(57)【要約】物理蒸着（ＰＶＤ）構成材形成方法は、該構成材内に十分な量の応力を誘発させて、該構成材により示される透過磁束を、該応力が誘発される前に示される透過磁束と比較して増大させることを含む。本法は、前記誘発応力のみでは表面グレイン外観を実質的に変化させるのに十分でないところで、前記応力を誘発させる前に前記構成材の主要結晶構造を（２００）で配向させることを更に含む。構造を配向することは、構成材板片を断面積の少なくとも約８０％減少まで第１回冷間加工することを含む。冷間加工した構成材板片は、その構成材板片の少なくともほぼ最小再結晶化温度で加熱処理され得る。応力を誘発させることは、加熱処理した構成材の断面積の約５％〜約１５％の間の減少まで第２回冷間加工をし得る。第１回及び第２回の冷間加工の少なくとも１つが単一方向性であり得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理蒸着（ＰＶＤ）構成材形成方法であって、該構成材内に十分な量の応力を誘発させて、該構成材により示される透過磁束を、該応力が誘発される前に示される透過磁束と比較して増大させることを含んでなる方法。
【請求項２】
十分な量の応力を誘発させることが、約５％〜約１５％の間の断面積の減少までの冷間加工を含んでなる、請求項１の方法。
【請求項３】
前記誘発応力のみでは表面グレイン外観を実質的に変化させるのに十分でないところにおいて、前記応力を誘発させる前に前記構成材の主要結晶構造を（２００）で配向させることを更に含んでなる、請求項１の方法。
【請求項４】
前記主要結晶構造を配向させることは、構成材板片を、断面積の少なくとも約８０％減少まで冷間加工してから、該構成材板片の少なくともほぼ最小再結晶化温度で加熱処理することを含んでなる、請求項３の方法。
【請求項５】
断面積の前記減少が少なくとも約８５％である、請求項４の方法。
【請求項６】
前記構成材が、少なくとも選択された境界内の少なくとも約５０％の表面積上に（２００）テキスチャーを示す、請求項１の方法。
【請求項７】
前記構成材が、５０ミクロン未満の平均グレインサイズを示す、請求項１の方法。
【請求項８】
前記構成材が、面心立方結晶構造を有する材料から本質的になる、請求項１の方法。
【請求項９】
前記構成材が、本質的にニッケルからなる、請求項１の方法。
【請求項１０】
ＰＶＤ構成材形成方法であって、
構成材板片を断面積の少なくとも約８０％減少まで第１回冷間加工すること；
該冷間加工した構成材板片を、該構成材板片の少なくともほぼ最小再結晶化温度で加熱処理すること：及び
該加熱処理した構成材板片を、該加熱処理構成材の断面積の約５％〜約１５％の減少まで第２回冷間加工すること；
を含んでなる方法。
【請求項１１】
前記第２回冷間加工した構成材板片が、少なくとも選択した境界内の少なくとも約５０％の表面積上に（２００）テキスチャーを示す、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記第２回冷間加工した構成材板片が、少なくとも約７０％の該表面積上に（２００）テキスチャーを示す、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記第１回及び第２回の冷間加工の少なくとも１つが冷間圧延を含んでなる、請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記構成材板片がスパッターターゲット板片を含んでなる、請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記構成材板片が本質的にニッケルからなる、請求項１０の方法。
【請求項１６】
前記第１回及び第２回の冷間加工が約２０℃（６８°Ｆ）で起こる、請求項１０の方法。
【請求項１７】
前記第１回及び第２回の冷間加工の少なくとも一つが、単一方向性である、請求項１０の方法。
【請求項１８】
前記第１回及び第２回の冷間加工の双方が単一方向性であり、且つ各々同じ方向である、請求項１０の方法。
【請求項１９】
前記加熱処理が：
