(57)【要約】半導体光増幅器（ＳＯＡ）（７２）と集積された半導体レーザ（例えば、サンプル・グレーティング・分散ブラッグ反射型ＳＧＤＢＲ装置）を備え、第１のＷＤＭ波長チャンネル（λ1）の変調された放射線を別のＷＤＭ波長チャンネル（λ2）の対応して変調された放射線に変換するためのＷＤＭ光波長変換器（３０；７０）。前記レーザ（７４）が、少なくとも複数の波長チャンネル、好ましくは全ての波長チャンネルに渡って波長チューナブルである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光増幅器（３２；７２）と集積された半導体レーザ（３４；７４）を備え、第１のＷＤＭ波長チャンネルの変調された放射線を別のＷＤＭ波長チャンネルの対応して変調された放射線に変換するためのＷＤＭ光波長変換器（３０；７０）において、前記レーザ（３４；７４）が、少なくとも複数の波長チャンネルに渡って波長チューナブルであることを特徴とする光波長変換器。
【請求項２】
前記レーザが、ＷＤＭグリッドの波長チャンネルの全てに渡って波長チューナブルである請求項１記載の波長変換器。
【請求項３】
前記光増幅器（３２；７２）が波長変換のための変調された放射線を受け取るように動作可能であることを特徴とする請求項１又は２記載の波長変換器。
【請求項４】
前記レーザ（３４；７２）が波長変換のための変調された放射線を受け取るように動作可能であることを特徴とする請求項１又は２記載の波長変換器。
【請求項５】
別の集積半導体光増幅器を更に有している請求項１乃至４いずれかに記載の波長変換器。
【請求項６】
前記レーザ（３４）が分散フィードバック（ＤＦＢ）レーザであることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の波長変換器。
【請求項７】
前記ＤＦＢレーザ（３４）が、複数のセクションに分割されたアクティブ領域を有しており、前記セクションが互いに独立してチューナブルである請求項６記載の波長変換器。
【請求項８】
前記レーザ（７４）は分散ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レーザである請求項１乃至５いずれかに記載の波長変換器。
【請求項９】
前記ＤＢＲレーザ（７４）が、第１反射器（７６）、位相（７８）、利得（８０）及び第２反射器（８２）セクションから成る請求項８記載の波長変換器。
【請求項１０】
各反射器（７４，８２）セクションが、サンプル・ブラッグ・グレーティング（９４，９６）から成る請求項９記載の波長変換器。
【請求項１１】
前記レーザが、スーパーストラクチャー・グレーティング・ブラッグ反射型レーザである請求項１乃至５いずれかに記載の波長変換器。
【請求項１２】
前記レーザが、ＱＣＳＥ又はＦｒａｎｚ  Ｋｅｌｄｓｈ効果のような効果を使用して、電圧バイアスに基づいたチューニング機構を有する請求項１乃至１１いずれか記載の波長変換器。
【請求項１３】
前記レーザが電流注入に基づいたチューニング機構を有する請求項１乃至１１いずれかに記載の波長変換器。
【請求項１４】
レーザの温度を変更することによりレーザを精密チューニングすることを更に含む請求項１乃至１３いずれかに記載の波長変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の波長の変調された放射線を第２の波長の対応して変調された放射線に変換するための、波長分割多重（ＷＤＭ）光波長変換器に関係する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムにおいて、トラフィックは、通信トラフィックで変調光放射線によって伝達される。本発明の説明における光放射線は、５６０ｎｍ乃至２０００ｎｍの自由空間波長範囲内の電磁放射線として定義されるが、実質的に、１５５０ｎｍの自由空間波長がこの範囲の好ましい部分である。ＷＤＭ光通信において、放射線、複数の分離した波長帯（しばしば波長チャンネルと呼ばれる）に分割され、各波長帯は対応する通信チャンネルと関連している。複数の波長帯は、ＷＤＭ櫛（コム）又は格子（グリッド）と呼ばれている。例えば、典型的なＷＤＭシステムは、０．８ｎｍの波長間隔で間隔を空けられた３２の波長チャンネルから成ることができる。このような、間隔は、１５５０ｎｍで１００ＧＨｚのチャンネル周波数分離に対応する。
【０００３】
