(57)【要約】【課題】  上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。【解決手段】  めっき槽１内において、アノード電極７と半導体ウエハ９との間にはめっき液流入兼整流構成体１０が垂直に配置されている。めっき液流入兼整流構成体１０は、貫通孔１６およびめっき液流入孔１７を有するめっき液流入板１２の両面に多数の微小孔を有する第１、第２の整流板１３、１４が設けられ、第１の整流板１３の外面に貫通孔２３を有する電場遮蔽板１５が設けられた構造となっている。そして、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は、第１の整流板１３の微小孔を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出され、半導体ウエハ９の表面に当接される。なお、めっき槽１を密閉構造とし、水平にして複数積層するようにすることもできる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき物に対応する部分に貫通孔を有し、且つ、該貫通孔に連通するめっき液流入孔を有するめっき液流入部材と、前記めっき液流入部材の一面に設けられ、めっき液の通過を許容する多数の微小孔を有する第１の整流板と、前記めっき液流入部材の他面に設けられ、めっき液の通過を前記第１の整流板よりも少なく許容する多数の微小孔を有する第２の整流板とを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記第１の整流板は多孔質板からなると共に前記第２の整流板は前記第１の整流板よりも目の細かい多孔質板からなり、前記第１の整流板を被めっき物側とされて垂直に配置されていることを特徴とするめっき装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記第１の整流板を通過するめっき液の流量は総流量の７０〜９０％であることを特徴とするめっき装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記第１の整流板を通過するめっき液の流量は総流量の８０％程度であることを特徴とするめっき装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、さらに、前記第１の整流板の表面に設けられ、前記めっき液流入部材の貫通孔に対応する部分に設けられた貫通孔以外の部分で電場を遮蔽する電場遮蔽板を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記被めっき物は円形状であり、前記めっき液流入部材および前記電場遮蔽板の各貫通孔は円形状であることを特徴とするめっき装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記被めっき物は半導体ウエハであることを特徴とするめっき装置。
【請求項８】
請求項５に記載の発明において、上面を開放されためっき槽内に前記被めっき物とアノード電極とが互いに対向して垂直に配置され、前記被めっき物と前記アノード電極との間に、前記めっき液流入部材、前記第１の整流板および前記第２の整流板とを垂直に配置されていることを特徴とするめっき装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記めっき槽からオーバーフローするめっき液を回収するめっき液回収手段を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１０】
請求項５に記載の発明において、密閉されためっき槽内の上下に前記被めっき物とアノード電極とが互いに対向して水平に配置され、前記被めっき物と前記アノード電極との間に前記第１の整流板を前記被めっき物側とされて水平に配置されていることを特徴とするめっき装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記めっき槽は複数積層され、その各内部に前記被めっき物、前記アノード電極および前記めっき液流入部材、前記第１の整流板および前記第２の整流板とが配置されていることを特徴とするめっき装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の発明において、前記めっき槽内のめっき液を回収するめっき液回収手段を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１３】
被めっき物に対応する部分に貫通孔を有し、且つ、該貫通孔に連通するめっき液流入孔を有するめっき液流入部材と、前記めっき液流入部材の一面に設けられ、めっき液の通過を許容する多数の微小孔を有する第１の整流板と、前記めっき液流入部材の他面に設けられ、めっき液の通過を前記第１の整流板よりも少なく許容する多数の微小孔を有する第２の整流板とを有し、前記めっき液流入部材のめっき液流入孔から流入されためっき液を前記貫通孔および前記第１の整流板を介して前記被めっき物に当接すると共に前記第２の整流板を介して流出することを特徴とするめっき方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記第１の整流板は多孔質板からなると共に前記第２の整流板は前記第１の整流板よりも目の細かい多孔質板からなり、前記第１の整流板を被めっき物側とされて垂直に配置されており、
