(57)【要約】基板をベーキングすることにおいて限界寸法を改善するシステム、方法、及び、装置を開示する。システム、方法、及び、装置は、ベーキング中に基板で略均一な温度が得られるようベーキングされるべき基板と、ホットプレートの表面との間の距離を変えることを提案する。一実施例では、基板は、上側で凹部を略中央に有するホットプレートに位置決めされる。ホットプレートと接触する基板のエッジとの間の距離と、基板の中央領域と凹部の底部との間の距離の差は、基板で略均一な温度を得ることを可能にする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部と少なくとも一つの壁とによって画成される第１の凹部を含む第１の表面、及び、第２の表面を有するホットプレートを設ける段階と、
上記ホットプレートの上記第２の表面を加熱する段階と、
上記第１の凹部を画成する少なくとも一つの壁の近くに基板の第１の表面の外側エッジを配置し、上記基板が上記ホットプレートの上記第１の表面に対して略平行に配置されるよう、上記基板の上記第１の表面を上記第１の凹部の上に上記ホットプレートの上記第１の表面の近くに位置決めする段階とを有する、第１の表面を有する基板を加熱する方法。
【請求項２】
上記基板の上記第１の表面の上記外側エッジの少なくとも一部分が上記第１の凹部を画成する上記少なくとも一つの壁の近くで上記ホットプレートの上記第１の表面と接触するよう、上記基板を上記第１の凹部の上に上記ホットプレートの近くで位置決めする段階を更に有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記ホットプレートの上記第１の表面と接触する上記基板の上記第１の表面の上記外側エッジの部分を変更するために上記第１の凹部を画成する上記少なくとも一つの壁の構造を変更する段階を更に有する請求項２記載の方法。
【請求項４】
上記基板の少なくとも一つの特徴に従って上記ホットプレートの上記第１の表面と接触して維持される上記基板の上記第１の表面の上記外側エッジの部分を変更する段階を更に有する請求項２記載の方法。
【請求項５】
上記基板の上記少なくとも一つの特徴は基板の厚さである請求項４記載の方法。
【請求項６】
上記第１の凹部の中央領域の近くに配置される第２の凹部を提供する段階を更に有し、
上記第２の凹部は少なくとも一つの壁と底部とによって画成される請求項１記載の方法。
【請求項７】
ホットプレートの第１の表面にある、少なくとも一つの壁と底表面とによって画成される少なくとも一つの凹部の上に基板の第１の表面を配置して、上記ホットプレートの第１の表面に上記基板の上記第１の表面を配置する段階と、
上記少なくとも一つの凹部の上記底表面から選択された距離のところで上記基板の上記第１の表面を維持する段階と、
上記ホットプレートの第２の表面に熱を加える段階と、
上記基板を均一に加熱する段階とを有する基板をベーキングする方法。
【請求項８】
上記ホットプレートの上記第１の表面と接触する上記基板の上記第１の表面の外側エッジを上記少なくとも一つの凹部の上記少なくとも一つの壁の近くで維持する段階と、
上記少なくとも一つの凹部が覆われるよう上記基板を位置決めする段階とを更に有する請求項７記載の方法。
【請求項９】
上記基板の厚さに応じて上記基板の上記第１の表面の上記外側エッジと上記ホットプレートとの間の接触を変更する段階を更に含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
上記ホットプレートの上記第１の表面に対して上記少なくとも一つの凹部の上記底表面の少なくとも一部分を移動する段階を更に含む請求項８記載の方法。
【請求項１１】
上記基板の上記第１の表面の上記外側エッジと上記ホットプレートとの間の接触が変更されるよう上記少なくとも一つの凹部の上記少なくとも一つの壁を変更する段階を更に有する請求項８記載の方法。
【請求項１２】
夫々第１の表面及び第１の表面を含むホットプレートと、
上記ホットプレートの上記第１の表面に配置される第１の凹部とを有し、
上記第１の凹部は、少なくとも一つの壁と底部とによってある程度画成され、
上記第１の凹部は、上記第１の凹部の上記底部と上記ホットプレートの上記第１の方面との間の距離によって画成される略均一な深さを有し、
