(57)【要約】スライダは、コイルアセンブリ、電子部品、または光学部品のようなデバイスを支持しまたは収納し、かつ、テーパ部と平坦なまたはパターニングされた空気ベアリング面と凹み領域とで形成された下面を有する。凹み領域が、空気ベアリング面の空気力学的性能に大きな影響を与えることなくデバイスを受容し、かつスライダの後端縁部に配置されている。デバイスの重さは、サスペンションのグラム荷重で補償できる。スライダは、電気的配線を提供するために、スライダの深さ全体に沿って延長するように配置された縦方向のチャンネルを有する。コイルアセンブリは、アンダコートと、ある長さの電気的導体部で形成され、利用可能なウエハ処理技術を用いてアンダコートに付着させかつ固定される導電コイルとを有する。導電コイルの末端は、該コイルを電気的に接続するための２つのボンディングパッドである。コイルアセンブリは更にヨークと、導体部の少なくとも一部分を被包する絶縁層とを有する。導体部は複数の多層巻線で形成され、第１層が、一方のコンタクトパッドに接続され、かつ渦巻き状に内向きに巻回され、その末端が最内側の巻線の端子端部である。第２層は、第１層の最内側端子端部との電気的接点を確立し、かつコイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために、第１層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を有する。第２層は、第１層と同様のかつ同じ巻き方向をなす複数の同心渦巻きコイルに巻回されている。導体部は導電材料で形成され、かつその全長に沿って実質的に均一な正方形の断面を有する。
2004507011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気アセンブリ、コイルアセンブリ又は電子部品のようなデバイスを支持するためのスライダであって、
テーパ部、空気ベアリング面及び、前記デバイスを受容するための凹み領域を有する下面と、
前端縁部及び後端縁部とを備え、
前記凹み領域が実質的に前記後端縁部付近に配置されていることを特徴とするスライダ。
【請求項２】
前記空気ベアリング面が概ね平坦であることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項３】
前記空気ベアリング面が更に少なくとも１つのサイドレールを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のスライダ。
【請求項４】
前記凹み領域が、前記スライダの幅に沿って所望の長さに形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のスライダ。
【請求項５】
前記凹み領域が、前記スライダの全幅に沿って形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のスライダ。
【請求項６】
前記デバイスが下面を有し、かつ該下面が前記空気ベアリング面に関して凹んでいることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のスライダ。
【請求項７】
前記デバイスが下面を有し、該下面が前記空気ベアリング面に関して実質的に同じ高さであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のスライダ。
【請求項８】
前記テーパ部の幅が約３８１μｍ（１５ｍｉｌ）であり、前記凹み領域の幅が約９９１μｍ（３９ｍｉｌ）であり、かつ前記凹み領域の深さが約８９μｍ（３．５ｍｉｌ）であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のスライダ。
【請求項９】
前記デバイスが、前記凹み領域に沿って延長する導体部を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のスライダ。
【請求項１０】
前記スライダの前面に配置され、実質的に前記スライダの深さ全体に沿って延長する第１チャネルを更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のスライダ。
【請求項１１】
前記デバイスが、前記第１チャネルに沿って延長する導体部を有することを特徴とする請求項１０に記載のスライダ。
【請求項１２】
前記第１チャネルに関して或る角度で形成された第２チャネルを更に有することを特徴とする請求項１１に記載のスライダ。
【請求項１３】
上部と、前記上部にモジュール式に固定された下部とを備え、前記上部が前縁部のテーパ部と空気ベアリング面とを有することを特徴とするモジュラスライダ。
【請求項１４】
前記上部の後端と前記下部の上面とにより画定される凹み領域を更に有することを特徴とする請求項１３に記載のスライダ。
【請求項１５】
前記上部が、前記下部より薄いことを特徴とする請求項１３または１４に記載のスライダ。
【請求項１６】
磁気アセンブリ、コイルアセンブリ又は電子部品のようなデバイスを支持するためにスライダが固定されるサスペンションを有するヘッドジンバルアセンブリであって、
テーパ部、空気ベアリング面及び、前記デバイスを受容する凹み領域を有する下面と、
前縁端部及び後縁端部とを備え、
前記凹み領域が実質的に前記後端縁部付近に配置されていることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１７】
約０ｇ〜約０．５ｇの範囲のグラム荷重を前記ロードビームに印加することを特徴とする請求項１６に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１８】
前記スライダが、前記ロードビームの中心縦軸Ａ−Ａに関して偏倚した幾何学的中心を有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
前記デバイスが電磁コイルであることを特徴とする請求項１６乃至１８にいずれかに記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２０】
前記デバイスが増幅器であることを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれかに記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２１】
前記空気ベアリング面がパターン形成されていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載のスライダ。
【請求項２２】
前記コイルアセンブリが、
絶縁材料からなるアンダコートと、
前記アンダコートにより少なくとも部分的に被覆され、かつ前記アンダコートに近接して中央領域を画定する薄膜コイルと、
中央部及び中間部に一体に延長するベース部を有するヨークとを備え、
前記ヨークのベース部及び前記中間部が前記コイルの少なくとも一部分に重ねられ、かつ
前記ヨークの中央部が、前記コイルにより発生して前記ヨーク中央部を通過する磁場への経路を提供するために、前記コイルの中央領域内において前記アンダコートの少なくとも一部分の上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１５または２０のいずれかに記載のスライダ。
【請求項２３】
前記ヨークの中央部が、前記アンダコートに直接接触して形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２４】
前記ヨークの中央部が実質的に平坦であることを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２５】
前記ヨークの中央部が硬質であり、かつ開口を有しないことを特徴とする請求項２２乃至２４のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項２６】
前記ヨークの中間部にテーパが付されていることを特徴とする請求項２２乃至２５のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項２７】
前記ベース部が実質的に平坦であり、かつ絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項２２乃至２６のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項２８】
