(57)【要約】向上された性能を有し容易に製造することができる薄膜共振器及びその製造方法。薄膜共振器は、基板上に形成された複数のポスト及び支持層を含む支持部材と、支持部材上に形成された第１電極、第１電極上に形成された誘電層及び誘電層上に形成された第２電極を含む。薄膜共振器が微小サイズを有するので、高集積化が可能であり、薄膜共振器の微細パターン及び３次元的な共振器構造を容易に具現することができるので、低い挿入損失及び高いＱを有する。また、誘電層の厚さの調節が可能であって高周波、中間周波数及び低周波などを含む多重バンド一体形の集積化が可能であり、インダクタとキャパシタを一体形に具現することができる。さらに、薄膜共振器共振器が微小な体積を有し、３次元的の浮き構造を有するために、基板の干渉による電力損失を最少化することができ、基板のサイズにより適切な大きさの共振器を形成することができる。
2004514313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定帯域の周波数をフィルタリングする薄膜共振器において、
基板上に形成された複数のポスト及び前記複数のポスト上に形成された支持層を含む支持手段と、
前記支持手段上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成された誘電層と、
前記誘電層上に形成された第２電極とを含むことを特徴とする薄膜共振器。
【請求項２】
前記ポストは前記基板上に四つが形成され、前記支持層は前記四つのポストにより支持され、前記支持層に形成された複数の開口を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項３】
前記ポストはＢＰＳＧからなり、前記支持層は窒化シリコンからなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項４】
前記支持層、前記第１電極、前記誘電層及び前記第２電極は各々四角プレート形状を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項５】
前記第１電極は前記支持層より小さい面積を有し、前記誘電層は前記第１電極より小さい面積を有し、前記第２電極は前記誘電層より小さい面積を有することを特徴とする請求項４に記載の薄膜共振器。
【請求項６】
前記支持層、前記第１電極、前記誘電層及び前記第２電極はピラミッド形状を形成するように結合されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜共振器。
【請求項７】
前記第１電極は、白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン及びタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属により構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項８】
前記第２電極は、白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン及びタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属により構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項９】
前記第１電極及び前記第２電極は同一の金属により構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項１０】
前記誘電層はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リードジルコネートチタネート（ＰＺＴ）、リードランタナムジルコネートチタネート（ＰＬＺＴ）及びリードマグネシウムニオベート（ＰＭＮ）よりなったグループのうちから選択されたいずれか一つの物質により構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項１１】
前記第２電極と前記基板上に形成された回路部を連結する連結手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜共振器。
【請求項１２】
前記基板と前記支持手段との間には、第１エアギャップが介され、前記連結手段と前記第２電極との間には第２エアギャップが介されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜共振器。
【請求項１３】
前記連結手段は中央部から両側が折り曲げられて、前記回路部及び前記第２電極に接続されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜共振器。
【請求項１４】
前記連結手段は白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン又はタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属により構成されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜共振器。
【請求項１５】
基板上に第１犠牲層を形成する段階と、
前記犠牲層を部分的にエッチングして前記基板の一部を露出させる段階と、
前記基板の露出された部分に複数のポストを形成する段階と、
前記ポスト及び前記第１犠牲層上に第１層を形成する段階と、
前記第１層の上部に第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層上に第２層を形成する段階と、
前記第２層の上部に第２金属層を形成する段階と、
前記第２金属層、前記第２層及び前記第１金属層をパターニングして第２電極、誘電層及び第１電極を形成する段階と、
前記第１層をパターニングして複数の開口を有する支持層を形成する段階と、
前記開口を通じて前記第１犠牲層を除去する段階とを含む所定帯域の周波数をフィルタリングする薄膜共振器の製造方法。
【請求項１６】
前記第１犠牲層はポリシリコンを低圧化学気相蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項１７】
前記第１犠牲層はフォトリソグラフィ方法、反応性イオンエッチング方法又はアルゴンレーザエッチング方法によって部分的にエッチングされることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項１８】
前記ポストを形成する段階は、
前記基板及び前記第１犠牲層上にＢＰＳＧ膜を形成する段階と、
前記ＢＰＳＧ膜を研磨して前記ＢＰＳＧ膜のうち、前記第１犠牲層上に位置した部分を除去する段階とを含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項１９】
