(57)【要約】【課題】生産性が高く、かつコストが低い窒化アルミニウム含有膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板１上に窒化ホウ素膜２を形成する工程と、窒化ホウ素膜２上にアルミニウム膜３を形成する工程と、アルミニウム膜３及び窒化ホウ素膜２を窒素雰囲気中で加熱処理してアルミニウム膜３を溶融させることにより、基板１上に窒化アルミニウム含有膜４を形成する工程とを具備する。この窒化アルミニウム含有膜の製造方法によれば、窒化ホウ素２と溶融したアルミニウム膜３の固液反応によりアルミニウムの窒化反応が進行して、窒化アルミニウム含有膜４が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項２】
基板上にホウ素含有膜を形成する工程と、
前記ホウ素含有膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記ホウ素含有膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項３】
前記ホウ素含有膜は、ホウ素を１０モル％以上含有する請求項２に記載の窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項４】
基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記窒化ホウ素膜を不活性ガス雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項５】
ホウ素を１０モル％以上含有する基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記基板を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項６】
前記基板は窒化ホウ素基板である請求項５に記載の窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項７】
前記窒化アルミニウム含有膜を形成する工程において、前記加熱処理を加圧した窒素雰囲気中で行う請求項１〜３、５、６のいずれか一項に記載の窒化アルミニウム含有膜の製造方法。
【請求項８】
基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項９】
基板上にホウ素含有膜を形成する工程と、
前記ホウ素含有膜上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記ホウ素含有膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１０】
前記ホウ素含有膜は、ホウ素を１０モル％以上含有する請求項９に記載の窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１１】
基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記窒化ホウ素膜を不活性ガス雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１２】
ホウ素を１０モル％以上含有する基板上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記基板を窒素雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１３】
前記基板は窒化ホウ素基板である請求項１２に記載の窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１４】
前記窒化ガリウム含有膜を形成する工程において、前記加熱処理を加圧した窒素雰囲気中で行う請求項８〜１０、１２、１３のいずれか一項に記載の窒化ガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１５】
基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウムとガリウムの混合膜を形成する工程と、
前記混合膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記混合膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウムガリウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法。
【請求項１６】
基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム、ガリウム、及びインジウムの混合膜を形成する工程と、
前記混合膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記混合膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜を形成する工程と、
を具備する窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生産性が高く、かつコストが低い窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）は優れた特性を有しており、薄膜を形成した場合には、半導体装置に利用することが可能である。
【０００３】
Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎは、Ｎ２と直接反応しない。従来、上記した材料の膜の成膜方法としては、ＮＨ３、（Ｃｈ３）２Ｎ２Ｈ２を用いる方法、及び窒素ガスをプラズマによって活性化した窒素ラジカルを用いる方法がある。また、ＡｌＨ３又はＡｇＨ３等のガスを用いたＭＯＣＶＤ法によれば、単結晶基板上にエピタキシャル膜を成膜することもできる（例えば下記特許文献１，２及び非特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−４０７９９号公報（単結晶成長用基体）
