(57)【要約】【課題】画素の有効表示領域が小さくなるのを防ぎつつ、液晶分子に対する高精度な配向制御を簡単に行うことができる高輝度な液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶層１０の厚さ方向（ｚ軸方向）に直交する電極方向（ｙ軸方向）で互いに平行に、かつ、厚さ方向及び電極方向に直交する離間方向（ｘ軸方向）で互いに所定間隔をおいて形成された帯状の電極部７ａを画素電極７に複数設ける。そして、電極部７ａは、対向電極との間に電圧が印加されたときに発生する電界の電極方向での強さを変化させることにより、電極方向に液晶分子を揃えて配向させる。【選択図】図２
2007206346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
互いに平行に配置された一対の基板と、
前記一対の基板の一方側及び他方側に互いに対向するようにそれぞれ設けられた一対の電極と、
液晶分子を含んだ液晶層とを具備した垂直配向型の液晶表示装置であって、
前記一対の一方の電極には、前記画素毎に複数の帯状の電極部が設けられ、
前記複数の帯状の電極部は、前記液晶層の厚さ方向に直交する電極方向で同じ寸法に形成されるとともに、前記厚さ方向及び前記電極方向に直交する離間方向で所定間隔をおいて互いに平行に、かつ、同じ幅寸法に形成され、
前記一対の電極の間に電圧が印加されたときに、前記複数の帯状の電極部は、前記一対の他方の電極との間に発生する電界の前記電極方向での強さを変化させることにより、前記電極方向に前記液晶分子を揃えて配向させることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層の厚さ寸法をＳｄとし、前記複数の帯状の各電極部の前記離間方向での幅寸法をＷ１とし、隣接する２つの電極部間に形成されるスリット部の前記離間方向での幅寸法をＷ２としたときに、前記厚さ寸法Ｓｄ、前記幅寸法Ｗ１、及び前記幅寸法Ｗ２が、下記の不等式（１）
（Ｗ１＋Ｗ２）／Ｓｄ≦４                ――（１）
を満足していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記電極部には、前記電界の前記電極方向での強さを変化させるための補助電極部分が形成されている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記電極部には、複数の前記補助電極部分が前記電極方向に沿って所定のピッチ寸法で配設されている請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補助電極部分の形状は、三角形である請求項３または４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記補助電極部分の形状は、三角形と四角形とを組み合わせた形状である請求項３または４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記電極部には、前記電界の前記電極方向での強さを変化させるための切欠部分が形成されている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記電極部には、複数の前記切欠部分が前記電極方向に沿って所定のピッチ寸法で配設されている請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記切欠部分の形状は、三角形である請求項７または８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記切欠部分の形状は、三角形と四角形とを組み合わせた形状である請求項７または８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記電極部には、前記電極方向に対して第１の傾斜角度で傾けられた第１の傾斜部分と、
前記電極方向に対して前記第１の傾斜角度とは逆方向の第２の傾斜角度で傾けられた第２の傾斜部分とが、互いに連続的に設けられている請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１の傾斜部分と前記第２の傾斜部分との連続部において、前記第１の傾斜部分または第２の傾斜部分に対し、それぞれ前記第２の傾斜角度または前記第１の傾斜角度で形成された付加部分が設けられている請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１の傾斜部分と前記第２の傾斜部分との間で形成される角度が、１６５°以上１７５°以下である請求項１２または１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記電極部の前記離間方向での幅寸法、及び隣接する２つの電極部間に形成されるスリット部の前記離間方向での幅寸法が、０．１μｍ〜１０μｍの範囲で形成されている請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）は、コンピューターやテレビ等の表示装置や携帯電話等のＰＤＡなどに幅広く用いられている。在来の液晶表示装置では、水平配向膜を有し、液晶層を狭持する一対の各基板と平行な水平方向に、当該液晶層に含まれた液晶分子のダイレクター（配向方向）を概ね揃えた水平配向型の液晶表示装置が一般的である。また、このような水平配向型の液晶表示装置は、正のネマティック液晶を用いたＴＮ（Twisted Nematic）モードやＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の液晶表示モードで動作するようになっている。
【０００３】
液晶表示装置では、表示面での視野角特性やコントラスト等を向上させることが課題であり、近年、この課題を解決すべく、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モードを用いた垂直配向型の液晶表示装置が開発され、実用化されてきている。このような垂直配向型の液晶表示装置では、液晶分子のダイレクターが上記の各基板側に設けられた垂直配向膜により当該基板と垂直方向に概ね揃えられており、各基板に設けられた電極間に電圧が印加されていないときに黒表示を行うノーマリーブラック方式が通常用いられている。また、垂直配向型の液晶表示装置では、そのコントラストを高めるために、水平配向型に比べて液晶分子の配向制御をより均一、かつ、厳密に行うことが要求されている。
【０００４】
具体的には、液晶表示装置において、液晶分子の配向制御を行う方法としては、上記電圧が印加されていない状態（電圧無印加状態）の液晶分子にプレチルトを付与する方法が知られている。つまり、例えば水平配向型のＴＮ型液晶表示装置では、従来より、ラビング処理を施した水平配向膜を用いて、液晶分子に対しプレチルト角及びプレチルト方向で定められるプレチルトを与えて、その配向制御を実施していた。このうちプレチルト角は、液晶分子及び水平配向膜の材料などによって決まり、プレチルト方向はラビング方向によって規定される。また、電圧無印加状態においては、上記水平配向膜の表面近傍の液晶分子のダイレクターは基板に対して完全に平行ではなく、当該液晶分子は予め与えられたプレチルト方向に向いて１°〜６°程度のプレチルト角で配向されている。そして、上記電極間に電圧が印加されると、液晶層では、液晶分子が予め与えられたプレチルトに応じて当該液晶層の中心に向かって滑らかに起き上がって、液晶分子の配向制御が円滑に行われる。
【０００５】
しかしながら、垂直配向型の液晶表示装置の場合、断面略楕円形の液晶分子の長軸が基板に垂直方向と平行になるように当該液晶分子は配向されるため、液晶分子を所望のプレチルト方向で安定した状態で揃えることが難しい。また、垂直配向型の液晶表示装置では、水平配向型に比べて、より高いコントラストを有するため、液晶分子の僅かな配向の不均一性が目視で確認されて、表示ムラとして視認され易い。それ故、垂直配向型の液晶表示装置では、液晶分子に対する高精度な配向制御が要求されている。
【０００６】
そこで、従来の垂直配向型の液晶表示装置では、例えば下記特許文献１に記載されている斜め電界法のように、長方形状の画素電極のエッジに対し斜め方向に微細なスリットを設けたり、下記特許文献２に記載されているリブ法のように、画素電極及びこれに対向される対向電極の少なくとも一方の電極に突起を設けたりすることが提案されている。そして、これらの特許文献１、２の従来例では、液晶分子に対して、スリットまたは突起によってプレチルトを付与することにより、高精度な配向制御を行うことが可能とされていた。
【０００７】
また、上記特許文献１、２の従来例では、ＭＶＡ（Multi Domain Vertical Alignment）モードと呼ばれる配向制御を併用することも開示されており、垂直配向膜にラビング処理を施すことなく、液晶分子の配向制御を行うことが示されている。
【０００８】
具体的には、上記従来例のＭＶＡモードでは、図２３に例示するように、１つの画素の領域が４つの領域（ドメイン）に分割されている。すなわち、この従来例の液晶層は、一対の基板５０ａ、５０ｂと、基板５０ａ、５０ｂにそれぞれ設けられた対向電極５１ａ、画素電極５１ｂとの間に設けられており、対向電極５１ａ及び画素電極５１ｂ上には垂直配向膜（図示せず）が形成されている。また、この液晶層では、１つの画素が、図２３の点線にて示すように、互いに同じ大きさに設定された４つの領域に分割されている。これら４つの領域では、液晶分子５２は画素電極５１ｂに形成された突起（図示せず）または微細なスリット（図示せず）により、図２３に矢印Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４にて示す方向にそれぞれ配向されるようになっている。
【０００９】
そして、従来例のＭＶＡモードでは、電圧が対向電極５１ａ及び画素電極５１ｂ間に印加されていないときに、各領域における液晶層の厚さ方向での中間部分に存在する液晶分子５２は、図２４（ａ）に示すように、基板５０ａ、５０ｂに対し略垂直方向に配向されている。この電圧無印加状態のときでは、各基板５０ａ、５０ｂの外側に設置された偏光板（図示せず）の透過軸がクロスニコルに配置されていると、液晶層では光を透過させずに暗状態となる。
