(57)【要約】本発明は、１つが固定され１５、他が可動２０である２つの反射器１５、２０によって画定された共振キャビティを含むエッジ発光半導体同調可能レーザに関し、共振キャビティは長さＬ１の第１のゲイン活性セクション１および長さＬ２の第２の同調可能セクションを含む。本発明は、キャビティの全長Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が、２０μｍを超えないことを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの反射器が固定（１５）であり、他方が可動（２０）である２つの反射器（１５、２０）によって画定された共振キャビティを含む同調可能エッジ発光半導体レーザであって、前記共振キャビティが、長さＬ１の第１のゲイン活性セクション（１）および長さＬ２の第２の同調可能セクション（２）から成り、キャビティの全長Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が２０μｍ以下であることを特徴とする、同調可能エッジ発光半導体レーザ。
【請求項２】
活性セクション（１）の長さＬ１は、５μｍから１２μｍであることを特徴とする請求項１に記載の同調可能レーザ。
【請求項３】
同調可能セクション（２）の長さＬ２は、等式
Δλ＝λ２／２（ｎ１Ｌ１＋ｎ２Ｌ２）
に従うレーザの同調範囲に依存し、
ここで、Δλは、レーザの同調範囲であり、
λは、レーザの発光波長であり、
ｎ１、ｎ２は、それぞれレーザキャビティの第１および第２セクションの反射率であることを特徴とする請求項１または２に記載の同調可能レーザ。
【請求項４】
３０ｎｍ以上の連続的同調範囲Δλを有することを特徴とする請求項３に記載の同調可能レーザ。
【請求項５】
固定反射器（１５）および可動反射器（２０）のそれぞれが、９０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項６】
固定反射器（１５）が、エッチングによるミラーであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項７】
固定反射器（１５）のエッチングによるミラーが、半導体と空気の交互の層であることを特徴とする請求項６に記載の同調可能レーザ。
【請求項８】
固定反射器（１５）のエッチングによるミラーが、ポリマーと空気の交互の層であることを特徴とする請求項６に記載の同調可能レーザ。
【請求項９】
固定反射器（１５）のエッチングによるミラーが、半導体とポリマーの交互の層であることを特徴とする請求項６に記載の同調可能レーザ。
【請求項１０】
固定反射器（１５）が、活性セクション（１）の前面上にあることを特徴とする請求項６から９のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項１１】
活性セクション（１）の後面が、反射防止処理されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項１２】
可動反射器（２０）は、レーザキャビティの外部のミラーであることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項１３】
可動反射器（２０）が、エッチングされたシリコン製であることを特徴とする請求項１２に記載の同調可能レーザ。
【請求項１４】
可動反射器（２０）がニッケル製であることを特徴とする請求項１２に記載の同調可能レーザ。
【請求項１５】
可動反射器（２０）が、シリコン上に堆積された誘電体であることを特徴とする請求項１２に記載の同調可能レーザ。
【請求項１６】
可動反射器（２０）が、マイクロ電気機械（ＭＥＭ）制御器によって制御されることを特徴とする請求項１２から１５のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項１７】
同調可能セクション（２）が、空気領域であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項１８】
同調可能セクション（２）が、ガス領域であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の同調可能レーザ。
