(57)【要約】光記憶素子に情報を書き込む方法である。この方法は、光記憶素子の活性材料を印加エネルギ源で照射することにより、当該活性材料にマークを書き込むステップを備える。一実施例において、前記印加エネルギ源は、複数のエネルギパルスを提供する。他の実施例において、マークを形成するために必要なエネルギを越える過剰エネルギを放出し散逸させることにより、マーク拡大、擬似マーク形成、再結晶化、およびバッククリスタリゼーションを最小にする。これら方法は、容量性冷却の割合を高め、より良い冷却特性を提供する。【選択図】図１
2004521433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
状態可変活性材料を有する光記憶素子に情報を記録する方法において、
少なくとも５０％の容量性冷却を生ずる効果がある複数のエネルギパルスを前記活性材料へ印加することによりマークを形成するステップを備える前記方法。
【請求項２】
前記パルスは、少なくとも５５％の容量性冷却を生ずる効果がある、請求項１の方法。
【請求項３】
前記パルスは、少なくとも６０％の容量性冷却を生ずる効果がある、請求項１の方法。
【請求項４】
前記形成するステップは、前記マークの形状を制御可能である、請求項１の方法。
【請求項５】
前記マークは、一定の幅あるいは漸減する幅を有する、請求項１の方法。
【請求項６】
前記マークは非晶質材料からなる、請求項１の方法。
【請求項７】
前記マークは、２を越える記録レベルを提供する、請求項１の方法。
【請求項８】
前記マークを複数形成し、複数の同一寸法のデータセルを前記活性材料に含め、各マークの全体を各データセル内に形成する、請求項７の方法。
【請求項９】
前記マークは、他のデータセルのマークを実質的に変化させずに形成する、請求項８の方法。
【請求項１０】
記録レベルが異なるマークは、マーク幅によって識別する、請求項８の方法。
【請求項１１】
各マークは長さが一定である、請求項８の方法。
【請求項１２】
伝導性冷却の形成は、各々が１４ナノ秒未満のパルス幅を有する複数のエネルギパルスを前記活性材料へ印加することによって行う、請求項１の方法。
【請求項１３】
状態可変活性材料を有する光記憶素子に情報を記録する方法において、
各々が１４ナノ秒未満のパルス幅を有する複数のエネルギパルスを前記活性材料へ印加することによってマークを形成するステップを備える前記方法
【請求項１４】
各パルス幅は１０ナノ秒未満である、請求項１３の方法。
【請求項１５】
各パルス幅は７ナノ秒未満である、請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記形成するステップは、前記マークの形状を制御可能である、請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記マークは、一定の幅あるいは漸減する幅を有する、請求項１３の方法。
【請求項１８】
前記マークは非晶質材料からなる、請求項１３の方法。
【請求項１９】
前記光記憶素子は光ディスクである、請求項１３の方法。
【請求項２０】
前記活性材料はカルコゲニドからなる、請求項１３の方法。
【請求項２１】
前記マークは、２を越える記録レベルを提供する、請求項１２の方法。
【請求項２２】
前記マークを複数形成し、複数の同一寸法のデータセルを前記活性材料に含め、各マークの全体を各データセル内に形成する、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記マークは、他のデータセルのマークを実質的に変化させずに形成する、請求項２２の方法。
【請求項２４】
記録レベルが異なるマークは、マーク幅によって識別する、請求項２２の方法。
【請求項２５】
各マークは長さが一定である、請求項２２の方法。
【請求項２６】
相変化材料からなる光記録媒体に情報を記録する方法において、
空間プロファイルを有するエネルギを前記相変化材料に印加するステップであって、前記空間プロファイルは前記エネルギと前記相変化材料との空間重複領域を定義し、前記エネルギは前記空間重複領域内に温度プロファイルを提供し、前記温度プロファイルは温度の空間分布を定義し、前記空間分布は前記空間重複領域中に非晶質相を形成できる十分な温度を含むステップと、
前記空間分布の非晶質相を形成できる十分な温度を有する部分にマークを形成するステップであって、前記マークは非晶質相からなり、前記非晶質相は前記空間重複領域の冷却において形成し、前記冷却は前記非晶質相の形成に必要なエネルギを越える過剰エネルギを放出するステップと、
前記相変化材料のうち前記マークに合致する空間領域の外側部分へ前記過剰エネルギを放散するステップであって、前記放散は前記マーク外側部分での非晶質相形成を阻止するに十分な速度で生ずるステップと、
を有する前記方法。
【請求項２７】
前記エネルギは、エネルギパルスの形態で印加する、請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記エネルギパルスは、１４ナノ秒未満のパルス幅を有する、請求項２７の方法。
【請求項２９】
前記エネルギパルスは、１０ナノ秒未満のパルス幅を有する、請求項２７の方法。
【請求項３０】
前記エネルギパルスは、７ナノ秒未満のパルス幅を有する、請求項２７の方法。
【請求項３１】
前記エネルギは、複数のエネルギパルスの形態で印加する、請求項２６の方法。
【請求項３２】
前記エネルギは、レーザによって印加する、請求項２６の方法。
【請求項３３】
前記空間プロファイルは均一である、請求項２６の方法。
【請求項３４】
前記空間プロファイルはガウスプロファイルである、請求項２６の方法。
【請求項３５】
前記相変化材料はカルコゲニドからなる、請求項２６の方法。
【請求項３６】
前記相変化材料は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ａｇ、およびＴｅからなるグループから選択した成分からなる、請求項２６の方法。
【請求項３７】
前記空間重複領域は、実質的に円筒形である、請求項２６の方法。
【請求項３８】
前記温度プロファイルは均一である、請求項２６の方法。
【請求項３９】
前記マークは、前記空間重複領域と一致する、請求項２６の方法。
