(57)【要約】      （修正有）【課題】無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することができ、製造工程が短く、下地配線金属の表面状態の影響が小さいビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法の提供。【解決手段】所定の配線を終えパッシベーションのパターンエッチングが終了した基板上のレジストマスクを剥離する前に、金属化合物の被膜を形成し、（ａ）該レジストマスク及び金属化合物被膜を剥離除去した後に配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元するか、（ｂ）配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元した後に該レジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去してから、金属化合物の被膜を還元し、得られた金属膜を無電解めっきの活性化触媒膜および中間膜とし、該中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。【選択図】図６
2007154288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の配線を終えてパッシベーションのパターンエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、基板上に塗布法により金属化合物の被膜を形成し、（ａ）パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した後、所定の配線部上に形成された金属化合物の被膜を還元し、又は（ｂ）所定の配線部上に形成された金属化合物の被膜を還元した後、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去し、前記金属化合物の被膜を還元して得られる金属膜を無電解めっきのための活性化触媒膜として利用すると共に中間膜として、この中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
金属化合物が亜鉛化合物であることを特徴とする請求項１記載のビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
金属化合物がパラジウム化合物であることを特徴とする請求項１記載のビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の実装において、基板の所定の配線部上に金属の中間膜を形成し、この中間膜を無電解めっきのための活性化触媒膜として利用して、この中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（以下ＵＢＭという）を形成させてビルトアップを行うビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、多層プリント配線基板においては、各層内に形成された回路同士、又は外部の回路と接続するための端子を半導体チップ周囲に電極パッドとして引き出し、ワイヤボンディングなどにより外部リードと接続するように形成されている。そして、最近では、電子部品の小形化、組立の省力化などの点から、高密度実装の必要性が益々高まっており、ワイヤボンディングを使用しないで、電極パッドにバンプを形成し、バンプを直接相手の端子又はリードなどと接続する構造が採られている。バンプを用いてＩＣチップをフェースダウンで実装するフリップチップ方式は理想に近い高密度実装方式であり、その重要性は益々高まっている。
【０００３】
図１にバンプ形成方式の代表例を示す。最も一般的な方法は、電解めっき法により、形成する方法であり、図１の(1)に示すように、基板全面に、主にスパッタリング法により、バリアメタルを形成する。このバリアメタルは電極パッドとバンプとの密着力の確保とバンプと電極パッドの相互拡散を防止するために用いる。続いて、レジストを塗布してレジストパターンを形成して、電極パッドの部分のみ開口する。開口部に、電解めっきによりバンプを形成する。その後レジストマスクを除去して、最後にレジストマスクで保護されていた非めっき部分のバリアメタルを除去して、電解めっき法によりバンプが形成される。
