(57)【要約】【課題】液晶表示装置の開口率を高めながら透過率を向上する。【解決手段】基板と、基板２１０上に形成されていて第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１とを含み、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは行方向に隣接し、各々傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片からなり、第２副画素電極の電極片１９１ｂのうちの少なくとも一つは、図示第１副画素電極１９１ａ上のまたは下に位置する。このようにすると、画素の大きさが大きい中大型表示装置などに適した画素電極の配置を作ることができ、縦線の表示に有利である。また、開口率及び透過率がさらに向上し、基準視野角を大きくすることができる。第１及び第２副画素電極の面積比を１：１から１：３まで多様にすることができ、側面視認性をさらに良くすることができる。【選択図】図９
2007072466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む複数の画素電極と、
を含み、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接し、
前記第１及び第２副画素電極は共に、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を接続した形状であり、
前記第２副画素電極の前記平行四辺形電極片のうちの少なくとも一つは、前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片同士を接続した側と反対側の辺に隣接する位置に配置されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第２副画素電極は、３個の右傾斜平行四辺形電極片と３個の左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記右傾斜平行四辺形電極片と前記左傾斜平行四辺形電極片とは交互に配列されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記平行四辺形電極片において前記平行四辺形電極片同士が接続されている辺と平行な辺との間を、前記平行四辺形電極片の高さとして定義し、
前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片の高さは、前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片同士を接続した側と反対側の辺に隣接する位置に配置されている前記第２副画素電極の前記平行四辺形電極片の高さの１倍乃至２．５倍である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む複数の画素電極と、
を含み、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接していて、
前記第１及び第２副画素電極は共に、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を含み、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は共に、前記傾斜方向が互いに異なる平行四辺形電極片を交互に配列して接続しており、
前記第２副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の個数が前記第１副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の個数より多い、液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第２副画素電極は、２つの右傾斜平行四辺形電極片と２つの左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１副画素電極の横中心線と前記第２副画素電極の横中心線とは一直線上に置かれている、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素電極は、行方向及び列方向にそれぞれ隣接しており、
列方向に隣接する画素電極は、隣接する画素電極同士が互いに左右反転対称した形状となるように配置され、
行方向に隣接する画素電極は、同一の形状で、かつ、横中心線が同一直線上となるように配置されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数の画素電極は、行方向及び列方向にそれぞれ隣接しており、
列方向に隣接する画素電極は、隣接する画素電極同士が互いに左右反転対称した形状であり、
行方向に隣接する画素電極は、横中心線が交差し、行方向に隣接する画素電極の第１及び第２副画素電極の各々が互いに左右反転対称した形状である、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記平行四辺形電極片において前記平行四辺形電極片同士が接続されている辺と平行な辺との間を、前記平行四辺形電極片の高さとして定義し、
前記第１副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の高さと前記第２副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の高さとが同一である、請求項１乃至９のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第２副画素電極の面積は前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍である、請求項１乃至９のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極と対向した位置に配置され、切開部を有する共通電極をさらに含み、
前記平行四辺形電極片は互いに並んだ一対の斜辺を含み、
前記切開部は前記第１及び第２副画素電極を横切り、前記平行四辺形電極片の斜辺と平行な斜線部を含む、請求項１乃至９のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なる、請求項１乃至９のうちのいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１副画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタと、
前記第２副画素電極と連結されている第２薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタと連結されている第１信号線と、
前記第２薄膜トランジスタと連結されている第２信号線と、
前記第１及び第２薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線と
をさらに含む、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、各々前記第１及び第２信号線からの信号によって導通して前記第３信号線からの信号を通過させる、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、各々前記第３信号線からの信号によって導通して前記第１及び第２信号線からの信号を通過させる、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成されている有機絶縁物をさらに含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１乃至第３信号線のうちのデータ信号を伝達する少なくとも一つの信号線をデータ線とする時、
前記データ線が、前記有機絶縁物を間に置いて、前記画素電極の第１副画素電極と重畳する面積と、前記画素電極の第１副画素電極と隣接する画素電極の第２副画素電極と重畳する面積とが互いに同一である、請求項１７に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは容量性結合されている、請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第１副画素電極と連結されている薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと連結されているデータ線と、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成されている有機絶縁物をさらに含む、請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記データ線が、前記有機絶縁物を間に置いて、前記画素電極の第１副画素電極と重畳する面積と、前記画素電極の第１副画素電極と隣接する画素電極の第２副画素電極と重畳する面積とが互いに同一である、請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む画素電極と
を含み、
前記画素電極は隣接した同一の形態の第１領域と第２領域とを有し、
前記第１及び第２副画素電極各々は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を含み、
前記第１副画素電極は前記第１領域に位置し、
前記第２副画素電極は前記第１領域に位置する第１電極片と前記第２領域に位置する第２電極片とを含む
液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第１電極片及び第２電極片各々は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第１電極片は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第２電極片は、２つの右傾斜平行四辺形電極片と２つの左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第１副画素電極の高さは、前記第１電極片の高さの１倍乃至２．５倍である、請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む画素電極と
を含み、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接し、
前記第１副画素電極は互いに並んだ一対の第１屈曲辺を有し、
前記第２副画素電極は互いに並んだ一対の第２屈曲辺を有し、
前記第２屈曲辺の折れ曲がった回数は前記第１屈曲辺の折れ曲がった回数より多い
液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第１屈曲辺の折れ曲がった回数は１回、前記第２屈曲辺が折れ曲がった回数は３回である、請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍である、請求項２６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、平板表示装置のうち最も広く使用されているものの一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は、また、各画素電極に連結されているスイッチング素子、及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線など複数の信号線を含む。
【０００４】
このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｏｄｅ）の液晶表示装置は、コントラスト比が大きく基準視野角が広くて脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１：１０の視野角または階調間輝度反転限界角度を意味する。
【０００５】
垂直配向モード液晶表示装置において、広視野角を実現するための手段としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起によって液晶分子が傾く方向を決定することができるので、これらを使用して液晶分子の傾斜方向をいろいろな方向に分散させることにより、基準視野角を広くすることができる。
【０００６】
側面視認性を改善するために、一つの画素を２つの副画素に分割して２つの副画素を容量性結合させた後、一方の副画素には直接に電圧を印加し、他方の副画素には容量性結合による電圧下降を起こして２つの副画素の電圧を異にすることにより、透過率を異なるようにする方法が提示された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、このような方法は２つの副画素の透過率を所望の水準に正確に合わせられず、特に色相によって光透過率が異なるので、各色相に対する電圧の配合を異にしなければならないが、これを行うことができない。また、容量性結合のための導電体の追加などによる開口率の低下が現れ、容量性結合による電圧降下によって透過率が減少する。
