(57)【要約】【課題】十分な可とう性を維持しつつ、解像性、パターン形状に優れ、露光、現像、硬化後には半田ペーストの印刷時のスキージ圧に対してもパターンの割れや欠損等が起こりにくく、印刷性に優れたドライフィルム及びこれを備える転写フィルム並びにこれを用いたバンプの形成方法を提供する。【解決手段】本ネガ型感放射線性ドライフィルムは、（Ａ）カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）エチレン性不飽和結合を２つ以上有する架橋剤と、（Ｃ）感放射線性ラジカル重合開始剤と、を含有しており、上記架橋剤（Ｂ）として、２５℃における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ未満となる架橋剤を用いることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）エチレン性不飽和結合を２つ以上有する架橋剤と、（Ｃ）感放射線性ラジカル重合開始剤と、を含有するネガ型感放射線性ドライフィルムにおいて、
上記架橋剤（Ｂ）として、２５℃における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ未満となる架橋剤を用いることを特徴とするネガ型感放射線性ドライフィルム。
【請求項２】
上記重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃以上である請求項１に記載のネガ型感放射線性ドライフィルム。
【請求項３】
膜厚が２０〜１５０μｍである請求項２に記載のネガ型感放射線性ドライフィルム。
【請求項４】
請求項３に記載のネガ型感放射線性ドライフィルムを支持フィルム上に設けたことを特徴とする転写フィルム。
【請求項５】
少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする、配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法。
（ａ１）基板上に、請求項２又は３に記載のネガ型感放射線性ドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ１）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｃ１）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程、
（ｄ１）上記ネガ型感放射線性ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程。
【請求項６】
少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする、配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法。
（ａ２）基板上に、請求項２又は３に記載のネガ型感放射線性ドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ２）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｄ２）上記ネガ型感放射線性ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程、
（ｃ２）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
【請求項７】
少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする、配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法。
（ａ３）基板上に、請求項２又は３に記載のネガ型感放射線性ドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ３）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｃ３）加熱処理することで上記低融点金属を電極パッドに融着する工程、
（ｄ３）上記ネガ型感放射線性ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程、
（ｃ４）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ネガ型感放射線性ドライフィルム及びそれを備える転写フィルム並びにバンプの形成方法に関する。更に詳しくは、多層プリント配線板にＩＣチップを実装する際に使用される半田バンプ等の低融点金属バンプの形成方法、該形成方法に好適に用いられるネガ型感放射線性ドライフィルム及びそれを備える転写フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ等を実装するために半田バンプ等の低融点金属バンプを形成するには、ＩＣチップ側に形成する場合と多層プリント基板側に形成する場合がある。
ＩＣチップ側にバンプを形成する例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）があるが、これは一般的にはＩＣチップがパッケージ基板に既に搭載された形態のものを指している。
【０００３】
最近の高密度化実装の一形態にＷＬ−ＣＳＰ（ウェハーレベル−チップサイズパッケージ）と呼ばれる技術がある。このＷＬ−ＣＳＰは、１枚のウェハーにＩＣチップの回路を複数形成し、ウェハーの状態で、一括して電極形成、パッケージング、更にはバーンインテストまで実施した後に、ＩＣチップをパッケージとして、切り分ける技術である。
【０００４】
ＷＬ−ＣＳＰにおいて一括して電極形成を行う技術としては、電解メッキ法、金属ペーストを埋め込んだ後にリフローする方法、金属ボールを載置した後にリフローする方法が挙げられる。
【０００５】
ＩＣチップの高集積化に伴い、ＩＣチップのバンプは、高密度化及び小型化が進んでいる。上記ＷＬ−ＣＳＰによる実装技術において、接続の信頼性、加工コストダウンの両立が可能な半田バンプの検討及び実用化が進んできている。具体的には、ワニス状のポジ型又はネガ型の感放射線性樹脂組成物或いはドライフィルムを用いて膜厚５０μｍ以上の塗膜を形成し、次いでパターニングし、これをマスク材として、電解メッキする方法等である。
【０００６】
一方、多層プリント配線板側に、半田バンプを形成する場合、これら半田バンプを互いに融着させないため、配線板上にソルダーレジスト層を施す。このソルダーレジスト層には、電極パッドの対応位置に開口を設けてある。ソルダーレジスト層に半田バンプを形成する際には、半田ペーストのマスク印刷が行われる。このマスク印刷に用いられるメタルマスクには、ソルダーレジスト層開口部の対応位置にパターン（開口パターン）が配置されている。マスク印刷を行う際は、このメタルマスクを、マスクパターンとソルダーレジスト層開口部とを対応させて載置させる。そして、このメタルマスクを介して、半田ペーストを電極パッド上のソルダーレジスト層開口部に印刷する。その後、半田ペーストをリフローして、電極パッドに半田バンプを形成している。
【０００７】
また、このような半田バンプにおいても、ソルダーレジスト上にドライフィルムを更にラミネートし、電極パッドに開口部を設け、半田ペーストを供給し、リフロー後、ドライフィルムを剥離する方法（特許文献１）等により、半田バンプの狭ピッチ化に対応する検討がなされている。
【０００８】
しかしながら、今後更なる狭ピッチ化が進むことが予測され、ドライフィルムとしての可とう性を維持したまま狭ピッチ化を図ると、半田ペーストを印刷する際に印刷時のスキージ圧を上げる必要があり、従来のドライフィルムでは機械的特性が十分でなく、パターンの割れ、欠損等が生じるという問題が起こることが予測される。そして、印刷時のスキージ圧に耐えうる機械的特性を付与しようとすると、ドライフィルムの可とう性が不足することが予測される。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２０８９１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、今後ますます加速することが予測される半田バンプの狭ピッチ化に対して、ドライフィルムとして取り扱うのに十分な可とう性を維持しつつ、ネガ型感放射線性樹脂組成物として解像性、及びパターン形状に優れ、露光、現像、硬化後には半田ペーストの印刷時のスキージ圧に対してもパターンの割れや欠損等が起こりにくく、半田ペーストの印刷性に優れたバンプ形成用のネガ型感放射線性ドライフィルム及びこれを備える転写フィルム並びにこれを用いたバンプの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、（Ａ）カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）エチレン性不飽和結合を２つ以上有する架橋剤と、（Ｃ）感放射線性ラジカル重合開始剤と、を含有するネガ型感放射線性ドライフィルムにおいて、上記架橋剤（Ｂ）として、２５℃における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ未満となる架橋剤を用いることを特徴とするネガ型感放射線性ドライフィルム（以下、単に「ドライフィルム」ともいう。）である。
