(57)【要約】例えば、固体触媒（１２）を含む通路の形成されたハニカムモノリス（１８）から形成された「微細構造」固体触媒床（１２）での気液反応体供給流の処理を含む三相化学水素添加反応は、低い通液線速度および高い供給流の気液比を用いることによる、効果的な一体型反応器（１０）操作に適した反応効率を達成する；５０％を超える、一般に８０〜１００％のシングルパス転化効率が達成される。
2004526032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体触媒の存在下で気液反応を行う方法であって、
気液供給流を、固体触媒により触媒化された多数の反応通路からなるモノリス構造触媒床に通して搬送する工程を有してなり、
前記供給流中の液体は、０．０１〜１０ｃｍ／ｓの範囲の通液線速度で前記反応通路に通して搬送され、
前記供給流中の気体は、１〜４０００気体標準状態リットル／液体リットルの範囲の気体：液体容積比Ｇ：Ｌとなる比率で前記反応通路に通して搬送されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記気体が水素であり、前記液体が、不飽和炭化水素および芳香族炭化水素からなる群より選択される炭化水素化合物を少なくとも一種類含有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記気液反応が水素添加反応であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記通液線速度が０．１〜５．０ｃｍ／ｓの範囲にあることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記気体：液体容積比が１０〜５００標準状態リットル／リットルの範囲にあることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記モノリス構造触媒床が、０．０２〜１０．０ｍｍの範囲の水力直径を持つ複数の平行な通路を備えたハニカムモノリスであることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記水力直径が０．１〜５．０ｍｍの範囲にあることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記平行な通路が、０．０５〜５．０ｍｍの範囲の厚さを持つ通路壁により境界がつけられていることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記通路壁が０．２〜２．０ｍｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記平行な通路が、前記通路の向きに対して垂直なハニカム断面の１０〜３０００通路毎平方インチ（ｃｐｓｉ）（約１．６〜４８０通路毎平方センチメートル）の範囲にあるセル密度で存在することを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１１】
前記セル密度が２５〜４００ｃｐｓｉ（約４〜６４通路毎平方センチメートル）の範囲にあることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記モノリス構造触媒床がセラミック製ハニカム支持体からなるハニカムモノリスを備えており、前記固体触媒が、前記ハニカム支持体の壁の表面または内部の触媒分散体として提供されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒分散体が前記ハニカムモノリス表面の多孔質コーティング内に分散されていることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記モノリス構造触媒床が触媒を有してなるハニカムモノリスであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記気液反応が水素添加反応であり、前記気体が水素を含有し、前記液体が芳香族炭化水素化合物を含有し、前記反応が１００〜５００℃の範囲の温度で行われ、前記反応が５〜１０００バールの範囲の圧力で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記気液反応が水素添加反応であり、前記気体が水素を含有し、前記液体がオレフィンを含有し、前記反応が２０〜２５０℃の範囲の温度で行われ、前記反応が５〜３０バールの範囲の圧力で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
気体／液体供給流をハニカム触媒床に通して通過させることにより、三相化学反応を行う方法であって、
前記三相化学反応が水素添加反応であり、
前記気体が水素であり、前記液体が芳香族炭化水素化合物を含有し、
前記反応が１００〜６００℃の範囲の温度および５〜１０００バールの範囲の圧力で行われ、
前記液体が、０．１〜５．０ｃｍ／ｓの範囲の通液線速度で前記触媒床に通過せしめられ、
前記供給流中の気体：液体比が１０〜５００標準状態リットル／リットルの範囲にあり、
前記反応が、前記芳香族炭化水素化合物の水素添加を少なくとも８０％達成することを特徴とする方法。
【請求項１８】
気体／液体供給流をハニカム触媒床に通して通過させることにより、三相化学反応を行う方法であって、
前記三相化学反応が水素添加反応であり、
前記気体が水素であり、前記液体がオレフィンを含有し、
前記反応が２０〜２５０℃の範囲の温度および５〜３０バールの範囲の圧力で行われ、
前記液体が、０．１〜５．０ｃｍ／ｓの範囲の通液線速度で前記触媒床に通過せしめられ、
前記供給流中の気体：液体比が１０〜５００標準状態リットル／リットルの範囲にあり、
前記反応が、前記オレフィンの水素添加を少なくとも８０％達成することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気液供給流の効率的な処理を行うための固体触媒床構造体すなわちモノリス触媒の使用に関し、より詳しくは、高速かつ高い転化効率で水素化精製および水素添加反応を行うためのそのような供給流の処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビーズ形、円柱形、車輪形等の様々な形態の触媒ペレットが充填された固定床反応器が、化学処理並びに水素処理および水素化プロセスを行う精錬業に広く用いられてきた。これのプロセスの多くは、気液供給流が固体触媒表面で反応せしめられる三相（気体−液体−固体）プロセスとして行われる。水素化精製は石化供給原料からクリーンな（低硫黄）燃料を製造するための重要な精錬プロセスであり、一方で、水素添加は、様々な化学物質の製造に広く用いられている。
【０００３】
