(57)【要約】情報が記憶された多数の同心マイクロトラックを有する磁気記憶媒体を含む磁気記憶システムに使用するための磁気抵抗（ＭＲ）センサ。ＭＲセンサは、ＭＲスタックを形成する複数の略平行の層を含む。ＭＲセンサはまた、長手方向のＭＲスタックの反対側の離間した頂部シールドと底部シールドとを含む。ＭＲセンサは、横断方向のＭＲスタックの反対側の離間した第１および第２の側面シールドをさらに含む。頂部シールド、底部シールド、第１の側面シールドおよび第２の側面シールドはＭＲスタックを実質的に囲む。
2004509428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が記憶された多数の同心マイクロトラックを有する磁気記憶媒体を含む磁気記憶システムに使用するための磁気リーダであって、
ＭＲ要素と底部シールドと頂部シールドとを含む、前記磁気記憶媒体に記憶された情報を読み取るための磁気抵抗（ＭＲ）センサと、
所定の時間に読み取られるマイクロトラックへの、サイドトラックに帰因するＭＲセンサ内の信号を低減するための手段と、を備える磁気リーダ。
【請求項２】
信号を低減するための前記手段が、横断方向の前記ＭＲ要素の両側へ離間した第１および第２の側面シールドを含む、請求項１に記載の磁気リーダ。
【請求項３】
前記第１および第２の側面シールドが軟質の磁気材料である、請求項２に記載の磁気リーダ。
【請求項４】
磁気抵抗（ＭＲ）センサであって、
ＭＲスタックを形成する複数の略平行の層と、
長手方向の前記ＭＲスタックの両側の離間した頂部シールドと底部シールドと、
横断方向の前記ＭＲスタックの両側の離間した第１および第２の側面シールドと、を備え、
前記頂部シールド、底部シールド、第１の側面シールドおよび第２の側面シールドが前記ＭＲスタックを実質的に囲む磁気抵抗（ＭＲ）センサ。
【請求項５】
前記第１および第２の側面シールドが軟質の磁気材料である、請求項４に記載の磁気リーダ。
【請求項６】
前記ＭＲスタックが第１および第２のセンサを含み、前記第１のセンサが前記第１の側面シールドと直接接触し、前記第２のセンサが前記第２の側面シールドと直接接触する、請求項４に記載のＭＲセンサ。
【請求項７】
バイアス電流が前記第１および第２のセンサを通して、また前記第１および第２の側面シールドを通して流れる、請求項６に記載のＭＲセンサ。
【請求項８】
前記ＭＲセンサがリーダギャップをさらに含み、該リーダギャップとＭＲスタックとが前記第１および第２のシールドのコーナを画定する、請求項４に記載のＭＲセンサ。
【請求項９】
前記第１および第２の側面シールドのコーナのいずれも鋭角のコーナではない、請求項８に記載のＭＲセンサ。
【請求項１０】
前記第１および第２の側面シールドのコーナの各々が１３５°よりも大きい、請求項８に記載のＭＲセンサ。
【請求項１１】
前記第１および第２の側面シールドのコーナの各々が１００°よりも大きい、請求項８に記載のＭＲセンサ。
【請求項１２】
磁気リーダと磁気記憶媒体とを含む磁気記憶システムであって、前記磁気記憶媒体が、幅を有しまた記憶された情報を有する多数の同心マイクロトラックを有し、前記磁気リーダが、前記マイクロトラックの幅に対し略直角方向の前記マイクロトラックに対して移動するように構成され、前記磁気リーダが、
ＭＲスタックと、
前記マイクロトラックと前記磁気リーダとの間の相対移動の方向に対し平行方向の前記ＭＲスタックの両側の離間した頂部シールドと底部シールドと、
前記マイクロトラックと前記磁気リーダとの間の相対移動の方向に対し横断方向の前記ＭＲスタックの両側の離間した第１および第２の側面シールドと、をさらに備え、
前記第１および第２の側面シールドが、読み取られない隣接マイクロトラックよりも読み取られるマイクロトラックにより近接して配置される磁気記憶媒体。
