(57)【要約】本発明は、複合構造、当該複合構造を使用した廃液処理方法、並びに、当該方法を実施するためのデバイスに関する。前記構造は、ポリマー又は電気的に中性のコポリマーのフィルムを含む。更に、本発明は、前記構造を使用した廃液処理システム及び方法にも関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを錯化可能な、ポリマー、又は、電気的に中性の有機コポリマーのフィルムがその上にグラフト化された基体を含む錯化構造。
【請求項２】
基体上にグラフト化された電気的に中性の有機ポリマーが、
−　１以上の、同一又は異なる、錯化特性を有する官能基であって、アミン、アミド、エーテル、カルボニル、ホスフィン、ホスフィンオキシド、チオエーテル、ジスルフィド、ウレア、クラウンエーテル、アザクラウン、チオクラウン、クリプタンズ、セプルクランズ、ポダンズ、ポルフィリン、カリックスアレーン、ピリジン、ビピリジン、ターピリジン、キノレイン、オルトフェナントロリン化合物、ナフトール、イソナフトール、チオウレア、シドロホン、抗生物質、エチレングリコール、シクロデキストリン、及び、これらの官能基で置換及び／又は官能化される分子構造、から選択される官能基、
及び／又は、
−　１つ以上のレドックスロック型の錯化キャビティ
を含む、請求項１記載の錯化構造。
【請求項３】
前記ポリマーが、４−ビニルピリジン、ビニルビピリジン、チオフェンから選択されるモノマーを含むポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項４】
前記ポリマー又は有機コポリマーのフィルムがメチルメタクリレートと、エステルのメチル基がレドックスロックを備えたクラウンエーテルによって置換されたメチルメタクリレートとのコポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項５】
前記ポリマー又は有機コポリマーのフィルムが４−ビニルピリジン及びビニルフェロセン又はビニルジフェロセンのコポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項６】
前記有機ポリマーのフィルムが約１０μｍ以下の厚みを有する、請求項１記載の錯化構造。
【請求項７】
前記基体がプレート、ストリップ、テープ、ガーゼ、メッシュ、ワイヤ、ビーズ、パウダー、チップ、及び、チューブから選択される、請求項１記載の錯化構造。
【請求項８】
基体の全体又は一部が、導電体又は半導体物質により構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の錯化構造。
【請求項９】
基体が３１６Ｌステンレス鋼製である、請求項１乃至８のいずれかに記載の錯化構造。
【請求項１０】
廃液からイオンを抽出する廃液処理方法であって、当該方法が
被処理廃液を請求項１乃至９のいずれかに記載の構造と接触させて被抽出イオンを前記電気的に中性の有機ポリマーのフィルムによって錯化する工程
を含む、廃液処理方法。
【請求項１１】
前記ポリマーによって錯化されたイオンを放出する工程をも含み、当該放出が化学的手段又は電気補助手段により行われる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
化学的手段による錯化イオンの放出が、有機ポリマーのフィルムを当該フィルムにより錯化されたイオンに強い親和性を有するリガンドを含む溶液に浸漬することによって行われる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記フィルムがポリ−４−ビニルピリジンのフィルムで、廃液から抽出されるイオンが銅及び／又は亜鉛イオンである場合、後者の放出が熱水を使う方法、アンモニア溶液を使う方法、又は、これらの２つの方法の組み合わせによって行われる、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
基体が導電体又は半導体基体で、当該基体にグラフト化された前記有機ポリマーがレドックスロックを備えた１以上の錯化キャビティを含む場合、錯化イオンの放出が、前記ポリマーフィルムを保持する導電体又は半導体基体を電気分極する電気補助手段によって行われる、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
イオンを錯化したポリマーフィルムを除去する基体剥離工程をも含み、基体上に新しいポリマーフィルムを堆積する工程が任意に続く、請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
被処理廃液の連続処理用デバイスであって、
−　請求項１乃至９のいずれかに記載の錯化構造
−　被抽出イオンを含む被処理廃液を含む第１の容器
−　前記構造のポリマーにより錯化されたイオンを放出させるための溶液を含む第２の容器
及び
−　連続的に、制御されたスピードで、被処理廃液を含む第１の容器中に前記構造を通過させ、次に、前記錯化構造のポリマーにより錯化されたイオンを放出させるための溶液を含む第２の容器中を通過させる手段
を含む、デバイス。
【請求項１７】
前記構造が、端を結合したテープである、請求項１６記載のデバイス。
【請求項１８】
前記錯化構造が、水車システムにより駆動されるバケツ中に配置されるメッシュの組立体である、請求項１６記載のデバイス。
【請求項１９】
被処理廃液の流速、及び／又は、被処理廃液中のイオン濃度、及び／又は、前記有機フィルムによるイオンの錯化速度と脱錯化速度との関係に依存して、前記構造が前記第１の容器、次に第２の容器を通過する速度を調整する制御手段をも含む、請求項１６記載のデバイス。
【請求項２０】
被処理廃液の連続処理用デバイスであって、
−　請求項１乃至９のいずれかに記載の錯化構造
−　被抽出イオンを含む被処理廃液を含む第１の容器
及び
−　連続的に、制御されたスピードで、第１の容器から、前記被処理廃液を含む前記錯化構造の表面上又はその中に前記被処理廃液を通過させる手段
を含む、デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複合構造、当該複合構造を使用した廃液処理方法、並びに、当該方法を実施するためのデバイスに関する。
【０００２】
表面処理、原子力産業、塩水の淡水化、更には希少金属の冶金の全ては有毒な、及び／又は、貴重なイオンを含む廃液を生成する。
【０００３】
例えば、自動車産業では、亜鉛電気被覆が、亜鉛、銅、鉄、クロム等の金属又はその塩を含む廃液を生成する。そして、一般に、このことは電気メッキだけでなく、銅、鉄等の汎用の金属或いは、金、白金等の化学、更には、原子産業設備の安全に関してもあてはまる。
【０００４】
原子力セクターにおける設備の安全に関していえば、放射性イオンによる壁のスケーリング（ｓｃａｌｉｎｇ）を克服するために、その表面は後で特に水によってクリーニングされるが、これは、適当な施設中の廃液の処理を問題として念頭においていることを意味する。
【０００５】
例えば貴重な金属等の原料のロスを減少させる、或いは、廃液廃棄レベルに関する法規制を遵守する、或いは、安全性の問題のために有害なイオンを捕捉する、のいずれかのために、廃液を生成する多くの企業は徐々に生成された廃液の処理を自己で行わざるを得なくなっている。世界的には、この処理は廃液からイオンを抽出し、また、可能であれば、この廃液の体積をできるだけ減少させて固体の形態とすることからなる。
【０００６】
欧州の他の国と同様に、フランスにおける地域的規制では、銅やクロム等の幾つかの有害な金属イオンの許容濃度をより低くする傾向があり、且つ、表面処理の平方メートル当りの廃棄廃液の最大量を制限する傾向がある点が注意されるべきである。
【０００７】
更に、フランスの環境省は、現在、「廃棄液ゼロ」に向けた規制を検討しており、それは、企業に固体の廃棄物のみを廃棄させ、廃棄物の液体部分は閉鎖された循環処理を受けさせる、というものである。
【０００８】
【従来の技術】
水処理施設は、処理されるべき廃液の流速、廃液中のイオン濃度、…等によって、幾つかのタイプのイオン濃縮システムを含みうる。この濃縮が電気透析、逆浸透、又は、蒸発によって得られる場合は、これは組織的には他のイオン含有溶液の生成をもたらす。すなわち、より高濃縮された溶液、或いは、流入する廃液よりも低濃度の溶液のいずれかが生成するが、一般に、これは廃棄ゼロの目的又は現在の規制に適合しない。
【０００９】
イオン処理には他の様々なシステムが使用されるかもしれない。例えば、以下のものが挙げられる。
−「沈殿」施設：
（ここでは、タンクに到着した原液が、加熱下、水酸化ナトリウム等の強塩基中で処理され、存在する金属の水酸化物塩及び／又は炭酸塩の沈殿を強制する。得られるスラッジは次に、例えば、フィルタープレス手段によって、脱水される。廃液中に含まれる残存カチオン濃度は、スラッジ中に沈殿している水酸化物及び炭酸塩生成物の溶解度に依存する。したがって、それはイオンの化学的性質によって変化する。しかし、この濃度の合計は１００ｍｇ／ｌに対して２〜３ダース程度のオーダーであると見積もられる。すなわち、現在の許容濃度である約１ｍｇ／ｌ、又は、それ未満に対して、かなり上回る。）
−低濃度又は極低濃度に到達可能な濾過施設：
（最も頻繁に使用されるシステムの一つがイオン交換樹脂である。これはポリマー物質であり、たいていの場合、純化される液体が通過するカートリッジ中に充填されて、液体中のカチオンを捕捉し、他の無害なイオン、例えばナトリウムイオン（Ｎａ＋）等の一般的なアルカリイオンに置換するように機能を与えられている。任意のｐＨ調整を経てイオン交換樹脂を通過して得られた溶液は一般に法規制により与えられたレベルに適合する。いったん飽和すると、カートリッジは、廃棄され新しいカートリッジと置換されるか、或いは、取り外されて、酸溶液、ナトリウム濃縮溶液等の溶液を用いて捕捉イオンを除去することにより再生されることができる。再生カートリッジは多くは１０回まで再利用される。カートリッジが再生される場合、再生が最小限の設備で局所的に行われることもあるし、カートリッジが再生業者に戻されることもある。ポリマーにグラフトされたカルボキシレート又はスルホネート基に基づく陽イオン交換樹脂の典型的な再生は以下の工程を含む；（ｉ）水中で洗浄する；（ｉｉ）樹脂から金属カチオンを除去するために、酸洗浄を行う。必要に応じて繰り返す；（ｉｉｉ）水ですすぐ；（ｉｖ）樹脂を再酸性化するために水酸化ナトリウムでクリーニングし、プロトンをナトリウムイオンで置換する；（ｖ）水ですすぎ、樹脂を再層化し、過剰の水酸化ナトリウムを除去する。）
【００１０】
これらの２つのシステムは等価ではない。沈殿（法）は、イオン回収作業の主要部分を実行するには「ラフで容易な方法」であるが、許容範囲にあう低濃度を十分に達成するものではない。
【００１１】
一方、イオン交換樹脂（法）は低濃度又は極低濃度を達成できるが、液状の廃棄物、すなわち、既に部分的に（例えば沈殿法で）処理されたものだけを効率的に処理できるにすぎない。
【００１２】
したがって、これらのシステムは単独では常に十分に有効とは限らない。
【００１３】
ところで、特に、原子力産業からの廃棄物の再処理に由来する放射性廃液の場合は、液−液抽出が最もしばしば沈殿に好ましいという点に注意すべきである。沈殿法は、しばしば焼却不可能な程の非常に多体積の固体廃棄物を生成し、分離可能なイオン以外の多量のイオンをもたらすが、これは、単純な回収がそれほど重要でない、分離を目的とする領域では邪魔である。
【００１４】
今日の産業界は、イオン交換樹脂に基づくシステムが最も頻繁に使用される場合でさえ、多くの欠点に悩まされている。
【００１５】
その名（イオン交換樹脂）が示すとおり、その機構はイオンを交換することからなり、不要なカチオンがより邪魔でない他のものに置換される。処理後、流出する「脱イオン化」溶液は、流入する溶液中の不要なカチオンの濃度に対して、大まかにいって、非常に高いナトリウム濃度を有している。ナトリウム塩は一般に非常に溶解性の低い生成物を与えるので、その塩濃度が高くてもその水は多くのボイラーに適切なものである。
【００１６】
更に、もともと、イオン交換樹脂カートリッジの機能化の根底にある原理は、連続操作には適切なものではない。次のカートリッジにリレーされる前に、飽和するまで順々に幾つかのカートリッジを配置する工夫によって、これは克服できる。しかし、カートリッジの処理能力は、特にそのサイズ、交換基の体積密度等により、限られている。したがって、設備のサイズは、幾分純理論的ではあるが、計画された設備の流速と緊密に関連している。
【００１７】
液−液抽出の利点の一つはその適用の簡易性であるが、このシステムは多くの大きな制限を受けている。
【００１８】
２つの液相は、多くの場合、その非相溶性によって選択される。しかし、これは唯一の基準ではない。分子錯化剤によってキレート化されたイオンは被抽出相中よりも抽出相中でより可溶性とならなければならない。この結果は、比較的複雑な分子錯化構造を生成する労苦により達成されるが、それはしばしば一つのタイプのイオンにしか適合しない。
【００１９】
