(57)【要約】１層以上の反射層で場合により既に被覆されており、かつ光書き込み可能な情報層、場合により１層以上の反射層及び場合により保護層又は付加的な基板又は最上層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ記憶媒体であって、該データ記憶媒体は青色光又は赤色光、有利にはレーザ光を用いて書き込み及び読み出し可能であり、その際、前記情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ記憶媒体において、少なくとも１つのジアザヘミシアニン色素を吸光性化合物として使用することを特徴とする光学データ記憶媒体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層以上の反射層で場合により既に被覆されており、かつ光書き込み可能な情報層、場合により１層以上の反射層及び場合により保護層又は付加的な基板又は最上層が表面上に適用されている有利には透明な基板を有する光学データ記憶媒体であって、該データ記憶媒体は青色光又は赤色光、有利にはレーザ光を用いて書き込み及び読み出し可能であり、その際、前記情報層が吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ記憶媒体において、少なくとも１つのジアザヘミシアニン色素を吸光性化合物として使用することを特徴とする光学データ記憶媒体。
【請求項２】
ヘミシアニンが式（Ｉ）
【化１】
2004524201.tif 000021
［式中、
Ｋは式（ＩＩ）から（ＩＶ）
【化２】
2004524201.tif 000022
の基を表し、
Ｘ１はＯ又はＳを表し、
Ｘ２はＯ、Ｓ、ＣＨ又はＮ−Ｒ２を表し、
Ｘ３はＮ、ＣＨ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ１２は互いに無関係にＣ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ３〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ７−シクロアルキル又はＣ７〜Ｃ１６−アラルキルを表し、
ＡはＸ２及びその間に結合されるＣ原子と一緒になって、１〜４個のヘテロ原子を有してよく、かつ／又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよく、かつ／又は非イオン性基によって置換されていてよい５員の芳香族の及び／又は準芳香族の複素環を表し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ４〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル又は複素環基を表すか、又は
ＮＲ３Ｒ４又はＮＲ５Ｒ６は互いに無関係に、Ｎを介して結合され、かつ付加的にＮ又はＯ原子を有してよく、かつ／又は非イオン性基によって置換されていてよい５員又は６員の飽和環を表し、
Ｒ７は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ又はハロゲンを表すか、又は
Ｒ７及びＲ５はＯ又はＮ原子を有してよく、かつ／又は非イオン性基によって置換されていてよい２員又は３員の架橋を形成し、
Ｒ８は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｏ−ＣＯ−Ｒ１０、ＮＨ−ＣＯ−Ｒ１０、Ｏ−ＳＯ２−Ｒ１０又はＮＨ−ＳＯ２−Ｒ１０を表し、
Ｒ９は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ１０は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ４〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、モノ−もしくはビス−Ｃ１〜Ｃ１６−アルキルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ又は複素環基を表し、
Ｒ１１は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表す］に相当する、請求項１記載の光学データ記憶媒体。
【請求項３】
式（Ｉ）中の式
【化３】
2004524201.tif 000023
の環Ａが、特に有利にはチアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ベンズイミダゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ピラゾール−３−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、２−もしくは４−ピリジル又は２−もしくは４−キノリルを表し、その際、前記環はそれぞれＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６−アシルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールカルボニルアミノ、モノ−もしくはジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペラジノによって置換されていてよい、請求項２記載の光学データ記憶媒体。
【請求項４】
ジアザヘミシアニンが式（Ｉ）
［式中、
式
【化４】
2004524201.tif 000024
の環Ａがチアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イルを表し、その際、Ｘ２はＳを表し、かつ前記基はそれぞれ、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、塩素、シアノ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルによって置換されていてよいか、又は１，３，４−トリアゾリル又は１，３，４−チアジアゾリルを表し、その際、Ｘ２はＮ−Ｒ２又はＳのそれぞれを表し、かつ前記基はそれぞれ、メチル、エチル、フェニル、メトキシ、エトキシ、メチルチオ、エチルチオ、アミノ、アニリノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアンエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、ジ−（シアンエチル）アミノ、ジ−（ヒドロキシエチル）アミノ、シアンエチルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ又は式
