(57)【要約】本発明は、少なくとも１つの電極を有する表面から離間して配置されて、履歴又はヒステリシス効果の少ない、可動マイクロ素子に関する。前記可動マイクロ素子には、少なくとも１つの復帰部材が接続されている。前記表面上にはアドレス電極が配設され、前記可動マイクロ素子を静電吸引可能である。前記アドレス電極は、第１電位にアドレスされる。前記可動マイクロ素子は、先ず、非アドレス状態を形成する第２電位に設定され、所定のパルス信号が発信される前の時間Δｔにおいて、前記可動マイクロ素子は、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替えられる。前記可動マイクロ素子は、時間Δｔ＋Δｔ’の間、前記アドレス状態に維持される。本発明は、更に、空間光変調器（ＳＬＭ）、加工物をパターニングするための装置、そして、可動マイクロ素子の履歴又はヒステリシス効果を低減する方法にも関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電極を有する表面（２０）から離間して配置されて、履歴効果の少ない、可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）には、少なくとも１つの復帰部材（６０，７０）が接続され、前記表面（２０）上にはアドレス電極（４０）が配設され、前記可動マイクロ素子（１０）を静電吸引可能であり、前記アドレス電極（４０）が、第１電位にアドレスされたものにおいて、
前記可動マイクロ素子（１０）は、先ず、所定のパルス信号が前記可動マイクロ素子（１０）に対して発信される前の時間Δｔにおいて、非アドレス状態を形成する第２電位に設定され、前記可動部材は、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替えられ、前記可動マイクロ素子（１０）が、時間Δｔ＋Δｔ’の間、前記アドレス状態に維持されることを特徴とする可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、前記第３電位を前記第２電位へ戻すことによって、前記アドレス状態後に、前記非アドレス状態に戻される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項３】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、前記第２電位状態後に、静電非吸引状態に切り替えられる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項４】
請求項３の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）と、前記可動マイクロ素子（１０）との間の電位差をクリア可能であり、これにより、前記可動マイクロ素子（１０）を前記静電非吸引状態に復帰させる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項５】
請求項１又は４の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記可動マイクロ素子（１０）に向けられる電磁放射である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項６】
請求項１又は４の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電を開始させることが可能な電気信号である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０ｍｓよりも短い可動マイクロ素子（１０）。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０μｓよりも短い可動マイクロ素子（１０）。
【請求項９】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記第２電位の値は、前記アドレス電極（４０）に対してアドレスされる最大電位と最小電位との両方において非偏向状態を形成する、前記アドレス電極（４０）に対してアドレスされる最大電位の半分に実質的に等しく、前記第３電位は、前記アドレス電極（４０）に対してアドレスされる前記最小電位に実質的に等しい可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分に沿って、捻れ軸心を形成する一対の捻りヒンジ（６０）によって支持されている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分に沿って、傾動軸心を形成する一対の回動部材（６５）によって支持され、前記復帰部材は、非偏向状態において前記可動マイクロ素子（１０）を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が前記傾動軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジ（７０）である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１２】
請求項１０の可動マイクロ素子（１０）であって、更に、非偏向状態において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が前記傾動軸心または前記捻れ軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジを有する可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分の１つに沿って、前記可動マイクロ素子（１０）を弛緩状態へ復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が前記少なくとも１つの電極を有する前記表面（２０）に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジ（７０）によって支持されている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分の二つに沿って、前記可動マイクロ素子（１０）を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が、前記少なくとも１つの電極を有する前記表面（２０）に対して垂直移動することを許容することが可能な二対の屈曲ヒンジ（７０）によって支持されている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１５】
請求項１３又は１４のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記屈曲ヒンジ（７０）は、多角形状の可動マイクロ素子（１０）の角部に取り付けられている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１６】
請求項１３又は１４のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前前記屈曲ヒンジ（７０）は、多角形状の可動マイクロ素子（１０）の面部に取り付けられている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記屈曲ヒンジ（７０）の少なくとも１つおよび／又は前記捻れ軸心の少なくとも１つは、曲折形状である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記表面（２０）は、更に、前記アドレス電極（４０）から側方に離間した対向電極（３０）を有し、前記アドレス電極（４０）と前記対向電極（３０）とは、前記可動マイクロ素子（１０）を静電吸引可能である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１９】
請求項１８の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）と前記対向電極（３０）との間の電位差をクリア可能であり、これによって、前記可動マイクロ素子（１０）を前記非アドレス状態へ復帰させる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２０】
請求項１８の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）と前記対向電極（３０）との間の電位差をクリア可能であり、これによって、前記可動マイクロ素子（１０）を静電非吸引状態へ復帰させる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２１】
請求項１９〜２０の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記可動マイクロ素子（１０）に向けられる電磁放射である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２２】
請求項１９〜２０の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電をすることが可能な電気信号である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２３】
請求項１又は１９の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記時間Δｔ’が、前記所定パルス信号のパルス長と実質的に等しくなるように、前記時間Δｔ＋Δｔ’と同期される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２４】
複数の反射部材を備える空間光変調器であって、前記反射部材が、請求項１〜２３のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であることを特徴とする空間光変調器。
