(57)【要約】【課題】輝度を補償して寿命を向上させる電子放出表示素子及びその駆動方法を提供する。【解決手段】第１電極と第２電極の電圧に対応して画像を表示する画素部と、前記第１電極にデータ信号を伝達されるデータ駆動部と、前記第２電極に走査信号を伝達される走査駆動部と、前記画素部に流れるエミッション電流を測定する電流測定部と、駆動電源を出力する電源供給部及び前記電流測定部で測定されたエミッション電流に対応して前記駆動電源の電圧を変更する電圧調整部を含むが、前記電圧調整部は、前記変更された駆動電源の電圧によって前記エミッション電流の大きさは初期に設定されたエミッション電流の大きさより小さく流れるようにする。【選択図】図２
2007072430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極の電圧に対応して画像を表示する画素部と、
前記第１電極にデータ信号を伝達されるデータ駆動部と、
前記第２電極に走査信号を伝達される走査駆動部と、
前記画素部に流れるエミッション電流を測定する電流測定部と、
駆動電源を出力する電源供給部と、
前記電流測定部で測定されたエミッション電流に対応して前記駆動電源の電圧を変更する電圧調整部を含み、
前記電圧調整部は、
前記変更された駆動電源の電圧によって前記エミッション電流の大きさは、初期に設定されたエミッション電流の大きさより小さく流れるようにすることを特徴とする電子放出表示素子。
【請求項２】
前記電圧調整部は、
前記測定された電流と基準電流を比較して前記信号処理部に電圧信号を伝達される比較部と、
前記比較部から前記電圧信号の伝達を受けて前記電圧信号に対応する電圧調節信号を生成して前記電源供給部に伝達される信号処理部と、
前記基準電流を発生して前記比較部に伝達される基準電流発生部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子放出表示素子。
【請求項３】
前記電圧調節信号によって前記電源供給部は、
前記駆動電源の電圧を調節するが、前記駆動電源の電圧を調節した後、前記電流測定部で測定されたエミッション電流の大きさは初期に設定されたエミッション電流の大きさと異なるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の電子放出表示素子。
【請求項４】
前記基準電流発生部は、
メモリをさらに具備して複数の基準電流が保存され、
前記複数の電流の中で一つの基準電流が選択されて前記比較部に伝達されることを特徴とする請求項２に記載の電子放出表示素子。
【請求項５】
前記メモリは、
前記信号処理部から出力する電圧調節信号に対応して前記駆動電源の電圧が調節された後、前記電圧調節信号に対応する基準電流を前記比較部に伝達することを特徴とする請求項４に記載の電子放出表示素子。
【請求項６】
前記駆動電源は、
前記画素部、前記データ駆動部及び前記走査駆動部に伝達される駆動電源の中で少なくとも一つの駆動電源であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出表示素子。
【請求項７】
データ信号と走査信号の伝達を受けて前記データ信号と前記走査信号の電圧差によって階調が表現される電子放出表示装置において、
前記電子放出表示装置に第１電圧を持つ第１駆動電源を伝達する電源供給部と、
前記第１駆動電源によって前記電子放出表示装置に流れるエミッション電流の大きさを測定する電流測定部と、
前記電流測定部で測定された前記エミッション電流の大きさが基準電流と所定の差が発生すれば、前記駆動電源の電圧を第２電圧に調節するが、前記第２電圧によって前記画素部に流れるエミッション電流の大きさは、
前記基準電流の大きさが異なるように設定される電圧調整部を含むことを特徴とする電子放出表示素子。
【請求項８】
前記第２電圧によって前記電子放出表示素子に流れるエミッション電流を基準電流として再設定する電圧調整部を含むことを特徴とする請求項７に記載の電子放出表示素子。
【請求項９】
前記電圧調整部は、
前記測定された電流と基準電流を比較して前記信号処理部に電圧信号を伝達する比較部と、
前記比較部から前記電圧信号の伝達を受けて前記電圧信号に対応する電圧調節信号を生成して前記電源供給部に伝達する信号処理部と、
前記基準電流を発生して前記比較部に伝達する基準電流発生部を含むことを特徴とする請求項７に記載の電子放出表示素子。
【請求項１０】
前記基準電流発生部は、
メモリをさらに具備して複数の基準電流が保存されて前記複数の基準電流の中で一つの基準電流が選択されて前記比較部に伝達されることを特徴とする請求項９に記載の電子放出表示素子。
【請求項１１】
設定された輝度で発光する画素部の輝度を測定する段階と、
