(57)【要約】処理ツール（１）内の処理パラメータの少なくとも１つの板状の物体（２０）、例えば、半導体デバイスまたは半導体ウエハ、あるいは平面ディスプレイが、少なくとも１組の処理デバイス（２ａ，２ｂ）のうちのどちらの処理デバイス（２ａ）が先行工程において半導体デバイス（２０）のために用いられたかに依存して調整される。これは、半導体デバイス（２０）識別を処理デバイス（２ａ，２ｂ）識別に接続する仮想のトークンまたは実際のトークン（１０ａ）を発生させることによって提供される。これが、１つのデバイスの前の処理におけるツールに依存する効果を補償することを可能にする。補償の量は、処理工程に対して一連の計測工程が調整されること依存して、結果を処理ツール（１）へフィードバックするか、またはフィードフォーワードする計測ツールを用いて検出され、評価される。半導体デバイスの歩留まりは有利に増加される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ツール（１）内の少なくとも１つの板状の物体（２０）の処理パラメータを調整するための方法であって、該板状の物体（２０）が、少なくとも１組の処理デバイス（２ａ、２ｂ）のうちの１つの処理デバイス（２ａ）によってそれぞれ実行される少なくとも１つの先行過程を経て、該処理ツール（１）内の該調整が制御ユニット（３）によって制御される、方法は、
板状の物体（２０）を該処理デバイス（２ａ）に提供する工程と、
該板状の物体（２０）を処理する工程と、
先行処理工程で用いられた処理デバイス（２ａ）の処理パラメータオフセットを表す、該板状の物体（２０）に関連付けられたトークン（１０ａ）を生成する工程と、
該トークン（２ａ）を該制御ユニット（５）へ移行する工程と、
該少なくとも１つの板状の物体（２０）を計測ツール（３）へ移行する工程と、
少なくとも１つの臨界寸法測定またはオーバーレイ測定を実行する工程と、
該測定の計測結果を制御ユニット（５）へフィードフォーワードする工程と、
該板状の物体（２０）を該処理ツール（１）へ移行する工程と、
該計測測定結果および該トークン（１０ａ）に応答して、該処理パラメータの新しい値のセットを計算する工程と、
該処理パラメータの該新しい値のセットを用いて、該処理ツール（１）を調整する工程と、
該調整された処理パラメータを用いて、該処理ツール（１）内の該板状の物体（２０）上で処理工程を実行する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
第１のトークン（１０ａ）に関連付けられた第１の板状の物体（２０）が、処理パラメータの第１の値のセットを用いて調整され、第２のトークン（１０ｂ）に関連付けられた第２の板状の物体（２０’）が処理パラメータの第１の値のセットを用いて調整され、該第２の値のセットが第１の値のセットとは異なることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理デバイス（２０）が半導体ウエハであり、前記処理ツール（１）がリソグラフィツールであり、先行処理工程が以下の工程、
化学機械研磨、
エッチング、
化学蒸着法、
拡散、
湿式処理法、
薄膜沈着、
のうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１または２のうちのいずれか１つに記載の方法。
【請求項４】
ファジー論理の規則の使用によって実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記計算がニューロンネットワークの使用によって実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記制御ユニット（５）が、
新しい１組の調整された処理パラメータを、それぞれの板状の物体（２０）用の少なくとも個々の板状の物体識別、処理デバイス番号および１組の処理パラメータの調整された値を含むデータベースの項目として蓄積する、
前記計算を該データベール内に蓄積された情報から実行する、
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
