(57)【要約】      （修正有）【課題】  メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去できるようにする。【解決手段】  露光マスク２２には、フィルム基板１１の製品ピッチＰｈに対応した配線部露光用パターン２２ａを形成するとともに、製品ピッチＰｈの３倍の長さのメッキリード部露光用パターン２２ｂを形成し、露光マスク２２を介して一製品ピッチＰｈ分の３倍の長さの露光エリアＥを一括して露光することにより、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ３を介してメッキリード部露光領域３２ｂを露光するとともに、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ２を介して配線部露光領域３３ａおよびメッキリード部露光領域３３ｂを露光し、さらに露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ１を介してメッキリード部露光領域３４ｂを露光する。【選択図】      図２
2007072345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品ピッチに対応した配線部露光用パターンが形成されるとともに、前記製品ピッチのＮ（Ｎは２以上の整数）倍の長さのメッキリード部露光用パターンが形成された露光マスクと、
前記製品ピッチごとに露光対象を搬送する搬送手段と、
前記露光マスクを介して前記露光対象に光を照射する光源と、
前記露光マスクを通過した光を前記露光対象上に集光させるレンズとを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
配線部露光用パターンが形成された露光マスクと、
露光対象を搬送する搬送手段と、
前記露光マスクを介して前記露光対象に光を照射する光源と、
前記露光マスクを通過した光を前記露光対象上に集光させるレンズと、
前記露光マスク下で前記露光対象を支持する露光ステージと、
前記露光ステージ上において前記露光対象のメッキリード部に紫外線をスポット的に照射する紫外線照射装置とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
一製品ピッチ分の配線部露光用パターンと、前記製品ピッチのＮ（Ｎは２以上の整数）倍の長さのメッキリード部露光用パターンと、を有する露光マスクを用意する工程と、
前記露光マスクを介して露光対象の一製品ピッチ分の第１の領域のメッキリード部の露光を行う工程と、
前記第１領域のメッキリード部が露光された露光対象を一製品ピッチ分だけ搬送する工程と、
一製品ピッチ分だけ搬送された前記第１領域のメッキリード部に前記露光マスクを介して露光を行うと同時に、前記第１領域の配線形成部の露光を行う工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
一製品ピッチ分の配線部露光用パターンと、前記製品ピッチのＮ（Ｎは２以上の整数）倍の長さのメッキリード部露光用パターンと、を有する露光マスクを用意する工程と、
前記露光マスクを介して露光対象の一製品ピッチ分の第１の領域のメッキリード部及び前記第１の領域の配線形成部の露光を行う工程と、
前記第１領域のメッキリード部及び前記配線形成部が露光された露光対象を一製品ピッチ分だけ搬送する工程と、
一製品ピッチ分だけ搬送された前記第１領域のメッキリード部に前記露光マスクを介して露光を行う工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
製品ピッチに対応した配線部露光用パターンが形成された露光マスクを介して露光対象の露光を露光ステージ上で行う工程と、
前記露光ステージ上において前記露光対象のメッキリード部に紫外線をスポット的に照射する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光装置および配線基板の製造方法に関し、特に、配線基板におけるメッキリード部の露光方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のフレキシブルプリント配線基板の製造方法では、銅箔上にフォトレジストを塗布した時にメッキリード部でのフォトレジストの膜厚が厚くなることを利用してメッキリードを形成することが行われている。ここで、メッキリードが不要な製品の場合、銅箔の幅方向における端部のフォトレジストの膜厚を制御することが困難であることから、通常の露光方法ではメッキリード部でのフォトレジストを完全に除去できるようにすることが困難である。このため、メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去できるようにするために、フォトレジストの現像工程において、テープ基板を搬送しながら紫外線をスポット的に照射することが行われている。
【０００３】
また、例えば、特許文献１には、製品の使用時にショートが発生することを防止し製品歩留まりの低下を防止するために、表面に導電層を有する絶縁フィルム基材を搬送しながら、その導電層上のフォトレジストを露光する際にフォトレジストの各部でその部分の現像までの時間に応じてその部分に対する積算光量を変更する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−４４９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、テープ基板を搬送しながら紫外線をスポット的に照射する方法では、テープ基板の搬送に伴う揺れの発生により紫外線の照射量にむらが発生し、メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去できないという問題があった。
