(57)【要約】【課題】電子材料の製造でケイ素酸化物用の化学気相成長プロセスで用いられるシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法とその組成物を提供すること。【解決手段】本発明の方法は、例えば１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンのようなシクロテトラシロキサンに、有効量の中性乃至弱酸性の重合防止剤を供給することを含み、本発明の組成物は、そのようなシクロテトラシロキサンと中性乃至弱酸性の重合防止剤を含む。方法にも組成物にも、遊離基スカベンジャーを含ませることもできる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用されるシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、下式
【化１】
2007176949.tif 000009
（式中Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもつ前記シクロテトラシロキサンに有効量の中性乃至弱酸性重合防止剤を供給することを含むシクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項２】
前記防止剤が４.８〜１４.１５のｐＫａを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記防止剤が、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１（体積）％未満の１，１，１，３，５，５，５−へプタメチルトリシロキサン、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨであり、ただし少なくとも１つのＸはＯＨ、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、ヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1-10アルキル基からなる群から個別に選択される）、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
遊離基スカベンジャーを前記シクロテトラシロキサンに供給することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記遊離基スカベンジャーが、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノールが５０〜５００ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシが５０〜２３０ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項５記載の方法。
【請求項８】
電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに有効量の中性乃至弱酸性重合防止剤を供給することを含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項９】
前記防止剤が４.８〜１４.１５のｐＫａを有する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記防止剤が、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１（体積）％未満の１，１，１，３，５，５，５−へプタメチルトリシロキサン及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
遊離基スカベンジャーを前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに供給することを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記遊離基スカベンジャーが２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記スカベンジャーが５０〜５００ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシが５０〜２３０ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに中性乃至弱酸性の重合防止剤を供給すること及び前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに遊離基スカベンジャーを供給することを含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項１６】
前記防止剤が、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記遊離基スカベンジャーが２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用される重合に対し安定しているシクロテトラシロキサンの組成物であって、（ａ）下式
【化２】
2007176949.tif 000010
（式中、Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもつシクロテトラシロキサン、及び（ｂ）中性乃至弱酸性の重合防止剤、を含むシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１９】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び中性乃至弱酸性の重合防止剤を含む、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスで使用される重合に対し安定化された１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２０】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び中性乃至弱酸性の重合防止剤と遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２１】
（ａ）１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、（ｂ）２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１（体積）％未満の１，１，１，３，５，５，５−へプタメチルトリシロキサン、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨであり、ただし少なくとも１つのＸはＯＨ、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、ヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1-10アルキル基からなる群から個別に選択される）及びそれらの混合物からなる群から選択される、中性乃至弱酸性の重合防止剤、及び（ｃ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物からなる群から選択される遊離基スカベンジャー、を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２２】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び２，４-ペンタジオンを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２３】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び１−ヘキサン酸を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２４】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサンを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２５】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びグリセロールを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２６】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び無水酢酸を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２７】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４−ペンタジオン、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２８】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−ヘキサン酸、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２９】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、グリセロール、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項３０】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、無水酢酸、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子材料の製造においてケイ素酸化物用の化学気相成長プロセスで用いられるシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法と、安定化したシクロテトラシロキサン組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造のための集積回路（ＩＣ）の製造においては、しばらく前から二酸化ケイ素膜が使用されるようになってきた。