(57)【要約】【課題】極薄化に対応でき、微細配線加工可能な、シワやカールを抑制した外観不良のない、樹脂層と極薄銅箔との間の接着性に優れたＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法を提供することにある。【解決手段】剥離層を介して支持体金属層を結合させている極薄銅箔上に、ポリイミド又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥を繰り返してポリイミド樹脂層（Ａ）を表面に有する多層ポリイミド樹脂層を形成した後、イミド化を行い、ポリイミド樹脂層（Ａ）を介して、ポリイミド樹脂層（Ａ）のガラス転移温度以上に加熱して、ステンレス箔と加圧下で熱圧着した後、ポリイミド樹脂層（Ａ）のガラス転移温度以下に冷却して、支持体金属層を剥離することを特徴とする極薄銅箔を導体としたＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離層を介して支持体金属層を結合させている極薄銅箔上に、ポリイミド溶液又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥してガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ1）となる層を形成し、該樹脂層（Ａ1）面にポリイミド又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥して線熱膨張係数が１×１０-6〜３０×１０-6（1/K）の低熱線膨張性のポリイミド樹脂層（Ｂ）となる層を形成し、表面層としてポリイミド又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥してガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ2）となる層を形成した後、硬化又はイミド化を行い、少なくも３層のポリイミド樹脂層を有する支持体付きの積層体としたのち、ステンレス箔を該積層体のポリイミド樹脂層（Ａ2）と接するように重ね合わせ、ポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度以上に加熱して、加圧下で熱圧着してステンレス箔を有する多層積層体とし、次いでポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度以下に冷却し、その後、多層積層体から支持体金属層を１N/m以上１００N/m未満の剥離強度で剥離することを特徴とする極薄銅箔を導体層としたＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項２】
極薄銅箔とポリイミド樹脂層（Ａ1）との接着強度が０．５kN/m以上であり、且つステンレス箔とポリイミド樹脂層（Ａ2）との接着強度が０．５kN/m以上であることを特徴とする請求項１記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項３】
極薄銅箔の厚みが、１０μm以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項４】
ポリイミド樹脂層の全体の厚みが、５〜５０μmであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項５】
ステンレス箔の厚みが、１０〜１００μmであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項６】
支持体金属層の厚みが、５〜１００μmの金属箔であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項７】
ガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層が、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）-2,2-ジメチルプロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、1,3-ビス-（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、パラフェニレンジアミン、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル及び4,4'-ジアミノジフェニルエーテルから選ばれる１種以上のジアミンと、無水ピロメリット酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及び3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上の酸無水物成分とを反応して得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項８】
