(57)【要約】【課題】優れた寸法精度で、所望の形状をなす開口を有するマスクを得ることができるマスクの製造方法、また、かかる製造方法を用いて形成されたマスク、さらに、このマスクを用いた構造体の製造方法、また、優れた特性を有する発光素子、発光装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明のマスクの製造方法は、シリコン単結晶で構成された面方位（１１０）の基板５０Ａに、その厚さ方向に貫通する所定パターンの貫通部５２を形成することにより、マスクを得るものであって、基板５０Ａに異方性エッチング以外の方法で、基板５０Ａにおける貫通部５２の形成予定部位の一部を除去して、欠損部５２Ｂを形成する第１の工程と、ウェットエッチングを用いた異方性エッチングにより、欠損部５２Ｂを拡張しつつ、形成予定部位を除去して、貫通部５２を形成する第２の工程とを有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶で構成された面方位（１１０）の基板に、その厚さ方向に貫通する所定パターンの貫通部を形成することにより、マスクを得るマスクの製造方法であって、
前記基板に異方性エッチング以外の方法で、前記基板における前記貫通部の形成予定部位の一部を除去して、欠損部を形成する第１の工程と、
ウェットエッチングを用いた異方性エッチングにより、前記欠損部を拡張しつつ、前記形成予定部位を除去して、前記貫通部を形成する第２の工程とを有することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２】
前記貫通部は、平面視で前記基板の（１１１）面に直角に延びる直線状をなしている請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程では、前記欠損部の形成は、前記形成予定部位のうち少なくとも長手方向での両端近傍の部位に対し行う請求項２に記載のマスクの製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程では、前記貫通部の長手方向での両端の壁面が前記基板の板面に直角となるときに、前記ウェットエッチングを停止する請求項２または３に記載のマスクの製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、前記欠損部の形成は、前記形成予定部位に凹部および／または開口部を形成することにより行う請求項１ないし４のいずれかに記載のマスクの製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程では、前記欠損部を、前記基板の厚さ方向でのほぼ全域に亘り形成する請求項１ないし５のいずれかに記載のマスクの製造方法。
【請求項７】
前記ウェットエッチングは、エッチング液としてＫＯＨ水溶液を用いる請求項１ないし６のいずれかに記載のマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のマスクの製造方法を用いて製造されたことを特徴とするマスク。
【請求項９】
基体上に膜が形成された構造体を製造する方法であって、
前記基体に対し、請求項８に記載のマスクを用いて成膜を行う工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の構造体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項９に記載の構造体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光素子、および／または、請求項１１に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの製造方法、マスク、構造体の製造方法、発光素子、発光装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、フルカラーの有機ＥＬパネルは、基板上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する発光層が所定の順序で互いに間隔を隔てて形成されている。
このような各発光層を基板上に形成する方法としては、基板に対し、発光層の形成パターンに対応する開口を有するマスクを介して、発光層の構成材料を蒸着させる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１にかかる方法では、シリコンで構成されたマスクを用いている。これにより、一般にガラスなどで構成される基板の熱膨張係数とマスクの熱膨張係数との差を低減し、大型の有機ＥＬパネルの製造においても、基板上の所望の位置に高精度に発光層を形成することができる。
このようなマスクを形成するに際し、特許文献１では、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板に対し、ウェットエッチングによる異方性エッチングを施して、前述したような開口を有するマスクを得る。これにより、開口の寸法精度を優れたものとすることができる。
