(57)【要約】上面が幅広い横断面を有するピラー（２７０）を有するＯＬＥＤデバイス（２００）。該ピラー（２７０）は、導電性層（２１５）を堆積中にピラーの間とピラーの上面とに配置された別個の部分（２１５ａ、２１５ｂ）に構造化する。該ピラー（２７０）は、ＯＬＥＤデバイス（２００）の有機機能層（２１０）を付着させるために使用される化学薬品に対して不活性ある単一の感光性材料により形成する。このようなピラー（２７０）を使用することにより、高い解像度を達成すると同時に有機機能層を損傷することなく電極を製造することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤデバイスを形成する方法において、
基板上にデバイス層を形成し、
該デバイス層をパターン化して、基板上に第１の方向に沿ったピラーを形成し、その際該ピラーはテーパ状プロフィールを有し、
基板に、溶剤内に溶解した有機機能材料からなる溶液を塗布し、その際前記ピラーは該溶剤に対して不活性であり、
溶剤を除去して、有機機能層を形成し、かつ
基板上に導電性層を堆積させ、その際ピラーのテーパ状プロフィールが導電性層を第１と第２の別個の部分に分離することを特徴とする、ＯＬＥＤデバイスを形成する方法。
【請求項２】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板がフレキシブルな基板からなる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
基板が、その表面上に第２の方向の電極を有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上ににキャップを取り付けることよりなる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
有機機能材料が、溶剤中に溶解した共役ポリマーからなる、請求項３記載の方法。
【請求項７】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項３記載の方法。
【請求項９】
基板が、その表面上に第２の方向の電極を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
有機機能材料が、溶剤中に溶解した共役ポリマーからなる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１２記載の方法。
【請求項１３】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
デバイス層が感光性デバイス層からなり、該感光性層を露光しかつ現像することにより感光性デバイス層をパターン化する、請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，又は１４記載の方法。
【請求項１６】
感光性層がポジ型感光性層からなり、その際感光性層の露光した部分を現像中に除去する、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを有するピラーを形成するために、異なった侵入深さを有する異なったエネルギーを有する電子又は荷電粒子で感光性層を順次に露光することよりなる、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
硬化が熱硬化からなる、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
硬化が粒子硬化からなる、請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを形成するために、感光性層の下部領域よりも少ない量のエネルギーで感光性層の上部領域を露光することよりなる、請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
硬化が熱硬化からなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
硬化が粒子硬化からなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項１６記載の方法。
【請求項３０】
硬化が熱硬化からなる、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項２９記載の方法。
【請求項３３】
硬化が粒子硬化からなる、請求項２９記載の方法。
【請求項３４】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを有するピラーを形成するために、異なった侵入深さを有する異なったエネルギーを有する電子又は荷電粒子で感光性層を順次に露光することよりなる、請求項１５記載の方法。
【請求項３５】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
硬化が熱硬化からなる、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項３５記載の方法。
【請求項３８】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項３５記載の方法。
【請求項３９】
硬化が粒子硬化からなる、請求項３５記載の方法。
【請求項４０】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項１５記載の方法。
【請求項４１】
