(57)【要約】 【課題】  広視野角を有するとともにフィルムの厚さを低減し、かつコスト節減を実現することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の外側にそれぞれ位置する第１偏光板及び第２偏光板とを備え、前記第１及び第２偏光板は、二軸性ｎ−ＴＡＣ膜を含む。【選択図】      図２
2007072470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の外側にそれぞれ位置する第１偏光板及び第２偏光板とを備え、
前記第１及び第２偏光板は、二軸性ｎ−ＴＡＣ膜を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１偏光板の透過軸と前記第２偏光板の透過軸は互いに直角であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１及び第２偏光板の厚さ方向の遅延値Ｒｔｈは、下記の数式１を満足することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
（数１）
１００≦Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ≦２５０
（ただし、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚはそれぞれｘ、ｙ、ｚ軸方向の屈折率、ｄは偏光板の厚さ、を表す。）
【請求項４】
前記第１偏光板と前記第１基板との間、または前記第２偏光板と前記第２基板との間に位置するλ／４位相差板をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記λ／４位相差板の遅延値Ｒ０は、下記の数式２を満足することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
（数２）
３０≦Ｒ０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ≦１００
（ただし、ｎｘ、ｎｙ、はそれぞれｘ、ｙ軸方向の屈折率、ｄは偏光板の厚さ、を表す。）
【請求項６】
前記λ／４位相差板は速軸を有し、前記速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に２５゜〜６５゜の角度をなすか、または−２５゜〜−６５゜の角度をなすことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に±４５゜の角度をなすことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１基板及び前記第２基板の間に液晶をさらに備え、該液晶は、垂直配向（ＶＡ）モードで配列されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板または第２基板の内側面に形成される配向膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記配向膜は、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）処理されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板に形成される複数の画素電極と、前記第２基板に形成される共通電極とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極は複数の画素電極部及び連結部を含み、該画素電極部は互いに該連結部を介して電気的に接続され、前記共通電極は、前記それぞれの画素電極部の中央部と対向する開口部を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記画素電極部の角部は、丸みを帯びた形状であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板の外側面に位置する第１偏光板と、
前記第２基板の外側面に位置する第２偏光板と、
前記第１基板と前記第１偏光板との間に位置する二軸性フィルムとを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第２基板と前記第２偏光板との間に一軸性フィルムをさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１偏光板の透過軸と前記第２偏光板の透過軸は互いに直角であることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記二軸性フィルムの厚さ方向に対して垂直方向の遅延値Ｒ０と厚さ方向の遅延値Ｒｔｈは、それぞれ下記の数式３及び数式４を満足することを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
（数３）
１００≦Ｒ０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ≦１５０
（数４）
２００≦Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ≦３５０
（ただし、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚはそれぞれｘ、ｙ、ｚ軸方向の屈折率、ｄは二軸性フィルムの厚さ、を表す。）
【請求項１８】
