(57)【要約】本発明は正弦波の初期化波形を生成するようにしたプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関するものである。この駆動方法は正弦波を利用して壁電荷を形成することを特徴とする。
2004522994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正弦波を利用して壁電荷を形成させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
第１項において、正弦波は初期化期間に初期化波形として利用されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
第２項において、初期化波形は、正弦波に相当するデジタル信号が供給されるステップと、デジタル信号がアナログ信号に変換されるステップと、アナログ信号が増幅されるステップとを含めて形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
第２項において、正弦波は共振回路により生成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
第４項において、共振回路で発生される上昇及び下降の正弦波の中から少なくとも１つ以上の正弦波が初期化波形として利用されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
第５項において、放電セルに上昇正弦波が供給される際に、放電セル内で微細放電が発生して放電セル内に壁電荷が形成され、放電セルに下降正弦波が供給される際に放電セル内で微細放電が発生してすべての放電セルに均一な壁電荷が形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項７】
第５項において、初期化波形は、正弦波で第１電圧まで上昇する部分と、第１電圧から正弦波に下降する部分を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項８】
第５項において、初期化波形は、基底電圧から正弦波で第１電圧まで上昇する部分と、第１電圧と異なる電圧である第２電圧に変化する部分と、第２電圧を維持する部分と、第２電圧から正弦波に下降する部分を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項９】
第８項において、第２電圧の電圧値は第１電圧の電圧値より低く設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１０】
第５項において、初期化波形は、第１電圧まで上昇する部分と、第１電圧を維持する部分と、第１電圧から正弦波に下降する部分を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１１】
第５項において、初期化波形は、基底電圧から第１電圧に上昇する部分と、第１電圧から正弦波で第２電圧に上昇する部分と、第２電圧と異なる電圧である第３電圧に変化する部分と、第３電圧を維持する部分と、第３電圧から正弦波に下降する部分を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１２】
第１１項において、第３電圧の電圧値は第２電圧の電圧値より低く設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１３】
第１１項において、第１電圧と第３電圧の電圧値は同一に設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１４】
第１１項において、第３電圧から正弦波で基底電位まで下降することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１５】
第１１項において、第３電圧から正弦波で負極性電位まで下降することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１６】
第５項において、初期化波形は、正弦波で第１電圧まで上昇する部分と、上昇された第１電圧を維持する部分と、第１電圧から基底電位に下降する部分を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１７】
容量性負荷を持つプラズマディスプレイパネルと、初期化期間にパネルに電圧を供給する電圧源と、電圧源とパネルの間に設置されて電圧源から電圧が供給される際に正弦波を生成する初期化波形生成部を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
第１７項において、初期化波形生成部はデジタル信号を供給する制御部と、デジタル信号をアナログ信号に変換するデジタル−アナログコンバータと、アナログ信号を増幅する増幅部を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
第１７項において、初期化波形生成部は容量性負荷と共振回路を形成するインダクタを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
第１９項において、インダクタと電圧源の間に設置されて初期化期間にターンオンされるスイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
第１７項において、パネルと基底電圧源の間に設置されて容量性負荷が初期化される際にターンオンされるスイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
第２０項において、スイッチとインダクタの間に設置されて容量性負荷から供給される電流がスイッチの方へ供給されることを防止するダイオードをさらに具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
容量性負荷を持つプラズマディスプレイパネルと、初期化期間にパネルに電圧を供給する電圧源と、パネルにスキャンパルス、サステインパルス及び消去パルスなどを供給する外部駆動部と、容量性負荷と共振を起こしてパネルに初期化波形を供給する初期化波形生成部と、初期化波形生成部と外部駆動部の間に設置されて初期化波形生成部と外部駆動部を電気的に分離する隔離部を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２４】
第２３項において、隔離部は少なくとも１つ以上のスイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２５】
第２３項において、初期化波形生成部は、電圧源と、電圧源と隔離部の間に設置される第１スイッチと、第１スイッチと隔離部の間に設置されて電圧源から電圧が供給される際に容量性負荷と共振するインダクタと、インダクタの両端と基底電圧源の間に設置される第２、第３スイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２６】
第２５項において、第１スイッチとインダクタの間に逆電流を防止するために設置されるダイオードをさらに具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２７】
第２３項において、隔離部は、初期化波形生成部と外部駆動部の間に並列で設置される第１、第２スイッチと、第１スイッチに接続されて初期化波形生成部から供給される電流を容量性負荷に供給する第１ダイオードと、第２スイッチに接続されて容量性負荷から供給される電流を初期化波形生成部の方に供給する第２ダイオードを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
第２５または第２７項において、第１スイッチがターンオンする際、上昇勾配を持つ初期化波形がパネルに供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２９】
第２８項において、初期化波形の上昇勾配はインダクタのインダクタンスにより決定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３０】
第２９項において、インダクタのインダクタンスが第１値を持つ際に第１上昇勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持つ際に第１上昇勾配より緩い第２上昇勾配を持つ初期化波形が供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３１】
第２５または第２７項において、第２スイッチがターンオンする際に容量性負荷に充電された電圧が下降勾配を持ち基底電圧源に供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３２】
第３１項において、初期化波形の下降勾配はインダクタのインダクタンスにより決定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３３】
第３２項において、インダクタのインダクタンスが第１値を持って第１下降勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持って移第１下降勾配より緩い第２下降勾配を持つ初期化波形が供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３４】
第２５項において、第３スイッチがターンオンする際にインダクタが初期化されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３５】
第２３項において、隔離部と外部駆動部の間に設置されて初期化波形の下降スタート電圧を調節する初期化波形変形部を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３６】
第３５項において、初期化波形変形部は、変形電圧源と、変形電圧源と容量性負荷の間に設置される第１スイッチと、容量性負荷と基底電圧源の間に設置される第２スイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３７】
第３６項において、第２スイッチは容量性負荷が初期化される際にターンオンすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３８】
第３６項において、変形電圧源の電圧値は初期化波形の最大値と異なるように設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３９】
第３８項において、変形電圧源の電圧値は初期化波形の最大値より低く設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４０】
第３６項において、容量性負荷に電圧が充電された後、容量性負荷の電圧が変形電圧源の電圧値と同一になるように第１スイッチがターンオンすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４１】
第２３項において、初期化波形生成部は、第１電圧源と、第１電圧源と隔離部の間に設置される第１スイッチと、第１スイッチと隔離部の間に設置されて自身に電圧が供給される際に容量性負荷と共振するインダクタと、インダクタに接続される第２電圧源と、第２電圧源とインダクタの間に設置される第２スイッチとを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４２】