更に、放射性イオンは多くの場合カチオンであり、液−液抽出に使用される分子錯化構造は電気的に中性の構造を基礎としているので、抽出構造全体の電気的な中性を保証するために、対イオンの共抽出がその他の制限となっていた。動力学的な見地のみからいえば、液−液抽出に関する分子エンジニアリングは錯体構造と特定の対イオンの生成の両者に関係している。しかし、局所対イオンとして振る舞うカルボキシレート官能基を保持する錯化構造に分子腕が直接固定された「オール−イン−ワン」溶液の出現が注意されるべきである。この試みはイオン交換の概念に帰化する方法をもたらすが、抽出を可能とする原材料の生成をより複雑にする。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、上記の欠点を有しない新しい構造、そして、それにより、廃液を効率的に処理し、例えば不要であるから、或いは、貴重であるから、といった理由でイオンをそこから抽出することのできる新しい構造の開発の実質的なニーズが存在する。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、正確には、上記の欠点を克服し、上記の全ての用途で使用可能な錯化（又はキレート化）構造を提供することである。
【００２２】
本発明の構造は、イオンを錯化可能な、ポリマーフィルム、又は、電気的に中性の有機コポリマーのフィルム、がグラフト化された基体を含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明では、基体上にグラフト化されたポリマー又は電気的に中性の有機コポリマーが、例えば、１以上の、同一又は異なる、アミン、アミド、エーテル、カルボニル、ホスフィン、ホスフィンオキシド、チオエーテル、ジスルフィド、ウレア、クラウンエーテル、アザクラウン、チオクラウン、クリプタンズ、セプルクランズ、ポダンズ、ポルフィリン、カリックスアレーン、ピリジン、ビピリジン、ターピリジン、キノレイン、オルトフェナントロリン化合物、ナフトール、イソナフトール、チオウレア、シドロホン、抗生物質、エチレングリコール、シクロデキストリン、これらの官能基で置換及び／又は官能化される分子構造から選択される、錯化特性を有する官能基、及び／又は、１つ以上のレドックスロック型の錯化キャビティを含む。
【００２４】
本発明では、前記ポリマーは例えば４−ビニルピリジン、ビニルビピリジン、チオフェンから選択されるモノマーを含むポリマーであってもよい。
【００２５】
本発明では、前記ポリマーのフィルム又は有機コポリマーのフィルムは好ましくは約１０μｍ以下の厚みを有する。
【００２６】
例えば、前記ポリマー又は有機コポリマーのフィルムは、メチルメタクリレートと、エステルのメチル基がレドックスロックを備えたクラウンエーテルによって置換されたメチルメタクリレートとのコポリマー、或いは、４−ビニルピリジン及びビニルフェロセン又はビニルジフェロセンのコポリマーであってもよい。
【００２７】
本発明では、基体は異なった形態を有していてもよく、例えば、本発明の構造の使用意図に適合するものであってもよい。すなわち、本発明により選択される廃液処理方法のタイプに適合することができる。それは、例えば、プレート、ストリップ、テープ、ガーゼ、メッシュ、ワイヤ、ビーズ、パウダー、チップ、チューブ等から選択されてもよい。
【００２８】
基体は、その全体又は一部が、導電体又は半導体により構成されてもよい。もし部分的に導電体又は半導体物質により構成される場合は、この物質は基体上にあってもよい。
【００２９】
基体は、本発明の使用意図、すなわち例えば本発明に従って選択される廃液処理方法のタイプ、により選択された物質から構成されてもよい。それは例えば劇的な処理条件、酸、塩基性のｐＨ値、及び／又は、高温に耐えることが要求されるかもしれない。この物質は、例えば、ガラス又は金属等の鉱物或いは有機物でもよい。
【００３０】
例えば、基体は、例えば３１６Ｌステンレス鋼のワイヤーガーゼ又はメッシュの形態でもよい。
【００３１】
本発明は、また、廃液を処理してそこからイオンを抽出する方法にも関し、当該方法は、被処理廃液を本発明の構造に接触させ、被抽出イオンが前記電気的に中性の有機ポリマーフィルムによって錯化されるようにする工程を含む。
【００３２】
本発明の最初の実施態様では、上記接触工程は上記錯化構造を被処理廃液に浸漬することによって実施されることができる。この場合、本発明の方法は廃液から抽出されるべきイオンが複合化されている錯化構造が被処理廃液から取り出される工程をも含むかもしれない。
【００３３】
本発明の第２の実施態様では、上記接触工程は被処理廃液を本発明の構造の上又はその中に通過させることによって実施されることができる。例えば、１以上の本発明の錯化構造が配置されている１以上のカートリッジ中に廃液を循環させてもよい。また、例えば、基体は、本発明の錯化有機フィルムがグラフトされているダクトの内部表面であってもよい。この例では、被処理廃液をダクト中で循環させることによって接触を実施することができる。
【００３４】
本発明の方法は、また、ポリマーによって錯化されたイオンが放出される工程を含んでもよく、当該放出はおそらくは例えば化学的経路又は電気補助手段によって実施される。化学的経路は例えば錯化構造を１以上の脱錯化溶液に浸漬するか、或いは、本発明の構造上で１以上の脱錯化溶液を循環することによって実施されうる。
【００３５】
本発明の他の態様では、上記の放出工程に代えて又は追加して、上記方法はイオンを錯化したポリマーフィルムを除去する基体剥離工程も含むことができ、任意に、基体上に新しいポリマーフィルムを堆積する工程が続く。
【００３６】
本発明では、化学的手段による錯化イオンの放出は、例えば、有機ポリマーフィルムを、このフィルムに錯化されたイオンに強い親和性を有するリガンドを含む溶液に浸漬することによって実施することができる。
【００３７】
例えば、もし上記フィルムがポリ−４−ビニルピリジンのフィルムで、廃液から抽出されるイオンは銅及び／又は亜鉛イオンである場合、後者は熱水を使う方法、アンモニア溶液を使う方法、又は、これらの２つの方法の組み合わせの手段によって、当該フィルムから放出されうる。
【００３８】
例えば、基体が導電体又は半導体基体で、当該基体にグラフト化された上記有機ポリマーがレドックスロックを備えた１以上の錯化キャビティを含む場合、錯化イオンの放出は、例えば、上記ポリマーフィルムを保持する導電体又は半導体基体を電気分極する電気補助手段によって実施することができる。
【００３９】
本発明は、また、被処理廃液の連続処理用デバイスにも関し、それは：
−　本発明の錯化構造
−　被抽出イオンを含む被処理廃液を保持する第１の容器
−　前記構造のポリマーにより錯化されたイオンを放出するための溶液を保持する第２の容器
及び
−　前記構造を、連続的に、制御されたスピードで、被処理廃液を含む第１の容器中を通過させ、次に、前記錯化構造のポリマーにより錯化されたイオンを放出するための溶液を含む第２の容器中を通過させる手段
を含む。
【００４０】
本発明のデバイス中では、前記構造の基体は、例えば、端が一緒に結合しているテープ、又は、メッシュでもよい。もし基体がメッシュ形態の場合、前記構造は例えば水車システムのバケツ中に載置されてもよい。この場合、錯化構造は水車システムにより駆動されるバケツ中に配置されたメッシュ構造の組立物である。
【００４１】
本発明では、上記デバイスは、例えば被処理廃液の流速、及び／又は、被処理廃液中のイオン濃度、及び／又は、イオンの錯化速度と有機フィルムの脱錯化速度との関係に依存して、被処理廃液を含む第１の容器、そして次に第２の容器、の中における前記構造の通過速度を調整可能なコマンド手段を含んでもよい。
【００４２】
これらの手段は例えば端が一緒に結合されたテープの前進速度の制御手段、或いは、上記バケツを駆動する水車の通過速度の制御手段であってもよい。
【００４３】
本発明の他の態様では、本発明は、また、被処理廃液の連続処理用デバイスにも関し、それは：
−　本発明の錯化構造
−　被抽出イオンを含む被処理廃液を保持する第１の容器
−　前記被処理廃液を、連続的に、制御されたスピードで、第１の容器から、前記被処理廃液を含む前記錯化構造の表面上を又はその中を通過させる手段
を含む。
【００４４】
このシステムは、また、本発明の構造により錯化されたイオンを放出させる溶液を含む第２の容器、及び、当該錯化イオン放出溶液を制御されたスピードで前記第２の容器から連続的に前記錯化構造の表面上又はその中を通過させてこの溶液を再生する手段を含んでもよい。
【００４５】
このデバイスでは、本発明の錯化構造は例えば単一のカートリッジ又は幾つかの同一の又は異なるカートリッジ中に配置されてもよい。本発明の異なる錯化構造は異なるカートリッジ中で使用されてもよい。カートリッジは固定されたままで、前記廃液及び前記放出溶液を前記構造の表面又はその中に通過させてもよい。
【００４６】
【発明の実施の形態】
本発明は、特に、錯化構造及び当該構造の使用方法に関する。それは表面の錯体化に関する。前記構造は基体と、好ましくは薄膜である、フィルム形態に堆積させた有機コーティングとを含む。前記コーティングは、イオン交換樹脂とは異なり、イオン、特にカチオン、を錯化可能なポリマーであり、錯体化は非常に少ない体積の物質（すなわち堆積されたポリマーフィルムの厚みと表面積の合計との積に等しい）の上で行われる。考慮下にある厚みは一般に１０マイクロメートル以下である。単位表面積当たりのポリマー量を増大させるために、ポリマーは例えば分割された基体の表面（ガーゼ、細メッシュ、ビーズ、チップ、パウダー等）上に堆積されてもよい。
【００４７】
例えば、ステンレス鋼メッシュを使用することにより、そして、単位表面積当たりのワイヤの数を変更（例えば２．５４ｃｍ（１インチ））することにより、得られる舞台はメッシュのｃｍ２当たり、２〜３ダースｃｍ２の有効表面積を含むことができる。
【００４８】
薄膜を使用する本発明の多くの利点は下記に示されるとおりである。
【００４９】
錯化物質は担体である基体と一体化されており、したがって容易に機械的な取り扱い、例えば、剥離、浸漬、抽出、すすぎ等、を行うことができる。これは、液−液抽出の相転移に固有な示差溶解性の問題、或いは、イオン交換樹脂の濾過関係の問題を回避する。錯化物質の取り扱いの点で達成された進歩は、２〜３０年前に均一触媒又は相間移動触媒が不均一触媒に代わられたときに達成されたものに類似している。上記の点に鑑みると、液−液抽出のように、抽出及び対イオンの共抽出の問題を除去することによって、電気的に中性の抽出構造が機能することが可能になり、したがって、「イオン交換」型の戦略に戻ることを回避することが可能になった。これは下記の幾つかの段落で説明される。
【００５０】
本発明のようにテープ物質を使用する場合、当該テープ上の錯化ポリマーの体積は当該フィルムの薄い厚みのために少ないかもしれず、被処理溶液すなわち要純化溶液並びにイオン放出工程でのフィルム再生溶液の両者のポリマーへの充満が早くなる。すなわち、錯化及び脱錯化時間が短くなり、錯化ポリマーで被覆されたテープを使用するテープ前進システムを構築することが可能となる。ここで前記システムでは、新しい錯化領域が被処理溶液の反対側にきて、テープ前進速度は変化する流速条件及び／又は変化する汚染イオン濃度に適合するように調整することができるパラメータとなり、例えば、動作速度は測定流速又は濃度に依存する関数となる。この点で、基体表面にグラフト化された薄い錯化フィルムの使用に基づく本発明のシステムは、樹脂の体積が流速に対して一定である現在のシステムとは異なり、修正することなく、だいたいの流速の範囲に対応することができる。
【００５１】
このシステムでは、例えばメッシュ基体を使用すると、連続的に操作可能なデバイスを製造することが可能である。例えば、それは錯化ポリマーで被覆されたメッシュからなるテープの手段によって可能である。このテープ（その端は合わされている）は要純化溶液のある部位に浸漬され、さらにある部位で、要純化溶液に戻る前に、脱錯化再生溶液に浸漬されるかもしれない。
【００５２】
イオン交換樹脂では樹脂全体を湿潤させるために必要な体積に相当する最小限の体積の再生溶液が使用される必要があるが、テープからイオンを放出させ、且つ、テープを再生させるために必要な体積は、本発明では、実際上無視できる程度であり、少量の体積だけでテープをセンチメートル単位で浸漬するのに十分である。浸漬時間は脱錯化速度及びテープの移動速度だけに影響を受けるかもしれない。本発明の方法では、イオン交換樹脂を使用する方法と比較して、被処理廃液体積と回復溶液体積の間の比にかなりの進歩を達成することができる。
【００５３】
本発明は、また、グラフトされたフィルムによって汚染有機分子を捕捉することにも適用される。ポリマーフィルムを製造するために使用されるモノマーの化学構造が変性されるだけなので、これは本発明の別の態様である。
【００５４】
本発明の構造は、イオンの錯化と放出を提供するためのものであって、イオン交換をするためのものではない。それは、電気的に中性の構造を使用する錯化に関する。
【００５５】
本発明で使用されるポリマーフィルムは、デイティブ（ｄａｔｉｖｅ）結合を形成してイオンを捕捉可能な、電気的に中性のコモノマーから得られる。
【００５６】
本発明の錯化フィルムを製造するために使用されるモノマーは特に基板にグラフトされるポリマーフィルムの最終状態における望ましい官能性に従って決定される。これらのモノマーは好ましくは少なくとも下記：
（ｉ）重合性又は共重合性；
（ｉｉ）官能基又は錯化分子構造の運搬能力；
（ｉｉｉ）官能基又は放出する分子構造の運搬能力
のうちの少なくとも２つを含む。
【００５７】
考慮下にあるモノマーはおおよそ下記の３つの潜在的官能性、すなわち、個々の「モジュール」から形作られるかもしれない。
【００５８】
重合反応を保証するモジュール：