【０００４】
しかしながら、特許文献１にかかる方法では、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板に対し異方性エッチングのみで開口を形成するため、その開口の形状によっては、形成される開口の壁面の一部に、エッチングレートの極端に遅い（１１１）面で構成された不本意な突起が形成されてしまう。その結果、所望の形状の開口を有するマスクを形成することができず、このようなマスクを用いて蒸着により成膜を行うと、得られる蒸着パターンにムラを生じてしまうという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７６４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、優れた寸法精度で、所望の形状をなす開口を有するマスクを得ることができるマスクの製造方法、また、かかる製造方法を用いて形成されたマスク、さらに、このマスクを用いた構造体の製造方法、また、優れた特性を有する発光素子、発光装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のマスクの製造方法は、シリコン単結晶で構成された面方位（１１０）の基板に、その厚さ方向に貫通する所定パターンの貫通部を形成することにより、マスクを得るマスクの製造方法であって、
前記基板に異方性エッチング以外の方法で、前記基板における前記貫通部の形成予定部位の一部を除去して、欠損部を形成する第１の工程と、
ウェットエッチングを用いた異方性エッチングにより、前記欠損部を拡張しつつ、前記形成予定部位を除去して、前記貫通部を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、優れた寸法精度で、所望の形状をなす開口を有するマスクを得ることができる。
【０００８】
本発明のマスクの製造方法では、前記貫通部は、平面視で前記基板の（１１１）面に直角に延びる直線状をなしていることが好ましい。
これにより、比較的厚い基板を用いても、得られる貫通部の幅方向での両側の壁面を（１１１）面で構成し、マスクにおける貫通部の周囲の薄肉化を図ることができる。このようなマスクを用いると、優れた寸法精度で成膜やエッチングを行うことができる。
【０００９】
本発明のマスクの製造方法では、前記第１の工程では、前記欠損部の形成は、前記形成予定部位のうち少なくとも長手方向での両端近傍の部位に対し行うことが好ましい。
これにより、貫通部の長手方向での両端での壁面の形状を所望のものとすることができる。
本発明のマスクの製造方法では、前記第２の工程では、前記貫通部の長手方向での両端の壁面が前記基板の板面に直角となるときに、前記ウェットエッチングを停止することが好ましい。
これにより、貫通部の長手方向での両端での壁面を基板の板面に対し直角にすることができる。このようなマスクを用いると、貫通部の長手方向での両端部に対応する領域において、優れた寸法精度で成膜やエッチングを行うことができる。
【００１０】
本発明のマスクの製造方法では、前記第１の工程では、前記欠損部の形成は、前記形成予定部位に凹部および／または開口部を形成することにより行うことが好ましい。
これにより、比較的簡単に欠損部を形成することができる。
本発明のマスクの製造方法では、前記第１の工程では、前記欠損部を、前記基板の厚さ方向でのほぼ全域に亘り形成することが好ましい。
これにより、第２の工程において、より確実に貫通部を形成することができる。
本発明のマスクの製造方法では、前記ウェットエッチングは、エッチング液としてＫＯＨ水溶液を用いることが好ましい。
これにより、基板に対し異方性エッチングを行って、寸法精度の優れた貫通部を比較的短時間かつ簡単に形成することができる。
【００１１】
本発明のマスクは、本発明のマスクの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、優れた寸法精度で成膜やエッチングを行うことができる。
本発明の構造体の製造方法は、基体上に膜が形成された構造体を製造する方法であって、
前記基体に対し、本発明のマスクを用いて成膜を行う工程を有することを特徴とする。
これにより、優れた寸法精度の構造体を得ることができる。
【００１２】
本発明の発光素子は、本発明の構造体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する発光素子を提供することができる。
本発明の発光装置は、本発明の構造体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する発光装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の発光素子、および／または、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態にかかるマスクの製造方法、マスク、構造体の製造方法、発光素子、発光装置、および電子機器を説明する。