【請求項１３】
前記第１および第２の側面シールドが軟質の磁気材料である、請求項１２に記載の磁気リーダ。
【請求項１４】
前記ＭＲスタックが第１および第２のセンサを含み、該第１のセンサが前記第１の側面シールドと直接接触し、前記第２のセンサが前記第２の側面シールドと直接接触する、請求項１２に記載のＭＲセンサ。
【請求項１５】
バイアス電流が前記第１および第２のセンサを通して、また前記第１および第２の側面シールドを通して流れる、請求項１４に記載のＭＲセンサ。
【請求項１６】
前記ＭＲセンサがリーダギャップをさらに含み、該リーダギャップとＭＲスタックとが前記第１および第２のシールドのコーナを画定する、請求項１２に記載のＭＲセンサ。
【請求項１７】
前記第１および第２の側面シールドのコーナのいずれも鋭角のコーナではない、請求項１６に記載のＭＲセンサ。
【請求項１８】
前記第１および第２の側面シールドのコーナの各々が１３５°よりも大きい、請求項１６に記載のＭＲセンサ。
【請求項１９】
前記第１および第２の側面シールドのコーナの各々が１００°よりも大きい、請求項１６に記載のＭＲセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の背景）
本発明は、一般的に電子データ記憶および読出システムの分野に関する。特に、本発明は変換ヘッドのシールドされた磁気抵抗要素の新規な構造に関する。
【０００２】
電子データ記憶および読出システムでは、変換ヘッドは、磁気ディスクに記憶された磁気符号化情報を読出すための磁気抵抗（ＭＲ）センサを有するリーダ部分を典型的に含む。ＭＲセンサは異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサまたは巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサであり得る。ＡＭＲセンサは、一般的に、強磁性材料から形成される単一のＭＲ層を有する。一般的に、ＧＭＲセンサは多層の強磁性材料を有する。
【０００３】
ＭＲセンサが回転する磁化された記憶ディスクに密接して配置されるとき、ＭＲ層は、ディスク表面に事前に書き込まれた磁気ビットフィールドにさらされる。このようにＭＲ要素を磁気ビットフィールドにさらすと、ＭＲ要素の磁化ベクトルが影響を受ける。電流がＭＲ要素を通過するとき、抵抗の変化が電圧の変化として検出される。ＭＲ層の抵抗の変化は、ＭＲ要素の磁化ベクトルの変化に帰因する。次に、外部回路は電圧情報を適切なフォーマット内に変換し、また記憶ディスクに記録されたビットを表す一連の２進法の１と０に当該情報を操作する。
【０００４】
ＭＲ要素によって読み取られる情報は、同心の円形トラックまたはマイクロトラックに沿って磁気ディスクに最初に記憶される。ビットは、各マイクロトラックに記憶されるデータの最小単位である。有限量のビットのみをマイクロトラックに沿って記憶できることが明らかであり、ビット数を最大にすることが望ましい。それらのマイクロトラックの１つに、１インチの距離に沿って書き込まれるビット数は、線ビット密度と呼ばれる。ディスク上にあるマイクロトラックの数を最大にすることも望ましい。ディスクの半径に沿った１インチ当たりのマイクロトラックの数は、トラック密度と呼ばれる。面積密度は線ビット密度とトラック密度との積である。磁気ディスクに記憶される情報の合計量を増加する目標を達成する１つの方法は、面積密度を増大すること、すなわちマイクロトラックに記憶されるビットを増すこと、ディスク上のマイクロトラックの量を増加すること、あるいは両方を増加することである。
【０００５】