上記第１の凹部は、上記基板が上記第一の凹部の上に配置されるとき、上記基板の外側エッジの少なくとも一部分が上記ホットプレートの上記第１の表面の少なくとも一部分と接触するよう大きさが決められる、基板をベーキングする装置。
【請求項１３】
上記基板が上記第一の凹部を覆うよう位置決めされるとき、上記基板の上記外側エッジの約１０分の１インチ（０．２５４ｃｍ）が上記ホットプレートの上記第１の表面と接触するよう大きさが決められる第１の凹部を更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
約１０００分の６インチ（０．０１５２４ｃｍ）（０．００６″）乃至１０００分の８インチ（０．０２０３２ｃｍ）（０．００８″）の深さを有する第１の凹部を更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
略同じ長さの４つの壁によって画成される第１の凹部を更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項１６】
上記ホットプレートの第２の表面に配置される第２の凹部を更に有し、
上記第２の凹部は、少なくとも一つの壁によって画成され、略均一な深さを有する請求項１２記載の装置。
【請求項１７】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなるプレートを更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項１８】
上記プレートの第１のエッジに配置される少なくとも一つのロボットアクセスカットアウトと、
上記第１のエッジの反対側にある上記プレートの第２のエッジに配置される少なくとも２つのロボットアクセスカットアウトとを更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項１９】
上記プレートの第２の表面に実施可能に結合される熱源を更に有する請求項１２記載の装置。
【請求項２０】
上記第１の凹部の上記底部の中央領域の近くに配置される凹部を更に有し、
上記第１の凹部内に配置される上記凹部は、上記第１の凹部の上に配置される上記基板の第１の表面で略均一な温度が実現されるよう、大きさが決められる請求項１２記載の装置。
【請求項２１】
夫々第１の及び第２の表面を有するホットプレートと、
上記ホットプレートの上記第１の表面に配置され、底部と少なくとも一つの壁とによって画成される略均一な深さの第１の凹部と、
上記ホットプレートの上記第２の表面に配置され、底部と少なくとも一つの壁とによって画成される略均一な深さの第２の凹部と、
上記第２の凹部に実施可能に結合される熱源とを有し、
上記ホットプレートは、上記第１の凹部が覆われ、上記基板の第１の表面の一部分が上記第１の凹部を画成する上記壁の近くで上記ホットプレートの上記第１の表面と接触するよう、上記第１の表面の近くで上記基板を維持するよう実施可能であり、
上記ホットプレートは、ベーキング中に上記基板において略均一な温度を確立するために更に実施可能である、基板をベーキングするシステム。
【請求項２２】
上記ホットプレートに上記基板を位置決めするために実施可能なロボット機構を更に有する請求項２１記載のシステム。
【請求項２３】
上記第１の凹部の上記底部に配置される凹部を更に有し、
上記凹部は、ベーキング中に上記基板で略均一な温度を実現するよう大きさが決められる請求項２１記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
本発明は、一般的に半導体製作に係り、特に、基板をベーキングする際の均一化を改善する装置及び方法に関わる。
【０００２】
背景
半導体装置製造業者が小さい装置を生産し続けるにつれ、これら装置の製作で使用されるフォトマスクの要件は厳しくなってきている。レチクル若しくはマスクとしても公知のフォトマスクは、典型的には回路イメージをシリコンのような半導体ウェーハ上に移すために使用する高純度石英又はガラス板である。装置が小さくなるにつれ、マスク上の回路イメージはより小さく且つより複雑となる。その結果、頑強で信頼ある半導体製作処理を確立することにおいてマスクの質が最も重要な要素の一つとなった。
【０００３】
