(57)【要約】１層以上のバリヤ層で場合により既に被覆され、かつ光を用いて書き込み可能な情報層、場合により１層以上のバリヤ層及びカバー層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ媒体であって、該データ媒体は集束青色光、有利には３６０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長を有するレーザ光を使用してカバー層を通って情報層上で書き込み及び読み出しが可能であり、該情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ媒体において、少なくとも１つの色素を吸光性化合物として使用し、その際、情報層の上の接着層を含むカバー層が１０μｍ〜１７７μｍの全厚を有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数ＮＡが０．８より大きいか又はそれに等しいことを特徴とする光学データ媒体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層以上のバリヤ層で場合により既に被覆され、かつ光を用いて書き込み可能な情報層、場合により１層以上のバリヤ層及びカバー層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ媒体であって、該データ媒体は集束青色光、有利には３６０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長を有するレーザ光を使用してカバー層を通って情報層上で書き込み及び読み出しが可能であり、該情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ媒体において、少なくとも１つの色素を吸光性化合物として使用し、その際、情報層の上の接着層を含むカバー層が１０μｍ〜１７７μｍの全厚を有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数ＮＡが０．８より大きいか又はそれに等しいことを特徴とする光学データ媒体。
【請求項２】
吸光性化合物として使用される色素がフタロシアニン又はナフタロシアニンであり、その際、両者の場合に芳香環は複素環であってよい、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項３】
吸光性化合物として使用される色素がメロシアニン色素である、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項４】
情報層上のバリヤ層が少なくとも、１層の誘電性層を有する、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項５】
バリヤ層が誘電性層を情報層上で直接有し、かつ感圧性接着層を誘電性層上に有し、かつその上に最上層のカバー層を有する、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項６】
最上層のカバー層がポリカーボネート、コポリカーボネート、ポリシクロオレフィン又はポリオレフィンである、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項７】
色素が式（Ｉ）
ＭＰｃ［Ｒ３］ｗ［Ｒ４］ｘ［Ｒ５］ｙ［Ｒ６］ｚ        （Ｉ）
［式中、
Ｐｃはフタロシアニン又はナフタロシアニンを表し、その際、両者の場合に芳香環は複素環であってもよく、
Ｍは２つの無関係のＨ原子を表すか、二価の金属原子を表すか、又は三価のアキシアルに一置換された式（Ｉａ）
【化１】
2004534344.tif 000076
の金属原子を表すか、又は四価のアキシアルに二置換された式（Ｉｂ）
【化２】
2004534344.tif 000077
の金属原子を表すか、又は三価のアキシアルに一置換されかつアキシアルに一配位された式（Ｉｃ）
【化３】
2004534344.tif 000078
の金属原子を表し、
その際、荷電配位子又は置換基Ｘ１又はＸ２の場合において、電荷は対イオンによって補償されており、かつ
基Ｒ３〜Ｒ６はフタロシアニンの置換基に相当し、
Ｘ１及びＸ２は互いに無関係にハロゲン、ヒドロキシル、酸素、シアノ、チオシアナト、シアナト、アルケニル、アルキニル、アリールチオ、ジアルキルアミノ、アルキル、アルコキシ、アシルオキシ、アルキルチオ、アリール、アリールオキシ、−Ｏ−ＳＯ２Ｒ８、Ｏ−ＰＲ１０Ｒ１１、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ１２Ｒ１３、−Ｏ−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、ＮＨ２、アルキルアミノ及び複素環式アミンの基を表し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係にハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２、ＣＯ２Ｒ９、ＣＯＮＲ１Ｒ２、ＮＨ−ＣＯＲ７又は式−（Ｂ）ｍ−Ｄ
（式中、
Ｂは直接的な結合、ＣＨ２、ＣＯ、ＣＨ（アルキル）、Ｃ（アルキル）２、ＮＨ、Ｓ、Ｏ又は−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される架橋員を示し、その際（Ｂ）ｍは架橋員Ｂの化学的に適切な順序を示し、ｍ＝１〜１０であり、有利にはｍは１、２、３又は４であり、
Ｄは式
【化４】
2004534344.tif 000079
のレドックス系の一価の基を表すか、又は
メタロセニル基又はメタロセニルカルボニル基を表し、その際、チタン、マンガン、鉄、ルテニウム又はオスミウムが金属中心として適当である）の基を表し、
Ｚ１及びＺ２は互いに無関係にＮＲ′Ｒ′′、ＯＲ′′又はＳＲ′′を表し、
Ｙ１はＮＲ′、Ｏ又はＳを表し、Ｙ２はＮＲ′を表し、
ｎは１〜１０を表し、かつ
Ｒ′及びＲ′′は互いに無関係に水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールを表すか、又は
【化５】
2004534344.tif 000080
のＣ原子の１つへの直接的な結合又は架橋を形成し、
ｗ、ｘ、ｙ及びｚは互いに無関係に０〜４を表し、かつｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１６を表し、
Ｒ１及びＲ２は互いに無関係にアルキル、ヒドロキシアルキル又はアリールを表すか、又はＲ１及びＲ２はこれらを結合させるＮ原子と一緒になって、場合により更なるヘテロ原子、特にＯ、Ｎ及びＳからなる群から選択されるヘテロ原子と共に複素環式の５、６又は７員環を形成し、その際、特にＮＲ１Ｒ２はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７及びＲ１６は互いに無関係にアルキル、アリール、ヘテロアリール又は水素を表す］に相当する、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項８】
式中の
Ｍが２つの無関係のＨ原子を表すか、又はＣｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ及びＳｎからなる群から選択される二価の金属原子を表すか、又は式（Ｉａ）のＭｅがＡｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｆｅ又はＭｎを表す三価のアキシアルに一置換された金属原子を表すか、又は式（Ｉｂ）のＭｅがＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ又はＶを表す四価の金属原子を表す、請求項７記載の光学データ媒体。
【請求項９】
式中の
Ｍが式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）のＭｅがＡｌ又はＳｉを表す基を表し、
Ｘ１及びＸ２がハロゲン、特に塩素、アリールオキシ、特にフェノキシ又はアルコキシ、特にメトキシを表し、かつ
ｗ、ｘ、ｙ及びｚがそれぞれ０を表す、請求項２記載の光学データ媒体。
【請求項１０】
吸光性化合物がメロシアニンである、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項１１】
吸光性化合物が式（Ｉ）
【化６】
2004534344.tif 000081
［式中、
Ａは式
【化７】
2004534344.tif 000082
の基を表し、
Ｘ１はＣＮ、ＣＯ−Ｒ１、ＣＯＯ−Ｒ２、ＣＯＮＨＲ３又はＣＯＮＲ３Ｒ４を表し、
Ｘ２は水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、５員又は６員の複素環式基、ＣＮ、ＣＯ−Ｒ１、ＣＯＯ−Ｒ２、ＣＯＮＨＲ３又はＣＯＮＲ３Ｒ４を表すか、又は
ＣＸ１Ｘ２は式
【化８】
2004534344.tif 000083
の環（前記の環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよく、かつ／又は非イオン性基又はイオン性基によって置換されていてよく、かつアスタリスク（＊）は二重結合を生じる環原子を示している）を表し、
Ｘ３はＮ又はＣＨを表し、
Ｘ４はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｎ−Ｒ６又はＣＨを表し、その際、Ｘ３及びＸ４は同時にＣＨを表さず、
Ｘ５はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ６を表し、
Ｘ６はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｎ−Ｒ６、ＣＨ又はＣＨ２を表し、
式（ＩＩ）
【化９】
2004534344.tif 000084
の環ＢはＸ４、Ｘ３及びその間に結合されるＣ原子と一緒に、かつ
式（Ｖ）
【化１０】
2004534344.tif 000085
の環ＣはＸ５、Ｘ６及びその間に結合されるＣ原子と一緒に、
互いに無関係に、１〜４個のヘテロ原子を有してよい及び／又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよい及び／又は非イオン性又はイオン性の基によって置換されていてよい５員又は６員の芳香族の又は準芳香族の複素環を表し、
Ｙ１はＮ又はＣ−Ｒ７を表し、
Ｙ２はＮ又はＣ−Ｒ８を表し、
Ｒ１〜Ｒ６は互いに無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ３〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又はＣ７〜Ｃ１５−アラルキルを表し、
Ｒ７及びＲ８は互いに無関係に水素、シアノ又はＣ１〜Ｃ６−アルキルを表し、
Ｒ９及びＲ１０は互いに無関係にＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又はＣ７〜Ｃ１５−アラルキルを表すか、又は
ＮＲ９Ｒ１０は５員又は６員の飽和複素環を表す］に相当する、請求項１記載の光学データ媒体。
【請求項１２】
請求項１記載の光学データ媒体を製造するための方法において、バリヤ層で場合により既に被覆された有利には透明な基板を色素で、場合により適当なバインダー及び添加剤及び場合により溶剤と組み合わせて被覆し、かつ場合により接着層によって適用されるバリヤ層、更なる中間層及びカバー層を提供することを特徴とする光学データ媒体の製造方法。
【請求項１３】
色素による被覆をスピンコーティング、スパッタリング又は蒸着によって実施する、請求項１記載の光学データ媒体の製造方法。
【請求項１４】
青色光、有利にはレーザ光、特に波長３６０〜４６０ｎｍを有するレーザ光を用いて、請求項１記載の光学データ媒体上に書き込むことによって得られる、書き込み可能な情報層を有する光学データ媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有利には単一書き込み可能な、情報層中に吸光性化合物としての少なくとも１種の色素を含有し、かつ全て規定の厚さのカバー層を有し、かつ規定の開口数を有する焦点光学装置で書き込み及び読み出しが可能な光学データ媒体並びにその製造方法に関する。
【０００２】
用語“単一書き込み可能な”は用語“１回書き込み可能な”と同じ意味を有する。
【０００３】