第４１項において、第１スイッチと第１電圧源の間に設置されて第１電圧源の方へ供給される電流を通過させるためのダイオードを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４３】
第４１項において、第２スイッチとインダクタの間に設置されてインダクタに供給される電流を通過させるためのダイオードを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４４】
第４１項において、インダクタの両端と基底電圧源の間に設置されてインダクタが初期化される際にターンオンする第３、第４スイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４５】
第４１項において、隔離部と外部駆動部の間に設置されて初期化波形の上昇及び下降スタート電圧を調節する初期化波形変形部を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４６】
第４５項において、初期化波形変形部は、第３電圧源と容量性負荷の間に設置される第３スイッチと、第４電圧源と容量性負荷の間に設置される第４スイッチと、基底電圧源と容量性負荷の間に設置される第５スイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４７】
第４６項において、第３スイッチがターンオンする際に容量性負荷に第３電圧源の電圧が供給されて、容量性負荷に第３電圧源の電圧が充電された後、第２スイッチがターンオンして容量性負荷に上昇勾配を持つ初期化波形が供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４８】
第４７項において、初期化波形の上昇勾配はインダクタのインダクタンスにより決定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４９】
第４８項において、インダクタのインダクタンスが第１値を持って第１上昇勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持って、第１上昇勾配より緩い第２上昇勾配を持つ初期化波形が供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５０】
第４７項において、容量性負荷に供給される初期化波形の電圧は、第２電圧源の２倍の電圧から第３電圧を減らした値に設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５１】
第４７項において、容量性負荷に電圧が充電された後、第４スイッチがターンオンして容量性負荷の電圧が第４電圧源の電圧値に変換されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５２】
第４７項において、第４電圧源の電圧値は初期化波形の最大値より低く設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５３】
第５１項において、容量性負荷の電圧が第４電圧源の電圧値に変更された後、第１スイッチがターンオンして容量性負荷に下降勾配を持つ初期化波形が供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５４】
第５３項において、初期化波形の下降勾配はインダクタのインダクタンスにより決定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５５】
第５４項において、インダクタのインダクタンスが第１値を持って第１下降勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持って、第１下降勾配より緩い第２下降勾配を持つ初期化波形が供給されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５６】
第４６項において、第１電圧源の電圧値は第４電圧源の電圧値と異なるように設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５７】
第４６項において、第１電圧源の電圧値は第４電圧源の電圧値の半分に設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５８】
第４６項において、第１電圧源の電圧値は第４電圧源の電圧値の半分より小さく設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５９】
第４６項において、第５スイッチがターンオンする際に、容量性負荷が初期化されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６０】
容量性負荷を持つプラズマディスプレイパネルと、初期化期間にパネルに電圧を供給する第１電圧源と、容量性負荷に連結されてパネルに正弦波信号が供給されるようにするインダクタと、インダクタを経由して容量性負荷に接続されて正弦波の振幅を決定する第２電圧源を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６１】
第６０項において、第１電圧源と容量性負荷の間に設置されるスイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６２】
第６０項において、第２電圧源とインダクタの間に設置されて容量性負荷に充電された電圧が放電する際にターンオンするスイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６３】
第６０項において、第２電圧源の電圧値は第１電圧源の半分に設定されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６４】
第６０項において、パネルと基底電圧源の間に接続され、容量性負荷が初期化される際にターンオンされるスイッチを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６５】
正弦波信号を生成する手段と、正弦波信号に応答して壁電荷を形成する多数のセルを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６６】
電圧源と、プラズマディスプレイパネルと、パネルと電圧源の間に接続されたインダクタと、インダクタと電圧源の間に接続されたスイッチを具備して、スイッチはパネルに壁電荷が形成されるように駆動されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法に関し、特に、正弦波の初期化波形を生成するようにしたプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰと言う）はガス放電により発生する真空紫外線が蛍光体を励起させた際に蛍光体から可視光線が発生するのを利用した表示装置である。ＰＤＰはこれまでの表示装置の主流であって陰極線管（ＣＲＴ）に比べて厚さが薄く軽くて、高鮮明な大型画面の実現が可能であるというような長所がある。ＰＤＰはマトリックス形態に配列された多数の放電セルで構成されており、１つの放電セルが画面の１画素となっている。
【０００３】
図１は従来の３電極交流面放電型ＰＤＰの放電セル構造を示した斜視図である。
図  １を参照すると、従来の３電極交流面放電型ＰＤＰの放電セルは上部基板（１０）に形成された第１電極（１２Ｙ）及び第２電極（１２Ｚ）と、下部基板（１８）に形成されたアドレス電極（２０Ｘ）を具備する。
【０００４】
第１電極（１２Ｙ）と第２電極（１２Ｚ）が並んで形成された上部基板（１０）には上部誘電体層（１４）と保護膜（１６）が積層されている。上部誘電体層（１４）にはプラズマ放電の際に発生された壁電荷が蓄積される。保護膜（１６）はプラズマ放電の際に発生するスパッタリングによる上部誘電体層（１４）の損傷を防止すると同時に２次電子の放出效率を高める。保護膜（１６）としては通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用されている。
【０００５】
アドレス電極（２０Ｘ）が形成された下部基板（１８）の面には下部誘電体層（２２）、隔壁（２４）が形成されて、下部誘電体層（２２）と隔壁（２４）の表面に蛍光体層（２６）が塗布される。アドレス電極（２０Ｘ）は第１電極（１２Ｙ）及び第２電極（１２Ｚ）と直交する方向に形成される。
【０００６】
隔壁（２４）はアドレス電極（２０Ｘ）と並んで形成されて放電により生成された紫外線及び可視光が隣接した放電セルに漏洩するのを防止する。蛍光体層（２６）はプラズマ放電の際に発生する紫外線により励起されて赤色、緑または青色のいずれか１つの可視光線を発生する。上部基板（１０）、下部基板（１８）と隔壁（２４）の間に形成された放電空間にはガス放電のための不活性ガスが注入される。
【０００７】
図２は従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイの駆動装置を示す図である。図２を参照すると、従来の３電極交流面放電型ＰＤＰの駆動装置は、放電セル（１）が第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）、第２電極ライン（Ｚ１〜Ｚｍ）及びアドレス電極ライン（Ｘ１〜Ｘｎ）が交差する位置にｍ×ｎ個マトリックス形態に配置されたＰＤＰ（３０）と、第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）を駆動する第１サステイン駆動部（３２）と、第２電極ライン（Ｚ１〜Ｚｍ）を駆動する第２サステイン駆動部（３４）と、奇数番目のアドレス電極ライン（Ｘ１、Ｘ３、．．．、Ｘｎ−３、Ｘｎ−１）と偶数番目のアドレス電極ライン（Ｘ２、Ｘ４、．．．、Ｘｎ−２、Ｘｎ）に分けてアドレス電極を駆動する第１、第２アドレス駆動部（３６Ａ、３６Ｂ）を具備する。
【０００８】
第１サステイン駆動部（３２）は放電セル選択時に第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）にスキャンパルスを順次供給し、放電維持時、すなわちサスティン期間には第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）に共通にサステインパルスを供給する。また、第２サステイン駆動部（３４）は放電維持時に第２電極ライン（Ｚ１〜Ｚｍ）共通にサステインパルスを供給する。
【０００９】
第１、第２アドレス駆動部（３６Ａ、３６Ｂ）はスキャンパルスに同期させて映像データをアドレス電極ライン（Ｘ１〜Ｘｎ）に供給する。第１アドレス駆動部（３６Ａ）は奇数番目のアドレス電極ライン（Ｘ１、Ｘ３、．．．、Ｘｎ−３、Ｘｎ−１）に映像データを供給する。第２アドレス駆動部（３６Ｂ）は偶数番目のアドレス電極ライン（Ｘ２、Ｘ４、．．．、Ｘｎ−２、Ｘｎ）に映像データを供給する。
【００１０】
このようなＰＤＰは画像の階調を表現するために１フレームを放電回数が異なる多くのサブフィールドに分けて駆動している。各サブフィールドは、さらに、放電を均一に起こさせるための初期化期間、放電セルを選択するアドレス期間及び放電回数によって階調を表現するサステイン期間に分けられる。
【００１１】
