(57)【要約】本発明は、前駆体を使用することにより、シリコン又はゲルマニウム含有層、特に、電子部品上に、金属層又は金属含有層（５）を製造するための方法であり、前駆体が使用される前に、中間層（４）はシリコン又はゲルマニウム含有層（３）に適用される。この中間層は、シリコン又はゲルマニウム含有層をエッチングし得る前駆体の少なくともこれらの成分に対する、拡散障壁を形成し、前駆体によるエッチングに対してそれ自身抵抗できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前駆体を使用して、シリコン又はゲルマニウム含有層上、特に電子部品のシリコン又はゲルマニウム含有層上に、金属層又は金属含有層を製造する方法であって、前記前駆体が使用される前に、中間層が前記シリコン又はゲルマニウム含有層に適用され、前記中間層が、シリコン又はゲルマニウム含有層及び層自身をエッチングし得る、前記前駆体の少なくとも成分に対する拡散障壁を形成し、前記中間層自身が前記前駆体に対してエッチング耐性を有し得る方法。
【請求項２】
前記中間層は、厚さが数層の原子層として適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記中間層は、ＡＬＤ法により、適用されることを特徴とする請求項１乃至２に記載の方法。
【請求項４】
前記中間層として、誘電体が使用されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体として、Ａｌ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ及びＺｒの酸化物が使用されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
熱安定性の中間層が、使用されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記中間層は、熱工程により安定化されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
金属層又は金属含有層の生成に作用する、後続のケイ化処理に関連して、拡散を可能とする中間層が使用されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ケイ化処理が実行された後、中間層の上に位置する金属層又は金属含有層と、適切な場合には、前記中間層とが、特に、前記中間層と関連して選択されたエッチングにより、除去されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
熱的に不安定な層が使用され、次いで、適切な場合には、更なる熱工程で、特に、金属層又は金属含有層の生成に作用する、後続のケイ化処理に関連して、分解することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
シリコン又はゲルマニウム含有層と、前記シリコン又はゲルマニウム含有層（３，１０，１４，１５，２０，２１，２７）の上に、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法により、形成された金属層又は金属含有層（５，１２，１８，２４，３０）とを備える電子部品。
【請求項１２】
前記中間層（４，１１，１７，２３，２９）は、数層の原子層の厚さを有することを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記中間層（４，１１，１７，２３，２９）は、ＡＬＤ法により適用されることを特徴とする請求項１１乃至１２のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１４】
前記中間層（４，１１，１７，２３，２９）は、誘電体であることを特徴とする請求項
１１乃至１３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１５】
前記誘電体は、Ａｌ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ及びＺｒの酸化物であることを特徴とする請求項１４に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記中間層（４，１１，１７，２３，２９）は、熱工程により安定化されることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１７】
前記金属層又は金属含有層は、中間層（４，１１，１７，２３，２９）の、上方、下方、又は両面上に位置することを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
シリコン又はゲルマニウム含有層上、特に電子部品のシリコン又はゲルマニウム含有層上に、前駆体を使用して、金属層又は金属含有層を製造するための方法。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、シリコン又はゲルマニウム含有層上、特に電子部品のシリコン又はゲルマニウム含有層上に、前駆体を使用して、金属層又は金属含有層を製造するための方法に関連する。
【０００３】
