(57)【要約】一実施形態では、スピンコート法は、大気圧下での沸点約１１０〜約２５０℃、極性指数約４．０以上及びｐＨ約５．５〜約９の溶液溶媒と、溶液の総重量を基準にして約３〜約３０ｗｔ％の熱可塑性ポリマーとの溶液を分配し、基板を回転させ、溶液溶媒を除去して、被覆基板の表面全体でのアスペリティの数が１０以下の塗膜を有する被覆基板を製造することを含んでなる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピンコート方法であって、
大気圧下で約１１０〜約２５０℃の沸点を有する溶液溶媒と、溶液の総重量を基準にして約３〜約３０ｗｔ％のプラスチックとの溶液を基板上に分配し、
基板を回転させ、
溶液溶媒を除去して、被覆基板の表面全体でアスペリティの数が１０以下の塗膜を有する被覆基板を製造する
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
前記溶液溶媒が、さらに、約１２５〜約１８０℃の沸点を有する第一の溶剤と約１９０℃以上の沸点を有する第二の溶媒とを含んでおり、基板を回転させて基板を溶液で被覆することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第一の溶媒が約１２５〜約１５５℃の沸点を有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記溶液が、溶液溶媒の総重量を基準にして約５〜約５０ｗｔ％の第一の溶媒を含む、請求項２又は請求項３記載の方法。
【請求項５】
コーティング溶液が約２５〜約４５ｗｔ％の第一の溶媒を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
第一の溶媒が、アニソール、キシレン及びこれらの第一の溶媒の１種類以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項２〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
第二の溶媒が、クレゾール、γ−ブチロラクトン、アセトフェノン、Ｎ−メチルピロリドン及びこれらの第二の溶媒の１種類以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項２〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記溶液溶媒が、さらに約４．０以上の極性指数及び約５．５〜約９のｐＨを有する、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
さらに、基板上方で渦巻状並進運動によってディスペンサーを移動させながら溶液を分配することを含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
さらに、基板上方で円弧状並進運動によってディスペンサーを移動させながら溶液を分配することを含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
さらに、分配時は遅い速度で基板を回転させ、基板を被覆するための回転時には速い速度で基板を回転させることを含む、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
スピンコート方法であって、
基板上方で円弧状並進運動によってディスペンサーを移動させながら第一の速度で基板上に溶液を分配し、
第二の速度で基板を回転させて基板を溶液で被覆する
ことを含んでなり、第一の速度が第二の速度よりも遅い、方法。
【請求項１３】
前記プラスチックが、約１００００〜約５０００００ダルトンの重量平均分子量を有する熱可塑性ポリマーを含む、請求項１〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記重量平均分子量が約２００００〜約７００００ダルトンである、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記熱可塑性ポリマーが約１８０〜約３００℃のＴｇを有する、請求項１３又は１４記載の方法。
【請求項１６】
Ｔｇが約２００〜約２６０℃である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記プラスチックが、カルボン酸、カルボン酸塩、無水カルボン酸物、アミン、フェノール、アルコール、ニトリル、エポキシド、オキセタン、イソシアネート、シアヌレート、オキサゾール、シクロブチル、アルケン、アルキン及びこれらの基の１以上を含む組合せからなる群から選択される官能基を約２０ｍｅｑ／Ｋｇ以下有する、請求項１〜１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記官能基がカルボン酸からなる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
プロセス全体を通してのプラスチックの重量平均分子量の変化が約２５％以下である、請求項１〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
プロセス全体を通してのプラスチックの重量平均分子量の変化が約１０％以下である、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記プラスチックが、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリアリーレート及びこれらのプラスチックの１種類以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項１〜２０のいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
前記溶液溶媒が、アリールアセテート及びＣ4〜Ｃ10アルキルアセテート、Ｃ2〜Ｃ6アルキルカーボネート、ホルムアミド、Ｎ−Ｃ1〜Ｃ6アルキルホルムアミド、Ｃ1〜Ｃ6アルキルスルホキシド、アルコキシアルキルアセテート、Ｎ−Ｃ1〜Ｃ6アルキルピロリドン、フェノール、Ｃ1〜Ｃ6アルキルフェノール、アリールエーテル、Ｃ1〜Ｃ6アルキルアリールエーテル、Ｃ1〜Ｃ6アルキル尿素、Ｃ4〜Ｃ6スルホラン、Ｎ−アセチル環状エーテル、Ｃ1〜Ｃ6アルキルアセトアミド、Ｃ1〜Ｃ6アルキルホスホルアミド、Ｃ3〜Ｃ6ラクトン、アリールアルキルケトン及びこれらの溶液溶媒の１種類以上を含む混和性の組合せからなる群から選択される、請求項１〜５、８〜２１のいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
