(57)【要約】【課題】必要時にチップを除去して、マスクの再生を容易かつ確実に行い得るマスクの再生方法を提供すること。【解決手段】本発明のマスクの再生方法は、主としてガラスで構成され、開口領域４２を備える支持基板４に、主としてシリコンで構成され、開口領域４２より開口面積の小さい複数の貫通部５２を備えるチップ５を、支持基板４の開口領域４２を覆うように接合してなるマスク３を再生する方法であり、マスク３に、ガラスよりシリコンに対する溶解度が高い第１の処理液を接触させて、支持基板４からチップ５を除去する第１の工程と、支持基板４の開口領域４２を覆うように、新たなチップ５を接合する第２の工程とを有する。第１の処理液には、アルカリ物質を含むアルカリ液を用いるのが好ましく、第２の処理液には、硫酸と過酸化水素水とを含むものを用いるのが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主としてガラスで構成され、開口部を備える支持基板に、主としてシリコンで構成され、前記開口部より開口面積の小さい複数の小開口部を備えるチップを、前記支持基板の前記開口部を覆うように接合してなるマスクを再生するマスクの再生方法であって、
前記マスクに、ガラスよりシリコンに対する溶解度が高い第１の処理液を接触させて、前記支持基板から前記チップを除去する第１の工程と、
前記支持基板の前記開口部を覆うように、新たな前記チップを接合する第２の工程とを有することを特徴とするマスクの再生方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、前記第１の処理液の前記マスクへの接触は、前記マスクを前記第１の処理液中に浸漬することにより行われる請求項１に記載のマスクの再生方法。
【請求項３】
前記マスクの前記第１の処理液への浸漬時間は、０．５〜５時間である請求項２に記載のマスクの再生方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、前記第１の処理液の温度は、２０〜９５℃である請求項１ないし３のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記マスクおよび前記第１の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与える請求項１ないし４のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項６】
前記第１の処理液は、ガラスに対するシリコンの溶解速度が１００倍以上のものである請求項１ないし５のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項７】
前記第１の処理液は、アルカリ物質を含むアルカリ液である請求項６に記載のマスクの再生方法。
【請求項８】
前記アルカリ物質は、有機系の水酸化物を主成分とするものである請求項７に記載のマスクの再生方法。
【請求項９】
前記アルカリ液中における前記アルカリ物質の含有量は、１０〜６０ｗｔ％である請求項７または８に記載のマスクの再生方法。
【請求項１０】
前記支持基板と前記チップとは、接着剤を介して接合されており、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記支持基板に第２の処理液を接触させて、前記接着剤を除去する接着剤除去工程を有する請求項１ないし９のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１１】
前記接着剤除去工程において、前記第２の処理液の前記支持基板への接触は、前記支持基板を前記第２の処理液中に浸漬することにより行われる請求項１０に記載のマスクの再生方法。
【請求項１２】
前記支持基板の前記第２の処理液への浸漬時間は、１〜６０分間である請求項１１に記載のマスクの再生方法。
【請求項１３】
前記接着剤除去工程において、前記第２の処理液の温度は、２０〜９０℃である請求項１０ないし１２のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１４】
前記接着剤除去工程において、前記支持基板および前記第２の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与える請求項１０ないし１３のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１５】
前記第２の処理液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものである請求項１０ないし１４のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１６】
前記第２の処理液中における前記硫酸と前記過酸化水素水との配合比は、体積比で１：９９〜９９：１である請求項１５に記載のマスクの再生方法。
【請求項１７】
前記支持基板は、その表面に、前記チップの位置決め用のマーカーとして、凹部を有する請求項１ないし１６のいずれかに記載のマスクの再生方法。
