(57)【要約】本発明は、ガイド活性構造１２を含む半導体光増幅器構成要素１を含む光増幅器デバイスに関する。本発明は、前記ガイド活性構造１２に、前記構成要素１を前記デバイスに一体化することから生じる前記構成要素１に外部応力がかけられ、前記構成要素１が、前記光増幅器デバイスのゲインを、増幅される光の偏光に影響を受けないようにするために、前記光の偏光の状態に対する制御された感度を有することを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガイド活性構造（１２）を含む半導体光増幅器構成要素（１）を一体化する光増幅器デバイスであって、ガイド活性構造（１２）が、前記デバイスに前記構成要素を一体化することから生じる前記構成要素（１）への外部応力を受けること、および、前記光増幅器デバイスのゲインを、増幅すべき光の偏光の状態の影響を受けないものにするために、前記構成要素（１）が、増幅すべき前記光の偏光の状態に対して制御された感度を有することを特徴とする光増幅器デバイス。
【請求項２】
構成要素（１）への外部応力が、受動的自動位置合わせ法によって、基板（３０）上に前記構成要素（１）を搭載することから生じることを特徴とする、請求項１に記載の光増幅器デバイス。
【請求項３】
構成要素（１）への外部応力が、ガイド活性構造（１２）の上方に位置し、かつ前記ガイド活性構造（１２）とほぼ同じ幅の電極（２２）によって、前記構成要素（１）を接続することから生じることを特徴とする、請求項１に記載の光増幅器デバイス。
【請求項４】
増幅すべき光の偏光の状態に対する構成要素（１）のゲインの感度が、ガイド活性構造（１２）を構成する半導体材料の格子不整合を調整することによって制御されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の光増幅器デバイス。
【請求項５】
増幅すべき光の偏光の状態に対する構成要素（１）のゲインの感度が、ガイド活性構造（１２）の閉じ込め係数を調整することによって制御されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の光増幅器デバイス。
【請求項６】
増幅すべき光の偏光の状態に対する構成要素（１）のゲインの感度が、ガイド活性構造（１２）を取り囲むリボンに対して、酸化物を堆積することによって誘発される力を調整することによって制御されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の光増幅器デバイス。
【請求項７】
増幅すべき光の偏光の状態に対する光構成要素（１）のゲインの感度が、ガイド活性構造（１２）の２つの断面をそれぞれ、増幅すべき光の偏光のＴＥモードおよびＴＭモードのゲインに有利なように、能動的に調整することによって制御されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の光増幅器デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、光信号を増幅することに関する。典型的な応用例は、光ファイバ通信ネットワークにある。光ファイバ通信ネットワークによって伝送される信号は、バイナリー形式で伝送される情報を搬送するパルスから構成されている。このパルスは、ネットワーク内で伝播中に受ける出力損失を補償するために増幅されなければならない。
【０００２】
半導体光増幅器デバイスは、この増幅を提供するための１つの解決策を構成する。半導体光増幅器デバイスは、非常に高いビットレートの光通信ネットワークにおいて、多くの重要な光電子機能の心臓部でもある。限定しない例は、波長変換器および高速光ゲートを含む。すべてのこのような応用例において、光増幅器デバイスは、光ファイバと「インライン」で使用されている。光ファイバは、入射した光の偏光を維持しないため、半導体光増幅器の特性は、増幅すべき光の偏光の状態に左右されてはならない。