将来のＷＤＭシステムにとってキーとなる要求は、ＷＤＭグリッドの或る波長チャンネルによって搬送される通信トラフックを、ＷＤＭグリッドの別の波長チャンネルに変換する能力である。このような変換は、以後、波長変換と呼ばれる。波長変換は、システムに柔軟性を与え、波長チャンネルを全体的にではなく通信システムの個別のノードに割り当てられることを可能にし、波長競合が生じる場合に、予備の波長チャンネルに変化することができる。更に、波長変換は、システムのスペクトル効率を最大にするためのチャンネルのグルーミング（編集）を可能にする。
【０００４】
波長変換の或る方法は、変調された光波長キャリアを対応する電気信号に変換して戻し、次に、この電気信号を、要求された新たな波長チャンネルの連続波光キャリアを変調するのに使用する。電気信号への戻し変換は、しかしながら、システム性能に制限をもたらし、結果として、全光波長変換が好まれている。
【０００５】
引用文献１に見られるように、半導体光増幅器（ＳＯＡ）の非線型性を利用して、全光波長変換を提供することが提案されている。波長変換の３つの主要な機構、相互利得変調（ＸＧＭ）、四光波混合（ＦＷＭ）、及び相互位相変調（ＸＰＭ）が利用された。
【０００６】
既に提案されている全光波長変換器は、波長変換が必要とされている波長で作動（レーザ発光）するように構成された固定波長ＤＦＢ（分散フィードバック）レーザから成る。波長変換されるべき変調された放射線は、ＤＦＢレーザ導波路に注入され、そこで、レーザによって発生されたｃ．ｗ．放射は、ＸＧＭプロセスを介して、対応して変調される。
【０００７】
１５５０ｎｍ動作での全光波長変換器の研究は、集積されたＳＯＡ／ＤＦＢレーザダイオード装置〔文献２，３〕の使用に集中している。図１は、集積化されたＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ  ＳＯＡ４及びＤＦＢレーザ６〔２〕から成る波長変換器２を図示している。波長変換器2は、ｎドープされたＩｎＰ基板８上に形成された層構造を有する。層は、アンドープＩｎＧａＡｓＰ層１０、ＭＱＷ（多重量子井戸）層１２、別のアンドープＩｎＧａＡｓＰ層１４、及びｐドープＩｎＰ層１６から、この順で、成る。層１０乃至１４は、光導波／光発生層から成る。アンドープＩｎＧａＡｓＰ層１４内に、ブラッグ・グレーティング（回折格子）１８がある。単一縦モード動作（即ち、単一波長動作）を補償するために、グレーティングは、長さに沿って、約３分の１及び３分の２に位置された、２つのπ／４（即ち、λ／８）の位相シフトを含む。各電極２０、２２が、各制御電流ＩSOA及びＩDFBが加えられるＳＯＡ４及びＤＦＢレーザ６領域を覆う層１６上に設けられる。
【０００８】
動作において、第１の波長λ1の変調された放射線は、装置の端面を通して、ＳＯＡの層１０乃至１４に注入される。ＳＯＡ４は、変調された放射線が装置を通して伝搬する時に、それを増幅する。ＤＦＢレーザ６は、固定された波長λ2でレーザ動作する様に構成されている。増幅された変調放射線は、次に、ＤＦＢレーザ内に伝搬し、レーザによって発生された放射線を、主に、相互利得変調（ＸＧＭ）のプロセスによって変調する。ＸＧＭ機構（利得飽和変換機構）は、レーザモードで論理的に反転された出力を導く。変換器は、端面を通して、波長λ1の変調放射線及び波長λ2の（波長変換された）対応するが論理的に反転された変調放射線を出力する。
【０００９】
変調された放射線をＳＯＡに注入する利点は、このことが、レーザ内のゲイン飽和を達成するために必要とされる放射の入力パワーを減少することにある。
集積されたＳＯＡ／ＤＦＢレーザの利点は、波長変換を提供するための放射線源は装置に固有であるので、システムの複雑性が減少されることにある。１０Ｇｂ／ｓまでのＮＲＺ（ノンリターン・トゥー・ゼロ）データ速度に対する波長変換（λ1＝１５５９ｎｍからλ2＝１５５３．５ｎｍ）が実証された〔文献２〕。この後、この様な波長変換器は、ＳＯＡではなくＤＦＢレーザに、波長変換用入力放射線を注入することによって４０Ｇｂ／ｓまでのデータ速度での波長変換の能力があることが実証された〔文献３〕。
【００１０】
上述の波長変換器、即ちＳＯＡ及び集積化ＳＯＡ／ＤＦＢレーザ装置が、適切な波長変換を提供することが実施されたが、各変換器は、固定された波長に対して波長変換を提供するという同じ制約を有している。今日まで、刊行物発表された波長変換の実施形態は、「何らかの入力波長」から「固定された出力波長」への形態を有している。これは、或るアプリケーションに対しては許されるが、出力波長を同調できることが望ましい或いは必要である幾つかの検討すべき応用がある。この様な応用は、例えば、再構成可能な光相互接続を含む。光相互接続においては、チューナブル（波長可変）波長変換器を、ＷＤＭ波長チャンネルをグルーミングして、波長競合を避けるために使用することができる。光ルータにおいて、チューナブル波長変換器は、波長に基づいて選択的に波長チャンネルをルーティングするために使用できる。
