(57)【要約】【課題】埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を提供する。【解決手段】中間部分に第１整列マークＡ１及び第２整列マークＡ２が埋め込まれた基板を準備する第１段階と、基板の第１面から第１整列マークが露出されるように基板の上部をエッチングする第２段階と、露出された第１整列マークを基準として基板の上部をエッチングする第３段階と、基板の第２面から第２整列マークが露出されるように基板の下部をエッチングする第４段階と、露出された第２整列マークを基準として基板の下部をエッチングする第５段階と、を含む。【選択図】図４Ｆ
2007152547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間部分に第１及び第２整列マークが埋め込まれた基板を準備する第１段階と、
前記基板の第１面から前記第１整列マークが露出されるように前記基板の上部をエッチングする第２段階と、
前記露出された第１整列マークを基準として前記基板の上部をエッチングする第３段階と、
前記基板の第２面から前記第２整列マークが露出されるように前記基板の下部をエッチングする第４段階と、
前記露出された第２整列マークを基準として前記基板の下部をエッチングする第５段階と、を含むことを特徴とする埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法。
【請求項２】
前記基板は、
前記基板の上部を形成する第１基板と、前記基板の下部を形成する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された絶縁層と、を備えることを特徴とする請求項１記載の両面エッチング方法。
【請求項３】
前記絶縁層に形成されたエッチングされた部分が前記第１整列マークおよび前記第２整列マークとされていることを特徴とする請求項２に記載の両面エッチング方法。
【請求項４】
前記第１段階は、
前記第１基板を準備する段階と、
前記第１基板上に前記絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層をエッチングして、前記第１整列マーク及び前記第２整列マークを形成する段階と、
前記絶縁層上に第２シリコン基板をボンディングする段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の両面エッチング方法。
【請求項５】
前記第１段階は、
前記第１基板における前記絶縁層の反対面の前記第１整列マーク及び前記第２整列マークに該当する位置にそれぞれマークを形成する段階と、
前記第２基板における前記絶縁層の反対面の前記第２整列マークに該当する位置にマークを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の両面エッチング方法。
【請求項６】
前記第２段階は、
前記第１整列マークに該当する位置に形成されたマークを基準として前記第１基板をエッチングすることを特徴とする請求項５に記載の両面エッチング方法。
【請求項７】
前記第４段階は、
前記第２整列マークに該当する位置に形成されたマークを基準として前記第２基板をエッチングすることを特徴とする請求項５に記載の両面エッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）構造物を製造する方法に係り、さらに詳細には、埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイ装置の光スキャナのようなＭＥＭＳ構造物は、両面でのエッチングを必要とすることがある。このような両面エッチングのためには、第１面でのエッチングと第２面でのエッチングのために、それぞれ整列マークを必要とする。このような両面での整列マークの形成は、整列誤差を大きくする原因となり、このような整列誤差は、ＭＥＭＳ構造物のコーム電極の誤整列をもたらし、これは、ＭＥＭＳ素子のｆａｉｌｕｒｅをもたらす。
【０００３】
したがって、両面エッチング過程における整列誤差を減少させるために、一面での整列マークを使用する方法が必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、両面をエッチングするＭＥＭＳ構造物の整列誤差を減少させた新たな埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するために、本発明の埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法は、中間部分に第１及び第２整列マークが埋め込まれた基板を準備する第１段階と、前記基板の第１面から前記第１整列マークが露出されるように前記基板の上部をエッチングする第２段階と、前記露出された第１整列マークを基準として前記基板の上部をエッチングする第３段階と、前記基板の第２面から前記第２整列マークが露出されるように前記基板の下部をエッチングする第４段階と、前記露出された第２整列マークを基準として前記基板の下部をエッチングする第５段階と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、前記基板は、前記基板の上部を形成する第１基板と、前記基板の下部を形成する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板と間に配置された絶縁層とを備えうる。
