(57)【要約】強度スペクトルを、半導体ウェハ生産物または部分生産物の層構造を決定するための指紋として用いることで、生産ラインを通る生産物のルーティング履歴が決定され、ルーティング・エラーが防止される。また、半導体ウェハなどの生産物を作製するための複数の連続ステージと、部分的に作製された生産物をステージ間で移して、各ステージが所定の個々の部分的作製生産物をその入力として受け取るようにするルータと、を有する生産ライン。生産ラインは、ステージに対する個々の部分的作製を示す、少なくとも１つのステージに対する所定の強度スペクトルと、前記少なくとも１つのステージに位置し、入力される部分的作製生産物の強度スペクトルを得るように動作可能な強度スペクトル取得器と、前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルと比較して、前記入力される部分的作製生産物が、ステージに対する前記所定の個々の部分的作製と対応するかどうかを決定するための比較器と、を備える。
2004534399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも１つの層を備える生産物を作製するための複数の連続ステージと、部分的に作製された生産物をステージ間で移して、各ステージが所定の個々の部分的作製生産物をその入力として受け取るようにするルータと、を有する生産ラインであって、
ステージに対する所定の個々の部分的作製を示す、少なくとも１つのステージに対する所定の反射光強度スペクトルと、
前記少なくとも１つのステージに位置し、入力される部分的作製生産物の反射光強度スペクトルを得るように動作可能な反射光強度スペクトル取得器と、
前記得られた反射光強度スペクトルを前記所定の反射光強度スペクトルと比較して、前記入力される部分的作製生産物が、ステージに対する前記所定の個々の部分的作製と対応するかどうかを決定するための比較器と、を備える生産ライン。
【請求項２】
前記比較器に動作可能に付随し、前記スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示するためのルーティング・エラー表示器をさらに備える、請求項１に記載の生産ライン。
【請求項３】
前記ルーティング・エラー表示器に動作可能に付随し、ルーティング・エラーが表示された場合に前記生産ラインの運転を中断するための生産中断メカニズムを備える、請求項２に記載の生産ライン。
【請求項４】
各ステージが、並行に動作する複数の生産ツールを備える、請求項１に記載の生産ライン。
【請求項５】
各ステージが、反射光強度スペクトル取得器を備え、所定の強度スペクトルを有する、請求項４に記載の生産ライン。
【請求項６】
前記比較器がさらに、前記得られた反射光強度スペクトルを少なくとも１つの他のステージの所定のスペクトルと比較するように動作可能であって、前記スペクトルがマッチングした場合に前記生産物を前記他のステージに再ルーティングする、請求項５に記載の生産ライン。
【請求項７】
前記生産ラインが、層状の半導体ウェハ生産物を生産するための半導体ウェハ生産ラインである、請求項５に記載の生産ライン。
【請求項８】
前記強度スペクトル取得器が、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するための照明器と、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するための強度検出器と、
前記強度検出器に動作可能に付随し、前記強度を波長に対して分析して、前記分析された強度スペクトルをその周波数スペクトルに変換するためのアナライザと、
前記周波数スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器と、を備える、請求項１に記載の生産ライン。
【請求項９】
前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである、請求項８に記載の生産ライン。
【請求項１０】
前記部分生産物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む、請求項８に記載の生産ライン。
【請求項１１】
前記アナライザが、前記分析された強度スペクトルのフーリエ変換によって前記周波数スペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備える、請求項８に記載の生産ライン。
【請求項１２】
層状生産物の生産におけるステージを行なう生産ツールへの入力を制限するためのツール・ガードであって、
ステージに対する予想される部分的作製を示す所定の強度スペクトルと、
前記ツールに位置し、入力される部分的作製生産物の強度スペクトルを得るように動作可能な強度スペクトル取得器と、
前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルと比較して、前記入力される部分的作製生産物が、ステージに対する前記所定の個々の部分的作製と対応するかどうかを決定するための比較器と、を備えるツール・ガード。
【請求項１３】
前記比較器に動作可能に付随し、前記スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示するためのルーティング・エラー表示器をさらに備える、請求項１２に記載のツール・ガイド。
【請求項１４】
前記ルーティング・エラー表示器に動作可能に付随し、ルーティング・エラーが表示された場合に前記ツールの運転を中断するための生産中断メカニズムを備える、請求項１３に記載のツール・ガイド。
【請求項１５】
前記ツールが、層状の半導体ウェハ生産物を生産する生産ラインで用いるための半導体ウェハ生産ツールである、請求項１２に記載のツール・ガイド。
【請求項１６】
前記強度スペクトル取得器が、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するための照明器と、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するための強度検出器と、
前記強度検出器に動作可能に付随し、前記強度を波長に対して分析して、前記分析された強度を強度の周波数スペクトルに変換するためのアナライザと、
前記周波数スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器と、を備える、請求項１２に記載のツール・ガイド。
【請求項１７】
前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである、請求項１６に記載のツール・ガイド。
【請求項１８】
前記部分生産物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む、請求項１６に記載のツール・ガイド。
【請求項１９】
