(57)【要約】この発明は、１以上の金属性パッド上の不活性表面に形成される複数のブランケット金属層の上で、パターン化されたフォトレジスト材料の上で、第１電気メッキ金属層を電気メッキし、それから、第１電気メッキ金属層の上に第２電気メッキ金属層を電気メッキし、第２金属層上にハンダバンプを形成するステップから成る半導体ウエハ内で金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法である。さらに、フォトレジスト材料は除去され、マスクとしてのハンダバンプを使用して複数のブランケット金属層は、エッチングされる。第２電気メッキ金属層は、第１電気メッキ金属層を包んでいてもよい。【選択図】図７
2004510351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの金属性パッドを持ち、各金属性パッド上に開口を含む半導体ウエハの不活性表面上に複数のブランケット金属層を付着し、
ブランケット金属層にフォトレジスト材料を付加し、
各金属性パッドの上に複数の金属層を形成する区域を提供するため、フォトレジスト材料をパターン化し、
前記区域上で第１電気メッキ金属層を電気メッキし、
第１電気メッキ金属層上に第２電気メッキ金属層を電気メッキし、
第２金属層上にハンダバンプを形成し、
フォトレジスト材料を除去し、
マスクとしてハンダバンプを使用して複数のブランケット金属層をエッチングするステップから成る半導体ウエハ内の金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法。
【請求項２】
少なくとも１つの金属性パッドを持ち、各金属性パッド上に開口を含む半導体ウエハの不活性表面上に複数のブランケット金属層を付着し、
ブランケット金属層上に第１区域を提供するため、第１フォトレジスト材料を付加し、
各金属性パッドの上に第１電気メッキ金属層を形成する第１区域を提供するため、フォトレジスト材料をパターン化し、
前記区域上で第１電気メッキ金属層を電気メッキし、
第１フォトレジスト材料を除去し、
第２フォトレジスト材料をブランケット金属層に付加し、
第２電気メッキ金属層を形成するための第２区域を提供するため、第２電気メッキ金属層が第１電気メッキ金属性を包むようにパターン化される第２フォトレジスト材料をパターン化し、
第１電気メッキ金属層を包むように第２電気メッキ金属層を電気メッキし、
第２電気メッキ金属層上にハンダバンプを形成し、
第２フォトレジスト材料を除去し、
マスクとしてハンダバンプを使用して複数のブランケット金属層をエッチングするステップから成る半導体ウエハ内の金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法。
【請求項３】
第１電気メッキ金属層は、複数のブランケット金属層の最下層と同じ金属で形成される請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第１電気メッキ障壁層および複数のブランケット金属層の最下層は、銅で形成される請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項５】
第２電気メッキ障壁層はニッケルで形成される請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項６】
第２電気メッキ障壁層はニッケル合金で形成される請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項７】
ブランケット金属層は、下にある金属性パッドに粘着する粘着層を含む請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項８】
ブランケット金属層は、粘着層の頂部に付着される層を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
粘着層は、チタン／タングステン、クロムまたはそれらの合金で形成される請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
付着層は、銅、ニッケル、金またはそれらの合金で形成される請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
粘着層はスパッタリングにより形成される請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
付着層は、スパッタリングにより形成される請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
粘着層、付着層および第１電気メッキ層は、アンダーバンプ冶金を形成する請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
