(57)【要約】【課題】基板の現像処理後に、フォトレジスト膜のパターンの水分による膨張又は変色を、短い乾燥時間で解消する。【解決手段】基板１は、複数のローラ１０上に搭載され、ローラ１０の回転により矢印で示す基板移動方向へ移動される。エアナイフ２０ａ，２０ｂは、エアを基板１の表面又は裏面へ吹き付ける。エアナイフ２０ａ，２０ｂから吹き付けたエアにより、基板１の表面及び裏面の乾燥が行われる。さらに、温風ヒータ３０は、ヒータ線３１により加熱した乾燥したエア又は窒素からなる温風を基板１の表面へ吹き付ける。温風ヒータ３０から吹き付けた乾燥した温風により、基板１の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥が行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像処理により表面にフォトレジスト膜のパターンが形成された基板へエアを吹き付けて基板の乾燥を行うエアナイフと、
前記エアナイフによるエアの吹き付け後、さらに、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行う手段と、
基板と前記エアナイフと、及び基板と前記仕上げ乾燥を行う手段とを相対的に移動する移動手段とを備えたことを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
前記仕上げ乾燥を行う手段が、基板の表面へ乾燥した温風を吹き付ける手段を有することを特徴とする請求項１に記載の基板乾燥装置。
【請求項３】
現像処理により表面にフォトレジスト膜のパターンが形成された基板とエアナイフとを相対的に移動しながら、
エアナイフから基板へエアを吹き付けて基板の乾燥を行い、
エアナイフによるエアの吹き付け後、さらに、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことを特徴とする基板乾燥方法。
【請求項４】
基板の表面へ乾燥した温風を吹き付けて、フォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことを特徴とする請求項３に記載の基板乾燥方法。
【請求項５】
基板の現像処理後に、請求項１又は請求項２に記載の基板乾燥装置を用いて基板を乾燥させることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
基板の現像処理後に、請求項３又は請求項４に記載の基板乾燥方法を用いて基板を乾燥させることを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ装置用のパネル基板等を乾燥させる基板乾燥装置、基板乾燥方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に係り、特に現像処理により表面にフォトレジスト膜のパターンが形成された基板を乾燥させるのに好適な基板乾燥装置、基板乾燥方法、及びそれらを用いた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ装置やプラズマディスプレイ装置等の様なフラットパネルディスプレイ装置用のパネル基板の製造工程では、基板上に回路パターンやカラーフィルタ等を形成するため、現像、エッチング、剥離等の薬液処理が行われる。そして、薬液処理の前又は後には、純水等の洗浄液を用いた基板の洗浄、及び洗浄後の基板の乾燥が必要である。基板の洗浄及び乾燥を含むこれらの一連の処理は、ローラコンベア等の移動手段を用いて基板を移動しながら行われることが多く、基板の乾燥は、特許文献１あるいは特許文献２に記載の様に、エアナイフを用いて基板へエアを吹き付けることにより行うのが一般的である。
【特許文献１】特開２００５−２５１５４４号公報
【特許文献２】特開２００１−２５５６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したパネル基板の製造工程では、現像、エッチング、剥離等の薬液処理で発生した不良を検出するため、処理後に、パターン検査装置又は欠陥検査装置を用いて基板の検査が行われる。従来、特に現像処理後の基板の検査において、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンが水分を含んで膨張又は変色していることがあり、この様な膨張又は変色は水分がなくなると消失するにもかかわらず、これらを不良として検出してしまうという問題があった。
【０００４】
これを防止するためには、現像処理後、フォトレジスト膜のパターンから水分がなくなるまで基板を放置する必要があり、乾燥時間が長くなるという問題があった。また、従来のエアナイフを用いた基板の乾燥では、乾燥能力を上げるためにエアの流量を多くすると、水分を含んでもろくなったフォトレジスト膜のパターンが破壊されるという問題があった。
【０００５】