前記二軸性フィルムは、遅軸と速軸を有し、遅軸方向の光と速軸方向の光との間の位相差が１／４λとなるようにし、円偏光を線偏光に変更するか、又は、線偏光を円偏光に変更することを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記二軸性フィルムの遅軸または速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に２５゜〜６５゜の角度をなすか、または−２５゜〜−６５゜の角度をなすことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記遅軸または速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に±４５゜の角度をなすことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第１基板及び前記第２基板の間に液晶をさらに備え、該液晶は、垂直配向（ＶＡ）モードで配列されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第１基板または第２基板の内側面に形成される配向膜をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記配向膜は、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）処理されていることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第１基板に形成される複数の画素電極と、前記第２基板に形成される共通電極とをさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記画素電極は複数の画素電極部及び連結部を含み、該画素電極部は互いに該連結部を介して電気的に接続され、前記共通電極は、前記それぞれの画素電極部の中央部と対向する開口部を含むことを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記画素電極部の角部は、丸みを帯びた形状であることを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、広視野角を有するとともに光学フィルムの厚さを低減することのできる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挟持された液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
また、液晶表示装置は、各画素電極に接続されているスイッチング素子及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線など複数の信号線を含む。
【０００３】
このような液晶表示装置において、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｏｄｅ：ＶＡモード）の液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広いことから脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１：１０である視野角、または階調間輝度反転限界角度を意味する。
【０００４】
このようなＶＡモードは、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを含む。しかしながら、ＭＶＡモードの場合、共通電極表示板及び薄膜トランジスタ表示板上に突起を設けるための別途工程が必要であるので、製造コストが増加し、ＰＶＡ技術はスリット上に配置された液晶の配列を調節できず、液晶表示装置の開口率が減少する。特に、中小型液晶表示装置がＰＶＡモードを有する場合、開口率が減少して輝度が低下する。
【０００５】
また、垂直配向方式の液晶表示装置では、視野角の改善や位相差補償のためにいろいろな光学フィルムを使用する。ところが、このような光学フィルムはほとんどが高価で液晶表示装置のコスト上昇の要因になり、また複数のフィルムを使用することによって厚さが厚くなるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、広視野角を有するとともに光学フィルムの厚さを低減し、かつコスト節減を実現することができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の外側にそれぞれ位置する第１偏光板及び第２偏光板とを備え、前記第１及び第２偏光板は二軸性ｎ−ＴＡＣ膜を含むことを特徴とする。
【０００８】
前記第１偏光板の透過軸と前記第２偏光板の透過軸は互いに直角であることを特徴とする。
前記第１及び第２偏光板の厚さ方向の遅延値Ｒｔｈは、下記の数式５を満足することを特徴とする。
（数５）
１００≦Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ≦２５０
（ただし、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚはそれぞれｘ、ｙ、ｚ軸方向の屈折率、ｄは偏光板の厚さ、を表す。）
前記第１偏光板と前記第１基板との間、または前記第２偏光板と前記第２基板との間に位置するλ／４位相差板をさらに備えることを特徴とする。
前記λ／４位相差板の遅延値Ｒ０は、下記の数式６を満足することを特徴とする。
（数６）
３０≦Ｒ０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ≦１００
（ただし、ｎｘ、ｎｙ、はそれぞれｘ、ｙ軸方向の屈折率、ｄは偏光板の厚さ、を表す。）
前記λ／４位相差板は速軸を有し、前記速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に２５゜〜６５゜の角度をなすか、または−２５゜〜−６５゜の角度をなすことを特徴とする。
前記速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に±４５゜の角度をなすことを特徴とする。
前記第１基板及び前記第２基板との間に液晶をさらに備え、前記液晶は垂直配向（ＶＡ）モードで配列されることを特徴とする。
前記第１基板または第２基板の内側面に形成される配向膜をさらに備えることを特徴とする。
前記配向膜はラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）処理されていることを特徴とする。
前記第１基板に形成される複数の画素電極と、前記第２基板に形成される共通電極とをさらに備えることを特徴とする。
