(57)【要約】少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによるＮＨ２ 基を有する化合物の製造に用いられる不均一系触媒の再生のための方法を提供する。この場合において、ａ）　水素化される化合物の供給を停止し、かつｂ）　不均一系触媒を式（Ｉ）：Ｒ１Ｒ２Ｎ−ＣＯ−Ｒ３　　　（Ｉ）［但し、Ｒ１は、水素またはＣ１−Ｃ４アルキル基であり、且つ、Ｒ２、Ｒ３は、相互に独立してそれぞれ水素又はＣ１−Ｃ４アルキル基であるか、又は合体してＣ３−Ｃ６アルキレン基である］で表される化合物で、あるいは上記化合物の混合物を用いて、０．１〜３０ＭＰａの範囲の圧力、１００〜３００℃の範囲の温度の条件で処理し、且つ、この処理を式（Ｉ）の化合物が液体で行うことを特徴としている。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによりＮＨ２ 基を有する化合物を製造する際に用いられる不均一系触媒の再生の方法であって、
ａ）　水素化される化合物の供給を停止し、かつ
ｂ）　不均一系触媒を式（Ｉ）：
Ｒ１Ｒ２Ｎ−ＣＯ−Ｒ３　　　（Ｉ）
［但し、Ｒ１は、水素またはＣ１−Ｃ４アルキル基であり、且つ、Ｒ２、Ｒ３は、相互に独立してそれぞれ水素又はＣ１−Ｃ４アルキル基であるか、又は合体してＣ３−Ｃ６アルキレン基である］
で表される化合物で、あるいは上記化合物の混合物を用いて、０．１〜３０ＭＰａの範囲の圧力、１００〜３００℃の範囲の温度の条件で処理し、且つ、この処理を式（Ｉ）の化合物が液体で行うことを特徴とする、再生の方法。
【請求項２】
再生される不均一触媒がアジポジニトリルの水素化に用いられていたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
再生される不均一触媒がアジポジニトリルのヘキサメチレンジアミンへの水素化に用いられていたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
再生される不均一触媒がアジポジニトリルのヘキサメチレンジアミンおよび６−アミノカプロニトリルを含む混合物への水素化に用いられていたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
式（Ｉ）において、Ｒ２とＲ３が合体してＣ３アルキレン基を形成する、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
式（Ｉ）において、Ｒ２とＲ３が合体してＣ３アルキレン基であってＲ１がメチル基である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
式（Ｉ）において、Ｒ１とＲ２がそれぞれメチル基であって、Ｒ３が水素である、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
不活性触媒が、鉄、コバルトおよびニッケルまたはそれらの混合物からなる群から選ばれた単体を触媒活性成分として含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
不活性触媒が、鉄、コバルトおよびニッケルまたはそれらの混合物からなる群から選ばれた単体の化合物を触媒活性成分として含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
再生を水素の存在下で行う、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
水素供給を工程ａ）において停止する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによりＮＨ２ 基を有する化合物を製造する際に用いられる不均一系触媒の再生の方法であって、
ａ）　水素化される化合物の供給を停止し、かつ
ｂ）　不均一系触媒を式（Ｉ）：
Ｒ１Ｒ２Ｎ−ＣＯ−Ｒ３　　　（Ｉ）
［但し、Ｒ１は、水素またはＣ１−Ｃ４アルキル基であり、且つ、Ｒ２、Ｒ３は、相互に独立してそれぞれ水素又はＣ１−Ｃ４アルキル基であるか、又は合体してＣ３−Ｃ６アルキレン基である］
で表される化合物で、あるいは上記化合物の混合物を用いて、０．１〜３０ＭＰａの範囲の圧力、１００〜３００℃の範囲の温度の条件で処理し、且つ、この処理を式（Ｉ）の化合物が液体で行うことを特徴とする、再生の方法である。
【０００２】
【従来の技術】