【請求項４０】
前記マークは、２を越える記録レベルを提供する、請求項２６の方法。
【請求項４１】
前記冷却は容量性冷却からなる、請求項２６の方法。
【請求項４２】
前記放散するステップは容量性冷却からなる、請求項２６の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、デービッド・ツによる２０００年１２月２２日出願の米国仮出願第６０／２５８，０７８号「記憶素子への記録方法」の本出願であり、その仮出願は参照によりここに組み込む。
【０００２】
技術分野
本発明は、光記憶素子への記録に関し、相変化光記憶素子のマルチレベル記録に関する。
【背景技術】
【０００３】
相変化光記録媒体は、非晶質状態と結晶質状態との間で構造が可逆変化する材料を使用する。これら状態間の変化は、「活性材料」を異なるレベルの集束レーザ光エネルギに露光することによって制御する。この性質を有する代表的な市販活性材料は、ＧｅｘＳｂｙＴｅ２等の合金、改質ＳｂＴｅ共融合金等である。一般に光素子は、活性材料が非晶質相にある時、それが結晶質相にある時よりも当該手段の測定反射率が低くなるように設計する。例えば結晶質トラック上に、非晶質マークを書き込むようにする。この技術の従来の使用方法は、データを記録するにあたり、マーク（非晶質領域）の頻度および長さを変化させると共に、これらマークを分離するスペース（結晶質領域）の頻度および長さを変化させる。例えば、トラックにおいて非晶質領域から結晶質領域へ（あるいはその逆に）遷移するたびに、論理「１」を定義する。タイミング期間内に遷移が起きなければ、論理「０」を定義する。この方式においては、マークの幅をその長さにかかわらず一定にすることが重要である。レーザの出力レベルを一定にして媒体を露光し長いマークを「書く」と、この書込み処理中に蓄積する熱エネルギは、マーク幅を連続的に増大させるか、マークの再結晶を引き起こす。このためマークの形成には、レーザ出力レベルの変調を行う。すなわち「冷却」期間を導入する。ＣＤ−ＲＷ等の書込方式の場合、レーザ出力を２レベル間で変調する。すなわち０．５から１．０ｍＷまでの低（Ｌ）レベルと８から１２ｍＷまでの高（Ｈ）レベルとの間で変調する。定格速度「２Ｘ」（＝２．４ｍ／ｓ）、波長７８０ｎｍ、開口数（ＮＡ）０．５５で動作するディスクの場合、タイミング期間（Ｔ）は１１５．５ｎｓである。最短マークは時間３Ｔに渡って書き込む。最長マークは時間１４Ｔに渡って書き込む。ＮＴのマークは、１ＴＨ＋（Ｎ−１）（０．５ＴＬ＋０．５ＴＨ）という変調を用いて書き込む。この場合、使用する最も狭いレーザパルス幅は、０．５Ｔすなわち５８ｎｓである。この従来の記録方式は、２つの反射率（結晶質の高反射率と非晶質の低反射率）しか含まないため、２レベル記録と呼ぶ。
【０００４】
前記従来の２レベル方式よりもデータ記憶密度を上げるため、マルチレベル記録方式が提案された。この方式は、固定長および固定幅のマークを形成するにあたり、測定反射率が複数レベルとなるようにする。すなわち「純粋」非晶質相が定義する最低反射率と、「純粋」結晶質相が定義する最高反射率との間の複数レベルである。例えば１９９２年９月１５日にクドウ等に付与された米国特許第５，１４８，３３５号を参照できる。この開示は参照によりここに組み込む。この開示はマルチレベル記録方式であり、一定サイズのマークと可変強度とを用い、スペース間にマークを配置する。
【０００５】
クドウ等の書込方式は、理論的には可能だが実際的でない。なぜなら、開示タイプのマークを書き込もうとすると、多くの問題が発生する。例えばマークの後エッジは、再結晶化量が極めて多いため、輪郭が不明確になりがちである。これは、ＸＹ平面方向およびＸＺ断面方向において顕著である。不明確な後エッジは記録信号のジッタを制限する。この「ソフト」エッジの結果、読み出し方式におけるマークエッジ検出が悪影響を受ける。このことは、実際において別の問題を引き起こす。すなわち未使用トラック（マークを含まないトラック）でさえ、その反射率がディスク周方向で周期的に変化する（回転に従って）。これは一般に、ディスクの反りに関連する焦点およびトラッキング問題が引き起こす変動が原因である。
【０００６】
クドウのような書込方式の欠点を克服するため設計された書込方式の１つは、多量のエネルギまたは高い熱負荷を用い、マークを書き込む箇所の局所熱環境を圧倒し、マークを形成する。高い熱収支で局所熱環境を圧倒することにより、マーク部位および先に書き込んだマーク部位の再結晶化が起きる。この書込方式は、より高いデータ記憶密度を提供すると報告されているが、局所熱環境を圧倒することにより、マークのサイズが拡大し、異なるトラックのマーク間でクロストークが極めて顕著になる。
【０００７】
発明の開示
本発明は、前記問題点に対処するため、状態可変光記録媒体に情報を記録する方法において、当該媒体に複数のエネルギパルスを適用して各マークを形成する方法を提供する。これらパルスは、マーク形成中に少なくとも５０％好ましくは少なくとも５５％の容量性冷却を可能とする持続期間および振幅を有する。
【０００８】
本発明の他の態様において、各マークは、前記媒体に短いパルス幅を有する複数のエネルギパルスを適用して形成する。短いパルスを使用する場合、適切なパルス幅は、前記媒体の熱時定数および／または相変化材料の再結晶化速度によって決定する。各パルス幅は、好ましくは１４ナノ秒未満である。
【０００９】
容量性冷却を最大にすることにより、あるいは短いパルス幅を有する複数のパルスを用いることにより、３つのことが可能となる。（１）マーク形状を独立して制御でき、（２）分別結晶形成において高レベルの均一性を平面方向および厚さ方向に実現でき、（３）先に書き込んだマークへの影響を最小あるいは皆無にできる。
【００１０】
マーク形状は多くの方法で実現できる。マークの精密な成形は、１マークにつき２つ（あるいはそれ以上）のパルスを用い、各パルスの振幅（出力）を調整し、各パルスの期間（幅）を調整することにより実現できる。またマークの成形は、パルス間隔を調整することによっても実現できる。パルスは、（ｉ）データセルの物理長さ、（ii）ディスクが動作する時の線形トラック速度、（iii）マークあたりに必要な実際のパルス数、および（iv）マークの最小幅に基づき調整できる。