前記画素電極は、複数の画素電極部及び連結部を有し、該画素電極部は互いに該連結部を介して電気的に接続され、前記共通電極は、前記それぞれの画素電極部の中央部と対向する開口部を有することを特徴とする。
前記画素電極部の角部は、丸みを帯びた形状であることを特徴とする。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板の外側面に位置する第１偏光板と、
前記第２基板の外側面に位置する第２偏光板と、前記第１基板と前記第１偏光板との間に位置する二軸性フィルムとを備えることを特徴とする。
【００１０】
前記第２基板と前記第２偏光板との間に一軸性フィルムをさらに備えることを特徴とする。
前記第１偏光板の透過軸と前記第２偏光板の透過軸は互いに直角であることを特徴とする。
前記二軸性フィルムの厚さ方向に対して垂直方向の遅延値Ｒ０と厚さ方向の遅延値Ｒｔｈは、それぞれ下記の数式３及び数式４を満足することを特徴とする。
（数７）
１００≦Ｒ０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ≦１５０
（数８）
２００≦Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ≦３５０
（ただし、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚはそれぞれｘ、ｙ、ｚ軸方向の屈折率、ｄは二軸性フィルムの厚さ、を表す。）
前記二軸性フィルムは、遅軸と速軸を有し、遅軸方向の光と速軸方向の光との間の位相差が１／４λとなるようにし、円偏光を線偏光に変更するか、又は、線偏光を円偏光に変更することを特徴とする。
前記二軸性フィルムの遅軸または速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に２５゜〜６５゜の角度をなすか、または−２５゜〜−６５゜の角度をなすことを特徴とする。
前記遅軸または速軸は、前記第１または第２偏光板の透過軸との間に±４５゜の角度をなすことを特徴とする。
前記第１基板及び前記第２基板の間に液晶をさらに備え、該液晶は、垂直配向（ＶＡ）モードで配列されることを特徴とする。
前記第１基板または第２基板の内側面に形成される配向膜をさらに備えることを特徴とする。
前記配向膜は、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）処理されていることを特徴とする。
前記第１基板に形成される複数の画素電極と、前記第２基板に形成される共通電極とをさらに備えることを特徴とする。
前記画素電極は複数の画素電極部及び連結部を含み、該画素電極部は互いに該連結部を介して電気的に接続され、前記共通電極は、前記それぞれの画素電極部の中央部と対向する開口部を含むことを特徴とする。
前記画素電極部の角部は、丸みを帯びた形状であることを特徴とする
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置によれば、基板の外側にλ／４位相差板と二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板のみを付着したり、両基板のうちの一方の外側に二軸性フィルムを、もう一方の外側に一軸性フィルムを付着することで、フィルムの厚さ及び製造コストを低減することができ、かつＲｔｈの使用範囲に制約を受けなくて済む。また、液晶表示装置の広視野角を実現することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、本発明に係る液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１４】
まず、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置について、図１及び図２を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図２は図１の液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。
【００１５】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１が延びてこれと直接接続されることができる。
【００１６】
維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ並んで延びている。各維持電極線１３１は、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１のうち上側に近い。各維持電極線１３１は、下方に延びる縦部１３６と各縦部１３６から左側及び右側に突出した４つの横部１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は様々に変更することができる。
【００１７】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００１８】
このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、これ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
【００１９】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は、絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２０】
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる複数の島状半導体１５４が形成されている。島状半導体１５４はゲート電極１２４上に位置する。
各々の島状半導体１５４上には一対の島状オーミック接触（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）部材１６３、１６５が形成されている。島状オーミック接触部材１６３、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。
