(57)【要約】デオキシヌクレオシドをその対応するリボヌクレオシドから製造する方法であって、そのリボヌクレオシドの３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させた後に脱酸素されるべき炭素原子においてラジカル脱酸素を行なうことによる方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
２’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記ビス保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記誘導体を還元剤で、前記２’−デオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記異性体混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記保護剤が１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記還元工程がラジカル脱酸素工程を含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
２’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記ビス保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、前記２’−デオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項７】
前記混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記保護剤が１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンである、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記ラジカル試薬が水素化トリブチルスズである、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
前記ラジカル試薬が固体に担持された水素化トリブチルスズである、請求項６記載の方法。
【請求項１２】
前記ラジカル試薬が水素化トリエチルシリルである、請求項６記載の方法。
【請求項１３】
前記ラジカル試薬がポリ（アルキル）ヒドロシロキサンである、請求項６記載の方法。
【請求項１４】
前記ラジカル試薬がポリ（メチル）ヒドロシロキサンである、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
２’−デオキシヌクレオシドラジカルを発生させる方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記ビス保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、対応する２’−デオキシヌクレオシドラジカルを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項１６】
前記異性体混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記異性体混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記保護剤が１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンである、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記ラジカル試薬が水素化トリブチルスズである、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記ラジカル試薬が固体に担持された水素化トリブチルスズである、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記ラジカル試薬が固体に担持された水素化トリエチルシリルである、請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
前記ラジカル試薬がポリ（アルキル）ヒドロシロキサンである、請求項１５記載の方法。
【請求項２３】
前記ラジカル試薬がポリ（メチル）ヒドロシロキサンである、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
２’，３’−ジデオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを第１保護剤で、５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを第２保護剤で、２’−Ｏ，５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記２’−Ｏ，５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドをアシル化剤で、２’−Ｏ−保護−３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記２’−Ｏ−保護−３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを第１脱保護剤で、３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；
前記誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護−２’−デオキシヌクレオシドラジカルを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護−２’−デオキシヌクレオシドラジカルを、該３’−Ｏ−アシル基を排除することによって５’−Ｏ−保護−２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件に付する工程；
場合により、前記５’−Ｏ−保護−２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを第２脱保護剤で、２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件で処理する工程；及び
前記場合により脱保護された２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを還元して、前記２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与える工程
を含んでなる方法。
【請求項２５】
前記混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記５’−Ｏ−保護剤が酸分解性である、請求項２４記載の方法。
【請求項２８】
前記酸分解性５’−Ｏ−保護剤が、トリチル、モノメトキシトリチル、ジメトキシトリチル、トリメトキシトリチル、９−フェニルキサンチン−９−イル（ピキシル）又は９−（ｐ−メトキシフェニル）キサンチン−９−イル（ＭＯＸ）である、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
該３’−Ｏ−アシル基を排除するのに効果的な条件が、光への曝露、加熱、及び少なくとも１種の化学試薬での処理の少なくとも１つを含む、請求項２４記載の方法。
【請求項３０】
前記３’−Ｏ−アシル基が、式：
３’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ
（式中、Ｒは、置換若しくは未置換のＣ１ 〜Ｃ１０アルキル、置換若しくは未置換のＣ２ 〜Ｃ１０アルケニル、置換若しくは未置換のＣ２ 〜Ｃ１０アルキニル、置換若しくは未置換の６〜約１４の炭素原子を有するアリールであって、該置換基が、アルキル、アルコキシ、カルボキシ、ベンジル、フェニル、ハロゲン、アルケニル及びアルキニルから選択される基である。）
を有する、請求項２４記載の方法。
【請求項３１】
ＲがＣ１ 〜Ｃ１０アルキルである、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
ＲがＣＨ３ である、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記還元工程が水素化によるものである、請求項２４記載の方法。
【請求項３４】
２’，３’−ジデオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを保護剤で、５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドの含異性体２’，３’−Ｏ−ビス−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項３５】
前記混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物である、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記５’−Ｏ−保護剤が酸分解性である、請求項３４記載の方法。
【請求項３８】
前記酸分解性５’−Ｏ−保護剤が、トリチル、モノメトキシトリチル、ジメトキシトリチル、トリメトキシトリチル、９−フェニルキサンチン−９−イル（ピキシル）又は９−（ｐ−メトキシフェニル）キサンチン−９−イル（ＭＯＸ）である、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
５’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記ビス保護リボヌクレオシドの含異性体５’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、前記５’−デオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項４０】
前記異性体混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
前記混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
前記保護剤が１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンである、請求項３９記載の方法。
【請求項４３】
前記５’−デオキシヌクレオシドがラジカル脱酸素によって生成される、請求項３９記載の方法。
【請求項４４】
前記リボヌクレオシドを、該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させる前に前記リボヌクレオシドの５’−ヒドロキシル位を保護するのに効果的な分解性保護剤で処理することによりもたらされる該５’−ヒドロキシル位の一時的保護、及び該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドの生成後に脱保護剤で処理することにより該５’−保護基を選択的に除去することを更に包含する、請求項３９記載の方法。
【請求項４５】
５’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
前記リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
前記２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドの含異性体５’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、対応する５’−デオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項４６】
前記混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
前記混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項４６記載の方法。
【請求項４８】
前記保護剤が１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンである、請求項４５記載の方法。
【請求項４９】
前記ラジカル試薬が水素化トリブチルスズである、請求項４５記載の方法。
【請求項５０】
前記ラジカル試薬が固体に担持された水素化トリブチルスズである、請求項４５記載の方法。
【請求項５１】
前記ラジカル試薬が水素化トリエチルシリルである、請求項４５記載の方法。
【請求項５２】
前記ラジカル試薬がポリ（アルキル）ヒドロシロキサンである、請求項４５記載の方法。
【請求項５３】
前記ラジカル試薬がポリ（メチル）ヒドロシロキサンである、請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
前記リボヌクレオシドを、該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させる前に前記リボヌクレオシドの５’−ヒドロキシル位を保護するのに効果的な分解性保護剤で処理することによりもたらされる該５’−ヒドロキシル位の一時的保護、及び該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドの生成後に脱保護剤で処理することにより該５’−保護基を選択的に除去することを更に包含する、請求項４５記載の方法。
【請求項５５】
ヒドロキシル基を水素に転化する方法であって：
ヒドロキシル基を有する化合物を選択する工程；