（マスク）
まず、本発明のマスクの製造方法の説明に先立ち、かかる製造方法を用いて製造されたマスク、すなわち本発明のマスクを図１および図２に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかるマスクを示す模式的斜視図、図２は、図１に示すマスクの要部を示す拡大斜視図である。
【００１４】
本実施形態のマスク３０は、例えば蒸着マスクとして用いるものである。このようなマスク３０は、支持基板４０に、複数のチップ５０が取り付けられて構成されている。なお、マスク３０は、ドライエッチングのようなエッチング用のマスクとして用いることもできる。
支持基板４０は、図１および図３に示すように、平面視で長方形をなすとともに厚さ方向に貫通する開口領域４２を有している。
そして、支持基板４０には、前述した開口領域４２の周囲に、チップ５０を取り付ける際における支持基板４０に対するチップ５０の位置合わせのためアライメントマーク４４が形成されている。このようなアライメントマーク４４は、フォトリソグラフィ技術または結晶異方性エッチングなどで形成することができる。
また、支持基板４０には、その外周部に、マスク３０の使用時におけるマスク３０の位置決めのためのマスク位置決めマーク４６が形成されている。このマスク位置決めマーク４６は、例えば、金属膜で構成されている。なお、チップ５０にマスク位置決めマーク４６を形成してもよい。
【００１５】
このような支持基板４０の構成材料としては、チップ５０の構成材料（すなわちシリコン）の熱膨張係数と同一または近い熱膨張係数を有するものが好適に用いられる。
より具体的には、支持基板４０の構成材料としては、例えば、シリコンの熱膨張係数（３０×１０−７／℃）とほぼ同一の熱膨張係数を有するものとして、コーニング社製のパイレックス（登録商標）ガラス（熱膨張係数３０×１０−７／℃）が挙げられ、また、シリコンの熱膨張係数と近い熱膨張係数を有するものとして、無アルカリガラスである日本電気ガラス社製のＯＡ−１０（熱膨張係数３８×１０−７／℃）、金属材料では４２アロイ（熱膨張係数５０×１０−７／℃）、およびインバー材（熱膨張係数１２×１０−７／℃）などが挙げられる。このような材料で支持基板４０を構成することにより、支持基板４０の熱膨張量とチップ５０の熱膨張量との差によるマスク３０の歪みまたは橈みの発生を抑えることができる。
【００１６】
このような支持基板４０に対し、前述したアライメントマーク４４により位置合わせされた状態で、複数のチップ５０が接合されている。
より具体的には、複数のチップ５０は、支持基板４０の開口領域４２を塞ぐように、互いに間隔を隔てて、支持基板４０上に行列をなすように配置・接合されている。貫通部５２の幅は、例えば画素のサブピクセルピッチｄ１と同一になっている。そして、同一の開口領域４２を塞ぎかつ互いに隣り合うチップ５０同士は、画素のサブピクセルピッチｄ１だけ間隔をもって配置されている。そのため、このようなチップ５０同士の隙間は、チップ５０の貫通部５２と同様に機能し、所望形状の薄膜パターンを形成することができる。
【００１７】
各チップ５０には、図３に示すように、後述する発光素子の画素の形状および配置に対応するようにして、複数の貫通部５２が形成されている。本実施形態では、各貫通部５２は、平面視で線状をなすとともに厚さ方向に貫通し、複数の貫通部５２は、互いに平行に一定間隔で形成されている。このような各貫通部５２は、支持基板４０の開口領域４２の長手方向と直交する向きに延在している。
【００１８】
このようなチップ５０は、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板で構成されている。そして、チップ５０における貫通部５２の長手方向の側面は、面方位（１１１）となっている。このように貫通部５２の側面の面方位を（１１１）とすることは、面方位（１１０）のシリコンチップに対し結晶異方性エッチングを施すことで簡便に実現できる。
このようなマスク３０は、複数のチップ５０を支持基板４０に取り付けて構成されているので、チップ５０よりも大きな薄膜パターン、例えば大画面の表示パネルをなす縦ストライプパターンの画素を形成することができる。
【００１９】
（マスクの製造方法）
次に、前述したようなマスク３０の製造方法を図３および図４に基づいて説明する。
図３および図４は、それぞれ、本実施形態にかかるマスクの製造方法を説明するための図である。なお、図３は、図２のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示しており、図４は、図２のＢ−Ｂ線断面に対応する断面で示している。
マスク３０の製造方法は、［１］面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用意する工程と、［２］このシリコン単結晶基板の貫通部５２の形成予定部位の一部を除去して、除去部を形成する工程と、［３］異方性エッチングにより除去部を拡張しつつ前記形成予定部位を除去して、貫通部５２を形成する工程とを有する。
