(57)【要約】【課題】  ハードコート層を備えることにより、耐久性に優れた電気光学装置及びそのような電気光学装置の効率的な製造方法を提供する。【解決手段】  ガラス基板を基材とした電気光学装置及びその製造方法において、電気光学装置を組み立てた後、あるいは組み立て前の段階に、ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物を含むハードコート層を形成する。【選択図】  図１
2007065438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を基材とした電気光学装置において、
前記ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物から形成されたハードコート層を備えてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記シラン化合物が、分子内または分子末端に窒素原子、ハロゲン原子、ビニル基およびアミノ基の少なくとも一つの原子または官能基を有するシラン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記シラン化合物とともに、アルキルチタン化合物、アルコキシチタン化合物、アリールチタン化合物、及びアリーロキシチタン化合物、アルキルアルミニム化合物、アルコキシアルミニム化合物、アリールアルミニム化合物、及びアリーロキシアルミニム化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ハードコート層が透明性を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記ハードコート層が前記ガラス基板上に、全面的または部分的に設けてあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記ハードコート層の厚さを０．０１〜１０μｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記ハードコート層のＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠して測定される鉛筆硬度をＨ〜５Ｈの範囲内とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
ガラス基板を基材とした電気光学装置の製造方法であって、
前記ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物から形成されたハードコート層を設ける工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記電気光学装置を組み立てた後、あるいは組み立て前の段階に、水洗工程を設けるとともに、当該水洗工程において、前記シラン化合物から形成されたハードコート層を設ける工程を実施することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電気光学装置の水洗工程後に乾燥工程を設け、当該乾燥工程において、前記電気光学装置を乾燥させるとともに、前記ハードコート層を構成するシラン化合物を加熱硬化させることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記シラン化合物を、触媒硬化、熱硬化、あるいは光硬化することによって、前記ハードコート層を形成することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関する。特に、特定化合物から形成されたハードコート層を設けることにより、耐久性に優れた電気光学装置及びそのような電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様として、液晶装置が知られている。かかる液晶装置においては、ガラス基板上に電極が形成された一対の基板を、シール材により貼り合わせて構成され、所望の画素に相当する電極間に電圧を印加することにより液晶材料の配向方向を制御して、文字や絵等の画像を表示させている。そして、このような液晶装置の製造に際して、一対の基板を貼り合わせるためのシール材をプレベークする工程や、液晶材料の配向方向を規定するための配向膜を焼成する工程、基板上に形成した樹脂膜を安定させるためのアニール処理を行う各種加熱工程が設けられている。
ここで、加熱工程において、均一に熱処理するために、特定の支持機構を備えた焼成炉が用いられている。より詳細には、図１１に示すように、一定の温度に保たれ、内部にガラス基板を入れて焼成するための焼成炉におけるガラス基板の支持機構５０６であって、ガラス基板５０５を支持する接触部材５０７のガラス基板５０５への接触面積を微小にした支持機構が用いられている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、製造工程中に生じる傷やクラックを除去して、図１２に示すように、大判パネルにおけるガラス基板の割れ強度を改善した電気光学パネルの製造方法が提案されている（特許文献２参照）。
より具体的には、２枚のガラス基板を貼り合わせてなる電気光学パネルの外面の一部にマスクを形成した後に、フッ酸水溶液等のエッチング液を用いてケミカルエッチング処理を行い、その後マスクを除去することを特徴とした電気光学パネルの製造方法である。そして、かかる製造方法によれば、図１３及び図１４に示すデータから明確なように、ケミカルエッチング処理によって、ガラス基板の割れ強度を１０．５ｋｇから１５ｋｇへと改善できるばかりか、ガラス基板の薄型化にも寄与することができることから有用な製造方法である。
【特許文献１】特開２００１−１５１５２４号（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００３−３１６２８０号（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された焼成炉においては、ガラス基板の支持機構と、ガラス基板との摩擦により、ガラス基板の表面に微小傷が生じ、それが原因となって、ガラス基板の機械的強度や耐久性が低下するという問題があった。
このような問題を解決するために、ガラス基板の支持機構を軟質材料から構成することも考えられるが、今度は、支持機構自体の耐熱性や機械的特性が低下するという新たな問題が見られた。
【０００５】