マスクを生産することにおける最も難しい要件の一つは、限界寸法（ＣＤ）の均一化を制御することである。ＣＤの均一化は、マスク上に書かれる同様の大きさの線及びスペースの測定の統計的結果として定義され得る。ＣＤの均一化は、一般的に範囲、３シグマ或いはその両方として特定される。
【０００４】
電子産業の多くの関係者は、ＣＤの均一化におけるエラーを減少することを試みる。これら関係者は、リソグラフィー工具、処理工具、フォトレジスト、ｘ線レジスト及び工具の製造業者、並びに、深い紫外線レジスト及び工具、位相シフトマスク及びＣＤ測定工具の製造業者を含む。
【０００５】
ＣＤ均一化におけるエラーを減少する努力は、フォトマスクブランクにおいても見られる。ブランクは、典型的にはクロム及び選択されたレジストでコーティングされた合成石英基板からなる。回路模様は、典型的にはマスクショップでブランク上に直接的に書き込まれる。
【０００６】
最も一般的なフォトマスクブランクの一つは、６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５ブランクである。６０２５ブランクは、典型的には６インチ（１５．２４センチメートル（ｃｍ））（６．０″）平方であり、厚さが４分の１インチ（０．６３５ｃｍ）（０．２５″）であり、合成石英基板はＳｈｉｎ  Ｅｔｓｕ、Ａｓａｈｉ、及び、Ｃｈｉ  Ｃｈｉ  Ｂｕガラス製造業者から供給されている。クロムは、典型的には米国特許第５，２３０，９７１号に開示される方法と同様の方法でブランクに適用される。基板に適用される光学レジストは、’８９５’によって識別され得る。このレジストは、典型的には液体の形態にありＡｒｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓを含む様々な供給業者から入手できる光学ポリマーである。レジストは、典型的には、クロム／石英基板に回転塗布され、その後ベーキングされる。
【０００７】
ブランクでＣＤの均一化におけるエラーを理解することにおいて、ベーキングする６０２５ブランクの表面にわたる温度の均一化に関する研究が実施された。温度の研究により、基板の表面が７セルシウス度（７℃）範囲であることが分かった。基板の表面にわたる温度の均一化における問題の一つは、近接ギャップとも呼ぶ、基板をベーキングするために使用する加熱表面と基板の表面との間の距離に関連することが分かった。
【０００８】
先で近接ギャップの制御は、薄いテープ、典型的には商標カプトン（Ｋａｐｔｏｎ）テープの層を一緒に積層し所望の高さを得ることで実現された。テープの使用は、近接ギャップの正確な制御に対して様々な問題を提示する。例えば、薄いプラスチックであるとテープは、適用中に変形される。更に、テープがその有効寿命にわたってベーキング温度で薄くなることは一般的である。更に、テープを正確に位置決めすることが必要であり、一般的にテープは必要な程度に正確に位置決めされ得ない。
【０００９】
近接ギャップを制御することに関わる問題に加えて、基板をベーキングするのに一般的に使用される典型的なホットプレートと一連の問題が関連付けられる。第１に、典型的なホットプレートはアルミニウムの塊から形成される。アルミニウムの柔らかさにより、アルミニウムホットプレートの加熱表面若しくは幾らかの表面は、２００ミクロン（２００μｍ）未満まで平坦に機械加工され得ないことが一般的である。アルミニウムの柔らかさと、最も頻繁に使用される研削技法が、平坦化又は円滑化に対するより厳しい公差を得ることを防止する。第２に、加熱される基板が典型的には円形でホットプレートの表面が典型的には正方形であるため、一般的により多くの熱が中央よりもホットプレートのコーナーの周りの空気によって吸収される。これにより、基板のエッジで温度が低下し、ブランクにおけるＣＤの均一化に影響を及ぼす。
【００１０】
これら及び他の不都合な点を克服するために、ホットプレートの各セクションを加熱する個々の温度制御器を有するラジアル加熱コイルを用いるホットプレートが設計された。このような装置が効果的になるためには、全ての個々の温度制御器が正確に校正され稼働しなくてはならない。一つの温度制御器が故障すると、別の温度制御器によって典型的には補償されるため、検出可能でない温度エラーをもたらす。
【００１１】
要約
本開示の教授によると、ベーキング中に基板における温度の均一化を改善する方法、システム、及び、装置が提供される。
【００１２】
