(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を招くことなく、しかも、作業員の安全性を確保することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】一対の基板の間に光変調層を保持した表示装置の製造方法であって、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状をそれぞれ有する一対の基板を用意する工程（ＳＴ１１）と、一対の基板を貼り合わせる工程（ＳＴ１２）と、一対の基板の端面がそれぞれ少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記一対の基板を研磨する工程（ＳＴ１３）と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
2007065054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の間に光変調層を保持した表示装置の製造方法であって、
端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状をそれぞれ有する一対の基板を用意する工程と、
前記一対の基板を貼り合わせる工程と、
前記一対の基板の端面がそれぞれ少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記一対の基板を研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
一対の基板の間に光変調層を保持した表示装置の製造方法であって、
端面に２つの曲率半径を組み合わせた断面形状をそれぞれ有する一対の基板を用意する工程と、
前記一対の基板を貼り合わせる工程と、
前記一対の基板の端面がそれぞれ２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記一対の基板を研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
研磨前のそれぞれの基板は、他方の基板と対向する対向面側における第１板厚の領域の端面に第１曲率半径の断面形状を有するとともに、外面側における第２板厚の領域の端面に第２曲率半径の断面形状を有し、さらに、第１板厚と第２板厚との総和に相当する元板厚を有し、
前記基板を研磨する工程では、研磨量は、研磨後のそれぞれの基板の板厚が第１板厚より大きくなるように設定されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
第１板厚は、第２板厚より小さいことを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
研磨量は、（元板厚／２）より大きく設定されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
研磨量は、第２板厚より小さく設定されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
第１曲率半径は、第２曲率半径より小さいことを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
第２曲率半径は、第２板厚以上であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板を研磨する工程は、所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する手法を用いたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
第１主面に表示画素を備えるとともに、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有する基板を用意する工程と、
前記基板の端面が少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記基板の第２主面を研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の基板の間に光変調層を保持した表示装置の製造方法であって、
端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状をそれぞれ有する一対のマザー基板を用意する工程と、
一対のマザー基板の少なくとも一方に複数の有効表示部に対応して電極を形成する工程と、
前記電極を形成した面を内面とするよう一対のマザー基板を所定のギャップを持って貼り合わせる工程と、
一対のマザー基板の端面がそれぞれ少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記一対のマザー基板を研磨する工程と、
研磨された一対のマザー基板をそれぞれ有効表示部を備えたセグメントに分断する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
第１主面にマトリクス状に配置された画素電極を有する有効表示部を複数箇所備え、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有する第１マザー基板と、
