(57)【要約】【課題】  製造コストを低減し小型化を図るとともに、信頼性、量産性を向上させる。【解決手段】  基板１０６側と電気的に接続するための周辺ＩＣ２１４と、光信号を受信する受光部と光信号を発信する発光部の少なくとも１つをなす回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１を有する光電素子２１２と、基板１０６と略平行に延び光電素子２１２と光学的に接続される光ファイバ２０２と、を備え、光電素子２１２は、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１が光ファイバ２０２の延在方向に対して略垂直となるよう配されるとともに、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１と光モジュール端子２１０とを電気的に接続するための配線２１２ｂが形成されたフィルムにより、素子本体における回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１から周辺ＩＣ２１４側へわたって被覆される。【選択図】  図３
2007057972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられる光モジュールであって、
前記基板と電気的に接続される半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続され、光信号を受信する受光部と光信号を発信する発光部のうち、少なくとも１つをなす回路面を有する光電素子と、
前記基板と略平行に延び前記光電素子と光学的に接続される光ファイバと、を備え、
前記光電素子は、前記回路面が前記光ファイバの延在方向に対して略垂直となるよう配されるとともに、前記回路面と前記半導体素子とを電気的に接続するための配線が形成された被覆部材により、前記光電素子の本体が該回路面から前記半導体素子側へわたって被覆されることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記光電素子は、端面にて前記半導体素子と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記光電素子は、チップ状に形成され、前記基板に対して略垂直に配されることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記半導体素子は、チップ状に形成されるとともに前記光電素子と略垂直に配され、前記光電素子のレシーバとドライバのうち、少なくとも１つをなすことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記半導体素子と前記基板との間に介在するソケットを備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電素子と光ファイバとを光学的に接続する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年におけるＬＳＩ等のデバイスの高速化はめざましい進展をとげている。特に、ＣＭＯＳにおいても約１０年前は不可能とされていた１ＧＨｚ品が実用化され、最先端のものとなると１０ＧＨｚ品が実用化されつつある。このような状況下で、インタコネクションを従来のマザーボード配線のみによる実装方法や電気ケーブルコネクタでマザーボード間の接続を行う電気的な方法では「信号品質」を保証することに限界がある。これは、インタコネクションに関する技術者の一般的認識となっている。
【０００３】
この課題を解決する手段として、電気インタコネクションを光インタコネクションに置き換えることが待望されている。しかし、数ｋｍ〜数１００ｋｍの情報伝送を対象とする従来のネットワーク基幹系の光伝送技術を「光インタコネクション」に適用することは、サイズ、コスト、消費電力等の面で現実的でなく、インタコネクションの分野においては実用的価値が無いに等しい。
【０００４】
このような事情から、高速信号は実装ボードを介さずにＬＳＩパッケージのインタポーザ内にのみ限定し、電気配線長を短くして、インタポーザ内で光信号に変換、外部入出力とすることなどが検討されている。しかしながら、例えば、コネクタを用いる方式や、光モジュールをはんだ付けする方式など、いずれの方法もコストの面で問題が多かった。
【０００５】
電気インタコネクションを光インタコネクションに置き換えるべく提案された光モジュールとして、特許文献１に記載された光モジュールが知られている。図１２（ａ）、（ｂ）は、特許文献１に記載の光モジュールの概略構成説明図である。図１２（ａ）に示すように、この光モジュールは、光ファイバ３０８を有し、光信号を送受信する光素子を内蔵し、光素子に電気的に接続された接続ピン３０９を有する。そして、図１２（ｂ）に示すように、インタポーザ３０２と光モジュール３０７とは、接続ピン３０９とジャック３１０の機械的接触により電気接続されている。