【０００４】
一方、無電解めっき法では、図１の(2)に示すように、配線がアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）により異なってくる。配線がＡｌの場合は、Ａｌの電極パッド上にジンケート処理を行う。これは、Ａｌの一部を亜鉛の置換めっきにより変えることにより、めっきの析出核にするためである。Ａｌは次亜リン酸の触媒活性が低いので、Ａｌには直接無電解Ｎｉ-Ｐめっきができない。また、Ａｌの表面には酸化膜が形成されているので、このようなジンケート処理が有効である。次いで、無電解Ｎｉ-Ｐめっきを行い、その無電解Ｎｉ-Ｐめっきの上に金のフラッシュめっきを行ってバンプを形成している。
【０００５】
配線がＣｕの場合は、Ｃｕ電極パッドの上に、Ｐｄ処理を行い、無電解めっきの触媒核であるパラジウムをつけて、無電解Ｎｉ-Ｐめっきを行い、その無電解Ｎｉ-Ｐめっきの上に、Ａｕフラッシュめっきを行ってバンプを形成している。
【０００６】
図１より明らかなように、電解めっき法に比して、無電解めっき法でバンプを形成する方が、工程数が少なく、特に、レジストパターンを使用していないので、製造段階では、納期やコストの面から有望であることが分かる。
これらのことがらは、非特許文献１に記載されている。
【０００７】
しかしながら、無電解めっき法によるバンプ形成が主流にならない理由は、電極パッド表面の多様性にある。例えば、Ａｌ配線の場合は、電極バッドの表面状態がＡｌ、Ａｌ-Ｃｕ、Ａｌ-Ｓｉ-Ｃｕなどであり、また、形成温度も、常温や４００℃や５００℃など、まちまちであり、かつ、パッシベーションのエッチングなどにより、表面にフッ化物や酸化物が形成されている（例えば、フッ素系のエッチングガスを用いると表面にアルミニウムのフッ化物が生じる）。このように、電極パッドの表面状態が種々様々であり、表面状態に大きな悪影響を受ける無電解めっきでは、その度に表面処理の最適化が必要になり、実用性が低くなる。
【０００８】
他方電解めっき方式においては、バリアメタルを形成するために、電極パッドの表面状態には大きな影響を受けない。
【０００９】
【非特許文献１】畑田謙造、“無電解めっき方式によるバンプ、ＵＢＭ形成技術の現状と動向”、エレクトロニクス実装学会誌  Vol.8、No.4、pp.330-338（2005）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような状況に鑑み、この発明は、無電解めっきでバンプ又はＵＢＭを形成することができて、製造工程を短縮できて、下地配線金属の表面状態の影響を小さくすることができるビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための、請求項１の発明は、所定の配線を終えてパッシベーションのパターンエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、基板上に塗布法により金属化合物の被膜を形成し、（ａ）パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した後、所定の配線部上に形成された金属化合物の被膜を還元し、又は（ｂ）所定の配線部上に形成された金属化合物の被膜を還元した後、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去し、前記金属化合物の被膜を還元して得られる金属膜を無電解めっきのための活性化触媒膜として利用すると共に中間膜として、この中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法である。
請求項２の発明は、金属化合物が亜鉛化合物であることを特徴とする請求項１記載のビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法である。