硬化が熱硬化からなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４３】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４４】
硬化が粒子硬化からなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４５】
感光性層がネガ型感光性層からなり、その際感光性層の露光されなかった部分を現像中に除去する、請求項１５記載の方法。
【請求項４６】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを有するピラーを形成するために、異なった侵入深さを有する異なったエネルギーを有する電子又は荷電粒子で感光性層を順次に露光することよりなる、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項４６記載の方法。
【請求項４８】
硬化が熱硬化からなる、請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項４７記載の方法。
【請求項５０】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項４７記載の方法。
【請求項５１】
硬化が粒子硬化からなる、請求項４７記載の方法。
【請求項５２】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを形成するために、感光性層の下部領域よりも多い量のエネルギーで感光性層の上部領域を露光することよりなる、請求項４５記載の方法。
【請求項５３】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
硬化が熱硬化からなる、請求項５３記載の方法。
【請求項５５】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項５３記載の方法。
【請求項５６】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項５３記載の方法。
【請求項５７】
硬化が粒子硬化からなる、請求項５３記載の方法。
【請求項５８】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項４５記載の方法。
【請求項５９】
硬化が熱硬化からなる、請求項５７記載の方法。
【請求項６０】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項５７記載の方法。
【請求項６１】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項５７記載の方法。
【請求項６２】
硬化が粒子硬化からなる、請求項５７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。より詳細には、本発明は、例えばＯＬＥＤデバイス内のカソードを形成するための導電性層のパータン化に関する。
【０００２】
発明の背景
図１は、通常のピクセル化ＯＬＥＤデバイス１００を示す。ピクセル化ＯＬＥＤデバイスは、セル電話、セルスマート電話、パーソナル・オルガナイザ、ポケットベル、看板、タッチスクリーンディスプレイ、テレコンフェレンシング及びマルチメディア製品、バーチャルリアリティ製品及びディスプレイキオスクを含む種々の消費者電子製品におけるディスプレイとして使用することができる。
【０００３】
典型的には、ＯＬＥＤデバイスは、透明な導電性層１０５と導電性層１１５の間の１つ以上の有機機能層１１０の機能スタックからなる。機能スタックは、透明な基板１０１上に形成されている。導電性層は、第１の方向のカソードの列及び第２の方向のアノードのカラムを形成するためにパターン化される。ＯＬＥＤピクセルは、カソードとアノードがオーバラップする場所に配置されている。ＯＬＥＤピクセルを制御するために、カソード及びアノードにボンドパッド１５０が結合されている。キャップとピクセルの間にキャビティ１４５を形成するキャップ１６０は、湿気及び／又は空気のような環境からＯＬＥＤピクセルを保護するためにデバイスをカプセル化する。
【０００４】
作動時には、電荷坦体が機能層内での再結合のためにカソード及びアノードを経て注入される。電荷坦体の再結合は、ピクセルの機能層に可視放射線を放出させる。
【０００５】
高い解像度及び高い充填率を有するディスプレイを提供するためには、ピクセル間の間隔は、小さいべきである、例えば約５０μｍ未満であるべきである。ピクセル間の間隔は、カソード及びアノードを形成するパターン化プロセスにより規定される。カソードを形成するためには、種々の通常のパターン化技術、例えばシャドーマスキング、フォトリソグラフィ（ウエット又はドライエッチング）、レーザ切除、又はリフトオフ技術（ウエット又はドライレジスト）が使用されてきた。しかしながら、慣用のパターン化技術は、ＯＬＥＤを製造するためには完全には適合又は適しない。例えば、フォトリソグラフィ技術は、有機機能層又はカソード材料を損傷する化学薬品を使用する。シャドーマスキング又はリフトオフ技術（ウエットレジスト並びにまたドライレジストフォイル）では、特に製造又は生産環境において、高い解像度（例えば５０μｍ未満）を達成するのが困難である。
【０００６】
前記考察から明らかなように、既に堆積した材料を損傷せずに高い解像度を達成する、導電性層をパターン化するためのパターン化技術を提供することが所望される。
【０００７】
発明の概要