【化５】
2004524201.tif 000025
の基によって置換されていてよく、
Ｋは式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）の基を表し、
Ｘ１はＯ又はＳを表し、
Ｘ３はＮ、ＣＨ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ１２は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、アリル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、シアノプロピル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル又はエトキシエチルを表し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、シアノプロピル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル、プロピオニルオキシエチル又は式
【化６】
2004524201.tif 000026
の基を表し、
かつＲ３及びＲ５は付加的に水素を表してよいか、又は
ＮＲ３Ｒ４及びＮＲ５Ｒ６は互いに無関係にピロリジノ、ピペリジノ、Ｎ−メチルピペラジノ、Ｎ−エチルピペラジノ、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７は水素、メチル、メトキシ又は塩素を表すか、又は
Ｒ７；Ｒ５は−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−Ｏ−（ＣＨ２）２−の架橋を表し、
Ｒ８は水素、メチル、メトキシ又は塩素を表し、
Ｒ９は水素を表し、
Ｒ１１は水素、メチル又はフェニルを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表す］に相当する、請求項２又は３記載の光学データ記憶媒体。
【請求項５】
ジアザヘミシアニンは式（ＶＩ）から（ＩＸ）
【化７】
2004524201.tif 000027
［式中、
Ｒ１及びＲ２は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル又は式
【化８】
2004524201.tif 000028
の基を表し、
Ｒ５及びＲ６は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル又はアセトキシエチルを表すか、又は
ＮＲ５Ｒ６はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７は水素を表すか、又は
Ｒ７；Ｒ５は−（ＣＨ２）２−、−Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−Ｏ−（ＣＨ２）２−の架橋を表し、
Ｒ８は水素を表し、
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は互いに無関係に水素、メチル、メトキシ、塩素、ニトロ又はシアノを表し、
Ｒ１６及びＲ１７は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１６は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１６Ｒ１７はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、かつ
Ａｎ−はテトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、ヨージド、ローダニド、シアネート、ヒドロキシアセテート、メトキシアセテート、ラクテート、シトレート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、クロロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート又はナフタレンスルホネートを表し、
その際、全てのアルキル基は分枝鎖状であってよい］に相当する、請求項１から４までのいずれか１項記載の光学データ記憶媒体。
【請求項６】
ジアザヘミシアニンは式（Ｘ）から（ＸＩＩＩ）
【化９】
2004524201.tif 000029
［式中、
Ｒ１及びＲ２は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル又は式
【化１０】
2004524201.tif 000030
の基を表し、
Ｘ１はＯを表し、かつ
Ｘ３はＣＨを表すか、又は
Ｘ１はＳを表し、かつ
Ｘ３はＮ、ＣＨ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ３及びＲ４は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル又はアセトキシエチルを表すか、又は
ＮＲ３Ｒ４はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ９は水素を表し、
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は互いに無関係に水素、メチル、メトキシ、クロロ、ニトロ又はシアノを表し、
Ｒ１６及びＲ１７は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１６は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１６Ｒ１７はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、かつ
Ａｎ−はテトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、ヨージド、ローダニド、シアネート、ヒドロキシアセテート、メトキシアセテート、ラクテート、シトレート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、クロロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート又はナフタレンスルホネートを表し、
その際、全てのアルキル基は分枝鎖状であってよい］に相当する、請求項１から４までのいずれか１項記載の光学データ記憶媒体。
【請求項７】
ジアザヘミシアニンは式（ＸＩＶ）から（ＸＶＩＩ）
【化１１】
2004524201.tif 000031
［式中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ１２は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル又は式