公開及び特許文献の中には、かかるＳｉＯ2薄膜の作製例が数多く存在する。例えば、Schumacher Group, Air Products and Chemicals, Inc.の刊行物、例えばUser's Guide For : Glass Deposition with TEOS（非特許文献１）、及びExtrema（商標）ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）製品データシート（非特許文献２）を参照。同様に、Modeling of Low-Pressure Deposition of SiO2 by Decomposition of TEOS（非特許文献３）、及びThe Deposition of Silicon Dioxide Films at Reduced Pressure（非特許文献４）も参照。ＳｉＯ2の被着のためのさまざまなＣＶＤ技術及びかかる技術（非特許文献５〜９）を用いて被着された薄膜の特性を概説する数多くの定期刊行物の記事も存在する。
【０００３】
初期のＳｉＯ2膜は、シラン（ＳｉＨ4）のＣＶＤ酸化によって被着された。サブミクロンのパターニングされた電子デバイスが開発されるにつれて、優れたステップカバレージを維持するため、新しい原料物質が必要になった。テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）から被着された薄膜は、ＳｉＨ4に比べて優れたステップカバレージを示す（非特許文献７）。ＴＥＯＳは、ＳｉＯ2のＣＶＤでの作製のための業界で標準的な原料であるとみなされている。ＴＥＯＳは、揮発性液体であり、蒸気での供給効率がよく、また一般的に取扱いが容易である。これは自然発火性でなく、従ってシランに比べ著しい安全面の利点を提供する。これは、数多くのデバイス製造用途に適した優れた電気及び機械的特性をもつ誘電性膜を生成する。
【０００４】
ＳｉＯ2ガラスのＣＶＤでの作製のための新しい原料物質として、化学物質１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（例えばSchumacher of Carlsbad, CAから入手可能なＴＯＭＣＡＴＳ（商標）シロキサン）が開発中である（非特許文献１０、１１）。ＴＯＭＣＡＴタイプのシロキサンは、半導体デバイス製造業のきわめて重要なニーズを満たすために特別に設計された高純度の揮発性液体前駆体化学物質である。ＴＥＯＳと同様、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、トレンチ充てん材、中間層誘電体、ゲート及び厚膜酸化物といったようなさまざまな誘電性膜の利用分野向けのドープガラス及びガラスの化学気相成長のために使用することができる（非特許文献２）。これは自然発火性でなく、非腐食性であることから、類似の安全上の利点を提供している。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン及びＴＥＯＳの標準沸点はそれぞれ１３５℃及び１６８℃である。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンはより高い揮発性をもつことから、より低い温度で、あるいは同等の温度ではより高い効率で、送り出すことができるものである。その被着（堆積）速度は６００℃でＴＥＯＳのそれの１０倍であり、被着（堆積）効率はＴＥＯＳのそれの３倍である（非特許文献２）。これは、結果として得られる膜のステップカバレージ及びコンフォーマリティにおいてシランより優れ、ＴＥＯＳと類似している（非特許文献１１、米国特許第５０２８５６６号明細書）。
【０００５】
一般に、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンから被着されたＳｉＯ2膜は、優れた機械及び電気特性を示す。これらの膜は緻密で、炭素含有量が少なく、熱酸化物に匹敵する屈折率値を有する。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）のために、及び、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）用液体注入原料として有効である。後者の方法では、化学反応を促進するのに熱エネルギーよりもむしろプラズマが利用される。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンのＰＥＣＶＤは、標準的に、ＬＰＣＶＤよりも低い温度（５００〜６００℃に対し４００℃）で実施される。
【０００６】
これらの利点にもかかわらず、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの半導体デバイスを製造するためのＣＶＤ原料としての受容度は制限されたものであった。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの一つの欠点は、ある種の化学物質又はプロセス条件にさらされた場合に重合に関して不安定である（非特許文献１２）という点にある。その結果、ＣＶＤプロセスの取扱いの問題を発生させるより低い揮発性の液体又はゲルがもたらされることになる。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合は、酸又は塩基の触媒作用を受ける。それは塩基にさらされることに特に敏感であることが本発明において実験的に観察された（以下の例９〜１１を参照）。
【０００７】
ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの長時間の加熱（例１）もまた、本発明において実験的に、重合を促進することが示された。重合度は、きわめてわずかなもので、１０分の数パーセントにすぎない可能性がある。高温又はある種の酸又は塩基に対する長時間の暴露というより厳しい条件下では、実質的な重合が発生することになり、その結果、１０質量％以上のオリゴマ又は重合物質を含有する粘度の高い液体又はゲルがもたらされる。
【０００８】
従来技術におけるいくつかの参考文献は、シロキサンの安定化に関するものである。Hirabayashiら（米国特許第５５４８００６号明細書）は、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンといったようなオルガノポリシロキサン化合物及び白金族触媒を含有する、脂肪族不飽和基を含む混合物を安定化させるためにトリアジン又はスルフィド「制御剤」の使用を教示している。彼らは、室温での早期ゲル化に対する耐性及び安定性をもちかくして延長された保存安定性を提供する混合物を提供するのにトリアジン又はスルフィド剤を使用することを教示している。
【０００９】
Lutzら（米国特許第５３８０８１２号明細書）は、（１）アルケニル基、（２）ケイ素に結合した水素原子を含有する化合物（例えばＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン）、及び（３）白金族金属触媒を含む組成物のための硬化防止剤として作用するジ−及びトリヒドロカルビルホスフィンの使用について開示している。Lutzらは、防止剤が、白金触媒と錯体を形成し、その後の硬化についてそれを不活性なものにすることによって機能すると主張している。
【００１０】
類似の特許文献において、Chalk（米国特許第３３４４１１１号明細書）は、白金触媒の活性を低下させてさまざまなポリシロキサン混合物の共重合を阻止するアクリロニトリルタイプの化合物の使用について教示している。
【００１１】
Bergerら（米国特許第３８８２０８３号明細書）は、Ｐｔ触媒を不活性化し、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を早期ゲル化に対し安定したものにするべく類似の要領で機能するエチレン列不飽和イソシアヌレートの使用を提案している。
【００１２】
遠藤ら（特開平７−１４５１７９号公報）は、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンといったようなポリメチルポリシロキサンを１〜２０質量％使用することによるＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンといったようなシクロシロキサンの安定化について教示している。
【００１３】
【特許文献１】米国特許第５０２８５６６号明細書（1991），A.Lagendijk, Method of Forming Silicon Dioxide Glass Films