【００１２】
請求項２の発明は、上記重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃以上である請求項１に記載のドライフィルムである。
【００１３】
請求項３の発明は、膜厚が２０〜１５０μｍである請求項２に記載のドライフィルムである。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項３に記載のドライフィルムを支持フィルム上に設けたことを特徴とする転写フィルムである。
【００１５】
請求項５の発明は、少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする、配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法である。
（ａ１）基板上に、請求項２又は３に記載のドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ１）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｃ１）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程、
（ｄ１）上記ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程。
【００１６】
請求項６の発明は、少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする、配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法である。
（ａ２）基板上に、請求項２又は３に記載のドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ２）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｄ２）上記ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程、
（ｃ２）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
【００１７】
請求項７の発明は、少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする、配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法である。
（ａ３）基板上に、請求項２又は３に記載のドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ３）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｃ３）加熱処理することで上記低融点金属を電極パッドに融着する工程、
（ｄ３）上記ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程、
（ｃ４）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るドライフィルムをバンプ形成用に用いると、リフロー時に半田の飛び、歪みがなく、狭ピッチの半田バンプを容易に形成することができる。
また、本発明に係るドライフィルムは、解像度、パターン形状、及び半田ペーストの印刷性に優れ、効率よく形状特性の優れたバンプが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明のネガ型感放射線性ドライフィルムは、（Ａ）カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する重合体と、（Ｂ）エチレン性不飽和結合を２つ以上有する架橋剤と、（Ｃ）感放射線性ラジカル重合開始剤と、を含有している。
上記ドライフィルムは、通常、上記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含むネガ型感放射線性樹脂組成物を調製後、この組成物を乾燥させることにより得られる。
【００２０】
〔カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）〕
本発明のネガ型感放射線性ドライフィルムは、カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する重合体（Ａ）を含有しており、この重合体（Ａ）が含まれることにより、アルカリ可溶性が付与される。
【００２１】
上記重合体（Ａ）は、カルボキシル基を有する単量体及び／又はフェノール性水酸基を有する単量体を（共）重合することにより得ることができる。
【００２２】
上記カルボキシル基を有する単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有ビニル化合物等が使用できる。
【００２３】
上記フェノール性水酸基を有する単量体としては、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｏ−ヒドロキシスチレン、４−イソプロペニルフェノール、２−アリルフェノール、４−アリルフェノール、２−アリル−６−メチルフェノール、２−アリル−６−メトキシフェノール、４−アリル−２−メトキシフェノール、４−アリル−２，６−ジメトキシフェノール、４−アリルオキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン等のフェノール性水酸基を有するビニル化合物等が使用できる。
これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記単量体のなかでも、アクリル酸、メタクリル酸、ｐ−ヒドロキシスチレン、４−イソプロペニルフェノールが好ましい。
【００２４】
重合体（Ａ）は、上記カルボキシル基を有する単量体／フェノール性水酸基を有する単量体以外の共重合可能な単量体（以下、「他の単量体」という。）を更に共重合させたものであってもよい。
上記他の単量体としては、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタクリルアミド、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシベンジル）アクリルアミド、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシベンジル）メタクリルアミド等のアミド基含有ビニル化合物；
メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル−メタクリレート等の（メタ）アクリル酸エステル類等が挙げられる。
これらの他の単量体は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２５】
また、重合体（Ａ）中にしめるカルボキシル基を有する単量体から導かれる単位及びフェノール性水酸基を有する単量体から導かれる単位の含有量の合計は、通常、１〜６０質量％であり、好ましくは５〜５０質量％である。この含有量が上記範囲内であれば、ドライフィルムの現像後に得られる樹脂膜のパターン形状に優れ、バンプ形成後の樹脂膜の剥離も容易である。
【００２６】
上記重合体（Ａ）は、例えば、ラジカル重合によって調製することができる。重合方法としては、例えば、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法、塊状重合法等が挙げられる。これらのなかでも、溶液重合法が好ましい。
【００２７】
上記ラジカル重合に用いる重合開始剤としては、従来のラジカル重合開始剤を使用することができる。例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレート等のアゾ化合物や、ベンゾイルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシド等の有機過酸化物を使用することができる。
【００２８】
また、上記溶液重合法に用いられる溶媒は、使用される単量体成分と反応せず、生成する重合体を溶解するものであれば特に限定されない。このような溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン、トルエン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００２９】
尚、重合体（Ａ）が溶液重合法により調製された場合、得られる重合体溶液をそのままネガ型感放射線性樹脂組成物の調製に供してもよく、或いは重合体溶液から重合体（Ａ）を分離してネガ型感放射線性樹脂組成物の調製に供してもよい。
