(57)【要約】本方法は、基板処理チャンバに配置されたシリコン基板を処理する方法で、基板を基板処理チャンバに移送するステップを有する。基板は、ハードマスクの一部を露出するために、基板上に形成されたハードマスク及びハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有する。チャンバは、ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式である。本方法は、ハードマスクの下にあるシリコン基板の一部を露出するために、ハードマスクの露出した部分をエッチングするステップを有する。その後、露出したシリコン基板は、ソース電力装置からＲＦエネルギーを印加し、基板に向かうプラズマをバイアスすることによって、第２のプロセスから生成される第２のプラズマに基板を曝すことによってエッチングされる。基板は、基板処理チャンバから移送される。
2004507086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板を処理する方法であって、
前記基板処理チャンバ内に、基板上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスクの一部を露出するように前記ハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有する基板を備えるステップと、
前記ハードマスクの下にあるシリコン基板の一部を露出するために、前記ハードマスクの露出した部分をエッチングするステップと、
その後、前記ハードマスクを除去するために第１のプロセスガスから生成された第１のプラズマに前記パターン化したホトレジストを曝すステップと、
その後、前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、前記基板に向けて第２のプラズマをバイアスすることによって、第２のプロセスガスから生成される前記第２のプラズマに前記基板を曝すことによって、前記露出したシリコン基板上にトレンチをエッチングするステップと、
前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トレンチの各々は、特定の幅、深さ及び傾斜を有し、前記方法は、更に、前記処理チャンバの副産物を除去するために、バイアス電力を供給することなく又は最小のバイアス電力を供給して、基板処理チャンバにハロゲンソースを含む第３のプロセスガスから生成される第３のプラズマに前記シリコン基板を曝すステップを有し、前記トレンチの幅、深さ及び傾斜は、前記第３のプロセスガスから点弧されたプラズマによって著しく変えられないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン基板をプラズマに曝すステップは、パターン化されたホトレジストが除去される前に行われることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン基板をプラズマに曝すステップは、前記基板がエッチングされた後に行われることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記パターン化されたホトレジストをプラズマに曝すステップは、
前記第１のプラズマに前記ホトレジストを曝している間、前記処理チャンバを低圧に維持するステップと、
酸素ガスを５００ｓｃｃｍ以下で前記処理チャンバに流すステップと、
バイアス電力を前記処理チャンバに供給するステップと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理チャンバは、５０ｍＴ以下に保たれ、前記酸素ガスは、１００ｓｃｃｍ以下で前記処理チャンバに流され、且つ、約０．１６ワット／ｃｍ２以下のバイアス電力が供給されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板を処理する方法であって、
前記基板処理チャンバ内に、基板上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスクの一部を露出するように前記ハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有する基板を備えるステップを有し、前記ホトレジスト及び前記ハードマスクは、それぞれ第１の厚さ及び第２の厚さを有し、ホトレジストの第１の厚さは、前記ハードマスクの第２の厚さの約２倍以下であり、
前記処理チャンバ内に点弧された第１のプラズマを前記パターン化されたホトレジスト及び前記ハードマスクの部分に曝して前記ハードマスクを開口し、且つハードマスクの開口を規定するステップを有し、前記パターン化されたホトレジストの一部が消費され、
その後、パターン化されたホトレジストを前記処理チャンバ内で点弧された第２のプラズマに曝して、前記ハードマスクから残りのホトレジストをストリップするステップを有し、前記残りのホトレジストは第３の厚さを有し、
その後、前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、前記基板に向けて第２のプラズマをバイアスすることによって、前記処理チャンバ内に点弧された第３のプラズマに前記基板を曝すことによって、前記ハードマスクの開口の下にあるシリコン基板の選択された部分上に特定の深さのトレンチをエッチングするステップと、
前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記トレンチの各々は、特定の幅、深さ及び傾斜を有し、前記方法は、更に、
前記処理チャンバにおける副産物を除去するために、バイアス電力を供給することなく、又は最小のバイアス電力を供給して基板処理チャンバ内にハロゲンソースを含むプロセスガスから前記処理チャンバ内に点弧された第４のプラズマに前記シリコン基板を曝すステップを有し、前記トレンチの前記幅、深さ、及び傾斜は、前記第３のプロセスガスから点弧されたプラズマによって著しく変えられないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ホトレジストの第１の厚さは、約３０００Å以下であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ハードマスクの第２の厚さは、１５００Å以下であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ホトレジストの第１の厚さは、２０００Å以下であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ホトレジストの第３の厚さは、９００Å以下であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記トレンチは、約３０００Åの深さまでエッチングされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板上にトレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
