(57)【要約】【課題】  マグネトロンスパッタ電極のおいて、磁石組立体の磁石相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルを容易に調節できるようにする。【解決手段】  磁石組立体５を、ターゲット４１の前方にトンネル状の磁束を形成すべく支持板５１上に中央磁石５２と周辺磁石５３とを配置して構成する。中央磁石と周辺磁石とを含む支持板の相互に対向する両側を分割し、この分割した中央部分５ａをベース板５４に固定すると共に、分割部分５ｂ、５ｃを、中央部分に対し前後方向、左右方向及び上下方向に移動自在とする位置変更手段を介してベース板に取付る。【選択図】  図３
2007154291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットとこのターゲットの後方に設けた磁石組立体とを備え、この磁石組立体を、ターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく支持板上に中央磁石と周辺磁石とを配置して構成したマグネトロンスパッタ電極において、前記中央磁石と周辺磁石とを含む支持板の相互に対向する両側を分割し、この分割した中央部分をベース板に固定すると共に、分割部分を、中央部分に対し前後方向、左右方向及び上下方向に移動自在とする位置変更手段を介してベース板に取付けたことを特徴とするマグネトロンスパッタ電極。
【請求項２】
前記磁石組立体の分割を、ターゲットに対向配置される処理基板の外端部の下方で行うことを特徴とする請求項１記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項３】
前記磁石組立体両側の分割数を、使用する中央磁石及び周辺磁石の磁場強度に応じて変更することを特徴する請求項１または請求項２記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項４】
前記磁石組立体に、前記磁束をターゲットに対して平行移動自在とする駆動手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ電極を所定の間隔を置いて複数並設し、各ターゲットに負電位及び接地電位または正電位のいずれか一方を交互に印加する直流電源または交流電源を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリング方式で処理基板上に所定の薄膜を形成するマグネトロンスパッタ電極及びこのマグネトロンスパッタ電極を用いたスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マグネトロンスパッタリング方式のスパッタリング装置では、ターゲットの後方（スパッタ面と背向する側）に、所定形状の支持板上に交互に極性を変えて複数の磁石を設けた磁石組立体を配置し、この磁石組立体によってターゲットの前方（スパッタ面側）にトンネル状の磁束を形成して、ターゲットの前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲットの前方での電子密度を高め、これらの電子と、真空チャンバ内に導入される希ガスのガス分子との衝突確率を高めてプラズマ密度を高くできる。このため、成膜速度を向上できる等の利点があり、処理基板上に所定の薄膜を形成するのによく利用されている。
【０００３】
ところで、この種のスパッタリング装置を用いて成膜すると、例えば放電により発生したプラズマ中における電子のドリフト現象に起因して、ターゲットの前方でプラズマ自体が偏ることがある。この場合、ターゲット全面に亘って幅広く侵食領域が得られず、また、処理基板面内における膜厚分布が悪くなり易いという問題がある。
【０００４】
このことから、ターゲットと磁石組立体との間で所定の箇所に磁性体（磁気シャント）を設け、磁石組立体の磁石相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルを調節してターゲット前方に生じるプラズマを均等化することで、上記問題を解決することが知られている（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開平９−２０９７９号公報（例えば、特許請求の範囲の記載）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のものでは、ターゲットと磁石組立体との間で配設位置を固定して磁性体を設けているため、一旦処理基板に成膜したときの膜厚分布などから、トンネル状の磁束のプロファイルを再調節すべく磁気シャントの配設位置を再調節する必要がある場合に、スパッタ室を一旦大気に戻してターゲットを取外し、または、スパッタ電極から磁石組立体を取外した後でしかその作業を行うことができず、その調節作業が面倒であるという問題がある。
