(57)【要約】電気的に補足的なエネルギー合流を保持し調節できる、遮蔽する回路配置を有するエネルギー経路の相対的なグループ化を使用する回路配置の実施態様。
2004536452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一及び第二の複数の経路を有するデバイスであって、
前記第一の複数の経路は、互いに電気的に分離して配置され、第一の補足的な関係で配向された少なくとも２つの経路を有し、
前記第二の複数の経路の少なくとも一番目の数は、該第二の複数の経路の二番目の数から電気的に分離されて配置され、
前記第二の複数の経路の少なくとも２つの経路は、前記第一の複数の経路から電気的に分離されたことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記第二の複数の経路の前記一番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合されて、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合されたことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第二の複数の経路の前記一番目の数は、１以上の奇数であり、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数は、１以上の奇数であり、
前記第二の複数の経路の前記一番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合されて、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合されたことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記回路の２つの経路と少なくとも間隔を保つ間隔づけ物質をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記間隔づけ物質は、誘電体を有することを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第二の複数の経路の前記一番目の数は、第一のアライメントであり、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数は、第二のアライメントであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第二の複数の経路の前記一番目の数は、第一の重ね合わされたアライメントであり、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数は、第二の重ね合わされたアライメントであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第一のアライメント及び第二のアライメントは、重ね合わされたアライメントであることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第一のアライメント及び第二のアライメントは、他方上の少なくとも一つに位置することを特徴とする請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記経路の前記一番目の数の少なくとも２つの経路は、前記第一のアライメントで互いに電気的に結合して配置され、
前記経路の前記二番目の数の少なくとも２つの経路は、前記第二のアライメントで互いに電気的に結合して配置され、
前記経路の前記一番目の数は１以上の奇数の経路であり、前記経路の前記二番目の数は１以上の奇数の経路であり、
前記第一の複数の経路の総数は、少なくとも２以上の偶数であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第二の複数の経路の前記一番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合された第一のアライメントで配置されて、
前記第二の複数の経路の前記二番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合された第二のアライメントで配置されて、
前記第一の複数の経路の総数は、少なくとも２以上の偶数であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記回路配置の経路と少なくとも間隔を保つ間隔づけ物質をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記回路配置の４つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第一の複数の経路は複数の遮蔽された経路であり、
前記第二の複数の経路は複数の遮蔽された経路であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
少なくとも第一及び第二の複数の経路を有する電気的な配置であって、
前記第一の複数の経路は、互いに電気的に分離されて相互に補足的な位置で配置された、経路の少なくとも一つのペアを有し、
前記第二の複数の経路の少なくとも一番目の数は、該第二の複数の経路の二番目の数から電気的に分離されて配置され、前記第二の複数の経路は、前記第一の複数の経路から電気的に分離された少なくとも２つの経路を有し、
前記第二の複数の経路の一番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合され、
前記第二の複数の経路の二番目の数の少なくとも２つの経路は、互いに電気的に結合されたことを特徴とする電気的な配置。
【請求項１６】
前記回路配置の経路と少なくとも間隔を保つ間隔づけ物質をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項１７】
前記回路配置の少なくとも４つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項１８】
前記回路配置の少なくとも６つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項１９】
前記第二の複数の経路は互いに共同平面で配置された少なくとも２つの経路を有し、
前記回路配置の少なくとも４つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項２０】
前記第二の複数の経路は互いに共同平面で配置された少なくとも２つの経路を有し、
前記回路配置の少なくとも４つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項２１】
前記第一及び第二の複数の経路は非共同平面で積層して配置され、
前記回路配置の少なくとも４つの経路は、互いに電気的に分離されることを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項２２】
前記第一の複数の経路は、複数の通過を有し、
前記第二の複数の経路は、複数の遮蔽する経路であることを特徴とする請求項１５に記載の電気的な配置。
【請求項２３】
少なくとも４つの複数の経路を有するデバイスであって、
前記複数の経路の各々のそれぞれの経路だけが互いに電気的に結合し、
前記少なくとも４つの複数の少なくとも２つは、前記経路の少なくとも４つの複数の少なくとも他の２つのための遮蔽を提供することを特徴とするデバイス。
【請求項２４】
少なくとも第一、第二、第三及び第四の複数の経路を有するデバイスであって、
前記複数の各々のそれぞれの経路だけが互いに電気的に結合され、
前記第一の複数は前記第二の複数を遮蔽し、
前記第三の複数は前記第四の複数を遮蔽することを特徴とするデバイス。
【請求項２５】
少なくとも第一及び第二の複数の遮蔽する経路と、
少なくとも第一及び第二の複数の遮蔽された経路と、を有する回路配置であって、
前記遮蔽する経路及び遮蔽された経路は、前記回路配置と交互に配置されて、
前記複数の各々のそれぞれの経路だけが互いに電気的に結合され、
前記回路配置の各々の前記複数が互いに電気的に分離されたことを特徴とする回路配置。
【請求項２６】
少なくとも一つの集積回路を有する集積回路のパッケージと、
共に伝導的に結合された複数の経路と、
共に伝導的に結合された第一の複数の遮蔽と、
共に伝導的に結合され、少なくとも前記第一の複数から電気的に分離された、第二の複数の遮蔽と、を有するシステムであって、
前記遮蔽と前記経路の各々は交互に配置され、前記遮蔽は前記集積回路から離れてエネルギーを伝播するために適切な少なくとも一つの低いインピーダンス経路を展開し、
前記経路は前記集積回路のパッケージ内でのエネルギー伝播に適切な低いインダクタンス経路を展開し、前記エネルギー伝播は少なくとも前記複数の遮蔽によって調節されることを特徴とするシステム。
【請求項２７】
前記第一及び第二の複数の遮蔽は、それぞれ実質的に共同平面の関係であることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記第一及び第二の複数の遮蔽は、それぞれ実質的に共同平面の関係であることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記第一又は第二の複数の遮蔽の一つは前記遮蔽の中心の一つを有し、前記第一及び前記第二の複数の遮蔽並びに前記経路は、該中心の一つに関して実質的に均衡がとれて補足的で対称的な配置で配置されたことを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項３０】
前記第一又は第二の複数の遮蔽の一つは前記遮蔽の中心の一つを有し、前記第一及び前記第二の複数の遮蔽並びに前記経路は、該中心の一つに関して実質的に整列されることを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項３１】
前記遮蔽の前記第一の複数及び前記第二の複数の各々は、奇数の遮蔽を有することを特徴とする請求項２６に記載のシステム。
【請求項３２】
デバイスが集積回路のための第一レベルの相互接続配置である請求項１乃至８又は１０乃至１２のいずれかに記載のデバイス。
【請求項３３】
デバイスが減結合のコンデンサとして配置された請求項１乃至８又は１０乃至１２のいずれかに記載のデバイス。
【請求項３４】
デバイスがバイパスコンデンサとして配置された請求項１乃至８又は１０乃至１２のいずれかに記載のデバイス。
【請求項３５】
デバイスが集積回路に結合した第一レベルの相互接続配置である請求項１乃至８又は１０乃至１２のいずれかに記載のデバイスであって、
少なくとも第一の複数が前記集積回路に電気的に結合されたことを特徴とするデバイス。
【請求項３６】
デバイスが集積回路に結合した第一レベルの相互接続配置である請求項１乃至８又は１０乃至１２のいずれかに記載のデバイスであって、
前記第一の複数は前記集積回路に電気的に結合され、
前記第二の複数は前記集積回路から電気的に分離されたことを特徴とするデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
この出願は、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／０２３，４６７号の一部継続出願であり、２００１年１１月２９日出願の同時係属出願第０９／９９６，３５５号の一部継続出願であり、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／００３，７１１号の一部継続出願であり、２００１年１０月１７日出願の同時係属出願第０９／９８２，５５３号の一部継続出願である。
