(57)【要約】【課題】データ記憶装置、特に基板用途、での使用に適したポリマーを用いた制振系を提供する。【解決手段】製品及びポリカーボネート組成物の制振性能を改善するとともに、ガラス転移温度が約１５０℃を超えるデータ用記憶媒体が提供される。具体的には、（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体において、ポリカーボネートとして、約１５０℃以上のガラス転移温度を有する特定の構造のものを選択する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と、（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体であって、上記ポリカーボネートが、下記の構造（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はその組合せからなる１種以上の化合物を含み、約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、記憶媒体。
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【化４】
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【請求項２】
前記ポリカーボネートが構造（Ｉ）を含む、請求項１記載の記憶媒体。
【請求項３】
前記ポリカーボネートが構造（II）を含む、請求項１記載の記憶媒体。
【請求項４】
前記ポリカーボネートが構造（III）を含む、請求項１記載の記憶媒体。
【請求項５】
前記ポリカーボネートが構造（IV）を含む、請求項１記載の記憶媒体。
【請求項６】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、請求項１記載の記憶媒体。
【請求項７】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．１を超える機械的減衰係数を有する、請求項６記載の記憶媒体。
【請求項８】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．５を超える機械的減衰係数を有する、請求項７記載の記憶媒体。
【請求項９】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１００００〜約１０００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項１記載の記憶媒体。
【請求項１０】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１００００〜約５００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項９記載の記憶媒体。
【請求項１１】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１２０００〜約４００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項１０記載の記憶媒体。
【請求項１２】
（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と、（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体であって、上記ポリカーボネート部分が下記の構造（Ｉ）を有する残基を含んでおり、上記ポリカーボネートが約１５０℃を超えるガラス転移温度及び約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、記憶媒体。
【化５】
2004534889.tif 000018
【請求項１３】
（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と、（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体であって、上記ポリカーボネート部分が下記の構造（II）を有する残基を含んでおり、上記ポリカーボネートが約１５０℃を超えるガラス転移温度及び約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、記憶媒体。
【化６】
2004534889.tif 000019
【請求項１４】
（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と、（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体であって、上記ポリカーボネート部分が下記の構造（III）を有する残基を含んでおり、上記ポリカーボネートが約１５０℃を超えるガラス転移温度及び約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、記憶媒体。
【化７】
2004534889.tif 000020
【請求項１５】
（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と、（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体であって、上記ポリカーボネート部分が下記の構造（VI）を有する残基を含んでおり、上記ポリカーボネートが約１５０℃を超えるガラス転移温度及び約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、記憶媒体。
【化８】
2004534889.tif 000021
【請求項１６】
下記の構造（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はその組合せからなる１種以上の化合物を含む、改善された制振性能を有するポリカーボネート組成物であって、ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、ポリカーボネート組成物。
【化９】
2004534889.tif 000022
【化１０】
2004534889.tif 000023
【化１１】
2004534889.tif 000024
【化１２】
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【請求項１７】
構造（Ｉ）を含む、請求項１６記載のポリカーボネート組成物。
【請求項１８】
