(57)【要約】【課題】  表面欠陥のない平滑性の高い基板を提供し、画像欠陥の少ない良好な感光体を提供すること。【解決手段】  基盤表面を所定の厚さで除去するための切削工程の後に基板の表面の少なくとも一部として１００μｍよりも自由表面側のみを溶融させる工程を行うことうを特徴とする電子写真感光体用基板の製造方法ならびにその基板を用いた電子写真感光体。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる円筒状の電子写真感光体用基板の製造方法において、
前記基板の表面を所定の厚さで除去するための切削工程の後に基板の表面の少なくとも一部を溶融させる溶融工程を有することを特徴とする電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項２】
前記溶融工程は、基板の表面から厚さ方向１００μｍ以下の部分を溶融することを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項３】
前記溶融工程で、前記基板の表面温度を（融点−５０℃）から（融点＋１００℃）の間にすることを特徴とする請求項１または２記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項４】
前記溶融工程で、前記基板の内面温度を３００℃以下にすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項５】
前記溶融工程は、
前記基板の表面層を所定の厚さで除去するための切削工程と、この切削工程後に、切削された基板の表面に水を接触させる工程の後に有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項６】
前記溶融工程は、円筒状基板の軸方向の少なくとも一部をリング状に加熱し、軸方向にリング状加熱部分を移動させて、基板全体を順に加熱することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項７】
前記溶融工程は、基板表面の少なくとも一部を加熱するときの昇温速度が２０℃／ｓｅｃ以上２００℃／ｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項８】
前記溶融工程は、基板表面の少なくとも一部を５秒以上３０秒以下の時間加熱することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項９】
前記溶融工程は、基板の内面を冷却しながら行うことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記溶融工程は、基板を不活性ガス中または真空中で行うことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記溶融工程は、基板の表面から厚さ方向１００μｍ以下の部分を溶融することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の電子写真感光体用基板の製造方法。
【請求項１２】
アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる円筒状の電子写真感光体用の基板を用いた電子写真感光体において、
基板の表面の少なくとも一部に対して溶融処理を行った後、前記基板上に機能性堆積膜を堆積したものであることを特徴とする電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アモルファスシリコンを感光層とする電子写真感光体用基板の製造方法及び電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと略記する）を感光層とする電子写真感光体用基板の素材としては、主としてアルミニウムまたはアルミニウム合金が使用されている。基板の形状は円筒状、板状、ベルト状などであるが、主流は円筒形状である。感光体の製造は、アルミニウム合金を押出、引抜き加工することにより円筒形状に成形し、さらに切削により所定の基板形状に加工し、脱脂、洗浄工程を経て、基板表面にプラズマＣＶＤ法によってａ−Ｓｉ感光層を１０〜１００μｍの厚さで成膜形成することより行われ、このａ−Ｓｉ感光体を搭載した電子写真装置は、複写機、プリンタなどとして商品化されている。
【０００３】
近年、電子写真においても、フルカラーとして、写真品質や印刷品質並みの画像が要求されるようになってきている。このような状況において、電子写真感光体の膜質均一性だけでなく、画像欠陥の有無や大きさに対する要求も一段と厳しくなってきている。
【０００４】
ａ−Ｓｉ膜は基板表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、堆積中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」に成長してしまうという性質を持っている。球状突起はダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って基板側に抜けてしまうという性質を持っている。
【０００５】
このため、球状突起のある部分は、画像上ではべた黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はべた白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機に搭載される場合にはさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【０００６】
この球状突起は、ダストを起点としているため、使用する基板は堆積前に精密に洗浄される（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
洗浄後に反応容器に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。このようにして、堆積開始前に基板上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。
【０００８】
しかし、ａ−Ｓｉを感光層とする電子写真感光体用アルミニウム合金基板の場合には、感光体の寸法特性ならびに基板表面の平滑性を向上させるために、仕上げ切削加工を高精度でおこなっている。
【０００９】
ダストに関しては、前述のように洗浄、クリーン化により効果を上げてきたが、切削表面に発生／残存する微小な突起（切削バリ）があることが分かってきた。
【００１０】
このような突起に関しては、切削条件を調整することである程度は、減少させることができたが、根絶するには至っていないのが現状である。
【特許文献１】特開２００３−５４０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来のａ−Ｓｉ系電子写真感光体では、図５に示すように、ａ−Ｓｉ感光層の成膜前の基板において、基板端部の外表面が中央部と同一円筒面になるように、またインロー部５０３は基体５０１の外表面と同軸の円筒面になるようにそれぞれ形成されている。
【００１２】
ａ−Ｓｉ系感光層を形成する基板表面の表面性は、膜の密着性向上や、基板形状のａ−Ｓｉ系感光層の自由表面側形状への影響の低減のために、平滑性の高い状態に切削される。
【００１３】
しかしながら、切削バリ等の突起、すなわち球状突起の核となるものが、切削工程において出来てしまっていた。そのため、異常成長を起こし球状突起に成長し、画像欠陥となるものがあり、画像品質を落とすという問題点があった。
【００１４】
本発明は、基板表面の平滑性、とくに切削バリのような突起をなくすために、切削後の基板表面の処理、とくに熱処理と表面性変化のメカニズムについて、実験、検討を繰り返した結果としてなされたものであり、その目的は、平滑性の高い電子写真感光体用基板の製造方法とその基板を用いた電子写真用感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の電子写真感光体用基板の製造方法は、画像欠陥の原因となる異常成長、いわゆる「球状突起」の原因を無くすために、極力鏡面に近い平滑性の高い表面を形成するものである。
【００１６】
本発明は、切削工程における平滑性向上の検討の中で、排除できなかった表面欠陥に対して、後処理により平滑性を改善させるものである。表面欠陥としては、切削バリや異常削れや切削スジ、微小付着や融着が挙げられ、これらの表面欠陥を基板の表面及び浅い部分とともに溶融させて基板表面の平滑性を向上させる。
【００１７】
また本発明によれば、溶融させる部分が表面と表面からの極薄い部分に限定させることで、基板の機械的寸法精度を高精度に保ったまま、表面平滑性を向上させることができる。
【００１８】
すなわち、本発明の技術内容は以下の構成を備えることにより前記課題を解決できた。
【００１９】
（１）アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる円筒状の電子写真感光体用基板の製造方法において、前記基板の表面を所定の厚さで除去するための切削工程の後に基板の表面の少なくとも一部を溶融させる溶融工程を有することを特徴とする電子写真感光体用基板の製造方法。
【００２０】
（２）アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる円筒状の電子写真感光体用の基板を用いた電子写真感光体において、基板の表面の少なくとも一部に対して溶融処理を行った後、前記基板上に機能性堆積膜を堆積したものであることを特徴とする電子写真感光体。