【化１２】
2004524201.tif 000032
の基を表し、
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は互いに無関係に水素、メチル、メトキシ、クロロ、ニトロ又はシアノを表し、
Ｒ１６及びＲ１７は互いに無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１６は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１６Ｒ１７はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ１１は水素、メチル又はフェニルを表し、かつ
Ａｎ−はテトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、ヨージド、ローダニド、シアネート、ヒドロキシアセテート、メトキシアセテート、ラクテート、シトレート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、クロロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート又はナフタレンスルホネートを表し、
その際、全てのアルキル基は分枝鎖状であってよい］に相当する、請求項１から４までのいずれか１項記載の光学データ記憶媒体。
【請求項８】
式（Ｉ）
【化１３】
2004524201.tif 000033
の式中のＲ１、Ａ、Ｘ２、Ｋ及びＡｎ−が請求項２記載の意味を有するジアザヘミシアニン。
【請求項９】
ヘミシアニンが４２０〜６５０ｎｍの範囲で吸収極大λｍａｘ２を有する、書き込み可能な光学データ記憶媒体の情報層における、ジアザヘミシアニンの使用。
【請求項１０】
データ記憶媒体が青色レーザ光を用いて書き込み及び読み出しされる、書き込み可能な光学データ記憶媒体の情報層における、ジアザヘミシアニンの使用。
【請求項１１】
請求項１記載の光学データ記憶媒体の製造方法において、反射層によって場合により既に被覆された有利には透明な基板を、場合により適当なバインダー及び添加剤及び場合により適当な溶剤と組み合わせてジアザヘミシアニンで被覆し、かつ場合により反射層、中間層及び場合により保護層又は付加的な基板又は最上層を提供することを特徴とする、請求項１記載の光学データ記憶媒体の製造方法。
【請求項１２】
青色光又は赤色光、特に青色光、殊に青色レーザ光を用いて書き込まれている、請求項１記載の光学データ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報層中に吸光性化合物としてジアザヘミシアニン色素を含有する有利には１回書き込み可能な光学データ記憶媒体並びにその製造方法に関する。
【０００２】
特定の吸光性物質又はその混合物を使用する書き込み可能な光学データ記憶媒体は、特に青色レーザダイオード、特にＧａＮ又はＳＨＧレーザダイオード（３６０〜４６０ｎｍ）で行う高密度書き込み可能な光学データ記憶媒体の場合に使用するために、かつ／又は赤色（６３５〜６６０ｎｍ）又は赤外（７８０〜８３０ｎｍ）レーザダイオードで行うＤＶＤ−Ｒ又はＣＤ−Ｒディスクの場合に使用するために、かつ例えばポリマー基板、特にポリカーボネートにスピンコーティング又は蒸着によって前記の色素を適用するために適当である。
【０００３】
最近では、書き込み可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ、７８０ｎｍ）の販売において多大な成長がみられ、このディスクは技術的に確立されたシステムである。
【０００４】
次世代の光学データ記憶媒体−ＤＶＤは最近では市場に導入されている。より短波長のレーザ光線（６３５〜６６０ｎｍ）及びより高い開口数ＮＡを使用することによって書き込み密度を高めることができる。書き込み可能なフォーマットはこの場合にはＤＶＤ−Ｒである。
【０００５】
青色レーザダイオード（ＧａＮベース、ＪＰ−Ａ−０８１９１１７１号又は第二高調波発生ＳＨＧに基づく、ＪＰ−Ａ−０９０５０６２９号）（３６０ｎｍ〜４６０ｎｍ）を使用する高いレーザ出力を有する光学データ記憶フォーマットが今日開発されている。書き込み可能な光学データ記憶媒体は従ってこの世代でも使用される。達成できる記憶密度は情報面におけるレーザスポットの集束に依存する。該スポットサイズはレーザ波長λ／ＮＡで評価される。ＮＡは使用される対物レンズの開口数である。その目的はできる限り高い記憶密度を得るためにできる限り小さな波長λを使用することである。半導体レーザダイオードに基づいて３９０ｎｍが最近では可能である。
【０００６】
特許文献は色素をベースとし、かつＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒシステムのために同様に適当な書き込み可能な光学データ記憶媒体を記載している（ＪＰ−Ａ１１０４３４８１号及びＪＰ−Ａ１０１８１２０６号）。高い反射率、読み出し信号の高い変調レベル及び記録の間の十分な感度のために、ＣＤ−ＲのＩＲ波長７８０ｎｍが色素の吸収ピークの長波長側の基底部にあり、かつＤＶＤ−Ｒの赤色波長６３５ｎｍ又は６５０ｎｍが色素の吸収ピークの短波長側の基底部にあるという事実が使用される。ＪＰ−Ａ０２５５７３３５号、ＪＰ−Ａ１００５８８２８号、ＪＰ−Ａ０６３３６０８６号、ＪＰ−Ａ０２８６５９５５号、ＷＯ−Ａ０９９１７２８４号及び５，２６６，６９９号において、前記の構想は、短波長側おける４５０ｎｍの作業波長領域及び吸収ピークの長波長側における赤色及び赤外領域をカバーするように拡張されている。
【０００７】
前記の光学的特性の他に、吸光性有機物質からなる書き込み可能な情報層は書き込み及び読み出しの間のノイズ信号を最小化するためにできる限り非晶質な形態を有さねばならない。この目的のために、溶液からスピンコーティングによって又は蒸着及び／又は昇華によって前記物質を適用する場合に、吸光性物質の結晶化を真空中での金属層又は誘電性層での引き続いての上塗を通じて妨げることが特に有利である。
【０００８】
吸光性物質の非晶質層は有利には高い熱変形安定性を有するべきである。それというのもスパッタリング又は蒸着によって吸光性情報層に適用される有機又は無機の材料の更なる層は拡散によって不明確な境界を形成し、こうして反射率に悪影響を及ぼすからである。更に吸光性物質がポリマー基板との境界で不適な熱変形安定性を有する場合に、吸光性材料は該ポリマー基板中に拡散し、再び反射率に悪影響を及ぼすことがある。
【０００９】
