(57)【要約】【課題】インダクティブ書込みヘッド素子からのクロストークの影響及び外来ノイズの影響を抑圧することができる、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供する。【解決手段】基板と、下地層を介して基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れるＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子と、シールド中間絶縁層を介してＭＲ読出しヘッド素子上に形成されており、第１の磁極層、先端部が非磁性層を介して第１の磁極層に離隔されている第２の磁極層、及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、上部シールド層及び第１の磁極層間に形成された付加シールド層とを備えている。【選択図】図８
2007149308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、下地層を介して該基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに該下部シールド層及び該上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れる磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、シールド中間絶縁層を介して該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されており、第１の磁極層、先端部が非磁性層を介して該第１の磁極層に離隔されている第２の磁極層、及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、前記上部シールド層及び前記第１の磁極層間に形成された付加シールド層とを備えたことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記基板と前記下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、前記上部シールド層と前記付加シールド層との間の寄生キャパシタンスにほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記基板と前記付加シールド層との間の抵抗値が１００Ω以下であることを特徴とする請求項２に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記付加シールド層と前記第１の磁極層とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記付加シールド層が、金属磁性層であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記下部シールド層、前記上部シールド層、前記付加シールド層及び前記第１の磁極層の浮上面に対して垂直方向の長さが互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記付加シールド層及び前記第１の磁極層間に形成された抵抗発熱体をさらに備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記下部シールド層と前記基板との実質的な対向面積を増大するために、該下部シールド層に電気的に導通しており該基板に対向している非磁性導電層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記非磁性導電層が、前記下部シールド層の前記基板側の面に積層されていることを特徴とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記非磁性導電層が、前記下部シールド層の前記基板とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記上部シールド層と前記付加シールド層との実質的な対向面積を増大するために、該上部シールド層に電気的に導通しており該付加シールド層に対向している非磁性導電層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記非磁性導電層が、前記上部シールド層の前記付加シールド層側の面に積層されていることを特徴とする請求項１１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記非磁性導電層が、前記上部シールド層の前記付加シールド層とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項１１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記付加シールド層と前記上部シールド層との実質的な対向面積を増大するために、該付加シールド層に電気的に導通しており該上部シールド層に対向している非磁性導電層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記非磁性導電層が、前記付加シールド層の前記上部シールド層側の面に積層されていることを特徴とする請求項１４に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記非磁性導電層が、前記付加シールド層の前記上部シールド層とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項１４に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、巨大磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、トンネル磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、水平磁気記録書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１８のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、垂直磁気記録書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１８のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッドと、該複合型薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項２２】
少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの請求項２１に記載の磁気ヘッドアセンブリとを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクティブ書込みヘッド素子及び積層面と垂直の方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造の磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置の大容量小型化に伴い、高感度かつ高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に対応するため、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子を有するＧＭＲヘッドの特性改善が進んでおり、一方では、ＧＭＲヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）読出しヘッド素子を有するＴＭＲヘッドの開発も積極的に行われている。
【０００３】
ＴＭＲヘッドと一般的なＧＭＲヘッドとでは、センス電流の流れる方向の違いからヘッド構造が互いに異なっている。一般的なＧＭＲヘッドのように、積層面（膜面）に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ）構造と呼び、ＴＭＲヘッドのように膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ構造と呼んでいる。最近は、後者のＣＰＰ構造を有するＧＭＲヘッドの開発も行われている。
【０００４】
ＣＰＰ構造は、磁気シールド層そのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造における狭リードギャップ化において深刻な問題となっている磁気シールド層と素子との間の短絡（絶縁不良）が本質的に生じない。このため、ＣＰＰ構造は、高記録密度化に非常に有利となっている。
【０００５】
最近のＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドとしては、ＣＩＰ構造のＧＭＲヘッドの場合と同様のスピンバルブ磁性多層膜（デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を含む）を有するものも検討されている。
【０００６】
このような書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子を含めたＨＤＤ装置の小型化が進むと問題となるのが、書込み側と読出し側との間のクロストークである。特に、磁気ヘッド素子の小型化が進むと、放熱特性が悪化するのみならず素子断面積の減少により素子を流れる電流密度が増大し、また、書込み周波数の高周波化が図られることにより、書込みヘッド素子に印加される電圧が急峻に変化する。その結果、書込み側から読出し側へのクロストークが生じる。
【０００７】
非特許文献１には、サスペンション上に形成された書込み側トレース導体と読出し側トレース導体との間の結合メカニズムを解析し、両者間のクロストークを低減させる技術が提案されている。この文献では、クロストークのほとんどが、書込み側トレース導体及び読出し側トレース導体間の結合に起因するものであり、磁気ヘッド内の内部結合には起因しないと結論している。
【０００８】
しかしながら、本願発明者等は、書込み側トレース導体及び読出し側トレース導体間の結合以外に、薄膜磁気ヘッド内部における結合も書込み側及び読出し側間のクロストークに大きな影響を与えるのではないかと考え、解析及び検討を行った。
【０００９】
その結果、インダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、各層間に発生する寄生キャパシタンスがクロストーク発生に関係することを見出した。特に、ＣＰＰ構造を有する読出しヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドでは、下部シールド層及び上部シールド層を読出しヘッド素子の電極として用いるため、書込みコイルと上部シールド層との間の寄生キャパシタンスが書込みコイルと下部シールド層との間の寄生キャパシタンスより必ず大きくなるから、読出しヘッド素子の両端間にクロストーク電圧が発生してしまう。
【００１０】
クロストーク電圧が発生すると、ＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速による短寿命化や層間拡散の加速による磁気特性の劣化が生じてしまう。また、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、バリア層にピンホールが形成されて絶縁破壊が生じ、素子抵抗が低下して読出し特性が大幅に劣化してしまう。
【００１１】
さらに、ＣＰＰ構造を有する読出しヘッド素子では、その基板に入ったノイズが基板から距離の近い下部シールド層側の電極により多く現れ、下部シールド層側の電極のノイズと上部シールド層側の電極のノイズとの差分がプリアンプで増幅されて再生信号に重畳されてしまう。従って、ＣＰＰ構造を有する読出しヘッド素子は、外来ノイズに対して不利となる。
【００１２】
そこで、本出願人は、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、基板と読出しヘッド素子の下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４と、読出しヘッド素子の上部シールド層と書込みヘッド素子の下部磁極層との間の寄生キャパシタンスＣ２とをほぼ等しくすると共に、基板と下部磁極層とを同電位となるように構成することによって、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくすることを提案した（特願２００４−３０１５４８）。
【００１３】
このようなＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、インダクティブ書込みヘッド素子の発熱によりＭＲ読出しヘッド素子部分に歪みが発生し、この歪みと読出しヘッド素子を構成する磁性材料（フリー層、ピンド層、ピン層、磁区制御層、上部及び下部シールド層等の磁性材料）の磁歪との相互作用によって読出しヘッド素子部分が劣化してしまう可能性がある。書込み周波数が高くなればなるほど、書込みヘッド素子の発熱量が大きくなるため、この問題は深刻となる。
【００１４】
このような問題発生を回避するには、書込みヘッド素子で発生した熱が読出しヘッド素子へ伝達することをできるだけ低減させるために読出しヘッド素子の上部シールド層と書込みヘッド素子の下部磁極層との距離を大きくし（その間の絶縁層の厚みを大きくし）、また、その熱をできるだけ基板側へ逃がすために基板と読出しヘッド素子の下部シールド層との距離を小さくする（その間の絶縁層の厚みを小さくする）ことが要求される。
【００１５】
また、近年、低温環境下において、薄膜磁気ヘッドのＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の部分が収縮し、これら磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との磁気的な実効距離であるマグネティックスペーシングが広がって読出し及び／又は書込みができなくなってしまう不都合を回避する目的で、薄膜磁気ヘッド内にヒータを設けて発熱膨張させることが行われている（例えば、特許文献１〜４）。
【００１６】
ヒータによる発熱膨張効率を高めるためには、このヒータをなるべくＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の浮上面（ＡＢＳ）側の端面に近い位置に設けることが有利であるが、このような配置は、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子を形成する際のクリティカルな製造工程に干渉するという問題を有している。
【００１７】
ヒータをＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層との間に形成すれば、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の製造工程におけるクリティカルな条件を変更することなく、薄膜磁気ヘッド内に容易にヒータを設けることができる。
【００１８】
【非特許文献１】Klass B.Klaassen et al.,“Write-to-Read Coupling”, IEEE Trans. Magn. Vol.38, pp61-67, January 2002
【特許文献１】米国特許第５，９９１，１１３号明細書
【特許文献２】特表ＷＯ２００２／０３７４８０号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８２７４号公報
【特許文献４】特開２００３−２７２３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
書込みヘッド素子の発熱による問題発生を回避するために、上述したように、読出しヘッド素子の上部シールド層と書込みヘッド素子の下部磁極層との距離を大きくし、基板と読出しヘッド素子の下部シールド層との距離を小さくすると、寄生キャパシタンスＣ２及びＣ４を互いに等しくすることが難しくなり、クロストーク電圧及び外来ノイズに対する耐性が悪化してしまう。
【００２０】
また、上部シールド層を電極として使用しているＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、ヒータを読出しヘッド素子の上部シールド層と書込みヘッド素子の下部磁極層との間に形成した場合、このヒータと、ＭＲ読出しヘッド素子との間でクロストークが発生し、ＭＲ読出しヘッド素子にダメージが生じる可能性がある。
【００２１】
従って、本発明の目的は、インダクティブ書込みヘッド素子で発生した熱がＭＲ読出しヘッド素子へ伝達することをできるだけ低減させるために両者間の距離を大きくした場合にも、クロストークの影響及び外来ノイズの影響を抑圧することができる、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子間に抵抗発熱体を設けた場合にも、この抵抗発熱体からのクロストークの影響及び外来ノイズの影響を抑圧することができる、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明によれば、基板と、下地層を介して基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れるＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子と、シールド中間絶縁層を介してＭＲ読出しヘッド素子上に形成されており、第１の磁極層、先端部が非磁性層を介して第１の磁極層に離隔されている第２の磁極層、及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、上部シールド層及び第１の磁極層間に形成された付加シールド層とを備えた複合型薄膜磁気ヘッドが提供される。なお、インダクティブ書込みヘッド素子は面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても良い。インダクティブ書込みヘッド素子が面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合、第１の磁極層は下部磁極層、第２の磁極層は上部磁極層に相当し、インダクティブ書込みヘッド素子が垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合、第１の磁極層は非磁性層に対してＭＲ読出しヘッド素子側に位置する磁極層である主磁極層又は補助磁極層（リターン層）、第２の磁極層は非磁性層に対してＭＲ読出しヘッド素子とは反対側に位置する磁極層である補助磁極層（リターン層）又は主磁極層に相当する。
【００２４】
上部シールド層と第１の磁極層との間に付加シールド層を形成しているので、インダクティブ書込みヘッド素子からＭＲ読出しヘッド素子へ印加されるクロストーク電圧を低減することができる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子のクロストーク電圧によるダメージ発生を防止することができ、外来ノイズの影響も受けにくくすることができる。より具体的には、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、バリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。
【００２５】
基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４が、上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２にほぼ等しいことが好ましい。この場合、さらに、基板と付加シールド層との間の抵抗値が１００Ω以下、例えば数Ω、であることが好ましい。後者により、基板と付加シールド層とが同電位となり、実質的な寄生キャパシタンスＣ４と実質的な寄生キャパシタンスＣ２とがほぼ等しいので、Ｃ２、Ｃ４を介して、インダクティブ書込みヘッド素子側からクロストーク電圧が発生しても、上部電極（ＳＳ１）と下部電極（ＳＦ）との間で、クロストーク電圧はキャンセルされてほぼゼロとなり、クロストーク電圧が発生しない。
【００２６】