【特許文献２】米国特許第５５４８００６号明細書（1996），S. Hirabayashi and T.Nakamura, Silicone Rubber Compositions
【特許文献３】米国特許第５３８０８１２号明細書（1995），M.A.Lutz, B.T.Nguyen and R.K.King, One Part Curable Compositions Containing Deactivated Hydrosilation Catalyst and Method for Preparing Same
【特許文献４】米国特許第３３４４１１１号明細書（1967），A.J.Chalk, Preparation of Stable Copolymerizable Organosilicon Compositions Containing a Platinum Catalyst and an Acrylonitrile Type Compound
【特許文献５】米国特許第３８８２０８３号明細書（1975），A.Berger and B.Bertolette Hardman, Latent Addition Curable Organopolysiloxane Compositions
【特許文献６】特開平７−１４５１７９号公報（１９９５），遠藤，山本，低分子量ポリメチルシクロポリシロキサンの安定化方法
【非特許文献１】User's Guide For: Glass Deposition with TEOS; Schumacher Group, Air Products and Chemicals, Inc., 1992
【非特許文献２】Extrema(R) TOMCATS(R)(Tetramethylcyclotetrasiloxane) Product Data Sheet; Schumacher Group, Air Products and Chemicals, Inc., 2000
【非特許文献３】Modeling of Low-Pressure Deposition of SiO2 by Decomposition of TEOS; Schumacher Group, Air Products and Chemicals, Inc., 1979
【非特許文献４】The Deposition of Silicon Dioxide Films at Reduced Pressure; Schumacher Group, Air Products and Chemicals, Inc., 6/1979
【非特許文献５】G.Lucovsky, Preparation of Device-quality SiO2 Thin Films by Remote Plasma-enhanced Chemical Vapour Deposition(PECVD): Applications in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Devices, Advanced Materials for Optics and Electronics, Vol.6, 55-72(1996)
【非特許文献６】G.Tochitani, M.Shimozuma and H.Tagashira, Deposition of silicon oxide films from TEOS by low frequency plasma chemical vapor deposition, J.Vac.Sci.Technol.A, Vol.11, No.2 Mar/Apr 1993
【非特許文献７】S.K.Ray, C.K.Maiti, S.K.Lahiri and N.B.Chakrabarti, Properties of silicon dioxide films deposited at low temperatures by microwave plasma enhanced decomposition of tetraethylorthosilicate, J.Vac.Sci.Technol.B, Vol.10, No.3, May/Jun 1992
【非特許文献８】C.S.Pai, J.F.Miner and P.D.Foo, Electron Cyclotron Resonance Microwave Discharge for Oxide Deposition Using Tetraethoxysilane, J.Electrochem.Soc., Vol.139, No.3, March 1992
【非特許文献９】C.-P.Chang, C.S.Pai and J.J.Hsieh, lon and chemical radical effects on the step coverage of plasma enhanced chemical vapor deposition of tetraethylorthosilicate films, J.Appl.Phys.67(4), 15 February 1990
【非特許文献１０】C.S.Pai, J.F.Miner and P.D.Foo, Electron Cyclotron Resonance Microwave Discharge for Oxide Deposition Using Tetramethylcyclotetrasiloxane, J.Appl.Phys., Vol.73, No.7, 1 April 1993
【非特許文献１１】A.Hochberg and B.Gelernt, User's Guide For: Undoped Glass, PSG, and BPSG Using TOMCATS(R) Source Material, Schumacher (Air Products and Chemicals, Inc.), 1991
【非特許文献１２】J.E.McGrath, J.S.Riffle, A.K.Banthia, I.Yilgor, I.and G.L Wilkes, An Overview of the Polymerization of Cyclosiloxanes, ACS Symp., Ser.212(Initiation Polym.), 145-72, 1983
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ここで引用した参考特許文献は全て、ケイ素ゴム業界でのさまざまな利用分野のためのポリシロキサンの重合又は共重合を何らかの形で防止するさまざまな化学薬剤の使用について教示している。これらのうちのいずれも、半導体デバイス製造業界におけるＣＶＤ原料のための重合防止剤としての利用を明記も示唆もしていない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用される置換されたシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させるための方法であって、
【００１６】
【化１】
2007176949.tif 000002
【００１７】
という式をもつ置換されたシクロテトラシロキサンに対し有効量の中性乃至弱酸性の重合防止剤を供給することを含み、式中のＲ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される、置換シクロテトラシロキサンの安定化方法である。この方法は遊離基スカベンジャーでの安定化も同様に内含できる。
【００１８】
本発明はまた、電子材料の製造における酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスで使用される重合に対して安定化された置換シクロテトラシロキサンの組成物であって、（ａ）次式を有する置換シクロテトラシロキサン
【００１９】
【化２】
2007176949.tif 000003
【００２０】
（式中、Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）、及び（ｂ）中性乃至弱酸性の重合防止剤を含む組成物でもある。該組成物はまた、遊離基スカベンジャーを含むこともできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
半導体デバイスの製造のためのＳｉＯ2の化学気相成長（ＣＶＤ）用の前駆物質として、化学物質１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（例えば米国カリフォルニア州のSchumacher of Carlsbadから入手可能であるＴＯＭＣＡＴＳ（商標）シロキサン）が使用される。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、優れた電子及び機械特性をもつ高品質の膜を形成するその能力のため、ＳｉＯ2用ＣＶＤ前駆物質として使用する目的で半導体デバイス製造業者により現在評価されているところである。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、長時間の加熱に付されたとき又はある種の化学物質にさらされると重合することが知られている。本発明において、発明者らは、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合を防止するさまざまな添加剤の使用について開示している。有効な添加剤は中性か又は弱酸性であり、４.８８〜１４.１５の範囲内のｐＫａ値をもつ。低濃度の添加剤は、全体的製品純度に有意な影響を及ぼさない。低濃度の添加剤はまた、ＣＶＤにより結果として生成される膜の重要な特性に対して悪影響を及ぼさないものと予想される。