【請求項１９】
少なくとも１つの基板（８）、および、長さＬ１が５μｍから１２μｍであるゲイン媒体から成る活性層を含むレーザダイ（１０）を作成するステップと、
レーザダイ（１０）の前面に固定された、エッチングによるミラー（１５）を作成するステップと、
基部（５０）上にレーザダイ（１０）を取り付けるステップと、
レーザダイ（１０）の後面の基部（５０）上に可動反射器（２０）を作成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１から１８に記載の同調可能エッジ発光半導体レーザを製造する方法。
【請求項２０】
エッチングによるミラー（１５）の作成が、
レーザダイの活性層をエッチングするステップと、
エッチングされた領域にポリマーを堆積するステップと、
ミラーを構成するためにポリマーをエッチングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
エッチングによるミラー（１５）の作成が、
レーザダイの活性層をエッチングするステップと、
エッチングされた領域に発光波長において透明な非ドープ半導体のエピタキシャル成長を行うステップと、
ミラーを構成するために、透明非ドープ半導体をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
エッチングによるミラー（１５）の作成が、透明非ドープ半導体のエッチングされた領域にポリマーを堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、モードスキッピングを防止するために短い長さのレーザキャビティを含むエッジ発光同調可能半導体レーザに関する。
【０００２】
レーザダイオードは、光データ通信への適用例において、同調可能なソースとして一般に使用されている。それゆえ、光通信の品質を落すモードスキッピングの恐れのない広範な同調範囲、すなわち、レーザ発光波長の広い同調範囲を達成することは重要である。
【０００３】
図１のグラフは、このため「標準的な」ＤＢＲ（ブラッグ反射器を持つレーザ用分布ブラッグ反射器）レーザの同調範囲を示す。このグラフは、レーザの同調部の電極に印加されるミリアンペア（ｍＡ）で表す制御電流の関数として、ｎｍで表すレーザ発光波長を示す。制御電流は、同調部の活性層におけるキャリヤの数を変化させ、レーザ発光波長に影響を及ぼす。概して、ＤＢＲレーザのゲイン部は、３００μｍから９００μｍの長さを有する。Δλ＝１７ｎｍ（ｎｍ）の同調範囲に対して、レーザは、３５の異なったモードを発光する。
【０００４】
「標準的な」同調可能レーザが、ＭＥＭ（マイクロ電気機械）として知られる同調技術とともに使用される時、モードスキッピングも避けられない。同調技術はレーザキャビティの長さを変化させる。レーザキャビティの長さＬを変化させてレーザの発光波長λを変化させることは、確立されている。長さＬの変化は、波長λの変化と同じオーダーの大きさである。
【０００５】
上述の種類のレーザは、「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｌｅｔｔｅｒｓ」、第３２巻１３号、１９９６年６月２０日に発表されたＹ．Ｕｅｎｉｓｈｉ，Ｋ．ＨｏｎｍａおよびＳ．Ｎａｇａｏｋａによる文献、「ニッケル製マイクロマシン外部ミラーを用いた同調可能レーザダイオード」に示されている。
【０００６】
図２ａおよび２ｂは、標準ＭＥＭ同調可能レーザのダイヤグラムである。レーザダイオード１０は、一方は固定反射器であり、他方は可動反射器である２つの反射器によって画定されたキャビティを含む。レーザダイオード１０の長さは約３００ｎｍであり、このレーザダイオードは、固定されたミラー、例えば、劈開ミラーを前面に有する。キャビティの長さを変化させることは、レーザを同調する。ＭＥＭ制御器２５の手段によって共振キャビティの長さを変化させるために、ニッケル製ミラー２０が、基部５０上に取り付けられたレーザダイオード１０の後面に配置されている。０．０１ｎｍの精度で、２０ｎｍの同調範囲が得られている。にもかかわらず、図２ｂのグラフは、この同調範囲が連続的でなく、多くのモードスキッピングを呈することを明確に示す。
【０００７】
