(57)【要約】ウェーハ（８）を真空により固定するリングチャック（７０）は、ウェーハ（８）の外周エッジ全体に接触する真空溝（８０）を用いる。該チャック（７０）は基盤（７２）を有し、該基盤（７２）は、該基盤 （７２） 内の真空チャンネルで検査されるウェーハ（８）と同等か或は少し小さめの最上部表面（９６）を有する。該基盤（７２）は該チャックを計測器及び真空源に接続する機能を提供する。非汚染材質の環（７４）の外周エッジから上方に伸びる複数の同心リング（７６）を有する該環（７４）は該基盤の最上部表面（９６）に固定され、該同心リング（７６）の間には溝（８０）が該真空チャンネル（８２）に接続されている。該真空溝（８０）は該ウェーハ（８）を該チャックにしっかりと固定し、該ウェーハ（８）を回転させる時振動を最小限に留める。該複数の同心リング（７６）を該ウェーハ（８）除外帯域内に保持すると、該被検査体へのプリントスルが最小限に留まる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハと同等か少しだけ小さな最上部表面を有する基盤と、
該基盤の本体はその中を貫く真空チャネルを有し、前記基盤は計測器に装着されるように適合される；
前記最上部表面の中心に関して設定された非汚染材質の環と；そして
前記環から上向きに伸びて同心リングの間に溝を形成する複数の同心リングと、
前記真空が前記溝に導入される；
を有する真空によってウェーハを固定するように適合されたリングチャック。
【請求項２】
前記複数の同心リングが、一つの溝を形成する二つのリングを有する、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項３】
前記同心リングの最上部の面積が前記溝の面積より実質的に少ない、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項４】
前記同心リングの最上部の面積と前記溝の面積の比が１対２よりも大きい、
請求項３に記載のリングチャック。
【請求項５】
前記同心リングの最上部の幅が０．２ｍｍと０．４ｍｍの間である、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項６】
前記ウェーハに作用する該真空溝の面積が前記ウェーハの面積の１％より少ない、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項７】
前記複数の同心リングが除外帯域に内包される、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項８】
最も外側の同心帯域が前記ウェーハの外側エッジの約１．５ｍｍ以内に位置する、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項９】
前記環の上の前記同心リングの高さが１．５ｍｍと同じ又はそれ以下である、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項１０】
前記環の上の前記同心リングの高さが約０．３ｍｍである、
請求項９に記載のリングチャック。
【請求項１１】
前記同心リングの最上部が前記基盤の前記最上部表面から５ｍｍ以内である、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項１２】
前記同心リングの最上部が前記基盤の前記最上部表面の約０．５ｍｍ上にある、
請求項１１に記載のリングチャック。
【請求項１３】
前記環がＰＥＥＫで作られた、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項１４】
前記溝と同心リング接触面積との間の比をコントロールすることによって、前記真空の有効固定圧力を、加えられた真空圧力よりも大きく増加させる、
請求項１に記載のリングチャック。
【請求項１５】
ウェーハを計測器に固定する為に、チャックの外周にめぐらした、より幅の広い真空溝の基礎となるサブミリメータ幅の同心リングを用いたリングチャックを使用することと、
チャックが前記ウェーハに触れる面積を最小にする事によって前記チャックからの汚染による欠陥を制限することと、
前記ウェーハを該除外帯域内で前記真空溝によって掴む事によってプリントスルの影響を制限することと、そして、
前記真空リングのプリントスルの影響をモデル化かつ実証し、前記実証されたプリントスルの影響を該測定データから差し引くことと、
を有するウェーハの平坦度を測定中に人工物の影響を減少する方法。
【請求項１６】
前記ウェーハを前記チャック上で回転させる時の振動の影響をモデル化することと、
