(57)【要約】光透過性層の少なくとも１つおよび／または光吸収性元素または化合物材料の少なくとも１つの層を周期的または非周期的な配列で含む、＜４００ナノメートルの選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じると共に少なくとも０．００１の光の透過率を有することができる減衰位相シフトフォトマスクブランクを製造するための単一イオンビーム蒸着法、または複合イオンビーム蒸着法。
2004525423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４００ナノメートルより小さい選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、
（ａ）ガス群からのイオンによって少なくとも１つの一次ターゲットをイオンビームスパッタリングすることによって、光透過材料の少なくとも１つの層および光吸収材料の少なくとも１つの層またはそれらの組合せを基板上に蒸着させる工程と、
（ｂ）ガス群の補助供給源からの二次イオンビームによって光透過材料および光吸収材料の少なくとも１つの層、またはそれらの組合せを前記基板上に蒸着させる工程であって、前記層が直接に、または前記補助供給源からのガスイオンと前記基板上に前記一次ターゲットから蒸着された前記材料との結合によって、形成される、工程と、を含む複合イオンビーム蒸着法。
【請求項２】
４００ナノメートルより小さい選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰埋込み位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法であって、
（ａ）ガス群からのイオンによってターゲットをイオンビームスパッタリングすることによって、光透過材料の少なくとも１つの層および光吸収材料の少なくとも１つの層またはそれらの組合せを基板上に蒸着させる工程と、
（ｂ）ガス群からのイオンを有する補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させる工程であって、少なくとも１つのガスが、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ４、およびＣ２Ｈ２からなる群から選択される、工程と、を含む、複合イオンビーム蒸着法。
【請求項３】
前記光透過材料が、
（ａ）約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有する酸化物、
（ｂ）約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有する窒化物、および
（ｃ）３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有するフッ化物、からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記光透過材料が、
（ａ）Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、またはＧｅの酸化物、
（ｂ）Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃの窒化物、
（ｃ）Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、またはＬｕのフッ化物、および
（ｄ）ダイヤモンド状炭素構造を有する炭素、からなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記光吸収材料が、元素の金属、元素周期表のＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、およびＶＩＢ族の金属酸化物および窒化物、およびダイヤモンド状構造を有する炭素、からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記光透過性成分が、ＳｉＯｘ、Ｓｉ３Ｎ４−ｙ、およびＣｒＦｚからなる群から選択され、
ｘが約１．５〜約２の範囲であり、
ｙが約０〜約１の範囲であり、
ｚが約１〜約３の範囲である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ガス群が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ４、およびＣ２Ｈ２、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
光吸収材料の少なくとも１つの層および光透過材料の少なくとも１つの層を含む、請求項１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項９】
光吸収材料層および光透過材料層の交互層からなる少なくとも１対の層を含む、請求項１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項１０】
前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、請求項１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項１１】
４００ナノメートルより小さい選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰埋込み位相シフトフォトマスクブランクを作製するための単一イオンビーム蒸着法であって、ガス群からのイオンによってターゲットをイオンビームスパッタリングすることによって、光透過材料の少なくとも１つの層および光吸収材料の少なくとも１つの層またはそれらの組合せを基板上に蒸着することを含む、方法。
【請求項１２】
前記光透過材料が、
（ａ）約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有する酸化物
