(57)【要約】【課題】ＬｉＮｂＯ3基板にサブミクロンオーダーの微細加工を施す。【解決手段】ＬｉＮｂＯ3基板１０１と、Ａｌ2Ｏ3膜１０２と、ＥＢレジスト１０３とを備え、ＥＢレジスト１０３がＡｌ2Ｏ3膜１０２のドライエッチング時にエッチング保護膜として働き、エッチングされて溝加工パターンが形成されたＡｌ2Ｏ3膜１０２はＬｉＮｂＯ3基板１０１エッチング時にエッチング保護膜として働いて、ＬｉＮｂＯ3基板１０１にサブミクロンサイズの微細パターンが形成となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚を持つＥＢレジストと、
３０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の膜厚を持つＡｌ2Ｏ3とを、
ＬｉＮｂＯ3基板上に形成した光学結晶微細構造の製造方法であって、
前記ＥＢレジストに形成した微細パターンのＡｌ2Ｏ3への転写をＣＦ4流量比が１２．５％から２５．１％におけるＣＦ4／Ａｒガス系を用いたＩＣＰドライエッチングで行い、
前記Ａｌ2Ｏ3に形成した微細パターンのＬｉＮｂＯ3基板上への転写をＡｒガスを用いたＩＣＰドライエッチングで行い、
ＬｉＮｂＯ3基板上に微細構造を形成する、光学結晶微細構造の製造方法。
【請求項２】
前記ＬｉＮｂＯ3基板上のＡｌ2Ｏ3は前記ＬｉＮｂＯ3基板への微細パターン転写後に除去しないことを特徴とする、請求項１に記載の光学結晶微細構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信に用いられる光遅延素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）は、大きな電気光学定数を有すること、Ｔｉ熱拡散やイオン交換により通信波長帯で低損失な光導電路を形成できること、ＬｉＮｂＯ3結晶が光学デバイス用材料として直径３〜４インチの高品質な結晶が安定して得られることなどの特徴を有しており、光変調器、光ジャイロ、光スイッチや電界センサ等の電気光学効果を利用したデバイスや、音響光学効果を用いたチューナブルフィルタ等、多くの光デバイスに利用されてきている。
【０００３】
また、光ファイバ通信システムにおいて、情報を光の信号に変換し、光ファイバにその情報を乗せる働きをする光変調器が重要であり、電気光学効果を持つＬｉＮｂＯ3結晶上に光の導波路を形成したＬｉＮｂＯ3変調器は、大容量の主幹線にあたる光システムの変調器として使用されている。
【０００４】
図５にＬｉＮｂＯ3光変調器の概略図を示す。
【０００５】
ＬｉＮｂＯ3光変調器は、１次の電気光学効果である、ポッケルス効果を用いた屈折率変化によって光変調を行うデバイスである。電気光学効果の応答速度は非常に早いので高速なスイッチング応答が可能である。
【０００６】
光変調器はＬｉＮｂＯ3基板５０１上に形成されたＭａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ型構造の光導波路５０２、５０３と変調用の電極５０４、５０５、５０６から構成されており、光変調器に入射された光が電極により強度変調されて出射される。また、電極５０４、５０５、５０６とＬｉＮｂＯ3基板５０１との間には、電極金属による光波の電搬損失を防ぐため、ＬｉＮｂＯ3基板５０１よりも低屈折率であるＳｉＯ2等のバッファ層が形成される。
【０００７】
光変調器動作に関して簡単に説明する。
【０００８】
入射光５０７は分岐点５０８で２等分して分かれ（５１０、５１１）、導波路５０２、５０３をそれぞれ通過し、分岐点５０９で合流する。
【０００９】
電極５０４から５０５、５０４から５０６の方向にそれぞれ電圧を印加した場合、入射光５７は分岐点５８で２等分され、導波路５０２、５０３には逆方向の電界がそれぞれ印加されて導波路５０２にはΔφ、導波路５０３には−Δφの位相変化を与えることができる。