請求項３の発明は、金属化合物がパラジウム化合物であることを特徴とする請求項１記載のビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
この発明は、前記のように構成されているので、所定の配線部（電極パッド）の上に金属の中間膜を形成させて、これを利用してこの中間膜上に無電解めっきを施してバンプ又はＵＢＭを形成するので、ビルトアップ多層プリント配線基板の製造工程を少なくすることができて、バンプ又はＵＢＭが下地となる金属の表面状態に影響されることがなく形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。
１．まず、多層プリント基板の製造において、所定の配線を終え、パッシベーションのエッチングが終了した後、所定の配線部上、例えば電極パッド上に塗布法により中間膜を形成し、バンプ又はＵＢＭを形成する方法について述べる。
【００１４】
(1) 配線材料がＡｌの場合
図２に示すように、所定の配線が終了した基板上に気相成膜法（プラズマ・Chemical Vapor Deposition：CVD）で、パッシベーション(不動態処理）層として通常シリコン窒化膜を形成する。そして、パッシベーション上にレジスト膜を形成し、パターニングし、フッ素系のガスを用いてパッシベーションの非レジストマスク部をエッチング処理して、図３に示すようにＡｌ配線上の所定部位、例えばＡｌ電極パッドを開口露出させる。その後、図４に示すように、基板上に塗布法により金属化合物の被膜を形成させる。そして、（ａ）パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去し、Ａｌ電極パッド上の金属化合物の被膜を還元処理するか、（ｂ）Ａｌ電極パッド上の金属化合物の被膜を還元処理した後、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去する。そして前記金属化合物の被膜を還元処理して金属化して得られた金属膜を無電解めっきのための活性化触媒膜として利用すると共に中間膜として、この中間膜上に無電解めっきでバンプ又はＵＢＭを形成する。
【００１５】
図５には、Ａｌ電極パッド上に塗布法で金属化合物の被膜を形成させ、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去し、Ａｌ電極パッド上の金属化合物の被膜にＵＶを照射して光分解、還元して金属の中間膜を得る工程が示されている。そして還元前の金属化合物の被膜は酸化亜鉛化合物で形成されていて、Ａｌ電極パッド上のこの酸化亜鉛化合物の被膜はＵＶを照射して光分解、還元して金属化し、金属亜鉛の中間膜を形成する。
図６にはバンプ形成工程を示す。上記のようにして得られた金属亜鉛の中間膜上に無電解めっきにより、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、上部を置換金により、フラッシュ金めっきを行い、バンプを形成させた。
【００１６】
(2) 配線材料がＣｕの場合
上記(1)の場合は、配線材料がＡｌの場合について述べたが配線材料がＣｕの場合について述べる。
この場合は、亜鉛化合物を含有する塗布液でなく、Ｐｄ化合物を含有する塗布液を用いる。Ｃｕ電極パッド上に形成されたＰｄ化合物の被膜はＵＶ照射、光加熱、高周波加熱等により、還元されて金属化してＰｄの中間膜を形成する。Ｐｄは白金族であるために、ＵＶ照射により還元、金属化され易い。Ｃｕ電極パッド上に、Ｐｄからなる中間膜がアイランド状又は被膜状に形成されていると、無電解Ｎｉ−Ｐめっきが中間膜上に形成されてバンプを形成する。そして、Ｃｕ電極パッドとバンプの間に、Ｐｄの金属核や膜が介在するので、Ｃｕ電極パッドの表面状態に依存しないで、バンプが形成されることになり、積層基板製造プロセスの自由度が高まる。
【００１７】