処理デバイス（２ａ）内で先行して処理された半導体ウエハのために調整される前記処理パラメータが、照射線量、アライメント設定またはリソグラフィツール（１）の焦点チャネルのうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項３〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記板状の物体（２０）の表面層の上に構成されたパターンが、０．２５μｍ未満の最低解像度幅を有することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記処理デバイス（２ａ、２ｂ）が、処理ツール、または処理ツールの処理チャンバ、または処理ツール内の板状の物体（２０）を維持するための処理ヘッドのうちのいずれか１つである、請求項１〜８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理ツール内の少なくとも１つの板状の物体の処理パラメータを調整するための方法に関する。この板状の物体は、少なくとも１つの先行処理工程が、少なくとも１組の処理デバイスのうちの１つの処理デバイスによってそれぞれ実行されることを経て、処理ツール内の調整が、制御ユニットによって制御される。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスまたは平面ディスプレイなどの製造において、最小構造サイズは、集積デバイス内のパターンおよび構造の高密度を達成するために、縮小され続けることが望まれる。
【０００３】
現在、そのようなパターンを構成するためのリソグラフィは、最小構造サイズが０．２５μｍ以下の技術まで進展する場合、より一層困難になる。臨界寸法、オーバーレイまたはアライメントなどに関する厳しい条件が、満たされる必要がある。
【０００４】
最小構造サイズの制限は、半導体デバイスの一連の製造工程のリソグラフィの部分から容易に検討され、得られ得るが、そのような困難な制限はまた、他の半導体デバイス処理工程、特にリソグラフィ工程を先行する工程から推測され得る。例えば、半導体ウエハの場合、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程は、アライメントマークの不明瞭さ、または傾いて、ひずんだ（すなわちずれた）アライメントプロフィールを生成することのどちらかによって、アライメントマークの構造に影響を与えることは公知である。それゆえ、研磨効果は、次のレジスト層を露光する前に、アライメント工程に直接的に影響を与える。
【０００５】
そのようにして、先行する処理は現工程の調整のためにより一層重要になり、方法は、半導体デバイスの作製の歩留まりを統計的に増加するように進展してきた。ロットに組み込まれた半導体ウエハを製造する実施例について図１に示されてあるように、半導体ウエハは処理ツール、すなわちこの実施例のリソグラフィツールに提供されて、そしてアライメントずれおよびアライメントスケール、照射線量または焦点チャネルのような１組の処理パラメータを用いて露光および処理される。この処理の結果は、リソグラフィツールまたは制御ユニットのそれぞれに処理品質のフィードバックを提供するオーバーレイツールにおいて制御される。計測結果がいくつかの仕様を損なっている場合、リソグラフィが新しいテストウエハを用いて新たに行われる。これを達成するには、オーバーレイ、臨界寸法などのような計測パラメータは、例えば露光パラメータ調整の点において、制御ユニットによって再計算されるか、または再解釈される。テストウエハ上で実行される調整は、それから上記のオーバーレイツールを用いてもう一度成功するように検証される。このフィードバックサイクルを用いて、生産ウエハは、さらに処理されるために計測測定に最終的には合格する。
【０００６】
測定結果および処理パラメータ設定は、ウエハの最高の歩留まりを提供する最適なパラメータ設定の算出を提供するために、典型的にデータベース内に蓄積される。
【０００７】
この方法は、閉鎖ループ制御回路を提供するが、残念ながらいくつかの不利な点をともなう。生産ウエハを取り出すために多数のテストウエハを処理することによって時間が費やされ、リソグラフィツールの容量は低減され、テストウエハの材料は非生産的に消費され、ウエハを生産するための時間が延長される。特に、ロット内のウエハのオーバーレイ測定データのばらつきは、統計的にまだ相当減少された歩留まりをもたらす。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
したがって、本発明の第１の目的は、例えば、半導体デバイスまたは平面ディスプレイなどのような板状の物体を再加工する量を低減し、その結果、品質を向上させ、かつ板状の物体を生成する時間および費用を節約する。
