(57)【要約】【課題】低容量液体流の計量化送出の一般的なタイプの方法と装置を提供する。【解決手段】上記方法と装置は、液体を収容するタンク内へのガス流の導入と液体導管を通しての液体の押し退け量により実現される。更に、この方法を改良するために、一定レベルに維持され、タンク（４）内のガス圧力に実質的に対応する圧力（Ｐ１）で部分ガス流（Ｑ２）が質量流制御ガス流（Ｑ１）から転換され、この部分ガス流は上記タンクに案内されて液体を押し退け、部分ガス流（２）の質量流が測定される。圧力（Ｐ１）の変化により部分ガス質量流が設定され、その容量流は、ガス密度（Ｑ１）を考慮することにより決定され、液体容量流（Ｑ３）に対する所望値に対応する。【選択図】図１
2004514997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を収容するタンク内へのガス流の導入および液体ラインを通しての液体の押し退け量による液体の低容量流の計量化送出方法であって、液体を押し退けるためにタンク内に導入される部分ガス流（Ｑ２）が、一定に保持されると共にタンク（４）内のガス圧力（Ｐ２）にほぼ対応する圧力（Ｐ１）の質量流制御ガス流（Ｑ１）から分岐点され、部分ガス流（２）の質量流が測定され、部分ガス質量流であって、その容量流が、ガス密度（Ｑ１）を参照して決定することが出来ると共に、液体容量流（Ｑ３）の所望の値に対応する部分ガス質量流が、圧力（Ｐ１）を変えることにより設定されることを特徴とする低容量液体流の計量化送出方法。
【請求項２】
前記部分ガス流（Ｑ２）は少なくとも因子１００だけ前記ガス流（Ｑ１）より少ないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガス流（Ｑ１）は、圧力（Ｐ１）が変動する場合にほぼ一定に保持されることを特徴とする請求項１若しくは請求項２に記載の方法。
【請求項４】
特にガス状態にもたらされている液体容量流がＣＶＤ反応器（８）に供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記液体容量流（Ｑ３）は特にパルス状に霧化され、生じたエーロゾルは熱を加えることにより蒸発されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
液体を収容するタンク内へのガス流の導入および液体ラインを通しての液体の押し退け量による液体の低い容量流の計量化送出用の装置であって、一定ガス質量流（Ｑ１）を与えるガス質量流制御装置（２）であって、低い流動抵抗を持つガス質量流量計（３）を通してタンク（４）に流される部分ガス流（Ｑ２）が前記一定ガス流（Ｑ１）から、圧力制御装置（１）により一定に維持されると共にタンク（４）内のガス圧力（Ｐ２）にほぼ対応する圧力（Ｐ１）で分岐点されることが出来、ガス質量流制御装置（２）は制御要素（７）を有し、この制御要素によりガス質量流量計（３）を通して流動する部分ガス質量流が圧力制御装置（１）により制御される圧力（Ｐ１）を変えることにより設定されることが出来、これによりこの部分ガス質量流の対応する容量流が液体容量流（Ｑ３）に対する所望の値に対応することを特徴とする装置。
【請求項７】
当該装置は液体反応体源としてＣＶＤ装置に関わることを特徴とする液体の低容量流の計量化送出装置。
【請求項８】
液体流は、特に脈動する霧化器ノズル（９）に供給されることを特徴とする液体の低容量流の計量化送出装置。
【請求項９】
霧化器ノズル（９）により解放されたエーロゾルが熱を加えることにより蒸発されると共にＣＶＤ反応器の処理室に供給されることを特徴とする液体の低容量流の計量化送出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体を収容するタンク内へのガス流の導入および液体ラインを通しての液体の押し退け量により液体の低容量流の計量化された送出を行う方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の方法およびその方法を実施する装置は、ＷＯ９９／１６９２９に開示されている。この明細書は、ＬＤＳ（液体プリカーサ送出方式）を開示するものである。この種の装置を用いてＣＶＤ装置にガス状成分を供給する。ガス状成分は、この場合、先行する噴霧化の後、例えば高温面との接触により蒸発されるか、あるいは例えばフリット内で液体と高温面の間の接触により、直接蒸発される。
【０００３】
その場合、計量されるべき液体流はしばしば１０ｍｌ／ｍｉｎ以下のレベルである。このような小さな容量流の直接測定には問題がある。一方、例えば、蒸気相からの強誘電材料の半導体層上への堆積は、液体有機金属ストロンチウム、バリウム、チタン、ビスマス、あるいはタンタル化合物の再現可能な設定と計量を必要とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、一般的なタイプの方法、および一般的なタイプの装置を改良することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、特許請求の範囲に記載の解決手段により実現される。
【０００６】
請求項１は、先ず、また特に、液体を押し退けるためにタンク内に導入される部分ガス流であって、その質量流が測定される部分ガス流が、一定に保持されると共にタンク内のガス圧力にほぼ対応する圧力の質量流制御ガス流から分岐点され、部分ガス質量流であって、その容量流がガス密度を参照して決定出来、液体容量流の所望の値に対応する部分ガス質量流が圧力を変えることにより設定されることを与える。
【０００７】