低熱線膨張性のポリイミド樹脂層が、4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアミノ-2'-メトキシベンズアニリド、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル及び4,4'-ビス（4-アミノフェノキシ）ビフェニルから選ばれる１種以上のジアミンと、無水ピロメリット酸及び3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上の酸無水物とを反応して得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項９】
支持体金属層が、銅又は銅合金であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項１０】
剥離層が、無機系剥離層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）サスペンション用積層体の製造方法に関し、より詳しくは極薄銅箔を使用したＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤに搭載されているサスペンションは、高容量化が進むに従い、従来使用されてきたワイヤレスタイプのサスペンションから、記憶媒体であるディスクに対し浮力と位置精度が安定した配線一体型のサスペンションへ大半が置き換わっている。この配線一体型サスペンションの中で、ＴＳＡ（トレース  サスペンション  アッセンブリ）法と呼ばれるステンレス箔−ポリイミド樹脂−銅箔の積層体をエッチング加工により所定の形状に加工するタイプがある。
【０００３】
ＴＳＡ方式サスペンションは高強度を有する合金銅箔を積層することによって、容易にフライングリードを形成させることが可能であり、形状加工での自由度が高いことや比較的安価で寸法精度が良いことから幅広く使用されている。ここでステンレス基体上にポリイミド樹脂層及び導体層が遂次に形成されてなるＨＤＤサスペンション用積層体は既に開示され、例えば、ＷＯ９８／０８２１６号公報（特許文献１）では、ＨＤＤサスペンション用積層体に適した積層体とするためにポリイミド樹脂層の線膨張係数やポリイミド樹脂層−導体層間の接着力を規定したものが記載されている。また、ＷＯ２００５／０９６２９９号公報（特許文献２）では、導体層の厚みが１０μm以下のＨＤＤサスペンション用積層体が開示されている。しかしながら、この積層体は、導体層を化学的エッチングすることにより、導体層の薄肉化を行っており、設備の煩雑さや手間がかかるという問題があった。また、特許第３７０４９２０号公報（特許文献３）では、ポリイミド樹脂フィルムと銅箔とを熱圧着によって積層する方法が開示されている。しかしながら、銅箔が１０μm以下である場合、熱圧着によるハンドリング性が良くなく、銅箔がシワになりやすいという問題があった。
【０００４】
一方、近年、キャリア銅箔上に剥離層と極薄銅箔層から構成される複合銅箔を用いた材料が提案されている。本銅箔は、ポリイミドワニスを塗布しイミド化するキャスティング法や接着層付きポリイミドフィルムに高温加圧により複合銅箔を熱圧着するラミネート法に応用可能であり、銅張積層体製造後、キャリア銅箔を引き剥がす手法により、5μm以下の銅箔／ポリイミド積層体を製造する手法が提案されている。
【０００５】
このような手法として、特開２００４−４２５７９号公報（特許文献４）において、耐熱性キャリア付き銅箔と熱圧着性多層ポリイミドとを加圧下に熱圧着−冷却することで銅張積層板を得る方法が開示されている。しかしながら、この方法では、熱圧着−冷却の工程において、ダブルベルトプレスを使用して加圧下に行うために装置が複雑になると共に、熱圧着性多層ポリイミドフィルムを別途用意する必要があるという問題点があった。また、特開２００３−３４０９６３号公報（特許文献５）においては、支持体金属を結合させている極薄銅箔にポリイミドフィルムを加熱圧着することで銅張積層板を得る方法が開示されている。しかしながら、この方法においても、熱圧着性多層ポリイミドフィルムを別途用意する必要があると共に、ポリイミドフィルムと金属箔の接着強度は充分ではなく、また適用されるポリイミドフィルムは、ある程度の厚みが必要であり、ポリイミド樹脂層の極薄化が困難であるという問題点があった。また、特開２００３−５３８３６号公報（特許文献６）では、熱ラミネート後にポリイミドフィルムのシワの発生を抑制するため、保護材料を加熱圧着時に積層板と軽く密着させておき、冷却後に保護材料を積層板から剥離する方法が開示されている。しかしながら、この方法においても、熱圧着性多層ポリイミドフィルムを別途用意する必要があると共に、保護材料を用いるという煩雑さがある。