(3) 上記(1)又は(2)と同様にして形成された中間膜上に無電解めっきを施してＵＢＭ（Under Barrier Metal）として使用する。無電解めっきを行う際、めっきの厚さを１〜５μｍと薄くしてＵＢＭとする。例えば、前記(1)配線材料がＡｌの場合と同様にして、中間膜を形成し、その中間膜上に、無電解Ｎｉ−Ｐめっきをパッシベーション層と同じ程度の高さまで形成してＵＢＭを形成し、その上にはんだ端子を形成する。Ａｌ電極パッドの上に亜鉛金属層、無電解Ｎｉ-Ｐめっき層、その上にはんだ層が形成されていて、このように形成されていることにより、無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜が、ＵＢＭとして作用するので、はんだと電極パッド間の拡散が抑制され、かつ、十分な密着力が得られる。はんだ端子の形成は、はんだボールを載せて形成しても、はんだクリームをスクリーン印刷法により、形成してもよい。
【００１８】
２．次に、塗布法によって中間膜を形成する方法について説明する。
(1) 第一の方法（ＵＶ照射還元法）
塗布液は、基本的には、金属化合物、バインダー及び溶剤からなり、該塗布液を所定の部位に塗布し、乾燥、焼成し、金属化合物の被膜を形成させ、被膜の所定部位にＵＶを直接照射して金属化合物を還元して金属化して中間膜をアイランド状又は被膜状に形成させる。
塗布液の成分割合は重量％で金属化合物：バインダー：水溶剤＝２０〜０．１：２０〜０．１：９６〜３０、好ましくは１０〜０．５：１０〜０．２：８０〜９５とする。
また、塗布方法としては、スピン塗布、ディップ塗布、スプレイ塗布、インクジェット塗布などが挙げられ、スピン塗布が好ましい。
スピン塗布の例を次に示す。
塗布条件は、１００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ、１０秒〜９０秒間で行う。塗布膜の乾燥条件は、オーブン、ホットプレート乾燥では、１〜３段の４０℃〜２００℃で５秒〜３０分間行う。乾燥後の塗布膜の焼成条件は、オーブン、ホットプレート、ファーネス等で、真空、窒素、不活性ガス等の雰囲気で、できるだけ酸化をさせない雰囲気で行うのが好ましく、２００℃〜４００℃、３分〜３０分間行う。その後得られた金属化合物にＵＶ照射して還元する。ＵＶ照射は、低圧水銀灯、キセノン・エキシマランプ、ＵＶレーザー等の紫外線を照射する。照射時間は数秒〜６０分間行う。
【００１９】
(2) 第二の方法（ＵＶ照射還元法、光加熱還元法、高周波加熱還元法）
塗布液は基本的には、金属化合物、カーボン化合物（光吸収剤と還元剤の兼用）、バインダー及び水溶剤よりなり、該塗布液を、所定の部位に塗布し、乾燥、焼成し、金属化合物の被膜を形成させ、得られた被膜を構成している金属化合物を還元して金属化して中間膜をアイランド状又は被膜状に形成させる。
塗布液の成分割合は重量％で金属化合物：カーボン化合物：バインダー：水溶剤＝０．１〜２０：０．１〜２０：０〜２０：６０〜９８、好ましくは５〜１０：５〜１０：１０〜５：９５〜８０とする。
塗布方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレイコート等の方法が挙げられ、スピン塗布が好ましく、スピン塗布は、１００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ、１０秒〜６０秒間とするのが好ましい。
得られた塗布膜の乾燥条件は、オーブン、ホットプレート乾燥で、１〜３段の４０℃〜２００℃、５秒〜３０分間とするのが好ましい。乾燥した塗布膜の焼成条件は、オーブン、ホットプレート、ファーネスで、真空、窒素、空気中で、２００℃〜４００℃、３分〜３０分間行うのが好ましい。
金属化合物を還元するためには、低圧・高圧水銀灯、キセノンランプ、キセノン・エキシマランプ、熱線、各種レーザー光を照射する。照射条件は、１分〜６０分間行い、レーザーの場合は極短時間でもよい。特に、カーボン化合物が添加されている場合は、紫外線照射還元でなくても、長波長の光照射により、熱線で、自己局部加熱により、短時間で高温化が起こり、高温の炭素が金属化合物を“還元化”させる、還元雰囲気になる。
【００２０】
（3） 塗布液
上記(1)第一の方法及び(2)第二の方法において、塗布液に用いられる金属化合物としては、水溶性又は水分散性の亜鉛化合物、水溶性又は水分散性のパラジウム化合物が用いられ、亜鉛化合物としては、Ｚｎ・ハロゲン化合物（Ｂｒ，Ｉ）、酢酸亜鉛、硝酸亜鉛化合物、グルコン酸亜鉛、乳酸亜鉛、ＺｎＯ・微粒子等が挙げられる。