【０００６】
そこで、上記点に鑑み、本発明の課題は、磁石組立体の磁石相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルを容易に調節できるようにしたマグネトロンスパッタ電極及びマグネトロンスパッタ電極を用いたスパッタリング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載のマグネトロンスパッタ電極は、ターゲットとこのターゲットの後方に設けた磁石組立体とを備え、この磁石組立体を、ターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく支持板上に中央磁石と周辺磁石とを配置して構成したマグネトロンスパッタ電極において、前記中央磁石と周辺磁石とを含む支持板の相互に対向する両側を分割し、この分割した中央部分をベース板に固定すると共に、分割部分を、中央部分に対し前後方向、左右方向及び上下方向に移動自在とする位置変更手段を介してベース板に取付けたことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、位置変更手段によって、中央部分に対して両側の分割部分を移動させると、磁石組立体の磁石相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルが変化し、このプロファイルを適宜調節できる。この場合、位置変更手段は、ターゲットの後方に設けた支持板の裏側に位置するため、例えばターゲットやベース板を含む支持板を取外すことなく、トンネル状の磁束のプロファイルが調節でき、調節作業を簡素化できる。また、通常、磁石組立体はスパッタ室の外側に配置されるため、スパッタ室を一旦大気に戻す必要がなく、場合によって、成膜しつつ磁束のプロファイルの調節を行うことができる。
【０００９】
前記磁石組立体の分割を、例えばターゲットに対向配置される処理基板の外端部の下方で行うようにすればよい。
【００１０】
ところで、処理基板に成膜しようとする組成に応じて作製したターゲットに応じて、磁石組立体に用いる中央磁石、周辺磁石を、磁場強度の異なるものに変更する場合がある。この場合、前記磁石組立体両側の分割数を、使用する中央磁石及び周辺磁石の磁場強度に応じて変更すれば、例えば磁場強度が強い中央磁石、周辺磁石を用いるとき、分割数を増加させておくと、磁束のプロファイルの微調節ができてよい。
【００１１】
尚、前記磁石組立体に、前記磁束をターゲットに対して平行移動自在とする駆動手段を設けておくのがよい。
【００１２】
また、請求項５記載のスパッタリング装置は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ電極を所定の間隔を置いて複数並設し、各ターゲットに負電位及び接地電位または正電位のいずれか一方を交互に印加する直流電源または交流電源を設けたことを特徴とする。
【００１３】
これによれば、ターゲットが相互に近接して並設されることで、磁石組立体相互の間隔が小さくなり、特に、相互に隣接する周辺磁石間で磁場干渉が生じて、磁場バランスが崩れるが、個々のマグネトロンスパッタ電極において磁束のプロファイルを調節するこで、各ターゲット前方に生じるプラズマを均等化できる。このため、面積の大きい基板に対して成膜する場合でも、膜厚分布や反応性スパッタリングを行うときの膜質分布の均一性を高く保持したまま成膜できる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明のマグネトロンスパッタ電極は、磁石組立体の磁石相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルを容易に調節できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１を参照して、１は、第１の実施の形態に係るマグネトロン方式のスパッタリング装置（以下、「スパッタ装置」という）である。スパッタ装置１は、インライン式のものであり、ドライポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段（図示せず）を介して所定の真空度に保持できるスパッタ室１１を有する。スパッタ室１１の上部には、基板搬送手段２が設けられている。この基板搬送手段２は、公知の構造を有し、例えば、処理基板Ｓが装着されるキャリア２１を有し、駆動手段を間欠駆動させて、後述するマグネトロンスパッタ電極と対向した位置に処理基板Ｓを順次搬送できる。
