(57)【要約】関連するｐ+シンカ（２３）の両側に位置する複数組の並列ゲート・フィンガ（１１）と、ｐ+シンカ（２３）を短絡させるための金属クランプ（１４）を有するＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタにおいて、１組の各ゲート・フィンガ（１１）は、その特定のゲート・フィンガ（１１）と関連するｎ+ソース領域（２０）とｐ+シンカ（２３）を短絡させる個別の金属クランプ（１４）と関連している。ゲート・フィンガの各組と関連する個別の金属クランプ（１４）は、並列ゲート・フィンガ（１１）の間に延びるスロット（１５）によって離され、金属ランナ（１３）は、フィンガの各組と関連する個別の金属クランプ（１４）の間のスロット（１５）内をゲート・パッドから延びる。１組のゲート・フィンガの双方のゲート・フィンガ（１１）は、両端およびその長さに沿った既定の位置において、関連する金属ランナ（１３）に結合する。
2004534382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数組の並列ゲート・フィンガ（１１）であって、各ゲート・フィンガの組のゲート・フィンガ（１１）が関連するｐ+シンカ（２３）の両側に位置するゲート・フィンガと、前記ｐ+シンカ（２３）と前記ｐ+シンカ（２３）の両側にあるｎ+ソース領域（２０）を短絡させるために備えられた金属クランプ（１４）を有するＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタであって、
１組のゲート・フィンガの各ゲート・フィンガ（１１）は、当該特定のゲート・フィンガ（１１）に関連する前記ｎ+ソース領域（２０）と前記ｐ+シンカ（２３）を短絡させる個別の金属クランプ（１４）と関連し、
ゲート・フィンガの各組に関連する前記個別の金属クランプ（１４）は、前記並列ゲート・フィンガ（１１）の間に延びるスロット（１５）によって離され、
金属ランナ（１３）は、ゲート・フィンガの各組と関連する前記個別の金属クランプ（１４）の間の前記スロット（１５）内をゲート・パッドから延び、
１組のゲート・フィンガの双方のゲート・フィンガ（１１）は、それらの両端およびそれらの長さに沿った既定の位置において、前記関連する金属ランナ（１３）に結合する、ことを特徴とするＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のトランジスタにおいて、上記金属ランナ（１３）は、上記ｐ+シンカ（２３）上の誘電体層（２４）の上に備えられていることを特徴とする、上記トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（技術分野）
本発明は一般に、ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタ、特に、第３世代無線通信システムに使用されるトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
（発明の背景技術）
離散ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタは主に、無線電信基地局において使用される電力増幅器を構築するのに使用される。
【０００３】
従来のＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタの設計の一部の上面図が図１に示されている。トランジスタは、複数の並列ＬＤＭＯＳトランジスタ・セルを有し、そのうちの２つが図１に示されている。セルは、複数組のドレイン・フィンガ１、複数組のゲート・フィンガ２およびソース／バルク金属クランプ３を含む互いに組み合う指状構造をしている。ドレイン・フィンガ１およびゲート・フィンガ２は、それぞれ、図１に示されるように、トランジスタ・セルの相対する側にあるドレイン・フィーダ・バー４およびゲート・フィーダ・バー５に結合している。従来のＬＤＭＯＳパワー・トランジスタは、複数の並列セルを有している。
【０００４】
しかし、第３世代（３Ｇ）無線システムは、ＲＦパワー・トランジスタに対する新たな要求を生み出した。このこと自体が困難である、より高い周波数（＞２ＧＨｚ）が求められるだけではなく、厳密な直線性が求められるために、電力増幅器の設計者は、定格最高出力電力よりはるかに小さい電力でパワー・トランジスタを使用せざるを得なかった。トランジスタは、この抑えられた出力電力レベルにおいて作動、つまり高利得と高効率を実現しなければならなかった。
【０００５】
これらの新たな要求により、ＲＦパワー・トランジスタの設計者は、トランジスタの従来の「並列セル」設計をやめて、多少異なる設計に切替えることを余儀なくされた。３Ｇ設計は、従来の設計におけるセルの方向に対して９０度回転した、１つの互いに組み合うトランジスタ・セルのみを使用する。
【０００６】
この新しい設計における最大の利点は、活動トランジスタ領域当たりのトランジスタ外周をかなり減少させ、結果として出力静電容量を少なくし効率を高めることである。
【０００７】
ゲート外周を複数の並列セルを有するトランジスタと等しくするために、単一のセルは、より多くのフィンガを含むように縦横双方向において延長させる必要がある。トランジスタ・ダイ（die）の適当な縦横比を保つために、フィンガをより長くする必要もある。
【０００８】
３Ｇ設計の原理が図２に示されている。図２は、既知の３Ｇ・ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタの設計の一部の上面図である。図２においては１組のみが図示されているが、複数組のドレイン・フィンガ６は、共通ドレイン接着パッド（図示されていない）に結合している。図２においては１組のみが図示されているが、複数組のゲート・フィンガ７は、第１の金属層の部分によって、それらの末端およびそれらの長さに沿った既定の位置において、相互に結合している。このような相互結合部分８の１つが図２に示されている。ソース／バルク金属クランプ９もまたこの第１の金属層から生成され、相互結合部分の間を１組のゲート・フィンガ７の上に延びる。
