(57)【要約】プラズマ加工システム（１０）は、真空チャンバ（１１）内部の真空加工空間（２４）内に閉じ込められたプラズマに、高周波エネルギーを効率的に結合させる。プラズマ加工システム（１０）は、円錐台状誘電体窓（１４、８５）、誘電体窓（１４、８５、９４）の外側に配置された誘導性部材（１８）、およびチャンバ壁（１２）内の開口部内に取り入れられた円錐台状支持部材（１６、９６、１４１）を備えている。支持部材（１６、９６、１４１）は、誘電体窓（１４、８５、９４）の円錐台状部分（４８、９８）を機械的に支持する円錐台状パネル（５８、９９、１４２）を有する。誘電体窓（１４、８５、９４）は、セラミックまたはポリマーなどの誘電体材料で形成され、支持部材（１６、９６、１４１）がもたらす機械的支持により厚みが小さい。加工システム（１０）は、真空加工空間（２４）内へプロセス・ガスを導入するための、基板支持体（２０）上方に配置されたガス源を、含んでいてもよい。
2004522307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をプラズマで処理するためのプラズマ加工システムであって、
真空加工空間を囲むチャンバ壁とチャンバ壁内の開口部とを有する真空チャンバと、
プロセス・ガスを真空加工空間内へ導入するためのチャンバ壁内のガス入口と、
真空加工空間内に配置され、基板を受け取り支持するように適合された基板支持体と、
高周波（ＲＦ）電源と、
チャンバ壁の開口部内に配置された支持部材であって、ＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるように構成された円錐台状パネルを有する支持部材と、
前記支持部材に隣接して配置された誘電体窓であって、前記支持部材の円錐台状パネルによって機械的に支持された円錐台状部分を有し、ＲＦエネルギーを伝達可能な誘電体窓と、
前記誘電体窓の円錐台状部分に隣接して配置されたアンテナと、を備え、
前記誘電体窓が前記アンテナと前記支持部材との間に配置され、
前記アンテナが、前記高周波電源に電気的に接続され、真空加工空間へ前記誘電体窓を通して伝達してプロセス・ガスからプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するように動作可能である、プラズマ加工システム。
【請求項２】
前記誘電体窓が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ホウケイ酸ガラス、石英、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されたＲＦ伝達可能な材料から形成されている請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３】
前記誘電体窓が、ＲＦエネルギーを伝達可能なポリマーから形成されている請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４】
ポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン、フィルド・ポリテトラフルオロエチレン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項３に記載のプラズマ加工システム。
【請求項５】
前記支持部材が、円錐台状パネルの内部周縁端に接合された外部周囲縁を有する円形状トップ・プレートを含む請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項６】
トップ・プレートが、温度制御流体を循環させるように構成された流路を含み、温度制御流体は、前記アンテナにエネルギーが与えられたときにトップ・プレートから熱を吸収して運ぶ請求項５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項７】
前記アンテナがさらに、トップ・プレートに隣接して配置された複数のコイル・ターンを備え、前記誘電体窓がさらに、トップ・プレートに隣接して配置されたディスク状部分を備え、ディスク状部分がトップ・プレートによって機械的に支持され、トップ・プレートがさらに、ＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるように構成された複数のスロットを含む請求項５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項８】
複数のスロットの隣接する対が、ＲＦエネルギーが複数のコイル・ターンからスロットを通して真空加工空間へ効率的に伝達されるように、実質的に互いに平行に方向付けられている請求項７に記載のプラズマ加工システム。
【請求項９】
前記支持部材の円錐台状パネルが、２５°〜１８０°の第１の開先角度を有し、前記誘電体窓の円錐台状部分が、第１の開先角度に実質的に等しい第２の開先角度を有する請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１０】
第１の開先角度が約６０°である請求項９に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１１】
前記支持部材の円錐台状パネルが、円周方向に間隔を置いて配置された複数の帯と、円周方向に間隔を置いて配置された複数のスロットとを含み、帯の隣接する対がスロットの１つによって分離され、各帯が、前記誘電体窓の円錐台状部分の一部と接触してこれを機械的に支持する支持面を有する請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１２】
複数のスロットの隣接する対が、ＲＦエネルギーが前記アンテナから真空加工空間へ伝達されるように、実質的に平行に方向付けられている請求項１１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１３】
複数のスロットが、ＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるようにおよび前記誘電体窓を基板からスパッタされた材料の到着から遮蔽するように、構成されている請求項１１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１４】
前記アンテナが、前記誘電体窓の円錐台状部分を螺旋状に囲む複数のコイル・ターンを備え、複数のスロットの隣接する対が、ＲＦエネルギーが複数のコイル・ターンから真空加工空間へ伝達されるように実質的に互いに平行に方向付けられている請求項１３に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１５】
前記アンテナの少なくとも一部が、前記誘電体窓に埋め込まれている請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１６】
前記誘電体窓がさらに、窓の表面に形成された螺旋状の溝を備え、前記アンテナの少なくとも一部が螺旋状の溝内に配置されている請求項１５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１７】
表面に螺旋状の溝が形成された外部カバーをさらに備え、前記アンテナの少なくとも一部が螺旋状の溝内に配置されている請求項１５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１８】
表面に螺旋状の溝が形成された外部カバーをさらに備え、前記アンテナの少なくとも一部が、螺旋状の溝内に配置されることによって外部カバーに埋め込まれている請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項１９】
第２のプロセス・ガス流を供給するための、前記チャンバ壁内の第２のガス入口と、前記基板支持体の上方に配置され前記ガス入口と流体連絡するガス源であって、第２のプロセス・ガス流を複数の場所において真空加工空間内へ供給するガス源とをさらに備え、第１のプロセス・ガスおよび第２のプロセス・ガスに、プラズマを形成するようにＲＦエネルギーによってエネルギーが与えられる請求項１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２０】
基板をプラズマで処理するためのプラズマ加工システムであって、
真空加工空間を囲むチャンバ壁とチャンバ壁内の開口部とを有する真空チャンバと、
プロセス・ガスを真空加工空間内へ導入するためのチャンバ壁内のガス入口と、
真空加工空間内に配置され、基板を受け取り支持するように適合された基板支持体と、
高周波（ＲＦ）電源と、
チャンバ壁の開口部内に配置された支持部材であって、ＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるように構成された円錐台状パネルを有する支持部材と、
前記支持部材に隣接して配置された誘電体窓であって、前記支持部材の円錐台状パネルによって機械的に支持された円錐台状部分を有し、ポリテトラフルオロエチレンまたはフィルド・ポリテトラフルオロエチレンで形成される誘電体窓と、
前記誘電体窓の円錐台状部分に隣接して配置されたアンテナと、を備え、
前記誘電体窓が前記アンテナと前記支持部材との間に配置され、
前記アンテナが、前記ＲＦ高周波電源に電気的に接続され、真空加工空間へ前記誘電体窓を通して伝達してプロセス・ガスからプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するように動作可能である、プラズマ加工システム。
【請求項２１】
前記アンテナが、トップ・プレートに隣接して配置された複数のコイル・ターンをさらに備え、前記支持部材が、流路を組み込み複数のスロットを有するトップ・プレートであって、複数のスロットはＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるようにおよびディスク状部分を基板からスパッタされた材料の到着から遮蔽するように構成されているトップ・プレートを含み、前記誘電体窓が、真空耐密な方法でトップ・プレートに隣接して配置されトップ・プレートによって機械的に支持されるディスク状部分を含む請求項２０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２２】