前駆体、主としてフッ素含有前駆体は、シリコン又はゲルマニウム含有基板上に金属を成膜するためにしばしば使用される。この成膜技術は、十分に周知である。しかしながら、この場合の不都合は、この場合に使用される多くの前駆体、特に、フッ素含有前駆体は、シリコン又はゲルマニウム含有基板、又はウエハ表面と反応するということである。シリコン含有基板の場合、フッ素前駆体を使用する場合に、揮発性のＳｉＦ４等が製造される。この場合基板は、初期にエッチングされる。これは、ゲート或いはキャパシタのための金属電極としての金属もしくは金属含有の層又は構造の成膜、及びコンタクトホール充填のための層の成膜の双方の最中において、構造の破壊と、更にこの層構造を使用して形成され得る電子部品の破壊を生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明は、導入部に記載した不都合を有することなく、前駆体を使用して、金属層又は金属含有層を製造することが可能な方法を明確にするという課題に基づく。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題を解決するために、前駆体が使用される前に、中間層がシリコン又はゲルマニウム含有層に適用される、導入部に記載した種類の方法が提供される。前記中間層は、少なくともシリコン又はゲルマニウム含有層をエッチングし得る、前駆体の成分に対する拡散障壁を形成し、中間層自身が、前駆体に関してエッチング耐性を有する。
【０００６】
本発明による本方法は、シリコン又はゲルマニウム含有層表面の表面処理を効率的に提供する。前駆体による攻撃に対して、下層の表面を保護し、少なくとも前駆体が攻撃可能な領域において基板を封止する中間薄層の適用による、前記表面処理は、実際の層の生成の前に行われる。本発明によれば、この場合には、シリコン又はゲルマニウムのエッチングを引き起す前駆体の化学種に対する拡散障壁として作用する層が必要とされる。更に、使用した層は、前駆体の攻撃に関してエッチング耐性を有する、即ち、その層自身は初期にエッチングされない。この“封止層”が適用された後、実際の層の生成が問題無く、実行され得、極薄中間層の下に構築したシリコン又はゲルマニウム含有層の損傷が防止される。次に、既に層成膜のために価値を証明された前駆体は、製造される層構造、又は部品に対して影響を与えたり、あるいは、それら層構造又は部品を破壊すること無く、金属成膜のために使用され得る。更に、製造コストを大幅に減少する、公知の成膜技術及び工具を使用することが可能である。
【０００７】
本発明に基づく方法は、前駆体を使用して、例えば、薄いシリコン又はゲルマニウム含有誘電体上に、金属電極を成膜することを可能にする。したがって、例えば、金属成膜を連続して実行するために、ゲート酸化物上に極薄中間層を成膜することを可能にする。この方法により、例えば、キャパシタ構造が層構造又は構成要素として製造される場合に、ＳｉＯ２と、基板又は金属電極を使用する場合には下部電極との間の、良好な界面特性を保持することが可能である。
【０００８】
本方法による方法の用途の他の適切な可能性は、コンタクトホールの充填である。この場合、極薄中間層が、金属層の成膜を可能にするためには、極薄中間層のみが必要とされるため下層の物質に対する接点（コンタクト）の伝導性は顕著に改善され得る。
【０００９】
中間層が、何らかの形で、層構造、したがって電子部品、の機能に影響を与える状況を避けるために、この中間層が非常に薄く適用されることは、好都合である。この場合、中間層の厚さは、わずか数原子の層であるべきであるが、その厚さはｎｍの範囲になければならない。この場合、ＡＬＤ（原子層堆積法）による中間層の成膜は、特に好ましい。この手法により成膜した層は、非常に低い欠陥密度及び優れたエッジ被覆を伴う、非常に良好な層均一性を保証し、これらの特性は、詳細にはコンタクトホールの充填、又はトレンチキャパシタ内の金属電極の成膜のために重要となり得る。更に、ＡＬＤ法による中間層の成膜は、層厚を精密に制御する可能性を提供する。
【００１０】
中間層としては、適切には誘電体が使用されるべきであり、このために、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，およびＺｒの酸化物が適している。さらに、実際の金属層又は金属含有層の製造、又はそれ以降のいずれかの状況において生じる、後続の熱工程に関して、安定性を保持する熱安定性中間層の使用が提供される。これは、考察されるように、中間層が、その成膜に後続する高温工程内で安定化される場合に、適切である。
【００１１】
更に、上記は、金属層又は金属含有層の製造のために利用するケイ化処理に関連して、拡散を可能にする中間層が使用される場合に適切である。この処理に関連して、層の生成は、中間層上への金属層の成膜と、それに続く成膜された十分に周知である金属のシリコン化のための拡散処理により行われる。関連する成分の拡散は中間層を通じて起こるため、中間層は拡散成分を拡散するために開口する必要がある。
【００１２】
