(57)【要約】触媒水素移動プロセスが提供される。本プロセスに用いられる触媒は、金属ヒドロカルビル錯体である。金属ヒドロカルビル錯体は、場合によっては置換されていてもよいスルホネート化ヒドロカルビル基、スルホネート化過ハロゲン化ヒドロカルビル基、又は場合によっては置換されていてもよいスルホネート化複素環基から選択される少なくとも１個の基で置換された二座配位子を規定するように配位している。好ましい金属としては、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムを挙げることができる。好ましい二座配位子は、ジアミン及びジアミノアルコールであり、特にキラル中心を含むものである。水素供与体は、有利には、第二アルコール又はトリエチルアミンとギ酸との混合物である。本プロセスは、好ましくはプロキラルであるケトン及びイミンの水素移動に用いることができる。このようなプロセスに用いるための触媒も又提供される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素−炭素二重結合又は炭素−ヘテロ原子二重結合を有する有機化合物の水素移動方法であって、一般式
【化１】
2004522718.tif 000052
（式中、R18は、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル配位子又は過ハロゲン化ヒドロカルビル配位子を表し；
Ａは、-NR19-、-NR20-、-NHR19、-NR19R20又は-NR20R21 （ここで、R19はH、C(O)R21、SO2R21、C(O)NR21R25、C(S)NR21R25、C(=NR25)SR26又はC(=NR25)OR26を表し、R20及びR21はそれぞれ独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表し、R25 及びR26はそれぞれ独立に、水素又はR21について上記した基であり；
Ｂは、-O-、-OH、OR22、-S-、-SH、SR22、-NR22-、-NR23-、-NHR23、-NR22R23、NR22R24、PR22-又は-PR22R24（ここでR23はH、C(O)R24、SO2R24、C(O)NR24R27、C(S)NR24R27、C(=NR27)SR28又はC(=NR27)OR28を表し、R22及びR24はそれぞれ独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表し、R27及びR28はそれぞれ独立に、水素又はR24について上記した基であり；
Ｅは、結合基を表し；
Ｍは、水素移動を触媒可能な金属を表し；
Ｙは、アニオン性基、塩基性配位子又は空位を表し；
ただし、Ｙが空位でない場合にはＡ又はＢの少なくとも一方は、水素原子を有し、該基R20〜R22又はR24〜R28の少なくとも１種は、場合によっては置換されていてもよいスルホネート化ヒドロカルビル基、スルホネート化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよいスルホネート化複素環基の形態で存在することを特徴とする）
を有する触媒の存在下で、該有機化合物を水素供与体と反応させることを含む方法。
【請求項２】
前記Ｍは、周期律表VIII族遷移金属、特にルテニウム、ロジウム又はイリジウムである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ａ−Ｅ−Ｂは、アミノ窒素原子上に、場合によっては置換されていてもよいスルホネート化ヒドロカルビル基、スルホネート化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよいスルホネート化複素環基の形態での基R20〜R22又はR24〜R28を配位する置換基を有するアミノアルコール又はジアミンであるか、または該アミノアルコール又はジアミンから誘導されたものである請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｅは、Ａ及びＢを結合する２個の炭素原子、３個の炭素原子又は４個の炭素原子を有し、該炭素原子は場合によっては１種以上の置換基を有している請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｅは、式-CHR30-CHR31-（式中、R30及びR31は、独立に水素又は場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基である）である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記Ｅは、Ａ及びＢを結合する２個の炭素原子を有し、場合によっては置換されていてもよい脂環式環における結合である請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記Ａは、式-NHR19又は-NR19-（式中、R19は基-SO2R21（式中、R21は場合によっては置換されていてもよいスルホネート化ヒドロカルビル基、スルホネート化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基である）によって表される）の基である請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記R21は、ｎ個（ｎは１〜５である）のスルホネート基を有するスルホネート化フェニル基である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｂは、-NH2又は-NH-である請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記R18は、場合によっては置換されていてもよいアリール基又は場合によっては置換されていてもよいアルケンである請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記R18は、シメンである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記R18は、ペンタメチルシクロペンタジエニル基である請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
水素添加されるべき前記有機化合物は、ケトン、アミン又はイミニウム塩である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
水素添加されるべき前記有機化合物は、式（１）
【化２】
2004522718.tif 000053
（式中、Xは、O、S、CR3R4、NR5、(NR6R7)+Q-、N+R8-O-、(NR9OR10)+Q-、NNR12R13、NNR12SO2R16、NNR12COR17、(NR11NR12R13)+Q-、(NR11NR12C(=NR14)R15)+Q、(NR11NR12SO2R16)+Q-、 (NR11NR12COR17)+Q-、NP(O)R15R16、NS(O)R15又はNSO2R15を表し、Q-は一価アニオンを表し；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13及びR14はそれぞれ独立に、水素原子、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は 場合によっては置換されていてもよい複素環基を表し、R1及びR2、R1及びR3、R1及びR5、R1及びR6、R1及びR8、R1及びR9、R1及びR11、R1及びR12、R2及びR4、R2及びR7、R2及びR10、R3及びR4、R6及びR7、R9及びR10、R11及びR12、R12及びR13の１種以上は場合によっては置換されていてもよい環を形成するような態様で場合によっては結合されており、R15、R16及びR17はそれぞれ独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表す）
である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
水素添加されるべき前記有機化合物はプロキラルであり、前記触媒はキラル、用いられる触媒の光学的対掌体的に精製された形態及び／又はジアステレオマー的に精製された形態であり、前記有機化合物は不斉水素添加される請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ａ−Ｅ−Ｂは、少なくとも１個の立体特異性中心を含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記水素供与体は、水素、一級アルコール、二級アルコール、一級アミン、二級アミン、カルボン酸及びそれらのエステル及びアミン塩、容易に脱水素化可能な炭化水素類、クリーンな還元剤、及びこれらの組合せから選択される請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記水素供与体は、イソプロパノールである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも８．０のｐＫａを有する塩基の存在下で行われる請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記触媒は、担持された液相触媒の形態で用いられる請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記触媒の存在下で、前記有機化合物と前記水素供与体との反応の後、イオン交換樹脂を添加する追加の工程を含む請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
一般式
【化３】
2004522718.tif 000054
（式中、R18は、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル配位子又は過ハロゲン化ヒドロカルビル配位子を表し；
Ａは、-NR19-、-NR20-、-NHR19、-NR19R20又は-NR20R21 （ここで、R19はH、C(O)R21、SO2R21、C(O)NR21R25、C(S)NR21R25、C(=NR25)SR26又はC(=NR25)OR26を表し、R20及びR21はそれぞれ独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表し、R25 及びR26はそれぞれ独立に、水素又はR21について上記した基であり；
Ｂは、-O-、-OH、OR22、-S-、-SH、SR22、-NR22-、-NR23-、-NHR23、-NR22R23、NR22R24、PR22-又は-PR22R24（ここでR23はH、C(O)R24、SO2R24、C(O)NR24R27、C(S)NR24R27、C(=NR27)SR28又はC(=NR27)OR28を表し、R22及びR24はそれぞれ独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表し、R27及びR28はそれぞれ独立に、水素又はR24について上記した基であり；
Ｅは、結合基を表し；
Ｍは、水素移動を触媒可能な金属を表し；
Ｙは、アニオン性基、塩基性配位子又は空位を表し；
ただし、Ｙが空位でない場合にはＡ又はＢの少なくとも一方は、水素原子を有し、該基R20〜R22又はR24〜R28の少なくとも１種は、場合によっては置換されていてもよいスルホネート化ヒドロカルビル基、スルホネート化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよいスルホネート化複素環基の形態で存在することを特徴とする）を有する触媒。
