(57)【要約】【課題】同時加熱スパッタ法による圧電体薄膜の成膜において、酸素抜けや高い内部応力の発生を防ぐ。【解決手段】液体吐出ヘッドのアクチュエータとなる圧電体薄膜をスパッタリングによって基板を加熱しながら成膜する。この工程で、圧電体材料の結晶化温度に加熱してスパッタ成膜を行う核生成時間Ｃ1 の後に、基板加熱温度を結晶化温度より下げて結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより小さい状態で非晶質の圧電体薄膜層を成膜する。続いて、結晶化温度より高い温度に基板を加熱し、結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓより大きい状態で堆積層を折衝貸しながら成膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング法によって薄膜を形成する成膜方法において、
形成される薄膜の結晶化速度を該薄膜の堆積速度以下に制御しながら、第１の薄膜層を堆積させる第１の工程と、
形成される薄膜の結晶化速度を該薄膜の堆積速度以上であって、前記第１の工程における結晶化速度とは異なる速度に制御しながら、前記第１の薄膜層上に第２の薄膜層を堆積させる第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第１の工程と前記第２の工程とを交互に複数回ずつ繰り返すことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記第１の工程における前記薄膜が形成される基板の温度を、形成される薄膜の材料の結晶化温度以下、前記第２の工程における前記基板の温度を、形成される薄膜の結晶化温度以上に制御することを特徴とする請求項１または２記載の成膜方法。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項記載の成膜方法によって製造されたことを特徴とする圧電体薄膜。
【請求項５】
Ｐｂと、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃのうち少なくとも１種類の元素を含む高配向結晶の酸化物薄膜であることを特徴とする請求項４記載の圧電体薄膜。
【請求項６】
請求項４または５記載の圧電体薄膜を有するアクチュエータと、前記アクチュエータによって液体を吐出する吐出手段と、を備えたことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を加熱しながらスパッタリング法によって圧電体薄膜等を成膜する成膜方法および圧電体薄膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、インクジェットプリンタ等に搭載する液体吐出ヘッドのアクチュエータを構成する圧電体薄膜の成膜方法として用いられてきたスパッタリング法は、特許文献１に開示されたように、スパッタプロセス中に基板加熱を行わず室温付近で成膜を行っている。すなわち、非晶質膜として基板上へ堆積し、その後アニール処理を行うことで、結晶化させている。
【０００３】
しかし、この方法では作製した薄膜は多結晶となり、圧電体の材料特性を充分に活かした結晶薄膜の作製方法とは言えない。そこで、スパッタリング中に圧電体材料の結晶化温度まで基板を加熱し、その状態でスパッタリングを行う方法（同時加熱スパッタ法）が開発された。この方法により、緻密で結晶性の高い単結晶の圧電体薄膜が得られている。
【０００４】
他方、結晶化温度を制御することで良好な強誘電体膜を製造する技術も、特許文献２に開示されている。これは、スパッタ成膜後、非晶質の堆積物を温度の異なるヒーターで挟み温度勾配を付け、結晶化速度を変化させることでゾーンメルト法と同様の原理で基板上の強誘電体膜を結晶化するものである。
【０００５】
しかし、この方法ではスパッタ中に結晶化できないため、同時加熱スパッタ法のように良質な薄膜を得ることはできない。
【特許文献１】特開２００４−２１４２７０号公報
【特許文献２】特開２００１−１９９７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の同時加熱スパッタ法には幾つかの問題がある。第１の問題点として、酸素欠陥および高い内部応力が挙げられる。酸素欠陥の原因としては、圧電体薄膜の成膜中に充分に酸素を取り込む前に、次々と層が積み上がっていることが考えられる。このため最終的に酸素が不足してしまい特性劣化の原因となるパイロクロア相ができてしまうものと考えられる。