第２電気メッキ層は、ハンダ内の錫との相互作用により、金属間物の形成を減少するための障壁層を形成する請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
ニッケル障壁層は、１〜５ミクロンの間の厚さに形成される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
電気メッキ銅層は、１〜１０ミクロンの間の厚さにメッキされる請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
第２電気メッキ層は付着層および第１電気メッキ層を包み、ハンダバンプは、これらの層と接触しない請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
ハンダは、実質的に球形ハンダボールを形成するため再流出される請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
半導体ウエハはシリコンで形成される請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項２０】
金属性パッドは、アルミニウムを含む請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項２１】
金属性パッドは、銅を含む請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項２２】
障壁金属層のエッチングは、第１電気メッキ層と半導体ウエハとの間でアンダーカットを形成する請求項１または請求項２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
この発明は、半導体チップと温度感知基板との間の相互連結のためのハンダ継手の形成に関し、特に、ハンダボール／バンプとボール制限冶金との間の障壁層の形成方法に関するものである。
【０００２】
米国特許５，９３７，３２０号は、半導体ウエハ内に埋め込まれる金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法を提供する。
この特許明細書内で説明される発明は、特に、ハンダ再流出および接合の上昇温度で、金属間物を形成するため、下にあるボール制限冶金内で銅と反応するハンダ内の錫の問題を克服することを試みている。
銅は、ハンダ銅界面で不均一な厚さの銅／錫金属間物の層を形成する錫内で溶融する。
【０００３】
この米国特許は、アンダーバンプ冶金（または、ボール制限冶金として言及）上に障壁層を提供することにより、この問題を克服することを試みている。
アンダーバンプ冶金は、ハンダにより湿ることができる表面を提供し、良好な粘着および機械的応力、熱応力下で受容できる信頼性を提供するため、ハンダと反応する。
残念なことに、米国特許５，９３７，３２０号で説明された障壁層は、必ずしも錫−銅金属間物形成の問題を克服する十分に信頼性のあるものではない。
【０００４】
この発明の解決しようとする問題点は、錫−銅金属間物形成の問題を減らす半導体内での金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法を提供することにある。
【０００５】
この発明によると、少なくとも１つの金属性パッドを持ち、各金属性パッド上に開口を含む半導体ウエハの不活性表面上に複数のブランケット金属層を付着し、ブランケット金属層にフォトレジスト材料を付加し、各金属性パッドの上に複数の金属層を形成する区域を提供するため、フォトレジスト材料をパターン化し、前記区域上で第１電気メッキ金属層を電気メッキし、第１電気メッキ金属層上に第２電気メッキ金属層を電気メッキし、第２金属層上にハンダバンプを形成し、フォトレジスト材料を除去し、マスクとしてハンダバンプを使用して複数のブランケット金属層をエッチングするステップから成る半導体ウエハ内の金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法が提供される。
【０００６】
この発明の他の観点によると、少なくとも１つの金属性パッドを持ち、各金属性パッド上に開口を含む半導体ウエハの不活性表面上に複数のブランケット金属層を付着し、ブランケット金属層上に第１区域を提供するため、第１フォトレジスト材料を付加し、各金属性パッドの上に第１電気メッキ金属層を形成する第１区域を提供するため、フォトレジスト材料をパターン化し、前記区域上で第１電気メッキ金属層を電気メッキし、第１フォトレジスト材料を除去し、第２フォトレジスト材料をブランケット金属性に付加し、第２電気メッキ金属層を形成するための第２区域を提供するため、第２電気メッキ金属層が第１電気メッキ金属性を包むようにパターン化される第２フォトレジスト材料をパターン化し、第１電気メッキ金属層を包むように第２電気メッキ金蔵層を電気メッキし、第２電気メッキ金属層上にハンダバンプを形成し、第２フォトレジスト材料を除去し、マスクとしてハンダバンプを使用して複数のブランケット金属層をエッチングするステップから成る半導体ウエハ内の金属性パッド上にハンダバンプを形成する方法が提供される。
