(57)【要約】本発明は相変化型の記録担体にマークを記録する方法及び記録装置に関する。一般に、時間長ｎＴのマークは（ｎ−２）個又は（ｎ−１）個の書き込みパルスのシーケンスによって記録される。積層の低速な冷却においては、これは質の低いマークに帰着する。本発明は  ｍ個の書き込みパルスを適用することにより、書き込みパルスのシーケンス中のパルス間における冷却時間を増加することを提案する。ここでｍはｎ／αに依存する（αは１より大きな整数）。実施例においては書き込みパルスの数ｍはｎ／αに最も近い整数値に設定される。好適な実施例においてはαは３に設定される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間長ｎＴを持つマークを記録する方法であって、ここでｎは１より大きい整数を表し、Ｔは基準クロックの１周期の長さを表し、記録担体において、前記記録担体は結晶質相と非晶質相との間で可逆的に変化可能な相を持つ情報層を有し、パルス放射ビームにより前記情報層を照射することによって、それぞれのマークがｍ個のパルスのシーケンスによって書き込まれ、ここでｍは１以上かつｎ以下の整数を表す方法であって、ｍがｎ／αに依存して設定され、ここでαは１より大きい整数であることを特徴とする方法。
【請求項２】
ｍがｎ／αに最も近い１以上の整数に設定されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
αが３に設定されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記パルスのシーケンス中の少なくとも１つのパルスの位置がｎに依存して設定されることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記パルスのシーケンス中の少なくとも１つのパルスのパワーがｎに依存して設定されることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項６】
前記パルスのシーケンス中の少なくとも１つのパルスの持続時間がｎに依存して設定されることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項７】
時間長ｎＴを持つマークを記録する記録装置であって、ここでｎは１より大きい整数を表し、Ｔは基準クロックの１周期の長さを表し、記録担体において、前記記録担体は結晶質相と非晶質相との間で可逆的に変化可能な相を持つ情報層を有し、パルス放射ビームにより前記情報層を照射することによって、それぞれのマークがｍ個のパルスのシーケンスによって書き込まれ、ここでｍは１以上かつｎ以下の整数を表す方法であって、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法を実行する手段を有することを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録担体にｎＴの時間長（ｔｉｍｅ ｌｅｎｇｔｈ）を持つマークを記録する方法に関し、ここで前記記録担体は結晶質相と非晶質相との間で可逆的に変化可能な相を持つ情報層を有し、パルス放射ビームによって前記情報層を照射することにより、それぞれのマークがｍ個のパルスのシーケンスによって書き込まれる。ｎは１より大きい整数を表し、Ｔは基準クロックの１つの周期の長さを表し、ｍは１以上かつｎ以下の整数を表す。
【０００２】
本発明は、結晶質相と非晶質相との間で可逆的に変化可能な相を持つ情報層を有する記録担体においてマークを記録する、上述の方法を実行することができる装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】
結晶質相と非晶質相との間で可逆的に変化可能な相を持つ情報層は、一般に相変化層として知られている。光信号の記録動作は、前記相変化層に前記信号を記録するために、放射ビームの照射条件を変化させることにより、該層における記録物質が非晶質相と結晶質相との間で可逆的に相が変化させられるように実行され、一方記録された前記信号の再生動作は、前記記録された信号を生成するために、前記相変化層の非晶質相と結晶質相との間の光学的な特性の相違を検出することにより実行される。このような相変化層は、書き込みパワーレベルと消去パワーレベルとの間で前記放射ビームのパワーを調節することにより、情報が記録される及び消去されることを可能にする。