【０００７】
また、前記絶縁層に形成されたエッチングされた部分が前記第１整列マークおよび前記第２整列マークとされていることが望ましい。
【０００８】
本発明によれば、前記第１段階は、前記第１基板を準備する段階と、前記第１基板上に前記絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層をエッチングして前記第１整列マーク及び前記第２整列マークを形成する段階と、前記絶縁層上に第２シリコン基板をボンディングする段階と、を含むことが望ましい。
【０００９】
また、前記第１段階は、前記第１基板における前記絶縁層の反対面の前記第１整列マーク及び前記第２整列マークに該当する位置にそれぞれマークを形成する段階と、前記第２基板における前記絶縁層の反対面の前記第２整列マークに該当する位置にマークを形成する段階と、をさらに含むことが望ましい。
【００１０】
本発明によれば、前記第２段階は、前記第１整列マークに該当する位置に形成されたマークを基準として前記第１基板をエッチングすることが可能である。
【００１１】
前記第４段階は、前記第２整列マークに該当する位置に形成されたマークを基準として前記第２基板をエッチングすることが可能である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法によれば、上部及び下部構造物からなるＭＥＭＳ構造物において、前記上部と下部構造物との整列誤差を減らすことが可能であり、したがって、コーム電極間のギャップを精密に形成することができる。このようなエッチング方法は、ＭＥＭＳ構造物の上部及び下部構造物の精密な製造に有用に利用されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら本発明による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法の望ましい実施の形態を説明する。以下の実施の形態の説明において、図面に示す構成要素は、必要に応じて誇張して表現されたり、図面の複雑性を避けて理解の容易のために特定図面から省略されたりしている、このような変形された図面上の表現は、本願発明の技術的範囲を制限するものではない。
【００１４】
図１は、本発明を説明するための図面であって、韓国出願番号第２００４-８３５３７号に開示された図面である。
【００１５】
図１を参照すれば、光スキャナ１００は、ステージ１１０と駆動フレーム１２０との間に形成された第１駆動コーム電極１１１及び第１固定コーム電極１２１と、駆動フレーム１２０から延びた第１部材１２２と、固定フレーム１３０から延びた第２部材１３２との間に形成された第２駆動コーム電極１２３及び第２固定コーム電極１３３によって２軸駆動を行う。前記第１及び第２固定コーム電極１２１、１３３は、ベース基板１４０に垂直に形成され、第１及び第２駆動コーム電極１１１、１２３は、前記第１及び第２固定コーム電極１２１、１３３と対応するように、ベース基板１４０から離隔されて形成されて回動する。
【００１６】
図２は、図１のコーム電極の構造を概略的に示す断面図である。
【００１７】
図２を参照すれば、フレーム２１０は、第１シリコン層２０１、絶縁層２０２、及び第２シリコン層２０３が積層されて形成されたＳＯＩ基板２００からエッチングされて形成されている。フレーム２１０は、図１の駆動フレーム１２０、固定フレーム１３０に対応しうる。第１シリコン層２０１から形成された駆動コーム電極２２０と、第２シリコン層２０３から形成された固定コーム電極２３０とが交互に形成されている。駆動コーム電極２２０と固定コーム電極２３０との間隔Ｇ１、Ｇ２が一定に形成されることが非常に重要である。この間隔Ｇ１、Ｇ２において誤差が発生すれば、ステージ１１０の回動が正常に作動しないことがある。前記間隔Ｇ１、Ｇ２を一定に維持するために、第１シリコン層２０１及び第２シリコン層２０３におけるパターニング誤差を、整列マークを基準として減らす必要がある。
【００１８】
図３Ａ〜図３Ｃは、図２の構造物を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【００１９】
図３Ａを参照すれば、第１シリコン層３０１、絶縁層３０２、及び第２シリコン層３０３が順次に積層されたＳＯＩ基板３００を準備する。
【００２０】
図３Ｂを参照すれば、第２シリコン層３０３をパターニングして第２シリコン層３０３に形成される構造物である固定コーム電極３３０、フレームの一部分３４１、及び整列マークＡをともに形成する。整列マークＡは、エッチングされた部分であり、整列マークＡを含む部分は、完成された構造物から除去される。
【００２１】
図３Ｃを参照すれば、前記ＳＯＩ基板３００の第１シリコン層３０１が上方に向くように前記ＳＯＩ基板３００を配置し、前記整列マークＡを基準として前記第１シリコン層３０１の構造物をパターニングして、第１シリコン層３０１に形成される構造物である駆動コーム電極３２０、フレームの残留部分３４２を形成する。このとき、第１シリコン層３０１にも整列マークＡ’を形成してもよく、以後の構造物のエッチングにおいて前記整列マークＡ’を基準としてパターニングを行ってもよい。
