(57)【要約】 【課題】セル間隔を均一に維持し、液晶の汚染を防止することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの上に前記密封材で囲まれた領域内に形成され、前記密封材と同一層に位置する高台と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの上に前記密封材で囲まれた領域内に形成され、前記密封材と同一層に位置する高台と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記高台は、前記密封材より低い高さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記高台は不連続的な複数の突起を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記高台は、第１高台及び前記第１高台と前記密封材との間に位置する第２高台を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記高台は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル−エポキシ系樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選択されるいずれか一つの高分子樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在される球形間隔材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つに形成され、前記密封材で囲まれた領域に位置する高台と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介されている球形間隔材と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記高台は、前記密封材より低い高さで形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記高台は不連続的な複数の突起を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記高台は、第１高台及び前記第１高台と前記密封材との間に位置する第２高台を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記高台は、光硬化性または熱硬化性物質を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
複数の薄膜パターンを含む第１表示板及び第２表示板を各々形成する段階と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って高台を形成する段階と、
前記高台を硬化させる段階と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つに前記高台を囲むように密封材を形成する段階と、
前記第１表示板と前記第２表示板を合着する段階と、
前記密封材を硬化させる段階とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記高台を前記密封材より低い高さで形成することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記高台を形成する段階の前に配向膜を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記高台を形成する段階は、第１高台及び前記第１高台を囲む第２高台を形成することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記高台を硬化させる段階及び前記密封材を硬化させる段階は、光照射及び加熱のうちの少なくとも一つの方法で行うことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１表示板を形成する段階は、第１基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線上に半導体層を形成する段階と、前記ゲート線と絶縁されて交差するデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１表示板を形成する段階の後に、前記第１表示板上に液晶を滴下する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１表示板を形成する段階の後に、前記第１表示板上に球形スペーサを散布する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２表示板を形成する段階は、第２基板上に遮光部材を形成する段階と、前記第２基板上に色フィルタを形成する段階と、前記遮光部材及び前記色フィルタ上に共通電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１表示板と前記第２表示板を合着する段階は真空で行うことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、セル間隔を均一に維持し、液晶の汚染を防止することのできる液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つである。液晶表示装置は電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に入っている液晶層を含み、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成することによって、液晶層の液晶分子の方向を決めて液晶層を通過する光の透過率を調節する。
液晶表示装置の中でも現在主に使用されているのは電場生成電極が二つの表示板に各々備えられている構造である。この中でも、一つの表示板には複数の画素電極が行列形態で配列されていて、他の表示板には一つの共通電極が表示板全面を覆っている構造が主流をなしている。
【０００３】
このような液晶表示装置における画像の表示は、各画素電極に別途の電圧を印加することによって行われる。そのために画素電極に印加される電圧をスイッチングするための三端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を各画素電極に連結し、この薄膜トランジスタを制御するための信号を伝達するゲート線と、画素電極に印加される電圧を伝達するデータ線を形成する。薄膜トランジスタはゲート線を通って伝達される走査信号によってデータ線を通って伝達されるデータ信号を画素電極に伝達または遮断するスイッチング素子としての役割を果たす。
【０００４】
一方、両表示板の間には液晶の他に両表示板を離隔するための間隔材が散布されており、両表示板を接着且つ固定して液晶を封入ための密封材が形成されている。
