(57)【要約】＜４００ｎｍの選択されたリソグラフィ波長用のバイナリフォトマスクブランクを製造するためのイオンビーム膜蒸着法が記載され、この膜が、単一層または多層構成のＭＯｘＣｙＮｚ化合物から本質的になり、Ｍがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せから選択される。
2004530923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長用のバイナリフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、ＭＯｘＣｙＮｚの（式中、Ｍがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せから選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、
（ａ）ガス群からのイオンによってクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルおよび／またはそれらの化合物をイオンビーム蒸着法によって、および、
（ｂ）ガス群の補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
ｘが約０．００〜約３．００の範囲であり、
ｙが約０．００〜約１．００の範囲であり、および
ｚが約０．００〜約２．００の範囲である、
複合イオンビーム蒸着法。
【請求項２】
工程（ａ）の前記ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＣＯ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｆ２、ＣＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、ＣＦ４、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、またはそれらのガスの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）の前記ガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、ＣＯ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｆ２、ＣＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、ＣＦ４、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、またはそれらのガスの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、請求項１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項５】
蒸着された膜の不透明度または光学濃度が、約２より大きい、請求項１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオンビーム蒸着技術を用いる、フォトリソグラフィにおけるバイナリフォトマスクブランクの製造に関する。これらのマスクを、短い波長（すなわち、＜４００ナノメートル）の光で用いることができる。更に、この発明は、クロム、モリブデン、タングステン、またはタンタル金属および／またはその化合物またはそれらの組合せの単一または多層被覆をブランクの上に有するバイナリフォトマスクブランクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ミクロリソグラフィは、通常、フォトマスク通して、顕微鏡的回路パターンまたは画像をシリコンウエハ上に転写する方法である。コンピュータのマイクロプロセッサおよび記憶装置の集積回路の製造において、電子回路の画像は、感光性層またはレジスト上にマスクまたはステンシルを通して、通常、電磁波供給源によって映写され、シリコンウエハに適用される。一般に、マスクは、透明な石英基板上にこれらの回路の形体（ｆｅａｔｕｒｅｓ）でパターン化された「クロム」の層である。しばしば「バイナリ」マスクと称される、「クロム」マスクは、「クロム」が除去されたパターンを通して画像形成放射線を透過する。放射線は、「クロム」層が存在している領域で阻止される。
【０００３】