前記溶液溶媒が、酢酸ブチル、炭酸ジエチル、ホルムアミド、メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸メトキシエチル、Ｎ−メチルピロリドン、炭酸プロピレン、アニソール、テトラメチル尿素、シメチル尿素、スルホラン、メチルアニソール、Ｎ−アセチルモルホラン、ジメチルアセトアミド、モノメチルアセトアミド、ベラトール、ヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラクトン、アセトフェノン、フェノール、クレゾール、メシトール、キシレノール及びこれらの溶液溶媒の１種類以上を含む混和性の組合せからなる群から選択される、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記溶液溶媒に含まれるハロゲンが、溶液溶媒の総重量を基準にして約１ｗｔ％未満である、請求項１〜２３のいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
前記溶液溶媒が約４以上の比誘電率を有する、請求項１〜２４のいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
前記比誘電率が約１０以上である、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記溶液が、ＡＳＴＭ  Ｄ１８２４に従って室温で測定して約１〜約３００００センチポアズの粘度を有する、請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
前記粘度が約１〜約２０００センチポアズである、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
４５℃で３時間加熱した後の粘度変化が約２５％以下である、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記溶液が、レーザー光散乱法で測定して、長軸に沿って測定して約０．０５マイクロメートル以上の直径を有する粒子を約０．１ｗｔ％以下含む、請求項１〜２９のいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
溶液が、ＡＳＴＭ  Ｄ１００３に従って測定して約５％以下のヘイズを有する、請求項１〜３０のいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
前記ヘイズが約１％以下である、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
溶液に含まれる水分が、溶液の総重量を基準にして約５ｗｔ％以下である、請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法。
【請求項３４】
前記水分が約０．５ｗｔ％以下である、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
被覆基板が２ｌｂ／ｉｎを超える剥離強さを有する、請求項１〜３４のいずれか１項記載の方法。
【請求項３６】
塗膜が約２０Å以下の粗さを有する、請求項１〜３５のいずれか１項記載の方法。
【請求項３７】
前記粗さが約８Å以下である、請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
前記粗さが約５Å以下である、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記塗膜が面積約４ｍｍ2での山−谷の高低差で測定して約１５ｎｍ以下のウェイビネスを有し、基板の表面全体で高さ約２５ｎｍ以下のアスペリティの数が約３以下である、請求項１〜３８のいずれか１項記載の方法。
【請求項４０】
基板の表面全体で塗膜の有するアスペリティの数が約５以下である、請求項１〜３９のいずれか１項記載の方法。
【請求項４１】
基板の表面全体で塗膜の有するアスペリティの数が約３以下である、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
基板の表面全体で塗膜の有するアスペリティの数が約１以下である、請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
アスペリティ高さが約１５ｎｍ以下である、請求項４０〜４２のいずれか１項記載の方法。
【請求項４４】
請求項１〜４３のいずれか１項記載の方法で製造されたスピンコート基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スピンコート法及び該方法で製造した物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
光媒体、磁気媒体及び光磁気媒体は、記憶量１メガバイト当たりの価格が手頃で高い記憶容量の可能な高性能記憶技術の主供給源である。通例、ディスク表面積１平方インチ当たりの１０億ビット数（ギガビット／平方インチ（Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2））で表される面積密度は、線密度（トラック１インチ当たりの情報ビット数）に、１インチ当たりのトラック数であるトラック密度を乗じた値に等しい。面積密度の向上がメガバイト当たりの価格低下の原動力であったが、業界では面積密度の一段の向上が依然として要望されている。
【０００３】
図１に、読取装置３と記録可能又は書換可能な記憶媒体５とを有する低面積密度システム１（すなわち、面積密度５Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2未満のもの）を例示する。記憶媒体５は、データ層７、誘電体層９及び９′、反射層１１及び保護層１３を始めとする従来型の層を有する。システム１の動作時には、読取装置３から発振されたレーザー１５が透明基板１７に入射する。レーザーは基板１７を通り、誘電体層９、データ層７及び第二の誘電体層９′を通過する。レーザー１５は反射層１１で反射され、誘電体層９′、データ層７、誘電体層９及び基板１７を通って読取装置３で読み取られる。
【０００４】
ＣＤとは異なり、またＤＶＤの面積密度を上回る高面積密度性能を有する（通例５Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2を超える）記憶媒体では、面積密度を高めるため通例第一表面又は近接場読取／書込技術が用いられる。かかる記憶媒体では、基板の光学的品質は関係ないが、基板の物理的及び機械的性質は一段と重要性を増す。第一表面用途を始めとする高面積密度用途では、記憶媒体の表面品質は、読取装置の精度、データの記憶能力及び基板の複製品質に影響を及ぼす可能性がある。
【０００５】