【００１０】
一方、電圧が対向電極５１ａ及び画素電極５１ｂ間に印加されると、上記中間部分に存在する液晶分子５２が、図２４（ｂ）に示すように、上記突起や斜め電界によって規制された方向に倒れる。その結果、液晶層では、光が複屈折によって透過するようになる。また、この従来例でのＭＶＡモードでは、各領域の中間部分に存在する液晶分子５２の倒れる方向が図２３に上記矢印Ｐ１〜Ｐ４で示したように互いに異なる方向に規制されており、液晶分子５２の配向（制御）方向が異なる４つの領域が１画素内に構成されている。そして、この従来例でのＭＶＡモードでは、各領域での視野角特性は領域分割を施していない既存の画素のものと同程度であるが、各領域の大きさを互いに同一とし表示面積を均一化することにより、視角が変化したときの輝度やコントラストの急激な変化を抑えて、視野角特性を大幅に改善可能とされていた。
【特許文献１】特開２００２−２２９０３８号公報
【特許文献２】特開２００３−２８７７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、上記のような従来の垂直配向型の液晶表示装置では、画素電極及び対向電極以外に、液晶分子に対してプレチルトを付与するための専用の電極構造を画素単位に設ける必要があり、高精度な配向制御を簡単に行えないという問題点があった。すなわち、特許文献１に記載された従来例では、上記電極構造としての微細なスリットを画素電極のエッジに対し斜め方向に設けることにより、液晶分子に対してプレチルトを付与していた。また、特許文献２に記載された従来例では、上記電極構造としての突起を画素電極または対向電極に設けることにより、液晶分子に対してプレチルトを付与していた。しかも、これらの電極構造は、通常の画素電極や対向電極と異なり、液晶表示装置の表示性能が低下するのを防ぐために、当該電極構造を遮光する必要があった。この結果、従来の液晶表示装置では、画素の有効表示領域が小さくなり、表示面の高輝度化を図るのも困難であるという問題点があった。
【００１２】
上記の課題を鑑み、本発明は、画素の有効表示領域が小さくなるのを防ぎつつ、液晶分子に対する高精度な配向制御を簡単に行うことができる高輝度な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、複数の画素と、
互いに平行に配置された一対の基板と、
前記一対の基板の一方側及び他方側に互いに対向するようにそれぞれ設けられた一対の電極と、
液晶分子を含んだ液晶層とを具備した垂直配向型の液晶表示装置であって、
前記一対の一方の電極には、前記画素毎に複数の帯状の電極部が設けられ、
前記複数の帯状の電極部は、前記液晶層の厚さ方向に直交する電極方向で同じ寸法に形成されるとともに、前記厚さ方向及び前記電極方向に直交する離間方向で所定間隔をおいて互いに平行に、かつ、同じ幅寸法に形成され、
前記一対の電極の間に電圧が印加されたときに、前記複数の帯状の電極部は、前記一対の他方の電極との間に発生する電界の前記電極方向での強さを変化させることにより、前記電極方向に前記液晶分子を揃えて配向させることを特徴とするものである。
【００１４】
上記のように構成された液晶表示装置では、液晶層に電圧を印加する一対の一方の電極に、上記複数の帯状の電極部が設けられている。また、これらの電極部は、一対の他方の電極との間に電圧が印加されたときに、当該他方の電極との間に発生する電界の電極方向での強さを変化させることにより、電極方向に液晶分子を揃えて配向させる。これにより、上記従来例と異なり、液晶分子にプレチルトを付与するための専用の電極構造を別途設けることなく、液晶分子を高精度に配向制御するための電界成分を簡単に得ることができる。この結果、従来例と異なり、画素の有効表示領域が小さくなるのを防ぎつつ、液晶分子に対する高精度な配向制御を簡単に行うことが可能で、高輝度な液晶表示装置を構成することができる。
【００１５】
また、上記液晶表示装置において、前記液晶層の厚さ寸法をＳｄとし、前記複数の帯状の各電極部の前記離間方向での幅寸法をＷ１とし、隣接する２つの電極部間に形成されるスリット部の前記離間方向での幅寸法をＷ２としたときに、前記厚さ寸法Ｓｄ、前記幅寸法Ｗ１、及び前記幅寸法Ｗ２が、下記の不等式（１）
【００１６】
（Ｗ１＋Ｗ２）／Ｓｄ≦４                ――（１）
【００１７】
を満足していることが好ましい。
この場合、液晶分子に対する高精度な配向制御をより確実に行うことができる。
【００１８】
また、上記液晶表示装置において、前記電極部には、前記電界の前記電極方向での強さを変化させるための補助電極部分が形成されてもよい。
【００１９】
この場合、補助電極部分によって上記電界成分を確実に発生させることができることから、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となる。
【００２０】
また、上記液晶表示装置において、前記電極部には、複数の前記補助電極部分が前記電極方向に沿って所定のピッチ寸法で配設されていることが好ましい。
【００２１】
この場合、電極部の電極方向の長さ寸法を長くしたときでも、複数の補助電極部分により、上記電界成分を確実に発生させて、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となる。
【００２２】
また、上記液晶表示装置において、前記補助電極部分の形状は、三角形でもよい。
【００２３】
この場合、上記電極方向での電界の強さを容易に変化させることができる。
【００２４】
また、上記液晶表示装置において、前記補助電極部分の形状は、三角形と四角形とを組み合わせた形状であることが好ましい。
【００２５】
この場合、補助電極部分の形状において、補助電極部分を形成するのに困難となる鋭角が含まれるのを防ぐことができることから、当該補助電極部分を高精度で容易に形成することができる。
【００２６】
また、上記液晶表示装置において、前記電極部には、前記電界の前記電極方向での強さを変化させるための切欠部分が形成されてもよい。
【００２７】
この場合、切欠部分によって上記電界成分を確実に発生させることができることから、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となる。
【００２８】
また、上記液晶表示装置において、前記電極部には、複数の前記切欠部分が前記電極方向に沿って所定のピッチ寸法で配設されていることが好ましい。
【００２９】
この場合、電極部の電極方向の長さ寸法を長くしたときでも、複数の切欠部分により、上記電界成分を確実に発生させて、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となる。
【００３０】
また、上記液晶表示装置において、前記切欠部分の形状は、三角形でもよい。
【００３１】
この場合、上記電極方向での電界の強さを容易に変化させることができる。
【００３２】
また、上記液晶表示装置において、前記切欠部分の形状は、三角形と四角形とを組み合わせた形状であることが好ましい。
【００３３】
この場合、切欠部分の形状において、切欠部分を形成するのに困難となる鋭角が含まれるのを防ぐことができることから、当該切欠部分を高精度で容易に形成することができる。
【００３４】
また、上記液晶表示装置において、前記電極部には、前記電極方向に対して第１の傾斜角度で傾けられた第１の傾斜部分と、
前記電極方向に対して前記第１の傾斜角度とは逆方向の第２の傾斜角度で傾けられた第２の傾斜部分とが、互いに連続的に設けられてもよい。
【００３５】
この場合、第１及び第２の傾斜部分によって上記電界成分を確実に発生させることができることから、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となる。
【００３６】
また、上記液晶表示装置において、前記第１の傾斜部分と前記第２の傾斜部分との連続部において、前記第１の傾斜部分または第２の傾斜部分に対し、それぞれ前記第２の傾斜角度または前記第１の傾斜角度で形成された付加部分が設けられてもよい。
【００３７】
この場合、電極部の電極方向の長さ寸法を長くしたときでも、付加部分により、上記電界成分を確実に発生させて、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となる。
【００３８】
また、上記液晶表示装置において、前記第１の傾斜部分と前記第２の傾斜部分との間で形成される角度が、１６５°以上１７５°以下であることが好ましい。
【００３９】
この場合、上記角度を１６５°以上１７５°以下とすることにより、第１及び第２の各傾斜部分を精度よく、かつ、容易に形成することができ、液晶分子に対する高精度な配向制御をより確実に行うことができる。
【００４０】
また、上記液晶表示装置において、前記電極部の前記離間方向での幅寸法、及び隣接する２つの電極部間に形成されるスリット部の前記離間方向での幅寸法が、０．１μｍ〜１０μｍの範囲で形成されていることが好ましい。
【００４１】
この場合、電極部の上記幅寸法及びスリット部の上記幅寸法を０．１μｍ〜１０μｍの範囲とすることにより、上記電界成分を確実に発生させることができ、液晶分子に対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、画素の有効表示領域が小さくなるのを防ぎつつ、液晶分子に対する高精度な配向制御を簡単に行うことができる高輝度な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の液晶表示装置の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明を直下型のバックライトを使用した透過型の液晶表示装置に適用した場合を例示して説明する。
【００４４】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる液晶表示装置の要部構成を説明する断面図である。図において、本実施形態の液晶表示装置１には、図の上側が視認側として設置される液晶パネル２と、液晶パネル２の下方側に配置された直下型のバックライト３とを備えており、液晶表示装置１は、バックライト３からの照明光が液晶パネル２に入射されることで所望の画像や文字等の情報を表示するようになっている。