【０００２】
加えて、この出願は、２００１年７月２日出願の米国仮出願第６０／３０２，４２９号、２００１年８月８日出願の米国仮出願第６０／３１０，９６２号、２００２年１月８日出願の米国仮出願第６０／３４９，９５４号、及び２００２年６月１２日出願の米国仮出願第（まだ選定されていない）号の利点を請求する。
【０００３】
この出願は、複数のエネルギー調節機能のための様々なエネルギー伝播のための経路などのエネルギー経路の補足的で相対的なグループ化（ｇｒｏｕｐｉｎｇｓ）を使用する、均衡のとれた遮蔽配置に関する。かかる遮蔽配置は、電気的に補足的なエネルギー合流を保持し調節できる、個別又は個別でない具体化のように操作可能であってよい。
【０００４】
背景技術
今日、適用における電子の密度が増大するにつれて、増大した密度の副産物としての望ましくないノイズが電子回路の性能を制限する。結果として、望ましくないノイズの影響に対する回路の分離又はイミュニゼーション（ｉｍｍｕｎｉｚａｔｉｏｎ）など望ましくないノイズの副産物の影響の回避は、回路の配置及び回路の設計の考慮において重要である。
【０００５】
差異及び共通モードのノイズエネルギーは、エネルギー経路、ケーブル、回路ボードトラック又はトレース、高速伝送ライン、及び／又はバスライン経路によって生じてよく、エネルギー経路、ケーブル、回路ボードトラック又はトレース、高速伝送ライン、及び／又はバスライン経路に沿って若しくは周囲で伝播されてよい。それらエネルギーコンダクタは、例えば、エネルギーフィールドを放射するアンテナとして作用してよい。かかるアンテナとアナログの性能は、高周波数における従来の受動的なデバイスを活用するエネルギーの伝播が、様々な容量性及び／又は誘導性の寄生などエネルギーの寄生の干渉の増大したレベルを経験する、ノイズ問題を悪化させるかもしれない。
【０００６】
それら増加は、固有の設計若しくはデザインの不均衡及び従来技術の性能の欠損と関連する、従来の解決策の機能的又は構造的な限界からの抑制の組み合わせによるかもしれない。これらの欠乏は、本質的に、関連する電子回路に関する望まれず不均衡な干渉エネルギーを生成又は引き起こし、それによって、寄生で望ましい電磁干渉からの少なくとも部分的な遮蔽を成す。結果として、幅広い周波数の操作環境において、それらの問題を解決することは、少なくとも部分的な静電気及び電磁気の遮蔽との組み合わせの広範囲な分離と同様に、様々な接地又は耐ノイズ配置を有する注意深いシステムである、少なくとも同時フィルターの組み合わせを必要とする。
したがって、個別又は個別でない構成に合同された他の要素を追加的に有し、少なくとも減結合（ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ）機能、一次的な抑制機能、ノイズ消去機能、エネルギーブロック機能、及びエネルギー抑制機能から選択される効果的で対照的な均衡がとれて継続可能である同時エネルギー状態の機能の提供における殆どの回路の適用で利用されてよい、簡素型のエネルギー経路配置を活用する、独立型のエネルギー調節配置の必要性がある。
【０００７】
本発明の理解は、添付図と関連した本発明の好ましい実施態様の下記の詳細な記載を考慮することによって容易になるであろう。
【０００８】
本発明の詳細な記載
この出願は、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／０２３，４６７号の一部継続出願であり、２００１年１１月２９日出願の同時係属出願第０９／９９６，３５５号の一部継続出願であり、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／００３，７１１号の一部継続出願であり、２００１年１０月１７日出願の同時係属出願第０９／９８２，５５３号の一部継続出願であり、これらはここに参照として組み込まれている。
【０００９】
加えて、この出願は、２００１年７月２日出願の米国仮出願第６０／３０２，４２９号、２００１年８月８日出願の米国仮出願第６０／３１０，９６２号、２００２年１月８日出願の米国仮出願第６０／３４９，９５４号、及び２００２年６月１２日出願の米国仮出願第（まだ選定されていない）号の利点を請求する。これらはここに参照として組み込まれている。
【００１０】
本発明の添付図及び記載は、本発明の明らかな理解を明確にする要素を例示するために簡素化されて、一方で明確にする目的のために、典型的なエネルギー調節システム及び方法で見られる多数の他の要素を除外することを理解するべきである。他の要素及び／又は段階が望ましく、及び／又は本発明での実行に必要とされることを当業者は認識するであろう。しかしながら、かかる要素及び段階は当該技術で周知であり、本発明の理解に容易ではないために、かかる要素及び段階の議論はここでは必要とされない。ここでの開示は、当業者に周知である、かかる要素及び方法に対するすべての変化及び修正を導く。他に注意されるのでなければ、追加的に、部分的に及び全体を通して使用されて含まれるように考慮される、“エネルギー”、“システム”、回路等の全体若しくはその一部を含む、ここで使用される用語は当業者にとって明白であるだろう。
【００１１】
ここで使用されるように、“エネルギー経路”又は“経路”は、少なくとも一つ又は多数の伝導性物質を有し、各々はエネルギーの維持された伝播において操作可能である。経路は伝導性であり、それによって、経路に対して直接的に若しくは非直接的に接続するか、又は隣接する、非伝導性若しくは半導体物質と比較して、様々な電気エネルギーを良好に伝播する。エネルギー経路は、遮蔽、配向に限らず、並びに／又は配向及び／若しくは位置づけを有する様々な配置のエネルギー経路配置内のエネルギー経路の位置づけ多数の態様により発生する調節機能などの様々なエネルギー調節機能を許容することによって第一エネルギーの伝播を容易にしてよく、それによって少なくとも第一エネルギーに補足的であるエネルギーを伝播する第一エネルギーの相互作用を可能にする。エネルギー経路は、エネルギー経路部分と、全体のエネルギー経路と、コンダクタと、エネルギーコンダクタと、電極と、少なくとも一つのプロセス生成型コンダクタと、及び／又は遮蔽とを有する。複数のエネルギー経路は、エネルギー経路に関して上に記載の複数の各デバイス又は要素を有してよい。さらに、ここで一般的に使用されるように、コンダクタは、例えば、個々の伝導性物質部分、伝導性平面、伝導性経路、経路、電気ワイヤー、通過（ｖｉａ）、アパーチャ、抵抗性のリードなどの伝導性部分、伝導性物質の部分、又は少なくとも一つの媒体８０１によって分離された平面などの電気プレートを含んでよい。
【００１２】
遮蔽は、遮蔽電極と、遮蔽経路の部分と、遮蔽型経路と、遮蔽型コンダクタと、遮蔽型エネルギーコンダクタと、遮蔽型電極と、及び／又は少なくとも一つのプロセス生成型遮蔽経路部分とを含む。複数の遮蔽は、遮蔽に関して上に議論された複数のデバイスを含んでよい。
【００１３】
ここに一般的に使用されるように、経路は、７９“Ｘ”、８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、及び９９“Ｘ”で示された様々な経路の拡張を有する主体８０、８１に関して、補足的に位置づけされるか、又は補足的に配向される。主体８０、８１は、距離、配向、位置、重ね合わせ、非重ね合わせ、アライメント、部分的なアライメント、ラッピング、ノンラッピング、及び部分ラッピングなど、個々に、ペアで、グループで、及び／又は複数で三次元の物理的な関係である。重ね合わせた主体経路８０は、例えば、電気的な零、電気的な補足、電気的な差異、又は電気的な相反の一つ又は任意の組み合わせである、物理的に反し、反対に配向された主体経路８０のペアを有する。
【００１４】
経路配置は、少なくとも一つのエネルギー経路を少なくとも部分的に遮蔽する少なくとも一つの遮蔽、又は通過、アパーチャ若しくは補足的に対の経路などの少なくとも２つのエネルギー経路の少なくとも伝導的に分離されたペアを伝導性の遮蔽を介して少なくとも部分的に遮蔽する遮蔽構造を形成する遮蔽のグループを含んでよい。
【００１５】
典型的な実施態様は、共通の遮蔽又は分離された回路の役割をする遮蔽の少なくとも一つのグループにエネルギーの伝播を引き起こす補足的な対の経路などの伝導的に分離されたペアへのエネルギー伝播を可能にする。かかる実施態様は、少なくとも１つの個別のものと別個の分離された回路システムに役立つ、単一の少なくとも１ペアの分離された個別の並列の経路で低いインダクタンス経路の形成を可能になってよい。典型的な実施態様は、少なくとも２つのセットの分離された個別の並列の経路の少なくとも一つの平行な経路で伝播するエネルギーの活用のための少なくとも低いインダクタンスの経路の発展及び少なくとも１つの他の分離の個別の回路システムに沿って伝播するエネルギーの活用のための少なくとも一つの他の低いインダクタンス経路の少なくとも一つの平行の経路に沿った発展を可能にしてよい。
【００１６】
回路アセンブリの一部分として活用された典型的な実施態様は、相対的に低いインダクタンスの少なくとも一つの経路を有してよく、一方で、他の経路はエネルギー源又はエネルギーロードに電気的に接続されてよい。第二の複数の経路の経路は、同一の少なくとも一つのエネルギー源又は回路アセンブリの少なくとも一つのエネルギーロードのいずれかから得られるエネルギー部分において操作可能な低いインピーダンスを有してよい。低いインピーダンスのかかる同一の経路は、低いインダクタンスの一つの経路として、同一の少なくとも一つのエネルギー源又は回路アセンブリの少なくとも一つのエネルギーロードの何れかに電気的に直接接続されなくてよい。システムは、同一の経路でない、わずかなインダクタンスの経路とわずかなインピーダンスの経路の両経路を有してよい。
【００１７】
コンデンサデバイスの等価な連続インダクタンス（ＥＳＬ）が一般的にサイズに依存する、工業で使用されるコンデンサと対照的に、本発明において、エネルギー調節のための回路におけるわずかなインピーダンスの経路及びわずかなインダクタンスの経路は、デバイスの物理的なサイズに依存せずに達成されてよい。それら態様は、本発明での所定の層によって発展する所定の容量に依存する。
【００１８】
経路を調整することは、例えば、エネルギーの伝達、又は相対的な効率若しくはエネルギーの少なくとも一つの源と集積回路のロードを活用する一つのエネルギーとの間の効果を主に決定するための経路の伝導性物質の抵抗を可能にする。ＥＳＬは、伝達出力又は弱まるインダクタンスの減結合の無効のための主要な要因よりも無視できる要因である。
【００１９】
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、５Ａ及び５Ｂで例証した例示的な経路配置において、様々な伝播エネルギーが補足的であってよく、回路配置に位置する経路配置は、経路配置のあるエネルギー経路内又は経路に沿ったエネルギーの伝播を可能にしてよく、それによって、補足的なコンダクタの各セットから外側に向かって放射するエネルギーフィールド電流の伝播によって生成された経路提供型電磁場の反対部分の相互の相互作用を可能にする。かかる相互の相互作用は、実施態様における相互消去となってよく、ある経路は他の補足的な経路から部分的又は全体で物理的に遮蔽されてよく、他の補足的な経路の影響する距離内で位置されてよい。さらに、経路間の遮蔽の間隔が離れた関係と相互位置づけ及び経路の伝導性で分離された関係を含むそれぞれの補足的な経路のサイズと形状における実質的な同様性は、かかる相互の消去作用に寄与してよい。加えて、遮蔽操作は、伝導性の静電遮蔽に関するペアの経路の一致の相対的な位置づけに基づいてよい。ここに記載した少なくとも補足的なエネルギー調節機能及び静電気遮蔽力学は、様々な所定の経路に沿った様々な方向での様々なエネルギー伝播に作用してよく、経路の配置を活用する力学的操作を有する回路で操作してよい。