通例、記憶媒体は多層膜を含んでおり、ガラス又はアルミニウムのような基板に複数のスパッタ層又は膜を積層したものからなる。かかる層としては、反射層、誘電体層、データ記憶層及び保護層が挙げられる。読取／書込装置と記憶媒体との許容差が極めて小さいため、例えば表面仕上げ、欠陥率など層の品質は、媒体の製造を制御し、さらには制限する主要因子である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、スピンコート法及び当該方法で製造した物品に関する。一実施形態では、スピンコート法は、大気圧下で約１１０〜約２５０℃の沸点、約４．０以上の極性指数及び約５．５〜約９のｐＨを有する溶液溶媒と、溶液の総重量を基準にして約３〜約３０ｗｔ％の熱可塑性ポリマーとの溶液を分配し、基板を回転させ、溶液溶媒を除去して被覆基板の表面全体でのアスペリティの数が１０以下の塗膜を有する被覆基板を製造することを含んでなる。
【０００７】
別の実施形態では、スピンコート法は、プラスチックと、約１２５〜約１８０℃の沸点を有する第一の溶媒と、約１９０℃以上の沸点を有する第二の溶媒との溶液を基板上に分配し、基板を回転させて基板を溶液で被覆することを含んでなる。
【０００８】
さらに別の実施形態では、スピンコート法は、基板を回転させ、基板上方で円弧状並進運動によってディスペンサーを移動させながら基板上に溶液を分配し、基板を回転させて基板を溶液で被覆することを含んでなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
上記その他の特徴を、以下の詳細な説明及び図面によって例示する。
【００１０】
ここで、同様の要素に同じ番号を付した図面について説明する。
【００１１】
図１は、透明基板を用いた従来技術の低面積密度システムの断面図である。
【００１２】
図２は、熱アニール時間（ベーク時間）と粗さとの関係を示すグラフである。
【００１３】
図３は、塗膜が「スポーク」を形成したスピンコート基板の上面図である。
【００１４】
図４は、図３の線４−４での断面図であり、スポークを図示したものである。
【００１５】
図５は、塗膜が「スターバースト」を形成したスピンコート基板の上面図である。
【００１６】
図６は、スピンコートすべき材料を基板上に分配する際の分配アームの一つの動作を示す基板の上面図である。
【００１７】
図７は、スピンコートすべき材料を基板上に分配する際の分配アームの別の動作を示す基板の上面図である。
【００１８】
図８は、裏面の汚染及びアスペリティを低減すべく設計されたスピンチャックの側断面図である。
【００１９】
記憶媒体の幾つかの実施形態では、保護、平坦化、及び／又は完成媒体での物理的トポグラフィ（例えば、ピット、溝など）の形成を可能にするため、完成ディスク上及び／又は基板上にプラスチック層をスピンコートするのが望ましい。これらの用途では、このコーティング法の欠点のため、表面品質、ウェイビネス及びアスペリティ条件を満足するのが難しいことが多い。
【００２０】
多くの情報記憶媒体の厳しい表面品質条件は、殊にスピンコートプラスチック下地層では、満足するのが難しい場合がある。非パターン化データゾーンについての典型的な条件には、粗さが低いこと（例えば、粗さ（Ｒa）約２０オングストローム（Å）以下、好ましくは約１０Å以下、さらに好ましくは約５Å以下）、マイクロ（及びマクロ）ウェイビネス（例えば、面積約４平方ミリメートル（ｍｍ2）での山−谷の高低差で測定）が約３５ナノメートル（ｎｍ）以下、好ましくは約２５ｎｍ以下、さらに好ましくは約１５ｎｍ以下であること、並びにディスク（例えば、約６５００平方ミリメートル（ｍｍ2）以上の表面積を有する）の表面全体でのアスペリティ（約５０ｎｍ以下、好ましくは約２５ｎｍ以下、さらに好ましくは約１５ｎｍ以下の高さをもつもの）の数が約５以下、好ましくは３以下、さらに好ましくは約１以下であることが挙げられる。アスペリティとは、媒体の上面から突き出た不都合な表面特徴をいう。磁気媒体については、品質条件はさらに一段と厳しくなる。例えば、表面粗さは好ましくはＲa約５Å以下であり、マイクロウェイビネスは好ましくは（面積約４ｍｍ2での山−谷の高低差で測定して）約１５ｎｍ以下である。プラスチック層を設けた媒体の追加条件には、基板に対するその層の付着強さがある。付着強さもしくは剥離強さは、当技術分野で公知の幾つかの方法で測定できる。かかる方法の一つでは、まずポリマーフィルムに１０００Åのチタンを堆積する。チタン上に、さらに１０００Åの銅を堆積する。最後に、これらのスパッタ膜の上面に２５マイクロメートルの銅を電気メッキする。これらの金属層を貫通したエッチング又はスクライビングによって幅１／８インチ長さ約１インチ以上の金属線をパターン化する。パターン化した線の一端を、約０．２５インチの長さまで基板から剥離する。この試料を力測定装置（例えばＡｍｅｔｅｋ社から市販）に配置し、パターン化金属線を１５ミリメートル／分（ｍｍ／ｍｉｎ）の速度で基板から剥離するのに要する力を測定する。得られた値に８を乗じてポンド／インチ（ｌｂｓ／ｉｎ）単位の剥離強さを求める。この方法で測定して、約１ｌｂｓ／ｉｎ以上の剥離強さであれば許容範囲内であるが、約２ｌｂｓ／ｉｎ以上が好ましい。
【００２１】
これらの条件を満足するには、汚染を防ぐチャックデザインを採用し、スピンコートすべきポリマー及びスピンコートすべきプラスチック用溶液を適切に選択し、プラスチックのガラス転移温度（Ｔg）以上の温度で熱可塑性樹脂をアニールするか或いは材料固有の軟化点以上（ただし架橋を誘起する温度未満）の温度で熱硬化性樹脂をアニールし、及び／又は適切な特性の熱可塑性ポリマーを使用することによって、不都合な表面欠陥（例えばアスペリティ、マイクロウェイビネス、厚さムラ（エッジビード、「スポーク」、「スターバースト」など）及び粗さ（例えば約２０Åを超えるもの））が低減もしくは完全になくなるように基板表面にプラスチックを分配すればよい。
【００２２】
中心に穴の開いた基板（例えば、対称的な幾何学的形状をもつ情報記憶媒体など）のスピンコートに際しては、回転する基板の内径までアームを並進運動させれば、そこで溶液（例えばプラスチックと溶媒からなるもの）が分配される。こうすると溶液の環が形成されるが、かかる環はいったん形成されれば、コーティング溶液を基板全体に広げるのに十分な速度での遠心力に付される。ただし、この環分配方法は、基板表面での膜厚の均一性に多大なムラを生じる可能性がある。こうしたムラは幾つかの形で現われるが、最も一般的な２つの形態は、内径から外径にかけて比較的細いドーム状の構造の形態を取る「スポーク」（図３及び図４参照）と、膜厚の円周方向のムラとして現われる「スターバースト」パターン（図５）である。これらの図では、センターホール付き基板上のスピンコート膜に典型的にみられる内径から外径にかけての楔形の膜厚を等高線で表し（膜厚は内径で薄く、外径で厚い）、スポーク状及びスターバースト状のムラは追加の等高線又は修正等高線で表してある。
