(57)【要約】【課題】耐熱性、感度及び解像度に優れ、オゾン水によるレジスト剥離速度が速く、アルカリ水溶液で現像することができ、さらに現像の際にレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いポジ型フォトレジストを提供する。【解決手段】本発明は、易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）と、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）と、難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）と、を含むポジ型フォトレジストを提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）と、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）と、難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）と、を含むポジ型フォトレジスト。
【請求項２】
前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を少なくとも含む、請求項１記載のポジ型フォトレジスト。
【請求項３】
前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、水酸基を１つ有するベンゼン核を含むモノマーと、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を含むモノマーとの交互共重合体である、請求項１又は２記載のポジ型フォトレジスト。
【請求項４】
前記キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）は、以下に示す化合物の何れかの化合物にキノンジアジド基がエステル結合されてなる、請求項１〜３の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト。
【化１】
2007206562.tif 000021
【化２】
2007206562.tif 000022
【化３】
2007206562.tif 000023
【請求項５】
前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、フェノール類を重合したノボラック樹脂又はオリゴマーである、請求項１〜４の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト。
【請求項６】
前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、水酸基を１つ有するベンゼン核のみを構成単位とする樹脂又はオリゴマーである、請求項１〜５の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト。
【請求項７】
前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００以下である、請求項１〜６の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載のポジ型フォトレジストを用い基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、アルカリ水により現像する工程と、現像されたレジストパターンを用いて回路を形成する工程と、レジスト膜をオゾン水により除去する工程と、含む、構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の製造に用いられるポジ型フォトレジスト、及び構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体やＬＣＤの製造に際し、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法が多用されている。ところで、フォトレジストの剥離を、アミン系溶剤等のレジスト剥離液を用いずに、オゾン水を用いて行なうことができれば、剥離プロセスを単純化することができ、かつ環境に対する負担を軽減することができる。
【０００３】
従来のポジ型フォトレジスト用樹脂として、水酸基を１つ含むフェノール、クレゾール、またはキシレノール等を用いて得られた所定のノボラック樹脂が知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−１８３８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記ノボラック樹脂では、剥離にアミン系溶剤等を含むレジスト剥離液が用いられているため、薬剤及び廃液処理コストが高くなっていた。
また、上記ノボラック樹脂はオゾンによる分解性が高くないため、オゾン水を用いたレジスト剥離は実用上実現することができなかった。
【０００５】
一方、オゾン水によりフォトレジストを容易に剥離するために、フォトレジストに用いられる樹脂を親水性とすると、アルカリ水に対する溶解性が非常に高くなるため、アルカリ現像液によって未露光部までも溶解してしまい、コントラストをつけることが困難であるという問題があった。
【０００６】
また、従来のフォトレジストでは、現像後にフォトレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いことが強く求められていたが、他の性能を確保してこの要求を満たすことは困難であった。
【０００７】