前記測定された輝度が前記設定された輝度と所定値以上差が発生すれば、前記測定された輝度を補償するが、前記画素部の輝度は、前記設定された輝度より低く補償される段階と、
を含むことを特徴とする電子放出表示素子の駆動方法。
【請求項１２】
前記補償された輝度が前記設定値輝度に保存される段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の電子放出表示素子の駆動方法。
【請求項１３】
前記輝度は、
前記画素部に流れるエミッション電流の大きさを把握して感知されることを特徴とする請求項１１に記載の電子放出表示素子の駆動方法。
【請求項１４】
前記輝度を補償する段階で、
前記エミッション電流の大きさと基準電流の大きさを比較して前記エミッション電流の大きさと前記基準電流とが所定値以上差が生じれば輝度を補償することを特徴とする請求項１３に記載の電子放出表示素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出表示素子及びその駆動方法に関し、より詳細には、輝度を補償して寿命を向上させる電子放出表示素子及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、液晶表示素子(Liquid  Crystal  Display；LCD)と、プラズマ表示パネル(Plasma  Display  Panel；PDP)と、電界発光表示素子(Electro  luminescent  Display；ELD)と、電子放出表示素子(Electron  Emission  Display；EED)などの平板ディスプレイが活発に研究開発されている。この中で、電子放出表示素子は、電子放出素子を具備して電子を放出する電子放出領域と、放出された電子を蛍光層に衝突させて発光させるための画像表現領域を具備して構成される。
【０００３】
特に、炭素ナノチューブを利用する電子放出表示素子は、高画質、高解像度、広視野角などの優秀な画像特性を持つ陰極線管(Cathode  Ray  Tube；CRT)と軽量、薄型、低消費電力などを特徴とする平板ディスプレイの長所のみを結合した理想的な表示装置である。
【０００４】
一般に、電子放出素子は、電子源で熱陰極を利用する方式と、冷陰極を利用する方式がある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、FEA(Field  Emitter  Array)型、SCE(Surface  Conduction  Emitter)型、MIM(Metal-Insulator-Metal)型、及びMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、BSE(Ballistic  electron  Surface  Emitting)型などが知られている。
【０００５】
FEA型電子放出素子は、仕事関数(Work  Function)が低いか、β関数（β Function）の高い物質を電子放出源として使用し、真空中で電界差によって電子が放出される原理を利用したもので、尖端が鋭いチップ構造物や炭素係物質、またはナノ物質を電子放出源を適用した素子が開発されている。
【０００６】
SCE型電子放出素子は、基板上にお互いに向き合って配置された２個の電極の間に、導電薄膜を提供し、前記導電薄膜に微細亀裂を提供することで電子放出部を形成した素子である。前記素子は、電極に電圧を印加して導電薄膜表面に電流を流し、前記微細ギャップである電子放出部から電子が放出される原理を利用する。
【０００７】
MIM型とMIS型電子放出素子は、それぞれ金属-誘電層-金属(MIM)と、金属-誘電層-半導体構造からなる電子放出部を形成し、誘電層を間に置いて位置する二つの金属または金属と半導体の間に電圧を印加する時高い電子電位を持つ金属または半導体から低い電子電位を持つ金属の方へ電子が移動及び加速されながら放出される原理を利用した素子である。
【０００８】
BSE型電子放出素子は、半導体のサイズを半導体中の電子の平均自由行程より小さい寸法領域まで縮小すれば、電子が散乱せず走行する原理を利用してオミック電極上に金属または半導体からなる電子供給層を形成し、電子供給層上に絶縁層と金属薄膜を形成して、オミック電極と金属薄膜に電源を印加することによって電子が放出されるようにした素子である。
【０００９】
このような電子放出素子と同様に、カソード電極線の発光によって動作するという点(自体光源、高い効率、高い輝度と広い輝度領域、天然色及び高い色純度、広視野閣)、動作速度、動作温度領域が広いという点等の長所によって多様な分野で活用可能であり、最近まで活発な研究がなされている。
【００１０】
図１は、従来の技術による電子放出表示素子の構造を示す構造図である。
