(57)【要約】【課題】一方向凝固により鋳造した柱状組織から成る多結晶シリコン鋳片の破砕方法に関し、簡易に大量に、歩留良く目的の粒径への破砕が可能で、破砕時の汚染も少なく、かつ破砕時の汚染を容易に除去できる破砕方法を提供することを目的とする。【解決手段】一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち、少なくとも1面について、一方向凝固させた柱状組織の成長方向を横切らない方向に1本以上のスリットを削り込んだ後に破砕することを特徴とする多結晶シリコンの破砕方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち、少なくとも1面について、一方向凝固させた柱状組織の成長方向を横切らない方向に1本以上のスリットを削り込んだ後に破砕することを特徴とする多結晶シリコンの破砕方法。
【請求項２】
一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち、少なくとも1面について、一方向凝固させた柱状組織の成長方向を横切らない方向に1本以上のスリットを削り込んだ後、前記多結晶シリコン鋳片をプレス機の加圧面により加圧して破砕することを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンの破砕方法。
【請求項３】
プレス機の加圧面を突起を有する形状とし、多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち少なくとも1面について突起の位置とスリット位置が一致するようにスリットを削り込んだ後、前記の突起位置とスリット位置が一致するようにプレス機で加圧して破砕することを特徴とする請求項２に記載の多結晶シリコンの破砕方法。
【請求項４】
プレス機の加圧面および受圧面を突起を有する形状とし、多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち少なくとも1面について加圧面の突起の位置とスリット位置が一致するようにスリットを削り込んだ後、前記の加圧面の突起位置とスリット位置を一致させ、かつ突起を有した受圧面の上に多結晶シリコン鋳片を配した状態で、プレス機で加圧して破砕することを特徴とする請求項２または３に記載の多結晶シリコンの破砕方法。
【請求項５】
加圧面の材質または加圧面と受圧面の材質が強磁性体から成るプレス機を用いて多結晶シリコン鋳片を破砕した後、加圧面の材質または加圧面と受圧面の材質からの汚染元素を磁選処理により除去することを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載の多結晶シリコンの破砕方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池用多結晶シリコン基板の製造原料となる、多結晶シリコン鋳片の破砕方法に関する。より詳しくは、破砕工程の汚染を極力防止した、効率的な多結晶シリコン鋳片の破砕方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池に使用されるシリコンは一般に99.9999質量％程度の純度が必要とされ、各種金属不純物は0.1質量ppm以下、又、Ｂは少なくとも0.3質量ppm以下、好ましくは0.1質量ｐｐｍ以下であることが要求される。この純度を満たすシリコンとしては、半導体用シリコン、すなわち、シリコン塩化物を蒸留後熱分解して高純度シリコンを得るシーメンス法がある。しかしながら、このシーメンス法はコストが高く、大量にシリコンを必要とする太陽電池には不向きである。
【０００３】
そこで、太陽電池に使用可能な安価なシリコンを製造する技術が各種研究されてきたが、Ｂ、Ｐ以外の、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃａ等の各種金属不純物は、一方向凝固法で鋳造することにより除去することが一般的である。すなわち、シリコン融液を重力方向を基準に下方から上方に向かって順々に凝固させ、最後に固まった上方の部位に不純物を濃化させて、最終的に濃化部を切断して精製されたシリコン鋳片を得る方法である。シリコン融液が固化する際に、共存する融液シリコンに金属不純物は多く分配し、固化したシリコンにはわずかしか取り込まれないという現象を使用した精製方法である。
【０００４】