【００１１】
【非特許文献１】
D Nesset, T Kelly, D Marcenac（1998）“All-Optical Wavelength Conversion Using SOA Nonlinearites (SOA非線形を使用する全光波長変換)”IEEE Comms. Mag. December 1998．
【非特許文献２】
MFC Stephens, RV Penty, IH White, MJ Fice, RA Saunders, JEA Whiteaway (1998) “Low Input Power Wavelength Conversion at 10Gb/s Using an Integrated Amplifier/DFB Laser and Subsequest Transmission Over 375km of Fiber(集積された増幅器／ＤＦＢレーザを使用する10Gb/s での低電力波長変換及びその後の375kmファイバ伝送)”IEEE Photon. Tech. Lett., Vol, pp.878-880
【非特許文献３】
MFC Stephens, D Nesset, KA Williams, AE Kelly, RV Penty, IH White, and MJ Fice (1999) “Wavelength conversion at 40Gbit/s via cross-gain modulation in distributed feedback laser with semiconductor optical amplifier（半導体光増幅器を有する分散フィードバックレーザにおける相互利得変調による40Gbit/sでの波長変換）”Electron Lett., Vol.35, No, pp.1762-1764.
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、少なくとも部分的には、公知の装置の制約を解消する光波長変換器を提供しようとする努力において成されたものである。
本発明に従うと、第１のＷＤＭ波長チャンネルの変調された放射線を他のＷＤＭ波長チャンネルの対応して変調された放射線に変換するためのＷＤＭ光波長変換器であって、半導体光増幅器と集積された半導体レーザを含み、このレーザが少なくとも複数の波長チャンネルに渡って波長チューナブル（波長可変）であることを特徴とするＷＤＭ光波長変換器が提供される。
【００１３】
レーザがＷＤＭグリッドの波長チャンネルの全てに渡って波長チューナブルであることが有利である。
一つの構成において、光増幅器は、波長変換用の変調された放射線を受け取るように動作可能である。代替的には、レーザが、波長変換用の変調された放射線を受け取る様に動作可能である。
前者の場合、波長変換器が更に別の集積された半導体光増幅器を備えることが有利である。
【００１４】
或る構成において、レーザは、波長チューナブルな分散フィードバック（ＤＦＢ）レーザである。ＤＦＢレーザは、複数のセクションに分けられたアクティブ領域を有しており、これらセクションは、要求された波長チューニングを提供するように互いに独立してチューニング可能である。
レーザは、分散ブラッグ反射型（ＤＢＲ）レーザであることが有利である。ＤＢＲレーザは、第１の反射器、位相、利得、及び第２の反射器セクションから成る４セクション装置であることが最も好ましい。反射器セクションの各々が、簡単化されたブラッグ・グレーティングからなることが好ましい。代替的にそれらの各々が、スーパーストラクチャー・ブラッグ・グレーティングからなることができる。
【００１５】
レーザの波長チューニングは、量子閉じ込めスターク効果（ＱＣＳＥ）又はＦｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果の様な効果を使用してレーザをバイアスする電圧を介して行うことができる。代替的には、それは、電流注入によって行うことができる。ＷＤＭ波長チャンネルにレーザを精密チューニングすることは、レーザの温度を変化することにより達成することができる。
本発明をより良く理解するために、本発明に従う光波長変換器が、添付図面を参照して、例示のためのみに、記述される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図２及び３を参照する。本発明に従う光波長変換器３０が図示されている。図３は、方向“Ａ”での図２の変換器の端面を表す。