【００２１】
島状半導体１５４と島状オーミック接触部材１６３、１６５の側面も絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
島状オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００２２】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びた複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着されたフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に集積される。データ駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１が延びてこれと直接接続されることができる。
【００２３】
ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されている。ドレイン電極１７５は、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。ドレイン電極１７５は、ストレージキャパシタ用導電体１７６と接続されている。ストレージキャパシタ用導電体１７６は、図面上画素の右側に位置する維持電極線の縦部１３６、維持電極線１３１及び画素の左側に位置する維持電極線の縦部１３６に沿って形成され、これら維持電極線の左右の縦部１３６及び維持電極線１３１と重畳する。また、ストレージキャパシタ用導電体１７６は、維持電極線１３１の横部１３７とそれぞれ重畳する４つの突出部１７７を含む。
【００２４】
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、島状半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）はソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の島状半導体１５４に形成される。
【００２５】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７６は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７６は、これ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７６もその側面が絶縁基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の角度で傾斜していることが好ましい。
【００２６】
島状オーミック接触部材１６３、１６５は、その下の島状半導体１５４とその上のデータ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７６の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状半導体１５４には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間を始めとしたデータ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７６で覆われずに露出した部分がある。
データ線１７１、ドレイン電極１７５、ストレージキャパシタ用導電体１７６及び露出された島状半導体１５４部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦に形成できる。有機絶縁物は４．０以下の誘電定数を有することが好ましく、感光性を有してもよい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かすと同時に、露出した島状半導体１５４部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有するように形成することもできる。
【００２７】
保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属からなることができる。
【００２８】
各画素電極１９１は、第１画素電極部１９１ａ、第２画素電極部１９１ｂ、第３画素電極部１９１ｃ、第１連結部１９３ａ及び第２連結部１９３ｂを含む。
第１画素電極部１９１ａ、第２画素電極部１９１ｂ及び第３画素電極部１９１ｃは、それぞれの角部は丸みを帯びたほぼ正四角形状であり、上下に並んで配列されている。第１連結部１９３ａは、第１画素電極部１９１ａと第２画素電極部１９１ｂとの間に位置し、第１画素電極部１９１ａと第２画素電極部１９１ｂを電気的に接続する。第２連結部１９３ｂは、第２画素電極部１９１ｂと第３画素電極部１９１ｃとの間に位置し、第２画素電極部１９１ｂと第３画素電極部１９１ｃを電気的に接続する。
第１画素電極部１９１ａ、第２画素電極部１９１ｂ及び第３画素電極部１９１ｃは、多角形状または円形状を有することもできる。
【００２９】
第３画素電極部１９１ｃは、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極（１９１、２７０）の間の液晶層３の液晶分子の配列方向を決定する。このように決定された液晶分子の配列方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタという。）を構成し、薄膜トランジスタが非導通状態になって後も印加された電圧を維持する。
【００３０】
画素電極１９１及びこれとドレイン電極１７５を介して接続されているストレージキャパシタ用導電体１７６は、維持電極線１３１の縦部１３６及び横部１３７を始めとして維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたストレージキャパシタ用導電体１７６が維持電極線１３１と重畳して構成するキャパシタをストレージキャパシタといい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