【００４５】
液晶パネル２には、互いに平行に配置された一対の基板としてのガラス基板４、５と、ガラス基板４、５の間に狭持された液晶層１０とを備えている。
【００４６】
ガラス基板４、５は、液晶パネル２の表示面及び非表示面を構成しており、各ガラス基板４、５の液晶層１０とは反対側の表面上には、透過軸が互いに直交するクロスニコルに配置された一対の偏光板（図示せず）が設置されている。また、ガラス基板４、５の間には、液晶層１０の厚さ方向（図１の上下方向、以下“ｚ軸方向”ともいう。）で互いに対向するようにガラス基板４、５の一方側及び他方側にそれぞれ設けられた一対の電極としての対向電極６及び画素電極７が配置されている。
【００４７】
対向電極６及び画素電極７は、ＩＴＯ膜等の透明な導電（電極）膜により構成されており、対向電極６は、液晶表示装置１の有効表示領域の全面を覆うようにガラス基板４上に形成されている。一方、画素電極７は、上記有効表示領域に形成される複数の各画素にガラス基板５上で設けられるものであり、後に詳述するように、画素毎に複数設けられたに電極部７ａにより、負の誘電異方性を有する液晶材料からなる液晶分子１０ａに対する配向制御を高精度に行うことができるようになっている。
【００４８】
また、対向電極６及び画素電極７には、互いに対向するように一対の垂直配向膜８、９が積層されており、液晶分子１０ａを含んだ液晶層１０を実質的に狭持するようになっている。また、対向電極６または画素電極７と対応する垂直配向膜８、９との間には、ＲＧＢの各カラーフィルターなどが設けられており（図示せず）、液晶表示装置１では、液晶層１０を画素単位に駆動可能に構成されている。
【００４９】
また、画素電極７には、図２も参照して、くし形（ラインアンドスペース形）状に構成されており、複数、例えば５本の帯状の電極部７ａが設けられている。これらの電極部７ａは、上記厚さ方向に直交する電極方向（図１の紙面に垂直な方向、以下“ｙ軸方向”ともいう。）で同じ寸法に形成されている。また、電極部７ａは、厚さ方向及び電極方向に直交する離間方向（図１の左右方向、以下“ｘ軸方向”ともいう。）で所定間隔をおいて互いに平行に、かつ、同じ幅寸法に形成されている。そして、この画素電極７では、対向電極６との間に所定の電圧が印加されたときに、電極部７ａが対向電極６とのの間に発生する電界の電極方向での強さを変化させることにより、当該電極方向に液晶分子１０ａを揃えて配向させるようになっている。
【００５０】
詳細にいえば、画素電極７には、隣接する２つの電極部７ａの間に形成されたスリット部７ｂと、電極部７ａの一方側の端部に連結された長方形状の基部７ｃとを備えている。また、画素電極７では、電極部７ａ及び基部７ｃはそれぞれ画素の有効表示領域及び非有効表示領域に設置されており、基部７ｃにＴＦＴ等のアクティブ素子（図示せず）が接続され、対向電極６との間で画素単位に電圧印加が行われるようになっている。
【００５１】
また、画素電極７の各部は、例えばフォトリソグラフィーにより形成されており、図２に“Ｗ１”及び“Ｗ２”にてそれぞれ示す電極部７ａの幅寸法及びスリット部７ｂの幅寸法が同一に構成されている。つまり、画素電極７では、上記透明な導電膜がガラス基板５の全面に積層された後、電極部７ａと基部７ｃとは電極部７ａ及びスリット部７ｂがそれぞれ幅寸法Ｗ１及びＷ２となるように、露光装置を用いて当該ガラス基板５上で画素毎に作製されている。
【００５２】
また、電極部７ａの幅寸法Ｗ１及びスリット部７ｂの幅寸法Ｗ２は、好ましくは０．１μｍ〜１０μｍの範囲内の値に設定されており、液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行える範囲内の値が選択されている。
【００５３】
尚、電極部７ａの幅寸法Ｗ１またはスリット部７ｂの幅寸法Ｗ２を０．１μｍよりも小さくした場合、及び１０μｍよりも幅寸法Ｗ１または幅寸法Ｗ２を大きくした場合には、電圧印加時に液晶分子１０ａに作用させる後述の電界成分が不適切なものとなり、当該液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御を行うことが難しくなる。
【００５４】
さらに、画素電極７では、電極部７ａの幅寸法Ｗ１及びスリット部７ｂの幅寸法Ｗ２は、液晶層１０の厚さ寸法（図３（ａ）に“Ｓｄ”にて図示）に対して、下記不等式（１）を満足する値が設定されている。これにより、画素電極７では、対向電極６との間の電圧が印加されたときに、電極部７ａは液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより確実に行うことができる（詳細は後述。）。
【００５５】
（Ｗ１＋Ｗ２）／Ｓｄ≦４                            ――（１）
【００５６】
ここで、上記のように構成された液晶表示装置１の動作について、図３及び図４も参照して具体的に説明する。尚、以下の説明では、液晶分子１０ａに対する配向制御の動作について主に説明する。また、対向電極６側及び画素電極７側がそれぞれ高電位側及び低電位側となるように、電圧が印加される場合を例示して説明する。
【００５７】
本実施形態では、対向電極６と画素電極７との間に電圧が印加されていない状態（図３（ａ）に示す状態）から、これらの対向電極６と画素電極７との間に電圧が印加されると、液晶パネル２の内部には、図３（ｂ）に電界Ｅにて示すように、ｚ軸方向だけでなくｘ軸方向の電界成分が発生する。つまり、画素電極７では、隣接する２つの電極部７ａがｘ軸方向に設けられたスリット部７ｂを介して設けられているので、電極部７ａのｘ軸方向の中心部分のみｚ軸方向に平行な電界成分が生じ、電極部７ａのｘ軸方向の端部側では、スリット部７ｂ側に膨らんだｘ軸方向の電界成分が発生する。
【００５８】
また、画素電極７では、電極部７ａがｙ軸方向に関して局所的に非対称な形状とされており、ｙ軸方向での電界の強さを変化させることにより、液晶分子１０ａを高精度に配向制御するための電界成分を得るようになっている。
【００５９】
すなわち、図２の上側方向をｙ軸正方向としたときに、同図２に“ｙ１”にて示す各電極部７ａの上端部では、そのｙ軸正方向側には基部７ｃが存在し、ｙ軸負方向側にはスリット部７ｂ及びこの内部に積層された垂直配向膜９の領域が存在している。このように、各電極部７ａの上端部では、ｙ軸方向に関して非対称で局所的に異なる形状である。このため、上記電圧が印加されたときに、各電極部７ａの上端部では当該電極部７ａでの近傍部に比べてｙ軸方向での電界強さが大きくされており、上端部ではその上方の液晶分子１０ａに対しｙ軸正方向に回転させる電界成分が生じる。つまり、各電極部７ａの上端部では、液晶分子１０ａを高精度に配向制御するための電界成分が得られる。
【００６０】
また、図２に“ｙ３”にて示す各電極部７ａの下端部では、そのｙ軸正方向側にはスリット部７ｂが存在し、ｙ軸負方向側にはスリット部７ｂが存在していない。このため、各電極部７ａの下端部では、ｙ軸方向に関して垂直配向膜９の領域の大きさが異なり、ｙ軸方向に関して非対称で局所的に異なる形状である。それ故、上記電圧が印加されたときに、各電極部７ａの下端部では、上記上端部と同様に、その近傍部に比べてｙ軸方向での電界強さが大きくされており、下端部ではその上方の液晶分子１０ａに対しｙ軸正方向に回転させる電界成分が生じる。
【００６１】
また、図２に“ｙ２”にて示す各電極部７ａの中央部では、ｙ軸正方向及び負方向側は同じスリット部７ｂが設けられているので、ｙ軸方向に関して対称で局所的に同じ形状である。しかしながら、上記電圧が印加されたときでは、各電極部７ａの上端部及び下端部上の液晶分子１０ａがｙ軸正方向に回転することから、各電極部７ａの中央部上の液晶分子１０ａもｙ軸正方向に回転して、液晶分子１０ａに対する均一な配向制御が行われる。
【００６２】
詳細にいえば、図３（ｂ）に示した電界Ｅが、上記電圧が印加されることにより発生すると、液晶分子１０ａは電界Ｅに対して垂直な方向に回転しようとするため、液晶層１０に含まれた液晶分子１０ａは、図４に示すように配向される。すなわち、各電極部７ａのｘ軸方向の両側における電界成分の向きが異なることから、各電極部７ａ上では、図４に示すように、液晶分子１０ａのダイレクターが異なる境界部分が発生することになる。この境界部分では、液晶分子１０ａの回転に伴うディスクリネーションが発生しており、この発生したディスクリネーションによる大きな歪みエネルギーが存在している。このため、液晶層１０内では、このエネルギーを緩和するために、ｘ軸方向に傾いていた液晶分子１０ａのダイレクターが、ｘ軸方向に垂直なｙ軸方向に対し傾き易い状態となっている。さらに、本実施形態では、上述したように、各電極部７ａでのｙ軸方向での局所的な形状の相違によって液晶分子１０ａをｙ軸正方向に回転させる電界成分を発生させているので、本実施形態では、上記電圧の増加に応じて、ｙ軸正方向に液晶分子１０ａを揃えて回転させることができ、高精度な配向制御を簡単に行うことができる。
【００６３】
但し、対向電極６と画素電極７との間の印加電圧が一定の場合、これらの対向電極６と画素電極７との離間寸法、すなわち上記液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄが大きくなるにつれて、上記電界Ｅが小さくなる。このように、電界Ｅが小さくなると、液晶分子１０ａの配向制御の精度が低下する。
【００６４】
すなわち、液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄに対して、電極部７ａの幅寸法Ｗ１やスリット部７ｂの幅寸法Ｗ２が十分大きい場合、液晶分子１０ａがｙ軸正方向に回転可能となる範囲は電極部７ａ上の一部分のみとなるため、電極部７ａのｘ軸方向の中央部から離れるにつれて、液晶分子１０ａはｘ軸方向に回転し易くなり、図４に示したように、液晶分子１０ａの配向方向が不揃い状態となる。
【００６５】
これに対して、厚さ寸法Ｓｄに対して、電極部７ａ及びスリット部７ｂの幅寸法Ｗ１、Ｗ２を小さくすると、電極部７ａによるｙ軸正方向への液晶分子１０ａの回転可能範囲を大きくすることができ、液晶層１０内の全ての液晶分子１０ａをｙ軸正方向に回転させることができる。これにより、本実施形態では、図１に示したように全ての液晶分子１０ａをｚ軸方向に平行に揃えて配向するとともに、上記電圧を増やすことにより、当該液晶分子１０ａを回転させ、液晶層１０を透過する光量を増加させることができる。