【請求項２５】
請求項２４の空間光変調器であって、前記反射部材は、１つの共通の素子ピンを介して１つの電位に設定される空間光変調器。
【請求項２６】
請求項２３又は２４の空間光変調器であって、前記対向電極（３０）は、１つの共通の対向ピンを介して１つの電位に設定される空間光変調器。
【請求項２７】
請求項２３〜２６の空間光変調器であって、前記反射部材は、すべて、実質的に同じ時間、アドレス状態にされる空間光変調器。
【請求項２８】
結像面に配置され、電磁放射に感応する加工物（６０）をパターニングするための装置であって、以下、
対物面に向けて電磁放射を放出するソース（１１）と、
前記対物面において前記電磁放射を受け、この電磁放射を前記結像面に配置された前記加工物（６０）に向けて中継するように構成された、複数の反射素子を有するコンピュータ制御焦点板（３０）とを有し、
ここで、前記コンピュータ制御焦点板（３０）が複数の反射素子を有するものにおいて、
前記反射素子は、請求項１〜２３のいずれかの可動マイクロ素子であることを特徴とする装置。
【請求項２９】
表面から離間して配置された可動マイクロ素子の履歴効果を低減させるための方法であって、ここで前記表面が、少なくとも１つの電極を有するものにおいて、前記方法は以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、非アドレス状態を形成する第２電位に設定する工程と、
アドレス電極を第１電位にアドレスする工程であって、ここで前記アドレス電極は、前記表面上に配置され、前記可動マイクロ素子を静電吸引可能である工程と、
前記可動マイクロ素子を、所定のパルス信号が発信される前の時間Δｔにおいて、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替える工程と、
前記可動マイクロ素子を、時間Δｔ＋Δｔ’の間、前記アドレス状態に維持する工程と
を包含する方法。
【請求項３０】
請求項２９の方法であって、更に、以下の工程：
前記第３電位から前記第２電位へ前記可動マイクロ素子を切り替えることによって、前記非アドレス状態に戻す工程を包含する方法。
【請求項３１】
請求項２９の方法であって、更に以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、前記アドレス状態後に、静電非吸引状態に切り替える工程を包含する方法。
【請求項３２】
請求項３１の方法であって、更に以下の工程：
前記所定パルス信号によって、前記アドレス電極と、前記可動マイクロミラーとの間の電位差をクリアし、これにより、前記可動マイクロ素子を前記静電非吸引状態に復帰させる工程を包含する方法。
【請求項３３】
請求項２９〜３２のいずれかの方法であって、前記所定パルス信号は、前記可動マイクロ素子に向けられる電磁放射信号である方法。
【請求項３４】
請求項２９〜３２のいずれかの方法であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電を開始させることが可能な電気信号である方法。
【請求項３５】
請求項２９〜３４のいずれかの方法であって、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０ｍｓよりも短い方法。
【請求項３６】
請求項２９〜３４のいずれかの方法であって、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０μｓよりも短い方法。
【請求項３７】
請求項２９〜３６のいずれかの方法であって、前記第２電位の値は、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位と最小電位との両方において非偏向状態を形成する、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位の半分に実質的に等しく、前記第３電位は、前記アドレス電極に対してアドレスされる前記最小電位に実質的に等しい方法。
【請求項３８】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分に沿って、捻れ軸心を形成する一対の捻りヒンジによって支持する工程を包含する方法。
【請求項３９】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分に沿って、傾動軸心を形成する一対の回動部材によって支持する工程であって、ここで、前記復帰部材は、非偏向状態において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記傾動軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジである工程を包含する方法。
【請求項４０】
請求項３８〜３９のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
少なくとも１つの屈曲ヒンジによって前記可動マイクロ素子を復帰させる工程を包含する方法。
【請求項４１】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分の１つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持する工程を包含する方法。
【請求項４２】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分の二つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が、前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持する工程を包含する方法。
【請求項４３】
請求項４１〜４２のいずれかの方法であって、前記屈曲ヒンジは、多角形の角部に取り付けられている方法。
【請求項４４】
請求項４１〜４２のいずれかの方法であって、前記屈曲ヒンジは、多角形の面部に取り付けられている方法。
【請求項４５】
請求項３８〜４４のいずれかの方法であって、前記屈曲ヒンジの少なくとも１つおよび／又は前記捻れ軸心の少なくとも１つは、曲折形状である方法。
【請求項４６】
請求項２９〜４５のいずれかの方法であって、前記可動マイクロ素子は、請求項１〜２３のいずれかの可動マイクロ素子である方法。
【請求項４７】
請求項２９〜４６のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
前記所定パルス信号を、前記時間Δｔ’が、前記所定信号のパルス長と実質的に等しくなるように、前記時間Δｔ＋Δｔ’と同期させる工程を包含する方法。
【請求項４８】
請求項２９の方法であって、更に、以下の工程：
前記パルス信号が前記可動マイクロ素子に到達することを阻止しながら累積履歴作用を中和化する工程を包含する方法。
【請求項４９】
請求項４８の方法であって、前記中和化工程は、前記可動マイクロ素子が意図された作動中に偏向される状態に対してこれら個々の可動マイクロ素子を逆方向に偏向させることによって行われる方法。
【請求項５０】
請求項４９の方法であって、個々の可動マイクロ素子は、前記累積時間及び第２偏向方向に於ける偏向の度合いに応じて、所与の時間及び所与の偏向度、第１方向に偏向される方法。
【請求項５１】
請求項４８の方法であって、前記累積履歴作用の前記中和化は、加工物上の完全なパターンを構成する異なるストリップ間において行われる方法。
【請求項５２】
請求項４８の方法であって、前記累積履歴作用の前記中和化は、少なくとも１つの可動マイクロ素子が所定の累積時間偏向された後に行われる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に機械部材におけるヒステリシス又は履歴効果を減少させるための技術、特に、可動マイクロ素子と、それにアドレスする方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
好適なミラー偏向のために必要なアドレス電圧を変化させる原因となる空間光変調器（ＳＬＭ）におけるミラー偏向量のヒステリシス又は履歴は、それによってミラーの偏向の精度が低下するために、問題である。この変化は、そのミラーが偏向された時間、偏向量、及び、ミラーがその偏向後に弛緩する必要がある時間に依存する。これらの現象の時定数は、数分間／数時間の範囲であるので、マスクライター又は、最新のＳＬＭ技術を使用した直接ライタにおける任意のパターンにおいて必要なアドレス電圧を予測し、それを補償することは事実上不可能である。
【０００３】
履歴を補償することにおける問題点は、ＳＬＭのミラーには、データが、行毎に、常に同じ方向からロードされることにある。このことは、すべてのミラーが完全偏向状態にある時に、第１列の画素は、非常に高いデューティーサイクルを有し、最後の行においては、それらは非常に低いデューティーサイクルを有し、中間の行においては、中間のデューティーサイクルを有するということを意味する。従って、これらのデューティーサイクルを平均化するために、ＳＬＭを、二回目毎に、第１行及び最後の行からデータをロードするように再構成しない限り、履歴効果に対するバランスとして、集合的にアドレス可能な画素カウンタ電極を使用することも、不可能、又は、少なくとも非常に困難である。またそのように構成した場合でも、履歴は、依然としてパターン依存性であり、ミラーを頻繁に較正するか、もしくは、ＳＬＭのミラーを弛緩させるために、所定時間、そのシステムをアイドル状態に放置することが必要であろう。
【０００４】
従って、履歴効果の少ない、方法及び装置が当該分野において求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記背景に鑑みて、可動マイクロ素子及び、ＳＬＭのミラー部材等の、個々の可動マイクロ素子にアドレスするための方法において、履歴効果を減少させることが非常に重要である。
【０００６】
