(57)【要約】【課題】  クロス型の光スイッチにおいて、安定で高速な切り換えができるようにする。【解決手段】  基板２１の穴２２内で光ファイバＦ１、Ｆ２間を接続する光軸と、光ファイバＦ３、Ｆ４間を接続する光軸とが交わる光軸交差領域に対してミラー３０を進退させて、光ファイバＦ１、Ｆ２の間および光ファイバＦ３、Ｆ４の間が接続された第１状態と、光ファイバＦ１、Ｆ４の間および光ファイバＦ２、Ｆ３の間が接続された第２状態とのいずれかに切り換えるアクチュエータ３１とを有する光スイッチにおいて、アクチュエータ３１は、基板２１の穴２２内に配置され、光軸交差領域方向に延びた一端側にミラー３０が一体的に形成された回動板３２と、回動板３２の中間部外縁と基板２１の内縁との間を連結して回動板３２を回動自在に支持する軸３３、３４と、回動板３２の他端側に回動力を与えて、ミラー３０を光軸交差領域に対して進退させる駆動手段とを有している。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側に穴（２２）が形成された枠状の基板（２１）と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が前記穴内を前記基板の表面に平行に通過する第１光軸（Ｌ１）に一致する第１光ファイバ（Ｆ１）および第２ファイバ（Ｆ２）と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が前記穴内を前記基板の表面に平行に通過し、且つ前記第１光軸と所定角度で交わる第２光軸（Ｌ２）に一致する第３光ファイバ（Ｆ３）および第４光ファイバと、
両面に光を反射するための反射面が形成されたミラー（３０）と、
前記穴内で前記第１光軸と第２光軸とが交わる光軸交差領域に対して前記ミラーを進退させ、前記第１光ファイバと前記第２光ファイバとの間および前記第３光ファイバと前記第４光ファイバとの間が接続された第１状態と、前記第１光ファイバと前記第４光ファイバとの間および前記第２光ファイバと前記第３光ファイバとの間が前記ミラーの各反射面を介して接続された第２状態とのいずれかに切り換えるアクチュエータ（３１）とを有する光スイッチにおいて、
前記アクチュエータは、
前記基板の穴内に配置され、前記光軸交差領域方向に延びた一端側に前記ミラーが一体的に形成された回動板（３２）と、
長手方向に捩れ変形自在で前記基板の内縁から前記回動板の中間部外縁まで延びて、前記回動板を回動自在に支持する一対の軸（３３、３４）と、
前記回動板の他端側に該回動板を回動させる方向の力を与えて、前記一端側のミラーを前記光軸交差領域に対して進退させる駆動手段（２７、３２ｃ、４０）とを有していることを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
前記基板、アクチュエータおよびミラーは、絶縁層（１００ａ）を導電層（１００ｂ、１００ｃ）で挟んだ３層構造のＳＯＩ基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の光スイッチ。
【請求項３】
前記各光ファイバの一端側は、前記ＳＯＩ基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝（２３〜２６）に支持されていることを特徴とする請求項２記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記回動板の他端側の一方の導電層と、前記回動板の他端側近傍の前記基板の内縁の他方の導電層との間に印加した電圧によって生じる吸引力で、前記回動板を回動させることを特徴とする請求項２または請求項３記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記駆動手段は、前記回動板の他端側で一方の導電層により櫛歯状に形成された複数の突起（３２ｃ）と、前記基板の内縁で他方の導電層により櫛歯状に形成され、前記回動板の他端側の複数の突起の間にそれぞれ隙間を持って入り込むように形成された複数の突起（２７）とを有していることを特徴とする請求項４記載の光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クロス型の光スイッチにおいて、安定で高速な切り換えができるようにするための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種光学機器には、図１０に示すようなクロス型の光スイッチ１０が使用されているものがある。クロス型の光スイッチ１０は、４本の光ファイバＦ１〜Ｆ４のうち、図１０の（ａ）のように光ファイバＦ１、Ｆ２の端部間および光ファイバＦ３、Ｆ４の端部間が光学的に接続された第１状態と、図１０の（ｂ）のように、光ファイバＦ１、Ｆ４の端部間および光ファイバＦ２、Ｆ３の端部間が光学的に接続された第２状態の切り換えが可能になっている。