【００６６】
ここで、本願発明の発明者が実施した実験結果の一例を表１に示す。
【００６７】
この実験では、電極部７ａのｙ軸方向の長さ寸法及び対向電極６と画素電極７との間の印加電圧を一定にし、かつ電極部７ａの幅寸法Ｗ１及びスリット部７ｂの幅寸法Ｗ２と同じ値に設定した。さらには、液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄと幅寸法Ｗ１、Ｗ２とを変化させることにより、厚さ寸法Ｓｄに対する幅寸法Ｗ１、Ｗ２の和の比率（（Ｗ１＋Ｗ２）／Ｓｄ）を変更した。そして、電圧を印加したときでの上記表示面を視認することにより、液晶分子１０ａに対する配向制御が高精度に行われているか否かについて判別して、液晶分子１０ａの配向均一性を検証した。尚、表１では、良好な配向均一性が得られたときを○で示し、得られなかったときを×で示す。
【００６８】
【表１】
2007206346.tif 000003
【００６９】
表１から明らかなように、液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄと電極部７ａ及びスリット部７ｂの幅寸法Ｗ１、Ｗ２の和との比率を４．０以下としたときに、良好な液晶分子１０ａの配向均一性が得られることが確認された。尚、充分な配向均一性が得られる具体的な値は、例えば厚さ寸法Ｓｄ、及び幅寸法Ｗ１、Ｗ２がそれぞれ３．５μｍ、及び４μｍであった。一方、充分な配向均一性が得られない具体的な値は、例えば厚さ寸法Ｓｄ、及び幅寸法Ｗ１、Ｗ２がそれぞれ３．５μｍ、及び１２μｍであった。
【００７０】
また、発明者による他の実験結果によれば、上記不等式（１）を満足していれば、電極部７ａの幅寸法Ｗ１とスリット部７ｂの幅寸法Ｗ２とを互いに異ならせた場合でも、均一で高精度な配向制御を安定して行えることが確かめられている。
【００７１】
以上のように構成された本実施形態では、画素電極７に設けた複数の帯状の電極部７ａにより、対向電極６との間に発生する電界のｙ軸方向（電極方向）での強さを変化させることにより、ｙ軸方向に液晶分子１０ａを揃えて配向させている。これにより、本実施形態では、上記従来例と異なり、液晶分子にプレチルトを付与するための専用の電極構造を別途設けることなく、液晶分子１０ａを高精度に配向制御するための電界成分を簡単に得ることができる。従って、本実施形態では、従来例と異なり、画素の有効表示領域が小さくなるのを防ぎつつ、液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御を簡単に行うことができる。また、図１に示したように、スリット部７ｂ上の液晶分子１０ａに対しても均一な配向制御を高精度に行うことができるので、スリット部７ｂ上での液晶分子１０ａの配向不揃いによる光量低下を防ぐことができる点とも相まって、液晶表示装置１の高輝度化を容易に図ることが可能となる。
【００７２】
［第２の実施形態］
図５は、本発明の第２の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、電界の電極方向での強さを変化させるための補助電極部分を電極部に形成した点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００７３】
すなわち、図５に示すように、本実施形態の画素電極１１では、複数、例えば５本の電極部１１ａ１、１１ａ２、１１ａ３、１１ａ４、１１ａ５がｘ軸方向で所定間隔に形成されたスリット部１１ｂを介在させて、基部１１ｃからｙ軸負方向側に延ばされている。そして、これら電極部１１ａ１〜１１ａ５では、対向電極６との間に電圧が印加されたときに、上記実施形態と同様に、ｙ軸方向の上記電界成分を発生させて、ｙ軸方向での電界強さを変化させることにより、当該ｙ軸方向に液晶分子１０ａを揃えて配向させるようになっている。
【００７４】
また、各電極部１１ａ２、１１ａ４では、２つの二等辺三角形状の補助電極部分１１ｄがｘ軸方向の両側でｙ軸方向の同一の４つの位置に形成されている。補助電極部分１１ｄは、後に詳述するように、上記電圧が印加されたときにｙ軸方向での電界強さを変化させるために設けられている。
【００７５】
また、補助電極部分１１ｄは、図５に"ｐ１"にて示す所定のピッチ寸法で配設されており、電極部１１ａ１〜１１ａ５のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、複数の補助電極部分１１ｄにより、上記電界成分を確実に発生させるようになっている。尚、補助電極部分１１ｄは、露光装置を用いて画素電極１１の他の構成部分と一体的に形成されるものであるが、図５では、当該補助電極部分１１ｄの形状を明瞭にするために、対応する電極部との間の境界線を図示している（以下、図６乃至図１２においても、同様。）。
【００７６】
以上の構成により、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、１画素を複数の領域に分割することなく、液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御を簡単に行うことができ、液晶表示装置１の高輝度化を容易に図ることが可能となる。また、本実施形態では、補助電極部分１１ｄを電極部１１ａ２、１１ａ４に設けることにより、電極部１１ａ１〜１１ａ５のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、上記電界成分を確実に発生させるようになっているので、電極部の上記長さ寸法を長くしたときでも、上記第１の実施形態に比べて液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となり、液晶表示装置１の高輝度化をさらに容易に図ることができる。
【００７７】
詳細にいえば、第１の実施形態では、電極部７ａの上端部及び下端部の形状がｙ軸方向に関して局所的に非対称な形状とされることにより、液晶分子１０ａをｙ軸正方向に回転させる配向制御用の電界成分を発生させていた。それ故、電極部７ａのｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときに、電極部７ａの中央部付近での上記電界成分が小さくなることがある。このように電界成分が小さくなると、液晶分子１０ａを回転させる電界の力も小さくなり、当該中央部付近で液晶分子１０ａのダイレクターが不揃いになることがある。
【００７８】
これに対して、本実施形態では、図５に示したように、各電極部１１ａ２、１１ａ４では、補助電極部分１１ｄはその二等辺三角形の互いに等しい二辺がｙ軸方向及びｘ軸方向に平行に配置され、各電極部１１ａ２、１１ａ４に設けられている。このため、各電極部１１ａ２、１１ａ４では、ｙ軸方向での上下端部以外に、補助電極部分１１ｄを設けた部分でｙ軸方向に関して局所的に非対称な形状となり、上記配向制御用の電界成分を確実に発生させることができる。
【００７９】
詳細には、補助電極部分１１ｄのｘ−ｙ面内での電界には、図６に矢印ｅ１及び矢印ｅ２にて示す２つの電界成分が生じており、補助電極部分１１ｄではその上方の液晶分子１０ａに対し上記２つの電界成分を合成した電界成分、つまり矢印ｅ３の電界成分を生じさせて、当該液晶分子１０ａをｙ軸正方向に回転させることができる。すなわち、補助電極部分１１ｄでは、その二等辺三角形状の等辺部分での電界強さよりも、二等辺三角形状の斜辺部分での電界強さの方が大きいため、上記配向制御用の電界成分ｅ３を簡単に得ることができ、液晶分子１０ａをｙ軸正方向に高精度に回転させることができる。
【００８０】
ここで、本実施形態の画素電極１１において、補助電極部分１１ｄのピッチ寸法ｐ１を変更したときでの実験結果の一例を表２に示す。尚、この実験では、電極部１１ａ１〜１１ａ５の各幅寸法（図５に“Ｗ１”にて図示）及びスリット部１１ｂの幅寸法（図５に“Ｗ２”にて図示）を、それぞれ２μｍ及び４μｍとし、液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄを３μｍとした。さらに、図７に“Ｗ３”及び“Ｗ４”でそれぞれ示すように、補助電極部分１１ｄのｘ軸方向及びｙ軸方向での長さ寸法を２μｍとした。そして、電圧を印加したときでの上記表示面を視認することにより、液晶分子１０ａに対する配向制御が高精度に行われているか否かについて判別して、液晶分子１０ａの配向均一性を検証した。
【００８１】
【表２】
2007206346.tif 000004
【００８２】
表２により明らかなように、２つの補助電極部分１１ｄのピッチ寸法ｐ１を１０μｍ〜１５μｍの範囲内とすることにより、当該補助電極部分１１ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【００８３】
尚、上記ピッチ寸法ｐ１を５μｍ以下とした場合には、補助電極部分１１ｄによって発生する電界成分が大きくなり、均一な配向制御を行えなかった。一方、ピッチ寸法ｐ１を２０μｍ以上とした場合には、補助電極部分１１ｄによって発生する電界成分が小さくなり、均一な配向制御を行えなかった。
【００８４】
［第３の実施形態］
図８は、本発明の第３の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、複数の全ての電極部に補助電極部分を設けた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００８５】
すなわち、図８に示すように、本実施形態の画素電極１１では、全ての電極部１１ａ１〜１１ａ５に、各々４つの補助電極部分１１ｄが形成されている。また、本実施形態では、隣接する２つの電極部１１ａ１〜１１ａ５において、ｙ軸方向での補助電極部分１１ｄの形成位置が異なるようになっている。つまり、隣接する２つの電極部１１ａ１〜１１ａ５では、補助電極部分１１ｄがピッチ寸法ｐ１にて設けられ、各電極部１１ａ１〜１１ａ５では、ピッチ寸法ｐ１の２倍の値であるピッチ寸法ｐ２で補助電極部分１１ｄが設けられている。以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【００８６】
