(57)【要約】半導体薄膜のレーザ結晶化のためのレーザシステムである。このシステムは、ある横断方向において第１の強度プロファイル１０を有するレーザビームを生成するレーザ光源８と、上記第１の強度プロファイルを変更するレンズシステム１２とを有しており、レンズシステムは、第１の強度プロファイル全体にわたってビームを複数のビームレットに分割する複数のレンズ素子２０ａ，２０ｂ，４０ａ，４０ｂ，６４ａ，６４ｂ，６６ａ，６６ｂを有し、レンズシステムにより出力されるビームレットの少なくとも１つが、他のビームレットに対して反転され、当該レーザシステムの出力において所望の強度プロファイル５０が生成される。
2004506335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある横断方向において第１の強度プロファイルを有するレーザビームを生成するレーザ光源と、前記第１の強度プロファイルを変更するレンズシステムとを有し、
前記レンズシステムが、前記第１の強度プロファイル全体にわたって前記ビームを複数のビームレットに分割する複数のレンズ素子を有し、
前記レンズシステムにより出力されるビームレットの少なくとも１つが、他のビームレットに対して反転され、レーザシステムの出力において所望の強度プロファイルが生成される当該レーザシステム。
【請求項２】
前記レンズ素子が２つの離間したアレイ内に配置され、各レンズ素子は前記ある横断方向に沿って延在し、前記アレイが少なくとも１つのビームレットを他のビームレットに対して反転させる請求項１記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記レンズシステムが、一次レンズ素子の、２つの離間したアレイを有し、各アレイは前記ある横断方向に沿って延在し、前記アレイはレンズ素子のペアを伴っており、各アレイの１つは対応するビームレットを反転させるように配置されると共に、
前記少なくとも１つのビームレットの更なる反転を防止するため、又は前記少なくとも１つのビームレットの更なる反転を与えるために、１つ又はそれ以上の他のレンズ素子が含まれている請求項１記載のレーザシステム。
【請求項４】
前記他のレンズ素子が、一次レンズ素子の対応するペアの間に配置された二次レンズ素子の１つ又はそれ以上のペアを有する請求項３記載のレーザシステム。
【請求項５】
前記二次レンズ素子のそれぞれが、凹状の表面を有する請求項４記載のレーザシステム。
【請求項６】
前記ビームレットの前記少なくとも１つが、前記第１の強度プロファイルの中央の一方の側に位置する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のレーザシステム。
【請求項７】
前記所望の強度プロファイルが、前記プロファイルの幅の少なくとも一部においてテーパ形状とされている請求項１ないし６のいずれか１項に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記レーザ光源が、パルス状のレーザ光源を有する請求項１ないし７のいずれか１項に記載のレーザシステム。
【請求項９】
前記第１の強度プロファイルが、半ガウスプロファイルを有する請求項１ないし８のいずれか１項に記載のレーザシステム。
【請求項１０】
当該レーザシステムの前記出力において生成される前記強度プロファイルを変更するために、光学フィルタが設けられた請求項１ないし９のいずれか１項に記載のレーザシステム。
【請求項１１】
前記フィルタが透過部と不透明部とを有し、前記透過部が前記一次レンズ素子のレンズのピッチに対応するピッチを有する繰り返しパターンを規定する請求項１０記載のレーザシステム。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のレーザシステムと、レーザ処理されるべき試料の表面に対して前記所望の強度プロファイルの幅を走査する手段とを有するレーザ装置。
【請求項１３】
前記走査する手段が、前記試料を支持する可動支持体を有する請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３のレーザ装置を用いる薄膜デバイスの製造中に、半導体膜を結晶化する方法であって、
