(57)【要約】本発明は、集積回路の作製において、通常経験する表面の平坦化、特に、ダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部において経験する銅導体およびＴａ／ＴａＮ障壁層に関する。本発明は、通常、下部表面トポグラフィ８、９、１０の領域にある傾向がある粘性オーバレイ層１３を利用し、化学的作用と機械的作用の組合せによって、前記下部領域をエッチングから保護する、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ配線部用の平坦化法を記載する。実施形態の中のあるものは、粘性オーバレイ層が、粘性層と接触する表面領域からの銅の除去を妨げる種を含有する。こうした種は、数ある添加剤の中の、銅イオンのほぼ飽和した溶液であってよく、それによって、配線部の銅が保護オーバレイ層内に溶解するのを妨げる。本発明の実施形態の中のあるものは、通常、ウェハが平坦化中に回転している間に、粘性オーバレイ層を、エッチャントの導入前にウェハ表面に付加するか、または、エッチャントと粘性オーバレイ層の両方を、ほぼ同時に導入することができる。
2004534377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の配線部の作製において、金属表面を平坦化する方法であって、
ａ）前記金属表面上に保護流体を導入すること、
ｂ）前記金属表面にわたって前記保護流体を分散させること、
ｃ）前記金属表面上にエッチング溶液を導入することであって、それによって、前記保護流体の粘度が、前記エッチング溶液の粘度を超え、それによって、前記保護層が占める前記表面領域において、前記表面のエッチングを妨げること、ならびに、
ｄ）前記金属表面を平坦にエッチングすることを含む方法。
【請求項２】
前記保護流体は、前記金属表面をエッチングすることができるオキシダントを欠く請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保護流体の前記金属表面上への前記導入は、十分な量で、前記金属表面の窪んだ領域に対して優先的な保護を提供することである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記保護流体は、その中に溶解した、前記金属表面を形成する金属のイオンを飽和量だけ含有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属は銅である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記保護流体は、その中に溶解した、飽和させる量の銅イオンを含有するリン酸である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記保護流体および前記エッチング溶液は、ほぼ同時に前記金属表面上に導入される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
集積回路用の前駆物質であって、
ａ）絶縁誘電体層と、
ｂ）障壁層と、
ｃ）導体と、
ｄ）保護流体と、
ｅ）エッチング流体とを備え、それによって、前記保護流体の粘度が、前記エッチング流体の粘度を超える前駆物質。
【請求項９】
前記障壁層はタンタル／窒化タンタルである請求項８に記載の前駆物質。
【請求項１０】
前記導体は銅である請求項８に記載の前駆物質。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路作製中の表面の平坦化、および窪んだ表面領域のエッチングを遅延させる（ｒｅｔａｒｄｉｎｇ）粘性保護オーバレイ層に関する。より詳細には、本発明は、銅表面およびタンタル／窒化タンタル障壁層の平坦化、ならびに、平坦化を促進し、かつ、大きな銅ダマシンフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）および大きな銅デュアルダマシンフィーチャの平坦化において通常発生するディッシングを軽減する粘性オーバレイ層の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（「ＩＣ」）の性能を向上させることは、通常、ウェハ上の素子密度を上げること、およびＩＣがその機能を実行する速度を上げることを要求する。素子密度を上げるには、通常、ウェハ上の導電性トレンチおよび導電性バイア（「配線部（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ）」）のサイズを減らすことが要求される。しかし、電流を運ぶ導体の断面積を減らすことは、同じ導電性材料に対する電気抵抗を増やし、電気抵抗の増加は、回路性能を劣化させ、配線部の加熱を増加させる。現在のＩＣ技術は、通常、タングステン（Ｗ）配線およびアルミニウム（Ａｌ）配線および／またはこれらの材料を含有する合金を利用する。両方の金属、ＡｌおよびＷ、ならびにそれらの通常の合金は、現在のデバイスで使用するのに適当な導電率を有するが、将来の世代のＩＣは、好ましくは、高い導電率材料を利用するであろう。銅（Ｃｕ）は主要な候補の中の１つである。
