(57)【要約】本発明は、レーザービームを使用した読取／書込システムのためのマルチレベル光記録媒体に関するものあって、少なくとも１つの基板（４ａ，４ｂ）と、深いレベル（１２）を形成する一組をなす複数の層と、少なくとも１つの半透明なレベル（１０）と、を具備するとともに、各レベルが、レーザー放射の効果によって可逆的とされた２つの安定状態を有している、という記録媒体に関するものである。本発明は、半透明レベルが、相変化材料層（７）と、この相変化材料層の前方側に配置された少なくとも１つの熱吸収層（２１）と、を備え、レーザービームが相変化材料層へと到達する前に、レーザービームが熱吸収層を通過するものとされていることを特徴としている。
2004507022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームを使用した読取／書込システムのためのマルチレベル光記録媒体であって、
少なくとも１つの基板（４ａ，４ｂ）と、深いレベル（１２）を形成する一組をなす複数の層と、少なくとも１つの半透明なレベル（１０）と、を具備するとともに、各レベルが、レーザー放射の効果によって可逆的とされた２つの安定状態を有している、という記録媒体において、
前記半透明レベルが、相変化材料層（７）と、この相変化材料層の前方側に配置された少なくとも１つの熱吸収層（２１）と、を備え、
レーザービームが前記相変化材料層へと到達する前に、レーザービームが前記熱吸収層を通過するものとされていることを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の記録媒体において、
前記相変化材料層の前後に配置された第１および第２の熱吸収層（２１，２６）を備えていることを特徴とする記録媒体。
【請求項３】
請求項１または２記載の記録媒体において、
前記熱吸収層が、光に対して透明でありかつ大きな熱伝導度を有した材料から形成されていることを特徴とする記録媒体。
【請求項４】
請求項３記載の記録媒体において、
前記熱吸収層が、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、あるいは、ＩＴＯから形成されていることを特徴とする記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の記録媒体において、
前記熱吸収層と前記相変化材料層とが、熱抵抗層（２０，２７）によって隔離されていることを特徴とする記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明な放熱層付きの、レーザー読取／書込システムを使用して記録可能なおよび／または再記録可能な複数のレベルを有した、光記録媒体に関するものである。
【０００２】
本発明は、例えば光ディスクといったような光媒体上に大量のデータを格納することが目的であるような、光記録に関するすべての分野における応用において使用される。特に、本発明は、デジタルサウンドや画像データを格納するためのハイファイ分野やビデオ分野における応用において、あるいは、コンピュータメモリの分野における応用において、使用される。
【０００３】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
図１は、従来技術による光タイプの情報記録システムを概略的に示している。この情報記録システムは、レーザービーム（２）を放出し得るような光ヘッド（１）を備えている。
【０００４】
この情報記録システムは、さらに、情報記録媒体（３）を備えている。従来技術においては、この媒体（３）は、光ヘッド（１）から放出される光ビームに対して透明であるような基板（４）と、この透明基板（４）上において積層された一組をなす複数の層と、を備えている。
【０００５】
より詳細には、記録媒体（３）は、
−透明基板（４）の上面上に配置された第１誘電体層（６）と；
−この第１誘電体層（６）上に配置されたメモリ層（７）と；
−このメモリ層（７）上に配置された第２誘電体層（８）と；
−熱吸収と光反射とを行う層（９）と；
を備えている。
【０００６】
