(57)【要約】【課題】記憶装置を、格納するデータに見合った性能とすることができるストレージ装置を提供する。【課題手段】ＶＤ２０は、計算機５０から見える仮想的な記憶装置であり、１つ以上のＲＤ３０で構成される。状態格納装置４０は、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を変更するためのトリガー条件を記憶する。状態格納装置４０の制御機構は、ＶＤ２０に対するアクセス頻度が、トリガー条件が示すしきい値以下となると、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を、現在ＶＤ２０を構成しているＲＤ３０に比して性能が低く安価なＲＤ３０に変更する。【選択図】図１
2007272721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納する複数の実記憶装置と、
１つ以上の前記実記憶装置によって構成され、計算機からデータのアクセス要求を受け付けて、前記実記憶装置へのアクセスを制御する仮記憶装置と、
前記仮記憶装置へのアクセス要求の発生情報に基づいて、該仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更する制御機構とを備えることを特徴とするストレージ装置。
【請求項２】
前記制御機構は、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置とは異なる性能を有する実記憶装置に変更する、請求項１に記載のストレージ装置。
【請求項３】
前記制御機構は、前記アクセス要求の発生情報に基づいて、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更を実施する条件を定めたトリガー条件に合致するか否かを判断し、合致すると判断すると前記実記憶装置の変更を実行する、請求項１又は２に記載のストレージ装置。
【請求項４】
前記トリガー条件が、前記仮記憶装置に対するアクセス頻度のしきい値であり、前記制御機構は、前記仮記憶装置に対するアクセス頻度と、前記トリガー条件が示すアクセス頻度のしきい値とに基づいて、前記トリガー条件に合致するか否かを判断する、請求項３に記載のストレージ装置。
【請求項５】
前記トリガー条件が、第１のアクセス頻度のしきい値を含み、前記制御機構は、前記アクセス頻度が、前記第１のアクセス頻度のしきい値以下であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が低い実記憶装置に変更する、請求項４に記載のストレージ装置。
【請求項６】
前記トリガー条件が、第２のアクセス頻度のしきい値を含み、前記制御機構は、前記アクセス頻度が、前記第２のアクセス頻度のしきい値以上であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が高い実記憶装置に変更する、請求項５に記載のストレージ装置。
【請求項７】
前記トリガー条件が、前記仮記憶装置に対するアクセス時間間隔のしきい値であり、前記制御機構は、前記仮記憶装置に対するアクセス時間間隔と、前記トリガー条件が示すアクセス時間間隔のしきい値とに基づいて、前記トリガー条件に合致するか否かを判断する、請求項３に記載のストレージ装置。
【請求項８】
前記トリガー条件が、第１のアクセス時間間隔のしきい値を含み、前記制御機構は、前記アクセス時間間隔が、前記第１のアクセス時間間隔のしきい値以上であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が低い実記憶装置に変更する、請求項７に記載のストレージ装置。
【請求項９】
前記トリガー条件が、第２のアクセス時間間隔のしきい値を含み、前記制御機構は、前記アクセス時間間隔が、前記第２のアクセス時間間隔のしきい値以下であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が高い実記憶装置に変更する、請求項８に記載のストレージ装置。
【請求項１０】
前記仮記憶装置及び実記憶装置には、記憶装置の性能に応じた属性が設定されており、前記仮記憶装置は、該仮記憶装置に設定された属性と同じ属性に設定された実記憶装置で構成される、請求項１〜９の何れか一に記載のストレージ装置。
【請求項１１】
前記制御機構は、前記実記憶装置の変更前の仮記憶装置の属性と、属性間の遷移のルールを定めた状態遷移情報とに基づいて、変更後の仮記憶装置の属性を決定する、請求項１０に記載のストレージ装置。
【請求項１２】
前記仮記憶装置に設定された属性、前記仮記憶装置に対するアクセス要求の発生情報、前記トリガー条件、前記仮記憶装置と前記実記憶装置との対応関係、前記実記憶装置に設定された属性、及び、前記状態遷移情報を記憶する状態格納装置を有する、請求項１１に記載のストレージ装置。
【請求項１３】
前記仮記憶装置に対する容量追加要求を受け、該要求に従って、前記仮記憶装置に対して実記憶装置を追加する制御部を更に備える、請求項１〜１２の何れか一に記載のストレージ装置。
【請求項１４】
前記仮記憶装置に対する容量削減要求を受け、該要求に従って、前記仮記憶装置を構成する前記実記憶装置のうちの一部を開放する制御部を更に備える、請求項１〜１２の何れか一に記載のストレージ装置。