該冷却加工した構成材板片を、少なくともその最小再結晶化温度まで約６０分間未満内に実質的に均一に加熱すること；及び
該冷間加工した構成材板片を、少なくともその最小再結晶化温度で約６０分間未満、維持すること；
を含んでなる、請求項１０の方法。
【請求項２０】
前記加熱処理が流動床炉で行われる、請求項１０の方法。
【請求項２１】
前記加熱処理が、約３７１℃（７００°Ｆ）〜約６４９℃（１２００°Ｆ）の間で起こる、請求項１０の方法。
【請求項２２】
前記加熱処理が、約４２７℃（８００°Ｆ）〜約４８２℃（９００°Ｆ）の間で起こる、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記第２回冷間加工による断面積の減少が約１０％である、請求項１０の方法。
【請求項２４】
スパッター構成材形成方法であって、
構成材板片を、断面積の少なくとも約８０％減少まで単一方向に第１回冷間加工すること；
該冷間加工した構成材板片を、該構成材板片の少なくともほぼ最小再結晶化温度で加熱処理すること：及び
該加熱処理した構成材板片内に十分な量の応力を誘発させて、該加熱処理した構成材板片により示される透過磁束を、該応力が誘発される前に示される透過磁束と比較して増加させること；
を含んでなる方法。
【請求項２５】
前記応力を誘発させることは、前記加熱処理した構成材板片を、該加熱処理構成材の断面積の約５％〜約１５％の減少まで単一方向に第２回冷間加工すること；
を含んでなる、請求項２４の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、物理蒸着（ＰＶＤ）構成材、例えばスパッターターゲット、及びＰＶＤ構成材とスパッターターゲットの形成方法に関し、ＰＶＤ構成材についての磁束増強方法を含む。
【０００２】
【発明の背景】
スパッタリングは、半導体プロセシング並びに他の加工及び製造にしばしば使用される一般的な物理蒸着（ＰＶＤ）法である。ターゲットのようなＰＶＤ構成材の特性は、蒸着した膜により発揮される特性への影響を変動させる。グレインサイズは、蒸着膜不均一性に影響することが知られており、それはおそらくは約１００ミクロン未満である。さらに、グレインサイズが増大するに従い、２度目の再結晶化として知られる現象が観察され、そこでは、極度に大きなグレイン（約２００ミクロンを大きく超える）の離隔領域が構成体材料中に見られる。第２の再結晶化は、蒸着膜不均一性への不都合ともなり得る。構成体材料の他の特性は、蒸着膜不均一性をもたらし得るので、同じようにターゲット寿命を制限し得る。
【０００３】
従って、スパッタリングターゲットのグレインサイズを低下させ、蒸着膜の形成及びターゲット寿命を延ばすことに有益な材料特性を同定するというニーズが存在する。
【０００４】
【発明の要旨】
本発明の一つの側面において、ＰＶＤ構成材形成方法は、その構成材中に応力を誘発させることを含み、誘発される応力の量は、その構成材により示される透過磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｐａｓｓ ｔｈｒｏｕｇｈ ｆｌｕｘ）が応力の誘発前に示される透過束と比較して増大するのに十分な量である。本法は、誘発した応力のみでは表面グレイン出現を実質的に変化させるのに不十分なところで、応力の誘発前にその構成材の主要結晶構造を（２００）で配向させることを更に含む。
【０００５】
本発明の他の側面において、物理蒸着（ＰＶＤ）構成材形成方法は、構成材板片を断面積における少なくとも約８０％減少まで第１回冷間加工することを含む。その冷間加工した構成材板片を、その構成材板片の少なくともほぼ最小再結晶化温度で加熱処理してから、その加熱処理した構成材の断面積における約５％〜約１５％の間の減少まで第２回冷間加工し得る。例によれば、第１回目と第２回目の冷間加工の少なくとも１つが冷間圧延を含んでなる。その構成材板片は、本質的にニッケルからなることができる。第１回目と第２回目の冷間加工の少なくとも一つが単一方向性であることができ、その加熱処理は流動床炉で行い得る。また、その加熱処理は、冷却加工した構成材板片を少なくとも最小再結晶化温度まで約６０分間未満内に実質的に均一に加熱することを含むことができる。その冷間加工した構成材板片は、少なくともその最小再結晶化温度で約６０分間未満維持することができる。