前記ＢＰＳＧ膜は低圧化学気相蒸着法により約５００℃以下の温度で形成されることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２０】
前記ＢＰＳＧ膜は化学機械的研磨方法又はエッチバック方法によって研磨されることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２１】
前記第１層はプラズマ増大化学気相蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２２】
前記第１層は酸化シリコン又は酸化リンを使用して３５０〜４５０℃の温度で形成されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２３】
前記第１電極及び第２電極は、白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン又はタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属により、スパッタリング方法又は化学気相蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２４】
前記第２層は圧電物質又は電歪物質によりゾル−ゲル方法、スピンコーティング方法、スパッタリング方法又は化学気相蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２５】
前記第２層はチタン酸バリウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、リードジルコネートチタネート（ＰＺＴ）、リードランタナムジルコネートチタネート（ＰＬＺＴ）及びリードマグネシウムニオベート（ＰＭＮ）よりなったグループのうちから選択されたいずれか一つを使用して形成されることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２６】
前記第２層を形成する段階は前記第２層を急速熱処理方法により熱処理して、相転移させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２７】
前記第１犠牲層はフッ化キセノン又はフッ化臭素を使用して除去することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２８】
前記基板及び前記第２電極の上部に第２犠牲層を形成する段階と、
前記第２犠牲層を部分的にエッチングして前記第２電極及び前記基板に形成された所定の回路部を露出させる段階と、
前記第２電極及び前記回路部を連結する連結手段を形成する段階と、
前記第２犠牲層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項２９】
前記第２犠牲層はポリシリコンを低圧化学気相蒸着法により蒸着して、又はフォトレジストをスピンコーティング方法により塗布して形成されることを特徴とする請求項２８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項３０】
前記第２犠牲層の表面を化学機械的研磨方法又はエッチバック方法によって平坦化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項２８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項３１】
前記連結手段は白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン又はタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属をスパッタリング方法又は化学気相蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項２８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項３２】
前記第２犠牲層を除去する段階は、フッ化キセノン、フッ化臭素、フッ酸を含むエッチング液又はアルゴンレーザを使用する方法により行われることを特徴とする請求項２８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【請求項３３】
前記第２犠牲層を除去する段階は前記第１犠牲層を除去する段階と同時に実施されることを特徴とする請求項２８に記載の薄膜共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は薄膜共振器及びその製造方法に関するものであり、より詳細には、向上された性能を有し、また、さらに容易に製造することができる多重バンド一体形の薄膜共振器及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
（背景技術）
最近情報化社会の寵児と言うことができる無線移動通信は、日毎に変えている。その変化を可能にする主要因としては概略的に二つを挙げることができる。一つは、無線移動通信でソフトウェア的の側面である変調又は復調のような信号処理技術の発展である。これは限定された周波数帯域で効率的な情報伝達のためのものである。また他の一つは、ハードウェア的な高周波（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；ＲＦ）部品技術と言うことができる。特に、高周波（ＲＦ）無線移動通信部品のうち、フィルタ部門こそ核心受動部品うちの一つである。フィルタは無限である空中波のうちで、利用者が必要とする信号を選択したり転送しようとする信号を遮断する機能を有する。従って、高品位無線移動通信のためには、このようなフィルタ開発技術が優先されなければならない。特に、無線移動通信の携帯性を考慮した端末機の軽量、小型という低電力化趨勢に寄与されるフィルタ技術開発を必要とする。
【０００３】
一般に、共振器すなわち周波数フィルタとは、各種電子機器及び無線電話機、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　ｓｅｒｖｉｃｅ）又はセルラーホン（ｃｅｌｌｕｌａｒ　ｐｈｏｎｅ）と次世代移動通信であるＩＭＴ−２０００（ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　ｍｏｂｉｌｅ　ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ−２０００）用端末機などの通信機器で、一定帯域の周波数のみ通過させ、その他の周波数を遮断する役割を有するバンドパス（ｂａｎｄ　ｐａｓｓ）フィルタとして利用される部品である。
【０００４】