【０００６】
また、小型化と低コスト化を目的とした光モジュールが特許文献２に開示されている。図１３は特許文献２に記載の光モジュールの概略構成を示す斜視図、図１４は光モジュールの概略構成を示す断面図である。特許文献２に記載された光モジュールは、図１３に示すように、半導体素子４１１（図１３中、不図示）が搭載される支持基板４１０の主面４１０−１上に電気配線４１２と素子搭載用の電極パターン４１３とを有し、主面４１０−１の端部に凹部４１４が形成され、電気配線４１２が凹部４１４の傾斜面４１５上まで延在して形成されている。さらに、図１４に示すように、電極パターン４１３上にはんだや銀ペーストにより受光領域４１１−１を有する半導体素子４１１を搭載し、光伝送路４３０の光導波路の中心軸と受光領域４１１−１の中心軸が一致するように配置されている。このような構成であれば、はんだ材４２２により電気配線４１２と外部接続配線４２１とを接触する際、はんだ材４２２が隣の配線と短絡事故を起こす確率を大幅に減らすとされている。また、特段の調整を必要とせずに接続が完了するので、スループットを上げ低コストで実現可能とされている。
【特許文献１】特開２００４−２５３４５６号公報
【特許文献２】特開２００５−４４９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の光モジュールは、光電変換の具体的構造が開示されていない。
また、特許文献２に記載の光モジュールは、支持基板４１０を縦に配置してそのエッジ部分で基板に接続するため電気的接続部分が点接続に近くなり、信頼性の確保が困難であるという問題点もある。さらに、支持基板４１０上の主面４１０−１と傾斜面４１５との角度が９０度よりも大きいとはいえ、電気配線４１２が略平坦な主面４１０−１と傾斜面４１５をまたいで形成されていることから、主面４１０−１と傾斜面４１５の境界部分で断線が生じやすいという問題点がある。
さらに、半導体素子４１１が露出していることから、半導体素子４１１の回路面に塵埃等が侵入してしまうという問題がある。これを防止するため、半導体素子４１１の表面に樹脂コートを形成することが考えられるが、樹脂コート自体に含まれる不純物や樹脂コートの表面の凹凸状態により、光信号の送受に支障をきたすおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、基板上に設けられる光モジュールであって、前記基板と電気的に接続される半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続され、光信号を受信する受光部と光信号を発信する発光部のうち、少なくとも１つをなす回路面を有する光電素子と、前記基板と略平行に延び前記光電素子と光学的に接続される光ファイバと、を備え、前記光電素子は、前記回路面が前記光ファイバの延在方向に対して略垂直となるよう配されるとともに、前記回路面と前記半導体素子とを電気的に接続するための配線が形成された被覆部材により、前記光電素子の本体が該回路面から前記半導体素子側へわたって被覆されることを特徴とする光モジュールが提供される。
【０００９】
この光モジュールによれば、光電素子の表面に沿うように回路面から半導体素子側まで配線を形成したので、光電素子と半導体素子側とで安定的な電気的接続が可能となる。従って、光電素子を搭載する支持基板が不要となり、支持基板自体に配線を形成するもののように、モジュールの下部まで無理に配線をひきまわすことにより、配線に応力集中部分が生じて断線等のおそれが生じるようなことはなく、電気的な信頼性が飛躍的に向上する。また、例えば、光電素子の配線に、シグナル配線とともにグランド配線を造り込むことにより、インピーダンス整合を簡単容易に行うことができ、従来のワイヤボンディングのようなシグナル配線の単線の配線に比べて、飛躍的に信号品質を向上させることができる。
また、ベアチップをワイヤボンディングで基板側と接続するものに比べ、配線部分の信頼性が向上する。さらに、光電素子を配線部分まで含めたパッケージ品として取り扱うことができ、ＫＧＤ(Known Good Die)でのデリバリが可能となり、組立時に良品を適用することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光モジュールによれば、モジュールの製造コストを低減し小型化を図ることができるし、信頼性、量産性をも格段に向上させることができ、実用に際して極めて有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図面を参照しつつ、本発明の光モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。尚、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１２】