【０００７】
好ましくは、第１電気メッキ金属層は、複数のブランケット金属層の最上層と同じ金属で形成される。
好ましくは、第１電気メッキ障壁層および複数のブランケット金属層の最上層は、銅で形成される。
好ましくは、第２電気メッキ障壁層は、ニッケルで形成される。選択的に、第２電気メッキ障壁層はニッケル鉄合金で形成される。
好ましくは、ブランケット金属層は、下にある金属性パッドに粘着する粘着層を含む。
好ましくは、ブランケット金属層は、粘着層の頂部に付着層を含む。
好ましくは、粘着層はチタン／タングステン、クロムまたは、それらの合金で形成される。
好ましくは、付着層は銅、ニッケル、金または、それらの合金で形成される。
好ましくは、粘着層はスパッタリングにより形成される。好ましくは、付着層はスパッタリングにより形成される。
好ましくは、粘着層、付着層および第１電気メッキ層は、アンダーバンプ冶金を形成する。
好ましくは、第２電気メッキ層は、ハンダ内の錫との相互作用により金属間物の形成を減らすための障壁層を形成する。
好ましくは、ニッケル障壁層は、１〜５ミクロンの間の厚さに形成される。
好ましくは、電気メッキ銅層は、１〜１０ミクロンの間の厚さにメッキされる。
好ましくは、ニッケル層は電気メッキまたは非電気メッキにより形成される。
好ましくは、ニッケル障壁層は、銅付着層および銅電気メッキ層を包み、ハンダバンプは、これらの層の一方で銅と接触しない。
好ましくは、ハンダは実質的に球形のハンダボールを形成するために再流出される。
好ましくは、半導体ウエハはシリコンで形成される。選択的に、半導体ウエハは、ゲルマニュウム、または、ガリウム砒化物で形成される。
好ましくは、金属性パッドはアルミニウムで形成される。選択的に、金属性パッドは、シリコンと銅でドーピングしたアルミニウムで形成される。選択的に、金属性パッドは、シリコンでドーピングしたアルミニウムで形成される。選択的に、金属性パッドは、銅または他の材料でドーピングされた銅で形成される。好ましくは、障壁金属層のエッチングは、第１電気メッキ層と半導体ウエハとの間でアンダーカットを形成する。
【０００８】
以下に、この発明の好適実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１を参照すると、上に付着される複数のブランケット金属層１０を持つ半導体ウエハが示される。
半導体ウエハは１２で現わされる。
半導体ウエハ１２は典型的にはシリコンで形成されるが、ゲルマニュウム、ガリウム砒化物、シリコンゲルマニュウムまたは他の適当な半導体の材料のような他の材料で構成してもよい。
【０００９】
ウエハは、典型的には、複数の集積回路装置を含む。
これらの装置は明瞭化のために図示されていない。
金属性パッドは半導体層内に埋め込まれる。
これらの金属性パッドは集積回路装置との接触を形成する。
金属性パッドは、典型的にはアルミニウムであるが、シリコンおよび銅でドープされるアルミニウム、シリコンでドープされるアルミニウム、銅、または他の材料でドープされる銅を含んでもよい。
【００１０】
金属性パッドは図１では１１で示される。
金属性パッド１１は明瞭化のために他の図面では示されていない。
しかしながら、詳細な説明の残りの全てにおいて、金属性パッドは電気メッキが施される個所の真下に配置される。
【００１１】
典型的には、ポリアミド、二酸化ケイ素またはシリコン硝酸塩のような材料の不活性層（図示せず）は、金属性パッド１１の表面上の不活性層内で隙間を持って半導体層に形成される。
ブランケット金属層１０が付加される前に、不活性層は純水または溶剤で浄化される。
【００１２】
不活性半導体ウエハ１２の頂部には、第１ブランケット層１４がある。
第１ブランケット金属層１４は、チタン、タングステンおよびクロム、それらの合金で形成されて周知である。
この発明では、第１ブランケット層はクロで形成するのが好ましい。
【００１３】
典型的には、クロムは半導体層上にスパッタリングされる。
スパッタリング工程は、凝縮相（固体相）クロムソースを気体相または蒸着層に転換し、気体相または蒸着層をソースから半導体基板へ搬送し、気体相または蒸着層を基板で凝縮して付着金属の核生成および膜の成長を起こす周知なステップを含む。
【００１４】
第２ブランケット金属層１６は、再び、スパッタリング工程により第１障壁層上に形成される。
この発明では、銅を使用することが好ましいが、ニッケル、コバルト、それらの合金のような従来技術で知られた他の金属を使用してもよい。
銅は、クロム層に関して説明した類似の工程を使用してスパッタリングされる。
【００１５】
第１層は、一般的に、粘着層として知られ、連結体とウエハとの間の粘着を与える。
特に、スパッタリングされたクロム層は、良好な電気接続を形成するように下にあるアルミニウム金属性パッドと電気接触をする。
第２ブランケット金属層は、一般的に、ターミナル層として知られ、そこに粘着するハンダバンプのためのターミナルとして作用をする。
【００１６】