メモリ層（７）すなわち相変化材料から形成された層は、情報記録層を形成している。このメモリ層（７）は、結晶状態とアモルファス状態とをとり得るという特別の特徴点を有した例えばＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ といったような材料から形成することができる。層（７）内に記録された情報は、第１物理状態（結晶状態）または第２物理状態（アモルファス状態）のいずれかからなるゾーンがなすシーケンスによって、コード化される。一方または他方の物理状態におけるこのコード化は、材料をアモルファス状態から結晶状態へと変化させるようなあるいは逆に結晶状態からアモルファス状態へと変化させるような、領域の様々な加熱度合いによって得られる。より詳細には、準安定なアモルファス状態は、溶融の後に相変化材料の熱クエンチングを行うことによって、得られる。結晶状態は、アモルファス状態をアニールすることによって、得られる。例えば、溶融は、大きなレーザーパワー（典型的には、１１ｍＷ）を使用することにより、溶融温度以上の温度へとすなわち約６００℃以上の温度へと、相変化材料の温度を上昇させることによって、得られる。結晶化は、平均的なレーザーパワー（典型的には、５ｍＷ）を使用することにより、中程度の温度（３５０℃の程度の温度）へと、相変化材料の温度を上昇させることによって、得られる。レーザーパワーは、高パワーレベルと中程度のパワーレベルとの間にわたって制御することができるとともに、持続時間を様々に制御することができる。書込信号が生成され、この書込信号によって、事前にエッチングされたトラック（図１において符号（５）によって示されている）に沿って互いに位置合わせされかつ互いに様々な長さとされた結晶状態とアモルファス状態とを形成することにより、相変化材料層上にデータシーケンスが記録される。
【０００７】
読取は、同じレーザー源（１）を使用し、このレーザー源を低パワー（１ｍＷという程度）行うことができる。
【０００８】
光ディスク上において大きな格納容量を得るとともに速い読取／書込速度を得るためには、小さな領域が形成されなければならず、また、これら小さな領域が、非常に短い時間にわたってレーザービームによって照射されなければならない。ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）における可能な最小の領域サイズは、読取時に適切な解像度であるためには、約０．５μｍであり、すなわち、Ａｉｒｙスポット（回折理論によって決定された、遠距離音場において達成可能な最小直径）の直径の大きさの程度である。光ディスク上の各ポイントがレーザースポットに対して曝される時間は、約１００ｎｓである。
【０００９】
相変化材料の１つの重要な特徴点は、結晶化速度であり、この結晶化速度は、１００ｎｓ以下の時間でもってアモルファス領域を消去し得るに十分な程度に大きなものでなければならない。他方、そのような大きな結晶化速度を有した材料は、レーザービームがオフとされた際に、高速の熱クエンチングを必要とする。そうでなければ、アモルファス領域が検出されてしまったり、あるいは、存在してしまわないことさえあり得る。アモルファス領域が存在しない場合には、高パワーによって溶融した領域が、冷却時に動的に消去されることとなる。光記録速度と同程度のクエンチング速度は、１０℃／ｎｓの程度である。このようなクエンチング速度は、相変化材料から形成されたメモリ層のごく近傍に放熱板を設置することによって得られる。一般に、この放熱板は、金属であって、メモリ層内における光の吸収効率を増大させるための反射材として使用することもできる。
【００１０】
図１に示す構造は、上記の結果を得ることができる。
【００１１】
この構造においては、基板（４）は、透明であって、ダストの焦点スレを可能とする。このため、ダストが欠陥となることがない。誘電体層（６）は、例えば反射率といったようなディスクの光学特性を調節するために使用することができるとともに、特にプラスチックから形成されている場合には、基板（４）を保護する熱シールドとして機能することができる。
【００１２】
『メモリ層』とも称される相変化材料層（７）は、アモルファス領域および結晶領域からなるシーケンスの形態でもってデータを記録する。
【００１３】
誘電体層（８）は、相変化材料層（７）から反射材兼放熱層（９）へと流通する熱流に関しての制御抵抗として機能する。この誘電体層（８）は、アモルファス化に関してのクエンチング速度を制御し、また、書込パワーおよび消去パワーを調節するために使用される。
【００１４】
最後に、反射材と放熱板とを形成する層（９）は、第１に、光ビームを反射することによって相変化材料層（７）内における光吸収効率を増大させ、第２に、相変化材料層（７）内においてレーザービームによって生成されさらに第２誘電体層（８）を通過した熱を吸収する。
【００１５】