前記ヨークが、前記ベース部から一体的に前記コイルの外面上に延長し、かつ前記アンダコート上又はその近接する位置で終端する外端部を更に有することを特徴とする請求項２２乃至２７のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項２９】
前記コイルが、約３００ｍＡ以上の電流に耐久可能であり、
前記コイルが約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド）以上の強度の垂直磁場を発生することができ、かつ前記コイルが約２オーム以下の抵抗を有することを特徴とする請求項２２乃至２８のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項３０】
前記アンダコートがアルミナ又はシリコンのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項２２乃至２９のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項３１】
前記コイルが第１巻線層及び第２巻線層を有し、
前記第１巻線層が内向きに渦巻状に巻回され、かつ端子端部を有する最内側ターンで終端し、かつ
前記第２巻線層が、前記第１巻線層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を、それとの電気的接触を確立し、かつ前記コイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために備えることを特徴とする請求項２２乃至３０のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項３２】
前記第１巻線層が第１コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が第２コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が、前記第１巻線層と同様に、かつ同じ方向に巻回した複数の同心状コイルに巻回されていることを特徴とする請求項３１に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３３】
前記アンダコートが、製造及び組立て時に前記コイルアセンブリの取扱いを容易にするタブを有することを特徴とする請求項２２乃至３２のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項３４】
スライダを有する光学式又は光磁気データ記憶システムにおいて使用するためのコイルアセンブリであって、
絶縁材料で形成されたアンダコートと、
前記アンダコートに固定され、かつ前記アンダコートに近接して中央領域を画定する薄膜コイルと、
中央部及び中間部に一体的に延長するベース部を有する、スライダに取り付けるためのヨークとを備え、
前記ヨークのベース部及び前記中間部が、前記コイルの少なくとも一部分に重ねられ、
前記ヨークの中央部が、前記コイルにより発生して該ヨークの中央部を通過する磁場への経路を提供するために、前記コイルの中央部内の前記アンダコート上に形成されかつ少なくとも該アンダコートの一部分の上に配置されていることを特徴とするコイルアセンブリ。
【請求項３５】
前記ヨークの中央部が、前記アンダコートに直接接触して形成されていることを特徴とする請求項３４に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３６】
前記ヨークの中央部が実質的に平坦であることを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３７】
前記ヨークの中央部が硬質であり、かつ開口を有しないことを特徴とする請求項３４乃至３６のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項３８】
前記ヨークの中間部にテーパが付されていることを特徴とする請求項３４乃至３７のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項３９】
前記ベース部が実質的に平坦であり、かつ絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項３４乃至３８のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項４０】
前記ヨークが、前記ベース部から一体的に前記コイルの外面上に延長し、かつ前記アンダコート上又はその近接する位置で終端する外端部を更に有することを特徴とする請求項３４乃至３９のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項４１】
前記コイルが、約３００ｍＡ以上の電流に耐久可能であり、
前記コイルが約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド）以上の強度の垂直磁場を発生することができ、かつ前記コイルが約２オーム以下の抵抗を有することを特徴とする請求項３４乃至４０のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項４２】
前記アンダコートがアルミナ又はシリコンのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項３４乃至４１のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項４３】
前記コイルが第１巻線層及び第２巻線層を有し、
前記第１巻線層が内向きに渦巻状に巻回され、かつ端子端部を有する最内側ターンで終端し、かつ
前記第２巻線層が、前記第１巻線層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を、それとの電気的接触を確立し、かつ前記コイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために備えることを特徴とする請求項３４乃至４２のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項４４】
前記第１巻線層が第１コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が第２コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が、前記第１巻線層と同様に、かつ同じ方向に巻回した複数の同心状コイルに巻回されていることを特徴とする請求項４３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４５】
前記アンダコートが、製造及び組立て時に前記コイルアセンブリの取扱いを容易にするタブを有することを特徴とする請求項３４乃至４４のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項４６】
絶縁材料からなるアンダコートと、
前記アンダコートにより少なくとも部分的に被覆され、かつ前記アンダコートに近接して中央領域を画定する薄膜コイルと、
中央部及び中間部に一体に延長するベース部を有するヨークとを備え、
前記ヨークのベース部及び前記中間部が前記コイルの少なくとも一部分に重ねられ、かつ
前記ヨークの中央部が、前記コイルにより発生して前記ヨーク中央部を通過する磁場への経路を提供するために、前記コイルの中央領域内において前記アンダコートの少なくとも一部分の上に配置されていることを特徴とする薄膜コイルアセンブリ。
【請求項４７】
前記ヨークの中央部が、前記アンダコートに直接接触して形成されていることを特徴とする請求項４６に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４８】
前記ヨークの中央部が強磁性材料で形成されていることを特徴とする請求項４６又は４７に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４９】
