(57)【要約】磁気のマークの形でデータが保存されるデータ記憶層（２２）と、前記記憶層から磁区を複製及び拡大することが可能な拡大層（２４）とを含む、ＭＡＭＭＯＳ光磁気ディスク（１）のような磁区拡大データ記憶装置からデータを読み出す方法。ここでシステムは、前記記憶層から前記拡大層への磁区の複製を開始するために、前記ディスク上に第１のスポットサイズを持つ第１の放射ビーム（７）を供給し、前記拡大層からデータを読み出すために、前記ディスク上に第１のスポットサイズよりも大きな第２のスポットサイズを持つ第２の放射ビーム（９）を供給する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁区拡大データ記憶媒体からデータを読み出す方法であって、前記媒体は、磁気のマークの形でデータが保存されるデータ記憶層と、前記記憶層から磁区を複製及び拡大することが可能な拡大層とを有し、前記方法は、
前記記憶層から前記拡大層への磁区の複製を開始するために、前記記憶層に第１のスポットサイズを持つ第１の放射ビームを供給するステップと、
前記拡大層からデータを読み出すために、前記記憶層に前記第１のスポットサイズよりも大きな第２のステップサイズを持つ第２の放射ビームを供給するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記第１のビームは、前記第２のビームの放射よりも短い波長の放射を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記記憶層において、前記第１のビームは第１の開口数を持ち、前記第２のビームは第２の開口数を持ち、前記第１の開口数は前記第２の開口数よりも大きい、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記記憶層において、前記第１のビームは第１の開口数ＮＡ１を持ち、前記第２のビームは第２の開口数ＮＡ２を持ち、前記第１のビームは大１の波長λ１を有し、前記第２のビームは第２の波長λ２を有し、ここでλ１／ＮＡ１＜λ２／ＮＡ２である、請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のスポットのサイズは、１より大きい開口数を利用して生成される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のスポットのサイズは、１より小さい開口数を利用して生成される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のビームを伝送する光学素子と前記記憶媒体との間のエバネセント光結合を提供するステップを有する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１及び第２のビームは、前記記憶媒体の片方の面に供給される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１及び第２のビームは、前記記憶媒体の異なる面に供給される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のビームは、読み出しの間前記第２のビームよりも低いパワーで生成される、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のビームはそれだけでは、前記記憶層から前記拡大層への磁区の複製を開始するためには不十分なパワーのものである、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
コピーウィンドウの幅は、前記第１のビームによって生成される温度プロファイルの成分によって略完全に定義される、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
磁区拡大領域のサイズは、前記第２のビームによって生成される温度プロファイルの成分によって略完全に定義される、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のビームを利用して、前記記憶媒体にデータを書き込むステップを更に有する、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成される光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再書き込み可能な光データ記録システムに、より詳細には光磁気データ記憶システムに、更に詳細には磁区拡大光磁気データ記憶システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気データ記憶システムの形をとる再書き込み可能な光記録システムにおけるデータ記録密度を増大させるため、種々の提案が為されてきた。レーザパルス磁界変調（ＬＰ−ＭＦＭ）として知られる技術は、光磁気記憶媒体に記録されるために利用される光スポットの寸法よりも非常に小さい寸法のマークを可能にする。前記マークは三日月型の磁区のシーケンスとして記録される。０．６μｍのスポットを利用した２０ｎｍの磁区の記録のような結果が実演されてきた。しかしながら、かような小さな磁区の利点は、かような小さな寸法でのデータ読み出しも可能である場合にのみ達成され得る。従来の読み出し技術は、前記媒体上の検出可能なマークのサイズを、前記スポットのサイズの半分に制限する。