熱安定層の使用に加えて、適切な場合には、後続の更なる熱工程において、特に、金属層又は金属含有層の生成に役立つ後続のケイ化処理に関連して、分解される熱的に不安定な層を使用することが可能である。一旦、前駆体を使用して、金属層が適用されると、それ以降、犠牲層の機能を有する中間層は、もはや全く必要とされない。例えば、ケイ化処理が後続する場合、極薄中間層はこの処理で破壊され得、層構造の機能を損ねることなく、その上に成膜された金属層を通じて揮発し得る。
【００１３】
本発明による方法に加えて、更に本発明は、シリコン又はゲルマニウム含有層と、記載した本発明による方法によりシリコン又はゲルマニウム含有層の上に成膜された金属層又は金属含有層を備える電子部品に関係する。
【００１４】
更に、本発明に基づく部品は、中間層が、数原子の層、つまり非常に薄い厚さを有し、適切に、ＡＬＤ法により適用されるという事実により特徴付けられる。適切には、中間層は、誘電体であるべきで、好適には、Ａｌ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，およびＺｒの酸化物を含み、且つ、好適には、熱工程内で安定化される。
【００１５】
最後に、金属層又は金属含有層は、中間層の上方、下方、又は両面上に配置され得る。両面での層形成は、特に、この場合に拡散操作に基づくケイ化処理に関連して、行われ得る。
【００１６】
更に、本発明の利点、特徴、詳細は以下の例示的な実施形態、及び図に基づいて説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は概略図として、本発明の第一実施形態に基づく要素１の詳細を示す。この例示的な実施形態においては、本発明はゲート誘電体及び金属電極を有するトランジスタ構造を実現するものである。この目的のため、ゲート誘電体３は、標準ＣＭＯＳ工程により、バルクＳｉ等の、基板２上に生成される。例示の方法により、基板はＳｉＯ２を形成するために酸化され得るか、又はケイ酸塩が被着されて、次にゲート誘電体３を形成する。次に、好適にはＡＬＤ法により、ゲート誘電体に中間層４が適用される。中間層４は、Ａｌ２Ｏ３等により形成され得る。ＡＬＤ法による成膜はほとんど欠陥を生じることなく行われ、その厚さが非常によく制御され得るため、中間層は、わずか数層の単分子層を有する。次に中間層４は、高温工程により、安定化され得る。
【００１８】
ゲート電極５は、中間層４上に成膜される。例として、ゲート電極はタングステン含有ゲートであり得、その場合には、前駆体としてＷＦ６が使用される。中間層４が下部のシリコン含有ゲート誘電体３を“封止”するため、ＷＦ６前駆体を用いることが可能である。中間層は、ＷＦ６前駆体のフッ素イオンに関して、耐拡散性である。ＷＦ６前駆体が直接ゲート誘電体３に適用された場合、ＳｉＦ６の形成を伴うエッチングの攻撃が起こり、最初に、ゲート誘電体３がエッチングされ得る。これは、低欠陥の極薄中間層４により、効果的に阻害されるため、このような攻撃的な前駆体が使用され得る。これに加えて、中間層４自身は、使用した前駆体に関して、エッチング耐性を有する、即ち、中間層４自身は同様に攻撃されない。
【００１９】
Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉｘは、前駆体を使用してゲート誘電体５として適用され得る。続くＣＭＯＳ処理は標準的に実行され得る。
図２は更なる本発明に基づく電子部品６の例示的な実施形態を示す。この場合に関連するのは、ＤＲＡＭの格納キャパシタ等により使用される、キャパシタ構造である。層構造又は部品６は、基板（バルクＳｉ等）の高濃度ドーピング又は、更なる金属の成膜のいずれかから形成される下部電極７を備える。複数層の層構造８は、ノード誘電体を形成する目的のため下部電極７に対して適用される。示した例示的な実施形態において、この誘電体は、Ｓｉ３Ｎ４層９及びそのＳｉ３Ｎ４層９に適用されたＳｉＯ２層１０を備える。次に、層１０には、本願では、例えば数層の単分子層の形態のＡｌ２Ｏ３から形成される中間層１１が適用される。層９，１０，１１は、共にノード誘電体を形成する。ここで、層１１は好適にはＡＬＤ法により成膜される。次に、ここで、上部金属層は、例えば、前駆体としてＷＦ６を使用して製造された、タングステン含有電極であり得る金属電極１２の形態で成膜される。ここで、ＳｉＯ２層１０における攻撃的なＷＦ６前駆体の攻撃は、エッチング耐性の極薄中間層１１により阻害される。ここで、極薄中間層１１は任意に高温工程に先立って安定化され得る。更なる集積化は公知の標準的な工程に基づいて行われる。
【００２０】
図３は、部品１３のコンタクトホール構造を製造するための更なる例示的な実施形態を概略図の形態で示す。最初に、好適にはＳｉから形成される酸化層１５が基板１４上に製造され、続いてその酸化層内にコンタクトホール１６がエッチングされる）。続いて、厚さが非常に薄い中間層１７（前と同様にわずか数層の原子層）が、ＡＬＤ法により、コンタクトホール１６内に成膜される。ＡＬＤ法は、こうして生成される中間層の非常に良好なエッジ被覆に関して、特に適切である。中間層１７の生成後、コンタクトホール１６は、ＷＮおよび前駆体としてＷＦ６等の金属含有物質１８により充填される。前記金属含有物質１８はＣＶＣ法によって成膜される。したがって、エッチング耐性の極薄中間層１７を伴う本発明に基づく構造がここに生じる。中間層１７により阻害されるため、ＳｉＯ２層１５及び下部のシリコン含有基板１４のいずれも前駆体により攻撃されない。更なるＡＬＤ法により適用された極薄中間層の利点は、説明したように、層１７が非常に薄く成膜され得、これは端子の伝導性に有利であるという事実によって理解されるはずである。
