(57)【要約】【課題】小型のスライダやアモルファスガラス基板を用いた場合でも、安定した浮上性能を得ることのできる磁気ディスク装置および非磁性基板の良否判定方法、磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置を提供すること。【解決手段】周方向のテクスチャー加工が施された非磁性基板の主表面に磁気記録層を含む複数の層が積層され、周方向の磁気的異方性が付与された磁気ディスクにおいて、原子間力顕微鏡により測定したディスク表面の表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下を磁気ディスクの良否判定基準とする。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の主表面に磁気記録層を含む複数の層が積層された磁気ディスクの良否判定方法において、
ディスク面の表面粗さ負荷曲線を求め、
当該負荷曲線において、占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であるものを良品と判定することを特徴とする磁気ディスクの良否判定方法。
【請求項２】
磁気ディスク用の非磁性基板の良否判定方法において、
主表面の表面粗さ負荷曲線を求め、
当該負荷曲線において、占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であるものを良品と判定することを特徴とする磁気ディスク用の非磁性基板の良否判定方法。
【請求項３】
非磁性基板の主表面に磁気記録層を含む複数の層が積層された磁気ディスクにおいて、
ディスク表面の表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であることを特徴とする磁気ディスク。
【請求項４】
前記非磁性基板は、アモルファスガラスからなることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスク。
【請求項５】
請求項３または４に記載の磁気ディスクを備えた磁気ディスク装置であって、
前記磁気ディスクを回転駆動する駆動機構と、前記磁気ディスクに対して情報の記録または／および再生を行うヘッド素子を保持するスライダと、該スライダを支持するヘッドサスペンションアセンブリとを有し、
前記磁気ディスクに対する前記スライダの走行時の浮上量が１０．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記スライダは、前記磁気ディスクと対向する面のサイズが縦１mm未満、かつ、横１mm未満であることを特徴とする請求項５に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度磁気記録が可能な磁気ディスク装置および非磁性基板の良否判定方法、磁気ディスク、並びにこの磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、磁気ディスクを回転駆動する駆動機構と、磁気ディスクに対して情報の記録または／および再生を行うヘッド素子を保持するスライダと、このスライダを支持するヘッドサスペンションアセンブリとを有しており、情報の再生時・記録時、スライダは、磁気ディスクの表面から浮上した状態にある。その際、スライダの浮上量は、磁気ディスクの高記録密度化に対応することを目的に１０．０ｎｍ以下に設定する必要がある。但し、このような低浮上走行を行うと、スライダが磁気ディスク表面の凸部と接触し、その熱により、ヘッド素子からの出力が変動する現象(サーマルアスペリティ)や信頼性低下が発生しやすくなるため、安定した浮上性能を得るには、磁気ディスクの表面粗さを制御する必要がある。
【０００３】
一方、磁気ディスクでは、非磁性基板の表面にテクスチャー加工を施すことにより、磁気記録層を構成するＣｏ合金層の磁化容易軸を円周方向に配向させ、磁気ディスクに磁気的異方性を付与すれば、ＳＮ比などを向上させることが可能となる。但し、テクスチャー加工を施すと、ディスク表面の凸部が削り取られるため、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの吸着性が高くなってしまう。従って、磁気ディスクについては、サーマルアスペリティおよび吸着性の双方の観点から、ディスク面の表面粗さを制御する必要がある。
【０００４】
このような表面粗さを制御するにあたって、算術平均粗さＲａなどを指標とすることが多いが、テクスチャー加工を施したディスク面のように、算術平均粗さＲａが低い場合には、算術平均粗さＲａを指標にしても、サーマルアスペリティおよび吸着性などの浮上性能を安定化することができない。そこで、表面粗さ負荷曲線において接触比率が５０％となる高さを基準として、高さが１．０ｎｍ以上の領域における接触比率値「ＢＨ１．０ｎｍ」を７％以上１５％以下に制御することが提案されている(特許文献１)。