また、接着層を介して絶縁性フィルム上に銅箔が貼り付けられた３層材の場合、銅箔が接着層からはみ出しているため、メッキリード部において、エッチングの回り込みによる形状の異常やメッキ液の回り込みによる異常析出を引き起こすという問題があった。
そこで、本発明の目的は、メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去することが可能な露光装置および配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光装置によれば、製品ピッチに対応した配線部露光用パターンが形成されるとともに、前記製品ピッチのＮ（Ｎは２以上の整数）倍の長さのメッキリード部露光用パターンが形成された露光マスクと、前記製品ピッチごとに露光対象を搬送する搬送手段と、前記露光マスクを介して前記露光対象に光を照射する光源と、前記露光マスクを通過した光を前記露光対象上に集光させるレンズとを備えることを特徴とする。
【０００６】
これにより、露光マスクにメッキリード部露光用パターンを設計することで、一製品ピッチ分のメッキリード部に対してＮ回分だけ露光することができる。このため、配線形成部を露光するために必要な光量を確保することで、メッキリード部のフォトレジストを完全に除去するために必要な光量を確保することができ、露光装置の構成を複雑化することなく、メッキリードが不要な製品に対応することが可能となるとともに、３層材におけるエッチングの回り込みによる形状の異常やメッキ液の回り込みによる異常析出を防止することができる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る露光装置によれば、配線部露光用パターンが形成された露光マスクと、露光対象を搬送する搬送手段と、前記露光マスクを介して前記露光対象に光を照射する光源と、前記露光マスクを通過した光を前記露光対象上に集光させるレンズと、前記露光マスク下で前記露光対象を支持する露光ステージと、前記露光ステージ上において前記露光対象のメッキリード部に紫外線をスポット的に照射する紫外線照射装置とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、露光ステージ上で露光対象を固定しながら、露光対象のメッキリード部に紫外線をスポット的に照射することができ、露光対象の搬送に伴う揺れの発生を防止することができる。このため、紫外線の照射量にむらが発生することを防止することができ、メッキリード部のフォトレジストを完全に除去するために必要な光量を確保することが可能となることから、メッキリードが不要な製品に対応することが可能となるとともに、３層材におけるエッチングの回り込みによる形状の異常やメッキ液の回り込みによる異常析出を防止することができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る配線基板の製造方法によれば、一製品ピッチ分の配線部露光用パターンと、前記製品ピッチのＮ（Ｎは２以上の整数）倍の長さのメッキリード部露光用パターンと、を有する露光マスクを用意する工程と、前記露光マスクを介して露光対象の一製品ピッチ分の第１の領域のメッキリード部の露光を行う工程と、前記第１領域のメッキリード部が露光された露光対象を一製品ピッチ分だけ搬送する工程と、一製品ピッチ分だけ搬送された前記第１領域のメッキリード部に前記露光マスクを介して露光を行うと同時に、前記第１領域の配線形成部の露光を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、一製品ピッチ分のメッキリード部に対してＮ回分だけ露光することができ、配線形成部を露光するために必要な光量を確保することで、メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る配線基板の製造方法によれば、一製品ピッチ分の配線部露光用パターンと、前記製品ピッチのＮ（Ｎは２以上の整数）倍の長さのメッキリード部露光用パターンと、を有する露光マスクを用意する工程と、前記露光マスクを介して露光対象の一製品ピッチ分の第１の領域のメッキリード部及び前記第１の領域の配線形成部の露光を行う工程と、前記第１領域のメッキリード部及び前記配線形成部が露光された露光対象を一製品ピッチ分だけ搬送する工程と、一製品ピッチ分だけ搬送された前記第１領域のメッキリード部に前記露光マスクを介して露光を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、一製品ピッチ分のメッキリード部に対してＮ回分だけ露光することができ、配線形成部を露光するために必要な光量を確保することで、メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る配線基板の製造方法によれば、製品ピッチに対応した配線部露光用パターンが形成された露光マスクを介して露光対象の露光を露光ステージ上で行う工程と、前記露光ステージ上において前記露光対象のメッキリード部に紫外線をスポット的に照射する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、露光ステージ上で露光対象を固定しながら、露光対象のメッキリード部に紫外線をスポット的に照射することができ、メッキリード部でのフォトレジストを完全に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係る露光装置および配線基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置の概略構成を示す断面図である。