前記化合物をクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、前記化合物の含異性体ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体の混合物を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
前記化合物の前記誘導体を還元剤で、前記化合物の前記ヒドロキシル基を水素に転化するのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法。
【請求項５６】
前記異性体混合物が、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項５５記載の方法。
【請求項５７】
前記異性体混合物が、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる、請求項５６記載の方法。
【請求項５８】
前記還元工程がラジカル脱酸素工程である、請求項５５記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、デオキシヌクレオシドを、その対応するリボヌクレオシドから、まず、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させ、そして、その後にそのｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル基の部位に付いている炭素においてラジカル脱酸素反応を行なうことにより生成させる方法に向けられている。
【０００２】
【発明の背景】
オリゴヌクレオチドの潜在的な治療用途は、新規な薬剤発見のための新たな規範に相当する。この十年にわたって、オリゴヌクレオチドをベースとするアンチセンス、三重鎖、リボザイム及びアダプター技術は、より特異的で効果のある薬剤の発見における力強いツールとして出現してきた （Ｓａｎｇｈｖｉ， Ｙ．Ｓ．， Ｉｎ Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｎａｔｕｒａｌ Ｐｒｏｄｕｃｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ； Ｂａｒｔｏｎ， Ｄ．Ｈ．； Ｎａｋａｎｉｓｈｉ， Ｋ． （ｅｄ． ｉｎ ｃｈｉｅｆ）； ｖｏｌ． ７： ＤＮＡ ａｎｄ Ａｓｐｅｃｔｓ ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｉｏｌｏｇｙ； Ｋｏｏｌ． Ｅ． （ｅｄ．）； Ｐｅｒｇａｍｏｎ： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９９， ２８５） 。これら技術のうちアンチセンスアプローチは、現時点で１２を越えるオリゴヌクレオチドが、ウイルス感染、癌、及び炎症性障害の治療のためにヒト臨床試験中であることで、その流れをリードしている。例えば、ＩＳＩＳ２９２２（ナトリウムホルムイビルセン （ｆｏｒｍｉｖｉｒｓｅｎ））は、ヒトサイトメガロウイルス（ＨＣＭＶ）の複製を阻害する２１量体アンチセンスホスホロチオエートである。臨床試験におけるアンチセンス薬剤の最近の成功で、オリゴヌクレオチドの製造への要求が高まっている。
【０００３】
固体支持体上での自動合成の進歩及び合成核酸構築用ブロックの商業化は、今や予想不可能な数の合成オリゴヌクレオチドの創出及びスクリーニングを可能にしている。オリゴヌクレオチドは、自動ＤＮＡ／ＲＮＡ合成装置で、最も普通に使用されるモノマーとして用いられるヌクレオシドホスホロアミダイトで合成される。ヌクレオシドホスホロアミダイトは、５’−ジメトキシトリチル保護２’−デオキシヌクレオシドの亜リン酸化から製造されることができる。
アンチセンス薬剤の商業化のためには、大量の２’−デオキシヌクレオシドの消費が必要である。２’−デオキシヌクレオシドは、現時点では、天然供給源から、特にサケの魚精から得られる。世界中での魚精の産出量は、年間約２万トンである。このことから、約１００トンのＤＮＡ塩しか産出されない。そのＤＮＡ塩は、分解されて、４種の２’−デオキシヌクレオシド（ｄＡ、ｄＣ、ｄＧ、及びＴ）がその中に分散した約１０トンの２’−デオキシヌクレオシドを与える。１０トンの２’−デオキシヌクレオシドからは、その１０トン全てがオリゴヌクレオチド製造に利用可能であると推定しても、最大でも１トンのオリゴヌクレオチドしか製造され得ない。
【０００４】
我々の予測によれば、他のタイプの薬剤及び診断試薬として使用されるオリゴヌクレオチドの市場を度外視しても、最初の３種のアンチセンス薬剤だけで、少なくとも１トンのオリゴヌクレオチドを必要とするであろう。このことは、天然の供給源だけでは、将来のアンチセンス薬剤の需要を満たすための２’−デオキシヌクレオシドを提供するには、不十分であることを示す。加えて、魚類の減少のために、魚精は、２’−デオキシヌクレオシドの当てにならない供給源であると言える。２’−デオキシヌクレオシドの需要は、そのように大きく供給を越えるであろうから、２’−デオキシヌクレオシドの別の供給源が必要である。
【０００５】
ＲＮＡ及びリボヌクレオシドの供給量は、デオキシヌクレオシドよりもずっと大きい。ＲＮＡは酵母から誘導されるので、リボヌクレオシドは発酵プロセスによって大量に製造されることができる。リボヌクレオシドは、その入手性が高いので、２’−デオキシヌクレオシドよりずっと廉価である。デオキシヌクレオシドをそのリボヌクレオシド対応物から合成的に誘導する方法が存在する。にもかかわらず、これら方法は、２’−デオキシヌクレオシドの大規模製造には経済的に合わない。例えば、５’−ジ又はトリホスフェート形態のリボヌクレオチドは、リボヌクレオチド還元酵素によって、その２’−デオキ対応物に生合成で転化されることができる。しかしながら、これら方法は、これら還元酵素によって触媒される２’−デオキシヌクレオシドのスケールアップ製造における複数の生来的困難性のために、望ましくない。
【０００６】
デオキシヌクレオシドをリボヌクレオシドから誘導する他の可能性が存在する。例えば、アルコール基をその対応するデオキシ誘導体に転化するために使用される化学的変換が実行可能な選択肢である。この化学的手段は、Ｂａｒｔｏｎと ＭｃＣｏｍｂｉｅ （Ｂａｒｔｏｎ， Ｄ．Ｈ．Ｒ．；ＭｃＣｏｍｂｉｅ， Ｓ．Ｊ．，Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ． １， １９７５，１５７４） によって記載されたように、アルコール基のチオカルボニル誘導体が、フリーラジカル開始剤と水素化トリブチルスズを用いて脱酸素されるラジカル連鎖反応を包含する。これら反応は、リボヌクレオシドの２’−脱酸素にも有用である （Ｒｏｂｉｎｓ， Ｍ．Ｊ．； Ｗｉｌｓｏｎ， Ｊ．Ｓ．， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １９８１， １０３， ９３２， Ｒｏｂｉｎｓ， Ｍ．Ｊ．； Ｗｉｌｓｏｎ，  Ｊ．Ｓ．； Ｈａｎｓｓｋｅ， Ｆ， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １９８３， １０５， ４０５９） 。Ｒｏｂｉｎｓは、簡単なアシル化によりリボヌクレオシドの２’位内に導入されるチオカルボニル試薬、つまりクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニル （ＰｈＯＣＳＣｌ， ＄４４．７５／５ｇ， Ａｌｄｒｉｃｈ ＴＭ １９９８−１９９９） を開発した。続いて、その２’−チオカルボニルリボヌクレオシドの化学的２’−脱酸素が、ラジカル反応によって行なわれる。その試薬に付随する高コストに加えて、これら反応は、有毒であるので廃棄が難しいスズ試薬を還元のために使用する。
【０００７】
Ｒｏｂｉｎｓによって開発されたこの方法は、チオカルボニル試薬のフェニル基をハロゲンのような電子供与基と置き換えられたときに改善された （Ｂａｒｔｏｎ， Ｄ．Ｈ．； Ｊａｓｚｂｅｒｅｎｙｉ， Ｊ．Ｃ．， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９８９， ３０， ２６１９， Ｂａｒｔｏｎ， Ｄ．Ｈ．Ｒ．； Ｄｏｒｃｈａｋ， Ｊ．； Ｊａｓｚｂｅｒｅｎｙｉ， Ｊ．Ｃ．， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９２， ３６， ７４３５）。Ｂａｒｔｏｎは、クロロチオノギ酸２，４，６−トリクロロフェニル （＄５８．７０／５ｇ Ａｌｄｒｉｃｈ ＴＭ  ９９８−１９９９） のようなクロロチオノギ酸置換フェニル、又は特にクロロチオノギ酸ペンタフルオロフェニル （＄６４．００／５ｇ Ａｌｄｒｉｃｈ ＴＭ １９９８−１９９９） をチオカルボニル誘導体を作るのに使用したときに、水素化トリブチルスズでのラジカル脱酸素反応速度がかなり増加し、数時間ではなくて数分で起こることを見出した。更に、その収率が優れていることが分かった。置換基の電子吸引性誘電効果がチオカルボニル基のラジコフィリシティ（ｒａｄｉｃｏｐｈｉｌｉｃｉｔｙ） を増加させることにより反応速度を上昇させる。この方法は、２’−デオキシヌクレオシドのその対応するリボヌクレオシドからの大規模製造に効果的であるが、置換フェニルチオカルボニル化合物のコストが高くて利用できない。
【０００８】
一連のチオノカルボン酸置換３’−フェニルの使用であって、オキシムを使用するフリーラジカルカップリングがベンゾピナコロン酸ビス（トリメチルスズ）により媒介される使用が記載されている。これら反応は、核酸の模倣体としての一連の二量体ヌクレオシドの調製における炭素−炭素結合の形成をもたらした （Ｂｈａｔ， Ｂ．； Ｓｗａｙｚｅ， Ｅ．Ｅ．； Ｗｈｅｅｌｅｒ， Ｐ．； Ｄｉｍｏｃｋ， Ｓ．； Ｐｅｒｂｏｓｔ， Ｍ．； Ｓａｎｇｈｖｉ， Ｙ．， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， １９９６， ６１， ８１８６， Ｄｉｍｏｃｋ Ｓ．； Ｂｈａｔ， Ｂ．； Ｐｅｏｃ’ｈ， Ｄ．； Ｓａｎｇｈｖｉ， Ｙ．Ｓ．； Ｓｗａｙｚｅ， Ｅ．Ｅ．， Ｎｕｃｌｅｏｓｉｄｅｓ ＆ Ｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ， １９９７，１６（７−９） １６２９） 。
本発明は、２’−デオキシヌクレオシドのその対応するリボヌクレオシドからの大規模製造のためのコスト効果のある方法の必要性に対処するものである。
【０００９】
【発明の要旨】
本発明は、２’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該ビス保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該誘導体を還元剤で、該２’−デオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法を提供する。
好ましい保護剤には、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンが含まれる。
好ましい還元剤は、ラジカル脱酸素工程によりヒドロキシを水素に転化する。
【００１０】
本発明の１つの側面によれば、２’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該ビス保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、該２’−デオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法が提供される。
本発明の１つの側面では、ラジカル試薬には、水素化トリブチルスズ、固体に担持された水素化トリブチルスズ、水素化トリエチルシリル、ポリ（アルキル）ヒドロシロキサン、又はポリ（メチル）ヒドロシロキサンが含まれる。
【００１１】
本発明の別の側面では、２’−デオキシヌクレオシドラジカルを発生させる方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該ビス保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、対応する２’−デオキシヌクレオシドラジカルを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法が提供される。
【００１２】
本発明の更なる側面では、２’，３’−ジデオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを第１保護剤で、５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを第２保護剤で、２’−Ｏ，５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該２’−Ｏ，５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドをアシル化剤で、２’−Ｏ−保護−３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該２’−Ｏ−保護−３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを第１脱保護剤で、３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドの含異性体２’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；
該誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護−２’−デオキシヌクレオシドラジカルを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該３’−Ｏ−アシル−５’−Ｏ−保護−２’−デオキシヌクレオシドラジカルを、該３’−Ｏ−アシル基を排除することによって５’−Ｏ−保護−２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件に付する工程；