不均一系触媒の存在下で、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによりＮＨ２ 基を有する化合物を製造する方法は一般に知られており、例えば、Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ， Ｖｏｌ． １１／１（ Ｎｉｔｒｏｇｅｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ＩＩ， Ａｍｉｎｅｓ ）， ｐｐ．５４５−５７４， ４ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ， １９５７　に記載されている。
【０００３】
ＷＯ９７／３７９６３、ＷＯ９７／３７９６４、ＷＯ９８／０４５１５およびＤＥ−Ａ−１９８０９６８８は、鉄、コバルト又はニッケル又はそれらの化合物に基づく不均一系触媒の存在下で、アジポジニトリル（ａｄｉｐｏｄｉｎｉｔｒｉｌｅ）をヘキサメチレンジアミン、又は６−アミノカプロニトリル（とヘキサメチレンジアミンを含む混合物へ水素化する方法が開示されている。このような工程において、活性度（ａｃｔｉｖｉｔｙ）や選択率（ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）などのような実際的な（ｒｅｌｅｖａｎｔ）触媒特性は稼働時間に従って劣化する。
【０００４】
活性度の落ち込みは反応温度を上げることで補償できるが、この場合には触媒の選択率は反応温度の増大とともに当然に減少し、さらに、より高い温度は活性度の更なる落ち込みを加速するといった不利益が存在する。
【０００５】
活性度や選択率などのような実際的な特性が稼働時間とともに劣化する触媒についてはその再生方法が知られている。ここでの再生は、それによって上述の触媒特性を再び向上させることができる方法を意味するものとして理解されている。そのため、ＷＯ９７／３７９６３、ＷＯ９７／３７９６４およびＷＯ９８／０４５１５は、規定された方法条件下で水素による処理を行うことにより、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによりＮＨ２ 基を有する化合物を製造する際に用いられる（その活性度と選択率が落ち込んでいる）不均一系触媒の再生の方法が記載されている。
【０００６】
これらの再生方法は活性度と選択率を向上させる点ではよい結果をもたらすが、再生に要する時間と温度を減少させることによって触媒を保護することが望まれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによりＮＨ２ 基を有する化合物の製造する際に用いられる不均一系触媒の再生の方法であって、前述の不利益を回避しながら、技術的に簡単で経済的な手段で再生を可能にする前述の方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記目的は最初に定義した方法で達成されることを見いだした。
【０００９】
再生される不均一系触媒は、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによるＮＨ２ 基を有する化合物の製造においてすでに用いられている。
【００１０】
炭素−窒素二重あるいは三重結合のようなの不飽和炭素−窒素結合を少なくとも１個有する化合物としては、Ｃ４−Ｃ８アルキルニトリル又はジニトリル又はそれらのニトリルとジニトリルの混合物（例、ブタンニトリル、ペンタンニトリル、ヘキサンニトリル、ヘプタンニトリル、オクタンニトリル、ブタンジニトリル、ペンタンジニトリル、ヘキサンジニトリル、ヘプタンジニトリルおよびオクタンジニトリル）が好ましく、
特に好ましくは、末端ニトリルを有するＣ４−Ｃ８ジニトリル（ｔｅｒｍｉｎａｌ Ｃ４−Ｃ８ ｄｉｎｉｔｒｉｌｅ）｛例、１，４−ジシアノブタン（”アジポジニトリル（ａｄｉｐｏｄｉｎｉｔｒｉｌｅ）”）、１，５−ジシアノペンタン、１，６−ジシアノヘキサン、１，７−ジシアノヘプタンおよび１，８−ジシアノオクタン｝；Ｃ５−Ｃ８シクロアルキルニトリル又はジニトリル（例、シクロペンチルニトリル、シクロヘキシルニトリル、シクロヘプチルニトリル、シクロオクチルニトリル、シクロペンチルジニトリル、シクロヘキシルジニトリル、シクロヘプチルジニトリルおよびシクロオクチルジニトリル）；又は４〜８個の炭素原子を含むアミノニトリル、好ましくはα，ω−アミノニトリル（例、５−アミノバレロニトリルおよび６−アミノカプロニトリル）がある。