測定によってモデル化した振動の影響を洗練することと、そして、
前記洗練された振動の影響を測定データから差し引くこと、
を更に有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
最も内側の同心リング内に内包される区域を密閉し、安定した容積の気体が前記ウェーハ内の振動を制限すること、
を更に有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
最も内側の同心リング内に内包される区域を圧迫し、該圧迫された容積の気体が前記ウェーハ内部を支えること、
を更に有する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
リング形状の真空を利用してウェーハのエッジで前記ウェーハを固定すること、
を有する検査するウェーハの強度を増加する方法。
【請求項２０】
前記リング形状の真空内に内包される区域を密閉し、その中の安定した容積の気体が前記ウェーハ内の振動を制限すること、
を更に有する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記リング形状真空内に内包される区域を圧迫し、前記圧迫された容積の気体が前記ウェーハ内部を支えること、
を更に有する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
同心リングによって境界づけられたリング形状の溝から構成されるリングチャックを提供することと、
非汚染材質から、僅かに圧縮可能で最上部の幅が０．４ｍｍよりも小さい前記各同心リングを形成することと、そして、
前記リング形状の溝に、前記同心リングの最上部を僅かに変形するのに充分なだけ真空圧力を供給して真空漏れを最小に留める接触を生ずること、
を有するウェーハとチャックの間に一貫して決定的な接触を提供する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
＜関連出願について＞
この出願は米国法３５、１１９（ｅ）に基づいて、２０００年８月２２日出願の仮出願６０／２２７，０７１，の恩典を主張し、これに開示されたもの全てを、引用をもってここに組み込む。
【０００２】
＜連邦政府の後援による研究開発に関する宣明＞
なし
【０００３】
＜発明の背景＞
本発明は一般的に半導体検査装置に関し、特に、検査されるウェーハの固定に用いるチャックに関する。半導体製造者は製造工程において、特に半導体ウェーハを処理して集積回路を生産する前に、半導体ウェーハを検査する。最もスムースで最も平たい表面のウェーハが最多数の集積回路の合格品を生む事が証明されている。従って、該ウェーハの微小な欠陥を検知できる検査装置の製造に対する要求が高まっている。
【０００４】
集積回路は２００ｍｍ或は３００ｍｍの半導体ウェーハから主として製造される。該ウェーハには、通常円形のエッジに平たく、或は、エッジに施す小さなノッチ（ｎｏｔｃｈ）による基準マーク（ｆｉｄｕｃｉａｌ ｍａｒｋ）が組み込まれている。これらの基準は該ウェーハ表面の測定位置を判定する為の基準点（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｐｏｉｎｔ）を提供する。典型的には、該ウェーハ表面の外周エッジの約３ｍｍ幅の除外帯域（ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ ｂａｎｄ）は集積回路が製造されない範囲である。該基準はこの除外帯域内に保持される。
【０００５】
ウェーハをより高い精度と断定性で測定したい望みが、剛性を最大に保持しながらウェーハの変形を最小限かつ断定可能に固定する必要性に導く。ウェーハは壊れやすく、その表面に汚染物質を伝染させない材質によってのみ触る事が出来る。それに加え、該ウェーハを扱う装置は該ウェーハを傷付けたり永久に破損してはならない。真空チャックはその目的に良く適っているが、該ウェーハは充分薄い為、一方の表面に接触しているチャックのイメージ（ｉｍａｇｅ）が反対側の表面で認識可能になる。
【０００６】
従来技術の検査装置では、ウェーハをしっかり固定する為に、該ウェーハの下に多数の真空ポートをある間隔で配置したチャックを用いて検査されるウェーハを固定する。最小振動用にデザインされたチャックには、背面側の接点を完全に表示するタイプと、ピン接点（ｐｉｎ ｃｏｎｔａｃｔｓ）を裏側全体に等間隔に配置したタイプがある。該チャックは、該ウェーハの製造と検査工程に浸透するエラーを最小限にするようにデザインされなければならない。エラーは、該ウェーハに接触するチャックの材質からの汚染によって引き起こされるかも知れない。第二のエラーソースは該チャックの表面からの分子移動である。それに加え、既に該ウェーハの表面に存在する分子が該チャックの表面接触によって表面内に押し込まれるかも知れない。該ウェーハ上に掛かる真空力は、該チャックの接触点のイメージが該ウェーハの反対表面の測定器によって検知されてしまうプリントスル（ｐｒｉｎｔ−ｔｈｒｏｕｇｈ）と呼ばれる効果を引き起こすであろう。従来技術のチャックでは、接触汚染の測定を犠牲にしないでウェーハをしっかりと固定する事に成功しなかった。