【００２１】
ＷＮ物質１８を導入後、ＷＮ層１８の窒素は、後続の焼きなまし工程において、気体として放出され得るため、最終的に、コンタクトホールは、大部分窒素を含有しないＷにより充填される。
【００２２】
図４は、同様にコンタクトホール構造を説明する、部品１９の更なる実施形態を示す。部品１９は、図３の部品１３と同様の方法で、適切なシリコン含有基板２０と、更に適用したシリコン含有酸化層を備える。コンタクトホール２２のエッチングの後、ここで、好適にはＡｌ２Ｏ３の、中間層２３は、ＡＬＤ処理により適用される。続いて、コンタクトホールは、まず、ＷＦ６前駆体を使用して、拡散障壁として機能する中間層２３上にＷＮの超薄層２４が成膜され、その後、タングステン薄膜２５により充填される。このような層構造も、極薄中間層２３の使用によらなければ可能にならない。
【００２３】
最後に、５ａ，５ｂ，５ｃ更に部品２６の本発明に基づく例示的な実施形態を示す。この図は、部品２６の深層トレンチ下部電極のケイ化物の形成中における犠牲層の導入を説明る。最初に、トレンチ２８が、好適にはシリコン含有基板２７（同様にゲルマニウム含有基板を使用してもよく、これは上記の例示的な実施形態に関して同様に適用される）の内部にエッチングされ、このトレンチは、次に数層の単分子膜の厚さを有する極薄中間層による壁により覆われる。中間層２９はこの場合、例えばＴａ２Ｏ５等である。
【００２４】
次に、タングステン等から形成される、金属層３０は、中間層２９上に成膜される。ここで、中間層は、続く金属層の成膜中に、使用した前駆体と基板２７との間の反応を阻害する。次のケイ化処理において、従ってタングステン及びシリコンの同時拡散は、中間層２９を通じて生じる。これは、ＷＳｉｘ層３１が、中間層２９の両面への拡散によって制御されるように形成されることにより実行される。次に、図５ｃに示すように、上部ケイ化層３１は、選択したエッチングにより、エッチングされ除去される。この場合、このエッチング処理において、更に中間層２９も同時に除去され得、図５ｂによると、最終的には、中間層２９の下に設された、ケイ化層３１のみが残存する。その結果、電極を形成する金属層の厚さは、著しく減少され、トレンチの直径は再び増加する。次に、ノード誘電体及び最上部の電極の成膜、並びに標準的な集積が実行される。
【００２５】
図５ａ〜図５ｃに示したものと別の実施形態として、熱安定性の中間層の代わりに、ケイ化処理に関連して分解し、この場合、破壊され、先に適用した金属層を通じて蒸発する、熱的に不安定な層を選択することが考えられる。最終的に、ケイ化物の形成に後続するエッチング処理は、ケイ化物層を減少させるためだけに作用する。
【００２６】
全てのシリコン含有層又はゲルマニウム含有層、及びそれらの酸化物、窒化物、又は炭化物、及びケイ化金属、ケイ酸塩金属は、各場合において更にＳｉを含み、中間層及び最終的に金属含有及び金属層が適用される基板として使用され得る。例として、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２又はＺｒＯ２は、中間層を形成する誘電体として多様な化学量論的に使用され得る。高い融点を有する全ての金属、Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｒｈ０，Ｉｒ，等の窒化物及びケイ化物、又はＡｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｆｅ等の他の金属は、金属として使用され得る。適用されるべき金属又は金属層に応じて、対応する前駆体が選択される。従って、中間層を形成するそれぞれ誘電体もまた、拡散障壁及びエッチング耐性に関して、適用されるべき金属又は金属層に応じて、適切に選択されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に基づく、トランジスタ構造を形成するための第一層の構造を示す。
【図２】本発明に基づく、キャパシタ構造を形成するための第二層の構造を示す。
【図３】第一実施形態のコンタクトホール構造の製造を説明する概略図を示す。
【図４】第二実施形態のコンタクトホール構造の製造を説明する概略図を示す。
【図５ａ】ケイ化物形成を通じて、深層トレンチ下部電極を説明する概略図を示す。
【図５ｂ】ケイ化物形成を通じて、深層トレンチ下部電極を説明する概略図を示す。
【図５ｃ】ケイ化物形成を通じて、深層トレンチ下部電極を説明する概略図を示す。
【国際公開パンフレット】
2004530299.tif 000003
2004530299.tif 000004
2004530299.tif 000005
2004530299.tif 000006
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2004530299.tif 000008
2004530299.tif 000009
2004530299.tif 000010
2004530299.tif 000011
2004530299.tif 000012
2004530299.tif 000013