【００２２】
次いで、露出された絶縁層３０２を選択的にエッチングし、整列マークＡ、Ａ’が形成された部分をスクライビングすると、図２の構造物が形成される。
【００２３】
前記製造過程では、第２シリコン層３０３に形成された整列マークＡを顕微鏡で観察しながら、第１シリコン層３０１を観察する他の顕微鏡で第１シリコン層３０１をパターニングする過程で整列誤差が大きく増加できる。
【００２４】
図４Ａ〜図４Ｆは、本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【００２５】
図４Ａを参照すれば、第１基板４０１、例えば５００μｍ厚さのシリコン基板上に絶縁層４０２を蒸着する。前記絶縁層４０２は、２μｍ厚さのシリコン酸化物層でありうる。
【００２６】
次いで、前記絶縁層４０２をパターニングして前記絶縁層４０２に複数の整列マークＡ１、Ａ２を形成する。前記整列マークは、後述するように第１基板４０１の整列のための第１整列マークＡ１と、第２基板４０３の整列のための第２整列マークＡ２とからなる。前記整列マークＡ１、Ａ２は、前記絶縁層４０２がエッチングされた部分である。この時、前記第１基板４０１の前記第１、第２整列マークＡ１、Ａ２の反対面に前記第１、第２整列マークＡ１、Ａ２の位置をチッピングする。図面符号Ｃ１、Ｃ２は、チッピングされた部分を示す。
【００２７】
図４Ｂを参照すれば、前記絶縁層４０２上に第２基板４０３、例えば５００μｍ厚さのシリコン基板をボンディングする。次いで、前記第２基板４０３の前記第２整列マークの反対面に前記第２整列マークの位置を表示する。例えば、チッピング部分Ｃ２を基準として第２基板４０３にチッピング部分Ｃ３を形成する。前記第１基板４０１、絶縁層４０２、及び第２基板４０３は、ＳＯＩ基板を形成する。
【００２８】
図４Ｃを参照すれば、チッピング部分Ｃ３の周囲をエッチングして前記第２整列マークＡ２を露出させる。
【００２９】
図４Ｄを参照すれば、前記第２整列マークＡ２を基準として第２基板４０３に形成される構造物の固定コーム電極４３０と、フレームの一部分４４１とを形成する。
【００３０】
図４Ｅを参照すれば、前記第１基板４０１が上方に向くように配置する。チッピングＣ１の周囲をエッチングして第１整列マークＡ１を露出させる。
【００３１】
図４Ｆを参照すれば、前記第１整列マークＡ１を基準として前記第１基板４０１の構造物の駆動コーム電極４２０とフレームの残留部分４４２とを形成する。
【００３２】
次いで、露出された絶縁層４０２を選択的にエッチングし、整列マークＡ１、Ａ２が形成された部分をスクライビングすると、図２の構造物が形成される。
【００３３】
本発明による製造方法では、一回のパターニング過程による絶縁層に形成された整列マークを基準として上部及び下部構造物のパターニングを行うので、上部と下部構造物との間の整列誤差がほとんど発生しない。
【００３４】
本発明は、図面を参照して実施の形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、ＭＥＭＳ構造物関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明を説明するための斜視図である。
【図２】図１のコーム電極の構造を概略的に示す断面図である。
【図３Ａ】図２の構造物を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【図３Ｂ】図２の構造物を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【図３Ｃ】図２の構造物を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の望ましい実施の形態による埋め込み整列マークを利用した両面エッチング方法を段階別に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
４０１    第１基板
４０２    絶縁層
４０３    第２基板
４２０    駆動コーム電極
４３０    固定コーム電極
４４１  フレームの一部分
４４２  フレームの残留部分
Ａ１、Ａ２    第１及び第２整列マーク
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３  チッピング部分
【図１】
2007152547.tif 000003
【図２】
2007152547.tif 000004
【図３Ａ】
2007152547.tif 000005
【図３Ｂ】
2007152547.tif 000006
【図３Ｃ】
2007152547.tif 000007
【図４Ａ】
2007152547.tif 000008
【図４Ｂ】
2007152547.tif 000009
【図４Ｃ】
2007152547.tif 000010
【図４Ｄ】
2007152547.tif 000011
【図４Ｅ】
2007152547.tif 000012
【図４Ｆ】
2007152547.tif 000013