【００２０】
電磁気的／静電的に作動したインピーダンス状態のサブコンビネーションは、エネルギーの調節回路を形成するために、経路配置に沿うか若しくは経路配置内で展開してよく、又は遮蔽の個別であるか複数のグループに伝導的に結合されて閉じて結合した外部の伝導性部分に沿うか若しくはかかる伝導性部分内で展開してよい。例えば、一つの回路部分の経路の一つのペアのセットのためでなく、別の回路部分から経路の別のペアのセットでの展開を必要としないために、それら電磁気的／静電的に作動したインピーダンス状態は展開してよい。
【００２１】
本発明の態様によると、各遮蔽は主体８１を有してよい。主体８１は、互いに集団的で伝導的に結合してよく、同時にエネルギー経路の主体８１を実質的に免除し遮蔽してよい。本発明の別の実施態様において、集団的に遮蔽する主体８１はただ部分的に閉じ込めてよいし、又は遮蔽の少なくとも一つの部分での経路の主体８０ｓを遮蔽してよい。
【００２２】
本発明の別の態様によると、均衡で対照的な経路配置は、ある重層された遮蔽の対照から、補足的な経路のサイズ化及び形状化から、並びに／又は補足的な経路の相互の位置づけ及びペアリングからの結果となってよい。ダイナミックなエネルギー伝播、相互作用、ペアリング又は様々な力学的な量の一致が発生する、経路の製造可能で均衡の取れたか、又は対照的な物理的な配置は、試験設備の正確な基本的な限界よりもわずかで操作してよい。したがって、それらの補足的なエネルギー量の部分が同時に相互作用する場合、エネルギーは典型的な試験設備の計測可能な範囲を超過してよい。したがって、測定が得られるかもしれない範囲は増加した制御可能性を使用してよく、それによって電気的な特質及び電気的な特長における作用は、所望の測定可能性、振る舞い、又は提供される増強を予め決めることによって、及び所望の測定可能性若しくは効果を提供するように要素の特異的な配置によるなど要素の対応する配置によって制御されてよい。例えば、所望の電気的な特徴は、例えば、下記の記載及び図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、５Ａ及び５Ｂに記載のような補足的な均衡、サイズ、型、及び少なくとも一つの経路のペアリングの対照の少なくとも一つの部分を変化することによって所望の増強において予め決定してよい。
【００２３】
したがって、例えば、エネルギー相互作用の範囲、相互エネルギー伝播のタイミング及び干渉は経路配置内の耐久性によって制御されてよい。例えば、半導体プロセス制御などの製造工程又はコンピュータの耐久性制御は、それらの耐久性を制御してよい。したがって、実施態様の経路は、当業者にとって明白である、受動的なデバイス処理などの製造処理を使用して形成されてよい。それによって、相互のエネルギー伝播の測定は、経路配置の形成及び形成処理によって消去されるか、抑制されてよい。
【００２４】
上に記載のような経路配置は、経路の均衡の取れたグループを有する合同した電子構造での経路の連続的に位置づけたグループを有する。均衡の取れたグループは、数の上では対称的で補足的で、互いに補足的に位置づけされた経路の積層された階級を有する所定の経路構造を含んでよく、それによって、ペアを形成し、ペアの各々は中心に位置付けされた遮蔽の各側から実質的に等距離であり、図１Ａ乃至４Ｉに描写されるように、各遮蔽は、各ペアの経路及び全体の経路の階級の両者における対照的に均衡が取れたポイントを提供してよい。したがって、所定の同一なサイズで補足的に位置づけされた経路は、各個別の回路部分において中心に位置づけされた遮蔽の各側において存在してよい。全体の回路は、少なくとも一つの積層の遮蔽を挟み込む、ペアで遮蔽されて補足的なサイズで形状化された経路の逆の鏡像の位置づけを有する補足的で物理的なフォーマットに対照的に分割される、全体の回路の補足的な部分を有する。
【００２５】
本発明の態様によると、例えば、各経路は、周りを取り巻くか保持する相互連結の基板、統合された回路のウェハー、沈着、エッチング又はドープ処理の結果であってよく、例えば、遮蔽は、経路基板、エネルギーを調節する実施態様又はエネルギーを調節する基板、沈着、エッチング、ドープ処理の結果であり、かつ、例えば抵抗性の特性であってよい。追加的な要素は、様々な経路間に伝導性及び非伝導性要素を有して活用されてよい。それらの追加的な要素は、強磁性体物質又は強磁性体状の誘電体層及び／又は誘導性のフェライトの誘電体派生物質の形態であってよい。追加的な経路の構造的な要素は、例えば、物質及び構造的な要素の様々な組み合わせに加えて、エネルギーを調節するオプションのホストを提供するために、異なる伝導性物質構成の伝導性及び非伝導性に複数の経路、伝導性の磁場に影響する物質のハイブリッド及び伝導性のポリマーシート、様々な処理された伝導性及び非伝導性ラミネート、真っ直ぐな伝導性の沈着、複数の遮蔽経路、様々なタイプの磁気物質の遮蔽及び選択的な遮蔽を活用する経路、伝導的にドープされ伝導的に沈着された物質及び停止はんだを有して活用されてよい。
【００２６】
非伝導性物質はまた、様々な経路の構造的なサポートを提供してよく、それら非伝導性物質は、経路に沿って移動する同時で一定で妨害されないエネルギー伝播を維持する全体に活性化された回路を支援してよい。例えば、誘電体物質は、処理技術と互換性を有する物質要素の一つ以上の層を有してよい。それら誘電体物質は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などの半導体物質であるか、又は、高低のカリウム誘電体である、任意のカリウムに限定されない半導体及び絶縁物質であってよい。
【００２７】
経路及びコンダクタ物質は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄからなる群から選択されてよく、別のそのような伝導性物質及び金属であってよい。それら金属物質の組み合わせは、ここに記載された目的のために適切であってよく、特定の適用の必要不可欠なものに依存するルテニウム酸化物などの適切な金属酸化物を含んでよく、適切な金属で希釈されてよい。他の経路は、実質的に非抵抗性の伝導性物質で形成されてよい。ドープされたポリシリコン、焼結されたポリクリスタル、金属、ポリシリコンのケイ酸塩、若しくはポリシリコンのケイ素化合物などの伝導性エリアを生成する、伝導性、非伝導性、半導体物質及び／又は回路ボード物質若しくは任意の基板あるいは処理から経路を生成してよい任意の基板並びに処理は、経路の配置内又は経路の配置で使用されてよい。
【００２８】
本発明の典型的な実施態様は、特定の外部の回路バランスよりも様々な配置内でエネルギーを均衡する形態を保証するために内部遮蔽の構造的な構成を活用してよい。この均衡の形態は、エネルギーを伝播することによって活用される電気的に相反して遮蔽されたペアの経路において同時に遮蔽を提供するために、共有されて中心に位置づけられた遮蔽及び特定量で位置づけられた実際にペアになった遮蔽に関するすべての遮蔽の相関する位置づけに依存する。これは、それらの電気的に相反する補足的な経路を中心に位置づけて共有した共通の伝導性の遮蔽の反対側に電気的で物理的に位置することを可能にする。中心で共有された遮蔽のかかる挿入は、様々な回路電圧に半分で分配し、通常予測される電圧エネルギーの半分に相反するペアになった遮蔽コンダクタの各々を提供する、分圧器を生成してよい。遮蔽されたコンダクタを有する活性化された回路類は、中心に位置付けられた遮蔽、共通及び共有された経路、若しくは各それぞれの分離された回路システム部分に関して、電気的に又は電荷に反する手法で均衡されてよい。分離された回路システムの各共通の回路要素は、共通エリア又は共通経路に付加されるか結合されてよく、それによって外部の共通のゼロ電圧を提供する。したがって、実施態様は、追加的に結合されて−ＩＭとして図に示されている、追加的な外部のサンドイッチ状の遮蔽でサポートされ、挿入された遮蔽関係の少なくとも一つの様々に電気的であるか若しくは電荷が相反する、遮蔽されたペア又はグループ化された補足的なペア間に電気的若しくは物理的に位置する複数のセットの遮蔽を有してよい。
【００２９】
典型的な実施態様はまた、異なるエネルギー源を活用し、かつ一つ以上の分離した個別のエネルギー利用ロードを提供してよい、一つ以上のエネルギー回路内に位置してよい。複数のエネルギー調節操作のために活性化され、干渉フィルター、抑制、エネルギーの減結合及びエネルギーサージ保護など同時で効果的なエネルギー調節機能を提供するために活性化される場合、各分離した個別の回路は、複数の共通的に共有のユニバーサル遮蔽構造及び回路参照画像又はノードを活用する。
【００３０】
本発明の態様によると、エネルギー調節機能は、明白な均衡がとれたエネルギー電圧の参照及び回路内の各それぞれのエネルギー活用ロードにおけるエネルギー供給を維持してよい。この活性化された配置は、単一又は複数の分離された回路配置を活用する特定のエネルギー伝播を可能にしてよく、単一で中心化された遮蔽での均衡を必要としなくてよい。遮蔽は、多数の個別に分離された経路に依存して、一つ又は複数のエネルギー源と一つ又は複数のエネルギー活用ロードとの間に物理的かつ電気的に位置してよい。したがって、中心化された経路に関する遮蔽は、共同平面であってよく、典型的な実施態様の変化を積み重ねてよい。
【００３１】
内部で位置するペアの遮蔽された経路が、外部的に製造された経路に実質的に付加されるか、又は伝導的に結合される場合、内部で位置するペアの遮蔽はゲージ状の遮蔽構造内で実質的に包まれてよく、それによって、通常は逃げるか又は隣接する遮蔽の経路に結合する、内部で生成するエネルギーのさまよい及び寄生を最小限にする。それら遮蔽モードは様々な経路に対してエネルギーの伝播を活用し、遮蔽構造の活性化によって生成される静電の遮蔽効果の分離であってよい。補足的な手法で伝播するエネルギーの伝播は、反対の伝播の隣接の結果として相互に相反し、相互に消去されたフィールドのエネルギーフィールドを提供する。補足的でペアの経路は、内部的に均衡が取れた抵抗性のロード機能を提供する。
【００３２】
本発明の態様によるデバイスは、少なくとも一つの静電的に遮蔽された変圧器の機能性を模倣してよい。変圧器は、エネルギーを変換する二次的な巻き線に主要な巻き線を磁気的にリンクするために、入力における差異のモード変換に依存する共通モードの分離を提供するために幅広く使用されてよい。結果として、主要な巻き線における共通のモードの電圧が拒否される。変圧器の製造で固有の一つの問題は、主要な巻き線と二次的な巻き線との間でエネルギー源の静電容量が拡散することである。回路の周波数が上昇するにつれて、回路分離が危険にさらされるまで容量結合が増大する。十分な寄生の静電容量が存在する場合、高周波数のＲＦエネルギーは変圧器を通過してよく、一時的な出来事を受ける分離ギャップの反対側の回路での混乱を引き起こしてよい。遮蔽は、巻き線の複数セット間の静電容量結合を防ぐために設計された共通の経路参照に結合することによって主要な巻き線と二次的な巻き線との間に提供されてよい。本発明の態様によるデバイスは、回路の変圧器に依存して改善し、回路の変圧器における必要性を減少する。装置は、寄生を抑制する物理的で相関する共通経路の遮蔽を使用してよく、さらに、変圧器として効果的に機能するように、様々な外部の回路類との組み合わせにおいて、共通する経路の遮蔽の相関する位置づけ、補足的なペアの経路の層化、経路の層化の様々な結合、及び分離された回路システムごとの伝導性エリアに対する外部の伝導的な結合を使用してよい。分離された回路システムが一時的に反転する場合、ここに記載のデバイスの静電的で遮蔽された変圧器の機能は、一時的な抑制と保護において効果的であってよく、組み合わされた差異のモード及び共通モードのフィルターとして同時に機能してよい。相関する遮蔽及び相関するコンダクタの各セットは、例えば、変圧器の機能性を提供するために少なくとも同一の外部経路に伝導的に結合されてよい。
