(57)【要約】【解決手段】本発明のはんだ合金は、スパッタリングターゲット製造の際にターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとの接合に用いられるはんだ合金であって、Ｚｎを３〜９重量％含み、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなることを特徴としている。【効果】本発明のはんだ合金によれば、高温時においても高い接合強度を有する接合材層を形成できるため、過酷なスパッタリング条件下でもターゲット材がバッキングプレートから剥離するのを防止でき、さらに接合時におけるバッキングプレートのＣｕ侵食量を著しく低減して、該バッキングプレートの繰り返し使用による強度劣化を防止できる。また、本発明のはんだ合金によれば、裏打ち膜不要となる程度にターゲット材との濡れ性が優れているため、裏打ち膜の作製に必要な装置と工程を省略でき、スパッタリングターゲットの生産性を大幅に向上できる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングターゲット製造の際にターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとの接合に用いられるはんだ合金であって、Ｚｎを３〜９重量％含み、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなることを特徴とするはんだ合金。
【請求項２】
前記ターゲット材が、金属または合金からなることを特徴とする請求項１に記載のはんだ合金。
【請求項３】
前記ターゲット材が、ＡｌまたはＡｌ合金からなることを特徴とする請求項１に記載のはんだ合金。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のはんだ合金を用いて、ターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとを接合して得られることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット製造用はんだ合金およびこれを用いたスパッタリングターゲットに関する。より詳しくは、本発明は、ターゲット材とバッキングプレートとを接合してスパッタリングターゲットを製造する際に用いられ、高温時においても接合強度が高く、さらにＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートに対する侵食が極めて微量な、はんだ合金およびこれを用いて製造されたスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜形成法の1つとしてスパッタリング法が知られている。
スパッタリングに用いられるターゲット材は、スパッタリング時にイオンなどの高エネルギー粒子による衝撃を受け続けるため、熱が内部に蓄積し高温となる。このため熱伝導性の良い材料、通常、ＣｕやＣｕ合金からなるバッキングプレートと呼ばれる冷却板をターゲット材に接合し、このバッキングプレートを冷却することにより、ターゲット材の熱を逃がすようにしている。
【０００３】
ターゲット材とバッキングプレートとの接合は、接合材を介してなされたり、拡散接合によってなされたりしているが、前者の接合材を使用する方法がより一般的である。
接合材としては、従来、低融点であるＩｎやＩｎを主成分とするＩｎ合金が広く用いられてきた（特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、ＩｎやＩｎ合金からなる接合材では、近年のフラットパネルディスプレイ業界におけるマザーガラスの大型化の要請に伴うターゲット材の大面積化および厚型化に対応できないという問題があった。具体的には、ターゲット材の大面積化に起因するターゲット材自身の反りによって、ターゲット材がバッキングプレートから剥離するという問題、さらに、スパッタリング時の投入電力密度増加に起因するターゲット材の温度上昇ならびにターゲット材の厚型化に起因するスパッタリング時の冷却効率の悪化などにより接合材層が高温になった際に、接合材の接合強度不足によってターゲット材がバッキングプレートから剥離するという問題が発生している。またＩｎは価格が高騰していることからコスト面で不利であるという問題もある。
【０００５】
