(57)【要約】全体的に、研磨材料を保持する為の方法および装置が提供されている。一実施形態において、当該装置は、上面、複数のチャネル、一以上の真空用ポートを含む。上面は、研磨材料を支持するように適合されている。複数のチャネルは、上面の研磨領域内に形成されている。真空用ポートは、プラテン内に配置され、少なくとも一つのポートが少なくとも一つのチャネルと連通状態になっている。真空をポートに適用するとき、研磨材料の下にある流体をチャネルが取り除くと同時に研磨材料を上面に固定する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研摩材料を保持する為の装置において：
研磨材料を支持するように適合された上面を有するプラテンと；
前記上面の研磨領域内に形成された複数のチャネルと；
前記プラテン内に配置された一以上の真空用ポートであって、少なくとも一つのポートが少なくとも一つのチャネルと連通状態になっている、前記真空用ポートと；
を備える、前記装置。
【請求項２】
前記複数のチャネルは、前記研磨材料の縁部に対して平行に向けられた少なくとも一つのチャネルを含む、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記複数のチャネルは、前記研磨材料の縁部に対して垂直に向けられた少なくとも一つのチャネルを含む、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記複数のチャネルは、交差するチャネル格子を含む、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記一以上のポートは、前記チャネルに結合された複数の真空用ポートを備える、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記上面は、前記プラテン内に配置されたサブパッドを含み、前記チャネルの少なくとも一部が前記サブパッド内に形成されている、請求項４記載の装置。
【請求項７】
前記サブパッドを通って配置され、前記チャネルに結合された複数の真空用ポートを更に備える、請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記上面は、前記研磨領域の外側に形成された周囲の溝を更に備える、請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記周囲の溝の外側に配置された追加の真空用チャネルを更に備える、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記追加の真空用チャネルの幅は、前記周囲の溝の内側に配置されたチャネルの幅より広い、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記プラテン内に配置されたサブパッドを更に備え、前記サブパッドは、前記サブパッド内に前記チャネルの一部が形成され、前記チャネルの少なくとも一つが前記周囲の溝と流体連通状態になっている、請求項８記載の装置。
【請求項１２】
前記チャネルの深さは、約４０ミル未満である、請求項１記載の装置。
【請求項１３】
前記チャネルの幅は、約２０ミル未満である、請求項１記載の装置。
【請求項１４】
前記チャネルは、あるパターン内に配列されている、請求項１記載の装置。
【請求項１５】
前記パターンは、格子、一方向チャネル、放射状チャネル、同心チャネル、円形チャネル、交差する放射状の同心チャネル、曲線からなるチャネル、チャネル網、又は、これらの組合せを備える、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記チャネルは、第１端部で前記ポートに結合され、第２端部で前記プラテンの周囲内部に配置された外接溝に結合されている、請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
研磨材料を保持する為の装置において：
前記研磨材料を支持するように適合された上面を有するプラテンと；
前記プラテン周囲の近傍にある前記上面内に配置された溝と；
前記溝の内側にある前記上面の研磨領域内に形成された複数のチャネルであって、少なくとも一つのチャネルが前記溝と流体連通状態になっている、前記チャネルと；
前記プラテン内に配置された一以上の真空用ポートであって、前記ポートの少なくとも一つが前記チャネルの少なくとも一つと連通状態になっている、前記真空用ポートと；