特定の吸光性物質又はその混合物を使用する単一記録可能な光学データ媒体は、特に青色レーザダイオード、特にＧａＮ又はＳＨＧレーザダイオード（３６０〜４６０ｎｍ）で行う高密度書き込み可能な光学データ媒体の場合に使用するために、かつ／又は赤色（６３５〜６６０ｎｍ）又は赤外（７６０〜８３０ｎｍ）レーザダイオードで行うＤＶＤ−Ｒ又はＣＤ−Ｒディスクの場合に使用するために、かつ例えばポリカーボネート、コポリカーボネート、ポリシクロオレフィン、ポリオレフィンから製造されるポリマー基板にスピンコーティング、蒸着又はスパッタリングによって前記の色素を適用するために適当である。
【０００４】
単一書き込み可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ、７８０ｎｍ）は近年、量的に多大な成長を経験しており、かつ技術的に確立されたシステムである。
【０００５】
最近では、次世代の光学データ記憶機構“ＤＶＤ”が市場に出回っている。より短波長のレーザ光線（６３５〜６６０ｎｍ）及びより高い開口数ＮＡを使用することによって記憶密度を高めることができる。この場合では単一書き込み可能なフォーマットはＤＶＤ−Ｒである。
【０００６】
高いレーザ出力を有する青色レーザダイオード（ＧａＮベース、ＪＰ−Ａ−０８１９１１７１号又は第二高調波発生ＳＨＧに基づく、ＪＰ−Ａ−０９０５０６２９）（３６０ｎｍ〜４６０ｎｍ）を使用する光学データ記録フォーマットが今日では開発されている。書き込み可能な光学データ記憶機構は従ってこの世代でも使用される。書き込み可能な記録密度は情報面におけるレーザスポットの集束に依存する。該スポットサイズはレーザ波長λ／ＮＡで評価される。ＮＡは使用されるレンズの開口数である。出来るだけ高い記憶密度を得るために、できる限り短い波長λの使用が望まれる。現在では半導体レーザダイオードに基づいて３９０ｎｍが可能である。
【０００７】
特許文献は色素をベースとし、かつＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒシステムのために適当な書き込み可能な光学データ記憶機構を記載している（ＪＰ−Ａ１１０４３４８１号及びＪＰ−Ａ１０１８１２０６号）。該特許文献においては、読み出し信号の高い反射率及び高い振幅変調のため、及び書き込みの間の十分な感度のために、ＣＤ−ＲのＩＲ波長７８０ｎｍが色素の吸収ピークの長波長側の基底部にあり、かつＤＶＤ−Ｒの赤色波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍもその吸収ピークの長波長側の基底部にあるという事実が使用される。この酵素うは吸収ピークの長波長側では４５０ｎｍの作業波長を含むということに拡張される。
【０００８】
前記の光学的特性の他に、吸光性有機物質を含有する書き込み可能な情報層は書き込み及び読み出しの間の雑音信号を最小化するために出来るだけ非晶質な形態を有さねばならない。この目的のために、溶液からスピンコーティングによって、スパッタリングによって又は蒸着及び／又は昇華によって前記物質を適用する間に、吸光性物質の結晶化は真空中でのメタリック層又は誘電性層での引き続いての上塗を通じて妨げられる。
【０００９】
吸光性物質の非晶質層は有利には高い熱変形安定性を有するべきである。それというのもスパッタリング又は蒸着によって吸光性情報層に適用される有機又は無機の材料の更なる層は拡散によって不明確な境界を形成し、こうして反射率に悪影響を及ぼすからである。更にポリマー性物質との境界で低すぎる熱変形安定性を有する吸光性物質は該ポリマー性物質中に拡散し、再び反射率に悪影響を及ぼしうる。
【００１０】
吸光性物質が高すぎる蒸気圧を有する場合に、前記の物質は高真空における更なる層の前記のスパッタリング又は蒸着の間に昇華し、従って所望の層厚を低減させることがある。またこのことは反射率にも悪影響を及ぼす。
【００１１】
できる限り高い面密度を達成する目的で対物レンズとして高いＮＡレンズを有すると、情報層、すなわち基板又はカバー層上に集束する場合に読み出しビームが通過する透明層の層厚はそのスキューマージンを制限する。ＣＤ及びＤＶＤの対物レンズのＮＡはそれぞれ０．４５及び０．６０なので、それらの基板の厚さは、大量生産光学ドライブのために十分なそのスキューマージンを保証するために、それぞれ１．２ｍｍ及び０．６ｍｍとして選択される。カバー層の厚さは大量生産のために極めて重要である。それというのも製造方法は慣用の媒体とは全体的に異なり、かつ従って該媒体の書き込み／読み出し性能はかかる新規に設計された媒体について最適化されるべきでもあるからである。かかる薄いカバー層は容易に湾曲し、従って該カバー上に直接情報層をコートするのは不適切であるので、情報層及び保護層を厚い基板上に形成してからカバー層を基板上に固定する。ＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒは保護層のため及びその書き込み特性を改善するのに十分な強度で情報層をカバーするという両方の目的のためにＵＶ樹脂ハードカバーを用いる（ＪＰ−Ａ２８３４４２０号）。
【００１２】
従って本発明の課題は、単一書き込み可能な光学データ媒体における情報層での使用のため、特に３６０〜４６０ｎｍのレーザ波長範囲における高密度書き込み可能な光学データ記憶機構のための高い要求（例えば光安定性、有利な信号／雑音比、基板材料への無損傷の適用など）を満たす適当な化合物を提供することである。
【００１３】
意想外にも、ＮＡを伴うカバー層厚の特定のパラメータと組み合わせて色素、有利にはフタロシアニン色素及びメロシアニン色素からなる群から選択される吸光性化合物が前記の要求プロフィールを特に良好に満たしうることが判明した。特にフタロシアニンはレーザのために重要な３６０〜４６０ｎｍの波長領域、すなわちＢ帯又はソレー帯において強い吸収を有する。メロシアニンはレーザに適合された４２０〜５５０ｎｍの波長領域において強い吸収を有する。
【００１４】
本発明は従って、場合により既に１つ以上のバリヤ層で被覆され、その表面で、接着層によって適用される光を使用して書き込みできる情報層、場合により１つ以上のバリヤ層及びカバー層が適用されており、情報層上のカバー層を通って集束された青色光、有利には３６０〜４６０ｎｍの光、特に３８０〜４４０ｎｍの光、より特に有利には３９５〜４１５ｎｍの光を用いて書き込み及び読み出し可能な有利には透明層、吸光性化合物を含有する情報層並びに場合によりバインダーを含有する光学データ媒体であって、少なくとも１種の色素が吸光性化合物として使用され、その際、情報層の上にある接着層を含むカバー層が１０μｍ〜１７７μｍの全体の厚さを有し、かつ焦点対物レンズ装置の開口数ＮＡが０．８より大きいか又はそれに等しく、有利には０．８０〜０．９５であることを特徴とする光学データ媒体に関する。
有利には吸光性化合物としてのメロシアニンが有利であり、より有利には式
【００１５】
【化１】
2004534344.tif 000002
の化合物が有利であり、その際、
Ａは式
【００１６】
【化２】
2004534344.tif 000003
の基を表し、
Ｘ１はＣＮ、ＣＯ−Ｒ１、ＣＯＯ−Ｒ２、ＣＯＮＨＲ３又はＣＯＮＲ３Ｒ４を表し、
Ｘ２は水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、五員又は六員の複素環式基、ＣＮ、ＣＯ−Ｒ１、ＣＯＯ−Ｒ２、ＣＯＮＨＲ３又はＣＯＮＲ３Ｒ４であるか、又は
ＣＸ１Ｘ２は式
【００１７】
【化３】
2004534344.tif 000004
の環を表し、
該環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合され及び／又は非イオン性又はイオン性基によって置換されていてよく、かつアスタリスク（＊）は二重結合を生ずる環原子を示し、
Ｘ３はＮ又はＣＨを表し、
Ｘ４はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｎ−Ｒ６又はＣＨを表し、その際、Ｘ３及びＸ４は同時にＣＨを表さず、
Ｘ５はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ６を表し、
Ｘ６はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｎ−Ｒ６、ＣＨ又はＣＨ２を表し、
式（ＩＩ）
【００１８】
【化４】
2004534344.tif 000005
の環Ｂは
Ｘ４、Ｘ３及びその間を結合するＣ原子と一緒になって
かつ式（Ｖ）
【００１９】
【化５】
2004534344.tif 000006
の環Ｃは
Ｘ５、Ｘ６及びその間を結合するＣ原子と一緒になって、互いに無関係に１〜４個の複素原子を有してよい及び／又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよい及び／又は非イオン性基又はイオン性基によって置換されていてよい五員又は六員の芳香族又は準芳香族の複素環式環を表し、
Ｙ１はＮ又はＣ−Ｒ７を表し、
Ｙ２はＮ又はＣ−Ｒ８を表し、
Ｒ１〜Ｒ６は互いに無関係に水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ３〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又はＣ７〜Ｃ１５−アラルキルを表し、
Ｒ７及びＲ８は互いに無関係に水素、シアノ又はＣ１〜Ｃ６−アルキルを表し、
Ｒ９及びＲ１０は互いに無関係にＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又はＣ７〜Ｃ１５−アラルキルを表すか、又は
ＮＲ９Ｒ１０は五員又は六員の飽和複素環式環を表す。
【００２０】
式（Ｉ）のオリゴマー及びポリマーの、少なくとも１つの基Ｒ１〜Ｒ１０又は少なくとも１つの非イオン性基が架橋を表すメロシアニン色素も有利である。この架橋は２つ以上のメロシアニン色素が結合して、オリゴマー又はポリマーを形成しうる。しかしながら該架橋はポリマー鎖への架橋を表すこともある。この場合にメロシアニン色素は櫛状にかかる鎖に結合される。
【００２１】
適当な架橋は、例えば式−（ＣＨ２）ｎ−又は−（ＣＨ２）ｍ−Ｚ−（ＣＨ２）ｐ−
［式中、
ｎ及びｍは互いに無関係に１〜２０の整数を表し、かつ
Ｚは−Ｏ−又は−Ｃ６Ｈ４−を表す］の架橋である。
【００２２】
ポリマー鎖は、例えばポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリシロキサン、ポリ−α−オキシラン、ポリエーテル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ尿素、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン又はポリマレイン酸である。
【００２３】
適当な非イオン性基は、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ４アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、モノ−又はジ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、ピペラジノ又はモルホリノである。
【００２４】
適当なイオン性基は、例えばアンモニウム基又はＣＯＯ−−基又はＳＯ３−基であり、これらは直接的な結合又は−（ＣＨ２）ｎ−を介して結合していてよく、その際、ｎは１〜６の整数を表す。
【００２５】
アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェニルを含んでよく、該アルキル及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、アリール又は複素環式基上の隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基は一緒になって三員又は四員の架橋を形成してよく、かつ該複素環式基はベンゼン縮合及び／又は第四級化されていてよい。
【００２６】
特に有利には式（ＩＩ）の環Ｂはフラン−２−イル、チオフェン−２−イル、ピロール−２−イル、ベンゾフラン−２−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、チアゾール−５−イル、イミダゾール−５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、２−もしくは４−ピリジル、２−もしくは４−キノリルを表し、その際、個々の環はＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６−アシルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールカルボニルアミノ、モノ−又はジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノによって置換されていてよく、かつ
