(57)【要約】【課題】立体基板の立体表面の高低差に対応して立体回路を効率よく精密に形成する方法を提供する。【解決手段】立体基板１上に立体回路を形成する方法であって、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法。また、立体基板上に立体回路を形成する方法であって、シンクロトロン放射光を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体基板上に立体回路を形成する方法であって、
波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光および集光レンズを用いて前記立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法。
【請求項２】
前記集光レンズの焦点距離は１００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の立体回路の形成方法。
【請求項３】
前記集光レンズは、フレネルレンズまたはアキシコンレンズであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の立体回路の形成方法。
【請求項４】
前記広帯域レーザ光はフェムト秒レーザ光またはファイバーレーザ光であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の立体回路の形成方法。
【請求項５】
立体基板上に立体回路を形成する方法であって、
シンクロトロン放射光を用いて前記立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかに記載の形成方法により得られる立体回路を含むデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、立体基板（三次元的な表面を有する基板をいう、以下同じ）上に立体回路（三次元的な電気回路をいう、以下同じ）を形成する方法およびその立体回路を含むデバイスに関する。本発明により形成される立体回路を含むデバイスは、携帯電話、小型カメラ、光通信モジュールなどの電子機器に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、小型カメラ、光通信モジュールなどの電子機器の小型化、軽量化および高機能化にともない、機器内の回路の高集積化が要求されており、従来の平面形状のプリント配線基板では対応しきれない状況となっている。
【０００３】
そこで、電子機器における電気回路の高集積化の要請を満たすために、立体基板として射出成形などにより得られた三次元的な形状を有する樹脂成形品を用いて、この立体基板の表面上に直接立体回路を形成したＭＩＤ（Mold Interconnect Device）の開発が進められている。
【０００４】
かかるＭＩＤを形成する際に、立体基板上に立体回路を形成する方法としては、レーザ法、フィルム転写法、ホットスタンプ法、フォトイメージング法などの１ショット法（１回成形法、以下同じ）、ＰＣＫ（Printed Circuit Board Kollmorgen）法などの触媒法、ＳＫＷ（Sankyo Kasei Wiring Board）法などの非触媒法などの２ショット法（２回形成法、以下同じ）が用いられる。
【０００５】
上記のＭＩＤの開発においては、立体基板が有する立体平面（三次元的な表面をいう、以下同じ）上に立体回路を如何にして効率よく精密に形成するかが重要な課題となる。この課題を解決するため、レーザ法において、立体基板の立体表面の高低差に対応してＴＨＧ−ＹＡＧレーザおよび可変焦点レンズ（ダイナミックフォーカスレンズ）を用いた立体回路の形成方法が提案されている（たとえば、非特許文献１を参照）。
【０００６】
しかし、上記の非特許文献１に記載されている立体回路の形成方法においては、可変焦点レンズの焦点を調節するための装置が必要となり、装置全体としてのコストが増大という問題があった。
【０００７】
そこで、簡便な方法で、立体基板の立体表面の高低差に対応して立体回路を効率よく精密に形成する方法が求められている。
