(57)【要約】本発明は、複数の回折格子（２０）を利用する回折シグニチャー差分析によってリソグラフィーウエハー（１０）における決定方法を提供する。
2004508559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィーデバイスを利用するリソグラフィープロセスによって、当該基材上に形成された複数の回折格子を含む基材を供し、該回折格子は複数の間隔を設けたエレメントを含み；
放射線源−ベースのツールによって複数の回折格子の内の少なくとも３つにつき回折シグニチャーを測定し；次いで、
回折シグニチャーの間の差を測定して、該リソグラフィーデバイスの所望のパラメーターを決定する；
工程を含むことを特徴とするリソグラフィーデバイスに関するパラメーターの測定方法。
【請求項２】
リソグラフィーデバイスを利用して作成した複数の回折格子を含む基材を供し、複数の回折格子は異なる既知の焦点設定を含み；
放射線源−ベースのツールによって複数の回折格子の内の少なくとも３つにつき回折シグニチャーを測定し；
隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの間の差を測定し；次いで
焦点設定としての焦点の中心を決定し、ここに、隣接焦点設定回折格子の回折シグニチャーの間に最小の差がある；
工程を含むことを特徴とするリソグラフィーデバイスにおいて焦点の中心を決定する方法。
【請求項３】
基材がウエハーである請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
放射線源−ベースのツールが、光源−ベースのツールであり、ここに、該光源−ベースのツールが：
ａ）入射レーザービーム源、該レーザービームを集束させ、入射角のある範囲を通じてスキャンニングする光学系、および得られた測定角度にわたって得られた回折シグニチャーを検出するためのディテクター；
ｂ）角度−分解スカテロメーター；
ｃ）複数のレーザービーム源；
ｄ）入射広スペクトル光源、光を集束させ、ある範囲の入射波長を通じて照射する光学系、および得られた測定波長にわたって得られた回折シグニチャーを検出するためのディテクター；または
ｅ）入射光源、ＳおよびＰ偏光の振幅および相を変化させるための構成要素、光を集束させ、ある範囲の入射相にわたって照射する光学系、および得られた回折シグニチャーの相を検出するためのディテクター；
を含む請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
回折シグニチャーを測定することが：
ａ）可変角度Θまたは可変角度φを固定角で操作し、広スペクトル放射線源−ベースのツール源による相測定；
ｂ）　可変角度Θまたは可変角度φを固定角で操作し、単一波長放射線源−ベースツールの源による相測定；
ｃ）複数の区別される波長放射線源―ベースのツール源による相測定；
を含む請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
回折シグニチャーが反射回折シグニチャーまたは透過回折シグニチャーである請求項１または２記載の方法。
【請求項７】
回折シグニチャーが鏡面オーダーの回折シグニチャーまたは高次の回折シグニチャーである請求項１または２記載の方法。
【請求項８】
さらに、既知の異なる焦点設定、所望により等しい増分の異なる焦点設定においてリソグラフィーデバイスを利用して複数の回折格子を形成し、次いで、２つの隣接焦点設定回折格子を測定することを含み、ここに、回折シグニチャーの間の差が他の隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差未満であり、それにより、パラメーターはリソグラフィーデバイスの焦点の中心である請求項１記載の方法。
【請求項９】
既知の異なる焦点設定が等しくない増分の異なる焦点設定であり、当該方法が、さらに、数学アルゴリズムを用いて等しくない増分の異なる焦点設定を正規化することを含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
回折格子の間の回折シグニチャーの差が、焦点の中心にわたって０の傾きである放物線の近似として増加する請求項８記載の方法。
【請求項１１】
回折格子の間の回折シグニチャーの差の測定が、メトリック、所望によりデータ解析の根平均二乗誤差方法を用いて差を測定することを含む請求項１または２記載の方法。
【請求項１２】
最小差の測定が、回折格子の間の回折シグニチャーの間の差の重み付け平均を比較することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
当該方法が、さらに、同焦点設定においてリソグラフィーデバイスを利用して複数の回折格子を形成し、基材上の回折格子の位置の関数として差を決定することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
当該方法が、さらに、既知の異なる焦点設定および既知の異なる量設定において複数の回折格子を形成し、焦点に対する線量の効果を測定することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１５】
隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差が、最小差に対するゼロの傾きを持つ放物線の近似として増加する請求項２記載の方法。
【請求項１６】
隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差の測定が、メトリック、所望によりデータ解析の根平均二乗誤差方法を用いて差を測定することを含む請求項２記載の方法。
【請求項１７】
最小差の測定が、隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの間の差の重み付け平均を比較することを含む請求項２記載の方法。
【請求項１８】
最小差の測定が、放物線に対する隣接連続焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差に由来するデータを適合させることを含み、それにより、最小差が放物線の最小を含む請求項２記載の方法。
【請求項１９】
異なる焦点設定が、連続する異なる焦点設定の間の一定の差を含む請求項２記載の方法。
【請求項２０】
異なる既知の焦点設定が等しくない増分の異なる焦点設定であり、当該方法が、さらに、数学アルゴリズムを用いて等しくない増分の異なる焦点設定を正規化することを含む請求項２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
（関連出願への相互参照）