【００３３】
伝播された電磁干渉は、電気場及び磁場の両者の生成であってよい。本発明の態様によるデバイスは、異なるタイプのエネルギー伝播フォーマットを有してよいシステム及び一つ以上の回路の伝播特質を有してよいシステムでのエネルギー調節を含む、直流、交流、並びに交流／直流のハイブリッドタイプの伝播を使用するエネルギー調節ができてよい。
【００３４】
典型的な実施態様において、伝導的な結合によってアセンブリ内に典型的な実施態様の外部分の結合又は接続するための周辺の伝導性の結合物質は、典型的な実施態様のそれぞれの部分によるか、又はほとんどによる、少なくとも別の経路、アパーチャ若しくはブラインド若しくはノンブラインドの通過として周知のコンダクタに関して適用する、傾斜型、平行型若しくは垂直型の様々なタイプに対する伝導性又は非伝導性の付加によって達成されてよい。本発明の一つの態様における集積回路の一部分などの少なくとも一つ以上のロードに接続することは、又はアパーチャ及び通過などのコンダクタの様々なタイプに対する選択的な結合を含んでよいし、含まなくてもよい。
【００３５】
経路の組立は、経路の一つ以上のレベルによる一つ以上のプレートスルーホール（ｐｌａｔｅｄ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｈｏｌｅ）（ＰＴＨ）通過の形成を含んでよい。電子パッケージは、複数の相互結合レベルを共通して含む。かかるパッケージにおいて、本発明は、誘電体物質層などによって、別の相互結合レベルのパターン化された伝導性物質から電気的に絶縁されてよい、一つの相互結合レベルのパターン化された伝導性物質の層化を含んでよい。
【００３６】
様々な相互結合レベルにおける伝導性物質間の接続又は結合は、絶縁部分又は層の通過若しくはアパーチャとしてここに言及される開口の形成によってなされてよく、代わって、パターン化されたか若しくは共有された伝導性物質部分又は異なるレベルからの経路が互いに電気的な接触にもたらされるように伝記的な伝導性構造を提供できる。それら構造は、一つ以上の相互結合レベルにより延在できる。伝導性、非伝導性又は伝導的に満たされたアパーチャ及び通過の使用は、あたかも実施態様のバイパス又は供給経路形態を活用するように、典型的な実施態様に交わるようにエネルギーの伝播を可能にする。実施態様は、サポート、システム又は少なくとも一つの源と少なくとも一つのロードとの間で伝播したエネルギーを調節するための記載された利点を提供する層化された活性及び受動的な構成部分の両者若しくはいずれかを有してよい、サブシステムのプラットホームとしての役割をしてよい。
【００３７】
本発明の態様は、伝導性の構成又はパッケージでの包含に適切な構造あるいは他の要素を有する集積回路のパッケージを提供してよい。別の要素は、他の経路によって供給されるグループ化されて活性化される補足的なコンダクタ間で発生するために同時のエネルギー相互作用を可能にすることによって、同時に物理的で電気的に遮蔽するための装置に直接的に結合してよい。少なくとも一つの遮蔽する経路間で見られる典型的な容量的な均衡は、分離された回路ごとの共有の遮蔽構造の反対側を測定する場合に見られてよく、さらに、共通の非特異的な誘電体若しくは経路の誘電性物質の使用でさえも、かかる分離された回路部分内で測定された容量的なレベルで維持されてよい。したがって、要素の位置づけ、サイズ、分離及び付加の位置づけによる電気的な回路のかかるタイプの補足的な容量的な均衡又は特質を均衡する耐久性は、伝導的に結合されて活性化され分離された回路システムに通過するため、分離された回路システムに位置される遮蔽構造の分割に関して、各それぞれの分離された回路システムの電気的に相反しペアになった補足的な経路との間で維持され関連する３％の容量的な耐久性に通過するために、内部的に３％の容量的な耐久性で製造された分離した回路システムを有する典型的な実施態様を可能にする。
【００３８】
典型的な実施態様は、比較的安価な誘電体、伝導性物質及び幅広い様々な手法の様々な他の物質要素の活用が可能であってよい。構成の特性により、物理的で電気的に分割する生成された構造は、グループ化し隣接する要素において分割し均衡する電圧を可能にし、エネルギー源からそれぞれのロード及びロードから供給源に戻る結合又は接続の経路の両側の電気的な側で同時の明白に開かれたエネルギーの流れとして様々なエネルギーを活用するロードに現れる瞬間的な能力と同様に、下記の影響に通常分裂されるか、又は失うエネルギーの伝播が本質的に有効な構成部分の切り替え反応時間の形状で保持されてよいような程度まで物質のヒステリシス及び圧電現象の影響の最小化を可能にしてよい。
【００３９】
構造的な層は、ラインの調節若しくは減結合を実行するため、例えば、望ましいか若しくは所定の電気的な特性までエネルギーの電気的な送信の修正を支援するか又は可能にするために様々な電気的なシステム及びサブシステムに形状化され、埋め込まれ、包含され、又は挿入されてよい。特定若しくは狭いエネルギー調節又は電圧均衡の維持を目的とする効果で特異的な誘電体物質は、回路のためのバイパス、供給、あるいはエネルギーの減結合操作をもはや必要としなくてよい。
【００４０】
上に記載のような本発明の態様によるデバイスは、各分離された回路と、ペアになった複数の経路又は差異の経路との間に位置される。この典型的なデバイスは、単一で個別のコンデンサ又はインダクタの構成部分と比較して、ブロードな周波数範囲において効果的に操作してよく、さらに、ＧＨｚを越えて操作する分離された回路システム内で連続して効果的に実行してよい。
【００４１】
上述のように、典型的なデバイスは、かかるブロードな周波数範囲で遮蔽機能を実行してよい。ペアになった電気的に相反し隣接する補足的な経路を物理的に遮蔽することは、補足的な経路のサイズに関する共通経路のサイズによる結果であってよく、さらにサンドイッチ状の補足的なコンダクタから派生し外部の寄生を防ぐ、活性化されて静電的な抑制又は寄生の最小化からの結果であってよい。さらに、より伝導性である遮蔽に相関する遮蔽の位置づけは、誘導エネルギー及び“Ｈフィールド”結合に対して保護するように使用されてよい。かかる技術は、相互の誘導的な消去として周知である。
【００４２】
寄生の結合は、電場結合として周知である。上に記載の遮蔽機能は、電場の寄生に対して静電的で様々に遮蔽した経路の主要な遮蔽を提供する。補足的なコンダクタの経路から派生する相互又はさまよう寄生のエネルギーにより妨害し伝播するエネルギーの通過を含む寄生の結合は、それによって抑制されてよい。例えば、本発明の態様によるデバイスは、積層された伝導性の階級的な進展でユニバーサルな遮蔽構成における相反して位相されたコンダクタを包含することによって容量的な結合をブロックしてよく、それによって、経路の垂直的及び水平的な両者のそれぞれの層化及び位置づけであるような経路の位置づけに関して静電的又はファラデー遮蔽効果を提供する。遮蔽する経路の構成は、小型のペアになった補足的な経路よりも大きい多数の共通の経路の層の負荷によるなどして、潜在的に騒々しいコンダクタと犠牲コンダクタとの間の内外の寄生背結合を抑制し防ぐために使用されてよいが、抑制する補足的な経路コンダクタのペアの各々とさまよう寄生を有する補足的な経路コンダクタのペアの各々との間に位置される。
【００４３】
上述のように、さらに、より伝導性である、遮蔽に相関する遮蔽の位置づけは、誘導エネルギー及び“Ｈフィールド（Ｈ−Ｆｉｅｌｄ）”結合に対して使用されてよい。かかる消去は物理的な遮蔽エネルギーで達成されて、一方で、遮蔽サイズに対応するエリアサイズ内で含まれてペアになった補足的な経路の挿入を可能にするために、位置づけされて補足的でペアになった経路を同時に使用する。本発明の態様によるデバイスは内部の遮蔽又はグループ化として分離的な遮蔽を使用するように適合されて、それによって、電気的に相反する補足的な経路のペアを実質的に分離しサンドイッチ状にし、それによって、各遮蔽と活性ロードとの間に物理的に強固であるか若しくは最小限のエネルギー及び回路ループの伝播を提供する。遮蔽と非遮蔽の隣接は、たとえ８０１物質タイプ又は間隔による直接の電気的な分離が存在するとしても、遮蔽に沿うエネルギーを可能にしてよい。
【００４４】
ペアになって電気的に相反するか又は差異の経路に沿ったエネルギーが伝播するフラックスの消去は、相反して位相した伝記的に補足的な操作における非常にわずかな距離によって経路の離れた間隔からの結果であってよく、それによって、同時にさまよう寄生の抑制及びタンデム遮蔽に起因する封じ込め機能の結果となり、それによってエネルギー調節を増強する。
【００４５】
分離された回路システムの様々な回路ループにおける最小エリアへの到達において、追加的に遮蔽するエネルギー電流は、構成部分を遮蔽する構造のまわりに分配してよい。上述のような複数の遮蔽は、分離した回路の参照ノード又はシャシー接地のいずれかとして電気的に結合してよく、さらに回路における共通して使用される参照経路として依存してよい。したがって、内部でペアになった様々なグループの補足的な経路は、伝導性物質によって回路に結合した外部経路に沿って伝播する一つ以上のエネルギー源から派生するエネルギーの伝播を含んでよい。したがって、エネルギーは装置に入り込み、調節を受け、個々のそれぞれのロードに連続してよい。
【００４６】
遮蔽構造は、それぞれの活性化された回路の個々に入る望ましくない電磁気干渉ノイズ及びエネルギーのリターンを少なくとも部分的にブロックすると同様に、ダンピング及び抑制するための低いインピーダンスの経路として機能する遮蔽の部分を可能にしてよい。実施態様において、内部に位置する遮蔽は伝導性エリアに伝導的に結合してよく、それによって、低いインピーダンスをダンピング及び抑制するための遮蔽構造を適合的に活用し、並びに望ましくない電磁気干渉ノイズ及びエネルギーのリターンブロックを少なくとも部分的にブロックする。加えて、内部に位置する遮蔽の別のセットは、第二の伝導性エリアに伝導的に結合されてよく、それによって、低いインピーダンスをダンピング及び抑制するための遮蔽を活用し、並びに望ましくない電磁気干渉ノイズ及びエネルギーのリターンを少なくとも部分的にブロックする。伝導性エリアは、互いに電気的又は伝導的に分離されてよい。
【００４７】
エネルギー寄生の同時抑制は、相互に相反するエネルギーフィールドの消去と組み合わせて包含し遮蔽する経路構造に寄与してよく、伝播するエネルギーで発生する調節効果を受けるために様々に分離された回路内で相互作用する様々な回路の経路に沿って電気的に相反して遮蔽した経路及び伝播するエネルギーにさらに寄与する。この調節は、遮蔽に潜在的に位置して与えられて、低くて高いインピーダンスの遮蔽のペアになった手順に沿って見られるエネルギーによる活用に関してペアにすることによって瞬間的で相反して使用される、様々なペアになった経路がそれぞれの潜在的にそれぞれに切り替える遮蔽のダイナミックで同時に低くて高いインピーダンスの経路に隣接する確定された電気的なエリアを有し維持する分離された回路によるなど、同時機能によるＨフィールド及びＥフィールドのエネルギーの効果を最小限にすることを有してよい。
