(57)【要約】【課題】「光漏れ」の発生を防止して、高いコントラストの画像を表示する。【解決手段】列方向ｙにおいてＴＦＴ基板６０１がラビング処理を施される進行方向Ａ１へ、遮光面が広がるように第２遮光層６２２を形成する。これにより、対向基板７０１側から入射され液晶層８０１を透過した光のうち、画素電極６１１の周辺において、ＴＦＴ基板６０１が列方向ｙにラビング処理を施される進行方向Ａ１から画素電極の外側へ傾斜するように進行する光を、第２遮光層６２２が遮光し、画素電極６１１の外側から内側へ偏光する。【選択図】図３
2007057842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極が列方向と行方向とのそれぞれに間隔を隔てるように形成された第１基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が前記第１基板に対面する面に一体的に形成された第２基板と、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持されているツイステッド・ネマッチック型の液晶層とを有し、行反転駆動方法によって駆動される液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
前記画素電極の周囲であって前記列方向に沿った領域に対応するように形成され、前記第２基板側から入射され前記液晶層を透過する光を遮光面で遮光する遮光層
を含み、
前記液晶層は、前記列方向に沿うように前記第１基板がラビング処理されると共に、前記行方向に沿うように前記第２基板がラビング処理されることによって形成されており、
前記遮光層は、前記列方向において前記第１基板がラビング処理を施される進行方向へ、前記遮光面が広がるように形成されている
液晶表示装置。
【請求項２】
前記遮光層は、前記列方向において前記第１基板がラビング処理される進行方向へ広がったテーパー形状になるように、前記遮光面が形成されている
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記遮光層は、前記列方向を軸にして、前記遮光面が対称になるように形成されている
請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記遮光層は、前記遮光面が前記列方向に沿って複数並ぶように形成されている
請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２基板へ光を照射する光源と、
前記光源から照射され、前記第２基板と前記液晶層と前記第１基板とを順次透過した光を拡大して投射する投射光学系と
を有する
請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
複数の画素電極が列方向と行方向とのそれぞれに間隔を隔てるように形成された第１基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が前記第１基板に対面する面に一体的に形成された第２基板と、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持されているツイステッド・ネマッチック型の液晶層とを有し、行反転駆動方法によって駆動される液晶表示装置の製造方法であって、
前記第２基板側から入射され前記液晶層を透過する光を遮光面で遮光する遮光層を、前記画素電極の周囲であって前記列方向に沿った領域に対応するように、前記第１基板に形成する第１工程と、
前記列方向に沿うように前記第１基板をラビング処理すると共に、前記行方向に沿うように前記第２基板をラビング処理することによって前記液晶層を形成する第２工程と
を有し、
前記第１工程では、前記第２工程において前記第１基板が前記列方向にラビング処理を施される進行方向へ、前記遮光面が広がるように前記遮光層を形成する
液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、および、その製造方法に関し、特に、一対の対面する基板にツイステッド・ネマッチック（ＴＮ：Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶層が挟持されており、マトリクス状に配列された複数の画素が行反転駆動方法によって駆動される液晶表示装置、および、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを有する。液晶表示装置においては、光源から照射された光を液晶パネルが変調し、その変調した光によって画像の表示が実施される。このような液晶表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）よりも、薄型、軽量、低消費電力といった利点を有する。このため、液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラなどの電子機器において直視型の表示装置として使用され、また、プロジェクタなどの投射型の表示装置として使用されている。
【０００３】
ところで、液晶表示装置においては、画像の視認性を向上させるために、大きな画面で画像を表示することが要請されている。
【０００４】
直視型の液晶表示装置は、液晶パネルの表示面の大きさがそのまま画面の大きさになる。このため、大画面での表示を行う際には、直視型の液晶表示装置においては、大型の液晶パネルを用いるか、または、複数の液晶パネルを結合することによって、画像の表示面を大きくしている。よって、直視型の液晶表示装置において大きな画面での表示を行うためには、装置が高価になる場合がある。
【０００５】
一方、投射型の液晶表示装置は、小型の液晶パネルに光源が光を照射し、その液晶パネルを透過した光をレンズで拡大投影して、画像を大画面で表示する。このため、投射型の液晶表示装置は、直視型よりも安価に装置を製造することができる。
【０００６】
投射型の液晶表示装置は、たとえば、単板式と３板式とに大別される。単板式では、１枚の液晶パネルを用いて空間的または時間的に３原色を分解し、スクリーンに画像を表示している。一方、３板式では、３原色のそれぞれの画像を３枚の液晶パネルのそれぞれで表示した後に、プリズムなどの光学系を用いて３枚の液晶パネルの画像を１枚の画像に合成し、拡大投射してスクリーンに表示している。
【０００７】
このような投射型の液晶表示装置においては、ＴＮモードが主流である。ＴＮモードにおいては、液晶のプレチルト成分のために、コントラストが低下する場合がある。このため、位相差フィルムを使用することによって、プレチルト成分による画像のコントラストの低下を光学的に補償し、高コントラストを実現している。
