(57)【要約】銅、タンタルおよび窒化タンタルの各表面の化学的機械的平坦化あるいはスピンエッチ平坦化が、本発明の化学配合品により成し遂げられる。この化学配合品は、化学的に反応性であっても不活性でもよい研磨粒子を、場合によっては含んでいてもよい。本発明の化学配合品で、接触あるいは非接触式ＣＭＰを実施することができる。ＣｕとＴａ／ＴａＮに対する、実質的に１：１の除去速度選択性が実現される。
2004524440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２Ｏ２、ＨＮＯ３およびこれらの混合物からなる群から選択される酸化性反応剤；および
ｂ）Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３、シュウ酸、酢酸、有機酸およびこれらの混合物からなる群から選択される共反応剤；および
ｃ）ＨＣｌ、脂肪族アルコール、ブチル化ヒドロキシトルエン、Ａｇｉｄｏｌ−２、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４［（ジメチルアミノ）メチル］フェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−４Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチルフェノール、ホウ砂、エチレングリコール、ＺｎＳＯ４、メタノール、プロパノール、ポリ（オキシエチレン）ラウリルエーテル、リンゴ酸、ＨＯＯＣ（ＣＸ２）ｎＣＯＯＨ（Ｘ＝ＯＨ、アミン、Ｈであり、ｎ＝１〜４）、３％酒石酸、１％エチレングリコール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、テトラゾール、非イオン性界面活性剤、エタノール、トリフルオロエタノール、ＳｉＦ６、有機塩界面活性剤、ポリビニルアルコール、ジフェニルスルファミン酸、シュウ酸ナトリウム、ベンゾトリアゾール、リグノスルホン酸ナトリウム、グリコール、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース、アミン、重金属塩、ＣｕおよびＴａの塩、ＫＣｌ、ＣｕＣｌ２、ＳｎＣｌ２、プロピレングリコール、２−エチル−ヘキシルアミン、炭酸銅、低分子量アルコール、グリコール、フェノール、脂肪族アルコール、ポリビニルアルコール、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、フルオロカーボン系界面活性剤、選択的に特定の材料に付着することにより、その付着箇所で化学反応性を改変する性質を有する非イオン性界面活性剤、ポリビニルアルコール溶液安定化剤および酸化剤の自発分解を防ぐ化学種、湿潤剤ならびにこれらの混合物からなる群から選択される他の添加剤
を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項２】
ＣｕＣｌ、ＦｅＣｌ、ＦｅＣｌ３、およびこれらの混合物からなる群から選択される化学種をさらに含む請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
ＮａＣｌＯ３、ＦｅＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、ＣｕＮＨ４Ｃｌ３、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、Ｋ２Ｓ２Ｏ５、ＮＨ４Ｆ、ＣｕＳＯ４、ＮＨ４ＯＨ、ＫＯＨ、Ｈ２Ｏ２、Ｃｕ（ＮＯ３）２、湿潤剤のＥＤＴＡのナトリウム塩およびこれらの混合物からなる群から選択される化学種を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項４】
ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２ＳＯ４、乳酸およびこれらの混合物からなる群から選択される化学種を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項５】
ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、およびこれらの混合物からなる群から選択される化学種を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項６】
水溶液中にＥＤＴＡ、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項７】
水溶液中にクエン酸、エリトルビン酸、トリエタノールアミンを含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項８】
水溶液中にクエン酸三ナトリウム、トリエタノールアミン、硝酸ナトリウムを含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項９】
水溶液中にＨ２ＳＯ４、Ｈ２Ｏ２、モリブデン塩、フェノールスルホン酸を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項１０】
鉱酸、モリブデン塩を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項１１】
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、金属および固体元素の粒子、ポリマー粒子、酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、ホウ化物、窒化物、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｎ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｙ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒの水酸化物、ならびにこれらの混合物からなる群から選択される研磨粒子をさらに含む、請求項１に記載のＣｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項１２】