現在では、記憶すべきデータ数をかなり増大することが要望されている。したがって、光ディスクの容量を増大させる必要がある。このことは、複数のメモリ層上において情報を記録し得るようなすなわちそれぞれが個別にメモリ層をなす複数の相変化材料層を有しているようなマルチレベル構造を使用することによって、行うことができる。このタイプの記録媒体は、欧州特許出願公開明細書第０ ８１０ ５９０号に記載されており、図２に示されている。
【００１６】
この特許文献に記載された記録媒体は、基板（４ａ）と、第２基板（４ｂ）と、第１記録レベル（１０）を形成する第１組をなす複数の層と、第２記録レベル（１２）を形成する第２組をなす複数の層と、を備えている。ここで、基板（４ａ）と第２基板（４ｂ）とは、第１記録レベル（１０）および第２記録レベル（１２）によって隔離されている。第１記録レベル（１０）は、半透明なレベルであり、第２記録レベル（１２）は、深いレベルである。第１記録レベル（１０）および第２記録レベル（１２）は、光学的に活性な接着剤からなる層（１１）によって互いに隔離されている。この接着剤層（１１）は、第１に、半透明レベルと深いレベルとの間における結合を形成し、第２に、２つの記録レベル間を光学的に分断することによって一方のレベルからの情報が他方のレベルの読取を妨害しないものとする。これを得るために、この接着剤層は、厚いものでなければならない（ＤＶＤ技術においては、５０μｍの程度）。
【００１７】
この記録システムにおいては、光ヘッド（１）は、レーザービーム（２）を、２つのレベル（１０，１２）のうちの一方に焦点合わせする。図２においては、同じレーザービームが、透明なレベル（１０）上に焦点合わせされた場合（符号（２ａ）によって示されている）と、深いレベル（１２）上に焦点合わせされた場合（符号（２ｂ）によって示されている）と、が示されている。レーザービーム（２）が、一方のレベル上に焦点合わせされたときには、被写界深度は、構造内の他の層が完全に焦点ズレを起こしそのため他の層の詳細が十分に平均化されそれにより対象となっている記録レベルに関しての書込にもまた読取にも他の層が妨害とならないような、ものとされている。
【００１８】
この構造においては、深いレベル（１２）は、図１に示す媒体と同じである。このレベル（１２）を形成する４つの層（第１誘電体層（２２）、メモリ層（２３）、第２誘電体層（２４）、および、反射材（２５））の各々の役割は、図１に関して上述した各層（６，７，８，９）のそれぞれと同じである。基板（４ａ）は、基板（４）と同じ役割を果たす。基板（４ｂ）は、単に、アセンブリを機械的に所定に保持する。
【００１９】
半透明なレベル（１０）は、メモリ層（７）と第２誘電体層（８）との間に、熱抵抗層（２０）と熱吸収層（２１）とを備えている。
【００２０】
この構造における熱抵抗層（２０）の役割は、相変化材料層（７）から熱吸収層（２１）へと流通する熱流を制御することである。この熱抵抗層（２０）は、また、アモルファス化に関するクエンチング速度を制御し、書込パワーおよび消去パワーを制御する。
【００２１】
放熱層（２１）は、相変化材料層内において生成されさらに熱抵抗層を通過してきた熱を消費する。
【００２２】
このタイプの構造においては、各中間レベルは、最も深いレベルすなわちレベル（１２）に対して読取および書込を行い得るよう、十分な光を透過させなければならない。これを得るために、放熱板を形成する層（２１）は、透明材料から形成しなければならない、あるいは、最低限でも、吸収が非常に少ない材料から形成しなければならない。例えば、この材料は、シリコンカーバイドや、例えばＡｌＮやＳｉ３Ｎ４といったようないくつかの窒化物や、あるいは、例えばＩＴＯといったようないくつかの酸化物、とすることができる。
【００２３】
しかしながら、相変化材料層（７）が本来的に吸収性であることにより、そのため、平均的な光透過が少なくなってしまうことのために、実際には、このような構造は、２つの記録レベルに制限される。
【００２４】
さらに、良好な重ね書きを得るための効果的な放熱層が、ディスクの変形やマイクロクラックを引き起こし、電気的性能を劣化させる。
【００２５】
欧州特許出願公開明細書第０ ８１０ ５９０号においては、また、メモリ層内において、規格において規定されているものとは逆の極性を有した材料を使用することが提案されている。すなわち、層の底部をアモルファスとし、書込によって結晶領域を生成する、メモリ層のアモルファス底部は、光を十分に透過させ、これにより、最も深いレベルから、より浅いレベルに向けて、部分的な結晶化が性能を劣化させないことにより良好な透過でもって（よって、良好なパワー裕度でもって）およびかなりのマージンでもって、シーケンスを書き込むことを可能とする。
【００２６】
