(57)【要約】【課題】  セラミック上にシリコンを堆積させたＢＪ基板の製造時の歩留まり向上。【解決手段】  セラミックへの溝加工時のチッピングを防ぐために、加工を、浅い溝と深い溝の２段階に分けて、第一段階を、加工速度を落として浅い溝でＣＨ距離を正確に制御して加工し、第二段階で高速に深い溝を加工してインク供給口を形成する。第一の溝より、第二の溝が内側になるようにする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にインク吐出圧力発生素子が設けられ、インク内に気泡を発生させて該吐出口基板からインクを吐出するインクジェット記録ヘッドであって、耐熱基板のインク供給口加工部が、二段のステップ段差を持っていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
基板にインク吐出圧力発生素子が設けられ、インク吐出圧力発生素子に対向するプレート側に吐出口が配されて、インク内に気泡を発生させて該吐出口基板に垂直にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドであって、耐熱基板のインク供給口加工部が、二段のステップ段差を持っていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記耐熱基板はセラミック基板であり、アルミナを主成分とする基板であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
前記の第一段階のステップの深さは、３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】
基板にインク吐出圧力発生素子が設けられ、インク吐出圧力発生素子に対向するプレート側に吐出口が配されて、インク内に気泡を発生させて該吐出口基板に垂直にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、耐熱基板にインク供給口を加工する際に供給口表面部の加工を二段階に分けて行う工程、供給口を耐熱性の高い無機物で充填し基板を平坦化する工程、基板表面に放熱性の良い材料を堆積する工程、その上にインク流路の形成する工程、インク供給口充填材を除去する工程を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記インク供給口加工する際に供給口表面部の加工を二段階に分けて行う工程で、第一ステップで相対的に大きめで浅い穴を掘り、第二ステップで大きめの穴の内側により深い穴を加工することを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第一ステップの加工はブラスト法で行い、第二ステップは切削加工で行うことを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第一ステップの加工はブラスト法で行い、第二ステップは高出力レーザー加工で行うことを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体に外部からエネルギーを加えることによって、所望の液体を吐出するインクジェット記録ヘッド、およびインクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱等のエネルギーをインクに与えることで、気泡の発生を促し、この体積変化を利用して吐出口からインクを吐出し、これを記録媒体上に付着させて画像形成を行うインクジェット記録方法が知られている。インクジェット方式の中で、基板に対し垂直にインクを吐出するサイドシューター型（特許文献１）が提案されている。このサイドシューター型では、基板の裏面から表面の吐出圧発生素子部にインクを供給するために、単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチング法で貫通するインク供給口を開けている。
【０００３】
いっぽう、インクジェット記録ヘッド用の基板として、アルミナにシリコンを堆積して、良好な熱伝導と低コスト化を両立する技術も開示されている。
【特許文献１】特開平４−１０９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のサイドシューター型のインクジェット記録ヘッドでは、単結晶Ｓｉの面方位によってエッチング速度が異なることを利用した異方性エッチング法で、基板裏面からインク供給口をエッチングにより形成していた。このため、基板はＳｉの単結晶基板に限定され、作製できるインクジェット記録ヘッドの大きさにも単結晶基板の大きさが制約になった。
【０００５】
また、セラミック基板を用いた場合、セラミック基板に対してインク供給口を一度に機械加工しようとすると、開口部周辺にバリが発生し、高精度な供給口の形状が形成出来ないという問題点があった。