前記の研磨粒子が被覆されている請求項１１に記載のエッチング液。
【請求項１３】
前記の被覆が化学的活性種である請求項１２に記載のエッチング液。
【請求項１４】
前記の被覆がＣｅＯ２である請求項１１に記載のエッチング液
【請求項１５】
前記の粒子がゾル法により製造される請求項１１に記載のエッチング液。
【請求項１６】
前記粒子の大きさが約４ナノメートルから約５マイクロメートルの範囲である請求項１１に記載のエッチング液。
【請求項１７】
前記粒子の大きさが約５マイクロメートルより小さい請求項１１に記載のエッチング液。
【請求項１８】
前記酸化性反応剤が、体積で約５０部から体積で約７０部の濃Ｈ３ＰＯ４水溶液、および体積で約２４部から体積で約４０部の濃酢酸水溶液、および体積で約３部から体積で約１０部の濃ＨＮＯ３水溶液を含む請求項１に記載のＣｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面平坦化のためのエッチング液。
【請求項１９】
体積で約１部から体積で約１５部の濃ＨＦ水溶液をさらに含む請求項１８に記載のエッチング液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．§１．５３（ｂ）に従って、１９９９年７月１９日に出願された出願番号０９／３５７，２６４の一部継続出願として出願され、また３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１２０および３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．§１．７８に従って、一般に開示された主題に関して、それによる優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、表面の化学的機械的平坦化方法、およびそれに特に適する化学組成物に関する。より詳細には、本発明は、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮの化学的機械的平坦化および非接触式（ｎｏｎ−ｃｏｎｔａｃｔ）化学的平坦化用に特に配合された組成物を含めて、集積回路の製造において典型的に見られる導体、バリアおよび誘電体表面の化学的機械的平坦化用組成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
性能を向上させコストを低減しようとする集積回路（ＩＣ）の製造には、材料の性質、加工技術およびＩＣの設計についての複雑な分析が含まれる。ＩＣは、ＩＣの望ましい電子回路機能を生み出すために様々な材料に注入された様々なドーパントを含めて、導電性金属チャネルおよびプラグ（「バイア」）により様々な方式で相互接続された導電、絶縁および半導体材料の複数の層からなる。集積回路の製造のほとんど一般的な傾向は、ウェーハの与えられた面積上に作製される素子密度を増大させること、ＩＣの性能および信頼性を上げること、また製造工程により発生する廃棄物をより減らし欠陥製品をより少なくしてより低コストでＩＣを製造することである。これらの目標により製造工程における幾何学的形態および寸法についての要求はより厳しくなる。特に、層への精密なパターンのエッチングは、層がパターン化工程の開始時には実現可能であるのと同様なほぼ平坦な平面であることにより、容易になる。フォトリソグラフィによる通常のパターン化の場合、平坦な表面では、エッチングを受ける表面上に入射光が集中するために、平坦ではない表面で可能と推定されるより、より精密に位置を定め、寸法を決めることができる。電子ビームあるいは他のエッチング手段でも通常、結論は同様である。すなわち、エッチングを受ける表面が平坦でないことにより、精密に位置を定め、精密に寸法が決められた、その表面のエッチングを難しくする。本発明の以下の説明は、ＩＣの製造において実施されている典型的なエッチング、研磨およびフォトリソグラフィ工程に焦点を合わせている。しかし、エッチングの分野の技術者は、平坦な表面を作り出すための本発明の技術は、フォトリソグラフィ以外の手段によるエッチングの精度を上げるのに応用できるであろうということを理解するように、これは例示のためであって限定のためではない。さらに、本発明は、ＩＣ製造分野に限定されず、平坦な表面を必要とする他の技術分野にも応用できる。
【０００４】
化学的機械的平坦化（「ＣＭＰ」）は、教科書（例えば、Ｐｅｔｅｒ  Ｖａｎ  Ｚａｎｔによる「マイクロチップの製造」（「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｉｒｉｃａｔｉｏｎ」、３ｒｄ  Ｅｄ．、１９９７）、ならびにＪ．Ｈ．Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ、Ｓ．Ｐ．ＭｕｒａｒｋａおよびＲ．Ｊ．Ｇｕｔｍａｎによる「マイクロエレクトロニクス材料の化学的機械的平坦化」（「Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」、１９９７））に記載され、また当技術分野において広く知られているように、非常に平坦な表面を得るために多層集積回路製造工程に成功裏に組み込まれてきた。「ＣＭＰ」は当技術分野で、「化学的機械的平坦化」だけでなく、「化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）」を表すためにもまた用いられるということに注意を要する。本明細書では、ＣＭＰは、区別せずにいずれかの意味で同じ意味合いで使用される。
【０００５】
典型的なＣＭＰ工程が図１に概略的に示されている。ＣＭＰ工程中、ウェーハ１は通常、回転キャリアの内側に保持され、回転パッド２に圧力６で押しつけられており、その間ウェーハとパッドの間には研磨性のスラリー５（典型的には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などのような研磨剤粒子を含む）が広がっている。スラリー５は通常、ウェーハ１の化学的エッチング薬剤を含み、材料を機械的に除去するだけでなく化学的にも取り除く。このように、典型的なＣＭＰの実施においては、材料の除去は化学的攻撃と機械的研磨の組合せにより成し遂げられる。
【０００６】