【００１６】
また、スパッタ室１１にはガス導入手段３が設けられている。ガス導入手段３は、マスフローコントローラ３１を介設したガス管３２を介してガス源３３に連通しており、Ａｒなどのスパッタガスや反応性スパッタリングの際に用いるＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２、Ｎ２などの反応ガスがスパッタ室１１内に一定の流量で導入できる。スパッタ室１１の下側には、マグネトロンスパッタ電極Ｃが配置されている。
【００１７】
マグネトロンスパッタ電極Ｃは、処理基板Ｓに対向して配置された略直方体（上面視において長方形）のターゲット４１を有する。ターゲット４１は、Ａｌ、Ｔｉ、ＭｏやＩＴＯなど、処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて公知の方法で作製される。ターゲット４１は、スパッタリング中、ターゲット４１を冷却するバッキングプレート４２に、インジウムやスズなどのボンディング材を介して接合され、絶縁板４３を介してマグネトロンスパッタ電極Ｃのフレーム４４に取付けられている。また、ターゲット４１の周囲には、プラズマを安定して発生させるために、ターゲット４１の周囲を囲うようにアースシールド（図示せず）が設置されている。この場合、図示しないＯリングなどの真空シール手段によって、ターゲット４１及びアースシールのみがスパッタ室１１内に位置するようにしている。
【００１８】
また、マグネトロンスパッタ電極Ｃは、ターゲット４１の後方に位置して磁石組立体５を装備している。磁石組立体５は、ターゲット４１に平行に設けられた支持板５１を有する。この支持板５１は、ターゲット４１の横幅より小さく、ターゲット４１の長手方向に沿ってその両側に延出するように形成した長方形状の平板から構成され、磁石の吸着力を増幅する磁性材料製である。支持板５１上には、ターゲット４１の長手方向に沿った棒状の中央磁石５２と、支持板５１の外周に沿って設けた周辺磁石５３とが設けられている。この場合、中央磁石５２の同磁化に換算したときの体積を、例えば周辺磁石５２の同磁化に換算したときの体積の和（周辺磁石：中心磁石：周辺磁石＝１：２：１）に等しくなるように設計している。
【００１９】
これにより、各ターゲット４１の前方に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束がそれぞれ形成され、ターゲット４１の前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲット４１の前方での電子密度を高くしてプラズマ密度を高くできる。
【００２０】
そして、基板搬送手段２によって処理基板Ｓをターゲット４１と対向した位置に搬送し、ガス導入手段３を介して所定のスパッタガスを導入する。ターゲット４１に接続されたスパッタ電源６を介して、ターゲット４１に負の直流電圧または高周波電圧を印加すると、処理基板Ｓ及びターゲット４１に垂直な電界が形成され、ターゲット４１の前方にプラズマが発生してターゲット４１がスパッタリングされることで処理基板Ｓ上に成膜される。
【００２１】
この場合、磁石組立体５に、図示しないモータなどの駆動手段を設け、この駆動手段によって、ターゲット４１の水平方向に沿った２箇所の位置の間で平行かつ等速で往復動させるようにし、ターゲット４１全面に亘って均等に侵食領域が得られるようにしている。
【００２２】
ここで、図２乃至図４を参照して説明すれば、上記のように磁石組立体５を構成し、ターゲット４１の前方にプラズマを発生させたとき、プラズマ中の電子は、磁場トラックに沿って時計周りに運動している。この場合、ターゲット４１の長手方向に沿った両側まで来ると、電場によって曲げられて向きを変えるが、その際、惰性的な運動が残ることから、ターゲット４１の左側では上方向に飛び出し、他方、ターゲット４１の右側では下方向に飛び出す（このため、磁石組立体５を移動させながらターゲット４１をスパッタリングすると、侵食領域Ｅは、ターゲット４１の左側で上方向に、ターゲット４１の右側で下方向に局所的に延びるようになる（図２参照））。
【００２３】
この場合、ターゲット４１の外でプラズマが発生しないように、電子の飛び出しを考慮すると磁石組立体５の移動量を小さくする必要があり、これでは非侵食領域が大きくなり、また、ターゲット４１の利用効率を高めるには、ターゲットの外周縁部まで均等に侵食させる必要がある。
【００２４】