【００２２】
従って、本発明の目的は、標準的なＣＶＤプロセス条件下で、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合をなくし又は防止することにある。これらのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンには、下式の置換されたシクロテトラシロキサンが含まれ、
【００２３】
【化３】
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【００２４】
式中のＲ1-7は水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される。
【００２５】
これは、通常重合に有利に作用する条件下でＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合を防止する添加剤を使用することを通して行なわれる。本発明は、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸及び１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサンといったようなある種の添加剤が、重合防止に有効であることを立証している。本発明で考慮されている防止剤には、β−ジケトン、例えばＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒのようなものや、脂肪族カルボン酸又は脂肪族ジカルボン酸、例えばＲＣＯＯＨ又はＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）のようなものや、フェノール類、例えばＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）のようなものや、ポリオール、例えばＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨ、ただし少なくとも１つのＸはＯＨであり、１≦ｎ≦８）のようなものや、無水物、例えばＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒのようなものや、ヒドロドシロキサン、例えばＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）のようなものが含まれる。以上で用いられているＲは、水素及び、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1-10アルキル基からなる群から個別に選択される。
【００２６】
１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンが、先行技術（特許文献６）において記述されている濃度よりもかなり低い濃度で存在するときでも重合を阻止する有効な添加剤であることを立証する比較データも含まれる（例８及び表１）。これらの添加剤は、集合的に、中性乃至弱酸性のものとして特徴づけされる。ここで特定されている添加剤は、ＣＶＤプロセスにおいてＨ2Ｏ及びＣＯ／ＣＯ2といったような揮発性分解生成物を生成するシロキサンの後者のケースのように、炭素、酸素、水素及びケイ素しか含有しない。その上、これらの添加剤は、これらがＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの全体的純度に対し著しい影響を与えることがないように、充分低い濃度で有効であることが分った。
【００２７】
遊離基スカベンジャーを構成する付加的な添加剤も、置換されたシクロテトラシロキサンに添加することができる。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、高温で酸素に対し敏感である。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、６０℃以上の温度で、酸素と反応し、オリゴマ及び重合体種を形成する。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンからのＳｉＯ2膜の被着のためのプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスにおいては酸化用ガスとして酸素が一般に使用されることから、これは重要なことである。これらのスカベンジャーは、遊離基反応経路により進行する化学反応を阻止することにより働く。Ｏ2安定剤と考えられる遊離基スカベンジャーは、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール（又はブチルヒドロキシトルエン、略してＢＨＴ）、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ（ＴＥＭＰＯ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）、及び原料種子油、小麦胚芽油、トコフェロール及びユーカリ油といった天然に産する酸化防止剤である。
【００２８】
標準的なＣＶＤプロセス条件下でＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合をなくすか又は抑制するという本発明の目的を達成するべく、通常の重合プロセスを加速するという意図で、標準的実験室試験を確立した。促進老化試験は、標準的にはより長時間にわたり起こるであろう漸進的重合の標準的な経過をシミュレートすることを意図したものである。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの密封された石英アンプルを５日間高温にさらすことからなるこの試験は、この明細書では「促進老化試験」と呼ばれる。これらの条件は、標準的ＣＶＤプロセスでＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンが付されると思われるものよりもかなり厳しいものであると理解される。標準的な促進老化試験では、アンプルに、３.０〜７.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンそして場合によっては重合を防止するための添加剤が投入される。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン／添加剤の混合物は、液体窒素浴で冷却される。このとき、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンより上の雰囲気は、５分間排気される。それにひきつづき石英アンプルのネックを水素／酸素トーチを用いて密封する。密封されたアンプルは、オーブン内に設置され、５日間１２０℃に保持される。アンプルを取り出し、室温まで冷却させる。その中味を、重合度を測定するためガスクロマトグラフ（ＧＣ）により分析する。
【００２９】
重合度は、ＧＣにより定量的に測定される。この技術は、出発物質であるＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンのピークに比べて長い保持時間でより大きい分子量の種が形成されることによって実証されるように、重合開始の検出に対し非常に敏感である。目視により「高粘度」のものと見極められるＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料は、決まってＧＣにかけられるわけではない。オリゴマ又は重合体シロキサンは、その低い溶解度及び低い揮発性のため、ＧＣカラムの固定相を不可逆的に汚染する傾向をもつ。かかる試料は、本発明において、以前の観察事実と矛盾なく、１０質量％より多くの重合体をもつものとして定性的に記述される。
【００３０】
環状ポリシロキサンの重合は、酸又は塩基による触媒作用を受けるものとして知られている。実験室の観察事実から、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合はアンモニア（ＮＨ3）又は水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）といったような塩基への暴露に特に敏感であるということが示唆されている。塩基へのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの暴露の結果は、例９〜１１で説明される。一般に、低濃度で中性乃至は弱酸性である添加剤は、重合を防止するのに有効であることが分かった。ｐＫａ値が４.８８〜１４.１５の範囲内にある弱酸性添加剤は、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合度を実質的に最小限にした。このことは、例２〜４及び６で明らかにされる。同様にして、酸−塩基スケール上で中性である無水酢酸も、例５に示されているように重合を防止することが示された。添加剤は一般に、１００〜１０００ｐｐｍ（０.０１〜０.１０％）の濃度範囲にわたり有効であることが分かった。この添加剤濃度は、添加剤を含まない原料物質に比べて化学物質の全体的純度に著しい影響を及ぼすことがないように、充分に低いものである。いずれの添加剤も、結果として得られるＣＶＤ膜の品質に有害な影響を及ぼすと考えられる窒素を含有していない。本発明において説明される添加剤は、試験された濃度でＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンと溶液を形成する。さらに、これらの添加剤は、それらの濃度及びそれらの化学及び物理的特性により全体的ＣＶＤプロセスに対し有害な影響を及ぼすことはないと予想される。