【０００６】
本発明の他の側面において、スパッター構成材形成法は、構成材板片を断面積における少なくとも約８０％減少まで単一方向に第１回冷間加工すること、及びその冷間加工した構成材板片をその構成材板片のおよそ少なくとも最小再結晶化温度で加熱処理することを含む。十分な量の応力がその加熱処理構成材内に誘発されるので、その加熱処理構成材により示される透過磁束を、その応力を誘発させる前に示された透過束と比較して増大させ得る。
【０００７】
本発明の更なる側面において、スパッターターゲット形成法は、本質的にニッケルからなるターゲット板片を、断面積の少なくとも約８５％減少まで単一方向的に第１回冷間圧延することを含むことができる。冷間圧延したターゲット板片の加熱温度は、約４２７℃（８００Ｆ°）〜約４８２℃（９００Ｆ°）の温度で約６０分間未満に生じさせることができる。加熱処理したターゲット板片の第２回冷間圧延は、その加熱処理した構成材の断面積の約１０％の減少まで行うことができる。第２回冷間圧延したターゲット板片は、第２回冷間圧延ターゲット板片の（２００）テキスチャー（ｔｅｘｔｕｒｅ）を有する表面の少なくとも選択境界内に少なくとも約７０％の表面積を示し得る。
【０００８】
本発明の他の側面において、スパッター構成材のための磁束増強方法は、スパッター構成材の単一方向性冷間加工をおよそ最小再結晶化温度での加熱処理と組み合わせること、及び主要結晶構造を優先的に２００で配向させることを含む。その方法は、初期の冷間加工と同じ方向での追加の単一方向性冷間加工を含んでもよい。
【０００９】
本発明のまた更なる側面において、ＰＶＤ構成材は、少なくとも選択した境界内の少なくとも約５０％の表面積上にわたる（２００）テキスチャーを示し且つ透過磁束を示す残留応力を有するニッケルを含み、その残留応力はそのような応力が無い場合に示される透過束と比較して高い透過磁束を示すのに十分な量である。本発明の追加的側面には、上記の方法により作製されるＰＶＤ構成材又はターゲットが含まれる。
【００１０】
本発明の好ましい態様は、後述の添付図面への参照と共に以下記載する。
【００１１】
【好ましい態様の詳しい記載】
スパッターターゲットのグレインサイズを低下させること及びスパッター膜を形成するのに有益な結晶学的配向性と磁気特性を同定することの必要性は、物理蒸着（ＰＶＤ）構成材形成方法の研究を進展させた。観察によると、結晶学的配向性及び磁気的軟性又は硬性がスパッター膜均一性にも影響し得ることが示唆された。磁気的に軟性な材料は、スパッターカソードからの磁束を弱め、その磁界をスパッターターゲットの小さな部分へ集める。集まった磁界は、焼け貫通を押し進めてターゲット寿命を制限する鋭くて深いスパッター溝を生じさせ得る。
【００１２】
本願の説明において、“磁気的に軟性な”材料とは、“磁気的に硬性な”材料と比較してより速く磁性を失う傾向を示すものをいう。磁気的に軟性な材料はしばしば、永久磁化（残留磁気）がほとんど無く又は全く無くて、容易に磁化され且つ脱磁化され得る。一般的に、磁気的に硬性な材料は磁化するのはより難しいが、残留磁化を維持する。また、本願の説明に使用される“スパッター構成材”とは、スパッターターゲット並びにスパッタリングに耐え得るスパッター室内の他の構成材を記述するものである。本明細書においてＰＶＤ構成材形成方法及び磁束増強方法に関して記載される加工パラメーターは、特にニッケルを含有するスパッターターゲットに関するが、他の組成物のＰＶＤ構成材にも適用し得る。
【００１３】
本発明の１つの側面において、ＰＶＤ構成材形成方法には、断面積の少なくとも約８０％減少まで、構成材板片を第１回冷間加工することが含まれる。次に、冷間加工した構成材板片をその構成材板片のほぼ最小再結晶化温度で加熱処理し得る。加熱処理した構成材板片を、その加熱処理構成材の約５％〜約１５％の断面積の減少までに第２回冷間加工することができる。