変換器３０は、半導体光増幅器（ＳＯＡ）セクション３２、半導体レーザセクション３４からなる。ＳＯＡ３２及びＤＦＢレーザ３４は、集積された装置として、ｎドープＩｎＰ基板３６上に製造される。
【００１７】
変換器３０は、基板３６上に層構造として製造される。層は、アンドープ（ドープされていない）ＩｎＧａＡｓＰ層３８、ＭＱＷ（多重量子井戸）層４０、別のアンドープＩｎＧａＡｓＰ層４２、及びｐドープＩｎＰ層４４からなる。層３８乃至４２は、変換器の光導波／光発生層を構成する。アンドープＩｎＧａＡｓＰ層４２は、リッジ（畝）４６（図３）構造として構成され、図３の点線４８によって示される様に、層３８乃至４２内に放射線の横方向閉じ込めをもたらす。従って、層３８乃至４２は、ＳＯＡ３２と共通の光導波路を構成し、それは、図２に示される様に、左から右方向に走ることが理解される。製造中に定められるリッジ４６の上部表面内に、レーザセクション３４の（長さに渡って伸びるブラッグ・グレーティング５０がある（図２）。高い横モード抑圧比を保証するために、ブラッグ・グレーティングは、その長さに沿って間隔を開けた複数の位相シフトを含む（図示せず）。
【００１８】
電極５２は、ＳＯＡセクション３２を覆う層４４上に設けられ、このセクションに各制御又はバイアス電流ＩSOAが加えられる。
上述した（図１）公知の波長変換器と対比して、レーザセクション３４を駆動するために使用される電極は、それぞれの制御（バイアス）電流Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3が与えられる３つの分離した電極５０，５２，５４に分けられる。製造を容易にするために、電極は、導電電極層及びそれをｐドープされたＰｎＰ層４４に結合するために使用される下方のコンタクト層（図示せず）を通して、選択的にエッチングすることによって定めることができる。この様な構造の接続は、異なる電流密度がレーザセクション３４の各動作領域に注入されることを可能にし、レーザの動作波長がチューニングされることを可能にする。図２に図示された実施形態においては、ＳＯＡ３２及びレーザの３つの領域５４、５６、５８は、それぞれ５００、３００、２００及び３００μｍの長さを有する。
【００１９】
異なる電流を、レーザの動作領域の各々に与えることにより、レーザからの出力は不連続的に波長チューニングできる。このことは、変調された入力放射線が変換される波長を、電極５４、５６、５８に適当な制御電流を加えることにより選択できることを意味している。
或る電流バイアス状態に対しては、出力波長は、経時変化する高い不安定状態（２つの異なる単一縦モードを発生する）となる場合がある。しかしながら、他のバイアス状態は、安定した出力を提供する。図４は、５つのバイアス電流の組に対する波長変換器３０のＡ乃至Ｅと示される５つのスペクトル（即ち、測定された出力パワー（ｄＢｍ）対波長）を示す。
【００２０】
図４から明らかな様に、約６ｎｍの波長チューニング範囲が、常に３０ｄＢを超えるが、典型的には、＞４０ｄＢであるＳＭＳＲ（副モード抑圧比）で達成された。この様な波長範囲は、０．８ｎｍの間隔を有する７つのＷＤＭ波長チャンネルに渡るチューニング範囲を表している。波長範囲は、許されるスペクトル品質及びピークパワーレベルに依存して、各波長方向で僅かに拡張することができる。図４を得るために使用されたレーザバイアス電流Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3は、次の通りである。
【表１】
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【００２１】
波長変換器の動作が、ここで記述される。第１の波長λxが、変換器の端面を通してＳＯＡ３２内に注入される。ＳＯＡ３２は、変調された放射線がＳＯＡセクションを通して伝搬する時に、変調された放射線を増幅する。チューナブルレーザ３４は、要求される変換波長に対応する波長λyでレーザ発光する様にチューニングされる。増幅された変調波長λxはレーザ３４内を伝搬し、そこで、相互利得変調（ＸＧＭ）プロセスによって、レーザによって発生されたλyを変調する。波長変換器は、端面を通して、波長λxの変調放射線及び波長λyの対応するが論理的に反転して変調された放射線（波長変換された）を出力する。
【００２２】
