(57)【要約】      （修正有）【課題】伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子を提供する。【解決手段】架橋性基、正孔輸送性基、電子輸送性基、発行性基等の特定の官能基を有するシロキサン系化合物およびシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも１の種の化合物、例えばトリクロロシリルエチルメチルテトラシロキンのような、化学式１のシロキサン系化合物と、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロールなどの伝電性高分子とを含む。特定官能基の中で架橋性基は必須である。さらに上記組成物中に、必要に応じてスルホン酸、ホスホン酸およびカルボン酸から選択される少なくとも１種の有機イオンおよびカウンターイオンからなる酸、硬化剤、金属ナノ粒子および無機ナノ粒子を含有することができる。2007154184.tif 000105【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１:
【化１】
2007154184.tif 000066
で表されるシロキサン系化合物、
下記化学式２:
【化２】
2007154184.tif 000067
で表されるシロキサン系化合物、
および、
下記化学式３:
【化３】
2007154184.tif 000068
で表されるシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物と、
（前記化学式１〜３において、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、−ＣＨ２（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３、−Ｏ−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６、架橋性単位由来の１価の基、正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基、発光単位由来の１価の基、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜３０のアリール基であるが、前記Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも一種は、−ＣＨ２（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３、−Ｏ−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６または架橋性単位由来の１価の基であり；
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６、Ｘ１７、Ｘ１８、Ｘ１９およびＸ２０は、互いに独立して、架橋性単位由来の１価の基、正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基、発光単位由来の１価の基、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり、Ｘ１５、Ｘ１６、Ｘ１７、Ｘ１８、Ｘ１９およびＸ２０のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり；
Ｄは、炭素数１〜２０のアルキレン基、少なくとも一種のハロゲン原子で置換された炭素数１〜２０のアルキレン基、少なくとも一種の正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基もしくは発光単位由来の１価の基で置換された炭素数１〜２０のアルキレン基または正孔輸送単位由来の２価の基であり；
ｐは、３〜８の整数であり；
ｍは、１〜１０の整数であり；
ｑは、０または１〜１０の整数であり；
ｒは、０または１〜１０の整数であり；
ｑ個のＸ１０は、互いに同一であるか、または異なり；
ｑ個のＸ１１は、互いに同一であるか、または異なり；
ｒ個のＤは、互いに同一であるか、異なる）
伝導性高分子と、
を含む、伝導性高分子組成物。
【請求項２】
前記架橋性単位は、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基またはハロゲン原子であることを特徴とする、請求項１に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項３】
前記正孔輸送単位は、
【化４】
2007154184.tif 000069
、
【化５】
2007154184.tif 000070
、
【化６】
2007154184.tif 000071
、
【化７】
2007154184.tif 000072
、
【化８】
2007154184.tif 000073
、
【化９】
2007154184.tif 000074
、
【化１０】
2007154184.tif 000075
、
【化１１】
2007154184.tif 000076
、
【化１２】
2007154184.tif 000077
および
【化１３】
2007154184.tif 000078
前記式中、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４およびＱ５は互いに独立して、Ｎ、ＯまたはＳである、からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項４】
前記電子輸送単位は、
【化１４】
2007154184.tif 000079
、
【化１５】
2007154184.tif 000080
、
【化１６】
2007154184.tif 000081
、
【化１７】
2007154184.tif 000082
、
【化１８】
2007154184.tif 000083
、
【化１９】
2007154184.tif 000084
、
【化２０】
2007154184.tif 000085
、
【化２１】
2007154184.tif 000086
、
【化２２】
2007154184.tif 000087
、
【化２３】
2007154184.tif 000088
および
【化２４】
2007154184.tif 000089
前記式中、Ｑ６、Ｑ７およびＱ８は互いに独立して、Ｎ、ＯまたはＳである、
からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項５】
前記発光単位は、炭素数６〜３０の芳香族環システムまたは炭素数５〜３０のヘテロ芳香族環システムであり、
前記芳香族環システムまたはヘテロ芳香族環システムは、一種または二種以上の環を含み、
前記二種以上の環は互いに融合されるか、または単結合もしくはビニレン基によって結合されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項６】
前記化学式１で表されるシロキサン系化合物は、
下記化学式１ａ：
【化２５】
2007154184.tif 000090
、下記化学式１ｂ：
【化２６】
2007154184.tif 000091
、下記化学式１ｃ：
【化２７】
2007154184.tif 000092
、下記化学式１ｄ：
【化２８】
2007154184.tif 000093
、下記化学式１ｅ：
【化２９】
2007154184.tif 000094
、下記化学式１ｆ：
【化３０】
2007154184.tif 000095
または、下記化学式１ｇ：
【化３１】
2007154184.tif 000096
で表されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項７】
前記化学式２で表されるシロキサン系化合物は、
下記化学式２ａ：
【化３２】
2007154184.tif 000097
、下記化学式２ｂ：
【化３３】
2007154184.tif 000098
、下記化学式２ｃ：
【化３４】
2007154184.tif 000099
または、下記化学式２ｄ：
【化３５】
2007154184.tif 000100
で表されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項８】
前記化学式３を持つシラン系化合物は、
下記化学式３ａ：
【化３６】
2007154184.tif 000101
、
下記化学式３ｂ：
【化３７】
2007154184.tif 000102
、
下記化学式３ｃ：
【化３８】
2007154184.tif 000103
、
または下記化学式３ｄ：
【化３９】
2007154184.tif 000104
で表されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項９】
前記伝導性高分子は、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリビニレンフェニレン、ポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（アリールアミン）およびこれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１０】
前記化学式１で表されるシロキサン系化合物、前記化学式２で表されるシロキサン系化合物および前記化学式３で表されるシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物と、
前記伝導性高分子と、
は、０．１：９９．９〜２０：８０の質量比で存在することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１１】
酸をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１２】
前記酸は、Ｃ、Ｓ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｆ、ＣｌおよびＨからなる群から選択される少なくとも一種の原子と、
ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数６〜３０のアリールアミノ基、炭素数１〜２０のアルキルエポキシ基、ビニル基、炭素数１〜２０のアルキルメルカプト基、アセトキシ基、チオール基およびイミド基からなる群から選択される少なくとも一種の官能基と、
の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１３】
前記酸は、
スルホン酸、ホスホン酸およびカルボン酸からなる群から選択される少なくとも一種を含む有機イオンと、
Ｈまたはアルカリ金属イオンである対イオンと、
を含むことを特徴とする、請求項１１または１２に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１４】
硬化剤をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１５】
金属ナノ粒子をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１６】
無機物ナノ粒子をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の伝導性高分子組成物を含む膜を備えたことを特徴とする、電子素子。
【請求項１８】
前記電子素子は、有機発光素子であることを特徴とする、請求項１７に記載の電子素子。
【請求項１９】
前記膜は、正孔注入層または正孔輸送層であることを特徴とする、請求項１７または１８に記載の電子素子。
【請求項２０】
前記電子素子は、太陽電池素子、エレクトロクロミック素子、電気泳動素子、有機薄膜トランジスタまたは有機メモリ素子であることを特徴とする、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子に関する。より詳しくは、シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物のうち一種以上ならびに伝導性高分子を含む伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代電子素子として、多様な電子素子、例えば、発光素子、太陽電池素子、エレクトロクロミック素子、電気泳動素子、有機薄膜トランジスタまたは有機メモリ素子などについての活発な研究が行われている。
【０００３】
前記発光素子は自発光型素子であり、視野角が広くてコントラストが優れているだけでなく、応答時間が速いという利点を持っている。前記発光素子は、発光層に無機化合物を使用する無機発光素子と、有機化合物を使用する有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ：ＯＬＥＤ）とに大別できるが、有機発光素子は、無機発光素子に比べて輝度、駆動電圧および応答速度特性が優れており、多色化が可能であるという点で多くの研究がなされている。
【０００４】
有機発光素子は、一般的にアノード／有機発光層／カソードの積層構造を持ち、アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソードまたはアノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／カソードのような多様な構造も持つことができる。
【０００５】
特許文献１には、Ｃｕ電極／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ：ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（４−スチレンスルホン酸））から得た膜／発光層／カソードからなる構造を持つ有機薄膜半導体素子が開示されている。
【０００６】
しかし、前記ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜のうち、ＰＳＳは吸湿性が非常に強く（空気中で約２５％）、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜には、多量の水分が存在しうる。一方、前記ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜には、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの合成過程で使われる触媒、金属イオン（Ｎａイオンなど）および硫酸塩（ｓｕｌｆａｔｅ）などの副産物が存在しうる。前記副産物は電子と反応してＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜に硫酸塩を生成させうる。また、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜下部のアノードとしてＩＴＯまたはＩＺＯを使用する場合、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの強酸性（ｐＨ：約１．８）のために前記アノードがエッチングされることによって発生するインジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）などがＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜に、不純物として存在しうる。
【０００７】
すなわち、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳから得た膜は、前述したような理由で、各種不純物および水分を含有しうるため、これらが発光層に広がる場合、素子としての機能性および寿命の低下を招く虞がある。したがって、その改善が必要である。
【特許文献１】国際公開第００／６５６５３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物および伝導性高分子を含む伝導性高分子組成物を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、これから得た膜を備えた電子素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記本発明の課題を解決するために、本発明の第１態様は、
下記化学式１:
【００１１】
【化１】
2007154184.tif 000002
【００１２】
で表されるシロキサン系化合物、
下記化学式２:
【００１３】
【化２】
2007154184.tif 000003
【００１４】
で表されるシロキサン系化合物、
および、
下記化学式３:
【００１５】
【化３】
2007154184.tif 000004
【００１６】
で表されるシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物と、
（前記化学式１〜３において、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、−ＣＨ２（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３、−Ｏ−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６、架橋性単位由来の１価の基、正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基、発光単位由来の１価の基、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜３０のアリール基であるが、前記Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも一種は、−ＣＨ２（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３、−Ｏ−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６または架橋性単位由来の１価の基であり；
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６、Ｘ１７、Ｘ１８、Ｘ１９およびＸ２０は、互いに独立して、架橋性単位由来の１価の基、正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基、発光単位由来の１価の基、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり、Ｘ１５、Ｘ１６、Ｘ１７、Ｘ１８、Ｘ１９およびＸ２０のうち少なくとも一種は、架橋性単位由来の１価の基であり；
Ｄは、炭素数１〜２０のアルキレン基、少なくとも一種のハロゲン原子で置換された炭素数１〜２０のアルキレン基、少なくとも一種の正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基もしくは発光単位由来の１価の基で置換された炭素数１〜２０のアルキレン基または正孔輸送単位由来の２価の基であり；
ｐは、３〜８の整数であり；
ｍは、１〜１０の整数であり；
ｑは、０または１〜１０の整数であり；
ｒは、０または１〜１０の整数であり；
ｑ個のＸ１０は、互いに同一であるか、または異なり；
ｑ個のＸ１１は、互いに同一であるか、または異なり；
ｒ個のＤは、互いに同一であるか、異なる）
伝導性高分子と、
を含む、伝導性高分子組成物を提供する。
【００１７】
本発明の第２態様は、前述したような伝導性高分子組成物を含む膜を備えた電子素子を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による伝導性高分子組成物は、前記化学式１を持つシロキサン系化合物、前記化学式２を持つシロキサン系化合物および前記化学式３を持つシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物ならびに伝導性高分子を含むところ、このような伝導性高分子組成物を含む膜は、前記化合物と伝導性高分子との間に形成されたネットワークによって優れた電気的特性および耐久性を持つことができる。したがって、このような膜を利用すれば優れた電気的特性および寿命を持つ電子素子を得ることができる。
【００１９】