前記基板を前記基板処理チャンバヘ移送するステップを有し、前記基板は、その上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有し、
前記ハードマスクの選択された部分をエッチングして、前記ハードマスクの下にあるシリコン基板の部分を露出するステップと、
その後、前記ホトレジストを前記処理チャンバ内で点弧されたプラズマに曝すことによって、前記ホトレジストを除去するステップと、
その後、前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、前記基板に向けてプラズマをバイアスすることによって第１のエッチャントガスから生成されたプラズマに前記基板を曝すことによって、前記露出されたシリコン基板をエッチンすするステップと、
前記処理チャンバ内の副産物を除去するために、バイアス電力を供給することなく、又は約０．１６ワット／ｃｍ２以下のバイアス電力を供給して、前記基板処理チャンバ内にハロゲンソースを含む第２のエッチャントガスから生成されるプラズマを点呼するステップと、
前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１５】
基板処理システムであって、
基板処理チャンバと、
ガスを前記基板処理チャンバへ流すように構成されたガス分配装置と、
前記基板処理チャンバ内にあるガスから前記基板の処理チャンバにプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成装置と、
バイアス電力をペデスタルに供給するように構成されたバイアス電力発生装置と、
前記基板処理チャンバへ、及び前記基板処理チャンバから前記基板を移送するように構成された基板移送装置と
前記ガス分配装置、プラズマ生成装置、バイアス発生装置、及び基板移送装置を制御するためのコントローラと、
前記コントローラに接続されたメモリと、前記メモリは、前記基板処理システムの動作を指示するためのコンピュータ読取可能媒体に組込まれたコンピュータ読取可能プログラムを有するコンピュータ読取可能媒体を有し、
前記コンピュータ読取可能プログラムは、
（ｉ）基板を前記基板処理チャンバヘ移送するため前記基板移送装置を制御するコンピュータ命令を有し、前記基板は、前記ハードマスクの部分を露出するように基板上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスク上にあるパターン化されたホトレジストを有し、。
（ｉｉ）前記ハードマスクの露出した部分をエッチングして、前記ハードマスクの下にあるシリコン基板を露出するために、前記プラズマ生成装置を制御するコンピュータ命令と、
（ｉｉｉ）前記パターン化されたホトレジストを第１のプロセスガスから生成される第１のプラズマに曝して、前記ステップ（ｉｉ）の後に前記ハードマスクから前記ホトレジストを除去するために、前記プラズマ生成装置を制御するコンピュータ命令と、
（ｉｖ）前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、基板に向けて前記プラズマをバイアスすることによって第２のプロセスガスから生成される第２のプラズマに前記基板を曝すことによって、前記露出した基板上にトレンチをエッチングするために、プラズマ生成装置及びバイアス電力発生装置を制御するコンピュータ命令と、
（ｖ）前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するために前記基板移送装置を制御するコンピュータ命令と、
を有することを特徴とする基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、シリコンをエッチンする方法に関する。特に、本発明は、同じチャンバ内でホトレジストの除去及びシリコンのエッチングステップを行なう一体化したシリコンエッチングプロセスに関する。
【０００２】
（発明の背景）
今日の半導体チップは、一般に数ミクロンの大きさのトランジスタを含む。短絡回路が隣接するトランジスタ間に生じないように、絶縁構造がトランジスタ間に設けられる。１つの共通に使用される絶縁構造は、浅いトレンチ分離（ｓｈａｌｌｏｗ ｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ： ＳＴＩ）構造である。このＳＴＩ構造は、一般にエクスサイチュ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）ハードマスクＳＴＩまたはインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ホトレジストＳＴＩ手法を用いて行われていた。
【０００３】
ｅｘ−ｓｉｔｕハードマスク手法は、一般にシリコン基板上に連続してパッド酸化物層と窒化シリコン層を形成するステップを含む。ホトレジスト層が窒化物層上に形成され、その後パターン化される。基板は第１のチャンバに移送されて、下層の窒化物と酸化物層の露出した部分を除去する。その後、基板は第２のチャンバに移送されてホトレジストを除去する。その後、基板は第３のチャンバに移送され、シリコン基板の露出した部分をエッチングし、誘電体材料、例えばＳｉＯ２で続いて充填されるトレンチを形成し、浅いトレンチ分離構造を生成する。第１、第２及び第３のチャンバの各々は、その特定のエッチング動作を行うように最適化されている。この手法の１つの問題点は、それがウエハ当たりのコストを増加させる少なくとも３つの異なるエッチングチャンバを必要とすることである。さらに、これら３つのチャンバへ、及びチャンバから基板を移送することはスループットを減少し、粒子及び／または損傷の制御問題を生じる。
【０００４】
これらの欠点を念頭において、ｅｘ−ｓｉｔｕハードマスク手法より１つの小さなチャンパを用いるｉｎ−ｓｉｔｕホトレジスト手法が最近広範に使用されている。このプロセスは、一般にシリコン基板上に連続してパッド酸化物層と窒化シリコン層を形成するステップを含む。ホトレジスト層が窒化物層上に形成され、その後パターン化される。基板は、シリコンエッチングチャンバへ移送される。下層の窒化物と酸化物層の露出した部分がエッチングされて、シリコン基板の選択された部分を露出する。その後、同じチャンバ内で、基板の選択された部分がエッチングされてトレンチを形成する。その後、基板はホトレジストのストリップチャンバ、例えば、同じチャンバヘ移送されて、パターン化されたホトレジストをストリップする。