【００２１】
［作用］
電子写真感光体用基板は、回転中心によるフレ等の機械的精度向上と表面欠陥による画像欠陥低減を図るために、表面を鏡面に近い状態に精密旋盤により切削している。しかし、この切削工程においては、精密に調整して行っているが、表面欠陥として、切削バリや異常削れや切削スジ、微小付着や融着は皆無ではない。
【００２２】
例えば、図６（ａ）や図６（ｂ）に示すような表面欠陥が基板上に存在している。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、基板に存在する表面欠陥をさらに減少させる方法を鋭意検討した結果としてなされたものである。
【００２４】
本発明は、基板の表面及び表面から極薄い部分を溶融させることで、表面欠陥も溶融し、その表面エネルギーにより滑らかな面が形成できるものである。
【００２５】
また、基板の回転フレ等に影響する端部のインロー部など機械的精度を高次元で要求される部分に、表面を溶融させる熱量が影響することに関しても詳細に検討したところ、基板の表面及び表面からの極薄い部分、すなわち表面から厚さ方向で１００μｍ以下の部分のみを溶融させることで、機械精度に悪影響を与えることなく、更に高次元で表面性および円筒度の良好な基板が形成できることがわかった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（表面処理方法及び装置）
表面及び表面から極薄い部分だけを溶融させることができる加熱手段、装置であればどのようなものを用いることも可能である。
【００２７】
特に表面から極薄い部分だけを溶融させるためには、短時間の加熱時間で溶融するだけの熱量を与えられること、また場合によっては冷却手段をもちいて基板の内面（溶融させる面と反対の裏面）を冷却することも、機械的精度を維持するためには有効である。
【００２８】
具体的には、加熱手段から赤外線放射を基板表面の少なくとも一部に与えて、円筒状基板を図１の矢印方向に移動及び回転させながら、基板全体を溶融させる。
【００２９】
また、加熱手段に高周波誘導加熱を用いることは、本発明に適している。
【００３０】
特に高周波誘導加熱を用いる場合は、その高周波の周波数を適度に選択することで、表面及び表面からの極薄い部分の厚さを選択することが容易である。すなわち、溶融面積、溶融深さの制御性が高く、短時間で溶融するに十分な熱量を発生することができて、本発明に適した加熱手段である。
【００３１】
加熱温度は、［融点−５０℃］以上［融点＋１００℃］以下で所望の溶融深さになるように適切に調整することが望ましい。例えばアルミニウム基板であれば、融点が６６０℃であるので６１０℃以上７６０℃以下で調整することが望ましい。またＪＩＳ  ５０００系のアルミ合金であれば融点がその組成によって異なるが、融点が約５６０℃〜６５０℃となるので、その合金の［融点−５０℃］以上［融点＋１００℃］以下で適切に選ぶ必要がある。
【００３２】
昇温速度、狙う溶融深さ、加熱手段および熱伝導度を十分に考慮して、加熱温度を決定するわけであるが、［融点−５０℃］未満であると、溶融が不十分で表面欠陥部分の溶融平滑化が進まない。また［融点＋１００℃］を超えるような加熱温度になると、溶融深さの制御性が低下し溶融深さが深くなりやすい。また表面の粘性も低下し、溶融平滑化は進むが寸法精度が低下することになる。
【００３３】
本件の加熱温度とは、基板の表面温度を意味し、測定には赤外線温度計等の非接触型温度計を用いて行うことが望ましい。
【００３４】
例えば、アルミ及びアルミ合金製の円筒状基板を処理する場合には、１００ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下の高周波を５〜３０数秒間の加熱することで溶融して、平滑処理を行うことができる。このとき、表面からの溶融させる深さに応じて高周波の周波数を選択し、またその深さに応じて加熱時間を調整することで、効果的な溶融処理ができる。
【００３５】
電子写真感光体用基板は、その表面に機能性堆積膜すなわちａ−Ｓｉ系光導電膜を主とする感光層を積層する場合に、その膜と基板との密着性も重要な要素である。密着性に関しては、真空中または窒素ガスを含む不活性ガス雰囲気中での処理も有効である。また、密閉容器内でも良いし、開放状態であっても良く、開放状態で加熱部分にのみ窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて処理することも有効である。
【００３６】
（円筒状導電性基体）
図５に本発明の電子写真感光体用基板を示す。
【００３７】
電子写真感光体用基板５０２を構成する材料には、ＳＵＳ（ステンレススチール）・アルミ（Ａｌ）・亜鉛（Ｚｎ）・銅（Ｃｕ）・鉄（Ｆｅ）・チタン（Ｔｉ）・ニッケル（Ｎｉ）・クロム（Ｃｒ）・タンタル（Ｔａ）・錫（Ｓｎ）・金（Ａｕ）・銀（Ａｇ）などの金属材料やそれらの合金材料などが挙げられるが、本発明ではアルミニウム合金材料を用いることが望ましい。アルミニウム合金材料を用いることは、感光体の軽量化が低コストで可能なばかりか、ａ−Ｓｉ感光層との密着性が高く、感光体の信頼性も向上するといった点でａ−Ｓｉ感光体に適している。
【００３８】
また、アルミニウム合金材料は、融点も比較的低いことで、必要な熱量が少なくて済む事、さらに高周波誘導加熱を加熱手段として選択する場合に、比較的低周波で極表面領域（１０μｍ深さの溶融には、５ＭＨｚの高周波で可能、鉄の場合には２０ＭＨｚ以上が必要）の溶融処理ができる。
【００３９】
電子写真感光体用基板５０２は、押し出し加工や引き抜き加工などによって円筒状に成形され、旋盤による切削加工や研削加工などによる粗加工・仕上げ加工を経て、所望の形状および寸法精度に形成される。
【００４０】
耐水腐食性や切削加工性などを考慮して、例えば、ＪＩＳ  １Ｎ９０にマグネシウムを加えたアルミニウム合金や同様にＪＩＳ  ５０００系や６０００系に珪素やマグネシウムを加えたものが用いられている。
【００４１】
基体の厚みは必要とする仕様に応じて適宜設定されるが、基体全体ならびにフランジ接合面の機械的強度および寸法精度を確保することなどを考慮して、通常０．５〜１０ｍｍ、好適には１．０〜５．０ｍｍとするのがよい。
【００４２】
インロー部５０３は、円筒状導電性基体５０１の端部の内面に、旋盤による切削加工などにより端部から所定の長さにわたって形成する。その寸法ならびに寸法精度も必要とする仕様に応じて適宜設定されるが、例えばインロー部の長さ５０４は通常２．０〜３０ｍｍ程度とし、基体中央側の内面からの段差部分の長さ５０５は通常０．３〜４．０ｍｍ程度に設定する。
【００４３】
［ａ−Ｓｉ感光層］
図２に本発明に係わる電子写真感光体の一例を示す。
【００４４】
本発明において、グロー放電法によって堆積膜を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の基体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。
【００４５】
本発明において使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。そして、形成される堆積膜中に水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるようにはかり、目的を達成する膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ２および／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが必要である。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００４６】
また本発明において使用されるハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。
【００４７】
本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ５、ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００４８】
堆積膜中に含有される水素原子または／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば基体の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。本発明においては、堆積膜には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、堆積膜中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００４９】
前記伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原子（以後「第１３族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第１５族に属する原子（以後「第１５族原子」と略記する）を用いることができる。
【００５０】
第１３族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ等）があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。堆積膜に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０−２〜１×１０４原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０−２〜５×１０３原子ｐｐｍ、最適には１×１０−１〜１×１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【００５１】