【請求項１８】
前記凹部は、レーザー加工またはウェットエッチングにより形成されたものである請求項１７に記載のマスクの再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
成膜方法には、例えば、スパッタリング法や蒸着法等があり、マスクを用いて成膜することにより、薄膜をパターニングすることがある。
かかるマスクとして、第１の基板（支持基板）に、複数の第２の基板（チップ）を接合した構成のものがある（例えば、特許文献１参照。）。
第１の基板には、成膜精度を高めるため、その表面の平面度の高いものが使用されており、一般に、第１の基板は高価なものである。
ところが、このマスクでは、例えば第２の基板のいつに破損等が生じた場合、第１の基板ごとマスクを破棄することが行われ、成膜コストの増大を招いていた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５-２７６４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、必要時にチップを除去して、マスクの再生を容易かつ確実に行い得るマスクの再生方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のマスクの再生方法は、主としてガラスで構成され、開口部を備える支持基板に、主としてシリコンで構成され、前記開口部より開口面積の小さい複数の小開口部を備えるチップを、前記支持基板の前記開口部を覆うように接合してなるマスクを再生するマスクの再生方法であって、
前記マスクに、ガラスよりシリコンに対する溶解度が高い第１の処理液を接触させて、前記支持基板から前記チップを除去する第１の工程と、
前記支持基板の前記開口部を覆うように、新たな前記チップを接合する第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、必要時にチップを除去して、マスクの再生を容易かつ確実に行い得る。
【０００６】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の工程において、前記第１の処理液の前記マスクへの接触は、前記マスクを前記第１の処理液中に浸漬することにより行われることが好ましい。
浸漬法によれば、支持基板から比較的容易にチップを除去することができ、また、多数（複数）のマスクを同時に処理し得ることからも好ましい。
【０００７】
本発明のマスクの再生方法では、前記マスクの前記第１の処理液への浸漬時間は、０．５〜５時間であることが好ましい。
このような時間、第１の処理液中にマスクを浸漬することにより、チップをより確実に除去することができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の工程において、前記第１の処理液の温度は、２０〜９５℃であることが好ましい。
このような温度に第１の処理液を設定することにより、第１の処理液のチップ（シリコン）に対する溶解度を十分に高い状態に維持することができる。
【０００８】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の工程において、前記マスクおよび前記第１の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えることが好ましい。
これにより、チップの除去効率をより確実に向上させることができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の処理液は、ガラスに対するシリコンの溶解速度が１００倍以上のものであることが好ましい。
これにより、支持基板に変質・劣化や変形等が生じるのを防止しつつ、チップを容易かつ確実に溶解・除去することができる。
【０００９】
本発明のマスクの再生方法では、前記第１の処理液は、アルカリ物質を含むアルカリ液であることが好ましい。
アルカリ液は、シリコンに対する溶解度が高い一方で、ガラスに対する溶解度が極めて低い。このため、チップを容易かつ確実に溶解・除去することができるとともに、支持基板に変質・劣化や変形等の悪影響を及ぼし難い。
【００１０】
本発明のマスクの再生方法では、前記アルカリ物質は、有機系の水酸化物を主成分とするものであることが好ましい。
有機系の水酸化物（特に、テトラメチル水酸化アルミニウム）を主成分とするアルカリ物質を含むアルカリ液は、シリコンおよびガラスに対する溶解度（エッチングレート）の差が極めて顕著なものとなる。
【００１１】
本発明のマスクの再生方法では、前記アルカリ液中における前記アルカリ物質の含有量は、１０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。
