(57)【要約】【課題】例えば、半導体や液晶を製造する際にエッチングガス及びクリーニングガスとして使用することができるフッ素ガスを安価に、かつ大量に製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明に係るフッ素ガスの製造方法は、ガス流通下で高次金属フッ化物を加熱することを特徴とする。前記高次金属フッ化物としてはＭｎＦxで表されるフッ化マンガンやＫ3ＮｉＦy（ｙは６〜７）で表されるフッ化ニッケルカリウムが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス流通下で高次金属フッ化物を加熱することを特徴とするフッ素ガスの製造方法。
【請求項２】
前記高次金属フッ化物が、平均組成式ＭｎＦx（ｘは３〜４）で表されるフッ化マンガ
ンおよび平均組成式Ｋ3ＮｉＦy（ｙは６〜７）で表されるフッ化ニッケルカリウムから選ばれる少なくとも１種の金属フッ化物であることを特徴とする請求項１に記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項３】
前記高次金属フッ化物が、平均組成式ＭｎＦx（ｘは３〜４）で表されるフッ化マンガ
ンであることを特徴とする請求項２に記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項４】
高次金属フッ化物の加熱温度が３００〜４５０℃であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項５】
前記ガスを予め加熱することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項６】
前記加熱温度が２８０〜５００℃であることを特徴とする請求項５に記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項７】
前記ガスが、窒素、アルゴン、ヘリウム、クリプトンおよびネオンから選ばれる少なくとも１種の不活性ガスであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項８】
前記ガスがフッ素ガスを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法に使用した後の金属フッ化物にフッ素ガスを吸蔵させ、得られた高次金属フッ化物を用いて請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法によりフッ素ガスを発生させることを特徴とするフッ素ガスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高次金属フッ化物を加熱してフッ素ガスを製造する方法に関する。より詳しくは、ガス流通下で高次金属フッ化物を加熱して効率的にフッ素ガスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フッ素ガスは、各種フッ化物の合成原料に使用されるとともに、最近では半導体や液晶などの電子部品のクリーニングガスやエッチングガスとして使用され始めている。一般的なフッ素ガスの工業的製造はＫＦ・２ＨＦ溶融塩の電気分解によって行われる。この方法で得られたフッ素ガスには、ＨＦ、Ｏ2、Ｎ2、ＣＯ2、ＣＦ4、ＳｉＦ4等の電極や原料由
来の不純物ガスが含まれることがあり、高純度のフッ素ガスを得ることは困難である。また、フッ素電解槽はメンテナンスや安全運転が難しい。さらに、付帯設備が必要なことから設備投資が高く、ある程度の使用量がないとフッ素ガスが非常に高価になり、これまで安価な高純度フッ素ガスを供給することは難しかった。
【０００３】
また、フッ素ガスは最も強い酸化性を持つ支燃性ガスであり、毒性も高く、材料腐食性も強いため、日本においては特別な場合を除き、商業ベースでは希釈していない圧縮ガスボンベとしてほとんど流通していない。
【０００４】
ボンベ以外のフッ素ガスの供給方法として、従来から高次金属フッ化物などのフッ素吸蔵合金を用いた吸蔵法が知られている。たとえば、特表平５−５０２９８１号公報（特許文献１）には、フッ素ガスを固体に吸蔵させた状態で保存し、フッ素ガスを使用する際にその固体を収めた容器を加熱して、下記式（１）の反応によりフッ素ガスを発生させるフッ素ガス発生器が開示されている。
【０００５】
Ｋ3ＮｉＦ7  →  Ｋ3ＮｉＦ6  ＋  １／２Ｆ2  ・・・（１）
吸蔵法は、フッ素吸蔵合金にフッ素を吸蔵させ、フッ素吸蔵合金を加熱することによりフッ素ガスを発生させる方法であり、フッ素吸蔵合金を加熱するという簡単な操作だけでフッ素ガスを発生できるため、フッ素ガス発生装置を簡易かつ小型化できる。したがって、吸蔵法を利用したフッ素ガス発生装置はオンサイト型のフッ素ガス発生装置として有用である。
【０００６】
しかしながら、吸蔵法を利用した従来のフッ素ガス発生装置はフッ素ガスの発生圧力がそれほど高くなく、ガス発生量も十分ではなかった。さらに、従来からフッ素の発生速度を高めるためにガス発生装置のヒーターの熱量を増大させたり、内部フィンを設置して熱効率を改良する方法が採用されているが、加熱温度を高くしても十分な量のフッ素ガスが得られないことがあった。
