(57)【要約】【課題】熱絶縁体を改善する。【解決手段】本発明は、特に結晶質皮膜を、加熱された処理室（１４）に導入される反応ガスによって特に結晶質の基板に沈積するための装置に関するもので、処理室（１４）は特に水晶の壁を有する反応炉ハウジングに配置される多数分割のグラファイト管（１）の中空体であり、反応炉ハウジングは処理室（１４）の範囲を高周波コイル（１３）で取り囲まれ、反応炉ハウジング壁（６）およびグラファイト管（１）の間の中空体は発泡グラファイトスリーブ（５）によって充填されている装置において、改善された熱絶縁体を得るため発泡グラファイトスリーブ（５）を貫通するスリットを設け、スリット（７）の幅を、処理温度に加熱された場合に予想される発泡グラファイトスリーブ（５）の円周方向における長さの伸びの最大より大きくすることを提案している。【選択図】図１
2004513524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に結晶質皮膜を、加熱された処理室（１４）に導入される反応ガスによって特に結晶質の基板に沈積し、処理室（１４）は特に水晶の壁を有する反応炉ハウジングに配置される多数分割のグラファイト管（１）の中空体であり、反応炉ハウジングの処理室（１４）の範囲は高周波コイル（１３）で取り囲まれ、反応炉ハウジング壁（６）およびグラファイト管（１）の間の空間は、発泡グラファイトスリーブ（５）によって充填されている装置において、
発泡グラファイトスリーブ（５）をスリットが貫通し、スリットの幅を処理温度に加熱された場合に予想される発泡グラファイトスリーブ（５）の円周方向における長さの伸びの最大より大きくすることを特徴とする装置。
【請求項２】
特に、発泡グラファイトスリーブ（５）のほぼ並行に長手（軸方向）に延びるスリットが、半径方向には非直線的に延びていることを特徴とする請求項１による方法。
【請求項３】
特に、スリット（７）がＶ字形であることを特徴とする請求項１および２の何れかによる方法。
【請求項４】
特に、スリット（７）の全長にわたってスリットに隣接するスリーブの内壁区間（８）が、グラファイト管（５）の外側壁（４’）に対して、処理温度に加熱した場合に予想される発泡グラファイトスリーブ（５）およびグラファイト管（１）の伸びの最大よりも大きな隙間距離を有していることを特徴とする請求項１ないし３の何れかによる方法。
【請求項５】
特に、グラファイト管はほぼ矩形の断面を有し、３つの外側壁（３’、４’）はスリーブ内壁（８、９）に対して隙間間隔を有していることを特徴とする請求項１ないし４の何れかによる装置。
【請求項６】
特に、スリーブ（５）と接触しているグラファイト管壁（２’）の反対側の発泡グラファイトスリーブの壁（８）のほぼ中央にスリット（７）が配置されることを特徴とする請求項１ないし５の何れかによる装置。
【請求項７】
特に、スリット幅および／または隙間の幅が０．５ないし１ｍｍの間であることを特徴とする請求項１ないし６の何れかによる装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は特に結晶質皮膜を、加熱されて処理室に導入される反応ガスによって特に結晶質の基板に沈積するための装置に関するもので、処理室は特に水晶の壁を有する反応炉ハウジングに配置される多数分割のグラファイトの中空体であり、反応炉ハウジングは処理室の範囲を高周波コイルで取り囲まれ、反応炉ハウジング壁およびグラファイト管の間の空間は、発泡グラファイトスリーブによって充填されている。
【０００２】
【従来の技術】
この種の装置は例えばＵＳ５８７９４６２Ａによって既知である。この文書ではハウジング壁が水晶管で形成され、その周囲に高周波コイルが配置される反応炉を説明している。高周波コイルが水晶管を取り囲んでいる範囲には、水晶管の内部に容器を形成するグラファイトから製作した管が配置される。このグラファイト管は発泡グラファイトから成るスリーブで取り囲まれる。スリーブはグラファイト管よりも小さい熱伝導率を持つ。グラファイト管は高周波磁界により発生する渦電流によって加熱される。発泡グラファイトスリーブは熱絶縁体として役立つ。