【０００３】
Ｃｕは、現行のＩＣ配線材料より導電率が高い利点を有するが、いくつかの欠点を有する。Ｃｕは、ＩＣ作製時に通常使用される他の材料を通して、容易にかつ広く拡散する非常に拡散性のある汚染物質であり、拡散時にＩＣ性能を著しく劣化させる。タンタル（Ｔａ）および窒化タンタル（ＴａＮ）は、Ｃｕ蒸着の前に蒸着されることができ、それによって、Ｃｕが周辺材料内に拡散するのを妨げる、有望な障壁材料、すなわち「ライナ」として確認されている。銅ＩＣ配線部および他の微小電子技術の最近の概観は、「Ｃｏｐｐｅｒ−Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ、２０００）において、Ｓｈｙａｍ  Ｐ．Ｍｕｒａｒｋａ、Ｉｇｏｒ  Ｖ．ＶｅｒｎｅｒおよびＲｏｎａｌｄ  Ｊ．Ｇｕｔｍａｎｎによって示されている。
【０００４】
平坦化は、現代のＩＣ素子で必要とする精度でパターニングし、エッチすることができる平坦で、滑らかな表面を提供する、多層ＩＣの作製において必要なステップである。従来の平坦化技法は、当技術分野で知られている化学機械平坦化（ＣＭＰ）であり、教科書（たとえば、Ｊｏｓｅｐｈ  Ｍ．Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ、Ｓｈｙａｍ  Ｐ．ＭｕｒａｒｋａおよびＲｏｎａｌｄ  Ｊ．Ｇｕｔｍａｎによる「Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」（１９９７））に記載されている。ＣＭＰは、アブレーシブスラリーが研磨パッドとウェハの間に介在した状態で平坦化されるはずのウェハと機械接触するようにされる研磨パッドを利用する。ウェハに対する研磨パッドの相対運動（通常は回転）によって、機械的アブレーションによるウェハの研磨がもたらされ、次に、エッチング溶液に含有される適当な反応性化学薬品によって、ウェハの化学的エッチングが行われる。非接触平坦化もまた提案されており、非接触平坦化では、事実上、ウェハ上に機械的アブレーションが生ぜず、化学的作用によって平坦化する。こうした非接触平坦化の一技法は、回転するウェハおよび適当なエッチング化学薬品を利用しており（「スピンエッチ平坦化」）、出願番号０９／３５６，４８７（参照により本明細書に組み込まれる）に記載されている。非接触平坦化のいくつかの態様は、Ｊ．Ｌｅｖｅｒｔ、Ｓ．ＭｕｋｈｅｒｊｅｅおよびＤ．ＤｅＢｅａｒ著「Ｓｐｉｎ  Ｅｔｃｈ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ」Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＥＭＩ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ９９、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  １−３、１９９９、ｐｐ．４−７３から４−８２によって報告された。Ｊ．Ｌｅｖｅｒｔ、Ｓ．Ｍｕｋｈｅｒｊｅｅ、Ｄ．ＤｅＢｅａｒおよびＭ．Ｆｕｒｙ著「Ａ  Ｎｏｖｅｌ  Ｓｐｉｎ−Ｅｔｃｈ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  Ｄｕａｌ−Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ」Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、Ｏｃｔｏｂｅｒ  １９９９、ｐ．１６２  ｆｆもまた参照されたい。上述の全てにおいて引用された参考文献を含めて、Ｓｈｙａｍａ  Ｐ．Ｍｕｋｈｅｒｊｅｅ、Ｊｏｓｅｐｈ  Ａ．ＬｅｖｅｒｔおよびＤｏｎａｌｄ  Ｓ．ＤｅＢｅａｒ著「Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄａｍａｓｃｅｎｅ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ  ｂｙ  Ｓｐｉｎ−Ｅｔｃｈ  Ｐｒｏｃｅｓｓ：  Ａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｐｐｒｏａｃｈ」ＭＲＳ  Ｓｐｒｉｎｇ  Ｍｅｅｔｉｎｇ、Ｓａｎ  Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ、Ｃａｌｆｏｒｎｉａ、Ａｐｒｉｌ  ２７、２０００もまた参照されたい。
