(57)【要約】【課題】  画素間隙を狭くして画素電極を高密度に配置した場合でも、画素電極間の液晶層部分に高い電圧をかけずにすみ、信頼性の高い、良好な表示品質を得ることができる反射型液晶表示装置を提供する。【解決手段】  反射面を備えた画素電極１１を有する画素をマトリクス状に配置した半導体基板１と、前記半導体基板上に形成した液晶層１２と、前記液晶層上に形成した透明電極層１３と、前記透明電極層上に形成した透明基板１４と、を有する反射型液晶表示装置であって、全ての前記画素電極の前記反射面上であって、隣り合う前記画素電極間の隙間である画素間隙の前記液晶層側を少なくとも覆う画素間隙用絶縁層６２を設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面を備えた画素電極を有する画素をマトリクス状に配置した半導体基板と、
前記半導体基板上に形成した液晶層と、
前記液晶層上に形成した透明電極層と、
前記透明電極層上に形成した透明基板と、を有する反射型液晶表示装置であって、
全ての前記画素電極の前記反射面上であって、隣り合う前記画素電極間の隙間である画素間隙の前記液晶層側を少なくとも覆う画素間隙用絶縁層を設けるように構成したことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロジェクタ等に用いるアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置に係り、特に、読出し光を反射する画素電極間を狭くした場合でも、画素電極間にかかる横方向の電界強度を低減する事で信頼性を高め、明るく、コントラストの良好な映像が得られる反射型液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プロジェクタ等に用いる液晶表示装置としてアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置が知られている（特許文献１、２及び３）。図３はこの従来のアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置の１画素を示す等価回路図である。同図に示すように、このアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置３０は、マトリクス状に配置された複数の画素４０（図３では１つのみ記す）を有している。上記画素４０は、スイッチングトランジスタ３３と、保持容量３４と、反射型の画素電極１１と、これに対向する透明電極層１３と、これらの両電極１１、１３間に封止・保持された液晶層１２とにより主に構成される。
【０００３】
上記スイッチングトランジスタ３３のゲートＧには、選択線３２が接続されており、ドレインＤには、データ線３１が接続されている。上記選択線３２には、図示しない垂直シフトレジスタより選択信号が出力され、上記データ線３１には、図示しない水平シフトレジスタより、画像に対応した画像信号電圧が出力される。上記保持容量３４の一端は、スイッチングトランジスタ３３のソースＳ及び画素電極１１にそれぞれ接続されており、他端はアースされている。
上記選択線３２に出力される選択信号により選択されたスイッチングトランジスタ３３がオンする。このとき、データ線３１に出力された画像信号電圧は、スイッチングトランジスタ３３のドレインＤ及びソースＳを経て、保持容量３４に印加蓄積される。この画像信号電圧は、同時に画素電極１１にも印加される。所定の電圧に保持されている透明電極層１３と画像信号電圧が印加されている画素電極１１との間に生じる電圧により液晶層１２は駆動される。この動作が全画素４０について、１フレーム毎に繰り返し行われ、この結果、液晶表示装置３０により画像が表示される。
【０００４】
次に、図４に示した従来の反射型液晶表示装置の素子構造を説明する。図４は従来の反射型液晶表示装置を示す概略断面構成図である。同図には、反射型液晶表示装置３０の１画素分の構造が示されている。半導体基板である例えばＰ型のシリコン基板１の表面には、所定サイズのＮ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃが形成されている。このＮ型拡散層２Ｄ、２Ｓは、図３中のドレインＤ、ソースＳにそれぞれ対応する。
