(57)【要約】【課題】  誘電率異方性が負である液晶を垂直配向モードで駆動する際の横電界の影響を低減する。【解決手段】  配向膜１６はＸ方向に沿って蒸着形成されているため、液晶分子５０ａの配向容易軸は図中Ｘ方向に沿った方向である。したがって、液晶分子５０ａの配向容易軸は図中Ｘ方向に沿った方向である。液晶装置１の駆動時には、対向電極２１及び画素電極９ａ間に縦電界が印加され、液晶分子５０ａは、配向容易軸たるＸ方向に配向する。ここでＹ方向に隣接する画素電極９ａ間でＹ方向に沿った横電界が印加されることになる。液晶分子５０ａは、誘電率異方性が負であるため、電界の向きに対して長軸が直角をなすように配向する性質を有する。したがって、領域Ｃ１において液晶分子５０ａに横電界が印加された場合でも、横電界によって液晶分子５０ａの配向は影響を受けることがなく、縦電界に応じて配向制御される。【選択図】  図８
2007065014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
誘電率異方性が負である液晶分子を含んでおり、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、
前記第１基板における前記液晶層に臨む側の基板面内の一方向に沿って配列されるように前記基板面上の画像表示領域に形成された複数の第１画素電極と、
前記基板面における前記一方向に交わる他の方向に沿って前記第１画素電極と互いに隣接するように、且つ前記一方向に沿って配列されるように前記画像表示領域に形成されており、電極電位が所定の周期で基準電位に対して前記複数の第１画素電極の電極電位と互いに異なる極性となるように前記複数の第１画素電極と共に電圧が印加される複数の第２画素電極と、
前記液晶層を介して前記基板面に対向する前記第２基板の対向面上の前記画像表示領域に前記第１画素電極及び前記第２画素電極の夫々と対向するように形成されており、前記基準電位が供給される複数の対向電極と、
前記基板面上及び前記対向面上を覆うように平面的に見て前記一方向に沿って無機材料を供給することによって形成されており前記液晶分子を垂直配向モードで配向させるための配向膜とを備えたこと
を特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記配向膜は、斜方蒸着法又は指向性スパッタリング法によって形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記一方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数の走査線と、前記他の方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数のデータ線とを備えたこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記他の方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数の走査線と、前記一方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数のデータ線とを備えたこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項５】
平面的に見て偏光軸が前記一方向に対して斜めに交わるように、前記第１基板における前記基板面に対向する裏面側に配設された第１偏光板と、
平面的に見て偏光軸が前記一方向に対して斜めに交わるように、前記第２基板における前記対向面に対向する裏面側に配設された第２偏光板とを更に備えたこと
を特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１偏光板の偏光軸は、前記一方向に対して略４５度の角度で交わっており、
前記第２偏光板の偏光軸は、前記一方向に対して略４５度の角度で交わり、且つ前記第１偏光板の偏光軸に対して直交しており、
前記一方向は、前記他の方向と直交していること
を特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載に液晶装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば所謂１Ｈ反転駆動又は１Ｓ反転駆動等のライン反転駆動を用いて画像を表示する液晶装置及びこれを具備してなる電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置では、一方の基板上に、アクティブマトリクス駆動、パッシブマトリクス駆動、セグメント駆動等の駆動方式に応じた、画素電極、走査線、データ線、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称す）、薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称す）などが形成される。他方の基板上に、やはり駆動方式に応じた、対向電極、配線、各画素の開口領域を規定する遮光膜、カラーフィルタ等が形成される。これらの基板は、実際に画像が表示される画像表示領域の周囲で、シール材により貼り合わせられる。貼り合わせられた一対の基板間には、ＴＮ（Twisted Nematic）液晶、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶、垂直配向型液晶等が挟持されている。そして動作時に、一対の基板間に挟持された液晶には、一方の基板上に形成された画素電極と他方の基板上に形成された対向電極との間に発生する縦電界が印加され、これにより液晶の配向状態が変化して、ここを通過する表示光の偏光状態を変化させることにより画像表示が行われるように構成されている。
【０００３】