本出願は、２０００年９月６日に出願された回折シグニチャー分析による焦点の中心の決定と題された米国仮特許出願セリアル番号６０／２３０，４９１号の出願の利益を請求し、その明細書は引用によりここに一体化させる。
【０００２】
（発明の背景）
（発明の分野（技術分野））
本発明は、フォトレジストリソグラフィーウエハー加工用のごとき、リソグラフィー適用における焦点の中心の決定を含めた、回折シグニチャー分析によるリソグラフィー適用におけるパラメーターの決定方法に関する。
【０００３】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
（背景技術）
以下の議論は著者および発行年度による多数の出版物に関し、最近の出版データによると、ある出版は本発明と比較して先行技術として考慮されるべきではないことに注意されたい。ここに、そのような出版物の議論はより完全なバックグラウンドのために掲載するものであって、そのような出版物が特許性判断の目的で先行技術であることを認めるものと解釈されるべきではない。
【０００４】
リソグラフィーは半導体、オプティックスおよび関連産業において種々の有用な適用を有する。リソグラフィーは、ウエハー上に創生された集積回路、ならびに平坦―パネルディスプレイ、ディスクヘッド等のごとき半導体デバイスを製造するのに用いられる。一つの適用において、リソグラフィーを用いて、マスクまたは焦点板上のパターンを空間的に変調された光を介して基盤上のレジスト層に伝達させる。次いで、レジスト層を現像し、露光されたパターンをエッチングして除き（ポジティブレジスト）またはそれを残して（ネガティブレジスト）、レジスト層において３次元のイメージパターンを形成する。しかしながら、フォトレジストリソグラフィーに加えて他の形態のリソグラフィーが使用される。
【０００５】
半導体産業で特に使用される一つの形態のリソグラフィーにおいては、ウエハーステッパーが使用され、これは、典型的には、縮小レンズおよびイリュミネーター、エキシマレーザー光源、ウエハーステージ、焦点板ステージ、ウエハーカセットおよびオペレーターワークステーションを含む。現代のステッパーデバイスはポジティブおよびネガティブレジスト方法を共に使用し、元来のステップーアンドーリピート様式またはステップーアンドースキャン様式のいずれか、あるいは双方を利用する。
【０００６】
露光および焦点は、フォトレジストリソグラフィーを利用するレジスト層におけるごとく、現像されるイメージパターンの質を決定する。露光は単位面積あたりのイメージの平均エネルギーを決定し、照射時間および強度によって設定される。焦点は、インーフォーカスイメージに対する変調の減少を決定する。焦点は、イメージングシステムの焦点面に対するレジスト層の表面の位置によって設定される。
【０００７】
露光および焦点の局所的な変動は、レジスト層の厚み、基板トポグラフィー、ならびにステッパー焦点ドリフトの変動によって引き起こされ得る。露光および焦点の可能な変動のため、リソグラフィーを通じて生じるイメージパターンは、パターンが許容される公差範囲内にあるかを判断するモニタリングを要する。焦点および露光の制御は、リソグラフィープロセスがサブミクロン線を生じさせるのに用いられる場合に特に重要である。
【０００８】
ステッパーおよび同様のリソグラフィーデバイスの焦点を決定するのに、種々の方法およびデバイスが使用されてきた。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および同様のデバイスが使用される。しかしながら、ＳＥＭ測定法は０．１ミクロンのオーダーの特徴を解像できるが、該プロセスはコスト高であり、高真空チャンバーを必要とし、操作が比較的遅く、かつ自動化するのは困難である。光学顕微鏡を使用することができるが、サブミクロン構造に対する必要な解像力を有していない。他の方法は米国特許第５，７１２，７０７号、第５，９５３，１２８号および第６，０８８、１１３号に開示されたごとき特殊化された標的およびテストマスクの開発を含む。米国特許第５，９５２，１３２号に開示されているごとく、オーバーレイ誤差方法も知られている。しかしながら、これらの方法は、標的の性質のため解像を増大させるが、依然として、ＳＥＭ、光学顕微鏡または同様の直接的測定デバイスの使用を必要とする。
【０００９】
マイクロエレクトロニックおよびオプトエレクトロニック半導体材料、コンピュータハードディスク、光ディスク、微細に仕上げた光学構成要素、および１０ミクロンないし１／１０ミクロン未満の範囲の横寸法を有する他の材料の微細構造を特徴付けるのに、種々のスカテロメーターおよび関連デバイスおよび測定が用いられてきた。例えば、Ａｃｃｅｎｔ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，　Ｉｎｃ．によって製造され販売されるＣＤＳ２００スカテロメーターは、部分的には米国特許第５，７０３，６９２号に開示された、十分に自動化された非破壊的臨界寸法（ＣＤ）測定および断面プロフィール分析システムである。
このデバイスは、断面プロフィールを同時に測定し、かつ層厚評価を実行しつつ、１ｎｍ未満の臨界寸法を反復して解像できる。このデバイスは、単一回折オーダーの強度を、照射光ビームの入射角度の関数としてモニターする。試料からの０オーダまたは鏡面オーダーならびにより高い回折オーダーの強度変動はこのようにしてモニターすることができ、これは、照射された試料標的の特性を測定するのに有用な情報を提供する。試料標的を製造するのに用いられるプロセスは試料標的の特性を決定するので、該情報はプロセスの間接的モニターとしても有用である。この方法は半導体加工の文献に記載されている。米国特許第４，７１０，６４２号、第５，１６４，７９０号、第５，２４１，３６９号、第５，７０３，６９２号、第５，８６７，２７６号、第５，８８９，５９３号、第５，９１２，７４１号および第６，１００，９８５号に記載されたものを含めた、スカテロメーター分析のための多数の方法およびデバイスが教示されている。
【００１０】
スカテロメーターおよび関連デバイスは種々の異なる操作方法を使用することができる。一つの方法においては、単一の既知の波長源を使用し、入射角Θは定められた連続範囲にわたって変化する。もう一つの方法においては、所望により各々が異なる入射角Θにおける、多数のレーザービーム源が使用される。さらにもう一つの方法においては、入射広スペクトル光源が用いられ、入射光はある範囲の波長から照射され、入射角Θは所望により、一定に保持される。種々の相光構成要素も知られており、得られた回折相を検出するためのディテクターを備えた、ある範囲の入射相を生じさせるためにオプティックスおよびフィルターを利用する。また、光偏光をＳからＰへの構成要素に変化させるためのオプティックスおよびフィルターを利用する種々の偏光状態光構成要素を使用することもできる。また、光または他の放射線源が標的領域の周りに回転するか、あるいは光または他の放射線源に対して標的が回転するように、入射角を範囲φにわたって調整することもできる。これらの種々のデバイスのいずれか、およびその組合せまたは並べ替えを利用し、試料標的についての回折シグニチャーを得るのが可能であり、それは知られている。