従って、本発明の課題は、上述した問題を解決する、又は、少なくとも軽減する、改良された可動マイクロ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１実施例において、本発明は、少なくとも１つの電極を有する表面から離間して配置されて、履歴効果又はヒステリシス効果の少ない、可動マイクロ素子を提供する。前記可動マイクロ素子には、少なくとも１つの復帰部材が接続されている。前記表面上にはアドレス電極が配設され、前記可動マイクロ素子を静電吸引可能である。前記アドレス電極は、第１電位にアドレスされる。前記可動マイクロ素子は、先ず、非アドレス状態を形成する第２電位に設定され、所定のパルス信号が発信される前の時間Δｔにおいて、前記可動マイクロ素子は、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替えられる。前記可動マイクロ素子は、時間Δｔ＋Δｔ’の間、前記アドレス状態に維持される。
【０００８】
本発明の別実施例において、前記可動マイクロ素子は、前記第３電位を前記第２電位へ戻すことによって、前記アドレス状態後に、前記非アドレス状態に戻される。
【０００９】
本発明の別実施例において、前記可動マイクロ素子は、前記アドレス状態後に、静電非吸引状態に切り替えられる。
【００１０】
本発明の別実施例において、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極と、前記可動マイクロ素子との間の電位差をクリア可能であり、これにより、前記可動マイクロ素子を前記静電非吸引状態に復帰させる。
【００１１】
本発明の別実施例において、前記所定信号は、前記可動マイクロ素子に向けられる電磁放射信号である。
【００１２】
本発明の別実施例において、前記所定信号は、前記アドレス電極に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電を開始させることが可能な電気信号である。
【００１３】
本発明の別実施例において、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０ｍｓよりも短い。
【００１４】
本発明の別実施例において、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０μｓよりも短い。
【００１５】
本発明の別実施例において、前記第２電位の値は、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位と最小電位との両方において非偏向状態を形成する、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位の半分に実質的に等しく、前記第３電位は、前記アドレス電極に対してアドレスされる前記最小電位に実質的に等しい。
【００１６】
本発明の更に別の実施例において、前記可動マイクロ素子は、その中間部分に沿って、捻れ軸心を形成する一対の捻りヒンジによって支持されている。
【００１７】
本発明の更に別の実施例において、前記可動マイクロ素子は、その中間部分に沿って、傾動軸心を形成する一対の回動部材によって支持され、前記復帰部材は、非偏向状態において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記傾動軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジである。
【００１８】
更に別の実施例において、本発明は、更に、非偏向位置において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記傾動軸心回りで回転することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジを有する。
【００１９】
本発明の更に別の実施例において、前記可動マイクロ素子は、その中間部分の１つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持されている。
【００２０】
本発明の更に別の実施例において、前記可動マイクロ素子は、その中間部分の二つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が、前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な二対の屈曲ヒンジによって支持されている。
【００２１】
本発明の更に別の実施例において、前記屈曲ヒンジは、多角形の角部に取り付けられている。
【００２２】
本発明の更に別の実施例において、前記屈曲ヒンジは、多角形の面部に取り付けられている。
【００２３】
本発明の更に別の実施例において、前記屈曲ヒンジの少なくとも１つおよび／又は前記捻れ軸心の少なくとも１つは、曲折形状である。
【００２４】
本発明の更に別の実施例において、前記表面は、更に、前記アドレス電極から側方に離間した対向電極を有し、前記アドレス電極と前記対向電極とは、前記可動マイクロ素子を静電吸引可能である。
【００２５】
本発明の更に別の実施例において、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極と前記対向電極との間の電位差をクリア可能であり、これによって、前記可動マイクロ素子を前記非アドレス状態へ復帰させる。
【００２６】
本発明の更に別の実施例において、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極と前記対向電極との間の電位差をクリア可能であり、これによって、前記可動マイクロ素子を静電非吸引状態へ復帰させる。
【００２７】
本発明の更に別の実施例において、前記所定信号は、前記可動マイクロ素子に向けられる電磁放射である。
【００２８】
本発明の更に別実施例において、前記所定信号は、前記アドレス電極に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電をすることが可能な電気信号である。
【００２９】
本発明の更に別の実施例において、前記所定パルス信号は、前記時間Δｔ’が、前記所定信号のパルス長と実質的に等しくなるように、前記時間Δｔ＋Δｔ’と同期される。
【００３０】
本発明は、更に、複数の反射部材を備える空間光変調器に関し、ここで、前記反射部材は、前記実施例のいずれかの可動マイクロ素子である。
【００３１】
本発明の別の実施例において、前記反射部材は、１つの共通の素子ピンを介して１つの電位に設定される。
【００３２】
本発明の更に別の実施例において、前記対向電極は、１つの共通の対向ピンを介して１つの電位に設定される。
【００３３】
本発明の更に別の実施例において、前記反射部材は、すべて、実質的に同じ時間、アドレス状態にされる。
【００３４】
本発明は、更に、結像面に配置され、電磁放射に感応する加工物をパターニングするための装置に関する。
【００３５】
第１実施例において、本発明は、対物面に向けて電磁放射を放出するソースと、前記対物面において前記電磁放射を受け、この電磁放射を前記対物面に配置された前記加工物に向けて中継するように構成された、複数の反射可動マイクロ素子を有するコンピュータ制御焦点板とを提供し、ここで、前記コンピュータ制御焦点板が複数の反射マイクロ部材を有するものにおいて、前記反射マイクロ部材は、前記実施例のいずれかの可動マイクロ素子であることを特徴とする。
【００３６】
本発明は、更に、表面から離間して配置された可動マイクロ素子の履歴効果を低減させるための方法に関し、ここで、前記表面は、少なくとも１つの電極を有する。
【００３７】
第１実施例において、本発明は、以下の工程を包含する、
前記可動マイクロ素子を、非アドレス状態を形成する第２電位に設定する、
アドレス電極を第１電位にアドレスする、ここでアドレス電極は、前記表面上に配置され、前記可動マイクロ素子を静電吸引可能である、
前記可動マイクロ素子を、所定のパルス信号が発信される前の時間Δｔにおいて、前記第３電位から、アドレス状態を形成する第４電位に切り替える、
前記可動マイクロ素子を、時間Δｔ＋Δｔ’の間、前記アドレス状態に維持する。
【００３８】
別実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記第３電位から前記第２電位へ前記可動マイクロ素子を切り替えることによって、前記非アドレス状態に戻す。
【００３９】
別実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記可動マイクロ素子を、前記アドレス状態後に、静電非吸引状態に切り替える。
【００４０】
別実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記所定パルス信号によって、前記アドレス電極と、前記可動マイクロ素子との間の電位差をクリアし、これにより、前記可動マイクロ素子を前記静電非吸引状態に復帰させる。
【００４１】
本発明の別実施例において、前記所定信号は、前記可動マイクロ素子に向けられる電磁放射信号である。
【００４２】
本発明の別実施例において、前記所定信号は、前記アドレス電極に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電を開始させることが可能な電気信号である。
【００４３】
本発明の別実施例において、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０ｍｓよりも短い。
【００４４】
本発明の別実施例において、前記時間Δｔ＋Δｔ’は、１０μｓよりも短い。
【００４５】
本発明の別実施例において、前記第２電位は、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位と最小電位との両方において非偏向状態を形成する、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位の半分に実質的に等しく、前記第３電位は、前記アドレス電極に対してアドレスされる前記最小電位に実質的に等しい。
【００４６】