第１主面に対向電極を有する有効表示部を複数箇所備え、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有する第２マザー基板と、
前記第１マザー基板と前記第２基板とをそれぞれの有効表示部が互いに対向するとともにその間に光変調層を保持可能なギャップを介して貼り合わせるシール剤と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、基板の薄型化が可能な表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代表される平面表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、ＯＡ機器、情報端末、時計、テレビなどの各種分野で利用されている。中でも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶表示装置は、その応答性の高さから携帯端末やコンピュータなど多くの情報を表示するモニタとして多用されている。
【０００３】
液晶表示装置は、ガラス基板上に走査線及び信号線などの各種配線やスイッチング素子、画素電極などを備えたアレイ基板と、ガラス基板上に対向電極などを備えた対向電極と、これらのアレイ基板と対向基板との間に保持された液晶層と、を備えている。このような液晶表示装置を製造する過程において、ガラス基板をハンドリングする際、作業員の安全性の確保、製造装置での接触による破損の防止などを目的として、端面に面取り加工を施したガラス基板を用いている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平５−６１０１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯情報端末機器では性能面もさることながら、デザイン性、携帯性などの観点から、より薄くしかもより軽い表示装置の需要が高まっている。面取り加工を施したガラス基板の表面を研磨することにより薄型化構造を実現しようとした場合、研磨後のガラス基板の端面が鋭利な形状となり、作業員の安全性を確保できなくなるばかりでなく、欠けなどの破損を生じやすくなり、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００５】
そこで、この発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、製造歩留まりの低下を招くことなく、しかも、作業員の安全性を確保することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の第１の態様による表示装置の製造方法は、
一対の基板の間に光変調層を保持した表示装置の製造方法であって、
端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状をそれぞれ有する一対の基板を用意する工程と、
前記一対の基板を貼り合わせる工程と、
前記一対の基板の端面がそれぞれ少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記一対の基板を研磨する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００７】
この発明の第２の態様による表示装置の製造方法は、
一対の基板の間に光変調層を保持した表示装置の製造方法であって、
端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状をそれぞれ有する一対のマザー基板を用意する工程と、
一対のマザー基板の少なくとも一方に複数の有効表示部に対応して電極を形成する工程と、
前記電極を形成した面を内面とするよう一対のマザー基板を所定のギャップを持って貼り合わせる工程と、
一対のマザー基板の端面がそれぞれ少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するように前記一対のマザー基板を研磨する工程と、
研磨された一対のマザー基板をそれぞれ有効表示部を備えたセグメントに分断する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
この発明の第３の態様による表示装置は、
第１主面にマトリクス状に配置された画素電極を有する有効表示部を複数箇所備え、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有する第１マザー基板と、
第１主面に対向電極を有する有効表示部を複数箇所備え、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有する第２マザー基板と、