【０００３】
光磁気記憶媒体からの読み出しのための他の技術も、Ｈ．Ａｗａｎｏ、Ｓ．Ｏｈｎｕｋｉ、Ｈ．Ｓｈｉｒａｉ及びＮ．ＯｈｔａによりＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ６９（１９９６）４２５７において最初に提案された、ＭＡＭＭＯＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ、磁気増幅光磁気システム）のような光磁気（ＭＯ）磁区拡大技術を含む、より高いデータ記憶密度に達するために提案されてきた。
【０００４】
図１はＭＡＭＭＯＳ手順を模式的に示す。ＭＡＭＭＯＳ読み出しの間、ディスクのある領域がフォーカスされたレーザビームＢによって加熱される。前記ディスクは記憶層Ｓ及び読み出し層又は拡大層Ｅを含む多くの異なる機能層を含む。前記拡大層は最初に前記記憶層のデータ空間の方向に磁化され、一方前記記憶層は反対の向きに整列された磁気マークをも含む。１つ以上の中間層が、前記記憶層と前記拡大層との間の静磁結合を提供するために利用されても良い。前記記憶層及び読み出し層における物質の組成は、温度が室温から上昇するにつれて、前記記憶層の磁化が増大し（及び従って漏れ磁界（ｓｔｒａｙ ｆｉｅｌｄ）Ｈｓｔｒａｙ，ｓｔｏｒａｇｅに帰着する）、前記拡大層の保磁力Ｈｃ，ｒｅａｄが減少するように選択される。（前記マーク方向の）外部磁界Ｈｅｘｔは、磁区の複製及び拡大を促進するようにデータ信号と同期して読み出しの間Ｈｓｔｒａｙ，ｓｔｏｒａｇｅに追加され、磁区の複製及び拡大が起こらないような次のビットが空白である場合に異なる読み出し信号を与えるように、拡大された磁区を崩壊するために反転される。記録されたマークを前記拡大層に複製するために最低のディスク温度Ｔｃｏｐｙが要求される。この温度より上では、前記拡大層及び前記外部磁界における前記マークの漏れ磁界の合計は、前記読み出し層の保磁力よりも大きい：
Ｈｓｔｒａｙ，ｓｔｏｒａｇｅ ＋  Ｈｅｘｔ ＞  Ｈｃ，ｒｅａｄ
前記複製された磁区の拡大は、前記外部磁界が十分に大きい場合に起こる。光磁気システムにおいて知られているように、前記拡大された磁区の磁気状態は、前記拡大層における前記拡大された磁区からの反射におけるカー効果（Ｋｅｒｒ ｅｆｆｅｃｔ）によって引き起こされる偏光の角度の回転を測定することにより、前記拡大層から反射されたビーム中に検出される。
【０００５】
トラック方向の特定の長さに対して、外部磁界の助力によって、マークを前記記憶層から前記拡大層へ複製するために必要な温度は、前記レーザビームによって生成される。この領域において複製が可能である。それ故該領域はコピーウィンドウ（ｃｏｐｙ ｗｉｎｄｏｗ）と呼ばれる。
【０００６】
レーザパワーが減少されると、前記ディスク中の温度は降下し、前記保磁力を増大させ（プロファイルが上に移動する）前記漏れ磁界を減少させる。前記コピーウィンドウのサイズはそれ故小さくなる。温度プロファイルにおける最高温度がＴｃｏｐｙよりも低い場合、前記コピーウィンドウはゼロであり、即ち信号は無い。一方、前記レーザパワーが増大される場合、前記保磁力プロファイルは下に移動し、前記漏れ磁界は増大する。かくして前記コピーウィンドウのサイズは増大する。
【０００７】
このコピーウィンドウのサイズは区別されることのできる最小の特徴の寸法を決定する。前記コピーウィンドウが前記最小の磁区のサイズの半分よりも大きい場合、隣接する磁区とのオーバーラップが発生し、付加的なピーク及び不正確な読み出しに導く。それ故正確な読み出しのためには、解像度即ち最小の磁区は、前記コピーウィンドウの２倍よりも大きいべきである。
【０００８】
前記コピーウィンドウのサイズは増大するレーザパワーとともに増大するため、Ｔｃｏｐｙ（下限）の他の最大のコピーウィンドウのための値は、レーザパワーの範囲に対応する。かくして、より小さなコピーウィンドウを必要とするより高い解像度は、可能なレーザパワー及びパワーマージンの範囲を減少し、その逆も成り立つ。換言すると、最終的な解像度は、記録システムのパワーマージンによって決定される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