【００２３】
スピンコート法を用いて実質的に均一な厚さ（例えば、厚さムラが１０％以下、好ましくは約５％以下）を達成するには、最初に分配した溶液部分と最後に分配した溶液部分との融合（例えば、最初の分配環と最後の分配環が合流して環を形成する場合に）がうまくいくような粘度をもつコーティング溶液を使用すればよい。約２０００センチポアズ（ｃｐｓ）以下のコーティング溶液粘度を使用できるが、約７５０ｃｐｓ以下であるのが好ましく、約５００ｃｐｓ以下であるのがさらに好ましい。粘度が低いほど、材料が均一に広がる傾向があり、スピンオフ前のニットラインはさほど目立たなくなる。
【００２４】
低粘度コーティング溶液の使用とは別個に又はこれと併用して、基板の内径又はその付近で一段と均一な溶液環を生じる動的分配方法を使用することによって所望の厚さ均一性を得ることができる。実質的な厚さ均一性を達成できる一つの分配パターンは、ディスクを回転させながら、被覆すべき領域の外径から内径まで分配アームを並進運動させつつ溶液を分配することからなる（図６参照）。好ましくは、被覆すべき内径に達したら、少なくとも完全に１回転するまでその領域の上方にアームを保持し、しかる後アームを並進運動で基板の外径まで戻し、溶液の分配を終了する。この方法では、ディスクの表面全体に溶液が渦巻状をなし、内径部で溶液の一様な環を生じる。被覆すべき領域の内径部でコーティング溶液を突然に開始したり停止したりしないので、それに起因する内側環の欠陥がなくなり、厚さの均一性（例えば厚さムラ約５％以下）が得られる。
【００２５】
別法として、ディスク上で円弧をなすように分配アームを並進運動させてもよい（図７参照）。ある公称速度（例えば約１２０回転毎分（ｒｐｍ））でディスクを回転させながらこれを行うと、所望のコーティング内径部に溶液の一様な環を分配することができる。上記の分配方法と同じく、この方法で実質的に一様な内側環の分配が可能となり、基板上に均一な厚さの塗膜を生じる。
【００２６】
厚さが実質的に均一であることだけでなく、アスペリティの数が少ないことも望まれる。アスペリティはコーティング溶液中の粒状夾雑物（例えばプラスチック及び／又は溶媒に由来するもの）及び／又は未溶解ポリマーゲル、さらにはスピンコートプロセスにおけるスパンオフ材料の再付着によって生じることが多いので、分配前にコーティング溶液を濾過するのが好ましい。単一隔膜形又は積層形フィルター（例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、超高密度ポリエチレン（ＵＰＥ）など）を使用すれば、スピンコート基板上のアスペリティの数を大幅に低減することができる。孔径の小さいフィルターを使用すると、公称孔径の大きいフィルター径に比べアスペリティの数及びサイズを低減できるので、公称孔径約１００ｎｍ以下のフィルターが好ましく、公称孔径約５０ｎｍ以下のものがさらに好ましく、約２５以下が特に好ましい。濾過は、コーティング溶液の分配前に行ってもよいし、及び／又は分配段階でのポイント濾過であってもよい。
【００２７】
濾過に加えて、１以上の物理的突起を有するスピンチャックを使用するとアスペリティの数及びサイズの低減に役立つ。図８を参照すると、突起２１はスパンオフ材料がディスクの上面１３又は裏面１５に戻るのを防ぐ。基板の両面が被覆される用途では、裏面の汚染の防止も対処すべき要因であろう。
【００２８】
上述の通り、裏面の汚染は情報記憶媒体の製造において問題となり得る。汚染は、さらにチャック自体との接触にも起因するおそれがある。例えば、（両面に塗膜を有する）基板をチャックから取り出す際、チャックとの接触で、約２５ｎｍ超、約５０ｎｍ超、さらには約１００ｎｍ超のアスペリティを生じるおそれがある。再び図８を参照すると、基板の正面及び裏面への材料の再付着及び被覆領域での基板−チャック接触の防止は、図示した設計によって達成できる。チャックは、基板１の穴と係合する中心部２３（一般にハブと呼ばれる。）を有する。チャックに載せる際、基板１は、好ましくは基板１の第二面１５の塗膜の内径よりも外径の小さいレッジ１９と係合する。
【００２９】
基板１の外径部又はその付近には突起２１が設けられ、この突起２１の高さは好ましくは、静置時に基板１が突起２１と物理的に接触しないように、レッジ１９の高さよりも小さい。従って、突起２１の高さはレッジの高さより小さく、好ましくは夾雑物（及び／又は第一面１３のコーティング溶液粒子）が基板１の下に引き込まれて第二面１５に持ち込まれることがないように十分な大きさをもつ。好ましくは、突起２１の高さはレッジの高さよりも小さいが、レッジの高さの約８５％以上であり、レッジの高さの約９０％以上であるのがさらに好ましく、レッジの高さの約９５％以上であるのがさらに一段と好ましく、レッジ１９の高さの約９８％以上であるのが特に好ましい。突起の長さは、チャックの動作条件下で構造的健全性を与えるのに十分な長さから、レッジ１９と基板１の外周との距離に等しいか又はそれを超える長さまでの範囲である。
【００３０】
チャックの全外径は、好ましくは、基板１の第二面１５の塗膜の外径に実質的に等しいか又はそれを超えるものである。そこで、裏面の汚染を防止するため、少なくとも突起２１は裏面塗膜の外径に実質的に等しいか又はそれを超える外径を有するべきである。適宜、チャックは基板１の外径を超える外径の延長部１７を有していてもよい。延長部１７は、第一面１３から振り落とされた材料（例えば、夾雑物）が空気流によって戻り、第一面１３を汚染するのを防ぐ。
【００３１】
アスペリティと同様、マイクロウェイビネス、粗さ、平坦度などの他の表面品質についても、媒体の使用（例えばディスクの読取及び書込）が可能となるような信頼性の高いヘッドトラッキング及び十分なＳＮ比が達成されるように厳しい規格が設けられている。スピンコート塗膜をもつ基板でこれらの特性に対処する一つの方法は、コーティング溶液に用いる溶媒の種類に関する。一実施形態では、所望の粘度を達成するため溶媒ブレンド又は混合物が好ましい。溶媒の沸点が低すぎて（約１００℃未満のＴb）、揮発性が高すぎると、スピンオフ後に塗膜の局部的な乾燥及びスキンニングが起こるおそれがある。局部的な乾燥及びスキンニングは塗膜に応力勾配を生じる可能性があり、ひいては過度のストライエイション及びマイクロウェイビネスを招きかねない。溶媒の沸点が高すぎる（約１８０℃を超えるＴb）と、スピンコートプロセス時に十分に揮発せず、そのため回転後に粘度の低すぎる塗膜を生じる。こうした塗膜は、回転後に応力及び表面張力（エッジ効果、基板配向）に応じて再流動し、膜厚にムラのある領域を生じるおそれがある。約１００〜約１８０℃（好ましくは約１４５〜約１６５℃）の低い沸点（Ｔb）を有する溶媒と高Ｔb溶媒（例えばＴb約１９０℃以上のもの）との溶媒ブレンドを使用することによって、Ｒa約１０Å以下、さらには約８Å以下、及び面積約４ｍｍ2での山−谷の高低差で測定したウェイビネス約２５ｎｍ以下、さらには約１５ｎｍ以下の表面品質をもつスピンコート塗膜を得ることができる。
