(57)【要約】【課題】外部からの静電気放電の影響を抑えつつ、熱ストレスによる影響を低減することが可能な携帯型記憶装置を提供する。【解決手段】本発明に係る携帯型記憶装置１００は、前方に開口部１が形成されるとともに壁面に内部へ貫通するスリット２が形成され、内面の電位がグランド電位に接続されたカバーケース３と、このカバーケース３内に支持された回路基板４と、この回路基板４の前方に接続されるとともにカバーケース３の開口部１から露出するように配置され、外部装置と接続するためのコネクタ端子５と、回路基板４上に載置されるとともにこのコネクタ端子５と接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリ６と、回路基板４上に載置され、この半導体メモリ６を制御するためのコントローラ７とを備える。【選択図】図２
2007156682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置に接続して信号を入出力する携帯型記憶装置であって、
前方に開口部が形成されるとともに壁面に内部へ貫通するスリットが形成され、内面の電位がグランド電位に接続されたカバーケースと、
前記カバーケース内に支持された回路基板と、
前記回路基板の前方に接続されるとともに前記カバーケースの開口部から露出するように配置され、前記外部装置と接続するためのコネクタ端子と、
前記回路基板上に載置されるとともに前記コネクタ端子と接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリと、
前記回路基板上に載置され、前記半導体メモリを制御するためのコントローラと、
を備えることを特徴とする携帯型記憶装置。
【請求項２】
前記カバーケースの内面に導線性の被膜が形成され、この被膜がグランド電位に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の携帯型記憶装置。
【請求項３】
前記カバーケースには、前記スリットと前記半導体メモリまたは前記コントローラとの間で静電気放電を遮蔽し、導電性を有する遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の携帯型記憶装置。
【請求項４】
前記カバーケースは、壁面の少なくとも一部に前記スリットが形成された放熱板が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の携帯型記憶装置。
【請求項５】
前記導電性の被膜は、前記コネクタ端子または前記回路基板上に形成されたグランド配線に接続されていることを特徴とする請求項２ないし４の何れかに記載の携帯型記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部機器と接続して使用する携帯型記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤなどのデジタル機器用データ記憶媒体として、半導体メモリチップを内蔵した携帯型記憶装置が広く使用されている。この携帯型記憶装置は、外部装置であるデジタル機器のソケットに挿入することによって、当該デジタル機器の内部回路とのアクセスが行われ、データの書き込みや読み出しが実行されるものである。
【０００３】
ここで、例えば、上記携帯型記憶装置には、前方に開口部が形成された略矩形のカバーケースと、このカバーケース内に支持された略矩形の回路基板と、この回路基板の前方に接続されるとともにカバーケースの開口部から露出するように配置され、外部装置と接続するためのコネクタ端子と、回路基板上に載置されるとともにコネクタ端子と接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリと、回路基板上に載置され半導体メモリを制御するためのコントローラとを備えるものがある。
【０００４】
上記従来技術の構造は、内部部品がカバーケースで密封封止されているため外部からの静電気放電(ESD（Erector-Static Discharge）)に強い。しかし、外部端子の電極にコネクタ端子を接続しデータ転送使用したとき、半導体メモリ、コントローラ等から発生する熱がカバーケースの外部に放熱しにくく、電気的な動作が不安定になる問題が生じ得る。
【０００５】
また、半導体メモリ、コントローラ等から発生する熱により、実装部品に対する熱ストレスが生じて実装部の機械的強度が劣化し、製品寿命が短くなるという問題が生じ得る。
【０００６】
従来の電子機器の放熱構造には、例えば、ケース内に設けられて、このケースの内部の発熱部品から伝導された熱を放熱する中空ヒートシンクと、ケースの一方からヒートシンクの内部を経てケースの他方に抜ける空気の流動経路とを備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかし、上記従来技術では、静電気放電に対する問題が考慮されておらず、携帯型記憶装置に適用した場合に、カバーケースに設けられた空気の流動経路を介した外部からの静電気放電により、半導体メモリ、コントローラ等の電子部品が誤動作する問題が生じ得る。
【特許文献１】特開平１１−２３３９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、外部からの静電気放電の影響を抑えつつ、熱ストレスによる影響を低減することが可能な携帯型記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る携帯型記憶装置は、
外部装置に接続して信号を入出力する携帯型記憶装置であって、
前方に開口部が形成されるとともに壁面に内部へ貫通するスリットが形成され、内面の電位がグランド電位に接続されたカバーケースと、