更に別の実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記可動マイクロ素子を、その中間部分に沿って、捻れ軸心を形成する一対の捻りヒンジによって支持する。
【００４７】
更に別の実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記可動マイクロ素子を、その中間部分に沿って、傾動軸心を形成する一対の回動部材によって支持する、ここで、前記復帰部材は、非偏向状態において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記傾動軸心回りで回転することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジである。
【００４８】
更に別の実施例において、本発明は、更に、以下の工程を包含する、
少なくとも１つの屈曲ヒンジによって前記可動マイクロ素子を復帰させる。
【００４９】
更に別の実施例において、本発明は更に以下の工程を包含する、
前記可動マイクロ素子を、その中間部分の１つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持する。
【００５０】
更に別の実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記可動マイクロ素子を、その中間部分の二つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が、前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持する。
【００５１】
本発明の別の実施例において、前記屈曲ヒンジは、多角形の角部に取り付けられている。
【００５２】
本発明の別の実施例において、前記屈曲ヒンジは、多角形の面部に取り付けられている。
【００５３】
更に別の実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記屈曲ヒンジの少なくとも１つおよび／又は前記捻れ軸心の少なくとも１つは、曲折形状である。
【００５４】
本発明の別の実施例において、前記可動マイクロ素子は、前記実施例のいずれかの可動マイクロ素子である。
【００５５】
更に別の実施例において、本発明は、更に以下の工程を包含する、
前記所定パルス信号を、前記時間Δｔ’が、前記所定信号のパルス長と実質的に等しくなるように、前記時間Δｔ＋Δｔ’と同期させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
本発明とその利点の更に完全な理解のために、添付図面を参照して以下の説明を参照する。
【００５７】
図１ａは、本発明による履歴効果が少ない、可動マイクロ素子、たとえば、マイクロ機械部材、の第１実施例を図示している。前記可動マイクロ素子は、たとえば、空間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ：ＳＬＭ）のミラーとすることができる。前記ミラーは、電気入力の関数として該ミラー部材の偏向度を選択的に操作するべくアナログモードで、あるいは、最大偏向と非偏向とによって形成される該ミラー部材のＯＮ及びＯＦＦ状態を表すデジタルモードで作動可能である。前記ミラー部材の偏向は、このミラー（可動マイクロ素子）が、いかに物理的に作用されるかに応じて、前記入力信号の関数として、ほぼ線形であってもよいし、非線形であってもよい。
【００５８】
本実施例において、前記可動マイクロ素子１０は、その１つの中間部分に沿って、一対の捻りヒンジ６０によって支持されたほぼ矩形の反射部材である。この反射部材は、たとえば、多角形、円形、又は楕円形、等の任意の形状にすることができる。前記ヒンジは、それに沿って捻り軸心を形成する。前記捻りヒンジは、前記可動マイクロ素子１０から延出して、支持部材５０によって支持されている。この支持部材は、基材２０上に支持されている。前記可動マイクロ素子１０、前記捻りヒンジ６０、前記支持部材５０及び前記基材は、たとえば、ケイ素やアルミニウムなどの同じ材料から形成することができ、それらは、当業者にとって周知のエッチング技術を使用して１つの基材からエッチングすることができるので、それらについて更に説明することは不要である。
【００５９】
前記基材は、更に、導電性アドレス電極４０と、オプションとしての導電性対向電極３０とを有する。これらアドレス電極４０とオプションとしての対向電極３０とは、前記基材２０内に形成された下方のアドレス回路（図示せず）に接続されている。前記アドレス電極は、コンデンサに接続され、これらコンデンサは、前記電極に対してアドレスされるアドレス電圧を保持する。前記オプションの対向電極３０とアドレス電極４０とは、前記表面２０上で互いに側方に離間され、前記可動マイクロ素子１０を静電吸引可能である。前記捻りヒンジ６０は、前記可動マイクロ素子１０と共に回転又は捻れて、機械的エネルギとしての復元力を提供する。前記可動マイクロ素子、前記オプションの対向電極３０及びアドレス電極に対して電圧がかかっていない時は、前記可動マイクロ部材は、以下の説明において、電気的非吸引状態として記載される、通常のフラットな又は非偏向位置にあるとされる。前記アドレス電圧をアドレス電極から対向電極にシフトすることによって、前記可動マイクロ素子は、反対方向に回動させることができる。
【００６０】
図１ｂは、本発明による履歴効果の少ない、可動マイクロ素子の第２実施例を図示している。この第２実施例は、前記第１実施例に加えて、前記可動マイクロ素子１０に接続されるとともに、支持部材５０によって支持された二つのフレキシブルヒンジ７０を有する。これらフレキシブルヒンジ７０も、前記可動マイクロ素子１０が前記捻りヒンジ６０によって形成される前記捻り軸心回りで偏向する時に、復元力を提供し、変形又は屈曲する。この実施例において、前記フレキシブルヒンジ７０は、その端部の１つが前記支持部材５０に接続され、その他端部が前記可動マイクロ素子１０に接続されたＬ形状である。これらフレキシブルヒンジの一方は、前記捻りヒンジの一方と同じ側に接続され、他方のフレキシブルヒンジは、他方の捻りヒンジと同じ側に接続され、これらフレキシブルヒンジは、前記可動マイクロ素子上で対角線方向に互いに離間している。
【００６１】
図１ｃは、本発明による履歴効果の少ない、可動マイクロ素子の第３実施例を図示している。この実施例と前記第２実施例との相違点は、前記可動マイクロ素子１０が、前記捻れヒンジ６０の代わりに二つの枢支部６５を有することにある。これら枢支部は、前記支持部材５０によって支持されている。これら枢支部は、前記支持部材５０の上部に形成された凹部５５内に位置し、前記可動マイクロ素子２０のその傾動軸心回りでの傾動のみを許容し、それがその位置から側方に外れて移動することは許容しないように、前記枢支部６５のサイズに適合されている。
【００６２】
復元力は、前記可動マイクロ素子１０が、前記枢支部６０によって形成される前記傾動軸心回りで偏向するときに、変形または屈曲するフレキシブルヒンジ７０によって提供される。この実施例において、前記フレキシブルヒンジ７０は、その端部の１つが前記支持部材５０に接続され、その他端部が前記可動マイクロ素子１０に接続されたＬ形状である。これらフレキシブルヒンジの一方は、前記枢支部の一方と同じ側に接続され、他方のフレキシブルヒンジは、他方の枢支部と同じ側に接続され、これらフレキシブルヒンジは、前記可動マイクロ素子上で対角線方向に互いに離間している。
【００６３】
図１ｄは、本発明による履歴効果の少ない、可動マイクロ素子の第４実施例を図示している。この第４実施例と図１−３を参照して記載した前述の実施例との相違点は、可動マイクロ素子１０が、少なくとも１つのアドレス電極４０が取り付けられた表面２０に対して垂直な方向に上下移動することにある。フレキシブルヒンジ７０が、前記可動マイクロ素子１０に接続されるとともに、支持部材５０によって支持されている。前記フレキシブルヒンジ７０は、復元力を提供し、前記可動マイクロ素子１０が、前記表面２０に対して実質的に垂直方向に上下移動する時に、変形又は屈曲する。この実施例において、前記フレキシブルヒンジ７０は、その端部の１つが前記支持部材５０に接続され、その別の端部が前記可動マイクロ素子１０に接続された矩形形状である。前記フレキシブルヒンジは、前記矩形の可動マイクロ素子１０の二つ対向面に取り付けられている。好ましくは、前記ヒンジは、前記可動マイクロ素子１０の対称軸心の１つと一致している。別の実施例において、少なくとももう一対のフレキシブルヒンジ７０が、前記可動マイクロ素子１０に取り付けられ、これらは、この可動マイクロ素子１０の別の対称軸と一致している。図１ｄの実施例において、前記アドレス電極４０は、前記可動マイクロ素子１０と実質的に同じサイズで同じ形状であるが、このアドレス電極の形状とサイズを、共に、前記可動マイクロ素子１０と異なるものとすることも可能である。前記アドレス電極は、又、複数のアドレス電極４０に分割することも可能である。他の可動マイクロ素子（同じ画素の）を弛緩位置に維持した状態で（可動マイクロ素子１０とアドレス電極４０との間に静電吸引力が無い状態）、可動マイクロ素子１０を下方にシフトする（この部材に当たるべく使用される波長の１／４だけ）ことによって、破壊的干渉が達成される。
【００６４】
図１ｅは、本発明による、履歴効果の少ない、可動マイクロ素子の第５実施例を図示している。この第５実施例と前記第４実施例との相違点は、前記フレキシブルヒンジ７０がＬ形状であり、これらフレキシブル部材７０の数が、２ではなく４であり、更に、それらの各対が、対角対称軸心と実質的に一致していることにある。
【００６５】
図２は、本発明による、履歴効果を低減させる方法の略流れ図を示している。
【００６６】
第１工程１１０は、前記可動マイクロ素子１０を第２電位に設定する工程を表している。前記第２電位は、たとえば、前記アドレス電極にアドレスされる最大電位の値の半分である電位とすることができる。前記第３電極は非アドレス状態を形成する。
【００６７】