そこで、本発明は、耐熱性、感度及び解像度に優れ、オゾン水に対するレジスト剥離速度が速く、アルカリ水溶液で現像することができ、さらに現像の際にレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いポジ型フォトレジスト、並びに該ポジ型フォトレジストを用いてレジストパターンが形成された構造体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）と、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）と、難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）と、を含むポジ型フォトレジストが、耐熱性、感度及び解像度に優れ、オゾン水によるレジスト剥離速度が速く、アルカリ水溶液で現像することができ、さらに現像の際にレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、（１）易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）と、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）と、難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）と、を含むポジ型フォトレジスト；（２）前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を少なくとも含む、前記（１）記載のポジ型フォトレジスト；（３）前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、水酸基を１つ有するベンゼン核を含むモノマーと、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を含むモノマーとの交互共重合体である、前記（１）又は（２）記載のポジ型フォトレジスト；（４）前記キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）は、以下に示す化合物の何れかの化合物にキノンジアジド基がエステル結合されてなる、請求項１〜３の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト
【化４】
2007206562.tif 000002
【化５】
2007206562.tif 000003
【化６】
2007206562.tif 000004
；（５）前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、フェノール類を重合したノボラック樹脂又はオリゴマーである、前記（１）〜（４）の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト；（６）前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、水酸基を１つ有するベンゼン核のみを構成単位とする樹脂又はオリゴマーである、前記（１）〜（５）の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト；（７）前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００以下である、前記（１）〜（６）の何れか１項に記載のポジ型フォトレジスト；（８）前記（１）〜（７）の何れか１項に記載のポジ型フォトレジストを用い基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、アルカリ水により現像する工程と、現像されたレジストパターンを用いて回路を形成する工程と、レジスト膜をオゾン水により除去する工程と、含む、構造体の製造方法；を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、耐熱性、感度及び解像度に優れ、オゾン水によるレジスト剥離速度が速く、アルカリ水溶液で現像することができ、さらに現像の際にレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いポジ型フォトレジスト、並びに該ポジ型フォトレジストを用いてレジストパターンが構成された構造体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明の実施の形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をこの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな形態で実施することができる。
【００１２】
本発明のポジ型フォトレジストは、易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）と、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）と、難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）と、を含むものである。
【００１３】
このような構成とすることにより、易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）の親水性・易オゾン分解性と、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）の有する疎水性・アルカリ現像液耐性と、難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）の有する難オゾン分解性と、の相互作用によって、耐熱性、感度及び解像度に優れ、オゾン水によるレジスト剥離速度が速く、アルカリ水溶液で現像することができ、さらに現像の際にレジストの溶け残り物であるスカムが生じ難いポジ型フォトレジストが得られる。
【００１４】