【００３０】
また、重合に際しては、必要に応じて、例えばメルカプタン化合物、ハロゲン炭化水素等の分子量調節剤を使用することができる。
重合体（Ａ）の分子量は、単量体組成、ラジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度等の重合条件を適切に選択することにより調節することができる。
この重合体（Ａ）の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）で、通常１０００〜１０００００であり、好ましくは３０００〜５００００である。重合体（Ａ）のＭｗが上記範囲内であることにより、重合体の露光前後の溶解コントラストがつき易い。
【００３１】
尚、本発明における重合体（Ａ）は、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３２】
また、本発明における重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０℃以上であることが好ましく、より好ましくは６０℃以上、更に好ましくは８０℃以上である（通常、１２０℃以下）。この重合体（Ａ）のＴｇが４０℃未満の場合、粘着性が著しくなりハンドリングが困難となる傾向にある。具体的には、半田ペーストを埋め込む際にペーストの印刷性が著しく損なわれることがある。
この重合体（Ａ）のＴｇは、単量体組成、ラジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度等の重合条件を適切に選択することにより調節することができる。尚、重合体（Ａ）のガラス転移温度は、−８０℃〜５００℃の温度範囲で、窒素雰囲気下、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件でＤＳＣ（示差走査熱量計）により測定できる。
【００３３】
〔エチレン性不飽和結合を２つ以上有する架橋剤（Ｂ）〕
本発明における架橋剤（Ｂ）としては、２５℃における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ未満となる架橋剤が用いられる。特に、この粘度は８００ｍＰａ・ｓ未満であることが好ましく、６００ｍＰａ・ｓ未満であることがより好ましい。尚、この粘度は通常、１０ｍＰａ・ｓ以上である。
本発明のドライフィルムにおいては、このような架橋剤を使用することで、クラックを生じさせずに巻き取り可能となる。
【００３４】
上記架橋剤（Ｂ）としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（アクリロキシエチル）ヒドロキシエチルイソシアヌレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、
【００３５】
ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルに（メタ）アクリル酸を付加させたエポキシ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリロイルオキシロキシメチルエチルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３６】
また、上記架橋剤（Ｂ）としては、市販品をそのまま用いることもできる。その具体例としては、アロニックスＭ−３０５、同Ｍ−３０９、同Ｍ−３１０、同Ｍ−３２０、同Ｍ−８０３０、同Ｍ−２４０、同Ｍ−２４５、同Ｍ−６１００、同Ｍ−６２５０、同Ｍ−６５００、同Ｍ−２１０、同Ｍ−４００、同Ｍ−７１００、同Ｍ−８０６０、同Ｍ−８１００、同Ｍ−９０５０、同Ｍ−６２００、同Ｍ−６３００、同Ｍ−６４００（以上、東亞合成（株）製）、ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｒ−７１２、同ＴＭＰＴＡ、同ＰＥＧ４００ＤＡ、同ＭＡＮＤＡ、同ＨＸ−２２０、同ＨＸ−６２０、同Ｒ−６０４、同Ｒ−５５１、同ＨＤＤＡ、同ＴＰＧＤＡ、同ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、同ＤＰＣＡ−６０、同ＤＰＣＡ−１２０（以上、日本化薬（株）製）、ビスコート＃２９５、同３００、同２６０、同３１２、同３３５ＨＰ、同３６０、同ＧＰＴ、同３ＰＡ、同４００（以上、大阪有機化学工業（株）製）等が挙げられる。
これらの架橋剤（Ｂ）は、２５℃における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ未満であるものを単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。尚、２種以上を併用する場合は、架橋剤（Ｂ）の混合物の２５℃における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ未満となればよい。
【００３７】
上記架橋剤（Ｂ）の使用量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、１０〜２５０質量部であることが好ましく、より好ましくは２０〜２００質量部、更に好ましくは２５〜１５０質量部である。この架橋剤（Ｂ）の使用量が上記範囲内であれば、重合体（Ａ）との相溶性に優れ、且つ保存安定性に優れたネガ型感放射線性樹脂組成物を調製することができる。更には、露光時の感度、コントラスト、及び剥離性に優れたドライフィルムが得られる。
【００３８】
〔感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）〕
本発明における感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）としては、ベンジル、ジアセチル等のα−ジケトン類；ベンゾイン等のアシロイン類；
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のアシロインエーテル類；
チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、チオキサントン−４−スルホン酸、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類；
アセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、α，α−ジメトキシ−α−アセトキシベンゾフェノン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、ｐ−メトキシアセトフェノン、１−［２−メチル−４−メチルチオフェニル］−２−モルホリノ−１−プロパノン、α，α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン等のアセトフェノン類；
アントラキノン、１，４−ナフトキノン等のキノン類；
フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等のハロゲン化合物；
［１，２’−ビスイミダゾール］−３，３’，４，４’−テトラフェニル、［１，２’−ビスイミダゾール］−１，２’−ジクロロフェニル−３，３’，４，４’−テトラフェニル等のビスイミダゾール類；
ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパ−オキサイド等の過酸化物；
２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。
【００３９】
また、上記感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）としては、市販品をそのまま用いることもできる。その具体例としては、イルガキュア１８４、６５１、５００、９０７、ＣＧＩ３６９、ＣＧ２４−６１、ダロキュア１１１６、１１７３（以上、チバスペシャルティケミカルズ社製）、ルシリンＬＲ８７２８、ルシリンＴＰＯ（以上、ＢＡＳＦ社製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ社製）等が挙げられる。
【００４０】
更に、必要に応じてメルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾオキサゾールのような水素供与性を有する化合物を、上記感放射線性ラジカル重合開始剤と併用することもできる。
【００４１】
上述した種々の感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）のなかでも、１−［２−メチル−４−メチルチオフェニル］−２−モルホリノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン類；
フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド；
ルシリンＴＰＯ、イルガキュア６５１；
１，２’−ビスイミダゾール類と４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノンとメルカプトベンゾチアゾールとの併用物等が挙げられる。