【００１１】
ニトリル、ジニトリルおよびアミノニトリルは、水素化反応を損なわず、同時に又は部分的に水素化されないような他の官能基を持つこともできる。上述の例として、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、アリール（ａｒｙｌ）基、特にフェニル基、Ｃ５−Ｃ８シクロアルキル基、アミノアルキル基、Ｎ−アルキルアミノアルキル基、Ｎ−（シアノメチル）アミノアルキル基およびイミノ基（Ｃ＝ＮＨ、Ｃ＝ＮＲ）、好ましくはイミノ基を挙げることができる。
【００１２】
アジポジニトリル、６−アミノカプロニトリル、３−シアノ−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイミン、ＮＣ−（ＣＨ２）２−ＮＨ−（ＣＨ２）２−ＣＮ、ＮＣ−（ＣＨ２）２−ＮＨ−（ＣＨ２）２−ＮＨ−（ＣＨ２）２−ＣＮおよび１−シアノ−２−アミノエタンが特に適しており、アジポジニトリルは特に好ましい。
【００１３】
有利な実施態様では、アジポジニトリルはヘキサメチレンジアミンへと水素化される。
【００１４】
別の有利な実施態様では、アジポジニトリルはヘキサメチレンジアミンと６−アミノカプロニトリルの混合物へと水素化される。
【００１５】
触媒活性のある成分についての以前の観察によれば、再生に適する不均一系触媒としては、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによるＮＨ２ 基を有する化合物の製造用として知られるものであればどんな不均一系触媒も該当する。
【００１６】
好ましい実施態様において、鉄、コバルトおよびニッケル又はこれらの混合物、特に好ましいものとして鉄又はコバルト又はその混合物、そして極めて好ましいものとして鉄、からなる群から選択された単体（ｅｌｅｍｅｎｔ）を、触媒活性成分として有する不均一系触媒を用いることができる。
【００１７】
別な好ましい実施態様において、鉄、コバルトおよびニッケル又はこれらの混合物、特に好ましいものとして鉄又はコバルト又はその混合物、そして極めて好ましいものとして鉄、からなる群から選択された単体（ｅｌｅｍｅｎｔ）の化合物を、触媒活性成分として有する不均一系触媒を用いることができる。
【００１８】
このような触媒は、担体なしで使用することができ、特に固定層法又は懸濁法の用途に、例えば、ラネー触媒又は他の担体のない形態（いわゆる無担持型触媒）で、使用することができる。担体のない形態は、活性成分の高い含量と比べて補助的な物質の量を少なく含むようにすることができる。これらの補助的な物質は、触媒活性度および／又は選択率、又は硬度、摩耗又は化学的又は熱的安定性等の触媒特性において、有利な効果をもたらすことができる。補助的な物質の総量は一般に、活性成分の量に対して０〜２０質量％の範囲である。用いることのできる補助的物質としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の化合物の酸化物、リン酸塩（ｐｈａｓｐｈａｔｅｓ）および硫酸塩（ｓｕｌｆａｔｅｓ）、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタンおよび二酸化ジルコニウム等の熱的に安定な酸化物、その他の遷移金属酸化物を挙げることができる。担持触媒を用いることも可能である。適した担体としては一般には、活性炭又は炭化ケイ素、又は酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタンおよび二酸化ジルコニウム等のセラミック担体を挙げることができる。担持触媒においては、活性成分の含量は、担体に対して一般に、３〜９５質量％の範囲にあり、好ましくは３０〜９５質量％の範囲にある。
【００１９】
所望により、触媒は元素の周期表のＶＩＢ族（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ）およびＶＩＩＩ族（Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ）の金属、また銅、マンガンおよびレニウムで変性することもでき、活性成分の非変性部分の含量は活性成分全体に対して５０〜９９．９質量％、好ましくは８０〜９９質量％の範囲である。
【００２０】
