(57)【要約】本発明は、半導体基板上に薄膜を積層させるための方法に関する。装置は、複数のウェーハプラットホームを保持するのに適した室即ちハウジングを含む。ウェーハプラットホームは室内に等間隔に積層配置されており、各々電気的に隔絶されている。複数のウェーハプラットホームのうち少なくとも２つは、電源と電気的に接続されており、第１及び第２の電極を形成する。その他のウェーハプラットホームはその間に配置される。この方法で、単一の直列キャパシタが形成される。少なくとも一つの反応気体が室に導入され、充分に供給されたエネルギーと共にプラズマを形成する。プラズマのラジカル若しくはイオンが、ウェーハ上に薄膜を形成する。
2004508706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を被着させるための装置であって、
室と、
前記室内部に積層配置された複数のウェーハプラットホームとを有し、
前記複数のウェーハプラットホームの少なくとも２つが電源と電気的に接続されて第１及び第２の電極を形成し、それ以外の前記複数のウェーハプラットホームが前記第１及び第２の電極間に一様に配置され、
前記第１及び第２の電極が、前記室内部で十分に供給されたエネルギーと共に気体状態の化学物質と反応するためのキャパシタを形成し、前記ウェーハプラットホーム表面に配置可能な基板上に薄い膜を被着させることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記各々のウェーハプラットホームが、各々の別のウェーハプラットホームより等間隔に配置されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記各々のウェーハプラットホームが、各々の別のウェーハプラットホームから電気的に隔離されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記電源が、約１ＭＨｚより約３０ＭＨｚの間の高周波数エネルギーと、約ＡＣ５０Ｈｚより約５００ｋＨｚの間の低周波数エネルギーとを提供するＲＦ電源であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
更に前記ウェーハプラットホームを加熱するための加熱要素を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記加熱要素が前記各々のウェーハプラットホームに接触することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
更に前記気体状態の化学物質が前記基板表面上に分散するためのバッフルを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
更に前記気体状態の化学物質を前記室に供給するための複数のインレットポートを有し、
前記複数のインレットポートの少なくとも１つが、各々の前記プラットホームに近接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
基板上に薄膜を被着されるための装置であって、
複数のウェーハプラットホームを有し、
前記各々のウェーハプラットホームが半導体ウェーハを受容可能な表面を有し、前記複数のウェーハプラットホームが室内部で積層配置されて第１及び第２の電極を有するキャパシタを形成するために電源へと電気的に接続され、前記半導体ウェーハが前記第１及び第２の電極の間に配置された表面を受容し、
前記第１及び第２の電極が十分に供給されたエネルギーと共に室内部で気体状態の化学物質と反応可能であり、前記半導体ウェーハ上に薄膜層を被着させることを特徴とする装置。
【請求項１０】
更に前記室に前記気体状態の化学物質を供給するための複数のインレットポートを含み、
前記複数のインレットポートの少なくとも１つが、表面を受容する少なくとも１つの前記半導体ウェーハに近接配置されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
更に表面を受容する前記半導体ウェーハに沿って、前記気体状態の化学物質を散布するためのバッフルを有することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記ウェーハプラットホームが等間隔で配置されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記ウェーハプラットホームが電気的に隔離されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記電源が約１ＭＨｚから約３０ＭＨｚの高周波数エネルギーと、約ＡＣ５０Ｈｚから約５００ｋＨｚの低周波数エネルギーとを提供するＲＦ電源であることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