また、特許文献２に記載された製造方法は、ケミカルエッチング処理条件が安定している場合には、ガラス基板の割れ強度の改善等にとって、有用な製造方法であるものの、ケミカルエッチング処理条件がばらついた場合には、その効果が薄れるという問題が見られた。すなわち、環境温度の変化やエッチング液の劣化等のために、ケミカルエッチング能力がばらつき、ガラス基板の傷やクラックを十分に除去できなかったり、逆にガラス基板における傷やクラックが拡大したりするという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、ガラス基板の表面に、特定化合物から形成されたハードコート層を設けることにより、ガラス基板の割れ強度を１８ｋｇ以上の値とすることができ、このような問題が解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、特定化合物から形成されたハードコート層をガラス基板に設けることにより、電気光学装置の組み立て前の段階における傷やクラックの発生を防止するとともに、電気光学装置の組み立て前後において、仮に傷やクラックが発生した場合であっても、その傷やクラックの影響を受けることが少ない電気光学装置、及びそのような電気光学装置が効率的に得られる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、ガラス基板を基材とした電気光学装置において、ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物から形成されたハードコート層を設けてなる電気光学装置が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、電気光学装置の組み立て前に、ガラス基板の状態でその表面に、ハードコート層を設けることにより、ガラス基板の搬出入時における振動やこすれに起因した損傷を効果的に防止することができるとともに、ガラス基板の表面が平滑化するため、搬送スピードを高めることも可能となる。
一方、電気光学装置の組み立て後に、ハードコート層を設ける場合には、最も傷付きやすい焼成炉の中での乾燥工程を実施する際であっても、傷やクラックの発生を有効に防止することができ、例えば、ガラス基板の割れ強度を１８ｋｇ以上の値とすることができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シラン化合物が、分子内または分子末端に窒素原子、ハロゲン原子、ビニル基およびアミノ基の少なくとも一つの原子または官能基を有するシラン化合物であることが好ましい。
このように構成することにより、ハードコート層と、ガラス基板との間の密着性をさらに向上させることができる。また、電気光学装置の組み立て後に、偏光板や位相差板を貼付した場合、ハードコート層を介して、これらの部材と、ガラス基板との間でも優れた密着力を得ることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、シラン化合物とともに、アルキルチタン化合物、アルコキシチタン化合物、アリールチタン化合物、及びアリーロキシチタン化合物、アルキルアルミニム化合物、アルコキシアルミニム化合物、アリールアルミニム化合物、及びアリーロキシアルミニム化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含むことが好ましい。
このように構成することにより、ハードコート層の透明性や屈折率等を容易に調整することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ハードコート層が透明性であることが好ましい。
このように構成することにより、ハードコート層における光吸収性を低減することができるとともに、外部に取り出す光量の低下を有効に防止することができる。
なお、かかるハードコート層の透明性は、簡易的には目視により判断可能であるが、可視光透過率をもとに精度よく判断することもできる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ハードコート層がガラス基板上に、全面的または部分的に設けてあることが好ましい。
このようにハードコート層を全面的に設ける場合には、ガラス基板における傷やクラックの影響を効果的に排除し、優れた耐久性や機械的強度を得ることができる。
一方、ハードコート層を部分的に設ける場合には、ハードコート層における光吸収性を調整することができるばかりか、ガラス基板等において割れやすい箇所のみを選択的に補強することができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ハードコート層の厚さを０．０１〜１０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
このように構成することにより、ハードコート層の透明性と、硬度や耐久性等との間のバランスを容易に調整することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、ハードコート層のＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠して測定される鉛筆硬度をＨ〜５Ｈの範囲内とすることが好ましい。
このように構成することにより、ハードコート層の硬度や耐久性と、経済性等との間のバランスを容易に調整することができる。
【００１４】
また、本発明の別の態様は、ガラス基板を基材とした電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物から形成されたハードコート層を設ける工程を含む電気光学装置の製造方法である。
すなわち、電気光学装置の組み立て前に、ガラス基板の状態でその表面に、ハードコート層を設けることにより、ガラス基板の搬出入時における振動やこすれに起因した損傷を効果的に防止することができるとともに、ガラス基板の表面が平滑化するため、搬送スピードを高めることも可能となる。
一方、電気光学装置の組み立て後に、ハードコート層を設ける場合には、最も傷付きやすい焼成炉の中での乾燥工程を実施する際であっても、傷やクラックの発生を有効に防止することができる。
また、このように実施することにより、後工程におけるケミカルエッチング処理を省略することができ、電気光学装置の生産効率を向上させたり、生産コストを低減したりすることもできる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、電気光学装置の水洗工程を設けるとともに、当該水洗工程において、シラン化合物から形成されたハードコート層を設ける工程を実施することが好ましい。