【０００５】
ｉｎ−ｓｉｔｕホトレジスト手法は、ｅｘ−ｓｉｔｕハードマスク手法よりスループットを向上し、粒子／損傷の制御問題の管理を良くするけれども、前者の手法は幾つかのそれ自体の問題を生じる。１つの問題は、シリコンエッチングステップからの副産物、例えばＳｉＯ２が残りのホトレジストと混ざるので、ホトレジストが、もし、シリコンエッチングステップ後に除去されるなら、ストリップするのが困難になることである。他の問題は、ｉｎ−ｓｉｔｕ方法は、ｅｘ−ｓｉｔｕハードマスクステップ中に増加したプロファイルのマイクロローディング効果を生じることである。前者は、一般に、８５度のテーパ角を有するように向けられタトレンチに対して８〜１０度またはそれ以上の違いを有する。比較すると、後者は、一般に向けられた構造に対して３〜５℃の違いを生じる。プロファイルのマイクロローディング効果は、ｄｅｎｓｅ領域におけるトレンチテーパ角とｉｓｏ領域におけるそれらの相違を言う。さらに、ｉｎ−ｓｉｔｕホトレジスト手法は、ｅｘ−ｓｉｔｕハードマスク手法に関して増加したエッチング速度のマイクロローディング効果を生じることである。前者は、一般に、約３５００Åの深さまでエッチングされるトレンチに対して、３００Åまたはそれ以上のエッチング速度の深さの違いを生じる。比較すると、後者は、実質的に同じ構造に対して約２００Åまたはそれ以下のエッチング速度の深さの違いを有する。エッチング速度のマイクロローディング効果は、ｄｅｎｓｅ領域とｉｓｏ領域におけるエッチング速度の深さの相違を言う。
【０００６】
したがって、ｉｎ−ｓｉｔｕホトレジストステップのＳＴＩ手法に関連した欠点がなく、スループットを増大し、粒子／欠陥の制御を改善することができるＳＴＩ手法を開発することが必要である。
【０００７】
（発明の概要）
本発明は、シリコンをエッチングするための改良された方法を提供する。本発明の実施の形態は、同じチャンバ内でホトレジストのストリップ方法及びシリコンのエッチングステップを行なうことを教示する。本発明は、シリコン基板の処理のスループットを増加する。
【０００８】
本発明の１つの実施の形態によると、基板の処理チャンバに配置されたシリコン基板を処理する方法は、基板を基板の処理チャンバヘ移送するステップを含む。基板は、その上に形成されたハードマスク及びハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有し、ハードマスクの一部を露出する。チャンバは、ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式である。本方法は、更に、ハードマスクの露出した部分をエッチングし、ハードマスクの下にあるシリコン基板の一部を露出するステップを有する。その後、パターン化されたホトレジストは第１のプロセスガスから生成される第１のプラズマに曝されて、ハードマスクからホトレジストを除去する。その後、露出したシリコン基板は、ソース電力装置からのＲＦエネルギーを与え、基板に向かうプラズマをバイアスすることによって第２のプロセスガスから生成される第２のプラズマに基板を曝すことによってエッチングされる。基板は、基板処理チャンバから外へ移送される。
【０００９】
本発明のこれらの及び他の実施の形態ばかりでなく、その利点や特徴は、以下のテキスト及び添付図面と共により詳細に説明される。
【００１０】
（発明の実施の形態）
Ｉ．代表的チャンバ
図１Ａは、本発明の方法が実施される代表的半導体ウエハの処理システム１００の概略図を示す。このシステム１００は、処理チャンバ１０１、ソース電源１０５、バイアス電源１０６及びコントローラ１４０を有する。処理チャンバ１０１は、ドーム１０３、円筒形の側壁１１１、及び底部１１３によって画定されたプロセス空間１０４を有する。ドーム１０３は、一般に誘電体材料、例えばセラミックまたはクォーツから作られる。側壁１１１と底部１１３は、一般に金属、例えばアルミニウムまたはステンレススチールから作られる。ソース電源１０５は、ＲＦ信号（例えば、１２．５６ＭＨｚ）をアンテナ１０２に結合する。アンテナ１０２は、上部１０３近くに配置された複数の巻線を有し、空間（ボリューム）１０４に配置されたプロセスガスを励起するＲＦ電磁界を発生して、プラズマを生成及び／または維持する。
【００１１】
点線で示されたロボットアーム１１２は、ウエハ１１０を、スリットバルブ１１４を介して処理チャンバの中へ、及び処理チャンバから外ヘ移送する。基板の処理中に、形成された集積回路構造を部分的に含む半導体ウエハがペデスタル（静電チャック）１０７上に支持される。ウエハ１１０は、処理を容易にするためにプラズマに曝される。プラズマ１３０からのイオン及び電子がウエハ１１０を攻撃する。電子はイオンより多く移動するので、イオンより多くの電子がウエハを叩く。結果的に、ウエハ１１０は負にバイアスされる。負のバイアスは、プラズマからの正の電子をウエハに向けて加速する。ペデスタル、従ってウエハは、バイアス電源１０６によってペデスタルに供給されたＲＦ信号（４００ＭＨｚまたは１３．５６ＭＨｚ）によってバイアスされる。プラズマ１３０におけるイオン密度は、アンテナ１０２に供給された信号によって主に制御され、一方、イオンのエネルギーは、ペデスタル１０７に供給された信号によって主に制御される。
【００１２】
チャンバ１０１内の温度は、チャンバの側壁１１１及びドーム１０３内の個別の熱交換通路（図示せず）を通る流体を循環することによって部分的に制御される。エッチングされる基板の温度は、ペデスタル１０７内の通路（図示せず）によって基板の裏面に加えられるガスのコンビネーションによって、及びペデスタル内の熱交換通路（図示せず）を通る流体を循環することによって制御される。
【００１３】
プロセスモニター１０８が処理チャンバ１０１内の状態を監視する。プロセスモニターは、チャンバ１０１内に生じるプロセスに依存する条件を測定するためのあらゆるセンサー、またはセンサーの組合わせである。一例として、プロセスモニター１０８は分光光度計（ｏｐｔｉｃａｌ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ： ＯＥＳ）である。このＯＥＳはプラズマ１３０からの放射線の放出を監視する。この放射線は、処理チャンバ１０１に生じるプロセスの進展に依存する。代わりに、プロセスモニター１０８は、ウエハ１１０の表面にエッチングされたトレンチの深さのような高さを測定するための干渉計を有することができる。この干渉計は、トレンチの上部及び底部から反射された光の干渉によってトレンチの深さを測定する。もし、プロセスモニター１０８がＯＥＳまたは干渉計であれば、チャンバ１０１内からの放射は、サファイアまたはクォーツの上部１０３のような透明な開口を通してプロセスモニターと結合される。代わりに、この目的のために、分離した窓を上部１０３または側壁１１１に設けることができる。