構造（II）を含む、請求項１６記載のポリカーボネート組成物。
【請求項１９】
構造（III）を含む、請求項１６記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２０】
構造（IV）を含む、請求項１６記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２１】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１００００〜約１０００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項１６記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２２】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１００００〜約５００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項２１記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２３】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１２０００〜約４００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項２２記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２４】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．１を超える機械的減衰係数を有する、請求項１６記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２５】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．５を超える機械的減衰係数を有する、請求項２４記載のポリカーボネート組成物。
【請求項２６】
下記の構造（Ｉ）の化合物を含む、改善された制振性能を有するポリカーボネート組成物であって、ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、ポリカーボネート組成物。
【化１３】
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【請求項２７】
下記の構造（II）の化合物を含む、改善された制振性能を有するポリカーボネート組成物であって、ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、ポリカーボネート組成物。
【化１４】
2004534889.tif 000027
【請求項２８】
下記の構造（III）の化合物を含む、改善された制振性能を有するポリカーボネート組成物であって、ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、ポリカーボネート組成物。
【化１５】
2004534889.tif 000028
【請求項２９】
下記の構造（IV）の化合物を含む、改善された制振性能を有するポリカーボネート組成物であって、ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、ポリカーボネート組成物。
【化１６】
2004534889.tif 000029
【請求項３０】
物品の制振性能を改善するための方法であって、下記の構造（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はその組合せからなる１種以上の化合物を有するポリカーボネートで物品を作ることを含んでなり、上記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、方法。
【化１７】
2004534889.tif 000030
【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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【請求項３１】
前記ポリカーボネートが構造（Ｉ）を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記ポリカーボネートが構造（II）を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３３】
前記ポリカーボネートが構造（III）を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３４】
前記ポリカーボネートが構造（IV）を含む、請求項３０記載の方法。
【請求項３５】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．１を超える機械的減衰係数を有する、請求項３０記載の方法。
【請求項３６】
前記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．５を超える機械的減衰係数を有する、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１００００〜約１０００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項３０記載の方法。
【請求項３８】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１００００〜約５００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記ポリカーボネートがポリスチレンを標準として約１２０００〜約４００００の範囲の重量平均分子量を有する、請求項３８記載の方法。
【請求項４０】
物品がデータ用記憶媒体からなる、請求項３０記載の方法。
【請求項４１】
データ用記憶媒体の制振性能を改善するための方法であって、下記の構造（Ｉ）の化合物を有するポリカーボネートで記憶媒体を作ることを含んでなり、上記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、方法。
【化２１】
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【請求項４２】
