(57)【要約】【課題】超高密度記憶能力を有する磁気記憶装置及び該磁気記憶装置を製造する方法を提供する。【解決手段】イオン線処理を行うことによって、磁気モメンタムを増加させ、保磁力を変化させ、磁性層のある領域において容易軸を形成する。また、イオン線処理を行うことによって、容易軸を有する磁性層の磁気記憶を可能とする。これによって、従来の磁性層の物理的な限界が克服される。本発明によれば、記憶密度を著しく高めることができる。
2004528666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に沿う容易軸を有する磁気媒体を含む磁気記憶装置。
【請求項２】
前記第１の方向は、前記磁気記憶装置の駆動系を規定する座標系の選択された一つの軸に対して平行である請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記座標系は直交座標系であり、前記第１の方向は、前記直交座標系を構成する水平軸および垂直軸のうちの選択された一つに対して平行である請求項２に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記座標系は極座標系であり、前記第１の方向は、前記極座標系の半径方向軸(radical axis)および角度方向軸(angular axis)のうちの選択された一つに対して平行である請求項２に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
幅と長さとの比が１：１である長方形状の磁気ヘッドをさらに含む請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
第１の方向に規定される第１容易軸を有する第１領域、および、第２の方向に規定される第２容易軸を有する第２領域を含む磁気媒体と、
前記磁気媒体の前記第１領域と作用する第１ヘッド、および、前記磁気媒体の前第２領域と作用する第２ヘッドを備える磁気ヘッドと、
を含む磁気記憶装置。
【請求項７】
前記第１の方向と前記第２の方向との角度のずれが９０°である請求項６に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記第１容易軸は、前記磁気記憶装置の駆動系を規定する座標系の第１の軸に対して平行であり、
前記第２容易軸は、前記座標系の第２の軸に対して平行である請求項６に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
前記座標系は直交座標系であり、
前記第１の方向は、前記直交座標系を構成する水平軸および垂直軸のうちの選択された一つに対して平行であり、
前記第２の方向は、他方の軸に対して平行である請求項８に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記座標系は極座標系であり、
前記第１の方向は、前記極座標系の半径方向軸および角度方向軸のうちの選択された一方に対して平行であり、
前記第２の方向は、他方の軸に対して平行である請求項８に記載の磁気記憶装置。
【請求項１１】
基板上に磁性材料を堆積させることによって磁気媒体を形成する工程と、
開口部を有するマスクを前記磁気媒体の上方に配置する工程と、
前記開口部を介してイオン線処理を行うことによって、前記磁気媒体の第１領域に第１容易軸を形成する工程と、
を包含する磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１２】
外部磁場を印加することによって、前記第１容易軸を、前記磁気記憶装置の駆動系を規定する座標系の選択された一つの方向に沿うように設定する工程をさらに包含する請求項１１に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１３】
座標系は、直交座標系であって、
外部磁場を印加することによって、前記第１容易軸を、前記直交座標系の水平方向および垂直方向のうちの選択された一つに沿うように設定する工程をさらに包含する請求項１１に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１４】
座標系は極座標系であって、
外部磁場を印加することによって、前記第１容易軸を、前記極座標系の半径方向および角度方向のうちの選択された一つに沿うように設定する工程をさらに包含する請求項１１に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１５】
基板上に磁性材料を堆積させることによって磁気媒体を形成する工程と、
前記磁気媒体において第１領域および第２領域を規定する工程と、
開口部を有するマスクを、前記磁気媒体の上方に第１の状態で配置する工程と、
前記開口部を介してイオン線注入を行うことによって、前記第１領域に第１容易軸を形成する工程と、
前記マスクを、前記磁気媒体の上方に第２の状態で配置する工程と、