【０００５】
他の銅平坦化方法は、Ｍｏｓｌｅｈｉの方法（ＷＯ９９／１４８００号）、およびＣａｎｔｏｌｉｎｉおよび共同研究者によって述べられている電気化学技法または電解研磨技法（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４１、Ｎｏ．９、ｐｐ．２５０３−２５１０、Ｓｅｐｔ．１９９４およびＷＯ９２／０７１１８）を含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ＩＣの作製におけるＣｕ／Ｔａ／ＴａＮを平坦化するための改良された方法に関する。本発明は、スピンエッチ平坦化、従来のＣＭＰ、または当業者に明らかな他の平坦化技法と共に使用することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、集積回路の作製において通常経験する表面、特に、ダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部において経験する銅導体およびＴａ／ＴａＮ障壁層の平坦化に関する。議論を明確にするために、現在、技術的関心がかなりある例、銅表面およびＴａ／ＴａＮ障壁層の平坦化を考える。本明細書で開示する発明を他のシステムの平坦化へ適用することが、当業者には明らかになるであろう。
【０００８】
銅層の蒸着に続いて、銅層の上面の表面トポグラフィが、平坦化プロセスによって除去されるはずであり、それによって、周辺の誘電体と同じ平面になるほぼ平坦な導体が得られる。「ディッシング」は、誘電体表面の平面の下にある銅配線部に凹部領域を形成する傾向に関連する。ディッシングは、大きな配線部の平坦化において、通常最も顕著な問題である。
【０００９】
本発明は、通常、下部表面トポグラフィの領域にとどまる傾向がある粘性オーバレイ層を利用し、前記下部領域を、化学的および機械的作用の組合せによるエッチングから保護する、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ配線部用の平坦化法を記載する。同時に、表面トポグラフィの保護の程度が低い隆起領域は優先的に（ｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｌｙ）除去される。いくつかの実施形態において、粘性オーバレイ層は、粘性層と接触している表面領域から銅が除去されるのを妨ぐ種を含有する。こうした種は、銅イオンのほぼ飽和した溶液であってよく、それによって、配線部の銅が保護オーバレイ層内に溶解するのが妨げられる。銅表面が溶解することを抑制する、または銅表面をパッシベートする、とりわけ、キノリンまたはベンゾトリアゾールを含む他の種を、粘性オーバレイ層に含むことができる。本発明のいくつかの実施形態において、粘性オーバレイ層を、ウェハ表面にエッチャントを導入する前に付加してもよいし、または、通常、ウェハが平坦化中に回転している時に、エッチャントおよび粘性オーバレイ層の両方を、ほぼ同時に導入してもよい。一実施形態は、集積回路の配線部の作製において金属表面を平坦化する方法に関連しており、その方法は、前記金属表面上に保護流体を導入すること、前記金属表面にわたって前記保護流体を分散させること、エッチング溶液を前記金属表面上に導入することであって、それによって、前記保護流体の粘度が前記エッチング溶液の粘度を超え、それによって、前記保護層が占める前記表面領域の前記表面のエッチングが妨げられること、ならびに、前記金属表面を平坦にエッチングすることを含む。
【００１０】
本明細書の図面は、概略的であり、一定尺度になっていない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下の説明および図において、同じ参照番号は、同じ要素を特定するように使用されている。本明細書で提示されている図面は、概略的であり、一定尺度になっていない。
【００１２】
ダマシンプロセスおよびデュアルダマシンプロセスの多くの変形形態が、当技術分野で知られている。たとえば、「Ｃｏｐｐｅｒ−Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」（前掲書）、ｐｐ．２６５−３１１およびその中に引用されている参考文献（参照により本明細書に組み込む）を参照されたい。本明細書で提示されているダマシンプロセスおよびデュアルダマシンプロセスの例は、例示的であるだけであって、本発明の範囲すなわち適応性を制限することを意図しない。