この種の液晶装置では、液晶に対する直流電圧の印加により該液晶の劣化（例えば、液晶成分の分解、液晶セル中に発生した不純物による汚染、表示画像の焼き付きなど）が起きないように、各画素電極についての駆動電圧の極性を例えば画像信号における１フレームや１フィールドといった一定周期で反転させることが一般に行われる。しかるに、単純に画像表示領域を構成する全画素電極における駆動電圧の極性をこの一定周期で反転させたのでは（即ち、所謂ビデオ反転駆動方式では）、特に画素数が多い場合には、この一定周期のフリッカやクロストークが発生してしまう。従ってこの一定周期のフリッカやクロストークの発生を防ぐように、例えばこの一定周期で駆動電圧の極性を、画素電極の行毎に反転させる１Ｈ反転駆動方式や画素電極の列毎に反転させる１Ｓ反転駆動方式といったライン反転駆動方式が開発されている。更には、この一定周期で駆動電圧の極性を、ドット毎（即ち、行毎且つ列毎）に反転させるドット反転駆動方式も開発されている。
【０００４】
また、垂直配向モードで液晶を駆動する液晶装置では、液晶分子は非駆動時に配向膜の表面に対するプレチルト角が略垂直となるように配向され、駆動時には画素電極及び対向電極間に印加された縦電界に応じて配向する。無機配向膜は、例えば基板面に対して斜め方向からＳｉＯ等の無機材料を蒸着させる斜方蒸着法、又は基板面に対して斜め方向から無機材料をスパッタリングする斜めスパッタリング法を用いて形成される（例えば、特許文献１及び２参照。）
【特許文献１】特開平８−１０６０９２号公報
【特許文献２】特開平８−１３６９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液晶装置をライン反転駆動方式を用いて駆動する場合、極性の相異なる電圧が印加される列方向又は行方向に相隣接する画素電極間で横電界が生じる。このように相隣接する画素電極間で横電界が生じると、画素電極と対向電極との間で発生する縦電界で液晶の配向状態を制御することが予定されている液晶装置においては、液晶の配向不良が引き起こされてしまう。
【０００６】
ＴＮモードにおいて、液晶の配向不良はその配向不良箇所における光抜けによるコントラスト比の低下、或いはコントラスト比の低下を抑えるためにこの配向不良箇所を隠すと、各画素の開口率（即ち、各画素において、その全体面積に対する表示に寄与する光が出力される領域の面積の比率）の低下につながり、表示画像が暗くなってしまうという問題点がある。特に近時における表示画像の高精細度化に伴って、相隣接する画素電極間の距離が短くなる程に、該距離に概ね反比例して横電界の強さは強まるため、この問題は深刻さを増してしまう。
【０００７】
また、誘電率異方性が負の液晶を用いた垂直配向モードにおいては、横電界による液晶分子の配向不良箇所は、正常な配向箇所と比べ透過率が低下するため、画素面内の輝度ムラの発生及び表示画像が暗くなり、コントラスト比も低下してしまうという問題点がある。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、垂直配向モードで駆動される液晶装置においてライン反転駆動を採用した場合に、横電界による輝度低下を低減し、明るく且つ高コントラストで画像表示できる液晶装置及びこれを具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液晶装置は上記課題を解決するために、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、誘電率異方性が負である液晶分子を含んでおり、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板における前記液晶層に臨む側の基板面内の一方向に沿って配列されるように前記基板面上の画像表示領域に形成された複数の第１画素電極と、前記基板面における前記一方向に交わる他の方向に沿って前記第１画素電極と互いに隣接するように、且つ前記一方向に沿って配列されるように前記画像表示領域に形成されており、電極電位が所定の周期で基準電位に対して前記複数の第１画素電極の電極電位と互いに異なる極性となるように前記複数の第１画素電極と共に電圧が印加される複数の第２画素電極と、前記液晶層を介して前記基板面に対向する前記第２基板の対向面上の前記画像表示領域に前記第１画素電極及び前記第２画素電極の夫々と対向するように形成されており、前記基準電位が供給される複数の対向電極と、前記基板面上及び前記対向面上を覆うように平面的に見て前記一方向に沿って無機材料を供給することによって形成されており前記液晶分子を垂直配向モードで配向させるための配向膜とを備える。
【００１０】
本発明に係る液晶装置では、複数の第１画素電極及び複数の第２画素電極は、第１基板の基板面上の画像表示領域に形成されており、これら電極の配列方向は一方向に揃っている。より具体的には、例えば画像表示領域にマトリクス状に配列された画素電極のうち第１行を構成する画素電極が第１画素電極であり、その次の行である第２行を構成する画素電極が第２画素電極である。また、第１列を構成する画素電極を第１画素電極とした場合には、第２列を構成する画素電極が第２画素電極になる。このような第１画素電極及び第２画素電極は、一方向と交わる他の方向に沿って隣接しており、例えば１フレーム又は１フィールドの所定に周期で電極電位の極性が反転される。ここで、第１画素電極及び第２画素電極の夫々は、その駆動時に電極電位が、対向電極に供給された基準電位に対して互いに逆の極性になるため、これら第１画素電極及び２画素電極間に横電界が生じる。
【００１１】
垂直配向モードに用いる液晶分子は、その液晶分子長軸に対して垂直方向の誘電率が大（誘電率異方性が負）であるため、電界ベクトルに対して直角にその液晶分子の長軸が揃うように配向する性質を有している。
【００１２】
配向膜は、一方向に沿って無機材料を堆積させることによって形成されているため、液晶装置の駆動時には、液晶分子の配向容易軸、即ち一方向に沿って液晶分子の長軸がその駆動時に揃うように液晶分子は配向する。ここで、横電界の向き、即ち他の方向と、駆動時に液晶分子の長軸が向く方向、即ち一方向とは互いに交わっているため、その駆動時に他の方向に沿って発生した横電界によって液晶分子の配向が影響を受けることがない。