【０００８】
また、突起や切開部がある部分は光が透過することが難しいので、これらが多いほど開口率が落ちる。開口率を高めるために、画素電極を広めた超高開口率の構造が提示された。
【０００９】
しかし、この場合、画素電極間の距離が近く、画素電極とデータ線との間の距離も短いため、画素電極の周縁付近に強い側方向電場（ｌａｔｅｒａｌ  ｆｉｅｌｄ）が形成される。このような側方向電場によって液晶分子の配向が乱れ、そのためにテクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）や光漏れが生じて応答時間が長くなる。
【００１０】
また、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が落ちる。例えば、切開部が具備されたＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合には側面に行くほど映像が明るくなって、激しい場合には高い階調の間の輝度差がなくなり、映像が歪んで見えることもある。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする技術的課題は、液晶表示装置の開口率を高めながら透過率を向上することである。特に、大型表示装置において開口率及び透過率を高めることである。
【００１２】
本発明の他の技術的課題は、側面視認性を向上することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む複数の画素電極と、を含み、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接し、前記第１及び第２副画素電極は共に、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を接続した形状であり、前記第２副画素電極の前記平行四辺形電極片のうちの少なくとも一つは、前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片同士を接続した側と反対側の辺に隣接する位置に配置されている。
【００１４】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、前記第２副画素電極は、３個の右傾斜平行四辺形電極片と３個の左傾斜平行四辺形電極片とを含むことができる。
【００１５】
前記右傾斜平行四辺形電極片と前記左傾斜平行四辺形電極片とは、に交互に配列されていることができる。
【００１６】
前記平行四辺形電極片において前記平行四辺形電極片同士が接続されている辺と平行な辺との間を、前記平行四辺形電極片の高さとして定義し、前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片の高さは、前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片同士を接続した側と反対側の辺に隣接する位置に配置されている前記第２副画素電極の前記平行四辺形電極片の高さの１倍乃至２．５倍である。
【００１７】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む複数の画素電極と、を含み、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接していて、前記第１及び第２副画素電極は共に、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を含み、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は共に、前記傾斜方向が互いに異なる平行四辺形電極片を交互に配列して接続しており、前記第２副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の個数が前記第１副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の個数より多い。
【００１８】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、前記第２副画素電極は、２つの右傾斜平行四辺形電極片と２つの左傾斜平行四辺形電極片とを含むことができる。
【００１９】
前記第１副画素電極の横中心線と前記第２副画素電極の横中心線とは一直線上に置かれていることができる。
【００２０】
前記複数の画素電極は、行方向及び列方向にそれぞれ隣接しており、列方向に隣接する画素電極は、隣接する画素電極同士が互いに左右反転対称した形状となるように配置され、行方向に隣接する画素電極は、同一の形状で、かつ、横中心線が同一直線上となるように配置されている。
【００２１】
前記複数の画素電極は、行方向及び列方向にそれぞれ隣接しており、列方向に隣接する画素電極は、隣接する画素電極同士が互いに左右反転対称した形状であり、行方向に隣接する画素電極は、横中心線が交差し、行方向に隣接する画素電極の第１及び第２副画素電極の各々が互いに左右反転対称した形状である。
【００２２】
前記平行四辺形電極片において前記平行四辺形電極片同士が接続されている辺と平行な辺との間を、前記平行四辺形電極片の高さとして定義し、前記第１副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の高さと前記第２副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の高さとが同一である。
【００２３】
前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍であり得る。
【００２４】
前記画素電極と対向した位置に配置され、切開部を有する共通電極をさらに含み、前記平行四辺形電極片は互いに並んだ一対の斜辺を含み、前記切開部は前記第１及び第２副画素電極を横切り、前記平行四辺形電極片の斜辺と平行な斜線部を含む。
【００２５】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることがある。
【００２６】
前記第１副画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタと、前記第２副画素電極と連結されている第２薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタと連結されている第１信号線と、前記第２薄膜トランジスタと連結されている第２信号線と、前記第１及び第２薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線とをさらに含むことができる。
【００２７】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、各々前記第１及び第２信号線からの信号によって導通して前記第３信号線からの信号を通過させる。
【００２８】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、各々前記第３信号線からの信号によって導通して前記第１及び第２信号線からの信号を通過させる。
【００２９】
前記第１及び第２薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成されている有機絶縁物をさらに含むことができる。
【００３０】
前記第１乃至第３信号線のうちのデータ信号を伝達する少なくとも一つの信号線をデータ線とする時、前記データ線が、前記有機絶縁物を間に置いて前記画素電極の第１副画素電極と重畳する面積と、前記画素電極の第１副画素電極と隣接する画素電極の第２副画素電極と重畳する面積とが互いに同一であり得る。
【００３１】
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは容量性結合されていることができる。
【００３２】
前記第１副画素電極と連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと連結されているデータ線と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成されている有機絶縁物とをさらに含むことができる。
【００３３】
前記データ線が、前記有機絶縁物を間に置いて前記画素電極の第１副画素電極と重畳する面積と、前記画素電極の第１副画素電極と隣接する画素電極の第２副画素電極と重畳する面積とが互いに同一であり得る。
【００３４】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む画素電極を含み、前記画素電極は隣接した同一の形態の第１領域と第２領域とを有し、前記第１及び第２副画素電極各々は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を含み、前記第１副画素電極は前記第１領域に位置し、前記第２副画素電極は前記第１領域に位置する第１電極片と前記第２領域に位置する第２電極片とを含む。
【００３５】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、前記第１電極片及び第２電極片各々は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片を含むことができる。
【００３６】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、前記第１電極片は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、前記第２電極片は、２つの右傾斜平行四辺形電極片と２つの左傾斜平行四辺形電極片とを含むことができる。
【００３７】
前記第１副画素電極の高さは、前記第１電極片の高さの１倍乃至２．５倍であり得る。
【００３８】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む画素電極とを含み、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接し、前記第１副画素電極は互いに並んだ一対の第１屈曲辺を有し、前記第２副画素電極は互いに並んだ一対の第２屈曲辺を有し、前記第２屈曲辺の折れ曲がった回数は前記第１屈曲辺の折れ曲がった回数より多いことがある。
【００３９】
前記第１屈曲辺の折れ曲がった回数は１回、前記第２屈曲辺が折れ曲がった回数は３回であり得る。
【００４０】
前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極の面積の１．１倍乃至３倍であり得る。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、画素の大きさが大きい中大型表示装置などに適した画素電極の配置を作ることができ、縦線の表示に有利である。また、開口率及び透過率がさらに向上し、基準視野角を大きくすることができる。第１及び第２副画素電極の面積比を１：１から１：３まで多様にすることができ、側面視認性をさらに良くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異な形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００４３】
図面において、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似な部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。左右についても同様に、左右に隣接するとは、左右方向の間に他の部材や領域があって隣接する場合を含む。
【００４４】
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００４５】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。
【００４６】
図１に示したように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐａｎｅｌ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、これと連結されたゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００、データ駆動部５００に連結された階調電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を含む。