現在、無線通信用高周波（ＲＦ）フィルタとして最も多く利用されているものが誘電体フィルタとＳＡＷフィルタと言うことができる。これらフィルタは、各々の長短所を有している最近の無線通信端末機の技術的な発展推移により段々発展している。誘電体フィルタは特に、高い誘電率、低挿入損失、高い温度での安定性、耐振動及び耐衝撃などの長所を有しており、一方、技術的発展動向である小型化及びＭＭＩＣ化には限界性を示している。勿論、このような技術的な限界を克服するために、モノブロック（ｍｏｎｏｂｌｏｃｋ）化及び積層（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ）化ＳＭＤ（ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｕｎｔｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ）フィルタが開発され、体積の限界性がある程度克服されているが、究極的な目標には到達されない状態である。
【０００５】
ＳＡＷフィルタの場合、誘電体フィルタに比べて小型であり、信号処理が容易であり、回路の簡略化、無調整化及び半導体工程を利用することにより、大量生産が可能である利点を有している。また、誘電体フィルタに比べて通過帯域内のサイドリジェクション（ｓｉｄｅ　ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ）が高く、高品位の情報をやり取ることができる長所を有している。勿論、約３ｄＢ以下程度に挿入損失が大きく、単結晶圧電基板であるＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）又はＬＴ（ＬｉＴａＯ３）を使用することにより、価格が高いという短所もある。ＳＡＷ素子工程では露光装置に紫外線（ＵＶ）が用いられている。これによりＩＤＴ（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）線幅は約０．５μｍ程度が限界であるので、５ＧＨｚ以上の超高周波帯域が不可能である。
【０００６】
ＦＢＡＲは、全ての面で次世代無線移動通信デバイスに最も理想的であると言うことができる。これは高周波（ＲＦ）能動素子との自由な結合が可能であり、超軽量及び超軽薄であり、半導体工程を利用した大量生産により単価が低廉である。特に、ＦＢＡＲは、安定性が高くフィルタ特性を示す重要な端緒うちの一つである挿入損失率が約１〜１．５ｄＢとして、誘電体フィルタと同一又は、少し優れる特性を示している。サイドリジェクションの場合も、ＳＡＷフィルタ特性より約１０〜２０ｄＢ高く、優れた信号対雑音比を示しており、高品位の無線通話品質を保障することができる。
【０００７】
現在、ＨＢＴ（ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｂｉｐｏｌａｒ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、またはＭＥＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）により構成される移動通信無線周波数帯の能動回路は、ＭＭＩＣ技術として段々小型化、単一化されているが、チップ外部の高周波（ＲＦ）受動部品であるフィルタ、デュプレクサフィルタ及びアンテナなどは、まだ体積が大きく構造が複雑であって回路の単一チップ化に大きい障害になっている。
【０００８】
ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ　ｂｕｌｋ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）、またはＳＢＡＲ（ｓｔａｃｋｅｄ　ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　ｂｕｌｋ　ｗａｖｅ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）は、半導体基板であるシリコン（Ｓｉ）とかガリウムヒ素（ＧａＡｓ）に圧電・誘電体物質である酸化亜鉛（ＺｎＯ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を高周波（ＲＦ）スパッタリング法に直接積層することにより、また、圧電体物質よって所望の共振を得ることにより具現したものである。
【０００９】
このような薄膜素子は低い価格で製造可能であり、高品質の特性が可能であるので、約９百ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ範囲の各種周波数帯域を使用する無線通信機器又は軍用レイダーなどに使用可能である。また、誘電体フィルタに比べて超小型化が可能であり、弾性波（ｓｕｒｆａｃｅ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｗａｖｅ）素子より挿入損失が相当に小さいという特性を有している。従って、安定性が高く高品質を要求するＭＭＩＣ（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｉｎｔｅｒｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）に使用可能である。
【００１０】
このようなＦＢＡＲあるいはＳＢＡＲを製造する方法が、Ｒｊｃｈａｒｄ　Ｃ．Ｒｕｂｙなどに付与された米国特許第６，０６０，８１８号に開示されている。
【００１１】
図１は、米国特許に記載されたＦＢＡＲの断面図を示したものであり、図２Ａ乃至図２Ｃは図１に示した装置の製造工程図である。
【００１２】
図１に示すように、ＦＢＡＲ１０はシリコン基板１５上に形成され、下部電極２０、圧電層２５及び上部電極３０を備える。シリコン基板１５には酸化膜３５が積層され、このようなシリコン基板１５とＦＢＡＲ１０との間にはピット（ｐｉｔ）４０が介される。
【００１３】
図２Ａに示すように、まずシリコン基板１５を用意した後、シリコン基板１５を部分的にエッチングしてシリコン基板１５に所定の深さを有するピット４０を形成する。続いて、ピット４０が形成されたシリコン基板１５の全面に熱酸化法（ｔｈｅｒｍａｌ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）を利用して酸化膜３５を積層する。
【００１４】
図２Ｂに示すように、ピット４０を埋めるように酸化膜３５の上部にリンシリケートガラス（ＰＳＧ）からなる犠牲層４５を塗布した後、塗布された犠牲層４５を研磨して犠牲層４５がピット４０にのみ残留するようにする。
【００１５】
図２Ｃに示すように、ピット４０を埋めている犠牲層４５及び酸化膜３５上にＦＢＡＲ１０を構成するモリブデン（Ｍｏ）により構成された下部電極２０、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる圧電層２５及びモリブデン（Ｍｏ）からなる上部電極３０を順次積層しパターニングする。続いて、犠牲層４５をフッ酸（ＨＦ）を含む溶液によって除去し、図１に示したようなＦＢＡＲ１０を完成する。
【００１６】