本発明は、一般的にＯＬＥＤデバイスのようなデバイスの製造に関する。より詳細には、本発明は、導電性層のパターン化に関する。１実施態様においては、アンダーカット部（例えば、上面上が幅広い横断面）を有するピラー（ｐｉｌｌａｒ：柱状部）を設ける。１実施態様においては、ピラーはテーパー状プロフィールを有する。該ピラーは、フォトリソグラフィにより形成する。１実施態様においては、ピラーを感光性材料から形成する。ピラーは、機能有機層を付着させるために使用される溶剤に対して不活性である。ピラーのテーパー状プロフィールは、堆積中に導電性層を別個の第１の部分と及び第２に部分にパターン化する。第１の部分はピラーの間に配置され、かつ第２の部分はピラーの上面上に配置される。１実施態様においては、第１の部分は、ＯＬＥＤデバイスのカソードとして役立つ。
【０００８】
発明の有利な実施例
図２は、本発明の１実施例に基づくＯＬＥＤデバイスを示す。ＯＬＥＤデバイスは基板２０１を有し、該基板の上にピクセルが形成されている。１実施例においては、基板はガラスのような透明な基板からなる。ＯＬＥＤピクセルを支持するために基板として利用することができる別のタイプの透明な材料を使用することもできる。ＯＬＥＤピクセルは、第１の電極２０５と第２の電極２１５の間に挟まれた１つ以上の層２１０からなる。１実施例においては、第１の電極２０５はアノードでありかつ第２の電極２１５はカソードである。カソードである第１の電極及びアノードである第２の電極を形成することも有効である。カソード及びアノードは、それぞれ第１及び第２の方向のストリップとして形成されている。典型的には、第１と第２の方向は互いに直交している。カソード及びアノードにボンドパッド２５０が電気的に結合されている。ＯＬＥＤピクセルを内部に封入する（カプセル化）ためにキャップ２６０が設けられている。該キャップは、ピクセルがキャップと物理的に接触することにより損傷を受けるのを保護するためにキャビティ２４５を形成する。
【０００９】
ピラー２７０は、基板表面上に設けられている。ピラーは、第２の方向に配列されている。ピラーの高さは、機能スタックの上に延び（例えば１〜１０μｍ）、カソード及び有機機能層をストリップに分離する。選択的実施例においては、ピラーは、キャップ２６０の支持構造として働くためにキャビティの高さまで延びるていもよい。このことは、キャップがピクセルに接触しかつ損傷を及ぼすのを防止するために、フレキシブルなＯＬＥＤデバイスのために特に有効である。
【００１０】
本発明によれば、ピラーはアンダーカット部を有し、該アンダーカット部は結果として上面が底面よりも幅広い構造を生じる。該アンダーカット部は、機能層の上の別個の又は分離した部分１１５ａ及びピラーの上面上の部分２１５ｂを形成するために堆積中に導電性層２１５をパターン化するために役立つ。部分２１５ａは、カソードとして働く。１実施例においては、アンダーカット部は、テーパー状プロフィールを有するピラーを形成することにより提供される。１実施例においては、第１及び第２の側壁がテーパ状であり、ｖ字形横断面を有するピラーを形成する。
【００１１】
１実施例においては、ピラーは単一デバイス層から形成されている。単一層からピラーを形成することは、有利に製造コストを低下させる。単数又は複数の有機機能層を付着させるための溶剤のような化学薬品は、腐食性であることがあるので、ピラーは処理中にその結着性を維持する材料から形成されている。１実施例においては、ピラーは、レジストのような感光性材料を使用して形成される。該レジストは、それを溶剤に対して不活性にするために処理されている。別のタイプの感光性材料、例えば感光性ポリイミド又は感光性ポリベンゾキサゾールも使用可能である。更に、電子硬化性レジスト系、例えばアライド・シグナル（Ａｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ）によって製造されたものもを、所望の横断面形状を有するピラーを形成するために使用することができる。
【００１２】
図３〜７は、本発明の１実施例に基づくＯＬＥＤデバイスの製造プロセスを示す。図３によれば、基板３０１が準備されている。１実施例においては、該基板は、透明な基板、例えばソーダ石灰又はホウケイ酸ガラスからなる。別のタイプの透明な材料を、基板として役立てるために使用することもできる。基板は典型的には約０．４〜１．１ｍｍの厚さを有する。
【００１３】
別の実施例においては、基板は薄いフレキシブルな基板からなる。薄いフレキシブルな基板は、例えば透明なポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（ブチレンテレフタレート）（ＰＢＴ）、ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳＯ）及びポリ（ｐ−フェニレンエーテルスルホン）（ＰＥＳ）のようなプラスチックフィルムから形成されている。その他の材料、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ（ビニルクロリド）（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリ（メチルメチルアクリレート）（ＰＭＭＡ）を基板を形成するために使用することもできる。選択的に、超薄ガラス（例えば厚さ１０〜１００μｍ）、ガラス及びポリマー又は無機バリア層が被覆された複数のポリマーフィルムからなる複合スタックのような材料を使用することもできる。
【００１４】
基板は、その表面に形成された第１の電極３０５を有する。第１の電極は、例えばアノードとして役立つ。該アノードは、導電性材料から形成する。１実施例においては、導電性材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような透明な導電性材料からなる。その他の透明な導電性材料、例えば酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズも有用である。１実施例においては、複数のアノードは、第１の方向でストリップ内に配列し、それぞれスペースによって分離する。有利には、アノードを分離するスペースは５０μｍ未満の幅を有する。アノードを形成するためには、フォトリソグラフィのような種々の技術を使用することができる。
