(57)【要約】      （修正有）【課題】上部パネルと下部パネルのアライン工程の正確度を高め、誘電体層の構造を改善して上部パネルと下部パネルのアライン工程の時間を減らすためのプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】下部基板１１１上の下部誘電体層１１５は下部基板１１１の有効領域４１０と非有効領域４２０の一部領域に位置し、アラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は下部基板１１１の非有効領域に位置しており、アラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は上部基板１０１と下部基板１１１の合着の時上部基板１０１と下部基板１１１のアライン工程に使われ、前記アラインマークを除いた前記下部基板の領域に位置する誘電体層はＣｕＯを含んでペーストの粘度を低め、ＣｕＯと異なる物質の間の反応を減らすことができる。【選択図】図４ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アラインマークを含む下部基板と、 
前記アラインマークを除いた前記下部基板の領域に位置する誘電体層を含み、
前記誘電体層はＣｕＯを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
誘電体組成物の全体重量に対する前記ＣｕＯは０．１重量%以上５重量%以下のことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
誘電体組成物の全体重量に対する前記ＣｕＯは０．２重量％以上０．４重量％以下のことを特徴とする、請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記誘電体層はＰｂＯ、Ｂ2Ｏ３、ＳｉＯ２、及び Ａｌ２Ｏ３をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
誘電体組成物の全体重量に対する前記ＰｂＯは４０重量％以上７０重量％以下であり、誘電体組成物の全体重量に対するＢ２Ｏ３は３重量％以上２３重量％以下であり、
誘電体組成物の全体重量に対するＳｉＯ２は１重量％以上３０重量％以下であり、
誘電体組成物の全体重量に対するＡｌ２Ｏ３は０．２ 重量％以上８重量％以下のことを特徴とする、請求項４記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記誘電体層はＴｉＯ２をさらに含み、
前記誘電体組成物の全体重量に対する前記ＴｉＯ２は０．２ 重量％以上３重量％以下のことを特徴とする、請求項５記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記下部基板は複数個のアラインマークを含み、
前記誘電体層は前記複数個のアラインマークの内で少なくとも二つのアラインマークを除いた前記下部基板の領域に形成されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記下部基板と合着される上部基板、前記上部基板上を覆う上部誘電体層、前記上部誘電体層上に位置する実層をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記上部基板、前記実層及び前記上部誘電体層それぞれは第１熱膨脹係数、第２熱膨脹係数及び第３熱膨脹係数を持って、
前記第１熱膨脹係数は前記第２熱膨脹係数より大きく前記第３熱膨脹係数は前記第２熱膨脹係数よりは大きく前記第１熱膨脹係数よりは小さなことを特徴とする、 請求項８記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記第１熱膨脹係数は８７×１０−７／℃であり、前記第２熱膨脹係数は７２×１０−７/℃位なら、前記熱膨脹係数は７６×１０−７／℃ のことを特徴とする、請求項９記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは上部パネルと下部パネルを含む。 上部パネルと下部パネルの間に形成された単位セル内には主放電気体と不活性ガスが充填されている。高周波電圧が供給される時、不活性ガスは真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ)を発生して真空紫外線は蛍光体を励起させて蛍光体から光が放出されるようにする。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルは上部パネルと下部パネルを含むのでプラズマディスフレームパネルの製作工程は上部パネルと下部パネルを結合する過程を含む。
【０００４】
プラズマディスプレイパネルの上部パネルと下部パネルの結合工程は上部パネルと下部パネルに対するアライン工程と上部パネルと下部パネルの合着工程を含む。
【０００５】
上部パネルと下部パネルのアライン工程はプラズマデ−スプルレパネルの性能に大きい影響を及ぼすので上部パネルと下部パネルのアラインを正確に遂行することは重要である。   上部パネルと下部パネルのアライン工程が正確に成らない場合プラズマディスプレイパネルの動作がなだらかに成らないこともある。
【０００６】