前記めっき液流入部材の他面に設けられた前記第２の整流板を介して流出するめっき液は、前記第１の整流板よりも少ないことを特徴とするめっき方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の発明において、前記第１の整流板を通過するめっき液の流量は総流量の７０〜９０％であることを特徴とするめっき方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の発明において、前記第１の整流板を通過するめっき液の流量は総流量の８０％程度であることを特徴とするめっき方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の発明において、前記第１の整流板の表面に前記めっき液流入兼整流構成体が設けられ、前記めっき液流入部材の貫通孔に対応する部分に設けられた、貫通孔以外の部分にある電場遮蔽板にて電場を遮蔽することを特徴とするめっき方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の発明において、前記被めっき物は円形状であり、前記めっき液流入部材および前記電場遮蔽板の各貫通孔は円形状であることを特徴とするめっき方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の発明において、前記被めっき物は半導体ウエハであることを特徴とするめっき方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の発明において、上面を開放されためっき槽内に互いに対向して垂直に配置された前記被めっき物とアノード電極との間に位置し、前記被めっき物側とされて垂直に配置された第１の整流板に対して、めっき液は垂直な横方向に流出され、且つ、第２の整流板の微小孔を介して第２の整流板に対して垂直な横方向に流出されることを特徴とするめっき方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の発明において、前記めっき槽からオーバーフローするめっき液を、めっき液回収手段によって回収することを特徴とするめっき方法。
【請求項２２】
請求項１７に記載の発明において、密閉されためっき槽内の上下に互いに対向して水平に配置された前記被めっき物とアノード電極との間に位置し、前記被めっき物側とされて水平に配置された第１の整流板に対して、めっき液は垂直な上方向に流出され、且つ、第２の整流板の微小孔を介して第２の整流板に対して垂直な下方向に流出されることを特徴とするめっき方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の発明において、前記めっき槽は複数積層され、その各内部に前記被めっき物、前記アノード電極および前記めっき液流入部材、前記第１の整流板および前記第２の整流板とが配置されていることを特徴とするめっき方法。
【請求項２４】
請求項２２または２３に記載の発明において、前記めっき槽内のめっき液をめっき液回収手段によって回収することを特徴とするめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体の技術分野等で用いられるめっき装置およびめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体の技術分野で用いられる従来のめっき装置には、上面を開放されためっき槽内のめっき液中にアノード電極と半導体ウエハとを互いに対向させて垂直に配置し、アノード電極と半導体ウエハとの間に垂直に配置された撹拌棒を半導体ウエハに沿って水平方向に往復動させてめっき液を撹拌しながらめっき処理を行なうようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、めっき液を撹拌するのは、めっき槽内のめっき液の濃度分布や温度分布をなるべく均一にして、半導体ウエハの表面近傍のめっき液をリフレッシュするためである。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３１１６９９号公報
【０００４】