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ９８／０８２１６号公報
【特許文献２】ＷＯ２００５／０９６２９９号公報
【特許文献３】特許第３７０４９２０号公報
【特許文献４】特開２００４−４２５７９号公報
【特許文献５】特開２００３−３４０９６３号公報
【特許文献６】特開２００３−５３８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、上記の問題点を鑑みて、ＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法において、極薄化にも対応でき、微細配線加工可能な、シワやカールを抑制した外観不良のない、且つ樹脂層と極薄銅箔との間の接着性に優れたＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、配線の微細回路化ニーズに対応すべく、導体層を極薄化すると共に極薄化に伴う積層工程でのハンドリング性を改善した。更に、導体層と絶縁樹脂層との面内での密着性を均一とするため、導体層への絶縁樹脂溶液の塗布による積層がよいことを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は、剥離層を介して支持体金属層を結合させている極薄銅箔上に、ポリイミド溶液又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥してガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ1）となる層を形成し、該樹脂層（Ａ1）となる層面にポリイミド又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥して線熱膨張係数が１×１０-6〜３０×１０-6（１／Ｋ）の低熱線膨張性のポリイミド樹脂層（Ｂ）となる層を形成し、表面層としてポリイミド又は前駆体樹脂溶液を塗布・乾燥してガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ2）となる層を形成した後、硬化又はイミド化を行い、少なくも３層のポリイミド樹脂層を有する支持体付きの積層体としたのち、ステンレス箔を当該積層体のポリイミド樹脂層（Ａ2）とが接するように重ね合わせ、ポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度以上に加熱して、加圧下で熱圧着してステンレス箔を有する多層積層体とし、次いでポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度以下に冷却し、その後、多層積層体から支持体金属層を１Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ未満の剥離強度で剥離することを特徴とする極薄銅箔を導体層としたＨＤＤサスペンション用積層体の製造方法である。
【００１０】
また本発明は、極薄銅箔とポリイミド樹脂層（Ａ1）との接着強度及びステンレス箔とポリイミド樹脂層（Ａ2）との接着強度が、いずれも０．５kN/m以上である上記の製造方法である。更に本発明は、極薄銅箔の厚みが１０μm以下であること、ポリイミド樹脂層の全体の厚みが５〜５０μmであること、ステンレス箔の厚みが１０〜１００μmであること、支持体金属層が銅若しくは銅合金であること、支持体金属層の厚みが５〜１００μｍの金属箔であること又は剥離層が無機系剥離層であることいずれか１以上を満足する上記の製造方法である。
【００１１】
また本発明は、ガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層が、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）-2,2-ジメチルプロパン、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、1,3-ビス-（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、パラフェニレンジアミン、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル及び4,4'-ジアミノジフェニルエーテルから選ばれる１種以上のジアミンと、無水ピロメリット酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及び3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上の酸無水物成分とを反応して得られるポリイミド樹脂である上記の製造方法である。