本発明において「易オゾン分解性」ないし「難オゾン分解性」とは、「ノボラック樹脂（Ａ）」に対して、「樹脂又はオリゴマー（Ｃ）」のオゾン水に対する分解性が、相対的に低いことを意味する。なお、易オゾン分解性のノボラック樹脂（Ａ）に対し、難オゾン分解性の樹脂またはオリゴマーはオゾン分解速度が０．７倍以下であることが望ましく、更に０．５倍以下であることがより好ましく、０．３倍以下であることが一層好ましい。
【００１５】
（易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ））
本発明の易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を少なくとも含む樹脂であることが好ましい。すなわち、水酸基を２つ以上有するフェノール類を少なくとも含む樹脂であることが好ましい。
ノボラック樹脂（Ａ）中の水酸基の数の測定は、樹脂（Ａ）を重アセトンに溶解させ、1Ｈ-ＮＭＲを用いて測定し、水酸基中の水素の存在比率とベンゼン環中の水素の存在比を求め、これにより樹脂（Ａ）中の原料存在比を求めることにより行う。
【００１６】
前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００以上２００００以下であることが好ましく、３０００以上１５０００以下であることがより好ましく、５０００以上１００００以下であることが一層好ましい。
このような好適な構成とすることにより、感度及び解像度を維持しつつ、パターン形状の品質を維持することができる。
【００１７】
前記水酸基を２つ以上有するフェノール類としては、例えば、ピロカテコール、レゾシノール、ハイドロキノン、ピロガロール、フィロログリシノール等が挙げられ、その他、以下のものが挙げられる。
【００１８】
【化７】
2007206562.tif 000005
【００１９】
前記水酸基を２つ以上有するフェノール類としては、特に、以下のものが好ましい。
【００２０】
【化８】
2007206562.tif 000006
【００２１】
前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）には、前記水酸基を２つ以上有するフェノール類以外に、他のフェノール類を併用してもよい。
併用される他のフェノール類としては、メタクレゾール、パラクレゾール、キシレノール、フェノール、トリメチルフェノール等が挙げられる。キシレノールとしては、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、あるいは３，５−キシレノール等を使用することができる。前記併用されるフェノール類は、１種のみであってもよく、２種以上であってもよい。
【００２２】
本発明のノボラック樹脂（Ａ）が有する水酸基の一部は、アルキルエーテル、アリールエーテル、ベンジルエーテル、トリアリールメチルエーテル、トリアルキルシリルエーテル、及びテトラヒドロピラニルエーテルからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を用いてエーテル化により置換されていてもよい。
また、本発明のノボラック樹脂（Ａ）が有する水酸基の一部は、アセタート、ベンゾアート、メタンスルホン酸エステル、及びベンゼンスルホン酸エステルからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を用いてエステル化により置換されていてもよい。
【００２３】
本発明のノボラック樹脂（Ａ）は、所定のフェノール類と、アルデヒド類と、酸触媒とを混合し、加熱により付加重縮合することにより得ることができる。
アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、バニリン、プロピルアルデヒド、サリチルアルデヒド等が挙げられる。
酸触媒としては、シュウ酸、塩酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられる。
【００２４】
前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、２種のモノマーの交互共重合体であることが好ましい。
【００２５】
特に、前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）は、水酸基を１つ有するベンゼン核を含むモノマーと、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を含むモノマーとの交互共重合体であることが好ましい。
このような好適な構成とすることにより、水酸基を１つ有するベンゼン核を含むモノマー部位が有する疎水性と、水酸基を２つ以上有するベンゼン核を含むモノマー部位が有する親水性と、の両者の作用によって、分解点の分散に寄与し、親水性・疎水性を調整することができ、耐熱性、感度及び解像度に一層優れたポジ型フォトレジストが得られる。
また、交互共重合体であり規則的な構造をなすため、レジストとして用いる際に高速かつ均一に、安定したオゾン水剥離を行うことができる。
【００２６】
前記水酸基を２つ以上有するベンゼン核を含むモノマーの含有量は、前記水酸基を１つ有するベンゼン核を含むモノマー及び前記水酸基を２つ以上有するベンゼン核を含むモノマーの合計量に対して、３０重量％以上であることが好ましい。
このような好適な構成とすることにより、本発明の効果を維持しつつ、一層容易にオゾン水による剥離を行うことができる。
【００２７】
前記水酸基を１つ含むベンゼン核を有するモノマーとしては、以下のものが挙げられる。
【００２８】
【化９】
2007206562.tif 000007
【００２９】
【化１０】
2007206562.tif 000008
【００３０】
このような交互共重合体は、２種のモノマーのうち１種のモノマーをメチロール化して、ジメチロール体（中間体）を作成してから重合を行うことにより得ることができる。