【非特許文献１】鈴木俊之、他１名、「レーザ法による樹脂成形品上への立体微細回路形成技術」、第６３回レーザ加工学会講演論文集、レーザ加工学会、２００５年５月、ｐ１０−１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、立体基板の立体表面の高低差に対応して立体回路を効率よく精密に形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、立体基板上に立体回路を形成する方法であって、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光および集光レンズを用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法である。ここで、波長帯幅とは、広帯域レーザ光の強度分布において、光の強度の最大値の１／２の強度における波長の幅（すなわち、半値幅）をいう。本発明にかかる立体回路の形成方法によれば、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光を集光レンズにより集光させることにより、集光レンズの色収差により焦点深さを大きくして、立体基板の立体表面の高低差に対応した立体回路の形成が可能となる。
【００１０】
本発明にかかる立体回路の形成方法において、集光レンズの焦点距離は１００ｍｍ以上とすることができる。焦点距離が１００ｍｍ以上に長い集光レンズを用いることにより、色収差による焦点深さＤをさらに大きくすることができ、立体基板の立体表面の高低差に対応した立体回路の形成が容易になる。
【００１１】
また、本発明にかかる立体回路の形成方法において、集光レンズは、フレネルレンズまたはアキシコンレンズとすることができる。フレネルレンズなどの回折レンズは、同一の焦点距離を有する凸レンズなどの屈折レンズに比べて、色収差による焦点深さＤが大きくなる。また、アキシコンレンズは、同一の焦点距離を有するフレネルレンズよりもさらに大きな焦点深さＤを有する。したがって、集光レンズとして、フレネルレンズまたはアキシコンレンズを用いることにより、色収差による焦点深さＤをさらに大きくすることができ、立体基板の立体表面の高低差に対応した立体回路の形成が容易になる。
【００１２】
また、本発明にかかる立体回路の形成方法において、広帯域レーザ光はフェムト秒レーザ光またはファイバーレーザ光とすることができる。広帯域レーザ光として光の広がりの小さいフェムト秒レーザ光またはファイバーレーザ光を用いることにより、立体回路の微細なパターンを精密に描画することができる。
【００１３】
また、本発明は、立体基板上に立体回路を形成する方法であって、シンクロトロン放射光を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする立体回路の形成方法である。光指向性の高いシンクロトロン放射光を立体基板の立体表面上に一括露光させることにより、立体基板の立体表面の高低差に対応した立体回路のパターンの描画を形成が可能となる。
【００１４】
さらに、本発明は、上記の形成方法により得られる立体回路を含むデバイスである。このような立体回路を含むデバイスは、回路の高集積化が要求されている、携帯電話、小型カメラ、光通信モジュールなどの電子機器に好ましく用いられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、立体基板の立体表面の高低差に対応して立体回路を効率よく精密に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施形態１）
本発明にかかる１つの立体回路の形成方法は、図１を参照して、立体基板１上に立体回路を形成する方法であって、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする。ここで、波長帯幅とは、広帯域レーザ光の強度分布において、光の強度の最大値の１／２の強度における波長の幅（すなわち、半値幅）をいう。
【００１７】