付言すると、前記伝導性高分子組成物は、伝導性高分子以外に、伝導性高分子鎖間のネットワークを形成でき、ＩＴＯまたはＩＺＯのような電極材料との接着力も優れたシロキサン系化合物および／またはシラン系化合物を含むところ、このような伝導性高分子組成物を含む膜を備えた電子素子は優れた電気的特性および長寿命を持つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００２１】
本発明による伝導性高分子組成物は、シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物ならびに伝導性高分子を含む。前記シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物は、伝導性高分子鎖間のネットワークを形成する役割を果たしうる。かような態様によって、前記伝導性高分子組成物を含む膜のうち伝導性高分子鎖の移動性が制限されて、各種不純物（例えば、アノードから由来した不純物など）および水分が他の層へ移動することが防止される。したがって、前記伝導性高分子組成物を含む膜を備えた電子素子の電気的特性および寿命が向上できる。
【００２２】
より具体的には、本発明による伝導性高分子組成物は、
下記化学式１：
【００２３】
【化４】
2007154184.tif 000005
【００２４】
で表されるシロキサン系化合物、
下記化学式２：
【００２５】
【化５】
2007154184.tif 000006
【００２６】
で表されるシロキサン系化合物および、
下記化学式３：
【００２７】
【化６】
2007154184.tif 000007
【００２８】
で表されるシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物と、伝導性高分子と、を含むことができる。
【００２９】
前記化学式１〜３において、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、−ＣＨ２（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３、−Ｏ−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６、架橋性単位由来の１価の基、正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基、発光単位由来の１価の基、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基）または炭素数６〜３０のアリール基（好ましくは、Ｃ６−Ｃ１５アリール基）でありうる。
【００３０】
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、テトラデシル基、オクタデシル基およびイコシル基などが挙げられるが、これらに制限されるものではない。
【００３１】
炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ベンジル、フェネチル、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−トリル、２，３−若しくは２，４−キシリル、メシチル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、ビフェニリル、ベンズヒドリル、トリチル及びピレニルなどが挙げられるが、これらに制限されるものではない。
【００３２】
この際、前記Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも一種は必ず、−ＣＨ２（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３、−Ｏ−ＳｉＸ４Ｘ５Ｘ６または架橋性単位由来の１価の基である。
【００３３】
前記化学式ならびにＲ１およびＲ２のうち、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｘ１５、Ｘ１６、Ｘ１７、Ｘ１８、Ｘ１９およびＸ２０は互いに独立して、架橋性単位由来の１価の基、正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基、発光単位由来の１価の基、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基）でありうる。
【００３４】
この際、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３のうち少なくとも一種は必ず架橋性単位由来の１価の基であり、好ましくはすべて架橋性由来の１価の基であり；Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち少なくとも一種は必ず架橋性単位由来の１価の基であり、好ましくは少なくとも二種は架橋性由来の１価の基であり；Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３およびＸ１４のうち少なくとも一種は必ず架橋性単位由来の１価の基であり、好ましくは、少なくとも二種が架橋性単位由来の１価の基であり；Ｘ１５、Ｘ１６、Ｘ１７、Ｘ１８、Ｘ１９およびＸ２０のうち少なくとも一種は必ず架橋性単位由来の１価の基であり、好ましくは少なくとも五種が架橋性単位由来の１価の基である。
【００３５】
すなわち、前記化学式１で表されるシロキサン系化合物、前記化学式２で表されるシロキサン系化合物および前記化学式３で表されるシラン系化合物は、少なくとも一種の架橋性単位由来の１価の基を必ず含む。これにより、伝導性高分子鎖間のネットワークが効果的に形成できる。
【００３６】
前記化学式３のうち、Ｄは、炭素数１〜２０のアルキレン基（好ましくは、炭素数１〜１０のアルキレン基）、少なくとも一種のハロゲン原子に置換された炭素数１〜２０のアルキレン基（好ましくは、少なくとも一種のハロゲン原子に置換された炭素数１〜１０のアルキレン基）、少なくとも一種の正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基もしくは発光単位由来の１価の基に置換された炭素数１〜２０のアルキレン基（好ましくは、少なくとも一種の正孔輸送単位由来の１価の基、電子輸送単位由来の１価の基もしくは発光単位由来の１価の基に置換された炭素数１〜１０のアルキレン基）または正孔輸送単位由来の２価の基でありうる。前記「正孔輸送単位由来の２価の基」とは、前記化学式３のうち、Ｄが２価であることを考慮した表現である。
【００３７】
炭素数１〜２０のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、デシレン基などが挙げられ、これらは分岐鎖を有しても、直鎖であってもよい。ただ、これらに限定されるものではないことはいうまでもない。
【００３８】
前記化学式のうち、ｐは、好ましくは３〜８の整数であり、より好ましくは４〜６であり；ｍは、好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは１〜７であり；ｑは、好ましくは０または１〜１０の整数であり、より好ましくは０または１〜５であり；ｒは、好ましくは０または１〜１０の整数であり、より好ましくは２〜５でありうる。
【００３９】
一方、前記化学式のうち、ｑ個のＸ１０は、互いに同一であるか、または異なり、ｑ個のＸ１１は、互いに同一であるか、または異なり、ｒ個のＤは、互いに同一であるか、または異なる。
【００４０】
前記化学式のうち、前記架橋性単位由来の１価の基は、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基またはハロゲン原子であるが、これに限定されるものではない。
【００４１】
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ、フルフリルオキシ基およびアリールオキシ基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４２】
前記化学式のうち、前記正孔輸送単位は、
【００４３】
【化７】
2007154184.tif 000008
【００４４】
、
【００４５】
【化８】
2007154184.tif 000009
【００４６】
、
【００４７】
【化９】
2007154184.tif 000010
【００４８】
、
【００４９】
【化１０】
2007154184.tif 000011
【００５０】
、
【００５１】
【化１１】
2007154184.tif 000012
【００５２】
、
【００５３】
【化１２】
2007154184.tif 000013
【００５４】
、
【００５５】
【化１３】
2007154184.tif 000014
【００５６】
、
【００５７】
【化１４】
2007154184.tif 000015
【００５８】
、
【００５９】
【化１５】
2007154184.tif 000016
【００６０】
および
【００６１】
【化１６】
2007154184.tif 000017
【００６２】
この際、前記Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４およびＱ５は、互いに独立して、Ｎ、ＯまたはＳである、からなる群から選択される少なくとも一種であるが、これらに限定されるものではない。
【００６３】
前記正孔輸送単位は、１価の基または２価の基の形態で前記化学式に含まれうるということを当業者であれば容易に理解できる。本明細書において正孔輸送単位の結合手の位置には特に制限はなく、ベンゼン環のメタ位、パラ位、オルト位のいずれでもありうる。好ましい結合手の位置を有する正孔輸送単位は、以下の化学式で表される。
【００６４】
【化１７】
2007154184.tif 000018
【００６５】
前記化学式のうち、前記電子輸送単位は、
【００６６】
【化１８】
2007154184.tif 000019
【００６７】
、
【００６８】
【化１９】
2007154184.tif 000020
【００６９】
、
【００７０】
【化２０】
2007154184.tif 000021
【００７１】
、
【００７２】
【化２１】
2007154184.tif 000022
【００７３】
、
【００７４】
【化２２】
2007154184.tif 000023