吸光性物質が高すぎる蒸気圧を有する場合に、前記の物質は高真空における更なる層の前記のスパッタリング又は蒸着の間に昇華し、従って所望の層厚を低減することがある。このことはまた反射率に悪影響を及ぼす。
【００１０】
従って本発明の課題は、書き込み可能な光学データ記憶媒体の情報層での使用のため、特に３４０〜６８０ｎｍのレーザ波長範囲における高密度書き込み可能な光学データ記憶フォーマットのための高い要求（例えば光安定性、有利な信号／雑音比、基板材料への無損傷の適用など）を満たす適当な化合物を提供することである。
【００１１】
意想外にも、ジアザヘミシアニンの群の色素からの吸光性化合物は特に、前記の要求プロフィールを満たすために適当であることが判明した。
【００１２】
従って本発明は、場合により１つ以上の反射層で既に被覆されており、かつ光書き込み可能な情報層、場合により１つ以上の反射層及び場合により保護層又は付加的な基板又は最上層が表面に適用される有利には透明な基板を有する光学データ記憶媒体であって、該データ記憶媒体は青色又は赤色光、有利にはレーザ光を用いて書き込み及び読み出し可能であり、その際、情報層は吸光性化合物及び場合によりバインダーを含有する光学データ記憶媒体において、少なくとも１つのジアザヘミシアニン色素を吸光性化合物として使用することを特徴とする光学データ記憶媒体に関する。
【００１３】
青色レーザ光が特に有利である。
【００１４】
吸光性化合物は有利には熱変性可能であるべきである。有利には熱変性は＜６００℃、特に有利には＜４００℃、より特に有利には＜３００℃、特に＜２００℃の温度で行われる。かかる変性は、例えば吸光性化合物の発色中心の分解又は化学変性であってよい。
【００１５】
式（Ｉ）
【００１６】
【化１】
2004524201.tif 000002
［式中、
Ｋは式（ＩＩ）〜（ＩＶ）
【００１７】
【化２】
2004524201.tif 000003
の基を表し、
Ｘ１はＯ又はＳを表し、
Ｘ２はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ２を表し、
Ｘ３はＮ、ＣＨ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ１２は互いに無関係にＣ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ３〜Ｃ６−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ７−シクロアルキル又はＣ７〜Ｃ１６−アラルキルを表し、
ＡはＸ２及びその間に結合されるＣ原子と一緒になって、互いに無関係に１〜４個の複素原子を有してよい及び／又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてよい及び／又は非イオン性基又はイオン性基によって置換されていてよい５員又は６員の芳香族の又は準芳香族の複素環を表し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係にＣ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ４〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル又は複素環式基を表し、又は
ＮＲ３Ｒ４又はＮＲ５Ｒ６は互いに無関係に、Ｎを介して結合されかつ付加的にＮ又はＯ原子を有してよく、かつ／又は非イオン性基によって置換されていてよい５又は６員の飽和の環を表し、
Ｒ７は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ又はハロゲンを表すか、又は
Ｒ７及びＲ５は、Ｏ又はＮ原子を有してよくかつ／又は非イオン性基によって置換されていてよい２員又は３員の架橋を形成し、
Ｒ８は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｏ−ＣＯ−Ｒ１０、ＮＨ−ＣＯ−Ｒ１０、Ｏ−ＳＯ２−Ｒ１０又はＮＨ−ＳＯ２−Ｒ１０を表し、
Ｒ９は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ１０は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ４〜Ｃ７−シクロアルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、モノ−もしくはビス−Ｃ１〜Ｃ１６−アルキルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ又は複素環式基を表し、
Ｒ１１は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表す］のジアザヘミシアニンが有利である。
【００１８】
適当な非イオン性基は、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ４アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、モノ−もしくはジ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノである。
【００１９】
アルキル、アルコキシ、アリール及び複素環式基は場合により付加的な基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェニルを含んでよく、該アルキル及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分的にハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、アリール又は複素環式基上の隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基は一緒になって３員又は４員の架橋を形成してよく、かつ該複素環式基はベンゼン縮合及び／又は第四級化されていてよい。
【００２０】
式
【００２１】
【化３】
2004524201.tif 000004
の環Ａは特に有利にはチアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、ベンズオキサゾール−２−イル、ベンズイミダゾール−２−イル、イミダゾール−２−イル、ピラゾール−３−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、２−もしくは４−ピリジル又は２−もしくは４−キノリルを表し、その際、前記の環はＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６−アシルアミノ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールカルボニルアミノ、モノ−又はジ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルアミノ、Ｎ−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｎ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノによって置換されていてよい。
