(57)【要約】【課題】イオン注入工程後のフォトレジストマスク層を高効率に除去する方法を提供すること。【解決手段】イオン注入工程を実施した後にフォトレジスト層を剥離するための処理方法であって、イオン注入されたフォトレジスト層をその上に有する基板をＵＶ露光する工程と、その後、従来の剥離工程によってイオン注入されたフォトレジスト層を除去する工程とを備えている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入されたフォトレジスト（Ｐ）を除去するための処理方法であって、
イオン注入されたフォトレジスト層をその上に有する基板（Ｓ）を、前記フォトレジスト層を除去可能にするために十分な紫外線放射源にさらす工程と、前記基板から前記フォトレジストを剥離する工程とを備えていることを特徴とする処理方法。
【請求項２】
前記剥離する工程は、ウェット剥離工程およびドライ剥離工程から選択された一つからなることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記ドライ剥離工程は、イオン注入されかつ紫外線露光された前記フォトレジスト層を、プラズマにさらす工程を備えていることを特徴とする請求項２に記載の処理方法。
【請求項４】
前記プラズマは、酸素を含むガスから生成されることを特徴とする請求項３に記載の処理方法。
【請求項５】
前記プラズマは、酸素を含まない混合ガスから生成されることを特徴とする請求項３に記載の処理方法。
【請求項６】
前記基板を前記紫外線放射源にさらす工程の間に、前記基板を加熱する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項７】
前記基板は、約２０℃から約１２０℃の温度に加熱されることを特徴とする請求項６に記載の処理方法。
【請求項８】
前記基板は、前記紫外線放射源にさらされる以前に前記フォトレジスト層が焼成された最高温度を超えない温度に加熱されることを特徴とする請求項６に記載の処理方法。
【請求項９】
前記紫外線放射源は、約１５０ｎｍから約４５０ｎｍの波長で放射することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１０】
前記紫外線放射源は、約２００ｎｍから約４００ｎｍの波長で放射することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１１】
前記基板を前記紫外線放射源にさらす工程は、約１０ｍＪ／ｃｍ２から約１００Ｊ／ｃｍ２の露光エネルギーで実施されることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記基板を前記紫外線放射源にさらす工程は、少なくとも１００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで実施されることを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項１３】
イオン注入されたフォトレジストを半導体の基板（Ｓ）から除去するための処理方法であって、
前記基板上にフォトレジスト（Ｐ）からなるマスクを形成する工程と、
前記基板を、前記マスクの表面と反応して前記マスク中にイオン注入フォトレジスト部を形成するドーパントイオン（Ｉ）にさらす工程と、
前記ドーパントイオン（Ｉ）を、前記マスクの開口部を通じて前記基板内に注入する工程と、
前記基板をＵＶ放射で露光する工程と、
プラズマを生成することによって、反応性化学種を形成する工程と、
前記基板を、前記イオン注入フォトレジスト部を含む前記マスクを前記基板から除去するために十分かつ効果的な時間だけ、前記プラズマの前記反応性化学種にさらす工程とを備えていることを特徴とする処理方法。
【請求項１４】
前記基板を前記ＵＶ放射で露光する工程は、約１０５ｍＷ／ｃｍ２の露光エネルギーで露光することを含むことを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項１５】
前記基板を前記ＵＶ放射で露光する工程は、約３０秒の露光時間で露光することを含むことを特徴とする請求項１４に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項１６】
前記基板を前記ＵＶ放射で露光する工程は、前記基板から前記マスクを除去する速度を増大させるために効果的な温度に、前記基板を加熱する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項１７】
