(57)【要約】【課題】吸引ノズルを熱光線の光路の妨げになることなく基材の被処理位置に出来るだけ近づけて配置可能にするとともに熱光線による高温化を防止し、かつ内壁の汚れ確認を容易化する。【解決手段】半導体ウェハからなる基材９０を支持部としてのステージ１１上に配置する。この基材９０の外周部の被処理位置Ｐに輻射加熱器３０からの熱光線Ｌを局所的に照射する。好ましくは、被処理位置Ｐに吹出しノズル２１からオゾン等の反応性ガスを吹き付ける。被処理位置Ｐの近傍を吸引ノズル２２にて吸引する。この吸引ノズル２２を透光性材料にて構成する。好ましくは、吹出しノズル２１をも透光性材料にて構成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の外周部の不要物を加熱して除去する装置であって、
基材を支持する支持部と、
熱光線を、前記支持部に支持された基材の外周部の在るべき被処理位置に局所的に照射する輻射加熱器と、
前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引する吸引ノズルと、を備え、この吸引ノズルが、透光性の材料にて構成されていることを特徴とする基材外周処理装置。
【請求項２】
前記透光性材料が、ガラス、アクリル、透明な樹脂の何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載の基材外周処理装置。
【請求項３】
前記不要物と反応する反応性ガスを、前記被処理位置に局所的に吹付ける吹出しノズルを、さらに備え、この吹出しノズルが、透光性の材料にて構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基材外周処理装置。
【請求項４】
前記吹出しノズルを構成する透光性材料が、ガラス、アクリル、透明な樹脂の何れか１つであることを特徴とする請求項３に記載の基材外周処理装置。
【請求項５】
前記ガラスが、石英、ほうけい酸ガラス、アルカリソーダガラスの何れか１つであることを特徴とする請求項２又は４に記載の基材外周処理装置。
【請求項６】
前記透明な樹脂が、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリカーボネート、塩化ビニールの何れか１つであることを特徴とする請求項２又は４に記載の基材外周処理装置。
【請求項７】
前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記支持部に支持された基材と直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の基材外周処理装置。
【請求項８】
前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記支持部に支持された基材と直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことを特徴とする請求項３又は４に記載の基材外周処理装置。
【請求項９】
前記支持部に支持された基材と直交する方向から見て、前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿い、前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記吹出し方向とほぼ一致していることを特徴とする請求項３又は４に記載の基材外周処理装置。
【請求項１０】
前記輻射加熱器が、前記熱光線を前記被処理位置に向けて前記基材の半径外側に傾倒された方向から照射することを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の基材外周処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハや液晶パネル等の基材の外周部に設けられた有機膜等の不要物を除去する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の構成及び機能は、年々微細化、高集積化、高速化が進んでいる。それらは、半導体材料の変化とそれに伴う製造装置の進歩により実現されている。一般的には、配線材料がＡｌからＣｕへ、絶縁膜がＳｉＯ２（比誘電率４程度）からそれより低誘電率のいわゆるｌｏｗ−ｋ材へと変化している。
【０００３】
従来、半導体ウェハに形成した絶縁膜に配線パターン用の溝をケミカルエッチングする場合、エッチングの等方性を抑制するため、エッチング用ガスに例えばフロロカーボンからなる保護材成分を混入させておく。これにより、漸次形成される溝の内壁にフロロカーボンの保護膜を被膜し、エッチングが溝の底面方向にだけ異方的に進行するようにしている。一方、フロロカーボンは、ウェハの外端面から裏側に回り込み、ウェハの裏面外周部にも堆積することがある。