場合により、該５’−Ｏ−保護−２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを第２脱保護剤で、２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件で処理する工程；及び
該場合により脱保護された２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを還元して、該２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与える工程を含んでなる方法が提供される。
好ましい態様においては、その５’−Ｏ−保護剤は、酸分解性であって、トリチル、モノメトキシトリチル、ジメトキシトリチル、トリメトキシトリチル、９−フェニルキサンチン−９−イル（ピキシル）又は９−（ｐ−メトキシフェニル）キサンチン−９−イル（ＭＯＸ）が好ましい。
【００１３】
３’−Ｏ−アシル基の排除をもたらす好ましい条件には、光への曝露、加熱、及び少なくとも１種の化学試薬での処理の少なくとも１つが含まれる。
好ましい３’−Ｏ−アシル基は、式：
３’−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ
（式中、Ｒは、置換若しくは未置換のＣ１ 〜Ｃ１０アルキル、置換若しくは未置換のＣ２ 〜Ｃ１０アルケニル、置換若しくは未置換のＣ２ 〜Ｃ１０アルキニル、置換若しくは未置換の６〜約１４の炭素原子を有するアリールであって、置換基が、アルキル、アルコキシ、カルボキシ、ベンジル、フェニル、ハロゲン、アルケニル及びアルキニルから選択される基である。）
を有する。好ましいＲ基は、Ｃ１ 〜Ｃ１０アルキルであり、ＣＨ３ がより好ましい。
【００１４】
本発明の別の側面では、２’，３’−ジデオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを保護剤で、５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドの含異性体２’，３’−Ｏ−ビス−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与えるのに効果的な時間及び条件に付する工程
を含んでなる方法が提供される。
【００１５】
本発明の１つの側面では、５’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該ビス保護リボヌクレオシドの含異性体５’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、該５’−デオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法が提供される。
【００１６】
更なる態様では、リボヌクレオシドの５’−ヒドロキシル位の一時的保護が、そのリボヌクレオシドを、２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させる前にそのリボヌクレオシドの５’−ヒドロキシル位を保護するのに効果的な分解性保護剤で処理することによりもたらされ、その２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドの生成後に脱保護剤で処理することによりその５’−保護基が選択的に除去される。
好ましい態様では、５’−デオキシヌクレオシドは、ラジカル脱酸素により生成される。
【００１７】
本発明の更に別の側面では、５’−デオキシヌクレオシドの製造方法であって：
リボヌクレオシドを選択する工程；
該リボヌクレオシドを少なくとも１種の保護剤で、２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程；
該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該２’−Ｏ，３’−Ｏ−ビス保護リボヌクレオシドの含異性体５’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該誘導体をラジカル試薬及びラジカル開始剤で、対応する５’−デオキシヌクレオシドを生成させるのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法が提供される。
好ましい態様では、ラジカル試薬は、水素化トリブチルスズ、固体に担持された水素化トリブチルスズ、水素化トリエチルシリル、ポリ（アルキル）ヒドロシロキサン、又はポリ（メチル）ヒドロシロキサンである。
【００１８】
本発明の更なる側面では、ヒドロキシル基を水素に転化する方法であって：
ヒドロキシル基を有する化合物を選択する工程；
該化合物をクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物と、好ましくは、約８７〜約９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約１〜約１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる異性体混合物と、該化合物の含異性体ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体の混合物を生成させるのに効果的な時間及び条件下で接触させる工程；及び
該化合物の該誘導体を還元剤で、該化合物の該ヒドロキシル基を水素に転化するのに効果的な時間及び条件下で処理する工程
を含んでなる方法が提供される。
【００１９】
好ましい態様では、還元工程は、ラジカル脱酸素反応を行わせるラジカル開始剤及びラジカル試薬でその誘導体を処理することにより行なわれる。好ましいラジカル開始剤には、例えば：ＡＩＢＮ（２，２’−アゾビスイソブチロニトリル）、ＡＣＮ（ＶＡＳＯＴＭ；１，１’−アゾビス〔シクロヘキサンカルボニトリル〕）；過酸化ジアシル開始剤：過酸化ベンゾイル（過酸化ジベンゾイル）、及び紫外線；並びに、例えば、ＶＡ−０４４、Ｖ−５０、ＶＡ−０６１、Ｖ−５０１、ＶＡ−０８６、Ｖ−７０、Ｖ−６５Ｂ、Ｖ−６０１、Ｖ−５９、及びＶ−４０を包含する重合開始剤が含まれる。好ましいラジカル試薬には、水素化トリブチルスズ、固体に担持された水素化トリブチルスズ、水素化トリエチルシリル、及びポリ（メチル）ヒドロシロキサンのようなポリ（アルキル）ヒドロシロキサンが含まれる。
本発明のこれら及び他の特徴、側面、及び効果は、以下の説明、請求の範囲及び添付図面を参照すればより良好に理解されるであろう。
【００２０】
【好ましい態様の説明】
本発明は、ヒドロキシル基を水素に転化する方法に向けられ、より特定的には、リボヌクレオシドをクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物で処理してｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成させてからラジカル試薬で処理することによりそのリボヌクレオシドを脱酸素して目的のデオキシヌクレオシドをもたらすことにより、対応するデオキシヌクレオシドを生成させることに向けられている。好ましくは、リボヌクレオシドは、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとの異性体混合物として入手可能である、技術グレードのクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと反応して、対応するｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル誘導体を生成する。好ましい方法では、その誘導体は、その後ラジカル脱酸素反応によってその対応するデオキシリボヌクレオチドに還元される。このラジカル脱酸素反応では、その誘導体がラジカル開始剤で処理され、ヒドロキシル基を有する炭素原子においてラジカル反応が起こるのである。ある好ましい態様では、発生したラジカルは、水素抜き取り反応を受けることによりヒドロキシル基を水素基と置き換える。他の好ましい態様では、発生したラジカルが脱離反応に関与して、２’，３’オレフィン性ヌクレオシドを生成し、それが次いで目的のデオキシヌクレオシドに還元される。
【００２１】
脱酸素反応に技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルを使用することは、２’−デオキシヌクレオシドをそのリボヌクレオシドから商業的規模（複数ｋｇ規模）で生成させる効率的かつ経済的合成において、大きな進歩である。というのは、それは、この目的のために現時点で使用されているクロロチオノギ酸フェニルよりもずっと廉価だからである。技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルは、９３％がクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで残りがクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルのもの（＄４１．２０／１００ｇ， Ａｌｄｒｉｃｈ ＴＭ １９９８−１９９９） として、商業的に入手可能である。驚いたことに、技術グレードのクロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルは、中間体チオカルボニルリボヌクレオシドの異性体混合物の生成と、そのチオカルボニル誘導体のラジコフィリシティをより小さくする傾向がある３−ｔｅｒｔ−ブチル基の電子供与性誘電効果にもかかわらず、本発明の方法に適する試薬である。当該技術分野で知られている試薬と比較したこの試薬の低いコストが、複数ｋｇ量の２’−デオキシヌクレオシド、２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシド、２’，３’−ジデオキシヌクレオシド、３’−デオキシヌクレオシド、及び５’−デオキシヌクレオシドの、それらの対応するリボヌクレオシドからの効率的かつ経済的な製造を可能にする。
【００２２】
ヌクレオシド
ヌクレオシドの２種の主要シリーズ：糖成分としてＤ−リボースを含有するリボヌクレオシド、及び糖成分として２−デオキシ−Ｄ−リボースを概して含有するデオキシリボヌクレオチドがある。ヌクレオシドは、プリン若しくはピリミジンリボヌクレオシド又はプリン若しくはピリミジンデオキシリボヌクレオチドのいずれかのように、それらのヘテロ環塩基又はヌクレオベースに従って分類されることもできる。プリンヌクレオシドには、例えば、アデニン（６−アミノプリン）、及びグアニン（２−アミノ−６−オキソプリン）が含まれる。ピリミジンヌクレオシドには、例えば、ウラシル（２，４−ジオキソピリミジン）、チミン（５−メチル−２，４−ジオキソピリミジン）、及びシトシン（４−アミノ−２−オキソピリミジン）が含まれる。修飾されたプリン及びピリミジンヌクレオシドが当該技術分野で周知であり本発明に包含される。幾つかの修飾に、反応性官能基のための保護基が含まれる。あらゆる種々の保護基が本発明で用いられ得る。このら保護基の例は、参照によりその全部が本明細書に組み込まれる Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， ３ｎｄ ｅｄ． Ｔ．Ｗ． Ｇｒｅｅｎｅ ａｎｄ Ｐ．Ｇ．Ｍ． Ｗｕｔｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， ＮＹ， １９９９ に見出される。
【００２３】
アデニン、グアニン、シトシン、及びチミンに加えて、本発明は、当該技術分野で周知である、キサンチン、ヒポキサンチン、２−アミノアデニン、２−プロピルアデニン、６−メチルアデニン、６−クロロアデニン、２−メチルグアニン、７−メチルグアニン、８−ハロ、アミノ、チオール、チオアルキル、ヒドロキシル及び他の８−置換アデニン及びグアニン及びアデニンとグアニンの他の誘導体、５−メチルシトシン、５−ヒドロキシメチルシトシン、５−ハロウラシル及び５−ハロシトシン、５−プロピニルウラシル及び５−プロピニルシトシン、６−アザウラシル、６−アザシトシン及び６−アザチミン、５−ウラシル（プソイドウラシル）、４−チオウラシル、５−トリフルオロメチル及び他の５−置換ウラシル及びシトシンのような、他の合成及び天然に存在するヌクレオベースを包含する。更なるプリン及びピリミジンには、米国特許第３，６８７，８０８号に開示されたもの、Ｃｏｎｃｉｓｅ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ Ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， ｐａｇｅｓ ８５８−８５９， Ｋｒｏｓｃｈｗｉｔｚ， Ｊ．Ｉ．， ｅｄ． Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， １９９０ に開示されたもの、及び Ｅｎｇｌｉｓｃｈ ｅｔ ａｌ．， Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ， Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ， １９９１， ３０， ６１３ に開示されたものが含まれる。
【００２４】
ラジカル化学
ラジカル連鎖化学は、アルコールのヒドロキシル基を対応するデオキシ誘導体に変換するためにしばしば用いられる。以下に示すように、アルコール１がまず適するチオカルボニル誘導体に転化される。これらチオカルボニル誘導体には、フェニルチオキソベンゾエート２、キサンテート３、チオカルボニルイミダゾリド４及びフェニルチオカルボニル５が含まれる （Ｂａｒｔｏｎ， Ｄ．Ｈ．； Ｆｅｒｒｅｉｒａ， Ｊ．Ａ．； Ｊａｓｚｂｅｒｅｎｙｉ， Ｊ．Ｃ．， Ｐｒｅｐａｒａｔｉｖｅ Ｃａｒｂｏｈｙｄｒａｔｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｃｈａｐｔｅｒ ８， Ｆｒｅｅ Ｒａｄｉｃａｌ Ｄｅｏｘｙｇｅｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ ｏｆ Ａｌｃｏｈｏｌｓ， Ｈａｎｅｓｓｉａｎ， Ｓ．， Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ， Ｉｎｃ．， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ） 。