【請求項１５】
データを格納する複数の実記憶装置と、１つ以上の前記実記憶装置によって構成され、計算機からデータのアクセス要求を受け付けて、前記実記憶装置へのアクセスを制御する仮記憶装置とを備えるストレージ装置を制御する方法であって、
前記仮記憶装置へのアクセス要求の発生情報に基づいて、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更することを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更では、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置とは異なる性能を有する実記憶装置に変更する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アクセス要求の発生情報に基づいて、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更を実施する条件を定めたトリガー条件に合致するか否かを判断し、合致すると判断すると、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更を実行する、請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記トリガー条件が、前記仮記憶装置に対するアクセス頻度のしきい値であり、前記仮記憶装置に対するアクセス頻度と、前記トリガー条件が示すアクセス頻度のしきい値とに基づいて、前記トリガー条件に合致するか否かを判断する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記トリガー条件が、第１のアクセス頻度のしきい値を含み、前記アクセス頻度が、前記第１のアクセス頻度のしきい値以下であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が低い実記憶装置に変更する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記トリガー条件が、第２のアクセス頻度のしきい値を含み、前記アクセス頻度が、前記第２のアクセス頻度のしきい値以上であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が高い実記憶装置に変更する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記トリガー条件が、前記仮記憶装置に対するアクセス時間間隔のしきい値であり、前記仮記憶装置に対するアクセス時間間隔と、前記トリガー条件が示すアクセス時間間隔のしきい値とに基づいて、前記トリガー条件に合致するか否かを判断する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記トリガー条件が、第１のアクセス時間間隔のしきい値を含み、前記アクセス時間間隔が、前記第１のアクセス時間間隔のしきい値以上であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が低い実記憶装置に変更する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記トリガー条件が、第２のアクセス時間間隔のしきい値を含み、前記アクセス時間間隔が、前記第２のアクセス時間間隔のしきい値以下であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が高い実記憶装置に変更する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記仮記憶装置及び実記憶装置には、記憶装置の性能に応じた属性が設定されており、前記仮記憶装置は、該仮記憶装置に設定された属性と同じ属性に設定された実記憶装置で構成される、請求項１５〜２３の何れか一に記載の方法。
【請求項２５】
前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更では、変更前の仮記憶装置の属性と、属性間の遷移のルールを定めた状態遷移情報とに基づいて、変更後の仮記憶装置の属性を決定する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
更に、前記仮記憶装置に対する容量追加要求を受け、該要求に従って、前記仮記憶装置に対して前記実記憶装置を追加する、請求項１５〜２５の何れか一に記載の方法。
【請求項２７】
更に、前記仮記憶装置に対する容量削減要求を受け、該要求に従って、前記仮記憶装置を構成する前記実記憶装置のうちの一部を開放する、請求項１５〜２５の何れか一に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ストレージ装置に関し、更に詳しくは、情報ライフサイクル管理（ＩＬＭ：Information Lifecycle Management）のプランニングを自動的に実行するストレージ装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ストレージ装置に格納されたデータの情報格納場所の最適化を行う技術がある。この技術の背景技術としては、データ格納に関する技術及びデータ再配置に関する技術がある。これらの技術は、その目的から、以下に示す技術に分類される。