ここで、本実施形態の画素電極１１において、補助電極部分１１ｄのピッチ寸法ｐ１、ｐ２を変更したときでの実験結果の一例を表３に示す。尚、この実験では、ピッチ寸法ｐ１、ｐ２以外は上記表２に示した第２の実施形態の場合と同一条件で行った。
【００８７】
【表３】
2007206346.tif 000005
【００８８】
表３により明らかなように、ピッチ寸法ｐ１を１０μｍ〜１５μｍの範囲内とし、ピッチ寸法ｐ２を２０μｍ〜３０μｍの範囲内とすることにより、第２の実施形態とものと同様に、補助電極部分１１ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【００８９】
［第４の実施形態］
図９は、本発明の第４の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第３の実施形態との主な相違点は、電極部の離間方向の一方側のみに補助電極部分を設けた点である。なお、上記第３の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００９０】
すなわち、図９に示すように、本実施形態の画素電極１１では、全ての電極部１１ａ１〜１１ａ５において、各々４つの補助電極部分１１ｄがｘ軸方向の一方側（図の右側）に形成されている。また、４つの補助電極部分１１ｄは、ピッチ寸法ｐ１にて設けられている。以上の構成により、本実施形態では、上記第３の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【００９１】
ここで、本実施形態の画素電極１１において、補助電極部分１１ｄのピッチ寸法ｐ１を変更したときでの実験結果の一例を表４に示す。尚、この実験では、ピッチ寸法ｐ１以外は上記表３に示した第３の実施形態の場合と同一条件で行った。
【００９２】
【表４】
2007206346.tif 000006
【００９３】
表４により明らかなように、ピッチ寸法ｐ１を１０μｍ〜１５μｍの範囲内とすることにより、第３の実施形態とものと同様に、補助電極部分１１ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【００９４】
また、各電極部１１ａ１〜１１ａ５において、補助電極部分１１ｄをｘ軸方向の一方側に設けて、当該ｘ軸方向で非対称な形状としたときも、高精度な配向制御を実施できることが確認された。
【００９５】
［第５の実施形態］
図１０は、本発明の第５の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第４の実施形態との主な相違点は、電極部の離間方向の両側において、電極方向で交互に補助電極部分を設けた点である。なお、上記第４の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００９６】
すなわち、図１０に示すように、本実施形態の画素電極１１では、全ての電極部１１ａ１〜１１ａ５において、各々４つの補助電極部分１１ｄが形成されている。また、各電極部１１ａ１〜１１ａ５での４つの補助電極部分１１ｄは、ｘ軸方向の一方側及び他方側でｙ軸方向に交互となるように設けられている。つまり、各電極部１１ａ１〜１１ａ５において、上記一方側及び他方側でのｙ軸方向で隣接する２つの補助電極部分１１ｄはピッチ寸法ｐ１にて設けられ、一方側または他方側でのｙ軸方向で隣接する２つの補助電極部分１１ｄはピッチ寸法ｐ２にて設けられている。以上の構成により、本実施形態では、上記第４の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【００９７】
ここで、本実施形態の画素電極１１において、補助電極部分１１ｄのピッチ寸法ｐ１、ｐ２を変更したときでの実験結果の一例を表５に示す。尚、この実験では、ピッチ寸法ｐ１、ｐ２以外は上記表５に示した第４の実施形態の場合と同一条件で行った。
【００９８】
【表５】
2007206346.tif 000007
【００９９】
表５により明らかなように、ピッチ寸法ｐ１を１０μｍ〜１５μｍの範囲内とし、ピッチ寸法ｐ２を２０μｍ〜３０μｍの範囲内とすることにより、第４の実施形態とものと同様に、補助電極部分１１ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。また、本実施形態においても、各電極部１１ａ１〜１１ａ５において、第４の実施形態と同様に、ｘ軸方向で非対称な形状としたときも、高精度な配向制御を実施できることが確認された。
【０１００】
［第６の実施形態］
図１１は、本発明の第６の実施形態にかかる画素電極の補助電極部分を説明する拡大平面図である。図において、本実施形態と上記第５の実施形態との主な相違点は、補助電極部分の形状を、三角形と四角形とを組み合わせた形状とした点である。なお、上記第５の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１０１】
すなわち、図１１に示すように、本実施形態の画素電極１１では、二等辺三角形状の補助電極部分１１ｄに加えて、正方形状の補助電極部分１１ｅが電極部１１ａ１〜１１ａ５（以下、“１１ａ”にて総称する。）に形成されている。詳細には、本実施形態では、補助電極部分１１ｄ、１１ｅは、ｘ軸方向に平行な一辺（図１１に点線にて示す。）が互いに重なり合うように、ｙ軸方向で連続的に設けられたものであり、１つの補助電極部分として一体的に形成されている。このような補助電極部分を用いることにより、当該補助電極部分に鋭角が含まれるのを防ぐことができる。以上の構成により、本実施形態では、上記第５の実施形態と同様な効果を奏することができる。また、本実施形態では、補助電極部分の形状において、鋭角が含まれるのを防いでいるので、当該補助電極部分を高精度で容易に形成することができる。
【０１０２】
具体的には、例えば電極部１１ａの幅寸法Ｗ１またはスリット部１１ｂの幅寸法Ｗ２を２μｍ未満とし、電極部１１ａのｘ軸方向の一方側に補助電極部分１１ｄを形成する場合、電極部１１ａまたはスリット部１１ｂの幅寸法Ｗ１、Ｗ２の縮小化に応じて、鋭角を有する補助電極部分１１ｄを精度よく作製できなくなることがある。つまり、電極部１１ａのｘ軸方向外側に鋭角を有する補助電極部分１１ｄを露光装置を用いて作製する場合、補助電極部分１１ｄ、ひいては画素電極１１を精度よく作製できなかったり、高解像度な露光装置の使用によるコストアップを招いたりする。
【０１０３】
これに対して、本実施形態では、２つの補助電極部分１１ｄ、１１ｅを組み合わせることにより、補助電極部分の頂角を９０°以上のものとし、当該補助電極部分を形成するのに困難となる鋭角が含まれるのを防いでいるので、上記のように幅寸法Ｗ１または幅寸法Ｗ２を小さくしたときでも、コストアップを招くことなく、補助電極部分１１ｄ、１１ｅを高精度に作製することができる。
【０１０４】
ここで、本実施形態の画素電極１１において、図９及び図１０に示した補助電極部分１１ｄに代えて、一体的に形成した補助電極部分１１ｄ、１１ｅを設けた実験結果の一例を表６及び表７にそれぞれ示す。尚、この実験では、図１１に“Ｗ３”及び“Ｗ４”にて示す補助電極部分１１ｄ、１１ｅの各部の寸法を２μｍとした。さらに、この実験では、ピッチ寸法ｐ１、ｐ２以外は表４及び表５の場合と同一条件で行った。
【０１０５】
【表６】
2007206346.tif 000008
【０１０６】
【表７】
2007206346.tif 000009
【０１０７】
表６により明らかなように、ピッチ寸法ｐ１を１３〜１６μｍとすることにより、第４の実施形態とものと同様に、補助電極部分１１ｄ、１１ｅによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１０８】
表７により明らかなように、ピッチ寸法ｐ１を１３〜１６μｍとし、ピッチ寸法ｐ２を２６〜３２μｍとすることにより、第５の実施形態とものと同様に、補助電極部分１１ｄ、１１ｅによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１０９】
尚、上記の説明では、二等辺三角形状の補助電極部分１１ｄと正方形状の補助電極部分１１ｅとを一体的に形成した場合について説明したが、本実施形態は補助電極部分に鋭角が生じないよう三角形と四角形との形状を組み合わせて一体的に形成したものであれば何等限定されない。
【０１１０】
具体的には、例えば図１２に例示するように、２つの正方形状の補助電極部分１１ｅ、１１ｆを一体的に形成した補助電極部分を電極部１１ａに設けてもよい。これらの補助電極部分１１ｅ、１１ｆは、ｘ軸方向に平行な一辺（図１１に点線にて示す。）が互いに重なり合うよう形成されており、図１２に“Ｗ５”及び“Ｗ６”にて示す補助電極部分１１ｆの各部の寸法は、例えば同図１２に“Ｗ３”及び“Ｗ４”にて示す補助電極部分１１ｅの各部の寸法の１／２である。このように２つの正方形を組み合わせた補助電極部分１１ｅ、１１ｆを用いたときでも、本願の発明者による実験によれば、図１１に示した実施形態と同様な効果を得ることができた。
【０１１１】
［第７の実施形態］
図１３は、本発明の第７の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、電界の電極方向での強さを変化させるための切欠部分を電極部に形成した点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１１２】
すなわち、図１３に示すように、本実施形態の画素電極１２では、複数、例えば４本の電極部１２ａ１、１２ａ２、１２ａ３、１２ａ４がｘ軸方向で所定間隔に形成されたスリット部１２ｂを介在させて、基部１２ｃからｙ軸負方向側に延ばされている。そして、これら電極部１２ａ１〜１２ａ４では、対向電極６との間に電圧が印加されたときに、上記第１の実施形態と同様に、ｙ軸方向の上記電界成分を発生させて、ｙ軸方向での電界強さを変化させることにより、当該ｙ軸方向に液晶分子１０ａを揃えて配向させるようになっている。
【０１１３】
また、各電極部１２ａ１〜１２ａ４では、４つの二等辺三角形状の切欠部分１２ｄがｙ軸方向の同一位置に形成されている。切欠部分１２ｄでは、その二等辺三角形の互いに等しい二辺がｙ軸方向及びｘ軸方向に平行に配置されるように各電極部１２ａ１〜１２ａ４に形成されているので、図５に示した補助電極部分１１ｄと同様に、上記電圧が印加されたときにｙ軸方向での電界強さを変化させることができる。
