(57)【要約】本発明は、磁区拡大読取の改善をなす光磁気記録技術に関する。マーク領域は、サブマーク部とこれに隣接するサブスペース部として記録される。ここで、サブマーク部の長さはサブスペース部の長さ以下に設定される。したがって、記録データの異なるランレングスによる漂遊磁界の変化を、短いチャネルビット長の場合にも等化できるとともに、解像度及び／又はパワーマージンが向上する。
2004521438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体の記録トラックにマーク及びスペースのパターンとして情報を記録する方法であって、
ａ）  前記光磁気記録媒体のマーク領域のサブマーク部を当該記録媒体の記録面に略垂直な第１方向に磁化させ、前記マーク領域の隣接するサブスペース部を前記第１方向とは反対の第２方向に磁化させることによりマークを記録するステップと、
ｂ）  前記記録トラックの方向において前記マーク領域の当該隣接サブスペース部の長さ以下になるように前記マーク領域の前記サブマーク部の長さを設定するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記サブマーク部の長さに対する前記サブスペース部の長さの比を４以下の整数値に設定するステップをさらに有する方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記サブマーク部の長さに対する前記サブスペース部の長さの比を１に設定する方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の方法であって、前記比は、前記マーク領域の長さに基づいて設定される方法。
【請求項５】
請求項２ないし４のうちいずれか１つに記載の方法であって、前記比は、長いランレングスの先頭又は後尾のマーク領域毎に増大する、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちいずれか１つに記載の方法であって、ｗが磁区拡大技術により前記マークを読取層にコピーするためのコピー窓の空間長を表し、Ｌ１が前記サブマーク部の長さを表し、ｅｘｐが記録層からのビットを核とし当該記録速度が乗ぜられた前記読取層に拡張されうる時間を表すときに、前記マーク領域の長さは、ｂ≧（ｗ＋Ｌ１＋ｅｘｐ）／２なる式に基づいて定められる、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記磁区拡大技術はＭＡＭＭＯＳ技術である方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のうちいずれか１つに記載の方法であって、記録レーザパルスがオフに切り換えられる前に記録磁界の向きを前記第１方向から前記第２方向へと切り換えるステップをさらに有する、方法。
【請求項９】
請求項１ないし７のうちいずれか１つに記載の方法であって、記録磁界の向きを前記第１方向から前記第２方向へと切り換え、前記サブマーク部の長さに対応する周波数に記録レーザをパルス駆動するステップをさらに有する、方法。
【請求項１０】
光磁気記録媒体の記録トラックにマーク及びスペースのパターンとして情報を記録する記録装置であって、
ａ）  前記光磁気記録媒体のマーク領域のサブマーク部を当該記録媒体の記録面に略垂直な第１方向に磁化させ、前記マーク領域の隣接するサブスペース部を前記第１方向とは反対の第２方向に磁化させることによりマークを書き込む書込手段と、
ｂ）  前記記録トラックの方向において前記マーク領域の当該隣接サブスペース部の長さ以下になるように前記マーク領域の前記サブマーク部の長さを設定する設定手段と、
を有する装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の記録装置であって、前記設定手段は、前記サブマーク部の長さに対する前記サブスペース部の長さの比を１ないし４の範囲に設定するよう構成されている、装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の装置であって、前記記録装置は、磁気拡大技術により読み取られる光磁気ディスクのディスクプレーヤに相当する、装置。