通常、研磨パッド自体が回転している（図１の４）と同時に、ウェーハ１は図１の３により示されるように回転させられるであろう。図１は同じ方向に回転している研磨パッドとウェーハを示している（例えば、図１のように上から見たとき時計方向に）。しかし、これは単に例示のためであって、ウェーハとパッドを反対方向に回転させることもまた実施されている。図１の３により示されているウェーハの回転に加えて、加えられている力６の方向に実質的に垂直な、研磨されている表面のなす面内でウェーハ１を往復運動させることもできる（この往復運動は図１には描かれていない）。
【０００７】
最近の文献により、研磨パッド、あるいは平坦化を受ける表面との機械的な接触を必要とせずに、純粋に化学的な手段により表面を平坦化できるということが示された（０９／３５６，４８７、本明細書に参照として取り込まれる）。参照された出願に記載されるように、適当なエッチング用化学品が、ウェーハ表面を平坦化するような条件および仕方で、回転しているウェーハに用いられる。０９／３５６，４８７に記載される技術は、一纏めにして「スピンエッチ平坦化（ｓｐｉｎ  ｅｔｃｈ  ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）」あるいはＳＥＰとして表記される。より通常のＣＭＰにおいてだけでなく、ＳＥＰ法においてＣｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面の平坦化に、本出願において与えられる化学品組成物を用いることができる。
【０００８】
ＩＣの速度と性能を上げるためには通常、ウェーハ上の素子密度を増大させること、およびＩＣがその望ましい機能を実行する速度を上げることが求められる。素子密度を増大させるためには通常、導電性チャネルとバイア（またはプラグ）の寸法を小さくすることが必要である。電流を運ぶ導体の断面積を小さくすると、同じ材料の導体の電気抵抗を増大させるということがよく知られている。したがって、ＩＣの素子の寸法を小さくすることにより、電気抵抗が大きくなり、性能が低下し、発熱が恐らく許容できなくなる。これは、ＩＣの開発者がＩＣの製造において使用するための、より電気抵抗の低い導電性材料を探している１つの理由である。現在のＩＣ技術では通常、導体としてタングステン（化学記号Ｗ）およびアルミニウム（Ａｌ）が使用されている。現在のデバイスではどちらも電気伝導性は適切であるが、将来の世代のＩＣデバイスでは、好ましくは、さらに伝導度が大きい材料が使用されるであろう。銅（Ｃｕ）は最も有望な候補である。
【０００９】
ウェーハ上のＩＣ素子密度を増大させることはまた、回路の電気容量を増大させる。すなわち、電荷を運ぶ回路素子を互いに近づけると、このような回路素子の間での容量結合（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が増加する。電気容量がより大きくなることは回路の性能にとって、特に通信への応用その他で典型的に見出されるであろうように比較的高周波数の作動で、有害である。しかし、結合回路素子を隔てる絶縁体または絶縁材料の誘電率を小さくすることにより、近接回路素子間の容量結合を減少させることができる。このように、より伝導度の大きい導体を探すこと以外に、誘電率がより低い（「Ｌｏｗ−ｋ」）絶縁体もまたＩＣの絶縁層として使用するために探されている。
【００１０】
現在の多層ＩＣ製造では通常、逐次的なそれぞれの回路のレベルで、タングステン（Ｗ）ＣＭＰ法が利用されている。通常、Ｗ、チタン（Ｔｉ）および窒化チタン（ＴｉＮ）のブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）膜が堆積される。次に、この膜は通常研摩されることにより材料が除去され、通常はＳｉＯ２誘電体層に埋め込まれる（例えば）Ｗのバイアまたは「プラグ」となる。このＷのプラグは、ＩＣの隣接する層の金属ライン間の導電性経路として機能する。通常、Ｗのバイアにより連結される金属ラインは、現在のＩＣでは、ＡｌおよびＣｕの合金からなるであろう。典型的な現在のＩＣデザインでは、ＴｉおよびＴｉＮ層がバリア層（製造中、成分の望ましくない拡散による相互混入を防ぐために）および接合層（それがなければ結合性に乏しい層の間の、結合性を良くするために、また剥離を避けるために）として用いられている。このようなバリアおよび接合層もまた、埋め込まれたＷのプラグを露出させるために、Ｗ−ＣＭＰの間に除去されなければならない。このようなＩＣにとってのＣＭＰでは、様々な層を等しく除去することにより、１回のＣＭＰステップで平坦化することが望ましい。市販のＷ用スラリーは、ＷとＴｉ／ＴｉＮ層の間の、理想的な１：１の除去速度選択性をほぼ実現することができる。このため、Ｗ−ＣＭＰの後、デバイス用ウェーハの表面は非常に平坦になる。したがって、ＩＣの製造において、導体と絶縁体の別の組合せが用いられる場合、ＣＭＰ用の適切な化学薬剤が使用され、また適切な平坦化法が用いられなければならない。このことは本発明の目的に含まれている。
【００１１】
Ｗバイア、Ａｌ−Ｃｕライン、およびＳｉＯ２誘電体層を使用することは、現在のＩＣでは全く成功しているが、将来のデバイスに望まれる回路の性能を得ることを妨げる固有の欠点をもつ。Ａｌ−Ｃｕ合金およびＷバイアは導電性であるが、Ｃｕより導電性が劣る。ＳｉＯ２誘電体層（優れた電気絶縁体であるが）の誘電率は比較的大きいので、容量効果は有害となる。（「Ｈｉｇｈ−ｋ」は通常、ほぼ３から９の範囲の誘電率を表す。）比較的抵抗が大きい金属と比較的誘電率が大きい絶縁体の組合せは、デバイスの線幅が将来のＩＣで約０．２５μｍ（すなわち、０．２５ミクロン）より小さくなるときには特に、回路の速度と信頼性を低下させる。
【００１２】
ＩＣの誘電体層に対するＬｏｗ−ｋ材料の様々な候補には、多孔度が大きい材料が含まれる。このような多孔材料の隙間の多い構造には、かなりの量の空隙が含まれる。したがって、材料の全体としての実効誘電率を求めると、より小さなｋ値が得られる。しかし、多孔材料の従来のＣＭＰでは、研磨性ＣＭＰ粒子が多孔性の構造に閉じ込められてしまう可能性があるために複雑である。ＩＣからこれらの閉じ込められた研磨粒子を取り除くための後の洗浄が、処理の複雑さおよびＩＣのコストを増大させている。本発明のいくつかの実施形態では、研磨粒子を含まないＣＭＰ溶液が記載される。したがって、多孔性誘電体材料に関連して使用されるとき、本発明のこれらのＣＭＰ液は、ＣＭＰ後、閉じ込められた研磨剤を除去するための洗浄を必要としないという利点をもたらす。
