反射手段が実現される。
【００２１】
好適には、上記方法は、さらに、第２の層のエピタクシー工程を有し、このとき、上記反射手段は、エピタクシー後に第２の層そのものによって形成される。
【００２２】
第２の層をエピタクシー成長させることによって、できるだけ最良の構造的連続性を持たせた状態でこの層の厚さを増加させることができ、しかも、わずかしか欠陥がなく構造的な質（特に機械的な耐性）が極めて高い層を得ることができる。この層は、自由化工程（ｄ）後に優れた平坦面を維持する。
【００２３】
本発明の好ましい実施形態によれば、第２の層は、単結晶材料の層とされている。可動部に単結晶材料を用いることによって、上側に反射層が堆積される表面に、高い表面平坦性を得ることができる。
【００２４】
本発明の第１の実施形態によれば、工程（ａ）は、基板上に熱酸化層を作製し、次にこの熱酸化層上に第２の層を堆積する工程を有している。
【００２５】
堆積というのは、本発明によれば、層を移植することも含めたあらゆる種類の堆積として定義される。
【００２６】
工程（ａ）に関しては、幾つかの異なる工程を施すこともできるし、あるいは、市場で入手可能な「シリコンオンインシュレータ（Silicon On Insulator）」として一般に知られるＳＯＩといった絶縁体上半導体のウェハを用いることもできる。絶縁体上の半導体ウェハを用いる場合には、実例として、熱シリカ（例えば商品名ユニボンド（Unibond）の名前でＳＯＩＴＥＣ社から販売されているウェハ）のウェハを使ったＳＯＩ基板が好適に用いられる。
【００２７】
本発明の第２の実施形態によれば、工程（ａ）は、構造基板上に第２の層を移植し、このとき、上記基板および／または上記第２の層における着設されるべき側に、一旦着設した後に上記第１の層を形成することになる熱酸化層を設ける工程を備えている。
【００２８】
好ましくは、移植には、分子付着による、（一方では基板もしくは酸化層、そして、他方では第２の層もしくは酸化層の）密着工程が含まれる。斯かる密着に対して、例えば接着剤といった付着部材を用いることも可能であろう。
【００２９】
上記第２の層は、接続領域によって中間基板に結合させることができる。ここで、接続領域は、着設の後か、もしくは特殊な場合には着設の前に、中間基板を除去させることを可能にするものである。
【００３０】
上記移植の第１の使用によれば、上記接続領域を、イオン注入によって得られる脆化領域とするか（特に米国特許第５３７４５６４号明細書および米国特許第６０２０２５２号明細書を参照）、および／または、第２の層内を多孔質とし、これによって、力学的な力を加えたり、および／または熱処理を用いたりといった然るべき処理を行うことで、上記脆化領域に沿って上記中間基板を除去する。
【００３１】
上記移植の第２の使用によれば、上記接続領域を、化学的侵食にさらされる犠牲層とし、これにより中間基板が除去できるようにする。
【００３２】
上記第２の実施形態において用いられる移植技術により、好適には分子付着技術を用いて組み合わされた少なくとも２つのウェハを使用することが可能になり、さらに、犠牲層の厚さ（角度変位に関する精度に対してかなりの制約を与える）に対する精度を犠牲にすることなく角度変位の限界が克服できるようになる。
【００３３】
また、本発明によって得られる基本的な利点（可動部の機械的な品質ならびに角度変位の精度）を犠牲にすることなく、複雑な構成を実現するための自由度をより大きくすることができるようになる。
【００３４】
熱酸化層は、大気圧又は高圧下で、乾燥雰囲気中での高温における酸化（酸素中で８００℃から１１００℃の間）、もしくは、湿潤な雰囲気中での高温における酸化（水蒸気中で８００℃から１１００℃の間）により形成させることが好ましい。
【００３５】
本発明の連結手段を作製するための好ましい方法によれば、工程（ｄ）の前に、基板の上側に堆積された層の局所的なエッチングを行い、これにより、少なくとも一つのバイアを形成し、各バイアの端から端までエピタクシーを施し、各バイア内のエピタクシー材料が、上記連結手段の連結部材の全てもしくは一部を形成するようにする。
【００３６】
上記連結部材は、第２の層を移植することを使った上記第２の実施形態の場合には特に、幾つかの部分で形成することができる。このため、上記連結手段は、以下の工程を通して作製される：
−  着設（組み合わせ）の前に局所的なエッチングを行い、これにより、上記基板の上側に堆積された層内に少なくとも一つの第１のバイアを形成するとともに、上記基板に臨む前記第２の層上に堆積された層内に少なくとも一つの第２のバイアを形成するようにし、
−  上記第１のバイア中にエピタクシーを施して、上記連結部材の一方の部分を形成するとともに、上記第２のバイア内にエピタクシーを施して、上記連結部材の他方の部分を形成し、これら２つの部分を移植を通じて面と面とを合わせるように配置し、移植後に該連結部材を形成する。