【００１０】
ここで、Δφは数（１）で与えられる。
【００１１】
【数１】
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ただし、Δｎ＝ｎ03ｒ33Ｅz／２は結晶のｚ軸方向に電界Ｅzを印加した際の屈折率変化、Ｌは電極長、λは入射光の波長、ｎ0はＬｉＮｂＯ3の屈折率、ｒ33は電気光学定数（ポッケルス係数）を表す。
【００１２】
ここで、２つの導波路５０２、５０３での位相差が２Δφ＝πとなるように電圧を印加すると、導波路５０２、５０３を通過する光は逆位相の状態で分岐点５０９において再結合し、干渉して打ち消し合い、分岐点５０９から出射されない。この電圧は半波長電圧Ｖπと呼ばれ、印加電圧Ｖを０［Ｖ］とＶπ［Ｖ］の間で行き来させることで強度変調可能である。
【００１３】
光変調器を実際にデバイスとして実装する場合、コストや実装面積等の問題により変調器のサイズを小さくする必要がある。
【００１４】
ここで、光変調器の光変調の効率を下げずに光変調器のサイズを小さくするために、図５に示した光変調器に形成した光導波路５０２、５０３に光と電界とが相互作用する時間を大きくするような構造を検討した。具体的には、光導波路５０２、５０３を通過する光の移動速度を小さくする構造を検討した。
【００１５】
図６に検討した１．５５μｍ帯の光に対して動作する図５の光導波路５０２、５０３に設けた導波路構造の概略を示す。
【００１６】
ＬｉＮｂＯ3基板６０１に形成した光導波路６０２の長手方向に対して、光導波路６０２の長手方向と垂直方向に溝による空孔を設け、凹凸状のパターン６０３が形成されている。ここで、凹凸状のパターン６０３の設計としては、凹の幅：１８０ｎｍ、凸の幅：１８０ｎｍである。また、凸部の構造を２つ足し合わせた部分（ここでは線欠陥部６４と呼ぶ）を設けた。線欠陥部分６０４の幅は３６０ｎｍである。この線欠陥部分６４を線対称中心として光導波路６０２に２００周期の凹凸パターン６０５、６０６を設けた。ここで図６の導波路構造において、凹凸状のパターン６０３の周期構造は一部を除いて省略している（図６において点線で示している）。
【００１７】
前記に示した図６の光遅延構造を導入した光導波路６０２のＴＭモードに関する導波特性をモード結合理論による計算から求めたものを図７に示す。
【００１８】
例えば、図７より図６に示したＬｉＮｂＯ3基板６０１上に凹凸状のパターン６０３の構造に３００ｎｍの溝の深さを与えると、凹凸状のパターン６０３の周期構造の影響によって、１．５μｍ帯の光に対して光導波路を通過する光の速度ｖを真空における光速ｃで割算したものとして群速比ｖ／ｃを０．２以下とできることが明らかである。即ち３００ｎｍ以上の深さの凹凸を持つ凹凸状のパターン６０３の周期構造を作製することができれば、３００ｎｍ以上の深さの凹凸を持つ微細周期構造内を通る光の速度が５分の１以下になることが分かり、５倍の変調効率が得られる。
【００１９】
即ち、式（１）のΔφを5倍にすることができるために、式（１）の電極長Ｌは図５に示した光変調器に形成した光導波路５０２、５０３における光と電界との相互作用長（電極長）を１／５にすることができ、光変調器の小型化が可能である。
【００２０】
上記光遅延素子構造を作製するために、従来の製造方法としては、ドライエッチングによりアスペクト比の高い加工技術がある。例えば特許文献１にはドライエッチングによる半導体装置の製造方法が記載されている。
【００２１】
特許文献１に示されている半導体装置の製造方法について以下に述べる。
【００２２】
図８（ａ）に示すように、ＨｇＣｄＴｅ基板１上にポジ型のレジスト膜２−１を約１μｍの厚さでスピンコートし、１００℃の温度で乾燥して固化する。
【００２３】