前記アナライザが、前記分析された強度のフーリエ変換によって前記周波数スペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備える、請求項１６に記載のツール・ガイド。
【請求項２０】
多段ステージ生産ラインの周囲に、少なくとも１つの重ね合わせた層を有する基板を含む中間入力物をルーティングするための生産ライン・ルータであって、
ステージに対する個々の中間作製を示す、複数の前記ステージのそれぞれに対する所定の強度スペクトルと、
前記生産ライン内に位置し、中間入力物の強度スペクトルを得るための少なくとも１つの強度スペクトル取得器と、
前記得られた強度スペクトルと前記所定のスペクトルの何れかとの間の最も近いマッチングを得るための比較器とを備え、前記ルータは、前記最も近いマッチングのスペクトルに対応するステージに前記中間入力物をルーティングするように動作可能である生産ライン・ルータ。
【請求項２１】
各ステージが、並行に動作する複数の生産ツールを備える、請求項２０に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２２】
各ステージが、強度スペクトル取得器を備え、所定の強度スペクトルを有する、請求項２１に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２３】
前記生産ラインが、層状の半導体ウェハ生産物を生産するための半導体ウェハ生産ラインである、請求項２０に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２４】
前記強度スペクトル取得器が、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するための照明器と、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するための強度検出器と、
前記強度検出器に動作可能に付随し、前記強度を波長に対して分析して、前記分析された強度を強度スペクトルの周波数スペクトルに変換するためのアナライザと、
前記スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器と、を備える、請求項２０に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２５】
前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである、請求項２４に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２６】
前記中間入力物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む、請求項２４に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２７】
前記アナライザが、前記分析された強度のフーリエ変換によって前記スペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備える、請求項２４に記載の生産ライン・ルータ。
【請求項２８】
半導体ウェハ生産物の生産履歴を決定するためのウェハ生産履歴決定器であって、
多段ステージ半導体ウェハ生産プロセスの個々のステージを終了した半導体ウェハ生産物に対する複数の所定の強度スペクトルと、
入力される半導体ウェハ生産物の強度スペクトルを得るための強度スペクトル取得器と、
前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルのそれぞれと比較して、前記得られたスペクトルと前記所定のスペクトルの１つと間の最も近いマッチングを決定するための比較器とを備え、前記決定器は、前記生産履歴を、前記最も近いマッチングの所定のスペクトルに対応する個々の終了したステージを含むと推測するウェハ生産履歴決定器。
【請求項２９】
層状生産物の生産履歴を決定するための、前記層状生産物上の複数のポイントからの多波長光の反射によって得られるスペクトルの使用。
【請求項３０】
基板上に少なくとも１つの少なくとも半透明の層を備える生産物を作製するための複数の連続ステージと、部分的に作製された生産物をステージ間で移して、各ステージが所定の個々の部分的作製生産物をその入力として受け取るようにするルータと、ステージに対する個々の部分的作製を示す、少なくとも１つのステージに付随する所定の強度スペクトルとを有する生産ラインにおいて、
前記ステージに入力される部分的作製生産物の強度スペクトルを得るステップと、
前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルと比較することで、前記入力される部分的作製生産物が、個々のステージに対する前記所定の個々の部分的作製に対応するかどうかを決定するステップと、を含む方法。
【請求項３１】
前記スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示するステップをさらに含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
ルーティング・エラーが表示された場合に前記生産ラインの運転を中断するステップを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
各ステージが、並行に動作する複数の生産ツールを備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
各ステージに対して入力される部分的作製生産物に対する強度スペクトルを得るステップであって、前記各ステージは所定の強度スペクトルを有するステップを含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記得られた強度スペクトルを少なくとも１つの他のステージの所定のスペクトルと比較して、前記スペクトルがマッチングした場合に、前記生産物を前記他のステージへ再ルーティングするステップを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記生産ラインが、層状の半導体ウェハ生産物を生産するための半導体ウェハ生産ラインである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
前記強度スペクトルを得るステップが、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するステップと、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するステップと、
前記強度を波長に対して分析することで、個々の波長における強度のスペクトルを生成するステップと、
前記強度のスペクトルを周波数スペクトルに変換するステップと、
