(57)【要約】【課題】電子部品のための接続バンプの新規な製造方法を提供する。【解決手段】クロミウム層（４）を生成し、接続パッド（８）の材料に対し、クロミウム層（４）により完全に境界づけされる領域に存在するようにする。【選択図】図１ｋ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともひとつの導電トラックを有する回路の上に接続バンプを生成する方法において、
ａ）全回路の表面に薄い銅層（３）とクロミウム層（４）を付着し、
ｂ）レジン層（５）を付着して、バンプが生成される場所と接続トラックが存在しない場所で、この層を除去し、
ｃ）レジン（５）の存在しない場所で前記クロミウム層を除去し、
ｄ）レジン（５）を除去し、
ｅ）感光フィルム（６）を付着し、接続バンプを生成する場所でこのフィルムに開口を形成し、
ｆ）前記開口に接続材料（８）を付着し、
ｇ）前記感光フィルム（６）を除去し、
ｈ）前記クロミウム層又は前記接続材料（８）で被覆されていない場所で前記銅層を除去し、
ｉ）前記接続材料の融点に達するように組立体を加熱する、
ことを特徴とする接続バンプを生成する方法。
【請求項２】
前記接続材料が錫−鉛である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ｄ）と（ｅ）の間で、前記ステップ（ｅ）で前記フィルム（６）に生成された前記開口に銅層（７）を付着するステップがもうけられる、請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は接続バンプを作成する方法に関し、特に、印刷回路又は集積回路の上の接続バンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明は特に非常に小さい接続バンプ例えば直径２００μｍ又はそれ以下、厚さ１００ミクロン又はそれ以下の接続バンプの製造に応用可能である。さらに、これらの接続バンプは全回路にわたって欠陥が少なく構成が比較的一様でなければならない。
【０００３】
さらに、従来の技術では、回路の表面の接続バンプの寸法は絶縁材料の層により境界づけられる。絶縁性のこの層は無視できない厚さを有し、つまり、接続バンプの高さは比較的大きいか又は絶縁層の厚さよりわずかに大きい。さらに、バンプのデザインは低品質である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこれらの欠点を改善することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の特徴は、
少なくともひとつの導電トラックを有する回路の上に接続バンプを生成する方法において、
ａ）全回路の表面に薄い銅層（３）とクロミウム層（４）を付着し、
ｂ）レジン層（５）を付着して、バンプが生成される場所と接続トラックが存在しない場所で、この層を除去し、
ｃ）レジン（５）の存在しない場所で前記クロミウム層を除去し、
ｄ）レジン（５）を除去し、
ｅ）感光フィルム（６）を付着し、接続バンプを生成する場所でこのフィルムに開口を形成し、
ｆ）前記開口に接続材料（８）を付着し、
ｇ）前記感光フィルム（６）を除去し、
ｈ）前記クロミウム層又は前記接続材料（８）で被覆されていない場所で前記銅層を除去し、
ｉ）前記接続材料の融点に達するように組立体を加熱する、接続バンプを生成する方法にある。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明による製造方法を説明する。
【０００７】
第１ステップで、薄い銅の層３次に２−３ミクロン又は２０−３０ミクロンの薄いクロミウムの層４を、少なくとも１つの導電トラック又は導電パッド２をもつ基板１の上に生成する。
【０００８】
図２は、図１ａの装置の上面図の例を示す。従って、図２ａは、例として、基板１が導体と接続パッドに対応する拡大部分を搭載する。第２ステップでは、図１ｂに示すように、感光レジン５が付着される。
【０００９】
第３ステップでは、図１ｃに示すように、接続パッドを生成する場所と接続トラックの無い点のレジン５が従来の技術の方法で除去される。図２ｂはこのステージでの装置を示す。第４ステップでは、図１ｄに示すように、クロミウムがレジン５で保護されていない領域で、任意の方法例えば科学エッチングで除去される。第５ステップでは、図１ｅに示すように、レジン層５が除去される。
【００１０】
第６ステップ（図１ｆ）では、感光フィルム６が付着され、感光材６のこの層の中に、生成する接続バンプの表面に対応して開口を生成する。
【００１１】
次に、第７ステップで、（厚さ５−１０μｍ）の銅のオーバーレイ７が、薄い銅の層３の開口部に生成される。従って図１ｇが得られる。
【００１２】
次に、図１ｈの第８ステップで、錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）のような導電材が付着され、この付着された材料は接続バンプ８を生成させる。
【００１３】
第９ステップでは感光フィルム６が除去される（図１ｉ）。
【００１４】
次に、第１０ステップで、クロミウム層４と導電材８で保護されない全ての領域で回路の表面から銅が除去される（図１ｊ）。
【００１５】
最後に、第１１ステップで、組立体を加熱して、錫−鉛混合体を溶融させ、錫−鉛混合体がほぼ球状のバンプの形になるようにする。このバンプの表面は、錫−鉛混合体のまわりに位置するクロミウム層４によって明確に境界づけされている。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｂ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｃ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｄ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｅ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｆ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｇ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｈ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｉ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｊ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図１ｋ】
本発明による製造方法のステップの例を装置の断面図により示す。
【図２ａ】
本発明の方法の各ステップにおける装置の上面を示す。
【図２ｂ】
本発明の方法の各ステップにおける装置の上面を示す。
【符号の説明】
１  基板
２  導電パッド
３  銅層
４  クロミウム層
５  レジン層
６  感光フィルム
７  オーバーレイ
８  錫−鉛材料
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図１ｇ】
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【図１ｈ】
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【図１ｉ】
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【図１ｊ】
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【図１ｋ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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