次いで図８（ｂ）に示すように、アルミニウムよりなる金属膜３を約０．５μｍ の厚さに蒸着、或いはスパッタ法等の手段で被着する。次いで図８（ｃ）に示すように、該金属膜３上に約１μmの厚さでレジスト膜２−２を塗布し、露光および現像工程によって、μmオーダの幅の所定のパターンを形成し、該パターン形成したレジスト膜２−２をマスクとして金属膜３を所定のパターンにエッチングする。
【００２４】
次いで図８（ｄ）に示すように、下層のレジスト膜２−１を酸素プラズマのリアクティブイオンエッチング法によってドライ現像して除去する。この下層のレジスト膜２−１を除去する工程で、最上層のレジスト膜２−２も同時に除去される。
【００２５】
この工程で図９（ａ）に示すように、金属膜３の表面が露出するので、さらに矢印Ａに示すように、酸素プラズマを照射することによって金属膜３の表面を酸化する。金属膜３がアルミニウム膜で有るので、酸化によって約０．０５μｍの厚さのアルミナ膜より成る金属酸化膜４を形成する。
【００２６】
次いで図９（ｂ）に示すように、ＨｇＣｄＴｅ基板１がエッチング可能なＣＦ4 ガスのガスプラズマを、矢印Ｂのように照射し、リアクテイブイオンエッチング法でＨｇＣｄＴｅ基板１をエッチングして溝５を形成する。
【００２７】
このようにすると、ＨｇＣｄＴｅ基板１とアルミナより成る金属酸化膜４のエッチングの選択比は１：５０で、ＨｇＣｄＴｅ基板１とアルミニウムより成る金属膜３のエッチングの選択比は１：５であるので、本実施例の場合、一度のエッチングで、且つ一度のエッチング用マスクの形成で、ＨｇＣｄＴｅ基板１に約５μｍの深さの高アスペクト比の溝５が形成できる。
【００２８】
次いでＨｇＣｄＴｅ基板１上に残存しているアルミニウムよりなる金属膜３を、下層のレジスト膜２−１を有機溶媒のレジスト膜除去剤で除去する際に、いわゆるリフトオフ法によって取り去ることで容易に除去でき、図９（ｃ）に示すような溝５がＨｇＣｄＴｅ基板１に形成できる。
【特許文献１】特開平５−２７５３２７号公報
【特許文献２】特開昭６０−１９１２５５号公報
【特許文献３】特開昭６１−１８８５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
しかしながら、従来の半導体装置の製造方法では、ＨｇＣｄＴｅ基板１上に形成させるエッチング用マスクとして、最下層に１μｍのレジスト膜２−１があり、その上は金属膜のアルミニウム３となっているが、従来の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置は光デバイスとして用いるため、ＨｇＣｄＴｅ基板１上に直接、金属膜のアルミニウム３を形成し残すとアルミニウム３が導波光を吸収してしまう問題が生じる。そのため、最後にアルミニウム３を除去する工程が必要となってしまう。
【００３０】
ゆえに、従来の半導体装置の製造方法では、ＨｇＣｄＴｅ基板１の直上にあるレジスト膜２−１をリフトオフして取り除く工程が必要である。
【００３１】
この課題を解決するために、ＩＣＰドライエッチングによるＬｉＮｂＯ3基板の加工に対して、ＥＢレジストとＬｉＮｂＯ3基板よりも屈折率の小さいＡｌ2Ｏ3をマスクとして用い、EBレジストの微細パターンの転写をＬｉＮｂＯ3基板に精度良く行ない、かつＬｉＮｂＯ3基板の加工後にＬｉＮｂＯ3基板よりも低屈折率であるＡｌ2Ｏ3はバッファ層として用いることを可能とする光学結晶微細構造の製造方法である。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