さらに、触媒は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム又はバリウム等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属に基づく化合物で変性することも可能である。アルカリ金属又はアルカリ土類金属の、通常選ばれる質量比は、活性成分の被変性部分に対して、０〜５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜３質量％である。
【００２１】
さらに、活性成分が鉄又は鉄化合物に基づく触媒の場合には、触媒は、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、チタンおよびバナジウムから選ばれる１、２、３、４あるいは５種の元素に基づく化合物で変性することができる。変性因子の通常選ばれる質量比は、鉄に対して、０〜３質量％である。
【００２２】
さらに、活性成分が鉄又は鉄化合物に基づく触媒の場合には、触媒は、マンガンに基づく化合物で変性することができる。通常選ばれるマンガン濃度は、鉄に対して、０〜２５質量％であり、好ましくは０．０１〜５質量％である。
【００２３】
このような触媒とその処理は本質的には（ｐｅｒ ｓｅ）知られており、例えば、ＷＯ９７／３７９６３、ＷＯ９７／３７９６４、ＷＯ９８／０４５１５およびＤＥ−Ａ−１９８０９６８８がある。
【００２４】
使用前に触媒は活性化される。例えば、水素により、即ち大気圧又は過圧下、２００℃超の温度にてそれ自体既知の方法で活性化される。
【００２５】
水素化は、液相、滴下（ｔｒｉｃｋｌｅ）あるいは懸濁法で行うことができる。
【００２６】
懸濁において水素化を行うならば、温度は通常４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１００℃、特に好適には６０〜９０℃の範囲から選ばれ、圧力は一般に２〜２０ＭＰａ、好ましくは３〜１０ＭＰａ、特に好適には４〜９ＭＰａの範囲から選ばれる。滞留時間は、本質的に所望の収率と選択率および所望の転化率に依存する。すなわち、滞留時間は通常、最大収率を達成するように選ばれ、例えば５０〜２７５分、好ましくは７０〜２００分の範囲にある。
【００２７】
懸濁法においては、さらに液体希釈剤を加えることができ、適した液体希釈剤としては、１〜１２個の炭素原子を有するトリアミン、ジアミン、アミン、およびアンモニア（例、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン）；又はアルコール（特にメタノール又はエタノール）を好ましいものとして挙げることができ、なかでもアンモニアは特に好ましい。水素化される化合物の濃度は、水素化される化合物と液体希釈剤の合計量に対して、１０〜９０質量％、好ましくは３０〜８０質量％、そして特に好ましくは４０〜７０質量％の範囲から選ばれるのが適切である。
【００２８】
触媒の総量は一般に、水素化される化合物の総量に対して、１〜５０質量％、好ましくは５〜２０質量％の範囲から選ばれる。
【００２９】
懸濁による水素化は、バッチ法又は連続法により、好ましくは連続法で、通常は液相で行われる。
【００３０】
水素化はまたバッチ法又は連続法により、好ましくは連続法で、滴下（ｔｒｉｃｋｌｅ）又は液相法による固定層反応器において行うこともでき、温度は通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃の範囲から選ばれ、圧力は通常、２〜３０ＭＰａ、好ましくは３〜２０ＭＰａの範囲から選ばれる。水素化は、好ましくは液体希釈剤の存在下で行われ、好ましい液体希釈剤には、１〜１２個の炭素原子を有するトリアミン、ジアミン、アミン、およびアンモニア（例、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン）；又はアルコール（特にメタノール又はエタノール）を挙げることができ、なかでもアンモニアは特に好ましい。
【００３１】
好ましい実施態様において、アンモニア含量は、水素化される化合物（特にアジポジニトリル）の１グラムあたり０．５〜１０ｇ、好ましくは１〜６ｇの範囲にある。
【００３２】
好ましくは、触媒の充填（ｌｏａｄｉｎｇ）は、水素化される化合物／ｌ×ｈ、特にアジポジニトリル／ｌ×ｈの、０．１〜２．０ｋｇ、好ましくは０．３〜１．０ｋｇの範囲から選ばれる。ここでも、転化率と選択率は滞留時間を変えることにより明確に調節することができる。
【００３３】