ところで、半導体装置には、一般的にＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるもので、半導体基板上にめっきからなる配線を設け、配線の接続パッド部上面にめっきからなる柱状電極を設け、柱状電極の周囲を封止膜で覆ったものがある。このような半導体装置では、柱状電極の高さをより一層高くしたりその直径をより一層小さくしたりする場合には、めっき液の撹拌が不十分であると、柱状電極の形状不良や高さのばらつきが生じてしまう。また、最近では、めっき時間を短縮するために、高電流密度対応のめっき液が開発されているが、このようなめっき液では、めっき液の撹拌効率を上げる必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、上記特許文献１に記載のめっき装置では、めっき液の撹拌効率を上げるには、撹拌棒の往復動速度を上げればよいが、撹拌棒の往復動速度を上げすぎると、上面を開放されためっき槽内のめっき液の表面が暴れ、めっき液がめっき槽外に飛び散ったり、めっき液の表面近傍における半導体ウエハに対するめっき析出効率が低下したりするため、めっき液の撹拌効率に限界があるという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、撹拌棒による撹拌とは異なる方法によりめっき液をリフレッシュすることができるめっき装置およびめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、上記目的を達成するため、被めっき物に対応する部分に貫通孔を有し、且つ、該貫通孔に連通するめっき液流入孔を有するめっき液流入部材と、前記めっき液流入部材の一面に設けられ、めっき液の通過を許容する多数の微小孔を有する第１の整流板と、前記めっき液流入部材の他面に設けられ、めっき液の通過を前記第１の整流板よりも少なく許容する多数の微小孔を有する第２の整流板とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、めっき液流入部材の貫通孔内にそのめっき液流入孔を介して流入されためっき液のうちの大部分（例えば総流量の７０〜９０％）が第１の整流板を介して該第１の整流板に対して垂直な方向にほぼ均一に流出されるので、撹拌とは異なる方法によりめっき液をリフレッシュすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としてのめっき装置の要部の縦断面図を示し、図２は図１のII−II線に沿う横断面図を示す。この場合、図１は図２のＩ−Ｉ線に沿う縦断面図である。このめっき装置は、図３にも示すように、横長のめっき槽１および該めっき槽１の外側に設けられた横長のめっき液回収槽２を備えている。この場合、めっき槽１およびめっき液回収槽２の上面は開放されている。
【００１０】
めっき槽１の短辺方向の両側壁および長辺方向の一側壁とめっき液回収槽２との間には平面ほぼコ字状の空間３が設けられている。めっき液回収槽２の４辺の側壁の高さは同じとなっている。めっき槽１の短辺方向の両側壁の高さはめっき液回収槽２の側壁の高さと同じとなっている。めっき槽１の長辺方向の両側壁の上部には、めっき槽１内の後述するめっき液をオーバーフローさせるためのオーバーフロー用凹部４が設けられている。
【００１１】
めっき液回収槽２の底部の所定の箇所には円形状のめっき液回収孔５が設けられている。めっき槽１の短辺方向の両側壁の各内面にはウエハ支持板６およびアノード電極７が互いに対向して垂直に配置されている。ウエハ支持板６およびアノード電極７は長方形状であって、その上部両側に設けられた取手部（図示せず）がめっき液回収槽２の長辺方向の両側壁上に支持されるようになっている。ウエハ支持板６のアノード電極７と対向する面のほぼ中央部にはほぼ円形状の凹部８が設けられている。凹部８内には半導体ウエハ９が位置決めされて収容されている。
【００１２】
めっき槽１内においてウエハ支持板６とアノード電極７との間にはめっき液流入兼整流構成体１０が垂直に配置されている。この場合、めっき液流入兼整流構成体１０は、めっき槽１の長辺方向の両側壁内に垂直に設けられたガイド１１（図３参照）にガイドされてめっき槽１内に垂直に配置されるようになっている。
【００１３】
めっき液流入兼整流構成体１０は、めっき液流入板１２と、めっき液流入板１２のウエハ支持板６と対向する面に設けられ第１の整流板１３と、めっき液流入板１２のアノード電極７と対向する面に設けられた第２の整流板１４と、第１の整流板１３の外面に設けられた電場遮蔽板１５とを備えている。めっき液流入板１２、第１、第２の整流板１３、１４および電場遮蔽板１５は同じサイズの長方形状となっている。
【００１４】
めっき液流入板１２のほぼ中央部においてウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９に対応する部分には、円形状の貫通孔１６が設けられている。めっき液流入板１２の上部中央部にはめっき液流入孔１７が貫通孔１６に連通されて設けられている。めっき液流入孔１７には管継手１８を介してめっき液流入管１９の一端部が接続されている。
【００１５】
めっき液流入管１９の他端部は、ポンプ２０を介してめっき液タンク２１内に接続されている。めっき液タンク２１内にはめっき液２２が収容されている。この場合、めっき液２２は、イオン化された銅を含むものからなっている。ここで、めっき液回収槽２のめっき液回収孔５は、めっき液回収管（図示せず）を介してめっき液タンク２１内に接続されている。
【００１６】
第１の整流板１３は、めっき液２２の通過を許容する多数の微小孔（図示せず）を有するものからなっている。第２の整流板１４は、めっき液２２の通過を第１の整流板よりも少なく許容する多数の微小孔（図示せず）を有するものからなっている。第１、第２の整流板１３、１４の微小孔は直線状の単なる円孔であってもよく、また、めっき液２２が流れにくいようにするために、異方性的な孔（多孔質板）であってもよい。第１、第２の整流板１３、１４を多孔質板によって形成する場合には、第２の整流板１４は第１の整流板１３よりも目の細かい多孔質板によって形成されている。