【００１３】
したがって、本発明に係る液晶装置によれば、その駆動時に第１画素電極及び第２画素電極間に生じる横電界による液晶分子の配向不良を低減し、その配向不良に起因する透過率ムラ（ドメイン）及び透過率低下の無い高品位な画像を、高コントラスト比で画像表示できる。
【００１４】
本発明に係る液晶装置の一の態様では、前記配向膜は、斜方蒸着法又は指向性スパッタリング法によって形成されていてもよい。
【００１５】
この態様によれば、液晶分子のプレチルト角、即ち非駆動時において液晶分子が配向膜となす角度を略９０度にすることができる。ここで、斜方蒸着法とは、基板面及び対向面に対して斜めから無機材料を蒸着させる蒸着方法を意味する。また、指向性スパッタリング法を斜方蒸着法と同様に基板面及び対向面に対して斜め方向から実施することによって液晶分子を垂直配向モードで配向制御できる配向膜を形成可能である。
【００１６】
本発明に係る液晶装置の他の態様では、前記一方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数の走査線と、前記他の方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数のデータ線とを備えていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、例えば複数の第１画素電極及び複数の第２画素電極からなるマトリクス状に配列された画素電極の電極電位を行毎に反転させる、所謂１Ｈ反転駆動方式によって各画素電極に電圧を印加し、液晶分子を駆動できる。
【００１８】
本発明に係る液晶装置の他の態様では、前記他の方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数の走査線と、前記一方向に沿って前記画像表示領域に延びる複数のデータ線とを備えていてもよい。
【００１９】
この態様によれば、例えば複数の第１画素電極及び複数の第２画素電極からなるマトリクス状に配列された画素電極の電極電位を列毎に反転させる、所謂１Ｓ反転駆動方式によって各画素電極に電圧を印加し、液晶分子を駆動できる。
【００２０】
この態様では、平面的に見て偏光軸が前記一方向に対して斜めに交わるように、前記第１基板における前記基板面に対向する裏面側に配設された第１偏光板と、平面的に見て偏光軸が前記一方向に対して斜めに交わるように、前記第２基板における前記対向面に対向する裏面側に配設された第２偏光板とを備えていてもよい。
【００２１】
この態様によれば、例えば液晶装置等の明視方向が一方向、即ちデータ線に沿った方向になるため、例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）及びＢ（青色）の各色の画像成分を導くライトバルブとして液晶装置を使用し、且つこれらライトバルブからダイクロイックプリズムを介して画像合成する場合でも、画像合成時の色むらの発生を低減できる。より具体的には、明視方向がデータ線に沿った方向であるので、ダイクロイクプリズムによる内部反射によって左右反転されても、明視方向が左右対称であることから、この内部反射を考慮して最終的に明視方向が揃うように各ライトバルブの明視方向を調整して作製する必要がない。
【００２２】
本発明に係る液晶装置の他の態様では、前記第１偏光板の偏光軸は、前記一方向に対して略４５度の角度で交わっており、前記第２偏光板の偏光軸は、前記一方向に対して略４５度の角度で交わり、且つ前記第１偏光板の偏光軸に対して直交しており、前記一方向は、前記他の方向と直交していてもよい。
【００２３】
この態様によれば、下記（式１）に基づいて光透過率を理論上ほぼ１００％に近づけることができ、光の損失を低減できる。
【００２４】
【数１】
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本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の液晶装置を具備してなる。
【００２５】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る液晶装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００２６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら本実施形態の液晶装置及び電子機器を説明する。以下の実施形態では、本発明の液晶装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２８】
（液晶装置の構成）
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。尚、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００２９】
図１及び図２において、本実施形態の液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０、ＴＦＴアレイ基板１０と対向配置された対向基板２０、偏光板２０１及び２０２を備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。図２には、ギャップ材５６として略球状のガラスビーズを、シール材５２に混入した構成を示してある。尚、ギャップ材５６を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３１】