を備える、前記装置。
【請求項１８】
前記上面の前記研磨領域は、更にサブパッドを備える、請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
前記一以上の真空用ポートは、前記溝内に配置された一つのポートと、前記チャネルに結合された複数の真空用ポートを備える、請求項１７記載の装置。
【請求項２０】
前記一以上のチャネルは、第１端部と第２端部を更に備え、前記第１端部は前記溝の一部に結合され、前記第２端部は、前記溝の他の部分に結合されている、請求項１７記載の装置。
【請求項２１】
前記チャネルに結合された複数の真空用ポートを更に備える、請求項１８記載の装置。
【請求項２２】
前記チャネルは、前記上面の少なくとも一部に格子を形成する、請求項１９記載の装置。
【請求項２３】
前記チャネルは、約２０ミル未満の幅と、約４０ミル未満の深さを有する、請求項１７記載の装置。
【請求項２４】
溝によって制限されたチャネル網を含む上面を有するプラテンに研磨材料を保持する方法であって：
前記上面内に配置された溝に真空を適用するステップと；
複数のチャネルを通して、前記溝の内部で前記プラテンと前記研磨材料との間に捕捉された流体の一部を前記溝へと引き出すステップと；
前記チャネルに結合された複数の真空用ポートを通して、前記研磨材料とプラテンとの間に捕捉された流体の他の部分を引き出すステップと；
を備える、前記方法。
【発明の詳細な説明】
【開示内容の背景】
【０００１】
本発明の教示は、添付された図面との組合せで以下の詳細な説明を考慮することにより、容易に理解されよう。
【０００２】
理解を容易にするために、図で共通な同一要素を示す為に、可能な限り、同一符号が使用されている。
【０００３】
発明の分野
本発明の実施形態は、概して、研磨システム内で研磨材料を保持する為の方法および装置に関する。
【０００４】
発明の背景
半導体ウエハ処理において、化学的機械平坦化やＣＭＰは、ウエハ等の基板や半導体加工品上のデバイス密度を増加する高能力の為に支持を得てきた。半導体制作においてウエハ上に形成された複数層の平坦化の要求は増えており、より少ないウエハ損傷で、より大きなシステム（例えば、プロセス・ツール）スループットや強化されたウエハ平坦化に対する要求も増えてきた。
【０００５】
化学機械的平坦化システムは、一般に、基板や半導体ウエハを研磨用ヘッド内に保持する。研磨用ヘッドは、研磨材料に基板を押し付ける。研磨用ヘッドと研摩材料は、基板と研磨材料との間の研磨運動を提供し、互いに移動する。研磨用流体は、研磨中、基板と研磨材料との間に配置されている。研削材を含む可能性がある研磨用流体は、一般に、基板表面で化学的作用を提供し、これが、基板から材料を除去するのに役立つ。
【０００６】
化学機械的研磨の為に利用可能な研磨材料の一つのタイプは、固定研磨材として知られている。固定研削材は、バッキングシート上で離散的な要素である樹脂結合材内で浮遊させた複数の研削材粒子を備える。研削材粒子が研摩材料内に含まれているので、固定研削材を利用するシステムは、一般的に、研削材を含まない研磨流体を使用する。
【０００７】
固定研削用研磨材は、一般的に、スティックダウン形式で利用可能であるが、しばしば、ウェブ形式で利用される。ウェブの研磨面は研磨処理により消費されるので、多くの基板を研磨する過程にわたり、通常、ウェブは周期的に進められる。研磨処理中、基板にウェブを固定する為に、下にあるサポート部とウェブとの間に真空が適用されている。ウェブが進められる前に、真空が除去され、ウェブを支持面から解放する。
【０００８】
研磨材料のウェブを使用する時に定期的に遭遇する問題は、研磨用プラテンの表面とウェブを同一平面に維持することである。たとえば、研磨中、ウェブに抗して保持される基板に関してウェブとプラテンが移動するときに受ける剪断力の為、ウェブは、研磨中、プラテンに関し、クリープするかもしれない。ウェブは、クリープするときに皺になるかもしれず、非平坦化表面を形成し、研磨均一性を途絶する可能性がある。さらに、プラテンとウェブの縁部で真空密閉領域を横切って延びる皺は、密閉不良の原因になり、ウェブがプラテンから分離することを許容する可能性がある。
【０００９】