尚、これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
上記感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）の使用量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常０．１〜６０質量部であり、好ましくは５〜５０質量部、より好ましくは１０〜４０質量部である。この使用量が上記範囲内であれば、重合体（Ａ）との相溶性に優れ、且つ保存安定性に優れたネガ型感放射線性樹脂組成物を調製することができる。更には、露光時において、酸素によるラジカルの失活の影響（感度の低下）を受けにくいドライフィルムが得られる。
【００４３】
〔有機溶媒〕
本発明のドライフィルムを形成するためのネガ型感放射線性樹脂組成物は、上記重合体（Ａ）、架橋剤（Ｂ）及び感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）、更には後述する他の成分（界面活性剤等）を均一に混合するため、或いは良好な膜を形成するために、有機溶媒を含有する。
【００４４】
上記有機溶媒としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等が挙げられる。
【００４５】
更に、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶媒を添加することもできる。
【００４６】
これらの有機溶媒のなかでも、２−ヒドロキシプロピオン酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノンが好ましい。
これらの溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
有機溶媒の使用量は、ネガ型感放射線性樹脂組成物の塗布方法、この樹脂組成物の用途等を考慮して調整することができる。各成分を均一に混合させることができれば、樹脂組成物中の有機溶媒の含有量は特に限定されないが、有機溶媒の含有量は、重合体（Ａ）と有機溶媒との合計１００質量部に対して、通常５〜５０質量部であり、好ましくは１０〜４０質量部である。
【００４８】
〔フェノール性水酸基含有化合物〕
また、上記ネガ型感放射線性樹脂組成物には、アルカリ溶解速度の調整するために、フェノール性水酸基含有化合物を添加することができる。
上記フェノール性水酸基含有化合物は、フェノール骨格が１０以下の低分子量の化合物と、ノボラック樹脂或いはポリ（４−ヒドロキシスチレン）等の高分子量の重合体とに大別される。
【００４９】
低分子量の化合物としては、４，４'−［１−［４［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ジフェノール、２，２−ビス（１，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸メチルエステル、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１，３−ベンゼンジオール等が挙げられる。
またこれら以外にも、熱重合禁止剤として一般に用いられている化合物を、低分子化合物として使用することができる。例えば、ピロガロ−ル、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブル−、ｔｅｒｔ−ブチルカテコ−ル、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４'−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４'，４’’−エチリデントリス（２−メチルフェノール）、４，４'，４’’−エチリデントリスフェノール、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン等が挙げられる。
【００５０】
上記高分子量の重合体としては、以下に示すノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン及びその誘導体が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００５１】
上記ノボラック樹脂は、ｍ−クレゾールと、他の１種以上のフェノール類と、アルデヒド化合物とを縮合して得られる樹脂であって、ｍ−クレゾールの含有量が全フェノール類中の５０〜９０モル％であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂である。
このノボラック樹脂の原料に用いられる上記他のフェノール類としては、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール及び２，３，５−トリメチルフェノール等が挙げられる。これらのなかでも、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、３，４−キシレノール及び２，３，５−トリメチルフェノールが好ましい。上記フェノール類は、単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００５２】
また、ｍ−クレゾールと他の１種以上のフェノール類との好ましい組み合わせとしては、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／３，４−キシレノール、ｍ−クレゾール／２，３，５−トリメチルフェノール及びｍ−クレゾール／２，３−キシレノール／２，３，５−トリメチルフェノール等が挙げられる。
【００５３】
また、縮合させるアルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド等が挙げられる。これらのなかでも、特に、ホルムアルデヒド、及びｏ−ヒドロキシベンズアルデヒドを好適に使用することができる。上記アルデヒド類は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。このようなアルデヒド化合物の使用量は、全フェノール類１モルに対し、０.４〜２モルの範囲であることが好ましく、０.６〜１.５モルの範囲であることがより好ましい。
【００５４】
フェノール類とアルデヒド化合物との縮合反応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等を挙げることができる。このような酸性触媒は、通常、フェノール類１モルに対し、１×１０−５〜５×１０−１モルの量で使用することができる。
【００５５】
縮合反応においては、通常、反応媒質として水が使用されるが、反応初期から不均一系になる場合は、反応媒質として例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類を使用することができる。これらの反応媒質は、通常、反応原料１００質量部当り、２０〜１０００質量部の量で使用される。
【００５６】
縮合反応の温度は、原料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、通常１０〜２００℃である。
縮合反応は、フェノール類、アルデヒド化合物、酸性触媒等を一括して仕込む方法、及び酸性触媒の存在下にフェノール類、アルデヒド化合物等を反応の進行とともに加えていく方法等によって行うことができる。
【００５７】
縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去してノボラック樹脂を回収する。このようなノボラック樹脂を回収する方法としては、（１）反応温度を１３０〜２３０℃に上昇させ減圧下で揮発分を除去する方法や、（２）得られたノボラック樹脂をエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３-メトキシプロピ
オン酸メチル、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧溶媒を混合し、次いで、析出する樹脂溶液層を分離する方法が挙げられる。
【００５８】
また、前記ノボラック樹脂のＭｗは、ネガ型感放射線性樹脂組成物を製膜する際の作業性、並びにドライフィルムからレジスト膜を形成する際の現像性、感度及び耐熱性の点から、２０００〜２００００であることが好ましく、３０００〜１５０００であることが特に好ましい。
【００５９】
上記ポリヒドロキシスチレン類としては、マルカリンカーＭ、マルカリンカーＣＭＭ、マルカリンカーＣＨＭ、マルカリンカーＭＢ、マルカリンカーＰＨＭ−Ｃ、マルカリンカーＣＳＴ、マルカリンカーＣＢＡ（丸善石油化学（株）製）等の名称で市販されている樹脂が挙げられる。これらのポリヒドロキシスチレン類は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
【００６０】
〔他の樹脂〕