広く「トリックル・ベッド(trickle bed)」反応器と称される、そのようなプロセスを行うための工業用ペレット床反応器は、一般に、気液下降並流モード、すなわち、ガス状反応体と液状反応体の両方が同じ方向（下降）に触媒床を通って流れるモードで動作する。触媒床の長さおよび触媒床を通る液体の平均通過時間から計算した、そのような反応器中の通液線速度は、約０．０１から２ｃｍ／ｓの範囲にある。トリックル・ベッド反応器は、ほぼ半世紀に亘りこの業界でうまく用いられてきており、成熟した化学処理技術を象徴している。この技術を洗練することには、触媒サイズ、形状、および充填方法を最適化すること、例えば、いくぶん早い液体流速を用いることにより、動作体制を調整することがある。しかしながら、そのような改善は、事実上付加的なものであり、これらのプロセスの効率を大きく向上させることにはなっていない。
【０００４】
過去二十年に亘り、モノリス触媒やハニカム触媒などの触媒構造体の開発に、多大な研究の労力が注がれてきた。ハニカムモノリスは、車両の触媒コンバータ中の燃焼機関排ガスの気相処理のための触媒を担持するのに広く用いられている。一方で、気液供給流の処理を含む三相反応を行うためのモノリスの使用は極めて限られている。これらの反応系は非常に異なる気相反応系である。
【０００５】
もちろん、ハニカムモノリス触媒の低い圧力降下の利点はよく認識されており、そのような触媒の挙動の様々な研究が文献に報告されてきている。しかしながら、低い圧力降下はこれらの構造における触媒性能に影響を与える単に１つの特徴であり、気液触媒反応を支えるモノリス触媒床において動作する他の反応性能要因を理解する試みにかなりの注目が寄せられている。確かに、反応器工学の観点からは、三相触媒反応プロセスは、例えば、車両の触媒コンバータに用いられるモノリス触媒中で生じるような、気相触媒反応よりもずっと複雑である。
【０００６】
非特許文献１において、クリノファー(Klinghoffer)等は、空気／水系においてＰｔ／アルミナモノリス触媒表面で酢酸の酸化を試験した。イランドースト(Irandoust)およびガーニー(Gahney)は、非特許文献２において、シミュレートした混合物によるＣｏＭｏ／アルミナモノリス触媒表面でのチオフェン／シクロヘキセンの競合する水素脱硫および水素添加を研究した。
【０００７】
ハチアントンロー(Hatziantonlou)等は、Ｐｄ／モノリス触媒表面でのニトロ化合物の水素添加を、スラリー反応器中での同じ水素添加と比較したが、触媒の重量当たりの重量基準で、モノリス反応器のほうが反応速度が低いと報告した（非特許文献３参照）。非特許文献４において、スミス(Smith)等は、Ｐｄ／モノリス触媒表面でのオレフィンの水素添加反応を試験し、反応速度定数が、触媒を通る液体線速度にかなり依存していることを発見した。
【０００８】
これらの研究の各々が注意を向け損なったことは、そのような触媒床構造体が、現在の工業的触媒使用と同じ様式で用いられたときに、従来の触媒床よりも優れた転化効率の利点があるか否かという問題である。それゆえ、ハニカムモノリスまたは他の触媒床構造体が、実際に、トリックル・ベッドまたは他の従来の気液反応器に現在用いられている工業用触媒床の有用な代替となり得るかという重要な問題が残っている。実際的な有用性のこの問題は、文献に報告された転化データの多くが、小さな「微分」反応器中において研究所規模で作成され、これらにより、多くの場合、５０％未満の低いワンパス転化率しか得られなかったので、ほとんど答えられていない。経済的な理由のために、大型の工業用反応器は、「一体型」反応器、すなわち、５０％を超える、多くの場合、１００％に近いワンパス転化率を達成するように設計された反応器として動作されることが多い。残念ながら、伴う反応カップリングおよび物質移動相互作用が複雑であるために、微分反応器のデータに基づく研究所での発見を、一体型反応器の性能に外挿法により推定することはできない。
【０００９】
別の不確実さは、以前に記録された研究所の結果は、いわゆるテイラー流れ形態におけるモノリス反応器の動作に基づいて予測されることが多いという事実に関する。テイラー流れは、ハニカム触媒の通路を通るほぼ同じサイズの、交互になっている液体スラグと気泡の運動により特徴付けられる流れモードを称する。テイラー流れを維持するには、一般に、比較的速い液体線速度（例えば、３０ｃｍ／ｓ）および比較的小さい気液比（例えば、０．５  Ｖ／Ｖ）で反応器を動作させる必要がある。これらの要件を満たすように供給流を制御することは、工業規模で水素化精製および水素転化プロセスを実施するために設計されたプラントにおいては実現できないであろう。
【非特許文献１】
"Catalitic Wet Oxidation Of Acetic Acid Using Platium On Alumina Monolith Catalyst", Catalysis Today, 40 (1998) 59-71,
【非特許文献２】
"Competitive Hydrodesulfurization And Hydrogenation In A Monolithic Reactor", AIChE Journal, Vol.36, No.5, 746-752 (1990)
【非特許文献３】
"Mass Transfer And Selectivity In Liquid-Phase Hydrogenation Of Nitro-Compounds In A Monolithic Catalyst Reactor With Segmented Gas-Liquid Flow" Ind.Eng.Chem.Process Des.Dev., 25 (1986) 964-970
【非特許文献４】
"Selective Three-Phase Hydrogenation Of Unsaturated Hydrocarbons In A Monolithic reactor" Chemial Engineering Science, Vol.51, No.11, 3019-3025 (1996)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、ハニカムモノリスなどの触媒構造体により、工業用反応器における従来の触媒床よりもすぐれた利点が得られるか、もしそうであれば、どのような反応について、どのような反応条件下でそのような利点が確保できるかを求める必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ワンパスすなわち一体型反応器系について、水素添加および水素化精製などの三相化学反応を、実際に有用な転化率かつ高効率で実施できる、「微細構造」触媒床を含有する反応器に有用な触媒転化方法を提供する。「微細構造」触媒床は、約０．１から１０ｍｍの水力直径を持つ多数の小さな触媒反応通路に分割されている触媒床を意味し、これらは、適切な通路サイズのハニカム触媒により具体化される。この構造の触媒床において、バルクガス流および液状反応体流は、各々が別々の通路内で触媒反応を経る別々の小さな反応体流に層流化すなわち分割される。
【００１２】
これらのプロセスに用いられる反応器では、一般に、高い気液比を用い、気液プロセスの供給流は、気液（Ｇ：Ｌ）比が高い流れである。すなわち、これらのプロセスは、気液供給流をハニカム触媒に通して搬送するために、比較的速いガス流および比較的遅い液体線速度を用いて行われる。