上部パネルと下部パネルのアライン工程のためにアラインマークが上部パネルまたは下部パネルに形成される。 上部パネルまたは下部パネルに形成されたアラインマーク上に誘電体層が位置する場合アライン装置によるアラインマークの確認が難しくなってアライン工程が難しくなるとかアライン工程時間が増加する問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は誘電体層の構造を改善して上部パネルと下部パネルのアライン工程の正確度を高めるプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は誘電体層の構造を改善して上部パネルと下部パネルのアライン工程の時間を減らすためのプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルはアラインマークを含む下部基板及び前記アラインマークを除いた前記下部基板の領域に位置する誘電体層を含み、前記誘電体層はＣｕＯを含む。
【００１０】
誘電体組成物の全体重量に対する前記ＣｕＯは０．１重量%以上５重量%以下であることがある
【００１１】
誘電体組成物の全体重量に対する前記ＣｕＯは ０．２重量％以上０．４重量％以下であることがある
【００１２】
前記誘電体層はＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及びＡｌ２Ｏ３をさらに含むことができる。
【００１３】
誘電体組成物の全体重量に対する前記ＰｂＯは４０重量％ 以上７０重量％以下であり、誘電体組成物の全体重量に対するＢ２Ｏ３は３重量％以上２３重量％以下であり、誘電体組成物の全体重量に対するＳｉＯ２は１重量％以上３０重量％以下であり、誘電体組成物の全体重量に対するＡｌ２Ｏ３は０．２重量％以上８重量％以下であることがある
【００１４】
前記誘電体層はＴｉＯ２をさらに含み、前記誘電体組成物の全体重量に対する前記ＴｉＯ２は０．２重量％以上３重量％以下であることがある
【００１５】
前記下部基板は複数個のアラインマークを含み、前記誘電体層は前記複数個のアラインマークの中で少なくとも二つのアラインマークを除いた前記下部基板の領域に形成されることができる。
【００１６】
前記下部基板と合着される上部基板、前記上部基板上を覆う上部誘電体層、前記誘電体層上に位置する実層をさらに含むことができる。
【００１７】
前記上部基板、前記実層及び前記上部誘電体層それぞれは第１熱膨脹係数、第２熱膨脹係数及び第３熱膨脹係数を持って、前記第１熱膨脹係数は前記第２熱膨脹係数より大きくて前記第３熱膨脹係数は前記第２熱膨脹係数よりは大きく前記第１熱膨脹係数よりは小さいことがある。
【００１８】
前記第１熱膨脹係数は８７×１０−７／℃で、前記第２熱膨脹係数は７２×１０−７／℃位なら、前記熱膨脹係数は７６×１０−７／℃であることがある。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は誘電体層の構造を改善してアライン工程が早くて正確に成るようにする。
また本発明は誘電体層の構造を改善して誘電体の所要量を減少させてプラズマデスプレイパネルの生産費を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下では本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
【００２１】
図1は本発明の第１乃至第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルを示したのである。
【００２２】
図１に示すように、本発明の第１乃至第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルは一定距離を置いて平行に結合された上部パネル１００と下部パネル１１０を含む。 図１のパネル構造は本発明の第１実施形態乃至第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルに共通的に適用されることで第１実施形態乃至第３実施形態は以後図面を参照して詳しく説明する。
【００２３】
上部パネル１００は放電が起きる放電セルを選択して放電セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２と、放電セルの発光を維持するためのサステイン電極１０３を含む。
【００２４】
スキャン電極１０２とサステイン電極１０３それぞれはＩＴＯ物質に形成された透明電極（１０２ａ、１０３ａ）と金属材質で形成されたバス電極（１０２ｂ、１０３ｂ）を含む。上部誘電体層１０４はスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３上にスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３を覆う。上部誘電体層１０４は放電電流を制限して電極の間を絶縁させる。保護層１０５は上部誘電体層１０４上に上部誘電体層１０４を覆って、二次電子の放出を容易くするために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の蒸着によって形成される。
【００２５】