書込後には、様々なレベルは、信号のゲインを調節することによっておよび／またはレーザー読取パワーを制御することによって、読み取ることができる。しかしながら、この構造は、再記録を行うシステムにおいては、使用することができない。マルチレベル再記録可能デバイスにおいては、レベルの透過は、書込後には約２分の１に低下し、重ね書き性能が、消去パワー（すなわち、再結晶化パワー）に関するマージンを、かなり劣化させる。
【００２７】
さらに、効果的であるためには、放熱板を形成する層は、メモリ層よりも約２倍の厚さである必要がある。よって、上述したような、単一の放熱層を有している構造においては、放熱層の厚さは、多くの場合、厚いものとなり、この放熱層は、直下に位置した複数の層に対して結合することができる。放熱層を形成する材料は、引っ張り応力や圧縮応力に比例した剪断力が破断応力を超え得るように、本来的に大きな機械的引っ張り応力や圧縮応力を有している。このタイプの構造は、安定性の問題を引き起こす。マイクロクラックは、ディスクの表面上に偶発的に発生することができ、電気信号を妨害する。このようなマイクロクラックは、構造を完全に分断することさえあり得る。
【００２８】
また、消去可能なコンパクトディスクは、“Ｔｈｅ Ｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ａ ＣＤ−
ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｄｉｓｃ”と題する Ｊ．Ｈ． ＣＯＯＭＢＳ 氏他による Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ １９９４ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ， ＴｕＣ２−１， ｐ． ５９−６０という文献に記載されている。このディスクは、ＭＩＰＩＭ（Ｍｅｔａｌｌｉｃ， Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ，
Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ， Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｉｃ， Ｍｅｔａｌｌｉｃ） 構造を備えている。この構造においては、一方の金属層が、相変化材料層の前方側に配置されることによって、レーザービームの光透過が改良されている。しかしながら、この金属層が第１誘電体層の前方側に配置されておりそのためこの金属層がメモリ層から離れすぎていることのために、この構造では、必要なクエンチングを行うことができない。したがって、この金属層は、単に、構造内において光学的機能を果たすに過ぎない。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、上述した記録媒体に関する欠点を解消することである。したがって、本発明は、良好な機械的耐性を有したマルチレベル再記録可能光記録媒体を目的としている。この記録媒体は、半透明なレベルをなす積層に関するフレキシブルさを維持し、反射性やコントラストや透過や熱平衡（すなわち、相変化材料の結晶状態とアモルファス状態との間における光吸収比）という観点において各記録レベルの特性を最適化することができる。
【００３０】
より詳細には、本発明は、レーザービームを使用した読取／書込システムのためのマルチレベル光記録媒体であって、少なくとも１つの基板と、深いレベルを形成する一組をなす複数の層と、少なくとも１つの半透明な記録レベルと、を具備するとともに、各レベルが、レーザー放射の効果によって可逆的とされた２つの安定状態を有している、という記録媒体を提供する。この記録媒体は、半透明レベルが、相変化材料層と、この相変化材料層の前方側に配置された少なくとも１つの熱吸収層と、を備え、レーザービームが相変化材料層へと到達する前に、レーザービームが熱吸収層を通過するものとされていることを特徴としている。
【００３１】
本発明の一実施形態においては、記録媒体は、相変化材料層の前後に配置された第１および第２の熱吸収層を備えている。この実施形態は、機械的に安定であるという利点を有している。
【００３２】
有利には、熱吸収層は、光に対して透明でありかつ大きな熱伝導度を有した材料から形成される。
【００３３】
例えば、熱吸収層は、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、あるいは、ＩＴＯから形成することができる。
【００３４】
