(57)【要約】【課題】本発明は、駆動過程における発熱の問題を解消する一方、プラズマディスプレイ装置の製造コストを削減することができるプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】本発明は、スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成する第１エネルギー回収回路と、前記プラズマディスプレイパネルの前記サステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成する第２エネルギー回収回路とを含む。【選択図】図２
2007156488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成する第１エネルギー回収回路と、
前記プラズマディスプレイパネルの前記サステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成する第２エネルギー回収回路とを含み、
前記第１エネルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスは前記第１エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さく、前記第２エネルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスは前記第２エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さく、
前記第１エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和と、前記第２エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和とは互いに異なることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和は、前記第２エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１エネルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスは前記第２エネルギー 供給経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスは前記第２エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１エネルギー回収経路上のインダクタは複数であり、前記第２エネルギー回収経路上のインダクタは複数であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記スキャン電極にエネルギーを供給する時間は前記スキャン電極からエネルギーを回収する時間よりも短く、
前記サステイン電極にエネルギーを供給する時間は前記サステイン電極からエネルギーを回収する時間よりも短いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成し、前記第１エネルギー供給経路上には第１インダクタが位置し、前記第１エネルギー回収経路上には第２インダクタが位置する第１エネルギー回収回路と、
前記プラズマディスプレイパネルの前記サステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成し、前記第２エネルギー供給経路上には第３インダクタが位置し、前記第２エネルギー回収経路上には第４インダクタが位置する第２エネルギー回収回路を含み、
前記第１インダクタのインダクタンスは前記第２インダクタのインダクタンスよりも小さく、前記第３インダクタのインダクタンスは前記第４インダクタのインダクタンスより小さく、
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和と互いに異なることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１インダクタのインダクタンスは前記第３インダクタのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第２インダクタのインダクタンスは前記第４インダクタのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第１エネルギー回収回路は、
前記スキャン電極から回収されたエネルギーを充電する第１ソースキャパシタと、
前記第１ソースキャパシタと前記第１インダクタとの間に接続された第１エネルギー供給制御部と、
前記第１ソースキャパシタと前記第２インダクタとの間に接続された第１エネルギー回収制御部とを含むことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１エネルギー供給経路は前記第１ソースキャパシタ、前記第１エネルギー供給制御部、前記第１インダクタを介して形成され、
前記第１エネルギー回収経路は前記第２インダクタ、前記第１エネルギー回収制御部、前記第１ソースキャパシタを介して形成されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第２エネルギー回収回路は、
前記サステイン電極から回収されたエネルギーを充電する第２ソースキャパシタと、
前記第２ソースキャパシタと前記第３インダクタとの間に接続された第２エネルギー供給制御部と、
前記第２ソースキャパシタと前記第４インダクタとの間に接続された第２エネルギー回収制御部とを含むことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記第２エネルギー供給経路は前記第２ソースキャパシタ、前記第２エネルギー供給制御部、前記第３インダクタを介して形成され、
前記第２エネルギー回収経路は前記第４インダクタ、前記第２エネルギー回収制御部、前記第２ソースキャパシタを介して形成されることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記スキャン電極にエネルギーを供給する時間は前記スキャン電極からエネルギーを回収する時間よりも短く、
前記サステイン電極にエネルギーを供給する時間は前記サステイン電極からエネルギーを回収する時間よりも短いことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成し、前記第１エネルギー供給経路上には第１インダクタが位置し、前記第１エネルギー回収経路上には前記第１インダクタ及び第２インダクタが位置する第１エネルギー回収回路と、