この立体回路の形成方法によれば、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光を集光レンズにより集光させることにより、集光レンズの色収差により焦点深さを大きくして、立体基板の立体表面の高低差に対応した立体回路の形成が可能となる。かかる観点から、広帯域レーザ光の波長帯幅は１００ｎｍ以上が好ましい。
【００１８】
ここで、広帯域レーザ光とは、広帯域レーザから放射される波長帯幅の広いレーザ光をいう。ここで、広帯域レーザには、特に制限はないが、チタン酸サファイアを光源とするフェムト秒レーザ、ネオジム、ユーロピウム、エルビウムなどの希土類元素を含有するファイバーを光源とするファイバーレーザなどが好ましく用いられる。
【００１９】
図１を参照して、立体基板上に立体回路のパターンを描画する方法には、特に制限はなく、たとえば、絶縁体である立体基板上に導電層であるＣｕ層２を形成し、このＣｕ層２（導電層）の一部に広帯域レーザ光１１を集光レンズ１２を介して照射させて、Ｃｕ層２（導電層）における広帯域レーザ光１１の照射領域を除去すること（除去部分２ｄ）により、立体回路のパターンを描画することができる。また、導電層であるＣｕ層の上にレジスト層を形成させた後、集光レンズで集光させた広帯域レーザ光をレジスト層に照射させて、レジスト層における広帯域レーザ光の照射領域を除去または感光させることにより、立体回路のパターンを描画することもできる。
【００２０】
本実施形態の形成方法においては、広帯域レーザ光１１を集光レンズ１２により集光させている。集光レンズが凸レンズなどの屈折レンズの場合は、広帯域レーザにおける最短波長光が最短焦点ｆS（最短焦点距離ＦS）で、最長波長光が最長焦点ｆL（最長焦点距離ＦL）で集光される。すなわち、集光レンズ１２により集光された広帯域レーザ光１１は大きな焦点深さＤ（最長焦点ｆLと最短焦点ｆSとの距離）を有しており、この焦点深さＤ内に位置する立体基板上のＣｕ層２を効率的に精度よく除去することができる。したがって、立体基板１における高低差Ｈの立体表面に立体回路のパターンを描画する場合は、Ｈ（高低差）≦Ｄ（焦点深さ）の範囲内で、集光レンズ１２と立体基板１との距離を変更することなく、立体基板１上に形成されたＣｕ層２を除去することができ、立体回路パターンの描画が可能となる。
【００２１】
本実施形態の形成方法においては、特に、波長帯幅が５０ｎｍ以上の広帯域レーザ光１１を集光レンズ１２により集光させていることから、焦点深さＤが大きくなるため、集光レンズ１２と立体基板１との距離を変更することなく、立体基板１と広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２とを相対的に平行移動させることにより、立体基板１の高低差Ｈの大きい立体表面上にも効率よく精密に立体回路のパターンを描画することができる。ここで、立体基板１と広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２とのいずれを移動させることも可能であるが、装置を簡単な構造としてコストの低減を図る観点から、広帯域レーザ光１１および集光レンズ１２に対して立体基板１を集光レンズ１２面に平行に移動させることが好ましい。
【００２２】
本実施形態の形成方法において、集光レンズの焦点距離は１００ｍｍ以上であることが好ましい。焦点距離が長い集光レンズを用いることにより、色収差による焦点深さＤをさらに大きくすることができる。かかる観点から、集光レンズの焦点距離は１５０ｍｍ以上であることがより好ましい。
【００２３】
また、本実施形態の形成方法において、集光レンズは、フレネルレンズまたはアキシコンレンズであることが好ましい。フレネルレンズなどの回折レンズは、同一の焦点距離を有する凸レンズなどの屈折レンズに比べて、色収差による焦点深さＤが大きくなる。なお、集光レンズがフレネルレンズなどの回折レンズの場合は、広帯域レーザにおける最短波長光が最長焦点ｆL（最長焦点距離ＦL）で、最長波長光が最短焦点ｆS（最短焦点距離ＦS）で集光される。また、アキシコンレンズ、すなわち円錐レンズは、同一の焦点距離を有するフレネルレンズよりもさらに大きな焦点深さＤを有する。
【００２４】