このモジュールは一般に不飽和官能基、例えば、二重結合；共約二重結合又は不飽和環の組；不飽和重合性基の電子的活性化を可能とする電子吸引性基又は電子供与基から形成される。カソード電気分極には、これらはビニル炭素が求電子性である十分にアプロティックなビニルモノマーであってもよく、例えば、絶縁性ビニルポリマー、例えばＣ． Ｌｅｂｒｕｎ， Ｇ Ｄｅｎｉａｕ， Ｏ． Ｖｉｅｌ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， “Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”， １００−１０１， ４７４ （１９９８）に記載されるような４−ビニルピリジン、２−ビニルピリジン、Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｇ． Ｈｅｎｎｉｃｏ， Ｊ． Ｄｅｌｈａｌｌｅ， “Ｌａｎｇｍｕｉｒ”， ８， ２６７ （１９９２）に記載されるようなアクリロニトリル、１９９８年１１月１６日の仏国特許第９８１４３５１号に記載されるようなエチルアクリレート、メチルメタクリレートであることができる。アノード電気重合には、ビニル炭素が求核性である逆デマンドビニルモノマー（絶縁ビニルポリマー：Ｅ． Ｌｅｏｎａｒｄ−Ｓｔｉｂｂｅ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｍ． Ｄｅｆｒａｎｃｅｓｃｈｉ， Ｇ． Ｌｅｇｅａｙ， Ｊ． Ｄｅｌｈａｌｌｅ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ａ， ３２， １５５１（１９９４）に記載されるようなＮ−ビニルピロリドン）又は導電性ポリマー等のチオフェン、アニリン、ピロール等の共約モノマーであってもよい。化学的経路には、カチオン性、アニオン性又はラジカル性手段により得られるあらゆるタイプのポリマー、例えば、Ｋ． Ｇｏｇｏｖａ， Ｉ． Ｚｕｓｋｏｖａ， Ｅ． Ｔｅｓａｒｏｖａ， Ｂ． Ｇａｓ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ａ．， ８３８， １０１（１９９９）に記載されるようなポリエチレングリコールであってもよい。この重合モジュール自体が錯化特性を有してもよい（例えばＣ． Ｌｅｂｒｕｎ， Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｇ． Ｌｃａｙｏｎ， Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， １００−１０１， ４７４（１９９８）に記載されるような４−ビニルピリジン、例えばＡ． Ｉ． Ｋｏｋｏｒｉｎ， Ａ． Ａ． Ｐｒｉｄａｎｔｓｅｖ， Ｚｈｕｒｎａｌ Ｆｉｚｉｃｈｅｓｋｏｉ Ｋｈｉｍｉｉ， ７１， ２１７１（１９９７）及びＥ． Ａ． Ｏｓｉｐｏｖａ， Ｖ． Ｅ． Ｓｌａｄｋｏｖ， Ａ． Ｉ． Ｋａｍｅｎｅｖ， Ｖ． Ｍ． Ｓｈｋｉｎｅｖ， Ｋ． Ｅ． Ｇｅｃｋｅｌｅｒ， Ａｎａｌｙｔｉｃａ Ｃｈｅｍｉｃａ Ａｃｔａ， ４０４， ２３１（２０００）に記載されるような２−ビニルピリジン、エチレンイミン、例えば、Ｅ． Ｌｅｏｎａｒｄ−Ｓｔｉｂｂｅ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｍ． Ｄｅｆｒａｎｃｅｓｃｈｉ， Ｇ． Ｌｅｇｅａｙ， Ｊ． Ｄｅｌｈａｌｌｅ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ａ， ３２， １５５１（１９９４）に記載されるようなＮ−ビニルピロリドン）ことに注意すべきであり、また、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のように、錯化構造によって官能化されること、或いは、官能化されているか否かに係わらずそれ自体が錯化機能を有する他のモノマーとコモノマー構造をとること、を予定するメチル基はこの特性を有さなくてもよい。
【００５９】
錯化特性を有する官能基は例えばカチオンである。この基はあらゆる中性分子構造に関与してカチオン錯化、すなわち、フリー２価構造を可能とし、非第４級化窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を有する。例えば、アミン、アミドはこのリストの下に位置しており、例えば（ａ） Ｅ． Ｓｉｍｕｎｉｃｏｖａ， Ｄ． Ｋａｎｉａｎｓｋｙ， Ｋ． Ｋｏｒｓｉｋｏｖａ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ａ， ６６５， ２０３（１９９４）， （ｂ） Ｙ． Ｃ． Ｓｈｉ， Ｊ． Ｓ． Ｆｒｉｔｚ， Ｉｂｉｄ．， ６７１， ４２９ （１９９４）に記載のクラウンエーテル、アザクラウン、チオクラウン、クリプタンド、セプルクランド、ポダンド、例えばＡ． Ｖ． Ｕｄａｌ’ｔｓｏｖ， Ａ． Ａ． Ｃｈｕｒｉｎ， Ｋ． Ｎ． Ｔｉｍｏｆｅｅｖ， Ｙ． Ｖ． Ｋｏｖａｌｅｖ， Ｂｉｏｋｈｉｍｉｙａ （Ｍｏｓｃｏｗ）， ６４， ９４９ （１９９９）に記載のポルフィリン、カリックスアレーン、例えばＣ． Ｌｅｂｒｕｎ， Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， １００−１０１， ４７４（１９９８）に記載のピリジン、ビピリジン、キノレイン、オルトフェナントレン化合物、ナフトール、イソナフトール、例えばＡ． Ｖ． Ｕｄａｌ’ｔｓｏｖ， Ａ． Ａ． Ｃｈｕｒｉｎ， Ｋ． Ｎ． Ｔｉｍｏｆｅｅｖ， Ｙ． Ｖ． Ｋｏｖａｌｅｖ， Ｂｉｏｋｈｉｍｉｙａ （Ｍｏｓｃｏｗ）， ６４， ９４９ （１９９９）に記載のチオウレア、エンテロバクチン、デスフェリクローム、デスフェリオキサミンＢ等の天然シドロホン又は合成シドロホン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン、２，３−ジヒドロキシベンゾイルグリシン、ベンズヒドロキサミン酸等、抗生物質、エチレングリコール、例えばＪ． Ｆ． Ｂｅｒｇａｍｉｎｉ， Ｍ Ｂｅｌａｂｂａｓ， Ｍ． Ｊｏｕｉｎｉ， Ｓ． Ａｅｉｙａｃｈ， Ｊ． Ｃ． Ｌａｃｒｏｉｘ， Ｋ． Ｉ． Ｃｈａｎｅ−Ｃｈｉｎｇ， Ｐ． Ｃ． Ｌａｃａｓｅ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ４８２， １５６（２０００）に記載のシクロデキストリン、これらの構造で置換又は官能化された分子構造もリストに含まれている。
【００６０】
錯化イオンを放出させる官能基は捕捉サイトを再生する。そのような「分子ロック」は例えば（ａ）：Ｐ． Ｌ． Ｂｏｕｌａｓ， Ｍ． Ｇｏｍｅｚ−Ｋａｉｆｅｒ， Ｌ． Ｅｃｈｅｇｏｙｅｎ， Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｅｎｇｌｉｓｈ， ３７， ２１６（１９９８）， （ｂ）： Ａ． Ｅ． Ｋａｉｆｅｒ， Ｓ． Ｍｅｎｄｏｚａ， Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｓｕｐｒａ−Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｖｏｌ． １， Ｅｄｓ． Ｊ． Ｌ． Ａｔｗｏｏｄ， Ｊ． Ｅ． Ｄａｖｉｅｓ， Ｄ． Ｄ． ＭａｃＮｉｃｏｌ， Ｆ． Ｖｏｇｔｌｅ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ， Ｏｘｆｏｒｄ （１９９６）， ｐｐ． ７０１−７３２， （ｃ）： Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ｐ． Ａ． Ｇａｌｅ， Ｇ． Ｚ． Ｃｈｅｎ， Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｖｉｅｗ， １８５−１８６， ３（１９９９）， （ｄ）： Ｈ． Ｐｌｅｎｉｏ， Ｄ． Ｂｕｒｔｈ， Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ， １５， １１５１（１９９６）， （ｅ）： Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ｋ． Ｙ． Ｗｉｌｄ， Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ， １５（１８）， ７７５（１９９６）に記載されている。電気化学的に誘導され、「レドックスロック」とも呼ばれるこれらの化合物は自己再生キレート化キャビティを生成するために使用され、溶液中のイオンの超感受性及び超感受性電気化学センサー用モジュールとして使用されうる。本発明者らはここではそれらを分析目的ではなく自己再生キレート及び廃液の処理用の放出サイトを生成するために使用することを推奨する。
【００６１】
幾つかの非官能化中性モノマー、すなわち重合「モジュール」だけを含むもの、は固有の錯化特性を有するかもしれない。これは例えばＣ． Ｌｅｂｒｕｎ， Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， １００−１０１， ４７４（１９９８）に記載の４−ビニルピリジン、２−ビニルピリジン、ビニルビピリジン、チオフェン等の場合にあてはまる。したがって、それらには錯化官能性を追加することは必要ではない。
【００６２】
したがって、一般に、本発明で使用されうるポリマーは、上記非官能化モノマー又は官能化モノマー、或いは、その混合物、すなわち非官能化モノマーを伴う官能化モノマーのコポリマー、によって得られる。得られたポリマー又はコポリマーはそれ自身が次に例えばアニオン性電気重合用のＯＨのシリル化等のように重合の時には保護されるべき非保護基等の化学手段により官能化されてもよい。
【００６３】
官能化はモノマー及び／又はコモノマーの合成前にモノマー及び／又はコモノマー上に施されてもよく、或いは、ポリマー又は既に形成されたコポリマー上への化学反応によって施されてもよい。
【００６４】
イオン交換樹脂の場合とは異なり、これらの中性ポリマー又はコポリマーの対基は自由状態で存在する。イオン交換樹脂では、カチオンを捕捉する基は電気的に荷電されており、それらは殆ど、カチオンに対してはカルボキシル基（ＣＯＯ−）又はスルホネート基（ＳＯ３−）であり、アニオンに対してはアンモニウム基（−ＮＨ３＋）である。それらは自由状態では存在できないので、常に対イオン：再生イオン、例えばカチオン樹脂用のナトリウム、または、溶液中の望ましくないイオンを伴っている。
【００６５】
本発明の場合、ポリマーのアセンブリは電気的に中性でなければならない。望ましくないイオンは錯化ポリマーによって捕捉され、その対イオンはそれらと共に持ち去られるが、それらは別のイオンに置換される。したがって、これはイオン捕捉であって、イオン交換ではない。錯化ポリマーによって捕捉されたイオンは、次に、下記に示すような様々な手段によって当該ポリマーから放出されるかもしれず、望ましくないイオンは濃縮されて非常に小さい体積となる。
【００６６】
放出は化学的手段又は電気的補助手段により行うことができる。
【００６７】
したがって、錯化ポリマーがイオンを一旦捕捉すると、当該イオンを放出するために様々な方法を考慮することができる。
【００６８】
化学的手段：
ポリマーフィルムが、当該フィルムに錯化されたイオンに非常に高い親和性を有するリガンドを含む溶液に浸漬される。例えば、ポリ−４−ビニルピリジンの場合、銅又は亜鉛カチオンは、例えば熱水、アンモニア溶液（ＮＨ３）、又は、この両方の組み合わせによる処理によって、容易にフィルムから放出されることができる。下記の適用例で説明されるように、回復溶液がより銅イオンで濃縮されると、銅イオンが容易に放出されなくなる。それを超えると、イオンがポリマーフィルムからもはや放出されなくなる濃縮限界が存在する。被処理廃液体積と対応する放出溶液の比を増大するために、この濃度ができるだけ高くなることは当然望まれることである。もし、この化学的手法が上記技術に類似する放出溶液を使用するのであれば、それが必要とする体積はそもそもイオン交換樹脂のそれよりも遙かに小さい。
【００６９】
例えば、イオン交換樹脂では樹脂全体を湿潤するために必要な体積に相当する最小限の体積の再生溶液が必要であるが、錯化ポリマーの層で被覆したテープを使用した本発明の方法では、当該テープからイオンを放出し、且つ、当該テープを再生するために必要な、減少不可体積は事実上無視できるものであり、実際にセンチメートル毎にテープを浸漬するに十分な少ない体積となる。浸漬時間は脱錯化速度及びテープ前進速度だけに影響される。
【００７０】
電気化学的経路：
例えば、コポリマーフィルムが予めグラフト化されるが、そこでは構造モノマーはメチルメタクリレート（ＭＭＡ）であり、官能化モノマーは、そのエステルのメチル基がそのレドックスロックによって提供されるクラウンエーテルによって置換されているＭＭＡであってもよい。原理はシンプルである。前記ロックは酸化性又は還元性基であるので、少なくとも１つの酸化還元電位（Ｅ゜）を有する。例えばクラウンエーテルであるが、それは共有結合又は錯化キャビティへの結合によって結合しており、したがって、ロック／キャビティの中心距離は２〜３オングストロームである。
【００７１】