【０００７】
また、Ｋ3ＮｉＦ7に比べて多くのフッ素ガスを発生できるフッ化金属として、ＣｏＦ3
やＭｎＦ4等が知られているが、フッ素ガスの発生速度や純度、工業的なレベル（ｋｇ単
位以上）で効率的にフッ素ガスを製造する方法についてはこれまで検討されていなかった。しかしながら、半導体等の電子産業の分野では年々微細加工化が進んでおり、エッチングガスとしてフッ素ガスを使用する技術の開発も進められ、さらに、フッ素ガスが地球温暖化係数の少ないガスであることからＣＶＤチャンバーのクリーニングガスとしての利用も期待されており、安価なフッ素ガスの製造方法の開発が求められている。
【特許文献１】特表平５−５０２９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、解決すべき課題は、例えば、半導体や液晶を製造する際にエッチングガス及びクリーニングガスとして使用することができるフッ素ガスを安価に、かつ大量に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意研究した結果、装置全体でのガス発生速度が高くならず、最終的なガス発生量も少なくなる原因が、吸蔵合金へのフッ素の吸着脱離平衡にあると考えた。すなわち、フッ素吸蔵法において、フッ素は吸蔵合金に対して吸着と脱離の平衡状態にあり、容器に充填されたフッ素吸蔵合金（高次金属フッ化物）を加熱した場合、高次金属フッ化物充填層内に熱分布が生じるため、上記吸着脱離平衡により、高温部ではフッ素が脱離してフッ素ガスが発生するが、発生したガスが低温部で再吸着すると考えた。そこで、本発明者らは、高次金属フッ化物層内にガスの流れを形成し、ガス流通下で高次金属フッ化物を加熱することにより、高次金属フッ化物層からフッ素ガスを発生させ、発生したフッ素ガスの金属フッ化物への再吸収を防ぐことができ、その結果、フッ素ガスのガス発生速度が増大して、フッ素発生剤（高次金属フッ化物）当りの最終的なガス発生量を増加させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、下記［１］から［９］で構成される。
【００１０】
［１］ガス流通下で高次金属フッ化物を加熱することを特徴とするフッ素ガスの製造方法。
【００１１】
［２］前記高次金属フッ化物が、平均組成式ＭｎＦx（ｘは３〜４）で表されるフッ化
マンガンおよび平均組成式Ｋ3ＮｉＦy（ｙは６〜７）で表されるフッ化ニッケルカリウムから選ばれる少なくとも１種の金属フッ化物であることを特徴とする上記［１］に記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１２】
［３］前記高次金属フッ化物が、平均組成式ＭｎＦx（ｘは３〜４）で表されるフッ化
マンガンであることを特徴とする上記［２］に記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１３】
［４］高次金属フッ化物の加熱温度が３００〜４５０℃であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１４】
［５］前記ガスを予め加熱することを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１５】
［６］前記加熱温度が２８０〜５００℃であることを特徴とする上記［５］に記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１６】
［７］前記ガスが、窒素、アルゴン、ヘリウム、クリプトンおよびネオンから選ばれる少なくとも１種の不活性ガスであることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１７】
［８］前記ガスがフッ素ガスを含むことを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれかに記載のフッ素ガスの製造方法。
【００１８】
［９］上記［１］〜［８］のいずれかに記載の製造方法に使用した後の金属フッ化物にフッ素ガスを吸蔵させ、得られた高次金属フッ化物を用いて上記［１］〜［８］のいずれ
かに記載の製造方法によりフッ素ガスを発生させることを特徴とするフッ素ガスの製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、高次金属フッ化物から発生したフッ素ガスの金属フッ化物への再吸収を防ぎ、フッ素ガスの発生速度を向上させることができ、フッ素ガスを大量に製造することができる。さらに、ガスを流通させない場合に比べて低い温度で加熱することができ、設備投資の軽減やランニングコストの削減など経済的にも有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明に用いられる高次金属フッ化物は、固体として安定に存在し、加熱によりフッ素ガスを発生するものであれば特に限定されず、従来公知の方法によって調製することができ、たとえば、ＨＦ等の酸化力の弱いフッ素化剤で金属または金属塩をフッ素化して得られる金属フッ化物を、さらに酸化力の強いフッ素化剤でフッ素化して金属の価数を増加させた金属フッ化物である。本発明では、このような高次金属フッ化物のうち、平均組成式ＭｎＦx（ｘは３〜４）で表されるフッ化マンガンおよび平均組成式Ｋ3ＮｉＦy（ｙは６