上記課題を解決するため、本発明の光学結晶微細構造の製造方法は、ＬｉＮｂＯ3基板上に加工する形状寸法程度となるように、Ａｌ2Ｏ3膜を３０ｎｍから９０ｎｍの膜厚を持たせて形成し、さらにその上にＥＢレジストを１５０ｎｍから５００ｎｍの膜厚で形成させ、その後、現像・露光により選択的にEBレジストのマスクパターンを形成し、その後ＡｒとＣＦ4の混合ガス雰囲気中でＩＣＰドライエッチングにて、上記ＥＢレジストのマスクパターンが形成されていない部位に対応する上記Ａｌ2Ｏ3膜を掘り込み、さらにその後、Ａｒのガス雰囲気中でＩＣＰドライエッチングにて、上記Ａｌ2Ｏ3膜の掘り込み部に対応する部位に上記ＬｉＮｂＯ3基板の掘り込みを行なうことを特徴とする光学結晶微細構造の製造方法である。
【００３３】
また、前記ＬｉＮｂＯ3基板上に形成されたＡｌ2Ｏ3膜は前記ＬｉＮｂＯ3基板をＩＣＰドライエッチングによってエッチングした後、除去しないことを特徴とする光学結晶微細構造の製造方法である。
【発明の効果】
【００３４】
以上説明したように、本発明の光学結晶微細構造の製造方法は、ＬｉＮｂＯ3基板上にＡｌ2Ｏ3膜を形成し、さらにその上にＥＢレジストを形成させた構成により、ＥＢレジストがＡｌ2Ｏ3膜のドライエッチング時にエッチング保護膜として働き、エッチングされてパターンが形成されたＡｌ2Ｏ3膜はＬｉＮｂＯ3基板エッチング時にエッチング保護膜として働いて、かつ前記ＬｉＮｂＯ3基板よりもＡｌ2Ｏ3膜は屈折率が小さいために、ＬｉＮｂＯ3基板上から除去する必要が無いという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、上記ＬｉＮｂＯ3基板における光学結晶微細構造の製造方法について説明する。
【００３６】
本発明では、ＥＢレジストとＡｌ2Ｏ3膜をエッチング保護膜として使用し、ＬｉＮｂＯ3基板をエッチングする。
【００３７】
ＬｉＮｂＯ3基板上に形成したＡｌ2Ｏ3膜はＬｉＮｂＯ3基板に対してＡｒガスによるドライエッチング選択比が１０以上あるため、ＥＢレジストとＡｌ2Ｏ3膜をエッチング保護膜として用いることにより、ＬｉＮｂＯ3基板に対して高アスペクト比の微細な溝形状を作製することが可能である。
【００３８】
さらに、ＬｉＮｂＯ3基板上に形成したＡｌ2Ｏ3膜はＬｉＮｂＯ3基板の屈折率２．２よりも小さい屈折率（１．７）であるため、ＬｉＮｂＯ3基板をエッチング加工後に除去する必要が無く、ＬｉＮｂＯ3基板とＬｉＮｂＯ3基板に電界を印加する電極との間に挟むバッファ層としての機能を持たせることが可能である。
【００３９】
図６にあるＬｉＮｂＯ3基板６０１に形成した光導波路６０２の長手方向に対して設けた凹凸状の溝パターン６０３のエッチング加工深さによる１．５５μｍ帯の光の群速度比特性（図７に図示）から、２００ｎｍ以上の溝パターン６０３のエッチング加工深さを与えることで、１．５５μｍ帯の光の群速度比特性は０．３５以下が得られる。さらに、凹凸状の溝パターン６０３のエッチング加工深さによる１．５５μｍ帯の光の群速度比特性（図７に図示）から、５００ｎｍまで溝パターン６０３のエッチング加工深さを与えることで、１．５５μｍ帯の光の群速度比特性は０．０１が得られる。
【００４０】
上記光の群速度比特性が０．３５から０．０１である範囲のＬｉＮｂＯ3基板６０１に設けられた凹凸状の溝パターン６０３のエッチング深さが、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の凹凸状の溝パターンをＬｉＮｂＯ3基板に加工する実施例の形態を具体的に以下に説明する。
【００４１】
説明に使用する図面内の寸法、寸法比率及び位置関係は必ずしも正確ではない。以下、図面を参照しながら、本発明による光学結晶微細構造の製造方法の好ましい実施形態を説明する。
【００４２】
本発明の実施形態を図１に示す。図１において、１０１はＬｉＮｂＯ3基板、１０２はＡｌ2Ｏ3膜、１０３はＥＢレジスト膜である。
【００４３】
図１（ａ）に示すように、ＬｉＮｂＯ3基板１０１上にスパッタや蒸着等にて膜厚３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜１０２を成膜した。さらに、その上にＥＢレジスト膜１０３をスピンコートにて膜厚２００ｎｍの厚さで塗布した。塗布後にプリベーキングを１９０℃で２５分間行った。