【０００８】
また、投射型の液晶表示装置においては、一般に、行方向（水平方向）に並ぶ画素のラインごとに駆動電圧の極性を反転する１Ｈ反転が採用されている。つまり、行反転駆動方法またはライン反転駆動方法と呼ばれる駆動方法によって、マトリクス状に並ぶ画素が駆動されている。たとえば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板において行方向に並ぶ画素電極と、対向基板に形成された対向電極とに挟持された液晶層に印加する電圧の極性を行ごとに交互に相違させ、その極性を繰り返し反転させることで、駆動を実施している。
【０００９】
このため、列方向（垂直方向）にて互いに隣接する画素の間においては、異なる極性の電圧が印加されて横電界が発生するために、リバースチルトドメインが発生して、画像のコントラストが低下する場合がある。よって、表示有効画素間に凸部を設けて、部分的にセルギャップを狭める方法を採用し、リバースチルトドメインに起因するコントラストの低下を防止している（たとえば、特許文献１参照）。
【００１０】
一方で、行方向にて互いに隣接する画素の間においては、列方向の場合と異なって同じ極性の電圧が印加されるために、横電界の発生が少ない。このため、行方向においては、画素の開口領域が広げられている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−１４２４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、画素の高精細化などの要請に対応するために、画素ピッチが１０μｍ程度に小さくなるに伴って、行方向にて互いに隣接する画素の間において、「光漏れ」が発生し、コントラストが低下する不具合が顕在化している。
【００１３】
図８と図９と図１０は、行方向にて互いに隣接する画素の間において発生する「光漏れ」を示す図である。
【００１４】
図８は、液晶パネル１の画素構造を示す図である。図８において、図８（ａ）は、液晶パネル１の断面図であり、図８（ｂ）は、液晶パネル１のＴＦＴ基板１０１側を示す平面図である。
【００１５】
一方、図９は、図８に示した液晶パネル１の視野角特性をシミュレーションした結果を示す視野角特性図である。図９において、図９（ａ）は、図８に示す液晶パネル１において、画素の左側部分Ｒ１についての視野角特性図であり、図９（ｂ）は、図８に示す液晶パネル１において、画素の右側部分Ｒ２についての視野角特性図である。なお、図９は、対向基板２０１側からＴＦＴ基板１０１側へ光を照射した場合に測定される黒透過率と白透過率とにおいて、その黒透過率を白透過率で割った値を示している。つまり、コントラストの逆数を示している。
【００１６】
図１０は、図９に示した視野角特性をシミュレーションする際に用いた液晶パネルの断面図である。図１０において、図１０（ａ）は、図８に示す液晶パネル１において画素の左側部分Ｒ１についての視野角特性図をシミュレーションする際に用いた液晶パネル１ａの断面図であり、図１０（ｂ）は、図８に示す液晶パネル１において画素の右側部分Ｒ２についての視野角特性図をシミュレーションする際に用いた液晶パネル１ｂの断面図である。
【００１７】
図８（ａ）に示すように、液晶パネル１は、ＴＦＴ基板１０１と、対向基板２０１と、液晶層３０１とを有する。
【００１８】
ＴＦＴ基板１０１は、図８（ａ）と図８（ｂ）に示すように、複数の画素電極１３１が列方向ｙと行方向ｘとのそれぞれに間隔を隔てるように、絶縁層１１１を介して形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０１においては、対向基板２０１側から入射され液晶層３０１を透過する光を遮光面で遮光する遮光層１２１が、画素電極１３１よりも液晶層３０１から離れるように、絶縁層１１１に形成されている。ここでは、遮光層１２１は、行方向ｘに並ぶ画素電極１３１の間隔に対応するように、列方向ｙに沿って２．０μｍ幅にて形成されると共に、列方向ｙに並ぶ画素電極１３１の間隔に対応するように１．６μｍ幅にて形成されている。
【００１９】
対向基板２０１は、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１に対面しており、そのＴＦＴ基板１０１に対面する面には、複数の画素電極１３１に対向する対向電極２１１が一体的に形成されている。
【００２０】
液晶層３０１は、図８（ａ）に示すように、画素電極１３１と対向電極２１１との間に挟持されている。この液晶層３０１は、図８（ａ）と図８（ｂ）とに示すように、列方向ｙに沿ったラビング方向Ａ１へＴＦＴ基板１０１がラビング処理されると共に、行方向ｘに沿ったラビング方向Ａ２へ対向基板２０１がラビング処理されることによって、ツイステッド・ネマッチック型としてツイスト角を有するように形成されている。
【００２１】
上記の液晶パネル１において、図８に示す画素の左側部分Ｒ１についての視野角特性をシミュレーションするに際しては、図１０（ａ）に示す液晶パネル１ａを用いる。つまり、図８に示した液晶パネル１の遮光層１２１を、画素電極１３１の左側部分Ｒ１に対応する部分が開口した遮光層４２１ａに置換した液晶パネル１ａを用いて、シミュレーションを実施する。ここでは、図１０（ａ）に示す液晶パネル１ａにおいて、対向基板２０１側からＴＦＴ基板１０１側へ光を照射して、図９（ａ）に示す視野角特性図を得た。
【００２２】
同様に、図８に示す画素の右側部分Ｒ２についての視野角特性をシミュレーションするに際しては、図１０（ｂ）に示す液晶パネル１ｂを用いる。つまり、図８に示した液晶パネル１の遮光層１２１を、画素電極１３１の右側部分Ｒ２に対応する部分が開口した遮光層４２１ｂに置換した液晶パネル１ｂを用いてシミュレーションを実施する。ここでは、図１０（ｂ）に示す液晶パネル１ｂにおいて、対向基板２０１側からＴＦＴ基板１０１側へ光を照射して、図９（ｂ）に示す視野角特性図を得た。
【００２３】
図９（ａ）に示すように、図８に示す画素の左側部分Ｒ１については、列方向ｙを軸にして反時計回りに４５°傾いた方位へ光が透過する。そして、図９（ｂ）に示すように、図８に示す画素の右側部分Ｒ２については、列方向ｙを軸にして反時計回りに３１５°傾いた方位へ光が透過する。つまり、画素電極１３１の左側部分Ｒ１については、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１についてのラビング処理が進行されるラビング方向Ａ１が、画素電極１３１の左側へ鋭角に傾いた方向Ｄｙ１に向かって光が透過する。そして、画素電極１３１の右側部分Ｒ２については、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１についてのラビング処理が進行されるラビング方向Ａ１が、画素電極１３１の右側へ鋭角に傾いた方向Ｄｙ２に向かって光が透過する。