付加シールド層と第１の磁極層とが電気的に接続されていることも好ましい。基板と付加シールド層との間の抵抗値が低い場合、これにより、インダクティブ書込みヘッド素子を基板に電気的に接続し、接地することが可能となり、帯電等によるＭＲ読出しヘッド素子のＥＳＤ破壊の危険を回避できる。
【００２７】
付加シールド層が、金属磁性層であることも好ましい。
【００２８】
下部シールド層、上部シールド層、付加シールド層及び第１の磁極層のＡＢＳに対して垂直方向の長さが互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ（Ｑｕａｓｉ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｔｅｓｔ、ヘッド素子のダイナミックパフォーマンス（ＤＰ）特性をバー状態で予測するために、外部磁界を印加してヘッド素子出力の線形応答を調べるテスト）特性の直線性が良好となる。
【００２９】
付加シールド層及び第１の磁極層間に形成された抵抗発熱体をさらに備えたことも好ましい。この場合、上部シールド層と抵抗発熱体との間に付加シールド層が形成されているので、抵抗発熱体からＭＲ読出しヘッド素子へ印加されるクロストーク電圧を低減することができる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子のクロストーク電圧によるダメージ発生を防止することができ、外来ノイズの影響も受けにくくすることができる。より具体的には、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、バリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。
【００３０】
Ｃ２（上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンス）がＣ４（基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンス）より大きい場合に、Ｃ２＝Ｃ４とするべく下部シールド層と基板との実質的な対向面積を増大するために、下部シールド層に電気的に導通しており基板に対向している非磁性導電層をさらに備えたことが好ましい。一般に、キャパシタンスは、対向する２枚の電極板の離間距離に反比例し、対向面積に比例する。従って、対向する２枚の電極板の対向面積を増大させることによってその、キャパシタンスを増大させることができる。一方の電極板に導通した対向面積がこの電極板と等しい導電板を対向する２枚の電極板間に挿入すると、この導電板の厚み分だけキャパシタンスが増大することとなるが、その導電板が十分に薄い場合は、キャパシタンスの増大は無視することができる。
【００３１】
下部シールド層に導通した非磁性の導電層を、基板に対向するように設けて下部シールド層と基板との実質的な対向面積を増大させれば、下部シールド層と基板との間の寄生キャパシタンスＣ４が増大する。その結果、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができる。しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【００３２】
この場合、非磁性導電層が、下部シールド層の基板側の面に積層されていることが好ましい。非磁性導電層がこの基板側の面に積層されていれば、非磁性導電層と基板との距離が小さくなるので寄生キャパシタンスＣ４が大きくなるが、非磁性導電層が十分に薄い場合は、その距離の減少による寄生キャパシタンスＣ４の増大は無視することができる。むしろ、非磁性導電層による対抗面積の増大による寄生キャパシタンスＣ４の増大効果が大きい。
【００３３】
非磁性導電層が、下部シールド層の基板とは反対側の面に積層されていても良い。下部シールド層の層厚が薄ければ、基板との距離がさほど大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ４を増大させる効果が生じる。
【００３４】
Ｃ４（基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンス）がＣ２（上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンス）より大きい場合に、Ｃ２＝Ｃ４とするべく上部シールド層と付加シールド層との実質的な対向面積を増大するために、上部シールド層に電気的に導通しており付加シールド層に対向している非磁性導電層をさらに備えたことも好ましい。
【００３５】
上部シールド層に導通した非磁性の導電層を、付加シールド層に対向するように設けて上部シールド層と付加シールド層との実質的な対向面積を増大させれば、上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２が増大する。その結果、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができる。しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層、付加シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【００３６】
この場合、非磁性導電層が、上部シールド層の付加シールド層側の面に積層されていることが好ましい。付加シールド層側の面に積層されていれば、非磁性導電層と付加シールド層との距離が大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。
【００３７】
非磁性導電層が、上部シールド層の付加シールド層とは反対側の面に積層されていても良い。上部シールド層の層厚が薄ければ、付加シールド層との距離がさほど大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が生じる。
【００３８】
Ｃ４（基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンス）がＣ２（上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンス）より大きい場合に、Ｃ４＝Ｃ２とするべく付加シールド層と上部シールド層との実質的な対向面積を増大するために、付加シールド層に電気的に導通しており上部シールド層に対向している非磁性導電層をさらに備えたことも好ましい。
【００３９】
付加シールド層に導通した非磁性の導電層を、上部シールド層に対向するように設けて付加シールド層と上部シールド層との実質的な対向面積を増大させれば、付加シールド層と上部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２が増大する。その結果、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができる。しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び付加シールド層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【００４０】
この場合、非磁性導電層が、付加シールド層の上部シールド層側の面に積層されていることが好ましい。上部シールド層側の面に積層されていれば、非磁性導電層と上部シールド層との距離が大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。
【００４１】
非磁性導電層が、付加シールド層の上部シールド層とは反対側の面に積層されていても良い。付加シールド層の層厚が薄ければ、上部シールド層との距離がさほど大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が生じる。
【００４２】
ＭＲ読出しヘッド素子が、ＧＭＲ読出しヘッド素子又はＴＭＲ読出しヘッド素子であることが好ましい。
【００４３】
インダクティブ書込みヘッド素子が、水平磁気記録書込みヘッド素子又は垂直磁気記録書込みヘッド素子であることが好ましい。
【００４４】
本発明によれば、さらに、上述した複合型薄膜磁気ヘッドと、この複合型薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。ここで、磁気ヘッドアセンブリとは、書込みヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）とその支持機構とを機械的、電気的に組み立てたアセンブリである。具体例を挙げると、磁気ヘッドスライダとサスペンションとのアセンブリの場合にはヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と称され、磁気ヘッドスライダとこれを支持するサスペンション及び支持アームのアセンブリの場合にはヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）と称され、ＨＡＡが複数積み重ねられる場合にはヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と称されることが多い。
【００４５】
本発明によれば、さらに、少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの上述した磁気ヘッドアセンブリとを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、インダクティブ書込みヘッド素子からＭＲ読出しヘッド素子へ印加されるクロストーク電圧を低減することができ、ＭＲ読出しヘッド素子のクロストーク電圧によるダメージ発生を防止することができ、外来ノイズの影響も受けにくくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図であり、図４は図３の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【００４８】
図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作を制御するための記録再生制御回路をそれぞれ示している。
【００４９】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダ２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４及びＨＧＡ１７を設けるようにしても良い。
【００５０】
図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、インダクティブ書込みヘッド素子及びＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダ２１を固着し、さらにその薄膜磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【００５１】
サスペンション２０は、磁気ヘッドスライダ２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【００５２】
本発明の磁気ヘッドアセンブリにおけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００５３】
図３及び図４に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダ２１は、互いに積層されたＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１からなる複合型磁気ヘッド素子３２と、これらＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１にそれぞれ接続された４つの信号端子電極３３及び３４とを、磁気ヘッドスライダのＡＢＳ３６を底面とした際の１つの側面である素子形成面３７上に備えている。なお、これらの端子電極の位置は、図３の形態に限定されるものではない。
【００５４】
図５は本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。なお、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合である。
【００５５】
例えばアルティック（ＡｌＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等の導電性材料から形成されたスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の下地層５１が積層されており、この下地層５１上に、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）５２が積層されている。
【００５６】
下部シールド層５２は下地層５１を介して基板５０と対向しており、従って、下部シールド層５２及び基板５０が対向電極として機能し、寄生キャパシタンスＣ４がこの部分に発生する。
【００５７】
下部シールド層５２上には、ＣＰＰ構造のＭＲ層５３と、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５４とが積層されている。
【００５８】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３は、ＣＰＰ−ＧＭＲ層の場合、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるフリー層、例えばＣｕ等の非磁性導電材料による非磁性層、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるピンド層及び例えばＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等の反強磁性材料によるピン層の多層構造で構成されている。ＴＭＲ層の場合、上述の非磁性層の代わりに、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｇ又はＺｎの酸化物等の絶縁材料による薄いバリア層が用いられる。ＣＰＰ構造のＭＲ層５３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。また、このＭＲ層５３には、図示されていない磁区制御層等が積層されている。
【００５９】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３及び絶縁層５４上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）５５が積層されている。
【００６０】
下部シールド層５２、ＭＲ層５３、絶縁層５４、上部シールド層５５、磁区制御層及び図示されていないリード導体層等からＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【００６１】
上部シールド層５５上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなるシールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又は金属材料からなり、好ましくは０.０５〜２μｍ程度の厚さの付加シールド層５７が積層されている。
【００６２】
付加シールド層５７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５８が積層されている。
【００６３】
本実施形態においては、インダクティブ書込みヘッド素子で発生した熱がＭＲ読出しヘッド素子側にできるだけ伝達されないように、絶縁層５８をより厚く形成している。
【００６４】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部磁極層（ＳＳ２、本発明の第１の磁極層に対応する）６０が積層されている。
【００６５】
下部磁極層６０上には、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層６１が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）６２の上部磁極部６２ａと、熱硬化されたレジスト等の絶縁材料によるコイル絶縁層６３で覆われたＣｕ等の導電性材料からなる書込みコイル層６４とが積層されている。下部磁極層６０の先端部（ＡＢＳ側の端部）である下部磁極部６０ａと、上部磁極層６２の先端部（ＡＢＳ側の端部）である上部磁極部６２ａとは、記録ギャップ層６１を介して互いに対向している。
【００６６】
なお、本実施形態において、書込みコイル層６４は２層構造となっているが、単層構造又はその他の構造であっても良いことは明らかである。
【００６７】
書込みコイル層６４上には、コイル絶縁層６３を介して上部磁極層６２の上部ヨーク部６２ｂが形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【００６８】
下部磁極層６０、記録ギャップ層６１、上部磁極層６２、コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４等から水平磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【００６９】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【００７０】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【００７１】
本実施形態のように、下部磁極層６０の一部は、付加シールド層５７上に直接的に積層されており、従って、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは互いに電気的に接続されているのが好ましいが、これらは必ずしも互いに接続されていなくとも良い。電気的に接続されている場合、その接続個所は、図５に示すように、付加シールド層５７のＡＢＳとは反対方向側の位置でも良いし、その他の位置でも良い。なお、図５に示した例では、付加シールド層５７は、基板５０と１００Ω以下で電気的に接続されている。
【００７２】
コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４は、下部磁極層６０及び上部磁極層６２を磁気的に連結するバックギャップ部６６より後方（ＡＢＳとは反対方向側）位置にも形成されている。
【００７３】
この後方位置には、ヘッド内で発生する熱を基板側へ逃がすためのヒートシンク層６７が形成されている。このヒートシンク層６７は、下部シールド層５２、上部シールド層５５及び下部磁極層６０とは分離してそれぞれ形成されかつ互いに密着して積層された層５２′、５５′及び６０′からなる積層体として構成されている。このヒートシンク層６７の底部は、下地層５１を一部除去して形成された貫通孔５１ａを通って基板５０に接続されている。
【００７４】
中央断面位置に存在しないため、図５には示されていないが、ヒートシンク層６７と下部磁極層６０とを電気的に接続するストリップ状の薄い接続導体６８が設けられている。図６はこの構成を説明する図であり、中央よりずれた位置の断面を表している。
【００７５】
この接続導体６８は、例えばＣｕ等の導電性材料によって形成されているが、その層厚が例えば０．１μｍと薄く、またその幅がかなり細いため、全体で数Ω程度の電気抵抗を有している。一方、ヒートシンク層６７は金属磁性材料で構成されているため良導電体である。前述したように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは電気的に接続されており、従って、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層６７はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。
【００７６】
図７は本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの概略的な等価回路図であり、図８は図５に示した複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【００７７】