【０００６】
また、前述、基板としてアルミナにシリコンを堆積して、良好な熱伝導と低コスト化を両立する技術に開示されているインクジェット記録ヘッドの構成では、高精細の印字に不向きであった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、上記のような問題点を解決するために、基板にインク吐出圧力発生素子が設けられ、インク吐出圧力発生素子に対向するプレート側に吐出口が配されて、インク内に気泡を発生させて該吐出口基板に垂直にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドであって、耐熱基板のインク供給口加工部が、二段のステップ段差を持っていることを特徴とするインクジェット記録ヘッドを提供する。
【０００８】
また、本発明は、基板にインク吐出圧力発生素子が設けられ、インク吐出圧力発生素子に対向するプレート側に吐出口が配されて、インク内に気泡を発生させて該吐出口基板に垂直にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、耐熱基板にインク供給口加工する際に供給口表面部の加工を二段階に分けて行う工程、供給口を耐熱性の高い無機物で充填し基板を平坦化する工程、基板表面に放熱性の良い材料を堆積する工程、その上にインク流路の形成する工程、インク供給口充填材を除去する工程を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法によって達成される。
【０００９】
（作用）
本発明では、安価なセラミック基板に貫通孔を開けて、それを耐熱性の無機物で埋めて平坦化し、表面に熱伝導の良いシリコンを堆積することによって、ＣＶＤなどの高温プロセスに耐えうる、インクジェット記録ヘッド用の基板を供給する際に、セラミック基板のバリを加工精度はいいが深い穴の開けにくいブラスト加工と、加工精度は悪いが深い穴を開けるのに適している、切削やレーザー加工を組み合わせて、精度の高いインク供給口を形成するものである。
【００１０】
浅い溝は、高い周波数で吐出した時に、インクリフィルに悪影響を与えないようにするために、３０μｍ以上に設定する。
【００１１】
（実験１）
板厚が１ｍｍのアルミナ基板２０１に、粒度４００のダイヤモンドブレードの機械加工で、幅２００μｍ、長さ２００ｍｍ、深さ５０μｍの溝加工をした。加工条件は、粒度４００のダイヤモンドブレードで、５５．６ｍｍΦのブレードを用いて、２５００回転で押し込み量を５０μｍ、送り速度を５ｍｍ／秒に設定した。図２の（２）に、加工物の平面を示した。溝の側面部２０３の形状を測定したところ、所望の加工ラインに対するうねりは、±５μｍ以内に入っていた。
【００１２】
（実験２）
実験１と同様のディメンジョンで溝加工を行った。方法は図３に示したように、５０μｍ厚の感光性ドライフィルムでパターンを形成した後、平均粒径２０μｍのＳｉＣの砥粒を用いて、ブラスト加工を行い、エアの吹きつけ圧力１．５ｋｇ／ｃｍ２、研磨剤噴出量７００ｇ／分、ノズルの掃引速度を３ｍｍ／ｓｅｃとして、２０μｍの深さの溝加工をした。
【００１３】
実験１と同様に、溝の側面部２０３の形状を測定したところ、所望の加工ラインに対するうねりは、±４μｍ以内に入っていた。
【００１４】
（比較例）
比較例として、図４のように、上記と同じ基板上に、幅２００μｍ、長さ２００ｍｍの貫通口を、粒度４００のダイヤモンドブレードで、５５．６ｍｍΦのブレードを用いて、３０００回転で押し込み量を３００μｍに設定して、一気に切削加工したところ、溝の側面部３０５に多数のチッピングが発生し、所望の加工ラインに対して、２０μｍも後退した部分が発生した。
【００１５】
（実験３）
実験１で開けた浅い溝（図１（２））に、貫通するような深い溝（図１（３））を加工する際に、浅い溝の側面から、深い溝の側面までの距離１０４を変化させて、２００ｍｍの溝の両側のチッピングの発生個数を評価した。
【００１６】
図８は、浅い溝の側面から深い溝の側面までの距離と、チッピングの発生個数の関係を示したものである。二段階目の深い溝加工を、浅い溝の端面から５μｍ以上離して行うと、急激に浅い溝端に影響を与えるようなチッピングの発生が減っていることが判った。
【発明の効果】
【００１７】
以上述べたように本発明によれば、セラミック基板に二段階に加工を行い、精度の良いインク供給口を形成し、その上に放熱性の高い層を堆積することによって、十分な機械強度と良好な蓄熱性と放熱性のバランスがとれた、インクジェット記録ヘッド用の基板を得ることが可能になる。
【００１８】
これを用いて、低コストで面積の大きな基板を用いて、高品位な印字が可能なインクジェット記録ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の詳細を実施例の記述に従って説明する。
【００２０】