前記周波数スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するステップと、を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記部分生産物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
前記変換ステップが、前記分析された強度のフーリエ変換によって前記スペクトルを生成するステップを含む、請求項３７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生産ライン選別の方法および装置に関し、より詳細には（しかし排他的ではなく）、マルチ・ツール半導体ウェハ生産ラインの中間ステージにおける半導体ウェハ生産物の選別に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ製造プロセスは一般に、シリコン・ウェハを形成すること、そして層の付加および選択的な除去を本質的に含む一連の操作を行なうことを、チップの機能性を構築するために伴っている。プロセスは通常、数１００の別個の操作を伴い、たとえば誘電体層および金属層の堆積である。フォトレジストのコーティング、マスクを用いるフォトリソグラフィ、層のエッチング、アッシングなども同様である。
【０００３】
製造生産ラインにおいては、１０００枚のオーダー程度のウェハが、ツール群の間の並行な経路を用いて常に同じ順序の操作を通って共に移動する場合があるということは、通常でないことではない。異なるステージにおける異なるツールが、異なる量の時間をかけてそれらのプロセスを行なうため、一般には、ウェハの最大スループットを確実にするために、インテリジェントなルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）操作を行なう必要があると考えられる。どんな種類のルーティング操作においても、全体として簡単でない限り、ウェハのバッチ（またはロット）がミスルーティングされる結果、操作が誤った順序で行なわれる危険がある。このようなミスルーティングは、ウェハのバッチ全体を廃棄することにつながり、一般的に、バッチだけの点からすると非常に高価な種類のエラーである。加えて、誤った時間に誤ったプロセス・ツール内へウェハを入れることは、プロセス・ツールの損傷につながる可能性もあり、たとえばプロセス・チャンバの汚染またはチャンバ内にある間のウェハの割れなどに起因するものである。プロセス・ツールに対する損傷は、相当なダウン・タイムと、わずかではない修理または交換コストとを伴う恐れがある。
【０００４】
現在、ルーティング・エラーに対する唯一の解決方法は、より効果的で頑丈なルーティング・アルゴリズムを生成することにある。ステップの組み合わせの大部分において、ウェハそれ自体の上には何もないので、このことを、与えられたウェハ・ツールに接近するウェハが、先行するステップの組み合わせとして正しいものを通ってきたかどうかを簡単で迅速に決定することに利用することができる。
【０００５】
国際公開第００１２９５８号では、ＴＭＳとして知られる測定システムが開示されている。このシステムでは、ウェハ表面の層内から反射する光ビームを用いて、透明層、特にフォトレジスト層の厚みを測定する。測定値は通常、周波数領域に変換され、この領域から、フォトレジスト層の厚みを非常に正確に決定することができる。測定は迅速であるが、通常は、フォトレジスト層などの単一の透明層の厚みもしくは屈折率に、または一連のトレンチ群の厚み群に関するものである。しかし前述したシステムでは、ウェハが生産ライン・プロセス内にあるかどうかを決定できるような明瞭で総合的な情報は得られない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本明細書における以下の実施形態の目的は、前述の問題に対する解決方法を提供すること、および迅速かつ実用的な測定をウェハに対して行なって、そのウェハがどんな層を有しているかを、したがってそのウェハが製造プロセスのどこにいたかを全体的に決定できるようにすることであり、このことから、そのウェハが製造プロセスの中を正しくルーティングされているかどうかを決定することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、基板上に少なくとも１つの層を備える生産物を作製（ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）するための複数の連続ステージと、部分的に作製された生産物をステージ間で移して、各ステージが所定の個々の部分的作製生産物をその入力として受け取るようにするルータ（ｒｏｕｔｅｒ）と、を有する生産ラインであって、
ステージに対する所定の個々の部分的作製を示す、少なくとも１つのステージに対する所定の反射光強度スペクトルと、
前記少なくとも１つのステージに位置し、入力される部分的作製生産物の反射光強度スペクトルを得るように動作可能な反射光強度スペクトル取得器（ｄｅｒｉｖｅｒ）と、
前記得られた反射光強度スペクトルを前記所定の反射光強度スペクトルと比較して、前記入力される部分的作製生産物が、ステージに対する前記所定の個々の部分的作製と対応するかどうかを決定するための比較器と、を備える生産ラインが提供される。
【０００８】
生産ラインは好ましくは、前記比較器に動作可能に付随し、前記スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示するためのルーティング・エラー表示器をさらに備える。
【０００９】
生産ラインは好ましくは、前記ルーティング・エラー表示器に動作可能に付随し、ルーティング・エラーが表示された場合に前記生産ラインの運転を中断するための生産中断メカニズムを備える。
【００１０】
好ましくは、各ステージが、並行に動作する複数の生産ツールを備える。
【００１１】
好ましくは、各ステージが、反射光強度スペクトル取得器を備え、所定の強度スペクトルを有する。
【００１２】
好ましくは、前記比較器がさらに、前記得られた反射光強度スペクトルを少なくとも１つの他のステージの所定のスペクトルと比較するように動作可能であって、前記スペクトルがマッチングした場合に前記生産物を前記他のステージに再ルーティングする。
【００１３】
好ましくは、前記生産ラインが、層状の半導体ウェハ生産物を生産するための半導体ウェハ生産ラインである。
【００１４】
好ましくは、前記強度スペクトル取得器が、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するための照明器と、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するための強度検出器と、
前記強度検出器に動作可能に付随し、前記強度を波長に対して分析して、前記分析された強度スペクトルをその周波数スペクトルに変換するためのアナライザと、
前記周波数スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器と、を備える。
【００１５】