複数のスロットの隣接する対が、ＲＦエネルギーが複数のコイル・ターンから真空加工空間へ伝達されるように、実質的に互いに平行に方向付けられている請求項２１に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２３】
前記支持部材の円錐台状パネルが、２５°〜１８０°の第１の開先角度を有し、前記誘電体窓の円錐台状部分が、第１の開先角度に実質的に等しい第２の開先角度を有する請求項２０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２４】
第１の開先角度が約６０°である請求項２３に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２５】
前記支持部材の円錐台状パネルが、円周方向に間隔を置いて配置された複数の帯と、円周方向に間隔を置いて配置された複数のスロットとを含み、帯の隣接する対がスロットの１つによって分離され、各帯が、前記誘電体窓の円錐台状部分の一部と接触してこれを機械的に支持するように構成および配置された支持面を有する請求項２０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２６】
複数のスロットの隣接する対が、ＲＦエネルギーが前記アンテナから真空加工空間へ伝達されるように、実質的に平行に方向付けられている請求項２５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２７】
スロットが、ＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるようにおよび前記誘電体窓を基板からスパッタされた材料の到着から遮蔽するように、構成されている請求項２５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２８】
前記アンテナが、前記誘電体窓の円錐台状部分を螺旋状に囲む複数のコイル・ターンを備え、複数のスロットの隣接する対が、ＲＦエネルギーが複数のコイル・ターンから真空加工空間へ伝達されるように実質的に互いに平行に方向付けられている請求項２５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項２９】
前記アンテナの少なくとも一部が、前記誘電体窓に埋め込まれている請求項２０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３０】
前記誘電体窓がさらに、窓の表面に形成された螺旋状の溝を備え、前記アンテナの少なくとも一部が螺旋状の溝内に配置されている請求項２９に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３１】
表面に螺旋状の溝が形成された外部カバーをさらに備え、前記アンテナの少なくとも一部が螺旋状の溝内に配置されている請求項３０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３２】
表面に螺旋状の溝が形成された外部カバーをさらに備え、前記アンテナの少なくとも一部が螺旋状の溝内に配置されている請求項２０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３３】
前記支持部材は、少なくとも前記支持部材の温度を調節するための温度制御流体を循環させる流路を含む請求項２０に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３４】
基板をプラズマで処理するためのプラズマ加工システムであって、
真空加工空間を囲むチャンバ壁とチャンバ壁内の開口部とを有する真空チャンバと、
真空加工空間内に配置され、基板を受け取り支持するように適合された基板支持体と、
高周波（ＲＦ）電源と、
チャンバ壁の開口部内に配置された支持部材であって、ＲＦエネルギーが真空加工空間へ入れるように構成された円錐台状パネルを有する支持部材と、
前記支持部材に隣接して配置された誘電体窓であって、前記支持部材の円錐台状パネルによって機械的に支持された円錐台状部分を有する誘電体窓と、
前記誘電体窓の隣接に配置され、前記ＲＦ電源に電気的に接続されたアンテナと、
プロセス・ガス供給源と、
プロセス・ガス供給源と流体連絡する、チャンバ壁内のガス入口と、
前記基板支持体の上方に配置され前記ガス入口と流体連絡するガス源であって、前記支持部材と一体化され、プロセス・ガス流を複数の場所において真空加工空間内へ供給するガス源と、を備え、
プロセス・ガスに、プラズマを形成するように、ＲＦエネルギーによってエネルギーが与えられるプラズマ加工システム。
【請求項３５】
前記ガス源が、前記支持部材内に配置された内部ガス通路を備え、複数の場所が、前記基板支持体上の基板上方にプロセス・ガス流を供給するために内部ガス通路内に設けられた複数のガス・ポートを含む請求項３４に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３６】
ガス・ポートが、前記基板支持体上の基板の軸中心線に対して、対称的なアレイで配列され、実質的に均一で実質的に径方向のプロセス・ガス流を真空加工空間内へ供給するように方向付けられている請求項３５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３７】
ガス・ポートが、前記基板支持体上の基板に対して実質的に軸方向に垂直な角度でプロセス・ガス流を供給するように、前記基板支持体に向かって方向付けられている請求項３５に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３８】
前記ガス源が、ガス・プレナムを有するガス分配プレートを備え、複数の場所が、ガス・プレナム内へ延びる複数のガス・ポートを含み、複数のガス・ポートが、前記基板支持体上の基板上方にプロセス・ガス流を供給するようにガス分配プレート内でアレイ状に配列されている請求項３４に記載のプラズマ加工システム。
【請求項３９】
ガス・ポートが、前記基板支持体上の基板の軸中心線に対して、対称的なアレイで配列され、実質的に均一なプロセス・ガス流を真空加工空間内へ供給するように方向付けられている請求項３８に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４０】
ガス・ポートが、前記基板支持体上の基板に対して実質的に軸方向に垂直な角度でプロセス・ガス流を供給するように、前記基板支持体に向かって方向付けられている請求項３８に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４１】
前記ガス源が、真空加工空間を囲むガス分配リングを備え、複数の場所が、前記基板支持体上方の真空加工空間内へプロセス・ガス流を供給するようにガス分配リングを通って延びる複数のガス・ポートを含む請求項３４に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４２】
ガス・ポートが、前記基板支持体上の基板に実質的に平行な角度でプロセス・ガス流を供給するように、前記基板支持体の支持面の中心線に向かって径方向内側に方向付けられている請求項３９に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４３】
ガス・ポートが、前記基板支持体上の基板に実質的に平行な角度で実質的に径方向に均一なプロセス・ガス流を生成するために、ガス分配リングの周囲の周りに実質的に均一な角度間隔を有する請求項４２に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４４】
前記基板支持体の支持面が実質的に円形であり、前記ガス源の複数の場所が、前記基板支持体上の基板の軸中心線と実質的に同心である請求項４２に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４５】
前記基板支持体が外周縁を有し、前記ガス源が、前記基板支持体上の基板の表面に実質的に平行な平面内に含まれ、前記ガス源は、前記基板支持体上の基板の外周縁を囲むように配置されている請求項４２に記載のプラズマ加工システム。
【請求項４６】
基板をプロセス処理システムの真空加工空間内でプラズマを用いて処理する方法であって、方法は、
基板を受け取り保持するように構成された基板支持体を、加工空間内に用意することと、
第１のプロセス・ガスの第１の流れを、真空加工空間内へ供給することと、
第２のプロセス・ガスの第２の流れを、基板支持体上方の複数の場所において、真空加工空間内へ供給することと、
基板の露出面を処理するためのプラズマを形成するために、第１および第２のプロセス・ガスにＲＦエネルギーによってエネルギーを与えることと、
プラズマを用いて、基板の露出面から汚染物質を取り除くことと、を含む方法。
【請求項４７】
第２のプロセス・ガスの流れが、基板支持体上の基板に実質的に平行な角度である請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
第２のプロセス・ガスの流れが、基板支持体上の基板に実質的に垂直な角度である請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】
第１のプロセス・ガスが、第２のプロセス・ガスと化学的に同一である請求項４６に記載の方法。
【請求項５０】
支持面が実質的に円形で、第２のプロセス・ガスの第２の流れを供給するための複数の場所が、基板支持体上の基板の軸中心線と実質的に同心である請求項４６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は一般に、プラズマ加工システムに関し、より詳細には、コーティング材料を堆積する前に基板表面をクリーニングする誘導結合プラズマ加工システムに関する。