【００１３】
本発明は、より詳しくは、固体触媒の存在下で気液反応を行うための改良方法を含む。この方法によれば、ガス状反応体および液状反応体を含む気液供給流を、最初に、モノリス構造触媒床に通して搬送する。触媒は、従来の通路構造を持つ、すなわち、処理すべき流体が自由に通路を通過できる、本体の第１面すなわち入口面から第２面すなわち出口面まで通る複数の平行な開放端通路を有するハニカム本体を備えたハニカムまたはハニカムのアセンブリとして提供される。各通路は通路壁により形成されるすなわち通路壁を境界とする。これらの通路壁は、内部または表面に液体流を処理するための固体触媒が提供される固体材料の薄い交差したウェブの形態で提供されることが好ましい。
【００１４】
本発明の方法を行うときは、気液供給流を構成する液体は、制御された制限流速でハニカム通路を通って搬送される。効果的な処理には、触媒を通る通液線速度が約０．１〜１０ｃｍ／ｓの範囲に入るように液体の流速を調節する必要がある。ハニカム触媒床を通る通液線速度は、慣習により、触媒床の長さを供給液体の少量のセグメントが触媒床を通過するのに必要な平均時間で割った商と定義される。
【００１５】
液体がハニカム触媒床を通過する間、供給流の気体成分は、ハニカムの通路内で高い気体：液体（Ｇ：Ｌ）容積比を維持する量で触媒床に搬送される。気体は、存在する液体１リットル（Ｌ）当たり、約１〜４０００標準（通常(Normal)）リットル（ＮＬ）の気体の範囲にある気体：液体比、すなわち、１：１から４０００：１  ＮＬ／ＬのＧ：Ｌ比を維持するのに十分な比率で提供するのが一般的である。本明細書の目的のために、気体の標準または通常リットルは、２０℃の標準温度および１気圧の標準圧力で１リットルを占める気体の容積である。
【００１６】
上述した処理条件は、モノリスハニカム触媒床表面で様々な三相反応を行うのに有用であるが、炭化水素供給原料を用いた水素添加または水素化精製反応を行うのに特にうまく適している。この手段により、様々な不飽和または置換炭化水素化合物を効率的に処理することができる。処理できる不飽和炭化水素としては、直鎖または枝分れアルケンまたはアルキン、並びに芳香族炭化水素および不飽和炭化水素官能基を含む炭化水素が挙げられる。置換炭化水素としては、硫黄または窒素含有官能基を有するものが挙げられる。
【００１７】
ハニカム通路内でテイラー流れ条件を維持するための困難な方策が必要ないことが、本発明の方法の特別な利点である。実際に、本発明の方法をここに規定された範囲内の液体流速およびＧ：Ｌ比で行えば、テイラー流れが維持されているか否かにかかわらず、これらの炭化水素反応体について、理論的転化限界の５０％を超える、より一般的には、８０％を超えるワンパス転化率を容易に達成できる。それゆえ、これらの方法は、高い再利用率または補助的な処理設備が必要なく、シングル・パスすなわち一体型反応器系に使用するのに適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の方法を行うために選択すべき特定の反応器設計は、重要ではないが、主に、行うべき特定の反応の化学的性質および反応を行うべき環境により決まる。各々の場合、反応器設計の詳細は、行うべき特定の反応、物理的プラントの設計、および反応器が動作する必要のある供給流の投入と生成物の産出の制約に基づいて当業者の通常作業により容易に選択することができる。
【００１９】
図１，１ａ，１ｂは、本発明によりハニカムモノリスとして提供された触媒床構造体を用いた反応器およびその構成部材の部分図を示す。図１は、ハニカムモノリス触媒１２の集合体からなる触媒充填体を含む反応器１０の縦断面図である。これらの触媒は、図１の断面１ａ−１ａでとられた反応器１０の頂部の平面図である図１ａに分かり易く示されている。これらの触媒構造体は、市販されているハニカム触媒材料からなっていても、本発明による微細構造形状を持つ他の触媒モジュールからなっていても差し支えない。
【００２０】
反応器の動作において、反応器の外囲容器１１中に導入される気液供給混合物１４は、モノリス触媒１２の頂部に供給され、モノリス通路１８を通って並流で下方に流れて、触媒積重体の基部で生成混合物１６を生成する。図１ｂは、モノリス触媒１２中の通路１８の内の１つの拡大図であり、この通路は、供給混合物１４を処理するための触媒を有してなる通路壁１９を境界としている。使用すべき特定の触媒の選択およびその触媒をハニカムモノリス内に配置する様式は、ここでも、処理すべき物質および用いるべき処理条件に応じて、決まりきった様式で決定できる。重要な特徴は、気液反応体の流れが、固体触媒により触媒作用を受ける別々の反応通路内に主に制限されることである。それゆえ、通路間を横切る流れは、触媒通路に沿った主要な流れに対して取るに足らないすなわち重要ではない。
【００２１】
適切なモノリス設計の一例としては、コージエライト、ムライト、アルミナなどの実質的に不活性な多孔質セラミック材料から構成される押出ハニカム体が挙げられ、その内部の通路壁上には、遷移金属または触媒活性金属もしくは周期表（ＣＡＳ版）のVIＢ族，VIIＢ族，VIII族，およびＩＢ族から選択される金属の組合せなどの適切な触媒のコーティングまたは分散体が配置されている。選択された触媒は通路壁上に直接堆積されていても、もしくは多孔質担持金属酸化物ウォッシュコートまたは壁表面に施される他のキャリヤ層上またはその内部に担持されていてもよい。あるいは、触媒は、ハニカムの細孔構造内に担持されていても、またはハニカム壁自体が活性触媒から形成されていてもよい。遷移金属酸化物および他の触媒活性材料から構成されたハニカムがよく知られている。
【００２２】
３つの異なる群の重要なパラメータが、本発明による触媒床構造体を含む反応器の効率を決定する。(i)触媒通路内で維持される、特に液体線速度（Ｖ1）および気体／液体比（Ｇ／Ｌ）を含む液体および液体流動条件、並びに(ii)通路開口部の水力直径（ｌc）、触媒壁の厚さ（ｌcat）、触媒構造体のセル密度（ｎc）、すなわち、触媒の単位断面積当たりの通路の数、通路の形状（Φ）、および通路開口部の通路長さに対する比（γ）を含む、触媒床構造体の幾何学的パラメータが最も重要である。選択した触媒の活性および用いる反応条件（温度、圧力）は、反応器の効率を左右する第３群のパラメータであるが、これらは、行われる特定の化学反応に大いに依存するのが明らかである。これとは対照的に、流動条件および触媒床の幾何学的パラメータには、様々な異なる反応タイプに対してより包括的な適用性および重要性があることが分かった。
【００２３】