維持電極線１３１の横部１３７とドレイン電極１７５の突出部１７７は、第１画素電極部１９１ａと第２画素電極部１９１ｂとの間、及び第２画素電極部１９１ｂと第３画素電極部１９１ｃとの間に位置し、第１画素電極部１９１ａと第２画素電極部１９１ｂとの間、及び第２画素電極部１９１ｂと第３画素電極部１９１ｃとの間を通過する光を遮断する。
【００３１】
接触補助部材８１、８２は、それぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
【００３２】
次に、共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に（図２上では、下に、以下同様）遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリックスともいい、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１間の光漏れを防止する。
また、絶縁基板２１０及び遮光部材２２０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２３０で覆われた領域内に大部分存在し、画素電極１９１列に沿って長く延びる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示する。
【００３３】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上にはオーバーコート膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し、平坦面を提供する。オーバーコート膜２５０は省略してもよい。
オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯやＩＺＯなど透明な導電導電体からなることが好ましい。
【００３４】
共通電極２７０は、液晶分子の傾斜方向を複数にするために共通電極２７０の一部が除去された複数の開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃを含む。開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃは各々第１画素電極部１９１ａ、第２画素電極部１９１ｂ、及び第３画素電極部１９１ｃの中央部に対応する。
画素電極１９１と共通電極２７０との間に電圧が印加されれば、開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃに隣接する領域、第１画素電極部１９１ａと第２画素電極部１９１ｂ間の領域、及び第２画素電極部１９１ｂと第３画素電極部１９１ｃ間の領域に電場の歪曲が発生する。このように歪曲した電場により、液晶層３の液晶分子の傾斜方向を複数にすることができ、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。また、液晶分子の応答速度を大きくすることができる。
【００３５】
液晶分子の傾斜方向を決定するための開口部７１ａ〜７１ｃの形状及び配置は変更可能であり、少なくとも一つの開口部７１ａ〜７１ｃは、突起（図示せず）や陥没部（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）（図示せず）に代替することができる。突起は、有機物または無機物からなり、電場生成電極（１９１、２７０）の上または下に配置される。
表示板（１００、２００）の内側面上には液晶層３を配向するための配向膜（図示せず）が塗布され、表示板（１００、２００）の外側面にはそれぞれλ／４位相差板（１４ａ、２４ａ）及び二軸性ｎ−ＴＡＣ（ｂｉａｘｉａｌ  ｎ−ＴＡＣ）を支持体として用いる二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板（１２ａ、２２ａ）が備えられている。
【００３６】
上部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板２２ａと下部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板１２ａはそれぞれ透過軸を有し、上部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板２２ａの透過軸と下部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板１２ａの透過軸は互いに直角になるように配置されている。二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板（１２ａ、２２ａ）は、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の屈折率（ｎｘ、ｎｙ、ｎｚ）が互いに異なる。
下部及び上部λ／４位相差板１４ａ、２４ａは互いに直角である速軸（ｆａｓｔ  ａｘｉｓ）と遅軸（ｓｌｏｗ  ａｘｉｓ）を有し、速軸に平行する偏光成分と、これに直角である偏光成分に対して１／４波長だけの位相差を付与することで、線偏光を円偏光（楕円偏光であってもよく、その場合も含めて以下、円偏光という。）に変更したり、円偏光を線偏光に変更する役割を果たす。
【００３７】
λ／４位相差板の速軸または遅軸と偏光板（１２ａ、２２ａ）の透過軸は４５゜の角度をなすとき最大の位相差が生ずるため、一般に４５゜の角度をなすようにするが、互いに直角または平行をなす角度以外の角度であればよく、ほぼ２５゜〜６５゜、または−２０゜〜−６５゜をなすことができる。
本発明の実施形態では、円偏光を用いることによって液晶の応答速度を増加させ、共通電極２７０の開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃを中心に放射状に発生し得るテキスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）を除去できる。