【００４７】
液晶表示板組立体３００は、等価回路で見れば、複数の信号線（図示せず）と、これに連結されていて、ほぼ行列状に配列された複数の画素ＰＸとを含む。反面、図２に示した構造で見れば、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３とを含む。
【００４８】
信号線は、ゲート信号（“走査信号”とも言う）を伝達する複数のゲート線（図示せず）と、データ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）とを含む。ゲート線はほぼ行方向にのび、互いにほとんど平行に位置されており、データ線はほぼ列方向にのび、互いにほとんど平行に配置されている。
【００４９】
各画素ＰＸは一対の副画素を含み、各副画素は液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂを含む。２つの副画素のうちの少なくとも一つはゲート線、データ線及び液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂと連結されたスイッチング素子（図示せず）を含む。
【００５０】
液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂは、下部表示板１００の副画素電極ＰＥａ／ＰＥｂと上部表示板２００の共通電極ＣＥとを２つの端子とし、副画素電極ＰＥａ／ＰＥｂと共通電極ＣＥとの間の液晶層３は誘電体として機能する。一対の副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂは互いに分離されていて、一つの画素電極ＰＥをなす。共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されていて、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態で、その長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されていることができる。
【００５１】
一方、色表示を実現するためには、各画素ＰＸが基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒのうちの一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示するように（時間分割）して、これら基本色の空間的、時間的合計によって所望の色相が認識されるようにする。基本色の例としては、赤色、緑色、青色など三原色がある。図２は空間分割の一例として、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色のうちの一つを示すカラーフィルタＣＦを備えることを示している。図２とは異なって、カラーフィルタＣＦは下部表示板１００の副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂ上のまたは下に形成することもできる。
【００５２】
表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が備えられており、２つの偏光子の偏光軸は直交することができる。反射型液晶表示装置の場合には、２つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略できる。直交偏光子である場合、電場がない液晶層３に入った入射光を遮断する。
【００５３】
図３Ａ、図３Ｂ、図４、図５、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、このような液晶表示板組立体の画素電極、共通電極及びカラーフィルタの詳細構造について説明する。
【００５４】
図３Ａ乃至図５は本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図であり、図６Ａ乃至図６Ｃは図３Ａ乃至図５に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図であり、図７Ａ及び図７Ｂは図５に示した画素電極を複数含む液晶表示板組立体の概略的な配置図である。
【００５５】
図３乃至図５に示したように、本発明の実施形態による液晶表示板組立体の各画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１は、互いに分離されている一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ（図２における副画素電極ＰＥａ／ＰＥｂ）を含む。
【００５６】
第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとは行方向に隣接し、切開部（ｃｕｔｏｕｔ）９１ａ、９１ｂを有する。
【００５７】
共通電極ＣＥ（図２参考）は、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂと対向する切開部７１ａ、７１ｂ、７１ｂ１、７１ｂ２、７１ｂ３を有する。
【００５８】
一つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとは、各々別個のスイッチング素子（図示せず）と連結される。またこれとは異なって、第１副画素電極１９１ａはスイッチング素子（図示せず）と連結され、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａと容量性結合させることもできる。
【００５９】
第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ各々は、少なくとも図６Ａに示した平行四辺形の電極片１９６一つと図６Ｂに示した平行四辺形の電極片１９７一つとを含む。図６Ａ及び図６Ｂに示した電極片１９６、１９７を上下に連結すれば、図６Ｃに示した基本電極１９８になるが、各副画素電極１９１ａ、１９１ｂはこのような基本電極１９８を根幹とする構造を有する。
【００６０】
図６Ａ及び図６Ｂに示したように、電極片１９６、１９７各々は一対の斜辺（ｏｂｌｉｑｕｅ  ｅｄｇｅ）１９６ｏ、１９７ｏ及び一対の横辺（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｅｄｇｅ）１９６ｔ、１９７ｔを有し、ほぼ平行四辺形である。各斜辺１９６ｏ、１９７ｏは、横辺１９６ｔ、１９７ｔに対して斜角（ｏｂｌｉｑｕｅ  ａｎｇｌｅ）をなし、斜角の大きさはほぼ４５度乃至１３５度であることが好ましい。便宜上、以下、下辺１９６ｔ、１９７ｔを中心に垂直である状態で傾いた方向（“傾斜方向”）によって区分し、図６Ａのように、右側に傾いたことを“右傾斜”と言い、図６Ｂのように左側に傾いたことを“左傾斜”という。
【００６１】
電極片１９６、１９７における横辺１９６ｔ、１９７ｔの長さ、つまり、幅Ｗと、横辺１９６ｔ、１９７ｔの間の距離、つまり、高さＨは、表示板組立体３００の大きさによって自由に決定することができる。また、各電極片１９６、１９７における横辺１９６ｔ、１９７ｔは他の部分との関係を考慮して折れ曲がったり突出したりするなど変形ができ、今後は、このような変形も全て含んで平行四辺形と称する。
【００６２】
共通電極ＣＥには電極片１９６、１９７と対向する切開部６１、６２が形成されており、電極片１９６、１９７は切開部６１、６２を中心に２つの副領域Ｓ１、Ｓ２に区画される。切開部６１、６２は、電極片１９６、１９７の斜辺１９６ｏ、１９７ｏと並んだ斜線部６１ｏ、６２ｏと、斜線部６１ｏ、６２ｏと鈍角をなしながら電極片１９６、１９７の横辺１９６ｔ、１９７ｔと重畳する横部６１ｔ、６２ｔとを含む。
【００６３】
各副領域Ｓ１、Ｓ２は、切開部６１、６２の斜線部６１ｏ、６２ｏ及び電極片１９６、１９７の斜辺１９６ｔ、１９７ｔによって定義される２つの主辺（ｐｒｉｍａｒｙ  ｅｄｇｅ）を有する。主辺の間の距離、つまり、副領域の幅は約２５〜４０μｍ程度であることが好ましい。
【００６４】
図６Ｃに示した基本電極１９８は、右傾斜電極片１９６と左傾斜電極片１９７とが結合してなる。右傾斜電極片１９６と左傾斜電極片１９７とがなす角度はほぼ直角であることが好ましく、２つの電極片１９６、１９７の連結は一部だけで行われる。連結されない部分は切開部９０を構成し、凹んだ方に位置する。しかし、切開部９０は省略されることもできる。
【００６５】
この基本電極の状態では、平行四辺形の電極片１９６、１９７における高さＨは、この平行四辺形の電極片１９６、１９７同士が接続されている側の辺と平行な辺の間（すなわち、電極片１９６においては横片１９６ｔ同士の間、電極片１９７においては横片１９７ｔ同士の間）が高さＨとして定義されることになる。また、幅Ｗとは平行四辺形の電極片１９６、１９７同士が接続されている側の辺そのものの長さとなる。
【００６６】
２つの電極片１９６、１９７の外側方向の横辺１９６ｔ、１９７ｔは基本電極１９８の横辺１９８ｔをなし、２つの電極片１９６の対応する斜辺１９６ｏ、１９７ｏは互いに連結されて、基本電極１９８の屈曲辺（ｃｕｒｖｅｄ  ｅｄｇｅ）１９８ｏ１、１９８ｏ２をなす。
【００６７】
屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２は、横辺１９８ｔと鈍角、例えば、約１３５゜をなして合う凸辺（ｃｏｎｖｅｘ  ｅｄｇｅ）１９８ｏ１、及び横辺１９８ｔと鋭角、例えば、約４５゜をなして合う凹辺（ｃｏｎｃａｖｅ  ｅｄｇｅ）１９８ｏ２とを含む。屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２は、一対の斜辺１９６ｏ、１９７ｏがほぼ直角に合ってなるので、その折れ曲がった角度はほぼ直角である。
【００６８】
切開部６０は、凹辺１９８ｏ２上の凹頂点ＣＶから凸辺１９８ｏ１上の凸頂点ＶＶに向かって、ほぼ基本電極１９８の中心まで延在することができる。
【００６９】
また、共通電極ＣＥの切開部６１、６２は、互いに連結されて一つの切開部６０を構成する。この時、切開部６１、６２において重複する横部６１ｔ、６２ｔは合わせられて一つの横部６０ｔ１を構成する。この新たな形態の切開部６０は、次の通りにまた説明することができる。
【００７０】
切開部６０は、屈曲点ＣＰを有する屈曲部６０ｏ、屈曲部６０ｏの屈曲点ＣＰに連結されている中央横部６０ｔ１、及び屈曲部６０ｏの両端に連結されている一対の縦断横部６０ｔ２を含む。切開部６０の屈曲部６０ｏは、直角で合う一対の斜線部で構成され、基本電極１９８の屈曲辺１９８ｏ１、１９８ｏ２とほとんど平行であり、基本電極１９８を左半部と右半部に二等分する。切開部６０の中央横部６０ｔ１は、屈曲部６０ｏと鈍角、例えば、約１３５゜をなし、ほぼ基本電極１９８の凸頂点ＶＶに向かって延在している。縦断横部６０ｔ２は基本電極１９８の横辺１９８ｔと整列されており、屈曲部６０ｏと鈍角、例えば、約１３５゜をなす。
【００７１】
基本電極１９８と切開部６０は、基本電極１９８の凸頂点ＶＶと凹頂点ＣＶとを連結する仮想の直線（以下、“横中心線”言う）に対し、ほぼ反転対称である。
【００７２】
以下、図３Ａ、図３Ｂ、図４及び図５に示した各画素電極の特徴について具体的に説明する。
【００７３】
図３Ａ乃至図５に示した各画素電極１９１における第１副画素電極１９１ａの大きさ（面積）は、第２副画素電極１９１ｂの大きさ（面積）より小さい。特に、第２副画素電極１９１ｂの高さＨ２が第１副画素電極１９１ａの高さＨ１より高く、２つの副画素電極１９１ａ及び１９１ｂの幅Ｗは実質的に同一である。第２副画素電極１９１ｂを構成する電極片の数は第１副画素電極１９１ｂの電極片の数より多い。
【００７４】
第１副画素電極１９１ａは左傾斜電極片１９７と右傾斜電極片１９６とからなり、図６Ｃに示した基本電極１９８と実質的に同一形状の構造を有する。
【００７５】
第２副画素電極１９１ｂは２つ以上の左傾斜電極片１９７と２つ以上の右傾斜電極片１９６との組み合わせからなり、図６Ｃに示した基本電極１９８とこれに結合された左傾斜電極片１９６及び右傾斜電極片１９７とを含む。
【００７６】
図３Ａ及び図３Ｂに示した第２副画素電極１９１ｂは、全部で６個の電極片１９１ｂ１〜１９１ｂ６からなり、このうちの２つの電極片１９１ｂ５、１９１ｂ６は第１副画素電極１９１ａの、図示上下の位置に隣接するように配置されている。すなわち、第２副画素電極１９１ｂの電極片１９１ｂ５、１９１ｂ６は、第１副画素電極１９１ａの電極片１９１ａ１、１９１ａ２同士を接続した側（切開部９１ａのある側）と反対側の辺に隣接する位置に配置されている。
【００７７】
第２副画素電極１９１ｂは３回折れ曲がった構造を有し、１回屈曲した構造に比べて縦線の表現が優れている。また、第１副画素電極１９１ａの電極片１９１ａ１、１９１ａ２と第２副画素電極１９１ｂの電極片１９１ｂ５、１９１ｂ６とが隣接する所で共通電極ＣＥの切開部６１、６２の横部６１ｔ、６２ｔが合わせられて一つの横部を構成するようになるので、開口率がさらに増加する。