【００７５】
、
【００７６】
【化２３】
2007154184.tif 000024
【００７７】
、
【００７８】
【化２４】
2007154184.tif 000025
【００７９】
、
【００８０】
【化２５】
2007154184.tif 000026
【００８１】
、
【００８２】
【化２６】
2007154184.tif 000027
【００８３】
、
【００８４】
【化２７】
2007154184.tif 000028
【００８５】
および
【００８６】
【化２８】
2007154184.tif 000029
【００８７】
からなる群から選択されるいずれか一種であるが、これらに限定されるものではない。
【００８８】
この際、前記Ｑ６、Ｑ７、Ｑ８は、互いに独立して、Ｎ、ＯまたはＳである。前記電子輸送単位は、１価の基の形態で前記化学式に含まれうるということを当業者であれば容易に理解できる。
【００８９】
本明細書において電子輸送単位の結合手の位置には特に制限はなく、ベンゼン環のメタ位、パラ位、オルト位のいずれでもありうる。好ましい結合手の位置を有する電子輸送単位は、以下の化学式で表される。
【００９０】
【化２９】
2007154184.tif 000030
【００９１】
前記化学式のうち、前記発光単位は、炭素数６〜３０の芳香族環システム（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｃｙｃｌｉｃ  ｓｙｓｔｅｍ）または炭素数５〜３０のヘテロ芳香族環システム（ｈｅｔｅｒｏ  ａｒｏｍａｔｉｃ  ｃｙｃｌｉｃ  ｓｙｓｔｅｍ）であり、前記芳香族環システムまたはヘテロ芳香族環システムは一種または二種以上の環を含み、前記二種以上の環は、互いに融合されるか、単結合またはビニレン基によって結合されうる。
【００９２】
前記発光単位は、たとえば、
【００９３】
【化３０】
2007154184.tif 000031
【００９４】
、
【００９５】
【化３１】
2007154184.tif 000032
【００９６】
、
【００９７】
【化３２】
2007154184.tif 000033
【００９８】
、
【００９９】
【化３３】
2007154184.tif 000034
【０１００】
、
【０１０１】
【化３４】
2007154184.tif 000035
【０１０２】
、
【０１０３】
【化３５】
2007154184.tif 000036
【０１０４】
および
【０１０５】
【化３６】
2007154184.tif 000037
【０１０６】
からなる群から選択される少なくとも一種が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０７】
前記発光単位は、１価の基の形態で前記化学式に含まれうるということを当業者であれば容易に理解できる。
【０１０８】
本明細書において発光単位の結合手の位置には特に制限はなく、ベンゼン環のメタ位、パラ位、オルト位のいずれでもありうる。好ましい結合手の位置を有する発光単位は、以下の化学式で表される。
【０１０９】
【化３７】
2007154184.tif 000038
【０１１０】
前記発光単位のうち、少なくとも１部は、前述したような正孔輸送単位または電子輸送単位にも含まれうるが、これらは正孔輸送能力または電子輸送能力だけでなく発光能力も持つ単位として理解されうる。
【０１１１】
前記アルキル基、アリール基、正孔輸送単位、電子輸送単位および発光単位などは、非置換または、−Ｆ；−Ｃｌ；−Ｂｒ；−ＣＮ；−ＮＯ２もしくは−ＯＨで置換されるか；非置換または、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換された炭素数１〜２０のアルキル基であるか；非置換または、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換された炭素数１〜２０のアルコキシ基であるか；非置換または、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換された炭素数６〜３０のアリール基であるか；非置換または、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換された炭素数２〜３０のヘテロアリール基であるか；あるいは、非置換または、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換された炭素数５〜２０のシクロアルキル基であるか；非置換または、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ２もしくは−ＯＨに置換された炭素数５〜３０のヘテロシクロアルキル基；に、選択的に置換されうる。
【０１１２】
本発明の一実施例によれば、前記化学式１で表されるシロキサン系化合物は、
下記化学式１ａ：
【０１１３】
【化３８】
2007154184.tif 000039
【０１１４】
、
下記化学式１ｂ：
【０１１５】
【化３９】
2007154184.tif 000040
【０１１６】
、
下記化学式１ｃ：
【０１１７】
【化４０】
2007154184.tif 000041
【０１１８】
、
下記化学式１ｄ：
【０１１９】
【化４１】
2007154184.tif 000042
【０１２０】
、
下記化学式１ｅ：
【０１２１】
【化４２】
2007154184.tif 000043
【０１２２】
、
下記化学式１ｆ：
【０１２３】
【化４３】
2007154184.tif 000044
【０１２４】
または下記化学式１ｇ：
【０１２５】
【化４４】
2007154184.tif 000045
【０１２６】
で表されうるが、これに限定されるものではない。
【０１２７】
本発明の他の一実施例によれば、前記化学式２で表されるシロキサン系化合物は、
下記化学式２ａ：
【０１２８】
【化４５】
2007154184.tif 000046
【０１２９】
、
下記化学式２ｂ：
【０１３０】
【化４６】
2007154184.tif 000047
【０１３１】
、
下記化学式２ｃ：
【０１３２】
【化４７】
2007154184.tif 000048
【０１３３】
、
または下記化学式２ｄ：
【０１３４】
【化４８】
2007154184.tif 000049
【０１３５】
で表すことができるが、これらに限定されるものではない。
【０１３６】
本発明によるさらに他の一実施例によれば、前記化学式３を表されるシラン系化合物は、下記化学式３ａ：
【０１３７】
【化４９】
2007154184.tif 000050
【０１３８】
、
下記化学式３ｂ：
【０１３９】
【化５０】
2007154184.tif 000051
【０１４０】
、
下記化学式３ｃ：
【０１４１】
【化５１】
2007154184.tif 000052
【０１４２】
、
または下記化学式３ｄ：
【０１４３】
【化５２】
2007154184.tif 000053
【０１４４】
で表すことができるが、これらに限定されるものではない。本発明による伝導性高分子組成物は、前記シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物以外に、伝導性高分子を含む。
【０１４５】
前記伝導性高分子は、伝導性を持つ通常の高分子ならば特に限定されないが、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリビニレンフェニレン、ポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（アリールアミン）およびこれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。
【０１４６】
本発明による伝導性高分子組成物のうち、前記化学式１で表されるシロキサン系化合物、前記化学式２で表されるシロキサン系化合物および前記化学式３で表されるシラン系化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物と、前記伝導性高分子とは、好ましくは０．１：９９．９〜２０：８０の重量比、より好ましくは０．１：９９．９〜１０：９０の重量比で存在できる。
【０１４７】
前記シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物の含有量が、前述したような重量比の範囲を外れて過度に少ない場合、伝導性高分子鎖間のネットワーク形成効果が微小となる虞があり、前記シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物の含有量が前述したような重量比の範囲を外れて過度に多い場合、これから得た膜の伝導度が大きく低下する虞がある。
【０１４８】
本発明による伝導性高分子組成物は、酸をさらに含むことができる。前記酸は、Ｃ、Ｓ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｆ、ＣｌおよびＨからなる群から選択される少なくとも一種の原子を含み、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルキルヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素数６〜３０のアリール基、炭素数１〜２０のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数６〜３０のアリールアミノ基、炭素数１〜２０のアルキルエポキシ基、ビニル基、炭素数１〜２０のアルキルメルカプト基、アセトキシ基、チオール基およびイミド基からなる群から選択される少なくとも一種の官能基を含むことができる。
【０１４９】
炭素数６〜３０のアリールアミノ基としては、アニリノ基、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−トルイジノ基、１，２−若しくは１，３−キシリジノ基、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−メトキシアニリノなどが挙げられるが、これらに制限されるものではない。
【０１５０】