2004530299.tif 000014
2004530299.tif 000015
2004530299.tif 000016
2004530299.tif 000017
2004530299.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成15年3月5日(2003.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前駆体を使用して、シリコン又はゲルマニウム含有層上、特に電子部品のシリコン又はゲルマニウム含有層上に、金属層又は金属含有層を製造する方法であって、前記前駆体が使用される前に、中間層が前記シリコン又はゲルマニウム含有層に適用され、前記中間層が、シリコン又はゲルマニウム含有層及び層自身をエッチングし得る、前記前駆体の少なくとも成分に対する拡散障壁を形成し、前記中間層自身が前記前駆体に対してエッチング耐性を有し得る方法であって、
前記中間層は、ＡＬＤ法により、厚さが数層の原子層として適用されたことを特徴とする。
【請求項２】
前記中間層として、誘電体が使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体として、Ａｌ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ及びＺｒの酸化物が使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
熱安定性の中間層が、使用されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記中間層は、熱工程により安定化されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
金属層又は金属含有層の生成に作用する、後続のケイ化処理に関連して、拡散を可能とする中間層が使用されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ケイ化処理が実行された後、中間層の上に位置する金属層又は金属含有層と、適切な場合には、前記中間層とが、特に、前記中間層と関連して選択されたエッチングにより、除去されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
熱的に不安定な層が使用され、次いで、適切な場合には、更なる熱工程で、特に、金属
層又は金属含有層の生成に作用する、後続のケイ化処理に関連して、分解することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
シリコン又はゲルマニウム含有層と、前記シリコン又はゲルマニウム含有層（３，１０，１４，１５，２０，２１，２７）の上に、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法により、形成された金属層又は金属含有層（５，１２，１８，２４，３０）とを備える電子部品。
【請求項１０】
前記中間層（４，１１，１７，２３，２９）は、数層の原子層の厚さを有することを特徴とする請求項９に記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
前駆体、主としてフッ素含有前駆体は、シリコン又はゲルマニウム含有基板上に金属を成膜するためにしばしば使用される。この成膜技術は、十分に周知である。しかしながら、この場合の不都合は、この場合に使用される多くの前駆体、特に、フッ素含有前駆体は、シリコン又はゲルマニウム含有基板、又はウエハ表面と反応するということである。シリコン含有基板の場合、フッ素前駆体を使用する場合に、揮発性のＳｉＦ４等が製造される。この場合基板は、初期にエッチングされる。これは、ゲート或いはキャパシタのための金属電極としての金属もしくは金属含有の層又は構造の成膜、及びコンタクトホール充填のための層の成膜の双方の最中において、構造の破壊と、更にこの層構造を使用して形成され得る、米国特許第Ａ５６５４２３３号に開示請求項１の序文に基づく、電子部品の破壊を生じる。
国際公開公報第００／０６７９５号は、金属層、及びそれに対応する電子部品、前駆体ＷＦ６の腐食作用に対して酸化シリコン基質を保護する、適用され得る非結晶性シリコンにより製造された層の、製造方法を開示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この課題を解決するために、請求項１に基づく方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、本発明に基づく部品は、中間層が、数原子の層、つまり非常に薄い厚さを有し、ＡＬＤ法により適用されるという事実により特徴付けられる。適切には、中間層は、誘電体であるべきで、好適には、Ａｌ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，およびＺｒの酸化物を含み、且つ、好適には、熱工程内で安定化される。




【国際調査報告】
2004530299.tif 000019
2004530299.tif 000020
2004530299.tif 000021
2004530299.tif 000022