【０００９】
目的は、処理ツール内の少なくとも１つの板状の物体の処理パラメータを調整するための方法によって解決された。この板状の物体は、少なくとも１組の処理デバイスのうちの１つの処理デバイスによってそれぞれ実行される少なくとも１つの先行処理工程を経て、上記の処理ツール内での調整は、制御ユニットによって制御される。この方法は、処理デバイスに板状の物体を提供する工程と、板状の物体を処理し、上記の板状の物体に関連付けられたトークンを生成する工程と、先行処理工程に用いられた処理デバイスを示す工程と、トークンを制御ユニットへ転送する工程と、処理デバイスがトークンに関連付けられることに依存して制御ユニットを用いて処理ツールの処理パラメータを調整する工程と、調整された処理パラメータを用いて処理ツール内で板状の物体に処理工程を実行する工程とを含む。
【００１０】
本明細書中で用いられる板状の物体という用語は、臨界変数（すなわち、処理パラメータ）を含む一連の処理工程においてデバイスの表面上で構造を受け取る基板を含むデバイス、特に半導体ウエハ、マスクまたはレチクル、あるいはコンパクトディスクまたはフラットパネルディスプレイをいう。本発明の以下の記載は、半導体デバイスの場合に集中するが、上記に記載されたような他の板状の物体の実施形態にもまた有効である。
【００１１】
処理ツールという用語は、本発明の方法に従って処理パラメータが調整される製造装置または製造構成をいう。処理デバイスは、板状の物体を製造するための一連の工程において先行工程を実行した装置または構成をいう。工程は、板状の物体上か、または物体内の物理的または化学的特徴を変化させる、板状の物体に適用される物理的または化学的工程として定義される。
【００１２】
オーバーレイ、臨界寸法、層の厚さおよび他の計測データにおける、あまり適切に選択されなかった例えばリソグラフィツールまたは他の処理ツールにおいて処理パラメータから生じる統計的なばらつきは、現在検討中の処理ツールの前に先行処理工程を実行する類似した処理デバイスのグループ内でのばらつきに原因の１つを有する。これらのデバイス内の異なる処理条件は概して、処理デバイス供給者ごとに変化し、同じタイプの処理デバイスのグループにおいてさえ変化する。
【００１３】
例えば、処理デバイス間のばらつきは、処理デバイスの作成またはシステム管理設定の時点から最もおそらく推測される条件に依存するので、これらのばらつきは、しばらくの間一定であるパラメータのオフセットによって反映される。
【００１４】
本発明の方法に記載の半導体デバイス、例えば、現在検討中の工程に先行する同じタスクを実行する１組の処理デバイスの上に一般的に配置される半導体ウエハは、それぞれトークンが供給されている。トークンは、ウエハ識別および処理工程中に用いられた処理デバイスである少なくとも１対のデータからなる。ウエハ識別は、処理デバイスが先行工程において用いられた現在検討中の処理工程のための情報を再度得るために必要である。典型的には、識別は実際に半導体デバイスまたはウエハ表面の上に印されない。むしろ、生産設備の中を通ってデバイスを輸送するように用いられるデバイスキャリヤーの名前およびスロット番号が、個々のウエハの再識別を可能にする。したがって、本発明の方法において検討されるトークンは、生産設備全体にわたるＣＩＭシステムを介して処理ツールまたはデバイスのローカルホスト間で交換されるデータ信号として好ましくは具体化される。
【００１５】
別の可能性は、デバイスキャリヤーボックスを用いてトークンに入れる対応の情報を供給することである。この情報は、現在検討中の処理ツールにおいて局所的に読み出され得る。
【００１６】
用いられる処理ツールに従って、先行工程において半導体デバイス処理を再編成または再整列することは可能である。デバイスキャリア内の対応するデバイスのスロット番号によって、どの処理デバイスが、上記スロット内の対応する半導体デバイスまたは半導体ウエハを処理するアクティブであったかが知られる。この場合、スロット番号により、ウエハ識別され、かつ対応するトークンが生成され得る。
【００１７】
本発明の主な利点は、対応する処理ツールの調査中の処理パラメータは、現処理工程を実行するために用いられる半導体デバイスの特徴に影響を及ぼすように上記の処理デバイスの個々のばらつきを補償するために調整され得る。先行工程における半導体ウエハの化学機械研磨の例において、トークンが先行するＣＭＰ工程の処理デバイスの識別を得るように分析される半導体ウエハの識別によって、ＣＭＰ装置のうちの１つにおいて一定してオフセットされるアライメントマーク、および現在のリソグラフィ処理ツールを制御する制御ユニットは、ＣＭＰ装置の一定のオフセットが公知の場合、対応するアライメントパラメータの保証調整を適用し得る。