しかし、面積密度が増大するにつれ、隣接する記憶されたビットを読み取ることなく、磁気的に記憶されたビットを読み取ることがますます困難になる。増加し続ける情報量が磁化記憶ディスクに記憶されるにつれ、ＭＲセンサは、隣接する記憶された情報からノイズを読み取ることなく、記憶された情報を別個に読み取ることがより困難になる。
【０００６】
この問題は、ＭＲ要素の上下に軟質の磁気材料を配置して、特定のマイクロトラックの隣接ビットのビットフィールドの影響から要素をシールドすることによって、ＭＲセンサで自体幾分軽減し得る。読取動作中、これらの頂部および底部シールドは、ダウントラックから生じるすべての迷走磁場を吸収することにより、磁気媒体またはディスクの特定マイクロトラックのＭＲセンサの真下に記憶された情報のみが、ＭＲセンサによって読み取られることを典型的に保証する。
【０００７】
頂部および底部シールドは、線ビット密度が増大するときに典型的に十分にシールドするが、これらのシールドは、トラック密度が増大するときに、特定の時間にＭＲセンサによって読み取られるマイクロトラックに隣接するマイクロトラックの磁気記憶されたビットからの迷走磁場を適切にシールドしない。トラック密度が増大するとき、すなわち隣接マイクロトラックが共により近接するとき、ＭＲセンサが特定の任意の時間に単一のマイクロトラックのみから読み取っており、隣接マイクロトラックからは読み取っていないことが絶対的により必要となる。トラックピッチが増すとき、すなわち隣接マイクロトラック間の間隔がより小さくなるとき、読取エラーが増加する。高トラックピッチの媒体を正確に読み取るＭＲセンサは、記録技術に必要な改良である。
【０００８】
（発明の概要）
本発明は、磁気ヘッドの読取要素用のシールドされたＭＲセンサの新規な構造を導入する。ＭＲセンサはＭＲ要素を含み、この要素は、頂部シールドと底部シールドと第１および第２の側面シールドとをさらに有する。第１および第２の側面シールドは、特定の時点に読み取りを意図しない隣接マイクロトラックが帰因してＭＲセンサ内の応答信号を減少する。このことによって、トラック密度が比較的高い場合でも、ＭＲセンサによる正確な読み取りが可能になる。
【０００９】
（詳細な説明）
本発明は、図１に示されたディスクドライブ１０で使用するために特に考慮される。ディスクドライブアセンプリ１０は、少なくとも１つのディスク１２と、スライダ１６付きのアクチュエータアーム１４を含む。ディスク１２はドライブスピンドル１８に装着され、ディスクドライブアセンプリ１０の使用中に、ディスクドライブスピンドル１８によって、ディスク１２は軸線２０を中心に回転される。アクチュエータアーム１４はサーボスピンドル２２に装着され、ボイスコイルモータ（図示せず）のようなアクチュエータによって軸線２４を中心に旋回可能である。アクチュエータアーム１４はディスク１２の面と平行に延在し、少なくとも１つの撓みまたはサスペンションアーム２６を支承する。サスペンションアーム２６は、ディスク１２の表面に隣接して空気軸受スライダ１６を支持する。
【００１０】
ディスク１２がドライブスピンドル１８を中心に回転するとき、スライダ１６の空気力学的特性によって、スライダはディスク１２の表面上方で「飛翔」される。スライダ１６は、ディスク１２の表面とスライダ１６の空気ベアリング面との間の薄い空気クッションの上に支持される。
【００１１】
磁気抵抗（ＭＲ）センサはスライダ１６の後縁に形成され、回転ディスク１２に可能な限り近くに位置決めし得る。アクチュエータアーム１４の旋回で円弧状にスライダ１６を移動し、スライダ１６の上に形成されたＭＲセンサがディスク１２上のトラック位置を変更することを可能にする。次に、ＭＲセンサは、ディスク１２の表面から磁気記憶情報を読み取るために使用し得る。
【００１２】