図１を参照すれば、電子放出表示素子は、画素部１０、データ駆動部２０、走査駆動部３０、タイミング制御部４０及び電源供給部５０を含む。
【００１１】
画素部１０は、複数のカソード電極C１、C２．．．．Cnが、列方向に配列されて複数のゲート電極G１、G２．．．．Gnが行方向に配列され、カソード電極C１、C２．．．．Cnとゲート電極G１、G２．．．．Gnが交差する部分ごとに電子放出部が設けられて画素１１を形成する。
また、ゲート電極G１、G２．．．．Gnが列方向に配列されてカソード電極C１、C２．．．．Cnが行方向に配列されることも可能である。
【００１２】
以下では、カソード電極C１、C２．．．．Cnは列方向に配列され、ゲート電極G１、G２．．．．Gnは行方向に配列されていると想定して説明する。
【００１３】
データ駆動部２０は、映像信号を利用してデータ信号を生成し、カソード電極C１、C２．．．．Cnと連結されてデータ信号をカソード電極C１、C２．．．．Cnに伝達する。データ駆動部２０は、選択されたカソード電極C１、C２．．．．Cnとゲート電極G１、G２．．．．Gnが交差する部分に形成された画素１１に対するON/OFFのための電極信号を発生させる。
【００１４】
走査駆動部３０は、ゲート電極G１、G２．．．．Gnと連結されて行方向に配列されている複数のゲート電極の中で一つのゲート電極G１、G２．．．．Gnを選択してゲート電極G１、G２．．．．Gnに連結されている画素１１に走査信号が伝達されるようにする。
【００１５】
タイミング制御部４０は、データ駆動部２０と走査駆動部３０にそれぞれデータ駆動部制御信号と走査駆動部制御信号を伝達してデータ駆動部２０と走査駆動部３０の動作を制御する。
【００１６】
電源供給部５０は、電源を生成して画素部１０、データ駆動部２０、走査駆動部３０及びタイミング制御部４０に伝達し、画素部１０、データ駆動部２０、走査駆動部３０及びタイミング制御部４０が駆動できるようにする。
【００１７】
しかしながら、前述のように構成された電子放出表示素子は、寿命によって漸次的に輝度が落ちるようになる。輝度が落ちると、画素部に表現される画像が全体的に暗く表現されるという問題点がある。また、明るい部分と暗い部分の輝度差が減るようになってコントラストも落ちるという問題点がある。
【００１８】
一方、前記従来の電子放出表示素子及びその駆動方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１および２等がある。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４/０００４５８８号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３/０００６９４７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
したがって、本発明は前記従来の技術の問題点を解決するために創出されたもので、本発明の目的は、輝度を増加させて寿命を向上させる電子放出表示素子及びその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記目的を果たすための本発明の第１側面は、第１電極と第２電極の電圧に対応して画像を表示する画素部と、前記第１電極にデータ信号を伝達されるデータ駆動部と、前記第２電極に走査信号を伝達される走査駆動部と、前記画素部に流れるエミッション電流を測定する電流測定部と、駆動電源を出力する電源供給部及び前記電流測定部で測定されたエミッション電流に対応して前記駆動電源の電圧を変更する電圧調整部を含むが、前記電圧調整部は、前記変更された駆動電源の電圧によって前記エミッション電流の大きさは初期に設定されたエミッション電流の大きさより小さく流れるようにする電子放出表示素子を提供する。
【００２１】
前記目的を果たすための本発明の第２側面は、データ信号と走査信号の伝達を受けて前記データ信号と前記走査信号の電圧差によって階調が表現される電子放出表示装置において、前記電子放出表示装置に第１電圧を持つ第１駆動電源を伝達される電源供給部と、前記第１駆動電源によって前記電子放出表示装置に流れるエミッション電流の大きさを測定する電流測定部及び前記電流測定部で測定された前記エミッション電流の大きさが基準電流と所定の差が発生すれば、前記駆動電源の電圧を第２電圧で調節するが前記第２電圧によって前記画素部に流れるエミッション電流の大きさは、前記基準電流の大きさが異なるように設定される電圧調整部を含む電子放出表示素子を提供する。
【００２２】