【００４８】
分離された回路内のエネルギーのルーティングの位置的な重ね合わせによって生成される様々な距離の関係は、活性な構成部分又はロード内で通常発生する不利益なエネルギー混乱の様々な程度を増強し消去する様々のダイナミックなエネルギー移動と組み合う。受動的な層化構造内で発生する効率的なエネルギー調節機能は、両補足的な経路に共通して結合されて、様々な回路内及び回路に付加されるか又は伝導的に結合された遮蔽に依存して含まれて消去されるようにエネルギーを可能にする適合された第三の経路に沿ったダイナミックな“０”インピーダンスエネルギーの“ブラックホール”又はエネルギードレインの発展を可能にする。したがって、電気的に相反するエネルギーは、誘電体物質及び／又は挿入の遮蔽構造によって分離されてよく、それによって特異的な回路構造内のダイナミックで閉じた距離の関係を可能にし、それによって、エネルギー処理能力において高効率となる層化した伝導性で誘電体要素を指数関数的に可能にする、相互に増強する消去現象及び静電的抑制現象の利用を可能にする伝播エネルギー及び相対的な距離を利用する。
【００４９】
本発明の態様によると、デバイスは単一の低いインピーダンスの経路又は電圧参照として共通の低いインピーダンスの経路を活用してよく、一方で、相関する電気的な参照ポイント内で維持され均衡が取れた回路を利用し、それによって、分離された回路システムでの最小限の寄生の寄与及び破壊的なエネルギーの寄生を維持する。ここに記載の様々な取り付けスキームは、共有された中心の遮蔽の反対側に位置するペアになった補足的なコンダクタの各ペア又は複数に関して発展するように上に記載のような“０”電圧参照を可能にしてよく、それによって、分離された回路の最小限の破壊的なエネルギーの寄生で活性な集積回路内で位置するトランジスタゲートにおける複数の同時切り替え操作であっても、維持し均衡が取れた電圧を可能にする。
【００５０】
遮蔽は、一つ以上の遮蔽を生成するケージ状の伝導性遮蔽構造の原理を使用して連結してよい。大型の外部の伝導性エリアを伴う遮蔽の伝導性結合は、放射した電磁気放射を抑制してよく、大型エリアとして、電圧と振動の焼失が生じるかもしれない、多大な伝導性エリアを提供する。異なる電気的な特性を有する複数の伝導性又は誘電性物質の一つ以上は、遮蔽間で維持されてよい。特定の補足的な経路は、製造された補足的な経路の総計の半分を形成する“釣り合い”又はペアになった複数の相反で位相されたか又は電荷された構造に関する異なって位相された調節を実行する複数の共通の伝導性構造を有してよく、かかる補足的な経路の半分は第一の複数の経路を形成し、第二の半分は第二の複数の経路を形成する。第一及び第二の複数の経路の補足的な経路の総計は、同時に使用された経路の等しい数で電気的に均一に分離されてよいが、個々の補足的回路の総計の半分で、例えば、相反して位置するグループ化の過程から電気的に１度かほぼ１８０度の範囲まで操作する。誘電体が補足的に操作する任意の遮蔽された経路に直接物理的に又は伝導的に結合されない挿入する遮蔽に加えて、ミクロン又はより少ないような少量の誘電体物質は、経路間の伝導性物質の分離として使用されてよい。
【００５１】
外部の接地エリアは、代替の共通経路として結合されるか、又は伝導的に接続される。ペアになった外部の経路の追加的な数は、低い回路インピーダンスに取り付けられてよい。かかる低いインピーダンス現象は、代替又は補助的な回路のリターン経路を使用して発生してよい。
【００５２】
遮蔽構造は遮蔽を共に連結させてよく、それによって、新規に開発された低いインピーダンスの経路に沿ったエネルギー伝播を容易にして、それによって、望ましくない電磁気干渉又はノイズをここで生成された低いインピーダンス経路に移動させる。
【００５３】
図１Ａ乃至図５Ｂを参照するに、共同平面の変化（図１Ａ乃至４Ｉ）及び積層された変化（図５Ａ及び５Ｂ）で形態化された典型的な実施態様の共通及び個々の変化の両者の様々な共通の原理を一般的に示している。
【００５４】
図１Ａにおいて、本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置が示される。８“ＸＸ”乃至“Ｘ”Ｍで示された中心の遮蔽経路を活用する相対的に均衡が取れて補足的に対称的な配置の部分は、共同平面の変化での均衡が取れた伝導性部分の支点としての配置で適合される。少なくとも第一及び第二の複数の経路を有し、かかる第一の複数は、互いから電気的に分離して配置し、第一の補足的な関係で配向された少なくとも一つのペアの経路を有する、経路配置が例示される。加えて、第二の複数の少なくとも一つの半分は、第二の複数の第二半分から電気的に分離されて配置され、かかる第二の複数の少なくとも２つの経路は第一の複数の経路から電気的に分離される。経路の配置はまた、誘電体、強磁性体、又は例えば経路配置の経路から離れて間隔が置かれたバリスターなどの特質を有する物質を有してよい。第二の複数の第一半分の経路は、互いに電気的に結合されて、第二の複数の第二半分の経路は互いに電気的に結合される。第二の複数の第一半分の経路の総数は、１以上の奇数であってよく、第二の複数の第二半分の経路の総数もまた、１以上の奇数であってよい。本発明の態様によると、第二の複数の第一半分の経路は第一の重ね合わせのアライメントに位置し、一方で第二の複数の第二半分の経路は、共同平面配置としてここに記載される相互の重ね合わせアライメントでの第一及び第二の重ね合わせアライメントで、第二の重ね合わせアライメントに位置する。
【００５５】
共同平面でない配置において、他方の上の一つの配置における第一及び第二の重ね合わせアライメントで、第二の複数の第一半分の経路は第一の重ね合わせアライメントで位置されてよく、第二の複数の第二半分の経路は第二の重ね合わせのアライメントで位置してよい。一つの配置において、少なくとも４つの経路は電気的に分離される。
【００５６】
本発明を例証する実施態様は、経路の第一の複数と経路の第二の複数を有する、経路の少なくとも３つの複数を有してよい。第一及び第二の複数の経路は、第二の複数の経路で見られる等しく反対の経路要素を有する第一の複数の経路要素を有してよい。第一及び第二の複数の経路の要素は、実質的に同一のサイズ及び形状であり、補足的に位置づけしてよく、さらに電気的に補足的な手法で操作してよい。したがって、第一及び第二の複数の経路のペアは、第一及び第二の経路の要素の同一数となってよい。典型的な実施態様は、個々の分離された低い回路インピーダンスの経路の発展を可能にする少なくとも第一及び第二の遮蔽を提供してよい。構造的に、遮蔽は第三の複数の経路と第四の複数の経路によって達成されてよい。各遮蔽の複数は、等しいサイズで形状の遮蔽を有してよい。第三及び第四の複数の経路の各々は、伝導的に結合されてよい。伝導的な結合は、当業者における処理で周知である様々な方法及び物質によって達成されてよい。したがって、第三及び第四の複数が遮蔽を受ける第一及び第二の複数を活用する遮蔽の２つのセットとしてグループ化される場合、第三及び第四の複数は、回路エネルギーの調節のためのエネルギー伝播における低い回路インピーダンスの経路を発展するための共通経路に結合されてよい。
【００５７】
例えば、図５Ａ及び５Ｂに描写される鏡像として示されるように、例えば、低いサブ回路の８１２ＮＮＥ、８１１ＮＮＥ、８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷなどの任意の経路の拡張の例外を伴い、面して位置した主体経路８０が重ね合わされて整列されてよい場合、経路はバイパス配置に追加的に配置されてよい。
【００５８】
複数内で、個々の経路の要素は実質的に同一サイズ及び形状であってよく、伝導的に結合されてよい。しかしながら、一つの複数の個々の経路の要素は、経路の異なる複数の要素に伝導的に結合されなくてよい。遮蔽の第一の複数及び遮蔽の第二の複数が同一のコンダクタに外部的に結合されるように、一つの複数の要素が異なる複数の要素に結合されてよい状況があってよい。
【００５９】
共通要素は、図１Ａ乃至１Ｃに示されるような共平面で遮蔽されたバイパス経路でのダイナミックなエネルギー移動を描写する概念的なエネルギーインジケータ６００、６０１、６０２、６０３と一致するエネルギーの流れを有してよい。実施態様は、複数の回路における複数の分離された低い回路インピーダンスの発展における少なくとも複数の遮蔽を提供してよい。
【００６０】
図１Ａをさらに参照するに、経路は相対的な共通経路によって遮蔽されてよく、少なくとも一つの経路の拡張８１２“Ｘ”を伴う主体経路８０を有してよい。示された遮蔽は、９９“Ｘ”／７９“Ｘ”で示された少なくとも一つの経路の拡張を伴う主体の遮蔽経路８１を有する。遮蔽は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄなどの共に焼結された電気的構成物質又は伝導性物質若しくは金属酸化物及びガラスフリットなど組み合わせ物質で伝統的に使用される貴金属又は卑金属の属の伝導性物質から形成される伝導性の内部経路を有する、主体７９９をサンドイッチ状にし、包含してよい。静電容量及び抵抗値は、抵抗性物質としてのルテニウム酸化物及び伝導性物質としてのＡｇ／Ｐｄの使用によるなどして、上述のように回路の一つの属で達成されてよい。さらに、経路の幾何学での変化は、異なる抵抗性及び静電容量値を生ずる。変化は、経路が成される物質を変化することによって達成されてよい。例えば、銀のような伝導性物質は、物質の抵抗性を低下させるために、金属酸化物／ガラスフリット物質に選択的に加えられてよい。
【００６１】
複数の経路、８６５−１及び８６５−２は、物質８０１の同一位置において共同平面で間隔が離れた位置づけが示される。共同平面経路８６５−１及び８６５−２の各経路は、伝導性物質７９９から形成されてよいか、又は伝導性物質のハイブリッド及び７９９“Ｘ”としてここに示される別の物質で形成されてよい。共同平面経路８６５−１及び８６５−２の各々はまた、バイパス経路として形成されてよく、各経路は、対応する主体エッジ及び周囲、８０３Ａ及び８０３Ｂのそれぞれを有する主体の経路８０及び少なくとも一つの経路の連続する拡張８１２“Ｘ”を有する。共同平面経路８６５−１及び８６５−２の各々は、主体エッジ８０３Ａ及び８０３Ｂから延在する主体エッジ８０３Ａ及び８０３Ｂの一部分を伴う、少なくとも一つの経路の連続する拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷを有してよい。拡張８１２“Ｘ”は、延在する主体経路８０と関連して形成される経路物質の一部分である。主体経路８０、８１２“Ｘ”は、許容される平均の周囲エッジ８０３“Ｘ”を超過して延在する物質７９９又は７９９“Ｘ”の拡張として見られてよい。拡張８１２“Ｘ”及び７９“Ｘ”は、形成される経路の連続する部分としてそれぞれ位置づけされて見られてよい。各主体経路は、実施態様のエッジ９１７に関し距離８１４Ｆ離れて間隔が置かれて位置づけされたエッジ８０３Ａ、８０３Ｂを有してよい。実施態様のエッジ８１７は物質８０１を有してよい。共同平面の主体の経路のエッジ８０３“Ｘ”は、距離８１４Ｊ離れた間隔で位置づけされてよい。経路の拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷは、それぞれの経路の主体８０をエッジ８１７で位置づけされてよい外部経路８９０ＳＳＷ及び８９１ＳＳＷに伝導的に接続されてよい。共同平面で配置された主体経路８０は、共同平面の２つの層化の登録された範囲のエリアである、主体経路８１の間で“サンドイッチ状”に位置づけされてよい。
【００６２】