図２は、ディスク１２に対して位置決めされた従来技術のＭＲセンサ３０を示している。ＭＲセンサ３０は、スライダ１６の空気ベアリング面３２に対し平行の下側面を有する。ディスク１２から延在する磁場がＭＲセンサ３０内を通るように、ＭＲセンサ３０は、ディスク１２に十分に密接するように位置決めされる。図２には、ディスク１２上のマイクロトラック３４が示されている。マイクロトラック３４は、ディスク１２上の非常に多数のマイクロトラックの１つである。図２では、マイクロトラック３４はＭＲセンサ３０に対して「サイドトラック」を表す。換言すれば、特定の時点において、ＭＲセンサ３０は特定のマイクロトラック（図２に図示せず）を読み取るように位置決めされ、またマイクロトラック３４は隣接したサイドトラックまたはＭＲセンサ３０がこの特定の時点において読み取るように意図されないサイドトラックである。マイクロトラック３４内のビットフィールドは、ディスク１２上に記憶された情報を表す１つの方向または他の方向に磁化される。ディスク１２がＭＲセンサ３０に対して回転されるとき、マイクロトラック３４から全方向に半径方向に磁場が放射される。ＭＲセンサ３０がマイクロトラック３４に十分に密接しているとき、マイクロトラック３４から放射する磁場線のあるものがＭＲセンサ３０を透過する。ＭＲセンサ３０に進入している磁場線３６、３８、４０、４２が示されている。磁場線４４はＭＲセンサ３０を通らない。トラック密度が増大するにつれ、ＭＲセンサ３０はマイクロトラック３４のようなサイドトラックからの磁場信号を受信する。
【００１３】
マイクロトラック３４のようなマイクロトラックに記憶されたビットからの磁場の強さは、マイクロトラックに隣接して直接配置されるセンサ内でかなり強い。しかし、センサがマイクロトラックから離れて移動するにつれ、この磁場の強さは急速に弱まる。磁場の強さとマイクロトラックに対するセンサの位置との関係は、１／ｒ２によって表され、ここで、ｒはセンサとマイクロトラック磁場源との間の半径方向の距離に等しい。かくして、センサがマイクロトラックからさらに遠くに移動するにつれ（すなわち、ｒが増すにつれ）、そのマイクロトラック内の磁場源に帰因するセンサ内の磁場の強さは減少する。
【００１４】
図３は、マイクロトラック３４とＭＲセンサ３０の相対位置が変化するときの、マイクロトラック３４内の磁場源に帰因するＭＲセンサ３０の応答を示している。これはマイクロトラック遷移減衰とも呼ばれる。図３では、Ｙ軸は、マイクロトラック３４内の磁場源に帰因するＭＲセンサ３０内の磁場の相対的な強さを示し、Ｘ軸は、マイクロトラック３４へのＭＲセンサ３０の半径方向距離を示している。図３から明白であるように、ＭＲセンサ３０とマイクロトラック３４が最小の距離のみで分離されるとき、センサ３０内の磁場の強さは最高である。ＭＲセンサ３０とマイクロトラック３４との間の距離が増すにつれ、ＭＲセンサ３０の信号の強さは急速に低下、すなわち減衰する。上に示したように、この関係は、マイクロトラックの遷移減衰１／ｒ２によって表され、この場合、ｒは、ＭＲセンサ３０のコーナエッジとマイクロトラック３４内の磁場源との間の距離に等しい。信号の強さが最大値から５０パーセント減少するマイクロトラック３４の２つの位置の間の距離は、ＭＴ５０として知られている。信号が最大値の１０パーセントに減少するマイクロトラック３４の２つの位置の間の距離は、ＭＴ１０として知られている。
【００１５】