データ用記憶媒体の制振性能を改善するための方法であって、下記の構造（II）の化合物を有するポリカーボネートで記憶媒体を作ることを含んでなり、上記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、方法。
【化２２】
2004534889.tif 000035
【請求項４３】
データ用記憶媒体の制振性能を改善するための方法であって、下記の構造（III）の化合物を有するポリカーボネートで記憶媒体を作ることを含んでなり、上記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、方法。
【化２３】
2004534889.tif 000036
【請求項４４】
データ用記憶媒体の制振性能を改善するための方法であって、下記の構造（IV）の化合物を有するポリカーボネートで記憶媒体を作ることを含んでなり、上記ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する、方法。
【化２４】
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【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリマーからなる制振材料に関する。さらに、本発明は高いガラス転移温度を有する制振材料から製造されたデータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
制振は、通常の摂動で不都合な共振が起こりかねない多くの機械系に共通して必要とされる。例えば自動車のサスペンション系は、適切に制振しないと、道路の凹凸に応じて不都合に大きく振動してしまう。自動車に用いられる制振器は、自動車座席アセンブリを衝撃及び振動から遮断するばねからなる。
【０００３】
エネルギーを吸収するエラストマー材料の層は別のタイプの制振材料である。これらの制振系には、ポリエチレン、ポリプロピレン、非共役ジエン、ゴム架橋剤及び類似の材料が用いられる。多くのコンピューターハードディスクドライブの外側には、コンピューター内部でのドライブのノイズを低減させるため金属とポリマーの複合材料が用いられる。制振材料は、内部ディスクドライブ用途のプリント配線板及びスピンドルモーターにも用いられる。特に、制振材料はディスクドライブの内部を外部の衝撃力から保護するのに用いられる。
【０００４】
潜在的用途が広範囲にわたるため、制振作用をもつポリマー系について鋭意研究が行われてきた。大半のポリマー系は低い基本振動数を有する。こうした系の多くでは、単一相の均質材料（すなわち、モノリシック系）とは異なり、エラストマーはガラス状ポリマー、金属又はそれらの組合せと併用される。モノリシックポリマーは、表面平滑度に優れるという利点を有する。従って、分散ゴム相又はブロック共重合体を使用せずに室温で制振性を与える制振系を開発できれば望ましいであろう。本明細書で用いる「ブロック共重合体」という用語は、鎖長の種々異なり得る単量体連鎖が交互に並んだ多相ポリマー系をいう。
【０００５】
制振性ポリマー系に関して多大な研究が行われてきた領域は、「第一表面」媒体である。コンパクトディスクやディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）とは異なり、（通例５ギガビット毎平方インチを超える）高い面積密度能力を有する記憶媒体では、面積密度を増大させるために第一表面又は近接場読取／書込技術が用いられる。本明細書で用いる「第一表面」とは、基板の表面のデータ層で、光路が基板を通過しないデータ層をいう。本明細書で用いる「近接場読取／書込技術」とは、開口数が約１を超える光学機構をいう。かかる記憶媒体では、光学品質は関係しないものの、基板の物性及び機械的性質が一段と重要になる。第一表面用途を始めとする高面積密度用途では、記憶媒体の表面品質は読取装置の精度、データの記憶能力、及び基板の複製品質に影響を及ぼす可能性がある。さらに、記憶媒体の物性は使用時にデータの記憶・検索能力にも影響を及ぼす可能性がある。例えば、媒体の軸方向変位が大きすぎると、軸方向変位は正確なデータ検索を妨害したり、読取／書込装置に損傷を与えかねない。そこで、制振性能の改善は高い弾性率又は高度の制振のいずれかによって達成し得る。
【０００６】
高度の制振に加えて、記憶媒体は、後段のプロセスパラメーター、例えば、スパッタリングのような後続層の成膜（すなわち、磁気媒体では最高約２００℃もしくは以上、通例最高約３００℃もしくは以上の温度、光磁気媒体では、約２５℃〜約１５０℃の温度）に耐えることができるべきである。
【０００７】
ハードディスク産業では、スパッタ媒体として通常のコバルト−クロム−白金（ＣｏＣｒＰｔ）水平記録合金が主に利用されている。スパッタリングプロセスでは、高い基板温度が幾つかの目的を果たしている。第一に、低ノイズのフィルムが得られる傾向がある。温度は、クロムの粒界への拡散を促進して結晶粒の組成偏析を促進すると推測される。低ノイズフィルムは、信号が低減しても妥当な信号対ノイズ（Ｓ／Ｎ）比を維持できるので高密度記録を支持する能力に直結する。二番目の主要な効果は、こうしたタイプの合金では、（他の因子の中でも）温度が高いとフィルム保磁力が高まる傾向があることである。保磁力が高いと熱安定性の向上を促し、性能が向上する。そこで、記憶媒体は成膜段階での変形を防止するのに十分な熱安定性を有するのが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光ディスクドライブ及びハードディスクドライブのようなデータ記憶装置の設計には、振動の問題及び熱安定性が重大である。そこで、データ記憶装置（特に基板用途）での使用に適したポリマーを用いた制振系を開発することが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、（１）１以上のポリカーボネート部分を含む基板と、（２）基板上に設けられた１以上のデータ層とを含むデータ用記憶媒体であって、該ポリカーボネートが、下記の構造（Ｉ）、（II）、（III）又は（IV）からなる１種以上の化合物を含んでおり、約１５０℃以上のガラス転移温度を有する、記憶媒体を提供する。
【００１０】
【化１】
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【００１１】
【化２】
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【００１２】
【化３】
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【００１３】
