(57)【要約】【課題】薄型化が可能な電子基板の製造方法を提供する。【解決手段】電極１１２を備えた電子部品１１０を、孔１２２が形成された基体１２０の裏面側に装着し、孔１２２を通して基体１２０の表面側に電極１１２を露出させる工程と、孔１２２を通って電極１１２と基体１２０の表面側とを結ぶ配線１３０を形成する工程とを有する。電極１１２の表面には、酸化されにくい貴金属材料からなるバンプ電極１１５が形成されている。配線１３０を形成する工程は、液滴吐出法または印刷法を用いて行う。【選択図】図１
2007149738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続用の電極を備えた電子部品を、孔が形成された基体の一方面側に装着し、前記孔を通して前記基体の他方面側に前記電極を露出させる工程と、
前記孔を通って前記電極と前記基体の他方面側とを結ぶ配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項２】
外部接続用の電極を備えた電子部品を、基体の一方面側に装着する工程と、
前記基体の他方面側から前記電極にかけて孔を形成し、前記孔を通して前記基体の他方面側に前記電極を露出させる工程と、
前記孔を通って前記電極と前記基体の他方面側とを結ぶ配線を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項３】
前記電極の表面は、貴金属材料で覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子基板の製造方法。
【請求項４】
前記電子部品を前記基体に装着する工程では、前記電子部品を前記基体に対して熱圧着することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線を形成する工程は、液滴吐出法または印刷法を用いて行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線を形成する工程は、前記電極の表面に存在する酸化膜を除去した後に行うことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項７】
前記孔の内部には、１個の前記電極のみを配置することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項８】
前記孔の内部には、複数個の前記電極を配置することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項９】
前記電極の高さを、前記基体の厚さより低く形成することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項１０】
前記電極の高さを、前記基体の厚さより高く形成することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項１１】
前記配線を形成する工程では、前記電極と前記基体の他方面側に予め形成された既設配線とを結ぶ前記配線を形成することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項１２】
孔が形成された基体と、
前記基体の一方面側に装着され、外部接続用の電極を備えた電子部品と、
前記孔を通って前記電極と前記基体の他方面側とを結ぶ配線と、
を有することを特徴とする電子基板。
【請求項１３】
前記孔の内部には、１個の前記電極のみが配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の電子基板。
【請求項１４】
前記孔の内部には、複数個の前記電極が配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の電子基板。
【請求項１５】
前記電極の高さが、前記基体の厚さより低くなっていることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の電子基板。
【請求項１６】
前記電極の高さが、前記基体の厚さより高くなっていることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の電子基板。
【請求項１７】
前記配線は、前記電極と前記基体の他方面側に予め形成された既設配線とを結ぶように形成されていることを特徴とする請求項１２ないし請求項１６のいずれか１項に記載の電子基板。
【請求項１８】
前記基体の一方面側に、前記電子部品を覆う保護部材が装着されていることを特徴とする請求項１２ないし請求項１７のいずれか１項に記載の電子基板。
【請求項１９】
請求項１２ないし請求項１８のいずれか１項に記載の電子基板を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子基板の製造方法、電子基板および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子等が形成されたＩＣチップ等の電子部品を、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の配線基体上に実装する技術が提案されている。
電子部品の実装方法として、電子部品の能動面を基体側に向けて実装するフェースダウン実装が知られている。しかしながら、フェースダウン実装では、電子部品の電極構造に合わせた専用の基体を用意する必要があり、コストアップを招き易い。一方、電子部品の能動面を表側にして実装するフェースアップ実装では、ワイヤボンディングによって電子部品の電極と配線基体の配線パターンとを１本ずつ接続する必要があり、電極が狭ピッチ化した場合に対応できない。