更に前記ウェーハプラットホームを加熱するための加熱要素を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
半導体上に薄膜を形成するための方法であって、
複数の積層されたウェーハプラットホームを有する処理室に複数の半導体基板を導入する過程であって、各々の前記積層されたウェーハプラットホームが前記複数の半導体基板の１つを受容するべく構成されていることを特徴とする過程と、
気体状態の化学物質を反応させるために第１及び第２の電極を形成し、前記ウェーハプラットホームに電力を供給して、各々の前記半導体基板上に薄膜を被着させる過程とを含む方法。
【請求項１７】
更にバッフルを用い、前記半導体基板の長さに亘って前記気体状態の化学物質を分散させる過程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
各々前記プラットホームが電気的に隔離されており、また等間隔に離隔して配置されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の所属する分野）
本発明は半導体処理に関し、更に詳しくは、改善されたプラズマ処理システムと、半導体基板上に誘電体層及び／または薄膜を形成する方法とに関する。
【０００２】
（従来技術）
半導体製品上に膜層を被着する多くの方法が既知である。例えば、プラズマＣＶＤは半導体産業で広く用いられている。この被着プロセスは、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉエピタキシー、誘電体、金属膜、またはその他のもののようなフィルムを被着する目的で用いられ得る。典型的なＣＶＤプロセスは反応被着室において反応物質をｉｎ−ｓｉｔｕ被着させることで開始される。反応物質ガスがインレットポートを介して室内部へと導入され、ＲＦ電圧によって生成された高い電場により励起されて、イオン若しくはラジカルを生成する。電界は、インレットガスがグロー放電またはプラズマを形成するように、十分に励起される。プラズマ強化型（ｅｎｈａｎｃｅｄ）被着とは、導入されたガスの分子がプラズマとなり、適切なイオンが基板表面上に再結合されて所望とするフィルムを提供するものである。
【０００３】
マルチレベルの被着膜製造がさらに複雑化し、既知の被着方法が広範に試みられてきた。膜質向上のために、膜の被着に関する要求はより厳格となった。膜質を向上させるための１つのアプローチは、ＰＥＣＶＤプロセスでデュアル周波数を用いることである。図１において示されるように、典型的なデュアル周波数のＰＥＣＶＤ構成１０は、第１電極１２、及び第２電極１４を有する。第１電極１２はハイパスフィルタ１６及び整合ネットワーク１８を介して１３．５６ＭＨＺのＲＦジェネレータへと電気的に接続される。第２電極１４は、加熱されたｓｕｓｃｅｐｔｏｒであり、ローパスフィルタ２０及び整合トランス２２を介して３００‐４００ＫＨＺのＬＦ電源へと電気的に接続されている。高周波数及び低周波数の組み合わせによって、安定した放電が提供され、反応性の化学種が生成され、基板２４に対する接続を確実なものとし、一方でイオンボンバードメント／イオン注入が行われる。
【０００４】
スループットを増加させて質を向上させるため、デュアル周波数ＰＥＣＶＤ構成がマルチステーション型の逐次的な被着反応質で用いられてきた。図２Ａにおいて示されるように、典型的なマルチステーション型逐次被着室２６は、電極２８ａ及び２８ｂのような複数のＲＦ電極を有し、またベース電極３０を有する。ベース電極３０はＬＦ電源へと接続されている。例えばＮステーションシステムにおいては、薄膜の全体厚さＴ（図２Ｂ参照）の１／Ｎの厚さであるフィルム層が、各々のステーションで被着されている。
【０００５】
マルチステーション型の試みはスループットを増加させ得るが、あいにくこの試みは不均質な薄膜を生成し、ウェーハの表面上で成長する。不均質が発生する理由は、プラズマの点火時及びプラズマ処理の終了時においてプラズマの物理的特性が安定していないことである。それ故、薄膜の層が形成されると、層がその上部及び底部表面において同一でなくなってしまう傾向がある。マルチステーション型の試みでは、プラズマのオン／オフサイクルが各々のステーションにおいて反復される。そのようなわけで、同一でない表面部分Ｉ（図２Ｂ参照）が連続する各被着層の間に成長し得る。
【０００６】
マルチステーション型アプローチの各ステーションを電気的に（並列で）マッチングするべく取り組みが行われるが、各々の電極より電源に向かう別個の電気的接続が、被着の不均一性という問題を有し得る。例えば、単純に、電極に電力を与えることに用いられるケーブルの長さによってばらつきが生じるかもしれない。
【０００７】