本実施形態の形成方法において、広帯域レーザ光はフェムト秒レーザ光またはファイバーレーザ光であることが好ましい。フェムト秒レーザ光は、発振パルス幅がフェムト秒（１０-15秒）オーダのレーザ光であり、集光性がよく光の広がりが小さい。また、ファイバーレーザ光は、ファイバー中を通過したレーザ光であり、集光性がよく光の広がりが小さい。したがって、光の広がりの小さいフェムト秒レーザ光またはファイバーレーザ光を用いることにより、立体回路の微細なパターンを精密に描画することができる。
【００２５】
本実施形態の立体基板に用いられる材料には、特に制限はないが、耐熱性、耐薬品性の観点から、ＬＣＰ（液晶ポリマー、以下同じ）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド、以下同じ）、ＳＰＳ（シンジオタクチックポリスチレン、以下同じ）などのエンジニアリングプラスチックが好ましく用いられる。また、立体基板を成形する方法にも、特に制限はないが、生産性の観点か射出成形法が好ましく用いられる。
【００２６】
（実施形態２）
本発明にかかる他の立体回路の形成方法は、図２を参照して、立体基板１上に立体回路を形成する方法であって、シンクロトロン放射光２１を用いて立体回路のパターンを描画することを特徴とする。
【００２７】
この立体回路の形成方法によれば、光指向性の高いシンクロトロン放射光２１を立体基板１の立体表面上に一括露光させることにより、立体基板の立体表面の高低差に対応した立体回路のパターンの描画を形成が可能となる。ここで、シンクロトロン放射光とは、光速に近い速さの高エネルギー電子が加速器中の磁場によって軌道を曲げられるときに放射される電磁波をいい、光指向性が高く、Ｘ線マスクにより遮光される性質を有する。
【００２８】
図２を参照して、立体基板上に立体回路のパターンを描画する方法には、特に制限はなく、たとえば、絶縁体である立体基板１上に導電層であるＣｕ層２を形成し、このＣｕ層２上にレジスト層９を形成させた後、開口部２２ｅを有するＸ線マスク２２を用いて、開口部２２ｅのパターンに対応してパターン化されたシンクロトロン放射光２１をレジスト層９に一括して照射させ、レジスト層におけるシンクロトロン放射光の光照射領域９ｅを感光させることにより、立体回路のパターンを一括して描画することができる。
【００２９】
本発明にかかるデバイスは、上記の実施形態１または実施形態２の形成方法により得られる立体回路を含む。このような立体回路を含むデバイスは、回路の高集積化が要求されている、携帯電話、小型カメラ、光通信モジュールなどの電子機器に好ましく用いられる。
【実施例】
【００３０】
本発明にかかる立体回路の形成方法について、以下の実施例に基づいてさらに具体的に説明する。
【００３１】
（実施例１）
図３を参照して、本実施例は、実施形態１において、立体基板１上に形成されたＣｕ層２に、集光レンズ１２により集光された広帯域レーザ光１１を照射して立体回路のパターンを描画して、光照射領域（除去部分２ｄ）以外の領域（光非照射領域）を導電部とする回路を形成する例である。
【００３２】
射出成形により図３（ａ）に示すようなＬＣＰ製の立体基板１を形成した（立体基板１の形成工程）。ここで、立体基板１の立体表面の高低差Ｈを３ｍｍとした。次に、図３（ｂ）に示すように、立体基板１上にスパッタ法または無電解めっき法により厚さ３μｍのＣｕ層２を形成した（Ｃｕ層２の形成工程）。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、チタン酸サファイアを光源とする発振間隔０．１ｓ、発振パルス幅１５０ｆｓ、１パルス当たりのエネルギーが０．１Ｊのフェムト秒レーザ光（波長：７５０ｎｍ〜８５０ｎｍ、波長帯幅：１００ｎｍ）を、集光レンズ１２として焦点距離が１００ｍｍ以上のアキシコンレンズを介してＣｕ層２の一部に照射しながら立体基板１を集光レンズ１２面に平行に移動させて、Ｃｕ層２の光照射部分を除去することにより立体回路のパターンを描画した（立体回路パターンの描画工程）。このとき、集光レンズ１２を介して立体基板１に照射されるフェムト秒レーザ光の焦点深さは、３ｍｍであった。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、上記のパターン描画によりパターン化されたＣｕ層２上に電解めっき法により厚さ２０μｍのＣｕ層３を形成した。次いで、電解めっき法により、Ｃｕ層３上に厚さ１μｍのＮｉ層４を、Ｎｉ層４上に厚さ１μｍのＡｕ層５を形成することにより、立体回路を形成した（立体回路の形成工程）。