式（Ｖ）の環Ｃはベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンズオキサゾール−２−イリデン、ベンズイミダゾール−２−イリデン、チアゾール−２−イリデン、イソチアゾール−３−イリデン、イソオキサゾール−３−イリデン、イミダゾール−２−イリデン、ピラゾール−５−イリデン、１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン、１，３，４−オキサジアゾール−２−イリデン、１，２，４−チアジアゾール−５−イリデン、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン、３Ｈ−インドール−２−イリデン、ジヒドロピリジン−２−もしくは−４−イリデン、又はジヒドロキノリン−２−もしくは−４−イリデンを表し、その際、個々の環はＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６−アシルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールカルボニルアミノ、モノ−もしくはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノによって置換されていてよい。
【００２７】
特に有利な形においては使用されるメロシアニンは式（ＶＩ）
【００２８】
【化６】
2004534344.tif 000007
［式中、
Ｘ１はＣＮ、ＣＯ−Ｒ１又はＣＯＯ−Ｒ２を表し、
Ｘ２は水素、メチル、エチル、フェニル、２−もしくは４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ＣＮ、ＣＯ−Ｒ１又はＣＯＯ−Ｒ２を表すか、又は
ＣＸ１Ｘ２は式
【００２９】
【化７】
2004534344.tif 000008
の環を表し、
該環は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェニル
【００３０】
【化８】
2004534344.tif 000009
からなる群から選択される３個以下の基によって置換されていてよく、
かつその際、アスタリスク（＊）は二重結合を生じる環原子を示し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、
Ｘ３はＣＨを表し、
Ｘ４はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ６を表し、
式（ＩＩ）の環Ｂはフラン−２−イル、チオフェン−２−イル、ピロール−２−イル又はチアゾール−５−イルを表し、その際、前記の環はそれぞれメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノによって置換されていてよく、
Ｙ１はＮ又はＣ−Ｒ７を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル又はベンジルを表し、かつ
Ｒ５は付加的に−（ＣＨ２）３−Ｎ（ＣＨ３）２又は−（ＣＨ２）３−Ｎ＋（ＣＨ３）３Ａｎ−を表し、かつ
Ｒ７は水素又はシアノを表す］のメロシアニンである。
【００３１】
特に有利な形においては使用されるメロシアニンは式（ＶＩＩ）
【００３２】
【化９】
2004534344.tif 000010
［式中、
Ｘ１はＣＮ、ＣＯ−Ｒ１又はＣＯＯ−Ｒ２を表し、
Ｘ２は水素、メチル、エチル、フェニル、２−もしくは４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ＣＮ、ＣＯ−Ｒ１又はＣＯＯ−Ｒ２を表すか、又は
ＣＸ１Ｘ２は式
【００３３】
【化１０】
2004534344.tif 000011
の環を表し、
該環は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェニル
【００３４】
【化１１】
2004534344.tif 000012
からなる群から選択される３個以下の基によって置換されていてよく、
かつその際、アスタリスク（＊）は二重結合を生じる環原子を示し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、
Ｘ５はＮ−Ｒ６を表し、
Ｘ６はＳ、Ｎ−Ｒ６又はＣＨ２を表し、
式（ＩＶ）の環Ｃはベンゾチアゾール−２−イリデン、ベンズイミダゾール−２−イリデン、チアゾール−２−イリデン、１，３，４−チアジアゾール−２−イリデン、１，３，４−トリアゾール−２−イリデン、ジヒドロピリジン−４−イリデン、ジヒドロキノリン−４−イリデン又は３Ｈ−インドール−２−イリデンを表し、その際、前記の環はそれぞれメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、エチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノによって置換されていてよく、
Ｙ２−Ｙ１はＮ−Ｎ又は（Ｃ−Ｒ８）−（Ｃ−Ｒ７）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル又はベンジルを表し、かつ
Ｒ５は付加的に−（ＣＨ２）３−Ｎ（ＣＨ３）２又は−（ＣＨ２）３−Ｎ＋（ＣＨ３）３Ａｎ−を表し、かつ
Ｒ７及びＲ８は水素を表す］のメロシアニンである。
【００３５】
特に有利な形においては使用されるメロシアニンは式（ＶＩＩＩ）
【００３６】
【化１２】
2004534344.tif 000013
［式中、
Ｘ１はＣＮ、ＣＯ−Ｒ１又はＣＯＯ−Ｒ２を表し、
Ｘ２は水素、メチル、エチル、フェニル、２−もしくは４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、ＣＮ、ＣＯ−Ｒ１又はＣＯＯ−Ｒ２を表すか、又は
ＣＸ１Ｘ２は式
【００３７】
【化１３】
2004534344.tif 000014
の環を表し、
該環は、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェニル
【００３８】
【化１４】
2004534344.tif 000015
からなる群から選択される３個以下の基によって置換されていてよく、
かつその際、アスタリスク（＊）は二重結合を生じる環原子を示し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、
ＮＲ９Ｒ１０はジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノを表し、
Ｙ１はＮ又はＣ−Ｒ７を表し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ５は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル又はベンジルを表し、かつ
Ｒ５は付加的に−（ＣＨ２）３−Ｎ（ＣＨ３）２又は−（ＣＨ２）３−Ｎ＋（ＣＨ３）３Ａｎ−を表す］のメロシアニンである。
【００３９】
適当なアニオンＡｎ−は全ての一価のアニオン又は多価のアニオンの１つの等価物である。有利にはアニオンは無色である。適当なアニオンは、例えばクロリド、ブロミド、ヨージド、テトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロ−ホスフェート、メトスルフェート、エトスルフェート、Ｃ１〜Ｃ１０−アルカンスルホネート、Ｃ１〜Ｃ１０−ペルフルオロアルカンスルホネート、Ｃ１〜Ｃ１０−アルカノエート（前記基は場合により塩素、ヒドロキシル又はＣ１〜Ｃ４−アルコキシによって置換されている）、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート又はビフェニルスルホネート（前記基は場合によりニトロ、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ２５−アルキル、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又は塩素によって置換されている）、ベンゼンジスルホネート、ナフタレンジスルホネート又はビフェニルジスルホネート（前記基は場合によりニトロ、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又は塩素によって置換されている）、ベンゾエート（前記基は場合によりニトロ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、ベンゾイル、クロロベンゾイル又はトルオイルによって置換されている）、ナフタレンジカルボン酸のアニオン、ジフェニルエーテルジスルホネート、テトラフェニルボレート、シアノトリフェニルボレート、テトラ−Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシボレート、テトラフェノキシボレート、７，８−もしくは７，９−ジカルバニド−ウンデカボレート（１）もしくは（２）（前記基は場合によりＢ原子及び／又はＣ原子上で１つ又は２つのＣ１〜Ｃ１２−アルキル又はフェニル基によって置換されている）、ドデカヒドロ−ジカルバドデカボレート（２）又はＢ−Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−Ｃ−フェニル−ドデカヒドロ−ジカルバドデカ−ボレート（１）である。
【００４０】
ブロミド、ヨージド、テトラフルオロボレート、ペルクロレート、メタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート及びテトラデカンスルホネートが有利である。
【００４１】
適当なＭ＋カチオンは全ての一価のカチオン又は多価のカチオンの１つの等価物である。有利にはカチオンは無色である。適当なカチオンは、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリメチルカプリルアンモニウム又はＦｅ（Ｃ５Ｈ５）２＋（式中、Ｃ５Ｈ５＝シクロペンタジエニル）である。
【００４２】
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム及びテトラブチルアンモニウムが有利である。
【００４３】
有利には単一書き込み可能な、青色レーザからの光によって書き込み及び読み出しされる本発明による光学データキャリヤーのためには、かかるメロシアニン色素が有利であり、その吸収極大λｍａｘ２は４２０〜５５０ｎｍの範囲にあり、その際、波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側における吸光度がλｍａｘ２での吸光度値の半分である波長λ１／２及び波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側における吸光度がλｍａｘ２での吸光度値の１０分の１である波長λ１／１０は互いに５０ｎｍより離れていない。有利には前記のようなメロシアニン色素は波長３５０ｎｍ未満、特に有利には３２０ｎｍ未満、より特に有利には２９０ｎｍ未満で短波長極大λｍａｘ１を示さない。
【００４４】
有利なメロシアニン色素は４１０〜５３０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４５】
特に有利なメロシアニン色素は４２０〜５１０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４６】
より特に有利なメロシアニン色素は４３０〜５００ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４７】
有利には前記のようなλ１／２及びλ１／１０は前記のメロシアニンにおいて互いに４０ｎｍ、特に有利には３０ｎｍ、より特に有利には２０ｎｍより離れていない。
【００４８】
該メロシアニン色素は吸収極大λｍａｘ２において＞４００００ｌ／モルｃｍ、有利には＞６００００ｌ／モルｃｍ、特に有利には＞８００００ｌ／モルｃｍ、より特に有利には＞１０００００ｌ／モルｃｍのモル吸光係数εを有する。
【００４９】
該吸光スペクトルは例えば溶液中で測定される。