【００３２】
低Ｔb溶媒又は高Ｔb溶媒を各々単独で用いる場合とは対照的に、コーティング溶液のスピンコートに際して溶媒ブレンドを使用すると、低沸点溶媒は適度な速度で蒸発して塗膜を乾燥させるとともに粘度を高め、塗膜を「硬化」させてスピンコートプロセス完了後の安易な再流動を防ぐ。高沸点溶媒は揮発性が低いので、塗膜が乾燥しすぎて局部的な応力領域（厚さムラの一因となり得る）を生じることがない。好ましくは、溶媒は、溶媒の総重量を基準にして約５〜約５０重量％（ｗｔ％）、好ましくは約２５〜約４５ｗｔ％、さらに好ましくは約２５〜約３５ｗｔ％の低Ｔb溶媒と、残部の高Ｔb溶媒とからなる。低Ｔb溶媒としては、アニソール（Ｔb約１５５℃）、ジクロロベンゼン（Ｔb約１８０℃）、キシレン（Ｔb約１４０℃）など、さらにはこれらの溶媒の１種類以上を含む組合せが挙げられる。高Ｔb溶媒としては、クレゾール（Ｔb約２００℃）、γ−ブチロラクトン（Ｔb約２０６℃）、アセトフェノン（Ｔb約２０３℃）、Ｎ−メチルピロリドン（Ｔb約２０２℃）など、さらにはこれらの溶媒の１種類以上を含む組合せが挙げられる。
【００３３】
溶媒は、単一溶媒であるかブレンドであるかを問わず、（例えば、磁気媒体用途では）アスペリティ数５以下でＲa２０Å以下、さらにはアスペリティ数３以下でＲa５Å以下の均一なスピンコート塗膜の形成を促す特定の特性を有しているのが好ましい。溶媒（又は溶媒混合物）の特性として、好ましくは、ａ）沸点が大気圧下で約１００〜約３００℃、好ましくは約１１０〜約２５０℃であること、ｂ）ハロゲンフリーであること（すなわち、ハロゲン１％未満）、ｃ）水分量が溶媒の総重量を基準にして約５ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下、さらに好ましくは約０．５ｗｔ％以下であること、ｄ）ｐＨが約５．５〜約９、好ましくは約６〜８、さらに好ましくは約６．５〜約７．５であること、ｅ）極性指数（Ｌ．Ｒ．Ｓｎｙｄｅｒ，Ｊ．Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｓｃｉｅｎｃｅ（Ｖｏｌ．１６），２２３−２３４（１９７８）に記載の溶媒極性）が、好ましくはｐＨ約６〜約８において、約３〜約１０であること、ｆ）比誘電率（Ｋ）が、同じく好ましくはｐＨ約６〜約８において、約４以上、好ましくは約１０以上であること、ｇ）引火点が約２０℃以上、約５０℃以上、好ましくは約１００℃以上であること、及びｈ）凝固点が０℃以下、好ましくは約−２０℃以下であることが挙げられるが、以上の特性の１以上を含む組合せが好ましい。
【００３４】
溶媒としては、アリールアセテート及びＣ4〜Ｃ10アルキルアセテート、Ｃ2〜Ｃ6アルキルカーボネート、ホルムアミド、Ｎ−Ｃ1〜Ｃ6アルキルホルムアミド、Ｃ1〜Ｃ6アルキルスルホキシド、アルコキシアルキルアセテート、Ｎ−Ｃ1〜Ｃ6アルキルピロリドン、フェノール、Ｃ1〜Ｃ6アルキルフェノール、アリールエーテル、Ｃ1〜Ｃ6アルキルアリールエーテル、Ｃ1〜Ｃ6アルキル尿素、Ｃ4〜Ｃ6スルホラン、Ｎ−アセチル環状エーテル、Ｃ1〜Ｃ6アルキルアセトアミド、Ｃ1〜Ｃ6アルキルホスホルアミド、Ｃ3〜Ｃ6ラクトン、アリールアルキルケトン、さらにはこれらの溶媒の１種類以上を含む混和性混合物が挙げられる。かかる溶媒の具体例には、酢酸ブチル、炭酸ジエチル、ホルムアミド、メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸メトキシエチル、Ｎ−メチルピロリドン、炭酸プロピレン、アニソール、テトラメチル尿素、ジメチル尿素、スルホラン、メチルアニソール、Ｎ−アセチルモルホラン、ジメチルアセトアミド、モノメチルアセトアミド、ベラトール、ヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラクトン、アセトフェノン、フェノール、クレゾール、メシトール、キシレノール、さらにはこれらの溶媒の１種類以上を含む混和性混合物がある。本発明の方法で有用とは考えられない溶媒には、水、酢酸、ギ酸、メタノール、エタノール、エタノールアミン、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、アニリン、フェニレンジアミン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、シクロペンタン及び石油エーテルがある。
【００３５】
スピンコート塗膜の粗さ及びマイクロウェイビネスの改善は、被覆後の塗膜を熱アニールすることによっても達成できる。熱可塑性塗膜に関しては、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔg）を上回る温度でアニールすれば、材料が流動して自然と平坦化し、粗さの改善を促すことができる。好ましくは、塗膜のアニールは、実質的な架橋その他の化学修飾を起こさずに塗膜を軟化させるのに十分な温度及び時間で行う。かかる温度はＴgよりも約２５℃以上、好ましくは約５０℃以上、最も好ましくは約１００℃以上高い。アニールによる平滑化又は平坦化は、長時間続けてアニールすることでさらに改善することができ、約２時間以上が好ましく、約１０時間以上がさらに好ましく、約２０時間以上がさらに一段と好ましい。
【００３６】
図２は代表的な熱可塑性ポリマーでのアニール時間と粗さとの関係を示すもので、この概念は、固有軟化温度（例えばポリイミドのポリアミック酸前駆体では約１００〜約１５０℃の温度）を上回る温度でアニールすることによって熱硬化性樹脂その他の架橋性ポリマーにも適用し得る。アニール段階が架橋その他の化学修飾を促進するような高い温度及び／又は長い時間でない限り、粗さの改善を実現できる。
【００３７】
基板との塗膜の密着性を高めるため、オルガノシランその他の接着促進剤などの接着促進剤を適宜使用してもよい。接着促進剤を使用する場合、通例、メタノール、水などの溶媒、さらにはこれらの溶媒の１種類以上を含む組合せに溶解し、プラスチックを塗布する前にディスクに塗布する。接着促進剤を基板にスピンコートした後、コーティング溶液を上述の通り塗布する。接着促進剤としては、アルキルアミノ官能基、アルキルアミド官能基、アルキルエポキシ官能基及びアルキルメルカプト官能基を有するアルコキシシランが挙げられる。
【００３８】