また、パラジウム化合物としては、パラジウムのハロゲン化合物（Ｂｒ、Ｉ）、酢酸パラジウム、パラジウムの硝酸化合物、Ｐｄ・アミン化合物、Ｐｄ・微粒子、Ｐｄ−Ａｇ微粒子等が挙げられる。
【００２１】
さらに、バインダーとその溶媒について述べると、バインダーはそれを溶解する溶媒と共に用いられる。水溶性バインダーとしては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）等が挙げられ、界面活性剤としても使用されているポリ・グリコール系の樹脂、ポリ・エーテル系樹脂等も用いられる。アルコール可溶性バインダーとしては、ＰＶＰ、ブチラール樹脂、ポリヒドロキシアクリル酸、ポリメタアクリル酸等が挙げられる。アルコール可溶性バインダーとしては、最も広く使え、燃焼性、接着性の良いバインダーであり、中でもポリヒドロキシプロピルメタアクリレートは、合成も容易であり、好適に用いられる。さらにエステル可溶性バインダーとしては、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）、ポリ酢酸ビニル、アクリル酸−メタアクリル酸樹脂等の単独あるいは共重合体が挙げられる。ケトン類可溶性バインダーとしては、ＰＭＭＡ、アクリル・メタアクリル樹脂等の単独あるいは共重合体が用いられ、キシレン、トルエン、リモネン（ポジ型フォトレジストを侵さない）可溶性バインダーとしては、ポリスチレン、ポリメチルスチレン等が挙げられる。これらのバインダー樹脂は、２５０℃、酸素無しで、解重合分解する。なお、溶剤は、上記のようにバインダーと対応したものを主成分として使用し、塗布条件により、複数種の溶剤を組み合わせてもよい。
【００２２】
また、電極パッドを露出させるためのパッシベーション上に形成されるレジスト被膜は感光性樹脂よりなり、ゴム系、ナフトキノン系、化学増感系の樹脂等多種類のものから選ぶことができる。感光性樹脂は有機溶媒に溶解する樹脂よりなるので、中間膜を形成するための塗布液に有機溶剤可溶性のバインダーを用いた場合、塗布液に使用する有機溶剤が、レジストマスクを侵すことがある。したがって塗布液に用いるバインダーは、レジストマスクを侵すことがない溶剤を用いる水溶性バインダーであるＰＶＡ系、セルロース系とすることが好ましい。
実用上、後述の実施例においては、パッシベーション上に形成されるレジストマスクは、フェノール・ノボラック樹脂等のナフトキノンのポジ型レジストを使用していて、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、Ｎ−メチルピロリドン等の窒素系溶剤に可溶であるので、塗布液のバインダーを「水系の溶剤に可溶な樹脂」に絞って使用した。しかし、経済性、実用性を無視して作成するのであれば、レジストとしてベンゼン、キシレン系溶媒以外の溶剤に耐えうる「ネガ型のゴム系感光性樹脂」を用い、塗布液をアルコール可溶性の樹脂と金属化合物及びアルコールの組み合わせも考えうる。
【００２３】
また、前記金属化合物のうち、金属硝酸化合物、ハロゲン化物、カルボン酸化物、アミン化合物の多くは水、アルコール可溶性である。そして、金属硝酸化合物の多くはアルコール可溶性であり、有機溶剤中では、自己分解しやすいので、β−ジケトン類、グリコール類を塗布液に１〜数モル添加し、配位・錯体化させると、塗布液の保存性が上がるので、添加しておくことが好ましい。
【００２４】
また、上記(2)第二の方法において、塗布液には光吸収剤及び還元剤が用いられる。光吸収剤としては、カーボン化合物、染料、顔料が用いられる。カーボン化合物は光吸収剤及び還元剤として作用する。カーボン化合物としてはカーボンの微粉末、フラーレン、カーボンナノ粒子、グラファイト類が用いられ、親水化処理されたカーボンが好ましい。
【００２５】
前述のように、Ａｌ電極パッドとバンプの間にＺｎの中間膜が、Ｃｕ電極パッドとバンプの間にＰｄの中間膜が形成させると、パッシベーションエッチングでのパターンを利用することができるので、新たなパターニング工程を加えること無く（無電解めっき方式の利点を維持したまま）、また、電極パッドの表面状態に影響されること無くバンプ又はＵＢＭが形成できる。
次に本発明を具体的に説明する。
【実施例１】
【００２６】