より具体的に、前記酸は、スルホン酸、ホスホン酸またはカルボン酸である有機イオンとＨまたはアルカリ金属イオンが対イオン（ｃｏｕｎｔｅｒ  ｉｏｎ）を含むことができる。
【０１５１】
前述の通り、本発明による伝導性高分子組成物は、酸をさらに含むことができ、前記酸は、前記伝導性高分子と対をなしうるが、例えば、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンフルスルホン酸）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホン酸））またはＰａｎｉ／ＰＡＡＭＰＳＡ（ポリアニリン／ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸））のような形態で存在できる。
【０１５２】
【化５３】
2007154184.tif 000054
【０１５３】
【化５４】
2007154184.tif 000055
【０１５４】
本発明による伝導性高分子組成物は硬化剤をさらに含むことができる。前記硬化剤は、シロキサン系化合物および／またはシラン系化合物を補助して、伝導性高分子間のネットワーク形成を促進しうる。前記硬化剤としては、従来公知の物質を使用できる。例えば、エポキシ系硬化剤、アクリレート系硬化剤などを使用できるが、これに限定されるものではない。
【０１５５】
本発明による伝導性高分子組成物は、金属ナノ粒子をさらに含むことができる。前記金属ナノ粒子は、伝導性高分子組成物を含む膜の導電性をさらに向上させる役割を行う。
【０１５６】
前記金属ナノ粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｄおよびＰｔナノ粒子からなる群から選択される少なくとも一種でありうる。前記金属ナノ粒子は、好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍの平均粒子径を持ちうる。前記金属ナノ粒子の平均粒子径が５ｎｍ未満である場合、ナノ粒子同士で容易に凝集する問題点が発生する虞があり、前記金属ナノ粒子の平均粒子径が２０ｎｍを超える場合、膜の表面平滑性を調節できない問題点が発生する虞がある。
【０１５７】
また、本発明による伝導性高分子組成物は、無機物ナノ粒子をさらに含むことができる。前記無機物ナノ粒子は、これを含む伝導性高分子組成物を利用して膜を形成する場合に前記膜に分散されて、伝導性高分子鎖間のネットワークの伝導性を向上させ、前記ネットワークを強化する役割を行いうる。
【０１５８】
前記無機物ナノ粒子は、クレー、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２ナノ粒子からなる群から選択される少なくとも一種でありうる。前記無機物ナノ粒子は、好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍの平均粒子径を持ちうる。前記無機物ナノ粒子の平均粒子径が５ｎｍ未満である場合、ナノ粒子同士で容易に凝集する問題点が発生し、前記無機物ナノ粒子の平均粒子径が２０ｎｍを超過する場合、膜の表面平滑性を調節できない問題点が発生する虞がある。
【０１５９】
前記伝導性高分子組成物を利用して膜を形成するためには、例えば、前記組成物を所定の溶媒に溶解または分散させた後、これを所定の基板上にコーティングした後、乾燥および／または熱処理する段階を経ることができる。
【０１６０】
前記溶媒は、前述したような伝導性高分子組成物に所定の粘度を提供する役割を果たしうる。前記溶媒は、前記伝導性高分子組成物を、溶解または分散させうるものならば特に限定されない。前記溶媒の例には、水、アルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジメチルホルムアミドおよびジメチルスルホキシドからなる群から選択される少なくとも一種などが含まれるが、これに限定されるものではない。
【０１６１】
この後、前記伝導性高分子組成物を所定の基板上にコーティングするが、この際、従来公知の多様なコーティング法、例えばスピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェットプリンティング法、ノズルプリンティング法などを使用できる。この後、コーティングされた膜を乾燥および／または熱処理することで膜を完成させることができる。
【０１６２】
前述したような伝導性高分子組成物を含む膜は、各種電子素子の伝導性膜として使われるのに適している。前記電子素子の例には、有機発光素子、太陽電池素子、エレクトロクロミック素子、電気泳動素子、有機薄膜トランジスタまたは有機メモリ素子などが含まれるが、これに限定されるものではない。
【０１６３】
特に、前記電子素子は有機発光素子でありうる。前記有機発光素子は、一般的に第１電極、第２電極および第１電極と第１電極との間に発光層を備え、前記第１電極と第２電極との間に正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子阻止層、電子輸送層および電子注入層からなる群から選択される少なくとも一種の層をさらに備えることができるなど、非常に多様な構造を持つことができる。
【０１６４】
前記電子素子が有機発光素子である場合、本発明による伝導性高分子組成物を含む膜は正孔注入層または正孔輸送層として好適に使われる。
【０１６５】
より具体的に、本発明による電子素子のうち一実施例である有機発光素子の概略的な構造は、図１Ａ〜図１Ｃを参照されたい。図１Ａの有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極から形成される構造を持ち、図１Ｂの有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極から形成される構造を持つ。また、図１Ｃの有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を持つ。または、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極から形成される構造を持つことができるなど多様な変形が可能であるということは言うまでもない。
【０１６６】
本発明による有機発光素子の発光層は、赤色、緑色、青色または白色を含む燐光または蛍光ドーパントを含むことができる。この際、前記燐光ドーパントはＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、ＴｂおよびＴｍからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む有機金属化合物でありうる。
【０１６７】
以下、本発明による有機発光素子の製造方法を、図１Ｃに図示された有機発光素子を参照して説明する。
【０１６８】
まず基板上に高い仕事関数を持つ第１電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法により形成して第１電極を形成することができる。前記第１電極は、アノードでありうる。ここで基板としては、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用するが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性および防水性の優秀さを考慮すると、ガラス基板または透明プラスチック基板が好ましい。第１電極用物質としては、透明で伝導性の優れた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが使用できるが。これらに限定されるわけではない。
【０１６９】
次いで、前記第１電極の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェットプリンティング法、ノズルプリンティング法、スプレイプリンティング法、有機蒸気ジェットプリンティング法、有機蒸気相蒸着法、キャスト法またはＬＢ法のような多様な方法を利用して、正孔注入層（ＨＩＬ）を形成できる。
【０１７０】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造および熱的特性によって異なるが、一般的に蒸着温度１００〜５００℃、真空度１．３３×１０−１０〜１．３３×１０−５Ｐａ（１０−８〜１０−３Ｔｏｒｒ）、蒸着速度０．０１〜１００Å／ｓｅｃ範囲で適宜選択することが望ましい。
【０１７１】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造および熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後に溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲で適宜選択することが望ましい。
【０１７２】
前記正孔注入層は、前述したような本発明による伝導性高分子組成物を利用して形成できる。これとは別個に、前記正孔注入層物質は公知の正孔注入層物質、例えば、米国特許第４，３５６，４２９号明細書に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはＡｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，６，ｐ．６７７（１９９４）に記載されているスターバスト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＰＢ、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、例えば、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ  ＧｍｂＨ社製のＢａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ｓｅｒｉｅｓ製品など）、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ、ＰＡＮＩ／ＰＳＳまたはＰａｎｉ／ＰＡＡＭＰＳＡなどが使われうるが、これに限定されるものではない。
【０１７３】