【０００５】
かかる構成は、スライダがディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれていることを前提に表面粗さを制御しようとする考えに基づくものである。
【特許文献１】特開２００５−７８７０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスク装置に用いるスライダに関しては、それを小型化すると、磁気ディスクの内側および外側でのデータ領域の拡大が可能であること、質量低下に伴い、シークスピードが向上すること、振動性や耐衝撃性が向上すること、磁気ディスク表面の凹凸への追従性が向上することなどの利点があることから、ミニ・スライダ、マイクロ・スライダ、ナノ・スライダ、ピコ・スライダへと小型化が図られており、上記特許文献に記載の条件によれば、ピコ・スライダまでは安定した浮上性能を得ることができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の指標は、磁気ディスクの表面に形成された凸部がわずかに押し込まれている状態のみを想定しているため、フェムト・スライダを用いた場合には、表１を参照して説明する以下の理由から、安定した浮上性能を得ることができないという問題点がある。
【０００８】
【表１】
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【０００９】
表１には、ミニ・スライダ、マイクロ・スライダ、ナノ・スライダ、ピコ・スライダ、フェムト・スライダのサイズ、質量、バネ荷重を示してあり、ミニ・スライダからフェムト・スライダに推移するに伴って質量が低下していることがわかる。これに対して、バネ荷重については、マイクロ・スライダからピコ・スライダに推移するまでは小さくなっているにもかかわらず、ピコ・スライダからフェムト・スライダに推移しても、そのサイズ変化に対応できるまでバネ荷重を小さくできていないという事情がある。その結果、ピコ・スライダからフェムト・スライダに推移してもロード時に加わる力が変わらず、逆に、スライダの面積が小さくなった分、スライダと磁気ディスクとの間に加わる圧力が大きくなっている。それ故、スライダがディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれる度合いは、ピコ・スライダとフェムト・スライダとの間で大きく変化しているので、フェムト・スライダを用いる場合には、さらに低い位置までの表面粗さを考慮した厳密な指標が必要になっている。
【００１０】
また、非磁性基板を構成する材料によって、スライダがディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれる度合いが変化する。すなわち、非磁性基板として結晶性ガラス基板を用いた場合と、アモルファスガラス基板とを用いた場合には、凸部の形状が相違するなどの影響で、スライダがディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれる度合いが変化するので、この点でも、より厳密な指標が必要になっている。
【００１１】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、小型のスライダやアモルファスガラス基板を用いた場合でも、安定した浮上性能を得ることのできる磁気ディスク装置および非磁性基板の良否判定方法、磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明では、非磁性基板の主表面に磁気記録層を含む複数の層が積層された磁気ディスクの良否判定方法において、ディスク表面の表面粗さ負荷曲線を求め、当該負荷曲線において、占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であるものを良品と判定することを特徴とする。
【００１３】
本発明では、磁気ディスク用の非磁性基板の良否判定方法において、主表面の表面粗さ負荷曲線を求め、当該負荷曲線において、占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であるものを良品と判定することを特徴とする。
【００１４】
本発明では、非磁性基板の主表面に磁気記録層を含む複数の層が積層された磁気ディスクにおいて、ディスク表面の表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、前記基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であることを特徴とする。
【００１５】