図１は本発明の一実施形態を示し、光モジュールを用いてモジュール基板同士を接続したマザーボードの概略説明図である。
図１に示すように、マザーボード１００には、それぞれ高速回路部としてのＬＳＩ１０２，１０４が搭載された２つのモジュール基板１０６，１０８が接続されている。各モジュール基板１０６，１０８の下部には、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡという）１１０が形成され、マザーボード１００に形成された信号配線１１２、電源配線１１４等に電気的に接続される。尚、電源配線１１４はグランド配線であってもよい。各モジュール基板１０６，１０８には、それぞれ光モジュール２００が搭載され、各光モジュール２００は相互に光信号を送受する光ファイバアレイ２０２（図１中、符号不図示）を有する。以下、本発明の特徴構成である光モジュール２００について、２つのモジュール基板１０６，１０８のうち、一方のモジュール基板１０６側について説明していく。なお、一方のモジュール基板１０６側と、他方のモジュール基板１０８側の光モジュール２００の違いは、光ファイバの取り出し方向及びこれに関連した各部材の配置位置であるので、重複を避けるべく一方を説明する。
【００１３】
図２は光モジュールの外観斜視図である。
図２に示すように、光モジュール２００は、ハウジング２０４により能動素子としての光電素子２１２（図２において不図示）及び周辺ＩＣ２１４（図２において不図示）が覆われ、いわゆるアクティブコネクタとして機能する。また、ハウジング２０４とモジュール基板１０６との間には、ハウジング２０４に対して着脱自在のソケット２０８が介在している。
なお、「光電素子」は、一般には光信号を電気信号に変換する素子つまり光−電気変換素子と、電気信号を光信号に変換する素子つまり電気−光変換素子との総称として用いられることが多い。本明細書においても、「光電素子」というときは、特に断りがない場合には、両者の総称として用いることとする。従って、単に「光電素子」という場合は、上記のいずれか１つ又は双方をいう。
【００１４】
図３は、図２の光モジュールをＡ−Ａ方向に切断した場合の光モジュールの一部分解縦断面図であり、ソケット等との関係を示す図である。
図３に示すように、光モジュール２００は、モジュール基板１０６と電気的に接続される半導体素子としての周辺ＩＣ２１４と、周辺ＩＣ２１４と電気的に接続され光信号を受信する受光部と光信号を発信する発光部のうち、少なくとも１つをなす回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１を有する光電素子２１２と、モジュール基板１０６と略平行に延び光電素子２１２と光学的に接続される光ファイバアレイ２０２と、を備えている。
【００１５】
図４は、図２において、光モジュールをＢ−Ｂ断面で切断し、切断面を上方から見た光モジュールの断面図である。ここで、図４は、説明のため、ハウジングの本体部分の断面を図示していない。
図４に示すように、光電素子２１２は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）２１２ｄとＰＩＮ−ＰＤ（ＰＩＮ型フォトダイオード）２１２ｅの両方の素子からなる。本実施形態においては、光電素子２１２は、発光素子である一のＶＣＳＥＬ２１２ｄと、受光素子である一のＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅから構成されている。そして、受光素子または発光素子ごとに回路面が形成されていることから、２以上の受光素子または発光素子を有する場合は、光電素子は２以上の回路面を有することとなる。本実施形態においては、光電素子２１２は、ＶＣＳＥＬ２１２ｄの回路面２１２ｄ１と、ＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅの回路面２１２ｅ１と、を有する。ＶＣＳＥＬ２１２ｄは電気信号を光信号として発信する機能を有し、この回路面２１２ｄ１が発光部をなす。また、ＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅは光信号を受信して電気信号とする機能を有し、回路面２１２ｅ１が受光部をなす。図４に示すように、ＶＣＳＥＬ２１２ｄとＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅは水平な方向に並設されている。チップ状の光電素子２１２は、その側部にて周辺ＩＣ２１４に立設され、モジュール基板１０６に対して略垂直に配される。
【００１６】