一般的に、センサがある時点に特定のマイクロトラックから読み取っているとき、隣接マイクロトラック、あるいは「サイドトラック」はセンサから十分に遠く、サイドトラック内の磁場源に帰因するセンサ内の磁場の強さは、センサの読み取りに影響を及ぼすほど高くない。しかし、マイクロトラック密度が増大するにつれ、サイドトラック内の磁場源に帰因するセンサ内の信号の強さは、センサの読み取りに影響を及ぼす程度に十分に高くなり、エラーを引き起こす。ＭＴ１０に対応する位置のセンサ内の磁場の強さは、典型的に、サイドトラックのセンサ内の読み取りに影響を及ぼすほど十分高くない。しかし、ＭＴ１０−ＭＴ５０に対応する位置の磁場の強さが増すにつれ、サイドトラックからの磁場の強さはセンサ内の読み取りに影響を及ぼす程度に十分強い。かくして、サイドトラックがセンサに対してＭＴ１０−ＭＴ５０の位置にあるようにマイクロトラック密度が増大するにつれ、これらのサイドトラック内の磁場源はセンサの読み取り時にエラーを招く。この「側面読取り効果」は、読み取りが意図されるマイクロトラック内に記憶された情報の正確な読み取りを妨げる。
【００１６】
図４は本発明によるＭＲセンサ５０を示している。ＭＲセンサ５０が頂部シールド５２、底部シールド５４、第１の側面シールド５６、第２の側面シールド５８、およびＭＲスタック６０を含む。頂部および底部と第１および第２の側面シールド５２、５４、５６、５８、およびＭＲスタック６０は、リーダギャップ６１と６２によって互いに絶縁される。頂部および底部と第１および第２の側面シールド５２、５４、５６、５８は、ＭＲスタック６０を実質的に囲んでいる。第１の側面シールド５６は、ある位置でＭＲスタック６０と、リーダギャップ６１と６２と境界を形成し、これによって第１および第２の側面シールドコーナ６４と６６を画定する。同様に、第２の側面シールド５８は、ある位置でＭＲスタック６０と、リーダギャップ６１と６２と境界を形成し、これによって第３および第４の側面シールドコーナ６８と７０を画定する。本発明によるＭＲスタック６０は、任意のセンサスタック、例えば、任意のタイプのＣＩＰまたはＣＰＰスタックであり得る。図４には、磁場固定層７２、被固定層７４、ルテニウム層７６、基準層７８、銅スペーサ８０、ＭＲ素子８２、第１のセンサ端部８４および第２のセンサ端部８６を含むスピンバルブスタックのみが例示目的のために示されている。ＭＲセンサ５０のユニークな構成は、サイドトラックからの読み取りエラーをＭＲセンサ５０に引き起こすことなく、マイクロトラック密度の増大を可能にする。ＭＲセンサ５０は、第１および第２の側面シールド５６と５８を用意し、トラック密度が増大するときに隣接マイクロトラックからの影響を減少する。図４に示したようなＭＲセンサ５０は、空気ベアリング面３２に対して平行に見た断面である。ディスク１２から読み取るとき、ＭＲセンサ５０とディスク１２は、ＭＲスタック６０がディスク１２上のマイクロトラックに対し平行または長手方向に移動するように互いに対し移動する。かくして、頂部および底部シールド５２と５４は、読み取られるべき所定のマイクロトラックを下方に移動する。したがって、側面シールド５６と５８はディスク１２上のマイクロトラックに対し直角である。このようにして、側面シールド５６と５８は、サイドトラックから読み取られるトラックへの影響からＭＲスタック６０を保護する。
【００１７】
ＭＲセンサ５０において、第１および第２の側面シールド５６と５８は軟質の磁気材料であり、第１および第２のセンサ端部８４と８６と直接接触している。第１および第２のセンサ端部８４と８６は銅スペーサ８０によって接続される。典型的に、第１および第２のセンサ端部８４と８６および銅スペーサ８０は、ＧＭＲの副次的作用によるＧＭＲを強めるために、より低い抵抗を有するが、より高い電子反射率を有する銅または他の材料から製造される。バイアス電流は、例えば任意のＡＭＲ、ＧＭＲまたは同様の装置により電圧の変化を感知してＭＲ素子８２の抵抗の変化が検出されるように、第１および第２のシールド５６と５８を通して、およびＭＲ素子８２を通して直接送られる。
【００１８】