前記目的を果たすための本発明の第３側面は、設定された輝度で発光する画素部の輝度を測定する段階及び前記測定された輝度が前記設定された輝度と所定値以上差が発生すれば前記測定された輝度を補償するが、前記画素部の輝度は前記設定された輝度より低く補償される段階を含む電子放出表示素子の駆動方法を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明の電子放出表示素子およびその駆動方法によれば、電子放出表示素子の輝度を補正し、寿命を増加させ、輝度補正の際に駆動電源の電圧の変動幅を小さくして電源供給部が高出力を持つ必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を添付した図面を参照して説明する。
図２は、本発明による電子放出表示素子の構造を示す構造図である。
図２を参照して説明すれば、電子放出表示素子は、画素部１００、データ駆動部２００、走査駆動部３００、タイミング制御部４００、電圧制御部５００及び電源供給部６００を含む。
【００２５】
画素部１００は、複数のカソード電極C１、C２．．．．Cnが列方向に配列されて、複数のゲート電極G１、G２．．．．Gnが行方向に配列され、カソード電極C１、C２．．．．Cnとゲート電極G１、G２．．．．Gnが交差する部分に電子放出部が設けられて画素１０１を形成する。また、ゲート電極G１、G２．．．．Gnが列方向に配列されてカソード電極C１、C２．．．．Cnが行方向に配列されうる。以下では、カソード電極C１、C２．．．．Cnは列方向に配列されて、ゲート電極G１、G２．．．．Gnは行方向に配列されていることを想定して説明する。
【００２６】
そして、画素部１００は、電子放出部の寿命によって輝度が低下されればカソード電極とゲート電極の電圧差を調節して電子放出部からさらに多くの電子を放出するようにして輝度を補償する。
【００２７】
また、画素部１００は、前面に蛍光膜とアノード電極が形成されて、アノード電極によってアノード電圧が印加され、アノード電圧によって電子放出部から放出される電子が蛍光膜に衝突して画素部１００が発光するようにする。
【００２８】
データ駆動部２００は、映像信号を利用してデータ信号を生成して、カソード電極C１、C２．．．．Cnと連結されてデータ信号をカソード電極C１、C２．．．．Cnに伝達する。データ駆動部２００は、選択されたカソード電極C１、C２．．．．Cnとゲート電極G１、G２．．．．Gnが交差する部分に形成された画素１０１に対するON/OFFのための電極信号を発生させる。
【００２９】
走査駆動部３００は、ゲート電極G１、G２．．．．Gnと連結されて行方向に配列されている複数のゲート電極の中で一つのゲート電極G１、G２．．．．Gnを選択してゲート電極G１、G２．．．．Gnに連結されている画素１０１にデータ信号が伝達されるようにする。
【００３０】
タイミング制御部４００は、データ駆動部２００と走査駆動部３００にそれぞれデータ駆動部制御信号と走査駆動部制御信号を伝達してデータ駆動部２００と走査駆動部３００の動作を制御する。
【００３１】
電圧制御部５００は、画素部１００に流れるエミッション電流を測定し、測定されたエミッション電流の大きさに対応して電源供給部６００から出力される駆動電源の電圧を調節する。
電圧制御部５００は、エミッション電流を測定する電流測定部５１０と電源供給部６００から出力される駆動電源の電圧を調節する電圧調整部５２０を含む。
【００３２】
電圧調整部５２０は、電流測定部５１０で測定された電流と基準電流を比較して測定された電流が基準電流と差が所定値以上であれば、駆動電源の電圧を補正する。この時、補正される駆動電源の電圧によって測定された電流が基準電流と同じ値に補正されず、一定の以上差が生じるように補正する。そして、測定された電流を基準電流に設定する。
【００３３】
電源供給部６００は、駆動電源を生成して伝達し、各駆動部が正常な動作を遂行して電子放出表示素子が画像を表現できるようにする。電源供給部６００から生成された駆動電源は、画素部１００に伝達されるアノード電源、データ駆動部２００と走査駆動部３００及びタイミング制御部４００に伝達される駆動電源を例としてあげることができる。
【００３４】
図３a及び図３bは、本発明による電子放出表示装置において輝度を補償する方法に関する概念を示す概念図である。
図３aは、輝度が所定値以上に低下された場合、輝度補償を初期値より低い程度に補償する方式を示し、図３bは、輝度が所定値以上に低下された場合、輝度補償を初期値と同じ値に補償する方式を示す。
【００３５】
図３a及び図３bを参照して説明すれば、初期の画素が１００の輝度で発光することを想定して電子放出表示装置の使用による輝度低下によって初期画素の輝度と１０程度の差が生じれば輝度を補償することを想定して説明する。
【００３６】