この方法は、好適には更に、部分ガス流が少なくとも因子１００だけガス流が小さくなるように実施される。ガス流はまた好適には、圧力が変化する場合に一定に維持される。好適な実施例においては、特にガス状態にもたらされている液体容量流がＣＶＤ反応器に供給される。この場合に、液体流はパルス状に霧化される。生じたエーロゾルは熱を加えることにより蒸発される。
【０００８】
本発明によれば、一定ガス流を与えるガス質量流制御装置が設けられ、この一定ガス流から、流動抵抗が小さなガス質量流量計を通してタンクに流される部分ガス流が、圧力制御装置により一定に維持されると共にタンク内のガス圧力にほぼ対応する圧力で分岐点されるという事実により開発され、更に、制御要素が設けられ、この要素によりガス質量流量計を流れる部分ガス質量流が圧力制御装置により制御される圧力を変えることにより設定可能であり、これによりこの部分ガス質量流の対応する容量流は液体容量流に対する所望の値に対応することになる。
【０００９】
本装置は好適には、液体反応体源としてのＣＶＤ装置に関係づけられる。液体流は更に、特に脈動する霧化器ノズルに供給可能である。霧化器ノズルにより生成されたエーロゾルは、蒸発された後、ガス状態で、ＣＶＤ反応器の処理室に供給可能である。
【００１０】
本発明の実施例では、以下の図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の方法を実現する装置の構造を図式的に示す図である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
ガス流、例えば水素または窒素または他の不活性ガスが、ガス質量流制御装置２を通して供給ライン１３から流出する。ガス質量流制御装置２により与えられるガス流量Ｑ１は、分岐点１２を過ぎ、分岐点１２の領域内の圧力を圧力Ｐ１の一定値に維持する圧力制御装置１に流れる。過剰なガスは圧力制御装置１からの流出口ラインから流出する。
【００１２】
比較的小さな部分ガス流Ｑ２が分岐点１２において分岐される。部分ガス流Ｑ２は、ガス流Ｑ４として流出口ライン１４をほぼ流動するガス流Ｑ１より約１００倍小さい。
【００１３】
部分ガス流Ｑ２はガス質量流量計３を通して流れる。ガス質量流制御装置の流動抵抗は比較的小さい。これにより、圧力制御装置１により分岐点１２において一定に維持されるほぼ同じ圧力Ｐ２も、ガス質量流量計３から、またタンク５内に導くガスライン１１内に広がる結果が得られる。
【００１４】
従って、タンク４内のガス５の圧力Ｐ２は圧力制御装置１により一定に維持出来る。
【００１５】
タンク４は液体６を収容する。タンクの外側に配置された霧化器ノズル９に導く上昇管パイプ１０は液体６中に突出する。霧化器ノズル９はパルス状になされ、エーロゾルを形成してもよい。霧化器ノズル９から生じるエーロゾルは、熱を加えることにより圧力Ｐ３で反応室８内で蒸発される。液体は金属有機化合物であってもよい。処理室は好適には、半導体表面に強誘電体層を堆積させるために使用される。
【００１６】
本装置はまた、入力変数としてガス質量流量計３からの測定値を用いる制御要素７を有する。容量流は、タンク４内のガス５のガス密度を考慮することにより質量流量の測定値から決定することが出来る。制御要素７は、この容量流Ｑ２を、液体容量流Ｑ３に対する所望の値に対応するレベルに調整する。このため、圧力Ｐ１は、ガス質量流量計３を通して流れる容量ガス流が、液体容量流Ｑ３の所望の値に対応するように圧力制御装置１に供給される所望の値を変えることにより設定される。
【００１７】
ほぼ一定に維持されると共にガス質量流制御装置２により与えられる質量流Ｑ１は、同様に、制御要素により影響され得る。制御要素７は同様に、霧化器ノズル９を制御することが出来る。霧化器ノズル９は連続的に、あるいはパルス状に動作され得る。
【００１８】
本方法は、温度が一定に維持されたとき、容量流Ｑ２がガスライン１１およびガス質量流量計３の幾何学的条件の関数として部分ガス流Ｑ２の質量流量の測定値とその容量流の間の実質的に明瞭な関係を与えるという発見に実質的に基づくものである。
【００１９】
液体容量流Ｑ３が変化するとき、制御要素７は、圧力Ｐ２のガス５の密度を考慮して容量流Ｑ３に対応するガス質量流量がガス質量流量計３で測定されるまで圧力制御装置１に対するプリセット値を変化させる。
【００２０】
以上開示した全ての特徴は本発明に（固有に）属するものである。関連する／添付した優先権文書（先行出願のコピー）の開示内容の全体が、一部は本願の請求項に上記文書の特徴を取り込む観点と共に、これにより本願の開示に取り込まれる。
【国際公開パンフレット】
2004514997.tif 000003
2004514997.tif 000004
2004514997.tif 000005
2004514997.tif 000006
2004514997.tif 000007
2004514997.tif 000008
2004514997.tif 000009
2004514997.tif 000010
2004514997.tif 000011
2004514997.tif 000012
2004514997.tif 000013
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004514997.tif 000014
2004514997.tif 000015
【国際調査報告】
2004514997.tif 000016
2004514997.tif 000017
2004514997.tif 000018
2004514997.tif 000019
2004514997.tif 000020
2004514997.tif 000021