還元状態では中性であり、酸化状態では正に荷電する酸化性ロックの例では、還元状態（Ｅ＜Ｅ゜）では錯化キャビティは「オープン」状態であり、カチオンを捕捉することができる。いったん、錯化が完了すると、レドックスロックは酸化（Ｅ＞Ｅ゜）される。ロックは正に荷電され、したがって、酸化ロック／カチオンにより、キャビティ中に存在するカチオンの放出を強制する。ロックが正に荷電されている限り、すなわち、その酸化形態では、錯化キャビティは「クローズド」状態であり、何ら新しいイオンを捕捉することはできない。いったん、カチオンが放出されると、ロックの還元状態（Ｅ＜Ｅ゜）に戻りその電気的中性を再度形成することが可能となり、キャビティが再度錯化することを許容する。本発明では、錯化ポリマーが表面上にグラフト化された薄膜であるという事実から利点が生じる。もし金属表面が使用されると、錯化ポリマーのフィルムを保持する金属表面を電気分極することによってロックの酸化状態を導くことが容易である。そして、テープが錯化浴中を通過するとキャビティ（Ｅ＜Ｅ゜）をオープン状態とし、放出浴（Ｅ＞Ｅ゜）中を通過すると放出によりクローズド状態とするに十分である。このテープ方法では、化学的薬剤を何ら使用することなく放出が達成される。
【００７２】
錯化機能と放出化機能が別々、すなわち異なったコモノマー分子によって保持されているコポリマーを生成することによっても同じタイプの結果を得ることが可能である。例えば、錯化官能性のために４−ビニルピリジンを、放出化官能性のためにビニルフェロセン又はビニルジフェロセンを共重合することによってフィルムを製造することが可能である。幾つかのピリジン環がカチオンを錯化するために必要であるが、２つのコモノマーの相対濃度は錯化官能性及び放出官能性の間の比を平衡するために調整されなければならない。酸化状態で「ｎ＋」形態に荷電され、且つ、還元状態で中性であるカチオン、又は、酸化状態で中性で、且つ、還元状態で「ｎ−」に荷電されているアニオンとして存在するあらゆるレドックス基により予め例証された錯化官能性を有する全てのモノマーを会合することが可能である。例えば、錯化モノマーとして、ビニル　１８−クラウン−６が使用され、且つ、放出モノマーとしてビニルフェロセンが使用される場合、重合速度及びフィルム構築のために、例えば、ビニルピリジン又はアクリロニトリル等のターコモノマー構造を使用する必要があるかもしれない。嵩高い対基を有するビニル　１８−クラウン−６及びビニルフェロセンでは、それらが単独で使用される場合は重合速度が遅いかもしれない。共重合による合成のこれらの側面の幾つかが下記の適用例において更に議論される。
【００７３】
同じタイプの理由が、（ａ）：Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ｓ． Ｗ． Ｄｅｎｔ， Ｎ． Ｃ． Ｆｌｅｔｃｈｅｒ， Ｔ． Ｊ． Ｗｅａｒ， Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ， １５（１８）， ２９８３（１９９６）， （ｂ）： Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ａ． Ｒ． Ｇｒａｙｄｏｎ， Ａ． Ｏ． Ｍ． Ｊｏｈｎｓｏｎ， Ｄ． Ｋ． Ｓｍｉｔｈ， Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ３６， ２１１２（１９９７）， （ｃ）： Ｊ． Ｅ． Ｋｉｎｇｓｔｏｎ， Ｌ． Ａｓｈｆｏｒｄ， Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ｍ． Ｇ． Ｂ． Ｄｒａｗ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， Ｄａｌｔｏｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ， ２５１（１９９９）， （ｄ）： Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ａｃｃｏｕｎｔｓ ｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ， ３１， ７１（１９９８）， （ｅ）： Ｖ． Ｂ． Ａｒｉｏｎ， Ｐ． Ｄ． Ｂｅｅｒ， Ｍ． Ｇ． Ｂ． Ｄｒｅｗ， Ｐ． Ｈｏｐｋｉｎｓ， Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ， １８， ４５１（１９９９） に記載されているようなアニオンの捕捉を可能にする超分子キャビティの使用に当てはまる。この文献は非常に微量のアニオンの検出のための、分析目的での使用について言及している。本発明者は、表面に化学的にグラフト化されたポリマーフィルムにそれを一体化することによって、それを錯化、及び、クロム酸塩、硝酸塩等の選択的な態様で望ましくないアニオンの放出に使用することを推奨している
【００７４】
同じ理由が、無機イオン単独ではなく、より複雑な有機分子の捕捉を可能にする超分子キャビティの使用にあてはまる。したがって、Ｊ． Ｆ． Ｂｅｒｇａｍｉｎｉ， Ｍ． Ｂｅｌａｂｂａｓ， Ｍ． Ｊｏｕｉｎｉ， Ｓ． Ａｅｉｙａｃｈ． Ｊ． Ｃ． Ｌａｃｒｏｉｘ， Ｋ． Ｉ． Ｃｈａｎｅ−Ｃｈｉｎｇ， Ｐ． Ｃ． Ｌａｃａｚｅ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ４８２， １５６（２０００）に記載されるような、その基礎モノマー又はそのコモノマーの一つがシクロデキストリン分子により官能化されたＭＭＡから形成されているグラフト化フィルム、並びに、例えば、これらの構造により置換された及び／又は官能化された分子構造を製造することが可能である。
【００７５】
本発明の他の特徴及び利点は、下記の実施例及び添付図を参照することにより明らかになるであろう。
【００７６】
【実施例】
１．基板
金属メッシュ：実質的な交換表面を必要とする吸着の要件に合うためには、当該表面はここでは、織金属メッシュから選択される。これらの材料は一般に濾過分野で使用されている。
【００７７】
ワイヤの径及びメッシュのタイプは２〜３μｍから２〜３×１２μｍの範囲の僅かな開口サイズを得ることを可能にするものである。これらの条件下では、このフィルターを通過する液体の非常に微細な分割が達成される。ポリマーが電気活性、すなわち導電性ポリマー、の場合は銅イオンを吸着表面に導く力は何ら存在しない。したがって、銅−ピリジン錯体の形成を促進するには、液体の分割が必須となる。また、銅塩等の原子サイズの種を捕捉することが目的なので、メッシュを液体が通過する回数が多いことがこの２つの物体が合う機会を増大させるために必要であることは明らかのようである。この側面は、本発明の純化デバイスの説明で更に議論される。
【００７８】
微細な開口：
最大限に発達可能な表面を得る、且つ、最大限に液体を分割するために、市場で入手可能な異なるメッシュ特性の中から、本発明者らは、最も細いワイヤで製造されたものを選択した。それは、メッシュのセンチメートル毎の最も多くの数のワイヤが、最も小さい微細な開口を提供しているものである。
【００７９】
選択したメッシュは５０μｍの微細な開口、メッシュの見かけｃｍ２当たり８ｃｍ２の現実の幾何学上の表面、１００μｍの径で２２０．５ワイヤ／ｃｍ（５６０ワイヤ／インチ）、横糸：１５．７ワイヤ／ｃｍ（４０ワイヤ／インチ）及び１８０μｍの径を有している。
【００８０】
ワイヤ金属のタイプ：
純化される媒体のタイプ又はイオン放出方法のタイプに関係する腐食問題を制限するために選択されたメッシュのワイヤは３１６ステンレス鋼製であった。予備テストにおいて、ニッケル表面はＣｕＣｌ２などの塩素媒体中で腐食攻撃の徴候を示したことが見出された。
【表１】
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【００８１】
２．本発明の錯化構造の合成
電気重合：
Ｐ４ＰＶフィルムのグラフト化及びフィルム成長工程は電気重合により実施される。この方法では、化学的に安定な、制御された厚みの均一なフィルムを製造することが可能である。使用される合成媒体は、溶媒としてアセトニトリル、共溶媒としてのモノマーから構成されるが、その濃度は５０％なので、テトラエチルアンモニウムペルクロリド（ＴＥＡＰ）からも構成される。モノマーの高濃度はグラフト化フィルムの形成を導く第２の電極反応を促進する目的のためには正当なものである。１つのモノマー分子の還元がポリマー鎖の完成を開始するのに十分なので、電気使用重合反応に対応する電気重合方法は非常に少ない電気しか消費しない。結果的に、この方法はセル中に存在するフィールドラインにわずかにしか依存せず、今回のメッシュ構造等の複雑な形状の表面のコーティングに完全に好適である。
【００８２】
合成は、パルス状静電モードで行われる。このモードは注入電流量、開始反応、を制限することにより、より良いコントロールを提供し、成長反応を与える。また、インターバル時間は拡散により界面にモノマーを提供するために使用可能である。
【００８３】
合成の操作モードは例えばＣ． Ｌｅｂｒｕｎ， Ｇ． Ｄｅｎｉａｕ， Ｐ． Ｖｉｅｌ， Ｇ． Ｌｅｃａｙｏｎ， Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， １００−１０１， ４７４（１９９８）に記載されている。作動電圧（Ｖｏｎ）が、−２．５Ｖ（Ａｇ＋／Ａｇ）付近で始まるモノマーの電気活性障壁中で選択されることが想起されるであろう。緩和電圧（Ｖｏｆｆ）は絶対値で最初の平衡電圧（−０．６Ｖ（Ａｇ＋／Ａｇ））よりも低いように選択されるが、これは、溶媒が関与する酸化反応を介して、分子欠陥、電極表面上に形成された鎖を安定化する架橋の形成を可能とする。これらの条件は、Ｐ４ＶＰフィルムの合成に使用される基礎条件であり、結果を説明するときに、合成条件及びフィルム特性を最適化するために溶液に導入される「追加（条件）」が後でみられるであろう。
【００８４】
電気化学合成条件は以下のとおりである：
−　モノマー濃度：　アセトニトリル中５０％
−　パルス電気分解　Ｖｏｎ：−２．８Ｖ（Ａｇ＋／Ａｇ）
Ｖｏｆｆ：０　Ｖ（Ａｇ＋／Ａｇ）
ｔｏｎ：２００ｍｓ
ｔｏｆｆ：４００ｍｓ
−　パルス数　　　　１０００〜４０００（５０〜２００ｎｍの所望の厚みによる）
【００８５】
３．結果
３．１　実験サンプル相（表面積＝２ｃｍ２）
実験室での表面、すなわち、真空金属化ガラスストリップ上で行われた最初の工程はフィルム合成条件、操作条件、及び、工業プロセスの実行化を刺激する錯体化／放出サイクルを同定し最適化するために使用された。発明者らは、表面分析のために彼ら自身の分光学的手段（ＩＲＲＡＳ、ＸＰＳ及びプロフィロメトリー）を使用した。
【００８６】
３．１．１　実験条件
電気グラフト化されたＰ４ＶＰフィルムの銅塩を固定及び放出する能力に関するテストは高周波方法を用いてニッケルで金属化されたガラス表面上で行われた。
【００８７】
使用された合成セルは焼結ガラスにより区画分離された小体積のガラスセルである。フィルムで被覆されたガラスストリップの表面積は約２ｃｍ２であり、焼結ガラスの径に対応していた。
−　作動区画（カソード分極を伴うニッケル電極）は５０％のモノマー（４−ビニルピリジン）及び５０％のアセトニトリルを含む溶液により充填される。ＴＥＡＰ濃度は５×１０−２モル・ｄｍ−３である。
−　対電極区画（アノード分極を伴う白金電極）はモノマーを含まない溶液で充填される。
−コントロールの電極はＡｇ＋／Ａｇ（１０−２モル・ｄｍ−３）に基づく。
【００８８】
上記の区画は対電極の表面に絶縁フィルムを形成するモノマーの酸化反応を制限するために分離されている。このフィルムは主に不溶性化合物及びラジカル的に分極しているＰ４ＶＰ鎖から形成されている。このフィルムの膨潤特性の欠如はセルの機能が徐々にブロックされることを意味している。しかし、焼結ガラスによる区画分離はこのセルには十分には有効ではなく、区画へのモノマーの遅い拡散は対電極のブロックを導く。したがって、本発明者らは、対電極の定期的な交換に依存した。この問題はより高性能の分離体の使用を介する工程の間、最小とされた。
【００８９】
表面状況に優先順位を与える方法の選択に見合うために、Ｐ４ＶＰフィルムは薄く残らなければならない。しかし、厚みが単層のそれ（１ｎｍ未満）である理想的な表面を伴うフィルムのキャパシティは低すぎ、最小限の有効性を得るためには無限に速い捕捉／放出サイクル速度を必要とするであろう。作動電極上に堆積したフィルムは５０〜２００ｎｍの間の厚みを有する。厚みの測定は、フィルムに傷を形成するプロフィロメトリーによって行われる。このフィルムの均一な特性は干渉色による厚みの高速推定をも可能とする。
【００９０】
３．１．２．　錯化工程の研究
ａ．　錯体及び銅／ピリジン化学量論の検出
最初に、この工程は、水溶液に対するフィルムの膨潤能力を証明することを可能にした。汚染除去されるべき溶液は銅について好適な分散係数を伴ってフィルム内部に拡散する必要がある。
【００９１】
ＩＲＲＡＳ及びＸＰＳスペクトルは濃縮銅溶液（２０ｇ／ｌ）に浸漬されたＰ４ＶＰフィルムが、大量のすすぎ後でさえも銅を保持することを示した。銅−ピリジン錯体の形成がＩＲスペクトルの１６１７ｃｍ−１のバンドの存在によって同定された。
【００９２】