【０００３】
そこで近時では、フェースアップ実装の変形例として、電子部品の表面の電極から基体上にかけて、配線を描画形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この技術は、電子部品の高さに合わせて基体に設けた穴内に電子部品を配置する工程と、電子部品上の電極から基体上にかけて配線パターンを形成する工程とを有している。
【特許文献１】特開２００５−１９１０２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では電子部品と同程度の厚さの基体が必要になり、電子基板の薄型化に限界があるという問題がある。そのため、より薄型化が可能な電子基板が求められている。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、薄型化が可能な電子基板、その製造方法、および電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る電子基板の製造方法は、外部接続用の電極を備えた電子部品を、孔が形成された基体の一方面側に装着し、前記孔を通して前記基体の他方面側に前記電極を露出させる工程と、前記孔を通って前記電極と前記基体の他方面側とを結ぶ配線を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、薄型の基体を採用することが可能になり、電子基板を薄型化することができる。
【０００６】
また本発明に係る他の電子基板の製造方法は、外部接続用の電極を備えた電子部品を、基体の一方面側に装着する工程と、前記基体の他方面側から前記電極にかけて孔を形成し、前記孔を通して前記基体の他方面側に前記電極を露出させる工程と、前記孔を通って前記電極と前記基体の他方面側とを結ぶ配線を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によっても、電子基板を薄型化することができる。また孔の形成と同時に、電極の表面に存在する酸化膜を除去することが可能になり、電極と配線との電気的接続を確保することができる。
【０００７】
また前記電極の表面は、貴金属材料で覆われていることが望ましい。
この構成によれば、電極の表面に酸化膜が形成されにくくなるので、電極と配線との電気的接続を確保することができる。
【０００８】
また前記電子部品を前記基体に装着する工程では、前記電子部品を前記基体に対して熱圧着することが望ましい。
この構成によれば、接着剤を用いることなく電子部品を基体に装着することができるので、電子基板を薄型化することができる。
【０００９】
また前記配線を形成する工程は、液滴吐出法または印刷法を用いて行うことが望ましい。
この構成によれば、配線を描画形成することができるので、フォトリソグラフィによるパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
【００１０】
前記配線を形成する工程は、前記電極の表面に存在する酸化膜を除去した後に行うことが望ましい。
この構成によれば、電極と配線との電気的接続を確保することができる。
【００１１】
また前記孔の内部には、１個の前記電極のみを配置してもよい。
この構成によれば、電極が基体によって隔離されるので、電極間のマイグレーションの発生を防止することが可能になり、電子基板の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また前記孔の内部には、複数個の前記電極を配置してもよい。
この構成によれば、微細な孔加工が不要になり、製造コストを低減することができる。
【００１３】
また前記電極の高さを、前記基体の厚さより低く形成してもよい。
この構成によれば、電極の形成による電子基板の厚肉化を抑制することができる。
【００１４】
また前記電極の高さを、前記基体の厚さより高く形成してもよい。
この構成によれば、電極と配線との接触面積を増加させることが可能になり、電子基板の電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
また前記配線を形成する工程では、前記電極と前記基体の他方面側に予め形成された既設配線とを結ぶ前記配線を形成してもよい。
この構成によれば、既設配線までが標準で形成されている基体を準備しておけるので、製造リードタイムを減少させることができる。
【００１６】
一方、本発明に係る電子基板は、孔が形成された基体と、前記基体の一方面側に装着され、外部接続用の電極を備えた電子部品と、前記孔を通って前記電極と前記基体の他方面側とを結ぶ配線と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、薄型の基体を採用することが可能になり、電子基板を薄型化することができる。
【００１７】
また前記孔の内部には、１個の前記電極のみが配置されていてもよい。
この構成によれば、電極が基体によって隔離されるので、電極間のマイグレーションの発生を防止することが可能になり、電子基板の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
また前記孔の内部には、複数個の前記電極が配置されていてもよい。