【実施例】
【００３１】
（例１）ブランク
一般に、ここに記載される全ての安定性実験の組ごとに、１つ又は２つのブランク（添加剤を含まないＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン）について実験が行われた。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン原料物質の複数の異なるバッチが使用された。明確を期して、ブランク実験からの結果はすべてこの例の中に含められている。これらの試験のために用いられたアンプルの容積は、標準的に８０〜９０ｍｌであった。精製水で、次に試薬グレードのアセントで洗い流すことにより、石英アンプルを規定どおりに洗浄した。洗い流したアンプルを最低４時間にわたり１７５℃の乾燥用オーブンに入れた。乾燥したアンプルをオーブンからとり出し、暖かいうちに使用した。各アンプルに３.０〜７.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを投入した。アンプルの開放端部にテフロン（登録商標）（商標）のバルブを取付け、そしてアンプルの端部を液体窒素浴内に浸漬することによりＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを冷却した。５分間真空に付すことによって、アンプルから空気を除去した。水素／酸素トーチを用いてネックでアンプルを密封した。密封したアンプルを、１２０℃の一定温度に保持した窒素パージされたオーブンに５日間入れた。５日後に、アンプルの加熱をやめ、室温まで冷却させた。試料が目視により非常に粘度が高いものであるか又は固体であるとみなされた場合、これらをＧＣで分析せず、代りに、これらを「＞１０質量％」の重合度であるとした。＞１０質量％の値は、類似の粘度増加を受けた以前の試料のＧＣ分析に基づいていた。ここでもまた、高レベルの重合体はＧＣカラムを不可逆的に汚染する傾向をもつことから、大いに重合された試料についてはＧＣ分析を実施しなかった。この例で説明したブランクのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料は、０.１８質量パーセントから＞１０質量パーセントまでの範囲の重合増加を示した。結果は、表１に要約されている。
【００３２】
（例２）１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンの添加
標準的実験において、例１で説明した通りに予め清浄し乾燥したアンプルに０.５０マイクロリットルの２，４−ペンタンジオンを入れた。このアンプルに、アンプルの内壁に付着したままの残留２，４−ペンタンジオン液を洗い落とすように注意しながら、５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、１００体積ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は清澄度に検出可能な変化は見られなかった。１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオン添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの３.０ｍｌ〜７.０ｍｌの試料について類似の試験を行なった。各ケースにおいて、試験後の試料に検出可能な可視的変化は見られなかった。これらの試料は、ゼロ乃至０.３５質量パーセントの範囲の重合増加を示した。結果は、表１に要約されている。
【００３３】
（例３）１０００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンの添加
標準的実験において、例１で説明した通りに予め清浄し乾燥したアンプルに５.０マイクロリットルの２，４−ペンタンジオンを入れた。このアンプルに、アンプルの内壁に付着したままの残留２，４−ペンタンジオン液を洗い落とすように注意しながら、５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、１０００体積ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は清澄度に検出可能な変化は見られなかった。１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオン添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの３.０ｍｌ〜７.０ｍｌの試料について類似の試験を行なった。各ケースにおいて、試験後の試料に検出可能な可視的変化は見られなかった。これらの試料は、０.１１質量％乃至０.３０質量パーセントの範囲の重合増加を示した。結果は、表１に要約されている。
【００３４】
（例４）１００〜１０００ｐｐｍの１−ヘキサン酸の添加
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥した２本のアンプルの各々に、０.７０マイクロリットル及び３.０マイクロリットルの１−ヘキサン酸を入れた。アンプルの内壁に付着したままの残留１−ヘキサン酸液を洗い落とすように注意しながら、それぞれこれらのアンプルの各々に７.０ｍｌ及び３.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、それぞれ１００ｐｐｍ（体積）及び１０００ｐｐｍ（体積）の１−ヘキサン酸とともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は静澄度に検出可能な変化は見られなかった。ＧＣデータから、１００ｐｐｍ及び１０００ｐｐｍの添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料についてそれぞれ０.０８質量パーセント及び２.８４質量パーセントの重合の増加が示された。結果は表２に要約されている。
【００３５】
（例５）１００〜１０００ｐｐｍの無水酢酸の添加
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥した２本のアンプルの各々に、０.５０マイクロリットル及び５.０マイクロリットルの無水酢酸を入れた。アンプルの内壁に付着したままの残留無水酢酸液を洗い落とすように注意しながら、各々のアンプルに５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを添加した。このように調製したアンプルは、それぞれ１００ｐｐｍ（体積）及び１０００ｐｐｍ（体積）の無水酢酸とともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は静澄度に検出可能な変化は見られなかった。これらの試験を各添加剤濃度についてさらに２回くり返した。ＧＣデータから、１００ｐｐｍの添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料について０.０８質量パーセント〜０.３８質量パーセントの重合の増加が示され、１０００ｐｐｍの添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料については０.１４質量パーセント〜０.３８質量パーセントの重合増加が示された。結果は表２に要約されている。
【００３６】
（例６）１００ｐｐｍのグリセロールの添加
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥したアンプルに０.６１ｍｇ（０.４８マイクロリットル）のグリセロールを入れた。このアンプルに、アンプルの内壁に付着したままの残留グリセロール液を洗い落とすように注意しながら、５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、１００ｐｐｍ（体積）のグリセロールとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は清澄度に検出可能な変化は見られなかった。ＧＣデータからは、１００ｐｐｍの添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料について０.１２質量パーセントの重合増加が示された。結果は、表２に要約されている。
【００３７】
（例７）１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサンの添加
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥した２本のアンプルの各々に３.０マイクロリットル及び３０マイクロリットルの１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサンを入れた。各々のアンプルに、アンプルの内壁に付着したままの残留１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン液を洗い落とすように注意しながら、３.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、それぞれ１０００ｐｐｍ及び１０，０００ｐｐｍ（体積）の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサンとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は清澄度に検出可能な変化は見られなかった。ＧＣデータからは、１０００ｐｐｍ及び１０，０００ｐｐｍの添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンについてそれぞれ０.２０質量パーセント及び０.６６質量パーセントの重合増加が示された。結果は、表２に要約されている。