まず、図３aに図示された方法を説明すれば、初期輝度が１００の状態で一定時間ごとに輝度の変化を感知して画素の輝度が初期輝度と１０以上差が生じなければ輝度補償をしないで、輝度が１０以上差が生じれば輝度を補償する。すなわち、輝度が９０以下に落ちると輝度を補償する。この時、輝度を補償する程度は、再度初期の画素輝度である１００に輝度を補償しないで９５程度に輝度を補償する。
【００３７】
そして、輝度が９５に補償された後、初期の画素の輝度を９５に設定した状態で、一定時間ごとに輝度の変化を感知して輝度が９５と１０以上差が生じれば、すなわち、輝度が８５になれば輝度補償をして、輝度が９０になるようにする。また、初期の画素輝度を９０に設定する。そして、このような動作を引き続き遂行して画素の輝度を補償する。
【００３８】
図３bに図示された方法を説明すれば、初期輝度が１００の状態で一定時間ごとに輝度の変化を感知して画素の輝度が初期輝度と１０以上差が生じなければ輝度を補償しないで、輝度が１０以上差が生じれば輝度を補償する。この時、輝度を補償する程度は初期の画素輝度である１００に輝度を補償する。
【００３９】
そして、輝度が１００に補償された後、また一定時間ごとに輝度の変化を感知して輝度が１００と１０以上差が生じれば輝度を再度補償して１００に補償する。そして、このような動作を引き続き遂行して画素の輝度を補償する。
【００４０】
図３aに図示された方法は、図３bに図示された方法と異なり、画素の輝度を初期の画素輝度ではない初期画素輝度より低い輝度で補償する。よって、図３aに図示された方法が駆動電圧の調節範囲が図３bに図示された方法より小さく形成される。
【００４１】
特に、輝度補償が数回遂行されれば、図３aに図示された方法と図３bに図示された方法で駆動電源の電圧差が大きく生じる。すなわち、図３bに図示された方法がさらに高い駆動電源を要して電源供給部がさらに大きい出力を持たなければならない。また、図３aに図示された方法が図３bに図示された方法より駆動電源の電圧レベルが低くて、さらに低い電圧によって寿命を補償するようになって、電圧放出部から受ける電圧上昇によるストレスを減らすことができ、電子放出表示素子の寿命がさらに増加する。
【００４２】
そして、輝度の差が初期値と補償値が大きくなくて、視覚的に差を感じなくなる。また、図３bに図示された方法を採用した場合、輝度をこれ以上補償することができなくなる場合、輝度が１００からその以下に落ちるようになって輝度が急激に落ちるように現われるが、図３aに図示された方法を採用した場合、輝度を補償する時漸次的に低い輝度で補償して輝度をこれ以上補償できない場合にも、低い輝度から輝度が落ちて輝度の差を大きく感じなくなる。
【００４３】
図４は、図２に採用された電子放出表示素子で採用された電圧制御部の構造を示す構造図である。
図４を参照して説明すれば、電圧制御部５００は、電流測定部５１０と電圧調整部５２０を含み、電圧調整部５２０は、比較部５２１、信号処理部５２２及び基準電流発生部５２３を含む。
【００４４】
電流測定部５１０は、画素部１００に流れるエミッション電流を測定して測定された電流値を電圧調整部５２０に伝達する。この時、電流測定部５１０は、周期的にエミッション電流を測定して特定時間のみに電流測定部５１０から画素部１００に流れるエミッション電流を測定することができる。また、電流測定部５１０は、毎回エミッション電流を測定して電圧調整部５２０に伝達することもできる。
【００４５】
比較部５２１は、電流測定部５１０で測定されたエミッション電流の大きさと基準電流発生部５２３に記録されている基準電流の大きさを比較して、測定されたエミッション電流と基準電流との差が所定値以上であれば駆動電源の大きさを補償してエミッション電流の大きさを補償できるようにする。
【００４６】
信号処理部５２２は、比較部５２１から出力された信号に対応して電圧調節信号を伝達する。電圧調節信号によって電源供給部６００は、駆動電源の電圧レベルを調節して各駆動部に伝達する。
【００４７】
電子放出表示素子は、輝度がエミッション電流の大きさに対応されてエミッション電流が大きく流れれば高い輝度を表現し、エミッション電流の大きさが小さければ低い輝度を表現するようになる。よって、測定されたエミッション電流の大きさが低くなれば、輝度が低くなって信号処理部５２２で駆動電源の電圧を高めてエミッション電流の大きさを大きくする。この時、エミッション電流の大きさは、初期のエミッション電流より小さな大きさを持つようにして初期の輝度より低い値を持つようにして輝度が初期より暗く補償する。
【００４８】
基準電流発生部５２３は、基準電流を発生して比較部に伝達して比較部５２１で測定された電流と、基準電流を比較できるようにする。また、基準電流発生部５２３は、メモリを具備してメモリに基準電流に対応する基準信号を保存し、比較部５２１に基準電流を伝達できるようにする。この時、メモリは、多様な電圧に対応して複数の基準信号を保存し、その中で、一つの基準信号を選択して比較部５２１に伝達する。そして、電圧調整部５２２で電圧を調整すれば、電圧調整部５２２で調整された電圧に対応される基準信号を選択して比較部５２１に伝達させる。