しかし、液晶が両表示板の間で均等に分布されず、表示板の枠組み部分に集中してセル間隔が不均一になることがある。また、液晶は両表示板を合着する工程で硬化されていない状態の密封材と接触して汚染されやすく、密封材を硬化する工程で紫外線などに露出されて変性することがあるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置及びその製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、液晶表示装置のセル間隔を均一に維持し、液晶の汚染を防止することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの上に前記密封材で囲まれた領域内に形成され、前記密封材と同一層に位置する高台と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有することを特徴とする。
【０００７】
前記高台は、前記密封材より低い高さで形成されることが好ましい。
前記高台は不連続的な複数の突起を含むことが好ましい。
前記高台は、第１高台及び前記第１高台と前記密封材との間に位置する第２高台を含むことが好ましい。
前記高台は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル−エポキシ系樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選択されるいずれか一つのの高分子樹脂を含むことが好ましい。
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在される球形間隔材をさらに含むことが好ましい。
【０００８】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つに形成され、前記密封材で囲まれた領域に位置する高台と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に介されている球形間隔材と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有することを特徴とする。
【０００９】
前記高台は前記密封材より低い高さで形成されることが好ましい。
前記高台は不連続的な複数の突起を含むことが好ましい。
前記高台は第１高台及び前記第１高台と前記密封材との間に位置する第２高台を含むことが好ましい。
前記高台は光硬化性または熱硬化性物質を含むことが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置の製造方法は、複数の薄膜パターンを含む第１表示板及び第２表示板を各々形成する段階と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って高台を形成する段階と、前記高台を硬化させる段階と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つに前記高台を囲むように密封材を形成する段階と、前記第１表示板と前記第２表示板を合着する段階と、前記密封材を硬化させる段階とを有することを特徴とする。
【００１１】
前記高台を前記密封材より低い高さで形成することが好ましい。
前記高台を形成する段階の前に、配向膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記高台を形成する段階は、第１高台及び前記第１高台を囲む第２高台を形成することが好ましい。
前記高台を硬化させる段階及び前記密封材を硬化させる段階は、光照射及び加熱のうちの少なくとも一つの方法で行うことが好ましい。
前記第１表示板を形成する段階は第１基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線上に半導体層を形成する段階と、前記ゲート線と絶縁されて交差するデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階とを含むことが好ましい。
前記第１表示板を形成する段階の後に、前記第１表示板上に液晶を滴下する段階をさらに含むことが好ましい。
前記第１表示板を形成する段階の後に、前記第１表示板上に球形スペーサを散布する段階をさらに含むことが好ましい。
前記第２表示板を形成する段階は、第２基板上に遮光部材を形成する段階と、前記第２基板上に色フィルタを形成する段階と、前記遮光部材及び前記色フィルタ上に共通電極を形成する段階とを含むことが好ましい。
前記第１表示板と前記第２表示板を合着する段階は真空で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法によれば、表示領域と密封材の間にダムを形成することによって、液晶が表示板の枠組み部分に集中されることを防止してセル間隔を均一に維持し、両表示板の合着前に完全硬化されたダムによって液晶が硬化されていない状態の密封材と接触することを防止したり、密封材硬化工程で紫外線などに露出されることを防止して液晶が汚染されることを防止することができるという効果がある。
また、ダムは別途のマスクなく密封材形成工程と同一に行うので、費用及び時間を節減することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００１５】
次に、本発明の一実施形態による液晶表示装置について図１乃至図３を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置の概略斜視図であり、図２は図１の液晶表示装置を示した配置図であり、図３は図２の液晶表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
図１乃至図３を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００と、共通電極表示板２００、及び、これら二つの表示板（１００、２００）の間に介在される液晶層３とを含む。また、液晶表示装置は画像を表示するための表示領域「Ａ」と外部駆動回路と連結するためのパッド領域「Ｂ」を含む。
【００１６】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達して、主に横方向に伸びている。各ゲート線１２１は下側に突き出された複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されても、絶縁基板１１０上に直接装着されても、絶縁基板１１０に集積されてもよい。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が伸びてこれと直接連結できる。
【００１７】
維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほとんど平行に伸びた分枝線と、これから分かれた複数対の第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む。
維持電極線１３１の各々は隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、分枝線は二つのゲート線１２１のうちの下側に近い。第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂは分枝線と連結された固定端と、その反対側の自由端を有している。第１維持電極１３３ａの固定端は面積が広く、その自由端は直線部分と屈曲部分の二つに分かれる。しかし、維持電極線１３１の形態及び配置は多様に変更することができる。