【請求項２３】
さらに請求項２〜９のいずれか１項によって規定される請求項２２に記載の触媒。
【請求項２４】
プロキラルであり、分解された形態である請求項２２又は２３に記載の触媒。
【請求項２５】
Ａ−Ｅ−Ｂは、少なくとも１個の立体特異性中心を含む請求項２４に記載の触媒。
【請求項２６】
金属アリールハライド錯体又は金属アルケニルハライド錯体を式Ａ−Ｅ−Ｂの化合物又は該化合物が誘導されてもよいプロトン化等価物と反応させることを含む請求項２２〜２５のいずれか１項に記載の触媒を調製する方法。
【請求項２７】
下記式
【化４】
2004522718.tif 000055
（式中、Wは-OH又は-NH2を表し；
R32は、少なくとも１種の-SO3H又は-SO3M1置換基を有し、さらに場合によっては置換されていてもよいアリール基を表し；
R33、R34は独立に場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基であるか、又はR33及びR34は場合によっては置換されていてもよい環を規定するような態様で場合によっては結合されている）
を有する化合物Ａ−Ｅ−Ｂが誘導される供与体。
【請求項２８】
R32は、１個の-SO3H又は-SO3M1置換基を有するフェニル基である請求項２７に記載の供与体。
【請求項２９】
R33及びR34は独立にフェニルである請求項２７又は２８に記載の供与体。
【請求項３０】
R33及びR34は、シクロヘキシル環を規定するように結合している請求項２７、２８又は２９のいずれか１項に記載の供与体。
【請求項３１】
化合物
【化５】
2004522718.tif 000056
及びその塩。
【請求項３２】
化合物
【化６】
2004522718.tif 000057
及びその塩。
【請求項３３】
化合物
【化７】
2004522718.tif 000058
及びその塩。
【請求項３４】
化合物
【化８】
2004522718.tif 000059
及びその塩。
【請求項３５】
式
【化９】
2004522718.tif 000060
のジスルフィドと、酸化剤とを反応させて、式
【化１０】
2004522718.tif 000061
（式中、Wは-OH又は-NH2であり；
R32は、少なくとも１種の-SO3H又は-SO3M1（M1はアルカリ金属）置換基を有するアリール基であり；
R35は、アリール基であり；
R33、R34は独立に場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基であるか、又はR33及びR34は場合によっては置換されていてもよい環を規定するような態様で場合によっては結合されており、より好ましくは、R33、R34は独立にフェニルであるか又はR33及びR34はシクロヘキシル環を規定するように結合されている）
の化合物を製造することを含む方法。
【請求項３６】
前記アリール基R32の置換パターンは、-SO3H又は-SO3M1（M1はアルカリ金属）置換基が、-SO3NH-CHR34-CHR33-W基に対してパラ位に位置づけられるようなものである請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記酸化剤はアルカリ性過酸化水素であり、好ましくは混合物は水酸化ナトリウム溶液及び過酸化水素溶液である請求項３５又は３６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素移動に関し、水素移動プロセス、例えば光学的に活性な化合物を製造する為の水素移動プロセス、及びこのようなプロセスに用いる触媒を包含する。
【背景技術】
【０００２】
水素移動を効果的にするための多数の触媒（通常は、遷移金属を含む）が知られている。以下の開示は、関連のあるものである。
（１）Noyori et al; J.A.C.S.、 1995、 117 7562-7563：プロパン−２−オールによるアセトフェノンの１−フェニルエタノールへの水素移動における触媒としてクロロ−ルテニウム−メシチレン−Ｎ−モノトシル−１、２−ジフェニルエチレンジアミンを用いて、９７％光学的対掌体過剰率を有する生成物の９５％までの収率を与えたことが開示されている。同様の結果は、他のアルカリアリールケトンから開始した場合にも得られた。
（２）Noyori et al: J. Chem.Soc.Chem、 Commun、 1996、 233-234：上記（１）のものと同様の触媒であるが、ジフェニルエチレンジアミンの代わりに他のアルキルベンゼン配位子及び種々のβ−アミノアルコールを含む触媒を開示する。好ましいアレーン配位子はヘキサメチルベンゼンである。
（３）本出願人の国際公開公報WO98/42643：水素移動を触媒することができる金属（例えば、ルテニウム、ロジウム又はイリジウム）に配位結合又は結合した場合によっては置換されていてもよいシクロペンタジエニル基を包含する水素移動触媒を開示する。炭素−炭素二重結合、炭素−窒素二重結合、炭素−酸素二重結合及び炭素−硫黄二重結合を含む化合物の水素添加が開示されている。
（４）本出願人の国際公開公報WO00/18708 ：上記（１）〜（３）に開示されているタイプの触媒を用いるイミニウム塩（プロトン化（protanated）イミン塩及び４級イミン塩を含む）の水素移動を開示する。
【０００３】
上記（１）〜（４）に用いられる触媒は、水素移動に効果的であるが、生成混合物から回収することが困難であるという欠点を有する。
これは、多くの問題を提起する。第一に、触媒は比較的高価であり、触媒の少なくとも一部は回収可能ではないかもしれないという事実によって、水素添加プロセスの費用が増加する。第二に、触媒が最終生成物に存在するという事実が、触媒残渣の投与はヒト又は動物に望ましくないので、医薬品の製造及び獣医学製品への水素添加プロセスの適用を阻害するかもしれない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明の目的は、上述の欠点を未然に防ぎ又は緩和することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第一の側面によれば、一般式
【０００６】
【化１】
2004522718.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒ18は、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル又は過ハロゲン化ヒドロカルビル配位子を表し；
Ａは、-NR19-、-NR20-、-NHR19、-NR19R20又は-NR20R21を表し、ここでR19 はH、C(O)R21、SO2R21、C(O)NR21R25、C(S)NR21R25、C(=NR25)SR26又はC(=NR25)OR26、R20 及びR21 はそれぞれ独立に場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基、R25 及びR26 はそれぞれ独立に水素又はR21として規定された基であり；
Ｂは、-O-、-OH、OR22、-S-、-SH、 SR22、-NR22、-NR23、-NHR23、-NR22R23、NR22R24、PR22又は-PR22R24を表し、ここでR23はH、C(O)R24、SO2R24、C(O)NR24R27、C(S)NR24R27、C(=NR27)SR28又はC(=NR27)OR28、R22及びR24はそれぞれ独立に場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基であり、R27及びR28はR24について規定された基であり；
Ｅは、結合基を表し；
Ｍは、水素移動を触媒可能な金属を表し；
Ｙは、アニオン性基、塩基性配位子又は空位を表し；
ただし、Ｙが空位でない場合には、Ａ又はＢの少なくとも一方は水素原子を有し、基R20〜R22又は基R24〜R28の少なくとも一方が場合によっては置換されていてもよいスルホン化ヒドロカルビル基、スルホン化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよいスルホン化複素環基の形態で存在することを特徴とする）
を有する触媒の存在下で、炭素−炭素二重結合又は炭素−ヘテロ原子二重結合を有する有機化合物を水素供与体と反応させることを含む該有機化合物の水素移動プロセスが提供される。
【０００８】
本発明の第二の側面によれば、上述の触媒が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本明細書において、特に断らない限り、用語「スルホン化」とは、スルホン酸部位（-SO3H）及びその塩の存在を含むことを意図する。アルカリ金属（特にナトリウム及びカリウム）スルホネートは、スルホネート基の好ましい例示である。さらに、配位子の増強された可溶性（極性スルホネート基により与えられる）は、水中、他の極性溶媒中、二相系及び担体極性相触媒中で水素添加反応が行われる可能性を高める。あるいは、スルホネート基は、無水物の形態（例えば、CO2H基から部分的に誘導された）で存在していてもよい。
【００１０】
触媒種は、実質的に、上記一般式で表されるようなものであると考えられる。触媒種を固体担体上に導入してもよい。
水素移動プロセスは、例えば、上記（１）〜（４）に開示されたタイプの均一反応として行われてもよく、生成混合物を水で抽出し（例えば、ジエチルエーテルとの混合物の蒸留後）、次いで有機層を例えば硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し及び溶媒を蒸発させるなどの標準のメークアップ手順により水素添加生成物を得てもよい。
【００１１】
しかし、極性スルホネート基の存在は、種々の態様での反応及び／又は生成物回収を効果的にする可能性を高める。
ゆえに、例えば、反応の終期にて、生成混合物にイオン交換樹脂を添加して、スルホネート基の効力により触媒を樹脂上に固定するようにしてもよい。次いで、生成混合物を樹脂から静かに移し、最小の触媒残渣を含むか又は含まない生成物を回収してもよい。したがって、本発明のさらなる側面は、本発明の第一の側面のプロセスを含み、触媒の存在下で、有機化合物と水素供与体との反応後に、イオン交換樹脂を追加する追加工程をさらに含む。
【００１２】
あるいは、触媒を、水又は他の極性溶媒中に溶解した触媒の薄膜で被覆された担体（例えばビーズ）を含む「担持された液相触媒」として用いてもよい。次いで、反応のバルク有機相（水素供与体及び水素添加されるべき基質を含む）に担体を与えることにより、水素移動相が生じる。通常、反応に必要な塩基は、ビーズ上の膜又はバルク有機相に溶解したもののいずれかとして与えられてもよい。水素添加生成物は、反応の終期にて生成物の回収のために固相から静かに移されてもよいバルク有機相内で生成される。この手順は、第一の生成物中に触媒残渣を含まないか最小にするという利点を有する。
【００１３】