このような量でアルカリ物質を含有することにより、アルカリ溶液によるチップの除去効率（除去速度）をより向上させることができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記支持基板と前記チップとは、接着剤を介して接合されており、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記支持基板に第２の処理液を接触させて、前記接着剤を除去する接着剤除去工程を有することが好ましい。
支持基板から接着剤を除去することにより、第２の工程において、新たなチップを確実かつ位置精度よく支持基板に接合することができる。
【００１２】
本発明のマスクの再生方法では、前記接着剤除去工程において、前記第２の処理液の前記支持基板への接触は、前記支持基板を前記第２の処理液中に浸漬することにより行われることが好ましい。
浸漬法によれば、比較的容易に接着剤の除去を行うことができ、また、多数（複数）の支持基板を同時に処理し得ることからも好ましい。
【００１３】
本発明のマスクの再生方法では、前記支持基板の前記第２の処理液への浸漬時間は、１〜６０分間であることが好ましい。
このような時間、第２の処理液中に支持基板を浸漬することにより、支持基板に付着した接着剤をより確実に除去することができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記接着剤除去工程において、前記第２の処理液の温度は、２０〜９０℃であることが好ましい。
このような温度に第２の処理液を設定することにより、支持基板に付着した接着剤を短時間で（効率よく）除去することができる。
【００１４】
本発明のマスクの再生方法では、前記接着剤除去工程において、前記支持基板および前記第２の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えることが好ましい。
これにより、接着剤の除去効率をより確実に向上させることができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の処理液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであることが好ましい。
これにより、接着剤の除去効率（除去速度）を向上させることができる。
【００１５】
本発明のマスクの再生方法では、前記第２の処理液中における前記硫酸と前記過酸化水素水との配合比は、体積比で１：９９〜９９：１であることが好ましい。
このような配合比で、第２の処理液が、硫酸と過酸化水素水とを含むことにより、接着剤の除去効率（除去速度）をより向上させることができる。
本発明のマスクの再生方法では、前記支持基板は、その表面に、前記チップの位置決め用のマーカーとして、凹部を有することが好ましい。
これにより、処理液によりマーカーが支持基板から剥離（離脱）することを防止することができるので、マスクを繰り返し再生するのに際して、チップの位置決めを正確に行うことができる。
【００１６】
本発明のマスクの再生方法では、前記凹部は、レーザー加工またはウェットエッチングにより形成されたものであることが好ましい。
レーザー加工によれば、微小な凹部を寸法精度よく形成することができる。また、ウェットエッチングによれば、比較的安価に、複数の凹部を同時に形成することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のマスクの再生方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明のマスクの再生方法を説明する前に、本発明のマスクの再生方法に供されるマスクの一例について説明する。
図１は、本発明の本発明のマスクの再生方法に供されるマスクの一例を示す斜視図である。
【００１８】
図１に示すマスク３は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により成膜を行う際に用いられるものであり、支持基板４に、複数のチップ（小マスク）５が取り付けられて構成されている。
支持基板（第１の基板）４は、平面視で長方形をなすとともに厚さ方向に貫通する開口領域（開口部）４２を有している。
【００１９】
そして、支持基板４には、開口領域４２の周囲の表面に、支持基板４に対してチップ（第２の基板）５の位置決めを行うマーク（マーカー）４４として凹部（穴）が形成されている。
後述する本発明のマスクの再生方法では、各種の処理液が用いられるが、マーク４４を凹部で構成することにより、処理液によりマーク４４が支持基板４から剥離（離脱）することを防止することができる。このため、マスク３を繰り返し再生するのに際して、チップ５の位置決めを正確に行うことができる。
【００２０】
このマーク４４は、例えば、レーザー加工、ウェットエッチング、ドライエッチング、ブラスト加工等により形成することがきるが、レーザー加工またはウェットエッチングにより形成するのが好ましい。レーザー加工によれば、微小な凹部を寸法精度よく形成することができる。また、ウェットエッチングによれば、比較的安価に、複数の凹部を同時に形成することができるという利点がある。
【００２１】