【０００７】
一旦該ウェーハが該チャックにしっかり固定されると、全表面を検査する為に、該検査装置は該ウェーハをセンサーの下で回転する。このようにして得る測定精度は、該ウェーハの剛性、該ウェーハの振動、表面の汚染、該チャックからのプリントスルの量、そして、測定値から要因（ｆａｃｔｏｒ）として取り除けない計測器ノイズ等によって制限される。検査スループット（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）は制限されるが、振動による影響を制限する為に非常に遅い回転スピードにする必要があった。
【０００８】
＜発明の概要＞
リングチャックは、ウェーハの外周エッジ全体を支える真空によって該ウェーハを水平、又は、如何なる方向にも固定する。該チャックは計測装置に設置され、基盤を有し、該基盤は、基盤内の真空チャンネルで検査される該ウェーハと同等か或は少し小さめの最上部表面を有する。非汚染材質の環の最上部外周エッジ近くから上方に伸びる複数の同心リングを有する該リングは該基盤に張られ、該同心リングの間には該溝（ｔｒｏｕｇｈ）が該真空チャンネルに接続されている。該真空溝（ｖａｃｕｕｍ ｔｒｏｕｇｈ）はウェーハをチャックにしっかりと固定し、該ウェーハを回転させる時振動を最小限にする。該複数の同心リングを該ウェーハ除外帯域内に保持すると、該被検査体へのプリントスルが最小限に留まる。一実施例では、該同心リングの最上部は該基盤の最上部表面の近くに位置し、該ウェーハの内部を支える為の密閉された容積（ｖｏｌｕｍｅ）を提供する。
【０００９】
該ウェーハの汚染を最小限にし、そして、該チャックと該ウェーハ間の分子の移転を制限する為に、該同心リングの最上部は非常に狭くしてある。それに加え、該狭いリングは、既に該ウェーハの裏側に付着し該ウェーハに押さえつけられる分子の数を制限する。該リングチャックによる一貫した支えは該チャック／ウェーハシステムのモデル化（ｍｏｄｅｌｉｎｇ）を簡略化し、計測から計測器シグネチャ（ｓｉｇｎａｔｕｒｅ）を除去する能力を向上させる。
本発明のその他の面や特徴や利点は以下の詳細な説明において開示される。
【００１０】
＜発明の詳細な説明＞
従来技術のチャック２を図１に示す。該チャック２は、該基盤から伸びている三つの真空チャック円柱（ｃｏｌｕｍｎｓ）６を有する基盤４を有する。各円柱６は、該円柱６の上部周囲に密閉リング５を有し、該密閉リング５内に真空ポートを有する窪み７を有する。ウェーハ（図示せず）は該チャック２の上に配置され、該真空円柱６の吸引力によって該チャック２に固定される。該真空力は該ウェーハをしっかり固定するのに充分でなければならず、従って、該密閉リング５と円柱ヘッドの真空窪み７のプリントスルが予想される。データ分析で計測データからプリントスルの人工物（ａｒｔｉｆａｃｔ）をある程度除去するようにする為に、該ウェーハの該真空円柱上でのセンタリング（ｃｅｎｔｅｒｉｎｇ）は反復可能でなければならない。しかも、該ウェーハの支えられていない部分が振動するので測定は更に歪を生じ、反復可能な配置の要求が高まる。該チャック／ウェーハシステムのモデル化によってある程度の該エラー源の識別を試みる事は可能であるが、部分的計測器エラーシグネチャを定義するには、該システムの複雑さに対処する為に経験的データが必要になる。
【００１１】
集積回路内のエッチ（ｅｔｃｈｅｄ）線の幅が細くなっているために製造過程で行なわければならない測定の一つに、ウェーハ表面の滑らかさ（ｓｍｏｏｔｈｎｅｓｓ）の測定が有る。これはナノトポロジ（ｎａｎｏ−ｔｏｐｏｌｏｇｙ）と呼ばれる。これを成し遂げる手段は、ウェーハスキャン（ｓｃａｎ）の傾斜（ｓｌｏｐｅ）データを記録し、統合してナノトポロジを構成する事である。このスキャン方法によって、製造上の測定で必要とされる高スループットが可能になる。全ウェーハ表面を計測するには、普通該ウェーハをセンサ下で回転させて素早くスキャンしなければならない。該ナノトポロジを認識できる程高感度なシステムは表面の凸凹や表面振動やプリントスルの影響にも敏感である。
【００１２】