【００１４】
プロセスモニター１０８及びシステム１００のいろいろな要素はコントローラ１４０に結合される。コントロラー１４０は、処理チャンバ１０１に生じるプロセスを開始し、監視し、調整し、及び停止するために必要な信号を提供するハードウエアを有する。処理チャンバ１０１は、例えば、Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ， ＣａｌｉｆｏｒｎｉａにあるＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社によって製造された減結合プラズマソース（ｄｅｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｓｏｕｒｃｅ： ＤＰＳ）エッチングチャンバである。チャンバ１０１は、半導体ウエハを処理するために必要な要素を有する。
【００１５】
チャンバ１０１の外部は、一般に周囲の大気圧にあり、チャンバ１０１の内部は処理中減少された圧力に保たれている。排気装置１０９はチャンバ１０１の内の圧力を調整する。ガスパネル１２０は、ガスライン１２２とバルブ１２４を介してチャンバ１０１へプロセスガスを送出する。プロセス、例えばエッチングプロセスにおいて、プラズマ１３０は、ＲＦ電力をプロセスガスヘ与えることによってチャンバ内に生成される。ＲＦ電源１０５は、チャンバ内にプラズマを点弧し、維持するために、アンテナを励振する。この分野の当業者は、複数のステップがチャンバ１０１内にプラズマを励起する、即ち、プロセスガスを供給する、ソース電力をアンテナヘ与える、バイアス電力をペデスタルに与えるなどのために必要であることを認識するであろう。これらのステップは、さらに説明するまでもなくこの分野の当業者が行うことができるだであろう。
【００１６】
本発明の方法は、プロセッサベースのシステムコントローラ、例えば図１Ａのコントローラ１４０によって、制御されるシステムにおいて実施することができる。図１Ｂは、このような能力用いられるシステムコントローラ１４０を有する図１Ａに示されるような処理システム１００のブロック図を示す。システムコントローラユニット１４０は、コンピュータ読取可能なメモリ１６２、大容量記憶装置１６４、入力制御装置１６６及び表示装置１６８と共に動作可能なプログラム可能な中央処理装置（ＣＰＵ）１６０を有する。システムコントローラは、さらに良く知られた支援回路１７２、例えば電源１７４、クロック１７６、キャッシュ１７８、入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路等を有する。また、コントローラ１４０は、チャンバ１０１内のセンサ１８１を介してウエハの処理を監視するためのハードウエアを有する。これらのセンサはシステムパラメータ、例えばウエハの温度、チャンバ雰囲気の圧力などを測定する。これらの全ての要素はシステムバス１７０に接続される。
【００１７】
メモリ１６２は、ＣＰＵ１６０が処理システム１００の動作を制御するために実行する命令を含む。メモリ１６２における命令は、プログラムコード形式、例えば本発明の方法を実施するプログラム１９０である。プログラムコードは多くのいろいろなプログラミング言語のいずれか１つに相当する。例えば、プログラムコードは、Ｃ、Ｃ＋＋、ベーシック、パスカル、または多くの他の言語で書くことができる。コンピュータプログラム１９０は多くのいろいろなサブルーチンを有することができる。例えば、特定の実施の形態において、プログラム１９０は、プログラム選択サブルーチン、プロセスシーケンササブルーチン、及びマルチチャンバシステムの各チャンバに対するチャンバ管理サブルーチンを含む。また、プログラム１９０は、とりわけ、例えば基板の位置決めサブルーチン、プロセスガス制御サブルーチン、圧力制御サブルーチン、温度制御サブルーチン、及びプラズマ制御サブルーチンを含む各チャンバ１０１の個々の要素を制御するサブルーチンを含む。この分野の当業者は、どんなプロセスが処理チャンバ１０１で行われるべきかに依存して、他のチャンバ制御のサブルーチンが含まれてもよいことを容易に理解するであろう。
【００１８】
プロセス選択サブルーチンは、（ｉ）所望のプロセス（もし、チャンバ１０１がマルチチャンバ処理装置の一部であるなら）及び（ｉｉ）所望のプロセスを行うための処理チャンバを動作するのに必要な所望のプロセスパラメータのセットを識別する。特定のプロセスを行うためのプロセスパラメータは、プロセス条件、例えば、プロセスガスの構成及び流速、温度、圧力、ＲＦ電力レベルや低周波ＲＦ周波数のようなプラズマ条件、冷却ガスの圧力、及びチャンバ壁の温度に関する。これらのパラメータは、レシピの形式でユーザに提供され、入力制御インタフェース１６６を用いて入力することができる。
【００１９】
プロセスシーケンサのサブルーチンは、識別された処理チャンバ及びプロセスセレクタサブルーチンからのプロセスパラメータのセットを受けるため、及びマルチチャンバにおけるいろいろな処理チャンバの動作を制御するためのプログラムコードを含む。多数のユーザがプロセスセットの数及び処理チャンバの数を入力することができるか、または一人のユーザが多数のプロセスセットの数及び処理チャンバの数を入力することができ、シーケンササブルーチンは、所望のシーケンスにおける選択されたプロセスをスケジューリングするために動作する。好ましくは、シーケンササブルーチンはプログラムコードを含み、（ｉ）チャンバが用いられているかどうかを判断するために処理チャンバの動作を監視する、（ｉｉ）使用されているチャンバでどんなプロセスが行われているいるかを判断する、及び（ｉｉｉ）処理チャンバ及び実施されるべきプロセスの形式の有効性に基づいて所望のプロセスを実行する。処理チャンバを監視する従来の方法は、例えばポーリングを用いることができる。どのプロセスが実行されるべきかをスケジューリングするとき、シーケンササブルーチンは、選択されたプロセスのための所望のプロセス条件、または各特定のユーザが入力した要求の“エージ（ａｇｅ）”、またはシステムプログラマーがスケジューリングの優先度を決めるために含む必要の他の全ての関連したファクタと比較して、利用される処理チャンバの現在の状態を考慮することができる。
【００２０】