例えば、ウェットエッチングにより凹部を形成する場合、まず、支持基板４上に、金属膜を形成し、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより、凹部に対応する位置に開口を形成した後、この金属膜をマスクに用いてエッチングにより凹部を形成し、金属膜を除去することにより形成することができる。
なお、マーク４４は、例えばクロム等で構成される微小な金属膜で構成するようにしてもよい。
【００２２】
また、支持基板４には、その外周部の表面に、マスク３の使用時において、基板（被処理部材）に対してマスク３の位置決めを行うアライメントマーク４６が形成されている。
このアライメントマーク４６も、マーク４４と同様の構成とすることができる。
このような支持基板４は、その表面の平面度（ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１に規定）が３０μｍ以下であるのが好ましい。かかる支持基板４を用いてマスク３を構成することにより、より寸法精度の高い膜を形成することができる。
【００２３】
複数のチップ（小片）５は、支持基板４の開口領域４２を塞ぐように、互いに間隔を隔てて、支持基板４上に行列をなすように配置・接合されている。
各チップ５には、互いに平行に一定間隔で、支持基板の開口領域４２より開口面積の小さい複数の貫通部（小開口部）５２が形成されている。各貫通部５２は、平面視で線状をなすとともに厚さ方向に貫通し、支持基板４の開口領域４２の長手方向と直交する向きに延在している。
支持基板４は、主としてガラスで構成されている。このガラス（ガラス材料）としては、例えば、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラスのようなイオン（可動イオン）含有ガラス、石英等が挙げられる。
【００２４】
一方、チップ５は、主としてシリコンで構成されている。このシリコンとしては、例えば、面方位（１００）の単結晶シリコン、面方位（１１０）の単結晶シリコン等が挙げられる。
また、支持基板４とチップ５との接合方法としては、例えば、陽極接合、接着剤による接着等が挙げられる。ここで、接着剤としては、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤、ゴム系接着剤等が挙げられる。
【００２５】
次に、以上のようなマスク３の再生方法（本発明のマスクの再生方法）について説明する。
本発明のマスクの再生方法では、必要時に、支持基板４からチップ５を除去した後、再度、新たなチップ５を支持基板４に接合してマスク３を再生する。
ここで、必要時（マスク３を再生に供する場合）とは、例えば、チップ５の少なくとも１つに破損が生じた場合、チップ５の貫通部５２に膜材料が付着し、この付着した膜材料の除去が困難な場合等が挙げられる。
【００２６】
以下では、支持基板４にチップ５を接着剤により接着（接合）した構成のマスク３を再生する場合を代表に説明する。
図２は、本発明のマスクの再生方法の実施形態のフローを示す図である。
図１に示すマスクの再生方法は、再生に供すべきマスク３を第１の処理液により処理してチップ５を除去するチップ除去工程１０と、支持基板４を第２の処理液により処理して接着剤を除去する接着剤除去工程２０と、支持基板４に新たなチップ５を接合するチップ接合工程３０とを有している。
【００２７】
以下、各工程について順次説明する。
［Ｉ］  チップ除去工程（第１の工程）１０
まず、再生に供すべきマスク３に、第１の処理液を接触させる。これにより、チップ５を除去して支持基板４を回収する。
第１の処理液には、ガラスよりシリコンに対する溶解度が高い処理液を用いる。具体的には、ガラスに対するシリコンの溶解速度が１００倍以上のものを用いるのが好ましく、２００倍以上のものを用いるのが好ましい。これにより、支持基板４に変質・劣化や変形等が生じるのを防止しつつ、チップ５を容易かつ確実に溶解・除去することができる。
【００２８】
かかる第１の処理液には、アルカリ物質を含むアルカリ液（例えばｐＨ１０以上）が好適に用いられる。アルカリ液は、シリコンに対する溶解度が高い一方で、ガラスに対する溶解度が極めて低い。このため、チップ５を容易かつ確実に溶解・除去することができるとともに、支持基板４に変質・劣化や変形等の悪影響を及ぼし難い。
また、アルカリ物質としては、例えば、テトラメチル水酸化アンモニウムのような有機系の水酸化物、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのような無機系の水酸化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
これらの中でも、アルカリ物質としては、有機系の水酸化物（特に、テトラメチル水酸化アルミニウム）を主成分とするものが好ましい。有機系の水酸化物（特に、テトラメチル水酸化アルミニウム）を主成分とするアルカリ物質を含むアルカリ液は、シリコンおよびガラスに対する溶解度（エッチングレート）の差が極めて顕著なものとなる。