【００２２】
特に有利な形においては使用されるジアザヘミシアニンは式（Ｉ）
［式中、
式
【００２３】
【化４】
2004524201.tif 000005
の環Ａはチアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イルを表し、その際、Ｘ２はＳを表し、かつ前記の基はそれぞれメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、塩素、シアノ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルによって置換されており、又は１，３，４−トリアゾリル又は１，３，４−チアジアゾリルを表し、その際、Ｘ２はＮ−Ｒ２又はＳを表し、かつ前記の基はそれぞれメチル、エチル、フェニル、メトキシ、エトキシ、メチルチオ、エチルチオ、アミノ、アニリノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアンエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−ヒドロキシ−エチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ、ジ−（シアンエチル）アミノ、ジ−（ヒドロキシエチル）アミノ、シアンエチルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ又は式
【００２４】
【化５】
2004524201.tif 000006
の基を表し、
Ｋは式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）の基を表し、
Ｘ１はＯ又はＳを表し、
Ｘ３はＮ、ＣＨ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ１２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、アリル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、シアノプロピル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル又はエトキシエチルを表し、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、シアノプロピル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル、プロピオニルオキシエチル又は式
【００２５】
【化６】
2004524201.tif 000007
の基を表し、
かつ、Ｒ３及びＲ５は付加的に水素を表してよいか、又は
ＮＲ３Ｒ４及びＮＲ５Ｒ６は互いに無関係にピロリジノ、ピペリジノ、Ｎ−メチルピペラジノ、Ｎ−エチルピペラジノ、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７は水素、メチル、メトキシ又は塩素を表すか、又は
Ｒ７、Ｒ５は−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−Ｏ−（ＣＨ２）２−架橋を表し、
Ｒ８は水素、メチル、メトキシ又は塩素を表し、
Ｒ９は水素を表し、
Ｒ１１は水素、メチル又はフェニルを表し、かつ
Ａｎ−はアニオンを表す］のジアザヘミシアニンである。
【００２６】
適当なアニオンＡｎは全ての一価のアニオン又は多価のアニオンの１つの等価物である。有利にはアニオンは無色である。適当なアニオンは、例えばクロリド、ブロミド、ヨージド、テトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、メトスルフェート、エトスルフェート、Ｃ１〜Ｃ１０−アルカンスルホネート、Ｃ１〜Ｃ１０−ペルフルオロアルカンスルホネート、Ｃ１〜Ｃ１０−アルカノエート（前記基は場合により塩素、ヒドロキシル又はＣ１〜Ｃ４−アルコキシによって置換されている）、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート又はビフェニルスルホネート（前記基は場合によりニトロ、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ２５−アルキル、ペルフルオロ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又は塩素によって置換されている）、ベンゼンジスルホネート、ナフタレンジスルホネート又はビフェニルジスルホネート（前記基は場合によりニトロ、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又は塩素によって置換されている）、ベンゾエート（前記基は場合によりニトロ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、ベンゾイル、クロロベンゾイル又はトルオイルによって置換されている）、ナフタレンジカルボン酸のアニオン、ジフェニルエーテルジスルホネート、テトラフェニルボレート、シアノトリフェニルボレート、テトラ−Ｃ１〜Ｃ２０−アルコキシボレート、テトラフェノキシボレート、７，８−もしくは７，９−ジカルバニド−ウンデカボレート（１−）もしくは（２−）（前記基は場合によりＢ原子及び／又はＣ原子上で１つ又は２つのＣ１〜Ｃ１２−アルキル又はフェニル基によって置換されている）、ドデカヒドロ−ジカルバドデカボレート（２−）又はＢ−Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−Ｃ−フェニル−ドデカヒドロ−ジカルバドデカ−ボレート（１−）である。
【００２７】
ブロミド、ヨージド、テトラフルオロボレート、ペルクロレート、メタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート及びテトラデカンスルホネートが有利である。
【００２８】
特に有利な形においては使用されるジアザヘミシアニンは式（ＶＩ）〜（ＩＸ）
【００２９】
【化７】
2004524201.tif 000008
［式中、