【００１３】
金属銅（Ｃｕ）は、ＷまたはＡｌ−Ｃｕ合金より抵抗が小さい。したがって、Ｃｕは将来の世代のＩＣで使用されるはずの配線金属として、普通に選択されるものになっている。さらに、Ｌｏｗ−ｋの誘電体材料（すなわち、誘電率ｋが約３．０より小さい材料）が、容量効果を低下させるために、Ｃｕの金属配線と共に使用されるであろうということが予見されている。しかし、これらの選択の双方が、高性能、低コストで信頼性のあるＩＣ製造に伴う難題をもたらす。Ｌｏｗ−ｋ誘電体は通常の誘電体に比べて機械的に弱いことが多く、ＣＭＰの応力で剥離する傾向があり、特に適切な材料除去速度を実現するために加えられる圧力である図１の６がかなり大きくなければならない場合にそうである。材料除去の適切な速度は、許容しうる時間内に平坦化を達成するために必要とされる。これらの難題に取り組むので、本発明は、銅の使用、Ｃｕの有害な拡散を避けるためのバリア層、および効果的なバリアおよび接合層の存在下での効果的なＣｕ−ＣＭＰ（あるいは、「スピンエッチ平坦化」もしくは「ＳＥＰ」としても知られる非接触式平坦化）用のスラリー組成物に焦点を合わせている。銅ダマシンあるいはデュアルダマシン製造工程における典型的なバリア層には、ＴａおよびＴａＮが含まれる。
【００１４】
性能を上げ製造コストを下げるために、将来のＩＣにおいて金属Ｃｕが、層内の導電性金属チャネル、および隣接する層を接続するバイアの製造において使用されるようであると予見されている。これは、「ダマシン」または「デュアルダマシン」製造手法を用いて成し遂げられそうである。ダマシン法は通常、パターン化された絶縁層または誘電体層の上部に、金属のブランケット層を堆積させて、パターン化された絶縁層にあるチャネルとバイアを埋めることにより始まる。必要であれば、金属を堆積させる前に、金属と誘電体の間の、バリアまたは接合層の堆積が先に実施される。トレンチおよびバイアの埋め込みは通常均一ではないので、金属は、凹型パターン（ｆｅａｔｕｒｅ）を埋め、また凹型パターン間の凸型領域（ｆｉｅｌｄ）も被覆するように堆積される。次に、この金属ブランケット被覆層は通常、ＣＭＰまたはエッチングにより除去されて、取り囲む誘電体の元々は凸型領域と理想的には同一平面にある表面をもつ、埋め込まれた金属チャネルおよびバイアを露出させる。凸型領域上のバリア層もまた通常、平坦化ステップにおいて除去される。デュアルダマシンは２ステップのダマシン法であり、バリア層および金属を堆積させる前に、通常１層より多い凹型パターン層を誘電体内に形成する。
【００１５】
次世代のＩＣに対する好ましい金属は銅であろうと予見されている。したがって、説明が具体的であるように、本発明の実施は、Ｔａ／ＴａＮバリア層の利用を含む銅ダマシンあるいはデュアルダマシン法に関連させて説明されるであろう。しかし、本発明は本来そのように限定されているわけではなく、当分野の技術者には他の実施形態が明らかであろう。
【００１６】
銅には伝導度がより大きいという利点があるが、今日までそれがＩＣに採用されるのを遅らせた、いくつかの厄介な問題を抱えている。それが非常に拡散性のある汚染物質であるという事実は、銅の不利な点に含まれる。すなわち、銅はＩＣの製造に通常使用される他の材料へ広範囲に容易に拡散し、拡散することにより電子回路の性能をひどく低下させる。ＩＣの製造に金属Ｃｕ配線を使用する際の、これらの付随して生じる欠点のいくつかに取り組み、解消し、あるいは改善することは、本発明の目的に含まれる。
【００１７】
その拡散速度が大きいことに加えて、銅と通常のエッチング薬剤との反応生成物は、不揮発性（あるいは不溶性）反応生成物となることが多い。したがって、通常のＣＭＰスラリーを用いる銅のエッチングは困難であった。反応生成物が揮発性でない、あるいは可溶性である、効果的な銅のエッチング薬剤（同時に適切な除去速度と選択性を保つ）のグループを確定することは、本発明の目的に含まれる。
【００１８】
タンタル（Ｔａ）および窒化タンタル（ＴａＮ）は、有害なＣｕの拡散を防ぐ有望なバリア層、あるいは「ライナメタル（ｌｉｎｅｒ  ｍｅｔａｌ）」」として認められてきた。ＣＭＰは現在最も有効でよく理解された平坦化技術であるため、それは、Ｃｕ、ＴａまたはＴａＮの平坦化を企てる理に適った当然の方法である。このようなＣｕ／Ｔａ／ＴａＮのＣＭＰには、ＣｕおよびＴａ／ＴａＮの除去速度が大きく、Ｃｕとライナメタルの間の除去選択性が１：１に近いスラリーが必要とされる。しかし、ＴａおよびＴａＮは機械的に硬く、それらはほとんどのエッチング用化学品と容易に反応しない。これらの理由で、Ｃｕとライナメタルの間で１：１の選択性が得られる適当な化学配合品をもったＣＭＰスラリーを得ることが困難であった。このため、現在Ｃｕ−ＣＭＰ用の市販スラリーは全くない。
【００１９】
典型的な実験用のＣｕスラリーは、通常酸性（低ｐＨ）溶液として、Ｈ２Ｏ２、様々な酸化剤、アルミナおよび／またはシルカ研磨剤、ならびに他の化学品成分からなる（Ｔｙｔｇａｔ他、４，９８１，５５３；５，０９８，５７１）。これらの配合は通常、Ｃｕの除去速度は良好であるが、高い研磨圧力が加えられた場合でさえ、Ｔａ／ＴａＮの除去速度は非常に遅くなることが多い。現在、Ｃｕ−ＣＭＰで用いられている一般的な２つの実験手法があり、いずれも欠点をもっている。１つの手法（Ｂｒｕｓｉｃ、「Ｃｕ／Ｔａ構造体のＣＭＰ研磨におけるＴａの注意深い除去手法」（Ａ  Ｃａｕｔｉｏｕｓ  Ａｐｐｒｏａｃｈ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｒｅｍｏｖａｌ  ｏｆ  Ｔａ  ｉｎ  ｔｈｅ  ＣＭＰ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｏｆ  Ｃｕ／Ｔａ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ））、１９３ｒｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｍｅｅｔｉｎｇ、Ｍａｙ  １９９８）では、Ｃｕ−ＣＭＰは、ＣｕおよびＴａ／ＴａＮを除去するための２ステップの研磨工程を用いることにより実施される。ＣｕとＴａ／ＴａＮ層は、２種の異なるスラリーを続けて用いることにより別々に除去される。この２ステップの手法は製造工程をかなり複雑にし、Ｃｕに適用されるＣＭＰ工程のコストを増加させる。Ｃｕ−ＣＭＰが１ステップであれば好ましいであろうが、それには、ＣｕとＴａ／ＴａＮに対する１：１の選択性をもつスラリーが必要とされるであろう。Ｔａ／ＴａＮ層の除去速度を増大させる１つの可能な方法は、研磨のための下向きの力を大幅に増加させることである。しかし、研磨のためのより大きな下向きの力は、それにより、機械的に弱く剥離することが多い下側にあるＬｏｗ−ｋの材料が損傷されるかもしれないので用いることができない。研磨のための大きな下向きの力を加えることなく、必要とされる１：１に近い選択性をもつスラリーを得ることは、本発明の目的に含まれる。