しかし、上述した従来のＦＢＡＲは空洞（ｃａｖｉｔｙ）が形成されたシリコン基板上に形成されるために、根本的に２次元的な構造を越えることは困難である。従って、ＦＢＡＲの挿入損失が増加すると同時に、高品質を獲得することが困難になる。
【００１７】
また、従来のＦＢＡＲは圧電体の変形を収容するために基板に空洞を形成し、その上部に形成されることにより基板の干渉を遮断することが困難であり、これにより電力損失が増加され、ＦＢＡＲの面積が基板上で制限されるという問題点がある。
【００１８】
さらに、従来のＦＢＡＲは空洞が形成されたシリコン基板の上部に形成されるために、シリコン基板をエッチングなどの方法により加工するために多くの時間がかかり、これにより工程費用が増加されるという短所がある。
【００１９】
このような問題点を克服するために、最近米国のバークレー（Ｂｅｒｋｅｌｙ）及びミシガン（Ｍｉｃｈｉｇａｎ）などの大学研究所でＭＥＭＳ工程を利用してシリコン基板上に３次元的な構造を有するＴＦＢＡＲ（ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｂｕｌｋ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）を提示したが、このようなＴＦＢＡＲやはりその構造の複雑性及び集積化の限界によって量産工程に適用することが不適合であると同時に、ＴＦＢＡＲのパッケージが相当に困難であるという短所を克服しなかった。
【００２０】
（発明の開示）
本発明の目的は、ＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏ−ｅｌｅｃｔｒｏ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｓｙｓｔｅｍ）工程を利用して超小型のサイズを有することにより、高集積化が可能である薄膜共振器及びその製造方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は、誘電層の厚さを調節して多重周波数バンド一体形に具現可能である薄膜共振器及びその製造方法を提供することにある。
【００２２】
本発明のまた他の目的は、微小なサイズを有し、３次元的な浮き構造を有することにより、基板の干渉による電力損失を最少化することができ、基板のサイズによって適切な大きさを有する薄膜共振器及びその製造方法を提供することにある。
【００２３】
本発明のまた他の目的は、工程収率を向上させるとともに、製造費用を大きく低下させることができる薄膜共振器及びその製造方法を提供することにある。
【００２４】
本発明のまた他の目的は、微細パターン及び３次元的な構造を有することにより、低い挿入損失及び高品質を有する薄膜共振器及びその製造方法を提供することにある。
【００２５】
上述した本発明の目的を達成するための本発明は、基板上に形成された複数のポスト及び支持層を含む支持部材と、支持部材上に形成された第１電極と、第１電極上に形成された誘電層と、誘電層上に形成された第２電極とを含む所定帯域の周波数をフィルタリングする薄膜共振器が提供される。
【００２６】
前記基板上にはＢＰＳＧからなった四つのポストが形成され、窒化シリコンからなった支持層はポストにより下部が支持され、ポストに隣接する部分に形成された複数の開口を含む。
【００２７】
前記支持層、前記第１電極、前記誘電層及び前記第２電極は各々四角プレート形状を有し、このような構成を有する前記薄膜共振器は全体的にピラミッドの構造を有する。
【００２８】
前記第１電極及び第２電極は、各々白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン及びタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属により構成され、誘電層はチタン酸バリウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、リードジルコネートチタネート（ＰＺＴ）、リードランタナムジルコネートチタネート（ＰＬＺＴ）及びリードマグネシウムニオベート（ＰＭＮ）よりなったグループのうちからいずれか一つの物質により構成される。
【００２９】
前記薄膜共振器は基板上に形成され、中央部から両側が折り曲げられて、回路部及び第２電極に接続される連結部材をさらに備え、これにより、基板と支持部材との間には、第１エアギャップが介され、連結部材と第２電極との間には第２エアギャップが介される。この時、連結部材は白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン又はタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属により構成される。
【００３０】
上述した他の目的を達成するための本発明は、基板上に第１犠牲層を形成する段階と、第１犠牲層を部分的にエッチングして前記基板の一部を露出させる段階と、基板の露出された部分に複数のポストを形成する段階と、ポスト及び第１犠牲層上に第１層を形成する段階と、第１層の上部に第１金属層を形成する段階と、第１金属層上に第２層を形成する段階と、第２層の上部に第２金属層を形成する段階と、第２金属層、第２層及び第１金属層をパターニングして第２電極、誘電層及び第１電極を形成する段階と、第１層をパターニングして複数の開口を有する支持層を形成する段階と、また、開口を通じて第１犠牲層を除去する段階とを含む薄膜共振器の製造方法が提供される。
【００３１】
第１犠牲層はポリシリコンを低圧化学気相蒸着法によって蒸着して形成され、フォトリソグラフィ方法、反応性イオンエッチング方法又はアルゴンレーザエッチング方法に部分的にエッチングされる。
【００３２】
前記ポストは、基板及び第１犠牲層上に低圧化学気相蒸着法により約５００℃以下の温度でＢＰＳＧ膜を形成する段階と、ＢＰＳＧ膜を研磨してＢＰＳＧ膜のうち、第１犠牲層上に位置した部分を除去する段階を通過して形成される。この時、ＢＰＳＧ膜は化学機械的研磨方法又はエッチバック方法によって研磨される。
【００３３】
第１層はプラズマ増大化学気相蒸着法によって形成され、又は酸化シリコン又は酸化リンを３５０〜４５０℃の温度で蒸着して形成される。また、第１金属層及び第２金属層は、白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン又はタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つをスパッタリング方法又は化学気相蒸着法によって蒸着することにより形成される。
【００３４】
前記第２層はチタン酸バリウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、リードジルコネートチタネート（ＰＺＴ）、リードランタナムジルコネートチタネート（ＰＬＺＴ）及びリードマグネシウムニオベート（ＰＭＮ）よりなったグループのうちから選択されたいずれか一つの物質により、ゾル−ゲル方法、スピンコーティング方法、スパッタリング方法又は化学気相蒸着法を用いて形成される。このような第２層を急速熱処理方法により熱処理して、相転移させることができる。第１犠牲層はフッ化キセノン又はフッ化臭素を使用して除去する。