前記カバーケース内に支持された回路基板と、
前記回路基板の前方に接続されるとともに前記カバーケースの開口部から露出するように配置され、前記外部装置と接続するためのコネクタ端子と、
前記回路基板上に載置されるとともに前記コネクタ端子と接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリと、
前記回路基板上に載置され、前記半導体メモリを制御するためのコントローラと、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係る携帯型記憶装置によれば、外部からの静電気放電の影響を抑えつつ、熱ストレスによる影響を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を携帯型記憶装置として、例えばＵＳＢメモリに適用した実施例について図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、他の記憶媒体となる携帯型記憶装置にも同様に適用が可能である。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本発明の実施例１に係る携帯型記憶装置（ＵＳＢメモリ）の要部構成を示す上面図である。また、図２は、図１の携帯型記憶装置のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【００１３】
図１および図２に示すように、外部装置（図示せず）に接続して信号を入出力する携帯型記憶装置１００は、前方に開口部１が形成されるとともに壁面に内部へ貫通するスリット２が形成され、内面の電位がグランド電位に接続された略矩形のカバーケース３を備える。
【００１４】
さらに携帯型記憶装置１００は、カバーケース３内に支持され、回路配線が形成された略矩形の回路基板４と、この回路基板４の前方に接続されるとともにカバーケース３の開口部１から露出するように配置され、外部装置と接続するためのコネクタ端子５と、回路基板４上に載置されるとともにこのコネクタ端子５と回路配線により接続され、所望のデータを記憶するための半導体メモリ６と、回路基板４上に載置されるとともにコネクタ端子５と回路配線により接続され、半導体メモリ６を制御するためのコントローラ７と、回路基板４上に載置された抵抗、コンデンサ等の受動素子８とを備える。
【００１５】
回路基板４は、例えば、エポキシ等の樹脂で構成されている。
【００１６】
コネクタ端子５には、例えば、ＵＳＢメモリの場合、ＵＳＢインターフェースに準拠したＵＳＢコネクタが選択される。このコネクタ端子５は、外部装置と接続されることにより、グランド電位と接続可能になっている。
【００１７】
半導体メモリ６には、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリ、ＮＯＲ型フラッシュ・メモリ等の不揮発性メモリが選択される。
【００１８】
コントローラ７は、外部装置から入力された信号に基づいて、半導体メモリ６を制御して、所望のデータを記憶、読み出しさせて、所望の信号をコネクタ端子から入出力させる。
【００１９】
カバーケース３は、ここでは、ポリカーボネート等の材料を使用して金型で成形された上部ケース筺体３ａと下部ケース筺体３ｂとから構成されている。この上部ケース筺体３ａと下部ケース筺体３ｂとは、超音波溶着やはめ込み加工により封止される。これにより、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８が外部から電気的及び機械的に保護される。
【００２０】
ここで、カバーケース３に形成された放熱効果を高めるためスリット２は、例えば、金型による上部ケース筺体３ａ成形時に一体成形により形成される。ここで、例えば、外部装置にコネクタ端子５を接続しデータ転送使用したときに、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８から発生する熱がこのスリット２を通してカバーケース３の外部に放熱される。ここでは、特に、コントローラ７上にスリット２が配置されていることにより、発熱量の大きいコントローラ７の冷却効率を向上することができる。
【００２１】
また、カバーケース３が非導電性の樹脂等の部材で形成される場合には、カバーケース３の内面には導線性の被膜９が形成され、この被膜９がグランド電位（接地電位）に接続される。すなわち、スリット２が形成された上部ケース筐体３ａの内部表面に、導電性の高い材料、例えばクロムメッキ等の被膜９が形成され、電気的に回路基板４上に形成された回路配線のうちのグランド配線、またはコネクタ端子５に接続されている。
【００２２】
これにより、静電気がカバーケース３の外部からスリット２、カバーケース３の内面を介して該グランド電位にアースされるので、静電気が回路基板４上に形成されたコントローラ７、受動素子８に放電するのを抑制することができる。
【００２３】
なお、回路基板４の上面側に半導体メモリ６が設けられていても同様に静電気放電を抑制することができる。
【００２４】
さらに、カバーケース３には、スリット２とコントローラ７および受動素子８との間で静電気放電を遮蔽し、導電性を有する遮蔽板２ａが設けられている。この遮蔽板２ａにより、外部からスリット２を介して、コントローラ７および受動素子８に対する静電気放電を遮蔽することができる。
【００２５】
そして、この遮蔽板２ａが導電性の部材で形成され、または、表面に導電性の被膜が形成されているとともに、カバーケース３の内面と電気的に接続されている。これにより、スリット２を介して遮蔽板２ａに入射された静電気を、カバーケース３を介してグランド電位にアースすることができる。