このシリコン基板１を覆って、ＳｉＯ２よりなる第１の絶縁層３が形成されて いる。この第１の絶縁層３の上には、ポリシリコンからなるそれぞれ所定の形状の電極部４Ｇ，４Ｃが形成されている。この電極部４Ｇは図３中のゲートＧに対応する。上記電極部４Ｇは、Ｎ型拡散層２ＤとＮ型拡散層２Ｓとの間の上方に、上記電極部４ＣはＮ型拡散層２Ｃの上方にそれぞれ配置されている。そして、上記電極部４Ｇ、４Ｃを含む表面全体を覆ってＳｉＯ２からなる第２の絶縁層５が 形成されている。
【０００５】
上記Ｎ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃ上にある第１の絶縁層３及び第２の絶縁層５の一部、及び電極部４Ｃ上にある第２の絶縁層５の一部はそれぞれ除去されて、その除去箇所にＡｌからなるコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’が形成されている。上記第２の絶縁層５、及びコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’を覆って、Ａｌからなる第１のメタル層が堆積されると共に、その一部が除去されており、これにより上記コンタクト６Ｄに接続された第１のメタル層７Ｄ、上記コンタクト６Ｓ及びコンタクト６Ｃに接続された第１のメタル層７Ｓ、及びコンタクト６Ｃ’に接続された第１のメタル層７Ｃがそれぞれ形成されている。
【０００６】
上記第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃ及びそれらの間隙部を覆って、ＳｉＯ２ からなる第３の絶縁層８及び埋め込み絶縁層２０ＣＤ、２０ＤＳ、２０ＳＣがそれぞれ形成されている。上記第１のメタル層７Ｓ上の第３の絶縁層８の一部を除去して、そこにＡｌからなるコンタクト２１が形成されている。上記第３の絶縁層８及びコンタクト２１上に、所定の形状の第２のメタル層９、９Ｓがそれぞれ形成されている。ここで一方の第２のメタル層９は、後述する侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を減衰する遮光層として機能する。
【０００７】
上記第２のメタル層９と第２のメタル層９Ｓとの間隙部にはＳｉＯ２からなる 埋め込み絶縁層１８が形成されている。また第２のメタル層９、９Ｓ及び埋め込み絶縁層１８を覆って、ＳｉＯ２からなる第４の絶縁層１０が形成されている。 他方の第２のメタル層９Ｓ上の第４の絶縁層１０の一部は除去されて、そこにＡｌからなるコンタクト２２が形成されている。また上記第４の絶縁層１０及びコンタクト２２上に所定の形状のＡｌからなる第３のメタル層を形成し、それを所定の形状に加工することにより画素電極１１が形成されている。ここで互いに隣り合う画素電極１１間には、ＳｉＯ２からなる埋め込み絶縁層２４が形成されて いる。そして、上記画素電極１１及び埋め込み絶縁層２４を覆って配向層（図示しない）が形成されている。
【０００８】
一方、透明基板１４上（図中では下側）には、対向電極として全画素に共通する透明電極層１３が形成されている。さらに、透明電極層１３上（図中では下側）には配向層（図示しない）が形成されている。上記透明基板１４とシリコン基板１とは、透明電極層１３と画素電極１１とを向かい合わせて配置され、その間には液晶層１２が封入されており、これにより液晶表示装置３０が形成される。ここで反射型液晶表示装置においては、上述したように透明電極層１３は全画素に共通する対向電極であり、画素電極１１は反射電極である。
【０００９】
図３中のスイッチングトランジスタ３３は、ドレインＤであるＮ型拡散層２Ｄ、ソースＳであるＮ型拡散層２Ｓ、選択線に接続されるゲートＧである電極部４Ｇと、ソースＳとドレインＤ間の半導体領域より構成される。上記第１のメタル層７Ｄはデータ線に接続される。また第１のメタル層７ＣはＮ型拡散層２Ｃに接続されて、アース電位が与えられる。上記画素電極１１は、第２のメタル層９Ｓ及び第１のメタル層７Ｓを介してＮ型拡散層２Ｓ及び電極部４Ｃにそれぞれ接続されている。また電極部４Ｃと、Ｎ型拡散層２Ｃと、これらの間に配置された第１の絶縁層３とにより保持容量３４が形成される。
【００１０】
このような液晶表示装置３０において、読出し光１５は、透明基板１４側より入射し、液晶層１２を通過して画素電極１１で反射されて出射する。この読出し光１５は、液晶層１２中を通過する際に、透明電極層１３と画素電極１１との間に印加された画像信号電圧に対応した変調（偏光状態が変わる）を受けることにより、画像を表示できるようになっている。このような反射型液晶表示装置３０の利点としては、画素電極１１の下にスイッチングトランジスタ３３等を形成できるため、高密度に画素を配置できる点が上げられる。