【請求項１３】
記録トラックにマーク及びスペースのパターンとして情報が記録される光磁気記録媒体であって、マーク領域は、当該記録媒体の記録面に略垂直な第１方向に磁化されるサブマーク部と前記第１方向とは反対の第２方向に磁化されるサブスペース部とを有し、前記サブマーク部の長さは、前記記録トラックの方向において前記サブスペース部の長さ以下である、記録媒体。
【請求項１４】
請求項１３に記載の記録媒体であって、前記光磁気記録媒体は、磁区拡大技術によって読み取られる光磁気ディスクに相当する、記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マーク及びスペースのパターンとして記録トラックに情報を記録する方法、装置及び記録媒体に関する。特に本発明は、磁気増幅光磁気システム（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ＡＭｐｌｉｆｙｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ：ＭＡＭＭＯＳ）のような磁区拡大システムの記録技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記憶システムにおいて、記録されるマークの最小幅は、その回折限界、すなわち当該フォーカシングレンズの開口数（ＮＡ）と当該レーザ波長とによって決まる。この幅を小さくすることは、一般的にはより短い波長のレーザとより大なるＮＡのフォーカシング光学系に基づく。光磁気記録においては、レーザパルス化磁界変調（Ｌａｓｅｒ Ｐｕｌｓｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：ＬＰ−ＭＦＭ）を用いることにより、かかる光学的回折限界よりも小さくその最小ビット長を短くすることができる。ＬＰ−ＭＦＭにおいて、ビット遷移は、磁界のスイッチングと当該レーザのスイッチングにより引き起こる温度勾配とによって決定される。この方法において記録される小さな三日月形状のマークを読み取るために、磁気超解像（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ：ＭＳＲ）又は磁区拡大（Ｄｏｍａｉｎ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＤｏｍＥｘ）法を用いなければならない。これらの技術は、幾つかの静磁気的又は交換結合されたＲＥ−ＴＭ層を備える記録媒体に基づいている。ＭＳＲによれば、光磁気ディスクの読取層は、読取中に当該記憶層からのマークを当該読取スポットの小領域にしかコピーせず、隣接ビットを隠すように構成されるとともに、磁区拡大に応じて、スポットの中心における磁区が拡大される。ＭＳＲよりも磁区拡大技術は優位に立っているので、当該回折限界を下回る長さのビットも、同様の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）のまま当該回折限界スポットに匹敵するサイズのビットとして検出可能である。ＭＡＭＭＯＳは、静磁気的に結合される記憶及び読取層に基づいた磁区拡張法であり、当該読取層における拡大磁区の拡大化及び崩壊のために用いることができる。
【０００３】
しかしながら、長いランレングスをＭＡＭＭＯＳ媒体に書き込むときには、当該長ランレングスに対応する磁区の中心における漂遊磁界は、その（接線方向における）境界部におけるものよりも弱い。特定の「臨界長」においては、当該ランレングスの中心における漂遊磁界は、その領域においてＭＡＭＭＯＳ信号を発生するのには、すなわち当該読取層においてコピーされた磁区を得るのには、強度が不十分なものとなる。これにより、誤ったビットストリームを生じることになる。この問題は、レーザの読取パワーを増大させることにより、したがって当該記憶層のトータルの温度及びこれに伴う局部的漂遊磁界を増大させ、同時に当該読取層の保磁力を減らすことにより解消することができる。かかる漂遊磁界の増大と保磁力の減少とが十分であれば、前に失ったＭＡＭＭＯＳ信号が発生されることになる。しかし、この処理は、読取解像度を決定する熱転写（コピー）窓を大きくし、重複した作用のために余分な偽ＭＡＭＭＯＳ信号が発生することがある。