電子機器業界は、１００ナノメータ（ｎｍ）より小さい臨界寸法まで高密度集積回路を製造するために光学リソグラフィの拡張を模索している。しかしながら、形体のサイズが小さくなるとき、光の特定の波長でウエハ上に形体の最小サイズを画像形成するための解像度が光の回折によって制限される。このため、短い波長の光、すなわち、４００ｎｍ未満が、より微細な形体を画像形成するために必要とされる。光学リソグラフィの次世代に目標を定めた波長には、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー波長）、１９３ｎｍ（ＡｒＦレーザー波長）、および１５７ｎｍ（Ｆ２レーザー波長）以下、が挙げられる。
【０００４】
薄膜蒸着の物理的な方法が、フォトマスクブランクを製造するために好ましい。通常、真空室で行われるこれらの方法には、グロー放電スパッタ蒸着、シリンダーマグネトロンスパッタリング、平板型マグネトロンスパッタリング、およびイオンビーム蒸着法などがある。各方法の詳細な説明を、（非特許文献１）に見いだすことができる）。薄膜マスクの製造方法は、ほとんど例外なく平板型マグネトロンスパッタリングである。
【０００５】
平板型マグネトロンスパッタリング構成は２つの平行なプレート電極からなる。すなわち、一方の電極は、スパッタリングによって蒸着される材料を保持し、陰極と呼ばれるのに対し、第２の電極または陽極は、被覆される基板が配置される場所である。ガス（例えば、Ａｒ）またはガスの混合物（例えば、Ａｒ＋Ｏ２）の存在下で負の陰極と正の陽極との間に印加された、ＲＦまたはＤＣのどちらかの電位が、そこからイオンが移動して陰極まで加速されるプラズマ放電（正のイオン化ガス種および負に帯電した電子）をつくり、そこにおいて、それらが基板上のターゲット材料をスパッタリングするかまたは蒸着する。陰極の近くに磁界が存在することにより（マグネトロンスパッタリング）、プラズマ密度、従ってスパッタ蒸着の速度を増す。
【０００６】
スパッタリングターゲットがクロム（Ｃｒ）などの金属である場合、Ａｒなどの不活性ガスでスパッタリングすることにより、基板上にＣｒの金属膜を製造する。放電がＯ２、Ｎ２、ＣＯ２、またはＣＨ３などの反応性ガスを含有するとき、それらは、ターゲットと結合／または成長膜表面において結合し、酸化物、窒化物、炭化物、またはそれらの組合せの薄膜を基板上に形成する。通常、バイナリマスクの化学組成は複合的であり、しばしば、化学的性質は膜厚によって等級付けられるかまたは層化される。「クロム」バイナリマスクは通常、膜の上面において酸化物リッチであると共に膜の深部ではより窒化物リッチであるクロムオキシ−カルボ−ニトリド（ＣｒＯｘＣｙＮｚ）組成物からなる。酸化物リッチの上面が反射防止特性を与え、膜の化学的等級付けが、興味深い非等方湿潤腐蝕性質を提供し、他方、窒化物リッチ組成物が、高い光吸収に寄与する。
【０００７】
イオンビーム蒸着法（ＩＢＤ）において、プラズマ放電は、別個のチャンバー内に収容され（イオン「ガン」または供給源）、ガンの「出口孔」の一連のグリッドに印加された電位によってイオンが抽出および加速される（グリッドがないイオン抽出方法もまた、可能である）。基板に荷電粒子を捕捉および移動させるプラズマが、スパッタリングにおけるように成長膜に近接しないので、ＩＢＤ方法は、平板型マグネトロンスパッタリングと比較したとき、成長膜の表面により清浄なプロセス（付加された粒子がより少ない）を提供する。更に、より少ない欠陥のブランクを製造する必要性は臨界的回路機構が０．１ミクロン以下に収縮する次世代リソグラフィにとって不可欠である。追加的にＩＢＤ法は、従来のマグネトロンスパッタリング法（ＩＢＤの典型的圧力は〜１０−４Ｔｏｒｒ）よりも少なくとも１０倍低い全ガス圧力で操作される。これにより化学的汚染量が減少した結果が得られる。例えば酸化物を最低若しくは全く含まない窒化物フィルムを、本方法により蒸着することができる。更に、ＩＢＤ方法は、蒸着フラックスおよび反応性ガスイオンフラックス（電流）およびエネルギーを独立に制御する能力を有するが、それらは、平板型マグネトロンスパッタリングにおいて独立に制御可能でない。低エネルギーであるが、高フラックスの酸素または窒素イオンで成長膜を衝撃させる単独のイオンガンで酸化物または窒化物または他の化合物を成長させる能力は、ＩＢＤ方法に固有であり、広いプロセス範囲にわたって膜の化学的性質および他の膜の性質の精密な制御を提供する。更に、複合イオンビーム蒸着法において、ターゲット、基板、およびイオンガンの間の角度を調節して膜の均一性および膜の応力に最適にすることができるのに対して、マグネトロンスパッタリングの幾何学的配置は、平行プレート電極システムに制約される。
【０００８】