【００２４】
このように、ＴＦＴ基板１０１についてのラビング処理が進行されるラビング方向Ａ１が、画素電極１３１の外側へ鋭角に傾いた方向Ｄｙ１，Ｄｙ２に向かって、多くの光が透過するために、この方向Ｄｙ１，Ｄｙ２へ「光漏れ」が発生する。
【００２５】
この他に、「光漏れ」は、ＴＦＴ基板１０１において行方向ｘに並ぶ画素電極１３１と、対向基板２０１に形成された対向電極２１１との間における電界が、ＴＦＴ基板１０１と対向基板２０１とが対面する面の法線方向zに対して、完全には平行でなく傾斜することに起因して発生する場合がある。つまり、図８（ａ）に示すように、画素電極１３１ｂのそれぞれが間隔を隔てて形成されているのに対して、対向電極２１１が各画素電極１３１に共通になるように一体的に形成されているために、各画素電極１３１の端部においては、電界が画素電極１３１の中心よりも外側へ向かう方向Ｄｚ１，Ｄｚ２に向く。そして、その傾斜した電界の方向Ｄｚ１，Ｄｚ２に沿って光が透過するために、「光漏れ」が発生する場合があった。
【００２６】
また、各画素電極１３１の間隔において列方向ｙに沿うよう形成された遮光層１２１が信号配線として機能する場合においては、対向電極に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）と同じ電圧が、その信号配線として機能する遮光層１２１に印加されるために、画素電極１３１と対向電極２１１との間における電界の向きが更に傾斜し、「光漏れ」が発生する不具合が顕在化する場合があった。
【００２７】
上記のように、液晶表示装置においては、画素の周辺部分から外側へ漏れる「光漏れ」が発生して、コントラストが低下する不具合があった。
【００２８】
したがって、本発明の目的は、「光漏れ」の発生を防止して、高いコントラストの画像を表示可能な液晶表示装置と、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記目的の達成のため、本発明の液晶表示装置は、複数の画素電極が列方向と行方向とのそれぞれに間隔を隔てるように形成された第１基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が前記第１基板に対面する面に一体的に形成された第２基板と、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持されているツイステッド・ネマッチック型の液晶層とを有し、行反転駆動方法によって駆動される液晶表示装置であって、前記第１基板は、前記画素電極の周囲であって前記列方向に沿った領域に対応するように形成され、前記第２基板側から入射され前記液晶層を透過する光を遮光面で遮光する遮光層を含み、前記液晶層は、前記列方向に沿うように前記第１基板がラビング処理されると共に、前記行方向に沿うように前記第２基板がラビング処理されることによって形成されており、前記遮光層は、前記列方向において前記第１基板がラビング処理を施される進行方向へ、前記遮光面が広がるように形成されている。
【００３０】
上記目的の達成のため、本発明の液晶表示装置の製造方法は、複数の画素電極が列方向と行方向とのそれぞれに間隔を隔てるように形成された第１基板と、前記複数の画素電極に対向する対向電極が前記第１基板に対面する面に一体的に形成された第２基板と、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持されているツイステッド・ネマッチック型の液晶層とを有し、行反転駆動方法によって駆動される液晶表示装置の製造方法であって、前記第２基板側から入射され前記液晶層を透過する光を遮光面で遮光する遮光層を、前記画素電極の周囲であって前記列方向に沿った領域に対応するように、前記第１基板に形成する第１工程と、前記列方向に沿うように前記第１基板をラビング処理すると共に、前記行方向に沿うように前記第２基板をラビング処理することによって前記液晶層を形成する第２工程とを有し、前記第１工程では、前記第２工程において前記第１基板が前記列方向にラビング処理を施される進行方向へ、前記遮光面が広がるように前記遮光層を形成する。
【００３１】
本発明においては、第２基板側から入射され、液晶層を透過した光のうち、画素電極の周辺において、第１基板が列方向にラビング処理を施される進行方向から画素電極の外側へ傾斜するように進行する光を、遮光層が遮光し、その画素電極の内側へ偏光して、光漏れとなる光を光学的に補償する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、「光漏れ」の発生を防止して、高いコントラストの画像を表示可能な液晶表示装置と、その製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下より、本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
【００３４】
図１は、本発明にかかる実施形態において、液晶表示装置５００を示す構成図である。
【００３５】
図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置５００は、３板式の投射型であり、光源５０１と、第１レンズアレイ５０３と、第１反射ミラー５０４と、第２レンズアレイ５０５と、第１ダイクロイックミラー５１１と、第２反射ミラー５１２と、第２ダイクロイックミラー５２１と、第１リレーレンズ５３１と、第３反射ミラー５３２と、第２リレーレンズ５３３と、第４反射ミラー５３４と、第１液晶パネル５４１Ｒと、第２液晶パネル５４１Ｇと、第３液晶パネル５４１Ｂと、第１コンデンサレンズ５５１Ｒと、第２コンデンサレンズ５５１Ｇと、第３コンデンサレンズ５５１Ｂと、ダイクロイックプリズム５６１と、投射レンズユニット５７１とを有する。
【００３６】
本実施形態の液晶表示装置５００の各部について、順次、説明する。
【００３７】
光源５０１は、ランプ５０１ａとリフレクタ５０１ｂとを有する。ランプ５０１ａは、たとえば、メタルハライドランプを用いて構成されており、放射状に白色の光線を出射する。リフレクタ５０１ｂは、反射面を有しており、その反射面がランプ５０１ａからの光線を反射する。
【００３８】
第１レンズアレイ５０３は、複数のレンズがマトリクス状に配列された構成をしており、光源５０１からの光を複数の光束に分割する。
【００３９】