【００１８】
好ましくは、これらのデータは、制御ユニットに接続されたデータベース内に蓄積される。この調整は、半導体ウエハまたは平面ディスプレイのような他のデバイスのサンプルの計測測定の統計的なばらつきの減少へと有利に導く。さらに、これらのばらつき効果は補償され得るので、エラーまたはオフセットをなくすための例えばＣＭＰ装置のシステム管理は、これで不必要になる。
【００１９】
したがって、半導体デバイスの処理の歩留まりは、有利に増加され、テストウエハ処理の廃棄物は、効果的に減少され得る。
【００２０】
シングルウエハトラッキングまたはシングルデバイストラッキングにおいてそれぞれ、それぞれのウエハはウエハ自体のトークンを用いて処理される。それぞれのトークンは現在のウエハのための先行工程において用いられる異なった処理を反映し得るので、処理ツール、例えばリソグラフィツールは、ウエハごとに異なる処理パラメータの調整を有し得る。トークンが自動的に転送され得、制御ユニットがトークンを即座に分析し得るので、個々のウエハまたは他の半導体デバイス用の処理ツール調整を制御するために操作者の負担は必要でない。
【００２１】
さらなる局面においては、先行工程の処理デバイスは、化学機械研磨（ＣＭＰ）、エッチングまたは化学蒸着法（ＣＶＤ）の少なくとも１つと考えられる。
【００２２】
また、半導体デバイスがウエハである場合、処理ツールは、リソグラフィツールに制限される必要がない。例えば、処理ツールはエッチングツールであってもよいが、エッチングを準備する先行工程はリソグラフィクラスタなどにおいて実行される開発工程である。
【００２３】
２つのさらなる局面は、品質測定結果を、トークンのために、どのように半導体デバイス用の処理パラメータを公知の先行処理デバイスを用いて調整するかを知る必要がある制御ユニットへ送ることの異なるメカニズムを検討する。両方の局面において、品質測定は、計測ツールによって取られる。第１の局面において、処理デバイス内の先行処理工程の後、しかし処理ツール、例えば開発工程に先行するエッチングツールによって実行されることが検討されている現処理工程の前に、対応する計測工程は実行される。個々の処理デバイスパラメータオフセットは、計測ツールによって認識され得、対応する半導体デバイスまたは半導体ウエハの結果は、制御ユニットへとフィードフォーワードされ得る。制御ユニットは、ウエハのトークンを受け取り、用いられている処理デバイスを識別し、測定結果をターゲットと比較する。この比較はそれから、ウエハ用の新しい処理パラメータ調整へと変換される。
【００２４】
制御ユニットはまた、現在のウエハのデータと同じ処理デバイス上で最近処理されたウエハのデータを得る。そのような方法は、補償調整を確立するための統計的基礎を増加する。
【００２５】
第１の局面において、ウエハの品質測定は同じウエハの処理パラメータを調整するために直接的に用いられたが、第２の局面は、これが可能でない状況を考慮する。ウエハが処理された後に計測ツールが測定を実行する場合、測定結果は処理ツール、例えばＣＭＰ工程を経るリソグラフィツールの制御ユニットへとフィードバックされる。この局面に従う必須事項はそれゆえ、どの補償が調整用のどの処理パラメータのために必要であるかという知識が、制御ユニットによって事前に築き上げられなければならないことである。これは、計測結果のフィードバックメカニズムによって提供される。現在の半導体またはウエハと同じ先行処理デバイスを経た次の半導体デバイス、例えばウエハは、現在または先行それぞれのウエハ測定結果からの入力によって本質的に調整される。前記の局面にあるように、先行する半導体デバイスのみからのデータまたは累積されたデータは、全てが同じ先行する処理デバイスを経験したウエハの処理パラメータを調整するために用いられ得る。
【００２６】
さらなる局面において、制御ユニットは、計測測定結果と半導体ウエハのトークンを合成して処理パラメータを調整するために、新しい値のセットを計算すると考えられる。好ましい実施形態において、データベースマトリクスは、それぞれの処理デバイスについて品質測定結果が通知され、規則または公式の１システムを設定することによって測定結果から、処理パラメータ調整または補償への変換が計算され得るように設定される。それぞれの新しい半導体デバイスの品質測定は、フィードフォワード方法またはフィードバック方法の両方の局面のために、このデータマトリックスに与えられる。
