(57)【要約】バイアス制御システムが、電気光学変調器（１０６）中の複合２次ひずみを低減するように適合される。このバイアス制御システムは、第１周波数の第１パイロット・トーン（１６２）と、第２周波数の第２パイロット・トーン（１６４）を生成するパイロット・トーン・ジェネレータ（１１０）を含む。第１トーンおよび第２トーンの周波数は、所定の周波数範囲にわたって所定の掃引速度で掃引され（１６６）、より広い周波数帯にわたるスペクトル的に拡散した３次ひずみ積に掃引され、パイロット・トーンの振幅を増加させることが可能となり、それによってバイアス制御回路の利得を向上させることが可能となる。このバイアス制御システムは、サンプリングした出力が第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トーンから生じるひずみ積を含む、電気光学変調器の出力をサンプリングするための光検出器（１１４）をさらに含み、電気光学変調器のバイアス点を制御するために、光検出器と、サンプリングした光出力中のひずみ積に基づいて誤差積（１１４ａ）を生成するためのパイロット・トーン・ジェネレータとに結合されたフィードバック制御回路（１１６）をさらに含む。好ましくは、このバイアス制御システムは、第１パイロット・トーンの周波数と、第２パイロット・トーンの周波数との間の差を、エクスカーション周波数の全範囲にわたって一定に保持し、固定周波数復調器およびフィルタの使用を可能とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学変調器のバイアス点を自動的に制御するためのバイアス制御システムであって、
第１周波数の第１パイロット・トーンと、第２周波数の第２パイロット・トーンとを生成するためのパイロット・トーン・ジェネレータであって、前記第１トーンおよび第２トーンの周波数が、所定の範囲の周波数にわたって、所定の掃引速度で掃引されるパイロット・トーン・ジェネレータと、
電気光学変調器の光出力をサンプリングするための光検出器であって、サンプリングした光出力が、前記第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トー
ンから得られるひずみ積を含む光検出器と、
電気光学変調器のバイアス点を制御するために、光検出器と、サンプリングした光出力中の前記ひずみ積に基づいて誤差信号を生成するためのパイロット・トーン・ジェネレータとに結合されたフィードバック・コントローラとを備えるバイアス制御システム。
【請求項２】
請求項１に記載したバイアス制御回路であって、前記第１トーンの第１周波数と、前記第２トーンの第２周波数との差が、周波数掃引全体にわたって一定であるバイアス制御回路。
【請求項３】
請求項２に記載したバイアス制御回路であって、前記パイロット・トーン・ジェネレータが、前記第１パイロット・トーンを生成するための第１発振器と、前記第２トーンを生成するための第２発振器とを備えるバイアス制御回路。
【請求項４】
請求項３に記載したバイアス制御回路であって、前記第１発振器および第２発振器が、電圧制御発振器を備えるバイアス制御回路。
【請求項５】
請求項３に記載したバイアス制御回路であって、前記所定の周波数範囲にわたって、前記所定の掃引速度で、前記第１トーンおよび第２トーンを生成するための前記第１発振器および第２発振器を駆動する第３周波数の掃引信号を生成する発振器をさらに備えるバイアス制御回路。
【請求項６】
請求項３に記載したバイアス制御回路であって、前記光検出器がフォトダイオードであるバイアス制御回路。
【請求項７】
前記フィードバック・バイアス・コントローラが、前記ひずみ積を選択するためのフィルタを備えるバイアス制御。
【請求項８】
電気光学変調器のバイアス点を自動的に制御する方法であって、
第１周波数の第１パイロット・トーンを生成するステップと、
第２周波数の第２パイロット・トーンを生成するステップと、
所定の周波数範囲にわたって、所定の掃引速度で前記第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トーンの周波数を掃引するステップと、
前記第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トーンから前記変調器の出力中のひずみ積を検出するステップと、
電気光学変調器のバイアス点を制御するための前記ひずみ積の関数として誤差信号を生成するステップとを含む方法。
【請求項９】
