(57)【要約】本発明は、中間層の基板上への蒸着と、ダイヤモンド被覆の中間層上への蒸着とを含むタイプの、ダイヤモンド被覆合成物製造法に関するものである。該方法は、中間層が、ダイヤモンド被覆の蒸着の際に化学的成長を可能にしながら、基板との化学結合を形成することができる成長可能な層であることを特徴とするものである。本発明は、ダイヤモンド被覆合成物製の多数の物品または部品へ応用できる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、中間層及びダイヤモンド被覆とからなる、ダイヤモンド被覆合成物製造法であって、成長の際に基板及びダイヤモンド被覆と化学結合を形成することができる化学的に成長可能な中間層の基板上への蒸着、中間膜の表面処理、基板／中間層の全体の焼き鈍し、及びダイヤモンド被覆のＣＶＤ技術による蒸着を、順に含んでいることを特徴とする、ダイヤモンド被覆合成物製造方法。
【請求項２】
基板が、コバルトの重量比が３から２０％のコバルト合金炭化タングステンＷＣによって構成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
成長可能な中間層の組成が、以下の群により構成されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
・実際には、ＴｉＮ層上のＴｉＣ層によって構成されるＴｉ（Ｃ，Ｎ）、
・Ｔｉ2Ｎ
【請求項４】
中間層の表面処理が、研磨処理であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つに記載の方法によって得られた、ダイヤモンド被覆合成物。
【請求項６】
請求項５に記載のダイヤモンド被覆合成物製の、物品または部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤモンド被覆合成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上にダイヤモンドまたはダイヤモンド状カーボン層を塗布した基板を含むダイヤモンド被覆合成物は以前から知られている。
【０００３】
基板に対するかかる被覆の蒸着は、数ミククロンの被覆を得ることを可能にする、化学的気相蒸着（英語でＣＶＤ）技術を用いることにより、たいていの場合実現されている（以下、ＣＶＤで広く認められている用語を用いる）。
【０００４】
ＣＶＤ技術に関する二つの基本的刊行物は：
ａ）Ｖａｐｏｕｒ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ｏｎ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ａｎｄ  Ｏｔｈｅｒ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ，Ｂ．Ｖ．  Ｓｐｉｔｓｙｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  ５２（１９８１），２１９−２６；
ｂ）Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ  ｆｒｏｍ  Ｍｅｔｈａｎｅ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｇａｓ．  Ｓ．  Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ  ｅｔ  ａｌ．，J  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  １７（１９８２），３１０６−１２、である。
【０００５】
しかし、このように被覆されたかかる材料は、主に、被覆の内部張力、基板に対する低い接着性、および被覆（高い伝導率）と基板（低い伝導率）の間の熱伝導性の差に起因する脆弱性が使用中に認められた。
【０００６】
場合によっては、基板の化学組成が、ダイヤモンドの形成を犠牲にしてグラファイトの形成を助長する。
【０００７】
これらの問題を解決するために、基板とダイヤモンド被覆の間に中間層を介在させることが提案された。例えば、金属によって結合された超硬合金化合物を含む群から選択された基板の場合、欧州特許第０１６６７０８号明細書は、チタンで構成された中間層を提案している。
【０００８】
米国特許第６１６５６１６号明細書も同様に中間層の使用を提案しているが、被覆の張力を減じるために、蒸着が進むにつれ、この層の厚みと特性値をその成膜に応じてあらかじめ決定し、制御している。
【０００９】
上述の先行技術の文書に含まれる情報、とくにＣＶＤ技術の異なる形態に関する情報は、参考として本明細書に内包されている。
【特許文献１】
欧州特許第０１６６７０８号明細書
【特許文献２】
米国特許第６１６５６１６号明細書
【非特許文献１】
Ｖａｐｏｕｒ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ｏｎ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ａｎｄ  Ｏｔｈｅｒ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ，Ｂ．Ｖ．  Ｓｐｉｔｓｙｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  ５２（１９８１），２１９−２６