前記基板を前記ＵＶ放射で露光する工程は、約１０５ｍＷ／ｃｍ２で約３０秒間露光することを含み、その間、前記基板の温度は約２０℃に維持されることを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項１８】
前記プラズマは、酸素を含まないことを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項１９】
前記プラズマは、酸素を含むことを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項２０】
脱イオン水の使用によるリンス工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項２１】
前記イオン注入フォトレジスト部を除去する間に、監視中に明らかな阻害が起こらないことを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項２２】
前記イオン注入されたフォトレジストを有する前記基板を、前記ＵＶ放射で露光する工程と前記反応性化学種にさらす工程とは、同じ反応室で実施されることを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項２３】
前記基板を前記ＵＶ放射で露光する工程は、前記基板を約１０ｍＪ／ｃｍ２から約１００Ｊ／ｃｍ２の露光エネルギーで露光することを含むことを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【請求項２４】
前記基板を前記ＵＶ放射で露光する工程は、前記基板を少なくとも１００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで露光することを含むことを特徴とする請求項１３に記載のイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板からフォトレジストを剥離するための処理方法に関する。より詳細には、本発明は、イオン注入工程が実施された後に、フォトレジスト層を除去するための処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路の製造には多くの工程が含まれる。イオン注入は、集積回路の製造においてよく使用されるそのような工程の１つであり、ドーパントイオンを、有機フォトレジストのマスクを介して、半導体基板の面内に注入するものである。有機フォトレジストのマスクは、通常は溶液流延法によって形成され、フォトリソグラフィー法を使用してパターンニングされる。イオン注入工程の終了後、フォトレジストマスクは、通常、剥離工程によって除去される。しかし、イオン注入工程の間に、ドーパントイオンがフォトレジストの表面と反応し、当業者によって通常“外皮（ｃｒｕｓｔ）部”と呼ばれる部分が形成される。この反応の結果生じる外皮部は相対的に無孔性であり、この後、従来の剥離工程を使用して除去することが困難である。フォトレジスト層中に存在する外皮部によって、イオン注入後の工程に有害な影響が及ぼされる。たとえば、外皮部によって、フォトレジスト層に捕捉された揮発性の溶剤または低分子量のポリマーが、ドライ剥離工程におけるウエハ温度の上昇時に容易に脱出できなくなることが知られている。その結果、フォトレジスト層をプラズマによって剥離する場合、高温状態において膨れ（ｂｌｉｓｔｅｒｉｎｇ）またははじけ（ｐｏｐｐｉｎｇ）が生じる場合があり、それによって、今度は欠陥やパーティクルが発生する。ここで、“高温”とは、フォトレジストがイオン注入工程以前に焼成された最高温度を超える温度を意味する。イオン注入されたフォトレジストを、従来の化学的ウェット剥離工程を使用して剥離する場合、外皮部の溶解のために必要な剥離剤との接触時間が長くなるため、処理時間を延長する必要がある。さらに、外皮部の溶解性は、それ程均一なものではない。
【０００３】
イオン注入工程に供された基板からフォトレジスト層を除去するための技術については、さまざまな方法が提案されている。たとえば、フジムラ（Ｆｕｊｉｍｕｒａ）等による米国特許第４９３８８３９号明細書には、イオン注入されたフォトレジスト層のパターンを、酸素からなるエッチングガスのプラズマを使用して剥離する間に、基板を冷却する方法が記載されている。剥離工程の間に基板を冷却することによって、フォトレジストの剥離速度が低下し、したがって処理の長時間化につながる。