【００１１】
本発明の他の態様は、マルチレベル記録方式を提供する。マルチレベル記録方式において、マークは２を越える記録レベルを提供する。マルチレベル記録方式において、各マークは複数のエネルギパルスを用いて形成できる。一実施例において、パルス特性は、少なくとも５０％の容量性冷却を可能にするように選択する。他の実施例において、パルスは、比較的短いパルス幅（すなわち好ましくは約１４ナノ秒未満）を有するように選択する。この実施例の好適態様において、マルチレベル記録媒体は、同一寸法の複数の所定データセルを有し、各マークは対応するデータセル内に完全に入るように形成する。マークは、他のデータセルのマークを変化させないような方法であるいは著しく変化させないような方法で書き込む。この実施例の他の好適態様において、マークの記録レベルを識別するためマーク幅を異ならせるが、マーク長は基本的に一定に保つ。
【００１２】
本発明の他の態様は、低熱収支記録方式を提供する。この方式は、マーク拡大、擬似マーク形成、マーク再結晶化、バッククリスタリゼーション（逆結晶化）を最小にする設計である。低熱収支方式は、マーク形成に必要なエネルギ量を越える過剰エネルギを最小にし、その過剰エネルギを完全なマークが形成されないような方法で散逸させる。
【００１３】
本発明に基づく記録方式を使用することにより、容量性冷却の効果および／または低熱収支方式の利益が得られ、マーク形成が向上し、クロストークが減少し、ジッタが最小となる。
【００１４】
以下の詳細説明および添付図面を参照することにより、本発明をより完全に理解できよう。
【００１５】
発明を実施するための最良の形態
本発明の一好適実施例は、状態可変光記録媒体に情報を記録する方法を提供する。この方法は、一連の識別可能マークを形成するにあたり、各マークの形成を複数のエネルギパルスによって行い、少なくとも５０％の容量性冷却を提供する。本発明の他の好適実施例は、状態可変光記録媒体に情報を記録する方法を提供する。この方法は、マーク拡大、擬似マーク形成、再結晶化、およびバッククリスタリゼーションを最小にする設計の低熱収支方式を採用する。
【００１６】
状態可変光記録媒体は、記憶材料を含む媒体であればどのようなものでも良い。記憶材料とは、入力エネルギに応じて第１状態から第２状態に変化できる材料である。入力エネルギとは、例えば投射光ビームエネルギ、電気エネルギ、熱エネルギである。
【００１７】
状態可変光記録媒体は、表面を傷付けない光相変化ディスクであることが好ましい。光相変化ディスクは、一連の層を有するタイプでも良い。これら層は、例えば保護層、反射層、上部誘電層、活性層または相変化層、下部誘電層、およびディスク基板を含む。また光相変化ディスクは、各層によって反射率、加熱および冷却、および熱分布を制御するような方法で構成または積層しても良い。
【００１８】
光記録素子は、状態可変データ記憶媒体または活性材料を有する。状態可変データ記憶媒体は、入力エネルギに応じて状態を変化できる可逆可変材料であれば何でも良く、例えばカルコゲニド材料または相変化合金である。状態可変データ記憶媒体は、適切であればどのような形状で提供しても良い。例えば相変化材料の単独単一層、光学的に調整した複数層、あるいはデータ記憶に適した他の形状である。データ記憶媒体は、薄膜の相変化材料が好ましい。相変化材料は、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｉｎ、およびＡｇからなるグループから選択した少なくとも１つの成分あるいは成分の組合せを含むことが好ましい。好適な相変化材料は、カルコゲニドであり、主成分としてＴｅまたはＳｂを含むＧｅｘＳｂｙＴｅｚ、ＡｇｗＩｎｘＳｂｙＴｅｚ等である。本発明に適用可能な他の相変化材料例は、米国特許第５，９１２，１０４号、第４，６５３，０２４号、第４，８２０，３９４号、第４，７３７，９３４号、第４，７１０，８９９号、第５，９１２，１０４号、第５，１２８，０９９号、および第５，９３５，６７２号を参照できる。これら開示は、参照によりここに組み込む。
【００１９】
一般に相変化材料（光ディスクのデータ記憶材料として有用）は、結晶質状態と非晶質状態とを有する。一般にデータ記憶材料は、製造中は非晶質状態にあり、結晶質状態に初期化することにより記録用に利用可能となる。相変化媒体にデータを記録または記憶するには、一連の非晶質マークを形成する。
【００２０】
このように、状態可変記録媒体にデータを記録するには、一連のマークをその媒体に形成する。一般にマークは、状態可変記録媒体に形成する識別可能な何らかのしるしである。好適なマークは、表面を傷付けずに情報またはデータを記録する手段を提供するものである。相変化光記録媒体から記録情報またはデータを読み出すには、反射率の変化を検出する。相変化媒体に形成するマークは、相変化材料の少なくとも部分的非晶質領域として形成するが、実質的にマーク全体を非晶質とすることが好ましい。
【００２１】
マークは、適切なエネルギ源を用いて形成する。エネルギ源は、例えばレーザ、誘導加熱、抵抗加熱素子である。マークは、例えばレーザ等の光エネルギ源を用いて形成することが好ましい。本発明の一態様において、各マークは、少なくとも２つのエネルギパルスを光記録媒体へ印加することによって形成する。各マークの形状は、これらパルスのパラメータを調整することにより制御できる。例えば、各パルスの振幅（出力）および／または各パルスの期間（幅）および／またはパルス間隔は、マーク形状を変化させるために調整可能なパラメータである。これらパルスパラメータを適切に調整することにより、均一な幅を有するマークまたは漸減する幅を有するマークを形成できる。選択する適切なパルスパラメータは、（ｉ）書き込むマークの物理長さ、（ii）ディスクが動作する時の線方向トラック速度、（iii）マークあたりに必要な実際のパルス数、および（iv）マークの最小幅に少なくとも部分的に依存する。
【００２２】