【０１１４】
また、切欠部分１２ｄは、図１３に“ｐ３”にて示す所定のピッチ寸法で配設されており、電極部１２ａ１〜１２ａ４のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、複数の切欠部分１２ｄにより、上記電界成分を確実に発生させるようになっている。
【０１１５】
以上の構成により、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、１画素を複数の領域に分割することなく、液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御を簡単に行うことができ、液晶表示装置１の高輝度化を容易に図ることが可能となる。また、本実施形態では、各電極部１２ａ１〜１２ａ４に切欠部分１２ｄを設けることにより、各電極部１２ａ１〜１２ａ４のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、上記電界成分を確実に発生させるようになっているので、電極部の上記長さ寸法を長くしたときでも、上記第１の実施形態に比べて液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となり、液晶表示装置１の高輝度化をさらに容易に図ることができる。
【０１１６】
ここで、本実施形態の画素電極１２において、切欠部分１２ｄのピッチ寸法ｐ３を変更したときでの実験結果の一例を表８に示す。尚、この実験では、電極部１２ａ１〜１２ａ４の各幅寸法（図１３に“Ｗ７”にて図示）及びスリット部１２ｂの幅寸法（図１３に“Ｗ８”にて図示）を、それぞれ４μｍ及び２μｍとし、液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄを３μｍとした。さらには、図１４に“Ｗ９”及び“Ｗ１０”でそれぞれ示すように、切欠部分１２ｄのｘ軸方向及びｙ軸方向での長さ寸法を２μｍとした。そして、電圧を印加したときでの上記表示面を視認することにより、液晶分子１０ａに対する配向制御が高精度に行われているか否かについて判別して、液晶分子１０ａの配向均一性を検証した。
【０１１７】
【表８】
2007206346.tif 000010
【０１１８】
表８により明らかなように、２つの切欠部分１２ｄのピッチ寸法ｐ３を１０μｍ〜２０μｍの範囲内とすることにより、当該切欠部分１２ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１１９】
尚、上記ピッチ寸法ｐ３を５μｍ以下とした場合には、切欠部分１２ｄによって発生する電界成分が大きくなり、均一な配向制御を行えなかった。一方、ピッチ寸法ｐ３を２５μｍ以上とした場合には、切欠部分１２ｄによって発生する電界成分が小さくなり、均一な配向制御を行えなかった。また、例えば図５に示したように、電極部１１ａに補助電極部分１１ｄを付加する場合よりも、切欠部分１２ｄを電極部１２ａに形成する場合の方が、配向制御用の電界成分を広範囲に作用できることが確認された。
【０１２０】
［第８の実施形態］
図１５は、本発明の第８の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第７の実施形態との主な相違点は、各電極部の離間方向の両側において、電極方向で交互に切欠部分を設けた点である。なお、上記第７の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１２１】
すなわち、図１５に示すように、本実施形態の画素電極１２では、各電極部１２ａ１〜１２ａ４での４つの切欠部分１２ｄは、ｘ軸方向の一方側及び他方側でｙ軸方向に交互となるように設けられている。つまり、各電極部１２ａ１〜１２ａ４において、上記一方側及び他方側でのｙ軸方向で隣接する２つの切欠部分１２ｄはピッチ寸法ｐ３にて設けられ、一方側または他方側でのｙ軸方向で隣接する２つの切欠部分１２ｄはピッチ寸法ｐ４にて設けられている。以上の構成により、本実施形態では、上記第７の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【０１２２】
ここで、本実施形態の画素電極１２において、切欠部分１２ｄのピッチ寸法ｐ３、ｐ４を変更したときでの実験結果の一例を表９に示す。尚、この実験では、ピッチ寸法ｐ３、ｐ４以外は上記表８に示した第７の実施形態の場合と同一条件で行った。
【０１２３】
【表９】
2007206346.tif 000011
【０１２４】
表９により明らかなように、ピッチ寸法ｐ３を１０μｍ〜２０μｍの範囲内とし、ピッチ寸法ｐ４を２０μｍ〜４０μｍの範囲内とすることにより、第７の実施形態とものと同様に、切欠部分１２ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１２５】
［第９の実施形態］
図１６は、本発明の第９の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第７の実施形態との主な相違点は、電極部の離間方向の一方側のみに切欠部分を設けた点である。なお、上記第７の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１２６】
すなわち、図１６に示すように、本実施形態の画素電極１２では、全ての電極部１２ａ１〜１２ａ４において、各々４つの切欠部分１２ｄがｘ軸方向の一方側（図の左側）に形成されている。また、４つの切欠部分１２ｄは、ピッチ寸法ｐ３にて設けられている。以上の構成により、本実施形態では、上記第７の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【０１２７】
ここで、本実施形態の画素電極１２において、切欠部分１２ｄのピッチ寸法ｐ３を変更したときでの実験結果の一例を表１０に示す。尚、この実験では、ピッチ寸法ｐ３以外は上記表８に示した第７の実施形態の場合と同一条件で行った。
【０１２８】
【表１０】
2007206346.tif 000012
【０１２９】
表１０により明らかなように、ピッチ寸法ｐ３を１０μｍ〜２０μｍの範囲内とすることにより、第７の実施形態とものと同様に、切欠部分１２ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１３０】
［第１０の実施形態］
図１７は、本発明の第１０の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第８の実施形態との主な相違点は、隣接する２つの電極部において、各電極部の切欠部分が互いに対向しないように電極方向で交互に切欠部分を設けた点である。なお、上記第８の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１３１】
すなわち、図１７に示すように、本実施形態の画素電極１２では、全ての電極部１２ａ１〜１２ａ４において、各々４つの切欠部分１２ｄが形成されている。また、各電極部１２ａ１〜１２ａ４での４つの切欠部分１２ｄは、ｘ軸方向の一方側及び他方側でｙ軸方向に交互となるように設けられている。つまり、各電極部１２ａ１〜１２ａ４において、上記一方側及び他方側でのｙ軸方向で隣接する２つの切欠部分１２ｄはピッチ寸法ｐ３にて設けられ、一方側または他方側でのｙ軸方向で隣接する２つの切欠部分１２ｄはピッチ寸法ｐ４にて設けられている。以上の構成により、本実施形態では、上記第８の実施形態と同様な効果を奏することができる。
【０１３２】
ここで、本実施形態の画素電極１２において、切欠部分１２ｄのピッチ寸法ｐ３、ｐ４を変更したときでの実験結果の一例を表１１に示す。尚、この実験では、ピッチ寸法ｐ３、ｐ４以外は上記表１０に示した第８の実施形態の場合と同一条件で行った。
【０１３３】
【表１１】
2007206346.tif 000013
【０１３４】
表１１により明らかなように、ピッチ寸法ｐ３を１０μｍ〜２０μｍの範囲内とし、ピッチ寸法ｐ２を２０μｍ〜４０μｍの範囲内とすることにより、第８の実施形態とものと同様に、切欠部分１２ｄによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１３５】
［第１１の実施形態］
図１８は、本発明の第１１の実施形態にかかる画素電極の補助電極部分を説明する拡大平面図である。図において、本実施形態と上記第９の実施形態との主な相違点は、切欠部分の形状を、三角形と四角形とを組み合わせた形状とした点である。なお、上記第９の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１３６】
すなわち、図１８に示すように、本実施形態の画素電極１２では、二等辺三角形状の切欠部分１２ｄに加えて、正方形状の切欠部分１２ｅが電極部１２ａ１〜１２ａ４（以下、“１２ａ”にて総称する。）に形成されている。詳細には、本実施形態では、切欠部分１２ｄ、１２ｅは、ｘ軸方向に平行な一辺（図１８に点線にて示す。）が互いに重なり合うように、ｙ軸方向で連続的に設けられたものであり、１つの切欠部分として一体的に形成されている。このような切欠部分を用いることにより、当該切欠部分に鋭角が含まれるのを防ぐことができる。以上の構成により、本実施形態では、上記第９の実施形態と同様な効果を奏することができる。また、本実施形態では、切欠部分の形状において、鋭角が含まれるのを防いでいるので、当該切欠部分を高精度で容易に形成することができる。
【０１３７】
具体的には、例えば電極部１２ａの幅寸法Ｗ７またはスリット部１２ｂの幅寸法Ｗ８を２μｍ未満とし、電極部１２ａのｘ軸方向の一方側に切欠部分１２ｄを形成する場合、電極部１２ａまたはスリット部１２ｂの幅寸法Ｗ７、Ｗ８の縮小化に応じて、鋭角を有する切欠部分１２ｄを精度よく作製できなくなることがある。つまり、電極部１２ａのｘ軸方向内側に鋭角を有する切欠部分１２ｄを露光装置を用いて作製する場合、切欠部分１２ｄ、ひいては画素電極１２を精度よく作製できなかったり、高解像度な露光装置の使用によるコストアップを招いたりする。
【０１３８】