上述のように、触媒は、少なくとも１の基R20〜R22又はR24〜R28（場合によっては置換されていてもよいスルホン化ヒドロカルビル基、スルホン化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよいスルホン化複素環基である）を含む。スルホネート基以外が存在する場合には、触媒は、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基の形態で、さらに少なくとも１のR20〜R22又はR24〜R28基を含むものでもよい。以下の記載を簡便なものとするために、R20〜R22又はR24〜R28（並びに基R1-17）として用いることができるヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基及び複素環基のタイプを参照することによって、R20〜R22又はR24〜R28のスルホン化形態は本明細書に記載の部位のスルホン化形態でもよいことが理解される。
【００１４】
本発明のプロセスは、有機化合物中の炭素−炭素二重結合又は炭素−ヘテロ原子二重結合の水素添加に有効である。二重結合の部分を形成することができるヘテロ原子の例としては、酸素、硫黄及び窒素を挙げることができる。本発明のプロセスにより水素添加され得る有機化合物の例としては、式１
【００１５】
【化２】
2004522718.tif 000003
【００１６】
（式中、ＸはO、S、CR3R4、NR5、(NR6R7)+Q-、N+R8-O-、(NR9OR10)+Q-、NNR12R13、NNR12SO2R16、 NNR12COR17、(NR11NR12R13)+Q-、(NR11NR12C(=NR14)R15)+Q-、(NR11NR12SO2R16)+Q-、 (NR11NR12COR17)+Q-、NP(O)R15R16、NS(O)R15又はNSO2R15を表し；
Q-は一価のアニオンを表し；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13及びR14はそれぞれ独立に水素原子、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基、又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表し、R1及びR2、R1及びR3、 R1及びR5、R1及びR6、R1及びR8、R1及びR9、R1及びR11、R1及びR12、R2及びR4、R2及びR7、R2及びR10、R3及びR4、R6 及びR7、R9及びR10、R11及びR12、R12及びR13の１種以上は、場合によっては置換されていてもよい環を形成するような態様で場合によっては結合していて；R15、R16及びR17はそれぞれ独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよい複素環基を表す）
の有機化合物を挙げることができる。
【００１７】
R1-17、R20-22及びR24-28によって表すことができるヒドロカルビル基は、独立にアルキル基、アルケニル基及びアリール基、及びこれらの任意の組合せ、アラルキル及びアルカリルなど、例えばベンジル基を含む。
【００１８】
R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができるアルキル基は、２０個までの炭素原子、特に１〜７個の炭素原子及び好ましくは１〜５個の炭素原子を含む直鎖及び分枝アルキル基を含む。アルキル基が分枝基である場合、この基は１０個までの分枝鎖炭素原子、好ましくは４個までの分枝鎖原子を含むことが多い。幾つかの実施形態において、アルキル基は、最も大きな環に一般的には３〜１０個の炭素原子を含み、場合によっては１個以上のブリッジ環を特徴とする環式であってもよい。R1-17、R20-22及びR24-28で表すことができるアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、２−プロピル基、ブチル基、２−ブチル基、ｔ−ブチル基及びシクロヘキシル基を挙げることができる。
【００１９】
R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができるアルケニル基は、C2-20アルケニル基、好ましくはC2-6アルケニル基を含む。１個以上の炭素−炭素二重結合が存在していてもよい。アルケニル基は、１個以上の置換基、好ましくはフェニル置換基を有するものでもよい。アルケニル基の例としては、ビニル基、スチリル基及びインデニル基を挙げることができる。R1又はR2のいずれかがアルケニル基を表す場合、炭素−炭素二重結合は、好ましくはC=X部位に対してβ位置に位置づけられる。R1又はR2のいずれかがアルケニル基を表す場合、式（１）の化合物は好ましくはα，β−不飽和イミニウム化合物である。
【００２０】
R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができるアリール基は、シクロアルキル、アリール又は複素環式環を含むことができる１個の環又は２個以上の縮合環を含むものでもよい。R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができるアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、アニシル基、ナフチル基及びフェロセニル基を挙げることができる。
【００２１】
R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができる過ハロゲン化ヒドロカルビル基は、独立に、過ハロゲン化アルキル基及び過ハロゲン化アリール基、及びこれらの任意の組合せ、アラルキル基及びアルカリル基などを含む。R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができる過ハロゲン化アルキル基の例としては、-CF3及び-C2F5を挙げることができる。
【００２２】
R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができる複素環基は、独立に芳香族環系、飽和環系及び部分不飽和環系を含み、シクロアルキル環、アリール環又は複素環式環を含むものでもよい１環又は２環以上の縮合環を構成してもよい。複素環式基は、少なくと１個の複素環式環を含み、最も大きな複素環式環は、一般に３〜７個の環原子を含み、ここで少なくとも１個の原子は炭素であり、少なくとも１個の原子はN、O、S、又はPのいずれかである。R1又はR2のいずれかが複素環式基を表すか又は複素環式基を含む場合には、C=X基に結合しているR1又はR2中の原子は、好ましくは炭素原子である。R1-17、R20-22及びR24-28 によって表すことができる複素環式基の例としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピローリル基、チオフェニル基、フラニル基、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基、イミダゾイル基及びトリアゾイル基を挙げることができる。
【００２３】
R1-17、R20-22及びR24-28 のいずれかが置換ヒドロカルビル基又は置換複素環式基である場合、置換基は、反応の速度又は立体選択性に影響を与えない基であるべきである。任意の置換基としては、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、チオール基、アシル基、ヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基、複素環基、ヒドロカルボキシ基、モノヒドロカルビルアミノ基、ジヒドロカルビルアミノ基、ヒドロカルビルチオ基、エステル基、カルボネート基、アミド基、スルホニル基、及びスルホンアミド基を挙げることができ、ヒドロカルビル基は上記R1として定義されたものである。１個以上の置換基が存在していてもよい。
【００２４】
R1及びR2、R1及びR3、R1及びR5、R1及びR6、R1及びR8、R1及びR9、R1及びR11、R1及びR12、R2及びR4、R2及びR7、R2及びR10、R3及びR4、R6及びR7、R9及びR10、R11及びR12、R12及びR13の任意のものが、炭素原子及び／又は式（１）の化合物の原子Ｘのいずれかと一緒に一つの環を形成する態様で結合されている場合、これらは５員環、６員環又は７員環であることが好ましい。この態様で形成された環は、互いに又は他の環系と追加的に縮合してもよい。このように形成されてもよい環の例としては、
【００２５】
【化３】
2004522718.tif 000004
【００２６】
（式中、Ｘは上記定義の通りであり、環は場合によっては置換されていてもよく、あるいは他の環と縮合していてもよい）
を挙げることができる。
【００２７】
ある好ましい実施形態において、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16及びR17は、すべて独立にC1-6アルキル基であるか、又はアリール基、特にフェニル基、C1-6アルキル基及びC6-10アラルキル基の組合せである。置換基が存在してもよく、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16及びR17の１種以上がフェニル基である場合には、特にC=X基に対してパラ位に置換する。
【００２８】
特に好ましい実施形態において、R4、R5、R6又はR8がC1-6アルキル基又はC6-10アラルキル基、特にメチル基、ベンジル基又はPhCHCH3基である。
ＸがNR5又は（NR6R7）+Q-を表す式（１）の化合物は、イミン又はイミニウム塩（iminium salts）を含む。式（１）の化合物がイミンである場合には、場合によりイミニウム塩に変換されてもよい。イミニウム塩はイミンよりも好ましい。好ましいイミニウム塩は、Ｘが（NR6R7）+Q-である（R6又はR7のいずれかが水素であるがR6及びR7は同一ではない）式（１）の化合物により表される。式（１）の化合物がイミニウム塩である場合、Q-により表されるアニオンが存在する。
【００２９】
Q-で表すことができるアニオンは、ハライド、場合によっては置換されていてもよいフェニル及びナフチルスルホネートなどの場合によっては置換されていてもよいアリールスルホネート、C1-20アルキルスルホネートなどのハロゲン化アルキルスルホネートを含む場合によっては置換されていてもよいアルキルスルホネート、C1-10アルキル及びアリールカルボキシレートなどの場合によっては置換されていてもよいカルボキシレート、ホウ素、リン又はアンチモンのポリハロゲン化から誘導されるイオン、及び例えばパークロレートなどの他の一般的な無機イオンを含む。存在してもよいアニオンの例としては、ブロミド、クロリド、ヨーダイド、硫化水素、トシレート、フォルメート、アセテート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロフォスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、パークロレート、トリフルオロメタンスルホネート、及びトリフルオロアセテートを挙げることができる。好ましいアニオンとしては、ブロミド、クロリド、ヨーダイド、フォルメート及びトリフルオロアセテートを挙げることができ、特に好ましいアニオンとしては、ヨーダイド、フォルメート及びトリフルオロアセテートを挙げることができる。
【００３０】