下部パネル１１０は放電セルを選択するためのアドレス電極１１３が下部基板１１１上に位置する。下部誘電体層１１５はアドレス電極１１３上にアドレス電極１１３を覆って、アドレス電極１１３の間を絶縁させてアドレス電極１１３を保護する。下部誘電体層１１５はＣｕＯを含み、下部誘電体層１１５は誘電体組成物によって形成される。誘電体組成物の全体重量に対するＣｕＯは０．１重量％以上５重量％以下であることがあり、０．２重量％以上０．４重量％以下であることがある
【００２６】
下部誘電体層１１５は下部誘電体用パウダーのペーストである誘電体ペーストを図１の下部基板１１１上に印刷して乾燥させた後高温塑性工程を通じて形成される。下部誘電体層１１５のＣｕＯは高温塑性工程の時誘電体ペーストの粘度を低める。これによって下部誘電体層１１５のＣｕＯは誘電体ペーストの内部に発生された気泡が外部に放出されることを促進する。下部誘電体層１１５に気泡がなければ、安定的な下部誘電体層１１５の内電圧が確保される。ＣｕＯが誘電体組成物の全体重量に対する０．１重量％以上５重量％以下であれば、誘電体ペーストの粘度を低めることだけではなくＣｕＯと異なる物質の間の反応を減らすことができる。また誘電体組成物の全体重量に対するＣｕＯが０．２重量％ 以上０．４重量％以下であれば、誘電体ペイストイ粘度を低めることだけではなくＣｕＯと異なる物質の間の反応をさらに大きく減らすことができる。
【００２７】
下部誘電体層１１５はＣｕＯ外にＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及びＡｌ２Ｏ３を含む。誘電体組成物の全体重量に対するＰｂＯは４０重量％以上７０重量％以下であり、４０重量％以上７０重量％以下のＰｂＯはガラスの連化点ＴＳを低めることに効果的である。   Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３はガラスを安定化させる。誘電体組成物の全体重量に対するＢ２Ｏ３は３重量％以上２３重量％以下であり、誘電体組成物の全体重量に対するＳｉＯ２は１重量％以上３０重量％以下であり、誘電体組成物の全体重量に対するＡｌ２Ｏ３は０．２重量％以上８重量％以下であることがある。下部誘電体層１１５はＴｉＯ２をさらに含むことができるし、誘電体組成物の全体重量に対するＴｉＯ２は下部誘電体層１１５の０．２重量％以上３重量％以下であることがある
【００２８】
本発明の実施形態に開示されたＣｕＯを除いた下部誘電体層の成分及び含有量は変更可能である。
【００２９】
隔壁１１２は放電セルを定義して、隔壁１１２と隔壁１１２の間に蛍光体１１４が位置する。
【００３０】
図２は本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置を示すのである。図３は本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示すのである。 図３のスキャン電極（Ｙ）は図２の複数のスキャン電極（Ｙ１乃至Ｙｎ） の内何れか一つであり、図３のアドレス電極（Ｘ）は図２の複数のアドレス電極（Ｘ１乃至Ｘｍ）であり、図３のサステイン電極（Ｚ）は図２の複数のサステイン電極（Ｚ）を示す。
【００３１】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置はプラズマディスプレイパネル２００、データ駆動部２０１、スキャン駆動部２０２及びサステイン駆動部２０３を含む。プラズマディスプレイパネル２００は先に図１を参照して詳しく説明したので略する。
【００３２】
スキャン駆動部２０２は図３のリセット期間のセットアップ期間でスキャン電極（Ｙ）に第１電圧（Ｖｓ）から第２電圧（Ｖｓ＋Ｖｓｔ）まで漸進的に上昇するセットアップ信号（Ｒａｍｐ−ｕｐ）を供給する。
【００３３】
セットアップ信号（Ｒａｍｐ−ｕｐ）によってプラズマディスプレイパネル２００の全体放電セル内には暗放電（Ｄａｒｋ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が起きる。セットアップ信号（Ｒａｍｐ−ｕｐ）によってアドレス電極（Ｘ）とサステイン電極（Ｚ）上には正極性壁電荷が積もるようになって、スキャン電極（Ｙ）上には負極性の壁電荷が積もるようになる。
【００３４】
スキャン駆動部２０２は図３のセッダウン期間でスキャン電極（Ｙ）に第１電圧（Ｖｓ）から第３電圧（−Ｖ３）まで漸進的に立ち下がるセッダウン信号（Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎ）を供給する。これによって、全体放電セル内に消去放電が起きることで放電セル内に過度に形成された壁電荷が一定量消去される。これによって壁電荷が全体放電セル内に均一に形成される。
【００３５】
スキャン駆動部２０２は図３のアドレス期間でスキャン電極（Ｙ）にスキャン信号（Ｓｃａｎ）を供給する。また、図２のデータ駆動部２０１はアドレス電極（Ｘ）に映像信号にあたるデータ信号をスキャン信号（Ｓｃａｎ）に同期して供給する。ハイレベルデータ信号の最高電圧はＶｄである。これによってサステイン期間で光が放出される放電セルが選択される。
【００３６】