【００７８】
図３Ａに示した構造においては、中間の電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２と、その上下に配置された電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６との高さが同一であるが、図３Ｂに示した構造においては、中間の電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２と、その上下に配置された電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６との高さが互いに異なる。
【００７９】
例えば、図３Ｂに示した構造においては、上下電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６の高さが中間電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２の約１／２であり、そのために第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの面積比はほぼ１：２となる。
【００８０】
一方、図３Ａに示した構造においては、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの面積比がほぼ１：３である。好ましくは、中間電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２の高さが上下電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６の高さの１倍乃至２．５倍であり得る。このように上下電極片１９１ｂ３〜１９１ｂ６の高さを調節すれば、所望の面積比を得ることができ、ほぼ１：１．１から１：３程度の面積比を有することが好ましい。
【００８１】
図４に示した第２副画素電極１９１ｂは全て４つの電極片１９１ｂ１〜１９１ｂ４からなり、このうちの２つの電極片１９１ｂ３、１９１ｂ４は第１副画素電極１９１ａの上下に配置されている。第１副画素電極１９１ａの上下に配置された２つの電極片１９１ｂ３、１９１ｂ４は、第１副画素電極１９１ｂの側面に配置された２つの電極片１９１ｂ１、１９１ｂ２の高さより低いため、例えば、約１／２である。この場合には４つの電極片１９１ｂ１〜１９１ｂ４の高さを調節することにより、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの面積比を調節することができる。一方、第２副画素電極１９１ｂは１回折れ曲がった構造を有する。
【００８２】
図５に示した第２副画素電極１９１ｂは全て４つの電極片１９１ｂ１〜１９１ｂ４からなり、３回折れ曲がった構造を有する。この場合にも電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１〜１９１ｂ４の高さを調節することによって面積比を調節することができる。
【００８３】
図３Ａ乃至図５において、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの位置関係及び折れ曲がった方向は変わることができ、図３Ａ乃至図５の画素電極１９１を上下左右に反転対称移動したり回転移動したりすることによって変形することができる。
【００８４】
以下、図７Ａ及び図７Ｂを参照して、図５に示した画素電極１９１の配列について説明する。
【００８５】
図７Ａに示した例においては、行方向に隣接する画素電極１９１の形状が互いに同一であり、各画素電極１９１の横中心線が同一直線上にあり、列方向に隣接する画素電極１９１は互いに左右に反転対称した形状である（すなわち列方向を対称軸とした反転対称形状である）。そして、赤色、緑色及び青色カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは、列方向に隣接した画素電極１９１に沿ってのびている。
【００８６】
図７Ｂに示した例においては、行方向に隣接する画素電極１９１の横中心線が交差する。つまり、行方向に隣接した２つの画素電極１９１で左側画素電極１９１の横中心線と右側画素電極１９１の第１副画素電極１９１ａの上側横辺とが同一直線上に置かれている。そして、行方向に隣接した２つの画素電極１９１において、第１副画素電極１９１ａは左側、第２副画素電極１９１ｂは右側であって、左右配置は互いに同一であるが、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂ各々が互いに反転対称した形状である。列方向に隣接した画素電極１９１は互いに左右に反転対称した形状である。赤色、緑色及び青色カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは列方向に隣接した画素電極１９１に沿ってのびている。
【００８７】
図７Ａ及び図７Ｂにおいて、画素電極１９１の位置関係は変わることができ、行または列方向に隣接する画素電極１９１は他の方式によって交差して配置されることができる。
【００８８】
再び図１を参照すれば、階調電圧生成部８００は画素ＰＸの透過率と係る複数の階調電圧（または基準階調電圧）を生成する。
【００８９】
ゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００のゲート線と連結され、ゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆとの組み合わせからなるゲート信号Ｖｇをゲート線に印加する。
【００９０】
データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線と連結されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択し、これをデータ信号としてデータ線に印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全ての階調に対する電圧を全て提供することでなく、決められた数の基準階調電圧のみを提供する場合に、データ駆動部５００は基準階調電圧を分圧して全体階調に対する階調電圧を生成し、この中でデータ信号を選択する。
【００９１】
信号制御部６００は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。
【００９２】
このような駆動装置４００、５００、６００、８００各々は、少なくとも一つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されたり、別途の印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）（図示せず）上に装着されたりできる。これとは異なって、これら駆動装置４００、５００、６００、８００が液晶表示板組立体３００に集積されることもできる。また、駆動装置４００、５００、６００、８００は単一チップで集積でき、この場合、これらのうちの少なくとも一つまたはこれらをなす少なくとも一つの回路素子が単一チップの外側にあり得る。
【００９３】
では、このような液晶表示装置の動作について詳細に説明する。
【００９４】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂは各画素ＰＸの輝度（ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）情報を含んでおり、輝度は決められた数、例えば、１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）または６４（＝２６）個の階調（ｇｒａｙ）を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、及びデータイネーブル信号ＤＥなどがある。
【００９５】
信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号とに基づいて入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴとをデータ駆動部５００に出力する。出力映像信号ＤＡＴはデジタル信号であって、決められた数の値（または階調）を有する。
【００９６】
ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶと、ゲートオン電圧Ｖｏｎの出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号とを含む。ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、また、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥをさらに含むことができる。
【００９７】
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一群の副画素に対する映像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨ、液晶表示板組立体３００にデータ信号の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ、及びデータクロック信号ＨＣＬＫを含む。データ制御信号ＣＯＮＴ２は、また、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ信号の電圧極性（以下、“共通電圧に対するデータ信号の電圧極性”を略して“データ信号の極性”と言う。）を反転させる反転信号ＲＶＳをさらに含むことができる。
【００９８】
信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって、データ駆動部５００は一群の副画素に対するデジタル映像信号ＤＡＴを受信し、各デジタル映像信号ＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、デジタル映像信号ＤＡＴをアナログデータ信号に変換した後に、これを当該データ線に印加する。
【００９９】
ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１によってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線に印加して、このゲート線に連結されたスイッチング素子を導通させる。そうすると、データ線に印加されたデータ信号が導通したスイッチング素子を通じて当該副画素に印加される。
【０１００】
この時、図３乃至図７Ｂを参照すれば、一つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとが別個のスイッチング素子と連結されている場合に、つまり、各副画素が各自のスイッチング素子を有している場合には、２つの副画素が、互いに異なる時間に同一のデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けたり、同一の時間に互いに異なるデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けたりすることができる。これとは異なって、第１副画素電極１９１ａはスイッチング素子（図示せず）と連結されており、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａと容量性結合されている場合には、第１副画素電極１９１ａを含む副画素だけがスイッチング素子を通じてデータ電圧の印加を受け、第２副画素電極１９１ｂを含む副画素は第１副画素電極１９１ａの電圧変化によって変化する電圧を有することができる。この時、面積が相対的に小さい第１副画素電極１９１ａの電圧が、面積が相対的に大きい第２副画素電極１９１ｂの電圧より高い。
【０１０１】
このように、第１または第２液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端に電位差が生じれば、表示板１００、２００の表面にほとんど垂直である主電場（電界）（ｐｒｉｍａｒｙｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）が液晶層３に生成される［以下、画素電極１９１及び共通電極ＣＥを同時に“電場生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）”と言う。］。
【０１０２】
そうすると、液晶層３の液晶分子は電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率の変化として現れ、これを通じて液晶表示装置は映像を表示する。
【０１０３】