好ましくは、前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである。
【００１６】
好ましくは、前記部分生産物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む。
【００１７】
好ましくは、前記アナライザが、前記分析された強度スペクトルのフーリエ変換によって前記周波数スペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備える。
【００１８】
本発明の第２の態様によれば、層状生産物の生産におけるステージを行なう生産ツールへの入力を制限するためのツール・ガード（ｇｕａｒｄ）であって、
ステージに対する予想される部分的作製を示す所定の強度スペクトルと、
前記ツールに位置し、入力される部分的作製生産物の強度スペクトルを得るように動作可能な強度スペクトル取得器と、
前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルと比較して、前記入力される部分的作製生産物が、ステージに対する前記所定の個々の部分的作製と対応するかどうかを決定するための比較器と、を備えるツール・ガードが提供される。
【００１９】
ツール・ガードは好ましくは、前記比較器に動作可能に付随し、前記スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示するためのルーティング・エラー表示器をさらに備える。
【００２０】
ツール・ガードは好ましくは、前記ルーティング・エラー表示器に動作可能に付随し、ルーティング・エラーが表示された場合に前記ツールの運転を中断するための生産中断メカニズムをさらに備える。
【００２１】
好ましくは、前記ツールが、層状の半導体ウェハ生産物を生産する生産ラインで用いるための半導体ウェハ生産ツールである。
【００２２】
好ましくは、前記強度スペクトル取得器が、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するための照明器と、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するための強度検出器と、
前記強度検出器に動作可能に付随し、前記強度を波長に対して分析して、前記分析された強度スペクトルを強度の周波数スペクトルに変換するためのアナライザと、
前記周波数スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器と、を備える。
【００２３】
好ましくは、前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである。
【００２４】
好ましくは、前記部分生産物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む。
【００２５】
好ましくは、前記アナライザが、前記分析された強度のフーリエ変換によって前記周波数スペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備える。
【００２６】
本発明の第３の態様によれば、多段ステージ生産ラインの周囲に、少なくとも１つの重ね合わせた層を有する基板を含む中間入力物（ｉｎｐｕｔ）をルーティングするための生産ライン・ルータであって、
ステージに対する個々の中間作製を示す、複数の前記ステージのそれぞれに対する所定の強度スペクトルと、
前記生産ライン内に位置し、中間入力物の強度スペクトルを得るための少なくとも１つの強度スペクトル取得器と、
前記得られた強度スペクトルと前記所定のスペクトルの何れかとの間の最も近いマッチングを得るための比較器とを備え、前記ルータは、前記最も近いマッチングのスペクトルに対応するステージに前記中間入力物をルーティングするように動作可能である生産ライン・ルータが提供される。
【００２７】
好ましくは、各ステージが、並行に動作する複数の生産ツールを備える。
【００２８】
好ましくは、各ステージが、強度スペクトル取得器を備え、所定の強度スペクトルを有する。
【００２９】
好ましくは、前記生産ラインが、層状の半導体ウェハ生産物を生産するための半導体ウェハ生産ラインである。
【００３０】
好ましくは、前記強度スペクトル取得器が、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するための照明器と、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するための強度検出器と、
前記強度検出器に動作可能に付随し、前記強度を波長に対して分析して、前記分析された強度を強度スペクトルの周波数スペクトルに変換するためのアナライザと、
前記スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器と、を備える。
【００３１】
好ましくは、前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである。
【００３２】
好ましくは、前記中間入力物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む。
【００３３】
好ましくは、前記アナライザが、前記分析された強度のフーリエ変換によって前記スペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備える。
【００３４】
本発明の第４の態様によれば、
半導体ウェハ生産物の生産履歴を決定するためのウェハ生産履歴決定器であって、
多段ステージ半導体ウェハ生産プロセスの個々のステージを終了した半導体ウェハ生産物に対する複数の所定の強度スペクトルと、
入力される半導体ウェハ生産物の強度スペクトルを得るための強度スペクトル取得器と、
前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルのそれぞれと比較して、
前記得られたスペクトルと前記所定のスペクトルの１つと間の最も近いマッチングを決定するための比較器とを備え、前記決定器は、前記生産履歴を、前記最も近いマッチングの所定のスペクトルに対応する個々の終了したステージを含むと推測するウェハ生産履歴決定器が提供される。
【００３５】
本発明の第５の態様によれば、層状生産物の生産履歴を決定するための、前記層状生産物上の複数のポイントからの多波長光の反射によって得られるスペクトルの使用が提供される。
【００３６】
さらなる態様においては、基板上に少なくとも１つの少なくとも半透明の層を備える生産物を作製するための複数の連続ステージと、部分的に作製された生産物をステージ間で移して、各ステージが所定の個々の部分的作製生産物をその入力として受け取るようにするルータと、ステージに対する個々の部分的作製を示す、少なくとも１つのステージに付随する所定の強度スペクトルとを有する生産ラインにおいて、
前記ステージに入力される部分的作製生産物の強度スペクトルを得るステップと、
