(57)【要約】【課題】  フォトレジスト層に高アスペクト比の孤立穴パターン像を精度よく形成することが可能なフォトレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】  バイナリーマスク１２のメインの孤立穴形状１１の隣に、より狭幅のダミー穴形状である付加穴形状２１を追加配置する。このバイナリーマスク１２を用い、基板上に形成したフォトレジスト層を露光、現像する。これにより、孤立穴形状１１に対応した領域に高アスペクト比の孤立穴パターン（主トレンチ）が形成される。フォトレジスト層の厚さに対する孤立穴形状幅の比は、現像後において、主トレンチの底部にレジストが残らず、かつ、付加穴形状２１によって出来る付加穴パターン（付加トレンチ）の底部にレジストが残ることとなるようにする。基板を導電性として電気めっき処理を行えば、主トレンチの内側の基板上にのみめっき膜が成長し、高アスペクト比の孤立形状（例えば磁極等）が形成可能になる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の厚さのフォトレジスト層に孤立穴を形成するための方法であって、
第１の幅の孤立穴形状を含むパターニングマスクを用意するステップと、
前記パターニングマスクに、前記第１の幅よりも小さい第２の幅の付加穴形状を、前記孤立穴形状の端部から離れた位置に前記孤立穴形状と平行に配置されるように付加するステップと、
前記パターニングマスクを用いて前記フォトレジスト層を露光するステップと、
露光されたフォトレジスト層を現像し、このフォトレジスト層に前記パターニングマスクのすべての形状の像を形成するステップ
とを含み、
現像後のフォトレジスト層のうち、前記孤立穴形状の像の部分にはフォトレジストを残さず、かつ、前記付加穴形状の像の部分には、元のフォトレジスト層の厚さよりも薄い有限厚のフォトレジストを残存させるようにした
ことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記フォトレジスト層の厚さに対する前記第１の幅の比が１／６から１／２０の範囲内である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記フォトレジスト層の厚さに対する前記第２の幅の比が１／８から１／３０の範囲内である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記フォトレジスト層の厚さが１μｍから１０μｍの範囲内である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
前記フォトレジスト層がポジ型である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
２５°Ｃ未満の温度で、１０分を上回らない時間にわたって、前記フォトレジスト層を現像する
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
【請求項７】
孤立形状を電気的に形成するための方法であって、
導電基板を用意するステップと、
前記孤立形状に対応する第１の幅の孤立穴形状を含むパターニングマスクを用意するステップと、
前記パターニングマスクに、前記第１の幅よりも小さい第２の幅の付加穴形状を、前記孤立穴形状の端部から離れた位置に前記孤立穴形状と平行に付加配置するステップと、
前記導電基板上に所定の厚さのフォトレジスト層を形成するステップと、
前記パターニングマスクを用いて前記フォトレジスト層を露光するステップと、
露光されたフォトレジスト層を現像し、このフォトレジスト層に前記パターニングマスクのすべての形状の像を形成するステップと、
現像後のフォトレジスト層のうち、前記孤立穴形状の像の部分からすべてのフォトレジストを除去すると共に、前記付加穴形状の像の部分には元のフォトレジスト層の厚さよりも薄いフォトレジストを残存させるステップと、
前記導電基板をめっき浴槽の中に浸漬し、めっき浴中の材料を前記導電基板のすべての露出部分に電気的に成膜するステップと、
前記フォトレジスト層を除去するステップと
を含むことを特徴とする孤立形状の電気的形成方法。
【請求項８】
前記孤立形状が磁気記録ヘッドの書込磁極である
ことを特徴とする請求項７に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【請求項９】
めっき浴槽中で成膜される材料は、鉄、コバルトおよびニッケルの三元合金である
ことを特徴とする請求項７に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【請求項１０】