伝導性を制御する原子、たとえば、第１３族原子あるいは第１５族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、堆積膜を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第１３族原子導入用の原料物質あるいは第１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
【００５２】
そのような第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。
【００５３】
第１５族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲン化燐、さらにＰＨ４Ｉ等が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ３、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５、ＳｂＣｌｉ、ＳｂＣｌ５、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３、ＢｉＢｒ３等が第１５族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げられる。
【００５４】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２および／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有する堆積膜を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体温度を適宜設定することが必要である。
【００５５】
希釈ガスとして使用するＨ２および／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２および／またはＨｅを、通常の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。
【００５６】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０−２〜１×１０３Ｐａ、好ましくは５×１０−２〜５×１０２Ｐａ、最適には１×１０−１〜２×１０２Ｐａとするのが好ましい。
【００５７】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量（ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））に対する放電電力（Ｗ）を、通常の場合０．１〜７倍、好ましくは０．５〜６倍、最適には０．７〜５倍の範囲に設定することが望ましい。
【００５８】
さらに、基体の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合２００〜３５０℃とするのが望ましい。本発明においては、堆積膜を形成するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する堆積膜を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【００５９】
本発明の電子写真感光体には、光導電材料として、通常はａ−Ｓｉが用いられる。
【００６０】
本発明の電子写真感光体は図２に示すように、本発明の基板２０１の上に、下部阻止層２０２、光導電層２０３、２０４、最表面には、表面層２０５からなっている。表面層２０５はａ−Ｓｉを母体とし、必要に応じて炭素、窒素、酸素の少なくとも１つを比較的多量に含有した層が用いられ、耐環境性、耐摩耗性や耐傷性を向上させることができる。
【００６１】
また、図２（ｃ）に示すように、必要に応じて更に上部阻止層２０６を設けてもよい。上部阻止層２０６は必要に応じて設けられ、その材料としてａ−Ｓｉを母体とし、必要に応じて炭素、窒素、酸素を含有した層が用いられる。
【００６２】
［光導電層］
光導電層２０３、２０４としては、本発明ではシリコン原子を母体とし、通常は、更に水素原子及び／又はハロゲン原子を含む非晶質材料（「ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成される。
【００６３】
光導電層２０３および光導電層２０４は、不純物元素として第１３族元素の含有量や第１５族元素の含有量の異なる層を積層することや、光導電層２０３、２０４は機能分離型として、キヤリア走行層２０３、キヤリア発生層２０４とする場合がある。
【００６４】
ａ−Ｓｉ堆積膜は、本発明のプラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法で作製することで、特に高品質の堆積膜が大面積で均一に得られる。
【００６５】
とくに、光導電層は、電子写真感光体の中で最も厚い層厚が必要とされ、かつ膜質の均一性が要求される。したがって、光導電層に最適化したガス孔配列をもつガス導入系を採用することは、本発明にとって必須である。
【００６６】
また、画像欠陥の原因である球状突起に成長するのも、この光導電層堆積時である。したがって、基体表面に球状突起の核となるものが付着しないようにしなければならない。
【００６７】
原料としてはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、又はガス化し得る水素化珪素（シラン類）を原料ガスとして用い、高周波電力によって分解することによって作製可能である。更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。
【００６８】
このとき、基体の温度は、１５０℃〜４５０℃、より好ましくは２００℃〜３５０℃程度の温度に保つことが特性上好ましい。これは膜成長表面での表面反応を促進させ、充分に構造緩和をさせるためである。
【００６９】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０−２〜１×１０３Ｐａ、好ましくは５×１０−２〜５×１０２Ｐａ、最適には１×１０−１〜１×１０２Ｐａである。
【００７０】
また、これらのガスに、更にＨ２あるいはハロゲン原子を含むガスを所望量混合して層形成することも特性向上の上で好ましい。ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、弗素ガス（Ｆ２）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＩＦ５、ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。また、これらの炭素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００７１】
光導電層２０３、２０４の全体の層厚としては特に限定はないが、製造コストなどを考慮すると１０〜６０μｍ程度が適当である。
【００７２】
更に、特性を向上させる為に光導電層２０３、２０４を複数の層構成にしても良い。例えばよりバンドギャップの狭い層を表面側に、よりバンドギャップの広い層を基板側に配置することで光感度や帯電特性を同時に向上させることができる。特に、半導体レーザーの様に、比較的長波長であって且つ波長ばらつきのほとんどない光源に対しては、こうした層構成の工夫によって画期的な効果が現れる。
【００７３】
［下部阻止層］
電子写真感光体において、必要に応じて光導電層の下部に設けられる下部阻止層２０２は、一般的にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）をベースとし、１３族元素、１５族元素などのドーパントを含有させることにより伝導型を制御し、基体からのキャリアの注入阻止能を持たせることが可能である。この場合、必要に応じて、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含有させることで応力を調整し、感光層の密着性向上の機能を持たせることもできる。
【００７４】
下部阻止層において、ドーパントとなる第１３族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌが好適である。第１５族原子としては、具体的には、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰが好適である。
【００７５】
また、第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。中でもＢ２Ｈ６は取り扱いの面からも好ましい原料物質の一つである。
【００７６】
第１５族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲン化燐、さらにＰＨ４Ｉ等が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ３、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５、ＳｂＣｌ３、ＳｂＣｌ５、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３、ＢｉＢｒ３等が第１５族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げられる。