【００１４】
高レベルの第１回冷間加工は、離隔された領域内の異常なグレイン成長をもたらす第２の再結晶化効果を減少させるのに役立つ。典型的には、その冷間加工の目的は、出発構成材板片からの、グレイインサイズ及びテキスチャーのような予め存在する構造の作出物を最小化することである。それら作出物は、表面的なもの（渦形、ゴースト等）だけでなく、第１回冷間加工をした構成材の一部における不均一な構造もある。冷間加工により均一性を最大にすることが望ましく、観察では約８０〜９０％冷間加工が適正であり得ると示唆される。好ましくは、断面積は、好ましいレベルの均一性と作出物の最小化を得るために少なくとも約８５％まで減少させられる。
【００１５】
冷間加工は、好ましくは冷間圧延を含んでなるが、押出、圧伸、鍛造、及び当業者に知られている他の冷間加工法も適切であり得る。また、好ましくは冷間圧延又は他の冷間加工は単一方向性であり、高いレベルの（２００）結晶学的配向を生み出すことができる。単一方向の冷間圧延の一つの不都合は、スクラップ材料の発生である。慣例的には、“回転させながらの（ｒｏｕｎｄ ｔｏ ｒｏｕｎｄ）”圧延は、圧延方向への制限のためスクラップをより発生させる単一方向性の圧延と比べて出発材料についての高い利用性を可能にする。
【００１６】
しかし、単一方向性圧延は、好都合な結晶学的配向を提供する。例えば、第１回冷間加工した構成材板片は、少なくとも５０％（２００）又は、好ましくは少なくとも約７０％（２００）の配向比（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）を発揮するとよい。配向比率を測定するに、第１回冷間加工をした構成材板片の少なくとも選択境界内の少なくとも５０％又は少なくとも７０％が２００テキスチャーを示し得る。交差圧延“回転させながらの圧延”は、小量でさえ主要な（２００）テキスチャーを得るのに有害であり得る。しかしながら、ニッケルスパッターターゲット板片の単純な単一方向性圧延は主要（２００）テキスチャーを生成することが観察された。好ましくは、構成材板片は本質的にニッケルからなる。しかし、他の材料、特に面心立方結晶構造を有するものは、本発明の様々な側面の利点を達成するのに適切であり得る。第１回冷間加工、並びに第２回冷間加工は、約２０℃（６８°Ｆ）又は冷間加工とみなされると当業者に知られる幾つかの他の適切な温度で生じ得る。
【００１７】
加熱処理は、冷間加工した構成材板片を、少なくともその最小再結晶化温度まで約６０分間未満、実質的に均一に加熱することを含んでなり得る。そのような加熱工程又はアニーリングが好ましい。より長くて高温のアニーリングは、第２の再結晶化をもたらし、上記したＰＶＤ構成材微細構造を生成することが知られているからである。加熱された冷間加工構成材板片は、少なくともその最小再結晶化温度で約６０分間未満、維持され得る。
【００１８】
その初期加熱とその温度を維持することは、流動床炉内で行い得る。流動床炉は、冷間加工ＰＶＤ構成材板片への素早く均一な熱伝導を加えることができる。当業者に知られている様々な流動床炉が本明細書に記載した加熱処理を達成するのに適し得る。様々な熱伝導媒体を流動床炉内に使用してもよく、例えば、アルミナが適すると判明している。流動床炉の代わりに石英電球（赤外線）又は電気誘導炉のような他の速い伝導法を、ＰＶＤ構成材板片を素早く均一に加熱することに使用してもよい。
【００１９】
冷間加工した構成材板片を上記の温度で維持した後、その構成材板片を２０℃（６８°Ｆ）まで又は他の望ましい温度まで空気冷却し得る。別のやり方では、その構成材板片を最小再結晶化温度未満の温度まで急冷し得る。適切な加熱処理温度は、約３７１℃（７００°Ｆ）〜約１２００°（６４９°Ｆ）の間、好ましくは約４２７℃（８００°Ｆ）〜約４８２℃（９００°Ｆ）であり得る。８００°Ｆ〜９００°Ｆの範囲は、本質的にニッケルからなるスパッターターゲット板片に特に適切である。
【００２０】