【００２０】
不活性なライナメタルと化学的に反応して適切な除去速度と選択性を実現するスラリー配合は、Ｃｕ−ＣＭＰにおける１つの改良であろう。選択性が１：１であり、研磨圧力が小さくて材料除去速度が大きいスラリーを用いる１ステップのＣｕ−ＣＭＰは非常に望ましい。しかし、大きな研磨圧力を必要としない２ステップＣＭＰスラリーは、１ステップのスラリーほど望ましくはないが、やはり現行技術の改良となるであろう。
【００２１】
本発明は、この特定の事例が、本発明が応用される主な分野であると期待されるので、ＩＣウェーハ上のＣｕ／Ｔａ／ＴａＮ用ＣＭＰスラリーという具体例に関して説明される。しかし、本発明の組成物および方法は、これらの特定の事例に本来は限定されない。本発明は、当分野の技術者に知られているであろうように、多くの技術分野の多種類の基材上の、多くの多様な金属、誘電体、もしくは有機層、あるいはこれらの混合体および／または複合体の処理に有用でありうる。さらに、非接触式ＣＭＰ（またはＳＥＰ）に関連して使用されうるエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）配合が記載される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明の目的は、銅、タンタルおよび窒化タンタルからなる表面の化学的機械的平坦化を実施しうる化学配合品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
前記の化学配合品は研磨粒子を場合によっては含んでいてもよく、この研磨粒子は化学的に反応性であっても不活性であってもよい。本発明の化学配合品を用いて、接触または非接触式ＣＭＰを実施することができる。ＣｕとＴａ／ＴａＮに対する、実質的に１：１の除去速度選択性が実現される。１：１の除去速度選択性に加えて、本発明は、（壊れやすいことが多い）低誘電率成分にとって必要である、過剰な下向きの力を用いることなく材料除去速度を適切なものとする。本発明のエッチング液配合はまた、スピンエッチ平坦化でも使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下の説明と図において、類似の参照番号が類似の要素を確認するために使われている。言語を節約するために、研磨パッドが使用される化学的機械的平坦化（「接触式ＣＭＰ」）、ならびに研磨パッドが全く使用されない非接触式ＣＭＰの双方を表すために、「ＣＭＰ」が用いられる。ＳＥＰは、非接触式ＣＭＰの１つのタイプとして、ＣＭＰのこの用法のうちに含まれる。
【００２５】
本発明に記載される、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ用のＣＭＰスラリー、またはエッチング液は、研磨スラリー、金属エッチング液および洗浄液、化学研磨剤、光沢剤、ならびに酸洗い液などを含めて、通常ＣＭＰに使用される化学品の改良された配合物である。従来の（接触式）ＣＭＰは通常エッチング液に研磨粒子を含んでおり、非接触式ＣＭＰでは研磨剤は通常含まれていない。研磨剤含有または非含有のエッチング液は本発明の範囲のうちにある。エッチング液の化学品組成物は、通常１種または複数の以下の構成成分からなる化学品混合物を含んでいる。
【００２６】
表Ａ
・研磨粒子
・無機酸
・有機酸
・強塩基
・無機塩
・有機塩
・ｐＨ緩衝剤
・酸化剤
・有機および無機過酸化物
・腐食抑制剤
・キレート剤
・表面変性剤
・液状ポリマー
・界面活性剤
・溶液安定化剤
・溶媒（水を含む）
一般に、本明細書に記載されるエッチング液をＣＭＰとして使用するためには、ウェーハ表面上にエッチング液を導く方法、ならびに好ましくは、ウェーハ表面全体にエッチング液を送る方法が必要とされる。図１に示された研磨パッドと工程は接触式ＣＭＰで用いられる典型的な機構である。しかし、本発明のＣＭＰ用の化学配合品は、エッチング混合物に研磨剤を含める必要がなく、またウェーハ表面と、研磨パッドのような別の表面または物体との間の機械的接触を必ずしも必要としない。このように、接触および非接触式ＣＭＰのいずれにおいても、本発明のエッチング液を効果的に用いることができるが、図１に示された研磨パッドとは異なる搬送機構（ＳＥＰなど）が必要である。
【００２７】
ウェーハ表面からの材料の除去および除去速度を制御するために、エッチング液成分の種類と濃度を調節するだけでなく、エッチング液の加熱を利用することができる。望ましい温度に予熱されたウェーハ上にエッチング液を導入することにより、研磨パッド、他の物体を加熱することにより、および／または一定温度に研磨作業を保つことにより、反応の温度制御を実施することができる。
【００２８】