【００３８】
（例８）１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンの添加
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥した３本のアンプルの各々に０.３０、３０及び１５０マイクロリットルの１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンを入れた。各々のアンプルに、アンプルの内壁に付着したままの残留１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン液を洗い落とすように注意しながら、３.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、それぞれ１００ｐｐｍ（体積）、１０，０００ｐｐｍ(体積)及び５０，０００ｐｐｍ(体積)の１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを例１で説明したとおりに密封し、５日間１２０℃で加熱した。促進老化試験の完了後の目視によると、試験以前の初期試料に比べ、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料の粘度、色又は清澄度に検出可能な変化は見られなかった。ＧＣデータからは、上述のレベルの添加剤が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの試料について最高０.３３質量パーセントの重合増加が示された。結果は、表２に要約されている。
【００３９】
例８は、１００質量ｐｐｍ〜５０,０００質量ｐｐｍ（５％）の範囲のさまざまなレベルの１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサンが添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料に対して促進老化試験が実施される比較用の例である。この例は、ヘプタメチルトリシロキサンが、遠藤ら（特開平７−１４５１７９号公報）によって主張されている１質量パーセントの下限より低い濃度で重合を防止するのに有効であることを示している。
【００４０】
（例９）１５ｐｐｍ及び１５０ｐｐｍの無水アンモニアの添加
サイドアーム及びコックを具備した２本の１００ミリリットルPyrex Schlenkフラスコを真空ラインに連結した。サイドアームを通してフラスコから真空吸引しながら水素／酸素トーチを用いて間欠的に加熱することにより、徹底的にフラスコを乾燥させた。サイドアームのコック弁を閉じることにより真空ラインからフラスコを分離した。フラスコの上端のゴムの隔膜を通して注射器を用いて注入することによって各フラスコ内に５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを導入した。２本のフラスコに、周囲圧力まで乾燥窒素ガスを充てんし直した。２本のフラスコの各々に、０.１０ｍｌ及び１.０ｍｌの無水アンモニアガスを導入した。このように調製したフラスコは、それぞれ、１５及び１５０質量ｐｐｍのアンモニアが添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。フラスコを、２４時間室温で放置した。試験の開始から２時間及び２０時間後に注射器で２本のフラスコの各々から、１ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンのアリコートをとり出した。重合の程度を見極めるため、ＧＣによりこれら４つの試料を分析した。１５ｐｐｍのＮＨ3を添加したＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの試料は、それぞれ２時間及び２０時間後に０.１１％及び０.１８％の重合増加を示した。１５０ｐｐｍのＮＨ3が添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの試料は、それぞれ２時間及び２０時間後に０.１０％及び０.１７％の重合増加を示していた。結果は、表３に要約されている。
【００４１】
（例１０）１５ｐｐｍ及び１５０ｐｐｍの無水アンモニアが添加されたシロキサン／１００ｐｐｍの２，４ペンタンジオン
【００４２】
例９で説明したとおりに真空ラインで加熱することにより、２本の１００ミリリットルPyrex Schlenk フラスコを乾燥させた。１.０マイクロリットルの注射器を用いて各フラスコに０.５マイクロリットルの２，４−ペンタンジオンを加えた。続いて、フラスコ上端のゴムの隔膜を通して注射器で注入することによって各フラスコ内に５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを導入した。フラスコの側面から残留２，４−ペンタンジオンを確実にすっかり洗い流すようにして、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。２本のフラスコに、周囲圧力まで乾燥窒素ガスを充てんし直した。２本のフラスコの各々に、０.１０ｍｌ及び１.０ｍｌの無水アンモニアガスを導入した。このように調製した２本のフラスコは、それぞれ、１５及び１５０質量ｐｐｍのアンモニアが添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン中に１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンを収容していた。フラスコを２４時間室温に放置した。試験の開始から２時間及び２０時間後に注射器で２本のフラスコの各々から、１ｍｌのアリコートをとり出した。重合の程度を見極めるため、ＧＣによりこれら４つの試料を分析した。１５ｐｐｍのＮＨ3を添加したＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの試料は、それぞれ２時間及び２０時間後に、０.０８％の重合を示した。１５０ｐｐｍのＮＨ3を添加したＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料は、それぞれ２時間及び２０時間後に０.０７％及び０.０９％の重合を示した。結果は、表３に要約されている。
【００４３】
（例１１）１.０質量パーセントの無水アンモニアへの暴露
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥した２本のアンプルの各々に５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを入れた。各アンプルには、ゴム隔膜でキャップされたサイドアームが備わっていた。アンプル中のＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン試料を液体窒素浴中への浸漬によって冷却した。５分間真空条件にさらすことによりアンプルから空気を除去した。この時点で、真空からアンプルを隔離し、各アンプル内にゴム隔膜を通して７２ｍｌの無水アンモニアガス（周囲圧力の）を注入した。これは、１.０質量パーセントのＮＨ3と９９.０質量パーセントのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンに相当する。例１で説明した通りにトーチを用いて真空下でアンプルを密封した。液体窒素を取除き、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン／アンモニア混合物をゆっくりと室温まで暖まるようにした。この液体は、室温まで暖まった後３０分以内でかなり粘度が高いことが判明した。例１で説明した通りに１２０℃で５日間アンプルを加熱した。アンプルをオーブンから取り出し、室温まで冷却した。これらのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサン液は、コンシステンシーの点で糖蜜に似た、非常に粘度の高いものとなった。これらの試料は、ＧＣにより分析するには重合し過ぎていることが見極められ、＞１０質量パーセントの重合度であるとされた。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
【表２】
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【００４６】
【表３】
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【００４７】
発明者らの社内実験で、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは高温で酸素に敏感であることが実証された。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、６０℃以上の温度で酸素と反応してオリゴマ及び重合体種を形成する。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンからＳｉＯ2膜を被着するためのＰＥＣＶＤプロセスでは酸化用ガスとして一般に酸素が使用されることから、これは特に重要なことである。２２℃〜１２０℃の範囲内で収集したデータを表４に示す。