この構成によれば、微細な孔加工が不要になり、製造コストを低減することができる。
【００１９】
また前記電極の高さが、前記基体の厚さより低くなっていてもよい。
この構成によれば、電極の形成による電子基板の厚肉化を抑制することができる。
【００２０】
また前記電極の高さが、前記基体の厚さより高くなっていてもよい。
この構成によれば、電極と配線との接触面積を増加させることが可能になり、電子基板の電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００２１】
また前記配線を形成する工程では、前記電極と前記基体の他方面側に予め形成された既設配線とを結ぶ前記配線を形成してもよい。
この構成によれば、既設配線までが標準で形成されている基体を準備しておけるので、製造リードタイムを減少させることができる。
【００２２】
また前記基体の一方面側に、前記電子部品を覆う保護部材が装着されていることが望ましい。
この構成によれば、電子基板の機械的強度を向上させることが可能になり、信頼性を向上させることができる。
【００２３】
一方、本発明に係る電子機器は、上述した電子基板を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、薄型化が可能な電子基板を備えているので、薄型化・小型化が可能な電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２５】
（第１実施形態、電子基板）
図１は実施形態に係る電子基板の説明図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る電子基板１０１は、孔１２２が形成された基体１２０と、その基体１２０の裏面側（一方面側）に装着され、電極１１２を備えた電子部品１１０と、孔１２２を通って電極１１２と基体１２０の表面側（他方面側）とを結ぶ配線１３０と、を有するものである。
【００２６】
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る電子基板１０１は、基体１２０を備えている。この基体１２０は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やベークライト、エポキシ樹脂等の絶縁性材料により形成されている。その基体１２０には、複数の孔１２２が形成されている。この孔１２２は、後述する電子部品１１０の電極１１２の位置に対応して形成されている。すなわち、平面視（基体１２０の法線方向から見た場合）において電極１１２と重なるように、孔１２２が形成されている。
【００２７】
図１１は電極と孔との対応関係の説明図であり、電子部品１１０の装着領域における平面図である。図１１（ａ）に示すように、１個の孔１２２の内部に、１個の電極１１２のみが配置されていてもよい。この構成によれば、複数の電極１１２が基体によって隔離されるので、電極１１２間のマイグレーションの発生を防止することが可能になり、電子基板の信頼性を向上させることができる。また電極の形成領域のみにおいて、電子部品と配線とを接触させることが可能になる。これにより、電子部品の構成素子と配線とのカップリングを減少させることが可能になり、電子基板の電気的特性を向上させることができる。これとは逆に、図１１（ｂ）に示すように、１個の孔１２２の内部に、複数個の電極１１２が配置されていてもよい。この構成によれば、孔１２２の開口面積が大きくなるので、微細な孔加工が不要になり、製造コストを低減することができる。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように、基体１２０の裏面側には、電子部品１１０が装着されている。この電子部品１１０は、例えば厚さ３０〜５０μｍ程度のシリコン等からなる基体の能動面に、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）等の半導体素子が形成された、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路のベアチップである。なお電子部品１１０として、ベアチップを樹脂等で封止したパッケージチップを採用することも可能である。また電子部品１１０は、半導体素子の集積回路ではなく、単一の電子素子で構成されていてもよい。また電子部品１１０は、電気素子で構成されていてもよい。
【００２９】
この電子部品１１０の表面には、電子部品１１０を外部に対して電気的接続する電極１１２が設けられている。この電極１１２は、Ａｌ等からなる電極パッドおよびバンプ電極１１５で構成されている。このバンプ電極１１５は、導電性を有する金属材料で構成され、電解メッキ法や無電解メッキ法等により形成されている。金属材料の種類として、下層にはＴｉＷやＮｉＰ等を採用し、上層にはＡｕやＡｇ等の酸化されにくい貴金属材料を採用することが望ましい。
なおバンプ電極１１５を形成する代わりに、電極パッドの表面を、ＡｕやＡｇ等の貴金属材料またはＡｇペースト等の酸化されにくい物質で被覆してもよい。
【００３０】
図１２は、電極の高さと基体の厚さとの関係の説明図であり、図１のＡ−Ａ線に相当する部分における断面図である。図１２（ａ）に示すように、電子部品１１０の表面から電極１１２の先端までの高さが、基体１２０の厚さより低くなっていてもよい。この構成によれば、電極１１２の形成領域における電子基板１０１の厚肉化を抑制することができる。また図１２（ｂ）に示すように、バンプ電極を含む電極１１２の高さが、基体１２０の厚さより高くなっていてもよい。この構成によれば、電極１１２と配線１３０との接触面積を増加させることが可能になり、電子基板１０１の電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００３１】