例えば、２種のモノマーを配合し、酸触媒（シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等）や、必要に応じて溶媒を加えて加熱撹拌し、次に、溶剤を加えて得た溶液を激しく撹拌する水中に投入して残存モノマーを取り除き、さらに、残った沈殿物を加熱及び真空乾燥して交互共重合体を得ることができる。
【００３１】
このような交互共重合体を得る方法の一例を以下に示す。
【００３２】
【化１１】
2007206562.tif 000009
【００３３】
上記の例に示すように、例えば、3,4−キシレノールにホルムアルデヒド（ＣＨ2Ｏ）を反応させ、中間体としてジメチロール体を作成し、次に、この中間体とピロガロールを交互重合させ、交互共重合体を得ることができる。
【００３４】
（キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ））
本発明のキノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）としては、例えば、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸クロライド等のナフトキノンジアジドスルホニルハライド類、ナフトキノンジアジド類、等を用いたエステル類が挙げられる。
【００３５】
前記キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）は、以下に示す化合物の何れかの化合物にキノンジアジド基がエステル結合されたものが好ましい。
【００３６】
【化１２】
2007206562.tif 000010
【００３７】
【化１３】
2007206562.tif 000011
【００３８】
【化１４】
2007206562.tif 000012
【００３９】
本発明のポジ型フォトレジストにおいて、キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）中の水酸基は１分子当たり好ましくは平均２未満であり、より好ましくは平均１以下、さらに好ましくは平均０．６以下であると、本発明の目的を一層有効に達成することができる。
キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）中の水酸基の数の測定は、エステル化後の感光剤（Ｂ）は様々なエステル化率の化合物の混合物となっているため、その混合物を高速液体クロマトグラフィーを用いて、各エステル化率の化合物の存在比を求め、これにより一分子当たりの水酸基比率を求めることにより行う。
【００４０】
感光剤（Ｂ）が有するキノンジアジド基としては、下記式で表されるナフトキノンジアジド基が好ましい。
【００４１】
【化１５】
2007206562.tif 000013
【００４２】
特に、前記キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）は、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンの３つの水酸基のうち平均２つにナフトキノンジアジドスルホン酸基がエステル結合されたものが好ましい。
【００４３】
（難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ））
本発明の難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、フェノール類を重合したノボラック樹脂又はオリゴマーであることが好ましい。
さらに、前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、水酸基を１つ有するベンゼン核のみを構成単位とする樹脂又はオリゴマーであることが好ましい。すなわち、水酸基を１つ有するフェノール類を構成単位とする樹脂又はオリゴマーであることが好ましい。
【００４４】
前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００以下であることが好ましく、３０００以下であることがより好ましい。
このような好適な構成とすることにより、感度及び解像度を維持しつつ、剥離速度を高めることができる。
【００４５】
前記水酸基を１つ有するフェノール類（構成単位）としては、上記のノボラック樹脂（Ａ）が交互共重合体である場合に好適なものとして例示した、水酸基を１つ有するベンゼン核を有するモノマーを、好適に用いることができる。
前記水酸基を１つ有するフェノール類（構成単位）としては、特に、以下のものが好ましい。
【００４６】
【化１６】
2007206562.tif 000014
【００４７】
本発明のポジ型フォトレジストにおいては、感光性の一層の向上及び残膜率維持の観点からは、前記易オゾン分解性かつアルカリ可溶性のノボラック樹脂（Ａ）の重量１００重量部に対して、前記キノンジアジド基含有感光剤（Ｂ）が１０〜１００重量部であることが好ましく、前記難オゾン分解性かつアルカリ可溶性の樹脂又はオリゴマー（Ｃ）が１０〜１５０重量部であることが好ましい。
【００４８】
本発明のポジ型フォトレジストは、有機溶剤に溶解されて用いられる。有機溶剤は、基板等への塗布時の粘度調整剤としての機能を有し、この観点からは、上記ノボラック樹脂（Ａ）１００重量部に対し、粘度調整剤が１００〜３０００重量部であることが好ましい。粘度調整剤が、１００重量部以上であると均一な溶液を作成することができ、３０００重量部以下であると粘度を維持することができる。
有機溶剤の例としては、一般的にレジストに用いられる有機溶剤であればいずれでもかまわないが、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のアセテート類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ等のセロソルブ類、２−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジメチル、ジアセトンアルコール、ジアセチン、クエン酸トリエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の極性溶媒を含む有機溶剤を１種または２種以上を適宜使用することができる。