【０００３】
このようなクロス型の光スイッチの切り換えは、一般的にミラー駆動による光路の切り換えで行っており、複数個のミラーを用いる構造と両面に反射面を有する一個のミラーを用いる構造があるが、駆動の容易さという点で一個のミラーを用いるものが有利である。
【０００４】
図１１は、一個のミラーを用いたクロス型の光スイッチの基本構成を示すものであり、４本の光ファイバＦ１〜Ｆ４のうち、光ファイバＦ１、Ｆ２の一端端の入出射光軸をＬ１に一致させた状態で配置し、光ファイバＦ３、Ｆ４の一端端の入出射光軸を、Ｌ１に対して所定角度α（例えばα＝９０°）で交差するＬ２に一致させた状態で配置し、両面に反射面１１ａ、１１ｂが形成されている極薄いミラー１１を、光軸Ｌ１、Ｌ２の交点Ｏを含む光軸交差領域に対して進退させる。
【０００５】
図１１の（ａ）のように、ミラー１１が光軸交差領域から離間した位置にある場合には、光ファイバＦ１、Ｆ２の端部間、光ファイバＦ３、Ｆ４の端部間がそれぞれ接続された第１状態であるが、図１１の（ｂ）のように、ミラー１１の反射面１１ａ、１１ｂが、光軸Ｌ１、Ｌ２を含む平面に直交し、且つ、光軸Ｌ１、Ｌ２に対して同一角度をなす状態で光軸交差領域に進入した場合、例えば光ファイバＦ１から出射されて光軸Ｌ１に沿って反射面１１ａに入射された光は、反射面１１ａで反射されて光軸Ｌ２に沿って光ファイバＦ４に入射される。また、光ファイバＦ３から出射されて光軸Ｌ２に沿って反射面１１ｂに入射された光は、反射面１１ａで反射されて光軸Ｌ１に沿って光ファイバＦ２に入射される。つまり、光ファイバＦ１、Ｆ４の端部間、光ファイバＦ２、Ｆ３の端部間がそれぞれ接続された第２状態となる。
【０００６】
ミラー１１を光軸交差領域に対して進退させるための機構として、非特許文献１には、スライド駆動型のアクチュエータにより、図１１で示しているようにミラー１１をその反射面１１ａ、１１ｂと平行な平面に沿って直進、後退させる構造が開示されている。
【０００７】
また、非特許文献２には、図１２に示すように、ミラー１５を光軸交差領域内でその一辺１５ａを中心に回動できるように支持し、図１２の（ａ）のようにミラー１５が垂れ下がった状態で第２状態にし、図１２の（ｂ）のように、ミラー１５が上方に回動した状態で第１状態にする構造が開示されている。
【０００８】
【非特許文献１】“Micro-Opto-Mechanical2x2 Switch for Single Mode Fibers based on Plasma-EtchedSilicon Mirror and Electrostatic Actuation”  InternationalConference on Optical MEMS and Their Application MOEMS 97, pp.233-237 November18-21,1997
【非特許文献２】“OPTICALCROSS-CONNECT SWITCH BY SILICON MICROMACHINING”  InternationalConference on Optical MEMS and Their Application MOEMS 97, pp.253-258 November18-21,1997
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記した従来のクロス型の光スイッチでは次のような問題があった。
非特許文献１のようにミラー１１をスライド駆動型のアクチュエータで光軸交差領域内に対して直進、後退させる構造では、各ファイバの出射光のビーム幅の１／cos (α/２)倍以上の大きな駆動ストロークを要し、その分だけアクチュエータが大きくなり、しかも高速な切り換えが困難であった。
【００１０】
また、非特許文献２のようにミラー１５を光軸交差領域内で回動させる構造では、ミラー１５の幅をビーム幅と同程度とした場合、その回動ストロークをほぼ９０°にする必要があり、そのための大きな駆動力が必要となり、これを静電駆動する場合、非常に高い電圧の電源が必要となる。また、ミラー１５の一辺側を回動中心とする構造では、外部からの振動でミラー１５の角度が変化しやすく、切り換え動作が不安定になるという問題もある。
【００１１】
本発明は、上記問題を解決し、安定で高速な切り換えができるクロス型の光スイッチを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１の光スイッチは、