【０００４】
文献の特開２００２−２６００７９には、当該記録層に逆方向磁化の施された一連の磁気セクションパターンとして２以上のビットについて連続する記録情報が形成されるように、反対方向の磁化を有する２つの磁気セクションの組み合わせによって構成される磁気セクションパターンに１ビットの２進情報が割り当てられるようにしたＭＡＭＭＯＳシステムが提案されている。このようにして、ホモジニアス漂遊磁界は、連続した記録情報の中心に配された場合も、各読取磁区の位置にかかわらず得られる。よって、記録情報の各単位（ユニット）を再生層に確実に移すことができる。特に、マーク領域は、長さＬ１を有するサブマーク領域と長さＬ２を有する後続の短いサブスペース領域とによるシーケンスとして記録される。このサブスペース領域の長さのサブマーク領域の長さに対する比であるＬ２／Ｌ１は、０．１から０．９の範囲とすることが提案されている。しかし、引用した従来技術の文献に提案されている記録技術を用いると、高密度記憶用の短いチャネルビット長（約２００ｎｍ以下）でも、当該短ランレングスの漂遊磁界と長いランレングスの中心における最小漂遊磁界との間に大きな差を招いてしまう。したがって、長ランレングスの全てのＭＡＭＭＯＳ信号が得られるものの、解像度は低下する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、長いランレングスのものを確実に検出することを可能にしながらも、ＭＡＭＭＯＳ読取解像度を向上させることのできる、光磁気媒体記録方法、装置及び媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的は、請求項１に記載の記録方法、請求項１０に記載の記録装置及び請求項１３に記載の記録媒体によって達成される。
【０００７】
これによれば、マーク領域のサブマーク部の長さが当該マーク領域のサブスペース部の長さ以下に設定される。したがって、短いチャネルビット長についても適切な解像度を得ることができるので、記録密度をさらに向上させることができる。
【０００８】
さらに、サブマーク長に対するサブスペース長の比の大きなものを用いることにより、すなわち、サブスペース長と比較して短いサブマーク長を用いることにより、ランレングスの実効長が小さくなるという付加的効果も奏される。なお、マークチャネルビットをサブスペースが後続するサブマークとして書き込むことにより、その端部の各ラン長が小さくなる。代替手段として、かかるマークチャネルビットをサブマークが後続するサブスペースとして書き込むことによっても十分機能し先頭部における長さが小さくなる。このように、磁界タイミングが正しく同期した場合には、どちらのアプローチも同じく解像度の向上につながることになる。したがって、その保磁力特性との漂遊磁界の望ましくない重なりが抑制されるので、解像度及び／又はパワーマージンがさらに向上する。
【０００９】
第１の部分（サブマーク部）の長さに対する第２の部分（サブスペース部）の長さの比は、４以下に設定されるのが好ましい。その場合、２０ｎｍのサブマーク長を１００ｎｍのトータルチャネルビット長（トータルマーク領域の長さ）に書き込むことができる。したがって、十分に安定なサブマーク領域が高記録密度で形成される。特に、この比はマーク領域の長さに応じて設定することができる。したがって、短いチャネルビット長の場合には、比Ｌ２／Ｌ１は、十分な温度安定性と漂遊磁界とに要求される最小サブマーク長を保証するよう減らされる。磁界コイルとそのドライバの限定された帯域幅は、Ｌ２／Ｌ１を限定するもう１つの理由となりうる。
【００１０】
好ましくは、Ｌ２／Ｌ１の比は、長いランレングスの最初と最後のマーク領域の各々について増大させるのが良い。したがって、長いランレングスの最初と最後のビットの逆に大きすぎる漂遊磁界を適正なものとすることができる。その作用は、どちらの場合もチャネルビット長ｂによることになる。