例えば、ポリエーテルイミド樹脂（例えば、Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社から市販のＵｌｔｅｍ（登録商標）樹脂グレード１０００）をアニソール／γ−ブチロラクトン溶媒系に溶解する（約５０：５０重量％（ｗｔ％）の溶剤と１５ｗｔ％のＵｌｔｅｍ（登録商標）樹脂）。基板（金属（アルミニウムなど）、ガラス、セラミック、ポリマー、金属−マトリックス複合材料、さらにはこれらの１種類以上を含む合金や組合せなど）を、適宜ポリシングした後、チャックに載置し、機械装置又は真空によって所定位置に保つ。接着促進剤、例えば水／メタノール中のＶＭ６５１（ＤｕＰｏｎｔ社から市販のα−アミノプロピルトリエトキシシラン接着促進剤）の０．０５％溶液５ｍｌを、回転中又は静止中の基板に分配して塗布する。次に、好ましくは、最高約２０００ｒｐｍ程度の速度で基板を約３０秒間程度回転させて接着促進剤を広げる。接着促進剤を使用する場合、プラスチックの塗布前に、基板をメタノールなどで適宜洗浄して過剰の接着促進剤を除去し、乾燥（例えば空気乾燥、真空乾燥、熱乾燥など）してもよい。
【００３９】
コーティング溶液は、図３〜図５に示す通り、基板に塗布できる。接着促進剤を塗布し終わったら、コーティング溶液を基板に塗布できる。次いで、基板を回転させて、コーティング溶液を基板に実質的に均一に広げて塗膜を形成する。塗膜の厚さは様々なパラメーターに依存し、例えば特にコーティング溶液の量、所望の厚さ、コーティング溶液の粘度、回転速度、回転時間、コーティング溶液の固形分及び環境条件（温度、湿度、雰囲気の種類、気圧など）に依存する。厚さを約０．１マイクロメートル（μｍ）未満とすることもできるが、塗膜は所望の表面特徴（ピット、溝、テクスチャなど）を塗膜に設けることができるように十分な厚さをもつのが好ましい。通例、記憶媒体型用途では、最大約５０μｍ程度の厚さが可能であるが、約１０μｍ以下が好ましく、約５μｍ以下が特に好ましい。最終的な厚さの決定は、塗膜に設ける特徴の所望の深さ及び塗膜でマスクする必要のある基板上の表面欠陥の有無などによって異なる。
【００４０】
回転時間及び回転速度に関しては、基板の所望の領域にコーティング溶液を広げるのに十分なものでなければならないが、これらのパラメーターは、例えばコーティング溶液の粘度や固形分及び所望の塗膜厚（これらはいずれも相互依存するパラメーターである）を始めとする因子に基づいて選択される。ただし、典型的には、回転速度は約２０００回転毎分（ｒｐｍ）以上で最大約２５秒以上であり、約４０００ｒｐｍ以上で約１５秒以内が好ましい。例えば、アニソール／γ−ブチロラクトン溶媒中の１５ｗｔ％のＵｌｔｅｍ（登録商標）樹脂グレード１０００を含有するコーティング溶液、及び回転速度２０００ｒｐｍ及び時間２５秒を用いると、３μｍ厚の塗膜を塗布できる。
【００４１】
塗膜が基板に広がったら、塗膜を乾燥させることができるが、これは、好ましくは窒素のような不活性雰囲気中で、溶媒の除去及び（実施形態によって必要であれば）プラスチック前駆体の重合に十分な時間、所望の表面品質を得るのに有効な速度で行われる。被覆基板は、溶媒の除去が表面特徴に悪影響を与えない速度で、所望の温度に昇温できる。例えば、約１０度毎分（ｄｅｇ／ｍｉｎ）以下の速度、好ましくは約５ｄｅｇ／ｍｉｎ以下の速度、特に好ましくは約３ｄｅｇ／ｍｉｎ以下の速度で、被覆基板を約２００℃以上で加熱し得るが、通例約２５０℃以上が好ましい。基板が所望の温度に達したら、溶媒の除去及び必要に応じてポリマー前駆体の重合に十分な時間、基板をその温度に維持し、次いで冷却する。通例、数時間までの時間が用いられるが、約２時間以内が好ましく、分単位又はその一部が特に好ましい。このようにして製造し、適宜後加工した基板は、磁気ハードドライブなどの情報記憶用途に使用できる。
【００４２】
理論的には、基板及び／又はプラスチック塗膜は、適当な性質を示すプラスチックであればどんなプラスチックでも構成し得る。例えば、プラスチックは後段の加工プロセスパラメーター（例えば、後続の層の成膜プロセス）に耐えることができるものであるべきであり、例えばスパッタリングのプロセスパラメーター（すなわち、磁気媒体では室温乃至約２００℃もしくはそれ以上（通例約３００℃もしくはそれ以上）の温度、光磁気媒体では略室温（約２５℃）乃至約１５０℃の温度）に耐えることができるものであるべきである。つまり、プラスチックは成膜段階での変形を防ぐに足る十分な熱安定性を有するのが望ましい。磁気媒体に適したプラスチックには、ガラス転移温度が好ましくは約１８０℃以上、さらに好ましくは約２００℃以上の熱可塑性樹脂（例えば、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエステルカーボネート、ポリアリーレート、ポリフェニレンスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリイミド、耐熱性ポリカーボネートなど、さらにはこれらの材料の１種類以上を含む前駆体、反応生成物及び組合せ）が挙げられ、ガラス転移温度が約２５０℃以上の材料（例えば、ｍ−フェニレンジアミンをスルホンジアニリン又はオキシジアニリンで置き換えたポリエーテルイミド、ポリイミドなど、さらにはこれらの材料の１種類以上を含む前駆体、反応生成物及び組合せ）がさらに一段と好ましい。
【００４３】
用途によっては要求されるガラス転移温度が異なるので、所望のガラス転移温度をもつ塗膜を得るため、プラスチック（ホモポリマー、コポリマー又はブレンド）のガラス転移温度を調整できれば有益である。かかる目的のため、コーティング溶液の調製に米国特許第５５３４６０２号（Ｌｕｐｉｎｓｋｉ及びＣｏｌｅ、１９９６年）に記載されているようなポリマーブレンドを使用し得る。この例では、ポリマーブレンドによって約１９０〜約３２０℃で選択的に変更可能なガラス転移温度が得られる。
【００４４】
熱可塑性樹脂の例としては、非晶質材料、結晶質材料、半結晶質材料、さらにはこれらの材料の１種類以上を含む前駆体、反応生成物及び組合せなどが挙げられる。例えば、プラスチックには、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン（例えば、線状及び環状ポリオレフィン、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリシクロヘキシルメチレンテレフタレートなど）、ポリアミド、ポリスルホン（例えば、水素化ポリスルホンなど）、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン（例えば、塩素化ポリスチレン、シンジオタクチック及びアタクチックポリスチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、スチレン−コ−アクリロニトリル、スチレン−コ−無水マレイン酸など）、ポリブタジエン、ポリアクリレート（例えば、ポリメチルメタクリレート、メチルメタクリレート−ポリイミド共重合体など）、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル（例えば、２，６−ジメチルフェノールから誘導されるもの、さらには２，３，６−トリメチルフェノールとの共重合体など）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、液晶ポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロンなどがある。磁気媒体用として好ましい熱可塑性樹脂には、ポリイミド、ポリエーテルイミド、耐熱性（例えば約１７５℃以上）ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ポリアリーレート、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステルスルホン、ポリフェニレンスルホン、さらにはこれらの熱可塑性樹脂の１種類以上を含む組合せがある。