【０００３】
しかし、特別な対策がない場合、光増幅器のすべての特性、特にそのゲインは、光増幅器が受け取る光の偏光の状態に敏感である。これについては、以下、増幅器の偏光感度（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）と呼ぶことによって、より簡潔に称する。
【０００４】
光の偏光に対するゲインの感度は、パラメータΔＧＴＥ／ＴＭ（ｄＢ）＝ＧＴＥ（ｄＢ）−ＧＴＭ（ｄＢ）によって定量化できる。ここで、Ｇ（ｄＢ）は、デシベルで表された増幅器のゲインを表し、下付き文字ＴＥおよびＴＭは、光が増幅器内を伝播できる２つのモードに対応する。ΔＧＴＥ／ＴＭ（ｄＢ）が正の値であった場合、用語「ＴＥ感度」が使用され、これが負であった場合は、用語「ＴＭ感度」が使用される。
【０００５】
一般的に、光ファイバ通信システムにおいて使用するために、光電子デバイスは、光学的および電気的な入力および／または出力インターフェイスを有していなければならない。そこで、用語「光電子モジュール」が使用される。
【０００６】
本発明に関連して、最も単純なモジュールは、半導体光増幅器（ＳＯＡ、Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）を構成するチップを含む。このチップは、例えば、シリコンの基板に搭載され、電極によって接続されている。このモジュールは、ＳＯＡチップと入出力光ファイバとの間に光結合手段も含む。
【０００７】
理論は、基板上にＳＯＡチップを搭載するためのいくつかの技術が、チップの活性層に、パラメータΔＧ、つまり、ΔＧ（ｄｅｖｉｃｅ）≠ΔＧ（ＳＯＡ）を修正する応力場を発生することができることを示している。このことは、実験によって確認されている。応力は、例えば、基板にＳＯＡチップを固定する時に作用する復帰力（ｒｅｔｕｒｎ　ｆｏｒｃｅ）から、または接続ランドによって作用する力から、またはＳＯＡチップを光増幅器デバイスに一体化する結果として、ＳＯＡチップ上に作用するどんな力からでも生じる可能性がある。
【０００８】
したがって、本発明は、特に、光の偏光に対する光増幅器デバイスの感度を排除する、または少なくとも制限することが必要である状況に適用できる。目標は、｜ΔＧ（ｄｅｖｉｃｅ）｜＜１ｄＢを達成することである。
【０００９】
さらに一般的には、本発明は、偏光に対する光増幅器デバイスの感度が、ゼロまたは小さくなければならない場合、常に応用例がある。
【００１０】
本発明は、構造には関係なく、ＳＯＡチップを含むデバイスに適用される。以下に述べる実施形態において、ＳＯＡチップは、「埋め込みリボン」型のものである。このチップを生産するために使用される活性構造（すなわち、これは、活性リボン内に電荷キャリヤを注入する）は、埋め込みリッジ構造（ＢＲＳ、Ｂｕｒｉｅｄ　Ｒｉｄｇｅ　Ｓｔｒｕｃｔｕｅ）として知られている。
【００１１】
この種の従来技術の半導体光増幅器構成要素１（図１に示す）は、それぞれ屈折率を有し、共通の結晶格子を形成する半導体材料の層を含むウエハ２を含む。機械的応力のない状態で、これらの材料の個々の格子は、材料の個々の格子パラメータを構成する特徴的な寸法を有する。これらの層は、長手方向ＤＬおよび横断方向ＤＴを構成する２つの水平方向とともに、三直交三面体を形成する垂直方向ＤＶに連続体を形成し、これらの方向は、ウエハ２に関して定義されている。これらの層は、底部面４から頂部面６へ、垂直方向ＤＶに上向きに連続体を形成する。ウエハ２は、少なくとも以下の層、または、層のグループ、または、層の部分を含む。
−　第１の導電型を有する半導体基本材料を主に含む基板８。この基板は、ウエハ２の結晶格子の全体に、基本材料の格子の寸法を課すために十分厚い。
−　材料に導入された両方の導電型の電荷キャリヤの励起された再結合によって、光を増幅することができる活性材料を含む活性層１０。