このように実施することにより、従来の製造工程における洗浄槽等をそのまま使用して、短時間かつ経済的に、電気光学装置を効率的に提供することができる。
なお、シラン化合物の種類、その濃度や水温等にもよるが、全体量に対して、シラン化合物の濃度が１０重量％以下であれば、水洗能力についても特に劣化しないどころか、逆に、シラン化合物による消泡効果が発揮されて優れた洗浄効果が得られることも判明している。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、電気光学装置の水洗工程後に乾燥工程を設け、当該乾燥工程において、電気光学装置を乾燥させるとともに、ハードコート層を構成するシラン化合物を加熱硬化させることが好ましい。
このように実施することにより、従来の製造工程をそのまま使用して、短時間かつ経済的に、電気光学装置を効率的に提供することができる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、シラン化合物を、触媒硬化、熱硬化、あるいは光硬化することによって、ハードコート層を形成することが好ましい。
このように実施することにより、ハードコート層の硬度や耐久性等を容易に調整することができるとともに、ガラス基板との間の密着性をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態は、ガラス基板を基材とした電気光学装置において、図１（ａ）〜（ｂ）や図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラス基板６０の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物から形成されたハードコート層１１を設けてなる電気光学装置である。
なお、図１（ａ）〜（ｂ）は、ハードコート層１１を、液晶装置１０を構成する素子基板側のガラス基板６０に、全面的に設けた場合であって、それぞれ平面図と、側面図である。
また、図２（ａ）〜（ｂ）は、ハードコート層１１を、液晶装置１０を構成するカラーフィルタ基板側のガラス基板３０及び素子基板側のガラス基板６０の駆動用半導体素子９１の実装面に対してまたがって、部分的に設けた場合であって、それぞれ平面図と、側面図である。
【００１９】
以下、第１実施形態の電気光学装置として、所定構造の三端子型非線型素子及び画素電極を有する素子基板と、対向基板としての着色層及び対向電極を有するカラーフィルタ基板と、を備えた液晶装置を例に採って説明する。
ただし、かかる実施形態の説明は、本発明の一態様を示すものであって、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。例えば、本実施形態においては、三端子型非線形素子であるＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス構造の液晶装置を例に採って説明するが、これに限定されるものではなく、二端子型非線型素子であるＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えたアクティブマトリクス構造の液晶装置であってもよく、さらには、スイッチング素子を備えていないパッシブマトリクス構造の液晶装置であっても構わない。
なお、それぞれの図中、同一の部材を示すものについては同一の符号を付してあり、各図の説明においては、適宜説明を省略してある。
【００２０】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置の基本構成について説明する。図３（ａ）に液晶装置１０の断面図を示し、図３（ｂ）に、図３（ａ）の液晶装置における素子基板６０の平面図を示す。また、図４に、図４（ａ）の液晶装置における斜視図を示す。なお、それぞれの図中において、一部の部材を適宜省略してある。
ここで、液晶装置１０は、後述するハードコート層を備えた対向基板３０と、素子基板６０とが、それらの周辺部においてシール材（図示せず）によって貼り合わせられ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及びシール材によって囲まれる間隙内に液晶材料２１を封入して形成されている。なお、かかる液晶材料２１を、構造的に封口レスのタイプに使用することもできる。
【００２１】
（２）対向基板
また、対向基板３０は、ガラスやプラスチック等によって形成され、当該対向基板３０上には、カラーフィルタすなわち着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、その着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配向膜４５とを備えている。また、反射領域Ｒにおける、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
そして、対向電極３３は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料によって対向基板３０の表面全域に形成された面状電極である。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂは、素子基板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対向しない位置には、ブラックマスク又はブラックマトリクス、すなわち遮光膜３９が設けられている。
【００２２】
（３）素子基板
また、対向基板３０に対向する素子基板６０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該素子基板６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３とを備えている。
この画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯ等からなる透明電極６３ｂとして形成される。また、画素電極６３としての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成されている。そして、画素電極６３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