請求項８に記載した方法であって、前記第１トーンおよび第２トーンを掃引するステップが、第１トーンの第１周波数と、第２トーンの第２周波数との間の一定の差を維持するステップをさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項８に記載した方法であって、前記ひずみ積の関数として誤差信号を生成するステップが、前記ひずみ積を選択するために前記変調器の出力をフィルタリングするステップと、バイアス誤差を一意的に決定するために使用することのできるバイポーラ誤差信号を生成するステップとを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、一般に光ファイバ通信に関し、より詳細には、電気光学変調器用のバイアス制御方式に関する。
【０００２】
（背景）
典型的な光通信システムは、送信機、光チャネル（例えば光ファイバ）、および受信機を含む。送信機内では、光搬送波を送信すべき情報で変調するために、電気光学変調器がしばしば使用される。変調された搬送波は、光チャネルを通って受信機に送信され、受信機は搬送波から情報を受信する。
【０００３】
外部変調器は、一般に、光搬送波を情報信号で変調するために、様々な１３１０ｎｍおよび１５５０ｎｍネットワークで使用される。外部変調器は、周波数チャープをほとんど、または全く有さない、本質的に純粋な振幅変調を供給できると有利である。しかし、一般的な外部変調器は、しばしば本質的に非線形な装置である。そのため、外部変調器は、しばしば、２次以上の高調波など、その伝達関数の非線形効果を最小にするモードで動作する。一般に、動作点またはバイアス点を確立し、変調器の線形動作を維持するために、バイアス信号が電気光学外部変調器に印加される。
【０００４】
変調器技術における最近の進歩により、経時的に性能が比較的一定である変調器が得られるようになった。しかし、典型的な外部変調器のバイアス点は、温度変動、信号変動、製造公差、光反射、および他の環境因子のために変動する可能性がある。適切なバイアス点が維持されない場合、変調器は、偶数次高調波の生成や、出力のうちの１つにおける信号強度の低下を含む、より強い非線型性を示すことになる。このことにより、光通信リンクの最大ダイナミック・レンジが低下する可能性がある。したがって、外部変調器を使用する光通信システムは、一般に、変調器のバイアス点を最適化するための制御ループを含む。
【０００５】
外部変調器のバイアス点を制御するための１つの一般的な手法において、異なる周波数ｆ１およびｆ２の２つのパイロット・トーンが電気光学変調器に印加される。変調器がその電力半値点で動作していない場合、変調器は、２つのパイロット・トーンの和周波数（ｆ１＋ｆ２）および差分周波数（ｆ１−ｆ２）に位置するひずみ積ｆｄを、他の期間にその出力で生成する。ひずみ積の大きさは、所望のＤＣバイアス信号値と実際のＤＣバイアス信号値との間の誤差を示す。一例として、ひずみ積が０に等しい場合、変調器は、現在その電力半値点で動作しており、したがってバイアス誤差は存在していない。しかし、２次高調波エネルギーが存在する場合、バイアス誤差が存在し、バイアス誤差を０にするようにバイアス信号値が調整される。
【０００６】
偶数次ひずみをなくすように変調器が適切にバイアスされるとしても、変調器の性能が大きい奇数次ひずみを受ける可能性が高い。パイロット・トーンは、一般に、奇数次ひずみ積に関しては、例えば予歪回路を介して補正されないので、当該の周波数帯内にある奇数次ひずみ積が発生する。３次ひずみ積は、一般に、パイロット・トーンの大きさとおおよそ等しい大きさを有することになる。第３次ひずみ積の典型的な発現は、各ＲＦ搬送波上の側波帯として現れる。例えば、図１を参照して、例示の目的で、光伝送システムが１つのＲＦ搬送波ｆ１＝２００ＭＨｚと、２つのパイロット・トーンｆａ＝３００ｋＨｚおよびｆｂ＝４００ｋＨｚで動作すると仮定する。したがって、第３次ひずみ積は、この例では２００．７ＭＨおよび１９９．３ＭＨｚにそれぞれ対応する、ｆ１＋ｆａ＋ｆｂおよびｆ１−ｆａ−ｆｂに等しい周波数で生成する可能性がある。
【０００７】
実際には、パイロット・トーンは、バイアス・ポートまたはＲＦ入力ポートを介した注入によって、変調器中に導入することができる。パイロット・トーンがＲＦ搬送波と組み合わされ、ＲＦポート中に注入されるときに、いくつかの設計上の問題が生じる。まず、パイロット・トーンが、しばしば低周波数信号となることである。より高い周波数帯がしばしば他の応用例に対して割り振られるので（例えば、アナログ・リターン・パス応用例に対しては５ＭＨｚ〜４２ＭＨｚ）、このことは一般に事実である。加えて、許容される線型性および雑音性能を有する低周波数回路構成要素は、容易に入手可能である。