【００３８】
なお、二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板（１２ａ、２２ａ）及びλ／４位相差板（１４ａ、２４ａ）は以下の数式９及び数式１０のような性質を有するものが好適である。
（数９）
３０≦Ｒ０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ≦１００（ｎｍ）
（数１０）
１００≦Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ≦２５０（ｎｍ）
ここで、ｄは二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板１２ａ、２２ａの厚さ、Ｒｔｈは厚さ方向の遅延値、Ｒ０はλ／４位相差板１４ａ、２４ａの遅延値であり、二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板１２ａ、２２ａの厚さ方向（Ｒｔｈ）に対して垂直方向の遅延値を示す。
上部及び下部λ／４位相差板１４ａ、２４ａは省略してもよい。
【００３９】
このようにすれば、別途の補償フィルムを使用しなくて済むので、フィルムの厚さ及び製造コストを低減することができ、Ｒｔｈの使用範囲に制限を受けなくて済む。また、二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板（１２ａ、２２ａ）を使用することによって液晶表示装置の視野角をより拡大することができる。
【００４０】
液晶層３内の液晶は、垂直配向（ＶＡ）、ツイスト配向（ＴＮ）、リバースＴＮ配向（Ｒｅｖｅｒｓｅ  ＴＮ）、ＭＴＮ配向（ＭＴＮ）、ホモジーニアス配向（Ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ）、リバースＥＣＢモードなどで配列される。好ましくは、液晶層３内の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなす垂直配向モードで配列される。
【００４１】
また、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００を支持して両者間に間隙を形成する複数の間隔材（図示せず）をさらに含むことができる。
また、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００を結合する封止材（図示せず）をさらに含むことができる。封止材は、共通電極表示板２００の周縁に位置する。
【００４２】
次に、図１及び図２に示した液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の本発明の実施形態による製造方法について図３〜図１２を参照して詳細に説明する。
【００４３】
まず、図３及び図４に示すように、絶縁基板１１０上にスパッタリングなどの方法でアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなる導電膜を形成する。
その後、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングし、複数のゲート電極１２４と端部１２９を含む複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１を形成する。
【００４４】
次に、図５及び図６に示すように、ゲート線１２１及び維持電極線１３１を覆うようにＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方法でゲート絶縁膜１４０、水素化非晶質シリコン膜、ｎ型不純物が高濃度にドーピングされた非晶質シリコン膜（ｎ＋非晶質シリコン膜）を順次に積層し、水素化非晶質シリコン膜、ｎ＋非晶質シリコン膜をパターニングして複数の島状半導体１５４及び複数の不純物半導体１６４を形成する。ゲート絶縁膜１４０は窒化ケイ素などで形成する。
【００４５】
次に、図７及び図８に示すように、クロムまたはモリブデン系金属、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属からなる導電膜をスパッタリングなどで積層する。その後、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングして複数のソース電極１７３を含むデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５及び複数のストレージキャパシタ用導電体１７６を形成する。
そして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われない不純物半導体１６４部分を除去し、不純物半導体１６４を二つの島状オーミック接触部材１６３、１６５に分離する一方、両者間の島状半導体１５４部分を露出させる。次いで、露出された島状半導体１５４表面を安定化するために酸素プラズマ処理を施すことが好ましい。
【００４６】
次に、図９及び図１０に示すように、保護膜１８０を積層し、ゲート絶縁膜１４０とともに、フォトエッチングして複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８５を形成する。コンタクトホール１８１、１８２、１８５は、それぞれドレイン電極１７５、ゲート線１２１端部１２９及びデータ線１７１端部１７９を露出させる。
次に、ＩＺＯまたはＩＴＯ層をスパッタリング法などで積層し、フォトエッチング工程でパターニングして、複数の画素電極１９１と複数の接触補助部材８１、８２を形成する。そして、画素電極１９１上に配向膜１１を塗布する。配向膜１１は、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）処理を施すこともできる。
【００４７】
以下、図１及び図２に示した液晶表示装置の共通電極表示板の本発明の実施形態による製造方法について図１１〜図１３を参照して詳細に説明する。