【００４８】
好ましい添加剤、２，４−ペンタンジオンは、酸素の存在下でＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの重合を防止しない。この反応性に対処するべく、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンに、遊離基スカベンジャーすなわち酸化防止剤として機能する低レベルの化学物質を添加した。これらのスカベンジャーは、遊離基反応経路により進行する化学反応を抑止することによって働く。Ｏ2安定剤として研究された遊離基スカベンジャーは、２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール（又はブチルヒドロキシトルエンを略してＢＨＴ）及び２，２，６，６−テトラメチル−１−ピぺリジニルオキシ（ＴＥＭＰＯ）であった。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンは、これらの遊離基スカベンジャーのうちのいずれか１つを添加すると、Ｏ2に対する耐性が実質的により高くなった。５０〜５００ｐｐｍのＢＨＴの添加により、８０℃で実施された一連の試験が示すように、高温での酸素に対するＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの反応性が完全になくなった。もう１つの利点は、ＢＨＴには、望ましくない塩基性膜特性を発生させるとされる原子の窒素が含まれていないということである。ＴＥＭＰＯも、有効なＯ2安定剤であることが示された。ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンにＴＥＭＰＯを５０〜２３０ｐｐｍ加えることで、Ｏ2促進型重合度は、８０％以上低減した（表４）。
【００４９】
これらの試験は、ＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの酸素に対する感受性を大幅に低減又はなくして、それによりＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンの酸素促進型重合により閉塞の問題が発生する可能性が低くなるという、低レベルの遊離基スカベンジャーの使用の利点を明確に実証した。この有用性のために考慮されたスカベンジャー／酸化防止剤には、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物が含まれる。原料種子油、小麦胚芽油、トコフェロール及びユーカリ油といった天然に産する酸化防止剤も同様に使用可能である。
【００５０】
２２℃，６０℃，８０℃，９０℃及び１２０℃で５日間の老化試験を行なった。これらの試験全てについて、１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンを含有するＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを０.５質量パーセントのＯ2にさらした。
【００５１】
【表４】
2007176949.tif 000008
【００５２】
（例１２）酸素の反応性
１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンの添加
【００５３】
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥したアンプルに０.５０マイクロリットルの２，４−ペンタンジオンを入れた。このアンプルには、隔膜でキャップされた石英のサイドアームの延長部分が備わっていた。このアンプルに、アンプルの内壁に付着したままの残留２，４−ペンタンジオン液を洗い落とすように注意しながら、５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを加えた。このように調製したアンプルは、１００体積ｐｐｍの２，４−ペンタンジオンとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを液体窒素温度まで冷却し、排気して空気を除去した。真空からアンプルを隔離し、予め定められた量の酸素をサイドアームを通して注入した。この要領で調製した２本のアンプルを、例１で説明した通りに密封し、１２０℃で１日加熱した。同様の要領で調製した２本の追加のアンプルを５日間加熱した。これらの試料は、１日後及び５日後に、それぞれ７.１％及び７.９％の平均的重合増加を示した。
【００５４】
この一式の試験を９０℃，８０℃，６０℃及び２２℃で反復した。８０℃の試験については５日後にのみデータを収集した。９０℃，８０℃及び６０℃で再び有意の重合が発生したが、２２℃では発生しなかった。データは表４に要約されている。
【００５５】
（例１３）酸素の反応性
１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオン及び５０〜５００ｐｐｍのＢＨＴの添加
【００５６】
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥したアンプルに０.５０マイクロリットルの２，４−ペンタンジオンを入れた。このアンプルには、隔膜でキャップされた石英のサイドアームの延長部分が備わっていた。５０ｐｐｍの溶解したＢＨＴを含有する５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンをアンプルに加えた。このように調製したアンプルは、１００体積ｐｐｍの２，４−ペンタンジオン及び５０ｐｐｍのＢＨＴとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを液体窒素温度まで冷却し、排気して空気を除去した。真空からアンプルを隔離し、予め定められた量の酸素をサイドアームを通して注入した。この要領で調製した２本のアンプルを、例１で説明した通りに密封し、８０℃で５日間加熱した。これらの２つの試料は、０.０５％と０.１５％、平均０.１０％の重合増加を示した。データは表４に要約されている。
【００５７】
上述の試験を１００ｐｐｍ、２００ｐｐｍ及び５００ｐｐｍのＢＨＴを用いて全く同一に反復した。これら３つのレベルのＢＨＴ添加剤の各々について０．０５％未満の重合増加が観察された。
【００５８】
（例１４）酸素の反応性
１００ｐｐｍの２，４−ペンタンジオン及び５０〜２３０ｐｐｍの２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ（ＴＥＭＰＯ）の添加
【００５９】
例１で説明した通りに予め清浄し乾燥したアンプルに０.５０マイクロリットルの２，４−ペンタンジオンを入れた。このアンプルには、隔膜でキャップされた石英のサイドアームの延長部分が備わっていた。５０ｐｐｍの溶解したＴＥＭＰＯを含有する５.０ｍｌのＴＯＭＣＡＴＳ（商標）をアンプルに加えた。このように調製したアンプルは、１００体積ｐｐｍの２，４−ペンタンジオン及び５.０ｐｐｍのＴＥＭＰＯとともにＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンを収容していた。アンプルを液体窒素温度まで冷却し、排気して空気を除去した。真空からアンプルを隔離し、予め定められた量の酸素をサイドアームを通して注入した。この要領で調製した２本のアンプルを、例１で説明した通りに密封し、８０℃で５日間加熱した。これらの試料は、０.８９％と０.７６％、平均０.８２％の重合増加を示した。データは表４に要約されている。
【００６０】
上述の試験を１００ｐｐｍ及び２３０ｐｐｍのＴＥＭＰＯを用いて全く同一に反復した。これらのレベルのＴＥＭＰＯが添加されたＴＯＭＣＡＴＳタイプのシロキサンはそれぞれ０．８２％及び０．８８％の重合増加を受けた。
【００６１】
本発明を、いくつかの好ましい態様に関して説明してきたが、本発明の完全な範囲は特許請求の範囲から確認されるべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、当該シクロテトラシロキサンは下式
【化１】
2007176949.tif 000011
（式中Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもち、
当該シクロテトラシロキサンに、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨ、ただし少なくとも１つのＸはＯＨであり、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、ヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1-10アルキル基からなる群から個別に選択される）、及びそれらの混合物から選択される、有効量の防止剤を供給することを含み、当該防止剤がヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3タイプの防止剤である場合には１質量％未満を供給する、シクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項２】