また、上記ネガ型感放射線性樹脂組成物には、上記重合体（Ａ）以外にも、下記の他の樹脂が配合されていてもよい。
このような樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、テトラフェノール型エポキシ樹脂、フェノール−キシリレン型エポキシ樹脂、ナフトール−キシリレン型エポキシ樹脂、フェノール−ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール−ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６１】
〔界面活性剤〕
また、上記ネガ型感放射線性樹脂組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させるために、界面活性剤を配合してもよい。
上記界面活性剤としては、ＮＢＸ−１５（ネオス社製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（ＢＭケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５（旭硝子（株）製）、ＳＨ−２８ＰＡ、同−１９０、同−１９３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８（東レシリコーン（株）製）等の名称で市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。これらの界面活性剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。
この界面活性剤の使用量は、上記重合体（Ａ）１００質量部に対して５質量部以下であることが好ましい。
【００６２】
〔他の添加剤〕
また、上記ネガ型感放射線性樹脂組成物には、他の添加剤として、放射線増感剤、シリカ、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム等の無機充填剤、高分子添加剤、反応性希釈剤、レベリング剤、濡れ性改良剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、防カビ剤、調湿剤、難燃剤等が配合されていてもよい。
【００６３】
〔ドライフィルム及び転写フィルム〕
本発明におけるドライフィルムは、上記ネガ型感放射線性樹脂組成物を乾燥することにより作製することができる。
このドライフィルムは、所定の基板上に、上記樹脂組成物を直接塗布し、乾燥して形成することができる。また、上記樹脂組成物を支持フィルム上に塗布して乾燥することにより、ネガ型感放射線性ドライフィルムを支持フィルム上に設けた本発明の転写フィルムを得ることができる。
上記ドライフィルムの膜厚は特に限定されないが、２０〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは２５〜１２０μｍ、更に好ましくは３０〜１００μｍである。
上記樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷、アプリケーター法等が挙げられる。
上記乾燥の条件は、樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、通常は７０〜１４０℃で５〜２０分間程度であり、好ましくは８０〜１３０℃で２〜１０分間程度である。乾燥時間及び温度が上記範囲内であることにより、現像時の密着状態及び解像度に優れるドライフィルムを得ることができる。
上記支持フィルムの材料は、転写フィルムの作製及び使用に耐えうる強度を有する限り、特に限定されるものではない。
【００６４】
〔バンプ形成方法〕
本発明における、配線基板表面の電極パッド上への「バンプの形成方法」は、少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする。
（ａ１）基板上に、ドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ１）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｃ１）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程、
（ｄ１）上記ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程。
【００６５】
〔（ａ１）工程〕
上記（ａ１）工程では、ネガ型感放射線性ドライフィルムが基板上に形成され、その後、電極パッドの対応位置に開口パターンが形成される。
具体的には、上記開口パターンは、（ｉ）ドライフィルム形成工程、（ｉｉ）放射線照射工程、及び（ｉｉｉ）現像処理工程を経て形成される。
【００６６】
（ｉ）ドライフィルム形成工程
基板上にドライフィルムを形成する。基板上へのドライフィルムの形成は、前述のドライフィルムの形成方法に基づいて行うことができる。その際、上記の転写フィルムを用いて、基板上にドライフィルムを形成することもできる。
【００６７】
（ｉｉ）放射線照射工程
（ｉ）工程を行った後に、放射線をドライフィルムに照射する。これにより、パターンの潜像を形成する。放射線の照射方法は以下の通りである。
【００６８】
上記ドライフィルムに所定のパターンのマスクを介して、波長が３００〜５００ｎｍの紫外線又は可視光線を照射する。これらの放射線の線源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザー等を用いることができる。ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等を意味する。放射線照射量は、樹脂組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の膜厚等によって異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、通常１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００６９】
（ｉｉｉ）現像処理工程
（ｉｉ）工程を行った後に、パターンを現像する。これにより、開口パターンを形成する。現像方法は以下の通りである。
【００７０】
アルカリ性水溶液を現像液として用いて不要な部分を溶解、除去し、放射線照射部分のみ残存させる。
上記現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノナン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。
また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
【００７１】
現像時間は、樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、ドライフィルムの膜厚によって異なるが、通常３０〜３６０秒間である。
また、現像の方法は、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法等のいずれでもよい。現像後は、流水洗浄を３０〜９０秒間行い、その後、エアーガン等を用いて風乾させたり、オーブン中で乾燥させたり、或いはスピンナーを用いてスピンドライする。
【００７２】
上記のような現像液を用いて現像すると、放射線照射部分のみが残存する。この後、残存したレジスト膜を後露光や加熱をすることによって、更にレジスト膜を硬化させてもよい。
【００７３】
〔（ｂ１）工程〕
上記（ｂ１）工程では、形成された開口パターン内に低融点金属が導入される。
上記低融点金属を導入する方法としては、後述するように、例えば、半田ペースト等の低融点金属ペーストをスキージを用いて開口部に埋め込む方法、半田ボールを直接搭載する方法、電解メッキ法等がある。
【００７４】
〔（ｃ１）工程〕
上記（ｃ１）工程では、加熱処理により低融点金属がリフローされ、バンプが形成される。
【００７５】
〔（ｄ１）工程〕
上記（ｄ１）工程では、ドライフィルムが基板から剥離、除去される。剥離、除去は以下の方法によって行うことができる。
【００７６】
バンプを形成した後に、基板上に残存するドライフィルムからなるレジスト膜を剥離する方法としては、５０〜８０℃下、撹拌中の剥離液に該基板を５〜３０分間浸漬することによって剥離することができる。この際使用する剥離液としては、ジメチルスルホキシド単独或いは第４級アンモニウム塩とジメチルスルホキシドと水の混合溶液を使用することが好ましい。また、上記剥離液に少量のアルコールを添加しても良い。
【００７７】
より具体的には、多段の浸漬槽を有する剥離設備を用意し、ドライフィルムからなるレジスト膜を一槽目で適当な有機溶剤を用いて剥離するとともに剥離片を循環濾過した後、二槽目以降で基板に残ったレジスト膜残渣を、有機アルカリ成分を含有する剥離液により剥離する方法が挙げられる。この方法の中でも、一槽目でジメチルスルホキシド又はＮ−メチルピロリドンを使用し、二槽目以降で有機アルカリ成分とジメチルスルホキシドを含有する剥離液を使用する方法が好ましい。