前記所望の強度プロファイルを有するレーザビームが、前記半導体膜の厚さの一部を全体にわたって溶解するように、前記半導体膜全体にわたって走査される方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザシステムに関するものであるが、特に、薄膜デバイスに多結晶シリコンを形成するためのアモルファスシリコンの結晶化のような、半導体膜のレーザ結晶に適した出力プロファイルを提供することに限るものではない。本発明は、そのようなレーザシステムを用いる半導体膜を結晶化する装置及び方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザ結晶化処理の使用は、例えばディスプレイ用又は他の回路用の低温ポリシリコンデバイスの製造を可能にすることが知られている。しかしながら、このレーザ結晶化処理は、低い歩留まりを引き起こす可能性があり、これはレーザ結晶化処理の均一性が低いことによってもたらされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した低い均一性の要素となる１つの要因は、単純な所謂シルクハット型の（ｔｏｐ−ｈａｔ）ビームプロファイルを用いることである。この出力の形態は、既知のレーザビームホモジェナイザーに特有のものである。上記シルクハット型のプロファイルは、幅全体にわたってほぼ一定の強度を有している。このビームをアモルファスシリコン膜全体に走査することによって膜が結晶化される際、膜はほぼ一定の強度に曝される。結晶化プロセスを上手く行うためには、この強度は非常に狭い範囲内において低下しなければならない。これは、結晶化プロセス中、膜のほぼ全てが溶融されるが、アモルファスシリコン層は完全な溶融を経るべきではないからである。冷却中、上記層のうち完全に溶融された部分は、最終生成物の質の低下を引き起こす微粒子構造に再結晶化される。上記強度は、最大値を越え、それにより、レーザ光源からの出力のジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）の結果、完全な溶融を経てしまう可能性がある。
【０００４】
レーザの出力は、処理されるべき試料全体に走査されるので、所望の最大強度を越える個々のレーザパルスは、基板の幾らかの領域に加えられる最初のレーザショットであるが、他の領域に加えられる最後のレーザショットでもある。基板のうち加えられたパルスが最後のレーザショットであった領域は、更なるレーザ加熱が行われないので、上述した微粒子構造に再結晶化する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ある横断方向において第１の強度プロファイルを有するレーザビームを生成するレーザ光源と、前記第１の強度プロファイルを変更するレンズシステムとを有し、前記レンズシステムが、前記第１の強度プロファイル全体にわたって前記ビームを複数のビームレットに分割する複数のレンズ素子を有し、前記レンズシステムにより出力されるビームレットの少なくとも１つが、他のビームレットに対して反転され、レーザシステムの出力において所望の強度プロファイルが生成される当該レーザシステムを提供する。このレンズシステムは、レーザ光源により生成されるビームがレーザシステムの出力がレーザ結晶化の要求に応じて変化するように変更されることを可能にして、上述した問題に対処するものである。これは、ビームエネルギーの損失又はフルエンスジッタの増加をほとんど伴うことなく達成される。
【０００６】
好適な実施態様では、前記レンズ素子は２つの離間したアレイ内に配置され、各レンズ素子は前記ある横断方向に沿って延在し、前記アレイは少なくとも１つのビームレットを他のビームレットに対して反転させる。代替として、前記レンズシステムが、一次レンズ素子の、２つの離間したアレイを有し、各アレイは前記ある横断方向に沿って延在し、前記アレイはレンズ素子のペアを伴っており、各アレイの１つは対応するビームレットを反転させるように配置されると共に、前記少なくとも１つのビームレットの更なる反転を防止するため、又は前記少なくとも１つのビームレットの更なる反転を与えるために、１つ又はそれ以上の他のレンズ素子が含まれていてもよい。例えば、他のレンズ素子は、本発明に従って既存のレンズシステムに挿入されてもよい。更に反転させるのではなく、反転を防止することが好ましい。これは、更に反転させることは、より大きな光損失及びレンズシステムを離れるビームレットの広がりにつながる可能性があるからである。
【０００７】
前記他のレンズ素子は、一次レンズ素子の対応するペアの間に配置された二次レンズ素子の１つ又はそれ以上のペアを有していてもよい。前記二次レンズ素子のそれぞれが、凹状の表面を有していることが好ましい。
【０００８】