【化４】
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【００１４】
本発明は、構造（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はその組合せからなる１種以上の化合物を含んでなるポリカーボネート組成物であって、該ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有するポリカーボネート組成物を提供する。
【００１５】
さらに本発明は、物品の制振性能を改善するための方法であって、構造（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はその組合せからなる１種以上の化合物を有するポリカーボネートで物品を作ることを含んでなり、該ポリカーボネートが約２４℃の温度で約０．０４を超える機械的減衰係数及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有する方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本明細書及び特許請求の範囲では多くの用語を用いるが、以下の意味で定義される。
【００１７】
単数形で記載したものであっても、特に前後関係から明らかでない限り、複数の場合も含めて意味する。
【００１８】
「任意」又は「任意には」という用語は、その用語に続いて記載された事象又は状況が起きても起きなくてもよいことを意味しており、かかる記載はその事象又は状況が起きる場合と起こらない場合を包含する。
【００１９】
「ＢＰＡ」はビスフェノールＡつまり２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである。ＢＰＡ−ＰＣは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン単量体から合成されたポリカーボネートである。
【００２０】
「ＣＤ」はシクロドデシル−１，１−（ビス−４−ヒドロキシベンゼン）である。ＣＤ−ＰＣは、シクロドデシル−１，１−（ビス−４−ヒドロキシベンゼン）単量体から合成されたポリカーボネートである。
【００２１】
「ＤＭＣＤ」はシクロドデシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）である。ＤＭＣＤ−ＰＣは、シクロドデシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）単量体から合成されたポリカーボネートである。
【００２２】
「ＤＭＢＰＩ」は３，３，５−トリメチルシクロヘキシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）である。ＤＭＢＰＩ−ＰＣは、３，３，５−トリメチルシクロヘキシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）単量体から合成されたポリカーボネートである。
【００２３】
「ＤＭＢＰＦ」はフルオレニリデン−９−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）である。ＤＭＢＰＦ−ＰＣは、フルオレニリデン−９−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）単量体から合成されたポリカーボネートである。
【００２４】
「ＤＭＰ」は３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−（３Ｈ）−イソベンゾフラノンである。ＤＭＰ−ＰＣは、３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−（３Ｈ）−イソベンゾフラノン単量体から合成されたポリカーボネートである。
【００２５】
本発明では、本明細書に開示したポリマーからなる基板が、優れたガラス転移温度を示すとともに、優れた制振特性を示すという予想外の知見が得られた。効果的な制振のため、材料はその材料を通して伝達される振動のエネルギーを、その材料の平面剪断又は体積圧縮・膨張によって変換された熱エネルギーとして吸収及び／又は散逸させるべきである。
【００２６】
本発明の記憶媒体は、下記の構造単位（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はその組合せを含んでいて優れた制振特性及び約１５０℃を超えるガラス転移温度を有するポリカーボネートを含んでおり、基板用途に適している。
【００２７】
【化５】
2004534889.tif 000007
【００２８】
【化６】
2004534889.tif 000008
【００２９】
【化７】
2004534889.tif 000009
【００３０】
【化８】
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【００３１】
換言すれば、上記のポリカーボネートは、成膜段階での変形を防止するのに十分な熱安定性を有している。本発明において、基板は通例、損失弾性率と貯蔵弾性率との比として定義される機械的減衰係数が約０．０４を超え、好ましくは機械的減衰係数がある温度で約０．１０を超え、特に好ましくは機械的減衰係数が約１〜約５００Ｈｚの振動数域において約２４℃の温度で約０．５を超える。機械的減衰は損失弾性率と貯蔵弾性率との比として定義される。プラスチック樹脂のような粘弾性材料では、貯蔵弾性率と損失弾性率が共に存在する。貯蔵弾性率は弾性剛性を表し、損失弾性率は粘性剛性を表す。
【００３２】
カーボネート構造単位（Ｉ）を有するポリカーボネートはシクロドデシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）（ＤＭＣＤ−ＰＣ）ともいわれ、カーボネート構造単位（II）を有するものは３，３，５−トリメチルシクロヘキシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）（ＤＭＢＰＩ−ＰＣ）ともいわれ、カーボネート構造単位（III）を有するものは３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−（３Ｈ）−イソベンゾフラノン（ＤＭＰ−ＰＣ）ともいわれ、カーボネート構造単位（IV）を有するものはフルオレニリデン−９−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）（ＤＭＢＰＦ−ＰＣ）ともいわれる。