【００１１】
スカテロメーターデバイス以外に、ディテクターによって捕獲された光でもって、回折格子で反射するか、またはそれを透過できる光―ベースの源を用いて０オーダーまたはより高い回折オーデーにおける回折シグニチャーを測定することができる他のデバイスおよび方法がある。これらの他のデバイスおよび方法は、スカテロメーターに加えて、エリプソメーターおよびリフレクトメーターを含む。さらに、例えばＸ―線のごとき他の放射線源を用いて、非−光―ベース回折シグニチャーを得ることができるのが知られている。
【００１２】
種々の試料標的が当該分野で知られている。試料および通常に用いられる標的は、他の定量が知られているにもかかわらず、典型的には、約１：１および１：３の間の幅対スペース比を持つ、回折格子、実質的には一連の周期的線である。例えば１：３の比における典型的な回折格子は，４００ｎｍの合計ピッチ（幅＋スペース）に対して、１００ｎｍ線の幅および３００ｎｍスペースを有するであろう。該幅およびピッチはリソグラフィープロセスの解像の関数であって、かくして、リソグラフィープロセスはより小さな幅およびピッチを可能とし、幅およびピッチは同様に減少させることができる。現在典型的に使用されるものよりも実質的に小さなものを含めた、いずれの可能な幅およびピッチも持つ回折技術が使用できる。
【００１３】
回折格子は、典型的には、既知のパターンにてウエハー上のダイ内に分散させる。当該分野においては、単一ウエハー上の複数のダイ（または露光野）を使用することは知られている。各回折パターンは、異なる焦点設定または異なる露光設定または線量を使用することによるごとく、異なる焦点におけるべきリソグラフィー手段によって作成することができる。また、種々の異なる焦点回折格子からの回折シグニチャーを、ＣＤに関する情報を生じる回折格子シグニチャーの理論的モデルライブラリーと比較することによって、スカトロメトリーおよび回折格子を用い、焦点の中心を決定することができるのも知られている。現実の回折測定を、それからＣＤ値が得られるモデルと比較する。かく得られたＣＤ値を焦点に対してプロットし、結果を放物線に適合させる。しかしながら、この方法は理論的モデルを作成するのにかなりの時間およびコンピューター源を必要とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
（発明の概要（発明の開示））
本発明は、リソグラフィーデバイスを利用するリソグラフィープロセスによって基材上に形成された複数の回折格子を含む基材を供し、回折格子は複数の間隔を設けたエレメントを含み；放射線源―ベースのツールによって複数の回折格子のうちの少なくとも３つについての回折シグニチャーを測定し；次いで、回折シグニチャーの間の差を測定して、該リソグラフィーデバイスの所望のパラメーターを決定する工程を利用する、リソグラフィーデバイスに関するパラメーターの側定方法を提供する。この方法においては、該基材はウエハーを含むことができる。
【００１５】
該方法は、さらに、異なる既知の焦点設定におけるリソグラフィーデバイスを利用して複数の回折格子を形成させ、次いで、２つの隣接焦点設定回折格子を測定することを含むことができ、ここに、回折シグニチャーの間の差は他の隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差未満であり、それにより、パラメーターはリソグラフィーデバイスの焦点の中心である。
【００１６】
好ましい具体例においては、異なる既知の焦点設定は等しい増分の異なる焦点設定である。別法として、異なる既知の焦点設定は等しくない増分の異なる焦点設定であって、該方法は、さらに、等しくない増分の異なる焦点設定を正規化するための数学的アルゴリズムの使用を含む。
【００１７】
該方法は、さらに、回折シグニチャーの差をプロットすることを含み、ここに、回折格子の間の回折シグニチャーの差は、焦点の中心にわたって０の傾きを持つ放物線の近似として増大する。回折格子の間の回折シグニチャーの差の決定はまたメトリックの使用を含む。使用することができる一つのメトリックはデータ解析の根平均二乗誤差方法である。最小の差の決定は、さらに、回折格子の間の回折シグニチャーの差の重み付け平均を比較することを含む。
【００１８】
該方法の一つの具体例において、該方法は、さらに、同焦点設定においてリソグラフィーデバイスを利用して複数の回折格子を形成し、次いで、基材上の回折格子の位置の関数として差を決定することを含む。該方法のもう一つの具体例において、該方法は、さらに、異なる既知の焦点設定および異なる既知の線量設定において複数の回折格子を形成し、焦点に対する線量の効果を測定することを含む。複数の回折格子は同一の既知の異なる焦点設定回折格子の組を含むことができ、該組は異なる既知の線量設定によって変化する。
【００１９】
本発明は、さらに、リソグラフィーデバイスの焦点の中心を決定する方法を提供し、該方法は、リソグラフィーデバイスを利用して作成された複数の回折格子を含む基材を供し、該複数の回折格子は異なる既知の焦点設定を含み；放射線源―ベースのツールによって複数の回折格子のうちの少なくとも３つにつき回折シグニチャーを測定し；隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの間の差を測定し；次いで、焦点設定として焦点の中心を決定する工程を含み、ここに、隣接焦点設定回折格子の異なる回折シグニチャーの間に最小の差がある。
【００２０】
この方法の１つの具体例において、隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差は、最小差に対する０の傾きを持つ放物線の近似として増大する。隣接焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの差の決定は、限定されるものではないが、データ解析の根平均二乗誤差方法を含めたメトリックを用いる差の測定を含むことができる。また、該方法は、隣接焦点設定回折格子の回折シグニチャーの間の差の重み付け平均を比較することによって最小差を決定することを含む。この方法のさらにもう一つの具体例において、最小差の測定は、隣接順次の焦点設定回折格子の間の回折シグニチャーの間の差に由来するデータを放物線に適合させることを含み、それにより、最小差は放物線の最小値を含む。