前記正孔注入層の厚さは、約５０Å〜１００００Å、好ましくは５０Å〜１０００Åでありうる。前記正孔注入層の厚さが５０Å未満である場合、正孔注入特性が低下する虞があり、前記正孔注入層の厚さが１００００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇する虞があるためである。
【０１７４】
次いで、前記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェットプリンティング法、ノズルプリンティング法、スプレイプリンティング法、有機蒸気ジェットプリンティング法、有機蒸気相蒸着法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成できる。真空蒸着法およびスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件およびコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
【０１７５】
前記正孔輸送層は、前述したような本発明による伝導性高分子組成物を利用して形成されうる。これとは別個に、正孔輸送層物質は公知の正孔輸送層材料、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（例えば、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ  ＧｍｂＨ社製のＢａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ｓｅｒｉｅｓ製品）などの芳香族縮合環を持つ通常的なアミン誘導体のような公知の正孔輸送物質を使用できるが、これに限定されるものではない。
【０１７６】
前記正孔輸送層の厚さは約５０Å〜１０００Å、好ましくは１００Å〜６００Åでありうる。前記正孔輸送層の厚さが５０Å未満である場合、正孔輸送特性が低下する虞があり、前記正孔輸送層の厚さが１０００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇する虞があるからである。
【０１７７】
次いで、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して発光層（ＥＭＬ）を形成できる。真空蒸着法およびスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で選択される。
【０１７８】
前記発光層は、従来公知の発光層形成材料を利用できる。前記発光層形成材料は、ポリフルオレン系高分子、ポリフェニレン系高分子、ポリフェニレンビニレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリキノリン系高分子、ポリピロール系高分子、ポリアセチレン系高分子、スピロフルオレン系高分子（例えば、スピロアントラセン構造を持つインデノフルオレン反復単位を含むスピロフルオレン系高分子）、シクロペンタフェナントレン系高分子、インドールカルバゾール単位またはフェノキサジン単位を含むポリアリーレン系高分子およびこれらの誘導体を含む群から選択される少なくとも一種の高分子でありうるが、これらに限定されるものではない。
【０１７９】
また高分子ではない、低分子およびオリゴマー形態の発光材料を使うことができ、ホストとドーパントとの組み合わせでもよいが、ホスト材料の場合、例えば、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール））またはｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）などを使用できるが、これらに限定されるものではない。ドーパント材料の場合、蛍光ドーパントとしては出光社製のＩＤＥ１０２、ＩＤＥ１０５および林原社製やＬＵＭＩＴＥＣ  社製のＣ５４５Ｔなどを使用でき、燐光ドーパントとしては赤色燐光ドーパントＰｔＯＥＰ、ＵＤＣ社製のＲＤ  ６１、緑色燐光ドーパントＩｒ（ＰＰｙ）３（ＰＰｙ＝２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）、青色燐光ドーパントであるＦ２Ｉｒｐｉｃなどを使用できるが、これらに限定されるものではない。
【０１８０】
前記発光層形成材料は、従来公知のものを使用でき、それらは、例えば、大韓民国特開第２００５−００７７３６７号明細書、大韓民国特開第２００５−００５６００１号明細書、大韓民国特開第２００５−００３２６９１号明細書、大韓民国特開第２００４−００５６６６２号明細書、大韓民国特開第２００３−００９７６５８号明細書および米国特許第６，９００，２８５号明細書、米国特許第６，６０５，３７３号明細書、米国特許第５，７２８，８０１号明細書などに開示されている。なお、前記文献は、参考のために本明細書に引用される。
【０１８１】
ドーピング濃度は、特に制限されないが、一般的にホスト１００質量部に対して、前記ドーパントの含有量は、０．０１〜１５質量部である。
【０１８２】
前記発光層の厚さは、好ましくは約１００Å〜２０００Å、より好ましくは２００Å〜１０００Åでありうる。前記発光層の厚さが１００Å未満である場合、発光特性は低下する虞があり、前記発光層の厚さが２０００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇する虞があるからである。
【０１８３】
発光層に燐光ドーパントが使用される場合には、三重項励起子または正孔が電子輸送層に広がる現象を防止するため、前記正孔輸送層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェットプリンティング法、ノズルプリンティング法、スプレイプリンティング法、有機蒸気ジェットプリンティング法、有機蒸気相蒸着法、キャスト法またはＬＢ法のような方法を利用して、正孔阻止層（ＨＢＬ）を形成できる。真空蒸着法およびスピンコーティング法により正孔阻止層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で適宜選択される。使用可能な従来公知の正孔阻止材料は、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体またはＢＣＰなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【０１８４】
前記正孔阻止層の厚さは、好ましくは約５０Å〜１０００Å、より好ましくは１００Å〜３００Åでありうる。前記正孔阻止層の厚さが５０Å未満である場合、正孔阻止特性が低下する虞があり、前記正孔阻止層の厚さが１０００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇する虞があるためである。
【０１８５】
次いで、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェットプリンティング法、ノズルプリンティング法、スプレイプリンティング法、有機蒸気ジェットプリンティング法、有機蒸気相蒸着法またはキャスト法などの多様な方法を利用して形成することができる。真空蒸着法およびスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲内で適宜選択される。
【０１８６】
前記電子輸送層材料は、電子注入電極（カソード）から注入された電子を安定的に輸送する機能を果たすものであって、キノリン誘導体、特にトリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺ、Ｂａｌｑのような従来公知の材料を使用してもよい。
【０１８７】
前記電子輸送層の厚さは、好ましくは約１００Å〜１０００Å、より好ましくは２００Å〜５００Åでありうる。前記電子輸送層の厚さが１００Å未満である場合、電子輸送特性が低下し、前記電子輸送層の厚さが１０００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇する虞があるためである。
【０１８８】
また電子輸送層の上部に、陰極から電子の注入を容易にする機能を持つ物質の電子注入層（ＥＩＬ）が積層されてもよい。電子注入層（ＥＩＬ）としては、特に制限されず、従来公知のものを使用することができる。
【０１８９】
電子注入層としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２ＯまたはＢａＯのような電子注入層形成材料としての従来公知の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に真空蒸着によって形成され、蒸着速度は、好ましくは０．０１Å／ｓ〜１Å／ｓ、より好ましくは０．１Å／ｓ〜０．５Å／ｓの範囲内である。蒸着速度が０．０１Å／ｓ未満である。これらの範囲を逸脱すると、正確な厚さを保証できないだけでなく、蒸着工程時間が増加する虞がある。一方、蒸着速度が１Å／ｓを超過する場合、電子注入層の厚さ調節が困難となる虞がある。
【０１９０】
前記電子注入層の厚さは、好ましくは約１Å〜５００Å、より好ましくは５Å〜５０Åである。前記電子注入層の厚さが１Å未満である場合、電子注入特性が低下する虞があり、前記電子注入層の厚さが５００Åを超過する場合、駆動電圧が上昇する虞があるためである。
【０１９１】
最後に電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を利用して第２電極を形成できる。前記第２電極は、カソードとして使われうる。前記第２電極形成用金属としては、低い仕事関数を持つ金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を使用できる。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、アルミニウム−バリウム（Ａｌ−Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）およびマグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透過型カソードを使用してもよい。
【０１９２】
以下、化合物１ａ〜化合物１ｆ、化合物２ａ〜化合物２ｂ（化合物番号は前述した化学式番号に対応する）の合成例および実施例を具体的に例示するが、本発明の技術的範囲が、下記の合成例および実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【実施例】