対処されるべき問題は前記読み出し処理において高解像度が必要とされる場合に正常な読み出しを達成するためのパワーマージンに関する。非常に小さいマージンは一般に高解像度のために得られ、これはスペクトルの赤又は青の部分における回折限界のスポットの温度プロファイルの先端は前記磁区の長さに比べて非常に広いという事実の直接の結果である。高い開口数（ＮＡ）の青色レーザシステムは、より低い開口数の赤色レーザシステムに比べてより高い解像度を達成するために利用されることができる。しかしながら、波長が減少する場合及び／又は開口数が増加する場合、光学系の複雑さの増大、及びカー効果における減少のような検出器における信号対ノイズレベルを減少させる効果、及び検出器におけるショットノイズの増加を含む、他の問題が発生する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、磁区拡大データ記憶媒体からデータを読み出す方法であって、前記媒体は、磁気のマークの形でデータが保存されるデータ記憶層と、前記記憶層から磁区を複製及び拡大することが可能な拡大層とを有し、前記方法は、
前記記憶層から前記拡大層への磁区の複製を開始するために、前記記憶層に第１のスポットサイズを持つ第１の放射ビームを供給するステップと、
前記拡大層からデータを読み出すために、前記記憶層に前記第１のスポットサイズよりも大きな第２のステップサイズを持つ第２の放射ビームを供給するステップと、
を有する方法が提供される。
【００１１】
欧州特許ＥＰ−Ａ−８９９７２７は、光磁気ディスクからの読み出しのために２つの光ビームスポットを利用する光記録及び読み出しシステムを記述しているが、ここで記述される該システムは磁壁移動検出（ＤＷＤＤ）読み出しシステムであり、磁区拡大ではなく磁壁移動が利用され、記憶層と読み出し層とは磁気交換結合によって結合され、一般に読み出し処理の間外部磁界が利用されないという特徴を含み、本発明の磁区拡大媒体読み出しシステムとは大きく異なることに留意されたい。ＤＷＤＤは、「ゴースト信号」を抑止するために、温度プロファイルにおいて非対称的な温度勾配を必要とする。提案されたシステムにおいては、レーザスポットを生成するビームが、読み出しを改善するために従来のＤＶＤＤ読み出しビームに付加される。
【００１２】
本発明の特徴及び利点は、添付する図を参照しながら為される以下の本発明の好適な実施例の説明から明らかとなるであろう。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図２は、本発明の第１の実施例による光磁気走査装置を示す。本発明の実施例による再書き込み可能な光磁気ディスク１は、ＭＡＭＭＯＳディスクの形をとる。該ディスクは外被層及び／又は基板層を含み、これら層の少なくとも１つは透明であり、これら層は少なくとも記憶層及び拡大層の反対側に位置する。ＭＡＭＭＯＳディスクの層構造の例は、１．２ｍｍのＰＣ基板／６０ｎｍのＳｉＮｘ／２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏ／５ｎｍのＳｉＮｘ／５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ／２０ｎｍのＳｉＮｘ／３０ｎｍのＡｌ合金である。全ての層はＤＣマグネトロンスパッタリングによって作成される。保磁界が無限大に向かう補償温度は、双方のＭＯ層については室温の近くであり、キュリー温度はＧｄＦｅＣｏ及びＴｂＦｅＣｏについて、それぞれ３２０℃及び２７０℃である。
【００１４】
図１に示されていないが、情報は略並行な同心円又は螺旋のトラックに配置されたマークの形で光ディスク１の前記記憶層に記憶されても良い。ランド−グループ構造（ｌａｎｄ−ｇｒｏｏｖｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）は光トラッキングを実行するために前記ディスク上に利用されても良い。前記マークは、光磁気形式であり、例えばＬＰ−ＭＦＭ記録技術によって生成される。
【００１５】
前記光走査装置は、略全ての放射が例えば約４３０ｎｍといった第１の波長λ１である第１の放射ビーム７を放射する、例えば半導体レーザのような第１の放射源６、及び略全ての放射が例えば約６５０ｎｍといった第２の波長λ２である第２の放射ビーム９を放射する、例えば半導体レーザのような第２の放射源８を含む。
【００１６】
各光路は、コリメータレンズ１２、偏光及び／又はダイクロイックビームスプリッタ１５、フォールディングミラー（ｆｏｌｄｉｎｇ ｍｉｒｒｏｒ）１６、並びに後方レンズ素子１３及び前方レンズ素子１４を含む合成対物レンズ１０を含む。前方レンズ素子１４は、平凸のＳＩＬである。前方レンズ素子１４は、適切な寸法の空気ベアリングスライダ（図示していない）によって、好ましくは前記放射の１波長以内及び一般に１μｍ以内で上部のディスクの入射面に近接して保持される。境界面の摩擦を改善するために、被覆層２６に潤滑剤がコーティングされる。前記潤滑剤は、フォンブリン（ＴＭ）及びＺｄｏｌ（ＴＭ）として知られるもののようなポリフルオロポリエーテル（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｅｔｈｅｒ）から形成されても良い。前記潤滑剤は典型的には、前記潤滑剤の溶液中で前記ディスクをディップコーティング（ｄｉｐ−ｃｏａｔｉｎｇ）することによって形成される１ｎｍより薄い厚さの均一な層を形成する。前記被覆層の上部の表面は、前記潤滑剤の塗布の前に、前記潤滑剤の塗布を改善するために、ダイアモンド状炭素の硬質コーティングによって処理される。