【００１８】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１はアルミニウムやアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀や銀合金など銀系金属、銅や銅合金など銅系金属、モリブデンやモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム、タンタル、及びチタニウムなどで作られてもよい。
しかし、これらは物理的性質の異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らせるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（酸化インジウムスズ）及びＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。
このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１はその他にも多種多様な金属または導電体で作ることができる。
【００１９】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は絶縁基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２０】
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉとも言う）または多結晶シリコンなどで作られた複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に縦方向に伸びており、ゲート電極１２４に向かって伸びて出た複数の突出部１５４を含む。
線状半導体１５１上には複数の線状及び島状の抵抗性接触部材（１６１、１６５）が形成されている。抵抗性接触部材（１６１、１６５）はリン（Ｐ）などのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られても、シリサイドで作られてもよい。線状抵抗性接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島状抵抗性接触部材１６５は対をなして線状半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００２１】
線状半導体１５１と抵抗性接触部材（１６１、１６５）の側面もやはり絶縁基板１１０面に対して傾いており、傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
抵抗性接触部材（１６１、１６５）及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００２２】
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に伸びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はまた、維持電極線１３１と交差し、隣接した維持電極１３３ａ、１３３ｂ集合の間を走る。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって伸びた複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されても、絶縁基板１１０上に直接装着されても、絶縁基板１１０に集積されてもよい。データ駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が伸びてこれと直接連結できる。
【００２３】
ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は線状半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
【００２４】
データ線１７１及びドレイン電極１７５はモリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど、耐火性金属またはこれらの合金で作られるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５はその他にも多種多様な金属または導電体で作ることができる。
データ線１７１及びドレイン電極１７５もまた、その側面が絶縁基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾いたのが好ましい。
【００２５】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出された線状半導体１５１部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などで作られ表面が平坦であり得る。無機絶縁水の例としては、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）がある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出された線状半導体１５４部分に害にならないように下部無機膜と上部無機膜の二重膜構造を有することもできる。
【００２６】
保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５を各々露出する複数の接触孔１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、第１維持電極１３３ａ固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出する複数の接触孔１８３ａ、そして第１維持電極１３３ａの自由端の突出部を露出する複数の接触孔１８３ｂが形成されている。
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１、複数の連結橋８３及び、複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で作られてもよい。
【００２７】
画素電極１９１は接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に連結されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の方向を決める。このように決められた液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ（以下、‘液晶キャパシタ’と言う）を構成して薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
画素電極１９１は維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとした維持電極線１３１と重なり、画素電極１９１及び、これと電気的に連結されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重なって構成するキャパシタをストレージキャパシタとし、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００２８】