ハニカム触媒に通す三相処理を施せる液体炭化水素供給原料のほとんどについて、ハニカム通路は、一般に、約０．０２〜１０ｍｍｍの範囲の水力直径を与えるようなサイズになっている。水素添加および水素化精製反応は、通路の水力直径が０．１から５ｍｍの狭いサイズ範囲にあるハニカムにおいて実施することができる。これらのサイズ範囲にある通路の開口部は、従来の充填触媒のペレット床における粒子間空隙に寸法で匹敵する。産業的に従来用いられているペレット床における触媒ペレットサイズは、約０．０３から約０．２５インチ（約０．７５から約６．２５ｍｍ）の範囲にある。通路の寸法が小さすぎる場合、処理プロセス中にその場で生成されるまたは供給流により運び込まれる微粒子により通路が塞がれることがある。通路が大きすぎる場合、触媒床構造体の幾何学的表面積が、効率的な気体／液体／触媒の接触には小さ過ぎるかもしれない。
【００２４】
市販のハニカム触媒または触媒担体の通路壁の厚さは、通常、約０．０１から５ｍｍの範囲にある。補助的な触媒コーティングを担持する目的および触媒材料から直接形成されたハニカムを製造する目的の両方にとって、０．１から２ｍｍの範囲の壁厚が好ましい。
【００２５】
処理に用いるべきハニカムモノリスについて選択されたハニカムのセル密度（通路のアライメント軸に対して垂直にとられたハニカム断面の単位面積当たりの通路の数）は、現在利用できるハニカム支持構造体の範囲内のいずれに含まれていてもよい。１０〜３０００通路毎平方インチ（ｃｐｓｉ）（約１．５〜４８０通路毎平方センチメートル）の範囲のセル密度が有用である。約２５〜４００ｃｐｓｉ（約４〜６４通路毎平方センチメートル）の範囲のセル密度が、より広く入手でき、ほとんどのプロセスにとって極めて適している。
【００２６】
これらの触媒床構造体における通路の直径に対する長さの比は、一般に、約１０よりも大きい。この比が小さ過ぎると、触媒床構造体の効率が、無作為に充填されたペレット床のものに近づき始める。もちろん、どのような特定の反応器の環境にとっての最適比も、使用する特定の触媒モジュール構造体の設計の費用と製造のし易さ、および反応器アセンブリの要件により、並びに触媒床に亘る気体と液体の流れの分布に関する課題により課せられる制約により決まる。
【００２７】
これらの反応のためのハニカム触媒を用いた反応器によって、トリックル・ベッド反応器よりも効率的に、利用可能な触媒表面および容積を使用でき、気体と液体の反応体の利用できる触媒の表面へおよびその塊中への物質移動を増加させることができる。トリックル・ベッド水素添加反応器における触媒表面は完全にまたはほぼ完全に湿潤していると一般に認められている。この湿潤挙動により、実際的に関心のある流動条件下、例えば、従来の水素添加プロセスに関して１ｃｍ／ｓの通液線速度で、触媒を十分に使用できるものと考えられた。例えば、"Liquid-Solid Wetting Factor In Trickle-Bed Reactors: Its Determination By A Physical Method" by Pironti et al., in Chemical Engineering Science, 54 (1999) 3793-3800を参照のこと。しかしながら、以下により詳しく説明するように、水素添加および水素化精製プロセスに従来用いられているトリックル・ベッド反応器に触媒を使用することには重大な問題がある。その問題は、本発明によるハニカム触媒を備えた反応器を用いることにより、実質的に克服できる。
【００２８】
図２（従来技術）に示すような、一般的なサイズ（例えば、直径１／３２インチから１／４インチ（約０．７８ｍｍから約６．２５ｍｍ））の触媒ペレットを用いた充填ペレット床反応器の効率に影響を与える問題の１つは、流れが塞がれるという問題である。図２に示したように、水素ガス流２０および液滴２２が充填触媒床に進入し、触媒ペレット２４の一群を下方に通って移動すると、ペレットと接触する液体が、全ての利用できる触媒ペレットの外面上に広がる。このように広がった液体は、触媒ペレットの中の空隙を満たす傾向にあり、適切なサイズと形状のペレット間空隙２６中に毛管力により優先的に捕獲される。
【００２９】
どこでこのことが生じようとも、水素ガス流は、拘束された液体によって塞がれていない、触媒床を通る別の道筋を見つけなければならない。したがって、触媒床中の空隙に捕獲された液体供給流の一部は、反応体ガス流にとっては比較的到達できない。これにより、触媒の利用度が事実上減少し、これと同時に、水素が比較的利用されなくなるために淀んだ液体区域に生じ得る、コークス化などの二次反応が生じる可能性が増す。この原因は、触媒ペレットがこれらの反応器中に配置される様式であるので、この根本的な欠点は、充填床反応器に固有のものである。すなわち、反応器への入口で理想的に均一な流動分布が形成された場合でさえも、気体および液体が充填床を通って無作為に流れるので、そのような均一性を維持しようがない。
【００３０】
充填床反応器とは対照的に、ハニカムまたは他の触媒構造体を含む反応器の重要な利点は、バルク気体および液体の流れが、充填床反応器における触媒ペレット間の道筋と似た寸法に分割されるけれども、捕獲および滞留に対してより耐性があることである。図３に示したように、これは、触媒の通路壁と接触する液体２２は通路の表面上に広がる傾向にあり、気体流れ２０が触媒床を通過するのに利用できる自由な通路空間が残されるという事実に起因する。それゆえ、液体の捕獲が起こりそうになく、利用できる触媒の表面に亘り気体と液体のより均一な分布が実現される。これと同時に、表面反応と、壁上の液体膜への気体流により加えられる張力とがさらに、液体交換、すなわち、液体のバルクから触媒表面への物質移動を促進させる。
【００３１】
充填床およびハニカム触媒の相対的な性能特徴を、適応できる反応速度方程式を踏まえてさらに分析することができる。したがって、一般形態の水素添加または水素化精製反応については：
【数１】
2004526032.tif 000003
【００３２】
以下のように書くこともできる：
【数２】
2004526032.tif 000004
【００３３】
ここで、Ｒappは、ｍｏｌ／（ｓ・ｍ3）で表した見掛けの反応速度であり；ｆL/Sは、液状反応体により覆われた触媒の外面の割合であり；ｆcatは、触媒容積の割合であり；Ａgeoはｍ2／ｍ3で表した触媒の幾何学的表面積であり；θcatは、触媒層の有効係数であり；ΦThは、触媒中の反応のThiele数であり；ｋsは固有反応速度定数であり；ＣA,Sは、ｍｏｌ／ｍ3で表した触媒の外面での反応Ａの濃度であり；ＣB,avgは、ｍｏｌ／ｍ3で表した触媒内部の反応Ｂの反応速度平均濃度であり；ｌcatは、ｍで表したハニカム通路表面の触媒層の厚さであり；ｋapp,sは、触媒表面の毎秒の見掛けの速度定数であり；Ｄeffは、触媒中のｍ2／ｓで表した反応体Ａの有効拡散率であり；αは単位転化係数である。
【００３４】
触媒有効係数θcatは、触媒の厚さが減少すると共に増大すると予測されるが、ハニカム触媒においては、触媒の容積の割合ｆcatは壁厚が減少すると共に減少し、したがって、触媒を薄くすることからは、反応器の容積基準で反応活性の利点は期待できないであろう。もちろん、触媒床の幾何学的表面積は、触媒の粒径または通路の開口部のサイズが減少すると共に増大するであろうし、実際的に実施できれば、小さな触媒サイズが一般に望ましいことが知られている。しかしながら、トリックル・ベッド反応器においては、小さなサイズの触媒の使用は流体力学により制限され、ハニカム触媒においては、通路サイズを減少させると、製造コストが増大し、通路が詰まる可能性も増える。