【００５０】
所望のスペクトル特性を有する適当なメロシアニンは、特に双極子モーメントにおける変化Δμ＝｜μｇ−μａｇ｜、すなわち基底状態及び第一励起状態における双極子モーメント間の正の差異が出来るだけ小さい、有利には＜５Ｄ、特に有利には＜２Ｄであるメロシアニンである。前記のような双極子モーメントにおける変化Δμを測定する一つの方法はF.Wuerthner et al., Angew. Chem. 1997, 109, 2933及びそこで引用される文献に記載されている。低いソルバトクロミズム（ジオキサン／ＤＭＦ）はまた選択のために適当な判定方法である。ソルバトクロミズムΔλ＝｜λＤＭＦ−λジオキサン｜、すなわち溶剤のジメチルホルムアミド及びジオキサン中での吸収波長間の正の差異が＜２０ｎｍ、特に有利には＜１０ｎｍ、より特に有利には＜５ｎｍであるメロシアニンが有利である。
【００５１】
本発明によれば、より特に有利なメロシアニンは式
【００５２】
【化１５】
2004534344.tif 000016
［式中、
Ｘ１０１はＯ又はＳを表し、
Ｘ１０２はＮ又はＣＲ１０４を表し、
Ｒ１０１及びＲ１０２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェニルを表すか、又はＲ１０１は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１０１Ｒ１０２はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ１０３は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル、チエニル、塩素又はＮＲ１０１Ｒ１０２を表し、かつ
Ｒ１０４は水素、メチル、エチル、フェニル、塩素、シアノ、ホルミル又は式
【００５３】
【化１６】
2004534344.tif 000017
の基を表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００５４】
オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合はＲ１０１を介して行われる。
【００５５】
また本発明により特に有利なメロシアニンは式
【００５６】
【化１７】
2004534344.tif 000018
［式中、
Ｘ１０１はＯ又はＳを表し、
Ｘ１０２はＮ又はＣＲ１０４を表し、
Ｒ１０１及びＲ１０２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェニルを表し、かつＲ１０１は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１０１Ｒ１０２はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ１０３は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル、チエニル、塩素又はＮＲ１０１Ｒ１０２を表し、
Ｒ１０４は水素、メチル、エチル、フェニル、塩素、シアノ、ホルミル又は式
【００５７】
【化１８】
2004534344.tif 000019
の基を表し、
Ｙ１０１はＮ又はＣＨを表し、
ＣＸ１０３Ｘ１０４は式
【００５８】
【化１９】
2004534344.tif 000020
の環を表し、
かつその際、アスタリスク（＊）は二重結合を生じる環原子を示し、
Ｒ１０５は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は
式
【００５９】
【化２０】
2004534344.tif 000021
の基を表し、
その際、式（ＣＸ）の場合には２つの基Ｒ１０５は異なってよく、
Ｒ１０６は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
Ｒ１０７はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−ＣＨ２ＳＯ３−Ｍ＋又は式
【００６０】
【化２１】
2004534344.tif 000022
の基を表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００６１】
オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合はＲ１０１又はＲ１０５を介して行われる。
【００６２】
また本発明により特に有利なメロシアニンは式
【００６３】
【化２２】
2004534344.tif 000023
［式中、
Ｘ１０１はＯ又はＳを表し、
Ｘ１０２はＮ又はＣＲ１０４を表し、
Ｒ１０１及びＲ１０２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェニルを表し、かつＲ１０１は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１０１Ｒ１０２はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ１０３は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル、チエニル、塩素又はＮＲ１０１Ｒ１０２を表し、
Ｒ１０４は水素、メチル、エチル、フェニル、塩素、シアノ、ホルミル又は式
【００６４】
【化２３】
2004534344.tif 000024
の基を表し、
Ｙ１０１はＮ又はＣＨを表し、
Ｘ１０３はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、かつ
Ｘ１０４は２−、３−又は４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、オキサゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ベンズイミダゾール−２−イル、Ｎ−メチル−又はＮ−エチル−ベンズイミダゾール−２−イルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００６５】
オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合は、Ｒ１０１又はＸ１０３がエステル基を表す場合にはＲ１０１又はＸ１０３を介して行われる。
【００６６】
有利には式（ＣＩ）及び（ＣＩＩＩ）のメロシアニンにおいては、
Ｒ１０３は水素、メチル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１０４は水素又はシアノを表す。
【００６７】
また本発明により特に有利なメロシアニンは式
【００６８】
【化２４】
2004534344.tif 000025
［式中、
Ｘ１０５はＳ又はＣＲ１１０Ｒ１１１を表し、
Ｒ１０８はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
Ｒ１０９は水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、シアノ、塩素、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｒ１１０及びＲ１１１は互いに無関係にメチル又はエチルを表すか、又は
ＣＲ１１０Ｒ１１１は式
【００６９】
【化２５】
2004534344.tif 000026
（式中、２つの結合はアスタリスク（＊）を有する原子から生じる）の二価の基を表し、その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。。
【００７０】
また本発明により特に有利なメロシアニンは式
【００７１】
【化２６】
2004534344.tif 000027
［式中、
Ｘ１０５はＳ又はＣＲ１１０Ｒ１１１を表し、
Ｒ１０８はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
Ｒ１０９は水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、シアノ、塩素、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｒ１１０及びＲ１１１は互いに無関係にメチル又はエチルを表すか、又は
ＣＲ１１０Ｒ１１１は式
【００７２】
【化２７】
2004534344.tif 000028
（式中、２つの結合はアスタリスク（＊）を有する原子から生じる）の二価の基を表し、
Ｙ１０１はＮ又はＣＨを表し、
ＣＸ１０３Ｘ１０４は式
【００７３】
【化２８】
2004534344.tif 000029
の環を表し、
その際、アスタリスク（＊）は二重結合を生じる環原子を示し、
Ｒ１０５は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は式
【００７４】
【化２９】
2004534344.tif 000030
の基を表し、
Ｒ１０６は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
Ｒ１０７はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−ＣＨ２ＳＯ３−Ｍ＋又は式
【００７５】
【化３０】
2004534344.tif 000031
の基を表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチル等は分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００７６】
オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合はＲ１０８又はＲ１０５を介して行われる。
【００７７】
また本発明により特に有利なメロシアニンは式
【００７８】
【化３１】
2004534344.tif 000032
［式中、
Ｘ１０５はＳ又はＣＲ１１０Ｒ１１１を表し、
Ｒ１０８はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
Ｒ１０９は水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、シアノ、塩素、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｒ１１０及びＲ１１１は互いに無関係にメチル又はエチルを表し、又は
ＣＲ１１０Ｒ１１１は式
【００７９】
【化３２】
2004534344.tif 000033
（式中、２つの結合はアスタリスク（＊）を有する原子から生じる）の二価の基を表し、
Ｙ１０１はＮ又はＣＨを表し、
Ｘ１０３はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｘ１０４は２−、３−又は４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、オキサゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ベンズイミダゾール−２−イル、Ｎ−メチル−もしくはＮ−エチル−ベンズイミダゾール−２−イル、有利にはピリジルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００８０】
オリゴマー又はポリマー構造のための架橋の結合は、Ｒ又はＸがエステル基を表す場合にはＲ又はＸを介して行われる。
【００８１】
また本発明により特に有利なメロシアニンは式
【００８２】
【化３３】
2004534344.tif 000034
［式中、
Ｒ１１２はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
Ｒ１１３及びＲ１１４は水素を表すか、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００８３】
オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合はＲ１１２を介して行われる。
【００８４】
また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式
【００８５】
【化３４】
2004534344.tif 000035
［式中、
Ｒ１１２はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