シーケンサブサルーチンがどの処理チャンバとプロセスセットの組合わせが次に実行される予定であるかを決めると、シーケンササブルーチンは、特定のプロセスセットパラメータを、シーケンササブルーチンによって決められたプロセスセットによる特定の処理チャンバにおいてマルチ処理タスクを制御する特定の処理チャンバの管理サブルーチンへ通すことによってプロセスの実行を開始する。動作では、チャンバ管理サブルーチンは、実行されている特定のプロセスセットにしたがって、選択的にスケジューリングするか、またはプロセス要素のサブルーチンを呼び出す。一般に、チャンバ管理サブルーチンはいろいろなチャンバ要素を監視し、実行されるべきプロセスセットに対してどの要素がプロセスパラメータに基づいて動作される必要があるかを判断し、且つ監視及び判断ステップに応答して個々のチャンバ要素サブルーチンの実行を開始する。
【００２１】
この分野の当業者は、特定のチャンバ要素のサブルーチンの各々をどのように実行するかを理解するであろう。例えば、基板の位置決めのサブルーチンは、基板をペデスタル１０７状にロードし、選択的に、ペデスタル及び基板を、基板処理用ののチャンバ１０１内の所望の高さまで上昇するために用いられるチャンバ要素を制御するためのプログラムコードを含む。
【００２２】
大容量記憶装置１６４はデータと命令を記憶し、プロセッサの読取可能な記憶媒体、例えば磁気ディスクまたは磁気テープからのデータやプログラムコード命令を取出す。例えば、大容量記憶装置１６４は、ハードディスクドライブ、フレキシブルディスクドライブ、テープドライブ、または光学ディスクドライブであることができる。大容量記憶装置１６４は、それがＣＰＵ１６０から受取った命令に応答して命令を記憶し、取出す。大容量記憶装置１６４によって記憶し、取出されたデータ及びプログラムコード命令は、処理装置１００を動作するためのプロセッサユニット１６０によって用いられる。データ及びプログラムコード命令は、先ず媒体から大容量記憶装置１６４によって取出され、その後ＣＰＵ１６０によって用いるためにメモリ１６２に転送される。
【００２３】
入力制御装置１６６は、データ入力装置、例えばキーボード、マウス、またはライトペンをプロセッサユニット１６０に接続して、ＣＰＵ１６０の制御の下でグラフィックディスプレイ及び英数字の形でチャンバのオペレータに情報を与える。
【００２４】
制御システムバス１７０は、制御システムバス１７０に接続された全ての装置間でデータの転送及び制御信号を与える。制御システムバス１７０は、ＣＰＵ１６０における装置を直接接続する単一バスとして示されているけれども、制御システムバス１７０は、バスの集合であってもよい。例えば、表示装置、入力制御装置１６６及び大容量記憶装置１６４は入出力周辺バスに接続され、一方、ＣＰＵ及びメモリ１６２はローカルプロセッサバスに接続される。ローカルプロセッサバス及び入出力周辺バスは、制御システムバス１７０を形成するために、一緒に接続される。
【００２５】
システムコントローラ１４０は、システムバス１７０とＩ／Ｏ回路１８０を介して、本発明によるエッチングプロセスに用いられる処理システム１００の要素に接続される。これらの要素は、複数のバルブ１８２（例えば、図１Ａのバルブ１２４）、プロセスモニター１０８、排気装置１０９、ソース電源１０５、バイアス電源１０６、スリットバルブ１１４、ガスバネル１２０、ロボットアーム１１２、チャンバセンサー１８１、及び任意のミキサーブロック１８４（図１Ａには図示されないが、ガスパネル１２０またはチャンバ１０１のいずれかに接続されるてもよい）を含む。
【００２６】
システムコントローラ１４０は、これらの要素がチャンバ１０１において所望のプロセスを実施するために所望の動作を行わせるいろいろなチャンバ要素に信号を送る。
【００２７】
本発明は、ソフトウエアで実施され、汎用コンピュータ上で実行されるようにここで説明されたが、当業者は、本発明がハードウエア、例えば特定用途向けＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ： ＡＳＩＣ）または他のハードウエアを用いて実施されることができることを理解するであろう。このように、本発明は、全体的にまたは部分的に、ソフトウエア、ハードウエアまたは双方で実施されることが理解されるであろう。また、この分野の当業者は、基板処理システム１００を制御するために、適当なコンピュータシステムを選択することは日常の技術の問題であることを理解するであろう。
【００２８】
ＩＩ．本発明によるシリコン処理
本発明の方法は、適当な基板処理チャンバ、例えば上述した代表的チャンバにおけるいろいろな用途のため、シリコンをエッチングするために使用することができる。しかし、説明のため、本発明は、浅いトレンチ分離プロセスのためのシリコン基板にトレンチをエッチングするステップに関連して以下に説明される。以下の説明における参照番号は、図１Ａ及び図１Ｂに示された代表的チャンバの適当な要素を参照して用いられる。
【００２９】
図２Ａ−図２Ｅ及び図３を参照して、プロセッサ２００（図３）は、プロセッサチャンバ１０１、即ちシリコンエッチングチャンバ（ステップ２０１）のペデスタル１０７上に基板５０（図２Ａ）を配置するステップを含む。基板は、その上に設けられたパッド酸化物層５２、このパッド酸化物層上に設けられたハードマスク層５３、例えば窒素化シリコンの層、及びよく知られた技術によってハードマスク層上に設けられたパターン化されたホトレジスト５４を有する。このパッド酸化物の層は、一般に、基板上に形成されて、ハードマスク層に対して良好な接着面を与える。１つの実施の形態において、基板は、ハードマスク層５３とパッド酸化物層５２間に非反射のコーティング層（図示せず）のような誘電体層を含むことができる。
【００３０】
図２Ｂを参照して、基板がチャンバに挿入されると、ハードマスク層５３がその下のパッド酸化物層を露出するために開口が開けられる（ステップ２０２）。一般に、ハードマスク層の選択された部分を除去するために、異方性エッチング技術が用いられる。シリコン基板を露出するために、ステップ２０２によって露出されたパッド酸化物５２の一部が除去される（ステプ２０４）。本発明による窒化物及び酸化物の開口ステップのために用いられたプロセスレシピは、以下の表１及び表２にそれぞれ与えられる。表１及び表２において、Ｗｂはバイアス電源１０６によって供給されたバイアス電力を表し、Ｗｓはソース電源１０５によって供給された電力を表し、そして圧力はエッチングプロセス中にチャンバ内の圧力を表す。窒化物の開口ステップにおいて、エンドポイントの検出はステップの間隔を判断するために用いられる。即ち、このステップは、下層の酸化物層がエンドポイントシステムによって検出されるまで行われる。
【００３１】
表１：プロセスのレシピ
2004507086.tif 000003
【００３２】
表２：プロセスのレシピ
2004507086.tif 000004
【００３３】