相互に相反するフィールドを組み合わせることは、消去又は最小化効果を引き起こす。補足的で対照的に配向された遮蔽に近接するにつれて、相反するエネルギーの伝播における相互に相反する消去効果はより良好になる。補足的で対照的に配向された遮蔽が積層されるにつれて、寄生及び消去効果の抑制結果はより良好になる。
【００６３】
さらに図１Ａを参照するに、共同平面の遮蔽の複数のエッジは、点線８０５Ａ及び８０５Ｂによって表されてよい。複数の遮蔽の各々の主体経路８１は、任意の対応するサンドイッチ状の経路のサンドイッチ状にする主体経路８０よりも大きい。これは、遮蔽の位置づけ及び経路の維持に関連する挿入されたエリア８０６を生成してよい。主体８０及び８１のサイズは実質的に同じであってよく、したがって、挿入の位置づけ環形はある実施態様で最小であってよい。増大した寄生の抑制は、大型経路の主体８１によって遮蔽される主体８０を有する経路を挿入することによって得られてよい。例えば、経路８６５−１挿入の主体８０の挿入は、図１Ｂに例示されるように、経路８６５−１を分離する物質８０１の厚さ及び隣接する中心の共同平面経路８００−ＩＭ−１によって提供される１乃至２０倍の間隔の距離で分離されてよい。
【００６４】
複数の共同平面の遮蔽エッジ８０５Ａ及び８０５Ｂは、距離８１４Ｋの間隔が離れて位置づけされてよく、エッジ８０５Ａ及び８０５Ｂ並びにエッジ８１７に関する距離８１４であってよい。エッジ８０３Ａ及び８０３Ｂのいずれかに関するほかの距離８１４Ｊが提供されてよい。さらに、距離８１４Ｆは、一つの８０３“Ｘ”とエッジ８１７との間に存在してよい。各共同平面の遮蔽は、複数の共同平面の遮蔽エッジ８０５Ａ及び８０５Ｂから延在する、例えば、７９ＮＮＥ、７９ＳＳＥ、９９ＮＮＥ及び９９ＳＳＥ部分などの複数の連続する経路の拡張部分を有してよい。概念的なエネルギーのインジケータ６０２は、共同平面経路８６５−１及び８６５−２内の様々のダイナミックなエネルギー移動を表す。望ましくないエネルギーは、遮蔽が別の経路又は伝導性エリアに追加的に電気的に結合されてよい、低いインピーダンス経路において遮蔽を提供することによって規定と一致する共同平面の遮蔽に移動されてよい。
【００６５】
ここで図１Ｂ及び１Ｃを参照するに、層の連続は、共同平面の経路８６５−１、８６５−２の第一の複数、共同平面の経路８５５−１、８５５−２の第二の複数、共同平面の経路８２５−１−ＩＭ、８２５−２−ＩＭ、８１５−１、８１５−２、８００−１−ＩＭ、８００−２−ＩＭ、８１０−１、８１０−２及び８２０−１−ＩＭ、８２０−２−ＩＭの第三の複数において例示される。第一、第二、及び第三の複数は、実施態様３１９９、３２００、３２０１を形成するために積層されてよい。共同平面の経路の第三の複数は、遮蔽することを提供してよい。複数の共同平面の遮蔽８２５−１−ＩＭ、８２５−２−ＩＭ；８１５−１、８１５−２；８００−１−ＩＭ、８００−２−ＩＭ；８１０−１、８１０−２；及び８２０−１−ＩＭ、８２０−２−ＩＭの主体８１は、実質的に同様のサイズ及び形状であってよく、さらに物質８０１の異なる層の共同平面の位置で間隔が離れてよい。共同平面の経路８６５−１及び８６５−２の第一の複数は、共同平面の経路８５５−１及び８５５−２の少なくとも対応し、相反し、補足的な第二の複数を有してよい。面して配向した場合、共同平面の経路のそれら第一及び第二の複数は、様々な連続の経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”以外で共に登録されて整列された主体の経路８０を有してよい。図１Ｂ及び１Ｃに示されるように、外部の共同平面の経路８２０−１−ＩＭ、８２５−１−ＩＭのペアは経路の遮蔽として役割をしてよく、それによって、主体８１を伴う別の伝導的に結合された複数の経路の遮蔽効果を改善する。
【００６６】
変形した実施態様３１９９、３２００、３２０１で例示されるように、遮蔽８２５−１−ＩＭ、８１５−１、８００−１−ＩＭ、８１０−１及び８２０−１−ＩＭの拡張７９ＮＮＥ、７９ＳＳＥ並びに遮蔽８２５−２−ＩＭ、８１５−２、８００−２−ＩＭ、８１０−２及び８２０−２−ＩＭの拡張９９ＮＮＥ、９９ＳＳＥの位置は変化されてよい。図１Ｂにおいて、例えば、拡張７９ＮＮＥ及び９９ＮＮＥは、遮蔽の主体８１の反対側で拡張７９ＳＳＥ及び９９ＳＳＥから対角線上に間隔が離れて配置されてよい。図１Ｃにおいて、例えば、拡張７９ＮＮＥ及び９９ＮＮＥは、遮蔽の主体８１の反対側で拡張７９ＳＳＥ及び９９ＳＳＥのラインで間隔が離れて配置されてよい。図１Ｂにおいて、拡張８１２ＮＮＥ及び８１１ＮＮＥは、物質８０１の層の同一エッジ８１２に向かって延在し、間隔が離れて配置されてよく、拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷは、物質８０１の層の相対するエッジ８１２に向かって各々延在し、間隔が離れて配置されてよい。図１Ｃにおいて、経路８６５−１及び８６５−２は、上述したように鏡像であってよい。図１Ｂと比較すると、拡張８１２ＮＮＥ及び８１１ＮＮＥは、物質８０１の層の相対するエッジ８１７に向かって延在し、間隔が離れて配置されてよい。拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷは、拡張８１２ＮＮＥ及び８１１ＳＳＷが、物質８０１のそれぞれの層の相対するエッジ８１２“Ｘ”に向かって延在するように、物質８０１の層の相対するエッジに向かって各々延在し、間隔が離れて配置されてよい。
【００６７】
ここで図２Ａ及び２Ｂを参照するに、図２Ａは、本発明の態様による図２Ｂの実施態様を概略する平面図を例示する。図２Ｂは、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路のレイアウトを有する経路配置を描写し、例えば、少なくとも第三及び第四の経路は共同平面であって、互いに間隔が離れて配置される。図２Ｂは、第三及び第四の経路下に配置された第一及び第二の経路を例示し、第三及び第四の経路上に配置された第五及び第六の経路を例示し、第五及び第六の経路上に配置された第七及び第八の経路を例示し、第七及び第八の経路上に配置された第九及び第十の経路を例示する。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”を有し、同一の最小数の層を有する個別の構成部分であってよい。内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”と、伝導的に結合された外部の経路８９０“Ｘ”、８９１“Ｘ”、８０２“Ｘ”及び９０２“Ｘ”は、主体の経路８０及び８１の複数の共同平面の経路の内部経路に結合されてよい。
【００６８】
図３Ａ及び３Ｂを参照するに、図３Ａにおいて、図３Ｂの実施態様の概略図が示されて、外部経路は、少なくとも２つの分離された回路部分で選択的に伝導的で結合してよい。図３Ｂは、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路の最小のレイアウトを有する経路配置を描写し、例えば、少なくとも第三及び第四の経路は共同平面であって、互いに間隔が離れて配置される。図３Ｂに示されるデバイスは、第三及び第四の経路下に配置された第一及び第二の経路を有し、第三及び第四の経路上に配置された第五及び第六の経路を有し、第五及び第六の経路上に配置された第七及び第八の経路を有し、第七及び第八の経路上に配置された第九及び第十の経路を有する。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”を有し、同一の最小数の層を有する個別の構成部分であってよい。
【００６９】
ここで図３Ｃを参照するに、本発明の態様による遮蔽の平面図が例示される。図３Ｃに描写される実施態様は、図３Ｂのデバイスに比較して、少なくとも一つの追加的な経路を有する。かかる追加的な経路１１００−ＩＭ“Ｘ”は、遮蔽が２つの回路部分に及ぶ、経路の積層での少なくとも複数の遮蔽の一つであってよい。経路１１００−ＩＭ“Ｘ”は、経路の積層での少なくとも２つの外部のサンドイッチ状の遮蔽の一つであってよい。遮蔽は、外部の１１００−ＩＭ“Ｘ”遮蔽に電気的に結合されて中心に配置された１１００−ＩＭ“Ｘ”経路を加えることによって、２つの回路に及ぶ。経路１１００−ＩＭ“Ｘ”は、少なくとも一つの拡張を有してよく、２つの拡張１０９９ＮＮＥ及び１０９９ＳＳＥを伴って例示され、本発明におけるすべての経路において遮蔽をサンドイッチ状にさせてよい。少なくとも３つの遮蔽は、共に結合されてよく、分離された回路のエネルギーロード若しくはエネルギー源を分割するか、又は２つの分離された回路を分割するセンタリング遮蔽を有してよい。
【００７０】
遮蔽００ＧＳは、他の遮蔽から電気的に分離されてよく、分離された回路のエネルギー伝播をもたらすように配置されてよい。分離された回路は、遮蔽によってサンドイッチ状にされてよい。遮蔽は、任意の他の伝導性エリアから分離された伝導性エリアに電気的に結合されてよく、それによってエネルギー伝播をもたらす。
【００７１】
図４Ａ乃至４Ｉは、本発明の態様による様々な実施態様のアセンブルされた構成部分を描写する。図４Ａ乃至４Ｉの配置は、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路の最小のレイアウトを有してよく、例えば、少なくとも第三及び第四の経路は共同平面であって、互いに間隔が離れて配置される。第一及び第二の経路は、第三及び第四の経路下に配置されてよく、第五及び第六の経路は、第三及び第四の経路上に配置されてよく、第七及び第八の経路は、第五及び第六の経路上に配置されてよく、第九及び第十の経路は、第七及び第八の経路上に配置されてよい。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”を有し、例えば、アセンブルされた最終の個別の構成部分であってよい。
【００７２】
図５Ａを参照するに、本発明の態様による経路のグループを有する、複数の非共有回路の積層を示す。図５Ａの次のカラムへの配置の積層の連続を示すマーカー１０００が図５Ａに含まれる。概念的なエネルギーインジケータ６００、６０１、６０２、６０３は、エネルギーの流れを示す。物質７９９は、示された８１５−１、８００−１、８１０−１−ＩＭ、８１５−２、８００−２−ＩＭ及び８１０−２を遮蔽する構成部分６９００のための物質８０１に沈着されてよい。遮蔽８１０−Ａ及び８１０−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽８１５−Ａ及び８１５−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽８２０−Ａ及び８２０−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽８２５−Ａ及び８２５−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。コンダクタ８５５−１及び８５５−２は分離されて、バイパス形態における遮蔽された経路である。コンダクタ８６５−１及び８６５−２は分離されて、バイパス形態における遮蔽された経路である。図５Ａにおいて、経路配置は、２つのタイプの経路の少なくとも６つの配向の経路を有して描写され、経路の少なくとも６つの配向の経路の各配向は、経路の配向を維持することから伝導性の分離を提供する。
【００７３】
