(57)【要約】アノード、青色スペクトルにおいて光を発する正孔輸送材料、有機金属錯体の層、およびカソードを連続的に含む、白色光を発するエレクトロルミネセンスデバイス。本発明に従って、以下：（ｉ）第１電極；（ｉｉ）青色スペクトルの成分を有する正孔輸送層；（ｉｉｉ）（Ｌα）ｎＭを組み込むエレクトロルミネセンス層；および（ｉｖ）第２電極を連続して備える、エレクトロルミネセンスデバイスが提供される。ここで、Ｍは、希土類金属であり、好ましくは、Ｅｕ、Ｔｂ、ＳｍまたはＤｙであり、そしてＬαは、有機配位子であり、そしてｎは、Ｍの原子価状態である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンスデバイスであって、
（ｉ）第１電極と
（ｉｉ）青色スペクトル中の成分を有する、正孔輸送層と、
（ｉｉｉ）Ｍ（Ｌα）ｎを組み込むエレクトロルミネセンス層と、
第２電極とを連続して含み、ここで、Ｍが希土類金属であり、そして（Ｌα）が有機配位子である、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス層が、式
（Ｌα）ｎＭ←Ｌｐ
の化合物を組み込み、ここで、ＬαおよびＬｐが有機配位子であり、この配位子Ｌαは、同じであっても異なってもよく、そして同じであり得るかまたは異なり得る複数の配位子Ｌｐが存在し得る、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）Ｍ（Ｌｐ）の錯体であり、そして（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）は、同じであるかまたは異なる有機錯体Ｌαであり、そして（Ｌｐ）が中性配位子である、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項４】
請求項２に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式（Ｌα）ｎＭＭ２の錯体であり、ここで、Ｍ２が非希土類金属であり、Ｌαが前記の通りであり、そしてｎが、ＭおよびＭ２の合わせた原子価状態である、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項５】
請求項２に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式（Ｌα）ｎＭＭ２（Ｌｐ）の錯体であり、ここで、Ｌｐは前記の通りであり、該金属Ｍ２は、希土類遷移金属でもランタニドでもアクチニドでもない任意の金属である、
エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項６】
請求項２に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式
（Ｌｍ）ｘＭ１←Ｍ２（Ｌｎ）ｙ、または
【化１】
2004515042.tif 000027
の金属錯体であって、ここで、Ｌが架橋配位子であり、そしてＭ１がＭであり、そしてＭ２がＭまたは非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎが、同じであるかまたは異なる前記の通りの有機配位子Ｌαであり、ｘがＭの原子価状態であり、そしてｙがＭ２の原子価状態であるか、あるいは、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式
（Ｌｍ）ｘＭ１−Ｍ３（Ｌｎ）ｙ−Ｍ２（Ｌｐ）ｚまたは
【化２】
2004515042.tif 000028
の金属錯体であって、ここで、Ｍ１、Ｍ２およびＭ３がＭであり、そしてＬｍ、ＬｎおよびＬｐが、有機配位子Ｌαであり、ｘ、ｙおよびｚが全て３であり、ＬｐがＬｍおよびＬｎと同じであり得るかまたは異なり得、そして希土類金属および非土類金属が、金属−金属結合によっておよび／または中間架橋原子、架橋配位子によって一緒に結合されるか、あるいは、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式
【化３】
2004515042.tif 000029
または
【化４】
2004515042.tif 000030
の金属錯体であって、ここで、Ｌが架橋配位子であるか、あるいは、前記エレクトロルミネセンス化合物が、式
Ｍ１−Ｍ２−Ｍ３−Ｍ４
または
Ｍ１−Ｍ２−Ｍ４−Ｍ３
または
【化５】
2004515042.tif 000031
または
【化６】
2004515042.tif 000032
の金属錯体であって、ここで、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３およびＭ４がＭであり、Ｌが架橋配位子である、
エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、Ｌαが、本明細書中の式（Ｉ）〜（ＸＶＩＩ）を有する、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、Ｌｐが、本明細書中の式（ＸＶＩＩＩ）〜（ＸＸＶ）を有するかまたは図１〜８の通りである、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記正孔輸送材料が、本明細書中に規定されるような、ｍＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ、ＮＰＤ、ＮＰＶであるか、または図１１、１２または１３に記載される通りの式を有する、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、Ｍが、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍ、またはＤｙである、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記正孔輸送層が、青色蛍光を組み込む、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記正孔輸送層の厚さが、５ｎｍより大きい、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記正孔輸送層の厚さが、１０ｎｍ〜５０ｎｍである、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス層の厚さが、５ｎｍより大きい、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス層の厚さが、１０ｎｍ〜４０ｎｍである、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記第２電極が、アルミニウム、カルシウム、リチウム、または銀／マグネシウム合金である、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、発光材料の層と接触して、別の有機正孔輸送層が存在する、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記正孔輸送材料が、ポリマーのフィルムであり、該ポリマーは、ポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、アミノ置換芳香族化合物の非置換ポリマー、アミノ置換芳香族化合物の置換ポリマー、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン、置換ポリチオフェン、ポリシラン、および置換ポリシラン、アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化非置換ポリマー、アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化置換ポリマー、脱プロトン化ポリアニリンから選択される、
エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１９】
請求項１７に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、もう一方の正孔輸送材料が、化合物のフィルムであり、該化合物は、ポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、アミノ置換芳香族化合物の非置換ポリマー、アミノ置換芳香族化合物の置換ポリマー、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン、置換ポリチオフェン、ポリシラン、および置換ポリシラン、アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化非置換ポリマー、アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化置換ポリマー、本明細書中の式（ＸＸＩＸ）または式（ＸＸＸ）の脱プロトン化ポリアニリン、あるいは図面の図１１、図１２、図１３、もしくは図１４にあるような化合物から選択されるか、あるいはもう一方の正孔輸送材料が、共役ポリマーである、
エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、正孔輸送材料および前記発光金属化合物が、１つの層を形成するように混合されている、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記第２電極と前記エレクトロルミネセンス複合体の層との間に、電子伝達材料の層が存在する、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２２】
請求項２１に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記電子伝達材料が、金属キノレート、または図面の図１０中におけるような化合物である、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２３】
請求項２２に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記電子伝達材料が、リチウムキノレートである、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２４】
請求項２１〜２３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、電子伝達材料および前記発光金属化合物が、１つの層を形成するように混合されている、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２５】
請求項１〜２４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記第２電極が、アルミニウム、カルシウム、リチウム、および銀／マグネシウム合金から選択される、エレクトロルミネセンスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス材料およびエレクトロルミネセンス材料を組み込むデバイスに関する。
【０００２】
電流が通過する際に光を発する材料が周知であり、これらは、広範囲のディスプレイでの適用において使用される。液晶デバイスおよび無機半導体系に基づくデバイスは、広範に使用されているが、これらは、高エネルギー消費、高製造コスト、低量子効率およびフラットパネルディスプレイを作製することができないという欠点に悩まされている。
【０００３】
有機ポリマーは、エレクトロルミネセンスデバイスにおいて有用であると提唱されているが、有機ポリマーでは、純粋な色を得ることができず、これらは、作製するのに高価であり、かつ比較的に低効率を有する。
【０００４】
提唱されている別の化合物は、アルミニウムキノレートであるが、これは、一定範囲の色を得るためにドーパントを使用する必要があり、かつ比較的に低効率を有する。
【０００５】
紫外線放射において蛍光を発する希土類キレートが既知であり、Ａ．Ｐ．Ｓｉｎｈａ（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｏｆ　Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　第２巻　Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒｅｓｓ　１９７１）は、種々の単座配位子および二座配位子を有する、いくつかのクラスの希土類キレートを記載している。
【０００６】
芳香族錯化剤を伴う、第ＩＩＩＡ族の金属およびランタニドおよびアクチニドが、Ｇ．Ｋａｌｌｉｓｔｒａｔｏｓによって記載されている（Ｃｈｉｍｉｃａ　Ｃｈｒｏｎｉｋａ，Ｎｅｗ　Ｓｅｒｉｅｓ，１１，２４９〜２６６（１９８２））。この参考文献は、詳細には、ジフェニル−ホスホンアミドトリフェニル−ホスホラン（ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｏｓｐｏｎａｍｉｄｏｔｒｉｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｏｓｐｈｏｒａｎ）のＥｕ（ＩＩＩ）錯体、Ｔｂ（ＩＩＩ）錯体、Ｕ（ＩＩＩ）錯体およびＵ（ＩＶ）錯体を開示している。
【０００７】
ＥＰ　０７４４４５１Ａ１はまた、遷移金属またはランタニド金属またはアクチニド金属の蛍光性キレートを開示しており、使用され得る公知のキレートは、上記参考文献において開示されているキレート（ジケトン部分およびトリケトン部分に基づくキレートを含む）である。
【０００８】
充填されていない内殻を有する任意の金属イオンが、金属として使用され得、そして、好ましい金属は、以下から選択される：Ｓｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）Ｕ（ＩＩＩ）、Ｔｍ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＩＩ）、Ｐｒ（ＩＩＩ）、Ｎｄ（ＩＩＩ）、Ｐｍ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｈｏ（ＩＩＩ）およびＥｒ（ＩＩＩ）。
【０００９】