【非特許文献２】
Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ  ｆｒｏｍ  Ｍｅｔｈａｎｅ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｇａｓ．  Ｓ．  Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  １７（１９８２），３１０６−１２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、基板に塗布した中間層と中間層に塗布した外側ダイヤモンド被覆を含むダイヤモンド被覆合成物の、上記の分野に位置づけられる。
【００１１】
本発明の主たる特徴によれば、中間層は、基板と化学結合できると同時に、基板／中間層と、中間層／ダイヤモンド層の接着を強化するために、ダイヤモンド蒸着の際に化学的に成長できるように選択される。
【００１２】
本発明の他の特徴によれば、中間層は、表面処理にかけられ、基板−中間層の全体が焼き鈍し熱処理にかけられ、全てが終わってからダイヤモンドを蒸着する。
【００１３】
このように、本発明は、成長可能な中間層の基板上への蒸着、中間膜の表面処理、基板／中間層の全体の焼き鈍しと、多結晶ダイヤモンド被覆のＣＶＤ技術による蒸着を順に含んでいるダイヤモンド被覆合成物の製造方法を提案する。
【００１４】
本発明は、したがって、ダイヤモンド被覆合成物とその製造法の両方に関するものである。
【００１５】
本発明は、また、このように被覆された基板を含む物品または部品に関するものである。用途分野はきわめて多様であり、とくにトライボロジー（例えば、摩擦防止被覆を参照）、機械（加工切断および／または粉砕用具）、光学（光伝達に用いることができる反射表面）、電子工学（熱ドレーン、半導体、など）が挙げられる。
【００１６】
本発明は、基板についても、ダイヤモンド被覆についても、ダイヤモンド蒸着過程の間に、化学結合の生成を助長するために、基板の組成と構造に応じて成長可能な中間層が選択される限りにおいて、きわめて多様な基板に適用される。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
以下に、とくに付属の図面を参照して行われる説明を読むことによって、特定の基板において、本発明がどのように実現されるのか、また、本発明のその他の特徴と利点がより理解できるだろう。
【００１８】
この例で使用された基板は、コバルトの重量比が３から２０％の間である、コバルト合金炭化タングステンＷＣで構成される。
【００１９】
周知のごとくコバルトは、微量であっても、ｓｐ2型の炭素の形成を方向付けることができるため、黒鉛状炭素の混合から、ダイヤモンド層の品質が悪化する。
【００２０】
かかる基板の場合、本発明は、コバルト拡散に対する障壁の役割を果たすことが可能であり、一方では、優れた接着性を保証するために基板ＷＣとの化学結合を形成し、他方では、ダイヤモンドの核形成と成長、ならびにそれに組み合わされた二つの処理において助長するのに適した、成長可能な中間層を選択することに在る。
【００２１】
これらの処理の第一は、基板ＷＣ−Ｃｏ上への蒸着後の、この中間層の表面のダイヤモンド研磨であり、第二は、基板に加えて中間層の全体の４００と７００℃の間での焼き鈍しである。
【００２２】
実際、ＷＣ−Ｃｏタイプの基板の場合、かかる基板上にダイヤモンド層を直接蒸着すると、コバルトが優先的に黒鉛形成を方向付けるため、きわめて不均質な層になる。このため、ダイヤモンドのすべての蒸着は、表面におけるコバルトを抽出、マスキング、あるいはコバルトの極めて安定した相への移動に先だって行われなければならない。
【００２３】
コバルトの抽出は、基板表面を粗く、緻密でないもの、つまりは、ダイヤモンド層との接着の促進に比較的不適切なものにする。コバルトの移動は、基板の表面層を異質なものになる、つまりは、ダイヤモンド層の接着性を変化させる。
【００２４】
反対に、コバルトのマスキングは、ダイヤモンド核形成と成長を可能にしながら、有効な拡散障壁を生成することになる。本発明はこのため、中間層の研磨を提案する。
【００２５】
第二の処理は、基板／中間層の全体の焼き鈍しである。
【００２６】
更に正確には、本発明の主たる特徴は下記の通りである：
【００２７】
１．主として三つの機能を満たす中間層の選択：
・効果的な拡散障壁、これにおいて、材料の中間層などの選択が強い結合を含む、
・基板ＷＣ−Ｃｏと中間層の接着促進、このために、中間層に選択した材料内の化学結合は、Ｗ−Ｃのそれと両立する必要がある、
・その表面のダイヤモンド核形成と、ダイヤモンド層／中間層の接着を可能にする。
【００２８】
ダイヤモンドは炭素であるため、中間層の組成は、基板ＷＣとダイヤモンドＣの結合を促進するように選択された。くわえて、ダイヤモンド蒸着のＣＶＤ法は、炭素含有種による中間層の衝撃を含んでいるため、ダイヤモンド蒸着相の間、成長可能な中間層の組成を選択した。
【００２９】