【００３７】
マイクロミラーの連結手段の第１の実施形態によれば、単一の連結部材を作製して可動部の下側に設け、これにより、該可動部分のためのピボットが形成されて、該ピボットが上記可動部を固定部に接続するようになっている。上記ピボットは、用途に応じて、可動部の下側で中心合わされていても、中心から外されていてもよい。
【００３８】
マイクロミラーの連結手段の第２の実施形態によれば、２つの連結部材を作製して可動部の両側に設け、これにより、可動部を固定部に接続するヒンジが形成されるようになっている。
【００３９】
好ましくは、この第２の方法により、上記連結手段は、第２の層をエッチングすることによって作製される。このエッチングは、上記可動部を作るのと同時に行うことができる。もちろん、これまで述べてきたようにして、バイアを横切るエピタクシーによりヒンジ型の連結手段を作製することもできる。
【００４０】
本発明の好ましい実施形態によれば、上記基板はシリコンから形成され、上記第１の層はシリコンの熱による酸化物とされ、上記第２の層は単結晶シリコンとされ、上記連結手段は単結晶シリコンから形成されている。
【００４１】
好適にも、本発明の方法は、可動部の慣性を減らすために上記第２の層のシンニングを使い、マイクロミラーが高い周波数で動作可能となる。
【００４２】
この第２の層のシンニングは、次のように行うことができる。すなわち、第２の層内に所定深さで脆化領域を形成し、これにより、余剰分の除去後（この余剰分は、中間基板でもよい）、残りの厚さが第２の層の所望の厚さに対応するようにするか、あるいは、所望の厚さが得られるまで化学エッチング又は反応性イオンエッチング又はメカノケミカル研磨を施すか、あるいはまた、同じくこれら全ての技術を組み合わせるか、いずれかによって行うことができる。シンニング工程によって第２の層の厚さがかなり薄くなる場合は、この厚さは、エピタクシー工程によって再び増加させることができる。
【００４３】
本発明の有利な実施形態によれば、軸線もしくは異なる回転軸線周りの全角度変位Δθをマイクロミラーの寸法パラメータから別にできるような形状及び幾何学的寸法に合わせて基板をエッチングすることで、上記可動部の先端部分のうちの一つの少なくとも一部分に臨む構造基板の位置に少なくとも一つの空孔部が形成され、可動部の角度変位を大きくすることができる。
【００４４】
上記空孔部すなわち基板の空孔部は、非等方エッチング、例えばウェットエッチング、あるいは、イオンエッチングもしくは反応性イオンエッチングといったようなドライプロセスによって作製されることが好ましい。一般的には、基板は、旋回するマイクロミラーにおいては、可動部の先端部の周縁領域に臨む周縁の空孔部を備えている。
【００４５】
一実施形態によれば、本発明の方法は、構造基板ならびに可動部に、互いに向き合う電極を形成することによって制御手段を作製する工程を有し、マイクロミラーが電気的に制御されるようになっている。
【００４６】
基板と可動部が少なくとも対向する半導体の部材である場合には、上記電極は、後からドーパントの然るべき熱拡散を行うか行わないかのいずれであっても、ドーパントをイオン注入することによって形成される。
【００４７】
電極から制御用電子機器回路への接続ラインは、様々な方法で形成することができ、特に、後からドーパントの然るべき熱拡散を行うか行わないかのいずれであっても、ドーパントをイオン注入することによって形成することができる。上記ラインは、可動部に臨む基板の表面に形成され、その結果、可動部の電極が、連結手段を介して、これらのラインの幾つかに接続されていることが好ましい。加えて、制御用電子機器回路に上記ラインを接続するために、これらのラインの終端部にコネクタを設けることもできる。
【００４８】
他の実施形態によれば、様々な電極の接続ラインは、基板を貫くめっきスルーホールから構成されており、可動部の電極は、好ましくは連結手段を介して、上記めっきスルーホールの幾つかに接続されている。加えて、制御用電子機器回路に上記ラインを接続するために、これらのラインの終端部にコネクタを設けることもできる。
【００４９】
また、本発明は、静電的な力以外に、例えば電磁力、圧電性の力や、あるいは同じように熱弾性の力を利用する電気的制御手段を用いている。実例として、磁力（ラプラス力）による可動部の制御は、必要な磁場を生成するのに用いられる巻き線および磁石の構成を要する。
【００５０】
本発明の特別な実施形態によれば、上記可動部は、少なくとも２つの部分、すなわち、反射手段を有する第１の部分、及び該第１の部分の周りの少なくとも一つの第２の部分を備え、上記連結手段が上記第２の部分を固定部に接続し、中間連結手段が上記可動部の第１の部分を上記第２の部分に接続している。
【００５１】
上記マイクロミラーの連結手段は、少なくとも一つのヒンジもしくはピボットを備えていてもよい。上記中間連結手段は、少なくとも一つのヒンジを備えていてもよい。