【００２７】
１つの局面によると、単純なファジー論理規則はシステムを維持し、できるだけ計算を行い、日毎の規則の改善を可能にするように設定される。例えば実質的に１つの処理パラメータが１つの実質１つの計測パラメータ、すなわち測定パラメータに関連付けられている場合、技術者は最も最新の結果または発見に従ってその関係を適応し得る。
【００２８】
他方の局面においては、測定結果と処理パラメータとの間のより高度な関係は、ニューラルなネットワークを確立することによって設けられ得る。制御ユニットは、そのとき、それぞれの新しい品質測定入力を用いて改善された本質的に自己学習するシステムを含む。
【００２９】
データベースまたはデータベースマトリックスは、少なくとも個々の半導体デバイス識別、処理デバイス番号、および１組の処理パラメータの調整された値、あるいは測定結果の情報を、調整された値に変換される前に必要とする。さらなる局面においては、半導体デバイス、特に半導体ウエハは、最小フィーチャーサイズが０．１４μｍ以下で構成されると考えられる。これらの製品にとって、計測ツールにおいて測定される統計的なばらつきは、特に重要となった。それゆえ、本発明の方法は、特にこれらの製品を製造する場合の歩留まりを改善する。
【００３０】
さらなる局面において、先行工程において用いられる処理デバイスは、例えば、ＣＭＰ装置、リソグラフィツールなどの処理ツールになると考えられるか、あるいは、チャンバ毎のばらつきが発明者らによって観測されたので、１つ以上の処理ツールの処理チャンバ、または、ＣＭＰヘッド、エッチングウエハチャック、ホットプレートまたはクールプレート、コーターチャックなどの処理ツールにおける半導体デバイスを操作するための処理ヘッドになると考えられる。後者のデバイスにとってもまた、異なる計測パラメータ結果を生じさせるヘッドごとのばらつきが観察され、本発明に従ってそれぞれのウエハの処理パラメータを個々に調整することによって有利に補償され得る。
【００３１】
さらなる局面および利点は、従属請求項から明らかである。
【００３２】
本発明は、以下の本発明の実施形態の記載を添付の図面とともに参照することによってより理解される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
従来技術の実施例としてのリソグラフィツールの処理パラメータを調整する方法は、図１に示されている。半導体ウエハを製造するための一連の処理工程の一部は、概略的にＣＭＰ装置２ａ、２ｂのグループを含み、その後にリソグラフィックツール１が続き、その後にはオーバーレイツール３が続く。リソグラフィックツール１は、データベース６に取り付けられた制御ユニット５によって制御されている。
【００３４】
多数の半導体ウエハ２０は、加工するためのＣＭＰ装置２ａ、２ｂへ入れられる。多数のウエハは、半導体ウエハキャリヤーへ組み込まれる。半導体ウエハ２０は研磨された後、デバイスキャリヤー内に戻され、リソグラフィックツール１へと送られる。制御ユニット５は前に処理されたウエハロットからデータベース６に蓄積されるリソグラフィのパラメータの照射線量、焦点チャネルおよびアライメントパラメータをどのように調整するかという情報を得る。暗黙的に、制御ユニットは、生産設備内にあってアクティブに処理している全てのＣＭＰ装置平均オフセットを補償する。
【００３５】
リソグラフィ工程を遂行した後、ウエハは、臨界寸法およびオーバーレイ測定を実行するオーバーレイツール３へと移行される。ウエハ２０が計測検査を合格する場合、ウエハはさらなる処理のために先に移動される。ウエハ２０が仕様範囲内にない場合、ウエハはリソグラフィツール１内の再加工へ移動される。いずれの場合における対応する測定結果は、調整を決定するデータベースを改善するために、制御ユニットへ送られる。
【００３６】
処理ツパラメータの妥当な推測を試すために、テストウエハ２１が付け加えられ、リソグラフィツール１内でまず処理される。それから、処理パラメータの推測の正確さを確認するために、オーバーレイツール３においてテストウエハは検査される。最終的には、成功したその推測およびウエハ２０全体のロットは、前に用いられたＣＭＰ装置に関わらず、これらのパラメータを用いて処理される。おそらく、いくつかのウエハ２０はまだ、オーバーレイ制御を不合格になる。現在の１組の処理パラメータの成功は、制御ユニット５に通知される。