前記プラズマディスプレイパネルの前記サステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成し、前記第２エネルギー供給経路上には第３インダクタが位置し、前記第２エネルギー回収経路上には前記第３インダクタ及び第４インダクタが位置する第２エネルギー回収回路を含み、
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和と互いに異なることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和よりも小さいことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第１インダクタのインダクタンスは前記第３インダクタのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記第２インダクタのインダクタンスは前記第４インダクタのインダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記第１エネルギー回収回路は、
前記スキャン電極から回収されたエネルギーを充電する第１ソースキャパシタと、
前記第１ソースキャパシタと前記第１インダクタ及び前記第２インダクタの共通端子の間に接続された第１エネルギー供給制御部と、
前記第１ソースキャパシタと前記第２インダクタとの間に接続された第１エネルギー回収制御部とを含むことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記第２エネルギー回収回路は、
前記サステイン電極から回収されたエネルギーを充電する第２ソースキャパシタと、
前記第２ソースキャパシタと前記第３インダクタ及び前記第４インダクタの共通端子の間に接続された第２エネルギー供給制御部と、
前記第２ソースキャパシタと前記第４インダクタとの間に接続された第２エネルギー回収制御部とを含むことを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記第１エネルギー供給経路は前記第１ソースキャパシタ、前記第１エネルギー供給制御部、前記第１インダクタを介して形成され、
前記第１エネルギー回収経路は前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第１エネルギー回収制御部、前記第１ソースキャパシタを介して形成され、
前記第２エネルギー供給経路は前記第２ソースキャパシタ、前記第２エネルギー供給制御部、前記第３インダクタを介して形成され、
前記第２エネルギー回収経路は前記第３インダクタ、前記第４インダクタ、前記第２エネルギー回収制御部、前記第２ソースキャパシタを介して形成されることを特徴とする請求項２１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記スキャン電極にエネルギーを供給する時間は前記スキャン電極からエネルギーを回収する時間よりも短く、
前記サステイン電極にエネルギーを供給する時間は前記サステイン電極からエネルギーを回収する時間よりも短いことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ装置に関し、より詳細には、プラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ディスプレイ装置の１つであるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルを駆動するための駆動部とを含む。
【０００３】
通常、プラズマディスプレイパネルは前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が１つの放電セルをなすものであって、各放電セル内にはネオン(Ｎｅ)、ヘリウム(Ｈｅ)またはネオン及びヘリウムの混合気体(Ｎｅ＋Ｈｅ)のような主放電気体と少量のキセノン(Ｘｅ)を含有する不活性ガスが充填されている。
【０００４】
このような放電セルが複数集まって１つのピクセル(Ｐｉｘｅｌ)をなす。例えば、赤色（Ｒｅｄ、Ｒ）放電セル、緑色(Ｇｒｅｅｎ、Ｇ)放電セル、青色(Ｂｌｕｅ、Ｂ)放電セルが集まって1つのピクセルを形成する。
【０００５】
そして、このようなプラズマディスプレイパネルが高周波の電圧により放電されるとき、不活性ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を発生し、隔壁の間に形成されている蛍光体を発光させて画像が実現する。このようなプラズマディスプレイパネルは軽薄な構成が可能であるので、次世代の表示装置として脚光を浴びている。
【０００６】
このように駆動される従来のプラズマディスプレイパネルでは、アドレス放電及びサステイン放電に数１００ボルト以上の高圧が必要とされる。従って、駆動電力を最小化することが必要であり、駆動回路にはエネルギー回収回路を採用しているのが一般的である。
【０００７】
エネルギー回収回路はスキャン電極ライン及びサステイン電極ラインに充電される電荷とアドレス電極ラインに充電される電荷を回収して、これを次の周期の駆動のために再利用する機能を果たす。
【０００８】
しかし、このような従来のエネルギー回収回路の場合、エネルギー回収動作とエネルギー供給動作において同じインダクタを用いるため、放電効率の低下をもたらすという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、駆動過程における発熱の問題を解消する一方、プラズマディスプレイ装置の製造コストを削減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成する第１エネルギー回収回路と、前記プラズマディスプレイパネルのサステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成する第２エネルギー回収回路とを含み、第１エネルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスは前記第１エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さく、前記第２エネルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスは前記第２エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さく、前記第１エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和と、前記第２エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和とは異なることを特徴とする。