Ｒ１１３及びＲ１１４は水素を表すか、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｙ１０１はＮ又はＣＨを表し、
ＣＸ１０３Ｘ１０４は式
【００８６】
【化３５】
2004534344.tif 000036
（式中、アスタリスク（＊）は二重結合を生じる環を示す）の環を表し、
Ｒ１０５は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は式
【００８７】
【化３６】
2004534344.tif 000037
の基を表し、
Ｒ１０６は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
Ｒ１０７はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−ＣＨ２ＳＯ３−Ｍ＋又は式
【００８８】
【化３７】
2004534344.tif 000038
の基を表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００８９】
オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合はＲ１１２又はＲ１０５を介して行われる。
【００９０】
また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式
【００９１】
【化３８】
2004534344.tif 000039
［式中、
Ｒ１１２はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、ベンジル又はフェネチルを表し、
Ｒ１１３及びＲ１１４は水素を表すか、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｙ１０１はＮ又はＣＨを表し、
Ｘ１０３はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｘ１０４は２−、３−又は４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、オキサゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ベンズイミダゾール−２−イル、Ｎ−メチル−もしくはＮ−エチル−ベンズイミダゾール−２−イルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００９２】
オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合は、Ｒ１１２又はＸ１０３がエステル基を表す場合には、Ｒ１１２又はＸ１０３を介して行われる。
【００９３】
また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式
【００９４】
【化３９】
2004534344.tif 000040
［式中、
Ｒ１１５及びＲ１１６は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、フェニル、ベンジル又はフェネチルを表すか、又は
ＮＲ１１５Ｒ１１６はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
ＣＸ１０３Ｘ１０４は式
【００９５】
【化４０】
2004534344.tif 000041
（式中、アスタリスクは二重結合を生じる環原子を示す）の環を表し、
Ｒ１０５は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、アセトキシエチル、クロロエチル、シクロヘキシル、フェニル、トリル、メトキシフェニル又は式
【００９６】
【化４１】
2004534344.tif 000042
の基を表し、
Ｒ１０６は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はトリフルオロメチルを表し、
Ｒ１０７はシアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、−ＣＨ２ＳＯ３−Ｍ＋又は式
【００９７】
【化４２】
2004534344.tif 000043
の基を表し、
Ｍ＋はカチオンを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【００９８】
オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合はＲ１１５又はＲ１０５を介して行われる。
【００９９】
また本発明によればより特に有利なメロシアニンは式
【０１００】
【化４３】
2004534344.tif 000044
［式中、
Ｒ１１５及びＲ１１６は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、フェニル、ベンジル又はフェネチルを表すか、又は
ＮＲ１１５Ｒ１１６はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｘ１０３はシアノ、アセチル、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｘ１０４は２−、３−もしくは４−ピリジル、チアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、オキサゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ベンズイミダゾール−２−イル、Ｎ−メチル−もしくはＮ−エチル−ベンズイミダゾール−２−イル、有利には２−ピリジルを表し、
その際、アルキル基、例えばプロピル、ブチルなどは分枝鎖状であってよい］のメロシアニンである。
【０１０１】
オリゴマー又はポリマーの構造のための架橋の結合は、Ｒ１１５又はＸ１０３がエステル基を表す場合にはＲ１１５又はＸ１０３を介して行われる。
【０１０２】
式（ＣＩＩＩ）、（ＣＸＶＩ）及び（ＣＸＶＩＩＩ）においては、
Ｙ１０１は有利にはＣＨを表し、かつ
式（ＣＩＩＩ）、（ＣＸＶＩ）、（ＣＸＶＩＩＩ）及び（ＣＸＩＸ）においては、
ＣＸ１０３Ｘ１０４は有利には（ＣＶ）、（ＣＶＩＩ）及び（ＣＩＸ）の環又は式
【０１０３】
【化４４】
2004534344.tif 000045
［式中、二重結合はアスタリスク（＊）を有するＣ原子から生じる］の基を表す。
【０１０４】
−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−（ＣＨ２）２−及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−は有利な架橋である。
【０１０５】
ポリアクリレート及びポリメタクリレート及びアクリルアミドとのそのコポリマーが有利なポリマー鎖である。前記の基Ｒ１０１、Ｒ１０５、Ｒ１０８、Ｒ１１２及びＲ１１５が例えば式
【０１０６】
【化４５】
2004534344.tif 000046
［式中、
Ｒは水素又はメチルを表し、かつチルダ（〜）でマークされた原子及びアスタリスク（＊）を有する原子から生じるメロシアニン色素のＮ原子への単結合は鎖の継続を表す］のモノマー単位を表す。
【０１０７】
式（Ｉ）の幾つかのメロシアニンは、例えばF. Wueirthner, Synthesis 1999, 2103、F. Wueirthner, R. Sens, K.-H. Etzbach, G. Seybold, Angew. Chem. 1999, 111, 1753、ＤＥ−ＯＳ４３４４１１６号、ＤＥ−ＯＳ４４４００６６号、ＷＯ９８／２３６８８号、ＪＰ５２９９３７９号、ＪＰ５３１４７３４号から公知である。
【０１０８】
また吸光性化合物としてフタロシアニンが有利である。
【０１０９】
有利な態様において、使用されるフタロシアニンは式（１）
【０１１０】
【化４６】
2004534344.tif 000047
［式中、
Ｐｃはフタロシアニン又はナフトシアニンを表し、その際、両者の場合において芳香環は複素環、例えばテトラピリジノポルフィラジンであってよく、
Ｍは２つの無関係な水素原子を表し、二価の金属原子を表し、又は式（１ａ）
【０１１１】
【化４７】
2004534344.tif 000048
の三価のアキシアルに一置換された金属原子を表し、
又は式（１ｂ）
【０１１２】
【化４８】
2004534344.tif 000049
の四価のアキシアルに二置換された金属原子を表し、
又は三価のアキシアルに一置換された及びアキシアルに一配位した式（１ｃ）
【０１１３】
【化４９】
2004534344.tif 000050
の金属原子を表し、
その際、荷電配位子Ｘ２又はＸ１の場合においては、該電荷は対イオン、例えばアニオンＡｎ（−）又はカチオンＫａｔ（＋）によって補償され、
基Ｒ３〜Ｒ６はフタロシアニン環の置換基に相当し、その際、
Ｘ１及びＸ２は互いに無関係にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉとしてのハロゲン、ヒドロキシル、酸素、シアノ、チオシアナト、シアナト、アルケニル、アルキニル、アリールチオ、ジアルキルアミノ、アルキル、アルコキシ、アシルオキシ、アルキルチオ、アリール、アリールオキシ、−Ｏ−ＳＯ２Ｒ８、−Ｏ−ＰＲ１０Ｒ１１、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ１２Ｒ１３、−Ｏ−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、ＮＨ２、アルキルアミノ及び複素環式アミンの基を表し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉとしてのハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２、ＣＯ２Ｒ９、ＣＯＮＲ１Ｒ２、ＮＨ−ＣＯＲ７又は式−（Ｂ）ｍ−Ｄの基を表し、
Ｂは直接的な結合、ＣＨ２、ＣＯ、ＣＨ（アルキル）、Ｃ（アルキル）２、ＮＨ、Ｓ、Ｏ又は−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される架橋員を示し、（Ｂ）ｍは化学的に適当な架橋員Ｂの配列を示し、その際、ｍは１〜１０、有利にはｍは１、２、３又は４であり、Ｄは式
【０１１４】
【化５０】
2004534344.tif 000051
のレドックス系の一価の基を表し、
又はメタロセニル基又はメタロセニルカルボニル基を表し、その際、チタン、マンガン、鉄、ルテニウム又はオスミウムが金属中心として適当であり、
Ｚ１及びＺ２は互いに無関係にＮＲ′Ｒ′′、ＯＲ′′又はＳＲ′′を表し、
Ｙ１はＮＲ′、Ｏ又はＳを表し、Ｙ２はＮＲ′を表し、
ｎは１〜１０を表し、かつ
Ｒ′及びＲ′′は互いに無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールを表し、又は直接的な結合又は式
【０１１５】
【化５１】
2004534344.tif 000052
のＣ原子の１つへの架橋を形成し、
ｗ、ｘ、ｙ及びｚは互いに無関係に０〜４を表し、かつｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１６を表し、
Ｒ１及びＲ２は互いに無関係に、水素、アルキル、ヒドロキシアルキル又はアリールを表し、又はＲ１及びＲ２は、これらを結合させるＮ原子と一緒になって、更にヘテロ原子、特にＯ、Ｎ及びＳからなる群から選択される複素原子を場合により含んで複素環式の五員−、六員又は七員の環を形成し、その際、ＮＲ１Ｒ２は特にピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７〜Ｒ１６は互いに無関係にアルキル、アリール、ヘテロアリール又は水素、特にアルキル、アリール又はヘテロアリールを表し、
Ａｎ−はアニオンを表し、特にハロゲン化物、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルＣＯＯ−、ホルミエート、オキサレート、ラクテート、グリコレート、シトレート、ＣＨ３ＯＳＯ３−、ＮＨ２ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、１／２ＳＯ４２−又は１／３ＰＯ４３−を表す。
【０１１６】