理論により拘束されたくはないが、光記録媒体の冷却挙動は、いくつかの異なる要素を有すると考えられている。１つの要素は、比較的遅い冷却要素であり、熱エネルギの伝導（すなわち抵抗）流に関係する。この抵抗要素は、以下において「伝導性冷却」と呼ぶ。他の要素は、比較的速い冷却要素であり、熱エネルギの容量性（すなわち反応性）蓄積に関係する。光媒体の冷却挙動（すなわち伝導性冷却と容量性冷却の相対量）は、いくつかの因子に依存する。例えば冷却挙動は、媒体に固有の特性に依存する。すなわち光記録媒体自体の特性および構造に依存する。この材料特性は、光記録媒体の熱伝導率および比熱を含む。また冷却挙動は外的因子にも依存する。この外的因子は、光エネルギを媒体へ印加する方法による。例えば冷却挙動は、媒体へ印加するエネルギのパラメータに依存する。このため光記録媒体の容量性冷却および伝導性冷却の相対量（すなわち媒体の総冷却速度）は、マーク形成に使用する印加エネルギ源パラメータを調整することによって制御できる。好適実施例において、印加エネルギ源は、マークを形成する時に媒体へ印加するエネルギパルスの形態を取る。
【００２３】
前記一実施例において示した通り、各マークは複数のエネルギパルスを印加することによって形成する。本発明の一実施例において、パルスのパラメータは、活性材料の容量性冷却のパーセントを増加させるように選択する。すなわちエネルギパルスのパラメータは、容量性冷却が活性材料の総冷却の少なくとも５０％となるように選択する。つまり少なくとも５０％の容量性冷却が存在するように選択する。好ましくは容量性冷却がその他の冷却のどれよりも多くなるようにする。エネルギパルスのパラメータと光記憶素子とを組み合わせ、少なくとも５５％、好ましくは少なくとも６０％、最も好ましくは少なくとも７０％の容量性冷却を存在させるようにする。このように、伝導性冷却よりも容量性冷却を強調するようにしたエネルギパルス計画を使用してマークを形成し、容量性冷却の相対比を増加させ、活性材料の総冷却速度を実現する。
【００２４】
前記した通り、光媒体の総冷却速度において、容量性冷却は比較的速い冷却要素であり、伝導性冷却は比較的遅い冷却要素である。光媒体への書込時に使用するエネルギパルスのパラメータを適切に選択することにより、媒体の総冷却速度を増加させることができる。図２は、短い１０ナノ秒のレーザパルスを照射した時の、光記憶ディスクの活性材料層の中間における温度曲線を示す。曲線Ａは、時間０から時間１０ｎｓまでの光記録媒体の加熱を示す。時間１０ｎｓにおいて、曲線Ｂに示すように媒体は冷却し始める。図２に示す通り、初期の急激な冷却の後、長時間に渡るゆっくりした冷却がある。光ディスクシステムの複雑さにもかかわらず、冷却挙動の全体的特性は、以下のようにわずか２つの指数減衰関数の直線的組合せによって表せる。
【００２５】
Ｔｆ＝ＦｆａｓｔＣ＋Ｆｓｌｏｗ（１−Ｃ）
ここで
Ｆｆａｓｔ＝Ｔａｊｅ−（ｔ−ｔ０）／ａ＋Ｔａｆ（１−ｅ−（ｔ−ｔ０／ａ）
Ｆｓｌｏｗ＝Ｔｂｊｅ−（ｔ−ｔ０）／ｂ＋Ｔｂｆ（１−ｅ−（ｔ−ｔ０）／ｂ）
ここでＣは急速容量性成分の部分であり、ｔ０は冷却期間の開始時間（＝１０ｎｓ）である。成分ａおよびｂは、それぞれ急速冷却時定数および遅い冷却時定数である。ＴａｊおよびＴａｆは、急速成分に関する指数減衰の開始および終了温度に関係し、ＴｂｊおよびＴｂｆは遅い成分に関係する。
【００２６】
初期冷却が有する急速冷却時定数「ａ」は、約１ナノ秒よりも小さく、容量性冷却成分（カルコゲニドおよび誘電層の相対熱容量を含む因子に依存する）によって基本的に支配される。これに対し遅い冷却成分の冷却時定数「ｂ」は、約６ナノ秒よりも大きく、伝導性冷却成分（カルコゲニドおよび誘電体の熱伝導率に依存する）によって支配される。総冷却のうち容量性冷却成分は、計算曲線Ｃに示す。遅い伝導性冷却成分は、計算曲線Ｄに示す。このように、光媒体への情報書き込みに使用するエネルギパルスパラメータまたは印加エネルギ源パラメータを慎重に調整することにより、媒体の冷却速度を制御できる。
【００２７】
容量性冷却を強調することにより、マーク形成制御を向上できる。さらに、先に書き込んだマークへの影響を最小にして新しいマークを書き込める。また分別結晶形成において、光媒体の平面方向および厚さ方向の両方で極めて高い均一性を実現できる。
【００２８】
一実施例において、適切な冷却挙動は、比較的短いパルス幅を有するエネルギパルスを従来の光記憶素子等へ印加することにより実現できる。短いパルス幅は、光記憶素子の熱時定数に基づき、および／または相変化媒体の再結晶化率によって決定できる。本発明の一実施例において、各マークは、複数のエネルギパルスによって形成する。このパルスの各々は、好ましくは１４ナノ秒未満、さらに好ましくは１０ナノ秒未満、最も好ましくは７ナノ秒未満のパルス幅を有する。さらにパルス幅は、２ナノ秒未満、好ましくは１ナノ秒未満、さらに好ましくは５００ピコ秒未満としても良い。
【００２９】
前記した通りおよび後述するように、マーク形成（最終的にはマーク形状）の熱管理は、光記録媒体に固有の特性によって影響を受ける。この特性は、材料特性および媒体構造を含む。これら特性は調整可能であり、以下に示す特性の１つ以上を含む。
【００３０】
（１）低熱容量を有する活性相変化層（成分）。これは急速加熱および急速冷却を提供する。
【００３１】
（２）極薄活性相変化層。極薄相変化層は、冷却成分に低熱抵抗を提供する。なぜならカルコゲニド材料の熱伝導率は、低い傾向にあるからである。さらに、厚さが薄ければ、最終的に除去せねばならない総熱容量が小さくなる。
【００３２】
（３）活性要素に近接した高い熱容量を有する受動要素。活性要素に近接する熱容量が高いと、急速冷却成分の貢献度を増やす。
【００３３】
（４）記憶材料と反射層（Ｄ２層）との間の誘電体厚さは、熱的な見地からのみ調整すべきではなく、光結合に関しても調整すべきである。ただしＤ２層が薄いほど、遅い冷却成分の時定数を低めることは事実である。
【００３４】
（５）短いエネルギパルスを有する記録方式を使用することにより、容量性冷却の急速冷却成分をより良く利用できる。
【００３５】
本発明の他の態様は、マルチレベル記録方式を提供する。この方式は、２を越える記録レベルを提供するマークを使用する。例えば「０状態」またはブランクも考慮に入れると、２ビット以上の情報を有するマークを使用する。各マークは、前記本発明方法によって形成できる。
【００３６】