その上、ウェブとプラテンとの間に捕捉された気泡や他の気体は、ウェブとプラテンとの間の表面接触領域を減じる。減じられた接触領域は、ウェブとプラテンとの間の摩擦力を符合して減少させ、都合の悪いことに、ウェブがプラテンを横切ってクリープする可能性を高める。さらに、ウェブにおける皺は、ウェブとプラテン間のバブル形成を悪化させる傾向がある。ウェブの下にあるバブルは、一体化された研磨材料（すなわち、研磨材料とサポート材料との組合せ）表面の引張応力を変更し、それは、直接、研磨結果を変え、そのため、予測できない研磨結果と研磨材料のウェブの早期消費を導く状態を創り出す。スティックダウン型パッドは、ウェブをベースとしたシステムにおける研磨材料を解放し再固定する頻度が高いため、程度は少ないが、同様の問題を受ける。
【００１０】
したがって、上部における研磨材料の保持を改善するプラテンが必要である。
【発明の概要】
【００１１】
本発明の一態様は、概して、研磨材料を保持する為の装置を提供する。一実施形態において、当該装置が含むのは、上面を有するプラテン、複数のチャネル、一以上の真空用ポートである。上面は、研磨材料を支えるのに適合されている。複数のチャネルは、上面の研磨領域内に形成されている。真空用ポートは、プラテン内に配置され、少なくとも一つのポートは、少なくとも一つのチャネルと連通状態になっている。
【００１２】
本発明の他の態様では、溝により制限されたチャネル網を含む上面を有するプラテンに研磨材料を保持する方法が提供されている。一実施形態において、当該方法は、上面内に配置された溝に真空を適用するステップと、溝の内側にあるプラテンと研磨材料との間に捕捉された流体の一部を、複数のチャネルを通して、溝へと引くステップと、研磨材料とプラテンとの間に捕捉された流体の他の一部を、複数の真空用ポートを通して、チャネルへと引くステップと、を含む。
【発明の詳細な説明書】
【００１３】
図１は、一実施形態に係る化学機械研磨機１００の一部断面図であり、化学機械研磨機１００は、研磨材料を保持するように構成されたプラテン・アセンブリ１３０を組み込む一以上の研磨用ステーションを有する。本発明で効果的に使用可能な一つの研磨機１００は、"REFLEXION"（商標）化学機械的研磨機であり、これは、カリフォルニア州サンタクララ市に所在するアプライドマテリアルズ社により製造されている。プラテン・アセンブリ１３０は、化学機械的研磨機の一構成で記述されているが、当業者は、プラテン・アセンブリ１３０の研磨材料保持態様を、本願で教示および記載されたように、ウェブ形式で研磨材料を利用する他の化学機械的研磨機に適合可能である。
【００１４】
本発明が役立つ為に使用可能な例示的研磨機１００は、Birang氏等に対し１９９９年２月４日に提出された、米国特許第０９／１４４，４５６号に一般的に説明されており、その全体が参考の為に本願に組み込まれている。研磨機１００は、一般的に、複数の研磨用ステーション１３２、ベース１４０、複数の研磨用ヘッド・アセンブリ１５２を支えるカルーゼル１３４を含む。図１は、研磨用ステーション１３２の一つと、対応する研磨用ヘッド・アセンブリ１５２を示す研磨機１００の一部を例示する。
【００１５】
一般的に、カルーゼル１３４は、複数のアーム１５０を持つが、その一つが示されており、研磨用ヘッド・アセンブリ１５２の一つを支持している。カルーゼル１３４は割り出し可能になっているので、研磨用ヘッド・アセンブリ１５２が研磨用ステーションと移送用ステーション（図示せず）との間を移動可能になっている。研磨用ヘッド・アセンブリ１５２は、駆動システム１０２によってカルーゼル１３４に結合された研磨用ヘッド１０４を一般的に備えている。研磨用ヘッド１０４は、研磨中、基板１２２を保持する。駆動システム１０２は、直線運動及び回転運動を研磨用ヘッド１０４に一般的に与える。一実施形態において、研磨ヘッド１０４は、TITAN HEAD（商標）ウエハ用キャリアであり、これは、カリフォルニア州サンタクララ市に所在するアプライドマテリアルズ社により製造されている。
【００１６】
研摩用ヘッド・アセンブリ１５２と研磨用ステーションとの間に配置されているのは、研磨材料１０６である。研摩材料１０６は、ウェブ又はパッドを備えてもよい。一実施形態において、研磨材料１０６はウェブ形式になっており、ウェブは、供給用ロール１１６と巻取り用ロール１１８との間で研磨用ステーション１３２上に配置されている。供給用ロール１１６は、研磨用ステーション１３２の一側部上に配置され、研磨材料１０６のウェブの不使用部分を含む。巻取り用ロール１１８は、研磨用ステーション１３２の反対側に配置され、研磨材料１０６のウェブの使用済み部分を保持する。研摩材料１０６のウェブは、インデクサ１３６によって、供給用ロール１１６と巻取り用ロール１１８との間で周期的に前進する。インデクサ１３６は、例えば、一対のピンチローラを含み、これは、制御可能に駆動され、研磨材料１０６のウェブを所定量だけ前進させる。