図１（ｂ）に戻り、電子部品１１０は、基体１２０の裏面側に装着されている。電子部品１１０と基体１２０との間には、エポキシ等の熱可塑性樹脂からなるダイアタッチシートが配置され、両者がダイアタッチ（接着）されている。なお接着剤により両者が接着されていてもよい。またダイアタッチシートや接着剤等を介することなく、熱可塑性樹脂からなる基体１２０に対して電子部品１１０が熱圧着されていてもよい。
【００３２】
上述したように、基体１２０の孔１２２は、電子部品１１０の電極１１２の位置に合わせて形成されている。そのため電極１１２は、孔１２２を通して、基体１２０の表面側に露出しうるようになっている。また、電極１１２としてバンプ電極１１５が形成されている場合には、バンプ電極１１５が基体１２０の表面側に露出しうるようになっている。なお、孔１２２の内径をバンプ電極１１５の外径より大きく形成しておけば、バンプ電極１１５を孔１２２に対して簡単に挿入することができる。
【００３３】
一方、基体１２０の表面には、配線１３０が形成されている。この配線１３０は、銀や金、銅、アルミニウム、パラジウム、ニッケル等の導電性材料によって形成されている。配線１３０は、孔１２２を通って、電子部品１１０の電極１１２と、基体１２０の表面とを結ぶように形成されている。そして図１（ａ）に示すように、この配線１３０により、基体１２０の表面に配線パターンが形成されている。
以上により、配線パターンを備えた基体１２０に、電子部品１１０が実装されて、本実施形態に係る電子基板１０１が構成されている。
【００３４】
（電子基板の製造方法）
次に、本実施形態に係る電子基板の製造方法について説明する。本実施形態に係る電子基板の製造方法は、図１（ｂ）に示す電極１１２が形成された電子部品１１０を、孔１２２が形成された基体１２０の裏面（一方面）側に装着し、孔１２２を通して基体１２０の表面（他方面）側に電極１１２を露出させる工程と、孔１２２を通って電極１１２と基体１２０の表面（他方面）側とを結ぶ配線１３０を形成する工程と、を有するものである。
【００３５】
（バンプ電極の形成）
図２は、電子部品におけるバンプ電極の製造方法の説明図である。
まず図２（ａ）に示すように、バンプ電極を形成するためのマスク８０を形成する。そのマスク材料として、レジスト等を採用する。レジスト８０は、フォトレジストや電子線レジスト、Ｘ線レジスト等のいずれであってもよく、ポジ型またはネガ型のいずれであってもよいが、後述するメッキ液に対する耐性を有するものを使用する。このようなレジスト８０として、たとえばノボラック樹脂を使用することができる。
【００３６】
バンプ電極は電子部品１１０の能動面における電極パッド１１２ａ上に形成するので、マスク８０は電極パッド１１２ａの形成領域以外の領域に形成する。具体的には、まずレジスト８０を半導体素子の能動面全体に塗布する。レジスト８０の塗布は、スピンコート法やディッピング法、スプレーコート法などによって行うことができる。ここで、レジスト８０の厚さは、形成すべきバンプ電極の高さ以上に設定することが望ましい。なお、レジスト８０を塗布した後にプリベークを行う。
【００３７】
次に、形成すべきバンプ電極の平面形状をレジスト８０にパターニングする。具体的には、レジスト８０における電極パッド１１２ａの上方に、バンプ電極の平面形状に対応した開口部８２を形成する。なおバンプ電極の平面形状は、矩形や円形等のあらゆる形状とすることができる。レジスト８０のパターニングは、まず所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いてレジスト８０を露光し、さらに露光したレジスト８０を現像することによって行う。なお、レジスト８０のパターニング後にポストベークを行う。
【００３８】
以上には、フォトリソグラフィを用いてレジスト８０を形成する方法について説明したが、これ以外にも、例えばドライフィルムを用いることにより、またスクリーン印刷等の印刷法を用いることにより、パターニングされた状態でレジスト８０を形成することができる。また、インクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて、レジストの液滴をレジスト８０の形成位置のみに吐出することにより、パターニングされた状態でレジスト８０を形成してもよい。これらにより、フォトリソグラフィに使用するフォトマスクが不要となり、製造コストを削減することができる。
【００３９】
次に図２（ｂ）に示すように、レジスト８０をマスクとして、その開口部８２に導電材料を充填することにより、バンプ電極１１５を形成する。バンプ電極１１５は、下地をＮｉメッキやＴｉＷ等で形成し、上地をＡｕメッキ等で形成することが望ましい。特に、上地を酸化されにくい貴金属材料で形成することにより、後述する配線との電気的接続を確保することができる。なおメッキ法として、電解メッキ法または無電解メッキ法のいずれを採用することも可能である。そのうち電解メッキ法として、例えば電気化学プレーティング（ＥＣＰ）法等を用いることができる。また電解メッキ法における電極として、電子部品１１０の電極パッド１１２ａを用いることができる。
【００４０】