【００５２】
上記ヒンジは、然るべきパターンに合わせて上記第２の層をエッチングすることによって作成されることが好ましい。
【００５３】
本発明により、ピボットを使えば、該ピボットを通りかつ基板の面に垂直な対称軸線の周りのあらゆる方向に可動部を動かすことができるようになる。
【００５４】
上記連結手段及び上記中間連結手段がヒンジによって形成される場合には、一般には、可動部の各部を連結するのに２つの部材から構成された一つのヒンジが必要となる。このとき、ヒンジの構成部材は、上記可動部の両方の部分に設けられている。各ヒンジは、基板の面に平行で、ヒンジ軸線と呼ばれるヒンジの構成部材を通る軸線の周りに該ヒンジが連結される部分を移動可能にする。可動部の自由度を増やすために、各ヒンジは、該ヒンジの軸線が、基板に平行な面内で他方のヒンジの軸線に対して特定の角度（一般には９０°）をなすように設けられている。
【００５５】
本発明の方法は、個々のマイクロミラーの作製と同様に、複数マイクロミラーのアレイの作製にも応用することができる。これらのマイクロミラーは、互いに独立に制御することができる。
【００５６】
本発明は、これまで述べてきた方法によって得られるマイクロミラーにも関するものであり、同様に、このようなマイクロミラーの複数からなるアレイにも関するものである。
【００５７】
本発明によれば、アレイという言葉は、構成部材が一つの軸線に沿って並べられるような、アレイの特殊な形態であるストリップをも含んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下の記載に照らし合わせれば、本発明の特徴と長所とがより明らかなものになろう。本記載は、図によって示されはするが限定的ではない実施形態に関するものである。
【００５９】
本発明のマイクロミラーを実現させることのできる多くの代替方法が存在することは言うまでも無い。
【００６０】
マイクロミラーを製造する方法を２つだけ述べることにするが、ここで、これらの方法がマイクロミラーの集積化を可能にする一方で、他方、これらの方法が限定的なものではないことが分かる。さらに、記載を簡単にするために、ピボットを使った連結手段を利用する場合を選んだ。この場合の利点は、一つの可動部を用いて、ピボットの軸線に垂直な複数の軸線周りの回転が、制御電極の簡単な幾何学的形状の変化を加えることにより可能になるという点にある。そして、一例として、基板、第２の層、及び連結手段にはシリコンを選んだ。これらの例は、もちろん限定的なものではない。
【００６１】
第１の方法は、１個のウェハに対して実施され、他方、第２の方法は、２個の別々のウェハＡ，Ｂに対して実施されてから積み重ねられるというものである。
【００６２】
一つのウェハ上に実現される本発明のマイクロミラーの第１の実施形態が、図２の様々な図に描かれている。
【００６３】
この場合、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウェハを作製するか（断面による図２ａを参照）、もしくは、市場で入手可能なこの種のウェハを用いればよい。
【００６４】
この種のウェハを作るために、未ドープシリコン基板２１を用い、この基板上に、熱によるシリカ（熱シリカ）の絶縁層２２を成長させる。次に、何らかの周知の堆積技術、なかんずく薄膜を形成する技術を用いて、表面に単結晶シリコン表面層２０を形成させる。
【００６５】
図２ｂは、未ドープシリコン２１における基板上側部分ならびに単結晶シリコン表面層２０に、異なるドープ領域２４，２４′ならびにドープ領域２３を生成することによって、電気的制御手段の電極を作製する様子を示している。上記の領域は、後から熱的な焼きなましを行うか行わないかいずれであっても、局在の所望深さに応じて、ドーパント原子（通常、ホウ素もしくはリン）を異なるエネルギーでイオン注入することによって得られる。所望する局在化の深さと絶縁層２２の深さに応じて、注入エネルギーを大抵２０〜３００ｋｅＶの間にして、１０１４〜１０１６ｃｍ−２の範囲で注入を行う。一例として、厚さＷ′が通常０．１〜０．６ミクロンの間となる層２０においては、領域２３を生成するための注入エネルギーは低く（１５〜１００ｋｅＶ）なるはずであるが、他方、基板２１においては、注入イオンが厚さＷのシリコンの層２２とシリコン層２１の一部を突き抜けねばならないことから、領域２４，２４′を生成するための注入エネルギーはより高く（通常、１００ｋｅＶを超える）なるはずである。単一パターンの可動部には、単一のドープ領域２３で十分であろう。
【００６６】
図２ｃは、特に注入領域２４′の上側にバイアを作るように層２０，２２を局所エッチングすることで、将来のピボットの設置部位２５を作る様子を示している。
【００６７】