そこで、本実施の形態では、中央磁石５２と周辺磁石５３とを含む支持板５１の相互に対向する両側を、つまり、支持板５１の長手方向に沿った両側を分割し、支持板５１、中央磁石５２及び周辺磁石５３のそれぞれ一部から構成される１個の中央部分５ａと、２個の分割部分５ｂ、５ｃとに分けた。この場合、分割位置は、例えば、キャリア２１にセットされた処理基板Ｓがターゲット４１と対向した位置に搬送されて来たとき、長手方向に沿った処理基板Ｓの両外端部の下方に設定している（図２参照）。
【００２５】
中央部分５ａはベース板５４に固定されている。この場合、ベース板５４は、例えば非磁性材料から作製され、中央領域がその長手方向に沿って突出するように断面凸状に形成され、この突出した上面５４ａの外形に一致した中央部分５ａを接合することで固定されている。ベース板５４の中央領域から両側に均等に延出した延出部分５４ｂには、ベース板５４の長手方向及びこの長手方向と交差する方向に延びる長孔５４ｃがそれぞれ形成されている（図３及び図４参照）。
【００２６】
長孔５４ｃには、ボルト軸にワッシャＷを外嵌したボルトＢが挿通し、このボルト軸の先端が、分割部分５ｂ、５ｃを構成する支持板５１の裏側に形成したねじ孔（図示せず）に螺合している。また、分割部分５ｂ、５ｃを構成する支持板５１の裏側と、延出部分５４ｂとの間には、ボルト軸の挿通を可能とする開口（図示せず）を設けた非磁性材料製のスペーサ５５が配置され、スペーサ５５は、ねじ孔にボルトＢを螺合したとき、延出部分５４ｂから支持板５１の裏面までの高さを一定に保持する役割を果たす。
【００２７】
この場合、ボルトＢ、延出部分５４ｂに形成した長孔５４ｃ及びスペーサ５５が位置変更手段を構成し、この位置変更手段によって、中央部分５ａ、ひいてはターゲット４１に対して分割部分５ｂ、５ｃを前後方向、左右方向及び上下方向に移動させて保持できる。これにより、分割部分５ｂ、５ｃを移動させると、中央磁石５２、周辺磁石５３相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルが変化し、このプロファイルを適宜調節できる。
【００２８】
つまり、ボルトＢを一旦緩めて、長孔５４ｃに沿ってボルトＢを移動させるだけで、分割部分５ｂ、５ｃの中央部分５ａに対する前後方向及び左右方向（磁石組立体５の長手方向に沿った図３の左右方向）の位置が変化し、また、スペーサ５５の高さを変えるだけで、中央部分５ａに対する上下方向の位置が変化する。この場合、位置変更手段は、ターゲット４１の後方に設けた支持板５１の裏側に位置するため、ターゲット４１やベース板５４を含む支持板５１を取外すことなく、トンネル状の磁束のプロファイルが調節でき、調節作業を簡素化できる。また、スパッタ室１１の外側に配置したため、スパッタ室１１を一旦大気に戻す必要がなく、場合によって、成膜しつつ磁束のプロファイルの調節を行うことができる。
【００２９】
これにより、例えば、プラズマ中の電子の惰性的な運動に起因した局所的な侵食領域Ｅの延びは、分割部分５ｂ、５ｃを前後方向に移動させて、略長円形状の侵食領域にでき、分割部分５ｂ、５ｃを左右方向に移動させて、磁石組立体５の移動方向に沿ったターゲット４１の縁部まで侵食領域を広げることができ、その結果、磁石組立体５の移動量を大きくできて、ターゲットの高い利用効率を達成でき、また、処理基板面内における膜厚分布を略均一にできる。
【００３０】
尚、本実施の形態では、ボルトＢ、延出部分５４ｂに形成した長孔５４ｃ及びスペーサ５５によって位置変更手段を構成したものについて説明したが、これに限定されるものではなく、中央部分５ａに対し前後方向、左右方向及び上下方向に分割部分５ｂ、５ｃを移動させて保持できるものであればその形態は問わない。
【００３１】
また、本実施の形態では、中央部分５ａ、その両側の分割部分５ｂ、５ｃとに三分割したものについて説明したが、分割数はこれに限定されるものではない。例えば、図５に示すように、分割部分５０ｂ、５０ｃをそれぞれさらに二分割し、５つの部分から磁石組立体５０を構成してもよい。この場合、ＩＴＯ用のターゲットのように、磁石組立体５０に用いる中央磁石５２と周辺磁石５３として、磁場強度が高いものを用いたとき、磁束のプロファイルの微調節ができる。
【００３２】
また、本実施の形態では、スパッタ室１１に１個のマグネトロンスパッタ電極Ｃを設けたものについて説明したが、大面積の処理基板Ｓに対して成膜する場合には、図６に示すように、スパッタ装置１０のマグネトロンスパッタ電極Ｃ１を、例えば６個のターゲット４１ａ〜４１ｆと磁石組立体５０ａ〜５０ｆとを並設して構成してもよい。
【００３３】