−　周囲の材料の屈折率より大きな屈折率を有する少なくとも１つの埋め込みリボンを含むガイド構造１２。このリボン１２は、光を長手方向ＤＬに誘導するために、長手方向に延長する。リボン１２は、横断方向幅Ｉおよび垂直方向厚さｅを有する。
−　最後に、第１の導電型の逆である第２の導電型を有する材料を含む頂部閉じ込め層１８。
【００１２】
増幅器は、活性材料内に２つの導電型の電荷キャリヤを注入するため、電流が、ウエハ２の底部面４と頂部面６との間を流れることを可能にするために、これらの面上にそれぞれ形成された底部電極２０および頂部電極２２をさらに含む。
【００１３】
従来技術の半導体光増幅器の基本材料は、ＩＩＩ−Ｖ族材料、典型的には、リン化インジウムおよびガリウムヒ素である。活性材料は、典型的に、これと同じ化学元素を含む三元または四元材料である。光を誘導するリボン１２の幅Ｉは、リボンのエッチングを容易にするため、かつ最も重要なことに、同じ半導体ウエハ上に、増幅器を他の光構成要素と一体化することを容易にするために、一般に、１マイクロメートルより大きいことが必要である。したがって、厚さｅは、光の単一モード誘導を確実にするために、幅Ｉよりはるかに小さくなければならず、光の波長は、典型的に、１３１０ナノメートルまたは１５５０ナノメートルである。特定の対策が実施されない場合、前述したＳＯＡチップの偏光感度をもたらすものは、リボン１２の断面のこの長方形の形状である。
【００１４】
埋め込みリッジ構造（ＢＲＳ）増幅器において、増幅される光を誘導するリボン１２を含む活性材料１０は、屈折率が活性材料の屈折率より僅かに小さい二元半導体材料１４、１６によって、すべての側面を囲まれている。述べた実施形態において、活性材料１０は均一であり、この場合、バルク材料と呼ばれる。この例は、本発明を限定するものではなく、本発明は、活性層１０の材料が、多重量子井戸からなる場合にも、同様に適用される。
【００１５】
リボン１２と周囲の二元材料１４、１６との間の屈折率差が小さく、および埋め込みリボン１２が明確な長方形の断面であるとすると、水平方向偏光の波の閉じ込め係数は、垂直方向偏光の波の閉じ込め係数より大きく、２つの閉じ込め係数の差は、リボンの厚さｅに対する幅Ｉの比が増加するに従い、増加する。閉じ込めは、リボンの断面の形状および寸法によって、および、リボンの材料および周囲の材料の屈折率によって、各偏光および各波長について定義されている。したがって、閉じ込め係数の比は、ΓＴＥ／ΓＴＭとして定義される。
【００１６】
入射光の偏光状態に対するＳＯＡチップのゲインの感度は、ノルウエーのオスロでの光通信に関するヨーロッパ会議（ＥＣＯＣ）の論文集　ＷｅＤ．２．３，１９９６年における、Ｊ．Ｙ．Ｅｍｅｒｙ、Ｐ．Ｄｏｕｓｓｉｅｒｅ、Ｌ．Ｇｏｌｄｓｔｅｉｎ、Ｆ．Ｐｏｍｍｅｒｅａｕ，Ｃ．Ｆｏｒｔｉｎ、Ｒ．Ｎ’Ｇｏ、Ｎ．Ｔｓｈｅｒｐｎｅｒ、Ｊ．Ｌ．Ｌａｆｒａｇｅｔｔｅ、Ｐ．Ａｕｂｅｒｔ、Ｆ．Ｂｒｉｌｌｏｕｅｔ、Ｇ．Ｌａｕｂｅ、およびＪ．Ｂａｒｒａｕによる発表「Ｎｅｗ，ｐｒｏｃｅｓｓ　ｔｏｌｅｒａｎｔ，　ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　１．５５μｍ　ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ　ｉｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｏｐｔｉｃａｌ　ａｍｐｌｉｆｉｅｒ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｌｏｗ　ｔｅｎｓｉｌｅ　ｂｕｌｋ　ＧａＩｎＡｓＰ（低張力バルクＧａＩｎＡｓＰに基づく新しい耐プロセス高性能１．５５マイクロメートル偏光非感受性半導体光増幅器）」において導出された、以下の等式によって与えられる。
ΔＧ（ＳＯＡ）（ｄＢ）＝ＧＴＥ（ｄＢ）・（１−ｇＴＭ／ｇＴＥ・ΓＴＥ／ΓＴＭ）　　　　　　　［１］