【０００８】
ＲＦ駆動回路の周波数応答の公差は、一般の光通信システムに関して、一般に約＋／−０．７５ｄＢ程度である。パイロット・トーンがＲＦ搬送波と組み合わされた場合、ＲＦ駆動回路の周波数応答の帯域幅は著しく増加する。典型的な帯域幅は、パイロット・トーン周波数によって定義される帯域の上端（一般に７４５ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）から帯域の下端までとなる可能性がある。このような広範な帯域幅によりＲＦ設計が損なわれる可能性がある。加えて、前述の３次ひずみを回避するために、予歪回路もパイロット・トーン周波数まで動作しなければならない。このこともＲＦ設計に対して制約を課す可能性がある。
【０００９】
パイロット・トーンがバイアス・ポートを介してＤＣバイアスと共に変調器に印加されるとき、前述の周波数応答および予歪に関する制約は除去される。しかし、ＲＦポートおよびＤＣポートは、共に同じ光導波路に対して動作するので、図１に示す３次ひずみはやはり生じる。３次ひずみは、パイロット・トーンの振幅を減少させることによって低減することができる。しかし、パイロット・トーンの振幅は、制御ループの検出電子装置のダイナミック・レンジより下に減少させることはできない。通常、最適な半値バイアス点に近づくとき、ひずみ積の大きさは、比較的急速に降下し、ひずみ積の検出および処理が難しくなる。加えて、典型的な送信機は、しばしば、ＳＮ限度に非常に近いパイロット・トーンの振幅で動作し、その結果、パイロット・トーンは変調器の全変調深さから除去されない。したがって、多くのシステムでは、３次ひずみを低減するためにパイロット・トーンの振幅を減少させることは実質上不可能であることがある。
【００１０】
パイロット・トーンが変調器のバイアス・ポート中に注入されるときに３次ひずみを低減する別の方法は、時間領域でトーンをパルスし、同時に制御ループを用いてそれを検出することである。しかし、バースト・モード同期制御ループは、設計および操作が難しい。
【００１１】
したがって、送信される光信号上に著しい３次ひずみ積を導入しない、マッハ−ツェンダ変調器などの電気光学変調器のバイアス点を制御するための手法が求められている。
【００１２】
（発明の概要）
本発明の一態様では、電気光学変調器のバイアス点を自動的に制御するためのバイアス制御システムは、第１周波数の第１パイロット・トーンと、第２周波数の第２パイロット・トーンとを生成するパイロット・トーン・ジェネレータを含む。第１トーンおよび第２トーンの周波数は、所定の周波数範囲にわたって、所定の掃引速度で掃引され、３次ひずみ積がより広い周波数帯にわたってスペクトル的に拡散し、パイロット・トーンの振幅を増加させることが可能となり、それによってバイアス制御回路の利得を向上させることが可能となる。
【００１３】
好ましくは、バイアス制御システムは、サンプリングした光出力が第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トーンから生じるひずみ積を含む、電気光学変調器の出力をサンプリングするための光検出器をさらに含み、変調器のバイアス点を制御するために、光検出器と、サンプリングした光出力中のひずみ積に基づいて誤差信号を生成するためのパイロット・トーン・ジェネレータとに結合されたフィードバック制御回路をさらに含む。
【００１４】
本発明の別の態様では、第１パイロット・トーンの周波数と、第２パイロット・トーンの周波数との間の差が、エクスカーション周波数の全範囲にわたって一定に保持される。
【００１５】
代替実施形態では、電気光学変調器のバイアス点を自動的に制御する方法は、第１周波数の第１パイロット・トーンを生成するステップと、第２周波数の第２パイロット・トーンを生成するステップと、所定の周波数範囲にわたって、所定の掃引速度で、第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トーンの周波数を掃引するステップと、第１パイロット・トーンおよび第２パイロット・トーンから生じる変調器の出力中のひずみ積を検出するステップと、変調器のバイアス点を制御するためのひずみ積の関数として誤差信号を生成するステップとを含む。
【００１６】
本発明の上記および他の特徴、態様、および利点は、以下の説明、添付の特許請求の範囲、および添付図面によってより良く理解されよう。