偏光板２０１及び２０２の夫々は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の夫々の裏面に配置されている。ここで、裏面とは、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の両面のうち液晶層５０に対向していない側の面である。
【００３２】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３３】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２には図示を省略してあるが、この積層構造の最上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。画素電極９ａ上には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜１６が設けられており、後に詳細に説明するように垂直配向モードで液晶が配向制御される。
【００３６】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３７】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。
【００３８】
対向基板２０の対向面上における、これら各種の構成要素が作り込まれた積層構造上には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる配向膜２２が形成されている。対向電極２１は、対向基板２０上の積層構造の最上層に配置されると共に、対向電極２１上に配向膜２２が形成されている。
【００３９】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれか一方の対向面上に配向膜を形成するようにしてもよい。但し、液晶装置１が備える配向膜１６及び２２は、寿命を延ばすために無機材料で形成されている。加えて、配向膜１６及び２２は、液晶分子を垂直配向モードで配向制御するように、基板面に対して所定の角度で成長させた柱状構造からなる無機垂直配向膜である。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる、誘電率異方性が負である液晶からなる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、一対の配向膜１６及び２２間で所定の配向状態をとる。
【００４０】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４１】
次に、図３を参照しながら偏光板２０１及び２０２の平面的な配置状態を説明する。図３は、偏光板２０１及び２０２の平面的な配置状態を示す配置図である。
【００４２】
図３において、偏光板２０１の偏光軸Ｐ１は、配向膜１６を形成する際に無機材料を蒸着する蒸着方向、即ち図中Ｘ方向に対して略４５度の角度をなしている。偏光板２０２の偏光軸Ｐ２は、Ｘ方向に対して略４５度の角度をなし、且つ偏光板２０１の偏光軸Ｐ１に対して直交している。加えて、画素電極９が配列された行方向はＸ方向に沿っており、列方向はＸ方向と直交するＹ方向である。したがって、液晶装置１によれば、下記式（１）にも基づいて液晶装置１を透過する光の透過率を理論上略１００％に近づけることが可能であり、光の損失を低減できる。
【００４３】
【数２】
2007065014.tif 000004
次に、図４を参照しながら配向膜１６の構成を詳細に説明する。図４は、図２に対応する断面の構成について、特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された配向膜１６による液晶の配向について模式的に示してある。尚、配向膜２２も配向膜１６と同様の構成を有している。
【００４４】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０において液晶層５０と対向する側の基板面上に、ＴＦＴ等の各種構成要素を備えた積層構造９０が形成されており、積層構造９０の最上層に画素電極９ａが画素毎に形成されている。そして、画素電極９ａ上に、無機材料の柱状構造物１６ａがＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して所定の角度をなして配列することにより、無機材料が堆積して、配向膜１６が形成されている。このように形成された配向膜１６は、表面形状効果により、液晶分子５０ａの配向状態を垂直配向モードによって規制できる。尚、図４を参照して説明した配向膜１６による液晶の配向については、対向基板２０上に形成された配向膜２２についても同様である。
【００４５】
次に、図５を参照しながら配向膜１６の膜形成方法を説明する。図５は、配向膜１６を形成する膜形成装置の一例である蒸着装置３００の構成を示す図である。
【００４６】
蒸着装置３００は、蒸着源３０２と、蒸着源３０２及び無機材料の被蒸着体であるＴＦＴアレイ基板１０を収容するチャンバー３０１を備えている。
【００４７】
ＴＦＴアレイ基板１０は、その基板面に対する法線Ｓと蒸着源３０２から無機材料が堆積される蒸着方向とがなす角（θ１）となるようにチャンバー３０１内に収容されている。θ１は、配向膜１６が液晶分子を垂直配向モードで配向制御可能なように設定されており、例えば５３度に設定されている。
【００４８】
本実施形態では、配向膜１６は蒸着装置３０１によって斜方蒸着法により蒸着形成されている。これにより、液晶分子のプレチルト角、即ち非駆動時において液晶分子が配向膜となす角度を略９０度にすることができる。ここで、斜方蒸着法とは、基板面に対して斜めから無機材料を蒸着させる蒸着方法を意味する。また、指向性スパッタリング法を斜方蒸着法と同様にＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して斜め方向から実施することによって液晶分子を垂直配向モードで配向制御できる配向膜を形成してもよい。
【００４９】