第１反射ミラー５０４は、第１レンズアレイ５０３を透過した光を反射して、第２レンズアレイ５０５に偏向する。
【００４０】
第２レンズアレイ５０５は、第１レンズアレイ５０３と同様な構成であり、複数のレンズがマトリクス状に配列されており、第１反射ミラー５０４からの光を第１ダイクロイックミラー５１１に出射する。
【００４１】
第１ダイクロイックミラー５１１は、第２レンズアレイ５０５からの光のうち、青色成分Ｂと緑色成分Ｇとの光を反射し、赤色成分Ｒの光を透過するように分離する。透過された赤色成分Ｒの光は、第２反射ミラー５１２に出射され、反射された青色成分Ｂと緑色成分Ｇとの光は、第２ダイクロイックミラー５２１へ出射される。
【００４２】
第２反射ミラー５１２は、第１ダイクロイックミラー５１１を透過した赤色成分Ｒの光を反射して偏向し、第１コンデンサレンズ５５１Ｒを介して第１液晶パネル５４１Ｒに入射させる。
【００４３】
第２ダイクロイックミラー５２１は、第１ダイクロイックミラー５１１が反射した青色成分Ｂと緑色成分Ｇとの光のうち、青色成分Ｂの光を透過し、緑色成分Ｇの光を反射するように分離する。反射された緑色成分Ｇの光は、第２コンデンサレンズ５５１Ｇを介して第２液晶パネル５４１Ｇに出射される。一方、青色成分Ｂの光は、第１リレーレンズ５３１を透過後、第３反射ミラー５３２に出射される。
【００４４】
第１リレーレンズ５３１は、第２ダイクロイックミラー５２１からの光を受け、第３反射ミラー５３２に出射する。第１リレーレンズ５３１は、他の色の光よりも光路長が長い青色成分Ｂの光の利用効率を向上させるために設けられている。
【００４５】
第３反射ミラー５３２は、青色成分Ｂの光を反射し偏向し、第２リレーレンズ５３３を介して第４反射ミラー５３４に出射する。
【００４６】
第２リレーレンズ５３３は、第３反射ミラー５３２からの光を受け、第４反射ミラー５３４に出射する。第２リレーレンズ５３３は、前述の第１リレーレンズ５３１と同様に、他の色の光よりも光路長が長い青色成分Ｂの光の利用効率を向上させるために設けられている。
【００４７】
第４反射ミラー５３４は、第３反射ミラー５３２からの青色成分Ｂの光を反射し偏向して、第３液晶パネル５４１Ｂへ第３コンデンサレンズ５５１Ｂを介して出射する。
【００４８】
第１，第２および第３の液晶パネル５４１Ｒ，５４１Ｇ，５４１Ｂは、ダイクロイックプリズム５６１の入射面に、それぞれが対面するように配置されている。
【００４９】
第１液晶パネル５４１Ｒは、パネルのそれぞれの面に一対の偏光板５４２Ｒ，５４３Ｒが配置されている。第１液晶パネル５４１Ｒは、第１コンデンサレンズ５５１Ｒから一方の偏光板５４２Ｒを介して入射する赤色成分Ｒの光を透過し、その透過した光を他方の偏光板５４３Ｒを介してダイクロイックプリズム５６１へ出射する。
【００５０】
第２液晶パネル５４１Ｇは、パネルのそれぞれの面に一対の偏光板５４２Ｇ，５４３Ｇが配置されている。第２液晶パネル５４１Ｇは、第２コンデンサレンズ５５１Ｇから一方の偏光板５４２Ｇを介して入射する緑色成分Ｇの光を透過し、その透過した光を他方の偏光板５４３Ｇを介してダイクロイックプリズム５６１へ出射する。
【００５１】
第３液晶パネル５４１Ｂは、パネルのそれぞれの面に一対の偏光板５４２Ｂ，５４３Ｂが配置されている。第３液晶パネル５４１Ｂは、第３コンデンサレンズ５５１Ｂから一方の偏光板５４２Ｂを介して入射する青色成分Ｂの光を透過し、その透過した光を他方の偏光板５４３Ｂを介してダイクロイックプリズム５６１へ出射する。
【００５２】
なお、第１液晶パネル５４１Ｒと、第２液晶パネル５４１Ｇと、第３液晶パネル５４１Ｂとの詳細な構造については後述する。
【００５３】
ダイクロイックプリズム５６１は、第１，第２および第３の液晶パネル５４１Ｒ，５４１Ｇ，５４１Ｂを透過した各色成分の光を合成してカラー画像を生成し、その生成したカラー画像を投射レンズユニット５７１へ出射する。
【００５４】
投射レンズユニット５７１は、ダイクロイックプリズム５６１により生成されたカラー画像をスクリーン５８０に拡大投射して表示する。
【００５５】
以下より、第１液晶パネル５４１Ｒと、第２液晶パネル５４１Ｇと、第３液晶パネル５４１Ｂとの詳細な構造について説明する。なお、第１液晶パネル５４１Ｒと、第２液晶パネル５４１Ｇと、第３液晶パネル５４１Ｂは、互いに共通する構造であるため、第１液晶パネル５４１Ｒを代表として説明する。
【００５６】
図２は、第１液晶パネル５４１Ｒを示す図である。図２において、図２（ａ）は、第１液晶パネル５４１Ｒの断面図であり、図２（ｂ）は、第１液晶パネル５４１ＲのＴＦＴ基板６０１側を示す平面図であり、図２（ｃ）は、第１液晶パネル５４１ＲのＴＦＴ基板６０１の画素構造において、第１遮光層６２１と第２遮光層６２２とを示す平面図である。
【００５７】
第１液晶パネル５４１Ｒは、アクティブマトリクス型であり、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１と、対向基板７０１と、液晶層８０１とを有する。第１液晶パネル５４１Ｒにおいては、図２（ｃ）に示すように、列方向ｙに沿ったラビング方向Ａ１でＴＦＴ基板６０１の配向膜（図示なし）がラビング処理されると共に、図２（ａ）に示すように、行方向ｘに沿ったラビング方向Ａ２で対向基板７０１の配向膜（図示なし）がラビング処理されることによって、ＴＮ型として液晶層８０１のツイスト角が規定される。そして、第１液晶パネル５４１Ｒは、光源５０１から各部を介して照射される光を、対向基板７０１の側から受けた後に、液晶層８０１を介してＴＦＴ基板６０１の側へ出射し、画像の表示を行う。
【００５８】
第１液晶パネル５４１Ｒの各部について、順次、説明する。
【００５９】
ＴＦＴ基板６０１は、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、石英により形成されている。ＴＦＴ基板６０１は、図２（ａ）に示すように、対向基板７０１と対面する面に、画素電極６１１と第１遮光層６２１と第２遮光層６２２とを有する。
【００６０】
ＴＦＴ基板６０１において画素電極６１１は、図２（ａ）に示すように、対向基板７０１に対面するＴＦＴ基板６０１の面に、層間絶縁層６３１を介して形成されている。また、画素電極６１１は、図２（ｂ）に示すように、列方向ｙと、その列方向ｙに直交する行方向ｘとのそれぞれに、複数が間隔を隔てるように形成されており、それぞれが矩形形状にパターン加工されている。この画素電極６１１は、たとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を用いて形成されており、光を透過する。そして、画素電極６１１のそれぞれは、ＴＦＴ基板６０１に画素スイッチング素子としてマトリクス状に設けられたＴＦＴ（図示なし）のドレイン電極に接続されている。そして、画素電極６１１は、その走査配線（図示なし）から走査信号が供給されてオン状態となったＴＦＴを介して、信号配線（図示なし）から供給されるデータ信号を、表示電圧として液晶層８０１に印加する。