さて、前記の一方向凝固法によって作成したシリコン鋳片は、成長方向に細長い多数の結晶から成る、いわゆる柱状組織から成る多結晶である。一般的に単結晶シリコンインゴットは結晶面で劈開するために破砕は比較的容易だが、多結晶シリコンインゴットは様々な方位を持つ多数の結晶から成るため、劈開面は連続せず破砕は困難である。しかしながら、前記の一方向凝固法で鋳造したシリコン多結晶は、一般的には再度溶融して単結晶や多結晶シリコンインゴットへと作り込み、それらをスライスして太陽電池用基板となる。その際、石英製やシリカ製のルツボに充填して溶融するために、ルツボに詰めやすい大きさに破砕する必要があり、従来はハンマーを用いて人手によって多結晶シリコンを破砕している。
【０００５】
また、ハンマーによる手破砕に代えて、多量のシリコン鋳片を生産性良く破砕するいくつかの方法も知られている。例えば、棒状の多結晶シリコンを４００℃〜８００℃に加熱した後に１００℃以下に急冷してプレスすることによって破砕する方法（特許文献１）、鉱石の破砕に一般に用いられるジョークラッシャーと呼ばれる破砕機を使用してシリコン鋳片を破砕する方法、高圧水の噴射による破砕などが知られている（特許文献２）。
【特許文献１】特開平１０−１５４２２号公報
【特許文献２】特開平６−２７１３０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記のように、一方向凝固法により不純物を精製した多結晶シリコンインゴットを原料として利用する際には、破砕は避けられない工程である。
従来はハンマーを用いてたたいたり、シリコン塊同士を衝突させる友割り、すなわち人手による多結晶シリコン破砕が行われてきた。それらの方法では、多結晶シリコンに大荷重を加えるので、破砕時に多結晶シリコンが広い範囲に粉々になって飛び散る。そのため、破砕装置の規模増大や作業環境の悪化を招くと共に、粒径の小さなシリコン粒を大量に生じる。粒径の小さなシリコン粒は、溶解しにくいという問題がありシリコンの歩留が低下してしまう。また、ハンマーなどの工器具の使用比率も高くなるため、ハンマーの材質からの汚染が避けられない。この方法では、一回の破砕作業で得られる生産量が非常に少ないため、大規模な実生産ラインとして実施するには不向きである。
【０００７】
また、前記の特許文献１の方法では、加熱時に炉内から不純物汚染を受ける問題がある。
さらに、前記の特許文献２の様な、ジョークラッシャーによる破砕では、突起などを有する2枚の金属板（ジョー）でシリコン鋳片を挟み込んで加圧して破砕するので、金属がシリコン鋳片に当たり、破砕されたシリコンには不可避的に金属成分が付着する。高い硬度を有するシリコン鋳片に、それを上回る機械的負荷をかけて破砕する限りは、ジョーの材質からの不純物の混入は避けられない。破砕したシリコンを酸に浸漬し、付着した金属不純物の溶解除去はある程度可能だが、金属不純物を完全には除去することは出来ない。また、酸洗浄はコスト的なデメリットも大きい。
以上、従来の方法では、生産性が低い、不純物汚染を受ける、細かい破砕片が生じて歩留が悪い、という課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、
（１）一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち、少なくとも1面について、一方向凝固させた柱状組織の成長方向を横切らない方向に1本以上のスリットを削り込んだ後に破砕することを特徴とする多結晶シリコンの破砕方法、
（２）一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち、少なくとも1面について、一方向凝固させた柱状組織の成長方向を横切らない方向に1本以上のスリットを削り込んだ後、前記多結晶シリコン鋳片をプレス機の加圧面により加圧して破砕することを特徴とする（１）に記載の多結晶シリコンの破砕方法、
（３）プレス機の加圧面を突起を有する形状とし、多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち少なくとも1面について突起の位置とスリット位置が一致するようにスリットを削り込んだ後、前記の突起位置とスリット位置が一致するようにプレス機で加圧して破砕することを特徴とする（２）に記載の多結晶シリコンの破砕方法、