なお、メッキ法以外のＣＶＤ法やスパッタ法等を採用して導電材料を充填し、バンプ電極１１５を形成してもよい。またバンプ電極１１５を形成する代わりに、電極パッド１１２ａの表面を、ＡｕやＡｇ等の貴金属材料またはＡｇペースト等の酸化されにくい物質で被覆してもよい。
【００４１】
次に図２（ｃ）に示すように、レジストを除去する。レジストの除去は、レジスト剥離液に電子部品１１０を浸漬することによって行う。レジスト剥離液として、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドとを７：３の割合で混合した液体等を使用することが可能である。以上により、電子部品１１０の電極パッド１１２ａの表面にバンプ電極１１５が形成される。
【００４２】
（電子部品の装着工程）
次に、上述した電子部品を基体に装着する。
図３は、電子部品の装着方法の説明図である。まず図３（ａ）に示すように、基体１２０の裏面側にダイアタッチシート１１９を装着する。次に図３（ｂ）に示すように、基体１２０およびダイアタッチシート１１９を貫通する孔１２２を形成する。孔１２２の形成は、パンチングやレーザ、ドリル、エッチング等を用いて行うことが可能である。
【００４３】
次に図３（ｃ）に示すように、基体１２０の裏面側に電子部品１１０を装着する。具体的には、まず電子部品１１０のバンプ電極１１５を、基体１２０の孔１２２に挿入して、基体１２０の表面側に露出させる。次に、電子部品１１０および／または基体１２０を加熱しつつ、電子部品１１０の表面をダイアタッチシート１１９に押圧する。熱可塑性樹脂からなるダイアタッチシート１１９は、加熱によって溶融し、冷却によって再硬化する。これにより、電子部品１１０がダイアタッチシート１１９を介して基体１２０に接着される。
【００４４】
なおダイアタッチシート１１９を介することなく、熱可塑性樹脂からなる基体１２０に対して、電子部品１１０を熱圧着してもよい。これにより、電子基板をさらに薄型化することができる。
【００４５】
図４は、電子部品の装着方法の変形例の説明図である。この変形例は、孔１２２が形成されていない基体１２０の裏面側に電子部品１１０を装着する工程と、基体１２０の表面側から電極１１２にかけて孔１２２を形成し、その孔１２２を通して基体１２０の表面側に電極１１２を露出させる工程と、を有するものである。なお電子部品１１０の電極１１２の表面には、バンプ電極を形成していない。
【００４６】
まず図４（ａ）に示すように、電子部品１１０の表面にダイアタッチシート１１９を装着する。ダイアタッチシート１１９は、電子部品１１０の電極１１２を覆うように装着する。
次に図４（ｂ）に示すように、電子部品１１０および／または基体１２０を加熱しつつ、電子部品１１０に装着されたダイアタッチシート１１９を、基体１２０の裏面側に押し付ける。これにより、電子部品１１０がダイアタッチシート１１９を介して基体１２０に接着される。
【００４７】
次に図４（ｃ）に示すように、基体１２０およびダイアタッチシート１１９を貫通する孔１２２を形成する。この孔１２２の形成は、基体１２０の表面側からレーザを照射することによって行うことが可能である。レーザとして、ＣＯ２レーザ等の各種レーザを採用することができる。レーザの照射により、基体１２０およびダイアタッチシート１１９を構成する樹脂材料は除去されるが、電極１１２を構成する金属材料は除去されない。これにより、基体１２０およびダイアタッチシート１１９のみを貫通する孔１２２を形成することができる。これと同時に、孔１２２を通して電極１１２を基体１２０の表面側に露出させることができる。
なお図３および図４では、電子部品の基板への接着にダイアタッチシートを用いる例について述べたが、もちろん液状の接着剤を使用しても構わない。
【００４８】
（配線形成工程）
次に図１（ｂ）に示すように、孔１２２を通って電極１１２と基体１２０の表面側とを結ぶ配線１３０を形成する。配線１３０の形成は、液滴吐出法や印刷法等の液相プロセスを用いて行うことが望ましい。液滴吐出法として、例えばインクジェット法を採用することが可能である。インクジェット法は、後述する液滴吐出ヘッドから、配線の形成材料を含む液滴を、配線の形成位置に選択的に吐出して、配線を形成する方法である。インクジェット法等の液滴吐出法によれば、配線を描画形成することができるので、フォトリソグラフィを用いたパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。
【００４９】
まず、配線形成の前処理として、電極１１２および／またはバンプ電極１１５の表面、並びに基体１２０の表面を親液処理する。この親液処理は、紫外線の照射処理や、酸素を反応ガスとするプラズマ処理、基体１２０をオゾン雰囲気に曝す処理等によって行うことが可能である。また親液処理は、配線の形成材料を含む液滴と基体との接触角が約９０°以下、より好ましくは約６０°〜３０°となるように行うことが望ましい。
【００５０】
次に、吐出すべき配線の形成材料を含む液状体を作製する。具体的には、配線の形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を作製する。
導電性微粒子として、銀が好適に用いられる。その他にも、金、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いることができる。導電性微粒子は、分散性を向上させるため、表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。そのコーティング材としては、例えば立体障害や静電反発を誘発するようなポリマーが挙げられる。