【０００４】
記録担体の相変化層において情報を記録する前文による方法は、例えば米国特許第５，４１２，６２６号より知られている。長さｎＴのマークは、書き込みパワーレベルを持ったｎ−２個の書き込みパルスのシーケンスによって記録される。記録されている前記マークの間の以前に記録されたマークは、前記シーケンスの合間において消去パワーを適用することにより消去され、かくして前記方法が直接上書き（ｄｉｒｅｃｔ−ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ、ＤＯＷ）モード、即ち、前記記録担体の前記情報層に記録されるべき情報を記録し、同時に前記情報層に以前に記録された情報を消去するモードにおいて利用されることを可能にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
米国特許第５，７３２，０６２号は前文による他の方法を開示する。ここでは、時間長ｎＴのマークはｎ−１個の書き込みパルスのシーケンスにより記録される。記録されている以前の又は次のマークの記録の間に蓄積される熱を補償するために、前記シーケンスの最初又は最後の書き込みパルスの前記書き込みパワーレベルは、該シーケンスの残りの書き込みパルスのパワーレベルよりも高い。熱蓄積は前記記録されたマークの歪みを引き起こす。
【０００６】
前記記録担体の容量の２倍の増加は、第２の情報層を導入することにより容易に達成されることができる。両方の情報層にアクセスできるようにするために、放射源に近いほうの前記層は好ましくは完全に又は部分的に透明であるべきである。このような透明な情報層は前記情報層の積層設計の変更を必要とする。前記相変化型の情報層の標準的な積層は、金属ミラー層、誘電体干渉層及び相変化層から成る。しかしながら、このような積層を持つ情報層は前記金属ミラー層のため透明ではない。それゆえ、前記金属ミラー層は前記積層から除去されるべきである。
【０００７】
しかしながら、前記情報層の前記積層から前記金属ミラー層を除去することは、公知の方法がマークを記録するために利用されるときには、質の低いものである該マークに帰着することが観測されている。これらのマークは例えば縮小されたマーク長を持つ。そのうえ、これらのマークは、再生の間の記録された信号の再現の縮小された変調に帰着することが、しばしば観測されている（前記変調は、マークを持つ前記情報層上の領域に起因する前記信号の振幅の、マークを持たない前記情報層上の領域に起因する前記信号の振幅に対する差である）。
【０００８】
本発明の目的は、質の良い記録されたマークに帰着する、最初の段落において説明された種類のマークを記録する方法を提供することにある（即ち、適正なマーク長、及び前記記録された情報を再現するために十分な変調を持つ再生の間の記録された信号の再現への帰着）。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本目的は前文の方法が、ｍがｎ／αに依存して設定され、ここでαが１より大きい整数であることを特徴とする場合に達成される。
【００１０】
前記情報層の前記積層から前記金属ミラー層を除去することは、前記情報層の光学的な挙動だけでなく、明らかに熱的特性に対する重要性をも持つことが観測されている。前記金属は、前記干渉層及び前記相変化層よりも非常に大きな熱伝導率を持つ。前記金属ミラー層の該熱伝導率は、実際の非晶質のマークの書き込み処理にとっては利点に思われる。書き込み処理の間、前記相変化物質は前記書き込みパルスによって摂氏数百度まで熱せられる。続いて前記相変化物質は、融解された（即ち非晶質の）物質の再結晶化を防ぐために急速に冷却される。成功するべき該処理のために、冷却時間は再結晶時間よりも短い必要がある。前記金属ミラー層の大きな熱伝導率及び熱容量は、前記融解された相変化物質から熱を素早く除去するのを助ける。しかしながら、このような金属層の冷却がない又は減少された（半）透明な情報層においては、前記冷却時間はより長くなり、前記相変化物質に再結晶化する時間を与えるように思われる。このことは質の低い前記マークに帰着する。