【００１１】
前記第１エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和は、前記第２エネルギー回収回路に含まれているインダクタのインダクタンスの和よりも小さいことが望ましい。
【００１２】
前記第１エネルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスは前記第２エネ
ルギー供給経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さいことが望ましい。
【００１３】
前記第１エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスは前記第２エネルギー回収経路上のインダクタのインダクタンスよりも小さいことが望ましい。
【００１４】
前記第１エネルギー回収経路上のインダクタは複数であり、前記第２エネルギー回収経路上のインダクタは複数であることが望ましい。
【００１５】
前記スキャン電極にエネルギーを供給する時間は前記スキャン電極からエネルギーを回収する時間よりも短く、前記サステイン電極にエネルギーを供給する時間は前記サステイン電極からエネルギーを回収する時間よりも短いことが望ましい。
【００１６】
本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成し、前記第１エネルギー供給経路上には第１インダクタが位置し、前記第１エネルギー回収経路上には第２インダクタが位置する第１エネルギー回収回路と、前記プラズマディスプレイパネルの前記サステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成し、前記第２エネルギー供給経路上には第３インダクタが位置し、前記第２エネルギー回収経路上には第４インダクタが位置する第２エネルギー回収回路を含み、前記第１インダクタのインダクタンスは前記第２インダクタのインダクタンスよりも小さく、前記第３インダクタのインダクタンスは前記第４インダクタのインダクタンスより小さく、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和と互いに異なることを特徴とする。
【００１７】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和よりも小さいことが望ましい。
【００１８】
前記第１インダクタのインダクタンスは前記第３インダクタのインダクタンスよりも小さいことが望ましい。
【００１９】
前記第２インダクタのインダクタンスは前記第４インダクタのインダクタンスよりも小さいことが望ましい。
【００２０】
前記第１エネルギー回収回路は、前記スキャン電極から回収されたエネルギーを充電する第１ソースキャパシタと、前記第１ソースキャパシタと前記第１インダクタとの間に接続された第１エネルギー供給制御部と、前記第１ソースキャパシタと前記第２インダクタとの間に接続された第１エネルギー回収制御部とを含む。
【００２１】
前記第１エネルギー供給経路は、前記第１ソースキャパシタ、前記第１エネルギー供給制御部、前記第１インダクタを介して形成され、前記第１エネルギー回収経路は前記第２インダクタ、前記第１エネルギー回収制御部、前記第１ソースキャパシタを介して形成されることが望ましい。
【００２２】
前記第２エネルギー回収回路は、前記サステイン電極から回収されたエネルギーを充電する第２ソースキャパシタと、前記第２ソースキャパシタと前記第３インダクタとの間に接続された第２エネルギー供給制御部と、前記第２ソースキャパシタと前記第４インダクタとの間に接続された第２エネルギー回収制御部とを含む。
【００２３】
前記第２エネルギー供給経路は前記第２ソースキャパシタ、前記第２エネルギー供給制御部、前記第３インダクタを介して形成され、前記第２エネルギー回収経路は前記第４インダクタ、前記第２エネルギー回収制御部、前記第２ソースキャパシタを介して形成されることが望ましい。
【００２４】
前記スキャン電極にエネルギーを供給する時間は前記スキャン電極からエネルギーを回収する時間よりも短く、前記サステイン電極にエネルギーを供給する時間は前記サステイン電極からエネルギーを回収する時間よりも短いことが望ましい。
【００２５】
本発明のさらに他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルの前記スキャン電極にエネルギーを供給する第１エネルギー供給経路と前記スキャン電極からエネルギーを回収する第１エネルギー回収経路を形成し、前記第１エネルギー供給経路上には第１インダクタが位置し、前記第１エネルギー回収経路上には前記第１インダクタ及び第２インダクタが位置する第１エネルギー回収回路と、前記プラズマディスプレイパネルの前記サステイン電極にエネルギーを供給する第２エネルギー供給経路と前記サステイン電極からエネルギーを回収する第２エネルギー回収経路を形成し、前記第２エネルギー供給経路上には第３インダクタが位置し、前記第２エネルギー回収経路上には前記第３インダクタ及び第４インダクタが位置する第２エネルギー回収回路を含み、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和と互いに異なることを特徴とする。
【００２６】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのインダクタンスの和は、前記第３インダクタ及び前記第４インダクタのインダクタンスの和よりも小さいことが望ましい。
【００２７】
前記第１インダクタのインダクタンスは前記第３インダクタのインダクタンスよりも小さいことが望ましい。
【００２８】
前記第２インダクタのインダクタンスは前記第４インダクタのインダクタンスよりも小さいことが望ましい。
【００２９】
前記第１エネルギー回収回路は、前記スキャン電極から回収されたエネルギーを充電する第１ソースキャパシタと、前記第１ソースキャパシタと前記第１インダクタ及び前記第２インダクタの共通端子の間に接続された第１エネルギー供給制御部と、前記第１ソースキャパシタと前記第２インダクタとの間に接続された第１エネルギー回収制御部とを含む。
【００３０】
前記第２エネルギー回収回路は、前記サステイン電極から回収されたエネルギーを充電する第２ソースキャパシタと、前記第２ソースキャパシタと前記第３インダクタ及び前記第４インダクタの共通端子の間に接続された第２エネルギー供給制御部と、前記第２ソースキャパシタと前記第４インダクタとの間に接続された第２エネルギー回収制御部とを含む。
【００３１】