【００５１】
また分散媒は、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば、特に限定されない。ただし、微粒子の分散性と分散液の安定性、また、液滴吐出方式への適用のし易さの点で、水やアルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物等が好ましく、特に好ましい分散媒として水および炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。また分散液の表面張力を調節するため、フッ素系、シリコン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加してもよい。
【００５２】
そして、上述した分散液の液滴を、配線１３０の形成位置に吐出する。液滴の吐出は、後述する液滴吐出ヘッドを用いて行う。具体的には、液滴吐出ヘッドと基体１２０との相対位置を配線１３０の形成位置に沿って移動させつつ、液滴吐出ヘッドから基体１２０に対して液滴を吐出する。このとき、配線１３０の端部に液だまり（バルジ）が生じないように、続けて吐出する液滴の重なり程度を調整することが望ましい。特に、一回目の吐出では複数の液滴を互いに接しないように離間して吐出し、２回目以降の吐出によって、その間を埋めていくような吐出方法を採用することが望ましい。
【００５３】
本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、孔１２２を通って電極１１２と基体１２０の表面とを結ぶように配線１３０を形成するので、その経路に沿って分散液の液滴を吐出する。なお配線１３０を形成する前に、電極１１２の表面に存在する自然酸化膜を除去しておく。これにより、電極１１２と配線１３０との電気的接続を確保することができる。ただし、電極１１２の表面が酸化しにくい貴金属材料で構成されている場合には、自然酸化膜の除去工程を省略することができる。
【００５４】
また、孔１２２のステップカバレッジが困難となる場合には、孔１２２の内部全体に分散液を充填することが望ましい。本実施形態では、電極１１２の表面にバンプ電極１１５が形成されているので、孔１２２への分散液の充填量を低減することができる。
さらに図１（ａ）に示すように、基体１２０の表面における配線１３０の形成位置に沿って順に液滴を吐出する。
【００５５】
次に、基体１２０に吐出された液滴の焼成を行う。液滴の焼成は、基体１２０をホットプレート上に載置して、吐出された液滴を加熱することによって行う。これにより、液滴に含まれる分散媒が蒸発して導電性微粒子が凝集し、配線１３０が形成される。
以上により、本実施形態に係る電子基板１０１が形成される。
【００５６】
なお、印刷法や液滴吐出法等の液相プロセスに代えて、スパッタ法やメッキ法等を用いて配線１３０を形成することも可能である。この場合、まず孔１２２の内部を含む基体１２０の略全面にスパッタ法やメッキ法等を用いて金属膜を形成し、次にフォトリソグラフィ等を用いてパターニングを行うことにより、配線１３０を形成する。なおスパッタ法やメッキ法を採用すれば、金属膜の形成工程の前に、金属膜の形成工程と同様のプロセスを用いて、電極１１２の表面に形成された酸化膜を除去することが可能である。すなわち、スパッタ法の場合には逆スパッタにより酸化膜を除去することが可能であり、またメッキ法の場合にはウエットエッチングにより酸化膜を除去することが可能である。
【００５７】
またメッキ法を用いて、配線の形成位置のみに選択的に金属膜を析出させることも可能である。具体的には、まず基体１２０の表面における配線１３０の形成位置に、Ｐｄ等の触媒が付与された樹脂膜のパターンを形成する。次に、Ｐｄ等の触媒を核として、樹脂膜の表面にＮｉあるいはＮｉ−Ａｕメッキを析出させる。また、Ｎｉ−Ａｕ配線上に厚付けのＡｕメッキを施しても良い。これにより、酸化されにくいＡｕ材料からなる配線を効率よく形成することができる。
また、この手法に限らず、これら手法を組み合わせて、上述したスパッタ法による膜をメッキシードとして、フォトリソ手法により配線パターン以外の部分にレジストを形成し、メッキで配線パターンを形成するようにしても良い。
【００５８】
以上に詳述したように、本実施形態に係る電子基板の製造方法は、図１（ｂ）に示すように、電極１１２が形成された電子部品１１０を、孔１２２が形成された基体１２０の裏面側に装着し、孔１２２を通して基体１２０の表面側に電極１１２を露出させる工程と、孔１２２を通って電極１１２と基体１２０の表面側とを結ぶ配線１３０を形成する工程と、を有する構成とした。この構成によれば、任意の厚さの基体１２０を採用することが可能になり、基体１２０の選択自由度が増加する。そして薄型の基体１２０を採用することにより、電子基板１０１を薄型化することができる。
【００５９】
また、電極１１２の形成領域のみに孔１２２を形成することにより、電極１１２の形成領域のみにおいて、電子部品１１０と配線１３０とを接触させることが可能になる。これにより、電子部品１１０の構成素子（ＴＦＴ等）と配線１３０とのカップリングを減少させることが可能になり、電子基板１０１の電気的特性を向上させることができる。
【００６０】
また、配線１３０を描画形成して電子部品１１０を電気的接続するので、電子部品１１０の電極１１２の狭ピッチ化に対応することができる。さらに、電子部品１１０の電気的接続と基体１２０上の配線形成とを同じ工程で実施することができるので、予め基体１２０上にすべての配線を形成しておく必要がなくなる。これにより、基体１２０に汎用性を付与することが可能になり、電子基板１０１の製造コストを低減することができる。