本発明の課題は、基板の現像処理後に、フォトレジスト膜のパターンの水分による膨張又は変色を、短い乾燥時間で解消することである。また、本発明の課題は、フォトレジスト膜のパターンの膨張又は変色による不良の検出を防止し、かつ基板を短いタクトタイムで製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の基板乾燥装置は、現像処理により表面にフォトレジスト膜のパターンが形成された基板へエアを吹き付けて基板の乾燥を行うエアナイフと、エアナイフによるエアの吹き付け後、さらに、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行う手段と、基板とエアナイフと、及び基板と仕上げ乾燥を行う手段とを相対的に移動する移動手段とを備えたものである。
【０００７】
また、本発明の基板乾燥方法は、現像処理により表面にフォトレジスト膜のパターンが形成された基板とエアナイフとを相対的に移動しながら、エアナイフから基板へエアを吹き付けて基板の乾燥を行い、エアナイフによるエアの吹き付け後、さらに、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うものである。
【０００８】
エアナイフによるエアの吹き付け後、さらに、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うので、フォトレジスト膜のパターンの水分による膨張又は変色が、短い乾燥時間で解消する。
【０００９】
さらに、本発明の基板乾燥装置は、仕上げ乾燥を行う手段が、基板の表面へ乾燥した温風を吹き付ける手段を有するものである。また、本発明の基板乾燥方法は、基板の表面へ乾燥した温風を吹き付けて、フォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うものである。フォトレジスト膜のパターンを破壊することなく、短時間で簡単にフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことができる。
【００１０】
本発明の基板の製造方法は、基板の現像処理後に、上記のいずれかの基板乾燥装置又は基板乾燥方法を用いて基板を乾燥させるものである。フォトレジスト膜のパターンの膨張又は変色による不良の検出が防止され、かつ基板が短いタクトタイムで製造される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板乾燥装置及び基板乾燥方法によれば、エアナイフによるエアの吹き付け後、さらに、基板の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことにより、基板の現像処理後に、フォトレジスト膜のパターンの水分による膨張又は変色を、短い乾燥時間で解消することができる。
【００１２】
さらに、本発明の基板乾燥装置及び基板乾燥方法によれば、基板の表面へ乾燥した温風を吹き付けて、フォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことにより、フォトレジスト膜のパターンを破壊することなく、短時間で簡単にフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことができる。
【００１３】
本発明の基板の製造方法によれば、フォトレジスト膜のパターンの膨張又は変色による不良の検出を防止し、かつ基板を短いタクトタイムで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態による基板乾燥装置の概略構成を示す図である。基板乾燥装置は、複数のローラ１０、エアナイフ２０ａ，２０ｂ、及び温風ヒータ３０を含んで構成されている。
【００１５】
基板１は、複数のローラ１０上に搭載され、ローラ１０の回転により矢印で示す基板移動方向へ移動される。各ローラ１０は、基板移動方向に一定の間隔で設置されており、図示しない駆動手段により所定の速度で回転する。
【００１６】
なお、本実施の形態では基板１を水平な状態で移動しているが、本発明はこれに限らず、基板１を水平に対して基板移動方向と直交する方向又は基板移動方向に所定の角度傾斜した状態で移動してもよい。また、基板１を移動する代わりに、エアナイフ２０ａ，２０ｂ及び温風ヒータ３０を移動することによって、基板１とエアナイフ２０ａ，２０ｂと、及び基板１と温風ヒータ３０とを相対的に移動してもよい。
【００１７】
ローラ１０により移動される基板１の基板移動方向の上流には、図示しない基板処理装置及び基板洗浄装置が配置されている。基板処理装置から基板１の表面へ現像液が供給されて、基板１の現像処理が行われる。現像処理により、基板１の表面にはフォトレジスト膜のパターンが形成される。続いて、基板洗浄装置から基板１の表面へ純水等の洗浄液が供給されて、基板１の洗浄が行われる。基板洗浄装置による洗浄後、基板１はローラ１０により基板乾燥装置へ送られる。
【００１８】