（１）可用性向上や性能向上を目的としたデータ格納技術、データ再配置技術
（２）ＲＡＩＤと呼ばれる既知の技術を応用したその他の技術
【０００３】
上記（１）に属する技術としては、特許文献１〜６に記載された技術がある。特許文献１ではディスク使用率の平準化を目的としてデータ再配置を行う。特許文献２では、負荷予測に基づいてデータを移動する。特許文献３では、蓄積情報からの将来の利用率予測に基づく筐体間データ移動によって、データを再配置する。特許文献４では、性能を考慮して格納場所を交換して、データの再配置を行う。特許文献５では、性能向上を目的として、フラグメンテーションを解消する。特許文献６では、複数筐体間でデータの再配置を行う。上記（２）に属する技術としては、特許文献７、８に記載された技術がある。特許文献７には、ディスクアレイ装置に関して動的に記憶容量を拡張する技術が記載されている。また、特許文献８には、ＲＡＩＤコントローラーに関する技術が記載されている。
【０００４】
ここで、特許文献９には、ストレージ装置の低消費電力化を目的として、記憶装置内でデータの格納場所を移動する技術が記載されている。この技術では、記憶装置を、高性能の記憶装置、中程度の性能の記憶装置、及び、低性能の記憶装置で構成する。特許文献９では、記憶装置に格納されたデータのアクセス頻度を検出し、アクセス頻度が高いデータを性能が高い記憶装置に移動し、アクセス頻度が低いデータを性能が低い記憶装置に移動する。特許文献９では、このようにすることで、低性能の記憶装置にアクセス頻度が低いデータを集めることができ、低性能の記憶装置を休止状態とすることで、消費電力を削減できるとしている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−６７１８７号公報
【特許文献２】特開２００３−２１６４６０号公報
【特許文献３】特開２００３−３４５５２２号公報
【特許文献４】特開２００４−２７２３２４号公報
【特許文献５】特開２００５−２８４６３２号公報
【特許文献６】特開２００５−２７６０１７号公報
【特許文献７】特開２００３−２２３２８４号公報
【特許文献８】特開２００５−２９３３６３号公報
【特許文献９】特開２００３−１０８３１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記（１）の従来技術は、特に性能（可用性）向上や性能維持について着目しており、高負荷状況に陥った場合や高負荷状況に陥ると予測される場合に、データが格納されている場所を交換し、或いは、データを複数の場所に分散させている。しかし、これら従来技術において、高性能・高品質なシステムを提供するためには、高価な外部記憶装置を使用する必要がある。データには、場合によっては消失してもいいような重要度の低いデータも存在するが、上記（１）の技術では、高価な外部記憶装置を用いて、重要なデータのみを再配置の対象としており、経済的無駄の発生については、考慮されていない。
【０００７】
また、上記（１）の技術では、高機能・高性能を実現するために、データ格納場所の交換やデータの分散のための複雑な制御や仕組みが必要である。このため、データ再配置判定処理やデータ再配置処理に関する負荷が高く、高速・高性能な外部記憶装置を用いた場合でも、これら処理によって処理遅延が発生するという問題もある。また、過度のアクセスによって、外部記憶装置の物理的な故障を誘発する危険もある。上記（２）の技術は、直接にデータの再配置を行う技術ではない。
【０００８】
特許文献９では、低消費電力を目的として、アクセス頻度が低いデータを、性能が低い記憶装置に移動させる。しかし、特許文献９に記載の技術において、記憶装置が格納するデータ全体についてアクセス頻度が下がった場合には、全てのデータが低性能の記憶装置に移動されることになり、記憶装置内に用意された高性能の記憶装置に空きが発生して無駄が生じることになる。また、全てのデータを低性能の記憶装置に記憶しきれないときには、アクセス頻度が低いデータを、中程度の性能の記憶装置や高性能の記憶装置に記憶する必要があり、重要でないデータが高性能の記憶装置に記憶されることで、経済的な無駄が発生するという問題もある。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消し、記憶装置を、格納するデータに見合った性能とすることができるストレージ装置及びその制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のストレージ装置はデータを格納する複数の実記憶装置と、１つ以上の前記実記憶装置によって構成され、計算機からデータのアクセス要求を受け付けて、前記実記憶装置へのアクセスを制御する仮記憶装置と、前記仮記憶装置へのアクセス要求の発生情報に基づいて、該仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更する制御機構とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明のストレージ装置の制御方法は、データを格納する複数の実記憶装置と、１つ以上の前記実記憶装置によって構成され、計算機からデータのアクセス要求を受け付けて、前記実記憶装置へのアクセスを制御する仮記憶装置とを備えるストレージ装置を制御する方法であって、前記仮記憶装置へのアクセス要求の発生情報に基づいて、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更することを特徴とする。