【００１７】
一実施形態において、研磨材料１０６は、樹脂結合材内に浮遊した複数の研磨材粒子を備え、これが、バッキングシート上の独立した要素内に配置されている。そのような固定された研摩材料の例は、ミネソタ州セントポール市のミネソタ・マニュファクチュアリング・マイニング社から利用可能である。あるいは、研摩材料１０６は、発泡ポリウレタンのような従来の研摩材料を備えてもよい。そのような研磨材料の例は、デラウェア州ニューアーク市のローデル社から利用可能である。
【００１８】
研磨用ステーション１３２は、ベース１４０上に回転自在に配置されているプラテン・アセンブリ１３０を概して含む。プラテン・アセンブリ１３０は、ベアリング１３８により、ベース１４０の上方に配置されているので、プラテン・アセンブリ１３０は、ベース１４０に関して回転可能である。従来のベアリング、ロータリ・ユニオン継手、スリップリング（図示せず）が提供されているので、電気的、機械的、空気力学的信号や接続は、ベース１４０と回転プラテン・アセンブリ１３０との間で結合可能になっている。プラテン・アセンブリ１３０は、通常、回転運動をプラテン・アセンブリ１３０に提供するモータ１０８に結合されている。
【００１９】
図２Ａ及び図２Ｂは、プラテン・アセンブリ１３０の断面図を示す。研磨アセンブリ１３０は、研磨材料１０６を支持するプラテン２３０を概して備えている。プラテン２３０は、通常、アルミニウムから構成されている。プラテン２３０は、研磨材料１０６のウェブを支持する上面２６０又はサポート部を有する。中央凹部２７６は、上面２６０内に配置され、プラテン２３０内に延びている。
【００２０】
プラテン２３０の上面２６０は、プラテン２３０の周辺付近に形成された溝２０２を含む。溝２０２は、通常、プラテン２３０の少なくとも２つの端部に沿って延びているが、プラテン２３０の全周に沿って完全に延びてもよい。研磨領域２１２は、基板が処理される領域として、溝２０２の内側上面２６０に限定されている。通常、溝２０２は、溝２０２内に配置されたポート２８４によって真空源２８２に結合されている。真空ポート２８４から真空が引かれると、研磨材料１０６とプラテン２３０との間から除去された流体（主として空気）は、研磨材料１０６をしっかりと上面２６０に固定させる。そのような研磨材料保持システムの一例は、サマー氏等により１９９９年２月２５日に提出された米国特許出願第０９／２５８，０３６号に開示されており、これは、その全部が参考の為本願に組み込まれる。
【００２１】
中央凹部２７６内には、サブパッド２７８とサブプレート２８０が配置されている。サブパッド２７８は、研磨用ヘッド１０４内で保持された基板１２２の平面に対して平行に研磨材料１０６を維持し、基板１２２のグローバルな平坦化を促進する。サブパッド２７８は、通常、ポリマー（例えば、一部が発泡層上のポリカーボネート）である。通常、サブパッドのデュロメータ又は硬さは、特定の研磨結果を生成するように選択可能である。サブパッド２７８の上面がプラテン２３０の上面２６０と同一平面になり、プラテン２３０の上面２６０により制限されるように、サブプレート２８０は、サブパッド２７８と凹部２７６の底部との間に位置決めされる。
【００２２】
プラテン・アセンブリ１３０の上面２６０は、内部に形成された複数のチャネル２０４を含む。一実施形態において、サブパッド２７８内に形成された少なくとも一つのチャネル２０４は、第１端部２０６と第２端部２０８とを有する。第１端部２０６と第２端部２０８は、プラテン２３０の一側部で溝２０２に結合されており、プラテン２３０の他側部で溝２０２に結合されている。真空が溝２０２に適用されると、チャネル２０４は、研磨材料１０６のウェブの下方に捕捉された流体を溝２０２内に引き、ポート２８４を通して出される。研摩材１０６のウェブは、溝２０２内の真空により引かれ、プラテン・アセンブリ１３０の上面２６０に抗して同一平面に固定される。プラテン２３０の一部によって溝からサブパッド２７８を分離させた構成において、チャネル２０２は、プラテン２３０及びサブパッド２７８の両方を通って伸びてもよい。
【００２３】