図２ｄは、エピタクシー工程を示す。この工程によって、ドープされた単結晶シリコンピボットを形成することが可能になるとともに、表面シリコン２０の厚さを増加させることが可能になり、その結果、マイクロミラーの可動部を形成することになる部分の機械的な剛性が高まる。
【００６８】
機械的にがんじょうな連結手段が得られるように、好ましくは単結晶シリコンを用いて連結手段を形成する。
【００６９】
このエピタクシー工程の間、エピタクシー材料のドーピング率は、調整可能であり、例えば、所望の仕様によっては厚さが数ミクロン程度になることもある単結晶シリコン層２６を増すのに層２０の厚さを増すことだけを問題にすればよいようなときには、当該工程の初期におけるドーピング率が、工程の終わりにおけるものよりも大きく（好ましくは基板の注入領域に電気的に接続されるピボット２７を作るのに対応）なるように選ぶことができる。このエピタクシー層に現れることがある窪み２８は、局所エッチング部２５が存在していることによる。
【００７０】
図２ｅは、エピタクシー工程が終わり、さらに、窪み２８を取り除いて完全に平坦な単結晶シリコン層２６を得るために必要な、例えばメカノケミカル研磨によるシンニング工程が終わった後のデバイスの断面図である。メカノケミカル研磨以外のシンニング技術を用いることももちろん可能であり、とりわけ、米国特許第５３７４５６４号明細書、もしくは米国特許第６０２０２５２に記載されたものを用いることができる。
【００７１】
図２ｆは、例えば金属もしくは誘電体の多層膜を堆積することによって、マイクロミラーに使用される波長に対して高い反射特性を持つ反射鏡層２９を層２６上に形成することで反射手段を形成する様子を示している。
【００７２】
図２ｇは、将来、マイクロミラーの可動部となる部分をエッチングする工程を表している。エッチングは、層２９，２６、ならびに必要に応じて熱シリカ層２２（themal silica）を使い、エッチングの幾何学的形状と大きさは、予定している光学的な仕様、したがって目指す用途に依存する（例えば、四角形の辺もしくは円の径がおよそ数１０ミクロンから数ミリメータ）。
【００７３】
上記エッチングは、例えば、使用材料に適用されるあらゆる類のエッチング（イオンエッチング、反応性イオンエッチング、および／または化学エッチング）によって行われる。
【００７４】
一例として、アルミニウムの層２９、シリコンの層２６の場合、上記エッチングは、マスク（不図示）を用いて、例えば、アルミニウムを侵食させるための塩化ガスを用いた第１の反応性イオン侵食により、そして次に、例えば、シリコンを侵食させるためのＳＦ６ガスを用いた第２の反応性イオン侵食により行う。
【００７５】
図２ｈは、少なくともマイクロミラーの可動部の下側にあるシリカの犠牲層２２を取り除いた後、従って、該可動部を自由にした後の構成部材の断面図を示す。層２２の除去は、例えば、二酸化シリコンの層に対する場合、フッ化水素を用いた化学的侵食によってか、あるいは、フッ化ガスを用いた反応性イオン侵食によって行われる。
【００７６】
図２ｈに示された構成では、全角度変位の振幅Δθは、ピボットの高さＨと、回転面内における可動部の幅Ｌとによって決定され（sineΔθ＝Ｈ／２Ｌ）、このとき、マイクロミラーの可動部の端部は、基板の面と接触する可能性がある。このため、上記構成には、ピボットの或る高さＨが与えられると、全角度変位Δθと可動部の大きさＬとが、考えている回転面において完全に関係し合うという不都合が生じる。
【００７７】
図２ｉは、基板２１に空孔部１９を形成することによって、この不都合を克服するための手段を示している。この空孔部１９は、貫通する場合でもしない場合でも、自身の内側の境界が、ピボットの軸線から測って、Ｌ／２よりも近い距離Ｌ′の位置に設けられ、外側の境界が、Ｌ／２よりも遠い距離Ｌ″の位置に設けられている。
【００７８】
tanΔθ＝Ｈ／Ｌ′の関係によって決まる角度変位Δθは、かくして、Ｌ′にのみ依存して、もはやＬには依存しなくなる。
【００７９】
上記空孔部は、図２ｉに示されているように、例えば好適にも化学エッチングによってウェハの裏側から簡単に形成することができ、その結果、空孔部がシリコン基板の厚さを横切ることになる。
【００８０】
本発明の第２の実施形態は、２つのウェハＡ，Ｂに対して実施され、次にこれらウェハを合わせるものであり、図３、図４及び図５に示されている。
【００８１】
［ウェハＡの準備］
例えば未ドープシリコンウェハ３１（図３ａ）といった構造基板を用い、後から熱的な焼きなましを行うと行わないとによらず、ドーパントのイオン注入により固定部の異なる電極３３，３３′を形成する（図３ｂ）。図３ｃは、基板を熱的に酸化させる工程を示す。この工程は、完全に制御された、通常１〜３ミクロンの間の厚さの熱による酸化物層３２を生成するためのものであり、当該工程の間、通常、高温で実施され、注入領域のドーパントが拡散して、当該領域によって占められる体積が増加する。
【００８２】