（ｂ）約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有する窒化物、および
（ｃ）３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有するフッ化物、からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光透過材料が、
（ａ）Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、またはＧｅの酸化物、
（ｂ）Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃの窒化物、
（ｃ）Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、またはＬｕのフッ化物、
（ｄ）ダイヤモンド状炭素構造を有する炭素、からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光吸収材料が、元素の金属、及び元素周期表のＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、およびＶＩＢ族の金属酸化物および窒化物、およびダイヤモンド状構造を有する炭素、からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記光透過性成分が、ＳｉＯｘ、Ｓｉ３Ｎ４−ｙ、又はＣｒＦｚからなる群から選択され、
ｘ＝１．５〜２、
ｙ＝０〜１、
ｚ＝１〜３、である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
ガス群が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、Ｆ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ４、およびＣ２Ｈ２、およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
光吸収材料の少なくとも１つの層および光透過材料の少なくとも１つの層を含む、請求項１１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項１８】
光吸収材料層および光透過材料層の交互層からなる少なくとも１対の層を含む、請求項１１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【請求項１９】
前記選択されたリソグラフィ波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、および３６５ｎｍからなる群から選択される、請求項１１に記載のように作製されたフォトマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオンビーム蒸着技術を用いて、減衰（埋め込み）タイプとして本技術分野に周知の、フォトリソグラフィにおける位相シフトフォトマスクブランクの製造に関する。より具体的には、この発明は、入射光に対して１８０°で透過された光の位相を減衰および変化させる、短い波長（すなわち、＜４００ナノメートル）で用いられる減衰位相シフトフォトマスクブランクに関する。更に、この発明は、ブランクの上に元素材料の単純なまたは錯化合物の多層被覆を有するフォトマスクブランクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ミクロリソグラフィは、通常、フォトマスク通して、顕微鏡的回路パターンまたは画像をシリコンウエハ上に転写する方法である。コンピュータのマイクロプロセッサおよび記憶装置の集積回路の製造において、電子回路の画像は、感光性層またはレジスト上にマスクまたはステンシルを通して、通常、電磁波供給源によって映写され、シリコンウエハに適用される。一般に、マスクは、透明な石英基板上にこれらの回路の形体（ｆｅａｔｕｒｅｓ）でパターン化された「クロム」の層である。しばしば「バイナリ」マスクと称される、「クロム」マスクは、「クロム」が除去されたパターンを通して画像形成放射線を透過する。放射線は、「クロム」層が存在している領域で阻止される。
【０００３】
電子機器業界は、１００ｎｍより小さい臨界寸法まで高密度集積回路を製造するために光学リソグラフィの拡張を模索している。しかしながら、形体のサイズが小さくなるとき、光の特定の波長でウエハ上に形体の最小サイズを画像形成するための解像度が光の回折によって制限される。このため、短い波長の光、すなわち、＜４００ｎｍが、より微細な形体を画像形成するために必要とされる。光学リソグラフィの次世代に目標を定めた波長には、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー波長）、１９３ｎｍ（ＡｒＦレーザー波長）、および１５７ｎｍ（Ｆ２レーザー波長）以下、が挙げられる。しかしながら、入射光の波長が小さくなるとき、「焦点深度」（ＤｏＦ）またはプロセスの許容度もまた、次の式：
ＤｏＦ＝ｋ２（λ／ＮＡ２）
によって減少し、
式中、ｋ２が、所与のリソグラフィのプロセスの定数であり、λが画像形成光の波長であり、ＮＡ＝ｓｉｎθが、映写レンズの開口数である。より大きいＤｏＦは、ウエハ平面度およびフォトレジスト厚さの均一性の逸脱に対するプロセス許容度がより大きいことを意味する。
【０００４】
解像度およびＤｏＦは、破壊的な光学干渉によって、小さい回路の形体のパターン化の対比を増強する、位相シフトフォトマスクで所定の波長について改善されてもよい。このため、集積回路の形体の最小サイズが縮小し続けるとき、「位相シフトマスク」が、「バイナリ」マスクによる従来のフォトリソグラフィの適用を補い、且つ拡張するのにますます重要になる。例えば、減衰（埋め込み）位相シフトマスクにおいて、電磁放射線は、完全に阻止されるのではなく、同時に１８０°位相シフトされる間に、（減衰）非パターン化領域を通して洩れる。石英マスク上の「クロム」と比較して、位相シフトマスクは、微細な形体の印刷解像度および印刷方法の焦点深度を改善する。