【００６１】
ＴＦＴ基板６０１において第１遮光層６２１は、図２（ａ）に示すように、画素電極６１１よりも液晶層８０１から離れるように層間絶縁層６３１に形成されており、対向基板７０１側から入射され、液晶層８０１を透過する光を遮光面で遮光する。つまり、第１遮光層６２１は、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とが対面する面の法線方向ｚにおいて、画素電極６１１よりもＴＦＴ基板６０１の面に近い側になるように形成されている。ここでは、第１遮光層６２１は、たとえば、ＷＳｉ層とＡｌ層とＷＳｉ層とを、それぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ、１００ｎｍの厚みでＴＦＴ基板６０１側から積層することによって形成される。また、図２（ｃ）に示すように、第１遮光層６２１は、画素電極６１１の周囲であって列方向ｙと行方向ｘとのそれぞれに沿った領域に対応するように形成されている。ここでは、第１遮光層６２１は、行方向ｘに並ぶ画素電極６１１の間隔に対応するように、列方向ｙに遮光面が帯状に延在して形成されると共に、列方向ｙに並ぶ画素電極６６１の間隔に対応するように、行方向ｘに遮光面が帯状に延在して形成されている。たとえば、第１遮光層６２１は、行方向ｘに並ぶ画素電極６１１の端部にオーバーラップするように、２．０μｍの一定幅で列方向ｙに延在すると共に、列方向ｙに並ぶ画素電極６６１の端部にオーバーラップするように４．０μｍの一定幅で行方向ｘに延在している。
【００６２】
ＴＦＴ基板６０１において第２遮光層６２２は、図２（ａ）に示すように、第１遮光層６２１よりも液晶層８０１から離れるように絶縁層６３１に形成されており、対向基板７０１側から入射され、液晶層８０１を透過する光を遮光面で遮光する。つまり、第２遮光層６２２は、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とが対面する面の法線方向Ｚにおいて、第１遮光層６２１よりもＴＦＴ基板６０１の面に近い側になるように形成されている。ここでは、第２遮光層６２２は、第１遮光層６２１と同様に、たとえば、ＷＳｉ層とＡｌ層とＷＳｉ層とを、それぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ、１００ｎｍの厚みでＴＦＴ基板６０１側から積層することによって形成されている。また、図２（ｃ）に示すように、第２遮光層６２１は、画素電極６１１の周囲であって列方向ｙに沿った領域に対応するように形成されている。本実施形態においては、第２遮光層６２２は、行方向ｘに並ぶ画素電極６１１の間隔に対応するように、列方向ｙにおいてＴＦＴ基板６０１がラビング処理を施される進行方向Ａ１へ、遮光面が広がるように形成されている。本実施形態においては、図２（ｃ）に示すように、第２遮光層６２２は、列方向ｙにおいてＴＦＴ基板６０１がラビング処理される進行方向Ａ１へ広がったテーパー形状であって、列方向ｙを軸にして対称な遮光面を含むように形成されている。つまり、第２遮光層６２２は、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、画素電極６１１の側へ鋭角に傾いた方向に沿った辺を有するように遮光面がパターン加工されている。そして、この第２遮光層６２２は、その遮光面が列方向ｙに沿って複数並ぶように形成されている。
【００６３】
具体的には、図２（ｃ）に示すように、列方向ｙにてラビング処理が開始される開始側Ｓｔにおいて、列方向ｙに複数並ぶ画素電極６１１の間隔に対応する領域Ｒｙ１については、第２遮光層６２２は、遮光面が０．５μｍの一定幅で列方向ｙに沿うように形成されている。
【００６４】
そして、行方向ｘに複数並ぶ画素電極６１１で挟まれる領域Ｒｙ２については、ＴＦＴ基板６０１がラビング処理される進行方向Ａ１へ向かって０．５μｍから１．５μｍの幅へ広がったテーパー形状の遮光面が、列方向ｙにおいて対称になるように形成されており、このテーパー形状の遮光面が列方向ｙに４つ並ぶように形成されている。ここでは、第２遮光層６２２においてテーパー形状に形成された遮光面の列方向ｙに沿った対称軸が、第１遮光層６２１において帯形状に形成された遮光面の列方向ｙに沿った対称軸に、法線方向ｚにおいて対応するように形成されている。詳細には、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、対向基板７０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ２の上手側と下手側のそれぞれへ−１０°と１０とに傾いた方向に沿った辺を有するように、遮光面がパターン加工されている。つまり、「のこぎり歯」形状の遮光面を有するように、第２遮光層６２２が形成されている。
【００６５】
そして、列方向ｙにてラビング処理が終了される終了側Ｆにおいて、列方向ｙに複数並ぶ画素電極６１１の間隔に対応する領域Ｒｙ３については、第２遮光層６２２は、遮光面が０．５μｍの一定幅で列方向ｙに沿うように形成されている。
【００６６】
対向基板７０１は、ＴＦＴ基板６０１と同様に、光を透過する絶縁体の基板であり、たとえば、石英により形成されている。対向基板７０１は、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１から間隔を隔てて対面しており、シール材（図示なし）を用いてＴＦＴ基板６０１貼り合わされている。そして、対向基板７０１においては、ＴＦＴ基板６０１に対面する面に対向電極７１１が形成されている。この対向電極７１１は、ＴＦＴ基板６０１に複数形成された画素電極６１１のそれぞれに対向するように、一体的に形成されている。たとえば、対向電極７１１は、ＩＴＯを用いて形成されており、光を透過する。
【００６７】
液晶層８０１は、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１との間において、画素電極６１１と対向電極７１１とに挟持されている。液晶層８０１は、ＴＮ型であり、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とのそれぞれに形成され、ラビング処理された配向膜（図示なし）によって、液晶分子が配向されている。具体的には、液晶層８０１は、図２（ａ）と図２（ｃ）とに示すように、列方向ｙに沿ったラビング方向Ａ１へＴＦＴ基板６０１がラビング処理されると共に、行方向ｘに沿ったラビング方向Ａ２へ対向基板７０１がラビング処理されることによって、ＴＮ型としてのツイスト角を有するように形成されている。そして、液晶層８０１は、行反転駆動方法と呼ばれる駆動方法によって、画素電極６１１と対向電極７１１とにより印加される電圧に基づいて、配向状態が変化して光学特性が変わり、画像表示を制御する。