図３ｂと図３ｃに示された工程は、ドープ領域３３，３３′を作るための注入エネルギーを増加させるという犠牲を払えば（注入イオンは、熱シリカ層を通過しなければならない）、前後逆転させることができる。
【００８３】
図３ｄは、次の工程を示し、この工程は、ドープ領域３３′の上側に、バイアを形成するように熱シリカ層３２の局所エッチング部３４を生成するというものである。次いで、図３ｅは、基板のエピタクシー工程を示し、これにより、ドープされた単結晶シリコンがバイア３４内で増加できるようになる。このように作られた連結部材３５の部分は、通常、シリカ層３２より僅かながら厚さが厚くなっている。上記部材のこの部分は、将来的にピボットの一部分を構成することになる。図３ｆは、ウェハＡの表面を平らにして、連結部材３５いかなる余分の厚みも「消し去って」しまうメカノケミカル研磨工程を示している。
【００８４】
図３ｇは、可動部の角度変位Δθと、当該可動部の寸法とを無関係にしてくれる空孔部３６のエッチング工程を表している。この開口部３６の寸法（将来的にピボットになる部分の軸線に対する位置、幅、及び深さ）は、可動部の大きさと、様々な回転軸線に関する所望の角度変位Δθの大きさとを基にして設定される。
【００８５】
本発明の方法が１個のウェハに対して実施されて空孔部１９が基板を横切らなければならない場合に比べると、本方法が２個のウェハを使って実施され、次いでこれらウェハが加え合わせられるというこの第２の実施形態においては、空孔部３６は、基板３１の厚さより遥かに少ない深さを有するだけでよい。上記空孔部は、いかなる形で形成されてもよい。
【００８６】
［ウェハＢの準備］
図４ａは、ウェハＢに関する別の製造工程を示している。後から熱的な焼きなましを行うか行わないかのいずれであっても、先ず、例えば単結晶シリコンの基板４１（図４ａ）を採用し、この基板から、例えばドーパントのイオン注入（図４ｂ）により電極４３を作る。次に、層３２に対する場合と同じようにして熱的な二酸化物層４２（図４ｃ）を作る。次いで、電極４３に達するまで延びるバイア４４（図４ｄ）を形成するように上記の層４２をエッチングする。この開口部は、前述の開口部３４（図３ｄ）のものと極めて近い寸法を有している。単結晶シリコンを用いたエピタクシー工程（図４ｅ）により、上記開口部４４内に連結部材のもう一方の部分を形成することができる。この部分は、ドープされた単結晶シリコン４５からなる。必要であれば、メカノケミカル研磨工程（図４ｆ）により、得ようとしているウェハＢの表面を完全に平坦にすることができる。
【００８７】
図４ｇに示される工程は、ウェハ４１内に、例えばイオン注入によって作られる脆化領域（脆化領域）といった、接続領域４６を作る工程からなる。この領域は、ウェハ内に、シリカ層４２と残りのウェハ（中間基板とすることができる）との間に、通常０．１〜２ミクロンの厚さの一つの層（前は第２の層と称されている）を画定する。上記脆化領域によって、移植する前かもしくは移植した後のいずれか、しかしより一般的には移植した後に、ウェハの残りの部分から第２の層を分離することができる（とりわけ米国特許第５３７４５６４号明細書、及び米国特許第６０２０２５２号明細書を参照）。
【００８８】
［ウェハＡ，Ｂの組み立て］
図５ａに示された第１の工程は、酸化された側を互いに向かい合わせるようにして２つのウェハＡ，Ｂを組み合わせる工程からなる。この組み立ての間、２つの連結部材３５，４５を揃えて将来のピボットとなる単一部材４７を形成するように２つのウェハの位置決めを行う。
【００８９】
好適にも、周知の分子付着技術により密着させることができる。
【００９０】
２つのウェハＡ，Ｂが組み立てられると、ウェハＢの層４１の上側部分が、脆化領域４６の高さの所で、一体となったＡ，Ｂから切り離される。このとき、好適にも、熱的および／または力学的な処理を通して分離することができる。分離が終了した段階で、単結晶シリコン４１′（ドーピングが異なる領域から構成されることもある）の薄膜だけが残っている（図５ｂ参照）。
【００９１】
層４１′が薄すぎる場合、上記の工程は、単結晶フィルム４１′の厚さを増加させるためのエピタクシー工程をさらに有し、これによって、反射鏡の可動部を構成することになる部分の機械的剛性が高まるようにすることができる（図５ｃ参照）。この工程に続けて、表面を平坦にするためのメカノケミカル研磨工程を行うこともできる。この層４１′の最終的な厚さは、例えば、５〜６０μｍの間にある。
【００９２】
次いで層４１′上に、動作する光の波長に対して高反射率を持った金属もしくは誘電体の多層膜のいずれかの層４８を堆積する。
【００９３】
図５ｄは、将来のマイクロミラーの可動部に必要なパターンに応じて、層４１′及び層４８をエッチングする次の工程を示している。このエッチングは、不図示のマスクを用いて行われる。
【００９４】
図５ｅは、例えば図２ｈに示されるような化学的侵食によって熱シリカの犠牲層を除去することで、ピボット４７の周りに可動部を自由にする工程を示している。