【００３５】
これらの要因にもかかわらず、水素添加反応にハニカム床を使用すると、触媒の幾何学的表面積および物理的容積が充填ペレット床のものよりも大きくなっていない場合でさえも、意外なことに、高い反応速度が生じる。理論により拘束することを意図するものではないが、より速い速度は、現在、(i)任意の所定の瞬間で炭化水素液状反応体Ａによる、高い触媒表面被覆率および(ii)任意の所定の瞬間での触媒表面上の反応体ＡおよびＢ両方の高い濃度によるものである。
【００３６】
液体被覆率の利点に関して、上記方程式（２）から、見掛け反応速度Ｒappは、液体／触媒接触効率に正比例するのが分かる。また、液体／触媒接触プロセスは明らかに動的で複雑であるが、触媒通路の単純な幾何学形状のために、充填触媒ペレットよりも、液体がより容易に到達できる。
【００３７】
反応体濃度の利点は、ハニカム触媒中の気体と液体が比較的小さな反応領域内に  共に閉じこめられるという事実から生じると考えられている。上記方程式（４）は、２つの反応体の内のいずれか一方が利用できない場合、反応速度がゼロになることを示している。ハニカムにおいて、ハニカムの通路壁表面の液体炭化水素膜は、ペレットの隙間に毛管作用により液体が捕獲されることがないので、連続して補充される。さらに、通路を通る適切なレベルの水素流を使用することにより、液体と気体の反応体両方の触媒表面での濃度が最大になるように液体炭化水素膜を壊すのが容易になる。
【００３８】
２つの群の水素添加反応、すなわち、オレフィン水素添加およびトルエン飽和が、本発明の実施により利益をもたらすことのできる反応タイプの代表例である。これらの反応の特定の例は以下の通りである：
【数３】
2004526032.tif 000005
【００３９】
オレフィン水素添加は反応速度的に速い反応であり、反応効率は主に、不飽和炭化水素液体と触媒の外面との間の接触の性質による。これらの反応は、芳香族ではない分子構造における不飽和化学結合の飽和を含む他の水素添加反応の代表例である。他方で、トルエン飽和は、オレフィン飽和よりも反応速度的にずっと遅く、芳香族分子構造における不飽和化学結合の水素添加の代表例である。さらに、オレフィン飽和よりも芳香族飽和のほうがより多くの水素分子が必要である。同様な反応としては、モノ芳香族とポリ芳香族の化合物、またはチオフェン、ベンゾチオフェン、およびジベンゾチオフェンを含む芳香族硫黄化合物の飽和が挙げられる。
【００４０】
以下の具体例は、上述したタイプの水素添加および水素化精製反応に関する本発明の利点の内のいくつかを示す。
【００４１】
具体例Ｉ（従来技術）  オレフィン水素添加  −  充填床（トリックル）反応器
１／８インチ（約３．１ｍｍ）のＮｉ／アルミナ触媒ビーズ１０ｃｃを、１インチ（約２５ｍｍ）の直径の管状反応器中にＳｉＣ粉末希釈剤と共に充填した。ＳｉＣ希釈剤は、６０メッシュのＳｉＣ粉末４０ｃｃからなるものであった。追加の量のＳｉＣ粉末を用いて、反応器内に触媒を支持するための端部栓を形成した。
【００４２】
次いで、このように充填した触媒を、ゲージ圧で２２０ｐｓｉ（約１．５４ＭＰａ）の反応器圧および４００℃の反応器温度で１０時間に亘り反応器に水素を流動させ、次いで、冷却することにより、前還元した。水素による前処理後、５％の１−オクテン、５％のスチレン、および９０％のトルエンからなる液状反応体を、反応器への供給管内で流動している水素ガス流と混合し、この混合流を所定の反応温度まで予熱し、次いで、加熱された混合流を気体／液体供給流として反応器の頂部に導入した。
【００４３】
反応器中にこのように導入した供給流を、並流モードで下向きに反応器に通して流動させ、触媒床を通過させ、ここで、スチレンおよび１−オクテンに水素添加して、それぞれ、エチルベンゼンおよびｎ−オクタンを含む生成物流を生成した。次いで、この生成物流を冷却し、気体と液体の生成物に分離した。液体生成物を分析して、反応器の転化効率を求めた。
【００４４】
様々な反応条件下でこの反応器により得られた１−オクテンおよびスチレンの各々に関するオレフィン転化率が、以下の表１に報告されている。報告された各反応条件に関して、ｐｓｉｇで表された運転中に維持した反応器圧、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、反応器を通る混合供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）、触媒床の底部で測定した反応器温度、スチレンと１−オクテンのそれぞれの水素添加生成物への転化率パーセント、および１−オクテン水素添加転化率および液空間速度から計算した触媒の計算上の１−オクテン転化活性が、表１に含まれている。
【表１】
2004526032.tif 000006
【００４５】
表１に報告されている計算上の１−オクテン転化効率により、共通した設計の反応器における異なる触媒充填および触媒形状の水素添加性能を比較するための都合のよい基準が得られる。表１のデータが示すように、この充填床反応器設計における転化効率は、反応器圧および供給Ｈ2／油容積比が同じに維持されれば、ＬＨＳＶと共にいくぶん増大し、温度が減少するといくぶん減少するようである。また、一定のＬＨＳＶおよびほぼ一定の温度の条件下では、転化効率は、圧力および供給Ｈ2／油容積比と共に増大する。
【００４６】
気体／液体水素添加処理に関するペレット化された水素添加触媒の効率に関するさらに別の情報が、触媒ペレットの充填が、以下の方法にしたがって、流れの通路化および反応器の効率を制限する他の影響を減少させるように理想化されている反応器の試験からのデータにより得られる。
【００４７】
具体例II  オレフィン水素添加  −  理想的な充填床
具体例Ｉに上記のごとく用いたものと同じ組成および形状のＮｉ／アルミナ触媒ビーズを、直径１／４インチ（約６．２５ｍｍ）、長さ約１２インチ（約３００ｍｍ）のステンレス鋼製反応管中に個別に充填した。この管の内径（約３ｍｍ）は、ペレットの直径よりもわずかに大きいだけであり、単独ペレットのカラムに、管内で供給流が流れることのできる空隙が形成される。この構成に関する触媒充填容積および空隙率は、それぞれ、約２．１５ｃｃおよび０．３３であった。
【００４８】
触媒ペレットは、ゲージ圧で２２０ｐｓｉ（約１．５４ＭＰａ）の反応器圧および４００℃の反応器温度で供給した水素ガスを１０時間に亘り流すことにより、その場で前還元させた。次いで、水素ガスおよび液体炭化水素反応体のブレンドからなる混合気体／液体供給流を、供給管を通して反応器の頂部に導入し、下向きに触媒表面を流した。この反応体ブレンドは、０．５重量％の１−オクテン、０．５重量％のスチレン、および９９重量％のトルエンから構成された。水素と液体とを供給管内で混合し、触媒と接触させる前に適切な反応温度まで予熱した。この理想的に充填された反応器中の気体／気体流は、ほぼ触媒ビーズサイズの規模に制限されており、従来のトリックル・ベッド反応器において反応体がしたがう無作為で曲がりくねった流路と、比較的規則的なものとして比較される。