【００２５】
【化１】
2004521063.tif 000002
【００２６】
化学的脱酸素は、ラジカル反応により達成されることができる。ラジカル反応は、普通、開始、生長、及び停止段階を包含する。開始段階は、フリーラジカル開始剤が加熱されてラジカル源が提供され、目的のラジカル連鎖反応が始まる。光もラジカル反応を開始することができる。上の例において、発生したラジカルは、チオカルボニル化合物（２〜５）と反応して、中間体であるチオカルボニル炭素ラジカル部分を生じる。この中間体ラジカル部分がラジカル連鎖反応を生長させる。その炭素ラジカルは、ラジカル試薬（例えば、水素化物試薬）で水素原子抜き取りを受ける。これが、目的のデオキシ誘導体を与え、かつそのラジカル試薬のラジカル（トリブチルスズラジカル）を発生させる。このラジカル連鎖反応の停止は、中間体ラジカル部分又はラジカル試薬（トリブチルスズラジカル）が溶媒又は他の水素原子供給源によって消活性されたときに起こる。
【００２７】
本発明の方法によれば、ラジカル反応によるリボヌクレオシドの化学的脱酸素が、容易に入手できかつ廉価なリボヌクレオシドをその対応する２’−デオキシヌクレオシドに転化するのに有用なルートを提供する。本発明に使用可能なラジカル開始剤には、アゾ開始剤：ＡＩＢＮ（２，２’−アゾビスイソブチロニトリル）、ＡＣＮ（ＶＡＳＯＴＭ；１，１’−アゾビス〔シクロヘキサンカルボニトリル〕）；過酸化ジアシル開始剤：過酸化ベンゾイル（過酸化ジベンゾイル）、及び紫外線が含まれる。例えば、ＶＡ−０４４ＴＭ、Ｖ−５０ＴＭ、ＶＡ−０６１ＴＭ、Ｖ−５０１ＴＭ、ＶＡ−０８６ＴＭ、Ｖ−７０ＴＭ、Ｖ−６５ＢＴＭ、Ｖ−６０１ＴＭ、Ｖ−５９ＴＭ、及びＶ−４０ＴＭを包含する、Ｗａｋｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ．，から入手可能である本発明に使用できる種々の重合開始剤が含まれる。
【００２８】
ラジカル試薬は、当該技術分野で周知であり、還元的開裂、ラジカル脱ハロゲン化、及び分子内ラジカル環化に広く使用されるラジカル試薬である水素化トリブチルスズ（ｎ−Ｂｕ３ ＳｎＨ）が含まれる。しかしながら、欠点がない訳ではない。水素化トリブチルスズは高度に有毒であり、その残渣は目的の生成物から分離するのが難しく、そして高価である。目的の有機化合物を水素化スズ試薬及び副生成物から単離する分離技術が開発されており、クロマトグラフィー分離、溶媒抽出、及び水素化スズ蛍光試薬が含まれる。
【００２９】
水素化トリブチルスズのような試薬の代替物には、支持体結合水素化トリブチルスズ試薬 （Ｇｅｒｉｇｋ， Ｕ．； Ｇｅｒｌａｃｈ， Ｍ．； Ｎｅｕｍａｎｎ， Ｗ．Ｐ．； Ｖｉｅｌｅｒ， Ｒ．； Ｗｅｉｎｔｒｉｔｔ， Ｖ．， Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， １９９０， ４４８）；水素化トリエチルシリル（トリエチルシラン）、トリス（トリメチルシリル）シラン、トリス（トリメチルシリル）シランチオール、ヘプタメチルトリシラン−２−チオールのような水素化トリアルキルスズ（トリアルキルシラン）；トリフェニルシラン、ジフェニルシラン、及びフェニルシランのような水素化トリアリールスズ（トリアリールスズ類）；ポリ（アルキル）ヒドロシロキサン及びポリ（メチル）ヒドロシロキサンのようなポリマー担持水素化スズ試薬；亜リン酸ジメチル及び亜リン酸ジエチルのような亜リン酸ジアルキル；次亜リン酸及びその塩のようなリン酸含有部分；次亜リン酸Ｎ−エチルピペリジン塩、次亜リン酸、及び他のもの （Ｂａｒｔｏｎ， Ｄ．Ｈ．； Ｆｅｒｒｅｉｒａ， Ｊ．Ａ．，； Ｊａｓｚｂｅｒｅｎｙｉ， Ｊ．Ｃ．， Ｐｒｅｐａｒａｔｉｖｅ Ｃａｒｂｏｈｙｄｒａｔｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｃｈａｐｔｅｒ ８， Ｆｒｅｅ Ｒａｄｉｃａｌ Ｄｅｏｘｙｇｅｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｈｉｏｃａａｒｂｏｎｙｌ Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ ｏｆ Ａｌｃｏｈｏｌｓ， Ｈａｎｅｓｓｉａｎ， Ｓ．， Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ， Ｉｎｃ．， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， Ｂａｇｕｌｅｙ， Ｐ．Ａ．； Ｗａｌｔｏｎ， Ｊ．Ｃ．， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｉｎｔ． Ｅｄ．， １９９８，３７，３０７２） が含まれる。水素化スズ試薬は分離後に続くラジカル還元に再利用できることが留意されなければならない。
【００３０】
ラジカル反応は、リボヌクレオシドをデオキシヌクレオシドに転化するための実行可能なルートを提供するとはいえ、リボヌクレオシドの領域特異的２’−脱酸素は、第二シス２’及び３’ヒドロキシル基の区別に困難があることによって妨害される。本発明は、脱酸素されるべきでないリボヌクレオシドのヒドロキシル基を選択的に保護することによってこの問題に対処する。例えば、２’−デオキシヌクレオシドが目的物である場合、その３’−Ｏ基と５’−Ｏ基が、チオカルボニル誘導体の生成の前に適する保護基で保護されることができる。あらゆる種々の保護基が本発明で用いられることができる。
本発明の好ましい態様では、選択的３’−Ｏ，５’−Ｏ保護が、Ｍａｒｋｉｅｗｉｃｚによって開発された方法 （Ｍａｒｋｉｅｗｉｃｚ， Ｗ．Ｔ．， Ｊ Ｃｈｅｍ． Ｒｅｓｅａｒｃｈ （Ｓ）， １９７９， ２４， 参照によりその全体が本明細書に組み込まれる）を使用してなされる。例えば、図１に示すように、Ｂｘが天然に存在するか又は天然に存在しないヌクレオベースを表わす場合、３’及び５’−ヒドロキシル基は、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン塩化物（Ｍａｒｋｉｅｗｉｃｚ試薬）で選択的に保護されて、３’−Ｏ，５’−Ｏビス保護リボヌクレオシド４を生成する。ヌクレオシドの１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン塩化物（ＴＩＰＤＳＣｌ）での処理で、第一５’−ヒドロキシル基が最初に攻撃される。５’位への最初の攻撃は、３’−ヒドロキシル基における後続の選択的攻撃を可能にして、３’，５’−Ｏ−（１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキシ−１，３−ジイル）ヌクレオシドを与える。
【００３１】
本発明の方法によれば、保護されたリボヌクレオシドは、次いで、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの異性体混合物を含んでなる技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで処理される。好ましくは、この混合物は、約１〜１３％のクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルと約８７〜９９％のクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルとを含んでなる。異性体混合物の試薬は、それら異性体の生来の反応速度の違いや生成物精製に付随する問題のために、反応及び後処理を複雑にすることがよくある。異性体混合物の生成物のクロマトグラフィー又は再結晶による生成物単離は、実践的には不可能なことがある。しかしながら、驚いたことに、本発明者らは、技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルの使用は、反応速度問題や精製困難性なしに、リボヌクレオシドの２’−デオキシヌクレオシドへのきれいな転化を可能にする。２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−リボヌクレオシドの異性体混合物は十分に反応性であり、ＡＩＢＮのようなラジカル開始剤及び水素化トリブチルスズのようなラジカル試薬の存在下の加熱で、ラジカル形成及びその後の水素原子抜き取り段階が２’位で起こって、目的の２’−デオキシヌクレオシドを与える。幾つかの好ましい態様では、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−リボヌクレオシドの異性体混合物の脱酸素は、そのチオカルボニル化合物をＡＣＮ及び水素化トリエチルシリルの存在下で加熱することにより行なわれる。次いで、その３’，５’−保護基は、当該技術分野で周知の適する脱保護剤、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中のフッ化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＦ）で除去されて、２’−デオキシヌクレオシド１０を与えることができる。
【００３２】
幾つかの好ましい態様では、リボヌクレオシドは、クロロチオノギ酸ｔｅｒｔ−ブチルフェニルでの処理の前に、３’及び５’ヒドロキシル基での保護に加えて、そのヌクレオシドの他の反応性官能基においても領域選択的に保護される。例えば、アミノ基は、フタルイミド、９−フルオレニルメトキシカルボニル（ＦＭＯＣ）、トリフェニルメチルスルフェニル、ｔ−ＢＯＣ又はベンジル基のような窒素保護基で保護されることができる。他のアミノ保護基が当該技術分野で周知である。目的の２’−デオキシヌクレオシドが生成すると、これら保護基は除去される。そのような保護基及びそれらを使用する方法の例は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる Ａｇｒａｗａｌ ｅｔ ａｌ， Ｐｒｏｔｏｃｏｌｓ ｆｏｒ Ｏｌｉｇｏｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅ Ｃｏｎｊｕｇａｔｅｓ， Ｅｄｓ．， Ｈｕｍａｎａ Ｐｒｅｓｓ， Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ， １９９４， Ｖｏｌ． ２６， ｐｐ． １−７２ に見出されることができる。
本発明の１つの好ましい態様では、シトシンのアミノ基は、ＴＩＰＤＳ塩化物での３’，５’−ヒドロキシル基の保護の前に、ＤＭＦ中でそのリボヌクレオシドを無水酢酸と、そのアミノ基をアセチル化するためのマイクロ波処理下で反応させることにより保護される （参照により本明細書に組み込まれる Ｎａｈａｒ， Ｒ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７， ３８， ７２５３を参照のこと）。目的の２’−デオキシヌクレオシドが生成すると、そのアミノ保護基はメタノール性アンモニアで除去される。
【００３３】
本発明の１つの態様によれば、例えば、図２を参照すると、リボヌクレオシドを選択してその５’−ヒドロキシル基を適する保護基で保護することにより、２’，３’−ジデオキシリボヌクレオシドが提供される。好ましくは、その保護基は、トリチル、モノメトキシトリチル、ジメトキシトリチル（ＤＭＴｒ）、トリメトキシトリチル、９−フェニルキサンチン−９−イル（ピキシル）又は９−（ｐ−メトキシフェニル）キサンチン−９−イル（ＭＯＸ）のような酸分解性基である。本発明に適する他の周知のヒドロキシル保護基には、Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ， ３ｎｄ ｅｄ． Ｔ．Ｗ． Ｇｒｅｅｎｅ ａｎｄ Ｐ．Ｇ．Ｍ． Ｗｕｔｓ， Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， ＮＹ， １９９９に開示されたものが含まれる。次いで、その５’−保護リボヌクレオシドは、２’−ヒドロキシル位において、好ましくは、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル（ＴＢＤＭＳ）エーテルとして保護され、そして、更に３’−Ｏ保護剤で処理されて、式−Ｃ（Ｏ）−Ｒ（式中、Ｒは、置換若しくは未置換のＣ１ 〜Ｃ１０アルキル、Ｃ２ 〜Ｃ１０アルケニル、Ｃ２ 〜Ｃ１０アルキニル、置換若しくは未置換の６〜約１５の炭素原子を有するアリールであって、置換基が、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、カルボキシ、ベンジル、フェニル、及びハロゲンから選択され、メチルが最も好ましい。）によって表される３’−Ｏ−アシル基を生成する。次いで、その２’−Ｏ−ＴＢＤＭＳ基は、ＴＢＡＦのような適する脱保護剤で除去されて、２’−ヒドロキシル，３’−アセトキシ，５’−Ｏ−保護リボヌクレオシドを与える。次いで、その保護されたリボヌクレオシドは、技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで処理されて、例えば、図２に示される２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）誘導体２０を与える。このチオカルボニル誘導体のラジカル開始剤とラジカル試薬での処理が、脱離生成物である２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシ−５’−Ｏ−保護ヌクレオシド２２を与える。この中間体２２の、ジクロロ酢酸のような適する保護剤での処理が、２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシド２４を与える。続いてその二重結合を還元すると、２’，３’−ジデオキシヌクレオシド２８を与える。別法では、その二重結合が５’−Ｏ基の脱保護の前に還元されてもよい。好ましい態様では、二重結合の還元が２’，３’二重結合の水素化によって行なわれて、飽和糖環系である２’，３’−ジデオキシ−ヌクレオシドを与える。