前記開口部を介してイオン線注入を行うことによって、前記第２領域に第２容易軸を形成する工程と、
を包含する磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１容易軸と前記第２容易軸とがなす角度が９０°になるように外部磁場を印加する工程をさらに包含する請求項１５に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１７】
ディスク状基板を用いて磁気媒体を形成する工程と、
前記磁気媒体において第１領域および第２領域を規定する工程と、
前記第１領域を露出させる第１開口部、および、前記第２領域を露出させる第２開口部を有するマスクを配置する工程と、
前記磁気媒体を回転させた状態で前記第１開口部および第２開口部を介してイオン線注入を行うことによって、前記第１領域に第１容易軸を形成し、かつ、前記第２領域に第２容易軸を形成する工程と、
を包含する磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１容易軸と前記第２容易軸とがなす角度が９０°になるように外部磁場を印加する工程をさらに包含する請求項１７に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１９】
磁気記憶装置の製造方法であって、
駆動系が極座標系であり、
ディスク状基板を用いて磁気媒体を形成する工程と、
前記磁気媒体において第１領域および第２領域を規定する工程と、
前記第２領域を被覆する一方で、前記第１領域を露出させる工程と、
スリット状の開口部を有するマスクを、前記開口部が第１の方向に沿うように前記磁気媒体の上方に配置する工程と、
前記開口部を介してイオン線注入を行うことによって、前記第１領域に第１容易軸を形成する工程と、
前記第１領域を被覆する一方で、前記第２領域を露出させる工程と、
前記開口部が第２の方向に沿うように前記マスクを前記磁気媒体の上方に配置する工程と、
前記開口部を介してイオン線注入を行うことによって、前記第２領域に第２容易軸を形成する工程と、
を包含する磁気記憶装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１容易軸と前記第２容易軸とのなす角度が９０°となるように外部磁場を印加する工程をさらに包含する請求項１９に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超高密度記憶容量を有する磁気記憶装置に関し、特に、磁気記憶装置に情報を記憶する最小段位であるビットセル（bit cell）において、磁化容易軸が形成された磁気媒体を含む超高密度記憶装置の製造方法及び、その製造方法により製作された磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この数十年の間、情報の取り扱いに関する技術は急激な発展を遂げてきた。いわゆる情報社会といわれる現在だけでなく、将来の社会においても、我々はますます多くの情報を必要とするだろう。そこで、我々には自分が必要とする情報を記憶、保管するためのバックアップテープ、ハードディスクまたは着脱式の記憶装置というような記憶装置がより必要になる。
特に、ますます増加している大量の情報を記憶するために、超高密度記憶密度(Ultra-high Storage Density)を持つ記憶装置に対する需要が増加するため、超高密度記憶装置に関する市場の規模が日ごとに大きくなっている。
【０００３】
情報を記憶するために、これまで用いられてきた代表的な方法においては、磁気テープ、磁気ディスクおよび磁気ドラムのような磁気媒体が利用されていた。そのなかでも円盤（ディスク）状の磁気記録媒体を利用するシステムが最も広く使用されている。
フロッピー（登録商標）ディスクドライバ（FDD）システム、ハードディスクドライバ（HDD）システム及び光磁気ディスクドライバ（MOD）システムなどが、ディスク状磁気記録媒体を使用している代表的な例である。この中でも超高密度磁気記憶装置はハードディスクドライブシステムを中心に発展してきた。
ハードディスクにおいては、円盤形基板の上を磁性薄膜で被覆し、基板表面に平行な方向で磁場を印加することによって情報を記憶する、いわゆる‘水平記録（Longitudinal Recording）’という方式が採用されている。
【０００４】
以下、ハードディスクで代表される円盤形の磁気記憶装置の構造について図１ａを参照しながら説明する。
円盤形の基板の上に磁性薄膜が被覆された磁気ディスク(1)が、回転軸(7)を中心に回転できるように組み立てられている。上記磁気ディスク(1)の表面上に対して、情報を記録及び再生するための磁気ヘッド(3)が設置されている。磁気ヘッド(3)は、磁気ディスク(1)の側面に設けられた駆動部(9)に連結されたヘッドアーム(5)の先端に設置されている。上記の磁気ディスク(1)は、情報が記録されるデータゾーン(21)と非動作時に磁気ヘッド(3)を保管するためのパーキングゾーン(23)とを備えている。磁気ヘッド(3)は、上記の駆動部(9)を制御することによってデータゾーン(21)の上にデータを記録、および再生することができる。