【００４９】
この反応器において様々な条件下で観察されたオレフィン転化率が以下の表２に報告されている。実施した各運転に関して、℃で表した触媒床の頂部と底部で測定した温度、ｃｍ／ｓで表した反応器を通る液状反応体流の計算した平均線速度、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、反応器を通る混合供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）、スチレンと１−オクテンのそれぞれ水素添加されたエチルベンゼン（ＥＢ）およびｎ−オクタン生成物への転化率パーセント、および１−オクテン転化率および反応器を通る液空間速度（ＬＨＳＶ）から計算した触媒の測定した１−オクテン転化活性が、表２に含まれている。全ての反応は、ゲージ圧で２２０ｐｓｉ（約１．５４ＭＰａ）の反応器圧で行った。
【表２】
2004526032.tif 000007
【００５０】
表２のデータが示すように、具体例IIの理想的に充填された反応器設計に関する転化率および活性の結果は、同様の反応条件下と同様の流速で比較した場合、具体例Ｉの従来のトリックル・ベッド反応器設計に関する結果よりも一般に一層好ましい。これらの結果は、気体／液体／触媒表面の接触が効果的でないことが、従来のトリックル・ベッド反応器の効率を制限する重大な要因であることを示唆している。
【００５１】
また、表２のデータが示すように、理想的に充填された触媒の水素添加活性は、液体速度と、反応器を通る液体流速に対する水素流速とに直接的に依存する。例えば、液体の供給量が、７倍、すなわち、０．１２ｃｍ／ｓから０．８３ｃｍ／ｓまで、反応器を通る液体速度を上昇させるように増大された場合、１−オクテンの転化率はわずかに減少するが、触媒の見掛けの１−オクテン転化活性は、ほぼ４倍、すなわち、０．００２６から０．１１５ｖ／ｖ／ｓまで、増大する。
【００５２】
以下の説明のための具体例に示したように、充填ペレット床に取って代わるハニカムを使用することにより、水素添加および水素化精製反応のための別の反応器の性能の利点が得られる。
【００５３】
具体例III  オレフィン水素添加  −  触媒被覆壁を持つ触媒構造体
直径が１ｃｍ、ハニカムの通路が向いている方向で長さが３０ｃｍである、正方形通路が形成されたハニカム形状を持つモノリス構造触媒を、アルミナのウォッシュコートが施されたコージエライトハニカム基体をＮｉ硝酸塩溶液に含浸することにより調製した。ウォッシュコートが施されたモノリスは、通路の公称直径が１ｍｍ、通路の壁厚が約０．２ｍｍ、ハニカム中の通路が向いている方向を横切る平面で測定したセル密度が４００ｃｐｓｉ（約６４通路毎平方センチメートル）であった。ウォッシュコートをニッケルで含浸した後のＮｉ／アルミナ触媒層の厚さは約０．０５ｍｍであった。
【００５４】
触媒性能を供給流分布効果とは区別するために、触媒モジュールの１つの通路を、ハニカムの底部と頂部の他の通路の開口部を液体不浸透性セメントで塞ぐことにより、試験目的のために孤立させた。次いで、外径１／８インチ（約３．１２５ｍｍ）のステンレス鋼製供給管を、孤立させた通路の頂部に前記セメントで取り付けた。
【００５５】
このように調製した触媒モジュールを、ＳｉＣ粉末の素材により取り囲んだ、直径２ｃｍの管状反応器内に配置した。次いで、この触媒モノリスを、ゲージ圧で２２０ｐｓｉ（約１．５４ＭＰａ）および４００℃で１０時間に亘り反応器に水素ガスを流すことにより、その場で前還元させた。
【００５６】
このように触媒を調製した後、水素ガスおよびブレンドした炭化水素液状反応体からなる気体／液体供給流を、ステンレス鋼製供給管に通して触媒通路中に供給し、下向きに触媒モノリスに通して流した。気体と液体の混合物は、触媒に接触させる前に所定の反応温度まで予熱した。触媒の処理後、反応器からの流出物を室温より低く冷却し、気体を除いて、液体生成物に分離した。次いで、液体生成物を分析して、スチレンのエチルベンゼンへの水素添加度および１−オクテンのｎ−オクタンへの水素添加度を求めた。
【００５７】
様々な異なる反応条件を用いたいくつかの転化運転をこの反応器を用いて評価し、これらの運転には２つの異なる液体供給流を用いた。供給流Ｉは、５重量％の１−オクテン、５重量％のスチレン、および９０重量％のトルエンからなり、供給流IIは、０．５重量％のスチレン、０．５重量％の１−オクテン、および９９重量％のトルエンからなるものであった。反応器中への供給流の流速を増加させることにより、ある範囲の液体線速度および液空間速度に亘る転化データを作成できる。
【００５８】
この試験の一般結果が以下の表３に報告されている。実施した各運転に関して、℃で表した触媒床の頂部と底部で測定した温度、ｃｍ／ｓで表した反応器を通る液状反応体流の計算した平均線速度、ｐｓｉｇで表した運転を行った反応器圧、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、反応器を通る混合供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）、スチレンと１−オクテンのそれぞれ水素添加されたエチルベンゼン（ＥＢ）およびｎ−オクタン生成物への転化率パーセント、および１−オクテン転化率および反応器を通る供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）から計算した触媒の測定した１−オクテン転化活性が、表３に含まれている。
【表３】
2004526032.tif 000008
【００５９】
この試験の過程で観察した水素添加転化率および触媒活性は、予期せぬほど高い。例えば、反応器が比較的短い（３０ｃｍ）にもかかわらず、いずれの供給流についても、０．８３ｃｍ／ｓの液体線流速で、９９％を超えるスチレン転化率が得られた。さらに、転化の程度は、反応器を通るＬＨＳＶが増加するにつれ減少するが、表３に列記した試験条件の全てについて、これらの水素添加に関して有効なワンパス転化率が得られた。それゆえ、多くの化学プロセスを工業規模で実施するために、モノリス触媒により、再利用コストが高くつくであろう微分反応器操作とは反対に、一体型すなわちワンパス水素添加反応器の操作が可能となる。
【００６０】
上記のごとく試験したペレット化触媒および触媒構造体の根本的な水素添加活性の差は、さらに一層意外である。表１〜３のデータは、具体例IIIの触媒構造体が、具体例ＩおよびIIのペレット床触媒について計算した１−オクテン水素添加活性よりも一桁から二桁大きい対応する活性を実証していることを示している。例えば、２０ＮＬ／Ｌの供給Ｈ2／油比および約６１℃の供給温度を用いて、約０．８３ｃｍ／ｓの液体線速度レベルでは、ゲージ圧で２２０ｐｓｉ（約１．５４ＭＰａ）の操作圧力で理想的な充填床反応器のオレフィン水素添加活性は、約０．０１１５ｓ-1である。同様な条件下で、触媒反応器構造体は、０．０８８ｓ-1の水素添加活性レベルで作動する。この触媒構造体についての触媒活性がこのように約７．６倍も増加したことは、ペレット化触媒よりわずかに優れた幾何学的表面積の利点（モノリスの２３００ｍ2／ｍ3対ペレット床の１４００ｍ2／ｍ3）からは予測できなかった。これらのデータは、充填床反応器中のの活性触媒表面が十分に利用されていないという結論を裏付けている。
