(57)【要約】【課題】ガス流上に回転支持される基板保持器の構想を発展させる。【解決手段】本発明は、特に結晶質皮膜を、特に結晶質の基板に沈積するための装置に関するもので、装置は反応炉ハウジング（１）に配置される処理室（２）を備え、その床部（３）の少なくとも１つの支持凹部（４）に、基板保持器がガスクッションに支えられ、ガスクッションによって正しい位置に保持され、床部に配置された供給管を通って流れるガス流によって回転駆動され、特に直線的に貫流する処理室においてガス流上に回転支持される基板保持器の構想を技術的に発展させるため、支持凹部（４）に導管（５）の出口開口部（７）の上側に配置される盆状体（８）を設けることを提案している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に結晶質皮膜を、特に結晶質の基板に沈積するため、反応炉ハウジング（１）に配置される処理室（２）を備え、その床部（３）の少なくとも１つの支持凹部（４）に、基板保持器（６）がガスクッションに支えられ、ガスクッションによって正しい位置に保持され、床部に配置された供給管（４）を通って流れるガス流によって回転駆動される装置において、
支持凹部（４）に導管（５）の出口開口部（７）の上側に配置される盆状体（８）を設けることを特徴とする装置。
【請求項２】
特に、気密用突起（１４）を備えた盆状体（８）が床部（３）を形成するグラファイト体（１６）の段（１５）に支えられることを特徴とする請求項１による方法。
【請求項３】
特に、リング状の気密用突起（１４）が段（１５）に設けられたリング状溝（１７）に位置することを特徴とする請求項１および２の何れかによる方法。
【請求項４】
特に、リング状溝（１７）に囲まれた出口開口部（７）を、気密用突起（１４）に囲まれて支持ガス流を支持凹部（４）に貫流させる流通穴（１８）に対して位置をずらしたことを特徴とする請求項１ないし３の何れかによる方法。
【請求項５】
特に、導管（５）の支持ガス流が反応ガスの流れと同じ方向で処理室（２）に流れることを特徴とする請求項１ないし４の何れかによる装置。
【請求項６】
特に結晶質皮膜を、特に結晶質の基板に沈積するため、反応炉ハウジング（１）に配置される処理室（２）を備え、その床部（３）の少なくとも１つの支持凹部（４）に、基板保持器がガスクッションに支えられ、ガスクッションによって正しい位置に保持され、床部に配置された供給管を通って流れるガス流によって回転駆動される装置において、
床部（３）は、特に多数分割のグラファイト管（２０、２２、２３）から構成されるほぼ矩形の内法断面形状の中空区間を備え、第１の管端（１０）に１つ以上の反応ガスのガス導入装置（９）が取り付けられ、第２の管端（１１）は処理室（２）の積載開口部を形成し、ガス導入装置（９）から反応ガス導入管（１２）が処理室（２）の端面開口部まで、それと別の管（１３）がその下の導管の開口部まで導かれることを特徴とする装置。
【請求項７】
特に、処理室（２）を構成するグラファイト管（２０、２２、２３）が発泡グラファイトスリーブ（２１）で囲まれることを特徴とする請求項１ないし６の何れかによる装置。
【請求項８】
特に、グラファイト管（２０、２２、２３）および発泡グラファイトスリーブ（２１）の端部に、グラファイト板（２４、２５）が配置されることを特徴とする請求項１ないし７の何れかによる装置。
【請求項９】
床部（３）の少なくとも１つの支持凹部（４）に、基板保持器がガスクッションに支えられ、ガスクッションによって正しい位置に保持され、床部に配置された供給管を通って流れるガス流によって回転駆動され、支持凹部（４）に導管（５）の出口開口部（７）の上側に配置され、処理室に基板を出し入れするために取り出される盆状体を設けた反応炉ハウジングに配置される処理室（２）で、特に炭化シリコンをガス相で搬送される金属有機化合物によって沈積させる方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に結晶質皮膜を、特に結晶質の基板に沈積するための装置に関するもので、装置は反応炉ハウジングに配置される処理室を備え、その床部の少なくとも１つの支持凹部に基板保持器がガスクッションに支えられ、ガスクッションによって正しい位置に保持され、床部に配置された供給管を通って流れるガス流によって回転駆動される。
【０００２】
【従来の技術】
この種の装置は、例えば基板上に導入される反応ガスを介して、ガス相から半導体皮膜を沈積するために使用される。この場合、処理室壁部の加熱によって加熱された反応ガスのガス相が分解し、分解生成物が基板に凝縮するように、少なくとも処理室の床部は加熱される。ＷＯ９６／２３９１３から、例えば炭化シリコンのエピタクシー成長のため、処理室が高周波によって加熱されるグラファイト管で構成される装置は既知である。この文書により、基板は処理室の床部に直接置かれることはなく、床部に置かれた板の上に置かれる。
【０００３】
同様にＵＳ６０３９８１２Ａから、炭化シリコンの沈積するためのＣＶＤ反応炉が既知である。ここでは処理室の入口が、管によってガス導入システムに結合される。
【０００４】
ガスクッションに回転支持され、ガス流によって回転駆動される基板保持器はＵＳ４９６１３９９に示される。処理室はここでは円筒対称的にガス導入装置の周囲に配置される。ここでは合計５個の回転可能な基板保持器が設けられる。
【０００５】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は、特に直線的に貫流する処理室において、ガス流上に回転支持される基板保持器の構想を技術的に発展させるという課題に基づいている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項に述べる本発明によって解決される。
【０００７】