一面によると、基板を加熱する方法が提供される。この方法は、底部と少なくとも一つの壁とによって画成される凹部を第１の表面に有するホットプレートを維持することを含むことが好ましい。更に、この方法は、ホットプレートの第２の表面に熱を加え、ホットプレートの第１の表面の近くで基板を凹部の上に位置決めすることを含み、基板の夫々の第１及び第２の表面は、ホットプレートの第一の表面と凹部の底部に対して略平行に維持される。更に、基板の第１の表面の外側エッジは、凹部を画成する壁の近くで維持されることが好ましい。
【００１３】
別の面によると、基板をベーキングする方法は、ホットプレートに熱を加える段階と、ホットプレートからある距離のところで基板の第１の表面を位置決めする段階と、基板の第１の表面に略均一に熱を加え基板の第１の表面にわたってより均一な温度を維持するよう基板の第１の表面とホットプレートとの間の距離を変更する段階とを有する。
【００１４】
更なる面では、基板をベーキングする装置が提供される。この装置は、凹部を第１の表面に有するホットプレートを含むことが好ましい。凹部は、少なくとも一つの壁によって画成されてもよく、好ましくは略均一な深さを有する。更に、凹部は、基板が凹部を覆うよう位置決めされるとき基板の外側エッジの少なくとも一部分がホットプレートの第１の表面の一部分と接触するよう大きさが決められることが好ましい。
【００１５】
更に別の実施例では、基板をベーキングするシステムが提供される。このシステムは、略均一な深さの第１の凹部を第１の表面に有するホットプレートを含むことが好ましい。凹部は、底部と少なくとも一つの壁とによって画成されることが好ましい。システムに含まれるホットプレートは、略均一な深さの第２の凹部を第２の表面に含むことが好ましい。第２の凹部は、第１の凹部に類似して、底部と少なくとも一つの壁によって画成されることが好ましい。ベーキングをある程度容易するためにシステムは、第２の凹部に好ましくは結合された加熱源を含むことが好ましい。システムでは、ホットプレートは、第１の凹部を覆い、基板の第１の表面の一部分がホットプレートの第１の表面と接触するようにして、ホットプレートの第１の表面の近くで基板を維持するよう実施可能であることが好ましい。ホットプレートは、ベーキング中に基板において略均一な温度を確立するために更に実施可能であることが好ましい。
【００１６】
本発明によって提供される一つの技術的利点は、不均一なベーキングによる限界寸法の均一化におけるエラーが減少することである。
【００１７】
本発明によって提供される更なる技術的利点は、カプトン（商標）テープの縁によってブランクで生じ得る裏側の欠陥が減少する点である。
【００１８】
本発明によって提供される更なる技術的利点は、改善されたブランクでより重要なマスク層を製造することができる点である。
【００１９】
詳細な説明
本発明の実施例及びその利点のより完全な理解は、添付の図面と共に以下の説明を参照することで得られ、図面中同様の参照記号は同様の構成要素を示すとする。
【００２０】
本発明の好ましい実施例及びその利点は、図１乃至図７を参照することで最もよく理解され、図面中の同様の参照記号は異なる図面の同様の及び対応する構成要素に使用される。
【００２１】
図１は、本発明の教授を含む、処理システム１０の一実施例を示す。熱源１２は、ベーキング中にホットプレート１４に熱を供給するためにシステム１０に含まれることが好ましい。ホットプレート１４は、基板１６、例えば、６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランク、半導体基板（図示せず）、又は、他のタイプの基板が支持されベーキングされるよう熱源１２に堆積されてもよい。
【００２２】
処理中、ロボット機構１８は、ロボットアーム２０を用いてホットプレート１４に基板１６を位置決めすることが好ましい。システム１０が基板１６のベーキングを完了した後、ロボットアーム２０は、好ましくは、把持機構２２及び２４を用いて基板１６をロボットアクセスカットアウト（図２参照）で除去してもよい。代替の熱源、基板、及び、ロボット機構は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく本発明の教授を用いて使用されてもよい。
【００２３】