【００１１】
【特許文献１】特開平０７−５４５４号公報
【特許文献２】特開平０９−１７１１９５号公報
【特許文献３】特開平９−１６６７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、この種の反射型液晶表示装置３０においては、上述したように画像を表示する間、読出し光１５が、透明基板１４を通して液晶層１２中に照射され、画素電極１１にて反射されて再び液晶層１２中を通過して、透明基板１４から外部に出射する。この際、明るい表示画像を得るために、一般的には読出し光１５としては非常に強い光が用いられる。しかし、この場合には、読出し光１５の一部は、隣り合う画素電極１１間の隙間である画素間隙１０Ｋに埋め込まれた透明なＳｉＯ２層（埋め込み層２４に対応）を介して内部に侵入し、第４の絶縁層 １０、埋め込み絶縁層１８、第３の絶縁層８、埋め込み絶縁層２０ＤＳ、２０ＳＣ、第２の絶縁層５及び第１の絶縁層３を反射しながら侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’として伝っていく。そしてこの侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’の一部の光は減衰・吸収されることなくシリコン基板１中に侵入することになる。
【００１３】
この侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’は、シリコン基板１中に入射すると電荷キャリアを発生し、スイッチングトランジスタ３３の誤動作を引き起こし、表示品質の劣化を招くという不都合がある。そのため、この侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’をなくすために、遮光膜として上記第２のメタル層９を設けて隣接する埋め込み絶縁層１８の横方向の長さをできるだけ小さくして侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’が伝わり難くしている。また、画素電極１１の下面上及び第２のメタル層９の上面上には、光吸収効果の優れたＴｉＮ等の薄膜を形成して侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を途中でできるだけ吸収するようにしている。
【００１４】
しかし、液晶表示装置の小型化のため、又表示画像の高解像度化のために、画素電極１１のサイズをできるだけ小さくする傾向にあり、この場合には第２のメタル層９（遮光膜）の長さも短くなるため、侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’を十分に減衰できずに、スイッチングトランジスタ３３の誤動作を引き起こし易くなる。
また上記画素間隙１０Ｋに入射する侵入光１５Ｓ、１５Ｓ’は内部で吸収されるため光出力の効率を低下させる原因にもなる。
【００１５】
そこで、侵入光の強度を抑制すると共に、反射面の反射率の向上等を目的として上記画素間隙１０Ｋの幅をより小さく、或いは狭くすることも検討されている。全ての画素電極１１の上面を含む面を反射面（画素電極１１と画素間隙１０Ｋの上面全体）と称し、この反射面において画素電極１１の面積が占める割合は開口率と呼ばれ、開口率が大きいほど反射率が高くなる。現在作成されている反射型液晶表示装置のシリコン基板側の２画素分のイメージ図を図５に示す。図５（Ａ）は画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２が一般的な０．４μｍの場合を示し、図５（Ｂ）は画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２をより狭くして０．１μｍにした場合を示す。尚、図５中において、図４と同一構成部分については同一参照符号を付してある。ここでは反射面上の前面に例えばポリイミドよりなる配向層３６が形成されている。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）において画素ピッチＬ１は共に約１０μｍ程度である。
【００１６】