【００６１】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る電子基板について説明する。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図５は第２実施形態に係る電子基板の説明図であり、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線における側面断面図である。図５に示す第２実施形態では、基体１２０の表面に予め第１配線（既設配線）１３２を形成しておく。この第１配線１３２は、電子部品１１０の装着領域の周囲を除いて、配線パターンの形成領域の略全体に形成する。なお第１配線１３２の製造方法は、任意の方法を採用することが可能である。
【００６２】
そして、孔１２２を通って電極１１２と第１配線１３２の端部とを結ぶように、第２配線１３０を形成する。なお第２配線１３０の製造方法は、第１実施形態と同様である。このような第２実施形態でも、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。しかも第２実施形態では、第１実施形態に比べて配線１３０の形成時間を短縮することが可能になり、製造コストを低減することができる。
【００６３】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る電子基板について説明する。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図６は第３実施形態に係る電子基板の説明図であり、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線における側面断面図である。図６に示す第３実施形態では、第１電子部品１１０に加えて、第２電子部品１４０が基体１２０の裏面側に実装されている。第２電子部品１４０は、第１電子部品１１０と同様に実装され、第１電子部品と配線１３０により接続されている。このように、本発明を適用して複数の電子部品１１０，１４０を基体１２０に実装することが可能であり、その場合でも第１実施形態と同様の効果を奏することができる。そして複数の電子部品を実装することにより、システムインボードを実現する電子基板を提供することができる。
【００６４】
また第３実施形態では、第１電子部品１１０および第２電子部品１４０を覆う保護部材として、ラミネートフィルム１５０が装着されている。このラミネートフィルム１５０は、ＰＥＴ等の熱可塑性樹脂材料で構成され、基体１２０の裏面側に熱圧着されている。このように、基体１２０の裏面側をラミネートすることにより、電子基板１０１の機械的強度を向上させることが可能になる。また第１電子部品１１０および第２電子部品１４０をラミネートすることにより、各電子部品を水分や光等から保護することが可能になり、信頼性を向上させることができる。
【００６５】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係る電子基板について説明する。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図７は、第４実施形態に係る電子基板の製造方法の説明図である。図７（ａ）に示すように、第４実施形態では、基体１２０の素材として、炭素繊維やガラス繊維等の織物に樹脂等を含浸させたプリプレグ１２０ａを採用する。なお電子部品１１０の電極１１２の表面には、予め先細り形状のバンプ電極１１５を形成しておくことが望ましい。
【００６６】
その電子部品１１０の表面を、プリプレグ１２０ａの裏面側に押し当てる。その際、電子部品１１０のバンプ電極１１５の先端が、プリプレグ１２０ａを構成する繊維間を通って、プリプレグ１２０ａの表面側に露出する。この状態でプリプレグ１２０ａを加熱することにより、プリプレグ１２０ａが硬化して基体１２０が形成されるとともに、その基体１２０に対して電子部品１１０が装着される。
【００６７】
次に図７（ｂ）に示すように、バンプ電極１１５の先端から基体１２０の表面にかけて配線１３０を形成する。配線１３０の形成方法は、第１実施形態と同様である。
上述した第４実施形態では、基体１２０に孔を設けることなく、電子部品１１０のバンプ電極１１５を基体１２０の表面側に露出させることが可能になる。またダイアタッチシートを介することなく、電子部品１１０を基体に装着することが可能になる。したがって、電子基板１０１の製造コストを低減することができる。
【００６８】
（電子機器）
次に、上記各実施形態に係る電子基板を使用した電子機器につき、図８を用いて説明する。図８は、携帯電話の斜視図である。図８において符号１０００は携帯電話を示し、符号１００１は表示部を示している。この携帯電話１０００には、上記各実施形態の薄型化が可能な電子基板が採用されている。したがって、薄型化・小型化が可能な携帯電話１０００を提供することができる。
【００６９】
本発明は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の電子基板として好適に用いることができ、いずれの場合でも、薄型化・小型化が可能な電子機器を提供することができる。
【００７０】
（液滴吐出装置）
次に、液滴吐出方式に用いられる液滴吐出装置につき、図９および図１０を用いて説明する。