【００３７】
本発明の方法に記載の計測測定をフィードバックする局面を明らかにする第１の実施形態は、図２に示される。図１と同じ処理工程および処理デバイスの順序が表示される。
【００３８】
ＣＭＰ装置２ａ、２ｂ内で処理された後、ロットの半導体ウエハ２０は、生産設備全体にわたるＣＩＭシステムによって発生され、実行されるトークン１０ａ、１０ｂのそれぞれに関連付けられる。トークンは、ロット番号、ウエハキャリヤー内のスロット番号、および処理デバイス番号を含むデータ列である。ウエハ２０が場合により降ろされ、新しいキャリヤーに載せるされる場合、ウエハ用の可能な新しいスロット番号はトラッキングされ、トークンは更新される。トークンはそれから、リソグラフィツール１の制御ユニット５へわたされる。リソグラフィパラメータ調整の点において、どちらの処理デバイス２ａ、２ｂがウエハ２０を研磨するために用いられたかに依存して、どの補償がウエハ２０のために必要であるかという情報、すなわちデータベースマトリクスを含むデータベース６は、制御ユニット５に対して利用可能にされる。
【００３９】
最終的には、ウエハ２０は実質的にリソグラフィツール１へ導入され、ウエハ２０をキャリヤーから降ろすことによって、制御ユニットはウエハ識別、すなわちロット番号およびスロットを取り出す。制御ユニット５は、データベーステーブルにまた蓄積されている対応するトークンを評価し、その結果、このウエハによって用いられるＣＭＰ装置を取り出す。制御ユニット５はそれから、個々のＣＭＰツールのオフセットまたはＣＭＰツールのばらつきを補償するために、アライメント、照射線量および焦点チャネルのリソグラフィツールパラメータ設定を調整する。
【００４０】
リソグラフィ工程の後、半導体ウエハ２０は、オーバーレイおよび臨界寸法測定を実行するオーバーレイツール３へと移行される。補償改善により、再加工は大きく減少され、予期されない出来事に貢献される。これらは、制御ユニット５およびデータベースノードに連絡される。これは、結果の技術解析を要するさらなる訂正、または動作または処置を必要とする技術者に送られる動作通知を生じ得る。
【００４１】
図２によると、オーバーレイ測定は、成功すると考えられ、計測測定結果は、データベース６に蓄積されるように制御ユニット５にフィードバックされる。そこで、ニューロンネットワークの助けで、適切な関係が形成され、補償調整と計測測定結果との間で改善される。この関係は、トークン１０ａ、１０ｂが活動状態のままであって、またオーバーレイツール３に知られていたので、確立され得る。新しく計算されたＣＭＰ装置依存性露光パラメータ設定は、それからリソグラフィツール１内の入力として次のウエハロット用に用いられる。
【００４２】
本発明の方法によるフィードフォワードメカニズムを明らかにする別の実施形態は、図３に示される。半導体ウエハ２０は、ＣＶＤツール２ａ，２ｂ内の蒸着プロセスに導入される。この順序には、楕円偏光計３内の厚さ測定工程、および、他のリソグラフィ工程の中では、照射ツールおよびフォトレジストトラックの組み合わせであるリソグラフィクラスタ２ａ’、２ｂ’における開発工程が後に続く。この工程には、オーバーレイツール３内の計測工程が後に続く。エッチング工程において、処理ツール１の処理パラメータ、すなわちエッチングツールは、ＣＶＤツールごとおよびデベロッパカップ（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ  ｃｕｐ）ごとのばらつきを補償するように、それぞれのウエハ用に調整される。
【００４３】
ロットはＣＶＤツール２ａ，２ｂのグループに分けられ、それぞれのウエハには製造設備全体にわたるＣＩＭシステムによって発生されたトークン１０ａ，１０ｂが供給される。
【００４４】
厚さ測定結果は、楕円偏光計３によって実行され、制御ユニット５へとフィードフォーワードされ、それぞれの結果はウエハ識別に接続される。制御ユニット５は、結果をデータベースマトリクス６に蓄積する。
【００４５】
その間、半導体ウエハ２０は、並列して製造されるように分けられたリソグラフィクラスタ２ａ’、２ｂ’のグループに入った。
【００４６】
