(57)【要約】【課題】  本発明は、液晶表示装置回路、半導体集積回路などの微細回路の製造に使用されるフォトレジスト組成物に関する。本発明によるフォトレジスト組成物は、流動性向上剤及び感度増進剤を使用することによって、強い減圧乾燥によるパターンの変形を防止し、パターン均一度を向上させて、感光速度、残膜率、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力、及び回路線幅均一度が同時に優れている長所がある。【解決手段】  本発明によるフォトレジスト組成物は、（ａ）ノボラック樹脂、（ｂ）ジアジド系感光性化合物、（ｃ）流動性向上剤、（ｄ）感度増進剤、及び（ｅ）有機溶媒を含むフォトレジスト組成物である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ノボラック樹脂；
（ｂ）ジアジド系感光性化合物；
（ｃ）流動性向上剤；
（ｄ）感度増進剤；及び
（ｅ）有機溶媒；を含む、フォトレジスト組成物。
【請求項２】
（ａ）ノボラック樹脂を５乃至３０重量％；
（ｂ）ジアジド系感光性化合物を２乃至１０重量％；
（ｃ）流動性向上剤を０．５乃至５重量％；
（ｄ）感度増進剤を０．１乃至１０重量％；
（ｅ）有機溶媒を残りの重量％；を含む、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記（ａ）ノボラック樹脂は、メタ／パラクレゾールの含有量の比率が３０乃至７０：７０乃至３０重量部であり、重量平均分子量が２，０００乃至１０，０００である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記（ｂ）ジアジド系感光性化合物は、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を４０乃至６０：６０乃至４０重量部の比率で含む、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記（ｃ）流動性向上剤は、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、２，２´，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、及びガンマ−ブチルラクトンからなる群より選択される１種以上である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
前記（ｄ）感度増進剤は、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３´，４´，５−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセトン−ピロガロール縮合物、４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（ＴＰＰＡ）、及び４，４´−［２−ヒドロキシフェニル］メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］（ＢＩ２６Ｘ−ＳＡ）からなる群より選択される１種以上である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記（ｅ）有機溶媒は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、２−メトキシ酢酸エチル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルからなる群より選択される１種以上である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
前記フォトレジスト組成物は、着色剤、染料、擦痕防止剤、可塑剤、接着促進剤、速度増進剤、及び界面活性剤からなる群より選択される１種以上の添加剤をさらに含む、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項のフォトレジスト組成物を利用して製造される、半導体素子。
【請求項１０】
請求項１乃至８のうちのいずれか一項のフォトレジスト組成物を利用して製造される、液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置回路、半導体集積回路などの微細回路の製造に使用されるフォトレジスト組成物に関し、より詳細には、フォトレジスト組成物の流動性を向上させる成分を導入することによって、パターン均一度及び接着性が優れている、フォトレジスト組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置回路または半導体集積回路のような微細回路パターンを形成するためには、まず、基板上の絶縁膜または導電性金属膜にフォトレジスト組成物を均一にコーティングまたは塗布する。次に、所定の形状のマスクを使用してコーティングまたは塗布されたフォトレジスト組成物を露光して現像して、目的の形状の微細回路パターンを形成する。その後、マスクを使用して金属膜または絶縁膜をエッチングして、残存するフォトレジスト組成物を除去して、基板上に微細回路パターンを形成する。前記コーティングまたは塗布工程には、回転塗布方式またはスリット塗布方式が利用される。
【０００３】
一般に、フォトレジスト組成物は、高分子樹脂、感光性化合物、及び溶媒を含む。現在まで、フォトレジスト組成物を利用して形成されたフォトレジスト膜の塗布均一度、感光速度、現像コントラスト、解像度、基板との接着力、残膜率、回路線幅均一度（ＣＤ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、及び人体安全性などを改善するための多くの試みが行われた。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、２種類のフェノールホルムアルデヒドノボラック樹脂の混合物及び典型的な感光性化合物の使用が開示されており、下記特許文献２には、感光速度を向上させるために、フェノール樹脂及びナフトキノンジアジド感光剤に有機酸サイクリック無水物を添加したフォトレジスト組成物の構成が開示されており、特許文献３には、感光速度を向上させて人体安全性を向上させるために、ノボラック樹脂、ｏ−キノンジアジド感光性化合物、及び溶媒としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを使用したフォトレジスト組成物の構成が開示されている。