【００１１】
所定の又は最小のサブマーク長Ｌ１に基づいて、マーク領域の長さ（すなわちチャネルビット長）ｂは次の式に応じて設定することができる。
ｂ≧（ｗ＋Ｌ１＋ｅｘｐ）／２
ここで、ｗは磁気拡大技術によって読取層にそのマークをコピーするためのコピー窓の空間的長さを表し、Ｌ１は第１部分の長さを表し、ｅｘｐは当該記録速度が乗ぜられた磁区拡大処理の拡大時間を表している。この式は、最適な密度を最適な解像度及び／又はパワーマージンにて得ることを確実にする。磁区拡大技術はＭＡＭＭＯＳ技術とすることができる。
【００１２】
サブスペース領域の記録は、記録レーザパルスをオフに切り換える前に記録磁界を第１方向から第２方向へ切り換えることにより実現することができる。マークランレングスの内部のサブスペース領域の記録も、十分に高速なレーザのパルス形成すなわちＬＰ−ＭＦＭとの組み合わせにより記録磁界の方向を第１方向から第２方向へ適正に切り換えることにより実現可能である。
【００１３】
好ましくは、Ｌ２／Ｌ１の整数値を用いることができる。記録磁界を逆にし長さＬ１に対応する周波数でレーザをパルス駆動することにより、媒体は等しい距離で局部的に熱せられるので、実質的に同じ温度条件の下で磁区が形成される。これは、記録される磁区の品質上有益となる。特に１なる値は磁界の切り換えに有利である。何故ならば、書込及び読取の双方において同じ周波数を用いることができるからである。こうして簡単な実現形態が導かれるのである。
【００１４】
記録装置に関しては、その設定手段が１から４の範囲において当該第１部分の長さに対する当該第２部分の長さの比を設定するよう構成されるようにしてもよい。
【００１５】
さらに、この記録装置は、ＭＡＭＭＯＳのような磁区拡大技術により読み取られるべき光磁気ディスクのディスクプレーヤとすることができる。
【００１６】
他の効果的発展形態は従属請求項に規定されている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、上記態様を含む本発明の実施の形態を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
先ず図１に示されるように、好適な実施例をＭＡＭＭＯＳディスクプレーヤに基づいて説明する。
【００１９】
図１は、本ディスクプレーヤの構成を概略的に示している。このディスクプレーヤは、レーザ光放射部を有する光学ピックアップユニット３０を有する。この放射部は、光磁気ディスクのような光磁気記録媒体１０に光を照射するものであり、かかる光は、記録の間、コードデータと同期化した周期を有するパルスに変換されているものである。ディスクプレーヤはまた、磁気ヘッド１２を備える磁界印加部も有する。この磁気ヘッドは、記録時に制御された態様で、また必要であれば再生中も光磁気記録媒体１０に磁界を与える。光ピックアップユニット３０においては、レーザがレーザ駆動回路に接続される。この駆動回路は、記録パルス調整ユニット３２から記録パルスを受信し、光ピックアップユニット３０のレーザのパルス振幅及びタイミングを制御するようにしている。記録パルス調整回路３２は、ＰＬＬ（位相同期ループ）回路を有しうるクロック発生器２６からクロック信号を受信する。
【００２０】
なお、ゼロ磁界ＭＡＭＭＯＳが用いられるときには再生に磁界が必要ない場合がある。
【００２１】
さらに、簡明に表すために、磁気ヘッド１２と光ピックアップユニット３０を図１においてはディスク１０に向かい合わせの両側に示されている。但し、好適実施例によれば、これらはディスク１０の同じ側に配されるのがよい。
【００２２】
磁気ヘッド１２は、ヘッド駆動ユニット１４に接続され、記録時に変調器２４からのコード変換データを、位相調整回路１８やサブマーク調整回路２２の如きタイミング調整回路を介して受信する。変調器２４は、入力記録データを規定されたコードに変換し、サブマーク調整回路２２は、当該規定コードの各マーク領域をサブマーク部又は領域とサブスペース領域に変換するとともに、サブマーク部とサブスペース部の所定の長さ比が設定される。なお、サブマーク調整回路２２も、変調器２４内に配することができる。