前記第１エネルギー供給経路は前記第１ソースキャパシタ、前記第１エネルギー供給制御部、前記第１インダクタを介して形成され、前記第１エネルギー回収経路は前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第１エネルギー回収制御部、前記第１ソースキャパシタを介して形成され、前記第２エネルギー供給経路は前記第２ソースキャパシタ、前記第２エネルギー供給制御部、前記第３インダクタを介して形成され、前記第２エネルギー回収経路は前記第３インダクタ、前記第４インダクタ、前記第２エネルギー回収制御部、前記第２ソースキャパシタを介して形成される。
【００３２】
前記スキャン電極にエネルギーを供給する時間は前記スキャン電極からエネルギーを回収する時間よりも短く、前記サステイン電極にエネルギーを供給する時間は前記サステイン電極からエネルギーを回収する時間よりも短いことが望ましい。
【発明の効果】
【００３３】
前述したように、本発明のプラズマディスプレイ装置によれば、プラズマディスプレイパネルにエネルギーを供給する時よりもプラズマディスプレイパネルからエネルギーを回収する時のインダクタのインダクタンスを大きくすることで、強い放電を発生しながらもエネルギー回収効率を高められる効果がある。
【００３４】
また、スキャン駆動ＩＣによる影響を補正してスキャン電極に連結されたエネルギー回収回路とサステイン電極に連結されたエネルギー回収回路の性能を同一に実現させることで、エネルギー回収回路に対する信頼性を向上させることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置のうちのプラズマディスプレイパネルの構造を示す分解斜視図である。
【００３７】
図１に示すように、各放電セルは上部基板１上に形成されたスキャン電極２Ｙ及びサステイン電極２Ｚ、下部基板９上に形成されたアドレス電極２Ａを備える。
【００３８】
スキャン電極２Ｙとサステイン電極２Ｚは、通常、透明なインジウム-ティン-オキサイド(ｉｎｄｉｕｍ‐Ｔｉｎ‐ｏｘｉｄｅ:以下、「ＩＴＯ」という)からなり、それらの高い抵抗特性による電圧降下を低減させるために、それらの上には通常クロム(Ｃｒ)などの金属からなるのバス電極３がそれぞれ形成される。
【００３９】
スキャン電極２Ｙとサステイン電極２Ｚが平行して形成された上部基板１には上部誘電体層４と保護膜５が積層される。保護膜５はプラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層４の損傷を防止するとともに２次電子の放出効率を高めるために、通常、酸化マグネシウム(ＭｇＯ)で構成される。
【００４０】
アドレス電極２Ａが形成された下部基板９上には下部誘電体層８及び隔壁６が形成され、下部誘電体層８と隔壁６の表面には蛍光体７が塗布される。アドレス電極２Ａはスキャン電極２Ｙ及びサステイン電極２Ｚと垂直な方向に形成され、隔壁６はアドレス電極２Ａと平行な方向に形成されて放電により生成された紫外線及び可視光が隣接する放電セルに漏れることを防止する。
【００４１】
蛍光体７はプラズマの放電時に発生した紫外線によって励起されて、赤色(Ｒ)、緑色(Ｇ)または青色(Ｂ)のいずれか１つの可視光線を発生する。上部基板１及び下部基板９と隔壁６により設けられた放電空間にはガス放電のためのＮｅ＋Ｘｅ及びペニングガスなどが封入される。
【００４２】
上述した構造の放電セルはアドレス電極２Ａとスキャン電極２Ｙとの間の対向放電により選択された後、スキャン電極２Ｙとサステイン電極２Ｚとの間の面放電により放電を維持する。
【００４３】
このような放電セルではサステイン放電時に発生する紫外線により蛍光体７が発光することで、可視光がセルの外部へ放出する。この結果、放電セルは放電が維持される期間を調整して階調を実現し、その放電セルがマトリクス状に配列されたＰＤＰは画像を表示する。
【００４４】
図２は、図１に示したプラズマディスプレイパネルの電極ライン及び放電セルの配置構造を示す平面図である。
【００４５】
図２に示すように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、ｍ×ｎ個の放電セル２０がスキャン電極ラインＹ１〜Ｙｍ、サステイン電極ラインＺ１〜Ｚｍ及びアドレス電極ラインＸ１〜Ｘｎに連結されるようにマトリクス状に配置されたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）２１と、スキャン電極ラインＹ１〜Ｙｍを駆動するためのスキャン駆動回路２２と、サステイン電極ラインＺ１〜Ｚｍを駆動するためのサステイン駆動回路２３と、アドレス電極ラインＸ１〜Ｘｎを駆動するためのアドレス駆動回路２４と、外部からの表示データＤ、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖ、クロック信号などを基に各駆動回路に制御信号を供給する制御回路２５とを含む。
【００４６】
スキャン駆動回路２２は、スキャン電極ラインＹ１〜Ｙｍに全放電セルの初期状態を均一にするためのリセットパルス、放電セルを選択するためのスキャン(またはアドレス)パルス及び放電回数に応じて階調を実現するサステインパルスを順次供給して放電セル２０がライン単位で順次走査されるようにするとともに、ｍ×ｎ個の放電セル２０のそれぞれにおける放電を持続する。
【００４７】
サステイン駆動回路２３はサステイン電極ラインＺ１〜Ｚｍ全てにスキャン電極ラインＹ１〜Ｙｍに供給されるサステインパルスと交番するサステインパルスを供給して選択されたセルに対してサステイン放電を引き起こす。
【００４８】
アドレス駆動回路２４はスキャン電極ラインＹ１〜Ｙｍに供給されるスキャンパルスに同期化されたアドレスパルスを供給して放電されるセルを選択する役割を果たす。
【００４９】
このように駆動される本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置ではアドレス放電及びサステイン放電に数１００ボルト以上の高圧が必要とされる。
【００５０】
従って、駆動電力を最小化することが必要であり、スキャン駆動回路２２とサステイン駆動回路２３にはエネルギー回収回路を採用しており、アドレス駆動回路２４にもエネルギー回収回路が採用されている。
【００５１】
エネルギー回収回路はスキャン電極ライン及びサステイン電極ラインに充電される電荷とアドレス電極ラインに充電される電荷を回収してこれを次の周期の駆動のために再利用する機能を果たすが、これについて、より詳しく説明する。
【００５２】
図３は、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を示す図である。
【００５３】