【０００４】
多段階からなる複雑なプラズマ処理工程も試行されているが、フォトレジスト層の外皮部を確実に除去するには、注意深い監視が必要である。ツェン（Ｔｓｅｎｇ）等に付与された米国特許第５８１１３５８号明細書において、発明者は、高線量イオン注入後にフォトレジストを剥離するための３工程からなる方法を提案している。イオン注入されたフォトレジストの外皮部は、まず、低温（＜２２０℃）において酸素および窒素／水素のプラズマを使用して剥離され、上述した膨れもしくははじけ、またはその両方の問題を防止するか、または最小限に抑えるものである。次に、高温（＞２２０℃）を使用して、残りのフォトレジストが除去され、最後に、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素を使用して基板を洗浄し、残存する汚染物質やフォトレジストを除去する。この種の多段階の工程には、さまざまなモジュールおよび装置群が必要になり、したがって、ウエハの処理効率が低下し、製造コストが増大する。
【０００５】
クオ（Ｋｕｏ）等は、米国特許第６０２４８８７号明細書において、まず酸素およびフッ素のガスから生成された第１のプラズマにイオン注入されたレジスト層をさらすことによって、このイオン注入されたフォトレジストを剥離する方法を開示している。フッ素含有種を含まない第２のプラズマを使用して、イオン注入されたフォトレジストが剥離される。この場合でも、外皮層を確実に除去するためには、注意深い監視が必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
先行技術に鑑みて、イオン注入工程後にフォトレジストマスク層を除去するための単純な剥離工程が望まれている。イオン注入されたフォトレジストのためのこの剥離工程は、好ましくは、最小限の監視のみを必要とし、生産性の高い処理工程に適合するものであって、ウェット剥離工程およびドライ剥離工程の両方に適用可能なものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、イオン注入工程が実施された後にフォトレジスト層を除去することに対する、先行技術の問題点を克服するものである。本発明に係る処理方法には、イオン注入されたフォトレジスト層をその上に有する基板を、紫外線（ＵＶ）露光する工程が共通して含まれる。基板をＵＶ放射で露光する工程は、イオン注入後であって、基板からフォトレジストを剥離する前に実施される。イオン注入されたフォトレジスト層は、その後、従来のウェット剥離工程またはドライ剥離工程を使用して剥離すなわち除去される。本発明者は、ドライ剥離工程の場合において、驚くべきことに、先行技術の説明において記載した膨れもしくははじけ、またはその両方の問題が最小限に抑えられることを発見した。したがって有利なことに、このドライ剥離工程に対してより高い剥離温度が使用できる。ウエット剥離工程の場合には、除去効率が増大する。
【０００８】
本発明に係るイオン注入されたフォトレジストを除去するための処理方法は、イオン注入されたフォトレジスト層をその上に有する基板を、このフォトレジスト層を除去可能にするために十分な紫外線放射源にさらす工程と、基板からフォトレジストを剥離する工程とを備えている。紫外線放射源は、好ましくは約１５０ｎｍから約４５０ｎｍの間の波長で放射するものである。さらに好ましくは、紫外線放射源は、約２００ｎｍから約４００ｎｍの間の波長で放射するものである。基板は、約１０ｍＪ／ｃｍ２から約１００Ｊ／ｃｍ２の露光エネルギーの紫外線照射にさらされる。好ましくは、基板表面における露光エネルギー照射は少なくとも１００ｍＪ／ｃｍ２である。基板の露光時間は変更可能であり、とりわけ紫外線露光の光源に依存する。紫外線露光の間に基板を加熱して、基板からのフォトレジストマスクの除去速度を増大させることも任意に選択できる。基板を加熱する場合には、フォトレジスト層が紫外線露光工程以前に焼成された最高温度を超える温度を使用しないことが望ましい。温度範囲は、好ましくは約２０℃から約１２０℃である。
【０００９】
本発明に係る処理方法は、ＵＶ露光の光源を備えた独立のモジュールで実施することも、またはプラズマ剥離工程で使用するものと同じ反応室を、ＵＶ露光の光源を備えるように改良して実施することもできる。
【００１０】