（４）プレス機の加圧面および受圧面を突起を有する形状とし、多結晶シリコン鋳片の表面６面のうち少なくとも1面について加圧面の突起の位置とスリット位置が一致するようにスリットを削り込んだ後、前記の加圧面の突起位置とスリット位置が一致し、かつ突起を有した受圧面の上に多結晶シリコン鋳片を配した状態で、プレス機で加圧して破砕することを特徴とする（２）または（３）に記載の多結晶シリコンの破砕方法、
（５）加圧面の材質または加圧面と受圧面の材質が強磁性体から成るプレス機を用いて多結晶シリコン鋳片を破砕した後、加圧面の材質または加圧面と受圧面の材質からの汚染元素を磁選処理により除去することを特徴とする（２）から（４）のいずれかに記載の多結晶シリコンの破砕方法、
を用いる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、一方向凝固により鋳造した柱状組織から成る多結晶シリコン鋳片の破砕方法に関し、簡易に大量に、歩留良く目的の粒径への破砕が可能で、破砕時の汚染も少なく、かつ破砕時の汚染を容易に除去できる破砕方法を提供し、安価に高品質の多結晶シリコン塊を製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
第1の発明は、一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片に直線状の溝（以下、スリットと記載する）を削り込んだ後に、前記の多結晶シリコン鋳片を破砕する。直方体からなる鋳片の6表面のうち、削り込む面を特に限定するものではないが、少なくとも1面にスリットを削り込めば良いが、破砕効率を高めるには削り込む面は多ければ多いほど良い。スリットの本数は、特に限定するものではないが、破砕効率を高めるにはスリットの本数は多ければ多いほど良い。
【００１１】
スリットを入れる方向については一方向でもよいが、複数方向に対してスリットを入れても良い。しかしながら、本発明の効果を発現するスリットの方向には特定の面に対するそれぞれ特定の方向がある。図1に模式的に図示する多結晶シリコン鋳片は扁平な直方体で、矢印のような成長方向に一方向凝固し、太線は柱状組織の粒界を表している。特定する面の種類としては、成長開始面である底面、成長終了面である上面、そして4つの側面である。図2は、図1と同じ鋳片に対してスリットを刻む例として方向ａ〜ｅを図示している。まず、側面に対しては、結晶成長方向に平行に刻むスリット方向ａと、成長方向を垂直に横切るスリット方向ｂを代表例として図示しており、このうち、基本的にスリット方向ａは本発明の効果を発現するが、bは効果を発現しない。
【００１２】
従って、結晶成長方向であるａ方向を垂直に横切らない方向（すなわちｂ方向以外）であれば良く、ｂ方向からａ方向に近づくにつれて、その効果は大きくなる。すなわち、a方向からb方向の中間の方向についても効果を発現するが、よりaの方向に近いスリットがより大きな効果を発現し、好ましくはaの方向に対し30°以内の場合に大きな効果を発現する。また、底面ないし上面については、スリットｃ〜ｅなど、どの方向に刻んでも効果を発揮するが、スリットｃないしｄのようにスリットを入れる面の辺に平行に刻むのが作業効率上有利である。最も好ましいスリットの刻み込み方は、ａ方向とc方向に連続したスリットを鋳片周囲に1周回刻み込むパターンである。
【００１３】
スリットの数は、1本でもその効果はあるが、複数本になるほど粉砕は容易になる。
また、スリットが複数の場合、スリットの間隔は、特に等間隔に限定するものではないが、本発明ではスリットを起点として多結晶シリコンの内部に粒界に沿って連鎖的にクラックを発生しながら破砕が進行するため、スリットの間隔に大凡等しい大きさの破砕片を得ることが出来る。したがって、スリットの間隔の寸法も特に限定するものではないが、十分間隔を小さく取ることで、薄い破砕片を得、さらに破砕片を細かくする場合に小さな力で破砕することが可能であるし、スリットを起点に破砕される際に、スリットの間隔に依らないクラックも進展して、それだけで十分細かい破砕片が生成することも多い。しかも、この破砕のメカニズムはスリットを入れない通常の破砕方法による破砕のメカニズムと異なり、粒界に沿ってクラックが生成して破砕されるため、2mm以下の最大粒径からなる細かい粉状の破砕物は殆ど生じない。通常2mm以下の粒は溶解が難しくシリコンの歩留りが低下するため、本発明では粉砕時の歩留を飛躍的に向上できる。
【００１４】