【０００５】
光を減衰させてその位相を変化させる位相シフトフォトマスクおよびフォトマスクブランクの概念は、（特許文献１）（「Ｐｉ−移相減衰器を有するリソグラフィマスク」（“Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｍａｓｋ  ｗｉｔｈ  ａ  Ｐｉ−Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔｉｎｇ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ”））においてＨ・Ｉ・スミスによって明らかにされた。周知の減衰埋め込み位相シフトフォトマスクブランクの２つのカテゴリーには、（１）Ｃｒ、Ｃｒ−酸化物、Ｃｒ−炭化物、Ｃｒ−窒化物、Ｃｒ−フッ化物またはそれらの組合せを含有するＣｒベースのフォトマスクブランク、および（２）ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４をＭｏなどの不透明な金属でドープして酸化ケイ素モリブデン、窒化ケイ素モリブデン、またはオキシ窒化物を形成する、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４ベースのフォトマスクブランク、がある。
【０００６】
薄膜蒸着の物理的な方法が、フォトマスクブランクを製造するために好ましい。通常、真空室で行われるこれらの方法には、グロー放電スパッタ蒸着、シリンダーマグネトロンスパッタリング、平板型マグネトロンスパッタリング、およびイオンビーム蒸着法などがある。各方法の詳細な説明を、（非特許文献１）に見いだすことができる。薄膜マスクの製造方法は、ほとんど例外なく平板型マグネトロンスパッタリングである。
【０００７】
平板型マグネトロンスパッタリング構成は２つの平行なプレート電極からなる。すなわち、一方の電極は、スパッタリングによって蒸着される材料を保持し、陰極と呼ばれるのに対し、第２の電極または陽極は、被覆される基板が配置される場所である。ガス（例えば、Ａｒ）またはガスの混合物（例えば、Ａｒ＋Ｏ２）の存在下で負の陰極と正の陽極との間に印加された、ＲＦまたはＤＣのどちらかの電位が、そこからイオンが移動して陰極まで加速されるプラズマ放電（正のイオン化ガス種および負に帯電した電子）をつくり、そこにおいて、それらが基板上のターゲット材料をスパッタリングするかまたは蒸着する。陰極の近くに磁界が存在することにより（マグネトロンスパッタリング）、プラズマ密度、従ってスパッタ蒸着の速度を増す。
【０００８】
スパッタリングターゲットがクロム（Ｃｒ）などの金属である場合、Ａｒなどの不活性ガスでスパッタリングすることにより、基板上にＣｒの金属膜を製造する。放電がＯ２、Ｎ２、またはＣＯ２などの反応性ガスを含有するとき、それらは、ターゲットと結合／または成長膜表面において結合し、薄膜酸化物、窒化物、炭化物、またはそれらの組合せを基板上に形成する。
【０００９】
マスクが「バイナリ」である場合も位相シフト性である場合も、マスク膜を含む材料は通常化学的に複合しており、時々、化学的性質は膜厚によって格付けられる。単純な「クロム」マスクでさえも、膜の上面において酸化物リッチであり、膜の深部内により窒化物リッチである場合があるクロムオキシ−カルボ−ニトリド（ＣｒＯｘＣｙＮｚ）組成物である。上面の化学的性質が反射防止特性を与えるが、他方、化学的格付け（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｇｒａｄｉｎｇ）が、興味深い非等方湿潤腐蝕性質を提供する。
【００１０】
イオンビーム蒸着法（ＩＢＤ）において、プラズマ放電は一般に、別個のチャンバー内に収容され（イオン「ガン」または供給源）、ガンの「出口孔」の一連のグリッドに印加された電位によってイオンが抽出および加速される（グリッドがない他のイオン抽出方法もまた、可能である）。基板に荷電粒子を捕捉および移動させるプラズマが、ガンに閉じ込められ、成長膜に近接しないので、ＩＢＤ方法は、平板型マグネトロンスパッタリングと比較したとき、成長膜の表面により清浄なプロセス（付加された粒子がより少ない）を提供する。更に、ＩＢＤ方法は、従来のマグネトロンスパッタリングプロセスの少なくとも１０倍低い全ガス圧力で操作する（ＩＢＤの代表的な圧力は、〜１０−４トルである）。これは、化学物質の混入レベルの低減をもたらす。例えば、酸化物含有量の最小または全く無い窒化物膜を、イオンビームプロセスによって蒸着することができる。更に、ＩＢＤ方法は、蒸着フラックスおよび反応性ガスイオンフラックス（電流）およびエネルギーを独立に制御する能力を有するが、それらは、平板型マグネトロンスパッタリングにおいて独立に制御可能でない。低エネルギーであるが、高フラックスの酸素または窒素イオンで成長膜を衝撃させる単独のイオンガンで酸化物または窒化物または他の化合物を成長させる能力は、ＩＢＤ方法に固有であり、広いプロセス範囲にわたって膜の化学的性質および他の膜の性質の精密な制御を提供する。更に、複合イオンビーム蒸着法において、ターゲット、基板、およびイオンガンの間の角度を調節して膜の均一性および膜の応力を最適にすることができるのに対して、マグネトロンスパッタリングの幾何学的配置は本質的に、平行プレート電極システムに制約される。
【００１１】
マグネトロンスパッタリングは、あらゆる種類の被覆を再現可能に蒸着させるために電子機器業界で広く用いられるが、成長膜上に入射するイオンの方向、エネルギー、およびフラックスを調節することができないため、プラズマをスパッタリングするプロセス制御は正確ではない。多層の複雑な化学的性質を有するマスクを製造する新規な別のアプローチである、本明細書中で提案されたイオンビーム蒸着法（ＩＢＤ）において、これらの蒸着パラメータの独立の制御が可能である。
【００１２】
【特許文献１】
米国特許第４，８９０，３０９号明細書