【０００７】
次に、高い内部応力については、成膜中に、形成された膜に高エネルギーのスパッタ粒子が衝突し圧電体の格子間へ侵入することでバルク結晶の格子定数より大きくなってしまうためである。このためＸＲＤ（Ｘ線回析法）などの回折法で調べた結晶性が良好であるにもかかわらず、電気的な特性であるｔａｎδがバルク多結晶のｔａｎδ程度と大きく、Ｅｃ（抗電界）が非常に大きいことの原因となると考えられる。
【０００８】
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、同時加熱スパッタ法における酸素抜け等による欠陥や内部応力の発生を抑制し、高品質で高配向結晶の圧電体薄膜を成膜できる成膜方法および圧電体薄膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の成膜方法は、スパッタリング法によって薄膜を形成する成膜方法において、形成される薄膜の結晶化速度を該薄膜の堆積速度以下に制御しながら、第１の薄膜層を堆積させる第１の工程と、形成される薄膜の結晶化速度を該薄膜の堆積速度以上であって、前記第１の工程における結晶化速度とは異なる速度に制御しながら、前記第１の薄膜層上に第２の薄膜層を堆積させる第２の工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
圧電体薄膜の成膜中に、例えば基板加熱温度を変化させることで堆積する薄膜層の結晶化速度を制御し、酸素欠陥や内部応力の発生を防ぐ。
【００１１】
すなわち、結晶化温度より低い低温加熱による第１の加熱スパッタ工程で、堆積速度より十分に小さな結晶化速度の状態で十分に酸素を取り込み、それから一気に第２の加熱スパッタ工程における大きい結晶化速度の状態まで持って行く。このようにして、酸素抜けや鉛抜けを短時間に抑える。また、高い内部応力の原因となる、スパッタプロセス中に堆積する薄膜層に侵入したスパッタ粒子を、低温で結晶化速度の小さい非晶質の状態から高温で結晶化する状態へ移行する段階で薄膜外へ放出することができる。
【００１２】
基板加熱によるスパッタリング法を用いた圧電体薄膜の成膜工程において、成膜中に基板加熱温度を制御し、所定のパターンで結晶化速度を変化させることにより、高品質で高配向結晶の圧電体薄膜を効率的に成膜することができる。
【００１３】
このような圧電体薄膜を液体吐出ヘッドのアクチュエータに用いることで、液体吐出ヘッドの高精細化を促進し、小型かつ高性能で、しかも耐久性に優れた記録装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は、一実施の形態による同時加熱スパッタ法における圧電体薄膜の堆積速度Ｓと結晶化速度Ｒの関係を示す。成膜工程は、圧電体薄膜の成膜開始時に基板温度（基板加熱温度）を結晶化温度に制御し、堆積速度Ｓと結晶化速度Ｒが等しい状態で始める。これにより、圧電体薄膜の直下の層に対する配向性を決める核の生成が促される。従って、直下の層には十分に結晶性の良い層が求められる。液体吐出ヘッドのアクチュエータを構成する圧電体薄膜では、直下の層は電極層に当たり、白金族の金属電極もしくは酸化物系導電材料を用いる。例えば、白金族の金属材料には、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔがある。また、酸化物系導電材料には、ＳｒＲｕＯ3 、ＢａＰｂＯ3 、ＲｕＯ3 等がある。
【００１６】
結晶化温度による核生成時間Ｃ1 の後、結晶化速度Ｒが堆積速度Ｓに対して十分に遅い状態を作る。これは、基板加熱温度を結晶化温度より大幅に低くすることで達成できる。この低温加熱による非晶質堆積時間Ｃ2 において、基板上には非晶質の第１の薄膜層が堆積する。
【００１７】
次に、基板加熱温度を結晶化温度より高くして、第１の薄膜層上に結晶化した第２の薄膜層を堆積させると同時に、非晶質で形成されていた第１の薄膜層を結晶化させる。この高温加熱による結晶化時間Ｃ3 において、非晶質層の配向と応力緩和が同時に進行する。最終的に出来上がった圧電体薄膜は、高品位な高配向結晶薄膜となる。