【０００２】
（発明の背景）
プラズマは、半導体ウェハおよびフラット・パネル・ディスプレイなどの基板の表面を加工ステップの前に処理する材料加工において、広く用いられている。特に、プラズマを用いて自然酸化膜および他の汚染物質を基板表面から除去することが、その後にメタライゼーション層などのコーティング材料膜を表面に堆積させるための準備として行われる。堆積前クリーニング・プロセスによって汚染物質を除去しなかった場合は、コーティング材料層と基板との間の界面の物理的特性たとえば電気および機械的特性が悪影響を受けることになる。
【０００３】
汚染物質を除去するための従来のアプローチは、コーティング材料膜の堆積の前に、基板表面を、プラズマ・クリーニング・ステップでプラズマにさらすことである。プラズマ・クリーニング・ステップは、汚染物質と化学反応して揮発性または擬揮発性（ｑｕａｓｉ−ｖｏｌａｔｉｌｅ）の生成物を形成する反応種の供給源としてのプラズマに基づく場合がある。たとえば酸化を基板表面上の銅メタライゼーションから、酸化物を化学的に還元して揮発性のエッチ生成物を形成する水素含有プラズマを用いて取り除くことができる。代替的に、プラズマ・クリーニング・ステップは、基板表面から汚染物質を取り除くために、イオン衝撃によるスパッタリングに基づく場合がある。たとえば酸化をアルミニウム・メタライゼーションから、希プロセス・ガスから生じたプラズマからの高エネルギー・イオンで基板表面に衝撃を与えることによって、取り除くことができる。他のプラズマ・クリーニング・ステップでは、化学的および物理的メカニズムを組み合わせて、高エネルギーの化学的に活性なプラズマ種で基板表面に衝撃を与えることによって、基板表面から汚染物質を除去している。プラズマ・クリーニングは、損傷を与えることなく、また表面上に存在する既存のどの膜の特性も変えることなく汚染物質を基板から取り除くことが好ましい。
【０００４】
プラズマ・クリーニングまたはプラズマ・エッチング用にデザインされた従来のプラズマ加工システムは、石英などの誘電体材料からなる窓が組み込まれた真空チャンバと、窓の非真空側に隣接するアンテナとを有している。高周波（ＲＦ）エネルギーが、アンテナから窓の誘電体材料を通して、プラズマに結合される。従来のあるプラズマ加工システムでは、誘電体窓は、金属チャンバのベースにシールされて真空チャンバを規定する誘電体材料からなるベル・ジャーである。従来の他のプラズマ加工システムでは、誘電体窓は、真空チャンバのチャンバ壁内に組み込まれた誘電体材料からなる円筒形または平坦構造の壁部分である。
【０００５】
基板表面をクリーニングするためにプラズマを用いる従来のプラズマ加工システムには、ある著しい不都合がある。特に、基板表面からスパッタされた汚染物質材料が、基板から真空チャンバの内壁に向かって、視界（ｌｉｎｅ−ｏｆ−ｓｉｇｈｔ）経路に沿って進む傾向がある。スパッタされた汚染物質材料は、おそらく、プラズマから生じる化学的活性種と基板表面から除去される揮発性または擬揮発性種と共に、残留物またはビルドアップ（ｂｕｉｌｄｕｐ）として、誘電体窓の真空側表面などの内壁上に蓄積する。加工によって生成した残留物は、半導体デバイスの製造にとって有害な粒状物質の供給源となる小粒子として剥がれて砕ける可能性がある。特に残留物は、誘電体窓の表面に対する付着力が著しく劣っている。プラズマが消えたときに、粒状物質は、静電気的に基板に引き付けられる可能性がある。その代わりに、粒状物質からなる小粒子は、プラズマ中で浮遊する間にサイズが大きくなって、プラズマが消えたときに重力の影響下で基板へ落下する可能性がある。このような粒状物質は、その後に基板表面に堆積されるコーティング材料の品質を局所的に損なうため、デバイス歩留まりを下げる欠陥として機能する恐れがある。
【０００６】
誘電体窓上へ金属が蓄積することは、スパッタによってクリーニングすべき基板の金属の表面カバレージがかなり大きいときに、特に重大である。特に、金属で覆われた表面をスパッタ・クリーニングすると、粒状物質の潜在的な供給源として機能する汚染物質残留物が比較的多量に蓄積される。また誘電体窓の真空側表面に蓄積したスパッタされた金属は、プラズマ加工システムの動作に影響を及ぼし得る。残留物が導電性であると、ビルドアップ内を循環する電流によって、アンテナからのＲＦエネルギーがプラズマと結合する効果が低減する傾向がある。蓄積された金属の抵抗が非常に高くてＲＦエネルギーの結合を制限しないとしても、誘電体窓上の金属残留物がプラズマの点火を抑制して、窓を通る高周波電力の伝達効率を下げる可能性が依然として存在する。
【０００７】
粒状物質の発生を減らして、ＲＦエネルギーの効率的な結合を維持するためには、誘電体窓の真空側を化学的および／または研磨技術によって定期的にクリーニングして、蓄積された残留物を除去しなければならない。継続的なクリーニングからの累積する損傷によって、窓を形成する誘電体材料の機械的特性が徐々に劣化する。その結果、誘電体窓の耐用年数が減り、時期早尚な壊損が起こる可能性が高まる。典型的には、窓がもはや、窓の非真空側に大気圧によって印加される負荷を安全に支えることができない程に機械的特性が劣化したときに、誘電体窓は使用から外される。
【０００８】
電子温度およびプラズマ均一性は、電子温度が過度でない動作圧力においてプラズマ分布が比較的均一になるようにバランスされる重要な要因である。不均一なプラズマ密度および過度の電子温度は、物質に損傷を与える可能性がある。プラズマ密度分布における非対称性は、物質の不均一なエッチングまたはクリーニングを招く可能性がある。電子温度は、真空チャンバ内のプロセス・ガスの動作圧力を上げることで下げることができるが、動作圧力が増加するとしばしば、プラズマ密度分布の均一性が下がる。
【０００９】
真空チャンバの幾何形状は、プラズマ密度およびプラズマ均一性を決定する上で別の重要な因子である。最終的には、基板の表面積に渡る加工均一性は、基板の露出面近傍のプラズマの均一性に直接関係する。さらに、処理中に化学的活性を用いる従来のプラズマ加工システムでは、ガス流の不均質性のために、プラズマからの化学的活性種の濃度が基板の中心付近では激減し、基板の周辺端部付近では増加する。この不均一性のために、処理速度は基板周辺の方が基板中心よりも高く、中心と端部との間の大きな不均一性が生じる。不均一なプラズマや、プラズマからの化学的活性種の不均質な濃度による非対称な処理は、３００ｍｍシリコン・ウェハのような大口径基板について度合いが強まる。
【００１０】
従来のプラズマ加工システムを、大口径ウェハに適応するように最適化する必要がある。たとえば、均一に分布したプラズマを基板付近に生成するためには、アンテナおよび関連する誘電体窓の設置面積を増やし、プラズマ源と基板との分離距離を大きくしなければならない。適度な電子温度を有する許容し得るプラズマ均一性を、大口径基板プラズマ加工システムにおいて実現しようとすると、誘電体窓の製造コストが著しく増加する。
【００１１】
大口径基板プラズマ加工システム用の誘電体窓は、加工システムを最適化するときに、ある技術的な難問に直面する。前述したように、大気圧によって、誘電体窓の非真空または周囲環境側の領域全体に分布するかなり大きな力が加わる。したがって誘電体窓は、厚みが、真空チャンバの内部と外部との間に存在する圧力差に起因して印加される力または負荷に耐え得るものでなくてはならない。たとえば、３００ｍｍウェハの処理に適切であり得る３５センチメートル（ｃｍ）直径の平坦な誘電体窓の厚みは、窓の領域に作用する平方センチメートルあたり１．０３３５キログラム（平方インチあたり１４．７ポンド）の標準の大気圧に起因する約９９７．９２キログラム（約２２００ポンド）（ｌｂｓ）の印加される力に耐えられなければならない。
【００１２】
セラミック誘電体材料は一般に、脆く、負荷が印加された状態では破損する傾向がある。誘電体窓を形成するセラミック材料は、大気圧によって印加される力に耐えるためには、かなり厚くなくてはならない。誘電体窓が厚いと、窓の幅を横切る間にＲＦ電力が減衰するために、プラズマとの結合効率が低下する。そのため、従来の平坦な誘電体窓を有するプラズマ加工システムでは、アンテナからプラズマへのＲＦエネルギーの伝達が不十分である。不十分さを補うためには、ＲＦ電源をかなり高い電力レベルで動作させて、アンテナに送るＲＦ電流を増加させ、許容し得るＲＦ電力をプラズマへ供給しなければならない。しかし増加したＲＦ電流がアンテナを通ることによってジュール加熱が増加し、これは熱エネルギーが十分に放散されないと、プラズマ加工システムの性能および動作にとって不都合であり得る。
【００１３】
従来のプラズマ加工システムでは、均一なプラズマ分布を実現するためには、プロセス・ガスの均一な分布が必要である。プラズマ分布の均一性は、真空チャンバ内へのおよび真空チャンバ内でのプロセス・ガスの非対称な分布によって、悪影響を受ける。一般的にガス分布は、真空チャンバ内へのプロセス・ガスの流れと真空チャンバからのプロセス・ガスの排気との両方の影響を受ける。特にプラズマ密度の分布は、ガス流の均一性に非常に影響されやすい。また種々のプラズマ種の分布均一性は、プロセス・ガスの分布の影響を受け得る。
【００１４】
前述のおよび他の考慮すべき事柄および問題の結果、高周波エネルギーをプラズマに効率的に結合すると共に、基板の露出面、特に大口径基板の露出面の均一なエッチングまたはクリーニングを行うためにプラズマに空間的な均一性をもたらすことができるプラズマ加工システムの必要性が残っている。
【００１５】
（発明の概要）