【００２６】
以上のように、本実施例に係る携帯型記憶装置によれば、スリットから入射される静電気をカバーケースの内面を介してグランド電位にアースし、外部装置にコネクタ端子を接続し動作させた際に、半導体メモリ、コントローラ、および受動素子から発生する熱が該スリットを介してカバーケースの外部に放熱されるので、外部からの静電気放電の影響を抑えつつ、熱ストレスによる影響を低減することができる。
【００２７】
なお、本実施例においては、コントローラ７が回路基板４の上面側に設けられ、半導体メモリ６が回路基板４の下面側に設けられている場合について説明しているが、コントローラ７が回路基板４の下面側に設けられ、半導体メモリ６が回路基板４の上面側に設けられている場合や、半導体メモリ６、コントローラ７が回路基板４の上面側に設けられている場合についても同様に適用できる。
【実施例２】
【００２８】
実施例１では、カバーケースの上壁面にスリットが設けられた構成について述べたが、本実施例では、カバーケースの上下の壁面にスリットが設けられた構成について述べる。
【００２９】
図３は、本発明の一態様である実施例２に係る携帯型記憶装置２００の要部の構成を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００３０】
図３に示すように、カバーケース２３は、ここでは、ポリカーボネート等の材料を使用して金型で成形された上部ケース筺体２３ａと下部ケース筺体２３ｂとから構成されている。
【００３１】
この上部ケース筺体２３ａと下部ケース筺体２３ｂの壁面に内部へ貫通するスリット２２が形成されている。これらの上部ケース筺体２３ａと下部ケース筺体２３ｂとは、超音波溶着やはめ込み加工により封止される。
【００３２】
また、上部ケース筺体２３ａおよび下部ケース筺体２３ｂには、スリット２２と、半導体メモリ６、コントローラ７、および、受動素子８との間で静電気放電を遮蔽し、導電性を有する遮蔽板２２ａが設けられている。
【００３３】
ここで、カバーケース２３に形成された放熱効果を高めるためスリット２２は、例えば、金型による上部ケース筺体２３ａおよび下部ケース筐体２３ｂの成形時に一体成形により形成される。ここで、例えば、外部装置にコネクタ端子５を接続しデータ転送使用したときに、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８から発生する熱がこのスリット２２を通してカバーケース２３の外部に放熱される。ここでは、特に、半導体メモリ６、およびコントローラ７上にスリット２が配置されていることにより、発熱量の大きい、半導体メモリ６、およびコントローラ７の冷却効率を向上することができる。
【００３４】
また、実施例１と同様に、カバーケース２３が樹脂等の部材で形成される場合には、カバーケース２３の内面には導線性の被膜９が形成され、この被膜９がグランド電位（接地電位）に接続される。
【００３５】
これにより、静電気がカバーケース２３の外部からスリット２２そしてカバーケース２３の内面を介して該グランド電位にアースされるので、静電気が回路基板４上に形成された、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８に放電するのを抑制することができる。
【００３６】
さらに、実施例１と同様に、遮蔽板２２ａにより、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８に対する静電気放電を遮蔽し、カバーケース２３を介してグランド電位にアースすることができる。
【００３７】
以上のように、本実施例に係る携帯型記憶装置によれば、カバーケースの上下の壁面にスリットを設け、半導体メモリ、コントローラ、および受動素子から発生する熱が上下の該スリットを介してカバーケースの上下から放熱されるので、放熱性が向上し、熱ストレスによる影響をより低減することができる。
【実施例３】
【００３８】
実施例１および２では、カバーケースの上部ケース筺体または下部ケース筺体に直接スリットを形成した構成について述べたが、本実施例では、放熱性を向上するため、カバーケースの壁面の一部にスリットが形成された放熱板が設けられた構成について述べる。
【００３９】
図４は、本発明の一態様である実施例３に係る携帯型記憶装置３００の要部の構成を示す上面図である。図５は、図４の携帯型記憶装置のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００４０】
図４および図５に示すように、カバーケース３３は、ここでは、ポリカーボネート等の材料を使用して金型で成形された上部ケース筺体３３ａと下部ケース筺体３３ｂとから構成されている。この上部ケース筺体３３ａは、上壁に開口部３４が形成されている。そして、スリット３２が形成された放熱板３５がこの開口部３４から露出するように設けられている。この放熱板３５には、実施例１、２と同様に、スリット３２と、コントローラ７および受動素子８との間で静電気放電を遮蔽し、導電性を有する遮蔽板３２ａが設けられている。また、放熱板３５の上面の周囲と上部ケース筺体３３ａの内面とは、接着により固定されている。
【００４１】
放熱板３５には、例えば、カバーケース３３本体の部材よりも熱伝導率の高い金属合金を金型加工したものや、導電性のセラミック成形品等が選択される。これにより、さらにカバーケース外部への放熱性を向上することができる。
【００４２】
以上のように、本実施例に係る携帯型記憶装置によれば、カバーケースの壁面にスリットを有する放熱板が設けられているので、実施例１と比較して放熱性を向上することができ、熱ストレスによる影響をより低減することができる。