【００３５】
望ましくは、基板及び第２電極の上部に第２犠牲層を形成する段階と、第１犠牲層を部分的にエッチングして第２電極及び前記基板に形成された所定の回路部を露出させる段階と、第２電極及び回路部を連結する連結部材を形成する段階と、第２犠牲層を除去する段階をさらに含むことができる。この場合、第２犠牲層はポリシリコンを低圧化学気相蒸着法、又はフォトレジストをスピンコーティング方法により塗布して形成され、第２犠牲層の表面を化学機械的研磨方法又はエッチバック方法に平坦化させる段階をさらに含む。
【００３６】
前記連結部材は白金、タンタル、白金−タンタル、金、モリブデン又はタングステンよりなるグループのうちから選択されたいずれか一つの金属をスパッタリング方法又は化学気相蒸着法によって蒸着して形成され、第２犠牲層を除去する段階はフッ化キセノン、フッ化臭素、フッ酸を含むエッチ液又はアルゴンレーザを使用する方法により行われる。この時、第２犠牲層を除去する段階は第１犠牲層を除去する段階と同時に実施されることができる。
【００３７】
一般に、周波数共振器においては、両電極間に圧電薄膜を蒸着し、バルクアクースティック波（ｂｕｌｋ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｗａｖｅ）を誘発させ、共振を発生させる原理を利用する。このような、周波数共振器の製造工程は大きく圧電物質である酸化亜鉛（ＺｎＯ）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）をシリコン（Ｓｉ）基板またはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板上に圧電薄膜層（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｆｉｌｍ）を蒸着する工程と電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）層及びメンブレン（ｍｅｍｂｒａｎｅ）層を形成するための工程に分けることができる。
【００３８】
このような製造工程において、薄膜は優れる付着力、平坦性及び緻密化が同時に成らなければならない。初期に、ボロンなどのようなＰ＋層をシリコン上にイオン成長法に蒸着し、又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）をシリコン上に蒸着した後、シリコン基板の後面を異方性エッチング（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｅｔｃｈｉｎｇ）することにより、エッチング停止が起こる空洞（ｃａｖｉｔｙ）を形成する方法により、メンブレン層を形成した。以後に、電極層を形成し、この電極層上に圧電層を高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタリング（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって蒸着し、薄膜周波数共振器を製造することになる。これら圧電物質には、優れた培養性と大きい圧電結合係数（ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｃｏｎｓｔａｎｔ）を有する薄膜に成長されなければならないと同時に、高い抵抗率（約１０６Ωｃｍ以下）と６０以下の標準偏差、高い破壊強度および蒸着薄膜の再現性が優れるべきものであるという条件が要求される。しかし、前述された薄膜工程は工程自体の厄介さと個別素子切断の際に、薄膜による素子自体の弱点によって多くの不良を惹起させ、薄膜による音波（ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｗａｖｅ）エネルギーの損失により共振特性を低下させることになる。
【００３９】
従って、現在は薄膜による損失を減少させ、素子製造工程を単純化するために、エアギャップ（ａｉｒ　ｇａｐ）形とブラッグリフレクタ（Ｂｒａｇ　ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）形ＦＢＡＲが使用されている。エアギャップはマイクロマシニング（ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇ）技術を利用しシリコン基板表面に犠牲層を形成した後、エアギャップを作ったものとして、従来の薄膜形成のためのバックエッチング過程で所要される長い工程時間及び有害ガスによる危険性を減少させることができる。
【００４０】
また、ブラッグリフレクタ形はシリコン基板上に音響インピーダンス（ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）の差異が大きい物質を交代に蒸着してブラッグ反射を誘発させることにより、音波エネルギーを電極層間に集めて共振が発生するようにする。ブラッグリフレクタ形ＦＢＡＲ共振機はラダー（ｌａｄｄｅｒ）形フィルタ、モノリシック結晶（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　ｃｒｙｓｔａｌ）形フィルタ、積層形（ｓｔａｃｋｅｄ）フィルタ、又はラチス（ｌａｔｔｉｃｅ）形フィルタに単一チップ（ｏｎｅ　ｃｈｉｐ）形態の薄膜形フィルタに具現可能である。この方法によるフィルタは、今までどのような方法との比較でも最も製造時間が節約され、外部衝撃に強い素子を具現することができる長所を有しているが、この場合にも約３０％程度までの圧電結合係数の低下が発生し、結局フィルタの性能が大きく低下されるという問題点がある。
【００４１】
本発明によると、基板を加工せずに、ＭＥＭＳ工程を利用して、薄膜共振器を製造して共振器が数百μｍ以下のサイズを有することができるために、共振器サイズの超小型化を達成することができ、さらに基板上に回路を高集積化することができる。また、圧電又は電歪物質のような誘電体からなる誘電層の厚さを任意に調節可能であるために、誘電体薄膜の厚さ調節により高周波（ＲＦ）、中間周波数（ＩＦ）及び低周波（ＬＦ）などを含む多重バンド一体形の集積化が可能であり、インダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）とキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を一体形に具現することができる。
【００４２】
また、シリコンウェーハを加工する工程が要求されないので、薄膜共振器の歩留まりを向上させることができると同時に、ウェーハ加工時間節減により製造費用を大きく低下させることができる。従って、大量生産工程に適合し、共振器を相対的に有利にパッケージ（ｐａｃｋｉｎｇ）することができる。また、ＭＥＭＳ工程により共振器を製造するための微細パターン及び３次元的な共振器構造を容易に具現することができるので、本発明の共振器は、約２ｄＢ以下の低い挿入損失及び約１０００〜１００００範囲の高いＱ（ｑｕａｌｉｔｙ　ｆａｃｔｏｒ）を有することになる。