接触補助部材８１、８２は各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。接触補助部材８１、８２はゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
連結橋８３はゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置する接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じて維持電極線１３１の露出された部分と維持電極１３３ｂ自由端の露出された端部に連結されている。維持電極１３３ａ、１３３ｂをはじめとした維持電極線１３１は連結橋８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用することができる。
画素電極１９１上には配向膜１１が塗布されている。配向膜１１は表示領域「Ａ」に形成されていて、ポリイミドなどの絶縁物質で作られてもよい。
【００２９】
以下では、薄膜トランジスタ表示板１００と対向する共通電極表示板２００について説明する。
透明ガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上にブラックマトリックスとも言う遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は画素電極１９１と対向して、画素電極１９１とほとんど同一な模様を有する複数の開口部を有しており、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。遮光部材２２０はゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分に分けられる。
【００３０】
絶縁基板２１０上にはまた、複数の色フィルタ２３０が形成されている。色フィルタ２３０は遮光部材２２０で囲まれた領域内にほとんど存在し、ある一つの方向に長く伸びることができる。各色フィルタ２３０は赤色、緑色及び青色など基本色のうちの一つを表示することができる。
色フィルタ２３０上にはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体で作られた共通電極２７０が形成されている。
【００３１】
共通電極２７０上には配向膜２１が塗布されている。配向膜２１は表示領域「Ａ」に形成されていて、ポリイミドなどの絶縁物質で作られてもよい。
共通電極２７０上には高台とも言うダム３１０が形成されている。ダム３１０は表示領域「Ａ」の外側で表示領域「Ａ」を囲んでおり、連続的な一つの突起または不連続的な複数の突起を含む多様な模様に形成することができる。
【００３２】
図１５乃至図１８は、本実施形態における多様なダム３１０の形態及び配置を例として示す平面図である。
図１５乃至図１８に示すように、ダム３１０は密封材３２０によって定義された領域内で表示領域「Ａ」を囲んでおり、一つまたは二つ以上の不連続的な突起を含むことができる。
また、表示領域「Ａ」を囲む内側ダム３１０ａ及び内側ダム３１０ａと密封材３２０の間に配置される外側ダム３１０ｂを含む複数重ねに形成することができ、内側ダム３１０ａ及び外側ダム３２０ｂのうちの一つを省略してもよい。
【００３３】
ダム３１０は両表示板（１００、２００）の間の間隔、つまり、セル間隔より高さが低いために薄膜トランジスタ表示板１００とある程度間隔をおいて離れており、これらの間から液晶３００が通過することができる。ダム３１０はアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル−エポキシ系樹脂及びフェノール樹脂などの光硬化性または熱硬化性樹脂を主成分とする物質からなっており、光開始剤、充填材及び各種添加剤をさらに含むことができる。
【００３４】
表示板（１００、２００）は密封材３２０によって接着固定されている。密封材３２０は表示領域「Ａ」周囲に沿ってダム３１０の外側側に形成されていて、所定の閉殻形状の領域を定義する。密封材３２０はセル間隔と同一な高さを有し、ダム３１０と同様にアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル−エポキシ系樹脂及びフェノール樹脂などの光硬化性または熱硬化性樹脂で作られてもよい。
【００３５】
密封材３２０によって定義される領域には液晶３００が入っており、ダム３１０は表示領域「Ａ」周囲で液晶３００が表示領域「Ａ」の外側へ抜け出る速度を制御する。そのために液晶３００が表示板（１００、２００）の枠組み部に集中することを防止して、セル間隔を均一に維持することができる。
また、密封材３２０は硬化していない状態で両表示板（１００、２００）を固定した後、光または熱によって硬化させるが、この時、ダム３１０は液晶３００が硬化していない状態の密封材３２０と直接接触することを防止して、硬化していない状態の密封材３２０から液晶３００が汚染されることを防止する。
【００３６】
表示板（１００、２００）の外表面には偏光子（図示せず）が備えられているが、二つの偏光子の偏光軸は平行または直交する。反射型液晶表示装置の場合には二つの偏光子のうちの一つを省略してもよい。
液晶層３は正または負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３００は電場のない状態でその長軸が二つの表示板（１００、２００）の表面に対してほとんど平行またはほとんど垂直をなすように配向されている。
液晶層３には複数の球形間隔材（図示せず）もまた散布されている。球形間隔材は両表示板（１００、２００）の間でセル間隔を維持する。
【００３７】
以下、図１乃至図３に示した液晶表示装置を製造する方法について図４乃至図１４を参照して説明する。
まず、薄膜トランジスタ表示板１００の製造方法について図４乃至図１０を参照して詳細に説明する。
図４、図６及び図８は本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための配置図であり、図５は図４の薄膜トランジスタ表示板をＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図であり、図７は図６の薄膜トランジスタ表示板をＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図９は図８の薄膜トランジスタ表示板をＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図であり、図１０は図８及び図９の薄膜トランジスタ表示板に連続して液晶滴下をする工程を示す概略図である。
【００３８】
まず、図４及び図５に示すように、絶縁基板１１０上にアルミニウム合金で作られたゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１と維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む複数の維持電極線１３１を形成する。
次に、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を（プラズマ）化学気相蒸着（（ＰＥ）ＣＶＤ）で連続して積層し、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層をフォトリソグラフィ工程にて、複数の不純物半導体と線状半導体１５４を形成する。