図７に示すように、本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドでは、インダクティブ書込みヘッド素子の書込みコイル６４と下部磁極層（ＳＳ２）６０との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生し、下部磁極層６０又はこれと同電位の付加シールド層５７と上部シールド層（ＳＳ１）５５との間で寄生キャパシタンスＣ２が発生し、上部シールド層５５と下部シールド層（ＳＦ）５２との間で寄生キャパシタンスＣ３が発生し、下部シールド層５２と基板５０との間で寄生キャパシタンスＣ４が発生する。
【００７８】
前にも述べたように、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくするためには、（１）基板５０と下部磁極層６０、従ってこの場合、付加シールド層５７とを同電位となるように構成すると共に、（２）寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくすることが必要となる。
【００７９】
本実施形態においては、図５に示すように、（１）については、接続導体６８及びヒートシンク層６７を用いることにより、下部磁極層６０を介して、基板５０と付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体で接続することによって実現されている。（２）については、絶縁材料の誘電率若しくは層厚、又は対向する電極面積を変えることによって寄生キャパシタンスＣ２及び／又はＣ４を調整し、Ｃ２＝Ｃ４が実現されている。即ち、ε２はシールド中間絶縁層５６の絶縁材料の誘電率、ε４は下地層５１の絶縁材料の誘電率、ｔ２はシールド中間絶縁層５６の層厚、ｔ４は下地層５１の層厚、Ｓ２は付加シールド層５７と上部シールド層５５との互いに対向する部分の電極面積、Ｓ４は下部シールド層５２と基板５０との互いに対向する部分の電極面積とすると、寄生キャパシタンスＣ２及びＣ４は、
Ｃ２＝ε２×Ｓ２／ｔ２、Ｃ４＝ε４×Ｓ４／ｔ４
で与えられ、従って、ε２、ε４、ｔ２、ｔ４、Ｓ２及び／又はＳ４を調整することによって、Ｃ２＝Ｃ４となる。
【００８０】
図９は、図１に示したＨＤＤの記録再生制御回路１３の回路構成を示すブロック図である。
【００８１】
同図において、９０は記録再生回路、９２はＣＰＵをそれぞれ示している。記録再生回路９０は、記録再生チャネル９０ａと、プリアンプ部９０ｂとを有している。
【００８２】
記録再生チャネル９０ａから出力される記録データは、プリアンプ部９０ｂに供給される。プリアンプ部９０ｂは、ＣＰＵ９２から出力された記録制御信号をライトゲート９０ｂ１で受け取り、この記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データに従った書込み電流をインダクティブ書込みヘッド素子のコイル層６４に流し、これによって磁気ディスク上に記録が行なわれる。
【００８３】
また、ＣＰＵ９２から出力されてリードゲート９０ｂ２で受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部９０ｂからＭＲ読出しヘッド素子のＭＲ層５３にセンス電流が流れる。ＭＲ読出しヘッド素子から出力され、出力安定化のためのオートゲインコントローラ（ＡＧＣ）９０ｂ３を介してプリアンプ部９０ｂに入力された再生信号は、増幅復調されて再生データとなり、記録再生チャネル９０ａに送られる。
【００８４】
記録再生制御回路１３の回路構成は、図９に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録再生制御信号以外の信号で書込み及び読出し動作を特定してもよい。
【００８５】
本実施形態によれば、インダクティブ書込みヘッド素子で発生した熱がＭＲ読出しヘッド素子側にできるだけ伝達されないように、絶縁層５８を厚くした場合にも、インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層６０とＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５との間に付加シールド層５７を形成しているので、インダクティブ書込みヘッド素子からＭＲ読出しヘッド素子へ印加されるクロストーク電圧を低減することができる。その結果、インダクティブ書込みヘッド素子の発熱によるＭＲ読出しヘッド素子の劣化、並びにＭＲ読出しヘッド素子のクロストーク電圧によるダメージ発生を防止することができる。
【００８６】
このようにインダクティブ書込みヘッド素子から読出しヘッド素子への直接的なクロストーク電圧を低減することより、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、そのバリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。
【００８７】
しかも、この場合、基板５０と付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体６９で接続しているので、基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、Ｃ２やＣ４を介して外来ノイズが侵入しても、上部電極（ＳＳ１）と下部電極（ＳＦ）との間で、ノイズによる電位差はキャンセルされてほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【００８８】
図１０は寄生キャパシタンスの比Ｃ２／Ｃ４をパラメータとした場合の、再生信号信号周波数（ＭＨｚ）に対する再生信号に含まれる外来ノイズ（Ｖ）の特性を表した図である。
【００８９】
同図からも明らかのように、Ｃ２／Ｃ４＝１の場合は、ノイズがほとんど発生していない。
【００９０】
図１１は基板５０と付加シールド層５７と間の抵抗体の抵抗値をパラメータとした場合の、寄生キャパシタンスの比Ｃ２／Ｃ４に対するクロストーク電圧（％）の特性を表した図である。
【００９１】
同図から、抵抗体の抵抗値が１００Ω以下であり、かつＣ２／Ｃ４＝１の場合は、クロストークは発生していない。
【００９２】
図１２は本発明の他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【００９３】
本実施形態では、下部磁極層６０と付加シールド層５７とが電気的に接続されていない。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１２において、図８と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【００９４】
図８の場合と同様に、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５上には、シールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、付加シールド層５７が積層されている。さらに、この付加シールド層５７上には、絶縁層５８が積層されている。
【００９５】
本実施形態のごとく、下部磁極層６０と付加シールド層５７とが電気的に接続されていない場合には、接続導体６８を付加シールド層５７に直接接続する。このように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とが導通していない場合は、書込みヘッド素子の書込みコイル６４と付加シールド層５７との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生する恐れがあるが、本実施形態のように接続することによって、付加シールド層５７と基板５０とが１００Ω以下で電気的に接続されることとなる。
【００９６】
本実施形態における作用効果等は、図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００９７】
図１３は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【００９８】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１３において、図８と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【００９９】
図８の場合と同様に、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５上には、シールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、付加シールド層５７が積層されている。さらに、この付加シールド層５７上には、絶縁層５８が積層されている。
【０１００】
この絶縁層５８内の上方には、隣接トラック消去（ＡＴＥ）を回避するべく書込み磁束を誘導するバッキングコイル層１３０が形成されている。
【０１０１】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる主磁極層（本発明の第１の磁極層に対応する）１３１が積層されている。この主磁極層１３１は、例えばＣｕ等の導電材料からなる書込みコイル層１３２によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極層１３１上には、例えば熱硬化されたレジスト等の絶縁材料からなるコイル絶縁層１３３が形成されており、その内部に、書込みコイル層１３２が形成されている。
【０１０２】
このコイル絶縁層１３３を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなり、リターンヨークを構成する補助磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）１３４が形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０１０３】
バッキングコイル層１３０及び書込みコイル層１３２は、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【０１０４】
主磁極層１３１、補助磁極層１３４、コイル絶縁層１３３、書込みコイル層１３２及びバッキングコイル層１３０等から垂直磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０１０５】
主磁極層１３１の磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は小さく設定されており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１３４の磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１３４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部となっており、このトレーリングシールド部と主磁極層１３１との間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくするように構成されている。
【０１０６】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０１０７】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び主磁極層１３１のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０１０８】
本実施形態において、主磁極層１３１と付加シールド層５７とは、互いに電気的に接続されているのが好ましい。しかしながら、変更態様として、これらは必ずしも、接続されていなくとも良い。本実施形態において、付加シールド層５７は、接続導体６８及びヒートシンク層６７（図示なし）を介して基板５０に接続されており、これにより、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。
【０１０９】
本実施形態における作用効果等は、図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０１１０】
図１４は本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０１１１】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態、図１２の実施形態及び図１３の実施形態の場合と全く同様である。従って、図１４において、図８、図１２及び図１３と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。本実施形態における作用効果等についても、図１〜図１１の実施形態、図１２の実施形態及び図１３の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０１１２】
図１５は本発明のさらに他の実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図１６は図１５のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。本実施形態におけるＨＧＡの構成例は図２に示したものと同様であり、複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た構成は図４に示したものと同様である。なお、本実施形態において、図１〜図１１の実施形態の場合と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【０１１３】
図１５において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３′は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作及び発熱動作を制御するための記録再生及び電流制御回路をそれぞれ示している。
【０１１４】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダ２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４及びＨＧＡ１７を設けるようにしても良い。
【０１１５】
ＨＧＡは、図２に示すように、サスペンション２０の先端部に、インダクティブ書込みヘッド素子及びＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダ２１を固着し、さらにその薄膜磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【０１１６】
サスペンション２０は、磁気ヘッドスライダ２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【０１１７】
本発明の磁気ヘッドアセンブリにおけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【０１１８】
図１６及び図４に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダ２１は、互いに積層されたＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１からなる複合型磁気ヘッド素子３２と、これらＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１にそれぞれ接続された４つの信号端子電極３３及び３４と、図１６には示されていない抵抗発熱体用の２つの駆動端子電極３５とを、磁気ヘッドスライダのＡＢＳ３６を底面とした際の１つの側面である素子形成面３７上に備えている。抵抗発熱体の両端が２つの駆動端子電極３５に接続されている。なお、これらの端子電極の位置は、図１６の形態に限定されるものではない。また、図１６において端子電極は６つであるが、抵抗発熱体の一端を１つの駆動端子電極に接続し、他端をスライダ基板に接地して５つの端子電極とした形態であっても良い。
【０１１９】
図１７は本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。なお、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合である。
【０１２０】
例えばアルティック（ＡｌＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等の導電性材料から形成されたスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の下地層５１が積層されており、この下地層５１上に、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）５２が積層されている。
【０１２１】
下部シールド層５２は下地層５１を介して基板５０と対向しており、従って、下部シールド層５２及び基板５０が対向電極として機能し、寄生キャパシタンスＣ４がこの部分に発生する。
【０１２２】
下部シールド層５２上には、ＣＰＰ構造のＭＲ層５３と、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５４とが積層されている。
【０１２３】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３は、ＣＰＰ−ＧＭＲ層の場合、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるフリー層、例えばＣｕ等の非磁性導電材料による非磁性層、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるピンド層及び例えばＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等の反強磁性材料によるピン層の多層構造で構成されている。ＴＭＲ層の場合、上述の非磁性層の代わりに、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｇ又はＺｎの酸化物等の絶縁材料による薄いバリア層が用いられる。ＣＰＰ構造のＭＲ層５３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。また、このＭＲ層５３には、図示されていない磁区制御層等が積層されている。
【０１２４】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３及び絶縁層５４上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）５５が積層されている。
【０１２５】
下部シールド層５２、ＭＲ層５３、絶縁層５４、上部シールド層５５、磁区制御層及び図示されていないリード導体層等からＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【０１２６】
上部シールド層５５上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなるシールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又は金属材料からなり、好ましくは０.０５〜２μｍ程度の厚さの付加シールド層５７が積層されている。
【０１２７】
付加シールド層５７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５８が積層されており、この絶縁層５８内には、抵抗発熱体５９が形成されている。
【０１２８】
抵抗発熱体５９は、ストリップ形状であっても良いし、その他の形状、例えば、１ターン又はマルチターンの、丸でも角でもヘリカルのコイル形状でもあっても良い。ストリップ形状の場合、例えば、０.１〜５μｍ程度の厚さと、０.１〜２０.０μｍ程度のトラック幅方向の幅を有しており、例えば、ＮｉＣｕを含む材料から形成される。ここで、ＮｉＣｕにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約１５〜約６０原子％であり、好ましくは２５〜４５原子％である。また、このＮｉＣｕに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。また、抵抗発熱体５９を、例えば、ＮｉＣｒを含む材料で形成しても良い。この場合、ＮｉＣｒにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約５５〜約９０原子％であり、好ましくは７０〜８５原子％である。また、このＮｉＣｒに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。さらに、抵抗発熱体５９を、例えば、Ｔａ単体又はＴａを含む材料から形成しても良い。ここで、Ｔａに対する添加物として、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。