【００４９】
本発明のポジ型フォトレジストは、保存安定性を確保するために、溶剤を含んでいてもよい。このような溶剤としては、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ等、上述の粘度調整剤として利用可能な溶剤を挙げることができる。
【００５０】
（構造体の製造方法）
本発明の構造体の製造方法は、前記ポジ型フォトレジストを用い基板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、アルカリ水により現像する工程と、現像されたレジストパターンを用いて回路を形成する工程と、レジスト膜をオゾン水により除去する工程と、含むものである。
前記ポジ型フォトレジストを用いた前記構造体の製造方法を採用することによって、アルカリ水溶液で現像することができ、また、剥離にオゾン水を用いることができるため、剥離工程におけるコスト及び工程の簡略化を果たすことができる。
【００５１】
本発明の構造体の製造方法に用いられる現像液としては、各種アルカリ物質の水溶液が用いられるが、アルカリ物質としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒトロキシド等が挙げられる。
【００５２】
前記製造方法により得られる構造体としては、例えば、半導体やＬＣＤの基板等が挙げられるが、これに限定されず、様々な電子部品のレジストによる回路パターンが形成された構造体を含む。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。当業者は、以下に示す実施例のみならず様々な変更を加えて実施することが可能であり、かかる変更も本特許請求の範囲に包含される。
【００５４】
（実施例１）
まず、下記式（ａ）で表されＭｗが１００００であり易オゾン分解性のノボラック樹脂を１００重量部と、下記式（ｃ−１）で表されＭｗが２５００であり難オゾン分解性のノボラック樹脂を１００重量部と、下記式（ｂ）で表される2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノンの３つの水酸基中、平均２つにナフトキノンジアジドスルホン酸がエステル結合されたＮＴ−２００（東洋合成株式会社製）（感光剤）を６０重量部と、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを８００重量部と、を混合してレジスト組成物を調整した。
【００５５】
【化１７】
2007206562.tif 000015
【００５６】
【化１８】
2007206562.tif 000016
【００５７】
【化１９】
2007206562.tif 000017
【００５８】
（実施例２）
（ｃ−１）のノボラック樹脂１００重量部に代えて、下記式（ｃ−２）で表されるフェノール類４核体１００重量部を用いた以外は、実施例１と同様にしてレジスト組成物を調製した。
【００５９】
【化２０】
2007206562.tif 000018
【００６０】
（実施例３）
（ｃ−１）のノボラック樹脂１００重量部に代えて、下記式（ｃ−３）で表されるフェノール類４核体１００重量部を用いた以外は、実施例１と同様にしてレジスト組成物を調製した。
【００６１】
【化２１】
2007206562.tif 000019
【００６２】
（実施例４）
（ｃ−１）のＭｗが２５００のノボラック樹脂１００重量部に代えて、上記式（ｃ−１）で表されかつＭｗが５０００のノボラック樹脂１００重量部を用いた以外は、実施例１と同様にしてレジスト組成物を調製した。
【００６３】
（比較例１）
（ａ）のノボラック樹脂の配合量を１００重量部とし、かつ（ｃ−１）のノボラック樹脂を配合しなかった以外は、実施例１と同様にしてレジスト組成物を調製した。
【００６４】
上記のレジスト組成物を、ヘキサメチルジシラザンを蒸着したガラス基板上にスピンコート法により薄膜塗工し、９０℃の温度で２分間加熱乾燥し、１２００ｎｍの厚みのレジスト膜を形成した。
【００６５】
（オゾン水剥離速度）
得られたレジスト膜に、１００ｐｐｍの高濃度のオゾン水を格子間隔１ｍｍで孔径０．１ｍｍの多孔板から１つの孔当たり２．１３ｍＬ／分の流量で噴霧した。この時のオゾン水の水温は５０℃とした。その後、１分当たりのレジスト膜の厚みの変化（オゾン水剥離速度）を、半導体を薄膜測定装置（テクノス社製、品番：ＳＭＡＴ）により測定し、比較例１の剥離速度を１とした場合の相対値を求めた。
【００６６】
（感度、限界解像度）
得られたレジスト膜を、縮小露光装置（ＦＸ−５３Ｓ；ニコン社製）を用いて、１０．０μｍのＬ／Ｓ＝１：１パターンを露光し、２．３８％テトラメチルアンモニウム水溶液で６０秒間現像、３０秒間水洗後、スピン乾燥した。
露光量を変化させ、レジストパターンが１／１に再現できる露光量（ｍＪ／ｃｍ2）を求めた。また、レジストパターンの線幅を変更し、１／１パターンを忠実に再現できる限界解像度（μｍ）を求めた。
その結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
2007206562.tif 000020
【００６８】
表１に示すように、実施例１〜４のレジストは感度、限界解像度、及びオゾン水による速い剥離を実現できることが分かった。剥離速度が速く、剥離時間を短くできるため、タクトタイムに合わせて剥離装置の所要台数を少なく抑えることができ、かつ優れた感度及び解像度を実現することができる。
また、重合体（Ｃ）のＭｗが３０００以下である実施例１〜３は、実施例４に比べて、オゾン水剥離速度が速いことが分かった。