上記絶縁層がＳｉＯ２の場合、該絶縁層上のフォトレジストを酸素プラズマでドライアッシングする際、酸素プラズマをウェハの表側面から裏面へ回り込ますことにより、上記裏面外周部のフロロカーボン膜を除去することが十分可能であった。
しかし、絶縁層がｌｏｗ−ｋ膜の場合、ドライアッシングをあまり強くすると、ｌｏｗ−ｋ膜がダメージを受ける。そこで、低出力でアッシング処理する試みがなされているが、そうするとウェハ裏面のフロロカーボン膜を除去しきれない。これを放置すると、基材の搬送時等にパーティクルが発生し、歩留まり低下を招くおそれがある。
【０００４】
半導体ウェハの外周部の不要物除去の先行文献として、例えば特許文献１に記載のものでは、反応性ガスを基板の外周部に吹き付けて外周部の不要物を除去している。処理済みガスは、ウェハの半径外側方向へ吸引排気している。
特許文献２に記載のものは、レーザをウェハの外周部に照射し、外周部の不要物をレーザエッチングしている。
【特許文献１】特開平８−２７９４９４号公報
【特許文献２】特開２００３−１９７５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウェハ等の基材の外周部の不要物が例えばフロロカーボン等の有機物で構成されているような場合、一般に、その除去には加熱を要する。しかし、電気ヒータ等で接触加熱する方式では、不要物との接触によってパーティクルが発生するおそれがある。これに対し、レーザ等の熱光線による輻射加熱の場合、上記のような接触によるパーティクル発生は回避できる。一方、不要物除去に伴い、反応副生成物が発生する。これが基材の表面側へ飛散することによるパーティクル発生の可能性は残されている。この反応副生成物に起因するパーティクルを防止するには被処理位置の近傍を吸引するのが有効である。しかし、被処理位置をレーザ等の熱光線で輻射加熱する構成においては、吸引ノズルを被処理位置にあまり近づけると光路の妨げになるだけでなく、吸引ノズルが散乱光等により高温化してしまい実用に耐えない。
また、吸引ノズルは、処理済みの反応性ガスや反応副生成物の吸引により汚れやすく、メンテナンスを怠るとパーティクルの原因となるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題点を解決するために、本発明は、
基材の外周部の不要物を加熱して除去する装置であって、
基材を支持する支持部と、
熱光線を、前記支持部に支持された基材の外周部の在るべき被処理位置に局所的に照射する輻射加熱器と、
前記被処理位置の近傍のガスを局所的に吸引する吸引ノズルと、を備え、この吸引ノズルが、透光性の材料にて構成されていることを特徴とする。
これによって、吸引ノズルを熱光線の光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけて配置できる。したがって、被処理位置を確実に局所輻射加熱して処理効率を確保できるとともに、被処理位置の近傍を局所的に確実に吸引でき、反応副生成物を速やかに取り除いてパーティクルの原因になるのを防止することができる。また、熱光線の散乱等が起きても吸引ノズルに吸熱されるのを防止でき、吸引ノズルの高温化を防止して実用に耐えるようにすることができる。さらに、吸引ノズルの内壁が処理済みの反応性ガスや反応副生成物の吸引によって汚れても、外部から容易に確認することができ、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、吸引ノズルの汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。
【０００７】
前記不要物と反応する反応性ガスを、前記被処理位置に局所的に吹付ける吹出しノズルを備えるのが好ましい。この吹出しノズルが、透光性の材料にて構成されていることが、より好ましい。
これによって、吹出しノズルについても熱光線の光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけることができ、反応性ガスを未拡散、高濃度、高活性のうちに被処理位置に確実に当てることができるとともに、熱光線による被処理位置の局所加熱効率を確保することができる。よって、被処理位置の局所的な処理効率を相乗的に高めることができる。また、吹出しノズルが熱光線の散乱等によって高温化するのを防止でき、実用に耐えるようにすることができる。さらに、吹出しノズルの内壁が汚れても、外部から容易に確認することができ、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、吹出しノズルの汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。