【００６８】
以下より、液晶表示装置５００の第１液晶パネル５４１Ｒを製造する製造方法について説明する。
【００６９】
まず、図２に示すように、画素電極６１１と第１遮光層６２１と第２遮光層６２２とを、ＴＦＴ基板６０１に形成する。
【００７０】
ここでは、たとえば、画素スイッチング素子であるＴＦＴ（図示なし）と、そのＴＦＴに接続する走査配線（図示なし）および信号配線（図示なし）などを形成した後に、層間絶縁膜で被覆し、その層間絶縁膜上に第２遮光層６２２を形成する。本実施形態においては、上述したように、画素電極６１１を形成する領域の周囲であって列方向ｙに沿った領域に対応する位置に、第２遮光層６２２を形成する。たとえば、ＷＳｉ層とＡｌ層とＷＳｉ層とを、それぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ、１００ｎｍの厚みでＴＦＴ基板６０１側からスパッタリング法などによって積層した後にエッチング処理などによってパターン加工して、第２遮光層６２２を形成する。具体的には、上述したように、図２（ｃ）に示すような形状にパターン加工して、第２遮光層６２２を形成する。
【００７１】
つぎに、上記のようにして形成した第２遮光層６２２を層間絶縁膜で被覆した後に、その層間絶縁膜上に第１遮光層６２１を形成する。本実施形態においては、上述したように、画素電極６１１を形成する領域の周囲であって列方向ｙと行方向ｘとのそれぞれに沿った領域に対応する位置に、第１遮光層６２１を形成する。たとえば、第２遮光層６２２と同様に、ＷＳｉ層とＡｌ層とＷＳｉ層とを、それぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ、１００ｎｍの厚みでＴＦＴ基板６０１側からスパッタリング法などによって積層した後にエッチング処理などによってパターン加工して、第１遮光層６２１を形成する。具体的には、上述したように、図２（ｃ）に示すような形状にパターン加工して、第１遮光層６２１を形成する。
【００７２】
つぎに、上記のようにして形成した第１遮光層６２１を層間絶縁膜で被覆した後に、その層間絶縁膜上に画素電極６１１を形成する。本実施形態においては、図２（ｂ）に示すように、列方向ｙと、その列方向ｙに直交する行方向ｘとのそれぞれに、複数が間隔を隔てるように、画素電極６１１を形成する。たとえば、層間絶縁膜上にＩＴＯ膜を形成した後に、矩形形状にパターン加工することによって、画素電極６１１を形成する。なお、ここでは、層間絶縁膜にコンタクトを形成し、画素スイッチング素子であるＴＦＴのドレイン電極に、画素電極６１１を接続する。
【００７３】
つぎに、対向基板７０１においてＴＦＴ基板６０１に対面する面に、対向電極７１１を形成する。ここでは、ＴＦＴ基板６０１に複数形成された画素電極６１１に対向するように、対向電極７１１を一体的に形成する。たとえば、対向基板７０１上にＩＴＯ膜を形成した後にパターン加工することによって、対向電極７１１を形成する。
【００７４】
つぎに、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とのそれぞれに、たとえば、ポリイミドの配向膜（図示なし）をスピンコート法によって形成した後に、各配向膜をラビング法によってラビングし配向処理する。ここでは、図２（ａ）と図２（ｃ）とに示すように、列方向ｙに沿ったラビング方向Ａ１へＴＦＴ基板６０１の配向膜をラビング処理すると共に、行方向ｘに沿ったラビング方向Ａ２へ対向基板７０１の配向膜をラビング処理する。具体的には、ＴＦＴ基板６０１の配向膜をラビング処理する際においては、列方向ｙを軸にして−１０°から１０°の傾きの角度範囲にラビング方向Ａ１がなるように実施する。そして、対向基板７０１の配向膜をラビング処理する際においては、行方向ｘを軸にして−１０°から１０°の傾きの角度範囲にラビング方向Ａ２がなるように実施する。
【００７５】
つぎに、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とが間隔を隔てて対向させ、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とを貼り合せる。ここでは、ＴＦＴ基板６０１の配向膜をラビング処理したラビング方向Ａ１と、対向基板７０１の配向膜をラビング処理したラビング方向Ａ２とが直交するように、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とを対面させる。この後、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１との間隔に液晶材料を注入するための注入口（図示なし）が形成されるように、シール材（図示なし）を用いて、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１とを貼り合わせる。そして、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１との間の間隔に注入口から液晶材料を注入した後に注入口を封止してＴＮ型の液晶層８０１を形成する。
【００７６】
つぎに、ＴＦＴ基板６０１と対向基板７０１との液晶層８０１側の面に対して反対側の面に、偏光板（図示なし）をそれぞれ設けて、第１液晶パネル５４１Ｒを完成する。ここでは、ノーマリーブラック方式またはノーマリーホワイト方式の表示方式に対応するように、偏光板の透過軸を第１液晶パネル５４１Ｒに合わせて設置する。この後、図１に示すように、各部材を設置して液晶表示装置５００を製造する。
【００７７】
以下より、本実施形態の液晶表示装置５００における第１液晶パネル５４１Ｒについて、特性評価を実施した結果を説明する。
【００７８】
図３は、特性評価を実施した際に用いた液晶パネルの画素構造において、第１遮光層と第２遮光層とを示す平面図である。図３において、図３（ａ）は、本実施形態の第１液晶パネル５４１Ｒについて示しており、図３（ｂ），図３（ｃ），図３（ｄ），図３（ｅ）のそれぞれは、本実施形態の第１液晶パネル５４１Ｒに対して、順次、比較例１，比較例２，比較例３，比較例４となる液晶パネルについて示している。
【００７９】