【００２３】
再生時には、ヘッドドライバ１４は、クロック発生器２６から再生調整回路２０を介してクロック信号を受信し、再生調整回路２０は、磁気ヘッド１２に供給されるタイミング及びパルス振幅を調整するための同期信号を発生する。記録／再生スイッチ１６は、記録時及び再生時にヘッドドライバ１４に供給されるべきそれぞれの信号をスイッチング又は選択するために設けられる。但し、このスイッチングについては、ゼロフィールドＭＡＭＭＯＳには要求されていない。何故ならば、その場合再生中に磁界を与える必要がないからである。
【００２４】
さらに、光ピックアップユニット３０は、光磁気記録媒体１０から反射したレーザ光を検出しデコーダ２８に供給される対応の読取信号を発生する検出器を有する。デコーダ２８は、当該読取信号をデコードし出力データを発生するように構成される。さらに、光ピックアップユニット３０によって発生された読取信号は、クロック発生器２６に供給される。このクロック発生器においては、クロック信号が光磁気記録媒体１０のエンボスクロックマークから抽出され、このクロック信号を記録パルス調整回路３２、再生調整回路２０、サブマーク調整回路２２及び変調器２４に同期化のために供給する。特に、データチャネルクロックは、クロック発生器２６のＰＬＬ回路において発生するようにすることができる。
【００２５】
記録のためにＭＦＭを用いてもよいが、ＬＰ−ＭＦＭが好ましい。そしてレーザは各サブマークにつき１回と各サブスペースにつき（少なくとも）１回パルス化される。実用的な解決手段として、サブスペース／サブマーク長の比を整数値とし、チャネルビット長に代えてサブマークの長さに対応する周波数でレーザをパルス化するものとすることができる。いずれの場合にも、レーザのデューティサイクル（サブマーク長より短いパルス）とタイミング（磁界とレーザパルスとの位相）を最適化するのがよい。
【００２６】
ＬＰ−ＭＦＭデータ記録の場合、光ピックアップユニット３０のレーザは、データチャネルクロックの周期の半分に対応する固定周波数で変調され、回転する光磁気記録媒体１０のデータ記録領域又はスポットは、等間隔で局部的に熱せられる。なお、サブマーク部の長さに対応する周波数を用いつつ（また等しくスペースの空いた局部的加熱をしながら）記録が改善される。これにより、当該長さの比を整数値に限定することになり、データチャネルクロックと同期させたレーザパルスを保つことになる。他のオプションとしては、マーク領域のサブマーク及びサブスペース長に対応する距離にて当該レーザを最適な位相でパルス化することが考えられる。これに加え、クロック発生器２６により出力されたデータチャネルクロックは、標準のクロック周期のデータ信号を発生するよう変調器２４及びサブマーク調整回路２２を制御する。この記録データは、当該記録データの情報に対応する２進ランレングス情報を得るように、変調器２４により変調されコード変換される。サブマーク調整回路２０において、記録情報のチャネルビットに対応するマーク領域は、サブマーク部とサブスペース部に変換されるとともに、チャネルビットに対応するスペース領域は持続される。したがって、互いに直接引き続いて起きる複数のマーク領域からなるコードランレングスは、所定の長さ比を有し引き続いて起きる複数のサブマーク及びサブスペース領域に変換される。サブマーク調整回路２２からのコードデータのサブマーク及びサブスペース部のパターンは、位相調整回路１８に送られ、位相調整の後に記録／再生スイッチ１６を介してドライバ１４に送られる。
【００２７】
位相調整回路１８は、連続するマーク部の系列（シーケンス）の初期マーク領域のサブマーク部の長さＬ１が小さくなるように、当該ランレングスの引き続くマーク領域が維持されつつ位相を調整するよう構成される。
【００２８】
光磁気記録媒体１０の構造は、特開２０００−２６００７９公報に記載されている構造と一致させることもできる。
【００２９】