Ｍは金属原子としてのＣｏ（ＩＩＩ）を有する式（１ｃ）の基を表す場合に、有利なＸ１及びＸ２の意味における複素環式アミン配位子又は置換基はモルホリン、ピペリジン、ピペラジン、ピリジン、２，２−ビピリジン、４，４−ビピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、イソオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、ピロール、インドール及び３，３−ジメチルインドールであり、そのそれぞれは窒素原子において金属原子と配位しているか、又は該金属原子によって置換されている。
【０１１７】
アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は場合により、更なる基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシル、ヒドロキシアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピロリドノ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェニルを有していてよい。アルキル及びアルコキシ基は飽和、不飽和、直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、かつ該アルキル及びアルコキシ基はエトキシ化、プロポキシ化又はシリル化されていてよい。アリール又は複素環式基における隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基は一緒になって三員又は四員の架橋を形成してよい。
【０１１８】
式（１）の有利な化合物は、基Ｒ１〜Ｒ１６、Ｒ′及びＲ′′並びに配位子又は置換基Ｘ１及びＸ２について以下に適用される化合物である：
“アルキル”という表示を有する置換基はＣ１〜Ｃ１６−アルキル、特にＣ１〜Ｃ６アルキルを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び／又はＣ１〜Ｃ６−アルコキシによって置換されている。
“アルコキシ”という表示を有する置換基はＣ１〜Ｃ１６−アルコキシ、特にＣ１〜Ｃ６−アルコキシを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び／又はＣ１〜Ｃ６−アルキルによって置換されている。
“シクロアルキル”という表示を有する置換基はＣ４〜Ｃ８−シクロアルキル、特にＣ５〜Ｃ６−シクロアルキルを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び／又はＣ１〜Ｃ６−アルキルによって置換されている。
“アルケニル”という表示を有する置換基はＣ６〜Ｃ８−アルケニルを示し、これらは場合によりハロゲン、例えば塩素、臭素又はフッ素、ヒドロキシル、シアノ及び／又はＣ１〜Ｃ６−アルキルによって置換されており、その際、アルケニルは特にアリルを示す。
“ヘテロアリール”という表示を有する置換基は五員乃至七員の環を有する複素環式基を表し、これらは有利にはＮ、Ｓ及び／又はＯからなる群から選択されるヘテロ原子を有し、かつ場合により芳香環と縮合され、又は場合により更なる置換基、例えばハロゲン、ヒドロキシル、シアノ及び／又はアルキルを有し、その際、以下が特に有利である：ピリジル、フリル、チエニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、キノリル、ベンズオキサゾリル、ベンゾチアゾリル及びベンズイミダゾリル、
“アリール”という表示を有する置換基は、有利にはＣ６〜Ｃ１０−アリール、特にフェニル又はナフチルであり、前記基は場合によりハロゲン、例えばＦ又はＣｌ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、ＮＯ２及び／又はＣＮによって置換されている。
【０１１９】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に有利には、塩素、フッ素、臭素、ヨウ素、シアノ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−アミル、ヒドロキシエチル、３−ジメチルアミノプロピル、３−ジエチルアミノプロピル、フェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、ｐ−メトキシフェニル、イソプロピルフェニル、トリフルオロメチルフェニル、ナフチル、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ｔ−アミルアミノ、ベンジルアミノ、メチルフェニルヘキシルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、アミノプロピルアミノ、アミノエチルアミノ、３−ジメチルアミノプロピルアミノ、３−ジエチルアミノプロピルアミノ、ジエチルアミノエチルアミノ、ジブチルアミノプロピルアミノ、モルホリノプロピルアミノ、ピペリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、ピロリドノプロピルアミノ、３−（メチルヒドロキシエチルアミノ）プロピルアミノ、メトキシエチルアミノ、エトキシエチルアミノ、メトキシプロピルアミノ、エトキシプロピルアミノ、メトキシエトキシプロピルアミノ、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミノ、イソプロピルオキシプロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジエタノールアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−ｔ−ブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジ−ｔ−アミルアミノ、ビス（２−エチルヘキシル）アミノ、ビス（アミノプロピル）アミノ、ビス（アミノエチル）アミノ、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミノ、ビス（３−ジエチルアミノプロピル）アミノ、ビス（ジエチルアミノエチル）アミノ、ビス（ジブチルアミノプロピル）アミノ、ジ（モルホリノプロピル）アミノ、ジ（ピペリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリドノプロピル）アミノ、ビス（３−（メチルヒドロキシエチルアミノ）プロピル）アミノ、ジメトキシエチルアミノ、ジエトキシエチルアミノ、ジメトキシプロピルアミノ、ジエトキシプロピルアミノ、ジ（メトキシエトキシエチル）アミノ、ジ（メトキシエトキシプロピル）アミノ、ビス（３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピル）アミノ、ジ（イソプロピルオキシイソプロピル）アミノ、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、イソブチルオキシ、ｔ−ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ｔ−アミルオキシ、メトキシエトキシ、エトキシエトキシ、メトキシプロピルオキシ、エトキシプロピルオキシ、メトキシエトキシプロピルオキシ、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルオキシ、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、ｔ−アミルチオ、フェニル、メトキシフェニル、トリフルオロメチルフェニル、ナフチル、ＣＯ２Ｒ７、ＣＯＮＲ１Ｒ２、ＮＨ−ＣＯＲ７、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２を表し、又は有利には式
【０１２０】
【化５２】
2004534344.tif 000053
の基を表し、
その際、（Ｂ）ｍは
【０１２１】
【化５３】
2004534344.tif 000054
を表し、アスタリスク（＊）は五員環との結合を示し、
Ｍ１はＭｎ又はＦｅカチオンを表し、
ｗ、ｘ、ｙ及びｚは互いに無関係に０〜４を表し、かつｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１２を表し、
ＮＲ１Ｒ２は有利にはアミノ、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ペンチルアミノ、ｔ−アミルアミノ、ベンジルアミノ、メチルフェニルヘキシルアミノ、２−エチル−１−ヘキシルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、アミノプロピルアミノ、アミノエチルアミノ、３−ジ−メチルアミノプロピルアミノ、３−ジエチルアミノプロピルアミノ、モルホリノプロピルアミノ、ピペリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、３−（メチルヒドロキシエチルアミノ）プロピルアミノ、メトキシエチルアミノ、エトキシエチルアミノ、メトキシプロピルアミノ、エトキシプロピルアミノ、メトキシエトキシプロピルアミノ、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミノ、イソプロピルオキシイソプロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−ｔ−ブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジ−ｔ−アミルアミノ、ビス（２−エチルヘキシル）アミノ、ジヒドロキシエチルアミノ、ビス（アミノプロピル）アミノ、ビス（アミノエチル）アミノ、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミノ、ビス（３−ジエチルアミノプロピル）アミノ、ジ（モルホリノプロピル）アミノ、ジ（ピペリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリドノプロピル）アミノ、ビス（３−（メチルヒドロキシエチルアミノ）プロピル）アミノ、ジメトキシエチルアミノ、ジエトキシエチルアミノ、ジメトキシプロピルアミノ、ジエトキシプロピルアミノ、ジ（メトキシエトキシプロピル）アミノ、ビス（３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピル）アミノ、ジ（イソプロピルオキシイソプロピル）アミノ、アニリノ、ｐ−トルイジノ、ｐ−ｔ−ブチルアニリノ、ｐ−アニシジノ、イソプロピルアニリノ又はナフチルアミノを表し、又はＮＲ１Ｒ２は有利にはピロリジノ、ピペリジノ、ピペラジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７及びＲ１６は互いに無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−アミル、フェニル、ｐ−ｔ−ブチルフェニル、ｐ−メトキシフェニル、イソプロピルフェニル、ｐ−トリフルオロメチルフェニル、シアノフェニル、ナフチル、４−ピリジル、２−ピリジル、２−キノリニル、２−ピロリル又は２−インドリルを表し、
その際、アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は、場合により更なる基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシル、ヒドロキシアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピロリドノ、トリアルキルシリル、トリアルキルシリルオキシ又はフェニルを有してよく、アルキル及び／又はアルコキシ基は飽和、不飽和、直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及び／又はアルコキシ基はエトキシ化、プロポキシ化又はシリル化されていてよく、かつアリール又は複素環式基上の隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基が一緒になって三員又は四員の架橋を形成してよい。
【０１２２】
本願に関連して、レドックス系は特にAngew. Chem. 1978, 927頁及びTopics of Current Chemistry, Vol. 92, page 1 (1980)に記載されるレドックス系を意味するものと解される。
【０１２３】
ｐ−フェニレンジアミン、フェノチアジン、ジヒドロフェナジン、ビピリジニウム塩（ビオロゲン）及びキノジメタンが有利である。