【００１７】
（発明の詳細な説明）
本発明の例示的実施形態では、外部光変調器の非線形効果を実質上低減させるために、フィードバック・バイアス制御システムを利用する。本発明の利点を理解するために、例示的光通信システムの状況で本発明を説明することが助けとなろう。
【００１８】
図２に、外部電気光学変調器１０６を利用する、典型的な光通信システム１００の機能ブロック図を示す。このシステムは光源１０２（例えば、レーザまたはレーザ・ダイオードなど）を含み、光源１０２は、ファイバまたは導波路１０８などの適切な伝送媒体を介して、光信号を電気光学変調器１０６に供給する。ここで説明する例示的実施形態では、電気光学変調器１０６は、マッハ−ツェンダ変調器でよい。光ファイバ１０８は、マッハ−ツェンダ変調器導波路の正しい電磁気モードに結合するために、光源の出力信号の偏光を維持することが好ましい。システム１００は、パイロット・トーン・ジェネレータ１１０、カップラ１１２、光検出器１１４、およびフィードバック・バイアス・コントローラ１１６をさらに含む。
【００１９】
図３を参照すると、マッハ−ツェンダ変調器は、一般に光通信システムで使用される。マッハ−ツェンダ変調器は、位相干渉法の原理に基づいて動作し、電子工学的方法または光学的方法によって線形化されるとき、他の入手可能な外部変調器に勝る優れた線型性性能を提供する。このマッハ−ツェンダ変調器のより線形な性能は、より長いファイバ・スパン（＞４０ｋｍ）の場合に特に有利である。変調器のＲＦ入力ポート１２０は、変調器内で光波を変調する入力信号を搬送する電気的データを受け取り、電気信号中のデータ内容を光波に転送する。
【００２０】
電気光学変調器１０６は、位相変調ポート１２２およびＤＣ電気バイアス入力ポート１２４をさらに含み、これらは、ある非線型ファイバ光学効果を克服するための直接位相変調を提供し、変調器の動作点を制御するためにそれぞれ使用される。マッハ−ツェンダ変調器は、一般に、主要面上に形成されたニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）導波路を備える。マッハ−ツェンダでは、光入力信号は、導波路中のＹ接合部１２６で、２つの等しい構成要素に分割される。「マッハ−ツェンダ」は、一般に、変調器と共に、導波路のＹ接合部およびアームも指す。各構成要素は、第２Ｙ接合部１２８で再結合されるまで、対応する導波路のアーム中を移動する。
【００２１】
導電性信号電極１３０、１３２、および１３４、ならびに複数の接地電極１３６が、導波路アーム近くのマッハ−ツェンダ変調器の導波路表面上に形成される。動作の際には、電極に印加される時間変化電圧がＩＯ装置基板で電場を生成し、それによって相対屈折率が変化し、したがって導波路アームの光パス長が変化する。光入力信号の変調は、アーム中の光信号の相対位相が電極を駆動する時間変化電気信号の瞬間振幅および方向に従って変動するために行われる。
【００２２】
したがって、２つの導波路が第２Ｙ接合部１２８で結合するとき、０度または１８０度の位相差により、それぞれ強め合う干渉または弱め合う干渉が生成され、それによって振幅変調光が得られる。様々な電気的入力、バイアス、およびＲＦは、そのそれぞれの電場を同じ導波路に印加する。
【００２３】
図４を参照すると、マッハ−ツェンダ変調器が光干渉原理または位相干渉法原理に基づいて動作するので、その振幅伝達関数は非常に非線形である。実際、出力光パワーは、入力電気的電圧の余弦の関数であり、その変曲点（半値点）について対称である。したがって、変調器の出力信号中の偶数次ひずみの生成を回避するために、ＤＣ電圧バイアス信号が変調器に印加され、変調器の電力半値点についての動作点が維持される。半値点は、伝達関数正弦曲線上の、傾き（すなわち光スループット／電圧）が最大となる点である。傾きの最大は、変調器の２つのアーム間の９０度の相対的位相ずれに対応する。
【００２４】
図４では、マッハ−ツェンダ変調器の光出力パワーが垂直軸上にプロットされており、入力バイアス電圧が水平軸上にプロットされている。例示の目的で、半値点をＶ０／２と示す。動作の際には、適切な動作のために、実際にはＶ０／２または−Ｖ０／２の任意の奇数倍で変調器をバイアスすることができる。例示の目的で、バイアス制御システムの例示的実施形態を、マッハ−ツェンダ変調器外部変調器を用いて例証した。しかし、ここで説明するバイアス制御システムは、どんな外部電気光学変調器と共に使用することもできることを当業者は理解されよう。したがって、マッハ−ツェンダ変調器外部変調器の状況の下での例示的バイアス制御システムの説明は、単に例示に過ぎず、限定的なものではない。