【００１５】
図４によれば、基板上にデバイス層４６９を付着させる。該デバイス層を、第２の電極（例えばカソード）を形成するための導電性層のパターン化を容易にするピラーを作るために使用する。デバイス層の厚さは、ピラーの高さに等しい。デバイス層の厚さは、例えば約０．５〜５０μｍ、有利には約１〜１０μｍである。
【００１６】
１実施例においては、デバイス層は、クラリアント（Ｃｌａｒｉａｎｔ）により製造されたＡＺ５２１４Ｅのようなネガ型作用するフォトレジストからなる。その他の感光性材料を使用することもできる。レジストは、例えばスピンコーティングにより基板に塗布する。１実施例においては、レジストは、カール・スエス（Ｋａｒｌ Ｓｕｅｓｓ）ＲＣ ８ スピンコータを使用して基板を１０００ｒｐｍで約２０秒間回転させることにより塗布する。レジストの塗布後に、基板を例えば９０℃で約２分間ベーキングしてレジスト溶剤を除去する。
【００１７】
図５において、デバイス層をマスク５２０を通して露光源からの光に選択的に曝す。該露光プロセスは、所望のアンダーカット又はテーパー状プロフィールを有するピラーを形成するように設計する。該露光プロセスは、例えば現像中にテーパー状プロフィールを形成するために、異なる侵入深さを有する異なるエネルギーを有する電子又は荷電粒子に感光性層を順次に曝すことよりなる。ネガ型感光性層のためには、該露光は、デバイス層の上部領域を下部領域よりも少ない量のエネルギーで選択的に露光することよりなる。ポジ型感光性層のためには、デバイス層の上部領域を下部領域よりも大きな量のエネルギーで選択的に露光することよりなる。
【００１８】
１実施例においては、ネガ型レジスト層を選択的に露光源で露光する。該露光の結果、下部部分よりも大量のエネルギーを吸収する領域５６６の上部部分が生じる。領域５６６は、ピラーが形成されるべき位置に相当する。１実施例においては、レジストをカール・スエスＭＪＢ３露光源を使用してＩライン放射線で露光する。露光線量は、約５０ｍＪ／ｃｍ２である。
【００１９】
次いで、レジストの露光されなかった部分を除去するための現像の準備をする。この準備は、ネガ型作用レジストのためには、レジストを露光された領域において架橋させるための露光後ベークを含む。露光後ベークは、例えば約１２０℃で約６０〜９０秒間実施する。架橋は、レジストをレジスト現像化学薬品に対して不溶性にする。露光後ベークの後で、レジストを露光源からのフラッド露光にかける（例えばマスクを用いない露光）。該フラッド露光は、レジストの先に露光されなかった部分を可溶性にする。フラッド露光の線量は、例えば約１０００ｍｊ／ｃｍ２である。
【００２０】
図６によれば、ピラー６７０を残して、露光された領域を除去するためにレジスト現像化学薬品でレジストを現像する。１実施例においては、レジスト化学薬品は、クラリアントによって製造されたＡ２　７２６のようなアルカリ性現像剤からなる。レジストを、現像化学薬品中で室温で約６０秒間現像する。露光領域の下部部分はアンダー露光されているので、該部分はレジスト化学薬品に対してより可溶性である。このことはアンダーカットを有するピラーを形成し、結果として上面よりも底面が狭い横断面を生じる。次いで、レジストを脱イオン水ですすぎ洗いして、現像剤を除去する。
【００２１】
ピラーの形成後に、レジストを硬化させて、ピラーの機械的安定性を改善しかつピラーを有機機能層を形成するために使用される有機溶剤に対して不活性にする。１実施例においては、基板を約１６０℃の温度で約６時間加熱することによりレジストを硬化させる。１実施例においては、基板を以下のパラメータ：
ａ）２時間で１００℃から１６０℃までの線形ランプ
ｂ）１６０℃で４時間の一定の硬化、及び
ｃ）能動的冷却を用いない冷却
に基づき硬化させる。
【００２２】
電子ビーム（ｅ−ビーム）、粒子（プロトン、アルファ）又はＵＶ硬化のような別の硬化技術を使用することもできる。硬化後、基板をＵＶ−Ｏ３に約３分間曝し、基板の露出した部分上の小さい有機残渣を除去することにより清浄にする。
【００２３】
図７によれば、基板上に有機機能層を付着させる。１実施例においては、有機機能層は共役ポリマーからなる。該ポリマーを溶剤中に溶解させ、かつスピンコーティング技術により塗布する。１実施例においては、有機機能層は、基板を４０００ｒｐｍで約３０秒間回転させることにより塗布されたキシレン中に溶解したエレクトロルミネセンスポリマーの１％溶液からなる。別のウエット付着技術を使用することもできる。このような技術は、例えば、有機機能層を溶剤（例えばＮＭＰ又はヘキセン）中に溶かす印刷技術（例えばスクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷）を包含する。ウエットプロセスによって有機機能層を付着させることは、大体において自己平坦化し、大体において平坦な表面をもってピラー間の領域を満たす層を生じるので有利である。ピラーは、硬化に基づき溶剤によって悪影響を受けない。有機機能スタックを形成するために、付加的な機能層を付着させることができる。有機層又はスタックの厚さは、典型的には２〜２００ｎｍである。有機機能層を付着させた後に、基板を約８５℃の温度で約１分間加熱して溶剤を蒸発させる。
【００２４】