図５は、ディスク１２に対して位置決めされた本発明によるＭＲセンサ５０を示している。ＭＲセンサ５０は、スライダ１６の空気ベアリング面３２と平行の下側面を有する。ＭＲセンサ５０は、ディスク１２から延在する磁場がＭＲセンサ５０を通過するように、ディスク１２に十分密接して位置決めされる。図５には、ディスク１２上のマイクロトラック３４が示されている。マイクロトラック３４はディスク１２上の非常に多数のマイクロトラックの１つである。図２のように、図５のマイクロトラック３４は、ＭＲセンサ５０に対するサイドトラックを示している。換言すれば、ＭＲセンサ５０は、この時点に特定のマイクロトラック（図５に図示せず）を読み取るように位置決めされ、またマイクロトラック３４は、ＭＲセンサ５０がこの時点に読み取りを意図しない隣接マイクロトラックである。マイクロトラック３４内のビットフィールドは、ディスク１２上に記憶された情報を表す一方の方向または他方の方向に磁化される。ディスク１２がＭＲセンサ５０に対して回転されるとき、磁場はマイクロトラック３４から全方向に半径方向に放射される。ＭＲセンサ５０には第１の側面シールド５６と第２の側面シールド５８とが設けられる。マイクロトラック３４から延在する磁場線３６、３８、４０、４２、４４が示されている。しかし、ＭＲスタック６０を通して延在する磁場線３６、３８、４０、４２の代わりに、磁場線３８、４０、４２が第１の側面シールド５６に方向転換される。例えば、磁場線３６のみがＭＲスタック６０を透過できる。このようにして、第１の側面シールド５６は、マイクロトラック３４のようなサイドトラックがセンサ５０による読取に対し及ぼす影響を大幅に減少する。このことによって、さもなければ生じるであろう読み取り時のエラーが回避される。
【００１９】
第１および第２の側面シールド５６と５８を加えることによって、サイドトラックからの媒体磁場の減衰が強められる。図６の実線は、マイクロトラックおよびＭＲセンサ５０の相対位置が変化するときのマイクロトラック内の磁場源に帰因するＭＲセンサ５０の応答を示している。図３と同様に、図６のＹ軸は、マイクロトラック内の磁場源に帰因するＭＲセンサ５０内の磁場の相対強さを示しており、一方、Ｘ軸は、マイクロトラックに対するＭＲセンサ５０の半径方向距離を示している。図３に示されているような磁場の強さと、マイクロトラックに対する従来技術のセンサの位置との関係は、１／ｒ２で表されているが（図３に示したこの関係は、比較を容易にするために図６で実線上方の点線として再掲されている）、磁場の強さと、マイクロトラックに対するＭＲセンサ５０の位置との関係は、減衰１／ｒ３（指数減衰と混合されるイメージダイポール）によって近似され、ここで、ｒはＭＲセンサ５０のエッジとマイクロトラックの磁場源との間の半径方向距離に等しい。このようにして、ＭＲセンサ５０は、従来のセンサと比較してマイクロトラックの遷移減衰を大幅に増す。
【００２０】
図６の点線カーブ（従来技術のＭＲセンサ３０の応答を図示）と実線カーブ（ＭＲセンサ５０の応答を図示）との比較によって示されているように、磁場の強さに対するこの新しい減衰の関係におけるこの変化は、はるかに小さなＭＴ１０とＭＴ５０の関係に対応する。このようにして、マイクロトラック密度が増大する場合にも、ＭＲセンサ５０内の信号の強さに対するサイドトラックの影響が大幅に減少されるように、ＭＲセンサ５０内のＭＴ１０−ＭＴ５０が減少される。
【００２１】
図７は、本発明による代わりのＭＲセンサ９０を示している。ＭＲセンサ９０は頂部／側面シールド９２、底部／側面シールド９６、およびＭＲスタック１００を含む。頂部／側面シールド９２は頂部シールド領域９３および側面シールド領域９４を含み、一方、底部／側面シールド９６は底部領域９７および側面シールド領域９８を含む。このようにして、容易に理解できるように、頂部／側面シールド９２は頂部シールドおよび側面シールドの両方として機能し、また底部／側面シールド９６は底部シールドおよび側面シールドの両方として機能する。頂部／側面シールド９２、底部／側面シールド９６、およびＭＲスタック１００は、リーダギャップ１０２によって互いに絶縁される。頂部／側面シールド９２および底部／側面シールド９６は、ＭＲスタック１００を実質的に囲む。