スリットの深さは特に限定するものではないが、少なくとも5ｍｍ以上、さらに好ましくは10ｍｍ以上の深さに刻むことが好ましく、最も好ましい方法は、多結晶シリコンのスリットを入れる方向の厚さに応じて変化させる。たとえばシリコン塊の厚みが100〜500mmであれば10mm、500〜1000mmであれば20mmの深さのスリットを入れることが好ましい。しかしながら、スリットを50mm以上の深さに刻もうとすると、作業時間が長時間になり効率が悪く、さらに使用する器具によってはスリットの幅も広がってしまい歩留りの低下を招く。したがって50mm以下の深さにすることが好ましい。また、スリットの幅については、特に、限定するものではないが、0.1mm以上が好ましい。しかしながら、50mm以上の幅で刻む場合は、作業時間が長時間になり、効率が悪くなる。従って、0.1mm以上50mm未満の幅とすることが好ましい。また、スリットの幅は、必ずしも一定である必要はなく、Ｖ字型の様な形状でも良い。
【００１５】
スリットを入れる際に使用する器具は多結晶シリコンが削れるものであれば特に限定するものではないが、たとえばバンドソーや丸ノコが挙げられ、携帯用のグラインダーなどでも容易にスリットを入れることができる。
【００１６】
上記のようにスリットを刻み込んだ多結晶シリコン鋳片のスリットの溝の部分に、たとえばタガネなどの工器具を押し込み、ハンマーなどにより比較的小さな力を加えるだけで、スリットを起点として多結晶シリコンの内部に粒界に沿って連鎖的にクラックを発生しながら破砕が進行するため、多結晶シリコン鋳片を容易に破砕することが可能である。
【００１７】
ところで、本発明において破砕の対象とする一方向凝固で鋳造した直方体形状の多結晶シリコン鋳片とは、一方凝固法によって凝固させた後に脱型して得た多結晶シリコンを全て含める意味であり、この際、直方体形状の多結晶シリコン鋳片とは、直方体形状の多結晶シリコン鋳片も含めるほか、厳密には隣り合う面が直角以外の角度で交わるようなものであっても上面、底面、及び４つの側面を備えたいわゆる柱状の６面体であればよい。
【００１８】
第２の発明は、破砕は図３のようなプレス機を用い、プレス機の受圧面３にシリコン鋳片２を置き、加圧面１によって矢印４の方向に加圧し、シリコン鋳片２を破砕する。スリットを刻まない多結晶シリコン鋳片と比較して、はるかに小さな圧力で破砕することが可能であり、かつ人手で破砕する場合と比較して破砕にかかる時間を大幅に短縮することが出来る。
【００１９】
第３の発明は、加圧面１に突起を付与する。突起の形状は特に限定するものではないが、たとえば図４のような複数の波型の突起から成るものが好ましい一例である。その場合、突起の間隔や本数は特に限定するものではないが、図５のように突起の位置と前記のスリットの位置を一致させ、スリットに突起先端を入れ込んで加圧して破砕する方法が、本発明のポイントである。また突起の形状としては、図６のように突起の先端が連なって十字を成すもの（格子状）や、図７のような四角錐状に尖った形状も好ましい例となる。図６の場合は突起の位置に合うようにスリットを十字に刻み、突起の先端がスリット位置に合うように位置調整をしてから加圧する。図７の場合は四角錐の先端がスリットに入れ込まれるように位置を合わせて加圧する。
【００２０】
前記のようなスリットとプレス機の加圧面を組み合わせると、極めて小さな圧力で破砕が可能である。定量的な圧力値は、シリコン鋳片の大きさおよびスリットの間隔や本数にも依存するが、大凡700mm×700mm×200mmの大きさから成る約230kgの直方体のシリコン鋳片について、最大加圧能力40トン程度の小型のプレス機により破砕が可能であり、設備コストが安価である。また、人手による破砕と比較して、作業者の負担を大幅に軽減でき、且つ生産量を飛躍的に増大させることができる。
【００２１】
第４の発明は、プレス機の受圧面３にも突起を設けた図８のようなプレス機を用いて破砕する。加圧面の突起と受圧面の突起の位置関係は、特に限定するものではないが、好ましくは、多結晶シリコン鋳片に刻み込んだスリット位置およびスリット位置と一致させたプレス機加圧面の突起位置とは異なる場所に、受圧面の突起位置を配することが好ましい。たとえば図８において、加圧面の突起は図４のような波型の突起とし、受圧面にも同様の波型の突起を加圧面の波型と平行になるように配し、加圧面の突起位置（山位置）と受圧面のくぼみ位置（谷位置）、加圧面の谷位置と受圧面の山位置がそれぞれ一致するように配置している。この場合、シリコン鋳片の受圧面に対峙する面に必ずしもスリットを刻む必要はないが、図8のように受圧面の突起位置と異なる位置にスリットを刻み込むことはさらに好ましく、破砕に要する圧力をさらに低減し、破砕の効率を向上させる。