本発明の原理によれば、プラズマ加工システムは、真空加工空間を囲むチャンバ壁を有する真空チャンバを有する。ガス入口が、真空加工空間内へプロセス・ガスを導入するためにチャンバ壁内に設けられている。基板支持体が、真空加工空間内に配置され、基板を受け取り支持するように適合されている。プラズマ加工システムには、チャンバ壁内の開口部内に配置された支持部材が設けられている。高周波（ＲＦ）エネルギーが真空加工空間へ入れるように構成された、支持部材の円錐台状（ｆｒｕｓｔｏｃｏｎｉｃａｌ）パネルが、誘電体窓の円錐台状部分を機械的に支持している。アンテナが、誘電体窓の円錐台状部分に隣接して配置され、ＲＦ電源に電気的に接続されている。アンテナは、プロセス・ガスからプラズマを形成するために真空加工空間へ誘電体窓を通して伝達するためのＲＦエネルギーを供給可能となっている。
【００１６】
本発明の１つの態様においては、誘電体窓が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ホウケイ酸ガラス、または石英などの誘電体材料で形成されていてもよい。代替的に、最適な誘電体材料は、ポリマーであってもよく、またはより詳細には、ポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）もしくはフィルドＰＴＦＥであってもよい。
【００１７】
本発明の他の態様においては、堆積バッフル（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｂａｆｆｌｅ）の円錐台状パネルが、２５°以上の開先角度で上方に延びている。好ましくは、開先角度は約６０°である。
【００１８】
本発明のある実施形態においては、プラズマ加工システムはさらに、基板支持体の上方に配置され支持部材と一体化されたガス源であって、ガス入口と流体連絡するガス源を含む。ガス源はプロセス・ガス流を、複数の場所において、プラズマを形成するためにＲＦエネルギーによってプロセス・ガスにエネルギーが与えられる真空加工空間内へ供給する。ガス源は、堆積バッフル内に配置された内部ガス通路と、内部ガス通路内に設けられた、基板支持体上方にプロセス・ガス流を放出するための複数のガス・ポートとを備えていてもよい。代替的にガス源は、ガス・プレナムと、プレナム内部の、基板支持体上方にプロセス・ガス流を放出するための複数のガス・ポートとを有するガス分配プレートを備えていてもよい。さらに他の代替案においては、ガス源は、基板支持体上方の真空加工空間内へプロセス・ガス流を放出するための複数のガス・ポートを内部に有するガス分配リングを備えている。
【００１９】
本発明によれば、誘電体窓の円錐台状部分は、堆積バッフルの円錐台状パネルによって機械的に支持されているため、誘電体材料の厚みを小さくしても、窓に作用する大気圧によって印加される力に耐えることができる。厚みが小さくなる結果、アンテナから誘電体窓を通してのプラズマへのＲＦエネルギーの伝達効率が高くなる。加えて、誘電体窓の製造コストが、必要な誘電体材料厚みが小さくなることによって、著しく下がる。また本発明の支持部材は、スパッタされたエッチ生成物のビルドアップから誘電体窓を遮蔽するように構成されたスロットを含む。スパッタされたエッチ生成物のビルドアップは、そうでなければ剥がれて砕けて粒状物質を生成する可能性があるか、またはＲＦエネルギーの伝達効率を下げる可能性がある。１つまたは複数のガス分配プレート、ガス・リング、または支持部材内のガス通路を用いることによって、真空チャンバ内へのプロセス・ガス流の空間分布が著しく改善され、プラズマ密度の均一性および対称性が増す。円錐台形状のプラズマ源によって、ガス再循環ゾーンが著しく減るかまたはなくなり、粒状物質の発生が減少する。誘電体窓をＰＴＦＥまたはフィルドＰＴＦＥで形成することによって、窓のコストが著しく下がる。またＰＴＦＥは、セラミック誘電体材料よりも脆性が著しく低いので、破滅的な窓の破損の可能性はかなり低い。
【００２０】
添付の図面は、本明細書に取り入れられ、その一部を構成しているが、本発明の実施形態を例示し、また後述する本発明の詳細な説明と共に、本発明を説明する役目を果たす。図面においては、同様の参照番号は同様の部材を示す。
【００２１】
（発明の詳細な説明）
本発明は、基板を処理し、特に基板をクリーニングするための誘導結合プラズマを開始し持続するための、真空チャンバ内への高周波（ＲＦ）エネルギーの誘導結合に関する。本発明のプラズマ加工システムは、基板表面のクリーニング、特に３００ｍｍ半導体ウェハなどの大口径半導体基板の表面のクリーニングに対して有用である。ここで用いる場合、半導体基板には、半導体ウェハなどの半導体材料を単独でまたは他の材料をその上に備える構成体で含むどんな構造物も、および半導体材料層を単独でまたは他の材料を含む構成体で含むどんな構造も含まれる。基板とは、半導体基板などの（しかしこれに限定されない）どんな支持構造をも意味する。
【００２２】
本発明では、プラズマと結合させるための真空チャンバへのＲＦエネルギーの伝達効率が高まり、パーティクルの生成が減り、誘電体窓からビルドアップを除去するために必要なメンテナンスまたはクリーニング周期の頻度が減る。その結果、本発明では、基板の均一で再現性のある連続加工が得られる一方で、非常に長い連続加工ランが、メンテナンス作業およびクリーニングのためのシャット・ダウンの間で可能になる。
【００２３】
特に本発明のプラズマ加工システムでは、誘電体窓の機械的支持が得られるため、大気圧によって誘電体窓の非真空側に印加される力または負荷に対して誘電体窓が自立する必要がない。機械的支持があるために、誘電体窓の厚みを著しく小さくすることができる。その結果、真空チャンバへ入るためにＲＦエネルギーが貫通すべき厚みが薄くなるため、真空チャンバ内に閉じ込められたプラズマに対するＲＦエネルギーからの誘導結合の効率が増加する。また本発明では、スパッタされたエッチ生成物のビルドアップを減らすために誘電体窓を遮蔽するため、誘電体窓に必要なクリーニングがそれほど頻繁でなくなる。スパッタされたエッチ生成物は、誘電体窓の誘電体材料ではなく堆積バッフルの金属の上に蓄積するため、スパッタされたエッチ生成物からなる蓄積したビルドアップが剥がれて砕ける可能性が減る。その結果、プラズマ加工システム内において粒状物質が減る。さらに本発明の態様によれば、真空チャンバ内へのプロセス・ガス流の空間分布は、プラズマ密度の均一性および対称性を高めるように改善される。また本発明では、化学的にアシストされたプラズマ・クリーニングにおいて粒状物質の生成を増幅することが知られているガス再循環ゾーンが、著しく低減するかまたはなくなる。
【００２４】
図１および２を参照して、また本発明の一実施形態によれば、プラズマ加工システム１０は、チャンバ壁１２と、誘電体窓１４と、チャンバ壁１２の天井部１７に設けられた開口部内に位置する堆積バッフル１６とを有する真空チャンバ１１、誘電体窓１４の非真空側に位置する誘導性要素またはアンテナ１８、真空チャンバ１１内に配置された基板支持体２０を備える。チャンバ壁１２に設けられた真空ポート２１に接続された真空システム２２は、チャンバ壁１２によって囲まれた真空加工空間２４を排気するための、当該技術分野で知られた好適な真空ポンプおよび遮断弁を備える。プロセス・ガス供給源２６は、プロセス・ガス流を、ガス入口２７を通して真空加工空間２４内へ選択的に供給する。高周波（ＲＦ）電源２８が、マッチング・ネットワーク４４を介してアンテナ１８に電気的に接続され、アンテナ１８内に時間的に変化する電流を発生させるためにＲＦ電力を選択的に供給する。アンテナ１８からは磁界が放射され、この磁界は誘電体窓１４の厚みと、堆積バッフル１６に設けられた実質的に平行なアレイのスロット３０とを貫通する。ＲＦエネルギーの磁界によって、真空加工空間２４内のプロセス・ガスがイオン化され、プロセス・ガスからのプラズマが、主におよび好ましくは誘導結合によって開始され持続される。ＲＦエネルギーの誘導結合によって、基板支持体２０上に位置する基板３２の露出面３１を処理するために用いられる高密度で低エネルギーのプラズマが生成される。特にプラズマを用いて酸化物などの汚染物質を基板３２の露出面３１から除去することを、その後にコーティング材料膜を堆積させるための準備として行ってもよい。プラズマ加工システム１０内でクリーニングされた基板３２を、制御された雰囲気下で、真空チャンバ１１から堆積チャンバ（図示せず）へ移してもよい。
【００２５】
引き続き図１および１Ａを参照して、チャンバ壁１２によって、真空加工空間２４が周囲の大気から隔離され、またプラズマが空間２４内に隔離されている。チャンバ壁１２は、アルミニウム合金などの非磁性で導電性の材料から形成され、大気圧によって外部に印加される圧縮力に耐えるのに適した厚みを有している。基板支持体２０には、真空チャンバ１１の天井部１７の開口部に面し、好ましくは、誘電体窓１４、堆積バッフル１６、アンテナ１８の軸中心線と実質的に同心である基板支持面３４が設けられている。基板支持体２０には、基板とプラズマ源との間の距離を調整し、基板搬送システム（図示せず）のパドルまたはスパチュラとの間で基板３２を移送するために、基板３２の垂直な動きを可能にする柔軟なベローズが組み込まれている。基板３２は、基板支持体２０上に位置し、静電チャック、真空チャック、メカニカル・クランプ、または同様のメカニズムによって、基板支持体２０に固定されている。基板３２の温度を、基板支持体２０内に埋め込まれた加熱装置を用いることによって、および／または熱伝達ガスをたとえば基板支持面３４内に設けられた経路もしくは空洞を通して基板３２の裏側で循環させることによって、調節してもよい。加熱装置と熱伝達ガスの循環とを組み合わせて用いることによって、狭い温度範囲での基板３２の正確な温度制御ができる。
【００２６】
中空で円筒形のシュラウド（ｓｈｒｏｕｄ）３６が、チャンバ壁１２の下部支持面３８から垂直に延びて、基板支持体２０を広く囲み、基板支持体２０と同心になっている。シュラウド３６は、基板３２からスパッタされたエッチ生成物を遮断して、チャンバ壁１２の内面上へのビルドアップの蓄積を抑える。シュラウド３６は容易に取り外して交換することができるため、真空チャンバ１１の内面が周囲大気にさらされる比較的長時間のクリーニングによってビルドアップをチャンバ壁１２から除去する必要がない。
【００２７】