〜７）で表されるフッ化ニッケルカリウムが好ましく、高次金属フッ化物に対するフッ素ガス発生割合が１０質量％以上である点で、平均組成式ＭｎＦx（ｘは３〜４）で表され
るフッ化マンガンがより好ましく、加熱温度をより低くでき、容器の材質にかかるコストを低減でき、さらにフッ素ガス発生割合がより高くなる点で、ｘは大きい方が好ましい。
【００２１】
通常、フッ化マンガンＭｎＦx（ｘは３〜４）、ならびにフッ化ニッケルカリウムＫ3ＮｉＦy（ｙは６〜７）は、それぞれ、ＭｎＦ3で表される結晶とＭｎＦ4で表される結晶と
の混合物ならびにＫ3ＮｉＦ6で表される結晶とＫ3ＮｉＦ7で表される結晶との混合物として得られる。上記平均組成式は、このような混合物の平均組成を表し、たとえば、ＭｎＦ3を５０％、ＭｎＦ4を５０％含有するフッ化マンガンの場合には、ＭｎＦ3.5と表され、
Ｋ3ＮｉＦ6を５０％、Ｋ3ＮｉＦ7を５０％含有するフッ化マンガンの場合には、Ｋ3Ｎｉ
Ｆ6.5と表される。
【００２２】
また、上記「高次金属フッ化物に対するフッ素ガス発生割合」とは、フッ素ガス生成反応式から理論的に求められる値である。たとえば、ＭｎＦ4の場合、下記式（２）
ＭｎＦ4  →  ＭｎＦ3  ＋  １／２Ｆ2  ・・・（２）
のように、ＭｎＦ4１モル（１３１ｇ）からＦ2が１／２モル（１９ｇ）が生成する。従って、ＭｎＦ4からのフッ素ガス発生割合は１９／１３１×１００＝１５質量％となる。
【００２３】
本発明では、上記高次金属フッ化物を1種単独で、または２種以上を混合して使用して
もよい。
本発明では、上記高次金属フッ化物をガス発生容器に装入し、このガス発生容器にガスを流通させて高次金属フッ化物を加熱する。この加熱により、たとえば、ＭｎＦ4の場合
には、下記式（３）のようにフッ素ガスが発生する。
【００２４】
２ＭｎＦ4  →  ２ＭｎＦ3  ＋  Ｆ2  ・・・（３）
上記ガス発生容器の容量は、下記工程で発生するガスの量により適宜設定することができる。ガス発生容器の材質は、ニッケル、モネル、ステンレス等の耐食性の金属材料を選択することが好ましく、これらの金属材料の表面をフッ素ガスで予め不動態化することが好ましい。また、金属材料の表面にニッケルメッキを施した後、その表面をフッ素ガスで不動態化してもよい。
【００２５】
高次金属フッ化物はガス発生容器に充填装入してもよいが、適度な隙間を空けて装入す
ることが好ましい。特に、高次金属フッ化物を密に充填すると、高次金属フッ化物層により圧力損失が発生し、ガスの流通が妨げられることがあり好ましくない。また、高次金属フッ化物からのフッ素ガス生成反応（上記式（３））は、下記式（４）
２ＭｎＦ3  ＋  Ｆ2  →  ２ＭｎＦ4  ・・・（３）
のような吸収反応と平衡関係にあり、ガス発生容器内のガスの流通が十分でないと、発生したフッ素ガスが迅速に容器から流出せず、再度、金属フッ化物に吸収することがある。
【００２６】
したがって、高次金属フッ化物はガスの流通経路を確保できる程度に隙間を空けてガス発生容器に装入することが好ましい。ガス流通経路を確保する手段としては、ガス発生容器内に通気性を有する構造体により複数の区画を設け、構造体の通気性を損なわないように各区画内に高次金属フッ化物を装入する方法が挙げられる。このように、ガスの流通経路を確保できる程度に隙間を空けて高次金属フッ化物をガス発生容器に装入することにより、ガスが圧力損失等により阻害されることなく流通し、発生したフッ素ガスを迅速にガス発生容器外に流出させることができ、フッ素の再吸収を防止し、フッ素ガスの発生量を増加させることができ、フッ素ガスの製造効率を高めることができる。
【００２７】
高次金属フッ化物の加熱温度は、３００〜４５０℃が好ましく、３３０〜４２０℃がより好ましく、３５０〜４００℃が特に好ましい。加熱温度を３００℃以上にすると、フッ素ガス発生装置の圧力をフッ素ガス供給先の圧力よりも高くすることができ、フッ素ガスの供給圧力を容易に調整することができる。しかし、フッ素ガスの発生圧力は加熱温度に対して指数関数的に増加するため、高圧になりやすい。加熱温度が上記範囲を超えると高圧のフッ素ガスが発生し、安全面において好ましくなく、また、ガス発生容器の耐圧を高めるために容器の肉厚を厚くする必要があり、経済的にも好ましくない。
【００２８】
上記加熱は、フッ素ガス発生装置の外部からヒーター等により行なうことができるが、これに加えて、フッ素ガス発生装置の内部に伝熱体を設けて加熱することが好ましい。この伝熱体により高次金属フッ化物は効率的に加熱され、フッ素ガス発生速度の低下を防止することができる。上記伝熱体は、フッ素ガス生成時の吸熱反応による温度低下を補えるものであれば特に制限はなく、フッ素ガス発生装置の内壁に伝熱体の一部が接触していればよい。