【００４９】
図６は、図２に図示された電子放出表示素子で採用された画素部を示す斜視図、図７は画素部の断面を示す断面図である。
図６及び図７を参照して説明すれば、電子放出表示素子は、下部基板１１０、上部基板１９０及びスペーサ１８０を含み、下部基板１１０上にカソード電極１２０、絶縁層１３０、電子放出部１４０、ゲート電極１５０が形成され、上部基板１９０は、前面基板、アノード電極及び蛍光膜が形成される。
【００５０】
下部基板１１０上にストライプ形態に少なくとも一つ以上のカソード電極１２０が形成されて、カソード電極１２０の上部にカソード電極１２０の一部が露出されるようにする複数の第１ホーム１３１が形成されている絶縁層１３０が形成される。そして、絶縁層１３０上部にゲート電極１５０が形成される。ゲート電極１５０には、一定の大きさの複数の第２ホーム１５１が形成されて、第２ホーム１５１は、第１ホーム１３１の上部に形成される。そして、カソード電極１２０の上部に第１ホーム１３１と第２ホーム１５１が一致する領域に電子放出部１４０が位置する。
【００５１】
下部基板１１０は、硝子またはシリコン基板を使用し、電子放出部１４０はペーストを利用して後面露光によってこれを形成する場合には、硝子基板のような透明基板が好ましい。
【００５２】
カソード電極１２０は、データ駆動部(図示せず)、または走査駆動部(図示せず)から印加されるそれぞれのデータ信号または走査信号を電子放出部１４０に供給する。カソード電極１２０は、ITO(Indium  Tin  Oxide)が用いられる。
【００５３】
絶縁層１３０は、下部基板１１０とカソード電極１２０上部に形成されて、カソード電極１２０とゲート電極１５０を電気的に絶縁する。
【００５４】
ゲート電極１５０は、絶縁層１３０上に所定の形状、例えば、ストライプ状にカソード電極１２０と交差する方向に配置され、データ駆動部２００または走査駆動部３００から印加されるそれぞれのデータ信号または走査信号を各画素に供給する。ゲート電極１５０は、伝導性の良好な金属、例えば、金Au、銀Ag、白金Pt、アルミニウムAl、クロムCr及びこれらの合金の中から選択された少なくとも一つの導電性金属材料からなる。
【００５５】
電子放出部１４０は、絶縁層１３０の第１開口部１３１によって露出されたカソード電極１２０上に電気的に接続されてそれぞれ位置し、電界が加えられれば電子を放出する物質等、たとえば、カーボン係物質またはナノメートルnmサイズ物質、カーボンナノチューブ、グラパイト(graphite)、グラパイトナノファイバー、ダイヤモンド状カーボン、C６０、シリコンナノワイヤ及びこれらの組み合わせ物質が好ましい。
【００５６】
上部基板１９０は、蛍光膜を具備して電子が蛍光膜に衝突すれば発光するようにし、アノード電極を具備して電子放出部から放出された電子が上部基板に衝突できるようにする。
【００５７】
スペーサ１８０は、下部基板１１０と上部基板１９０の間に一定の距離を維持するようにする。
【００５８】
以上添付した図面を参照して本発明について詳細に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということを理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、従来の技術による電子放出表示素子の構造を示す構造図である。
【図２】図２は、本発明による電子放出表示素子の構造を示す構造図である。
【図３ａ】図３aは、本発明による電子放出表示装置で輝度を補償する方法に関する概念を示す概念図である。
【図３ｂ】図３bは、本発明による電子放出表示装置で輝度を補償する方法に関する概念を示す概念図である。
【図４】図４は、図２に採用された電子放出表示素子で採用された電圧制御部の構造を示す構造図である。
【図５】図５は、図２に図示された電子放出表示素子で採用された画素部を示す斜視図である。
【図６】図６は、画素部の断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  画素部
１１  画素
２０  データ駆動部
３０  走査駆動部
４０  タイミング制御部
５００  電圧制御部
５１０  電流測定部
５２０  電圧調停部
【図１】
2007072430.tif 000003
【図２】
2007072430.tif 000004
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
2007072430.tif 000008
【図６】
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