内側に穴（２２）が形成された枠状の基板（２１）と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が前記穴内を前記基板の表面に平行に通過する第１光軸（Ｌ１）に一致する第１光ファイバ（Ｆ１）および第２ファイバ（Ｆ２）と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が前記穴内を前記基板の表面に平行に通過し、且つ前記第１光軸と所定角度で交わる第２光軸（Ｌ２）に一致する第３光ファイバ（Ｆ３）および第４光ファイバと、
両面に光を反射するための反射面が形成されたミラー（３０）と、
前記穴内で前記第１光軸と第２光軸とが交わる光軸交差領域に対して前記ミラーを進退させ、前記第１光ファイバと前記第２光ファイバとの間および前記第３光ファイバと前記第４光ファイバとの間が接続された第１状態と、前記第１光ファイバと前記第４光ファイバとの間および前記第２光ファイバと前記第３光ファイバとの間が前記ミラーの各反射面を介して接続された第２状態とのいずれかに切り換えるアクチュエータ（３１）とを有する光スイッチにおいて、
前記アクチュエータは、
前記基板の穴内に配置され、前記光軸交差領域方向に延びた一端側に前記ミラーが一体的に形成された回動板（３２）と、
長手方向に捩れ変形自在で前記基板の内縁から前記回動板の中間部外縁まで延びて、前記回動板を回動自在に支持する一対の軸（３３、３４）と、
前記回動板の他端側に該回動板を回動させる方向の力を与えて、前記一端側のミラーを前記光軸交差領域に対して進退させる駆動手段（２７、３２ｃ、４０）とを有していることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の請求項２の光スイッチは、請求項１記載の光スイッチにおいて、
前記基板、アクチュエータおよびミラーは、絶縁層（１００ａ）を導電層（１００ｂ、１００ｃ）で挟んだ３層構造のＳＯＩ基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されていることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の請求項３の光スイッチは、請求項２記載の光スイッチにおいて、
前記各光ファイバの一端側は、前記ＳＯＩ基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝（２３〜２６）に支持されていることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の請求項４の光スイッチは、請求項２または請求項３記載の光スイッチにおいて、
前記駆動手段は、前記回動板の他端側の一方の導電層と、前記回動板の他端側近傍の前記基板の内縁の他方の導電層との間に印加した電圧によって生じる吸引力で、前記回動板を回動させることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の請求項５の光スイッチは、請求項４記載の光スイッチにおいて、
前記駆動手段は、前記回動板の他端側で一方の導電層により櫛歯状に形成された複数の突起（３２ｃ）と、前記基板の内縁で他方の導電層により櫛歯状に形成され、前記回動板の他端側の複数の突起の間にそれぞれ隙間を持って入り込むように形成された複数の突起（２７）とを有していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明の光スイッチでは、第１〜第４光ファイバの光軸交差領域にミラーを進退させて光路切り換えを行うクロス型の光スイッチにおいて、ミラー駆動用のアクチュエータを、基板の穴内に配置され、光軸交差領域方向に延びた一端側にミラーが一体的に形成された回動板と、その回動板の中間部と基板の内縁間を連結して回動自在に支持する軸と、回動板の他端側に回動力を与えてミラーを光軸交差領域に対して進退させる駆動手段とにより構成している。
【００１８】
このため、回動板の一端側に要求される回動ストロークは、各光ファイバのビーム幅とほぼ等しくて済み、しかも、他端側の駆動ストロークは軸から一端までの距離に対して軸から他端側までの距離を小さくすることで、さらに小さくできるので、少ない駆動力で高速な切り換えが可能となる。
【００１９】
また、回動板の一端側にミラーを形成し、他端側を駆動する構造であるので、軸の両端のモーメントをバランスさせておくことで、振動などの外部の力による回動を防止でき、安定な切り換え動作が可能となる。