【００３３】
カーボネート構造単位（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又はそれらの組合せを含む本発明の基板は、良好なピット複製及び高い表面品質を示す。その理由の一つは、この材料がモノリシックでポリマーに充填剤を添加する必要がないことによる。好ましくは、基板は、その表面の少なくとも一部が約１０オングストローム未満の表面粗さを有し、さらに好ましくは約５オングストローム未満の表面粗さを有する。粗さは典型的には原子間力顕微鏡を用いて１０ミクロン×１０ミクロンの面積の平均値として測定される。
【００３４】
ポリカーボネートの重量平均分子量（ＭW）は、ポリスチレンを標準としてゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定して、典型的には約１００００〜約１０００００の範囲、さらに典型的には約１００００〜約５００００の範囲、さらに一段と典型的には約１２０００〜約４００００の範囲にある。
【００３５】
本発明の樹脂組成物は、この種の樹脂組成物に通常配合される各種添加剤を含んでいてもよい。かかる添加剤は、例えば、充填剤又は強化剤、熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、可塑剤、帯電防止剤、離型剤、追加の樹脂、発泡剤など、並びに以上の添加剤を１種以上含む組合せである。充填剤又は強化剤の例としては、ガラス繊維、アスベスト、炭素繊維、シリカ、タルク及び炭酸カルシウムがある。熱安定剤の例としては、トリフェニルホスファイト、トリス−（２，６−ジメチルフェニル）ホスファイト、トリス−（混合モノ−／ジ−ノニルフェニル）ホスファイト、ジメチルベンゼンホスホネート及びトリメチルホスフェートがある。酸化防止剤の例としては、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、及びペンタエリトリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］がある。光安定剤の例としては、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）−ベンゾトリアゾール及び２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノンがある。可塑剤の例としては、ジオクチル−４，５−エポキシ−ヘキサヒドロフタレート、トリス−（オクトキシカルボニルエチル）イソシアヌレート、トリステアリン及びエポキシ化大豆油がある。帯電防止剤の例としては、グリセロールモノステアレート、ステアリルスルホン酸ナトリウム、及びドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムがある。離型剤の例としては、ステアリン酸ステアリル、蜜蝋、モンタン蝋及びパラフィン蝋がある。他の樹脂の例としては、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、及びポリフェニレンオキシドがあるが、これらに限定されない。以上の添加剤のいかなる組合せを使用してもよい。かかる添加剤は、組成物を形成するための成分の混合時の適切な時期に混合すればよい。
【００３６】
本発明の組成物は、プラスチック及び着色剤に加えて、この種の樹脂組成物に通常配合される各種添加剤を任意成分として含んでいてもよい。かかる添加剤としては、酸化防止剤、熱安定剤、帯電防止剤（テトラアルキルアンモニウムベンゼンスルホン酸塩、テトラアルキルホスホニウムベンゼンスルホン酸塩など）、離型剤（ペンタエリトリトールテトラステアレート、グリセロールモノステアレートなど）、さらにはこれらの１種以上を含む組合せが挙げられる。例えば、本発明の基板は、基板の全重量を基準にして、約０．０１〜約０．１ｗｔ％の熱安定剤、約０．０１〜約０．２ｗｔ％の帯電防止剤、及び約０．１〜約１ｗｔ％の離型剤を含んでいてもよい。
【００３７】
考えられる酸化防止剤を幾つか挙げると、例えば、オルガノホスファイト、例えば、トリス（ノニル−フェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリトリトールジホスファイトなど、アルキル化モノフェノール、ポリフェノール及びポリフェノールとジエンのアルキル化反応生成物、例えば、テトラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）］メタン、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメートオクタデシル、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスファイトなど、パラ−クレゾールとジシクロペンタジエンのブチル化反応生成物、アルキル化ヒドロキノン、ヒドロキシル化チオジフェニルエーテル、アルキリデン−ビスフェノール、ベンジル化合物、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸と一価又は多価アルコールとのエステル、β−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロピオン酸と一価又は多価アルコールとのエステル、チオアルキル又はチオアリール化合物のエステル、例えば、ジステアリルチオプロピオネート、ジラウリルチオプロピオネート、ジトリデシルチオジプロピオネートなど、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のアミドなど、並びに以上のものを１種以上含む組合せがある。
【００３８】
使用できるその他の添加剤としては、特に、ＵＶ吸収剤、光及び熱安定剤（例えば、酸性リン系化合物）のような安定剤、ヒンダードフェノール、酸化亜鉛及び／又は硫化亜鉛粒子、滑剤（鉱油など）、可塑剤、染料（キニン、アゾベンゼンなど）、さらにはこれらの添加剤を１種以上含む組合せがある。
【００３９】
プラスチック（特にポリカーボネート）の加工処理を補助すべく、押出機その他の混合装置内で触媒（１種類以上）を使用してもよい。触媒は通例得られる材料の粘度の調節に役立つ。考えられる触媒には、水酸化物、例えば水酸化テトラアルキルアンモニウム、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、水酸化テトラアルキルホスホニウム、水酸化テトラブチルホスホニウムなどがあり、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム及び水酸化テトラブチルホスホニウムが好ましい。触媒（１種類以上）は単独で使用してもよいし、酸（リン酸など）のような奪活剤と併用してもよい。また、コンパウンディング時にポリマーメルトに水を注入し、水蒸気としてベントを介して除去して残留する揮発性化合物を除去してもよい。