【特許文献２】特開平７−２８８２３１号公報（単結晶成長用基体）
【非特許文献１】M. Tacano, et al著「Critical-layer thickness of a pseudomorphric In0.8Ga0.2As heterostructure grown on In」Applied Physics Letter, Vol.58, No.21, pp2420-2422, May 1991
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した従来の成膜方法では、生産性が低く、またコストが高かった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、生産性が高く、かつコストが低い窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、
を具備する。
【０００６】
この窒化アルミニウム含有膜の製造方法によれば、前記窒化ホウ素と前記溶融したアルミニウム膜の固液反応によりアルミニウムの窒化反応が進行して、窒化アルミニウム含有膜が形成される。このため、従来の方法と比較して、生産性が高く、かつコストが低くなる。
【０００７】
本発明に係る他の窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板上にホウ素含有膜を形成する工程と、
前記ホウ素含有膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記ホウ素含有膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程とを具備する。
【０００８】
この窒化アルミニウム含有膜の製造方法によれば、前記ホウ素含有膜に含まれるホウ素が触媒として機能することにより、前記溶融したアルミニウムの窒化反応が進行して、窒化アルミニウム含有膜が形成される。このため、従来の方法と比較して、生産性が高く、かつコストが低くなる。
前記ホウ素含有膜は、ホウ素を１０モル％以上含有するのが好ましい。
【０００９】
本発明に係る他の窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記窒化ホウ素膜を不活性ガス雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程とを具備する。
【００１０】
本発明に係る他の窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、ホウ素を１０モル％以上含有する基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、
前記アルミニウム膜及び前記基板を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程とを具備する。
前記基板は、例えば窒化ホウ素基板である。
【００１１】
窒素雰囲気中で前記窒化アルミニウム含有膜を形成する工程において、前記加熱処理を加圧した窒素雰囲気中で行うのが好ましい。
【００１２】
本発明に係る窒化ガリウム含有膜の製造方法は、基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にガリウム含有膜(例えばガリウム・アルミニウム合金、ガリウム・インジウム合金、又はガリウム・タリウム合金など。以下同様)を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程とを具備する。
【００１３】
この窒化ガリウム含有膜の製造方法によれば、前記窒化ホウ素と前記溶融したガリウムの固液反応によりガリウムの窒化反応が進行して、窒化ガリウム含有膜が形成される。このため、従来の方法と比較して、生産性が高く、かつコストが低くなる。
【００１４】
本発明に係る他の窒化ガリウム含有膜の製造方法は、基板上にホウ素含有膜を形成する工程と、
前記ホウ素含有膜上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記ホウ素含有膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程とを具備する。
前記ホウ素含有膜は、ホウ素を１０モル％以上含有するのが好ましい。
【００１５】
本発明に係る他の窒化ガリウム含有膜の製造方法は、基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記窒化ホウ素膜を不活性ガス雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程とを具備する。
【００１６】
本発明に係る他の窒化ガリウム含有膜の製造方法は、ホウ素を１０モル％以上含有する基板上にガリウム含有膜を形成する工程と、
前記ガリウム含有膜及び前記基板を窒素雰囲気中で加熱処理して前記ガリウム含有膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化ガリウム含有膜を形成する工程とを具備する。
前記基板は、例えば窒化ホウ素基板である。
【００１７】
窒素雰囲気中で前記窒化ガリウム含有膜を形成する工程において、前記加熱処理を加圧した窒素雰囲気中で行うのが好ましい。
【００１８】
本発明に係る窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法は、基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウムとガリウムの混合膜を形成する工程と、
前記混合膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記混合膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウムガリウム含有膜を形成する工程とを具備する。
【００１９】