前記第１マザー基板と前記第２基板とをそれぞれの有効表示部が互いに対向するとともにその間に光変調層を保持可能なギャップを介して貼り合わせるシール剤と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、製造歩留まりの低下を招くことなく、しかも、作業員の安全性を確保することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。この実施の形態では、表示装置の一例として液晶表示装置を例に説明するが、自己発光素子を備えた有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）表示装置などの自己発光型表示装置であっても良い。
【００１１】
図１に示すように、液晶表示装置は、液晶表示パネル１０を備えて構成されている。すなわち、液晶表示パネル１０は、アレイ基板２０と、対向基板４０と、アレイ基板２０と対向基板４０との間に保持された光変調層として機能する液晶層３０とを備えている。この液晶表示パネル１０は、画像を表示する有効表示部１１を有している。この有効表示部１１は、アレイ基板２０と対向基板４０とを所定のギャップをもって貼り合わせるシール材１２によって囲まれた内部に形成されている。このような有効表示部１１は、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを備えて構成されている。
【００１２】
アレイ基板２０は、約０．３ｍｍ程度の板厚を有するガラス基板２１を用いて形成される。このアレイ基板２０は、有効表示部１１において、第１主面（内面）上に、マトリクス状に配置された複数の信号線Ｘ及び複数の走査線Ｙ、信号線Ｘと走査線Ｙとの交点近傍に配置された薄膜トランジスタなどによって構成されたスイッチ素子２２、スイッチ素子２２に接続された画素電極２３などを備えている。
【００１３】
対向基板４０は、約０．３ｍｍ程度の板厚を有するガラス基板４１を用いて形成される。この対向基板４０は、有効表示部１１において、第１主面（内面）上に、画素電極２３に対向して配置された対向電極４２を備えている。
【００１４】
有効表示部１１の周辺に位置する駆動回路部１３は、複数の走査線Ｙに接続された走査線駆動回路部１４、及び、複数の信号線Ｘに接続された信号線駆動回路部１５を備えている。走査線駆動回路部１４は、各走査線Ｙに駆動信号（走査信号）を供給する。また、信号線駆動回路部１５は、各信号線Ｘに駆動信号（映像信号）を供給する。
【００１５】
（第１実施形態）  
第１実施形態に係る薄板状の基板を用いて構成された表示装置は、図２に示すように、一対の基板を用意する工程（ＳＴ１１）と、一対の基板を貼り合わせる工程（ＳＴ１２）と、一対の基板をそれぞれ研磨する工程（ＳＴ１３）と、を経て製造される。
【００１６】
工程（ＳＴ１１）は、それぞれの基板に有効表示部１１に対応して電極を形成する工程を含んでいる。すなわち、この工程においては、有効表示部１１に対応してマトリクス状に配置された画素電極２３などを含むアレイ基板２０が形成されるとともに、有効表示部１１に対応して対向電極４２などを含む対向基板４０が形成される。工程（ＳＴ１２）では、これらのアレイ基板２０及び対向基板４０は、それぞれ画素電極２３を形成した面と対向電極４２を形成した面とが対向するように光変調層（ここでは液晶層３０）を保持可能な所定のギャップを形成した状態で配置され、シール材１２を用いて貼り合わせられる。工程（ＳＴ１３）は、例えば第１実施形態では所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する手法（ケミカルエッチング処理）を用いているが、所定の研磨材を用いて機械的に研磨する手法を用いても良い。
【００１７】
このような製造過程で適用される一対の基板は、ハンドリングする際、作業員の安全性の確保、製造装置での接触による破損の防止などを目的として、端面に面取り加工を施したガラス基板を用いている。特に、図３に示したように、それぞれの端面１００Ｅ及び２００Ｅに単一の曲率半径Ｒで規定される断面形状を有する一対のガラス基板１００及び２００を貼り合わせた状態で化学的に研磨した場合、図中の矢印Ａ及びＢでそれぞれ示したようにガラス基板の端面１００Ｅ及び２００Ｅ側及び外面１００Ｓ及び２００Ｓ側からほぼ等方的にエッチングが進行する。
【００１８】
研磨前のガラス基板１００及び２００の元板厚をＴとしたとき、研磨量が増加するにしたがってガラス基板の端面１００Ｅ及び２００Ｅが鋭利化する。なお、研磨量とは、ガラス基板１枚あたりの研磨量に相当し、図３の矢印Ｂで示した方向へのガラス基板の外面１００Ｓ及び２００Ｓの後退量（（元板厚）−（研磨後の板厚））に相当する。
【００１９】
すなわち、図４Ａに示すように、研磨量Ｐが（元板厚Ｔ／２）より小さい場合（つまり、研磨後のガラス基板の板厚が（元板厚Ｔ／２）より大きい場合）、ガラス基板１００及び２００の端面１００Ｅ及び２００Ｅに鋭角が形成されることはない。これに対して、図４Ｂに示すように、研磨量Ｐが（元板厚Ｔ／２）より大きい場合（つまり、研磨後のガラス基板の板厚が（元板厚Ｔ／２）より小さい場合）、ガラス基板１００及び２００の外面１００Ｓ及び２００Ｓと端面１００Ｅ及び２００Ｅとが交差する角部Ｃに鋭角が形成される。
【００２０】
つまり、図３に示したような断面形状を有するガラス基板１００及び２００を用いた場合、薄型化の要求に伴ってガラス基板１００及び２００を薄く研磨するほど端面１００Ｅ及び２００Ｅに鋭利な形状が形成されやすくなり、作業員の安全性を確保できなくなるばかりでなく、欠けなどの破損を生じやすくなり、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【００２１】