例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合に、１／６０秒に該当する１フレーム期間（１６．６７ｍｓ）を図３のように８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分けて発光させている。これらの８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）それぞれがアドレス期間とサステイン期間にさらに分けられる。ここで、各サブフィールドの初期化期間とアドレス期間は各サブフィールドごとに同一であり、サステイン期間は各サブフィールドで２n（ｎ＝０，１，２，３，４，５，６，７）の比率で変えられる。
【００１２】
一方、ＰＤＰはアドレス期間にアドレス放電により選択される放電セルの発光のさせ方で選択的書込み方式と選択的消去方式に大別される。
【００１３】
選択的書込み方式の駆動方法は初期化期間に全画面をターンオフさせた後、アドレス期間に選択する放電セルをターンオンさせ、引き継いて、サステイン期間にはアドレス放電によりその選択された放電セルをサステイン放電させて画像を表示する。
【００１４】
選択的消去方式の駆動方法は初期化期間に一旦全画面をターンオンさせた後、アドレス期間に選択された放電セルをターンオフさせ、引き継いて、サステイン期間にはアドレス放電により選択されなかった放電セルをサステイン放電させることで画像を表示する。
【００１５】
図４は従来の選択的書込み駆動方式において１つのサブフィールドでＰＤＰの各電極ラインに供給される駆動波形を示す波形図である。
【００１６】
図４を参照すると、１つのサブフィールドは全画面を初期化する初期化期間、全画面を順にスキャンしながらデータを書き込むアドレス期間及びデータが書き込まれたセルの発光状態を維持させるサステイン期間に分けられる。
【００１７】
初期化期間には第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）に初期化波形（ＲＰ）が供給される。第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）に初期化波形（ＲＰ）が供給されると第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）と第２電極ライン（Ｚ１〜Ｚｍ）の間に初期化放電が発生して放電セルが初期化される。このとき、アドレス電極ライン（Ｘ１〜Ｘｎ）には誤放電防止パルスが供給される。
【００１８】
アドレス期間には、第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）にスキャンパルス（−Ｖｓ）が順に印加され、アドレス電極ライン（Ｘ１〜Ｘｎ）にはスキャンパルス（−Ｖｓ）に同期したデータパルス（Ｖｄ）が印加される。データパルス（Ｖｄ）とスキャンパルス（−Ｖｓ）が同時に印加された放電セルでアドレス放電が起きる。
【００１９】
サステイン期間には第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）と第２電極ライン（Ｚ１〜Ｚｍ）に第１、第２サステインパルス（ＳＵＳＰｙ、ＳＵＳＰｚ）が供給される。このサスティンパルスによりアドレス放電が発生した放電セルでサステイン放電が発生する。すなわち、放電が持続する。
【００２０】
図４に示した初期化時の矩形波の初期化波形（ＲＰ）は放電セルに強い初期化放電を起こさせて放電セルを一定な状態にする。しかし、このように、放電セルで強い初期化放電が起きると、それに対応して光が発生し、この光によりコントラストが低下する。このような短所を補完するために図５のようなランプ波形（傾斜波形）が提案された。
【００２１】
図５は初期化時にランプ波形を用いた従来のプラズマディスプレイパネルの各電極ラインに供給される駆動波形を示す波形図である。
【００２２】
図５を参照すると、初期化期間に第１電極ライン（Ｙ１〜Ｙｍ）には上昇勾配（Ｒｕ）と下降勾配（Ｒｄ）を持つランプ波形（Ｒ）が印加される。ランプ波形（Ｒ）の上昇期間（Ｒｕ）には徐々に上昇する電圧が放電セルに供給される。放電セル内で徐々に電圧が上昇すると放電ガスを通して流れる電流が制限される。したがって、放電セル内で微細放電が発生し、壁電荷が形成される。
【００２３】
また、ランプ波形（Ｒ）の下降期間（Ｒｄ）には徐々に下降する電圧が放電セルに供給される。このようなランプ波形（Ｒ）の下降期間（Ｒｄ）には微細放電によりセル内の壁電荷量を減らして、最終壁電荷量をすべての放電セルで均一にさせる。
【００２４】
ランプ波形（Ｒ）は放電セルで強い放電が起こらず、微細放電が起こるだけであるので初期化期間に弱い光が発生するだけである。したがって、この初期化期間に発生する光の量が減りＰＤＰのコントラストが向上する。
【００２５】
図６は従来のランプ波形発生部を示す図である。
図６を参照すると、従来のランプ波形発生部は上昇ランプ波形発生部（４０）と下降ランプ波形発生部（４２）とを備えている。
【００２６】
上昇ランプ波形発生部（４０）はランプ波形電圧源（Ｖｃｃ）と第１電極（Ｙ）の間に設置される第１スイッチング素子（Ｍ１）と、第１スイッチング素子（Ｍ１）のゲート電極とランプ波形電圧源（Ｖｃｃ）の間に設置される第１キャパシタ（Ｃ１）と、第１スイッチング素子（Ｍ１）のゲート電極と第１ランプ制御信号発生部（４４）の間に設置される第１可変抵抗（ＶＲ１）を具備する。
【００２７】
第１スイッチング素子（Ｍ１）のゲート電極と第１ランプ制御信号発生部（４４）の間には、逆電流防止のためのダイオード（Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）とダイオードを保護する抵抗（Ｒ３、Ｒ５）が設置される。第１可変抵抗（ＶＲ１）と第１ランプ制御信号発生部（４４）の間には第４抵抗（Ｒ４）が設置される。このような第４抵抗（Ｒ４）は第１可変抵抗（ＶＲ１）の可変範囲を減らすために設置される。
【００２８】
第１キャパシタ（Ｃ１）とランプ波形電圧源（Ｖｃｃ）の間には第１ダイオード（Ｄ１）と第１抵抗（Ｒ１）が並列に設置されている。第１ダイオード（Ｄ１）と第１キャパシタ（Ｃ１）の間には第１キャパシタ（Ｃ１）を保護する第２抵抗（Ｒ２）が設置される。
【００２９】
上昇ランプ波形発生部（４０）の動作過程を詳しく説明する。まず、第１ランプ制御信号発生部（４４）で生成されたランプ制御信号が第４抵抗（Ｒ４）及び第１可変抵抗（ＶＲ１）を経由して第１スイッチング素子（Ｍ１）に供給される。
【００３０】
この際、第１スイッチング素子（Ｍ１）に供給されるランプ制御信号は第１可変抵抗（ＶＲ１）と第４抵抗（Ｒ４）の抵抗値と第１キャパシタ（Ｃ１）のキャパシタンスにより勾配を持つ。言いかえれば、第１可変抵抗（ＶＲ１）と第４抵抗（Ｒ４）の抵抗値と第１キャパシタ（Ｃ１）のキャパシタンスによりゲート電極に供給される電圧は徐々に増加する。
【００３１】
したがって、ランプ波形電圧源（Ｖｃｃ）から第１スイッチング素子（Ｍ１）を経由して第１電極（Ｙ）に供給される電圧は上昇勾配を持つ。
【００３２】
下降ランプ波形発生部（４２）は基底電圧源（ＧＮＤ）と第１電極（Ｙ）の間に設置される第２スイッチング素子（Ｍ２）と、第２スイッチング素子（Ｍ２）のゲート電極とドレイン電極の間に設置される第２キャパシタ（Ｃ２）と、第２スイッチング素子（Ｍ２）のゲート電極と第２ランプ制御信号発生部（４６）の間に設置される第２可変抵抗（ＶＲ２）を具備する。
【００３３】
第２スイッチング素子（Ｍ２）のゲート電極と第２ランプ制御信号発生部（４６）の間には電流の流れを制御する第５ダイオード（Ｄ５）が設置される。第５ダイオード（Ｄ５）と第２ランプ制御信号発生部（４６）の間には第５ダイオード（Ｄ５）を保護する第６抵抗（Ｒ６）が設置される。第２可変抵抗（ＶＲ２）と第２ランプ制御信号発生部（４６）の間には第９抵抗（Ｒ９）が設置される。このような第９抵抗（Ｒ９）は第２可変抵抗（ＶＲ２）の可変範囲を減らすために設置される。
【００３４】
第２スイッチング素子（Ｍ２）のドレイン電極と第２キャパシタ（Ｃ２）の間には並列に接続された第６ダイオード（Ｄ６）と第８抵抗（Ｒ８）が設置される。第６ダイオード（Ｄ６）と第２キャパシタ（Ｃ２）の間には第２キャパシタ（Ｃ２）を保護する第７抵抗（Ｒ７）が設置される。
【００３５】
下降ランプ波形発生部（４２）の動作過程を詳しく説明する。まず、第１電極（Ｙ）に上昇区間（Ｒｕ）のランプ波形（Ｒ）が供給された後、第２ランプ制御信号発生部（４６）で生成されたランプ制御信号が第２スイッチング素子（Ｍ２）に供給される。このようなランプ制御信号は第９抵抗（Ｒ９）及び第２可変抵抗（ＶＲ２）を経由して第２スイッチング素子（Ｍ２）のゲート電極に入力される。
【００３６】
このとき、第２スイッチング素子（Ｍ２）に供給されるランプ制御信号は第２可変抵抗（ＶＲ２）、第９抵抗（Ｒ９）の抵抗値と第２キャパシタ（Ｃ２）のキャパシタンスにより勾配を持つ。言いかえれば、第２可変抵抗（ＶＲ２）及び第９抵抗（Ｒ９）の抵抗値と第２キャパシタ（Ｃ２）のキャパシタンスによりゲート電極に供給される電圧は徐々に増加する。したがって、第１電極（Ｙ）から第２スイッチング素子（Ｍ２）を経由して基底電圧源（ＧＮＤ）に供給される電圧は下降勾配を持つ。
【００３７】
このような従来のランプ波形発生部はスイッチング素子（Ｍ１、Ｍ２）の抵抗を利用してランプ波形を生成している。言いかえれば、ドレイン電極とソース電極のチャンネル範囲を調節することでランプ波形を生成させている。したがって、従来のスイッチング素子には多くの熱が発生し、これによりスイッチング素子が破壊されるおそれがある。
【００３８】
同時に、放電セルを均一に放電させるために４００Ｖ以上の電圧値を持つランプ波形電圧源が設置されなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
本発明の目的は正弦波の初期化波形を生成するようにしたプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決する手段】
【００４０】
前記の目的を達成するために、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は正弦波を利用して壁電荷を形成する。
その正弦波は初期化期間に初期化波形として利用される。
【００４１】
初期化波形は正弦波に該当するデジタル信号が供給されるステップと、デジタル信号がアナログ信号に変換されるステップと、アナログ信号が増幅されるステップを含んで生成される。
【００４２】
正弦波は共振回路により生成される。
共振回路で発生される上昇及び下降の正弦波の中から少なくとも１つ以上の正弦波が初期化波形として利用される。
【００４３】
放電セルに上昇正弦波が供給される際に、放電セル内で微細放電が発生して放電セル内に壁電荷が形成されて、放電セルに下降正弦波が供給される際に放電セル内で微細放電が発生してすべての放電セルに均一な壁電荷が形成される。
【００４４】
初期化波形は、正弦波で第１電圧まで上昇する部分と、第１電圧から正弦波に下降する部分とを具備する。。
初期化波形は、基底電圧から正弦波で第１電圧まで上昇する部分と、第１電圧と異なる電圧である第２電圧に変化する部分と、第２電圧を維持する部分と、第２電圧から正弦波に下降する部分とを有する。
第２電圧の電圧値は第１電圧の電圧値より低く設定される。
【００４５】
初期化波形は、第１電圧まで上昇する部分と、第１電圧を維持する部分と、第１電圧から正弦波で下降する部分とを含む。
【００４６】
初期化波形は、基底電圧から第１電圧に上昇する部分と、第１電圧から正弦波で第２電圧に上昇する部分と、第２電圧と異なる電圧である第３電圧に変化する部分と、第３電圧を維持する部分と、第３電圧から正弦波に下降するする部分とを含む。
第３電圧の電圧値は第２電圧の電圧値より低く設定される。
第１、第３電圧の電圧値は同一に設定される。