【００１２】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、１つ以上の実記憶装置で構成される仮記憶装置に対するアクセスの発生情報に基づいて、仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更する。例えば、仮記憶装置が記憶するデータの利用価値が低く、アクセスが少なくなったときには、仮記憶装置を構成する実記憶装置を、低性能で安価な実記憶装置に変更する。この場合には、仮記憶装置を、格納するデータに見合った性能とすることができ、経済性を向上できる。また、データの利用価値が高く、アクセスが多い場合には、仮記憶装置を構成する実記憶装置を、高性能で高価な実記憶装置に変更する。この場合にも、仮記憶装置を、格納するデータに見合った性能とすることができる。更に、仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更によって、仮記憶装置から開放された実記憶装置を、他の仮記憶装置によって使用可能な状態とすることで、実記憶装置の有効活用を図ることができる。
【００１３】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置とは異なる性能を有する実記憶装置で前記仮記憶装置を定義して、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更する構成を採用できる。実記憶装置の性能指標としては、記憶装置の速度性能や、記憶容量を用いることができる。
【００１４】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記アクセス要求の発生情報に基づいて、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更を実施する条件を定めたトリガー条件に合致するか否かを判断し、合致すると判断すると前記実記憶装置の変更を実行する構成を採用できる。トリガー条件に合致するか否かの判断は、例えば、所定の時間間隔で行うことができる。或いは、仮記憶装置に対するアクセスがあったタイミングに基づいて行ってもよい。
【００１５】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記トリガー条件が、前記仮記憶装置に対するアクセス頻度のしきい値であり、前記仮記憶装置に対するアクセス頻度と、前記トリガー条件が示すアクセス頻度のしきい値とに基づいて、前記トリガー条件に合致するか否かを判断する構成を採用できる。
【００１６】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記トリガー条件が、第１のアクセス頻度のしきい値を含み、前記アクセス頻度が、前記第１のアクセス頻度のしきい値以下であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が低い実記憶装置に変更する構成を採用できる。この場合、アクセス頻度が低い仮記憶装置の性能を低くすることで、アクセス頻度が低いデータを格納する仮記憶装置を安価な実記憶装置で構成できる。また、性能が高い実記憶装置を他の仮記憶装置で使用可能とすることで、実記憶装置の有効活用を図ることができる。
【００１７】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記トリガー条件が、第２のアクセス頻度のしきい値を含み、前記アクセス頻度が、前記第２のアクセス頻度のしきい値以上であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が高い実記憶装置に変更する構成を採用できる。この場合、アクセス頻度が高い仮記憶装置を、性能が高い実記憶装置に変更することで、アクセス頻度が高いデータに対して高速にアクセスできる。
【００１８】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記トリガー条件が、前記仮記憶装置に対するアクセス時間間隔のしきい値であり、前記仮記憶装置に対するアクセス時間間隔と、前記トリガー条件が示すアクセス時間間隔のしきい値とに基づいて、前記トリガー条件に合致するか否かを判断する構成を採用できる。トリガー条件としては、アクセス頻度のほか、アクセスの時間間隔を用いることができる。
【００１９】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記トリガー条件が、第１のアクセス時間間隔のしきい値を含み、前記アクセス時間間隔が、前記第１のアクセス時間間隔のしきい値以上であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が低い実記憶装置に変更する構成を採用できる。