本発明の一実施形態においては、熱吸収層と相変化材料層とは、熱抵抗層によって隔離される。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明は、放熱層と少なくとも２つの記録レベルとを備えているとともに消去可能かつ再記録可能であるような光記録媒体を提供する。
【００３６】
本発明による光記録媒体は、図３に概略的に示されている。図３において、上述した公知構造における各層と同じ材料からなる層には、同じ符号が付されている。
【００３７】
図３におけるマルチレベル記録媒体は、焦点ズレという役割を有した第１基板（４ａ）と、保持という役割を有した第２基板（４ｂ）と、これら両基板間に配置された深い記録レベル（１２）および半透明な記録レベル（１０）と、これら両レベルを互いに隔離するための、光学的に活性な接着剤からなる厚い層（１１）と、を備えている。
【００３８】
しかしながら、本発明による媒体が、ただ１つの基板を有して形成することができるとともに、アセンブリの硬さが、様々な記録レベルをなす材料の思慮深い選択によって得られていることに注意されたい。
【００３９】
図３に示す実施形態においては、深い記録レベル（１２）は、図２に示す構造における深い記録レベルと、完全に同一である。したがって、さらなる説明を省略する。同様に、光学的活性接着剤層（１１）の役割は、図２に示す記録媒体における対応構成と同一である。したがって、さらなる説明を省略する。
【００４０】
本発明の本質は、半透明な記録レベル（１０）に存在する。半透明な記録レベル（１０）は、深いレベル（１２）のメモリ層（２３）に対して記録を行い得るだけでなく深いレベルとは異なる複数の記録レベルの各メモリ層上の記録を消去することもできこれによりそれらメモリ層上において再書込を行い得るよう、互いに詳細に関連した複数の材料層を備えている。
【００４１】
より詳細には、本発明による記録媒体における半透明な記録レベル（１０）は、第１基板（４ａ）の上面上に配置された第１誘電体層（６）と、この層を被覆する放熱板をなす熱吸収層（２１）と、この層を被覆する熱抵抗層（２０）と、さらには、メモリ層（７）と、第２誘電体層（８）と、を備えている。
【００４２】
上述したように、公知の記録媒体の構造においては、放熱板を形成する熱吸収層（２１）は、相変化材料層（７）の後方側に配置されている。
【００４３】
それとは異なり、本発明による構造においては、熱吸収層（２１）は、相変化材料層（７）の前方側に配置されており、これにより、レーザービームは、相変化材料層（７）に到達する前に、熱吸収層（２１）を通過する。
【００４４】
この構造においては、クエンチング速度（１０℃／ｎｓ〜１５０℃／ｎｓ）を、より容易に調節することができる。
【００４５】
本発明による構造においては、熱吸収層（２１）は、光線に対して透明である（これにより、レーザービームを、より深い記録レベルに対して焦点合わせすることができる）とともに、大きな熱伝導度を有しているような、材料から形成されている。例えば、この熱吸収層（２１）は、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、あるいは、ＩＴＯから形成することができる。このような材料は、第１に、光に対して透明でありそのため光ビームの入射を妨害しないという利点を有しており、第２に、良好な熱伝導体でありそのためメモリ層からの熱を吸収するという利点を有している。熱吸収層のインデックス（化学量論および材質）および厚さを思慮深く選択することにより、対象をなすレベルの光学的特性（例えば、反射率、コントラスト、熱平衡、および、透過）および電気的動特性の調節を最適化することが補助される。特に、従来技術による構造において得られるよりも小さなジッタ（すなわち、所定しきい値を超える読取信号持続時間の標準偏差）を得ることができる。
【００４６】
図５は、本発明による２つのレベルを有した記録媒体と上述した従来技術による記録媒体とに関して、書込パワー（単位：ｍＷ）に対してのジッタ偏差曲線（単位％におけるクロック時間）を示している。この図において、曲線（Ｃ１）は、従来技術の場合のジッタを示しており、曲線（Ｃ２）は、本発明による構造の場合のジッタを示している。曲線（Ｃ２）におけるジッタの方が、曲線（Ｃ１）におけるジッタよりも小さく、したがって、本発明の方がより良好であることがわかる。
【００４７】