特定の機能および基本要素が変形された構造を備えた、本発明の他の態様も予期されるものである。言及される特定の態様とその可能な変形、および本発明のさまざまな特徴および利点は、以下の詳細な説明および図面と関連させて考慮することによって、より良く理解されるであろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、イオン注入工程に供した後に、フォトレジスト層を剥離するための処理方法を提供するものである。この処理方法には、イオン注入されたフォトレジストをその上に有する基板をＵＶ露光する工程と、その後、従来の剥離工程によって、イオン注入されたフォトレジストを除去する工程が含まれる。ウエット剥離工程またはドライ剥離工程から選択された剥離工程は、ＵＶ未露光のイオン注入フォトレジスト層の場合と比較して、このフォトレジスト層の外皮部を突破してより速やかに進行する。その結果、選択された剥離工程における除去効率が増大する。したがって、通常はアッシング（ａｓｈｉｎｇ）と呼ばれるドライ剥離工程の場合には、本発明は、イオン注入フォトレジスト層の除去のために低温で長時間アッシングする必要性を回避できるという利点を有する。さらに、本発明者は、ドライ剥離工程、特に外皮部のアッシング工程において、膨れもしくははじけ、またはその両方を最小限に抑えるかまたは全く生じさせることなく、アッシング中に使用する温度を高温化でき、それによって処理時間の短縮が達成されることを発見した。上述したように、本発明に係る処理方法は、ウェット剥離工程およびドライ剥離工程の両方に適用可能である。
【００１２】
ここで、図１を参照すると、本発明に従ってイオン注入されたフォトレジストを除去するための工程図が示されている。第１工程（ａ）は、基板上にフォトレジストを塗布することを含み、フォトレジストおよび基板は、全体としてそれぞれＰおよびＳで示されている。フォトレジストは、一般に、下層の基板に像を転写するために使用される有機感光膜であり、通常は液状塗料として流延（ｃａｓｔ）される。液状のフォトレジストは、たとえば回転塗布法、浸漬塗布法、ローラー塗布法、またはその他の従来の技術によって、基板上に塗布される。本発明は、一般に、ｇ線、ｉ線、遠紫外線（ＤＵＶ）、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの紫外線が適用され、引き続いてイオン注入工程に供されるフォトレジストに適用可能である。このフォトレジストには、ノボラック、ポリビニルフェノール、アクリレート、アセタール、ケタール、ポリイミド、環状オレフィン等からなるフォトレジスト樹脂が含まれるが、それらに限定されるものではない。本明細書を考慮すれば、他の適切なフォトレジスト樹脂または材料は、当業者にとって明らかであろう。フォトレジストは、フォトレジストの化学的性質および選択された現像剤に応じて、ポジ型またはネガ型とすることができる。
【００１３】
このフォトレジストは、フォトレジストの塗布とその後のイオン注入を含む工程において従来使用される基板上に塗布される。たとえば、フォトレジストを、マイクロプロセッサや他の集積回路部品を製造するための、シリコンもしくは二酸化シリコンの基板上に塗布することができる。アルミニウム−酸化アルミニウム、ガリウムヒ素、セラミックス、石英、または銅の基板を使用することもできる。本明細書を考慮すれば、本発明での使用に適した他の基板は、当業者にとって明らかであろう。
【００１４】
基板上にフォトレジストを塗布した後、工程（ｂ）に示すように、従来のフォトリソグラフィー法を使用してフォトレジスト（Ｐ）がパターニングされる。通常、当業者は、マスクを介して活性化光を作用することによって、フォトレジスト層に選択的に像を形成する。フォトレジスト層中の光活性化成分を効果的に活性化するために十分な露光が実施され、露光領域と未露光領域との間に溶解特性の相違が生じる。その後、フォトレジスト層は、周知の手順によって現像され、浮き彫り像が形成される。基板上のフォトレジスト膜の現像に続いて、現像された基板のフォトレジストが存在しない領域に対して選択的に処理を実施することができ、それらの処理には、とりわけイオン注入処理が含まれる。
【００１５】