これに対して、本実施形態では、２つの切欠部分１２ｄ、１２ｅを組み合わせることにより、切欠部分の頂角を９０°以上のものとし、当該切欠部分を形成するのに困難となる鋭角が含まれるのを防いでいるので、上記のように幅寸法Ｗ７または幅寸法Ｗ８を小さくしたときでも、コストアップを招くことなく、切欠部分１２ｄ、１２ｅを高精度に作製することができる。
【０１３９】
ここで、本実施形態の画素電極１２において、図１６及び図１７に示した切欠部分１２ｄに代えて、一体的に形成した切欠部分１２ｄ、１２ｅを設けた実験結果の一例を表１２及び表１３にそれぞれ示す。尚、この実験では、図１８に“Ｗ９”、“Ｗ１０”、及び“Ｗ１１”にて示す切欠部分１２ｄ、１２ｅの各部の寸法を２μｍとした。さらに、この実験では、ピッチ寸法ｐ１、ｐ２以外は表１０及び表１１の場合と同一条件で行った。
【０１４０】
【表１２】
2007206346.tif 000014
【０１４１】
【表１３】
2007206346.tif 000015
【０１４２】
表１２により明らかなように、ピッチ寸法ｐ３を１２〜１７μｍとすることにより、第９の実施形態とものと同様に、切欠部分１２ｄ、１２ｅによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１４３】
表１３により明らかなように、ピッチ寸法ｐ３を１２〜１７μｍとし、ピッチ寸法ｐ４を２４〜３４μｍとすることにより、第１０の実施形態とものと同様に、切欠部分１２ｄ、１２ｅによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１４４】
尚、上記の説明では、二等辺三角形状の切欠部分１２ｄと正方形状の切欠部分１２ｅとを一体的に形成した場合について説明したが、本実施形態は切欠部分に鋭角が生じないよう三角形と四角形との形状を組み合わせて一体的に形成したものであれば何等限定されない。
【０１４５】
具体的には、例えば図１９に例示するように、２つの正方形状の切欠部分１２ｅ、１２ｆを一体的に形成した切欠部分を電極部１２ａに設けてもよい。これらの切欠部分１２ｅ、１２ｆは、ｘ軸方向に平行な一辺（図１９に点線にて示す。）が互いに重なり合うよう形成されており、図１９に“Ｗ１２”及び“Ｗ１３”にて示す切欠部分１２ｆの各部の寸法は、例えば同図１９に“Ｗ９”及び“Ｗ１１”にて示す切欠部分１２ｅの各部の寸法の１／２である。このように２つの正方形を組み合わせた切欠部分１２ｅ、１２ｆを用いたときでも、本願の発明者による実験によれば、図１８に示した実施形態と同様な効果を得ることができた。
【０１４６】
［第１２の実施形態］
図２０は、本発明の第１２の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、電極方向に対して第１の傾斜角度で傾けられた第１の傾斜部分と、電極方向に対して第１の傾斜角度とは逆方向の第２の傾斜角度で傾けられた第２の傾斜部分とを互いに連続的に設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１４７】
すなわち、図２０に示すように、本実施形態の画素電極１３では、複数、例えば４本の電極部１３ａ１、１３ａ２、１３ａ３、１３ａ４がｘ軸方向で所定間隔に形成されたスリット部１３ｂを介在させて、基部１３ｃからｙ軸負方向側に延ばされている。また、図２０に“Ｗ１４”及び“Ｗ１５”にてそれぞれ示す電極部１３ａ１〜１３ａ４の各幅寸法及びスリット部１３ｂの各幅寸法は、各々同じ寸法が選択されている。そして、これら電極部１３ａ１〜１３ａ４では、対向電極６との間に電圧が印加されたときに、上記第１の実施形態と同様に、ｙ軸方向の上記電界成分を発生させて、ｙ軸方向での電界強さを変化させることにより、当該ｙ軸方向に液晶分子１０ａを揃えて配向させるようになっている。
【０１４８】
また、各電極部１３ａ１〜１３ａ４には、図２１も参照して、ｙ軸方向に対し矢印Ｐ方向に第１の傾斜角度θ１で傾けられた第１の傾斜部分１３ｄと、ｙ軸方向に対し矢印Ｑ方向、つまり第１の傾斜角度θ１とは逆方向の第２の傾斜角度θ２で傾けられた第２の傾斜部分１３ｅとが交互に設けられている。これらの第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅでは、図２０に“Ｗ１６”にて例示する長さ寸法が同一値に設定されている。但し、基部１３ｃから最も離れた第１の傾斜部分１３ｄ’では、図２１に“Ｗ１７”にて示すように、図の左辺が上記寸法Ｗ１６で形成された右辺の長さよりも長い寸法で形成されている。
【０１４９】
また、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅでは、その連続部での折れ曲がり角度が所定角度θ０（図２０；＝１８０°−（θ１＋θ２））となるよう互いに連続的に設けられており、各電極部１３ａ１〜１３ａ４では、その全体的な形状がジグザグ形状に構成されている。そして、各電極部１３ａ１〜１３ａ４では、上記電圧が印加されたときにｙ軸方向での電界強さを変化させるようになっている。また、このように各電極部１３ａ１〜１３ａ４をジグザグ形状とすることにより、電極部１３ａ１〜１３ａ４のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅを含んだジグザグ形状により、上記電界成分を確実に発生させるようになっている。
【０１５０】
具体的にいえば、上記電圧が印加されると、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの間の連続部近傍では、例えば図２０にＳ点で示す箇所において、矢印ｅ４及び矢印ｅ５で示す電界成分が発生する。これにより、ｙ軸方向での電界強さが変化される。また、上記連続部近傍の液晶分子１０ａは、電界成分ｅ４、ｅ５により、当該連続部の中心を境として対応する第１及び第２の傾斜部分と平行となるよう一様に傾こうとする。しかしながら、この実施形態でも、各電極部１３ａ１〜１３ａ４の上下端部の形状がｙ軸方向に関して局所的に非対称な形状に構成されているので、液晶分子１０ａは上記の各実施形態と同様に、ｙ軸正方向に回転して、液晶分子１０ａに対する均一な配向制御が行われる。
【０１５１】
以上の構成により、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、１画素を複数の領域に分割することなく、液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御を簡単に行うことができ、液晶表示装置１の高輝度化を容易に図ることが可能となる。また、本実施形態では、各電極部１３ａ１〜１３ａ４に第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅを含めてジグザグ形状とすることにより、各電極部１３ａ１〜１３ａ４のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、上記電界成分を確実に発生させるようになっているので、電極部の上記長さ寸法を長くしたときでも、上記第１の実施形態に比べて液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となり、液晶表示装置１の高輝度化をさらに容易に図ることができる。
【０１５２】
ここで、本実施形態の画素電極１３において、角度θ０を変更したときでの実験結果の一例を表１４に示す。尚、この実験では、電極部１３ａ１〜１３ａ４の各幅寸法Ｗ１４及びスリット部１１ｂの幅寸法Ｗ１５を、ともに３μｍとし、液晶層１０の厚さ寸法Ｓｄを３μｍとした。さらに、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの形成数を、図２０に例示したように、それぞれ３個及び２個とするとともに、第１及び第２の各傾斜部分１３ｄ、１３ｅの長さ寸法Ｗ１６を２０μｍとし、最下端の第１の傾斜部分１３ｄ’の長さ寸法Ｗ１７を２０μｍとした。そして、電圧を印加したときでの上記表示面を視認することにより、液晶分子１０ａに対する配向制御が高精度に行われているか否かについて判別して、液晶分子１０ａの配向均一性を検証した。尚、表１４では、配向均一性が若干乱れたものを△にて示している。
【０１５３】
【表１４】
2007206346.tif 000016
【０１５４】
表１４により明らかなように、上記角度θ０を１６０°以上とすることにより、ほぼ均一な配向制御が行えることが確認され、さらには１６５°以上１７５°以下とすることにより、第１及び第２の各傾斜部分１３ｄ、１３ｅを精度よく、かつ、容易に形成して、液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより確実に得ることが実証された。
【０１５５】
また、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの連続部の形成数を変更したときでの実験結果の一例を表１５に示す。上記角度θ０を１７０°として、基部１３ｃ側からの第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの形成数を変更して、連続部の形成数を変えることで実施した。それ以外の条件は、表１４に示した場合と同一条件で行った。
【０１５６】
【表１５】
2007206346.tif 000017
【０１５７】
表１５により明らかなように、上記連続部の形成数を４以下としたときに、上記ジグザグ形状によってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１５８】
尚、連続部の形成数を５以上としたときには、各電極部１３ａ１〜１３ａ４の下端部と基部１３ｃとの距離が８０μｍ以上となり、基部近傍の各電極部１３ａ１〜１３ａ４の上端部に発生する電界成分の影響力が低下して、液晶分子１０ａをｙ軸正方向側に揃えて回転させることが難しくなった。
【０１５９】
［第１３の実施形態］
図２２は本発明の第１３の実施形態にかかる画素電極を説明する図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ同画素電極の平面図及び（ａ）に示した傾斜部分の拡大平面図である。図において、本実施形態と上記第１２の実施形態との主な相違点は、第１の傾斜部分と第２の傾斜部分との連続部において、第１の傾斜部分または第２の傾斜部分に対し、それぞれ第２の傾斜角度または第１の傾斜角度で形成された付加部分を設けた点である。なお、上記第１２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【０１６０】