再書込可能な光ディスクにおいて半透明なレベルを形成するために、例えば、双方の誘電体層（６，８）に関して、７０％／３０％という比率とされたＺｎＳ／ＳｉＯ２ を選択することができ、誘電体層（６）の厚さは、１２０ｎｍとすることができ、誘電体層（８）の厚さは、１１０ｎｍとすることができる。この例においては、１０ｎｍ厚さのＳｉＣ製放熱層（２１）と、両誘電体層と同じ材料から形成されかつ１０ｎｍ厚さとされた熱抵抗層（２０）と、を選択することができる。メモリ層（７）すなわち相変化材料層は、７ｎｍ厚さとすることができ、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ から形成することができる。
【００４８】
また、例えば、２つの誘電体層（２２，２４）が、半透明記録レベルにおける両誘電体層と同じ材料から形成されているものの、誘電体層（２２）の厚さが１００ｎｍとされかつ誘電体層（２４）の厚さが４０ｎｍとされているような、深いレベル（１２）を提案することができる。この深いレベル（１２）においては、相変化材料層（２３）は、１７ｎｍ厚さとすることができるとともに、半透明記録レベルにおける相変化材料層の場合と同じ材料から形成することができる。最後に、反射材兼放熱板を形成する層（２５）は、８０ｎｍ厚さとすることができるとともに、Ａｌから形成することができる。
【００４９】
この例においては、半透明記録レベルの透過率は、相変化材料がアモルファスである時には約５５％であり、相変化材料が結晶である時には約３５％である。半透明記録レベルの平均透過率は、完全に書き込まれた時には約４５％である。
【００５０】
このタイプの構造においては、結晶反射率は、半透明レベルにおいては約１８％であり、深いレベルにおいては８％である。半透明レベルにおけるコントラストは小さく（約２０％）、一方、深いレベルにおけるコントラストは大きい（約５０％）。熱平衡（すなわち、メモリ層内における、結晶状態とアモルファス状態との間にわたっての光吸収比）は、半透明レベルにおいては１．３であり、深いレベルにおいては０．９である。この例においては、光ヘッドに関する最適書込パワーは、半透明レベルに対しては通常（すなわち、約１２ｍＷ）であり、深いレベルに対しては大きなもの（すなわち、約１８ｍＷ）である。
【００５１】
図４は、本発明による光記録媒体の変形例を概略的に示している。この変形例においては、相変化材料（７）は、２つの熱吸収層（２１，２６）とこれら各熱吸収層に付随した熱抵抗層（２０，２７）とによって挟まれている。２つの層（２１，２６）は、メモリ層（７）と同程度の厚さとすることができる。
【００５２】
メモリ層を２つの放熱層によって挟み付けたこのような構造の利点は、メモリ層をなす材料のクエンチングを容易とし得ることである。放熱層が全く存在しなければ、相変化材料層内において生成した熱は、入射側媒体と出射側媒体との双方に向けて均等に拡散することとなる。相変化材料層の両側に配置された両放熱層が熱を捕獲することにより、このような熱拡散を著しく加速することができる。
【００５３】
２つの放熱層を有しているというこの構造は、また、機械的により安定でありそのため品質がより良好であるという利点を有している。
【００５４】
本発明のこの第２実施形態においては、様々な層は、例えば、次のように選択することができる。誘電体層（６，８）および熱抵抗層（２０，２７）は、７０％／３０％という比率とされたＺｎＳ／ＳｉＯ２ から形成することができ；誘電体層（６）の厚さは、１２０ｎｍとすることができ、誘電体層（８）の厚さは、１１０ｎｍとすることができ、熱抵抗層（２０）の厚さは、１０ｎｍとすることができ、熱抵抗層（２７）の厚さは、１０ｎｍとすることができる。放熱板をなす熱吸収層（２１，２６）は、それぞれ５ｎｍ厚さとすることができるとともに、ＳｉＣから形成することができる。最後に、相変化材料層（７）は、７ｎｍ厚さのＧｅＳｂＴｅから形成することができ、ＧｅＳｂＴｅの比率は、２／２／５とすることができる。
【００５５】
深いレベルは、第１実施形態における例において与えられた深いレベルと同じであるように選択することができる。第１実施形態の場合と同様に、透明レベルに関して約４５％という程度の平均透過率が得られ、第１実施形態の例において与えられた特性とほぼ同じ特性が得られる。
【００５６】
レーザービームの伝搬方向に関してメモリ層の前方側に熱吸収層を配置することにより（図３の場合）、あるいは、レーザービームの伝搬方向に関してメモリ層の前方側と後方側との双方に熱吸収層を配置することにより（図４の場合）、層内にクラックを誘起してしまうようなあるいは光ディスクの変形を引き起こしてしまうような機械的応力に関連した様々な問題点を、良好に制御することができる。完成時点においてディスクに径方向フィルムまたは軸方向フィルムを配置することは、各光ディスクの規格において与えられた重要な仕様である。この特性は、さらに重要であり、例えばプラスチックから形成されかつ接着剤が光学活性である場合（例えば、マルチレベルＤＶＤの場合）といったように、構造が変形可能である場合には、維持することが困難である。