液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、２つの液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの電圧が互いに異なるので、液晶分子が傾いた角度が異なり、そのため２つの副画素の輝度が異なる。従って、第１液晶キャパシタＣｌｃａの電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧とを適切に合わせれば、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限近くすることができ、つまり、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限近くすることができ、これによって側面視認性を向上することができる。
【０１０４】
また、高い電圧の印加を受ける第１副画素電極１９１ａの面積を第２副画素電極１９１ｂの面積より小さくすれば、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線にさらに近くすることができる。特に、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比が、図４Ａ乃至図７Ｂに示したように、ほぼ１：２乃至１：３の場合に側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により一層近くなるので、側面視認性がさらに良くなる。
【０１０５】
液晶分子が傾く方向は、一次的に、電場生成電極（画素電極１９１及び共通電極ＣＥ）の切開部７１ａ、７１ｂ、７１ｂ１、７１ｂ２、９１ａ、９１ｂ、９２ｂと副画素電極１９１ａ、１９１ｂの辺が主電場を歪曲して作りだす水平成分によって決定される。このような主電場の水平成分は、切開部７１ａ、７１ｂ、７１ｂ１、７１ｂ２、９１ａ、９１ｂ、９２ｂの辺と副画素電極１９１ａ、１９１ｂの辺とにほとんど垂直である。
【０１０６】
図３乃至図７Ｂを参照すれば、切開部７１ａ、７１ｂ、７１ｂ１、７１ｂ２、９１ａ、９１ｂ、９２ｂによって分かれた各副領域上の液晶分子は、ほとんど主辺に垂直である方向に傾くので、傾く方向をまとめればほぼ４つの方向である。このように液晶分子が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
【０１０７】
一方、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの間の電圧差によって副次的に生成される副電場（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）の方向は、副領域の主辺と垂直である。従って、副電場の方向と主電場の水平成分の方向とが一致する。結局、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの間の副電場は、液晶分子の傾斜方向を決定するのに用いられる主電場を強化する。
【０１０８】
１水平周期［“１Ｈ”とも記し、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同一である。］を単位としてこのような過程を繰り返すことにより、全ての画素ＰＸにデータ信号を印加し、１フレーム（ｆｒａｍｅ）の映像を表示する。
【０１０９】
１フレームが終了すれば、次のフレームが開始し、各画素ＰＸに印加されるデータ信号の極性が以前フレームでの極性と反対になるようにデータ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（“フレーム反転”）。この時、１フレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性により、一つのデータ線を通じて流れるデータ信号の極性が変わったり（例：行反転、点反転）、一群の画素に印加されるデータ信号の極性も互いに異なったりすることができる（例：列反転、点反転）。
【０１１０】
次に、図８乃至図１２及び前述した図１、図２、図４Ａ及び図６を参照して、本発明の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【０１１１】
図８は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【０１１２】
図８を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数対のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ、複数のデータ線ＤＬ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに連結された複数の画素ＰＸとを含む。
【０１１３】
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含み、各副画素ＰＸａ／ＰＸｂは、各々当該ゲート線ＧＬａ／ＧＬｂ及びデータ線ＤＬに連結されているスイッチング素子Ｑａ／Ｑｂとこれに連結された液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂ、及びスイッチング素子Ｑａ／Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに連結されているストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔａ／Ｃｓｔｂを含む。
【０１１４】
各スイッチング素子Ｑａ／Ｑｂ（ここでは第１薄膜トランジスタＱａ／第２薄膜トランジスタＱｂ）は、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬａ／ＧＬｂ（ここでは第１信号線ＧＬａ／第２信号線ＧＬｂ）と連結されており、入力端子はデータ線ＤＬ（ここでは第３信号線ＤＬ）と連結されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂ及びストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂと連結されている。
【０１１５】
液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂは、下部表示板１００に具備された維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥとが絶縁体を介在して重畳してなり、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは、副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂが絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳してなることができる。
【０１１６】
液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂなどについては前述したので、詳細な説明は省略する。
【０１１７】
このような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置においては、信号制御部６００が一つの画素ＰＸに対する入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを受信し、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する出力映像信号ＤＡＴに変換してデータ駆動部５００に伝送することができる。これとは異なって、階調電圧生成部８００で２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する階調電圧集合を別途に作って、これを交互にデータ駆動部５００に提供したり、データ駆動部５００でこれを交互に選択することによって、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに互いに異なる電圧を印加することができる。但し、この時、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂの合成ガンマ曲線が正面での基準ガンマ曲線に近くなるように映像信号を補正したり、階調電圧集合を作ったりすることが好ましい。例えば、正面での合成ガンマ曲線は、この液晶表示板組立体に最も適するように決められた正面での基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面での合成ガンマ曲線は正面での基準ガンマ曲線と最も近くなるようにする。
【０１１８】
図８に示した液晶表示板組立体の一例について、図９及び図１０、そして前述した図３Ｂを参照して詳細に説明する。
【０１１９】
図９は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１０は図９の液晶表示板組立体のＸ−Ｘ’−Ｘ”線による断面図である。
【０１２０】
図９及び図１０を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００及びこれら２つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む。
【０１２１】
まず、下部表示板１００について説明する。
【０１２２】
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数対の第１及び第２ゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１ａ、１２１ｂと複数の維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅｓ）１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。
【０１２３】
第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に画素電極１９１が並ぶ行方向にのびており、各々維持電極線１３１の列方向の図示下側及び上側に位置する。
【０１２４】
第１ゲート線１２１ａは、上に突出した複数の第１ゲート電極（ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ａとを含む。
【０１２５】
第２ゲート線１２１ｂは、下に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ｂとを含む。ゲート駆動部４００が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが延在されてこれと直接連結される。
【０１２６】
維持電極線１３１は共通電圧Ｖｃｏｍなど所定の電圧の印加を受け、主に横方向にのびている。各維持電極線１３１は第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂとの間に位置し、２つのゲート線１２１ａ、１２１ｂからほとんど同一の距離を置いている。各維持電極線１３１は下上に拡張された複数対の第１及び第２維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３７ａ、１３７ｂを含む。しかし、維持電極１３７ａ、１３７ｂをはじめとする維持電極線１３１の形状及び配置はいろいろな形態に変更することができる。
【０１２７】
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで作られることができる。しかし、これらは、物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１はその他にも多様な金属または導電体で作られることができる。
【０１２８】
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。
【０１２９】
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
【０１３０】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉと記す。）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などで作られた複数の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂ）が形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは各々第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。
【０１３１】
