(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子機器の製造方法、及び、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】電子機器の製造方法は、電極１４が形成された面１５が長方形をなす半導体チップ１０と、半導体チップ１０の面１５の短辺１７の端部領域１８に配置された樹脂突起２０と、樹脂突起２０上に設けられた電気的接続部３２を有する、電極１４と電気的に接続された配線３０と、を含む半導体装置１を用意する工程と、導電部４４を有する配線基板４０を用意する工程と、半導体装置１を配線基板４０に搭載して、電気的接続部３２と導電部４４とを接触させて電気的に接続させる工程と、配線３０を切断する工程と、を含む。配線３０は、電気的接続部３２と、第１及び第２の延設部３４，３６と、第１の延設部３４から引き出されて電極１４上に至るように引き回された引き出し部３８とを含む。配線３０は、電気的接続部３２と第２の延設部３６との境界で切断する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成されてなり、前記電極が形成された面が長方形をなす半導体チップと、前記半導体チップの前記面の短辺の端部領域に配置された樹脂突起と、前記樹脂突起の上端部に設けられた電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を含む半導体装置を用意する工程と、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された導電部とを有する配線基板を用意する工程と、
前記半導体装置を前記配線基板に搭載して、前記電気的接続部と前記導電部とを接触させて電気的に接続させる工程と、
前記樹脂突起上で、前記配線を切断する工程と、
を含み、
前記配線は、前記電気的接続部と、前記電気的接続部に延設された第１及び第２の延設部と、前記第１の延設部から引き出されて前記電極上に至るように引き回された引き出し部とを有し、
前記第１の延設部は、前記電気的接続部よりも前記面の中央側に配置されてなり、
前記第２の延設部は、前記電気的接続部よりも前記面の外側に配置されてなり、
前記配線を切断する工程で、前記電気的接続部と前記第２の延設部との境界で前記配線を切断する電子機器の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子機器の製造方法において、
前記電気的接続部と前記第１及び第２の延設部とは、前記短辺と直交する方向に配列されてなる電子機器の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子機器の製造方法において、
前記電気的接続部と前記第１及び第２の延設部とは、前記面の中央領域から放射状に延びる仮想直線に沿って配列されてなる電子機器の製造方法。
【請求項４】
複数の電極が形成されてなり、前記電極が形成された面が長方形をなす半導体チップと、
前記半導体チップの前記面に設けられた樹脂突起と、
前記樹脂突起の上端部に設けられた複数の電気的接続部を有する、前記複数の電極と電気的に接続された複数の配線と、
を含み、
それぞれの前記配線は、前記電気的接続部と、前記電気的接続部に延設された延設部と、前記延設部から引き出されて前記電極上に至るように引き回された引き出し部とを有し、
前記面の短辺の端部領域において、前記延設部はすべて、前記電気的接続部よりも前記面の中央側に配置されてなる半導体装置。
【請求項５】
複数の電極が形成されてなり、前記電極が形成された面が長方形をなす半導体チップと、
前記半導体チップの前記面の短辺の端部領域に配置されてなり、前記短辺に沿って延びる形状をなす樹脂突起と、
前記樹脂突起の上端部に設けられた複数の電気的接続部を有する、前記複数の電極と電気的に接続された複数の配線と、
を含み、
それぞれの前記配線は、前記電気的接続部と、前記電気的接続部に延設された延設部と、前記延設部から引き出されて前記電極上に至るように引き回された引き出し部とを有し、
前記延設部は、前記電気的接続部よりも、前記面の中央側に配置されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、及び、電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置が配線基板等に実装された電子機器が知られている。そして、半導体装置や配線基板は、電子機器の動作環境の温度変化や、熱サイクル試験による温度変化などの影響を受けて膨張収縮することがある。そして、半導体装置と配線基板との熱膨張係数が異なる場合などには、半導体装置の配線等に力がかかることがある。半導体装置の信頼性を高めるためには、配線等にかかるストレスを軽減させることが好ましい。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置、及び、信頼性の高い電子機器を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る電子機器の製造方法は、
電極が形成されてなり、前記電極が形成された面が長方形をなす半導体チップと、前記半導体チップの前記面の短辺の端部領域に配置された樹脂突起と、前記樹脂突起の上端部に設けられた電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を含む半導体装置を用意する工程と、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された導電部とを有する配線基板を用意する工程と、
前記半導体装置を前記配線基板に搭載して、前記電気的接続部と前記導電部とを接触させて電気的に接続させる工程と、
前記樹脂突起上で、前記配線を切断する工程と、
を含み、