【００２０】
また、基板、ミラーおよびアクチュエータは、絶縁層を導電層で挟んだ３層構造のＳＯＩ基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されているので、製造が容易で低コスト化できる。なお、ミラーの反射率を向上させるためにクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）を蒸着することも有効である。
【００２１】
また、各光ファイバの一端側は、ＳＯＩ基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝に支持されているので、その溝の底の高さ位置が絶縁層の表面位置で規定される。このため、ガイド溝に支持される各光ファイバの基板厚さ方向の位置のバラツキがなく、各光ファイバの光軸ずれが少なく、光軸合わせが容易である。
【００２２】
さらに、回動板の他端側で一方の導電層により形成された櫛歯状の突起と、基板の内縁で他方の導電層により形成された櫛歯状の突起との間に電圧を印加して回動板を回動させるので、低い電圧で大きな力を回動板に与えることができ、駆動電源が簡単になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１〜図４は、本発明を適用したクロス型の光スイッチ２０の構成を示している。
【００２４】
図１、図２に示しているように、この光スイッチ２０は、後述の光ファイバＦ１〜Ｆ４を除いて、例えばＳＯＩ２の絶縁層１００ａを、高い導電性を有するシリコン（Ｓｉ）の導電層１００ｂ、１００ｃで挟んだ３層構造のＳＯＩ基板に対するエッチング処理により、枠状の基板２１、ミラー３０およびアクチュエータ３１が一体的に形成されている。
【００２５】
基板２１は外形がほぼ正方形で、その中央には、基板２１の対角線を中心線とする横長の長方形の穴２２が形成されている。
【００２６】
基板２１の上層側（導電層１００ｂ側）には、切り換え対象の４本の光ファイバＦ１〜Ｆ４をそれぞれ受け入れて、各ファイバＦ１〜Ｆ４の一端側を、基板表面に沿って穴２２の右部まで導くガイド溝２３〜２６が形成されている。
【００２７】
これらのガイド溝２３〜２６は、図４に示しているように、各ファイバＦ１〜Ｆ４の径より僅かに広い幅と、導電層１００ｂの層厚に等しい深さを有する矩形溝であり、導電層１００ｂの厚さは、例えば各光ファイバＦ１〜Ｆ４のコア径より大きく外径とほぼ等しくなるように設定されている。したがって、各光ファイバＦ１〜Ｆ４の先端側の外周は基板２１の絶縁層１００ａの表面に接し、各入出射光軸はガイド溝２３〜２６の深さのほぼ１／２の位置を通過することになる。
【００２８】
また、光ファイバＦ１、Ｆ２をガイドするガイド溝２３、２４は、基板２１の第１辺（図２で左上の辺）とそれに平行な第３辺（図２で右下の辺）にそれぞれ直交し、且つ互いに一直線上に並ぶように形成され、光ファイバＦ３、Ｆ４をガイドするガイド溝２５、２６は、基板２１の第２辺（図２で左下の辺）とそれに平行な第４辺（図２で右上の辺）にそれぞれ直交し、且つ互いに一直線上に並ぶように形成されている。
【００２９】
したがって、ガイド溝２３、２４にガイドされた光ファイバＦ１、Ｆ２の先端側の入出射光軸は一致（その共通の光軸をＬ１とする）し、ガイド溝２５、２６にガイドされた光ファイバＦ３、Ｆ４の先端側の入出射光軸も一致（その共通の光軸をＬ２とする）し、しかも、両光軸Ｌ１、Ｌ２は、基板２１の穴２２の右部で、穴２２の長手方向に沿った中心線上で直交することになる。
【００３０】
なお、ここでは、光軸Ｌ１、Ｌ２の交差角が９０°の場合を説明するが、この交差角は任意である。
【００３１】
光軸Ｌ１、Ｌ２が交差する領域（光軸交差領域）には、後述するミラー３０が進退自在に配置されている。
【００３２】
一方、穴２２の左側には、光軸交差領域に対してミラー３０を進退させ、光ファイバＦ１、Ｆ２の先端間および光ファイバＦ３、Ｆ４の先端間が光学的に接続された第１状態と、光ファイバＦ１、Ｆ４の先端間および光ファイバＦ２、Ｆ３の先端間がミラー３０の両面に形成された反射面３０ａ、３０ｂを介してそれぞれ光学的に接続された第２状態とのいずれかに切り換えるアクチュエータ３１が形成されている。
【００３３】
アクチュエータ３１は、穴２２の左部側に配置され、外形が横向きＴ字型の回動板３２と、回動板３２の横板部３２ａの中間部上縁から基板２１の内縁まで直交するように延び長手方向に捩れ変形自在な軸３３と、軸３３と一直線上に並び、回動板３２の横板部３２ａの中間部下縁から基板２１の内縁まで延び長手方向に捩れ変形自在な軸３４とを有しており、この１対の軸３３、３４によって回動板３２を穴２２の内側で回動自在に支持している。