このような問題に対して、純Ｓｎを接合材として用いて接合する方法が一般に行われている。しかしながら、純Ｓｎはバッキングプレート材であるＣｕもしくはＣｕ合金と反応し、バッキングプレートを浸食する。
【０００６】
一般に、バッキングプレートは、接合された使用済ターゲット材を剥ぎ取り、新品のターゲット材を接合して繰り返し使用されるが、接合の度にバッキングプレートが侵食されると、バッキングプレートの厚さは徐々に薄くなり、それ自身の強度が弱くなる。その結果、強度低下による反りが引き起こされ、最終的には接合したターゲット材の反りや割れといった問題が発生する。また、バッキングプレートは、その内部に冷却水路を設けているものが多いため、強度低下や反りにより漏水する恐れもある。
【０００７】
このようなバッキングプレートの侵食の問題に対して、バッキングプレートをＮｉメッキする方法が知られている。しかしながら、この方法もメッキしたＮｉが侵食されるため、バッキングプレートを繰り返し使用するには定期的にＮｉメッキを施す必要があり、生産効率やコストの点から好ましい解決法とはいえない。
【０００８】
また特許文献２には、Ｉｎ（３０〜６０重量％）−Ｓｎ（３０〜６０重量％）−Ｚｎ（０．１〜１０重量％）からなる、はんだ合金を用いて接合されたスパッタリングターゲットが記載されている。しかしながら、このようにＩｎを２７重量％以上含むと、金属間化合物であるβ−Ｉｎ3Ｓｎが生成して低融点化するため、高温時の接合強度不足を招き、
ターゲット材とバッキングプレートとの剥離の問題を解決できない。
【０００９】
特許文献３には、ターゲット材とクロム銅製のバッキングプレートとの間に２層の接合材層が設けられたスパッタリングターゲットが記載されている。このなかで、ターゲット材と接触する第１の接合材層の接合材としてＳｎ（９０〜７０重量％）−Ｚｎ（１０〜３０重量％）合金が記載され、バッキングプレートと接触する第２の接合材層の接合材としてＩｎ−Ａｕ−Ｓｎ合金が記載されている。しかしながら、第１の接合材は、Ｚｎを多量に含んでいるため、酸化物が生成しやすく、接合強度が低下するという問題があり、さらには、第２の接合材がＰｂを１０００ｐｐｍ以上含んでおり、環境に与える影響が大きく、ＲｏＨＳ指令などの法規制にも反するため、実際には使用できない。
【００１０】
特許文献４には、剥離の生じ難いスパッタリングターゲットの提供を目的として、Ａｌ系ターゲットとＡｌ系バッキングプレートとをＳｎ−Ｐｂ−Ａｇはんだ合金で接合したスパッタリングターゲットが記載されている。しかしながら、該はんだ合金はＰｂを１０００ｐｐｍ以上含んでいるため、上記と同じ理由で実際には使用できない。
【００１１】
特許文献５には、Ａｌ（０．０１〜３．０重量％）−Ｉｎ（０．１〜５０重量％）−Ａｇ（０．１〜６．０重量％）−Ｃｕ（０〜６．０重量％）−Ｚｎ（０〜１０．０重量％）−Ｓｎ（残部）からなる、鉛フリーはんだが記載されている。このようにプリント基板用途等の電子部品向け鉛フリーはんだとしては、多元系（３元系、４元系、さらには５元系以上）合金が一般的に使用されているが、多元素を調合する必要があるうえ、設備費などのコストがかかる。たとえば、特許文献５の場合には、融点が９６２℃であるＡｇを偏析なく溶解するための高温炉等の設備やＡｇ原料費が必要となる。さらに、これらのはんだ合金を大面積（例えば１．５ｍ角以上）のターゲット材を接合するための接合材として使用した場合には、接合面内でのはんだの組成偏析、強度ムラが発生し易いという問題がある。また、はんだ合金のＡｇやＩｎの含有量によっては、Ａｇとバッキングプレートに含まれるＣｕとが反応し金属間化合物を生成して接合強度が低下したり、ＩｎとＳｎとが反応し金属間化合物（たとえばβ−Ｉｎ3Ｓｎ）を生成して低融点化し高温時の接合強度が
不足したりして、ターゲット材とバッキングプレートとの剥離の問題を解決できない。
【００１２】
特許文献６には、プリント基板用途等の電子部品向け鉛フリーはんだとして、Ｓｎ−Ｚｎ（９重量％）合金が知られていることが記載され、さらにＺｎ（３〜５重量％）−Ｂｉ（１０〜２３重量％）−Ｓｎ（残部）からなるはんだ合金が提案されている。しかしながら、これらは、プリント基板用途等の電子部品向け鉛フリーはんだであって、スパッタリングターゲット製造に用いられる接合材についての記載は存在しない。また、後者の量のＢｉを添加すると、はんだの融点が著しく低下し、高温時の接合強度が不足するため、ターゲット材とバッキングプレートとの剥離といった問題を解決できない。