【０１２４】
有利な態様においては、式（１）の式中、
Ｍは２つの無関係なＨ原子を表すか、又はＣｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ及びＳｎからなる群から選択される二価の金属原子Ｍｅを表し、
又は
Ｍは式（１ａ）の三価のアキシアルに一置換された金属原子を表し、その際、金属ＭｅはＡｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｆｅ及びＭｎからなる群から選択され、又は
Ｍは金属ＭｅがＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ及びＶからなる群から選択される式（１ｂ）の三価のアキシアルに二置換された金属原子を示すフタロシアニンが使用される。
【０１２５】
Ｘ１及びＸ２は特に有利にはハロゲン、特に塩素、アリールオキシ、特にフェノキシ又はアルコキシ、特にメトキシである。
【０１２６】
Ｒ３〜Ｒ６は特にハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル又はＣ１〜Ｃ８−アルコキシを表す。
【０１２７】
式Ｉ（式中、Ｍは式（１ａ）又は（１ｂ）の基を表す）のフタロシアニンがより特に有利である。より特に有利なｗ、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ０を表す。式（１ａ）又は（１ｂ）におけるＸ１及び／又はＸ２はそれぞれより特に有利にはハロゲンを示す。
【０１２８】
本発明により使用されるフタロシアニンは公知の方法、例えば
−  相応に置換されたフタロジニトリルから相応の金属、金属ハロゲン化物又は金属酸化物の存在下に核を合成することによって、
−  例えばフタロシアニンのスルホ塩素化又は塩素化及び更に、例えばそれから得られる生成物の縮合又は置換によるフタロシアニンの化学変性によって、
−  アキシアル置換基Ｘ１及びＸ２は通常、交換によって相応のハロゲン化物から製造される。
【０１２９】
吸光性化合物は有利には熱変性可能であるべきである。熱変性は、有利には＜７００℃の温度で行われる。かかる変性は、例えば吸光性化合物の発色中心の分解、形態変化又は化学変性であってよい。
【０１３０】
該吸光性物質は未書き込み状態において光学データ媒体の十分に高い反射率並びに集束青色光、特にレーザ光、有利には３６０〜４６０ｎｍの範囲の光波長を有するレーザ光によって一点での照射の間に情報層の熱分解のための十分に高い吸収を補償する。該データ媒体上の書き込まれた部分と未書き込みの部分の間のコントラストは書き込み後の情報層の変化した光学的特性の結果としての振幅に関する反射率の変化並びに入射光の位相の変化を通して実現される。特に吸光性材料は書き込まれたマークにおける反射率の降下を伴ってよく規定された形状の読み出し信号を保証する。
【０１３１】
換言すると、該光学データ媒体は有利には波長３６０〜４６０ｎｍを有するレーザ光を使用して書き込み及び読み出し可能である。
【０１３２】
フタロシアニンでのコーティングは、有利にはスピンコーティング、スパッタリング又は真空蒸着によって行われる。真空蒸着又はスパッタリングによって、有機媒体又は水性媒体中に不溶なフタロシアニン、特にｗ、ｘ、ｙ及びｚがそれぞれ０であり、Ｍが
【０１３３】
【化５４】
2004534344.tif 000055
又は
【０１３４】
【化５５】
2004534344.tif 000056
［式中、Ｘ１及びＸ２は前記の意味を有する］を表す式（１）のフタロシアニンを適用してよい。
【０１３５】
特に有機媒体又は水性媒体に可溶なフタロシアニンはスピンコーティングによる適用のためにも適当である。フタロシアニンは互いに混合するか、又は類似のスペクトル特性を有する他の色素と混合してよい。情報層は添加剤、例えばバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤及びフタロシアニン以外の成分を含有してよい。
【０１３６】
メロシアニン色素はスピンコーティング又は真空蒸着によって光学データキャリヤーに適用される。メロシアニンは互いに混合するか、又は類似のスペクトル特性を有する他の色素と混合してよい。メロシアニン色素の他に、情報層は添加剤、例えばバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤並びに他の成分を含有してよい。
【０１３７】
光学データ記憶機構は更に層、例えば金属層、誘電性層、バリヤ層、及び保護層を情報層に加えて有してよい。金属層及び誘電性層及び／又はバリヤ層は、なかんずく反射率及び熱平衡を適合させるために提供される。金属はレーザ波長に依存して金、銀、アルミニウム、合金などであってよい。誘電性層は、例えばシリカ及び窒化ケイ素である。バリヤ層は誘電性層又は金属層からなってよい。保護層は、例えば光硬化性塗料、溶融接着層、感圧性接着層及び保護フィルムである。
【０１３８】
特にアクリル系接着剤からなる感圧性接着層、例えばニットーデンコーのＤＡ８３２０又はＤＡ８３１０はＪＰ−Ａ１１２７３１４７号に開示されるように、この使用のために適当である。
【０１３９】
図１に示されるように該光学データ記憶機構は、有利には基板（１）、場合によりバリヤ層（２）、情報層（３）、場合により更なるバリヤ層（４）、場合により接着層（５）及びカバー層（６）を有する。
【０１４０】
有利には光学データ媒体の構造は：
・  表面上に光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、場合によりバリヤ層（４）及び場合により接着層（５）及びカバー層（６）が適用されている、有利には透明な基板（１）を有してよく、
・  表面上に場合によりバリヤ層（２）、光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、場合により接着層（５）及び透明なカバー層（６）が適用されている、有利には透明な基板（１）を有してよく、
・  表面上に場合によりバリヤ層（２）、光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、場合によりバリヤ層（４）、場合により接着層（５）及び透明なカバー層（６）が適用されている、有利には透明な基板（１）をしてよく、
表面上に光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、場合により接着層（５）及び透明なカバー層（６）が適用されている、有利には透明な基板（１）を有してよい。
【０１４１】
本発明は更に、青色光、特にレーザ光、特に有利には３６０〜４６０ｎｍの波長を有するレーザ光を使用して書き込みできる本発明による光学データ媒体に関する。
【０１４２】
以下の実施例は本発明の対象を説明するものである。
【０１４３】
本発明は更に、青色光、特にレーザ光、特に有利には３６０〜４６０ｎｍの波長を有するレーザ光を使用して書き込みできる本発明による光学データ媒体に関する。
【０１４４】
以下の実施例は本発明の対象を説明するものである。
【０１４５】
実施例
例１
【０１４６】
【化５６】
2004534344.tif 000057
【０１４７】
色素モノクロロ−アルミニウム−フタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を情報層のために適用した。使用される該ディスク構造を図２ａに示した。
【０１４８】
ポリカーボネート基板を射出法によって成形して、０．６４μｍのピッチ及び４０ｎｍの深さのグルーブ構造を形成した。グルーブ表面の上に直接、４０ｎｍの情報層を真空蒸着法によって被覆した。情報層が接着層中に拡散することを回避するために情報層を２５ｎｍの厚さのＳｉＯ２バッファ層で、ＲＦ反応性スパッタリング法によって被覆した。感圧性接着剤（PSA; Nitto Denko DA/8320）を次いで接着層及び付加的なカバー層（ポリカーボネート）として、媒体の入射ビーム側に適用した。接着層及びカバー層の全厚さを１００μｍに設定した。
【０１４９】
読み出し／書き込み装置のパラメータは以下の通りである。
レーザの波長＝４０５ｎｍ
対物レンズの開口数＝０．８５、２エレメントレンズ
読み出しレーザ出力＝０．３０ｍＷ
書き込みレーザ出力＝６．０ｍＷ
ディスク回転の線速度＝５．７２ｍ／ｓ
書き込みマークとスペースの長さ＝０．６９μｍ、周期
パルスストラテジー＝１マーク内の５０％のデューティーで７パルス
結果としてグルーブトラックへの書き込み後に、矩形の波形が図２に示されるように得られた。ここではＲは媒体からの反射率を示し、ＲＩｎｉｔは初期反射率を示している。書き込まれた領域が所望のように均一のより低い反射率を示すことはこの図において明らかである。キャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）は３０ｋＨｚの分解バンド幅（ＲＢＷ）で４８．４ｄＢであった。情報層を薄いＳｉＯ２バッファ層及び軟質のＰＳＡ層で覆っただけであるが、その読み出し安定性は意想外に良好であり、ＵＶ樹脂ハードカバーを有するＣＤ−Ｒ又はＤＶＤ−Ｒ媒体とほぼ同じレベルであった。類似の結果が、書き込みをグルーブ構造のランド表面上で実施した場合に得られた。
例２
【０１５０】
【化５７】
2004534344.tif 000058
【０１５１】
色素ジクロロ−シリコン−フタロシアニン（ＳｉＣｌ２Ｐｃ）を情報層のために適用した。使用されるディスク構造は例１と同じであるが、但しＳｉＯ２の厚さを４０ｎｍに設定した。書き込み条件は例１と同じであった。
【０１５２】
矩形の波形が、非常に低い雑音及び高い変調比で媒体中に明らかに記録されたという結果が示される（図３）。キャリヤ対ノイズ比は３０ｋＨｚのＲＢＷで５５ｄＢであった。読み出しマークの歪みは非常に小さく、この色素と層構造の組み合わせがかかる媒体フォーマット及び光学的ピックアップパラメータに適合していることが明らかである。また非常に高い読み出し安定性が示された。０．７ｍＷの読み出し出力まで、Ｃ／Ｎレベルは高いレベルで保持した。
【０１５３】
書き込み及び読み出しの安定性のその高い性能に従って、この媒体は高密度書き込みのために極めて高いポテンシャルを示している。（１，７）ＲＬＬ変調でのランダムなパターン書き込みを１７３μｍの最短マーク長で実施した。片面１２ｃｍ直径ディスク上でのデータ容量は、ランド及びグルーブの両方で記録される場合に２１ＧＢに相当する。ランド書き込みにおける明らかなアイパターンが、その１０％のジッタレベルで図４に示されるように得られた。類似の結果がグルーブで得られ、従って片面ディスクにおける２１ＧＢを上回るそのポテンシャルが示された。
例３
【０１５４】
【化５８】
2004534344.tif 000059
【０１５５】
前記の色素を情報層のために適用した。ディスク構造及び書き込みパラメータは例２と同様である。例１及び例２に類似して、高い読み出し安定性で矩形の波形が示された（図５）。Ｃ／Ｎレベルは３０ｋＨｚの分解バンド幅で４５ｄＢであった。
【０１５６】
同様に例３〜２３の色素を使用できる。
例３〜２３
【０１５７】
【表１】
2004534344.tif 000060
例２４
２．１ｇの１−ブチル−３−シアノ−４−メチル−６−ヒドロキシ−２−ピリドン及び２．０ｇの１，３，３−トリメチルインドール−２−メチレン−ω−アルデヒドを５ｍｌの無水酢酸中に９０℃で２時間にわたり撹拌導入した。冷却後に、該混合物を１００ｍｌの氷冷水上に排出し、吸引濾過除去し、かつ残留物を水で洗浄した。次いで２０ｍｌの水／メタノール３：１中に撹拌導入し、吸引濾過分離し、かつ乾燥させた。３．３ｇ（理論値の８５％）の式
【０１５８】
【化５９】
2004534344.tif 000061
の赤色の粉末が得られた。
融点＝２４９〜２５１℃
ＵＶ（ジオキサン）：λｍａｘ＝５２０ｎｍ
ＵＶ（ＤＭＦ）：λｍａｘ＝５２２ｎｍ
ε＝１１３１００ｌ／モルｃｍ
Δλ＝２ｎｍ
λ１／２−λ１／１０（長波長側）＝１２ｎｍ
溶解度：ＴＦＰ（２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール）中＞２％
例２５
同じ手順に従って、２．６ｇ（理論値の７９％）の式
【０１５９】
【化６０】
2004534344.tif 000062
の赤色の粉末が、１．７ｇの１−プロピル−３−シアノ−４−メチル−６−ヒドロキシ−２−ピリドン及び１．７ｇのＮ−メチル−Ｎ−（４−メトキシフェニル）アクロレインを使用して得られた。
融点＝２０６〜２１６℃