有機層の部分は、例えばボンドパッド接続のための領域４７０内の下にある層を露出させるために選択的に除去することができる。有機層の選択的除去は、ポリシング法で達成することができる。有機層の部分を選択的に除去するために、エッチング、スクラッチング又はレーザ剥離のような別の技術を使用することもできる。
【００２５】
基板上に、導電性層７１５を堆積させる。該導電性層は、例えばＣａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの混合物もしくは合金からなる。その他の導電性層材料、特に低い仕事関数を有するものを、第２の導電性層を形成するために使用することもできる。１実施例においては、第２の導電性層はＣａからなる。Ｃａを、１ｎｍ／秒の速度及び約１０−５ミリバールの圧力で熱蒸着により堆積させる。その他の堆積技術、例えばスパッタリング（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）又は有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）を使用することもできる。
【００２６】
導電性層の堆積は、ピラーの高さ及びプロフィールに基づき不連続化され、その結果ピラー間の領域内に導電性層の部分７１５ａが堆積されかつピラーの上面上に導電性層の部分７１５ｂが形成される。ピラー間の導電性層の部分は、カソードとして役立つ。カソードとアノードの交差部は、有機ＬＥＤピクセルを形成する。
【００２７】
該プロセスを、ＯＬＥＤデバイスが完成するまで継続する。例えば、デバイスをカプセル化するためにキャビティキャップを取り付けかつＯＬＥＤピクセルへの電気的アクセスを提供するためにボンドパッドを形成する。
【００２８】
本発明を特に種々の実施例を参照して示しかつ記載してきたが、当業者にとっては、本発明に対してその思想及び範囲を逸脱することなく修正及び変更を行うことができることは当業者にとっては自明のことである。従って、本発明の範囲は、前記記載に関連してではなく、特許請求の範囲と、その等価思想の完全な範囲に関連して決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
通常のＯＬＥＤデバイスを示す図である。
【図２】
本発明の１実施例を示す図である。
【図３】
本発明の１実施例に基づくＯＬＥＤデバイスを製造プロセスを示す図である。
【図４】
本発明の１実施例に基づくＯＬＥＤデバイスを製造プロセスを示す図である。
【図５】
本発明の１実施例に基づくＯＬＥＤデバイスを製造プロセスを示す図である。
【図６】
本発明の１実施例に基づきＯＬＥＤデバイスを製造プロセスを示す図である。
【図７】
本発明の１実施例に基づくＯＬＥＤデバイスを製造プロセスを示す図である。
【符号の説明】
２００　ＯＬＥＤデバイス、　２０１，３０１　基板、　２１０　有機機能層、　２０５，３０５　第１の電極、　２１５　第２の電極（導電性層）、　２１５ａ　別個の又は分離した部分、　２１５ｂ　機能層（部分）、　２４５　キャビティ、　２５０　ボンドパッド、　２６０　キャップ、　２７０，６７０　ピラー、　４６９　デバイス層、　４７０　ボンドパッド接続のための領域、　５２０　マスク、　５６６　ピラーが形成される領域、　７１５（ａ，ｂ）　導電性層（部分）
【国際公開パンフレット】
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2004508691.tif 000005
2004508691.tif 000006
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2004508691.tif 000032
2004508691.tif 000033
【手続補正書】
【提出日】平成14年11月28日(2002.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤデバイスを形成する方法において、
基板上にデバイス層を形成し、
該デバイス層をパターン化して、基板上に第１の方向に沿ったピラーを形成し、その際該ピラーはテーパ状プロフィールを有し、
基板に、溶剤内に溶解した有機機能材料からなる溶液を塗布し、その際前記ピラーは該溶剤に対して不活性であり、
溶剤を除去して、有機機能層を形成し、かつ
基板上に導電性層を堆積させ、その際ピラーのテーパ状プロフィールが導電性層を第１と第２の別個の部分に分離することを特徴とする、ＯＬＥＤデバイスを形成する方法。
【請求項２】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板がフレキシブルな基板からなる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
基板が、その表面上に第２の方向の電極を有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
有機機能材料が、溶剤中に溶解した共役ポリマーからなる、請求項３記載の方法。
【請求項７】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項３記載の方法。
【請求項９】
基板が、その表面上に第２の方向の電極を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
有機機能材料が、溶剤中に溶解した共役ポリマーからなる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
更に、ＯＬＥＤデバイスを気密にシールするために基板上にキャップを取り付けることよりなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