窒化物の開口ステップに対して上に与えられたプロセスレシピは、窒化物層がホトレジストより１．３倍速く除去される場合、約１．３：１の窒化物とホトレジストの選択度の比を有する。例えば、１５００Åの厚さを有する窒化物５３に対して、パターン化されたホトレジスト層は、約１１５４Åの最小厚さを有する必要がある。好ましくは、ホトレジスト層５４は、ファセット現象を補償するために５００−９００Åの更なる厚さを有する。したがって、１つの実施の形態において、ホトレジスト層５４は、１５００Åの厚さを有する窒化物の層を開口するために、最初に約１６５０Å〜約２１５０Åの厚さを有する。窒化物の開口ステップ２０２の後、ハードマスク上に残っていするホトレジストは、一般に約５００〜９００Åの厚さを有する。窒化物の層が開口されると、残りのホトレジスト層は、ある場合下層の酸化物層を開口する必要がない。何故ならば、窒化物層は、ホトレジスト層に代えて用いられることができるからである。他の実施の形態において、ホトレジスト層５４は、最初に約２３００−３５００Å、好ましくは３０００Åの厚さを有していて、ホトレジスト層を有する下層の窒化物及び酸化物層を開口する。ホトレジスト層の厚さは、ホトレジスト層がシリコン基板上にトレンチをエッチングする前にストリップされるので、本発明の特定の実施の形態の下で最小に保たれる。
【００３４】
しかし、従来のｉｎ−ｓｉｔｕホトレジスト手法の下では、ホトレジスト層が窒素化物層上に残され、且つシリコン基板上にトレンチをエッチングするために用いられるので、非常に厚いホトレジスト層が必要とされる。従来のｉｎ−ｓｉｔｕ手法の下では、約３０００Åの深さを有するトレンチをエッチングするために、一般には更に２０００Åまたはそれ以上のホトレジストが必要である。例えば、それぞれ１５００Å及び１００Åの窒化物及び酸化物の層を有するシリコン基板上に約３０００Åの深さを有するトレンチを形成するために、従来の手法は、５０００Åまたはそれ以上の厚さを有するホトレジスト層を使用する。このような従来の手法は、ホトレジストパターンのアスペクト比はデバイス寸法が減少するに従って増加するので、デバイスが０．１８μｍまたはそれ以下まで進行するに従って実施するのが特に困難である。結局、ホトリソグラフにおける焦点の制限の深さにより、従来のｉｎ−ｓｉｔｕホトレジスト手法はそのプロセス限界に達し、小さなデバイス、例えば０．１３μｍのデバイスを作るためには最早使用することができない。
【００３５】
それと比べると、本発明の特定の実施の形態の下でのｉｎ−ｓｉｔｕハードマスク手法は、上述したように、３０００Åまたはそれ以下の厚さを有するホトレジストの使用を可能にする。結果的に、デバイスサイズの減少は、ホトレジスト厚の減少だけオフセットされ、それによりデバイスが小さくなるに従って、ホトレジストパターンのアスペクト比の増大を低下させるか、または防止する。従って、本発明によるｉｎ−ｓｉｔｕハードマスク手法は、０．１８μｍ、０．１３μｍ及び非常に小さい最小のフィーチャサイズを有するデバイスを処理するために容易に用いることができる。
【００３６】
図２Ｃを参照すると、ハードマスク及びパッド酸化物の層を開口した後、残りのホトレジスト層は、酸素ガスから点弧されたプラズマを用いてその場所（ｉｎ−ｓｉｔｕ）でストリップされる、即ちシリコンのエッチングチャンバから基板を取出すことなくストリップされる（ステップ２０６）。これは、従来の考えとは逆である。一般に、ホトレジストは、基板上の構造への損傷を生じると言う心配のため、特定のレジストストリップチャンバ（下流のチャンバ）においてホトレジストを直接プラズマに曝すことより、ホトレジストを反応性ラジカルに殆ど曝すことにより、外の場所（ｅｘ−ｓｉｔｕ）でストリップされる。
【００３７】
したがって、一般にホトレジストをプラズマに直接曝すことによってシリコンエッチングチャンバにおけるその場所でホトレジストをストリップすると言う考えはプロセス技術者によって実用的でないと思われていた。ホトレジストを外の場所でストリップするための他の理由は、ホトレジストは最近まで比較的高い金属の不純物レベルを有していたからである。結果的に、もし、ホトレジストがエッチングチャンバ内のその場所でストリップされるなら、重大な金属汚染問題が生じるかもしれない。更に、プロセス技術者は、“汚れた”エッチングプロセスが行われる同じチャンバでホトレジストをストリップすることに対する心配のためにｉｎ−ｓｉｔｕレジストストリップ手法を避けた。汚れたプロセス、例えばシリコンエッチングステップは、ホトレジストと混合する副産物を生じ、またホトレジストのストリップを困難にして、粒子の制御問題を生じる。これら及び他の理由のために、ホトレジストは、従来のＳＴＩ手法の下では特定のチャンバ内で外の場所で（ｅｘ−ｓｉｔｕ）ストリップされていた。例えば、従来のハードマスク手法において、ホトレジストは基板をシリコンエッチングチャンバに挿入する前に、他のチャンバにおいてストリップされる。それにより、従来のｉｎ−ｓｉｔｕホトレジストにおいて、ホトレジストは、シリコンエッチングステップ後に他のチャンバにおいてストリップされる。
【００３８】
しかし、従来の考えと反対に、本発明者は、シリコンエッチングステップが行われる同じチャンバ内でホトレジストをストリップするプロセス２００を実施することが可能であることを発見した。即ち、ホトレジストはシリコンエッチングステップを行なう前にその場所でストリップされる。プロセス２００において、損傷の問題は、下層の窒化物層がＳＴＩプロセスにおいて遅れて除去されるので、損傷の問題は殆ど心配ない。ホトレジストの純粋なレベルが最近著しく増加したので、汚染の問題も殆ど心配がない。最後に、ホトレジストと混合する副産物に対する心配も以下に説明されるように解決された。
【００３９】
本発明の１つの実施の形態によると、クリーニングステップをしばしば行なうことによって、即ち１つのロード毎にドライクリーニングステップを行うことによって副産物またはポリマー（ＳｉＯ２）のないシリコンエッチングチャンバが実質的に保たれる。また、比較的きれいなシリコンエッチングステップがプロセス２００に取り込まれて、チャンバ壁上に形成されるポリマーを減少する。このようなステップの例はプロセスガスにＳＦ６のようなエッチャントガスを含む。代わりに、または上述の対策に加えて、後で詳細に説明されるように、チャンバ壁上に形成されるポリマーを減少し、プロセス２００の下で拡大されたプロセスランを容易にするために、ソフトクリーニングステップがプロセス２００に取り込まれる。ここに用いられる用語“実質的にポリマーのない”は、チャンバ壁上に形成されるポリマーの量がプロセス２００の信頼性を充分脅かさない状態を言う。この分野の当業者によって理解されるように、この状態は、使用されているチャンバ、行われているプロセス等に非常に依存する。