特許出願ＷＯ９８／５８０３７は、一定範囲のランタニド錯体を記載しており、このランタニド錯体は、改善された特性を有しかつより良い結果を与える、エレクトロルミネセンスデバイスにおいて使用され得る。特許出願ＰＣＴ／ＧＢ９８／０１７７３、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０３６１９、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０３０、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２４、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２８、ＰＣＴ／ＧＢ００／００２６８は、希土類キレートを使用するエレクトロルミネセンス錯体、エレクトロルミネセンス構造およびエレクトロルミネセンスデバイスを記載している。
【００１０】
代表的なエレクトロルミネセンスデバイスは、透明なアノード（例えば、酸化インジウムスズでコーティングされたガラス）、正孔輸送材料の層、エレクトロルミネセンス材料の層、電子輸送材料および金属カソードを積み重ねて有する。
【００１１】
多数の適用のために、白色光または眼に白く見える光を発するエレクトロルミネセンスデバイスの必要性が存在する。これまで、異なる色の光を発するエレクトロルミネセンス材料の白色光層を作製する（ａｃｈｉｅｖｅ）ために、組み合わせて白く見えるものが使用されてきた。しかしながら、このことは、より複雑なデバイスを作製しなければならないことを意味する。
【００１２】
ここで、本発明者らは、有機金属エレクトロルミネセンスデバイスを発明した。このデバイスは、白色光を発し得、かつここにおいて、発せられる光の色は、デバイスにわたって印加される磁場強度を変化させることによって、変更され得る。
【００１３】
本発明に従って、以下：
（ｉ）第１電極；
（ｉｉ）青色スペクトルの成分を有する正孔輸送層；
（ｉｉｉ）（Ｌα）ｎＭを組み込むエレクトロルミネセンス層；および
（ｉｖ）第２電極
を連続して備える、エレクトロルミネセンスデバイスが提供される。
【００１４】
ここで、Ｍは、希土類金属であり、好ましくは、Ｅｕ、Ｔｂ、ＳｍまたはＤｙであり、そしてＬαは、有機配位子であり、そしてｎは、Ｍの原子価状態である。
【００１５】
好ましくは、Ｍは、Ｅｕ、Ｔｂ、ＳｍまたはＤｙである。
【００１６】
本発明において使用され得る好ましいエレクトロルミネセンス化合物は、以下の式：
（Ｌα）ｎＭ　←　Ｌｐ
の化合物であり、ここで、ＬαおよびＬｐは、有機配位子である。配位子Ｌαは、同じであっても異なってもよく、そして複数の配位子Ｌｐが存在し得、これらは、同じであっても異なってよい。
【００１７】
この型の配位子において、Ｌαは、負電荷を有し、そして配位子Ｌｐは、荷電されていない。
【００１８】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）Ｍ（Ｌｐ）および（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）は、同じかまたは異なる有機錯体であり、そして（Ｌｐ）は、中性配位子である。配位子Ｌｐは、単座、二座または多座であり得、そして１以上の配位子Ｌｐが存在し得る。
【００１９】
本発明において使用され得るさらなるエレクトロルミネセンス化合物は、一般式（Ｌα）ｎＭＭ２の化合物であり、ここで、Ｍ２は、非希土類金属であり、Ｌαは、上記のとおりであり、そしてｎは、ＭおよびＭ２の合わせた原子価状態である。この錯体はまた、１以上の中性配位子Ｌｐを含み得、その結果、この錯体は、一般式（Ｌα）ｎＭＭ２（Ｌｐ）を有し、ここで、Ｌｐは、上記のとおりである。金属Ｍ２は、希土類遷移金属、ランタニドまたはアクチニドのいずれでもない、任意の金属であり得、使用され得る金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム（ｃａｅｓｉｕｍ）、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅（Ｉ）、銅（ＩＩ）、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫（ＩＩ）、錫（ＩＶ）、アンチモン（ＩＩ）、アンチモン（ＩＶ）、鉛（ＩＩ）、鉛（ＩＶ）、ならびに異なる原子価状態の第一系列、第二系列および第三系列の遷移金属（例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＶ）、白金（ＩＩ）、白金（ＩＶ）、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム）が挙げられる。
【００２０】
本発明で使用され得るさらなる有機金属錯体は、例えば、式（Ｌｍ）ｘＭ１←Ｍ２（Ｌｎ）ｙ（例えば、
【００２１】
【化７】
2004515042.tif 000002
）の二核性、三核性および多核性の有機金属錯体であり、ここで、Ｌは、架橋配位子であり、Ｍ１は、Ｍであり、そしてＭ２は、Ｍまたは非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは、上記に定義されるような、同じかまたは異なる有機配位子Ｌαであり、ｘは、Ｍの原子価状態であり、そしてｙは、Ｍ２の原子価状態である。
【００２２】
これらの錯体において、金属−金属結合が存在し得るか、またはＭ１とＭ２との間に１以上の架橋配位子が存在し得、そして基ＬｍおよびＬｎは、同じであっても異なってもよい。
【００２３】
三核性によって、金属−金属結合によって連結された、３つの金属原子（すなわち、以下の式）が存在することが意味される：
（Ｌｍ）ｘＭ１−Ｍ３（Ｌｎ）ｙ−Ｍ２（Ｌｐ）ｚまたは
【００２４】
【化８】
2004515042.tif 000003
。
ここで、Ｍ１、Ｍ２およびＭ３は、Ｍであり、そしてＬｍ、ＬｎおよびＬｐは、有機配位子Ｌαであり、そしてｘ、ｙおよびｚは全て３である。Ｌｐは、ＬｍおよびＬｎと同じであっても異なってもよい。
【００２５】
希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合によってか、および／または、中間の架橋原子、配位子または分子群を介して、一緒に連結され得る。
【００２６】
例えば、金属は、例えば、以下の架橋配位子によって連結され得る：
【００２７】
【化９Ａ】
2004515042.tif 000004
または
【００２８】
【化９Ｂ】
2004515042.tif 000005
ここで、Ｌは、架橋配位子である。
【００２９】
多核性によって、金属−金属結合によって、および／または中間配位子を介して連結された、以下の３より多い金属原子が存在することが意味される：
Ｍ１−Ｍ２−Ｍ３−Ｍ４、または
Ｍ１−Ｍ２−Ｍ４−Ｍ３、または
【００３０】
【化１０】
2004515042.tif 000006
。
ここで、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３およびＭ４は、Ｍであり、そしてＬは、架橋配位子である。
【００３１】
好ましいＬαは、式
【００３２】
【化１１】
2004515042.tif 000007
のようなβジケトンから選択され、
ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、同じであり得るかまたは異なり得、そして以下から選択される：水素、ならびに置換および非置換のヒドロカルビル基（例えば、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族環構造、複素環式環構造および多環式環構造）、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（例えば、フッ素）、またはチオフェニル基；Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３はまた、置換および非置換の縮合芳香族環構造、縮合複素環式環構造および縮合多環式環構造を形成し得、そしてモノマー（例えば、スチレン）と共重合可能であり得る。Ｘは、Ｓｅ、Ｓ、またはＯであり、Ｙは、ハロゲン、置換もしくは非置換のヒドロカルビル基（例えば、置換および非置換の芳香族環構造、複素環式環構造および多環式環構造）、フッ素、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（フッ素）またはチオフェニル基またはニトリル。
【００３３】
Ｒ１および／またはＲ２および／またはＲ３の例としては、以下が挙げられる：脂肪族、芳香族および複素環式のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換および置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基、アントラセン基、ナフチル基およびフルオレン基、アルキル基（例えば、ｔ−ブチル）、複素環式基（例えば、カルバゾール）。
【００３４】
異なるＬα基のいくつかはまた、同じ荷電した基または異なる荷電した基（例えば、カルボキシレート基）であり得、その結果、Ｌ１基は、上記に定義されるようなものであり得、そしてＬ２基、Ｌ３基．．．は、
【００３５】
【化１２】
2004515042.tif 000008
のような荷電した基であり得、
ここで、Ｒは、上記で定義されるようなＲ１であるか、またはＬ１基、Ｌ２基は、上記で定義されるようなものであり得、そしてＬ３．．．などは、他の荷電した基である。
【００３６】
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３はまた、
【００３７】
【化１３】
2004515042.tif 000009
であり得る。
【００３８】
好ましいＲ１部分は、トリフルオロメチルＣＦ３であり、そしてこのようなジケトンの例は、以下である：ベンゾイルトリフルオロアセトン、ｐ−クロロベンゾイルトリフルオロアセトン、ｐ−ブロモトリフルオロアセトン、ｐ−フェニルトリフルオロアセトン、１−ナフトイルトリフルオロアセトン、２−ナフトイルトリフルオロアセトン、２−フェナトイルトリフルオロアセトン、３−フェナントイルトリフルオロアセトン、９−アントロイルトリフルオロアセトントリフルオロアセトン、シンナモイルトリフルオロアセトン、および２−テノイルトリフルオロアセトン。
【００３９】
異なるＬα基は、式
【００４０】
【化１４】
2004515042.tif 000010
の同じ配位子または異なる配位子であり得、
ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、またはＳｅであり、そしてＲ１、Ｒ２、およびＲ３は、上記のようなものである。
【００４１】
異なるＬα基は、
【００４２】
【化１５】
2004515042.tif 000011
のような同じキノレート誘導体または異なるキノレート誘導体であり得、
ここで、Ｒは、ヒドロカルビル、脂肪族、芳香族もしくは複素環式のカルボキシ、アリールオキシ、ヒドロキシまたはアルコキシ（例えば、８個のヒドロキシキノレート誘導体）であるか、あるいは
【００４３】
【化１６】
2004515042.tif 000012
であり、
ここで、Ｒ、Ｒ１、およびＲ２は、上記のようなものであるか、またはＨもしくはＦである（例えば、Ｒ１およびＲ２は、アルキル基もしくはアルコキシ基）か、
【００４４】
【化１７】
2004515042.tif 000013
である。
【００４５】
上記のように、異なるＬα基はまた、同じカルボキシレート基または異なるカルボキシレート基（例えば、
【００４６】
【化１８】
2004515042.tif 000014
）であり得、
ここで、Ｒ５は、置換もしくは非置換の芳香族環、多環式環または複素環式環、ポリピリジル基であるか、Ｒ５はまた、２−エチルヘキシル基であり得、そこでＬｎは、２−エチルヘキサノエートであるか、あるいはＲ５は、イス型構造であり得、その結果、Ｌｎは、２−アセチルシクロヘキサノエートであるか、またはＬαは、
【００４７】
【化１９】
2004515042.tif 000015
であり得、
ここで、Ｒは、上記のようなもの（例えば、アルキル、アレニル、アミノ、または縮合環（例えば、環式環もしくは多環式環））である。
【００４８】
異なるＬα基はまた、以下であり得る：
【００４９】
【化２０】
2004515042.tif 000016
ここで、Ｒ、Ｒ１およびＲ２は、上記の通りである。
【００５０】
Ｌｐ基は、以下から選択され得る：
【００５１】
【化２１】
2004515042.tif 000017
ここで各Ｐｈは、同じであっても異なってもよく、そしてフェニル（ＯＰＮＰ）または置換フェニル基、他の置換または非置換の芳香族基、置換または非置換の複素環式基または多環式基、置換または非置換の縮合芳香族基（例えば、ナフチル基、アントラセン基、フェナントレン基またはピレン基）であり得る。置換基は、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、芳香族基、複素環式基、多環式基、ハロゲン（例えば、フッ素）、シアノ、アミノ、置換アミノなどであり得る。例を、図面の図１および２に提供する。この図面において、Ｒ、Ｒｌ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同じであっても異なってもよく、そして水素、ヒドロカルビル（ｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、置換および非置換の芳香族環構造、複素環式環構造、および多環式環構造、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（例えば、フッ素）またはチオフェニル基から選択され；Ｒ、Ｒｌ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はまた、置換および非置換の縮合芳香族環構造、縮合複素環式環構造、および縮合多環式環構造を形成し得、そして、モノマー（例えば、スチレン）と共重合可能であり得る。Ｒ、Ｒｌ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はまた、ビニル基または−Ｃ−ＣＨ２＝ＣＨ２−Ｒ基（ここで、Ｒは上記の通りである）のような不飽和アルキレン基であり得る。
【００５２】
Ｌｐはまた、以下の式の化合物であり得る：
【００５３】
【化２２】