すなわち、本発明では、原子間力顕微鏡により測定した表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さ(基準)から１．０ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.0)が３０％以下、かつ、基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.5)が６５％以下であることを良好な浮上安定性が得られる指標とする。
【００１６】
本発明では、２つの占有率(ＯＢＡ-1.0、ＯＢＡ-1.5)を基準に基づいて表面粗さを規定しているため、基準から１箇所の占有率で表面粗さを規定する場合と比較して厳密に表面粗さを制御できる。それ故、非磁性基板がアモルファスガラスからなる場合や、フェムト・スライダを用いた場合のように、スライダがディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれる度合いが深くなっても浮上安定性との相関性が高い。それ故、テクスチャー加工を施した非磁性基板を用いた磁気ディスクにおいて浮上安定性を確保できる。
【００１７】
本発明は、前記非磁性基板がアモルファスガラスからなる場合に適用すると効果的である。
【００１８】
本発明は、前記磁気ディスクを回転駆動する駆動機構と、前記磁気ディスクに対して情報の記録または／および再生を行うヘッド素子を保持するスライダと、該スライダを支持するヘッドサスペンションアセンブリとを有する磁気ディスク装置において、前記磁気ディスクに対する前記スライダの走行時の浮上量が１０．０ｎｍ以下である場合に適用すると効果的である。
【００１９】
また、本発明は、前記スライダとして、前記磁気ディスクと対向する面のサイズが１mm×１mm未満のスライダを用いた場合に適用すると効果的である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、２つの占有率(ＯＢＡ-1.0、ＯＢＡ-1.5)を基準に基づいて表面粗さを規定しているため、ディスク面の凸部の比較的高い１箇所の占有率で表面粗さを規定する場合と比較して厳密に表面粗さを制御できる。それ故、非磁性基板がアモルファスガラスからなる場合や、フェムト・スライダを用いた場合のように、スライダがディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれる度合いが深くなっても浮上安定性との相関性が高い。それ故、テクスチャー加工を施した非磁性基板を用いた磁気ディスクにおいて浮上安定性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】
(非磁性基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク装置の構成)
図１(ａ)、(ｂ)はそれぞれ、本発明を適用した磁気ディスクを示す平面図、およびその概略断面図である。図２は、磁気ディスク装置の要部構成を示す説明図である。
【００２３】
図１(ａ)、(ｂ)に示す磁気ディスク１は、各種情報を磁気的に記録、再生するための情報記録媒体であり、中心穴１１１を備えた円形の非磁性基板１１の主表面１１０に下地層１２、磁性層１３、保護層１４、および潤滑層１５がこの順に積層された構造を有している。
【００２４】
非磁性基板１１は、例えば、アルミノシリケートガラスなどのアモルファスガラスからなり、図示を省略するが、非磁性基板１１の主表面１１０には、周方向にテクスチャー加工が施されている。非磁性基板１１において内端部１１２および外端部１１３は各々、面取り加工が施されている。但し、図１(ｂ)には面取り部分の図示を省略してある。このような非磁性基板１１は、例えば、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより、アルミノシリケートガラスからなるガラス基板を得、これに、形状加工工程、研磨剤スラリーなどを用いた研磨加工、化学強化処理、ダイアモンドスラリーなどを用いたテクスチャー加工などを施すことにより得られる。化学強化処理としては、ガラス基板表層に含まれる一部のイオンを、そのイオンより大きなイオン半径を有する化学強化処理液中のイオンで置換することにより化学強化を行うイオン交換による化学強化処理法や、ガラス基板表層に含まれるアルカリイオンを除去することにより化学強化を行う脱アルカリ処理による化学強化処理法等が挙げられる。
【００２５】