モードスキッピングは、密な光通信システムへの適用においては排除しなければならない。光通信システムは、一般に、ＷＤＭ（波長分割多重）として知られる波長多重装置とともに利用される。同調可能レーザは、しばしば、密度が連続的に上昇する波長分割多重（ＷＤＭ）システムとともに利用される。
【０００８】
他の多くの同調可能レーザも入手可能であり、それらは、４つのファミリーに分けられる。
【０００９】
ＤＦＢとして知られる分布フィードバックレーザの同調範囲は温度の影響を受ける。出力パワーは約３０ミリワットから４０ミリワットで大きいが、同調範囲は、ＷＤＭシステムへの適用には不充分であるわずか２ｎｍに制限されている。
【００１０】
「外部キャビティ」レーザは、例えば、フィルタまたはグレーティングなどの外部の大きな光構成要素から成る同調メカニズムを有する。しかし、外部キャビティレーザは、非常に高価かつ大きく、ＷＤＭ電気通信ネットワークには実装できない。さらに、その信頼性も、保証されていない。
【００１１】
マルチセクションレーザは、異なったセクションを電気的に制御することによって同調範囲を実現することを提案し、ＤＦＢ、ＤＢＲ、ＳＧ−ＤＢＲ（サンプル網用サンプルグレーティングＤＢＲ）、または、感温レーザを含むことができる。マルチセクションレーザは、約５ミリワット（ｍＷ）から約２０ミリワットの適切な出力電力を備えた約１５ｎｍから５０ｎｍの良好な同調範囲を有するが、これらの数値は、各セクションのために使用されるレーザのタイプに基本的に依存する。しかし、マルチセクションレーザは、実装が複雑であり、複雑なパラメータを有し、経年変化に対する耐性は、まだよく理解されていない。
【００１２】
同調レーザの第４のファミリーは、ＭＥＭ技術とともに利用される、ＶＣＳＥＬとして知られる垂直キャビティ表面発光レーザに関する。
【００１３】
垂直キャビティ表面発光レーザは、「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｌｅｔｔｅｒｓ」、第３５巻１１号、１９９９年５月２７日に発表されたＤ．Ｖａｋｈｓｈｏｏｒｉ、Ｐ．Ｔａｙｅｂａｔｉ、Ｃｈｉｈ−Ｃｈｅｎｇ　Ｌｕ，Ｍ．Ａｚｉｍｉ、Ｐ．Ｗａｎｇ、Ｊｉａｎｇ−Ｈｕａｉ　ＺｈｏｕおよびＥ．Ｃａｎｏｇｌｕによる文献、「２ｍＷ　ＣＷ　ｓｉｎｇｌｅ　ｍｏｄｅ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｔｕｎａｂｌｅ　１５５０ｎｍ　ｖｅｒｔｉｃａｌ　ｃａｖｉｔｙ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｓｅｒ　ｗｉｔｈ　５０ｎｍ　ｔｕｎｉｎｇ　ｒａｎｇｅ」に記載されている。図３は、縦方向キャビティ表面発光レーザを示す。
【００１４】
図３に示すレーザ１０は、（例えば、ＩｎＰの）基板８、および、固定反射器２８と可動反射器２５の２つの反射器によって囲まれたキャビティを介して延びる活性領域１１を含む。この可動ミラーは、レーザの発光波長を同調するため、キャビティの長さを変化させる懸垂膜２６の手段によって電気的に制御される。
【００１５】
しかし、この種類のレーザは、技術的な限界を有する。一方で、その限界は、信頼性、および、可動ミラー２５を制御する膜２６の強度に関し、他方で、キャビティの高さにおける選択的エッチングによって基板８を細くすることを必要とする製造プロセスに関する。
【００１６】
さらに、（１μｍより短い）このように小さいキャビティ内にレーザ効果を得るために必要な大きなゲイン、回折を伴った大きな光損失、および、不十分な熱放散による接合の温度上昇のため、レーザの製造を複雑にし、費用を増加させる光ポンピングソースを使用することが避けられない。
【００１７】
本発明の目的は、従来技術の短所を取り除くことである。
【００１８】
この目的のために、本発明は、約３０ｎｍの連続的な同調範囲を有し、製造、実装、および、制御が簡単である同調可能なレーザを提案する。本発明によるエッジ発光レーザは、モードスキッピングのない広範な同調範囲に対して許容できる、閾値における光損失を有する。
【００１９】
本発明は、さらに詳細には、１つの反射器が固定であり、他方が可動である２つの反射器によって画定された共振キャビティを含み、前記共振キャビティが、長さＬ１のゲイン活性の第１のセクションおよび長さＬ２の同調可能の第２のセクションから成り、キャビティの全長Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２が２０μｍ以下であることを特徴とする、同調可能エッジ発光半導体レーザに関する。