2004515042.tif 000018
ここで、Ｒｌ、Ｒ２、およびＲ３は、上記で言及された通り（例えば、図面の図３に示されるバソフェン（ｂａｔｈｏｐｈｅｎ））であり、ここでＲは、上記の通りであるかまたは以下：
【００５４】
【化２３】
2004515042.tif 000019
であり、ここでＲｌ、Ｒ２、およびＲ３は、上記で言及された通りである。
【００５５】
Ｌｐはまた、以下：
【００５６】
【化２４】
2004515042.tif 000020
であり得、ここでＰｈは、上記の通りである。
【００５７】
Ｌｐキレートの他の例は、図４に示されるもの、ならびに、フルオレンおよびフルオレン誘導体（例えば、図５に示される）、ならびに図６〜８に示される式の化合物である。
【００５８】
ＬαおよびＬｐの特定の例は、トリピリジルおよびＴＭＨＤ、ならびにＴＭＨＤ錯体、α、α’、α’’トリピリジル、クラウンエーテル、シクラン、クリプタン（ｃｒｙｐｔａｎ）、フタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎａｎ）、ポルフォリン（ｐｏｒｐｈｏｒｙｉｎ）、エチレンジアミンテトラアミン（ＥＤＴＡ）、ＤＣＴＡ、ＤＴＰＡおよびＴＴＨＡである。ＴＭＨＤが２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート（ｈｅｐｔａｎｅｄｉｏｎａｔｏ）である場合、ＯＰＮＰはジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｍｉｄｅ　ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ　ｐｈｏｓｐｈｏｒａｎｅ）である。ポリアミンの式を、図９に示す。
【００５９】
エレクトロルミネセンス材料は、有機溶媒中のこの材料の溶液からの蒸発により、直接的に基材に蒸着され得る。使用される溶媒は、材料に依存するが、塩素化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミドなど）が多くの場合に適切である。
【００６０】
あるいは、この材料は、溶液からのスピンコーティングによって蒸着され得るか、もしくは例えば、スパッタリングによって固体状態からの真空蒸着によって蒸着され得るか、または任意の他の従来法が使用され得る。
【００６１】
好ましいエレクトロルミネセンス材料は、Ｅｕ（ＤＢＭ）３ＯＰＮＰ、およびトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）ジスプロシウム（ＩＩＩ）ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン（ＴＴＨＤｙＯＰＮＰ）である。
【００６２】
青色スペクトルにおける成分を有する正孔輸送層とは、その層を通して電界が適用される場合に青色光を発する正孔輸送層を意味する。使用され得る正孔輸送材料は、ＴＰＤ、ナフチルフェニルジアミン（ＮＰＤ）およびＮＰＢ、図１１に示される式を有するｍＴＤＡＴＡ、および図面の図１４の式の化合物、ならびにオリゴマー（例えば、オリゴフェニレン、オリゴチオフェン、オリゴフラン）である。
【００６３】
この層はまた、青色光を発するように青色蛍光材料を組み込んだ正孔輸送層を含み得、そしてテトラチアフルベン（ｔｅｔｒａｔｈｉａｆｕｌｖｅｎｅ）およびそのアナログのような従来の青色蛍光剤が使用され得る。
【００６４】
青色蛍光材料が使用される場合、この青色蛍光材料は、公知の正孔輸送材料または正孔注入材料（例えば、以下に言及される他の正孔輸送材料）と混合され得る。
【００６５】
青色発光正孔輸送材料に加えて、別の正孔輸送材料の層が存在し得る。これらの正孔輸送材料として、芳香族アミン錯体（例えば、ポリ（ビニルカルバゾール）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマー、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン、置換ポリチオフェン、ポリシランなど）が挙げられる。ポリアニリンの例は、以下の式
【００６６】
【化２５】
2004515042.tif 000021
およびこの式Ｉの少なくとも１つの他のモノマーのポリマーである。ここで、Ｒは、オルト位またはメタ位にあり、かつ水素、Ｃ１−１８アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシ、または以下の基
【００６７】
【化２６】
2004515042.tif 000022
（ここで、Ｒはアルキルまたはアリールであり、Ｒ’は水素、Ｃ１−６アルキルまたはアリールである）である。
【００６８】
本発明において使用され得るポリアニリンは、以下の一般式を有する。
【００６９】
【化２７】
2004515042.tif 000023
ここで、ｐは１〜１０であり、かつｎは１〜２０であり、Ｒは上の規定の通りであり、そしてＸはアニオンであり、好ましくは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＳＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、Ｈ２ＰＯ３、Ｈ２ＰＯ４、アリールスルホネート、アレンジカルボキシレート、ポリスチレンスルホネート、ポリアクリレート、アルキルスルホネート、ビニルスルホネート、ビニルベンゼンスルホネート、セルローススルホネート、カンファースルホネート（ｃａｍｐｈｏｒ　ｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ）、セルローススルフェート、またはペルフルオロ化ポリアニオンから選択される。
【００７０】
アリールスルホネートの例は、ｐ−トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、９，１０−アントラキノン−スルホネート、およびアントラセンスルホネートであり、アレンジカルボキシレートの例はフタレートであり、そしてアレンカルボキシレートの例はベンゾエートである。
【００７１】
本発明者らは、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーのプロトン化ポリマー（例えば、ポリアニリン）は蒸発させるのが困難であるか、または蒸発され得ないことを見出したが、本発明者らは、驚くべきことに、このアミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーが脱プロトン化される場合、容易に蒸発され得る（すなわち、このポリマーは蒸発可能である）ことを見出した。
【００７２】
好ましくは、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの蒸発可能な脱プロトン化ポリマーが使用される。アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化した非置換または置換ポリマーは、このポリマーをアルカリ（例えば、水酸化アンモニウム）またはアルカリ金属の水酸化物（例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム）で処理することによって脱プロトン化することにより形成され得る。