本発明に係る窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法は、基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、
前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム、ガリウム、及びインジウムの混合膜を形成する工程と、
前記混合膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記混合膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜を形成する工程とを具備する。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１の各図は、本発明の第１の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法を説明する為の断面図である。
【００２１】
まず、図１（Ａ）に示すように、基板１上にホウ素含有膜２を、スパッタリング法又はＣＶＤ法により形成する。基板１は、例えばシリコン、ＬＢＯ、サファイア等の単結晶基板又は多結晶基板であるが、アルミナ、酸化シリコン、ガラスセラミックス等の焼結基板など他の基板であってもよい。ホウ素含有膜２は、例えばホウ素化合物膜（例えば六方晶の窒化ホウ素膜）であり、膜厚は、例えば０.０１μｍ以上１０μｍ以下である。ホウ素含有膜２が窒化ホウ素膜である場合、ホウ素含有膜２をエピタキシャル的に成膜させても良い。また、ホウ素含有膜２は、ホウ素を単体の状態で含む膜であっても良い。なお、ホウ素含有膜２におけるホウ素含有率は、１０モル％以上であるのが好ましい。
【００２２】
次いで、ホウ素含有膜２上にアルミニウム膜３をスパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法、又はＭＢＥ法、イオンプレーティング法などにより形成する。アルミニウム膜３の膜厚は、例えば１μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００２３】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、ホウ素含有膜２及びアルミニウム膜３を、窒素雰囲気下で加熱処理し、アルミニウムの融点（６６０℃）以上まで加熱する。このとき、ホウ素含有膜２及びアルミニウム膜３を１０００℃以上１４００℃以下まで加熱するのが好ましい。また、窒素雰囲気は常圧でも良いが、加圧雰囲気であるのが好ましく、例えば５０気圧以下である。これにより、アルミニウム膜３が溶融して、ホウ素含有膜２との間で固液二相反応が生じる。このとき、雰囲気中の窒素も反応する。これにより、アルミニウムの窒化反応が進行し、窒化アルミニウム含有膜４、及びスラグ層５が形成される。この反応が進行する速度は、処理温度及び雰囲気窒素の圧力によって制御することができる。
【００２４】
窒化アルミニウム含有膜４は、複数の窒化アルミニウム粒子がアルミニウムによって接合した状態になる。そして、処理温度を高温にするほど、また高圧にするほど、また処理時間が長くなるほど、窒化アルミニウムの生成反応が促進され、生成物である窒化アルミニウム含有物に含まれる窒化アルミニウムの割合を高くし、かつアルミニウムの割合を低くすることができる。
【００２５】
この窒化反応において、ホウ素は触媒として機能すると考えられる。詳細には、ホウ素含有膜２が核となってアルミニウムの窒化反応が進行する。一般に、窒化アルミニウムとアルミニウム溶融液の濡れ性は低いが、ホウ素含有膜２として窒化ホウ素を用いる場合、アルミニウム溶融液と窒化ホウ素の濡れ性が高いため、生成した窒化アルミニウムとアルミニウムの濡れ性は高い状態に維持され、反応が継続すると考えられる。
【００２６】
また、上記のメカニズムから明らかなように、ホウ素膜に接触している溶融アルミニウムの界面から反応が始まるため、例えば、ホウ素含有膜２として窒化ホウ素を用いる場合、窒化ホウ素の結晶粒径を制御することにより、窒化アルミニウム含有膜４に含まれる窒化アルミニウム粒子の粒径を制御することができる。
【００２７】
一旦、窒化ホウ素を触媒として窒化アルミニウムが形成されると、溶融アルミニウムと窒化アルミニウムの間の濡れ性が良好に保持されるため、加熱中の雰囲気中の窒素の拡散でアルミニウムが窒化し、最終的にはアルミニウムがなくなるまで窒化反応が進行する。
【００２８】
また、窒化アルミニウム含有膜４の中にはホウ素がほとんど存在しない。ホウ素は、スラグ層５に含まれるか、又は気化して放散すると考えられる。
【００２９】
また、ホウ素含有膜２が窒化ホウ素膜であり、かつエピタキシャル的に成膜させている場合、成膜条件を調節することにより、窒化アルミニウム含有膜４は方位のそろった単結晶膜にさせるか、もしくは複数の窒化アルミニウム粒子の結晶方位を同一方向にそろえることができる。
【００３０】
また、窒化アルミニウム含有膜４は、形成条件を調節することにより、表面から深くなるにつれて、窒化アルミニウムの含有率が低くなり、アルミニウムの含有率が高くなる。このようにすると、窒化アルミニウム含有膜４の表面を、略１００％の窒化アルミニウムにすることもできる。その逆に、ホウ素含有膜に接触している溶融アルミニウムの界面から反応が始まるため、ホウ素含有膜が薄い場合、反応が溶融アルミニウムの全体に伝わる前にホウ素含有膜がなくなる。この場合、この界面に窒素が拡散して反応をある程度進行させた後、反応が終了させることができる。このようにすると、表面がアルミニウム膜の状態であり、かつ表面から深くなるにつれて窒化アルミニウムの含有率が高くなるようにすることができる。
【００３１】
また、図１（Ｂ）においてはホウ素含有膜２を図示していないが、条件によってはホウ素含有膜２が窒化アルミニウム含有膜４と基板１の間に残る場合もある。
【００３２】
その後、図１（Ｃ）に示すように、スラグ層５をエッチング又は研磨により除去する。
【００３３】
以上、本実施形態によれば、ホウ素含有膜２上にアルミニウム膜３を形成し、これらを加熱処理することにより、窒化アルミニウム含有膜４を形成することができる。従って，窒化アルミニウム含有膜の生産性を高く、かつ製造コストを低くすることができる。