前記配線は、前記電気的接続部と、前記電気的接続部に延設された第１及び第２の延設部と、前記第１の延設部から引き出されて前記電極上に至るように引き回された引き出し部とを有し、
前記第１の延設部は、前記電気的接続部よりも前記面の中央側に配置されてなり、
前記第２の延設部は、前記電気的接続部よりも前記面の外側に配置されてなり、
前記配線を切断する工程で、前記電気的接続部と前記第２の延設部との境界で前記配線を切断する。
【０００５】
本発明によると、半導体装置を配線基板に搭載した後に、配線を切断する。このとき、配線を、電気的接続部と第２の延設部との境界で切断するため、電気的接続部と電極との電気的な接続を維持することができる。また、配線を切断することで、電気的接続部、第１の延設部、及び、引き出し部にかかるストレスを小さくすることができる。すなわち、本発明によると、信頼性の高い電子機器を、効率よく製造することができる。
【０００６】
（２）この電子機器の製造方法において、
前記電気的接続部と前記第１及び第２の延設部とは、前記短辺と直交する方向に配列されていてもよい。
【０００７】
（３）この電子機器の製造方法において、
前記電気的接続部と前記第１及び第２の延設部とは、前記面の中央領域から放射状に延びる仮想直線に沿って配列されていてもよい。
【０００８】
（４）本発明に係る半導体装置は、
複数の電極が形成されてなり、前記電極が形成された面が長方形をなす半導体チップと、
前記半導体チップの前記面に設けられた樹脂突起と、
前記樹脂突起の上端部に設けられた複数の電気的接続部を有する、前記複数の電極と電気的に接続された複数の配線と、
を含み、
それぞれの前記配線は、前記電気的接続部と、前記電気的接続部に延設された延設部と、前記延設部から引き出されて前記電極上に至るように引き回された引き出し部とを有し、
前記面の短辺の端部領域において、前記延設部はすべて、前記電気的接続部よりも前記面の中央側に配置されている。
【０００９】
本発明に係る半導体装置によると、電気的接続部は、延設部及び引き出し部を介して、電極と電気的に接続されてなる。そして、延設部は、電気的接続部よりも、面の中央側に配置されてなる。すなわち、本発明によると、半導体チップの端部領域において、電気的接続部と延設部との境界で配線の断線が起こりにくい、電気的接続部と電極との電気的な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１０】
（５）本発明に係る半導体装置は、
複数の電極が形成されてなり、前記電極が形成された面が長方形をなす半導体チップと、
前記半導体チップの前記面の短辺の端部領域に配置されてなり、前記短辺に沿って延びる形状をなす樹脂突起と、
前記樹脂突起の上端部に設けられた複数の電気的接続部を有する、前記複数の電極と電気的に接続された複数の配線と、
を含み、
それぞれの前記配線は、前記電気的接続部と、前記電気的接続部に延設された延設部と、前記延設部から引き出されて前記電極上に至るように引き回された引き出し部とを有し、
前記延設部は、前記電気的接続部よりも、前記面の中央側に配置されている。
【００１１】
本発明に係る半導体装置によると、電気的接続部は、延設部及び引き出し部を介して、電極と電気的に接続されてなる。そして、延設部は、電気的接続部よりも、面の中央側に配置されてなる。すなわち、本発明によると、半導体チップの端部領域において、電気的接続部と延設部との境界で配線の断線が起こりにくい、電気的接続部と電極との電気的な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含む。
【００１３】
図１（Ａ）〜図４は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器の製造方法について説明するための図である。
【００１４】
本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す、半導体装置１を用意することを含む。なお、図１（Ａ）は、半導体装置１の上視図である。但し、図１（Ａ）では、説明のため、電極１４及び配線３０を省略する。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一部拡大図である。そして、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）のIC−IC線断面の一部拡大図である。
【００１５】
半導体装置１は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、半導体チップ１０を含む。半導体チップ１０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ１０には、集積回路１２が形成されていてもよい（図１（Ｃ）参照）。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００１６】
半導体チップ１０には、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、複数の電極１４が形成されてなる。そして、半導体チップ１０の電極１４が形成された面１５は、図１（Ａ）に示すように、長方形をなす。面１５は、半導体チップ１０の能動面であってもよい。すなわち、半導体チップ１０の面１５は、集積回路１２が形成された面であってもよい。電極１４は、面１５の中央部を避けて周縁部のみに形成されていてもよい。あるいは、電極１４は、面１５にエリアアレイ状に（中央部を含む領域に）形成されていてもよい。このとき、電極は、複数行複数列に格子状に配列されていてもよく、ランダム配列されていてもよい。
【００１７】