図１は本発明による実施態様例を示すインクジェット記録ヘッドのベース基板の模式図である。基板１０１としてはアルミナ、窒化アルミなどのセラミックなどが用いられる。基板の中心部にインクを裏面から供給するための貫通穴１０２があけられている。インクジェット記録ヘッドノズルの幅が広くなると、この供給口が基板中心を縦断しているために、基板の強度が低下して、変形や破損が起きる可能性が増える。そこで、図６（図５の側面図）のように供給口を複数に分割して、内部にハリ４０５を設けて強度増加をはかる。このときハリ上部４０６（インク吐出圧発生素子形成面側）がインク流路の抵抗とならないように連続した溝形状にする。
【００２１】
この供給口の加工は、二段階に分けて行い、第一段階では、図１（２）のようにダイシングまたはブラスト加工で浅い溝を掘る。第二段階では、図１（３）のように、第一段階よりも内側に深い溝（貫通していても良い）を加工する。この際、第一段階の溝端よりも、５μｍ以上離すことが望ましい。
【００２２】
加工したインク供給口は、薄膜プロセスを通すために、ＳｉやＧｅおよびそれらを含む合金等で穴埋め１０７される。基板表面をラッピング等で平坦化した後、基板表面にエッチングストップ層１０５としてＳｉＮやＳｉＯ２などの薄膜を堆積する。さらにこの上にインクジェットのインク吐出用ヒーターの放熱を良くするためにＳｉなどの熱伝導性の良いもの１０６を１０〜３０μｍ堆積する。
【００２３】
次に、本発明によるインクジェット記録ノズルのプロセスを図７、図１３〜図１７および図１２を使って順を追って説明する。
【００２４】
アルミナなどのセラミック製基板５０１に、ブラストまたは切削加工によって、浅い溝５０２を掘る。次にレーザー加工や機械加工で、深いインク供給口５０３を形成する。供給口は、図６のように基板表面では連続しているが、基板下面で一部繋がっていて強度を保つようになっている。
【００２５】
形成した供給口に、図１２（２）のように加熱用の表面のフラットなボート７０４に基板を設置して、基板と線膨張係数の近い材料７０３の粉末を充填する。この材料は、例えばＳｉ、Ｇｅやその合金等などが用いられる。
【００２６】
この後、充填材の融点以上に加熱し、供給口に多結晶のＳｉ、Ｇｅ等を密に充填する。
【００２７】
さらに、埋め込み部の突起部を研磨して、図７の（５）のように平坦化する。
【００２８】
平坦化した基板上に、ＣＶＤ法やスパッター等でＳｉＮまたはＳｉＯ２膜を堆積して、エッチングストップ層５０７とする。積層されたエッチングストップ膜のトータルの膜厚は、一般には５０００Å〜３μｍ、好ましくは８０００〜２５０００Å、最適には１μｍ〜２μｍである。また積層されたエッチングストップ膜のトータルの応力は、一般には２×１０ｅｘｐ―９dyne/cm2以下、より好ましくは１．８×１０ｅｘｐ―９dyne/cm2以下、最適には１．５×１０ｅｘｐ―９dyne/cm2以下である。
【００２９】
更にＣＶＤ法や溶融塗布法などでアモルファスシリコンやポリシリコン層５０８を堆積する。これは、インクジェット吐出素子の熱を逃がすために１０〜４０μｍ堆積する。
【００３０】
ＣＶＤ法やスパッター等でＳｉＮまたはＳｉＯ２膜を堆積しパターニングして、蓄熱層５０９を形成する。その上に、ＡｌやＣｕおよびその合金を堆積パターニングして、下層配線電極５１０を形成する。
【００３１】
プラズマＣＶＤ等を使って、ＳｉＮやＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の膜を堆積して層間絶縁膜５１１とする。さらに、層間絶縁膜にコンタクトホール５１２を形成する。
【００３２】
インク供給口に合わせて、インク吐出圧力発生素子としてヒーター部５１４形成する。ヒーター材料としては、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＮＳｉ等などの金属膜をスパッターや真空蒸着等によって堆積しパターニングする。さらに電力供給用の上層電極５１３としてＡｌ、Ｍｏ、Ｎｉ，Ｃｕ等の金属膜を同様にして形成する。
【００３３】
ヒーターには耐久性の向上を目的としてプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜５１５を堆積し保護膜とする。
【００３４】
この上に、耐キャビテーション膜５１６としてスパッター法等でＴａを堆積しパターニングする。この膜の膜厚は、好ましくは１０００〜５０００Å、さらに好ましくは２０００〜４０００Å、最適には２５００〜３５００Åである。
【００３５】
ここで、配線とヒーターの形成の順番等に特に制限がないのは言うまでもない。
【００３６】
樹脂製のノズルの密着性を上げるために、耐食性の高い樹脂膜５１７を形成する。そして、ヒーター部とインク供給口部をパターニングする。
【００３７】