【００７３】
プロトン化の程度は、プロトン化ポリアニリンの形成および脱プロトン化により制御され得る。ポリアニリンを調製する方法は、Ａ．Ｇ．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄおよびＡ．Ｆ．Ｅｐｓｔｅｉｎ、Ｆａｒａｄａｙ　Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｓ、Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ．８８　Ｐ３１９　１９８９により文献に記載されている。
【００７４】
ポリアニリンの伝導率はプロトン化の程度に依存し、最大伝導率は、プロトン化の程度が４０％と６０％との間（例えば、約５０％）の場合に生じる。
【００７５】
好ましくは、このポリマーは、実質的に完全に脱プロトン化されている。
【００７６】
ポリアニリンは、例えば、以下のような、オクタマー単位（すなわち、ｐが４である）から形成され得る：
【００７７】
【化２８】
2004515042.tif 000024
このポリアニリンは、１×１０−１ジーメンスｃｍ−１以上のオーダーの伝導率を有し得る。
【００７８】
芳香族環は、非置換であり得るか、または例えば、Ｃ１〜２０アルキル基（例えば、エチル）により置換され得る。
【００７９】
このポリアニリンは、アニリンのコポリマーであり得、そして好ましいコポリマーは、アニリンと、ｏ−アニシジン、ｍ−スルファニル酸（ｍ−ｓｕｌｐｈａｎｉｌｉｃ　ａｃｉｄ）もしくはｏ−アミノフェノールとのコポリマー、またはｏ−トルイジンと、ｏ−アミノフェノール、ｏ−エチルアニリン、ｏ−フェニレンジアミンもしくはアミノアントラセンとのコポリマーである。
【００８０】
使用され得るアミノ置換芳香族化合物の他のポリマーとしては、置換または非置換の、ポリアミノナフタレン、ポリアミノアントラセン、ポリアミノフェナントレンなど、および任意の他の縮合ポリ芳香族化合物のポリマーが挙げられる。ポリアミノアントラセンおよびこの作製方法は、米国特許第６，１５３，７２６号に開示される。芳香族環は、非置換であり得るか、または例えば、上で定義されるようなＲ基によって置換され得る。
【００８１】
ポリアニリンは、従来の方法（例えば、真空蒸着、スピンコーティング、化学蒸着、直接電着など）によって、第１電極上に蒸着され得、好ましくは、このポリアニリン層の厚みは、この層が電導性かつ透明であるような厚さであり、好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍであり得る。ポリアニリンは、プロトン化されていてもいなくてもよく、このポリアニリンがプロトン化されている場合、これは溶媒に溶解され、そしてフィルムとして蒸着され得、このポリアニリンがプロトン化されていない場合、これは固体であり、そして真空蒸着、すなわち、昇華によって蒸着され得る。
【００８２】
上で言及されるアミノ置換芳香族化合物のポリマー（例えば、ポリアニリン）はまた、他の正孔輸送材料を含有する緩衝層として使用され得る。
【００８３】
いくつかの他の正孔輸送材料の構造式を、図面の図１１、１２、１３および１４に示す。ここで、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同じかまたは異なり得、そして水素、ならびに置換および非置換のヒドロカルビル基（例えば、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の、芳香族環構造、複素環式環構造および多環式環構造）、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（例えば、フッ素）、またはチオフェニル基から選択され；Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はまた、置換および非置換の、縮合芳香族環構造、縮合複素環式環構造および縮合多環式環構造を形成し得、かつモノマー（例えば、スチレン）と共重合可能であり得る。Ｘは、Ｓｅ、ＳまたはＯであり、Ｙは、水素、置換または非置換のヒドロカルビル基（例えば、置換および非置換の、芳香族環構造、複素環式環構造および多環式環構造）、フッ素、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（例えば、フッ素）、またはチオフェニル基もしくはニトリルであり得る。
【００８４】
Ｒ１および／またはＲ２および／またはＲ３の例としては、脂肪族、芳香族および複素環式の、アルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換および非置換の、フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基、アントラセン基、ナフチル基およびフルオレン基、アルキル基（例えば、ｔ−ブチル基）、複素環式基（例えば、カルバゾール）が挙げられる。
【００８５】
使用され得る他の正孔輸送材料は、共役ポリマーである。
【００８６】
米国特許第５８０７６２７は、エレクトロルミネセンス層の中に共役ポリマーが存在するエレクトロルミネセンスデバイスを開示する。言及される共役ポリマーは、その主鎖が、鎖の長さに沿ってのびるπ分子軌道を保有して完全に共役しているか、または、ランダムもしくは主鎖に沿って規則的にかのいずれかで、実質的に共役しているか（ただし、共役が中断されている）のいずれかのポリマーとして規定される。共役ポリマーは、ホモポリマーまたはコポリマーであり得る。
【００８７】
使用される共役ポリマーは、米国特許第５８０７６２７、ＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８およびＰＣＴ／ＷＯ９２／０３４９０に開示されるかまたは言及される、任意の共役ポリマーであり得る。
【００８８】
開示される共役ポリマーは、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）−ＰＰＶおよびＰＰＶを含むコポリマーである。他の好ましいポリマーは、ポリ（２，５ジアルコキシフェニレンビニレン）（例えば、ポリ（２−メトキシ−５−（２−メトキシペンチルオキシ−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシペンチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、ポリ（２−メトキシ−５−（２−ドデシルオキシ−１，４−フェニレンビニレン、および他のポリ（２，５ジアルコキシフェニレンビニレン））であり、このアルコキシ基の少なくとも１つは、長鎖可溶化アルコキシ基、ポリフルオレンおよびオリゴフルオレン、ポリフェニレンおよびオリゴフェニレン、ポリアントラセンおよびオリゴアントラセン、ポリチオフェンおよびオリゴチオフェンである。
【００８９】
ＰＰＶにおいて、フェニレン環は、必要に応じて、１つ以上の置換基（例えば、各々の置換基は、アルキル、好ましくはメチル、アルコキシ、好ましくはメトキシまたはエトキシから独立して選択される）を保有し得る。