本発明の波長変換器を使用する光波長変換が、実験により実証された。図５は、波長１５４７ｎｍ（図５ａ）の変調入力放射線及び１５５８ｎｍ（図５ｂ）及び１５５３ｎｍ（図５ｃ）への波長変換後の出力変調放射線に対して測定された「アイ」ダイアグラムを図示している。「アイ」ダイアグラムは、２．４８８Ｇｂ／ｓのデータ速度でＰＲＢＳ（疑似ランダムバイナリシークエンス）を使用して変調され、５０ｋｍの標準（１７ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ）単一モード光ファイバに渡って送信された光放射線に対するものである。
【００２３】
「アイ」ダイアグラムから、入力信号及び波長変換された信号間に、著しい劣化は存在しないことがわかる。
変換器の出力波長は、変換器の温度を調節することにより精密にチューニングできる。℃毎に、この技術を使用して、最大１乃至２ｎｍまで、約０．１ｎｍのチューニングが可能である。この様な精密チューニングは、装置を選択されたＷＤＭ波長チャンネルに精密にチューニングすることを可能にする。
【００２４】
本発明の波長変換器を動作する代替の好ましいモードは、波長変換用の変調放射線をＳＯＡではなくレーザセクションに注入する。この様な構成において、同時に伝搬する入力放射線及び波長変換放射線との間の追加の非線型相互作用がＳＯＡで発生し、各々ＳＯＡの光利得を得ようとして、競合する。この様な動作モードに対する変換機構が図６ａ乃至６ｄに表されており、６ａは、波長変換前の波長λ1の入力信号、６ｂは、ＳＯＡに入る以前のレーザから出力された波長λ2の対応する波長変換された信号、６ｃは、ＳＯＡを半分通過した後の波長変換された信号、そして６ｄは、変換器から出力された（即ちＳＯＡを通過した）波長変換された信号出力をそれぞれ図示している。図６ｂからわかる様に、λ1の入力信号（図６ａ）とレーザによって発生されたλ2のｃ．ｗ．信号との間での、レーザ内の相互利得変調（ＸＧＭ）プロセスは、帯幅と消光比の両方が制限された入力反転信号を生じる。飽和状態へと強く電気的にバイアスされたＳＯＡを用いて、元の入力信号(図6a)の存在下においてこの波長変換された信号（図６ｂ）がＳＯＡを通過すると、飽和されたＳＯＡにおける第１のダイナミックプロセスが、変換された信号の帯幅及び消光比を増大することを可能にする（図６ａ及び図６ｄ）。特に、同時に伝搬する入力信号との特定の利得競合は、変換されたパルス（論理“１”）の立ち上がり及び立ち下がりエッジの両方を先鋭にするが、反転されたλ1信号の存在は、パルス間のギャップに対する利得を減少し、変換された信号の消光比を減少する。この非線形相互作用、及びこれに対応する減少された遷移時間と改善された消光比は、４０Ｇｂ／ｓまでのより高速度での波長変換を可能にすることがわかる。この様な構成において、入力放射線のパワーは、効率的な波長変換のためには、その強度が増大されることが必要であることが理解される。このことは、変換器外部の光増幅器を使用する波長変換器の前に入力放射線を光学的に増幅するか、代替的に、第２のＳＯＡを変換器内に集積して、変換器が入力及び出力の両方にＳＯＡを有する様にすることにより、達成することができる。
【００２５】
図７を参照する。０．４ｎｍ（５０ＧＨｚ）の波長間隔を有する８０の波長チャンネルλ1乃至λ80及び２．５又は１０Ｇｂ／ｓのデータ速度を有するｃ帯（１５３０−１５６０ｎｍ）ＷＤＭ光通信ネットワークにおける動作のための本発明の第２の好適な実施形態に従った光波長変換器７０が示されている。変換器７０は、波長チャンネルλ1乃至λ80のいずれかから別の波長チャンネルへの波長選択可能な変換を行うことができる。
【００２６】
変換器７０は、４セクション・サンプル・グレーティング・分散ブラッグ反射器（ＳＧＤＢＲ）と集積された半導体光増幅器（ＳＯＡ）７２から成る。４レーザセクションは、第１のサンプル・グレーティング反射器７６、位相セクション７８、利得セクション８０、及び第２のサンプル・グレーティング・セクション８２から成る。ＳＯＡ７２及びレーザ７４は、ｎドープＩｎＰ基板８４上に集積された層として製造される。
【００２７】
層は、アンドープＩｎＧａＡｓＰ層８６、ＭＱＷ（多重量子井戸）層８８、別のアンドープＩｎＧａＡｓＰ層９０、及びｐドープＩｎＰ層９２から成る。層８６乃至９０は、変換器の光導波／光発生層を構成する。アンドープＩｎＧａＡｓＰ層９０は、層８６乃至９０内の放射線の横方向（即ち、図７における紙面の面内方向）抑制を提供する様に、リッジ構造に構成されており、後者は、ＳＯＡ７２及びレーザ７４に共通の光導波路を構成し、この光導波路は図７に示される様に左から右方向に走る。