前記ヨークの中央部が実質的に平坦であることを特徴とする請求項４６乃至４８のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５０】
前記ヨークの中央部が硬質であり、かつ開口を有しないことを特徴とする請求項４６乃至４９のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５１】
前記コイルが複数の多層巻線で形成されていることを特徴とする請求項４６乃至５０のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５２】
前記ヨークの中間部にテーパが付されていることを特徴とする請求項４６乃至５１のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５３】
前記コイルが少なくとも部分的に絶縁層内に被包されていることを特徴とする請求項４６乃至５２のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５４】
前記ベース部が概ね平坦であることを特徴とする請求項４６乃至５３のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５５】
前記ヨークが、前記ベース部から一体的に前記コイルの外面上に延長し、かつ前記アンダコート上又はその近接する位置で終端する外端部を更に有することを特徴とする請求項４６乃至５４のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５６】
前記コイルが、約３００ｍＡ以上の電流に耐久可能であり、
前記コイルが約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド）以上の強度の垂直磁場を発生することができ、かつ前記コイルが約２オーム以下の抵抗を有することを特徴とする請求項４６乃至５５のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５７】
前記アンダコートがアルミナ又はシリコンのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項４６乃至５６のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５８】
前記コイルが少なくとも部分的に前記ヨークにより被覆されていることを特徴とする請求項４６乃至５７のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項５９】
前記コイルが第１巻線層及び第２巻線層を有し、
前記第１巻線層が内向きに渦巻状に巻回され、かつ端子端部を有する最内側ターンで終端し、かつ
前記第２巻線層が、前記第１巻線層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を、それとの電気的接触を確立し、かつ前記コイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために備えることを特徴とする請求項４６乃至５８のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項６０】
前記第１巻線層が第１コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が第２コンタクトパッドに接続されていることを特徴とする請求項５９に記載のコイルアセンブリ。
【請求項６１】
前記第２巻線層が、前記第１巻線層と同様に、かつ同じ方向に巻回した複数の同心状コイルに巻回されていることを特徴とする請求項６０に記載のコイルアセンブリ。
【請求項６２】
前記コイルが導電性材料で形成され、かつその全長に沿って概ね均一な正方形の断面を有することを特徴とする請求項４６乃至６１のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項６３】
前記中央部が、約９０μｍ〜約４６０μｍの範囲内の直径で概ね円形に形成されていることを特徴とする請求項４６乃至６２のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項６４】
前記アンダコートが、製造及び組立て時に前記コイルアセンブリの取扱いを容易にするタブを有することを特徴とする請求項４６乃至６３のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、一般に光学式及び光磁気データ記憶システムに関し、特に光学式及び光磁気データ記憶システムにおいて使用するための薄膜電磁コイル及びスライダに関する。コイルアセンブリは、必ずしも限定するものではないが、無線電気通信、センサ、変換器、変成器、及び誘導器を含む様々な用途に使用することができる。
【０００２】
【背景技術】
従来の磁気記録システムは、スライダ及び磁気読み取り／書き込み素子を有する磁気ヘッドを備え、回転する磁気ディスクの表面上に位置するように、サスペンション及びアクチュエータアームにより回転アクチュエータ磁石及びボイスコイルアセンブリに結合されている。動作時に、磁気ヘッドと回転磁気ディスクとの間の空気力学的相互作用により揚力が発生する。この揚力は、回転する磁気ディスクの表面の上方に回転アクチュエータアセンブリの半径方向の全運動行程に亘って所定の浮上高さを維持するように、サスペンションにより印加される同等のかつ逆向きのばね力に対抗する。
【０００３】
光学式及び光磁気（ＭＯ）記憶技術について使用するために浮上ヘッドの設計が提案されている。光磁気技術を使用すると動機の１つは、磁気記憶ディスクよりも光磁気ディスクの利用を可能な面密度が大きいことによるものである。しかしながら、歴史的に光磁気ディスク装置について使用可能な面記憶密度が大きいにもかかわらず、従来の光磁気ディスクドライブ装置の記憶容量は、一般に磁気ディスクドライブ装置の記憶容量について行っていない。
【０００４】
ＭＯディスクドライブ装置を制限している要素の１つは、ＭＯディスクへのデータを書き込むために必要な磁場を発生する磁気コイルである。磁場は、ＭＯディスクの関連する位置に入射レーザビームの向きからまたは反対向きから作用する。しかしながら、これら市販の光磁気ヘッドに使用されているいくつかの磁気コイルは、嵩張った手巻きコイルの比較的大きくかつ重いデバイスである。これら大型の磁気コイルは、一般に高インダクタンスかつ低共振周波数を有し、より高いデータ転送速度でバックグラウンドノイズの問題を生じる。
【０００５】
要求されているのは、小型かつ低質量の磁気コイルアセンブリ及び該コイルアセンブリを担持するためのスライダで、コイルアセンブリが大きな面積について１５．８ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）以上の垂直磁場強度を発生することができ、かつ更に、光学式又はＭＯデータ記憶システムとの間で高データ転送速度で変換可能なものである。
【０００６】
【発明の開示】
本発明の一方の側面は、光学式及び光磁気データ記憶システムにおけるスライダに取り付けるための電磁コイルアセンブリを提供することにある。このコイルアセンブリは、小型で質量の小さい高磁場特性を有し、データ記憶ディスクの大面積（即ち、約２００μｍ×２００μｍ）に、垂直方向に大きな磁場強度を発生する。
【０００７】
前記コイルアセンブリの別の側面は、その比較的安価なの大量生産及び組立コストにある。前記コイルアセンブリの製造工程は、検証済みの加工技術と互換性を有し、かつ大量生産のために高効率的なスループットを提供する。
【０００８】
前記コイルアセンブリは、低インダクタンスを有し、従ってヘッドの共振周波数を増加させ、かつそのデータ記録速度を向上させる。コイルアセンブリの寸法が小さくかつ質量が小さいことにより、更にヘッドのデータアクセス速度が向上する。
【０００９】
前記コイルアセンブリは、アンダコートと、或る長さの導電体で形成され、使用可能なウエハ処理技術により該アンダコートに付着されかつ固定される導電コイルとを有する。導電コイルの末端は、該コイルが約３００ｍＡを超える電流を維持し得るように、コイルを電気的に接続するための２つのボンディングパッドである。また、前記コイルは、垂直方向に大きな磁場強度を発生でき、かつ２オーム未満の抵抗を有する。
【００１０】