【００２０】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記トリガー条件が、第２のアクセス時間間隔のしきい値を含み、前記アクセス時間間隔が、前記第２のアクセス時間間隔のしきい値以下であると、前記トリガー条件に合致したと判断し、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置を、前記仮記憶装置を構成していた実記憶装置よりも性能が高い実記憶装置に変更する構成を採用できる。
【００２１】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記仮記憶装置及び実記憶装置には、記憶装置の性能に応じた属性が設定されており、前記仮記憶装置は、該仮記憶装置に設定された属性と同じ属性に設定された実記憶装置で構成される構成を採用できる。
【００２２】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更では、前記実記憶装置の変更前の仮記憶装置の属性と、属性間の遷移のルールを定めた状態遷移情報とに基づいて、変更後の仮記憶装置の属性を決定する構成を採用できる。仮記憶装置及び実記憶装置の属性として、複数の属性を定義してその属性間の状態遷移のルールを作成しておき、仮記憶装置を構成する実記憶装置の変更に際しては、作成したルールに従って、構成する実記憶装置を変更した後の仮記憶装置の属性を決定し、仮記憶装置を、変更後の属性と同じ属性の実記憶装置で構成するように、実記憶装置の変更を実施すればよい。
【００２３】
本発明のストレージ装置は、前記仮記憶装置に設定された属性、前記仮記憶装置に対するアクセス要求の発生情報、前記トリガー条件、前記仮記憶装置と前記実記憶装置との対応関係、前記実記憶装置に設定された属性、及び、前記状態遷移情報を記憶する状態格納装置を有する構成を採用できる。この場合、各種情報を１箇所で管理することで、情報管理が容易となる。
【００２４】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記仮記憶装置に対する容量追加要求を受け、該要求に従って、前記仮記憶装置に対して実記憶装置を追加する構成を採用できる。実記憶装置の追加に際しては、仮記憶装置と対応する実記憶装置を追加すればよく、仮記憶装置の記憶容量を、簡易に増加できる。
【００２５】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、前記仮記憶装置に対する容量削減要求を受け、該要求に従って、前記仮記憶装置を構成する前記実記憶装置のうちの一部を開放する構成を採用できる。この場合、仮記憶装置を構成していた実記憶装置の一部を開放することで、開放された実記憶装置は、他の仮記憶装置で使用可能な状態となり、実記憶装置の有効活用を図ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のストレージ装置及びその制御方法では、１つ以上の実記憶装置で構成される仮記憶装置に対するアクセスの発生情報に基づいて、仮記憶装置を構成する実記憶装置を変更する。仮記憶装置を構成する実記憶装置を、仮記憶装置対するアクセスの発生情報に基づいて変更することで、仮記憶装置の性能を、格納するデータに見合った性能とすることができ、経済性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態のストレージ装置の構成を示している。ストレージ装置１０は、仮記憶装置（以下、ＶＤとも呼ぶ）２０と、実記憶装置（以下、ＲＤとも呼ぶ）３０と、状態格納装置４０とを有する。ＶＤ２０は、ストレージ装置１０を利用する計算機５０から見える仮想的な記憶装置であり、１つ以上のＲＤ３０を用いて定義される。同図では、ＶＤ２０を１つだけ図示しているが、複数のＶＤ２０を定義することもでき、例えば、ＶＤ２０を、業務ごとに定義する。具体的には、ある業務に対応して、画像データを格納するＶＤ２０を定義し、また、他の業務に対応して、音声データを格納するＶＤ２０を定義する。
【００２８】
図２は、ＶＤ２０、ＲＤ３０、及び、状態格納装置４０の詳細を示している。ＶＤ２０は、制御機構２１とメモリ２２とを有する。制御機構２１は、計算機５０からのＶＤ２０に対するアクセスを管理する。メモリ２２は、ＶＤ２０についての各種制御情報を記憶する。ＲＤ３０は、制御機構３１と二次記憶媒体３２とメモリ３３とを有する。二次記憶媒体３２は、ＶＤ２０が記憶するデータを、実際に記憶する記憶媒体として構成される。制御機構３１は、二次記憶媒体３２に対するデータの入出力を行う。メモリ３３は、実記憶装置に関する各種制御情報を格納する。
【００２９】
ＲＤ３０は、単一の物理的な記憶装置として構成されるほか、１つの物理的な記憶装置を複数の記憶領域に分割し、分割された各領域をＲＤ３０として構成することもできる。例えば、大容量のディスク装置を、３つの記憶領域に分割して、それら３つの記憶領域を、それぞれＲＤ３０とすることができる。計算機５０からＶＤ２０に対して要求された、リードやライトなどの各種情報操作要求は、ＶＤ２０の制御機構２１を介してＲＤ３０の制御機構３１に渡され、ＲＤ３０にて、二次記憶媒体３２に対するリード／ライトが実行される。