銅の電子構造は、八面体構造に複合された金属、すなわち、８つの配位子につき１つの銅、として記述されることを意味する。しかし、ポリマーの固体性に関連するピリジン配位子の低動性の特別な条件はこの化学量論をかなり及び好ましく修正する。ＩＲＲＡＳ及びＸＰＳピーク強度の分析に関して不確かではあるが、ピリジン基に対する銅の割合が約５０％であり、２つのピリジン基につき銅原子が複合している平均化学量論である、と推量することが可能である。しかし、いくつかの実験では、複合割合が１００％に近いという結果を与えている。つまり、銅の複合割合（１つの銅に対するピリジン基の数）はフィルム中の銅含量によって変わり、高含量では１対１の化学量論に向かう。
【００９３】
これらの結果はＩＲＲＡＳスペクトロスコピィによって確認される。
銅／ピリジン割合は１６００ｃｍ−１と１６１７ｃｍ−１のピーク（ピリジンのフリー形態と複合形態にそれぞれ相当する）間の面積の比で推量される。１６００ｃｍ−１と１６１７ｃｍ−１のピークの中心に置かれたガウス値により再構成されたスペクトルを用いた実験スペクトルの調整によるデジタル化により、錯体に係わるピリジン基の割合を決定することができる。しかし、銅原子１個に対するピリジン配位子の数は分からないので、フィルム中の実際の銅の量は分からない。
【００９４】
この情報は、ＸＰＳスペクトロスコピィの使用を通して与えられる事が可能であるが、これは、表面上に存在する異なる原子の実際の割合を直接決定する。銅のＣｕ２ｐ光放射強度と窒素のＮ１ｓのそれが、これらの２つの元素間の実際の割合を決定するために使用される。しかし、これらの強度は光放射収量を考慮して断面積に関して正規化されなければならない。また、断面積は元素の化学形態に依存する。本発明者らは、硫酸銅の適当な形態として酸化銅ＣｕＯの断面積を使用した。この近似は僅かな不確かさを導入する。この方法で決定された薄膜サンプル上の銅／窒素濃度比のうち高度に複合化されたもの、１００％に近いＩＲＲＡＳ、は１つのユニットに近いものである。これはすでにＸＰＳで実証された結果を与える。
【００９５】
したがって、ＩＲＲＡＳで得られた比を、銅含量の定量のために使用することができる。
【００９６】
良好な表面積／体積の一致を伴う複数の薄膜上のスペクトルが記録されるこれらの２つの方法（ＩＲＲＡＳ及びＸＰＳ）の間で一致する観察結果は、ＩＲＲＡＳスペクトルが定量的に有効に使用できることを意味する。
【００９７】
この測定値を使うと、所定のフィルムの表面積に対する固定銅の量を推量することができる。フィルムの密度が１に近い（低含量）場合、１０ｃｍ２のフィルム表面積及び２００ｎｍの厚みが０．１ｍｇの銅を固定するために必要である。見かけ表面積のｃｍ２毎に複合化された銅イオン量の表示を得るために、これらの小さい値は実際の接触表面積及びフィルムの厚みと掛け合わされなければならないことに注意すべきである。この点は後で検討される。
【００９８】
ｂ．　錯化反応の速度論
２０ｇ／ｌの高銅濃度では、錯化時間は短く、フィルムの主な錯化には２〜３秒で十分であるが、これは、すくなくとも１部の被処理工業溶液が関係するかもしれない１０００倍（２０ｍｇ／ｌ）又は１００００倍（２ｍｇ／ｌ）に希釈された希薄な溶液の場合にはあてはまらない。
【００９９】
図３ａは、１５ｍｇ／ｌ溶液に浸漬されたＰ４ＶＰフィルムについて、ピリジンとその銅との錯体のＩＲバンドで記録された結果を示す。この値は、従来の方法で純化される廃液の平均含量の代表値である。ＩＲＲＡＳバンドの面積を用いて推量された錯体形態の割合が図３ｂに与えられている。
【０１００】
ニッケル化されたガラスストリップ上に１００ｎｍのＰ４ＶＰフィルムが電気重合された。その表面積は３ｃｍ２である。未振盪の溶液を用いて、最小限（１０ｃｍ３）に減少された体積の溶液中にサンプルが浸漬された。ＩＲＲＡＳ記録は定期的な時間間隔をおいて行われた。１６１７ｃｍ−１の錯体のバンドの始まりは比較的急速に錯体レベルの５〜１０％に達したが、錯体レベルの２０％に達するには１５時間が必要であった。
【０１０１】
この結果は下記の幾つかの方法で分析された。
【０１０２】
最初の明白な点は、溶液中の非常に低含量に係わらず、錯化が起こっているという事実に関する。それ未満では錯体が形成されない下限濃度はもはや存在しない。この点は以下に更に続く。錯化定数は溶液中の濃度にかかわらずフィルムへの銅の連続的置換がおこる程度である。溶液とフィルムの間の銅の分配係数の点では、錯体の形成が望ましい。
【０１０３】
次に明白な点は、銅固定の進行が遅くても、１４時間が銅量を倍化するのに必要であっても、含量は有意値に到達するという事実に関する。測定条件は開始直後から銅割合を得ることを可能にしない。この可能性は、「ｉｎ ｓｉｔｕ」電気化学インピーダンス法の導入を通してこの研究のシリーズにおいて利用可能となる。この段階の結果では、「錯化されたピリジンの割合」についての値についてコメントすることが重要である。直感的には、銅の錯化はフィルム表面で始まるようであるが、これはこの値がフィルムの厚みに依存することを意味する。したがって、この値は堆積能力の推量として厳格な解釈を与えられてはらない。これに対して、より厚いフィルムは分離された銅含量の増大に対して結うようであるかもしれない。
【０１０４】
この例では、しかしながら、イオンとフィルムの分子的な会合には多くのパラメータは好ましくない。表面（フィルム）／体積（フィルム）比が平らなストリップで非常に小さく、溶液が振盪されていないという事実もまた好ましくない。メッシュは液体を非常に微細な体積に分割するが、これは、必ず非ラメラである、流体を「振盪」可能であることを意味する。これらの結果は、このタイプの方法に関して、高い錯化速度を達成し、次いで放出する代替案、又は、非常に低い速度であるが非常に速い時間でより頻繁に放出する代替案との間では、後者の溶液の方がよい性能をもたらすということを明確に示す。
【０１０５】
したがって、電気重合によってグラフト化されたＰ４ＶＰフィルムは、薄い層であっても、Ｃｕ２＋イオンを錯化する。
【０１０６】
この錯化は、ピリジニウム環に特徴的な１６１７ｃｍ−１のバンドの始まりによって、容易にＩＲＲＡＳで探知可能である。
【０１０７】
錯化は定量的であるが、ストリップにグラフトされたフィルム上では、そして、振盪しない場合では、遅い。
【０１０８】
３．１．３　放出ステップの研究：方法の選択
錯化工程が完了すると、銅イオンは効率的に放出されなければならない。このレベルの方法では、この工程は迅速に実施されるべきであり、非常に少ない２次的な廃棄物しか生成しないことが重要である。したがって、放出はほとんど有害でない及び／又はできるだけ少ない体積の試薬で実施されなければならない。
【０１０９】
この目的のためには、ピリジンから銅を脱錯化して、それをフィルムから放出することを目的とする幾つかの方法がテストされた。テストされた幾つかのタイプの処理方法は、表面から急速に除去される「硬化」ポリマー溶液により形成された比較用フィルムの場合とは異なり、電気グラフト化されたフィルムの放出化学安定性の証明に使用可能であった点が注目されるべきである。
【０１１０】
ａ．　沸騰水によるフィルム処理
最初のテストはその低害性について行われた。それは、熱エネルギーの提供が銅−ピリジン錯体を安定化するかもしれないという考えに基づいていた。ＩＲＲＡＳ分析では、熱水中での最初のすすぎテストは錯体バンドの強度減少と相関するフリーピリジンの再生を示した。このテストは７０℃の水を用いて次に水に浸漬することによって続けられた。２〜３分の処理は、２／３に複合化された１００ｎｍフィルムの錯体のＩＲＲＡＳバンドの完全な消失を生じる。
【０１１１】
ＸＰＳ分析はフィルムの表面に痕跡量の銅が存在するがイオンアブレーション後も深部の銅含量がそのまま残存していることを示した。したがって、錯体が破壊されても銅はフィルムから適切に除去されないことが示される。おそらくは、フィルム中で酸化物タイプのものが形成されていると思われる。しかし、この結果は、少なくともピリジン基の反応性を回復させるので、興味あるものである。沸騰水によるこの処理は長期間ではより汚染された製品の使用を制限するために選択される処理と組み合わされるかもしれない。
したがって、沸騰水による錯化フィルムの処理は効率的なフィルムの脱錯化をもたらすが、イオンをフィルムから放出することはできない。
【０１１２】
ｂ．　酸／塩基サイクルによる処理
ピリジンのｐＫａは４．５に近く、酢酸又は希釈塩酸による処理は図５において１６４０ｃｍ−１のＩＲＲＡＳバンドによって示されるピリジニウム形態を与える。窒素フォトネーションはその電子二重項に関連するピリジン基の低塩基特性を失わせる。次に、銅が放出され、フィルム中に解放され、そして溶液中に解放される。これは酸洗浄という用語で表される。
【０１１３】
この段階では、Ｐ４ＶＰフィルムはその錯化特性を失い、ピリジンが再生されているはずである。上記ｐＫａより高いｐＨ媒体への単純な動きはピリジン形の脱離を許容しないので塩基処理が必要である。したがって、このケースでは、これは２つの処理、すなわち酸洗浄とその後の中和、へ導く。２次汚染物を最小限とする方法のためには、これは望ましい状況ではない。
【０１１４】
したがって、錯化フィルムの酸処理は効率的な脱錯化を提供するが、当該フィルムが錯化に再度使用されうるためには再中和がその後に必要である。
【０１１５】
ｃ．　直接塩基処理、アンモニア法
このアプローチは塩基溶液への変化を直接使用するものである。選ばれた塩基はアンモニア（ＮＨ３）であり、ピリジンで形成されたものよりも更に安定な銅錯体を生成し、したがって、銅を除去可能である。アンモニアは高価でない製品であるという利点をももたらす。
【０１１６】
以下の段落で示される結果は、この処理の効率性及びフィルムに関するその無毒性を示す。
【０１１７】
アンモニア溶液を用いる脱錯化工程の研究
この研究に使用されたＰ４ＶＰフィルムは通常の条件下（モノマー：５０％、Ｖｏｎ＝−２．８Ｖ／（Ａｇ＋／Ａｇ）、ｔｏｎ＝２００ｍｓ、Ｖｏｆｆ＝０Ｖ／（Ａｇ＋／Ａｇ）、ｔｏｆｆ＝４００ｍｓ、ｎ＝２０００、厚み＝１００ｎｍ）で合成された。その初期状態でのフィルムのＩＲＲＡＳ及びＸＰＳスペクトルが記録されてり、それぞれ、図６（１）及び図７（１）に示されている。
【０１１８】
錯化工程を実施するために、これらのフィルムは１０ｇ／ｌの銅溶液に５分間浸漬された。
【０１１９】
大量の脱イオン水を使用したすすぎ後、ＩＲＲＡＳ及びＸＰＳスペクトルが記録された。それぞれ図６（２）及び図７（２）に示されている。これらの条件下では、ピリジン基のほとんど５０％が錯化されていた。ＸＰＳスペクトルの銅イオンのバンドの見かけ強度が弱いことは、フィルムを非常に表面的に洗浄した大量のすすぎに関係する。しかし、ＩＲＲＡＳスペクトルは定量的に使用可能である。
【０１２０】
準備されたアンモニア溶液は１．１モル／ｄｍ−３であった。１０％の純粋なアンモニアのレベルを希釈したものである。
【０１２１】
脱錯化工程は非常に速いものであり、１分の浸漬時間でフィルムから銅イオンを除去するには十分であった。フィルムは分析前に熱水ですすぎを受けた。ＩＲＲＡＳ及びＸＰＳスペクトルがそれぞれ図６（３）及び図７（３）に示されており、銅の除去を実証している。
【０１２２】
図６（３）のＩＲＲＡＳスペクトルに示されるように、ピリジン−Ｃｕ２＋錯体に対応する１６２０ｃｍ−１のバンドはアンモニア溶液及び熱水による脱錯化後に実際上消失しており、相関的に、ピリジンバンドが１６００ｃｍ−１に再出現していることが見受けられる。この処理後に残存している低い銅の割合は僅かに２〜３％である。この処理の効率性は９０％を超える。残存する痕跡量の銅は、フィルムを熱水で１時間処理すると、完全に除去されて完全に再生されたフィルムを生成する。この追加の操作はときおり行われるかもしれないが、フィルムの性能に何らの悪影響をも与えない。
【０１２３】
しかし、フィルムの厚みの見かけ減少を伴うことなく、アンモニア処理後のピリジン基のＩＲ強度が僅かに減少している点に注目すべきである。この現象は、フィルム中に単純に挿入されたポリマー鎖の抽出によるものと解釈される。下記の段落に示されるように、この現象は上記サイクルにより非常に速く消失する傾向がある。
【０１２４】
したがって、錯化フィルムの塩基処理（ＮＨ３）は、速い時間内に、良好な脱錯化とフィルムからの良好な放出の両者を提供するものである。熱水による定期的な処理は銅イオンを錯化するフィルムの初期能力を殆ど完全に再生することを可能とする。
【０１２５】
サイクルに対するフィルムの耐性
この例は、銅イオンの錯化／脱錯化のサイクルがフィルム特性を劣化させないことの実証に使用された。フィルムを非常に多くのサイクルに供することによって安定性テストが行われた。
【０１２６】
このテストを実施するために、高濃度アンモニア溶液（市販溶液の５０％体積、すなわち８モル・ｄｍ−３）が選択された。このｐＨの点でより厳しい条件は限られた条件化でフィルムをテストすることを可能とする。
【０１２７】
錯化工程は濃縮ＣｕＳＯ４溶液に１分間フィルムを浸漬することに対応する。脱錯化工程は濃縮アンモニア中で行われ、次に、沸騰水で素早くすすぎを受けた。
【０１２８】
ＩＲＲＡＳ分析が最初から１０サイクルの間に各工程について行われ、次に、１０サイクルから１５０サイクルまでは１０回毎に行われた。
【０１２９】
１５０回の錯化／放出のサイクル後、図８に示されるように、フィルムの耐性は良好であることが実証され、且つ、性能に劣化がないことも示された。
【０１３０】
先の段落で指摘されたように、最初と２回目のサイクルの間に１６００ｃｍ−１のピリジンバンドの強度は実質的に減少したが、この減少は次のサイクルではもはや観察されなかった。フィルムは安定な厚みに達した。
【０１３１】