【００４３】
なお、回路基板４の上面側に半導体メモリ６が設けられていても同様に静電気放電を抑制しつつ、放熱性を向上することができる。
【００４４】
また、本実施例においては、カバーケースの上壁に放熱板を設けた構成について説明したが、カバーケースの上下の壁面に放熱板を設けることにより、さらに放熱性を向上することができる。
【実施例４】
【００４５】
実施例１および２では、カバーケースの上壁面、下壁面にスリットを形成した構成について述べたが、本実施例では、カバーケースの側壁面にスリットを形成した構成について述べる。
【００４６】
図６は、本発明の一態様である実施例４に係る携帯型記憶装置の要部の構成を示す側面図である。また、図７は、図６の携帯型記憶装置のＣ−Ｃ線に沿った断面を示す断面図である。なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００４７】
図６および図７に示すように、カバーケース４３の側壁面に内部へ貫通するスリット４２が形成されている。さらに、カバーケース４３の側壁面には、スリット４２と、半導体メモリ６、コントローラ７、および、受動素子８との間で静電気放電を遮蔽し、導電性を有する遮蔽板４２ａが設けられている。
【００４８】
これにより、例えば、外部装置にコネクタ端子５を接続しデータ転送使用したときに、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８から発生する熱がこのスリット４２を通してカバーケース４３の外部に放熱される。
【００４９】
また、実施例１と同様に、カバーケース４３が樹脂等の部材で形成される場合には、カバーケース４３の内面には導線性の被膜９が形成され、この被膜９がグランド電位（接地電位）に接続される。
【００５０】
これにより、静電気がカバーケース４３の外部からスリット４２そしてカバーケース４３の内面を介して該グランド電位にアースされるので、静電気が回路基板４上に形成された、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８に放電するのを抑制することができる。
【００５１】
さらに、実施例１と同様に、遮蔽板４２ａにより、半導体メモリ６、コントローラ７、および受動素子８に対する静電気放電を遮蔽し、カバーケース４３を介してグランド電位にアースすることができる。
【００５２】
なお、カバーケース４３の上壁面および下壁面にスリットを実施例１、２のようにさらに形成することにより、より放熱性を向上することが可能である。
【００５３】
以上のように、本実施例に係る携帯型記憶装置によれば、カバーケースの側壁面にスリットを設け、半導体メモリ、コントローラ、および受動素子から発生する熱が左右の該スリットを介してカバーケースの左右から放熱されるので、熱ストレスによる影響をより低減することができる。
【００５４】
なお、以上の各実施例においては、カバーケースは、上部ケース筺体と下部ケース筺体により構成された場合について説明したが、カバーケースを一体形成した場合であっても、同様の作用・効果を奏することができる。
【００５５】
また、以上の各実施例において、カバーケースは、ポリカーボネート等の材料の材料を選択した場合について説明したが、金属等の導電性の材料により形成されていてもよい。この場合、カバーケースの内面には、導電性の被膜を形成する必要はない。
【００５６】
また、以上の各実施例において、カバーケース、回路基板が矩形の場合について説明したが、カバーケース、回路基板は、他の形状に形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る携帯型記憶装置の要部の構成を示す上面図である。
【図２】図１の携帯型記憶装置のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【図３】本発明の一態様である実施例２に係る携帯型記憶装置の要部の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の一態様である実施例３に係る携帯型記憶装置の要部の構成を示す上面図である。
【図５】図４の携帯型記憶装置のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す断面図である。
【図６】本発明の一態様である実施例４に係る携帯型記憶装置の要部の構成を示す側面図である。
【図７】図６の携帯型記憶装置のＣ−Ｃ線に沿った断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  開口部
２  スリット
２ａ  遮蔽板
３  カバーケース
３ａ  上部ケース筺体
３ｂ  下部ケース筺体
４  回路基板
５  コネクタ端子
６  半導体メモリ
７  コントローラ
８  受動素子
９  導電性の被膜
２２  スリット
２２ａ  遮蔽板
２３  カバーケース
２３ａ  上部ケース筺体
２３ｂ  下部ケース筺体
３２  スリット
３２ａ  遮蔽板
３３  カバーケース
３３ａ  上部ケース筺体
３３ｂ  下部ケース筺体
３４  開口部
３５  放熱板
４２  スリット
４２ａ  遮蔽板
４３  カバーケース
１００、２００、３００、４００  携帯型記憶装置
【図１】
2007156682.tif 000003
【図２】
2007156682.tif 000004
【図３】
2007156682.tif 000005
【図４】
2007156682.tif 000006
【図５】
2007156682.tif 000007
【図６】
2007156682.tif 000008
【図７】
2007156682.tif 000009