Ｒ１びＲ２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル又は式
【００３０】
【化８】
2004524201.tif 000009
の基を表し、
Ｒ５及びＲ６は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル又はアセトキシエチルを表すか、又は
ＮＲ５Ｒ６はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ７は水素を表すか、又は
Ｒ７、Ｒ５は−（ＣＨ２）２−、−Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−又は−Ｏ−（ＣＨ２）２−架橋を表し、
Ｒ８は水素を表し、
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は互いに無関係に水素、メチル、メトキシ、クロロ、ニトロ又はシアノを表し、
Ｒ１６及びＲ１７は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１６は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１６Ｒ１７はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、かつ
Ａｎ−はテトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、ヨージド、ローダニド、シアネート、ヒドロキシアセテート、メトキシアセテート、ラクテート、シトレート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、クロロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート又はナフタレンスルホネートを表し、
その際、全てのアルキル基は分枝鎖状であってよい］のジアザヘミシアニンである。
【００３１】
特に有利な形においては使用されるジアザヘミシアニンは式（Ｘ）〜（ＸＩＩＩ）
【００３２】
【化９】
2004524201.tif 000010
［式中、
Ｒ１及びＲ２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル又は式
【００３３】
【化１０】
2004524201.tif 000011
の基を表し、
Ｘ１はＯを表し、かつ
Ｘ３はＣＨを表すか、又は
Ｘ１はＳを表し、かつ
Ｘ３はＮ、ＣＨ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ３及びＲ４は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル又はアセトキシエチルを表すか、又は
ＮＲ３Ｒ４はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ９は水素を表し、
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は互いに無関係に水素、メチル、メトキシ、クロロ、ニトロ又はシアノを表し、
Ｒ１６及びＲ１７は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル、アセトキシエチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１６は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１６Ｒ１７はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、かつ
Ａｎ−はテトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、ヨージド、ローダニド、シアネート、ヒドロキシアセテート、メトキシアセテート、ラクテート、シトレート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、クロロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート又はナフタレンスルホネートを表し、
その際、全てのアルキル基は分枝鎖状であってよい］のジアザヘミシアニンである。
【００３４】
より特に有利な形においては使用されるジアザヘミシアニンは式（ＸＩＶ）〜（ＸＶＩＩ）
【００３５】
【化１１】
2004524201.tif 000012
［式中、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ１２は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノメチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル又は式
【００３６】
【化１２】
2004524201.tif 000013
の基を表し、
Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５は互いに無関係に水素、メチル、メトキシ、クロロ、ニトロ又はシアノを表し、
Ｒ１６及びＲ１７は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、シクロヘキシル、クロロエチル、シアノエチル、ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシカルボニルエチル、エトキシカルボニルエチル又はアセトキシエチル又はフェニルを表し、かつ
Ｒ１６は付加的に水素を表すか、又は
ＮＲ１６Ｒ１７はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｒ１１は水素、メチル又はフェニルを表し、かつ
Ａｎ−はテトラフルオロボレート、ペルクロレート、ヘキサフルオロシリケート、ヘキサフルオロホスフェート、ヨージド、ローダニド、シアネート、ヒドロキシアセテート、メトキシアセテート、ラクテート、シトレート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ブチルベンゼンスルホネート、クロロベンゼンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート又はナフタレンスルホネートを表し、
その際、全てのアルキル基は分枝鎖状であってよい］のジアザヘミシアニンである。
【００３７】
より特に有利な形においては使用されるジアザヘミシアニンは式（ＩＸ）、（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶＩＩ）のジアザヘミシアニンである。