【００１２】
更に本発明は、低熱線膨張性のポリイミド樹脂層が、4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル、4,4'-ジアミノ-2'-メトキシベンズアニリド、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル及び4,4'-ビス（4-アミノフェノキシ）ビフェニルから選ばれる１種以上のジアミンと、無水ピロメリット酸及び3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物から選ばれる１種以上の酸無水物とを反応して得られるポリイミド樹脂である上記の製造方法である。
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】
本発明の製造方法では、多層のポリイミド樹脂層の形成を、ポリイミド溶液又は前駆体樹脂溶液を、剥離層を介して支持体金属層を結合させている極薄銅箔上に塗布・乾燥する操作を繰り返す方法によって行うが、本発明で製造できるＨＤＤサスペンション用積層体の層構造の代表例を示せば、（１）〜（４）のようなものが挙げられるがこれに限定されない。ここで、ガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層をポリイミド樹脂層（Ａ）といい、線熱膨張係数が１０×１０-6 〜３０×１０-6（１／Ｋ）の低熱膨張性ポリイミド樹脂層をポリイミド樹脂層（Ｂ）という。そして、下記層構造において、Ｍ１は極薄銅箔を、Ｍ２はステンレス箔を、（Ａ1）はガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ）であってＭ１と接する層を、（Ａ2）はポリイミド樹脂層（Ａ）であってＭ２と接する層を意味する。
【００１５】
（１）Ｍ１／（Ａ1）／（Ｂ）／（Ａ2）／Ｍ２
（２）Ｍ１／（Ａ1）／（Ｂ1）／（Ｂ2）／（Ａ2）／Ｍ２
（３）Ｍ１／（Ａ1）／（Ｂ1）／（Ａ3）／（Ｂ2）／（Ａ2）／Ｍ２
（４）Ｍ１／（Ａ1）／（Ｂ1）／（Ｃ）／（Ｂ2）／（Ａ2）／Ｍ２
【００１６】
ここで、ガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ）は、少なくとも２層有する。この場合、Ｍ１に接するポリイミド樹脂層をポリイミド樹脂層（Ａ1）とし、Ｍ２に接するポリイミド樹脂層をポリイミド樹脂層（Ａ2）とする。中間層に存在する場合は、Ｍ１に近い層から順にポリイミド樹脂層をポリイミド樹脂層（Ａ3）、（Ａ4）等とする。低熱膨張性ポリイミド樹脂層（Ｂ）は、ポリイミド樹脂層（Ａ1）とポリイミド樹脂層（Ａ2）の中間に存在するが、２層以上存在してもよい。２層以上存在する場合、Ｍ１に近い層から順に（Ｂ1）、（Ｂ2）等とする。ポリイミド樹脂層（Ａ）である（Ａ1）、（Ａ2）及び（Ａ3）は、ポリイミド樹脂の種類、厚みが同一であってもよく、異なってもよい。ポリイミド樹脂層（Ｂ）である（Ｂ1）及び（Ｂ2）についても同様である。また、ポリイミド樹脂層（Ａ）及びポリイミド樹脂層（Ｂ）のいずれにも該当しないその他のポリイミド樹脂層（Ｃ）も使用できる。上記積層板の層構造（１）〜（４）のうち、好ましい層構造は、（１）である。
【００１７】
本発明の製造方法では、ポリイミド溶液又は前駆体溶液の塗布によってポリイミド樹脂層を形成するため、形成するポリイミド樹脂層の厚みも制御し易い。また、本発明で製造できるＨＤＤサスペンション用積層体におけるポリイミド樹脂層の総厚みは５〜５０μｍがよい。より好ましくは５〜２０μｍである。ポリイミド樹脂層の全体の厚みが、５μｍ未満では電気的な絶縁の信頼性が低下する傾向にあり、一方、５０μｍを越えるとポリイミド樹脂層を形成させる際に乾燥効率が低下する傾向にある。
【００１８】
本発明でいうポリイミド樹脂とは、ポリイミド樹脂層（Ａ）及び（Ｂ）を構成するポリイミド樹脂を含めて、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリイミドエステル、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミド等の構造中にイミド基を有するポリマーからなる耐熱性樹脂をいう。ポリイミド樹脂はジアミンと酸無水物を使用して、有機溶媒中で反応させることにより合成する方法が適する。この場合、ジアミンと酸無水物を説明することによって、ポリイミド樹脂が理解される。
【００１９】
本発明で使用するガラス転移温度が３５０℃以下のポリイミド樹脂層（Ａ）を構成するポリイミド樹脂は、公知のポリイミド樹脂を使用することができる。ポリイミド樹脂層（Ａ）のガラス転移温度は３５０℃以下である必要があるが、好ましくは２００〜３２０℃である。