前記コイルアセンブリは、更にヨークと、導体部の少なくとも一部分を被包する絶縁層とを有する。前記導体部は、その第１層が、一方のコンタクトパッドに接続され、かつ渦巻き状に内向きに巻回され、その末端が最内側の巻線の端子端部であるように、複数の多層巻線で形成されている。第２層は、第１層の最内側端子端部との電気的接点を確立し、かつ前記コイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために、第１層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を有する。前記第２層は、第１層と同様のかつ同じ巻き方向をなす複数の同心渦巻きコイルに巻回されている。前記導体部は電気的導電材料で形成され、かつその全長に沿って実質的に均一な正方形の断面を有する。
【００１１】
前記ヨークは、３つの部分：ベース部、中間部、中央部で形成され、該ヨークの中央部は、前記コイルの中央領域内に適合し、かつ穴を有しない。前記アンダコートは、製造及び組立て時にコイルアセンブリの取扱いを容易にする取り外し可能なタブを有する。
【００１２】
或る実施例では、前記コイルアセンブリが、ウィンチェスタディスクドライブ装置に類似する回転動作のアクセス機構又は直線動作のアクセス機構にスライダを固定する。前記コイルアセンブリは、例えば約２００μｍ×２００μｍの比較的大きな面積について約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド（Ｏｅ））以上の垂直磁場強度を発生する。好適には、前記コイルアセンブリは、部分的に前記ヨーク内に収容され、かつオーバコート絶縁層内に被包された２層コイル導体（即ち、コイル）を有する。しかしながら、他の実施例では、前記コイル導体は１つ又は複数の導体層を有する。前記コイルアセンブリは、その中を（約３００ｍＡのような）比較的高電流が流れるのに適応することができる。前記コイルの寸法は、比較的小質量の小型構造を維持しつつ、必要に応じてシステムパラメータの条件により、広範囲に変化させることができる。
【００１３】
本発明の上述した及び更に別の特徴は、電磁コイルアセンブリ又は電子部品のようなデバイスを支持し又は収納し、かつテーパ部、空気ベアリング面及び凹み領域で形成された下面を有するスライダにより理解される。前記凹み領域は、空気ベアリング面の空気力学的性能に大きな影響を与えることなくデバイスを受容し、かつスライダの後端縁部に配置されている。特定の用途では、前記デバイスの下面が空気ベアリング面に関して凹んでいるのに対し、別の用途では、前記デバイスの下面が空気ベアリング面に関して同じ高さである。前記デバイスは、凹み領域に沿って延長する電気的導体部を有する。
【００１４】
或る実施例によれば、スライダは、スライダ前面に配置された、該スライダの深さ全体に沿って延長する縦方向のチャンネルを有する。この縦方向のチャンネルがデバイスの電気的導体部に適応する。任意により、１つ又は複数の水平方向のチャネルをスライダの前面に、これら水平方向のチャネルの少なくとも１つが縦方向のチャネルに接続されるように、縦方向のチャネルに関して或る角度で形成することができる。
【００１５】
更に別の実施例では、前記スライダがモジュール式に形成され、上部と、該上部に固定された下部とを有し、前記上部が前縁部のテーパ部と空気ベアリング面とを有する。凹み領域が、前記スライダ上部の後端と前記スライダ下部の上面とにより画定される。一方で空気ベアリング面は、平坦であるのが好ましいと記載している。空気ベアリング面は、正圧又は負圧発生面にパターン形成できることが明らかである。
【００１６】
【発明を実施するための最良の形態】
以下の詳細な説明及び添付図面を参照することにより、本発明の特徴及びそれを達成する方法が明らかになり、かつ本発明自体が理解される。
【００１７】
添付図面において、類似の構成要素は類似の符号で参照する。添付図面における各部品の寸法は、必ずしも正確な尺度でなく図示されているが、説明のため及び視覚的に明確にするためであることが理解される。
【００１８】
図１は、本発明の教示に従って製造され、かつスライダ１４上に取り付けられた電磁コイルアセンブリ１２を有する光磁気データ記憶システム１０を示している。電磁コイルアセンブリ１２は、光磁気（ＭＯ）データ記憶媒体即ちディスク１６から或る距離に配置される。光学的アセンブリ１８が、ディスク１６から或る距離に配置される。本明細書中において使用されるように、「コイルアセンブリ１２」の用語は、「変換器」とも称される。
【００１９】
スライダ１４は、ヘッドジンバルアセンブリの一部を形成し、コイルアセンブリ１２を支持するので、本明細書中支持要素とも称される。コイルアセンブリ１２は、スライダ１４の下面１９に固定される。下面１９は、ディスク１６に対向するスライダ１６の面である。コイルアセンブリ１２は、表示のために概ねスライダ１４の縁部に固定されているように図示されているが、コイルアセンブリ１２が所望の磁場を発生する限り、スライダ１４上又は少なくとも部分的にスライダ１４内のあらゆる適当な位置にコイルアセンブリ１２を固定し得ることは明らかである。
【００２０】
動作時には、レーザビーム２１のような光線が、ディスク１６のＭＯ層２５上にレンズ２３により集光されて入射する。コイルアセンブリ１２は、ディスク１６の例えば２００ミクロン×２００ミクロンの大きな面積に、垂直方向の例えば１５．８ｋＡ／ｍ（２０エルステッド）を超える大きな磁場強度Ｈｚ（図４）を発生させ、ＭＯ層２５に関するデータの変換を可能にする。
【００２１】
コイルアセンブリ１２の詳細について、図２乃至図６を参照しつつ以下に説明する。コイルアセンブリ１２は、或る長さの電気的導体３２で形成された導電コイル３０からなり、薄膜ウエハ処理技術により、或る膜即ちアンダコート層３４（図３、図４）の上に付着され又は形成される。アンダコート層３４は、好ましくはアルミナからなる誘電体膜で形成される。しかしながら、他の適当な柔軟材料（可撓回路又は膜のような）又は硬質誘電材料（シリコンのような）を代わりに用いることができる。アンダコート層３４は、軽量で耐久性を有し、コイルアセンブリ１２のスライダ１４上への組立を容易にする。アンダコート層３４の膜厚は約４〜１２ミクロンであるが、他の寸法を任意に選択することができる。アンダコート層３４は、面取付層、ベース層又は基板とも称することができる。
【００２２】
コイルアセンブリ１２は、小型で質量が小さく、高磁場特性を有する。コイルアセンブリ１２の寸法が小さいことにより、変換器の寸法が小さくなるに連れてインダクタンスが減少することから、特により高い周波数におけるより効率的な設計が可能になる。この低インダクタンスが、コイルアセンブリ１２の共振周波数を高くし、それがデータ記録速度を増加させる。
【００２３】
コイルアセンブリ１２の全質量は、約０．０３グラムから０．０５グラムの範囲内にすることができる。コイルアセンブリ１２の全体寸法は、スライダ下面１９より大幅に小さくすることができる。更に、後述するように、コイルアセンブリ１２は、スライダ下面１９に作用する空気の流れに大きな影響を与えない領域である、完全に有効な空気ベアリング面ではないスライダ下面１９の凹み領域又は段部３９内に配置することができる。その結果、スライダ１４の浮上高さは、コイルアセンブリ１２の存在に大きな影響を受けず、従ってディスク１６の上方におけるスライダ１４の浮上高さの正確な制御を確保することができる。更に、コイルアセンブリ１２の最小厚さは、ヘット積層体アセンブリ（図示せず）の全体Ｚ高さ（例えば、垂直方向の高さ又はディスク間の間隔）を最小にし、それによりディスクドライブ装置を所定の空間において最適数のディスク１４に適応させることができる。本明細書中に記載される特定の数量又は範囲が単なる参照であり、システムの設計仕様によって他の数値を使用し得ることは明らかである。
【００２４】
コイルアセンブリ１２は更に、コイル３０を電気的に接続する２つのボンディング（コンタクト）パッド３５、３６を有する。ボンディングパッド３５、３６は、一般に超音波ワイヤボンディングの用途で使用される電気めっきした軟質の金で形成することができる。更に、コイル３０のアンダコート層３４への膜結合を確実にするために、コイル３０は、任意にヨーク５５（図３及び図５）の一部分を形成する３つのボンディングパッド４１、４２、４３によりアンダコート層３４に固定される。当業者に明らかなように、別の実施例では異なる数のパッドを用いることができる。保持パッド３５、３６が、薄膜付着技術を用いてアンダコート層３４上に形成され、かつコイル３０の端子に接続される。