【００３５】
（実施例２）
図４を参照して、本実施例は、実施形態１において、立体基板１上のＣｕ層２上に形成されたレジスト層９に、集光レンズ１２により集光された広帯域レーザ光１１を照射して立体回路のパターンを描画し、レジスト層９の広帯域レーザ光によるレジスト層の除去部分９ｄ下のＣｕ層２の領域（除去部分２ｄ）以外の領域を導電部とする立体回路を形成する例である。
【００３６】
射出成形により図４（ａ）に示すようなＬＣＰ製の立体基板１を形成した（立体基板１の形成工程）。ここで、立体基板１の立体表面の高低差を３ｍｍ以下とした。次に、図４（ｂ）に示すように、立体基板１上にスパッタ法または無電解めっき法により厚さ３μｍのＣｕ層２を形成し（Ｃｕ層２の形成工程）、このＣｕ層２上にレジストとして化薬マイクロケム社製ＳＵ−８を用いてスピンコート法により厚さ１００μｍのレジスト層９を形成した（レジスト層９の形成工程）。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、チタン酸サファイアを光源とする発振間隔０．１ｓ、発振パルス幅１５０ｆｓ、１パルス当たりのエネルギーが０．１Ｊのフェムト秒レーザ光（波長：７５０ｎｍ〜８５０ｎｍ、波長帯幅：１００ｎｍ）を、集光レンズ１２として焦点距離が１００ｍｍ以上のアキシコンレンズを介してレジスト層９の一部に照射しながら立体基板１を集光レンズ１２面に平行に移動させて、レジスト層９の光照射領域を除去すること（除去部分９ｄ）により立体回路のパターンを描画した（立体回路パターンの描画工程）。このとき、集光レンズ１２を介して立体基板１に照射されるフェムト秒レーザ光の焦点深さは、３ｍｍであった。
【００３８】
次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト層の除去部分９ｄ下のＣｕ層２の露出部分を銅エッチング液（サンハヤト社製ＫＢ０３−０００１）を用いたエッチングにより除去した（Ｃｕ層の除去部分２ｄ）（Ｃｕ層２の部分除去工程（Ｐ４１））。次いで、残存するレジスト層９をレジスト剥離液（化薬マイクロケム社製Ｒｅｍｏｖｅｒ−ＰＧ）を用いたエッチングにより除去した（レジスト層９の除去工程（Ｐ４２））。
【００３９】
次に、図４（ｅ）に示すように、実施例１と同様にして、パターン化されたＣｕ層２上に、厚さ２０μｍのＣｕ層３、厚さ１μｍのＮｉ層４、厚さ１μｍのＡｕ層５を順次形成して、立体回路を形成した（立体回路の形成工程）。
【００４０】
（実施例３）
図５を参照して、本実施例は、実施形態１において、立体基板１上のＣｕ層２上に形成されたレジスト層９に、集光レンズ１２により集光された広帯域レーザ光１１を照射して立体回路のパターンを描画し、レジスト層９の広帯域レーザ光によるレジスト層の光照射領域９ｅ下のＣｕ層２の領域を導電部とする立体回路を形成する例である。
【００４１】
射出成形により図５（ａ）および（ｂ）に示すように、実施例２と同様にして、ＬＣＰ製の立体表面の高低差が３ｍｍ以下の立体基板１上に、厚さ３μｍのＣｕ層２（Ｃｕ層２の形成工程）、レジストとしてＪＳＲ社製ＨＢ−１３０Ｎを用いて厚さ５０μｍのレジスト層９を順次形成した（レジスト層９の形成工程）。
【００４２】
次に、図５（ｃ）に示すように、チタン酸サファイアを光源とする発振間隔０．１ｓ、発振パルス幅１５０ｆｓ、１パルス当たりのエネルギーが０．１Ｊのフェムト秒レーザ光（波長：７５０ｎｍ〜８５０ｎｍ、波長帯幅：１００ｎｍ）を、集光レンズ１２として焦点距離が１００ｍｍ以上のアキシコンレンズを介してレジスト層９の一部に照射しながら立体基板１を集光レンズ１２面に平行に移動させて、レジスト層９の光照射領域部分９ｅを感光させることにより立体回路のパターンを描画した（立体回路パターンの描画工程）。このとき、集光レンズ１２を介して立体基板１に照射されるフェムト秒レーザ光の焦点深さは、３ｍｍであった。
【００４３】