【非特許文献１】
ヴォッセン（Ｖｏｓｓｅｎ）およびカーン（Ｋｅｒｎ）編、「薄膜プロセス」（“Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ”）、アカデミックプレス  ニューヨーク、１９７８年）
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、４００ナノメートルより小さい選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰位相シフトフォトマスクブランクを作製するための単一イオンビーム蒸着法であって、前記方法は、ガス群からイオンによってターゲットをイオンビームスパッタリングすることによって、光透過材料の少なくとも１つの層および光吸収材料の少なくとも１つの層またはそれらの組合せを基板上に蒸着することから本質的になる。
【００１４】
この発明はまた、４００ナノメートルより小さい選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法に関し、前記方法は、
（ａ）ガス群からのイオンによって少なくとも１つの一次ターゲットをイオンビームスパッタリングすることによって、光透過材料の少なくとも１つの層および光吸収材料の少なくとも１つの層またはそれらの組合せを基板上に蒸着させる工程と、
（ｂ）ガス群の補助供給源からの二次イオンビームを用いて光透過材料および光吸収材料の少なくとも１つの層、またはそれらの組合せを前記基板上に蒸着させる工程であって、前記層が直接、または前記補助供給源からのガスイオンと前記基板上に前記一次ターゲットから蒸着された前記材料との結合のいずれかによって形成される工程と、を含む。
【００１５】
更に、本発明は、４００ナノメートルより小さい選択されたリソグラフィ波長で１８０°の位相シフトを生じることができる減衰位相シフトフォトマスクブランクを作製するための複合イオンビーム蒸着法に関し、前記方法が、
（ａ）ガス群からのイオンによってターゲットをイオンビームスパッタリングすることによって、光透過材料の少なくとも１つの層および光吸収材料の少なくとも１つの層またはそれらの組合せを基板上に蒸着させる工程と、
（ｂ）反応性ガスからのイオンを有する補助供給源からの二次イオンビームによって前記基板を衝撃させる工程であって、前記反応性ガスが、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｆ２、ＣＨ４、およびＣ２Ｈ２からなる群から選択された少なくとも１つのガスである工程と、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本明細書中で用いた特定の用語を以下に定義する。
【００１７】
この発明において、用語「フォトマスク」（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）または用語「フォトマスクブランク」（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  ｂｌａｎｋ）は、パターン化および非パターン化フォトマスクブランクの両方を含める最も広い意味で本明細書中で用いられることが理解されねばならない。用語「多層」（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ）は、光吸収性、および／または光透過性膜の層からなるフォトマスクブランクを指すために用いられる。層は、極薄（１−２の単層）またはもっと厚くてもよい。相対的な層の厚さが、光学的性質を制御する。層状化は、周期的または非周期的であってもよく、層がすべて同じ厚さを有してもよく、またはそれらは各々、異なっていてもよい。
【００１８】
「焦点深度」（Ｄｅｐｔｈ  ｏｆ  Ｆｏｃｕｓ）の意味は、画像のデフォーカス許容度が形形の規格限度内である、映写レンズから映写された光の収束面の上および下の領域である。
【００１９】
位相シフトおよび光透過性の精密な制御のほかに、減衰位相シフトマスクはまた、過酷な化学洗浄サイクルに耐えなくてはならず、画像形成放射線による損傷または変化に耐性であり、パターン化する間に腐蝕選択性を有し、光学検査をしてパターン化された形体の修復および確認を促進することができなくてはならない。精密な厚さおよび化学物質組成の柔軟度を有する光吸収性および光透過性層からなる、多層構造体、または光学超格子が、これらの要件を満たすことができる。
【００２０】
単一イオンビーム蒸着法
単一イオンビーム蒸着法の代表的な構成を図２に示す。この装置は、大気ガスがバキュームポンプによって排気されたチャンバー内にあることが理解される。単一ＩＢＤ方法において、電圧の印加されたイオンビーム（通常、電子供給源によって中和された）を、蒸着ガン（１）からターゲットホルダー（３）上のターゲット材料（２）に誘導する。衝撃イオンがその特定材料のスパッタリングしきいエネルギー、典型的には〜５０ｅＶ、よりも高いエネルギー、を有するとき、ターゲット材料（２）がスパッタされる。蒸着ガン（１）からのイオンは通常、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガス供給源から得られるが、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２、Ｆ２、ＣＨ３、またはそれらの組合せなど反応性ガスもまた用いることができる。これらのイオンが不活性ガス供給源から得られるとき、ターゲット材料（２）をスパッタリングし、次いで基板ホルダー（５）の上に示された、基板（４）上に膜として蒸着させる。これらのイオンが反応性ガス供給源から得られるとき、それらはターゲット材料と結合することができ、この化学結合の生成物は、スパッタされて基板上に膜として蒸着される生成物である。
【００２１】