オプションとして、一以上の流路２１０がプラテン２３０及びサブパッド２７８を通って配置されている。流路２１０は、真空源２８２に結合されている。通常、チャネル２０４の少なくとも一つは、一以上の流路２１０によって真空源２８２に結合されている。あるいは、一部又は全部の流路２１０は、チャネル２０４を迂回する上面２６０に、直接、結合可能である。チャネル２０４は、流路２１０だけにより、又は、流路２１０と溝２０２との両方により、真空源２８２（又は、図示されていない他の真空源）に結合可能である。真空源２８２に結合されたチャネル２０４は、素早く、研磨材料１０６の下に捕捉された流体を除去し、効率良く、研磨材料１０６をプラテン・アセンブリ１３０の上面に抗して引っ張る。真空源とチャネル２０４との間に配置されたバルブ（図示せず）は、さらに、チャネル２０４の排気または圧縮を許容し、研磨材料１０６と上面２６０との間の真空を除去する。
【００２４】
あるいは、一以上のチャネル２０４は、上面２６０の下に配置された側方チャネル２３５を介して溝２０２に結合可能である。側方チャネル２３５は、サブパッド２７８、サブプレート２３０又はプラテン２３０内に配置可能である。通常、側方チャネル２３５は、流路２１０によりチャネル２０４に結合されている。オプションとして、一部または全部の流路２１０は、チャネル２０４の一つを通って連通することなく、側方チャネルと上面２６０との間に配置可能である。
【００２５】
プラテン３３０とサブパッド３７８を持つプラテン・アセンブリ３００の一実施形態の平面図は、図３に示されている。
【００２６】
プラテン・アセンブリ３００の上面２６０内に配置されたチャネル３０４は、プラテン３３０の縁部に概して平行な第１方向に向けられた細長い一連のチャネル３０６を備えている。オプションとして、チャネル３０４は、細長いチャネル３０６と交差する一連の側方チャネル３０８を追加で含み、格子パターンを形成してもよい。一実施形態において、チャネル３０６、３０８は、直角で交差している。研摩材料（図３には図示せず）下方に配置された格子パターンは、真空が溝３０２に適用される際に研磨材料１０６がプラテン３３０に抗して密封されるとき、捕捉される可能性がある流体を排気する。チャネル３０４の格子は、素早く、かつ効率良く、捕捉流体を減圧して排気し、ウェブの下にある流体バブルを実質的に排除し、研磨材料１０６を研磨用アセンブリ３００の上面３６０に抗して都合良く固定する。あるいは、チャネル３０４は、他のパターンでもよく、例えば、一方向性チャネル、同心チャネル、円形チャネル、交差放射状及び同心チャネル、曲線からなるチャネル、チャネル網、単一または他のパターンと組み合わせて構成可能なチャネル・オリエンテーションがある。
【００２７】
プラテン・アセンブリ３００は、プラテン３３０とサブパッド３７８内に配置された第１セットの流路を含んでもよい。流路３１２は、任意に配置可能であり、また、所定場所（例えば、チャネル３０４の交差部）に配置可能である。流路３１２は、チャネル３０４を真空源（図３には図示せず）に結合するが、これは、上面３６０付近の流体を除去することを促進する。オプションとして、第２セットの流路３１４は、プラテン・アセンブリ３００または他の場所を通して配置され、真空源を直接、上面３６０に結合可能である。
【００２８】
真空がチャネル３０４及び溝３０２に適用されると、研磨材料１０６は、プラテン・アセンブリ３００の研磨領域３１０に反して都合良く同じ高さに引っ張られ、これにより、研磨品質を高める。研磨領域３１０内の上面３６０の過剰な破壊を避ける為に、プラテン・アセンブリ３００の研磨領域３１０内に形成されたチャネル３０４は、概して、約４０ミル未満の深さ、約２０ミル未満の幅を持つべきである。通常、チャネルの輪郭は、いろいろな幾何学的な形状でよく、例えば、矩形、三角形、丸形、楕円形、長方形、その他の輪郭がある。
【００２９】
図４は、プラテン・アセンブリ４００の、他の実施形態の一例を示す。プラテン・アセンブリ４００は、プラテン４０２、サブパッド４１４を含む。プラテン４０２とサブパッド４１４の一方または両方は、内部に配置されたチャネル４０４を有してもよい。チャネル４０４は、プラテン４０２の研磨領域４０６内に配置され、一定パターン（例えば、極配列）内に配置されている。チャネル４０４の極配列は、通常、研磨領域４０６内で心出しされる。研磨領域４０４は、通常、研磨領域４０６と外接する溝４１０に結合されている。溝４１０は、円形、多角形、他の形状でよい。少なくとも、チャネル４０４の少なくとも一部は、少なくとも一つの真空用ポート４０８に結合されている。ポート４０８は、通常、中央でプラテン４０２内に位置決めされるが、他の場所に配置可能である。オプションとして、追加の真空用ポートは、チャネル４０４に結合可能であり、直接、プラテン４０２の上面と連通状態にある。一以上の二次側のチャネル４１２は、研磨領域４０６の外側でプラテン４０２に配置可能である。二次側真空用チャネル４１２は、どんな構成でもよく、直接または溝４１０を通って、真空源に結合可能である。通常、二次側真空チャネルの幅は、チャネル４０４より大きく、よって、急速な排気と真空の適用、より効果的な流体除去、研磨領域４１６の外側で適用されるべき大きな保持力を許容する。