これらの理由から、基板、金属バリア、または各々のストップ層上に膜を被着するためには、改善されたプロセスが必要となる。膜は、より良好な化学的安定性、被着速度、厚さの均一性、及び接着特性を示す。
【０００８】
（発明の要約）
本発明は、半導体基板上に薄膜を被着させるための装置及び方法を提供するものである。本発明によれば、装置には、室、又は複数のウェーハプラットホームを保持するのに適したハウジングが含まれる。ウェーハプラットホームは、室内部に、等間隔で、各々別のウェーハプラットホームより電気的に隔離されて積層配置されている。都合の良いことに、少なくとも２つの、複数のウェーハプラットホームが電源と電気的に接続されており、第１及び第２の電極を形成する。それ以外の複数のウェーハプラットホームは、それら電極の間に配置されている。この方式では、第１の電極及び第２の電極が単一で直列のキャパシタを形成する。反応ガスが室内部に提供され、プラズマを形成するのに十分に供給されたエネルギーと共に反応する。プラズマよりのラジカル又はイオンがウェーハの表面上で反応し、薄い膜がウェーハプラットホームの表面上に配置された等しく分散したウェーハに分散されるようにする。
【０００９】
複数のウェーハを包含する単一の直列キャパシタを形成することによって、本発明はプラズマにおいて形成されたイオン若しくはラジカルに対し等しくウェーハを曝し、一様な薄膜が形成されることを可能とする。本発明は構造に依存しており、一度各々のウェーハプラットホーム間の距離が決定され固定されると、その他の調整が必要とされない。そして、加工されたウェーハのバッチ間のマッチングコンディションが高くなり得り、そのことは、ウェーハのバッチ間の一様性が増加することを意味している。構造が固定されるので、電極が移動する必要もない。稼働部位が著しく少ないことからシステムの信頼性も高くなる。また１つのステーション内に薄膜が成長する場合、薄膜内に異なる形状のインタフェース構成は存在しない。処理システムの構造によってウェーハが積層し、そのことで処理システム全体の設置スペースが縮小される。
【００１０】
本発明の別の特徴及び利点は、付随の図面及び詳細な説明によってより明確となる。
【００１１】
（詳細な説明）
本発明の実施例は、上記図面によって示され得る。これら図面は実施例の理解及び図示を容易にするべく簡略化されている。
【００１２】
図３は本発明の代表的な実施例を確立する、半導体ウェーハ処理システム１００の１つの実施例の側面図である。ウェーハ処理システム１００の代表的なタイプに関しては、１９９９年１１月３０日の同時継続出願である米国特許出願番号０９／４５１，６７７に全て記載されており、ここに言及したことをもって本願の一部とする。処理システム１００は、導入ステーション１０２を有し、導入ステーション１０２は、ロードロック１０８上及び１０８内部にウェーハカセット１０６を支持し移動させるために複数のプラットホーム１０４を有する。ウェーハカセット１０６は取り除き可能なカセットであっても良く、それはプラットホーム１０４内部に手動または自動ガイドビークル（ＡＧＢ）により導入される。ウェーハカセット１０６は固定されたカセットであっても良く、そのような場合ウェーハは従来方式の大気ロボット（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ ｒｏｂｏｔ）若しくはローダ（図示せず）を用いてカセット１０６上に導入される。ウェーハカセット１０６がロードロック１０８内部にひとたび配置されると、ロードロック１０８及びトランスファー反応室１１０は大気圧に維持され、またそれ以外はポンプ１１２を用いて真空にポンピングされる。トランスファー室１１０内部のロボット１１４がロードロック１０８に向かって回転し、カセット１０６よりウェーハ１１６をピックアップする。リアクタまたは処理室１１８は、大気圧もしくは真空注意された条件であっても良く、ゲートバルブ１２０を介してロボット１１４よりウェーハ１１６を許容する。ロボット１１４は、次に収納され、引き続いてゲートバルブ１２０が閉止されてウェーハ１１６の処理が開始される。ウェーハ１１６が処理された後、ゲートバルブ１２０は開放され、ロボット１１４がウェーハ１１６をピックアップし冷却ステーション１２２内部に配置することを可能とする。冷却ステーション１２２は、ロードロック１０８内のウェーハカセットに戻すまえに、新規な処理を施されたウェーハに対する冷却を行う。
【００１３】
ある実施例においては、リアクタ１１８が化学気相成長法及び同様のプロセスに用いられるような、どのようなリアクタであっても良い。図４において示されているように、ある実施例では処理室１１８がＣＶＤ室であり、それは例えば基板１１６のような基板上に、プラズマ強化型ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）フィルムのようなものを形成するのに用いられても良い。ＣＶＤ室１１８は、複数の基板１１６を保持するのに好適なサイズであり、それはＣＶＤ室１１８内部、複数のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆ上に支持されている。