そこで、この第１実施形態では、工程（ＳＴ１１）においては、端面１００Ｅ及び２００Ｅに複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有するガラス基板１００及び２００を用意する。すなわち、図５に示すように、用意するガラス基板１００及び２００の端面１００Ｅ及び２００Ｅは、外方に向かって凸の曲面によって形成されている。曲面の母線に対して直交する端面１００Ｅ及び２００Ｅの断面（あるいはガラス基板の外面に対する法線Ｚを含む断面）形状は、外方に向かう凸形状を形成する複数の曲率半径によって規定される。図５に示した例では、端面１００Ｅ及び２００Ｅは、２つの円筒面を組み合わせた形状であり、その断面形状は、第１円筒面ＣＰ１を規定する第１曲率半径Ｒ１及び第２円筒面ＣＰ２を規定する第２曲率半径Ｒ２によって規定される。
【００２２】
このような形状のガラス基板１００及び２００を研磨する工程では、研磨後のそれぞれのガラス基板の端面１００Ｅ及び２００Ｅが少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するような研磨量に設定される。このため、ガラス基板１００及び２００を薄く研磨しても、それぞれの端面１００Ｅ及び２００Ｅに鋭利な形状が形成されにくくなる。
【００２３】
図６には、ガラス基板１００及び２００のそれぞれの元板厚が０．７ｍｍであり、実質的に液晶層のギャップを無視できるものとし、研磨量Ｐの増加に伴う端面１００Ｅ及び２００Ｅの形状変化の様子を模式的に示している。ここに示した通り、研磨量Ｐが（元板厚／２）に相当する０．３５ｍｍを超えたとしても、端面１００Ｅ及び２００Ｅに鋭利な形状が形成されていないことがわかる。これにより、作業員の安全性を確保できるとともに、欠けなどの破損を生じにくくなり、製造歩留まりを改善することが可能となる。
【００２４】
上述した第１実施形態について、図５に示したように、それぞれの端面１００Ｅ及び２００Ｅが２つの円筒面によって規定されている場合について、さらに詳細に述べる。なお、ガラス基板１００及び２００は、対向面ＣＳを境界として対称な断面形状を有するものとし、ここでは、ガラス基板１００の端面１００Ｅにおける断面形状について説明する。
【００２５】
この第１実施形態では、第１円筒面ＣＰ１と第２円筒面ＣＰ２との交線の位置を面取りの中心位置Ｏとしたとき、中心位置Ｏは、研磨量Ｐに基づいて（あるいは研磨後のガラス基板の板厚に基づいて）設定され、大きな研磨量Ｐに設定されるほど中心位置Ｏが他方のガラス基板との対向面ＣＳ側にシフトしたガラス基板を用いる。
【００２６】
すなわち、図５に示したように、ガラス基板１００の法線Ｚについて、外面１００Ｓ側が負となり、対向面ＣＳ側が正となるように設定する。また、法線Ｚの基準点を元板厚Ｔのガラス基板１００について板厚がＴ／２に相当する点に設定する。そして、基準点から正の方向（対向面側に向かう方向）への中心位置Ｏのシフト量をａとする。なお、シフト量ａは、当然のことながら、Ｔ／２より小さく設定される。
【００２７】
図７は、ガラス基板の研磨量に対する不良率の関係を示す図である。不良率とは、端面の破損などにより使用不可能となったガラス基板の割合に相当する。図中のＡは、シフト量ａがゼロの場合に相当し、ここでは、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｔ／２に設定している。図中のＢは、シフト量がａであり、ここでは、Ｒ１＝Ｔ／２−ａ、及び、Ｒ２＝Ｔ／２＋ａに設定している。図中のＣは、シフト量がＢで示した場合の２倍に相当する２＊ａであり、ここでは、Ｒ１＝Ｔ／２−２＊ａ、及び、Ｒ２＝Ｔ／２＋２＊ａに設定している。図７に示した結果から、シフト量を大きく設定した場合ほど、研磨量が増加しても不良率を低減できる傾向を確認することができた。特に、研磨量がＴ／２以上であっても、シフト量が大きいほど不良率を低減できることが確認できた。
【００２８】
なお、シフト量ａの設定方法としては、例えば、（元板厚／２−ガラス基板１枚当たりの研磨量−０．１５ｍｍ）×（−１）で規定される。具体的には、元板厚が０．７ｍｍのガラス基板に対して研磨量を０．４ｍｍとする場合、シフト量ａは０．２ｍｍに設定される。このとき、第１円筒面ＣＰ１の曲率半径Ｒ１は、（元板厚／２−０．２ｍｍ）以上に設定され、第２円筒面ＣＰ２の曲率半径Ｒ２は、（元板厚／２＋０．２ｍｍ）以上に設定される。
【００２９】
（第２実施形態）  
第２実施形態に係る薄板状の基板を用いて構成された表示装置は、図８に示すように、一対のマザー基板を用意する工程（ＳＴ２１）と、一対のマザー基板の少なくとも一方に複数の有効表示部に対応して電極を形成する工程（ＳＴ２２）と、電極を形成した面を内面とするよう一対のマザー基板を所定のギャップを持って貼り合わせる工程（ＳＴ２３）と、一対のマザー基板の外面をそれぞれ研磨する工程（ＳＴ２４）と、研磨された一対のマザー基板をそれぞれ有効表示部を備えたセグメントに分断する工程（ＳＴ２５）と、を経て製造される。
【００３０】