前記フォトレジスト層の厚さに対する前記第１の幅の比が１／６から１／２０の範囲を上回らない
ことを特徴とする請求項７に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【請求項１１】
前記フォトレジスト層の厚さに対する前記第１の幅の比が１／８から１／３０の範囲を下回らない
ことを特徴とする請求項７に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【請求項１２】
前記フォトレジスト層の厚さが１μｍから１０μｍの範囲内である
ことを特徴とする請求項７に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【請求項１３】
前記フォトレジスト層がポジ型である
ことを特徴とする請求項７に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【請求項１４】
２５°Ｃ未満の温度で、１０分を上回らない時間にわたって、前記フォトレジスト層を現像する
ことを特徴とする請求項１３に記載の孤立形状の電気的形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広くフォトリソグラフィプロセスに係わり、特に、孤立穴形状を含むフォトレジストパターンの形成方法、およびそのようなフォトレジストパターンを用いて、例えば磁気ヘッドの磁極パターン等を形成するための孤立形状の電気的形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気記録ヘッドの製造において、書込ヘッドを画定するためのリソグラフィ工程は重要な工程であると考えられている。このプロセスの課題は、ぶ厚いフォトレジスト（イメージング）層の幅と形状とを厳密にコントロールしつつ、極小な物理寸法を実現する点にある。より詳細に言うと、上記した極小物理寸法というのは、孤立した磁極構造の３次元的パターニングをコントロールすること、すなわち、高さ（エアベアリング面からの距離）方向において数ミクロンにわたって物理的な幅および形状をコントロールすることを意味し、このことがプロセス上の大きな問題となるのである。磁気記録トラック幅のデザインルール目標が小さくなるにつれて、要求される磁極形状を達成するためには、十分なプロセスマージン（すなわち、パターン線幅ＣＤ(critical dimension)のばらつきを極小化したり、露光量やデフォーカスによって形状制御性を保つこと等）を確保することがますます重要になってきている。
【０００３】
従来の照明法の下でバイナリーマスクを用いる薄膜レジスト用途分野においては、プロセスウィンドウ（process window）を改善するために、位相シフトマスク法（phase shifting masks；ＰＳＭ）、光近接効果補正法（optical proximity correction；ＯＰＣ）、あるいは軸外照明法（off-axis illumination ）等の先進的な技術がいくつか提案され、問題の解決が図られてきている。ＰＳＭ法は、薄膜フォトレジストにおける等幅(密集) 線状パターンに対して、解像性能とプロセス許容性(process latitude)の改善をもたらすことができる。しかしながら、厚膜レジスト用途の場合、より詳細には本発明が関連する等幅トレンチ(iso-trench)デザインの場合には、ＰＳＭマスクデザインにおける部分的光透過（partial light transmission）に起因する許容しがたいレジスト損失(resist loss )のおかげで、上記した利点が相殺されてしまう。
【０００４】
ＯＰＣマスクは、ＰＳＭマスクに比べて安価に製作可能であるが、副解像形状（sub-resolution feature）のデザインや品質には問題が多い。特にデバイス形状やサイズの変更が必要な場合には、パターン幅、焦点深度、コーナー部形状等のパラメータの条件出しを何度も繰り返し行わなければならないこと(additional qualification iterations) は、特に珍しいことではない。軸外照明法は、概して中程度以上に密集した構造（パターン）の場合に効果があるが、孤立パターンに対しては必ずしも十分な焦点深度の増加をもたらすものでもない。
【０００５】