【０１２９】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部磁極層（ＳＳ２、本発明の第１の磁極層に対応する）６０が積層されている。
【０１３０】
下部磁極層６０上には、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層６１が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）６２の上部磁極部６２ａと、熱硬化されたレジスト等の絶縁材料によるコイル絶縁層６３で覆われたＣｕ等の導電性材料からなる書込みコイル層６４とが積層されている。下部磁極層６０の先端部（ＡＢＳ側の端部）である下部磁極部６０ａと、上部磁極層６２の先端部（ＡＢＳ側の端部）である上部磁極部６２ａとは、記録ギャップ層６１を介して互いに対向している。
【０１３１】
なお、本実施形態において、書込みコイル層６４は２層構造となっているが、単層構造又はその他の構造であっても良いことは明らかである。
【０１３２】
書込みコイル層６４上には、コイル絶縁層６３を介して上部磁極層６２の上部ヨーク部６２ｂが形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０１３３】
下部磁極層６０、記録ギャップ層６１、上部磁極層６２、コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４等から水平磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０１３４】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０１３５】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０１３６】
本実施形態のように、下部磁極層６０の一部は、付加シールド層５７上に直接的に積層されており、従って、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは互いに電気的に接続されているのが好ましいが、変更態様として、これらは必ずしも、接続されていなくとも良い。電気的に接続されている場合、その接続個所は、図１７に示すように、付加シールド層５７のＡＢＳとは反対方向側の位置でも良いし、その他の位置でも良い。なお、図１７に示した例では、付加シールド層５７は、基板５０と１００Ω以下で電気的に接続されている。
【０１３７】
コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４は、下部磁極層６０及び上部磁極層６２を磁気的に連結するバックギャップ部６６より後方（ＡＢＳとは反対方向側）位置にも形成されている。
【０１３８】
この後方位置には、ヘッド内で発生する熱を基板側へ逃がすためのヒートシンク層６７が形成されている。このヒートシンク層６７は、下部シールド層５２、上部シールド層５５及び下部磁極層６０とは分離してそれぞれ形成されかつ互いに密着して積層された層５２′、５５′及び６０′からなる積層体として構成されている。このヒートシンク層６７の底部は、下地層５１を一部除去して形成された貫通孔５１ａを通って基板５０に接続されている。
【０１３９】
中央断面位置に存在しないため、図５には示されていないが、ヒートシンク層６７と下部磁極層６０とを電気的に接続するストリップ状の薄い接続導体６８が設けられている。図６はこの構成を説明する図であり、中央よりずれた位置の断面を表している。
【０１４０】
この接続導体６８は、例えばＣｕ等の導電性材料によって形成されているが、その層厚が例えば０．１μｍと薄く、またその幅がかなり細いため、全体で数Ω程度の電気抵抗を有している。一方、ヒートシンク層６７は金属磁性材料で構成されているため良導電体である。前述したように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは電気的に接続されており、従って、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層６７はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。下部磁極層６０と付加シールド層５７とが電気的に接続されていない変更態様においては、接続導体６８を付加シールド層５７に直接接続するように構成しても良い。
【０１４１】
本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの概略的な等価回路は図７に示すものと同様である。また、図１８は本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０１４２】
図７及び図１８に示すように、本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドでは、インダクティブ書込みヘッド素子の書込みコイル６４と下部磁極層（ＳＳ２）６０との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生し、下部磁極層６０又はこれと同電位の付加シールド層５７と上部シールド層（ＳＳ１）５５との間で寄生キャパシタンスＣ２が発生し、上部シールド層５５と下部シールド層（ＳＦ）５２との間で寄生キャパシタンスＣ３が発生し、下部シールド層５２と基板５０との間で寄生キャパシタンスＣ４が発生する。
【０１４３】
前にも述べたように、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくするためには、（１）基板５０と下部磁極層６０、従ってこの場合付加シールド層５７とを同電位となるように構成すると共に、（２）寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくすることが必要となる。
【０１４４】
本実施形態においては、図１６に示すように、（１）については、接続導体６８及びヒートシンク層６７を用いることにより、下部磁極層６０を介して、基板５０と付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体で接続することによって実現されている。（２）については、絶縁材料の誘電率若しくは層厚、又は対向する電極面積を変えることによって寄生キャパシタンスＣ２及び／又はＣ４を調整し、Ｃ２＝Ｃ４が実現されている。即ち、ε２はシールド中間絶縁層５６の絶縁材料の誘電率、ε４は下地層５１の絶縁材料の誘電率、ｔ２はシールド中間絶縁層５６の層厚、ｔ４は下地層５１の層厚、Ｓ２は付加シールド層５７と上部シールド層５５との互いに対向する部分の電極面積、Ｓ４は下部シールド層５２と基板５０との互いに対向する部分の電極面積とすると、寄生キャパシタンスＣ２及びＣ４は、
Ｃ２＝ε２×Ｓ２／ｔ２、Ｃ４＝ε４×Ｓ４／ｔ４
で与えられ、従って、ε２、ε４、ｔ２、ｔ４、Ｓ２及び／又はＳ４を調整することによって、Ｃ２＝Ｃ４となる。
【０１４５】
図１８に示すように、抵抗発熱体５９は、リード導体６９によって２つの駆動端子電極３５間に接続されている。リード導体６９は、Ｃｕ等の良導体から形成されているが、抵抗発熱体５９と同じ材料で形成しても良い。
【０１４６】
図１９は、図１５に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路１３′の回路構成を示すブロック図である。
【０１４７】
同図において、９０は記録再生回路、９１は電流制御回路、９２はＣＰＵをそれぞれ示している。記録再生回路９０は、記録再生チャネル９０ａと、プリアンプ部９０ｂとを有している。電流制御回路９１は、レジスタ９１ａと、Ｄ／Ａ変換器９１ｂと、電流制御部９１ｃとを有している。
【０１４８】
記録再生チャネル９０ａから出力される記録データは、プリアンプ部９０ｂに供給される。プリアンプ部９０ｂは、ＣＰＵ９２から出力された記録制御信号をライトゲート９０ｂ１で受け取り、この記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データに従った書込み電流をインダクティブ書込みヘッド素子のコイル層６４に流し、これによって磁気ディスク上に記録が行なわれる。
【０１４９】
また、ＣＰＵ９２から出力されてリードゲート９０ｂ２で受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部９０ｂからＭＲ読出しヘッド素子のＭＲ層５３にセンス電流が流れる。ＭＲ読出しヘッド素子から出力され、出力安定化のためのオートゲインコントローラ（ＡＧＣ）９０ｂ３を介してプリアンプ部９０ｂに入力された再生信号は、増幅復調されて再生データとなり、記録再生チャネル９０ａに送られる。
【０１５０】
電流制御回路９１の電流制御部９１ｃは、記録再生チャネル９０ａから出力される抵抗発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号と、ＣＰＵ９２からレジスタ９１ａ及びＤ／Ａ変換器９１ｂを介して出力される電流値制御信号とを受け取る。この抵抗発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作指示である場合、抵抗発熱体５９に駆動電流が流れる。その電流値は、電流値制御信号に応じた値に制御される。
【０１５１】
このように、記録再生回路９０とは独立して、電流制御回路９１を設けることによって、より多様な通電モードを用いることが可能となる。さらに、ＣＰＵ９２は、電流制御回路９１と記録再生回路９０とを制御しているので、読出し及び／又は書込み動作とタイミングを合わせて抵抗発熱体５９へ通電することが可能となる。
【０１５２】
記録再生及び電流制御回路１３′の回路構成は、図１９に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録再生制御信号以外の信号で書込み及び読出し動作を特定してもよい。
【０１５３】
抵抗発熱体５９に流される電流によって、ジュール熱が発生し、これを取り囲む絶縁層５８が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の部分を磁気ディスク方向に突出させる。
【０１５４】
本実施形態によれば、抵抗発熱体５９をＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５とインダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層６０との間に設けた場合にも、この抵抗発熱体５９と上部シールド層５５との間に付加シールド層５７を形成しているので、抵抗発熱体５９からＭＲ読出しヘッド素子へ印加されるクロストーク電圧を低減することができる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子のクロストーク電圧によるダメージ発生を防止することができる。
【０１５５】
このように抵抗発熱体５９から読出しヘッド素子への直接的なクロストーク電圧を低減することより、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、そのバリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。
【０１５６】
しかも、この場合、基板５０と付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体６９で接続しているので、基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、Ｃ２やＣ４を介して外来ノイズが侵入しても、上部電極（ＳＳ１）と下部電極（ＳＦ）との間で、ノイズによる電位差はキャンセルされてほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０１５７】
図２０は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０１５８】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図１５〜図１９の実施形態の場合と全く同様である。従って、図２０において、図１８と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【０１５９】
図１８の場合と同様に、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５上には、シールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、付加シールド層５７が積層されている。さらに、この付加シールド層５７上には、絶縁層５８が積層されており、この絶縁層５８内に、抵抗発熱体５９が形成されている。
【０１６０】
この絶縁層５８内の抵抗発熱体５９の上方には、隣接トラック消去（ＡＴＥ）を回避するべく書込み磁束を誘導するバッキングコイル層１３０が形成されている。
【０１６１】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる主磁極層（本発明の第１の磁極層に対応する）１３１が積層されている。この主磁極層１３１は、例えばＣｕ等の導電材料からなる書込みコイル層１３２によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極層１３１上には、例えば熱硬化されたレジスト等の絶縁材料からなるコイル絶縁層１３３が形成されており、その内部に、書込みコイル層１３２が形成されている。
【０１６２】
このコイル絶縁層１３３を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなり、リターンヨークを構成する補助磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）１３４が形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０１６３】
バッキングコイル層１３０及び書込みコイル層１３２は、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【０１６４】
主磁極層１３１、補助磁極層１３４、コイル絶縁層１３３、書込みコイル層１３２及びバッキングコイル層１３０等から垂直磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０１６５】
主磁極層１３１の磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は小さく設定されており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１３４の磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１３４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部となっており、このトレーリングシールド部と主磁極層１３１との間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくするように構成されている。
【０１６６】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０１６７】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び主磁極層１３１のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０１６８】
抵抗発熱体５９の両端は、図２０には示されていないリード導体６９によってこれも図２０には示されていない２つの駆動端子電極３５間に接続されている。
【０１６９】
本実施形態において、主磁極層１３１と付加シールド層５７とは、互いに電気的に接続されているのが好ましい。しかしながら、変更態様として、これらは必ずしも、接続されていなくとも良い。本実施形態において、付加シールド層５７は、接続導体６８及びヒートシンク層６７（図示なし）を介して基板５０に接続されており、これにより、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。
【０１７０】
本実施形態における作用効果等は、図１５〜図１９の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０１７１】
図２１は本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０１７２】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図１５〜図１９の実施形態及び図２０の実施形態の場合と全く同様である。従って、図２１において、図１８及び図２０と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。本実施形態における作用効果等についても、図１５〜図１９の実施形態及び図２０の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０１７３】
図２２は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。本実施形態における磁気ディスクドライブ装置の構成例は図１に示したものと同様であり、ＨＧＡの構成例は図２に示したものと同様であり、複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た構成は図４に示したものと同様である。なお、本実施形態において、図１〜図１１の実施形態の場合と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合である。
【０１７４】
例えばアルティック（ＡｌＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等の導電性材料から形成されたスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダは、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の下地層５１が積層されており、この下地層５１上に、例えばＴｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｃｕ等の非磁性導電材料からなる非磁性導電層２２０が付加的に積層されており、さらにその上に、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）５２が積層されている。
【０１７５】
一般に、下部シールド層５２は下地層５１を介して基板５０と対向しており、従って、下部シールド層５２及び基板５０が対向電極として機能し、寄生キャパシタンスＣ４がこの部分に発生する。しかしながら本実施形態では、非磁性導電層２２０が下部シールド層５２の基板５０側の面に積層されているので、この非磁性導電層２２０と基板５０とがこの寄生キャパシタンスＣ４を発生する対向電極として働く。
【０１７６】
非磁性導電層２２０を下部シールド層５２の外形サイズより大きな外形サイズを有しているとすれば、下部シールド層５２の基板５０に対する実質的な対向面積、即ちこの寄生キャパシタンスＣ４を発生する対向電極面積が増大する。下部シールド層５２の層厚が例えば２μｍ程度であるのに対し、非磁性導電層２２０の層厚は例えば０．１μｍ程度である。
【０１７７】
下部シールド層５２上には、ＣＰＰ構造のＭＲ層５３と、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５４とが積層されている。