また、アルカリ溶液（第１の処理液）中におけるアルカリ物質の含有量（含有率）は、特に限定されないが、１０〜６０ｗｔ％（重量％）程度であるのが好ましく、２０〜５０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。このような量でアルカリ物質を含有することにより、アルカリ溶液によるチップ５の除去効率（除去速度）をより向上させることができる。
【００３０】
例えば、２５ｗｔ％のテトラメチル水酸化アルミニウム水溶液（８０℃）のエッチングレートの比は、（１００）面方位の単結晶シリコン：ホウケイ酸ガラス＝約４００：１となる。
マスク３に第１の処理液を接触させる方法としては、例えば、第１の処理液中にマスク３を浸漬する方法（浸漬法）、第１の処理液をマスク３に塗布する方法（塗布法）、第１の処理液をマスク３に霧状（ミスト状）に供給する方法（噴霧法）等が挙げられるが、中でも、浸漬法を用いるのが好ましい。浸漬法によれば、支持基板４から比較的容易にチップ５を除去することができ、また、多数（複数）のマスク３を同時に処理し得ることからも好ましい。
【００３１】
この場合、第１の処理液中にマスク３を浸漬する時間は、除去すべきチップ５の数、第１の処理液の組成、温度等によっても若干異なり、特に限定されないが、０．５〜５時間程度であるのが好ましく、１〜３時間程度であるのがより好ましい。このような時間、第１の処理液中にマスク３を浸漬することにより、チップ５をより確実に除去することができる。
【００３２】
また、第１の処理液の温度は、特に限定されないが、２０〜９５℃程度であるのが好ましく、３０〜８０℃程度であるのがより好ましい。このような温度に第１の処理液を設定することにより、第１の処理液のチップ５（シリコン）に対する溶解度を十分に高い状態に維持することができる。なお、第１の処理液の温度を前記上限値を超えて高くすると、第１の処理液中の液性成分（水分）が揮発し易くなり、第１の処理液の組成、ｐＨ等を一定に保持することが難しくなる。
【００３３】
また、本工程［Ｉ］は、マスク３および第１の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えつつ行うのが好ましい。これにより、チップ５の除去効率をより確実に向上させることができる。
与える超音波としては、周波数が好ましくは２０〜７０ｋＨｚ程度、より好ましくは３０〜５０ｋＨｚ程度、出力が好ましくは１００〜７５０Ｗ程度、より好ましくは３００〜５００Ｗ程度が好適である。
【００３４】
なお、前述した浸漬法を用いる場合、マスク３の全体を第１の処理液に浸漬するようにしてもよく、チップ５を、選択的に第１の処理液に接触させるようにしてもよい。また、塗布法等を用いて、チップ５の周縁部に沿って、選択的に第１の処理液を接触させ、チップ５を支持基板４から離脱させるようにしてもよい。これにより、第１の処理液の廃液の量を削減することができ、環境の面からも好ましい。
【００３５】
次に、必要に応じて、第１の処理液による処理後の支持基板４を水洗する。これにより、支持基板４に付着した第１の処理液を除去することができる。
用いる水としては、特に限定されないが、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水、ＲＯ水等が挙げられる。
また、水洗の方法としては、例えば、流水に支持基板４を曝す方法、水槽に貯留された水を所定時間毎に交換しつつ、水中に支持基板４を浸漬する方法等が挙げられるが、中でも、流水に支持基板４を曝す方法が好ましい。
この場合、支持基板４を流水に曝す時間は、特に限定されないが、１〜３０分間程度であるのが好ましく、５〜２０分間程度であるのがより好ましい。
【００３６】
また、水の温度は、常温程度とするのが好ましい。
さらに、必要に応じて、水洗後の支持基板４を乾燥する。これにより、支持基板４に付着する水分を除去することができ、次工程［II］における処理をより迅速に行うことができる。
支持基板４を乾燥する方法としては、例えば、Ａ：支持基板４をアルコール蒸気に接触させる方法（例えば蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、ロタゴニ乾燥等）、Ｂ：支持基板４にアルコールを接触させ、アルコールとともに水を蒸発させる方法（ベーパ乾燥）、Ｃ：支持基板４にガス（例えば不活性ガス等）を吹付ける方法（ブロー乾燥）、Ｄ：支持基板４を加熱する方法（加熱乾燥）、Ｅ：支持基板４を回転させる方法（スピン乾燥）、Ｆ：支持基板４を減圧雰囲気下に置く方法（減圧（真空）乾燥）等が挙げられるが、中でも、ＡまたはＢの方法（すなわち、アルコールを用いて支持基板４の乾燥を行う方法）が好ましい。これらの方法によれば、支持基板４に付着する水分を確実に除去することができるとともに、ウォータマークの発生や、パーティクルの付着を好適に防止または抑制することができる。
また、用いるアルコールは、水の沸点である１００℃（常圧）より十分低い沸点のものであればよく、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
［II］  接着剤除去工程２０