前記得られた強度スペクトルを前記所定の強度スペクトルと比較することで、前記入力される部分的作製生産物が、個々のステージに対する前記所定の個々の部分的作製に対応するかどうかを決定するステップと、を含む方法が提供される。
【００３７】
好ましくは、本方法は、前記スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示するステップをさらに含む。
【００３８】
好ましくは、本方法は、ルーティング・エラーが表示された場合に前記生産ラインの運転を中断するステップをさらに含む。
【００３９】
好ましくは、各ステージが、並行に動作する複数の生産ツールを備える。
【００４０】
好ましくは、本方法は、各ステージに対して入力される部分的作製生産物に対する強度スペクトルを得るステップであって、前記各ステージは所定の強度スペクトルを有するステップをさらに含む。
【００４１】
好ましくは、本方法は、前記得られた強度スペクトルを少なくとも１つの他のステージの所定のスペクトルと比較して、前記スペクトルがマッチングした場合に、前記生産物を前記他のステージへ再ルーティングするステップをさらに含む。
【００４２】
好ましくは、前記生産ラインが、層状の半導体ウェハ生産物を生産するための半導体ウェハ生産ラインである。
【００４３】
好ましくは、前記強度スペクトルを得るステップが、
部分生産物の少なくとも１つのポイントに多波長照射源を照射するステップと、
前記ポイントからの前記照射源の反射内での強度を検出するステップと、
前記強度を波長に対して分析することで、個々の波長における強度のスペクトルを生成するステップと、
前記強度のスペクトルを周波数スペクトルに変換するステップと、
前記周波数スペクトルから、前記部分生産物上の層の層特性を決定するステップと、を含む。
【００４４】
好ましくは、前記特性が、厚みおよび屈折率を含む群の１つである。
【００４５】
好ましくは、前記部分生産物が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な層を含み、前記反射は、前記少なくとも部分的に透明な層の上面および下面からの反射を含む。
【００４６】
好ましくは、前記変換ステップが、前記分析された強度のフーリエ変換によって前記スペクトルを生成することを含む。
【００４７】
本発明をより良く理解するために、および本発明をどのようにして実行に移せるかを示すために、純粋に例として、添付の図面を参照する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
本発明への導入部として、国際公開第００１２９５８号の測定方法を詳しく説明する。
【００４９】
図１Ａを参照して、同図は、生産プロセスにおける中間ステージでのシリコン・ウェハの断面を示す単純化された図である。シリコン・ウェハ２は、その上にフォトレジスト層４が付着している。図１Ａにおいてフォトレジスト層４は均一であり、層の厚みを決定するのに必要な測定は一度だけである。
【００５０】
次に図１Ｂを参照して、同図は、生産プロセスにおける他の中間ステージでの他のシリコン・ウェハの断面を示す単純化された図である。図１Ｂにおいて、ウェハ２は、一連の二酸化ケイ素構造６と、連続ポリシリコン層８とを備え、ポリシリコン層８はフォトレジスト層１０で覆われている。ＴＭＳ測定システムは、後で詳細に説明するように、透明膜の厚みの測定に特に適している。今の場合、二酸化ケイ素構造６があるために、フォトレジスト１０は厚みが場所によって異なる。すなわち３つの異なる層厚みｄ１〜ｄ３が、典型的なウェハ内で確認されることが考えられる。従来の測定システムでは、上述の厚みの違いを正確に測定することはできない。しかしＴＭＳシステムならば、塗布されたウェハ層または除去された層におけるこのような厚みの変化を測定することができ、さらに測定は、その場であり、リアル・タイムである。ＴＭＳプロセスの基本的な作用理論についての以下の説明が、このプロセスがどのように実現され得るのかを理解するのに役立つであろう。
【００５１】
次に図２を参照して、同図は、屈折率が異なる連続層上へのある角度での光の入射を示す単純化された光路図である。
【００５２】
図２において、３つの透明層０、１、２を備える材料が、光の照射を受けている。入射光線１２が、第１の層境界１４に当たって、反射光線１６と屈折光線１８とに分割される。屈折光線１８は、第２の層境界２０に当たって、再び分割される。今回は、反射光線２２だけが示されている。屈折光線２２が第１の境界１４に当たると、この光線は再び屈折して第３の屈折光線２４を構成する。
【００５３】
多波長光の反射パターンを用いて透明膜の厚みを測定する方法がいくつか知られている。図２に示すビームが単色（単一波長）の光ビームのときには、そのビームが透明膜に到達した後、ビームの一部が上面（層０／層１の界面）から反射され、一部は下面（層１／層２の界面）から反射される。
【００５４】
図２に示したことを数学的に表現すると、
λは光の波長；
φ０は入射光（および層０／層１の界面からの反射光）の位相角度；
φ０＋φ１は、層１／層２の界面からの反射光の位相角度；
ｒ０１は、層０／層１の界面の反射係数；
ｒ１２は、層１／層２の界面の反射係数；
Ｉは入射光の強度
Ｉ＝Ｉ０ｃｏｓ（２πｃｔ／λ＋φ０）                  （式１）
となる。
【００５５】
ここで、Ｉ０は最大強度振幅であり、ｃは光速である。
【００５６】
光が膜表面に垂直に到達する場合、上面および下面からの反射係数は、
ｒ０１＝（ｎ１−ｎ０）／（ｎ１＋ｎ０）
ｒ１２＝（ｎ２−ｎ１）／（ｎ２＋ｎ１）                    （式２）
となる。ここで、ｎ０、ｎ１、ｎ２はそれぞれ、層０、１、２の屈折率である。
【００５７】
上面からの反射光が下面からの反射光と干渉する結果、全体的な反射率（Ｒ）（層厚みおよび層屈折率の関数である）が得られる。この反射は、良く知られたフレネル方程式によって記述することができる。
【００５８】
Ｒ＝（ｒ０１２＋ｒ１２２＋２ｒ０１ｒ１２ｃｏｓ２Φ１）／（１＋ｒ０１２ｒ１２２＋２ｒ０１ｒ１２ｃｏｓ２Φ１）                                    （式３）
ここで、
Φ１＝２πｎ１ｄ１／λ                                  （式４）
ここで、
ｄ１−層厚み。
【００５９】
膜に多波長光（白色光）を照明して、各波長（λ）における反射率を測定することで、λの関数としてのＲ、すなわちＲ（λ）が得られる。
【００６０】
複雑な（すなわち横方向に変化する）トポグラフィを有する生産物ウェハに、大きなスポットの多波長光を照明したときに生じる反射ビームは、各厚みを単独で考慮したときの個別の反射を合成したものである。
【００６１】
Ｒ（λ，ｄ１，．．．，ｄｎ）＝Σｉ（ｒ（ｉ−１），ｉ２＋ｒｉ（ｉ＋１）２＋２ｒ（ｉ−１），ｉｒｉ（ｉ＋１）ｃｏｓ２Φｉ）／（１＋ｒ（ｉ−１），ｉ２ｒｉ（ｉ＋１）２＋２（ｉ−１），ｉｒｉ（ｉ＋１）ｃｏｓ２Φｉ）                                        （式５）