工程（ＳＴ２１）においては、第１実施形態と同様に、端面Ｍ１Ｅ及びＭ２Ｅに複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有するガラス基板Ｍ１及びＭ２を用意する。すなわち、図９に示すように、用意するマザー基板Ｍ１及びＭ２の端面Ｍ１Ｅ及びＭ２Ｅは、外方に向かって凸の曲面によって形成されている。曲面の母線に対して直交する端面Ｍ１Ｅ及びＭ２Ｅの断面（あるいはマザー基板の外面に対する法線Ｚを含む断面）形状は、外方に向かう凸形状を形成する複数の曲率半径によって規定される。
【００３１】
工程（ＳＴ２２）においては、一対のマザー基板Ｍ１及びＭ２の少なくとも一方、この第２実施形態においては両方もマザー基板Ｍ１及びＭ２に複数の有効表示部１１に対応してそれぞれ電極を形成する。すなわち、この工程においては、アレイ基板用のマザー基板Ｍ１の第１主面に複数の有効表示部１１を形成するために、それぞれの領域にマトリクス状に配置された走査線や信号線などの各種配線、画素毎に配置されたスイッチング素子及び画素電極などを形成する。また、対向基板用のマザー基板Ｍ２の第１主面にも複数の有効表示部１１を形成するために、それぞれの領域に対向電極などを形成する。
【００３２】
工程（ＳＴ２３）においては、これら一対のマザー基板Ｍ１及びＭ２をそれぞれの第１主面を内面とするよう対向した状態で貼り合わせる。このとき、図１０に示すように、マザー基板Ｍ１及びマザー基板Ｍ２は、各有効表示部１１を囲むように配置された本シール材（第１シール材）１２と、マザー基板Ｍ１及びマザー基板Ｍ２の外縁に沿ってすべての有効表示部１１を囲むように配置された仮シール材（第２シール材）ＳＳとによって所定のギャップをもって貼り合わせられ、有効表示部１１毎に空のセルＣＬが形成される。なお、本シール材１２は、各セルＣＬの内部に液晶組成物を注入するための注入口ＩＰを確保するように配置されている。
【００３３】
工程（ＳＴ２４）は、マザー基板Ｍ１及びＭ２を研磨する工程では、研磨後のそれぞれのマザー基板の端面Ｍ１Ｅ及びＭ２Ｅが少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するような研磨量に設定される。このため、マザー基板Ｍ１及びＭ２を薄く研磨しても、それぞれの端面Ｍ１Ｅ及びＭ２Ｅに鋭利な形状が形成されにくくなる。また、この工程（ＳＴ２４）は、例えば第２実施形態では所定の研磨溶液に浸漬して化学的に研磨する手法（ケミカルエッチング処理）を用いているが、所定の研磨材を用いて機械的に研磨する手法を用いても良い。
【００３４】
工程（ＳＴ２５）においては、一対のマザー基板Ｍ１及びＭ２を複数のセグメントに分断する。すなわち、この第２実施形態では、図９にて破線で示したスクライブラインＳＬに沿って複数のセグメント（空のセル）に分断される。このようなマザー基板を分断する方法には、特に制限はなく、ＣＯ２レーザや２次乃至４次の高調波ＹＡＧレーザなどを利用してもよいし、機械的な方法などを採用しても良い。
【００３５】
なお、各セルＣの内部に液晶層を封止する工程は、一対のマザー基板Ｍ１及びＭ２を貼り合わせる工程に含まれても良いし、各セグメントに分断した後に追加しても良い。すなわち、一方のマザー基板において各有効表示部１１にループ状に配置された本シール材１２で囲まれた領域に所定量の液晶材料を滴下する。その後、他方のマザー基板を貼り合わせることにより各有効表示部１１に液晶層を封止することが可能である。あるいは、真空注入法などのプロセスを用いて分断後の各セルＣＬの内部に注入口ＩＰから液晶組成物を注入し、さらに、注入口ＩＰにエポキシ樹脂などの光硬化型樹脂を塗布した後、紫外線を照射することによって封止するも可能である。
【００３６】
上述したような第２実施形態においても、第１実施形態で述べたような断面形状を有する端面のマザー基板を用いるとともにその研磨量の設定により、不良率の発生を低減でき、しかも、作業員の安全性を確保することが可能となる。
【００３７】
また、この第２実施形態においては、各有効表示部１１に対応して配置した本シール材１２の他に、マザー基板Ｍ１及びマザー基板Ｍ２の外縁に沿ってすべての有効表示部１１を囲むように配置された仮シール材ＳＳを備えている。このため、各セル内に研磨処理に用いる研磨溶液や研磨材及び研磨液が浸入するのを防止することができる。
【００３８】
以上説明したように、この実施の形態に係る表示装置の特徴をまとめると以下の通りである。
【００３９】
図１１に示すように、研磨することにより薄型化を実現するガラス基板１００及び２００の端面１００Ｅ及び２００Ｅは、研磨前の段階において、複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有している。
【００４０】
研磨前のそれぞれのガラス基板１００及び２００は、他方の基板と対向する対向面ＣＳ側における第１板厚Ｔ１の領域の端面に第１曲率半径Ｒ１の断面形状を有するとともに、外面側における第２板厚Ｔ２の領域の端面に第２曲率半径Ｒ２の断面形状を有している。図５に示した例のように、端面に２つの曲率半径Ｒ１及びＲ２を組み合わせた断面形状を有するガラス基板については、元板厚Ｔは、第１板厚Ｔ１と第２板厚Ｔ２との総和に相当する。また、端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有するガラス基板については、元板厚Ｔは、第１板厚Ｔ１と第２板厚Ｔ２との総和より大きくなる。