各々の第１半導体１５４ａ上には一対の島型オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６５ａが形成されており、各々の第２半導体１５４ｂ上にも一対の島型オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で作られることができる。
【０１３２】
半導体１５４ａ、１５４ｂとオーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａの側面も基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。
【０１３３】
オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。
【０１３４】
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって各々のびた複数対の第１及び第２ソース電極（ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ａ、１７３ｂと、他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積が広い端部１７９とを含む。データ駆動部５００が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延在されてこれと直接連結されることができる。
【０１３５】
第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１とも分離されている。
【０１３６】
第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂは、第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂを中心に第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと対向し、広い一端部１７７ａ／１７７ｂと棒状の他端部とを含む。広い端部１７７ａ、１７７ｂは各々第１及び第２維持電極１３７ａ、１３７ｂと重畳し、棒状の端部は曲がった第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂによって一部取り囲まれている。
【０１３７】
第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂ、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂ及び第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂは、第１／第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１／第２薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｑａ／Ｑｂをなし、第１／第２薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂのチャネルは、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂとの間の第１／第２半導体１５４ａ／１５４ｂに形成される。
【０１３８】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金で作られることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）とを含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜との三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはその他にも多様な金属または導電体で作られることができる。
【０１３９】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもその側面が、基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾斜したことが好ましい。
【０１４０】
オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６５ａは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂとの間にだけ存在し、これらの間のコンタクト抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂによって覆われずに露出された部分がある。
【０１４１】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂの部分上には保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物及び／または有機絶縁物などで作られ、表面が平坦である。特に有機絶縁物を有することが好ましく、有機絶縁物は４．０以下の誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）を有することが好ましく、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有することもできる。有機絶縁物は４．０以下の誘電率とすることで、寄生容量を少なくすることができる。また、保護膜１８０は、有機絶縁物の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５４ａ、１５４ｂの部分に損傷を与えないように、下部無機絶縁物と上部有機絶縁物との二重膜構造を有することもできる。
【０１４２】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９と第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの広い端部１７７ａ、１７７ｂとを各々露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを各々露出する複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。
【０１４３】
保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数のコンタクト補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で作られることができる。
【０１４４】
各画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含み、各副画素電極１９１ａ、１９１ｂは切開部９１ａ、９１ｂを有している。
【０１４５】
維持電極線１３１、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂ及びコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂは、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの横中心線上に位置している。副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲点を連結する直線は前述した副領域の境界であって、この部分では液晶分子の配列が乱れてテクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）が現れる。従って、このように配置すれば、テクスチャを覆いながら開口率を向上することができる。
【０１４６】
また、データ線１７１が、一つの画素電極１９１の第１副画素電極１９１ａと重畳する長さと、隣接する画素電極１９１の第２副画素電極１９１ｂと重畳する長さとは互いに同一であり得る。
【０１４７】
画素電極１９１のその他の形状及び配置については図３Ｂを参照して前述したので、詳細な説明は省略する。
【０１４８】
第１／第２副画素電極１９１ａ／１９１ｂは、コンタクトホール１８５ａ／１８５ｂを通じて第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂと連結されている。第１／第２副画素電極１９１ａ／１９１ｂと上部表示板２００の共通電極２７０（図２における共通電極ＣＥと同部材）とは、その間の液晶層３の部分と共に第１／第２液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂをなして、薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【０１４９】
第１／第２副画素電極１９１ａ／１９１ｂと連結された第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂの広い端部１７７ａ／１７７ｂは、ゲート絶縁膜１４０を介在して第１及び第２維持電極１３７ａ、１３７ｂと重畳して第１／第２ストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂをなし、第１／第２ストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂは第１／第２液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂの電圧維持能力を強化する。
【０１５０】
コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、各々コンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を通じてゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
【０１５１】
次に、上部表示板２００について説明する。
【０１５２】
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９１の屈曲辺に対応する屈曲部と、薄膜トランジスタに対応する四角形部分とを含み、画素電極１９１の間の光漏れを防止し、画素電極１９１と対向する開口領域を定義する。
【０１５３】
基板２１０及び遮光部材２２０上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０によって取り囲まれた領域内にほとんど存在し、画素電極１９１の列に沿って長くのびることができる。各カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。
【０１５４】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で作られることができ、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略することができる。
【０１５５】
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで作られて複数の切開部７１ａ、７１ｂを有する。
【０１５６】
共通電極の切開部７１ａ、７１ｂの形状及び配置については図３Ｂを参照して前述したので、詳細な説明は省略する。
【０１５７】
切開部７１ａ、７１ｂの数は設計要素によって変わることがあり、遮光部材２２０が切開部７１ａ、７１ｂと重畳して切開部７１ａ、７１ｂ付近の光漏れを遮断することができる。
【０１５８】
表示板１００、２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔｌａｙｅｒ）１１、２１が形成されており、これらは垂直配向膜であり得る。
【０１５９】
表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）１２、２２が備えられており、２つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸はゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して並んだことが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には２つの偏光子１２、２２のうちの一つが省略できる。
【０１６０】
液晶表示装置は、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
【０１６１】
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。
【０１６２】