【００３４】
回動板３２の横板部３２ａの右端側は光軸交差領域方向に延びており、ミラー３０は、その反射面３０ａ、３０ｂが回動板３２の厚さ方向に平行となる向き（軸３３、３４と直交する向き）で、横板部３２ａの右端中央から前記した光軸交差領域まで延びている。
【００３５】
また、回動板３２の横板部３２ａの左端側で横板部３２ａと直交する縦板部３２ｂの左縁には、櫛歯状に複数の突起３２ｃが所定間隔で形成されている。
【００３６】
また、基板２１の左内縁の下層部（導電層１００ｃ）には、回動板３２の各突起３２ｃと同一間隔で、各突起３２ｃを隙間のある状態で受け入れる櫛歯状の複数の突起２７が形成されている。
【００３７】
回動板３２側の各突起３２ｃと基板２１側の各突起２７は、所謂櫛歯電極を形成し、後述する駆動回路４０とともに、回動板３２に回動力を与えるための駆動手段を構成している。
【００３８】
即ち、図３に示しているように、上記した突起３２ｃを含む回動板３２、軸３３、３４は、基板２１の上層部とともに導電層１００ｂで形成され、基板２１の下層部に形成された突起２７は導電層１００ｃで形成されており、両導電層１００ｂ、１００ｃは、絶縁層１００ａによって絶縁されている。
【００３９】
したがって、図５の（ａ）に示しているように、基板２１の上面側（導電層１００ｂ）と下面側（導電層１００ｃ）との間に直流電圧を印加できる駆動回路４０を設け、その印直流電圧Ｖを０にした場合には、突起２７、３２ｃ間に吸引力が発生せず、回動板３２は基板２１と平行な状態で静止していて、右端側のミラー３０は、図６の（ａ）に示すように、光軸交差領域に進入した状態（第２状態）となる。
【００４０】
このため、例えば光ファイバＦ１から光軸Ｌ１に沿って出射された光Ｐ１は、ミラー３０の反射面３０ａで反射して、光軸Ｌ２に沿って光ファイバＦ４に入射され、光ファイバＦ３から光軸Ｌ２に沿って出射された光Ｐ２は、ミラー３０の反射面３０ｂで反射して、光軸Ｌ１に沿って光ファイバＦ２に入射される（逆光路の場合も同様である）。
【００４１】
また、図５の（ｂ）に示しているように、駆動回路４０から０より高い直流電圧Ｖを印加すれば、突起２７、３２ａ間に静電的な吸引力が生じ、回動板３２は軸３３、３４を中心にしてその左部が下層側に近づく方向に回動することになり、右端側のミラー３０が、基板２１の上層部から突出する方向に移動して、図６の（ｂ）のように、光軸交差領域から離れた状態（第１状態）となる。
【００４２】
このため、例えば光ファイバＦ１から光軸Ｌ１に沿って出射された光Ｐ１は、そのまま光ファイバＦ２に入射され、光ファイバＦ３から光軸Ｌ２に沿って出射された光Ｐ２は、光ファイバＦ４に入射される（逆光路の場合も同様である）。
【００４３】
なお、図示していないが、基板２１の表面（導電層１００ｂの表面）、ミラー３０の両面、アクチュエータ３１の表面（導電層１００ｂの表面）には、ミラー３０の両面の反射率を高くし、また、アクチュエータ３１に対する電圧印加を確実にして高い導電率を得るために、金属材（Ｃｒ、Ａｕ）が蒸着されている。
【００４４】
また、回動板３２の横板部３２ａ、縦板部３２ｂおよび突起３２ｃの幅、長さは、軸３３、３４の両端の回転モーメントがバランスするように設定されている。
【００４５】
次に、上記構成の光スイッチの製造方法について簡単に説明する。
始めに、図７の（ａ）のように、ＳＯＩ基板１００の導電層１００ｂの表面のうち、穴２２とガイド溝２３〜２６を除く基板２１の上層部、回動板３２、軸３３、３４の各形成部分をマスク１０１で覆い、図７の（ｂ）のように、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチング処理を行う。この処理により前記したガイド溝２３〜２６が形成される。
【００４６】
次に、図７の（ｃ）のように、ＳＯＩ基板１００の導電層１００ｃの表面のうち、穴２２を除く基板２１の下層部、突起２７の各形成部分をマスク１０２で覆い、図７の（ｄ）のように、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチング処理を行う。
【００４７】
さらに、図７の（ｅ）のように、表面に漏出している絶縁層１００ａをエッチング処理により除去し、前記したように、ミラー３０の両面の反射率を高くし、アクチュエータ３１に高い導電率を与えるために、導電層１００ｂの表面およびミラー３０の両面に金属材（Ｃｒ、Ａｕ）を蒸着して、前記した光スイッチ２０の光ファイバＦ１〜Ｆ４を除く主要部を完成させ、最後に、光ファイバＦ１〜Ｆ４を各ガイド溝２３〜２６に固定することで上記光スイッチ２０が完成する。