改良されたＣＭＰは、下に記載されるエッチング溶液により実施される。研磨粒子は場合によっては含まれており、ウェーハ材料を機械的に除去するだけでなく、エッチングを受けているウェーハ表面と場合によっては反応してもよい。通常の研磨剤（ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３など）、ならびに金属、固体元素の粒子（例えばカーボン）、ポリマー粒子、酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、ホウ化物、窒化物、あるいはこれらに限定はされないが、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｎ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｙ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒを含む種々の金属の水酸化物からなる通常は用いられない様々な研磨剤、もしくはこれらの混合物を含めて、多くの適切な研磨材料を用いることができるであろう。これらの粒子を、それらに限定はされないが、前記のものを含む別の材料の薄い層で被覆してもよい。被覆粒子を使用する潜在的な利点として、より低密度で、不活性で高価でないＳｉＯ２などの粒子を、化学的に活性で、より高密度で高価なＣｅＯ２などの活性材料で被覆することによりコストを下げることが含まれると予想される。このような粒子の実効密度は、全て化学反応性材料からなる固体粒子より小さく、またこのために、より高密度の粒子に対してより大きな沈降速度を予測するストークスの法則によれば、粒子の沈降に関してはより安定であろう。同様に、所定の固体ｗｔ％で、被覆研磨粒子（通常より低密度）からなるスラリーは、流体の所定の容積中により多くの数の粒子があるので、ウェーハ表面と接触している研磨表面積はより大きくなるであろう。
【００２９】
本発明の実施において、本明細書に記載される粒子系の多くは、「ゾル」法により作り出されるであろうと想定されている。この方法には通常、粒子を溶液内でそれらの最終の大きさまで成長させることが含まれる。溶液内で粒子を完全に成長させ、使用するまで溶液内に留まる（すなわち、決して乾燥させない）ことにより、傷つきやすいＩＣ層、あるいは下側にある構造体を損傷しうる大きな凝集体を生じる、粒子の焼結もしくは「ネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）」がない。凝集しないので、これらの粒子は、非常に容易に、また多くの費用を要するさらなる粒径の低下および粉体分散処理を普通はしなければならない通常の研磨剤より低コストで溶媒系に導入される。本発明の実施には、種々の粒径分布が利用される。本発明の実施においては、双峰粒径分布、または多峰粒径分布、あるいはガウス型の広い粒径分布の全てを用いることができ、通常粒子の大きさは４ｎｍから５μｍの範囲にある。本発明の実施に際して、粒径が約５μｍより大きいと、特に除去速度を上げることと欠陥およびスクラッチを減らすという点において、満足な結果が得られないであろうと想定される。
【００３０】
本明細書の別の箇所に、本発明の実施に有用なエッチング用薬剤の典型的な成分が記載されている。実際に工業的に利用するにはまた、時機尚早の反応を防ぎ、混合物を安定化し、薬剤混合物の貯蔵寿命を延ばし、揮発性を少なくし、毒性を抑え、光分解を防ぐなどのための他の添加剤も薬剤混合物に含める必要がありうる。このような添加剤は、当分野および本明細書では詳細に指定されない別の分野の技術者には知られている。
【００３１】
以下の表１〜１３は、本発明の実施において、銅表面あるいは表に指摘される他の表面を平坦化するために使用されて有用な薬剤混合物の例である。
【００３２】
【表１】
2004524440.tif 000003
【００３３】
【表２】
2004524440.tif 000004
【００３４】
【表３】
2004524440.tif 000005
【００３５】
【表４】
2004524440.tif 000006
【００３６】
【表５】
2004524440.tif 000007
【００３７】
【表６】
2004524440.tif 000008
【００３８】
【表７】
2004524440.tif 000009
【００３９】
【表８】
2004524440.tif 000010
【００４０】
【表９】
2004524440.tif 000011
【００４１】
【表１０】
2004524440.tif 000012
【００４２】
【表１１】
2004524440.tif 000013
【００４３】
【表１２】
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【００４４】
【表１３】
2004524440.tif 000015
【００４５】
上の表１〜１３に示される添加剤以外に、他の添加剤には、これらに限定はされないが、次のものが含まれる：
ホウ砂、硫酸亜鉛、炭酸銅、アルコール（低分子量アルコール、グリコール、フェノール、脂肪族アルコール、ポリビニルアルコールなどを含む）、界面活性剤（アニオン性、カチオン性、非イオン性界面活性剤、ならびに特定の材料に優先的に付着して、特定のサイトの化学反応性を若干変える他のものを含む）、溶液安定化剤（ポリビニルアルコールおよび酸化剤の自発分解を防ぐ他の薬剤を含む）、湿潤剤。
【００４６】
例えば、１つの具体的な配合では、他の化学品成分と共に、ＫＯＨなどの強塩基中の非常に高濃度のＨ２Ｏ２に加えて、ＣｅＯ２またはＳｎＯ２などの化学的に活性な研磨粒子が使用される。Ｔｙｔｇａｔ（４，９８１，５５３）によれば、この化学的エッチング液のみで（研磨なしで）、約１０００〜２０００オングストローム／分のＴａ除去速度が得られ、これはＣｕ用のスラリーで通常得られるＴａ除去速度よりかなり大きい。本発明では、研磨粒子によるウェーハの機械的研磨以外のメカニズムを利用することにより、ＣＭＰにおけるＴａ除去速度が大きくなると予想することができる。さらに、スラリーあるいは対向させる物体またはパッドを加熱すると、ＴａまたはＴａＮ層の除去速度を増大させることができるであろう。このように、温度制御は低研磨圧力ＣＭＰ加工を実現する別の手段でありうる。
【実施例】
【００４７】
（実施例Ａ）
体積で５０部のＨ３ＰＯ４
体積で４０部の酢酸
体積で１０部のＨＮＯ３
全ての酸は最大濃度の水溶液である。
【００４８】
実施例Ａの配合では、ＳＥＰが実施されるとき、Ｃｕ除去速度は約１５，０００Å／分で、表面粗さ（ＲＭＳ）は約１００Åより小さい。さらに、この組成物は、平坦化度８０％で（すなわち、８０％の凸部の減少で）、表面構造（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）を、凸部（バンプ）と、２．５  ｍより広い幅の凹型パターンにおいて、約３０００Åまで平坦化する。
【００４９】
（実施例Ｂ）
体積で７０部のＨ３ＰＯ４
体積で２４部の酢酸
体積で６部のＨＮＯ３
全ての酸は最大濃度の水溶液である。
【００５０】