インク流路確保のために、強アルカリや有機溶剤等で溶解可能な樹脂で流路パターン５１８を形成する。このパターンは、印刷法や感光性樹脂によるパターニング等で形成する。
【００３８】
インク流路のパターンの上に、被覆樹脂層５１９を形成する。この被覆樹脂層は微細パターンを形成するので感光性レジストが望ましく、さらに流路を形成した樹脂層を除去する際のアルカリや溶剤等によって変形変質しない性質が必要である。
【００３９】
次に流路の被覆樹脂層をパターニングして、ヒーター部に対応したインク吐出口５２０と電極の外部接続部を形成する。この後、被覆樹脂層を光や熱等によって硬化する。
【００４０】
この基板のノズル形成面側を保護するためレジストで保護膜５２１を形成する。
【００４１】
この基板をアルカリ系エッチャント（ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン等）に浸け、インク供給口に充填した充填材をエッチングして、インク供給口５２２を形成する。この時、エッチングは、エッチングストップ層５０７の手前で止まる。
【００４２】
エッチングストップ層のＳｉＮ等の膜をフッ酸等の薬液または、ドライエッチ等で部分的に除去してインク供給口５２３を開口する。最後にインク流路形成材を除去し、インクの流路５２４を確保する。
【００４３】
上記プロセスにおいて、基板の加工手順は特に限定されるものではなく、任意に選ぶことができる。
【実施例１】
【００４４】
以下に、本発明の実施例を説明する。
【００４５】
図１は本発明による実施例を示すインクジェット記録ヘッドのベース基板の模式図である。外形６インチΦで厚さ１ｍｍのアルミナ基板１０１の中心部に、幅１８０μｍ、長さ１００ｍｍ、深さ５０μｍ浅い溝１０２を、１５ｍｍ間隔で５本加工した。加工はダイヤモンド砥石をつかったダイサーで、加工条件は粒度４００のダイヤモンドブレード、５５．６ｍｍΦのブレードを用いて、２５００回転で押し込み量を５０μｍ、送り速度を５ｍｍ／ｓｅｃに設定した。
【００４６】
さらに、浅い溝の中心に、幅１５０μｍで、長さ１００ｍｍ、深さ５００μｍの深い穴１０３を切削した。加工条件は、粒度４００のダイヤモンドブレードで、５５．６ｍｍΦのブレードを用いて、３０００回転で押し込み量を５００μｍ、送り速度を１０ｍｍ／ｓｅｃに設定した。この溝は、図６の４０６のように、基板の中心付近で止めた。
【００４７】
さらに、基板の裏から、炭酸ガスレーザーで１０ｍｍピッチで、５ｍｍのハリ４０５を残して、貫通口を開けた。
【００４８】
加工した基板を、図１２のようにカーボンボート７０４に乗せ、供給口の上部を塞いで、図１２（２）のように、インク供給口にＳｉを粒径５０μｍ以下の粉末にして充填７０３し、１５００℃で溶融して穴埋めを行った。冷却した基板を取り出し、図１２（４）のように、表面をラッピングして平坦化した。
【００４９】
その後、基板表面にエッチングストップ層１０５としてＳｉＮ薄膜を１８０００Å堆積した。さらにこの上にインクジェットのインク吐出用ヒーターの放熱を良くするためのアモルファスＳｉ層１０６を、プラズマＣＶＤで４０μｍ堆積した。
【実施例２】
【００５０】
以下に、本発明の他実施例を説明する。
【００５１】
実施例１と同様の構造で、インク供給口に充填する材料をＧｅとして、溶融温度を９８０℃とした。他の部分は実施例１と同じにした。
【実施例３】
【００５２】
以下に、本発明によるインクジェット記録ヘッドの作製方法について、図７、図１３〜図１７を用いて順を追って説明する。
【００５３】
外形６インチΦで厚さ１ｍｍのアルミナ基板５０１の中心部に、幅１８０μｍ、長さ１００ｍｍ、深さ５０μｍ浅い溝５０２を、１５ｍｍ間隔で５本加工した。加工はダイヤモンド砥石をつかったダイサーで、加工条件は粒度４００のダイヤモンドブレード、５５．６ｍｍΦのブレードを用いて、２５００回転で押し込み量を５０μｍ、送り速度を５ｍｍ／ｓｅｃに設定した。
【００５４】
さらに、浅い溝の中心に、幅１５０μｍで、長さ１００ｍｍ、深さ５００μｍの深い穴５０３を切削した。加工条件は、粒度４００のダイヤモンドブレードで、５５．６ｍｍΦのブレードを用いて、３０００回転で押し込み量を５００μｍ、送り速度を１０ｍｍ／ｓｅｃに設定した。この溝は、図６の４０６のように、基板の中心付近で止めた。
【００５５】
さらに、基板の裏から、炭酸ガスレーザーで１０ｍｍピッチで、５ｍｍのハリ４０５を残して、貫通口を開けた。
【００５６】
加工した基板を、カーボンボートに乗せ、供給口の上部を塞いで、供給口に粒径５０μｍ以下の粉末状のＧｅを充填して、９８０℃溶融して多結晶化して密に充填した。さらに、基板を冷却した後、粒径１μｍのセリウムの砥粒を用いて、埋め込み部の突起部を研磨して平坦化した。この時、供給口の部分の凹凸は５０００Å以下に抑えた。
【００５７】