図５は、記録トラック幅層のための一般的なデザインのバイナリーマスク１２を表すものである。図に示した孤立穴状１１は、限界の記録トラック幅を画定する空白領域（光透過領域）である。レチクル上の遮光膜（クロム等）のない領域（孤立穴形状１１）を光が通過すると、フォトレジスト中に起きる光化学的かつ熱的反応によってフォトレジストが現像され、型枠としての孤立レジストステンシルが形成される。次に、このフォトレジスト型枠内で金属膜がめっき成長により成膜され、書込磁極が形成される。このようなプロセスにおける製造耐性としては、様々な膜厚のめっき膜対象物や、交互パターン転写用途（alternate pattern transfer applications ）にも対応できるようにするために、等幅トレンチレジストプロファイルの直線部分ができるだけ背高であることが必要である。なお、交互パターン転写とは、例えば、書込磁極を最終形状にまでもっていくためにめっき形成後の書込磁極にイオンミリングプロセスを加えたり、書込磁極自身をマスクとして用いてイオンミリングにより基板を堀り込んだりする等のプロセスである。
【０００６】
以上の点に関連して先行技術を調査したところ、以下のような特許文献１〜４が見つかった。
【０００７】
【特許文献１】米国特許６，７４９，９７２
【特許文献２】米国特許６，８０７，６６２
【特許文献３】米国特許出願２００４／０２４１５５７
【特許文献４】米国特許６，２５８，４８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
Yuらによる上記特許文献１には、散乱バーまたは非散乱バーと、軸外照明とを用いた光近接効果補正法（ＯＰＣ）が開示されている。 Toublanらによる特許文献２には、孤立領域における解像性を高めるためにアシスト形状を追加する技術が開示されている。Ballman らによる特許文献３には、付加形状を有するマスクについての記載があり、軸外照明について言及されている。
【０００９】
Stanton らによる特許文献４には、近接効果を等しくするために、孤立形状または密集形状の隣にダミー形状を配置する技術が開示されている。この技術では、ダミー形状部分のレジストは完全にはエッチングされない( 貫通しない) 。言い換えると、このダミー形状はレジストにおける開口なので、現像後のパターンにはダミー形状が残らない。Stanton らは、ダミー形状を狭フレーム状にすることで、これを達成している。このフレームの外側エッジは、ＯＰＣに必要な位相ずれ回折縞(out-of-phase diffraction fringes)を連続的にもたらす。ところが、そのフレームは、それ自体があまりにも狭いので、システムによって解像されることがなく、フォトレジスト像には現れて来ない。したがって、この技術は、（単一ラインの）散乱バーの概念を１次元から２次元に拡張したものにすぎない。
【００１０】
このように、上記の特許文献では、フォトレジスト層に孤立穴パターン像を形成することについては有効な提案がなされていない。
【００１１】
本発明は係る課題に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、フォトレジスト層に孤立穴パターン像を形成することが可能なフォトレジストパターンの形成方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の第２の目的は、上記のフォトレジストパターンの形成方法によって形成したフォトレジスト型枠を電気めっきフレームとして用いて孤立形状を形成する孤立形状の電気的形成方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の第３の目的は、特に磁気記録ヘッド用の書込磁極の製造に好適な孤立形状の電気的形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的は、マスクの孤立穴形状を、やや狭幅のダミー穴形状（付加穴形状）によって囲むようにすることで実現される。レジスト厚さに対する形状幅の比は、現像後において、孤立穴形状によって出来る孤立穴パターン（メインホール）の底部にレジストが残らず、かつ、ダミー穴形状によって出来る穴の底部には有限の厚みをもったより薄いレジストが残ることとなるように調整する。基板が導電性のものである場合には、孤立穴パターンの内側の基板上にのみ電気めっき膜が形成される。そして、レジストを除去することにより、高く隆起した電気めっき膜からなる孤立構造が出来上がる。
【００１５】
本発明では、解像性能改善技術と軸外照明技術とを結びつける技術を開示し、これにより、幅と形状のコントロールのためのプロセスメトリック（process metric）、すなわち、焦点深度、露光量、レジスト側壁の垂直性、レジスト厚依存性等に関するプロセス許容性を著しく改善することを可能とする。この技術は、現在の製造プロセスと完全に互換性があり、新たなものを追加することなく実施可能である。