【００２０】
１つの特徴によれば、活性セクションの長さＬ１は、５μｍから１２μｍである。
【００２１】
他の特徴によれば、同調可能セクションの長さＬ２は、以下の等式に従うレーザの同調範囲に依存する。
Δλ＝λ２／２（ｎ１Ｌ１＋ｎ２Ｌ２）
【００２２】
ここで、Δλは、レーザの同調範囲であり、
λは、レーザの発光波長であり、
ｎ１、ｎ２は、それぞれレーザキャビティの第１および第２セクションの反射率である。
【００２３】
１つの特徴によれば、このレーザは、３０ｎｍ以上の連続的な同調範囲Δλを有する。
【００２４】
１つの特徴によれば、固定反射器および可動反射器の２つの反射器それぞれは、９０％以上の反射率を有する。
【００２５】
１つの特徴によれば、固定反射器は、活性セクションの前面に位置し、エッチングで作成されたミラーである。
【００２６】
それぞれの実施形態において、固定反射器のエッチングで作成されたミラーは、半導体と空気の交互の層、ポリマーと空気の交互の層、または、半導体とポリマーの交互の層である。
【００２７】
他の特徴によれば、活性セクションの後面は、反射防止処理が施されている。
【００２８】
他の特徴によれば、可動反射器は、レーザキャビティの外部にあるミラーである。
【００２９】
それぞれの実施形態において、可動反射器は、エッチングで作成されたシリコン、ニッケル、または、シリコン上に堆積された誘電体である。
【００３０】
１つの特徴によれば、可動反射器は、ＭＥＭ（マイクロ電気機械）制御器によって制御される。
【００３１】
１つの実施形態において、同調セクションは、空気領域である。
【００３２】
他の実施形態において、同調セクションは、ガス領域である。
【００３３】
本発明は、
少なくも１つの基板、および、長さＬ１が５μｍから１２μｍであるゲイン媒体から成る活性層を含むレーザダイを作成するステップと、
レーザダイの前面に固定され、エッチングで作成されたミラーを作成するステップと、
基部上にレーザダイを取り付けるステップと、
レーザダイの後面の、基部上に可動反射器を作成するステップと、
を含むことを特徴とする同調可能エッジ発光半導体レーザを製造する方法にも関する。
【００３４】
第１の実施形態において、エッチングで作成されたミラーの作成は、
レーザダイの活性層をエッチングするステップと、
エッチングされた領域にポリマーを堆積するステップと、
ミラーを構成するためにポリマーをエッチングするステップと、
を含む。
【００３５】
第２の実施形態において、エッチングで作成されたミラーの作成は、
レーザダイの活性層をエッチングするステップと、
エッチングされた領域に、発光波長において透明な非ドープ半導体のエピタキシャル成長を行うステップと、
ミラーを構成するために、透明非ドープ半導体をエッチングするステップと、を含む。
【００３６】
第３の実施形態において、エッチングにより作成されたミラーの作成は、さらに、透明な非ドープ半導体のエッチングされた領域にポリマーを堆積するステップを含む。
【００３７】
本発明は、キャビティが、広範な同調範囲にわたってモードスキッピングを回避するために十分短く、閾値における光損失を制限するエッジ発光レーザを手際よく製造することを可能とする。
【００３８】
さらに、エッジ発光レーザは、垂直表面発光レーザより製造および実装が容易である。
【００３９】
さらに、ＭＥＭ技術による同調範囲は、制御が容易で、時間および外部温度条件に関して、安定である。
【００４０】
本発明の他の特徴および長所は、例示的、非制限的な方法で与えられ、添付の図面を参照する以下の説明を読むと明らかになる。
【００４１】
以下の説明は、約３０ｎｍの連続的発光波長の同調範囲の可能な単一モード同調可能レーザに関する。
【００４２】
図４に示す本発明によるレーザは、２つの反射器１５および２０によって画定された長さＬのキャビティ５を含む。
【００４３】