【０００８】
前記吸引ノズル又は前記吹出しノズルを構成する透光性材料としては、例えば、ガラス、アクリル、透明な樹脂等が挙げられる。
前記ガラスとしては、例えば、石英、ほうけい酸ガラス、アルカリソーダガラス等が挙げられる。
前記透明な樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリカーボネート、塩化ビニール等が挙げられる。
【０００９】
前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記支持部に支持された基材と直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことが好ましい。
これによって、反応性ガスを基材の外周部に沿うように流して反応時間を確保できるとともに、反応副生成物を含む処理済みガスを基材から漸次離れていくように導くことができ、反応性ガスの拡散を防止でき、余計な箇所が処理されたり反応副生成物が基材の表面に付いてパーティクルの原因になったりするのを一層確実に防止することができる。
【００１０】
前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記支持部に支持された基材と直交する方向から見て、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿うことが好ましい。
前記支持部に支持された基材と直交する方向から見て、前記吹出しノズルからの前記反応性ガスの吹き出し方向が、前記基材の被処理位置における周方向にほぼ沿い、前記吸引ノズルからの吸込み方向が、前記吹出し方向とほぼ一致していることがより好ましい。
これによって、反応性ガスの流れを基材の外周部に確実に沿わせることができ、反応時間を一層確実に確保することができる。
【００１１】
前記輻射加熱器は、前記熱光線を前記被処理位置に向けて前記基材の半径外側に傾倒された方向から照射するようにするとよい。
これによって、熱光線を、基材の表側面の外周部又は裏面の外周部だけでなく基材の外端面にも照射することができ、不要物が基材の外端面に被膜されている場合でも確実に除去することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、吸引ノズルを熱光線の光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけて配置できる。これにより、被処理位置を確実に局所輻射加熱して処理効率を確保できるとともに、被処理位置の近傍を局所的に確実に吸引でき、反応副生成物を速やかに取り除いてパーティクルの原因になるのを防止することができる。また、熱光線の散乱等が起きても吸引ノズルに吸熱されるのを防止でき、吸引ノズルの高温化を防止して実用に耐えることができる。さらに、吸引ノズルが処理済みの反応性ガスや反応副生成物の吸引によって汚れても、外部から容易に確認することができ、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、吸引ノズルの汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の第１実施形態を説明する。図１及び図２に示すように、この実施形態の処理対象基材は、例えばシリコン製の半導体ウェハ９０である。シリコンウェハ９０は、円形の薄板状をなしている。ウェハ９０の表側面には、半導体装置を構成すべき所要層としてｌｏｗ−ｋ材からなる絶縁層９１が形成されている。ｌｏｗ−ｋ材は、ＳｉＯ２より誘電率が小さい絶縁材料である。ｌｏｗ−ｋ材の比誘電率は、例えば１５〜３０程度が好ましい。ｌｏｗ−ｋ材を構成する物質としては、Ｓｉ Ｏ ＣＨ３等が挙げられる。絶縁層９１は、ｌｏｗ−ｋ材に代えてＳｉＯ２にて構成されていてもよい。絶縁層９１には配線パターン溝９１ａが形成されている。この配線パターン溝９１ａ内にＣｕからなる配線パターン９４が設けられている。配線パターン９４は、Ｃｕに代えてＡｌ等の他の導電性材料にて構成してもよい。
【００１４】
シリコンウェハ９０の裏面の外周部や外端面には、フロロカーボンの膜９３ａが被膜されている。フロロカーボン膜９３ａは、ウェハ９０の周方向の全周にわたるとともに径方向（周方向と直交する方向）に沿う幅を有している。フロロカーボン膜９３ａは、上記配線パターン溝９１ａをエッチングにて形成する際、エッチングの異方性を確保するための保護材としてエッチング用ガスに混入させておいたフロロカーボンがウェハの裏側へ回り込んで堆積したものであり、上記エッチング用のフォトレジストをアッシングする工程でも除去しきれずに残置されたものである。