加熱処理後、そのＰＶＤ構成材板片は、好ましくは、約５０ミクロン未満の平均グレインサイズを示す。平均グレインサイズは様々な技法により測定することができ、例えば、一つの適した技法はＡＳＴＭテスト法Ｅ１１２である。（２００）テキスチャーにおけるような平均グレインサイズ又はテキスチャーを測定する場合、そのような測定はＰＶＤ構成材板片の表面積の少なくとも一部分の選択された境界内に行うとよい。例としては、選択境界により規定された測定領域には、少なくともほぼ統計学的に代表的な領域が含まれ得る。統計学上の代表領域は、当業者に知られているあらゆる現行又は将来の方法により算出され得る。また、試験片の外表面はその微細構造全体のグレインサイズ又はテキスチャーを厳密に反映したものか否かについて、外表面を除去して試験片の内部を露出させることによって評価することが望ましいことであり得る。代表的でない測定は、試験片の測定可能な表面の全体から得られる場合より狭いか又は広い分布のグレインサイズ又はテキスチャーが算出されるようにデータを歪ませるかも知れない。示唆されたそれら測定に通じる（即ち、測定可能である）試験片の表面の全体を評価することは可能であろう。そうであっても、代表的領域を測定することがより有効であるので望ましい。上で参照したテスト法Ｅ１１２に加えて、代表的領域を選択するための経験則又は他の方法が当該技術分野において知られている。
【００２１】
加熱処理した構成材板片を第２回冷間加工することは、その加熱処理構成材の約５〜約１５％まで断面積を減少させることに使用し得る。加熱処理後の少量の冷間加工は、そのターゲット中に少量の残留応力を発生させ、その板片面に垂直に測定するとＰＶＤ構成材板片を通過する磁束の比較的大きな増加をもたらすことが観察された。その応力の量は、実質的には視覚的及び機械的に検出できないほど十分小さく、そのような構成材から形成されたスパッター膜が劣化するとは観察されていない。その誘発応力だけでは、実質的に表面グレイン外観を変化させるには十分でないことは明らかである。
【００２２】
好ましくは、断面積の第２回冷間加工減少は約１０％である。また、好ましくは第２回冷間加工は冷間圧延を含んでなり、第１回目の冷間加工に使用されるのとは異なる冷間加工プロセスを含んでなることができる。第２回目の冷間加工も、好ましくは第１回目の冷間加工について記載したような単一方向性であるが、一つだけが単一方向性であってもよい。好ましくは、第１回及び第２回の冷間加工はいずれも単一方向性でり、且つ各々同じ方向である。同じ方向の加工は、第１回冷間加工及び加熱処理から得られた望ましいグレインサイズとテキスチャーへの第２回冷間加工のいかなる影響をも更に最小化する。
【００２３】
したがって、本発明の当該側面の方法は、少なくとも５０％の表面積上に（２００）テキスチャーを示すＰＶＤ構成材を生成することができる。その構成材は、約５０ミクロン未満の平均グレインサイズも示す。それらグレインは、磁束を増強するのに適正な量の残留応力を有し得る。このやり方において、ＰＶＤ構成材は、小さなグレインサイズを示し、そして適正に応力が加えられた結晶学的配向を示してその応力が無い場合よりも高い透過磁束（ＰＴＦ）を可能にし、ターゲット寿命を延ばすであろう。図１は、応力を誘発させていない従来の（２２０）ニッケルスパッターターゲットと比較して、本発明の当該側面に従って作られた（２００）ニッケルスパッターターゲットについてのＰＴＦの全体的増加を示すチャートである。
【００２４】
ニッケルターゲットの場合における本発明のＰＴＦ改善について可能な説明のの一つは、ニッケルの磁歪特性に関係する。単純化して説明すると、磁界は、ニッケルの面心立方結晶構造に収縮（ｃｏｎｓｔｒｉｃｔ）を引き起こす。スパッターターゲットのニッケルグレインを２００テキスチャーで配向させた場合、そのターゲット面に垂直な磁界は、ターゲット面へ垂直な方向にも収縮を生じさせる。このようにして、磁界の一部はその収縮を伴って、ＰＴＦに影響を与える。磁界への曝露の前に収縮を生じさせるためターゲット内に応力を誘発することはＰＴＦを増加させると観察された。誘発させた収縮はその磁界による更なる収縮を減らし、磁界がさほど関与せずに、より多くの磁束を許容すると推定される。