【０１７８】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３は、ＣＰＰ−ＧＭＲ層の場合、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるフリー層、例えばＣｕ等の非磁性導電材料による非磁性層、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるピンド層及び例えばＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等の反強磁性材料によるピン層の多層構造で構成されている。ＴＭＲ層の場合、上述の非磁性層の代わりに、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｇ又はＺｎの酸化物等の絶縁材料による薄いバリア層が用いられる。ＣＰＰ構造のＭＲ層５３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。また、このＭＲ層５３には、図示されていない磁区制御層等が積層されている。
【０１７９】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３及び絶縁層５４上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）５５が積層されている。
【０１８０】
非磁性導電層２２０、下部シールド層５２、ＭＲ層５３、絶縁層５４、上部シールド層５５、磁区制御層及び図示されていないリード導体層等からＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【０１８１】
上部シールド層５５上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなるシールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又は金属材料からなり、好ましくは０.０５〜２μｍ程度の厚さの付加シールド層５７が積層されている。
【０１８２】
付加シールド層５７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５８が積層されている。
【０１８３】
本実施形態においては、インダクティブ書込みヘッド素子で発生した熱がＭＲ読出しヘッド素子側にできるだけ伝達されないように、絶縁層５８をより厚く形成している。
【０１８４】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部磁極層（ＳＳ２、本発明の第１の磁極層に対応する）６０が積層されている。
【０１８５】
下部磁極層６０上には、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層６１が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）６２の上部磁極部６２ａと、熱硬化されたレジスト等の絶縁材料によるコイル絶縁層６３で覆われたＣｕ等の導電性材料からなる書込みコイル層６４とが積層されている。下部磁極層６０の先端部（ＡＢＳ側の端部）である下部磁極部６０ａと、上部磁極層６２の先端部（ＡＢＳ側の端部）である上部磁極部６２ａとは、記録ギャップ層６１を介して互いに対向している。
【０１８６】
なお、本実施形態において、書込みコイル層６４は２層構造となっているが、単層構造又はその他の構造であっても良いことは明らかである。
【０１８７】
書込みコイル層６４上には、コイル絶縁層６３を介して上部磁極層６２の上部ヨーク部６２ｂが形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０１８８】
下部磁極層６０、記録ギャップ層６１、上部磁極層６２、コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４等から水平磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０１８９】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０１９０】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０１９１】
本実施形態のように、下部磁極層６０の一部は、付加シールド層５７上に直接的に積層されており、従って、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは互いに電気的に接続されているのが好ましいが、これらは必ずしも互いに接続されていなくとも良い。電気的に接続されている場合、その接続個所は、図２２に示すように、付加シールド層５７のＡＢＳとは反対方向側の位置でも良いし、その他の位置でも良い。なお、図２２に示した例では、付加シールド層５７は、基板５０と１００Ω以下で電気的に接続されている。
【０１９２】
コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４は、下部磁極層６０及び上部磁極層６２を磁気的に連結するバックギャップ部６６より後方（ＡＢＳとは反対方向側）位置にも形成されている。
【０１９３】
この後方位置には、ヘッド内で発生する熱を基板側へ逃がすためのヒートシンク層６７が形成されている。このヒートシンク層６７は、下部シールド層５２、上部シールド層５５及び下部磁極層６０とは分離してそれぞれ形成されかつ互いに密着して積層された層５２′、５５′及び６０′からなる積層体として構成されている。このヒートシンク層６７の底部は、下地層５１を一部除去して形成された貫通孔５１ａを通って基板５０に接続されている。
【０１９４】
中央断面位置に存在しないため、図２２には示されていないが、ヒートシンク層６７と下部磁極層６０とを電気的に接続するストリップ状の薄い接続導体６８が設けられている。図２３はこの構成を説明する図であり、中央よりずれた位置の断面を表している。
【０１９５】
この接続導体６８は、例えばＣｕ等の導電性材料によって形成されているが、その層厚が例えば０．１μｍと薄く、またその幅がかなり細いため、全体で数Ω程度の電気抵抗を有している。一方、ヒートシンク層６７は金属磁性材料で構成されているため良導電体である。前述したように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは電気的に接続されており、従って、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層６７はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。
【０１９６】
本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの概略的な等価回路は図７に示すものと同様である。また、図２４及び図２５は図２２に示した複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。ただし、図２４はＡＢＳと垂直方向の断面を示す図であり、図２５はＡＢＳ方向から見た図である。
【０１９７】
図７、図２４及び図２５に示すように、本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドでは、インダクティブ書込みヘッド素子の書込みコイル６４と下部磁極層（ＳＳ２）６０との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生し、下部磁極層６０又はこれと同電位の付加シールド層５７と上部シールド層（ＳＳ１）５５との間で寄生キャパシタンスＣ２が発生し、上部シールド層５５と下部シールド層（ＳＦ）５２との間で寄生キャパシタンスＣ３が発生し、非磁性導電層２２０と基板５０との間で寄生キャパシタンスＣ４が発生する。
【０１９８】
前にも述べたように、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくするためには、（１）基板５０と下部磁極層６０、従ってこの場合、付加シールド層５７とを同電位となるように構成すると共に、（２）寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくすることが必要となる。
【０１９９】
本実施形態においては、（１）については、接続導体６８及びヒートシンク層６７を用いることにより、下部磁極層６０を介して、基板５０と付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体で接続することによって実現されている。（２）については、非磁性導電層２２０と基板５０との互いに対向する部分の電極面積を変えて、より具体的には、非磁性導電層２２０を下部シールド層５２の基板５０側の面に積層することで、電極面積Ｓ４を増大させ、寄生キャパシタンスＣ４を増大させることで調整を行って、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、ε２はシールド中間絶縁層５６の絶縁材料の誘電率、ε４は下地層５１の絶縁材料の誘電率、ｔ２はシールド中間絶縁層５６の層厚、ｔ４は下地層５１の層厚、Ｓ２は付加シールド層５７と上部シールド層５５との互いに対向する部分の電極面積、Ｓ４は非磁性導電層２２０と基板５０との互いに対向する部分の電極面積とすると、寄生キャパシタンスＣ２及びＣ４は、
Ｃ２＝ε２×Ｓ２／ｔ２、Ｃ４＝ε４×Ｓ４／ｔ４
で与えられ、従って、本実施例では、Ｓ４を調整することによって、Ｃ２＝Ｃ４となる。
【０２００】
下地層５１及びシールド中間絶縁層５６の層厚は、書込み時の熱による磁極隆起を抑えるための放熱効率を考えると必要以上に厚くはできず、また、製造時間に係る量産性の点からは薄いほど良い。逆に、チャージアップによって絶縁破壊を防ぐためには、あまり薄すぎてもいけない。下地層５１は表面平坦性がさほど良くない基板５０上に成膜されるため、絶縁性の観点からＡｌ２Ｏ３で構成した場合、０．３μｍ程度の層厚を最小限維持する必要がある。従って、この層厚を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に難しい。シールド中間絶縁層５６は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって表面平坦性が改善された表面上に成膜されるので、０．３μｍより薄くすることができるが、これによって寄生キャパシタンスＣ２は増大してしまう。下地層５１及びシールド中間絶縁層５６として誘電率ε４及びε２が互いに異なる絶縁材料を用いることもできるが、生産性の観点から、同じ材料を用いることが好ましい。下部シールド層（ＳＦ）５２、上部シールド層（ＳＳ１）５５及び付加シールド層５７自体の形状及び面積を変えることによって互いに対向する部分の電極面積を調整することも考えられるが、これらは、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性に大きく影響するため、自由に変更することが非常に困難である。従って、これらの形状及び面積等を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に困難である。
【０２０１】
本実施形態では、下部シールド層５２に導通した非磁性の導電層２２０を基板５０に対向するように付加することによって、下部シールド層５２と基板５０との実質的な対向面積を増大させ、寄生キャパシタンスＣ４を増大させている。従って、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができ、しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【０２０２】
さらに、本実施形態のように、非磁性導電層２２０を下部シールド層５２の基板５０側の面に積層することにより、非磁性導電層２２０と基板５０との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ４を増大させる効果が大きい。非磁性導電層２２０がこの基板５０側の面に積層されていれば、非磁性導電層２２０と基板５０との距離が小さくなるので寄生キャパシタンスＣ４が大きくなるが、非磁性導電層２２０が十分に薄い場合は、その距離の減少による寄生キャパシタンスＣ４の増大は無視することができる。むしろ、非磁性導電層２２０による対抗面積の増大による寄生キャパシタンスＣ４の増大効果が大きい。
【０２０３】
寄生キャパシタンスＣ４を大きくすれば、寄生キャパシタンスＣ２を大きくしても良いので、シールド中間絶縁層５６をより薄くすることも可能である。
【０２０４】
本実施形態のごとく、基板５０と下部磁極層６０、従って付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層５２及び上部シールド層５５間の外来ノイズによる電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０２０５】
本実施形態におけるその他の作用効果等は、図１〜図１１の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２０６】
図２６は本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０２０７】
本実施形態では、下部磁極層６０と付加シールド層５７とが電気的に接続されていない。本実施形態におけるその他の構成は図２２〜図２５の実施形態の場合と全く同様である。従って、図２６において、図２４及び図２５と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【０２０８】
図２４及び図２５の場合と同様に、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５上には、シールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、付加シールド層５７が積層されている。さらに、この付加シールド層５７上には、絶縁層５８が積層されている。
【０２０９】
本実施形態のごとく、下部磁極層６０と付加シールド層５７とが電気的に接続されていない場合には、接続導体６８を付加シールド層５７に直接接続する。このように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とが導通していない場合は、書込みヘッド素子の書込みコイル６４と付加シールド層５７との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生する恐れがあるが、本実施形態のように接続することによって、付加シールド層５７と基板５０とが１００Ω以下で電気的に接続されることとなる。
【０２１０】
本実施形態における作用効果等は、図１〜図１１の実施形態及び図２２〜図２５の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２１１】
図２７は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【０２１２】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図２２〜図２５の実施形態の場合と全く同様である。従って、図２７において、図２４及び図２５と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【０２１３】
図２４及び図２５の場合と同様に、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５上には、シールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、付加シールド層５７が積層されている。さらに、この付加シールド層５７上には、絶縁層５８が積層されている。
【０２１４】
この絶縁層５８内の上方には、ＡＴＥを回避するべく書込み磁束を誘導するバッキングコイル層１３０が形成されている。
【０２１５】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる主磁極層（本発明の第１の磁極層に対応する）１３１が積層されている。この主磁極層１３１は、例えばＣｕ等の導電材料からなる書込みコイル層１３２によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極層１３１上には、例えば熱硬化されたレジスト等の絶縁材料からなるコイル絶縁層１３３が形成されており、その内部に、書込みコイル層１３２が形成されている。
【０２１６】
このコイル絶縁層１３３を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなり、リターンヨークを構成する補助磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）１３４が形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０２１７】
バッキングコイル層１３０及び書込みコイル層１３２は、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【０２１８】
主磁極層１３１、補助磁極層１３４、コイル絶縁層１３３、書込みコイル層１３２及びバッキングコイル層１３０等から垂直磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０２１９】
主磁極層１３１の磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は小さく設定されており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１３４の磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１３４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部となっており、このトレーリングシールド部と主磁極層１３１との間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくするように構成されている。
【０２２０】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０２２１】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び主磁極層１３１のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０２２２】
本実施形態において、主磁極層１３１と付加シールド層５７とは、互いに電気的に接続されているのが好ましい。しかしながら、変更態様として、これらは必ずしも、接続されていなくとも良い。本実施形態において、付加シールド層５７は、接続導体６８及びヒートシンク層６７（図示なし）を介して基板５０に接続されており、これにより、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。
【０２２３】
本実施形態における作用効果等は、図１〜図１１の実施形態及び図２２〜図２５の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２２４】
図２８は本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０２２５】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態、図２２〜図２５の実施形態及び図２７の実施形態の場合と全く同様である。従って、図２８において、図２４及び図２７と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。本実施形態における作用効果等についても、図１〜図１１の実施形態、図２２〜図２５の実施形態及び図２７の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２２６】
図２９は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ方向から見た構成を模式的に示した図である。
【０２２７】
本実施形態では、非磁性導電層２９０を上部シールド層（ＳＳ１）５５の付加シールド層５７側の面に付加的に積層している。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態及び図２２〜２５の実施形態の場合と全く同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。