【００７７】
ドーパントの原子の含有量としては、好ましくは１×１０−２〜１×１０４原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０−２〜５×１０３原子ｐｐｍ、最適には１×１０−１〜１×１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【００７８】
［上部阻止層］
電子写真感光体において、必要に応じて光導電層の上部に設けられる上部阻止層２０６は、感光体が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、表面側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、上部阻止層２０６には伝導性を制御する不純物原子を適切に含有させることが必要である。そのような目的で用いられる不純物原子としては、本発明においてはｐ型伝導特性を与える第１３族原子、あるいはｎ型伝導特性を与える第１５族原子を用いることができる。
【００７９】
このような第１３族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に硼素が好適である。第１５族原子としては、具体的にはリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にリンが好適である。
【００８０】
上部阻止層２０６に含有される伝導性を制御する不純物原子の必要な含有量は、上部阻止層２０６の組成や製造方法により一概にはいえないが、一般的にはネットワーク構成原子に対して１００原子ｐｐｍ以上、３００００原子ｐｐｍ以下とされ、５００原子ｐｐｍ以上、１００００原子ｐｐｍ以下とすることが更に好ましい。
【００８１】
上部阻止層２０６に含有される伝導性を制御する原子は、上部阻止層２０６中に万偏なく均一に分布されていても良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００８２】
上部阻止層２０６は、ａ−Ｓｉ系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、表面層２０５と同様の材料で構成することが好ましい。すなわち、「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」、「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」、「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」、「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」等の材料が好適に用いられる。上部阻止層２０６に含有される炭素原子又は窒素原子又は酸素原子は、該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００８３】
上部阻止層２０６の全層領域に含有される炭素原子及び／又は窒素原子及び／又は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、１種類の場合はその量として、２種類以上の場合はその総和量として、シリコンとの総和に対して１０％から７０％の範囲とするのが好ましい。
【００８４】
また、上部阻止層２０６に、通常は、水素原子及び／又はハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが望ましい。又、ハロゲン原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．５〜５原子％である。
【００８５】
さらに、上部阻止層２０６は光導電層２０３、２０４側から表面層２０５に向かって組成を連続的に変化させることも好ましく、密着性の向上だけでなく干渉防止等に効果がある。
【００８６】
上部阻止層２０６を形成するには、Ｓｉ供給用のガスとＣ及び／又はＮ及び／又はＯ供給用のガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適宜設定することが必要である。
【００８７】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０−２〜１×１０３Ｐａ、好ましくは５×１０−２〜５×１０２Ｐａ、最適には１×１０−１〜１×１０２Ｐａである。
【００８８】
さらに、基体の温度は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは１８０〜３３０℃、最適には２００〜３００℃である。
【００８９】
上部阻止層２０６を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、基体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。
【００９０】
［表面層］
電子写真感光体において、必要に応じて最表面に設けられる表面層２０５は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性の改善に効果を奏する。
【００９１】
また、ａ−Ｓｉ系の表面層２０５は、光導電層を構成する光導電層２０３、２０４と表面層２０５とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界面において化学的な安定性の確保が十分成されている。表面層２０５の材質としてａ−Ｓｉ系の材料を用いる場合は、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【００９２】
表面層２０５が炭素、窒素、酸素のいずれか一つ以上を含む場合、これらの原子の含有量は、ネットワークを構成する全原子に対して３０％から９５％の範囲が好ましい。
【００９３】
通常は、表面層２０５中に水素原子及び／又はハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電荷保持特性を向上させるためである。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．５〜５原子％である。
【００９４】
これらの水素及び／又は弗素含有量の範囲内で形成される感光体は、実際面において優れたものとして充分適用させ得るものである。すなわち、表面層２０５内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は、電子写真感光体としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時に光導電層より表面層に電荷が注入され、この表面層内の欠陥に電荷がトラップされることによる繰り返し使用時の残像現象の発生等が、この悪影響として挙げられる。
【００９５】
しかしながら、前記表面層２０５内の水素含有量を３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連続使用性において向上を図ることができる。
【００９６】
一方、前記表面層２０５中の水素含有量が７０原子％を越えると表面層の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐えられなくなる。従って、水素含有量を前記の範囲内に制御することが優れた所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の１つである。表面層２０５中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、基体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９７】
また、前記表面層２０５中の弗素含有量を０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原子と炭素原子との結合の発生をより効果的に達成することが可能となる。さらに、弗素原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子との結合の切断を効果的に防止することができる。
【００９８】
一方、前記表面層２０５中の弗素含有量が１５原子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子との結合の発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子との結合の切断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリーが顕著に認められてくる。従って、弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の１つである。前記表面層２０５中の弗素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、基体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９９】
さらに、表面層２０５には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させてもよい。伝導性を制御する原子は、表面層中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【０１００】