【００３４】
２’−ハロ，３’−Ｏ−アセテートの還元的脱離は、リボヌクレオシドをその対応する２’，３’−オレフィン性ヌクレオシドに転化する。酢酸クロム、亜鉛／酢酸及びＺｎ／Ｃｕ対が、この変換を行なうために使用されてきた （参照により本明細書に組み込まれる Ｍａｎｓｕｒｉ， Ｍ．Ｍ．； Ｓｔａｒｅｔｔ， Ｊ．Ｅ．， Ｗｏｓ， Ｊ．Ａ．； Ｔｏｒｔｏｌａｎｉ， Ｄ．Ｒ．； Ｂｒｏｄｆｕｔｈｒｅｒ， Ｐ．Ｒ．； Ｈｏｗｅｌｌ， Ｈ．Ｇ．； Ｍａｒｔｉｎ， Ｊ．Ｃ．， Ｊ Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， １９８９， ５４， ４７８０） 。同じく、リボヌクレオシド中の３’−Ｏ−アセテート基の存在下での２’−デオキシラジカルの生成が速い脱離反応を起こさせて、２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシドを与える。
【００３５】
本発明によれば、技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルでのリボヌクレオシドのラジカル脱酸素は、５’−デオキシヌクレオシド（４’−メチルヌクレオシド）を提供するために行なわれてもよい。例えば、図３を参照すると、５’−デオキシヌクレオシドが、２’，３’−イソプロピリデンヌクレオシド３０ （Ａｌｄｒｉｃｈ ＴＭ， Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ， ＷＩ から入手可能） を提供し、そしてそれを技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで処理して、２’，３’−イソプロピリデン−５’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）ヌクレオシド３２を与えることにより、調製される。次いで、この２’，３’−イソプロピリデン−５’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）ヌクレオシドはラジカル開始剤で処理されて、４’−炭素原子上にラジカルを生成する。適するラジカル試薬での処理で水素を抜き取ると、２’，３’−イソプロピリデン−４’−メチル−ヌクレオシド３４を与える。次いで、この２’，３’−イソプロピリデン−５’−デオキシヌクレオシドは、ＴＨＦ中の１ＮＨＣｌのような適する脱保護剤で処理されて、５’−デオキシヌクレオシド３６を与える。
【００３６】
本発明の他の好ましい態様は、技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルを使用して、リボヌクレオシドの３’−ヒドロキシル位を脱酸素するための方法、並びにリボヌクレオシドの幾つか又は全てのヒドロキシル位（２’、３’又は５’）のあらゆる組み合わせの脱酸素を行なう方法を提供する。例えば、図４を参照すると、５’−Ｏ−保護ヌクレオシドが、技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルでジアシル化されて、２’−Ｏ−（ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’−Ｏ−（ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−５’−Ｏ−保護ヌクレオシド３８を与える。この２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−５’−Ｏ−保護ヌクレオシド３８は、ラジカル開始剤とラジカル試薬でジ脱酸素されて、５’−Ｏ−保護ヌクレオシド２６を与える。次いで、この５’−Ｏ−保護ヌクレオシドは、適する脱保護剤で処理されて、２’，３’−ジデオキシヌクレオシド２８を与える。
【００３７】
本発明のヌクレオシドは、糖部分の２’位に、又はプリンのＮ２若しくはＮ６位又はピリミジンのＮ４若しくはＣ５位のような、そのヌクレオベースの種々の場所に共有結合した置換基を有することができる。好ましくは、置換基は、糖部分の２’位に付いている。
本発明にあり得る置換基の代表的リストには、水素、ヒドロキシル、Ｃ１ 〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２ 〜Ｃ２０アルケニル、Ｃ２ 〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ５ 〜Ｃ２０アリール、Ｏ−アルキル、Ｏ−アルケニル、Ｏ−アルキニル、Ｏ−アルキルアミノ、Ｏ−アルキルアルコキシ、Ｏ−アルキルアミノアルキル、Ｏ−アルキルイミダゾール、Ｏ−アリール、Ｏ−アラルキル、チオール、Ｓ−アルキル、Ｓ−アルケニル、Ｓ−アルキニル、Ｓ−アリール、Ｓ−アラルキル、アミノ、ＮＨ−アルキル、ＮＨ−アルケニル、ＮＨ−アルキニル、Ｎ−ジアルキル、ＮＨ−アリール、ＮＨ−アラルキル、Ｎ−フタルイミド、ハロゲン（特にフルオロ）、ケト、カルボキシル、ニトロ、ニトロソ、ニトリル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、イミダゾール、アジド、ヒドラジノ、ヒドロキシルアミノ、イソシアナト、スルホキシド、スルホン、スルフィド、ジスルフィド、シリル、ヘテロ環、炭素環、ポリアミン、ポリアミド、ポリアルキレングリコール、及びｍが１〜約１０である式（Ｏ−アルキル） ｍ のポリエーテルが含まれる。これらポリエーテルのうち好ましいのは、線状及び環状ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、及びクラウンエーテルや Ｏｕｃｈｉ ｅｔ ａｌ． （Ｄｒｕｇ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ １９９２， ９， ９３） 、Ｒａｖａｓｉｏ ｅｔ ａｌ． （Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９９１， ５６， ４３２９） 及び Ｄｅｌｇａｒｄｏ ｅｔ． ａｌ． （Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ ｉｎ Ｔｈｅｒａｐｅｕｔｉｃ Ｄｒｕｇ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ １９９２， ９， ２４９） により開示されたもの（各々が参照によりその全体が本明細書に組み込まれる）のようなＰＥＧ含有基である。更なる糖修飾は、Ｃｏｏｋ， Ｐ．Ｄ．， Ａｎｔｉ−Ｃａｎｃｅｒ Ｄｒｕｇ Ｄｅｓｉｇｎ， １９９１， ６， ５８５−６０７ に開示されている。フルオロ、Ｏ−アルキル、Ｏ−アルキルアミノ、Ｏ−アルキルイミダゾール、Ｏ−アルキルアミノアルキル、及びアルキルアミノ置換が、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる ０ｌｉｇｏｍｅｒｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ｈａｖｉｎｇ Ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ Ｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅ（ｓ） ｗｉｔｈ ２’ ａｎｄ ５ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎｓ と題された１９９５年３月６日に出願された米国特許出願第０８／３９８，９０１号に記載されている。本発明に利用できる追加の糖置換基には、−ＳＲ及び−ＮＲ２ 基であって、各々のＲが独立して、水素、保護基、置換若しくは未置換のアルキル、アルケニル又はアルキニルである基が含まれる。２’−ＳＲヌクレオシドは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる１９９７年９月２３日に発行された米国特許第５，６７０，６３３号に開示されている。２’−ＳＲモノマーシントンの組み入れは、Ｈａｍｍ ｅｔ ａｌ， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， １９９７， ６２， ３４１５−３４２０に開示されている。２’−ＮＲ２ ヌクレオシドは、Ｇｏｅｔｔｉｎｇｅｎ， Ｍ．， Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， １９９６， ６１， ６２７３−６２８１； 及び Ｐｏｌｕｓｈｉｎ ｅｔ ａｌ， Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．， １９９６， ３７， ３２２７−３２３０ に開示されている。
【００３８】
好ましい置換基には、２’−メトキシエトキシ〔２’−Ｏ−ＣＨ２ ＣＨ２ ＯＣＨ３ （２’−Ｏ−（２−メトキシエチル）又は２’−ＭＯＥとしても知られている）〕（Ｍａｒｔｉｎ ｅｔ ａｌ， Ｈｅｌｖ． Ｃｈｉｍ． Ａｃｔａ， １９９５， ７８，４８６）、即ち、アルコキシアルコキシ基が含まれる。更なる置換基は、２’−ジメチルアミノオキシエトキシ、即ち、２’−ＤＭＡＯＥとしても知られているＯ（ＣＨ２）２ ＯＮ（ＣＨ３）２ 基である。代表的なアミノオキシ置換基は、“Ａｎｉｉｎｏｏｘｙ−Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ”と題された１９９９年６月２５日に出願された米国特許出願第０９／３４４，２６０号；及び “Ａｍｉｎｏｏｘｙ−Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ Ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｍａｋｉｎｇ Ｓａｍｅ”と題されかつ代理人整理番号ＩＳＩＳ−３９９３によっても特定される１９９９年８月９日に出願された米国特許出願第０９／３７０，５４１号に記載されている。これら各々は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれるものとする。他の好ましい修飾には、２’−メトキシ（２’−Ｏ−ＣＨ３ ）、２’−アミノプロポキシ（２’−Ｏ−ＣＨ２ ＣＨ２ ＣＨ２ ＮＨ２ ）及び２’−フルオロ（２’−Ｆ）が含まれる。
【００３９】
代表的なジメチルアミノエチルオキシエチル置換基は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる “２’−Ｏ−Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｅｔｈｙｌｏｘｙｅｔｈｙｌ−Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｏｌｉｇｏｎｕｃｌｅｏｔｉｄｅｓ”と題されかつ代理人整理番号ＩＳＩＳ−４０４５によっても特定される１９９９年８月６日に出願されたＰＣＴ／ＵＳ９９／１７８９５に開示されている。
この発明の追加の効果及び新規な特徴が、実施例の吟味で当業者に明らかになるであろう。なお、それら実施例は、請求の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
【００４０】
【実施例】
一般的操作
全ての試薬及び溶媒は、特に断らない限り、Ａｌｄｒｉｃｈ ＴＭ （Ｐ．Ｏ． Ｂｏｘ ３５５， Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ， ＷＩ， ５３２０１） から入手可能である。反応は、特に断らない限りアルゴン雰囲気下で行なわれる。カラムクロマトグラフィーは、順相シリカゲルを使用して行なわれる。溶離溶媒の割合は、容量／容量として与えられる。溶媒勾配は、段階的に行なわれる。溶媒の留去は、特に断らない限り減圧下（５０トル）で３５℃で行なわれる。ＮＭＲスペクトルは、次の装置で得られる： １ＨＮＭＲ：Ｖａｒｉａｎ Ｇｅｍｉｎｉ−２００ （１９９．９７５ ＭＨＺ） 又は Ｖａｒｉａｎ Ｕｎｉｔｙ ４００ （３９９．９５２ ＭＨＺ） ；１３ＣＮＭＲ：Ｖａｒｉａｎ Ｇｅｍｉｎｉ−２００ （５０．２８９ ＭＨＺ）；３１ＰＮＭＲ：Ｖａｒｉａｎ Ｇｅｍｉｎｉ−２００ （７９．９９０ ＭＨＺ）。ＮＭＲスペクトルは、溶媒として、重クロロホルム、ジメチルスルホキシド−ｄ６ （ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド−ｄ７ 又は重メタノールのいずれか（内部標準としてテトラメチルシラン）を使用して記録される。次の略号が、個々のシグナルの多重度を示すために使用される：ｓ＝１本線、ｄ＝２重線、ｔ＝３重線、ｑ＝４重線、ｍ＝多重線、ｄｄ＝２重線の２重、ｄｄｄ＝２重線の２重の２重、ｂｒｓ＝幅広１本線。質量スペクトルは、Ｍａｓｓ Ｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ， Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ， ＣＡによって行なわれる。
【００４１】
実施例１  ３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシン
操作Ａ：