ここで図５（Ａ）の場合は画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２が０．４μｍであり、この時、開口率は約９２％となる。これに対して、図５（Ｂ）に示す場合は、画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２が０．１μｍであり、この時の開口率は約９８％となり、図５（Ａ）の場合よりも明るい画像を得ることができる。また、同時に画素間隙１０Ｋからの侵入光を低減できるので光リークを少なくでき、微細な画素の形成が可能となる。
【００１７】
しかしながら、図５（Ｂ）に示すように画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２を狭くすると、隣接する画素電極同士間における横方向の耐圧に問題が発生する。すなわち、図５（Ａ）に示すように隣接する画素電極間に例えば４Ｖの電圧差がある時、画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２が０．４μｍの場合には、両画素電極間に発生する電界Ｂの強度、すなわち電界強度は比較的小さくて１０ＭＶ／ｍ程度となる。このような電界強度では現在の液晶表示装置において画素間耐圧の問題は生じない。しかしながら、図５（Ｂ）に示すように、画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２が０．１μｍになると電界強度はかなり大きくなって４倍の４０ＭＶ／ｍ程度となる。この画素間隙１０Ｋに埋め込まれるＳｉＯ２ などの絶縁体の耐圧はこれより桁違いに高いので問題は無いが、液晶層１２は有機物なのでＳｉＯ２ などの無機物より耐圧が低いため信頼性などにおいて問題が発生する可能性がある。
【００１８】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、画素間隙を狭くして画素電極を高密度に配置した場合でも、画素電極間の液晶層部分に高い電圧がかかることがなく、信頼性の高い、良好な表示品質を得ることができる反射型液晶表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するための手段として、本発明は、反射面を備えた画素電極を有する画素をマトリクス状に配置した半導体基板と、前記半導体基板上に形成した液晶層と、前記液晶層上に形成した透明電極層と、前記透明電極層上に形成した透明基板と、を有する反射型液晶表示装置であって、全ての前記画素電極の前記反射面上であって、隣り合う前記画素電極間の隙間である画素間隙の前記液晶層側を少なくとも覆う画素間隙用絶縁層を設けるように構成したことを特徴とする反射型液晶表示装置にある。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る反射型液晶表示装置によれば、画素間隙上に横方向の電界の強度を抑制するための画素間隙用絶縁層を設けるようにしたので、画素間隙を狭くして画素電極を高密度に配置した場合でも、画素電極間の液晶層部分に高い電圧がかかることがなく、信頼性の高い、良好な表示品質を得ることができる。また、光利用率が高く、コントラストの高い良好な表示品質を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の反射型液晶表示装置の一例について添付図面を参照して説明する。尚、説明の簡便のため、参照符号については従来の装置例と同一の構成に対しては、同一の参照符号を付してその説明を省略する。
＜第１実施例＞
図１は本発明の反射型液晶表示装置の第１実施例の半導体基板側を示す概略断面構成図である。図１（Ｂ）は画素電極間に生ずる横方向の電界の状態を説明するための図である。この図１中には２画素分の画素４０が示されており、同じ機能の部材には同一の参照番号を付している。
図１（Ａ）に示すように、この反射型液晶表示装置は、半導体基板として例えばＰ型のシリコン基板１を有している。このＰ型のシリコン基板１の表面には、所定の形状のＮ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃがそれぞれ形成されている。
【００２２】
このシリコン基板１の全表面を覆って、厚さ３５ｎｍのＳｉＯ２よりなる第１ の絶縁層３が形成されている。そして、この第１の絶縁層３の上には、厚さ２５０ｎｍのポリシリコンからなる所定の形状の電極部４Ｇ、４Ｃがそれぞれ形成されている。一方の電極部４ＧはＮ型拡散層２ＤとＮ型拡散層２Ｓとの間隙部の上方に、他方の電極部４ＣはＮ型拡散層２Ｃの上方にそれぞれ配置されている。上記電極部４Ｇ、４Ｃを覆って第１の絶縁層３の上に、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ２ からなる第２の絶縁層５が例えばＣＶＤ法により形成されている。