【００２２】
頂部／側面シールド９２は、リーダギャップ１０２およびＭＲスタック１００と境界を形成し、これによって第１、第２および第３のコーナ１０４、１０６、１０８を画定する。同様に、底部／側面シールド９６はリーダギャップ１０２およびＭＲスタック１００と境界を形成し、これによって第４、第５および第６のコーナ１１０、１１２、１１４を画定する。再び、ＭＲスタック１００は任意のセンサスタック、例えば任意の種類のＣＩＰまたはＣＰＰスタックであり得る。図７には、固定層１１６、被固定層１１８、ルテニウム層１２０、基準層１２２、銅製スペーサ１２４、ＭＲ要素１２６、第１のセンサ端部１２８、および第２のセンサ端部１３０を含むスピンバルブスタックのみが、例示目的のために示されている。ＭＲセンサ９０は、サイドトラックからの読取エラーをＭＲセンサ９０に引き起こすことなくマイクロトラック密度の増大を可能にするようにユニークに構成される。
【００２３】
ＭＲセンサ９０は、図４のＭＲセンサ５０について説明したような性能特性の向上を提供する。ＭＲセンサ９０では、頂部／側面シールド９２は、統合された頂部シールドおよび側面シールドである。このようにして、頂部／側面シールド９２は頂部シールドの公知の利点を提供し、一方、側面シールドの本発明による利点も提供する。同様に、ＭＲセンサ９０では、底部／側面シールド９６は、統合された底部シールドおよび側面シールドである。このようにして、底部／側面シールド９６は底部シールドの公知の利点を提供し、一方、側面シールドの本発明による利点も提供する。頂部／側面シールド９２および底部／側面シールド９６は、ＭＲセンサ５０内の第１および第２の側面シールド５６と５８が行ったように、サイドトラックからの媒体磁場の減衰を強める。したがって、ＭＲセンサ９０内のマイクロトラックの相対位置が変化するときのマイクロトラック内の磁場源に帰因するＭＲセンサ９０の応答は、図６の実線カーブで示すことができる。
【００２４】
ＭＲセンサ９０はまた、コーナドメイン形成がＭＲセンサ５０よりも小さいという利点を提供する。ＭＲセンサ５０では、第１および第２の側面シールド５６と５８の第１、第２、第３および第４のコーナ６４、６６、６８、７０は幾分鋭角である。換言すれば、コーナ６４、６６、６８、７０は、９０°よりもほんの僅かに大きい。このような鋭角のコーナ領域では、第１および第２の側面シールド５６と５８のこれらの領域にドメイン問題を有する可能性がある。ＭＲセンサ９０の構造によってこれらの領域が改善され、シールドのコーナ領域のドメイン問題を少なくする。特に、第１、第２、第３、第４、第５および第６のコーナ領域１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４はより鈍角であり、すなわちこれらは９０°よりも相当大きい。このようにして、ＭＲセンサ５０内の第１および第２の側面シールド５６と５８のより鋭角のコーナ領域に関わるドメイン問題は、ＭＲセンサ９０においては低減される。
【００２５】
図８は、本発明によるＭＲセンサ９０をベースとする代わりの他のＭＲセンサ１４０を示している。ＭＲセンサ１４０は頂部／側面シールド１４２、底部／側面シールド１４６、およびＭＲスタック１５０を含む。頂部／側面シールド１４２は頂部シールド領域１４３および側面シールド領域１４４を含み、一方、底部／側面シールド１４６は底部領域１４７および側面シールド領域１４８を含む。このようにして、ＭＲセンサ９０におけるように、頂部／側面シールド１４２は頂部シールドおよび側面シールドの両方として機能し、また底部／側面シールド１４６は底部シールドおよび側面シールドの両方として機能する。頂部／側面シールド１４２、底部／側面シールド１４６、およびＭＲスタック１５０はリーダギャップ１５２によって互いに絶縁される。頂部／側面シールド１４２および底部／側面シールド１４６は、ＭＲスタック１５０を実質的に囲む。