平坦化した基板上に、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮを２μｍ堆積して、エッチングストップ層５０７とした。この時の成膜条件は、ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２＝ １６０／４００／２０００ｓｃｃｍ、圧力１６００ｍｔｏｒｒ、基板温度３００℃、ＲＦ１４００Ｗであった。
【００５８】
更にプラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコン層５０８を３０μｍ堆積した。この時の成膜条件は、ＳｉＨ４／Ｈ２＝２００：１０００ｓｃｃｍ、圧力１２００ｍｔｏｒｒ、基板温度２５０℃、ＲＦ２．６ＫＷであった。
【００５９】
さらにプラズマＣＶＤ法でＳｉＯ２膜を８０００Å堆積しパターニングして、蓄熱層５０９を形成した。そのときの成膜条件は、ＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ／Ｎ２＝２５０／１２００／４０００ｓｃｃｍ、圧力１８００ｍｔｏｒｒ、基板温度３００℃、ＲＦ１８００Ｗであった。
【００６０】
その上に、ＡｌＣｕを３０００Å堆積パターニングして、下層配線電極５１０を形成した。
【００６１】
さらにプラズマＣＶＤ法を使って、前述と同条件でＳｉＯ２膜を１２０００Å堆積して層間絶縁膜５１１とした。さらに、層間絶縁膜にコンタクトホール５１２を形成した。
【００６２】
インク供給口に合わせて、インク吐出圧力発生素子としてヒーター部５１４形成する。ヒーター材料としては、ＴａＳｉＮ膜をスパッターで５００Å堆積しパターニングした。さらに電力供給用の上層電極５１３としてＡｌＣｕ膜を２０００Å堆積してパターニングした。
【００６３】
ヒーターには耐久性の向上を目的としてプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜５１５を３０００Å堆積した。
【００６４】
この上に、耐キャビテーション膜５１６としてスパッター法でＴａを２３００Å堆積しパターニングした。
【００６５】
樹脂製のノズルの密着性を上げるために、耐アルカリ性の膜（HIMAL日立化成製）５１７を２μｍ厚さで形成する。そして、ヒーター部パターニングする。
【００６６】
感光性樹脂としてポリメチルイソプロペニルケトン（東京応化ＯＤＵＲ−１０１０）を２０μｍ塗布してパターニングして、図１５（１）のようにインク流路型材５１８を形成した。さらに表１に示した感光性樹脂層５１９を１２μｍ塗布しパタ−ニングして、図１５（２）のようにインク吐出口５２０を形成した。
【００６７】
ノズル形成面側を保護するために、ゴム系レジスト（東京応化製  ＯＢＣ）で保護膜５２１を形成した。
【００６８】
この基板を２１％のＴＭＡＨ水溶液に浸漬して異方性エッチングした。エッチャント温度は８３℃、エッチング時間は３時間とした。
【００６９】
エッチングは図１６（１）のように進み、エッチングストップ層の前で止まっている。この時、エッチングストップ層に亀裂はなく、流路形成樹脂層やノズル部へのエッチング液の浸入は見られなかった。
【００７０】
次に、図１６（２）のようにエッチングストップ層のＳｉＮとその上のアモルファスシリコン層をＣＤＥ法によって除去した。エッチング条件は、ＣＦ４／Ｏ２＝３００／２５０ｓｃｃｍ、ＲＦ８００Ｗ、圧力２５０ｍｔｏｒｒであった。
【００７１】
保護膜を除去した後、図１７（２）のように、乳酸メチル中で超音波を掛け流路形成樹脂を除去して、インク流路５２４を形成しインクジェット記録ヘッドが完成した。
【００７２】
このインクジェット記録ヘッドに電気的外部配線を接続し、吐出周波数１８ＫＨｚで印字テストを行ったが、１００ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【実施例４】
【００７３】
以下に、本発明によるインクジェット記録ヘッドの作製方法の他の実施例について説明する。
【００７４】
実施例３と同様のディメンジョンで溝加工を行った。方法は図３に示したように、５０μｍ厚の感光性ドライフィルムでパターンを形成した後、平均粒径２０μｍのＳｉＣの砥粒を用いて、ブラスト加工を行い、エアの吹きつけ圧力１．５ｋｇ／ｃｍ２、研磨剤噴出量７００ｇ／分、ノズルの掃引速度を３ｍｍ／ｓｅｃとして、２０μｍの深さの溝加工をした。
【００７５】
その後の溝加工、充填研磨、ＳｉＮ成膜、ａ−Ｓｉ成膜、絶縁膜形成は実施例３の図７（３）〜図７（６）、図１３（１）〜図１３（２）と同様に行った。
【００７６】
絶縁膜６０１上に、スパッターで下層にＴａＳｉＮ膜（Ｔａ：Ｓｉ：Ｎ＝４３：４２：１５）を４００Å、上層にＡｌＣｕ膜（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）を２０００Å堆積した。フォトリソ技術によって図９（３）のようにパターニングしてヒーター層６０２と電極配線層６０３の積層構造を形成した。
【００７７】