図３のサステイン期間でスキャン駆動部２０２とサステイン駆動部２０３はスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）に交互にサステイン信号（ＳＵＳ）を供給する。これによって、アドレス放電によって選択された放電セルは放電セル内の壁電圧とサステイン信号が加わりながらスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）の間にサステイン放電が起きる。
【００３７】
図４ａは本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの平面図を示すのである。 図４ｂは図４ａのプラズマディスプレイパネルをＳ−Ｓ’による断面を示すのである。
【００３８】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの上部基板１０１と下部基板１１１は一定間隔を置いてお互いに合着される。下部基板１１１は光が放出される放電セルが形成された有効領域４１０と光が放出されない非有効領域４２０を含む。 非有効領域４２０は有効領域４１０を保護する機能をして、上部基板１０１と下部基板１１１が重畳される領域の中で有効領域４１０を除いた領域である。
【００３９】
下部基板１１１上の下部誘電体層１１５は下部基板１１１の有効領域４１０と非有効領域４２０の一部領域に位置する。また下部基板１１１の領域にアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）が位置する。アラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は下部基板１１１の非有効領域に位置することができる。アラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は上部基板１０１と下部基板１１１の合着の時上部基板１０１と下部基板１１１のアライン工程に使われる。アラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は下部基板１１１だけでなく上部基板１０１にも形成されることができる。
【００４０】
ＣｕＯを含む下部誘電体層１１５はアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）を除いた下部基板１１１の領域に形成される。例えば、下部誘電体層１１５は下部基板１１１の有効領域とアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）を除いた非有効領域４２０に形成されることができる。
【００４１】
下部誘電体層１１５はＣｕＯを含むので下部誘電体層１１５の透明性が減少する。下部誘電体層１１５がアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）上に位置すれば、アライン装備のＣＣＤカメラ（図示せず）がアラインマークの映像を形成しにくくなるので上部基板１０１と下部基板１１１の合着正確性が落ちる。これによって本発明の実施形態で下部誘電体層１１５はアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）を除いた下部基板１１１の領域に形成される。
【００４２】
本発明の実施形態のように下部誘電体層１１５がアラインマークを除いた下部基板１１１の領域に形成されれば上部基板１０１と下部基板１１１の合着正確性が増加して、上部基板１０１と下部基板１１１の合着に必要な時間が減る。
【００４３】
図４ａ及び図４ｂに示されたアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は実層４４０と有効領域４１０の間に位置することができる。実層４４０は上部基板１０１と下部基板１１１を結合させて、プラズマディスプレイパネルの内部に形成された放電セルを外部から隔離させる。
【００４４】
上部誘電体層１０４は上部基板１０１と実層４４０の間に形成されて上部基板１０１と実層４４０の間の熱応力の差を緩和させる。上部基板１０１が第１熱膨脹係数を持って、実層４４０は第１熱膨脹係数より小さな第２熱膨脹係数を持って、上部誘電体層１０４は第１及び第２熱膨脹係数の間の第３熱膨脹係数を持つ。例えば、上部基板１０１の熱膨脹係数は８７×１０−７／℃であり、実層４４０の熱膨脹係数は７２×１０−７／℃位なら、上部全体層１０４の熱膨脹係数は７６×１０−７／℃位である。
【００４５】
すなわち、保護膜１０５が２００〜３００℃位の環境で形成された後上部基板１０１が常温に冷却する時、上部誘電体層１０４は上部基板１０１と実層４４０の間の熱膨脹係数の差によって発生される熱応力を分散させる。熱応力が上部誘電体層１０４により分散することで上部誘電体層１０４を間に置いて実層４４０と重畳される上部基板１０１の領域で発生するクラックを防止することができる。上部誘電体層１０４は上部誘電体組成物によって形成されて、上部誘電体層１０４は上部誘電体組成物の全体重量に対する５０重量％の ＰｂＯ、上部誘電体組成物の全体重量に対する１５重量％のＢ２Ｏ３、上部誘電体組成物の全体重量に対する１５重量％のＡｌ２Ｏ３及び上部誘電体組成物の全体重量に対する２０重量％のＳｉＯ２を含む。
【００４６】
図４ａでは 4個のアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）が下部基板１１１に位置するが、少なくとも二つ以上のアラインマークが下部基板１１１に位置することができる。例えば、２個以上８個以下のアラインマークが下部基板１１１に位置すれば上部基板１０１と下部基板１１１の短い合着時間の間合着正確性を確保することができる。