【００５７】
本発明について、２つの記録レベル構造を参照して説明してきたけれども、ｎ個のレベルを有した構造に対して本発明を使用することができることは、明らかである。その場合には、１個の深いレベルと、（ｎ−１）個の半透明レベルと、が設けられることとなる。半透明レベルの平均透過比が、深いレベルに到達する前にレーザービームが通過するすべての中間半透明レベルにおける各相変化材料層に対しての良好な焦点合わせを可能とすることにより、複数のレベルを形成することができる。
【００５８】
本発明による記録媒体は、特定の実施形態にかかわらず、以下のようにして形成することができる。
【００５９】
各半透明レベルに関しては、
−単一のレベルを有したディスクに関する規格において定義された従来方向に従ってマトリクスを形成する。ここで、ＤＶＤ＋ＲＷ単一レベル再書込可能ディスク規格の場合には、トラックによって規定される螺旋経路は、レーザー入力側から見たときには、反時計回りの回転方向に従う。この方向は、トラックに対してリソグラフィー機械を適用する場合とは逆向きとされる。
−基板を形成する。基板は、高圧でもってモールド内へと高温のポリカーボネート（あるいは、ＰＭＭＡ）を射出することによって、得られる。
−メモリ層と放熱層とからなる積層を成膜する。図３の実施形態においては、５個の層が形成され、図４の実施形態においては、７個の層が形成される。
−初期化を行う。上記例においては、初期化すなわちディスク表面全体の結晶化は、接着前に行われる。しかしながら、接着後に初期化を行うこともできる。
【００６０】
複数の半透明レベルを形成する場合には、
−スペーサ（約５０μｍ厚さ）を成膜し；
−スペーサの自由表面上にトラックをエッチングし；
−各レベルをなす積層の成膜と、そのレベルの初期化と、スペーサの成膜と、を繰り返す。
【００６１】
深い記録レベルに関しては、
−逆向きにマトリクスを形成する。上述した従来方向が維持される場合には、トラックによって規定される螺旋経路は、ディスク完成後にレーザー入力側から見たときには、時計回りの回転方向に従うこととなる。モータの回転方向を変更できないことにより、逆向き螺旋経路は、ディスク上に記録されなければならない。
−基板を形成する。基板は、高圧でもってモールド内へと高温のポリカーボネートを射出することによって、得られる。
−メモリ層をなす積層を成膜する。特に、４個の層を形成する。
−初期化を行う。我々の例においては、初期化すなわちディスク表面全体の結晶化は、接着前に行われる。
【００６２】
接着に際しては、２つの構成要素（深いレベル、および、すべての半透明レベル）は、接着される必要があり、約５０μｍという間隔で隔離される必要がある。レーザービームが接着剤を通過することにより、接着剤は、優秀な光学的品質を有していなければならない。さらに、２つの構成要素の回転軸は、偏心を避けるため、完全に一致していなければならない。
【００６３】
試験に関しては、まず最初に、通常は光学的測定（例えば、回折欠陥、等）による高速での全体的測定というような、オンラインでの試験が行われ、その後、オフラインでの動的テスター上におけるより詳細な試験が行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による放熱層を有した記録媒体を概略的に示す断面図である。
【図２】放熱層と２つのレベルとを有した公知の記録媒体を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明によるマルチレベル記録媒体を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明によるマルチレベル記録媒体の変形例を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明によるデバイスと従来技術によるデバイスとに関してのジッタ曲線を示すグラフである。
【符号の説明】
４ａ　基板
４ｂ　基板
７　　相変化材料層
１０　　半透明レベル
１２　　深いレベル
２０　　熱抵抗層
２１　　熱吸収層
２６　　熱吸収層
２７　　熱抵抗層
【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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