第３電圧から正弦波で基底電位まで下降する。
第３電圧から正弦波で負極性電位まで下降する。
【００４７】
初期化波形は、正弦波で第１電圧まで上昇する部分と、上昇した第１電圧を維持する部分と、第１電圧から基底電位に下降するする部分とを含む。
【００４８】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、容量性負荷を持つプラズマディスプレイパネルと、初期化期間にパネルに電圧を供給する電圧源と、電圧源とパネルの間に設置されて電圧源から電圧が供給される際に正弦波を生成する初期化波形生成部とを具備する。
【００４９】
初期化波形生成部は、デジタル信号を供給する制御部と、デジタル信号をアナログ信号に変換するデジタル−アナログコンバータと、アナログ信号を増幅する増幅部とを具備する。
【００５０】
初期化波形生成部は容量性負荷と共振回路を形成するインダクタを具備する。
本プラズマディスプレイパネルはインダクタと電圧源の間に設置されて初期化期間にターンオンさせられるスイッチを具備する。
【００５１】
本プラズマディスプレイパネルは、さらにパネルと基底電圧源の間に設置されて容量性負荷が初期化される際にターンオンされるスイッチを具備する。
【００５２】
本プラズマディスプレイパネルは、スイッチとインダクタの間に設置されて容量性負荷から供給される電流がスイッチの方へ供給されることを防止するダイオードをさらに具備する。
【００５３】
本発明プラズマディスプレイパネルは容量性負荷を持つプラズマディスプレイパネルと、初期化期間にパネルに電圧を供給する電圧源と、パネルにスキャンパルス、サステインパルス及び消去パルスなどを供給する外部駆動部と、容量性負荷と共振してパネルに初期化波形を供給する初期化波形生成部と、初期化波形生成部と外部駆動部の間に設置されて初期化波形生成部と外部駆動部を電気的に分離する隔離部とを具備する。
隔離部は少なくとも１つ以上のスイッチを具備する。
【００５４】
初期化波形生成部は、電圧源と、電圧源と隔離部の間に設置される第１スイッチと、第１スイッチと隔離部の間に設置されて電圧源から電圧が供給されて容量性負荷と共振するインダクタと、インダクタの両端と基底電圧源の間に設置される第２、第３スイッチを具備する。
【００５５】
本プラズマディスプレイパネルは、第１スイッチとインダクタの間に逆電流を防止するために設置されるダイオードをさらに具備する。
隔離部は、初期化波形生成部と外部駆動部の間に並列に設置される第１、第２スイッチと、第１スイッチに接続されて初期化波形生成部から供給される電流を容量性負荷に供給する第１ダイオードと、第２スイッチに接続されて容量性負荷から供給される電流を初期化波形生成部の方に供給する第２ダイオードとを具備する。
【００５６】
第１スイッチがターンオンする際に上昇勾配を持つ初期化波形がパネルに供給される。
初期化波形の上昇勾配はインダクタのインダクタンスにより決定される。
インダクタのインダクタンスが第１値を持つときに第１上昇勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持つときに第１上昇勾配より緩い第２上昇勾配を持つ初期化波形が供給される。
【００５７】
第２スイッチがターンオンするとき容量性負荷に充電された電圧が下降勾配を持って基底電圧源に供給される。
【００５８】
初期化波形の下降傾斜はインダクタのインダクタンスにより決定される。
インダクタのインダクタンスが第１値を持つと第１下降勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持つと第１下降勾配より緩い第２下降勾配を持つ初期化波形が供給される。
第３スイッチがターンオンされる際にインダクタが初期化される。
【００５９】
本プラズマディスプレイパネルは、隔離部と外部駆動部の間に設置されて初期化波形の下降スタート電圧を調節する初期化波形変形部を具備する。
初期化波形変形部は、変形電圧源と、変形電圧源と容量性負荷の間に設置される第１スイッチと、容量性負荷と基底電圧源の間に設置される第２スイッチを具備する。
【００６０】
第２スイッチは容量性負荷が初期化される際にターンオンする。
変形電圧源の電圧値は初期化波形の最大値と異なるように設定される。
変形電圧源の電圧値は初期化波形の最大値より低く設定される。
【００６１】
容量性負荷に電圧が充電された後、容量性負荷の電圧が変形電圧源の電圧値と同一になるように第１スイッチがターンオンする。
初期化波形生成部は、第１電圧源と、第１電圧源と隔離部の間に設置される第１スイッチと、第１スイッチと隔離部の間に設置されて自身に電圧が供給される際に容量性負荷と共振するインダクタと、インダクタに接続される第２電圧源と、第２電圧源とインダクタの間に設置される第２スイッチを具備する。
【００６２】
本プラズマディスプレイパネルは、さらに第１スイッチと第１電圧源の間に設置されて第１電圧源の方へ供給される電流を通過させるためのダイオードを具備する。
【００６３】
本プラズマディスプレイパネルは、第２スイッチとインダクタの間に設置されてインダクタに供給される電流を通過させるためのダイオードを具備する。
本プラズマディスプレイパネルはインダクタの両端と基底電圧源の間に設置されてインダクタが初期化される際にターンオンされる第３、第４スイッチを具備する。
【００６４】
本プラズマディスプレイパネルは隔離部と外部駆動部の間に設置されて初期化波形の上昇及び下降スタート電圧を調節する初期化波形変形部を具備する。
【００６５】
初期化波形変形部は、第３電圧源と容量性負荷の間に設置される第３スイッチと、第４電圧源と容量性負荷の間に設置される第４スイッチと、基底電圧源と容量性負荷の間に設置される第５スイッチを具備する。
【００６６】
第３スイッチがターンオンすると、容量性負荷に第３電圧源の電圧が供給されてその容量性負荷に第３電圧源の電圧が充電された後、第２スイッチがターンオンして容量性負荷に上昇勾配を持つ初期化波形が供給される。
その初期化波形の上昇勾配はインダクタのインダクタンスにより決定される。
【００６７】
インダクタのインダクタンスが第１値を持つと第１上昇勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持つと第１上昇勾配より緩い第２上昇勾配を持つ初期化波形が供給される。
【００６８】
容量性負荷に供給される初期化波形の電圧は、第２電圧源の２倍の電圧から第３電圧を減らした値に設定される。
【００６９】
容量性負荷に電圧が充電された後、第４スイッチがターンオンして容量性負荷の電圧が第４電圧源の電圧値に変換される。
その第４電圧源の電圧値は初期化波形の最大値より低く設定される。
【００７０】
容量性負荷の電圧が第４電圧源の電圧値に変更された後、第１スイッチがターンオンして容量性負荷に下降勾配を持つ初期化波形が供給される。
初期化波形の下降勾配はインダクタのインダクタンスにより決定される。
【００７１】
インダクタのインダクタンスが第１値を持つと第１下降勾配を持ち、インダクタンスが第１値より大きい第２値を持つと第１下降勾配より緩い第２下降勾配を持つ初期化波形が供給される。
【００７２】
第１電圧源の電圧値は第４電圧源の電圧値と異なるように設定される。
第１電圧源の電圧値は第４電圧源の電圧値の半分で設定される。
第１電圧源の電圧値は第４電圧源の電圧値の半分より小さく設定される。
第５スイッチがターンオンするときに容量性負荷が初期化される。
【００７３】
本発明のプラズマディスプレイパネルは容量性負荷を持つプラズマディスプレイパネルと、初期化期間にパネルに電圧を供給する第１電圧源と、容量性負荷に連結されてパネルに正弦波信号を供給するインダクタと、インダクタを経由して容量性負荷に接続されて正弦波の振幅を決定する第２電圧源を具備する。
【００７４】
本プラズマディスプレイパネルは、さらに第１電圧源と容量性負荷の間に設置されるスイッチを具備する。
【００７５】
本プラズマディスプレイパネルは、さらに第２電圧源とインダクタの間に設置されて容量性負荷に充電された電圧が放電する際にターンオンするスイッチを具備する。
第２電圧源の電圧値は第１電圧源の半分で設定される。
【００７６】
本プラズマディスプレイパネルは、さらにパネルと基底電圧源の間に設置されて容量性負荷が初期化される際にターンオンするスイッチを具備する。
【００７７】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、正弦波信号を生成する手段と、正弦波信号に応答して壁電荷を形成する多数のセルを具備する。
【００７８】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、電圧源と、プラズマディスプレイパネルと、パネルと電圧源の間に接続されたインダクタと、インダクタと電圧源の間に接続されたスイッチを具備して、スイッチはパネルに壁電荷が形成されるように駆動される。
【００７９】
本発明の他の目的及び利点は添付図面を参照する実施形態に対する詳細な説明を通して明瞭に理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８０】
以下、本発明の実施形態を添付した図７〜図２３を参照して詳しく説明する。
図７は本発明による共振回路の原理を示す回路図である。
図７を参照すると、本発明による共振回路は電圧源（Ｖｒ）と、キャパシタ（Ｃｐ）と、これらの電圧源（Ｖｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）の間に直列に接続されるスイッチ（ＳＷ）とインダクタ（Ｌｒ）を具備する。
【００８１】
電圧源（Ｖｒ）はスイッチ（ＳＷ）がターンオンしたときに、所定の電圧をインダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）に供給する。スイッチ（ＳＷ）は電圧の供給時点を決定するためにターンオン及びターンオフさせられる。インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）は電圧源（Ｖｒ）から電圧が供給されると共振回路（ＬＣ共振回路）を形成する。
【００８２】
スイッチ（ＳＷ）がターンオンしたときにインダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）に供給される電圧は式１により決定される。
【数１】
2004522994.tif 000003
【００８３】
式１にラプラス変換式を適用して式２を誘導する。
【数２】
2004522994.tif 000004
【００８４】
式２が初期条件を満足するようにｉ（0＋）＝０及びｑ（0＋）＝０を代入すると式３が誘導される。
【数３】
2004522994.tif 000005
【００８５】
式３を逆変換して式４を誘導する。
【数４】
2004522994.tif 000006
【００８６】
式３及び式４でインダクタ（Ｌｒ）に印加される電圧（ＶＬ）は式５のように誘導される。
【数５】
2004522994.tif 000007
【００８７】
式３及び式４でキャパシタ（Ｃｐ）に印加される電圧（Ｖｃ）は式６のように誘導される。
【数６】
2004522994.tif 000008
【００８８】
式で共振回路の周期は２π√（ＬｒＣｐ）になり、キャパシタ（Ｃｐ）に最高の電圧（２Ｖｒ）が充電されるのにかかる時間はπ√（ＬｒＣｐ）である。
【００８９】
図８は式４〜式６により現れる電圧及び電流波形図を示す図である。ここで、キャパシタ（Ｃｐ）は放電セルの等価回路と仮定する。
【００９０】