図２を参照するに、ホットプレート１４と基板１６の斜視図を示す。本発明の教授によると、ホットプレート１４の第１の表面２６は、凹部２８を中に含むことが好ましい。凹部２８は、一つ以上の壁３０と底部３２とによって画成され得る。
【００２４】
ホットプレート１４の代替の実施例では、凹部２８に目盛りを付けられてもよく、さもなければ異なる深さを有してもよい。図２に示すように、更なる凹部３３が凹部２８内に含まれてもよい。凹部３３は、底部３２の中央領域に配置されることが好ましい。しかしながら、代替の配置も本発明の精神及び範囲内であると考えられる。以下により詳細に説明するように、凹部３３は、ベーキング中により大きい温度均一化を実現するために用いられ得る。
【００２５】
更に、ホットプレート１４の第１の表面２６には、ロボットアクセスカットアウト３４、３６、及び、３８が含まれことが好ましい。
【００２６】
通常の動作中、基板１６は、その第１の表面４２に堆積されるクロムのようなコーティング４０を好ましくは含む。コーティング４０は、スパッタリング、化学気相成長（ＣＶＤ）、回転塗布等を用いて基板１６の表面４２に堆積され得る。一実施例では、反射防止層（図示せず）がコーティング４０の第１の表面４４に堆積されてもよい。
【００２７】
一旦コーティング４０が基板１６の第１の表面４２に堆積されると、コーティング４０は好ましくは洗浄され検査される。コーティング４０が洗浄され検査された後、レジスト層４６がコーティング４０の第１の表面４４に好ましくは堆積される。レジスト層４６は、液体ポリマーであることが好ましい。
【００２８】
図２に示すとおり、ベーキング中基板１６は、それを含む底表面に対して略平行に、凹部２８及び含む場合には凹部３３より上にある。更に示すとおり、基板１６のコーティングされていない表面４７は好ましくはベーキング中にホットプレート１４の第１の表面２６とかみ合う。基板１６とホットプレート１４との間の関係に関する更なる詳細は以下に説明する。
【００２９】
ベーキング中、熱は発熱体１２によって生成され得る。本発明の教授によるとホットプレート１４は、熱源１２からの熱を略均一に基板１６のコーティングされていない表面４７に好ましくは分散する。熱は、基板１６、コーティング層４０、及び、最終的にはレジスト層４４によって吸収され得る。一実施例では、コーティング層４０とレジスト層１６は、１ミクロン未満の厚さである。
【００３０】
図３は、基板、例えば、基板１６の不均一なベーキングから典型的に生ずるＣＤ（限界寸法）の不均一化におけるエラーを減少するために実施可能な、本発明の教授によるホットプレートの一実施例を示す。ホットプレート１４は、図３に示すように、略正方形の構造を有する。ベーキングされる基板１６及びベーキングに使用される熱源の構造に依存して、ホットプレート１４は長方形、楕円形、円形等様々な構造を有し得る。
【００３１】
前記した通り、ホットプレート１４の第１の表面にはロボットアクセスカットアウト３４、３６、及び、３８が好ましくは配置される。ロボットアクセスカットアウト３４、３６、及び、３８は、辺４８及び５０と、隣接する辺５２及び５４とにあることが好ましく、ロボット機構１８のようなロボット機構は、ホットプレート１４によって加熱される基板１６を位置決めすることを好ましくは可能にする。ホットプレート１４の代替の実施例は、ロボットアクセスカットアウトを含まない、６つ（６）のロボットアクセスカットアウトを含む、又は、他の構造にアレンジされてもよい。
【００３２】
前記した通り、通常一つ以上の壁３０と底部３２とによって画成される凹部２８は、ホットプレート１４の第１の表面２６に好ましくは配置される。凹部２８は、凹部３３を含んだとき凹部３３と共にＣＤの均一化におけるエラーを減少し、且つ、他の利点も実現できるよう、近接して配置される基板の表面で均一なベーキング温度が得られることを可能にするために実施可能であることが好ましい。ホットプレート１４の設計に類似して、凹部２８は、本発明の教授に従ってベーキングされるべき関連する基板の形状とよりよく一致する円形、楕円形、長方形等の形状を有し得る。凹部２８を円形又は楕円形の形状に形成することは、凹部２８が一つの壁３０によって画成されてもよい、２つの実施例である。更に、凹部２８と同様に凹部３３は、一つ以上の壁３４から、ベーキングされるべき基板と関連付けられる様々なパラメータに従って形成され得る。
【００３３】