マグネトロンスパッタリングは、異なったタイプの被覆を再現可能に蒸着させるために電子機器業界で広く用いられるが、成長膜上に入射するイオンの方向、エネルギー、およびフラックスを調節することができないため、プラズマをスパッタリングするプロセス制御は正確ではない（（非特許文献１）を参照）。単純なまたは複雑な、単層または多層の化学的性質を有するマスクを製造するための新規な別の選択肢としてここで提案された複合イオンビーム蒸着法において、これらの蒸着パラメータの独立の制御が可能である。
【０００９】
【非特許文献１】
ヴォッセン（Ｖｏｓｓｅｎ）およびカーン（Ｋｅｒｎ）編、「薄膜プロセス」（“Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ”）、アカデミックプレス  ニューヨーク、１９７８年）
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長用のバイナリフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法に関し、前記方法が、ＭＯｘＣｙＮｚの（式中、Ｍがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せからなる群から選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、ガス群からのイオンによってクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルおよび／またはそれらの化合物をイオンビーム蒸着法によって蒸着させる工程、を含み、
ｘが約０．００〜約３．００の範囲であり、
ｙが約０．００〜約１．００の範囲であり、および
ｚが約０．００〜約２．００の範囲である。
【００１１】
より具体的には、この発明は、４００ナノメートルより小さいリソグラフィ波長用のバイナリフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法に関し、前記方法が、ＭＯｘＣｙＮｚの（式中、Ｍがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せから選択される）化合物の少なくとも１つの層を基板上に、
（ａ）ガス群からのイオンによってクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルおよび／またはそれらの化合物をイオンビーム蒸着法によって、および、
（ｂ）ガス群の補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させ、補助供給源のガスからの衝撃ガスイオンとターゲットから前記基板上に蒸着された材料との化学結合によって前記層が形成されることによって、
蒸着させる工程、を含み、
ｘが約０．００〜約３．００の範囲であり、
ｙが約０．００〜約１．００の範囲であり、および
ｚが約０．００〜約２．００の範囲である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本明細書中で用いた特定の用語を以下に定義する。
【００１３】
この発明において、用語「フォトマスク」（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）または用語「フォトマスクブランク」（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  ｂｌａｎｋ）は、パターン化および非パターン化フォトマスクブランクの両方を含める最も広い意味で本明細書中で用いられることが理解されねばならない。用語「多層」（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ）は、２つの層間の明確な境界または２つの領域間の少なくとも１つの光学的性質の明確な変化を有する蒸着された膜の層からなるフォトマスクブランクを指すために用いられる。層は、極薄（１−２の単層）またはもっと厚くてもよい。層化が、フォトマスクブランクの光学的および腐蝕性質を制御する。
【００１４】
バイナリブランクの光学濃度は、入射光の強度の、透過光の強度に対する比の１０を底とする対数と定義される。
【００１５】
単一イオンビーム蒸着法