【００４４】
その後、図２に示すようにＥＢレジスト１０３を電子ビーム露光にて３０μｍ×０．１８μｍの露光パターン２０１（網掛部）を作製した。露光パターン２０１の配置としては、露光部２０１と非露光部２０２との形状が３０μｍ×０．３６μｍ程度の周期構造となるようにした。
【００４５】
さらに、現像工程を行うことによって図２の露光パターン２０１が除去され、図１（ｂ）にあるように０．１８μｍの幅のＥＢレジスト１０３のマスクパターンを形成した。さらにその後、ポストベーキングを１２０℃で２５分間行いＥＢレジスト３を固化した。
【００４６】
続いて、現像工程によって形成されたＥＢレジスト１０３の非マスク部分を、ＩＣＰドライエッチングによってＡｌ2Ｏ3膜１０２をエッチングした。
【００４７】
ＩＣＰドライエッチングのドライエッチング条件は、ＲＦ  Ｂｉａｓパワー：１００Ｗ、ガス雰囲気はＡｒとＣＦ4の混合ガス系あり、チャンバー内の全圧は８ｍＴｏｒｒであった。ここで、予めＡｒとＣＦ4の混合流量に対するＣＦ4のガス比率（ＣＦ4／（Ａｒ＋ＣＦ4））に対して、ＥＢレジスト膜１０３とＡｌ2Ｏ3膜１０２のエッチングレート選択比を図３にあるように調べた。
【００４８】
図３より、ＡｒとＣＦ4の混合流量に対するＣＦ4のガス比率が１２．５％〜２５．１％の領域でＡｌ2Ｏ3膜１０２とＥＢレジスト膜１０３との選択比（Ａｌ2Ｏ3膜１０２のエッチングレートをＥＢレジスト膜１０３のエッチングレートで割り算したもの）０．２以上が得られたことが確認できた。
【００４９】
この混合流量に対するＣＦ4のガス比率が１２．５％〜２５．１％エッチング条件下においては、膜厚３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜１０２をエッチングするためには、ＥＢレジスト膜１０３は最高１５０ｎｍ程度エッチングされることがわかる。
【００５０】
その結果、図１（ｃ）のようなＡｌ2Ｏ3膜１０２に微細構造を形成することができる。
【００５１】
今回は、ＡｒとＣＦ4の全流量に対するＣＦ4のガス比率が１９％の場合に対するＡｌ2Ｏ3膜２のドライエッチング加工について述べる。
【００５２】
混合流量に対するＣＦ4のガス比率１９％の場合、Ａｌ2Ｏ3膜１０２とＥＢレジスト膜１０３との選択比は０．２７あるため、Ａｌ2Ｏ3膜１０２に３０ｎｍのエッチングによる溝加工を行なう際、ＥＢレジスト１０３は１１０ｎｍ程度エッチングされる。よって、３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜１０２のエッチング加工後に、ＥＢレジスト１０３は９０ｎｍ程度残ることになる。
【００５３】
次にＬｉＮｂＯ3基板１０１に対して、上記に示したエッチング加工によりEBレジスト１０３のパターンが転写されたＡｌ2Ｏ3膜１０２をマスクとしてＩＣＰドライエッチングを行った。
【００５４】
ＩＣＰドライエッチングの条件として、ＲＦ  Ｂｉａｓパワーは１００Ｗ、チャンバー内の全圧は８ｍＴｏｒｒを設定し、ＬｉＮｂＯ3基板１０１のＩＣＰドライエッチング時のガス雰囲気をＡｒとＣＦ4の混合ガス系とし、ＡｒとＣＦ4の混合流量に対するＣＦ4のガス比率（ＣＦ4／（Ａｒ＋ＣＦ4））に対して、Ａｌ2Ｏ3膜１０２とＬｉＮｂＯ3基板１０１のエッチングレート選択比（ＬｉＮｂＯ3基板１０１のエッチングレートをＡｌ2Ｏ3膜１０２のエッチングレートで割り算したもの）を調べた。
【００５５】