【００６２】
簡単な数学的操作によって、反射率を以下のように表すことができる。
【００６３】
Ｒ（λ，ｄ１，．．．，ｄｎ）＝Σｉ［１−Ａ／（１＋ＢＣｏｓ（２Φｉ））］
（式６）
ここで、
Ａｉ＝（１−ｒ（ｉ−１），ｉ２）（１−ｒｉ（ｉ＋１）２）／（１＋ｒ（ｉ−１），ｉ２ｒｉ（ｉ＋１）２）および
Ｂｉ＝２ｒ（ｉ−１），ｉｒｉ（ｉ＋１）／（１＋ｒ（ｉ−１），ｉ２ｒｉ（ｉ＋１）２）
【００６４】
反射係数の周波数分解方法を適用することによって、それぞれの偏角（Φｉ）が得られる。そして式３＆４から、層の屈折率が既知であると仮定して、層厚みを決定することができる。あるいは、層厚みが既知であるならば、層の屈折率を決定することができる。
【００６５】
周波数分解を行なう方法はいくつかある。その一部を以下で説明する。
数学的分解
（１）直交変換方法のファミリ、たとえばフーリエ変換
（２）最尤原理に基づく方法のファミリ
（３）パラメトリック・モデルに基づく方法のファミリ
（４）部分空間による分解方法のファミリ
【００６６】
電気的分解
電気周波数フィルタは、電気システムにおいて広く用いられている。このようなフィルタは、周波数領域における窓を規定する機能を果たし、窓内の入力信号の成分の振幅を出力する。反射信号（電気信号に変換されている）を、フィルタ群または単一のフィルタ（周波数が可変）に通すことによって、所望の分解が得られる。
【００６７】
次に図３を参照して、同図は、半導体基板上の透明膜の厚み変化を測定するための機構（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）を示す単純化されたブロック図である。測定機構は、フォトレジスト・コーティング・トラック上に搭載されている。コーティング・トラックは、スピニング・ボウル（ｓｐｉｎｎｉｎｇ  ｂｏｗｌ）２０を備えている。スピニング・ボウル２０は、ウェハＷを受け取るためのスピナ・チャック２２と、エンコーダ２５を有するモータ２４とを備えている。モータ２４は、チャックとその上のウェハとを回転させる。一方、フォトレジスト・アプリケータによって、ウェハの中心にフォトレジスト材料が分配される。最初にウェハＷを低速で回転させながら、ウェハの中心にフォトレジスト材料を分配する。次にウェハを電気モータ２４によって高速（たとえば３００〜５０００ｒｐｍ）で回転させる。その結果、遠心力が発生して、フォトレジスト液体がウェハＷの縁に向かって流れる。ほとんどのフォトレジスト（たとえば約９５％）はウェハからこぼれてボウル（図示せず）内に集められ、後で排出される。一方、ウェハ表面とフォトレジストとの間の粘着力によってウェハ上のコーティングとして保持されるフォトレジストの量は、これよりも少ない。すでに簡単に説明したように、フォトレジスト・コーティングの最終厚みは、遠心力と、表面に対する粘着力と、フォトレジスト液体の粘性によって生じるせん断力との間で平衡が実現したときに、形成される。スピニング・プロセスの間、フォトレジスト中の溶媒が蒸発して粘性が増加する。したがって最終厚みとしては、溶媒蒸発速度の関数でもあって、温度、空気流、および他の環境条件の影響を受けるものが、実現される。
【００６８】
図３に示したように、装置はさらに、照明デバイス３０（フォトレジスト・コーティングに多波長（白色光）の光ビームを照明する）と、検出器３２（フォトレジスト・コーティングからの反射光強度を、各波長に対して検出する）とを備える。好ましくは、検出器３２はフォトダイオード・アレイ・スペクトル・アナライザに接続されている。スペクトル・アナライザは、ある波長範囲に渡って干渉パターンを検出することができ、また前述した式を用いれば、層厚みのデータを得ることができる。
【００６９】
ウェハ上の２つ以上のスポットの厚みまたは屈折率に関する情報を得るために、複数の検出ヘッド３２を、ウェハ上方の種々の位置に配置しても良い。検出ヘッド３２の出力を好ましくは、スペクトル・アナライザ３４へ送るために多重化する。これはたとえば、各光ファイバの間で機械的に切り替えることによって行なう。こうしてウェハ上の異なるサイトからのデータ取得が可能になる。
【００７０】
照明デバイスは好ましくは、白色光ビームを、何らかの好適な方法で（たとえば光ファイバ３６を介して）、ウェハＷの上方に搭載される光学ヘッド３２へ向ける。こうすることで、ウェハが回転しているときに、ウェハＷのフォトレジスト・コーティング上に光ビームが投射される。フォトレジスト・コーティングから反射された光を、何らかの好適な方法で（たとえば別の光ファイバ３８を介して）、スペクトル・アナライザ３４へ送る。こうすることで、フォトレジスト・コーティングから反射された光の強度が、各波長に対して検出される。
【００７１】
スペクトル・アナライザ３４の出力を好ましくは、プロセッサ４０へ供給する。プロセッサ４０では、前述した基本的な作用理論にしたがって出力が処理され、出力がスクリーン４２上に表示される。加えて、プロセッサ４０の出力を、ウェハＷ上へのフォトレジスト・コーティング８の塗布を制御するために、たとえばフィードバック入力として、用いても良い。
【００７２】
好ましくは、光学ヘッド３２を、半径方向の軸に沿って動くように搭載して、光学ヘッドを、試験中のウェハＷの任意の選択された半径に配置できるようにする。ウェハの回転中に、ウェハの角度位置をエンコーダ２５によって確認する。角度位置を半径位置と組み合わせれば、ウェハ上の所望する測定スポットの位置が得られる。好ましくは光ビーム１３は、ウェハＷが搭載する複数のダイのうちの少なくとも１つの完全なダイを覆うほどに十分に大きい。このように完全なダイまたは複数のダイを覆うほどに十分に大きな光ビームを用いることは、多くの有利な点がある。たとえば、組み合わされた反射光が検出器１５で検出される場合、正確な測定位置が違っても関係なく、実質的に測定間で変化しないことが、より良好に保証される。さらに、大きなスポット・サイズによって、光学ヘッドに収集される信号が増加し、また検出速度も増加する。
【００７３】
次に図４を参照して、同図は、典型的な測定点の組に対する波長の逆数対振幅を示す単純化されたグラフであり、前述したプロセスのシミュレーションを、２つの異なる厚み（ｄ１、ｄ２）を異なる位置に有するフォトレジスト・コーティングがコートされたウェハ（たとえばエッチング操作の結果として）に適用した場合を含む。すなわち図４は、反射率係数ｒ１およびｒ２（それぞれ厚みｄ１およびｄ２ならびに波長の関数として）の合計Ｒを示す。たとえば、ｄ１＝０．９５μｍ；ｄ２＝１．２５μｍ、および分離信号の強度比＝１である。
【００７４】
次に図５を参照して、同図は、図４のデータにフーリエ変換を適用したもの（すなわちフーリエ変換を、全体的な反射を規定する信号Ｒに適用している）を示す単純化されたグラフである。フーリエ変換によって、信号周波数に対する一連のフーリエ係数が生成される。このフーリエ係数から、各個別の信号周波数に対して透明膜の厚みを決定することができる。図５に示すように、フォトレジスト・コーティングの２つの厚みによって、はっきりと区別可能な２つのピークが生成されており、各ピークは、一方の厚みに関係する周波数を表している。