図３に示すように、光モジュール２００の周辺ＩＣ２１４は、チップ状に形成されてモジュール基板１０６に対して略平行で、光電素子２１２に対して略垂直に配され、レシーバとドライバの両方をなす。図４に示すように、周辺ＩＣ２１４は、光電素子２１２のＶＣＳＥＬ２１２ｄの下方にてドライバ２１４ｄをなし、光電素子２１２のＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅの下方にてレシーバ２１４ｅをなす。
【００１７】
図３に示すように、光電素子２１２は、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１が光ファイバアレイ２０２の延在方向に対して略垂直となるよう配されるとともに、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１と周辺ＩＣ２１４とを電気的に接続するための配線２１２ｂが形成されたポリイミドを主成分とするフレキシブルフィルム２１６により、素子本体２１８が回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１から周辺ＩＣ２１４側へわたって被覆されている。そして、光電素子２１２の下部（端面２１２ｃ）で周辺ＩＣ２１４に接続される。
【００１８】
ここで、光電素子２１２の製造方法について説明する。図５（ａ）は組立前の光電素子の断面説明図、図５（ｂ）は組立後の光電素子の断面説明図である。
図５（ａ）に示すように、銅からなる配線２１２ｂが内側に設けられた平坦な被覆部材としてのフレキシブルフィルム２１６の一面に光電素子２１２のＩＣからなる素子本体２１８へ接続するための穴２２０を形成し、他面に外部端子２３０実装用の穴２２２を形成する。ここで、配線２１２ｂは、シグナル配線とグランド配線の両方が形成される。図５（ａ）に示すように、配線２１２ｂは、素子本体２１８は、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１の形成部位の真上に位置しないよう形成される。これにより、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１における受光または発光が阻害されることはない。図５（ａ）においては、配線２１２ｂは、後述するバンプ２２８間には形成されておらず、回路面２１２ｄ１の真上（図中真下）にて所定方向（図５中奥行き方向）にわたって切り欠かれた断面形状となっている。そして、これらの穴２２０，２２２に、配線２１２ｂと電気的に接続される電極２２４，２２６を造り込む。電極２２４，２２６は、例えば、Ｎｉ下地のＡｕであっても、はんだ材により構成してもよく、材質等は任意に選択することができる。
【００１９】
そして、素子本体２１８にバンプ２２８を実装して、フレキシブルフィルム２１６の一面に形成された穴２２０の電極２２４と接続する。この接続は、例えば、圧着を行うことにより実現される。ここで、バンプ２２８は、例えばＡｕにより構成され、材質等は任意に選択することができる。
【００２０】
この状態から、図５（ｂ）に示すように、フレキシブルフィルム２１６を加熱して軟化させ素子本体２１８に沿って曲成し、素子本体２１８に熱圧着することによりＣＳＰ（chip_size_package）が完成する。本実施形態においては、フレキシブルフィルム２１６は、ポリイミドを主成分とした樹脂からなり、約２００℃で軟化して接着可能となる性質を有している。ここで、図５（ｂ）には、外部端子２３０が素子本体２１８の側面側に形成されたものを示している。本実施形態においては、外部端子２３０はＢＧＡで構成されている。そして、光電素子２１２は、図３に示すように、この外部端子２３０が下側となるようハウジング２０４内に配される。
【００２１】
このように、光電素子２１２は、素子本体２１８の周りに配線２１２ｂのパターンを包含したフレキシブルフィルム２１６を密着させており、この結果、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１の入出力端子を回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１以外に形成することができる。ここで、光電素子２１２のフレキシブルフィルム２１６は光透過の材料からなり、光信号の送受に支障をきたすようなことはない。これにより、ベアチップをワイヤボンディングで基板側と接続するものに比べ、配線２１２ｂ部分の信頼性が向上する。さらに、光電素子２１２を配線２１２ｂ部分まで含めたパッケージ品として取り扱うことができ、ＫＧＤ(Known Good Die)でのデリバリが可能となり、組立時に良品を適用することができる。これにより、製品の歩留まりが向上する。また、光電素子２１２の配線２１２ｂ部分に、シグナル配線とともにグランド配線が造り込まれるので、インピーダンス整合を簡単容易に行うことができ、従来のワイヤボンディングのようなシグナル配線の単線の配線に比べて、飛躍的に信号品質を向上させることができる。