【００２０】
このポリイミド樹脂層（Ａ）を構成するポリイミド樹脂を合成するたに使用される好ましいジアミンとしては、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）-2,2-ジメチルプロパン（ＤＡＮＰＧ）、2,2-ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、1,3-ビス-（3-アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、パラフェニレンジアミン（p-ＰＤＡ）、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ３４）、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ４４）から選ばれる１種以上のジアミンがある。また、好ましい酸無水物としては、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）から選ばれる１種以上の酸無水物がある。上記ジアミン及び酸無水物については、それぞれその１種のみを使用してもよく２種以上を併用して使用することもできる。上記のジアミン及び酸無水物を使用することで、極薄銅箔あるいはステンレス箔との接着性が向上する。
【００２１】
本発明で使用する線熱膨張係数が１×１０-6 〜３０×１０-6（１／Ｋ）の低熱膨張性ポリイミド樹脂層（Ｂ）を構成するポリイミド樹脂は、公知の低熱膨張性ポリイミド樹脂を使用することができる。ポリイミド樹脂層（Ｂ）の線熱膨張係数は１×１０-6 〜３０×１０-6（1/K）である必要があるが、好ましくは１×１０-6 〜２５×１０-6（1/K）であり、更に好ましくは１×１０-6 〜２０×１０-6（1/K）である。
【００２２】
このポリイミド樹脂層（Ｂ）を構成するポリイミド樹脂の合成に使用される好ましいジアミンとしては、4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル（m-ＴＢ）、4,4'-ジアミノ-2'-メトキシベンズアニリド（ＭＡＢＡ）、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ３４）、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＰＥ）、4,4'-ビス（4-アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）から選ばれる１種以上のジアミンがある。好ましい酸無水物としては、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、3,3´,4,4´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）から選ばれる１種以上の酸無水物がある。ジアミン及び酸無水物については、それぞれその１種のみを使用してもよく２種以上を併用して使用することもできる。上記のジアミン及び酸無水物を使用することで、積層時の熱的寸法安定性が保てる。
【００２３】
ポリイミド樹脂又は前駆体樹脂の合成に使用する溶媒については、N,N-ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、n-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、これらの１種若しくは２種以上併用して使用することもできる。
【００２４】
合成されたポリイミド樹脂又は前駆体樹脂は溶液とされて使用される。通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリイミド前駆体樹脂は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。これらの樹脂溶液は支持体金属層付き極薄銅箔上に所定の層構造を形成するように順次塗布、乾燥される。層厚みは、ポリイミド樹脂層（Ｂ）が全体の５０％以上、好ましくは７０％以上であることがよく、ポリイミド樹脂層（Ａ）は極薄銅箔又はステンレス箔との接着性を確保できる厚みであればよい。
【００２５】
支持体金属層付き極薄銅箔上にポリイミド溶液（又は前駆体樹脂溶液）を塗布し、乾燥する操作を繰り返して所定層のポリイミド樹脂層（又は前駆体樹脂層）を形成させたのちは、未硬化のポリイミド樹脂（又は前駆体樹脂）を硬化（又はイミド化）させるため通常、１５０℃以上の温度に加熱する。加熱処理又は硬化（又はイミド化）が終了して得られる積層体は次の工程に付せられる。
【００２６】
