(57)【要約】本発明は、１つの電圧制御されるスイッチ（１）を備え、該スイッチは１つの送信機入力側（２）および１つの受信機入力側（３）並びに１つの出力側（４）を有しておりかつ入力側（２，３）の１つを選択的に出力側に導電接続し、かつ低域フィルタ（５，６）を形成する受動素子を備え、低域フィルタはスイッチの送信機入力側（２）に導電接続されており、該受動素子は多層セラミック受動モジュールの構成部分であり、該受動モジュールは上下に積み重ねられている誘電体層（８）と導電層（９）とから成る基体（７）を含んでおり、かつスイッチ（１）は基体（７）の上側または下側に配置されているという、電気的な回路モジュールに関する。更に本発明は、回路モジュール装置および回路モジュール並びに回路モジュール装置の使用に関する。電圧制御されるスイッチ（１）に基づいて、回路モジュールは非常に僅かな電流消費で実現することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの電圧制御されるスイッチ（１）を備え、該スイッチは１つの送信機入力側（２）および１つの受信機入力側（３）並びに１つの出力側（４）を有しておりかつ入力側（２，３）の１つを選択的に出力側に電気的に導電接続し、
低域フィルタ（５，６）を形成する受動素子を備え、低域フィルタはスイッチの送信機入力側（２）に導電接続されており、
該受動素子は多層セラミック受動モジュールの構成部分であり、該受動モジュールは上下に積み重ねられている誘電体層（８）と導電層（９）とから成る基体（７）を含んでおり、
スイッチ（１）は基体（７）の上側または下側に配置されており、
ここでスイッチ（１）はＫ＞１個の送信機入力側（２）およびＬ＞１個の受信機入力側（３）を有しておりかつ入力側（２，３）の１つを選択的に出力側（４）に導電接続し、
回路モジュールの受動素子はＫ個の低域フィルタ（５，６）を形成し、
それぞれの低域フィルタ（５，６）はそれぞれの送信機入力側（２）に導電接続されており、
電圧制御されるスイッチ（１）は出力側（４）−アンテナ出力側−に直接接続されており、かつ
それぞれの低域フィルタ（５，６）はスイッチ（１）の相応の送信機入力側）２）に直接接続されている
電気的な回路モジュール。
【請求項２】
スイッチ（１）は＜１０μＡのスイッチング電流を有している
請求項１記載の回路モジュール。
【請求項３】
スイッチ（１）は＜１ｄＢの挿入減衰を有している
請求項１または２記載の回路モジュール。
【請求項４】
バンドパスフィルタ（１０，１１，１２）を含んでおり、該バンドパスフィルタは基体（７）の上面または下面に配置されておりかつ受信機入力側（３）に導電接続されている
請求項１から３までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項５】
受動モジュールにおける受動素子の数は１０より小さい
請求項１から４までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項６】
スイッチ（１）はＧａＡｓテクノロジーにおいて製造された集積回路から成っている
請求項１から５までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項７】
高さ（ｈ）は１．８ｍｍより小さい
請求項１から６までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項８】
それぞれの低域フィルタ（５，６）は、ＧＳＭ，ＰＣＮおよびＰＣＳから選択された、種々異なっている移動無線標準に対して適している
請求項４から７までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項９】
受動モジュールに集積されている付加的な受動素子を有しており、該素子は少なくとも１つのバンドパスフィルタ（１０，１１，１２）を形成し、該バンドパスフィルタは受信機入力側（３）に導電接続されている
請求項１から８までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項１０】
ＬＴＣＣテクノロジーにおいて製造されている
請求項１から９までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項１１】
基体（７）の上面または下面にデコーダ（１８）が配置されており、該デコーダは制御出力側（Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５）および制御入力側（Ｅ１，Ｅ２およびＥ３）を有しており、かつ