【０００５】
しかし、いまだに、感光速度、残膜率、半露光部の残膜均一度（Ｒｅｍａｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力、及び回路線幅均一度などのフォトレジスト組成物の好ましい特性のうちのいずれの特性も犠牲にせずに、各々の産業工程に適切な多様なフォトレジスト組成物に対する試みが行われている。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第３，６６６，４７３号
【特許文献２】米国特許第４，１１５，１２８号
【特許文献３】米国特許第４，５５０，０６９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来の技術の問題点を考慮して、フォトレジスト膜の感光速度、残膜率、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力、及び回路線幅均一度（ＣＤ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を向上させることができる、フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、ハードベーク（ｈａｒｄ ｂａｋｅ）工程後のパターン均一度及びパターン流動性が優れていて、乾式エッチング及び湿式エッチング工程特性が優れている、フォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００９】
さらに、本発明は、前記フォトレジスト組成物を利用して製造される液晶表示装置または半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明は、（ａ）ノボラック樹脂；（ｂ）ジアジド系感光性化合物；（ｃ）流動性向上剤；（ｄ）感度増進剤；及び（ｅ）有機溶媒；を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【００１１】
また、本発明は、前記フォトレジスト組成物を利用して製造される液晶表示装置または半導体素子を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるフォトレジスト組成物は、流動性向上剤及び感度増進剤を使用することによって、強い減圧乾燥によるパターンの変形を防止し、パターン均一度を向上させて、感光速度、残膜率、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力、及び回路線幅均一度が全て同時に優れている長所がある。したがって産業現場に容易に適用することができ、大量生産時に使用量の節減、量産時間の減少などの効果があるので、作業環境を効率的に変化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】
本発明は、流動性向上剤及び感度増進剤を使用して、ハードベーク（ｈａｒｄ ｂａｋｅ）工程時にフォトレジスト膜の流動性を向上させることができる、フォトレジスト組成物に関するものである。
【００１５】
本発明のフォトレジスト組成物は、（ａ）ノボラック樹脂；（ｂ）ジアジド系感光性化合物；（ｃ）流動性向上剤；（ｄ）感度増進剤；及び（ｅ）有機溶媒；を含む。
【００１６】
本発明のフォトレジスト組成物において、（ａ）ノボラック樹脂は、メタクレゾール、パラクレゾールなどの芳香族アルコール及びホルムアルデヒドを反応させて合成した高分子重合体であって、重量平均分子量が２，０００乃至１０，０００であるのが好ましい。
【００１７】
前記（ａ）ノボラック樹脂は、メタクレゾール／パラクレゾールの混合比によって感光速度や残膜率などの物質特性が異なる。具体的に、前記（ａ）ノボラック樹脂は、メタクレゾール／パラクレゾールの含有量の比率が３０乃至７０：７０乃至３０重量部であるのが好ましい。万が一、メタクレゾールの含有量が前記範囲を超過する場合には、感光速度が速くなって残膜率が低くなり、パラクレゾールの含有量が前記範囲を超過する場合には、感光速度が遅くなる。
【００１８】
前記（ａ）ノボラック樹脂の含有量は、容易に所望の厚さに塗布できるようにするために、５重量％以上であるのが好ましく、均一なコーティングが行われるようにするために、３０重量％以下であるのが好ましい。
【００１９】
本発明のフォトレジスト組成物において、（ｂ）ジアジド系感光性化合物は、ポリヒドロキシベンゾフェノン、１，２−ナフトキノンジアジド、及び２−ジアゾ−１−ナフトール−５−スルホン酸などの化合物を反応させて製造することができる。
【００２０】
例えば、前記（ｂ）ジアジド系感光性化合物は、トリヒドロキシベンゾフェノン及び２−ジアゾ−１−ナフトール−５−スルホン酸をエステル化反応させて製造された、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩；またはテトラヒドロキシベンゾフェノン及び２−ジアゾ−１−ナフトール−５−スルホン酸をエステル化反応させて製造された、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を単独または混合して使用することができる。好ましくは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を４０乃至６０：６０乃至４０重量部の比率で混合して使用することができる。
【００２１】
前記（ｂ）ジアジド系感光性化合物の含有量は、適切な感光速度を維持するために、２乃至１０重量％であるのが好ましい。
【００２２】
本発明のフォトレジスト組成物は、特に、ハードベーク（ｈａｒｄ ｂａｋｅ）工程時に流動性を維持して、パターン流動性を極大化するために、（ｃ）流動性向上剤を含む。
【００２３】
前記（ｃ）流動性向上剤は、沸点が１８０℃以上のグリコール類及びピロリドン類などが好ましく、その代表的な例としては、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、２，２´，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオルモノイソブチレート（２，２´，４−ｔｒｉｅｍｔｈｙｌ−１，３−ｐｅｎｔｈａｎｅｄｉｏｌｍｏｎｏｉｓｏｂｕｔｙｌａｔｅ）、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、及びガンマ−ブチルラクトンなどを使用することができる。