【００６１】
具体例IV  オレフィン水素添加  −  嵩のある触媒壁を持つ触媒構造体
直径が１ｃｍ、ハニカム通路の方向の長さが３０ｃｍの、円筒型ハニカム形状を持つ触媒構造体の支持モノリスを試験のために調製した。２つのモノリス形状を選択した。両方とも、実質的に完全に多孔質ガンマアルミナからなるものであった。第１の形状は、４００ｃｐｓｉ（約６４通路毎平方センチメートル）のセル密度で０．１８ｍｍの厚さの通路壁を境とする直径１ｍｍの正方形通路を備えるものであった。第２の形状は同じ直径の正方形通路を備えるが、通路壁は厚さが０．７１ｍｍであり、セル密度は２００ｃｐｓｉ（約３２通路毎平方センチメートル）であった。
【００６２】
これらのハニカム支持体の多孔質壁には、２Ｍの硝酸ニッケル水溶液中にハニカムを浸漬し、この溶液からハニカムを取り出し、ハニカム通路を圧縮空気で洗浄し、約１６時間に亘り１００℃のオーブン中で含浸ハニカムを乾燥させ、最後に、２時間に亘り４００℃の炉内の空気中で乾燥したハニカムをか焼して、その中のニッケル塩を酸化ニッケルに転化することにより、活性な水素添加触媒を充填した。このようにして提供した完全に触媒化された４００ｃｐｓｉ（約６４通路毎平方センチメートル）のハニカムは、ハニカムの壁構造全体に亘り分布する約９．３重量％のＮｉＯ添加量を持ち、多孔質壁は２１４ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有していた。２００ｃｐｓｉ（約３２通路毎平方センチメートル）のハニカムは９．０重量％の触媒添加量を持ち、その壁は１９０ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有していた。
【００６３】
これらのＮｉ／アルミナ触媒を、具体例IIIに述べた方法を用いて水素添加活性について試験した。これらの触媒を評価するのに用いた液体供給流は、０．５重量％のスチレン、０．５重量％の１−オクテン、および９９重量％のトルエンからなるものであった。試験の結果が以下の表４に示されている。実施した各水素添加運転に関して、℃で表した触媒床の頂部と底部で測定した温度、ｃｍ／ｓで表した反応器を通る液状反応体流の計算した平均線速度ＶL、ｐｓｉｇで表した運転を行った反応器圧、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、スチレンと１−オクテンのそれぞれ水素添加されたエチルベンゼン（ＥＢ）およびｎ−オクタン生成物への転化率パーセント、および転化率および反応器を通る供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）から計算した触媒の測定した１−オクテン転化活性が、表４に含まれている。
【表４】
2004526032.tif 000009
【００６４】
表４のデータを検討することにより分かるように、これらの触媒構造体について、０．８３から１５．０ｃｍ／ｓの全液体線速度範囲に亘り、６０％以上のワンパスオレフィン転化率が得られた。これらのデータは、モノリスの壁構造中に存在する触媒の嵩を増すほど、触媒活性すなわち添加効率に関する利点が少なくなることも示している。したがって、液状反応体と触媒表面との接触効率は、これらの反応器における水素添加性能に影響を与える重要な要因であるようである。
【００６５】
具体例Ｖ  オレフィン水素添加  −  嵩のある触媒壁を持つ触媒構造体
具体例IVにおけるように、正方形通路を持つ円柱型ガンマアルミナハニカムモノリス基体をＮｉ硝酸塩に含浸することにより、触媒構造体を調製した。選択した基体は、直径が１ｃｍ、円柱の長さが３０ｃｍ、セル密度が１００ｃｐｓｉ（約１６通路毎平方センチメートル）、通路の壁厚が０．６４ｍｍ、通路の直径が２ｍｍであった。触媒の含浸後、触媒化モノリスは、９．０重量％のＮｉＯの触媒添加量および１８７ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有した。この触媒の形状は、その幾何学的表面積（ＧＳＡ）が上述した具体例IIにおいて評価した理想的に充填されたペレット床触媒のものと非常に似ている。
【００６６】
具体例IIに記載した方法により、０．５重量％のスチレン、０．５重量％の１−オクテン、および９９重量％のトルエンを含有する液体供給流を用いて水素添加活性について試験した場合、以下の表５に述べた性能データが作成された。実施した各水素添加運転に関して、℃で表した触媒床の頂部と底部で測定した温度、ｃｍ／ｓで表した反応器を通る液状反応体流の計算した平均線速度ＶL、ｐｓｉｇで表した運転を行った反応器圧、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、スチレンと１−オクテンのそれぞれ水素添加されたエチルベンゼン（ＥＢ）およびｎ−オクタン生成物への転化率パーセント、および転化率および反応器を通る供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）から計算した触媒の測定した１−オクテン転化活性が、表５に含まれている。
【表５】
2004526032.tif 000010
【００６７】
表５データは、この触媒において、０．２１ｃｍ／ｓほど低い通液線速度で、スチレンおよび１−オクテンの両方について、９０％を超えたワンパス転化率を達成できることを示している。観察された他の効果には、０．８３ｃｍ／ｓの液体線速度で供給流のＨ2／油比が増加するにつれ、オレフィン転化率がやや減少するが、４．１７ｃｍ／ｓでのより高いＨ2／油比ではオレフィン転化率は増加することがある。
【００６８】
この触媒構造体の性能は、同様の液体線速度（それぞれ、０．４２ｃｍ／ｓおよび０．４７ｃｍ／ｓ）および同様のＨ2／油比（５０ＮＬ／Ｌ）で比較した場合、具体例IIの理想化された充填ペレット床の性能よりも優れた明らかな利点を示す。これらの流速は、市販のペレット床反応器において用いられる流動と異なっていないが、それでも、この具体例Ｖの触媒構造体の水素添加活性（０．０４１  １／ｓ）は、充填ペレット床反応器に見られる０．００９１  １／ｓの活性レベルの４倍以上大きい。ここでも、この活性の利点は、触媒構造体反応器において維持される基体／液体触媒接触がより効率的であることに起因し得る。
【００６９】
具体例VI  芳香族の飽和  −  嵩のある触媒壁を持つ触媒構造体
通路壁の厚さが１．０ｍｍに増大し、通路形状が円形の通路断面に変化したことを除いて、具体例Ｖの基体と同じ形状を持つガンマアルミナハニカム基体を、具体例IIIの方法にしたがって酸化ニッケル触媒に含浸した。このように提供した触媒モノリスは、７．３５重量％のＮｉＯ触媒添加量および１７５ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有した。