【００２１】
前記方法の全てにおいて、放射線源―ベースのツールは光源―ベースのツールを含む。一つの具体例において、光源―ベースのツールは、入射レーザービーム源、レーザービームを集束させ、ある範囲の入射角を通じてスキャンニングする光学系および、得られた測定角度にわたって得られた回折シグニチャーを検出するためのディテクターを含む。光源―ベースのツールは、さらに、角度―分解スカテロメーターを含むことができる。異なる具体例において、光源―ベースのツールは複数のレーザービーム源を含む。さらにもう一つの具体例において、光源―ベースのツールは入射広スペクトル光源、光を集束させ、ある範囲の入射波長を通じて照射する光学系、および得られた測定波長にわたって得られた回折シグニチャーを検出するためのディテクターを含む。さらにもう一つの具体例において、光源―ベースのツールは入射光源、ＳおよびＰ偏光の振幅および相を変化させるための構成要素、光を照射させ、ある範囲の入射相にわたって照射する光学系、および得られた回折シグニチャーの相を検出するためのディテクターを含む。
前記方法の全てにおいて、回折シグニチャーの測定は、固定された角度、可変角度Θまたは可変角度φにて操作する、広スペクトル放射線源―ベースのツール源による相測定を含む。該方法においては、回折シグニチャーの測定は、固定された角度、可変角度Θまたは可変角度φで操作する、単一波長放射線源―ベースのツール源による相測定を含む。回折シグニチャーの測定は、複数の区別される波長の放射線源―ベースのツール源による相測定を含むこともできる。回折シグニチャーは反射回折シグニチャーまたは透過回折シグニチャーであり得る。回折シグニチャーは鏡面オーダーの回折シグニチャーまたはより高いオーダーの回折シグニチャー（ポジティブまたはネガティブいずれか）であり得る。
【００２２】
本発明の主な目的は、光学、ＳＥＭまたは同様の顕微鏡計測学ツールを用いることなくリソグラフィーデバイスに関連するパラメーターの測定方法を提供することにある。
【００２３】
本発明のもう一つの目的は、一連の異なる焦点回折格子の部材の間の回折シグニチャーの差を分析することによってリソグラフィーデバイスの焦点の中心を決定する方法を提供することにある。
【００２４】
本発明のもう一つの目的は、反射または透過回折いずれかを利用して回折シグニチャーを得ることによって、焦点の中心を含めたリソグラフィーデバイスに関連するパラメーターを決定または測定する方法を提供することにある。
【００２５】
本発明のもう一つの目的は、限定されるものではないが、０オーダーまたは鏡面回折オーダーあるいはいずれかのより高いオーダーの、反射または透過角度―分解可変波長、可変相、可変偏光状態または可変配向回折、またはその組合せを含めた、回折シグニチャーを生じさせるためのいずれかの方法を利用して回折シグニチャーを得ることによって、焦点の中心を含めたリソグラフィーデバイスに関連するパラメーターを決定または測定する方法を提供することにある。
【００２６】
本発明のもう一つの目的は、既知のパラメーターの理論的モデルまたはライブラリーのいずれかを直接的に用いる必要なくして、焦点の中心を含めたリソグラフィーデバイスに関連するパラメーターを決定または測定するための方法およびデバイスを提供することにある。
【００２７】
本発明のもう一つの目的は、回折シグニチャー差応答および分析によって、量の関数としての、焦点の中心を含めたリソグラフィーデバイスに関連するパラメーターを決定または測定するための方法を提供することにある。
【００２８】
本発明のもう一つの目的は、０オーダーもしくは鏡面オーダーまたはいずれかのより高いオーダーの回折（ポジティブまたはネガティブいずれか）を含めた、異なる焦点回折格子のいずれかのオーダーの回折シグニチャーによってリソグラフィーデバイスに関連したパラメーターを決定または測定する方法を提供することにある。
【００２９】
本発明の主な利点は、それが、光学、ＳＥＭまたは同様の顕微鏡計測学ツールを用いることなくリソグラフィーデバイスに関連するパラメーターを測定するのを可能とすることである。
【００３０】
本発明のもう一つの利点は、通常のフォトレジストリソグラフィー手段を含めたステッパーによって作成された通常のウエハー上の一連の異なる焦点回折格子を用いて、回折シグニチャー、およびその間の差を利用して回折格子につき焦点の中心を決定するのを可能とすることである。
【００３１】
本発明のもう一つの利点は、慣用的および公知の方法よりも短い時間および低いコストにて、ステッパーのごときリソグラフィーデバイスにおいて、焦点の中心を含めた結果を得ることを可能とする方法およびデバイスを提供することである。
【００３２】
本発明の他の目的、利点および新規な特徴ならびにその適用性のさらなる範囲は、部分的には、添付の図面と組み合わせて以下の詳細な記載において記載し、部分的には、以下を精査すると当業者に明らかであるか、あるいは本発明を実施することによって会得することができる。本発明の目的および利点は、添付の請求の範囲に特に指摘された装置および組み合わせによって実現し、達成することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
明細書に一体化させ、明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の１以上の具体例を説明し、記載と一緒になって本発明の原理を説明するように働く。図面は本発明の１以上の好ましい具体例を説明する目的のためだけであり、本発明を限定するものと解釈するべきではない。
【００３４】
（好ましい具体例の記載（発明を実施するための最良の形態））
本発明は、リソグラフィーデバイスに関連するパラメーターを測定するための、好ましい具体例においては、リソグラフィーデバイスの焦点の中心を測定するための方法およびデバイスを提供する。該方法においては、異なる回折格子の一連の回折シグニチャーが得られ、回折格子はリソグラフィーデバイスを利用して作成され、複数の異なる焦点設定、および所望により複数の異なる線量設定を使用して作成されたものである。回折シグニチャーは、好ましくは等しい増分にて、焦点設定の増加または減少の順番におけるごとき、連続的順番であり、その順序付けは回折シグニチャーを得たのに続いてなすことができ、隣接焦点設定回折格子の回折シグニチャーの間の差が測定される。該差は、所望により、解析の根平均ニ乗誤差方法のごときメトリックを利用して比較される。回折シグニチャーは、焦点の中心に到達すると、相互により近くなり、等しい増分の隣接焦点設定の間では差はより小さい。かくして、本発明の回折シグニチャーの差の分析の方法を使用することによって、理論モデルまたは履歴データのデータベースに言及することなく、かつ光学顕微鏡またはＳＥＭのごとき直接的測定計測学デバイスを用いることなく、焦点の中心および関連パラメーターを決定することができる。