図３に示す本発明のリングチャック７０は、これらの新しい必要条件に良く適応する。該リングチャック７０は、業界で知られている基盤７２と、該基盤７２の最上部表面７５に張られた低汚染材質の環（ｈｏｏｐ）或は環（ａｎｎｕｌｕｓ）７４からなる。一実施例では、環７４は最上部表面７５の外周エッジに張られている。業界で知られているように、基盤７２は真空供給用チャンネル（図示せず）と、該基盤を計測器に固定する為の装着装置と共に形成される。該基盤７２の最上部表面７５は、本質的にソリッド（ｓｏｌｉｄ）であっても良いし、該チャックを操作しやすく出来るような形状でも良い。図２は該チャック７０を該計測器に固定する手段を提供する装着ホール７８を表示する。
【００１３】
該基盤７２と環７４の大きさは検査するウェーハに対応している。該リングチャックのデザインは直径２００ｍｍ又は３００ｍｍのウェーハにも、その他の大きさの物にも容易に適応できる。多数の隆起した同心リング７６は環７４の表面の外周のエッジの直ぐ内側を円形に取り囲む。溝８０は該同心リング間に形成される。真空源は溝（ｔｒｏｕｇｈ）８０の中に導かれる。ウェーハ（図示せず）が該リングチャック７０上に配置された後、該ウェーハの全円周を該リングチャック７０に固定する為に比較的均一な真空が溝８０の中に形成される。この機構が該ウェーハを固定し、該ウェーハのエッジ全体を一貫して支える。
【００１４】
図３は該リングチャック７０の一部切欠図である。チャンネル真空分配チャンネル８２が該基盤７２内に形成され、内部の通路（図示せず）を経て真空源（図示せず）に繋がる。更に、該真空分配チャンネル８２と該真空溝８０との間の、図示しないチャンネル経路が該環７４内に内包されている。該基盤７２は、業界で知られているように機械で仕上げるか鋳造され、該環７４を内包する為の設置範囲９２を提供する。
【００１５】
図４は、該基盤７２内の真空チャンネル８２を表す二つのリング７６を用いたリングチャックのエッジの外部を一部切り取った図である。分配チャンネル１００と１０２が真空を該真空チャンネル８２から溝８０にもたらす。該リング７６の幅は該溝より有効的に狭い。ある実施例では、該リングの幅と該溝の幅との比は４：１である。該外側のリング７６は、ノッチ基準（図示せず）が溝８０内の真空の保全を損なわないように、該ウェーハ８の淵の充分内側に間隔を置く。
【００１６】
図５は、該円周の詳細を該ウェーハ８の半径に対して相対的に拡大した、該チャック７０の一部切欠図である。該同心リング７６は該環７４に外接し、該リングの該ウェーハ８への接触を制限する為に狭いピーク幅で形成される。該環７４は高さ９４を有し、操作向上に必要ならば該高さを変更しても良い。該リングチャック７０は、該環７４と同心リング７６の高さを変更する事によって該基盤７２と該ウェーハ８の間の高さを最小にするように形成しても良い。この高さを制限する事によって該空間に捕らわれた空気が該ウェーハ全体に渡って振動を抑制し、該ウェーハは検査装置点検のために安定した表面を提供する。該リング７６のテーパ断面図を図６に示す。該同心リング７６は該リング９６の上端のみで該ウェーハに接触する。該リング７６の狭い先端９６だけが該ウェーハ８と接触する該環７４の部分であり、それによって該チャック７０と該ウェーハ８の間の接触を最小にする。汚染の可能性と分子の伝染範囲は最小限に留められる。該ウェーハと接触する該リングの範囲全体を該ウェーハの面積より有効的に少なくする事が望ましい。特に二つのリング７６を用いた有利な実施例では、該ウェーハ８に触れる該リングの先端９６の範囲は該ウェーハの面積の０．４％と言う少なさで良い。
【００１７】
溝８０内に保たれる真空度は、該リング７６の高さと分離間隔に比例する。該同心リング７６間の真空範囲８０は該リングの接触面積より大きい。これによって該真空溝８０内に高い真空度が保たれる。該同心リング先端９６の面積は該溝の面積の二分の一より小さい。
【００１８】
該リングチャック７０によって提供される真空と接触は、ＡＮＳＹＳ有限要素分析（ＡＮＳＹＳ ｆｉｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いる事によって用意にモデル化される。該モデルによって該チャックによるデータ内のエラーパターンの識別がより簡単になる。リングチャック７０とウェーハ８の間の接触はかなり画一化され該ウェーハ８のエッジにかなり近いので、該ウェーハ８は最小限の振動でエッジの周囲に強固に固定される。該接点と真空の対称性と均一性が該接点と該ウェーハ間の相互作用のモデル化を容易にする。そのようなモデルは、計測値を向上させる為に該計測器のシグネチャを該ウェーハ計測値から差し引く事によって該計測器のシグネチャを判定する実験によって実証されている。ウェーハに対してパドルアクセス（ｐａｄｄｌｅ ａｃｃｅｓｓ）を許容するような目的の為に該同心リングを切断する事（ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ）が望ましいように見えるかも知れないが、切断された（ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｅｄ）リングのモデルはより極めて複雑であり、該ウェーハのむらと振動が更に増す。実験研究で、断絶によって該エラーデータの振動と複雑性が増加する事が確認されている。