ここで、ＧＴＥ（ｄＢ）は、ＴＥ光伝播モードに対する半導体光増幅器のゲインであり、ｇＴＭ／ｇＴＥは、活性材料のゲインの比であり、ΓＴＥ／ΓＴＭは、閉じ込め係数の比である。
【００１７】
この実施形態については、偏光感度が、リボン１２の形状（閉じ込め係数比）、並びに、活性層の材料にかかる応力（ゲイン比）によって決定されることが分かる。
【００１８】
したがって、および、応力の性質および発生源にかかわらず、ＳＯＡチップ１のガイド活性構造１２にかけられた応力場は、活性材料の応答の等方性を変える、すなわち、ｇＴＭ／ｇＴＥ≠１とする。
【００１９】
光増幅器デバイスを作成するために、前述した光増幅器構成要素またはＳＯＡチップは、光ファイバ、検出器などの他の光構成要素とともに、モジュールに一体化するために、基板上に搭載される。
【００２０】
基板上にＳＯＡチップを搭載するための技術は、いくつかある。「安価な」構成要素を製造するための１つの従来技術は、ＳＯＡチップの「フリップチップ」搭載として知られており、これは、自動位置合わせとして知られているプロセスによって、チップをひっくり返し、基板上に配置することを必要とする。この技術は、図２に概略して示される。
【００２１】
この自動位置合わせ技術は、ＳＯＡチップ１上および基板３０上に相補的な切れ込み３２、３４を作成すること、および、チップ１が、基板３０上にフリップチップ搭載される時に、チップ１上にかけられる復帰力Ｆによって、それらを接合させることを含む。この復帰力Ｆは、チップ１上および基板３０上に堆積された個々の金属製スタッド２５、２６を溶融することを含む方法によって、基板３０にチップ１を溶接する時に得られる。この方法では、金および金／錫のスタッドが、一般に使用されている。相補的な切れ込み３２、３４のために、ＳＯＡチップは、それ自体が窪み３２に関して位置合わせされている溝内に置かれた光ファイバの前面に自動位置合わせされる。したがって、表現「光ファイバの前面におけるＳＯＡチップの受動的自動位置合わせ」は、２０００年に米国のラスベガスで行われたＥＴＣＴ２０００におけるＷ．Ｒｅｈｍ、Ｋ．Ａｄａｍ、Ａ．Ｇｏｔｈ、Ｗ．Ｊｏｒｇ、Ｊ．Ｌａｕｃｋｎｅｒ、Ｊ．Ｓｃｈｅｒｂ、Ｐ．Ａｒｉｂａｕｄ、Ｃ．Ａｒｔｉｇｕｅ、Ｃ．Ｄｕｃｈｅｍｉｎ、Ｂ．Ｆｅｒｎｉｅｒ、Ｅ．Ｇｒａｒｄ、Ｄ．Ｋｅｌｌｅｒ、Ｓ．Ｋｅｒｂｏｅｕｆ、Ｓ．Ｒａｂａｒｏｎ、Ｊ．Ｍ．Ｒａｉｎｓａｉｎｔ、Ｄ．Ｔｒｅｇｏａｔ、Ｊ．Ｌ．Ｎｉｃｇｕｅ、Ａ．Ｔｏｕｒｎｅｒｅａｕ、Ｐ．Ｊ．Ｌａｒｏｕｌａｎｄｉｅ、Ｐ．Ｂｅｒｔｈｉｅｒによる発表「ＳＴＭのための低コストレーザモジュール」において論じられているように使用されている。
【００２２】
復帰力Ｆは、ＳＯＡチップ１のガイド活性構造１２に応力場を誘発し、これが、増幅される光の偏光に対するその感度を修正することが分かっている。この感度は、固定された組み立て手順に対して再現性がある。例えば、上記に説明した受動的自動位置合わせ技術、および、活性構造が式［１］に対応し、２８ｄＢ程度の内部ゲインＧＴＥ（ｄＢ）を有するＳＯＡチップを使用すると、ＳＯＡチップの感度の偏位ΔＧ（ｄｅｖｉｃｅ）−ΔＧ（ＳＯＡ）の振幅は、＋２ｄＢ程度である。
【００２３】
本発明の目的は、従来技術の短所を取り除くことである。
【００２４】
このために、本発明は、補足的な内部および外部応力を、ＳＯＡチップのガイド活性構造に直接印加することによって、低コストの光増幅器デバイスにＳＯＡチップを一体化することの不要な効果を補償することを提案し、そのため、前記ガイド活性構造が受ける全体的な応力は、増幅器デバイスのゲインを、光の偏光の影響を受けないものにする。
【００２５】
したがって、ＳＯＡチップは、意図的に、増幅される光の偏光に敏感にさせられ、そのため、ＳＯＡチップが一体化される光デバイスは、前記光の偏光の影響を受けないものとなる。
【００２６】