デコーダ（１８）の制御出力側（Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５）はスイッチ（１）の制御入力側（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５）に制御線路（１９）を用いて接続されている
請求項１から１０までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項１２】
増幅器を含んでおり、増幅器の受動構成要素は受動モジュールに集積されておりかつ増幅器の能動構成要素は基体（７）の上面または下面に配置されている
請求項１から１１までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項１３】
低域フィルタ（５，６）は高次のフィルタである
請求項１から１２までのいずれか１項記載の回路モジュール。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の回路モジュールを備えている回路モジュール装置において、
それぞれの送信機入力側（２）は低域フィルタ（５，６）を介して送信機増幅器（１３）に接続されており、
それぞれの受信機入力側（３）はバンドパスフィルタ（１０，１１，１２）を介して受信機増幅器（１４）に接続されており、
かつ出力側（４）はアンテナ（１５）に接続されている
回路モジュール装置。
【請求項１５】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の回路モジュールまたは請求項１４記載の回路モジュール装置の、移動無線装置のフロントエンドモジュールとしての使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、１つの送信機入力側および１つの受信機入力側並びに１つの出力側を有しておりかつ入力側の１つを出力側に選択的に導電接続する１つのスイッチと、該スイッチの送信機入力側に導電接続されている低域フィルタを形成する受動構成素子とを備えている電気的な回路モジュールに関する。
【０００２】
スイッチがＰＩＮダイオードから組み合わされて成り、従って電流制御されるものである冒頭に述べた形式の回路モジュールが公知である。その際１０ないし１５のセラミック層を備えているＬＴＣＣ多層セラミックに集積されている低域フィルタが使用される。このような回路モジュールは移動電話に対するマルチバンド・フロントエンドモジュールとして使用されかつ少なくとも２つの異なっている周波数帯に対してそれぞれ１つの受信機入力側および送信機入力側を有している。
【０００３】
この種の公知の回路モジュールは次の種々の機能を果たす：
機能１：  使用される周波数帯をアンテナに結合する
機能２：  周波数帯を選択する
機能３：  送信モードおよび受信モード間を選択する
機能４：  電力増幅器から到来する信号をフィルタリングする
機能５：  アンテナを介して受信される信号をフィルタリングする
機能１および２は、受動構成要素から組み合わされて成りかつ受動モジュールに集積されているダイプレクサによって果たされる。機能３はＰＩＮダイオードを用いて実現されている切換スイッチによって果たされる。増幅器から到来する信号のフィルタリングは低域フィルタまたはバンドパスフィルタによって実現され、一方機能５に対してはモノリシックなマイクロ波セラミック、ＬＣフィルタ、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）および／またはＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）バンドパスフィルタが使用される。
【０００４】
公知の回路モジュールは、使用のダイオードスイッチがこれらの機能に対して１０ｍＡまでのスイッチング電流を必要とし、この電流がこのために必要な蓄電池電力によって主として移動電話の最大通話持続時間に不都合に作用するというという欠点を有している。
【０００５】
更に、公知の回路モジュールは挿入減衰が高いという欠点を有している。挿入減衰は、とりわけダイプレクサにとって必要な、コイルおよびコンデンサのような多数の構成要素が原因で生じ、切換スイッチを形成するダイオードとともにおよび送信フィルタとともに一層高い損失値（例えば＞１．０ｄＢ）へと加算される。
【０００６】
更に公知の回路モジュールは、一方における送信および受信の間および他方における周波数帯の間の種々の選択機能に基づいて、多数の受動素子が受動モジュールに集積されているという欠点を有しており、このために公知の回路モジュールの損失コストは高くなりかつ小型化の可能性は制限されることになる。
【０００７】
更に、ダイオードを使用することで例えば前置抵抗またはコンデンサのような別の受動構成要素を使用する必要が生じる。
【０００８】