【００１３】
図１は、平坦化前の、典型的なダマシン金属配線構造（「配線部」）の断面図を示す。絶縁誘電体層１（通常、「層間誘電体」またはＩＬＤと呼ばれる）は、数ある技法の中で、通常、フォトリソグラフィ、プラズマエッチングによってパターニングされる。障壁層２は、通常、パターニングされた誘電体上に蒸着され、その後、導体３の蒸着が行われる。典型的な障壁層は、銅導体３と共に使用するために、通常、タンタル／窒化タンタル（「Ｔａ／ＴａＮ」）である。説明を具体的にするために、Ｔａ／ＴａＮ障壁層を用いた銅配線部の平坦化に関連する特定の例が説明されるが、それによって、本発明の範囲を制限することを意図しない。他のシステムに対する変更または拡張は、当業者には明らかであり、本発明の範囲内に含まれる。
【００１４】
実際には、金属層３を蒸着する通常の手段（とりわけ電着、ＣＶＤ、ＰＶＤ）は、リップ部まで確実に（ｐｒｅｃｉｓｅｌｙ）フィーチャを充填しないか、または誘電体と同じ平面になる導体表面を形成しない。そこで、一般的な手法は図１に示してある手法であって、導体３は、バイアおよびトレンチ５などの配線部フィーチャを充填するのに加えて、フィーチャの間の平坦な「フィールド」領域４をコーティングして、金属層が全誘電体表面の上にあるようにする。通常、コーティングプロセスは、コーティングされている下地のＩＬＤフィーチャのサイズのばらつきのために、銅層の平坦でない表面トポグラフィを生ずる。表面構造を図８、９および１０に示す。後続の処理によって、銅材料および障壁層が除去されて、数ある処理ステップの中で追加の材料蒸着およびパターニングに適した配線部表面であって、誘電体１の表面と理想的に同じ平面になる配線部表面を形成するようにする。図２は、平坦化の理想的な結果を示しており、全ての銅および障壁層材料がフィールド領域４から除去され、銅導体３の上面は、平坦で、ＩＬＤ１の上面と同じ高さになる。
【００１５】
図３Ａは、パターニング、フィーチャ内およびフィールド領域上での、障壁層の蒸着および金属層の蒸着後の典型的なデュアルダマシンフィーチャを示す。バイア６およびトレンチ７は、障壁層２でコーティングされ、銅３で充填され、その結果、下地のトレンチ構造およびバイア構造を反映する表面トポグラフィ２０を生ずる。
【００１６】
ダマシン配線部またはデュアルダマシン配線部のいずれかの平坦化の第１ステップは、フィールド領域およびフィーチャ領域上の金属の除去、すなわちフィールド領域内の障壁層の露出である。理想的には、フィールド金属は、フィーチャ内の金属の上面が周囲フィールドと同じ平面になるまで平坦にする方法で除去される。図３Ｂに示す一実施形態は、フィールド障壁層２について、コプラナリティ（ｃｏｐｌａｎａｒｉｔｙ）が達成されるまで除去されたフィールド金属を示す。金属除去方法のうちのあるものは、異なる方法で金属を除去し、図３Ｂに示すフィールド領域上の露出した障壁層をもたらす。金属除去方法のうちのあるものは、銅フィールド平坦化ステップの終点を示す「エッチストップ」として障壁層を使用する。通常、障壁層を除去しない（または、障壁層を銅層よりずっと遅い速度で除去する）銅除去プロセスは、障壁層が露出した時に、フィールド領域上で効果的に終了するであろう。しかし、障壁層が露出した時にエッチャントが速く除去されなければ、エッチングが銅フィーチャ内に継続して、フィーチャ内の銅の上面に凹部構造をもたらすであろう（「ディッシング」）。ディッシングの低減または回避は、本発明の一目的である。
【００１７】
図３Ｂに示す障壁層の露出に続いて、障壁層は、通常、図３Ｃに示す、金属充填フィーチャと誘電体のコプラナリティを保持するための、十分な金属の除去に加えて、後続の平坦化によって除去される。平坦化方法が障壁層と銅の除去における実質的に１：１の選択性を達成する場合、図３Ａから図３Ｃまでの直接平坦化を、１ステップで行うことができる。
【００１８】
図１、２、３Ｂおよび３Ｃに示す構造と同様な構造をもたらす方法によって、ダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を作成することは、実際にはまれに実現される理想化されたものである。銅ダマシン配線部および銅デュアルダマシン配線部の実際の平坦化は、いくつかの問題を含んでおり、その中の２つは、本発明の主要な関心事、すなわち、表面トポグラフィおよびディッシングである。
【００１９】
表面トポグラフィ