一般に、衝撃イオンは数百ｅＶのエネルギーを有するのがよい。２００ｅＶ〜１０ｋｅＶの範囲が好ましい。イオンフラックスまたは流れは、実用的な蒸着速度（＞０．１ｎｍ／分）を維持するために十分に高いのがよい（＞１０１３イオン／ｃｍ２／ｓ）。典型的には、プロセス圧力は、約１０−４トルであり、好ましい範囲は、１０−３〜１０−５トルである。ターゲット材料は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、などの元素であってもよく、またはそれがＭｏｘＳｉｙなどの多成分であってもよく、またはそれがＳｉＯ２などの化合物であってもよい。基板を、厚さ、均一性および最小応力などの膜性質を最適にするターゲットまでの距離および向きで配置することができる。
【００２２】
１つの膜性質、例えば、光学透明性を達成するためのプロセスウィンドウまたは許容度を、下に記載したように、複合イオンビーム蒸着法によって広げることができる。同様に、１つの特定の膜性質を、複合イオンビームプロセスによって性質の他の組とは独立に変化させることができる。
【００２３】
複合イオンビーム蒸着法
複合イオンガンの構成を図１に図解的に示す。複合イオンビーム蒸着法（ＤＩＢＤ）において、上に記載したような単一イオンビーム蒸着法のプロセス設備のほかに、通常、電子供給源によって中和された、第２のまたは「補助」ガン（６）を、基板（４）上の成長膜に向けることができる。このガンからのイオンは、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２、Ｆ２などの反応性ガス供給源、またはＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、またはそれらの組合せなどの不活性ガスから得ることができる。補助ガンからのイオンのエネルギーは通常、蒸着ガン（１）からのエネルギーより低い。補助ガンは、成長膜表面においてスパッタされた原子と反応する低エネルギーイオンの調節可能なフラックスを提供する。基板に達するスパッタされたＳｉ原子は、補助ガンからの窒素イオンと反応してＳｉＮｘを形成することができ、膜中のＮの、Ｓｉに対する比（ｘ）は、成長膜表面に達するＳｉおよび窒素フラックスを調節することによって、独立に制御され得る。この構成の補助ガンを用いて薄膜層を直接に蒸着させることもまた、可能である。例えば、ドラズ（Ｄｒｕｚ）らは、ＣＨ４によるイオンビーム蒸着法によってダイヤモンド状炭素の蒸着について記載している（「ＲＦ誘導性結合ＣＨ４−プラズマ供給源からのダイヤモンド状炭素（ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎ）のイオンビーム蒸着法」（“Ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎ  ｆｒｏｍ  ａｎ  ＲＦ  ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ＣＨ４−ｐｌａｓｍａ  ｓｏｕｒｃｅ”）、Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ８６−８７、１９９６年、７０８−７１４ページ）。
【００２４】
「補助」イオンについては、より低いエネルギー、典型的には＜５００ｅＶが好ましく、ほかの場合ならイオンは膜の望ましくない腐蝕または剥離を起こすことがある。剥離速度（ｒｅｍｏｖａｌ  ｒａｔｅ）の非常に高い極端な場合では、剥離速度が蓄積または成長速度を超えるため、膜の成長はごくわずかである。しかしながら、いくつかの場合、膜の直接蒸着については、または低減された応力のために、より高い補助エネルギーが成長膜に有益な性質を与えることがあり、その場合、これらのより強力なイオンの好ましいフラックスは通常、蒸着原子のフラックスより少ないことが必要とされる。
【００２５】
複合ＩＢＤ方法によって、これらの蒸着操作の何れかを組み合わせてより複雑な構造体を作製することができる。例えば、減衰位相シフトマスクとして有用な、ＳｉＮｘおよびＴｉＮｙの多層を、膜が補助ガンからの反応性窒素イオンによって衝撃されるときに元素のＳｉおよびＴｉターゲットから交互に蒸着させることによって作製することができる。多層積層体中の層が１６０ｎｍより低い紫外線で適用するための減衰位相シフトマスクとして前に提案された、ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４多層におけるように酸化物から窒化物に交互に並ぶ場合、Ｓｉターゲットによる複合イオンビーム蒸着法は、従来のマグネトロンスパッタリング技術よりも有意の利点を提供する。Ｓｉ原子が蒸着されるときに複合ＩＢＤ内の補助供給源をＯ２とＮ２との間で急速に切り替えることができるのに対して、反応性マグネトロンスパッタリングは、窒化物層をスパッタリングするために窒化物リッチ表面を形成する前に移動させられなくてはならないターゲット表面上の酸化物層を生じる。更に、酸化物層に窒化物層を重ねることは、石英に対してパターン化フォトマスクの検査のために重要な、より長い波長での光学対比を改善することができる。金属酸化物および窒化物の光学的性質がリソグラフィ波長で等しいことがあり、従って光透過性が同じであるのに対して、金属窒化物がそれらの相応する酸化物より光学的に吸収性であるより長い波長、例えば４８８ｎｍおよび３６５ｎｍで扱う検査用具は、そこで、より高い光学対比、パターン化フォトマスクの検査および修復の利点を提供する。
【００２６】