前記ビームレットの前記少なくとも１つは、前記第１の強度プロファイルの中央の一方の側に位置することが好ましい。より具体的には、ほぼ等しい幅の偶数のビームレットが存在する場合、前記ビームレットの前記少なくとも１つは、強度プロファイルの半分におけるビームレットである。ほぼ等しい幅の奇数のビームレットが存在する場合には、前記ビームレットの前記少なくとも１つは、中央のビームレットの一方の側のビームレットである。反転されるビームレットの数は、個別の要求に適応させるために変化させてもよい。これにより、反転の全体の効果が変化する。
【０００９】
前記レーザシステムにより出力される強度プロファイルは、プロファイルの幅の少なくとも一部においてテーパ形状であることが好ましい。これは、以下に説明する理由のために有利である。
【００１０】
前記レーザ光源は、半ガウスプロファイルを持つビームを生成するパルス状の光源を有していてもよい。
【００１１】
前記レーザシステムの出力において生成される前記強度プロファイルを変更するために、光学フィルタが設けられていてもよい。このようなフィルタは、１９９９年９月２４日に出願された同時係属英国特許出願第９９２２５７６．５号の主題であり、その開示内容は参照することによって本明細書中に組み込まれたものとする。このフィルタは、前記一次レンズ素子のレンズのピッチに対応するピッチを有する繰り返しパターンを規定する透過部と不透明部とを有していてもよい。
【００１２】
本発明は、また、本発明のレーザシステムと、レーザ処理されるべき試料の表面に対して前記所望の強度プロファイルの幅を走査する手段とを有するレーザ装置を提供する。走査は、可動支持体に試料を取り付けることにより達成され得る。
【００１３】
以下に、添付の図面を参照して、従来技術の構成及び本発明の実施態様を例として説明する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、ホモジェナイザー１２を有する既知のレーザシステム２の選択された構成部品を表している。ホモジェナイザー１２は、半導体試料の結晶化に適したレーザ出力を生成する。このシステム２は、制御された強度プロファイルを持つ線状ビーム６を伴って試料（図示せず）に放射するためのものである。一般に、試料は絶縁性基板上にシリコン薄膜を有している。線状ビーム６は、試料の表面全体にわたって走査され、これは、通常、可動支持体（図示せず）上にサンプルを取り付けることにより達成される。
【００１５】
このレーザシステムは、半ガウス強度プロファイルを持つビームを生成し得るレーザ光源８を有している。上記レーザ光源の出力は、ライトフロント（ｌｉｇｈｔ ｆｒｏｎｔ）のビームである。ビームの広がり方向に対して横切るある面（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）では、強度は、曲線１０によって示されているように正規分布に従って変化するのに対して、この面に直交する横断面では、強度は一定である。ビームの幅Ｗは約２０ｍｍであってもよく、（図１の紙面に対して垂直な）深さは、同様の大きさであってもよい。
【００１６】
レーザ結晶化に関して、線状ビームは狭い幅（例えば０．５ｍｍ）を持つことが望ましいが、半導体膜の基板全体を走査するために非常に大きな長さを持っている。また、曲線１０として示されている正規強度プロファイルを変更することが望ましい。
【００１７】
光信号の強度を整形し直したり、変更したりするために、レンズ素子２０ａの入力アレイ１４と、レンズ素子２０ｂの出力アレイ１６と、集束レンズ又は集光レンズ１８とを有するホモジェナイザー１２が設けられている。各アレイの個々のレンズ素子２０ａ，２０ｂは正のパワーレンズ、例えば円筒形の平面凸レンズであってもよい。ホモジェナイザー１２の作用は、強度プロファイル１０を個別の区画又はビームレットに分割し、そののち、上記プロファイルの幅全体にわたってより均一なレーザ強度を生成するように、ビームレットを部分的に重ならせることである。中央のビームレットの両側のビームレットは、半ガウスビームのそれぞれの部分に対応する、傾斜したプロファイルを有している。ビームレットは、集光レンズ１８によってスリット４に向かって一緒に集束し、該スリットは最終的なビームの縁部を鮮鋭にする。開口の幅は、種々のビーム幅を提供するために調節可能であってもよい。視野レンズ２２が設けられていてもよい。
【００１８】