切開部７１ａ、７１ｂは、突起（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）（図示せず）や陥没部（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物で作られることができ、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置されることができる。
【０１６３】
また、図９を参照すれば、前記第１乃至第３信号線のうちのデータ信号を伝達する少なくとも一つの信号線をデータ線とする時、前記データ線１７１が、前記有機絶縁物を間に置いて、画素電極１９１の第１副画素電極１９１ａと重畳する面積と、前記画素電極の第１副画素電極１９１ａと隣接する画素電極の第２副画素電極１９１ｂと重畳する面積とが互いに同一である。
【０１６４】
次に、図８に示した液晶表示板組立体の他の例について、図１１、図１２及び前述した図５を参照して詳細に説明する。
【０１６５】
図１１は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１２は図１１の液晶表示板組立体のＸＩＩ−ＸＩＩ’−ＸＩＩ”線による断面図である。
【０１６６】
図１１及び図１２を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、下部表示板１００、上部表示板２００及びその間の液晶層３を含む。
【０１６７】
本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、ほとんど図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。
【０１６８】
下部表示板１００について説明すれば、絶縁基板１１０上に複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと複数の維持電極線１３１を含むゲート導電体が形成されている。第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂは、各々第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと端部１２９ａ、１２９ｂとを含む。ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されており、その上には複数のオーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂが形成されている。オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂ上には複数のデータ線１７１と複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ）と端部１７９とを含み、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは広い端部１７７ａ、１７７ｂを含む。データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出された半導体１５４ａ、１５４ｂの部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されている。保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む複数の画素電極１９１と複数のコンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２とが形成されており、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂには各々切開部９１ａ、９１ｂが形成されている。画素電極１９１、コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２及び保護膜１８０上には配向膜１１が形成されている。
【０１６９】
上部表示板２００について説明すれば、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、切開部７１ａ、７１ｂを有する共通電極２７０、及び配向膜２１が形成されている。
【０１７０】
しかし、図９及び図１０に示した液晶表示板組立体とは異なって、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの配置が図５に示したことと同一である。
【０１７１】
図９及び図１０に示した液晶表示板組立体と比較して、第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの上下位置が反対であり、従って、第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂの位置もデータ線１７１を中心に左右位置が反対である。第１及び第２維持電極１３７ａ、１３７ｂも各々データ線１７１を中心に右側及び左側に位置し、第１維持電極１３７ａより第２維持電極１３７ｂの面積がさらに大きくて、ほぼ２倍程度が大きい。同様に、第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部１７７ｂも第１ドレイン電極１７５ａの広い端部１７７ａより面積がさらに大きくて、ほぼ２倍程度である。
【０１７２】
また、上部表示板２００にカラーフィルタがなく、下部表示板１００の保護膜１８０の下に複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。
【０１７３】
カラーフィルタ２３０は、画素電極１９１の列に沿って周期的に折れ曲がりながら縦に長くのびており、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９が位置する周辺領域には存在しない。カラーフィルタ２３０にはコンタクトホール１８５ｂが通過し、コンタクトホール１８５ｂより大きい貫通孔２３５が形成されている。
【０１７４】
隣接するカラーフィルタ２３０はデータ線１７１上で重畳して、隣接する画素電極１９１の間から漏洩される光を遮断する遮光部材の機能を有することができる。この場合、上部表示板２００の遮光部材を省略することができ、そのため工程が簡素化される。
【０１７５】
カラーフィルタ２３０の下にも保護膜（図示せず）を設けることができる。
【０１７６】
図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１１及び図１２に示した液晶表示板組立体にも適用できる。
【０１７７】
次に、図１３乃至図１５、そして前述した図１、図２及び図３Ｂを参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【０１７８】
図１３は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【０１７９】
図１３を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬ、複数対のデータ線ＤＬｃ、ＤＬｄ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに連結された複数の画素ＰＸとを含む。
【０１８０】
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸｃ、ＰＸｄを含み、各副画素ＰＸｃ／ＰＸｄは、各々当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬｃ／ＤＬｄに連結されているスイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄと、これに連結された液晶キャパシタＣｌｃｃ／Ｃｌｃｄ、そしてスイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄ及び維持電極線ＳＬに連結されているストレージキャパシタＣｓｔｃ／Ｃｓｔｄを含む。
【０１８１】
各スイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄ（ここでは第１薄膜トランジスタＱｃ／第２薄膜トランジスタＱｄ）も下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬ（ここでは第３信号線ＧＬ）と連結されており、入力端子はデータ線ＤＬｃ／ＤＬｄ（ここでは第１信号線ＤＬｃ／第２信号線ＤＬｄ）と連結されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｃ／Ｃｌｃｄ及びストレージキャパシタＣｓｔｃ／Ｃｓｔｄと連結されている。
【０１８２】
液晶キャパシタＣｌｃｃ、ＣｌｃｄとストレージキャパシタＣｓｔｃ、Ｃｓｔｄ及びこのような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置の動作などについては、前述した実施形態と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。但し、図８に示した液晶表示装置においては、一つの画素ＰＸを構成する２つの副画素ＰＸａ、ＰＸａが時差を置いてデータ電圧の印加を受ける反面、本実施形態においては２つの副画素ＰＸｃ、ＰＸｄが同一の時間にデータ電圧の印加を受ける。
【０１８３】
以下、図１３に示した液晶表示板組立体の一例について、図１４及び図１５、そして前述した図３Ｂを参照して詳細に説明する。
【０１８４】
図１４は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１５は図１４の液晶表示板組立体のＸＶ−ＸＶ’−ＸＶ”線による断面図である。
【０１８５】
図１４及び図１５を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体も、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００及びこれら２つの表示板の間に入っている液晶層３を含む。
【０１８６】
本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、ほとんど図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。
【０１８７】
下部表示板について説明すれば、絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１は第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄと端部１２９とを含む。ゲート導電体１２１、１３１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には第１及び第２突出部１５４ｃ、１５４ｄを含む複数の線状半導体１５１が形成されており、その上には突出部１６３ｃを有する複数の線状オーミックコンタクト部材１６１及び複数の島型オーミックコンタクト部材１６５ｃが形成されている。オーミックコンタクト部材１６１、１６５ｃ上には複数対の第１及び第２データ線１７１ｃ、１７１ｄと複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄとを含むデータ導電体が形成されている。第１及び第２データ線１７１ｃ、１７１ｄは各々複数の第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと端部１７９ｃとを含み、第１及び第２ドレイン電極１７５ｃは拡張部１７７ｃ、１７７ｄを含む。データ導電体１７１ｃ、１７１ｄ、１７５ｃ、１７５ｄ及び露出された半導体１５４ｃ、１５４ｄの部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２ｃ、１８２ｄ、１８５ｃ、１８５ｄが形成されている。保護膜１８０上には第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄを含む複数の画素電極１９１と複数のコンタクト補助部材８１、８２ｃ、８２ｄとが形成されており、第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄには切開部９１ｃ、９１ｄが形成されている。画素電極１９１、コンタクト補助部材８１、８２ｃ、８２ｄ及び保護膜１８０上には配向膜１１が形成されている。
【０１８８】
上部表示板２００について説明すれば、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、蓋膜２５０、切開部７１ｃ、７１ｄを有する共通電極２７０、及び配向膜２１が形成されている。
【０１８９】