【００２５】
或る実施例では、コイルアセンブリ１２が更に、アンダコート層３４に形成された１つ又は複数、好適には２つの、一般に同一の、遠位に配置された工具用、位置合わせ及び操作用の孔（図示せず）を、コイル３０の片側に１つずつ有する。この孔は、スライダ１４へのコイルアセンブリ１２の取扱い、位置合わせ及びボンディングを容易にする。
【００２６】
コイルアセンブリ１２は、電気めっき又は蒸着技術を用いて、銅の連続ベース層を付着させたウエハ基板（図示せず）上に製造される。ウエハ基板及び／又はアンダコート層３４に適合する熱膨張率に合わせたＮｉＦｅ「インバール」合金のような他の材料を用いることができる。これは、結果物であるコイルアセンブリ１２の内部応力を制御して、平坦性を維持し、又は所望の程度の曲げを生じさせるのに有用である。この連続銅ベース層膜は、アルミナアンダコート層３４を浸食しないエッチング液中で選択的に溶解可能なことに注意すべきである。前記銅ベース膜の上に、アンダコート層３４を作ることになるアルミナの連続膜を付着させる。次に、（１）チタン２５０／銅５００のような粘着性／導電性めっきベース層のスパッタ成膜、（２）フォトレジストを被覆しかつ露光・転写してめっき型を形成、（３）銅を電気めっきしてコイル導体３２を形成、（４）フォトレジストの除去、及び（５）イオンミリングを用いためっきベース薄層の除去を含む標準的な薄膜処理技術を用いて、アンダコート層３４上にコイル３０を形成する。
【００２７】
次に、フォトレジスト絶縁層５６を塗布することによりコイル３０を保護する（図４）。この時点で前記コイル形成プロセスを繰り返して、必要に応じて多層コイルを追加することができる。次に、ＮｉＦｅ１０００導電めっきベース層を用いた点を除き、コイル３０について上述したと同様の薄膜処理技術を用いて、絶縁したコイル３０をパターニングしかつＮｉＦｅ８１：１９パーマロイで電気めっきしてヨーク５５を形成する。次に、絶縁層３２及びヨーク５５の上に保護のために保護オーバコートアルミナ層９１（図４）を付着させ、かつコイル端子の上を、それに金を付着させてコイル３０へのアクセス可能な電気的接続が得られるように選択的に除去する。次に、コイル３０、ヨーク５５及びオーバコート９１をフォトレジストでマスクして、アンダコート層３４の最終的な形状を描くアイランドを形成し、その下の銅ベース層を露出するために余分なアルミナをエッチングする。次に、銅ベース層を前記アイランドの周囲から及びその下からエッチングする。銅ベース層を完全に溶解させると、コイルアセンブリを画定する個々のアイランドが、例えばハミルトン（Ｈａｍｉｌｔｏｎ）の米国特許第５，１７４，０１２号明細書に記載されているように、前記銅ベース層から解放される。
【００２８】
アンダコート層３４は、実質的に平坦なものと説明されているが、他の形状・形態が可能なことは明らかである。以下に例示するコイルアセンブリ１２の寸法は説明のためのもので、本発明の技術的範囲を制限するものではない。アンダコート層３４の長さＬ（図３）は約１２２０ミクロンである。アンダコート層３４の幅Ｗは約９４０ミクロンである。
【００２９】
本明細書に記載される実施例のコイル３０は、以下の設計目標に適合する又はそれ以上のものであるが、他の設計目標を設定することができる。
−コイル電流：　約３００ｍＡ超
−垂直磁場強度：　約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド）以上
−コイルの自己インダクタンス：　約１７０ｎＨ未満
−静電容量：　約５ｐＦ未満
−抵抗：　約２Ω未満
【００３０】
図４及び図５に記載されるように、導体３２は巻回され、ヨーク５５で被覆され、かつ絶縁層５６内の被包されている。導体３２は、例えば６〜４０ターンの複数の多層巻線５７を有するが、その２層６０、６１のみが図示されている。第１層即ち下側の層６０は、コンタクトパッド３５に接続され、ヨーク５５の中を延長し、かつ渦巻き状に内向きに巻かれ、その終端が最内側巻線６４の端子端部６５となっている（図２及び図６）。第２層即ち上側の層６１は、最内側巻線６８の端子端部６７から開始している（図２、図４及び図６）。第２層６１の最内側端子端部６７は、第１層６０の最内側端子端部６５の上に、それとの電気的接触を確立し、かつコイル３０により形成される電気通路の連続性を確保するために、配置されている。第２層６１は、第１層６０と同様に、かつ同じ巻線方向の複数の同心渦巻き状巻線５７に巻回され、ヨーク５５の中を延長し、かつコンタクトパッド３６で終端している。第１層６０の最内側巻線６４は、一般に円形又は渦巻き形状である中央領域７０（図２乃至図４）を画定する。好適な実施例では、コイル３２は一般に円形又は楕円形であるが、これに代えて他の形状を選択することもできる。
【００３１】
導体３２は、銅のような適当な導電性材料で形成される。導体３２は、その全長に沿って概ね一定の正方形断面を有するように記載されているが、他の適当な形状を選択し得ることは理解される。各巻線５７の断面は、約８ミクロンと約３０μｍとの間で、好適には約８ミクロンと約１６ミクロンとの間で変化する。
【００３２】
巻線５７は、保護絶縁層５６内部に被包され、かつ約２ミクロンと約１２μｍとの間で、好適には約２ミクロンと約８ミクロンとの間で変化する距離で相互に離隔されかつ分離される。絶縁層５６は、フォトレジスト材料のような適当な誘電材料で形成される。
【００３３】
ヨーク５５は、８１Ｎｉ：１９Ｆｅニッケル鉄合金のような適当な強磁性高透磁性材料で形成される。コイル３０の目立った特徴は、ヨーク５５が絶縁層５６及び導体３２の上に形成され、かつ中央領域７０内部に延長することにより、絶縁層５６の上部を覆う一体的な連続層を構成していることである。図４及び図５に関して、ヨーク５５は、使用可能な薄膜ウエハ技術を用いて形成される４つの一体的な（連続）部分、即ち外端部７９、ベース部８０、傾斜（又は中間）部８１、及び中央部８２で形成されている。或る実施例では、外端部７９がコイル３０の外周を被覆し、かつアンダコート層３４へと、又はそれに向けて延長している。別の実施例では、外端部７９が、コイル３０の側部に沿って延長しかつアンダコート３４上で終端するボンディングパッド４１、４２、４３を有する。
【００３４】
ベース部８０は概ね平坦でディスク状をなし、かつ絶縁層５６上に、最上層６１（本実施例では第２層）の上に形成される。ベース部８０は絶縁層５６の内側を覆う傾斜部８１へと一体に即ち連続して延長している。順に、傾斜部８１は、導体３２により画定される中央領域７０内に適合する中央部８２へと連続的に延長している。中央部８２は概ね平坦で、ディスク１６上にデータを書き込み即ち記録するために光線を通過させる孔を有しない。しかしながら、本発明の要部に影響を与えることなく、ヨーク５５の他の設計への変更が可能なことは明らかである。中央部８２は、一般に約９０ミクロンから約１５０ミクロンの範囲の直径の円形（又は楕円形）に形成される。
【００３５】
ヨーク５５は、ＭＯ層２５における磁場を高くするために、ディスク１６のＭＯ層２５近くに延長している（図１）。図４に示すように、磁場強度は、垂直成分Ｈｚと水平成分Ｈｘとを有する。水平成分Ｈｘ又は垂直成分Ｈｚ及び水平成分Ｈｘの組合せを様々な用途に用いて、変換器、コイル、又は変成器に置き換えることができるのに対し、本実施例、即ち図１に示すデータ記憶システムは、ＭＯ層２５の垂直ドメインに記録するために、主に垂直成分Ｈｚを使用する。垂直成分Ｈｚは、ＭＯ層２５の約２００ミクロン×２００ミクロンの面積について約１５．８ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）と約２３．７ｋＡ／ｍ（３００Ｏｅ）との範囲内である。
【００３６】
ヨーク５５の厚さは均一であることが好ましく、約５μｍと約１０μｍの範囲内とすることができる。別の実施例では、ヨーク５５の厚さが均一でなく、ヨーク５５を形成するいずれか１つ又はそれ以上の部分８０〜８２がその他の部分と異なる厚さを有することができる。図４に示す実施例では、ヨーク５５の中央部８２の厚さが、第１層６０の厚さと略等しい。本明細書中に記載される寸法が単に説明のためのものであって、代わりに他の数値を使用できることは明らかである。