単一イオン供給源を用いるイオンビーム蒸着法によってＳｉ３Ｎ４などの複合的な化学的性質を有する膜を作製することが可能であるが、前記プロセスは、複合イオンビーム蒸着法についてはより制約が多い。ファング（Ｈｕａｎｇ）らの「単一イオンビームスパッタ蒸着法によって蒸着された窒化ケイ素薄膜の構造および組成の研究」（Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｓｔｕｄｉｅｓ  ｆｏｒ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｂｙ  ｓｉｎｇｌｅ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｓｐｕｔｔｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ２９９（１９９７年）１０４−１０９は、ビーム電圧が約８００Ｖの周囲の狭い範囲であるとき、Ｓｉ３Ｎ４の性質を有する膜が形成されるにすぎないことを明らかにした。窒化物ターゲットを単一イオン供給源によって最初に用いることができるが、蒸着速度は実用的でないほどに緩慢である場合があり、窒化物ターゲットの純度は概して元素のターゲットより低い。複合イオンビームスパッタリングするときに、補助供給源からの窒素原子のフラックスを独立に調節して、広範囲のプロセス条件にわたっておよび実用的な蒸着速度で蒸着イオン供給源からの蒸着Ｓｉ原子のフラックスを整合させることができる。
【００２７】
この発明は、リソグラフィマスクの被覆に使用するための元素とは異なった、化合物などの複合材料を蒸着させるためのイオンビーム蒸着法に関する。かかる材料の実施例には、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮの他、Ｓｉ３Ｎ４／ＴｉＮ、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＳｉＯ２／ＴｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２またはＣｒＦ３／ＡｌＦ３などの化合物材料の多層、などがあるがこれらに制限されない。
【００２８】
この発明は、特定の入射波長について、約１８０°の位相シフトを有するフォトマスクブランクの多層膜の蒸着のための新規な技術を提供し、従って、フォトマスクを製造するために有用である。通常、前記膜は基板上に蒸着させられる。基板は、用いられた入射光の波長に対して透明である何れの機械的安定性材料であってもよい。基板はまた、反射性基板であってもよい。石英、融解シリカ（ガラス）、およびＣａＦ２などの基板は利用度およびコストのために好ましい。
【００２９】
この発明は、光吸収性層および光透過性層を有する光学減衰膜のイオンビーム蒸着法を提供する。吸収性成分は、４００ｎｍより短い波長について吸光係数ｋ＞０．１（好ましくは０．５〜３．５）を特徴とし、他方、透過性成分は、４００ｎｍより短い波長について吸光係数ｋ＜＜１．０を特徴とする。吸収性成分の４００ｎｍより短い波長について屈折率は好ましくは、約０．５〜約３であり、透過性成分の屈折率は好ましくは、約１．２〜約３．５である。
【００３０】
好ましいイオンビーム蒸着法材料を、二成分化合物のクラス、すなわち、ＡＸ、ＡＸ２、Ａ２Ｘ、およびＡｍＸｚ、またはそれらの組合せに属するような結晶化学構造に分類することができ、ｍおよびｚが整数であり、Ａがカチオン、Ｘがアニオンを表す。化学的中性を維持することで一定した、空孔（ｖａｃａｎｃｉｅｓ）を含めて、両方の部位（Ａ、Ｘ）の部分的な化学置換が可能である。
【００３１】
好ましくは、この発明は、ＳｉＮｘ／ＴｉＮｙの多層のイオンビーム蒸着法を具体化し、式中、ｘが公称約１．０〜約１．３の範囲であり、ｙが約１．０である。ＳｉＮｘ／ＴｉＮｙ多層が、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍでの特定の適用によるリソグラフィの減衰位相シフトマスクとして提案されている。以前には、ＴｉＮ／ＳｉＮ位相シフトマスクが、マグネトロンスパッタリングによって作製されていた。
【００３２】
減衰膜の光透過性成分は、金属酸化物、金属窒化物、および金属フッ化物、および炭素の光透過性の形状、の群から選択されてもよい。減衰膜の酸化物ベースの光透過性成分は好ましくは、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、およびＺｒなどの約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有する酸化物から選択され得る。減衰膜の窒化物ベースの光透過性成分は好ましくは、Ａｌ、Ｓｉ、ＢおよびＣの窒化物などの約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有する窒化物材料から選択され得る。減衰膜のフッ化物ベースの光透過性成分は好ましくは、ＩＩ族元素、またはランタニド元素（原子番号５７−７１）のフッ化物などの約３ｅＶより大きい光学バンドギャップエネルギーを有するフッ化物などの材料から選択され得る。光透過性炭素は、本質的に炭素から選択されてもよく、その特定の分画がｓｐ３  Ｃ−Ｃ結合を有する炭素と称されることがある、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）として本技術分野に同様に周知のダイヤモンド構造を有する。その広範囲の光学的性質のために、ＤＬＣは吸収性または透過性層のどちらかとして機能することができる。酸化物、フッ化物、窒化物、およびＤＬＣのうちの１つ以上の組合せもまた、イオンビーム蒸着法によって蒸着することができる。
【００３３】
減衰膜の光吸収性成分は、元素の金属、金属窒化物、酸化物およびそれらの組合せから選択されてもよい。減衰膜の酸化物ベースの吸収性成分は好ましくは、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、およびＶＩＢ族の酸化物など、減衰膜の透過性成分の光学バンドギャップエネルギーより小さい光学バンドギャップエネルギーを有する材料から選択され得る。減衰膜の窒化物ベースの光吸収性成分は好ましくは、ＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、およびＶＩＢ族の窒化物など、約３ｅＶより小さい光学バンドギャップエネルギーを有する材料から選択され得る。金属、酸化物、および窒化物のうちの１つ以上の組合せもまた、イオンビーム蒸着法によって蒸着させることができる。
【００３４】