【０００５】
以下、ハードディスクシステムの主要部品の一つである磁気記録媒体、つまり磁気ディスクの構造について、図１ａのＡ−Ａ'線で切った断面図である図１ｂを参照して説明する。
Ａｌ／Ｍｇまたはガラスで作られた基板(11)の上に、Ｃｒ，ＣｒＶまたはＣｒＴａを含む金属を約500Å堆積させることによって基低層(13)が形成されている。その基低層(13)の上にＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＰｔＣｒＴａ，ＦｅＰｔＣｒまたはＣｏＮｉＣｒのような強磁性材料を約200Å−300Åの厚さで堆積させることによって磁性層(15)が形成されている。その磁性層(15)の上にＣ：Ｎｘを約100Åの厚さで堆積させることによって保護層(17)が形成され、この保護層(17)の上に潤滑材料を約20Åの厚さで堆積させることによって潤滑層(19)を順番に形成する。
【０００６】
この磁気ディスクに対する情報の記憶は磁気ヘッドによって規定される最小段位のビットセルを形成することによって行われる。
一般的に、ビットセルは長方形状になる。ビットセルの短い辺は磁気ディスクの回転方向と平行に、長い辺はトラックの幅と平行に配列される。
一般的にビットセルの長い辺は、ビットの幅（トラックの幅と同じ）で、短い辺はビットの長さである。
【０００７】
図２は、磁気媒体（磁気ディスク）上で、磁気ヘッドの作動によりどのようにしてビットセルが構成されるかの構造を示す。
磁気ヘッド(3)は再生ヘッド(31)と記録ヘッド(33)とが近接して配置された構造である。再生ヘッド(31)は磁気抵抗を検出する磁気センサーで構成される。記録ヘッド(33)はパーマロイコアに銅コイル(35)を巻いて作った電磁石であり、磁場を生成する装置の一種である。磁気ディスク(1)に情報を記録するのは、電気信号が記録ヘッド(33)のコイル(35)に与えられることで、記録ヘッド(33)の間隙(G)の間に磁場が発生することによって行われる。上記記録ヘッド(33)の下で動いている磁気ディスク(1)の表面では上記磁場に対応する領域にビットセル(25)が形成される。そのビットセル(25)は長方形であり、ビットの長さ(Lb)は、記録ヘッド(33)の間隙(G)と磁気ディスク(1)の移動速度とコイル(35)に付与される電気信号との相関関係によって決められる。
一方、ビットの幅(Wb)は記録ヘッド(33)の幅(Wh)によって決められる。ここでビットの幅(Wb)はトラックの幅と同一である。
【０００８】
従来の水平記録方式では、情報記憶用量を増加させるために、ディスクのサイズを大きくしたり、ディスクの枚数を増やしたり、記憶密度を増加させたりする方法などがある。
この中で、単位面積当り（一般的に二乗インチ）のビットセルの数、すなわち記憶密度を増加させることが記憶容量だけでなくデータ転送速度を高める効果を得ることができるため、最も効果的な方法である。
従って、多くのディスク製造者は、記憶密度を高める新技術を開発するために、たくさんの努力と財源を払っている。
記憶密度を高めるためには磁気ヘッド(3)のサイズをますます小さく設計しなければならない。図３は水平記録方式で記憶密度が増加することによってビットセルのサイズがどう変化するかを示す。括弧の中の数字はビットの長さ対幅の比率(W/L ratio)を示す。
例えば、現在はハードディスク製造会社は20〜40Gbit/in2の技術が適用された製品を生産し、研究所では40〜100Gbit/in2の記憶密度を実現する技術が開発されている。
【０００９】
現在までの技術では、ヘッドの大きさを縮小するのはかなり複雑な技術である。‘ヘッドを縮小する’ことが簡単にできなかった理由にはいくつかある。
第一に、記憶密度が増加することに従って与えられた所定時間内に入出力されるデータの量が増えるため、高速なデータ処理技術が要求されるが、どんなに速く処理をするとしても電気工学的な限界にぶつかることになる。
第二に、高性能製品のため、磁気ディスクの移動速度（ディスクの回転速度RPM：Revolution Per Minute）ももっと速くなるように開発しなければいけない。これは先に言ったデータ処理のための入出力問題を悪化させる。
第三に、ヘッドを縮小させることに従って再生のための磁場信号のサイズが縮小され、電気ノイズが増加し、信号対雑音比率(S/N ratio)が急激に悪化する。これはインダクティブヘッド(inductive head)よりも磁気抵抗ヘッド(magnetro-resistive(MR) head)をより好む傾向を高めることになり、ヘッド縮小問題をより複雑にさせる。
【００１０】