遊離基スカベンジャーを前記シクロテトラシロキサンに供給することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記遊離基スカベンジャーが、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノールが５０〜５００ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシが５０〜２３０ｐｐｍ（体積）の量で供給される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
電子材料の製造における酸化ケイ素用化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを重合に対し安定化させる方法であって、前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに中性乃至弱酸性の重合防止剤を供給すること及び前記１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンに遊離基スカベンジャーを供給することを含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの安定化方法。
【請求項７】
前記防止剤が、２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記遊離基スカベンジャーが２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項９】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び中性乃至弱酸性の重合防止剤と遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１０】
（ａ）１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、（ｂ）２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、１（体積）％未満の１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１（体積）％未満の１，１，１，３，５，５，５−へプタメチルトリシロキサン、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨであり、ただし少なくとも１つのＸはＯＨ、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、１質量％未満のヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1−10アルキル基からなる群から個別に選択される）及びそれらの混合物からなる群から選択される、中性乃至弱酸性の重合防止剤、及び（ｃ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物からなる群から選択される遊離基スカベンジャー、を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１１】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び２，４-ペンタジオンを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスで使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１２】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び１−ヘキサン酸を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１３】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びグリセロールを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１４】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン及び無水酢酸を含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１５】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４−ペンタジオン、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対し安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１６】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−ヘキサン酸、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１７】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、グリセロール、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１８】
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、無水酢酸、及び次の群、すなわち２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ及びそれらの混合物からなる群から選択された遊離基スカベンジャーを含む、重合に対して安定化された、電子材料製造において酸化ケイ素用前駆物質として化学気相成長プロセスにおいて使用される１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項１９】
（ａ）１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、（ｂ）２，４−ペンタンジオン、１−ヘキサン酸、グリセロール、無水酢酸、β−ジケトンＲＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）Ｒ、脂肪族カルボン酸ＲＣＯＯＨ、脂肪族ジカルボン酸ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（式中、１≦ｎ≦８）、フェノールＣ6Ｒ(6-n)（ＯＨ）n（式中、１≦ｎ≦５）、ポリオールＣＨ2Ｘ（ＣＨＸ）nＣＨ2Ｘ（式中、Ｘ＝Ｈ又はＯＨ、ただし少なくとも１つのＸはＯＨであり、１≦ｎ≦８）、無水物ＲＣＨ2−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＣＨ2Ｒ、１質量％未満のヒドロドシロキサンＲ3Ｓｉ−（Ｏ−ＳｉＲ2）n−ＯＳｉＲ3（式中、０≦ｎ≦８）（これら全ての式中、Ｒは水素、ノルマル、枝分かれ又は環状Ｃ1−10アルキル基からなる群から個別に選択される）及びそれらの混合物から選択される重合防止剤、及び（ｃ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシ、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、プロピルエステル３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、２−（１，１−ジメチルエチル）−１，４−ベンゼンジオール、ジフェニルピクリルヒドラジル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、Ｎ−メチルアニリン、ｐ−メトキシジフェニルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、ｐ−ヒドロキシジフェニルアミン、フェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、テトラキス（メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）メタン、フェノチアジン、アルキルアミドノイソ尿素、チオジエチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナメート）、１，２−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナモイル）ヒドラジン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、環状ネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、４，４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、オキサリルビス（ベンジリデンヒドラジド）及びそれらの混合物から選択される遊離基スカベンジャー、を含む、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの組成物。
【請求項２０】
（ａ）下式
【化２】
2007176949.tif 000012
（式中、Ｒ1-7は、水素、ノルマル、枝分かれ又は環状のＣ1-10アルキル基、及びＣ1-4アルコキシ基からなる群から個別に選択される）をもつシクロテトラシロキサン、（ｂ）中性乃至弱酸性の重合防止剤、及び（ｃ）遊離基スカベンジャー、を含むシクロテトラシロキサンの組成物。