前記膜の光吸収性層および前記膜の光透過性層は、周期的または非周期的な配列でイオンビーム蒸着法されてもよい。好ましくは、前記膜の光吸収性層および前記膜の光学透明層は、交互の配列で蒸着される。
【００３５】
光学的性質
光学的性質（屈折率「ｎ」および吸光係数「ｋ」）は、光の反射および透過性のデータと共に、１．５−６．６５ｅＶのエネルギー範囲に相応する、１８６−８００ｎｍから３つの入射角で可変角分光楕円偏光法（ｖａｒｉａｂｌｅ  ａｎｇｌｅ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃ  ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ）により確認された。光学的性質のスペクトル依存の知識から、１８０°の位相シフト、光透過率、および反射率に相応する膜厚を計算することができる。概して、Ｏ．Ｓ．ヘブンズ（Ｏ．Ｓ．Ｈｅａｖｅｎｓ）著、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、ニューヨーク州、ドーバー、５５−６２ページ、１９９１年（本願明細書にその内容を引用したものとする）を参照のこと。
【実施例】
【００３６】
実施例１および２、ＳｉＮ／ＴｉＮ多層
ＴｉＮ／ＳｉＮ多層を、ＳｉおよびＴｉターゲットから「ヴィーコ」（Ｖｅｅｃｏ）ＩＢＤ−２１０機器内で複合イオンビーム蒸着法によって作製した。ＴｉおよびＳｉからの交互蒸着を、７５０Ｖの電圧および１６０ｍＡのビーム電流で作動する蒸着源によって行った。６ｓｃｃｍのＡｒガスを蒸着源に供給した。基板上の成長膜におけるチッ化物形成は、５０Ｖおよび２０ｍＡの電流で作動する別個のイオン補助供給源から窒素イオンで前記膜を衝撃させることによって達成され、８ｓｃｃｍの窒素が補助供給源に供給された。基板は、厚さ１／４インチ、６×６インチの四角形の石英プレートであった。以下の膜組成物を、ＴｉおよびＳｉターゲットから交互に蒸着させることによって合成した。
（１）１５×（１．２ｎｍのＴｉＮ＋５．６８ｎｍのＳｉＮ）および
（２）１５×（１．４５ｎｍのＴｉＮ＋５．４３ｎｍのＳｉＮ）
【００３７】
式（１）が交互のＴｉＮおよびＳｉＮ層の多層構造に相当し、それぞれ、厚さ１．２ｎｍ（ＴｉＮ）および５．６８ｎｍ（ＳｉＮ）である。次に、この二層構造体を１５回、繰り返し、各々、厚さ１．２ｎｍのＴｉＮ、および厚さ５．６８ｎｍのＳｉＮの１５の独立層に相当し、１０３．２ｎｍの全膜厚に相当する。同じ解釈が、厚さ１．４５ｎｍのＴｉＮおよび厚さ５．４３ｎｍのＳｉＮを用いる、式（２）に適用される。
【００３８】
（１）および（２）の両方を、次に、集積回路製造に重要なリソグラフィ波長、２４８ｎｍで光の透過性および位相シフトを直接に測定する「レーザーテック」（ＬａｓｅｒＴｅｃ）ＭＰＭ２４８用具で測定した。結果は、（１）１８０．４度の位相シフト、８．８４％の、石英に対しての光学透過性、および（２）１８０．９度の位相シフト、６．５％の、石英に対しての光学透過性であった。これらの両方が、６％±０．５および９％±０．５の公称透過性を有し、２４８ｎｍでの２つの一般に用いられる位相シフトマスクの光学要件を満たす。
【００３９】
実施例３、４、５：ＳｉＯＮ／ＴｉＯＮ多層
これらの実施例において、ＴｉＯＮ／ＳｉＯＮ多層を、ＳｉおよびＴｉターゲットから市販用具（「ヴィーコ」（Ｖｅｅｃｏ）ＩＢＤ−２１０）内で複合イオンビーム蒸着法によって作製した。オキシ窒化物、特にＳｉＯＮの光吸収がＳｉＮの光吸収より小さいので、わずかな濃度のＯ２を補助イオン供給源内のＮ２に添加することにより、１９３ｎｍでの位相シフトマスクの適用について光透過性を増大させる効果を有した。位相シフトマスクのより高い透過性は、光学対比あるいは印刷の解像度を増強することができる。ＳｉＯＮ／ＴｉＯＮ多層を、ＴｉおよびＳｉターゲットから交互に蒸着させることによって合成した。蒸着イオンビーム供給源を、７５０Ｖの電圧および１６０ｍＡのビーム電流で操作し、他方、Ｎ２およびＯ２を有する補助供給源を、５０Ｖおよび２０ｍＡの電流で操作した。Ａｒの６ｓｃｃｍを蒸着源に供給し、他方、Ｎ２の６ｓｃｃｍおよび１０％のＯ２／９０％のＮ２混合物の２ｓｃｃｍを補助供給源に供給した。基板は、厚さ１／４インチ、６インチの四角形の石英プレートであった。３つの多層フィルム組成物を合成し、（３）、（４）および（５）として示した。それらは公称で、
（３）１０×（０．５ｎｍのＴｉＯＮ  ＋７．０ｎｍのＳｉＯＮ）
（４）１０×（１．０ｎｍのＴｉＯＮ  ＋６．５ｎｍのＳｉＯＮ）
（５）１０×（１．５ｎｍのＴｉＯＮ  ＋６．０ｎｍのＳｉＯＮ）
であった。
【００４０】
分光計を用いて１９３ｎｍでの光透過性を測定すると、（３）１４．３％、（４）８．７％、および（５）６．０％であった。透過性は空気に対してであり、それらは、１９３ｎｍでの実用的な位相シフトマスクのために必要とされる透過性の全範囲に及ぶ。これらの組成物の１９３ｎｍでの位相シフトの推定値（２４８ｎｍでの直接測定値による）は、１７０〜１６５度、あるいは約２．２７〜２．２０度／ｎｍの範囲である。従って、これらの多層の全膜厚を約５ｎｍ増大させることにより、１９３ｎｍでの位相シフトマスクの適用に有用な、１２．７％〜５％の範囲の計算された透過性について約１８０度の位相シフトを生じる。コアー電子エネルギーのＸ線光電子分光分析と組み合わせたオキシ窒化物膜の深さ方向のプロファイル（Ａｒイオンによるスパッタリング）により、単独層の化学組成を確認すると、Ｔｉ０．４８Ｏ．１２Ｎ．４０およびＳｉ．４８Ｏ．０８Ｎ．４４であった。
【００４１】