より具体的には、以下の各手段により、上記目的が達成可能である。
【００１６】
本発明に係るフォトレジストパターンの形成方法は、所定の厚さのフォトレジスト層に孤立穴を形成するための方法であって、第１の幅の孤立穴形状を含むパターニングマスクを用意するステップと、パターニングマスクに、第１の幅よりも小さい第２の幅の付加穴形状を、孤立穴形状の端部から離れた位置に孤立穴形状と平行に配置されるように付加するステップと、パターニングマスクを用いてフォトレジスト層を露光するステップと、露光されたフォトレジスト層を現像し、このフォトレジスト層にパターニングマスクのすべての形状の像を形成するステップとを含み、現像後のフォトレジスト層のうち、孤立穴形状の像の部分にはフォトレジストを残さず、かつ、付加穴形状の像の部分には、元のフォトレジスト層の厚さよりも薄い有限厚のフォトレジストを残存させるようにしたものである。
【００１７】
本発明のフォトレジストパターンの形成方法では、フォトレジスト層の厚さに対する第１の幅の比を１／６から１／２０の範囲内にするのが好ましい。また、フォトレジスト層の厚さに対する第２の幅の比を１／８から１／３０の範囲内にするのが好ましい。フォトレジスト層の厚さが１μｍから１０μｍの範囲内である場合に本方法は好適に適用される。フォトレジスト層としてはポジ型のものが使用可能である。フォトレジスト層の現像は、２５°Ｃ未満の温度で、１０分を上回らない時間範囲内で行うことが好ましい。
【００１８】
本発明に係る孤立形状の電気的形成方法は、孤立形状を電気的に形成するための方法であって、導電基板を用意するステップと、孤立形状に対応する第１の幅の孤立穴形状を含むパターニングマスクを用意するステップと、パターニングマスクに、第１の幅よりも小さい第２の幅の付加穴形状を、孤立穴形状の端部から離れた位置に孤立穴形状と平行に付加配置するステップと、導電基板上に所定の厚さのフォトレジスト層を形成するステップと、パターニングマスクを用いてフォトレジスト層を露光するステップと、露光されたフォトレジスト層を現像し、このフォトレジスト層にパターニングマスクのすべての形状の像を形成するステップと、現像後のフォトレジスト層のうち、孤立穴形状の像の部分からすべてのフォトレジストを除去すると共に、付加穴形状の像の部分には元のフォトレジスト層の厚さよりも薄いフォトレジストを残存させるステップと、導電基板をめっき浴槽の中に浸漬し、めっき浴中の材料を導電基板のすべての露出部分に電気的に成膜するステップと、フォトレジスト層を除去するステップとを含むものである。
【００１９】
本発明の孤立形状の電気的形成方法は、孤立形状が磁気記録ヘッドの書込磁極である場合に好適に用いられる。めっき浴槽中で成膜される材料は、鉄、コバルトおよびニッケルの三元合金であることが好ましい。
【００２０】
本発明に係るフォトレジストパターンの形成方法および孤立形状の電気的形成方法では、第１の幅の孤立穴形状と第１の幅よりも小さい第２の幅の付加穴形状とを含むパターニングマスクを用いてフォトレジスト層が露光される。露光後のフォトレジスト層を現像することにより、パターニングマスクの形状パターンの像がフォトレジスト層に転写される。この結果得られるフォトレジスト層の孤立穴形状の像の部分にはフォトレジストが残存せず、下地基体まで貫通する孤立穴が形成される。一方、フォトレジスト層の付加穴形状の像の部分には厚さが減ったフォトレジストが残存し、下地基体は露出しない。下地基体として導電基板を用いた場合には、導電基板をめっき浴槽中に浸漬して電気めっきを行うことにより、孤立穴を有するフォトレジスト層がめっきフレームとして機能して孤立穴の内側にめっき膜が成長する。一方、フォトレジスト層の付加穴形状の像の部分にはフォトレジストが残存しているため、めっき膜が成長しない。こうして、パターニングマスクの孤立穴形状に対応した孤立穴の部分にのみ孤立形状（例えば、磁気記録ヘッドの書込磁極）が形成される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のフォトレジストパターンの形成方法および孤立形状の電気的形成方法によれば、第１の幅の孤立穴形状と、この孤立穴形状の隣に設けられ第１の幅よりも小さい第２の幅の付加穴形状とを有するパターニングマスクを用いて、基板上に形成されたフォトレジスト層を露光・現像すると共に、現像後のフォトレジスト層のうち孤立穴形状の像の部分にはフォトレジストを残さず、かつ、付加穴形状の像の部分には元のフォトレジスト層の厚さよりも薄い有限厚のフォトレジストを残存させるようにしたので、孤立穴形状に対応した領域に高アスペクト比の主トレンチを精度よく形成することができる。