【００３７】
図４乃至図７に関して、コイル３０は、保護及び絶縁を追加するためにオーバコート層９１内に少なくとも部分的に被包されている。オーバコート層９１はスライダ１４に固定又は接着されている。
【００３８】
コイル３０、及びより詳細にはヨーク５５及び／又はアンダコート３４は、接着剤のような使用可能な技法によりスライダ１４の下面９３に表面実装し又は接着することができる。或る実施例では、コイルアセンブリ１２の下面がスライダ１４の下面９３と共面関係（即ち、同じ高さ）にある。別の実施例では、前記コイルアセンブリの下面がスライダ下面９３に関して凹んでいる。
【００３９】
図５に関して、コイルアセンブリ１２は、図３のアンダコート層３４とは異なる形状のアンダコート９５を有し、様々な設計の可能性を示している。更に、アンダコート９５（又は３４）は、製造時及び組立時にコイルアセンブリ１２の取扱いを容易にするタブ９６を有することができる。タブ９６は、好適には取外可能であり、後でコイルアセンブリ１２をスライダ１４に固定したときに、線９７に沿って切断することができる。タブ９６は、あらゆる適当な硬質又は半硬質の材料で形成することができ、又はアンダコート層９５の一部として形成することができる。
【００４０】
図１、図４及び図７に関して、コイル３０（より詳細には、ヨーク５５及び／又はアンダコート３４）は、接着剤のような使用可能な技法によりスライダ１４の下面１９に表面実装し又は接着することができる。或る実施例では、下面１９は、スライダの前端縁部１２７にテーパ部１２６（図７）と、平坦な（又は、これに代えてパターン形成された）空気ベアリング面１２８と、スライダの後端縁部１３０に凹み領域３９とを有する。
【００４１】
テーパ部１２６は、スライダの前端縁部１２７に揚力が発生し得るようにし、かつ好適には、平坦な空気ベアリング面１２８に関して約４０度の角度に傾斜している。別の実施例では、他の値の傾斜角度を選択し得ることが理解される。空気ベアリング面１２８は、スライダ１４の浮上高さを制御する。特定の用途で比較的高い浮上高さが要求される場合、前記空気ベアリング面は平坦にされ、かつサイドレールは設けられない。サイドレール１４１（図７に破線で示す）は、任意で追加して、スライダの浮上高さを制御することができる。浮上高さは、例えば約０．５μｍと約１μｍとの間で変化させることができる。
【００４２】
凹み領域３９は、スライダ後端縁部１３０の略全幅に沿って形成されて、スライダ１４の製造工程を容易にする。しかしながら、破線１４３（図７）で示すように、凹み領域３９は、スライダの後端縁部１３０の幅に沿って所望の長さに延長させることができる。凹み領域３９は、空気ベアリング面として最小の役割を果たすことが好ましいにも拘わらず、本発明の開示によれば、空気ベアリング面に所望の程度の影響を与えるように、凹み領域３９の深さを変化させることが予測可能であることが理解される。
【００４３】
好適な実施例では、コイルアセンブリ１２の下面１２４（図１、図４及び図１１）が、空気ベアリング面１２８に関して凹んでいる。別の実施例では、下面１２４が空気ベアリング面１２８と共面関係（即ち、同じ高さ）にある。
【００４４】
スライダ１４は、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ　Ｅｑｕｉｍｅｎｔ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ（ＩＤＥＭＡ）による、長さ４０６４μｍ（０．１６０インチ）、幅３１７５μｍ（０．１２５インチ）、及び高さ８８９μｍ（０．０３５インチ）のミニスライダの一般的な寸法を有する。しかしながら、他のスライダ寸法を使用可能であることは明らかである。スライダ１４は、実質的に平坦で矩形の裏面１３１と、４つの垂直で平坦な側面とを有する。
【００４５】
図７に関して、テーパ部１２６の幅ＷＴは約３８１μｍ（１５ｍｉｌ）とすることができる。凹み領域３９の幅は約９９１μｍ（３９ｍｉｌ）とすることができる。凹み領域３９の深さは約８９μｍ（３．５ｍｉｌ）とすることができる。
【００４６】
スライダ１４は、Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣのような適当な材料で形成することができる。１対の導体１３５、１３６がそれぞれボンディングパッド３５、３６に接続され、かつスライダ後端縁部１３０に沿って凹み領域３９内に延長している。
【００４７】
図８、図９、図１１乃至図１３は、本発明の別の実施例によるスライダ２００を示している。図８は、ロードビーム２０４及びフレクシャ２０６で形成されたサスペンション２０２に固定されたスライダ２００を示している。最大の浮上高さが要求される実施例では、スライダ２００の略幾何学的中心２０９（図９）において約０〜０．５グラムの範囲にあるグラム荷重を発生させるように、ロードビーム２０４に比較的小さいグラム荷重を印加する。しかしながら、サスペンション２０２に印加されるグラム荷重は、所望の用途により変化させることができる。
【００４８】
図１１は、スライダ２００上で揚力を平衡させるために、ロードビーム２０４の中心縦軸Ａ−Ａに関して偏倚させたスライダ２００を示している。偏倚距離は約５０８μｍ（２０ｍｉｌ）とすることができ、約１０１．６μｍ（４ｍｉｌ）と約１０１６μｍ（４０ｍｉｌ）との間で変化させることができる。図１０に示すように、スライダが長手方向（半径方向）に配向されているような設計の場合には、スライダ２００をサスペンション２０２に関して偏倚させる必要はない。
【００４９】
スライダ２００は概ねスライダ１４に類似しているが、更にスライダ２００の後端縁部１３０内に形成された少なくとも１本の垂直方向のチャネル（即ち、第１チャネル）２２０を備える。本明細書中で使用されているように、「垂直」、「水平」、「上」、「下」、「上側」、「下側」のように向き又は配向を示す用語は、スライダに関連するものである。準拠枠が必ずしも通常の重力作用による準拠枠である必要はないことが理解される。チャネル２２０は、凹み領域３９の深さ全体を延長する。導体２３５、２３６がそれぞれボンディングパッド３５、３６に固定され、かつアンダコート３４及びチャネル２２０の中を、ロードビーム２０４の片側に沿って延長している。チャネル２２０は、導体２３５、２３６の寸法に相応する十分な幅を有する。例えば、チャネル２２０の幅は、約３８１μｍ（１５ｍｉｌ）と約１５２４μｍ（６０ｍｉｌ）との間で変化させることができる。本明細書中に記載される様々なチャネルが、「垂直」又は「水平」方向のチャネルとされているが、「垂直」及び「水平」の用語が、特定の配向又は角度位置よりはむしろ、チャネルの一般的な角度位置を表すことを意図していることは明らかである。
【００５０】
チャネル２２０は、凹み領域３９を２つの小領域３９Ａ、３９Ｂに分割する。コイルアセンブリ１２は、これら小領域の一方、例えば３９Ｂに固定される。上述したように、凹み領域３９は、スライダ２００に作用する空気の流れに大きな影響を与えないので、別のコイルアセンブリ１２のようなデバイス２５５（破線で示す）、電子デバイス（例えば、増幅器等）、又は光学的デバイス（例えば、レーザダイオードチップ等）を配置し得る「収容」領域として用いることができる。図１１は、小領域３９Ａに配置されたものとしてのデバイス２５５を示している。デバイス２５５が導体２５７に接続された場合には、導体２５７もチャネル２００の中を通過させることができる。
【００５１】
スライダの後端縁部１３０は、任意により、スライダ２００の前面に形成された１つ又は複数の水平方向のチャネル（即ち第２チャネル）２６０、２６１（破線で示す）を有することができる。これら水平方向のチャネル２６０、２６１は、垂直方向のチャネル２２０に関して或る角度で形成される。水平方向のチャネル２６０、２６１の少なくとも一方は、垂直方向のチャネル２２０に接続することができる。図１１は、２つの水平方向のチャネル２６０、２６１を垂直方向のチャネル２２０に対して直角であるように表されているが、他のチャネル及び角度の値を選択し得ることは理解される。１つ又は複数の水平方向のチャネル、例えば図１３に示すチャネル２６０が、スライダの側部２６９の全長又は一部分に沿って、スライダの裏面１３１に、ロードビーム２０４に向けて延長している。チャネル２６０、２６１の幅は所望の用途によって変化する。
【００５２】