図１は、パターニングした誘電体上に銅を蒸着する時（通常、障壁層２が銅３と誘電体１の間に介在した状態で）に生ずる可能性のある一タイプの不完全性の、概略的な（かつ、一定尺度ではない）断面図である。銅は、ほぼコンフォーマルに（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）、被覆され（ｐｌａｔｉｎｇ）、または蒸着される傾向があり、銅層の表面に、より大きな下地のトポグラフィのフィーチャを再生する傾向がある。したがって、より大きなフィーチャ、通常はトレンチの窪んだ特徴が、銅表面において窪んだ表面トポグラフィ９および１０として現れる可能性がある。しかし、バイアを含むより小さなフィーチャでさえも、何らかの表面トポグラフィ８を示す可能性がある。銅表面のこの不均一な構造は、平坦化プロセスにおいて除去されるべきであり、平坦化が材料のコンフォーマルな除去でないことが好ましいことを示している。すなわち、銅除去プロセスは、平坦化を達成するために、不均一な表面の高所の領域から材料を優先的に除去しなければならない。従来のＣＭＰは、材料の化学的除去に加えて機械的力を与えることを含む。機械的力は、研磨パッドと近接するように突き出る表面の隆起部上で大きくなる傾向があり、隆起部における材料の除去速度が大きくなることにつながる。非接触化学エッチングは、隆起トポグラフィフィーチャの優先的な除去が起こり、平坦化される他のモードを必要とする。スピンエッチ平坦化における最近の開発は、参照により本明細書に組み込まれる、特許第０９／３５６，４８７号に記載される平坦度を達成するために、拡散制御反応、平衡化酸化低減反応、セルフガルバニックマイクロカップル（ｓｅｌｆ−ｇａｌｖａｎｉｃ  ｍｉｃｒｏｃｏｕｐｌｅｓ）および／またはエッチ制御用添加剤を利用する。したがって、銅配線部の効果的な平坦化を達成する時に対処すべき１つの問題は、金属を除去しながら、表面トポグラフィを効果的に平滑化することである。
【００２０】
ディッシング
図３Ａは、平坦化前の、トレンチおよびバイアを含む典型的なデュアルダマシン配線部構造の断面図を示す。コンフォーマルな被覆から生ずる、表面トポグラフィ８、９および１０が、デュアルダマシン配線部にも存在する可能性がある。この付加的な作用を省略して、ディッシングに的を絞ることで説明を単純にする。一般に、ディッシングおよび表面トポグラフィの両方が存在し、効果的で、実用的な平坦化方法の設計においては、両方の作用が同時に考慮される必要があるであろう。
【００２１】
完全な平坦化は、フィーチャ７の上面が、フィールド領域上の障壁層の上面と同じ平面になるまで銅を除去する。理想的な平坦化は、銅層と同じ速度で障壁層２を除去するであろう。すなわち、実質的に１：１の選択性である。したがって、単一の処理ステップで銅層と障壁層の両方を除去する、１ステップ平坦化を使用することができる。表面トポグラフィが平坦化に影響を及ぼさず、障壁層が除去され、ＩＬＤ１とのコプラナリティが生ずるとすぐエッチングが停止されるプロセスについて、理想的な結果が図３Ｃに示されるであろう。しかし、この理想的な状況は実際にはたびたびは得られない。図３Ａの配線部の従来の平坦化は、フィーチャの内部領域の銅を除去して、図３Ｄで１１として示すディッシュ状幾何学的形状を生ずる。ディッシングは、フィールド領域の上にある、フィールド領域銅４および障壁層２を除去することの一般的な好ましくない副作用である。
【００２２】
しかし、障壁層は、通常、Ｔａ／ＴａＮであり、障壁層を除去するのにかなり強烈なエッチャントが必要となる。第１セットのエッチャントが銅を除去し、他のエッチャントが障壁層を除去する、２ステップ平坦化プロセスを使用することができる。こうしたエッチャントの使用は、そのエッチャントが保護されていないＣｕ表面に塗布される場合、銅の除去速度がより速くなることが多い。１１として示すディッシングは、好ましくない結果である。ディッシングは、より大きなフィーチャ、通常、約１０μｍ（１０ミクロン）を超えるフィーチャ寸法１０の場合に、より深刻な問題になりがちであることが留意されるべきである。現代の集積回路技術は、５０μｍほどの、またはそれを超えるフィーチャ寸法を平坦化しようとする場合があり、その寸法によってディッシングが実用上の深刻な問題になる。
【００２３】
平坦化が２ステッププロセスによって行われる場合、銅の除去とそれに続く障壁層の除去において、いくつかの要素を考慮する必要がある。第１ステップで採用した化学薬品は、銅を選択的に化学研磨または除去できなければならない。この例において、平坦化を受ける全表面にわたっての銅除去の不均一性は、ディッシングを回避する時に重要である。銅領域の中のある領域は、（障壁層まで、または障壁層と同じ平面になるように）銅を取り除かれるが、他の領域は取り除かれない場合、残った銅が、洗浄されなかったエリアから除去されると、取り除かれたエリアでのディッシングが予想される。したがって、２つの一般的なディッシングの原因がある。すなわち、１）第１除去ステップにおける銅除去の不均一性。２）より小さなフィーチャより速い速度での大きなフィーチャの優先的なエッチングまたは研磨。