【００２９】
ガス発生装置に流通させるガスとしては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、クリプトン、ネオンなどの不活性ガスが挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上の混合ガスとして用いてもよい。また、上記ガスにはフッ素ガスが含まれていてもよい。特に、上記ガスとしてフッ素ガスを流通させると濃度１００質量％のフッ素ガスを製造することができる。
【００３０】
ガス発生装置へのガス供給速度は、特に限定されず、所望のフッ素ガス流量、フッ素ガス濃度等に応じて適宜設定することができる。
また、上記ガスは、ガス発生装置に供給される前に予め加熱されていることが好ましい。この加熱により、フッ素ガス生成時の吸熱反応による温度低下を補うことができ、フッ素ガス発生速度の低下を防止することができる。ガスの加熱温度は２８０〜５００℃が好ましい。
【００３１】
このようにして製造したフッ素ガスは、窒素ガス等により適宜希釈して任意の濃度のフッ素ガスとして使用することができる。また、上記方法によりフッ素ガスを製造した後の金属フッ化物は、金属の価数が低下しているが、この金属フッ化物にフッ素ガスを吸蔵させることにより高次金属フッ化物に変換することができ、再度、上記フッ素ガスの製造に使用できる。
【００３２】
［実施例］
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。実施例および比較例は、２０体積％のフッ素ガスを１０００ｃｃ／ｍｉｎで供給する場合について実施した結果を示す。
【００３３】
（フッ素ガスの分析方法）
フッ素ガス濃度は、５質量％のＫＩ水溶液にサンプリングしたガスを流通させ、遊離したＩ2を０．１ＮのＮａ2Ｓ2Ｏ3水溶液にて滴定して求めた。
【実施例１】
【００３４】
図１に示すフッ素ガス製造装置を用いた。ガス発生容器７（Ｎｉ製、内容量５Ｌ、φ１００ｍｍ×６４０ｍｍ）にＭｎＦ3.8を６５００ｇ装入した。バルブ１を開け、マスフロ
ーコントローラー３で流量を４００ｃｃ／ｍｉｎに制御して窒素をプレヒートカラム２に供給し、プレヒーター４で３６０℃に加熱した後、ガス発生容器７に供給した。ヒーター５により上記ＭｎＦ3.8を窒素ガス存在下で３５０℃に加熱し、フッ素ガスを発生させた
。同時に、バルブ１２を開け、希釈ガスとしてマスフローコントローラー１１で流量を４００ｃｃ／ｍｉｎに制御した窒素ガスを供給し、上記フッ素ガスと混合した。このとき、フローメーター８の表示は１０００ｃｃ／ｍｉｎを示した。また、バルブ９およびバルブ１３よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
2007176768.tif 000003
【００３６】
引き続き、加熱を継続したところ、フローメーター８におけるガス流量が９６０ｃｃ／ｍｉｎに低下した。このとき、バルブ９およびバルブ１３よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００３７】
【表２】
2007176768.tif 000004
【００３８】
その後、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなるように、マスフローコントローラー３における窒素ガス流量を５００ｃｃ／ｍｉｎに調整し、マスフローコントローラー１１における窒素ガス流量を３００ｃｃ／ｍｉｎに調整した。このとき、バルブ９およびバルブ１３よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００３９】
【表３】
2007176768.tif 000005
【００４０】
引き続き、加熱を継続したところ、フローメーター８におけるガス流量が低下したため、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなるように、マスフローコントローラー３におけるガス流量を増大させ、マスフローコントローラー１１におけるガス流量を低下させた。マスフローコントローラー１１におけるガス流量を０ｃｃ／ｍｉｎ（全閉）、マスフローコントローラー３におけるガス流量を８００ｃｃ／ｍｉｎに調整し、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなった時点で、バルブ９およびバルブ１３よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００４１】
【表４】
2007176768.tif 000006
【００４２】
その後、ヒーター５による加熱温度を３６０℃に上昇させた。このとき、フローメーター８の表示は１２２０ｃｃ／ｍｉｎを示した。また、バルブ９およびバルブ１３よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表５に示す。
【００４３】
【表５】
2007176768.tif 000007
【００４４】