【００２２】
第５の発明は、プレス機の加圧面の材質に強磁性体からなる金属を用いることである。前記のように本発明のプレス機は比較的に小さな圧力での破砕が可能となるため、特に硬度の高いCo-Cr-W合金やWC系合金、オーステナイト系ステンレスなどの非磁性金属材料を用いる必要が無くなり、硬度は高くないが一般的に磁化の大きなMn鋼やフェライト系ステンレス、一般鋼材などを選定しても、磨耗や破損などが少なく、したがって加圧面の材料からの磨耗や破損などによる不純物の混入を低減でき、かつ磁性を有する金属は破砕後の磁選によって容易に取り除くことが可能である。磁選には、丸棒磁石を格子型に配置した格子型マグネット磁選機やマグネットドラムで磁性体を分離するマグネットドラム磁選機を用いる一般的な方法の適用が可能である。
【実施例】
【００２３】
（実施例１〜５）
本実施例では、一方向凝固鋳造法によって得た縦700ｍｍ×横700ｍｍ×高さ200ｍｍの多結晶シリコン鋳片の破砕を行った。この多結晶シリコン鋳片の高さ方向（200mm）が結晶成長方向に相当し、縦700ｍｍ×横700ｍｍの面が結晶成長方向に対して垂直な面に相当する。一方向凝固鋳片はいわゆるブリッジマン炉を用いて作製したもので、炉内に配置した石英製のるつぼにシリコン原料を充填した後に炉内を不活性ガスで置換し、前記原料を一旦溶解させ、その後鋳型の底から上方に向け温度勾配を作るように鋳型を下方に移動させ、鋳型内のシリコンを底から上方に向かって徐々に凝固成長させた。そのように一方向凝固させたシリコン鋳片は図1のような柱状結晶の集合体となった。
【００２４】
実施例1および２では、深さ約10mm、幅約2mmのスリットを50mm間隔で、1本のスリットが図2のａ方向とｃ方向に鋳片周囲を1周回連続するように刻み込んだ。加工は携帯用ディスクグラインダーを用いた。
【００２５】
実施例１では、最初スリット位置に押し当てたタガネをハンマーでたたいて人手で持てる大きさにした後、シリコン同士を衝突させる友割りで更に細かく砕き、最大径が約50ｍｍ以下になるまで破砕した。最大径2ｍｍ以下程度の微粉を取り除いた歩留は98％であった。破砕に要する時間は、スリット加工に50分、人手による破砕に60分であった。
【００２６】
実施例２では、加圧面に突起を有しないプレス機によって破砕した。プレス機の加圧荷重は40トン要し破砕は瞬時に完了したが、それにより人手で持てる程度の大きさまで粉砕されたので、友割りで更に細かく砕き、最大径が約50ｍｍ以下になるまで破砕した。最大径2ｍｍ以下程度の微粉を取り除いた歩留は95％であった。破砕に要する時間は、スリット加工に50分、人手による破砕に30分であった。
【００２７】
実施例３では、縦700ｍｍ×横700ｍｍの面1面に携帯用ディスクグラインダーにて50mm間隔で図２ｃの方向に深さ約10mm、幅約2mmのスリットを入れた後、図５のようなプレス機によって破砕した。加圧面を図４のような波型の突起とし、図５の４の方向に加圧して破砕した。突起部の寸法は、突起間隔50mm、高さ約４３mm、先端の角度60°であり、図５のように、スリットの位置と突起の位置が一致するように位置調整した。プレス機の加圧荷重は25トンを要し破砕は瞬時に完了したが、それにより人手で持てる程度の大きさまで粉砕されたので、友割りで更に細かく砕き、最大径が約50ｍｍ以下になるまで破砕した。最大径2ｍｍ以下程度の微粉を取り除いた歩留は95％であった。破砕に要する時間は、スリット加工に20分、人手による破砕に10分であった。
【００２８】
実施例４では、縦700ｍｍ×横700mmの面1面に携帯用ディスクグラインダーにて50mm間隔で図２ｃおよびｄのような2方向にスリットを入れた。スリットの深さは約10mm、幅は約2mmとした。図５のようなプレス機の加圧面１を図６のような十字の突起とし、突起の間隔50mm、高さ約４３mm、先端の角度を60°とした。図３のようなプレス機に前記のスリットを刻んだシリコンブロックを乗せ、スリットの位置と突起の位置が一致するように位置調整した。プレス機の加圧荷重は25トンを要し破砕は瞬時に完了したが、破砕された塊は最大径が約50ｍｍ以下となり、人手による追加破砕は不要であった。最大径2ｍｍ以下程度の微粉を取り除いた歩留は96％であった。破砕に要する時間は、スリット加工に40分であった。
【００２９】