更に、公知の回路モジュールには、多数の受動素子に基づいて多層セラミックの受動モジュールが、開発期間が相応に高められかつ変化した要求に整合する際のフレキシビリティが僅かであるという高度な複雑さを有している欠点がある。ＰＩＮダイオードの作動に対して必要である変換線路によって、受動モジュールの複雑さおよびその構造嵩が付加的に拡大される。
【０００９】
公知の回路モジュールは更に、これらによって、多数の種々の周波数帯ないし相応の切換機能の集積は切換機能のためにそれぞれ２つのダイオードを必要としているという事実に基づいてスペースの理由から実現可能でないという欠点を有している。
【００１０】
更に、砒化ガリウムスイッチが積層体上に載着されている、冒頭に述べた形式の回路モジュールが公知である。その際低域フィルタはディスクレートな素子として積層体上のスイッチの隣に載着されている。
【００１１】
この回路モジュールは、それが非常に大きなスペースを要求し、それ故に移動電話基板の外部に配置しなければならないという欠点を有している。
【００１２】
従って本発明の課題は、非常に僅かなスイッチング電流で間に合いかつ僅かなスペースしか要求しない回路モジュールを提供することである。
【００１３】
この課題は本発明によれば請求項１の回路モジュールによって実現される。本発明の有利な実施形態、回路モジュール装置および回路モジュールの使用はその他の請求項から読み取れる。
【００１４】
本発明は、１つの送信機入力側および１つの受信機入力側並びに１つの出力側を有しておりかつ入力側の１つを選択的に出力側に導電接続する１つの電圧制御されるスイッチを備えている電気的な回路モジュールを提供する。更に電気的な本発明の回路モジュールは低域フィルタを形成する受動素子を備え、低域フィルタはスイッチの送信機入力側に導電接続されている。その際受動素子は多層セラミックとして実現されている受動モジュールの構成部分である。受動モジュールは上下に積み重ねられている誘電体層と導電層とから成る基体を有している。回路モジュールのスイッチは基体の上側または下側に配置されている。
【００１５】
更に本発明は本発明の回路モジュールを備えている回路モジュール装置に関し、その際それぞれの送信機入力側は低域フィルタを介して送信機増幅器に接続されておりかつそれぞれの受信機入力側はバンドパスフィルタを介して受信機増幅器に導電接続されている。更に、回路モジュールの出力側はアンテナに接続されている。この種の回路モジュール装置は例えば移動電話において利用することができ、このために本発明の回路モジュールおよび回路モジュール装置の、移動無線装置のフロントエンドモジュールとしての有利な使用は本発明の別の対象である。
【００１６】
本発明の回路モジュールは、スイッチが、電流を用いてではなく、電圧を用いて切り替えられ、従って極めて僅かな電流消費しか有していないという利点を有している。これにより、高い電流消費を有しているダイオードを使用しなくてもすむ。更に、コンデンサまたは前置抵抗のような、ダイオードの作動に対して必要な付加的な受動構成要素を使用しなくてすむ。従って、本発明の回路モジュールは電流消費が僅かであるという利点およびあまり複雑でないという利点を有する。
【００１７】
これらの利点は回路モジュールにも回路モジュール装置ないし回路モジュールの使用にも当てはまる。
【００１８】
更に、回路モジュールのスイッチが１０μＡより僅かなスイッチング電流を有しているようにすれば特別有利である。これにより、非常に僅かな電流消費しか有していない回路モジュールが実現される。
【００１９】
更に、スイッチが＜１０μＡのスイッチング電流を有しているようにすれば、特別有利である。これにより、非常に僅かな電流消費を有している回路モジュールが実現される。
【００２０】
更に、スイッチが＜１ｄＢの挿入減衰を有しているようにすれば有利である。これにより、本発明の回路モジュールを使用する、移動無線装置の送信ないし受信電力が改善される。
【００２１】
本発明の別の有利な実施形態は、基体の上面または下面に配置されておりかつ受信機入力側に導電接続されているバンドパスフィルタを含んでいる回路モジュールに関する。その際バンドパスフィルタは基体の適当な空所に配置されるようにしてもよい。更にバンドパスフィルタは受信機入力側と導電接続されている。バンドパスフィルタとして特別有利には例えばＬＣフィルタ、ＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタまたはマイクロ波フィルタを使用することができる。
【００２２】
スイッチングのために使用される公知のダイオードと比べて電圧制御されるスイッチの所要スペースが僅かであるということに基づいて、本発明の回路モジュールでは、無線信号の受信のために必要なバンドパスフィルタを電圧制御されるスイッチと一緒に基体の一方の側に集積しかつその場合に回路モジュールの全体の所要スペースが僅かであって集積密度を高めることが可能になる。セラミックの強磁性またはフェリ磁性の使用によって、一層高いインダクタンス値の集積ないし同時に高いＱの場合の小型化も行うことができる。