前記の伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える第１３族原子、又はｎ型伝導特性を与える第１５族原子を用いることができる。
【０１０１】
表面層２０５の層厚としては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．１〜１μｍである。層厚が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用中に摩耗等の理由により表面層２０５が失われてしまい、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる。
【０１０２】
表面層２０５を形成するには、基体の温度、反応容器内のガス圧を所望により適宜設定する必要がある。基体温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは１８０〜３３０℃、最適には２００〜３００℃である。
【０１０３】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０−２〜１×１０３Ｐａ、好ましくは５×１０−２〜５×１０２Ｐａ、最適には１×１０−１〜１×１０２Ｐａである。
【０１０４】
表面層２０５を形成するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１０５】
［ａ−Ｓｉ感光体製造装置］
「本発明に係わるａ−Ｓｉ感光体成膜装置」
図３は、ＲＦ帯の高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置の一例を模式的に示した図である。
【０１０６】
図４は、ＶＨＦ電源を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置の一例を模式的に示した図である。
【０１０７】
これらの装置は大別すると、堆積装置３１００（４１００）、原料ガスの供給装置３２００（４２００）、成膜炉３１１０（４１１１）内を減圧する為の排気装置（図示せず）から構成されている。
【０１０８】
この装置は図３に示した堆積装置３１００を図４の堆積装置４１００に置き換えることで構成される。
【０１０９】
図３の高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置について説明すると、印加する高周波電力は周波数１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚ、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波マッチングボックス３１１５を通じてカソード電極３１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器３１１０内に導入させた各原料ガスが分解され、基板３１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする第二の層が堆積される。その時、圧力は１３．３Ｐａ〜１３３０Ｐａ程度とＶＨＦプラズマＣＶＤ法よりも高めに保たれる。
【０１１０】
電子写真感光体は、図４に示したＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置によって製造することができる。図４に示したＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置を用いてａ−Ｓｉ系感光層を成膜形成する場合、印加する高周波電力は５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ、例えば周波数１０５ＭＨｚのＶＨＦ電源により行なわれ、反応容器４１１１内のガス圧は通常１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａ程度に保たれる。基板４１１３は受け台の上に設置されることによってアースに接続される。
【０１１１】
成膜装置４１００の反応容器４１１１内にはアースに接続された基板４１１３、基板加熱用ヒーター４１１３、原料ガス導入管４１１６が設置され、カソード電極４１１４には高周波マッチングボックス４１１５を介して高周波電源４１２０が接続されている。
【０１１２】
また、原料ガス供給装置については、図３に示したＲＦ帯の高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の原料ガス供給装置３２００と図４に示したＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の原料ガス供給装置４２００と同一の構成を有するものを使用することができる。図３に示したＲＦ帯の高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置の原料ガス供給装置を用いた場合について説明する。
【０１１３】
原料ガス供給装置３２００（４２００）は、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＯ、Ｂ２Ｈ６、ＣＦ４等の原料ガスボンベ３２２１〜３２２５（４２２１〜４２２５）とガスボンベバルブ３２３１〜３２３５（４２３１〜４２３５）、流入バルブ３２４１〜３２４５（４２４１〜４２４５）、流出バルブ３２５１〜３２５５（４２５１〜４２５５）およびマスフローコントローラー３２１１〜３２１５（４２１１〜４２１５）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０（４２６０）を介して反応容器３１１０（４１１０）内の原料ガス導入管３１１４（４１１４）に接続されている。
【０１１４】
次に図４に示した電子写真感光体の製造装置を用いた本発明の電子写真感光体の製造方法の手順の一例について説明する。
【０１１５】
反応容器４１１０内に基板４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器４１１０内を排気する。続いて基板加熱用ヒーター４１１３により基板４１１２の温度を２００℃〜４５０℃、好ましくは２５０℃〜３５０℃の温度に制御する。次いで、ａ−Ｓｉ系感光層形成用の原料ガスを反応容器４１１０内に流入させるにはガスボンベバルブ４２３１〜４２３５、製造装置のリークバルブ（不図示）が閉じられている事を確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２４５、流出バルブ４２５１〜４２５５、補助バルブ４２６０が開かれている事を確認し、メイン排気バルブ（不図示）を開いて反応容器４１１０およびガス導入配管４１１４を排気する。
【０１１６】
その後、真空計（付図示）の読みが０．５ｍＰａになった時点で補助バルブ４２６０、流出バルブ４２５１〜４２５５を閉じる。その後原料ガスボンベ４２２１〜４２２５より各ガスをガスボンベバルブ４２３１〜４２３５を開いて導入し圧力調整器４２６１〜４２６５により各原料ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に流入バルブ４２４１〜４２４５を徐々に開けて各原料ガスをマスフローコントローラー４２１１〜４２１５内に導入する。
【０１１７】
以上の手順によってａ−Ｓｉ系感光層の成膜形成準備を完了した後、基板４１１２上に、感光層を構成する所定の層の形成を行う。即ち、基板４１１２が所望の温度になったところで、各流出バルブ４２５１〜４２５５のうちの必要なものと補助バルブ４２６０とを徐々に開き、各層の成膜形成に必要な原料ガスボンベ４２２１〜４２２５から所定の原料ガスを原料ガス導入管４１１４を介して反応容器４１１０内に導入する。次に、各マスフローコントローラー４２１１〜４２１５によって、所定の原料ガスが所望の流量になる様に調整する。
【０１１８】
その際、反応容器４１１０内が１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａの所望の圧力になる様に、真空計を見ながらメイン排気バルブの開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源４１２０を所望の電力に設定して、５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚのＶＨＦ電源を用いて、具体的には、例えば、周波数１０５ＭＨｚのＶＨＦ電源を用い高周波電力を高周波マッチングボックス４１１５を通じてカソード電極４１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器４１１０内に導入した各原料ガスが分解され、基板４１１２上にシリコン原子を主成分とする感光層の所望の各層が成膜形成される。
【０１１９】
成膜装置４１００においては基板４１１２により取り囲まれた放電空間において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起こされて解離し、基板４１１２上にａ−Ｓｉ系感光層の所望の層が形成される。この時、形成される層の均一化を図るために基板回転用モーター４１２２によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１２０】