本発明をさらに記載する前に、以下の定義を与える。
【００３５】
リソグラフィーデバイスとは、パターンを基材へ、および所望により基材中に移動させるために、マスクのごとき、イメージを利用するいずれのデバイスもいう。これは、かくして、フォトレジストリソグラフィーのごとき慣用的光学リソグラフィーを含むが、リソグラフィーの他の方法も含む。フォトリソグラフィーとも呼ばれるフォトレジストリソグラフィーにおいて、光学方法を用いて、マスクまたは焦点板と呼ばれるマスターイメージからウエハーへ回路パターンを移動させる。このプロセスにおいては、レジストと呼ばれる１以上の特殊化材料を、その上に回路が作成されるべきウエハーにコートする。必要に応じてレジストコートが適用され、必要であれば、ソフトベイクによるごとく、ウエハーをさらに加工する。ポジティブまたはネガティブフォトレジスト材料いずれかを使用することができる。ポジティブレジストは、レジスト現像液として使用される化学物質に通常は不溶性であるが、光への暴露によって可溶性となる。ネガティブレジストは、レジスト現像液として用いられる化学物質に通常は可溶性であるが、光への暴露によって不溶性となる。レジストを選択的にある領域において暴露するが、他の領域においては暴露しないことによって、回路または他の構造のパターンがレジストフィルムにおいて創生される。光学リソグラフィーにおいては、典型的には、光をマスクに照射し、伝達されたイメージをレジストフィルム上に投影することにより、選択的暴露をマスクのイメージングによって達成する。
本発明で言及されるリソグラフィーデバイスは、ウエハーステッパーとしても知られるステッパーを含み、これは、回路または他の構造のイメージをフォトマスクからレジストをコートしたウエハーに投影する。ステッパーは、典型的には、縮小レンズおよびイリュミネーター、エキシマレーザー光源、ウエハーステージ、焦点板ステージ、ウエハーカセットおよびオペレーターワークステーションを含む。ステッパーはポジティブおよびネガティブ双方のレジスト分子を使用し、ステップーアンドーリピート様式またはステップーアンドースキャン様式いずれか、またはその組合せを利用する。
【００３６】
本発明では、その上にリソグラフィーデバイスによって一連の回折格子が配置されるウエハーまたは他の基材が使用される。その最も単純な項目において、回折格子は、入射照射に対して屈折率の周期的変動を生じさせるリソグラフィー手段によって作成されたいずれかの構造またはイメージである。屈折率のこの変化は物理的差または化学的差いずれかによるものであり得る。物理的差は、通常のスコアの光学回折格子のごとき、空気とカップリングさせた１の屈折率を持つ材料、または異なる材料とカップリングさせた材料を利用するごとき、フォトレジストまたは他のリソグラフィー的に生じさせた変化を含む。化学的差は、フォトレジスト暴露回折格子を備えたウエハーを含み、ここに、該レジストは未だ現像されていないものである。この場合、レジストの全てが依然として存在するが、暴露された部分は暴露されていないレジスト部分とは異なる屈折率を有し、それにより、レジストにおいて屈折率の周期的変動よりなる回折格子を生じさせる。周期的差は、構造的または化学的エレメントの周期性によって得られる。これは、かくして、一連の平行線よりなる慣用的回折格子を含むが、Ｘ方向およびＹ方向双方において周期性がある、柱または穴の３次元アレイのごとき格子も含む。ＸおよびＹ両方向に周期性を持つ回折格子を図３に示し、平行線２５よりなる一つの方向に周期性を持つ回折格子を図１に示す。回折格子は、かくして、フォトレジスト格子、エッチングされたフィルムスタック格子、金属格子および当該分野で知られた他の格子を含む。回折格子は、典型的には、約１：１ないし１：３の間の線幅対スペース比率を有するが、他の比率を使用することもできる。例えば、１：３の比における典型的な回折格子は１００ｎｍの線幅および４００ｎｍのピッチを有することができる。該幅およびピッチは、部分的には、リソグラフィーデバイスの解像度に応じてかなり低くすることができる。
【００３７】
本発明の実施において、回折格子を用いて回折シグニチャーを生じさせる。回折シグニチャーは、スカテロメーター、エリプソメーターまたはリフレクトメーターのごとき多数の装備のいずれかによって生じさせることができる。回折シグニチャーを生じさせるために放射線を使用するいずれのデバイスも、本明細書中においては、放射線源―ベースのツールという。典型的には、光源―ベースのツールのごとき可視放射線源―ベースのツールを使用するが、放射線源は、Ｘ−線源のごとき可視放射線以外のものであってもよい。これらのデバイスは、少なくとも一つの回折―関連パラメーターを変化させることによって、回折パターンまたはシグニチャーを生じさせる。一つの具体例において、回折シグニチャーは屈折モードによって生じ、ここに、光のごとき放射線が反射される。かくして、回折シグニチャーは角度―分解スカテロメーターによって生じさせることができ、ここに、単一の既知の波長源が使用され、図２に示すごとく、入射角Θは所定の連続的範囲にわたって変化する。得られた回折シグニチャーを図５に示し、そこでは、入射および反射角度Θに対して光の強度がプロットされる。もう一つの方法において、多数のレーザービーム源が使用され、所望により、各々は異なる入射角Θにおけるものである。さらにもう一つの方法において、入射広スペクトル光源が使用され、図２に示すごとく、入射光はある範囲の波長から照射され、入射角度Θは所望により一定に保持される。図２に示すごとく、得られた回折相を検出するためのディテクターが設けられた、ある範囲の入射相を利用する可変相光源も知られている。また、ＳからＰへの構成要素、またはＰからＳへの構成要素のある範囲の偏光を利用する可変偏光光源も知られている。また、図２に示すごとく、光源が回折格子の周りに回転するか、あるいは光源に対して回折格子が回転するように、範囲φにわたって入射角を調製することも可能である。これらの種々のデバイス、およびその組合せまたは並び替えのうちのいずれかを利用し、試料標的についての回折シグニチャーを得ることが可能であり、それは知られている。一般に、入射角度Θ、入射光の波長、入射光の相、掃引φ等のごとき少なくとも一つの可変パラメーターに対して、検出された光強度がプロットされる。回折シグニチャーは、０オーダーまたは鏡面回折オーダーを表すことができ、あるいはいずれかのより高い回折オーダーを表すことができる。また、透過モードを使用して、放射線源―ベースのツールの構成要素としてＸ−線放射線源の使用によるごとく、回折シグニチャーを生じさせることができるのは可能であり、それが考えられる。
【００３８】