【００２４】
また、前記（ｃ）流動性向上剤の含有量は、十分な流動性の効果を実現するために、０．５重量％以上であるのが好ましく、残膜率を高めてコーティング性を向上させるために、５重量％以下であるのが好ましい。
【００２５】
本発明のフォトレジスト組成物において、（ｄ）感度増進剤は、感度増進及びハードベーク工程時のパターン流動性を向上させるために使用する。
【００２６】
前記（ｄ）感度増進剤は、フェノール系ヒドロキシグループを含み、分子量が５００未満のポリヒドロキシ化合物であるのが好ましい。代表的な例としては、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３´，４´，５−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセトン−ピロガロール縮合物、４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（ＴＰＰＡ）、及び４，４´−［２−ヒドロキシフェニル］メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］（ＢＩ２６Ｘ−ＳＡ）からなる群より選択される１種以上を使用することができる。
【００２７】
前記（ｄ）感度増進剤の含有量は、十分な感度増進の効果を実現するために、０．１重量％以上であるのが好ましく、残膜率の急激な低下を防止するために、１０重量％以下であるのが好ましい。
【００２８】
本発明のフォトレジスト組成物において、（ｅ）有機溶媒は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル（ＥＬ）、２−メトキシ酢酸エチル（ＭＭＰ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）からなる群より選択される１種以上を使用することができ、より好ましくは、ＰＧＭＥＡ及びＭＭＰを７０乃至９０：３０乃至１０重量部の比率で混合して使用することができる。
【００２９】
この他に、本発明のフォトレジスト組成物は、必要に応じて着色剤、染料、擦痕防止剤、可塑剤、接着促進剤、速度増進剤、及び界面活性剤からなる群より選択される１種以上の添加剤を追加的に添加して基板にコーティングすることによって、個別の工程の特性による性能の向上を実現することができる。
【００３０】
また、本発明は、前記のように製造されたフォトレジスト組成物を利用して半導体素子を製造することができる。好ましい一例としては、半導体素子のうちの下記のような液晶表示装置回路の製造工程に使用されることができる。
【００３１】
まず、本発明によるフォトレジスト組成物を浸漬、噴霧、及びスピンコーティングを含む通常のコーティング方法で基板上に塗布する。例えば、スピンコーティングを行う場合、フォトレジスト組成物の固体の含有量をスピニング装置の種類及び方法によって適切に変化させることによって、目的とする厚さの被覆物を形成することができる。
【００３２】
前記基板としては、シリコン、アルミニウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、モリブデン、二酸化シリコン、ドーピングされた二酸化シリコン、窒化シリコン、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム／銅混合物、及び重合性樹脂からなる群より選択されるものを使用することができる。
【００３３】
前記方法によって基板にコーティングされたフォトレジスト組成物は、残留溶媒を除去するために、常圧以下の減圧条件下で一定の時間維持する減圧乾燥（ｖａｃｕｕｍ ｄｒｙｉｎｇ）工程を行うことができる。
【００３４】
この時、基板が大きくなるほど減圧条件が強くなるため、その後の工程である現像及びハードベーク（ｈａｒｄ ｂａｋｅ）工程後にパターンの形状が変形したり、基板の中央部及び端部でパターン均一度が低下する問題が発生することがある。
【００３５】
次に、２０乃至１３０℃の温度で熱処理するソフトベーク（ｓｏｆｔ ｂａｋｅ）工程を行うことができる。前記熱処理は、フォトレジスト組成物中の固体成分を熱分解させずに溶媒を蒸発させるために行うものである。一般に、ソフトベーク工程によって溶媒の濃度を最小化するのが好ましく、厚さが２μｍ以下のフォトレジスト膜が基板に残るまで行うのが好ましい。
【００３６】
次に、フォトレジスト膜が形成された基板を適当なマスクまたは型板などを使用して光、特に紫外線に露光させることによって、目的とする形状のパターンを形成する。このように露光された基板をアルカリ性現像水溶液に十分に浸漬させた後、露出された部位のフォトレジスト膜が全てまたはほとんど溶解するまで放置する。この時、前記現像水溶液は、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウム、またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を含む水溶液を使用することができる。
【００３７】
前記のように露光された部位が溶解して除去された基板を現像水溶液から取り出した後、再びハードベーク（ｈａｒｄ ｂａｋｅ）工程によって熱処理して、フォトレジスト膜の接着性及び耐薬品性を向上させる。このような熱処理は、フォトレジスト膜の軟化点以下の温度で行うのが好ましく、特に、９０乃至１４０℃の温度で行うのが好ましい。
【００３８】
前記のように現像が完了した基板を腐蝕溶液または気体プラズマで処理して、露出された基板の部位を処理し、この時、基板の露出されない部位はフォトレジスト膜によって保護する。このように基板を処理した後、適切なストリッパーでフォトレジスト膜を除去することによって、基板に微細回路パターンを形成することができる。
【００３９】
以下、本発明の理解のために、実施例及び比較例を提示する。但し、下記の実施例は、本発明を例示するためのものであって、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるのではない。
【実施例】
【００４０】
実施例１
メタクレゾール：パラクレゾールの重量比が４：６であるノボラック樹脂（重量平均分子量：４，３２５）を２０ｇ、ジアジド系感光性化合物として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を５０／５０重量部で混合したものを４ｇ、流動性向上剤としてジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）を２．８ｇ、感度増進剤として４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールを２．８ｇ、及び有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【００４１】