【００３０】
ＶＤ２０には、記憶装置の速度性能や容量に応じた属性が設定される。図３は、属性設定の具体例を示している。この例では、速度性能や容量に応じて領域Ｉ〜領域Ｖの５つの属性が定義されており、ＶＤ２０には、これらのうちの何れかの属性が設定される。例えば、高負荷が想定される業務に対応するＶＤ２０には、領域Ｉの属性が設定される。また、負荷が軽いと想定される業務に対応するＶＤ２０には、領域ＩＩＩの属性が設定される。また、ＲＤ３０に対しても、記憶装置の速度性能や容量に応じて、図３に示す属性と同様な属性が設定される。ＶＤ２０は、設定された設定された領域と同じ領域の属性が設定されたＲＤ３０を用いて定義される。
【００３１】
例えば、領域ＩのＲＤ３０には、二次記憶媒体３２として、電子ディスクや高速回転のファイバチャネルハードディスクが実装される。また、領域ＩＩのＲＤ３０には、大容量のATAハードディスクや大容量のファイバチャネルハードディスクが実装される。領域ＩＩＩのＲＤ３０には、低速回転のファイバチャネルハードディスクが実装される。領域ＩＶのＲＤ３０には、大容量のATAハードディスクや、磁気テープ、光ディスク、光磁気ディスク、別筐体のストレージ装置などが実装される。領域Ｖについては、用途が特定されていないため、種々の二次記憶媒体３２を実装したものを、領域Ｖに設定する。
【００３２】
図２に戻り、状態格納装置４０は、制御機構４１と、メモリ４２とを有する。メモリ４２は、ＶＤ２０についての各種情報、ＲＤ３０についての各種情報、及び、ＶＤ２０の属性を変更する際に使用される情報を保持する。メモリ４２は、ＶＤ２０ごとに、ＶＤ２０に設定された属性を示す情報と、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を特定する情報を保持する。また、ＶＤ２０に対するアクセス頻度を示す情報を保持する。メモリ４２は、ＲＤ３０ごとに、ＲＤ３０に設定された属性を示す情報を保持する。メモリ４２には、ＶＤ２０の属性を変更する際に使用される情報として、属性変更を実行する条件を示すトリガー条件が記憶される。また、属性変更に際して、ＶＤ２０をどの属性に設定するかを決定する際に参照される状態遷移情報が記憶される。
【００３３】
トリガー条件は、例えば、ＶＤ２０に対するアクセス頻度のしきい値である。制御機構４１は、メモリ４２を参照して、ＶＤ２０に対するアクセス頻度と、トリガー条件で示される属性変更の実行の条件となるアクセス頻度とを比較し、属性変更を実行するか否かを決定する。例えば、ＶＤ２０を、より性能が低く安価な記憶装置とする方向へ属性変更する際のトリガー条件として、「３回／日」が設定されていたときには、ＶＤ２０に対するアクセス頻度が「３回／日」以下であると、トリガー条件に合致したと判断してＶＤ２０の属性変更を実行すると決定する。属性変更を行うと決定した場合、制御機構４１は、現在のＶＤ２０の属性と、メモリ４２が記憶する状態遷移情報とに基づいて、変更後の属性を決定する。
【００３４】
図４は、ＶＤ２０を、より性能が低く安価な記憶装置とする方向へ属性変更する際の状態遷移情報で定義される状態遷移の様子を模式的に示している。この例では、状態遷移情報は、領域Ｉに設定されていたＶＤ２０を属性変更によって領域Ｖに設定し、領域Ｖに設定されていたＶＤ２０を属性変更によって領域ＩＶに設定する状態遷移のルールを定義している。また、領域ＩＩ及び領域ＩＩＩに設定されたＶＤ２０を属性変更によって領域ＩＶに設定する状態遷移のルールを定義している。なお、既に領域ＩＶに設定されていたＶＤ２０については、領域ＩＶよりも性能が低く安価な記憶装置がないため、属性変更は行わない。
【００３５】
制御機構４１は、属性変更後のＶＤ２０の属性を決定すると、未使用状態のＲＤ３０の中から、属性変更後の領域のＲＤ３０を確保する。その後、確保したＲＤ３０に、現在ＶＤ２０のデータを記憶しているＲＤ３０内のデータを複写する。制御機構４１は、ＶＤ２０とＲＤ３０との対応関係を更新し、データを複写したＲＤ３０をＶＤ２０のデータを記憶する実記憶装置として登録すると共に、ＶＤ２０を構成していたＲＤ３０を開放する。
【００３６】
図５は、ストレージ装置１０の動作手順を示している。以下では、ＶＤ２０の属性を、より低性能な領域の方向に属性変更する際の動作について説明する。例えば、当初、高負荷が想定されるために、ＶＤ２０を、領域Ｉに属する、最も高性能な二次記憶媒体３２（図２）を実装するＲＤ３０で構成したとする。その後、業務がある程度の期間継続した時点で、ＶＤ２０内のデータの使用頻度が当初見込まれていたほどではなかった場合には、ＶＤ２０は、領域Ｉの高性能のＲＤ３０で構成するに値しない状態となる。そこで、ＶＤ２０の属性変更を実施し、ＶＤ２０の属性を低性能側にシフトして、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を、格納するデータに見合った性能のＲＤ３０に変更する。
【００３７】