【００４７】
図５は本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイパネルの平面図を示すのである。図５に示すのように、下部誘電体層１１５が複数個のアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）の内下部基板１１１の対角方向に位置した２個のアラインマーク（４３０ｂ、４３０ｄ）を除いた残りアラインマーク（４３０ａ、４３０ｃ）を覆っても上部基板１０１と下部基板１１１の合着は正確に成ることができる。また、図５では対角方向のアラインマークのみを示しているが、下部誘電体層１１５がＸ軸方向に位置した２個のアラインマークまたはＹ軸方向に位置した２個のアラインマークを除いた残りアラインマークを覆っても上部基板１０１と下部基板１１１の合着は正確に成ることができる。
【００４８】
図５に示されたＳ−Ｓ’による断面は図４ｂに示されたプラズマディスプレイパネルの断面と等しいので詳細な説明を略する。
【００４９】
図６ａは本発明の第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルの平面図を示すのである。 図６ｂは図６ａのＳ−Ｓ’によるプラズマディスプレイパネルの断面を示すのである。
【００５０】
図６ａに示すのように、本発明の第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルの下部誘電体層１１５は有効領域４１０だけでなく有効領域４１０とアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ） の間の所定位置まで形成される。これによって第３実施形態での下部誘電体層１１５の面積は第１実施形態での下部誘電体層１１５の面積より小さい。
【００５１】
したがって下部誘電体層１１５がアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）を覆わないから上部基板１０１と下部基板１１１の合着が正確で早く成ることができるし、下部誘電体層の形成のための誘電体の量を減らすことができる。
【００５２】
有効領域４１０とアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ） の間の所定位置は有効領域４１０から０．８ｍｍ以上１ｍｍ以下の地点であることがある。下部誘電体層１１５が有効領域４１０から０．８ｍｍ以上１ｍｍ以下の地点の位置まで形成される理由は放電セル２１０の一弁(a)の長さが０．８ｍｍ 以上１ｍｍ位になるからである。 すなわち、有効領域４１０の境目と下部誘電体層１１５の境目の最短距離（Ｌ）は放電セル２１０の一弁（ａ）の長さと実質的に同じである。したがって下部誘電体層１１５が有効領域４１０から０．８ｍｍ以上１ｍｍ以下の地点の位置まで形成されれば、有効領域４１０を充分に覆うことができながらも誘電体の量を最小化することができる。
【００５３】
図６ａ及び図６ｂに示されたアラインマーク（４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃ、４３０ｄ）は実層４４０と有効領域４１０の間に位置することができる。実層４４０は上部基板１０１と下部基板１１１を結合させて、プラズマディスプレイパネルの内部に形成された放電セルを外部から隔離させる。
【００５４】
図６ｂに示された下部誘電体層１１５以外の構成要素に対する説明は図４ｂを通じて説明したので略する。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１乃至第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルを示すのである。
【図２】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置を示すのである。
【図３】本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動信号を示すのである。
【図４ａ】本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの平面図を示すのである。
【図４ｂ】本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイパネルの断面を示すのである。
【図５】本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイパネルの平面図を示すのである。
【図６ａ】本発明の第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルの平面図を示すのである。
【図６ｂ】本発明の第３実施形態によるプラズマディスプレイパネルの断面を示すのである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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