実施例５では縦700ｍｍ×横700ｍｍの向かい合う２面の同じ位置に50mm間隔、深さ約10mm、幅約2mmのｃ方向のスリットを入れた。図８のようなプレス機の加圧面１および受圧面３を図４のような波型の突起とし、突起の間隔50mm、高さ約４３mm、先端の角度を60°とした。図８のように、加圧面はスリットの位置と突起の位置が一致するように、受圧面はスリット位置が突起位置の間に配置されるように位置調整した。プレス機の加圧荷重は10トンを要し破砕は瞬時に完了したが、破砕された塊は最大径が約50ｍｍ以下となり、人手による追破砕は不要であった。最大径2ｍｍ以下程度の微粉を取り除いた歩留は98％であった。破砕に要する時間は、スリット加工に40分であった。
【００３０】
尚、実施例2〜５におけるプレス機の加圧面および受圧面には強磁性体であるマンガン鋼を用い、破砕後のシリコン塊を全て格子型磁選機（10mmΦ×400mmの棒磁石5本を1段として5段並べたもの）に通して磁選し、得られたものを製品とした。
【００３１】
さらにシリコン塊から分析サンプルを採取し、ICP-AES（ICP発光）分析法による定性分析を行った。その結果、Fe、Al、B、Pの濃度は検出限界以下であり、これらの不純物による汚染は十分低いことが確認された。なお、上記ICP-AES分析法における検出限界値は、Fe：0.02質量ppm、Al：0.02質量ppm、B：0.05質量ppm、P：0.05質量ppmである。
上記の評価結果を表１および表２にまとめた。
【００３２】
【表１】
2007296471.tif 000003
【００３３】
【表２】
2007296471.tif 000004
【００３４】
（比較例１）
本例では、実施例と同じく、一方向凝固鋳造法によって得た縦700ｍｍ×横700ｍｍ×高さ200ｍｍの多結晶シリコンブロックにスリットを全く入れずに、図5のようなプレス機を用いて破砕を行った。プレス機の加圧面は図６のような十字の突起とした。矢印の方向に40トンの最大荷重でプレスしたが、殆ど破砕されなかった。
【００３５】
（比較例２）
本例では、実施例と同じく、一方向凝固鋳造法によって得た縦700ｍｍ×横700ｍｍ×高さ200ｍｍの多結晶シリコンブロックを、スリットを入れずに破砕した。タガネやハンマーなどの工器具を用いたり、友割りの方法を用いたりして最大径が約50ｍｍ以下になるまで破砕した。最大径2ｍｍ以下程度の微粉を取り除いた歩留は90％であった。破砕には720分の作業時間を要した。
【００３６】
また得られたシリコン塊から分析サンプルを採取し、ICP-AES（ICP発光）分析法による定性分析を行った。その結果、Fe、Al、B、Pが検出された。よってこれらの不純物による汚染の有ることが確認された。なお、上記ICP-AES分析法における検出限界値は、Fe：0.02質量ppm、Al：0.02質量ppm、B：0.05質量ppm、P：0.05質量ppmである。
【００３７】
以上の結果を表１および表２にまとめたが、比較例では破砕不能であったり、非常に長い時間を要したりして、生産性が悪いと共に、破砕工程での不純物汚染が大きい。一方、本実施例では、生産性、歩留、不純物汚染について、比較例と比較して非常に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】多結晶シリコン鋳片の模式図
【図２】鋳片に対してスリットを刻む代表的な特定の方向を図示したもの
【図３】プレス機
【図４】複数の波型の突起から成る加圧面
【図５】加圧面の突起の位置とスリットの位置が一致した状態を図示したもの
【図６】十字の突起から成る加圧面
【図７】四角錐に尖った形状の突起から成る加圧面
【図８】加圧面と受圧面に突起が設けられたプレス機
【符号の説明】
【００３９】
１    加圧面
２    多結晶シリコン鋳片
３    受圧面
４    加圧方向
【図１】
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【図２】
2007296471.tif 000006
【図３】
2007296471.tif 000007
【図４】
2007296471.tif 000008
【図５】
2007296471.tif 000009
【図６】
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【図７】
2007296471.tif 000011
【図８】
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