図１１は、上部絶縁基板２１０にブラックマトリックス２２０を形成する工程を示す。  ブラックマトリックス２２０は、クロム（Ｃｒ）のような金属層または金属酸化物と金属の二重層を蒸着した後、これをフォトエッチング工程でパターニングして形成する。
【００４８】
次に、図１２に示すように、ブラックマトリックス２２０の間にカラーフィルタ２３０を形成する。カラーフィルタは、一般に赤、緑、青の３色のカラーフィルタ２３０を使用し、ブラックマトリックス２２０の厚さより厚く形成する。カラーフィルタ２３０は、色分光特性を有する顔料分散感光性樹脂を塗布した後、ホットプレートでベークし、フォトエッチング工程で赤色、緑色、青色の色相別にカラーフィルタ２３０を形成する。
【００４９】
次に、図１３に示すように、カラーフィルタ２３０上にオーバーコート膜２５０を形成し、その上にＩＴＯなどの透明電極を利用して、第１画素電極部１９１ａ、第２画素電極部１９１ｂ、及び第３画素電極部１９１ｃの中央部に対応する複数の開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃを有する共通電極２７０を形成し、配向膜２１を塗布する。配向膜２１は、ラビング処理を施してもよい。
【００５０】
次に、液晶層３を挟持して下部絶縁基板１１０及び上部絶縁基板２１０を対向して結合した後、下部絶縁基板１１０の外側に下部λ／４位相差板１４ａと下部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板１２ａを付着し、上部絶縁基板２１０の外側に上部λ／４位相差板２４ａと上部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板２２ａを付着する。この時、上部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板２２ａの透過軸は下部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板１２ａの透過軸と直角をなすように配置するのが一般的であるが、液晶の配向モードに従って互いに並ぶように配置することもできる。
【００５１】
図１４は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の観察角度によるコントラスト比（ＣＲ）を示す図である。
同図に示すように、λ／４位相差板１４ａ、２４ａを用いる場合、一層良好な視認性及び視野角を得ることができる。
【００５２】
図１５は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置で、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図であり、図１６は本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の角度によるコントラスト比を示す図である。
本実施形態に係る液晶表示装置も薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板（１００、２００）の間に挟持された液晶層３を備える。
本実施形態に係る表示板（１００、２００）の層状構造は、図２とほぼ同様である。
【００５３】
図１５を参照して、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
絶縁基板１１０上にゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１、横部１３７及び縦部１３６を含む複数の維持電極線１３１が形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の島状半導体１５４、複数の島状オーミック接触部材１６３、１６５が順次に形成されている。オーミック接触部材１６３、１６５上には、ソース電極１７３を含む複数のデータ線１７１及びストレージキャパシタ用導電体１７６を有する複数のドレイン電極１７５が形成されており、その上に保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８５が形成されており、その上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２及び配向膜１１が形成されている。
【００５４】
図１５を参照して、共通電極表示板２００について説明する。
遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃを有する共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
【００５５】
しかし、図２に示した液晶表示装置とは異なり、表示板（１００、２００）の外側面にはそれぞれ二軸性（ｂｉａｘｉａｌ）フィルム１４ｂ及び一軸性（ｕｎｉａｘｉａｌ）フィルム２４ｂが備えられており、その外側面に通常の支持体であるＴＡＣ（ｔｅｔｒａ  ａｃｅｔａｔｅ）フィルムを支持体として用いる下部及び上部偏光板１２ｂ、２２ｂが備えられている。
上部偏光板２２ｂと下部偏光板１２ｂはそれぞれ透過軸を有し、上部偏光板２２ｂの透過軸と下部偏光板１２ｂの透過軸は互いに直角をなすように形成されている。
【００５６】
二軸性フィルム１４ｂは、互いに直角な速軸（ｆａｓｔａｘｉｓ）と遅軸（ｓｌｏｗａｘｉｓ）を有し、光が透過時、速軸方向の光が遅軸方向の光に比して速い位相を有するようにする。二軸性フィルム１４ｂは、これを透過した光の遅軸と速軸間の位相差が１／４λとなるように形成することが好ましい。
二軸性フィルム１４ｂの速軸または遅軸と偏光板（１２ｂ、２２ｂ）の透過軸が、４５゜の角度をなすとき最大の位相差が生ずるので、一般に４５゜の角度をなすようにするように、互いに直角または平行をなす角度以外の角度であればよく、ほぼ２５゜〜６５゜、または−２０゜〜−６５゜をなすことができる。
【００５７】