単一イオン供給源を用いるイオンビーム蒸着法によって、Ｓｉ３Ｎ４などの複合的な化学的性質を有する膜を作製することが可能であるが、そのプロセスは複合イオンビーム蒸着法のプロセスより制約が多い。「単一イオンビームスパッタ蒸着によって蒸着された窒化ケイ素薄膜の構造および組成の研究（“Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｓｔｕｄｉｅｓ  ｆｏｒ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ｂｙ  ｓｉｎｇｌｅ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｓｐｕｔｔｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ”）」Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ  ２９９（１９９７年）１０４−１０９においてハング（Ｈｕａｎｇ）らは、ビーム電圧が約８００Ｖの周囲の狭い範囲であるとき、Ｓｉ３Ｎ４の性質を有する膜が形成されるだけであることを示した。窒化物ターゲットを単一イオン供給源と共に最初に用いてプロセス許容度が改善することができるが、蒸着速度は実用的でないほどに緩慢である場合があり、窒化物ターゲットの純度は概して、元素のターゲットより低い。複合イオンビームスパッタリングするときに、補助供給源からの窒素原子のフラックスを独立に調節して、広範囲のプロセス条件にわたっておよび実用的な蒸着速度で蒸着イオン供給源からの蒸着Ｓｉ原子のフラックスを整合させることができる。
【００４２】
１９３ｎｍでのマスクの適用にそれを魅力的にするＳｉＮの１つの性質は、その相対的に低い光吸収である。具体的には０．４５より小さい、好ましくは０．４より小さい吸光係数（ｋ）が、位相シフトマスクの適用に必要とされる。次の４つの実施例（実施例６、７、８、９）において、低および高ビーム電圧で単一イオン供給源および複合イオンビーム供給源からイオンビーム蒸着されたＳｉＮ膜の光学的性質の比較がなされる。注目すべきことは、単一イオン供給源から低電圧で蒸着されたＳｉＮだけが十分に低い光吸収（吸光係数）を有するのに対して、低い吸収が複合イオンビームプロセスによって低および高ビーム電圧で達成でき、そこにおいて、より高い蒸着速度が可能である。
【００４３】
実施例６：単一イオンビーム供給源（７００Ｖ）によるＳｉＮ
窒化ケイ素膜を、７００Ｖのビーム電圧および２５ｍＡのビーム電流で操作する３ｃｍの市販（コモンウェルス社（Ｃｏｍｍｏｎｗｅａｌｔｈ，  Ｉｎｃ．））イオンビーム供給源を用いて、１．５インチ×１．０インチ×０．２５インチの石英基板上にＳｉターゲットから蒸着した。蒸着ガスは、６ｓｃｃｍのＮ２および１．３７ｓｃｃｍのＡｒであった。２時間の蒸着が、位相シフトマスクの適用に好ましい、吸光係数ｋ＝０．３９に相応する、１９３ｎｍでの光透過性が１５．７％、厚さ５８０Ａの膜（４．８３Ａ／分）を生じた。
【００４４】
実施例７：単一イオンビーム供給源（１３００Ｖ）によるＳｉＮ
窒化ケイ素膜を、１３００Ｖのビーム電圧および２５ｍＡのビーム電流で操作する３ｃｍの市販（コモンウェルス社（Ｃｏｍｍｏｎｗｅａｌｔｈ，  Ｉｎｃ．））単一イオンビーム供給源を用いて、１．５インチ×１．０インチ×０．２５インチの石英基板上にＳｉターゲットから蒸着した。蒸着ガスは、６ｓｃｃｍのＮ２および１．３７ｓｃｃｍのＡｒであった。２時間の蒸着が、位相シフトマスクの適用には大きすぎる、吸光係数ｋ＝０．７１に相応する、１９３ｎｍでの光透過性が１．４％にすぎない、厚さ８７５Ａの膜（７．２９Ａ／分）を生じた。
【００４５】
実施例８：複合イオンビーム供給源（１５００Ｖ／５０Ｖ）によるＳｉＮ
この実施例において、窒化ケイ素膜を、Ｓｉターゲットから市販用具（「ヴィーコ」（Ｖｅｅｃｏ）ＩＢＤ−２１０）内で複合イオンビーム蒸着法によって作製した。５０Ｖおよび３０ｍＡの電流で操作する、第２の補助イオンビーム供給源からの窒素イオンで成長膜を窒化しながら、Ｓｉからの蒸着を、１５００Ｖの電圧および２００ｍＡのビーム電流で操作する一つのイオンビーム蒸着源によって実施した。Ａｒの６ｓｃｃｍを蒸着源に供給し、他方、８ｓｃｃｍのＮ２を補助供給源に供給した。基板は、厚さ１／４インチ、６インチの四角形の石英プレートであった。１５分の蒸着が、位相シフトマスクの適用に好ましい、吸光係数ｋ＝０．４２８に相応する、１９３ｎｍでの光透過性が８．２％、厚さ７９５Ａの窒化ケイ素膜（５３Ａ／分）を生じた。
【００４６】
実施例９：複合イオンビーム供給源（６００Ｖ／５０Ｖ）によるＳｉＮ
この実施例において、窒化ケイ素膜を、Ｓｉターゲットから市販用具（「ヴィーコ」（Ｖｅｅｃｏ）ＩＢＤ−２１０）内で複合イオンビーム蒸着法によって作製した。５０Ｖおよび１５ｍＡの電流で操作する、第２の補助イオンビーム供給源からの窒素イオンで成長膜を窒化しながら、Ｓｉからの蒸着を、６００Ｖの電圧および１４０ｍＡのビーム電流で操作する一つのイオンビーム蒸着源によって実施した。Ａｒの６ｓｃｃｍを蒸着源に供給し、他方、８ｓｃｃｍのＮ２を補助供給源に供給した。基板は、厚さ１／４インチ、６インチの四角形の石英プレートであった。４０分の蒸着が、位相シフトマスクの適用に好ましい、吸光係数ｋ＝０．４０６に相応する、１９３ｎｍでの光透過性が３．７％、厚さ１２１５Ａの窒化ケイ素膜（３０．４Ａ／分）を生じた。
【００４７】
実施例８および９は、ＳｉおよびＮの蒸着フラックスが単独の供給源によって独立に制御され得るので、位相シフトマスクの適用のために必要とされた、低光吸収ＳｉＮは、複合イオンビーム蒸着法によって広いプロセス範囲にわたって維持され得ることを検証する。単一供給源（実施例６および８）をＳｉおよびＮのフラックス両方に用いられたとき、好ましい光学的性質を有する窒化ケイ素膜を製造する狭い範囲の操作条件があるにすぎない。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】複合イオンビーム蒸着法の略図である。
【図２】単一イオンビーム蒸着法の略図である。
【図１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004525423.tif 000026
2004525423.tif 000027
【国際調査報告】
2004525423.tif 000028
2004525423.tif 000029
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