【００１８】
また、結晶化速度を図２に示すパターンで変化させてもよい。ここでは、堆積速度Ｓと結晶化速度Ｒが等しくなる核生成時間Ｃ1 は図１と同様であるが、その後は、非晶質堆積状態と結晶化状態を交互に繰り返す。すなわち、非晶質堆積時間Ｃ2 と結晶化時間Ｃ3 を複数回繰り返すことによって、より厚みのある膜でも高配向の結晶膜を得ることができる。
【００１９】
図３は、図２に示すように非晶質堆積状態と結晶化状態を交互に繰り返す成膜を行うためのスパッタ装置を示す。これは、チャンバー１０１内において、ターゲット１０２に対してホルダ１０３に支持された基板Ｗを対向させ、基板Ｗの裏面側に、角度θで傾斜した赤外線導入ロッド１０４ａを有する加熱源１０４を配設する。加熱源１０４から斜め入射する熱線に対して基板Ｗを回転させることにより、図２に示すような結晶化速度に対応する温度制御を行うことができる。
【００２０】
このように、基板加熱によるスパッタリング法によって圧電体薄膜を成膜する成膜方法において、成膜工程中に、基板上に堆積する圧電体材料の結晶化速度を所定のパターンで変化させる。ここで結晶化速度とは、プラズマによりターゲットからスパッタされた圧電体材料が基板上に到達し、堆積した薄膜層が結晶化していく速度である。
【００２１】
すなわち、基板上に堆積する薄膜層の結晶化速度を成膜中に上記のパターンで変化させ、まず、スパッタリングされた圧電体材料が基板上に堆積していく堆積速度に対して結晶化速度が十分に遅い状態を作り出し、基板上に非晶質状態で堆積させる。この後、成膜された薄膜層の十分な結晶化を行う結晶化時間を与えることで、薄膜全体で均一な結晶成長が可能となり、より結晶性の優れた圧電体薄膜を得ることができる。
【００２２】
例えば、基板の加熱温度を変化させることで結晶化速度を制御し、成膜中に少なくとも一度は基板上に堆積した圧電体材料の結晶化速度が堆積速度より大きい結晶化時間を設ける。
【００２３】
ここで、スパッタガス圧Ｐｓはスパッタ放電臨界ガス圧以上、５Ｐａ以下であるとよい。好ましくは、スパッタガス圧Ｐｓはスパッタ放電臨界ガス圧以上、１Ｐａ以下であるとよい。さらに好ましくは、スパッタガス圧Ｐｓはスパッタ放電臨界ガス圧以上、０．５Ｐａ以下であるとよい。ここで、スパッタ臨界ガス圧とはチャンバー内で放電が可能となる下限のガス圧をいう。
【００２４】
また、基板の加熱温度の最高温度は３００℃以上、１０００℃以下であるとよい。好ましくは、基板の加熱温度の最高温度は５００℃以上、１０００℃以下であるとよい。さらに好ましくは、基板の加熱温度の最高温度は６００℃以上、１０００℃以下であるとよい。
【００２５】
また、圧電体薄膜は、Ｐｂを含み、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃのうち少なくとも１種類の元素を含む高配向結晶の酸化物薄膜であるとよい。
【００２６】
図４および図５は液体吐出ヘッドの構成を説明するものである。この液体吐出ヘッドは、基体である本体基板部１と、複数の液吐出口（ノズル）２と、各液吐出口２に対応して設けられた複数の圧力室（液室）３と、各圧力室３にそれぞれ対応するように配設されたアクチュエータ１０とから構成される。液吐出口２は、ノズルプレート４に所定の間隔をもって形成され、圧力室３は、本体基板部１に、液吐出口２にそれぞれ対応するように並列して形成されている。なお、図４および図５の装置では、液吐出口２が下面側に設けられているが、側面側に設けることもできる。
【００２７】
本体基板部１の上面には各圧力室３にそれぞれ対応した図示しない開口部が形成され、その開口部をふさぐように各アクチュエータ１０が位置付けられる。各アクチュエータ１０は、振動板１１と、強誘電体膜である圧電体薄膜１２と、下部電極１３および上部電極１４とから構成されている。
【００２８】
下部電極１３の膜厚は１００ｎｍから１０００ｎｍが好ましい。下部電極１３と振動板１１との間に密着層として下部電極１３と異なる金属材料あるいは金属酸化物材料としては、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｉｒであり、金属酸化物としては、例えばＴｉＯ2 、ＩｒＯ2 である。密着層の膜厚は、５ｎｍから３００ｎｍであり、好ましくは１０〜７０ｎｍである。また、同様に強誘電体膜である圧電体薄膜と上部電極との間に同様の密着層を設けることもできる。