積層体の表面にあるポリイミド樹脂層（Ａ2）に接するようにステンレス箔を重ね合わせ、積層体とステンレス箔を加圧下で熱圧着して多層積層体を得て、圧力を解除した状態で冷却した後、多層積層体から支持体金属層を剥離することで極薄銅箔を導体層としたＨＤＤサスペンション用積層体を得る。
【００２７】
熱圧着の方法は特に制限されず、適宜公知の方法を採用することができる。積層体の樹脂層（Ａ2）とステンレス箔を張り合わせる方法としては、通常のハイドロプレス、真空タイプのハイドロプレス、オートクレーブ加圧式真空プレス、連続式熱ラミネータ等を挙げることができる。ステンレス箔を張り合わせる方法の中でも、十分なプレス圧力が得られ、残存揮発分の除去も容易に行え、更に導体の酸化を防止することができるという観点から真空ハイドロプレス、連続式熱ラミネータを用いることが好ましい。また、このようにしてステンレス箔を張り合わせる際には、ポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度以上に加熱して熱圧着できるが、熱圧着の際の加熱温度は、ポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度より２０℃以上高く、４００℃以下とすることが好ましい。ポリイミド樹脂層（Ａ2）のガラス転移温度より２０℃以上高くすることで、ポリイミド樹脂皮膜の配向性が向上し、平面性の良いＨＤＤサスペンション用積層体が得られ易い。４００℃以上ではポリイミド樹脂の熱分解が徐々に起こり始めるため好ましくない。また、プレス圧力については、使用するプレス機器の種類にもよるが、通常、１００〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ2程度が適当である。
【００２８】
また、熱圧着後、圧力開放下で冷却する際、冷却温度はポリイミド樹脂層（Ａ）、好ましくはポリイミド樹脂層（Ａ1）及び（Ａ2）のガラス転移温度より低い温度であることが必要で、好ましくはポリイミド樹脂層（Ａ）のガラス転移温度より２０℃以上低い温度、更に好ましくは３０℃以上低い温度まで冷却することがよい。ポリイミド樹脂層（Ａ）のガラス転移温度以上で多層積層体から支持体金属層を剥離すると、ＨＤＤサスペンション用積層体にシワやカールを生じ易くなる。
【００２９】
本発明によって製造される多層積層体又はＨＤＤサスペンション用積層体は、極薄銅箔とポリイミド樹脂層（Ａ1）との接着強度は０．５kN/m以上、好ましくは０．８kN/m以上であることがよい。また、ステンレス箔とポリイミド樹脂層（Ａ2）との接着強度は０．５kN/m以上、好ましくは０．８kN/m以上であることがよい。なお、ここでいう接着強度とは、金属箔１mm幅、９０°引き剥がし法（ＪＩＳ  Ｃ６４７１）を示す。
【００３０】
また、支持体金属層と極薄銅箔の剥離強度は、1N/m以上、１００N/m未満である。好ましくは１N/m以上、５０N/m未満がよく、より好ましくは３N/m以上、１５N/m以下がよく、更に好ましくは４N/m以上、１０N/m以下がよい。剥離強度が１N/m未満では、ポリイミド樹脂層とステンレス箔との熱圧着工程において、極薄銅箔が支持体金属層から剥離する場合があり、安定操業に問題がある。また、剥離強度が１００N/mを超えると、支持体金属の剥離後の積層体に反りが生じ易くなる。なお、ここでいう剥離強度とは、金属箔１mm幅、９０°引き剥がし法（ＪＩＳ  Ｃ６４７１）を示す。この剥離強度は支持体金属層と極薄銅箔の接着強度を調整することで（剥離剤や低粘着性材料の使用により）変化可能である。
【００３１】
支持体金属層付き極薄銅箔層を有する多層積層体から支持体金属層を剥離することにより、ＨＤＤサスペンション用積層体が得られる。剥離の際の、支持体金属層の剥離角度は、ＨＤＤサスペンション用積層体の進行方向に対して９０°以上とすることが好ましい。剥離角度を９０°以上とすることで、支持体金属層剥離後のＨＤＤサスペンション用積層体のカールを抑制することができる。支持体金属層の剥離角度を９０°未満とする場合は、進行方向面に対してＨＤＤサスペンション用積層体に充分なテンションを与えることが必要となり、支持体金属層剥離後のＨＤＤサスペンション用積層体におけるカール発生の原因となる。
【００３２】
また、本発明で使用する極薄銅箔の厚みの範囲としては、好ましくは０．１〜１０μmがよく、より好ましくは０．１〜５μｍがよく、更に好ましくは０．１μｍ以上５μｍ未満がよい。また、極薄銅箔とは純銅又は銅合金の箔を意味し、該極薄銅箔は剥離層を介して支持体金属層と結合しているものである。極薄銅箔の表面粗度は特には規定しないが、フラッシュエッチング性の観点から好ましくはＲｚ  ＪＩＳ  ＝２．０μｍ以下、より好ましくはＲｚ  ＪＩＳ  ＝１．５μｍ以下がよい。なお、上記Ｒｚは、表面粗さにおける十点平均粗さ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４）を示す。