【００４０】
本発明の記憶媒体は高面積密度用途、第一表面及びその類似用途で有用であり、かかる用途では、（１以上の）データ記憶層に入射するエネルギー場は、基板とは一切接触せずに或いは少なくとも基板と接触する前に（１以上の）データ記憶層と接触する。換言すれば、慣用コンパクトディスク及びその類似用途とは対照的に、エネルギー場は、基板を通過してデータ記憶層と接触するわけでも、基板を通過してから反射されて読取装置に戻るわけでもない。かかる高面積密度用途で機能するには、記憶媒体の品質は慣用コンパクトディスク及びその関連媒体の品質を超えていなければならない。慣用コンパクトディスク及びその類似媒体として比較して、記憶媒体は、他の品質の中でも、特に環境振動、回転振動又はその組合せによって励起されたときに軸方向変位が低くなければならず、凹凸又は欠陥が少ないことで表される優れた表面品質を有していなければならず、低い回転慣性モーメント（典型的には約５．５スラグ(slug)−ｉｎ2以下、さらに典型的には約４．５スラグ−ｉｎ2以下、特に典型的には約４．０スラグ−ｉｎ2以下）を有していなければならない。さらに、記憶媒体は、典型的には約５ギガビット毎平方インチ（Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2）超、さらに典型的には約２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2超、最も典型的には約５０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2超の面積密度を有しており、さらには約１００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2以上のものが考えられる。
【００４１】
一般に、高面積密度用途（すなわち、約５Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2以上）では、読取／書込装置は記憶媒体の表面の比較的近くに位置する（スタンドオフディスタンス）。一般に、求める密度が高いほど、読取／書込装置を記憶媒体の表面に近づけるべきである。通例このような場合、スタンドオフディスタンスは概して約０．３ミリメートル（ｍｍ）未満であり、大抵は約７６０ナノメートル（ｎｍ）未満である。極めて高い密度には、通例読取／書込装置が極めて近いのが好ましく、例えば表面から約０．０６４ミクロン（μ）未満、往々にして約０．０１３μ未満である。従って、振動状態、衝撃状態又はそれらの組合せに際して読取／書込装置又は記憶媒体表面の損傷を防止するため、基板の軸方向変位は許容システム軸方向変位距離よりも十分に小さいことが必要である。例えば、約１Ｇ（重力加速度）の正弦波重力荷重及び約１７０ヘルツ（Ｈｚ）の共振振動数を受けるディスク（外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）では、ピーク間で測定した軸方向変位が約２５０μ未満であるのが典型的であり、基板、読取／書込装置又はその両者の損傷が最も重要とされる場合は約１２５μ未満であるのが特に典型的である。通例、持続時間約２〜約１０ミリ秒（ｍｓｅｃ）の約２５Ｇの衝撃最大値に対し、ピーク間測定で約５００μ以下（さらに好ましくは約２５０μ以下）の軸方向変位が維持され、かかる変位を約３５Ｇに対して維持することが好ましい。ただし、例えばスタンドオフディスタンスが大きい（例えば、約０．３０μ以上のスタンドオフ）場合など、状況が異なる場合は、ヘッドの損傷はさしたる問題ではなく、むしろ軸方向変位、ディスク傾斜又はその両方を非常に小さくして光学系の焦点を保つのが好ましい。光学系は焦点距離の急速な変化に対応できないからである。基板に記憶されたデータを読取るための装置は、典型的には約１〜約５００Ｈｚの振動数域で動作し、さらに典型的には約１００〜約２００Ｈｚの範囲で動作する。最大半径方向傾斜及び接線方向傾斜は、静止状態（すなわち、非回転状態）で測定して、通例それぞれ独立に約１°以下であり、さらに典型的にはそれぞれ約０．３°未満である。
【００４２】
基板の軸方向変位は、ディスクの要求寸法（内径、外径、厚さ）、その剛性（曲げ弾性率）と密度、ポアソン比、損失弾性率及び貯蔵弾性率の関数である。ディスクの外径の増加に伴い、衝撃下でのディスクの軸方向変位は増加する。ディスクの厚さの減少に伴い、その断面剛性は減少し、軸方向変位は増加する。現在、現状で利用可能な記憶媒体用読取／書込装置での使用を可能にするため、記憶媒体の寸法については業界に規定が設けられている。記憶媒体は典型的には内径約１５〜約４０ｍｍの範囲、外径約６５〜約１３０ｍｍの範囲、全厚約０．８〜約２．５ｍｍの範囲であるが、厚さ約１．２ｍｍ以下が通例好ましい。より堅固なアーキテクチャを得るため、必要に応じて、その他の直径及び厚さを使用してもよい。
【００４３】
本明細書に記載された記憶媒体は、慣用の光学的、磁気光学的及び磁気的装置、並びにさらに高品質の記憶媒体、高い面積密度又はそれらの組合せが必要とされる高性能装置に使用することができる。使用中、記憶媒体は読取／書込装置との関係においてエネルギー（例えば、磁気エネルギー、光エネルギー、電気エネルギー又はそれらの組合せ）が記憶媒体に入射するエネルギー場の形態でデータ記憶層に接するように配置される。エネルギー場は、記憶媒体上に設けられたデータ記憶層に接する。エネルギー場は記憶媒体に何らかの物理的又は化学的変化を引起こし、層上のその位置にエネルギーの入射を記録する。例えば、入射磁場が層内の磁区の配向を変化させることもあるし、或いは入射光線が光による材料の加熱部位に相変態を引起こすこともある。
【００４４】
記憶媒体の製造には、特に限定されないが、射出成形、発泡法、スパッタリング、プラズマ気相成膜、真空蒸着、電着、スピンコーティング、スプレーコーティング、メニスカスコーティング、データスタンピング、エンボシング、表面研磨、フィクスチャリング、積層、回転成形、ツーショット成形、共射出、フィルムのオーバーモールディング、超微細発泡成形及びそれらの組合せを始めとする数多くの方法を使用し得る。典型的な場合、用いる技術は、所望の構造（例えば、ピット及び溝）を有する基板の現場製造を可能にする。かかる方法の一つは、本明細書に定義される溶融ポリマーで金型を満たす射出成形−圧縮技術である。金型は、プリフォーム、インサートなどを含んでいてもよい。ポリマー系を冷却し、少なくとも部分的に溶融状態にあるうちに圧縮して、らせん状、同心円状又はその他の配向に並んだ所望の表面構造を基板の所望部分（すなわち、所望領域の片面又は両面）に刻印する。基板はしかる後に室温に冷却される。