その後、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなるように、マスフローコントローラー１１におけるガス流量を２２０ｃｃ／ｍｉｎ、マスフローコントローラー３におけるガス流量を５８０ｃｃ／ｍｉｎに調整した。このとき、バルブ９およびバルブ１３よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表６に示す。
【００４５】
【表６】
2007176768.tif 000008
【００４６】
引き続き、加熱を継続したところ、フローメーター８におけるガス流量が低下したため、上記と同様に、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなるように、マスフローコントローラー３におけるガス流量を増大させ、マスフローコントローラー１１におけるガス流量を低下させた。また、上記と同様に、マスフローコントローラー１１におけるガス流量を０ｃｃ／ｍｉｎまで低下させた場合は、その後のヒーター５による加熱温度を上昇させ、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなるように、マスフローコントローラー３におけるガス流量とマスフローコントローラー１１におけるガス流量を調整した。３７０℃、３８０℃、３９０℃、４００℃におけるフッ素ガス濃度を表７に示す。
【００４７】
【表７】
2007176768.tif 000009
【００４８】
ヒーター５による加熱温度が４００℃、マスフローコントローラー３におけるガス流量が８００ｃｃ／ｍｉｎ、フローメーター８におけるガス流量が１０００ｃｃ／ｍｉｎとなった時点で、ガスの製造を停止した。製造終了後、ガス発生容器の減少重量を測定してフッ素ガスの発生量を算出したところ、９００ｇであった。
【００４９】
［比較例１］
図２に示すフッ素ガス製造装置を用いた。ガス発生容器７（Ｎｉ製、内容量５Ｌ、φ１００ｍｍ×６４０ｍｍ）にＭｎＦ3.8を６５００ｇ装入し、ヒーター５により３６０℃に
加熱し、フッ素ガスを発生させた。マスフローコントローラー１４によりフッ素ガスの流量を２００ｃｃ／ｍｉｎに制御した。同時に、バルブ１２を開け、希釈ガスとしてマスフローコントローラー１１で流量を８００ｃｃ／ｍｉｎに制御した窒素ガスを供給し、上記フッ素ガスと混合した。このとき、バルブ９よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表８に示す。
【００５０】
【表８】
2007176768.tif 000010
【００５１】
引き続き、加熱を継続したところ、マスフローコントローラー１４におけるフッ素ガス流量を２００ｃｃ／ｍｉｎに維持できなくなったため、加熱温度を徐々に上昇させてマスフローコントローラー１４におけるフッ素ガス流量を２００ｃｃ／ｍｉｎに維持した。加熱温度を３８０℃にした時点でバルブ９よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表９に示す。
【００５２】
【表９】
2007176768.tif 000011
【００５３】
引き続き、マスフローコントローラー１４におけるフッ素ガス流量が２００ｃｃ／ｍｉｎとなるように加熱温度を徐々に上昇させたところ、４００℃まで上昇した時点でフッ素ガス流量を２００ｃｃ／ｍｉｎに維持できなくなり、ガスの製造を停止した。このとき、バルブ９よりサンプリングしてフッ素ガス濃度を測定した。結果を表１０に示す。
【００５４】
【表１０】
2007176768.tif 000012
【００５５】
製造終了後、ガス発生容器の減少重量を測定してフッ素ガスの発生量を算出したところ、６５０ｇであった。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
フッ素ガスは極めて支燃性の高いガスであり、従来のようにフッ素ガスが充填されたボンベを運搬することは非常に危険であるが、本発明によると、フッ素ガス自体を運搬することなく、オンサイトでフッ素ガスを容易に大量に入手することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明に用いられるフッ素ガス発生装置の一例の概略図を示す。
【図２】図２は、従来のフッ素ガス発生装置の一例の概略図を示す。
【符号の説明】
【００５８】
１      ストップバルブ
２      プレヒーターカラム
３      マスフローコントローラー
４      プレヒーター
５      ガス発生容器用加熱ヒーター
６      フッ素発生剤（たとえば、ＭｎＦx）
７      ガス発生容器
８      フローメーター
９      サンプリングバルブ
１０      出口バルブ
１１      マスフローコントローラー
１２      ストップバルブ
１３      サンプリングバルブ
１４      マスフローコントローラー
【図１】
2007176768.tif 000013
【図２】
2007176768.tif 000014