好ましい実施形態において、Ｘは式（NR6R7）+Q-の基であり、R1及びR2は式（１）の化合物のC=X基の炭素原子及び窒素原子と一緒に５員環、６員環又は７員環を形成する態様で結合されており、R7はC1-6アルキル基又はC6-10アラルキル基、特にメチル、ベンジル又はPhCHCH3であり、R2は場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基、好ましくはC1-6アルキル基又は場合によっては置換されていてもよいフェニル基、特にメトキシ、ヒドロキシ又はフルオロ置換フェニルである。R1及びR6を結合することにより形成される５員環、６員環又は７員環は、場合によっては、他の環系、好ましくはベンゼノイド系と縮合していもよい。他の環系、好ましくはベンゼノイド系は、置換されていてもよく、好ましい置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基及びフルオロ基を挙げることができる。
【００３１】
好ましい実施形態において、ＸはＯであり、式（１）の化合物はケトンである。
最も有利なことに、式（１）の化合物はプロキラルであり、ハロゲン化生成物は、R1、R2及びＸがそれぞれ結合しているキラル原子を含む。このような不斉水素移動プロセスは、本発明の特に好ましい側面を形成する。最も一般的には、式（１）の化合物がプロキラルである場合、R1及びR2は異なり且つ水素ではない。有利なことに、R1及びR2の一方は脂肪族であり、他方はアリール又は複素環である。
【００３２】
式（１）の化合物の例としては、アセトフェノン、４−クロロアセトフェノン、４−メトキシアセトフェノン、４−トリフルオロメチルアセトフェノン、４−ニトロアセトフェノン、２−クロロアセトフェノン及びアセトフェノンベンジルイミンを挙げることができる。
【００３３】
式（１）の化合物のさらなる例としては、
【００３４】
【化４】
2004522718.tif 000005
【００３５】
（式中、R2及びR7は上述のものであり、G1、G2及びG3は独立に、水素基、クロロ基、ブロモ基、フルオロ基、ヨード基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、チオール基、アシル基、ヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基、複素環基、ヒドロカルビロキシ基、モノヒドロカルビルアミノ基、ジヒドロカルビルアミノ基、ヒドロカルビルチオ基、エステル基、カルボネート基、アミド基、スルホニル基、及びスルホンアミド基を挙げることができ、ヒドロカルビル基はR1について上記定義のものである。）
を挙げることができる。
【００３６】
水素供与体としては、水素、第一アルコール、第二アルコール、第一アミン、第二アミン、カルボン酸、及びこれらのエステル及びアミン塩、容易に脱水素化可能な炭化水素類、クリーンな還元剤（clean reducing agent）、及びこれらの組合せを挙げることができる。
【００３７】
水素供与体として用いることができる第一アルコール及び第二アルコールは、一般的に１〜１０個の炭素原子、好ましくは２〜７個の炭素原子、より好ましくは３個又は４個の炭素原子を含む。水素供与体として表すことができる第一アルコール及び第二アルコールの例としては、メタノール、エタノール、プロパン−１−オール、プロパン−２−オール、ブタン−１−オール、ブタン−２−オール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、及びメントールを挙げることができる。水素供与体がアルコールである場合には、第二アルコールが好ましく、特にプロパン−２−オール及びブタン−２−オールが好ましい。
【００３８】
水素供与体として用いることができる第一アミン及び第二アミンは、一般に１〜２０個の炭素原子、好ましくは２〜１４個の炭素原子、より好ましくは３個又は８個の炭素原子を含む。水素供与体として表すことができる第一アミン及び第二アミンとしては、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ヘキシルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン及びピペリジンを挙げることができる。水素供与体がアミンである場合には、第一アミンが好ましく、特に第二アルキル基、特にイソプロピルアミン及びイソブチルアミンを含む第一アミンが好ましい。
【００３９】
水素供与体として用いることができるカルボン酸又はこれらのエステルは、一般的に１〜１０個の炭素原子、好ましくは１〜３個の炭素原子を含む。いくつかの実施形態において、カルボン酸はβ−ヒドロキシ−カルボン酸であることが有利である。エステルは、カルボン酸及びC1-10アルコールから誘導されてもよい。水素供与体として表すことができるカルボン酸の例としては、ギ酸、乳酸、アスコルビン酸及びマンデル酸を挙げることができる。最も好ましいカルボン酸は、ギ酸である。好ましい実施形態において、カルボン酸が水素供与体として用いられる場合には、カルボン酸の少なくとも幾つかが好ましくは塩として存在し、好ましくはアミン塩、アンモニウム塩又は金属塩として存在する。好ましくは、金属塩が存在する場合には、金属は、周期律表のアルカリ金属又はアルカリ土類金属から選択され、より好ましくはＩ族元素、例えばリチウム、ナトリウム又はカリウムから選択される。このような塩を形成するために用いることができるアミンとしては、芳香族アミン及び非芳香族アミンの両者、さらに典型的には１〜２０個の炭素原子を含む第一アミン、第二アミン及び第三アミンを挙げることができる。第三アミン、特にトリアルキルアミンが好ましい。塩を形成するために用いることができるアミンの例としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン及びピリジンを挙げることができる。最も好ましいアミンは、トリエチルアミンである。カルボン酸の少なくとも幾らかがアミン塩として存在する場合、特にギ酸及びトリエチルアミンの混合物が用いられる場合には、酸とアミンとのモル比は１：１〜５０：１の間であり、好ましくは１：１〜１０：１の間であり、最も好ましくは約５：２である。カルボン酸の少なくとも幾らかが金属塩として存在する場合、特にギ酸及びＩ族金属塩の混合物が用いられる場合には、酸と存在する金属イオンとのモル比は１：１〜５０：１の間であり、好ましくは１：１〜１０：１の間であり、最も好ましくは約２：１である。酸と塩との比率は、通常はカルボン酸の添加であるがいずれかの成分の添加により反応が進行する間中、維持されていてもよい。
【００４０】
水素供与体として用いることができる容易に脱水素化可能な炭化水素類は、芳香族化する傾向を有する炭化水素類、又は高度に共役された系を形成する傾向を有する炭化水素類を含む。水素供与体として用いることができる容易に脱水素化可能な炭化水素類の例としては、シクロヘキサジエン、シクロヘキセン、テトラリン、ジヒドロフラン及びテルペンを挙げることができる。
【００４１】
水素供与体として表すことができるクリーンな還元剤は、高い還元電位を有する還元剤、特に標準水素電極に対する還元電位が約−０．１ｅＶよりも高い還元剤、しばしば約−０．５ｅＶよりも高い還元剤、好ましくは約−１ｅＶよりも高い還元剤を含む。水素供与体として用いることができるクリーンな還元剤の例としては、ヒドラジン及びヒドロキシルアミンを挙げることができる。
【００４２】
最も好ましい水素供与体は、プロパン−２−オール、ブタン−２−オール、トリエチルアンモニウムフォルメート、及びトリエチルアンモニウムフォルメートとギ酸との混合物である。しかし、式（１）の化合物がプロトン化されたイミニウム塩である実施形態において、カルボン酸又はその塩ではない水素供与体を用いることが望ましいかもしれない。
【００４３】
R18で表される場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル配位子又は過ハロゲン化ヒドロカルビル配位子は、場合によっては置換されていてもよいアリール配位子、アルケニル配位子及びシクロペンタジエニル配位子を含む。
【００４４】
R18で表すことができる場合によっては置換されていてもよいアリール配位子は、シクロアルキル基、アリール基又は複素環を含む１環又は２個以上の縮合環を含むものでもよい。環は、６員芳香族環を含むものでもよい。アリール配位子の環は、しばしばヒドロカルビル基で置換されている。置換パターン及び置換基の数は変動し、存在する環の数に影響されるが、しばしば１〜６個のヒドロカルビル置換基が存在し、好ましくは２、３又は６個のヒドロカルビル基、より好ましくは６個のヒドロカルビル基が存在する。好ましいヒドロカルビル置換基としては、メチル、エチル、イソプロピル、メンチル、ネオメンチル及びフェニルを挙げることができる。特に、アリール配位子が単環である場合、配位子は好ましくはベンゼン又は置換ベンゼンである。配位子が過ハロゲン化ヒドロカルビルである場合、ヘキサシクロベンゼン又はヘキサフルオロベンゼンなどの過ハロゲン化ベンゼンが好ましい。ヒドロカルビル置換基が光学的対掌体中心又はジアステレオマー中心を含む場合、これらの光学的対掌体的に精製された形態及び／又はジアステレオマー的に精製された形態を用いることが好ましい。ベンゼン、ｐ−シメル、メシチレン及びヘキサメチルベンゼンが、特に好ましい６員芳香族環を有する配位子である。
【００４５】
R18で表すことができる場合によっては置換されていてもよいアルケニル配位子は、好ましくは２個以上の炭素−炭素二重結合、好ましくはただ２個の炭素−炭素二重結合を有するC2-30、好ましくはC5-12、アルケン又はシクロアルケンを含む。炭素−炭素二重結合は、場合によっては他の不飽和系と共役していてもよいが、好ましくは互いに共役している。アルケン又はシクロアルケンは、好ましくはヒドロカルビル置換基で置換されていてもよい。アルケンがただ一つの二重結合を有する場合には、場合によっては置換されていてもよいアルケニル配位子は２個の別々のアルケンを含むものでもよい。好ましいヒドロカルビル置換基としては、メチル、エチル、イソプロピル及びフェニルを挙げることができる。場合によっては置換されていてもよいアルケニル配位子としては、シクロ−オクタ−１，５−ジエン及び２，５−ノルボルナジエンを挙げることができる。
【００４６】
しかし、R18は場合によっては置換されていてもよいシクロペンタジエニル基であることが特に好ましい。
R18で表すことができる場合によっては置換されていてもよいシクロペンタジエニル基は、特にイータ−５結合可能なものを含む。シクロペンタジエニル基は、しばしば１〜５個のヒドロカルビル基、好ましくは３〜５個のヒドロカルビル基及びより好ましくは５個のヒドロカルビル基で置換されている。好ましいヒドロカルビル置換基としては、メチル、エチル及びフェニルを挙げることができる。ヒドロカルビル置換基が光学的対掌体中心及び／又はジアステレオマー中心を含む場合には、これらの光学的対掌体的に精製された形態及び／又はジアステレオマー的に精製された形態が用いられることが好ましい。場合によっては置換されていてもよいシクロペンタジエニル基の例としては、シクロペンタジエニル基、ペンタメチル−シクロペンタジエニル基、ペンタフェニルシクロペンタジエニル基、テトラフェニルシクロペンタジエニル基、エチルテトラメチルペンタジエニル基、メンチルテトラフェニルシクロペンタジエニル基、ネオメンチル−テトラフェニルシクロペンタジエニル基、メンチルシクロペンタジエニル基、ネオメンチルシクロペンタジエニル基、テトラヒドロインデニル基、メンチルテトラヒドロインデニル基及びネオメンチルテトラヒドロインデニル基を挙げることができる。ペンタメチルシクロペンタジエニル基が特に好ましい。
【００４７】
R18が場合によっては置換されていてもよいシクロペンタジエニル基であることが特に好ましい。