第２工程１２０は、アドレス電極４０を第１電位にアドレスする工程を表している。前記第１電位は、最小電位と前記最大電位との間の任意の値にすることができ、ここで、前記最小電位は接地電位とすることができ前記最大電位はたとえば２０Ｖとすることができる。前記アドレス電極４０は、前記表面２０上に配置され、前記可動マイクロ素子１０を静電吸引可能である。
【００６８】
第３工程１３０は、前記可動マイクロ素子を、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替える工程を表している。この第３電位への切り替えは、所定のパルス信号が発信される前の時間Δｔに行われる。前記第３電位は、たとえば、接地電位とすることができる。
【００６９】
第４工程１４０は、前記可動マイクロ素子を、一実施例では１０ｍｓよりも短く、別の実施例では１０μｓよりも短い、Δｔ＋Δｔ’に等しい時間、前記アドレス状態に維持する工程を表している。Δｔ’は、たとえば、そのコンデンサのタイプとサイズとに応じて数μｓ又はそれ以下とされる、コンデンサを放電するための時間に対応したものとすることができる。Δｔは、サブ秒の範囲の任意の値、より好ましくは、約１０ｍｓ以下、最も好ましくは１０μｓ以下の値に設定することができる。Δｔは、通常、Δｔ’よりも長いが、その反対の構成も適用可能である。前記所定信号は、たとえば、パルスレーザなどの、パルス電磁放射ビームとすることができる。Δｔ’は、一実施例において、前記パルス信号のパルス長と同期される。
【００７０】
前記時間Δｔ＋Δｔ’前記アドレス状態にされた後、前記可動マイクロ素子は、前記第２電位に戻されるか、もしくは、静電非吸引状態へ切り替えられる。
【００７１】
空間光変調器は、一次元列又は二次元アレイ状に配置された可動マイクロ素子のタイプとすることができる複数のミラーを備えることができる。前記ＳＬＭにおいて、すべての可動マイクロ素子、すなわち、ミラー表面は、１つの電圧面に接続することができ、入力ピンの１つ、所謂素子ピンにおいてこの平面にアドレスすることが可能である。同じことは、前記基材２０上のすべての対向電極３０にも当てはまる。すなわち、それらは、所謂対向ピンを使用して共にアドレス可能である。前記対向電極３０が接地電位に維持されているとき、前記アドレス電極は、接地電位にアドレスされ、可動マイクロ素子は、前記第３又は第４電位のいずれかに設定され、アドレス電極と可動マイクロ素子との間の電位差は、対向電極と可動マイクロ素子との間の電位差に等しいので、可動マイクロ素子は偏向されない。しかしながら、その厚みによっては、可動マイクロ素子の両エッジ間に小さな下方への曲げ部を設けることも可能である。この曲げ部は、前記可動マイクロ素子の厚みを一定として、この可動マイクロ素子にかかる電圧の増加に伴って増加する。前記ＳＬＭのすべてのミラーは、前記第３電位から前記第４電位へ、すなわち、前記非アドレス状態から前記アドレス状態へ、実質的に同時に切り替えられる。ＳＬＭのすべてのミラーは、又、実質的に同じ時間（Δｔ＋Δｔ’）前記アドレス状態にあり、これによって、これらミラー部材の履歴効果を除去、又は少なくとも低減する。これらミラー部材がアドレス状態にある時間が短いほど、これらミラー部材はヒステリシス効果（履歴効果）によって影響される度合いが少ない。すなわち、ミラー部材がアドレス状態にある時間の割合として定義されるデューティーサイクルが短いほど、前記ヒステリシス効果によるミラー部材への影響は少なくなる。ミラー部材は、前記アドレス状態に短時間留まるだけでなく、ミラー部材全部が、実質的に同じ時間、すなわちΔｔ＋Δｔ’だけ、前記アドレス状態に留まるのである。
【００７２】
もしも可動マイクロ素子が１０Ｖに設定され対向電極が接地電位に維持されるならば、可動マイクロ素子１０は、アドレス電極が最低電圧０Ｖにアドレスされる場合と最大電圧２０Ｖとにアドレスされる場合との両方において、実質的に非偏向状態に留まることになる。これは、静電気力において電圧の符号は重要ではなく、それは常に吸引状態であるということを認識することによって理解することができる。アドレス電極と可動マイクロ素子との間の電位差の関数としての偏向の一例が図３に図示されている。図３において、可動部材は、ゼロ電位にあり、偏向度を交互に上下に動かして測定しながら、アドレス電極の電位が変化されている。この図において、可動マイクロ素子は、ある電位差（この例では１０Ｖ）以下では実質的に非偏向状態であることが理解できる。可動マイクロ素子とアドレス電極との間の電磁力は、前記捻りヒンジ６０（単数又は複数）および／又はフレキシブルヒンジ７０の機械的復元力によって反作用を受ける。可動マイクロ素子に取り付けられたこれら捻りヒンジおよび／又はフレキシブルヒンジのタイプと数とに応じて、アドレス電極と可動マイクロ素子との間の電位差の関数としての前記偏向は変化可能である。
【００７３】
このことは、回転部材に対して１０Ｖを使用して対応する回転部材を実質的に偏向させることなく、すべての画素（すなわち、回転部材）にアドレスすることが可能であるということを意味する。たとえば、前記可動マイクロ素子に向けられた前記電磁放射信号とすることができる、所定の信号の直前に、可動マイクロ素子に対する電圧が０ボルトにシフトすると、すべての可動マイクロ素子は、同時に前記所望偏向状態になる。前記電磁放射が可動マイクロ素子に当たると、基材上の前記アドレス電極に接続されたすべてのコンデンサが放電され、可動マイクロ素子は、即座に前記非偏向、電磁非吸引状態に戻る。このようにして、すべての可動マイクロ素子を偏向するデューティーサイクルを、ミラー電圧のスイッチング時間に基づいて、非常に小さなものとして維持することができる。もしも、Δｔ＋Δｔ’が１０マイクロ秒に維持されるならば、前記パルス信号の周波数が１０００Ｈｚであるとすると、完全偏向状態のデューティーサイクルは１％になる。
【００７４】
前記アドレス電極が、前記最大又は最小（接地）電位にアドレスされ、可動マイクロ素子が最大電位の値の半分に設定され、対向電極が接地電位に維持された時、可動マイクロ素子は偏向されず、アドレスされない。最大電位と最小電位との間の各値の場合、可動マイクロ素子は偏向され、アドレスされない。最悪のケースは、アドレス電圧が最大値の値の半分である場合である。この場合、アドレス電極と可動マイクロ素子は共に１０Ｖであるため、それらの間に力は発生しない。次に、対向電極が１０Ｖに対応する力によって可動マイクロ素子を下方に引っ張る。しかしながら、幸運なことに、この偏向は、図３から理解されるように、可動マイクロ素子の非線形挙動により、比較的小さなものである。
【００７５】
図４は、電磁放射感応材の層によってコーティングされた加工物６０をパターニングするための装置１００の実施例を図示している。この装置１００は、電磁放射を放出するソース１１と、第１レンズ系５０と、コンピュータ制御焦点板３０と、第２レンズ系２０と、空間フィルタ７０と、第３レンズ系４０と、加工物６０とを有する。
【００７６】
前記ソース１１は、７８０ｎｍから約２０μｍまでとして定義される赤外線（ＩＲ）から、本出願においては、１００ｎｍから、その放射が電磁放射として扱われることが可能な限りの低い波長の範囲として定義される極紫外線（ＥＵＶ）までの波長範囲の放射線を放出可能である。このソース１１は、放射線をパルス状又は連続状に放出する。連続放射線ソース１１からの放出放射線は、この放射線ソース１１と前記コンピュータ制御焦点板３０との間の放射線経路に位置するシャッタによってパルス状放射線に形成することが可能である。一例として、前記放射線ソース１１は、パルス出力２４８ｎｍ、パルス長約１０ｎｓ、反復速度１０００ＨｚのＫｒＦエキシマレーザとすることができる。前記反復速度は、１０００Ｈｚ以下であってもよいし、１０００Ｈｚ以上であってもよい。前記第２レンズ系２０は、単純なレンズ又は、複数のレンズのアセンブリとすることができる。この第２レンズ系２０は、前記放射線ソース１１から放出された放射線を、前記コンピュータ制御焦点板３０の表面上に均一に分配する。
【００７７】
前記第２レンズ系２０は、無限遠にその射出ひとみを有することができ、このことは、放射線の円錐の中央軸心が平行であるということを意味する。前記対物面は、前記コンピュータ制御焦点板３０の位置と一致し、この実施例では、前記放射線円錐の中央軸心は、前記対物面において平行である。前記コンピュータ制御焦点板３０は、空間光変調器（ＳＬＭ）とすることができる。この実施例では、このＳＬＭは、前記加工物６０全体をパターニングするのに必要なすべての情報を単一の瞬間に有する。
【００７８】
空間光変調器３０は、反射式又は透過式のものとすることができる。図１に図示された実施例において、前記ＳＬＭは、反射式ＳＬＭである。反射式空間光変調器は二つのタイプ、すなわち、偏向式と位相式、がある。これらの間の違いは、特にマイクロミラーの場合、小さなものに見えるかもしれないが、位相式ＳＬＭは、破壊的干渉によって反射方向のビームを消すのに対して、偏向式ＳＬＭの画素は、反射ビームが、結像レンズの口径を外れるように、反射ビームを片側に幾何学的に偏向させる。通常、偏向式ＳＬＭのマイクロミラーは、位相式ＳＬＭのマイクロミラーと比較して、マイクロミラーの表面がフラットである、弛緩したＳＬＭの表面によって形成されるフラット位置からより大きく変位する。本発明によって行われるような超精密パターニングのためには、位相式ＳＬＭの方が偏向式ＳＬＭよりも優れている。
【００７９】
第１に、位相式ＳＬＭは、その表面のすべてのパーツ、更に、ヒンジ、支持ポストが、前記破壊的干渉に関与し、完全消衰を達成することが可能であるため、コントラストがより優れている。
【００８０】
第２に、放射線を片側に偏向することによって作用するシステムは、中間変更角度において光軸回りで対称に形成することが困難であり、焦点が変更された場合に機能不安定性が発生する虞がある。位相式ＳＬＭは、マイクロ加工ミラー、所謂マイクロミラー、又は、支持基材上の連続ミラー面によって構築することができ、前記ミラー面は、電気信号を使用して変形することが可能である。
【００８１】