図３に示すように、図３（ｂ）から図３（ｅ）に示す各比較例としての液晶パネルは、第１遮光層が本実施形態と同様であるが、第２遮光層については、本実施形態の場合と異なっている。
【００８０】
具体的には、本実施形態の第１液晶パネル５４１Ｒにおける第２遮光層６２２は、図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、対向基板７０１についてラビング処理が進行される進行方向Ａ２の上手側と下手側のそれぞれへ−１０°と１０°とに傾いた方向に沿った辺を有するように、遮光面がパターン加工されている。
【００８１】
これに対して、比較例１の第２遮光層６２２ｂは、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１において、遮光面が対称になるようにパターン加工されている。つまり、比較例１の第２遮光層６２２ｂは、図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、対向基板７０１についてラビング処理が進行される進行方向Ａ２の上手側と下手側のそれぞれへ１０°と−１０°とに傾いた方向に沿った辺を有するように、遮光面がパターン加工されている。
【００８２】
そして、比較例２の第２遮光層６２２ｃは、図３（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、対向基板７０１についてラビング処理が進行される進行方向Ａ２の上手側と下手側のそれぞれへ１０°と１０°とに傾いた方向に沿った辺を有するように、遮光面がパターン加工されている。
【００８３】
そして、比較例３の第２遮光層６２２ｄは、図３（ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、対向基板７０１についてラビング処理が進行される進行方向Ａ２の上手側と下手側のそれぞれへ−１０°と−１０°とに傾いた方向に沿った辺を有するように、遮光面がパターン加工されている。
【００８４】
そして、比較例４の第２遮光層６２２ｅは、図３（ｅ）に示すように、ＴＦＴ基板６０１についてのラビング処理が進行される進行方向Ａ１が、対向基板７０１についてラビング処理が進行される進行方向Ａ２の上手側と下手側のそれぞれにおいて平行な辺を有するように、遮光面がパターン加工されている。
【００８５】
図４と図５は、本実施形態の液晶表示装置５００における第１液晶パネル５４１Ｒについて、コントラストを測定した結果を特性評価として示す図である。
【００８６】
ここで、図４は、本実施形態の液晶表示装置５００における第１液晶パネル５４１Ｒについて、コントラスト（ＣＲ）を測定した結果を表で示す図である。図４においては、本実施形態と、比較例１，比較例２，比較例３，比較例４とについて、コントラストを測定した結果を示している。ここでは、図３に示す各液晶パネルにおいて、対向基板７０１側からＴＦＴ基板６０１側へ光を照射し、コントラストを測定している。
【００８７】
また、図５は、本実施形態の液晶表示装置５００における第１液晶パネル５４１Ｒについて、視野角特性をシミュレーションした結果を示す視野角特性図である。図５において、図５（ａ）は、本実施形態において、画素の左側部分Ｒ１についての視野角特性図であり、図５（ｂ）は、画素の右側部分Ｒ２についての視野角特性図である。なお、図５は、図８と同様に、対向基板７０１側からＴＦＴ基板６０１側へ光を照射した場合に測定される黒透過率と白透過率とにおいて、その黒透過率を白透過率で割った値を示している。つまり、コントラストの逆数を示している。ここでは、図９の場合と同様にして、本実施形態において、対向基板７０１側からＴＦＴ基板６０１側へ光を照射した場合の視野角特性をシミュレーションしている。
【００８８】
図４に示すように、本実施形態においては、各比較例に対して、高いコントラストを得ることができる。また、図５（ａ）と図５（ｂ）とに示すように、本実施形態は、画素の左側部分Ｒ１と右側部分Ｒ２とにおいて、コントラストがほぼ均一であり、「光漏れ」を防止することができる。
【００８９】
このように、本実施形態において、「光漏れ」を防止しコントラストを向上する要因は、第２遮光層６２２が「光漏れ」となる光を光学的に補償することにある。つまり、前述の図８に示すように、行反転駆動法によって駆動された際において、対向基板７０１側から入射され液晶層８０１を透過した光のうち、画素電極６１１の周辺において、ＴＦＴ基板６０１が列方向ｙにラビング処理を施される進行方向Ａ１から画素電極の外側へ傾斜するように進行する光を、第２遮光層６２２が遮光することで画素電極６１１の外側から内側へ偏光し、「光漏れ」となる光を光学的に補償しているために、コントラストの向上が可能になっている。
【００９０】
この現象については、ストライプ状の遮光層をガラス基板上に形成したストライプパターンサンプルを透過した光の偏光状態を、ストークス・パラメータ・メソッドで測定した結果を用いて説明する。
【００９１】
図６は、ストークス・パラメータ・メソッドによって、ストライプパターンサンプルを透過した光の偏光状態を測定する様子を示す斜視図である。
【００９２】
また、図７は、ストークス・パラメータ・メソッドによって、ストライプパターンサンプルを透過した光の偏光状態を測定した結果を示す図である。図７において、図７（ａ）は、ストライプパターンサンプル９０１における測定部位を示している。そして、図７（ｂ）は、各測定部位における偏光の光軸方向の回転角度についての結果を、表で示しており、表中のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、図７（ａ）に示す測定部位を示している。
【００９３】
図６に示すように、ストークス・パラメータ・メソッドによって、ストライプパターンサンプル９０１を透過した光の偏光状態を測定する際には、光の照射方向Ｌ１に沿って、入射側偏光板９１１、ストライプパターンサンプル９０１、λ／４板９１２、出射側偏光板９１３、ＣＣＤ９１４を順次配置する。ここで、ストライプパターンサンプル９０１については、ＷＳｉ層とＡｌ層とＷＳｉ層とを、それぞれ２００ｎｍ、５００ｎｍ、１００ｎｍの厚みで石英ガラス基板上に積層した後に、幅４μｍであって間隔が２０μｍになるようにパターン加工することで、ストライプ状の複数の遮光層を石英ガラス基板の上に形成して作製した。そして、ストークス・パラメータ・メソッドによって、各部を透過した光をＣＣＤ９１４で検出し、その検出結果からＩｙ，Ｉｘｙ，Ｉｑｘｙを求めた。なお、ここでは、入射側偏光板９１１による偏光の光軸の角度θを０°、λ／４板９１２を設置なし、出射側偏光板９１３による偏光の光軸の角度θを９０°に設定して、Ｉｘについて測定した。そして、入射側偏光板９１１による偏光の光軸の角度θを０°、λ／４板９１２を設置なし、出射側偏光板９１３による偏光の光軸の角度θを０°に設定して、Ｉｙについて測定した。そして、入射側偏光板９１１による偏光の光軸の角度θを０°、λ／４板９１２を設置なし、出射側偏光板９１３による偏光の光軸の角度θを０°に設定して、Ｉｘｙについて測定した。そして、入射側偏光板９１１による偏光の光軸の角度θを０°、λ／４板９１２を設置あり、出射側偏光板９１３による偏光の光軸の角度θを４５°に設定して、Ｉｑｘｙについて測定した。