このマルチレベル記録方式は、同一サイズのデータセルを使用することを含む。マークは、対応するデータセルの境界内またはサイズ内で完全に形成することが好ましい。このマークは、他のデータセルのマークを変化させないような方法であるいは著しく変化させないような方法で書き込む。マルチレベル記録方式の好適態様において、マークの記録レベルを識別するためマーク幅を異ならせるが、マーク長は基本的に一定に保つようにする。複数の検出可能レベルを有するマークを本発明方法を用いて形成すれば、容量性冷却効果を活用でき、マーク形成が向上し、クロストークが減少し、ジッタが最小になる。
【００３７】
図１を参照すると、１０は光ディスクの全体を示す平面図であり、１４は部分的に記録したトラック３４の一部１２を示す分解図である。トラック３４は、複数の所定データセル１６，１８，２０，２２，２４，２６に分割されている。これらセルは同一サイズである（点線で示す、ただしこれら点線は図解用に描いただけである）。トラック３４には、複数のマーク２８，３０，３２を記録してある。これらマークは、マルチレベル記録用に形成してあり、２ビット以上の情報を可能とする複数の記録レベルを有する。これらマークは、前記したおよび後述する本発明方法を用いてトラック３４に書き込む。各マークの記録レベルは、データセルあたりの結晶質状態と非晶質状態との面積または体積比率によって識別する。マーク２８，３０，３２は非晶質であり、３つの異なる反射率レベルを提供する。図示の通り、記録レベルはマーク幅Ｗが決定し、マーク長Ｌはマーク間で一定に保持する。このため、例えばマーク３２のように幅の狭いマークを有するデータセルは、マーク２８のように幅の広いマークを有するデータセル２０より、比較的高い反射率を有する。
【００３８】
本発明方法を用いたマーク形成は、マーク自体の再結晶化量を制限するためにも使用できる。このマーク自体の再結晶化は、マーク周囲の局所領域が過熱され、マーク冷却の大半を伝導性冷却が占めるようになると（すなわち＞５０％）発生する。過熱は、比較的長い冷却時間をもたらす。冷却時間が延びると、非晶質として形成されたマークは、著しく再結晶化する。自己再結晶化は、マークサイズを著しく縮小する。場合によっては、マークサイズの縮小は１％以上であるが、１０％、５０％、さらには１００％にまで高まることもある。本発明の１つ以上の態様に基づくマーク形成によれば、目立った自己再結晶化を起こさずにマークを書き込むことができ、隣接データセルのマーク等他のマークを変化させずにマークを書き込むことができ、マークエッジ検出を著しく向上できる。さらに、著しい自己再結晶化を避けることにより、データセルに沿って連続的にマークを書き込むことができ、対応するデータセルの全長に渡ってマークを完全に書き込むことができる。
【００３９】
外部エネルギ源から相変化材料へのエネルギ印加は、その相変化材料にエネルギを加える手段を提供する。加えられるエネルギ量は、印加エネルギ量と相変化材料へ移動した印加エネルギの割合とに依存する。好適実施例において、外部エネルギ源から相変化材料へのエネルギ移動は、吸収により発生する。吸収が強いほど、相変化材料へのエネルギ印加は大きくなる。
【００４０】
相変化材料に加えられたエネルギは、その温度を上昇させる。相変化材料の温度は、エネルギ印加に伴って上昇する。外部エネルギ源への暴露が十分長ければ、相変化材料の温度は、最大値において飽和する。外部エネルギ源を取り除くと、相変化材料の温度は下降する。レーザパルス印加中の温度上昇およびレーザパルスを取り外した時の温度下降の例は、図２に示した通りである。
【００４１】
相変化材料の温度上昇、最大到達温度、加熱速度、および冷却速度の大きさは、加えられたエネルギ量、印加エネルギの空間プロファイル、相変化材料の厚さ、印加エネルギを加える面積または体積、相変化材料の熱伝導率および熱容量に依存する。さらに、相変化層が存在する積層または構造中における他層の存在、厚さ、化学組成、熱特性等に依存する。
【００４２】
本発明の目的は、非晶質マークの成形である。形成するマークに関して十分なエネルギを印加し、相変化材料の温度を十分に上昇させ、非晶質相を形成しなければならない。非晶質マークの形状は、印加エネルギの空間プロファイル、エネルギ印加期間、および相変化材料と周囲層および隣接層とにおける最終結果エネルギに影響を受ける。
【００４３】
印加エネルギの空間プロファイルは、外部エネルギ源が提供するエネルギの空間分布による。空間プロファイルは、印加エネルギの境界を定義し、その境界内のエネルギの強さ、出力等の測定値を定義する。印加エネルギの境界は、外部エネルギ源が提供するエネルギの空間領域を定義する。境界内の領域は、外部エネルギ源からエネルギを直接受け取るが、境界の外側領域はそうではない。あるいは、エネルギ源の境界は、当該エネルギ源が提供するエネルギを伝搬する空間等の媒質領域としてとらえることもできる。例えば光エネルギ源の境界は、非ゼロ光度からゼロ光度への移行を示す。照射される空間領域は、非ゼロ光度を受け、印加する光エネルギ源の境界内にある。一方、照射されない空間領域は、その境界の外側にある。相変化材料あるいは他の媒体へエネルギを印加する場合、外部エネルギ源の境界は、エネルギ源と相変化材料との空間重複領域を定義する。例えば、外部光源を相変化材料に適用する場合、空間重複領域は、光エネルギが伝搬し照射する相変化材料の部分に対応する。空間重複領域内の各点は、入射時において印加エネルギの直接作用を受けるか、あるいは印加エネルギの伝搬路中に存在する。空間重複領域は、そのように定義される点を相変化材料の表面および内部に含む。
【００４４】
印加エネルギの空間プロファイルは、均一または不均一である。均一空間プロファイルにおいて、エネルギ強度は、印加エネルギの境界内において実質的に同一である。例えば、全点において実質的に同一温度に加熱された加熱表面は、均一熱エネルギ源として使用できる。不均一空間プロファイルの場合、エネルギ強度は、エネルギ源の境界内で空間的に変化する。例えば、代表的なレーザビームの場合、光度は光度分布に基づきビームの境界内で空間的に変化する。この光度分布は、ビームの中心が最高光度を有し、ビームの境界内においてビーム中心から離れるに従い、ガウス関数に基づいて光度が低下する。
【００４５】
