(57)【要約】通信システムは、検出器に接続され且つさらにバイアス発生器に接続された電力増幅器を具備する。検出器は、出力信号（Ｔｈ＿Ｓ）を生成する制御増幅手段を含むが、前記信号（Ｔｈ＿Ｓ）は、入力信号の電力を示し且つ制御可能なバイアスレベルを有する。バイアス発生器は、出力信号（Ｔｈ＿Ｓ）によって制御される電流（Ｃｃ）を発生するレベルセンシティブ電流発生器（ＬＳＣＧ）を含む。前記ＬＳＣＧは、出力信号（Ｔｈ＿Ｓ）がＴＬよりも低い場合、電流（Ｃｃ）が略ゼロとなるような閾値レベル（ＴＬ）を有する。その他の場合、電流（Ｃｃ）は信号（Ｔｈ＿Ｓ）によって直線的に制御される。バイアス発生器は、増幅器の特性を制御する制御信号（Ｃ＿Ｓ）を生成する電流制御適合手段を含むＬＳＣＧに接続されたアダプタをさらに含むが、制御信号（Ｃ＿Ｓ）は電流（Ｃｃ）に対して制御可能な直線的な依存関係を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を増幅し且つ増幅された信号を放出する電力増幅器と、さらに検出器およびバイアス発生器（以下、ＢＧと称する）とを具備してなる通信システムであって、
−  前記検出器は、前記入力信号の電力を示し且つ制御可能なバイアスレベルを有する出力信号を生成する制御増幅手段を含み、
−  前記ＢＧは、前記出力信号によって制御される電流を生成するレベルセンシティブ電流発生器（以下、ＬＳＣＧと称する）を含み、前記信号の制御可能な閾値レベルが前記ＬＳＣＧに適合可能であり、前記ＬＳＣＧは、前記信号が前記閾値レベルより低い場合、前記電流は略ゼロとなるが、その他の場合、前記電流が前記信号によって直線的に制御されるような前記閾値レベルを有しており、
−  前記ＢＧは前記ＬＳＣＧに接続されたアダプタをさらに含み、このＬＳＣＧは、増幅器の特性を制御し且つ前記電流に制御可能な直線的依存関係を有する制御信号を生成する電流制御適合手段を含むことを特徴とする、通信システム。
【請求項２】
前記検出器の制御増幅手段が、制御可能な手法で前記入力信号を増幅し且つ前記出力信号を送信する低域フィルタに結合された増幅器をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記出力信号が略直流信号であることを特徴とする、請求項１に記載の通信システム。
【請求項４】
前記低域フィルタが複数の抵抗器およびコンデンサを含むことを特徴とする、請求項２に記載の通信システム。
【請求項５】
前記制御信号が信号のベクトルであることを特徴とする、請求項１に記載の通信システム。
【請求項６】
前記電力増幅器が、カスケード状に結合された複数のステージを有し、各ステージは前記制御信号の成分によって制御されることを特徴とする、請求項５に記載の通信システム。
【請求項７】
直列に接続された請求項１に記載の複数の通信システムを具備してなるエミッティングシステム。
【請求項８】
可変利得増幅器（ＶＧＡ）に接続された請求項１に記載の通信システムを具備してなる装置であって、
−  第１の位相と第１の振幅を有する入力信号を受信する入力端子および第２の位相と第２の振幅を有する出力信号を送信する出力端子と、
−  前記入力端子に結合された第１の受信入力端子および前記出力端子に接続された第２の受信入力端子を有しており、第１の送信出力端子を介して送信され且つ前記第１の位相と前記第２の位相との間の位相差を示す第２の制御信号を生成するポーラインジケータと、
−  前記入力信号を受信する入力端子、前記通信システムの前記入力端子に接続された出力端子および前記第２の制御信号を受信する第１の制御入力端子を有する前記可変利得増幅器（ＶＧＡ）と、をさらに具備してなり、前記ＶＧＡは前記第２の制御信号の制御下で前記入力信号の増幅を示す信号を、出力端子を介して送信するように構成されていることを特徴とする、装置。
【請求項９】