こうして得られる無機斜方蒸着膜としての配向膜１６は、表面形状効果により液晶層５０の液晶分子を配向させることができる。尚、配向膜１６は、無機材料からなることで耐光性や耐熱性に優れ、ライトバルブとしての液晶装置の耐久性向上に寄与する。このようにして、ＴＦＴアレイ基板１０上に図２に示した積層構造が形成される。
【００５０】
次に、液晶装置１の回路構成及び動作について、図６を参照して説明する。図６は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００５１】
図６において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５２】
また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５３】
画素電極９ａを介して液晶層に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶層は、印加される電圧レベルにより液晶分子の分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５４】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶層容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００５５】
次に、図７乃至図９を参照しながら液晶装置１の非駆動時及び駆動時において液晶分子に印加される電界と、液晶分子の配向状態とを説明する。図７は、液晶装置の１Ｈ反転駆動方式における動作状態を説明するための図である。図８は、液晶分子の配向状態を説明するための平面図であり、図９（ａ）は、図８におけるＶＩＩＩａ−ＶＩＩＩａ´線断面図であり、図９（ｂ）はＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ´線断面図である。
【００５６】
図７において、画素電極９ａは、図中Ｘ方向及びＹ方向に沿ってマトリクス状に配置されており、所謂１Ｈ反転駆動方式によって駆動される。ここで、本発明に係る「一方向」の一例がＸ方向であり、「他の方向」の一例がＹ方向である。したがって、本発明に係る「第１画素電極」の一例が図中Ｘ方向に沿って配列された各行の画素電極９ａであり、「第２画素電極」の一例が図中Ｙ方向に沿って配列された各列の画素電極９ａである。図中Ｙ方向に沿って隣接する各行の画素電極９ａ間では、液晶装置１の駆動時にＹ方向に沿って隣接する画素電極９ａ間で横電界が発生する。即ち、図７（ａ）に示すように、ｎ番目（但しｎは自然数）のフィールド或いはフレームの画像表示期間中、Ｙ軸方向に並列した画素電極９ａの各行に、隣接する列とは基準電圧に対する極性が相異なる電圧を印加することにより、画素領域は、行毎に逆極性の液晶駆動電圧が印加された状態で駆動される。尚、基準電位は、液晶装置１の駆動時に対向電極に供給される電位である。続くｎ＋１番目のフィールド或いはフレームの画像表示期間では、図７（ｂ）に示すように、液晶駆動電圧の極性を反転させる。ｎ＋２番目のフィールド或いはフレーム以降は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した状態が周期的に繰り返される。このように液晶層５０への印加電圧の極性を周期的に反転させると、液晶に直流電圧が印加されるのが防止され、液晶の劣化が抑制される。また、画素電極９ａの行毎に印加電圧の極性を逆としているので、クロストークやフリッカが低減される。
【００５７】
この方式により、Ｙ軸方向に相隣接する（即ち、相異なる行に属する）画素電極９ａは、基準電圧に対して互いに逆の極性の電位で駆動されるため、その間の領域Ｃ１には横電界と呼ばれる基板面に平行な成分を持つ電界が発生する。加えて、相隣接する行の画素電極９ａのうち異なる列に属する画素電極９ａ間にも横電界が発生する。したがって、液晶装置１の動作時には、図中Ｃ１で示した走査線１１ａが延びる領域に沿った領域全体に横電界が発生し、液晶分子の配向性に影響を与える。
【００５８】
図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、不図示の配向膜１６はＸ方向に沿って蒸着形成されているため、液晶分子５０ａの配向容易軸は図中Ｘ方向に沿った方向である。したがって、液晶分子５０ａの配向容易軸は図中Ｘ方向に沿った方向である。図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、液晶装置１の駆動時には、対向電極２１及び画素電極９ａ間に縦電界が印加され、液晶分子５０ａは、配向容易軸たるＸ方向に配向する。ここで、図８（ｂ）に示すように、平面的に見てＹ方向に隣接する画素電極９ａ間でＹ方向に沿った横電界が印加されることになる。ここで、液晶分子５０ａは、誘電率異方性が負であるため、電界ベクトルの向きに対して液晶分子の長軸が直角をなすように配向する性質を有する。したがって、領域Ｃ１において液晶分子５０ａに横電界が印加された場合でも、横電界によって液晶分子５０ａの配向は影響を受けることがなく、縦電界に応じて配向制御される。このように、誘電率異方性が負である液晶分子を垂直配向モードで駆動する場合に、配向容易軸の方向が横電界の向きと直角をなすように配向膜１６を形成しておくことにより、画素電極間に生じる横電界による液晶分子の配向不良を低減し、その配向不良に起因する透過率ムラ（ドメイン）及び透過率低下の無い高品位な画像を、高コントラスト比で画像表示できる。
【００５９】
（液晶装置の具体的構成）
次に、図１０乃至図１２を参照しながら上述の動作が実現される液晶装置１の具体的な構成を説明する。
【００６０】