【００２３】
上記Ｎ型拡散層２Ｄ、２Ｓ、２Ｃ上にある第１の絶縁層３と上記第２の絶縁層５の一部、及び電極部４Ｃ上にある上記第２の絶縁層５の一部はそれぞれ除去されて、それらの除去箇所にはＡｌからなるコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’がそれぞれ形成されている。これらのコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’の横方向の幅は０．５μｍである。
上記第２の絶縁層５及びコンタクト６Ｄ、６Ｓ、６Ｃ、６Ｃ’を覆って、Ａｌからなる厚さ５００ｎｍの第１のメタル層が成膜されて、その一部が幅０．８μｍで除去されており、これにより上記コンタクト６Ｄに接続される第１のメタル層７Ｄ、上記コンタクト６Ｓ及びコンタクト６Ｃに接続される第１のメタル層７Ｓ、及び上記コンタクト６Ｃ’に接続される第１のメタル層７Ｃがそれぞれ形成されている。これらの第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃは配線層である。
【００２４】
上記第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃ及びそれらの間隙部を覆って、ＳｉＯ２ からなる厚さ５００ｎｍの第３の絶縁層８及び埋め込み絶縁層２０ＣＤ、２０ＤＳ、２０ＳＣがそれぞれ形成されている。上記埋め込み絶縁層２０ＣＤ、２０ＤＳ、２０ＳＣは、隣り合う上記第１のメタル層７Ｄ、７Ｓ、７Ｃ間の間隙部に形成されている。上記第１のメタル層７Ｓ上の第３の絶縁層８の一部を除去して、そこにＡｌからなる横及び奥行き幅が０．８μｍであるコンタクト２１が形成されている。また上記第３の絶縁層８及びコンタクト２１上に、これらを覆って所定の形状の厚さ１μｍの第２のメタル層９、９Ｓが形成されている。これらの第２のメタル層９、９Ｓは遮光層の機能を有する。
【００２５】
また、これらの第２のメタル層９、９Ｓの間隙部にはＳｉＯ２からなる埋め込 み絶縁層１８が形成されている。上記両第２のメタル層９、９Ｓ及び埋め込み絶縁層１８を覆って、ＳｉＯ２からなる厚さ１μｍの第４の絶縁層１０が形成され ている。ここで、このＳｉＯ２ は通常においては光学屈折率が１．５程度である。上記第２のメタル層９Ｓ上の第４の絶縁層１０の一部は除去されて、ここにＡｌからなる横及び奥行き幅が０．８μｍであるコンタクト２２が形成されている。上記第４の絶縁層１０及びコンタクト２２上に、Ａｌからなる厚さ２００ｎｍの第３のメタル層を形成し、それを横及び奥行きがそれぞれ１２．９μｍになるように加工して画素電極１１が形成されている。
【００２６】
そして、隣り合う画素電極１１間の隙間である画素間隙１０Ｋは、例えばＳｉＯ２ よりなる埋め込み絶縁層２４によって埋め込まれている。上記画素電極１１の一辺の長さが１２．９μｍであり、且つ画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２が０．１μｍなので、画素ピッチＬ１は１３．０μｍになる。
そして、このように形成された全ての画素電極１１と埋め込み絶縁層２４の表面を含む反射面上であって、画素間隙１０Ｋの上方を覆うようにして本発明の特徴とする画素間隙用絶縁層６０が形成されている。従って、この画素間隙用絶縁層６０は、上記画素間隙１０Ｋの長さ方向に沿って形成されることになる。この画素間隙用絶縁層６０は、例えばＳｉＯ２ やＡｌ２ Ｏ３ 等の絶縁膜によって形成されており、上記隣り合う画素電極１１間に生ずる横方向の電界Ｂ１（図１（Ｂ）参照）の強度を抑制し得るようになっている。
【００２７】
具体的には、この画素間隙用絶縁層６０の幅Ｗ１は、上記画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２よりも少し広い幅であって、例えば０．１μｍ程度に設定されており、上記画素間隙用絶縁層６０は図示例のように上記画素間隙１０Ｋを跨ぐようにして形成されている。また、の画素間隙用絶縁層６０の厚さＨ１は、０．０５〜０．５μｍの範囲に設定されている。この厚さＨ１が０．０５μｍより小さい場合には、この画素間隙用絶縁層６０を設けた効果が十分になく、逆に０．５μｍより大きい場合には、電界強度の抑制効果は十分になるが、厚さが大きくなった分だけ逆に液層部分が薄くなるので、表示に悪影響を与えることになってしまう。