図１０は、ロードビーム２０４に関して長手方向又は半径方向に配置されたスライダ２００を示している。サスペンション２０２及び図１０の長手方向に配置したスライダ２００は、回転式アクチュエータ又はウィンチェスタ型式のヘッドジンバルアセンブリに使用することができる。サスペンション２０２及び図９の横方向に配置したスライダ２００は、直線式アクチュエータ型式のヘッドジンバルアセンブリに使用することができる。
【００５３】
図１４は、本発明の別の実施例によるモジュラスライダ２８８を示している。スライダ２８８は、接着層２９５のような使用可能な技術により一体に固定された上部２９０と下部２９２とで形成される。スライダ上部２９０は、任意によりスライダ下部２９２より薄くすることができる。スライダ上部２９０は、スライダ前縁端部のテーパ部１２６と平坦な空気ベアリング面１２８とを有する。凹み領域３９が、スライダ上部２９０の後端縁部２９９とスライダ下部２９２の上面３００とにより画定される。スライダ上部２９０は、スライダ下部２９２から分離して形成することができる。図１５は、スライダ上部２９０の上面図である。図１６は、スライダ下部２９２の上面図である。スライダ下部２９２は、基本的にその後端縁部３３０に垂直方向のチャネル２２０を形成したブロック３０２である。
【００５４】
本発明の技術的範囲内において、本明細書中に記載した各構成要素のジオメトリ、組成、及び寸法を変更し得ることが理解される。更に、ディスクドライブ装置に関連してコイルアセンブリ１２を説明したが、別の実施例では、それらに制限するものではないが、無線通信用アンテナ（即ち携帯電話）、超小型電気機械式センサ（ＭＥＭＳ）、運動を発生させるための小型誘導器、磁気記憶デバイス、変成器等を含む様々な用途にコイルアセンブリ１２を使用し得ることは明らかである。更に、光学式又はＭＯデータ記憶システムに関連してスライダを説明したが、他の磁気システム又は他のデータ記憶システムについて使用可能なことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、スライダ上に取り付けられかつ光学式アセンブリに関してディスクの反対側に配置された本発明の電磁コイルアセンブリを示す光磁気データ記憶システムの部分的な部分断面側面図である。
【図２】
図２は、下部層又は第１層及び２つのコンタクトパッドを示す図１のコイルアセンブリに使用されるコイルの拡大底面図である。
【図３】
図３は、２つのコイル層を分離する絶縁層無しで、アンダコート層上に形成された２層コイルを示す図２のコイルアセンブリの底面図である。
【図４】
図４は、スライダ上に取り付けられた図３の４−４線におけるコイルの拡大断面側面図で、該コイルにより発生する磁場、ヨーク、及び２つのコイル層を分離する絶縁層を示しているが、オーバコート保護層は図示していない。
【図５】
図５は、図３のものとは異なる形状を有するアンダコート層（又は支持部材）の上に形成され、又はそれに接着された図１乃至図４に示すコイルの部分断面斜視図である。
【図６】
図６は、コイルの一部分を形成する図３の線６におけるコイル上導体の部分断面図で、別の導体層の端子端部上に重ねた導体層の端子端部を示している。
【図７】
図７は、本発明の第１実施例により形成されたスライダ上に取り付けられた図１のコイルアセンブリを示す底面図である。
【図８】
図８は、ヘッドジンバルアセンブリ及びヘッド積層アセンブリにおいて使用するためのサスペンションに固定された図１乃至図７のコイルアセンブリを示す、本発明による別のスライダの実施例の上方から見た斜視図である。
【図９】
図９は、サスペンションに関して横方向に配向された図８のスライダ及びコイルアセンブリの下方から見た拡大斜視図である。
【図１０】
図１０は、サスペンションに関して軸方向位置に配向されたスライダを示す、図８のスライダ及びコイルアセンブリに類似するスライダ及びコイルアセンブリの拡大斜視図である。
【図１１】
図１１は、図１０のスライダ及びコイルアセンブリの前面図である。
【図１２】
図１２は、図１０のスライダ及びコイルアセンブリの上面図である。
【図１３】
図１３は、図１０のスライダ及びコイルアセンブリの側面図である。
【図１４】
図１４は、本発明の別の実施例によるモジュラスライダの側面図である。
【図１５】
図１５は、図１４のモジュラスライダの一部を形成するスライダ上部の上面図である。
【図１６】
図１６は、図１４のモジュラスライダの一部を形成するスライダ下部の上面図である。
【国際公開パンフレット】
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【手続補正書】
【提出日】平成11年11月26日(1999.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを支持するためのスライダであって、
空気ベアリング面と、前記デバイスを受容する凹み領域とを有する下面と、
前端縁部及び後端縁部とを備え、
前記凹み領域が、実質的に前記後端縁部の幅に沿って概ね配置され、
前記後端縁部の実質的に深さ全体に沿って前記凹み領域から延長するチャネルを有することを特徴とするスライダ。
【請求項２】
前記空気ベアリング面が概ね平坦であることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項３】
前記空気ベアリング面が更に少なくとも１つのサイドレールを有することを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項４】
前記凹み領域が、前記スライダの幅に沿って所望の長さに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項５】
前記チャネルが前記凹み領域を２つの小領域に分割していることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項６】
前記デバイスが下面を有し、かつ該下面が前記空気ベアリング面に関して凹んでいることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項７】
前記デバイスが下面を有し、該下面が前記空気ベアリング面に関して実質的に同じ高さであることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項８】
前記テーパ部の幅が約３８１μｍ（１５ｍｉｌ）であり、前記凹み領域の幅が約９９１μｍ（３９ｍｉｌ）であり、かつ前記凹み領域の深さが約８９μｍ（３．５ｍｉｌ）であることを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項９】
前記デバイスが、前記凹み領域に沿って延長する導体部を有することを特徴とする請求項５に記載のスライダ。
【請求項１０】
前記デバイスが一方の前記小領域に固定され、前記導体部が前記チャネルの中を延長していることを特徴とする請求項９に記載のスライダ。
【請求項１１】
前記デバイスが、前記チャネルに沿って延長する導体部を有することを特徴とする請求項１に記載のスライダ。
【請求項１２】
前記第１チャネルに関して或る角度で形成された第２チャネルを更に有することを特徴とする請求項１１に記載のスライダ。
【請求項１６】
デバイスを支持するためにスライダが固定されるサスペンションを有するヘッドジンバルアセンブリであって、前記スライダが、
テーパ部、空気ベアリング面及び、前記デバイスを受容する凹み領域を有する下面と、
前端縁部及び後端縁部とを備え、
前記凹み領域が、実質的に前記後端縁部付近に配置され、
前記後端縁部の実質的に深さ全体に沿って前記凹み領域から延長するチャネルを有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１７】
約０ｇ〜約０．５ｇの範囲のグラム荷重を前記ロードビームに印加することを特徴とする請求項１６に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１８】
前記スライダが、前記ロードビームの中心縦軸Ａ−Ａに関して偏倚した幾何学的中心を有することを特徴とする請求項１６に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
前記デバイスが電磁コイルであることを特徴とする請求項１６に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２０】