したがって、グラフト化されたフィルムの特性は１５０回の錯化／脱錯化のサイクル後も劣化せずにいる。それは、例えば、アンモニア処理と定期的な熱水中での再生処理の組み合わせを通すフルユースに使用されうる。
【０１３２】
希釈廃液（循環可能）中での残留銅濃度の研究
この例は、銅が確かに錯化され次にアンモニア溶液中で放出されること、並びに、この操作の繰り返しが銅溶液を効率的に純化することを確認するために用いられた。
【０１３３】
この実験のために、本発明者らは、１０ｍｌのＣｕＳＯ４溶液（Ｃｕ２＋濃度１５ｍｇ・ｌ−１）及び１００ｎｍのオーダーの厚みを有するフィルムで被覆された２つのストリップを使用した。
【０１３４】
この実験が行われた条件は反応速度に関して非常に制限されたものであった。なぜならば、溶液中の銅含量は低く、交換表面積は小さく、且つ、銅イオンとフィルムとの間の接触統計量を促進するための振盪が行われなかったからである。
【０１３５】
最初のサイクルの間に約１５％のピリジン基を錯化するのに１２時間の浸漬時間を要したことからみて、これらの条件下では、錯化工程はかなり遅いものである（図９）。ストリップは次にアンモニア溶液で脱錯化され、次に、純化されるべき溶液に再度添加された。１４回のサイクル後、錯体のＩＲＲＡＳ成分は観察が困難となった。この状況下、Ｃｕ２＋＝２．２５ｍｇ・ｌ−１（欧州標準２ｍｇ・ｌ−１）で正確なカラーメトリックテスト（可視色）を用いて銅含量が測定された。
【０１３６】
最初の濃度は１５ｍｇ・ｌ−１であったが、銅含量は６０のファクター分減少した。
【０１３７】
このタイプの実験が工業的スケールでの純化工程から除去されるものから離れているとしても、使用されたアプローチの化学的本質に何らの制限をも加えるものではない。単位表面積毎に固定される銅の量は先に与えられた値（２００ｎｍのフィルムの１０ｃｍ２毎に０．１ｍｇの銅）と一致している。
【０１３８】
カラーメトリックテストの測定は実施が容易で低コスト（可視色テスト）である。このテストの信頼性及び正確性が当該方法の測定範囲で選択された補正濃度を有する溶液でテストされた。正確に秤量することにより脱イオン水に溶解した硫酸銅溶液が作製された。可視色測定範囲は０．０４〜０．５ｍｇ／ｌである。当該方法でアクセス可能な含量に調整するには被測定溶液の希釈が行わなければならなかった。
【０１３９】
ストリップ上にグラフト化されたＰ４ＶＰフィルムでの錯化は４回のパスサイクルで１．５ｍｇ／ｌから０．２５ｍｇ／ｌに低下することを可能にしたが、これはフランス規制により固定された濃度閾値より約１０倍も下であった。濃度のゲインは６０のファクターである。パスサイクルの速度論だけはこのストリップ配置において遅いものである。
【０１４０】
濃縮廃液中の銅含量の研究
（廃液中の濃度ファクターの決定）
開発される方法の実質的な有効性を達成するためには、最初に、再循環される廃液の量をできるだけ少なくすることが重要であるが、とりわけ、純化浴の最小の体積中に重イオンを濃縮することが重要である。被処理初期体積と濃縮溶液の最終体積との比はこの方法の性能を表す。
【０１４１】
そこで、異なるアンモニア溶液（Ｃ〜１．６モル・ｌ−１であり、形式上、Ｃｕ（ＮＨ３）ｎ２＋ＳＯ４２−（ｎは１、２、４、６、８、１０、２０、４０、６０、８０、１２０、１６０）の錯体を含む）を用いて脱錯化実験が行われた。
【０１４２】
この実験は、脱錯化についてその有効性を維持し続けた上で、飽和アンモニア溶液中に含まれうる銅イオンの最大量を決定することを可能とした。
【０１４３】
錯体の解離定数は以下の考えを助けるものである：
【数１】
2004507348.tif 000003
（上記において、ｐＫＤ１＝４、ｐＫＤ２＝３．３、ｐＫＤ３＝２．７、ｐＫＤ４＝２、ｐＫＤ５＝−０．５、ｐＫＤ６＝−２．５）
【０１４４】
また、錯体の強度は平衡定数Ｋによっても定義される。例えば、下記の平衡：
【数２】
2004507348.tif 000004
にあるＣｕ［ＮＨ３］６２＋では、全平衡定数Ｋ６は下記式：
【数３】
2004507348.tif 000005
で表されるので、
ｐＫ６＝ｐＫＤ１＋ｐＫＤ２＋ｐＫＤ３＋ｐＫＤ４＋ｐＫＤ５＋ｐＫＤ６
すなわち、ｐＫ６＝９である。
【０１４５】
したがって、各Ｃｕ［ＮＨ３］６２＋錯体では、全平衡定数Ｋｎにアクセスすることが可能である。
ｐＫ１＝４；ｐＫ２＝７．３；ｐＫ３＝１０；ｐＫ４＝１２；ｐＫ５＝１１．５；ｐＫ６＝９
【０１４６】
結果的に、ｐＫが高いほど、錯体が安定する。定数値に基づけば、上限（アンモニアによる高効率の銅錯化の終わりに対応する）には、錯体においてｎ＝４のときに達するであろうということが推測できる。
【０１４７】
これらの定数値を用いて、上限（アンモニアによる高効率の銅錯化の終わり）には、錯体においてｎ＝６のときに達するであろうということが推測できる。
【０１４８】
錯化され、アンモニア溶液中で脱錯化されたＰ４ＶＰフィルム上で行われた実験（ｎ＝１６０〜ｎ＝１）は、銅含量がｎ＝１０、すなわちＣｕ［ＮＨ３］１０２＋、の閾値に達したときに飽和して効率性を全く失うことを明確に示している。この段階では、濃縮された廃液中で銅を錯化する方向の力と濃縮廃液中の高濃度の作用下でフィルム中で錯体を再形成しようという方向の力との間で平衡が成立している。
【０１４９】
濃縮廃液中に含まれうる銅の量の計算は簡単である。１．６モル・ｌ−１の濃度のアンモニア溶液１リットルから、Ｃｕ２＋の０．１６モル／ｌ、すなわち１０．１ｇの銅／ｌ、が最大限「回復」可能である。
【０１５０】
もし、最初に、脱汚染化されるべき溶液が１５ｍ・ｌ−１を含んでいれば、リットル当たり１４．７ｍｇのＣｕ２＋を脱錯化することが可能である。
【０１５１】
この場合、脱汚染化されるべき溶液として１０．１ｌ／１４．７×１０−３〜７００ｌの溶液が１．６モル・ｌ−１の１リットルのアンモニアを飽和するために、すなわち、７００の減少された体積ファクター、必要であろう。
【０１５２】
したがって、アンモニア濃度を増大させることによって、体積減少ファクターが増大する。これらの結果は下記の表Ｂに示されている。サイクルに対する耐性テストが１．６モル・ｌ−１の溶液中で行われた。しかし、より高濃度の溶液でのテストは特に困難であるとの証拠を示されなかった。１リットル当たり１０ｇ又はそれ以上の銅を濃縮することが可能であれば、最終的には、この濃縮された廃液のリットルを、セメント石灰、例えば高速石灰、酸化物を用いる従来の沈殿方法によって処理して、乾燥残渣を形成することが可能である。
【表２】
2004507348.tif 000006
【０１５３】
したがって、流入溶液と放出溶液との間の体積ゲインはアンモニア溶液の濃度、すなわち、抽出溶液の価格に依存する。この濃度に依存して、ゲインファクターは７０００（すなわち、１リットルの放出溶液に対して７ｍ３の被処理溶液）に達するかもしれない。
【０１５４】
３．２　平均サイズ（１０ｃｍ２）の平らなストリップ又はワイヤメッシュの相
本発明の錯化構造の形成のために使用されるメッシュの製造に適合するために、電気重合によるＰ４ＶＰフィルムの合成態様が下記に改めて記載される。
【０１５５】
３．２．１　膜分離体を備えたテフロンセルのデザイン
本発明の錯化構造を形成するために使用されるメッシュの製造に適合する、電気重合によるＰ４ＶＰフィルムの合成モードが以下に再度説明される。
対電極上のＰ４ＶＰの絶縁層の形成は既述したとおりである。まず、必要であれば対電極を変更し、次に、モノマーの拡散を制限するために、２つの区画間に焼結ガラス分離を施したガラスセルをデザインすることにより、困難性は最小限とされた。実験の開始時には、カソード区画には５０％のモノマーが存在しており、アノード区画には０％であった。
【０１５６】
対電極については、金属化された金属のストリップがスパッタリングにより保存されていた。このアプローチにより、正規にアレンジされうる多くの対電極を有することが可能である。固体の白金電極はコストが高すぎるかもしれない。
【０１５７】
ガラスセルのデザインのために検討されうる焼結ガラスの使用は、工業環境下で使用されうる大きなサイズのセルにはあまり現実的ではない。そこで本発明者らは新しいタイプの分離体を選択したが、それは対電極上でのモノマー反応を最小限とすることが必須だからである。これらの分離体は一方の区画から他方の区画への種の拡散を、流体の流れを阻害することなく、減少させなければならない。
【０１５８】
分離体の選択はセル材料のタイプに関係しているが、この新しいセルを製作するためにテフロン（登録商標。以下『登録商標』の表示を省略）が選択された。テフロンのブロックにデザインされたセルは図１０Ａ、１０Ｂ及び１０Ｃに示されている。
【０１５９】
これらの図では、１はセルを示し、３はそれぞれブロックを示す。５は合成材料の充填領域を示し、７は比較用電極のハウジングを示し、９及び１１はアンカーポイントを示し、ブリッジ（図示せず）を介して、アセンブリを確かにするために使用される。１３は比較用電極のハウジングと上記合成領域との間の連通ダクトを示す。
【０１６０】
それは容易に取り外し可能であり、膜分離体の使用を可能とする。テフロンの柔軟性は膜を適切に固定すること、並びに、良好なセルの密封を可能とする。
【０１６１】
最初に選択された膜は、０．０７μｍの孔径を有するＴＲＭＣ金属セラミック型のものであった。膜の組成は３１６Ｌステンレス鋼／ＺｒＯ２／ＴｉＯ２である。
【０１６２】
上記多孔性セラミックエレメントはステンレス鋼マトリックス上の薄い層にアレンジされる。セルの２つの電極から電気的に絶縁されるが、溶液を通して及ぶ電場が膜の導電部で２次分極減少を発生させる。そして、膜はカソード区画ではアノード分極を伴い、他方の区画では逆に分極する、２重電極として機能する。発明者らは、膜の導電性表面にフィルムが堆積して経時的にそれが焼き付くリスクがあることを発見した。したがって、このタイムの膜の使用はこの例では回避した。
【０１６３】
使用された第２の膜は完全に重合性のものであった。機械的にはより弱くても、それは我々の条件下では使用することができた。それはポリプロピレン担体上に堆積されたポリ　１，２−ジフルオロエチレン型の多孔性フッ素型皮膜から構成されていた。孔径は０．０２５μｍまで減少されていた。
【０１６４】
膜の使用はモノマーの拡散を減少させるが、それを完全にブロックはしない。したがって、かなり減少するとはいえ、対電極の焼き付きの問題は存在する。
【０１６５】
３．２．２．　　Ｐ４ＶＰフィルムの厚みの増加についての研究
ａ．　ジビニルベンゼンによる架橋
この段落に記載のアプローチはより厚いＰ４ＶＰフィルムを得る必要性を満たすものである。得られるフィルムの厚みは典型的には１００〜１５０ｎｍで２０００パルスを超えて徴候的に観測される。銅含量がより高いかもしれない状況下では、捕捉容量の表示としてのフィルム厚は重要なパラメータとなるかもしれない。
【０１６６】
幾つかのポリマー鎖は最初のアンモニア洗浄の間に除去される。これは全てのポリマー鎖が表面にグラフト化されている訳ではないという事実によるものである。かなりの部分が、弱い相互作用又は内部拡散による内部差込みによって単にグラフト化部分に保持されている。内部差込によって保持されているものは溶液において直ちに解放され、電解液が徐々にゲル化してしまう。
【０１６７】
使用されたアプローチは、二官能性重合性分子を電解液中に添加することによって、この部分を成長するフィルム中に保持することからなる。ジビニルベンゼン分子（ＤＶＢ）は例えば鎖間を架橋して、それにより最初は絶縁され最終的に鎖の大部分を保持することを可能とするかもしれない。
【０１６８】
カソード区画に１〜１０％のＤＶＢを添加することによってテストが実施された。５％の含量まで厚みは増大し、そして安定化した。得られた最大値は５０００に近いものであった。
【０１６９】
したがって、フィルム厚を５倍とすることが可能であった。この結果は図１２からみることができる。
【０１７０】
図１３はこれらのフィルムについて記録されたＩＲＲＡＳスペクトルを示す。グレイジング（ｇｒａｚｉｎｇ）反射による分析の条件下でのＩＲ強度はフィルム厚に対して直線ではないことに注意すべきである。
【０１７１】
これらのフィルムの全てが銅を正確に固定すると述べることは重要である。ＤＶＢは水溶液で膨潤するその能力を変更することはない。
【０１７２】
したがって、ジビニルベンゼン（ＤＶＢ）等の架橋剤の使用は、グラフト化フィルムの厚みをファクター５の分増大させることができる。架橋フィルムの錯化容量は保存される。これらの架橋フィルムでは、非架橋フィルムで見られた初期の厚みのロスはもはや観測されない。
【０１７３】
ｂ．　予備形成されたオリゴマーの導入
フィルム厚を増大させるために予備形成されたオリゴマーを使用するというアイデアは合成のシリーズの間の観測に由来するものである。幾つかのフィルムが連続的に（ＤＶＢなしで）合成されたとき、一般に赤茶色に着色して、合成溶液の粘度が増大することが観測された。この観測は、グラフト化フィルムに保持されず時間と共に溶液中に蓄積するオリゴマー鎖の形成に関係している。並行して、同じ溶液が連続合成に使用されるとフィルム厚が次々に増大する傾向が観察された。溶液中のオリゴマーがフィルム厚の増大に寄与しているのである。
【０１７４】
発明者らは、また、そのグローブ−ボックス貯蔵の間に自然に重合した溶液も使用した。そして、たしかにモノマー蒸留操作は安定剤、すなわち、重合阻害剤、の全部又は一部を取り去った。
【０１７５】