可変利得増幅器（ＶＧＡ）に結合された請求項１に記載の通信システムを具備してなる装置であって、
−  第１の位相と第１の電力を有する入力信号を受信する入力端子および第２の位相と第２の電力を有する出力信号を送信する出力端子と、
−  入力信号を受信する第３の受信入力端子および出力信号を受信する第４の受信入力端子を含み、第２の送信出力端子を介して第１の電力と第２の電力の一部との間の電力差に略比例する第３の制御信号を生成する電力インジケータと、
−  前記入力信号を受信する入力端子、前記通信システムの入力端子に接続された出力端子および第３の制御信号を受信する第３の制御入力端子を有する前記可変利得増幅器（ＶＧＡ）と、を具備してなり、前記ＶＧＡは前記第３制御信号の制御下で前記入力信号の増幅を示す信号を、前記出力端子を介して送信するように構成されていることを特徴とする、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の導入部に記載の通信システムに関する。さらに、本発明はこのような通信システムを具備してなる装置に関する。
【０００２】
通信システムは、非常に密接に関係する分野において最も頻繁に使用されるシステム間に存在するものである。通信システムの性能は、システムが使用する用途に左右される。非常に高い周波数の用途では、このような通信システムの直線性と効率の間に取り決めがある。さらに、ワイヤレス用途には、振幅変調装置を使用するＥＤＧＥ、ＡＭＰＳ、ＵＭＴＳのような規格が存在する。前記規格のうちの１つを使用する場合、非常に良好な直線性と効率が求められる。また同時に、通信システムは外部電源からの電力消費が極力低いことが好ましい。
【０００３】
通信装置において電力消費を低減する方法は、ＥＰ−６２２８９５Ａ１によって公知となっている。この文書では、電力増幅器を含む通信装置が提示されている。電力増幅器のバイアス電圧は、加算器をさらに接続したゲートバイアス発生器に接続された検出器を含む装置によって生成され、検出器はさらに主制御器に接続される。検出器は、電力増幅器における入力信号に比例する直流信号を生成し、直流信号は、さらにゲートバイアス発生器（ＧＢＧ）に印加される。ＧＢＧは、さらに電力増幅器にバイアスを掛けるのに適したゲートバイアス電圧を生成する。ゲートバイアス電圧は加算器の第１の入力端子に与えられる。主制御器が信号を送信したか否かを示す主制御器によって生成される制御信号は、加算器の第２の入力端子に供給される。主制御器が電力増幅器に信号を送信しない場合には、電力増幅器にはバイアスは掛からないが、主制御器が電力増幅器に信号を送信した場合は、この時ＧＢＧが生成した信号を勘案して、電力増幅器にバイアスが掛けられる。この従来技術の欠点は、電力増幅器が入力信号を持つか否かを示す主制御器によって生成される専用信号を使用する加算器を備えることが必要となることである。これには、主制御器が加算器への追加的な接続を有するような特別な構造を持っていることが必要となる。さらに、検出器、ＧＢＧおよび加算器を通過する際の信号の追加的遅延という欠点もある。
【０００４】
従って、本発明の目的は、電力増幅器の入力信号のみを使用するような通信システムとかかる通信システムを具備してなる装置を提供することにある。
【０００５】
本発明によれば、この目的は、検出器が出力信号を生成する制御増幅手段を含み、前記出力信号が入力信号の電力を示し、出力信号が制御可能なバイアスレベルを有することを特徴とする請求項１の導入部に記載の通信システムにおいて達成される。
【０００６】
バイアス発生器は、出力信号によって制御される電流を生成するレベルセンシティブ電流発生器（ＬＳＣＧ）を含み、前記信号の制御可能な閾値レベルはＬＳＣＧに適合するものであって、前記ＬＳＣＧは、出力信号が閾値レベルよりも低い場合、出力信号によって制御される電流が略ゼロであるが、その他の場合、前記電流は出力信号によって直線的に制御されるような閾値レベルを有する。