【００１１】
本発明による方法は、書き込みパルスのシーケンスにおいて連続する２つの書き込みパルスの合間により長い冷却時間を可能にする。この増加された冷却時間は良い質を持ったマークに帰着する。
【００１２】
公知の方法によれば、時間長ｎＴを持つマークは、ｎ−２個又はｎ−１個の書き込みパルスを含む書き込みパルスのシーケンスにより記録される。特に長いマークについては、このことは、多数の書き込みパルス、及び従って前記書き込みパルスの合間の冷却の十分な見込みがなく、前記相変化層に蓄積される多量の熱に帰着する。しかしながら、書き込みパルスの数（ｍ）がｎ／αに最も近い整数と等しく設定される（ｍ≧１）本発明による方法の実施例においては、書き込みパルスの数は減少され、前記書き込みパルスの合間の冷却時間の著しい増加に帰着する。
【００１３】
本方法の他の実施例においては、書き込みパルスの数（ｍ）はｎ／α以上の最も近い整数に等しく設定される（ｍ≧１）。
【００１４】
αを２という値に設定することにより良い結果が既に得られている。αが３という値に設定され、書き込みパルスのシーケンス中の前記書き込みパルスの合間のより長い冷却時間に帰着する本発明による方法の好適な実施例において、更なる改良が得られる。本方法のこの実施例においてはわずか２個の書き込みパルスを有する書き込みパルスのシーケンスを利用して、長さ６Ｔのマークが記録される。一方、公知の方法においては前記シーケンスは４個（ｎ−２個）又は５個（ｎ−１個）の書き込みパルスを含む。
【００１５】
ｎ／α以上の最も近い整数であるｍ個の書き込みパルスのシーケンスによって時間長ｎＴのマークが記録される場合、書き込みパルスのシーケンス中の同じ数の書き込みパルスによってα個の異なるマーク長が記録される。例えばαが３に設定された場合、長さ４Ｔ、５Ｔ及び６Ｔのマークは全て２個の書き込みパルスのシーケンスによって記録される。このため、前記書き込みパルスの付加的な微調整が必要となる場合がある。本発明による方法の実施例においては、前記シーケンス中の少なくとも１つの前記書き込みパルスの位置がｎに依存して設定される。本発明による方法の他の実施例においては、前記シーケンス中の少なくとも１つの前記書き込みパルスのパワーがｎに依存して設定される。本発明による方法の他の実施例においては、前記シーケンス中の少なくとも１つの前記書き込みパルスの持続時間がｎに依存して設定される。
【００１６】
ｎに依存した上述したパラメータの設定（即ちパルスの位置、パルスのパワー、パルスの持続時間）は、単一のパラメータのみ又はこれらのパラメータの全ての組み合わせに対して適用されても良い。更に、これらのパラメータは書き込みパルスの前記シーケンス中の単一のパルス、又はその代わりにパルスの前記シーケンス中の幾つかのパルスについて調節されても良い。
【００１７】
（放射源のために、又は前記記録担体により課せられた制限のために）ピークの書き込みパワーが制限されている場合、より長い書き込みパルスを得るようにパルス持続時間を調節し、それによって全体の書き込みパワーを増加することは特に有利な点である。より長いパルス持続時間を利用できることは、一般により低い放射パワーを利用することを可能にする。
【００１８】
本発明による方法は、冷却時間が重要となる前記相変化型の単一の情報層又は多重の情報層を有する記録担体を利用する全ての高速光記録システムにおいて有利に利用されることができることに留意されたい。これらのシステムにおいては、記録の間の前記冷却時間は、書き込みパルスの急速なシーケンスのため、より短くなる。本発明による方法によって導入されるようなより長い冷却時間は、より長い冷却時間を可能にする。
【００１９】
本発明の他の目的は、本発明による方法を実行する記録装置を提供することにある。
【００２０】
本目的は、前文の記録装置が本発明による方法のいずれか１つを実行する手段を有することを特徴とするとき達成される。
【００２１】