二つの組成が選択された：
・Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）は、実際にはＴｉＮ層上のＴｉＣ層によって構成される、
・Ｔｉ2Ｎ。
【００３０】
相３と蒸着の後、これら二つの相の組成は、ほぼＴｉＣ1-xＮxに近くなる。
【００３１】
２．中間層の表面処理の選択。
【００３２】
中間層の選択は、コバルトに対する拡散障壁の役割を演じることを主たる目的とするため、該方法の第二の過程は、中間層の表面のダイヤモンド核形成密度を強化することを目的とする。
【００３３】
Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）またはＴｉ2Ｎ（元の公称組成）などの、未処理の中間層に対するダイヤモンド蒸着試験では、核形成密度が低かった。
【００３４】
フェルト内に拡散したダイヤモンド超微粒（０．１０μｍ）による、この中間層の研磨処理は、ダイヤモンドのＣＶＤ蒸着後に、同一蒸着時間についての核形成密度を大幅に増加させることがわかった。
【００３５】
第二の過程は、中間層の表面でダイヤモンド核形成を促進することを目的とするため、基板／中間層の接着を促進する第三の過程が実施された。接着現象は、化学結合の生成と主に相関しているため、第三段階は焼き鈍しをもって成る。
【００３６】
３．基板／中間層全体の焼き鈍し。
【００３７】
この全体は、３μｍに近い中間層の厚み［Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）またはＴｉ2Ｎ］と６％のＣｏとの合金ＷＣ基板について、最適化された６５０℃の温度で、焼き鈍しされた。
【００３８】
このとき、三つの重要な特徴が明らかにされた：
・ＷＣ内のチタンと炭素の拡散による、「結合」界面（Ｗ1-xＴｉxＣ）の形成、
・中間層の表面処理有効性の保護、
・ダイヤモンド核形成密度の大幅な増加。
【００３９】
したがって、本発明による連続する三つの過程の方法は、コバルト合金ＷＣ基板の表面の密着した、優れた品質のダイヤモンド層に至ると思われる。
【００４０】
本発明は、付属の図面１から１３を参照して、実施態様の下記の説明を読むことによって、より明らかになるだろう。
−図１は、５％のＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＸ線回折図である；
−図２は、酸素を約２５％含有する５％でＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＡｕｇｅｒ分光法による濃度プロファイルである；
−図３は、酸素を約５％含有する５％でＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＡｕｇｅｒ分光法による濃度プロファイルである；
−図４は、Ｃｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＣａｓｔａｉｎｇマイクロプローブ（Ｘ線マイクロプローブ）による、分析図である；
−図５は、０．１０μｍのダイヤモンド研磨Ｔｉ2Ｎで被覆された（５％）コバルト合金ＷＣ基板上で蒸着した、ダイヤモンド薄膜のＸ線回折図である；
−図６は、酸素を約２５％含有する５％でＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜の、Ａｕｇｅｒ分光法によって得られた濃度プロファイルである；
−図７は、蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真を表している；
−図８は、蒸着したダイヤモンドのラマンスペクトルを表している；
−図９は、蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真を表している；
−図１０は、蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真を表している；
−図１１は、蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真を表している；
−図１２は、蒸着したダイヤモンドのラマンスペクトルを表している；
−図１３は、前処理のないＴｉ2Ｎ中間薄膜上の蒸着したダイヤモンドのマイクロ写真を表している。
【実施例１】
【００４１】
コバルトが５％の割合で、円筒形または立方体の形のコバルト合金炭化タングステン標本は、第一段階において、ヘミ窒化チタン薄膜、すなわちＴｉ2Ｎによって被覆される。
【００４２】
Ｔｉ2Ｎの蒸着は、物理的気相蒸着（ＰＶＤ）技術で実施された。
【００４３】
チタン棒を、電子銃で溶解した後、窒素プラズマを密封した減圧炉内に噴霧した。このときチタンは、窒素プラズマと反応し、バイアスによってコバルト合金炭化タングステン基板の表面に凝集した。
【００４４】
ＰＶＤによるＴｉ2Ｎの蒸着は、純粋窒素１０-3ｍｂａｒの圧力、１００ワットの出力で実施した。薄膜の成長速度は、１と５μｍの間に含まれる全体の厚みが３．５と４．５Å／ｓの間に維持された。
【００４５】
このようにして得られたＴｉ2Ｎの薄膜は、Ｘ線回折、Ａｕｇｅｒ分光法と、Ｃａｓｔａｉｎｇマイクロプローブ（Ｘ線マイクロプローブ）によって特徴づけられた。