この場合、ターゲット４１ａ〜４１ｆは、その未使時のスパッタ面４１１が、処理基板Ｓに平行な同一平面上に位置するように並設され、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの向かい合う側面４１２相互の間には、アノードやシールドなどの構成部品を何ら設けていない。各ターゲット４１ａ〜４１ｆの外形寸法は、各ターゲット４１ａ〜４１ｆを並設した際に処理基板Ｓの外形寸法より大きくなるように設定される。
【００３４】
各ターゲット４１ａ〜４１ｆには、交流電圧を印加する３個の交流電源６１、６２、６３が接続され、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの後方には、１個の中央部分５ａと、２個の分割部分５ｂ、５ｃとからそれぞれ構成された磁石組立体５０ａ〜５０ｆが配置されている。この場合、相互に隣接する２個のターゲット（例えば、４１ａ、４１ｂ）に対して１個の交流電源６１を割当て、一方のターゲット４１ａに対し負の電位を印加した際に、他のターゲット４１ｂに接地電位または正の電位が印加されるようにしている。尚、交流電源６１、６２、６３に代えて、直流電源を用いることもできる。
【００３５】
例えば、各交流電源６１、６２、６３を介して一方のターゲット４１ａ、４１ｃ、４１ｅに負の電位を印加し、他方のターゲット４１ｂ、４１ｄ、４１ｆに接地電位または正の電位を印加すると、他方のターゲット４１ｂ、４１ｄ、４１ｆがアノードの役割を果たし、１個の交流電源６１、６２、６３にそれぞれ接続されたターゲット（例えば、４１ａと４１ｂ）相互間でプラズマがそれぞれ発生し、負の電位が印加されたターゲット４１ａ、４１ｃ、４１ｅがスパッタリングされる。そして、交流電源６１、６２、６３の周波数に応じてターゲット４１ａ〜４１ｆの電位を切替わると、他方のターゲット４１ｂ、４１ｄ、４１ｆがスパッタリングされることで、各ターゲット４１ａ〜４１ｆが交互に順次スパッタリングされ、処理基板Ｓ表面全体に亘って成膜される。
【００３６】
これにより、スパッタ粒子が放出されないターゲット４１ａ〜４１ｆ相互間にアノードやシールドなどの構成部品を何ら設ける必要がないため、このスパッタ粒子が放出されない領域を可能な限り小さくできることと、磁石組立体５０ａ〜５０ｆ毎に位置変更手段によって中央部分５ａに対して分割部分５ｂ、５ｃを前後方向、左右方向及び上下方向のいずれかに移動させて、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの前方に生じるトンネル状の磁束のプロファイルが個々に調整できることとが相俟って、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの高い利用効率が達成できると共に、処理基板Ｓ面内における膜厚分布を略均一にできる。
【００３７】
各磁石組立体５０ａ〜５０ｆの支持板５１として、例えば、１３０ｍｍ×１４６０ｍｍの外形寸法を有するものを用い、支持板５１上に、ターゲット４１ａ〜４１ｆの長手方向に沿って棒状の中央磁石５２と、支持板４１の外周に沿って周辺磁石５３とを設けた磁石組立体５ａ〜５ｂでは、位置変更手段によって分割部分５ｂ、５ｃを、中央部分５ａに対し５０ｍｍ以下、好ましくは１０〜２０ｍｍの範囲で前後及び左右方向に、また、中央部分５ａに対し２０ｍｍ以下、好ましくは０〜１５ｍｍの範囲で上下方向にそれぞれ移動させて調整すれば、各ターゲット４１ａ〜４１ｆの前方に生じるトンネル状の磁束のプロファイルが最適に調整される。
【００３８】
また、上記実施の形態同様、各ターゲット４１ａ〜４１ｆ全面に亘って均等に侵食領域を得られ、ターゲット４１ａ〜４１ｆのさらに高い利用効率が達成できるように、エアーシリンダーなどの駆動手段Ｄによって、ターゲット４１ａ〜４１ｆの水平方向に沿った２箇所（Ｌ点、Ｒ点）の位置の間で平行に往復動させている。この場合、駆動手段Ｄの駆動軸Ｄ１に、各磁石組立体５０ａ〜５０ｆを取付け、磁石組立体５０ａ〜５０ｆを一体に平行に往復動させている。
【００３９】
ところで、上記のように構成した場合、各磁石組立体５０ａ〜５０ｆが相互に近接させて設けられることで、磁石組立体５０ａ〜５０ｆの並設方向に沿った両側で磁場バランスが崩れる虞がある。このため、棒状の補助磁石７を、両端に位置する磁石組立体５０ａ、５０ｆの周辺磁石５３の極性にそれぞれ一致させて設け、補助磁石７を支持する支持部７１を、エアーシリンダＤの駆動軸Ｄ１に取付け、磁石組立体５０ａ〜５０ｆと一体に移動するようにしている。これにより、磁石組立体５０ａ〜５０ｆの両端での磁束密度も高くできて磁場バランスが改善され、ひいては処理基板Ｓ面内における膜厚分布や反応性スパッタリングを行う場合の膜質分布を略均一にできる。