工程（ｃ）では、基板はイオン注入工程に供される。全体としてＩで示された高エネルギーのドーパントイオンが基板方向に加速され、基板の露出した表面、すなわちフォトレジストマスクが存在しない場所に選択的に注入されて、基板に所望の電気的特性が付与される。所望の電気的特性に応じて、正イオンまたは負イオンが使用できる。当業者にとって、ドーパントイオンおよびイオン注入工程で使用される動作パラメータを選択することは容易である。たとえば、ドーパントイオンには、ヒ素含有ドーパントイオン、ホウ素含有ドーパントイオン、リン含有ドーパントイオンが含まれるが、これらに限定されるものではない。基板上のフォトレジストマスクが存在する領域では、ドーパントイオンはフォトレジストの表面と反応し、基板表面内への侵入が防止される。フォトレジストのドーパントイオンと反応する部分には化学変化が生じる。この部分は、当業者によって、通常“外皮部”と呼ばれ、図１において全体としてＣで示されている。以下、フォトレジスト層の部分であって、ドーパントイオンと反応し、その結果、除去特性もしくは溶解特性、またはその両方の特性が変化した部分を外皮部と定義する。したがって、ドーパントイオンにさらされ、それらと反応するフォトレジストの表面は、この外皮部となる。フォトレジスト表面へのイオン侵入の度合いには限界があり、本発明はその要因によって限定されるものではないが、イオン注入工程の動作パラメータ、フォトレジストの成分、フォトレジスト層の自由体積に依存していると考えらる。上述したように、イオン注入されたフォトレジストは、ドーパントイオンにさらされなかったフォトレジストとは異なる剥離特性を有している。その結果、周知のように、イオン注入フォトレジスト部すなわち外皮部によって、フォトレジスト層の除去または剥離が一層困難なものとなる。さまざまな研究から、外皮部は、高炭素の、グラファイトと同様の層であることが示されている。
【００１６】
工程（ｄ）に示されているように、この処理方法は、フォトレジストマスクのイオン注入された表面を含む基板をＵＶ露光する工程をさらに備えている。好ましくは、基板の全表面がＵＶ露光されるものである。ＵＶ放射量は、約１０ｍＪ／ｃｍ２から約１００Ｊ／ｃｍ２であり、好ましくは、少なくとも１００ｍＪ／ｃｍ２が使用される。ＵＶ放射の波長は、約１５０ｎｍから約４００ｎｍであり、さらに好ましくは約２００ｎｍから約４００ｎｍである。全露光時間は、使用される放射波長や放射量を含みかつそれらには限定されないさまざまな要因に依存する。本明細書に基づいて露光の最適化を実施することは、当業者にとって容易である。ＵＶ露光の効果を増大するために、約２０℃から約１２０℃の温度範囲にウエハを加熱することも任意に選択できる。ＵＶ露光の間にウエハを加熱する場合には、ウエハは、イオン注入以前に使用された焼成温度を超えない温度に加熱されることが望ましい。
【００１７】
本発明は理論によって限定されるものではないが、ＵＶ露光によってフォトレジストの下層バルク部分で光化学的転位が発生し、それによって、イオン注入されたフォトレジスト層の除去効率が増大するものと考えられる。従来のウェット剥離工程またはドライ剥離工程による、外皮部を含むイオン注入されたフォトレジスト層の除去速度は、ＵＶ未露光のイオン注入されたフォトレジスト層の除去速度と比較して増大し、したがって、ウエハの生産効率が増大する。さらに重要なことに、ドライ剥離工程において通常見られる膨れもしくははじけ、またはその両方の現象は、ＵＶ未露光のイオン注入されたフォトレジストをドライ剥離する場合と比較して最小限に抑えられるか、もしくは発生しない。有利なことに、本発明者は、ＵＶ露光の直接の結果として、ドライ剥離工程で使用される温度を高温化することができ、それに応じた膨れまたははじけの現象の増大は生じないことを発見した。望ましいことに、ドライ剥離工程の間の温度上昇によってウエハの生産効率が増大する。
【００１８】
図１（ｅ）に示されているように、この処理方法には、次に、周知のドライ剥離またはウェット剥離などの従来の方法によって、基板からフォトレジストを剥離する工程が含まれる。
【００１９】
ドライ剥離工程の場合、イオン注入されたフォトレジストをその上に有する基板は、プラズマアッシャーに直接的に持ち込まれ、このアッシャーの反応室内でＵＶ露光された後、アッシングされる。その代りに、ＵＶ露光装置をイオン注入装置に組み込むことも可能であり、または独立したモジュールとすることもできる。ＵＶ露光後、プラズマを生成することによって、アッシャーの反応室内に反応性化学種が形成される。本発明は、特定のプラズマおよびプラズマ装置によって限定されるものではない。このプラズマは、酸素を含むものであってもよく、含まないものでもよい。また、フッ素、フォーミングガス等を含むものであってもよい。