【００２９】
本実施の形態によれば、基体上に順次、振動板１１、下部電極１３、圧電体薄膜１２、上部電極１４をそれぞれ結晶配向の方位の揃った膜として成膜することができる。従って、各ノズル毎のアクチュエータ１０の性能のばらつきが少なく、かつ密着強度の強いデバイスを得ることができ、さらに小型化に十分な圧電特性および機械特性を得ることができる。また、高配向結晶の圧電体薄膜を用いることで、アクチュエータ１０の耐久性も向上させることができる。
【００３０】
また、下部電極１３の基板面の優先配向結晶方位が（０１０）、（１０１）、（１１０）、（１１１）のいずれかであるとよい。この優先配向結晶方位が（０１０）、（１０１）、（１１０）、（１１１）であるとき、上部に成膜される圧電体薄膜が配向し、圧電体薄膜の優先配向結晶方位がそれぞれ（１００）、（００１）、（０１０）、（１０１）、（１１０）、（１１１）となる。また、圧電体薄膜の圧電特性は優先配向結晶方位が（００１）または（１１１）のときに特に良好である。
【００３１】
また、下部電極１３である金属薄膜または酸化物導電薄膜の結晶配向率が７０％以上であるとよい。結晶配向率とは、ＸＲＤ法によるＸ線回折のθ−２θ測定により膜のピーク強度比による割合である。金属電極薄膜の結晶配向率が７０％以下のとき、３０％以上の他の方位に配向した結晶あるいは異相が存在するため、良好な電気特性を阻害するばかりでなく、上部に成膜する圧電体薄膜の結晶性を劣化させる可能性がある。より好ましくは下部電極１３である酸化物導電薄膜の結晶配向率が８５％以上であるとよい。
【００３２】
上記の圧電体薄膜１２を構成する圧電体材料は、Ｐｂを含み、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃのうち少なくとも１種類の元素を含む単一配向結晶あるいは単結晶の圧電体薄膜であるのが望ましい。
【００３３】
本発明で使用する高配向結晶の強誘電体である圧電体材料としては以下のものが選択できる。
【００３４】
例えば、ＰＺＴ：[Pb(ZrxTi1-x)O3]、ＰＭＮ：[Pb(MgxNb1-x)O3]、ＰＮＮ：[Pb(NbxNi1-x)O3]、ＰＳＮ：[Pb(ScxNb1-x)O3]、ＰＺＮ：[Pb(ZnxNb1-x)O3]、ＰＭＮ−ＰＴ：{(1-y)[Pb(MgxNb1-x)O3]-y[PbTiO3 ]}、ＰＳＮ−ＰＴ：{(1-y)[Pb(ScxNb1-x)O3]-y[PbTiO3 ]}、ＰＺＮ−ＰＴ：{(1-y)[Pb(ZnxNb1-x)O3]-y[PbTiO3 ]}である。
【００３５】
ここで、ｘおよびｙは１以下の０以上の数である。例えば、ＰＺＴの場合ｘは０．４〜０．７で、ＰＭＮではｘは０．２〜０．５で、ＰＳＮではｘは０．４〜０．７が好ましく、ＰＭＮ−ＰＴのｙは０．２〜０．４、ＰＳＮ−ＰＴのｙは０．３５〜０．５、ＰＺＮ−ＰＴのｙは０．０３〜０．３５が好ましい。
【００３６】
高配向の圧電体薄膜は単一組成であってもよいし、２種類以上の組み合わせでもよい。また、結晶構造制御のために異種の組成のアンカー層を成膜したのちに成膜してもよい。さらに、上記主成分に微量の元素をドーピングした組成物であってもよい。
【００３７】
そして、上記の圧電体薄膜の結晶配向率が７０％以上であるとよい。圧電体薄膜の結晶配向率が７０％以下のとき、３０％以上の他の方位に配向した結晶あるいは異相が存在するため、このことがアクチュエータの圧電特性を劣化させる原因となる可能性がある。
【００３８】
また、上記の高配向結晶の圧電体薄膜の結晶系が菱面体晶あるいは正方晶であるとよい。すなわち、高配向結晶の圧電体薄膜がアクチュエータおよび液体吐出ヘッドを機能させるために十分な駆動を得られる圧電特性を持つためには、その結晶系が菱面体晶あるいは正方晶である必要がある。
【００３９】
高配向結晶の圧電体薄膜の膜厚は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下であるとよい。高配向結晶の圧電体薄膜をアクチュエータとして用いる際、繰り返し駆動により発生する応力に耐えうる材料である必要がある。高配向結晶の圧電体薄膜の膜厚が１００ｎｍ以下であるときは、駆動を繰り返して行うと欠陥から破損する可能性がある。より好ましくは５００ｎｍ以上８μｍ以下である。