【０００３】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は、熱絶縁体を改善するという課題に基づいている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項に示される本発明によって解決される。
【０００５】
請求項１は先ず特に、発泡グラファイトスリーブは長手方向に貫通するスリットを備え、スリットの幅は処理温度に加熱された場合に予想される発泡グラファイトの円周方向に対する長さの伸びより大きくすることを意図している。本発明による装置は、特にＳｉＣ皮膜の沈積に使用され、またＳｉＣ皮膜の昇華または焼なましに利用することもできる。処理温度は１６００℃以上に達する。スリットつきの発泡グラファイトスリーブによって渦電流の誘導は相当低減される。スリットは処理温度においても閉じないので、熱絶縁に寄与する発泡グラファイトスリーブの付随的加熱は処理温度においても充分防止される。その上発泡グラファイト壁に設けられた長手スリットによって、発泡グラファイトスリーブの円周方向の僅かな延びが可能となる。本発明による好ましい形態においては、長手スリットは発泡グラファイトスリーブの軸とほぼ並行に延びる。しかし、スリットは半径方向に直線的に延びていないので、グラファイト管の外壁からスリットを通る直接的な放射の通過はない。スリットはＶ字形とすることが好ましい。本発明の一層の発展として、スリットに直接隣接するグラファイトスリーブの内壁は、グラファイト管の外壁に対して隙間を持っている。この隙間距離は、処理温度への加熱において予想される発泡グラファイトスリーブおよびグラファイト管の予想される伸びの最大よりも大きい。このため高温の状態でも隙間は残される。グラファイト管および発泡グラファイトスリーブの間には一時的な熱ブリッジも発生しない。これによって局部的な熱源および材料の疲労を発生させる恐れのある、グラファイト管および発泡グラファイトスリーブの間の電圧的フラッシュオーバーおよびアークは防止される。好ましい形態においてグラファイト管はほぼ矩形の断面を有し、この矩形のグラファイト管における３つの外壁はスリーブ内壁と隙間を持っている。スリットはグラファイト管と接触しているスリーブ内壁に対向する内壁に設けてもよい。隙間の幅またはスリットの幅は０．５ないし１ｍｍの間としてよい。
【０００６】
以下本発明の実施例を添付した図面によって説明する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
ＣＶＤ反応炉は反応炉の壁を形成する水晶管６を備えている。水晶管の内部には、ほぼその中心に円筒状の水晶管６の軸方向に延びて容器を形成するグラファイト管１が設けられる。グラファイト管１は実施例では合計４つの部品から構成され、外側に湾曲した外部壁２’を有する床部２は発泡グラファイトスリーブ５と接触状態に置かれる。グラファイト管１は床部２と対向するカバー４を備え、２つの側面３によってカバーから離して保持される。カバー４の外部壁も外側に湾曲している。
【０００８】
床部２、側面３およびカバー４によって形成される中空体が処理室１４である。
【０００９】
グラファイト管１は反応炉壁６から離れている。中間の空間は発泡グラファイトスリーブ５で充填される。発泡グラファイトスリーブ５は、ほぼグラファイト管１の外側輪郭の形状を持つ中央部の中空体を備えている。この空間はやや大きいので、外側壁２’を有する床部だけが発泡グラファイトスリーブ５の内壁中空体と接触状態となる。側壁３’は発泡グラファイトスリーブ空間の対応する内壁９と隙間距離を持って対向する。また床部外側壁２’と反対方向に向くカバー４のカバー壁４’は対向する中空体のカバー内壁８と距離を置いて位置する。
【００１０】
カバー４の方向に向いた内壁８のほぼ中央から、発泡グラファイトスリーブ５の全体を通って水晶管６に延びるＶ字形のスリットが始まる。このスリットは、グラファイト管１または水晶管６の長手の方向（軸方向）に直線的に延びる。半径方向、すなわち容器１から反応炉壁６の方向に、このスリットは非直線的に延びる。２つのスリット区間７’、７”が形成され互いに角度を持って延びるので、カバーの外部壁４’から放出される放射は直接的に水晶管６には到達しない。