前記空間分布は、印加エネルギと相変化材料との空間重複を決定し、外部エネルギ源と相変化材料との前記空間重複領域内の所定位置における相互作用の強さを決定する。均一空間プロファイルを有する外部エネルギ源は、相変化材料との空間重複領域内の全点に対して実質的に同一効果を与える。不均一空間プロファイルを有する外部エネルギ源は、空間重複領域内の様々な点において異なる効果を与える。この異なる効果は、エネルギ源の境界内においてそのエネルギ源の光度または強度の分布に応じて発生する。例えば、ガウスの光度プロファイルを有するレーザビームが相変化材料を伝搬する場合を考える。そのビームの方向が相変化材料の表面に直交していれば、空間重複領域は実質的に円筒形と考えられ、ビームはその最大効果を当該円筒形の長手軸に沿って発揮する。なぜならガウスのレーザビームの光度は、中心において最大だからである。空間重複領域の他の地点は、レーザビームのガウス光度プロファイルに従って、より弱い影響を受ける。前記円筒形の外側の各点は、空間重複領域の外側であり、ガウスのビームが相変化材料を伝搬することによる直接の影響を受けない。
【００４６】
印加エネルギの空間プロファイルは、印加エネルギと相変化材料との接触領域または重複領域を定義することにより、非晶質マークの形状に影響する。後述する場合のように補完効果がない時、非晶質マークは空間重複領域内だけに形成される。この理由は、この領域が相変化材料におけるエネルギ印加部分に対応するからである。十分なエネルギが加えられ、その温度が非晶質相形成温度を越えるまでに上昇すると、マークが形成される。このように、マークの形状および寸法は、印加エネルギの空間プロファイルが決定する。印加エネルギの境界内における光度分布が、空間重複領域内の全点を非晶質相形成温度に加熱するものであれば、マークは空間重複領域の全域に一致するであろう。空間重複領域内の選択点だけが非晶質相形成温度に加熱される場合、マークはそれら点にのみ一致するであろう。このようにマークは、印加エネルギと相変化材料との空間重複領域に全体的にあるいは部分的に一致する。
【００４７】
従ってマークの形状は、印加エネルギの空間プロファイルを制御することによって制御可能である。なぜなら空間プロファイルは相変化材料内の温度プロファイルを確立し、この温度プロファイルはマーク形成の決定力を持つからである。この温度プロファイルは、印加エネルギの結果として相変化材料内の各点において得られる空間温度分布を規定する。初期入射時において、温度プロファイルは印加エネルギと相変化材料との空間重複領域内に確立される。なぜならこの領域こそが印加エネルギの影響を直接受ける領域だからである。空間重複領域内の各点における初期温度は、その位置における印加エネルギの光度または強度に依存する。初期入射の後、各点における温度は変化する。初期入射の後、引き続き相変化材料を印加エネルギにさらすと、ある箇所の温度は、相変化材料へ移動する追加エネルギの結果、上昇するであろう。またある箇所の温度は低下（または印加エネルギだけから予測される速度よりも遅い速度で上昇）するであろう。これは、相変化材料内のエネルギ散逸あるいは他の形態のエネルギ移動に起因する。エネルギ移動の効果については、詳細を後述する。
【００４８】
印加エネルギの空間プロファイルに加え、印加エネルギの印加時間または期間も、マーク形状に影響を与える因子である。相変化材料への印加エネルギの初期入射点における温度が非晶質相形成に必要な温度を下回っていると、初期にはその場所にマークが形成されない。エネルギ源を引き続き印加し、長い露光時間における追加エネルギが当該位置の温度を非晶質相形成温度以上に上昇させれば、マークは形成される。
【００４９】
エネルギの印加期間もマーク形成に影響する。印加エネルギが相変化材料の温度を非晶質相形成温度あるいはそれ以上に上昇させるために十分であっても、印加期間を考慮しなければならない。なぜならマークを形成するためには、相変化材料を非晶質相形成温度あるいはそれ以上の温度に十分長い時間とどめねばならないからである。この現象の一例は過熱である。過熱とは、物質の結晶質相が非晶質相形成温度以上においても維持されることである。過熱は、非晶質相形成が可能なほど十分に高い温度の期間が短すぎる時に発生する。従ってエネルギ印加期間を制御することは、少なくとも２つの方法でマーク形状を制御することを提供する。
【００５０】
空間プロファイルとエネルギ印加期間とに加え、マーク形状に影響を与える第３の因子は、エネルギ源から相変化材料へ印加するエネルギのゆくえである。相変化材料の特定位置あるいは領域に直接印加するエネルギは、その位置あるいは領域に永久にとどまるわけではなく、当該相変化材料の他の場所あるいは領域へ移動する。伝導性冷却および容量性冷却は、相変化材料の一部から他部へ、あるいは相変化材料から隣接材料あるいは周囲材料へエネルギが移動することの一例である。エネルギ移動の正味効果は、高エネルギ領域から低エネルギ領域へのエネルギ再分布である。例えば熱エネルギは、高温領域から低温領域へ流れる。
【００５１】
エネルギ移動は、相変化材料における温度プロファイルに影響を与えるため、マーク形成に影響を与える。相変化材料の温度プロファイルは、その材料の特定位置へのエネルギ印加速度、および位置間のエネルギ再分布に左右される。前記した通り、マークを形成するには相変化材料を加熱し、十分高い温度に十分長い時間置かねばならない。エネルギ移動は、相変化材料中の特定位置における非晶質相形成に必要な温度を妨げるように働いたり、相変化材料の特定位置において非晶質相形成に必要な十分高い温度を十分な期間維持することを妨げるように働くことがある。
【００５２】
さらにエネルギ移動は、印加エネルギと相変化材料との空間重複領域の外側の相変化材料部分がエネルギを間接的に受け取る仕組みにより、マーク形成に影響を与える。前記した通り、相変化材料への印加エネルギの初期入射は、空間重複領域へエネルギを直接印加する。この領域は、印加エネルギの境界と相変化材料における伝搬方向とによって決まる。空間重複領域の外側の相変化材料部分は、エネルギを直接受け取ることはないものの、エネルギ移動を介して間接的にエネルギを受け取ることがある。空間重複領域に印加されたエネルギは、当該空間重複領域の外側領域へ移動し得る。このエネルギ移動は、印加エネルギと直接作用しない相変化材料部分へ、間接的にエネルギを印加することになる。間接的エネルギ移動は、空間重複領域外の相変化材料の温度を上昇させる。このようにしてエネルギ移動は、相変化材料の温度プロファイルを左右する。