【００２３】
（４）位相差板及び偏光板
また、対向基板３０の外側表面、すなわち、図３（ａ）の上側には、位相差板４７が貼付され、さらにその上に偏光板４９が貼付されている。同様に、素子基板６０の外側表面、すなわち、図３（ａ）の下側には、位相差板８７が貼付され、さらにその下に偏光板８９が貼付されている。また、素子基板６０の下方には、光源としてのバックライトユニット等（図示せず）が配置される。
【００２４】
（５）スイッチング素子
また、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを備えている。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて、縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されているとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて、横方向へ等間隔で平行に複数本形成されている。
したがって、かかるゲートバス配線は、液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に電気的に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に電気的に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００２５】
また、ゲートバス配線及びゲート電極７１の構成に関して、例えばクロム、タンタル等によって形成することができる。また、ゲート絶縁膜７２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成される。また、半導体層７０は、例えばドープトａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によって形成することができる。さらに、コンタクト電極７７は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等によって形成することができるとともに、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形成することができる。
【００２６】
（６）有機絶縁膜
また、有機絶縁膜８１が、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。
但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分には、コンタクトホール８３が形成されており、このコンタクトホール８３や中継層（図示せず）を介して、画素電極６３と、ＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６とが電気的に接続されている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、光散乱形状として、山部と谷部との規則的又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光量が低下することから、透過領域Ｔには形成されていない。
すなわち、液晶装置の素子基板上には、樹脂膜として、かかる有機絶縁膜や配向膜等が設けられている。一方、対向するカラーフィルタ基板上には、樹脂膜として、着色層や遮光膜、有機絶縁膜、配向膜等が設けられている。
【００２７】
（７）動作
以上のようなハードコート層を備えた対向基板３０と、素子基板６０とを利用した液晶装置１０において、反射表示の際には、太陽光や室内照明光などの外光が、対向基板３０側から液晶装置１０に入射するとともに、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂや液晶材料２１などを通過して光反射膜７９に至ることになる。そして、外光は反射され、再度液晶材料２１や着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂなどを通過して、液晶装置１０から外部へ出ることにより、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際にはバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バックライトユニットから出射された光が、透光性の透明電極６３ｂ部分を通過する。したがって、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ、液晶材料２１などを通過して、液晶装置１０の外部に導出されることにより、透過表示が行われることになる。
【００２８】
２．ハードコート層
第１の実施形態において、ガラス基板を含む対向基板３０及び素子基板６０が、それぞれあるいはいずれか一方の片面または両面に、ハードコート層１１を備えていることを特徴としている。
【００２９】
（１）構成材料
ここで、ハードコート層の主成分としては、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物である。
この理由は、このようなシラン化合物であれば、ガラス基板の表面に、所定のシラン化合物からなるハードコート層を形成することにより、ガラス基板の搬出入時における振動やこすれに起因する損傷を効果的に防止し、機械的強度や耐久性を飛躍的に高めることができるためである。
また、このようなシラン化合物であれば、後工程におけるフッ化水素酸によるケミカルエッチング処理を省略することができ、電気光学装置の生産効率を向上させたり、生産コストを低減したりすることもできるためである。
なお、このようなシラン化合物としては、以下の化学式（１）で表される加水分解性シラン化合物を用いることができる。
【００３０】
（Ｒ1）PＳｉ（Ｘ）4-P    （１）
［一般式（１）中、Ｒ1は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］
【００３１】
但し、ハードコート層を構成するにあたって、上述したシラン化合物とともに、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂等を併用することも好ましい。
【００３２】