【００７０】
この触媒は、具体例IIIの方法により作製し、水素添加活性について試験したが、この場合、試験した活性は、芳香族化合物のトルエンの環状炭化水素のメチルシクロヘキサンへの転化率についてであった。活性試験には、様々な異なる反応条件下で多数の炭化水素混合物の水素添加が含まれ、各々の炭化水素混合物は、選択した比率のトルエン反応体を中にブレンドしたメチルシクロヘキサン基質を有してなるものであった。これらのブレンドを混合し、水素ガス供給流と共に予熱し、気体／液体混合物を、鋼製供給管を通して触媒モノリスに供給した。
【００７１】
これらの試験結果が以下の表６に報告されている。実施した各水素添加運転に関して、℃で表した触媒床の頂部と底部で測定した温度、ｃｍ／ｓで表した反応器を通る液状反応体流の計算した平均線速度ＶL、ｐｓｉｇで表した運転を行った反応器圧、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、トルエン−メチルシクロヘキサン供給流の重量パーセントとしての供給流トルエン濃度、反応器を一回通ったときのトルエンのメチルシクロヘキサンへの転化率パーセント、および一次反応速度論の前提に基づいた、トルエン転化率パーセントおよび反応器を通る供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）から計算した触媒の見掛けのトルエン転化活性が、表６に含まれている。
【表６】
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【００７２】
表６のデータが示すように、一定の反応条件下では、トルエンの転化率の程度が、供給流中のトルエンの含有量と共に減少し、ＶLが上昇するにつれ（すなわち、触媒と供給量の接触時間が減少する）減少する。それにもかかわらず、１．５９ｃｍ／ｓのＶLで、試験した全てのトルエン濃度レベルにおいて７３％を超えるメチルシクロヘキサンへの転化率が達成された。転化率におけるある程度の変動は、圧力変化およびＨ2／油比における変化からのものであると観察された。転化率は、ほとんどの濃度で、試験範囲の高い温度や低い温度よりむしろ、中間で最大となるようであった。一般に、トルエン水素添加活性は、反応タイプの根本的な差のために、１−オクテン水素添加活性よりもずっと低いことが分かっているが、適切な温度と流速で高いワンパス転化率を達成する触媒の能力は明白である。
【００７３】
この具体例のＮｉＯ／アルミナ触媒構造体（ハニカムモノリス）の水素添加活性と、トリックル・ベッド反応器中に充填された粒子形態の同じ触媒との間で比較した。この比較のために、この具体例のＮｉＯ／アルミナハニカムを粉砕し、篩にかけて、８０〜２００メッシュの触媒粒子を作製し、次いで、この粒子を１時間に亘り４００℃のオーブン中でか焼して、残留炭化水素を除去した。次いで、か焼した触媒１．５ｃｃを、具体例Ｉに記載したようにＳｉＣ粉末希釈物およびＳｉＣ端部栓を用いて、内径２ｃｍの管状反応器中に充填した。
【００７４】
この反応器の水素添加活性を、液相がメチルシクロヘキサン基質中に４．２重量％のトルエンを有してなる気体／液体供給流を用いて試験した。この試験は、９５ｈ-1の液空間速度、５０ＮＬ／Ｌの供給流Ｈ2／油比、およびゲージ圧で２２０ｐｓｉ（約１．５４ＭＰａ）の反応器圧で、ある温度範囲に亘り行った。次いで、この試験結果を同じ反応器の動作条件下でこの具体例の触媒構造体を用いて得られた結果と比較した。
【００７５】
この比較結果が図４に示されている。このグラフは、ある作動温度範囲に亘る反応器の作動温度に対する転化効率のプロットである。転化効率は、供給流中のトルエンのメチルシクロヘキサンへの転化率パーセントでプロットされている。図４の検討から分かるように、触媒構造体の転化活性は、１８０年未満の全ての反応器の温度で粉砕触媒の活性を著しく超えている。トリックル・ベッド反応器の活性が匹敵するようになるのは、この地点を超えた温度でのみである。
【００７６】
具体例VII  芳香族飽和  −  嵩のある触媒壁を持つ触媒構造体（２００ｃｐｓｉ）
具体例VIのモジュールに似ているが、２００ｃｐｓｉ（約３２通路毎平方センチメートル）のセル密度、０．７１ｍｍの通路の壁厚および１ｍｍの通路の直径を持つ触媒構造体モジュールを試験のために調製した。具体例IVの触媒調製方法にしたがった。この触媒モノリスは、９．３重量％のＮｉＯの触媒添加量および２１４ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有するものであった。
【００７７】
この触媒構造体を、具体例IIIに記載した試験方法およびメチルシクロヘキサン基質中に４．５重量％のトルエンを有してなるトルエン−メチルシクロヘキサン液体供給流を用いて、水素添加活性について試験した。この試験により得られた結果が以下の表７に報告されている。実施した各水素添加運転に関して、℃で表した触媒床の頂部と底部で測定した温度、ｃｍ／ｓで表した反応器を通る液状反応体流の計算した平均線速度ＶL、ｐｓｉｇで表した運転を行った反応器圧、Ｈ2／油比（炭化水素液体のリットル［Ｌ］に対する標準温度および圧力での水素ガスのリットル［ＮＬ］）、反応器を一回通ったときのトルエンのメチルシクロヘキサンへの転化率パーセント、およびトルエン転化率パーセントおよび反応器を通る供給流の液空間速度（ＬＨＳＶ）から計算した触媒の見掛けのトルエン転化活性が、表７に含まれている。
【表７】
2004526032.tif 000012
【００７８】
この具体例VIIの触媒および具体例VIの触媒により示された活性の比較により、反応器の動作条件に依存して、より高いセル密度およびより小さな通路サイズを持つ触媒モノリスを使用することにより、約２から約１０倍の水素添加活性の改善が実現できることを示唆している。
【００７９】
もちろん、上述した記載および具体例は、単に本発明の説明目的であり、これまで記載した組成、プロセスおよび装置に変更を行うことは、添付した特許請求の範囲内で当業者が実施できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明に使用するのに適した反応器設計および触媒形状を示す
【図２】従来技術による供給流の流れモードを示す
【図３】本発明による触媒構造体を通る供給流の流れモードを示す
【図４】本発明による触媒構造体反応器および充填床反応器の効率を比較するグラフ
【符号の説明】
【００８１】
１０    反応器
１２    ハニカムモノリス触媒
１４    気液供給混合物
１６    生成混合物
１８    モノリス通路
２０    水素ガス流
２２    液滴
２６    触媒ペレット
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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