【００２５】
図５を参照すると、電気光学変調器１０６のＲＦ入力ポート１２０は、ＲＦ信号源１５０から、入力信号（例えばＲＦ信号）を搬送するデータを受け取る。受け取ったＲＦ入力信号は、前述のように電極間の電圧信号値の関数として光信号を変調するＲＦ電極（図示せず）に印加される。パイロット・トーン・ジェネレータ１１０は、異なる周波数ｆ１、ｆ２の２つのパイロット・トーンを生成し、これらはバイアス誤差信号と組み合わされ、次いで電気光学変調器に印加される。パイロット・トーンの周波数は、１００ｋＨｚ〜５ＭＨｚであることが好ましい。例示の目的で、ここで説明する例示的実施形態では、ｆ１が４００ｋＨｚに等しく、ｆ２が３００ｋＨｚに等しいと仮定する。加えて、差分周波数ジェネレータ１５２は、周波数ｆ１とｆ２の間の差を取り、その差分周波数の基準信号１５２（ａ）を生成し、基準信号１５２（ａ）は、フィードバック・バイアス・コントローラ回路に転送される。
【００２６】
システム１００は、電気光学変調器１０６から光出力の小部分１０６（ａ）をタップするビーム・スプリッタまたはカップラ１１２も含むことができる。小部分１０６（ａ）は約５〜１０％の範囲にあることが好ましく、光出力の残りは、光ファイバまたは他の適切な伝送媒体に結合される。本発明の例示的実施形態では、タップした信号１０６（ａ）は、フォトダイオード１１４の形態の光検出器に結合される。フォトダイオード１１４は、コンデンサとＡＣ結合することができるフィードバック信号１１４（ａ）を生成する。フィードバック信号は、タップした光出力信号１０６（ａ）の強度に比例する。
【００２７】
フィードバック信号１１４（ａ）は、信号を高Ｑ能動フィルタ１５６に供給する増幅器１５４に入力することができる。増幅信号１５４（ａ）は、情報信号のＲＦ搬送波、パイロット・トーン、ならびにバイアス点誤差を表すパイロット・トーン相互変調積をすべて含む。したがって、高Ｑフィルタ１５６は、まず望ましくない信号構成要素をフィルタリングすることによって、バイアス点誤差を表す相互変調積を選択する。
【００２８】
本発明の例示的実施形態では、パイロット・トーンの周波数ｆ１およびｆ２は、相対的に近接するように選ばれ、その結果、より大きな振幅基本パイロット・トーンから損なわれずに、差分周波数をより容易に検出することができる。例示の目的で、ｆ１を４００ｋＨｚに等しくし、ｆ２を３００ｋＨｚに等しくすることができ、その結果、差分周波数は（ｆ１−ｆ２）＝４００−３００＝１００ｋＨｚとなる。この１００ｋＨｚは、高Ｑフィルタ１５６の中心周波数として使用される。
【００２９】
この点で、相互変調積だけが残る。しかし、動作点は変曲点より上となることも、下となることもできるので、バイアス誤差を決定するためには、信号の振幅だけでは不十分である。しかし、動作の際には、相互変調積は、振幅が変曲点（図５Ａを参照）を通過するときに１８０度の位相ずれを受ける。この位相ずれを使用して位相感応検出を確立することができる。
【００３０】
ここで説明する例示的実施形態では、全波整流器１５８は、差分演算器１５２によって出力される同じ周波数で、基準トーン１５２（ａ）に対して同期式に相互変調信号１５６（ａ）を整流する。（この動作は、市販のロックイン増幅器と同様である。）このようにして、全波整流器および位相感応検出器１６０はバイポーラ誤差出力を生成する。このバイポーラ誤差出力を使用して、バイアス誤差を一意的に決定し、次いで様々な標準的技法のうちのいずれかを使用してこれを適切に補正することができる。例えば、フィードバック回路が比例制御に基づく場合、誤差信号は、バイポーラ誤差信号の極性および振幅のどちらにも比例することになる。
【００３１】
本発明の例示的実施形態では、パイロット・トーン・ジェネレータ１１０は、異なる周波数ｆ１およびｆ２で動作する、２つのパイロット・トーン基準発振器１６２および１６４を含むことができる。当技術分野で周知の通り、第３発振器１６６は掃引信号１６６（ａ）を生成し、掃引信号１６６（ａ）は、発振器１６２および１６４の周波数掃引入力に入力される。発振器１６２および１６４が電圧制御発振器、または当技術分野で周知の他の信号ジェネレータでよいことを当業者は理解されよう。周波数掃引の範囲は１０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚであることが好ましく、掃引速度は１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであることが好ましい。