次に、図５（ｄ）に示すように、レジスト層９を２．３４質量％のＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide；水酸化テトラメチルアンモニウム、以下同じ）水溶液で現像することにより光照射領域９ｅ以外のレジスト層９を除去した（光照射領域以外のレジスト層９の除去工程（Ｐ５１））。次いで、光照射領域９ｅ以外のレジスト層９下のＣｕ層２の露出部分（光非照射領域２ｎ）を銅エッチング液（サンハヤト社製ＫＢ０３−０００１）を用いたエッチングにより除去した（Ｃｕ層２の部分除去工程（Ｐ５２））。次いで、残存するレジスト層の光照射領域９ｅをレジスト剥離液（ＪＳＲ社製、ＴＨＢ−１３０Ｎ用剥離液）を用いたエッチングにより除去した（レジスト層の光照射領域９ｅの除去工程（Ｐ５３））。
【００４４】
次に、図５（ｅ）に示すように、実施例１と同様にして、パターン化されたＣｕ層２上に、厚さ２０μｍのＣｕ層３、厚さ１μｍのＮｉ層４、厚さ１μｍのＡｕ層５を順次形成して、立体回路を形成した（立体回路の形成工程）。
【００４５】
（実施例４）
図６を参照して、本実施例は、実施形態２において、立体基板１上のＣｕ層２上に形成されたレジスト層９に、開口部２２ｅを有するＸ線マスク２２を介してシンクロトロン放射光２１を照射して立体回路のパターンを描画し、レジスト層９のシンクロトロン放射光によるレジスト層の光照射領域９ｅ下のＣｕ層２の領域以外の領域を導電部とする立体回路を形成する例である。
【００４６】
射出成形により図６（ａ）および（ｂ）に示すように、実施例２と同様にして、ＬＣＰ製の立体表面の高低差が３ｍｍ以下の立体基板１上に、厚さ３μｍのＣｕ層２（Ｃｕ層２の形成工程）、レジストとしてＰＭＭＡ（poly(methyl methacrylate)；ポリメタクリル酸メチル、以下同じ）を用いた厚さ１００μｍのレジスト層９を順次形成した（レジスト層９の形成工程）。
【００４７】
次に、図６（ｃ）に示すように、エネルギー０．６ＧｅＶ（ここで、１ＧｅＶとは１×１０9ｅＶを意味する、以下同じ）のシンクロトロン放射光（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）２１を、開口部２２ｅを有するＸ線マスク２２を介してレジスト層９の一部に一括して照射し、レジスト層９の光照射領域９ｅを感光させることにより立体回路のパターンを一括して描画した（立体回路パターンの描画工程）。
【００４８】
次に、図６（ｄ）に示すように、レジスト層９の光照射領域９ｅをＭｉＢＫ（methyl isobutyl ketone；メチルイソブチルケトン、以下同じ）現像液（関東化学社製２５２１４−００）で現像することにより光照射領域９ｅを除去した（レジスト層の光照射領域９ｅの除去工程（Ｐ６１））。次いで、レジスト層９の光照射領域９ｅ下のＣｕ層２の露出部分（光照射領域２ｅ）を銅エッチング液（サンハヤト社製ＫＢ０３−０００１）を用いたエッチングにより除去した（Ｃｕ層２の部分除去工程（Ｐ６２））。次いで、残存する光照射領域９ｅ以外のレジスト層９をＯ2（酸素）プラズマを用いたエッチングにより除去した（光照射領域以外のレジスト層９の除去工程（Ｐ６３））。
【００４９】
次に、図６（ｅ）に示すように、実施例１と同様にして、パターン化されたＣｕ層２上に、厚さ２０μｍのＣｕ層３、厚さ１μｍのＮｉ層４、厚さ１μｍのＡｕ層５を順次形成して、立体回路を形成した（立体回路の形成工程）。
【００５０】
（実施例５）
図７を参照して、本実施例は、実施形態２において、立体基板１上のＣｕ層２上に形成されたレジスト層９に、開口部２２ｅを有するＸ線マスク２２を介してシンクロトロン放射光２１を照射して立体回路のパターンを描画し、レジスト層９のシンクロトロン放射光によるレジスト層の光照射領域９ｅ下のＣｕ層２の領域を導電部とする立体回路を形成する例である。
【００５１】
射出成形により図７（ａ）および（ｂ）に示すように、実施例２と同様にして、ＬＣＰ製の立体表面の高低差が３ｍｍ以下の立体基板１上に、厚さ３μｍのＣｕ層２（Ｃｕ層２の形成工程）、レジストとして化薬マイクロケム社製ＳＵ−８を用いた厚さ５０μｍのレジスト層９を順次形成した（レジスト層９の形成工程）。
【００５２】