ＵＶ（ジオキサン）：λｍａｘ＝４８２ｎｍ
ＵＶ（ＤＭＦ）：λｍａｘ＝４７７ｎｍ
ε＝７３０１３ｌ／モルｃｍ
Δλ＝５ｎｍ
λ１／２−λ１／１０（短波長側）＝３３ｎｍ
溶解度：ＴＦＰ中＞２％
例２６
２．０３ｇの３−ピリジニオ−４−メチル−６−ヒドロキシ−ピリドン塩化物及び２．０ｇの１，３，３−トリメチルインドール−２−メチレン−ω−アルデヒドを１０ｍｌの無水酢酸中に、９０℃で２時間にわたり撹拌導入した。冷却後に該混合物を２００ｍｌの水上に排出した。２．８ｇのテトラフルオロホウ酸ナトリウムを橙色溶液に添加した。該混合物を一晩撹拌した後に、吸引濾過分離し、かつ残留物を２０ｍｌの水で洗浄し、かつ乾燥させた。３．３ｇ（理論値の７４％）の式
【０１６０】
【化６１】
2004534344.tif 000063
の帯赤橙色の粉末が得られた。
融点＞３００℃
ＵＶ（メタノール）：λｍａｘ＝５１３ｎｍ
ε＝８６５１０ｌ／モルｃｍ
λ１／２−λ１／１０（短波長側）＝３８ｎｍ
溶解度：ＴＦＰ中＞２％
例２７
０．７ｇの５−ジメチルアミノフラン−２−カルバルデヒド及び１．５ｇのＮ−メチル−Ｎ′−ドデシル−バルビツル酸を１５ｍｌの無水酢酸中に９０℃で３０分間にわたって撹拌導入した。冷却後に、該混合物を１００ｍｌの氷冷水上に排出し、吸引濾過分離し、かつ残留物を水で洗浄した。１．７ｇ（理論値の７９％）の式
【０１６１】
【化６２】
2004534344.tif 000064
の橙色の粉末が得られた。
融点＝１１８〜１２０℃
ＵＶ（ジオキサン）：λｍａｘ＝４８３ｎｍ
ε＝５３３６０ｌ／モルｃｍ
λ１／２−λ１／１０（短波長側）＝３２ｎｍ
溶解度：ベンジルアルコール中＞１％
本発明による他の例を以下の表にまとめる：
第１表（式（ＶＩ））
【０１６２】
【表２】
2004534344.tif 000065
【０１６３】
【表３】
2004534344.tif 000066
【０１６４】
【表４】
2004534344.tif 000067
【０１６５】
【表５】
2004534344.tif 000068
【０１６６】
１）特に記載がない限りジオキサン中
２）＝｜λＤＭＦ−λジオキサン｜
３）短波長側上
４）長波長側上
第２表（式（ＶＩＩ））
【０１６７】
【表６】
2004534344.tif 000069
【０１６８】
【表７】
2004534344.tif 000070
【０１６９】
【表８】
2004534344.tif 000071
【０１７０】
【表９】
2004534344.tif 000072
【０１７１】
１）特に記載がない限りジオキサン中
２）＝｜λＤＭＦ−λジオキサン｜
３）短波長側上
４）長波長側上
第３表（式ＶＩＩＩ））
【０１７２】
【表１０】
2004534344.tif 000073
【０１７３】
【表１１】
2004534344.tif 000074
【０１７４】
１）特に記載がない限りジオキサン中
２）＝｜λＤＭＦ−λジオキサン｜
３）短波長側上
４）長波長側上
例８７
式
【０１７５】
【化６３】
2004534344.tif 000075
を有する前記で例７６で示される色素を情報層のために適用した。使用される該ディスク構造を図２ａに示した。
【０１７６】
ポリカーボネート基板を射出法によって成形して、０．６４ｍのピッチ及び４０ｎｍの深さのグルーブ構造を形成した。グルーブ構造の上に直接的に情報層をスピンコーティング法によって被覆した。スピンコーティングのためのパラメータは以下の通りである。
溶剤：テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）
溶液：１．０質量％
溶剤のコーティングのためのディスク回転速度：２２０ｒｐｍ、１２秒
スピンオフ及び乾燥のためのディスク回転速度：１２００ｒｐｍ、３０秒
グルーブ及びランド中の色素層の厚さはそれぞれ８０ｎｍ及び６０ｎｍであった。情報層が接着層中に拡散することを回避するために情報層を４０ｎｍの厚さのＳｉＮバッファ層で、ＲＦ反応性スパッタリング法によって被覆した。感圧性接着剤（PSA; Nitto Denko DA/8320）を次いで接着層及び付加的なカバー層（ポリカーボネート）として、媒体の入射ビーム側に適用した。接着層及びカバー層の全厚さを１００μｍに設定した。
読み出し／書き込み装置のパラメータは以下の通りである。
レーザの波長＝４０４ｎｍ
対物レンズの開口数＝０．８５、２エレメントレンズ
読み出しレーザ出力＝０．３０ｍＷ
書き込みレーザ出力＝６．０ｍＷ
ディスク回転の線速度＝５．７２ｍ／ｓ
書き込みマークとスペースの長さ＝０．６９μｍ、周期
パルスストラテジー＝１マーク内の５０％のデューティーで７パルス
結果として、グルーブトラック上での書き込みの後に、明らかな矩形の波形が図６ａ及び６ｂに示されるようにグルーブ及びランド領域のそれぞれについて得られた。ここではＲは媒体からの反射率を表し、ＲＩｎｉｔは初期反射率を表す。書き込まれた領域が所望のように均一のより低い反射率を示すことはこの図において明らかである。キャリヤ対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）測定を、武田理研のＴＲ４１７１を使用して実施し、その際３０ｋＨｚの分解バンド幅（ＲＢＷ）でグルーブ及びランドのそれぞれについて５７．４ｄＢ及び５３．０ｄＢが得られた。これらの高いＣ／Ｎは高密度書き込みについて高い性能を証明している。それというのもこの媒体は両方のランド／グルーブ上に書き込み可能であり、これは事実上、二倍のトラックピッチ、すなわち０．３２μｍをもたらすからである。また変調比（マークからの反射率／ＲＩｎｉｔ）がほぼ８０％に達していることに注目すべきである。かかる大きな変調比で、この媒体は理想的な信号品質及び極限的なキャリヤーレベルを表す。
【０１７７】
更に短マーク書き込みは以下のようなパラメータで実施した。
書き込みマークとスペースの長さ＝０．１７μｍ、周期
パルスストラテジー＝１マーク内で１パルス
他の条件は０．６９μｍのマーク書き込みと同一である。
【０１７８】
結果として、明らかな波形が図７に示されるように観察される。振幅変調は図６ａ又は６ｂよりも小さいが、読み出しレンズのカットオフ周波数に近いかかる小さいマークについての理論値に近い。読み出しシグナルについてのＣ／Ｎ値は４０．０ｄＢであった。（１，７）ＲＬＬ変調の最短マークとしての０．１７μｍのマーク長さを使用して、１２ｃｍ直径の両面ディスクについての容量は２１ＧＢに達する。この色素はかかる高密度記録のためのその可能性を示している。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】図１は、有利には基板（１）、場合によりバリヤ層（２）、情報層（３）、場合により更なるバリヤ層（４）、場合により接着層（５）及びカバー層（６）を有する光学データ記憶機構の図を示している
【図２】図２は例１による波形の結果を示している
【図２ａ】図２ａは色素モノクロロ−アルミニウム−フタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を情報層のために適用したディスク構造を示している
【図３】図３は例２による波形の結果を示している
【図４】図４は１０％のジッタレベルでのランド書き込みにおける明らかなアイパターンを示している
【図５】図５は例３による波形の結果を示している
【図６ａ】図６ａは例８７における、グルーブトラック上での書き込みの後の明らかなグルーブ領域についての矩形の波形を示している
【図６ｂ】図６ｂは例８７における、グルーブトラック上での書き込みの後の明らかなランド領域についての矩形の波形を示している
【図７】図７は例８７による波形の結果を示している
【図１】
2004534344.tif 000086
【図２ａ】
2004534344.tif 000087
【国際公開パンフレット】
2004534344.tif 000088
2004534344.tif 000089
2004534344.tif 000090
2004534344.tif 000091
2004534344.tif 000092
2004534344.tif 000093
2004534344.tif 000094
2004534344.tif 000095
2004534344.tif 000096
2004534344.tif 000097
2004534344.tif 000098
2004534344.tif 000099
2004534344.tif 000100
2004534344.tif 000101
2004534344.tif 000102
2004534344.tif 000103
2004534344.tif 000104
2004534344.tif 000105
2004534344.tif 000106
2004534344.tif 000107
2004534344.tif 000108
2004534344.tif 000109
2004534344.tif 000110
2004534344.tif 000111
2004534344.tif 000112
2004534344.tif 000113
2004534344.tif 000114
2004534344.tif 000115
2004534344.tif 000116
2004534344.tif 000117
2004534344.tif 000118
2004534344.tif 000119
2004534344.tif 000120
2004534344.tif 000121
2004534344.tif 000122
2004534344.tif 000123
2004534344.tif 000124
2004534344.tif 000125
2004534344.tif 000126
2004534344.tif 000127
2004534344.tif 000128
2004534344.tif 000129
2004534344.tif 000130
2004534344.tif 000131
2004534344.tif 000132
2004534344.tif 000133
2004534344.tif 000134
2004534344.tif 000135
2004534344.tif 000136
2004534344.tif 000137
2004534344.tif 000138
2004534344.tif 000139
2004534344.tif 000140
2004534344.tif 000141
2004534344.tif 000142
2004534344.tif 000143
2004534344.tif 000144
2004534344.tif 000145
2004534344.tif 000146
2004534344.tif 000147
2004534344.tif 000148
2004534344.tif 000149
2004534344.tif 000150
2004534344.tif 000151
2004534344.tif 000152
2004534344.tif 000153
2004534344.tif 000154
2004534344.tif 000155
2004534344.tif 000156
2004534344.tif 000157
2004534344.tif 000158
2004534344.tif 000159
2004534344.tif 000160
2004534344.tif 000161
2004534344.tif 000162
2004534344.tif 000163
2004534344.tif 000164
2004534344.tif 000165
2004534344.tif 000166
2004534344.tif 000167
2004534344.tif 000168
2004534344.tif 000169
2004534344.tif 000170
2004534344.tif 000171
2004534344.tif 000172
2004534344.tif 000173
2004534344.tif 000174
2004534344.tif 000175
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004534344.tif 000176
2004534344.tif 000177
【国際調査報告】
2004534344.tif 000178
2004534344.tif 000179
2004534344.tif 000180