【００４３】
さらに、薄膜周波数共振器が微小な体積を有し、３次元の浮き構造を有するために、基板の干渉による電力損失を最少化することができ、基板のサイズにより適切な大きさの共振器を形成することができる。
【００４４】
（発明を実施するための最良の形態）
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００４５】
図３は本発明の望ましい実施形態による薄膜共振器の斜視図を示したものであり、図４は図３に示した装置の断面図である。
【００４６】
図３及び図４に示すように、本発明による薄膜共振器１００は支持部材１９０、第１電極１６５、誘電層１７５及び第２電極１８５を備え、基板１１０上に第１エアギャップ２００を介して形成される。
【００４７】
支持部材１９０は薄膜共振器１００を支持する役割を有し、支持層１５５と複数のポスト１４０、１４１を備える。支持層１５５は窒化シリコンによって構成され、複数のポスト１４０、１４１はＢＰＳＧ（ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）からなる。複数のポスト１４０、１４１は基板１１０上の所定の位置に四つが形成され、支持層１５５は、このような複数のポスト１４０、１４１により支持される矩形プレート形状を有する。また、複数のポスト１４０、１４１が隣接する部分に複数の開口１９５、１９６が形成された支持層１５５は、薄膜共振器１００を製造するために、複数の薄膜を積層する間に薄膜共振器１００を構成する薄膜が内部のストレスにより曲がる現象を防止するストレスバランシングの役割を有する。ポスト１４０、１４１は支持層１５５とその上部の構造物を支持し、このような複数のポスト１４０、１４１と支持層１５５との間には第１エアギャップ２００が介され、薄膜共振器１００が３次元的な浮き構造を有する。従って、基板１１０の干渉などによる電力損失を最少化することができる。
【００４８】
支持部材１９０上には第１電極１６５、誘電層１７５及び第２電極１８５が各々矩形プレートの形状を有し、順次に形成される。第１電極１６５及び第２電極１８５は各々白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、白金−タンタル（Ｐｔ−Ｔａ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などのような電気導電性を有する金属からなる。誘電層１７５は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リードジルコネートチタネート（ＰＺＴ；Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３）、及びリードランタナムジルコネートチタネート（ＰＬＺＴ；（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３）などの圧電物質又はリードマグネシウムニオベート（ＰＭＮ；Ｐｂ（Ｍｇ、Ｎｂ）Ｏ３）などの電歪物質のような誘電体により構成される。望ましくは、第１電極１６５及び第２電極１８５は各々白金からなり、誘電層１７５はＰＺＴからなる。第１電極１６５は支持層１５５より小さい面積を有し、誘電層１７５は第１電極１６５より若干小さい面積を有する。また、第２電極１８５は誘電層１７５より若干小さい面積を有し、これにより薄膜共振器１００は全体的にピラミッド形状を有する。
【００４９】
基板１１０に形成された所定の回路部２０５と薄膜共振器１００を電気的に連結するために、連結部材２２０が回路部２０５から第２電極１８５まで形成される。本薄膜共振器１００が３次元の浮き構造を有するために、連結部材２２０はブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）形態に薄膜共振器１００と回路部２０５を連結することになる。即ち、連結部材２２０の両端は所定の角度に曲げられ各々第２電極１８５及び回路部２０５に接続され、連結部材２２０の中央部は逆‘Ｕ’字形状を有する。連結部材２２０の両側部は、まず中央部から下方向に曲げられた後、次に水平に曲げられ第２電極１８５及び回路部２０５に取付けられる。連結部材２２０は、第１電極１６５及び第２電極１８５と同一の物質である白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、白金−タンタル（Ｐｔ−Ｔａ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などのような金属からなる。
【００５０】
以下、本発明の望ましい実施形態による薄膜共振器の製造工程を図面を参照して詳細に説明する。
【００５１】
図５Ａ乃至図５Ｉは、図４に示した装置の製造工程を説明するための断面図である。図５Ａ乃至図５Ｉにおいて、図３及び図４と同一な部材については同じ参照符号を使用する。
【００５２】
図５Ａに示すように、基板１１０上にポリ（ｐｏｌｙ）シリコンのような物質を低圧化学気相蒸着（ｌｏｗ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＬＰＣＶＤ）方法によって蒸着し、約１〜３μｍの厚さを有する第１犠牲層１２０を形成する。この時、基板１１０は従来の場合のように、シリコンからなることもできるが、ガラス又はセラミックなどの絶縁体により構成されることもできる。
【００５３】
続いて、フォトリソグラフィ方法、反応性イオンエッチング方法又はアルゴン（Ａｒ）レーザエッチング方法を利用して、第１犠牲層１２０を部分的にエッチングすることにより、第１犠牲層１２０に基板１１０の一部を露出させるホール１３０、１３１を形成する。この時、図５Ａでは、二つのホール１３０、１３１が図示されるが、図３のような斜視図を参照すると、四つのホールが形成されることが分かる。
【００５４】
図５Ｂに示すように、ホール１３０、１３１及び第１犠牲層１２０の上部にホウ素（ｂｏｒｏｎ）がドーピングされたリンシリケートガラス、即ちＢＰＳＧ（ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）を低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）方法を利用して約５００℃以下の温度で蒸着することにより、ＢＰＳＧ膜１３５を形成する。この場合、ＢＰＳＧ膜１３５は約２．０〜３．０μｍ程度の厚さを有し、基板１１０を露出させるホール１３０、１３１を埋めながら、第１犠牲層１２０の上部に積層される。
【００５５】