第四に、薄膜ヘッドの構造が、リソグラフィー技術および機械的制限によって限定されてしまうことである。このため、全体の大きさを同様に縮小するのはかなり難しい。一般的にはヘッドを小さく設計するなら、少なくともどこかの変数はそのサイズを縮めないほうに進むこともある。この制限性のため、記録ヘッドの効率が低下されるほかに、ヘッドおよび電子部品における放熱の問題が発生する。
第五に、もっと細密に設計して部品間隔を狭くすることによって、それぞれの部品間で発生する電子的な相互転移問題を起こすことである。
最後に、最も根本的な理由としては、サイズを縮めただけで素材が変わるわけではなく、媒体とヘッドの物理的な寸法を縮小し、スイッチング(switching)速度を速くすると、その寸法が大きくてスイッチング(switching)速度が遅い場合と比べて電気的、磁気的な性質が異なることである。また、ヘッドとディスクとの間の間隔が小さくなることによってその間の空気ベアリングと潤滑層が減り、前の装置と比べて異なる行動様式を示すようになる。（参考、"The future of magnetic data storage technology" IBM J.Res.Develop. Vol. 44 No. 3 May 2000 by D.A,Thompson, J.S.Best）
【００１１】
今まではハードディスクの全般的な構造において、記憶密度を高める時に発生するいくつかの問題点について調べてみた。しかし、今までの研究結果に基づいて検討してみれば、ヘッド縮小によって問題が発生する前に磁気ディスクが持っている物理的な限界性のために記憶密度の向上に問題が発生する。
記憶密度向上させる際に磁気ディスクが示す問題点は次のようになる。
磁気ディスクの主要部となる強磁性材料からなる磁気薄膜は、多結晶物質から構成される。上記多結晶磁気薄膜は‘グレイン’と呼ばれる非常に小さな単結晶から構成される。ビットセルが記録媒体として活用されるためには、少なくとも５００個以上のグレインを含まなければいけない。この状態で磁気ディスクの記憶密度を高めるためにビットセルのサイズを小さくすると、５００個以上のグレインがビットセルに含まれるように、グレインのサイズも小さくしなければならない。
【００１２】
つまり、高密度記憶容量を実現するためには、より小さいグレインを含む磁性薄膜を形成しなければならない。しかし、グレインがどんどん小さくなって約８mmになると隣接するグレイン間の力が弱化され、磁気エネルギーは熱振動エネルギーより少なくなり、磁気エネルギーが損失することになる。その結果、記録させた情報を失うことになる。この現像は‘超常磁性限界(superparamagnetic limits)’と言われ、記憶密度を向上させる際に存在する。この超常磁性限界に従って記憶密度の限界値を計算するならば、従来の水平記録方式では約40Gbit/in2となる。そして、このようなグレインが集まってビットは形成され、その形状はきれいな長方形とならず、境界線が正確に決まらない。ビットセルのサイズが大きい場合は相対的に曖昧な境界線は何らの影響も与えないが、ビットセルのサイズが小さくなればなるほどきれいではないビットの境界線は情報再生時に、雑音の深刻な原因になる。また、記憶密度を高める場合、より小さなビットは互いに近接されるように設計される。この場合、ビットセル間の相互交換力(exchange coupling)と電磁気交換力がビットセルに影響を与えるため、記録された情報が変化するという問題が発生する。
【００１３】
この従来の記録媒体（磁気ディスク）での問題を克服するために、超高密度記憶能力のための技術が開発、発表された。例えば、2001年当初、ＩＢＭから発表された内容によると、反強磁性カプリング(AFC：Anti Ferromagnetic Coupling)技法を使った場合、超常磁性限界を記憶密度100Gbit/in2まで伸ばすことができた。AFC技術では、従来の単一磁性薄膜を第１磁性薄膜と第２磁性薄膜とに分け、この第１磁性薄膜と第２磁性薄膜との間に稀土類な金属であるルテニウム(Ruthenium)の３原子層だけを挿入する。
この場合、一番上に形成される第２磁性薄膜においてグレインのサイズが４mmまで小さくなっても超常磁性限界が起きず、超高密度記憶装置を実現できるようになった。
【００１４】
これ以外に、超高密度記憶装置を実現するための方式として提案された他の方法の中で代表的なものは、垂直記録方式と格子形媒体方式(patterned media system)がある。垂直記録方式は磁気ディスクの表面に垂直な方向に磁化軸を持つビットセルを形成する方法である。この方式は、水平記録方式に比べて２〜４倍にまで記憶密度を向上させることができることで提案されたが、実際には製造企業にはあまり使われてない。水平記録方式より高い記憶密度を可能とする垂直記録方式が普及していない理由は、垂直媒体を常用化させるための後続技術が根本的に開発されてないからである。すなわち、水平記録方式で用いられる記録ヘッドは垂直記録には適用できないので、単一極を持つ記録ヘッドが必要になるが、再記録及び記録された情報を消去するには問題が多くて常用化しにくい。また、垂直記録方式のため、磁性薄膜が水平記録方式に比べて10,000倍以上厚くなければいけない。磁性薄膜が厚くなればなるほどグレインのサイズが大きくなるため、高密度記憶のための厚い磁性薄膜を形成する技術は難しく、常用化できなかった。