所定の層厚を有する、ａ−Ｓｉ系感光層の各所望の層の成膜形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ４２５１〜４２５５を閉じて反応容器４１１０への各原料ガスの流入を止め、ａ−Ｓｉ系感光層の形成を終える。ａ−Ｓｉ系感光層を構成する各層の組成や層厚は公知のものの中から使用目的に応じて適切なものを選択し設定することができる。
【０１２１】
なお、図３に示したＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置を用いてａ−Ｓｉ系感光層を成膜形成する場合も上記方法に準じて行えばよい。
【０１２２】
［電子写真装置］
図８には、本発明の電子写真感光体を好適に使用できる画像形成装置の模式図を示した。
【０１２３】
図８は、フィルム状の誘電体ベルトからなる中間転写ベルト８０５を用いて転写を行う電子写真プロセスを利用したカラー画像形成装置（複写機またはレーザービームプリンター）の一例である。
【０１２４】
この画像形成装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像上にトナーが付着されてトナー像が形成される第１の画像担持体である、繰り返し使用される電子写真感光体からなる、回転ドラム型の感光体ドラム８０１を有している。感光体ドラム８０１の周りには、感光体ドラム８０１の表面を所定の極性・電位に一様に帯電させる１次帯電器８０２と、帯電された感光体ドラム８０１の表面に画像露光８０３を行って静電潜像を形成する、不図示の画像露光装置とが配置されている。
【０１２５】
また、形成された静電潜像上にトナーを付着させて現像する現像器として、ブラックトナーＢを付着させる第１現像器８０４ａと、イエロートナーＹを付着させる現像器とマゼンタトナーＭを付着させる現像器とシアントナーＣを付着させる現像器とを内蔵した回転型の第２の現像器８０４ｂとが配置されている。さらに、中間転写ベルト８０５にトナー像を転写した後、感光体ドラム８０１上をクリーニングする感光体クリーナ８０６、及び、感光体ドラム８０１の除電を行う除電露光８０７が設けられている。
【０１２６】
中間転写ベルト８０５は、感光体ドラム８０１に当接ニップ部を介して駆動するように配置されており、内側には感光体ドラム８０１上に形成されたトナー像を中間転写ベルト８０５に転写するための一次転写ローラ８０８が配備されている。一次転写ローラ８０８には、感光体ドラム８０１上のトナー像を中間転写ベルト８０５に転写するための一次転写バイアスを印加するバイアス電源（不図示）が接続されている。
【０１２７】
中間転写ベルト８０５の周りには、中間転写ベルト８０５に転写されたトナー像を記録材８１３にさらに転写するための二次転写ローラ８０９が、中間転写ベルト８０５の下面部に接触するように設けられている。二次転写ローラ８０９には、中間転写ベルト８０５上のトナー像を記録材８１３に転写するための二次転写バイアスを印加するバイアス電源が接続されている。
【０１２８】
また、中間転写ベルト８０５上のトナー像を記録材８１３に転写した後、中間転写ベルト８０５の表面上に残留した転写残トナーをクリーニングするための中間転写ベルトクリーナ８１０が設けられている。
【０１２９】
また、この画像形成装置は、画像が形成される複数の記録材８１３を保持する給紙カセット８１４と、記録材８１３を給紙カセット８１４から中間転写ベルト８０５と二次転写ローラ８０９との当接ニップ部を介して搬送する搬送機構とが設けられている。記録材８１３の搬送経路上には、記録材８１３上に転写されたトナー像を記録材８１３上に定着させる定着器８１５が配置されている。
【０１３０】
一次帯電器８０２としてはコロナ帯電器の他、磁気ブラシ方式の帯電器などが用いられる。画像露光装置としては、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナによる走査露光系などが用いられる。
【０１３１】
次に、この画像形成装置の動作について説明する。
【０１３２】
まず、図８に矢印で示すように、感光体ドラム８０１が、時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写ベルト８０５が、反時計方向に、感光体ドラム８０１と同じ周速度で回転駆動される。
【０１３３】
感光体ドラム８０１は、回転過程で、一次帯電器８０２により所定の極性・電位に一様に帯電処理され、次いで、画像露光８０３を受け、これにより感光体ドラム８０１の表面上には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。次いで、第２現像器が回転し、マゼンタトナーＭを付着させる現像器が所定の位置にセットされ、その静電潜像が第１色であるマゼンタトナーＭにより現像される。この時、第１現像器８０４ａは、作動オフになっていて感光体ドラム８０１には作用せず、第１色のマゼンタトナー像に影響を与えることはない。
【０１３４】
このようにして、感光体ドラム８０１上に形成担持された第１色のマゼンタトナー像は、感光体ドラム８０１と中間転写ベルト８０５とのニップ部を通過する過程で、一次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から一次転写ローラ８０８に印加されることによって形成される電界により、中間転写ベルト８０５外周面に順次中間転写される。
【０１３５】
中間転写ベルト８０５に第１色のマゼンタトナー像を転写し終えた感光体ドラム８０１の表面は、感光体クリーナ８０６によりクリーニングされる。次に、感光体ドラム８０１の清掃された表面上に、第１色のトナー像の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像が、第１色のトナー像が転写された中間転写ベルト８０５の表面上に重畳転写される。以下同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が中間転写ベルト８０５上に順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される。
【０１３６】
次に、給紙カセット８１４から中間転写ベルト８０５と二次転写ローラ８０９との当接ニップ部に所定のタイミングで記録材８１３が給送され、二次転写ローラ８０９が中間転写ベルト８０５に当接されると共に、二次転写バイアスがバイアス電源から二次転写ローラ８０９に印加されることにより、中間転写ベルト８０５上に重畳転写された合成カラートナー像が、第２の画像担持体である記録材８１３に転写される。記録材８１３へのトナー像の転写終了後、中間転写ベルト８０５上の転写残トナーは中間転写ベルトクリーナ８１０によりクリーニングされる。トナー像が転写された記録材８１３は定着器８１５に導かれ、ここで記録材８１３上にトナー像が加熱定着される。
【０１３７】
本画像形成装置の動作において、感光体ドラム８０１から中間転写ベルト８０５への第１〜第４色のトナー像の順次転写実行時には、二次転写ローラ８０９および中間転写ベルトクリーナ８１０は中間転写ベルト８０５から離間させるようにしてもよい。
【０１３８】
このような中間転写ベルトを用いた電子写真によるカラー画像形成装置は、以下に示す特徴を有している。
【０１３９】
第一に、重ね合わせ時に各色のトナー像の形成位置がずれる色ズレが少ない。また、図８に示すように、記録材８１３をなんら加工、制御（例えばグリッパーに把持する、吸着する、曲率を持たせるなど）する必要なしに、中間転写ベルト８０５からトナー像を転写させることができ、記録材８１３として多種多様なものを用いることができる。例えば、薄い紙（４０ｇ／ｍ２紙）から厚い紙（２００ｇ／ｍ２紙）までの種々の厚みのものを選択して記録材８１３として使用可能である。また、幅の広狭または長さの長短によらず種々の大きさのものを記録材８１３として使用可能である。さらには、封筒、ハガキ、ラベル紙などを記録材８１３として使用可能である。
【０１４０】
また、中間転写ベルト８０５は、柔軟性に優れており、感光体ドラム８０１や記録材８１３とのニップを自由に設定することができるため、設計の自由度が高く、転写効率などを最適化しやすいといった特徴がある。
【０１４１】
このように、中間転写ベルト８０５を用いた画像形成装置には種々の利点がある。
【０１４２】
以下、本発明の電子写真感光体を実施例に基づいて説明する。
【実施例１】
【０１４３】
本実施例ではアルミニウムが９９％以上で珪素が０．１％以下、鉄が０．１％以下、Ｃｕが０．１％以下，Ｍｎが０．１％以下、Ｃｒが０．１％以下、Ｔｉが０．１％以下、Ｍｇが約２．６％含まれる円筒管を外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚が３．０ｍｍのアルミニウム合金製の素管に長さ１３．０ｍｍ、段差０．５ｍｍのインロー加工を施して基板とした。
【０１４４】
エグロ社製旋盤ＵＲＬ−７００を用いて、表面を平バイトで精密切削加工を施し、鏡面上の平坦性示すものとした。
【０１４５】
切削工程終了１５分後に洗浄装置により、表１に示す条件により洗浄剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水を接触させて洗浄を行った。
【０１４６】
その後、図１（ｂ）に示すような高周波誘導加熱手段の表面処理装置をもちいて、表２に示す条件で基板表面の溶融平滑化処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を真空容器内に入れて、溶融平滑化処理を真空中で行った。
【０１４７】
その時、投入パワー及び周波数を変化させて、所望の溶融深さになるようにした。合わせて、加熱時間は表２に有る時間になるように投入パワーを調整した。