次に、インク供給口に合わせて、上層の配線材を一部エッチングして取り除き下層のＴａＳｉＮを露出させヒーター部６０４形成する。（平面図１１参照）ヒーター部の大きさは２４Ｘ２４μｍとした。配線は図１１のように平面上で折り返し、個別信号供給線と下流のグラウンド電源部を同一配線で形成した。
【００７８】
ヒーターには耐久性の向上を目的としてプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜６０５を堆積し保護膜とし、以下は実施例３と同様の工程を経てインクジェット記録ヘッドを形成した。
【００７９】
このインクジェット記録ヘッドに電気的外部配線を接続し、吐出周波数１８ＫＨｚで印字テストを行ったが、１００ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【００８０】
なお、図１０は、本発明によるインクジェット記録ヘッドの途中工程を示す概略図である。
【００８１】
【表１】
2007296777.tif 000003
【００８２】
なお、エピコートは登録商標である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板を示す概略図
【図２】本発明に至る実験に用いた、浅い加工溝の概念図
【図３】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローの一部を示す図
【図４】比較例を示す概略図
【図５】本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板を示す概略図
【図６】図５の他の側面からの概略図
【図７】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図
【図８】本発明に至る実験結果を示す図
【図９】本発明によるインクジェット記録ヘッドの途中工程を示す概略図
【図１０】本発明によるインクジェット記録ヘッドの途中工程を示す概略図
【図１１】本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板の平面図
【図１２】本発明によるインクジェット記録ヘッドの途中工程を示す概略図
【図１３】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図
【図１４】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図
【図１５】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図
【図１６】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図
【図１７】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図
【符号の説明】
【００８４】
１０１  セラミック基板
１０２  浅い溝
１０３  深い溝（貫通口）
１０４  浅い溝と深い溝の距離
１０５  エッチングストップ層
１０６  シリコン層
１０７  インク供給口充填材
２０１  セラミック基板
２０２  浅い溝
２０３  溝周辺の端部
３０１  セラミック基板
３０２  感光性ドライフィルム
３０３  浅い溝
３０４  貫通口
３０５  溝周辺のチッピング状態
４０１  セラミック基板
４０２  浅い溝
４０３  深い溝（貫通口）
４０４  インク供給口充填材
４０５  ハリ
４０６  連続したインク供給口  
５０１  セラミック基板
５０２  浅い溝
５０３  深い溝（インク供給口）
５０４  インク供給口充填材
５０５  基板上部研磨面
５０６  基板下部研磨面
５０７  エッチングストップ層
５０８  シリコン層
５０９  蓄熱層（絶縁膜）
５１０  下層電極
５１１  層間絶縁膜
５１２  コンタクトホール
５１３  上部電極
５１４  ヒーター
５１５  ヒーター保護膜
５１６  耐キャビテーション膜
５１７  耐アルカリ有機膜
５１８  インク流路形成材
５１９  ノズル形成樹脂
５２０  インク吐出口
５２１  エッチング保護膜
５２２  インク供給口アルカリエッチング部
５２３  インク供給口ドライエッチング部
５２４  インク流路
６０１  絶縁膜
６０２  ヒーター層
６０３  電極層
６０４  ヒーター部
６０５  保護膜
７０１  セラミック基板
７０２  インク供給口
７０３  ＳｉまたはＧｅの粉末
７０４  カーボンボート
７０５  ポリクリスタルが充填されたインク供給口表面
７０６  インク供給口の裏面
７０７  研磨処理後のフラットなインク供給口表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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