【００１７】
電場遮蔽板１５のほぼ中央部においてウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９に対応する部分には、円形状の貫通孔２３が設けられている。電場遮蔽板１５は、半導体ウエハ９よりも大きめのアノード電極７からの電場を貫通孔２３以外の部分で遮蔽して、半導体ウエハ９に対するめっきの面内均一性を確保するためのものである。この場合、電場遮蔽板１５の貫通孔２３の大きさや形状を変えることにより、半導体ウエハ９に対するめっきの面内均一性を調整することができる。
【００１８】
ここで、半導体ウエハ９から製造されるＣＳＰと呼ばれる半導体装置の一例について、図４に示す断面図を参照して説明する。この半導体装置はシリコン基板３１を備えている。シリコン基板３１の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３２が集積回路に接続されて設けられている。
【００１９】
接続パッド３２の中央部を除くシリコン基板３１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３３が設けられ、接続パッド３２の中央部は絶縁膜３３に設けられた開口部３４を介して露出されている。絶縁膜３３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜３５が設けられている。絶縁膜３３の開口部３４に対応する部分における保護膜３５には開口部３６が設けられている。
【００２０】
保護膜３５の上面には銅等からなる下地金属層３７が設けられている。下地金属層３７の上面全体には銅からなる配線３８が設けられている。下地金属層３７を含む配線３８の一端部は絶縁膜３３および保護膜３５の開口部３４、３６を介して接続パッド３２に接続されている。
【００２１】
配線３８の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極３９が設けられている。配線３８を含む保護膜３５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜４０がその上面が柱状電極３９の上面と面一となるように設けられている。したがって、柱状電極３９の上面は露出されている。この露出された柱状電極３９の上面には半田ボール４１が設けられている。
【００２２】
次に、上記構成のめっき装置を用いて半導体ウエハ９上に柱状電極３９を形成する場合について説明するに、まず、図１および図２に示す状態における半導体ウエハ９等について、図５に示す断面図を参照して説明する。
【００２３】
シリコンからなる半導体ウエハ９上には接続パッド３２、絶縁膜３３および保護膜３５が形成され、絶縁膜３３および保護膜３５に形成された開口部３４、３６を介して露出された接続パッド３２の上面を含む保護膜３５の上面全体には下地金属層３７が形成され、下地金属層３７の上面には配線３８が形成され、配線３８を含む下地金属層３７の上面にはレジスト膜４２がパターン形成されている。
【００２４】
この場合、配線３８の接続パッド部（つまり柱状電極３９形成領域）に対応する部分におけるレジスト膜４２には開口部４３が形成されている。また、図示していないが、下地金属層３７の周辺部の所定の箇所は、レジスト膜４２によって覆われておらず、カソード電極と接続されためっき用接続端子となっている。
【００２５】
さて、上記構成のめっき装置のポンプ２０が駆動すると、めっき液タンク２１内のめっき液２２がめっき液流入管１９、管継手１８およびめっき液流入孔１７を介してめっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入される。この流入されためっき液２２は、第１の整流板１３の微小孔および電場遮蔽板１５の貫通孔２３を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出され、且つ、第２の整流板１４の微小孔を介して第２の整流板１４に対して垂直な横方向に流出される。
【００２６】
第１の整流板１３の微小孔および電場遮蔽板１５の貫通孔２３を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出されためっき液２２は、ウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９の表面にほぼ均一に当接された後に、めっき槽１内における貫通孔２３を含む電場遮蔽板１５と半導体ウエハ９を含むウエハ支持板６との間の空間に充満される。
【００２７】
第２の整流板１４の微小孔を介して第２の整流板１４に対して垂直な横方向に流出されためっき液２２は、めっき液流入板１２の貫通孔１６に対応する部分におけるアノード電極７の表面にほぼ均一に当接された後に、めっき槽１内における第２の整流板１４とアノード電極７との間の空間に充満される。
【００２８】