【０００７】
バイアス発生器は、増幅器の特性を制御する制御信号を生成する電流制御適合手段を含むＬＳＣＧに接続されたアダプタをさらに含んでいるが、この制御信号は、出力信号によって制御される電流に制御可能な直線的な依存関係を持っている。
【０００８】
本発明に記載のデバイスでは、入力信号を供給する発生器を、発生器が信号を送信したか否かを示す追加の信号を生成するように構成する必要がないという利点がある。検出器は、増幅手段を含み且つ増幅手段の出力で入力信号の電力を示す信号を供給する。別の発生器は増幅手段の出力でバイアスを制御し、出力信号は制御可能なバイアスレベルを有する。バイアス発生器はレベルセンシティブ電流発生器（ＬＳＣＧ）を含むが、ＬＳＣＧが所定の閾値よりも低い信号を受信した場合には、出力電流が略ゼロであることを特徴とする。その他の場合には、出力電流は、略直線的に入力信号に依存する。バイアス発生器は、バイアス発生器によって生成された電流を電力増幅器に適合させるアダプタをさらに含む。アダプタは、出力信号と入力電流との間の依存関係が制御可能であるように電力増幅器を制御する制御信号を生成する適合手段を含む。
【０００９】
好ましい実施態様において、検出器は制御増幅手段を含むが、前記制御増幅手段は、制御可能な方法で入力信号を増幅し且つ出力信号を送信する低域フィルタに接続された増幅器をさらに含む。低域フィルタは、増幅手段の出力インピーダンスおよびＬＧＳＣの入力キャパシタンスによって実行されたフィルタリングが、ＬＧＳＣの入力で存在する可能性がある信号またはスプリアス信号の高周波成分のフィルタリングには不十分である場合、増幅手段の出力信号の高周波成分の補足的なフィルタリングを行う。実際に、低域フィルタリングによって、ＬＧＳＣの入力での略直流（ＤＣ）の信号が確保される。低域フィルタは、誘導子およびコンデンサ、スイッチ・キャパシタフィルタ、コンデンサに接続された伝送路等のようなさまざまな様式で実施できる。好ましい実施態様において、低域フィルタは、複数の抵抗器およびコンデンサと共に実行される。この解決法は、比較的非常に高い周波数の通信システムで用いられる場合に非常に適している。
【００１０】
本発明の別の実施態様において、制御信号は信号のベクトルである。この特徴は、電力増幅器がカスケード状に接続された複数のステージを有する場合、即ち前のステージの出力信号が次のステージの入力信号であって、前記ステージのそれぞれが信号のベクトルの成分によって制御される場合に有用である。
【００１１】
本発明の実施態様において、放出システムは、カスケード状に接続された請求項１に記載の複数の通信システムを含む。この場合、１つの通信システムの出力信号は、次の通信システムおよび次の検出器の両方に入力される。
【００１２】
本発明の別の目的は、可変利得増幅器に接続された通信システムを具備してなる装置を提供することであり、この装置では直線性が改善されている。本装置は、第１の位相を有する入力信号を受信する入力端子および第２の位相を有する出力信号を送信する出力端子をさらに含むものである。本装置は、第１の送信出力端子を介して送信される第２の制御信号を生成する、入力端子に接続された第１の受信入力端子および出力端子に接続された第２の受信入力端子を有するポーラインジケータをさらに含む。第２の制御信号は第１の位相と第２の位相との間の位相差を表わし、可変利得増幅器は入力信号を受信する入力端子、出力端子および第１の制御入力端子を有する。この出力端子は、通信システムの入力端子に接続されており、前記可変利得増幅器（ＶＧＡ）は、第２の制御信号の制御下で入力信号の増幅を示す信号を、出力端子を介して送信するように構成されている。前記の装置は、装置の入力信号と電力増幅器の出力信号との間の位相差を示す制御信号を生成するポーラインジケータを含む。この種の電力増幅器の追加的な制御は、増幅器の直線性に追加的な改善が必要な場合に提供される。