状態格納装置４０の制御機構４１は、周期的に、メモリ４２から、ＶＤ２０のアクセス頻度を取得する（ステップＳ１）。このアクセス頻度の取得は、例えば、１日に１回行う。或いは、ＶＤ２０に対するアクセスがあったタイミングに基づいて行ってもよい。制御機構４１は、取得したＶＤ２０に対するアクセス頻度と、メモリ４２が記憶するトリガー条件とを比較し、トリガー条件に合致するか否か、つまり、取得したアクセス頻度が、トリガー条件が示すアクセス頻度以下であるか否かを判断する（ステップＳ２）。取得したアクセス頻度が、トリガー条件が示すアクセス頻度よりも大きい場合には、そのまま処理を終了する。
【００３８】
制御機構４１は、ステップＳ１で取得したアクセス頻度が、トリガー条件が示すアクセス頻度以下であると判断すると、現在のＶＤ２０の属性と、メモリ４２が記憶する状態遷移情報とに基づいて、変更後の属性を決定する（ステップＳ３）。メモリ４２に記憶された状態遷移情報が、図４に示す内容であった場合には、ステップＳ３では、領域ＩのＶＤ２０の属性変更後の属性として、領域Ｖを決定する。
【００３９】
制御機構４１は、ステップＳ３で決定された属性に設定され、かつ、現在使用可能な状態にあるＲＤ３０を、ＶＤ２０を構成する実記憶装置として確保する（ステップＳ４）。このＲＤ３０の確保では、確保したＲＤ３０の全容量が、ＶＤ２０に必要な容量を下回らないように、ＲＤ３０を確保する。制御機構４１は、ＲＤ３０を確保すると、現在ＶＤ２０を構成しているＲＤ３０から、ステップＳ４で確保したＲＤ３０に、データを複写する（ステップＳ５）。この様子を、図６に示す。この例では、ＶＤ２０を構成する、領域Ｉのｎ台のＲＤ３０から、ステップＳ４で確保された、領域Ｖのｍ台のＲＤ３０に、データをコピーする。
【００４０】
制御機構４１は、データの複写後、メモリ４２内のＶＤ２０に設定された属性を示す情報を「領域Ｖ」を示す情報に更新すると共に、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を特定する情報を、領域ＩのＲＤ３０−１〜３０−ｎ（図６）から領域ＶのＲＤ３０−１〜３０−ｍに更新する（ステップＳ６）。その後、ＶＤ２０を構成していたＲＤ３０を開放する（ステップＳ７）。この様子を、図７、図８に示す。図７で、領域ＩのＲＤ３０−１〜ＲＤ３０−ｎを開放することで、図８に示すように、ＶＤ２０は、領域ＶのＲＤ３０−１〜ＲＤ３０−ｍで構成されるようになる。開放された領域ＩのＲＤ３０−１〜ＲＤ３０−ｎは、他の業務に使用可能な状態となる。
【００４１】
本実施形態では、トリガー条件に基づいて、ＶＤ２０の属性変更を実施し、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０の変更（付け替え）を行う。例えば、アクセス頻度の少ないデータを格納するＶＤ２０については、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０を、より低性能で安価なＲＤ３０に変更することで、ＶＤ２０を、格納するデータの利用価値に見合った実記憶装置で構成することができ、投資対効果の高いストレージ装置を提供することができる。この効果は、特に、ＶＤ２０が格納するデータの利用価値が時間経過と共に低下する場合に顕著である。
【００４２】
また、計算機５０からは、ＶＤ２０のみがアクセス対象の記憶装置として見え、実際にデータを記憶するＲＤ３０は、計算機５０側からは見えない。このため、実際のデータの格納先であるＲＤ３０の変更は、計算機５０に影響を与えず、ＲＤ３０の変更に際して、システムを停止させる必要がない。また、計算機５０は、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０が変更された場合でも、そのことを意識することなく継続してデータにアクセスすることができる。
【００４３】
本実施形態では、ＶＤ２０の属性変更を実施する際には、ＶＤ２０を構成していたＲＤ３０から属性変更後のＲＤ３０にデータをコピーし、ＶＤ２０が属性変更後のＲＤ３０で構成されるように、ＶＤ２０とＲＤ３０との対応関係を更新する。このように、本実施形態では、データ格納場所の最適化を、データのコピーと、ＶＤ２０とＲＤ３０の対応関係の更新とで実現しており、最適化にあたって、複雑な管理・制御は必要ない。このため、ストレージ装置１０内の制御のための回路を簡素な構成とすることができ、複雑な管理・制御を行う場合に比して、ストレージ装置の故障率を低下させることができる。また、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０の変更を、自動的に行うことにより、ストレージ装置１０の運用管理コストを削減することができる。
【００４４】
上記では、アクセス頻度が低いＶＤ２０を構成するＲＤ３０を、低性能で安価なＲＤ３０に変更する例を示したが、これとは逆に、ＶＤ２０を、より性能が高く高価な記憶装置とする方向へ属性変更することもできる。この場合には、ＶＤ２０の性能を上げる方向に属性変更する際のトリガー条件、及び、状態遷移のルールを用いて、アクセス頻度が、トリガー条件が示すアクセス頻度のしきい値以上となったときに、ＶＤ２０が、より高性能で高価なＲＤ３０で構成されるように、属性変更すればよい。このようにする場合には、そのＶＤ２０に格納されたデータに対するアクセスを高速化できるという効果がある。
【００４５】