デバイス層が感光性層デバイスからなり、該感光性層を感光性デバイス層を露光しかつ現像することによりパターン化する、請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０又は１１記載の方法。
【請求項１３】
感光性層がポジ型感光性層からなり、その際感光性層の露光した部分を現像中に除去する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを有するピラーを形成するために、異なった侵入深さを有する異なったエネルギーを有する電子又は荷電粒子で感光性層を順次に露光することよりなる、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
硬化が熱硬化からなる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
硬化が粒子硬化からなる、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを形成するために、感光性層の下部領域よりも少ない量のエネルギーで感光性層の上部領域を露光することよりなる、請求項１３記載の方法。
【請求項２１】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
硬化が熱硬化からなる、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
硬化が粒子硬化からなる、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項１３記載の方法。
【請求項２７】
硬化が熱硬化からなる、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項２６記載の方法。
【請求項２９】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項２６記載の方法。
【請求項３０】
硬化が粒子硬化からなる、請求項２６記載の方法。
【請求項３１】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを有するピラーを形成するために、異なった侵入深さを有する異なったエネルギーを有する電子又は荷電粒子で感光性層を順次に露光することよりなる、請求項１２記載の方法。
【請求項３２】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
硬化が熱硬化からなる、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項３２記載の方法。
【請求項３６】
硬化が粒子硬化からなる、請求項３２記載の方法。
【請求項３７】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項１２記載の方法。
【請求項３８】
硬化が熱硬化からなる、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項３７記載の方法。
【請求項４１】
硬化が粒子硬化からなる、請求項３７記載の方法。
【請求項４２】
感光性層がネガ型感光性層からなり、その際感光性層の露光されなかった部分を現像中に除去する、請求項１２記載の方法。
【請求項４３】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを有するピラーを形成するために、異なった侵入深さを有する異なったエネルギーを有する電子又は荷電粒子で感光性層を順次に露光することよりなる、請求項４２記載の方法。
【請求項４４】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項４３記載の方法。
【請求項４５】
硬化が熱硬化からなる、請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項４４記載の方法。
【請求項４７】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項４４記載の方法。
【請求項４８】
硬化が粒子硬化からなる、請求項４４記載の方法。
【請求項４９】
露光が、現像中にテーパ状プロフィールを形成するために、感光性層の下部領域よりも多い量のエネルギーで感光性層の上部領域を露光することよりなる、請求項４２記載の方法。
【請求項５０】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項４９記載の方法。
【請求項５１】
硬化が熱硬化からなる、請求項５０記載の方法。
【請求項５２】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項５０記載の方法。
【請求項５３】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項５０記載の方法。
【請求項５４】
硬化が粒子硬化からなる、請求項５０記載の方法。
【請求項５５】
ピラーを溶剤に対して不活性にするためにピラーを硬化させることよりなる、請求項４２記載の方法。
【請求項５６】
硬化が熱硬化からなる、請求項５４記載の方法。
【請求項５７】
硬化がＵＶ硬化からなる、請求項５４記載の方法。
【請求項５８】
硬化が電子ビーム硬化からなる、請求項５４記載の方法。
【請求項５９】
硬化が粒子硬化からなる、請求項５４記載の方法。
【国際調査報告】
2004508691.tif 000034
2004508691.tif 000035
2004508691.tif 000036