本発明によれば、キャビティ５は、長さＬ１の活性層１１を含む第１のゲイン活性セクション１、および、長さＬ２の第２の同調可能セクション２の２つのセクションに分割される。本発明の１つの基本的な特徴によれば、キャビティの全長Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２は、２０μｍ以下である。以下、キャビティ５の活性セクション１および同調セクション２について説明する。
【００４４】
ＷＤＭ光システムは、典型的に、少なくとも３０ｎｍの連続同調範囲Δλを必要とする。すなわち、２つの共振モードの間の間隔が、最低３０ｎｍであることが必要である。
【００４５】
２つの共振モードの間のこの間隔Δλ（ファブリ‐ペロ）は、以下の等式によって与えられる。
Δλ＝λ２／２（ｎｇ＊Ｌ）
【００４６】
ここで、ｎｇは導波路の有効屈折率であり、λはレーザの発光波長である。
【００４７】
これは、キャビティの長さＬに関して以下の関係を作り出す。
Ｌ＜λ２／２（ｎｇ＊Δλ）
【００４８】
例えば、λ＝１．５５μｍ、ｎｇ＝３．３（第２セクションが空気であると考えた場合のＩｎＰ導波路の屈折率）、Δλ＝３０ｎｍに対して、キャビティの長さＬに関して得られる条件は、Ｌ＜１２μｍである。
【００４９】
キャビティ５の全長Ｌに関する条件は、製造および発光、および、必要な同調範囲の条件に大きく依存する。
【００５０】
レーザダイ１０は、活性セクション１の長さＬ１が５μｍから１２μｍであるように、作成するのが好ましい。
【００５１】
また、同調セクション２の長さＬ２は、以下の等式に従う必要な同調範囲に依存する。
Δλ＝λ２／２（ｎ１Ｌ１＋ｎ２Ｌ２）
【００５２】
ここで、Δλは、レーザの同調範囲、
λは、レーザの発光波長、
ｎ１、ｎ２は、それぞれレーザキャビティの第１および第２セクションの反射率、
である。
【００５３】
この等式は、レーザのキャビティが、同調範囲Δλにわたって１つのみの共振モードがあるように、定められることを表す。この等式の１つの結果は、レーザの単一モード動作である。
【００５４】
図５において、活性セクション１の材料のゲインｇは、レーザの発光波長λの関数としてプロットされている。使用する等式は、以下のものである。
ｇ＝ｇ０＋２．６６Δλ−０．２４７（Δλ）２−０．００１７１（Δλ）３
【００５５】
ゲイン曲線の最大値（１５４５ｎｍにおける点Ａ）における共振モードを考えると、二次モードは、３０ｎｍ（点ＢおよびＣ）になければならない。点ＢおよびＣに対する材料ゲインは、点Ａにおける一次モードに対して＋６／センチメートルの時、−２５０／センチメートル未満である。したがって、レーザは、１つのモードのみで発光することが確認される。なぜなら、単一モードレーザを可能とするために一般に受け入れられている基準が、一次モードと二次モードとの間にわずか５／センチメートルのゲイン差があることであるためである。
【００５６】
同調範囲帯の端（１５３０ｎｍにおける点Ｄおよび１５６０ｎｍにおける点Ｅ）に近い２つの共振モードを持つさほど好ましくない場合を考えると、レーザは、両者の間の材料ゲインのわずかの差によって与えられる２つのモードで発振するデュアル・モード動作を示すことがある。この種類の動作を防止するためには、少なくとも５／センチメートルのゲインの変化を発生させること、および、（上述のｇ（λ）についての等式から）３０ｎｍにわたって同調可能な構成要素に対して、さらに１ｎｍだけ共振モードを離すことで十分である。したがって、厳密には、前述の同調範囲の等式は、以下のように書かなければならない。
Δλ＋１＝λ２／２（ｎ１Ｌ１＋ｎ２Ｌ２）
【００５７】
したがって、本発明が解決しなければならない問題は、エッジ発光レーザのために同等に小さな（Ｌ１が５μｍから１２μｍの）キャビティを作成することである。
【００５８】
このキャビティ５は、２つの反射器１５および２０によって画定される。５ｎｍから１２ｎｍの長さＬ１を有する活性セクション１の場合、精度が±５μｍのオーダーである従来の劈開技術による固定ミラー１５を作成することは可能ではない。
【００５９】
ＶＣＳＥＬなどの構成要素の表面上にミラーを作成するために使用される従来技術のブラッグスタック化は、ここで取り上げるエッジ発光レーザのような構成要素のエッジ上にミラーを作成することには適用できない。
【００６０】
したがって、固定ミラー１５は、エッチングにより作成されたミラーでなければならない。それには、いくつかの技術が考えられる。
【００６１】