図８を参照すると、キャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）の共振によりキャパシタ（Ｃｐ）にはｔ＝Ｔ／２で最高の電圧が充電される。このとき、キャパシタ（Ｃｐ）には電圧源（Ｖｒ）の２倍の電圧（２Ｖｒ）が充電される。
【００９１】
一方、キャパシタ（Ｃｐ）に充電される電圧はｔ＝Ｔ／４で最高の勾配を持ち、ｔ＝３Ｔ／４で最低値の勾配を持つ。本発明では上昇正弦波を利用して放電セル内で微細放電を起こさせて、この微細放電を利用して放電セル内に壁電荷を形成する。また、下降正弦波が印加される間に発生する微細放電によりセル内の壁電荷量を減らして、最終的な壁電荷量をすべての放電セル間で均一化させる。
【００９２】
図９ａは本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部を示す図である。
図９ａを参照すると、本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部は、キャパシタ（Ｃｐ）と初期化電圧源（Ｖｒ）とを有し、このキャパシタ（Ｃｐ）と初期化電圧源（Ｖｒ）の間に直列に接続された第１スイッチ（ＳＷ１）とインダクタ（Ｌｒ）が接続され、さらに、キャパシタ（Ｃｐ）と基底電圧源（ＧＮＤ）との間に第２スイッチ（ＳＷ２）を設けている。
【００９３】
キャパシタ（Ｃｐ）は放電セルを等価的に示したものである。初期化電圧源（Ｖｒ）は第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンしたとき所定の電圧をインダクタ（Ｌｒ）を経由してキャパシタ（Ｃｐ）（すなわち、第１電極（Ｙ））に供給する。初期化電圧源（Ｖｒ）の２倍に相当する電圧（２Ｖｒ）がキャパシタ（Ｃｐ）に供給されるように、インダクタ（Ｌｒ）は初期化電圧源（Ｖｒ）からキャパシタ（Ｃｐ）に電圧が供給される際にキャパシタ（Ｃｐ）と共振を起こす値に設定されている。
【００９４】
図９ｂを参照して動作過程を詳しく説明する。まず、ｔ１時点で第２スイッチ（ＳＷ２）をターンオンする。第２スイッチ（ＳＷ２）のターンオンでキャパシタ（Ｃｐ）が基底電圧源（ＧＮＤ）に接続されて初期化される。キャパシタ（Ｃｐ）が初期化された後、ｔ２時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオフする。
【００９５】
その後、ｔ３時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンする。第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンすると初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧がインダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。このとき、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）は共振回路を形成する。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）には２Ｖｒの電圧が上昇及び下降しながら供給される。
【００９６】
一方、２Ｖｒの電圧が放電セル（すなわち、キャパシタ（Ｃｐ））に供給されているときに放電セルでは微細放電が発生して、この微細放電により放電セル内に壁電荷が形成される。また、電圧が下降するとき放電セルでは微細放電によりセル内の壁電荷量が減り最終的な壁電荷量がすべての放電セルで均一化される。
【００９７】
放電セルに均一な壁電荷が形成された後、ｔ４時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオフする。その後、ｔ５時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンして放電セルが初期化される。本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部は、ｔ１〜ｔ５の過程で放電セルに壁電荷を生成させる。このような本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部は選択的書込み方式のＰＤＰに適用される。
【００９８】
図１０ａは本発明の第２実施形態に係る初期化波形発生部を示す図である。
図１０ａを参照すると、本発明の第２実施形態に係る初期化波形発生部は、キャパシタ（Ｃｐ）と、初期化電圧源（Ｖｒ）と、これらのキャパシタ（Ｃｐ）と初期化電圧源（Ｖｒ）の間に直列に接続された第１スイッチ（ＳＷ１）、ダイオード（Ｄ１）、インダクタ（Ｌｒ）と、キャパシタ（Ｃｐ）と基底電圧源（ＧＮＤ）の間に設置される第２スイッチ（ＳＷ２）とを具備する。すなわち、図９の第１実施形態との違いはダイオード（Ｄ１）を第１スイッチ（ＳＷ１）とインダクタ（Ｌｒ）との間に接続したことである。
【００９９】
キャパシタ（Ｃｐ）は放電セルを等価的に示したものである。初期化電圧源（Ｖｒ）は第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンしたときに所定の電圧をインダクタ（Ｌｒ）を経由してキャパシタ（Ｃｐ）に供給する。インダクタ（Ｌｒ）は初期化電圧源（Ｖｒ）の２倍に相当する電圧（２Ｖｒ）がキャパシタ（Ｃｐ）に供給されるように初期化電圧源（Ｖｒ）からキャパシタ（Ｃｐ）に電圧が供給されるときキャパシタ（Ｃｐ）と共振する。ダイオード（Ｄ１）はキャパシタ（Ｃｐ）に下降勾配の波形が供給されないように電流の流れを制御する。
【０１００】
図１０ｂを参照して動作過程を詳しく説明する。まず、ｔ１の時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンする。第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）が初期化される。キャパシタ（Ｃｐ）が初期化された後、ｔ２の時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオフする。
【０１０１】
ｔ３時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンする。第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンすると初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧がインダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。この際、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）の共振により勾配を持ち上昇しながら最終的に２Ｖｒの電圧がキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。キャパシタ（Ｃｐ）に２Ｖｒが供給された後、キャパシタ（Ｃｐ）は所定時間（第２スイッチ（ＳＷ２）のターンオンされる時まで）、２Ｖｒの電圧を維持する。
【０１０２】
その後、ｔ４の時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオフし、ｔ５時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンする。第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧が基底電圧源（ＧＮＤ）に放電する。
【０１０３】
このような本発明の第２実施形態に係る初期化波形発生部は、キャパシタ（Ｃｐ）に２Ｖｒの電圧を供給した後、ダイオード（Ｄ１）によりキャパシタ（Ｃｐ）に供給された電圧を下降させない。すなわち、ダイオード（Ｄ１）により下降正弦波が発生しない。このように下降正弦波が発生しなければ放電セルで生成された壁電荷は消去されない。したがって、本発明の第２実施形態に係る初期化波形発生部は選択的消去方式のＰＤＰに適用される。
【０１０４】
図１１は本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部が適用されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法を示す波形図である。
【０１０５】
図１１を参照すると、本発明の実施形態に係るＰＤＰは全画面を初期化する初期化期間、全画面を線順次方式でスキャンしながらデータを書き込むアドレス期間、データが書き込まれたセルの発光状態を維持させるサステイン期間、サステイン発光を消去する消去期間に分けられる。以下それらについて詳述する。
【０１０６】
まず、初期化期間に本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部から上昇勾配及び下降勾配を持つ正弦波（Ｒｅｓｐ）が各第１電極に印加される。正弦波（Ｒｅｓｐ）の上昇期間には徐々に電圧が上昇し、放電セル内で微細放電が起き、この微細放電により放電セル内に壁電荷が形成される。ランプ波形（Ｒｅｓｐ）の下降期間には徐々に下降する電圧により微細放電が発生して、この微細放電によりセル内の壁電荷量が減ると同時に放電セルの壁電荷量が均一化される。
【０１０７】
アドレス期間に第１電極（Ｙ）にはスキャンパルス（Ｓｃｐ）が順に印加される。アドレス期間にアドレス電極（Ｄ）にはスキャンパルス（Ｓｃｐ）に同期したデータパルス（Ｄｐ）が供給される。このデータパルス（Ｄｐ）とスキャンパルス（Ｓｃｐ）が印加された放電セルでアドレス放電が起きる。
【０１０８】
サステイン期間には第１電極（Ｙ）と第２電極（Ｚ）に交互に第１、第２サステインパルス（ＳＵＳＰｙ、ＳＵＳＰｚ）が供給され、アドレス放電が発生した放電セルでサステイン放電を引き起こす。
【０１０９】
消去期間には第１電極（Ｙ）と第２電極（Ｚ）に消去パルス（Ｅｒｐ）を供給する。第１電極（Ｙ）と第２電極（Ｚ）に消去パルス（Ｅｒｐ）が供給されるとサステイン期間に発生したサステイン放電が消去される。
【０１１０】
図１２ａは本発明の第３実施形態に係る初期化波形発生部を詳しく示す図である。
図１２ａを参照すると、本発明の第３実施形態に係る初期化波形発生部は初期化波形を生成する初期化波形生成部（５２）と、初期化波形生成部（５２）と第１電極（Ｙ）の間に設置されて初期化波形生成部（５２）を第１電極（Ｙ）から隔離させる隔離部（５１）を具備する。パネルキャパシタ（Ｃｐ）は放電セルを等価的に示したものである。
【０１１１】
初期化波形生成部（５２）は初期化電圧源（Ｖｒ）と、初期化電圧源（Ｖｒ）と隔離部（５１）の間に接続される第１スイッチ（ＳＷ１）、第１ダイオード（Ｄ１）とインダクタ（Ｌｒ）からなる直列回路と、第１ダイオード（Ｄ１）とインダクタ（Ｌｒ）の接続点である第１ノード点（Ｎ１）と基底電圧源（ＧＮＤ）の間に設置される第２スイッチ（ＳＷ２）と、インダクタ（Ｌｒ）の他方の端子である第２ノード点（Ｎ２）と基底電圧源（ＧＮＤ）の間に設置される第３スイッチ（ＳＷ３）とを具備する。
【０１１２】
第１スイッチ（ＳＷ１）は第１電極（Ｙ）に初期化波形が供給されるときにターンオンされる。すなわち、第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンすると初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧がインダクタ（Ｌｒ）に供給される。第２スイッチ（ＳＷ２）は初期化波形の下降期間にターンオンされる。第３スイッチ（ＳＷ３）はインダクタ（Ｌｒ）を初期化するためにターンオンされる。第１ダイオード（Ｄ１）は逆電流を防止するためのものである。