ＤＭＦ（２５ｍＬ）及びピリジン（１８ｍＬ）中のアデノシン（２Ａ）（１．３３５ｇ，５．００ｍｍｏｌ）の０℃に冷やされた溶液に、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（ＴＩＰＤＳ塩化物，Ｍａｒｋｉｅｗｉｃｚ試薬）（１．５８ｇ，５．００ｍｍｏｌ）が加えられる。その混合液は、０℃で３０分間攪拌されてから室温で５時間攪拌される。その溶液は、減圧濃縮され、その残渣がトルエン（２×１０ｍＬ）で共留去される。残渣が、酢酸エチル（１００ｍＬ）と冷１ＮＨＣｌ／水（１００ｍＬ）の間に分けられる。分液され、有機層が飽和ＮａＨＣＯ３ （５０ｍＬ）、水（５０ｍＬ）、食塩水（５０ｍＬ）で洗浄され、そして無水硫酸ナトリウムで乾燥される。濾過及び溶媒留去が行われて、保護された３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシンを与える。
【００４２】
2004521063.tif 000003
操作Ｂ：
アセトニトリル（４０ｍＬ）中の３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳアデノシン（４Ａ）（１．３３５ｇ，５．００ｍｍｏｌ）の−２０℃に冷やされた溶液に、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）（１．２５ｇ，１０．２０ｍｍｏｌ）及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（１．２６ｇ，５．５０ｍｍｏｌ，９３％，残りはクロロチオノギ酸４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）が加えられる。その溶液は室温まで温められて１６時間攪拌される。その溶液は、減圧濃縮され、その残渣が、酢酸エチル（１００ｍＬ）と冷１ＮＨＣｌ／水（１００ｍＬ）の間に分けられる。分液され、有機抽出液が飽和ＮａＨＣＯ３ （５０ｍＬ）、水（５０ｍＬ）、食塩水（５０ｍＬ）で洗浄され、そしてＮａ２ ＳＯ４ で乾燥される。濾過、溶媒の留去、及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー（５％メタノール／ジクロロメタン）による精製で、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシンを白色粉末として与える（３．０６ｇ，２工程について９８．７％）。融点１４３〜１４５℃。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ７０２．３１９８， （ＭＨ＋ ［Ｃ３３Ｈ５２Ｎ５Ｏ６ＳＳｉ２］ ＝ ７０２．３１７７）。
【００４３】
実施例３  ２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシン
操作Ｃ：
トルエン（５０ｍＬ）中の２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシン（３．０６ｇ，４．３６ｍｍｏｌ）の溶液に、ＡＩＢＮ（０．１４ｇ，０．８７ｍｍｏｌ）及び水素化トリブチルスズ（２．３５ｍＬ，８．７３ｍｍｏｌ）が加えられる。その溶液はアルゴンで２０分間脱酸素されてから１００℃に４時間加熱される。もう１バッチのＡＩＢＮ（０．１４ｇ，０．８７ｍｍｏｌ）が２時間後に加えられる。その溶液は減圧濃縮され、そしてその残渣がシリカゲルカラムクロマトグラフィー（５％メタノール／ジクロロメタン）により精製されて、２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシンを与える（１．７６４ｇ，８２．０％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ４９４ （ＭＨ＋ ［Ｃ２２Ｈ４０Ｎ５Ｏ４Ｓｉ２］ ＝ ４９４）。
【００４４】
実施例４  ２’−デオキシアデノシン
操作Ｄ：
ＴＨＦ（１５ｍＬ）中の２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−アデノシン（８Ａ）（２．５５７ｇ，５．１８ｍｍｏｌ）の溶液に、ＴＢＡＦ（１０．４ｍＬ，ＴＨＦ中１Ｍ）が加えられる。その溶液は室温で５時間攪拌される。その溶液は減圧濃縮され、そしてその残渣が水（１００ｍＬ）とジクロロメタン（１００ｍＬ）の間に分けられる。分液され、そして水層がジクロロメタン（２×５０ｍＬ）で洗浄される。その水相は減圧濃縮され、そしてその残渣が Ｄｏｗｅｘ １−Ｘ２ （ＯＨ− ）樹脂のカラムで精製される。生成物が水で溶出され、合わされ、濃縮され、そしてエタノール中で結晶化され、２’−デオキシアデノシン（１０Ａ）を与える（１．１８７ｇ，９１．２％）。融点１９０〜１９２℃。 １ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ） ｄ ２．２７ （ｄｄｄ， Ｊ ＝ １３．２， ６．１， ２．８ Ｈｚ， １， Ｈ２’ ）， ２．７５ （ｄｄｄ， Ｊ ＝ １３．２， ７．８， ５．８ Ｈｚ， １， Ｈ２” ）， ３．６０ （ｍ， ２， Ｈ５’，５” ）， ３．９０ （ｄｄ， Ｊ ＝ ６．６， ４．０ Ｈｚ， １， Ｈ３’ ， ４．４３ （ｍ， １， Ｈ４’ ）， ５．２７ （ｔ， Ｊ ＝ ５．９ Ｈｚ， １， ＯＨ５’ ）， ５．３４ （ｄ， Ｊ ＝ ３．９ Ｈｚ， １， ＯＨ３’ ）， ６．３７ （ｄｄ， Ｊ ＝ ６．１， ７．８ Ｈｚ， １， Ｈ１’ ）， ７．３５ （ｂｒ ｓ， ２， ＮＨ２）， ８．１５ ＆ ８．３６ （ｓ， ｓ， ２， Ｈ２，８）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ２５２．１０９０ （ＭＨ ＋ ［Ｃ１０Ｈ１４Ｎ５Ｏ３］ ＝ ２５２．１０９７）。
【００４５】
実施例５  ４−Ｎ−アセチルシチジン
ＤＭＦ（４０ｍＬ）中のシチジン（１．２２ｇ，５．００ｍｍｏｌ）の溶液に、無水酢酸（０．９４ｍＬ，１０．００ｍｍｏｌ）が加えられる。その溶液は、最大出力のマイクロ波照射（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ，１０００ワット）で４０秒間処理される。その溶液は減圧濃縮され、そしてその残渣はメタノール（２×２０ｍＬ）と共留去されて、４−Ｎ−アセチルシチジンを白色粉末として与える（１．４３ｇ，９５．０％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ２８６ （ＭＨ＋ ） 。
【００４６】
実施例６  ３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−４−Ｎ−アセチルシチジン
４−Ｎ−アセチルシチジン（１．４２５ｇ，５．００ｍｍｏｌ）が、操作Ａの通りに、ＴＩＰＤＳ塩化物（１．５８ｇ，５．００ｍｍｏｌ）で処理されて、３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−４−Ｎ−アセチルシチジンを与える（２．４０７ｇ，９１．３％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ５５０．２３８０ （ＭＮａ＋ ［Ｃ２３Ｈ４１Ｎ３Ｏ７ＮａＳｉ２］ ＝ ５５０．２３８１） 。
【００４７】
2004521063.tif 000004
３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−４−Ｎ−アセチルシチジン（２．４０７ｇ，４．５７ｍｍｏｌ）が、操作Ｂの通りに、ＤＭＡＰ（４．５０ｇ，３６．８０ｍｍｏｌ）及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（１．１５ｇ，５．００ｍｍｏｌ）で処理され、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−４−Ｎ−アセチルシチジンを与える。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ７４２．３００１ （ＭＮａ＋ ［Ｃ３４Ｈ５３Ｎ３Ｏ８ＮａＳＳｉ２］ ＝ ７４２．２９９０）。
【００４８】
2004521063.tif 000005
２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−４−Ｎ−アセチルシチジンが、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ（０．１９ｇ，１．１５ｍｍｏｌ）及び水素化トリブチルスズ（３．３４ｍＬ，１１．５０ｍｍｏｌ）で処理され、４−Ｎ−アセチル−２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−シチジンを与える（２．１８ｇ，９３．０％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ５１２．２６３３ （ＭＨ ＋ ［Ｃ２３Ｈ４２Ｎ３Ｏ６Ｓｉ２］ ＝ ５１２．２６１２） 。
【００４９】
実施例９  ２’−デオキシ−４−Ｎ−アセチルシチジン
ＴＨＦ（２０ｍＬ）中の４−Ｎ−アセチル−２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−シチジン（２．４０ｇ，４．７０ｍｍｏｌ）の溶液に、ＴＢＡＦ（９．４ｍＬ，ＴＨＦ中１Ｍ）が加えられる。その溶液は室温で１６時間攪拌される。その溶液は減圧濃縮されて、２’−デオキシ−４−Ｎ−アセチルシチジンを与える。
【００５０】
実施例１０  ２’−デオキシシチジン
２’−デオキシ−４−Ｎ−アセチルシチジンが、メタノール性アンモニアで一晩処理される。その溶液は減圧濃縮され、そしてその残渣が水（１００ｍＬ）中に溶解され、そしてジクロロメタン（２×５０ｍＬ）で洗浄される。その水相は減圧濃縮され、そしてその残渣が Ｄｏｗｅｘ １−Ｘ２ （ＯＨ− ）樹脂のカラムで精製される。生成物が水で溶出され、画分が合わされ、濃縮され、そして残渣がメタノール中で結晶化され、２’−デオキシシチジンを与える（０．９０２ｇ，８４．６％）。融点２０８〜２１０℃。 １ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ） ｄ  １．９４ （ｄｔ， Ｊ ＝ １３．２， ６．１ Ｈｚ， １， Ｈ２’）， ２．１２ （ｄｄｄ， Ｊ ＝ １３．２， ６．０， ３．３ Ｈｚ， １， Ｈ２” ）， ３．０７ （ｍ， ２， Ｈ５’，５” ）， ３．７７ （ｄｄ， Ｊ ＝ ６．９， ３．８ Ｈｚ， １， Ｈ３’）， ４．２１ （ｄｄ， Ｊ＝５．９， ３．２ Ｈｚ， １， Ｈ４’）， ５．０２ （ｔ， Ｊ ＝ ５．０ Ｈｚ， １， ＯＨ５’ ）， ５．２３ （ｄ， Ｊ ＝ ４．１ Ｈｚ， １， ＯＨ３’ ）， ５．７５ （ｄ， Ｊ ＝ ７．４ Ｈｚ， １， Ｈ５）， ６．１７ （ｔ， Ｊ ＝ ６．７ Ｈｚ， １， Ｈ１’ ）， ７．２１ （ｂｒ ｓ， ２， ＮＨ２）， ７．８１ （ｄ， Ｊ ＝ ７．４ Ｈｚ， １， Ｈ６） ＰＰＭ 。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ２２８．０９９０ （ＭＨ ＋ ［Ｃ９Ｈ１４Ｎ３Ｏ４］ ＝ ２２８．０９８４） 。
【００５１】
実施例１１  ３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシン
ピリジン（４ｍＬ）及びＤＭＦ（６０ｍＬ）中のグアノシン（１．１３３ｇ，４．００ｍｍｏｌ）の溶液に、ＴＩＰＤＳ塩化物（１．２６ｇ，４．００ｍｍｏｌ）が加えられる。その溶液は、室温で５時間攪拌される。その溶液は、激しく攪拌された１Ｌの氷水中にゆっくり加えられる。得られた析出物が濾取され、そして水で徹底的に洗浄される。その粗製固体をエタノールから再結晶して、３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシンを与える（１．７６ｇ，８３．８％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ５４８．２３４５ （ＭＮａ＋ ［Ｃ２２Ｈ３９Ｎ５Ｏ６ＮａＳｉ２］ ＝ ５４８．２３３７） 。
【００５２】
2004521063.tif 000006
３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシン（１．７６ｇ，３．３５ｍｍｏｌ）が、操作Ｂの通りに、ＤＭＡＰ（０．８４ｇ，６．８８ｍｍｏｌ）及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（０．８４２ｇ，３．６８ｍｍｏｌ）で処理され、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシン（６Ｇ）を白色粉末として与える（１．８３ｇ，７６．０％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ７４０．２９５５ （ＭＮａ＋ ［Ｃ３３Ｈ５１Ｎ５０７ＮａＳＳｉ２］ ＝ ７４０．２９４５）。
【００５３】
実施例１３  ２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシン
２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシン（６Ｇ）（１．８３ｇ，２．５４ｍｍｏｌ）が、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ（８３ｍｇ，０．５１ｍｍｏｌ）及び水素化トリブチルスズ（１．４８ｇ，１．３７ｍＬ，５．０９ｍｍｏｌ）で処理され、２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシンを与える。
【００５４】
実施例１４  ２’−デオキシグアノシン