【００１５】
本実施形態に係る基材外周処理装置１は、上記ウェハ９０の裏面外周部や外端面のフロロカーボン膜９３ａを不要物として除去するものである。図２に示すように、基材外周処理装置１は、ステージ１１と、反応性ガス給排手段２０と、加熱手段３０を備えている。
【００１６】
ステージ１１は、水平な円盤形状をなし、垂直な中心軸のまわりに回転するようになっている。このステージ１１の回転数は、適宜調節可能になっている。
【００１７】
ステージ１１は、ウェハ９０を支持するための支持部を構成している。ステージ１１の上面の直径は、ウェハ９０の直径より僅かに小さい。このステージ１１の上面に、ウェハ９０が中心を一致させて水平にセットされるようになっている。セット状態のウェハ９０の外周部は、ステージ１１の外端縁より少し突出されている。これによりフロロカーボン膜９３ａの幅方向の全体が露出するとともに、該フロロカーボン膜９３ａの径方向内側の縁のすぐ近くにステージ１１の外端縁が位置するようになっている。
【００１８】
ステージ１１にはウェハ９０を吸着する真空式又は静電式の吸着チャック機構（図示せず）が組み込まれている。吸着チャック機構は、ステージ１１の上面の全域に設けてもよく、ステージ１１の外周部（ウェハ９０の外周突出部のすぐ内側の部分）にのみ設け、中央部には設けないことにしてもよい。吸着チャック機構をステージ１１の外周部だけに設けることにすれば、吸着に起因するパーティクルを低減することができる。
【００１９】
図示は省略するが、ステージ１１にはウェハ９０と接する面から吸熱してウェハ９０を冷却する吸熱手段が組み込まれている。例えば、ステージ１１の内部が、空洞になっており、そこに水や空気等の冷却用媒体が送り込まれるようになっている。また、ステージ１１に冷却用媒体の流通路を形成してもよい。或いは、ステージ１１にペルチェ素子を埋め込んでもよい。
ステージ１１の特に上板の材質には、熱伝導性の良好なもの（例えばアルミ）が用いられている。
冷却・吸熱手段は、ステージ１１の少なくとも外周部（ウェハ９０の外周突出部のすぐ内側の部分）から吸熱できるようになっていればよい。ステージ１１の上面の中央部には凹部を設け、この凹部より外周側のステージ上面だけがウェハ９０と接触するようにしてもよい。これによって、ウェハ９０の外周突出部のすぐ内側の部分から確実に吸熱できる一方、ステージ１１とウェハ９０の接触面積を小さくしてパーティクルの発生数を低減することができる。
ステージ１１には、必ずしも上記のような冷却・吸熱手段を設けなくてもよい。これによって、ステージの構成を簡素化できる。
【００２０】
上記加熱手段３０としては、レーザ加熱器が用いられている。レーザ加熱器３０は、熱光線源としてのレーザ光源３１と、照射ユニット３２を有している。
【００２１】
レーザ光源３１は、例えば発光波長８０８ｎｍ〜９４０ｎｍのＬＤ（半導体）レーザ光を出射するようになっている。レーザ光源３１として、ＬＤに限られず、ＹＡＧ、エキシマ等の種々の形式のものを用いてもよい。
【００２２】
レーザ光源３１の出射部から光ファイバ３４が照射ユニット３２へ延びている。図２に示すように、照射ユニット３２は、ウェハ９０の下側かつ径方向外側に配置され、ウェハ９０の外周部を向くように斜め上に向けられている。
照射ユニット３２をウェハ９０の外周部の真下に配置してもよい。
【００２３】
照射ユニット３２には、凸レンズやシリンドリカルレンズ等の光学素子を含む集光光学系（図示省略）が収容されている。この集光光学系に光ファイバ３４が光ファイバ３４の先端部が光学的に接続されている。集光光学系は、光ファイバ３４で伝送されて来たレーザＬをウェハ９０の外周部へ向けて斜め上方へ収束照射するようになっている。このレーザＬのウェハ外周部上の集光スポットＰが、被処理位置となる。
【００２４】
図２の白抜き矢印Ａ１に示すように、照射ユニット３２には、例えば上記集光光学系をレーザ光軸に沿って変移させる方式の焦点調節機構が設けられている。これにより、レーザ光Ｌの焦点位置、ひいてはウェハ外周部上の集光スポット径を調節できるようになっている。さらに、図２の白抜き矢印Ａ２に示すように、照射ユニット３２には、該照射ユニット３２をステージ１１ひいてはウェハ９０の径方向に沿って変移させる径方向移動機構が接続されている。或いは、該径方向移動機構に代えて、同図の白抜き矢印Ａ３に示すように、照射ユニット３２をレーザ光Ｌの集光スポットＰの近傍の接線と平行な軸線周りに角度調節する角度調節機構が接続されている。これによって、レーザ光Ｌの集光スポットＰをフロロカーボン膜９３ａの幅方向（ウェハ９０の径方向）に位置調節できるようになっている。
【００２５】