このテストはポジティブであると分かった。つまり、予備形成されたオリゴマーを伴う合成溶液の調製はフィルム厚の有意の増大を導く。平均で２又は３のファクターがフィルム厚について観測された。プロフィオメトリーで決定された値では、４００〜５００ｎｍが規則的に観測された。この結果は図１４に示されている。
【０１７６】
３．２．３．　ワイヤメッシュの合成
テフロンセルの使用はステンレス鋼ワイヤメッシュのテストの開始を可能とした。最適な合成条件が施された高周波ニッケル化表面からステンレス鋼メッシュへの転換は図１５に示すように明らかに何らの問題をも与えなかった。酸化クロムの存在はフィルム安定性を損なわなかったようである。
【０１７７】
その接着を証明するために、被覆メッシュに超音波を非常に長時間与えることも可能であった。ポリマーの溶媒中の超音波下での１５ｍｎテストはフィルムを変性したり視覚的に劣化させることはなかった。双眼顕微鏡又は走査型弟子顕微鏡下での光学観察では全てのワイヤ上での完全に均一な堆積を示した（図１６）。これは、電気重合による被覆方法がこれらの複合幾何体に完全に適合していることをよく示している。
【０１７８】
これらの進歩した表面への転換は錯化工程の時間長を減らすという目的に完全に沿ったものである。平らなストリップについて得られた結果を外挿すると、厳密な幾何観点からは、もし１０ｃｍの直径のメッシュが１０ｍｇ／ｌの溶液の１リットルを純化できるのであれば、それは、その性能が速度論からは容易に達成されるものではないという証拠になる。
【０１７９】
多くのメッシュを介する通過は、液体とフィルム表面の交換表面積のかなりの増加を得るために使用することができる。
【０１８０】
４）被処理廃液の連続処理デバイス
この態様は図１７、１８及び１９に記載されている。これらの図では、同じ数字は同じ物を意味する。図１７では、デバイス１５はバケツ１７のシリーズを備えており、そこではメッシュ１９が本発明の錯化構造を形成して載置されている。孔２１がバケツの底に開けられている。
【０１８１】
デバイスは、また、水車システムを形成するためのバケツ１７用の駆動レール２３、及び、変速機２７に備えられたレール用の駆動モータ２５を備えている。供給ダクト２９はデバイスに被処理廃液を水車システムのＡ点で供給する。処理された廃液は水車システムのＡ、Ｂ及びＣ点でバケツから待避し、点Ｂでデバイスからも待避する。処理された廃液３１は図の左下方でデバイスから去る。バケツの底から出る廃液用の収集樋２２が水車システムのＣ点に設けられている。このシステムは最初の空／脱錯化浴３５及び第２の空／脱錯化浴３７をも備えている。
【０１８２】
図１８は、図１７に示されたデバイスの駆動レール２３上のバケツ１７の斜視概略図である。
【０１８３】
それは、駆動レール２３の軸２３ａの周囲で、その上部がピポット型に取り付けられており、水車システムの全体に沿って、駆動レール２３によって「下を向く孔２１」の位置で動くようになっている。
【０１８４】
図１９はバケツ１７の断面図である。この概略図は本発明の錯化構造４０の位置どりを示している。この構造はメッシュ型４２である。各バケツは例えば１０〜１５のメッシュを含んでもよい。この概略図ではバケツは１０個保持している。
【０１８５】
この態様用に製造されたバケツは上部冠４４、チューブ４６、下部冠４８、孔２１を有する底５０、ナット５２、Ｏ−リング５４、及び、Ｏ−リング５６を備えている。廃液はメッシュ４０を通過後に孔から外へ流出可能である。
【０１８６】
図１７では、水車システムは時計方向に連続的に巡回するように示されている。それは次に、Ａを介して流入する廃液の流れ方向と逆行して回転して２つの空／脱錯化浴に浸漬する。
【０１８７】
したがって、被処理廃液は、水車システムの概略図の左上のＡを介して、供給ダクトの下に位置するバケツの上部を通してデバイスに入る。廃液はバケツ中に含まれる本発明の錯化構造を通過し、孔２１を通って去る。樋２２はシステムの上部Ｃでバケツから流出し続ける処理後の廃液を収集するためのものである。次に、バケツは最初の及び第２の空／脱錯化浴３５及び３７に向けて駆動され、それらは本発明の錯化構造を形成するバケツ中のメッシュを再生する。
【０１８８】
５）実施例４に記載された本発明のデバイスの実施態様を使用した適用例
この例のために製作されたバケツは、本発明の錯化構造の基体を形成している３１６Ｌステンレス鋼を、イオンを錯化可能な電気的に中性の有機ポリマーフィルムを構成するポリ−４−ビニルピリジンの被膜で変性した、濾過用の７個のメッシュのアセンブリを使用している。この錯化構造の実際の全表面積はしたがって非常に高く、５２００ｃｍ３（又は０．５１ｍ２）のオーダーであった。それらは有効性（時間及び濃度制限）において非常に多くのゲインを提供する。
【０１８９】
発明者らは、１５ｍｇのＣｕ２＋／ｌの濃度を有する非処理廃液２５０ｍｌの溶液をバケツのメッシュを通過させ、バケツの通過回数に対する溶液のＣｕ２＋イオン濃度を決定した。
【０１９０】
このテストの結果は図２０に示すグラフをプロットすることを可能とした。
【０１９１】
この図は、２５０ｍの体積の廃液のバケツの通過回数に対する廃液中の銅濃度の変化を示している。
【０１９２】
この図では、６０は脱錯化を示している。６回目の通過のとき、発明者らはメッシュをアンモニアで脱イオン化し、アンモニアを清浄な水で除去してすすいだ後、同じバケツを再使用した。そして、バケツの錯化容量が回復し、少ない回数の通過後に、処理後廃液中の残存濃度が非常に低くなることを観察した（２０回の通過及び６回目の通過時に１回の脱錯操作後に０．５ｍｇのＣｕ２＋／ｌのオーダーであった）。フランスでの規制による銅閾値が２ｍｇ／ｌであることは想起される。
【０１９３】
カーブの形状は、例えば１２回目の通過時に第２の脱錯化を行う等して、多くの脱錯化操作を用いると同一の又はより良い結果を得るであろうことを示す。
【０１９４】
これらの結果は、本発明によれば、従来の長い定量的な錯化を速い錯化／脱錯化のシリーズで置換することが有利に可能であることを示す。
【０１９５】
６）レドックスロック型の錯化キャビティの使用例
この適用例では、ビニルフェロセン単独での電気重合がカソード分極によって行われる。ビニルフェロセンは図２１に示されている。この実験では、フェロセン基で形成された近似レドックスロックがカソード電気重合に対して化学的に安定であり、グラフト化されたポリマーフィルム中でもまだ電気化学的に導かれることを実証することができた。
【０１９６】
電気化学合成条件は以下のとおりである：
−　白金ストリップ上
−　比較：銀電極
−　溶媒：アセトニトリル
−　電解液担体：ＴＥＡＰ　５．１０−２モル／Ｌ−１
−　モノマー濃度：２０ｍｌのアセトニトリル中１ｇ（０．２７モル．Ｌ−１）
−　パルス状電気分解：下記のプロトコル
Ｖｏｎ＝−２．７Ｖ／（Ａｇ＋／Ａｇ）
ｔｏｎ＝２００ｍｓ
Ｖｏｆｆ＝０Ｖ／（Ａｇ＋／Ａｇ）
ｔｏｆｆ＝４００ｍｓ
パルス回数：２０００
【０１９７】
得られたフィルムは約２０ｎｍの厚みを有しており、フェロセン基に特有のＩＲスペクトルを有している。
【０１９８】
図２２はＩＲＲＡＳスペクトル（波長対透過光）を示しており、カソード分極下の電気重合を用いてグラフト化により得られたポリ（（ビニル）−フェロセン）フィルムのものである。ポリ（ビニル−フェロセン）フィルムの反応はアセトニトリルとＴＥＡＰの溶液中で測定された。
【０１９９】
図２３はカソード分極下の電気重合により白金上にグラフト化された２０ｎｍのポリ（ビニルフェロセン）の電圧応答を示す。測定は、アセトニトリル中ＴＥＡＰ溶液（５．１０−２モル・Ｌ−１）、Ｖ＝１００ｍＶ．ｓ−１で行われた。アノード及びカソードピークが観察され、フェロセン基に伴って常に可逆的なレドックスペアに特徴的であった。
【０２００】
７）レドックスロック型の錯化キャビティの使用例
この例ではビニルフェロセンが４−ビニルベンゾ１８−クラウン−６と共に共重合された。この実験は、レドックスロックが錯化キャビティにより官能化されたモノマーと共重合可能であること、及び、そのようなコポリマーフィルムにおいて電気化学的に反応することを示す。
【０２０１】
電気化学合成条件は以下のとおりである：
−　白金ストリップ上
−　モノマー濃度：２０ｍｌのアセトニトリル中１０．７５ｇ（０．２４モル．Ｌ−１）の４−ビニルベンゾ１８−クラウン−６
−　パルス状電気分解：下記のプロトコル
Ｖｏｎ＝−２．７Ｖ／（Ａｇ＋／Ａｇ）
ｔｏｎ＝２００ｍｓ
Ｖｏｆｆ＝０Ｖ／（Ａｇ＋／Ａｇ）
ｔｏｆｆ＝４００ｍｓ
パルス回数：２０００
【０２０２】
サンプルは特徴化前に超音波下でアセトニトリル中ですすぎを受けた。得られたフィルムは約４０ｎｍの厚みを有していた。その分子構造はフェロセンとクラウンエーテルにより特徴づけられる基を明らかにした。
【０２０３】
図２４は、ビニルフェロセン及び４−ビニルベンゾ１８−クラウン−６のコポリマーにより得られた、本発明のフィルムのＩＲＲＡＳスペクトルを示している。
【０２０４】
実施例８
一方の端が空いており、他方の端に流量調整タップを備えているポリエチレンのチューブを用いて錯化カートリッジを製造した。このチューブは表面にポリ−４−ビニルピリジンがグラフト化されたステンレス鋼メッシュで充填された。これらのメッシュはチューブ内に、チューブの軸方向に垂直に載置された。そして、非処理廃液を充填済みチューブの内部に流入させ、タップで流量を調整しながら、充填済みチューブ内で被処理水を収集し、図２０に示すようにチューブの底で処理された水を収集することが可能であった。ｎ回（ｎは流入する廃液の濃度による）の通過後、メッシュは（ｉ）チューブ内にアンモニア溶液を通過させるか、（ｉｉ）アンモニア溶液にチューブを完全に浸漬するか、（ｉｉｉ）電気的補助によってメッシュを再生するか、のいずれかによって再生される。得られる結果は先の実施例のものと等しい。
【０２０５】
実施例９
一方の端が空いており、他方の端に流量調整タップを備えているポリエチレンのチューブを用いて錯化カートリッジを製造した。このチューブは表面にポリ−４−ビニルピリジンがグラフト化されたステンレス鋼ビーズで充填された。このグラフト化はフロンメッシュチューブにビーズを充填して、当該チューブの２つの端を、ビーズを圧縮する導電性メッシュで密封することによって得られた。アセンブリは４−ビニルピリジンを含む合成溶液に浸漬され、先の実施例と同様にグラフト化が行われた。ポリエチレンチューブは次にこのビーズで充填された。そして、非処理廃液を充填済みチューブの内部に流入させ、タップで流量を調整しながら、チューブの底で処理された水を収集することが可能であった。ｎ回（ｎは流入する廃液の濃度による）の通過後、メッシュは（ｉ）チューブ内にアンモニア溶液を通過させるか、（ｉｉ）電気補助放電のためにアンモニア溶液にチューブ中の電極を浸漬するか、のいずれかによって再生される。得られる結果は先の実施例のものと等しい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、金属化ガラスストリップの表面での電気重合によるＰ４ＶＰフィルムの合成の間のオシロスコープにより得られた記録である。
【図２Ａ】図２Ａは、Ｐ４ＶＰフィルムを使用して銅溶液中で銅を錯化する前（上方の（ａ））後（下方の（ｂ））の２つの全スペクトルである。
【図２Ｂ】図２ＢはＰ４ＶＰフィルムを使用して銅溶液中で銅を錯化する前（上方の（ａ））後（下方の（ｂ））の２つの全スペクトル（図２Ａ）の１６００ｃｍ−１付近の拡大図である。
【図３Ａ】図３Ａは、１５ｍｇ／ｌの銅溶液に浸漬したＰ４ＶＰフィルムのピリジンとその銅錯体の赤外バンド（ＩＲ）の時間に対する記録を示すＩＲＲＡＳスペクトルである。
【図３Ｂ】図３ＢはＰ４ＶＰフィルムの浸漬時間に対するＩＲＲＡＳバンドの表面積から推測された錯化銅の割合を示す。
【図４】図４は、本発明のフィルムを、トップは２５℃で、中間は７０℃で、ボトムは１００℃で処理した３つのＩＲＲＡＳスペクトルを示す。
【図５】図５は、酸洗浄後水ですすいだ本発明の有機ポリマーフィルム中のピリジニウム形態のＩＲＲＡＳスペクトルである。
【図６】図６は、（１）最初の未錯化Ｐ４ＶＰフィルム、（２）錯化されたＰ４ＶＰフィルム、及び（３）ＮＨ３／熱水処理によって脱錯化されたフィルム、の３つのＩＲＲＡＳスペクトルである。
【図７】図７は、（１）最初の未錯化Ｐ４ＶＰフィルム、（２）錯化されたＰ４ＶＰフィルム、及び（３）ＮＨ３／熱水処理によって脱錯化されたフィルム、の３つのＸＰＳスペクトルである。
【図８】図８は、（１）最初の未錯化Ｐ４ＶＰフィルム、（２）錯化／放出の５サイクル後のフィルム、及び（３）錯化／放出の１５０サイクル後のフィルム、の３つのＩＲＲＡＳスペクトルであり、連続線は脱錯化フィルムを表し、点線は錯化フィルムを表す。
【図９】図９は、（１）最初の未錯化Ｐ４ＶＰフィルム、（２）錯化／放出の１サイクル後のフィルム、及び（３）錯化／放出の４サイクル後のフィルム、の３つのＩＲＲＡＳスペクトルであり、連続線は脱錯化フィルムを表し、点線は錯化フィルムを表す。
【図１０Ａ】図１０は、標準的なサイズの表面用の膜分離器を備えた２つのテフロンブロックによりデザインされたセルの概略図であり、図１０Ａは前記セルの透斜視図である。
【図１０Ｂ】図１０は、標準的なサイズの表面用の膜分離器を備えた２つのテフロンブロックによりデザインされたセルの概略図であり、図１０Ｂは第２のブロックの分離後の２つのブロックの一方の横視図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは図１０Ｂに垂直な平面に沿って眺めた断面図である。