【０１９３】
合成例１：化合物１ａの合成
２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン２９．０１４ｍｍｏｌ（１０．０ｇ）とキシレン溶液に溶解しているプラチナ（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン化合物０．１６４ｇをフラスコに投入した後、ジエチルエーテル３００ｍｌを入れて希釈させた。
【０１９４】
次いで、反応容器の温度を−７８℃まで下げた後、トリクロロシラン１２７．６６ｍｍｏｌ（１７．２９ｇ）を徐々に加えた後、反応温度を徐々に常温まで昇温させた。以後常温で２０時間反応を進行させ、１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）程度の減圧下で、揮発性物質を除去した。これにペンタン１００ｍｌを加えて１時間攪拌した後、セライトを通じてろ過して溶液を得て、再びこの溶液から１３．３Ｐａ程度の減圧下でペンタンを除去して下記の構造を持つ液状化合物：
【０１９５】
【化５５】
2007154184.tif 000056
【０１９６】
を得た。
【０１９７】
前記液状化合物１１．２８ｍｍｏｌ（１０．０ｇ）をテトラヒドロフラン５００ｍｌに希釈させて、トリエチルアミン１３６．７１ｍｍｏｌ（１３．８３ｇ）を添加した。
【０１９８】
次いで、反応温度を−７８℃まで下げ、メチルアルコール１３６．７１ｍｍｏｌ（４．３８ｇ）を徐々に加えた後、反応温度を徐々に常温まで昇温させた。常温で１５時間反応を進行させた後、セライトを通じてろ過し、１３．３Ｐａ程度の減圧下で揮発性物質を除去した。これにペンタン１００ｍｌを加えて１時間攪拌した後、セライトを通じてろ過して無色の透明な溶液を得て、再びこの溶液から１３．３Ｐａ程度の減圧下でペンタンを除去して、下記化学式１ａ：
【０１９９】
【化５６】
2007154184.tif 000057
【０２００】
で表される化合物１ａを得た。
【０２０１】
前記化合物１ａをＣＤＣｌ３に溶解し、測定したＮＭＲ結果は次の通りである：１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）：δ０．０９（ｓ，１２Ｈ，４×−ＣＨ３），０．５２〜０．６４（ｍ，１６Ｈ，４×−ＣＨ２ＣＨ２−），３．５８（ｓ，３６Ｈ，４×−［ＯＣＨ３］３）。
【０２０２】
合成例２：化合物１ｂの合成
２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン８．３２ｍｍｏｌ（２．０ｇ）とキシレン溶液に溶解しているプラチナ（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン化合物０．０３４ｇをフラスコに投入した後、トルエン１００ｍｌを入れて希釈させ、トリメトキシ（７−オクテン−１−イル）シラン３３．３６ｍｍｏｌ（７．７５ｇ）を徐々に加えた後、反応温度を徐々に７５℃まで昇温させた。続いて、３６時間反応を進行させた後、１３．３Ｐａ減圧下で揮発性物質を除去した。これにペンタン１００ｍｌを加えて１時間攪拌した後、セライトを通じてろ過して溶液を得て、再びこの溶液から１３．３Ｐａ減圧下でペンタンを除去して、下記化学式１ｂ：
【０２０３】
【化５７】
2007154184.tif 000058
【０２０４】
で表される化合物１ｂを得た。
【０２０５】
前記化合物１ｂをＣＤＣｌ３に溶解させ、測定したＮＭＲ結果は次の通りである：１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）：δ０．１１（ｓ，１２Ｈ，４×−ＣＨ３），０．４８〜０．５３（ｍ，８Ｈ，４×−ＣＨ２−），０．８６〜０．９０（ｍ，８Ｈ，４×−ＣＨ２−），１．１５〜１．７１（ｍ，４８Ｈ，４×−［ＣＨ２］６），３．５８（ｓ，３６Ｈ，４×−［ＯＣＨ３］３）。
【０２０６】
合成例３：化合物１ｃの合成
オクタフェニルテトラシクロシロキサン３１．５ｍｍｏｌ（２５．０ｇ）および塩化アルミニウム３７．４ｍｍｏｌ（５．０ｇ）をよく乾燥されたフラスコに入れてベンゼンに溶解させた。溶液が飽和されるまでＨＣｌガスでバブリングさせた後、常温で１２時間攪拌しつつ反応させた。反応終了後、Ｎ２ガスをバブリングさせて過量のＨＣｌを除去してトリエチルアミンでｐＨ７まで中和した。次いで、前記反応液に過量のメタノールとトリエチルアミンを投入し、セライトを通じてろ過した後、ろ液を１３．３Ｐａ程度の減圧下で揮発性物質を除去して濃縮した。前記濃縮液にジエチルエーテル１００ｍｌを加えて１時間攪拌し、セライトを通じてろ過し、ろ液に活性炭５ｇを入れて１０時間攪拌し、再びセライトを通じてろ過した。最終ろ液を１３．３Ｐａ程度の減圧下でへキサンを除去することによって下記化学式１ｃ：
【０２０７】
【化５８】
2007154184.tif 000059
【０２０８】
で表される化合物１ｃを得た。
【０２０９】
前記化合物１ｃの１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）測定結果（ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６溶液）は次の通りである：δ３．５８（ｓ，２４Ｈ，８×［−ＯＣＨ３］）。
【０２１０】
合成例４：化合物１ｄの合成
２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−シクロテトラシロキサン４１．６ｍｍｏｌ（１０．００ｇ）をフラスコに投入してテトラヒドロフラン１００ｍｌを入れて希釈させた後、１０ｗｔ％Ｐｄ／Ｃ（ｐａｌｌａｄｉｕｍ／ｃｈａｒｃｏｌ）を２００ｍｇ添加した。次いで、蒸溜水１７７．８ｍｍｏｌ（３．２０ｍｌ）を添加し、この際発生する水素ガスを除去した。常温で１５時間反応を進行させた後、反応液をセライトとＭｇＳＯ４を通じてろ過し、ろ液を１３．３Ｐａ程度の減圧下に置いて揮発性物質を除去して下記化学式１ｄ：
【０２１１】
【化５９】
2007154184.tif 000060
【０２１２】
で表される化合物１ｄを得た。
【０２１３】
前記化合物１ｄの１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）測定（ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６溶液）結果は次の通りである：δ０．０６７（ｓ，１２Ｈ，４×［−ＣＨ３］），５．５２（ｓ，４Ｈ，４×［−ＯＨ］）。
【０２１４】
合成例５：化合物１ｅの合成
二塩化パラジウム（ＩＩ）［ＰｄＣｌ２（ＩＩ）］２１．４ｍｍｏｌ（３．８ｇ）をフラスコに入れて四塩化炭素１００ｍｌに溶かした後、２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−シクロテトラシロキサン４１．６ｍｍｏｌ（１０．００ｇ）を徐々に添加した。常温で約１０分間反応させ、反応液をセライトとＭｇＳＯ４を通じてろ過し、ろ液を１３．３Ｐａ程度の減圧下で、揮発性物質を除去して下記化学式１ｅ：
【０２１５】
【化６０】
2007154184.tif 000061
【０２１６】
で表される化合物１ｅを得た。
【０２１７】
前記化合物１ｅの１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）測定結果は次の通りである：δ０．０６７（ｓ，１２Ｈ，４×［−ＣＨ３］），３．５５（ｓ，３Ｈ，４×［−ＯＣＨ３］）。
【０２１８】
合成例６：化合物１ｆの合成
前記合成例４の方法で得た化合物１ｄ  ４１．６ｍｍｏｌ（１２．６ｇ）を、２００ｍｌのＴＨＦ（テトラヒドロフラン）で希釈させた溶液に、トリエチルアミン１７７．８ｍｍｏｌ（１３．８３ｇ）を添加した。前記溶液の温度を０℃に下げた後、クロロジメトキシメチルシラン１７７．８ｍｍｏｌ（２５．０ｇ）を徐々に加えて温度を徐々に常温まで上げて１５時間反応を進行させた。
【０２１９】
反応液を、セライトを通じてろ過し、ろ液を１３．３Ｐａ程度の減圧下で揮発性物質を除去して濃縮して、下記化学式１ｆ：
【０２２０】
【化６１】
2007154184.tif 000062
【０２２１】
で表される無色の液状化合物１ｆを得た。
【０２２２】
前記化合物１ｆの１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）測定結果は次の通りである：δ０．１２（ｓ，１２Ｈ，４×［−ＣＨ３］），０．２４（ｓ，１２Ｈ，４×［−ＣＨ３］），３．５３（ｓ，２４Ｈ，４×［−ＯＣＨ３］２）。
【０２２３】
合成例７：化合物２ａの合成
１，３−ジクロロテトラメチルジシロキサン２４９．２０８ｍｍｏｌ（１０．０ｇ）をフラスコに投入した後、テトラヒドロフラン５００ｍｌを入れて希釈させて、反応容器を−７８℃に下げた後、トリエチルアミン１０８．２１２ｍｍｏｌ（１０．９５ｇ）を添加する。次いで、メチルアルコール１０７．９９０ｍｍｏｌ（３．４６ｇ）を徐々に加えた後、反応温度を徐々に常温まで上げる。常温で１５時間反応を進行させた後、セライトを通じてフィルタリングし、１３．３Ｐａ程度の減圧下で揮発性物質を除去する。これにへキサン１００ｍｌを加えて１時間攪拌した後、セライトを通じてフィルタリングし、この溶液を１３．３Ｐａ程度の減圧下で、へキサンを除去して、得られた無色の液体を単純蒸留して下記化学式２ａ：
【０２２４】
【化６２】
2007154184.tif 000063
【０２２５】
で表される化合物２ａを無色の液体として得た。
【０２２６】
前記化合物２ａをＣＤＣｌ３に溶かしてＮＭＲ測定した結果は次の通りである：１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）ｄａｔａ；δ０．０６８（ｓ，１２Ｈ，４×−ＣＨ３），３．４５（ｓ，６Ｈ，２×−ＯＣＨ３）。
【０２２７】
合成例８：化合物２ｂの合成
１５０ｍｌのメタノールで希釈したヘキサクロロジシロキサン２．８ｇ（９．８３ｍｍｏｌ）をフラスコに入れて、トリエチルアミン７．９４ｇ（７８．６９ｍｍｏｌ）を添加した。常温で２時間反応を進行させた後、セライトを通じてろ過し、ろ液を１３．３Ｐａ程度の減圧下で揮発性物質を除去して濃縮した。前記濃縮液に、へキサン１００ｍｌを加えて１時間攪拌した後にセライトを通じてろ過した後、ろ液を再び１３．３Ｐａ程度の減圧下でへキサンを除去して、下記化学式２ｂ：