本発明は、さらに詳細には、ガイド活性構造を含む半導体光増幅器構成要素を一体化する光増幅器デバイスに関し、ガイド活性構造が、前記構成要素を前記デバイスに一体化することから生じる、前記構成要素に対する外部応力を受けること、および、前記構成要素が、前記光増幅器デバイスのゲインを、増幅すべき光の偏光の状態の影響を受けないものにするために、増幅すべき前記光の偏光の状態に対して制御された感度を有することを特徴とする。
【００２７】
１つの特徴によれば、構成要素に対する外部応力は、受動的自動位置合わせ法によって、前記構成要素を、基板上に搭載することから生じる。
【００２８】
他の特徴によれば、構成要素に対する外部応力は、ガイド活性構造の上方に設置され、前記ガイド活性構造とほぼ同じ幅の電極によって、前記構成要素を接続することによって生じる。
【００２９】
１つの実施形態において、増幅すべき光の偏光の状態に対する構成要素のゲインの感度は、ガイド活性構造を構成する半導体材料の格子不整合を調整することによって制御される。
【００３０】
他の実施形態において、増幅すべき光の偏光の状態に対する構成要素のゲインの感度は、ガイド活性構造の閉じ込め係数を調整することによって制御される。
【００３１】
他の実施形態において、増幅すべき光の偏光の状態に対する構成要素のゲインの感度は、ガイド活性構造を取り囲むリボンに対して酸化物を堆積することによって、誘発された力を調整することによって制御される。
【００３２】
他の実施形態において、増幅すべき光の偏光の状態に対する光構成要素のゲインの感度は、ガイド活性構造の２つの断面をそれぞれ、増幅すべき光の偏光のＴＥモードおよびＴＭモードのより高いゲインに有利なように、能動的に調整することによって制御される。
【００３３】
本発明の特徴および長所は、限定しない例示的な例として、図面を参照して述べる以下の説明を読めば明らかになろう。
【００３４】
以下の説明は、光モジュール内にあり、基板３０上に搭載され、電極２２によって接続されている構成要素１（ＳＯＡチップ）を含む光増幅器デバイスに関する。
【００３５】
本発明の目的は、｜ΔＧ（ｄｅｖｉｃｅ）｜＜１ｄＢを備えた、増幅される光の偏光に対して影響を受けないデバイスを提供することである。
【００３６】
デバイスの偏光に対する感度が、ＳＯＡチップ１のガイド活性構造１２にかかる応力場によって影響を受け、この応力場が、チップ自体から（活性層１０またはガイド活性構造１２の内部の形状または材料の応力）、または、チップをデバイスに組み立てること（外部の搭載または接続の応力）から生じることがあることは、既に証明されている。これらの応力場は、ガイド活性構造１２の材料ゲインの比を修正する、すなわち、ｇＴＭ／ｇＴＥ≠１となる。
【００３７】
したがって、本発明は、チップを光モジュールに組み立てることによって誘発される感度を補償するために、ＳＯＡチップが、意図的に、増幅される光の偏光のモードに敏感にされる（すなわち、ΔＧ（ＳＯＡ）≠０）という事実を特徴とする。
【００３８】
したがって、ＳＯＡチップ１のガイド活性構造１２は、一方で、チップ１をデバイスに一体化する結果として得られる外部応力が、および、他方で、チップ１の内部の補足の応力がかかり、これらの２つの応力の組み合わせは、前記光増幅器デバイスのゲインを、増幅される光の偏光に対して影響を受けないものにする。
【００３９】
本発明の適用例および用途によっては、チップをモジュールに一体化することの外部応力が、受動的自動位置合わせ法によって、基板３０上にＳＯＡチップ１を搭載すること、および／または、チップ１を、ガイド活性構造２２の上方に設置された電極２２によって接続することから生じることができ、電極は、ガイド活性構造とほぼ同じ幅である。
【００４０】
受動的自動位置合わせ法に採用された復帰力は、チップのガイド活性構造１２にかかる応力場を含む。
【００４１】