【００１１】
互いに向かい合う両方のスリット壁１１、１２は１６００℃以上の処理温度でも接触しない程度の大きさの距離を有している。スリットの幅は約０．５ないし１ｍｍである。グラファイト管外側壁および発泡グラファイトスリーブ内壁間の隙間も同じ幅である。
【００１２】
カバー４に設けられる隙間（１．５ｍｍ）は、側面３に設けられる隙間（２ｍｍ）よりも若干小さくしてもよい。
【００１３】
開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応する／添付の優先書類（事前出願のコピー）の開示もまたすべて本出願の開示内に含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項に含まれるものである。
【発明の効果】
熱絶縁体が改善される。
［図面の簡単な説明］
【図１】
本発明による実施例の俯瞰図で部分的に切除した図である。
【図２】
図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩによる断面図である。
【国際公開パンフレット】
2004513524.tif 000003
2004513524.tif 000004
2004513524.tif 000005
2004513524.tif 000006
2004513524.tif 000007
2004513524.tif 000008
2004513524.tif 000009
2004513524.tif 000010
2004513524.tif 000011
2004513524.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成14年7月6日(2002.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に結晶質皮膜を、処理温度に加熱された処理室（１４）に導入される反応ガスによって特に結晶質の基板に沈積し、処理室（１４）は特に水晶の壁を有する反応炉ハウジングに配置される多数分割のグラファイト管（１）の中空体であり、反応炉ハウジングは処理室（１４）の範囲を高周波コイル（１３）で取り囲まれ、反応炉ハウジング壁（６）およびグラファイト管（１）の間の空間は、発泡グラファイトスリーブ（５）によって充填されている装置において、
発泡グラファイトスリーブ（５）をスリットが長手方向および半径方向に貫通し、スリットの幅を処理温度に加熱された場合に予想される発泡グラファイトスリーブ（５）の円周方向における長さの伸びの最大より大きくすることを特徴とする装置。
【請求項２】
発泡グラファイトスリーブ（５）のほぼ並行に長手（軸方向）に延びるスリットが、半径方向には非直線的に延びていることを特徴とする請求項１による方法。
【請求項３】
スリット（７）がＶ字形であることを特徴とする請求項２による方法。
【請求項４】
スリット（７）の全長にわたって隣接するスリーブの内壁区間（８）が、グラファイト管（５）の外側壁（４’）に対して、処理温度に加熱した場合に予想される、発泡グラファイトスリーブ（５）およびグラファイト管（１）の最大よりも大きな隙間距離を有していることを特徴とする請求項１ないし３の何れかによる方法。
【請求項５】
グラファイト管はほぼ矩形の断面を備えており、３つの外側壁（３’、４’）はスリーブ内壁（８、９）に対して隙間間隔を有していることを特徴とする請求項１ないし４の何れかによる装置。
【請求項６】
スリーブ（５）と接触しているグラファイト管壁（２’）の反対側の発泡グラファイトスリーブの壁（８）のほぼ中央にスリット（７）が配置されることを特徴とする請求項１ないし５の何れかによる装置。
【請求項７】
スリット幅および／または隙間の幅が０．５ないし１ｍｍの間であることを特徴とする請求項１ないし６の何れかによる装置。
【国際調査報告】
2004513524.tif 000013
2004513524.tif 000014
2004513524.tif 000015
2004513524.tif 000016
2004513524.tif 000017
2004513524.tif 000018