(57)【要約】共通の反射器内に相並べて配置した多数の発光ダイオードチップ間に各々隔壁を配置し、光出力を著しく高めた、オプトエレクトロニクス部品を提供する。多数の発光ダイオードチップ（５）を１つの反射器（３）内に含む部品を、それらのチップ間に隔壁（１１）を配置し、該隔壁（１１）により発光ダイオードチップの光路を遮断するように形成する。こうすると、あるチップで生じた放射光が隣接するチップ内に入射し、ここで吸収されてしまうことがなくなる。
2004517465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の反射器（３）内に相並べて配置された多数の発光ダイオードチップ（５）間に、各々隔壁（１１）が配置されたことを特徴とするオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
反射器（３）が、プラスチック容器（２）内の凹所により形成されたことを特徴とする請求項１記載の部品。
【請求項３】
隔壁（１１）が、特にＶ字形の断面を有する反射性の分離ウェブにより形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の部品。
【請求項４】
発光ダイオードチップ（５）が、反射器（３）もしくは凹所の底部に延びる接触支持台（６）上に配置されたことを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の部品。
【請求項５】
発光ダイオードチップ（５）が、容器（２）の反射器（３）上もしくは凹所内に形成された導体路（１２）に固定されたことを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の部品。
【請求項６】
前記反射器（３）が発光ダイオードチップ（５）の放射光に対し透明な合成樹脂で注型されたことを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の部品。
【請求項７】
少なくとも３枚の発光ダイオードチップ（５）が、反射器（３）内に、想像上の多角形の角点に配置されており、隔壁（１１）が、発光ダイオードチップ（５）間に星形に延びることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の部品。
【請求項８】
各々２つの発光ダイオート・チップが、各発光ダイオードチップ（５）の中心から測定して、互いに０．５〜１ｍｍ、特に約０．８ｍｍの間隔を有することを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の部品。
【請求項９】
隔壁（１１）の高さが、発光ダイオードチップ（５）の高さを２５％、特に１０％迄は越えることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の部品。
【請求項１０】
隔壁（１１）が、プラスチック容器（２）の各々２つの発光ダイオードチップ（５）間に突出することを特徴とする請求項２又は請求項２に従属する請求項３乃至９の１つに記載の部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、請求項１の前文に基づくオプトエレクトロニクス部品に関する。
【０００２】
この種の部品は、一般に公知である。発光ダイオードチップは、様々な色の光を放射できることから、これらの部品は多色光を放射するのに使用できる。更に発光ダイオードを、１つの反射器内に一緒に配置していることから、部品は、放射する光の多色性にも拘わらず比較的小型の儘である。
【０００３】
しかし公知の部品の場合、光出力は個々の発光ダイオードチップの光出力の合計を下回った儘である。
【０００４】
この従来技術を基に、本発明は光出力を改善した部品の提供を課題とする。
【０００５】
この課題は、本発明の請求項１に記載の特徴を有する部品により解決される。
【０００６】
本発明による部品の場合、発光ダイオードチップ間の直接の光路は遮光により中断され、従って１つの発光ダイオードチップから放射される放射光の極く僅かが他の発光ダイオードチップにより吸収されるに過ぎない。この措置により、生じる損失の主な原因は排除される。従って本発明による部品の光出力は、個々の発光ダイオードチップの光出力の合計にほぼ等しいものになる。
【０００７】
本発明の他の有利な実施形態は従属請求項の対象である。
【０００８】
以下に本発明の実施例を、個々に添付の図面に基づき詳述する。
【０００９】
図１は、以下に図１と２により詳述する部品１の平面図を示す。部品１は、凹所３が形成された容器２を有する。傾斜した側壁４を有する凹所３は、該凹所３内に配置された発光ダイオードチップ５の反射器の役目をする。発光ダイオードチップ５は接触支持台（リードフレーム）６上に配置されており、その連結要素７は、容器２から側方に突き出ている。接触支持台６は、それらを部分毎に固定する役目を果たすカバー層８の下にある。更にこの接触支持台６は、個々の発光ダイオードチップ５の取付台９と、発光ダイオードチップ５の接続に使用されるボンド線用接続面１０とに区分されている。発光ダイオードチップ５の接続に使われるボンド線は、図１及び２には示していない。
【００１０】
発光ダイオードチップ５は、各チップ５の中心から測定して０．８ｍｍの間隔をあけて容器２内に配置されている。発光ダイオードチップ５の取付台９間には約０．２ｍｍの幅の隙間がある。図１及び２の実施例の場合、取付台９間の接触台６内の隙間は、断面Ｖ字形の壁面の隔壁１１により占められる。隔壁１１により発光ダイオードチップ５間の直接の層接触は阻止される。従って発光ダイオードチップ５の１つから放出される放射光は、他の発光ダイオードチップ５の１つにより直接に吸収されることはない。この理由から部品１の光出力は個々の発光ダイオードチップ５の光出力の合計とほぼ等しくなる。
【００１１】
隔壁１１のＶ字形断面により、隔壁１１に当る光の外向きの反射を保証する。隔壁１１の高さは発光ダイオードチップ５の高さの２５％、好適には１０％迄は越える必要がある。この高さは、各々凹所の底面から測定した値である。隔壁１１の高さが発光ダイオードチップ５の高さ以下では、発光ダイオードチップ５間の光路を完全には遮断できない。逆に隔壁１１が高過ぎると、隔壁１１はＶ字形の壁面の故に場所を取り過ぎる。つまり隔壁１１の高さにより、各発光ダイオードチップ５の放射特性が定まる。発光ダイオードチップ５が主に下向きに放射する場合、隔壁１１の高さは発光ダイオードチップ５の高さより低くてもよい。
【００１２】
部品１の製造には、まず接触台６上に熱可塑性プラスチック又はデュロプラスチックを噴射し、次に発光ダイオードチップ５を取付台９上に置き、接着する。引続き凹所３を、発光ダイオードチップ５の放射光を透過する樹脂で満たす。
【００１３】
同じ方法を、接着支持台６を完全な導電板に換えた場合にも使用できる。この場合発光ダイオードチップ５の範囲内の導電板に吹き付けて容器２を形成する。
【００１４】
図３は、部品１を代えた実施例の断面図を示す。この場合、まず容器２を形成し、次に容器２の表面上に必要な導体路１２を形成する。そのため、所謂ＣＩＭＩＤ技術を用いてもよい。この技術を利用し、まず容器２の表面上に水溶液中で薄い金属層を析出させ、引続きレーザでパターニングする。こうしてパターニングした金属層を引続き電気メッキ法で厚くする。この方法は、隔壁１１を反射性の金属層で被覆できる利点を持つ。こうして部品１の出力を更に改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光ダイオードチップを備えた、本発明による部品の平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】変更した部品の切断面図。
【符号の説明】
１  部品
２  容器
３  凹所（反射器）
４  側壁
５  発光ダイオードチップ
６  接触支持台
７  連結要素
８  カバー層
９  チップ取付台
１０  ボンド線用接続面
１１  隔壁
１２  導体路
【国際公開パンフレット】
2004517465.tif 000003
2004517465.tif 000004
2004517465.tif 000005
2004517465.tif 000006
2004517465.tif 000007
2004517465.tif 000008
2004517465.tif 000009
2004517465.tif 000010
2004517465.tif 000011
【国際調査報告】
2004517465.tif 000012
2004517465.tif 000013
2004517465.tif 000014
2004517465.tif 000015
2004517465.tif 000016
2004517465.tif 000017