たとえば、前記連続ミラーは、静電電界によって制御される粘弾性層を使用することができるが、特に数ナノメートル程度の変形で十分である非常に短い波長の場合には、電界又はその他の電気的、磁気的、又は熱的に制御される反射面によって変形される圧電固体ディスクを使用することも同様に可能である。本出願の以下の記載においては、静電制御マイクロミラーマトリクス（一次元又は二次元）を前提としているが、それらの変調メカニズムとして、ＬＣＤ結晶又は電気光学材料に基づく透過式又は反射式ＳＬＭや、圧電式又は電気歪動作を使用したマイクロ機械式ＳＬＭ等の、上述したようなその他の構成も可能である。
【００８２】
前記ＳＬＭは、コンピュータからの別々の入力によって変調される出力放射線を発生するプログラマブル装置である。ＳＬＭは、コンピュータから供給されるデータに応答して、光輝又は暗画素の発生を通じてマスクの作用をシミュレートする。たとえば、位相式ＳＬＭは、エッチングされた固体ミラーのアレイである。各マイクロミラー部材は、別の支持ポスト又は隣接するミラーのいずかによって支持することが可能な、捻りヒンジによってケイ素基材の上方に懸架されている。これらのマイクロミラー部材の下方にアドレス電極が配置されている。１つのマイクロミラーは、対物面に１つの画素を表す。結像面の画素は、ここでは、マイクロミラーと同じ幾何学形状を有するものとして定義されるが、その光学系、すなわち、その光学系が拡大式であるか、それとも非拡大式であるのかに応じて、大きいか、小さいかによってそのサイズは異なったものとすることができる。
【００８３】
前記マイクロミラーとアドレス電極とは、コンデンサとして作用し、マイクロミラーに対する電圧に対して、アドレス電極に対して当てられる電圧によって、マイクロミラーを懸架している前記捻りヒンジを捻り、これによって、マイクロミラーが回転することを許容し、それによって位相差を作り出す。与えられる電圧に応じて、マイクロミラーの回転は、フラット位置から完全回転位置までのいずれの状態もとることができる。その辺の長さが約１６μｍの実質的に方形の表面を有する完全回転状態のマイクロミラーは、通常８ｍＲａｄである。より一般的には、前記完全回転マイクロミラーは、回転軸心に対して平行なエッジでの測定で、使用される波長の１／４回転するか、若しくは、前記表面に対して垂直に移動するマイクロミラーの場合は、最大状態と最小状態との間の差は、前記マイクロミラーの表面に対して平行な測定で、使用される波長の１／４である。
【００８４】
投影システム８０は、この実施例において、前記第３レンズ系４０と、空間フィルタ７０と、前記第１レンズ系５０とを有する。前記第３レンズ系４０と、空間フィルタ７０とは、協働で、一般にフーリエフィルタと呼ばれているものを形成する。
【００８５】
前記空間フィルタ７０は、この実施例では、プレートに形成された穴である。この穴は、一次およびより高次の次数に回折される実質的にすべての回折次数を阻止するように寸法構成及び配置構成されており、たとえば、前記穴は、前記第３レンズ系４０からの焦点距離位置に配置することができる。反射された放射線は、同時に前記第１レンズ系５０のひとみ面としても作用する焦点面において第３レンズ系４０によって集められる。前記穴は、ＳＬＭ中のアドレスされたマイクロミラーの一次又はより高次の回折次数の光をカットアウトし、これに対して、非アドレスミラー表面からの放射線はこの穴を通過することができる。その結果、従来のリトグラフィと同様、加工物６０上で強度変調された空間像が形成される。最適な画像コントラストのためには、すべての画素が変更されたＳＬＭの回折パターンは、ゼロ次数の放射線無しで、一次及びそれより高次の回折次数の光のみを含むものであるべきである。
【００８６】
前記第１レンズ系５０は、この実施例では、無限縁にその射出ひとみを有している。すなわち、加工物６０の位置によって形成される結像面の放射線の円錐の中心軸心は平行である。
【００８７】
前記加工物６０は、半導体デバイスやディスプレイパネル用のフォトマスクなどの、感光面を備えた基材とすることができる。それは、又、感光層によってコーティングされた半導体ウエハとすることも可能である。本発明は、半導体デバイスバターン、ディスプレイパネル、一体型光デバイス、及び電子相互接続構造の直接パターニングのみに用途を有するものではないので、それは、セキュリティパターニング等のその他のタイプのパターニングにも利用可能である。ここでパターニングという用語は、フォトレジスト、及び写真乳剤の露光のみならず、放射線又は熱によって起動されるアブレーション又は化学的プロセス等の他の放射線感応媒体（たとえば、ドライプロセスペーパー）に対する放射線の作用も意味する、広い意味に理解されるべきである。本発明は、又、加工されたウエハが、放射線によって再加工される、ウエハ修復にも利用可能である。
【００８８】
前記加工物６０は、一定の速度で移動する移動ステージ上に配置することも可能である。この場合、前記電磁放射線は、前記コンピュータ制御焦点板３０を照射し、加工物６０に上に結像される各パルスが、その加工物６０の異なる部分を照射する、パルス状電磁ソース１１である。たとえばＳＬＭとすることができる前記コンピュータ制御焦点板３０は、そのマイクロミラーの全アレイが、各パルスに対して加工物６０上に正確な画像を形成するべく再構成可能に作動する。
【００８９】
最初に、ＣＡＤレイアウトからの二値パターンが、ＳＬＭデータのデータセットに変換される。このデータがＳＬＭに転送され、ここで、それに組み込まれた制御電子構造によって、多数のマイクロミラーが位置を変える。これにより、非偏向画素は、加工物上の明るい領域を表す。前記画像平面において前に定義された特定の画像画素の放射線の各円錐は、たとえば、単一のマイクロミラーとすることができる、前記コンピュータ制御焦点板３０の１つの特定のオブジェクト画素に対応する。各マイクロミラーは、上述したように可動マイクロ素子タイプのものとすることができる。
【００９０】
加工物６０上のパターンは、多数のＳＬＭスタンプ（ｓｔａｍｐｓ）によって形成される。これらのスタンプは、互いに部分的に重なり合ったものとすることができる。これらのスタンプは、ストリップ状に共にグループ化され、そこで、各ストリップは、少なくとも二つのスタンプを有し、マスク基材の全長、又はその一部をカバーする。ストリップ上の前記スタンプは、一次元の線、たとえば、スタンプの行又は列として配置される。
【００９１】
図５は、ＳＬＭスタンプ１５０が加工物６０上に配置される方法の一例を図示している。この図において、加工物６０は、ＳＬＭスタンプ１５０の線１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８と、８つの列ｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４，ｃ５，ｃ６，ｃ７，ｃ８によってカバーされている。実際には、加工物は、数千のＳＬＭスタンプによってカバーされるが、明瞭化のために、８ｘ８のみのパターンが図示されている。個々のスタンプは、多数の画素、通常は、数百万の画素を有する。ストリップは、完全な線、１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８又はそのような線の一部とすることができる。前記放射線ソースが、加工物に対してその上にパターンを結像するべくＳＬＭに対して放射線を放出しながら、加工物を載せる支持構造はストリップの方向、たとえば、線１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８に沿って移動する。１つのストリップを完了すると、支持構造は、ストリップの方向に対して実質的に垂直な方向、そして、この方向のスタンプのサイズに実質的に等しい方向に移動する。
【００９２】
履歴（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）は、すべてのパラメータを偏向状態において一定に保ったときに、アクチュエータ／画素位置の漸進的に増大する変化として現れる、累積的材料作用である。更に、それは、アクチュエータが、十分な時間、非偏向状態に放置された時に、多少保存されて（ｃｕｒｅ  ｏｕｔ）現れる。履歴の蓄積と履歴の保存とは共に非線形な作用である。このように、所与の時点における位置は、その時点においてアクチュエータが受けている静電力のみならず、この特定のアクチュエータの偏向の履歴にも依存する。従って、アクチュエータのレスポンスは、ある時間後において不正確になる。すなわち、リトグラフィープロセスにおけるマスク上のフィーチャーのプレースメント精度が低下する。
【００９３】
本発明の別実施例において、前記履歴は、完全に、又は少なくとも大幅に低減される。
【００９４】
加工物上に完全なパターンを加工する時間の間、二回のレーザ閃光間の時間よりも長く、その時にパターンが形成されない時間の間隔が存在するかもしれない。前記支持構造体が１つの完了したストリップの端部からもう一つのストリップの始めへ移動するのに必要な時間である戻りストローク中、レーザは、ＳＬＭを照射しない。この戻りストローク中は、ＳＬＭ上のパターンは、マスク上の最終パターンに作用していない。従って、戻りストロークの時間中に、１つのストリップからもう一つのストリップへの前記累積的履歴作用を低減又は中和するのに望ましい任意の方法でＳＬＭを作動させることが可能である。
【００９５】
加工物上に特定のパターンをプリントする時に、個々の画素の偏向時間とその偏向の程度を、各ストリップの間にモニタしてもよい。たとえば、戻りストローク中における履歴に対する反作用は、各アクチュエータを逆又は負の状態にシフトさせることによって達成することができる。これは、ＳＬＭ中の各アクチュエータに対して、その前のストリップ（単数又は複数）の露光（単数又は複数）中に発生した履歴を正確に抑止する、振幅、アドレス時間、又は、振幅とアドレス時間のセットを使用することによって行うことができる。
【００９６】