【実施例１】
【００４０】
本実施例では、図６に示すスパッタ装置１０を用いて処理基板ＳにＩＴＯ膜を成膜した。この場合、処理基板Ｓとしては、ガラス基板（１２００ｍｍ×１０００ｍｍ）を用いると共に、ターゲット４１ａ〜４１ｆとして、Ｉｎ２Ｏ３にＳｎＯ２を１０重量％添加したものを用い、公知の方法で、２３０ｍｍ×１４６０ｍｍの外形寸法を有するように作製し、バッキングプレート４２に接合した。そして、反応性スパッタリングによりガラス基板Ｓ上にＩＴＯ膜を成膜した。
【００４１】
また、各磁石組立体５０ａ〜５０ｆに用いる支持板５１として、１３０ｍｍ×１４６０ｍｍの外形寸法を有するものを用い、各支持板５１上に、ターゲット４１ａ〜４１ｆの長手方向に沿った棒状の中央磁石５２と、支持板５１の外周に沿って周辺磁石５３とを設けた後、ターゲット４１ａ〜４１ｆの長手方向の端部から約４０ｍｍの位置でそれぞれ分割している。そして、位置変更手段によって、各磁石組立体５０ａ〜５０ｆの分割部分５ｂ、５ｃを、中央部分に対し１５ｍｍ外側に移動させた。
【００４２】
スパッタリング条件として、真空排気されているスパッタ室１１内の圧力が０．６７Ｐａに保持されるように、マスフローコントローラ２１を制御してスパッタガスであるアルゴン（Ａｒ流量２００ｓｃｃｍ）と反応ガスであるＨ２Ｏ（Ｈ２Ｏ流量０．５ｓｃｃｍ）をスパッタ室１１内に導入した。また、各ターゲット４１ａ〜４１ｆへの投入電力を６０ＫＷ、スパッタ時間を１５秒に設定した。この条件でガラス基板Ｓ上に反応性スパッタリングしたときのガラス基板Ｓ面内での膜厚及び比抵抗値の分布を図７（ａ）及び（ｂ）に示す。
（比較例１）
【００４３】
比較例１として、図６に示すスパッタ装置１０を用いたが、磁石組立体として、分割しないものを用いた。そして、スパッタ条件を上記実施例１と同じとし、実施例１と同じガラス基板Ｓに反応性スパッタリングによりＩＴＯ膜を成膜した。この条件でガラス基板Ｓ上に反応性スパッタリングしたときのガラス基板Ｓ面内での膜厚及びシート抵抗値（Ω／□）の分布を図８（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００４４】
図７及び図８を参照して説明すれば、比較例１では、ガラス基板の長手方向に沿った両側での膜厚（Å）が、その中央領域と比較して局所的に薄くなり、膜厚分布が±１０％の範囲を超え、膜厚分布のばらつきが大きくなった。また、シート抵抗値についても同様に、ガラス基板の長手方向に沿った両側で、その中央領域と比較して局所的に高くなり、シート抵抗値の分布が悪い（±約２４％）、つまり、膜質が不均一であった。
【００４５】
それに対して、実施例１では、ガラス基板の長手方向に沿った両側での膜厚が、その中央領域のものとほぼ同等になり、処理基板面内での膜厚分布が±約５％の範囲に保持でき、膜厚分布のばらつきが改善できたことが判る。また、シート抵抗値についても、シート抵抗値の分布が±約１７パーセントで、膜質の均一性を改善できたことが判る。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明のスパッタリング装置を模式的に説明する図。
【図２】磁石組立体の分割を説明する断面図。
【図３】磁石組立体の分割を説明する断面図。
【図４】図２に示す磁石組立体を一部拡大断面図。
【図５】磁石組立体の変形例を示す図。
【図６】本発明のスパッタリング装置の変形例を模式的に説明する図。
【図７】（ａ）は、本発明によりＩＴＯ膜を成膜したときの膜厚分布を説明する図。（ｂ）そのときのシート抵抗値の分布を説明する図。
【図８】（ａ）は、従来技術にかかる磁石組立体を用いＩＴＯ膜を成膜したときの膜厚分布を説明する図。（ｂ）そのときのシート抵抗値の分布を説明する図。
【符号の説明】
【００４７】
１    マグネトロンスパッタリング装置
４１  ターゲット
５    カソード組立体
５１  支持板
５２  中央磁石
５３  周辺磁石
５４  ベース板
５５  スペーサ
Ｂ    ボルト
Ｃ    磁石組立体
Ｅ    侵食領域
Ｓ    処理基板
Ｗ    ワッシャ
【図１】
2007154291.tif 000003
【図２】
2007154291.tif 000004
【図３】
2007154291.tif 000005
【図４】
2007154291.tif 000006
【図５】
2007154291.tif 000007
【図６】
2007154291.tif 000008
【図７】
2007154291.tif 000009
【図８】
2007154291.tif 000010