レンズ１４，１６，１８の機能は、レーザビームの強度プロファイルをその幅全体にわたって変化させ、均一化することである。図１には示されていないが、プロファイル１０に対して直交するレーザ出力の形状を変化させる他のレンズアレイも設けられている。上記他のレンズアレイは、必要な線状ビームを供給するためにレーザ出力の到達範囲（ｃｏｖｅｒａｇｅ）の領域を整形し直すため、レーザ出力の長軸における強度プロファイルを変更させるように配設され得る垂直なレンズアレイを有している。
【００１９】
上述した範囲内において、図１を参照して説明したレーザシステム２の動作は既知である。特に、工業生産上利用可能な既存のシステムは、レーザ光源８からの半ガウス強度プロファイルの出力を所謂シルクハット型のビームプロファイルに変換することを可能にするための特別な光学設計を有している。これらの強度プロファイルについて、図２及び図３を参照して以下に説明する。
【００２０】
図２Ａは、レーザ光源８の半ガウス出力プロファイル１０の模式的な斜視図である。この強度プロファイルは、完全にずっと一定であるわけではなく、最新のレーザであってもフルエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）単位で所謂ジッタが生じる。以下に説明するジッタの最大のタイプは、矢印３０で表されている所謂フルエンスジッタである。フルエンスジッタにより、レーザのピーク強度が、一定ではなく、ある公差の範囲内において予測不可能に増減し得る。図２Ｂは、レーザ結晶化装置に従来用いられている所望のシルクハット型強度プロファイル３２を斜視図で示したものである。模式的に表されているように、このプロファイルは、主幅（ｍａｉｎ ｗｉｄｔｈ）全体にわたってほぼ一定の強度を有しており、レーザ光源８の出力に対してビームの長さが大きく増加する。
【００２１】
図３は、上記シルクハット型強度プロファイルを非常に詳細に示したものである。ライン３２は、試料の表面全体にわたるビームの走査方向を表している。従って、エッジ部３４は強度プロファイルの前方のエッジを表し、エッジ部３６は後方のエッジを表している。レーザ結晶化の間、レーザ光源８は、レーザ出力部と試料４との間における相対的な移動中、パルス状である。その結果、試料上のある点は、図３に×印３８によって表されているレーザ放射のいくつかのショットを受ける。例えば図３に例示されているショットの数の場合、試料の各領域は、上記シルクハット型プロファイルの最上部に沿ってほぼ一定強度で７つのレーザショットを受ける。シルクハット型プロファイルの幅全体は約５００μｍであってもよく、上記前方及び後方のエッジ部は垂直であるように意図されているが、典型的には約５０μｍの幅を占めている。
【００２２】
これまで認識されてきた上記シルクハット型プロファイルの使用の問題は、該プロファイルが図２Ａに示されているような大きなフルエンスジッタを許容しないことである。これは、シルクハット型プロファイルの上記一定部分の強度が非常に臨界的だからである。結晶化シリコンを形成するためのアモルファスシリコンのレーザ結晶化の場合、アモルファスシリコン膜をほぼ完全な深さ（厚さ）全体にわたって溶融するために、レーザ結晶化処理により供給されるエネルギーが必要である。しかしながら、アモルファスシリコン層の完全な溶融は、その後の冷却が微結晶構造を引き起こすので、避けなければならない。レーザ結晶化は、最大の可能な粒径を提供するように意図されており、これは完全な溶融にできる限り近づけるが、実際には完全な溶融に達しないことにより達成される。従って、最大の粒径を達成するためには、シルクハット型プロファイルの強度は、できる限り最大のレベル付近に選択される必要がある。レーザ光源８の出力のいかなるフルエンスジッタも図３のプロファイルの揺らぎに変化する。シルクハット型プロファイルの強度の増加は、試料の、レーザ光源８の個々のパルスからの最後のレーザショットを受け取る領域に関して、特に激しい。これは、図３におけるショット３８ａである。試料のこれらの領域に関して、再結晶化が微粒子構造を形成し、この状態を矯正する更なるレーザショットは存在しない。
【００２３】