【００３９】
その後、アルミニウム合金で作られたソース電極１７３及び端部１７９を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５を形成する。
また、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された不純物半導体を除去して抵抗性接触部材（１６３、１６５）を完成する一方、その下の線状半導体１５４の一部分を露出させる。
【００４０】
次に、図６及び図７に示すように、化学気相蒸着または印刷法などで保護膜１８０を積層し、これにフォトリソグラフィ工程にて複数の接触孔１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５を形成する。
【００４１】
次に、図８及び図９に示すように、保護膜１８０上に画素電極１９１、複数の連結橋８３及び複数の接触補助部材８１、８２を形成し、その上に配向膜１１を塗布して薄膜トランジスタ表示板１００を完成する。
その後、薄膜トランジスタ表示板１００上に球形間隔材（図示せず）を散布する。球形間隔材は間隔材散布機（図示せず）を使用して表示板１００上に均等に散布する。
【００４２】
なお、図１０に示すように、薄膜トランジスタ表示板１００上に液晶滴下機１０を使用して液晶３００を滴下する。液晶滴下機１０は位置調節器１５に設置されて位置調節器１５によって薄膜トランジスタ表示板１００上部から上下左右に移動して、所定の位置に液晶３００を滴下する。
【００４３】
その後、薄膜トランジスタ表示板１００に対向する共通電極表示板２００の製造方法について図１１乃至図１４を参照して説明する。
図１１乃至図１４は本発明の一実施形態による共通電極表示板２００の製造方法を説明するために順次に示した断面図である。
まず、図１１に示したように、絶縁基板２１０上に不透明金属で作られた遮光部材２２０を形成する。次いで、色フィルタ２３０を形成する。色フィルタ２３０は赤色、緑色及び青色などの顔料を含む感光性有機物質を塗布して、フォトリソグラフィ工程によって形成したりまたはインクジェット印刷などで形成する。
【００４４】
次に、図１２に示すように、色フィルタ２３０と遮光部材２２０全面にＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜をスパッタリングして共通電極２７０を形成し、その上に配向膜２１を塗布する。
【００４５】
次に、図１３に示すように、共通電極表示板２００の表示領域「Ａ」の外側にダム３１０を形成する。ダム３１０はディスペンサー（図示せず）を使用して表示領域「Ａ」の周囲を囲むように塗布する。ダム３１０の高さ及び幅はディスペンサーの射出量で調節することができ、この時、ダム３１０の高さをセル間隔より低く調節する。このようにダム３１０は別途のマスクなく容易に形成することができる。
【００４６】
次に、ダム３１０をＵＶで硬化させる。ＵＶ硬化によってダム３１０に含まれている光開始剤が反応しながら、高分子樹脂を硬化させる。その後、熱硬化させる工程をさらに含んでもよい。熱硬化は１２０℃程度の温度で約６０分間加熱して残っている高分子樹脂を完全に硬化させる。
【００４７】
その後、図１４に示すように、ダム３１０の外側側に密封材３２０を形成する。密封材３２０はディスペンサーを使用してダム３１０周囲を囲むように塗布する。密封材３２０の高さ及び幅もまたディスペンサーの射出量で調節することができ、この時、密封材３２０の高さはセル間隔と同一にまたは圧着される程度を考慮してそれより多少高く形成することができる。
【００４８】
その後、図１乃至図３に示したように、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００を合着する。合着は真空雰囲気で行うことが好ましい。
次いで、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００の間の密封材３２０をＵＶで硬化させる。また、必要な場合、熱硬化させる工程をさらに含むことができる。
【００４９】
上記実施形態では液晶３００を薄膜トランジスタ表示板１００に滴下してダム３１０と密封材３２０を共通電極表示板２００に形成したが、液晶３００を共通電極表示板２００に滴下してダム３１０と密封材３２０を薄膜トランジスタ表示板１００に形成することもでき、液晶３００、ダム３１０及び密封材３２０を同一の表示板に形成することもできる。
【００５０】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の概略斜視図である。
【図２】図１の液晶表示装置を示した配置図である。
【図３】図２の液晶表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための配置図である。
【図５】図４の薄膜トランジスタ表示板をＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための配置図である。
【図７】図６の薄膜トランジスタ表示板をＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を説明するための配置図である。
【図９】図８の薄膜トランジスタ表示板をＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図８及び図９の薄膜トランジスタ表示板に連続して液晶滴下をする工程を示す概略図である。
【図１１】本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本実施形態におけるダムの形態及び配置を例として示す平面図である。
【図１６】本実施形態におけるダムの形態及び配置を例として示す平面図である。
【図１７】本実施形態におけるダムの形態及び配置を例として示す平面図である。
【図１８】本実施形態におけるダムの形態及び配置を例として示す平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
３        液晶層
１１、２１    配向膜
８１、８２    接触補助部材
１１０、２１０    絶縁基板
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１３１      維持電極線
１３３ａ、１３３ｂ    （第１、第２）維持電極
１４０      ゲート絶縁膜
１５１      線状半導体
１６１、１６５    （線状、島状）抵抗性接触部材
１７１      データ線
１７３      ソース電極
１７５      ドレイン電極
１８０      保護膜
１８１、１８２、１８３ａ、１８３ｂ、１８５    接触孔
１９１      画素電極
２２０      遮光部材
２３０      色フィルタ
２７０      共通電極
３００      液晶
３１０      ダム（高台）
３１０ａ    内側ダム
３１０ｂ    外側ダム
３２０      密封材
Ａ        表示領域
Ｂ        パッド領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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