【００７８】
また、本発明における、配線基板表面の電極パッド上への「他のバンプの形成方法」は、少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする。
（ａ２）基板上に、ネガ型感放射線性ドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ２）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｄ２）上記ネガ型感放射線性ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程、
（ｃ２）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
【００７９】
上記（ａ２）、（ｃ２）、及び（ｄ２）工程は、それぞれ、前述の（ａ１）、（ｃ１）、及び（ｄ１）工程の説明をそのまま適用することができる。
【００８０】
上記（ｂ２）工程では、形成された開口パターン内に、通常、後述する電解メッキ法により低融点金属が導入される。
【００８１】
また、本発明における、配線基板表面の電極パッド上への「更に他のバンプの形成方法」は、少なくとも下記の各工程を含み、これらの工程を下記記載順で実施することを特徴とする。
（ａ３）基板上に、ネガ型感放射線性ドライフィルムを形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
（ｂ３）上記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
（ｃ３）加熱処理することで上記低融点金属を電極パッドに融着する工程、
（ｄ３）上記ネガ型感放射線性ドライフィルムを基板から剥離、除去する工程、
（ｃ４）加熱処理することで上記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
【００８２】
上記（ａ３）、（ｂ３）、（ｃ４）、及び（ｄ３）工程は、それぞれ、前述の（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）、及び（ｄ１）工程の説明をそのまま適用することができる。
【００８３】
上記（ｃ３）工程では、通常（ｃ４）工程より低い温度で加熱し、導入された低融点金属を溶融させ、電極パッドに融着させる。
【００８４】
尚、配線基板表面の電極パッド上に形成されるバンプは、前記「バンプの形成方法」、「他のバンプの形成方法」及び「更に他のバンプの形成方法」のうちの１種のみの方法により形成することもできるし、２種以上の方法を組み合わせて形成することもできる。
【００８５】
〔バンプ形成方法の実施形態〕
以下、本発明に係るバンプ形成方法の実施形態について図面を参照して説明する。
本発明の第一の実施形態による電極パッド上へのバンプ形成方法について、図１を用いてより詳細に説明する。
電極パッド１０１が半導体全面にエリア状に配置された半導体チップウェハーの断面構造を図１（ａ）に示す。シリコン基板１０３の表面上に電極パッド１０１が形成され、電極パッド１０１の表面が露出した状態で表面は、例えば１μｍのパッシベーション膜１０２が覆っている。
【００８６】
図１（ｂ）に示されるように、電極金属の金属拡散防止膜１０４とバリアメタル層１０５をスパッタ法、蒸着法等で形成する。金属拡散防止膜１０４はＮｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｔａ、Ｎｂ、ＷＮのいずれかを用いて、例えば１μｍの膜厚で形成する。この金属拡散防止膜１０４は単層膜であっても、積層膜であってもよい。バリアメタル層１０５はＴｉ、Ｎｉ、Ｐｄ等の金属を数千オングストローム積層する。
【００８７】
図１（ｃ）に示されるように、パッシベーション膜１０２及びバリアメタル層１０５の全面に、１０７としてネガ型感放射線性ドライフィルムからなるレジスト膜を形成する。
【００８８】
例えば、１０７のレジスト膜に対し、マスクを介して放射線を照射した後現像して、電極パッド１０１上のバンプ形成用個所の対応位置にバンプ形成用開口部１０８を形成する。バンプ形成用開口部を形成した後、いわゆるポスト露光、ポストベークすることでレジスト膜の架橋反応を進め、機械的強度、耐溶剤性の向上させることができる。
【００８９】
図１（ｄ）に示されるように、上記バンプ形成用開口部にスキージ１０９等を使用して、例えば、半田ペーストのような低融点金属ペースト１１０を埋めこむ。
図１（ｅ）及び（ｆ）に示されるように、金属ペーストを埋め込んだ半導体ウェハーを窒素雰囲気中で加熱し、金属ペーストをリフローしてバンプ１１１を形成する。
【００９０】
図１（ｇ）に示されるように、レジスト膜を剥離する。このあと、電気的なテストを行い、ダイシングを行ってチップに分割し、フリップチップ実装を行う。
本実施の形態では、低融点金属ペーストとして半田ペーストを例示したが、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇｅ等の金属が混合された混合金属を用いても良好な信頼性が得られる。尚、半田バンプを形成する際に、スキージを用いてバンプ形成用開口部１０８に埋め込む方法以外にも、低融点金属ボール２０９を搭載する第二の実施形態（図２）や、半田を電解メッキにより低融点金属膜３０９を形成する第三の実施形態（図３）を用いて形成してもよい。尚、電解メッキにて低融点金属膜を形成する場合（図３）、金属拡散防止膜及び／又はバリアメタルは給電層としても用いられるため、一般に基板全面に形成され、リフロー後にウェットエッチング等の手段でバンプ下部を除く部分が除去されるのが一般的である。また、金属ペーストをリフローした後、フラックス洗浄を行ってもよい。
【００９１】
図４（ａ）〜（ｆ）は、いわゆる多層プリント配線板に本発明によってバンプを形成する場合の説明図である。この図４の層間樹脂絶縁層４０２の下方は、導体回路４０３と層間樹脂絶縁層４０２がそれぞれ一層ずつ形成されているが、交互に複数層形成されているのが通常の形態である。
【００９２】
本発明の第四の実施形態による電極パッド上へのバンプ形成方法について、図４を用いて説明する。本実施形態においては、複数の電極パッド４０１及びその側面にソルダーレジスト４０６を表面に有する配線基板が、ガラスエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基材４０４上に層間樹脂絶縁層４０２を介して設けられており、かつバンプ形成用開口４０８内に低融点金属を導入する工程として半田ペーストに代表される低融点金属ペースト４０９をスキージ４１０により充填する方法が用いられている。
【００９３】
電極パッド４０１が半導体全面に対応するエリア全面に配置された配線基板の断面構造を図４（ａ）に示す。層間樹脂絶縁層４０２と導体回路４０３とをガラスエポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基材４０４上に有する多層積層板である配線基板の一部にメッキにより形成されたバイアホール４０５により、上下の導通が確保されている。層間樹脂絶縁層４０２の上にソルダーレジスト４０６を塗布し、底部に電極となる開口部を形成する。この開口部の底部には導体回路の一部が露出しており、この上に無電界メッキ等により電極パッド４０１を形成する。この上に４０７のレジスト膜を形成する。
【００９４】
例えば、ネガ型感放射線性ドライフィルムを４０μｍ以上の膜厚で形成し、４０７を形成する。次いで、このレジスト膜をパターン露光した後、現像することにより半田バンプ形成用開口４０８を形成する。
【００９５】
図４（ｃ）、（ｄ）に示されるように、このバンプ形成用開口部にスキージ４１０等を使用して、例えばハンダペーストのような低融点金属ペースト４０９を埋め込む。
次いで、図４（ｅ）に示されるように、金属ペーストを埋め込んだ半導体ウェハーを窒素雰囲気中で加熱し、金属ペーストをリフローしてバンプを形成する。
【００９６】
その後図４（ｆ）に示されるように、レジスト膜を剥離する。
上記説明では、低融点金属ペーストとして半田ペーストを例示したが、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇｅ等の金属が混合された混合金属を用いても良好な信頼性が得られる。尚、低融点金属バンプ好ましくは半田バンプを形成する際に、スキージを用いて開口部に埋め込む方法以外にも、低融点金属ボール（半田ボール）５０９を搭載する第五の実施形態（図５）や、半田等の低融点金属を電解メッキにより低融点金属膜６０９を形成する第六の実施形態（図６）を用いて形成してもよい。
尚、電解メッキの場合は、図６に示すように低融点金属膜を形成した後にドライフィルムを剥離し、リフローすることができる。また低融点金属をリフローした後、フラックス洗浄を行ってもよい。
【実施例】
【００９７】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、部は、特記しない限り質量基準である。
【００９８】