ＲＦ基板バイアス電源４０が、基板支持体２０に電気的に接続され、正帯電したプラズマ成分を基板３２に向かって加速するバイアス電位を選択的に印加できるようになっている。ＲＦ基板バイアス電源４０によって供給されるバイアス電位によって、プラズマから基板３２に引き付けられる正イオンの運動エネルギーが実質的に決定される。ＲＦ基板バイアス電源４０は典型的に、約１３．５６ＭＨｚの周波数および約１００ワット〜約１０００ワットの電力で動作する。ＲＦ基板バイアス電源４０をプラズマ加工システム１０から省略してもよく、また基板支持体２０は接地するかまたは電気的に浮遊していてもよいことが、当業者によって理解される。
【００２８】
真空システム２２によって、真空加工空間２４からガスが排気され、真空加工空間内のプラズマを開始し持続するのに適した真空圧が維持される。好適な真空システム２２は、従来のものであり、ターボ・モレキュラ・ポンプなどの高真空ポンプを備えている。排気速度を調整するために必要に応じて開閉可能な遮断弁４１が設けられている。
【００２９】
真空加工空間２４をベース圧力まで排気した後に、プロセス・ガス供給源２６によってプロセス・ガスを供給して、約０．１ｍＴｏｒｒ〜約１０ｍＴｏｒｒの範囲の動作圧力を設定する。しかし、約１０ｍＴｏｒｒ〜約２５０ｍＴｏｒｒの範囲のより高い動作圧力が、化学的にアシストされたプラズマ・クリーニング・プロセスに対しては意図される。たとえば、プロセス・ガスとしてＨ２を用いる、銅の化学的にアシストされたプラズマ・クリーニングに対しては、典型的な動作圧力は約６０ｍＴｏｒｒである。プロセス・ガス供給源２６は、ガス入口２７を介して真空加工空間２４に好適な流量のプロセス・ガスを選択的に供給するためのマス・フロー・コントローラを備えている。ガス入口２７は、チャンバ壁１２の異なる場所、たとえば支持面３８の平面の上方に配置できることが理解される。好適なプロセス・ガスには、Ａｒなどの不活性ガス、またはＨ２、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＦ４、ＣｘＨｙＦｚ（たとえばＣＨＦ３）、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６などの化学的に活性なガス、またはこれらの化学的に活性なガスの１種とＯ２、Ｎ２、Ｈｅ、もしくはＡｒとの混合物が含まれる。プロセス・ガスの分圧は好ましくは、動作圧力によって示される全圧に対する最も大きな一因である。
【００３０】
動作圧力を設定するためには、真空加工空間２４をベース圧力まで排気した後、プロセス・ガスを好適な流量でガス入口２７を通して供給する一方で、真空加工空間２４を真空システム２２によって、ゲート弁４１を締めることで固定した排気速度で連続排気する。流量を、たとえばマス・フロー・コントローラ３９で計測して、標準状態換算で毎分約５〜約２５０立方センチメートル（ｓｃｃｍ）の典型的なガス流量を、真空チャンバ１１内へ供給する。真空加工空間内の圧力は、ゲージ・コントローラ（図示せず）に動作可能にケーブル接続された好適な真空圧トランスデューサでモニタする。真空システム２２を用いた真空加工空間２４の排気と、連続的なプロセス・ガス流の供給とを同時に行うことで、プラズマ処理によって基板３２の露出面３１から取り除かれた揮発性および擬揮発性エッチ生成物が真空チャンバ１１から除去され、プラズマの生成に使用されるプロセス・ガスの分圧が連続的に新しくされる。
【００３１】
引き続き図１および１Ａを参照して、アンテナ１８は、誘電体窓１４の非真空側を囲み真空チャンバ１１の外側に配置されたたとえば２コイル・ターン４２を含む、ヘリカルまたはソレノイド・コイルの形態を有する。典型的にアンテナ１８は、誘電体窓１４の非真空または周囲圧力側の周りに巻かれた２〜５コイル・ターンを有する。アンテナ１８のコイル・ターンは好ましくは、スロット３０の軸先端から間隔を置いて配置する。アンテナ１８のコイル・ターン４２は好ましくは、最適なエネルギー結合効率が得られるように、誘電体窓１４の外部に忠実に合っている。しかしアンテナ１８は、誘電体窓１４の非真空側と合っていない１つまたは複数の部分を有する３次元形状であってもよいことが理解される。
【００３２】
アンテナ１８は好ましくは、銅などの低電気抵抗率の材料からなる中空の配管から作製されている。アンテナ１８は、高抵抗率水などの温度制御流体の流れを受け取るための内部冷媒通路４１を有する。温度制御流体は、アンテナ１８から熱を吸収し、暖められた冷媒流体を再循環冷却装置などの遠隔場所へ運ぶ。その結果、誘電体窓１４、堆積バッフル１６、アンテナ１８は、安定した動作温度に維持される。しかしアンテナ１８および誘電体窓１４を、送風機などによって供給される方向付けられた強制的なエア・フローなどの他の技術によって冷却してもよいことが理解される。
【００３３】
アンテナ１８は、ＲＦマッチング・ネットワーク４４を通してＲＦ電源２８に電気的に接続され、ＲＦ電源２８によって選択的にエネルギーが与えられまたは電力が供給される。ＲＦ電源２８から、時間的に変化するＲＦ電流が約４００ｋＨｚ〜約１３．５６ＭＨｚの周波数で出力されて、約１００ワット〜約５０００ワットの電力でアンテナ１８に供給される。ＲＦマッチング・ネットワーク４４は、アンテナ１８からプラズマへ送られるＲＦエネルギーを、反射によってＲＦ電源２８に戻されるＲＦ電力を抑えることで最適化する。反射を抑えるために、ＲＦマッチング・ネットワーク４４の回路は、ＲＦ電源２８およびアンテナ１８のインピーダンスならびにプラズマの動的な電気的負荷の一時的な変化に応答して、負荷の有効なインピーダンスを約５０オームにほぼ一定に留めておく。ＲＦ電源２８によってエネルギーが与えられると、アンテナ１８から等方的なＲＦ電磁界が放射される。金属製の外部エンクロージャまたはケージ４６でアンテナ１８を囲んで、放射されたＲＦ電磁界をその中に閉じ込めて、近くの人間の安全を保証し、周囲の電子機器との電磁干渉を防いでいる。
【００３４】
引き続き図１および１Ａを参照して、誘電体窓１４は、堆積バッフル１６に対して実質的に真空耐密な方法で設けられ、円錐台状部分４８と、内部に延びる環状フランジ５０と、外部に延びる環状フランジ５４とを含む。円錐台状部分４８は、対向する一対の実質的に平行な円錐台状面を含み、直径がより小さい上端近くの環状フランジ５０と、直径が広げられた下端近くの環状フランジ５４とを有する。図１で最もよくわかるように誘電体窓１４の円錐台状部分４８は、その円錐台状面の何れか一方に平行な延長された円錐面が、２５°以上、好ましくは約６０°の円錐角または開先角度αを有する頂点で収束するように、環状フランジ５０、５４の間で外部および内部に延びている。内部に延びる環状フランジ５０は、円錐台状部分４８の内部の円形状周縁端を囲み、下方を向くシーリング面５２を有する。外部に延びる環状フランジ５４は、円錐台状部分４８の外部の円形状周縁を囲み、下方を向くシーリング面５６を有する。好ましくは、誘電体窓１４の中心軸は、基板支持体２０および真空チャンバ１１の軸中心線と実質的に同心である。
【００３５】
誘電体窓１４は、ＲＦエネルギーを非常によく伝達可能であり、そうするために、セラミックまたはポリマーなどの不導電性の誘電体材料からなる。誘電体窓１４に対して好適なセラミックには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ホウケイ酸ガラス、または石英が含まれ、好適なポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）またはフィルド（ｆｉｌｌｅｄ）・ＰＴＦＥである。誘電体窓１４の円錐台状部分４８は厚みが均一であってもよいし、または厚みを調節して、誘電体窓１４を通る真空加工空間２４へのＲＦエネルギーの伝達を調整してもよい。誘電体窓１４は単一ピースの誘電体材料を構成していてもよいし、または誘電体窓１４は、従来の接合技術によって相互接続された接合部分で形成されていてもよい。
【００３６】
引き続き図１および１Ａを参照して、堆積バッフル１６は、誘電体窓１４の円錐台状部分４８の内面４９に忠実に合う円錐台状パネル５８と、外部に延びる環状フランジ６０と、円形状トップ・プレート６２とからなる。円錐台状パネル５８は、誘電体窓１４の円錐台状部分４８と、真空チャンバ１１の真空加工空間２４との間に配置されている。円錐台状パネル５８は、堆積バッフル１６の上部および下部周縁６４、６５の間で上下に延びている。円錐台状パネル５８は、トップ・プレート６２との接合部近くの直径がより小さい上端と、フランジ６０近くの直径が広げられた下端とを有する一対の実質的に平行な対向する円錐台状面を備える。この円錐台状面においては、少なくとも最外部の円錐台状面を含む延長された円錐面が、誘電体窓１４の円錐台状部分４８の開先角度αに実質的に等しい開先角度を有する頂点で収束する。好ましくは、堆積バッフル１６の中心軸は、誘電体窓１４および基板支持体２０の軸中心線と実質的に同軸である。
【００３７】
円形状の溝６６、６７が、円形状フランジ６０およびトップ・プレート６２内にそれぞれ設けられ、堆積バッフル１６と誘電体窓１４の内部および外部に延びる環状フランジ５０、５４上にそれぞれあるシーリング面５２、５６との真空耐密シールの形成に関与するＯリング６８、６９を、内部に収容している。堆積バッフル１６の環状フランジ６０上に設けられているのは、Ｏリング７２を収容するためにチャンバ壁１２上に設けられた円筒状の縁（ｒｉｍ）７３内に形成された円形状の溝７１に面するシーリング面６０ａである。Ｏリング７２は、その間で圧縮されて捕捉され、堆積バッフル１６とチャンバ壁１２との間の真空耐密シールを形成する。
【００３８】
堆積バッフル１６は、高い電気および熱伝導率を有する材料、たとえば金属または金属合金で形成される。好適な金属および金属合金には、アルミニウムもしくはアルミニウム合金、銅もしくは銅合金、銀メッキ銅もしくは銅合金、または分散強化銅が含まれる。一般的な分散強化銅は、銅母材中に分散された酸化アルミニウム粒子で形成され、たとえばＯＭ  Ｇｒｏｕｐ社（クリーブランド、オハイオ州）から、Ｇｌｉｄｃｏｐ（商標）の商標名で、酸化アルミニウム含有量に基づく種々のグレードで販売されている。円錐台状パネル５８、外部に延びる環状フランジ６０、トップ・プレート６２は、単一ピースの材料であってもよいし、接合部分で形成されていてもよい。