Ａ又はＢのいずれかが、-NR19-、-NHR19、NR19R20、-NR23-、-NHR23又はNR22R23（式中、R20及びR21は上述の定義の通りであり、R19又はR23は-C(O)R21又は-C(O)R24で表されるアシル基である）で表されるアミド基である場合、R21及びR24は独立に、しばしば直鎖又は分枝スルホン化C1-7アルキル、スルホン化C1-8シクロアルキル又はスルホン化アリール、例えばスルホン化フェニルである。R19又はR23で表すことができるスルホン化アシル基の例としては、スルホン化ベンゾイル基、アセチル基及びハロゲノアセチル基を挙げることができる。
【００４８】
Ａ又はＢのいずれかが、-NR19-、-NHR19、NR19R20、-NR23-、-NHR23又はNR22R23（式中、R20及びR22は上述の定義の通りであり、R19又はR23は-S(O2)R21又は-S(O)2R24により表されるスルホニル基である）により表されるスルホンアミド基として存在する場合には、R21及びR24は独立に、しばしば直鎖又は分枝スルホン化C1-8アルキル、スルホン化C1-8シクロアルキル又はスルホン化フェニルなどのスルホン化アリールである。好ましいスルホニル基としては、メタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、特にフェニルスルホニル基及びナフチルスルホニル基のスルホン化誘導体を挙げることができる。
【００４９】
Ａ又はＢのいずれかが、-NR19-、-NHR19、NR19R20、-NR23-、-NHR23又はNR22R24（式中、R20及びR23は上述の定義の通りであり、R19又はR23は-C(S)NR21 R25、-C(=NR25)SR26、C(=NR25)OR26、C(O)NR24R27、C(S)NR24R27、C(=NR27)SR28又はC(=NR27)OR28により表されるスルホニル基である）により表される基として存在する場合には、R21及びR24は独立に、しばしばメチル基、エチル基、イソプロピル基などの直鎖又は分枝スルホン化C1-8アルキル基、C1-8シクロアルキル基又はフェニル基などのスルホン化アリール基であり、R22-25はしばしばそれぞれ独立に、水素、若しくはメチル基、エチル基、イソプロピル基などの直鎖又は分枝C1-8アルキル基、スルホン化C1-8シクロアルキル基若しくはフェニル基などのアリール基である。
【００５０】
Ｂが-OR22、-SR22、-PR22又は-PR22R24で表される基として存在する場合には、R22及びR24は独立に、しばしばメチル基、エチル基、イソプロピル基などの直鎖又は分枝C1-8アルキル基、C1-8シクロアルキル基若しくはフェニル基などのアリール基である。
【００５１】
Ａ及びＢの正確な性質は、Ａ及び／又はＢが金属に規則的に結合しているか又は１個の電子対を介して配位しているかによって決定されることは理解されるであろう。
本発明によれば、Ａが式-NHR19基又は-NR19基（式中、R19は基-SO2R21で表され、R21は場合によっては置換されていてもよいスルホン化ヒドロカルビル基、スルホン化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は場合によっては置換されていてもよいスルホン化複素環基である）であることが特に好ましい。最も好ましくは、R21は、ｎ個（ｎは１〜５）のスルホネート基を有するスルホン化フェニル基である。ｎが１〜４の場合には、スルホネート基は、芳香族環上に任意の置換パターンで存在していてもよい。ｎ＝１である特定の場合には、スルホネート基は、スルホンアミド基に対してオルソ位、メタ位又はパラ位にあってもよい。
【００５２】
Ｂは、好ましくは-NH2又は-NH-である。
基Ａ及びＢは、結合基Ｅによって結合されている。結合基Ｅは、Ａ及びＢの両者が金属Ｍに結合又は配位できるように、Ａ及びＢの適切な立体配座を達成する。Ａ及びＢは、通常、２個の原子、３個の原子又は４個の原子を介して結合している。Ａ及びＢを結合するＥ中の原子は、１個以上の置換基を有していてもよい。Ｅ中の原子、特にＡ又はＢに対してα位にある原子は、複素環、好ましくは飽和環、特に５員環、６員環又は７員環を形成するような態様で、Ａ及びＢに結合していてもよい。このような環は、１個以上の他の環と縮合していてもよい。しばしば、Ａ及びＢを結合する原子は炭素原子である。好ましくは、Ａ及びＢを結合する炭素原子の１個以上が、Ａ又はＢの他に置換基を有する。置換基は、上述の定義の通りの置換基R1であってもよい置換基を含む。有利なことに、このような任意の置換基は、金属Ｍと配位しない基として選択される。好ましい置換基としては、上述のようなハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、スルホニル基、ヒドロカルビル基、過ハロゲン化ヒドロカルビル基及び複素環基を挙げることができる。最も好ましい置換基は、C1-6アルキル基及びフェニル基である。最も好ましくは、Ａ及びＢは２個の炭素原子により結合されており、特に任意に置換されたエチル部位で結合されている。Ａ及びＢが２個の炭素原子によって結合されている場合、Ａ及びＢを結合する２個の炭素原子は、芳香族基、又は脂肪族環基、特に５員環、６員環又は７員環の部分を含む。このような環は、１個以上の他のこのような環に縮合していてもよい。Ｅが別々の２個の炭素原子を表し、炭素原子の一方又は両者が上記定義の通りの場合によっては置換されていてもよいアリール基を有する実施形態、もしくはＥが場合によってはフェニル基に縮合しているシクロペンタン環又はシクロヘキサン環を含む別々の２個の炭素原子を表す実施形態が、特に好ましい。
【００５３】
Ｅは、好ましくは、少なくとも１個の立体特異性中心を有する化合物の部分を含む。Ａ及びＢを結合する２個の原子、３個の原子又は４個の原子の任意のもの又は総てが、これらの原子の１個以上に少なくとも１個の立体特異性中心を規定するように置換されている場合、立体特異性中心の少なくとも１個は、基Ａ又はＢのいずれかに隣接する原子に位置づけられることが好ましい。少なくとも１個のこのような立体特異性中心が存在する場合には、光学的対掌体的に精製された状態で存在することが有利である。
【００５４】
Ｂが-O-又は-OHを表し、Ｅ中の隣接する原子が炭素である場合には、Ｂはカルボキシル基の部分を形成しないことが好ましい。
Ａ−Ｅ−Ｂで表すことができるスルホネート化化合物、又は脱プロトン化によりＡ−Ｅ−Ｂが誘導されるスルホネート化化合物は、しばしば、アミノアルコール又はジアミンであり、ここで、アミノ窒素原子は、任意に置換されたスルホネート化ヒドロカルビル基、スルホネート化過ハロゲン化ヒドロカルビル基又は任意に置換されたスルホネート化複素環基の形態で、基R20〜R22又はR24〜R28を配位する置換基に（直接又は間接に）結合されている。Ｎ−置換化合物が誘導され得るアミノアルコールの例としては、４−アミノアルカン−１−オール、１−アミノアルカン−４−オール、３−アミノアルカン−１−オール、１−アミノアルカン−３−オール、特に２−アミノアルカン−１−オール、１−アミノアルカン−２−オール、３−アミノアルカン−２−オール及び２−アミノアルカン−３−オール、特に２−アミノエタノール又は３−アミノプロパノールを挙げることができる。別のアミノアルコールは、２−アミノシクロペンタノール及び２−アミノシクロヘキサノールであり、好ましくはフェニル環に縮合されている２−アミノシクロペンタノール及び２−アミノシクロヘキサノールである。Ｎ−置換化合物が誘導され得るジアミンの例としては、１，４−ジアミノアルカン、１，３−ジアミノアルカン、特に１，２−ジアミノアルカン又は２，３−ジアミノアルカン及び特にエチレンジアミンを挙げることができる。別のジアミンは、１，２−ジアミノシクロペンタン及び１，２−ジアミノシクロヘキサンであり、特にフェニル環に縮合している１，２−ジアミノシクロペンタン及び１，２−ジアミノシクロヘキサンである。アミノアルコール又はジアミンは、C1-4アルキル基、特にメチル基などの少なくとも１個のアルキル基又は少なくとも１個のアリール基、特にフェニル基により、置換されることが有利であり、特に結合基Ｅ上で置換されることが有利である。
【００５５】
まとめると、Ｅは，Ａ及びＢを結合する２個の炭素原子を有し、これらの一方又は両者が場合によっては置換されていることが特に好ましい。好ましい実施形態において、Ｅは式-CHR30-CHR31（式中、R30及びR31は独立に、水素又は場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基である）である。
【００５６】
別の好ましい実施形態において、Ｅは、場合によっては置換されていてもよい複素環式脂肪族環、好ましくはシクロペンチル又はシクロヘキシルの部分である炭素−炭素結合である。
【００５７】
化合物Ａ−Ｅ−Ｂが誘導され得る配位子の例としては、以下のものを挙げることができる。
【００５８】
【化５】
2004522718.tif 000006
【００５９】
（式中、Wは-OH又は-NH2であり；
R32は、少なくとも１個の-SO3H又はSO3M1（M1はアルカリ金属）置換基を有するアリール基であり、さらに例えば-SO3H又は-SO3M1基に対してオルソ位にあってもよく無水物形態を導き得るカルボン酸基で場合によっては置換されていてもよい。より好ましくはR32は、１個の-SO3H又は-SO3M1置換基を有するフェニル基である；
R33、R34は、独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基であるか又はR33及びR34は場合によっては置換されていてもよい環を規定するような態様で場合によっては結合されており、より好ましくはR33及びR34は独立にフェニル基であるか又はR33及びR34はシクロフェニル環を規定するように結合されている）
スルホネート化化合物Ａ−Ｅ−Ｂが誘導され得るアミノアルコール及びジアミンの特別の例は、以下のものである。
【００６０】
【化６】
2004522718.tif 000007
【００６１】
有利なことに、ある種の配位子は、対応するジスルフィドの酸化性開裂により調製される。
したがって、式
【００６２】
【化７】
2004522718.tif 000008
【００６３】
のジスルフィドと、酸化剤とを反応させて、式
【００６４】
【化８】
2004522718.tif 000009
【００６５】
（式中、Wは-OH又は-NH2であり；
R32は、少なくとも１個の-SO3H又はSO3M1（M1はアルカリ金属）置換基を有するアリール基であり；
R35は、アリール基であり；
R33、R34は、独立に、場合によっては置換されていてもよいヒドロカルビル基であるか又はR33及びR34は場合によっては置換されていてもよい環を規定するような態様で場合によっては結合されており、より好ましくはR33及びR34は独立にフェニル基であるか又はR33及びR34はシクロフェニル環を規定するように結合されている）
の化合物を製造するプロセスが提供される。
【００６６】
好ましくは、アリール基R32の置換パターンは、-SO3H又はSO3M1（M1はアルカリ金属）置換基がSO2NH-CHR34-CHR33-W基に対してパラ位に位置づけられるようなものである。R35には、対応する同様な置換パターンが存在する。
【００６７】
好ましくは、酸化剤は、アルカリ性過酸化水素、特に水酸化ナトリウム溶液及び過酸化水素溶液の混合物である。
Mで表すことができる金属は、水素移動を触媒することができる金属である。好ましい金属としては、遷移金属、より好ましくは周期律表VIII族の金属、特にルテニウム、ロジウム又はイリジウムを挙げることができる。金属がルテニウムである場合には、原子価状態IIで存在することが好ましい。金属がロジウム又はイリジウムである場合には、原子価状態Ｉで存在することが好ましい。