【００２２】
また、本実施形態においては、周辺ＩＣ２１４についても光電素子２１２と同様の方法で製造される。図６は、周辺ＩＣの断面説明図である。図６に示すように、周辺ＩＣ２１４については、素子本体２１８の側部ではなく、チップ状の素子本体２１８の両面に外部端子２３０が形成される。周辺ＩＣ２１４の一面の外部端子２３０が光電素子２１２の外部端子２３０と接続され、他面の外部端子２３０が光モジュール端子２１０が形成されたインタポーザ２３２に接続される。そして、光電素子２１２及び周辺ＩＣ２１４の外部端子２３０をＢＧＡにより構成したことから、これらはリフローで一括して接続することが可能となる。
【００２３】
次いで、ハウジング２０４への光ファイバアレイ２０２の実装について説明する。尚、本実施形態においては、１２本の光ファイバが整列して光ファイバアレイ２０２を構成している。図３に示すように、光ファイバアレイ２０２は、ハウジング２０４の図示しないＶ溝にセットされた後、アレイ固定ピース２３４で固定される。ここで、位置ずれ制御の方法として、ガイドピン方式が用いられている。
【００２４】
以上のように構成された光モジュール２００では、トランスミッタとして機能する場合は、モジュール基板１０６における高速または超高速の電気信号の出力は、ソケット２０８、光モジュール端子２１０、インタポーザ２３２、周辺ＩＣ２１４、光電素子２１２の順に伝達される。そして、光電素子２１２にて電気信号を光信号に変換した後、光ファイバアレイ２０２に光信号が出力される。
【００２５】
また、レシーバとして機能する場合は、光ファイバアレイ２０２から受信した光信号は、光電素子２１２にて電気信号に変換される。そして、光電素子２１２の電気信号の出力は、周辺ＩＣ２１４、インタポーザ２３２、光モジュール端子２１０、ソケット２０８、モジュール基板１０６の順に伝達される。本実施形態においては、光電素子２１２としてＰＩＮ−ＰＤ２１４ｅを有するものが用いられ、周辺ＩＣ２１４としてプリアンプのレシーバ２１４ｅを有するものが用いられる。
【００２６】
本実施形態の光モジュール２００によれば、光電素子２１２の回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１と光ファイバアレイ２０２とが略垂直であるので、この両者間の距離を近接させることができ、両者で光信号を送受するためのレンズ等の光学部材は不要となる。これにより、部品点数を削減するととともに、組立工程や検査工程における工程数を減じることができ、レンズ等の光学部材を有するものに比較して飛躍的に製造コストを低減することができる。また、光学部材を省略することにより、モジュールの小型化を図ることができる。
【００２７】
より具体的に説明すると、従来、光送信デバイスとして一般に長距離通信に用いられる端面発光のレーザダイオードとＳＭファイバの構成では出射光の放射角が比較的大きく、例えば損失として０．５ｄＢ以下を想定される場合に、光軸の許容位置ずれ量は約１μｍ以内である。これに加え、光ファイバを回路面に十分に近接させることができないために、レンズの使用は必須となっていた。
本実施形態においては、出射光が円形で且つ放射角が比較的小さいＶＣＳＥＬを採用して、光ファイバとしてＭＭファイバとの組合せにより光軸の許容位置ずれ量は約５μｍ以内に緩和されている。そして、光ファイバアレイ２０２を回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１に十分に近接させることにより、レンズが不要となっている。
【００２８】
この光モジュール２００では、光電素子２１２の表面に沿うように回路面２１２ｄ１（２１２ｅ１）から周辺ＩＣ２１４側の端面２１２ｃまで配線を形成したので、光電素子２１２と周辺ＩＣ２１４とで安定的な電気的接続が可能となる。これにより、光電素子２１２を搭載する支持基板が不要となり、支持基板自体に配線を形成するもののように、モジュールの下部まで無理に配線をひきまわすことにより、配線に応力集中部分が生じて断線等のおそれが生じるようなことはなく、電気的な信頼性が飛躍的に向上する。
【００２９】
また、本実施形態の光モジュール２００によれば、フレキシブルフィルム２１６により配線２１２ｂ，２１４ｂが覆われているので、配線２１２ｂ，２１４ｂの機械的保護を的確に行うことができる。また、機械的保護に加え、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１への塵埃の侵入を阻止することができ、仮にフレキシブルフィルム２１６の表面に塵埃が付着したとしても、簡単容易に取り除くことができる。さらに、フレキシブルフィルム２１６に不純物が混入しているおそれはないし、素子本体２１８に沿って平坦に接着されるのでフレキシブルフィルム２１６の表面に凹凸が形成されることはなく、光信号の送受に好適である。