図１において、フィルム基板１１は長尺状に形成されるとともに、フィルム基板１１上には銅箔１２が積層されている。
また、レジスト塗布装置には、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１を搬送する搬送ローラ１が設けられるとともに、レジストＰを貯留するレジスト槽４が配置されている。そして、レジスト槽４には、レジスト槽４に貯留されたレジストＰを巻き上げる供給ローラ２が設置されている。また、銅箔１２上には、レジストＰを銅箔１２に塗布する転写ローラ３が配置されている。
そして、銅箔１２上にレジストＰを塗布する場合、供給ローラ２と転写ローラ３とを接触させることにより、供給ローラ２にて巻き上げられたレジストＰを転写ローラ３の表面に付着させる。そして、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１を搬送しながら、転写ローラ３に付着されたレジストＰを銅箔１２上に塗布する。
【００１３】
図２は、本発明の一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。
図２において、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１にはメッキリード部１２ａ、１２ｂが設けられている。ここで、レジストＰを銅箔１２に塗布すると、メッキリード部１２ａ、１２ｂのレジストＰが厚膜化し、メッキリード部１２ａ、１２ｂに厚膜部Ｐａ、Ｐｂが形成される。
【００１４】
また、露光装置には、銅箔１２上に塗布されたレジストＰ上に露光パターンを形成する露光マスク２２、露光マスク２２を介してレジストＰに紫外光を照射する光源２１および露光マスク２２を通過した光をレジストＰ上に集光させるレンズ２３が設けられている。ここで、露光マスク２２には、フィルム基板１１の製品ピッチＰｈに対応した配線部露光用パターン２２ａが形成されるとともに、製品ピッチＰｈの３倍の長さのメッキリード部露光用パターン２２ｂが形成されている。すなわち、露光マスク２２には、一製品ピッチＰｈ分の長さにそれぞれ対応した露光パターン形成領域Ｒ１〜Ｒ３が設けられている。そして、露光パターン形成領域Ｒ２には、配線部露光用パターン２２ａが形成されるとともに、一製品ピッチＰｈ分の長さのメッキリード部露光用パターン２２ｂが形成されている。また、露光パターン形成領域Ｒ１、Ｒ３には、一製品ピッチＰｈ分の長さのメッキリード部露光用パターン２２ｂがそれぞれ形成されている。
【００１５】
そして、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１を一製品ピッチＰｈづつ搬送しながら露光マスク２２を介してレジストＰを露光することにより、配線部露光領域３１ａ、３２ａが形成されているものとする。ここで、配線部露光領域３１ａを露光する時には、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ２を介してメッキリード部露光領域３１ｂが露光されるとともに、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ１を介してメッキリード部露光領域３２ｂが露光される。また、配線部露光領域３１ｂを露光する時には、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ３を介してメッキリード部露光領域３１ａが露光されるとともに、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ２を介してメッキリード部露光領域３２ｂが露光され、さらに露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ１を介してメッキリード部露光領域３３ｂが露光される。
【００１６】
そして、配線部露光領域３３ａを露光する場合、露光マスク２２を介して一製品ピッチＰｈ分の３倍の長さの露光エリアＥが一括して露光される。すなわち、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ３を介してメッキリード部露光領域３２ｂが露光されるとともに、露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ２を介して配線部露光領域３３ａおよびメッキリード部露光領域３３ｂが露光され、さらに露光マスク２２の露光パターン形成領域Ｒ１を介してメッキリード部露光領域３４ｂが露光される。
【００１７】
この結果、例えば、配線部露光領域３２ａでは、配線部露光領域３２ａが１回分だけ露光されるのに対して、メッキリード部露光領域３２ｂでは、配線部露光領域３１ａ〜３３ａをそれぞれ露光する際に露光され、合計３回分露光される。