図３に示すように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路は、ソースキャパシタ３１、エネルギー回収／供給制御部３２、第１インダクタ３５、第２インダクタ３６、サステインパルス供給制御部３７を含む。
【００５４】
ソースキャパシタＣｓｓ（３１）は一側端子が基底電圧ＶＧＮＤと連結され、他側端子がエネルギー供給制御部３３の一端とエネルギー回収制御部３４の一端と共通して連結されてプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌから回収されたエネルギーを充電する。
【００５５】
エネルギー回収／供給制御部３２はエネルギー供給制御部３３とエネルギー回収制御部３４とを含む。
【００５６】
エネルギー供給制御部３３は第１スイッチＳ１及び第１ダイオードＤ１を含み、エネルギーの供給動作時に第１スイッチＳ１がターンオンされてエネルギー供給経路を形成する。
【００５７】
エネルギー回収制御部３４は第２スイッチＳ２及び第２ダイオードＤ２を含み、エネルギーの回収動作時に第２スイッチＳ２がターンオンされてエネルギー回収経路を形成する。
【００５８】
第１インダクタＬ１、３５はエネルギー供給制御部３３とプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌとの間に接続され、第２インダクタＬ２（３６）はエネルギー回収制御部３４とプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌとの間に接続される。
【００５９】
サステインパルス供給制御部３７は第３スイッチＳ３及び第４スイッチＳ４を含み、第３スイッチＳ３及び第４スイッチＳ４は、それぞれ図示しないサステイン電圧源及び基底電圧源に接続されて、前記プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにサステイン電圧Ｖｃｃ及び基底電圧ＶＧＮＤを提供する。
【００６０】
このような本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置のうちのエネルギー回収回路の動作は大きく４つの段階からなる。
【００６１】
まず、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧は０Ｖであり、ソースキャパシタＣｓｓにはＶｓ／２の電圧が充電されていると仮定する。
【００６２】
第１状態で第１スイッチ(以下の図にはスイッチを単純なスイッチの形態として示すこともあるが、別途の説明がなければ、ボディダイオードを含むトランジスタを簡略に表わしていることに留意する)Ｓ１がターンオンされ、第２〜第４スイッチＳ２、Ｓ３、Ｓ４がターンオフされれば、ソースキャパシタＣｓｓから第１スイッチＳ１、第１ダイオードＤ１及び第１インダクタＬ１に続くエネルギー供給経路が形成される。
【００６３】
このとき、第１インダクタＬ１とプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌは直列共振回路を形成するが、ソースキャパシタＣｓｓにＶｓ／２の電圧が充電されているため、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌに出力される電圧ＶｐはソースキャパシタＣｓの電圧の２倍のＶｓまで上昇する。
【００６４】
ここで、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置はソースキャパシタＣｓｓ（３１）に充電されたエネルギーをプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌへ供給する際には第１インダクタＬ１（３５）を介して印加する。
【００６５】
第２状態では第１スイッチＳ１と第３スイッチＳ３がターンオンされ、第２スイッチＳ２及び第４スイッチＳ４がターンオフされる。
【００６６】
これにより、プラズマディスプレイパネルの電圧Ｖｐはサステイン電圧Ｖｓとなる。第１状態が終わる瞬間に、即ちＬＣ共振によってプラズマディスプレイパネルの電圧Ｖｐの値がサステイン電圧Ｖｓと同一の値になる瞬間にプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにはサステイン電圧供給源(図示せず)からのサステイン電圧Ｖｓが印加された後、一定時間の間にサステイン電圧Ｖｓに維持される。
【００６７】
その後、第３状態では第２スイッチＳ２がターンオンされ、第１スイッチ、第３スイッチ及び第４スイッチＳ１、Ｓ３、Ｓ４はターンオフされる。これにより、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌに格納されていたエネルギーがソースキャパシタＣｓｓに放電されながら回収されて、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧Ｖｐは降下する。
【００６８】
第３状態ではプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌから第２インダクタＬ２、第２ダイオードＤ２、第２スイッチＳ２、及びソースキャパシタＣｓｓに続くエネルギー回収経路が形成される。
【００６９】
ここで、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌからエネルギーを回収する際にインダクタ、即ち第２インダクタＬ２（３６）を介して回収するが、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにエネルギーを供給する際のインダクタ、即ち第１インダクタＬ１（３５）のインダクタンスよりも第２インダクタＬ２（３６）のインダクタンスを大きくする。
【００７０】
このようにすることで、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにエネルギーを供給する時よりもプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌからエネルギーを回収する時のインダクタのインダクタンスを大きくし、エネルギー回収効率を高めることができる。
【００７１】
また、エネルギー供給動作時のインダクタンスに比べて、エネルギー回収動作時のインダクタンスが大きいので、エネルギー供給動作ではサステイン電圧まで速い上昇時間を得ることができるため、強い放電を発生させることができ、また、エネルギーの回収動作時にインダクタンスが大きくなって、エネルギー回収効率を高めることができる。もちろん、エネルギー回収効率はL１≪L２であるほど、大きくなる。
【００７２】