【００３０】
また、本実施形態の光モジュール２００によれば、配線２１２ｂの長さを従来のものに比べて短くすることができるので、配線２１２ｂをモデル化して信号品質に関してシミュレーションする場合に、モデルを小さくすることができるので、計算が比較的容易となる。
さらにまた、従来技術では、ワイヤがシグナル配線の単線であるので、インピーダンス整合のためにアース構造を設けなければならず、これによってもモジュールが大型となるし、インピーダンス整合を簡単容易にとることができない。本実施形態では、このような問題も解消している。
【００３１】
また、本実施形態の光モジュール２００によれば、モジュール基板１０６内で高速信号を処理するので、ＬＳＩ１０２はシリアル・パラレル変換等をすることなく使用でき、ゲート使用率を高めることができる。また、ＬＳＩ１０２の端子数を少なくすることができ、モジュール側の基板の低層化を実現して、コストの低減を図ることができる。
【００３２】
また、本実施形態によれば、光モジュール２００をマザーボード１００に対して挿抜自在としたので、電気伝送や光伝送の技術的知識がない者であっても、簡単容易にデバイス間等のインタコネクションを構成することができる。
【００３３】
また、本実施形態によれば、高速の信号がマザーボード１００から分離されているので、低速と高速の信号が混在した場合に比べて、動作不良時の原因追及が容易である。また、仮に再作成の必要がある場合であっても、マザーボード１００側と光モジュール２００側のいずれかを作成すればよいので、品質、コスト、納期等の面で有利である。さらに、従来はマザーボード１００に形成していた配線に起因する不要放射電波の問題は、モジュール化による小型化と光インターフェースの組合せにより解消する。ここで、約１０ＧＨｚの信号であっても、約５ｃｍ以下のモジュール基板１０６のサイズとすることにより、信号品質が保証されることが実験的に確認されている。
【００３４】
以上総括すると、本実施形態によれば、モジュールの製造コストを低減し小型化を図ることができるし、信頼性、量産性をも格段に向上させることができ、実用に際して極めて有利である。
【００３５】
尚、前記実施形態においては、光電素子２１２がＶＣＳＥＬ２１２ｄ及びＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅからなるものを示したが、図７に示すように、いれずか一方からなるものであってもよい。図７は前記実施形態の変形例を示すものであり、（ａ）は光電素子２１２がＶＣＳＥＬ２１２ｄのみからなるものを示し、（ｂ）は光電素子２１２がＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅのみからなるものを示している。また、周辺ＩＣ２１４についても、図７（ａ）に示すように光電素子２１２がＶＣＳＥＬ２１２ｄである場合はドライバ２１４ｄとしてのみ機能すればよいし、図７（ｂ）に示すように光電素子２１２がＰＩＮ−ＰＤ２１２ｅである場合はレシーバ２１４ｅとしてのみ機能すればよい。すなわち、周辺ＩＣ２１４は、レシーバ２１４ｅとドライバ２１４ｄのうち少なくとも１つをなせばよい。ここで、図７においては、４本の光ファイバが整列した光ファイバアレイ２０２を示す。このように、光ファイバアレイにおける光ファイバの本数は仕様等に応じて適宜に変更可能であるし、光ファイバが１本であってもよいことは勿論である。
【００３６】
また、前記実施形態においては、銅からなる配線２１２ｂを内包するフレキシブルフィルム２１６を曲成させるものを示したが、配線２１２ｂが表面に形成されたフレキシブルフィルム２１６を曲成するようにしてもよい。また、前記実施形態においては、配線２１２ｂが単層であるものを示したが、配線２１２ｂが多層であるものであってもよい。要は、回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１と光モジュール端子２１０とを電気的に接続するための配線が形成されたフィルム２１６により、素子本体２１８における回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１から周辺ＩＣ２１４側へわたって表面が被覆されていればよい。
【００３７】
また、前記実施形態においては、素子本体２１８のみをフレキシブルフィルム２１６により被覆するものを示したが、例えば、図８に示すように、素子本体２１８における回路面２１２ｄ１，２１２ｅ１の反対側に回路機能を有さないダミーチップ２３６を隣接して配し、これを素子本体２１８とともにフレキシブルフィルム２１６により被覆するようにしてもよい。これにより、光電素子２１２の剛性及び強度を向上させることができ、モジュール基板１０６や周辺ＩＣ２１４の反りやうねり等に対応することができる。また、光電素子２１２を厚さ方向に大きく形成することができるので、周辺ＩＣ２１４へ安定的に組み付けることができる。