【００２０】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１］  シリコン単結晶基板の用意
まず、シリコン単結晶で構成された面方位（１１０）の基板（シリコンウエハー）５０Ａを用意する。
基板５０Ａは、シリコン単結晶で構成され、その表面の面方位が（１１０）であるものであれば、形状、大きさ、厚さなどは、特に限定されず、使用目的などに応じて適宜選択される。
基板５０Ａの厚さは、特に限定されないが、５０〜８００μｍであるのが好ましく、２００〜６００μｍであるのがより好ましい。
【００２１】
［２］  欠損部の形成（第１の工程）
次に、ウェットエッチング以外の方法を用いて、基板５０Ａの貫通部５２の形成予定部位（以下、「貫通部５２形成予定部位」という）の一部を除去して、欠損部５２Ｂを形成する。
より具体的に説明すると、欠損部５２Ｂの形成に先立ち、まず、図３（ａ）および図４（ａ）に示すように、基板５０Ａの外表面全体に、耐エッチングマスク材料で構成された膜６０を形成する。
【００２２】
耐エッチングマスク材料としては、後述するウェットエッチングのエッチング液に対して耐性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、Ａｕ、Ｐｔなどを好適に用いることができる。
【００２３】
また、膜６０の形成方法としては、特に限定されず、各種成膜方法を用いることができるが、例えば、耐エッチングマスク材料として酸化シリコンを用いる場合には、熱酸化法を好適に用いることができ、また、耐エッチングマスク材料として窒化シリコンを用いる場合には、ＣＶＤ法を好適に用いることができ、さらに、耐エッチング材料としてＡｕやＰｔを用いる場合には、スパッタ法を好適に用いることができる。
膜６０の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ程度とするのが好ましい。
【００２４】
次いで、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、基板５０Ａの両面側にて、膜６０に対し、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、貫通部５２の形状（平面視での形状）に対応するパターンにパターンニングして、開口部（溝）６１、６２を形成する。
このとき、本実施形態では、開口部６１、６２は、平面視にて、基板５０Ａの（１１１）方位に対し直角に延びる直線状をなしている。すなわち、得られる貫通部５２は、平面視で基板５０Ａの（１１１）面に直角に延びる直線状をなしている。これにより、比較的厚い基板５０Ａを用いても、得られる貫通部５２の幅方向での両側の壁面を（１１１）面で構成し、マスク３０における貫通部５２の周囲の薄肉化を図ることができる。このようなマスク３０を用いると、優れた寸法精度で成膜やエッチングを行うことができる。
なお、開口部６１、６２の形成と同時に、アライメントマーク４４を基板５０Ａに形成してもよい。
【００２５】
そして、図３（ｃ）および図４（ｃ）に示すように、基板５０Ａの一方の面（図３および図４にて下方の面）側にて、膜６０に対し、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、貫通部５２の形成予定部位を含む領域を薄肉化して、開口部６２Ａを形成する。
前記領域の薄肉化には、例えば緩衝フッ酸溶液を用いる。
このように開口部６１、６２Ａを形成した後に、図４（ｄ）に示すように、基板５０Ａの貫通部５２形成予定部位の一部を除去して、欠損部５２Ｂを形成する。
特に、本工程では、欠損部５２Ｂの形成は、貫通部５２形成予定部位の長手方向での両端近傍の部位に対し行う。貫通部５２形成予定部位のうち少なくとも長手方向での両端近傍の部位に対し欠損部を形成すると、得られる貫通部５２の長手方向での両端での壁面の形状を所望のものとすることができる。
【００２６】
また、本工程では、欠損部５２Ｂの形成は、貫通部５２形成予定部位に凹部することにより行うので、比較的簡単に欠損部５２Ｂを形成することができる。なお、欠損部５２Ｂは凹部および／または開口部で構成されていればよい。
また、本工程では、欠損部５２Ｂを、基板５０Ａの厚さ方向でのほぼ全域に亘り形成するのが好ましい。これにより、後述する第２の工程において、より確実に貫通部５２を形成することができる。
【００２７】
欠損部５２Ｂの形成方法としては、基板５０Ａの（１１１）面に対しウェットエッチングよりも速い速度で基板５０Ａを除去することができるものであれば、特に限定されず、例えば、ＹＡＧレーザ等のレーザ、ドライエッチング、サンドブラストなどの機械的加工などを用いることができる。
これらの中でも、欠損部５２Ｂの形成方法としては、ドライエッチングが好ましい。これにより、優れた寸法精度で欠損部５２Ｂを形成することができる。また、前述した開口部６１、６２Ａを有する膜６０をエッチングマスクとして用いて欠損部５２Ｂを形成することができるので、欠損部５２Ｂを比較的簡単に形成することができる。