電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない導電体を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、半導体チップの内部配線の一部であってもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。図１（Ｃ）に示すように、半導体チップ１０の面１５にはパッシベーション膜１６が形成されていてもよく、このとき、電極１４は、パッシベーション膜１６からの露出領域であってもよい。なお、パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。
【００１８】
半導体装置１は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０を含む。樹脂突起２０は、半導体チップ１０上に形成されてなる。樹脂突起２０は、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。樹脂突起２０は、電極１４を避けて（露出させるように）形成されていてもよい。
【００１９】
樹脂突起２０は、半導体チップ１０の電極１４が形成された面（面１５）に形成されてなる。樹脂突起２０は、面１５の短辺１７の端部領域１８に形成されていてもよい。なお、短辺１７の端部領域１８とは、面１５における短辺１７の周辺の領域を指していてもよい。短辺１７の端部領域１８とは、例えば、面１５内の、短辺１７を１つの辺とする正方形の領域を指していてもよい。あるいは、短辺１７の端部領域１８とは、面１５の短辺１７から、半導体チップ１０の厚みと同じ幅の領域であってもよい。あるいは、短辺１７の端部領域１８とは、面１５における、集積回路１２又は電極１４よりも外側の領域を指していてもよい。あるいは、短辺１７の端部領域１８とは、面１５における、樹脂突起２２（後述）よりも外側の領域を指していてもよい。
【００２０】
樹脂突起２０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、面１５の短辺１７の端部領域１８内で、短辺１７に沿って延びる形状をなしていてもよい。なお、半導体装置１では、端部領域１８内に、１つの樹脂突起２０のみが形成されていてもよい。ただし、端部領域１８には、複数の樹脂突起２０が形成されていてもよい。これによると、後述する電気的接続部３２の形成可能領域を広くすることができるため、半導体チップ１０の外形を大きくすることなく多数の接続点を確保することができ、また、電気的接続部３２配置の自由度を高めることができる。
【００２１】
半導体装置１は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ１０の面１５に形成された他の樹脂突起２２を含んでいてもよい。樹脂突起２２は、面１５の長辺１９に沿って延びる形状をなしていてもよい。なお、樹脂突起２２は、図１に示すように、面１５の長辺１９に沿って１つのみが形成されていてもよい。ただし、面１５の長辺１９に沿って、複数の樹脂突起が形成されていてもよい（図示せず）。
【００２２】
樹脂突起２０，２２の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起２０，２２は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。
【００２３】
半導体装置１は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、配線３０を含む。配線３０は電極１４と電気的に接続されてなる。配線３０は、樹脂突起２０の上端部に設けられた電気的接続部３２を有する。電気的接続部３２は、外部端子として利用される部分である。配線３０は、また、電気的接続部３２に延設された第１及び第２の延設部３４，３６を有する。第１及び第２の延設部３４，３６は、樹脂突起２２（樹脂突起２２の基端部）上のみに形成されていてもよい。すなわち、第１及び第２の延設部３４，３６とは、配線３０のうち、樹脂突起２０とオーバーラップする領域を指してもよい。ただし、第１及び第２の延設部３４，３６は、半導体チップ１０（面１５）上に至るように形成されていてもよい。半導体装置１では、第１の延設部３４は、電気的接続部３２よりも、面１５の中央側に配置されている。また、第２の延設部３６は、電気的接続部３２よりも、面１５の外側に配置されてなる。すなわち、第１及び第２の延設部３４，３６は、電気的接続部３２の両側に配置されていてもよい。このとき、電気的接続部３２と、第１及び第２の延設部３４，３６とは、図１（Ｂ）に示すように、短辺１７に直交する方向に配列されていてもよい。そして、配線３０は、第１の延設部３４から引き出された引き出し部３８を有する。引き出し部３８は、第１の延設部３４から引き出されて、電極１４上に至るように引き回されていてもよい。すなわち、電気的接続部３２は、第１の延設部３４及び引き出し部３８を介して、電極１４と電気的に接続されていてもよい。
【００２４】
配線３０の構造及び材料は特に限定されるものではない。配線３０は、単層で形成されていてもよい。あるいは、配線３０は、複数層で形成されていてもよい。このとき、配線３０は、チタンタングステンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層とを含んでいてもよい（図示せず）。
【００２５】