【００３９】
円形状の流体通路７５が、トップ・プレート６２の外周縁の付近で延びている。流体通路７５は、プラズマ加工システム１０からプレート６２へ伝達された熱を吸収して除去するための温度制御流体の循環に適合されている。堆積バッフル１６の円錐台状パネル５８とトップ・プレート６２とは、伝導性熱伝達に対する良好な熱接触を有するため、円錐台状パネル５８には付加的な冷却が必要ではない。しかし図１には示していないが、円錐台状パネル５８は、たとえば誘電体窓１４の周辺から放熱させる目的で温度制御流体を循環させるための内部通路（図示せず）のネットワークを含んでいてもよい。堆積バッフル１６が冷却されているため、バッフル１６から誘電体窓１４への熱エネルギーの伝達は重大ではなく、窓１４は比較的低い温度に留まる。
【００４０】
引き続き図１および１Ａを参照して、堆積バッフル１６の円錐台状パネル５８は、複数の略矩形状の帯７６を備えている。帯７６の隣接する対は、スロット３０のアレイの１つによって分離されている。帯７６は、堆積バッフルの周囲に円周方向に配置され、その上端において上部周囲縁６４によって、およびその下端において下部周囲縁６５によって、相互接続されている。スロット３０は、縦方向帯７６の隣接する対の間の間隔があいたギャップとして規定される。スロット３０は、円錐台状パネル５８の周囲の周りに、好ましくは実質的に等しい角度間隔で、角度方向において間隔を置いて配置され、真空チャンバ１１の垂直軸または中心線とほぼ平行に並べられている。各スロット３０は、堆積バッフル１６の上部および下部周囲縁６４、６５のそれぞれの内側で終了しているため、上部および下部周囲縁６４、６５によって、堆積バッフル１６の周囲の周りに連続した電気伝導性および熱伝導性の経路が規定される。
【００４１】
本発明によれば、堆積バッフル１６は、誘電体窓１４を機械的に支持する支持部材として作用する。その結果、誘電体窓１４は、窓１４の円錐台状部分４８の外部または非真空表面に作用する大気圧に起因する力または負荷を効果的に支えることができる。より具体的には、窓支持面７６ａが、円錐台状パネル５８の各帯７６の最外部分上に与えられている。各窓支持面７６ａは、円錐台状部分４８の内面４９の一部と実質的に直接的物理接触をしている。そうするために、各窓支持面７６ａの軸テーパまたは直径の減少が、円錐台状部分４８の内面４９の軸テーパまたは直径の減少と実質的に等しくなっており、円錐台状４８の内面４９に忠実に合うパネル５８と一致する。一括して、支持面７６ａによって、誘電体窓１４の円錐台状部分４８に対するかなり大きな機械的支持が得られる。堆積バッフル１６がもたらす機械的支持によって、誘電体窓１４を形成する誘電体材料の厚みを、従来の誘電体窓と比べて小さくできる。というのは、窓１４は、支持なしで立つ必要もそうでなければ自立する必要もないからである。堆積バッフル１６があるために、厚みが小さくなった誘電体窓１４は、壊損の重大な危険を伴うことなく、大気圧によって印加される負荷に耐えることができる。誘電体窓１４の厚みを小さくできるため、真空加工空間２４内のプラズマと結合させるためにアンテナ１８から窓１４を通すＲＦエネルギーの伝達に対する効率が、従来の支持されていない誘電体窓を通すＲＦエネルギーの伝達と比較して、増大する。伝達効率を増大させることで、許容し得るＲＦエネルギー・レベルを真空加工空間２４内のプラズマに供給しながら、ＲＦ電源２８を動作させる電力レベルを下げることができる。
【００４２】
堆積バッフル１６がもたらす支持および円錐台形状によって、誘電体窓１４は、同様の外形を有し構造壁として機能する必要がある同様の誘電体材料からなる平坦なプレートよりも構造的に著しく強い。強度が増大しているため、本発明のさらなる利点は、誘電体窓１４を形成する材料の厚みを小さくできることである。したがって厚みが小さくなることで、誘電体窓１４を通すＲＦエネルギーの伝達効率が向上する。
【００４３】
誘電体窓１４と真空加工空間２４との間に堆積バッフル１６が存在することで、蓄積したビルドアップを誘電体窓１４から除去するために必要な連続的なクリーニングの間隔が効果的に増加する。ビルドアップが、誘電体窓１４の誘電体材料上ではなく堆積バッフル１６の金属上で生じているために、ビルドアップの付着力が向上し、剥がれて砕けてパーティクルを形成する傾向が減る。その結果、堆積バッフル１６上に蓄積するビルドアップが、プラズマ加工システム１０内で粒状物質の供給源となる可能性が減るため、クリーニングが必要となる前にビルドアップはより厚くなることができる。
【００４４】
スロット３０が必要であるため、アンテナ１８からのＲＦエネルギーが堆積バッフル１６を貫通して、真空加工空間２４内のプラズマと結合することができる。知られているように、スロット３０によって、アンテナ１８からのＲＦエネルギーのプラズマとの誘導結合が促進される一方で、ＲＦエネルギーのプラズマとの容量結合が抑制される。スロット３０は好ましくは、誘電体窓１４上へのスパッタリング残留物のビルドアップを防止するように構成されている。たとえばスロット３０によって、加工の間に基板３２からスパッタされる金属などの導電性材料から生じる導電性ビルドアップの蓄積が防止される。何らかの方法で遮断されなければ、導電性ビルドアップは、円錐台状パネル５８の隣接する帯７６を相互接続して、堆積バッフル１６の周囲の回りに連続した導電性経路をもたらす可能性がある。アンテナ１８と誘電体窓１４との間には連続した導電性経路があるために、その存在によって、アンテナ１８からプラズマへのＲＦエネルギーの結合の有効性を減らす循環電流が発生することで、プラズマ加工システム１０の動作に影響が出るであろう。抵抗が高い非金属ビルドアップおよび厚い金属層はやはり、プラズマの開始を妨げて、誘電体窓１４を通すＲＦ電力の伝達効率を下げる可能性がある。したがって誘電体窓１４上へのビルドアップをスロット３０で除去または防止することによって、プラズマへのＲＦエネルギーの効率的な伝達が促進される。
【００４５】
好ましい実施形態においては、また図１Ｂに例示したように、各スロット３０は、例示した山形状（ｃｈｅｖｒｏｎ  ｓｈａｐｅ）などの蛇行した経路３０ａをもたらすため、真空加工空間２４から誘電体窓１４への径方向外側へ向かう方向における視線経路がなくなる。特に、蛇行した経路３０ａによって基板３２から誘電体窓１４への視線移動経路がなくなるため、基板３２の露出面３１からスパッタされた材料が、誘電体窓１４に衝突してビルドアップとして堆積する可能性がなくなる。各蛇行経路３０ａは、視線移動経路をなくす蛇行経路を形成するために角度的にずれた径方向に延びる２つ以上の部分を有する。各蛇行経路３０ａによって、誘電体窓１４上の保護ゾーン７８ａにおいて、基板３２からスパッタされた材料のビルドアップがなくなっているか、またはその速度が著しく小さくなっている。山形状であるスロットは、米国特許第６，１９７，１６５号（Ｄｒｅｗｅｒｙら）に例示されている。Ｄｒｅｗｅｒｙらの特許の開示は、全体として本明細書において参照により取り入れられている。また蛇行経路を有するスロットを、ガン・ドリルによる孔からなる平行なアレイを円錐台状パネル５８内に設けることによって形成してもよい。視線が全くないガン・ドリルによる経路を有するスロットは、米国特許出願第０９／６５０，５３２号、発明の名称「Ｐｒｏｃｅｓｓ，Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ  Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｉｎ  ａｎ  Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｕｓｉｎｇ  ａｎ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ」（２０００年８月３０日に出願され、本発明の譲受人に譲渡されている）に開示されている。この特許出願の開示は、全体として本明細書において参照により取り入れられている。
【００４６】
本発明の堆積バッフル１６の他の実施形態においては、また図１Ｃに例示したように、少なくとも１つのスロット３０が、図１Ｂに関して前述して例示された山形状経路などの蛇行経路３０ａに構成されている。残りのスロット３０は、帯７６の隣接する対の実質的に平行な端によって境界をつけられた視線経路３０ｂとして構成されている。蛇行経路３０ａによって、基板３２の露出面３１からスパッタされた材料から隠れるかまたは陰になる、誘電体窓１４上の保護ゾーン７８ａがもたらされる。その結果、誘電体窓１４上の保護ゾーン７８ａは実質的にビルドアップがない状態のままであるか、または少なくともビルドアップがゾーン７８ａに蓄積する速度が低下する。保護ゾーン７８ａと同様の保護ゾーンを、誘電体窓上のスパッタされた導電性ビルドアップの蓄積の影響を受けやすいプラズマ加工システムで用いることは、米国特許第５，５６９，３６３号（Ｂａｙｅｒら）に開示されている。Ｂａｙｅｒ特許の開示は全体として本明細書において参照により取り入れられている。
【００４７】
本発明の堆積バッフル１６の他の実施形態においては、また図１Ｄに例示したように、少なくとも１つのスロット３０が、縁（ｌｉｐ）７９によって径方向において部分的に遮られた視線経路３０ｂを有し、残りのスロットは、基板２３の露出面３１からスパッタされた材料の移動経路から遮られていない視線経路３０ｂを有する。縁７９は、スロットの長さに沿って延び、誘電体窓１４の保護ゾーン７８ｂ上へのビルドアップの蓄積を防いでいる。縁７９は、帯７６の一方に取り付けられ、円周方向において隣接帯７６から間隔を置いて配置された端を有する。また縁７９の径方向の最外部部分は、径方向において誘電体窓１４から間隔を置いて配置されている。代替的に帯７６の一方を、図１Ｄの点線で示したように径方向において誘電体窓１４から間隔を置いて配置して、間隔を置いて配置された一方の帯７６によって、保護ゾーン７８ｂと同様の保護ゾーンを窓１４上に得ることができる。
【００４８】