【００１７】
各コリメータレンズ１２は拡散する放射ビーム７及び９をそれぞれ概して平行なビームに変換する。第１のビーム７はビームスプリッタ１５によって反射され、一方で第２のビーム９は反射されない。
【００１８】
後方レンズ素子１３は、後方レンズ素子１３と前方レンズ素子１４との間、第１のビーム７及び第２のビーム９を収束性のビームにフォーカスさせる。後方レンズ素子１３は、トラッキング及びフォーカスの両方を実行するために、サーボ機構作動装置を利用して前方レンズ素子１４に対して動かすことができる。本構成は図３において更に詳細に示される。近接場（ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ）のエバネセント結合（ｅｖａｎｅｓｃｅｎｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を利用して光をディスクに結合させる固形液浸レンズ（Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ、ＳＩＬ）である前方レンズ素子１４の効果は、前記第１のビームが前記ディスクの入射面に入射するとき、第２のビーム９にはより制限されたフォーカスの効果を与える一方で、球面収差を発生させることなく又は望ましくない球面収差を減少させながら、更に第１のビーム７について前記システムの開口数を増加することである。ビーム７及び９はそれ故、合成対物レンズ１０によってそれぞれ、光ディスク１の前記拡大層に形成されるスポットにフォーカスされる。前記第１のビームは例えば１より大きい（ＮＡ＞１）比較的高い開口数ＮＡ１を持ち、一方前記第２のビームは例えば約０．６であるような比較的低い開口数ＮＡ２を持つ。更に、前記スポットは好ましくは略回折限界であり、λ１／ＮＡ１＜λ２／ＮＡ２である。前記拡大層に形成される第１のビームのスポットは、半値全幅（ＦＷＨＭ）によって測定されるが、かくして前記拡大層に形成される第２のビームのスポットの、好ましくは２分の１、より好ましくは３分の１よりも小さい。反射されたビームは、相応じて反対側の段にある光学系によって、前方レンズ素子１４と後方レンズ素子１３との間の拡散するビームから、後方レンズ素子１３とコリメータレンズ１２との間の平行なビームへと変換される。
【００１９】
第１のビーム７はビームスプリッタ１５によって反射され、コリメータレンズ１２によって、放射源６と共に配置されたトラッキングエラー検出システムに入射する集束性の反射ビームへとフォーカスされる。前記トラッキングエラー検出システムは前記放射を捕捉し、電気信号に変換する。前記信号は、前記ディスクの走査の間、トラッキングエラー訂正を実行するために利用される。この検出システムはフォーカスエラー検出を実行するために利用されても良い。
【００２０】
第２のビーム９はコリメータレンズ１２によって、放射源８と共に配置された光磁気データ信号検出システムに入射する集束性の反射ビームへとフォーカスされる。前記データ信号検出システムは前記放射を捕捉し、電気信号に変換する。前記信号は、前記ディスクの走査の間、前記データ信号を検出するために利用される。フォーカスエラー検出が前記トラッキングエラー検出器システムにおいて実行されない場合は、この検出システムはフォーカスエラー検出を実行するために利用されても良い。
【００２１】
外部磁界コイルは、図２には示されていないが、前記ディスクの一方の面、好ましくは前記ディスクのＭＡＭＭＯＳ層が保持された側に位置され、ＭＡＭＭＯＳ記録システムの分野において知られるように、データ読み出しと同期して電界を切り換えるための磁界方向切り換え回路を含む。
【００２２】
ここで図３を参照すると、本実施例のディスク１は、約０．６〜１．２ｎｍの厚さを持つ比較的厚い基板２０と、磁気データ記憶層２２と、磁区拡大層２４と、約５〜２０μｍ、好ましくは約１０μｍの厚さを持つ薄い透明な被覆層とを含む。前方レンズ素子１４は、データ記録の間に利用されるＭＦＭコイル３０を含む透明なスライダ２８に装着される。高いＮＡのビーム７は、ＭＦＭ記録処理の間にデータ記録のために利用されても良い。
【００２３】
図４は代替の本発明の第２の実施例を示す。本実施例においては、前方レンズ素子１３を含む第１のビーム７の光学素子は、前記光ディスクの反対側に位置されたスライダ３０によって置き換えられ、上方の光学系の半径方向の駆動メカニズムと同期する駆動メカニズムを持つ。前記上方の光学系は前記データ信号、トラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号の全てを発生するために利用されても良い。後方レンズ素子１３は、第２のビーム９のために最適化された対物レンズ３２によって置き換えられる。ＭＡＭＭＯＳディスク１は異なるフォーマットのＭＡＭＭＯＳディスク３４によって置き換えられる。
【００２４】