また、ハードコート層を構成するシラン化合物が、分子内または分子末端に窒素原子、ハロゲン原子、ビニル基およびアミノ基の少なくとも一つの原子または官能基を有するシランカップリング剤であることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ハードコート層と、ガラス基板との間の密着性をさらに向上させることができるためである。
なお、このようなシランカップリング剤としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリブトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリブトキシシラン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００３３】
一方、３官能のシランカップリング剤は、保存安定性に欠けたり、取り扱い性が低下したりする場合があるため、２官能のシランカップリング剤を主成分としたり、併用したりすることが好ましい。
このような２官能のシランカップリング剤としては、例えば、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジブトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジブトキシシラン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００３４】
なお、このような２官能のシランカップリング剤と、３官能のシランカップリング剤とを併用する場合、２官能のシランカップリング剤の添加量を、３官能のシランカップリング剤１００重量部に対して、例えば、１〜４００重量部の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる２官能のシランカップリング剤の添加量が１重量部未満となると、添加効果が発揮しない場合があるためである。一方、かかる２官能のシランカップリング剤の添加量が４００重量部を越えると、保存安定性の改善効果が発揮されない場合があるためである。
【００３５】
（２）添加物
また、ハードコート層を構成するシラン化合物とともに、アルキルチタン化合物、アルコキシチタン化合物、アリールチタン化合物、及びアリーロキシチタン化合物、アルキルアルミニム化合物、アルコキシアルミニム化合物、アリールアルミニム化合物、及びアリーロキシアルミニム化合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物をさらに含むことが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ハードコート層の透明性や屈折率等を容易に調整することができるためである。
【００３６】
（３）硬化性
また、ハードコート層を構成するシラン化合物に対して、触媒硬化、熱硬化、あるいは光硬化してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ハードコート層の硬度等を容易に調整することができるとともに、ガラス基板との間の密着性をさらに向上させることができるためである。
例えば、触媒硬化させたり、熱硬化させたりするためには、白金やスズ等の金属や金属塩、あるは酸やアルカリ化合物を、全体量に対して、０．０１〜１０重量％の範囲内の値になるように添加することが好ましい。
【００３７】
一方、光硬化させるためには、オニウム塩やスルフォン酸誘導体の光酸発生剤を、全体量に対して、０．０１〜１０重量％の範囲内の値になるように添加することが好ましい。
なお、シラン化合物を効率的に硬化させるために、脱水剤として、カルボン酸エステル、アセタール類およびカルボン酸無水物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を、全体量に対して、０．１〜３０重量％の範囲内の値になるように添加することが好ましい。
【００３８】
（４）厚さ
また、ハードコート層の厚さを０．０１〜２０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ハードコート層の透明性と、硬度や耐久性との間のバランスを容易に調整することができるためである。すなわち、ハードコート層の厚さが０．０１μｍ未満の値となると、剥がれたり欠落したりしやすくなる場合があるためである。一方、ハードコート層の厚さが２０μｍを超えると、ガラス基板が載置された際の圧力によって、ガラス基板との接触面積が大きくなり、加熱ムラを生じる場合があるためである。
したがって、ハードコート層の厚さを０．０５〜１０μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．１〜８μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、ハードコート層の厚さは、例えば、ハードコート層を形成した箇所の断面から、電子顕微鏡等を用いて測定することができる。また、かかるハードコート層の厚さは、その厚さにもよるが針蝕式の表面粗さ計を用いても測定することができる。
【００３９】
（５）透明性
また、ハードコート層の透明性を可視光透過率（厚さ１０μｍ基準）として、７０〜１００％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ハードコート層の透明性と、硬度や耐久性との間のバランスを容易に調整することができるためである。すなわち、かかるハードコート層の可視光透過率が７０％未満となると、電気光学装置における表示画像の明るさが著しく低下する場合があるためである。但し、かかるハードコート層の可視光透過率を限りなく１００％に近い値に制御しようとすると、使用可能な構成材料の種類が過度に制限されて、硬度や耐久性が低下する場合がある。
したがって、ハードコート層の可視光透過率（厚さ１０μｍ基準）を８０〜９９％の範囲内の値とすることがより好ましく、８５〜９８％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００４０】
（６）鉛筆硬度
また、ハードコート層のＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠して測定される鉛筆硬度をＨ〜５Ｈの範囲内とすることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、ハードコート層の耐久性と、経済性等との間のバランスを容易に調整することができるためである。すなわち、かかるハードコート層の鉛筆硬度がＨ未満となると、耐久性や耐熱性が著しく低下する場合がある。一方、かかるハードコート層の鉛筆硬度が５Ｈを超えると、使用可能な構成材料の種類が過度に制限されて、逆に耐久性が低下したり、コストが上がって経済的に不利となったりする場合がある。