【００４５】
さらに、塗布時に円弧状に分配するという実施形態では、スタンピング条件下で所望の表面特徴を形成できるように十分な流動性を熱硬化性樹脂が有していることを条件として、熱可塑性樹脂に加えて又はその代替物として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリウレタン、無機充填材配合シリコーン樹脂、ビスマレイミド、シアン酸エステル、ビニル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂のような熱硬化性樹脂を使用することもできる。さらにプラスチックは、上述の熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂の１種類以上を含むブレンド、前駆体、共重合体、混合物、反応生成物及び複合材料を含んでいてもよい。
【００４６】
ある実施形態では、ユニークな性質の組合せをもつ熱可塑性ポリマーを用いる。かかる性質の一つはその反応性である。この実施形態では、熱可塑性ポリマーは非反応性である。換言すれば、熱可塑性ポリマーに含まれる反応性末端基は約２０ミリ当量／キログラム（ｍｅｑ／Ｋｇ）以下である。好ましくは、熱可塑性ポリマーに含まれる反応性末端基は約１０ｍｅｑ／Ｋｇ以下である。反応性末端基としては、例えば、カルボン酸、カルボン酸塩、無水カルボン酸物、アミン、フェノール、アルコール、ニトリル、エポキシド、オキセタン、アルケン、アルキン、シクロブチル（例えば、シクロブタン、シクロブテンなど）、イソシアネート、シアヌレート、オキサゾール、さらにはこれらの反応性末端基の１以上を含む組合せを挙げることができる。この熱可塑性ポリマーは、好ましくは、溶媒として塩化メチレンを用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定して、約１００００〜約５０００００ダルトン、さらに好ましくは約２００００〜約７００００ダルトンの重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。
【００４７】
非反応性の追加の証拠として、コーティングプロセス全体を通して（例えば、溶媒に導入する前からエンボス加工まで）熱可塑性ポリマーの分子量の変化が約２５％以下であるのが好ましく、約１０％以下であるのが好ましい。
【００４８】
望ましいアスペリティ及びＲaをもつスピンコート基板を信頼性をもって製造できるようにする特性として、溶液に関するものがある。好ましくは、溶液のｐＨは約５．５〜約８であり、ｐＨ約６〜７．５であるのがさらに好ましい。溶液の粘度は、ＡＳＴＭ  Ｄ１８２４で測定して、約１〜約３００００センチポアズであり、約１〜約２０００センチポアズであるのが好ましい。温度４５℃で３時間試験したときの溶液の粘度変化は好ましくは約２５％以下であり、１０％以下であるのが好ましい。
【００４９】
溶液の組成も、信頼性の高い塗膜形成が達成されるように選択される。好ましくは、溶液に含まれる固形分は、溶液の総重量を基準にして、約３〜約３０ｗｔ％であり、固形分約５〜約１５ｗｔ％が好ましい。溶液中の不都合な夾雑物（粒子、ゲルなど）の（長軸に沿って測定した）粒径は、好ましくは約０．０５マイクロメートル（μｍ）であり、例えばレーザー光散乱法で測定して、０．０５μｍを超える直径を有する粒子が総重量の約０．１ｗｔ％以下であるのが好ましい。また、溶液に含まれる水分が溶液の総重量を基準にして約５ｗｔ％以下であるのが好ましく、水分約２ｗｔ％以下であるのがさらに好ましく、水分約０．５ｗｔ％以下であるのがさらに好ましい。さらに、溶液の濁度（例えば、パーセントヘイズ）が、ＡＳＴＭ  Ｄ１００３で測定して、約５％以下であるのが好ましく、約１％以下であるのがさらに好ましい。
【００５０】
基板の少なくとも一面の少なくとも一部にプラスチック塗膜を塗布し終わったら、塗膜をエンボス加工し得る。理論に束縛されるものではないが、プラスチックのレオロジーのため、ピット、溝、ビットパターン、サーボパターン及びエッジ構造を基板にエンボス加工できるだけでなく、所望の表面品質（例えば、所望の平滑度、粗さ、マイクロウェイビネス、テクスチャ（例えば、磁気粒子配向のためのマイクロテクスチャ）及び平坦度）をエンボス加工することもできる。エンボス加工表面特徴は約２００ｎｍ程度までの深さを有し得る。典型的には、約５ｎｍ以上、好ましくは約１０ｎｍ以上、さらに好ましくは約２０ｎｍ以上、好ましくは約５０ｎｍの深さを用いることができる。横寸法については、表面特徴、特に磁気情報記憶媒体の表面特徴は、好ましくは約２５０ｎｍ以下もしくはそれ以上の「短い」寸法を有しており、約２００ｎｍ以下であるのがさらに好ましく、約１５０ｎｍ以下であるのがさらに一段と好ましく、約１００ｎｍ以下であるのが特に好ましい。
【００５１】
エンボス加工その他の方法で塗膜層に所望の表面特徴を設けた後、例えばスパッタリング、化学気相堆積、プラズマ化学気相堆積、反応性スパッタリング、蒸着、吹付け、塗装など、さらにはこれらの技術の１以上を含む組合せを始めとする１以上の技術によって基板に様々な追加の層を付加することができる。通例、基板に設けられる層としては、１以上のデータ記憶層（例えば、磁気、光磁気、光記憶層など）、保護層、誘電体層、絶縁層、これらの層の１以上を含む組合せなどが挙げられる。
【００５２】
データ記憶層は、厚さ約６００Å以下、好ましくは約３００Å以下の、磁気、光磁気、光記憶層などの、検索可能なデータを記憶し得る材料からなるものとし得る。データ記憶層としては、酸化物（酸化ケイ素など）、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素など、これらの１以上を含む合金及び組合せ、上述の有機染料（例えばシアニン系又はフタロシアニン系染料など）、さらには相変化型無機化合物（ＴｅＳｅＳｎ、ＩｎＡｇＳｂなど）が挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、データ層は約１５００エルステッド以上の保磁力を有しており、保磁力が約３０００エルステッド以上であるのが特に好ましい。