２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−グアノシンが、操作Ｄの通りに、ＴＢＡＦ（５．１ｍＬ，ＴＨＦ中１Ｍ）で処理される。残渣が Ｄｏｗｅｘ １−Ｘ２ （ＯＨ− ）樹脂のカラムで精製される。生成物が、水中の０．２５ＭＥｔ４ Ｎ＋ ＨＣＯ３ − （ＴＥＡＢ）緩衝液で溶出される。画分が合わされて減圧濃縮される。その残渣は、水（４×１０ｍＬ）と共留去され、そして水中で結晶化され、２’−デオキシグアノシン（１０Ｇ）を与える（０．５０６ｇ，２工程について８０．０％）。融点＞３００℃（分解）。 １ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ） ｄ  ２．２０ （ｄｄｄ，Ｊ ＝１３．１， ６．１， ２．８ Ｈｚ， １， Ｈ２’ ， ２．５２ （ｍ， １， Ｈ２” ）， ３．５５ （ｍ， ２， Ｈ５’，５” ）， ３．８２ （ｄｄ， Ｊ ７．０， ４．４ Ｈｚ， １， Ｈ３’）， ４．３５ （ｍ， １， Ｈ４’）， ４．９７ （ｔ， Ｊ ＝ ５．５ Ｈｚ， １， ＯＨ５’ ）， ５．２８ （ｄ， Ｊ ＝ ３．９ Ｈｚ， １， ＯＨ３’ ）， ６．１４ （ｄｄ， Ｊ ＝ ７．７， ６．１ Ｈｚ， １， Ｈ１’）， ６．４７ （ｂｒ ｓ， ２， ＮＨ２）， ７．９４ （ｓ， １， Ｈ８）， １０．６４ （ｓ， １， ＮＨ１） ｐｐｍ。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ２６８．１０５６ （ＭＨ ＋ ［Ｃ２２Ｈ４１Ｎ５Ｏ４］ ＝ ２６８．１０４６）。
【００５５】
実施例１５  ３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−５−メチルウリジン
５−メチルウリジン（１．９２５ｇ，７．４６ｍｍｏｌ）が、操作Ａの通りに、ＴＩＰＤＳ塩化物（２．３６ｇ，２．４０ｍＬ，０．７５ｍｍｏｌ）で処理されて、３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−５−メチルウリジン（４ｍＵ）を与える（３．７３ｇ，９９．５％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ５０１．２４５０ （ＭＨ ＋ ［Ｃ２２Ｈ４１Ｎ２Ｏ７Ｓｉ２］ ＝ ５０１．２４４１） 。
【００５６】
2004521063.tif 000007
３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−５−メチルウリジン（４ｍＵ）（３．７３ｇ，７．４５ｍｍｏｌ）が、操作Ｂの通りに、ＤＭＡＰ（１．８７ｇ，２．０５ｍｍｏｌ）及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（１．８８ｇ，８．２０ｍｍｏｌ）で処理され、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−５−メチルウリジンを与える（４．８７ｇ，９４．４％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ７１５．２８７７ （ＭＮａ＋ ［Ｃ３３Ｈ５２Ｎ２Ｏ８ＮａＳＳｉ２］ ＝ ７１５．２８６７）。
【００５７】
実施例１７  ３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−チミジン
２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−５−メチルウリジン（４．８７ｇ，７．０３ｍｍｏｌ）が、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ（０．３４ｇ，１．４１ｍｍｏｌ）及び水素化トリブチルスズ（４．７３ｍＬ，１７．６０ｍｍｏｌ）で処理され、３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−チミジンを与える（３．２９ｇ，９６．６％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ４８５．２４９１ （ＭＨ ＋ ［Ｃ２２Ｈ４１Ｎ２Ｏ６Ｓｉ２］ ＝ ４８５．２５０３） 。
【００５８】
実施例１８  チミジン
３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−チミジン（３．２９ｇ，６．７９ｍｍｏｌ）が、操作Ｄの通りに、ＴＢＡＦ（ＴＨＦ中１Ｍ）で処理される。残渣がシリカゲルカラムクロマトグラフィー（１０％メタノール／ジクロロメタン）により精製される。画分が合わされて減圧濃縮され、残渣を与える。その残渣は、メタノール中で結晶化されてチミジンを与える（１．４６８ｇ，８９．２％）。融点１８７〜１８９℃。 １ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ） ｄ  １．７８ （ｓ， ３， ＣＨ３）， ２．１０ （ｍ， ２， Ｈ２’，２”）， ３．５９ （ｄｄ， Ｊ ＝ ８．５， ３．６ Ｈｚ， ２， Ｈ５’，５” ）， ３．７７ （ｄｄ， Ｊ ＝ ４．３， １．０ Ｈｚ， １， Ｈ３’） ， ４．２５ （ｍ， １， Ｈ４’ ）， ５．０３ （ｔ， Ｊ ＝ ５．１ Ｈｚ， １， ＯＨ５’ ）， ５．２４ （ｄ， Ｊ ＝ ４．３ Ｈｚ， １， ＯＨ３’ ）， ６．１８ （ｔ， Ｊ ＝ ６．９ Ｈｚ， １， Ｈ１’）， ７．７１ （ｓ， １， Ｈ６）， １１．２９ （ｂｒ ｓ， １， ＮＨ３） ＰＰＭ。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ２４２．０９１０ （ＭＨ ＋ ［Ｃ１０Ｈ１４Ｎ２Ｏ５］ ＝ ２４２．０９０３）。
【００５９】
実施例１９  ３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジン
ウリジン（２Ｕ）（０．９７２ｇ，４．００ｍｍｏｌ）が、操作Ａの通りに、ＴＩＰＤＳ塩化物（１．２６ｇ，４．００ｍｍｏｌ）で処理されて、３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジンを与える（１．７１ｇ，８８．１％）。
【００６０】
2004521063.tif 000008
３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジン（１．７１ｇ，３．５２ｍｍｏｌ）が、操作Ｂの通りに、ＤＭＡＰ（０．８８１ｇ，７．２１ｍｍｏｌ）及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（０．８８７ｇ，３．８７ｍｍｏｌ）で処理され、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジンを与える（２．４０ｇ，１００％）。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ６７９．２８９５ （ＭＨ ＋ ［Ｃ３２Ｈ５１Ｎ２Ｏ８ＳＳｉ２］ ＝ ６７９．２９０５）。
【００６１】
実施例２１  ２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジン
２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジン（２．４０ｇ，３．５４ｍｍｏｌ）が、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ（０．１２ｇ，０．７１ｍｍｏｌ）及び水素化トリブチルスズ（１．４３ｍＬ，５．３２ｍｍｏｌ）で処理され、２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジン（８Ｕ）を与える。ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ４９３．２１８０ （ＭＮａ＋ ［Ｃ２１Ｈ３８Ｎ２Ｏ６ＮａＳｉ２］ ＝ ４９３．２１６６） 。
【００６２】
実施例２２  ２’−デオキシウリジン
２’−デオキシ−３’，５’−Ｏ−ＴＩＰＤＳ−ウリジンが、操作Ｄの通りに、ＴＢＡＦ（７．４ｍＬ，ＴＨＦ中１Ｍ）で処理される。残渣がシリカゲルカラムクロマトグラフィー（１０％メタノール／ジクロロメタン）により精製される。画分が合わされて減圧濃縮され、そしてその残渣がエタノールから再結晶されて、２’−デオキシウリジンを与える（０．５９９ｇ，２工程で７４．３％）。融点１６２〜１６３℃。 １ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ） ｄ  ２．０８ （ｍ， ２， Ｈ２’，２”）， ３．５６ （ｍ， ２， Ｈ５’，５” ）， ３．７９ （ｍ， １， Ｈ３’）， ４．２３ （ｍ， １， Ｈ４’）， ５．０２ （ｔ， Ｊ ＝ ５．１ Ｈｚ， １， ＯＨ５’ ）， ５．２６ （ｄ， Ｊ ＝ ４．１ Ｈｚ， ＯＨ３’ ）， ５．６５ （ｄ， Ｊ ＝ ８．２ Ｈｚ， １， Ｈ５）， ６．１７ （ｔ， Ｊ ＝ ６．８ Ｈｚ， １， Ｈ１’ ）， ７．８６ （ｄ， Ｊ ＝ ８．２ Ｈｚ， １， Ｈ６）， １１．３１ （ｂｒ ｓ， １， ＮＨ３）． ＭＳ （ＦＡＢ） ｍ／ｚ ２２９．０８２２ （ＭＨ ＋ ［Ｃ９Ｈ１３Ｎ２Ｏ５］ ＝ ２２９．０８２４）。
【００６３】
2004521063.tif 000009
アデノシンが、ＤＭＦ中で塩化４，４’−ジメトキシトリフェニルメチル（ＤＭＴｒＣｌ）及びＤＭＡＰで処理されて、５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンは、塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、硝酸銀及びピリジンでＴＨＦ中で処理されて、２’−Ｏ−ＴＢＤＭＳ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。２’−Ｏ−ＴＢＤＭＳ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンは、ピリジン又はＤＭＡＰ中で無水酢酸で処理されて、２’−Ｏ−ＴＢＤＭＳ−３’−Ｏ−アセトキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。２’−Ｏ−ＴＢＤＭＳ−３’−Ｏ−アセトキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンは、ＴＢＡＦで処理されて、３’−Ｏ−アセトキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。
【００６４】
2004521063.tif 000010
３’−Ｏ−アセトキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンが、操作Ｂの通りに、ＤＭＡＰ及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで処理され、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’−Ｏ−アセトキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。
【００６５】
2004521063.tif 000011
２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’−Ｏ−アセトキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシン（２０Ａ）が、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ及び水素化トリブチルスズで処理され、２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。
【００６６】
2004521063.tif 000012
２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンが、ジクロロ酢酸での処理によって脱保護されて、表題の化合物を与える。
【００６７】
実施例２７  ２’，３’−ジデオキシアデノシンの調製
２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンが、５〜１０％パラジウム担持カーボンで水素雰囲気下で処理されて、表題の化合物を与える。
【００６８】
2004521063.tif 000013
２’，３’−イソプロピリデンアデノシンが、操作Ｂの通りに、技術グレードのクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで処理され、２’，３’−イソプロピリデン−５’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）アデノシンを与える。
【００６９】
2004521063.tif 000014
２’，３’−イソプロピリデン−５’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）アデノシンが、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ及び水素化トリブチルスズで処理され、２’，３’−イソプロピリデン−４’−メチルアデノシンを与える。２’，３’−イソプロピリデン−４’−メチルアデノシンが、ＴＨＦ中の１ＮＨＣｌ（１：１）で室温で処理されて、５’−メチルアデノシンを与える。
【００７０】
2004521063.tif 000015
５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンが、操作Ｂの通りに、ＤＭＡＰ及びクロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルで処理され、２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。
【００７１】
2004521063.tif 000016