請求項１は先ず本質的に、導管の出口開口部の上側に配置される盆状体の支持凹部を設けることを意図している。この盆状体は、基板保持器上の基板を交換するため、トンネル状の直線的に貫流する反応炉の片側、特に処理室の下流側の開口部から取り出すことができる。本発明の好ましい発展において、盆状体にリング状の突起が形成される。このリング状の突起は下側を向き、リング状の突起で囲まれた領域の内部に流通孔が設けられることが好ましく、ガスはこの流通孔を通って基板保持器を支え、回転駆動するように流れることができる。このリング状の突起は処理室床部の段に設けられたリング状の溝に位置することが好ましい。これによって盆状体の自動的な中心合わせ、および処理室床部の段上への保持が保証される。鋭角で連続することが好ましいリング状の突起は、リング状の溝の底に気密的に支えられるので、段の表面および盆状体の下側の間に閉鎖されたスペースが形成され、この部分に導管が開口する。基板保持器を支えて回転駆動するため、このスペースは開口部から流れ込んだガス流を、既知の方法によって支持凹部の底の螺旋溝に開口する多数の流通孔へ流すガス分配室の役目を果たす。導管は底部を形成するグラファイト体の内部を貫通することが好ましい。導管は反応ガスを処理室に、または不活性ガスを導管に供給するため、ガス導入管と接続できる２つの開口部が上下に配置されている、上流側の処理室開口部の下側から始まることが好ましい。この両方の配管は互いに並行に延び共通のガス導入装置に接続される。
【０００８】
この種の装置の本発明による独自の発展として、床部は特に多数分割のグラファイト管から構成されるほぼ矩形の内法断面形状の中空区間を備え、第１の管端部は１つ以上の反応ガスのガス導入装置に取り付けられ、第２の管端部は処理室の積載開口部を形成し、ガス導入装置から反応ガス導入管が処理室端面開口部まで、それと別の管がその下に延びる導管の開口部まで導かれる。
【０００９】
本発明はさらに、特に炭化シリコンをガス相で搬送される金属有機合成物によって沈積させる方法に関するものである。本発明によれば、処理室に盆状体が配置される。これは処理室に基板を出し入れするために取り出すことができる。
【００１０】
以下本発明の実施例を添付した図面によって説明する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施例は、基本的にはＵＳ６０３９８１２またはＷＯ９６／２３９１３によって既知の、炭化シリコンを沈積するＣＶＤ反応炉に関するものである。反応炉は水晶管から構成される反応炉ハウジング１を備えている。処理室を加熱するため、図示されていない高周波コイルがこの水晶管を囲んで設けられる。処理室２は反応炉ハウジング内に位置し、多数分割されたグラファイト管から構成されている。グラファイト管はグラファイト体（２０）で構成される床部３を備えている。床部３の上側に配置される処理室２は側面を２つの壁２２によって仕切られ、その上にカバー２３が設けられる。グラファイト管２０、２２、２３を囲んで、発泡グラファイトスリーブ２１が設けられる。グラファイト体２０、２２、２３両方の端面に、固体のグラファイトから構成される板２４、２５が設けられる。
【００１２】
流れの流入端１０に配置された処理室２の端面開口部は、反応ガス導入管１２によってガス導入装置９と結合される。この反応ガス導入管１２によって反応ガスは処理室２に流れる。
【００１３】
反応ガス導入管１２の下側に不活性ガスが導かれる管１３が設けられる。この管１３は処理室の床部３に延びる導管５の開口部に流れ込む。導管５は処理室の床部３における下流側の段１５に開口する。
【００１４】
段１５の上部に盆状体８が配置される。段１５に導管５の出口開口部７を囲むリング状の溝１７が形成される。リング状の溝１７の底に、盆状体８の下側に設けられ鋭角で連続するリング状の突起１４が支持される。リング状の溝１７とともに、この突起１４はガス分配室２７である閉鎖されたスペースを形成する。このガス分配室２７から、流通穴１８が盆状体８の支持凹部４に開口する。この部分で流通穴１８は、図示されていない支持凹部４の底に加工されている螺旋溝に開口する。
【００１５】
支持凹部４に円板状の基板保持器６が収納される。流通孔８から流出するガス流は既知の方法で基板保持器６を浮上させる。螺旋状の方向に向いた溝によって、基板保持器６はガス流によって支持されるだけでなく回転駆動される。基板保持器６の上に図示されていない沈積される基板が置かれる。基板は炭化シリコンのリング２６で囲んでもよい。
【００１６】
盆状体８は突起を備え、処理室２の下流側端１１に突き出している。この突起は工具取付穴１９が設けられ、盆状体８を処理室２から取り出すため工具が取り付けられる。このため盆状体８を先ず持ち上げ、リング状突起１４を溝１７の外に出す。続いて盆状体８はその上に置かれた基板保持器６と共に処理室２から引き出さすことができる。
【００１７】
処理室のグラファイト体は炭化シリコンまたは炭化タンタルで皮膜してもよい。
【００１８】
両方の導管１２、１３のガス流は平行に行なわれる。これに応じて処理室２における反応ガスの流れも、導管５の不活性ガスの流れと平行である。
【００１９】
開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応する／添付の優先書類（事前出願のコピー）の開示もまたすべて本出願の開示内に含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項に含まれるものである。
【発明の効果】
ガス流上に回転支持される基板保持器による沈積装置が改善される。
［図面の簡単な説明］
【図１】
ＣＶＤ反応炉の断面図である。
【図２】
処理室の床部における下流側端部の拡大図である。
【図３】
図１および２の断面線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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