以下、非磁性基板１１に対して複数の層を順次形成して磁気ディスク１を製造する方法を説明しながら、磁気ディスク１の構成をさらに詳述する。磁気ディスク１を製造するには、まず、非磁性基板１１の主表面１１０に対してスパッタ法などの気相成膜法を利用して下地層１２を形成する。下地層１２は、例えば厚さが１０ｎｍのＣｒ系合金膜であり、磁性層１３の結晶構造を良好にするために形成される。次に、下地層１２の上層に対してスパッタ法などの気相成膜法を利用して磁性層１３を形成する。磁性層１３は、例えば厚さが１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる。次に、磁性層１３の上層に対してＣＶＤ法やスパッタ法などの気相成膜法を利用して保護層１４を形成する。保護層１４は、ダイヤモンドライクカーボンからなり、耐摩耗性を向上させて磁性層１３を保護する機能を担っている。次に、保護層１４の表面に潤滑層１５を浸漬成膜法により形成する。潤滑層１５は、磁気ヘッドとの接触した際の衝撃を緩和するなどの機能を担っており、厚さが３ｎｍ以下の薄いパーフルオロポリエーテル層などから構成されている。ここで、潤滑層１５は、２ｎｍ以下、例えば、１．０ｎｍ位まで薄膜化される傾向にある。
【００２６】
このように構成した磁気ディスク１を備えた磁気ディスク装置のうち、例えば、図２に示すＬＵＬ(ロード・アンロード)方式を採用したハードディスクドライブ装置１００は、ケース８内に、複数枚の磁気ディスク１、これらの磁気ディスク１を支持するとともに回転駆動するスピンドルモータを備えた駆動機構３、磁気ディスク１に対して情報の記録、再生を行うヘッド素子(図示せず)を保持するスライダ２、このスライダ２を磁気ディスク１に対して移動自在に支持するヘッドサスペンションアセンブリ４などを有している。また、図２に示すハードディスクドライブ装置１００では、ＬＵＬ(ロード・アンロード)方式が採用されており、スライダ２は磁気ディスク１が停止しているときは、磁気ディスク１の外側付近に位置するランプと称せられる傾斜台５上に待機しており、磁気ディスク１が回転した後、ガイド機構(図示せず)によってスライダ２がディスク面上に移動してきて記録、再生を行う。
【００２７】
このように構成したハードディスクドライブ装置１００において、磁気ディスク１が回転した際の浮上量が１０．０ｎｍ以下に設定されている。また、スライダ２は、フェムト・スライダであり、ヘッドサスペンションアセンブリ４の先端部に設けられたジンバルばね(図示せず)などにより磁気ディスク１に向けて所定の荷重が印加されている。
【００２８】
このようなハードディスクドライブ装置１００において、スライダ２が低浮上走行を行う際、スライダ２が磁気ディスク１表面の凸部と接触した際の熱により、サーマルアスペリティや信頼性低下が発生しやすくなるため、安定した浮上性能を得るには、磁気ディスク１の表面粗さを制御する必要がある。また、非磁性基板１１にテクスチャー加工を周方向に施すことにより、磁気記録層を構成するＣｏ合金層の磁化容易軸を円周方向に配向させて、磁気ディスク１に磁気的異方性を付与すれば、ＳＮ比などを向上させることができる一方、テクスチャー加工によってディスク表面の凸部が削り取られるため、磁気ディスク１に対するスライダ２の吸着性が高くなってしまう。従って、磁気ディスク１については、サーマルアスペリティおよび吸着性の双方の観点から、ディスク面の表面粗さを制御する必要がある。
【００２９】
(表面粗さの判定基準)
本形態では、磁気ディスク１のディスク面の表面粗さを制御するにあたって、まず、表面粗さに関して以下の判定基準を設け、この判定基準を満たすように、非磁性基板１１に対するテクスチャー加工条件などを管理する。また、このような判定基準に基づいて磁気ディスク１の良否判定を行う。
【００３０】
図３(ａ)、(ｂ)は、原子間力顕微鏡(ＡＦＭ)により測定した磁気ディスクの表面粗さ負荷曲線を示すグラフ、およびこのグラフに対応するディスク表面の凸部分布の説明図である。本形態では、判定基準を規定するにあたって、まず、原子間力顕微鏡により、図３(ａ)に示す磁気ディスクの表面粗さ負荷曲線を測定する。そして、占有率が０．５％となる高さを基準とし、当該基準から１．０ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.0とし、基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率をＯＢＡ-1.5としたとき、ＯＢＡ-1.0が３０％以下、かつ、ＯＢＡ-1.5が６５％以下であるものを良品とする。
【００３１】
すなわち、図３(ｂ)に模式的に示すように、スライダが磁気ディスクの表面に接触してディスク表面の凸部が、占有率が０．５％となる高さから１．０ｎｍ低い位置まで押し込まれた際、スライダのディスク表面との接触率が３０％以下であって、占有率が０．５％となる高さから１．５ｎｍ低い位置まで押し込まれた際でも、スライダのディスク表面との接触率が６５％以下であるものを良品とする。言い換えれば、本形態の判定基準は、スライダとディスク面が接触した際、ディスク表面の凸部は、占有率が０．５％となる高さから１．０ｎｍ〜１．５ｎｍ低い位置まで押し込まれる可能性があり、このような場合でも、接触率が所定の値以下であれば、スライダと磁気ディスクとの吸着に起因する不具合が発生しないという考え方に基づいて設定されたものである。