【００５３】
マーク形成の見地からすると、エネルギ移動は、間接的エネルギ提供により、空間重複領域の外側にマークを形成する恐れがある。これは、空間重複領域外に間接的に提供されるエネルギ量が、空間重複領域外の相変化材料部分の温度を非晶質相形成温度あるいはそれ以上に上昇させるに十分な時である。その結果、空間重複領域外でマーク形成が発生することがある。これは望ましくない。なぜなら予測不能なマーク形成に導くからであり、マーク拡大や記憶密度低下につながるからである。マーク拡大は、マーク境界をぼかし、マーク間にクロストークを発生させる。
【００５４】
マーク形状を制御するため、相変化材料の温度プロファイルを制御することが重要である。ある時点における温度プロファイルに影響する因子は、相変化材料へのエネルギ印加速度、印加エネルギ期間、印加エネルギの空間プロファイル、相変化材料中のエネルギ再分布または移動である。これら因子は、相変化材料およびその所定箇所の加熱および冷却速度に影響を与える。以下において、相変化材料に蓄積する印加エネルギ量を、マーク形成に利用可能なエネルギ収支と呼ぶ。本発明の好適実施例において、相変化材料中のマーク形成に利用可能なエネルギは、熱エネルギであり、エネルギ収支は熱エネルギ収支であり、これを熱収支と呼ぶ。熱収支は、印加熱エネルギの形で受け取られるか、あるいは他の形の印加エネルギから熱エネルギへの変換を介して相変化材料に蓄積される。
【００５５】
熱収支の管理は、マーク形成および形状を制御する上で重要な因子である。熱収支の管理を通して、温度プロファイルを制御でき、要求形状に対応する相変化材料の領域に選択的にマークを形成できる。熱収支管理の１つの方法は、相変化材料のマーク形成領域に熱収支を選択的に印加あるいは向けることである。熱収支は、マーク形成に利用可能なエネルギ量を表す。マーク形成が進行しマークサイズが増大すると熱収支が減少し、マークサイズをさらに増加させるには不十分なエネルギが残る。マーク形成は、利用可能な熱収支が、相変化材料の一部の温度を非晶質相形成温度まで上昇させるには不十分となる時、停止する。
【００５６】
マークの成形は、熱収支を適切に管理することで実現できる。要求形状のマークを形成するために必要な熱収支は、マーク形状に関与する相変化材料の体積であって非晶質相形成温度まで温度上昇させねばならない体積によって決まる。マーク形状の横および縦寸法は、そのマークに関係する相変化材料の体積を決定する。所定マークサイズに対して、最低熱収支を定義する。これは、マークに関係する相変化材料部分の体積を非晶質相形成可能な最低温度まで上昇させるのに必要な最低熱量である。
【００５７】
基本的に、特定のマーク形状に関係する最低熱収支を印加すれば、マークを形成できる。しかしながら実際には、最低熱収支方式は、多くのやっかいな問題を有する。最低熱収支方式は、それを効果的に行うため、要求マーク形状の境界内の各点を非晶質相形成可能な最低温度まで上昇させるのに必要なエネルギだけを印加するよう求める。最低熱収支方式の問題の１つは、要求マーク形状の境界内の各点において非晶質相を形成するために必要な最低エネルギを知らねばならないことである。これは、要求マーク全域の局所組成、各点において非晶質相を形成できる最低温度等、各因子に関する詳細な知識を必要とする。相変化材料が均質であれば、要求マークの境界内の全点が同一最低印加エネルギ量を必要とすると仮定できよう。しかしながら多くの材料は不均質であり、短い長さにおいても不均一性を示す。このような材料について、非晶質相形成に必要な最低エネルギ量を各点毎に決定するのは困難である。たとえ各点毎の最低エネルギを知ることができても、最低熱収支方式は、マークの要求境界内において、各点毎の最低エネルギを提供するのに適したあるいはそのように調整可能な外部エネルギ源を用意しなければならない。これは、たとえ必要最低印加エネルギ量がマークの要求境界内において均一であっても、不可能であろう。各点毎に最低エネルギを印加することの別の問題点は、印加エネルギのごく一部だけが相変化材料に蓄積し、その一部を知ることは困難であるという事実である。
【００５８】
最低熱収支方式は、印加したエネルギが印加点あるいは少なくともマークの要求境界内にとどまることを必要とする。マークの要求境界の外側領域へ移動した全てのエネルギは失われたエネルギであり、最低熱収支方式の固有の欠点である。エネルギ移動を阻止することは不可能と思われる。なぜならマークの要求境界内へのエネルギ印加は、その境界内の温度を上昇させ、マーク要求境界外の相変化材料部分に対して温度傾斜を作るからである。このような温度傾斜は、エネルギ移動の原動力を提供する。このようなエネルギ移動の阻止あるいは少なくとも禁止することは、印加エネルギがエネルギ移動に関係する期間よりも極めて短い期間で非晶質相形成に消費されるなら、可能であろう。しかしながらこの条件を満たすことは困難である。なぜなら相変化材料は、マーク形成に十分な期間、非晶質相形成温度あるいはそれ以上の温度にとどめねばならないからである。この必要期間は、非晶質相形成を実行する温度が低いほど長くなる。最低熱収支方式は、マークの要求境界内において非晶質相を形成できる最低温度を各点毎に確立する必要があるため、マークの要求境界内において相変化材料を長い期間高温に維持せねばならない。その結果、温度傾斜の存在期間は、マークの要求境界外の相変化材料部分に対して長くなり、エネルギ移動の可能性を高める。
【００５９】
これら最低熱収支方式に関連する問題点に鑑み、マーク形成に際しては最低熱収支を越えるエネルギを使用することが有利であろう。このような過剰エネルギを使用すれば、最低熱収支方式に関連する問題を回避し、エネルギ移動等の過程で失われるエネルギを補完できるであろう。しかしながら過剰エネルギの存在は、他の問題を引き起こすであろう。なぜなら要求境界を有するマークを形成するために必要なエネルギ以上のエネルギを放散あるいは分配する必要があるからだ。過剰エネルギはマーク形成を促進するであろうが、要求サイズあるいは形状に対応する境界のマークを形成するという目的に悪影響を与えないよう、廃棄あるいは分配しなければならない。
【００６０】