水素化はこの目的に適した通常の反応器で行うことができる。
【００３４】
反応を気相で行うときには、温度は通常、１００〜２５０℃、好ましくは１６０〜２００℃の範囲から選ばれ、圧力は一般に、０．０１〜３ＭＰａ、好ましくは０．０９〜０．５ＭＰａの範囲から選ばれる。同様に水素の量は通常、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物の１モルあたりで、２〜３００モル、好ましくは１０〜２００モルの範囲から選ばれる。
【００３５】
好ましい実施態様において、水素化される化合物、特にアジポジニトリル、の水素化は、固定層触媒とともに液体希釈剤としてのアンモニアの存在下で行われる。
【００３６】
触媒は、水素化される化合物、特にアジポジニトリル、の供給が、そして使用されている場合には液体希釈剤の供給が、まず停止されてから再生される。
【００３７】
水素の供給もまた停止することができるが、触媒は好ましくは水素の存在下で再生される。
【００３８】
本発明によれば、再生される触媒は、式（Ｉ）の化合物
Ｒ１Ｒ２Ｎ−ＣＯ−Ｒ３　　　（Ｉ）、
あるいは、これらの化合物の混合物によって処理される。
【００３９】
この式において、Ｒ１は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル又はｔ−ブチル等のＣ１−Ｃ４アルキル又は水素であり、好ましくは水素又はメチルである。
【００４０】
Ｒ２、Ｒ３は、相互に独立してそれぞれ、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル又はｔ−ブチル等のＣ１−Ｃ４アルキル又は水素、好ましくは水素又はメチルであるか、又は合体して、−（ＣＨ２）ｎ−の型のＣ３−Ｃ６アルキレン基であり、ここでｎは３、４、５又は６の値をとることができ、好ましくは３である。
【００４１】
基Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素でない場合には、アリール基特にフェニル基、Ｃ５−Ｃ８シクロアルキル基、アミノアルキル基等の置換基であり、基Ｒ１、Ｒ２又はＲ３がメチル基でないならばＣ１−Ｃ４アルキル基等の置換基であり得る。
【００４２】
基Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素でない場合には、ハロゲン等の官能基、例えばフッ素、塩素又は臭素、を持つことができる。
【００４３】
基Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は好ましくはどのような官能基も持たない。
【００４４】
好ましい実施態様において、Ｒ２およびＲ３は合体して−（ＣＨ２）３−の型のＣ３アルキレン基である。
【００４５】
別な好ましい実施態様において、Ｒ２およびＲ３は合体して−（ＣＨ２）３−の型のＣ３アルキレン基であり、Ｒ１はメチル基である。
【００４６】
別な好ましい実施態様において、Ｒ１およびＲ２はそれぞれメチル基であり、Ｒ３は水素である。
【００４７】
本発明によれば、不均一系触媒は、化合物は処理の間は液体であるという条件下で、式（Ｉ）の化合物によって処理される。
【００４８】
処理は、式（Ｉ）の化合物をバッチ法又は連続的に触媒に接触させることを意味すると理解されている。
【００４９】
触媒が懸濁触媒であるときには、式（Ｉ）の化合物が懸濁されることは好ましく、これは触媒の中へ連続法でもバッチ法でも導入することができる。式（Ｉ）の化合物は、連続法でもバッチ法でも、触媒から分離することができる。
【００５０】
触媒が固定層触媒であるときには、再生に先立って反応器から取り除くことができる。好ましい実施態様において、再生は、水素化反応器において触媒を取り除くことなく、行うことができる。
【００５１】
触媒が固定層触媒であるときには、式（Ｉ）の化合物は、連続法又はバッチ法で通過させることが好ましい。式（Ｉ）の化合物は、触媒の中へ連続法又はバッチ法で導入することができ、そして触媒から連続法又はバッチ法で分離することができる。
【００５２】
触媒から分離した式（Ｉ）の化合物は、廃棄するか、又は好ましくは、随意に精製した後に、再使用することができる。
【００５３】
本発明によれば、再生は、０．１〜３０ＭＰａの範囲の圧力で行う。水素の存在下でこれを行ったときには、再生は好ましくは、これに先立つ水素化の間に用いられていた圧力で、行う。再生を連続するときには、適した水素の量は、反応器容積１リットル×時間あたりの水素の１〜１００ｇ、好ましくは２〜５０ｇである。