したがって、ハードコート層の鉛筆硬度を２Ｈ〜４Ｈの範囲内の値とすることがより好ましい。
【００４１】
（７）形成箇所
また、ガラス基板上に、ハードコート層が、ガラス基板に対して、全面的または部分的に設けることが好ましい。
この理由は、例えば、ハードコート層が、ガラス基板に対して、部分的に設けることにより、ガラス基板等において割れやすい箇所のみを選択的に補強したり、半導体素子等の実装をする際の電気的阻害を防止したりするためである。すなわち、ハードコート層の形成場所やガラス基板の強化強度、あるいはガラス基板の透明性等を考慮して、適宜選択することが好ましい。
一方、ガラス基板の実装面と反対側であれば、かかるハードコート層を全面的に形成した場合であっても、特に問題が生じることはない。したがって、マスキングすることなく、浸漬法やスプレー法、あるいは印刷法等を用いて、全面的に形成することができる。
【００４２】
（８）形成方法
また、ハードコート層の形成方法については特に制限されるものでなく、例えば、図５（ａ）に示すように、水洗槽１００等を用いて、ハードコート層を形成することができる。すなわち、ガラス基板１０１を、ハードコート材料としてのシラン化合物１０４を含む水洗槽１００に浸漬させてシラン化合物１０４を被覆した後、図示しないものの、それを適宜硬化させることにより、比較的厚膜のハードコート層であっても容易に形成することができる。
なお、水洗槽１００におけるハードコート材料としてのシラン化合物１０４の濃度が均一となるように、予備タンク１１０から、水洗槽１００に対して、ポンプ１０８を用いて、シラン化合物１０４を含む水を適宜追加することが好ましい。
また、図５（ｂ）に示すように、ガラス基板１０１を駆動ロール１０３によって移動させながら、その上方に設けたスプレー装置１０５を用いて、ハードコート層を形成することができる。すなわち、ハードコート材料としてのシラン化合物１０４を全面的にスプレーし、シラン化合物１０４を被覆した後、それを適宜硬化させることにより、ハードコート層を均一かつ迅速に形成することができる。
また、図５（ｂ）に示すスプレー装置１０５の替わりに、ハードコート材料としてのシラン化合物の印刷装置を設けることによっても、シラン化合物１０４を部分的に印刷して、ハードコート層を所望位置のみに形成することができる。したがって、ガラス基板上に、電気接続すべき配線等が予め形成してある場合には、それを避けて、ハードコート層を形成することができる。
その他、ハードコート層の形成方法については、第２実施形態において、硬化条件等を含めて、さらに詳細に説明する。
【００４３】
［第２実施形態］
また、本発明の第２実施形態は、図６にフローチャートを示すように、ガラス基板を基材とした電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板の表面に、アルキルシラン化合物、アルコキシシラン化合物、アリールシラン化合物、及びアリーロキシシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つのシラン化合物を含むハードコート層を形成する工程を含む電気光学装置の製造方法である。
以下、電気光学装置の製造方法として、液晶装置の製造方法を例に採って具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００４４】
１．電気光学装置の製造装置
まず、電気光学装置の製造方法を実施するための製造装置を説明するが、特に、傷やクラックが生じやすいことから、焼成炉について説明する。
【００４５】
（１）焼成炉の基本的構成
製造装置の一部としての焼成炉は、図７に示すように、ステンレスや鉄等からなる炉本体２１２内に設置された加熱手段２１４と、ガラス基板と接触する接触部２１５ａを備えた支持機構２１５とを備えている。また、炉本体２１２には、炉本体２１２内にガラス基板を投入する際には開状態となり、投入後に加熱処理する際には閉状態となる開閉機構（シャッター）２１３が備えられている。
また、図示しないが、当該炉本体内にガラス基板を基体とする電気光学装置用基板を挿入する手段としてアームリフト等を備えるとともに、当該アームリフトを使用して投入するように構成することもできる。ただし、かかるアームリフトを備える場合には、ガラス基板を損傷させることがないように、ガラス基板との接触面に弾性ゴム等の緩衝部材を備えることが好ましい。
【００４６】
（２）加熱手段
また、ガラス基板を焼成するための焼成炉における加熱手段としては、ポリイミドからなる配向膜を焼成させるために必要な２００℃以上の熱を発生させることができる手段であれば、特に制限されるものではない。
例えば、電熱線、ヒータ、赤外線ランプ、不活性ガス供給手段等を備えることができる。中でも、簡便な装置で、ガラス基板をムラなく均一に加熱しやすいことから、ヒータや赤外線ランプを備えることが好ましい。
【００４７】
（３）支持機構
また、図７に示すように、ガラス基板を支持する支持機構は、基体であるガラス基板と微小面積で接触する接触部１５ａを備えており、当該接触部１５ａにおけるガラス基板との接触箇所に、ガラス基板よりも硬度の値が小さいハードコート層が形成してある。
この理由は、このように構成することにより、当該接触部上に載置されたガラス基板に対して、微細な傷が付くことを防止することができるためである。より詳細には、焼成炉内に備えられる接触部は、焼成炉内の高温環境にも耐え得るように耐熱性の材料から構成されている。このような材料は一般的に硬度の値が大きく、ガラス基板を当該接触部上に載置する際にこすれたり、加熱処理中に振動が発生したりして、ガラス基板表面に微細な傷が付いてしまい、その後にガラス基板に対してケミカルエッチング処理を実施する際に、傷が拡大して不良品となってしまう場合がある。そこで、ガラス基板と接触する箇所を、ガラス基板よりもやわらかい材料を用いて被覆することにより、そのような傷が発生することを有効に防ぐことができる。
【００４８】
２．製造方法
（１）ガラス基板の準備及び第１回ハードコート処理
まず、図６に示すように、ガラス基板を準備し、それに第１回ハードコート処理の工程（Ｓ１）を施し、所定のハードコート層を設けることが好ましい。