本発明のこれらの及び他の目的、特徴及び利点は、添付する図において説明されるように、本発明の実施例のより詳細な説明から明らかになるであろう。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１ａは「高い」パート１１と「低い」パート１２とを持つ基準クロックのクロック信号１０を示す。１つの「高い」パートと１つの「低い」パートの組み合わせは該基準クロックの１周期Ｔを形成する。図１ｂは前記記録担体の前記情報層に記録されるべき信号２０を示す。信号２０中の「高い」パート２１は、該「高い」パートの持続時間に対応する長さを持つマークとして前記情報層に記録される。マークの長さはしばしば基準クロックの周期Ｔに対応する数で表現される。本例においては記録されるべき前記マーク、それ故信号２０の「高い」パート２１の長さは６Ｔである。
【００２３】
記録されるべき信号２０は、情報層への放射ビームの照射によって、結晶質相と非晶質相との間で可逆的に変化可能な相を持つ該情報層に記録される。前記放射ビームは制御信号３０及び４０によって制御される放射源により生成される。前記制御信号のパワーレベルは、前記放射源によって照射された放射ビームのパワーに対応する。図１ｃは先行技術より知られている方法において適用されたパルス制御信号３０を示す。長さ６Ｔのマークを記録する場合、制御信号３０中の書き込みパルスのシーケンスは、書き込みパワーレベル３１を持つ５個（即ちｎ−１個）のパルス３５を有する。該書き込みパルスのシーケンス中の書き込みパルス３５の合間には冷却時間３６がある。書き込みパルスの前記シーケンスの前後において、制御信号３０は以前に記録されたマークを消去するのに十分な消去パワーレベル３０を持つ。
【００２４】
図１ｄはαが３に設定された本発明による方法に適用されたパルス制御信号４０を示す。長さ６Ｔのマークを記録する場合、制御信号４０中の書き込みパルスのシーケンスは、書き込みパワーレベル４１を持つわずか２個（即ちｎ／３個）の書き込みパルス４５を有する。該書き込みパルスのシーケンス中の書き込みパルス４１の合間には冷却時間４６がある。冷却時間４６の持続時間は、冷却時間３６に対して著しく増加され、一方で記録されるべき前記マークの長さは同じのままである。これら増加された冷却時間のために、再結晶化は起こらず、実際の記録されたマークの長さは望ましい長さ（即ち６Ｔ）に非常に良く対応する。先行技術から知られた方法を適用する場合には、前記相変化層における熱の蓄積が起こり、再結晶化効果、及びそれ故望ましい長さ６Ｔよりも著しく短い実際の記録されたマークに帰着する。
【００２５】
図２は、αが３に設定された本発明による方法を適用する、２Ｔ〜８Ｔの長さを持つマークを記録するための制御信号４０１〜４０７を示す。αは３に設定されているため、２個の書き込みパルスのシーケンスによって長さ２Ｔ及び３Ｔのマークが記録され、３個の書き込みパルスのシーケンスによって長さ４Ｔ、５Ｔ及び６Ｔのマークが記録され、３個の書き込みパルスのシーケンスによって長さ７Ｔ及び８Ｔのマークが記録される。ｎに依存する付加的な微調整が適用される：書き込みパルス４３１、４６１及び４８１は伸長された持続時間を持ち、一方書き込みパルス４５２は増加された書き込みパワーレベル４５５を持つ。
【００２６】
上述した実施例は本発明を制限するものではなく説明するものであって、当業者は添付した請求項の範囲から逸脱することなく代替を設計することができるであろうことが留意されるべきである。本発明は多重層記録担体での使用のみに限定されないことは特に留意されたい。上述したように、本発明は高速記録システムにおいて応用されるとき特に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】公知の方法及び時間長６Ｔのマークを記録するための本発明による方法を表す図を示す。
【図１ｂ】公知の方法及び時間長６Ｔのマークを記録するための本発明による方法を表す図を示す。
【図１ｃ】公知の方法及び時間長６Ｔのマークを記録するための本発明による方法を表す図を示す。
【図１ｄ】公知の方法及び時間長６Ｔのマークを記録するための本発明による方法を表す図を示す。
【図２】２Ｔから８Ｔまでの時間長を持つマークを記録するための本発明による方法を表す図を示す。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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