図５Ｃに示すように、化学機械的研磨工程又はエッチバック（ｅｔｃｈ　ｂａｃｋ）工程を利用してＢＰＳＧ膜１３５を研磨し、ＢＰＳＧ膜１３５中の第１犠牲層１２０上に積層された部分を除去することにより、第１犠牲層１２０に形成されたホール１３０、１３１にのみＢＰＳＧ膜１３５が残留するようにする。このように、残留するＢＰＳＧ膜１３５は薄膜共振器１００を支持する複数のポスト１４０、１４１になる。複数のポスト１４０、１４１は後述する支持層１５５とともに薄膜共振器１００を支持する支持部材を形成する。この時、図３に示すように、四つのポストが形成され、このようなポストの形状は第１犠牲層１２０に形成されるホール１３０、１３１の形状を有するので、ホール１３０、１３１が四角形の断面を有するように形成され、ポストは四角柱模様に形成される。また、ホールが円形の断面とか三角形を有するように形成される場合には、ポストが円柱の形状あるいは三角柱の形状を有する。
【００５６】
図３では、薄膜共振器１００の構造的な安定性のために、四つのポストが形成されたが、薄膜共振器１００に要求される安定性を確保する範囲内でポストの数を増加させ、又は減少させることができる。
【００５７】
本発明において、ＢＰＳＧ膜１３５を研磨する間に、第１犠牲層１２０の上部も部分的に研磨されるようにすることにより、第１犠牲層１２０の表面を平坦化してその上部に形成される薄膜共振器１００の水平度を向上させることができる。また、このような過程は、基板１１０上に第１犠牲層１２０を積層した後、第１犠牲層１２０の上部を別途に研磨する過程を通じて達成されることができる。
【００５８】
図５Ｄに示すように、第１犠牲層１２０及び複数のポスト１４０、１４１上に窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）をプラズマ増大化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ；ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法によって蒸着し、第１層１５０を形成する。第１層１５０は約０．１〜１．０μｍ程度の厚さに形成され、その後に支持層１５５にパターニングされる。また、第１層１５０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）又は五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）などのような低温酸化物（ＬＴＯ）を約３５０〜４５０℃範囲の温度で蒸着して形成することもできる。
【００５９】
続いて、第１層１５０の上部に白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、白金−タンタル（Ｐｔ−Ｔａ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などのような電気導電性を有すると同時に、蒸着に有利である金属を蒸着して第１金属層１６０を形成する。第１金属層１６０はスパッタリング方法又は化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を利用して約０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成され、その後に第１電極１６５にパターニングされる。
【００６０】
第１金属層１６０の上部には、圧電物質又は電歪物質のような誘電体からなる第２層１７０が積層される。第２層１７０はゾル−ゲル方法、スピンコーティング方法、スパッタリング方法あるいは化学気相蒸着法を利用して、約０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成する。第２層１７０はその後に誘電層１７５にパターニングされ、圧電物質であるＢａＴｉＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３）又はＰＬＺＴ（（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３）などを使用して形成され、又は電歪物質であるＰＭＮ（Ｐｂ（Ｍｇ、Ｎｂ）Ｏ３）を使用して形成されることができる。望ましくは、第２層１７０はゾル−ゲル方法によって製造されたＰＺＴをスピンコーティングして約０．４μｍ程度の厚さを有するように形成する。
【００６１】
本発明の他の実施形態によると、第２層１７０を形成した後、第２層１７０を構成する圧電又は電歪物質を急速熱処理（ｒａｐｉｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ；ＲＴＡ）法によって熱処理して相変異（ｐｈａｓｅ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）させることにより、その後に第１電極１６５と第２電極１８５に電圧が印加される場合に、第２層１７０が容易に変形したり、又は第２層１７０の機械的な変形を第１電極１６５及び第２電極１８５に容易に伝達することができるようにする。即ち、外部から電圧が印加され第１電極１６５及び第２電極１８５間に電場が発生すると、誘電層１７５が電気的なエネルギーを音波（ｓｏｕｎｄ　ｗａｖｅｓ）形態の機械的なエネルギーに変換し、音波は電場と同一な方向に沿って進行した後、第２電極１８５と大気間の界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）から反響されることにより、本薄膜共振器１００がフィルタとしての機能を実施することになる。
【００６２】
続けて、第２層１７０の上部に第２金属層１８０を形成する。第２金属層１８０は、第１金属層１６０と同一な物質である白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、白金−タンタル（Ｐｔ−Ｔａ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などの金属をスパッタリング方法又は化学気相蒸着法によって蒸着して約０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成される。第２金属層１８０はその後に第２電極１８５にパターニングされる。
【００６３】
図５Ｅに示すように、第２金属層１８０の上部にフォトレジスト（図示せず）を塗布し、これをパターニングした後、フォトレジストをエッチングマスクに利用して第２金属層１８０を所定の大きさを有する四角平板の形状にパターニングして第２電極１８５を形成する（図３参照）。
【００６４】
続いて、フォトレジストを除去した後、第２金属層１８０をパターニングする方法と同一な方法により第２層１７０及び第１金属層１６０を順次にパターニングし、各々四角平板の形状を有する誘電層１７５及び第１電極１６５を形成する（図３参照）。この場合に、誘電層１７５は第２電極１８５より若干広い面積を有し、第１電極１６５は誘電層１７５より若干広い面積を有する。従って、第１電極１６５、誘電層１７５及び第２電極１８５はともにピラミッドのような構造を形成する。
【００６５】