単一イオンビーム蒸着法の代表的な構成を図２に示す。この装置は、大気ガスがバキュームポンプによって排気されたチャンバー内にあることが理解される。単一ＩＢＤ方法において、電圧の印加されたイオンビーム（通常、電子供給源によって中和された）を、蒸着ガン（１）からターゲットホルダー（３）によって支持されたターゲット材料（２）に誘導し、それは、衝撃イオンがその特定材料のスパッタリングしきいエネルギー、典型的には〜５０ｅＶ、よりも高いエネルギーを有するとき、スパッタされる。蒸着ガン（１）からのイオンは通常、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガス供給源から得られるが、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２、Ｆ２、ＣＨ３、またはそれらの組合せなど反応性ガスもまた用いることができる。これらのイオンが不活性ガス供給源から得られるとき、ターゲット材料をスパッタリングし、次いで基板ホルダー（５）と共に示された、基板（４）上に膜として蒸着させる。これらのイオンが反応性ガス供給源から得られるとき、それらはターゲット材料（２）と結合することができ、この化学結合の生成物は、スパッタされて基板（４）上に膜として蒸着される生成物である。
【００１６】
一般に、衝撃イオンは数百ｅＶのエネルギーを有するのがよい。２００ｅＶ〜１０ｋｅＶの範囲が好ましい。イオンフラックスまたは流れは、実用的な蒸着速度（＞０．１ｎｍ／分）を維持するために十分に高いのがよい（＞１０１３イオン／ｃｍ２／ｓ）。典型的には、プロセス圧力は、約１０−４トルであり、好ましい範囲は、１０−３〜１０−５トルである。ターゲット材料は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗなどの元素であってもよく、またはそれがＭｏｘＣｒｙなどの多成分であってもよく、またはそれがＣｒＮなどの化合物であってもよい。基板を、厚さ、均一性および最小応力などの膜性質を最適にするターゲットまでの距離および向きで配置することができる。
【００１７】
１つの膜性質、例えば、光学濃度を達成するためのプロセス期間または許容度を、複合イオンビーム蒸着法によって広げることができる。同様に、１つの特定の膜性質を、複合イオンビーム方法によって性質の他の組とは独立に変化させることができる。
【００１８】
複合イオンビーム蒸着法
当該イオンビーム方法は、フォトマスクの製造において、付加された（欠陥）粒子がより少なく、特にリソグラフィ波長＜４００ｎｍについて重要な、光散乱の低減された、すぐれた不透明度、およびすぐれた平滑度を有するより大きな膜密度の方法を具体化する。複合イオンガンの構成を図解的に図１に示す。この方法において、電圧の印加されたイオンビーム（通常、電子供給源によって中和された）を、蒸着ガン（１）からターゲット（２）に誘導し、それは、衝撃イオンがスパッタリングしきいエネルギー、典型的には〜５０ｅＶ、よりも高いエネルギーを有するとき、スパッタされる。蒸着ガンからのイオンは通常、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガス供給源から得られるが、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２、Ｆ２、ＣＨ３、またはそれらの組合せなど反応性ガスもまた用いることができる。これらのイオンが不活性ガス供給源から得られるとき、それらは、ターゲット材料（２）、例えば、Ｃｒ金属をスパッタし、それが、基板（４）上に膜として蒸着する。これらのガスイオンが反応性ガス供給源、例えば、酸素から得られるとき、それらはターゲットの表面で化合することができ、そして、この化合の生成物は、スパッタされて基板上に膜として蒸着される生成物である。複合イオンビーム蒸着法において、第２のガンまたは補助供給源からの、強力なイオンが基板を衝撃する。一般に、アシストガン（６）からのイオンは、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２、Ｆ２、ＣＨ３、またはそれらの組合せなどであるがそれらに制限されない反応性ガスの群から選択され、それらは、ターゲット（２）からスパッタされた材料のフラックスと基板において化合する。このため、補助供給源からの酸素イオンが成長膜を衝撃する間に蒸着ガン（１）からのＡｒイオンを用いてＣｒターゲットをスパッタする場合、Ｃｒフラックスが、基板において強力な酸素イオンと化合し、酸化クロム膜を形成する。
【００１９】