【００２８】
また、欠損部５２Ｂの形成方法としてレーザを用いる場合には、パルス発振のレーザを用いるのが好ましい。これにより、基板５０Ａの加工部に対する熱影響を低減して、優れた寸法精度で欠損部５２Ｂを形成することができる。この場合、用いるレーザとしては、特に、ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）が好ましい。また、パルス発振のレーザの発振周波数は、０．５〜２ｋＨｚであるのが好ましく、０．５〜１．５ｋＨｚであるのがより好ましい。また、パルス発振のレーザの平均出力は、２０〜８０ｍＷであるのが好ましく、３０〜６０ｍＷであるのがより好ましい。また、基板５０Ａの加工部位一箇所あたりのパルス発振のレーザのショット数は、２０〜８０回であるのが好ましく、３０〜６０回であるのがより好ましい。このような発振周波数、出力、およびショット数とすることにより、基板５０Ａを１００μｍ程度まで加工（除去）することができる。
【００２９】
［３］貫通部を形成する工程（第２の工程）
次に、ウェットエッチングを用いた異方性エッチングにより、欠損部５２Ｂを拡張して、貫通部５２を形成する。
より具体的に説明すると、まず、図３（ｄ）および図４（ｅ）に示すように、基板５０Ａに対し、開口部６１、６２Ａを有する膜６０をエッチングマスクとして用いて、第１のウェットエッチング（異方性エッチング）を施して、貫通部５２Ａを形成する。
このとき、第１のウェットエッチングは、開口部６１、６２Ａから基板５０Ａの厚さ方向に進行するとともに、欠損部５２Ｂの側面から側方に進行する。これにより、貫通部５２Ａを形成することができる。
【００３０】
この第１のウェットエッチングのエッチング液としては、貫通部５２Ａを形成することができるものであれば、特に限定されず、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液等が挙げられる。
これらの中でも、特に、第１のウェットエッチングのエッチング液としては、ＫＯＨ水溶液を用いるのが好ましい。これにより、基板５０Ａに対し異方性エッチングを行って、寸法精度の優れた貫通部５２Ａを比較的短時間かつ簡単に形成することができる。この場合、ＫＯＨ水溶液の濃度は、特に限定されないが、例えば、５〜３０ｗｔ％であるのが好ましく、１０〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。
【００３１】
次に、図３（ｅ）および図４（ｆ）に示すように、基板５０Ａの一方の面（図３および図４にて下方の面）側にて、膜６０に対し、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、貫通部５２の形成予定部位を含む領域を除去して、開口部６２Ｂを形成する。
このように開口部６２Ｂを形成するのは、後述する第２のウェットエッチングにより、基板５０Ａにおける貫通部５２を含む領域の厚さｄ２を小さくするためである。これにより、得られるマスク３０を用いて蒸着を行った場合に、蒸着粒子が貫通部５２を斜め方向に通過し易くして、得られる薄膜の厚さの均一化を図ることができる。
前記領域の除去には、例えば緩衝フッ酸溶液を用いる。
【００３２】
次いで、図３（ｆ）および図４（ｇ）に示すように、基板５０Ａに対し、開口部６１、６２Ｂを有する膜６０をエッチングマスクとして用いて、第２のウェットエッチング（異方性エッチング）を施して、貫通部５２を形成する。
このとき、基板５０Ａにおける膜６０に覆われていない部分、すなわち開口部６２Ｂから露出した部分は、除去されていき、薄肉化され、貫通部５２を含む領域の厚さｄ２が小さくなる。また、このウェットエッチングにより、基板５０Ａの貫通部５２の幅方向（長手方向に対し直角な方向）での両側の壁面は、（１１１）面で構成され、基板５０Ａの板面に対し傾斜する。
【００３３】
特に、本工程では、貫通部５２の長手方向での両端の壁面が基板５０Ａの板面に直角となるときに、第２のウェットエッチングを停止する。これにより、貫通部５２の長手方向での両端での壁面を基板５０Ａの板面に対し直角にすることができる。このようなマスク３０を用いると、貫通部５２の長手方向での両端部に対応する領域において、優れた寸法精度で成膜やエッチングを行うことができる。
【００３４】
この第２のウェットエッチングのエッチング液としては、前述した第１のウェットエッチングのエッチング液と同様のものを用いることができ、第１のウェットエッチングのエッチング液と同じであっても異なっていてもよく、貫通部５２を形成することができるものであれば、特に限定されず、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液等が挙げられる。
これらの中でも、特に、第２のウェットエッチングのエッチング液としては、ＫＯＨ水溶液を用いるのが好ましい。これにより、基板５０Ａに対し異方性エッチングを行って、寸法精度の優れた貫通部５２を比較的短時間かつ簡単に形成することができる。