図５Ｂを参照するに、本発明の態様による積層された遮蔽構造が示される。図５Ｂは、図５Ａと同様な実施態様を描写し、８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”経路の２つのセットは明らかにするために省略され、図５Ａの遮蔽は、８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”の経路の各相関するセットにおいてフリップ・フロップで配向される。７９“Ｘ”経路の拡張は、様々な経路の拡張８１１“ｘ”及び８１２“Ｘ”に関して９０度で回転されてよい。概念的なエネルギーインジケータによって例示されるようなこの形態のダイナミックな結果は、２つの分離された回路の２つのセットの８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”の２つのセットの拡張を無効にすることによって増強されてよく、さらに８５５Ｂ及び８６５Ｂの様々な経路の拡張に無効のほぼ９０度の各分離された回路のペア８５５Ａ及び８６５Ａの遮蔽を相対的に位置づけすることによって増強されてよい。
【００７４】
図５Ｂを参照するに、本発明の態様による積層された遮蔽構造が示される。図５Ｂは、図５Ａと同様の実施態様を描写し、８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”経路の２つのセットは明らかにするために省略され、図５Ａの遮蔽は、８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”の経路の各相関するセットにおいてフリップ・フロップで配向される。７９“Ｘ”経路の拡張は、様々な経路の拡張８１１“ｘ”及び８１２“Ｘ”に関して９０度で回転されてよい。概念的なエネルギーインジケータによって例示されるようなこの形態のダイナミックな結果は、２つの分離された回路の２つのセットの８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”の２つのセットの拡張を無効にすることによって増強されてよく、さらに８５５Ｂ及び８６５Ｂの様々な経路の拡張に無効のほぼ９０度の各分離された回路のペア８６５Ｂ及び８６５Ａの遮蔽を相対的に位置づけすることによって増強されてよい。
【００７５】
上述したように、本発明の実施態様において、複数の補足的であるか又はペアで遮蔽された経路は、経路の第一及び第二の複数を有してよい。エネルギーは、例えば、一般的に平行で均一な手法で、様々なペアになった供給又はバイパス経路の層を活用してよい。経路の要素は、エネルギーの伝播を提供し、一般的に平行ではないか若しくは垂直な関係を維持し、加えて、隣接する回路を伴い個別の電気的な関係を維持するために、絶縁ではなく、伝導性のアパーチャ及び伝導性のスルー通過（ｔｈｒｏｕｇｈ−ＶＩＡｓ）を有してよい。それら経路は内部的な均衡を維持し、相反する補足的なペアに沿った電気的な抵抗を容易にしてよい。経路の補足的なペアにおけるかかる関係が発生してよく、一方で経路及びエネルギーは、外部的に取り付けられた遮蔽構造内での対する操作上の使用法を経験する。
【００７６】
図５Ｃを参照するに、本発明の態様にしたがって、通過を有し、経路の群を含む、積層された複数で非共有の回路の相対的な平面図が示される。図５Ｃに描写される本発明の態様によるデバイスは、ホールスルーのエネルギーコンディショナー（ａ  ｈｏｌｅ−ｔｈｒｏｕｇｈ  ｅｎｅｒｇｙ  ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ）を有する。ホールスルーのエネルギーコンディショナーは、エネルギー調節を所有するための遮蔽の複数のセットの使用を有し、ここに開示されたエネルギー伝播の原理の多くが保持されるように形成されてよい。さらに、図５Ｃは経路配置６９６９を伴う無効の経路セットを描写する。経路配置６９６９は、経路の拡張７９“Ｘ”、８１１“ｘ”及び８１２“Ｘ”がなく、主体８０及び８１に関する異なる方向から機能する８８７９“Ｘ”、８８１１“ｘ”及び８８１２“Ｘ”、通過の代用を備えて、図５Ｂと同様である。
【００７７】
さらに図５Ｃを参照するに、製造工程において、伝導性の孔９１２、通過又は伝導性のアパーチャは集積回路と相互接続８８０６するために使用されてよく、機械的なドリル、レーザードリル、エッチング、パンチング、若しくは別の孔形成技術を使用して一つ以上の経路の層により形成してよい。各特定の相互接続８８０６は、電気的に接続されるか又は絶縁される様々な経路を可能にしてよい。各特定の相互接続８８０６は経路配置６９６９のすべての層により延在してよく、又は一つ以上の層によって上若しくは下に接してよい。経路配置６９６９は、エポキシ物質又はパターン化された伝導性物質などの有機性の基板を有してよい。有機性の基板が使用される場合、例えば、ＦＲ−４エポキシガラス、ポリミドグラス（ｐｏｌｙｍｉｄｅ−ｇｌａｓｓ）、ベンゾシクロブテン、テフロン（登録商標）、他のエポキシ樹脂、又は同様のような標準印刷された回路ボード物質が様々な実施態様で使用されうる。代替となる実施態様において、経路配置は、例えばセラミックなどの無機基板を有しうる。様々な実施態様において、レベルの厚さはほぼ１０乃至１０００ミクロンであってよい。様々な伝導性の層の間の相互接続８８０６は、誘電体及び伝導性物質を選択的に除去することによって形成されてよく、それによって、例えば、伝導性のペースト７９９Ａ又は電解めっき７９９Ｂで除去することによって形成されるように孔を満たすことによって、低い伝導性層９０４の伝導性物質を露出する。
【００７８】
相互接続８８０６は、経路配置６９６９の相対的な側に露出された伝導性層を接続してよい。相互接続８８０６は、例えば、集積回路が取り付けられてよい、パッド又はランドの形態をとってよい。相互接続８８０６は、例えば、伝導性のペースト、電解めっき、フォトリソグラフィー、又はスクリーン印刷で誘電体の選択的に除去された部分を満たすことなどによる周知の技術を使用して形成されてよい。結果となる経路配置６９６９は、非伝導層によって分離され、相互接続８８０６によって相互接続された、パターン化された伝導性物質９０４の一つ以上の層を有する。異なる技術は、パターン化された伝導性物質７９９の様々な層を相互接続し分離するために使用されてよい。例えば、様々な伝導性７９９及び非伝導性層８０１の部分を形成し選択的に除去するよりも、様々な層間の開口部は、伝導性７９９及び非伝導性層８０１の所望の部分を選択的に追加することによって包含されてよい。化学的で機械的な平面化などの除去技術は、様々な相互接続の所望の開口部となる、伝導性及び非伝導性物質の異なるタイプの複数の層を物理的にすり減らすために使用されてよい。
【００７９】
経路配置６９６９は、エネルギーを調節する状態に適合された基板のフォーマットを伴い、マルチアパーチャで多層のエネルギー調節経路のセットを使用して形態化されてよい。経路配置６９６９は、閉じ込められた伝播経路を伴い多層の共通の伝導性のファラデーケージ状の遮蔽技術と組み合わせて、通過８８７９“Ｘ”、８８１１“Ｘ”及び８８１２“Ｘ”として周知である、伝導的に満たされたアパーチャの向き合わされたエネルギー調節方法論を活用することによって伝播するエネルギーを調節してよい。経路配置とＩＣを相互接続することは、ワイヤー結合の相互接続、フリップチップのボールグリッドアレイ（ｂａｌｌ−ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）の相互接続、マイクロボールグリッド（ｍｉｃｒｏＢａｌｌ−ｇｒｉｄ）の相互接続、前述に列記したそれらの組み合わせ、又は方法論で許容される任意の別の標準的な工業で達成されてよい。例えば、チップ上の任意の他の経路と同様に、入力／出力を停止することを意味する集積回路のフリップチップタイプは、チップ表面の任意のポイントで発生してよい。ＩＣチップが経路配置６９６９に取り付けるために準備された後、チップは、経路配置６９６９の表面上のマッチングパッドにハンダこぶ又はハンダボールによってひっくり返されて取り付けられてよい。代替として、集積回路は、経路配置６９６９の表面のパッドに対するワイヤー結合を使用して、経路配置６９６９に入力／出力の停止を接続することによって、ワイヤー結合されてよい。
【００８０】
経路配置６９６９内の回路は、静電容量、ノイズ抑制、及び／又は電圧ダンペニング（ｄａｍｐｅｎｉｎｇ）を必要とする経路配置をロードするために供給源として作用してよい。この静電容量は、経路配置６９６９内で展開し埋め込まれた静電容量の形成によって提供されてよい。かかる静電容量は、上述のように、ペアになった経路及び遮蔽を使用して集積回路のロードに結合されてよい。追加的な静電容量は、電圧ダンペニング及びノイズ抑制を提供するために集積回路に電気的に結合される回路に提供されてよい。チップ外のエネルギー源の近接は、ロードへの低いインダクタンスパスに各々沿った静電容量を提供してよい。共通の遮蔽経路は、チップ外のエネルギー源と共通の伝導性インターポーザーのエネルギー経路の形態の両者において“０”電圧の回路の参照ノードとして活用してよい。
【００８１】
経路配置６９６９は、バンプレスビルドアップレイヤー（Ｂｕｍｐｌｅｓｓ  Ｂｕｉｌｄ−Ｕｐ  ｌａｙｅｒ）（ＢＢＵＬ）包装を有する、共通に許容される工業的な接続方法並びに結合７９９Ａ及び７９９Ｂによって集積回路に接続されてよい。この技術は、高性能で、薄く軽量な包装で、低出力消費を可能にする。ＢＢＵＬ包装において、シリコンダイ又はＩＣは、第一レベルの相互接続として操作可能である経路配置を伴う包装に埋め込まれる。したがって、全体としてのＢＢＵＬ包装は、ＩＣの一つ表面に取り付けないだけである。例えば、ダイと一つ以上の様々な遮蔽及び包装との間の電気的な結合は、銅線で成されてよく、Ｃ４のハンダこぶを必ずしも必要としない。それら特徴は、他のＩＣ包装よりも薄くて軽量な包装を成すために組み合わせ、一方で高性能を促し、出力消費を削減する。ＢＢＵＬは、複数のシリコンの構成部分が経路配置６９６９に結合する製造能力を増強してよい。遮蔽された経路８８１１、８８１２、及び８８７９は、共通の工業的な方法論によってＩＣのそれぞれのエネルギー源とそれぞれのロードとの間に電気的に結合されてよく、それによって、伝播するエネルギーの調節を可能にする。遮蔽８８７９は、１０５５−２を有する遮蔽に伝導的に結合してよい。遮蔽並びに８８１１及び８８１２を有する遮蔽の他の伝導性部分は、ホックアップ以前に著しい極性電荷を有しないそれぞれの補足的な経路に電気的に結合されてよく、それによって、当業者によって理解されるように、それぞれ入力及び出力をするために層８８１１及び８８１２が入力と出力を変化することを防ぐように、各層８８１１及び８８１２がエネルギー伝播方向の機能を変化することを防ぐ。
【００８２】
図５Ａ、５Ｂ及び５Ｃに描写された積層された変形において、１１００−ＩＭ−“Ｃ”として示される８１０−１と８１５−２との間の一つを有する、３つの経路１１００−ＩＭ−“Ｘ“を追加することは、１１００−ＩＭ−“Ｃ”の反対側の等しい数に位置された経路の総数の均衡が取れた調和を二分してよい。１１００−ＩＭ−Ｃに電気的に結合された１１００−ＩＭ−１及び１１００−ＩＭ−２の追加は、共通又は遮蔽構造（すべて示されていない）を生成する。遮蔽構造の遮蔽は、実質的に同一のサイズであってもなくてもよい。遮蔽は、本発明の任意の一つ以上の実施態様における任意の別の遮蔽から物理的に分離されてもされなくてもよい。したがって、遮蔽は、本発明の任意の一つ以上の実施態様における任意の別の遮蔽から電気的又は伝導的に分離されてもされなくてもよい。
【００８３】