【０１１３】
初期化波形生成部（５２）と第１電極（Ｙ）の間には、図示しないが、スキャンパルス（Ｓｃｐ）、サステインパルス（ＳＵＳＰｙ）、消去パルス（Ｅｒｐ）などを生成する外部駆動部が接続される。隔離部（５１）は外部駆動部と初期化波形生成部（５２）を隔離させるために設けられている。すなわち、隔離部（５１）は外部駆動部と初期化波形生成部（５２）の直接的な連結により初期化波形がひずむのを防止している。
【０１１４】
このような隔離部（５０）は第４スイッチング素子（ＳＷ４）を具備する。第４スイッチング素子（ＳＷ４）は初期化波形生成部（５２）から初期化波形が第１電極（Ｙ）に供給される際にターンオンされる。図１２ａでは機械的なスイッチとして描かれているが、実際には半導体スイッチを用いることはいうまでもない。また、隔離部（５１）は図１２ｂの隔離部（５０）ように構成することもできる。
【０１１５】
図１２ｂに図示した隔離部（５０）は、第４スイッチ（ＳＷ４）と第２ダイオード（Ｄ２）の直列回路と、第５スイッチ（ＳＷ５）と第３ダイオード（Ｄ３）の直列回路が並列に接続された回路からなり、この回路が初期化波形生成部（５２）と第１電極（Ｙ）の間に設けられている。第２ダイオード（Ｄ２）と第３ダイオード（Ｄ３）の導通方向は互いに方向である。
【０１１６】
図１２ｂ及び図１３を参照して初期化波形発生部で上昇波形が生成される過程を詳しく説明する。
【０１１７】
図１２ｂ及び図１３を参照すると、まず、第２スイッチ（ＳＷ２）と第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオンしてインダクタ（Ｌｒ）が初期化される。インダクタ（Ｌｒ）が初期化された後、ｔ１時点で第２、第３スイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）がターンオフすると同時に第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンする。第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンしてとインダクタ（Ｌｒ）とパネルキャパシタ（Ｃｐ）が電気的に接続される。
【０１１８】
第４スイッチ（ＳＷ４）ターンオンした後、ｔ２時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンする。第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンすると初期化電圧源（Ｖｒ）、インダクタ（Ｌｒ）、パネルキャパシタ（Ｃｐ）が電気的に接続される。したがって、第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）とパネルキャパシタ（Ｃｐ）の共振により第１電極（Ｙ）に図１３のように勾配を持つ共振波形（すなわち、初期化波形）が供給される。
【０１１９】
この初期化波形の電圧は共振によりキャパシタ（Ｃｐ）に初期化電圧源（Ｖｒ）の２倍に相当する電圧が供給される。このような初期化波形は所定時間の間、第１電極（Ｙ）に供給される。初期化波形の勾配はインダクタ（Ｌｒ）の値を調整することで調節することができる。
【０１２０】
図１２ｂ及び図１４を参照して初期化波形発生部で下降波形が生成される過程を詳しく説明する。
【０１２１】
図１２ｂ及び図１４を参照すると、まず、ｔ３時点で第５スイッチ（ＳＷ５）がターンオンする。第５スイッチ（ＳＷ５）がターンオンするとパネルキャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）が電気的に接続される。その後、ｔ４時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンする。
【０１２２】
第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンすると基底電圧源（ＧＮＤ）、インダクタ（Ｌｒ）、パネルキャパシタ（Ｃｐ）が電気的に接続される。すなわち、パネルキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧がインダクタ（Ｌｒ）を経って基底電位（ＧＮＤ）に供給される。このとき、パネルキャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）の共振により第１電極（Ｙ）には図１４のように下降勾配を持つ共振波形（すなわち、初期化波形）が供給される。この初期化波形の勾配はインダクタ（Ｌｒ）の値を調整することで調節することができる。
【０１２３】
このように、パネルキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧が放電された後、ｔ５時点で第５スイッチがターンオフする。その後、ｔ６時点で第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオンしてインダクタ（Ｌｒ）が初期化される。このような本発明の実施形態では初期化波形発生部のスイッチを操作して多様な初期化波形を生成することができる。
【０１２４】
図１５は本発明の第４実施形態に係る初期化波形発生部を示す図である。
図１５を参照すると、本発明の第４実施形態に係る初期化波形発生部は、初期化波形生成部（５２）、隔離部（５０）、初期化波形変形部（６４）を具備する。初期化波形変形部（６４）は初期化波形の下降スタート電圧を調節するために使われる。前述した図１２ｂの実施形態との違いはこの初期化波形変形部（６４）を設けた点にある。
【０１２５】
初期化波形変形部（６４）は変形電圧源（Ｖｓ）と第１ノード（Ｎ１）の間に直列に設置される第６スイッチ（ＳＷ６）と、第１ノード（Ｎ１）と基底電圧源（ＧＮＤ）の間に設置される第７スイッチ（ＳＷ７）を具備している。
【０１２６】
動作過程を図１６を参照して詳しく説明する。まず、ｔ１期間に第２スイッチ（ＳＷ２）、第３スイッチ（ＳＷ３）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオンする。第２スイッチ（ＳＷ２）、第３スイッチ（ＳＷ３）及び第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）及びパネルキャパシタ（Ｃｐ）が初期化される。その後、第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンする。第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）とパネルキャパシタ（Ｃｐ）が電気的に接続される。
【０１２７】
第４スイッチ（ＳＷ４）ターンオンした後、第２スイッチ（ＳＷ２）、第３スイッチ（ＳＷ３）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオフする。第２スイッチ（ＳＷ２）、第３スイッチ（ＳＷ３）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオフした後、ｔ２期間に第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンする。第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンすると初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧がインダクタ（Ｌｒ）とパネルキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。
【０１２８】
その際、インダクタ（Ｌｒ）とパネルキャパシタ（Ｃｐ）の共振により第１電極（Ｙ）に上昇勾配を持つ初期化波形が供給される。初期化波形はインダクタ（Ｌｒ）とパネルキャパシタ（Ｃｐ）の共振により初期化電圧源（Ｖｒ）の２倍に相当する電圧値を持つ。
【０１２９】
その後、第４スイッチ（ＳＷ４）、第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオフする。第４スイッチ（ＳＷ４）、第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオフすると初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧がインダクタ（Ｌｒ）に供給されない。
【０１３０】
その後、ｔ３期間に第２スイッチ（ＳＷ２）、第３スイッチ（ＳＷ３）、第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンする。第２スイッチ（ＳＷ２）、第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）が基底電位（ＧＮＤ）に接続されて初期化される。第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンすると変形電圧源（Ｖｓ）の電圧がパネルキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。
【０１３１】
言いかえれば、第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンするとパネルキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧（２Ｖｒ）が変形電圧源（Ｖｓ）の電圧値まで低くなる。
【０１３２】
この間、隔離部（５０）のスイッチ（ＳＷ４、ＳＷ５）はターンオフ状態を維持する。パネルキャパシタ（Ｃｐ）はｔ３の間、変形電圧（Ｖｓ）を維持する。一方、変形電圧源（Ｖｓ）の電圧値は初期化電圧源（Ｖｒ）の２倍の電圧、すなわち、２Ｖｒの電圧より低く設定される。
【０１３３】
その後、第３スイッチ（ＳＷ３）、第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオフする。第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオフするとパネルキャパシタ（Ｃｐ）に変形電圧（Ｖｓ）が供給されなくなる。その後、第５スイッチ（ＳＷ５）がターンオンする。第５スイッチ（ＳＷ５）のターンオンでパネルキャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）が電気的に接続される。
【０１３４】
したがって、パネルキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧がインダクタ（Ｌｒ）を経り基底電位（ＧＮＤ）に供給される。この際、パネルキャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）の共振により基底電位（ＧＮＤ）に供給される電圧は下降勾配を持ち、ｔ４の期間の間下降する。その後、第３スイッチ（ＳＷ５）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオンしてパネルキャパシタとインダクタを初期化する。
【０１３５】
図１７は本発明の第５実施形態に係る初期化波形発生部を示す図である。
図１７を参照すると、本発明の第５実施形態に係る初期化波形発生部は、キャパシタ（Ｃｐ）と、第１初期化電圧源（Ｖｒ）と、第２初期化電圧源（２Ｖｒ）と、キャパシタ（Ｃｐ）と第２初期化電圧源（２Ｖｒ）の間に設置される第１スイッチ（ＳＷ１）と、キャパシタ（Ｃｐ）と第１初期化電圧源（Ｖｒ）の間に直列に設置される第２スイッチ（ＳＷ２）、ダイオード（Ｄ１）、インダクタ（Ｌｒ）の直列回路と、キャパシタ（Ｃｐ）と基底電圧源（ＧＮＤ）の間に設置される第３スイッチ（ＳＷ３）とを具備する。