中間ブランケット金属層は、クロムと銅ブランケット層との間に含まれ、従来技術で知られている。
中間層が、一般的に、クロム層を持つ界面でのクロムと、反対の界面での銅とから普通に構成されるクロム銅合金を含むことは周知である。
ブランケット金属層はボール制限冶金若しくはアンダーバンプ冶金として知られている。
【００１７】
次に、一般的に、銅層１６の表面にフォトレジスト材料をコーテイングしてスピンにより、フォトレジスト材料の厚層が、ブランケット金属層１０上に付着される。
それから、フォトレジスト材料上のパターン化層を除去する周知なフォトレジスト技術を使用して、フォトレジストが作り出される。
【００１８】
図２を参照すると、パターン化フォトレジスト材料１８は、ブランケット金属層１０に付着されることを示す。
パターンは、フォトレジスト材料内で隙間１５を含み、隙間１５が形成される区域から離れたブランケット金属層１０の頂部に電気メッキ金属の付着を妨げるため、マスクが与えられる。
隙間１５は金属性パッド１１上の区域に一致し、電気メッキ層は、パッド１１の上に形成される。
【００１９】
図３を参照すると、第１電気メッキ層２０は、ブランケット金属層１０上に付着される。
第１電気メッキ層２０は、好ましくは、銅であり、典型的には、１〜１０ミクロンの厚さにメッキされる。
電気メッキは、当業者にとって周知な標準的な電気メッキ技術により行われる。
【００２０】
第２電気メッキ層２２は、第１電気メッキ層２０の上に付着される。
第２電気メッキ層２２は、普通のニッケルメッキ工程である非電気メッキまたは電気メッキの技術により付着されるニッケルで形成されるのが好ましい。
典型的には、ニッケルは１〜５ミクロンの厚さにメッキされる。
【００２１】
第１銅電気メッキ層は、直接、金属性パッド上で、直接、下にあるスパッタリング層に対して極端な厚さ提供する。
第２電気メッキ層は、約０．２〜１０（または、それ以上）ミクロン、好ましくは、１〜５ミクロンの間の厚さの障壁層を形成する。
【００２２】
図４を参照すると、ハンダバンプ２４は、第２電気メッキ層２２の頂部に形成される。
ハンダバンプは、錫および鉛から構成される。
ハンダの好ましい形状は、錫６３％および鉛３７％から成る共晶ハンダであるが、錫５％および鉛９５％から成る高鉛ハンダのようなハンダの他の形状も使用できる。
無鉛ハンダを使用することも知られている。このことは、電気メッキハンダにとって技術分野で周知である。
【００２３】
電気メッキハンダの工程は、当業者にとって熟知されている。
図４では、ハンダバンプ２４は上ニッケル電気メッキ層２２と接触し、フォトレジスト１８を形成することも分かる。
【００２４】
図５を参照すると、フォトレジスト１８は、当業者にとって周知である液体ストリッパーを使用して除去される。
【００２５】
図６を参照すると、エッチングは、シリコン基板から第１ブランケット金属層および第２ブランケット金属層をエッチングするために使用される。
ハンダダンプ２４はマスクを形成し、ブランケット金属層１４’、１６’の部分は、ハンダバンプ２４および電気メッキ層２０、２２の下に残る。
【００２６】
それで、ハンダダンプ２４、電気メッキ層２０、２２およびブランケット層１４’、１６’の残り部分は、上に位置する金属支柱を形成し、金属性パッド１１との層接触をする。
エッチング技術は、この技術分野では周知であり、電気化学エッチング、化学エッチングおよび、それらの組み合わせを含む。
ブランケットフラックスは、ブランケット金属層１０の両側に粘着するハンダを支援するために付加してもよい。
【００２７】
図７に関して、それから、ハンダバンブ２４はハンダボール２４’を形成するために再流出されてもよい。
第２電気メッキニッケル層は、ハンダ２４内の錫とエッチングされたブランケット層１６’と電気メッキ銅層２０との間の障壁として作用する。
【００２８】
エッチングブランケット層１６’と化合する電気メッキ銅層２０は、ハンダ内の錫からアタックするため、より弾性である薄い銅層を形成する。
明らかに、極端に厚い銅の区域を形成するための電気メッキ追加銅は、それから、その大部分をエッチング除去するスッパタリング工程により、より厚い層を発生するより一層選択的である。
【００２９】
半導体ウエハ内で金属性パッド上でハンダバンプを形成する選択方法を説明する。図８を参照すると、選択方法は、（前記のように）少なくとも１つの金属性パッドを持つ、（前記したように）適切な金属で形成される半導体ウエハ上にクロムまたは（前記したように）他の適切な金属のブランケット金属層１４を付着することで始まる。
【００３０】
第２ブランケット層１６は層１４上に形成される。
好ましくは、層１６はスパッタリングされた銅であるが、前記のように他の適当な金属でもよい。
層１４，１６は複数のブランケット層１０を形成する。
【００３１】
図２に関して説明したのと類似した図９を参照すると、フォトレジスト材料１８は、金属性パッド上に与えられる隙間１５での所定のパターンに応じてブランケット金属層１０の表面に付加される。
【００３２】