この場合、上述したように、図５（ａ）に示すように、ガラス基板１０１を、シラン化合物１０４を含む水洗槽１００に浸漬させたり、図５（ｂ）に示すように、シラン化合物１０４をスプレーしたり、印刷塗布したりして、ハードコート材料を被覆した後、それを適宜硬化させることにより、ハードコート層を形成することができる。
より具体的には、図５（ａ）に示すように、ガラス基板１０１を、シラン化合物１０４を含む水洗槽１００に浸漬させる場合、シラン化合物の濃度が０．１〜１０重量％となるように調整した後、シラン化合物１０４を含む水溶液の温度を１５〜３０℃に保持した状態で、洗浄槽１００中に、クレーン１０６を用いて、ガラス基板１０１を１〜６０分程度浸漬させる。その結果、ガラス基板１０１の全体に、ハードコート材料としてのシラン化合物が均一に付着する。次いで、所定時間かけて乾燥させた後、図示しないものの、加熱炉や紫外線照射装置等を用いて、シラン化合物を硬化させることにより、ハードコート層を設けることができる。なお、シラン化合物を硬化させて、ハードコート層を形成するに際して、上述したように、シラン化合物を触媒硬化、熱硬化、あるいは光硬化することが好ましい。
また、図５（ｂ）に示すように、シラン化合物１０４を直接的にスプレーしたり、印刷塗布したりして、ハードコート材料を被覆した場合には、図示しないものの、乾燥させることなく、加熱炉や紫外線照射装置等を用いて、そのままシラン化合物を硬化させ、ハードコート層を設けることができる。
【００４９】
（２）素子基板及び対向基板の製造
次いで、ハードコート層が設けられたガラス基板３１、６１に対して、基板の成膜工程（Ｓ２）を実施し、素子基板６０及び対向基板３０を製造する。
より具体的には、図８（ａ）に示すように、素子基板６０の基体としてのガラス基板６１の上に各種の部材を積層することにより、ＴＦＴ素子６９や所定パターンの走査線、所定パターンのデータ線、外部接続端子等を適宜形成する。次いで、スパッタリング処理等によりＩＴＯ等の透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、表示領域に画素電極６３をマトリクス状に形成する。
【００５０】
一方、対向基板としてのカラーフィルタ基板３０の基体としてのガラス基板３１の上に各種の部材を積層することにより、着色層３７や遮光膜３９を適宜形成する。次いで、スパッタリング処理等によりＩＴＯ等の透明導電膜を積層した後、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、表示領域全面に渡る対向電極３３を形成する。
次いで、素子基板６０及び対向基板３０のそれぞれに、配向膜４５、８５を構成する材料としてのポリイミド樹脂材料を、表示領域全体に塗布し、その後、図７に示すような焼成炉２１１で加熱処理する。
よって、このようにして、種々の樹脂膜や導電膜が形成されるとともに、表面に配向膜が形成された素子基板６０及び対向基板３０を製造することができる。
【００５１】
（３）貼合わせ工程
次いで、図６に示すように基板の貼合わせ工程（Ｓ３）を実施する。
より具体的には、図９（ａ）に示すように、それぞれ表面に配向膜（図示せず）を備えた素子基板６０及び対向基板３０を、シール材２３を用いて貼り合わせる。このとき、素子基板又は対向基板のいずれか一方における、それぞれのセル領域を取り囲むようにシール材を塗布した後、シール材の乾燥を促進させるために、１００℃程度の温度で加熱して、プレベークを行う場合がある。かかるプレベークを行う際にも、上述のような支持機構を備えた加熱炉を用いて行うことにより、素子基板等におけるガラス基板の表面を損傷させることがないため、本発明をこのプレベーク工程にも適用することができる。
【００５２】
（４）第２回ハードコート処理及び１次切断工程
次いで、図６に示すように、基板の貼合わせ工程（Ｓ３）の後、第２回ハードコート処理（Ｓ４）を実施し、さらに、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、１次切断工程を実施する。
すなわち、第２回ハードコート処理（Ｓ４）において、図９（ｃ）に示すように、貼り合わせられた一対の基板に対して、所定箇所にハードコート層を形成する。例えば、濃度が０．１〜８重量％となるようにシラン化合物２０４を含む水溶液（温度：１５〜３０℃）が収容された洗浄槽２００中に、貼り合わせられた一対の基板３０、６０を１〜６０分程度浸漬させるとともに、水溶液を適宜流動させる。その結果、ガラス基板の表面に、均一な厚さを有するハードコート層を設けることができる。
【００５３】
このとき、前工程である配向膜の焼成工程等において、ガラス基板の表面に傷やクラックが生じていたとしても、ハードコート層によって被覆されるため、後工程等において、傷やクラックが拡大することを有効に防止することができる。すなわち、このように実施することにより、ガラス基板の耐久性や機械的強度を飛躍的に高めることができる。
また、このように実施することにより、後工程におけるケミカルエッチング処理を省略することができ、電気光学装置の生産効率を向上させたり、生産コストを低減したりすることもできる。
また、このようにハードコート層を設けることによって、水洗工程も同時実施できるため、その後の乾燥工程の実施も含めて、従来の製造工程をそのまま使用することができる。
なお、このようにハードコート層を設けるに際して、ガラス基板の表面にマスキングすることにより、所望箇所のみに選択的にハードコート層を設けることができる。したがって、後工程等における半導体素子や回路基板を実装する際の電気的接続の妨げになることがない。
さらに、１次切断工程の際にガラス基板が容易に切断できるように、切断箇所には、ハードコート処理を避けることも好ましい。
【００５４】
（５）液晶材料の注入工程
次いで、図６に示すように、液晶材料の注入工程（Ｓ６）を実施し、例えば、シール材２３に設けられた開口部２３ａを介して、真空充填法等により、セル内に液晶材料２１を注入する。
なお、前述したように、液晶材料を導入するに際して、構造的に封口レスのタイプのセルを使用することもできる。
【００５５】
（６）第３回ハードコート処理及び２次切断工程
次いで、図６に示すように、液晶材料の注入工程（Ｓ６）の後、第３回ハードコート処理（Ｓ７）を実施し、さらに、図１０（ｃ）に示すように、２次切断工程（Ｓ８）を実施する。