これにより、配線部露光領域３２ａを露光するために必要な光量を確保することで、メッキリード部露光領域３２ｂのフォトレジストＰを完全に除去するために必要な光量を確保することができる。このため、露光装置の構成を複雑化することなく、メッキリードが不要な製品に対応することが可能となるとともに、３層材におけるエッチングの回り込みによる形状の異常やメッキ液の回り込みによる異常析出を防止することができる。
【００１８】
図３は、本発明の一実施形態に係る露光装置のその他の構成例を示す斜視図である。
図３において、露光装置には、銅箔１２上に塗布されたレジストＰ上に露光パターンを形成する露光マスク４２、露光マスク４２を介してレジストＰに紫外光を照射する光源４１、露光マスク４２を通過した光をレジストＰ上に集光させるレンズ４３、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１を支持する露光ステージ４４、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１を露光ステージ４４上に吸引する吸引手段４５、メッキリード部１２ａ、１２ｂに形成されたレジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂに紫外線４８ａ、４８ｂをそれぞれ照射する紫外線照射装置４６が設けられている。ここで、露光マスク４２には、フィルム基板１１の製品ピッチに対応した配線部露光用パターン４２ａが形成されている。また、紫外線照射装置４６には、メッキリード部１２ａ、１２ｂに形成されたレジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂ上に紫外線４８ａ、４８ｂをそれぞれ導く光ファイバユニット４７ａ、４７ｂが設けられている。
【００１９】
そして、銅箔１２が積層されたフィルム基板１１を一製品ピッチＰｈづつ搬送しながら露光マスク４２を介してレジストＰを露光ステージ４４上で露光することにより、配線部露光領域５１ａ〜５３ａが形成される。
また、メッキリード部１２ａ、１２ｂに形成されたレジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂを露光する場合、紫外線照射装置４６から出射された紫外線４８ａ、４８ｂを光ファイバユニット４７ａ、４７ｂをそれぞれ介してメッキリード部１２ａ、１２ｂに導き、露光ステージ４４上においてレジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂに紫外線４８ａ、４８ｂをそれぞれ照射する。ここで、露光ステージ４４上においてレジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂに紫外線４８ａ、４８ｂを照射する場合、吸引手段４５にてフィルム基板１１を露光ステージ４４上に吸引することにより、フィルム基板１１を露光ステージ４４上に固定することができる。
【００２０】
これにより、露光ステージ４４上でフィルム基板１１を固定しながら、メッキリード部１２ａ、１２ｂに形成されたレジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂ上に紫外線４８ａ、４８ｂをスポット的に照射することができ、フィルム基板１１の搬送に伴う揺れの発生を防止することができる。このため、紫外線４８ａ、４８ｂの照射量にむらが発生することを防止することができ、レジストＰの厚膜部Ｐａ、Ｐｂを完全に除去するために必要な光量を確保することが可能となることから、メッキリードが不要な製品に対応することが可能となるとともに、３層材におけるエッチングの回り込みによる形状の異常やメッキ液の回り込みによる異常析出を防止することができる。
【００２１】
なお、配線パターンが形成されたフィルム基板１１は、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などに適用することができる。
また、上述した配線パターンが形成されたフィルム基板１１は、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤ、ＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布装置の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図。
【図３】本発明の一実施形態に係る露光装置のその他の構成例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００２３】
１  搬送ローラ、２  供給ローラ、３  転写ローラ、４  レジスト槽、１１  フィルム基板、１２  銅箔、１２ａ、１２ｂ  メッキリード部、Ｐ  レジスト、Ｐａ、Ｐｂ  厚膜部、Ｒ１〜Ｒ３  露光パターン形成領域、２１、４１  光源、２２、４２  露光マスク、２２ａ、４２ａ  配線部露光用パターン、２２ｂ  メッキリード部露光用パターン、２３、４３  レンズ、３１ａ〜３３ａ、５１ａ〜５３ａ  配線部露光領域、３１ｂ〜３４ｂ  メッキリード部露光領域、４４  露光ステージ、４５  吸引手段、４６  紫外線照射装置、４７ａ、４７ｂ  光ファイバユニット、４８ａ、４８ｂ  紫外線
【図１】
2007072345.tif 000003
【図２】
2007072345.tif 000004
【図３】
2007072345.tif 000005