更に、各アクチュエータに関して発生した瞬間的な履歴作用をモニタし、その後それをキャンセルする、フィードバックシステムを使用することも可能である。これは、すべてのアクチュエータが同じ振幅にアドレスされる時に各アクチュエータからのコントラストを測定する、イン・システム（ｉｎ−ｓｙｓｔｅｍ）カメラに基づくモニタシステムを使用することによって行うことができる。測定は、コントラスト微分（ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）がそのマスクライターシステムに於ける可能な最高値であるアクチュエータの集合的アドレス位置を使用して、各ストリップの直後に行われるべきである。その後、この測定からの情報を使用して、戻りストロークの残り部分中の履歴反作用アドレシングのために振幅とアドレス時間を微調節することができる。
【００９７】
履歴作用を低減又は取り消すための時間として戻りストロークを使用する代わりに、この取り消しまたは低減方法を、完全なパターンの加工中のいかなる時点において実行してもよい。たとえば、特定のアクチュエータが、所与の時間、アドレス状態であった所与の時点において画像形成プロセスを停止してもよく、その場合、偏向の量を考慮に入れてもよいし、又は入れなくてもよい。
【００９８】
履歴の取り消しは、１つ以上の工程で行ってもよい。偏向時間と偏向度とに関する情報から、又は、たとえばＣＣＤカメラによって撮られた画像から計算された、所与の時間間隔において個々のアクチュエータを無効にした後、履歴が取り消されたＳＬＭから採られた画像から更なる微調節を行ってもよい。各ＳＬＭ画素は所与の状態に設定され、この状態からの相違の程度によって、そのアクチュエータの更なる微調節、又は、個々の画素のためのアドレス機能における補償が行われる。
【００９９】
このように、これまで、加工物をパターニングするための装置の特定の実施例を開示してきたが、このような具体的言及が、特許請求の範囲に記載されていることを除いて、本発明の範囲に対する限定として見なされることは意図されていない。更に、これまで本発明を、その特定の実施例との関連において記載してきたが、当業者はその他の実施例にも想到するであろうと理解され、特許請求の範囲には、そのような改変構成がすべて含まれるものと意図される。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１ａ】本発明による履歴効果が少ない、可動マイクロ素子の第１実施例を図示している。
【図１ｂ】本発明による履歴効果が少ない、可動マイクロ素子の第２実施例を図示している。
【図１ｃ】本発明による履歴効果が少ない、可動マイクロ素子の第３実施例を図示している。
【図１ｄ】本発明による履歴効果が少ない、可動マイクロ素子の第４実施例を図示している。
【図１ｅ】本発明による履歴効果が少ない、可動マイクロ素子の第５実施例を図示している。
【図２】本発明による履歴効果を低減させる方法の略流れ図を示している。
【図３】アドレス電極と可動マイクロ素子との間の電位差の関数としての偏向の略図を示している。
【図４】電磁放射感応材層によってコーティングされた基材をパターニングするための光学システムを図示している。
【図５】加工物上のＳＬＭスタンプの構成を図示している。
【国際公開パンフレット】
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【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電極を有する表面（２０）から離間して配置されて、履歴効果の少ない、可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）には、少なくとも１つの復帰部材（６０，７０）が接続され、前記表面（２０）上にはアドレス電極（４０）が配設され、前記可動マイクロ素子（１０）を静電吸引可能であり、前記アドレス電極（４０）が、第１電位にアドレスされるものにおいて、
前記可動マイクロ素子（１０）は、先ず、所定のパルス信号が前記可動マイクロ素子（１０）に対して発信される前の時間Δｔにおいて、非アドレス状態を形成する第２電位に設定され、前記可動部材は、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替えられ、前記履歴作用は、前記可動マイクロ素子（１０）のアドレス状態デューティーサイクルを減少させることによって低減される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、前記第３電位を前記第２電位へ戻すことによって、前記アドレス状態後に、前記非アドレス状態に戻される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項３】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、前記第２電位状態後に、静電非吸引状態に切り替えられる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項４】
請求項３の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）と、前記可動マイクロ素子（１０）との間の電位差をクリア可能であり、これにより、前記可動マイクロ素子（１０）を前記静電非吸引状態に復帰させる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項５】
請求項１又は４の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記可動マイクロ素子（１０）に向けられる電磁放射である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項６】
請求項１又は４の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電を開始させることが可能な電気信号である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項７】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子は、１０ｍｓよりも短い時間Δｔ＋Δｔ’、前記アドレス状態に維持される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項８】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子は、１０μｓよりも短い時間Δｔ＋Δｔ’、前記アドレス状態に維持される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項９】
請求項１の可動マイクロ素子（１０）であって、前記第２電位の値は、前記アドレス電極（４０）に対してアドレスされる最大電位と最小電位との両方において非偏向状態を形成する、前記アドレス電極（４０）に対してアドレスされる最大電位の半分に実質的に等しく、前記第３電位は、前記アドレス電極（４０）に対してアドレスされる前記最小電位に実質的に等しい可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分に沿って、捻れ軸心を形成する一対の捻りヒンジ（６０）によって支持されている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分に沿って、傾動軸心を形成する一対の回動部材（６５）によって支持され、前記復帰部材は、非偏向状態において前記可動マイクロ素子（１０）を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が前記傾動軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジ（７０）である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１２】
請求項１０の可動マイクロ素子（１０）であって、更に、非偏向状態において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が前記傾動軸心または前記捻れ軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジを有する可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分の１つに沿って、前記可動マイクロ素子（１０）を弛緩状態へ復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が前記少なくとも１つの電極を有する前記表面（２０）に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジ（７０）によって支持されている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記可動マイクロ素子（１０）は、その中間部分の二つに沿って、前記可動マイクロ素子（１０）を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子（１０）が、前記少なくとも１つの電極を有する前記表面（２０）に対して垂直移動することを許容することが可能な二対の屈曲ヒンジ（７０）によって支持されている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１５】
請求項１３又は１４のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記屈曲ヒンジ（７０）は、多角形状の可動マイクロ素子（１０）の角部に取り付けられている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１６】