図２および２Ａを参照して、本発明のある実施形態においては、誘電体窓８５を、ポリマー、またはより具体的には、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で形成してもよい。これはたとえば、Ｅ．Ｉ．ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙ（ウィルミントン、デラウェア州）から市販されるテフロン（登録商標）または他の同様のＰＴＦＥである。誘電体窓８５を形成するポリマーは、ニート（ｎｅａｔ）・ポリマーであってもよいし、または代替案において、ポリマー母材中にフィラーを取り入れた複合材料、たとえばフィルド・ポリテトラフルオロエチレンであってもよい。好適なフィラーには、マイカ、ガラス、カーボン、グラファイト、および他の同様な材料の繊維または粉末が含まれる。ポリマー母材中にフィラーが存在することによって、複合材料の機械的強度および熱的安定性が改善されることが分かっている。またポリテトラフルオロエチレンは、耐薬品性も高いため、プロセス・ガスによる化学的攻撃は重大な問題ではない。
【００４９】
ポリテトラフルオロエチレンは、プラスチック材料であるが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化シリコン、ホウケイ酸ガラス、または石英などの脆い誘電体材料と比べて、壊損の影響を極めて受けにくい。しかしＰＴＦＥは、約１８０℃を超える温度で容易に変形し、約３２７℃で溶融する柔らかい材料である。結果として、堆積バッフル１６を冷却して、誘電体窓８５の温度を調節しなければならない。そうするために、堆積バッフル１６を、流体通路７５内で温度制御流体を循環させることによって冷却する。温度制御流体の流量は、ＰＴＦＥの温度を約１８０℃未満に保つのに十分である。しかし誘電体窓８５を形成するＰＴＦＥ中にフィラーを取り入れることによって、約１８０℃を超え融点未満の温度における機械的安定性が著しく向上する。
【００５０】
誘電体窓８５は、かなり大きな機械的支持を、円錐台状パネル５８の帯７６ａから受ける。誘電体窓８５は、自立しているわけでも支持なしで立っているわけでもないため、誘電体窓８５を形成するＰＴＦＥの厚みを小さくすることができる。その結果、ＲＦエネルギーは、著しく低減される減衰を受けることなく、誘電体窓８５を貫通することができる。誘電体窓８５の伝達効率が高められているため、真空加工空間２４内のプラズマを維持するために許容し得るＲＦ電力を与えながら、ＲＦ電源２８を動作させる電力レベルを小さくすることができる。
【００５１】
誘電体窓８５の非真空面内に設けられているのは、複数の、たとえば３巻のコイル・ターン８７のアンテナ８８を収容する凹部を与える螺旋状の溝８６である（図２Ａ）。円錐台状の外部カバー９０が、複数のプラスチックねじ９１によって誘電体窓８５の非真空面に取り付けられている。外部カバー９０の内側を向く面は、アンテナ８８の一部を収容しツー・ピースのエンクロージャ内へのアンテナ８８の封入を完全にするための螺旋状の溝９２を備えている（図２Ａ）。外部カバー９０は好ましくは、ポリマーで形成され、より具体的にはＰＴＦＥまたはフィルドＰＦＴＥで形成される。
【００５２】
図３を参照して、本発明の代替的な実施形態による誘電体窓９４および堆積バッフル９６が例示されている。誘電体窓１４および堆積バッフル１６（図１）の配置と同様に、誘電体窓９４の円錐台状部分９８が、堆積バッフル９６の円錐台状パネル９９の上にあり、円錐台状パネル９９は複数のスロット１００を備えている。円錐台状パネル９９は、誘電体窓９４の円錐台状部分９８に対する機械的支持を与える複数の帯９９ａを備えている。また誘電体窓９４は、堆積バッフル９６の下部環状フランジ１０４と噛み合う下部環状フランジ１０２と、堆積バッフル９６のディスク状トップ・プレート１０８を覆う上部ディスク状部分１０６とを備える。堆積バッフル９６のディスク状トップ・プレート１０８は、誘電体窓９４の上部ディスク状部分１０６に対する機械的支持を与える。
【００５３】
図３では、誘電体窓９４が実質的に平坦であるとして例示されているが、これに限定されるわけではなく、また誘電体などのＲＦ伝達性材料で形成される。好適な誘電体材料には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ホウケイ酸ガラス、または石英、およびＰＴＦＥまたはフィルドＰＴＦＥなどのポリマーが含まれる。図３では、誘電体窓９４が単一ピースの材料で形成されているとして例示されているが、本発明はこれに限定されるわけではなく、円錐台状部分９８および上部ディスク状部分１０６には、真空耐密な方法で接合された複数のコンポーネントが含まれる。
【００５４】
アンテナ１１０は、アンテナ１８（図１）と同様に、誘電体窓９４の円錐台状部分９８を囲みこれに隣接する螺旋状に巻かれたコイル・ターン１１１と、誘電体窓９４の上部ディスク状部分１０６の上にあるコイル・ターン１１３のアレイとを備える。コイル・ターン１１１、１１３は好ましくは、電気的に導通させるために相互接続され、一括してＲＦ電源２８に電気的に接続されている。コイル・ターン１１１、１１３は、ＲＦエネルギーを、円錐台状部分９８および上部ディスク状部分１０６をそれぞれ通して、真空加工空間２４内へ放射するように動作することができる。平行な矩形状アレイの直線状スロット１１７（図３では、視線が全くない山形状スロットとして例示されているが、これに限定されない）が、コイル・ターン１１３の下方のトップ・プレート１０８を通って延びている。スロット３０（図１）に関して前述したように、スロット１１７は、プラズマと結合させるために誘電体窓９４を通すＲＦエネルギーの伝達を可能にする一方で、誘電体窓９４の真空側表面上のスパッタされたエッチ生成物によるビルドアップの蓄積を制限する。
【００５５】
誘電体窓９４および堆積バッフル９６の利点は、バッフル９６の円錐台状パネル９９による円錐台状部分９８の機械的支持があるために、アンテナ１１０の大きな設置面積または有効面積を維持しながら、窓９４の上部ディスク状部分１０６の厚みを小さくできることである。機械的支持があるために、真空加工空間２４へのＲＦ電力の効率的な伝達が促進される。というのは、アンテナ１１０の有効面積を増やすことができると共に、大気圧によって印加される負荷に耐えるのに必要な誘電体窓９４のディスク状部分１０６の厚みを最小限にできるからである。
【００５６】
図４および４Ａを参照し、図１および１Ａにおける同様の部材に対して同様の参照番号を用いて、本発明の代替的な実施形態においては、円形状ガス分配プレート１２０が、トップ・プレート６２の下方に取り付けられ、基板支持体２０の上方に吊り下げられている。ガス分配プレート１２０は、一括で略円筒状のガス・プレナム１２５を規定する円筒状の側壁１２２および円形状エンド・プレート１２４を有する。エンド・プレート１２４は概ね、基板３２の露出面３１の上方でこの露出面３１と実質的に平行な平面内に置かれ、露出面３１と実質的に対向する関係を有する。ガス・プレナム１２５は、プロセス・ガス供給源１２７からチャンバ壁１２内のガス入口１２８を通して選択的に供給され電子マス・フロー・コントローラ１２９によって制御されるプロセス・ガス流を受け取る。ガス分配プレート１２０は、化学的に攻撃的なプロセス・ガスによる攻撃または腐食に耐える材料、たとえばアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されていることが望ましい。ガス分配プレート１２０は、トップ・プレート６２と一体にすることもできるし、または代替案においては、シールされる方法でトップ・プレート６２に取り付けられた別個のピースにすることもできる。
【００５７】
特定の直径の円形状開口部などの複数のガス・ポート１３０が、エンド・プレート１２４の下面１３１を通って延びている。ガス・ポート１３０から、空間的に分布したプロセス・ガス流が、真空チャンバ１１の真空加工空間２４へ放出される。図４Ａに最もよく示されているように、ガス・ポート１３０は、アレイ状に配列され、好ましくは堆積バッフル１６の中心線の周りに実質的に対称的な、順序付けられたアレイで配列される。しかし要求プロセスに依存して、ガス・ポート１３０の配列は、不均一なプロセス・ガス流を真空加工空間２４内へ供給するために、非対称なアレイでまたはランダムに配列することができる。各ガス・ポート１３０は、プロセス・ガス流を方向付けるためのまたはガス流量もしくは出口圧力を変更するためのノズル（図示せず）または同様の構造物を備えていてもよい。
【００５８】
ガス分配プレート１２０は、ガス入口２７と組み合わせて用いて１種のプロセス・ガスを供給してもよく、または代替的に、第２のプロセス・ガスを供給することができ、または唯一のガス源となることもできる。プラズマ・クリーニングにおいて組み合わせる使用方法の例としては、Ａｒなどの希ガスまたは不活性ガスを、第２のプロセス・ガス供給源１３２からガス入口２７（図４）を通して供給してもよいし、Ｈ２などの化学的活性なプロセス・ガスを、ガス分配プレート１２０によって供給してもよい。当然のことながら、不活性および化学的に活性なプロセス・ガスを混合して、ガス分配プレート１２０またはガス入口２７の何れか一方のみによって供給することができる。たとえば不活性ガスがガス混合物中に存在することで、誘導結合プラズマの点火が容易になると考えられる。
【００５９】
ガス分配プレート１２０は、間隔を置いて配置された複数のガス・ポート１３０を介してプロセス・ガスの流入を空間的に分布させることによって、真空加工空間２４へ供給されるプロセス・ガスの分散の空間的な均一性を向上させる。これは特に、動作圧力が高められる結果、化学的に反応性のプロセス・ガスの分散均一性が重要な問題になるプラズマ・クリーニングにおいて重要である。基板３２の露出面３１の表面クリーニングまたはエッチングの均一性は、ガス・ポート１３０の空間分布の対称性、ガス・ポート１３０の数、基板３２上方で開口部１３０が配置される高さ、基板支持体２０に対するガス・ポート１３０の横方向または周辺の位置に影響されやすい。これらは全て、プラズマ密度分布および基板３２の露出面３１のプラズマ処理を最適化するために、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく変えることができる。