【００４０】
ステップ２０６に戻ると、本発明の１つの実施の形態によるホトレジストのストリップステップに対して用いられるプロセスレシピが表３に与えられる。表３において、Ｗｂはバイアス電源１０６によって供給されたバイアス電力を表し、Ｗｓはソース電源１０５によって供給された電力を表し、そして圧力はエッチングプロセス中のチャンバ内の圧力を表す。このストリップステップは特定の期間行われる。ここで期間は、下層の窒化物層５３に達するまでにかかる時間プラスオーバエッチングの目的に対してその時間の４０％の組み合わせである。例えば、もし、下にある層がエンドポイント検出システムを用いて１０秒で検出されるなら、プロセスは、オーバエッチングプロセスに対してその後さらに４秒間行われる。
【００４１】
表３に与えられたプロセスレシピは代表的なプロセスレシピである。ホトレジストをストリップするために、他の多くのレシピを用いることができる。１つの実施の形態において、チャンバ圧力は約２ｍＴ〜約１００ｍＴの間であり、バイアス電力は０ワット〜約１００ワットであり、ソース電力は約２００ワットから約２０００ワットであり、そして酸素の流速は約５ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍである。他の実施の形態において、酸素に加えて、不活性ガス、例えばヘリウム、窒化物、またはアルゴン、またはそれらの組合わせをチャンバに流してもよい。
【００４２】
表３：プロセスのレシピ
2004507086.tif 000005
【００４３】
ホトレジストがストリップされた後、トレンチが図２Ｄに示されるようによく知られた異方性エッチング技術を用いてその場所（ｉｎ−ｓｉｔｕ）でエッチングされる（ステップ２０８）。異方性エッチング技術はイオンを垂直に基板に向けるためにバイアス電力を供給するステップ及びトレンチがエッチングされるに従ってトレンチの壁に不動態層５６を形成するために、ポリマー形成ガス、例えば酸素をチャンバ１０１へ流すステップを含む。一般に、イオンを基板に垂直に加速するために、プラズマは、約３００ワット（０．９６ワット／ｃｍ２）にバイアスされる。不動態層は、一般にトレンチの底部のコーナー５８において次第に少なくなる。即ち、不動態層は、側壁の低い部分より側壁の上方において厚くなる。
【００４４】
約３０００Åの深さを有するトレンチをエッチングするために、Ｃｌ２とＯ２から成るエッチャントガスを用いるトレンチのエッチングプロセスの１つの実施に対するプロセスレシピは、表４に与えられる。
【００４５】
表４：プロセスのレシピ
2004507086.tif 000006
【００４６】
ポリマー化及びイオン攻撃がチャンバ１０１の内部表面に付着する副産物を生成するので、ステップ２０８の異方性エッチングプロセスは、一般にダーティプロセスと呼ばれる。これらの副産物は、チャンバ内に累積し、それらが規則的に除去されない限りチャンバ状態を変える。さらに、イオン攻撃は、とりわけ基板の電気的特性を変える２０Å〜１００Åの厚さを有する損傷した層（図２Ｄには図示せず）を形成して、基板の外側表面の結晶構造を損傷する。
【００４７】
本発明者は、拡大されたプロセスランに対してクリーンなチャンバを維持する１つの方法は、ソフトクリーニングステップ（ステップ２１０）をプロセス２００に組み込むことであることを発見した。ソフトクリーニングステップは、主なトレンチプロファイル、即ち、トレンチの幅（開口）、深さ及び傾斜に殆ど影響を与えることなくチャンの内部表面に付着する副産物を除去する。半導体製造プロセスの従来例の下では、技術者は、エッチングされたプロファイルや基板を損傷すると言う恐れに対して、チャンバから処理された基板を取出した後だけチャンバにおいてクリーニングステップを行なう。しかしながら、本発明者は、シリコンのエッチングステップにソフトクリーニングステップを統合すること、即ちチャンに基板を伴ってソフトクリーニングステップを行うことは、多くの予期しない利益をもたらすことを発見した。例えば、本発明者によって発見された統合されたエッチングプロセスは、非常に多くの基板（ある場合には１０，０００枚またはそれ以上）が従来の方法とは異なるウエットクリーニングステップ間で処理されることを可能にしている。さらに、幾つかの例では、ソフトクリーニングステップは、ドライクリーニングステップに対する必要性を軽減さえしている。
【００４８】
ソフトクリーニングステップは主に化学的プロセス、即ちバイアス電力をターンオフするか、或いは最小のバイアス電力（例えば、２０ワットまたは０．０６ワット／ｃｍ２より大きくない）をチャンバ１０１に供給して、副産物を生成する更なる物理的エッチングを除去するかまたは少なくとも最小にする。主なトレンチプロファイルは、不動態層５６がトレンチの上部を保護するので、ソフトクリーニングステップによって影響がでるほど変わらない。しかし、図２Ｅに示されるように、ソフトクリーニングステップは、トレンチの底部コーナを丸くする。何故ならば、不動態層はこれらのコーナで次第に少なくなるからである。トレンチの底部コーナを丸くすることは、ステップカバレージを改善し、デバイス性能を向上する。また、ソフトクリーニングステップは、それが副産物を除去し、底部コーナを丸くするに従って、基板表面における損傷された層を取り除く。
【００４９】
ソフトクリーニングステップの化学作用は、異方性エッチングステップの化学作用とは異なる。ソフトクリーニングステップは、１つまたはそれ以上のハロゲンソース、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＮＦ３及びＣＨＦ３を有するプロセスガスを流すステップを含む。好ましくは、プロセスガスは、ハロゲンソースの分離を増進するソース（例えば、酸素ソース）、またはプラズマの分布パターンを変える不活性ガス（例えば、アルゴン）又はその双方を含む。酸素ソース等は、ハロゲンソースの分離を増進するが、副産物も生成する。従って、特定のプロセスガスに対する酸素ソースなどの最適な量は、使用される特定のプロセスガスに基づいて決定されなければならない。例えば、プロセスガスがハロゲンソースとして実質的にＣＦ４からなる場合、１つの特定なソフトクリーニングプロセスに対して、本発明者は、酸素に対する最適なガス流速の範囲は、ＣＦ４のガス流速の約１０％から約４０％の間、好ましくは、酸素に対する最適なガス流量は、ＣＦ４のガス流速の約２０％であることを決定した。チャンバ内のハロゲンソースをより一様に分布するために、不活性ガス、例えばアルゴンがプロセスガスに含まれる。ソフトクリーニングステップの最適な間隔は、いろいろなトレンチのエッチングプロセスに対して変化する。例えば、ソフトクリーニングステップは、一般に多くの副産物を生成するエッチングプロセスに対して長い時間ランする必要がある。