【００１９】
図６は、平たいエッジ基準のウェーハ（図示せず）を支える為に適応させたリングチャック７０’の、もう一つの実施例を示す。このチャックでは、該同心構造７６’は環形であり、平たい側が該ウェーハの平坦に対応している。該溝８０’はここでも該ウェーハの周囲に連続的に真空状態を施している。該ウェーハは、該基準が該溝８０’の平坦に整合する方向に該チャック上に配置しなければならない。該同心リング７６’と真空溝８０’を該除外ゾーン内に配置する事によって、ＩＣを形成する範囲は、装着によるプリントスルやその他の人工物を免れる。
【００２０】
図７は、角度分解スキャッタシステム（ａｎｇｌｅ ｒｅｓｏｌｖｅ ｓｃａｔｔｅｒ ｓｙｓｔｅｍ）５０を表示する。このシステムは、本発明の該リングチャックによって支えるウェーハの硬さを増すので、実用的である。このデザインを用いる事によって該ウェーハ表面のトポグラフィ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）の計測精度が増す。このシステムによれば、該ウェーハ８のナノトプグラフィ（ｎａｎｏ−ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を計測する表面性質測定（ｓｕｒｆａｃｅ ｑｕａｌｉｔｙ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ） （ＳＱＭ）が可能になる。従来技術では振動が激し過ぎて検出器による反射光線の量的測定が出来なかったが、一方、該リングチャックを用いた該ウェーハの硬さは４分円検出器（ｑｕａｄｒａｎｔ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）１１０を光センサとして用いる事を可能にする。コリメート（ｃｏｌｌｉｍａｔｅｄ）された典型的に低電力のレーザ光線２２がビーム調整光学アセンブリ（ｂｅａｍ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ ｏｐｔｉｃ ａｓｓｅｍｂｌｙ）２４内に差し向けられ、その結果発生したテレセントリック（ｔｅｌｅｃｅｎｔｒｉｃ）な比較的短い走査線２６が一角度で該ウェーハ表面９上に差し向けられる。この光線の反射（ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）２８は、一つのレンズと一つの４分円検出器１１０を有する光学受信アセンブリ３０によって収集される。該光学システムは、該４分円検出器１１０が該光学システムのフーリエ変換面（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｐｌａｎｅ） （ＦＴＰ）にあるものとする。その結果、該検出器１１０の中心に焦点があう。ＦＴＰの定義によって、該検出器１１０上の該焦点は該入射点において該ウェーハ表面９の角度方向での変化の関数 としてのみ置き換わる。該検出器１１０の４つの４分円からの信号を微分的に比較する事によって、該ウェーハ８の二つの直交する傾斜軸に対応するオフセットと、従って、該角度変化が測定される。該光学システムはウェーハ表面の高さむら、又は、該走査線２６の横方向の動きに不感である。該短レーザースキャンと調和させるステージシステム４４は、該検査ウェーハ８の全表面をスキャンするのに用いられる。該４分円検出器１１０の出力は、該ウェーハの表面９の傾斜マップを発生するのに用いられる。これらの傾斜を統合する事によって、非常に詳細な表面特性から非常にラフ（ｇｒｏｓｓ）な表面特性に渡って、該ウェーハのトポグラフィカル（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｉｃａｌ）マップが作成される。
【００２１】
該４分円検出器１１０の電気的出力は事前増幅され３４、デジタルデフレクションボード４２に送られる。デジタルデフレクションボード（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｂｏａｒｄ）４２は該ステージシステム４４と該レーザスキャンシステム２４からも位置信号３６、３８を受ける。その結果、該ウェーハ８上の全ての位置に対応する二つの傾斜軸を描写する情報が該ＰＣ４０に供給される。該ＰＣ内では複数のアルゴリズムが適用されて傾斜データがトポグラフィデータに変換され、追加ソフトウェアモジュールが該データを望ましいグラフィックかつ統計的な表現で出力する。