フォーミングガスとは、２成分混合ガスであって、第１成分を水素ガス、第２成分を窒素ガスまたはヘリウム、アルゴン等の任意の希ガスとするものである。本発明における使用に適切な他のプラズマのガス成分およびプラズマ装置は、本明細書を考慮すれば、当業者にとって明らかであろう。反応性化学種は、フォトレジストと反応し、揮発性の反応生成物を形成するか、またはフォトレジストの基板への付着性を弱めることによって、イオン注入されたフォトレジストを除去するものである。剥離工程は、フォトレジスト内の反応から揮発性反応生成物が発生しなくなるまで、またはフォトレジストもしくは残留物、またはその両方がリンス工程によって除去可能になるまで、継続される。この工程において、従来の監視装置等を使用してもよい。
【００２０】
本発明での使用に適したプラズマアッシャー装置には、ダウンストリーム型プラズマアッシャーが含まれ、たとえば、イートン コーポレーション（Ｅａｔｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から「ＧＥＭＩＮＩ ＥＳ」という商標で市販されているマイクロ波プラズマアッシャーをその例として挙げることができる。しかし、本発明は、本実施形態および後述する実施形態における特定のプラズマアッシャーには限定されないことに注意されたい。たとえば、誘導結合プラズマ反応炉を使用することができる。
【００２１】
プラズマガスの特定の成分は、プラズマ形成条件においてガスおよびプラズマを形成する能力によって選択される。好ましくは、各成分は化合されて、ガスとしてプラズマアッシャーに供給されるものである。プラズマガスは、プラズマ反応室中の条件下で、まずフォトレジスト化合物もしくは残留物、またはその両方の炭素および他の原子と反応し、揮発性化合物を生成する。上述したように、このプラズマには酸素が含まれていてもよく、含まれていなくともよい。さらに、このプラズマには、所望の剥離速度および他の基板成分のフッ素への感受性に応じて、フッ素を含んでいてもよい。
【００２２】
ウェット剥離工程で使用される剥離剤には、当業者に周知のように、酸、塩基、および溶剤が含まれる。ＵＶ露光後に、適切な剥離剤を使用した従来の手段によって、基板が剥離される。使用する特定の剥離剤を選択することは、当業者にとって容易である。たとえば、剥離剤として、一般に、硝酸、硫酸、アンモニアが使用され、これらを本発明において好適に使用できる。剥離工程において、剥離剤は、浸漬、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）、ストリーム、スプレー等によって基板上に適用され、その後、基板は、脱イオン水を使用してリンスされる。
【００２３】
ウェット剥離工程またはドライ剥離工程の後に、リンス工程を使用して、汚染物質もしくは残留フォトレジスト、またはその両方を除去することを任意に選択できる。好ましくは、このリンス工程には脱イオン水を使用するものであるが、周知のように、オゾン、硫酸、フッ化水素酸等を用いてもよい。
【００２４】
以下の実施例は、本発明に従ってイオン注入されたフォトレジストを剥離するための処理方法を詳細に説明するものである。この処理の詳細は、上述した一般的な処理方法の範囲に含まれ、それを例示するためのものである。以下の実施例は、例示目的のみのために呈示され、本発明の範囲を限定するものではない。
【００２５】
【実施例】
（実施例１）
この実施例では、２００ｍｍのシリコンウエハに１．２μｍのフォトレジストを塗布し、その後、イートン社（Ｅａｔｏｎ）の高電流注入装置（Ｈｉｇｈ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｍｐｌａｎｔｅｒ）でリンイオンを注入した。照射線量は、３０ｋｅＶのエネルギーにおいて ５ ｅ１５原子／ｃｍ２であった。次に、フュージョン システムズ ２００ＰＣＵ フォトスタビライザー（Ｆｕｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ ２００ ＰＣＵ Ｐｈｏｔｏｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）で、ウエハを、２０℃において１０５ｍＷ／ｃｍ２の紫外線で３０秒間露光した。次に、イートン社のフュージョン ＥＳ−ＡＩＭ アッシャー（Ｆｕｓｉｏｎ ＥＳ−ＡＩＭ Ａｓｈｅｒ）で、１．５トルおよび１００℃において、１．