【００１３】
特許文献７には、Ｓｎ（８５〜９２重量％）−Ａｇ（１〜６重量％）−Ｉｎ（４〜１０重量％）からなる鉛フリーはんだ合金が、また特許文献８には、Ｓｎ（９２〜９７重量％）−Ａｇ（３〜６重量％）−Ｃｕ（０．１〜２．０重量％）からなる鉛フリーはんだ合金が記載されている。しかしながら、このようにＺｎを含まない組成では、Ｃｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートの侵食という問題を解決できない。さらに上記組成では、Ａｇを２０００ｐｐｍ以上含むため、Ａｇとバッキングプレートに含まれるＣｕとが反応し金属間化合物を生成し、接合強度が低下する恐れもある。
【００１４】
特許文献９には、Ｓｎ（９１．２重量％）−Ｚｎ（８．８重量％）の鉛フリーはんだが知られていることが記載されているが、これは光学装置およびマイクロエレクトロニクス装置のはんだ付けに使用される鉛フリーはんだであって、スパッタリングターゲット製造に用いられる接合材についての記載は存在しない。
【００１５】
特許文献１０には、スパッタリングターゲットの製造の際に、ターゲット材がＣｕ等で作製されたバッキングプレートに低融点ロウ材（Ｓｎ−Ｚｎはんだ等）で接合されることが記載されている。しかしながら、Ｓｎ−Ｚｎはんだの具体的な組成については何ら記載されていない。
【００１６】
また、従来、ターゲット材と接合材との濡れ性が悪い場合には、ターゲット材の接合面に裏打ち膜とよばれるＣｕ膜やＮｉ−Ｃｕ合金膜をスパッタや蒸着により成膜し、濡れ性を確保するという手法がとられていたが、このような方法では成膜装置が必要でコストがかかる上、工程数が増えるため生産性が低下するという問題があった。
【特許文献１】特開平7−48667号公報
【特許文献２】特開平7−227690号公報
【特許文献３】特開平8−269704号公報
【特許文献４】特開平10−46327号公報
【特許文献５】特開2000−141078号公報
【特許文献６】特開平8−164495号公報
【特許文献７】特開平8−187591号公報
【特許文献８】特開平9−326554号公報
【特許文献９】特開平8−118067号公報
【特許文献１０】特開2001−340959号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、ターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとを接合してスパッタリングターゲットを製造する際に用いられ、高温時においても接合強度が高く、さらに接合によるバッキングプレートの侵食が極めて微量な、はんだ合金およびこれを用いて製造されたスパッタリングターゲットを提供することを課題としている。
【００１８】
さらに、本発明は、裏打ち膜不要となる程度にターゲット材との濡れ性が優れる、はんだ合金およびこれを用いて製造されたスパッタリングターゲットを提供することをも課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上記実情に鑑みて鋭意検討した結果、Ｓｎを主成分として特定量のＺｎを含む２元系のはんだ合金を、ターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとを接合するための接合材として用いると、過酷なスパッタリング条件下で接合材層の温度が上昇した場合でも、接合強度を高く維持し、ターゲット材がバッキングプレートから剥離するのを防止できること、さらに該はんだ合金によればバッキングプレートの侵食量を著しく低減できる上、ターゲット材との濡れ性も向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２０】
すなわち、本発明は以下の事項に関する。
本発明に係るはんだ合金は、スパッタリングターゲット製造の際にターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとの接合に用いられるはんだ合金であって、Ｚｎを３〜９重量％含み、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなることを特徴としている。
【００２１】
本発明では、前記ターゲット材は、金属または合金からなることが好ましく、ＡｌまたはＡｌ合金からなることがより好ましい。