上記条件により得られたＬｉＮｂＯ3基板１０１のエッチングレート、Ａｌ2Ｏ3膜１０２のエッチングレート、Ａｌ2Ｏ3膜１０２とＬｉＮｂＯ3基板１０１のエッチングレート選択比を図４に示す。図４にあるようにＡｒガスのみのガス雰囲気でＩＣＰドライエッチングを行えば、ＬｉＮｂＯ3基板１０１とＡｌ2Ｏ3膜１０２のエッチングレート選択比は１４と非常に高いエッチングレート選択比が得られた。
【００５６】
このため、ＲＦ  Ｂｉａｓパワー：１００Ｗ、チャンバー内の全圧は８ｍＴｏｒｒという条件でドライエッチングを行なった場合、膜厚３０ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜１０２を２２ｎｍエッチングすることで、図１（ｄ）にあるようにＬｉＮｂＯ3基板１０１の表面には３３０ｎｍ程度の溝加工深さが得られた。
【００５７】
このとき、図７にあるモード結合理論から求めた計算結果より、ＬｉＮｂＯ3基板１０１の表面に３３０ｎｍの溝加工深さを形成させることで群速度比として０．１５が得られ、光遅延素子が得られることが確認できる。
【００５８】
また、ＬｉＮｂＯ3基板１０１上には、Ａｌ2Ｏ3膜１０２がエッチング後に８ｎｍ残るが、光変調器に適用した際にＬｉＮｂＯ3基板１０１に対するバッファ層として用いることができるのでＡｌ2Ｏ3膜１０２の除去が必要で無い。
【００５９】
また、本発明では１．５μｍ帯における光遅延素子としての機能である群速度比が０．１５のものを製造する方法を示したが、得たい群速度比を設定し、その群速度比になるようにＬｉＮｂＯ3基板１０１をドライエッチングにより形成させる溝深さ、Ａｌ2Ｏ3膜１０２の膜厚、ＥＢレジスト１０３の膜厚といった構造パラメータは適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の光学結晶微細構造の製造方法により、光遅延素子等の微細構造を光学結晶上に作製可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態における各ドライエッチング工程における断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるＥＢレジストに形成した微細パターン図
【図３】ＥＢレジストのエッチングレートとＡｌ2Ｏ3膜のエッチングレートとＥＢレジストとＡｌ2Ｏ3膜とのエッチングレート選択比を示すグラフ
【図４】Ａｌ2Ｏ3膜のエッチングレートとＬｉＮｂＯ3基板のエッチングレートとＡｌ2Ｏ3膜とＬｉＮｂＯ3基板とのエッチングレート選択比を示すグラフ
【図５】ＬｉＮｂＯ3光変調器の概略を示す図
【図６】本発明で検討した光遅延素子の構造の概略を示す図
【図７】本発明で検討した光遅延素子のモード結合理論による遅延特性を示すグラフ
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【図９】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【符号の説明】
【００６２】
１０１  ＬｉＮｂＯ3基板
１０２  Ａｌ2Ｏ3膜
１０３  ＥＢレジスト
２０１  露光部
２０２  非露光部
５０１  ＬｉＮｂＯ3基板
５０２  導波路
５０３  導波路
５０４  電極
５０５  電極
５０６  電極
５０７  入射光
５０８  分岐点
５０９  分岐点
５１０  分岐光
５１１  分岐光
６０１  ＬｉＮｂＯ3基板
６０２  光導波路
６０３  凹凸状のパターン
６０４  線欠陥部
６０５  ２００周期の凹凸パターン
６０６  ２００周期の凹凸パターン
１  ＨｇＣｄＴｅ基板
２−１  レジスト膜
２−２  レジスト膜
３  金属膜
４  金属酸化膜
５  溝
Ａ  酸素プラズマ
Ｂ  ＣＦ4ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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