奇数の遮蔽は共に結合されてよく、それによってすべての他の遮蔽を活用する共通の参照又はノードの形成を可能にする。遮蔽１１００−ＩＭ−“Ｘ“の数は、ほとんどの方向における拡張の任意の数が結合を容易にするために使用されてよいように、遮蔽００ＧＳなどの拡張１０９９ＮＮＥ及び１０９９ＳＳＥの使用に制限されない。相対的に均衡が取れて補足的で対称的な配置は、均衡が取れた伝導性部分の配置の支点としての中心の遮蔽８“ＸＸ”又は遮蔽８００／８００−ＩＭに関して形成されてよい。ペアになって電気的に相反する補足的な経路に沿うか、又はその間のエネルギー伝播の少なくとも部分的なフラックスフィールドの消去は、この均衡で発生するが、シフトされた実施態様では発生しない。さらに、同時にさまようエネルギーの寄生の補足的で電荷された抑制の物理的で電気的に遮蔽する封じ込め及びファラデー効果はまた、発生してよい。ＲＦリターンパスが平行であり、対応する経路に隣接する、磁気フラックスエネルギーが遮蔽に沿って少なくとも部分的に移動するので、かかる結果は達成される。したがって、磁気フラックスエネルギーは、リターンに関して測定されるか又は観察される。
【００８４】
シフトされた経路は、相対的に均衡であり、補足的で、遮蔽８００／８００−“Ｘ”−ＩＭなど中心の遮蔽に関して対称的に位置づけされてよく、さらに、例えば、８００／８００−ＩＭなどの中心に位置付けられた遮蔽の周りで補足的にサンドイッチ状になった所定の遮蔽及び経路の相対的にシフトされて、均衡が取れて、補足的で対称的な配置を有してよい。
【００８５】
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ乃至図４Ｉの典型的な実施態様は、例えば、それらの“シフトした”実施態様を有してよい。それらシフトした実施態様は、遮蔽、経路、遮蔽、経路及び遮蔽を有する層の多様性を有してよい。それら多様性な層の各々は、共同平面の変化などにおける中心の遮蔽８００／８００−“Ｘ”−ＩＭに関して中心にされて補足的であってよく、層の全体の多様性は主要な中心の遮蔽に関して中心であってよい。例えば、個々の遮蔽は、与えられた一致した経路のペア間のように個別の不均衡を生成するようにシフトされてよいが、補足性と均衡は、中心の遮蔽及び主要な中心の遮蔽に関して維持されてよい。シフトすることは重ね合わせられた遮蔽の周辺の外側の少なくとも一つの経路の部分を露出してよく、それによって寄生を可能にし、それによって、例えば、インピーダンスの特質を変化する。
【００８６】
例えば、与えられた経路は、左に５ポイントシフトしてよい。このシフトは、中心の遮蔽に関して一致したペアで考慮されてよく、結果として、相反する極性の隣接する一致したペアの経路は５ポイントシフトしてよいか、又は相反する極性の５つ隣接する経路は各々１ポイントシフトしてよく、それによって、補足性及び均衡を維持する。さらに、経路は重ね合わせられた遮蔽の周辺内で保持されてよく、それにもかかわらず、その下でシフトされてよい。そのような遮蔽下でのシフトは、それにもかかわらず、望ましい均衡を成す。しかしながら、示されていない、ある典型的な実施態様は、経路が中心に向かって引かれ、均衡性に関わらない状態における誘導性の挙動などの異なる電気的な特性を証拠づける遮蔽下で保持する状況を有する。
【００８７】
図６を参照するに、実施態様６９００、伝導性のエネルギー経路、分離されたエネルギー源、分離されたエネルギーを利用するロード、分離された共通の伝導性経路を有する積層された複数の回路が示される。伝導性のエネルギー経路は、例えば、ハンダ又は工業的に等価な手法などによって、伝導性の結合物質により実施態様６９００に伝導的に結合してよい。基板表面の下で連続する伝導性の経路である通過３１５は伝導性の経路に結合してよく、エネルギーを伝播するための連続的な伝導性の経路として役立つ伝導性物質を有してよい。分離された共通の伝導性経路は、分離されたエネルギー源又は分離されたエネルギー活用ロードに対して直接的に結合されなくてよい。上述したように、実施態様６９００は、複数の電気的に分離された各々を伴う、電極及び遮蔽を有する４つの経路を有してよい。遮蔽は伝導的に結合されてよい。伝導的に結合された遮蔽は、伝導的な結合物質を使用して電極に対して直接的で伝導的に結合されない、分離された共通の伝導性の経路に外部的に結合されてよい。図６に示されるように、電極８１５−１、８００−１−ＩＭ及び８１０−１は、８０２ＧＡ、８０２ＧＢに伝導的に結合してよい。遮蔽８１５−２、８００−２−ＩＭ及び８１０−２は、９０２ＧＡ、９０２ＧＢに伝導的に結合してよい。それらの結合は、第一の複数の電極又は第二の複数の電極に対して伝導的に結合されなくてよい。この形態において、分離された回路の両者は、分離されて個別の電圧の参照及び図６のＲＥＦ１及びＲＥＦ２などの分離された共通のインピーダンスパスを活用してよい。
【００８８】
ここで図７を参照するに、実施態様３２１０、伝導性のエネルギー経路、分離されたエネルギー源、分離されたエネルギーを利用するロード、分離された共通の伝導性経路を有する積層された共同平面の複数の回路が示される。伝導的なエネルギー経路は、伝導性の結合物質によって実施態様３２１０に対して伝導的に結合されてよい。基板表面の下で連続する伝導性の経路である通過３１５は伝導性の経路に結合してよく、エネルギーを伝播するための連続的な伝導性の経路として役立つ伝導性物質を有してよい。分離された共通の伝導性経路は、分離されたエネルギー源又は分離されたエネルギー活用ロードに対して直接的に結合されなくてよい。上述したように、実施態様３２１０は、複数の電気的に分離された各々を伴う、電極及び遮蔽を有する４つの経路を有してよい。伝導的に結合された遮蔽は、この共同平面の配置で第一又は第二の複数の電極に対して直接的で伝導的に結合されない、分離された共通のエネルギー経路に対して外部で電気的に結合されてよい。第三の複数の電極、８１５−１、８００−１−ＩＭ及び８１０−１は、８０２ＧＡ、８０２ＧＢ、８１５−２及び８００−２−ＩＭに対して伝導的に結合されてよく、さらに、９０２ＧＡ、９０２ＧＢに対して伝導的に結合してよく、第一の複数又は第二の複数に対して伝導的に結合されなくてよい。この形態において、分離された回路の両者は、個別でそれぞれ分離されて個別の電圧の参照及び個別でそれぞれ分離されたインピーダンスパス及び図７のＲＥＦ１及びＲＥＦ２などの少なくとも一つの個別でそれぞれ低いインピーダンスパスを活用してよい。
【００８９】
ここで図４Ａ乃至図７を参照するに、停止電極８９０Ａ、８９０Ｂ及び８９１Ａ、８９１Ｂ、８０２ＧＡ、８０２ＧＢ及び９０２ＧＡ、９０２ＧＢは、単一体であるか又は多層であってよい。停止電極８０２ＧＡ、８０２ＧＢ、９０２ＧＡ、９０２ＧＢは、焼結させられた本体の他のそれぞれの部分で位置してよい。各主体の電極層８１又は８０及び関連する電極の拡張９９／７９Ｇ“Ｘ”又は８１２“Ｘ”は、関連する停止電極８０２ＧＡ、８０２ＧＢ、９０２ＧＡ、９０２ＧＢ及び８９０Ａ、８９０Ｂ及び８９１Ａ、８９１Ｂに延在し、かつ伝導的に結合する電極を確定してよい。
【００９０】
本発明は、抵抗器／分圧器ネットワークの中心タップをエミュレートするための共通に結合した遮蔽構造の要素を利用する、多数のエネルギー調節機能を活用してよい。抵抗器／分圧器ネットワークは、様々な集積回路の抵抗器の比率を使用して一般的に構成されてよい。しかしながら、様々な集積回路の抵抗器は、例えば、特定の伝導性／抵抗性物質７９９Ａを活用するか、又は経路物質７９９の抵抗性の特質を自然発生するか、又は変化した物理的なレイアウトを活用するデバイスである、本発明の態様によるデバイスによって置換されてよい。電圧を分割する機能は、共通経路の遮蔽構造のそれぞれの側の両側で位置する共通の電圧の参照を確定するために活用される、共通で共有された経路の遮蔽構造の部分として表されてよい。
【００９１】
実施態様において、製造工程において初期に垂直で積層されたか、又は上述のように共同平面のペアと組み合わされた、多数の補足的な経路のペアは、一般的に物理的又は電気的に平行な特質の多数の経路の要素の組み合わせを生成するように所定の手法で多様化されてよい。
【００９２】
さらに、示されてはいないが、本発明のデバイスはシリコンで組立て、集積回路のマイクロプロセッサの回路類又はマイクロプロセッサチップのパッケージングに直接的に組み込まれてよい。電気的に伝導性物質を沈着するための適切な方法は、プレーティング、スパッタリング、蒸気、電気的、スクリーニング、ステンシル、真空、及び化学蒸着（ＣＶＤ）を含む化学的で使用してよい。
【００９３】
ある実施態様が“上の”又は“上”又は“下の”又は“下”あるいは任意の他の位置的若しくは方向的記載として位置しここに記述されるが、これらの記述が単に関連し、制限するように意図されないことが理解される。
【００９４】
本発明は、電子アセンブリのためのエネルギーコンディショナーとしてのエネルギー調節の実施態様、エネルギー調節の基板、集積回路の包装、エネルギー調節システムの形態の電子アセンブリ又は電子システムを有する多数の異なる実施態様で実行してよく、様々な手法を利用して組み立ててよい。他の実施態様は、当業者にとって容易に明白となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を決定するための操作可能な相対的な位置コンパスの図である。
【図１Ａ】本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図１Ｃ】本発明の態様により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図２Ａ】本発明の態様による２Ｂの実施態様の回路を概略した平面図である。
【図２Ｂ】本発明の態様による実施態様の平面図である。
【図３Ａ】本発明の態様による３Ｂの実施態様の回路を概略した平面図である。
【図３Ｂ】本発明の態様による実施態様の平面図である。
【図３Ｃ】本発明の態様による遮蔽の平面図である。
【図４Ａ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｂ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｃ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｄ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｅ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｆ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｇ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｈ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｉ】本発明の態様による実施態様の相対的な平面図である。
【図５Ａ】本発明の態様による経路のグループを有する積層された複数の回路ネットワークを示す図である。
【図５Ｂ】本発明の態様による積層された遮蔽を示す図である。
【図５Ｃ】本発明の態様による経路のグループを含む通過を有する積層された複数の非共有の回路ネットワークの相対的な平面図である。
【図６】本発明の態様による回路配置の変形の相対的な平面図を示す。
【図７】本発明の態様による回路配置の変形の相対的な平面図を示す。
【図６】
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【図７】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2004536452.tif 000069
【国際調査報告】
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