スライダ３０は例えば半導体レーザである放射源３６を含む。放射源３６は、第１の波長λ１の前記第１のビームと同等のビームを生成し、該ビームは非常に小さな出力開口を持つ平面の導波構造へと集束され、ディスク３２の情報担持層に非常に小さなスポットを生成する。代替実施例においては例えば「Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ」のＶｏｌ．３７（１９９８）、３７５９頁において提案されるように、高いＮＡのビームは、個別の導波路の利用なく、小さな近接場プロファイルを持つ半導体レーザによって直接生成されても良い。更なる代替においては、例えばフォーカスされたイオンビームによって生成される、前記ディスクに近接して位置された小さな出力開口を持つファイバ又はレーザが、小さなスポットを生成するために利用されても良い。
【００２５】
ＭＡＭＭＯＳディスク３４は、約０．６〜１．２ｍｍの厚さを持つ、第２のビーム９の側に位置された透明な基板４２、その下に位置された磁区拡大層４４、その下に位置された磁気記憶層４６、及び例えば約１０ｎｍの厚さを持つ非常に薄い被覆層４８を含む。
【００２６】
スライダ３０は、データ記録の間に利用されるＭＦＭコイル４０を含む。放射源３６によって生成された小さなスポットは、ＬＰ−ＭＦＭ記録処理の間にデータ記録のために利用されても良い。コイル４０に関連する回路は、ＭＡＭＭＯＳ記録システムの分野において知られるように、データ読み出しと同期して磁界を切り換えるための磁界方向切り換え回路を含む。コイル４０はかくして、前記ディスクへの記録及び前記ディスクからの読み出しの両方に利用される。
【００２７】
図５は、上述した本発明の種々の実施例におけるディスクにおいて達成される温度プロファイルを示す。図示される温度プロファイルは軸対称であるが、実際には走査の間のビームに対する前記ディスクの動きによって、該プロファイルは幾分非対称となり、前記ビームの終端に向かって広げられる。前記温度プロファイルは、第１の実施例における第１のビーム７の加熱効果、又は上述した第２の及び代替の実施例における同等のものによる、第１の比較的狭い成分５０を含む。第２の比較的広い成分５２は、第２のビーム９の加熱効果による。前記第１及び第２のビームのパワーレベルは所定のパワーマージン内に制御されており、そのため第１の成分５０はＭＡＭＭＯＳディスクの複製温度Ｔｃよりも高い温度を持つ一部を含み、一方第２のビームのみによって生成されたものとみなされる第２の成分は、ＭＡＭＭＯＳディスクの複製温度Ｔｃには達しないが、前記ディスクの拡大温度Ｔｅよりも高い。かくして、第１の成分５０は前記コピーウィンドウの幅ｗ、及びそれ故前記読み出し処理の解像度を決定する。第２の成分５２は、コピーウィンドウよりも大きい、前記システムのデータ読み出し信号が引き出される磁区拡大領域の幅ｓを決定する。これら２つの成分は２つの前記ビームによって付加的に生成されるため、前記温度プロファイルの第１の成分５０を生成するために比較的低いパワーのレーザが利用されることができ、一方で第２の成分５２を生成するためにより高いパワーのレーザが利用されることが留意されるべきである。
【００２８】
かくして、以上説明された本発明の種々の実施例による光磁気走査は多くの利点を提供することが理解されるであろう。データ読み出し処理は、データ読み出しのために大きな信号ビームのスポットを利用しながら、各ビームについて比較的良好なパワーマージンとともに比較的高い解像度で実行されることができ、比較的高い信号／ノイズ比が達成され得る。
【００２９】
上述の実施例は本発明の説明となる例として理解されるべきである。本発明の更なる実施例が想像される。例えばゼロ磁界ＭＡＭＭＯＳ及び他の磁区拡大システムのような他の磁区拡大技術が代替として利用されても良い。更に、前記２つのビームは異なる波長のものである必要はない。前記２つのビームは単に異なるＮＡを持ち、それによって図５について説明されたような温度プロファイルと同様の温度プロファイルが達成されても良い。一方の実施例について説明されたいずれの特徴も、他方の実施例において利用されても良いことは理解されるべきである。更に、上述されていない同等物及び変更も、添付する請求項において定義される本発明の範囲から逸脱することなく利用され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例において使用されるようなＭＡＭＭＯＳ記録システムの模式図である。
【図２】本発明の第１の実施例によって構成された光走査装置の模式図である。
【図３】図２に示された装置の一部の模式図である。
【図４】本発明の第２の実施例によって構成された光走査装置の一部の模式図である。
【図５】本発明の種々の実施例において達成される温度プロファイルの特性を示す。
【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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