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記はんだ合金を用いて、ターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとを接合して得られることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のはんだ合金によれば、高温時においても高い接合強度を有する接合材層を形成できるため、過酷なスパッタリング条件下でもターゲット材がバッキングプレートから剥離するのを防止でき、さらに接合時におけるバッキングプレートのＣｕ侵食量を著しく低減して、該バッキングプレートの繰り返し使用による強度劣化を防止できる。
【００２３】
また、本発明のはんだ合金は、裏打ち膜不要となる程度にターゲット材との濡れ性が優れているため、裏打ち膜の作製に必要な装置と工程を省略でき、スパッタリングターゲットの生産性を大幅に向上できる。
【００２４】
また本発明のスパッタリングターゲットによれば、マザーガラスの大型化の要請に沿い、大面積の薄膜形成を安定に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明について具体的に説明する。
＜スパッタリングターゲット製造用はんだ合金＞
本発明のはんだ合金は、スパッタリングターゲットの製造の際にターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとの接合に用いられる接合材であって、Ｚｎを３〜９重量％の量で含み、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなることを特徴としている。ここで、不可避的不純物とは、合金に不可避的に含まれるごく微量の、ＺｎおよびＳｎ以外の他の元素を意味する。言い換えれば、本発明のはんだ合金は、実質的にはＳｎとＺｎとからなる。
【００２６】
該はんだ合金は、Ｓｎを主成分として含有しているため、高温時においても高い接合強度を維持できる。具体的には、ターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとを該はんだ合金を用いて接合した場合の１５０℃における接合強度は、２．５ｋｇｆ/ｍｍ2以上、好ましくは３．０ｋｇｆ/ｍｍ2以上に達し得る。なお、この場合、接合強度の上限値はとくに限定されない。該はんだ合金は、このように高温時の接合強度が高いため、ターゲット材とＣｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとを該はんだ合金を用いて接合した後、過酷なスパッタリング条件下で接合材層の温度が上昇した場合でも、ターゲット材がバッキングプレートから剥離するのを防止できる。
【００２７】
さらに、該はんだ合金は、Ｚｎを上記特定の範囲内の量で含有しているため、はんだ合金中のＳｎと、バッキングプレートを構成する主要な元素であるＣｕとの反応を抑制して、接合時におけるバッキングプレートの侵食量を著しく低減できる上、はんだ合金の融点を好ましい範囲に調節でき、しかもターゲット材との濡れ性をも向上できる。
【００２８】
該はんだ合金のＺｎの含有量が上記下限値未満であると、接合時にバッキングプレートのＣｕの侵食量が多くなることがあり、ターゲット材、とくにＡｌ製ターゲット材との濡れ性が低下する傾向がある。一方、Ｚｎの含有量が上記上限値を超えると、酸化物が生成しやすくなり、接合強度が低下する傾向がある。
【００２９】
本発明のはんだ合金を接合材として適用できるバッキングプレートの材質としては、該
はんだ合金との濡れ性がよく、接合強度がとくに高くなる点から、ＣｕおよびＣｕ合金が好ましく、Ｃｕがより好ましい。Ｃｕ合金としては、クロム銅などのＣｕを主成分とする合金が挙げられる。本発明のはんだ合金によれば、上記Ｃｕ製もしくはＣｕ合金製バッキングプレートとターゲット材とをはんだ合金で接合する際の、バッキングプレートのＣｕの侵食量を著しく低減できるため、該バッキングプレートの繰り返し使用による強度劣化を防止できる。
【００３０】
上記はんだ合金の融点は、１９８〜２２０℃であることが望ましい（なお、Ｓｎ−Ｚｎ合金の共晶点は１９８℃である。）。はんだ合金の融点が２２０℃を超えると、はんだ合金およびバッキングプレートの酸化が促進され、接合強度が低下する恐れがあり、また、高温のため作業性を確保できず生産性や歩留りが低下する。