特に、基板を導電性として電気めっき処理を行うようにした場合には、主トレンチの内側の基板上にのみめっき膜が成長するので、高アスペクト比の孤立形状（例えば磁極等）が形成可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に実施の形態という。）について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１は本発明の一実施の形態に係る孤立形状の電気的形成方法に用いられるマスクの一例を表し、図２は孤立形状の電気的形成方法の主要工程における磁気記録ヘッド書込磁極の断面の一例を表すものである。なお、本発明の実施の形態に係るフォトレジストパターンの形成方法は本実施の形態に係る孤立形状の電気的形成方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。
【００２４】
図１に示したバイナリーマスク１２は、フォトレジスト層に等幅トレンチを形成するためのフォトリソグラフィに好適に構成されたものであり、主たる等幅トレンチ形状である孤立穴形状１１の隣りに、付加的な等幅トレンチ形状である付加穴形状２１が複数本（ここでは、両側にそれぞれ３本ずつ）追加されている。孤立穴形状１１は第１の幅を有し、付加穴形状２１は第１の幅よりも小さい第２の幅を有する。孤立穴形状１１および付加穴形状２１以外の部分には、例えばクロム（Ｃｒ）等の遮光膜が形成されており、孤立穴形状１１および付加穴形状２１のみが光を透過するようになっている。これらの穴形状は全体として、中程度の密集パターンないし密集パターンを構成している。当然のことながら、付加穴形状２１のサイズ、間隔、形状等に関するマスクデザインの詳細は、使用する照明やレジストタイプに応じて最適化する必要がある。
【００２５】
本実施の形態では、後工程のめっき処理ステップのために、書込磁極の３次元形状コントロールが必要である。主形状である孤立穴形状１１の直線部分は、フォトパターニング装置に備え付けられた軸外照明と、中程度密集パターンのマスクデザインとを組み合わせて用いることにより、改善される。
【００２６】
図２は、図１に示したバイナリーマスク１２を用いた露光により形成したフォトレジストパターンをフレーム（めっき型枠）としてめっき処理を行った後のテストウェハの断面を表すものである。この図に示したように、ウェハの導電性基板３１上には、ポジ型のフォトレジスト層３２が形成されている。フォトレジスト層の厚さは、例えば１μｍ〜１０μｍ程度である。このフォトレジスト層３２には、孤立穴形状１１に対応した主トレンチ３３Ａが形成されると共に、付加穴形状２１に対応した付加トレンチ３３Ｂが主トレンチ３３Ａの両側に形成されている。主トレンチ３３Ａの内部には、主磁極構造３４がめっき成長により形成されている。主磁極構造３４の材料としては、例えば、鉄、コバルトおよびニッケルの三元合金が用いられる。付加トレンチ３３Ｂは、主磁極構造３４の直線部分の形を保つのに役立っている。付加トレンチ３３Ｂの導入によって、主トレンチ３３Ａの像コントラストが向上している。この改善された像コントラストにより、３次元像がほとんど損なわれることがなくなり、全体としてのプロセス能力が向上する。
【００２７】
例えば、焦点深度、現像中の負荷効果（loading effects ）、あるいはレジストコントラス等の様々な理由により、フォトレジスト像の垂直側壁は、真の垂直にはならない。このため、本実施の形態のようにフォトレジストを用いてめっき型枠を作ろうとして場合において、めっき型枠の高さがあまりに高すぎるか、または／および、めっき型枠の幅があまりに狭すぎると、めっき型枠の底部にフォトレジストが残存してしまう。したがって、フォトレジスト像には、めっき型枠の底部にフォトレジストが残存しないようにするための寸法比限界値（幅に対する高さの比の最大値）が存在する。本発明らは、この比がおよそ６：１であることを突き止めた。したがって、主トレンチ３３Ａの幅が、例えば（レジスト表面で）０．８μｍであるとすると、フォトレジストの最大許容厚さは約４．８μｍとなる。付加トレンチ３３Ｂが誤って基板まで貫通してしまうのを避けるためには、２５°Ｃ未満の室温下で１０分以内の範囲で現像処理を行うのが好ましい。
【００２８】