すなわち、図９（ｃ）に示すように、貼り合わせられた一対の基板に対して、所定箇所にハードコート層を形成する。例えば、濃度が０．０５〜７重量％となるようにシラン化合物２０４を含む水溶液（温度：１５〜３０℃）が収容された洗浄槽２００中に、貼り合わせられた一対の基板３０、６０を１〜３０分程度浸漬させるとともに、水溶液を適宜流動させる。その結果、ガラス基板の表面に、均一な厚さを有するハードコート層を設けることができる。
なお、第３回ハードコート処理（Ｓ７）の内容は、基本的に第１回及び第２回ハードコート処理（Ｓ１、Ｓ４）の内容と同様であるが、２次切断工程（Ｓ８）の際にガラス基板の所定箇所以外を傷つけずに、容易に切断できるように、切断箇所には、ハードコート処理を避けることも好ましい。
【００５６】
（７）第４回ハードコート処理及び半導体素子の実装
次いで、図６に示すように、第４回ハードコート処理（Ｓ９）を実施し、さらに、半導体素子の実装工程（Ｓ１０）を実施する。
なお、第４回ハードコート処理の内容は、基本的に第１回〜第３回ハードコート処理（Ｓ１、Ｓ４、Ｓ７）の内容と同様であるが、半導体素子の実装工程（Ｓ１０）において良好な電気接続が得られるように、少なくとも実装箇所の配線にマスキング処理を施しておくことが好ましい。
【００５７】
（８）第５回ハードコート処理
半導体素子の実装工程（Ｓ１０）においてもガラス基板等に傷が発生する場合がある。よって、念のため、図６に示すように、第５回ハードコート処理（Ｓ１１）を実施し、ハードコート層を強固なものとすることが好ましい。
以上、第１回〜第５回のハードコート処理を実施し、複数段階で、かつ複数箇所にハードコート層を形成してきた例を示したが、少なくとも一つのハードコート処理工程を実施して、ハードコート層を一つ設ければ良い。
【００５８】
（９）組立て
次いで、液晶が注入された一対の基板のそれぞれの面に偏光板や位相差板を貼付するとともに、半導体素子や回路基板を電気的に接続し、照明装置等とともに筐体に組み込むことにより、図３に示すような液晶装置１０を製造することができる。
すなわち、このように製造された液晶装置であれば、ガラス基板の表面における傷やクラックが被覆されているために、偏光板や位相差板を貼付する際に、傷やクラックが拡大するおそれがなく、歩留まりを著しく向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上説明したように、本発明の電気光学装置及び電気光学装置の製造方法によれば、表示領域内で接触して基板を支持する装置を用いて加熱処理を行った場合であっても、ガラス基板を損傷させることがないとともに、ムラなく均一に加熱処理することができるようになった。したがって、電気光学装置の製造における歩留まりを著しく向上させることができる。
また、このように製造された電気光学装置であれば、ガラス基板の表面における傷やクラックが被覆されているために、電気光学装置を製造する際、特に、基板を貼合わせる際や偏光板や位相差板を貼付する際であっても、傷やクラックが拡大するおそれがなくなった。
また、このように製造された電気光学装置であれば、表面にシラン化合物から形成されたハードコート層を備えるため、偏光板や位相差板等との間の密着性を著しく向上させることができるようになった。
また、このように製造された電気光学装置であれば、ガラス基板の表面がハードコート層によって、平滑化されているために、外部反射や円滑な光透過を可能とし、透明感のある画像表示が可能となった。
【００６０】
したがって、基板の加熱工程を含む製造方法により製造される電気光学装置、例えば、ＴＦＴ素子等を備えた液晶装置や、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、第１実施形態の液晶装置におけるハードコート層を説明するために供する図である（その１）。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、第１実施形態の液晶装置におけるハードコート層を説明するために供する図である（その２）。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ第１実施形態の液晶装置を示す断面図及び平面図である。
【図４】第１実施形態の液晶装置を示す概略斜視図である。
【図５】ガラス基板におけるハードコート層の形成方法を説明するために供する図である。
【図６】第２実施形態の液晶装置の製造方法を説明するために供するフローチャートである。
【図７】電気光学装置の製造装置の一部としての焼成炉を示す概略図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の電気光学装置の製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の電気光学装置の製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の電気光学装置の製造方法を説明するために供する図である（その３）。
【図１１】従来の電気光学装置の製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図１２】従来の大判パネルにおける電気光学装置の製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図１３】ガラス基板の傷による機械的強度の低下を説明するために供する図である。
【図１４】ガラス基板のエッチング処理による機械的強度の向上を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０：液晶装置（電気光学装置）、１１：ハードコート層、２０：電気光学装置用基板、２１：液晶材料、２２：樹脂材料、２３：シール材、３０：対向基板、３１：ガラス基板、３３：対向電極、３７：着色層、４５：配向膜、６０：素子基板、６０Ｔ：張り出し部、６１：ガラス基板、６３：画素電極、６９：スイッチング素子（ＴＦＴ素子）、８５：配向膜、９１：駆動用半導体素子、１００：洗浄槽、１０４：シラン化合物、１０５：スプレー装置、１０６：クレーン（搬送装置）、２００：洗浄槽、２０４：シラン化合物、２１１：焼成炉、２１２：炉本体、２１３：開閉手段（シャッター）、２１４（２１４ａ、２１４ｂ）：加熱手段、２１５：支持機構、２１５ａ：接触部
【図１】
2007065438.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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