【００５０】
表５は、本発明の１つの実施の形態によるソフトクリーニングステップに対して、チャンバ圧力、ソース電力等の受け入れ可能な範囲を与える。
【００５１】
表５：プロセスのレシピ
2004507086.tif 000007
【００５２】
１つの実験において、上記のプロセス２００は、マイクロローディング効果及びエッチング速度の均一性を調べるために、８インチのウエハ用に装備されたＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社によって製造されたＤＰＳ＋チャンバにおいて実行された。目標とされたトレンチの深さ及びプロファイルは、それぞれ４０００Å及び８５度であった。約４００のウエハがプロセス２００を用いて処理された。図４Ａ−図４Ｄは、一般的なトレンチプロファイルを有するウエハのＳＥＭ写真のスケッチを示す。図４Ａと図４Ｂは、基板中央のそれぞれｄｅｎｓｅ領域とＩｓｏ領域におけるトレンチ断面のＳＥＭ写真のスケッチを示す。ｄｅｎｓｅ領域におけるトレンチの深さとプロファイルは、それぞれ４１６０Åと８５度であり、これに対してｉｓｏ領域におけるトレンチの深さとプロファイルは、それぞれ４１１０Åと８３度であった。エッチング速度のマイクロローディング及びプロファイルのマイクロローディングは、それぞれ５０Åと２度の違いに影響を与えている。一方、図４Ｃと図４Ｄは、基板端部のそれぞれｄｅｎｓｅ領域とＩｓｏ領域におけるトレンチ断面のＳＥＭ写真のスケッチを示す。ｄｅｎｓｅ領域におけるトレンチの深さとプロファイルは、それぞれ４０５０Åと８６度であり、これに対してｉｓｏ領域におけるトレンチの深さとプロファイルは、それぞれ４０１０Åと８４度であった。エッチング速度のマイクロローディング及びプロファイルのマイクロローディングは、生成された基板の端部においてそれぞれ５０Åと２度の違いに影響を与えている。比較すると、従来のｉｎ−ｓｉｔｕホトレジスト手法は、８−１０度のプロファイルのマイクロローディングの違い及び約３００Åまたはそれ以上のエッチング速度のマイクロローディングの違いを生じている。
【００５３】
ここに述べたガスの流速及びＲＦ電力レベルは、８インチのウエハ用に装備されたＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社によって製造されたＤＰＳ＋チャンバにおけるエッチングプロセスのランに基づいている。この分野の当業者は、これらの値は、一部特定のチャンバであり、もし、他の設計及び／又は大きさのチャンバが用いられるならば、変わるかもしれない。
【００５４】
以上は、本発明のある好適な実施の形態に向けられているけれども、本発明の他の実施の形態は、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考えられる。例えば、１つの代替例は、トレンチのエッチングステップ前にソフトクリーニングステップを用いるこもができる。本発明の特定の実施の形態が浅いトレンチ分離構造の形成と関連して説明されたけれども、本発明は他のシリコンのエッチングプロセス用に用いることもできる。他の変形例及び均等物と共にこれらの代替例は、本発明の範囲内に含まれることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の方法が実施される例示的半導体ウエハ処理システムの部分断面図を示す。
【図１Ｂ】図１Ａの半導体ウエハ処理システムのブロック図を示す。
【図２Ａ】パターン化されたホトレジスト層を有する半導体基板の簡略化した断面図を示す。
【図２Ｂ】ハードマスク及び酸化物に開口が開けられた後の図２Ａの半導体基板の簡略化した断面図を示す。
【図２Ｃ】ホトレジストがストリップされた後の図２Ｂの半導体基板の簡略化した断面図を示す。
【図２Ｄ】トレンチが半導体基板上にエッチングされた後の図２Ｃの半導体基板の簡略化した断面図を示す。
【図２Ｅ】ソフトクリーニングステップが行われた後の図２Ｄの半導体基板の簡略化した断面図を示す。
【図３】本発明の実施の形態による例示的プロセスのフローチャートを示す。
【図４Ａ】基板中央にあるｄｅｎｓｅ領域のトレンチ断面のＳＥＭ写真のスケッチを示す。
【図４Ｂ】基板中央にあるｉｓｏ領域のトレンチ断面のＳＥＭ写真のスケッチを示す。
【図４Ｃ】基板の端にあるｄｅｎｓｅ領域のトレンチ断面のＳＥＭ写真のスケッチを示す。
【図４Ｄ】基板の端にあるｉｓｏ領域のトレンチ断面のＳＥＭ写真のスケッチを示す。
【図１Ａ】
2004507086.tif 000008
【図１Ｂ】
2004507086.tif 000009
【図３】
2004507086.tif 000010
【図４Ａ】
2004507086.tif 000011
【図４Ｂ】
2004507086.tif 000012
【図４Ｃ】
2004507086.tif 000013
【図４Ｄ】
2004507086.tif 000014
【国際公開パンフレット】
2004507086.tif 000015
2004507086.tif 000016
2004507086.tif 000017
2004507086.tif 000018
2004507086.tif 000019
2004507086.tif 000020
2004507086.tif 000021
2004507086.tif 000022
2004507086.tif 000023
2004507086.tif 000024
2004507086.tif 000025
2004507086.tif 000026
2004507086.tif 000027
2004507086.tif 000028
2004507086.tif 000029
2004507086.tif 000030
2004507086.tif 000031
2004507086.tif 000032
2004507086.tif 000033
2004507086.tif 000034
2004507086.tif 000035
2004507086.tif 000036
2004507086.tif 000037
2004507086.tif 000038
2004507086.tif 000039
2004507086.tif 000040
2004507086.tif 000041
2004507086.tif 000042
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004507086.tif 000043
【国際調査報告】
2004507086.tif 000044
2004507086.tif 000045
2004507086.tif 000046