【００４０】
上記アクチュエータの具体的な層構成を列挙する。層構成の表示は、上部電極／／圧電体薄膜／／下部電極／／振動板となっている。
例１：  Pt/Ti//PZT(001)//Pt(111)/Ti(111)//YSZ(111)/Si(111)
例２：  Au//PZT(001)//Pt(100)/Ti(100)//YSZ(111)/Si(111)
例３：  Pt/Ti//PZT(001)/PT(001)//Pt(111)/Ti(111)//YSZ(111)/Si(111)
例４：  Au/Cr//PZT(001)/PT(001)//Pt(111)/Ti(111)//YSZ(100)/Si(100)
例５：  Au/Cr//PZT(001)//Pt(111)/Ti(111)//SiO2/Si(100)
例６：  Au//PZT(001)/PT(001)//Pt(100)/Ti(100)//YSZ(111)/Si(111)
例７：  Pt/Ti//PZT(111)//Pt(111)/Ti(111)//SiO2/Si(100)
例８：  Au//PZT(111)//Pt(111)/Ti(111)//SiO2/Si(100)
例９：  Pt/Ti//PZT(111)/PT(111)//Pt(111)/Ti(111)//SiO2/Si(100)
例１０：  Au//PZT(111)/PT(111)//Pt(111)/Ti(111)//SiO2/Si(100)
例１１：  Pt//PZT(111)//Pt/Ti//SiO2/Si(100)
例１２：  Au//PZT(111)/PT(111)//Ir(111)/Ti(111)//SiO2/Si(100)
例１３：  Ir//PZT(001)//Ir/Ti//SiO2/Si(100)
例１４：  Ir//PZT(001)//Pt/Ti//SiO2/Si(100)
例１５：  Ir//PZT(111)//Ir/Ti//SiO2/Si(100)
例１６：  Ir//PZT(111)//Pt/Ti//SiO2/Si(100)
【００４１】
上記具体例としては圧電体薄膜をＰＺＴあるいはＰＺＴ／ＰＴの積層構造を例示したが、これらが前述のＰＭＮ、ＰＺＮ、ＰＳＮ、ＰＮＮ、ＰＭＮ−ＰＴ、ＰＳＮ−ＰＴ、ＰＺＮ−ＰＴに適宜変更させた層構成でもよい。
【００４２】
例えば、Pt/Ti//PMN(001)//Pt(111)/Ti(111)//YSZ(111)/Si(111)、
Au//PMN-PT(001)//Pt(111)/Ti(111)//YSZ(111)/Si(111)、
Pt/Ti//PMN-Pt(001)/PT(001)//Pt(111)/Ti(111)//YSZ(111)/Si(111)等のようにである。
【００４３】
（    ）で示した結晶方位は前述したように優先配向する結晶配向を示している。
【００４４】
本実施の形態によるアクチュエータは、前述のように、高配向に結晶化した圧電体薄膜を用いることにより、耐久性に優れた高密度の液体吐出ヘッドを実現できる。
【００４５】
（実施例１、２および比較例）
実施例１、２および比較例による液体吐出ヘッドであるインクジェットヘッドを以下の手順で製作した。
【００４６】
まず、本体基板部であるＳｉ基板にスパッタ法などで振動板を成膜した。このとき、基体を加熱し、４００℃以上の温度を保持しながら、成膜することによって、振動板は結晶成長し、単一配向することができた。同様の方法で下部電極を振動板に成膜することで、高配向結晶薄膜を得ることができた。
【００４７】
つぎに、図１および図２に示すプロファイルで結晶化速度を制御し、それぞれ実施例１および実施例２による圧電体薄膜を下部電極上に成膜した。このとき、堆積速度Ｓは一定に保ち、基板部の温度を最低温度２００℃から最高温度６５０℃まで変化させることで図１および図２に示す結晶化速度Ｒのプロファイルを実現することができた。
【００４８】
実施例１は、図１のプロファイルを実現させるために、成膜中にまず、基板加熱用の加熱源を基板に対して、スパッタリング開始時から徐々に引き離すことで温度制御を行い、結晶化速度Ｒを変化させた。このようにして、スパッタリングされた圧電体材料が基板上に堆積していく堆積速度Ｓに対して十分に遅い状態を作り出した。基板上に非晶質状態の圧電体薄膜層を堆積させた後、加熱源を成膜中の基板に近づけることにより、成膜された圧電体薄膜層の十分な結晶化を行う温度を与えた。その結果、薄膜全体で均一な結晶成長が可能となり、結晶性の優れた圧電体薄膜を得ることができた。