基板乾燥装置において、ローラ１０により移動される基板１の上方及び下方には、基板１の基板移動方向と直交する方向（図面奥行き方向）の幅に渡って、エアナイフ２０ａ，２０ｂが基板１と平行に設置されている。エアナイフ２０ａ，２０ｂは、例えば、長尺のケーシングの内部に加圧室を形成し、加圧室に通じるエア通路を長手方向にスリット状に設けて構成されている。図示しないエア供給源からエアナイフ２０ａ，２０ｂへ、エアが供給される。エアナイフ２０ａ，２０ｂは、エア通路の先端から、エアを基板１の表面又は裏面へ基板移動方向と反対側の向きに所定の入射角度で長手方向に渡って均一に吹き付ける。エアナイフ２０ａ，２０ｂから吹き付けたエアにより、基板１の表面及び裏面の乾燥が行われる。
【００１９】
さらに、基板移動方向の下流において、ローラ１０により移動される基板１の上方には、基板１の基板移動方向と直交する方向（図面奥行き方向）の幅に渡って、温風ヒータ３０が基板１と平行に設置されている。温風ヒータ３０は、長尺のケーシングの内部に加熱室を形成し、加熱室から吹き出し口を長手方向にスリット状に設けて構成されている。加熱室の内部には、基板１の基板移動方向と直交する方向（図面奥行き方向）の幅に渡って、ヒータ線３１が設置されている。
【００２０】
なお、ヒータ線３１の代わりに、ハロゲンランプ等からなるランプヒータを用いてもよい。
【００２１】
図示しない気体供給源から温風ヒータ３０へ、乾燥した（水蒸気の含有が少ない）エア又は窒素が供給される。温風ヒータ３０は、供給されたエア又は窒素を加熱室内でヒータ線３１により加熱し、吹き出し口から、加熱されたエア又は窒素からなる温風を基板１の表面へ長手方向に渡って均一に吹き付ける。温風ヒータ３０から吹き付けた乾燥した温風により、基板１の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥が行われる。
【００２２】
なお、以上説明した本実施の形態では、エアナイフ２０ａ，２０ｂ及び温風ヒータ３０をそれぞれ１つだけ設けているが、エアナイフ２０ａ，２０ｂ又は温風ヒータ３０を基板移動方向に２つ以上設けてもよい。
【００２３】
以上説明した実施の形態によれば、エアナイフ２０ａ，２０ｂによるエアの吹き付け後、さらに、温風ヒータ３０を用いて基板１の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことにより、基板１の現像処理後に、フォトレジスト膜のパターンの水分による膨張又は変色を、短い乾燥時間で解消することができる。
【００２４】
さらに、以上説明した実施の形態によれば、温風ヒータ３０から基板１の表面へ乾燥した温風を吹き付けて、フォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことにより、フォトレジスト膜のパターンを破壊することなく、短時間で簡単にフォトレジスト膜のパターンの仕上げ乾燥を行うことができる。
【００２５】
図２は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＣ）法等により、ガラス基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等により感光樹脂材料（フォトレジスト）を塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄工程及び乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、ガラス基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００２６】
また、図３は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、ガラス基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、ガラス基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄工程及び乾燥工程が実施される。
【００２７】
図２に示したＴＦＴ基板の製造工程では、現像工程（ステップ１０４）の後の乾燥工程において、図３に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の現像処理の後の乾燥工程において、本発明の基板乾燥装置又は基板乾燥方法を用いて基板を乾燥させることにより、フォトレジスト膜のパターンの膨張又は変色による不良の検出を防止し、かつ基板を短いタクトタイムで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施の形態による基板乾燥装置の概略構成を示す図である。
【図２】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図３】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００２９】
１  基板
１０  ローラ
２０ａ，２０ｂ  エアナイフ
３０  温風ヒータ
３１  ヒータ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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