【００７５】
次に、図６および７を参照して、同図は、前述したシステムをどのように用いれば、互いに重ね合わされた２つの層の厚みを測定できるかを示す単純化されたグラフである。
【００７６】
図６は、二酸化ケイ素（酸化物）上において金属ラインのパターンが金属間誘電体によって覆われているウェハからの反射信号に対する強度対波長を示す。２つの厚みの酸化物が、測定点付近に存在する。
（１）金属ラインの上部上の酸化物（幅ｄ２＝１５５６ｎｍ）
（２）前もって堆積された誘電体の上部上の酸化物（厚みｄ１＝７２２ｎｍ）。図７は、前述したものと同様の周波数変換プロセスによって処理された後に受け取られた信号を示す。結果は、ｄ２およびｄ１＋ｄ２に関係する周波数においてピークが示されている。
【００７７】
次に図８を参照して、同図は、半導体ウェハ生産用の生産ラインの長さ５０を示す単純化された図である。生産ライン長さ５０においては、生産プロセスの５つのステージ５２〜６０が、並行に動作するツール群によって行なわれる。異なるステージはそれぞれ、異なる数のツールを有しており、通常その理由は、各ステージにおけるツールの動作速度が異なるからである。すなわち所定のウェハ・スループットを実現するためには、第１のステージ５２において４つのツール、第２のステージ５４において５つのツール、第３のステージ５６において２つのツール、第４のステージ５８において５つのツール、第５のステージ６０において３つのツールが必要となる。
【００７８】
ウェハはステージ間を、２５枚ウェハのバッチ（ロット）で、通常はロボット・シャトルもしくはコンベア機構によってまたは人手作業により、ルーティングされる。所定のステージを終了するどのロットも好ましくは、次のステージにおける次の利用可能なツールへルーティングされる。ある生産ランに対して１つまたは複数のステージが必要とはなくなる場合があり、ツールのいくつかは、メンテナンスのために任意の所定の時間にダウンしている場合もある。このようにツール間でウェハをルーティングすることは、些細な問題ではない。
【００７９】
生産プロセスの各ステージにおいて、正確にルーティングされてきたウェハであれば、所定の構成の層がすでに設けられている。したがって前述した測定デバイスを、各ツールまたは各ステージに対する入力に配置して、ウェハ内の層厚みを示すフーリエ変換を得るようにしても良い。変換によって、予想される周波数を示す予想される数のピークが示されるならば、ウェハは、プロセスの各ステージに入ることが許可される。ある特定のステージにウェハが到着したときに、予想されない層構成を示すフーリエ変換が得られた場合には、ルーティング・エラーであると推測されて、ウェハは、プロセスの各ステージに入ることが許可されない。
【００８０】
この点において、深い層の履歴が可能であるのは透明または半透明の層の場合だけであることに注意されたい。しかし不透明層の場合であっても、少なくとも表面情報は得ることができる。
【００８１】
ルーティング・エラーの場合、フーリエ変換は一般に、ウェハのルーティング履歴を示すには十分であるため、プロセスの正しいポイントでウェハを再挿入することができる。これについては後で詳述する。
【００８２】
次に図９を参照して、同図は、ウェハ生産プロセスの中間ステージにおける半導体ウェハの単純化された断面である。断面は、多くの異なる層と、変換において現れることが予想され得る多くの異なる厚みおよび屈折率とを備える。
【００８３】
次に図１０を参照して、同図は、図９のウェハに対して行なわれた厚み測定のフーリエ変換の単純化されたグラフである。変換は本質的に、ウェハ上に照射される光のエネルギー・スペクトルであり、ウェハの層構造に関する指紋を与える。図１０のスペクトルを、予想されるスペクトルと手動でまたは電子的に比較して、ルーティング・エラーが生じたかどうかを決定することができる。
【００８４】
スペクトル間の比較を、パターン・マッチングもしくは他の画像解析技術を用いて、またはピーク・レベルの簡単な測定によってさえ、自動的に行なうことができ、次に統計的に比較しても良い。
【００８５】
光学的厚さ（または屈折率）の測定は、簡単かつ迅速に行なわれる。したがって生産のスループットを落とすことがない。
【００８６】
ルーティング・エラーが生じた場合、プロセスを停止しても良いし、ウェハを再ルーティングしても良い。再ルーティングは、ルーティング・エラーにおいて示されるスペクトルを、プロセスの他のステージにおいて予想されるスペクトルと比較することによって、自動的に行なっても良い。そしてウェハを、スペクトルのマッチングが得られるステージに再ルーティングする。
【００８７】
本発明の一実施形態による生産ラインでは、半導体ウェハ生産物などの生産物を作製するための連続ステージが設けられていても良い。ウェハ生産物は通常、１つまたは複数の透明または半透明層を基板上に有している。層は、生産プロセスのあるステージにおいて付加され、他のステージにおいて除去または選択的に除去される。その結果、生産プロセスの各ステージが、ウェハ表面上の所定の組の層厚みによって特徴づけられる。
【００８８】
生産ラインは、前述したように、部分的に作製された生産物をステージ間で移すためのルータを備えていることが好ましい。好ましくは、各ステージは、各ステージにウェハが所定の順序で到着するように、所定の先行する生産履歴を有する部分生産物を受け取らなければならない。
【００８９】
１つまたは複数のステージに、ステージに対する個々の部分的な作製または生産履歴に対応する所定の強度スペクトルが与えられる。
【００９０】
ステージにはさらに、ステージに到着する部分的に作製された入力ウェハの強度スペクトルを得るための強度スペクトル取得器が与えられる。取得器は、ステージ全体に対して与えられる単一のデバイスであっても良いし、このようなデバイスを複数個設けても良い（特に並行に動作する複数のツールをステージが備えている場合）。
【００９１】
さらに、得られた強度スペクトルを所定の強度スペクトルと比較して、入力される部分的作製生産物が、ステージに対する所定の個々の部分的作製と対応するかどうかを決定するための比較器が設けられている。比較は、たとえばパターン・マッチング技術を用いて行っても良い。
【００９２】
スペクトルがマッチングしない場合には、ルーティング・エラー表示器がルーティング・エラー（ミス・プロセス）を表示することが好ましい。
【００９３】
好ましい実施形態においては、生産中断メカニズムがルーティング・エラー表示器と接続されていて、ルーティング・エラーが表示された場合に生産ラインの運転を中断するようになっている。こうして、プロセスの間違った部分に半導体ウェハが挿入されることが自動的に防止できる。
【００９４】