【００３１】
本発明のはんだ合金を接合材として適用しうる、ターゲット材の材質としては、とくに限定されないが、具体的には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇのいずれか１種の金属またはＳｉ、あるいはこれらの少なくとも１種を主成分として含有する合金が挙げられる。
【００３２】
上記合金としては、たとえば、Ａｌ−Ｎｉ合金、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金などのＡｌ合金；Ｔｉ−Ｗ合金などのＴｉ合金；Ｍｏ−Ｗ合金などのＭｏ合金；Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ａｕ合金などのＡｇ合金；Ｃｕ−Ｎｉ合金などのＣｕ合金；Ｃｒ−Ｎｉ合金などのＣｒ合金などが挙げられる。これらの合金組成は、スパッタリングによって得ようとする薄膜の組成に従い、適宜決定でき、とくに制限されない。
【００３３】
これらのうち、スパッタリングにより大電力を投入した際に温度が上昇しやすく、本発明の効果がより有効に発揮されうる点からは、Ａｌターゲット材あるいはＡｌ合金ターゲット材が好ましく挙げられる。一般に、このようなＡｌまたはＡｌ合金製ターゲット材の接合にＩｎやＳｎを接合材として使用する場合には、ターゲット材との濡れ性が悪いため、ターゲット材の接合面に裏打ち膜とよばれるＣｕ膜やＮｉ−Ｃｕ合金膜をスパッタや蒸着により成膜し、濡れ性を確保するという手法が採用されてきた。しかしながら、このような方法は、成膜装置が必要でコストがかかる上、工程が増えるため生産性が低下することから望ましい方法ではない。
【００３４】
これに対して、本発明のはんだ合金は、ＡｌまたはＡｌ合金製ターゲット材を接合する場合でも濡れ性がよいため、上記裏打ち膜を形成する必要はとくになく、コストダウンおよび生産性の向上に資することができる。
【００３５】
本発明のはんだ合金は、上述した各成分を上記の量で含まれるように、公知の方法で、計量、添加、撹拌、混合、加熱、溶融、冷却等することで得ることができ、その製造方法はとくに限定されない。
【００３６】
＜スパッタリングターゲット＞
本発明のスパッタリングターゲットは、上述したターゲット材とバッキングプレートとを、通常の方法で、本発明のはんだ合金から形成される接合材層を介して接合することによって製造することができる。
【００３７】
上記ターゲット材およびバッキングプレートの形状は、これらの接合面が実質的に平行であればよく、それ自体の形状は特に限定されない。なお、必要に応じて、上記ターゲット材の接合面にはんだ合金との濡れ性をより向上させるため、公知の手法により粗面化処理を施してもよい。
【００３８】
具体的には、たとえば、上記ターゲット材の接合面を、フライスや旋盤、平面研削盤などで加工し、必要に応じて粗面化処理を施した後、有機溶剤等を用いた洗浄により脱脂し、該ターゲット材をはんだ合金の融点以上に加熱した状態で、はんだ合金をターゲット材の接合面にディッピングにより塗布し、接合材層を形成するとともに、バッキングプレートを同様に脱脂し、はんだ合金の融点以上に加熱して、これらの接合面同士を、接合材層を介した状態で合わせ適宜加圧すればよい。加圧時の圧力はとくに限定されないが、ターゲット面積に対して通常０．０００１〜０．１ＭＰａであるとよい。
【００３９】
また、必要な場合には、同様にしてターゲット材の接合面に接合材層を形成するとともに、同様に脱脂し加熱したバッキングプレートの接合面にもはんだ合金を塗布し、接合材層を形成した後、はんだ合金の融点以上に加熱した状態でこれらの接合面同士を、接合材層を介した状態で合わせ加圧してもよい。
【００４０】
このようにして得られるスパッタリングターゲットの接合材層は、はんだ合金の抵抗を考慮すると、通常２ｍｍ以下、好ましくは０．１〜１ｍｍの厚さを有しているとよい。さらに、得られたスパッタリングターゲットを室温まで冷却した後に矯正仕上げを行ってもよい。
【００４１】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００４２】
［実施例１〜２、比較例１〜６］
Ｓｎ（純度９９．９９％）、Ｚｎ（純度９９．９９％）を原料として、これらをＳｎ/
Ｚｎ（重量％）＝９７/３、９１/９の割合で含むＳｎ−Ｚｎはんだ合金（各順にサンプルNo.1、2という）を調製した。
【００４３】