<１>ネガ型感放射線性樹脂組成物の調製
［１−１］重合体（Ａ）
重合体（Ａ）としては、下記のように合成したものを用いた。
フラスコを窒素置換した後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（イソ酪酸）ジメチルエステル１０．０ｇ、溶媒として２−ヒドロキシプロピオン酸エチルを１５０ｇ仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌した。引き続いて、ｐ−イソプロペニルフェノール５．０ｇ、Ｎ−（Ｐ−ヒドロキシフェニル）メタクリルアミド１４ｇ、メタクリル酸１２．０ｇ、８−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル−メタクリレート３２ｇ、ｎ−ブチルメタクリレート３７．０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を８０℃に上昇させ、この温度で３時間重合した後、２，２’−アゾビス（イソ酪酸）ジメチルエステル１．０ｇを追添し、更に８０℃で３時間重合し、次いで、１１０℃に昇温し、この温度で１時間重合を行った。その後、室温まで放冷し、フラスコ内を空気で置換した。次いで、反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と同質量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥し、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を有する重合体（Ａ−１）を得た。
尚、下記の条件下で重合体（Ａ−１）のＴｇを測定したところ、９８℃であった。
Ｔｇ測定装置；（ティー・エイ・インスツルメント社製  示差走査熱量計）
Ｔｇ測定条件；（測定範囲：−８０℃〜５００℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎ、窒素フロー：６０ｍＬ／ｍｉｎ）
【００９９】
［１−２］架橋剤（Ｂ）
架橋剤（Ｂ）として、以下の化合物を用いた。
Ｂ−１：トリメチロールプロパントリメタクリレート（商品名「ライトエステルＴＭＰ」、共栄社化学株式会社製、２５℃における粘度；４０ｍＰａ・ｓ）
Ｂ−２：トリメチロールプロパントリアクリレート（商品名「アロニックスＭ−３０９」、東亜合成株式会社製、２５℃における粘度；１００ｍＰａ・ｓ）
Ｂ−３：ポリエステルアクリレート（商品名「アロニックスＭ−８０６０」、東亞合成株式会社製、２５℃における粘度；８７００ｍＰａ・ｓ）
【０１００】
［１−３］感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）
感放射線性ラジカル重合開始剤（Ｃ）として、以下の化合物を用いた。
Ｃ−１：α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン（商品名「イルガキュア６５１」、チバスペシャルティケミカル社製）
Ｃ−２：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド（商品名「ルシリンＴＰＯ」、ＢＡＳＦ社製）
Ｃ−３：２，２'−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２'−ビイミダゾール（黒金化成株式会社製）
【０１０１】
［１−４］有機溶媒
有機溶媒として、以下の化合物を用いた。
Ｄ−１：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル
【０１０２】
［１−５］界面活性剤
界面活性剤として、ネオス社製の商品名「ＮＢＸ−１５」を用いた。
【０１０３】
［１−６］ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１）の調製
表１に示すように、上記重合体Ａ−１（１００部）と、架橋剤Ｂ−１（６０部）と、感放射線性ラジカル重合開始剤Ｃ−１（１５部）、Ｃ−２（２部）及びＣ−３（５部）と、有機溶媒Ｄ−１（１３０部）と、界面活性剤「ＮＢＸ−１５」（０．１部）と、を攪拌混合し、均一に溶解した。
その後、この溶液を孔径１０μｍのメンブレンフィルター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製、「カプセルカートリッジフィルター  ＣＣＰ−３−Ｃ１Ｂ」）を用いてろ過し、ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１）を調製した。
【０１０４】
［１−７］ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−２）の調製
表１に従い、組成を変更したこと以外は上記ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１）と同様にして、ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−２）を調製した。
【０１０５】
［１−８］ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−３）の調製
表１に従い、組成を変更したこと以外は上記ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１）と同様にして、ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−３）を調製した。
尚、この組成物（Ｕ−３）における架橋剤の混合物の２５℃における粘度は１００ｍＰａ・ｓである。
【０１０６】
［１−９］比較用ネガ型感放射線性樹脂組成物（ＣＵ−１）の調製
表１に従い、組成を変更したこと以外は上記ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１）と同様にして、比較用ネガ型感放射線性樹脂組成物ＣＵ−１を調製した。
尚、この組成物（ＣＵ−１）は、本発明の範囲外となる架橋剤Ｂ−３（２５℃における粘度；８７００ｍＰａ・ｓ）を用いたものである。
【０１０７】
【表１】
2007272086.tif 000002
【０１０８】
<２>評価及びその結果
上述のように調製した各ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１〜Ｕ−３及びＣＵ−１）を用いて、評価基板上にバンプを形成し、下記のように各性能を評価した。
尚、上記ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１）を用いたものを実施例１、（Ｕ−２）を用いたものを実施例２、（Ｕ−３）を用いたものを実施例３、及び（ＣＵ−１）を用いたものを比較例１とする。
【０１０９】
［２−１］転写フィルムの作製
各ネガ型感放射線性樹脂組成物（Ｕ−１〜Ｕ−３及びＣＵ−１）を用いて、以下のように転写フィルムを作製した。
支持フィルム（東レデュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５４」、厚さ；３８μｍ）上に、オートアプリケーターを用いて乾燥後の膜厚が５０μｍになるように、ネガ型感放射線性樹脂組成物を塗布した後、１２０℃の対流式オーブンで１０分間乾燥し、それぞれの樹脂組成物からなるネガ型感放射線性ドライフィルムが支持フィルム上に設けられた転写フィルムを作製した。
【０１１０】
［２−２］ドライフィルムの折り曲げ耐性の評価
上記のように作製した転写フィルムを２ｃｍ×１０ｃｍの短冊状とし、支持フィルム側長辺方向の両端１ｃｍを合わせた際（塗工面が凸）、ドライフィルムにクラックが発生しない場合を「○」、クラックが発生した場合を「×」とした。その結果を表３に示す。
【０１１１】
［２−３］剥離液
バンプの形成に用いる剥離液を以下のように調製した。
ジメチルスルホキシド４５００ｇにテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２５質量％）を３００ｇとイソプロパノールを２００ｇ添加した後、攪拌して、剥離液１とした。
【０１１２】
［２−４］評価基板
バンプの形成に用いる評価基板Ａ及びＢを、それぞれ、以下のように作製した。
（評価基板Ａの作製）
４インチシリコンウェハー上に、スパッタリングにより、１０００オングストロームの厚みのクロム層を形成し、更にその上に１０００オングストロームの厚みの銅層を形成した。これを評価基板Ａとした。
【０１１３】
（評価基板Ｂの作製）
上記評価基板Ａのスパッタ面上に、（ｉ）ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０（モル比）からなるクレゾールノボラック樹脂（ポリスチレン換算重量平均分子量；８７００）、（ｉｉ）ヘキサメトキシメチルメラミン、（ｉｉｉ）架橋微粒子、（ｉｖ）スチリル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、及び（ｖ）乳酸エチルを含有するソルダーレジスト［ＪＳＲ（株）製、特願２０００−３３４３４８号（特開２００２−１３９８３５号）中に記載の実施例１の感光性絶縁樹脂組成物］を塗布し、９０℃の対流式オーブンで１０分間乾燥し、厚さ３μｍの均一な塗膜を作製した。