【００１４】
図４を参照すると、各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆは、加熱要素１３２、ガス入り口ソース１３４、及びバッフル１３６を有する。この実施例において、プラットホーム１３０ａ−１３０ｆは等しい距離Ｄで積層配置されている。適切な被着を一様に提供するために、各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆは約３０ｍｍから約１００ｍｍの間に等間隔で配置され、更に好ましくは約４０ｍｍから約６０ｍｍの間に等間隔で配置される。プラットホーム１３０ａ−１３０ｆはウェーハ１１６と比較して大きな質量を有し得り、また、例えばシリコン炭化物コートグラファイト、グラファイト、インコネル、アルミニウム、鉄、または伝導性でありながら高い処理温度で周囲ガスもしくはウェーハ１１６と著しく反応しない材料のようなもので製造されても良い。各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆは各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆの間に配置された例えば誘電体のマウントもしくはスペーサー（図示せず）を用いて互いに電気的に隔離されている。
【００１５】
ある実施例では、ウェーハ１１６はウェーハプラットホーム１３０ｂ−１３０ｆの上部表面上に直接配置されている。ウェーハ１１６とウェーハプラットホーム１３０ｂ−１３０ｆとの間の全接触領域は，ウェーハ表面領域よりも狭いかそれと等しいものである。代替実施例では、ウェーハサポート（図示せず）が各々のウェーハプラットホームの表面より延在している（この代替実施例においてはウェーハを支持することを意図していないので、プラットホーム１３０ａの上部表面上にウェーハサポートを設けることは必要とされていない）。ウェーハサポートは、ウェーハ１１６がプラットホームに近接保持されることを確実とするべく、そのサイズを決定される。例えば、ウェーハサポートは約５０μｍから約２０ｍｍの間の高さを有する。好適には約２ｍｍから約８ｍｍの高さを有する。安定性を確保するべく、少なくとも３つのウェーハサポートが用いられてもよい。
【００１６】
プラットホーム１３０ａ−１３０ｆはどのような形状に成形されても良いが、好適にはウェーハ１１６に類似する形状をとる。好適な実施例において、各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆは円形のプレートである。プラットホームの寸法は、ウェーハ１１６の寸法よりも大きく、ウェーハ１１６の表面領域はプラットホーム１３０ａ−１３０ｆの表面領域によって完全にカバーされる。
【００１７】
図４を参照すると、プラットホーム１３０ａ−１３０ｆは加熱要素１３２を有し、それが熱源を提供する。加熱要素１３２は、抵抗加熱要素もしくはその他の導電性／放熱源であっても良く、プラットホーム１３０ａ−１３０ｆの一部に接触するようにされても良く、プラットホーム内部に埋め込まれても良い。抵抗加熱要素は、増加熱反応及び高温安定性のために、高質量材料より製造された好適耐性の加熱可能ワイヤのような高温レート（ｒａｔｅｄ）材料から製造されても良く、それは、例えばＳｉＣ、ＳｉＣコーティンググラファイト、グラファイト、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、またはその他の合金のようなものであって良い。このタイプの抵抗加熱要素はＯｍｅｇａ Ｃｏｒｐ．（Ｓｔａｍｆｏｒｄ， Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ）より入手可能である。
【００１８】
プラットホーム１３０ａ−１３０ｆの温度が、本出願によってプラットホームに対する温度を可変させるために制御可能であって良い。しかしプラットホームが好ましい温度まで加熱されると、各プラットホームの温度は等しく、一様に、またばらつき無く保たれる。各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆの温度は約５０℃から約８００℃の間で変化し得り、好適には約１００℃から約６００℃の間で変化しても良い。
【００１９】
半導体ウェーハの処理においては典型的な室が用いられるが、図３においてポンプ１１２として概略的に示されている好適なポンプ装置によって、室１１８が取り除かれて、所望とする加圧が行われても良い。
【００２０】