【００４５】
基板への磁気的データ記憶では、記憶される情報は基板の表面上に１以上のデータ層として記憶される。この情報は、（コンパクトディスクの場合のように）ピット、溝又はその組合せとして表面に直接に刻印されることもあれば、基板の表面上に堆積された光学的、熱的又は磁気的に定義し得る媒体に記憶されることもある。
【００４６】
本発明のポリカーボネートは、界面法、溶融法又は固相法で製造し得る。界面法を用いる場合、任意成分として各種の相間移動触媒を添加し得る。適当な相間移動触媒としては、特に限定されないが、トリエチルアミンのような第三級アミン、臭化テトラブチルアンモニウムのようなアンモニウム塩、塩化ヘキサエチルグアニジウム及びこれらの組合せが挙げられる。ｐ−クミルフェノールや４−ブチルフェノールのような単官能性フェノール、カルダノールやノニルフェノールのような長鎖アルキルフェノール、及び二官能性フェノールを連鎖停止剤として使用してもよい。任意には、繰返し単位の全モル数を基準にして、約０．１〜約１０モル％、さらに典型的には約１〜約５モル％の範囲の連鎖停止剤をポリカーボネートに配合し得る。
【００４７】
界面法では、ホスゲンのようなカーボネート前駆体を使用する。界面法では場合によってホスゲン化条件を調整しなければならない。特に、反応媒質中での単量体の溶解度及び単量体の構造に関係した単量体の固有反応性によって不都合な環状オリゴマーの生成が促進される場合には、ホスゲン化条件を調整すべきである。
【００４８】
本発明のポリカーボネートは溶融法又はエステル交換法でも製造できる。この方法はホスゲンや溶媒を使用する必要がなく、最終ポリマー中での環状及び線状低分子量オリゴマーなどの低分子量夾雑物の生成が最少限に抑えられる。単量体をカーボネート源（ジアリールカーボネートなど）及び少量の触媒（例えばアルカリ金属水酸化物や水酸化アンモニウムなど）と混合し、反応混合物上のヘッドスペースの圧力を周囲圧力から約１トルまで下げながら一連の段階を通して温度を上昇させるというプロトコルに従って真空下で加熱する。
【００４９】
適当なカーボネート源、触媒及び反応条件は、米国特許第５８８０２４８号及び「Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」第４版、第１９巻第５８５〜６００頁に記載されている。段階の時間及び温度は、発泡などによる材料の機械的損失が避けられるようにする。フェノールと過剰のジフェニルカーボネートをオーバーヘッドから除去して重合プロセスを完了する。生成物の高重合体はメルトとして単離されるが、そのペレット化に先だって安定剤や離型剤などの他の添加剤をコンパウンディングしてもよい。溶融法で製造した生成物は、界面法で製造した生成物に比べて、未溶解粒子の数が少なく、環状オリゴマーのような低分子量夾雑物の含有量が少ない。
【実施例】
【００５０】
以下の実施例は、本発明の組成物及び方法を如何に製造し評価するかを当業者に十分に開示し説明するためのものであり、本発明者らがその発明と思料するものの範囲を限定するものではない。数値（例えば、量、温度など）に関しては正確を期すべく努めたが、若干の誤差や偏差もあろう。特記しない限り、部は重量部であり、温度は摂氏温度（℃）又は室温であり、圧力は大気圧又はその付近の圧力である。
【００５１】
本実施例に示す結果を得るために用いた材料及び試験法は以下の通りである。
【００５２】
ＤＭＣＤホモポリカーボネートの調製
５００ミリリットル（ｍＬ）のモートンフラスコに、ＤＭＣＤ（１９．０ｇ、５０ｍｍｏｌ）、９０ｍＬの塩化メチレン及び９０ｍＬの水を入れた。５０重量％の水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）でｐＨを１０．５〜１１．０に調整した。ホスゲンを０．６グラム／分（ｇ／ｍｉｎ）で添加し、５．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）のところでｐ−クミルフェノール（０．４３ｇ、４モル％）を添加し、６．０ｇ（２０モル％過剰）が添加されるまでホスゲンの添加を続けた。ｐＨが（ホスゲンにより）１０．５に低下した時点で５０μＬのトリエチルアミン（ＴＥＡ）を添加し、その３分後さらに５０μＬのＴＥＡを添加した。クロロホルメートが消失した後、さらに３．５ｇのホスゲンを添加した。反応混合物中のクロロホルメートの有無を試験した。存在するときは、ＤＭＢＡ（１０μＬ）（ジメチルブチルアミン）を添加することにより加水分解した。ブラインからポリマー溶液を分離し、塩酸（ＨＣｌ）水溶液で洗浄し、水洗し、ブレンダー内で蒸気団粒化した。Ｍｗ＝３９３００（ポリスチレン標準）、Ｔg＝１９７℃。
【００５３】
ＤＭＢＰＩホモポリカーボネートの調製
５００ｍＬモートンフラスコに、ＤＭＢＰＩ（１６．９ｇ、５０ｍｍｏｌ）、１００ｍＬの塩化メチレン及び８０ｍＬの水を入れた。５０重量％ＮａＯＨでｐＨを１２．５に調整した。０．６ｇ／ｍｉｎでホスゲン（５．０ｇ、５０ｍｍｏｌ）を添加し、ｐ−クミルフェノール（０．２１ｇ、２モル％）を添加し、６．０ｇ（２０モル％過剰量）が添加されるまでホスゲンの添加を続けた。ｐＨは（ホスゲンで）１０．５に低下したが、この時点で２５μＬのＴＥＡを添加し、５分後さらに２５μＬのＴＥＡを添加した。クロロホルメートが消失した後、さらに２５μＬのＴＥＡ（全量１２５μＬ、約１モル％）を添加し、次いで３．５ｇのホスゲンを添加した。反応混合物中のクロロホルメートについて試験した。クロロホルメートが存在するときは、ＤＭＢＡ（５μＬ）（ジメチルブチルアミン）を添加して加水分解した。ブラインからポリマー溶液を分離し、ＨＣｌ水溶液で洗浄し、水洗し、ブレンダー内で蒸気団粒化した。Ｍｗ＝４６１００（ポリスチレン標準）、Ｔg＝１９６℃。
【００５４】
ＤＭＢＰＦホモポリカーボネートの調製