【００１３】
本発明の別の目的は、可変利得増幅器（ＶＧＡ）に接続された通信システムを具備してなる装置を提供することにあるが、前記装置では効率が改善されている。さらに装置は、第１の電力を有する入力信号を受信する入力端子および第２の電力を有する出力信号を送信する出力端子を含む。また装置は、入力信号を受信する第３の受信入力端子および出力信号を受信する第４の受信入力端子を備える電力インジケータを含む。電力インジケータは、第２の送信出力端子を介して第３の制御信号を生成するが、第３の信号は第１の電力と第２の電力の一部との間の電力差を示している。可変利得増幅器は、入力信号を受信する入力端子および出力端子ならびに第３の制御信号を有する。出力端子は通信システムの入力端子に接続されており、前記可変利得増幅器は、第３の制御信号の制御下で入力信号の増幅を示す信号を、出力端子を介して送信するようになっている。さらに優れた効率が電力増幅器に求められる場合には、前記の電力インジケータを使用する。電力インジケータは、その出力端子で、入力信号の電力と電力増幅器の出力信号の電力の一部との間の電力差を示す制御信号を提供し、装置の効率を改善する。
【００１４】
添付図面を参照することにより、前記およびそれ以外の本発明の特徴ならびに利点が、以下の本発明の実施態様の説明から明白になるであろう。
【００１５】
図１は、本発明に基づく通信システムのブロック図を示す。通信システム１は、第１の入力端子Ｉ１、第１の出力端子Ｏ１および第１の制御入力端子Ｃ１を備える電力増幅器１０を含む。さらに通信システムは、バイアス発生器３０に接続された検出器２０を含む。検出器は、第２の入力端子Ｉ２および第２の出力端子Ｏ２を含む。第２の入力端子Ｉ２は、入力信号Ｉｎ＿Ｓを受信するように、第１の入力端子Ｉ１に接続されている。検出器は、第２の出力端子Ｏ２で、入力信号Ｉｎ＿Ｓの電力を示す信号Ｔｈ＿Ｓを提供するようになっているが、信号Ｔｈ＿Ｓは制御可能なバイアスレベルを有する。バイアス発生装置（ＢＧ）３０は、第３の入力端子Ｉ３および第３の出力端子Ｏ３からなり、第３の入力端子は、信号Ｔｈ＿Ｓを受信するために、第２の入力端子Ｏ２に接続されている。第３の出力端子Ｏ３は、電力増幅器１０のバイアスを制御するために、信号Ｃ＿Ｓを送信するようになっており、第１の制御入力端子Ｃ１に接続されているが、バイアスは、入力信号Ｉｎ＿Ｓの電力が相対的に高い場合には、電力増幅装置の直線性と効率が相対的に最適レベルであるような相対的に高い電圧で、電力増幅器１０にバイアスが掛けられるように制御されている。入力信号Ｉｎ＿Ｓの電力が相対的に低い場合は、制御信号Ｃ＿Ｓもまた相対的に下がり、電力増幅器１０にはバイアスが掛からず、電力増幅装置の電力消費は可能な限り低いレベルとなる。
【００１６】
図２は、検出器２０とバイアス発生器３０をさらに詳しく説明したものである。検出器２０は、第２の入力端子Ｉ２および第２の出力端子Ｏ２に接続された制御増幅手段２０１を含む。さらに検出器２０は、被制御増幅手段２０１に接続された制御発生器２０２を含む。制御発生器は、第２の出力端子Ｏ２で送信された信号Ｔｈ＿Ｓのバイアスレベルを制御する信号ＣＧ＿Ｓを生成する。
【００１７】