【００３５】
また、第２のウェットエッチングのエッチング液は、第１のウェットエッチングのエッチング液と同じである場合、第２のウェットエッチングのエッチング液の濃度は、第１のウェットエッチングのエッチング液の濃度よりも濃いのが好ましい。例えば、エッチング液としてＫＯＨ水溶液を用いた場合、第２のウェットエッチングのＫＯＨ水溶液の濃度は、特に限定されないが、例えば、２０〜５０ｗｔ％であるのが好ましく、２５〜４０ｗｔ％であるのがより好ましい。
【００３６】
最後に、図３（ｇ）および図４（ｈ）に示すように、膜６０を除去して、チップ５０を得る。
この膜６０の除去には、例えば緩衝フッ酸溶液を用いることができる。
以上のようにして得られたチップ５０を支持基板４０に接合して、マスク３０を得ることができる。
【００３７】
支持基板４０の製造方法としては、特に限定されず、例えば、基板を加工する方法、角材のような部材同士を接合する方法等を用いることができる。
基板を加工することにより支持基板４０を製造する場合、その加工方法としては、例えば、ブラスト加工、ウェットエッチングなどを好適に用いることができる。この場合、基板の構成材料としては、例えば、パイレックス（登録商標）ガラスやＯＡ−１０などの無アルカリガラスのようなガラス、４２アロイなどの金属材料を好適に用いることができる。
一方、角材のような部材同士を接合して支持基板４０を製造する場合、その接合方法としては、例えば、接着、ボルトなどによる固定などを好適に用いることができる。
【００３８】
以上説明したようなマスク３０の製造方法は、シリコン単結晶で構成された面方位（１１０）の基板５０Ａに異方性エッチング以外の方法で、基板５０Ａにおける貫通部５２の形成予定部位の一部を除去して、欠損部５２Ｂを形成する第１の工程と、ウェットエッチングを用いた異方性エッチングにより、欠損部５２Ｂを拡張しつつ、前記形成予定部位を除去して、貫通部５２を形成する第２の工程とを有するものである。
このようなマスク３０の製造方法によれば、優れた寸法精度で、所望の形状をなす貫通部５２（開口）を有するマスク３０を得ることができる。
【００３９】
以上説明したようなマスク３０は、成膜やエッチングに用いることができる。以下、マスク３０を用いて、基体上に成膜を行って、構造体を得る構造体の製造方法の一例として、発光素子の製造方法および発光装置の製造方法を説明する。なお、以下の説明では、発光素子として有機ＥＬ素子、発光装置としてアクティブマトリクス装置を一例に説明する。
【００４０】
＜アクティブマトリックス型表示装置＞
図５は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型表示装置の一例を示す縦断面図、図６は、図５に示すアクティブマトリックス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図６では、説明の便宜上、図５を模式化して示している。
【００４１】
まず、本発明の構造体の製造方法の説明に先立ち、かかる製造方法を用いて得られる構造体を図５に基づいて説明する。
図５に示すアクティブマトリックス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、この基体２０上に設けられた有機ＥＬ素子（本発明の発光素子）１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板９とを有している。
【００４２】
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、有機ＥＬ素子１を保護する保護膜等として機能するものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９（後述する陽極８）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００４３】
一方、上基板９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００４４】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
【００４５】
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１が設けられている。また、隣接する有機ＥＬ素子１同士は、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２により構成される隔壁部（バンク）３５により区画されている。
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陰極３は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、各有機ＥＬ素子１に対して個別に、発光層５および正孔輸送層６を備える有機半導体層７が形成されており、陽極８は、共通電極とされている。