ここで、第１、第２の整流板１３、１４は、孔径および孔数を調整することにより、第１の整流板１３を通過するめっき液２２の流量が総流量（例えば最大で２０Ｌ／分程度）の７０〜９０％、望ましくは８０％程度となるような構造となっている。したがって、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は第１の整流板１３を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向にほぼ均一に流出されるので、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、ウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９の表面近傍のめっき液２２をリフレッシュすることができる。
【００２９】
めっき液流入板１２の貫通孔１６内にはそのめっき液流入孔１７を介してめっき液２２が流入され続けるため、めっき槽１内に充満された後の余分のめっき液２２はオーバーフロー用凹部４からオーバーフローし、空間３、めっき液回収孔５およびめっき液回収管を介してめっき液タンク２１内に回収される。
【００３０】
そして、図６に示すように、下地金属層３７をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、レジスト膜４２の開口部４３内の配線３８の接続パッド部上面に柱状電極３９が形成される。
【００３１】
これ以後の工程を簡単に説明すると、レジスト膜４２を剥離し、柱状電極３９および配線３８をマスクとして下地金属層３７の不要な部分をエッチングして除去し、柱状電極３９および配線３８を含む保護膜３５の上面全体に封止膜４０をその厚さが柱状電極３９の高さよりも厚くなるように形成し、封止膜４０および柱状電極３９の上面側を適宜に研磨して柱状電極３９の上面を露出させ、この露出された柱状電極３９の上面に半田ボール４１を形成し、ダイシングを行なうと、図４に示す半導体装置が複数個得られる。なお、配線３８もこのめっき装置を用いて形成されるが、その説明は省略する。
【００３２】
ところで、上記特許文献１に記載のような撹拌棒を用いためっき装置では、一般的に、めっき液の撹拌効率を上げるために、例えば図１を参照して説明すると、ウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９と電場遮蔽板１５との間に撹拌棒を配置している。このため、半導体ウエハ９と電場遮蔽板１５との間隔がある程度大きくなり、電場遮蔽板１５による電場遮蔽効果が低減し、半導体ウエハ９に対するめっきの面内均一性の確保という点で有利であるとは言えない。また、半導体ウエハ９と電場遮蔽板１５との間隔がある程度大きくなるので、装置が大型化してしまう。
【００３３】
これに対し、上記構成のめっき装置では、電場遮蔽板１５のウエハ支持板６と対向する側とは反対側に第１の整流板１３を設けているので、ウエハ支持板６と電場遮蔽板１５との間隔を可及的に小さくすることができ、ひいては電場遮蔽板１５による電場遮蔽効果を向上することができ、半導体ウエハ９に対するめっきの面内均一性をより一層確保することができる。また、ウエハ支持板６と電場遮蔽板１５との間隔を可及的に小さくすることができるので、装置を小型化することができる。
【００３４】
（第２実施形態）
図７はこの発明の第２実施形態としてのめっき装置の要部の平面図を示し、図８は図７のVIII−VIII線に沿う縦断面図を示す。このめっき装置において、図１および図２に示すめっき装置と大きく異なる点は、めっき槽１およびめっき液回収槽２の平面形状を円形状とし、めっき液回収槽２内に密閉されためっき槽１を水平にして２つ積層して配置した点である。
【００３５】
すなわち、めっき液回収槽２は有底円筒形状であって、その底部中央部には円形状のめっき液回収孔５が設けられている。めっき液回収槽２内には平面円形状のめっき槽１が２つ積層されて配置されている。この場合、めっき槽１は、有底円筒形状のめっき槽本体１ａと、その上に開閉可能に設けられた有頭円筒形状のめっき槽カバー１ｂとからなり、めっき槽カバー１ｂが閉じられると密閉状態となるようになっている。
【００３６】
めっき槽カバー１ｂ内にはウエハ支持板６が水平に設けられている。ウエハ支持板６の下面中央部に設けられた凹部８内には半導体ウエハ９が位置決めされて収容されている。めっき槽本体１ａ内の下部にはアノード電極７が水平に設けられている。めっき槽本体１ａ内の上下方向中央部にはめっき液流入兼整流構成体１０が水平に設けられている。
【００３７】
めっき液流入兼整流構成体１０は、下から順に、第２の整流板１４、めっき液流入板１２、第１の整流板１３および電場遮蔽板１５が積層された構造となっている。電場遮蔽板１５の中央部には貫通孔２３が設けられている。めっき液流入板１２にその中央部に設けられた貫通孔２３に連通して設けられためっき液流入孔１７には管継手１８の一端部がめっき槽本体１ａの外周壁に設けられた貫通孔２４を介して接続されている。管継手１８の他端部は、ポンプ２０が介在されためっき液流入管１９を介してめっき液タンク２１内に接続されている。
【００３８】