図９は、液滴吐出装置の斜視図である。図９において、Ｘ方向はベース１２の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。液滴吐出装置１０は、液滴吐出ヘッド（以下、単にヘッドと呼ぶ）２０と、基体１２０を載置するテーブル４６とを主として構成されている。なお、液滴吐出装置１０の動作は、制御装置２３により制御されるようになっている。
【００７１】
基体１２０を載置するテーブル４６は、第１移動手段１４によりＹ方向に移動および位置決め可能とされ、モータ４４によりθｚ方向に揺動および位置決め可能とされている。一方、ヘッド２０は、第２移動手段によりＸ方向に移動および位置決め可能とされ、リニアモータ６２によりＺ方向に移動および位置決め可能とされている。またヘッド２０は、モータ６４，６６，６８により、それぞれα，β，γ方向に揺動および位置決め可能とされている。これにより、液滴吐出装置１０は、ヘッド２０のインク吐出面２０Ｐと、テーブル４６上の基体１２０との相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールすることができるようになっている。
【００７２】
ここで、ヘッド２０の構造例について、図１０を参照して説明する。図１０は、液滴吐出ヘッドの側面断面図である。ヘッド２０は、液滴吐出方式によりインク２１をノズル９１から吐出するものである。液滴吐出方式として、圧電体素子としてのピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式や、インクを加熱して発生した泡（バブル）によりインクを吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、インクに熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。そこで、図１０のヘッド２０には、上述したピエゾ方式が採用されている。
【００７３】
ヘッド２０のヘッド本体９０には、リザーバ９５およびリザーバ９５から分岐された複数のインク室９３が形成されている。リザーバ９５は、各インク室９３にインクを供給するための流路になっている。また、ヘッド本体９０の下端面には、インク吐出面を構成するノズルプレートが装着されている。そのノズルプレートには、インクを吐出する複数のノズル９１が、各インク室９３に対応して開口されている。そして、各インク室９３から対応するノズル９１に向かって、インク流路が形成されている。一方、ヘッド本体９０の上端面には、振動板９４が装着されている。この振動板９４は、各インク室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各インク室９３に対応して、ピエゾ素子９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路９９に接続されている。
【００７４】
そして、駆動回路９９からピエゾ素子９２に電圧を印加すると、ピエゾ素子９２が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子９２が収縮変形すると、インク室９３の圧力が低下して、リザーバ９５からインク室９３にインク２１が流入する。またピエゾ素子９２が膨張変形すると、インク室９３の圧力が増加して、ノズル９１からインク２１が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子９２への印加電圧を制御することにより、インク２１の吐出条件を制御しうるようになっている。
【００７５】
なお、図９に示すキャッピングユニット２２は、ヘッド２０におけるインク吐出面２０Ｐの乾燥を防止するため、液滴吐出装置１０の待機時にインク吐出面２０Ｐをキャッピングするものである。またクリーニングユニット２４は、ヘッド２０におけるノズルの目詰まりを取り除くため、ノズルの内部を吸引するものである。なおクリーニングユニット２４は、ヘッド２０におけるインク吐出面２０Ｐの汚れを取り除くため、インク吐出面２０Ｐのワイピングを行うことも可能である。
液滴吐出装置は、以上のように構成されている。
【００７６】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１実施形態に係る電子基板の説明図である。
【図２】電子部品におけるバンプ電極の製造方法の説明図である。
【図３】電子部品の装着方法の説明図である。
【図４】電子部品の装着方法の変形例の説明図である。
【図５】第２実施形態に係る電子基板の説明図である。
【図６】第３実施形態に係る電子基板の説明図である。
【図７】第４実施形態に係る電子基板の製造方法の説明図である。
【図８】携帯電話の斜視図である。
【図９】液滴吐出装置の斜視図である。
【図１０】液滴吐出ヘッドの側面断面図である。
【図１１】電極と孔との対応関係の説明図である。
【図１２】電極の高さと基体の厚さとの関係の説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０１…電子基板  １１０…電子部品  １１２…電極  １１５…バンプ電極  １２０…基体  １２２…孔  １３０…配線  １３２…既設配線  １５０…保護部材  １０００…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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