第１の技術は、基板８までレーザダイオード１０の活性層１１をエッチングすること、および、ミラー１５がエッチングできる、レーザの発光波長において透明な非活性材料において（「バット結合」として知られている）エピタキシャル成長を行なうことである。エピタキシャル成長（バット結合）の実施のために使用される材料は、非ドープＩｎＰ（屈折率３．１７）であるのが好ましい。従来技術によって、ウェットまたはドライエッチングが、エピタキシャル成長された半導体で行なわれ、反射ミラーを作成する。
【００６２】
第２の技術は、レーザダイオード１０の活性層１１を、基板８までエッチングし、ポリマー、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を堆積し、これを反射ミラーを得るためにエッチングする。
【００６３】
上記の２つの技術は、半導体／空気、または、ポリマー／空気の交互の層の代わりに、半導体／ポリマーの交互の層を得るために、エッチングされたエピタキシャル成長半導体内にポリマーを堆積することによって、第３の技術に組み合わせることもできる。
【００６４】
本発明の１つの特徴によれば、固定反射器１５および可動反射器２０の２つの反射器は、それぞれ、９０％以上の反射率Ｒを有する。これにより、活性セクション１の長さＬ１の短さを補償する。レーザ閾値条件は、以下の等式によって表される。
α＝１／Ｌ１ｌｏｇ（１／Ｒ）
【００６５】
本発明によれば、可動ミラー２０は、ＭＥＭ制御器に結合され、ＭＥＭ制御器の実施については上記に説明した。
【００６６】
可動ミラー２０は、シリコン上の異方性エッチング、ニッケルのマイクロ研磨、または、シリコン上への誘電体の堆積などの種々の既知の技術を使用して作成することができる。
【００６７】
レーザダイ１０は、基部５０、例えば、シリコン基部上に取り付けられ、キャビティ５を完成するために、可動ミラー２０が、基部５０に固定され、ダイ１０の後面と向き合う。ダイ１０の後面は有利には反射防止コーティングを搭載する。
【００６８】
材料が反射率を決定するため、レーザの同調範囲は、製造に使用される材料に大きく依存する。
【００６９】
キャビティ５の活性セクション１は、活性層１１のゲイン媒体を含む。これは、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓなどのバルク材料、または、強制量子井戸構造などの、好ましくはストレス構造とすることができる。
【００７０】
キャビティの同調セクション２は、空気またはガスであり、例えば、ガス検出器への応用では、ガスの存在が同調セクションの屈折率を変化させ、これによって、レーザの発光波長を変化させる。
【００７１】
図６のグラフは、本発明によるレーザの連続的な同調範囲を明確に示す。レーザの発光波長の変化は、レーザのキャビティ５の同調セクション２の長さＬ２の変化に直接関係する。長さＬ２におけるこの変化は、同じく、ＭＥＭに印加する制御電圧の平方に関する。
【００７２】
以下の等式が確立されている。
Δλ＝２ΔＬ２
【００７３】
ここで、ΔＬ２＝ｋ＊Ｖ２、
ｋは、値が０．８ｎｍ／Ｖ２と決定されている定数である。
【図面の簡単な説明】
【図１】制御電流の関数としての標準ＤＢＲレーザの発光波長のグラフである。
【図２ａ】従来技術のＭＥＭ技術とともに利用される標準レーザのダイヤグラムである。
【図２ｂ】制御電圧の関数としての図２ａのレーザの発光波長のグラフである。
【図３】従来技術のＭＥＭ−ＶＣＳＥＬレーザ断面の模式図である。
【図４】本発明による同調可能レーザ断面の模式図である。
【図５】本発明によるレーザの発光波長の関数としての活性領域の材料のゲインのグラフである。
【図６】制御電圧の関数としての本発明によるレーザの発光波長のグラフである。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004506334.tif 000033
【国際調査報告】
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2004506334.tif 000035
2004506334.tif 000036
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