バイアス発生器３０は、信号Ｔｈ＿Ｓを受信し、また電流信号Ｃｃを生成する、第３の入力端子Ｉ３に接続されたレベルセンシティブ電流発生器（ＬＳＣＧ）３０１を含む。ＬＳＣＧ３０１は、ＬＳＣＧの出力電流Ｃｃが、閾値レベルから始まる信号Ｔｈ＿Ｓに関して、略直線であることを特徴とする。入力信号Ｔｈ＿Ｓの振幅が閾値より低い場合は、出力電流は略ゼロとなる。さらにバイアス発生器３０は、信号Ｃｃを受信する、ＬＳＣＧ３０１に接続されたアダプタ３０２を含む。ＬＳＣＧ３０１は、さらに制御信号Ｃ＿Ｓを生成するために、第３の出力端子Ｏ３に接続されている。アダプタ３０２は、電力増幅器１０に適したバイアス信号を生成する手段を含む。例えば、バイアス信号が電圧である場合は、アダプタは、信号Ｔｈ＿ＳがＬＳＣＧ３０１の閾値レベルより低い場合には、バイアス電圧を略ゼロにし、また電力増幅器１０による消費電力が最低値になるように、電力増幅器に適したバイアス電圧を生成する制御可能な電流電圧変換器を含む。その他の場合、信号Ｔｈ＿ＳがＬＳＣＧ３０１の閾値レベルよりも大きい場合には、アダプタ３０２によって生成される出力電圧は、信号Ｔｈ＿Ｓに関して略直線となり、また入力信号Ｉｎ＿Ｓの電力に関して電力増幅器１０の直線性と効率を制御するようになっている。
【００１８】
類似した方法で、当業者であれば好適に実施されたアダプタ３０２で、比較的容易に制御電流を生成することができる。
【００１９】
図３は、検出器２０とバイアス発生器３０のＭＯＳ型トランジスタでの実施態様を示している。入力信号Ｉｎ＿Ｓと検出器２０は差動と想定され、当業者であれば、シングルエンドの入力信号Ｉｎ＿Ｓおよび／またはシングルエンドの検出器２０を用いた場合を容易に考案することができる。検出器２０は、トランジスタＴ５およびＴ６を負荷として有するトランジスタ対Ｔ１およびＴ２を備えた制御増幅手段を含む。入力信号Ｉｎ＿Ｓは増幅され、さらに差動電流に変換されるが、この差動電流をトランジスタＴ５およびＴ６がさらに差動電圧に変える。トランジスタＴ５およびＴ６はダイオード接続されており、即ち、これらのトランジスタでは、ドレインがゲートに接続されている。例えば、単純な抵抗器を含む、トランジスタＴ５およびＴ６の代わりに、電流電圧変換器を使用できることが理解される。直流電圧発生器Ｖｇｇを用いて実施される制御発生器２０２によって、差動のトランジスタ対Ｔ１およびＴ２にバイアスが掛けられる。電圧発生器Ｖｇｇによって発生した電圧は、制御信号ＣＧ＿Ｓとして利用される。さらに電圧ＣＧ＿Ｓは、抵抗器Ｒを介して、トランジスタＴ１およびＴ２のゲートに印加され、トランジスタ対Ｔ１およびＴ２のバイアスを制御する。トランジスタＴ１およびＴ２のドレイン間の差動出力信号は、まず抵抗器Ｒ１およびＲ２ならびにコンデンサＣ１を用いて実施される低域フィルタによってフィルタリングされる。ここでは、増幅器の周波数領域如何では、その他にも、低域フィルタに誘導子およびコンデンサ、スイッチ・キャパシタで実施してもよいことに言及してたい。さらに、比較的超高周波数範囲では、トランジスタＴ１およびＴ２の出力インピーダンス、またトランジスタＴ３の入力キャパシタンスは、トランジスタＴ１およびＴ２のドレインで得られる高周波信号をフィルタリングするには充分である。ＬＳＣＧ３０１は、ＣＭＯＳトランジスタのように、閾値電圧レベルを有するトランジスタＴ３を用いて実施する。入力信号Ｔｈ＿Ｓが閾値レベルよりも低い場合には、トランジスタを介した出力電流は略ゼロになる。その他の場合は、トランジスタＴ３のドレインでの電流は、入力信号Ｔｈ＿Ｓの振幅を示す。トランジスタＴ３のドレインでの電流Ｃｃは、トランジスタＴ７、抵抗器Ｒ３およびコンデンサＣ２よって電圧に変換されるが、また電流電圧変換器を使用することもできる。トランジスタＴ３のドレインで得られる制御信号Ｃ＿Ｓと信号Ｔｈ＿Ｓとの間の依存関係は、略直線であって、初期バイアスレベル、言い換えると、閾値レベルと傾きによって特徴付けられる。図５は、初期バイアス電圧が異なる、制御信号Ｃ＿Ｓと入力信号Ｔｈ＿Ｓとの依存関係を示している。図６は、閾値レベルは同一であるが傾きが異なる、制御信号Ｃ＿Ｓと入力信号Ｉｎ＿Ｓとの依存関係を示している。Ｃ＿ＳとＴｈ＿Ｓのこれらの依存関係は、関係式（１）および（２）のように表わすことができる。
【００２０】
Ｃ＿Ｓ＝傾き＊（Ｔｈ＿Ｓ前記閾値）＋初期バイアス；Ｔｈ＿Ｓが閾値より高い場合（１）
Ｃ＿Ｓ＝初期バイアス；Ｔｈ＿Ｓが閾値より低い場合（２）