例えば過剰熱収支を使って、マークの要求境界内の温度を非晶質相形成に必要な最低温度以上に上昇させることを考える。このような温度上昇は、非晶質相形成期間を短縮し、マーク形成に都合がよいと思われる。しかしながら形成されたマークは、最低熱収支方式での温度よりも高い温度にある。高温のマークは、平衡温度まで冷却しなければならず、この冷却中に放出されるエネルギは、マーク境界外の相変化材料部分に散逸するであろう。この散逸エネルギが、形成したマークの境界外で非晶質相を形成することになれば、マーク拡大や擬似マーク形成等の悪影響につながる。このような悪影響が起きるのは、散逸エネルギが十分な期間と大きさを有し、マークの要求境界外の相変化材料部分の温度を非晶質相形成温度に上昇させる時である。
【００６１】
さらなる問題は、前記過剰エネルギがマーク境界内にマーク形成後十分長い期間とどまる場合に発生する。非晶質相の再結晶化は、非晶質相を長期間加熱したり、非晶質相形成後も高温を維持したりする時に発生する。再結晶化は、非晶質相形成温度よりも低い温度で起きるため、新しく形成した非晶質の冷却中にその冷却が遅すぎる場合に発生する。再結晶化は、非晶質相が結晶質相に変換する過程である。非晶質相から結晶質相を形成する条件は、ＴＴＴ（時間温度変換）曲線で説明できる。これは当業者に良く知られている。ＴＴＴ曲線は、非晶質相が結晶質相形成の特定温度にとどまらねばならない時間を示す。結晶化は、最低温度と最高温度との間の温度範囲において発生する。これら最低温度および最高温度は、相変化材料の化学組成に依存する。結晶化の最低温度で相変化材料に結晶化を引き起こすには、その材料をその温度にある期間維持しなければならない。温度が最低温度以上に上昇すると、結晶化に必要な時間は減少する。そして結晶質相を形成できる最低温度と最高温度との間のある温度において、結晶化の最低必要時間が実現する。さらに温度が上昇すると、結晶化に必要な時間は増大し、結晶質相を形成できる最大温度を越えると、結晶化は起きなくなる。一般にこの最大温度は、相変化材料の融点よりも低い。
【００６２】
このため、温度が結晶化に必要な最低温度から結晶質相を形成できる最高温度まで上昇するに従い、結晶化に必要な時間は最低時間まで減少し、それから増大する。結晶化に必要な時間のこのような変化は、非晶質相からの結晶化過程における相反する効果間の平衡を反映すると考えられる。これら因子は、非晶質相中の原子が結晶化を開始できる中間構造に再配列する能力と、相変化材料が結晶化発生に十分な期間、その中間構造を保持する能力とを含む。低温においては、存在する熱エネルギ量が低過ぎるため、非晶質相における原子は容易に動かず、再配列が起きず、結晶質相の形成につながらない。原子の動きは緩慢であり、結晶化に必要な時間が長くなる。より高温においては、存在する熱エネルギ量は十分であり、非晶質相中の原子は容易に動き再配列が可能となる。しかしながら原子の動きが速いため、結晶化を引き起こす原子の中間構造が短時間しか存在せず、結晶化に最適とはならない。そして熱エネルギは、結晶化が完了する前にその結晶を崩壊させる。
【００６３】
マークの結晶化は、マークの要求境界外に存在するエネルギがマークの要求境界内へ移動する（または再移動する）時に起きる。エネルギは、マークの要求境界外に存在し得る。なぜなら、エネルギがその場所にエネルギ源から直接印加されることがある（例えば印加エネルギの空間プロファイルがマークの要求境界の外側へ延びる）からである。あるいはエネルギがマークの要求境界内に直接印加された後、移動することがあるからである。マークの境界外に存在するエネルギは、マークの境界内に戻ることもある。このようなエネルギは、マークの一部の結晶化を引き起こし、マークの品質を低下させることがある。この現象は、バッククリスタリゼーションと呼ぶことができる。
【００６４】
従って光記録およびマーク形成に関して効果的な過剰熱収支管理は、要求境界内でのマーク形成を促進するだけでなく、過剰熱収支の無害な廃棄の便宜を図らねばならない。マーク拡大、擬似マーク形成、マーク境界の拡散、独立したマーク同士の結合、再結晶化、バッククリスタリゼーション等を制御しなければならない。
【００６５】
本発明の情報記録方式は、要求形状のマークを形成する。この方式は、最低熱収支方式が必要とするエネルギ量を超えるエネルギを印加することを可能にする。しかしながらその過剰量を最低に抑えるので、低熱収支方式と呼ぶことができる。この方式は、無害な方法で過剰熱収支を散逸させる。本発明において、熱収支の管理は、短いエネルギパルスの形態においてエネルギを印加することによって実現する。本発明は、短いエネルギパルスが、冷却速度を速め、マークの要求境界からエネルギを散逸させるのに有効であることを立証した。本発明は、短いエネルギパルスによって熱収支のより効果的な制御を行い、マーク形成エネルギをより良く活用し、過剰熱収支を無害に散逸させる。
【００６６】
本発明の一態様は、短いエネルギパルスによって、伝導性冷却機構よりも容量性冷却機構を介してエネルギ散逸を強化する。容量性冷却は、伝導性冷却よりも冷却速度が速い。要求形状のマーク形成の観点から、容量性冷却の強化は利点がある。なぜなら、エネルギ散逸を速くすれば、マークの要求境界外での非晶質相形成の可能性を最小にできるからである。過剰熱収支を迅速に移動させると、その過剰熱収支はマークの要求境界外を通り、マークの要求境界外の相変化材料のどの部分にも非晶質相を形成するだけの時間とどまらない。このため、マーク境界はよりよく区画される。また迅速なエネルギ移動は、再結晶化を禁止する。なぜならマーク形成時の高温は、短いパルスを印加したエネルギ源を取り去れば、急速に低下するからである。急速な温度低下は、マークが結晶質相形成温度に結晶質相形成期間とどまる可能性を最小にする。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】記録トラックを有する光相ディスクを示す平面図と、本発明に基づく方法でそのディスクに形成した複数のマークを示す分解図である。
【図２】本発明に基づく方法を用いた記憶媒体の加熱および冷却を示すグラフである。
【図２】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
2004521433.tif 000044