【００４６】
第二の過程で、コバルト合金炭化タングステン基板上に蒸着されたＴｉ2Ｎの薄膜は、つぎにダイヤモンド懸濁液（ダイヤモンド粒子＃０．１μｍ）をもちいて研磨される。
【００４７】
第三の過程で、表面処理されたＴｉ2Ｎの薄膜で被覆されたコバルト合金炭化タングステン基板は、つぎに熱フィラメント支援化学的気相蒸着（ＣＶＤ）炉内に導入された。
【００４８】
蒸着法は、２０と５０ｍｂａｒの間に含まれる圧力で、３００ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）の流量で、純粋水素の流れの下で、６０分間６５０℃で焼き鈍しから開始された。
【００４９】
この６０分間の焼き鈍しの後、炭素含有種は、ＣＨ4の形で水素流れの中に導入された（０．７％ＣＨ4）。
【００５０】
この技術において、タングステンフィラメント（０．１ｍｍ）は、強い電流（２０−３５Ｖ、１０−２０Ａ）を通過させられ、ジュール効果によって昇温された。
【００５１】
使用した実験条件は下記の通りであった：
・フィラメント温度（５×Ｗ、直径０．１ｍｍ）：２０００℃、
・基板温度：８００〜８５０℃
・圧力：３０ｍｂａｒ
・ガス流量：ＣＨ4が１．７％、Ｈ2が９９．３％、流量３００ｓｃｃｍ、
・蒸着時間：６時間
【００５２】
０．１０μｍの研磨されたＴｉ2Ｎ中間層の薄膜で被覆され、さらにダイヤモンド薄膜で覆われたコバルト合金炭化タングステン基板は、下記によって特性化された：
・Ｘ線の回折（図５）、
・Ａｕｇｅｒ分光法（図６）、
・走査型電子顕微鏡（ＭＥＢ）（図７）
・ラマン分光測定（図８）、
・Ｘ線マイクロプローブ（Ｃａｓｔａｉｎｇマイクロプローブ）
【実施例２】
【００５３】
コバルトの割合の影響。
【００５４】
コバルトが１６％の割合で、円筒形または立方体の形のコバルト合金炭化タングステン標本は、第一段階において、ヘミ窒化チタン薄膜、すなわちＴｉ2Ｎによって被覆された。
【００５５】
Ｔｉ2Ｎの蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実現された。
【００５６】
Ｔｉ2Ｎの表面処理は、実施例１に記載のものと同一のものである。
【００５７】
このように処理されたＴｉ2Ｎ中間層／基板の全体の焼き鈍しは、実施例１に記載のものと同じ条件で実現された。
【００５８】
ダイヤモンド蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実施された。
【００５９】
走査型電子顕微鏡によって得られたダイヤモンド層の像は、粒子のサイズの高い均質性と基板上の優れた分布を示した。
【００６０】
この実施例は、得られた結果がコバルト合金ＷＣ基板内に含まれるコバルトの割合に大きく影響されることを示した。Ｔｉ2Ｎ薄膜は、同様に障壁の役割を果たした。
【実施例３】
【００６１】
中間層／基板の全体の焼き鈍しの影響。
【００６２】
コバルトが５％の割合で、円筒形または立方体の形のコバルト合金炭化タングステン標本は、第一段階において、ヘミ窒化チタン薄膜、すなわちＴｉ2Ｎによって被覆された。
【００６３】
Ｔｉ2Ｎの蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実現された。
【００６４】
Ｔｉ2Ｎの表面処理は、実施例１に記載のものと同一のものである。
【００６５】
中間層／基板の全体の焼き鈍しは、まったく実施されない。
【００６６】
ダイヤモンド蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実施された。
【００６７】
この実施例では焼き鈍しを実施しないため、ダイヤモンド結晶子の大きさの差がより大きいことが明らかである。ダイヤモンド層の接着性も同様に低いものとなる（図１０）。
【実施例４】
【００６８】
中間薄膜の種類の影響。
【００６９】
コバルトが５％の割合で、円筒形または立方体の形のコバルト合金炭化タングステン標本は、第一段階において、浸炭窒化チタン（Ｔｉ（Ｃ，Ｎ））の薄膜によって被覆された。
【００７０】
（Ｔｉ（Ｃ，Ｎ））の表面処理は、実施例１に記載のものと同一のものである。
【００７１】
このように処理された（Ｔｉ（Ｃ，Ｎ））中間層／基板の全体の焼き鈍しは、実施例１に記載のものと同じ条件で実現された。
【００７２】
ダイヤモンド蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実施された。
【００７３】
走査型電子顕微鏡によって得られた像は、図１１に示されている。ラマン特性は、図１２に示されている。
【００７４】
この実施例において中間薄膜の種類の変更は、核形成密度に対して、また粒子の大きさに対して、大きな影響を持たない。主たる変化は、基板に対するダイヤモンド薄膜の接着性が低いことである。
【実施例５】
【００７５】
中間層／基板全体の前処理の影響。
【００７６】
コバルトが５％の割合で、円筒形または立方体の形の炭化タングステン標本は、第一段階において、ヘミ窒化チタン薄膜、すなわちＴｉ2Ｎによって被覆された。
【００７７】
Ｔｉ2Ｎの蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実現された。