図１０乃至図１２において、液晶装置１の回路要素及び画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、ガラス基板、石英基板、ＳＯＩ基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０と対向配置されている。回路要素は画素電極９ａを駆動するために設けられ、ここでは、ＴＦＴアレイ基板１０の直上から画素電極９ａの直下までの範囲内に積層された、走査線１１ａから第４層間絶縁膜４４までを指している（図１２参照）。また、画素電極９ａ（図１１中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図１０及び図１１参照）。
【００６１】
各回路要素を構成するパターニングされた導電膜は、下から順に走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含む第２層、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３、第５層と画素電極９ａの間には第４層間絶縁膜４４が夫々設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図１０に示され、第４層、第５層及び画素電極９ａが上層部分として図１１に示されている。
【００６２】
＜第１層の構成−走査線等−＞
第１層は、走査線１１ａで構成される。走査線１１ａは、図１０のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図１０のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
【００６３】
＜第２層の構成−ＴＦＴ等−＞
第２層は、ＴＦＴ３０及び中継電極７１９で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、ゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極７１９は、例えばゲート電極３ａと同一膜として形成される。
【００６４】
ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第１層と第２層の層間絶縁機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。
【００６５】
＜第３層の構成−蓄積容量等−＞
第３層は、蓄積容量７０で構成されている。蓄積容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体層を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極３００は、容量配線４００に電気的に接続されている。下部電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続されている。
【００６６】
下部電極７１と高濃度ドレイン領域１ｅとは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して接続されている。また、下部電極７１と画素電極９ａとは、コンタクトホール８８１、８８２、８０４、及び中継電極７１９、第２中継電極６ａ２、第３中継電極４０２により各層を中継し、コンタクトホール８９において電気的に接続されている。
【００６７】
このような容量電極３００、下部電極７１には、例えば導電性のポリシリコンが用いられ、誘電体層には酸化シリコンが用いられる。また、第１層間絶縁膜４１は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００６８】
尚、この場合の蓄積容量７０は、図１０の平面図からわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する画素領域に至らないように（遮光領域内に収まるように）形成されているので、画素開口率が比較的大きく維持されている。
【００６９】
＜第４層の構成−データ線等−＞
第４層は、データ線６ａで構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図１１に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
【００７０】
このうち、データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。
【００７１】
容量配線用中継層６ａ１は、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８０１を介して容量電極３００と電気的に接続され、容量電極３００と容量配線４００との間を中継している。容量配線用中継層６ａ２は、前述したように、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８８２を介して中継電極７１９に電気的に接続されている。このような層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。
【００７２】
＜第５層の構成−容量配線等−＞
第５層は、容量配線４００及び第３中継電極４０２により構成されている。容量配線４００は、表示パネルの画像表示領域の周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。この容量配線４００は、図１１に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向に延在する格子状に形成され、Ｘ方向に延在する部分には、第３中継電極４０２の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。また、容量配線４００は、その下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
【００７３】