本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、配線基板４０を用意することを含む（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）。配線基板４０は、ベース基板４２と、ベース基板４２上に形成された導電部４４とを含んでいてもよい。ベース基板４２の材料は特に限定されず、有機系又は無機系のいずれの材料であってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。ベース基板４２として、無機系の材料から形成された基板を利用してもよい。このとき、ベース基板４２は、セラミックス基板やガラス基板であってもよい。ベース基板４２がガラス基板である場合、配線基板４０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。また、導電部４４は、ベース基板４２に形成された配線パターンの一部であってもよい。導電部４４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。このとき、導電部４４は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。あるいは、ベース基板４２は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、ベース基板４２としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。このとき、導電部４４は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかを積層して形成されていてもよい。
【００２６】
本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、半導体装置１を配線基板４０に搭載することを含む。半導体装置１を配線基板４０に搭載して、電気的接続部３２と導電部４４とを接触させて電気的に接続させる。以下、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、半導体装置１を配線基板４０に搭載する工程について説明する。
【００２７】
はじめに、図２（Ａ）に示すように、半導体装置１を配線基板４０上に配置して、半導体装置１の電気的接続部３２（樹脂突起２０）と配線基板４０の導電部４４とが対向するように位置合わせをする。
【００２８】
このとき、図示しない治具（ボンディングツール）によって、半導体装置１を保持してもよい。治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置１（電気的接続部３２）を加熱してもよい。半導体装置１を加熱することによって、電気的接続部３２が加熱され、電気的接続部３２と導電部４４とを確実に電気的に接続することができる。
【００２９】
なお、半導体装置１と配線基板４０との間には、図示しない接着剤を設けておいてもよい。接着剤は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。あるいは、接着剤として、ペースト状の接着剤を利用してもよい。接着剤は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤は、樹脂系接着剤であってもよい。
【００３０】
その後、図２（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板４０とを近接させて、電気的接続部３２と導電部４４とを接触させる。これにより、電気的接続部３２と導電部４４とを電気的に接続する。すなわち、配線３０のうち、導電部４４と接触する部分を指して、電気的接続部３２と称してもよい。本工程では、半導体チップ１０と配線基板４０とによって樹脂突起２０を押しつぶして、樹脂突起２０を弾性変形させてもよい。これにより、樹脂突起２０の弾性力によって、電気的接続部３２と導電部４４とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することができる。
【００３１】
さらに、半導体装置１と配線基板４０との間に、図示しない接着層を形成してもよい。接着層によって、半導体チップ１０と配線基板４０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起２０が弾性変形した状態で接着層を形成することで、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持することができる。
【００３２】
本実施の形態に係る電子機器の製造方法は、図３に示すように、樹脂突起２０上で、配線３０を切断することを含む。配線３０は、電気的接続部３２と第２の延設部３６との境界で切断する。配線３０は、半導体チップ１０と配線基板４０（ベース基板４２）との膨張収縮量の違いを利用して切断してもよい。
【００３３】
半導体装置１及び配線基板４０は、上記の実装工程の過程で、あるいは、実装工程後に、その寸法を変化させることがある。例えば、先に説明したように、半導体装置１を配線基板４０に実装する工程で、半導体装置１を配線基板４０に搭載した後に、治具による熱の供給がなくなると、半導体装置１及び配線基板４０は冷却され、収縮し、外部寸法が小さくなる。あるいは、半導体装置１及び配線基板４０は、実装後の動作環境の変化や、検査のための熱サイクル試験が行われると、その寸法が変化する。
【００３４】
特に、半導体チップ１０は、長方形をなすため、短辺１７の端部領域１８に向かって寸法の変化が累積する。そのため、半導体チップ１０の面１５は、短辺１７の端部領域１８で、中央領域に較べて大きく寸法が変化する。また、半導体チップ１０は、短辺１７の端部領域１８で、長辺１９に沿った方向への寸法の変化量が、短辺１７に沿った方向への寸法の変化量に較べて大きくなる。そのため、半導体チップ１０の短辺１７の端部領域１８に配置された樹脂突起２０（配線３０）に、半導体チップ１０の短辺１７に交差する方向に大きな力をかけることができる。
【００３５】
そして、配線３０の電気的接続部３２は、導電部４４と接触している。そのため、電気的接続部３２は、配線基板４０の膨張収縮にあわせて位置が変化する。これに対して、第１及び第２の延設部３４，３６は、半導体装置１（半導体チップ１０）の膨張収縮にあわせて位置が変化する。そのため、電気的接続部３２と、第１及び第２の延設部３４，３６との境界には、大きな力がかかる。特に、電気的接続部３２と第２の延設部３６とには、大きな力が集中する。なぜなら、半導体チップ１０（面１５）の外側ほど膨張収縮量が大きくなり、半導体チップ１０と配線基板４０との位置ずれが大きくなるためである。本実施の形態に係る電子機器の製造方法では、この力を利用して、配線３０を、電気的接続部３２と第２の延設部３６との境界で切断してもよい。すなわち、本実施の形態に係る電子機器の製造方法では、半導体チップ１０と配線基板４０（ベース基板４２）との膨張収縮量の違いを利用して、配線３０を切断してもよい。