図１に示すように、ステージ１１の側部には、反応性ガス給排手段２０を構成する吹出しノズル２１と吸引ノズル２２が設けられている。吹出しノズル２１が、ガス供給路２３を介して反応性ガス源２４に連なっている。反応性ガス源２４と供給路２３と吹出しノズル２１によって、反応性ガス供給手段が構成されている。反応性ガス源２４として、オゾン（Ｏ３）を生成するオゾナイザーが用いられている。オゾンは、フロロカーボン膜９３ａ等の有機膜を除去するのに好適な反応性ガスである。
反応性ガス源として、オゾナイザー２４に代えて常圧プラズマ放電装置を用い、この常圧プラズマ放電装置の電極間のプラズマ放電空間に酸素を導入し、酸素ラジカル等の酸素系反応性ガスを得ることにしてもよい。
反応性ガスとして酸素（Ｏ２）をそのまま吹出しノズル２１に供給し、吹出すようにしてもよい。
反応性ガスとして、酸素系ガスに代えて、ＣＦ４等のフッ素系ガスを用いてもよい。
【００２６】
図２に示すように、吹出しノズル２１は、管状をなし、ウェハ９０の外周部の被処理位置Ｐに向くようにしてウェハ９０の下側に配置されている。図１に示すように、吹出しノズル２１の吹き出し方向は、平面視でウェハ９０の周方向（接線方向）にほぼ沿うとともに、図３に示すように、側面視でウェハ９０に対し傾けられている。
吹出しノズル２１の口径は、フロロカーボン膜９３ａの幅に対応する大きさになっている。
【００２７】
図１に示すように、吸引ノズル２２から排気路２５が延び、排気ポンプ等の排気手段２６に連なっている。吸引ノズル２２は、管状をなしている。吸引ノズル２２は、平面視で被処理位置Ｐを挟んでウェハ９０の周方向（接線方向）に沿って吹出しノズル２１と向き合うように配置されている。したがって、吸引ノズル２２の吸引方向は、平面視でウェハ９０の周方向（接線方向）にほぼ沿い、上記吹出しノズル２１からの吹出し方向とほぼ一致している。図３に示すように、吹出しノズル２２は、側面視でウェハ９０の下側から被処理位置Ｐに向かうようにウェハ９０に対し例えば４５度程度傾けられている。
【００２８】
吸引ノズル２２の口径は、吹出しノズル２１の口径より大きく、例えば約２〜５倍になっている。例えば、吹出しノズル２１の口径は１〜３ｍｍ程度であるのに対し、吸引ノズル２２の口径は２〜１５ｍｍ程度である。
【００２９】
ステージ１１ひいてはウェハ９０の回転方向（例えば平面視時計周り）に沿って、吹出しノズル２１は上流側に配置され、吸引ノズル２２は下流側に配置されている。
【００３０】
ノズル２１，２２の向きや互いの配置関係は適宜設定することができる。例えば、ノズル２１，２２を平面視でウェハ９０の接線より僅かにウェハ９０の内側又は外側から被処理位置Ｐを向くように傾けてもよい。吸引ノズル２２をウェハ９０の半径方向に沿ってウェハ９０の外側から被処理位置Ｐに向けたり、ウェハ９０より下側に上向きで配置したりしてもよい。
【００３１】
吸引ノズル２２は、透光性の材料にて構成されている。透光性材料としては、ガラス、アクリル、透明な樹脂等を用いることができる。ガラスは、石英、ほうけい酸ガラス、アルカリソーダガラス等を用いることができる。透明樹脂は、透明なポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、透明なテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、透明なポリカーボネート、透明な塩化ビニール等を用いることできる。
吹出しノズル２１についても、吸引ノズル２２と同様の透光性材料にて構成されている。
【００３２】
上記構成の基材外周処理装置１は、次のように使用される。
ステージ１１にウェハ９０をアライメントして設置し、ウェハ９０のフロロカーボン膜９３ａを含む外周部をステージ１１の径方向外側へ突出させる。そして、ステージ１１を中心軸まわりに回転させるとともに、レーザ光源３１からのレーザ光Ｌを、光ファイバ３４に通して集光ユニット３２から出射し、ウェハ９０の裏面外周部又は外端面のフロロカーボン膜９３ａの被処理位置Ｐに集光させる。これにより、被処理位置Ｐのフロロカーボン膜９３ａが局所的かつ瞬間的に高温加熱される。併行して、オゾナイザー２４からのオゾンを、反応性ガスノズル２１からウェハ９０の接線方向にほぼ沿って吹出し、上記局所加熱された被処理位置Ｐに当てる。これによって、被処理位置Ｐのフロロカーボン膜９３ａが、オゾンと反応して除去される。
レーザ光Ｌは、ウェハ９０の下側かつ半径外側から斜めに照射されるので、ウェハ９０の裏面の外周部の膜９３ａだけでなく外端面の膜９３ａをも輻射加熱して、除去することができる。