【００２３】
本発明の回路モジュールは、スイッチがＫ＞１個の送信機入力側およびＬ＞１個の受信機入力側を有していることで、殊にマルチバンド・フロントモジュールとして実現することができる。その際スイッチは入力側の１つをその出力側に選択的に導電接続する。電気的な回路モジュールの受動素子はＫ個の低域フィルタを形成し、低域フィルタはそれぞれ、それぞれの送信機入力側と導電接続されている。
【００２４】
この種の回路モジュールは、スイッチが送信と受信との切り替え機能の他に、種々の周波数帯間の切換も可能にするという利点を有している。殊に、適当な数ＫおよびＬ（Ｋ＝２，３，４…およびＬ＝２，３，４…）の選択によっても、本発明の回路モジュールによって多数の種々異なった周波数を処理することができる。それ故に、本発明の回路モジュールのそれぞれの低域フィルタが、ＧＳＭ，ＰＣＮ，ＰＣＳまたは別の移動無線規格から選択される種々の移動無線規格に対して適しているようにすれば殊に有利である。従って本発明の回路モジュールは種々の移動無線周波数に割り当てておくことができる種々異なった送信機入力側間を切り換えることができる。これにより、マルチバンドモジュールを実現することができる。
【００２５】
この種の回路モジュールは更に、冒頭に説明した従来技術によれば種々の周波数帯間の選択のために必要であるダイプレクサを使用しなくてすむ。その結果として、受動モジュールには僅かな数の受動構成要素しか集積されていないという利点が生じ、これにより開発コストが低減されるないし回路モジュールを変更された要求に整合する際のフレキシビリティが高められる。
【００２６】
受動モジュールの受動構成要素の数が低減されることで更に、構造嵩が低減され、しかも回路モジュールの所要スペースも低減されるという利点が得られる。
【００２７】
これにより殊に、高さが１．８ｍｍより低い回路モジュールを実現することが可能になり、これによりこの種の回路モジュールは、移動無線装置を製造する会社の標準寸法に相応しているという利点を有している。
【００２８】
回路モジュールの電圧制御されるスイッチは特別有利には、それがＧａＡｓテクノロジーにおいて製造されている集積回路を含んでいるように構成することができる。この種の集積回路は例えば電界効果トランジスタをベースとして製造することができる。砒化ガリウムテクノロジーにおいて製造されているスイッチは複数の利点を有している：このスイッチは高速で、挿入減衰に関して僅かな損失しか有しておらず、更にそれは申し分ない高周波特性を有している。
【００２９】
付加的に、受動モジュールに有利な実施形態において、別の受動素子を有しており、該受動素子は少なくとも１つのバンドパスフィルタを形成し、該バンドパスフィルタは受信機入力側に導電接続されている。基体の上側ないし下側において外部に配置されているバンドパスフィルタに代わって、この場合アンテナを介して受信される信号の引き続く処理のために必要とされるバンドパスフィルタは既に回路モジュールに非常にコンパクトな形態において集積されることになるので、必要な所要スペースを更に一層低減することができる。
【００３０】
本発明の回路モジュールは特別有利にはＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ）テクノロジーにおいて製造することができる。ここで考えているのは、＜１０００℃である比較的低い焼結温度におけるセラミックグリーンシートの同時焼成である。低い焼結温度におけるセラミックシートのこのような同時焼成は、銅電極（酸素含有量が低減されている場合の焼結）または銀電極を導電層として使用することができるという利点を有している。両方の材料は申し分ない高周波特性によって特徴付けられている。同時焼成により、コンパクトな、モノリシックな素子の製造プロセスは高速化される。
【００３１】
電圧制御スイッチとして砒化ガリウムスイッチを使用することができる。この種のスイッチはそれぞれの入力側ないし出力側に対して１つの制御入力側を必要とする。相応にスイッチのそれぞれの制御入力側は制御線路に接続されなければならない。その際制御入力側は制御線路によって、１つの制御入力側がまさに「ハイ」にセットされかつ別の制御入力側が「ロー」にセットされているようにセットされる。これにより、スイッチに対する正確に定義されたスイッチ位置が調整設定される。
【００３２】