一般に、蒸着源からの衝撃イオンは数百ｅＶのエネルギーを有するのがよく、２００ｅＶ〜１０ＫｅＶの範囲が好ましい。イオンフラックスまたは流れは、実用的な蒸着速度（＞０．１ｎｍ／分）を維持するために十分に高いのがよい（＞１０１３イオン／ｃｍ２／ｓ）。典型的には、プロセス圧力は、約１０−４トルであり、好ましい範囲は、１０−３〜１０−５トルである。この発明の好ましいターゲット材料は、元素のＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａまたはそれらの化合物である。基板を、厚さの均一性、最小応力などの膜の性質を最適にするターゲットまでの距離および向きで配置することができる。補助ガン（６）からのイオンのエネルギーは通常、蒸着ガン（１）からのエネルギーより低い。補助ガンは、成長膜表面においてスパッタされた原子と反応する低エネルギーイオンの調節可能なフラックスを提供する。「補助」イオンについては、より低いエネルギー、典型的には＜５００ｅＶが好ましく、ほかの場合ならイオンは膜の望ましくない腐蝕または剥離を起こすことがある。剥離速度（ｒｅｍｏｖａｌ  ｒａｔｅ）の非常に高い極端な場合では、剥離速度が蓄積または成長速度を超えるため、膜の成長はごくわずかである。しかしながら、いくつかの場合、低減された応力のような、より高い補助エネルギーが成長膜に有益な性質を与えることがあるが、これらのより強力なイオンの好ましいフラックスは通常、蒸着原子のフラックスより少ないことが必要とされる。
【００２０】
フォトマスクブランクの複合イオンビーム蒸着法において、蒸着方法のガスイオン供給源が好ましくは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅまたはそれらの組合せなどであるがそれらに制限されない不活性ガスの群から選択され、他方、補助衝撃のためのガスイオン供給源が好ましくは、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２、Ｆ２、ＣＨ３、またはそれらの組合せなどであるがそれらに制限されない反応性ガスの群から選択される。しかしながら、特別な場合において、蒸着ガス供給源はまた、特に、ターゲットにおける化合物の形成が前記方法のために望ましいとき、特定の比率の反応性ガスを含有してもよい。逆に、補助ガス供給源が特定の比率の不活性ガスからなる特別な場合、特に、成長膜の強力な衝撃が、内部膜応力の低減など、膜性質を改良するために望ましい特別な場合があることがある。
【００２１】
低エネルギーであるが、高フラックスの酸素または窒素イオンで成長膜を衝撃させる単独の補助イオンガンで酸化物または窒化物または他の化合物を成長させる能力は、ＩＢＤ方法に固有であり、広いプロセス範囲にわたって膜の化学的性質および他の膜の性質の精密な制御を提供する。更に、複合イオンビーム蒸着法において、ターゲット、基板、およびイオンガンの間の角度を調節して膜の均一性および膜の応力に最適にすることができるのに対して、マグネトロンスパッタリングの幾何学的配置は、平行プレート電極システムに制約される。
【００２２】
複合ＩＢＤ方法によって、これらの蒸着操作の何れかを組み合わせてより複雑な構造体を作製することができる。例えば、膜が連続的に、最初に補助ガンからの反応性窒素イオンによって衝撃され、その後に、酸素イオンによって衝撃されるとき、ＣｒＯｘ／ＣｒＮｙ積層体を元素のＣｒターゲットから蒸着することによって作製することができる。積層体中の層がＣｒＯｘ／ＣｒＮｙにおけるように酸化物から窒化物に交互に並ぶ場合、単一Ｃｒターゲットによる複合イオンビーム蒸着法は、従来のマグネトロンスパッタリング技術よりも有意の利点を提供する。Ｃｒ原子が蒸着されるときに複合ＩＢＤ内の補助供給源をＯ２とＮ２との間で急速に切り替えることができるのに対して、反応性マグネトロンスパッタリングは、窒化物層をスパッタリングするために窒化物リッチ表面を形成する前に移動させられなくてはならないターゲット表面上の酸化物層を生じる。
【００２３】
単一イオン供給源を用いるイオンビーム蒸着法によってＳｉ３Ｎ４などの複合的な化合物を有する膜を作製することが可能であるが、前記プロセスは、複合イオンビーム蒸着法についてはより制約が多い。例えば、ファング（Ｈｕａｎｇ）らの「単一イオンビームスパッタ蒸着法によって蒸着された窒化ケイ素薄膜の構造および組成の研究」（Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｓｔｕｄｉｅｓ  ｆｏｒ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｂｙ  ｓｉｎｇｌｅ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｓｐｕｔｔｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ２９９（１９９７年）１０４−１０９は、ビーム電圧が約８００Ｖの周囲の狭い範囲であるとき、Ｓｉ３Ｎ４の性質を有する膜が形成されるにすぎないことを明らかにした。複合イオンビームスパッタリングするときに、補助供給源からの窒素原子のフラックスを独立に調節して、広範囲のプロセス条件にわたっておよび実用的な蒸着速度で蒸着イオン供給源からの蒸着ターゲット原子のフラックスを整合させることができる。