好適実施例によれば、サブマーク調整回路２２は、サブマーク部の長さＬ１をサブスペース領域以下に設定するよう構成される。したがって各マーク領域は、サブマーク部以上の長さを有するサブスペース部が後続する短いサブマーク部を有する。ＭＡＭＭＯＳ磁区拡大技術によれば、光ピックアップユニット３０のパルス化されたレーザ光の加熱効果との組み合わせで磁気ヘッド１２により発生された小さな三日月形の磁気記録部は、再生磁界及びレーザ光を当てながら光磁気記録媒体１０の記録層から読取層へと転送され拡大されることが可能である。ＭＡＭＭＯＳ読取の詳細は、例えば、”ＭＡＭＭＯＳ Ｒｅａｄ−Ｏｕｔ ｗｉｔｈ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ”， Ｎ． Ｔａｋａｇｉ ｅｔ ａｌ．， “Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ”， Ｊ． Ｍａｇｎ． Ｓｏｃ． Ｊｐｎ．， Ｖｏｌ． ２３， Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， （１９９９）， ｐｐ． １６１ ｔｏ １６４ に開示されている。
【００３０】
光磁気記録媒体１０の記録トラックにおける色々な磁区の長さの間の漂遊磁界には差が存在するという事実のためにサブスペースが導入されている。加えて、短いチャネルビット長に適したサブスペースのサブマークに対する長さ比の範囲も拡張されている。この範囲は、各ランレングスの有効な短縮によって解像度及び／又はパワーマージンがさらに向上するという付加的効果を有する。ＭＡＭＭＯＳ読取において、磁気ヘッド１４により発生された外部磁界と記憶層におけるビットパターン又は磁区により生じた漂遊磁界との合計は、読取層の保磁力場よりも大なるものとするのがよい。温度が（レーザパワーに比例して）増大するとともに当該漂遊磁界は増大しその保磁力場は減少するので、この条件を満たすのに最小の温度（又はレーザパワー）が求められる。一方、レーザパワーが大きくなりすぎると、この最小温度よりも高い温度の領域の寸法は、近隣のビットとの重なりが生じるような大きなものとなる。これにより、誤った余分なピークをもたらし、これにより長いマークランレングスについて誤った数のピークを生じることになるとともに、小さなスペースが検出できなくなる。したがって、光ピックアップユニット３０のレーザパワーは、当該スポットの中心の温度が最小温度を正しく上回るように制御するのがよい。
【００３１】
漂遊磁区はまた、書き込まれた磁区及びその周辺部の長さにも依存する。図２Ａは、１００ｎｍのチャネルビット長（すなわち１ビットのマーク領域の長さ）についての漂遊磁界対トラック方向の図を示している。破線はＩ１キャリアに相当し、実線はＩ１キャリア内のＩ５を表している。一般には、漂遊磁界は、１００ｎｍより大きなビット長において、特に磁区の中心近傍において減少するのが一般的である。これは、読取条件がビット長ｂ＝１００ｎｍについて最適化されるときには、より大なる磁区の内側領域がＭＡＭＭＯＳ信号を呈しないことを意味する。高い読取パワー又は大なる外部磁界を用いて読取条件を改善する場合、大きな磁区の中心からのＭＡＭＭＯＳピークだけが失うことになる。但し、小さなスペースはもはや読み取れなくなってしまう。
【００３２】
図２Ａにおいて、第１の状況は、読取層の保磁力場と外部磁界との差が図２Ａに曲線で示されるように正しく２７ｋＡ／ｍを下回る状況に対応する。この場合、温度特性（曲線１）の頂だけが短い磁区に用いられる一方、弱い漂遊磁界の比較的長い磁区は、ＭＡＭＭＯＳ読取により検出することができない。第２の状況では、読取層の保磁力場と外部磁界との差は、レーザにより照射されたスポットの最も熱い部分において１２ｋＡ／ｍ近辺となり、これにより図２Ａの曲線２となる。この状況において、比較的長い磁区は検出可能となるが、比較的短いスペース（例えばＩ１スペース）は観測することができない。何故ならば、保磁力場特性又は温度特性（曲線２）は、近隣のマークから生じた漂遊磁界と常に重なるからである。したがって、通常は、最高の解像度及び最大のパワーマージンの最適なＭＡＭＭＯＳ読取のために、漂遊磁界の最大値とランレングス（磁区長）の全ての組み合わせの中での最小値との差は可能な限り小さくするのがよい。