しかし、本実施形態による液晶表示板組立体においては、図９及び図１０に示した液晶表示板組立体と比較して、ゲート線１２１の数が半分であり、その代わりにデータ線１７１ｃ、１７１ｄの数が２倍である。そして、一つの画素電極１９１を構成する第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄに連結された第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄが、同一のゲート線１２１、互いに異なるデータ線１７１ｃ、１７１ｄに連結されている。
【０１９０】
第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄは、各々第１及び第２データ線１７１ｃ、１７１ｄの右側に位置する。
【０１９１】
さらに、半導体１５４ｃ、１５４ｄはデータ線１７１及びドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄに沿って延在されて線状半導体１５１をなし、オーミックコンタクト部材１６３ｃは、データ線１７１に沿って延在されて線状オーミックコンタクト部材１６１を構成する。線状半導体１５１は、データ線１７１、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄ及びその下部のオーミックコンタクト部材１６１、１６５ｃと実質的に同一の平面形状を有している。
【０１９２】
本実施形態と同じ構造においては、データ線１７１が２倍になっても透過率が非常に向上する。また、大きい開口率の低下なしに第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄにデータ電圧を別途に印加することが容易である。
【０１９３】
このような薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法においては、データ線１７１、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄ、半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５ｃを１回の写真工程によって形成する。
【０１９４】
このような写真工程で使用する感光膜は位置によって厚さが異なり、特に厚さが薄くなる順序で第１部分と第２部分を含む。第１部分はデータ線１７１とドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄが占める配線領域に位置し、第２部分は薄膜トランジスタのチャネル領域に位置する。
【０１９５】
位置によって感光膜の厚さを異にする方法として多様なものがあり得るが、例えば、光マスクに投光領域（ｌｉｇｈｔ  ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ  ａｒｅａ）及び遮光領域（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ａｒｅａ）の他に、半透明領域（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ  ａｒｅａ）を設ける方法がある。半透明領域にはスリットパターン（ｓｌｉｔ  ｐａｔｔｅｒｎ）、格子パターン（ｌａｔｔｉｃｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）または透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを使用する時には、スリットの幅やスリット間の間隔が、写真工程に使用する露光器の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）より小さいことが好ましい。他の例としては、リフローが可能な感光膜を使用する方法がある。つまり、投光領域と遮光領域のみを有する通常の露光マスクでリフロー可能な感光膜を形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにすることによって薄い部分を形成することである。
【０１９６】
このようにすると、１回の写真工程を減らすことができるので、製造方法が簡単になる。
【０１９７】
図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１４及び図１５に示した液晶表示板組立体にも適用できる。
【０１９８】
次に、図１６と前述した図１及び図２を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
【０１９９】
図１６は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。なお断面構造は、上述したほかの実施形態と同様にすることができる。
【０２００】
図１６を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬと複数のデータ線ＤＬを含む信号線と、これに連結されている複数の画素ＰＸとを含む。
【０２０１】
各画素ＰＸは、一対の第１及び第２副画素ＰＸｅ、ＰＸｆと、２つの副画素ＰＸｅ、ＰＸｆの間に連結されている結合キャパシタＣｃｐとを含む。
【０２０２】
第１副画素ＰＸｅは、当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに連結されているスイッチング素子Ｑ（ここでは薄膜トランジスタ）と、これに連結された第１液晶キャパシタＣｌｃｅ及びストレージキャパシタＣｓｔとを含み、第２副画素ＰＸｆは結合キャパシタＣｃｐと連結されている第２液晶キャパシタＣｌｃｆを含む。
【０２０３】
スイッチング素子Ｑも、また、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと連結されており、入力端子はデータ線ＤＬと連結されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｅ、ストレージキャパシタＣｓｔｅ及び結合キャパシタＣｃｐと連結されている。
【０２０４】
スイッチング素子Ｑは、ゲート線ＧＬからのゲート信号によってデータ線ＤＬからのデータ電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃｅ及び結合キャパシタＣｃｐに印加し、結合キャパシタＣｃｐは、この電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタＣｌｃｆに伝達する。
【０２０５】
ストレージキャパシタＣｓｔｅに共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、キャパシタＣｌｃｅ、Ｃｓｔｅ、Ｃｌｃｆ、Ｃｃｐとその静電容量を同一の図面符号で示すとすれば、第１液晶キャパシタＣｌｃｅに充電された電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣｌｃｆに充電された電圧Ｖｆとは、次のような関係を有する。
【０２０６】
Ｖｆ＝Ｖｅ×［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｆ）］
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｆ）の値が１より小さいため、第２液晶キャパシタＣｌｃｆに充電された電圧Ｖｆは第１液晶キャパシタＣｌｃｅに充電された電圧Ｖｅに比べて常に小さい。この関係は、ストレージキャパシタＣｓｔｅに印加された電圧が共通電圧Ｖｃｏｍでない場合にも同様に成立する。
【０２０７】
第１液晶キャパシタＣｌｃｅの電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣｌｃｆの電圧Ｖｆとの適正な比率は、結合キャパシタＣｃｐの静電容量を調節することによって得ることができる。
【０２０８】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【０２０９】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。
【図３Ａ】本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。
【図３Ｂ】本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。
【図４】本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。
【図５】本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体における一つの画素電極と共通電極の配置図である。
【図６Ａ】図３Ａ乃至図５に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。
【図６Ｂ】図３Ａ乃至図５に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。
【図６Ｃ】図３Ａ乃至図５に示した各副画素電極の基本になる電極片の平面図である。
【図７Ａ】図５に示した画素電極を複数含む液晶表示板組立体の概略的である配置図である。
【図７Ｂ】図５に示した画素電極を複数含む液晶表示板組立体の概略的である配置図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【図９】本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【図１０】図９の液晶表示板組立体のＸ−Ｘ’−Ｘ”線による断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【図１２】図１１の液晶表示板組立体のＸＩＩ−ＸＩＩ’−ＸＩＩ”線による断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つ画素に対する等価回路図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
【図１５】図１４の液晶表示板組立体のＸＶ−ＸＶ’−ＸＶ”線による断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の一つの画素に対する等価回路図である。
【符号の説明】
【０２１０】
１２、２２…偏光板、
１１、２１…配向膜、
７１ａ、７１ｂ、７１ｂ１、７１ｂ２、７１ｂ３…共通電極切開部、
９１ａ、９１ｂ、９１ｃ、９１ｄ…画素電極切開部、
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ…コンタクト補助部材、
１１０、２１０…基板、
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２９ａ、１２９ｂ…ゲート線、
１２４、１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ…ゲート電極、
１３１…維持電極線、
１４０…ゲート絶縁膜、
１５４、１５４ａ〜１５４ｄ…半導体、
１６１、１６３ａ、１６５ａ、１６３ｂ、１６５ｂ…オーミックコンタクト部材、
１７１、１７１ｃ、１７１ｄ、１７９、１７９ｃ…データ線、
１７３ａ〜１７３ｄ…ソース電極、
１７５ａ〜１７５ｄ、１７７ａ〜１７７ｄ…ドレイン電極、
１８０…保護膜、
１８１、１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ａ、１８２ｂ、１８５ａ〜１８５ｄ…コンタクトホール、
１９１…画素電極、
１９１ａ〜１９１ｄ…副画素電極、
２２０…遮光部材、
２３０…カラーフィルタ、
２５０…蓋膜、
ＣＥ、２７０…共通電極。
【図１】
2007072466.tif 000003
【図２】
2007072466.tif 000004
【図３Ａ】
2007072466.tif 000005
【図３Ｂ】
2007072466.tif 000006
【図４】
2007072466.tif 000007
【図５】
2007072466.tif 000008
【図６Ａ】
2007072466.tif 000009
【図６Ｂ】
2007072466.tif 000010
【図６Ｃ】
2007072466.tif 000011
【図７Ａ】
2007072466.tif 000012
【図７Ｂ】
2007072466.tif 000013
【図８】
2007072466.tif 000014
【図９】
2007072466.tif 000015
【図１０】
2007072466.tif 000016
【図１１】
2007072466.tif 000017
【図１２】
2007072466.tif 000018
【図１３】
2007072466.tif 000019
【図１４】
2007072466.tif 000020
【図１５】
2007072466.tif 000021
【図１６】
2007072466.tif 000022