次に、図７（ｃ）に示すように、エネルギー０．６ＧｅＶのシンクロトロン放射光（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）２１を、開口部２２ｅを有するＸ線マスク２２を介してレジスト層９の一部に一括して照射し、レジスト層９の光照射領域９ｅを感光させることにより立体回路のパターンを一括して描画した（立体回路パターンの描画工程）。
【００５３】
次に、図７（ｄ）に示すように、光照射領域９ｅ以外のレジスト層９を２．３４質量％のＴＭＡＨ水溶液で現像することによりレジスト層９を除去した（光照射領域以外のレジスト層９の除去工程（Ｐ７１））。次いで、レジスト層９下のＣｕ層２の露出部分（光非照射領域２ｎ）を銅エッチング液（サンハヤト社製ＫＢ０３−０００１）を用いたエッチングにより除去した（Ｃｕ層２の部分除去工程（Ｐ７２））。次いで、残存するレジスト層の光照射領域９ｅをレジスト剥離液（化薬マイクロケム社製Ｒｅｍｏｖｅｒ−ＰＧ）を用いたエッチングにより除去した（レジスト層の光照射領域９ｅの除去工程（Ｐ７３））。
【００５４】
次に、図７（ｅ）に示すように、実施例１と同様にして、パターン化されたＣｕ層２上に、厚さ２０μｍのＣｕ層３、厚さ１μｍのＮｉ層４、厚さ１μｍのＡｕ層５を順次形成して、立体回路を形成した（立体回路の形成工程）。
【００５５】
上記の実施例１〜５に示すように、本発明にかかる立体回路の形成方法により、簡便な方法で立体基板の立体的表面の高低差に対応して立体回路を効率よく精密に形成することができた。
【００５６】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明にかかる１つの立体回路の形成方法を示す模式断面図である。
【図２】本発明にかかる他の立体回路の形成方法を示す模式断面図である。
【図３】本発明にかかる立体回路の形成方法の一実施例を示す模式的な断面工程図である。ここで、（ａ）は立体基板の形成工程を示し、（ｂ）はＣｕ層の形成工程を示し、（ｃ）は立体回路パターンの描画工程を示し、（ｄ）は立体回路の形成工程を示す。
【図４】本発明にかかる立体回路の形成方法の他の実施例を示す模式的な断面工程図である。ここで、（ａ）は立体基板の形成工程を示し、（ｂ）はＣｕ層およびレジスト層の形成工程を示し、（ｃ）は立体回路パターンの描画工程を示し、（ｄ）はＣｕ層の部分除去工程およびレジスト層の除去工程を示し、（ｅ）は立体回路の形成工程を示す。
【図５】本発明にかかる立体回路の形成方法のさらに他の実施例を示す模式的な断面工程図である。ここで、（ａ）は立体基板の形成工程を示し、（ｂ）はＣｕ層およびレジスト層の形成工程を示し、（ｃ）は立体回路パターンの描画工程を示し、（ｄ）は光照射領域以外のレジスト層の除去工程、Ｃｕ層の部分除去工程およびレジスト層の光照射領域の除去工程を示し、（ｅ）は立体回路の形成工程を示す。
【図６】本発明にかかる立体回路の形成方法のさらに他の実施例を示す模式的な断面工程図である。ここで、（ａ）は立体基板の形成工程を示し、（ｂ）はＣｕ層およびレジスト層の形成工程を示し、（ｃ）は立体回路パターンの描画工程を示し、（ｄ）はレジスト層の光照射領域の除去工程、Ｃｕ層２の部分除去工程および光照射領域以外のレジスト層の除去工程を示し、（ｅ）は立体回路の形成工程を示す。
【図７】本発明にかかる立体回路の形成方法のさらに他の実施例を示す模式的な断面工程図である。ここで、（ａ）は立体基板の形成工程を示し、（ｂ）はＣｕ層およびレジスト層の形成工程を示し、（ｃ）は立体回路パターンの描画工程を示し、（ｄ）は光照射領域以外のレジスト層の除去工程、Ｃｕ層の部分除去工程およびレジスト層の光照射領域の除去工程を示し、（ｅ）は立体回路の形成工程を示す。
【符号の説明】
【００５８】
１  立体基板、２，３  Ｃｕ層、２ｄ，９ｄ  除去部分、２ｅ，９ｅ  光照射領域、２ｎ  光非照射領域、４  Ｎｉ層、５  Ａｕ層、９  レジスト層、１１  広帯域レーザ光、１２  集光レンズ、２１  シンクロトロン放射光、２２  Ｘ線マスク、２２ｅ  開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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