Ｔｈ＿Ｓ信号が閾値Ｔｈ＿Ｓよりも小さい限りは、信号は関係式（２）に示した初期バイアスであるが、その他の場合は、関係式（１）が有効である。初期バイアスは、トランジスタＴ３を流れる初期直流電流によって決定される。直流電流は、さらにＴｈ＿Ｓ信号によって決定される。初期バイアスの大きさは、さらにアダプタ３０２によって決定され、電力増幅器１０に印加される。ここでは、関係式（１）に伴うパラメータは以下のように制御できることに注意されたい。
【００２１】
−  傾きは、トランジスタＴ７およびＴ８が占める範囲によって制御される。
【００２２】
−  初期バイアスは、抵抗器Ｒ３およびＲ４によって制御される。
【００２３】
−  閾値は、制御発生器２０２によって制御される。
【００２４】
図４では、検出器２０およびバイアス発生器３０を含むバイポーラ型トランジスタの実施態様を示している。同一の符号とアクセント（‘）の付されたトランジスタは、ＭＯＳでの対応物と同一の機能を持つことを理解されたい。また、検出器２０およびバイアス発生器３０を技術を混合して実施すること、例えば検出器２０をＭＯＳ技術で、バイアス発生器３０をバイポーラ技術で、また逆にして実施することも可能であることを理解されたい。
【００２５】
図３に示すように、バイアス発生器３０によって生成された制御信号は、複数の構成要素を有する出力ベクトルＣ＿Ｓ、ここではＱ１およびＱ２の２つの構成要素であってもよい。このタイプのバイアス発生器は、多重ステージでの電力増幅器を想定する場合には重要である。２ステージでの電力増幅器を想定すると、構成要素Ｑ１が第１ステージのバイアスを制御し、構成要素Ｑ２が第２ステージを制御する。また、図４のように、構成要素が１つのベクトルＣ＿Ｓを生成するバイアス発生器３０を使用することも可能である。この場合、複数の制御されたステージを含む増幅器を、通信システム（１）のカスケードによって実施することもできる。その場合、各通信システムは、検出器（２０）とバイアス発生器（３０）のそれぞれの組み合わせによって制御される電力増幅器を有する。
【００２６】
ある特定の場合には、電力増幅器１０の直線性および／または効率をさらに改善する必要がある。これらの要件を定式化する場合、図７で示したような装置を使用することもできる。図７では、通信システム１は、可変利得増幅器（ＶＧＡ）５に接続されている。装置は、さらに第１の位相と第１の振幅を有する入力信号Ｉｎｐｕｔを受信する入力端子Ｉ＿Ａおよび第２の位相と第２の振幅を有する出力信号Ｐ＿Ｓを送信する出力Ｏｕｔ＿Ａを含む。さらに装置４００は、入力端子Ｉ＿Ａに接続された第１の入力端子Ｐ１および出力端子Ｏｕｔ＿Ａに接続された第２の入力端子Ｐ２を有するポーラインジケータ４を含む。ポーラインジケータ４は、第１の出力端子Ｐ３を介して送信される第２の制御信号Ｃ＿Ｐｈを生成する。第２の制御信号Ｃ＿Ｐｈは、第１の位相と第２の位相との間の位相差を示している。可変利得増幅器ＶＧＡ５は、入力信号Ｉ＿Ａを受信するＩ４、出力端子Ｏ２、第１の制御入力端子Ｃ２を有するが、出力端子Ｏ２は通信システム１の入力端子に接続されており、ＶＧＡ５は、第２の制御信号Ｃ＿Ｐｈの制御下で入力信号Ｉ＿Ａの増幅を示す信号を、出力端子Ｏ２を介して送信するようになっている。このような環境のもとで、ポーラインジケータ４を使用すると、装置４００の直線性が改善される。
【００２７】