【００２４】
この発明は、ＭＯｘＣｙＮｚの一般式の、Ｍがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルである、クロム、モリブデン、タングステン、またはタンタル化合物の単一層または多層を石英またはガラス基板上に蒸着させ、不透明なフォトマスクブランクを製造する複合イオンビーム蒸着法に関する。
【００２５】
この発明は、４００ｎｍより小さい入射波長用のフォトマスクブランクのための単一または多層膜の新規な蒸着技術を提供する。基板は、用いられた入射光の波長に対して透明である何れの機械的安定性材料であってもよい。石英、ＣａＦ２、および融解シリカ（ガラス）などの基板が利用度およびコストのために好ましい。
【００２６】
この発明は、高い光学濃度または不透明度の材料による単一層の複合イオンビーム蒸着法を提供し、そこにおいて、化学的性質が膜厚方向に格付けられる。
【００２７】
好ましくは、この発明は、ＭＯｘＣｙＮｚの、Ｍがクロム、モリブデン、タングステン、またはタンタルまたはそれらの組合せから選択される、単一または多層の複合イオンビーム蒸着法を具体化し、ｘが約０．００〜約３．００の範囲であり、ｙが約０．００〜約１．００の範囲であり、およびｚが約０．００〜約２．００の範囲である。
【００２８】
好ましくは、この発明は、ＭＯｘＣｙＮｚタイプのフォトマスクブランクを具体化し、そこにおいて、光学濃度が、約２より大きい。
【００２９】
光学的性質
光学的性質（屈折率「ｎ」および吸光係数「ｋ」）は、光の反射および透過性のデータと共に、１．５−６．６５ｅＶのエネルギー範囲に相応する、１８６−８００ｎｍから３つの入射角で可変角分光楕円偏光法（ｖａｒｉａｂｌｅ  ａｎｇｌｅ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ  ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ）により確認された。光学的性質のスペクトル依存の知識から、光透過率、および反射率に相応する膜厚を計算することができる。概して、Ｏ．Ｓ．ヘブンズ（Ｏ．Ｓ．Ｈｅａｖｅｎｓ）著、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、ニューヨーク州、ドーバー、５５−６２ページ、１９９１年（本願明細書にその内容を引用したものとする）を参照のこと。
【実施例】
【００３０】
実施例：不透明な「クロム」マスク
従来のフォトリソグラフィで一般にマスクとして用いられたＣｒＣｘＯｙＮｚ膜を、Ｃｒターゲットから市販用具（「ヴィーコ」（Ｖｅｅｃｏ）ＩＢＤ−２１０）で複合電子ビーム蒸着によって作製した。Ｃｒターゲットから蒸着する間に、成長膜の化学的性質は、Ａｒで稀釈したＣＯ２およびＮ２のガス混合物から誘導された低エネルギーイオンでそれを衝撃させることによって調整された。蒸着電子ビーム供給源を、４ｓｃｃｍのＸｅを用いて、１５００Ｖの電圧、２００ｍＡのビーム電流で操作した。１８ｓｃｃｍのＮ２、４ｓｃｃｍのＣＯ２、および２ｓｃｃｍのＡｒを有する補助供給源を、１００Ｖ、１５０ｍＡの電流で操作した。基板は、厚さ０．０９インチ、５インチの四角形の石英プレートであった。蒸着を１５分間、続け、フォトリソグラフィのバイナリマスクの適用に十分な、２４８ｎｍで測定した光学濃度が３より大きい厚さ約２３８ｎｍの膜をもたらした。Ｘ線光電子分光分析法によって得られた膜の化学組成物の深さ方向の分布が、約６０％のＣｒ含有量、約２１％の窒素含有量、１９％の酸素含有量、および１％より小さい炭素含有量を示した。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】複合イオンビーム蒸着法の略図である。
【図２】単一イオン供給源または「ガン」からの窒素およびアルゴンイオンによってスパッタされるケイ素（Ｓｉ）ターゲットを用いる、窒化ケイ素の単一イオンビーム蒸着法の図である。
【図１】
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【国際公開パンフレット】
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2004530923.tif 000017
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004530923.tif 000018
2004530923.tif 000019
【国際調査報告】
2004530923.tif 000020
2004530923.tif 000021