次いで、高圧水銀灯〔アライナー（Ｓｕｓｓ  Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ社製、「ＭＡ−１５０」）〕を用いて、パターンマスクを介し、波長３５０ｎｍにおける露光量が３００〜５００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光し、９０℃の対流式オーブンで１５分間加熱（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ；以下、「ＰＥＢ」という。）を行った。その後、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２３℃で２〜３分間、パドル現像（圧力；３ｋｇｆ・ｃｍ２）を行い、更に、高圧水銀灯を用いて波長３５０ｎｍにおける露光量が１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。この基板を対流式オーブンに入れ、１５０℃で２時間、更に１７０で２時間加熱して硬化膜を有する基板を得た。これを評価基板Ｂとした。
【０１１４】
尚、上記評価基板Ｂには、第一開口パターンとして以下のパターンが混在している。
１５０μｍピッチで開口径９５μｍのホールパターン
１２５μｍピッチで開口径８０μｍのホールパターン
【０１１５】
［２−５］レジスト膜の作製
上記評価基板Ａ、Ｂ上に、ドライフィルムが形成された上記転写フィルムを接触させ、ラミネート法により、膜厚５０μｍのレジスト膜（ドライフィルム）を作製した。
尚、ラミネート条件は以下の通りである。
ロール温度：１００℃
ロール圧：０．２ＭＰａ
搬送速度：０．４ｍ／ｍｉｎ
【０１１６】
［２−６］開口パターンの評価
上記のようにレジスト膜が形成された評価基板Ａに対して、下記のように露光を行い、現像し、形成された開口パターンの形状を、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にて確認し、以下の基準で評価した。結果を表３に併記する。
【０１１７】
（露光）
高圧水銀灯〔アライナー（Ｓｕｓｓ  Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製、「ＭＡ−１５０」）〕を用い、５０μｍ×５０μｍの開口を有するホールパターンが多数存在するパターン付きガラスマスクを介して波長４２０ｎｍにおける露光量が１５００ｍＪ／ｃｍ２となるように露光した。露光時にはパターン付きガラスマスクとドライフィルム間のギャップが２０μｍになるように調整した。
【０１１８】
（現像）
露光した基板は、１．０％の水酸化ナトリウム水溶液中で振とうさせて現像した。現像時間は１５０秒を中心に１５秒刻みで調整した。現像後、イオン交換水の流水で３０秒間洗浄した。
【０１１９】
（評価基準）
〇：５０μｍ×５０μｍの開口を有するホールパターンが現像残りなく現像されており、かつパターンの浮き、剥がれなどがみられない現像時間がある。
×：５０μｍ×５０μｍの開口を有するホールパターンに現像残り、或いはパターンの浮き、剥がれがみられ、現像時間のマージンがない。
【０１２０】
［２−７］低融点金属（半田）の導入
上記［２−５］のようにレジスト膜が形成された評価基板Ｂに対して、上記［２−６］と同様にして露光を行った後、現像し、開口パターンを形成した。尚、露光に際しては、評価基板における第一開口パターンと適合する位置に５μｍから１０μｍ開口径の広いパターン（以下「第二開口パターン」という。）が存在するパターン付きガラスマスクを使用した。また、第一開口パターンと第二開口パターンの対応関係は以下の表２の通りである。
【０１２１】
【表２】
2007272086.tif 000003
【０１２２】
上記開口パターンが形成された評価基板Ｂを１００℃で３０分間クリーンオーブン内でベークすることで、レジスト膜の硬化反応を促進した。
その後、レジスト膜の表面全体にスキージを用いて、半田ペーストを塗布し、凹形状の半田バンプ形成用開口に半田ペーストを完全に充填した。尚、ここで充填した半田ペーストは、千住金属工業（株）製のエコソルダーペーストＭ７０５−２２１ＢＭ５−１０−１１［Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ＝９６．５：３：０．５（質量比）］で配合させた主として粒径５〜２０μｍの半田を含有するもので、その粘度を１９０Ｐａ・ｓに調整したものである。
次いで、半田ペースト形成用開口に充填した半田ペースト以外の半田ペーストを、スキージを用いて除去することにより、半田ペーストの表面を平坦化した。
【０１２３】
［２−８］リフローによるバンプの形成及びその評価
上記の工程で印刷した半田ペーストを最高到達温度２５０℃でリフローした。
リフロー後の基板を光学顕微鏡で観察することにより、半田ペーストの印刷性を以下の基準により評価した。その結果を表３に併記する。
○：半田ボールが均一に球状になっており、半田ボールがつながってしまう、いわゆるブリッジがみられず、且つレジスト開口部に半田ボールが形成されていない。
×：半田ボール形状が不均一であり、半田ボールがつながってしまう、いわゆるブリッジがみられ、且つレジスト開口部に半田ボールが形成されていない。
【０１２４】
［２−９］ドライフィルムの剥離及びその評価
１Ｌのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を剥離槽中に入れ、６０℃に加温した。この剥離槽中に、上記リフローした基板を２０分間、攪拌しながら浸漬した。更に、別の剥離槽で６０℃に加温した１Ｌの剥離液１中に、上記のＤＭＳＯによって剥離処理した基板を更に２０分間攪拌しながら浸漬することでレジスト膜（ドライフィルム）を剥離した。基板はイソプロピルアルコールにてリンスした後に、水洗しエアーガンにて乾燥した。
剥離処理後、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡で基板表面、半田バンプを観察し、以下の基準で評価した。
〇：基板面上において、剥離残りがまったくみられない。
△：基板面上において、目視では剥離残りはみられないが、光学顕微鏡による観察で剥離残りが確認された。
×：基板面上において、目視で剥離残りが観察される。
【０１２５】
【表３】
2007272086.tif 000004
【０１２６】
<３>実施例の効果
表３によれば、本実施例のネガ型感放射線性樹脂組成物により形成されたドライフィルムは、十分な可とう性を備えており、解像性、パターン形状に優れ、露光、現像、硬化後には半田ペーストの印刷時のスキージ圧に対してもパターンの割れや欠損等が起こりにくく、印刷性に優れたドライフィルムであることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明のバンプの形成方法を説明する断面模式図である。
【図２】本発明の他のバンプの形成方法を説明する断面模式図である。
【図３】本発明の他のバンプの形成方法を説明する断面模式図である。
【図４】本発明の他のバンプの形成方法を説明する断面模式図である。
【図５】本発明の他のバンプの形成方法を説明する断面模式図である。
【図６】本発明の他のバンプの形成方法を説明する断面模式図である。
【符号の説明】
【０１２８】
１０１：電極パッド、１０２：パッシベーション膜、１０３：シリコン基板、１０４：金属拡散防止膜、１０５：バリアメタル、１０７：レジスト膜（ドライフィルム）、１０８：バンプ形成用開口部、１０９：スキージ、１１０：低融点金属ペースト、１１１：リフロー後の低融点金属バンプ、２０１：電極パッド、２０２：パッシベーション膜、２０３：シリコン基板、２０４：金属拡散防止膜、２０５：バリアメタル、２０７：レジスト膜（ドライフィルム）、２０８：バンプ形成用開口部、２０９：低融点金属ボール、２１０：リフロー後の低融点金属バンプ、３０１：電極パッド、３０２：パッシベーション膜、３０３：シリコン基板、３０４：金属拡散防止膜、３０５：バリアメタル、３０６：レジスト膜（ドライフィルム）、３０８：バンプ形成用開口部、３０９：電解メッキ後の低融点金属膜、３１０：リフロー後の低融点金属バンプ、４０１：電極パッド、４０２：層間樹脂絶縁層、４０３：導体回路、４０４：基材、４０５：バイアホール、４０６：ソルダーレジスト、４０７：レジスト膜（ドライフィルム）、４０８：半田バンプ形成用開口、４０９：低融点金属ペースト、４１０：スキージ、４１１：リフロー後の低融点金属、５０９：低融点金属ボール、６０９：電解メッキ後の低融点金属膜。
【図１】
2007272086.tif 000005
【図２】
2007272086.tif 000006
【図３】
2007272086.tif 000007
【図４】
2007272086.tif 000008
【図５】
2007272086.tif 000009
【図６】
2007272086.tif 000010