【００３３】
本発明で使用するステンレス層は、特に制限はないが、ばね特性や寸法安定性の観点から、ＳＵＳ３０４のような高弾性、高強度のステンレス箔が好ましく、３００℃以上の温度でアニール処理されたＳＵＳ３０４が特に好ましい。用いられるステンレス層の厚みの範囲は１０〜１００μmがよく、より好ましくは１５〜７０μmがよく、更に好ましくは１５〜５０μmがよい。ステンレス層の厚みが１０μm未満であると、スライダの浮上量を十分に抑えるバネ性を確保できない問題が生じ、一方、１００μmを越えると剛性が高くなり、搭載されるスライダの低浮上化が困難となる。
【００３４】
本発明で使用する支持体金属層の厚みは、安定した搬送性を得るために、好ましくは５〜１００μmであることがよい。より好ましくは１２〜５０μmであることがよい。支持体金属層の厚みは、積層体として使用する極薄銅箔の厚みによって適切な厚みを選択することが好ましい。ポリイミド樹脂層を積層するときのハンドリング性を考慮すれば、極薄銅箔と支持体金属層との厚みの総和の範囲が、１２〜５０μmであることが更に好ましい。
【００３５】
また、支持体金属層に用いられる素材は、耐熱性のあるものがよく、コスト面も考慮して、特に銅又は銅合金であることがよい。
【００３６】
加熱加圧による積層工程を経て得られた多層積層体をＨＤＤサスペンションとするには、支持体金属と極薄銅箔間の剥離層から剥離する工程を経る。このため、本発明にかかる剥離層は、加熱温度による剥離強度の変化が小さく、剥離強度が安定していることが必要であり、無機物より構成される無機系剥離層がよい。より好ましくは、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏのいずれかを含むものがよい。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の製造方法で得られるＨＤＤサスペンション用積層体は、極薄銅箔／及びステンレス箔とポリイミド樹脂層の接着強度が優れ、銅箔厚みを０．１μm〜１０μmに任意に設定でき、またポリイミド樹脂層の厚みも１０〜５０μmに任意に設定できるという利点を有する。また、高密度、超微細配線化するＨＤＤサスペンションの要求に答え、信頼性の高い高精度のＨＤＤサスペンションの提供が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明の実施例において特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。
【００３９】
［厚みの測定］
極薄銅箔層より支持体金属層を剥離した後の積層体を幅３０５mm×長さ１０mmの短冊試験片に切り出し、ダイヤルゲージ（Mitutoyo製）を用いて、幅方向に１０mm間隔で３０点厚みを測定した。その後銅部分をエッチングし、ステンレス層／ポリイミド樹脂層の２層体の厚みを同様に測定した。２つの厚みの差より極薄銅箔の厚みを算出した。
【００４０】
［ポリイミド樹脂層と極薄銅箔との接着強度の測定方法］
極薄銅箔層より支持体金属層を剥離した後、極薄銅箔上に電解銅めっきを行い、極薄銅箔の厚みを１２μｍにした後、テンシロンテスター(東洋精機製作所社製)を使用して、幅１ｍｍの銅張品の樹脂側を両面テープによりステンレス板に固定し、銅を９０°方向に５０mm／分の速度で剥離して求めた。
【００４１】
［支持体金属層と極薄銅箔との剥離強度の測定方法］
テンシロンテスター（東洋精機製作所社製）を使用して、幅１mmのサンプルの銅箔側を両面テープによりステンレス板に固定し、支持体金属層を９０°方向に５０mm／分の速度で剥離して求めた。
【００４２】
［極薄銅箔の表面粗度の測定］
超深度形状測定顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ＶＫ−８５００）を用いて、２０００倍で極薄銅箔面の長さ方向に１４０μｍ測定した。ここでの極薄銅箔面とは、支持体金属層を結合させている極薄銅箔において、支持体金属層側とは反対側の面のことをいう。
【００４３】
［ガラス転移温度の測定］
粘弾性アナライザー（レオメトリックサイエンスエフィー株式会社製ＲＳＡ−II）を使
って、１０mm幅のサンプルを用いて、１Hzの振動を与えながら、室温から４００℃まで１０℃／分の速度で昇温した際の、損失正接（Ｔａｎδ）の極大から求めた。
【００４４】
［熱線膨張係数の測定］
サーモメカニカルアナライザー（セイコーインスツルメンツ社製）を用い、２５０℃まで昇温し、更にその温度で１０分保持した後、５℃／分の速度で冷却し、２４０℃から１００℃までの平均の熱線膨張係数を求めた。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されないことはもちろんである。