【００３３】
図２Ａに示される種々の温度特性は、再生中にレーザパワー又は磁気ヘッド１４の磁界強度を変えることによって得ることができる。なお、図２Ａに示される例は、サブマーク調整回路２２により発生されるような中間のサブスペース部を導入することのない連続したマーク領域に関するものである。
【００３４】
好適な実施例によれば、各マークチャネルビット（長さｂ）は、２つの部分によって構成される。すなわち、あるマーク磁化方向及び長さＬ１を有するサブマーク部と、非マーク（すなわちスペース）磁化及び長さＬ２を有するサブスペース部である。したがって、チャネルビット長ｂはｂ＝Ｌ１＋Ｌ２である。
【００３５】
図２Ｂは、Ｌ２／Ｌ１の異なる比についてのこのような交互に置き換わるマーク領域の漂遊磁界対トラック方向を表す図を示している。破線の閾値ラインは、選ばれた比の各々について磁区（Ｉ１キャリア）の最大漂遊磁界レベルを示している。何も表示記号を伴わないラインは、図２Ａに示した連続の磁区（すなわちＩ５キャリア）を表している。特に、下向き三角記号は比Ｌ２／Ｌ１＝０．３３を示しており、上向き三角記号は比Ｌ２／Ｌ１＝１を示し、丸記号は比Ｌ２／Ｌ１＝３を示している。図２Ｂから分かるように、Ｌ２／Ｌ１の比が大きいと大ランレングスの漂遊磁界をＩ１キャリアのレベルにまで増大させるのに効果的になる。但し、比Ｌ２／Ｌ１は大きすぎない方がよい。サブマーク長Ｌ１が小さくなりすぎると、当該漂遊磁界は、適正なＭＡＭＭＯＳ読取にとっては過剰に減少してしまう。さらに、磁区長のエッジの粗さや温度の磁区安定性は重大な事項となる。２０ｎｍの磁区長は書込可能で十分に安定していることが示されている。したがって、１００ｎｍのチャネルビット長についてはＬ２／Ｌ１の比は４まで実現可能となるはずである。
【００３６】
図３は、１００ｎｍのチャネルビット長について、比Ｌ２／Ｌ１の関数としてＩ１キャリア（磁区長はビット長に対応）とＩ５キャリアの最小ピーク（磁区長５チャンネルビット長に対応）との漂遊磁界の差を表す図を示している。図３のダイアグラムから分かるように、漂遊磁界差の減少は比Ｌ２／Ｌ１が１となるまで堅調でありその後平坦になる。したがって、Ｌ２／Ｌ１は１以上の範囲において選択するのが好ましく、すなわちサブマーク領域の長さはサブスペース領域の長さ以下とするのがよい。この場合、漂遊磁界差は比Ｌ２／Ｌ１とは比較的に独立性を有している。ＭＡＭＭＯＳすなわち例えば高度の位相変化技術と競合し得る非常に高い記憶密度における実用上の適用例においては、１００ｎｍ以下のチャネルビット長が必要となる。したがって、２０ｎｍ程度の最小サブマーク長Ｌ１の場合には、比Ｌ２／Ｌ１の範囲は４（ｂ＝１００ｎｍの場合）から１（ｂ＝４０ｎｍの場合）の間で選択されるのがよい。
【００３７】
大きなＬ２／Ｌ１比を用いることのもう１つの利点は、長いサブスペース長のためにランレングスの実効長がその端部において短くなることである。この態様において、解像度及び／又はパワーマージンはさらに向上する。何となれば、（非マーク／スペース読み取り中の）保磁力特性との漂遊磁界の望ましくない重なりが抑制されるからである。
【００３８】
図４Ａから４Ｄは、Ｉ４ランレングス（磁区長が４チャネルビット長に対応）の分離された交番磁区の漂遊磁界及び種々のチャネルビット長ｂのＩ１キャリア（破線）を示しており、ここでのＬ２／Ｌ１の比は、全ての状況において１に設定されたものである。図４Ａではチャネルビット長ｂが４００ｎｍに等しく、図４Ｂではチャネルビット長ｂが２００ｎｍに等しく、図４Ｃではチャネルビット長ｂが１００ｎｍに等しく、図４Ｄではチャネルビット長ｂが４０ｎｍに等しい。図４Ａ及び図４Ｂから分かるように、この書込方法はｂ＝２００ｎｍ及びｂ＝４００ｎｍについて非常に効果的である。Ｉ４ランレングスにおける左側の第１ビットの漂遊磁界がより強くなるという事実は、長いランレングスにおける各第１ビットのために少し大きなＬ２／Ｌ１比（比較的短いサブマーク部）を用いることによって修正可能である。この調整は、位相調整回路１８又はサブマーク調整回路２２において行うことができる。４０ｎｍといった小さなチャネルビット長の場合でさえ、Ｉ４及びＩ１キャリアの双方の検出を確実とするよう十分な漂遊磁界差を得ることができる。