最後に、第４状態では第２スイッチＳ２と第４スイッチＳ４がターンオンされ、第１スイッチＳ１及び第３スイッチＳ３がターンオフされる。これにより、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧Ｖｐは基底電圧ＶＧＮＤレベルになる。
【００７３】
第３状態が終わる瞬間に、即ちＬＣ共振によってプラズマディスプレイパネルの電圧Ｖｐの値が基底電圧ＶＧＮＤと同一の値になる瞬間にプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌには基底電圧供給源(図示せず)からの基底電圧が印加された後、一定時間の間に基底電圧に維持される。
【００７４】
図４は、本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を介した駆動波形を示す図である。
【００７５】
図４に示すように、プラズマディスプレイパネルへエネルギーが供給される時間、即ち、上昇時間ｔＲが短く、プラズマディスプレイパネルからエネルギーを回収する時間、即ち下降時間ｔＦが、上昇時間ｔＲに比べて２倍長いことが分かる。即ち、強い放電を引き起こしながら、エネルギー回収効率を高めることができる。
【００７６】
図５は、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を示す図である。
【００７７】
従来のプラズマディスプレイ装置のエネルギー回収回路においては、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌのスキャン電極とサステイン電極のそれぞれにエネルギー回収回路が連結されるが、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、図５に示される通り、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌのスキャン電極とエネルギー回収回路との間にはスキャン駆動のためのスキャン駆動ＩＣが連結される。そして、スキャン電極と連結されたエネルギー回収回路を構成するインダクタとサステイン電極に連結されたエネルギー回収回路を構成するインダクタ間のインダクタンスは同一(Ｌ１ｙ＝Ｌ１ｚ、Ｌ２ｙ＝Ｌ２ｚ)である。
【００７８】
スキャン電極とエネルギー回収回路との間にスキャン駆動ＩＣが備えられるため、サステイン電極に連結されたエネルギー回収回路の出力がサステイン電極に直接印加される反面、スキャン電極に連結されたエネルギー回収回路の出力はスキャン駆動ＩＣのスイッチング素子を介してスキャン電極に印加される。従って、スキャン駆動ＩＣを構成するスイッチング素子の自体のインダクタンスにより、スキャン電極とサステイン電極のエネルギー回収回路の駆動性能が異なり得る。
【００７９】
従って、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路は、サステイン電極と連結された回路構成とスキャン電極と連結された回路構成との差によるインダクタンスの差によって発生し得る駆動性能の差、即ち、スキャン電極に連結されたエネルギー回収回路（第１エネルギー回収回路５０）とサステイン電極に連結されたエネルギー回収回路（第２エネルギー回収回路６０）との駆動性能の差を、エネルギー回収回路に備えられたインダクタのインダクタンスを調節することによって同一に実現することができるのである。
【００８０】
前述したように、スキャン駆動ＩＣ（５８）は、第１エネルギー回収回路５０と第２エネルギー回収回路６０との駆動性能の差を発生させる恐れがある要素となり得る。また、リセット区間からスキャン電極へ印加されるリセットパルス駆動のための追加の回路になることもできる。
【００８１】
スキャン電極と連結された回路がサステイン電極と連結された回路に比べて多いため、第１エネルギー回収回路５０と第２エネルギー回収回路６０の駆動性能を同一に実現するためには、第１エネルギー回収回路５０に備えられた２つのインダクタＬ１ｙおよびＬ２ｙのインダクタンスが、第２エネルギー回収回路６０に備えられた２つのインダクタＬ１ｚおよびＬ２ｚのインダクタンスよりも小さく構成されなければならない。
【００８２】
即ち、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにエネルギーを供給する動作（エネルギー供給動作）に関連するインダクタが第１インダクタＬ１ｙおよび第３インダクタＬ１ｚであり、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌからエネルギーを回収する動作（エネルギー回収動作）に関連するインダクタが第２インダクタＬ２ｙおよび第４インダクタＬ２ｚである場合、インダクタ間のインダクタンスの関係は、Ｌ１ｙ＜Ｌ２ｙ、Ｌ１ｚ＜Ｌ２ｚ、Ｌ１ｙ＜Ｌ１ｚ、Ｌ２ｙ＜Ｌ２ｚになる。そして、前記各インダクタの値を測定と実験及びシミュレーションにより決定することができる。
【００８３】
これとは反対に、第２エネルギー回収回路６０に備えられた２つのインダクタのインダクタンスを、第１エネルギー回収回路５０に備えられた２つインダクタのインダクタンスよりも小さく構成することもできる。これは、各メーカーごとに駆動回路に差があり得るからである。例えば、Ｌ１ｙ＜Ｌ２ｙ、Ｌ１ｚ＜Ｌ２ｚ、Ｌ１ｚ＜Ｌ１ｙ、Ｌ２ｚ＜Ｌ２ｙの関係を有するように、インダクタ値を実験とシミュレーションを通じて決定することもできる。
【００８４】
従って、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、エネルギーの供給動作とエネルギーの回収動作とがそれぞれ分離された１つのインダクタにより行われる場合、Ｌ１ｙ＜Ｌ２ｙ、Ｌ１ｚ＜Ｌ２ｚ、且つ、Ｌ１ｙ≠Ｌ１ｚ、Ｌ２ｙ≠Ｌ２ｚの特徴を有する。
【００８５】
ここで、第１、第２エネルギー回収回路５０、６０は、図３に示した本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路と同一であるが、スキャン電極に連結された第１エネルギー回収回路５０とスキャン電極との間にはスキャン駆動ＩＣ(５８)が備えられることが分かる。
【００８６】
従って、第１、第２エネルギー回収回路５０、６０の回路構成及び動作特性は、図３に示した本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路の回路構成及び動作特性と同一であるので、詳細については省略する。
【００８７】
本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１、第２エネルギー回収回路５０、６０の駆動性能を同一にするために、第１、第２エネルギー回収回路５０、６０間のインダクタのインダクタンスはＬ１ｙ＜Ｌ１ｚ、Ｌ２ｙ＜Ｌ２ｚの関係を有するが、これは前記スキャン駆動ＩＣ(５８)がプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌのスキャン電極と第１エネルギー回収回路５０との間に構成されるからである。