【００３２】
共通基準掃引信号１６６（ａ）は発振器１６２および１６４を駆動し、ｆ１とｆ２の周波数間の一定の差を維持し、ｆ１およびｆ２の位相が基準発振器１６６に対して一定であることを保証する。コンバイナ１７０は、二重パイロット・トーン１６２（ａ）および１６４（ａ）を、位相感応検出器１６０によって出力される誤差バイアス信号と共に組み合わせる。次いで、組み合わせた信号１７０（ａ）は、変調器バイアス入力ポート１２４に注入される。最も標準的なマッハ−ツェンダ変調器１０６は、バイアス信号用の電極と、実際の情報信号用の電極の２つの電極しか含まないので、パイロット・トーンおよびバイアス誤差信号が組み合わされる。したがって、２つのパイロット・トーンはバイアス信号と共に組み合わされ、バイアス電極に印加される。
【００３３】
しかし、これは本発明の制限ではない。例えば２つのパイロット・トーンは、情報信号と組み合わせ、ＲＦ情報信号ポート１２０を介してマッハ−ツェンダ変調器に入力することもできる。あるいは、３つの電極を備えるマッハ−ツェンダ変調器または他の電気光学変調器を本発明で使用することもでき、バイアス信号、２つのパイロット・トーン、および情報信号が異なる電極に印加することができる。
【００３４】
ここで説明した例示的変調器バイアス制御システムにより、固定周波数の復調器およびフィルタの使用が可能となる。この実施形態では、第１パイロット・トーンの周波数と、第２パイロット・トーンの周波数との間の差はエクスカーション周波数の全範囲にわたって一定に保持される。有利なことに、パイロット・トーン１３２（ａ）および１３４（ａ）の周波数変調スペクトルは、ＲＦ搬送波に隣接する３次ひずみ積に関して、低振幅でスペクトル的に広がった信号を提示する。例示の目的で、搬送波周波数ｆｃ＝２００ＭＨｚ、ｆ１＝４００ｋＨｚ、ｆ２＝３００ｋＨｚとし、ｆ１およびｆ２を、発振器１３６によって速度１０ｋＨｚでそれぞれ＋／−５０ｋＨｚにわたって掃引することを考慮する。これは、ＦＭインデックス５に対応し、図６に示すひずみスペクトルを生成する。正味の効果は「統合ひずみパワー」が存在することであるが、より広い周波数帯にわたってスペクトル的に拡散する。したがって、パイロット・トーンの振幅を増加させることができ、それによってループの利得を向上させることができる。
【００３５】
本発明の好ましい実施形態を説明したが、添付の特許請求の範囲を制限するように解釈すべきではない。本発明は、図示し、説明した特定の配置および構造に限定されない。むしろ、本発明は、外部電気光学変調器システム用のすべてのバイアス制御フィードバック・システムと共に使用することができる。ここで説明した実施形態に様々な修正を行えることを当業者は理解されよう。
【００３６】
さらに、様々な技術分野の技術者に対して、本明細書の本発明自体は、他の課題に対する解決策や、他の応用例に対する適合を提案することになる。したがって、本実施形態をすべての点で、限定的なものではなく、例示的なものと見なし、かつ前述の説明を本発明の範囲を示すものとは見なさずに添付の特許請求の範囲を参照することが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ＲＦ搬送波の側波帯中の３次ひずみ積を有する電気光学変調器の周波数スペクトルのグラフである。
【図２】
本発明の例示的実施形態による、外部変調器およびパイロット・トーン・ジェネレータを有する光伝送システムの概略ブロック図である。
【図３】
本発明の例示的実施形態による、マッハ−ツェンダ変調器の概略図である。
【図４】
本発明の例示的実施形態による、図３のマッハ−ツェンダ変調器の伝達関数のグラフである。
【図５】
本発明の例示的実施形態による、電気光学変調器用のバイアス・フィードバック制御システムでパイロット・トーンを生成するためのパイロット・トーン・ジェネレータを有する光通信システムの概略ブロック図である。
【図５Ａ】
本発明の例示的実施形態による、変調器バイアス信号の振幅および位相伝達関数のグラフである。
【図６】
図５のパイロット・トーン・ジェネレータによって生成されたパイロット・トーンの周波数スペクトルのグラフであって、ＲＦ搬送波に隣接する３次ひずみ積の振幅を減少させるために、パイロット・トーンがスペクトル的に広がっている信号であるグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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