図２の白抜き矢印Ａ１に示すように、集光ユニット３２の焦点を調節して集光スポット径を変えたり、同図の白抜き矢印Ａ２又はＡ３に示すように、集光ユニット３２のステージ径方向に沿う位置や角度を調節して集光スポット位置をフロロカーボン膜９３ａの幅方向に変移させたりすることにより、フロロカーボン膜９３ａの全体を除去することができる。
【００３３】
さらに、上記のレーザ照射及びオゾン吹付けと併行して、排気手段２６を駆動する。これにより、被処理位置Ｐの近傍が吸引ノズル２２によって局所的に吸引される。これによって、被処理位置Ｐで発生した反応副生成物を処理済みオゾンと一緒に被処理位置近傍から速やかに取り除くことができ、反応副生成物によるパーティクルがウェハ９０に付着するのを防止することができる。
【００３４】
吹出しノズル２１からのオゾン吹出し方向がウェハ９０の被処理位置Ｐにおける接線にほぼ沿うとともに、この吹出し方向にほぼ沿って吸引ノズル２２からの吸引がなされるので、オゾンのウェハ外周部との反応時間を確保して処理効率を向上させることができる。さらには、反応副生成物を含む処理済みガスをウェハ９０から漸次離れていくように導くことができ、パーティクルを一層確実に防止することができる。
【００３５】
吸引ノズル２２が透光性材料にて構成されているので、レーザ光Ｌの光路の妨げになることなく被処理位置Ｐに出来るだけ近づけて配置できる。したがって、反応副生成物を含む処理済みガスを確実に吸引排気できる。さらには、吹出しノズル２１についても、透光性材料にて構成されているのでレーザ光Ｌの光路の妨げになることなく被処理位置に出来るだけ近づけて配置できる。したがって、オゾンを未拡散、高濃度、高活性のうちに被処理位置に確実に当てることができる。一方、レーザ光Ｌを被処理位置Ｐに確実に照射して輻射加熱でき、処理効率を確保することができる。
また、レーザ光Ｌの散乱が起きても、吹出しノズル２１や吸引ノズル２２に吸熱されるのを防止でき、ノズル２１，２２の高温化を防止して実用に耐えるようにすることができる。
さらに、吸引ノズル２２の内壁等が反応生成物を含む処理済みガスの吸引によって汚れても、外部から容易に確認することができる。吹出しノズル２１についても内部の汚れを外部から容易に確認できる。これによって、メンテナンスの要否判断を容易化することができる。ひいては、適切なメンテナンスを行なうことによって、ノズル２２，２１の汚れがパーティクルの原因となるのを防止することができる。
【００３６】
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、反応性ガスノズル２１を省略し、反応性ガス雰囲気下で熱光線をスポット照射することにより不要物除去を行なうことにしてもよい。
反応性ガスとしては、オゾンのほか、酸素ガス（Ｏ２）を用いることもできる。
除去対象の不要物は、フロロカーボンに限られず、それ以外の有機物の他、無機物にも適用できる。
不要物の状態は、膜に限られず粉体等であってもよい。
基材の裏面外周部や外端面に設けられた不要物の除去だけでなく、表側の外周部に設けられた不要物の除去にも適用できる。
基材は、ウェハに限られず、例えば液晶テレビやプラズマテレビ等のフラットパネルディスプレイ用の基板であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、例えば半導体基板や液晶用基板の製造において、基板外周部の不要物を除去するのに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基材外周処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う上記基材外周処理装置の正面断面図であり、処理対象のシリコンウェハ及び被膜の厚さを誇張して示す。
【図３】図１のIII−III線に沿う上記基材外周処理装置の側面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１    ステージ（支持部）
２０    反応性ガス給排手段
２１    吹出しノズル
２２    吸引ノズル
２３    ガス供給路
２４    オゾナイザー（反応性ガス源）
２５    排気路
２６    排気手段
３０    輻射加熱器
３１    レーザ光源
３２    照射ユニット
３４    光ファイバ
９０    シリコンウェハ（基材）
９１    ｌｏｗ−ｋ絶縁層
９１ａ  配線パターン溝
９３ａ  フロロカーボン膜（不要物）
９４    配線パターン
Ｐ１    第１スポット
Ｐ２    第２スポット、局所照射位置（集光スポット、被処理位置）
Ｌ      レーザ（熱光線）
Ｌ３３  光軸
Ｐ      被処理位置
【図１】
2007181854.tif 000003
【図２】
2007181854.tif 000004
【図３】
2007181854.tif 000005