【図１１】図１１は、ジビニルベンゼン分子により隔離されているポリマー鎖の架橋を示す。
【図１２】図１２は、５％ＤＶＢの存在下得られたフィルムの厚みのプロファイル図であり、５ｍｇの針圧力時に針によってフィルムに付けられた傷に対直に測定された。
【図１３】図１３は、フィルム厚にＤＶＢ含量が与える影響を示すＩＲＲＡＳスペクトルである。
【図１４】図１４は、予備形成されたオリゴマーの存在下得られたフィルムの厚みのプロファイル図であり、５ｍｇの針圧力時に針によってフィルムに付けられた傷に対直に測定された。
【図１５】図１５は、ステンレス鋼メッシュ上でのＩＲ顕微鏡検査により得られた３つのスペクトルである。
【図１６Ａ】図１６Ａは、倍率２００倍の走査型電子顕微鏡で得られた非被覆ステンレス鋼メッシュの画像である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、倍率２００倍の走査型電子顕微鏡で得られた、本発明のＰ４ＶＰポリマーフィルムで被覆されたステンレス鋼メッシュの画像である。
【図１７】図１７は、水車システムを含む本発明の連続廃液処理デバイスの概略図である。
【図１８】図１８は、図１７の水車システム中の駆動レール上のバケツの斜視概略図である。
【図１９】図１９は、図１７の水車システム中のバケツの１つの概略断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の錯化構造を含むバケツ中への廃液の通過回数に対する廃液の銅濃度の変化を示すグラフである。
【図２１】図２１は、本発明の実施態様の一つで使用される、ビニルフェロセン（左）及び４−ビニル　ベンゾ　１８−クラウン−６の分子構造を示す。
【図２２】図２２は、本発明のカソード分極下での電気重合によるグラフト化で得られたポリ（ビニルフェロセン）フィルムのＩＲＲＡＳスペクトルを表すグラフである。
【図２３】図２３は、本発明のカソード分極下での電気重合によるプラチナ上でのグラフト化で得られた２０ｎｍのポリ（ビニルフェロセン）フィルムのＥ（ｍＶ）に対する電気反応Ｉ（ｍＡ）を表すグラフである。
【図２４】図２４は、本発明のビニルフェロセンと４−ビニル　ベンゾ　１８−クラウンとのコポリマーのフィルムのＩＲＲＡＳスペクトルを表すグラフである。
【図２５】図２５は、本発明のカソード分極下での電気重合によるプラチナ上でのグラフト化で得られた４０ｎｍのポリ−コ（ビニルフェロセン−４−ビニルベンゾ１８−クラウン−６）フィルムのＥ（ｍＶ）に対する電気反応Ｉ（ｍＡ）を表すグラフである。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１３】
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【図１５】
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【図２０】
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【図２２】
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【図２４】
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【国際公開パンフレット】
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2004507348.tif 000042
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2004507348.tif 000057
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2004507348.tif 000060
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2004507348.tif 000069
2004507348.tif 000070
2004507348.tif 000071
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2004507348.tif 000074
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2004507348.tif 000084
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2004507348.tif 000086
2004507348.tif 000087
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2004507348.tif 000089
2004507348.tif 000090
2004507348.tif 000091
2004507348.tif 000092
2004507348.tif 000093
2004507348.tif 000094
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2004507348.tif 000096
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2004507348.tif 000101
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2004507348.tif 000104
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2004507348.tif 000106
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2004507348.tif 000110
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2004507348.tif 000113
2004507348.tif 000114
2004507348.tif 000115
2004507348.tif 000116
2004507348.tif 000117
2004507348.tif 000118
2004507348.tif 000119
【手続補正書】
【提出日】平成14年11月29日(2002.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気重合によりフィルムがその上にグラフト化された導電体又は半導体基体を備えた錯化構造であって、
前記フィルムが、イオンを錯化可能な、ポリマー、又は、電気的に中性の有機コポリマーであり、
前記フィルムが架橋剤を含む、錯化構造。
【請求項２】
基体上にグラフト化された電気的に中性の有機ポリマーが、
−　１以上の、同一又は異なる、錯化特性を有する官能基であって、アミン、アミド、エーテル、カルボニル、ホスフィン、ホスフィンオキシド、チオエーテル、ジスルフィド、ウレア、クラウンエーテル、アザクラウン、チオクラウン、クリプタンズ、セプルクランズ、ポダンズ、ポルフィリン、カリックスアレーン、ピリジン、ビピリジン、ターピリジン、キノレイン、オルトフェナントロリン化合物、ナフトール、イソナフトール、チオウレア、シドロホン、抗生物質、エチレングリコール、シクロデキストリン、及び、これらの官能基で置換及び／又は官能化される分子構造、から選択される官能基、
及び／又は、
−　１つ以上のレドックスロック型の錯化キャビティ
を含む、請求項１記載の錯化構造。
【請求項３】
前記ポリマーがビニルポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項４】
前記ポリマーが、４−ビニルピリジン、ビニルビピリジンから選択されるモノマーを含むポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項５】
前記ポリマー又は有機コポリマーのフィルムがメチルメタクリレートと、エステルのメチル基がレドックスロックを備えたクラウンエーテルによって置換されたメチルメタクリレートとのコポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項６】
前記ポリマー又は有機コポリマーのフィルムが４−ビニルピリジン及びビニルフェロセン又はビニルジフェロセンのコポリマーである、請求項１記載の錯化構造。
【請求項７】
前記フィルムが予備形成されたオリゴマーをも含む、請求項１又は３記載の錯化構造。
【請求項８】
前記有機ポリマーのフィルムが約１０μｍ以下の厚みを有する、請求項１記載の錯化構造。
【請求項９】
前記基体がプレート、ストリップ、テープ、ガーゼ、メッシュ、ワイヤ、ビーズ、パウダー、チップ、及び、チューブから選択される、請求項１記載の錯化構造。
【請求項１０】
基体の全体又は一部が、導電体又は半導体物質により構成されている、請求項１又は９記載の錯化構造。
【請求項１１】
基体が３１６Ｌステンレス鋼製である、請求項１又は１０記載の錯化構造。
【請求項１２】
請求項１記載の構造の製造方法であって、
イオンを錯化可能な、ポリマー又は電気的に中性の有機コポリマーの電気重合によるグラフト化工程を含み、
前記電気グラフト化が、架橋剤の存在下、導電体又は半導体基体上で行われる、方法。
【請求項１３】
前記電気グラフト化が予備形成されたオリゴマーの存在下で行われる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記電気グラフト化が下記の条件下で行われる、請求項１２記載の方法。
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【請求項１５】
廃液からイオンを抽出する廃液処理方法であって、当該方法が
被処理廃液を請求項１乃至１１のいずれかに記載の構造と接触させて被抽出イオンを前記電気的に中性の有機ポリマーのフィルムによって錯化する工程
を含む、廃液処理方法。
【請求項１６】
前記ポリマーによって錯化されたイオンを放出する工程をも含み、当該放出が化学的手段又は電気補助手段により行われる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
化学的手段による錯化イオンの放出が、有機ポリマーのフィルムを当該フィルムにより錯化されたイオンに強い親和性を有するリガンドを含む溶液に浸漬することによって行われる、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記フィルムがポリ−４−ビニルピリジンのフィルムで、廃液から抽出されるイオンが銅及び／又は亜鉛イオンである場合、後者の放出が熱水を使う方法、アンモニア溶液を使う方法、又は、これらの２つの方法の組み合わせによって行われる、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
基体が導電体又は半導体基体で、当該基体にグラフト化された前記有機ポリマーがレドックスロックを備えた１以上の錯化キャビティを含む場合、錯化イオンの放出が、前記ポリマーフィルムを保持する導電体又は半導体基体を電気分極する電気補助手段によって行われる、請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
イオンを錯化したポリマーフィルムを除去する基体剥離工程をも含み、基体上に新しいポリマーフィルムを堆積する工程が任意に続く、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
被処理廃液の連続処理用デバイスであって、
−　請求項１乃至１０のいずれかに記載の錯化構造
−　被抽出イオンを含む被処理廃液を含む第１の容器
−　前記構造のポリマーにより錯化されたイオンを放出させるための溶液を含む第２の容器
及び
−　連続的に、制御されたスピードで、被処理廃液を含む第１の容器中に前記構造を通過させ、次に、前記錯化構造のポリマーにより錯化されたイオンを放出させるための溶液を含む第２の容器中を通過させる手段
を含む、デバイス。
【請求項２２】
前記構造が、端を結合したテープである、請求項２１記載のデバイス。
【請求項２３】
前記錯化構造が、水車システムにより駆動されるバケツ中に配置されるメッシュの組立体である、請求項２１記載のデバイス。
【請求項２４】
被処理廃液の流速、及び／又は、被処理廃液中のイオン濃度、及び／又は、前記有機フィルムによるイオン錯化速度と脱錯化速度との関係に依存して、前記構造が前記第１の容器、次に第２の容器を通過する速度を調整する制御手段をも含む、請求項２１記載のデバイス。
【請求項２５】
被処理廃液の連続処理用デバイスであって、
−　請求項１乃至１０のいずれかに記載の錯化構造
−　被抽出イオンを含む被処理廃液を含む第１の容器
及び
−　連続的に、制御されたスピードで、第１の容器から、前記被処理廃液を含む前記錯化構造の表面上又はその中に前記被処理廃液を通過させる手段
を含む、デバイス。
【請求項２６】
放射性イオンを含む廃液の処理のための請求項１記載の構造の使用。
【請求項２７】
請求項１記載の錯化構造が配置されている錯化カートリッジ。
【国際調査報告】
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