すなわち、図２２に示すように、本実施形態の画素電極１３では、各電極部１３ａ１〜１３ａ４に所定面積を有する付加部分１３ｆが形成されている。付加部分１３ｆは、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの連続部において、第１または第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅに対し、それぞれ第２または第１の傾斜角度θ２、θ１で形成されており、図２２に“Ｗ１８”及び“Ｗ１９”にて示す寸法で設けられている。そして、本実施形態では、上記連続部の形成数が増やされたときでも、上記電界成分を確実に発生させるようになっている。
【０１６１】
以上の構成により、本実施形態では、上記第１２の実施形態と同様な効果を奏することができる。また、本実施形態では、上記連続部に付加部分１３ｆを設けることにより、当該連続部の形成数が増やされたときでも、上記電界成分を確実に発生させるようになっているので、電極部１３ａ１〜１３ａ４のｙ軸方向の長さ寸法を長くしたときでも、上記第１２の実施形態に比べて液晶分子１０ａに対する高精度な配向制御をより簡単に、かつ、安定した状態で行うことが可能となり、液晶表示装置１の高輝度化をさらに容易に図ることができる。
【０１６２】
ここで、本実施形態の画素電極１３において、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの連続部の形成数を変更したときでの実験結果の一例を表１６に示す。尚、この実験では、付加部分１３ｆの寸法Ｗ１８、Ｗ１９を１μｍとし、これ以外の条件は、表１５に示した場合と同一条件で行った。
【０１６３】
【表１６】
2007206346.tif 000018
【０１６４】
表１６により明らかなように、上記連続部の形成数を１０以上としたときでも、上記付加部分１３ｆによってｙ軸方向での電界強さを変化させて、液晶分子１０ａに対し高精度な配向制御を行えることが確かめられた。
【０１６５】
また、第１及び第２の傾斜部分１３ｄ、１３ｅの長さ寸法Ｗ１６（図２０）を変更したときでの実験結果の一例を表１７に示す。なお、この実験では、上記連続部の形成数を５とし、これ以外の条件は表１６に示した場合と同一条件で行った。
【０１６６】
【表１７】
2007206346.tif 000019
【０１６７】
表１７により明らかなように、上記長さ寸法Ｗ１６を２５μｍ以下とすることにより、上記付加部分１３ｆによる効果が維持されることが確かめられた。
【０１６８】
尚、上記の実施形態はすべて例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって規定され、そこに記載された構成と均等の範囲内のすべての変更も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１６９】
例えば、上記の説明では、直下型のバックライトを使用した透過型の液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、エッジライト型等の他の形式のバックライトを用いた液晶表示装置や反射型や半透過型などの液晶表示装置に適用することができる。
【０１７０】
また、上記の説明では、液晶分子の配向制御を行う複数の帯状の電極部を画素電極に設けた場合について説明したが、本発明は一対の電極の間に電圧が印加されたときに、一方の電極に設けられた複数の帯状の電極部が、他方の電極との間に発生する電界の上記電極方向での強さを変化させることにより、液晶分子を電極方向に揃えて配向させるものであればよく、当該電極部を画素毎に対向電極に形成する構成でもよい。
【０１７１】
また、上記第１の実施形態では５本の電極部を設けた場合について説明し、第２乃至第１３の各実施形態では４本の電極部を設けた場合について説明したが、本発明の画素電極はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置の画素構成などに応じて、電極部の設置数や上記離間方向での幅寸法等の画素電極の構成や形状などを適宜変更することができる。
【０１７２】
具体的には、例えば電極部の両端部に長方形状の基部を設けたり、電極方向の略中央部で長方形状の中間基部を設けて当該電極方向での寸法を長くしたり、例えば図２３に示したように、１画素の領域を４つの領域に分けて、各領域に例えば図２に示した画素電極を設置したりすることもできる。
【０１７３】
また、上記の説明では、電極部が電極方向で同じ寸法に形成されるとともに、離間方向で所定間隔をおいて互いに平行に、かつ、同じ幅寸法に形成された場合について説明したが、本発明の電極部はこれに限定されるものではなく、離間方向で同じ寸法に形成されるとともに、電極方向で所定間隔をおいて互いに平行に、かつ、同じ幅寸法に形成された電極部を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる液晶表示装置の要部構成を説明する断面図である。
【図２】図１に示した画素電極を説明する平面図である。
【図３】（ａ）は上記画素電極と図１に示した対向電極との間に電圧が印加されていない状態での図１に示した液晶パネルを説明する断面図であり、（ｂ）は電圧が印加されている状態での同液晶パネルを説明する断面図である。
【図４】上記画素電極と対向電極との間に電圧が印加されたときでの図１に示した液晶分子の挙動の途中過程を説明する図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図６】図５に示した画素電極の要部構成を説明する拡大平面図である。
【図７】図５に示した補助電極部分を説明する拡大平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態にかかる画素電極の補助電極部分を説明する拡大平面図である。
【図１２】上記第２乃至第６の実施形態に示した補助電極部分の変形例を示す拡大平面図である。
【図１３】本発明の第７の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図１４】図１３に示した切欠部分を説明する拡大平面図である。
【図１５】本発明の第８の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図１６】本発明の第９の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図１７】本発明の第１０の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図１８】本発明の第１１の実施形態にかかる画素電極の切欠部分を説明する拡大平面図である。
【図１９】上記第７乃至第１１の実施形態に示した切欠部分の変形例を示す拡大平面図である。
【図２０】本発明の第１２の実施形態にかかる画素電極を説明する平面図である。
【図２１】図２０に示した画素電極の要部構成を説明する拡大平面図である。
【図２２】本発明の第１３の実施形態にかかる画素電極を説明する図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ同画素電極の平面図及び（ａ）に示した傾斜部分の拡大平面図である。
【図２３】従来の垂直配向型の液晶表示装置でのＭＶＡモードを説明する図である。
【図２４】図２３に示した画素に設定された領域内の液晶分子の挙動を説明する図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ電圧が印加されていない状態及び電圧が印加されている状態での液晶分子の挙動を説明する図である。
【符号の説明】
【０１７５】
１    液晶表示装置
２    液晶パネル
４、５    基板
６    対向電極
７、１１、１２、１３    画素電極
７ａ    電極部
７ｂ    スリット部
１０    液晶層
１０ａ    液晶分子
１１ａ、１１ａ１〜１１ａ４    電極部
１１ｂ    スリット部
１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ    補助電極部分
１２ａ、１２ａ１〜１２ａ４    電極部
１２ｂ    スリット部
１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ    切欠部分
１３ａ１〜１３ａ４    電極部
１３ｂ    スリット部
１３ｄ、１３ｄ’、１３ｅ    傾斜部分
１３ｆ    付加部分
【図１】
2007206346.tif 000020
【図２】
2007206346.tif 000021
【図３】
2007206346.tif 000022
【図４】
2007206346.tif 000023
【図５】
2007206346.tif 000024
【図６】
2007206346.tif 000025
【図７】
2007206346.tif 000026
【図８】
2007206346.tif 000027
【図９】
2007206346.tif 000028
【図１０】
2007206346.tif 000029
【図１１】
2007206346.tif 000030
【図１２】
2007206346.tif 000031
【図１３】
2007206346.tif 000032
【図１４】
2007206346.tif 000033
【図１５】
2007206346.tif 000034
【図１６】
2007206346.tif 000035
【図１７】
2007206346.tif 000036
【図１８】
2007206346.tif 000037
【図１９】
2007206346.tif 000038
【図２０】
2007206346.tif 000039
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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