【００６８】
Yで表すことができるアニオン性基としては、ハライド基、ヒドロキシ基、ヒドロカルビロキシ基、ヒドロカルビルアミノ基及びハロゲン基を挙げることができる。ハロゲンがYで表される場合には、ハロゲンは塩素であることが好ましい。ヒドロカルビロキシ基又はヒドロカルビルアミノ基がYで表される場合には、基は、反応に利用された水素供与体の脱プロトン化により誘導されてもよい。
【００６９】
Yで表すことができる塩基性配位子としては、水、C1-4アルコール、C1-8第一アミン、C1-8第二アミン又は反応系に存在する水素供与体を挙げることができる。Yで表される好ましい塩基性配位子は、水である。
【００７０】
最も好ましくは、Ａ−Ｅ−Ｂの性質、R18及びYは、触媒がキラルであるように選択される。このような場合には、光学的対掌体的に精製された形態及び／又はジアステレオマー的に精製された形態が好ましく用いられる。このような触媒は、不斉水素移動プロセスに用いられることが最も有利である。多くの実施形態において、触媒のキラリティーは、Ａ−Ｅ−Ｂの性質に由来する。
【００７１】
本プロセスは、特にYが空位ではない場合には、塩基の存在下で行われることが好ましい。塩基のpKaは、好ましくは少なくとも８．０、特に少なくとも１０．０である。簡便な塩基は、アルカリ金属のヒドロキシド、アルコキシド及びカルボネート、第三アミン及び第四アンモニウム化合物である。好ましい塩基は、ナトリウム−２−ポロポキシド及びトリエチルアミンである。水素供与体が酸ではない場合には、用いられる塩基の量は触媒の５．０モルまで、通常は触媒の３．０モルまで、しばしば触媒の２．５モルまで、特に触媒の１．０〜３．５モルである。水素供与体が酸である場合には、水素供与体の導入前に、触媒を塩基と接触させてもよい。このような場合、水素供与体の導入前の塩基と触媒とのモル比は、しばしば１：１〜３：１であり、好ましくは約１：１である。
【００７２】
気体状水素が存在していてもよいが、気体状水素は不要であるようにみえるから、本プロセスは、通常、気体状水素の不存在下で行われる。
有利なことに、本プロセスは、二酸化炭素の実質的な不存在下で行われる。
【００７３】
水素供与体の脱水素化からの生成物が、例えば１００℃以下で沸騰する場合など揮発性である場合には、この揮発性生成物を除去することが好ましい。この除去は、好ましくは大気圧よりも低い圧力下での蒸留により、あるいは不活性ガススパージングを用いて、達成することができる。減圧蒸留が用いられる場合には、圧力はしばしば５００mmHg以下であり、通常は２００mmHg以下であり、好ましくは５〜１００mmHgの範囲であり、最も好ましくは１０〜８０mmHgの範囲である。例えば、ギ酸が水素供与体として存在する場合など、水素供与体の脱水素化からの生成物が気体状物質である場合には、不活性ガススパージング、例えば窒素による不活性ガススパージングを用いることにより、除去は最も好ましく達成される。
【００７４】
適切には、本プロセスは、−７８℃〜＋１５０℃の範囲、好ましくは−２０℃〜＋１１０℃の範囲、より好ましくは−５℃〜＋６０℃の範囲の温度にて行われる。基質、式（１）の化合物の初期濃度は、モル基準で、適切には０．０５〜１．０モルの範囲であり、簡便なより大きなスケールでの操作に対しては、例えば６．０モルまで、特に０．２５〜２．０モルとしてもよい。基質と触媒とのモル比は、適切には５０：１以上であり、５００００：１までとすることができ、好ましくは１００：１〜５０００：１の間であり、より好ましくは２００：１〜２０００：１の間である。水素供与体は、好ましくは、基質よりも過剰のモル濃度で用いられ、特に５〜２０倍以上であり、利便性が許せば、例えば最大５００倍とすることができる。反応後、標準的な手法により混合物を生じさせる。
【００７５】
反応中、溶媒が存在してもよく、好ましくは極性溶媒、より好ましくは極性非プロトン溶媒、例えばアセトニトリル、ジメチルフォルムアミド又はジクロロメタンが存在してもよい。簡便には、水素供与体が反応温度にて液体である場合に、水素供与体が溶媒であってもよく、あるいは水素供与体を希釈剤と一緒に用いてもよい。通常、水の実質的不存在下で行われることが好ましいが、水は反応を阻害するようにはみえない。水素供与体又は反応溶媒が水混和性でなく、所望の生成物が水溶性である場合には、反応が進行する際に、生成物を抽出し、平衡に近づけ、生成物の光学的純度損失を防止する第２相として水が存在することが望ましい。基質の濃度は、反応時間、収率及び光学的対掌体過剰率を最適化するように選択することができる。
【００７６】
触媒種は、上記式中に表されるように、かなり存在すると考えられる。オリゴマー又は複分解生成物として、固体担体上で用いられてもよく、あるいはその場（in situ）で発生してもよい。
【００７７】
触媒は、金属アリール又はアルケニルハライド錯体と、上記定義の式Ａ−Ｅ−Ｂの化合物とを反応させることにより作ることができる。あるいは、この化合物を誘導することができるプロトン化等価物（Yは空位を表す）と反応させ、その生成物を塩基と反応させることにより作ることができる。金属アリール又はアルケニルハライド錯体は、好ましくは式[MR18Z2]2（Mはルテニウム(II)である）及び式[MR18Z]2（Mはイリジウム又はロジウム(I)である）（式中、R18は上記定義の通りであり、Zはハライド、特にクロライドを表す）を有する。
【００７８】
本発明による触媒の調製に対して、溶媒が存在することが好ましい。適切な反応温度は、０〜１００℃の範囲であり、例えば２０〜７０℃の範囲であり、しばしば０．５〜２４時間の反応時間が与えられる。反応完了後、所望であれば触媒を単離してもよいが、より簡便には、溶液として貯蔵するか、調製後すぐに用いる。溶液は、水素供与体を含んでいてもよく、水素供与体が第２アルコールである場合には、工程（ａ）及び／又は（ｂ）にて存在していてもよく、これらの工程に対する溶媒として用いることもできる。調製及び後処理は、好ましくは不活性雰囲気下で行われるべきであり、特に二酸化炭素及び酸素が存在しない条件で行われるべきである。
【００７９】
触媒又は触媒溶液は、水素移動反応に用いられる直前又は使用中のいずれかで、一般的に塩基で処理される。これは、溶液中の触媒に塩基を添加することにより、溶液中の式（１）の化合物に塩基を添加することにより、あるいは水素移動反応に添加することにより、達成することができる。
【００８０】
イミニウム塩は、公知の文献方法、例えばアルキル化剤でイミンを処理するなどのイミンの四元化により、一般的に得ることができる。水素移動は、触媒溶液を基質（一般式（１）化合物）溶液に移動することにより達成することができる。あるいは、基質溶液を触媒溶液に添加してもよい。触媒溶液及び／又は基質溶液に、塩基を予めあるいは後から添加してもよい。水素供与体が触媒溶液中に存在しない場合には、水素供与体を基質溶液に添加しても、あるいは水素供与体を反応混合物に添加してもよい。
【００８１】
本発明は以下の実施例により説明される。
本発明を以下の非制限的実施例により説明する。簡略にするために、実施例を２種のセクションに分ける。すなわち、配位子合成セクション（実施例ＬＳ１〜４及びＬＳ１８は、上記式Ａ−Ｅ−Ｂに包含される種々の配位子の合成を記述する）と触媒調製及び水素添加セクション（実施例ＴＨ５〜１７は、実施例ＬＳ１〜４で合成した配位子による触媒の調製及びこれらの触媒を用いる水素移動反応を記述する）である。実施例ＴＨ１９は、イオン交換樹脂での処理により触媒を反応の終点で除去する水素移動プロセスを記述する。
【実施例】
【００８２】
［実施例ＬＳ１］
ナトリウム（１Ｓ、２Ｓ）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン−Ｎ−フェニルスルホニル−４−スルホネート（CB 3.016）の調製
【００８３】
【化９】
2004522718.tif 000010
【００８４】
（ｉ）ナトリウム４，４’−ジチオビスベンゼンスルホネート（CB 3.011）の合成
【００８５】
【化１０】
2004522718.tif 000011
【００８６】
ナトリウム４，４’−ジチオビスベンゼンスルホネート（CB 3.011）を下記Smithらのプロトコール（H.A Smith, G. Goughty, G Dorin j. Chem. Soc., 1964, 29, 1484-1488）に従い、幾らかの小さな修正を加えて、合成した。スルホン酸（４７．５ｇ、０．２５mol）及び無水炭酸ナトリウムを暖めて水（５００ml）に溶解させた。溶液を１５℃まで冷却し、水（５０ml）中亜硝酸ナトリウム（１８．５ｇ、０．２７mol）を添加した。混合物を緩やかに濃塩酸（５２．５ml、０．６４mol）及び破砕氷（３００ｇ）中に注ぎ、得られた懸濁物を１５分間撹拌した。
【００８７】
硫化ナトリウム９水和物（６５ｇ、０．２７mol）及び粉末硫黄（８．５ｇ、０．２７mol）を１００℃で水（７５ml）中に溶解させた。水（１００ml）中水酸化ナトリウム（１０ｇ、０．２５mol）の溶液を添加して、得られた二硫化二ナトリウム溶液を０℃まで冷却した（氷浴）。５℃以下の温度を維持するために、氷５０ｇと一緒に、ジアゾ溶液を３０分間にわたり添加した。氷浴を取り除いて、反応混合物を室温まで戻した。２時間後、窒素の発生が終わり、濃塩酸を添加することにより反応混合物をｐＨ２まで酸性化させた。沈殿した硫黄を濾過して除去し、溶液をスターラーホットプレート上で加熱して、約５００mlの容積まで濃縮した。室温まで冷却した後、水酸化ナトリウム溶液（水中１０％）で溶液を中和し、４００mlまで濃縮した。
【００８８】
室温で一晩放置した後、生成物を結晶化させ、ブフナー漏斗内に集めて、高真空下で乾燥させた。
収率１９．８ｇ（３７．５％、４６．９mmol）。1H NMR (400 MHz, D2O) d 7.36 (d, J=8.2 Hz, 4H), 7.53 (d, J=8.2 Hz, 4H); 13C NMR (100 MHz, D2O) d 126.47 (+), 127.04 (+), 140.07 (Cquart), 141.38 (Cquart)
（ｉｉ）  ４，４’−ジサルファンジイル−ビス−ベンゼンスルホニルクロライド（CB 3.012）の合成
【００８９】
【化１１】
2004522718.tif 000012
【００９０】
還流コンデンサ及びバブラー付きのフラスコ（１００ml）に、CB 3.011（１０ｇ、２３．７mmol）、POCl3（１０ml）及びPCl5（５ｇ）を装填した。２時間、混合物を加熱して還流させた（１２０℃油浴温度）。室温まで冷却した後、温和なジクロロメタン（５０ml）を添加して、得られた混合物を氷に注いだ。１時間、激しく撹拌した後、有機相を分離して濃重炭酸塩溶液（１００ml）でさらに１時間撹拌した。有機相を再び分離して、硫酸ナトリウムで乾燥し、約２５mlの容積まで濃縮した。撹拌しながら、シクロヘキサンを緩やかに添加して生成物を沈殿させ、濾過して除去し、高真空下で乾燥させた。
収率６．８９ｇ（１６．６mmol、７０％）。m.p. 139°C (Lit.Ref1: 142°C); 1H NMR (400 MHz, CDCl3) d 7.69 (d, J=8.6 Hz, 4H), 7.98 (d, J=8.6 Hz, 4H); 13C NMR (100 MHz, CDCl3) d 126.69 (+), 128.08 (+), 143.03 (Cquart), 145.05 (Cquart); MS (+FAB(3-NBA)) m/e 413.9 (100, M).