次に、チップ５を除去した後の支持基板４に、第２の処理液を接触させる。これにより、支持基板４に付着・残存する接着剤を除去して、支持基板４の表面を清浄化する。
支持基板４から接着剤を除去することにより、次工程［III］において、新たなチップ５を確実かつ位置精度よく支持基板４に接合することができる。
第２の処理液には、例えば、硫酸と過酸化水素水とを含む処理液（硫酸過水）、オゾンを含む処理液、エーテル系、芳香族系等の各種有機溶剤等が挙げられるが、硫酸と過酸化水素水とを含む処理液が好ましい。かかる第２の処理液を用いることにより、接着剤の除去効率（除去速度）を向上させることができる。また、かかる第２の処理液は、酸性を示すため、支持基板４に前述した第１の処理液（アルカリ溶液）が付着・残存した場合でも、これを中和することができる。このため、前記工程［Ｉ］における水洗や乾燥の段階を省略したり、これらを厳密に行うことを必要としないという利点がある。
【００３８】
この場合、第２の処理液中における硫酸と過酸化水素水との配合比は、体積比で１：９９〜９９：１程度であるのが好ましく、１０：９０〜９０：１０程度であるのがより好ましい。このような配合比で、第２の処理液が硫酸と過酸化水素水とを含むことにより、接着剤の除去効率（除去速度）をより向上させることができる。
支持基板４に第２の処理液を接触させる方法としては、前述したような浸漬法、塗布法、噴霧法等が挙げられるが、中でも、浸漬法を用いるのが好ましい。浸漬法によれば、比較的容易に接着剤の除去を行うことができ、また、多数（複数）の支持基板４を同時に処理し得ることからも好ましい。さらに、成膜時に付着した膜材料や、その他の有機物も除去することができ、支持基板４全体としての清浄化を図ることができる。
【００３９】
この場合、第２の処理液中にマスクを浸漬する時間は、接着剤の付着量、第２の処理液の組成、温度等によっても若干異なり、特に限定されないが、１〜６０分間程度であるのが好ましく、５〜４５分間程度であるのがより好ましい。このような時間、第２の処理液中に支持基板４を浸漬することにより、支持基板４に付着した接着剤をより確実に除去することができる。
【００４０】
また、第２の処理液の温度は、特に限定されないが、２０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。このような温度に第２の処理液を設定することにより、支持基板４に付着した接着剤を短時間で（効率よく）除去することができる。
また、本工程［II］においても、前記工程［Ｉ］と同様の条件で、支持基板４および第２の処理液のうちの少なくとも一方に超音波振動を与えつつ行うのが好ましい。これにより、接着剤の除去効率をより確実に向上させることができる。
【００４１】
また、接着剤の種類等によっては、本工程［II］と同時に、または本工程［II］に先立って、接着剤に紫外線、赤外線等を付与するようにしてもよい。
なお、前述した浸漬法を用いる場合、支持基板４の全体を第２の処理液に浸漬するようにしてもよく、接着剤が付着した部分を、選択的に第２の処理液に接触させるようにしてもよい。また、塗布法等を用いて、支持基板４の開口領域４２の周縁部に沿って、選択的に第２の処理液を接触させ、接着剤を除去するようにしてもよい。これにより、第２の処理液の廃液の量を削減することができ、環境の面からも好ましい。
【００４２】
次に、必要に応じて、処理後の支持基板４を水洗する。これにより、支持基板４に付着した第２の処理液を除去する。さらに、必要に応じて、水洗後のマスク乾燥する。
これらは、前記工程［Ｉ］と同様にして行うことができる。
なお、支持基板４とチップ５とが陽極接合により接合されている場合、本工程［II］は、省略するようにしてもよい。
【００４３】
［III］  チップ接合工程（第２の工程）３０
次に、支持基板４に新たなチップ５を接合する。これにより、新たなマスク３が得られる。すなわち、マスク３の再生を行うことができる。
支持基板４にチップ５を接合する方法は、再生前と同じであっても、異なっていてもよい。
【００４４】
以上説明したように、本発明によれば、高価な支持基板４を廃棄することなく、マスク３を再生することができるので、マスク３に要するコストの削減、ひいては成膜や電子デバイスの製造に要するコストの削減を図ることができる。
以上、本発明のマスクの再生方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明のマスクの再生方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のマスクの再生方法に供されるマスクの一例を示す斜視図である。
【図２】本発明のマスクの再生方法の実施形態のフローを示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
３……マスク  ４……支持基板  ４２……開口領域  ４４……マーク  ４６……アライメントマーク  ５……チップ  ５２……貫通部
【図１】
2007231380.tif 000003
【図２】
2007231380.tif 000004