【００２４】
本発明は、ディッシングの問題を軽減し、またはなくす、銅ダマシン配線部または銅デュアルダマシン配線部の平坦化のためのいくつかの実施形態を提供する。さらに、本発明のいくつかの実施形態は、コンフォーマルな被覆（図１）から生ずる表面トポグラフィを有する銅表面を平坦化することができる。種々の実施形態が、種々の処理環境で種々の利点を提供する。
【００２５】
粘性保護オーバレイ層
不均一な金属表面（たとえば、図１）の平坦化は、表面の隆起部の優先的なエッチングを必要とする。本発明の実施形態のうちのあるものは、パッシベートする金属、銅または化学的抑制化合物によって優先的に飽和した、粘性流体オーバレイ層の形態の保護オーバレイ層またはパシベーションオーバレイ層を利用する。本明細書で使用される「保護流体」は、被覆された表面領域（複数可）のエッチングを妨げるか、または遅延させる傾向のある、表面上のオーバレイ層を意味する。一実施形態は、図４Ｂで概略的に粘性流体１３を示す。粘性流体１３は、表面上に堆積し（通常、表面１２上で回転させ、分散させることによって）、図４Ｂの１３で示す窪んだ領域に集まる傾向があり、表面のほぼ平坦な上面を与える。下部表面領域に集中する傾向のある粘性流体の存在は、下部領域をエッチャントによる攻撃からシールドする、生成したオーバレイ層によって、表面のその部分からのエッチングを遅延させるのに加えて、抑制層を金属表面に近接するように組み込むことによって（通常、オキシダントは組み込まれない）金属除去を遅延させる。この抑制層の一実施形態は、パッシベートする金属イオンまたは銅イオン、あるいはエッチャントの存在下で銅除去を抑制することが知られている他の物質によって飽和した粘性層である。インヒビタの例は、とりわけ、キノリン、ベンゾトリアゾールを含む。
【００２６】
一般に、粘性流体は、粘性流体とエッチング試薬の間の、はっきりとした境界のないグラジエント部（ｇｒａｄｉｅｎｔ）内に形成されるであろう。しかし、それでも、エッチャントより大きな（または大幅に大きな）粘度を有する保護層を選ぶことによって、粘性流体が下部表面領域に優先的に集中し、金属除去の速度が遅延することになるである。粘性オーバレイ層の使用は、特許出願第０９／３５６，４８７号に記載されるスピンエッチ平坦化などの非接触平坦化と共に効果的に実施され、その特許では、ウェハの回転によって遠心力が生じ、粘性保護流体よりもエッチャントをより容易に拡散させる。
【００２７】
銅配線部表面を保護するための、本発明の実施形態の中のあるものは、銅イオンで飽和した粘性溶液が、通常、エッチャントと共に使用するための、リン酸を含有するリン酸銅の形で調製される。本発明を実施する時の都合の良い１つの選択は、その中に銅塩、通常、とりわけリン酸銅、硝酸銅、酢酸銅、または銅アルコキシドが溶解するリン酸の溶液を使用することである。こうした溶液は、約１．７５の密度を有し、オキシダントを欠いてよい。この粘性溶液は、通常、表面上にスピン蒸着され、下部表面領域におけるエッチングを優先的に遅延させる。リン酸銅（または、他のエッチャントと相性のよい（ｃｏｎｖｅｎｉｅｎｔ）他の銅塩）でオーバレイ層を飽和させることによって、平坦化を受ける表面からの銅の溶解が妨げられる。
【００２８】
本発明の実施形態の中のあるものは、通常、ウェハが回転している間に、ウェハ上に保護流体とエッチャントを同時に導入することを利用する。図５に概略的に示す材料の構成がその結果である。流体層１４は、エッチャントおよび粘性流体を、混合物、または分散物として含有する。そして、より粘性のある流体（通常、より濃度の濃い）は、流体層１４の下部領域に、そして窪んだ領域に集中する傾向があるであろう。したがって、エッチャントと保護流体の同時導入によって、保護流体がそれを必要とする窪んだ表面領域に優先的に集中することになる。
【００２９】
銅を除去する典型的なエッチャント溶液は以下の通りであり、％は、十分に濃厚な試薬の体積％である。
【００３０】
２成分試薬：
Ｉ．硝酸：１％〜２０％、好ましくは３％〜１０％
リン酸：残りの溶液
３成分試薬：
Ｉ．硝酸：１％〜２０％、好ましくは３％〜１０％
硫酸：２０％〜５０％
リン酸：残りの溶液
ＩＩ．硝酸：１０％
酢酸：４０％
リン酸：５０％
ＩＩＩ．硝酸：６％
酢酸：２４％
リン酸：７０％
過酸化水素を使用して、上述したエッチャント混合物において、全体を、または一部を、硝酸に置換えることができる。
【００３１】
エッチングに続いて、付加的な材料層の蒸着に備えて、残留エッチング試薬、保護流体、エッチング副産物などが、ウェハ表面から洗浄される。エッチング後の洗浄は当技術分野でよく知られており、数ある参考文献の中で、Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ等著の、上掲のｐｐ．２８９−３０５によって記載されている。