【００５３】
粉塵、油その他の夾雑物から保護する保護層は、１００μｍ以上から約１０Å以下の厚さを有し得るが、ある実施形態では約３００Å以下の厚さが好ましい。別の実施形態では、約１００Å以下の厚さが特に好ましい。保護層の厚さは、通常、用いる読取／書込機構の種類（例えば、磁気機構、光機構又は光磁気機構）によってある程度決まる。保護層としては、特に窒化物（特に窒化ケイ素や窒化アルミニウムなど）、炭化物（炭化ケイ素など）、酸化物（二酸化ケイ素など）、プラスチック（ポリアクリレート、ポリカーボネートその他上述のプラスチック）及び炭素膜（ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素など）のような耐食性材料、さらにはこれらの１種類以上を含む組合せが挙げられる。
【００５４】
一部の記憶機構で熱制御体として多用される誘電体層は、通例、最大約１０００Å以上、低くは約２００Åの厚さを有し得る。誘電体層としては、環境に適合し、好ましくは周囲の層と非反応性である材料のうち、特に窒化物（窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど）、酸化物（酸化アルミニウムなど）、炭化物（炭化ケイ素など）、さらにはこれらの１種類以上を含む組合せが挙げられる。
【００５５】
反射層が必要とされる場合、反射層はデータ検索を可能にする十分な量のエネルギーを反射するのに十分な厚さを有するべきである。通例、反射層は約７００Å以下の厚さを有し得るが、約３００〜約６００Åの厚さが概して好ましい。反射層としては、特定のエネルギー場を反射し得る材料であればよく、例えば金属（アルミニウム、銀、金、チタン、さらにはこれらの１種類以上を含む合金又は混合物など）が挙げられる。データ記憶層、誘電体層、保護層及び反射層に加えて、潤滑層などの他の層も使用できる。有用な潤滑剤としては、フルオロ化合物、特にフルオロオイル及びグリースなどが挙げられる。
【実施例】
【００５６】
実施例１
ガラス基板にスピンコートしたプラスチック塗膜が、Ｒa約４Å、２５ｎｍを超える高さのアスペリティ数１０未満、面積４ｍｍ2でのマイクロウェイビネス約２５ｎｍ、及び厚さの均一性が公称厚さの±１０％となるように形成した。アニソール（極性指数３．８）とアセトフェノン（極性指数４．８）との５０：５０混液中の（溶液の総重量を基準にして）１８ｗｔ％Ｕｌｔｅｍ（登録商標）１０００のコーティング溶液を、公称粒径０．０５μｍとなるように濾過した。図８に示すチャック上で基板を１５０ｒｐｍの速度で回転させながら、粘度約１２００センチポアズの濾液を基板上に渦巻状に動的分配した。次いで、塗膜を３５００ｒｐｍで３５秒間回転させた。被覆基板を次いで３００℃（Ｕｌｔｅｍ（登録商標）のガラス転移温度（Ｔg）２１７℃を約８５℃上回る）で２時間アニールした。
【００５７】
実施例２
ガラス基板にスピンコートしたプラスチック塗膜が、Ｒa約４Å、面積４ｍｍ2でのマイクロウェイビネス約２５ｎｍ、及び厚さの均一性が公称厚さの±１０％となるように形成した。アニソールとＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン、極性指数６．７）との４０：６０混液中の（溶液の総重量を基準にして）１６ｗｔ％オキシジアンヒドリド／ｍ−フェニレンジアミンポリアミック酸のコーティング溶液を、公称粒径０．２μｍとなるように濾過した。図８に示すチャック上で基板を１５０ｒｐｍの速度で回転させながら、粘度３６０センチポアズの濾液を基板上に渦巻状に動的分配した。次いで、塗膜を３５００ｒｐｍで３５秒間回転させながら、濾液を基板上に円弧状に動的分配した。次に、被覆基板を３５０℃（ポリエーテルイミドのＴg約３００℃を約５０℃上回る）で１時間アニールした。
【００５８】
実施例３
ガラス基板にスピンコートしたプラスチック塗膜が、Ｒa約５Å、面積４ｍｍ2でのマイクロウェイビネス約２５ｎｍ、及び厚さの均一性が公称厚さの±１０％となるように形成した。アニソールとγ−ブチロラクトンとの５０：５０混液中の（溶液の総重量を基準にして）１８ｗｔ％Ｕｌｔｅｍ１０００のコーティング溶液を、公称粒度０．２μｍとなるように濾過した。図８に示すチャック上で基板を１５０ｒｐｍの速度で回転させながら、粘度１２００センチポアズの濾液を基板上に渦巻状に動的分配した。次いで、塗膜を３５００ｒｐｍで３５秒間回転させた。次に、被覆基板を３００℃（Ｕｌｔｅｍ（登録商標）のＴgを約８５℃上回る）で２時間アニールした。
【００５９】
かかるチャック設計、溶液ブレンド、分配技術、熱アニール及び／又は濾過を用いることで、厳しい表面品質条件を満足するプラスチックコート基板が容易に製造される。
【００６０】
以上、例示的な実施形態を参照して本発明を説明してきたが、本発明の技術的範囲から逸脱せずに様々な変更を加えることができ、均等物で要素を置換し得ることは当業者には自明であろう。さらに、特定の状況又は材料を本発明の教示内容に適合させるべく、本発明の本質的な技術的範囲から逸脱せずに様々な修正を加えることができる。したがって、本発明はその最良の実施形態として開示した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に規定される技術的範囲に属するあらゆる実施形態を包含する。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】透明基板を使用する従来技術の低面積密度システムの断面図である。
【図２】熱アニール時間（ベーク時間）と粗さとの関係を示すグラフである。
【図３】塗膜が「スポーク」を形成したスピンコート基板の上面図である。
【図４】図３の線４−４での断面図であり、スポークを図示したものである。
【図５】塗膜が「スターバースト」を形成したスピンコート基板の上面図である。
【図６】スピンコートすべき材料を基板上に分配する際の分配アームの一つの動作を示す基板の上面図である。
【図７】スピンコートすべき材料を基板上に分配する際の分配アームの別の動作を示す基板の上面図である。
【図８】裏面の汚染及びアスペリティを低減すべく設計されたスピンチャックの側断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板
３  スポーク
５  スターバースト
１３  上面
１５  裏面
１７  延長部
１９  レッジ
２１  突起
２３  中心部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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