５００ｍＬモートンフラスコに、ＤＭＢＰＦ（１８．９ｇ、５０ｍｍｏｌ）、９０ｍＬの塩化メチレン及び９０ｍＬの水を入れた。５０重量％ＮａＯＨでｐＨを１１．５に調整した。０．６ｇ／ｍｉｎでホスゲンを添加し、５．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）のところでｐ−クミルフェノール（０．４３ｇ、４モル％）を添加し、６．０ｇ（２０モル％過剰）が添加されるまでホスゲンの添加を続けた。ｐＨは（ホスゲンにより）１０．５に低下したが、この時点で５０μＬのＴＥＡを添加し、３分後さらに５０μＬのＴＥＡを添加した。クロロホルメートが消失した後、さらに２．２５ｇのホスゲンを添加した。反応混合物中のクロロホルメートの有無を試験した。存在する時は、ＤＭＢＡ（５μＬ）（ジメチルブチルアミン）を添加して加水分解した。ブラインからポリマー溶液を分離し、ＨＣｌ水溶液で洗浄し、水洗し、ブレンダー内で蒸気団粒化した。Ｍｗ＝２９４００（ポリスチレン標準）、Ｔg＝２３７℃。
【００５５】
ＤＭＰホモポリカーボネートの調製
５００ｍＬモートンフラスコに、ＤＭＰ（３４．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）、９０ｍＬの塩化メチレン及び９０ｍＬの水を入れた。５０重量％ＮａＯＨでｐＨを１０．０に調整した。ホスゲンを０．６ｇ／ｍｉｎで添加し、９．５ｇ（９５ｍｍｏｌ）のところでｐ−クミルフェノール（０．６４ｇ、３モル％）を添加し、１２．１ｇ（２０モル％過剰）が添加されるまでホスゲンの添加を続けた。ｐＨが（ホスゲンにより）１０．５に低下した時点で７５μＬのＴＥＡを添加し、３分後さらに７３μＬのＴＥＡを添加した。クロロホルメートが消失した後、さらに３．５ｇのホスゲンを添加した。反応混合物中のクロロホルメートを試験した。存在するときは、ＤＭＢＡ（１０μＬ）（ジメチルブチルアミン）の添加により加水分解した。ポリマー溶液をブラインから分離し、ＨＣｌ水溶液で洗浄し、水洗し、ブレンダー内で蒸気団粒化した。Ｍｗ＝６１３００（ポリスチレン標準）、Ｔg＝２１８℃。
【００５６】
図１及び２は、幾つかのポリカーボネートの捩り動的機械的測定値から得られた損失及び貯蔵弾性率のプロットである。室温付近での損失弾性率の大きなベータ緩和は有用な制振材料を表す（ピーク間の軸方向変位は損失弾性率の逆数に比例する）。
【００５７】
捩り角形取付具を用いて、ＲＨＥＯＭＥＴＲＩＣＳ  ＤＹＮＡＭＩＣ  ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＥ（モデル７７００）で上記の各種材料系の捩り弾性率を測定した。これらの試験に用いた試験片は、長さ２．５インチ、幅０．５インチ及び厚さ０．１２５インチの公称寸法を有していた。試験片は圧縮成形で製造した。試験はすべて、試験片を毎秒１０ラジアンの振動数で０．１％のひずみに付して行った。試料は加熱速度毎分２℃で−１５０〜１５０℃の熱走査サイクルに付した。試験中、加えたひずみ及び荷重を連続的に測定し、このデータから貯蔵弾性率（Ｇ′）、損失弾性率（Ｇ″）及び接線損失（ｔａｎδ）を算出した。
【００５８】
下記のピーク間軸方向変位を予測する伝達関数によって、高い弾性率及び制振で達成し得るゲインを定量化した。
【００５９】
【数１】
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【００６０】
及び
【００６１】
【数２】
2004534889.tif 000012
【００６２】
式中、ｂ及びｃは材料特性とは無関係に有限要素解析から得られる定数、Ｅ′は貯蔵弾性率、Ｅ″（損失弾性率）は材料制振の尺度、νはポアソン比、γは比重、ｈはディスクの厚さ、ωm1は一次モード振動数、ｎはピーク間の「ｇ」（加速度）荷重である。各材料の分散及び振動数を決定するため、図からＥ′、Ｅ″及びｔａｎδの値を求めた。表１は、２５℃で求めた捩り状態のＧ′及びＧ″測定値に基づく軸方向変位及び固有振動数の予測値の結果をまとめたものである。
【００６３】
【表１】
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【００６４】
１２０ｍｍのディスクの予測振動応答に関するこれらの結果から明らかな通り、振動荷重下でのディスクの最大軸方向変位は、ＢＰＡ−ＰＣ及びＣＤ−ＰＣと比べてＤＭＣＤ−ＰＣ、ＤＭＰ−ＰＣ、ＤＭＢＰＩ−ＰＣ及びＤＭＢＰＦ−ＰＣで顕著に低減した。
【００６５】
例示の目的で典型的な実施形態を挙げて説明して来たが、以上の説明は本発明の範囲を限定するものではない。従って、当業者には、本発明の思想と範囲から逸脱することなく様々な修正、応用及び代替が明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】シクロドデシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＤＭＣＤ−ＰＣ）、シクロドデシル−１，１−（ビス−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＣＤ−ＰＣ）、３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−（３Ｈ）−イソベンゾフラノンポリカーボネート（ＤＭＰ−ＰＣ）、３，３，５−トリメチルシクロヘキシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＤＭＢＰＩ−ＰＣ）、及びフルオレニリデン−９−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＤＭＢＰＦ−ＰＣ）の捻り貯蔵弾性率（Ｇ’）のプロットである。
【図２】シクロドデシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＤＭＣＤ−ＰＣ）、シクロドデシル−１，１−（ビス−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＣＤ−ＰＣ）、３，３−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−（３Ｈ）−イソベンゾフラノンポリカーボネート（ＤＭＰ−ＰＣ）、３，３，５−トリメチルシクロヘキシル−１，１−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＤＭＢＰＩ−ＰＣ）、及びフルオレニリデン−９−（ビス−３−メチル−４−ヒドロキシベンゼン）ポリカーボネート（ＤＭＢＰＦ−ＰＣ）の捻り損失弾性率（Ｇ”）のプロットである。
【図１】
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【図２】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004534889.tif 000081