【０１４８】
基板表面状態は、キーエンス社製デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２００を用いて観察した。１００ｃｍ２を観察したときの表面欠陥の数を計測して評価した。
【０１４９】
次に、図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、表３に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０１５０】
作成した感光体は、以下の評価を行った。
【０１５１】
『溶融深さ』
溶融深さについては、シリンダーの断面をエッチングして、金属顕微鏡（ＵＮＩＯＮ製Ｖｅｒｓａｍｅｔ−２やオリンパス製ＰＭＥ３）を用いて結晶粒界の変化部分を、観察計測した。
【０１５２】
『寸法精度』
三次元測定器（東京精密（株）製、ＸＹＺＡＸ、ＰＡ８００Ａ；商品名）を用いて測定した。１０本の最大値―最小値を表４に示す。
【０１５３】
測定に関して円筒状基板の片側端部を端部１、端部１と逆側の端部を端部２とした。
【０１５４】
寸法精度として、同じ条件処理した基板１０本の寸法バラツキを最大値―最小値の差で評価した。
【０１５５】
評価結果を表５に示す。
【０１５６】
☆…１０μｍ以下
◎…２０μｍ以下
○…３０μｍ以下
△…５０μｍ以下
×…８０μｍ以下
【０１５７】
『フレ』
嵌めあい公差ｈ７のフランジを装着して、図７に示す測定器により計測した。１０本のフレ平均値を求めた。得られた結果は、比較例１での値を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。評価結果を表５に示す。
【０１５８】
◎…比較例１より−５〜−１０％のフレ
○…比較例１と同等（±５％以内）
△…比較例１より５〜１０％のフレ
×…比較例１よりも１０％以上大きいフレ
【０１５９】
『基板表面欠陥』
基板表面状態は、キーエンス社製デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２００を用いて観察した。１００ｃｍ２を観察したときの、直径０．５μｍ以上の表面欠陥の数を計測して評価した。
【０１６０】
得られた結果は、比較例１での値を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。評価結果を表５に示す。
【０１６１】
☆…０％以上２０％未満
◎…２０％以上５０％未満
○…５０％以上８０％未満
△…８０％以上１０５％未満
×…１０５％以上
【０１６２】
『画像欠陥』
作成した感光体をキヤノン製複写機ＩＲ−Ｃ６８００にセットし、Ａ３サイズのべた黒原稿を複写して得られた画像を観察し、感光体１周分当たりの、直径０．１０ｍｍ以上の白ポチの個数を数えた。
【０１６３】
得られた結果は、比較例１での値を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。評価結果を表５に示す。
【０１６４】
☆…０％以上２０％未満
◎…２０％以上５０％未満
○…５０％以上８０％未満
△…８０％以上１０５％未満
×…１０５％以上
【０１６５】
『総合評価』
☆…優秀
◎…非常に良好
○…良好
△…実用上問題なし
×…実用上やや難有り
【０１６６】
［比較例１］
実施例１と同じ基板をエグロ社製旋盤ＵＲＬ−７００を用いて、表面を平バイトで精密切削加工を施し、鏡面上の平坦性示すものとした。
【０１６７】
切削工程終了１５分後に洗浄装置により、表１に示す条件により洗浄剤（非イオン性界面活性剤）による洗浄及び二酸化炭素を溶解した水による洗浄を行った。
【０１６８】
その後、比較例１では、表面処理を行わずに、表面欠陥を計測した。
【０１６９】
実施例１と同様に表３に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０１７０】
評価は実施例１と同様に行った。評価結果を表４、５に示す。
【０１７１】
【表１】
2007057683.tif 000003
【０１７２】
【表２】
2007057683.tif 000004
【０１７３】
【表３】
2007057683.tif 000005
【０１７４】
【表４】
2007057683.tif 000006
【０１７５】
【表５】
2007057683.tif 000007
【０１７６】
表５の結果より、寸法精度は溶融深さが１００μｍを超えるとややバラツキが大きくなる傾向にあるが、３０μｍ以下では実用上支障はない。また、そのような状態では偏芯等によるフレの増大は見られず良好である。表面欠陥は、溶融深さが浅いとやや低減効果が小さくなる傾向にあり、それは画像欠陥の低減に関しても同様の傾向を示すが、表面を溶融させることで、表面欠陥を低減した基板が得られて、感光体も良好な画像欠陥の低減効果が得られることがわかる。
【実施例２】
【０１７７】
本実施例は、実施例１と同じ基板を用いて、加熱条件として高周波電力を小さくして昇温速度を下げることや、高周波電力を大きくして昇温速度を上げることをおこなった。表６に示すような昇温速度で基板表面の溶融平滑化処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を真空容器内に入れて、溶融平滑化処理を真空中で行った。溶融深さの狙いは８０μｍとして、高周波は１５０ＭＨｚを用いた。基盤表面温度が６８０℃まで昇温するために必要な時間（例えば２−Ａならば６８秒）に加えて、６８０℃で一定になるように２秒間加熱した。
【０１７８】
例えば２−Ｇでは昇温時間３秒強＋２秒で合計５秒強の加熱処理を行った。
【０１７９】
昇温速度は、赤外温度計として（堀場製作所製の非接触２次元放射温度計アイスクエア（ｉｉ−１０６４）、ジャパンセンサー株式会社製のファイバ型放射温度計ＦＴＺ６−Ｒ２２０）を用いて、昇温開始から６００℃までの昇温時間を測定することで求めた。ただし、６００℃までの昇温速度はほぼ一様に上昇するように制御した。
【０１８０】
寸法精度は、表７に示す。
【０１８１】
その後、図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、表８に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０１８２】
作成した感光体は、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表９に示す。
【０１８３】
【表６】
2007057683.tif 000008
【０１８４】
【表７】
2007057683.tif 000009
【０１８５】
【表８】
2007057683.tif 000010
【０１８６】
【表９】
2007057683.tif 000011
【０１８７】
表９の結果より、昇温速度が２０℃／ｓｅｃ以下と遅いと狙いとする溶融深さよりも溶融部分が大きくなりやすく、その結果として寸法精度のややバラツキが大きくなる傾向にある。
【０１８８】
昇温速度が２００℃／ｓｅｃを超えると、狙いとする溶融深さよりも溶融部分が浅くなりやすく、表面欠陥の低減効果が小さくなり、それに伴い画像欠陥の低減に関しても同様の効果を示しており、昇温速度は２０℃／ｓｅｃ以上２００℃／ｓｅｃ以下が、溶融部分が浅くならずに、表面欠陥を低減した基板が得られて、感光体も良好な画像欠陥の低減効果が得られることがわかる。
【０１８９】
狙いの溶融深さを得るためには、昇温速度を適切に選択することが大切である。
【実施例３】
【０１９０】
本実施例は、実施例１と同じ基板を用いて、加熱条件として高周波電力を調整して、目標基板温度達成後に一定温度で加熱処理を行うようにした。表１０に示すように、総加熱時間を変化させて基板表面の溶融平滑化処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を真空容器内に入れて、溶融平滑化処理を真空中で行った。溶融深さの狙いは８０μｍとして、高周波は１５０ＭＨｚを用いた。目標基盤表面温度を６８０℃とし、昇温するために必要な時間（例えば３−Ａならば３．４秒）に加えて、０．６秒間は６８０℃で一定になるように加熱処理した。
【０１９１】
昇温速度は、実施例２と同様の測定を行った。
【０１９２】
寸法精度は、表１１に示す。
【０１９３】
その後、図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、実施例２と同じ表８に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０１９４】
作成した感光体は、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表１２に示す。
【０１９５】
【表１０】
2007057683.tif 000012
【０１９６】
【表１１】
2007057683.tif 000013
【０１９７】
【表１２】
2007057683.tif 000014
【０１９８】
表１２の結果より、加熱時間が５秒よりも短いと、溶融平滑化するための時間が短くなり、表面欠陥が平滑化されずに残るものがある。そのために、画像欠陥の減少効果もやや低い。また、加熱時間が３０秒を超えると、基板材質の熱伝導度のために溶融部分が深くなる傾向をしめし、その結果寸法精度に影響がでてくる。
【０１９９】
以上より、加熱時間は５秒以上３０秒以下が、寸法精度に悪影響を与えることなく、表面欠陥を低減した基板が得られて、感光体も良好な画像欠陥の低減効果が得られることがわかる。
【実施例４】
【０２００】