【００３８】
さらに、例えば、図９に示すように、ダミーチップ２３６でなくヒートシンク２３８を素子本体２１８と隣接して配してもよい。これにより、素子本体２１８の内部で生じた熱をヒートシンク２３８を介して放熱することができる。従って、光モジュール２００の雰囲気温度が比較的高い場合や、素子本体２１８の発熱量が比較的大きい場合に、光電素子２１２を効果的に冷却することができる。
【００３９】
また、前記実施形態においては、光電素子２１２のフレキシブルフィルム２１６が光透過の材料からなるものを示したが、フレキシブルフィルム２１６における光信号の光路に孔部を形成するようにすれば、フレキシブルフィルム２１６を光透過の材料とする必要はない。
【００４０】
さらに、前記実施形態においては、配線２１２ｂが回路面２１２ｄ１（２１２ｅ１）の真上にて所定方向にわたって切り欠かれたものを示したが、例えば図１０に示すように、回路面２１２ｄ１（２１２ｅ１）における光信号の送受を阻害しない箇所については配線２１２ｂの層を形成しておいても何ら支障をきたすことはない。すなわち、配線２１２ｂの層は、光電素子２１２に要求される平行度、強度等に応じて形状等を適宜変更することができる。この場合、光電素子２１２のフレキシブルフィルム２１６の厚さを均一にすることができるし、配線２１２ｂにより剛性が増すことから製造等においても有利である。
【００４１】
また、前記実施形態においては、周辺ＩＣ２１４がチップ状に形成され光電素子２１２と略垂直に配されるものを示したが、周辺ＩＣ２１４等の構成は任意である。例えば、図１１に示すように、光電素子２１２及び周辺ＩＣ２１４をともに縦型として略平行に配して互いに重ね合わせる形状としてもよい。
【００４２】
また、前記実施形態においては、被覆部材としてポリイミドからなるフレキシブルフィルム２１６を用いたものを示したが、被覆部材が他の樹脂等であったり、例えばセラミック等の無機材料と樹脂のコンパウンドなどであっても良いことは勿論である。
【００４３】
また、光モジュール端子２１０がソケット２０８を介してモジュール基板１０６と接続されるものを示したが、光モジュール端子２１０が直接的にモジュール基板１０６に接続される構成としてもよいし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態を示すものであって、光モジュールを用いてモジュール基板同士を接続したマザーボードの概略説明図である。
【図２】光モジュールの外観斜視図である。
【図３】図２の光モジュールをＡ−Ａ方向に切断した場合の光モジュールの一部分解縦断面図であり、ソケット等との関係を示す図である。
【図４】図２において、光モジュールをＢ−Ｂ断面で切断し、切断面を上方から見た光モジュールの断面図である。
【図５】光電素子の断面説明図であって、（ａ）は組立前のものを示し、（ｂ）は組立後のものを示す。
【図６】周辺ＩＣの断面説明図である。
【図７】変形例を示す光モジュールの横断面図であって、（ａ）は光電素子が発光部をなすものを示し、（ｂ）は光電素子が受光部をなすものを示す。
【図８】変形例を示す光電素子の縦断面説明図である。
【図９】変形例を示す光モジュールの横断面図である。
【図１０】変形例を示す光電素子の断面説明図である。
【図１１】変形例を示す光モジュールの一部分解縦断面図である。
【図１２】従来の光モジュールの概略構成説明図であって、（ａ）は接続ピンとジャックが離隔した状態を示し、（ｂ）は接続ピンとジャックが接触している状態を示す。
【図１３】従来の光モジュールの概略構成を示す斜視図である。
【図１４】従来の光モジュールの概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００    マザーボード
１０６    モジュール基板
１０８    モジュール基板
１１２    信号配線
１１４    電源配線
２００    光モジュール
２０２    光ファイバアレイ
２０４    ハウジング
２０８    ソケット
２１０    光モジュール端子
２１２    光電素子
２１２ｂ    配線
２１２ｃ    端面
２１２ｄ    ＶＣＳＥＬ
２１２ｄ１    回路面
２１２ｅ    ＰＩＮ−ＰＤ
２１２ｅ１    回路面
２１４    周辺ＩＣ
２１４ｂ    配線
２１６    フレキシブルフィルム
２１８    素子本体
２２０    穴
２２２    穴
２２４    電極
２２６    電極
２２８    バンプ
２３０    外部端子
２３２    インタポーザ
２３４    アレイ固定ピース
２３６    ダミーチップ
２３８    ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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