【０１３６】
キャパシタ（Ｃｐ）は放電セルのパネルキャパシタンスを等価的に示したものである。第２初期化電圧源（２Ｖｒ）はキャパシタ（Ｃｐ）を充電する所定の電圧を供給する。第１初期化電圧源（Ｖｒ）は下降共振範囲を設定するために利用される。本発明で第１初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧は第２初期化電圧源（２Ｖｒ）の１／２に設定される。したがって、２Ｖｒから下がり始めた電圧は基底電位まで下降する。その際、第１初期化電圧源（Ｖｒ）の電圧が基底電位に設定されると、２Ｖｒから下がり始めた電圧は−２Ｖｒの電圧まで下降する。
【０１３７】
ダイオード（Ｄ１）はキャパシタ（Ｃｐ）に上昇共振波形が供給されないように電流の流れを制御する。インダクタ（Ｌｒ）はキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧が勾配を持って放電するようにキャパシタ（Ｃｐ）と共振を起こす値に選定されている。
【０１３８】
図１８を参照して動作過程を詳しく説明する。まず、ｔ１の時点で第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオンする。第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）が基底電位（ＧＮＤ）に接続されて初期化される。キャパシタ（Ｃｐ）が初期化された後、ｔ２時点で第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオフする。
【０１３９】
第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオフした後、ｔ３時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンする。第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオンすると第２初期化電圧源（２Ｖｒ）の電圧がキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）には２Ｖｒの電圧が充電される。
【０１４０】
キャパシタ（Ｃｐ）に２Ｖｒの電圧が充電された後、ｔ４時点で第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオフする。第１スイッチ（ＳＷ１）がターンオフした後、ｔ５の時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンする。第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）、インダクタ（Ｌｒ）、ダイオード（Ｄ１）、第１初期化電圧源（Ｖｒ）が電気的に接続される。
【０１４１】
このとき、キャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）は共振回路を形成する。このようにキャパシタ（Ｃｐ）とインダクタ（Ｌｒ）が共振回路を形成するとキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧は勾配を持ち、基底電圧（ＧＮＤ）まで下降するようになる。その後、ｔ６の時点で第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオフする。
【０１４２】
第２スイッチ（ＳＷ２）がターンオフした後、ｔ７の時点で第３スイッチ（ＳＷ３）がターンオンしてキャパシタ（Ｃｐ）が初期化される。
【０１４３】
図１９は本発明の第６実施形態に係る初期化波形発生部を示す図である。
図１９を参照すると、本発明の第６実施形態に係る初期化波形発生部は、初期化波形生成部（７０）、隔離部（７２）、初期化波形変形部（７４）を具備する。初期化波形変形部（７４）は上昇及び下降電圧を調節するために利用される。
【０１４４】
初期化波形生成部（７０）は、隔離部（７２）に接続されるインダクタ（Ｌｒ）と、インダクタ（Ｌｒ）と第１電圧源（Ｖａ）の間に直列に接続されてキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧の放電経路を形成する第１スイッチ（ＳＷ１）と第１ダイオード（Ｄ１）からなる直列回路と、インダクタ（Ｌｒ）と第２電圧源（Ｖｂ）の間に直列に接続されてキャパシタ（Ｃｐ）に充電経路を形成する第２スイッチ（ＳＷ２）と第２ダイオード（Ｄ２）の直列回路を具備する。すなわち、本実施形態ではキャパシタ（Ｃｐ）への充電回路とその放電回路とを分離している。
【０１４５】
第１電圧源（Ｖａ）はキャパシタ（Ｃｐ）から放電する際の下降共振範囲を決定する。第２電圧源（Ｖｂ）はキャパシタ（Ｃｐ）を充電する際の上昇共振範囲を決定する。
【０１４６】
第１ダイオード（Ｄ１）はキャパシタ（Ｃｐ）から供給される電流を第１電圧源（Ｖａ）に供給し、逆方向への電流を遮断する。第２ダイオード（Ｄ２）は第２電圧源（Ｖｂ）から供給される電流をキャパシタ（Ｃｐ）に供給すると共に、放電時の電流を遮断する。
【０１４７】
インダクタ（Ｌｒ）の両端には、それを基底電圧（ＧＮＤ）へ短絡する第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）が接続されている。これらのスイッチはインダクタ（Ｌｒ）を初期化するためのものである。
【０１４８】
初期化波形変形部（７４）は、第３電圧源（Ｖｃ）と、第４電圧源（Ｖｄ）と、第３電圧源（Ｖｃ）とキャパシタ（Ｃｐ）の間の第６スイッチ（ＳＷ６）と、第４電圧源（Ｖｄ）とキャパシタ（Ｃｐ）の間の第７スイッチ（ＳＷ７）と、基底電圧源（ＧＮＤ）とキャパシタ（Ｃｐ）の間の第８スイッチ（ＳＷ８）とを具備する。
【０１４９】
第３電圧源（Ｖｃ）は第６スイッチ（ＳＷ６）のターンオンでキャパシタ（Ｃｐ）に初期充電電圧を供給する。第４電圧源（Ｖｄ）は第７スイッチ（ＳＷ７）のターンオンでキャパシタ（Ｃｐ）にその電圧を供給する。したがって、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）はＶｄの電圧を維持する。
【０１５０】
第３電圧源（Ｖｃ）の電圧値と第４電圧源（Ｖｄ）の電圧値は同じでも異なっていても良い。
【０１５１】
隔離部（７２）は図示しない外部駆動部と初期化波形生成部（７０）を隔離させるために設けられている。すなわち、隔離部（７２）は外部駆動部と初期化波形生成部（７０）の直接的な連結により初期化波形がひずむのを防止している。このような隔離部（７２）は第５スイッチ（ＳＷ５）を具備する。
【０１５２】
この回路の動作過程を図２０を参照して詳しく説明する。まず、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオンする。第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）のターンオンでインダクタ（Ｌｒ）が初期化される。第８スイッチ（ＳＷ８）のターンオンでキャパシタ（Ｃｐ）が初期化される。インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）が初期化された後、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオフする。
【０１５３】
その後、ｔ１時点で第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンする。第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンすると第３電圧源（Ｖｃ）の電圧がキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）には第３電圧源（Ｖｃ）の電圧値まで充電される。キャパシタ（Ｃｐ）に第３電圧源（Ｖｃ）の電圧値が充電された後、第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオフする。
【０１５４】
第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオフした後、ｔ２時点で第２スイッチ（ＳＷ２）、第５スイッチ（ＳＷ５）がターンオンする。第２、第５スイッチ（ＳＷ２、ＳＷ５）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）、インダクタ（Ｌｒ）、第２ダイオード（Ｄ２）、第２電圧源（Ｖｂ）が電気的に接続される。したがって、第２電圧源（Ｖｂ）の電圧が第２ダイオード（Ｄ２）、インダクタ（Ｌｒ）を経由してキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。
【０１５５】
その際、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）の共振によりキャパシタ（Ｃｐ）には上昇勾配を持つ電圧が供給される。キャパシタ（Ｃｐ）に充電される最高点の電圧は２Ｖｂ−Ｖｃに決定される。言いかえれば、キャパシタ（Ｃｐ）に第３電圧源（Ｖｃ）の電圧が充電されているので共振により２Ｖｂ−Ｖｃの電圧まで電圧が上昇する。
【０１５６】
キャパシタ（Ｃｐ）に２Ｖｂ−Ｖｃの電圧が充電された後、第２、第５スイッチ（ＳＷ２、ＳＷ５）がターンオフする。その後、ｔ３の時点で第７スイッチ（ＳＷ７）、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンする。第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）が第４電圧源（Ｖｄ）に接続される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）に充電された２Ｖｂ−Ｖｃの電圧はＶｄの電圧まで下降する。その後、キャパシタ（Ｃｐ）はＶｄの電圧を所定時間の間、維持する。
【０１５７】
一方、第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）が基底電圧源（ＧＮＤ）に接続される。したがって、インダクタ（Ｌｒ）が初期化される。
【０１５８】
その後、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオフする。第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオフした後、ｔ４時点で第１、第５スイッチ（ＳＷ１、ＳＷ５）がターンオンする。
【０１５９】
第１、第５スイッチ（ＳＷ１、ＳＷ５）がターンオンすると第１電圧源（Ｖａ）、第１ダイオード（Ｄ１）、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）が電気的に接続される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧はインダクタ（Ｌｒ）とダイオード（Ｄ１）を経由して第１電圧源（Ｖａ）に供給される。
【０１６０】
その際、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）の共振によりキャパシタ（Ｃｐ）から放電する電圧は下降勾配を持つ。逆いえば、それぞれにそのようになる値を持たせる。一方、キャパシタ（Ｃｐ）は２Ｖａ−Ｖｄの電圧まで放電する。言いかえれば、キャパシタ（Ｃｐ）には第４電圧源（Ｖｄ）の電圧が充電されているので共振により２Ｖａ−Ｖｄの電圧まで下降する。