【００２２】
前記した実施例では、該リングチャック同心リングと真空溝を除外帯域に配置した。たとえ該基準が除外ゾーンのある部分を利用する場合でも、該リングチャックをこの基準の直ぐ内側に配置させ、しかも、該帯域内に収める事が可能である。該リングチャック機構が除外帯域内に配置されるもう一つの実施例では、該リングと溝が一定の構造であるから、該プリントスル人工物を該測定データから容易に除去する事が可能である。
【００２３】
接触リングのウェーハとの接触面積が該真空範囲より極めて少ないので、該真空溝から供給する真空力を工業的に典型的な１５ｐｓｉよりも高いレベルに上げる事が出来る。これらのフォースレベルを用いて、該チャックとウェーハを変化するスピードで、ウェーハ自体だけでは維持できない程のスピードで回転させても良い。現在多くの測定は低ｒｐｍで行っている。更に早い回転スピードを用いる事による更に大きい検査容量で、より多くのウェーハを検査する事が可能である。
【００２４】
該リングチャック上の環は、半導体業界で知られているように、非伝導性、非汚染性の材質で製造しても良い。特にポリエチルエチルケトン（Ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌ−ｅｔｈｌｙ−ｋｅｔｏｎｅ）（ＰＥＥＫ）で作られた環はその他の物よりも低い汚染度であると考えられており、半導体工業界で良く認められている。
【００２５】
一実施例では真空溝を外側に移行し、該外側の同心リングをウェーハのエッジから１．５ｍｍ辺りに配置した。締め付け力を増す為に該真空溝の範囲を増加した。２００ｍｍウェーハに応用したこの実施例の為の裏側真空接触はほぼ０．４％である。このチャックは、該ウェーハを高速で回転させるスキャンステーション（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｓｔａｔｉｏｎ）で使用可能である。接触が該ウェーハのエッジ全体に渡っている為、重力による撓み（ｓａｇ）はエッジの掴み（ｇｒｉｐ）に比べて少ない。
【００２６】
ウェーハ８の中心部の撓みと振動を更に制限する為、該ウェーハ／真空の接触がシールの役割を果たすように該基盤７４の該最上部表面７５と該ウェーハ８との間の容積（ｖｏｌｕｍｅ）を構築する。該内包される空気が該ウェーハの内部を支え、振動を減らし撓みを制限する。更にもう一つの実施例では、該真空密閉が完了した後基盤７４とウェーハ８の間の容積に圧力を加える。空気圧より少しだけ高く圧力を加える事によって、ウェーハの重量は空気の容積によって支えられる。該圧縮空気は予知可能で均一な支えを該ウェーハ８に与える。
【００２７】
均一な支えと密閉力は、少しだけ変形可能な材料で該環を製造することによって高まる。真空が施されると、該リングの先端９６は、該先端９６の高さ内のどんなに小さなむらをもスムースにするのにちょうど充分なだけ、該ウェーハの裏側に対して変形する。このスムースな表面が、真空漏れを最小に留めクランプ力を最大にする良い密閉を与える。該リング７６の本質的な形状を保持する一方、接触を向上させる為に少しだけ変形する材料を選択することが、当業界で知られている。
【００２８】
本発明の望ましい実施例を説明したので、この技術分野で普通の技術を有する者にはこれらの概念を統合して他の実施例を用いる事が可能である事は明らかである。従って、本発明は説明した実施例だけに限定されるべきでなく、むしろ、添付したクレームの真意と範囲によってのみ限定される事を申し添える。
【図面の簡単な説明】
本発明は下記詳細な説明を図面と関連付ける中で理解される。それらの図面は：
【図１】従来技術のウェーハ固定用チャックの斜視図。
【図２】本発明によるチャックの平面図。
【図３】本発明によるチャックの斜視図。
【図４】図３のチャックの一部切欠詳細図。
【図５】図３のチャックの断面図。
【図６】本発明による他のチャック。
【図７】本発明の能力を利用した装置のブロック図。
【図１】
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【図７】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004507101.tif 000030
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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