【００２６】
頂部／側面シールド１４２はリーダギャップ１５２およびＭＲスタック１５０と境界を形成し、これによって第１、第２、第３、第４、第５および第６のコーナ１５４、１５６、１５８、１６０、１６２、１６４を画定する。同様に、底部／側面シールド１４６はリーダギャップ１５２およびＭＲスタック１５０と境界を形成し、これによって第７、第８、第９、第１０、第１１および第１２のコーナ１６６、１６８、１７０、１７２、１７４、１７６を画定する。ＭＲスタック１５０は、図７のＭＲスタック１００について記述したのと同様である。
【００２７】
ＭＲセンサ１４０は、ＭＲセンサ５０と９０について説明したような性能特性の向上を提供する。さらに、ＭＲセンサ５０からＭＲセンサ９０へ改良されたシールドコーナは、ＭＲセンサ１４０においてさらに改良される。ＭＲセンサ１４０では、第１から第１２のコーナ１５４〜１７６のすべては、さらにより鈍角にされ、すなわちこれらのコーナのすべては、９０°よりも１８０°に近い。このようにして、ＭＲセンサ５０内の第１および第２の側面シールド５６と５８のより鋭角のコーナ領域に関わるドメイン問題は、ＭＲセンサ１４０においては低減される。
【００２８】
ＭＲセンサ５０内の側面シールド５６と５８、ＭＲセンサ９０内の頂部／側面シールド９２と底部／側面シールド９６、およびＭＲセンサ１４０内の頂部／側面シールド１４２と底部／側面シールド１４６は、ニッケル鉄合金のような軟質の磁気材料から典型的に製造される。したがって、これらの側面シールドの異方性は低く、透過性が高い。これらの材料特性は、側面シールドによりＭＲセンサの各々のマイクロトラックの遷移減衰を強めることを可能にする。
【００２９】
図４と図７に示したようなＭＲセンサ５０と９０は、空気ベアリング面３２に対し平行に見た断面である。空気ベアリング面３２から垂直に延在するＭＲセンサ５０と９０の寸法は、一般にセンサ高さと呼ばれる。センサの一方のエッジから反対側のエッジに延在するＭＲセンサ５０と９０の寸法は、センサ幅である。センサ高さおよびセンサ幅がＭＲスタックの厚さに匹敵する場合、側面シールドが特に重要になる。側面シールドは、より高いセンサ高さ対センサ幅比を許容でき、センサ高さのラップ仕上げを低減する。このことは、垂直またはパターン媒体記録に特に有用である。
【００３０】
好ましい実施態様を参照して、本発明について記述してきたが、当業者は、本発明の精神と範囲から逸脱することなしに形状と細部の変更を行い得ることを認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ディスクドライブの図面である。
【図２】
マイクロトラック内の磁場源に対して位置決めされた従来技術のＭＲセンサである。
【図３】
ＭＲセンサと磁場源の相対位置に対する、磁場源に帰因するＭＲセンサの応答プロットを示している。
【図４】
本発明によるＭＲセンサである。
【図５】
マイクロトラック内の磁場源に対して位置決めされた本発明によるＭＲセンサである。
【図６】
ＭＲセンサと磁場源の相対位置に対する、磁場源に帰因する本発明のＭＲセンサの応答プロットを示している。
【図７】
本発明によるＭＲセンサの代替的実施態様である。
【図８】
本発明によるＭＲセンサの他の代替的実施態様である。
【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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