【０１６１】
キャパシタ（Ｃｐ）の電圧が２Ｖａ−Ｖｄの電圧まで下降した後、第１スイッチ（ＳＷ１）、第５スイッチ（ＳＷ５）がターンオフする。その後、ｔ５時点で第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンする。第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）が初期化される。
【０１６２】
第１電圧源（Ｖａ）の電圧値は第４電圧源（Ｖｄ）の半分に設定することが望ましい。そのような第７実施形態が図２１と図２２に例示している。図２１の回路構成それ自体は図１９と変わりないので詳細な説明は省略する。
【０１６３】
図２１、２２を参照すると、本発明の第７実施形態で初期化波形生成部（７８）に含まれている第１電圧源（Ｖｂ／２）の電圧値は、第４電圧源（Ｖｄ）の半分に設定されている。このように第１電圧源（Ｖｄ／２）の電圧値が第４電圧源（Ｖｄ）の半分に設定されると図２２に示したようにキャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧は基底電圧（ＧＮＤ）まで下降する。
【０１６４】
動作過程をさらに詳しく説明する。まず、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオンする。第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）が初期化される。第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）が初期化される。インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）が初期化された後、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオフする。
【０１６５】
その後、ｔ１時点で第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンする。第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオンすると第３電圧源（Ｖｃ）の電圧がキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）には第３電圧源（Ｖｃ）から充電される。キャパシタ（Ｃｐ）に第３電圧源（Ｖｃ）の電圧値が充電された後、第６スイッチ（ＳＷ６）はターンオフする。
【０１６６】
第６スイッチ（ＳＷ６）がターンオフした後、ｔ２時点で第２スイッチ（ＳＷ２）、第５スイッチ（ＳＷ５）がターンオンする。第２、第５スイッチ（ＳＷ２、ＳＷ５）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）、インダクタ（Ｌｒ）、第２ダイオード（Ｄ２）、第２電圧源（Ｖｂ）が電気的に接続される。したがって、第２電圧源（Ｖｂ）の電圧が第２ダイオード（Ｄ２）、インダクタ（Ｌｒ）を経由してキャパシタ（Ｃｐ）に供給される。
【０１６７】
このとき、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）の共振によりキャパシタ（Ｃｐ）には上昇勾配を持つ電圧が供給される。キャパシタ（Ｃｐ）に充電される最高点の電圧は２Ｖｂ−Ｖｃである。要するに、キャパシタ（Ｃｐ）に第３電圧源（Ｖｃ）の電圧が充電されているので共振により２Ｖｂ−Ｖｃの電圧まで電圧が上昇する。
【０１６８】
キャパシタ（Ｃｐ）に２Ｖｂ−Ｖｃの電圧が充電された後、第２、第５スイッチ（ＳＷ２、ＳＷ５）がターンオフする。その後、ｔ３の時点で第７スイッチ（ＳＷ７）、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）がターンオンする。第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）が第４電圧源（Ｖｄ）に接続される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）に充電された２Ｖｂ−Ｖｃの電圧はＶｄの電圧まで下降する。その後、キャパシタ（Ｃｐ）はＶｄの電圧を所定時間の間、維持する。
【０１６９】
一方、第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）が基底電圧源（ＧＮＤ）に接続される。したがって、インダクタ（Ｌｒ）が初期化される。
【０１７０】
その後、第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第７スイッチ（ＳＷ７）はターンオフする。第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第７スイッチ（ＳＷ７）がターンオフした後、ｔ４時点で第１、第５スイッチ（ＳＷ１、ＳＷ５）がターンオンする。
【０１７１】
第１、第５スイッチ（ＳＷ１、ＳＷ５）がターンオンすると第１電圧源（Ｖｄ／２）、第１ダイオード（Ｄ１）、インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）が電気的に接続される。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）に充電された電圧はインダクタ（Ｌｒ）、ダイオード（Ｄ１）を経由して第１電圧源（Ｖｄ／２）に供給される。
【０１７２】
インダクタ（Ｌｒ）とキャパシタ（Ｃｐ）の共振によりキャパシタ（Ｃｐ）から放電する電圧は下降勾配を持つ。キャパシタ（Ｃｐ）から放電する電圧は２Ｖｄ／２−Ｖｄの電圧まで放電する。したがって、キャパシタ（Ｃｐ）は基底電位（ＧＮＤ）まで下降する。
【０１７３】
キャパシタ（Ｃｐ）の電圧が基底電位まで下降した後、ｔ５時点で第３スイッチ（ＳＷ３）、第４スイッチ（ＳＷ４）、第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオンする。第３、第４スイッチ（ＳＷ３、ＳＷ４）がターンオンするとインダクタ（Ｌｒ）が初期化される。第８スイッチ（ＳＷ８）がターンオンするとキャパシタ（Ｃｐ）に基底電位（ＧＮＤ）が供給される。
【０１７４】
図２３は本発明の第８実施形態に係る初期化波形発生部を示す図である。
図２３を参照すると、本発明の第８実施形態に係る初期化波形発生部は制御部（９０）、デジタル−アナログコンバータ（９２）及び増幅部（９４）を具備する。
【０１７５】
制御部（９０）は正弦波を生成するためのデジタル信号をＤＡコンバータ（９２）に供給する。ＤＡコンバータ（９２）は制御部（９０）から供給されるデジタル信号をアナログ信号に変換する。このＤＡコンバータ（９２）では低圧の正弦波が出力される。
【０１７６】
ＤＡコンバータ（９２）から出力された低圧の正弦波は増幅部（９４）に供給される。増幅部（９４）はＤＡコンバータ（９２）から入力された低圧の正弦波を増幅してＰＤＰの第１電極（Ｙ）に供給する。その際、第１電極（Ｙ）には上昇及び下降勾配を持つ高圧の正弦波が供給される。このような正弦波は初期化波形に利用される。
【０１７７】
上述したように、本発明によるプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法によると共振を利用して初期化波形を生成する。したがって、初期化電圧源の２倍の電圧を第１電極に供給することができて、これにより消費電力を低減することができる。同時に、本発明はスイッチング素子の抵抗を利用して初期化波形を生成するようになっていないのでスイッチング素子の破壊を防止することができる。
【０１７８】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を一脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲により決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】従来の交流面放電プラズマディスプレイパネルの放電セル構造を示す斜視図である。
【図２】図１に図示したプラズマディスプレイパネルの全体的な電極ライン及び放電セルの配置構造を示した平面図である。
【図３】図１に図示したプラズマディスプレイパネルの１フレーム階調を示す図である。
【図４】サブフィールド別にプラズマディスプレイパネルの各電極に供給される駆動波形を示す波形図である。
【図５】初期化期間にランプ波形が印加されるプラズマディスプレイパネルの駆動方法を示す波形図である。
【図６】図５に図示したランプ波形を生成するランプ波形発生部を示す回路図である。
【図７】共振回路の原理を示す回路図である。
【図８】図７に図示したインダクタ及びキャパシタの電流／電圧を示す波形図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図及び波形図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図及び波形図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る初期化波形が適用されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法を示す波形図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図である。
【図１３】図１２に図示した初期化波形発生部により生成される初期化波形の上昇部を示す図である。
【図１４】図１２に図示した初期化波形発生部により生成される初期化波形の下降部を示す図である。
【図１５】発明の第４実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図である。
【図１６】図１５に図示した初期化波形発生部により生成される初期化波形を示す波形図である。
【図１７】本発明の第５実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図である。
【図１８】図１７に図示した初期化波形発生部により生成される初期化波形を示す波形図である。
【図１９】本発明の第６実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図である。
【図２０】図１９に図示した初期化波形発生部により生成される初期化波形を示す波形図である。
【図２１】本発明の第７実施形態に係る初期化波形発生部を示す回路図である。
【図２２】図２１に図示した初期化波形発生部により生成される初期化波形を示す波形図である。
【図２３】本発明の第８実施形態に係る初期化波形発生部を示すブロック図である。
【図２】
2004522994.tif 000009
【図３】
2004522994.tif 000010
【図４】
2004522994.tif 000011
【図５】
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【図１１】
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【図２３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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