本発明の一つの具体例において、一連のダイ１５が配置された、図１におけるごときウエハー１０が提供される。各ダイは、典型的には、ステッパーのごときリソグラフィーデバイスの露光野を表すウエハーのその部分を表す。ステップーアンドーリピートシステムにおいては、シャッターが開くと、露光すべきマスクまたは焦点板の全領域を照射し、それにより、全ダイ露光野を同時に露光させる。ステップーアンドースキャンシステムでは、焦点板またはマスクの一部のみ、かくして、ダイ露光野の一部のみが、シャッターが開くと露光される。いずれかの場合、焦点板またはマスクは、回折格子の組２０が生じるように移動させることができ、回折格子の組２０は一連の異なる、所望による異なる焦点の回折格子よりなる。また、回折格子の組２０は一連の同一回折格子よりなるか、一連の同一の焦点であるが異なる線量の回折格子よりなるのが可能である。好ましい具体例においては、回折格子の組２０は一連の異なる焦点の回折格子よりなる、好ましくは、既知のおよび増大する焦点工程によって変化し、ここに、全ての回折格子は固定された線量におけるものである。ウエハー１０上のダイからダイへ、線量範囲または焦点設定範囲のいずれか、あるいは双方を変化させることができる。慣用的には、線量または焦点は一定の増分工程にて変化させ、それにより、引き続いての分析を容易とする。かくして、例えば、焦点は所定の範囲にわたって５０ないし１００ｎｍ段階で変化させることができ、線量は、例えば、所定の範囲にわたって１または２ｍＪの増分にて変化させることができる。図３に示すごとく、回折格子２０は、スペース３０によって分けられた慣用的線２５を使用することができるが、または、３次元パターンを使用することができる。
【００３９】
回折格子は、典型的には、所望の回折格子の所望の形状、サイズおよび立体配置に対応する不透明および透明領域を持つマスクを調製することによってレジスト材料中に生じさせる。次いで、放射線の源をマスクの片側に適用し、それにより、マスクの形状およびスペースをレジスト層に投影し、レジスト層はマスクの反対側にある。１以上のレンズまたは他の光学系をマスクおよびレジスト層の間、および所望により放射線源およびマスクの間に置くことができる。放射線に暴露するか、またはレジストに変化を起こさせる十分なレベルでエネルギーを与えると、潜在的イメージがレジストに形成される。レジスト材料中の化学的変化を表す潜在的イメージの結果、レジスト層の反射率が変化し、かくして、これを用いて、前記したごとき回折シグニチャーを生じさせることができる。一つの具体例において、レジスト中の潜在的イメージを持つウエハーを、さらなる化学反応を駆動するか、あるいは成分をレジスト層内に拡散させるのに用いられる露光後ベイクに付すことができる。さらにもう一つの具体例において、レジストを現像プロセス、所望により化学的現像プロセスによって現像することができ、それにより、レジストの一部が除去され、該部分は、ポジティブレジストまたはネガティブレジストが使用されたかによって決定される。現像プロセスはエッチングプロセスとも言われ、その結果、レジスト層、およびそのようなレジスト層が置かれる他のフィルムのごとき基材材料のエッチングされた領域またはスペースが得られる。
【００４０】
本発明の方法およびデバイスにおいて、回折格子を暴露するが、現像しないでもよく、あるいは現像してもよい。同様に、前記は一般に回折格子を生じさせる慣用的方法を記載するが、相シフトマスク、電子ビーム暴露を含めた種々の放射線源のいずれかの使用を含めたいずれの方法を用いることもできる。
【００４１】
焦点は、ステッパーまたは同様のリソグラフィーデバイスを含めたいずれかのリソグラフィーデバイスにおける臨界的パラメーターである。焦点および焦点深さは線量、または放射線エネルギー量、および焦点、またはレンズから標的への距離の関数である。得られたイメージングは与えられた暴露野内の全ての点で良好でなければならず、それにより、規定可能な使用可能焦点深さがもたらされる。しかしながら、非点収差、野曲率、レンズの品質、ｘ−およびｙ−軸におけるウエハーステージの向きを含めた線量および焦点以外の因子は焦点および焦点深さに影響する。典型的な生産ウエハーステッパーは、約０．１５ないし約１．２５ミクロンの解像度、および約０．４ないし約１．５０ミクロンの焦点深さを有する。
【００４２】
固定された線量についての焦点の中心の決定は、かくして、ウエハー加工におけるフォトレジスト露光工程の間におけるステッパーに対するごとく、リソグラフィーデバイスの効果的な操作で臨界的である。線量の変動はこの中心を決定するにおける困難を増す。ステッパーおよび他のリソグラフィーデバイスで使用されるレンズは非常に限定された焦点深さを有し、そこで、かなりの精度が必要である。焦点にあるレンズは鋭く印刷されるフォトレジストイメージを生じ、焦点の欠如の結果、非機能的フォトレジストの特徴がもたらされる。焦点の中心にあることは、プロセスの反復性をかなり改良する。一旦焦点の中心が知られ、決定されれば、レンズおよびウエハーの間の分離が一定に保持されることを判断するのに、種々の異なるオートフォーカスシステムまたはスキームのいずれかを使用することができる。これらのシステムは、反射光の使用のごとき光学的方法、キャパシタンス方法および圧縮空気の使用のごとき圧力センサー方法を含む。しかしながら、これらのシステムおよびスキームは焦点の中心を決定することができず、しかしながら、レンズとウエハーとの距離を一定に維持することができる。
【００４３】
典型的な操作において焦点の中心は周期的に、しばしば、リソグラフィーデバイスの操作の６時間以下毎に決定しなければならない。
【００４４】
図５Ａに戻り、角度―分解スカテロメトリー光放射線源―ベースのツールを利用して生じた二つの回折シグニチャーがそこに描かれ、回折シグニチャーは一つの焦点工程から次の焦点工程の並行順序を表す（焦点工程ｎおよびｎ＋１）。図５の図面の各々において、回折格子のフォトレジスト暴露において一定の線量が使用され、焦点、またはレンズからウエハーへの距離は増分焦点工程で変化した。得られた回折シグニチャーは、現像に引き続いてではなくフォトレジスト暴露に続いて、または構造物がレジスト層にエッチングされ、所望により、基材はウエハーの一部を含むという現像に引き続いて得られる。一連の回折格子が測定され、プロセッサーー関連デバイスのメモリーにおけるごとく、得られた回折シグニチャーが記憶される。回折格子は、限定されるものではないが、図１および３を含めた、光を回折できる反復または周期的特徴を使用するいずれかの構造である。鏡面オーダー、またはいずれかのより高い回折オーダーの回折シグニチャーの差は、一つの焦点工程から次の焦点工程への回折シグニチャーの差を測定することによって分析される。一つの回折工程から次の回折工程への回折シグニチャーの差は、焦点の中心に近づくにつれますます小さくなるであろう。理論的には理想的な条件下では、焦点の中心は、回折シグニチャーにおける変動が最小となるにつれ点である。かくして、図５に示されるごとく、焦点の中心が近づくにつれ、隣接焦点工程回折格子の回折シグニチャーを分ける距離が減少し、したがって、図５Ｃにおけるごとく、二つの得られた回折シグニチャーは実質的に重なり、その間で有意な差はない。