【００４６】
表示装置１０は、単色表示であってもよく、各有機ＥＬ素子１に用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このような表示装置１０は、例えば、次のような製造方法により製造することができる。
まず、マスク３０を用いた蒸着により、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路基板２０上に、例えば赤色の発光層５Ａを形成する。なお、図６において、陰極３および第１隔壁部３１の図示を省略しているが、図６（ａ）において、ＴＦＴ回路基板２０上に陰極３および第１隔壁部３１は形成されており、発光層５Ａは、対応する陰極３上に形成される。
【００４７】
次に、マスク３０を貫通部５２のピッチ以下の移動量でずらし、その状態で、マスク３０を用いた蒸着により、図６（ｂ）に示すように、ＴＦＴ回路基板２０上に、例えば緑色の発光層５Ｂを形成する。
次いで、マスク３０を貫通部５２のピッチ以下の移動量でさらにずらし、その状態で、マスク３０を用いた蒸着により、図６（ｃ）に示すように、ＴＦＴ回路基板２０上に、例えば青色の発光層５Ｃを形成する。
その後、図６（ｄ）に示すように、各発光層５上に、正孔輸送層６、第２隔壁部３２、陽極８、陽極８、上基板９を順次形成して、表示装置１０を製造することができる。
このようにして得られた有機ＥＬ素子およびアクティブマトリクス装置は優れた特性を有する。
【００４８】
＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００４９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００５０】
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００５１】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００５２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【００５３】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００５４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００５５】
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、本発明の電子機器は、表示機能を有しない発光機能のみを有するものであってもよい。
【００５６】
以上、本発明のマスクの製造方法、マスク、構造体の製造方法、発光素子、発光装置、および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
なお、本発明の発光素子は、基板上に陽極、有機半導体層、保護層および陰極がこの順で積層され、基板（陽極）側から有機半導体層の発光を取り出すボトムエミッション構造を有する有機ＥＬ素子に適用するようにしてもよい。
また、本発明のマスクの製造方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態にかかるマスクを示す模式的斜視図である。
【図２】図１に示すマスクの要部を示す拡大斜視図である。
【図３】本発明の実施形態にかかるマスクの製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態にかかるマスクの製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型表示装置の一例を示す縦断面図である。
【図６】図１に示すアクティブマトリックス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１……有機ＥＬ素子  ３……陰極  ５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ……発光層  ６……正孔輸送層  ７……有機半導体層  ８……陽極  ９……上基板  １０……表示装置  ２０……ＴＦＴ回路基板  ２１、５０Ａ……基板  ２２……回路部  ２３……下地保護層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２６……第２層間絶縁層  ２７……配線  ３０……マスク  ３１……第１隔壁部  ３２……第２隔壁部  ３５……隔壁部  ４０……支持基板  ４２……開口領域  ４４……アライメントマーク  ４６……マスク位置決めマーク  ５０……チップ  ５２、５２Ａ……貫通部  ５２Ｂ……欠損部  ６１、６２、６２Ａ、６２Ｂ……開口部  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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