【００３４】
なお、本実施形態において、アルミニウム膜３の代わりにガリウム膜又はガリウム含有膜（例えばガリウムインジウム膜又はガリウムタリウム膜）、アルミニウムガリウム膜、若しくはアルミニウムガリウムインジウム膜をスパッタリング法により成膜しても良い。この場合、窒化アルミニウム含有膜４の代わりに、窒化ガリウム含有膜、窒化アルミニウムガリウム膜、又は窒化アルミニウムガリウムインジウム膜を成膜することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図２の各図は、本発明の第２の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法を説明する為の断面図である。
【００３６】
まず、図２（Ａ）に示すように、ホウ素含有基板１０上にアルミニウム膜３をスパッタリング法により形成する。ホウ素含有基板１０は、例えば六方晶系の窒化ホウ素基板であるが、他のホウ素化合物からなる基板であっても良いし、ホウ素を単体の状態で含む基板であっても良い。ホウ素含有基板１０は、ホウ素の含有率が１０モル％以上であるのが好ましい。
【００３７】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、ホウ素含有基板１０及びアルミニウム膜３を、窒素雰囲気下で加熱処理し、アルミニウムの融点（６６０℃）以上まで加熱する。このとき、ホウ素含有基板１０及びアルミニウム膜３を１０００℃以上１４００℃以下まで加熱するのが好ましい。また、窒素雰囲気は常圧でも良いが、加圧雰囲気であるのが好ましく、例えば５０気圧以下である。これにより、アルミニウム膜３が溶融して、ホウ素含有基板１０との間で固液二相反応が生じる。このとき、雰囲気中の窒素も反応する。これにより、アルミニウムの窒化反応が進行し、ホウ素含有基板１０の表面に、窒化アルミニウム含有膜４、及びスラグ層５が形成される。この窒化反応は、第１の実施形態におけるアルミニウムの窒化反応と略同一であり、反応が進行する速度を、処理温度及び雰囲気窒素の圧力によって制御することができる。
【００３８】
なお、窒化アルミニウム含有膜４は、形成条件を調節することにより、表面から深くなるにつれて、窒化アルミニウムの含有率が低くなり、アルミニウムの含有率が高くなる。このようにすると、窒化アルミニウム含有膜４の表面を、略１００％の窒化アルミニウムにすることもできる。
【００３９】
その後、図２（Ｃ）に示すように、スラグ層５をエッチング又は研磨により除去する。
【００４０】
以上、本実施形態によれば、ホウ素含有基板１０上にアルミニウム膜３を形成し、これらを加熱処理することにより、窒化アルミニウム含有膜４を形成することができる。従って，窒化アルミニウム含有膜の生産性を高く、かつ製造コストを低くすることができる。
【００４１】
なお、本実施形態において、アルミニウム膜３の代わりにガリウム膜、ガリウム含有膜、アルミニウムガリウム膜、又はアルミニウムガリウムインジウム膜をスパッタリング法により成膜しても良い。この場合、窒化アルミニウム含有膜４の代わりに、窒化ガリウム含有膜、窒化アルミニウムガリウム膜、又は窒化アルミニウムガリウムインジウム膜を成膜することができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法について説明する。本実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、ホウ素含有膜として窒化ホウ素膜を用いる点、及び加熱処理の雰囲気を不活性ガス（例えばアルゴン）雰囲気にする点を除いて、第１の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法と同一である。本実施形態において、アルミニウムの窒化反応における窒素供給源は窒化ホウ素のみになる。
【００４３】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、アルミニウム膜の代わりにガリウム膜、ガリウム含有膜、アルミニウムガリウム膜、又はアルミニウムガリウムインジウム膜をスパッタリング法により成膜しても良い。この場合、窒化アルミニウム含有膜の代わりに、窒化ガリウム含有膜、窒化アルミニウムガリウム膜、又は窒化アルミニウムガリウムインジウム膜を成膜することができる。
【００４４】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法について説明する。本実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、ホウ素含有基板として窒化ホウ素基板を用いる点、及び加熱処理の雰囲気を不活性ガス（例えばアルゴン）雰囲気にする点を除いて、第２の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法と同一である。本実施形態において、アルミニウムの窒化反応における窒素供給源は窒化ホウ素基板のみになる。
【００４５】
本実施形態においても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、アルミニウム膜の代わりにガリウム膜、ガリウム含有膜、アルミニウムガリウム膜、又はアルミニウムガリウムインジウム膜をスパッタリング法により成膜しても良い。この場合、窒化アルミニウム含有膜の代わりに、窒化ガリウム含有膜、窒化アルミニウムガリウム膜、又は窒化アルミニウムガリウムインジウム膜を成膜することができる。
【００４６】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法を説明する断面図。
【図２】第２の実施形態に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法を説明する断面図。
【符号の説明】
【００４８】
１…基板、２…ホウ素含有膜、３…アルミニウム膜、４…窒化アルミニウム含有膜、５…スラグ層、１０…ボロン含有基板
【図１】
2007186350.tif 000003
【図２】
2007186350.tif 000004