【００４５】
一つの焦点工程から次の焦点工程への回折シグニチャーの差、および焦点の中心の決定は、図５に示すごとく、得られた隣接焦点工程回折シグニチャーを目で比較することによって確認することができる。しかしながら、この方法はオペレーターの判断を必要とし、直接的に定量化できず、比較的ゆっくりしたものである。したがって、種々のメトリックまたは分析方法のいずれかを使用して、一つの焦点工程から次の焦点工程への回折シグニチャーの差を測定することができる。そのような方法は、限定されるものではないが、平均二乗誤差（ＭＳＥ）または根平均二乗誤差（ＲＭＳＥ）の最小化、および他のユークリッド距離測定を含む。そのような方法は平均、重み付け平均、平均の合計、および回折シグニチャーの差を特徴付ける他の方法を含む。
【００４６】
一つの具体例において、回折シグニチャーは、図４に示すごとく、一連の連続的な異なる焦点設定回折格子４０，４５，５０，５５および６０から得られる。４０および４５の間のＲＭＳＥの差が決定され、これは、その対応する焦点設定において回折格子４０についての回折シグニチャーの差を表す。４０および４５の間および４５および５０の間のＲＭＳＥの差の平均が決定され、これは、その対応する焦点設定において回折格子４５についての回折シグニチャーの差を表す。４５および５０の間および５０および５５の間のＲＭＳＥの差の平均が決定され、これは、その対応する焦点設定において回折相し５０についての回折シグニチャーの差を表す。同様に５０および５５の間および５５および６０の間のＲＭＳＥの差の平均が決定され、これは、その対応する焦点設定において回折格子５５についえの回折シグニチャーの差を表す。５５および６０の間のＲＭＳＥの差は、その対応する焦点設定において回折格子６０についての回折シグニチャーの差として使用される。これは、かくして、順序だった異なる焦点回折格子の間の焦点設定の差に対応する一連の回折シグニチャーの差を生じさせる。
【００４７】
一旦得られれば、回折シグニチャーの差を用いて、重み付け平均測定によって焦点の中心を決定することができる。一つのそのような具体例においては、焦点の中心は以下の方程式（１）：
2004508559.tif 000003
（式中、ＣＯＦは焦点の中心であり、ＤＳＤＲＭＳＥはＲＭＳＥ回折シグニチャーの差（ＤＳＤ）である）によって、焦点の中心を決定することができる。
【００４８】
また、回折シグニチャーの差の数表示を他の手段によって比較して、隣接焦点設定回折格子の間の最小差を持つ領域に対応する焦点設定として焦点の中心を決定することができる。該数表示は焦点設定工程に対してプロットすることができ、それにより、焦点の中心に対して中心がある放物線を描く図６におけるプロットが得られる。焦点の中心においては、放物線の傾きは０であるかまたは近似的に０であり、この座は、さらに、隣接異なる焦点設定回折格子についての回折シグニチャーの間の最小差の領域を表す。
【００４９】
特に、種々のフィルターおよび関連する数学的モデルのいずれかを使用して、焦点の中心の決定に先立って独立値を捨てることができる。焦点から実質的に外れた焦点設定において暴露された回折格子では、得られた焦点曲線ははずれたものとなり得る。個々の回折格子は、さらに、暴露誤差、レジスト欠陥などのごとき焦点設定に無関係な理由で異常な結果を生じ得る。
【００５０】
焦点深さまたはステッパーのごとき与えられたリソグラフィーデバイスの強さは、得られた放物線の解析によって定量することができる。もしプロットした関数が図７Ａに示すごとく非常に急な放物線を有すれば、焦点深さはそれに対応して小さい。というのは、最小を含む領域は小さなシリーズの焦点設定に対応するからである。もしプロットされた関数が、最小に対応する大きな領域を描く図７Ｂに示された広い放物線を有すれば、焦点深さはより大きく、種々の設定に対して良好な焦点値を許容する。
【００５１】
得られるべき放物線応答では、焦点の中心は、回折格子を暴露するのに利用される一連の増分焦点設定内に含まれなければならない。すなわち、焦点の中心においてゼロ傾きを持つ放物線は生じず、ここに、該範囲は焦点の中心を含まない。さらに、例えば、順次の焦点工程が完全にレジストを除去するような焦点からかなりはずれた点においては、１の焦点工程から次の焦点工程への回折シグニチャーは非常に近いであろう。これは、焦点工程の差の関数であり、得られたイメージにおいていずれの有意な差ももたらされない。ここにおいても、格子モデルまたは均一フィルモデルを使用して、焦点からかなりはずれた領域を決定することができる。典型的には、そのような点は放物線にプロットすることができない。
【００５２】
図５の例は、入射角の関数としての異なる焦点回折シグニチャーの比較を示し、ＳおよびＰ偏光は共に連なり、回折強度に対してプロットされるが、回折の他のモードにおいては、回折シグニチャーを同様にプロットすることができるのは直ちに理解されるであろう。かくして、可変波長回折では、回折シグニチャーは可変相回折では、強度に対して相をプロットすることにより、可変偏光状態回折では、強度に対して偏光状態をプロットすることによって、可変配向回折では、強度に対してφをプロットすることにより、強度に対して波長をプロットすることによって生じる。同様に、図５の回折シグニチャーは反射回折に由来するが、同様な回折シグニチャーは透過回折によって得ることができ、ただし、Ｘ−線放射線源―ベースのツールを用いることによって、または、光源―ベースのツールに対して、透明または半透明回折格子および基材によって得ることができるように、回折で利用される放射線源―ベースのツールを少なくとも回折格子の一部を通じて伝達することができるものとする。図５は０オーダーまたは鏡面オーダーの回折を描くが、同様な結果はいずれかのより高い回折オーダーによって得ることができ、ほとんどの具体例においては、同一回折オーダーからの回折シグニチャーは最も便宜に比較されることが理解される。
【００５３】
図６に示したプロットを作成するにおいて、または方程式（１）に示されたごとく焦点の中心を生じさせるにおいて、種々の統計学的技術を用いて測定された焦点の間に内挿し、焦点の中心のより正確な測定を与えることができるのは理解される。これらの方法は当該分野で知られており、便宜に使用することができる。同様に、各焦点を使用せず、むしろ、複数焦点設定を横切った回折シグニチャーの差に基づいて初期分析を行う分析手段を使用することができる。焦点設定工程の間の増分の差を一定に保持するのが好ましいが、また、焦点設定工程が均一ではない内挿手段を使用することができるのが考えられる。