配線材料がＡｌで、所定の配線を終えてパッシベーションのエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、下記組成の塗布液を基板上に塗布し、乾燥、焼成して金属化合物の被膜を形成させ、Ａｌ電極パッド上の金属化合物の被膜にＵＶ照射して還元、分解して中間膜としての金属亜鉛膜を形成し、続いてメチルエチルケトンにてレジストマスク部を「リフトオフ剥離」し、イソプロピルアルコールにてリンス洗浄し、中間膜上に無電解Ｎｉ−Ｐめっきでバンプを形成した［  ／Ａｌパッド／Ｚｎ／無電解Ｎｉ−Ｐ  ］。ここで用いたレジストマスクはナフトキノン型のポジレジストを使用したので、メチルエチルケトンでレジストマスク部を容易にリフトオフ剥離できた。
このときの中間膜形成のための各種条件を下に示す。
１．塗布液組成：ヨー化Ｚｎ３重量％＋ＰＶＡ１．５重量％＋水９５．５重量％
２．塗布方法：スピン塗布  １０００ｒｐｍ、３０秒間
３．乾燥条件：オーブン、Ａｉｒ中、８０℃、３０分間
４．焼成条件：ファーネス、Ｎ２中、２５０℃、１５分間
５．還元条件：ＵＶ照射［キセノンエキシマランプ（誘電体バリア放電の１７２ｎｍに発光中心波長を持つ）］、Ｎ２ガス雰囲気中、２分〜８分間
【実施例２】
【００２７】
配線材料がＡｌで、所定の配線を終えてパッシベーションのエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、下記組成の塗布液を基板上に塗布し、乾燥、焼成して金属化合物の被膜を形成させ、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した。そして、Ａｌ電極パッド上の金属化合物の被膜にＵＶ照射して還元して中間膜としての亜鉛膜を形成し、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっきでバンプを形成した［  ／Ａｌパッド／Ｚｎ／無電解Ｎｉ−Ｐ  ］。
このときの中間膜形成のための各種条件を次に示す。
１．塗布液組成：酢酸Ｚｎ１重量％＋硝酸Ｚｎ１重量％＋エチレングリコール０．５重量％＋ＰＶＡ２重量％＋水９５．５重量％
２．塗布方法：スピン塗布２０００ｒｐｍ、４０秒間
３．乾燥条件：オーブン、Ａｉｒ中、８０℃、３０分間
４．焼成条件：ファーネス、Ｎ２中、２５０℃、１５分間
５．還元条件：ＵＶ照射［キセノンエキシマランプ（誘電体バリア放電の１７２ｎｍに発光中心波長を持つ）］、Ｎ２ガス雰囲気中、２分〜８分間
【実施例３】
【００２８】
配線材料がＡｌで、所定の配線を終えてパッシベーションのエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、下記組成の塗布液を基板上に塗布し、乾燥、焼成して金属化合物の被膜を形成させ、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した。そして、Ａｌ電極パッド上の金属化合物の被膜に高周波・レーザーを照射して還元して中間膜としての亜鉛膜を形成し、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっきでバンプを形成した［  ／Ａｌパッド／Ｚｎ／無電解Ｎｉ−Ｐ  ］。
このときの中間膜形成のための各種条件を次に示す。
１．塗布液組成：乳酸Ｚｎ２重量％＋ＰＶＡ１重量％＋カーボン２重量％＋水９５重量％
２．塗布方法：スピン塗布１０００ｒｐｍ、６０秒間
３．乾燥条件：オーブン、Ａｉｒ中、８０℃、３０分間
４．焼成条件：ファーネス、Ｎ２中、２５０℃、１５分間
５．還元条件：ＹＡＧ４次高周波・レーザー（ＹＡＧ−ＦＨＧ、２６６ｎｍ、標準光学系による収束スポット径は１５ｕｍ）照射、３秒間
【実施例４】
【００２９】
配線材料がＣｕで、所定の配線を終えてパッシベーションのエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、下記組成の塗布液を基板上に塗布し、乾燥、焼成して金属化合物の被膜を形成させ、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した。そして、Ｃｕ電極パッド上の金属化合物の被膜にＵＶ照射して還元して中間膜としてのＰｄ膜を形成し、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっきでバンプを形成した［  ／Ｃｕパッド／Ｐｄ／無電解Ｎｉ−Ｐ  ］。