【０２２８】
寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくするために、本実施形態では、非磁性導電層２９０と付加シールド層５７との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ２を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、本実施形態は、上部シールド層（ＳＳ１）５５が付加シールド層５７に比してその対向面積が小さい場合に、非磁性導電層２９０を上部シールド層５５の付加シールド層５７側の面に積層することで、電極面積Ｓ２を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させることで、Ｃ２＝Ｃ４を実現しているのである。この方法によれば、Ｃ２＝Ｃ４の調整が容易となる。さらに、この導電層は非磁性であり、下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【０２２９】
さらにまた、本実施形態のように、非磁性導電層２９０を上部シールド層５５の付加シールド層５７側の面に積層することにより、非磁性導電層２９０と付加シールド層５７との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。非磁性導電層２９０がこの付加シールド層５７側の面に積層されていれば、非磁性導電層２９０と付加シールド層５７との距離が小さくなるので寄生キャパシタンスＣ２が大きくなるが、非磁性導電層２９０が十分に薄い場合は、その距離の減少による寄生キャパシタンスＣ２の増大は無視することができる。むしろ、非磁性導電層２９０による対抗面積の増大による寄生キャパシタンスＣ２の増大効果が大きい。
【０２３０】
本実施形態のごとく、基板５０と下部磁極層６０とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層５２及び上部シールド層５５間の外来ノイズによる電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０２３１】
本実施形態におけるその他の作用効果等は、図１〜図１１の実施形態及び図２２〜図２５の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２３２】
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層２９０を上部シールド層５５の付加シールド層５７とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、Ｃ２＜Ｃ４でありかつシールド中間絶縁層５６を薄くできない場合、Ｃ２＝Ｃ４とするためには寄生キャパシタンスＣ２をさらに増大させる必要がある。このような場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ２を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
【０２３３】
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層２９０を上部シールド層５５に積層することなく付加シールド層５７と対向させかつ上部シールド層５５に電気的に導通させるような構成としても良い。
【０２３４】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図２６の実施形態のように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とを電気的に接続しないように構成しても良い。
【０２３５】
本実施形態のまたさらに他の変更態様として、図２７の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０２３６】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図２８の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０２３７】
図３０は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ方向から見た構成を模式的に示した図である。
【０２３８】
本実施形態では、非磁性導電層３００を付加シールド層５７の上部シールド層５５側の面に付加的に積層している。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１１の実施形態、図２２〜図２５の実施形態及び図２９の実施形態の場合と全く同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。
【０２３９】
寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくするために、本実施形態では、非磁性導電層３００と上部シールド層５５との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ２を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、本実施形態は、付加シールド層５７が上部シールド層（ＳＳ１）５５に比してその対向面積が小さい場合に、非磁性導電層３００を付加シールド層５７の上部シールド層５５側の面に積層することで、電極面積Ｓ２を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させることで、Ｃ２＝Ｃ４を実現しているのである。この方法によれば、Ｃ２＝Ｃ４の調整が容易となる。さらに、この導電層は非磁性であり、下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【０２４０】
さらに、本実施形態のように、非磁性導電層３００を付加シールド層５７の上部シールド層５５側の面に積層することにより、非磁性導電層３００と上部シールド層５５との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。非磁性導電層３００がこの上部シールド層５５側の面に積層されていれば、非磁性導電層３００と上部シールド層５５との距離が小さくなるので寄生キャパシタンスＣ２が大きくなるが、非磁性導電層３００が十分に薄い場合は、その距離の減少による寄生キャパシタンスＣ２の増大は無視することができる。むしろ、非磁性導電層３００による対抗面積の増大による寄生キャパシタンスＣ２の増大効果が大きい。
【０２４１】
本実施形態のごとく、基板５０と下部磁極層６０とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層５２及び上部シールド層５５間の外来ノイズによる電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０２４２】
本実施形態におけるその他の作用効果等は、図１〜図１１の実施形態、図２２〜図２５の実施形態及び図２９の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２４３】
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層３００を付加シールド層５７の上部シールド層５５とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、Ｃ２＜Ｃ４でありかつシールド中間絶縁層５６を薄くできない場合、Ｃ２＝Ｃ４とするためには寄生キャパシタンスＣ２をさらに増大させる必要がある。このような場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ２を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
【０２４４】
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層３００を付加シールド層５７に積層することなく上部シールド層５５と対向させかつ付加シールド層５７に電気的に導通させるような構成としても良い。
【０２４５】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図２６の実施形態のように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とを電気的に接続しないように構成しても良い。
【０２４６】
本実施形態のまたさらに他の変更態様として、図２７の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０２４７】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図２８の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０２４８】
図３１は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。本実施形態における磁気ディスクドライブ装置の構成例は図１に示したものと同様であり、ＨＧＡの構成例は図２に示したものと同様であり、複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た構成は図４に示したものと同様である。なお、本実施形態において、図１〜図１１の実施形態の場合と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。また、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合である。
【０２４９】
例えばアルティック（ＡｌＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等の導電性材料から形成されたスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダは、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の下地層５１が積層されており、この下地層５１上に、例えばＴｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｃｕ等の非磁性導電材料からなる非磁性導電層３１０が付加的に積層されており、さらにその上に、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）５２が積層されている。
【０２５０】
非磁性導電層３１０は下地層５１を介して基板５０と対向しており、従って、非磁性導電層３１０及び基板５０が対向電極として機能し、寄生キャパシタンスＣ４がこの部分に発生する。
【０２５１】
下部シールド層５２上には、ＣＰＰ構造のＭＲ層５３と、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５４とが積層されている。
【０２５２】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３は、ＣＰＰ−ＧＭＲ層の場合、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるフリー層、例えばＣｕ等の非磁性導電材料による非磁性層、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるピンド層及び例えばＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等の反強磁性材料によるピン層の多層構造で構成されている。ＴＭＲ層の場合、上述の非磁性層の代わりに、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｍｇ又はＺｎの酸化物等の絶縁材料による薄いバリア層が用いられる。ＣＰＰ構造のＭＲ層５３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。また、このＭＲ層５３には、図示されていない磁区制御層等が積層されている。
【０２５３】
ＣＰＰ構造のＭＲ層５３及び絶縁層５４上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）５５が積層されている。
【０２５４】
非磁性導電層３１０、下部シールド層５２、ＭＲ層５３、絶縁層５４、上部シールド層５５、磁区制御層及び図示されていないリード導体層等からＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【０２５５】
上部シールド層５５上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなるシールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又は金属材料からなり、好ましくは０.０５〜２μｍ程度の厚さの付加シールド層５７が積層されている。
【０２５６】
付加シールド層５７上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層５８が積層されており、この絶縁層５８内には、抵抗発熱体５９が形成されている。
【０２５７】
抵抗発熱体５９は、ストリップ形状であっても良いし、その他の形状、例えば、１ターン又はマルチターンの、丸でも角でもヘリカルのコイル形状でもあっても良い。ストリップ形状の場合、例えば、０.１〜５μｍ程度の厚さと、０.１〜２０.０μｍ程度のトラック幅方向の幅を有しており、例えば、ＮｉＣｕを含む材料から形成される。ここで、ＮｉＣｕにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約１５〜約６０原子％であり、好ましくは２５〜４５原子％である。また、このＮｉＣｕに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。また、抵抗発熱体５９を、例えば、ＮｉＣｒを含む材料で形成しても良い。この場合、ＮｉＣｒにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約５５〜約９０原子％であり、好ましくは７０〜８５原子％である。また、このＮｉＣｒに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。さらに、抵抗発熱体５９を、例えば、Ｔａ単体又はＴａを含む材料から形成しても良い。ここで、Ｔａに対する添加物として、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。
【０２５８】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部磁極層（ＳＳ２、本発明の第１の磁極層に対応する）６０が積層されている。
【０２５９】
下部磁極層６０上には、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層６１が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）６２の上部磁極部６２ａと、熱硬化されたレジスト等の絶縁材料によるコイル絶縁層６３で覆われたＣｕ等の導電性材料からなる書込みコイル層６４とが積層されている。下部磁極層６０の先端部（ＡＢＳ側の端部）である下部磁極部６０ａと、上部磁極層６２の先端部（ＡＢＳ側の端部）である上部磁極部６２ａとは、記録ギャップ層６１を介して互いに対向している。
【０２６０】
なお、本実施形態において、書込みコイル層６４は２層構造となっているが、単層構造又はその他の構造であっても良いことは明らかである。
【０２６１】
書込みコイル層６４上には、コイル絶縁層６３を介して上部磁極層６２の上部ヨーク部６２ｂが形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０２６２】
下部磁極層６０、記録ギャップ層６１、上部磁極層６２、コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４等から水平磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０２６３】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０２６４】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０２６５】
本実施形態のように、下部磁極層６０の一部は、付加シールド層５７上に直接的に積層されており、従って、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは互いに電気的に接続されているのが好ましいが、変更態様として、これらは必ずしも、接続されていなくとも良い。電気的に接続されている場合、その接続個所は、図３１に示すように、付加シールド層５７のＡＢＳとは反対方向側の位置でも良いし、その他の位置でも良い。なお、図３１に示した例では、付加シールド層５７は、基板５０と１００Ω以下で電気的に接続されている。
【０２６６】
コイル絶縁層６３及び書込みコイル層６４は、下部磁極層６０及び上部磁極層６２を磁気的に連結するバックギャップ部６６より後方（ＡＢＳとは反対方向側）位置にも形成されている。
【０２６７】
この後方位置には、ヘッド内で発生する熱を基板側へ逃がすためのヒートシンク層６７が形成されている。このヒートシンク層６７は、下部シールド層５２、上部シールド層５５及び下部磁極層６０とは分離してそれぞれ形成されかつ互いに密着して積層された層５２′、５５′及び６０′からなる積層体として構成されている。このヒートシンク層６７の底部は、下地層５１を一部除去して形成された貫通孔５１ａを通って基板５０に接続されている。
【０２６８】
中央断面位置に存在しないため、図３１には示されていないが、ヒートシンク層６７と下部磁極層６０とを電気的に接続するストリップ状の薄い接続導体６８（図３２参照）が設けられている。
【０２６９】
この接続導体６８は、例えばＣｕ等の導電性材料によって形成されているが、その層厚が例えば０．１μｍと薄く、またその幅がかなり細いため、全体で数Ω程度の電気抵抗を有している。一方、ヒートシンク層６７は金属磁性材料で構成されているため良導電体である。前述したように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とは電気的に接続されており、従って、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層６７はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。下部磁極層６０と付加シールド層５７とが電気的に接続されていない変更態様においては、接続導体６８を付加シールド層５７に直接接続するように構成しても良い。
【０２７０】
本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの概略的な等価回路は図７に示すものと同様である。また、図３２及び図３３は本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。ただし、図３２はＡＢＳと垂直方向の断面を示す図であり、図３３はＡＢＳ方向から見た図である。
【０２７１】
図７、図３２及び図３３に示すように、本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドでは、インダクティブ書込みヘッド素子の書込みコイル６４と下部磁極層（ＳＳ２）６０との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生し、下部磁極層６０又はこれと同電位の付加シールド層５７と上部シールド層（ＳＳ１）５５との間で寄生キャパシタンスＣ２が発生し、上部シールド層５５と下部シールド層（ＳＦ）５２との間で寄生キャパシタンスＣ３が発生し、非磁性導電層３１０と基板５０との間で寄生キャパシタンスＣ４が発生する。
【０２７２】