このように、１／４波長ほどの位相差を付与して線偏光を円偏光に変更可能であり、円偏光を用いることによって液晶の応答速度を増加させることができ、かつ共通電極２７０の開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃを中心に放射状に発生し得るテキスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）を除去することができる。
また、二軸性フィルム１４ｂはｘ、ｙ、ｚ軸方向の屈折率（ｎｘ、ｎｙ、ｎｚ）が互いに異なって形成されており、一軸性フィルム２４はｘ、ｙ、ｚ軸のうちの一方向だけ屈折率（ｎｘ、ｎｙ、ｎｚ）が異なる。
【００５８】
二軸性フィルム１４ｂは以下の数式１１及び数式１２のような性質を有することが好ましい。
（数１１）
１００≦Ｒ０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ≦１５０（ｎｍ）
（数１２）
２００≦Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ≦３５０（ｎｍ）
ここで、ｄは二軸性フィルム１４ｂの厚さ、Ｒｔｈは厚さ方向の遅延値、Ｒｏは厚さ方向（Ｒｔｈ）に対して垂直方向の遅延値を示す。
一軸性フィルム２４ｂや上部及び下部偏光板１２ｂ、２２ｂのＲｔｈ値まで考慮すれば、より大きなＲｔｈ値を有することができる。
【００５９】
本実施形態とは逆に、二軸性フィルム１４ｂが共通電極表示板２００の絶縁基板２１０外側面に位置し、一軸性フィルム２４が薄膜トランジスタ表示板１００の絶縁基板１１０の外側面に位置する場合もある。また、一軸性フィルム２４ｂは省略可能である。
【００６０】
このように、補償フィルムと位相差フィルムを別に用いることなく一枚のフィルムだけで済み、一つの二軸性フィルム１４ｂだけ用いるので、フィルムの厚さ及び製造コストを低減することができ、かつＲｔｈの使用範囲に制約を受けることなく、視野角を拡大することができる。また、一つの二軸性フィルム１４ｂのＲｔｈ値をさらに大きくすることで、液晶表示装置の視野角をより拡大することができる。
【００６１】
二軸性フィルム１４ｂのＲｔｈ値が十分大きくない場合には、偏光板（１２ｂ、２２ｂ）の支持体であるＴＡＣ（ｔｅｔｒａ  ａｃｅｔａｔｅ）フィルムのＲｔｈを増加させてこれを補充することもできる。
【００６２】
図１６は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の観察角度によるコントラスト比（ＣＲ）を示す図である。
図１６に示すように、本発明の他の実施形態によれば、一つの二軸性フィルム１４ｂを用いてＲｔｈ値をさらに増加させれば、より良好な視野角を得ることができる。
【００６３】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の平面図である。
【図４】図３に示す薄膜トランジスタ表示板のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の平面図である。
【図６】図５に示す薄膜トランジスタ表示板のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の平面図である。
【図８】図７に示す薄膜トランジスタ表示板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の平面図である。
【図１０】図９に示す薄膜トランジスタ表示板のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の角度によるコントラスト比を示した図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の角度によるコントラスト比を示した図である。
【符号の説明】
【００６５】
３        液晶層
１１、２１    配向膜
１２ａ      下部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板
１２ｂ      下部偏光板
１４ａ      下部λ／４位相差板
１４ｂ      二軸性フィルム
２２ａ      上部二軸性ｎ−ＴＡＣ偏光板
２２ｂ      上部偏光板
２４ａ      上部λ／４位相差板
２４ｂ      一軸性フィルム
７１ａ−７１ｃ    開口部
１００      薄膜トランジスタ表示板
１１０      （下部）絶縁基板
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１３１、１３６、１３７    維持電極線
１４０      ゲート絶縁膜
１５４      島状半導体
１６３、１６５    島状オーミック接触部材
１７１      データ線
１７３      ソース電極
１７５、１７７    ドレイン電極
１８０      保護膜
１９１      画素電極
１９１ａ〜１９１ｃ    第１〜第３画素電極部
２００      共通電極表示板
２１０      （上部）絶縁基板
２２０      ブラックマトリックス（遮光部材）
２３０      カラーフィルタ
２５０      オーバーコート膜
２７０      共通電極
【図１】
2007072470.tif 000003
【図２】
2007072470.tif 000004
【図３】
2007072470.tif 000005
【図４】
2007072470.tif 000006
【図５】
2007072470.tif 000007
【図６】
2007072470.tif 000008
【図７】
2007072470.tif 000009
【図８】
2007072470.tif 000010
【図９】
2007072470.tif 000011
【図１０】
2007072470.tif 000012
【図１１】
2007072470.tif 000013
【図１２】
2007072470.tif 000014
【図１３】
2007072470.tif 000015
【図１４】
2007072470.tif 000016
【図１５】
2007072470.tif 000017
【図１６】
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