【００４９】
実施例２は、図２のプロファイルを実現させるために、図３の装置を用いた。すなわち、斜め入射の加熱源に対して基板を回転させ、非晶質堆積時間Ｃ2 と結晶化時間Ｃ3 を交互に繰り返すことで、さらに優れた結晶性を持つ圧電体薄膜を得ることができた。
【００５０】
また、比較例として、図６に示すプロファイルを実現するために、基板加熱用の加熱源を基板に対向させ、その距離とパワーを一定に保ちながら圧電体薄膜を形成した。
【００５１】
次に、実施例１、実施例２および比較例のＳｉ基板をウェットの異方性エッチングによって、後方から中央部を取り除きアクチュエータを作製した。アクチュエータの振動部の長さは５０００μｍ、幅は１００μｍである。
【００５２】
実施例１、実施例２および比較例の各層の構成、膜厚は次に示す通りである。なお、
（    ）は優先配向方向、[    ]は膜厚である。
【００５３】
上部電極Ｐｔ［０．２５μｍ］／Ｔｉ［０．０５μｍ］//圧電体薄膜ＰＺＴ（００１）［３μｍ］//下部電極［０．５μｍ］／Ｔｉ［０．０５μｍ］//振動板ＹＳＺ（１００）［２μｍ］／基板Ｓｉ（１００）［６００μｍ］
【００５４】
１８０ｄｐｉを実現するために圧力室の幅は９０μｍ、圧力室壁の厚さは５０μｍとした。また、上部電極も真空蒸着法により成膜した。
【００５５】
ＩＣＰを用いてＳｉ基板へ圧力室、液供給路を形成し、次に、液吐出口が空けられたノズルプレートを各圧力室部に対応して接合することでインクジェットヘッドを製造した。
【００５６】
表１に、実施例１、実施例２および比較例のアクチュエータにおける残留分極値２Ｐｒ（μＣ／ｃｍ2 ）をＦＣＥ（東陽テクニカ社製）を用いて測定を行った。また、圧電定数ｄ３３をＦＣＥ（東陽テクニカ製）で入力した電圧によるアクチュエータの微小変位をＡＦＭ（セイコーインスツルメンツ社製）を用いて測定を行い圧電定数ｄ３３として算出した。これらの結果を表１に示す。また、実施例１、実施例２および比較例のインクジェットヘッドに２０Ｖ、１０ｋＨｚで矩形波のパルスを印加したときの液滴の吐出量と吐出速度を示す。
【００５７】
【表１】
2007154275.tif 000003
【００５８】
表１より、実施例１に２０Ｖ矩形波パルスを印加（１０ｋＨｚ）したときの吐出量は１５ｐｌ、吐出速度は１３ｍ／ｓｅｃ、実施例２に２０Ｖ矩形波パルスを印加（１０ｋＨｚ）したときの吐出量は１６ｐｌ、吐出速度は１４ｍ／ｓｅｃであった。これに対して、比較例の吐出量、吐出速度は１２ｐｌ、１１ｍ／ｓｅｃであった。また、若干であったが、比較例のものは耐久試験により１０8 回程度で剥離が生じ、不吐出のノズル部分が発生した。それに対して、実施例１、２は１０8 回をこえても不吐ノズルはなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】実施例１による制御プロファイルを示すグラフである。
【図２】実施例２による制御プロファイルを示すグラフである。
【図３】実施例２に用いる成膜装置を説明する図である。
【図４】液体吐出ヘッドの構成を示す分解斜視図である。
【図５】図４の液体吐出ヘッドの一部分を拡大して示す部分断面図である。
【図６】比較例による制御プロファイルを示すグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
１    本体基板部
２    液吐出口
３    圧力室
１０    アクチュエータ
１２    圧電体薄膜
１０１    チャンバー
１０２    ターゲッド
１０３    ホルダ
１０４    加熱源
【図１】
2007154275.tif 000004
【図２】
2007154275.tif 000005
【図３】
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【図４】
2007154275.tif 000007
【図５】
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【図６】
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