【０２２８】
【化６３】
2007154184.tif 000064
【０２２９】
で表される化合物２ｂを得た。
【０２３０】
前記化合物２ｂの１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）測定結果、（ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６溶液）は次の通りである：δ３．５８（ｓ，１８Ｈ，６ｘ［−ＯＣＨ３］）を得た。
【０２３１】
実施例１
伝導性高分子および酸として、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（４−スチレンスルホン酸））と、前記合成例１から得た化合物１ａを含む伝導性高分子組成物を利用して得た正孔注入層と、を含む有機発光素子を製作した。前記有機発光素子は、次のような構造を持つ：ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物１ａ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）。
【０２３２】
アノードは、１５Ω／ｃｍ２（１０００Å）ＩＺＯガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍサイズに切って、アセトンイソプロピルアルコールと純水の中で各１５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶオゾン洗浄して使用した。
【０２３３】
一方、アルコールと水に、伝導性高分子および酸としてＢａｙｔｒｏｎ社製のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（商品名はＥＴＶ２、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの重量比は１：１６）と化合物１ａを添加（この際、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳと化合物１ａとを９７：３の重量比で添加する）して、伝導性高分子組成物を準備した。前記伝導性高分子組成物を、前記基板上に２０００ｒｐｍでスピンコーティングした後、２００℃で５分間大気中で熱処理することで、５００Åの正孔注入層を形成した。前記正孔注入層の上部に、緑色発光物質として１．２ｗｔ％でトルエンに溶解されたＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、商品名はＬｕｍａｔｉｏｎ  １３００）を２０００ｒｐｍでスピンコーティングした後、１００℃で１５分間熱処理して８００Å厚さの発光層を形成した。この後、前記発光層の上部にＢａ  ５０Åと、Ａｌ  １５００Å（カソード）と、を順次に真空蒸着して有機発光素子を製造した。これをサンプル１ａとする。
【０２３４】
実施例２
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例２から得た化合物１ｂを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物１ｂ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル１ｂとする。
【０２３５】
実施例３
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例３から得た化合物１ｃを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物１ｃ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル１ｃとした。
【０２３６】
実施例４
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例４から得た化合物１ｄを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物１ｄ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル１ｄとした。
【０２３７】
実施例５
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例５から得た化合物１ｅを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物１ｅ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル１ｅとした。
【０２３８】
実施例６
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例６から得た化合物１ｆを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物１ｆ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル１ｆとした。
【０２３９】
実施例７
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例７から得た化合物２ａを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物２ａ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル２ａとした。
【０２４０】
実施例８
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに合成例８から得た化合物２ｂを使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物２ｂ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル２ｂとした。
【０２４１】
実施例９
前記実施例１のうち、化合物１ａの代わりに化学式３ａで表される化合物３ａ（１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン（ＢＴＭＳＥ）、Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を使用した点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ＋化合物３ａ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これをサンプル３ａとした。
【０２４２】
比較例１
前記実施例１のうち、正孔注入層を形成していないという点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これを比較サンプルＡとした。
【０２４３】
比較例２
前記実施例１のうち、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳのみを利用して正孔注入層を形成したという点を除いては、前記実施例１と同様の方法で、ＩＺＯ／ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（５００Å）／ＤｏｗＧｒｅｅｎ  Ｋ２（Ｌｕｍａｔｉｏｎ  １３００）（８００Å）／Ｂａ（５０Å）Ａｌ（１５００Å）の構造を持つ有機発光素子を製造した。これを比較サンプルＢとした。
【０２４４】
評価例
サンプル１ａ〜サンプル１ｆ、サンプル２ａ〜サンプル２ｂおよびサンプル３ａおよび比較サンプルＡおよびＢについて、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅａｓｕｒｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ  ２３８とＰＲ６５０（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃａｎ）Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｕｎｉｔ．を利用して、しきい電圧（Ｔｕｒｎ−ｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）、色純度、輝度、最大効率をそれぞれ評価してＭｃＳｃｉｅｎｃｅ  Ｌｉｆｅｔｉｍｅ  Ｔｅｓｔｅｒ  Ｐｏｌａｒｏｎｉｘ（登録商標）Ｍ６０００で寿命を評価して、その結果を下記の表１に表した。
【０２４５】
輝度（ｃｄ／ｍ２）は６Ｖでの輝度を観察したものであり、ＣＩＥは１０００ｃｄ／ｍ２での色座標を観察したものであり、寿命（時間）は、初期輝度（１０００ｃｄ／ｍ２）を１００％とした時、輝度が半減（すなわち、初期輝度の５０％に該当する輝度を表す時）するのにかかる時間を測定したものである。
【０２４６】
【表１】
2007154184.tif 000065
【０２４７】
前記表１から、本発明によるサンプル１ａ〜サンプル１ｆ、サンプル２ａ〜サンプル２ｂおよびサンプル３ａは優れた電気的特性はもとより、長寿命を持つことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０２４８】
本発明は、次世代電子素子、例えば、発光素子、太陽電池素子、エレクトロクロミック素子、電気泳動素子、有機薄膜トランジスタまたは有機メモリ素子などに好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０２４９】
【図１Ａ】本発明による電子素子のうち有機発光素子の一実施例の構造を概略的に示す図面である。
【図１Ｂ】本発明による電子素子のうち有機発光素子の一実施例の構造を概略的に示す図面である。
【図１Ｃ】本発明による電子素子のうち有機発光素子の一実施例の構造を概略的に示す図面である。
【図１Ａ】
2007154184.tif 000106
【図１Ｂ】
2007154184.tif 000107
【図１Ｃ】
2007154184.tif 000108