【００３８】
有利には書き込み可能な、青色レーザからの光を用いて書き込み及び読み出しされる本発明による光学データ記憶媒体のためには、かかるジアザヘミシアニン色素が有利であり、その吸収極大λｍａｘ２は４２０〜５５０ｎｍの範囲にあり、その際、波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側での吸光度がλｍａｘ２での吸光度値の半分である波長λ１／２及び波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側での吸光度がλｍａｘ２での吸光度値の１０分の１である波長λ１／１０は互いに５０ｎｍより離れていない。有利には前記のようなメロシアニン色素は波長３５０ｎｍ未満、特に有利には３２０ｎｍ未満、より特に有利には２９０ｎｍ未満で短波長極大λｍａｘ１を示さない。
【００３９】
有利なジアザヘミシアニン色素は４１０〜５３０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４０】
特に有利なジアザヘミシアニン色素は４２０〜５１０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４１】
より特に有利なジアザヘミシアニン色素は４３０〜５００ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４２】
前記のジアザヘミシアニンにおいて、λ１／２及びλ１／１０は前記のように互いに有利には４０ｎｍ、特に有利には３０ｎｍ、より特に有利には２０ｎｍより離れていない。
【００４３】
赤色レーザからの光を用いて書き込み及び読み出しされる本発明による書き込み可能な光学データ記憶媒体のためには、かかるジアザヘミシアニン色素が有利であり、その吸収極大λｍａｘ２は５００〜６５０ｎｍの範囲にあり、その際、波長λｍａｘ２の吸収極大の長波長側における吸光度がλｍａｘ２での吸光度値の半分であるλ１／２及び波長λｍａｘ２の吸収極大の長波長側における吸光度がλｍａｘ２での吸光度値の１０分の１である波長λ１／１０は互いに５０ｎｍより離れていない。有利には前記のようなジアザヘミシアニン色素は波長７５０ｎｍ未満、特に有利には８００ｎｍ未満、より特に有利には８５０ｎｍ未満で長波長極大λｍａｘ３を示さない。
【００４４】
特に有利なジアザヘミシアニン色素は５３０〜６３０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４５】
特に有利なジアザヘミシアニン色素は５５０〜６２０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４６】
より特に有利なジアザヘミシアニン色素は５８０〜６１０ｎｍの吸収極大λｍａｘ２を有する色素である。
【００４７】
前記のジアザヘミシアニンにおいてλ１／２及びλ１／１０は前記のように互いに有利には４０ｎｍ、特に有利には３０ｎｍ、より特に有利には２０ｎｍより離れていない。
【００４８】
該ジアザヘミシアニン色素は吸収極大λｍａｘ２において＞３００００ｌ／モルｃｍ、有利には＞４００００ｌ／モルｃｍ、特に有利には＞５００００ｌ／モルｃｍ、より特に有利には＞７００００ｌ／モルｃｍのモル吸光係数εを有する。
【００４９】
該吸光スペクトルは例えば溶液中で測定される。
【００５０】
所望のスペクトル特性を有する適当なジアザヘミシアニンは、特に双極子モーメントにおける変化Δμ＝｜μｇ−μａｇ｜、すなわち基底状態及び第一励起状態における双極子モーメント間の正の差異ができる限り小さい、有利には＜５Ｄ、特に有利には＜２Ｄであるジアザヘミシアニンである。前記のような双極子モーメントにおける変化Δμを測定する一つの方法はF. Wuerthner et al., Angew. Chem. 1997, 109, 2933及びそこで引用される文献に記載されている。低いソルバトクロミズム（メタノール／塩化メチレン）はまた選択のために適当な判定方法である。有利なジアザヘミシアニンはソルバトクロミズムΔλ＝｜λ塩化メチレン−λメタノール｜、すなわち溶剤の塩化メチレン及びメタノール中での吸収波長間の正の差異が＜２５ｎｍ、特に有利には＜１５ｎｍ、より特に有利には＜５ｎｍであるジアザヘミシアニンである。
【００５１】
式（Ｉ）及び（ＶＩ）から（ＸＶＩＩ）のジアザヘミシアニンは、例えばＢＥ８２５４５５号、ＤＥ−ＯＳ１０４４０２３号、ＤＥ−ＯＳ２８１１２５８号、ＤＥ−ＯＳ１１６３７７５号から公知である。
【００５２】
本発明の別の部分は式（Ｉ）のジアザヘミシアニンであり、その際、Ｋは式（ＩＩＩ）の基を意味し、かつ他の残基は別の意味を有する。本発明のもう一つの別の部分は式（Ｘ）、（ＸＩ）、（ＸＩＩ）又は（ＸＩＩＩ）のジアザヘミシアニンであり、その際、残基は前記の意味を有する。
【００５３】
記載される吸光性物質は、未書き込み状態において光学データ記憶媒体の十分に高い反射率（＞１０％）を補償し、光の波長が３６０〜４６０ｎｍ及び６００〜６８０ｎｍの範囲にある場合に、集束光による点状の照射の後に情報層の熱分解のために十分に高い吸光を有する。該データ記憶媒体上の書き込まれた部分と未書き込みの部分の間のコントラストは熱分解後の情報層の変化した光学的特性の結果としての振幅に関する反射率並びに入射光の位相の変化を通して実現される。
【００５４】
ジアザヘミシアニン色素は、光学データ記憶媒体にスピンコーティング又は真空コーティングによって適用される。該ジアザヘミシアニンは他のジアザヘミシアンと又は類似のスペクトル特性を有する他の色素と混合してよい。ジアザヘミシアニン色素の他に、情報層は添加剤、例えばバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤並びに他の成分を含有してよい。
【００５５】
情報層の他に、光学データ記憶媒体は他の層、例えば金属層、誘電性層及び保護層を有してよい。金属層及び誘電性層は、例えば反射率及び熱平衡を調節するために使用される。レーザ波長に依存して、該金属は金、銀又はアルミニウムなどであってよい。誘電性層は、例えば二酸化ケイ素及び窒化ケイ素である。保護層は、例えば光硬化性表面被覆、接着層及び保護被膜である。
【００５６】
接着層は感圧性材料からなってよい。
【００５７】
主に特許ＪＰ−Ａ１１−２７３１４７号に開示されるアクリル系接着剤（Nitto Denko DA-8320又はDA-8310）からなる感圧性接着層は、例えば前記の目的のために使用できる。
【００５８】
光学データ記憶媒体は、例えば以下の層集成を有する（図１参照）：透明な基板（１）、場合により保護層（２）、情報層（３）、場合により保護層（４）、場合により接着層（５）及び最上層（６）。