前記デバイスが増幅器であることを特徴とする請求項１６に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２１】
前記空気ベアリング面がパターン形成されていることを特徴とする請求項１に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２２】
絶縁材料で形成されたアンダコートと、
前記アンダコート上に形成された導体部を有し、前記アンダコート付近に中央領域を画定し、かつ前記導体部の少なくとも一部分が前記中央領域の周囲にパターン形成された薄膜コイルと、
中間部及び中央部に一体的に延長するベース部を有するヨークとを備え、
前記ヨークのベース部及び前記中間部が少なくとも前記コイルの一部分の上に配置され、
前記ヨークの中央部が、前記コイルにより発生して該ヨークの中央部を通る磁場への経路の提供するために、前記コイルの中央部内に前記アンダコートの少なくとも一部分の上に配置され、かつ前記中央領域内に延長し、かつ
前記磁場が、前記アンダコートの中及び下側に延長する垂直方向の磁場成分を有することを特徴とする薄膜コイルアセンブリ。
【請求項２３】
前記ヨークの中央部が、前記アンダコートに直接接触して形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２４】
前記ヨークの中央部が実質的に平坦であることを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２５】
前記ヨークの中央部が硬質であり、かつ開口を有しないことを特徴とする請求項２２又は２３のいずれかに記載のコイルアセンブリ。
【請求項２６】
前記ヨークの中間部にテーパが付されていることを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２７】
前記ベース部が実質的に平坦であり、かつ絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２８】
前記ヨークが、前記ベース部から一体的に前記コイルの外面上に延長し、かつ前記アンダコート上又はその近接する位置で終端する外端部を更に有することを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項２９】
前記コイルが、約３００ｍＡ以上の電流に耐久可能であり、
前記コイルが約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド）以上の強度の垂直磁場を発生することができ、かつ前記コイルが約２オーム以下の抵抗を有することを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３０】
前記アンダコートがアルミナ又はシリコンのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３１】
前記コイルが第１巻線層及び第２巻線層を有し、
前記第１巻線層が内向きに渦巻状に巻回され、かつ端子端部を有する最内側ターンで終端し、かつ
前記第２巻線層が、前記第１巻線層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を、それとの電気的接触を確立し、かつ前記コイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために備えることを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３２】
前記第１巻線層が第１コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が第２コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が、前記第１巻線層と同様に、かつ同じ方向に巻回した複数の同心状コイルに巻回されていることを特徴とする請求項３１に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３３】
前記アンダコートが、製造及び組立て時に前記コイルアセンブリの取扱いを容易にするタブを有することを特徴とする請求項２２又は２３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３４】
空気ベアリング面を画定するスライダを有する光学式又は光磁気データ記憶システムにおいて使用するためのコイルアセンブリであって、
絶縁材料で形成されたアンダコートと、
導体部を有し、かつ前記アンダコートに固定され、前記アンダコート付近に中央領域を画定し、少なくとも前記導体部の一部分が前記中央領域の周囲にパターン形成される薄膜コイルと、
前記スライダに取りつけるための、中央部及び中間部に一体的に延長するベース部を有するヨークとを備え、
前記ヨークのベース部及び前記中間部が少なくとも前記コイルの一部分の上に配置され、
前記ヨークの中央部が、前記コイルにより発生して該ヨークの中央部を通過する磁場への経路を提供するために、前記コイルの中央領域内に前記アンダコートの少なくとも一部分の上に形成されかつ重ねられて前記中央領域内に延長し、
前記ヨーク中央部が前記スライダの空気ベアリング面と概ね平行をなし、
前記磁場が、前記アンダコートの中及び下側に延長する垂直磁場成分を有することを特徴とするコイルアセンブリ。
【請求項３５】
前記ヨークの中央部が、前記アンダコートに直接接触して形成されていることを特徴とする請求項３４に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３６】
前記ヨークの中央部が実質的に平坦であることを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３７】
前記ヨークの中央部が硬質であり、かつ開口を有しないことを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３８】
前記ヨークの中間部にテーパが付されていることを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項３９】
前記ベース部が実質的に平坦であり、かつ絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４０】
前記ヨークが、前記ベース部から一体的に前記コイルの外面上に延長し、かつ前記アンダコート上又はその近接する位置で終端する外端部を更に有することを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４１】
前記コイルが、約３００ｍＡ以上の電流に耐久可能であり、
前記コイルが約１５．８ｋＡ／ｍ（２００エルステッド）以上の強度の垂直磁場を発生することができ、かつ前記コイルが約２オーム以下の抵抗を有することを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４２】
前記アンダコートがアルミナ又はシリコンのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４３】
前記コイルが第１巻線層及び第２巻線層を有し、
前記第１巻線層が内向きに渦巻状に巻回され、かつ端子端部を有する最内側ターンで終端し、かつ
前記第２巻線層が、前記第１巻線層の最内側端子端部に重なる最内側端子端部を、それとの電気的接触を確立し、かつ前記コイルにより形成される電気通路の連続性を確保するために備えることを特徴とする請求項３４又は３５に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４４】
前記第１巻線層が第１コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が第２コンタクトパッドに接続され、
前記第２巻線層が、前記第１巻線層と同様に、かつ同じ方向に巻回した複数の同心状コイルに巻回されていることを特徴とする請求項４３に記載のコイルアセンブリ。
【請求項４５】
前記アンダコートが、製造及び組立て時に前記コイルアセンブリの取扱いを容易にするタブを有することを特徴とする請求項３４又は４４に記載のコイルアセンブリ。