更に、容量配線４００のＸ方向延在部分とＹ方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状となっている。この庇部により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。
【００７４】
このような容量配線４００は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８０３を介して、容量配線用中継層６ａ１と電気的に接続されている。
【００７５】
また、第４層には、容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、前述のように、コンタクトホール８０４及びコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２−画素電極９ａ間を中継している。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。
【００７６】
第４層の上には、全面に第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａー第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【００７７】
＜画素電極＞
第４層間絶縁膜４４の表面は、例えばＣＭＰ処理によって平坦化され、その上に画素電極９ａが画素領域毎に配置されている（図１１）。本実施形態では、同じく第４層間絶縁膜４４の上に、横電界を低減するための凸部９０が設けられている。凸部９０により、配向膜１６及び配向膜２２間の間隔を小さくすることができ、これにより相対的に横電界に比べて縦電界を強めることによって液晶分子に作用する横電界の影響を小さくすることもできる。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなり、凸部９０は、例えば窒化シリコンや酸化シリコン等の絶縁体により形成できる。また、これら画素電極９ａ及び凸部９０上は、配向膜１６によって覆われている。
【００７８】
＜対向基板上の構成＞
他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図１２では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜２３が設けられている。
【００７９】
以上のように構成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０の間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、基板１０及び２０の周縁部をシール材により封止して形成した空間に液晶を封入して形成される。液晶層５０は、画素電極９ａと対向電極２１との間に電界が印加されていない状態において、例えば配向膜１６及び配向膜２２によって、所定の配向状態をとるようになっている。
【００８０】
（評価結果）
次に、上述の構成を有する液晶装置１について本願発明者が実施した評価結果を説明する。本評価は、液晶装置１をフレーム反転方式及び１Ｈ反転方式（ライン反転駆動）の夫々の駆動方式で駆動した場合に、光の透過率及び表示品位を比較したものである。表１は評価結果を示したものであり、表２は表示品位のランク付けを示すものである。尚、本評価では、配向膜を形成する際の基板面と無機材料の蒸着方向とがなす蒸着角度は５３度であり、配向膜の膜厚は８０ｎｍである。対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０の間隔、即ちセルギャップは２．７μｍであり、液晶分子がなすプレチルト角（θｐ）は基板水平方向を基準として８５．４度である。液晶装置１の解像度はＸＧＡであり、開口率６０．３％、画素ピッチ１４μｍである。尚、液晶として、屈折率（Δｎ）が０．１２６５、誘電率異方性（Δε）が−３．９であるメルク株式会社製（ＭＬＣ−７０２９）の液晶を用いた。
【００８１】
尚、表示品位は目視で確認したため、表２に示すように表示画像にザラツキ感が無い場合を○、弱いザラツキ感が発生した場合を△、酷いザラツキ感が発生した場合を×と判断した。
【００８２】
表１に示すように、本評価によれば、１Ｈライン反転駆動方式を採用した場合のほうがフレーム反転駆動方式を採用した場合に比べて透過率は１２．６８％から１５．５６％に向上し、表示品位も△から○に向上した。この結果によれば、フレーム反転駆動方式を採用した場合には、画素電極間に生じる横電界による液晶分子の配向不良（方位角ずれ）が発生するのに対し、１Ｈ反転駆動方式では画素面内における液晶分子の配向不良が画素電極の各行間で均一化することによって透過率が向上したものと考えられる。加えて、１Ｈライン反転駆動方式では、配向不良によるドメインの発生がないのでザラツキ感のない高品位な画像表示が可能となる。
【００８３】
【表１】
2007065014.tif 000005
【００８４】
【表２】
2007065014.tif 000006
（変形例）
次に、マトリクス状に配列された画素電極のうち隣接する列の電極電位の極性を互いに逆極性にする１Ｓライン反転駆動方式を採用した場合を説明する。本例では、本発明の「一方向」の一例がＹ方向であり、「他の方向」の一例がＸ方向となる。尚、本例の液晶装置では、駆動方式及び偏光板２０１及び２０２の配置が異なるだけであるため、液晶装置１と共通する部分については共通の参照符号を付して説明する。
【００８５】