【００３２】
(判定基準と磁気ディスクの吸着性との関係)
次に、上記の判定基準と、磁気ディスクの吸着性との関係を評価するため、表面粗さ負荷曲線において占有率が０．５％となる高さから０．５ｎｍ、１．０ｎｍ、１．５ｎｍ、２．０ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-0.5、ＯＢＡ-1.0、ＯＢＡ-1.5、ＯＢＡ-2.0)が表２に示すように相違する磁気ディスク(試料ａ−１、ａ−２、ａ−３、ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３)を準備した後、これらの磁気ディスクの吸着性を調査するため、図４(ａ)に示すＴＤ(タッチダウン)−ＴＯ(テイクオフ)試験装置で試験を行った。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
図４(ａ)、(ｂ)は、ＴＤ−ＴＯ試験装置の説明図、およびその試験結果を示す説明図である。図５は、磁気ディスクの判定基準の技術的な意味を示すグラフである。図４(ａ)に示すように、ＴＤ−ＴＯ試験装置２００では、排気ポンプ(図示せず)が接続されたデシケータ２５０内に磁気ディスク１が配置され、磁気ディスク１は、デシケータ２５０内で駆動機構２６０によって回転駆動される。また、デシケータ２５０内には、先端に試験用のスライダ２′を備えたアーム４′が配置されており、試験用のスライダ２′は、磁気ディスク装置と同様、アーム４′により磁気ディスク１に向かう所定の荷重が印加されている。また、アーム４′には、スライダ２′と磁気ディスク１との接触の程度を検出するアコースティックエミッション(ＡＥ)センサ(図示せず)が設けられており、ＡＥセンサの検出結果は、Ａ／Ｄ変換器２１０を介してパーソナルコンピュータ２２０に入力される。
【００３５】
このようなＴＤ−ＴＯ試験装置２００では、磁気ディスク１を高速回転させた状態で、デシケータ２５０内を０．００１ａｔｍずつ減圧していくと、図４(ｂ)に矢印Ａ１で示すように、ＡＥセンサの出力は微増するだけで推移する。そして、デシケータ２５０内がある圧力に達した時点でスライダ２′が磁気ディスク１表面に接触すると、矢印Ａ２で示すように、ＡＥセンサの出力が急激に増加する。そのときの圧力がＴＤＰ(タッチダウン圧力)である。次に、矢印Ａ３で示すように、デシケータ２５０内の圧力を上げていってもＡＥセンサの出力は微減するだけであるが、ある圧力まで戻ると、スライダ２′が再び磁気ディスク１表面から浮上し、矢印Ａ４で示すように、ＡＥセンサからの出力が突然低下する。そのときの圧力がＴＯＰ(テイクオフ圧力)である。ここで、ＴＯＰとＴＤＰとの差が磁気ディスク１の吸着性を表わし、その差ｔｓが小さい場合、磁気ディスク１の吸着性が低く、良好といえる。
【００３６】
そこで、表２に示す各試料についてＴＤ−ＴＯ試験を行い、その差ｔｓが小さい場合には、表２に良品(Ｇｏｏｄ)と示し、差ｔｓが大きい場合には、表２に不具合(Ｎｏｔ  Ｇｏｏｄ)と示した。また、試料ｂ−１、ｂ−２については、再浮上しなかったため、「−」で示してある。表２から分かるように、ＴＤ−ＴＯ試験において、試料ａ−１、ａ−２、ａ−３は良品で、試料ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３は不具合品であるという結果であった。なお、本試験は、気圧が０．９１ａｔｍの場所で行った。
【００３７】
また、図５には、各試料ａ−１、ａ−２、ａ−３、ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３の表面粗さ負荷曲線において占有率が０．５％となる高さ(基準)から下がった寸法(０．５ｎｍ、１．０ｎｍ、１．５ｎｍ、２．０ｎｍ)と、占有率(ＯＢＡ-0.5、ＯＢＡ-1.0、ＯＢＡ-1.5、ＯＢＡ-2.0)との関係をプロットした。その結果、ＴＤ−ＴＯ試験で良品と判定された試料ａ−１、ａ−２、ａ−３は占有率が低い方に位置し、ＴＤ−ＴＯ試験で不具合品と判定された試料ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３は占有率が高い方に位置する。従って、図５に示すグラフにおいて、ＴＤ−ＴＯ試験で良品と判定された試料ａ−１、ａ−２、ａ−３の結果と、ＴＤ−ＴＯ試験で不具合品と判定された試料ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３の結果の境界を辿れば、磁気ディスク１の吸着性に関する判定基準を設定できることになる。
【００３８】