【０００９】
上記のように、３Ｇ設計においてはより長いフィンガが不可避である。このことは、特にトランジスタのゲート側において問題となる。ゲート・フィンガは通常、抵抗率を減少させるために、上面に金属シリサイドの層を有することもある、高度にドーピングされたポリシリコンから生成されている。しかし、ゲート・フィンガにおける抵抗はかなり大きく、いくつかの点において、ゲート・フィンガの長さはトランジスタの性能に否定的な影響を与えることとなる。
【００１０】
トランジスタの既知の３Ｇ設計におけるこの問題の解決方法は、第２の金属層を採用することである。こうすることにより、ソース／バルク・クランプ９上に金属ランナ１０を設計することができる。金属ランナ１０は、誘電体層（図２においては図示されていない）によってクランプ９から絶縁されており、相互結合部分８を介して、ゲート・フィンガ７の長さに沿った既定の位置およびそれらのそれぞれの末端においてゲート・フィンガ７の組に結合している。金属ランナ１０の１つの端は、共通ゲート接着パッド（図示されていない）に結合している。
【００１１】
この結果、各ゲート・フィンガの効果的な長さは、２つのゲート相互結合部分の間の距離の半分に等しくなる。
【００１２】
しかし、トランジスタ設計において第２の金属層を採用すると、設計および製造工程の双方がより複雑となる。この関係において、図２において、ドレイン・フィンガ６は２つの金属層、つまり第１の金属層とその上の第２の金属層から成ることに留意すべきである。複数の余分な工程と共に２つの余分なマスク工程を、トランジスタ・ダイの製造工程に加えなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
（発明の概要）
本発明の目的は、これまでの既知のトランジスタほど製造工程が複雑でない、３Ｇ・ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このことは、主に長いゲート・フィンガの中間に接触する１つの金属層のみを使用する、本発明によるトランジスタによって達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明を、付随する図面を参照して以下により詳細に記述する。
【００１６】
（発明の説明）
図３は、本発明による３Ｇ・ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタの設計を示している。図２に示される２つの金属層を有する既知の３Ｇトランジスタとは異なり、本発明による３Ｇトランジスタは１つの金属層のみを有する。
【００１７】
図３に示される本発明によるトランジスタにおいて、ゲート・フィンガの各組のゲート・フィンガ１１は、金属層の部分によって、それらの末端およびそれらの長さに沿った既定の位置において相互に結合している。このような相互結合部分１２の１つが図３に示されている。
【００１８】
本発明により、共通ゲート接着パッド（図示されていない）に結合する金属ランナ１３が、ゲート・フィンガのそれぞれの組に対する相互結合部分１２と共に１つの部分として、ゲート・フィンガ１１の各組に対して生成される。
【００１９】
また本発明により、相互結合部分１２および金属ランナ１３と同じ金属層から生成された、個別のソース／バルク金属クランプ１４が、ゲート・フィンガの各組の各ゲート・フィンガ１１と関連付けられる。ゲート・フィンガの１組のそれぞれのゲート・フィンガ１１に関連付けられた金属クランプ１４は、各ゲート・フィンガの組の並列ゲート・フィンガ１１の間に延びるスロット１５によって離されている。
【００２０】
本発明により、金属ランナ１３は、金属クランプ１４の間のスロット１５において生成される。
【００２１】
相互結合部分１２と同じ金属層から生成されたドレイン・フィンガ１６の組、金属ランナ１３、および金属クランプ１４は、トランジスタの共通ドレイン接着パッド（図示されていない）に結合している。
【００２２】
図４は、本発明によるトランジスタの、図３の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図４においては、図３におけるのと同じ参照番号が同じ要素を示すために使用されている。
【００２３】
周知のように、トランジスタは、上部にｐ−エピタクシ（ｅｐｉ）１８を有するｐ＋基板１７に組み込まれ、交互になったｎ＋ドレイン領域１９およびｎ＋ソース領域２０から成る。ｎ＋ドレイン領域１９は、ｎ−ドリフト領域２１によってゲート１１から離されている。
【００２４】
ｐ型チャネル・ドーパントあるいはｐ−ウェル（ｗｅｌｌ）２２は、ゲート１１のソース側からその下を横方向に拡散される。
【００２５】
深いｐ＋拡散あるいはｐ＋シンカ（sinker）２３は、電流がｎ＋ソース領域２０からｐ＋基板１７に最小の電圧差で流れることを、金属クランプ１４がこれらの領域を互いに短絡させることによって、可能にする。
【００２６】
誘電体層２４は、ゲート・フィンガ１１を金属クランプ１４から、そして、金属ランナ１３をｐ＋シンカ領域２３から隔離する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来のＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタの設計を示す図である。
【図２】既知の３Ｇ・ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタの設計を示す図である。
【図３】本発明による３Ｇ・ＲＦパワーＬＤＭＯＳトランジスタの設計を示す図である。
【図４】図３に示される本発明によるトランジスタの線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004534382.tif 000014