【００３９】
なお、上記形態の計算に基づく光磁気記録媒体１０のディスク構造は、５ｎｍのＳｉＮｘ層により分離される、厚さ５０ｎｍの記憶層と厚さ２０ｎｍの読取層とを有するものとされた。補償温度は、両方の光磁気層について概ね室温とされるとともに、キュリー温度は読取層及び記憶層のそれぞれについて３２０℃及び２７０℃である。
【００４０】
チャネルビット長ｂ及びサブマーク部の長さＬ１のサイズ分布を最適化する規則は、以下に示される。
【００４１】
読取分解能は、温度が磁区拡大コピー処理を可能とするのに十分高い領域の長さに対応するコピー窓の空間サイズｗによって決まる。したがって、当該コピー窓のサイズｗは、レーザパワー及び外部磁界に依存する。Ｉ１キャリアの適正な分解能を得るためコピー窓ｗのサイズは、チャネルビット長ｂの半分以下とするのがよい。非対称なサブマークを伴う書込方法にこの規則を当てはめると（Ｌ１＋Ｌ２＝ｂ）、最大許容窓は
ｗｍａｘ＝ｂ＋Ｌ２−ｅｘｐ＝２ｂ−Ｌ１−ｅｘｐ
によって示される。ここでｅｘｐは、磁区拡大効果の拡大時間（対応する長さを得るよう光磁気記録媒体１０の速度が乗ぜられたもの）を表す。この拡大時間は、特に、記録層からのビットが核とされ読取層に拡張される時間に一致する。上式に基づき、サブマーク長Ｌ１が与えられ或いは次式による場合に最小チャネルビット長又は最大記録密度を計算することができる。
ｂｍｉｎ＝（ｗ＋Ｌ１＋ｅｘｐ）／２
この式からは、サブマーク部Ｌ１も拡大時間ｅｘｐも、最適解像度及び／又はパワーマージンのために可能な限り小さい方がよいことが明らかとなる。但し、上に示したように、２０ｎｍの最小サブマーク長Ｌ１は定められている。
【００４２】
例えば、開口数ＮＡ＝０．６０、６６０ｎｍレーザ、１ｍ／ｓのディスク速度、サブマーク長Ｌ１＝２５ｎｍ及び拡大時間ｅｘｐ＝１０ｎｓ×１ｍ／ｓ＝１０ｎｍとして得られるようなコピー窓ｗ＝５５ｎｍの場合には、４５ｎｍの最小チャネルビット長を得ることができる。
【００４３】
既述したように、比Ｌ２／Ｌ１は、図１に示した変調器２４又は独立したサブマーク調整回路２２に設定可能である。連続したマーク領域に基づくサブマーク部及びサブスペース部の発生は、アナログ若しくはディジタルタイマ回路又はパルス発生器のスイッチング動作によって実現可能である。特に、マーク領域は、サブスペースが後続するサブマークとして或いはサブマークが後続するサブスペースとして記録してもよい。
【００４４】
なお、本発明は、上記好適実施例に限定されず、漂遊磁界変化を減らし読取分解能を上げるように如何なる光磁気記録処理に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】好適実施例によるＭＡＭＭＯＳディスクプレーヤを示すブロック図。
【図２Ａ】短ランレングス及び長ランレングスについてのトラック方向に対するディスクに垂直な漂遊磁界成分、並びに必要な保磁力場特性を示す図。
【図２Ｂ】短ランレングス及び長ランレングス並びに比Ｌ２／Ｌ１の種々の値についてのトラック方向に対する漂遊磁界を示す図。
【図３】比Ｌ２／Ｌ１の関数としてＩ１キャリアとＩ５キャリアの最小値との漂遊磁界差を示す図。
【図４Ａ】種々のビット長についてのＩ４キャリア及びＩ１キャリアの漂遊磁界を示す第１の図。
【図４Ｂ】種々のビット長についてのＩ４キャリア及びＩ１キャリアの漂遊磁界を示す第２の図。
【図４Ｃ】種々のビット長についてのＩ４キャリア及びＩ１キャリアの漂遊磁界を示す第３の図。
【図４Ｄ】種々のビット長についてのＩ４キャリア及びＩ１キャリアの漂遊磁界を示す第４の図。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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