【００９５】
図２〜図５に示された様々な製造工程は、多くの変形例を有していてもよい。とりわけ、いくつかの工程の順序は、特定の場合に逆にすることができるし、所定の工程は変えることができる。
【００９６】
こうして、例えば、単一の熱酸化層がウェハＡ上に形成されれば、ピボットをこの層内の単一の部材によって作ることができよう。そして、単結晶シリコン層がこの酸化物層にそのまま設けられるであろう。
【００９７】
同様に、１個のピボットを作る代わりに、２つの連結部材が（それぞれ、１つの部分、もしくは２つの部分で）ヒンジを形成するように熱的酸化物中に形成されていもよい。この場合には、連結部材ができれば可動部の両側及び該可動部と固定部との間に配置されることが好ましい。
【００９８】
上記可動部は、従来におけるように、２つの部分で形成され、単結晶シリコン層の然るべきパターンを使って、エッチングによって形成された中間ヒンジに形成されたとしてもよかったであろう。
【００９９】
説明を簡単にするために、電極の接続ラインと、制御用電子機器回路へのコネクタは、これまでの図には示さなかった。
【０１００】
上記接続ラインは、後から然るべきドーパントの熱拡散を行うか行わないかのいずれであっても、様々な方法で、それも特にドーパントのイオン注入によって作ることができる。これらのラインは、可動部に臨む基板の正面側に形成することが好ましく、これにより、可動部の一つもしくは複数の電極が、好ましくは連結部材を介して上記ラインのどれかにつながれることになる。これらの接続ラインは、基板を貫くめっきスルーホールによっても形成することができ、これにより、可動部の一つもしくは複数の電極が、好ましくは連結部材を介して上記めっきスルーホールのどれかにつながれることになる。
【０１０１】
一例として、図３ｇは、電極３３，３３′をコネクタ７１に接続するめっきスルーホール７０が基板を貫いて形成されている様子を破線によって単に表している。
【０１０２】
角度変位Δθ値を可動部の大きさＬと切り離すメリットを保ったまま、マイクロミラーが少なくとも２つの直行する回転軸線の周りに回転させられる必要があるときは、ピボット４７を完全に取り囲む空孔部を基板に形成することが好ましい。接続ラインを基板の前面側に形成する場合には、別々の電極にエネルギーを供給する電気的な接続ライン（図９に一例として符号６０で示されている）が空孔部によって切断されないようにするため、ドープ領域３３，３３′を作る前に当該位置に周辺空孔部を形成するよう、基板をエッチングする。
【０１０３】
図６は、本方法の上記変形例を示している。
【０１０４】
反応性イオンエッチング（図３ｇにおける空孔部の形状に対応）、好適には化学エッチング（図６ｂにおける空孔部の形状に対応）といった、様々な方法によってなされるエッチングにより、ウェハ３１（図６ａ参照）を用いて空孔部３６が形成されている。空孔部３６の幾何学的形状（形と大きさ）は、マイクロミラーの可動部の形（円、正方形、長方形、八角形…）と大きさ、ならびに、それぞれの回転軸線に関する所望の全角度変位Δθの値によって決定される。ここで、全角度変位Δθの値は、さらに、各回転軸線に対応して異なる値Δθ１、Δθ２…を有することができる。
【０１０５】
図６ｃ（ドープ領域の形成）、図６ｄ（熱的酸化物の形成）、図６ｅ（酸化物層におけるバイア３４の形成）、図６ｆ（ピボットの部分を作るためのエピタクシー成長）、そして図６ｇ（構造の平坦化）に示されている他の製造工程は、これまで述べてきたものと全く同じにできる。最終的な構造を得るために、図７ｇにおいて得られるウェハに、例えば図５ｇで得られるウェハが移植され（着設ないし積層され）、続いて、本方法の残りの工程が実施される。得られるマイクロミラーは、図７に示されている。
【０１０６】
ピボットマイクロミラーの可動部の３つの位置の例がそれぞれ図７ａ，図７ｂ及び図７ｃに示されている。
【０１０７】
図７ａは、基板の面に平行な面に配置された可動部を示している。図７ｂは、ピボットの軸線に垂直かつ紙面に垂直な回転軸線上で旋回した可動部を表し、この可動部の一方の端部が空孔部３６内に位置している様子を示している。図７ｃは、同じ回転軸線周りだが正反対に１８０°旋回した可動部を表し、この可動部の反対側が今度は空孔部３６内に位置している様子を示している。
【０１０８】
図８ａは、ピボットマイクロミラー４７を概略的に示す斜視図であり、図８ｂは、単一のヒンジで取り付けられたマイクロミラー５７を概略的に示す斜視図である。この例では、ヒンジは、第２の層をエッチングすることによって形成される。
【０１０９】
上述したように、特定の用途に対するピボットマイクロミラーの長所は、電極の構成を簡単にしたおかげで、基本的な製造工程を変えることなく、幾つかの回転軸線、それも特に２つの垂直な回転軸線周りの揺動を可能にする点にある。
【０１１０】