【００４１】
このようなガラス基板１００及び２００を研磨する工程では、研磨量Ｐは、研磨後のそれぞれのガラス基板１００及び２００の板厚が第１板厚Ｔ１より大きくなるように設定される。これにより、研磨後のガラス基板１００及び２００のそれぞれの端面１００Ｅ及び２００Ｅは、少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有することになる。したがって、不良率の低減が可能となり、製造歩留まりを改善できるとともに作業員の安全性を確保することができる。
【００４２】
特に、図５に示した例では、第１板厚Ｔ１は、第２板厚Ｔ２より小さく設定される。これにより、例え、研磨量Ｐが（元板厚／２）より大きく設定されたとしても、第２板厚Ｔ２より小さく設定することにより、端面に第１曲率半径Ｒ１の第１円筒面ＣＰ１と第２曲率半径Ｒ２の第２円筒面の一部を残すことが可能である。
【００４３】
また、第１曲率半径Ｒ１は第１板厚Ｔ１と同等であっても良いが、第１板厚Ｔ１以上であれば良い。同様に、第２曲率半径Ｒ２は第２板厚Ｔ２と同等であっても良いが、第２板厚Ｔ２以上であれば良い。特に、図５に示した例では、研磨量Ｐが（元板厚／２）より大きく設定されることに対応して、第１板厚Ｔ１は、第２板厚Ｔ２より小さく設定され、このとき、第１曲率半径Ｒ１は、第２曲率半径Ｒ２より小さく設定される。
【００４４】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００４５】
上述した実施の形態では、表示装置として液晶表示装置を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、各画素に自発光性の表示素子を備えた有機ＥＬ表示装置などの自発光型表示装置においても、上述した実施の形態と同様の基板を用いることで同様の効果が得られる。なお、自発光型表示装置は、少なくとも１つの基板を用いて構成することが可能であるため、一主面に表示素子を支持する支持基板がその端面に複数の曲率半径を組み合わせた断面形状を有していればよい。このような支持基板を研磨する際には、支持基板の端面が少なくとも２つの曲率半径を組み合わせた断面形状を有するような研磨量で支持基板の他方の主面を研磨すればよい。これにより、製造歩留まりの低下を招くことなく、しかも、作業員の安全性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る表示装置すなわち液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、この発明の第１実施形態における表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は、端面に単一の曲率半径で規定される断面形状を有するガラス基板を化学的に研磨したときの様子を説明するための図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３に示したガラス基板において研磨量を（元板厚Ｔ／２）より小さく設定した場合の研磨後の端面の断面形状を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図３に示したガラス基板において研磨量を（元板厚Ｔ／２）より大きく設定した場合の研磨後の端面の断面形状を示す図である。
【図５】図５は、第１実施形態に適用可能な基板の端面の形状を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、図５に示した基板を化学的に研磨したときの様子を説明するための図である。
【図７】図７は、中心位置のシフト量ａに応じた研磨量に対する不良率の関係の一例を示す図である。
【図８】図８は、この発明の第２実施形態における表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】図９は、第２実施形態に適用可能な基板の端面の形状を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、第２実施形態において貼り合わせられた一対のマザー基板の平面構造を概略的に示す図である。
【図１１】図１１は、この発明の実施の形態における概要を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…液晶表示パネル、１１…有効表示部、１２…シール材（本シール材）、２０…アレイ基板、２１…ガラス基板、２３…画素電極、３０…液晶層、４０…対向基板、４１…ガラス基板、４２…対向電極、ＰＸ…表示画素、ＣＬ…セル、ＳＳ…仮シール材、ＩＰ…注入口、１００…ガラス基板、１００Ｅ…端面、１００Ｓ…外面、２００…ガラス基板、２００Ｅ…端面、２００Ｓ…外面、Ｒ１…第１曲率半径、Ｒ２…第２曲率半径、Ｔ…元板厚、Ｔ１…第１板厚、Ｔ２…第２板厚、Ｐ…研磨量、ａ…シフト量、Ｍ１…マザー基板、Ｍ２…マザー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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