【００３２】
添加剤：
本発明の実施形態の中のあるものは、銅の除去が、障壁層の露出およびオーバレイ層の除去につながり、図３Ｂの構成をもたらす。この時点で、銅層の平坦度を保持しながら、すなわち、ディッシングを回避しながら、障壁層２を除去する必要がある。障壁層、Ｔａ／ＴａＮの除去は、通常、とりわけ、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、臭化アンモニウムなどのかなり強烈な化学エッチャントを必要とする。こうした強烈なエッチャントは、銅をエッチングし、すなわち、障壁層より速い速度で銅をエッチングして、ディッシングを生ずる可能性がある。したがって、障壁層と比較して銅を選択的に保護することが、本発明のこれらの実施形態においては有益である。
【００３３】
ディッシングを回避するための一手法は、エッチング溶液に、銅の上で選択的に吸着される選択的添加剤を導入することである。吸着される種は、障壁層の除去が進行することを可能にしながら、銅がさらにエッチングされるのを保護するように選ばれる。添加剤（通常、有機化合物）は、表面エネルギーの高い場所で吸着され、吸着サイトでの銅の蒸着を遅延させる傾向のある「サプレッサ」または「インヒビタ」として、電気めっき分野で知られている。同様な作用は、銅の溶解を妨げることに対して起こる。こうした添加剤は、エッチャントとの相溶性がなければならない（すなわち、エッチャントの存在下で分解されない、すなわち、効果がなくならない）。典型的な添加剤は、硫酸タイプの添加剤、グリコール、または典型的なエッチャントバスと相溶性のある他の添加剤（たとえば、リン酸）を含む。
【００３４】
本明細書で記載した平坦化は、銅および電解エッチャント溶液に外部電圧を印加することによってさらに進み、それによって、本明細書で記載した化学的および機械的平坦化作用に、電気化学的作用を付加することができる。
【００３５】
本明細書で記載したエッチング手法によって、ＩＣ作製時の、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮの平坦化のための改良された方法が得られる。得られるＩＣの性能の向上および／またはプロセススループットの向上が得られる。
【００３６】
本発明を詳細に述べてきたが、本開示によって、本明細書で記載した発明の概念の精神から逸脱することなく、本発明に変更を行うことができることを、当業者は理解するであろう。したがって、本発明の範囲は、示され、また述べられた、特定で、好ましい実施形態に限定することは意図されていない。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】平坦化前の、典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図２】理想的な平坦化プロセス後の典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図３Ａ】平坦化前の、典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図３Ｂ】理想的な平坦化プロセスのために、フィールド銅を除去し、フィールド障壁層を露出させた後の、典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図３Ｃ】理想的な平坦化プロセスのために、完全な平坦化を行った後の、典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図３Ｄ】従来の（理想的でない）平坦化プロセスに続いて、完全な平坦化を行った後の、典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図４Ａ】全体を被覆する粘性オーバレイ層の塗布を含む、平坦化前の、表面トポグラフィを含む典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図４Ｂ】部分的に被覆する粘性オーバレイ層の塗布を含む、平坦化前の、表面トポグラフィを含む典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図５】表面を完全に被覆する粘性オーバレイ層の塗布を含む、平坦化前の、表面トポグラフィを含む典型的なダマシン配線部およびデュアルダマシン配線部を示す断面略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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