本実施例は、実施例１と同じ基板を用いて、加熱条件として３−Ｆと同じ条件で基板溶融平滑処理を行った。ただし、実施例４では、基板の内面に冷媒として冷却水を拭きつけて、冷却しながら溶融平滑処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を密閉容器内に入れて、溶融平滑化処理をＮ２を１０１３ｈＰａまで導入して行った。
【０２０１】
実施例３と同様に、寸法精度を評価した。評価結果は表１３に示す。
【０２０２】
その後、図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、実施例２と同じ表８に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０２０３】
評価は実施例３と同様に行った。
【０２０４】
成した感光体は、実施例１と同様の評価を行った。評価結果を表１４に示す。
【０２０５】
溶融深さは、基板内面を冷却することで、８０μｍと狙いどおりになった。
【０２０６】
【表１３】
2007057683.tif 000015
【０２０７】
【表１４】
2007057683.tif 000016
【０２０８】
表１４の結果より、基板内面を冷却することにより、寸法精度に影響が小さくでき、かつ表面欠陥を低減した基板が得られて、感光体も良好な画像欠陥の低減効果が得られることがわかる。
【実施例５】
【０２０９】
本実施例では実施例１の１−Ｆと同じ基板を用いた。
【０２１０】
図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、表１５に示すような作成条件でマイナス帯電用のａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０２１１】
実施例１と同様の評価を行った。
【０２１２】
ただし、画像欠陥の評価はｉＲＣ６８００をマイナス帯電感光体用に改造したものを用いた。
【０２１３】
評価結果を表１９に示す。
【０２１４】
【表１５】
2007057683.tif 000017
【実施例６】
【０２１５】
本実施例では実施例１とアルミニウム合金を用いて、同じ外径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ肉厚が２．９８ｍｍのアルミニウム合金製の素管にインロー部の長さが１３ｍｍの段差が０．４５ｍｍのインロー加工を施して基板とした。
【０２１６】
実施例１の１−Ｆと同条件で溶融平滑化処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を真空容器内に入れて、溶融平滑化処理を真空中で行った。
【０２１７】
図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、表１６に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０２１８】
実施例１と同様の評価を行った。
【０２１９】
ただし、画像欠陥の評価はｉＲ６０００を用いた。
【０２２０】
評価結果を表１９に示す。
【０２２１】
【表１６】
2007057683.tif 000018
【実施例７】
【０２２２】
本実施例ではアルミニウムが９９％以上で珪素が０．１％以下、鉄が０．２％以下、Ｃｕが０．１５％以下，Ｍｎが０．０８％以下、Ｃｒが０．０８％以下、Ｔｉが０．０８％以下、Ｚｎが０．０５％以下、Ｍｇが２．２〜２．８％含まれる円筒管を外径１０８ｍｍ長さ３５８ｍｍ肉厚が２．９５ｍｍのアルミニウム合金製の素管にインロー部の長さが２３ｍｍ、段差が０．５５ｍｍのインロー加工を施して基板とした。
【０２２３】
実施例１の１−Ｇと同条件で溶融平滑化処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を真空容器内に入れて、溶融平滑化処理を真空中で行った。
【０２２４】
図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、表１７に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０２２５】
実施例１と同様の評価を行った。
【０２２６】
ただし、画像欠陥の評価はｉＲ８５００を用いた。
【０２２７】
評価結果を表１９に示す。
【０２２８】
【表１７】
2007057683.tif 000019
【実施例８】
【０２２９】
本実施例では実施例５とアルミニウム合金を用いて、同じ外径８０ｍｍ長さ３５８ｍｍ肉厚が２．９５ｍｍのアルミニウム合金製の素官にインロー部の長さが１８ｍｍのインロー加工を施して基板とした。
【０２３０】
実施例１の１−Ｅと同条件で溶融平滑化処理を行った。その際、基板及び表面処理装置を真空容器内に入れて、溶融平滑化処理を真空中で行った。
【０２３１】
図４に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法による感光体の堆積装置を用いて、表１８に示すような作成条件でａ−Ｓｉ感光層を有する感光体を積層した。
【０２３２】
実施例４と同様の評価を行った。
【０２３３】
評価結果を表１９に示す。
【０２３４】
【表１８】
2007057683.tif 000020
【０２３５】
【表１９】
2007057683.tif 000021
【０２３６】
表１９の結果より、基板サイズを種々変えても、成膜する条件を変更しても、またプラス帯電でもマイナス帯電の感光体としても、本発明の溶融処理を施した基板を用いることで、表面欠陥を低減した基板が得られて、感光体も良好な画像欠陥の低減効果が得られることがわかる。
【０２３７】
本発明によれば、寸法精度を高次元で維持したまま、表面欠陥を低減した平滑性の高い電子写真感光体用基板が得られ、その基板を用いることで画像欠陥が極めて少ない電子写真用感光体を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【０２３８】
【図１】本発明の基板後処理装置を説明する模式図であり、（ａ）は部分的に加熱する手段をもち、基板を回転させながら引き上げることで表面溶融処理を行うような構成を示す図、（ｂ）はリング状の加熱手段をもち、基板を引き上げることで表面溶融処理を行うような構成を示す図である。
【図２】アモルファスシリコン電子写真感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図３】本発明のａ−Ｓｉ電子写真感光体を堆積するためのＲＦプラズマＣＶＤ方法の堆積装置の一例を示す模式的構成図であるの一例を示す模式図である。
【図４】本発明のａ−Ｓｉ電子写真感光体を堆積するためのＶＨＦプラズマＣＶＤ方法の堆積装置の一例を示す模式的構成図であるの一例を示す模式図である。
【図５】電子写真感光体の基板の形状を示す模式的断面図である。
【図６】基板上の表面欠陥の一例を示す図である。
【図７】本発明のフレ測定をするための測定装置の一例を示す模式図である。
【図８】電子写真装置の一例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【０２３９】
１０１    円筒状導電性基板
１０２    スポット型の加熱手段
１０３    リング状の加熱手段
２０１    円筒状導電性基板
２０２    電荷注入阻止層
２０３    第１の光導電層
２０４    第２の光導電層
２０５    表面層
２０６    上部阻止層
５０１    アルミニウム合金素管
５０２    アルミニウム合金基板
５０３    インロー部
５０４    インロー長さ
５０５    インロー段差部分の長さ
７０１    電子写真感光体
７０２    ダイヤルゲージ
７０３    フランジ
７０４    回転軸受け
７０５    回転軸
８０１    感光体
８０２    一次帯電器
８０３    画像露光
８０４ａ  第１現像器
８０４ｂ  第２現像器
８０５    中間転写ベルト
８０６    感光体クリーナ
８０７    除電露光
８０８    一次転写ローラ
８０９    二次転写ローラ
８１０    中間転写ベルトクリーナ
８１３    記録材
８１４    給紙カセット
８１５    定着器
３１００、４１００  製造装置
３１１０、４１１０  反応容器
３１１１、４１１１  カソード電極
３１１２、４１１２  円筒形基板
３１１３、４１１３  基板加熱用ヒーター
３１１４、４１１４  ガス導入管
３１１５、４１１５  高周波マッチングボックス
３１１６、４１１６  ガス導入配管
３１１７  リークバルブ
３１１８  メイン排気バルブ
３１１９  真空計
３１２０  誘電体
３２００、４２００   原料ガス供給装置
３２１１〜３２１６、４２１１〜４２１６  マスフローコントローラー
３２２１〜３２２５、４２２１〜４２２５  ボンベ
３２３１〜３２３５、４２３１〜４２３５  バルブ
３２４１〜３２４５、４２４１〜４２４５  流入バルブ
３２５１〜３２５５、４２５１〜４２５５  流出バルブ
３２６１〜３２６６、４２６１〜４２６６  圧力調整器
４１２１  高周波電源
４１２２  円筒形基板回転用モーター
【図１】
2007057683.tif 000022
【図２】
2007057683.tif 000023
【図３】
2007057683.tif 000024
【図４】
2007057683.tif 000025
【図５】
2007057683.tif 000026
【図７】
2007057683.tif 000027
【図８】
2007057683.tif 000028
【図６】
2007057683.tif 000029