ホットプレート１４の底表面５６は、本発明の教授によって図４に一般的に示される。好ましくは底部５６にあり一つ以上の壁５８によって一般的に画成される凹部６０が含まれる。
【００３４】
更に、ホットプレート１４には位置決めアパーチャ６２及び６４が含まれることが好ましい。位置決めアパーチャ６２及び６４は、底表面５６を介して典型的には近づくことが可能であり、辺４８及び５０に隣接する辺５２及び５４に沿ってその略中央にある。位置決めアパーチャ６２及び６４は、位置決め装置（図示せず）が処理中にホットプレート１４を位置決めすることを好ましくは可能にする。
【００３５】
ホットプレート１４の辺５２は、本発明の教授に従って図５に一般的に示す。辺５２には、メンテナンス・アパーチャ６６及び６８が好ましくは配置される。メンテナンス・アパーチャ６６及び６８は、一つ以上のノブ（図示せず）を取付けられるようホットプレート１４に含まれてもよい。このようなノブは、典型的にはメンテナンス目的のために、熱源１２からホットプレートを除去することを補助するために使用され得る。ノブ以外の装置例えば、ねじ（図示せず）がホットプレート１４の除去を補助してもよい。図示しないが、メンテナンス・アパーチャ６６及び６８に類似する一つ以上のアパーチャが一つ以上の辺４８、５０、及び、５４に含まれてもよい。
【００３６】
図５は、更に、凹部２８と凹部３３を示す。凹部２８と凹部３３は、一緒に合わさると多段６９の単一の凹部となる。一般的に、凹部２８の一つ以上の壁３０は、凹部３３の一つ以上の壁３４と、多段６９を形成するよう組み合わされることが好ましい。
【００３７】
本発明の教授によるロボットアクセスカットアウト３８の平面図を図６に示す。前記の通り、ロボットアクセスカットアウト３４、３６、及び、３８は、ロボット機構１８がホットプレート１４によるベーキングのために基板１６を位置決めすることを可能にするよう、ホットプレート１４に含まれることが好ましい。一実施例では、ロボットアクセスカットアウト３４及び３６に類似するロボットアックセスカットアウト３８は、第１の階層７０と第２の階層７２とを有する。ロボットアクセスカットアウト３４、３６、及び、３８の他の実施例は、本発明の範囲内で考えられるであろう。
【００３８】
図６の線７−７についてとられたロボットアクセスカットアウト３８を図７に示す。図７は、更に、ロボットアクセスカットアウト３８の第１の階層７０及び第２の階層７２を示す。前期の通り、ロボットアクセスカットアウト３４及び３６は、ロボットアクセスカットアウト３８に類似して構成されることが好ましい。
【００３９】
一般的に、ベーキング中に基板の表面に対して略均一に熱を与えるために、好ましくは制御されるべき必要がある変数が多数ある。典型的には媒体、基板、及び、ホットプレート夫々における熱伝導率は略一定である。各媒体中を熱エネルギーが伝達されなくてはならない距離は、ベーキングされている基板の臨界又は上表面における熱ネエルギーの均一化を一般的に決定する。基板の臨界表面中及び臨界表面における均一温度を実現するための主な関心距離は、基板の厚さ、熱源内に含まれる発熱体から使用される熱源の上表面までの距離、熱源の上表面からホットプレートの下表面までの距離、ホットプレートの厚さ、及び、ホットプレートの上表面からホットプレートに最も近い基板の表面までの距離である。
【００４０】
本発明の教授により、以下に説明する通り、ホットプレート１４は、熱源１２の上表面から第２の表面５６並びに凹部６０の底部７４までの距離を一般的に制御する。ホットプレート１４は、更に、ホットプレート１４の厚さと、凹部２８及び含む場合に凹部３３の上表面２６及び底部３２からホットプレート１４と接触する基板１６の表面４７までの距離を一般的に制御する。
【００４１】
図１乃至図７に示すようにホットプレート１４は、６０２５‐Ｃｈｒｏｍｅ‐８９５フォトマスクブランク（図示せず）又は同様の特徴を有する基板と使用されてもよい。６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクは、典型的には正方形であり、その４辺は略６インチ（１５．２４ｃｍ）（６″）である。典型的な６−２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクの厚さは、略４分の１インチ（０．６３５ｃｍ）（０．２５″）である。ホットプレート１４は、より大きい又はより厚い基板、ブランク等、並びに、他の形状を有する基板、ブランク等と使用するために設計されてもよい。