図４は、図１のレーザシステムを、上述した問題に対処するために本発明に従って変更したものである。この変更は、２つの追加された負のパワーレンズ素子４０ａ，４０ｂのアレイを伴っており、負のパワーレンズ素子は、例えば円筒形状の平面凹レンズであってもよい。追加されたレンズ素子の各ペアは、各アレイ１４，１６の中央のレンズ素子の一方の側のレンズ素子の各ペアと共に位置合わせされている。アレイ１４，１６のレンズ素子の残りのペア（すなわち、図４に示した上側５つのペア）は、図１のレーザシステム２と同様に協働する。すなわち、入力レンズアレイ１４のレンズ素子の群２１は、入射強度プロファイルを、レンズ素子２０ｂの焦平面における焦点に導かれるビームレットに分割する。この焦点は、図４の最も上部のレンズ素子に関しては数字４４によって特定されている。そののち、上記ビームレットは、出力アレイ１６に入射するまで広がり、出力アレイ１６は再度ほぼ平行なビームとして伝播するように該ビームレットを屈折させる。上記出力アレイのこれらの素子から出てくるビームレットは、上記入力アレイの群２１を離れる際、それらの向きに対して反転される。上記追加のアレイ４０ａ，４０ｂは、各ビームレットの反転を防止する。アレイ４０ａは、入力変換ビームを、より少なく変換されたビーム又はほぼ平行なビームにさえも変化させ、アレイ４０ｂは、このビームを、図１のレンズ素子２０ｂに入射するのとほぼ同様の広がりを持つように変化させる。
【００２４】
この方法では、個々のビームレットの傾斜したプロファイルは、ビームの中央の一方の側のみに反転される。従って、（中央のビームレット以外の）ビームレットは、全て同一方向に傾斜しており、既知のシルクハット型の配列のように、打ち消し合うのではなく、互いに補強している。これは、図５に示されているような改善されたレーザ強度プロファイル５０をもたらす。図５では、フルエンスが矢印５２の方向に増加する。プロファイルは、下向きの傾斜を有している。図５は、図４のレーザシステムの出力において生成される強度プロファイルを、左から右に見て示している。比較として、点線５６によりシルクハット型のプロファイルが示されている。このプロファイルは、基板全体を矢印５４の方向に走査され得る。その結果、フルエンスは後方のエッジ部５８に向かって減少する。
【００２５】
変更されたプロファイルは、シルクハット型のプロファイルに対して、例えば±１０％まで上記フルエンスを変化させることが可能である。変化の程度は、元の（ｏｒｉｇｉｎａｌ）半ガウスビームの幅に対するレンズ素子の大きさに依存する。使用する素子の数が少ないほどより大きな変化量をもたらし、多いほどより少ない変化量をもたらす。±１０％の変化は、単一のレンズ素子の幅の６倍の元のビームを用いることにより達成され得る。
【００２６】
テーパ形状のプロファイルは、試料の全領域が所望の数のショットを受けることを確実にし、従って、試料領域全体にわたって大きな結晶粒の成長に十分なエネルギーが存在し、試料の各領域に加えられる最後のショットは、レーザ光源８の出力にフルエンスジッタが存在する場合であっても、完全な溶解を経るのに十分なエネルギーを持っていない。最後のショットは、前のパルスのジッタのために完全に溶融された領域を、完全な溶解を経た状態から所望のほぼ溶解された状態まで回復させるのに十分なエネルギーを持つようにも構成されるべきである。
【００２７】
図６に示されている装置は、追加のアレイ４０ａ，４０ｂが、入力アレイ１４及び出力アレイ１６に対してよりも互いに接近して配置されていることを除き、図４の装置と同様である。これは、これらの素子の光損失を最小化する点で有利であることが見出された。
【００２８】
他の実施態様が図７に示されている。この実施態様では、追加のアレイ４０ｂを形成するために、図５及び図６に示されている平面凹レンズに代えて、両凹レンズが用いられている。レンズのタイプ及び構成のこのような他の組み合わせは、所望の強度プロファイルを生成し得るという利点を有している。
【００２９】
図４、図６及び図７に関して上述したように本発明を実行するために追加の素子を伴うレンズ素子の入力及び出力アレイの構成を変更するのではない、本発明の代替の実施態様が図８に示されている。この実施態様では、入力アレイ６０及び出力アレイ６２自体が変化している。図８に示されているレーザシステムでは、入力アレイ及び出力アレイは、異なるタイプのレンズ素子を有している。レンズ素子６４ａ，６４ｂの上側５つのペアは、先の図に示されているアレイ１４，１６と同様、円筒状の正のパワー素子であり、平面凸型形状であり得る。入力アレイ６０の下側４つのレンズ素子６６ａもまた、円筒状の正のパワー素子であり得るが、レンズ６４ａに対してパワーが減少しており、従ってレンズ素子６４ａに対して焦点距離が長くなっている。出力アレイ６２の下側４つのレンズ素子６６ｂは、負のパワーレンズであり、平面凹型の円筒形状であり得る。上記レンズ素子の下側４つのペアは、先の図の追加のレンズ素子を隣接する入力アレイ及び出力アレイの対応部分と組み合わせたものに対応していることが分かる。
【００３０】