図５Ｆに示すように、第１層１５０をフォトリソグラフィ方法又は反応性イオンエッチング方法によってパターニングして、複数のポスト１４０、１４１に隣接する部分に開口１９５、１９６を備えた支持層１５５を形成する。この時、開口１９５、１９６は支持層１５５と同時に形成することが望ましいが、四角平板形状を有する支持層１５５をまず形成した後、支持層１５５に複数の開口１９５、１９６を形成することもできる。
【００６６】
開口１９５、１９６は後に第１犠牲層１２０を除去するためのエッチング溶液又はイオンが投入される通路になって、容易に第１犠牲層１２０を除去することができるようにする。また、図３に示したように四つの開口が形成されることにより、本薄膜共振器１００が基板１１０から干渉などのような影響を受けることを最少化することができる。
【００６７】
図５Ｇに示すように、開口１９５、１９６を通じてフッ酸（ＨＦ）を含むエッチング液、アルゴンレーザ、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）又はフッ化臭素（ＢｒＦ２）を使用して第１犠牲層１２０を除去し、洗浄及び乾燥処理を実施して薄膜共振器１００を形成する。このように、第１犠牲層１２０が除去されると第１犠牲層１２０の位置に第１エアギャップ２００が形成される。即ち、薄膜共振器１００は第１エアギャップ２００を介して基板１１０上に形成される。
【００６８】
図５Ｈに示すように、上述したように薄膜共振器１００が形成され、所定の回路部２０５を備える基板１１０の全面に第２犠牲層２１０を積層する。第２犠牲層２１０は第１犠牲層１２０と同一な物質であるポリシリコンを使用して、ＬＰＣＶＤ法によって形成することができるが、フォトレジストをスピンコーティング方法によって塗布して形成することもできる。この時、第２犠牲層２１０の平坦度を向上させるために第２犠牲層２１０の表面を化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって研磨することができる。また、エッチバック工程を通じて第２犠牲層２１０の上部を平坦化させることもできる。
【００６９】
続いて、第２犠牲層２１０をフォトリソグラフィ方法又はアルゴンレーザエッチング方法に部分的にエッチングし、薄膜共振器１００の第２電極１８５の一部及び基板１１０上の回路部２０５を露出させる。
【００７０】
図５Ｉに示すように、露出された第２電極１８５、基板１１０上の回路部２０５及び第２犠牲層２１０の上部に、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、白金−タンタル（Ｐｔ−Ｔａ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）又はタングステン（Ｗ）などのような金属を蒸着して第３金属層を形成した後、第２金属層をパターニングして基板１１０の回路部２０５と薄膜共振器１００を電気的に連結する連結部材２２０を形成する。このような連結部材２２０は、スパッタリング方法又はＣＶＤ法を利用して約０．１〜１．０μｍ程度の厚さを有するように形成される。
【００７１】
続けて、第２犠牲層２１０を、フッ酸（ＨＦ）を含むエッチング液、アルゴンレーザ、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）又はフッ化臭素（ＢｒＦ２）を使用して除去し、洗浄及び乾燥処理を実施して回路部２０５に接続される連結部材２２０を備える薄膜共振器１００を完成する。第２犠牲層２１０が除去されると、第２犠牲層２１０の位置に第２エアギャップ２２５が形成されることにより、基板１１０、薄膜共振器１００及び連結部材２２０間に第２エアギャップ２２５が介される。
【００７２】
本実施形態において、第１犠牲層１２０を除去した後、第２犠牲層２１０を塗布し、連結部材２２０を形成した後、第２犠牲層２１０を除去する過程について上述したが、第１犠牲層１２０を除去しない状態で第２犠牲層２１０を積層した後、連結部材２２０を形成し第１及び第２犠牲層１２０、２１０を一度に除去することもできる。このような場合には、２回の犠牲層除去工程に比べて製造工程に所要される時間及び費用を節減することができる。
【００７３】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。
【００７４】
（産業上の利用可能性）
上述した本発明によると、基板を加工せずに、ＭＥＭＳ工程を利用して薄膜共振器を製造して共振器が数百μｍ以下のサイズを有することができるために、薄膜共振器サイズの超小型化を達成することができ、さらに基板上に回路を高集積化することができる。
【００７５】
また、圧電又は電歪物質のような誘電体からなる誘電層の厚さを任意に調節可能であるために、誘電体薄膜の厚さ調節により高周波（ＲＦ）、中間周波数（ＩＦ）及び低周波（ＬＦ）などを含む多重バンド一体形の集積化が可能であり、インダクタとキャパシタを一体形に具現することができる。
【００７６】
また、シリコンウェーハを加工する工程が要求されないので、薄膜共振器の歩留まりを向上させることができると同時に、ウェーハ加工時間節減により製造費用を大きく低下させることができる。従って、大量生産工程に適合し、共振器のパッケージ（ｐａｃｋｉｎｇ）が相対的に有利である。
【００７７】
また、ＭＥＭＳ工程により共振器を製造するための微細パターン及び３次元的な共振器構造を容易に具現することができるので、共振器が約２ｄＢ以下の低い挿入損失及び約１０００〜１００００範囲の高いＱを有することができる。
【００７８】
さらに、薄膜共振器が微小な体積を有し、３次元の浮き構造を有するために、基板の干渉による電力損失を最少化することができ、基板のサイズにより適切な大きさの薄膜共振器を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＦＢＡＲの断面図である。
【図２Ａ】図１に示したＦＢＡＲの製造工程図である。
【図２Ｂ】図１に示したＦＢＡＲの製造工程図である。
【図２Ｃ】図１に示したＦＢＡＲの製造工程図である。
【図３】本発明による薄膜共振器の斜視図である。
【図４】図３に示した薄膜共振器の断面図である。
【図５Ａ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｅ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｆ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｇ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｈ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図５Ｉ】図４に示した薄膜共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
2004514313.tif 000050