主トレンチ３３Ａのパターン線幅ＣＤ(critical dimension)がフォトレジスト表面で０．８μｍであったとしても、概して、底部では０．３μｍ以下となるのは言うまでもない。底部におけるパターン線幅ＣＤは、磁気記録ヘッドの記録幅を画定するものであることから、薄膜ヘッド製造上の主要な関心事となっている。上記した例におけるレジストトレンチ（主トレンチ３３Ａ）の幅（第１の幅）に対する高さ（レジスト厚）の実効比は、およそ１６：１である。これは、従来のフォトリソグラフィ技術を用いたのでは達成が極めて困難な数値であるが、本実施の形態が教示するアプローチによれば、比較的容易に達成可能である。概して言うと、本実施の形態によれば実効アスペクト比（高さに対する幅の実効比）が１／６ないし１／２０程度の範囲に対して有効である。
【００２９】
付加トレンチ３３Ｂは、レジストの底部まで完全に空白になっているわけではないので、その後のめっき成膜工程でこれらの部分的開口パターンが埋められてしまうことはない。こうして、孤立ペデスタル形状（主磁極構造３４）の形成が達成されるが、その際に付加トレンチ３３Ｂが後段の工程に影響を与えることはない。したがって、本実施の形態におけるダミー形状（付加穴形状２１）が従来の散乱バーとは異なるものであることは明らかであろう。ダミー形状が現像されたフォトレジスト像中に現れるか否かは、取るに足らない（重要でない）ことなのである。なお、フォトレジスト層３２の厚さに対する付加トレンチ３３Ｂの幅（第２の幅）の比は、概して、１／８ないし１／３０程度の範囲とするのが好ましい。
【００３０】
図３は、本実施の形態に係るフォトレジストパターンの形成方法における幅コントロールの改善結果を表すものである。具体的には、曲線４２は本実施の形態による幅コントロール結果を示し、曲線４１は従来のパターニング技術によるものを示す。なお、縦軸はパターン線幅ＣＤを示し、横軸はデフォーカス量を示す。但し、単位は任意量である。本実施の形態によれば、デフォーカス量に対する感度を低減させることができることから、高アスペクト比の磁極等を作製する用途において、パターン線幅ＣＤおよび形状コントロールの双方を改善することが可能となる。
【００３１】
図４は、本実施の形態の方法を用いて形成された磁気記録ヘッドの要部断面構造を表すものである。この図に示したように、基板３１上に、極めて高いアスペクト比（すなわち、狭小かつ背高）の書込磁極３４を精度よく形成することができる。
【００３２】
最後に本実施の形態の長所を列挙する。
（１）互換性：現行の記録ヘッド製造プロセスと互換性があり、最小限のプロセス変更だけで実施可能である。
（２）柔軟性：付加穴形状２１は、使用するフォトレジストのタイプや照明オプション（例えば、２重瞳または４重瞳の照明）に応じて適宜調整可能であり、これによりプロセスの最適化が可能である。
（３）拡張性：超微細解像性能が求められる場合には、ＰＳＭ技術を併用することが可能である。この場合には、対象物（目的物）に応じて適切なサイジングとマスク最適化とが必要とされ、形状ＣＤに対する要求が修正される。
【００３３】
以上、好適な実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、磁気記録ヘッドの書込磁極への応用例を例示して説明したが、本発明はこれに限定されず、他の用途にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施の形態における孤立形状の電気的形成方法によって磁気記録ヘッドの磁極を形成する際に用いるバイナリーマスクの一例を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態における孤立形状の電気的形成方法の要部を表す断面図であり、導電性基板の上に形成されたフォトレジスト層を図１のマスクを用いて露光したのち現像してフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをめっきフレームとして基板上に電気めっき膜を成膜した状態を示す。
【図３】本発明の適用によってデフォーカスに対する感度低減が達成されたことを示す図である。
【図４】本発明を適用して作製された磁気記録ヘッドの磁極の一例を示す断面図である。
【図５】従来のバイナリーマスクを示す平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１…孤立穴形状、１２…バイナリーマスク、２１…付加穴形状、３１…導電性基板、３２…フォトレジスト層、３３Ａ…主トレンチ、３３Ｂ…付加トレンチ、３４…主磁極構造。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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