２’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−３’−Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシチオカルボニル）−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンが、操作Ｃの通りに、ＡＩＢＮ及び水素化トリブチルスズで処理され、２’，３’−ジデオキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンを与える。２’，３’−ジデオキシ−５’−Ｏ−ＤＭＴｒ−アデノシンが、ジクロロ酢酸で処理され、２’，３’−ジデオキシアデノシンを与える。
【００７２】
2004521063.tif 000017
Ａ）アデノシンの１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンとのピリジンを使用した反応
オーブンで乾燥され攪拌棒が装備されたアルゴン雰囲気下のフラスコ内で、アデノシン（１．５ｇ，５．６０ｍｍｏｌ）が２０ｍＬのピリジン中に懸濁された。その混合液は、氷／水浴中で１０分間冷却されてから、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（２．０ｇ，６．２ｍｍｏｌ）が滴下され、そして、その反応混合液がその冷却浴中で４５分間攪拌されてから室温で４時間攪拌された。ＴＬＣ分析で反応が完結したことが分かったので減圧濃縮した。その残渣がＥｔＯＡｃ（６０ｍＬ）と１ＮＨＣｌ（５０ｍＬ）の間に分けられた。水性溶液が２５ｍＬのＥｔＯＡｃで抽出された。合わされた有機抽出液は、飽和ＮａＨＣＯ３ （４０ｍＬ）及び食塩水（４０ｍＬ）で洗浄され、Ｎａ２ ＳＯ４ で乾燥され、そして減圧濃縮されて、目的の化合物を白色粉末として与えた（２．７２ｇ，９７％収率）。
１ＨＮＭＲでそれが目的の化合物であることを確認した。
【００７３】
Ｂ）アデノシンの１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサンとのＤＭＦ／ピリジンを使用した反応
オーブンで乾燥され攪拌棒が装備されたアルゴン雰囲気下のフラスコに、アデノシン（５．０ｇ，１８．７ｍｍｏｌ）及び２５ｍＬの乾燥ＤＭＦが加えられた。この混合液は５分間攪拌され、そして乾燥ピリジン（１４ｇ，１７６．０ｍｍｏｌ）が加えられた。その溶液は、約−５℃に維持されたエタノール／氷浴中で冷却された。１５分後、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（６．６ｇ，２０．５ｍｍｏｌ）が、その冷溶液に攪拌下２０分かけて滴下された。その溶液は、シロキサンの添加後、その冷浴中で１時間攪拌されてから室温で４．５時間攪拌された。ＴＬＣ分析で反応が完結したことが分かった（プレートは２Ｎ硫酸中の硫酸セリウム（ＩＶ）中に浸けられてから加熱された）。その混合液は、ピリジンを除くために減圧濃縮された。次いで、残渣が少量（〜２ｍＬ）ずつ氷／水（１Ｌ）中に加えられた。得られた析出物が濾取されて水（２×１５０ｍＬ）及びヘキサン（２×２５ｍＬ）で洗浄された。その白色固体は減圧オーブン（４０℃及び約２０ｍｍＨｇに維持された）中で乾燥され、そして８．８６ｇと秤量された。９３％収率。その白色固体は、アセトニトリルから再結晶されて、目的の生成物を与えた（７．７１ｇ，再結晶後収率８０％，ＨＰＬＣ分析でそのサンプルは９６．３％純度であることが分かった）。
【００７４】
2004521063.tif 000018
オーブンで乾燥され攪拌棒が装備されたフラスコに、グアノシン（２．５ｇ，８．８ｍｍｏｌ）及び５５ｍＬの乾燥ＤＭＦが加えられてから、その混合液は澄明になるまで加熱された。その溶液は、アルゴン雰囲気下で室温まで冷やされてから、ピリジン（８ｍＬ，１０３．６ｍｍｏｌ）が加えられた。その溶液は、氷／水浴中で冷却され、そして１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（１．１５当量）が滴下された。次いで、その混合液は、その冷浴中で約４０分間攪拌されてから室温で４時間攪拌された。次いで、その混合液は、ピリジンを除くために減圧濃縮された。次いで、残渣が氷／水中に加えられ、そして得られた析出物が濾取されて、エタノールから再結晶されて、目的の生成物を与えた（３．３ｇ，７３％収率）。
【００７５】
2004521063.tif 000019
窒素雰囲気下、乾燥したフラスコに、ＴＩＰＤＳアデノシン（０．５ｇ，０．９８ｍｍｏｌ）及び５ｍＬの乾燥ＤＭＦが加えられた。チオカルボニルイミダゾール（ＴＣＤＩ）が加えられ、その橙色溶液が室温で２０時間攪拌された。その溶液は、飽和ＮＨ４ Ｃｌ溶液（６０ｍＬ）に加えられ、ＥｔＯＡｃ（３×２５ｍＬ）で抽出された。その有機抽出液は、Ｎａ２ ＳＯ４ で乾燥され、そして減圧濃縮されて、生成物を与えた（０．４９ｇ，８１％収率）。この物質は、以下に記載する脱酸素工程に直接使用された。
１ＨＮＭＲでそれが目的生成物であることを確認した。
【００７６】
2004521063.tif 000020
表題の化合物が、アデノシン類縁体について実施例３４に示した操作に従って調製され、そして更に精製することなく脱酸素工程に使用された。
【００７７】
2004521063.tif 000021
オーブンで乾燥されたアルゴン雰囲気下のフラスコに、ＴＩＰＤＳアデノシン（１．５ｇ，２．９４ｍｍｏｌ）及び１８ｍＬのアセトニトリルが加えられた。そのフラスコは、冷浴中で−１０℃に冷却されてから、ＤＭＡＰ（０．８ｇ，６．５４ｍｍｏｌ，２．２当量）が加えられた。その溶液は、その冷浴中で２０分間攪拌されから、クロロチオノギ酸３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（０．８１ｇ，３．５５ｍｍｏｌ）がシリンジを通して滴下された。その溶液は、−１０℃で２０分間攪拌されてから室温で更に１５時間攪拌された（室温で攪拌されている間に溶液から固体が出始めた）。次いで、その混合液は、アセトニトリルを除くために減圧濃縮され、そして残渣がＥｔＯＡｃ（７５ｍＬ）と１ＮＨＣｌ（５０ｍＬ）の間に分けられた。水性層がＥｔＯＡｃ（２×１５ｍＬ）で抽出された。合わされたＥｔＯＡｃ層は、ＮａＨＣＯ３ （５０ｍＬ）及び食塩水（５０ｍＬ）で洗浄され、そしてＮａ２ ＳＯ４ で乾燥された。その溶液は、減圧濃縮され、そして、残渣がヘキサン／ＥｔＯＡｃ３：１を使用するカラムクロマトグラフィーによって精製されて、表題の化合物を与えた（１．５２ｇ，７６％収率）。
【００７８】
2004521063.tif 000022
表題の化合物が、アデノシン類縁体について実施例３６に示した操作に従い、反応体としてクロロチオギ酸フェニルを使用して、調製され精製された。
【００７９】
2004521063.tif 000023
表題の化合物が、アデノシン類縁体について実施例３６に示した操作に従って調製され精製された。
【００８０】
2004521063.tif 000024
表題の化合物が、アデノシン類縁体について実施例３６に示した操作に従い、反応体としてクロロチオギ酸フェニルを使用して、調製され精製された。
【００８１】
実施例４０  ３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護−２’−デオキシアデノシンの調製  ０．５ｇの３’，５’−ＴＩＰＤＳ−２’−Ｏ−チオカルボニルイミダゾールアデノシンに、０．８１ｇのトリエチルシラン及び１ｍＬのトルエンが加えられた。その混合液は油浴中で９０℃に加熱され、この時点で０．０２３ｇの１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）（ＡＣＮ）が加えられた。その混合液は、１１８℃（一定温度油浴）で１時間加熱された。この時点で更に０．０２３ｇのＡＣＮが加えられ、加熱が１．２時間続けられ、次いで、更に０．０２３ｇのＡＣＮが加えられた。この混合液は、更に４時間加熱されて１１８℃での総加熱時間は約６時間となった。ＴＬＣで反応が完結したことが分かった（ＴＬＣ，３：１ＥｔＯＡｃ／ヘキサン，２ＮＨ２ ＳＯ４ 中の硫酸セリウムを使用してからスポットを目視できるように加熱した）。溶媒がロータリーエバポレーターにより除去され、そして、少量のヘキサン中の残渣が、濾過器内のＳｉＯ２ ゲルの充填物（高さ２．２ｃｍで直径３．２ｃｍ）に加えられた。副生成物が４：１のヘキサン：ＥｔＯＡｃを使用して溶出され、次いで、生成物がＥｔＯＡｃ中５％ＭｅＯＨで溶出され、乾燥後に目的化合物を与えた（０．３ｇ，８６％収率）。
【００８２】
実施例４１  ３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護−２’−デオキシグアノシンの調製
表題の化合物が、アデノシン類縁体について実施例４０に示した操作に従って調製され精製された。２０当量のＥｔ３ ＳｉＨを使用して約１６時間還流する典型的な反応で、約８０％収率の表題の化合物が与えられる。
【００８３】
実施例４２  ３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護−２’−デオキシアデノシンの調製
ポリヒドロキシメチルシラン（３．２ｇ，０．１９ｍｍｏｌ）に続いて１．５ｍＬのトルエンが、オーブンで乾燥されたフラスコ中の３’，５’−ＴＩＰＤＳ−２’−Ｏ−チオカルボニルイミダゾールアデノシン（０．３ｇ，０．４２ｍｍｏｌ）に加えられた。得られた溶液は、アルゴン雰囲気下で１２０℃に維持された油浴中で加熱された。０．４当量のＡＣＮが１．５時間の間隔をあけて２分割して加えられた。４時間加熱した後、ＴＬＣで少量の出発原料が依然として存在することが分かった。ポリマー性シラン０．４当量及びＡＣＮ０．５当量が加えられた。更に１２０℃で３時間加熱した後、ＴＬＣで反応が完結したことが分かった。生成物は、生成物の標品と同時スポットされ、１スポットだけを示した。
【００８４】
実施例４３  ３’−Ｏ，５’−Ｏ−ビス保護−２’−デオキシグアノシンの調製  表題の化合物が、アデノシン類縁体について実施例４２に示した操作に従って調製された。
実施例４４  ＴＩＰＤＳ基の除去
デオキシヌクレオシド生成物からのＴＩＰＤＳビス保護の除去は、ＴＨＦ中のフッ化水素とトリエチルアミンでの処理により容易になった。
【００８５】
当業者は、本発明の好ましい態様に数多くの変更や修飾がなされ得ること、及びそのような変更や修飾が本発明の精神から逸脱することなくなされ得ることを理解するであろう。従って、請求項の精神及び範囲が、本明細書に含まれる好ましい態様の記載に限定されず、それら請求項は、本発明の精神及び範囲内に属する全ての均等物をカバーすることが意図されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
２’−デオキシヌクレオシドのそのリボヌクレオシドからの調製を示す。
【図２】
２’，３’−ジデヒドロ−２’，３’−ジデオキシヌクレオシド及び２’，３’−ジデオキシヌクレオシドのそのリボヌクレオシドからの調製を示す。
【図３】
５’−デオキシヌクレオシドのそのリボヌクレオシドからの調製を示す。
【図４】
２’，３’−ジデオキシヌクレオシドのそのリボヌクレオシドからの調製を示す。
【図１】
2004521063.tif 000025
【図２】
2004521063.tif 000026
【図３】
2004521063.tif 000027
【図４】
2004521063.tif 000028
【国際公開パンフレット】
2004521063.tif 000029
2004521063.tif 000030
2004521063.tif 000031
2004521063.tif 000032
2004521063.tif 000033
2004521063.tif 000034
2004521063.tif 000035
2004521063.tif 000036
2004521063.tif 000037
2004521063.tif 000038
2004521063.tif 000039
2004521063.tif 000040
2004521063.tif 000041
2004521063.tif 000042
2004521063.tif 000043
2004521063.tif 000044
2004521063.tif 000045
2004521063.tif 000046
2004521063.tif 000047
2004521063.tif 000048
2004521063.tif 000049
2004521063.tif 000050
2004521063.tif 000051
2004521063.tif 000052
2004521063.tif 000053
2004521063.tif 000054
2004521063.tif 000055
2004521063.tif 000056
2004521063.tif 000057
2004521063.tif 000058
2004521063.tif 000059
2004521063.tif 000060
2004521063.tif 000061
2004521063.tif 000062
2004521063.tif 000063
2004521063.tif 000064
2004521063.tif 000065
2004521063.tif 000066
2004521063.tif 000067
2004521063.tif 000068
2004521063.tif 000069
2004521063.tif 000070
2004521063.tif 000071
2004521063.tif 000072
2004521063.tif 000073
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004521063.tif 000074
【国際調査報告】
2004521063.tif 000075
2004521063.tif 000076