【００６０】
図５を参照し、図１および１Ａにおける同様の部材に対して同様の参照番号を用いて、本発明の代替的な実施形態においては、ガス分配リング１３４が、堆積バッフル１６に取り付けられ、真空チャンバ１１内に配置されている。ガス分配リング１３４は概ね、基板ホルダ２０の基板支持面３４の周縁の上にあり、基板支持面３４を含む平面と実質的に平行な平面内に含まれる。ガス分配リング１３４は、特定の直径の円形状開口部などの複数のガス・ポート１３６を有するガス・プレナム１３５を規定する環状の中空リングである。ガス・ポート１３６は、堆積バッフル１６の中心線に向かって、実質的に径方向内側に方向付けられている。ガス分配リング１３４は、プロセス・ガス供給源１３７からガス入口１３９および配管１４０の長さを通して、電子マス・フロー・コントローラ１３８で計量されたプロセス・ガス流を受け取る。ガス分配リング１３４は好ましくは、リング１３４の中心線の周りに実質的に対称的で支持面３８に実質的に平行な径方向のガス流を供給する。代替的にガス・ポート１３６を、支持面３８の平面に垂直に向くように軸方向に方向付けることができ、または垂直方向および径方向の間で斜めに方向付けることができる。ガス分配リング１３４は好ましくは、化学的に攻撃的なプロセス・ガスによる攻撃または腐食に耐える材料、たとえばアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている。露出面３１上のプラズマ均一性およびガス流の均一性を改善するために、ガス分配リング１３４をガス分配プレート１２０と縦一列に並べて用いて、均一なプロセス・ガス流を基板３２の露出面３１に向けて下方にかつ径方向内側に送ってもよい。
【００６１】
ガス分配リング１３４は、ガス入口２７などの単一のガス入口を有することとは対照的に、真空チャンバ１１の周縁付近にガス・ポート１３６を分布させることによって、真空加工空間２４に供給されるプロセス・ガスの空間均一性を改善する。ガス分配リング１３４は、プラズマ均一性およびプロセス・ガス流に関して、ガス分配プレート１２０（図４）について前述したものと実質的に同様の利点をもたらし、また前述したように、ガス入口２７（図４）および第２のプロセス・ガス供給源１３２（図４）と共にまたはこれらなしで用いることができる。組み合わせる構成においては、プロセス・ガス供給源１３７などの単一のプロセス・ガス供給源によって、プロセス・ガスを、ガス分配リング１３４およびガス入口２７の両方へ供給してもよい。代替的に、第２のプロセス・ガス供給源１３２からの第２のガスを、入口２７（図４）などの入口を通して供給することができる。
【００６２】
図１、１Ａ、５における同様の部材に対して同様の参照番号を用いて、図６に、堆積バッフル１６（図１）と同様の堆積バッフル１４１を例示する。堆積バッフル１４１は、複数のスロット１４４を有する円錐台状パネル１４２と、チャンバ壁１１の円筒状の縁７３に真空耐密な方法でシールされた環状フランジ１４６と、ディスク状トップ・プレート１４８とを備える。円錐台状パネル１４２の円周の周りに延びているのは、埋め込まれたガス通路１５０である。ガス通路１５０は、円錐台状パネル１４２の径方向内側に向く面１５３を通って延びる複数のガス・ポート１５２と流体連絡している。ガス・ポート１５２は好ましくは、プロセス・ガス流が実質的に径方向に均一となるように、堆積バッフル１４１の円周の周りに実質的に等しい角度間隔で配列されるが、本発明はこれに限定されない。要求プロセスに依存して、ガス・ポート１５２の配列を、不均一なプロセス・ガス流を真空加工空間２４内へ供給するように配列することができる。図示しないが、ガス通路１５０と同様の付加的な通路を、堆積バッフル１４１の円周方向に連続する他の部分に設けることができる。代替的に、スロット１４４と概ね平行に並べられた追加のガス通路（図示せず）を円錐台状パネル１４２内に設けて、このガス通路に、ガス通路１５０と同様の円周方向のガス通路によって、または外部のガス分配マニフォールド（図示せず）によって、プロセス・ガスを供給することができる。
【００６３】
ガス通路１５０およびガス・ポート１５２は、真空チャンバ１１の周縁付近にガス・ポート開口部を分布させることによって、ガス入口２７などの単一のガス入口を有することで課される限定されたガス流ではなく、真空加工空間２４に供給されるプロセス・ガスの空間均一性を改善する。ガス通路１５０およびガス・ポート１５２は、ガス分配プレート１２０（図４）およびガス分配リング１３４（図５）に関して前述したものと実質的に同様の利点を有し、ガス入口２７（図１）と共にまたはこれなしで用いることができる。またガス通路１５０およびガス・ポート１５２を用いて、第２のプロセス・ガス流を真空加工空間２４内へ導入することができ、第２のプロセス・ガスは、第２のプロセス・ガス供給源１３２（図４）と同様の第２のプロセス・ガス供給源によって供給される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のプラズマ加工システムを示す側断面図である。
【図１Ａ】
図１の一部を示す拡大図である。
【図１Ｂ】
図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線に沿って概ね取られた断面を示す図である。
【図１Ｃ】
本発明の原理による堆積バッフルの代替的な実施形態を示す、図１Ｂと同様の断面図である。
【図１Ｄ】
本発明の原理による堆積バッフルの代替的な実施形態を示す、図１Ｂと同様の断面図である。
【図２】
本発明の代替的な実施形態を示す、図１と同様の側断面図である。
【図２Ａ】
図２の一部を示す拡大図である。
【図３】
本発明の他の代替的な実施形態を示す、図１と同様の部分側断面図である。
【図４】
本発明の他の代替的な実施形態を示す、図１と同様の部分側断面図である。
【図４Ａ】
図４の一部を示す透視図である。
【図５】
本発明の他の代替的な実施形態を示す、図１と同様の部分側断面図である。
【図６】
本発明の他の代替的な実施形態を示す、図１と同様の部分側断面図である。
【図１】
2004522307.tif 000003
【図１Ａ】
2004522307.tif 000004
【図２】
2004522307.tif 000005
【図３】
2004522307.tif 000006
【図４】
2004522307.tif 000007
【図５】
2004522307.tif 000008
【図６】
2004522307.tif 000009
【国際公開パンフレット】
2004522307.tif 000010
2004522307.tif 000011
2004522307.tif 000012
2004522307.tif 000013
2004522307.tif 000014
2004522307.tif 000015
2004522307.tif 000016
2004522307.tif 000017
2004522307.tif 000018
2004522307.tif 000019
2004522307.tif 000020
2004522307.tif 000021
2004522307.tif 000022
2004522307.tif 000023
2004522307.tif 000024
2004522307.tif 000025
2004522307.tif 000026
2004522307.tif 000027
2004522307.tif 000028
2004522307.tif 000029
2004522307.tif 000030
2004522307.tif 000031
2004522307.tif 000032
2004522307.tif 000033
2004522307.tif 000034
2004522307.tif 000035
2004522307.tif 000036
2004522307.tif 000037
2004522307.tif 000038
2004522307.tif 000039
2004522307.tif 000040
2004522307.tif 000041
2004522307.tif 000042
2004522307.tif 000043
2004522307.tif 000044
2004522307.tif 000045
2004522307.tif 000046
2004522307.tif 000047
2004522307.tif 000048
2004522307.tif 000049
2004522307.tif 000050
2004522307.tif 000051
2004522307.tif 000052
2004522307.tif 000053
2004522307.tif 000054
2004522307.tif 000055
2004522307.tif 000056
2004522307.tif 000057
2004522307.tif 000058
2004522307.tif 000059
2004522307.tif 000060
2004522307.tif 000061
2004522307.tif 000062
2004522307.tif 000063
2004522307.tif 000064
2004522307.tif 000065
2004522307.tif 000066
2004522307.tif 000067
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004522307.tif 000068
【国際調査報告】
2004522307.tif 000069
2004522307.tif 000070
2004522307.tif 000071
2004522307.tif 000072
2004522307.tif 000073