ＰＥＣＶＤ処理において用いられる選択されたガスは、様々なガス供給リザーバーより適切なマニホルドシステムを介して室１１８へと導入される。ガスには、例えばＮ２， Ｏ２， Ｈ２， ＮＨ３， Ｎ２Ｏ， ＮＯ２， ＮＯ， ＳｉＨ４， Ｓｉ２Ｈ６， ＰＨ３， ＡｓＨ３， Ｂ２Ｆ６， Ｃ２Ｆ６， Ｃ３Ｆ８ＣｌＦ６， 及び ＷＦ６のようなものが含まれても良い。ガスは、複数のガスインレットポート１３４ａ−１３４ｅを介して室１１８へと導入される。ある実施例において、ガスインレットポート１３４ａ−１３４ｅは各々プラットホーム１３０ａ−１３０ｅの一部分にマウントされている。更に詳しくは、この実施例において各々のガスインレットポート１３４ａ−１３４ｅが、各々のプラットホーム１３０ａ−１３０ｅの底面上に配置されているので、ガスは各々ウェーハ１１６へと配向され得る。
【００２１】
図４において示されているように、バッフル１３６が各々のガスインレットポート１３４ａ−１３４ｅと各々のウェーハ１１６との間に設けられる。図５は、ガスインレットポート１３４ａとウェーハ１１６との間に配置されたバッフル１３６を簡略化して図示したものである。バッフル１３６はウェーハ１１６の長さ方向にわたってガスを一様に分布させることに用いられる。この例示的な実施例において、バッフル１３６はフラットなプレートであって、ガスインレットポート１３４より放出される処理用ガスの流れを妨げる。バッフル１３６はウェーハ１１６の表面の第１の部分に対する第１のガス分子の経路Ｌ１と、ウェーハ１１６の第２の表面部分に対する第２のガス分子の経路Ｌ２とを概ね等しくする。別の実施例において、バッフル１３６は複数の穴を有しても良い。各々の穴はバッフル１３６の長さにわたってガスが拡散するようなサイズにされ、ガス分子がウェーハ１１６の表面上に一様に衝当することとなる。一度バッフル１３６の全体寸法及びガスインレットポートに対するその位置が決定されると、動作圧、ガスの流速、及びウェーハサイズが決定される。
【００２２】
フィルムの被着速度及び濃度は、反応ガスの流速、デュアル周波数の電源、室圧、及び室１１８内部の処理温度により、選択的に制御される。上述したように、室１１８内部の圧力は制御され得る。好適な実施例においては、被着時における周辺圧力は通常約０．１トールから約５トールで維持され、好適には約１トールから約２．６トールの間、例えば約２．１トールで維持される。ＰＥＣＶＤ処理の際、それらのレベルで圧力を維持することにより、フィルム被着速度が改善され得る。
【００２３】
ガスが室１１８に流入するに際に、好適なプラズマ電力が印加される。上述したように、室１１８はＨＦ及びＬＦパワーの双方を提供するデュアル周波数室であって良い。ＰＥＣＶＤ室で用いられる典型的ＨＦプラズマエネルギーは１３．５６ＭＨＺであるが、本発明はそれに限定されるものではない。ある実施例においては、好適なプラズマ電力が、望ましくは基板表面上約０．３ｗ／ｃｍ２から約３０ｗ／ｃｍ２までのエネルギーレベルで、（約１−３０ＭＨｚからの）ＨＦエネルギーを有する。一般的に、約１００ｋＨｚから約５００ｋＨｚの幅にある低周波数ＲＦパワーは、基板表面において約０．３ｗ／ｃｍ２から約１００ｗ／ｃｍ２のエネルギーレベルを有し得る。
【００２４】
ＰＥＣＶＤ処理を行う当業者の間で既知であるように、室１１８内のプラズマエネルギーは、導入されたガスをイオン化して、各々のウェーハ１１６の表面上に被着されるラジカルを生成し、所望の製品にたどり着くものである。反応ガスは例えばＮ２、Ｏ２、Ｈ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＮＯ、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＰＨ３、ＡｓＨ３、Ｂ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８ＣｌＦ６、及びＷＦ６のようなものを含んでも良く、それらガスは例えばＦ＊、Ｎ＊、Ｏ＊、Ｈ＊及びＳｉ＊のようなラジカルを放出する。
【００２５】
プラズマエネルギーは、高周波数（ＨＦ）のＲＦ電力を提供するＲＦジェネレーター１４０を介して室１１８へと供給される。室１１８がデュアル周波数室であるので、低周波数（ＬＦ）ジェネレーター１４２は、室１１８に対しＬＦ電力を供給するのに用いられる。この実施例において、ＲＦジェネレーター１４０及びＬＦジェネレーター１４２はプラットホーム１３０ａ及び１３０ｆに相対的に動作可能に接続されるので、プラットホーム１３０ａ及び１３０ｆは各々第１及び第２の電極１４４ａ及び１４４ｂとなる。このような方法で、積層構成のプラットホーム１３０ａ−１３０ｆは一連のキャパシタを形成する。プラットホームが各々等間隔に離隔しており、また電気的に隔離されているので、室１１８内部で形成されるプラズマは、第１及び第２の電極１４４ａ及び１４４ｂの間で、等しく、また一様に分散する。プラットホーム１３０ａ−１３０ｆのこのような構成によってＣＶＤ処理室製造上の利点が提供され、ここでは各々のプラットホームが形状及び電気的特性を一致させることで、均一な処理が実現する。