【００４８】
このように、実施形態の光スイッチ２０のアクチュエータ３１は、基板２１の穴２２内に配置され、光軸交差領域方向に延びた一端側にミラー３０が一体的に形成された回動板３２と、回動板３２の中間部外縁と基板２１の内縁との間を連結して回動板３２を回動自在に支持する軸３３、３４と、回動板３２の他端側に回動力を与えて、ミラー３０を光軸交差領域に対して進退させる駆動手段とを有している。
【００４９】
このため、回動板３２の一端側に要求される回動ストロークは、各光ファイバＦ１〜Ｆ４のビーム幅とほぼ等しくて済み、しかも、他端側の駆動ストロークは軸３３、３４から一端までの距離に対して軸３３、３４から他端側までの距離を小さくすることで、さらに小さくできるので、少ない駆動力で高速な切り換えが可能となる。
【００５０】
また、回動板３２の一端側にミラー３０を形成し、他端側を駆動する構造であるので、軸３３、３４の両端のモーメントをバランスさせておくことで、振動などの外部の力による回動を防止でき、安定な切り換え動作が可能となる。
【００５１】
また、基板２１、ミラー３０およびアクチュエータ３１は、絶縁層１００ａを導電層１００ｂ、１００ｃで挟んだ３層構造のＳＯＩ基板１００に対するエッチング処理によって一体的に形成されているので、製造が容易で低コスト化できる。
【００５２】
さらに、回動板３２の他端側の一方の導電層１００ｂと、回動板３２の他端側近傍の基板２１の内縁の他方の導電層１００ｃとに、櫛歯状の突起３２ｃ、２７がそれぞれ形成されているので、電極面積が大きくなり、低い電圧で大きな力を回動板３２に与えることができ、駆動回路４０の構成を簡単化できる。
【００５３】
また、ガイド溝２３〜２６は、エッチングにより導電層１００ｂを除去して形成しているので、その底の高さ位置が絶縁層１００ａの表面位置で規定される。このため、ガイド溝２３〜２６に支持される各光ファイバＦ１〜Ｆ４の基板厚さ方向の位置のバラツキがなく、各光ファイバの光軸ずれが少なく、光軸合わせが容易である。なお、矩形のガイド溝２３〜２６の場合、各光ファイバＦ１〜Ｆ４が溝内でその幅方向に位置ずれを起こす場合もあるが、この溝の幅方向のずれは、ミラー３０の反射面３０ａ、３０ｂの長さ方向のずれであり、ミラー３０の移動方向（回動方向）と直交する方向であるため、切り換えが不完全になってクロストークを発生することはない。
【００５４】
以上実施形態の光スイッチ２０について説明したが、前記した光スイッチ２０の各部の形状は種々変更可能である。
【００５５】
例えば、図８のように、基板２１′の外形を多角形にしてもよく、図８の穴２２′のように、光軸交差部の周囲の開口を小さくすることで、光ファイバＦ１〜Ｆ４の先端部の穴２２′への突出長を均等化し、光軸ずれをより小さくすることもできる。
【００５６】
また、前記実施形態では、回動板３２およびミラー３０を同一の導電層１００ｂで形成していたが、図９のように、回動板３２を一方の導電層（図９では導電層１００ｃ）で形成し、基板２１側の突起２７とミラー３０を他方の導電層（図９では１００ｂ）で形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態の斜視図
【図２】本発明の実施形態の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図
【図４】実施形態のガイド溝断面構造を示す図
【図５】実施形態の動作を説明するための断面図
【図６】実施形態の動作を説明するための要部拡大斜視図
【図７】実施形態の光スイッチの製造方法を説明するための図
【図８】本発明の光スイッチの変形例を示す図
【図９】本発明の光スイッチの変形例を示す図
【図１０】クロス型の光スイッチの切り換え動作を示す図
【図１１】スライド駆動型の従来のクロス型の光スイッチの構成と動作を示す図
【図１２】回動型の従来のクロス型の光スイッチの構成と動作を示す図
【符号の説明】
【００５８】
２０……光スイッチ、２１……基板、２２……穴、２３〜２６……ガイド溝、２７……突起、３０……ミラー、３１……アクチュエータ、３２……回動板、３２ａ……横板部、３２ｂ……縦板部、３２ｃ……突起、３３、３４……軸、４０……駆動回路、１００……ＳＯＩ基板、１００ａ……絶縁層、１００ｂ、１００ｃ……導電層、Ｆ１〜Ｆ４……光ファイバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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