【００５４】
再生は、少なくとも１００℃、好ましくは少なくとも１２０℃、特に好ましくは少なくとも１４０℃、極めて特に好ましくは少なくとも１６０℃の温度で、行う。
【００５５】
再生に適した温度の上限は、式（１）の化合物の分解点、すなわち一般に３００℃であり、そして最大２００℃とするのが好ましく、特に好ましくは最大１８０℃とするのがよい。
【００５６】
再生される触媒の処理の滞留時間は、一般には１〜１２時間であり、２〜４時間が好ましい。
【００５７】
処理の後、再生された触媒と式（Ｉ）の化合物とは互いに分離される。その後再生された触媒は、新たに製造された触媒のように、少なくとも１個の不飽和炭素−窒素結合を有する化合物を水素で水素化することによるＮＨ２ 基を有する化合物の製造方法において、再び使用することができる。
【００５８】
実施例
実施例１
直列に接続された３つの管状反応器（全長＝４．５ｍ、ｄ＝６ｍｍ）を、ＤＥ−Ａ−１９８０９６８８の実施例１ａ（１．５〜３ｍｍのチップ）に従って処理された鉄を主成分とする触媒１４２ｍｌ（２４０ｇ）で満たし、次いで大気圧下、水素流（２００　ｌ／ｈ）で還元し、温度を２４時間以上かけて７０℃から３４０℃に上昇させ、次いで３４０℃で７２時間保持した。
【００５９】
温度が低下した後に、０．６６ｍｏｌ／ｈのアジポジニトリル、３６５ｍｌ／ｈのアンモニアおよび１．０５ｍｏｌ／ｈの水素の混合物を、反応器に導入した。反応器の温度を調整し、６−アミノカプロニトリルとヘキサメチレンジアミンの全選択率（ｔｏｔａｌ ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）を２５ＭＰａで一定となるようにした。これは、温度を初めは９４℃に設定し、９０００時間以上をかけて１０７℃に上昇させることにより行った。
【００６０】
次いで供給を停止し、触媒を１６０℃で４時間、１００ｍｌ／ｈのＮ−メチル−アルファ−ピロリドンにさらした（ｆｌｕｓｈｅｄ）。
【００６１】
次いで１０７℃で４時間、３６５ｍｌ／ｈのアンモニアにさらし（ｆｌｕｓｈｅｄ）、その後にもともとの原料供給を再開した。再生の前に得られていた全選択率を達成するために、反応器温度は９４℃にまで下げることができた。
【００６２】
実施例２
連続的に稼働する管状反応器において、１〜３ｍｍの大きさのＣｒ添加ラネーＣｏチップ０．２２ｋｇ／ｌ×ｈの充填下、７０ｂａｒで、溶媒としてのアンモニアの存在下、アジポジニトリルを６−アミノカプロニトリルとヘキサメチレンジアミンの混合物へ水素化した。
【００６３】
８０時間の稼働時間の後に、反応器全長にわたる平均温度は３７℃で、アジポジニトリルの転化率は９２．２％であった。
【００６４】
２００４時間の稼働時間の後に、触媒は継続的に活性度を失い、反応器全長にわたっての平均温度４８．５℃で、アジポジニトリルの転化率として５９．９％が得られた。
【００６５】
アジポジニトリルとアンモニアの供給を停止し、２ｋｇ／ｌ×ｈで充填されるＮ−メチル−アルファ−ピロリドンに１５０℃で４時間さらし、水素供給５００Ｎｌ／ｌ×ｈで保持し、圧力７０ｂａｒに維持することにより、触媒を再生した。再生の後、反応器を冷却し、新たな触媒を備えたものと同じように再始動した。
【００６６】
２１１２時間の全処理時間の後に、アジポジニトリルの転化率は９１．４％のであり、６−アミノカプロニトリルとヘキサメチレンジアミンの初期の全選択率が、反応器の全長にわたって平均温度３７．３℃で達成された。
【国際公開パンフレット】
2004508928.tif 000002
2004508928.tif 000003
2004508928.tif 000004
2004508928.tif 000005
2004508928.tif 000006
2004508928.tif 000007
2004508928.tif 000008
2004508928.tif 000009
2004508928.tif 000010
2004508928.tif 000011
2004508928.tif 000012
2004508928.tif 000013
2004508928.tif 000014
【国際調査報告】
2004508928.tif 000015
2004508928.tif 000016
2004508928.tif 000017
2004508928.tif 000018