【００４２】
６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクと使用するために設計されたホットプレート１４の実施例では、辺４８、５０、５２、及び５４の長さは、約７と１０分の７インチ（１９．５５８ｃｍ）（７．７″）である。第１の表面と第２の表面の距離、即ち、ホットプレート１４の厚さは、約１０分の８インチ（２．０３２ｃｍ）（０．８″）である。
【００４３】
ホットプレート１４の第１の表面２６と基板の第１の表面４７との間の距離を制御するために凹部２８がホットプレート１４に含まれることが好ましい。凹部２８は、ホットプレート１４の第１の表面の略中央におかれ、約５と１０分の８インチ（１４．７３２ｃｍ）（５．８゛）の壁３０を４つ（４）有する。本発明の様々な特徴を説明する目的のために、壁３０を３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、及び、３０ｄとする。凹部２８の他の寸法及び形状も可能であり、これら他の寸法及び形状は一般的に、ブランク、基板、又は、他のベーキングされるべき対象物の大きさ及び形状のような特徴、使用される熱源の大きさ及び形状、並びに、ベーキング処理で使用される他の構成要素に依存する。
【００４４】
凹部２８は、ホットプレート１４の表面２６に好ましくは機械で作られる。６インチ（１５．２４ｃｍ）（６．０″）平方の、厚さが４分の１インチ（０．６３５ｃｍ）（０．２５″）の６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクをベーキングするために設計された実施例では、凹部２８の深さは約１０００分の６インチ（０．０１５２４ｃｍ）（０．００６″）である。この深さは、底部３２と壁３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、及び、３０ｄとによって画成されるた凹部２８の領域にわたって略均一であることが好ましい。１０００分の８（０．０２０３２ｃｍ）（０．００８゛）までの深さは、典型的なフォトマスクブランクのベーキング中に望ましい温度の均一化を生ずるために示される。
【００４５】
前記した通り、凹部２８は、凹部３３又は他の手段によって形成されるように多段６９を含んでもよい。凹部３３を追加することによって、基板１６の表面４７とホットプレート１４の第１の表面２６との間の距離は更に制御され得る。本発明の教授によると、凹部３３は、ホットプレート１４の中心での熱レベルの上昇を克服し、均一に加熱することに関わる他の問題を克服するために大きさが決められ得る。前記の通り凹部３３は、大きさが決められ、形成され、作られ、又は、さもなければ凹部２８に類似する他の属性を有する。
【００４６】
一実施例では、ホットプレート１４は、シリカの炭化物（ＳｉＣ）から形成されてもよい。シリカの炭化物又は同様の特徴を有する材料は、凹部２８、含む場合に凹部３３、及び、凹部６０が１００００分の２インチ（０．０００５０８ｃｍ）（０．０００２″）の公差内でホットプレート１４内に機械で作られることを可能にする。しかしながら、本発明の教授の利点は、１００分の１インチ（０．０２５４ｃｍ）（０．０１″）の公差内で機械で作られることが可能な様々な材料を用いて実現され得る。
【００４７】
一辺が約５と１０分の８インチ（１４．７３２ｃｍ）（５．８″）となるように凹部２８の大きさを決める目的の一つは、６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクの表面の外側エッジの約１０分の１インチ（０．２５４ｃｍ）（０．１″）をホットプレート１４の第１の表面２６と接触させることを可能にするためである。６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５の外側エッジがその４つの辺の方向において壁３０の近くの辺４８、５０、５２、及び、５４の方向にホットプレート１４の第１の表面２６と接触するよう、凹部２８の大きさを決めることは、ホットプレート１４の第１の表面２６とブランクの表面、例えば、基板１６の第２の表面４７との間の距離を制御することを補助する。本発明の教授によると、厚さが４分の１インチ（０．６３５ｃｍ）（０．２５″）の基板、例えば、６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクに対して、第１の表面２６とその中央にある６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクの表面との間の接触が約１０分の１インチ（０．２５４ｃｍ）（０．１″）であると６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランクの表面積にわたって望ましい温度の均一化が得られる。