前にも述べたように、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくするためには、（１）基板５０と下部磁極層６０、従ってこの場合付加シールド層５７とを同電位となるように構成すると共に、（２）寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくすることが必要となる。
【０２７３】
本実施形態においては、図３２及び図３３に示すように、（１）については、接続導体６８及びヒートシンク層６７を用いることにより、下部磁極層６０を介して、基板５０と付加シールド層５７とを１００Ω以下の抵抗体で接続することによって実現されている。（２）については、非磁性導電層３１０と基板５０との互いに対向する部分の電極面積を変えて、より具体的には、非磁性導電層３１０を下部シールド層５２の基板５０側の面に積層することで、電極面積Ｓ４を増大させ、寄生キャパシタンスＣ４を増大させることで調整を行って、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、ε２はシールド中間絶縁層５６の絶縁材料の誘電率、ε４は下地層５１の絶縁材料の誘電率、ｔ２はシールド中間絶縁層５６の層厚、ｔ４は下地層５１の層厚、Ｓ２は付加シールド層５７と上部シールド層５５との互いに対向する部分の電極面積、Ｓ４は非磁性導電層３１０と基板５０との互いに対向する部分の電極面積とすると、寄生キャパシタンスＣ２及びＣ４は、
Ｃ２＝ε２×Ｓ２／ｔ２、Ｃ４＝ε４×Ｓ４／ｔ４
で与えられ、従って、本実施例では、Ｓ４を調整することによって、Ｃ２＝Ｃ４となる。なお、非磁性導電層３１０が十分に薄いため、この非磁性導電層３１０と基板５０との距離が小さくなることによる寄生キャパシタンスＣ４の増大は無視することができる。
【０２７４】
本実施形態の方法によれば、Ｃ２＝Ｃ４の調整が容易となる。さらに、この導電層は非磁性であり、下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【０２７５】
本実施形態のごとく、基板５０と下部磁極層６０とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層５２及び上部シールド層５５間の外来ノイズによる電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０２７６】
図３２に示すように、抵抗発熱体５９は、リード導体６９によって２つの駆動端子電極３５間に接続されている。リード導体６９は、Ｃｕ等の良導体から形成されているが、抵抗発熱体５９と同じ材料で形成しても良い。
【０２７７】
本実施形態におけるその他の作用効果等は、図１〜図１１の実施形態、図１５〜図１９の実施形態及び図２２〜図２５の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２７８】
図３４は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０２７９】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図３１〜図３３の実施形態の場合と全く同様である。従って、図３４において、図３２及び図３３と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。
【０２８０】
図３２の場合と同様に、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層５５上には、シールド中間絶縁層５６が積層されており、その上には、付加シールド層５７が積層されている。さらに、この付加シールド層５７上には、絶縁層５８が積層されており、この絶縁層５８内に、抵抗発熱体５９が形成されている。
【０２８１】
この絶縁層５８内の抵抗発熱体５９の上方には、ＡＴＥを回避するべく書込み磁束を誘導するバッキングコイル層１３０が形成されている。
【０２８２】
絶縁層５８上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる主磁極層（本発明の第１の磁極層に対応する）１３１が積層されている。この主磁極層１３１は、例えばＣｕ等の導電材料からなる書込みコイル層１３２によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極層１３１上には、例えば熱硬化されたレジスト等の絶縁材料からなるコイル絶縁層１３３が形成されており、その内部に、書込みコイル層１３２が形成されている。
【０２８３】
このコイル絶縁層１３３を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなり、リターンヨークを構成する補助磁極層（本発明の第２の磁極層に対応する）１３４が形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層６５が積層されている。
【０２８４】
バッキングコイル層１３０及び書込みコイル層１３２は、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【０２８５】
主磁極層１３１、補助磁極層１３４、コイル絶縁層１３３、書込みコイル層１３２及びバッキングコイル層１３０等から垂直磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【０２８６】
主磁極層１３１の磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は小さく設定されており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１３４の磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１３４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部となっており、このトレーリングシールド部と主磁極層１３１との間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくするように構成されている。
【０２８７】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーディング膜が形成されている。
【０２８８】
下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び主磁極層１３１のＡＢＳに対して垂直方向の長さは、互いにほぼ等しいことが好ましい。これにより、ＭＲ読出しヘッド素子におけるＱＳＴ特性の直線性が良好となる。
【０２８９】
抵抗発熱体５９の両端は、図３４には示されていないリード導体６９によってこれも図３４には示されていない２つの駆動端子電極３５間に接続されている。
【０２９０】
本実施形態において、主磁極層１３１と付加シールド層５７とは、互いに電気的に接続されているのが好ましい。しかしながら、変更態様として、これらは必ずしも、接続されていなくとも良い。本実施形態において、付加シールド層５７は、接続導体６８及びヒートシンク層６７（図示なし）を介して基板５０に接続されており、これにより、基板５０と付加シールド層５７とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。なお、ヒートシンク層はある方が望ましいが、必ずしもある必要はない。また、付加シールド層５７は、接続導体６８を介してどのように接地されていても良い。
【０２９１】
本実施形態における作用効果等は、図１〜図１１の実施形態、図１５〜図１９の実施形態並びに図３１〜図３３の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２９２】
図３５は本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【０２９３】
本実施形態では、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いている。本実施形態におけるその他の構成は図３１〜図３３の実施形態及び図３４の実施形態の場合と全く同様である。従って、図３５において、図３２及び図３４と同様の構成要素については同じ参照符号を使用している。本実施形態における作用効果等についても、図１５〜図１９の実施形態、図３１〜図３３の実施形態及び図３４の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０２９４】
図３６は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ方向から見た構成を模式的に示した図である。
【０２９５】
本実施形態では、非磁性導電層３６０を上部シールド層（ＳＳ１）５５の付加シールド層５７側の面に付加的に積層している。本実施形態におけるその他の構成は図３０の実施形態及び図３１〜図３３の実施形態の場合と全く同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。
【０２９６】
寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくするために、本実施形態では、非磁性導電層３６０と付加シールド層５７との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ２を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、本実施形態は、上部シールド層（ＳＳ１）５５が付加シールド層５７に比してその対向面積が小さい場合に、非磁性導電層３６０を上部シールド層５５の付加シールド層５７側の面に積層することで、電極面積Ｓ２を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させることで、Ｃ２＝Ｃ４を実現しているのである。この方法によれば、Ｃ２＝Ｃ４の調整が容易となる。さらに、この導電層は非磁性であり、下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【０２９７】
さらにまた、本実施形態のように、非磁性導電層３６０を上部シールド層５５の付加シールド層５７側の面に積層することにより、非磁性導電層３６０と付加シールド層５７との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。非磁性導電層３６０がこの付加シールド層５７側の面に積層されていれば、非磁性導電層３６０と付加シールド層５７との距離が小さくなるので寄生キャパシタンスＣ２が大きくなるが、非磁性導電層３６０が十分に薄い場合は、その距離の減少による寄生キャパシタンスＣ２の増大は無視することができる。むしろ、非磁性導電層３６０による対抗面積の増大による寄生キャパシタンスＣ２の増大効果が大きい。
【０２９８】
本実施形態のごとく、基板５０と下部磁極層６０とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層５２及び上部シールド層５５間の外来ノイズによる電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０２９９】
本実施形態におけるその他の作用効果等は、図１〜図１１の実施形態、図１５〜図１９の実施形態及び図２２〜図２５の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０３００】
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層３６０を上部シールド層５５の付加シールド層５７とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、Ｃ２＜Ｃ４でありかつシールド中間絶縁層５６を薄くできない場合、Ｃ２＝Ｃ４とするためには寄生キャパシタンスＣ２をさらに増大させる必要がある。このような場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ２を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
【０３０１】
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層３６０を上部シールド層５５に積層することなく付加シールド層５７と対向させかつ上部シールド層５５に電気的に導通させるような構成としても良い。
【０３０２】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図２６の実施形態のように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とを電気的に接続しないように構成しても良い。
【０３０３】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図３４の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０３０４】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図３５の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０３０５】
図３７は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【０３０６】
本実施形態では、非磁性導電層３７０を付加シールド層５７の上部シールド層５５側の面に付加的に積層している。本実施形態におけるその他の構成は図３１〜図３３の実施形態及び図３６実施形態の場合と全く同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。
【０３０７】
寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくするために、本実施形態では、非磁性導電層３７０と上部シールド層５５との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ２を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、本実施形態は、付加シールド層５７が上部シールド層（ＳＳ１）５５に比してその対向面積が小さい場合に、非磁性導電層３７０を付加シールド層５７の上部シールド層５５側の面に積層することで、電極面積Ｓ２を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させることで、Ｃ２＝Ｃ４を実現しているのである。この方法によれば、Ｃ２＝Ｃ４の調整が容易となる。さらに、この導電層は非磁性であり、下部シールド層５２、上部シールド層５５、付加シールド層５７及び下部磁極層６０の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【０３０８】
さらに、本実施形態のように、非磁性導電層３７０を付加シールド層５７の上部シールド層５５側の面に積層することにより、非磁性導電層３７０と上部シールド層５５との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。非磁性導電層３７０がこの上部シールド層５５側の面に積層されていれば、非磁性導電層３７０と上部シールド層５５との距離が小さくなるので寄生キャパシタンスＣ２が大きくなるが、非磁性導電層３７０が十分に薄い場合は、その距離の減少による寄生キャパシタンスＣ２の増大は無視することができる。むしろ、非磁性導電層３７０による対抗面積の増大による寄生キャパシタンスＣ２の増大効果が大きい。
【０３０９】
本実施形態のごとく、基板５０と下部磁極層６０とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板５０と付加シールド層５７とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層５２及び上部シールド層５５間の外来ノイズによる電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
【０３１０】
本実施形態におけるその他の作用効果等は、図１〜図１１の実施形態、図１５〜図１９の実施形態、図２２〜図２５の実施形態、図３０の実施形態、図３１〜図３３の実施形態及び図３５の実施形態の場合とほぼ同様である。
【０３１１】
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層３７０を付加シールド層５７の上部シールド層５５とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、Ｃ２＜Ｃ４でありかつシールド中間絶縁層５６を薄くできない場合、Ｃ２＝Ｃ４とするためには寄生キャパシタンスＣ２をさらに増大させる必要がある。このような場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ２を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
【０３１２】
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層３７０を付加シールド層５７に積層することなく上部シールド層５５と対向させかつ付加シールド層５７に電気的に導通させるような構成としても良い。
【０３１３】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図２６の実施形態のように、下部磁極層６０と付加シールド層５７とを電気的に接続しないように構成しても良い。
【０３１４】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図３４の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０３１５】
本実施形態のさらに他の変更態様として、図３５の実施形態のように、インダクティブ書込みヘッド素子として、バッキングコイル層の無い垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子を用いても良い。
【０３１６】
以上、実施形態及び変更態様を用いて説明したが、本発明のインダクティブ書込みヘッド素子は、面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても良い。また、本発明によれば、基板と付加シールド層との間の抵抗値を１００Ω以下としているので、基板と付加シールド層とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、Ｃ２やＣ４を介して外来ノイズが侵入しても、上部電極（ＳＳ１）と下部電極（ＳＦ）との間で、ノイズによる電位差はキャンセルされてほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。また、付加シールド層とギャップ層に対してＭＲ読出しヘッド素子側に位置する磁極層である下部磁極層又は主磁極層とは電気的に接続されていることが望ましいが、接続されていなくとも本発明は成立する。さらに、コイル絶縁層及び書込みコイル層の後方位置に形成されるヒートシンク層はあることが望ましいが、なくても本発明は成立する。さらにまた、付加シールド層と基板との間の抵抗値を１００Ω以下とするための構造は、上述した実施形態及び変更態様に限定されるものではなく、種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【０３１７】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０３１８】
【図１】本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図である。
【図３】図２のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図３の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【図５】図３の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図６】図３の複合型薄膜磁気ヘッドにおいてヒートシンク層と下部磁極層とを電気的に接続する接続導体の構成を説明する図である。