【００７８】
Ｔｉ2Ｎ薄膜上において表面処理は、まったく実現されない。
【００７９】
中間層／基板の全体の焼き鈍しは、まったく実施されない。
【００８０】
ダイヤモンド蒸着は、実施例１に記載のものと同じ条件で実施された。
【００８１】
この実施例においては、中間層の前処理を実施しないため、ダイヤモンド形成は、まったく観察されない（図１３）。
【００８２】
予備調査報告書のあらゆる先行性とは反対に、本特許出願は、独創的構想による成長可能な層の利用の結果として、新規性と進歩性のある方法を規定する。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】５％のＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＸ線回折図
【図２】酸素を約２５％含有する５％でＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＡｕｇｅｒ分光法による濃度プロファイル
【図３】酸素を約５％含有する５％でＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＡｕｇｅｒ分光法による濃度プロファイル
【図４】Ｃｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜のＣａｓｔａｉｎｇマイクロプローブ（Ｘ線マイクロプローブ）による、分析図
【図５】０．１０μｍのダイヤモンド研磨Ｔｉ2Ｎで被覆された（５％）コバルト合金ＷＣ基板上で蒸着した、ダイヤモンド薄膜のＸ線回折図
【図６】酸素を約２５％含有する５％でＣｏ−ＷＣ基板上に蒸着された、Ｔｉ2Ｎの薄膜の、Ａｕｇｅｒ分光法によって得られた濃度プロファイル
【図７】蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真
【図８】蒸着したダイヤモンドのラマンスペクトル
【図９】蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真
【図１０】蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真
【図１１】蒸着したダイヤモンド薄膜のマイクロ写真
【図１２】蒸着したダイヤモンドのラマンスペクトル
【図１３】前処理のないＴｉ2Ｎ中間薄膜上の蒸着したダイヤモンドのマイクロ写真
【図１】
2004534155.tif 000002
【図２】
2004534155.tif 000003
【図３】
2004534155.tif 000004
【図４】
2004534155.tif 000005
【図５】
2004534155.tif 000006
【図６】
2004534155.tif 000007
【図８】
2004534155.tif 000008
【国際公開パンフレット】
2004534155.tif 000009
2004534155.tif 000010
2004534155.tif 000011
2004534155.tif 000012
2004534155.tif 000013
2004534155.tif 000014
2004534155.tif 000015
2004534155.tif 000016
2004534155.tif 000017
2004534155.tif 000018
2004534155.tif 000019
2004534155.tif 000020
2004534155.tif 000021
2004534155.tif 000022
2004534155.tif 000023
2004534155.tif 000024
2004534155.tif 000025
2004534155.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月21日(2003.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルトの重量比が３から２０％のコバルト合金炭化タングステンＷＣによって構成される基板を含む、ダイヤモンド複合材料製造法であり、該方法において、基板及びダイヤモンド被覆との化学結合を形成することができる、ヘミ窒化チタンあるいはチタンの浸炭窒化を形成することができる中間層の基板上への蒸着、中間膜の表面処理、基板／中間層の全体の焼き鈍しとダイヤモンド被覆のＣＶＤ技術による蒸着を、順に実施することを特徴とするダイヤモンド複合材料製造方法。
【請求項２】
中間層の表面処理が、研磨処理であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１と２のいずれかに記載の方法によって得られた、ダイヤモンド複合材料。
【請求項４】
請求項３に記載のダイヤモンド複合材料性の、物品または部品。
【国際調査報告】
2004534155.tif 000027
2004534155.tif 000028
2004534155.tif 000029
2004534155.tif 000030
2004534155.tif 000031
2004534155.tif 000032