【００８８】
即ち、第２エネルギー回収回路６０とサステイン電極との間のエネルギーの回収及び供給が直接行われるのに対し、第１エネルギー回収回路５０とスキャン電極との間のエネルギーの回収及び供給は、スキャン電極と第１エネルギー回収回路５０との間にスキャン駆動ＩＣ(５８)が備えられることで、スキャン駆動ＩＣ(５８)を構成するスイッチング素子(図示せず)を介して行われる。また、スイッチング素子は自体のインダクタンス(以下、「Ｌｓ」と称す)を有しているため、第１エネルギー回収回路５０と第２エネルギー回収回路６０との駆動性能を同一にするためには、Ｌ１ｙ＜Ｌ１ｚ、Ｌ２ｙ＜Ｌ２ｚの関係を有しなければならない。
【００８９】
そして、第１、第２エネルギー回収回路５０、６０を構成するインダクタを、実験及び測定、そしてシミュレーションなどにより決定することができ、Ｌ１ｚ＝Ｌ１ｙ＋Ｌｓ、Ｌ２ｚ＝Ｌ２ｙ＋Ｌｓであることが望ましい。
【００９０】
図６は、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を示す図である。
【００９１】
図６に示すように、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１エネルギー回収回路７０、第２エネルギー回収回路８０及びスキャン駆動ＩＣ(７８)を含む。
【００９２】
ここで、第１エネルギー回収回路７０は、第２エネルギー回収回路８０と回路構成及び動作特性が同一であるため、第２エネルギー回収回路８０の説明を省略し、第１エネルギー回収回路７０についてのみ説明する。
【００９３】
本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置における第１エネルギー回収回路７０は、第１ソースキャパシタ７１、第１エネルギー回収／供給制御部７２、第１インダクタＬ１ｙ（７５）、第２インダクタＬ３ｙ（７６）、第１サステインパルス供給制御部７７を含む。
【００９４】
ここで、第１エネルギー回収／供給制御部７２は、第１エネルギー供給制御部７３と第１エネルギー回収制御部７４を含む。
【００９５】
第１ソースキャパシタＣｓｙ（７１）は、一側端子が基底電圧ＶＧＮＤと連結され、他側端子が第１エネルギー供給制御部７３の一端と第１エネルギー回収制御部７４の一端と共通して連結されて、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌから回収されたエネルギーを充電する。
【００９６】
第１エネルギー供給制御部７３は、第１スイッチＳ１ｙ及び第１ダイオードＤ１ｙを含み、エネルギーの供給動作時に第１スイッチＳ１ｙがターンオンされてエネルギー供給経路を形成する。
【００９７】
第１エネルギー回収制御部７４は第２スイッチＳ２ｙ及び第２ダイオードＤ２ｙを含み、エネルギーの回収動作時に第２スイッチＳ２ｙがターンオンされてエネルギー回収経路を形成する。
【００９８】
第１インダクタＬ１ｙ（７５）は、第１エネルギー供給制御部７３とプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌとの間に接続され、第２インダクタＬ３ｙ（７６）は、第１エネルギー供給制御部７３と第１インダクタＬ１ｙ（７５）の共通端子と第１エネルギー回収制御部７４との間に接続される。
【００９９】
第１サステインパルス供給制御部７７は、第３スイッチＳ３ｙ及び第４スイッチＳ４ｙを含み、第３スイッチＳ３ｙ及び第４スイッチＳ４ｙはそれぞれ図示しないサステイン電圧源及び基底電圧源に接続されて、前記プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにサステイン電圧Ｖｃｃ及び基底電圧ＶＧＮＤを提供する。
【０１００】
このような本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路の動作は大きく４つの段階からなる。
【０１０１】
まず、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧は０Ｖであり、ソースキャパシタＣｓｓにはＶｓ／２の電圧が充電されていると仮定する。
【０１０２】
第１状態で第１スイッチＳ１ｙ(以下の図にはスイッチを単純なスイッチの形態として示すこともあるが、別途の説明がなければ、ボディダイオードを含むトランジスタを簡略に表わしていることに留意する)がターンオンされ、第２〜第４スイッチＳ２ｙ、Ｓ３ｙ、Ｓ４ｙがターンオフされれば、第１ソースキャパシタＣｓｙから第１スイッチＳ１ｙ、第１ダイオードＤ１ｙ及び第１インダクタＬ１ｙに続くエネルギー供給経路が形成される。
【０１０３】
このとき、第１インダクタＬ１ｙとプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌは直列共振回路を形成するが、ソースキャパシタＣｓｓにＶｓ／２の電圧が充電されているため、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌに出力される電圧ＶｐはソースキャパシタＣｓの電圧の２倍であるＶｓまで上昇する。
【０１０４】
ここで、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１ソースキャパシタＣｓｙ（７１）に充電されたエネルギーをプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌへ供給する際に、１つのインダクタ、即ち第１インダクタＬ１ｙ（７５）を介して印加することで、インダクタのインダクタンスを小さくして強い放電を発生させることができる。
【０１０５】
第２状態では第１スイッチＳ１ｙと第３スイッチＳ３ｙがターンオンされ、第２スイッチＳ２ｙ及び第４スイッチＳ４ｙがターンオフされる。
【０１０６】
これにより、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧Ｖｐはサステイン電圧Ｖｓになる。第１状態が終わる瞬間に、即ちＬＣ共振によってプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧Ｖｐの値がサステイン電圧Ｖｓと同一の値になる瞬間に、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにはサステイン電圧供給源(図示せず)からのサステイン電圧Ｖｓが印加された後、一定時間の間にサステイン電圧Ｖｓに維持される。
【０１０７】