図１３において、液晶装置４００は、偏光軸Ｐ１を有する偏光板２０１及び偏光軸Ｐ２を有する偏光板２０２を備えている。偏光軸Ｐ１及びＰ２は互いに直交わしており、配向膜１６及び２２を形成する際の蒸着方向は図中Ｙ方向に沿った方向である。したがって、誘電率異方性が負である液晶の配向容易軸はＹ方向に沿っている。ここで、配向容易軸は偏光軸Ｐ１及びＰ２の夫々と略４５度の角度をなしているため、例えば液晶装置４００の明視方向がＹ方向、即ちデータ線に沿った方向になる。このため、例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）及びＢ（青色）の各色の画像成分を導くライトバルブとして液晶装置４００を使用し、且つこれらライトバルブからダイクロイックプリズムを介して画像合成する場合でも、画像合成時の色むらの発生を低減できる。より具体的には、Ｙ方向に沿った明視方向は、ダイクロイクプリズムによる内部反射によって左右反転されても、明視方向が左右対称であるため、この内部反射を考慮して最終的に明視方向が揃うように各ライトバルブによって明視方向を調整して作製する必要がない。加えて、上述の液晶装置１と同様に式（１）に基づいて光透過率を理論上ほぼ１００％に近づけることができ、光の損失を低減できる。
【００８６】
図１４（ａ）及び（ｂ）において、画素伝教９ａは、隣接する列毎に電極電位が逆極性となるように駆動される。画素電極９ａはマトリクス状に配列されており、その駆動時には各列間の領域Ｃ２に横電界が生じる。ここで、配向膜を形成する際に蒸着方向は図中Ｙ方向に沿っているため、横電界が生じている場合でも、誘電率異方性が負の液晶分子の配向が阻害されることがない。
【００８７】
以上より、本実施形態の液晶装置によれば、その駆動時に横電界が生じた場合でも、光の透過率を低下させることなく、高いコントラストで画像を表示することが可能である。
【００８８】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００８９】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１５は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１５に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００９０】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９２】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９３】
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１６は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１６において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００９４】
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１７は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１７において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００９５】
尚、図１５乃至図１７を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置、及び該液晶装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】偏光板の平面的な配置状態を示す配置図である。
【図４】配向膜の構成を模式的に示した図である。
【図５】蒸着装置の構成を示した図である。
【図６】液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。
【図７】液晶装置の１Ｈ反転駆動方式における動作状態を説明するための図である。
【図８】液晶分子の配向状態を説明するための平面図である。
【図９】図８のＶＩＩＩａ−ＶＩＩＩａ´及びＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ´線断面図である。
【図１０】図１に示した液晶装置の具体的な構成を表す部分平面図である。
【図１１】図１に示した液晶装置の具体的な構成を表す部分平面図である。
【図１２】図１０及び図１１のＡ−Ａ´線断面図である。
【図１３】偏光板の平面的な配置状態を示す配置図である
【図１４】液晶装置の１Ｓ反転駆動方式における動作状態を説明するための図である。
【図１５】液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１６】液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１７】液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９８】
１０・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、９ａ・・・画素電極、２０１，２０２・・・偏光板
【図１】
2007065014.tif 000007
【図２】
2007065014.tif 000008
【図３】
2007065014.tif 000009
【図４】
2007065014.tif 000010
【図５】
2007065014.tif 000011
【図６】
2007065014.tif 000012
【図７】
2007065014.tif 000013
【図８】
2007065014.tif 000014
【図９】
2007065014.tif 000015
【図１０】
2007065014.tif 000016
【図１１】
2007065014.tif 000017
【図１２】
2007065014.tif 000018
【図１３】
2007065014.tif 000019
【図１４】
2007065014.tif 000020
【図１５】
2007065014.tif 000021
【図１６】
2007065014.tif 000022
【図１７】
2007065014.tif 000023