請求項１３又は１４のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前前記屈曲ヒンジ（７０）は、多角形状の可動マイクロ素子（１０）の面部に取り付けられている可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記屈曲ヒンジ（７０）の少なくとも１つおよび／又は前記捻れ軸心の少なくとも１つは、曲折形状である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であって、前記表面（２０）は、更に、前記アドレス電極（４０）から側方に離間した対向電極（３０）を有し、前記アドレス電極（４０）と前記対向電極（３０）とは、前記可動マイクロ素子（１０）を静電吸引可能である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項１９】
請求項１８の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）と前記対向電極（３０）との間の電位差をクリア可能であり、これによって、前記可動マイクロ素子（１０）を前記非アドレス状態へ復帰させる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２０】
請求項１８の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）と前記対向電極（３０）との間の電位差をクリア可能であり、これによって、前記可動マイクロ素子（１０）を静電非吸引状態へ復帰させる可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２１】
請求項１９〜２０の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記可動マイクロ素子（１０）に向けられる電磁放射である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２２】
請求項１９〜２０の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極（４０）に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電をすることが可能な電気信号である可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２３】
請求項７又は８の可動マイクロ素子（１０）であって、前記所定パルス信号は、前記時間Δｔ’が、前記所定信号のパルス長と実質的に等しくなるように、前記時間Δｔ＋Δｔ’と同期される可動マイクロ素子（１０）。
【請求項２４】
複数の反射部材を備える空間光変調器であって、前記反射部材が、請求項１〜２３のいずれかの可動マイクロ素子（１０）であることを特徴とする空間光変調器。
【請求項２５】
請求項２４の空間光変調器であって、前記反射部材は、１つの共通の素子ピンを介して１つの電位に設定される空間光変調器。
【請求項２６】
請求項２３又は２４の空間光変調器であって、前記対向電極（３０）は、１つの共通の対向ピンを介して１つの電位に設定される空間光変調器。
【請求項２７】
請求項２３〜２６の空間光変調器であって、前記反射部材は、すべて、実質的に同じ時間、アドレス状態にされる空間光変調器。
【請求項２８】
結像面に配置され、電磁放射に感応する加工物（６０）をパターニングするための装置であって、以下、
対物面に向けて電磁放射を放出するソース（１１）と、
前記対物面において前記電磁放射を受け、この電磁放射を前記結像面に配置された前記加工物（６０）に向けて中継するように構成された、複数の反射素子を有するコンピュータ制御焦点板（３０）とを有し、
ここで、前記コンピュータ制御焦点板（３０）が複数の反射部材を有するものにおいて、
前記反射部材は、請求項１〜２３のいずれかの可動マイクロ素子であることを特徴とする装置。
【請求項２９】
表面から離間して配置された可動マイクロ素子の履歴効果を低減させるための方法であって、ここで前記表面が、少なくとも１つの電極を有するものにおいて、前記方法は以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、非アドレス状態を形成する第２電位に設定する工程と、
アドレス電極を第１電位にアドレスする工程であって、ここでアドレス電極は、前記表面上に配置され、前記可動マイクロ素子を静電吸引可能である工程と、
前記可動マイクロ素子を、所定のパルス信号が発信される前の時間Δｔにおいて、前記第２電位から、アドレス状態を形成する第３電位に切り替える工程と、
前記可動マイクロ素子のアドレス状態デューティーサイクルを減少させることによって前記履歴作用を減少させる工程と
を包含する方法。
【請求項３０】
請求項２９の方法であって、更に、以下の工程：
前記第３電位から前記第２電位へ前記可動マイクロ素子を切り替えることによって、前記非アドレス状態に戻す工程を包含する方法。
【請求項３１】
請求項２９の方法であって、更に以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、前記アドレス状態後に、静電非吸引状態に切り替える工程を包含する方法。
【請求項３２】
請求項３１の方法であって、更に以下の工程：
前記所定パルス信号によって、前記アドレス電極と、前記可動マイクロミラーとの間の電位差をクリアし、これにより、前記可動マイクロ素子を前記静電非吸引状態に復帰させる工程を包含する方法。
【請求項３３】
請求項２９〜３２のいずれかの方法であって、前記所定パルス信号は、前記可動マイクロ素子に向けられる電磁放射信号である方法。
【請求項３４】
請求項２９〜３２のいずれかの方法であって、前記所定パルス信号は、前記アドレス電極に接続されるとともに、前記第１電位をローディングされるコンデンサの放電を開始させることが可能な電気信号である方法。
【請求項３５】
請求項２９〜３４のいずれかの方法であって、前記可動マイクロ素子は、１０ｍｓよりも短い時間Δｔ＋Δｔ’、前記アドレス状態に維持される方法。
【請求項３６】
請求項２９〜３４のいずれかの方法であって、前記可動マイクロ素子は、１０μｓよりも短い時間Δｔ＋Δｔ’、前記アドレス状態に維持される方法。
【請求項３７】
請求項２９〜３６のいずれかの方法であって、前記第２電位の値は、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位と最小電位との両方において非偏向状態を形成する、前記アドレス電極に対してアドレスされる最大電位の半分に実質的に等しく、前記第３電位は、前記アドレス電極に対してアドレスされる前記最小電位に実質的に等しい方法。
【請求項３８】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分に沿って、捻れ軸心を形成する一対の捻りヒンジによって支持する工程を包含する方法。
【請求項３９】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分に沿って、傾動軸心を形成する一対の回動部材によって支持する工程であって、ここで、前記復帰部材は、非偏向状態において前記可動マイクロ素子を復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記傾動軸心回りで傾動することを許容することが可能な少なくとも１つの屈曲ヒンジである工程を包含する方法。
【請求項４０】
請求項３８〜３９のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
少なくとも１つの屈曲ヒンジによって前記可動マイクロ素子を復帰させる工程を包含する方法。
【請求項４１】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分の１つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持する工程を包含する方法。
【請求項４２】
請求項２９〜３７のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
前記可動マイクロ素子を、その中間部分の二つに沿って、前記可動マイクロ素子を弛緩状態に復帰させるとともに、これと同時に、前記可動マイクロ素子が、前記少なくとも１つの電極を有する前記表面に対して垂直移動することを許容することが可能な一対の屈曲ヒンジによって支持する工程を包含する方法。
【請求項４３】
請求項４１〜４２のいずれかの方法であって、前記屈曲ヒンジは、多角形の角部に取り付けられている方法。
【請求項４４】
請求項４１〜４２のいずれかの方法であって、前記屈曲ヒンジは、多角形の面部に取り付けられている方法。
【請求項４５】
請求項３８〜４４のいずれかの方法であって、前記屈曲ヒンジの少なくとも１つおよび／又は前記捻れ軸心の少なくとも１つは、曲折形状である方法。
【請求項４６】
請求項２９〜４５のいずれかの方法であって、前記可動マイクロ素子は、請求項１〜２３のいずれかの可動マイクロ素子である方法。
【請求項４７】
請求項３５又は３６のいずれかの方法であって、更に、以下の工程：
前記所定パルス信号を、前記時間Δｔ’が、前記所定信号のパルス長と実質的に等しくなるように、前記時間Δｔ＋Δｔ’と同期させる工程を包含する方法。
【請求項４８】
請求項２９の方法であって、更に、以下の工程：
前記パルス信号が前記可動マイクロ素子に到達することを阻止しながら累積履歴作用を中和化する工程を包含する方法。
【請求項４９】
請求項４８の方法であって、前記中和化工程は、前記可動マイクロ素子が意図された作動中に偏向される状態に対してこれら個々の可動マイクロ素子を逆方向に偏向させることによって行われる方法。
【請求項５０】
請求項４９の方法であって、個々の可動マイクロ素子は、前記累積時間及び第２偏向方向に於ける偏向の度合いに応じて、所与の時間及び所与の変更度、第１方向に偏向される方法。
【請求項５１】
請求項４８の方法であって、前記累積履歴作用の前記中和化は、加工物上の完全なパターンを構成する異なるストリップ間において行われる方法。
【請求項５２】
請求項４８の方法であって、前記累積履歴作用の前記中和化は、少なくとも１つの可動マイクロ素子が所定の累積時間偏向された後に行われる方法。
【国際調査報告】
2004520618.tif 000048
2004520618.tif 000049
2004520618.tif 000050