別の好ましい実施形態においては、マッチングしなかった場合に、比較器はさらに、得られた強度スペクトルを他のステージの所定のスペクトルと比較するように動作可能である。そしてウェハを自動的に、スペクトルのマッチングが得られる他の何れかのステージに再ルーティングすることができる。したがって本実施形態を、自動再ルータ（ｒｅｒｏｕｔｅｒ）として用いることができる。
【００９５】
スペクトル・マッチングを自動的に行なうことに加えて、スペクトル・マッチングを手動で行なえることが理解される。加えてまたはその代わりに、再ルーティングまたはプロセスの中断に関する判断を、手動で行なっても良い。
【００９６】
好ましくは、また前述したように、強度スペクトル取得器は以下の特徴を備えている。
（１）ウェハ上の１つまたは複数のポイントに、多波長放射源（典型的に白色光）を照射するための照射器または照明器、
（２）照射の反射強度を検出するための強度検出器、
（３）強度を波長に対して分析して、分析された強度を周波数スペクトルに変換するための、強度検出器に動作可能に接続されたアナライザ、
（４）スペクトルから部分生産物上の層の層特性を決定するための層特性決定器。層特性は通常、厚みまたは屈折率であり、スペクトルは通常、別個のピークとして測定されるポイント周囲の各厚みを示す。
【００９７】
アナライザは、分析された強度のフーリエ変換によってスペクトルを生成するためのフーリエ変換計算機を備えていても良い。
【００９８】
前述の機構を、個々のツールごとに設けて、ツールへの入力を制限するためのツール・ガードとして機能させても良い。
【００９９】
前述の機構を、各ツールごとに、または生産ラインもしくはその一部の各ステージごとに設けて、多段ステージ生産ラインの周囲に中間入力物をルーティングさせるための自動または半自動の生産ライン・ルータとして機能させても良い。
【０１００】
前述の機構を代替的に、おそらくは生産ラインとは関係なく、半導体ウェハ生産物の生産履歴を決定するためのウェハ生産履歴決定器として設けても良い。履歴決定器は、たとえばプロセスまたは制御エンジニアによるプロセス診断ツールとして有用である。履歴決定器には、一連のスペクトル（各スペクトルは、生産プロセスの異なるステージに関係する）が供給され、ウェハを一連のスペクトルと比較して最も近いマッチングを得ることによって、ウェハの生産履歴を決定する。
【０１０１】
次に図１１を参照して、同図は、生産ライン内の所定のツールまたはステージにおけるウェハ承認機構の動作を示す単純化されたフロー・チャートである。入力ウェハを得た後、多波長光を用いて複数のポイントで照射する。各ポイントに対する光を検出し、好ましくは前述したアナライザを用いて、別個の波長に分析する。次に分析データを、好ましくはフーリエ分析を用いて変換して、周波数領域スペクトルを生成する。
【０１０２】
次に前述のようにして得られたスペクトルを、個々のツールまたはステージに付随する予め格納された強度スペクトルと比較しても良い。比較は、パターン・マッチングまたは他の何らかの好適な技術を伴う自動であっても良いし手動であっても良いし、また比較の結果を用いて、個々のツールまたはステージによって入力ウェハを承認するべきか拒否するべきかを決定しても良い。
【０１０３】
ある実施形態においては、入力ウェハを拒否することには、スペクトルがマッチングしないときにルーティング・エラーを表示することが含まれる。その代わりにまたは加えて、入力ウェハを拒否することには、ルーティング・エラーの表示がある場合に生産ラインの運転を中断することが含まれても良い。
【０１０４】
好ましくは、各ステージは、その独自の所定の強度スペクトルを有している。
【０１０５】
一実施形態においては、所定のツールでのウェハの拒否に続いて、さらなるステップとして、得られた強度スペクトルを他のステージの所定のスペクトルと比較して、マッチングが得られる他のどのステージにもウェハをルーティングするステップを、設けても良い。
【０１０６】
以上の実施形態により、強度スペクトルを、半導体ウェハ生産物または部分生産物の層構造を決定するための「指紋」として用いることで、生産ラインを通る生産物のルーティング履歴が決定され、ルーティング・エラーが防止されることが提供される。
【０１０７】
本発明のある特徴は、明確にするために別個の実施形態の文脈の中で説明されているが、単一の実施形態の中で結合させて提供しても良いことが理解される。反対に、本発明の種々の特徴が、簡潔にするために単一の実施形態の中で説明されているが、別個にまたは何らかの好適な副結合において提供しても良い。
【０１０８】
本発明は上で詳しく図示し説明したことに限定されないことが、当業者には理解される。むしろ本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定され、また前述した種々の特徴の結合および副結合の両方に加えて、前述の説明を読めば当業者に想起されるであろう本発明の変形および変更をも包含する。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１Ａ】層状のウェハ生産物を示す単純化された図である。
【図１Ｂ】生産プロセスの後のステージにおける図１の層状のウェハ生産物を示す単純化された図である。
【図２】光の反射を用いてどうやって層状のウェハ生産物内の層厚みの情報を得ることができるかを示す単純化された光路図である。
【図３】半導体ウェハ生産ラインにおけるスピナに付随する、反射に基づく測定デバイスを示す単純化された概略図である。
【図４】図３の装置を用いた半導体ウェハの測定によって得られる波長の逆数対強度を示す典型的なグラフである。
【図５】図４のグラフに対してフーリエ変換を行なうことで得られるエネルギーまたは強度スペクトルを示す図である。
【図６】別の半導体ウェハに対する波長対強度を示す典型的なグラフである。
【図７】図６のグラフに対してフーリエ変換を行なうことで得られるエネルギーまたは強度スペクトルを示す図である。
【図８】連続するステージとして配置される多数のツールを含み、各ステージは並行な複数のツールを含む生産ラインの一部を示す単純化された概略図である。
【図９】図８の生産ラインによって典型的に作製することができるウェハを示す単純化された断面図である。
【図１０】図９のウェハから得られる強度スペクトルを示す図である。
【図１１】本発明の好ましい実施形態のルーティング・メカニズムの単一ツールにおける操作を示す単純化されたフローチャートである。
【図１Ａ】
2004534399.tif 000003
【図１Ｂ】
2004534399.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004534399.tif 000010
【図８】
2004534399.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2004534399.tif 000013
【図１１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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