【００９０】
任意のポリ（アリーレンビニレン）（その置換誘導体を含む）が用いられ得、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）のフェニレン環は、アントラセン環またはナフタレン環のような縮合環系により置換され得、各ポリフェニレンビニレン部分におけるビニレン基の数が、増加され得る（例えば、７までまたは７より上）。
【００９１】
青色スペクトルの光を発する共役ポリマーは、青色正孔輸送（ｈｏｌｅ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ）層として用いられ得る。
【００９２】
この共役ポリマーは、ＵＳ５８０７６２７、ＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８およびＰＣＴ／ＷＯ９２／０３４９０に開示される方法により作製され得る。
【００９３】
正孔輸送材料は、必要に応じて、エレクトロルミネセンス材料と、５〜９５％のエレクトロルミネセンス材料　対　９５〜５％の正孔輸送化合物の比で混合され得る。
【００９４】
第１の電極は、好ましくは、カソードとして作用する導電性ガラス材料または導電性プラスチック材料である透明基材であり、好ましい基材は、導電性ガラス（例えば、インジウムスズ酸化物を用いてコーティングされたガラス）であるが、導電性であるかまたは導電性層を有する任意のガラスが用いられ得る。導電性ポリマー、および導電性ポリマーでコーティングされたガラス材料もしくはプラスチック材料もまた、基材として用いられ得る。第１電極は、透明金属（例えば、金、銀、および白金群の金属など）を含み得る。
【００９５】
一般に、層の厚さは、５ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００９６】
第２の電極は、カソードとして機能し、任意の低い仕事関数の金属（例えば、アルミニウム、カルシウム、リチウム、銀／マグネシウム合金など）であり得る。アルミニウムが好ましい金属である。
【００９７】
必要に応じて、第２の電極（この電極は、カソードとして機能する）と、エレクトロルミネセンス材料層（この電子伝達性材料は、電流が電子伝達性材料を通して通過される場合に電子を移動させる材料である）との間には電子伝達材料の層が存在し、この電子伝達材料としては、金属キノレート（例えば、アルミニウムキノレート、リチウムキノレート）のような金属錯体、９，１０ジシアノアントラセンのようなシアノアントラセン、ポリスチレンスルホネートおよび図１０に示される式の化合物が挙げられる。別個の層が存在する代わりに、電子伝達性材料は、エレクトロルミネセンス材料と混合されて、（例えば、５〜９５％の電子伝達性材料　対　９５〜５％の発光金属化合物の割合で）１つの層が形成され得る。
【００９８】
エレクトロルミネセンス層は、発光金属化合物と、正孔輸送材料および電子伝達性材料との混合物を含み得る。
【００９９】
エレクトロルミネセンス材料は、有機溶媒中の溶液から真空蒸着または蒸着により直接基材上に沈着され得る。使用される溶媒は、材料に依存するが、塩化炭化水素（例えば、ジクロロメタン）およびｎ−メチルピロリドン；ジメチルスルホキシド；テトラヒドロフラン；ジメチルホルムアミドなどが、多くの場合適切である。
【０１００】
あるいは、エレクトロルミネセンス材料は、溶液からのスピンコーティングにより、または固体状態からの真空蒸着により（例えば、スパッタリングにより）沈着され得るか、あるいは任意の他の従来の方法が用いられ得る。
【０１０１】
好ましくは、第１電極は、アノードとして作用する導電性ガラス材料または導電性プラスチック材料のような透明基材であり、好ましい基材は、導電性ガラス（例えば、インジウムスズ酸化物を用いてコーティングされたガラス）であるが、導電性であるかまたは透明導電性層（例えば、金属または導電性ポリマー）を有する任意のガラスが用いられ得る。
【０１０２】
導電性ポリマー、および導電性ポリマーでコーティングされたガラス材料もしくはプラスチック材料もまた、基材として用いられ得る。
【０１０３】
いずれかの電極または両方の電極が、シリコンで形成され得、そしてエレクトロルミネセンス材料ならびに正孔輸送材料および電子輸送材料の介在層が、シリコン基材上の画素として形成され得る。
【０１０４】
好ましくは、基材は、結晶性シリコンであり、基材の表面は、電極またはエレクトロルミネセンス化合物の沈着前に、磨かれるかまたはなめらかにされて、平らな表面を生成し得る。あるいは、平面化されていないシリコン基材が、さらなる材料の沈着前に、伝導ポリマーの層でコーティングされて、滑らかな平らな表面を提供し得る。
【０１０５】
１つの実施形態において、各画素は、基材と接触した金属電極を含む。金属および透明な電極の相対的な仕事関数に依存して、いずれかが、アノードとして作用し得、他方がカソードを構成する。
【０１０６】
シリコン基材がカソードである場合、酸化インジウムスズでコーティングされたガラスは、アノードとして作用し得、そして光がこのアノードを介して発光される。シリコン基材がアノードとして作用する場合、カソードは、例えば、酸化インジウム亜鉛でコーティングされたガラスによって（ここで、酸化インジウム亜鉛は、低い仕事関数を有する）、適切な仕事関数を有する透明電極で形成され得る。アノードは、アノード上に形成される金属の透明なコーティングを有し得、適切な仕事関数を提供する。これらのデバイスは、ときに、トップ発光デバイスまたはバック発光デバイスと称される。
【０１０７】
金属電極は、複数の金属層からなり得る（例えば、基材上に沈着されたより高い仕事関数の金属（例えば、アルミニウム）およびより高い仕事関数の金属上に沈着されたより低い仕事関数の金属（例えば、カルシウム））。別の例において、伝導ポリマーのさらなる層が、安定な金属（例えば、アルミニウム）の上にある。
【０１０８】
好ましくは、電極はまた、各画素に隠れたミラーとして機能し、そして基材の平面化された表面に沈着されるか、またはその中に沈められるかのいずれかである。しかし、基材に隣接した光吸収ブラック層が代替的に存在し得る。
【０１０９】
なお別の実施形態において、底部伝導ポリマー層の選択領域は、適切な水溶液への曝露によって非伝導性にされ、画素電極の底部接点として機能する、伝導画素パッドのアレイの形成を可能にする。
【０１１０】
ＷＯ００／６０６６９に記載されるように、各画素から発せられた光の明るさは、好ましくは、マトリクス回路により印加される電圧または電流を調節することにより、あるいは各画素回路においてアナログシグナルに変換されるデジタルシグナルを入力することにより、アナログ様式で制御可能である。基材はまた、好ましくは、情報を処理して、画像を生成するために画素のアレイをアドレス指定するためのデータドライバ、データコンバータ、およびスキャンドライバを提供する。印加される電圧に依存して異なる色の光を発するエレクトロルミネセンス材料が用いられる場合、各画素の色は、マトリクス回路により制御され得る。
【０１１１】
１つの実施形態において、各画素は、電圧制御要素および可変抵抗要素を備えるスイッチにより制御され、これらの要素はともに、金属酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）により、またはアクティブマトリクストランジスタにより簡便に形成される。