同様に、ガイド活性構造１２とほぼ同じ寸法を有する電極２２によってチップ１を接続することは、増幅される光の偏光に対する活性材料１０の応答の等方性を変える力を、活性構造１２に誘発することができる。
【００４２】
この目的で、構成要素１は、構成要素１のゲインが、増幅される光の偏光に対する制御された感度を有するように構成されている。したがって、チップのガイド活性構造１２は、構成要素をデバイスに一体化することによって引き起こされ、ＳＯＡチップに直接印加される応力以外の応力を受ける。
【００４３】
第１の実施形態において、ＳＯＡチップ１のゲインの感度は、ガイド活性構造１２を構成する半導体材料の格子不整合を調整することによって制御することができる。
【００４４】
出願者の米国特許第５，９８２，５３１号は、ＳＯＡチップの埋め込みリボンの明確な長方形の形状にもかかわらず、光の偏光に影響を受けないものにされたＳＯＡチップを提案している。増幅器は、増幅器の活性材料に、そのゲインを、増幅される前記光の偏光に対して影響を受けないようにするために、十分な引張応力を受けることを特徴とする。この応力は、一般に、活性材料と基本材料の間の格子不整合の結果として生じる。
【００４５】
上述した種類の技術は、本発明に関連して、ＳＯＡチップ１のガイド活性構造１２のゲインを、増幅される光の偏光に対して意図的に影響を受けないものにするために、変形することができる。
【００４６】
活性層内の格子不整合を表すパラメータΔａ／ａを制御する法則は、当技術分野において知られており、式［１］を参照して上記に引用した発表において開発されている。したがって、組み立てること、および／またはＳＯＡチップを光デバイスに接続することによって、誘発された（および、これが選択された方法によって決定されているため、知られている）感度を補償するための特定のＴＥまたはＴＭ偏光感度を有する、米国特許第５，９８２，５３１号において開発された技術によるＳＯＡチップを生産することが可能となる。
【００４７】
異なる実施形態において、ＳＯＡチップ１のゲインの感度は、ガイド活性構造１２の閉じ込め係数ΓＴＥ／ΓＴＭを調整することによって制御することができる。リボンの形状が、光の偏光に対するリボンの感度に直接影響を及ぼすことは、既に説明した。
【００４８】
チップ１の活性構造１２を取り囲むリボン上に酸化物を堆積させることによって、ＳＯＡチップ１のゲインの感度を制御することも同様に可能である。これは、酸化物の性質によって、引張または圧縮力を誘発し、これが、ＴＥモードに対する、またはＴＭモードに対する、ＳＯＡチップ１のゲインの感度を修正する。
【００４９】
活性構造１２の２つの増幅器断面の能動的な調整によって、ＳＯＡチップ１のゲインの感度を制御することにも、配慮することができ、そのそれぞれは、増幅される光の偏光のＴＥモードおよびＴＭモードのそれぞれのより大きなゲインを与える。
【００５０】
述べた実施形態は、増幅される光の偏光の状態に対するゲインの感度が、光モジュールにチップが搭載された後に、ゲインが、増幅される光の偏光の状態に対して影響を受けない増幅器デバイスを得るように、完全に制御されるＳＯＡチップ１を得るために組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の埋め込みリボンＳＯＡチップを示す図である。
【図２】受動的自動位置合わせ技術を示す図である。
【符号の説明】
１　光増幅器構成要素
２　ウエハ
４　底部面
６　頂部面
８、３０　基板
１０　活性層
１２　ガイド構造
１４、１６　二元材料
１８　閉じ込め層
２０　底部電極
２２　頂部電極
３２、３４　窪み
【図１】
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【図２】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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