【００４８】
シリカの炭化物の熱伝導率は、一般的に空気より高い。従って、ホットプレート１４の第１の表面２６と接触する基板１６の第２の表面４７の外側のエッジに伝えられる熱エネルギーは、凹部２８及び含む場合に凹部３３の上に、若しくは、これら凹部を覆うように位置決めされる基板１６の第２の表面の中央部分に伝えられるエネルギーよりも非常に大きい。これは、熱が基板１６の第２の表面４７の中央部分に入り得る前に基板１６と底部３２との間で捕らえられた空気の中を通ることから一般的に生じ、このとき基板１６の第２の表面４７の外側エッジはホットプレート１４の第１の表面２６と直接的に接触している。
【００４９】
ホットプレート１４の第２の表面５６は、熱源１２からホットプレート１４に伝達される熱の量に関してより大きい均一化を可能にするために凹部６０を含むことが好ましい。この熱伝達の均一化は、既存のシステムで起こり得るホットスポットを減少してもよい。ホットプレート１４の一実施例では、凹部６０の各壁５８ａ、５８ｂ、５８ｃ、及び、５８ｄの長さは約６と１０分の１インチ（１５．４９４ｃｍ）（６．１″）である。凹部６０は、１０００分の３インチ（０．００７６２ｃｍ）（０．００３″）といった略均一の深さを有することが好ましい。熱源１２からホットプレート１４までのより均一な熱伝達を可能にするために凹部６０の底部が使用中に熱源１２の表面と連続的にかみ合うよう実施可能であることが好ましい。開示する通り、凹部６０は、熱源１２の上表面と、ホットプレート１４の第２の表面５６との間の距離を制御することを補助する。
【００５０】
基板１６の一部分とホットプレート１４との間の接触、凹部２８、凹部３３の深さ、及び、凹部６０の底部７４の深さにおける均一化の組合せは、基板１６に伝達される熱の量と基板１６からの熱損失を均衡にするために協働し、代替の温度均一化が実現され得る。
【００５１】
前記の通り、ホットプレート１４は、６０２５−Ｃｈｒｏｍｅ−８９５フォトマスクブランク以外の基板、ブランク等と使用するために設計されてもよい。代替の基板、ブランク等と使用するためにホットプレート１４を設計するとき、本願記載の実施例に幾らかの変化を加えることが望ましい場合もある。例えば、より厚い基板に関して、基板とホットプレートの第１の表面との間の接触量は、基板のエッジで生ずる損失を考慮するために増加される必要がある。同様にして、接触量は、比較的薄い基板に関して減少されてもよい。
【００５２】
本発明は、本願記載の好ましい実施例に関して説明したが、様々な変化及び変更を当業者は提案することができる。本発明は、このような変化を含む全ての変更が添付の特許請求の範囲内となることを意図する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の教授を含む、一部分が切り取られて示される処理システムの図である。
【図２】
本発明の教授によるホットプレートと基板組立体との間の関係の一実施例を示す斜視図である。
【図３】
本発明の教授を含むホットプレートの、一部分が切り取られて示される平面図である。
【図４】
本発明の教授を含むホットプレートの、一部分が切り取られて示される底面図である。
【図５】
本発明の教授を含むホットプレートの、一部分が切り取られて示される側面図である。
【図６】
本発明の教授によるロボットアクセスカットアウトの、一部分が切り取られて示される平面図である。
【図７】
本発明の教授による図６のロボットアクセスカットアウトの、部分的に断面が示され、一部分が切り取られて示される側面図である。
【国際公開パンフレット】
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