【図７】複合型薄膜磁気ヘッドの概略的な等価回路図である。
【図８】図４に示した複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図９】図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図１０】寄生キャパシタンスの比Ｃ２／Ｃ４をパラメータとした場合の、再生信号信号周波数（ＭＨｚ）に対する再生信号に含まれる外来ノイズ（Ｖ）の特性を表した図である。
【図１１】基板と下部磁極層と間の抵抗体の抵抗値をパラメータとした場合の、寄生キャパシタンスの比Ｃ２／Ｃ４に対するクロストーク電圧（％）の特性を表した図である。
【図１２】本発明の他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図１３】本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図１４】本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図１５】本発明のさらに実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図１６】図１５のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図１７】図１６の複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図１８】図１７に示した複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図１９】図１５に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図２０】本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図２１】本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図２２】本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図２３】図２２の複合型薄膜磁気ヘッドにおいてヒートシンク層と下部磁極層とを電気的に接続する接続導体の構成を説明する図である。
【図２４】図２２の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図２５】図２２の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ方向から見た構成を模式的に示した図である。
【図２６】本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図２７】本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図２８】本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図２９】本発明のさらに他の実施形態におけるＡＢＳ方向から見た複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【図３０】本発明のまたさらに他の実施形態におけるＡＢＳ方向から見た複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【図３１】本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
【図３２】図３１の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図３３】図３１の実施形態におけるＡＢＳ方向から見た複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【図３４】本発明のまたさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図３５】本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドのＡＢＳと垂直方向の断面の構成を模式的に示した図である。
【図３６】本発明のまたさらに他の実施形態におけるＡＢＳ方向から見た複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【図３７】本発明のまたさらに他の実施形態におけるＡＢＳ方向から見た複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０３１９】
１０  磁気ディスク
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生制御回路
１３′  記録再生及び電流制御回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１  薄膜磁気ヘッド
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０  ＭＲ読出しヘッド素子
３１  インダクティブ書込みヘッド素子
３２  磁気ヘッド素子
３３、３４  信号端子電極
３５  駆動端子電極
３６  ＡＢＳ
３７  素子形成面
５０  スライダ基板
５０  基板
５１  下地層
５１ａ  貫通孔
５２  下部シールド層
５２′、５５′、６０′  層
５３  ＣＰＰ構造のＭＲ層
５４、５８  絶縁層
５５  上部シールド層
５６  シールド中間絶縁層
５７  付加シールド層
５９  抵抗発熱体
６０  下部磁極層（第１の磁極層）
６０ａ  下部磁極部
６１  記録ギャップ層
６２  上部磁極層（第２の磁極層）
６２ａ  上部磁極部
６２ｂ  上部ヨーク部
６４、１３２  書込みコイル層
６３、１３３  コイル絶縁層
６５  保護層
６６  バックギャップ部
６７  ヒートシンク層
６８  接続導体
６９  リード導体
９０  記録再生回路
９０ａ  記録再生チャネル
９０ｂ  プリアンプ部
９０ｂ１  ライトゲート
９０ｂ２  リードゲート
９０ｂ３  オートゲインコントローラ（ＡＧＣ）
９１  電流制御回路
９１ａ  レジスタ
９１ｂ  Ｄ／Ａ変換器
９１ｃ  電流制御部
９２  ＣＰＵ
１３０  バッキングコイル層
１３１  主磁極層
１３４  補助磁極層
２２０、２９０、３００、３１０、３６０、３７０  非磁性導電層
【図１】
2007149308.tif 000003
【図２】
2007149308.tif 000004
【図３】
2007149308.tif 000005
【図４】
2007149308.tif 000006
【図５】
2007149308.tif 000007
【図６】
2007149308.tif 000008
【図７】
2007149308.tif 000009
【図８】
2007149308.tif 000010
【図９】
2007149308.tif 000011
【図１０】
2007149308.tif 000012
【図１１】
2007149308.tif 000013
【図１２】
2007149308.tif 000014
【図１３】
2007149308.tif 000015
【図１４】
2007149308.tif 000016
【図１５】
2007149308.tif 000017
【図１６】
2007149308.tif 000018
【図１７】
2007149308.tif 000019
【図１８】
2007149308.tif 000020
【図１９】
2007149308.tif 000021
【図２０】
2007149308.tif 000022
【図２１】
2007149308.tif 000023
【図２２】
2007149308.tif 000024
【図２３】
2007149308.tif 000025
【図２４】
2007149308.tif 000026
【図２５】
2007149308.tif 000027
【図２６】
2007149308.tif 000028
【図２７】
2007149308.tif 000029
【図２８】
2007149308.tif 000030
【図２９】
2007149308.tif 000031
【図３０】
2007149308.tif 000032
【図３１】
2007149308.tif 000033
【図３２】
2007149308.tif 000034
【図３３】
2007149308.tif 000035
【図３４】
2007149308.tif 000036
【図３５】
2007149308.tif 000037
【図３６】
2007149308.tif 000038
【図３７】
2007149308.tif 000039
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、下地層を介して該基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに該下部シールド層及び該上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れる磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、シールド中間絶縁層を介して該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されており、第１の磁極層、先端部が非磁性層を介して該第１の磁極層に離隔されている第２の磁極層、及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、前記上部シールド層及び前記第１の磁極層間に形成された付加シールド層とを備えており、前記基板と前記下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、前記上部シールド層と前記付加シールド層との間の寄生キャパシタンスにほぼ等しく、前記基板と前記付加シールド層との間の抵抗値が１００Ω以下であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記基板と前記付加シールド層とが同電位であることを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記付加シールド層と前記第１の磁極層とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記付加シールド層が、金属磁性層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記下部シールド層、前記上部シールド層、前記付加シールド層及び前記第１の磁極層の浮上面に対して垂直方向の長さが互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記付加シールド層及び前記第１の磁極層間に形成された抵抗発熱体をさらに備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記下部シールド層と前記基板との実質的な対向面積を増大するために、該下部シールド層に電気的に導通しており該基板に対向していると共に該下部シールド層の外形サイズより大きな外形サイズを有する非磁性導電層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記非磁性導電層が、前記下部シールド層の前記基板側の面に積層されていることを特徴とする請求項７に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記非磁性導電層が、前記下部シールド層の前記基板とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項７に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記上部シールド層と前記付加シールド層との実質的な対向面積を増大するために、該上部シールド層に電気的に導通しており該付加シールド層に対向していると共に該上部シールド層の外形サイズより大きな外形サイズを有する非磁性導電層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記非磁性導電層が、前記上部シールド層の前記付加シールド層側の面に積層されていることを特徴とする請求項１０に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記非磁性導電層が、前記上部シールド層の前記付加シールド層とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項１０に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記付加シールド層と前記上部シールド層との実質的な対向面積を増大するために、該付加シールド層に電気的に導通しており該上部シールド層に対向していると共に該付加シールド層の外形サイズより大きな外形サイズを有する非磁性導電層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記非磁性導電層が、前記付加シールド層の前記上部シールド層側の面に積層されていることを特徴とする請求項１３に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記非磁性導電層が、前記付加シールド層の前記上部シールド層とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項１３に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、巨大磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、トンネル磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、水平磁気記録書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、垂直磁気記録書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッドと、該複合型薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項２１】
少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの請求項２０に記載の磁気ヘッドアセンブリとを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明によれば、基板と、下地層を介して基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れるＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子と、シールド中間絶縁層を介してＭＲ読出しヘッド素子上に形成されており、第１の磁極層、先端部が非磁性層を介して第１の磁極層に離隔されている第２の磁極層、及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、上部シールド層及び第１の磁極層間に形成された付加シールド層とを備えており、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンスにほぼ等しく、基板と付加シールド層との間の抵抗値が１００Ω以下である複合型薄膜磁気ヘッドが提供される。なお、インダクティブ書込みヘッド素子は面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても、垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子であっても良い。インダクティブ書込みヘッド素子が面内（水平）磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合、第１の磁極層は下部磁極層、第２の磁極層は上部磁極層に相当し、インダクティブ書込みヘッド素子が垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合、第１の磁極層は非磁性層に対してＭＲ読出しヘッド素子側に位置する磁極層である主磁極層又は補助磁極層（リターン層）、第２の磁極層は非磁性層に対してＭＲ読出しヘッド素子とは反対側に位置する磁極層である補助磁極層（リターン層）又は主磁極層に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上部シールド層と第１の磁極層との間に付加シールド層を形成しているので、インダクティブ書込みヘッド素子からＭＲ読出しヘッド素子へ印加されるクロストーク電圧を低減することができる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子のクロストーク電圧によるダメージ発生を防止することができ、外来ノイズの影響も受けにくくすることができる。より具体的には、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、バリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。特に本発明では、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４が、上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２にほぼ等しく、基板と付加シールド層との間の抵抗値が１００Ω以下、例えば数Ω、であり両者が実質的に同電位となるように構成されているため、実質的な寄生キャパシタンスＣ４と実質的な寄生キャパシタンスＣ２とがほぼ等しいので、Ｃ２、Ｃ４を介して、インダクティブ書込みヘッド素子側からクロストーク電圧が発生しても、上部電極（ＳＳ１）と下部電極（ＳＦ）との間で、クロストーク電圧はキャンセルされてほぼゼロとなり、クロストーク電圧が発生しない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
下部シールド層に導通しており下部シールド層の外形サイズより大きな外形サイズを有する非磁性の導電層を、基板に対向するように設けて下部シールド層と基板との実質的な対向面積を増大させれば、下部シールド層と基板との間の寄生キャパシタンスＣ４が増大する。その結果、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができる。しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上部シールド層に導通しており上部シールド層の外形サイズより大きな外形サイズを有する非磁性の導電層を、付加シールド層に対向するように設けて上部シールド層と付加シールド層との実質的な対向面積を増大させれば、上部シールド層と付加シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２が増大する。その結果、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができる。しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層、付加シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
付加シールド層に導通しており付加シールド層の外形サイズより大きな外形サイズを有する非磁性の導電層を、上部シールド層に対向するように設けて付加シールド層と上部シールド層との実質的な対向面積を増大させれば、付加シールド層と上部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２が増大する。その結果、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができる。しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び付加シールド層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。