【００２６】
図６は本発明の別の実施例に基づく処理室１５０を示すものである。この別の実施例において、処理室１１８は概ね上述の通り動作するが、次に述べるような点で異なっている。この実施例において、プラットホーム１３０ａ−１３０ｆは、ＲＦ高周波数ジェネレーター１４０及びＲＦ低周波数ジェネレーター１４２に機能的に接続されており、単一のキャパシタとして機能するために直列に配列された複数のキャパシタを形成する。例えば、プラットホーム１５２ａ、１５２ｃ、及び１５２ｅは、トップ電極を形成するべく直列に電気的接続をされ、プラットホーム１５２ｂ、１５２ｄ、及び１５２ｆは、ボトム電極を形成するべく電気的に直列接続される。従って、プラットホーム１５２ａ及び１５２ｂはウェーハ１５４ａを取り囲むキャパシタを形成し、プラットホーム１５２ｂ及び１５２ｃはウェーハ１５４ｂを取り囲むキャパシタを形成し、プラットホーム１５２ｃ及び１５２ｄはウェーハ１５４ｃを取り囲むキャパシタを形成し、プラットホーム１５４ｄ及び１５４ｅはウェーハ１５４ｄを取り囲むキャパシタを形成し、またプラットホーム１５２ｅ及び１５２ｆはウェーハ１５４ｅを取り囲むキャパシタを形成する。各々のキャパシタが互いに直列であるので、全体的には単一のキャパシタとして機能する。
【００２７】
図７は本発明の更に別の実施例による処理室１１８を示すものである。この別の実施例において、処理室１１８は概ね上述のように動作するが次の点で異なる。この実施例において、処理室１１８は第１の電極１６２及び第２の電極１６６を介してＲＦ高周波数ジェネレーター１４０及びＲＦ低周波数ジェネレーター１４２に機能的に接続されている。第１及び第２の電極１６２及び１６６は、単一のキャパシタを形成する目的で積層された全体的なプラットホーム１６４ａ−１６４ｆの各々上部及び底部に配置されている。図７において示されているように、第１の電極１６２及び第２の電極１６６は、積層されたウェーハプラットホーム１６４ａ−１６４ｆよりギャップ１７０及び１７２だけ離隔設置されている。処理ガスのばらつきを変化させるために、ギャップ１７０及び１７２が調整可能であって良い。
【００２８】
本発明について特殊な実施例について記述してきたが、これらは例示的なものであって、本発明をこれに限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】
典型的なＣＶＤシステムを示す概略図である。
【図２Ａ】
典型的なマルチステーション型連続ＣＶＤ処理室を示す簡略化された透視図である。
【図２Ｂ】
図２Ａのシステムによる製品の概略図である。
【図３】
本発明による半導体ウェーハ処理システムの一実施例を示す側面図である。
【図４】
本発明の実施例を示す略図である。
【図５】
本発明によるバッフルの実施例を示す略図である。
【図６】
本発明の別の実施例を示す略図である。
【図７】
本発明の更に別の実施例を示す略図である。
【図１】
2004508706.tif 000003
【図２Ａ】
2004508706.tif 000004
【図２Ｂ】
2004508706.tif 000005
【図３】
2004508706.tif 000006
【図４】
2004508706.tif 000007
【図５】
2004508706.tif 000008
【図６】
2004508706.tif 000009
【図７】
2004508706.tif 000010
【国際公開パンフレット】
2004508706.tif 000011
2004508706.tif 000012
2004508706.tif 000013
2004508706.tif 000014
2004508706.tif 000015
2004508706.tif 000016
2004508706.tif 000017
2004508706.tif 000018
2004508706.tif 000019
2004508706.tif 000020
2004508706.tif 000021
2004508706.tif 000022
2004508706.tif 000023
2004508706.tif 000024
2004508706.tif 000025
2004508706.tif 000026
2004508706.tif 000027
2004508706.tif 000028
2004508706.tif 000029
2004508706.tif 000030
2004508706.tif 000031
【国際調査報告】
2004508706.tif 000032
2004508706.tif 000033