効率の改善が求められる場合は、装置４００は、可変利得増幅器（ＶＧＡ）５に接続された通信システム１を含む。入力信号Ｉｎｐｕｔが、第１の電力によって特徴付けられ、また出力信号Ｐ＿Ｓが、第２の電力によって特徴付けられる場合を想定してみる。装置４００は、電力インジケータ６をさらに含む。電力インジケータは、入力信号Ｉ＿Ａを受信する第３の入力端子Ｐ４、出力信号Ｏ＿Ｓを受信する第４の入力端子Ｐ５を含む。電力インジケータ６は、第２の出力端子Ｐ６を介して第３の制御信号Ｃ＿Ｐを生成する。第３の信号Ｃ＿Ｐは、第１の電力と第２の電力との差に比例する。ＶＧＡ５は、第３の制御入力端子Ｃ３を有し、第３の制御信号Ｃ＿Ｐの制御下で入力信号Ｉ＿Ａの増幅を示す信号を、出力端子Ｏ２を介して送信するようになっている。ＶＧＡ５の利得は、第１の電力と第２の電力の一部との差が最低レベルであるように制御される。この差が略ゼロとなり、装置の効率は１００％となるのが理想である。実際には、差は信号の電力レベルに依存し、また電力インジケータ６は、ＶＧＡ５を効率ができる限り１００％に近くなるように制御する。その結果、電力インジケータ６を含む装置４００の効率が改善される。図７で示したような装置の効率と直線性を改善するために、上述の技術を組み合わせることは、当業者にとっては比較的容易である。
【００２８】
本発明の保護範囲はここに記載された実施態様に限定されるものではないことを理解されたい。本発明の保護範囲が、本請求項の参照番号によって制限されることもない。文言「含む」は、請求項で言及された部材以外の部材を禁ずるものではない。構成要素の前に置かれた文言「ａ（ｎ）」は、これら構成要素が複数であることを禁ずるものではない。本発明の部材を形成する手段は、専用ハードウェア形式においても、またはプログラムされた汎用プロセッサ形式においても実施することができる。本発明は、各新機能または機能の組合せの中に存する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施態様による通信システム１のブロック図である。
【図２】検出器２０とバイアス発生器３０を詳細に示している。
【図３】検出器２０とバイアス発生器３０のＭＯＳ型トランジスタでの実施態様を示している。
【図４】検出器２０およびバイアス発生器３０を含むバイポーラ型トランジスタの実施態様を示している。
【図５】本発明の１つの実施態様における、初期バイアス電圧が異なる、信号Ｃ＿Ｓと入力信号Ｉｎ＿Ｓとの依存関係を示している。
【図６】本発明の好ましい実施態様において、閾値レベルが同一であって傾きが異なる、信号Ｃ＿Ｓと入力信号Ｉｎ＿Ｓとの依存関係を示している。
【図７】本発明の好ましい実施態様の装置４００を示している。
【符号の説明】
【００３０】
１  通信システム
４  ポーラインジケータ
５  可変利得増幅器（ＶＧＡ）
６  電力インジケータ
１０  電力増幅器
２０  検出器
３０  バイアス発生装置
２０１  被制御増幅手段
２０２  制御発生器
３０１  レベルセンシティブ電流発生器
３０２  アダプタ
【図１】
2004534471.tif 000003
【図２】
2004534471.tif 000004
【図７】
2004534471.tif 000005
【国際公開パンフレット】
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2004534471.tif 000007
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2004534471.tif 000014
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2004534471.tif 000019
2004534471.tif 000020
2004534471.tif 000021
2004534471.tif 000022
2004534471.tif 000023
2004534471.tif 000024
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004534471.tif 000025
【国際調査報告】
2004534471.tif 000026
2004534471.tif 000027