制御線路の数を低減するために、スイッチに対して付加的に、入力側に加えられる論理信号を電圧制御されるスイッチの制御のために適している制御信号に変換するデコーダが設けられているようにすれば特別有利である。有利にはデコーダは、基体の上面または下面に配置されている。デコーダの制御出力側は制御線路を介してスイッチの制御入力側に接続されている。デコーダの制御入力側の数はスイッチの制御入力側の数に比べると低減されており、これにより外部から引っ張ってくるべき制御線路の数は有利にも低減されている。デコーダの入力側に加わる信号は２進数に相応し、その際複数の入力側に切換状態「ハイ」が加わっているようにしてもよい。これらの入力信号はデコーダによって、デコーダ出力側において僅か１本の制御線路しか信号「ハイ」を有していないように変換される。
【００３３】
本発明の別の有利な実施形態において回路モジュールは増幅器を含んでおり、増幅器の受動構成要素は受動モジュールに集積されておりかつ増幅器の能動構成要素は基体の上面または下面に配置されている。増幅器として例えば“Ｐｏｗｅｒ−Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ”または“Ｌｏｗ−Ｎｏｉｓｅ−Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ（ＬＮＡ）”が考えられる。ＬＮＡは例えば、バンドパスフィルタが受動モジュールに集積されている場合に必要とされる。この場合、ＬＮＡはバンドパスフィルタの後ろで切り替えられる。上述した増幅器は回路モジュールの付加的な機能性を使用することができ、そのために、これらを回路モジュールに集積することが有利である。
【００３４】
更に、受動モジュールに集積されている低域フィルタが高次のフィルタであると有利である。この種のフィルタは例えば、インダクタンスによって相互に接続されている２つのコンデンサから成っているπフィルタの拡張によって実現される。πフィルタの拡張はインダクタンスをバイパスして付加的なコンデンサによって実現することができる。これによりフィルタに対する付加的な極が得られ、これによりフィルタは殊に、基本周波数ｆ０の高次の高調波を減衰するのに適している。砒化ガリウムスイッチを低電圧で作動する際に基本周波数ｆ０のこの種の高次の高調波はまさしく生じているので、高次の低域フィルタを本発明の回路モジュールにおいて使用して、このような障害となる高次の高調波を抑圧することは有利である。
【００３５】
次に本発明を実施例およびこれに対応している図に基づいて詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明の回路モジュール装置における本発明の回路モジュールを簡単なブロック回路図で示し、
図２は、本発明の電気的な回路モジュールの例を断面略図で示し、
図３は、デコーダが使用された本発明の回路モジュール例をブロック線図で示している。
【００３７】
図１は、１つの出力側４並びに２つの送信機入力側２および３つの受信機入力側３を有しているスイッチ１を備えた回路モジュールを示している。更に回路モジュールは２つの低域フィルタ５，６を有しており、その際低域フィルタ５はＧＳＭ周波数帯用にかつ低域フィルタ６はＰＣＮ／ＰＣＳ周波数帯用に設計しておくことができる。スイッチ１は入力側２，３の１つを選択的にその出力側４に接続する。回路モジュールは更に、バンドパスフィルタ１０，１１，１２を有している。これらは受信機入力側３に接続されている。バンドパスフィルタ１０はＧＳＭ周波数に整合されており、バンドパスフィルタ１１はＰＣＮ周波数に整合されておりかつバンドパスフィルタ１２はＰＣＳ周波数に整合されている。バンドパスフィルタ１０，１１，１２は別個の素子として基体の上側または下側に配置されているようにすることができるが、受動モジュールに集積されている受動素子から構成されるようにしてもよい。
【００３８】
本発明の回路モジュール装置に関してスイッチ１の送信機入力側２は送信機増幅器１３に導電接続されている。送信機増幅器１３は低域フィルタ５，６のように無線周波数ＧＳＭないしＰＣＮ／ＰＣＳに整合されている。受信機入力側３はバンドパスフィルタ１０，１１，１２を介して受信機増幅器１４に導電接続されており、その際受信機増幅器１４は周波数帯ＧＳＭ，ＰＣＮないしＰＣＳに整合されている。スイッチ１の出力側４はアンテナ１５に接続されている。そこでアンテナ１５によって受信された信号はスイッチ１を用いてバンドパスフィルタ１０、バンドパスフィルタ１１またはバンドパスフィルタ１２に転送されるようにすることができ、そこでこれらは使用の無線周波数次第でフィルタリングされかつ増幅器１４において更に処理される。送信機増幅器１３から供給される信号は低域フィルタ５，６によってフィルタリングされかつ選択的にアンテナ１５に供給されて信号が送信される。
【００３９】