実施例２
メタクレゾール：パラクレゾールの重量比が４：６であるノボラック樹脂（重量平均分子量：４，３２５）を２０ｇ、ジアジド系感光性化合物として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を５０／５０重量部で混合したものを４ｇ、流動性向上剤として２，２´，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート（ＴＭＰＭＢ）を２．８ｇ、感度増進剤として４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールを２．８ｇ、及び有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【００４２】
実施例３
メタクレゾール：パラクレゾールの重量比が４：６であるノボラック樹脂（重量平均分子量：４，３２５）を２０ｇ、ジアジド系感光性化合物として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を５０／５０重量部で混合したものを４ｇ、流動性向上剤として１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドンを２．８ｇ、感度増進剤として４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールを２．８ｇ、及び有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【００４３】
実施例４
メタクレゾール：パラクレゾールの重量比が４：６であるノボラック樹脂（重量平均分子量：４，３２５）を２０ｇ、ジアジド系感光性化合物として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を５０／５０重量部で混合したものを４ｇ、流動性向上剤としてガンマ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）を２．８ｇ、感度増進剤として４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールを２．８ｇ、有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【００４４】
比較例１
メタクレゾール：パラクレゾールの重量比が４：６であるノボラック樹脂（重量平均分子量：４，３２５）を２０ｇ、アジド系感光性化合物として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を５０／５０重量部で混合したものを４ｇ、及び有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【００４５】
比較例２
メタクレゾール：パラクレゾールの重量比が４：６であるノボラック樹脂（重量平均分子量：４，３２５）を２０ｇ、アジド系感光性化合物として２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩及び２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩を５０／５０重量部で混合したものを４ｇ、感度増進剤として４，４−［１−［４−［１−（１，４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールを２．８ｇ、及び有機溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を６０ｇを均一に混合して、フォトレジスト組成物を製造した。
【００４６】
前記実施例１乃至４及び比較例１乃至２で製造したフォトレジスト組成物の組成を下記の表１に示した。単位はグラム（ｇ）である。
【００４７】
【表１】
2007156465.tif 000002
【００４８】
実験例
前記実施例１乃至４及び比較例１乃至２で製造したフォトレジスト組成物に対して下記のような実験を行い、実験の結果を下記の表２に示した。
【００４９】
前記実施例１乃至４及び比較例１乃至２で製造したフォトレジスト組成物を各々０．７Ｔ（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ、０．７ｍｍ）のガラス基板に一定の速度でスピンコーティングした後、０．１トール（Ｔｏｒｒ）以下で６０秒間減圧乾燥し、前記基板を１１０℃で９０秒間加熱乾燥して、１．５０μｍの厚さのフォトレジスト膜を形成した。
【００５０】
次に、前記フォトレジスト膜の厚さの均一度を測定し、マスクを使用して３６５乃至４３５ｎｍの波長の紫外線に露光させた後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を含む水溶液で６０秒間現像して、パターンを形成した。
【００５１】
形成されたパターンに対してハードベーク工程（１３０℃）を行った後、ＳＥＭを利用してパターン流動性を評価した。
１）感光速度及び残膜率
初期のフィルムの厚さ＝損失された厚さ＋残膜の厚さ
残膜率＝（残膜の厚さ／初期のフィルムの厚さ）
感光速度は、露光エネルギーによって一定の現像条件で膜が完全に溶解するエネルギーを測定して算出し、１１０℃でソフトベークを行って露光及び現像を行った後、残膜率を測定して、その結果が現れる現像前後の厚さの差を測定した。
２）耐熱性
耐熱性は、ハードベークを１３０℃で９０秒間行った後、ＳＥＭを利用してパターン流動性を測定した。
３）接着性
モリブデン（Ｍｏ）がコーティングされたガラス上にパターン（微細線幅）を形成した後、露出された部位のモリブデンを除去するために腐蝕溶液で処理し、腐蝕溶液に露出されない部位のモリブデンの腐蝕の厚さを測定して、接着性を測定した。
【００５２】
【表２】
2007156465.tif 000003
【００５３】
前記表２に示したように、本発明による実施例１乃至４のフォトレジスト組成物を利用して製造したフォトレジスト膜は、比較例１乃至２に比べて、感光速度、残膜率、及び流動性が優れていることが分かる。