【００２８】
ＭＱＷ層８８は、８つの圧縮ＩｎＧａＡｓＰ井戸と８つの伸長ＩｎＧａＡｓＰ井戸を含み、それらの間にＩｎＧａＡｓＰ障壁が存在する。既知のやり方で、量子井戸は材料特性の適切な選択により、伸長あるいは圧縮の状態で形成される。波長変換器が水平にあるいは垂直に偏向されている入力放射線で作動することを保証し、装置が入力放射線偏向に依存しないことを保証するために両方のタイプの井戸を有するが重要である。
【００２９】
リッジの上部の表面内に、製造中に、レーザの第１反射器７６及び第２反射器８２セクション内にそれぞれのサンプル・ブラッグ・グレーティング９４、９６が定められる。
グレーティング９４、９６は、本明細書で参考文献として組み込まれる英国特許ＧＢ２３３７１３５に記述されるような形態が好ましい。ＧＢ２３３７１３５に記述された様に、そのようなグレーティングは、その長さに沿って選択された位置にπ/2の不連続(つまり一定の期間)を持っているブラッグ・グレーティングを含む。そのようなグレーティング構造は、等しい波長間隔の複数のピーク、又は最大反射のコムを含む反射特性を持っています。２つの反射器７６、７８の反射ピークの間隔は、異なるように構成され、各反射器の一つの反射ピークだけがいつでも整合することができ、そのような整合がレーザ発光波長に対応するようにされる。ＵＳ４８９６３２５に示されるように、波長チューニングは、一方又は両方のグレーティングへの電流の注入によって、新しいピークの組がバーニヤと類似した仕方で整合するように、１つの波長コムを他のものに対してずらすことにより達成される。
【００３０】
Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ合金電極９８、１００、１０２、１０４、１０６は、それぞれ第１の反射器セクション７６、位相セクション７８、第２の反射器セクション８２およびＳＯＡ７２を覆う層９２上に堆積される。電極９８乃至１０６は層１０８をＰ+ドープしたＩｎＰキャッピング層によってＩｎＰ層９２に接合される。それぞれの制御電流ＩR1、ＩPHASE、ＩGAIN、ＩR2およびＩSOAは、波長変換器の操作のために電極９８乃至１０６に与えられる。
【００３１】
上に記述された波長変換器３０でのように、波長変換されるべき入力放射線はレーザ・セクションあるいはＳＯＡに注入することができるが、前者が好ましい。
４セクションＤＢＲレーザの制御機能はよく文書化されているので、この点はさらに記述されない。
本発明の範囲を離れずに、記述された特定の実施形態を変化できることは理解されるであろう。例えば、変換器が動作するＷＤＭ光通信システムの波長チャンネルの幾つか及び好ましくは全てに渡って、必要な波長チューニングを提供するのであれば、チューナブルレーザの他の形式を利用することができる。そのようなレーザは、スーパーストラクチャー・グレーティング・分散ブラッグ反射型レーザを含んでいる。
【００３２】
更に、先の記述では、ＳＯＡとレーザの内の量子井戸の数は同じであり、装置を容易に製造することを可能にする。代替構成では、量子井戸構造は、装置の各セクションのために最適化することができる。どんな場合も、８乃至２０個の間の量子井戸が、最適な性能のために好適であることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】上述した公知の光波長変換器〔文献２〕の図。
【図２】本発明の第１の実施形態に従う光波長変換器の図。
【図３】“Ａ”方向での図２の変換器の端面図。
【図４】図２に示される実施形態の特徴を図示。
【図５ａ−ｃ】図２の変換器に対する測定された「アイ」ダイアグラム。
【図６ａ−ｄ】図２の変換器内の種々の位置における信号を表す図であり、（ａ）波長変換前の入力信号、（ｂ）波長変換された信号、（ｃ）ＳＯＡを半分通過した後の波長変換された信号、及び（ｄ）変換器からの波長変換された信号出力をそれぞれ図示している。
【図７】本発明の第２の実施形態に従う光波長変換器の図。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図７】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004536459.tif 000036
2004536459.tif 000037
【国際調査報告】
2004536459.tif 000038
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2004536459.tif 000040