図２には、誘電体層８およびこれらの間に配置されている導電層９を有する多層セラミックを含んでいる基体７を備えた回路モジュールが示されている。誘電体層８は、例えばコンデンサに対する誘電体機能を有しているセラミック層である。例えばセラミックとしてガラス成分を備えたＡｌ２Ｏ３セラミックを使用することができる。この種のセラミックは典型的には、損失が低い場合７．８の有効誘電率εを有している。
【００４０】
誘電体層の他に、回路モジュールは抵抗層を有している。これらは抵抗ペーストを導電層９に塗布することによって製造される。
【００４１】
誘電体層８の間に配置されている導電層９の他に、基体７はスルーホール１７を有している。これらは種々のレベルの導電層９を相互に導電接続している。導電層９は例えば銅層として実現されていてよい。基体７の下面に外部コンタクト１６が配置されている。これらを用いて回路モジュールは基板に固定はんだ付けしかつコンタクト形成されるようにすることができる。外部コンタクト１６は基体７の上面にも存在しているので、そこに電圧制御されるスイッチ１および場合により別の受動フィルタ構成要素も固定されかつコンタクト形成されるようにすることもできる。
【００４２】
スイッチ１は例えば接着および付加的なワイヤボンディングによって固定されかつ電気的にコンタクトされるようにできる。スイッチ１として有利には、Ａｌｐｈａ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ｉｎｃ． 社の型名 ＰＨＥＭＴ ＧａＡｓ ＩＣ Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ ＳＰＳＴ Ｓｗｉｔｃｈ ０． １−２ ＧＨｚ のようなＧａＡｓ多重スイッチが使用される。この種のスイッチは０．１および０．５ＧＨｚの間の周波数領域において０．８ｄＢの挿入減衰を有している。その際スイッチは、ＦＥＴを備えている、砒化ガリウムベースで製造された集積回路であり、ＦＥＴのピン面ははんだ付けによって基体７と接続されているようにすることができる。
【００４３】
図３には、アンテナ１５が接続されている出力側４を有する電圧制御されるスイッチ１が示されている。スイッチ１は送信機入力側ＴＸ１，ＴＸ２および受信機入力側ＲＸ１，ＲＸ２およびＲＸ３を有している。スイッチ１は制御入力側Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５を介して制御される。その際制御は、制御入力側Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５のちょうど１つが「ハイ」にセットされ、一方別の制御入力側は「ロー」にセットされているように行われる。スイッチ１に接続されているデコーダ１８によって、必要な入力側の数を低減することができる。デコーダ１８は例えば１アウト・オブ５デコーダであってよい。それは制御入力側Ｅ１，Ｅ２およびＥ３並びに制御出力側Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５を有している。制御出力側Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５は制御線路１９によってスイッチ１の制御入力側Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に接続されている。
【００４４】
デコーダ１８の入力側Ｅ１，Ｅ２およびＥ３に加わる論理信号の、スイッチ１の制御のために適している、スイッチ１の制御入力側Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に加わる信号への変換は次の変換表によって記述される：
表１：制御入力側Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５の、制御入力側Ｅ１，Ｅ２およびＥ３における論理状態に依存した論理状態。１＝「ハイ」および０＝「ロー」を意味している。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
本発明は図示の実施例には制限されず、請求項１に記載の一般化された形において規定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の回路モジュールの簡単なブロック回路図である。
【図２】
本発明の電気的な回路モジュール例の断面略図である。
【図３】
デコーダが使用された本発明の回路モジュール例のブロック線図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2004517583.tif 000025
【国際調査報告】
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