その後、第３状態では第２スイッチＳ２ｙがターンオンされ、第１スイッチ、第３スイッチ及び第４スイッチＳ１ｙ、Ｓ３ｙ、Ｓ４ｙはターンオフされる。これにより、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌに格納されていたエネルギーが第１ソースキャパシタＣｓｙに放電されながら回収されて、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧Ｖｐは降下する。
【０１０８】
第３状態ではプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌから第１インダクタＬ１ｙ、第２インダクタＬ３ｙ、第２ダイオードＤ２ｙ、第２スイッチＳ２ｙ、及び第１ソースキャパシタＣｓｙ（７１）に続くエネルギー回収経路が形成される。
【０１０９】
ここで、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌからエネルギーを回収する際に複数のインダクタ、即ち第１インダクタＬ１ｙ（７５）と第２インダクタＬ３ｙ（７６）を介して回収することで、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌにエネルギーを供給する時よりもプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌからエネルギーを回収する時のインダクタのインダクタンスを大きくし、エネルギー回収効率を高めることができる。
【０１１０】
例えば、第１インダクタＬ１ｙのインダクタンスと第２インダクタＬ３ｙのインダクタンスが同一であれば、エネルギーの供給動作時に比べてエネルギーの回収動作時のインダクタンスが２倍となり、エネルギーの供給動作ではサステイン電圧まで速い上昇時間を得ることができるため、強い放電を発生させることができる。また、エネルギーの回収動作時にインダクタンスが大きくなるので、エネルギー回収効率を高めることができる。もちろん、エネルギー回収効率はＬ１≪Ｌ２であるほど、大きくなる。
【０１１１】
最後に、第４状態では第２スイッチＳ２ｙと第４スイッチＳ４ｙがターンオンされ、第１スイッチＳ１ｙ及び第３スイッチＳ３ｙがターンオフされる。これにより、プラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌの電圧Ｖｐは基底電圧ＶＧＮＤレベルになる。
【０１１２】
第３状態が終わる瞬間に、即ちＬＣ共振によってプラズマディスプレイパネルの電圧Ｖｐの値が基底電圧ＶＧＮＤと同一の値になる瞬間にプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌには基底電圧供給源(図示せず)からの基底電圧が印加された後、一定時間の間に基底電圧に維持される。
【０１１３】
また、本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１、第２エネルギー回収回路７０、８０の駆動性能を同一にするために、第１エネルギー回収回路７０に備えられた２つのインダクタＬ１ｙ、 Ｌ３ｙのインダクタンスが第２エネルギー回収回路８０に備えられた２つのインダクタＬ１ｚ、Ｌ３ｚのインダクタンスよりも小さく構成されなければならない。
【０１１４】
これは、前記スキャン駆動ＩＣ(７８)がプラズマディスプレイパネルＣｐａｎｅｌのスキャン電極と第１エネルギー回収回路７０との間に構成されるからである。
【０１１５】
即ち、第２エネルギー回収回路８０とサステイン電極との間のエネルギーの回収及び供給は直接行われるのに対し、第１エネルギー回収回路７０とスキャン電極との間のエネルギーの回収及び供給は、スキャン電極と第１エネルギー回収回路７０との間にスキャン駆動ＩＣ(７８)が備えられることにより、スキャン駆動ＩＣ(７８)を構成するスイッチング素子(図示せず)を介して行われる。また、スイッチング素子は自体のインダクタンス(Ｌｓ)を有しているため、第１エネルギー回収回路７０と第２エネルギー回収回路８０との駆動性能を同一にするためには、Ｌ１ｙ＜Ｌ１ｚ、Ｌ３ｙ＜Ｌ３ｚの関係を有しなければならない。
【０１１６】
これをエネルギーの供給動作及びエネルギーの回収動作に区分して説明すれば、以下の通りである。
【０１１７】
即ち、スキャン電極でエネルギーの供給動作が行われれば、全体のインダクタンスはＬ１ｙ＋Ｌｓになり、サステイン電極でエネルギーの供給動作が行われれば、全体のインダクタンス値はＬ１ｚとなる。従って、エネルギー供給動作の駆動性能を同一にするためのＬ１ｚとＬ１ｙとの関係は、Ｌ１ｚ＝Ｌ１ｙ＋Ｌｓ(Ｌ１ｚ＞Ｌ１ｙ)となる。
【０１１８】
一方、エネルギーの回収動作が行われる時のインダクタンスを説明すると、スキャン電極でエネルギーの回収動作が行われる場合、全体のインダクタンスはＬｓ＋Ｌ１ｙ＋Ｌ３ｙになり、サステイン電極でエネルギーの回収動作が行われる場合、全体のインダクタンス値はＬ１ｚ＋Ｌ３ｚとなる。従って、エネルギー回収動作の駆動性能を同一にするために、Ｌ３ｙとＬ３ｚのインダクタンスは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１１９】
上記のように、本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、第１エネルギー回収回路７０と第２エネルギー回収回路８０をそれぞれ構成する２つのインダクタのインダクタンスをスキャン駆動ＩＣ(７８)に備えられたスイッチング素子の自体のインダクタンスであるＬｓを考慮して構成するため、第１、第２エネルギー回収回路の駆動性能を同一にすることができる。
【０１２０】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、または明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるプラズマディスプレイパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示したプラズマディスプレイパネルの電極ライン及び放電セルの配置構造を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を介した駆動波形を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を示す図である。
【図６】本発明のまた他の実施形態によるプラズマディスプレイ装置におけるエネルギー回収回路を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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