但し、表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さ(基準)から０．５ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-0.5)と、基準から２．０ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-2.0)とでは、ＴＤ−ＴＯ試験で良品と判定された試料ａ−１、ａ−２、ａ−３の結果と、ＴＤ−ＴＯ試験で不具合品と判定された試料ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３の結果との間に明確な差が見られない。
【００３９】
これに対して、表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さ(基準)から１．０ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.0)と、基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.5)とでは、ＴＤ−ＴＯ試験で良品と判定された試料ａ−１、ａ−２、ａ−３の結果と、ＴＤ−ＴＯ試験で不具合品と判定された試料ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３の結果との間に明確な差が見られる。
【００４０】
従って、表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さ(基準)から１．０ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.0)と、基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.5)を判定基準に用いれば、良品と不具合品とを確実に判定できるといえ、本発明では、かかる検討を繰り返し行った結果から、表面粗さ負荷曲線で占有率が０．５％となる高さ(基準)から１．０ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.0)が３０％以下、かつ、基準から１．５ｎｍ低い位置での占有率(ＯＢＡ-1.5)が６５％以下である磁気ディスク１について吸着性が良好であると規定した。
【００４１】
このように本発明では、２つの占有率(ＯＢＡ-1.0、ＯＢＡ-1.5)を基準に基づいて表面粗さを規定しているため、ディスク面の凸部の比較的高い１箇所の占有率で表面粗さを規定する場合と比較して厳密に表面粗さを制御できる。それ故、非磁性基板１１がアモルファスガラスからなる場合や、フェムト・スライダを用いた場合のように、スライダ２がディスク表面に接触した際、ディスク表面の凸部が押し込まれる度合いが深くなっても浮上安定性との相関性が高い。それ故、テクスチャー加工を施した非磁性基板１１を用いた磁気ディスク１において浮上安定性を確保できる。
【００４２】
(良否判定基準の利用方法)
本発明に係る良否判定基準については、それをクリアするような条件で磁気ディスク１の製造条件を設定するのに用いてもよく、また、製造した磁気ディスク１の検査に適用してもよい。
【００４３】
さらに、磁気ディスク１の製造に用いる非磁性基板１１においてテクスチャー加工を終えた後の検査に適用してもよい。このような非磁性基板１１を用いれば、良否判定基準をクリアできる磁気ディスク１を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】(ａ)、(ｂ)は、本発明を適用した磁気ディスクを示す平面図、およびその概略断面図である。
【図２】磁気ディスク装置の要部構成を示す説明図である。
【図３】(ａ)、(ｂ)は、磁気ディスクの表面粗さ負荷曲線を示すグラフ、およびこのグラフに対応するディスク表面の凸部分布の説明図である。
【図４】(ａ)、(ｂ)は、ＴＤ−ＴＯ試験装置の説明図、およびその試験結果を示す説明図である。
【図５】本発明における磁気ディスクの判定基準の技術的な意味を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１  磁気ディスク
２  スライダ
３  駆動機構
４  ヘッドサスペンションアセンブリ
１１  非磁性基板
１２  下地層
１３  磁性層
１４  保護層
１５  潤滑層
１００  ハードディスクドライブ装置(磁気ディスク装置)
【図１】
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【図２】
2007272995.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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