図１０を参照すると、第１電気メッキ層２０は、図３に関して説明したようにブランケット金属層１０上に付着される。
第１電気メッキ層は、金属層１６と同じ金属で形成される。
好ましくは、金属は銅である。
【００３３】
図１１を参照すると、フォトレジスト１８は、液体ストリッパーを使用してストリップされる。
これは、銅ブランケット金属層１６の頂部に銅電気メッキ層２０を残す。
【００３４】
図１２を参照すると、第２フォトレジスト材料２８は、ブランケット金属層１０上に被覆されたスピンである。
それは、標準平版技術を使用して要求されるパターンを形成するために露出され、現像される。
【００３５】
フォトレジスト材料２８内の隙間１７は、電気メッキ銅層２０の周囲に提供される。
隙間１７は隙間１５より大きく、フォトレジスト２８は電気メッキ銅層２０から離間される。
これは、電気メッキ銅層２０を包むように第２電気メッキ層２６が、電気メッキされることを許容する。
【００３６】
それから、第２電気メッキ層２６は、前記と同様に提供されるが、図１３で分かるように、このとき、包まれた電気メッキ層２６は電気メッキ銅２０を覆う。さらに、第２電気メッキ層２６はニッケルで形成されるが好ましい。
前記のような他の適当な金属を使用できる。
【００３７】
図１４を参照すると、ハンダは、図４に関して説明した工程と同様に電気メッキ層２６上に形成される。
図１５を参照すると、フォトレジスト材料２８は、図５に関して上記したような液体ストリッパーを使用して除去される。
【００３８】
図１６を参照すると、ハンダバンプ２４によりマスクされる残りの部分１４’、１６’とは別に層をエッチング除去するように、エッチングがブランケット金属層１０に付加される。
この工程は、図６に関して上記と同様に行われる。
【００３９】
図１７を参照すると、ブランケットフラックスが付加でき、メッキされたバンプから応力を開放し、溶融ハンダが表面張力により実質的に球形を形成できるようにハンダを再流出するためウエハを送ることができる。
図１７に示すように、再流出バンプは２４’で示される。
それから、ウエハは純水または溶剤を使用して清浄される。
再流出の工程は図７に関して上記した通りである。
【００４０】
図１８を参照すると、エッチングの清浄化を確保するため、ウエット化学エッチング工程中にアンダーカッテイングが生じるのが好ましい。
前述の米国特許５，９３７，３２０号では、アンダーカッテイングは、アンダーバンプ冶金内の応力を緩和するために使用される。
【００４１】
しかしながら、銅層冶金２０の電気メッキは、バンプの機械的応力を改善するのと同様にアンダーバンプ内の応力を緩和するために配慮される。
アンダーカット層は１４”、１６”で示される。ハンダバンプ２４および第２電気メッキ層２２は、図１８では便益上、示されていない。
【００４２】
図１９、２０、２１を参照すると、第２電気メッキ層２６、２６’、２６”が選択的に示される。
図１９では、層１４’、１６’、２０、２６は、便益上、示されないハンダバンプ２４を持ち、図１６に関して説明したものと同様である。
【００４３】
図２０において、電気メッキニッケル２６’はフランジ３０を含む。フランジ３０は、フォトレジストおよびメッキ工程の２段階付加により形成してもよい。
【００４４】
図２１では、電気メッキニッケル２６”は電気メッキ銅２０と、残りのスパッタリング銅１６’を包む。
このことは、銅ブランケット層１６をエッチングし、フォトレジストの他の層を付加し、それから、電気メッキ銅２６”を付加し、フォトレジストの他の層を除去し、それから、ブランケット層の残りのクロム１４”内でアンダーカットを提供するようにクロムブランケット層１４をエッチングする工程により形成できる。
【００４５】
図２２を参照すると、ハンダバンプ２４は、ハンダボール２４’を形成するため再流出され、電気ハンダ銅（３６として示す）およびスパタリング銅（１６’として示す）は、ハンダボール２４’内での錫と接触することにより、金属間物の形成に向けられる。ニッケル障壁層２６”’は、ある厚さに達すると直ちに停止する緩慢な金属間物を形成するために知られている。
【００４６】
錫ニッケル金属間物は、銅錫金属間物と比較して一層均一である。スパッタリング銅１６’と電気メッキ銅３６とから成る銅の極端な厚さにより、ハンダバンプは、金属間の形成に対して一層弾性である。
包まれたニッケル障壁層に加えて、銅のために一層の保護が提供される。
【００４７】
基本的な発明概念を逸脱することなく、この発明は変更および変形を行うことができる。
そのような変更は、ここで説明した好ましい金属以外の種々の層内での他の適切な金属の使用またはそれぞれの金属層を形成する他の適切な技術の使用を含む。
そのような変更および変形は、その特徴が次の説明から決められ、この発明の範囲内であることが意図される。
【００４８】
以上説明したように本発明は、少なくとも、以下の長所を持つことは、当業者にとって明らかである。
１．包まれる第２電気メッキ障壁層は、さらに、金属間物の量を減少する。