このように形成された反射面上、すなわち画素間隙用絶縁層６０の上面及び画素電極１１の上面には、全体に亘って配向層３６が形成されている。
【００２８】
一方、図４に示すように、透明基板１４上（図４中では下面側）には、全画素４０に共通な透明電極層１３が対向して形成され、さらに、上記透明電極層１３上（図４中では下面側）には配向層（図示しない）が形成されている。そして、この透明基板１４と上述のように形成されたシリコン基板１とは、透明電極層１３と画素電極１１とが向かい合うように配置され、その間には液晶層１２が封入されており、これにより第１実施例の反射型液晶表示装置が形成される。
【００２９】
上述のように形成された反射型液晶表示装置においては、この表示装置を駆動すると、隣り合う画素電極１１間に例えば最大４Ｖ程度の電位差が発生して、図１（Ｂ）に示すように横方向の電界Ｂ１が発生することになる。
この場合、画素間隙１０Ｋの幅Ｌ２は、例えば０．１μｍ程度と非常に狭く設定されているので、従来構造の場合には電界が強くなり過ぎて表示品質に悪影響を与えるが、本発明の場合には、画素間隙用絶縁層６０を設けているので、画素間隙１０Ｋの近傍の液晶層部分における電界Ｂ１の強度がかなり抑制されることになり、この結果、表示品質が劣化することを防止してその信頼性を向上させることができる。換言すれば、画素間隙１０Ｋをより狭くして画素電極１１を高密度に配置し、これにより開口率を向上させて光効率を高く維持できると共に、表示品質も高く維持することができる。
【００３０】
＜第２実施例＞
次に、本発明の第２実施例について説明する。
図２は本発明に係る反射型液晶表示装置の第２実施例の半導体基板側を示す概略断面構成図である。図２（Ｂ）は画素電極間に生ずる横方向の電界の状態を説明するための図である。尚、図１に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してある。
上記第１実施例の場合には、全画素電極の上面である反射面上に、直接的に配向層３６を形成したが、この第２実施例では、上記反射面と配向層３６との間に、例えばＳｉＯ２ 等よりなる薄い電極保護絶縁膜６２を前面に亘って介在させるように形成しており、画素電極１１を保護するようになってる。
【００３１】
この場合、液晶駆動時には、この電極保護絶縁膜６２を設けた分だけ液晶層１２に実効的に加わる縦方向の電圧（駆動電圧）は低下するデメリットがあるので、この電極保護絶縁膜６２の膜厚は必要最低限、例えば０．１μｍ程度に設定する。これに対して、上記画素間隙１０Ｋに対応する部分の膜厚だけは、大きく設定してこの部分に画素間隙用絶縁層６０を形成して、横方向の電界Ｂ１（図２（Ｂ）参照）の強度を抑制する。
この場合、図２に示す画素間隙用絶縁層６０の幅Ｗ２は、図１に示す幅Ｗ１と同じに設定し、或いはこれより少し大きく設定するようにしてもよい。この第２実施例の場合にも、先の第１実施例と同じ作用効果を発揮することができる。
【００３２】
尚、以上説明した各実施例における数値例は、単に一例を示したに過ぎず、記載された数値例に限定されないのは勿論である。
また半導体基板もシリコン基板に限定されず、他の半導体、或いは化合物半導体よりなる基板でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の反射型液晶表示装置の第１実施例の半導体基板側を示す概略断面構成図である。
【図２】本発明に係る反射型液晶表示装置の第２実施例の半導体基板側を示す概略断面構成図である。
【図３】従来のアクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置の１画素を示す等価回路図である。
【図４】従来の反射型液晶表示装置を示す概略断面構成図である。
【図５】従来の反射型液晶表示装置のシリコン基板側の２画素分を示すイメージ図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…シリコン基板（半導体基板）、１０Ｋ…画素間隙、１１…画素電極、１２…液晶層、１３…透明電極層、１４…透明基板、３６…配向層、４０…画素、６０…画素間隙用絶縁層、６２…電極保護絶縁膜、Ｂ１，Ｂ２…電界。
【図１】
2007065185.tif 000003
【図２】
2007065185.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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