めっき槽本体１ａの外周壁の上部には、貫通孔２３を含む電場遮蔽板１５と半導体ウエハ９を含むウエハ支持板６との間のめっき液２２を回収するための、複数のめっき液回収凹部２５が設けられている。めっき槽本体１ａの外周壁の下部には、第２の整流板１４とアノード電極７との間のめっき液２２を回収するための、複数のめっき液回収孔２６が設けられている。
【００３９】
次に、このめっき装置の動作について説明する。ポンプ２０が駆動すると、めっき液タンク２１内のめっき液２２がめっき液流入管１９、管継手１８およびめっき液流入孔１７を介してめっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入される。この流入されためっき液２２は、第１の整流板１３の微小孔および電場遮蔽板１５の貫通孔２３を介して第１の整流板１３に対して垂直な上方向に流出され、且つ、第２の整流板１４の微小孔を介して第２の整流板１４に対して垂直な下方向に流出される。
【００４０】
第１の整流板１３の微小孔および電場遮蔽板１５の貫通孔２３を介して第１の整流板１３に対して垂直な上方向に流出されためっき液２２は、ウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９の表面にほぼ均一に当接された後に、めっき液回収凹部２５を介してめっき液回収槽２内に流出される。
【００４１】
第２の整流板１４の微小孔を介して第２の整流板１４に対して垂直な下方向に流出されためっき液２２は、めっき液流入板１２の貫通孔１６に対応する部分におけるアノード電極７の表面にほぼ均一に当接された後に、めっき液回収孔２６を介してめっき液回収槽２内に流出される。
【００４２】
この場合も、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は第１の整流板１３を介して第１の整流板１３に対して垂直な上方向にほぼ均一に流出されるので、ウエハ支持板６の凹部８内に収容された半導体ウエハ９の表面近傍のめっき液２２をリフレッシュすることができる。
【００４３】
ところで、従来のこの種のめっき装置には、カップ方式と呼ばれるもので、カップ状のめっき槽内の下部にアノード電極を水平に設け、めっき槽の上部に半導体ウエハを水平に配置し、めっき槽の底部中央部のめっき液噴流口から噴流されためっき液を半導体ウエハの表面に噴き付け、めっき槽からオーバーフローするめっき液を回収するようにしたものがある。
【００４４】
しかしながら、従来のこのようなめっき装置では、めっき槽の底部中央部のめっき液噴流口から噴流されためっき液を半導体ウエハの表面になるべく均一に噴き付けるためには、めっき液噴流口と半導体ウエハとの間隔をある程度大きくする必要があり、装置が大型化してしまう。
【００４５】
また、従来のこのようなめっき装置では、めっき槽の上部に配置された１枚の半導体ウエハに対してしかめっき処理を施すことがでないので、複数枚の半導体ウエハに対してめっき処理を同時に施す場合には、このようなめっき装置を複数水平方向に並列して配置することになり、設置面積が大きくなってしまう。
【００４６】
これに対し、上記構成のめっき装置では、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分を第１の整流板１３を介して第１の整流板１３に対して垂直な上方向にほぼ均一に流出させているので、めっき液流入兼整流構成体１０とウエハ支持板６との間隔を可及的に小さくすることができ、ひいては装置を薄型化することができる。
【００４７】
また、上記構成のめっき装置では、２枚（または３枚以上）の半導体ウエハ９に対してめっき処理を同時に施す場合には、密閉されためっき槽１を２つ（または３つ以上）積層すればよいので、設置面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の第１実施形態としてのめっき装置の要部の縦断面図。
【図２】図１のII−II線に沿う横断面図。
【図３】めっき槽およびめっき液回収槽の斜視図。
【図４】半導体ウエハから製造される半導体装置の一例の断面図。
【図５】半導体ウエハ上に柱状電極を形成する前の状態の一部の断面図。
【図６】半導体ウエハ上に柱状電極を形成した状態の一部の断面図。
【図７】この発明の第２実施形態としてのめっき装置の要部の平面図。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿う縦断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１  めっき槽
２  めっき液回収槽
４  オーバーフロー用凹部
６  ウエハ支持板
７  アノード電極
９  半導体ウエハ
１０  めっき液流入兼整流構成体
１２  めっき液流入板
１３  第１の整流板
１４  第２の整流板
１５  電場遮蔽板
１６  貫通孔
１７  めっき液流入孔
１９  めっき液流入管
２０  ポンプ
２１  めっき液タンク
２２  めっき液
２３  貫通孔
１ａ  めっき槽本体
１ｂ  めっき槽カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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