開発された後、リソグラフィクラスタ２ａ’、２ｂ’内のデベロッパカップのうちの１つにそれぞれ、リソグラフィクラスタに対応する処理デバイス番号、またはデベロッパカップが、増やされたトークン１０ａ’、１０ｂ’、１０ａ’’、１０ｂ’’を与えるように、第１のトークン１０ａ，１０ｂに付け加えられる。トークンはここで、ウエハ識別、ＣＶＤ装置番号およびデベロッパカップ番号を含む。上は識別は、キャリヤー番号のロット番号、および対応するウエハが存在するスロット番号からなる。
【００４７】
オーバーレイツール３における臨界面測定がそれから実行され、測定結果が制御ユニット５に提出される。最終的には、半導体ウエハ２０が、エッチングツール１に導入される。
【００４８】
データベース６はここで、以下の表を含む。
【００４９】
【表１】
2004524637.tif 000003
ここで使用されているＣＶＤチャンバは「Ａ」、「Ｂ」と名前が付けられていて、デベロッパカップは「１」、「２」と番号が付けられている。「Ｘ」と名前が付けられたエッチングツールが１つだけある。
【００５０】
ＣＶＤチャンバおよびデベロッパカップは、全てのデバイスのデフォルト値を与えるように実行される日々の点検を有する。実行するために必要な補償を反映するツールオフセット値は、
Ａ＝日々の厚さチェック＋５ｎｍ
Ｂ＝日々の厚さチェック−２ｎｍ
１＝日々のＣＤチェック＋９ｎｍ
２＝日々のＣＤチェック＋３ｎｍ
、である。
【００５１】
エッチングツール１内で決定され、調整される処理パラメータは、エッチングする時間である。規則は、Ｘ＝ｆ（ＣＶＤチャンバ，デベロッパカップ）を用いて設定されている。
【００５２】
関数ｆは、定期的にファジー論理によって改善される。エッチングツール１に導入されるそれぞれのウエハのために、ウエハ識別、すなわちスロット番号およびロット番号が、制御ユニット５によって読み出され、上記の表にあるデータベース項目が次いで、それぞれのウエハをエッチングする時間を個々に調整するエッチングする時間の公式と組合わせて用いられる。全ての品質測定結果が制御ユニット５へフィードフォーワードされるので、上記処理デバイス内の個々のウエハ効果でさえ、調整によって補償され得る。歩留まりは、有利に改善され、品質は向上される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、従来技術に従って、処理パラメータを調整するための方法を示す。
【図２】図２は、リソグラフィ装置内の処理パラメータを、計測の測定結果をフィードバックすることによって調整するための本発明の実施形態を示す。
【図３】図３は、エッチング装置の処理パラメータを、計測測定結果をするフィードフォーワードすることによって、調整するための本発明に記載の実施形態を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１  処理ツール、リソグラフィツール
２、２ａ，２ｂ  先行工程を実行する処理デバイス
３  計測ツール
５  制御ユニット
６  データベース
１０ａ，１０ｂ  トークン
２０  板状の物体、半導体デバイスまたは半導体ウエハ
２１  テストウエハ、板状のテスト物体
【図１】
2004524637.tif 000004
【国際公開パンフレット】
2004524637.tif 000005
2004524637.tif 000006
2004524637.tif 000007
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2004524637.tif 000012
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2004524637.tif 000014
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2004524637.tif 000018
2004524637.tif 000019
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2004524637.tif 000021
2004524637.tif 000022
2004524637.tif 000023
2004524637.tif 000024
2004524637.tif 000025
2004524637.tif 000026
2004524637.tif 000027
2004524637.tif 000028
【国際調査報告】
2004524637.tif 000029
2004524637.tif 000030
2004524637.tif 000031