【００２５】
従って、本発明の一つの側面において、ＰＶＤ構成材形成方法は、その構成材内に十分な量の応力を誘発させ、その構成材により示される透過磁束を、その応力が誘発される前に示される透過磁束を比較して増やすことを含む。冷間加工以外の様々な応力誘発方法が、本法を達成するのに適切であり得る。その方法は、その誘発応力だけでは表面グレイン外観を実質的に変化させるのに不十分であるところにおいて、応力を誘発する前に構成材の主要結晶構造を（２００）で配向させることを含む。このやり方では、グレインサイズとテキスチャーの有利な特性に大きく影響を与えずに、ＰＴＦを改善することができる。（２００）以外のテキスチャー及びニッケル以外の材料も、本明細書に記載された方法を類する利点と共に実施するのに適切であり得る。
【００２６】
本発明の他の側面において、スパッター構成材形成方法は、構成材板片を、断面積の少なくとも８０％減少までの単一方向的に第１回冷間加工することを含む。冷間加工した構成材板片は、その構成材板片の少なくともほぼ最小再結晶化温度で加熱処理するとよい。その加熱処理構成材により示される透過磁束を応力が誘発される前に示される透過磁束と比較して増加させ得るのに十分量な応力が、加熱処理した構成材内に誘発される。そのような方法は、スパッター構成材に望ましいと本明細書に記載された少なくとも幾つかの利点を達成することができる。応力を誘発させることには、加熱処理した構成材を、その加熱処理構成材の約５％〜約１５％の間の断面積の減少まで単一方向的に第２回冷間加工することを含み得る。上記の方法に使用される第２回冷間加工はスパッター構成材の望ましい特性を更に改善し得る。
【００２７】
本発明の他の側面において、スパッターターゲット形成方法は、本質的にニッケルからなるターゲット板片を、断面積の少なくとも約８５％減少まで単一方向的に第１回冷間圧延することを含むことができる。冷間圧延したターゲット板片は、約４２７℃（８００°Ｆ）〜約４８２℃（９００°Ｆ）の間の温度で約６０分間未満、加熱処理することができる。加熱処理したターゲット板片は、その加熱処理構成材の約１０％の断面積の減少まで、第２回冷間圧延することができる。第２回冷間圧延をしたターゲット板片の表面の少なくとも選択境界内の少なくとも約７０％表面積が（２００）テキスチャーを示し得る。
【００２８】
本発明の他の側面において、スパッター構成材のための磁束増強方法は、スパッター構成材の単一方向性冷間加工を、少なくともほぼ最小再結晶化温度での加熱処理と組み合わせることを含む。その方法は、支配的な結晶構造を優先的に（２００）で配向した後、初期の冷間加工と同じ方向に追加的な単一方向性冷間加工が行われる。ＰＶＤ構成材を形成する方法に関して上記した本発明の側面に相応して、本発明の他の側面におけるＰＶＤ構成材は、本質的にニッケルからなり、少なくとも選択した境界内の少なくとも約５０％の表面積上に（２００）テキスチャーを示す。記述したように、その選択境界は代表的な試験領域を定義するものであり得る。その構成材は、十分量の残留応力を有して、そのような応力の無い場合に示される透過磁束と比較してより高い透過磁束を示し得る。
【００２９】
法規に従って、本発明は、構造的及び方法的特徴に関して多少とも言語で記述されてきた。しかし、本発明は、明示され記載された特定の特徴に限定されず、本明細書に開示されたそれら手段は本発明を効果的にするのに好ましい形態を含むからであると理解される。従って、本発明は、ドクトリンの均等物に従って適切に解釈される特許請求の範囲の適正な範囲内のそれらの形態及び修飾物のいずれかでクレームされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明によるスパッターターゲットの透過磁束を従来のターゲットと比較したチャートを示す。
【図１】
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【国際公開パンフレット】
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