【０１１２】
電圧を変化させることによって、放出される色が変化し得、そして電圧を制御して非常に迅速に変化させることが可能であるので、このことは、放出される光の色を非常に迅速に変化させ得るデバイスが存在することを可能にする。電圧が異なる位置で制御され得る適切な構築物によって、異なる色の光が異なる位置で放出され得、そして放出される光の色が迅速に変化し得る、平面デバイスを有することが可能である。このことは、異なる色を放出する、広範な制御されたディスプレイデバイスが構築されることを可能にする。
【０１１３】
（実施例１　デバイスの作製）
ＩＴＯでコーティングしたガラス片（１×１ｃｍ２）を、濃塩酸で部分的にエッチングしてＩＴＯを除去し、そして洗浄および乾燥した。減圧エバポレーションによって、ＩＴＯ／ＴＰＤ（６ｍｇ）／Ｅｕ（ＤＢＭ）３ＯＰＮＰ（５ｍｇ）／Ａｌを含む層をＩＴＯ上に連続的に形成することにより、デバイスを作製した。ここで、ＴＰＤは、本明細書中で定義される通りである。
【０１１４】
濃塩酸でエッチングされた部分の有機性コーティングを、綿棒で拭いた。コーティングされた電極を、これらを減圧コーター（Ｅｄｗａｒｄｓ，１０−６ｔｏｒｒ）に装填し、そしてアルミニウムの頂部接点が作製されるまで、モレキュラーシーブおよび五酸化リンの上で減圧デシケーター内に保存した。ＬＥＤの活性領域は、０．０８ｃｍ２×０．１ｃｍ２であり、次いでこのデバイスを、エレクトロルミネッセンス研究を実施するまで、減圧デシケーター内に維持した。
【０１１５】
ＩＴＯ電極を、常に正端子に接続させた。電流対電圧の研究を、コンピュータにより制御されるＫｅｉｔｈｌｙ２４００ソースメーターで実施した。
【０１１６】
エレクトロルミネセンススペクトルを、Ｐｈｏｔｏｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｉｎｃ．製のＰＲ６５０システム上のコンピュータにより制御される電荷結合デバイスによって記録した。
【０１１７】
電圧を高めて、放射した色を記録し、この色を、カラーチャートＣＩＥ　Ｉ９３１の座標に従って測定した。この結果を、図１４および１５のグラフに示し、色座標（ｃｏｌｏｕｒ　ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）および電界の強さを表１に示す。
【０１１８】
表１
【０１１９】
【化２９】
2004515042.tif 000025
（実施例２）
実施例１を、ＩＴＯ／ＤＦＤＡ／（０．９ｍｇ）／ＴＰＤ（６ｍｇ）／Ｅｕ（ＤＢＭ）３ＯＰＮＰ（６ｍｇ）／Ａｌを用いて繰り返した。ＤＦＤＡは、ジホルミルジアミノアントラセンであり、そしてＴＰＤは本明細書中において規定されるとおりであり、この結果を、表２に示す色座標を用いて、図１６および１７に示す。
【０１２０】
表２
【０１２１】
【化３０】
2004515042.tif 000026
（実施例３　トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジスプロシウム（ＩＩＩ）ジフェニルホスホンイミド（ｐｈｏｓｐｏｎｉｍｉｄｏ）トリフェニルホスホランの調製（ＴＴＨＤｙＯＰＮＰ））
トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジスプロシウム（ＩＩＩ）（６．１ｇ、１９．５ｍｍｏｌｅ）およびジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン（４．６ｇ、９．５ｍｍｏｌｅ）を、トリメチルペンタン（６０ｍｌ）中で３０分間、還流した。この反応溶液を、室温まで冷却した。静置して白色結晶物質を形成させた。これを、ジエチルエーテルから再結晶化して、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジスプロシウム（ＩＩＩ）ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホランを得た（収量：８ｇ、融点１５４℃）。
【０１２２】
（実施例４　デバイスの作製）
ＩＴＯでコーティングしたガラス片（１×１ｃｍ２）を、濃塩酸で部分的にエッチングしてＩＴＯを除去し、そして洗浄および乾燥した。減圧エバポレーションによって、以下を含む層をＩＴＯ上に連続的に形成することにより、デバイスを作製した：ＩＴＯ／ＤＦＤＡＡ（５ｎｍ）／ｍＭＴＤＡＴＡ（３０ｎｍ）／ＴＴＨＤｙＯＰＮＰ（５５ｎｍ）／ＬｉＦ（０．７ｎｍ）／Ａｌ（１０５ｎｍ）。
【０１２３】
ここで、ＩＴＯはインジウムチタン酸化物でコートしたガラスｍＭＴＤＡＴＡであり、ＤＦＤＡＡは本明細書中において規定されるとおりである。
【０１２４】
濃塩酸でエッチングされた部分の有機性コーティングを、綿棒で拭いた。コーティングされた電極を、これらを減圧コーター（Ｅｄｗａｒｄｓ，１０−６ｔｏｒｒ）に装填し、そしてアルミニウムの頂部接点が作製されるまで、モレキュラーシーブおよび五酸化リンの上で減圧デシケーター内に保存した。ＬＥＤの活性領域は、０．０８ｃｍ×０．１ｃｍ２であり、次いでこのデバイスを、エレクトロルミネッセンス研究を実施するまで、減圧デシケーター内に維持した。
【０１２５】
ＩＴＯ電極を、常に正端子に接続させた。電流対電圧の研究を、コンピュータにより制御されるＫｅｉｔｈｌｙ２４００ソースメーターで実施した。
【０１２６】
電流をこのデバイスにわたって印加し、スペクトルを図１８に示し、電流対波長のプロットを、図１９に示す。
【図７ｃ】
2004515042.tif 000033
【図７ｅ】
2004515042.tif 000034
【図７ｆ】
2004515042.tif 000035
【図８ｂ】
2004515042.tif 000036
【図８ｃ】
2004515042.tif 000037
【図８ｅ】
2004515042.tif 000038
【図８ｆ】
2004515042.tif 000039
【図１４】
2004515042.tif 000040
【図１４ｃ】
2004515042.tif 000041
【図１５】
2004515042.tif 000042
【図１６】
2004515042.tif 000043
【図１７】
2004515042.tif 000044
【図１８】
2004515042.tif 000045
【図１９】
2004515042.tif 000046
【国際公開パンフレット】
2004515042.tif 000047
2004515042.tif 000048
2004515042.tif 000049
2004515042.tif 000050
2004515042.tif 000051
2004515042.tif 000052
2004515042.tif 000053
2004515042.tif 000054
2004515042.tif 000055
2004515042.tif 000056
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【国際調査報告】
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