他の好適な実施態様は、図８の実施態様と類似している。この構成では、レンズ素子６６ａが第１のアレイから省略される。レンズ素子６６ｂは、第２のアレイにおいて相対的にわずかに負のパワーを持つ素子に置換される。この構成は、例えば元のレーザビームの広がりによる軸から外れた（ｏｆｆ−ａｘｉｓ）光の作用を最小限にする点で有利である。
【００３１】
レンズ素子６６ａ，６６ｂの省略は、全体で、他のビームレットに対して反転されたビームレットをもたらすことが明らかである。しかしながら、これは、レーザビームの小さな広がりにより損失される光につながる可能性があり、これはまた、当該レーザシステムの出力の均一性を損なう可能性もある。
【００３２】
図１の既知のレーザシステムに対する他の好ましい変更は、例として図８に示されている。上記レーザ光源と入力レンズアレイ６０との間において、ビームの経路に光学フィルタ６８が挿入されている。このフィルタは、当該レーザシステムの出力において他の強度プロファイルに変更するために、上記レンズシステムへの入力を変化させるように構成され得る。上記光学フィルタは、開口若しくは開口のアレイを伴ってパターン形成された固いプレート又は薄膜（ｆｏｉｌ）を有していてもよい。上記光学フィルタは、代替として、適切な反射防止層と光透過率を変化させるためのパターン形成された誘電体層とを有する、石英のような透過性の基板を有していてもよい。
【００３３】
本明細書におけるレンズ素子のアレイに関する記載は、個々の素子のアレイ又は複数の隣接する素子を有するユニットのレンズについてのものであってもよいことは、理解されるであろう。
【００３４】
本開示を読むことから、当業者であれば他の変形及び変更が明らかであろう。そのような変形及び変更は、等価物を含んでいてもよい。また、レーザシステム及びレーザ結晶化装置の設計、製造及び使用において既に知られている他の特徴、並びに本明細書において既に述べた特徴に代えて、又は該特徴に加えて利用され得る他の特徴を含んでいてもよい。
【００３５】
本出願においては、特徴の特別な組み合わせについて特許請求の範囲が明確に表現されているが、本発明の開示の範囲は、本明細書中に明示的又は暗黙的に開示されている任意の新規の特徴又は任意の新規の特徴の組み合わせや、そのあらゆる一般化（ｇｅｎｅｒａｌｉｚａｔｉｏｎ）、それが現在、任意の請求項に記載されている発明と同一の発明に関連するかどうか、及び本発明の技術的課題のいずれか又は全てと同一の技術的課題を軽減するかどうかも含んでいることに注意されたい。
【００３６】
本出願人は、ここに、本出願又は本出願に由来する他の任意の出願の手続遂行中に、任意の上述したような特徴及び／又はそのような特徴の組み合わせに関して新たな特許請求の範囲が明確に表現され得ることを通知する。
【図面の簡単な説明】
【図１】シルクハット型の強度プロファイルを生成するホモジェナイザを有する既知のレーザシステムの選択された構成部品を示す図である。
【図２Ａ】レーザビームの半ガウス強度プロファイルを示す斜視図である。
【図２Ｂ】シルクハット型の強度プロファイルの半ガウス強度プロファイルを示す斜視図である。
【図３】図１のシステムの出力のシルクハット型プロファイルを示す図である。
【図４】本発明に従って変更された図１のレーザシステムを示す図である。
【図５】図４のレーザシステムにより生成される強度プロファイルを示す図である。
【図６】本発明に係るレーザシステムの他の実施態様を示す図である。
【図７】本発明に係るレーザシステムの更に他の実施態様を示す図である。
【図８】本発明に係るレーザシステムの更に他の実施態様を示す図である。
【国際公開パンフレット】
2004506335.tif 000003
2004506335.tif 000004
2004506335.tif 000005
2004506335.tif 000006
2004506335.tif 000007
2004506335.tif 000008
2004506335.tif 000009
2004506335.tif 000010
2004506335.tif 000011
2004506335.tif 000012
2004506335.tif 000013
2004506335.tif 000014
2004506335.tif 000015
2004506335.tif 000016
2004506335.tif 000017
2004506335.tif 000018
【国際調査報告】
2004506335.tif 000019
2004506335.tif 000020