なお、本実施例に用いた略号は上記されているとおりである。
【００４６】
合成例１
５００mlのセパラブルフラスコの中において、撹拌しながらＡＰＢ２９．５g（０．１モル）をＤＭＡｃ３６７gに溶解させた。次に、その溶液を窒素気流中でＰＭＤＡ９．１g（０．０４モル）及びＢＴＤＡ２０．２ｇ（０．０６モル）を加えた。その後、約３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体樹脂液Ａを得た。
【００４７】
合成例２
５００mlのセパラブルフラスコの中において、撹拌しながらＤＡＮＰＧ３０．３g（０．１モル）をＤＭＡｃ３５２gに溶解させた。次に、その溶液を窒素気流中でＰＭＤＡ９．３g（０．０４モル）及びＢＴＤＡ２０．５g（０．０６モル）を加えた。その後、約３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体樹脂液Ｂを得た。
【００４８】
合成例３
５００mlのセパラブルフラスコの中において、撹拌しながらＭＡＢＡ２０．７g（０．０８モル）をＤＭＡｃ３４３gに溶解させた。次に、その溶液を窒素気流中でＰＭＤＡ２８．５ｇ（０．１３モル）及びＤＡＰＥ１０．３g（０．０５モル）を加えた。その後、約３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体樹脂液Ｃを得た。
【００４９】
実施例１
合成例１の樹脂液Ａを支持体銅箔層付き極薄銅箔（日本電解製 ＹＳＮＡＰ−3Ｂ, 支持体銅箔厚み１８μm、極薄銅箔厚み3μm、無機系剥離層）に塗工し、１３０℃で５分間乾燥して樹脂層１Ａを形成した後、さらにその樹脂層上に合成例３の樹脂液Ｃを塗工し、１３０℃で１０分間乾燥して樹脂層１Ｃを形成し、さらにその樹脂層上に合成例１の樹脂液Ａを塗工し、１３０℃で５分間乾燥して樹脂層１Ａを形成し、１５分かけて３８０℃まで昇温させることによりイミド化反応を行って、支持体付きの積層体を得た。
【００５０】
次に、上記の方法により得られた支持体付きの積層体と、ステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品、厚み２０μｍ）とを、真空プレス機を用いて、面圧１５０kg/cm2、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して多層積層体とし、これを５０℃にまで冷却した後、支持体銅箔を剥離することで、ＨＤＤサスペンション用積層体を得た。このときの支持体銅箔と極薄銅箔との剥離強度は１０N/mであり、ＨＤＤサスペンション用積層体の外観も良好であった。また、ポリイミド樹脂層の総厚みは１０μmであり、樹脂層１Ａのガラス転移温度は２１８℃、樹脂層１Ｂの熱線膨張係数は１４．６×１０-6（１/K）であった。極薄銅箔とポリイミド樹脂層の接着強度は１．１kN/mであり、ステンレス箔とリイミド樹脂層の接着強度は１．２ｋN/mであった。
【００５１】
実施例２
支持体銅箔層付き極薄銅箔（日本電解製 ＹＳＮＡＰ−３Ｂ、支持体銅箔厚み１８μm、極薄銅箔厚み１μm、無機系剥離層）の極薄銅箔上に、合成例１の樹脂液Ａを塗工し、１３０℃で５分間乾燥して樹脂層２Ａを形成した後、合成例３の樹脂液Ｃを塗工し、１３０℃で１０分間乾燥して樹脂層２Ｃを形成し、さらにその樹脂層上に合成例２の樹脂液Ｂを塗工し、１３０℃で５分間乾燥して樹脂層２Ｂを形成し、１５分かけて３６０℃まで昇温させることによりイミド化反応を行って、支持体付きの積層体を得た。
【００５２】
次に、上記の方法により得られた支持体付きの積層体と、ステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品、厚み２０μｍ）とを、真空プレス機を用いて、面圧１５０ｋｇ／ｃｍ2、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着し多層積層体とし、これを５０℃にまで冷却した後、支持体銅箔を剥離することで、ＨＤＤサスペンション用積層体を得た。このときの支持体銅箔と極薄銅箔との剥離強度は１０N/mであり、ＨＤＤサスペンション用積層体の外観も良好であった。また、ポリイミド樹脂層の総厚みは１０μmであり、樹脂層２Ａ、２Ｃのガラス転移温度はそれぞれ２１８℃、２２０℃、樹脂層２Ｂの熱線膨張係数は１４．６×１０-6（１/K）であった。極薄銅箔とポリイミド樹脂層の接着強度は１．２kN/mであり、ステンレス箔とリイミド樹脂層の接着強度は１．２kN/mであった。
【００５３】
比較例１
支持体銅箔層付き極薄銅箔（日本電解製 ＹＳＮＡＰ−3Ｂ, 支持体銅箔厚み１８μm、極薄銅箔厚み3μm、無機系剥離層）の代わりに、銅箔５μｍを使用した以外は、実施例１と同様にして積層体を製造した。得られた積層体は、銅箔側のしわが認められた。