５ｋＷのマイクロ波出力を使用し、１７００ｓｃｃｍ のＯ２、１１００ｓｃｃｍ のフォーミングガス（Ｈ２：３％、Ｈｅ２：９７％）、および １５０ｓｃｃｍ のＣＦ４を使用して、ウエハのドライ剥離すなわちアッシングを実施した。フォトレジストが完全に除去される時間を、ヒドロキシ基（−ＯＨ）の発光信号を監視することによって記録し、剥離工程以前にＵＶ露光されなかったウエハと比較した。図２にその結果を示す。先にＵＶ露光されなかったウエハでは、発光信号は、まず減衰してその後急激に増大する。初期的な減衰とその後の急激な増大は、アッシング処理がフォトレジスト層の外皮部を突破して進行していることを示すものである。それと比較して、ＵＶ露光されたウエハの場合には、剥離処理の開始時から増大し、この処理がより効率的であることを示している。各処理に対して記録された、フォトレジストが完全に除去される時間を表１に示す。
【００２６】
【表１】
2004517475.tif 000002
【００２７】
この結果は、イオン注入されたフォトレジストの除去がＵＶ露光後にずっと高速になることを明確に表しており、ＵＶ露光によって、イオン注入されたフォトレジスト層の除去速度が増大することを示すものである。
【００２８】
（実施例２）
この実施例では、実施例１と同様の処置および監視を実行し、２００ｍｍのシリコンウエハに１．２μｍのフォトレジストを塗布し、その後、リンイオンを注入した。この実施例では、フォーミングガスとして、３％の水素と９７％のアルゴンからなる混合ガスを使用した。実施例１で説明したように、ＵＶ露光されたウエハからフォトレジストを完全に除去するための時間は、フォトレジスト中のＯＨ基の発光信号を監視することによって記録した。この実施例では、ＵＶ未露光のウエハを、ＵＶ露光されたウエハと同じ時間だけアッシングし、アッシング後にウエハ上に存在する残留フォトレジストを、偏光解析法によって測定した。図３にその結果を示す。同一の条件において、ＵＶ未露光のウエハの場合には、ウエハ上に約１．０μｍのフォトレジストが残存し、一方、ＵＶ露光されたウエハの場合には、ウエハ上からフォトレジストが完全に除去された。
【００２９】
これまでの記載を考慮すれば、本発明についての多くの修正および変形は、当業者にとって明らかであろう。したがって、本発明は、添付された請求項の範囲内において、これまで詳細に図示および記載した形態とは異なる形態で実施できることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明に従って、イオン注入されたフォトレジストを基板から除去するための処理方法の工程を示す概要図である。
【図２】
図２は、本発明に従って処理されたウエハと、アッシング工程の前にＵＶ露光されなかったウエハについて、フォトレジスト中のヒドロキシ基の発光信号によって監視した、イオン注入フォトレジストを完全に除去するために必要な時間を示すグラフである。
【図３】
図３は、本発明に従って処理されたウエハと、アッシング工程の前にＵＶ露光されなかったウエハについて、同一条件下で除去されたイオン注入フォトレジストの量を示すグラフである。
【図２】
2004517475.tif 000003
【図３】
2004517475.tif 000004
【国際公開パンフレット】
2004517475.tif 000005
2004517475.tif 000006
2004517475.tif 000007
2004517475.tif 000008
2004517475.tif 000009
2004517475.tif 000010
2004517475.tif 000011
2004517475.tif 000012
2004517475.tif 000013
2004517475.tif 000014
2004517475.tif 000015
2004517475.tif 000016
2004517475.tif 000017
2004517475.tif 000018
2004517475.tif 000019
2004517475.tif 000020
2004517475.tif 000021
2004517475.tif 000022
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004517475.tif 000023
【国際調査報告】
2004517475.tif 000024
2004517475.tif 000025
2004517475.tif 000026