２．応力減少は、バンプの機械的強度を改良する助けもする電気メッキ銅層を通して進められる。
３．ボール制限冶金のターミナル層に対する追加厚さの電気メッキは、追加厚さに対するスパッタリングより選択的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ブランケット金属層で被覆された半導体ウエハの概要図である。
【図２】
図１に付加されるフォトレジスト材料を持つブランケット金属層の概要図である。
【図３】
電気メッキ層を持つブランケット金属層の概要図である。
【図４】
図３の電気メッキ層の頂部に形成されるハンダバンプを示す概要図である。
【図５】
フォトレジスト材料のない障壁層、電気メッキ層および形成ハンダバンプを示す概要図である。
【図６】
エッチングされたブランケット金属層を示す概要図である。
【図７】
再流出されたハンダバンプを示す概要図である。
【図８】
選択プロセスの第１ステップとして、ブランケット金属層で被覆された半導体ウエハの概要図である。
【図９】
そこに付加されるフォトレジスト材料を持つ図８のブランケット金属層を示す概要図である。
【図１０】
ブランケット金属層に付加された電気メッキ層を示す概要図である。
【図１１】
フォトレジスト材料が除去されたブランケット金属層上の電気メッキ層を示す概要図である。
【図１２】
電気メッキ層の片側で障壁層に付加された第２フォトレジスト材料を示す概要図である。
【図１３】
第１電気メッキ層の頂部にメッキされた他の電気メッキ層を示す概要図である。
【図１４】
電気メッキ層の頂部に付加された形成ハンダダンプを示す概要図である。
【図１５】
フォトレジスト材料が除去された障壁層、電気メッキ層および形成ハンダバンプを示す概要図である。
【図１６】
エッチングが終わったブランケット金属層を示す概要図である。
【図１７】
再流出されたハンダバンプを示す概要図である。
【図１８】
アンダーカットされたブランケット金属層を示す概要図である。
【図１９】
形成ハンダバンプのないエッチングされたブランケット金属層および電気メッキ層を持つ半導体ウエハを示す概要図である。
【図２０】
図１９で示されるものに対する選択的な第２電気メッキ層を示す概要図である。
【図２１】
図１９，図２０に示されるものに対する別の選択的第２電気メッキ層を示す概要図である。
【図２２】
ハンダの再流出後、ハンダは下層と接触するため、頂部電気メッキ層を越えて再流出することを示す概要図である。
【図１】
2004510351.tif 000003
【図２】
2004510351.tif 000004
【図３】
2004510351.tif 000005
【図４】
2004510351.tif 000006
【図５】
2004510351.tif 000007
【図６】
2004510351.tif 000008
【図７】
2004510351.tif 000009
【図８】
2004510351.tif 000010
【図９】
2004510351.tif 000011
【図１０】
2004510351.tif 000012
【図１１】
2004510351.tif 000013
【図１２】
2004510351.tif 000014
【図１３】
2004510351.tif 000015
【図１４】
2004510351.tif 000016
【図１５】
2004510351.tif 000017
【図１６】
2004510351.tif 000018
【図１７】
2004510351.tif 000019
【図１８】
2004510351.tif 000020
【図１９】
2004510351.tif 000021
【図２０】
2004510351.tif 000022
【図２１】
2004510351.tif 000023
【図２２】
2004510351.tif 000024
【国際公開パンフレット】
2004510351.tif 000025
2004510351.tif 000026
2004510351.tif 000027
2004510351.tif 000028
2004510351.tif 000029
2004510351.tif 000030
2004510351.tif 000031
2004510351.tif 000032
2004510351.tif 000033
2004510351.tif 000034
2004510351.tif 000035
2004510351.tif 000036
2004510351.tif 000037
2004510351.tif 000038
2004510351.tif 000039
2004510351.tif 000040
2004510351.tif 000041
2004510351.tif 000042
2004510351.tif 000043
2004510351.tif 000044
2004510351.tif 000045
【国際調査報告】
2004510351.tif 000046
2004510351.tif 000047