(Ref 1: T. Zincke, W. Frohneberg Chem Ber., 1909, 42, 2721-2736)
（ｉｉｉ）  （CB 3.010）の合成
【００９１】
【化１２】
2004522718.tif 000013
【００９２】
０℃（氷浴）にて、（Ｓ，Ｓ）−ジフェニルエチレンジアミン（３．７３ｇ、１７．６mmol）及びトリエチルアミン（５ml）のジクロロメタン５０ml溶液に、４，４’−ジサルファンジイル−ビス−ベンゼンスルホニルクロライド（CB 3.012）（３．３２ｇ、８．０mmol）のジクロロメタン（１０ml）溶液を緩やかに添加した。反応混合物を１２時間室温で撹拌し、次いで減圧下で濃縮した。粗生成物をシリカクロマトグラフィー（最初の溶離剤としてDCM、次の溶離剤としてDCM／メタノール２５：１）により精製した。わずかに黄色の固体として生成物を得た。
収率５．６５ｇ（７．３７mmol、９２％）。 m.p. 108-110°C; 1H NMR (400 MHz, CDCl3) d 4.16 (d, J=5.3 Hz, 2H), 4.44 (d, J=5.3 Hz, 2H), 7.07-7.14 (m, 20H), 7.20 (d, J=8.8 Hz, 4H), 7.35 (d, J=8.8 Hz, 4H); 13C NMR (100 MHz, CDCl3) d 60.61 (+), 63.73 (+), 126.18 (+), 126.80 (+), 127.20 (+), 127.66 (+), 127.72 (+), 127.81 (+), 128.48 (+), 128.64 (+), 138.92 (Cquart), 139.29 (Cquart), 141.05 (Cquart), 141.12 (Cquart); MS (+FAB(3-NBA)) m/e 767 (47, M+1), 106 (100); [a]D20 -87.0° (c=1.31, EtOH)
（ｉｖ）  ナトリウム（１Ｓ，２Ｓ）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン−Ｎ−フェニルスルホニル−４−スルホネート（CB 3.016）の合成
【００９３】
【化１３】
2004522718.tif 000014
【００９４】
CB 3.016：水酸化ナトリウム溶液（１０ml、水中２．５Ｍ、２５mmol）及び過酸化水素溶液（５ml、水中２７．５wt％）をメタノール（５０ml）中CB 3.010（４．８２ｇ、６．２８mmol）の溶液に添加した。発熱反応が得られた。さらに２mlの過酸化水素溶液を添加する前に、得られた混合物を２時間撹拌した。室温での撹拌を１２時間続け、次いで濃縮した亜硫酸水素ナトリウムを添加し（１０ml）、混合物をさらに２時間撹拌した。反応混合物を減圧下で乾燥するまで濃縮し（concentrated to dryness）、水（５０ml）を添加して無機塩を溶解させ、生成物を濾過して除去した。生成物を冷水（１００ml）及びジクロロメタン（５０ml）で洗浄し、高真空下で乾燥させた。
収率４．４５４ｇ（１０．３mmol、８２％）。m.p. ＞280°C (dec.); 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) d 4.43 (d, J=10.4 Hz, 1H), 4.65 (d, J=10.4 Hz, 1H), 6.79-6.93 (m, 5H), 7.19 (s, 5H), 7.41 (d, J=8.6 Hz, 2H), 7.45 (d, J=8.6 Hz, 2H), 8.61 (bs, 4H); 13C NMR (100 MHz, DMSO-d6) d 59.24 (+), 62.10 (+), 126.35 (+), 126.72 (+), 128.25 (+), 128.39 (+), 128.93 (+), 129.02 (+), 129.40 (+), 134.61 (Cquart), 136.14 (Cquart), 141.05 (Cquart), 152.03 (Cquart); MS (FAB(3-NBA)) m/e 433.1 (93, M+1), 165.0 (100); [a]D20-76.9° (c=1.3, DMSO)
［実施例ＬＳ２］
ナトリウム（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジアミノシクロヘキシル−Ｎ−フェニルスルホニル−４−スルホネート（CB 3.019）の調製
【００９５】
【化１４】
2004522718.tif 000015
【００９６】
（ｉ）CB 3.018の合成
【００９７】
【化１５】
2004522718.tif 000016
【００９８】
（Ｒ，Ｒ）−１，２−ジアミノシクロヘキサン（１，７６ｇ、１５．４mmol）及びトリエチルアミン（５ml）のジクロロメタン５０ml溶液に、−７８℃（アセトン／乾燥氷浴）にて、ジクロロメタン（１０ml）中４，４’−ジサルファンジイル−ビス−ベンゼンスルホニルクロライド（CB 3.012）（２．９１ｇ、７．０mmol）を緩やかに添加した。反応混合物を室温まで暖めて、この温度で１２時間撹拌し、次いで減圧下で濃縮した。粗生成物をシリカクロマトグラフィー（最初の溶離剤としてDCM、次の溶離剤としてDCM／メタノール５：１）で精製した。わずかに黄色の固体として生成物を得た。
収率３．４４ｇ（６．０２mmol、８６％）。m.p. 125-128°C; 1H NMR (400 MHz, CD3OD) d 1.01-1.34 (m, 10H), 1.53-1.65 (m, 4H), 1.86-1.98 (m, 2H), 2.35-2.45 (m, 2H), 2.74-2.82 (m, 2H), 7.69 (d, J=8.6 Hz, 4H), 7.84 (d, J=8.6 Hz, 4H); 13C NMR (100 MHz, CD3OD) d 25.49 (-), 26.13 (-), 33.05 (-), 33.79 (-), 55.77 (+), 60.31 (+), 127.84 (+), 128.70 (+), 141.94 (Cquart), 142.62 (Cquart); MS (FAB(3-NBA)) m/e 571 (100, M+1); [a]D20 +36.5° (c=2.0, EtOH).
（ｉｉ）  ナトリウム（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジアミノシクロヘキシル−Ｎ−フェニルスルホニル−４−スルホネート（CB 3.019）の合成
【００９９】
【化１６】
2004522718.tif 000017
【０１００】
水酸化ナトリウム溶液（４ml、水中１Ｍ、４mmol）及び過酸化水素溶液（２ml、水中２７．５wt%）をメタノール（２０ml）中CB3.018溶液（１．１４２ｇ、２．０mmol）に添加した。結果として発熱反応が起きた。さらに過酸化水素溶液２mlを添加する前に、得られた混合物を２時間撹拌した。室温での撹拌を１２時間続け、次いで濃縮した水酸化ナトリウム溶液を添加し（５ml）、混合物をさらに２時間、撹拌した。反応混合物を減圧下で乾燥するまで濃縮し、水（２０ml）を添加して無機塩を溶解させ、生成物を濾過除去した。生成物を冷水（４０ml）、エタノール（２０ml）、ジクロロメタン（５０ml）で洗浄し、高真空下で乾燥させた。
収率８８３mg（２．６４mmol、６６％）。m.p. ＞300°C; 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) d 0.90-1.38 (m, 7H), 1.84-1.98 (m, 1H), 2.66-2.82 (m, 1H), 2.88-3.02 (m, 1H), 7.82 (s, 4H), 7.89 (bs, 4H); 13C NMR (100 MHz, DMSO-d6) d 23.80 (-), 24.69 (-), 29.95 (-), 31.21 (-), 54.22 (+), 55.62 (+), 126.90 (+), 127.17 (+), 142.00 (Cquart), 152.54 (Cquart); MS (-FAB(3-NBA)) m/e 333 (100, M-1); [a]D20 +21.5° (c=1.7, DMSO)
［実施例ＬＳ３］
ナトリウム（１Ｓ，２Ｓ）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン−Ｎ−フェニルスルホニル−２−スルホネート（CB 3.022）の調製
【０１０１】
【化１７】
2004522718.tif 000018
【０１０２】
ベンゼン−１，２−ジスルホン酸無水物（１．３０ｇ、５．９mmol）を（Ｓ，Ｓ）−ジフェニルエチレンジアミン（１．２５ｇ、５．９mmol）のジクロロメタン（１５０ml）溶液に室温で添加した。反応混合物を１時間撹拌し、次いで、減圧下で濃縮させた。イソプロパノール（５０ml）を残渣に添加して、混合物を１５分間、加熱して還流させた。室温まで冷却した後、生成物を沈殿させ、焼結炉内に集めて、イソプロパノール（５０ml）で洗浄した。生成物を高真空下で６０℃で１２時間、乾燥させた。
収率１．９６ｇ（４．５４mmol、７７％）。m.p. ＞250°C; 1H NMR (400 MHz, d6-DMSO) d 4.60 (d, J=11.9 Hz, 1H), 4.69 (dd, J=11.9, 8.2 Hz, 1H), 6.71-6.79 (m, 5H), 7.12 (dt, J=7.8, 1.2 Hz, 1H), 7.16-7.19 (m, 5H), 7.35 (dt, J=7.8, 1.2 Hz, 1H), 7.43 (dd, J=7.8, 1.2 Hz, 1H), 7.43 (dd, J=7.8, 1.2 Hz, 1H), 7.83 (dd, J=7.8, 1.2 Hz, 1H), 8.66 (s, 3H), 8.88 (d, J=8.2 Hz, 1H).; 13C NMR (100 MHz, d6-DMSO) d 60.61 (+), 63.73 (+), 126.18 (+), 126.80 (+), 127.20 (+), 127.66 (+), 127.72 (+), 127.81 (+), 128.48 (+), 128.64 (+), 138.92 (Cquart), 139.29 (Cquart), 141.05 (Cquart), 141.12 (Cquart); MS (+FAB(3-NBA)) m/e 767 (47, M+1), 106 (100); [a]D20 -87.0° (c=1.31, EtOH).