【００５４】
本発明の方法を利用し、焦点の中心の差は、典型的には、０．０３ミクロン未満であり、これは、０．０７ミクロンの典型的な焦点工程のサイズ未満である。これは、かくして、ステッパーのごときリソグラフィーデバイスの解像度内のフォーカシングを可能とする。
【００５５】
焦点の中心に対する線量の効果は同様な手段で分析することができる。回折格子の組２０のごとき一連の回折格子組を、回折組の間で段階的に変化させた線量にて、焦点の中心を含む所定の異なる焦点範囲にわたって生じさせる。結果は、各々、異なる既知線量における一連の回折格子組である。次いで、前記した放射線源―ベースのツールによって、一連の回折シグニチャーが各回折格子組で得られる。回折シグニチャー差分析によるごとく、得られた一連の回折シグニチャーを前記したごとく分析することができる。得られた焦点の中心を線量に対してプロットすることができ、それにより、焦点の中心に対する線量の効果が得られる。
この手段によって、最も強い焦点曲線での線量設定または複数設定が確認でき、したがって、焦点曲線または焦点深さに対して最小インパクトを持つ線量設定を選択することができる。
【００５６】
さらに、図６に示される回折シグニチャーの差、および便宜にはウエハーステージであり得る野における回折格子の位置に関するデータを利用し、該野における位置の関数としての焦点の中心を図８に示すごとくプロットすることができるには容易に明らかである。そのようなプロットはレンズ系、非点収差、または該野にわたって焦点の中心を不均一とする他の欠陥における異常を明らかとすることができる。同様に、図９に示されるごとく、ｘ−およびｙ−軸双方にわたって該野における傾きをプロットすることができ、それにより、焦点の中心をステージ傾き効果を該野における位置の関数として示す。
【００５７】
本発明の方法およびデバイスを利用し、理論的または現実の回折シグニチャー差の公知のライブラリーに対する回折シグニチャー差によって決定される焦点の中心にシグニチャーをマッチさせることもできる。そのようなマッチライブラリーは、必然的に、焦点外の広い範囲を含み、それにより、より迅速なライブラリー生成、理論的ライブライーの場合には、該ライブラリーに対するより短い貯蔵要件、およびより迅速な分析時間を可能とする慣用的な理論ライブラリーよりもかなり小さくできる。
【００５８】
また、本発明の方法およびデバイスを、他の手段によって決定された焦点の中心の分析を含めた質制御テストで用いることもできる。これは、その関連コンピュータシステムを含めた前記角度―分解スカテロメーター、あるいは記載された測定を成すことができる他の適当なデバイスと組み合わせてなすことができる。角度―分解スカテロメーターを使用することによって、回折方程式（２）：
ｓｉｎΘｎ＋ｓｉｎΘｎ＝ｎλ／ｄ　　　（２）
（式中、Θｉは負として採用される入射角であり、Θｎはｎ番目の回折オーダーの角度位置であり、λは入射光線の波長であって、ｄは回折格子の空間的周期またはピッチである）によって特定される角度位置における区別される回折オーダーに回折シグニチャーは分離される。
【００５９】
かくして、０オーダーまたは鏡面回折オーダーでは、入射角は鏡面回折オーダーの角度位置と等しいことが理解できる。しかしながら、鏡面以外の回折オーダーを使用することができ、適切な角度位置は前記したごとく決定することができる。同様な関係は回折シグニチャーを生じさせる他のモードを支配し、したがって、回折シグニチャーを生じさせるいずれかのモードでは、鏡面回折オーダーまたはあるより高い回折オーダーを使用することができる。例えば、波長分解デバイスでは、角度Θｉは一定に保持することができ、波長λは変化させることができ、方程式は与えられたｎにおいてΘ＋ｎに対して解くことができる。
【００６０】
また、本発明の方法およびデバイスは焦点の中心の決定で用いることができ、それにより、焦点の中心は、コンピューターベースの制御システム、およびいつ許容されるまた最適な焦点が決定されたかを判断するのに使用される本発明のいずれかの方法の使用を含めたいずれかの適当な手段によって調整される該調製は線量の変化によって、または当該分野で知られた他の手段によってなすことができる。
【００６１】
本発明は、さらに、オートフォーカス制御システムを利用し、焦点の中心の自動または自動化決定でもちいることができ、それにより、回折シグニチャー分析に関する情報が、線量変化によるごとき焦点を決定するための制御システムで用いられる。
【００６２】
その好ましい具体例を特に参照して本発明を詳細に記載してきたが、他の具体例は同様な結果を達成することができる。本発明の変形および修飾は当業者に明らかであり、そのような全ての修飾および同等物は添付の請求の範囲に網羅されることを意図する。前記引用の全ての文献、出願、特許および刊行物の全開示は、ここに引用して一体化させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、その上にダイを備えたウエハーの模式図であり、該ダイは回折格子を含む。
【図２】図２は、反射０オーダー回折シグニチャーを得る種々のモードの模式図である。
【図３】図３は三次元回折格子を示す。
【図４】図４は一連の回折格子を示す。
【図５Ａ〜Ｃ】図５Ａ−Ｃは、角度−分解スカテロメーターを利用して得られた一連のプロットした回折シグニチャーを示し、各シグニチャーは１つの焦点工程により変化し、ＳおよびＰ偏光は連なっていることを示す。
【図６】図６は、焦点に対してプロットされた根平均二乗誤差によって決定された回折シグニチャーの差のプロットである。
【図７ＡおよびＢ】図７ＡおよびＢは、各々、焦点の狭いおよび広い範囲の中心についての最小を含む放物線のプロットを示す。
【図８】図８は、野における多数の位置における回折シグニチャーの差に由来する焦点の中心の三次元プロットを示し、それにより、野における位置の関数としての焦点の中心を示す。
【図９】図９は、野における傾きにわたる回折シグニチャー差に由来する焦点の中心の三次元プロットを示し、それにより、野における位置の関数としての焦点の中心のステージ傾き効果を示す。
【図２】
2004508559.tif 000004
【図５Ａ】
2004508559.tif 000005
【図５Ｂ】
2004508559.tif 000006
【図５Ｃ】
2004508559.tif 000007
【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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