実施例Ｂの配合では、ＳＥＰが実施されるとき、Ｃｕ除去速度は約１５，０００Å／分である。最終的な粗さ（２乗平均平方根）は、約７０Åより小さい。
【００５１】
（実施例Ｃ）
体積で５０部のＨ３ＰＯ４
体積で４０部の酢酸
体積で３部〜１０部のＨＮＯ３
全ての酸は最大濃度の水溶液である。
【００５２】
実施例Ｃの配合では、ＳＥＰが実施されるとき、Ｃｕ除去速度は約３，０００Å／分から約２０，０００Å／分の範囲である。Ｃｕの除去速度は硝酸含量にほぼ比例する。
【００５３】
（実施例Ｄ）
体積で５０部のＨ３ＰＯ４
体積で４０部の酢酸
体積で３から１０部のＨＮＯ３
体積で１から１５部のＨＦ
全ての酸は最大濃度の水溶液である。
【００５４】
本発明が詳細に説明されたので、当分野の技術者は、本開示を前提にして、本明細書に記載された本発明の基本的な考え方の精神から逸脱することなく、本発明に若干の変更をなし得るということを理解するであろう。したがって、本発明の範囲は、例示され説明された特定の好ましい実施形態に限定されるとは想定されていない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】化学的機械的平坦化（「ＣＭＰ」）の概略を示す図である。
【図１】
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【国際公開パンフレット】
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【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面と、
ａ）Ｈ２Ｏ２、ＨＮＯ３およびこれらの混合物からなる群から選択される酸化性反応剤；および
ｂ）Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３、シュウ酸、酢酸、有機酸およびこれらの混合物からなる群から選択される共反応剤
とを含む単一のスラリー液、を含む非接触式エッチング系。
【請求項２】
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、金属および固体元素の粒子、ポリマー粒子、酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、ホウ化物、窒化物、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｎｇ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｎ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｙ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒの水酸化物あるいはこれらの混合物からなる群から選択される研磨粒子をさらに含む請求項１に記載のスラリー液。
【請求項３】
前記の研磨粒子が被覆されている請求項２に記載のスラリー液。
【請求項４】
前記の被覆が化学的活性種である請求項３に記載のスラリー液。
【請求項５】
前記の被覆がＣｅＯ２である請求項２に記載のスラリー液。
【請求項６】
前記の粒子がゾル法により製造される請求項２に記載のスラリー液。
【請求項７】
前記粒子の大きさが約４ナノメートルから約５マイクロメートルの範囲である請求項２に記載のスラリー液。
【請求項８】
前記粒子の大きさが約５マイクロメートルより小さい請求項２に記載のスラリー液。
【請求項９】
Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面と、
ａ）体積で約５０部から体積で約７０部の濃Ｈ３ＰＯ４水溶液；および
ｂ）体積で約２４部から体積で約４０部の濃酢酸水溶液；および
ｃ）体積で約３部から体積で約１０部の濃ＨＮＯ３水溶液
を含む単一のスラリー液
とを含むエッチング系。
【請求項１０】
体積で約１部から体積で約１５部の濃ＨＦ水溶液をさらに含む請求項９に記載のスラリー液。
【請求項１１】
Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面と、体積で約４２％の硫酸、体積で約８％の硝酸および体積で約０．５％の塩酸からなる水溶液を含む単一のスラリー液とを含むエッチング系。
【請求項１２】
ＨＣｌ、脂肪族アルコール、ブチル化ヒドロキシトルエン、Ａｇｉｄｏｌ−２、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４［（ジメチルアミノ）メチル］フェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−４Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチルフェノール、ホウ砂、エチレングリコール、ＺｎＳＯ４、メタノール、プロパノール、ポリ（オキシエチレン）ラウリルエーテル、リンゴ酸、ＨＯＯＣ（ＣＸ２）ｎＣＯＯＨ（Ｘ＝ＯＨ、アミン、Ｈであり、ｎ＝１〜４）、３％酒石酸、１％エチレングリコール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、テトラゾール、非イオン性界面活性剤、エタノール、トリフルオロエタノール、ＳｉＦ６、有機塩界面活性剤、ポリビニルアルコール、ジフェニルスルファミン酸、シュウ酸ナトリウム、ベンゾトリアゾール、リグノスルホン酸ナトリウム、グリコール、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース、アミン、重金属塩、ＣｕおよびＴａの塩、ＫＣｌ、ＣｕＣｌ２、ＳｎＣｌ２、プロピレングリコール、２−エチル−ヘキシルアミン、炭酸銅、低分子量アルコール、グリコール、フェノール、脂肪族アルコール、ポリビニルアルコール、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、フルオロカーボン系界面活性剤、選択的に特定の材料に付着することにより、その付着箇所で化学反応性を改変する性質を有する非イオン性界面活性剤、ポリビニルアルコール溶液安定化剤および酸化剤の自発分解を防ぐ化学種、湿潤剤ならびにこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の添加剤をさらに含む請求項１に記載のスラリー液。