また、比較対照として、同原料をＳｎ/Ｚｎ（重量％）＝１００/０、９９/１、９０/１０、８５/１５の割合で含むＳｎ−Ｚｎはんだ合金（サンプルNo.3〜6という）を調製した。
【００４４】
さらに、比較対照として、Ｉｎ（純度９９．９９％）、Ｓｎ（純度９９．９９％）を原料として、これらをＩｎ/Ｓｎ（重量％）１００/０、１５/８５の割合で含むはんだ合金
（各順にサンプルNo.7、8という）を調製した。
【００４５】
得られたサンプルNo.1〜8を用いて、以下の方法で（１）融点と（２）接合強度の温度
依存性と（３）バッキングプレート（Ｃｕ）の侵食量と（４）Ａｌ製ターゲット材との濡れ性を評価した。
【００４６】
評価結果を表１に示す。
（１）融点の測定方法
上記サンプルNo.1〜8それぞれについて、示差熱分析装置TG-DTA2000S（MAC Science社
製）にて昇温速度20℃/時間で300℃まで加熱した時の吸熱反応ピーク値を測定し、該ピーク値の温度を融点とした。
【００４７】
（２）接合強度の測定方法
上記サンプルNo.1〜8をそれぞれ使用して、裏打ち膜なしのφ10ｍｍ×50ｍｍの円柱状
のＡｌターゲット材と20ｍｍ×20ｍｍ×5ｍｍｔのＣｕ製バッキングプレートとを接合し
、引張り試験装置オートグラフAGS-500B（島津製作所製）を用いて室温（23℃）における接合強度を測定した。また、接合部付近を熱電対で温度を計測しながらHeating Gun（白
光社製）で加熱し、温度上昇時（60、90、120、150℃）の接合強度についても、同様にそれぞれ測定した。
【００４８】
（３）バッキングプレート（Ｃｕ）侵食量の測定方法
上記サンプルNo.1〜8をそれぞれ、ホットプレート上で260℃に加熱したＣｕ製バッキングプレート50×50ｍｍ□内に超音波ハンダゴテを用いて下塗りした。下塗り後、バッキングプレート上のはんだ合金をシリコンラバーのハケで削ぎ取り、削ぎ取ったはんだ合金をＩＣＰ（SPS5100；エスアイアイナノテクノロジー製）を用いて分析し、Ｃｕ量を定量し
た。
【００４９】
（４）Ａｌターゲット材との濡れ性の評価方法
上記サンプルNo.1〜8をそれぞれ、ホットプレート上で260℃に加熱したＡｌ製ターゲット材50×50ｍｍ□内に超音波ハンダコテを用いて10秒間下塗りした。次いで、Ａｌ製ターゲット材を、一旦室温まで冷まし、再び260℃まで加熱した後、該Ａｌ製ターゲット材上
のはんだ合金をシリコンラバーのハケで削ぎ取った。その後、はんだ合金が剥げずにＡｌ製ターゲット材上に一面に均一に残っているかを目視にて観察し、濡れ性がよく、はんだ合金が一面に均一に残り、剥げていないものを○で、濡れ性が悪く、はんだ合金が剥げたものを×で評価した。
【００５０】
【表１】
2007021580.tif 000002
【００５１】
表１より、実施例１および２（サンプルNo.1,2）は、比較例２〜６（サンプルNo.3〜8
）と異なり、高温時の接合強度が高く、かつバッキングプレート由来のＣｕの侵食量が著しく低減されており、さらにＡｌ製ターゲット材との濡れ性も良好であることがわかる。
【００５２】
また、実施例１および２（サンプルNo.1,2）は、その融点もスパッタリングターゲット製造作業の効率を上げるうえで、好ましい範囲にあることがわかる。
［実施例３〜１７］
上記実施例２のサンプルNo.2（Ｓｎ/Ｚｎ（重量％）＝９１/９）のはんだ合金を用いて、裏打ち膜なしのφ10ｍｍ×50ｍｍの円柱状の各種ターゲット材（Ａｌ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｇ合金）と20ｍｍ×20ｍｍ×5ｍｍｔのＣｕ製バッキングプレートとを接合し、引張り試験装置オートグラフAGS
-500B（島津製作所製）を用いて室温（23℃）における接合強度を測定した。また、接合
部付近を熱電対で温度を計測しながらHeating Gun（白光社製）で加熱し、温度上昇時（60、90、120、150℃）の接合強度についても、それぞれ測定した。
【００５３】
その結果を表２に示す。
なお、各バッキングプレート（Ｃｕ）の侵食量を実施例２と同様の方法で測定したところ、実施例２の結果とほぼ同じ値となった。
【００５４】
【表２】
2007021580.tif 000003
【００５５】
表２より、本発明のはんだ合金を使用して、ターゲット材とＣｕ製バッキングプレートとを接合した場合には、ターゲット材の種類に拘わらず、高温時の接合強度が高く維持されていることがわかる。