【００３０】
主として図１及び図２を参照すると、操作中、真空は研磨材料１０６のウェブに適用され、研磨材料をプラテン・アセンブリ１３０に固定する。研摩材料１０６は、溝２０２を空にすることによりプラテンに密封される。溝２０２の内側の研摩材料１０６の下の領域（すなわち、研磨領域２１２）は、チャネル２０４とポート２８４を通して空にされる。溝２０２内に更に溝を通してチャネル２０４を排気させると、流路２１０は、流体を急速に研磨材料１０６のウェブの下方から除去され、急速かつ均一な真空保持力を研磨材料の幅にわたって提供するが、これは、研磨材料をプラテン・アセンブリ１３０の上面２６０に抗して同じ高さに固定する。さらに、チャネル２０４と流路２１０は、研磨材料１０６と上面２６０との間の真空を急速に漏らす。このように、真空の急速な適用と除去は、都合良く、システムのサイクルタイムを減らす。
【００３１】
研摩材料１０６のウェブがプラテン・アセンブリ１３０と同じ高さで一旦固定されると、研磨用ヘッド１０４内に保持された基板１２２は、研磨材料１０６に抗して押し付けられる。基板１２２は、化学機械的研磨処理を実行する為に、研磨流体の存在下で、プログラムされた研磨運動中に移動される。
【００３２】
本発明の教示は、本願で示され、詳細に説明されたが、当業者は、他の変形実施形態を容易に案出することができ、これらは、教示を更に組み入れるものであり、本発明の精神から逸脱するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明の、化学機械的研磨平坦化システムの一実施形態の一部断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、プラテン・アセンブリの一部断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａの２Ｂ−２Ｂ線に沿って切断された断面図である。
【図３】図３は、他の実施形態に係るプラテン・アセンブリの一部断面図である。
【図４】図４は、他の実施形態に係るプラテン・アセンブリの一部断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１００…化学機械研磨機、１１６…供給用ロール、１１８…巻取り用ロール、１３０…プラテン・アセンブリ、１３２…研磨用ステーション、１３４…カルーゼル、１３６…インデクサ、１３８…ベアリング、１４０…ベース、１５２…研磨用ヘッド・アセンブリ、２０２…溝、２１２…研磨領域、２３０…プラテン、２３５…側方チャネル、２６０…上面又はサポート部、２７６…中央凹部、２７８…サブパッド、２８０…サブプレート、２８２…真空源、３００…プラテン・アセンブリ、３０２…溝、３０４…チャネル、３１２…流路、３１４…流路、３３０…プラテン、３６０…上面、３７８…サブパッド、４００…プラテン・アセンブリ、４０２…プラテン、４０６…研磨領域、４１２…二次側真空用チャネル、４１４…サブパッド、４１６…研磨領域。
【図２Ａ】
2004534660.tif 000003
【図２Ｂ】
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【国際公開パンフレット】
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2004534660.tif 000023
2004534660.tif 000024
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2004534660.tif 000026
2004534660.tif 000027
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004534660.tif 000028
2004534660.tif 000029
【国際調査報告】
2004534660.tif 000030
2004534660.tif 000031
2004534660.tif 000032