図９ａは、固定部における電極の配置形状を上面視して示す図である。可動部を一つの回転軸線Ｒ１の周りに２つの位置に応じて振動させる上記電極３３は２個であり、これらの電極は、ピボット４７を通る回転軸線Ｒ１に対して対称的に配置されている。中央の電極３３′は、可動部を単に電気的に接続させるだけである。
【０１１１】
図９ｂは、ピボットを通る２つの直行する回転軸線Ｒ１，Ｒ２の周りの４つの位置を可能にする電極３３の幾何学的形状を示す。ここで、上記電極３３は、４個であり、２つずつ対になっている。各電極の対は、それぞれ上記軸線のうちいずれか一方の軸線に関して対称的に配置され、同様に、中央の電極３３′は、ピボットとともに、可動部を単に電気的に接続させるだけとなっている。このようにして、軸線の両側に対称に配置された数多くの電極の組を考えることができる。図９ｃには、互いに４５°をなす４つの回転軸線（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）と、ピボットの軸線の周りの領域ないし扇形の部分に配置された４対の電極３３とを有する実施形態が与えられている。
【０１１２】
図９ａ、図９ｂ、及び図９ｃには、マイクロミラーの基幹となる様々な部材が透視した状態で示されている。図には、下側電極３３（固定部の電極）の組と上側電極４３（可動部の電極）とが示されている。ここで、ピボット４７を介して上側電極に電気的につながれている下側電極３３′は、濃い灰色で描かれており、その一方で、図９ｂ中、垂直な各回転軸線に応じて制御されるべきマイクロミラーの回転を制御可能にする２組の電極は、比較的明るい灰色だが異なる濃淡で描かれている。異なる値を有することもあるマイクロミラーの寸法及び全角度変位Δθの個別の取り扱いを可能にするエッチング領域３６のトラック５０，５１、ならびに可動部の反射面４８もまた図示されている。
【０１１３】
さらに、コネクタ６０への電極の接続ライン６２も概略的に図示されている。これらのコネクタによって、制御用電子機器回路（図示せず）への接続が可能になっている。
【０１１４】
これまで述べてきた機能は、もちろん、単一のウェハを用いる場合ならびに複数のウェハを用いる場合のいずれにも実現することができる。とは言え、少なくとも２つのウェハを用いる方法によれば、より多くの可能性が開けるようになる。２個より多いウェハを用いることで、特に、より複雑な構成を実現することができ、とりわけ、連結手段によって上下に幾つか重なり合った可動部、それも、少なくとも最後の可動部が反射手段を有した構成することができる。これらの可動部を基板に平行な平面で重ね合わせることにより、もっと大きな自由度を有するマイクロミラーが得られるようになる。本発明は、実際、この種の構成に用いられる。この場合、各可動部を基板の上に次々に形成することを考えればよく、このとき、基板は、先に形成される可動部、もしくは固定部に相当する最初の基板のどちらでもあり得る。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１ａ】可動部と犠牲層を形成するためのアモルファスもしくは多結晶を用いた従来技術のヒンジ取付型マイクロミラーを示す図である。
【図１ｂ】可動部と犠牲層を形成するためのアモルファスもしくは多結晶を用いた従来技術のヒンジ取付型マイクロミラーを示す図である。
【図２ａ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｂ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｃ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｄ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｅ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｆ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｇ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｈ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図２ｉ】本発明のマイクロミラーの第１の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ａ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｂ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｃ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｄ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｅ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｆ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図３ｇ】本発明のマイクロミラーの固定部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ａ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｂ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｃ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｄ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｅ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｆ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図４ｇ】本発明のマイクロミラーの可動部の第２の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図５ａ】第２の方法によって、図３ｇ及び図４ｇで得られた構成を合わせた後、マイクロミラーの作製を可能にする様々な工程を示す断面図である。
【図５ｂ】第２の方法によって、図３ｇ及び図４ｇで得られた構成を合わせた後、マイクロミラーの作製を可能にする様々な工程を示す断面図である。
【図５ｃ】第２の方法によって、図３ｇ及び図４ｇで得られた構成を合わせた後、マイクロミラーの作製を可能にする様々な工程を示す断面図である。
【図５ｄ】第２の方法によって、図３ｇ及び図４ｇで得られた構成を合わせた後、マイクロミラーの作製を可能にする様々な工程を示す断面図である。
【図５ｅ】第２の方法によって、図３ｇ及び図４ｇで得られた構成を合わせた後、マイクロミラーの作製を可能にする様々な工程を示す断面図である。
【図６ａ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図６ｂ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図６ｃ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図６ｄ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図６ｅ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図６ｆ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図６ｇ】本発明のマイクロミラーの固定部の第３の製造方法における様々な工程を概略的に示す断面図である。
【図７ａ】本発明のマイクロミラーの原理による、ピボットによって固定部に連結された可動部の様々な位置における概略的な断面図である。
【図７ｂ】本発明のマイクロミラーの原理による、ピボットによって固定部に連結された可動部の様々な位置における概略的な断面図である。
【図７ｃ】本発明のマイクロミラーの原理による、ピボットによって固定部に連結された可動部の様々な位置における概略的な断面図である。
【図８ａ】本発明によるピボットマイクロミラーの一実施形態の全体的な斜視図である。
【図８ｂ】本発明による、一つのヒンジに取付けられたマイクロミラーの一実施形態の全体的な斜視図である。
【図９ａ】本発明のマイクロミラーの上面図であって、１つの回転軸線周りの回転を可能にする電極形状を示す図である。
【図９ｂ】本発明のマイクロミラーの上面図であって、２つの回転軸線周りの回転を可能にする電極形状を示す図である。
【図９ｃ】本発明のマイクロミラーの上面図であって、４つの回転軸線周りの回転を可能にする電極形状を示す図である。
【符号の説明】
【０１１６】
２３，４３・・・可動部側の電極
２４，３３・・・基板側の電極
２７・・・連結部材
３１・・・固定部（基板）
３４・・・第１のバイア
３６・・・空孔部
４１・・・可動部
４３・・・電極
４４・・・第２のバイア
４７・・・ピボット（連結手段）
４８・・・反射手段（可動部）
６０，７１・・・コネクタ
６２・・・接続ライン
７０・・・スルーホール
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４・・・回転軸線
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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