【００３６】
以上の工程によって、図４に示す、電子機器１０００を製造してもよい。電子機器１０００は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１（半導体チップ１０）は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。
【００３７】
本発明によると、先に説明したように、配線３０を、電気的接続部３２と第２の延設部３６との境界で切断する。これにより、配線３０（電気的接続部３２、第１の延設部３４、及び、引き出し部３８）にかかるストレスを小さくすることができる。そのため、電気的接続部３２と第１の延設部３４との境界にかかる力を軽減することができる。すなわち、本発明によると、電気的接続部３２と電極１４との間で配線の断線が起こりにくい、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００３８】
また、本発明によると、半導体装置１を配線基板４０に搭載した後に、配線３０を切断する。そのため、配線３０と導電部４４との位置合わせを容易に行うことができ、電子機器を効率よく製造することができる。
【００３９】
なお、半導体装置１では、電気的接続部３２は、第１の延設部３４及び引き出し部３８を介して電極１４と電気的に接続される。そのため、電気的接続部３２と第２の延設部３６との境界で配線３０を切断しても、電気的接続部３２と電極１４との電気的な接続を維持することができる。すなわち、半導体装置１によると、半導体チップ１０の短辺１７の端部領域１８で配線３０の断線があった場合にも、電極１４と電気的接続部３２との電気的な接続を確保することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００４０】
なお、本実施の形態に係る電子機器の製造方法では、第２の延設部３６を除去する工程をさらに含んでいてもよい。これによると、第２の延設部３６による電気的なショートの発生を防止することができるため、さらに信頼性の高い電子機器を製造することができる。
【００４１】
（変形例）
図５は、本発明を適用した実施の形態の変形例について説明するための図である。本変形例に係る電子機器の製造方法は、図５に示す、半導体装置２を用意することを含む。以下、半導体装置２の構成について説明する。
【００４２】
半導体装置２は、図５に示すように、複数の樹脂突起２５を有する。樹脂突起２５は、半導体チップ１０の短辺の端部領域１８に形成されてなる。そして、半導体装置２は、複数の配線５０を有する。配線５０は、樹脂突起２５上に配置された電気的接続部５２を有する。配線５０は、また、電気的接続部５２から延設された第１及び第２の延設部５４，５６を有する。配線５０では、電気的接続部５２と、第１及び第２の延設部５４，５６とは、仮想直線１００に沿って配列されている。ここで、仮想直線１００とは、半導体チップ１０の面１５の中央領域から放射状に延びる直線である。そして、配線５０は、引き出し部５８を有する。引き出し部５８は、第１の延設部５４から引き出されて、電極１４に至るように引き回されてなる。
【００４３】
半導体チップ１０は、温度変化の影響を受けて、中央領域を基点に放射状に膨張収縮する場合がある。本変形例によると、半導体チップ１０が中央領域を基点に放射状に膨張収縮した場合に、電気的接続部５２と第２の延設部５６との境界において、配線５０を切断しやすくなる。そのため、半導体装置２を利用した場合にも、信頼性の高い電子機器を製造することが可能になる。
【００４４】
なお、半導体装置２では、半導体チップ１０の短辺１７の端部領域１８において、第１の延設部５４はすべて、電気的接続部５２よりも面１５の中央側に配置されていてもよい。これによると、いずれの配線５０で断線が発生しても、電極１４と電気的接続部５２との電気的な接続を維持することが可能になるため、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【００４５】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１（Ａ）から図１（Ｃ）は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器の製造方法を説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る電子機器の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子機器の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…半導体装置、  １０…半導体チップ、  １２…集積回路、  １４…電極、１５…面、  １６…パッシベーション膜、  １７…短辺、  １８…端部領域、  １９…長辺、  ２０…樹脂突起、  ２２…樹脂突起、  ３０…配線、  ３２…電気的接続部、  ３４…第１の延設部、  ３６…第２の延設部、  ３８…引き出し部、  ４０…配線基板、  ４２…ベース基板、  ４４…導電部、  ５０…配線、  ５２…電気的接続部、  ５４…第１の延設部、  ５６…第２の延設部、  ５８…引き出し部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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