このときの中間膜形成のための各種条件を次に示す。
１．塗布液組成：硝酸Ｐｄ１重量％＋プロピレングリコール０．５重量％＋ＰＶＡ１．０
重量％＋水９７．５重量％
２．塗布方法：スピン塗布２０００ｒｐｍ、３０秒間
３．乾燥条件：オーブン、Ａｉｒ中、８０℃、３０分間
４．焼成条件：ファーネス、Ｎ２中、２５０℃、１５分間
５．還元条件：ＵＶ照射［キセノンエキシマランプ（誘電体バリア放電の１７２ｎｍに発光中心波長を持つ）］、Ｎ２ガス雰囲気中、２分〜８分間
【実施例５】
【００３０】
配線材料がＣｕで、所定の配線を終えてパッシベーションのエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、下記組成の塗布液を基板上に塗布し、乾燥、焼成して金属化合物の被膜を形成させ、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した。そして、Ｃｕ電極パッド上の金属化合物の被膜にＵＶ照射して還元して中間膜としてのＰｄ膜を形成し、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっきでバンプを形成した［  ／Ｃｕパッド／Ｐｄ／無電解Ｎｉ−Ｐ  ］。
このときの中間膜形成のための各種条件を次に示す。
１．塗布液組成：ヨー化Ｐｄ１．０重量％＋ＰＶＡ０．５重量％＋カーボン０．５重量％＋水９８重量％
２．塗布方法：スピン塗布１０００ｒｐｍ、４０秒間
３．乾燥条件：オーブン、Ａｉｒ中、８０℃、３０分間
４．焼成条件：ファーネス、Ｎ２中、２５０℃、１５分間
５．還元条件：ＵＶ照射［低圧水銀ランプ（寄与する主な波長は１８５ｎｍ、と２５４ｎｍ、２５０Ｗ）］、Ｎ２ガス雰囲気中、１０分〜３０分間
【実施例６】
【００３１】
配線材料がＣｕで、所定の配線を終えてパッシベーションのエッチングが終了した後、パッシベーション上のレジストマスクを剥離する前に、下記組成の塗布液を基板上に塗布し、乾燥、焼成して金属化合物の被膜を形成させ、パッシベーション上のレジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去した。そして、Ｃｕ電極パッド上の金属化合物の被膜に高周波・レーザーを照射して還元して中間膜としてのＰｄ膜を形成し、その上に無電解Ｎｉ−Ｐめっきでバンプを形成した［  ／Ｃｕパッド／Ｐｄ／無電解Ｎｉ−Ｐ  ］。
このときの中間膜形成のための各種条件を次に示す。
１．塗布液組成：酢酸Ｐｄ０．５重量％＋ＰＶＡ０．５重量％＋カーボン０．５重量％＋水９８．５重量％
２．塗布方法：スピン塗布１０００ｒｐｍ、３０秒間
３．乾燥条件：オーブン、Ａｉｒ中、８０℃、３０分間
４．焼成条件：ファーネス、Ｎ２中、２５０℃、１５分間
５．還元条件：ＹＡＧ４次高周波・レーザー（ＹＡＧ−ＦＨＧ、２６６ｎｍ、標準光学系による収束スポット径は１５ｕｍ）照射、５秒間
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】各種バンプの形成方法を示す概略図である。
【図２】所定の配線が終了した基板上にパッシベーションを形成させた図である。
【図３】レジストでパターニングして、パッシベーション層をエッチング処理してＡｌ電極パッドを開口露出させた後の基板の断面図である。
【図４】基板の最上層に亜鉛化合物を含有する塗布液を塗布して金属化合物の被膜を形成させた図である。
【図５】金属化合物の被膜にＵＶ照射して、還元して中間膜としての金属亜鉛被膜を形成させた図である。
【図６】中間膜（金属亜鉛被膜）上に無電解Ｎｉ−Ｐめっき形成させ、その上に金膜を形成してバンプを形成した図である。
【図１】
2007154288.tif 000003
【図２】
2007154288.tif 000004
【図３】
2007154288.tif 000005
【図４】
2007154288.tif 000006
【図５】
2007154288.tif 000007
【図６】
2007154288.tif 000008