【００９４】
そして、この結果に基づいて、図７（ａ）と図７（ｂ）に示すように、ストライプパターンサンプル９０１において、ストライプ状の遮光層の側面から１μｍ離れた測定部位Ａ，Ｂと、２μｍ離れた測定部位Ｃ，Ｄにおける偏光の光軸方向の回転角度についての結果を得た。ここでは、ストライプパターンサンプル９０１においてストライプ状に形成された遮光層の延在方向を、入射側偏光板９１１による偏光の光軸に対して、＋４５°、０°、−４５°の回転角度で回転させた結果を示している。
【００９５】
図７（ｂ）に示す結果から、ストライプパターンサンプル９０１を±４５°回転させた場合には、遮光層のエッジに近い側の方が遠い側よりも偏光状態の変化が大きいことがわかる。また、ストライプパターンサンプル９０１を±４５°回転させた場合には、遮光層の左右において、偏光の向きが反転していることがわかる。また、ストライプパターンサンプル９０１の回転方向を反転させた場合には、遮光層の側面での偏光の回転方向が同様に変化することがわかる。このように、光の透過軸に対してストライプ状の遮光膜を回転させることによって、遮光膜の周辺についての偏光状態が変化される。
【００９６】
以上のように、本実施形態は、列方向ｙにおいてＴＦＴ基板６０１がラビング処理を施される進行方向Ａ１へ、遮光面が広がるように第２遮光層６２２が形成されている。本実施形態においては、列方向ｙにおいてＴＦＴ基板６０１がラビング処理される進行方向Ａ１へ広がったテーパー形状であって、列方向ｙを軸にして対称になるように、第２遮光層６２２の遮光面が形成されている。そして、その遮光面が列方向ｙに沿って複数並ぶように、第２遮光層６２２が形成されている。このため、本実施形態は、行反転駆動法によって駆動された際に、対向基板７０１側から入射され液晶層８０１を透過した光のうち、画素電極６１１の周辺において、ＴＦＴ基板６０１が列方向ｙにラビング処理を施される進行方向Ａ１から画素電極の外側へ傾斜するように進行する光を、第２遮光層６２２が遮光し、画素電極６１１の外側から内側へ偏光する。よって、本実施形態は、この第２遮光層６２２が「光漏れ」となる光を光学的に補償するために、コントラストを向上することができる。
【００９７】
なお、本実施形態において、液晶表示装置５００は、本発明の液晶表示装置に相当する。また、本実施形態において、光源５０１は、本発明の光源に相当する。また、本実施形態において、投射レンズユニット５７１は、本発明の投射光学系に相当する。また、本実施形態において、ＴＦＴ基板６０１は、本発明の第１基板に相当する。また、本実施形態において、対向基板７０１は、本発明の第２基板に相当する。また、本実施形態において、液晶層８０１は、本発明の液晶層に相当する。また、本実施形態において、画素電極６１１は、本発明の画素電極に相当する。また、本実施形態において、第２遮光層６２２は、本発明の遮光層に相当する。また、本実施形態において、対向電極７１１は、本発明の対向電極に相当する。
【００９８】
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【００９９】
たとえば、上記の実施形態においては、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型について説明したが、これに限定されない。たとえば、ＭＩＭを画素スイッチング素子として用いた方式であってもよい。
【０１００】
また、たとえば、上記の実施形態においては、３板式の投射型液晶表示装置について説明したが、これに限定されない。たとえば、単板式の投射型液晶表示装置などについても、適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態において、液晶表示装置５００を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態において、第１液晶パネル５４１Ｒを示す図である。
【図３】図３は、特性評価を実施した際に用いた液晶パネルの画素構造において、第１遮光層と第２遮光層とを示す平面図である。
【図４】図４は、本実施形態の液晶表示装置５００について、コントラスト（ＣＲ）を測定した結果を表で示す図である。
【図５】図５は、本実施形態の液晶表示装置５００について、視野角特性をシミュレーションした結果を示す視野角特性図である。
【図６】図６は、ストークス・パラメータ・メソッドによって、ストライプパターンサンプルを透過した光の偏光状態を測定する様子を示す斜視図である。
【図７】図７は、ストークス・パラメータ・メソッドによって、ストライプパターンサンプルを透過した光の偏光状態を測定した結果を示す図である。
【図８】図８は、液晶パネル１の画素構造を示す図である。
【図９】図９は、図８に示した液晶パネル１の視野角特性をシミュレーションした結果を示す視野角特性図である。
【図１０】図１０は、図９に示した視野角特性をシミュレーションする際に用いた液晶パネルの断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
５００…液晶表示装置（液晶表示装置）、
５０１…光源（光源）、
５７１…投射レンズユニット（投射光学系）、
６０１…ＴＦＴ基板（第１基板）、
６１１…画素電極（画素電極）、
６２１…第１遮光層、
６２２…第２遮光層（遮光層）、
７０１…対向基板（第２基板）、
７１１…対向電極（対向電極）、
８０１…液晶層（液晶層）
【図１】
2007057842.tif 000003
【図２】
2007057842.tif 000004
【図３】
2007057842.tif 000005
【図４】
2007057842.tif 000006
【図５】
2007057842.tif 000007
【図６】
2007057842.tif 000008
【図７】
2007057842.tif 000009
【図８】
2007057842.tif 000010
【図９】
2007057842.tif 000011
【図１０】
2007057842.tif 000012