また、本実施形態では、計算機５０に対して、ＶＤ２０を記憶装置として見せており、ＶＤ２０とＲＤ３０との対応関係は柔軟に設定できるため、例えば、計算機５０が要求する容量が増加した場合には、図示しない制御部を用いて、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０に、新たにＲＤ３０を追加すればよく、容量不足が発生してデータ蓄積不能状態に陥ることや、一時的に作業領域が不足することに伴う業務停止を防ぐことができる。これとは逆に、当初、ＶＤ２０に大きな容量を確保したが、実際にはそれほど大きな容量が必要なかった場合には、制御部により、ＶＤ２０を構成するＲＤ３０の一部を開放することができ、開放したＲＤ３０を他の計算機５０で使用可能な状態とすることで、ＲＤ３０の有効活用を図ることができる。
【００４６】
本実施形態では、トリガー条件や、ＶＤ２０のアクセス頻度、ＶＤ２０とＲＤ３０との対応関係を、ＶＤ２０及びＲＤ３０から独立した状態格納装置４０内のメモリ４２に記憶する。このように、各種データの保存先を、ＶＤ２０、ＲＤ３０から独立させることで、データの管理が容易となる。また、トリガー条件の変更に際して、ＶＤ２０、ＲＤ３０にはなんら影響を与えないため、ストレージ装置１０の運用中にトリガー条件を変更する場合でも、ＶＤ２０、ＲＤ３０を停止させる必要がない。
【００４７】
なお、上記実施形態では、トリガー条件として、アクセス頻度を用いたが、これには限定されない。トリガー条件としては、例えば、ＶＤ２０に対する前回のアクセス発生時刻から、次のアクセスが発生するまでの間の時間間隔のしきい値を用いることができる。この場合、アクセスの時間間隔が、トリガー条件が示すしきい値以上となったときに、ＶＤ２０に対するアクセスが少ないと判断して、ＶＤ２０を、性能が低い方向へ属性変更する構成を採用できる。また、アクセス時間間隔が、トリガー条件が示す別のしきい値以下となったときに、ＶＤ２０に対してアクセスが多いと判断して、ＶＤ２０を、性能が高い方向へ属性変更する構成を採用できる。
【００４８】
図９は、本発明の変形例のＶＤ２０、ＲＤ３０、及び、状態格納装置４０の詳細を示している。同図に示すように、ＶＤ２０、ＲＤ３０、及び、状態格納装置４０内に、それぞれバッテリー２３、３４、４３を配置することにより、各装置内のメモリの情報の消失を防ぐことができる。図１０は、ＲＤ３０の構成を示している。ＲＤ３０の二次記憶媒体３２としては、磁気ディスク以外にも、電磁的、光学的に情報を記憶するその他の記憶媒体を用いることができ、例えば、図１０に例示するように、電子ディスク、磁気ディスク、磁気テープ、光ディスクを用いることができる。
【００４９】
また、ＲＤ３０としては、ＲＡＩＤなどの既存技術を用いて、複数の実記憶装置を１つの実記憶装置として構成したものを用いることもできる。図１１及び図１２は、複数の実記憶装置により構成されるＲＤの具体例を示している。図１１では、２つの実記憶装置の制御機構を連携させて、２つの物理ディスクを２つ並列に接続してＲＤ３０ｂを構成している。図１２では、ＲＤ３０ｃは、ＲＡＩＤ制御機構３５を有しており、複数の二次記憶媒体３２である磁気ディスクを１つの実記憶装置として見せている。このようにすることで、情報の消失防止や性能向上を実現できる。ＶＤ２０とＲＤ３０とは、必ずしも同一筐体内に存在している必要はなく、別筐体として実装することもできる。
【００５０】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明のストレージ装置及びその制御方法は、上記実施形態例にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態のストレージ装置の構成を示すブロック図。
【図２】仮記憶装置、実記憶装置、及び、状態格納装置の詳細を示すブロック図。
【図３】属性設定の具体例を示す模式図。
【図４】仮記憶装置を、より性能が低く安価な記憶装置とする方向へ属性変更する際の状態遷移情報で定義される状態遷移の様子を示す模式図。
【図５】ストレージ装置の動作手順を示すフローチャート。
【図６】確保した実記憶装置にデータを複写する際の様子を模式的に示すブロック図。
【図７】仮記憶装置と実記憶装置との対応関係を変更する際の様子を模式的に示すブロック図。
【図８】実記憶装置変更後の仮記憶装置の様子を模式的に示すブロック図。
【図９】本発明の変形例の仮記憶装置、実記憶装置、及び、状態格納装置の詳細を示すブロック図。
【図１０】種々の二次記憶媒体を有するＲＤ３０の構成を示すブロック図。
【図１１】複数の実記憶装置で定義される実記憶装置の構成を示すブロック図。
【図１２】ＲＡＩＤで構成される実記憶装置の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００５２】
１０：ストレージ装置
２０：仮記憶装置
２１：制御機構
２２：メモリ
２３：バッテリー
３０：実記憶装置
３１：制御機構
３２：二次記憶媒体
３３：メモリ
３４：バッテリー
４０：状態格納装置
４１：制御機構
４２：メモリ
４３：バッテリー
５０：計算機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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