【００５９】
有利には光学データ記憶媒体集成は以下を有してよい：
−  有利には、少なくとも１つの光書き込み可能な、光、有利にはレーザ光を用いて書き込み可能な情報層（３）、場合により保護層（４）、場合により接着層（５）及び透明な最上層（６）が表面に適用される有利には透明な基板（１）、
−  保護層（２）、光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、有利には場合により接着層（５）及び透明な最上層（６）が表面に適用される、有利には透明な基板（１）、
−  場合により保護層（２）、光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、場合により保護層（４）、場合により接着層（５）及び透明な最上層（６）が表面に適用される、有利には透明な基板（１）、
−  光、有利にはレーザ光を使用して書き込みできる少なくとも１つの情報層（３）、場合により接着層（５）及び透明な最上層（６）が表面に適用される、有利には透明な基板（１）。
【００６０】
選択的に光学データ記憶媒体は、例えば以下の層集成を有する（図２参照）：有利には透明な基板（１１）、情報層（１２）、場合により反射層（１３）、場合により接着層（１４）、付加的な有利には透明な基板（１５）。
【００６１】
また本発明は青色光又は赤色光、特にレーザ光を用いて書き込まれる本発明による光学データ記憶媒体に関する。
以下の実施例は本発明の対象を説明するものである。
実施例
例１
４ｇの２−アミノ−５−（ジイソプロピルアミノ）−１，３，４−チアジアゾールを４０ｍｌの氷酢酸中に溶解させた。８ｍｌの８５質量％のリン酸及び６ｍｌの４８質量％の硫酸を１０℃で滴加した。６．８ｇのニトロシル硫酸（硫酸中４０質量％）を次いで５℃で３０分間にわたり滴加した。０〜５℃で４時間後に、亜窒化物（nitrite）過剰をアミドスルホン酸で破壊した。
【００６２】
このジアゾ化された生成物を１０℃で１時間にわたり３０ｍｌの氷酢酸中の５ｇの２−モルホリノ−４−フェニルチアゾールの溶液に滴加し、ｐＨ３を２０質量％の炭酸ナトリウム水溶液で維持した。ｐＨ３．５で一晩撹拌した後に、該混合物を吸引濾過し、かつ残留物を水で洗浄した。該固体を１００ｍｌの水中に撹拌導入し、該混合物をｐＨ７．５に調整し、もう一度吸引濾過し、かつ残留物を水で洗浄した。乾燥後に粗生成物を１００ｍｌのトルエン中に溶解させた。４００ｍｌのヘキサンを撹拌しながら緩慢に添加することによって、生成物を沈殿させ、吸引濾過し、ヘキサンで、次いで水で洗浄し、かつ乾燥させた。３．７ｇ（理論値の４１％）の式Ｉ
【００６３】
【化１３】
2004524201.tif 000014
のバイオレットの粉末が得られた。
融点＝１５５℃
λｍａｘ（ジオキサン）＝５３１ｎｍ
２．３ｇの前記のアゾ色素を２０ｍｌの氷酢酸中に溶解させた。１．３ｇのジメチルスルフェートを添加し、かつ該混合物を７０℃で５時間撹拌した。室温への冷却の後に２００ｍｌの水を添加した。該溶液を５０ｍｌのトルエン、次いで１００ｍｌのクロロホルムで抽出した。クロロホルム相を蒸発乾涸させた。得られるバイオレット色素を３０ｍｌのメタノール中に溶解させた。０．６ｇの過塩素酸リチウムを添加した。一晩撹拌した後に、沈殿した生成物を吸引濾過し、メタノールで洗浄し、かつ乾燥させた。１．５ｇ（理論値の５３％）の式
【００６４】
【化１４】
2004524201.tif 000015
のバイオレットの粉末が得られた。
λｍａｘ（メタノール）＝５９２ｎｍ
ε＝３０１００ｌ／モルｃｍ
溶解度：＞ＴＦＰ（２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール）中で＞２％
ガラス状被膜
また適当なジアザヘミシアニン色素を表中に列記する：
【００６５】
【表１】
2004524201.tif 000016
【００６６】
【表２】
2004524201.tif 000017
【００６７】
【表３】
2004524201.tif 000018
【００６８】
【表４】
2004524201.tif 000019
【００６９】
【表５】
2004524201.tif 000020
１）特に記載がない限りメタノール中
２）Δλ＝｜λ塩化メチレン−λメタノール｜
３）短波長側において
４）長波長側において
例３９
２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール中の例２７の色素の４％の溶液を室温で調製した。この溶液をスピンコーティングによって事前にグルーブ付けされたポリカーボネート基板に適用した。事前にグルーブ付けされたポリカーボネート基板を射出成形によってディスクの形状に製造した。ディスクの寸法及び該寸法に相応されたグルーブ構造は通常ＤＶＤ−Ｒのために使用した。情報キャリヤーとして該色素層を含有するディスクを１００ｎｍの銀で蒸着させた。次いでＵＶ硬化性アクリル系塗料をスピンコーティングによって適用し、ＵＶ灯を用いて硬化させた。光学ベンチ上に構築され、かつ直線偏光を生成するためのダイオードレーザ（λ＝４０５ｎｍ）、偏光感受性のビームスプリッタ、λ／４板及び開口数ＮＡ０．６５を有する可動に懸架した集光レンズ（アクチュエータレンズ）からなる動的な書き込み試験装置を用いて、データの記録（書き込み）及び読み込みに関する試験を実施した。ディスクの反射層から反射した光を前記の偏光感受性のビームスプリッタを用いてビーム路から取り出し、かつ非点収差レンズを介して４クワドラント検出器上に集束させた。Ｖ＝２．６ｍ／ｓの線速度及びＰｗ＝１３．２ｍＷの記録（書き込み）出力で、信号対雑音比Ｃ／Ｎ＝４２ｄＢが測定された。書き込み出力を発振パルス系列として調達し、その際、該ディスクを選択的に１マイクロ秒間、前記の書き込み出力Ｐｗで照射し、かつ４マイクロ秒間、Ｐｒ≒０．４４ｍＷの読み出し出力で照射した。該ディスクを、完全に一回転分回転するまで発振パルス系列で照射した。次いで生成されたマーキングを読み出し出力Ｐｒ≒０．４４ｍＷで読み取り、前記の信号対雑音比Ｃ／Ｎを測定した。
【００７０】
光学データ記憶媒体を前記の表からの他の例を用いて同様に得た。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】図１は本発明の有利なディスクの構造を示している。
【００７２】
【図２】図２は本発明の有利なディスクの構造を示している。
【図１】
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【図２】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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