［実施例ＬＳ４］
ナトリウム（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジフェニルエチレンジアミン−Ｎ−フェニルスルホニル−４−スルホネート（TT-CB4）の合成
【０１０３】
【化１８】
2004522718.tif 000019
【０１０４】
TT-CB4の調製は、CB 3.016（実施例ＬＳ１）と同じ態様で行ったが、Ｓ，Ｓ−ジフェニルエチレンジアミンの代わりにＲ，Ｒ−ジフェニルエチレンジアミンを用いた。
触媒調製及び水素添加セクション
特に断らない限り、実施例ＴＨ５〜ＴＨ１９の各々について以下の手順を用いた。
（ａ）触媒調製
磁気撹拌棒付きのシュレンク（Schlenk）フラスコ（２５ml）内に、KOt-Buイソプロパノール溶液（０．１Ｍ溶液の０．８ml、０．０８mmol）を、水中（1ml）配位子（０．０８mmol）懸濁液に添加して、N2雰囲気下、室温で、清浄な溶液が得られるまで撹拌した。この溶液に、遷移金属化合物（０．０１mmol）を添加して、混合物をアルゴン雰囲気下、４０℃で、２時間、撹拌した。
（ｂ）水素添加
（ｉ）で得られた溶液を２２℃まで冷却した後、イソプロパノール（１０ml）中の水素添加されるべき基質（２mmol）及びイソプロパノール中KOt-Bu（０．１Ｍ溶液の２．０ml、０．２０mmol）を添加して反応を開始させた。
【０１０５】
様々な時間で、サンプルを反応混合物から採取して、ガスクロマトグラフィー（β−dexカラム）により分析した。
用いた配位子、遷移金属化合物及び水素添加基質を、水素添加反応で得られた結果と一緒に、実施例毎に下記表に示す。
［実施例ＴＨ５］
本実施例は、下記式に従うアセトフェノンのルテニウム触媒による不斉水素移動を示す。
【０１０６】
【化１９】
2004522718.tif 000020
【０１０７】
用いた配位子は下記の通りである。
【０１０８】
【表１】
2004522718.tif 000021
【０１０９】
結果を下記Table 1に示す。
【０１１０】
【表２】
2004522718.tif 000022
【０１１１】
［実施例ＴＨ６］
工程（ａ）において、撹拌を２２℃（４０℃ではなく）で行い、工程（ｂ）を２２℃、３０℃及び４０℃の温度で行った点を除いて、実施例ＴＨ５を繰り返した。
【０１１２】
結果をTable 2〜4に示す。
【０１１３】
【表３】
2004522718.tif 000023
【０１１４】
【表４】
2004522718.tif 000024
【０１１５】
【表５】
2004522718.tif 000025
【０１１６】
温度の効果は顕著であるが、総ての場合において、約２０時間後の反応の減速又は停止が観察された。おそらく、触媒の沈殿によるものと考えられる。
立体選択性の低下は、予想されたほど高くなかった。
［実施例ＴＨ１７］
本実施例は、触媒用の配位子としてCB 3.016を用いるアセトフェノンのロジウム触媒水素移動を示す。
【０１１７】
以下の反応物質を用いた。
【０１１８】
【表６】
2004522718.tif 000026
【０１１９】
得られた結果をTable 5に示す。
【０１２０】
【表７】
2004522718.tif 000027
【０１２１】
［実施例ＴＨ８］
本実施例は、触媒配位子としてCB 3.019を用いるアセトフェノンのルテニウム触媒水素移動を示す。
【０１２２】
下記の反応物質を用いた。
【０１２３】
【表８】
2004522718.tif 000028
【０１２４】
結果をTable 6に示す。
【０１２５】
【表９】
2004522718.tif 000029
【０１２６】
［実施例ＴＨ９］
本実施例は、触媒配位子としてCB 3.019を用いるアセトフェノンのロジウム触媒水素移動を示す。
【０１２７】
下記の反応物質を用いた。
【０１２８】
【表１０】
2004522718.tif 000030
【０１２９】
結果をTable 7に示す。
【０１３０】
【表１１】
2004522718.tif 000031
【０１３１】
実施例ＴＨ８とＴＨ９を比較すると、ロジウム触媒系がルテニウム触媒系よりも、より反応性であり選択性であることが証明された。立体選択性は１時間後に９８％に近く、終点では９４．５％にわずかに降下した。
［実施例ＴＨ１０］
本実施例は、ルテニウム及びCB 3.016、CB 3.019又はCB 0.22のいずれかに基づく触媒を、水素添加基質として芳香族ケトンの水素添加に用いることを調べる。用いた水素添加手順は、水１cm3をイソプロパノール及びKOt-Buに追加的に加えた点を除いて、上述のようなものであった。よって、水濃度は１５％であった。
【０１３２】
以下の反応物質を用いた。
【０１３３】
【表１２】
2004522718.tif 000032
【０１３４】
【化２０】
2004522718.tif 000033
【０１３５】
結果をTable 8に示す。
【０１３６】
【表１３】
2004522718.tif 000034
【０１３７】
［実施例ＴＨ１１］
遷移金属化合物として［Rh(Cp*)Cl2］2を用いて、実施例ＴＨ１０を繰り返した。よって、反応物質は以下の通りである。
【０１３８】
【表１４】
2004522718.tif 000035
【０１３９】
結果をTable 9に示す。
【０１４０】
【表１５】
2004522718.tif 000036
【０１４１】
Table  Table 8及び9の結果は、水素移動におけるTT-CB4及びCB 3.019の効果を示す。ｐ−トリフルオロメチルアセトフェノン（６）は、迅速且つ定量的に反応し、ルテニウム触媒系反応及びロジウム触媒系反応において中程度且つ非常に近似するeeを示す。ｍ−トリフルオロメチルアセトフェノン（７）は、わずかに遅く反応し、ロジウム触媒系反応においてのみ非常に高いeeを示す。ｏ−トリフルオロメチルアセトフェノン（８）は、（６）及び（７）に比べて非常にゆっくりと反応する。配位子（２）を用いるロジウム触媒系反応だけが、中程度の立体選択性を示す。電子が多いｐ−メトキシアセトフェノン（９）は、予想されたように、比較的緩やかに反応する。これらの条件下で、６５％を越える変換率を達成することはできなかった。２−アセチルナフタレン（１０）は、アセトフェノンと同様に反応する。
［実施例ＴＨ１２］
本実施例は、触媒配位子としてTT-CB4を用いるアセトフェノンのルテニウム触媒系水素移動を示す。
【０１４２】
【表１６】
2004522718.tif 000037
【０１４３】
結果をTable 10に示す。
【０１４４】
【表１７】
2004522718.tif 000038
【０１４５】
［実施例ＴＨ１３］
アセトフェノンに代えて、水素添加基質として４−ブロモアセトフェノンを用いて、実施例ＴＨ１２を繰り返した。
【０１４６】
以下の反応物質を用いた。
【０１４７】
【表１８】
2004522718.tif 000039
【０１４８】
結果をTable 11に示す。
【０１４９】
【表１９】
2004522718.tif 000040
【０１５０】
［実施例ＴＨ１４］
水素添加基質として２−フルオロアセトフェノンを用いて、実施例ＴＨ１３を繰り返した。
【０１５１】
以下の反応物質を用いた。
【０１５２】
【表２０】
2004522718.tif 000041
【０１５３】
結果をTable 12に示す。
【０１５４】
【表２１】
2004522718.tif 000042
【０１５５】
実施例ＴＨ１２〜ＴＨ１４を比較すると、これらの反応の速度は一般に極めて低いことがわかる。しかし、電子吸引基２−フルオロアセトフェノンの存在は、反応の速度を増加させる。立体選択性は、２−フルオロアセトフェノンが減少する場合を除いて、高い。この結果は、フルオロ置換基がオルソ位にあると仮定すれば、驚くべきことではない。さらに、光学的対掌体過剰率は、予想されたように時間経過により減少しない。
［実施例ＴＨ１５］
本実施例は、触媒配位子としてTT-CB4を用いるアセトフェノンのイリジウム触媒系水素添加を記述する。用いた水素添加手順は、実施例ＴＨ１０（１５％水）の場合と同様であった。
【０１５６】
以下の反応物質を用いた。
【０１５７】
【表２２】
2004522718.tif 000043
【０１５８】
１  ［Ir（ペンタメチルシクロペンタジエニル）2Cl2］2
【０１５９】
【化２１】
2004522718.tif 000044
【０１６０】
結果をTable 13に示す。
【０１６１】
【表２３】
2004522718.tif 000045
【０１６２】
［実施例ＴＨ１６］
TT-CB4の代わりに、配位子としてCB 3.019を用いて、実施例ＴＨ１５を繰り返した。
以下の反応物質を用いた。
【０１６３】
【表２４】
2004522718.tif 000046
【０１６４】
結果をTable 14 に示す。
【０１６５】
【表２５】
2004522718.tif 000047
【０１６６】
配位子１（TT-CB4）で、ルテニウム及びイリジウムに対して得られた結果には著しい差異がある。一般的に、ルテニウム系は、より高い光学的対掌体過剰率及びより低い反応速度を呈し、一方、イリジウム系は、より高い反応速度及びより低い光学的対掌体過剰率を呈する。しかし、イリジウムと配位子２との組合せは、最も成功裡であることが証明された。反応は、高い立体選択性で迅速に進行する傾向にある。総ての系に対して、電子欠乏ケトンはより迅速に還元された。これは、３−トリフルオロメチルアセトフェノンと４−メトキシアセトフェノンの還元の結果を比較することにより最もよく説明される。さらに、予想されたように、オルソ位基を有する基質は、より低い反応性及び光学的対掌体過剰率を呈した。
［実施例ＴＨ１７］
水濃度の増加の効果を決定するために、（ｉ）３４％水及び（ｉｉ）５１％水を含む２−プロパノール−水混合物を用いて、実施例ＴＨ１４及びＴＨ１５の手順を繰り返した。反応溶媒の全体的な容積には、変化がなかった。
【０１６７】
以下の反応物質を用いた。
【０１６８】
【表２６】
2004522718.tif 000048
【０１６９】
結果をTable 15に示す。
【０１７０】
【表２７】
2004522718.tif 000049
【０１７１】
Table 3  （ｉ）３４％水及び（ｉｉ）５１％水含有イリジウム系
Table 15に示す結果は、２−プロパノールのより低い濃度に関して予想された速度減少が観察されなかった点で驚きである。代わりに、顕著な速度増加が（ｉ）３４％水系及び（ｉｉ）５１％水系の両者に確認された。これに加えて、イリジウム−配位子１系は、水濃度が１５％から３４％に増加した場合に、光学的対掌体過剰率に大きな増加がみられた（Table 13に示した結果Ｆを参照）。
［実施例ＬＳ１８］
本実施例は、さらなる配位子
【０１７２】
【化２２】
2004522718.tif 000050
【０１７３】
の合成を示す。
［実施例ＴＨ１９］
ビス−３，５−トリフルオロメチルアセトフェノン（１．３２ｇ、５．１６mmol）、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ロジウム(III)ダイマー（７．４mg、１１．９７μmol）、ナトリウム（１Ｓ，２Ｓ）４−（２−アミノ−１，２−ジフェニル−エチルサルファモイル）−ベンゼンスルホネート（１１．２mg、２５．９２μmol）及びテトラヒドロフラン２．５mlを２５mlフラスコに装填して、窒素でフラッシュした。水（１２μl、０．６６mmol）をシリンジにより添加して、混合物を２０分間、撹拌した。トリエチルアミン及びギ酸の２：５モル比混合物を２時間かけて、１．５ml/hの速度で反応系に添加した。このとき、総てのケトンはアルコールに変換されており、光学的純度は８１％eeと測定された。反応系を真空蒸留により濃縮して、サンプルＡをロジウム分析のために採取した。濃縮するために、トルエン３ml及び水５mlを添加して、水相を分離し、有機相を１mlの３種の部分Ｂ、Ｃ、Ｄに分けた。各部分について、水１．６mlを添加した。サンプルＢを乾燥するまで濃縮した。サンプルＣに、Amberlite（商標）IRA-93を１００mg添加して、混合物を２時間、撹拌し、濾過し、濃縮鎖された濾液を乾燥させた。サンプルＤに、Dowex（商標）1x8-50を添加し、混合物を２時間、撹拌し、濾過し、濃縮された濾液を乾燥させた。サンプルＢ中にて、濃縮された濾液は暗い紫色であったが、サンプルＣ及びＤでは明るいピンクであった。
【０１７４】
サンプルについて、ICPMSによりロジウムの分析を行い、下記の結果を得た。
【０１７５】
【表２８】
2004522718.tif 000051
【０１７６】
サンプルＣ及びＤとサンプルＢとの分析結果を比較すると、反応混合物をイオン交換樹脂で処理することは、反応混合物から触媒を分離するために効果的であることがわかる。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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