【請求項１３】
（ｉ）Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３、シュウ酸、酢酸、もしくは有機酸を組み合わせたＨ２Ｏ２、（ｉｉ）Ｈ３ＰＯ４、もしくはＨ２ＳＯ４を組み合わせたＨＮＯ３；および（ｉｉｉ）ＨＦを組み合わせた酸化性反応剤、からなる群から選択される組合せを含む単一ステップ用スラリー液を準備すること；
表面にこの液を用いること；ならびに
単一の処理ステップ中に、ＣｕならびにＴａおよびＴａＮの少なくとも一方、の双方を平坦化すること；
を含む、Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ表面の非接触式平坦化実施方法。
【請求項１４】
スラリー液が、Ｈ３ＰＯ４、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３、シュウ酸、酢酸、もしくは有機酸を組み合わせたＨ２Ｏ２からなる群から選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
スラリー液が、Ｈ３ＰＯ４、もしくはＨ２ＳＯ４を組み合わせたＨＮＯ３からなる群から選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
スラリー液が、ＨＦを組み合わせた酸化性反応剤からなる群から選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
ＨＣｌ、脂肪族アルコール、ブチル化ヒドロキシトルエン、Ａｇｉｄｏｌ−２、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４［（ジメチルアミノ）メチル］フェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−４Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチルフェノール、ホウ砂、エチレングリコール、ＺｎＳＯ４、メタノール、プロパノール、ポリ（オキシエチレン）ラウリルエーテル、リンゴ酸、ＨＯＯＣ（ＣＸ２）ｎＣＯＯＨ（Ｘ＝ＯＨ、アミン、Ｈであり、ｎ＝１〜４）、３％酒石酸、１％エチレングリコール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、テトラゾール、非イオン性界面活性剤、エタノール、トリフルオロエタノール、ＳｉＦ６、有機塩界面活性剤、ポリビニルアルコール、ジフェニルスルファミン酸、シュウ酸ナトリウム、ベンゾトリアゾール、リグノスルホン酸ナトリウム、グリコール、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース、アミン、重金属塩、ＣｕおよびＴａの塩、ＫＣｌ、ＣｕＣｌ２、ＳｎＣｌ２、プロピレングリコール、２−エチル−ヘキシルアミン、炭酸銅、低分子量アルコール、グリコール、フェノール、脂肪族アルコール、ポリビニルアルコール、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、フルオロカーボン系界面活性剤、選択的に特定の材料に付着することにより、その付着箇所で化学反応性を改変する性質を有する非イオン性界面活性剤、ポリビニルアルコール溶液安定化剤および酸化剤の自発分解を防ぐ化学種、湿潤剤あるいはこれらの混合物からなる群から選択される添加剤をスラリー液にさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
スラリー液として、ＣｕＣｌ、ＦｅＣｌ、およびＦｅＣｌ３の少なくとも１種をエッチング液にさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
Ｃｕ（ＮＯ３）２、ＣｕＳＯ４、ＥＤＴＡ、ＦｅＮＯ３、ＫＯＨ、Ｋ２Ｓ２Ｏ５、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、ＣｕＮＨ４Ｃｌ３、ＮａＯＨ、ＮａＣｌＯ３、ＮａＮＯ３、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、ＮＨ４ＦあるいはＮＨ４ＯＨの少なくとも１種をエッチング液にさらに含む請求項１３の方法。
【請求項２０】
スラリー液として、モリブデン塩およびフェノールスルホン酸の少なくとも１種をエッチング液にさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、金属および固体元素の粒子、ポリマー粒子、酸化物、炭化物、フッ化物、炭酸塩、ホウ化物、窒化物、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｎｇ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｎ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｙ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒの水酸化物あるいはこれらの混合物からなる群から選択される研磨粒子をさらに含めることを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
平坦化のステップで、ＣｕならびにＴａおよびＴａＮの少なくとも一方がほぼ１：１の選択性で除去される請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
Ｈ２Ｏ２を含む請求項１に記載のスラリー液。
【請求項２４】
Ｈ３ＰＯ４を含む請求項１に記載のスラリー液。
【請求項２５】
Ｈ２ＳＯ４を含む請求項１に記載のスラリー液。
【請求項２６】
ＨＮＯ３を含む請求項１に記載のスラリー液。
【請求項２７】
有機酸を含む請求項１に記載のスラリー液。
【国際調査報告】
2004524440.tif 000051
2004524440.tif 000052
2004524440.tif 000053
2004524440.tif 000054
2004524440.tif 000055