【００１５】
格子形媒体を使う方式は、ＩＢＭによって米国特許第5,956,216号と米国特許第6,146,755号などで詳しく提案された。この方式は磁性を有する基本単位であるドメイン（またはグレイン）の一つを一つのビットとして構成し、各ビットを非磁性基板上に一定間隔で配列する方式である。各ビットが単一ドメイン（またはグレイン）で構成される格子形媒体技術は、記憶密度を最大の限度まで伸ばせる方法である。
理論的にはビット一つが単一‘グレイン’になっているからビット一つがＮ個のグレインになる水平記録方式に比べてビットのサイズを１／Ｎにまで減らしても熱的に安定するので、超常磁性問題は発生しない。
この技術による磁性薄層は熱的にも非常に安定であり、高密度状態であっても、信号対雑音比率がかなりいい。この技術を用いた場合、少なくとも400Gbit/in2以上の記憶密度を得ることになり、ナノ技術が発達することによってTerra bit/in2の記憶密度を実現し得る。市場でこの格子形媒体が一般的ではない理由は、製造コストが高すぎることにある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、超高密度記憶能力を有する磁気記憶装置を提供することにある。本発明の別の目的は、従来の水平記録方式をそのまま用いた場合にも、水平記録方式が有する制限性を克服し、超高密度記憶能力を有する磁気記憶装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、超高密度記憶能力を有する磁気記憶装置のための磁気記録媒体として記録の基本単位ごとに磁化容易軸が形成された記憶装置を製造する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、超高密度記憶能力を有する磁気記憶装置のための磁気記録媒体として隣接のビットセル間の相互交換力と電磁気交換力が極小化、または完全に除去された記録媒体を製造する方法を提供することである。
【００１７】
本発明は第一に、円盤形磁気媒体において、極座標系の角度方向と半径方向との間の選択された方向に従って磁化容易軸が形成された磁気媒体を提供する。
第二に、本発明は隣接する二つの領域で各々違う方向の磁化容易軸を持つことで上記二つの領域で相互交換力が極小化、あるいは除去された磁性媒体を提供する。
第三に、本発明は、磁気記憶装置の動作方法を規定する座標系には、少なくとも一つの軸と平行な方向に形成された磁化容易軸を有する磁気媒体と、この磁気媒体に情報を記録及び再生する磁気ヘッドとを備える磁気記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明による磁気媒体の製造方法は、基板の上にＣｏ，ＮｉまたはＦｅのような物質を堆積させて強磁性薄膜を形成する工程と、上記磁性薄層はＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｘｅ，Ｋｒのような不活性ガスまたはＮ２＋あるいはＯ２＋を含むイオン線を用いて上記磁性薄膜を処理し、上記磁性薄膜の磁気的な性質を調節する、または上記磁性薄膜に磁化容易軸を形成する工程とを含める。
上記磁性薄膜を処理するために上記イオン線のエネルギーは40KeVから120KeV間あることが好ましい。
より好ましくは、イオン線で処理される部分に500Gauss〜5,000Gaussを有する外部磁場を、上記磁性薄膜に対し水平または垂直で印加する。
【００１９】
本発明による磁気記憶装置は、少なくとも一つの方向で磁化容易軸が形成されたビットセルを有する磁気媒体を備える。
本発明による他の磁気記憶装置は、互いに違う方向に形成された磁化容易軸をそれぞれ有する少なくとも二つのグループのビットセルを有する磁気媒体を備える。
本発明による磁気記憶装置の磁気媒体は、イオン線で処理され、その構造が自然系の安定状態とは違う準安定状態な磁性薄膜を含む。上記の準安定状態は安定状態と比べて磁性薄膜を構成している原子の格子の体積が３％ほど増加された状態である。これはイオン線で処理している間、イオン線を浴びた部分が瞬間的（10-13秒〜10-11秒以内）に熱処理(103〜104Kelvin)され、非常に短い時間（10-11秒以内）に常温まで冷却されることで発生する。このために磁性薄膜の根本性質の磁気モメンタムが35%〜55%くらい増加する。さらに、イオン線で熱処理する間、外部磁場を与えることによって強磁性物質を決定する原子の３ｄ軌道の電子を局在化(localizing)させる。従って、イオン線の処理法を使用することによって、磁気薄膜の磁気的な性質を決定する磁気モメンタム及び磁気応力（保磁力）の値を上げることができ、磁化容易軸を形成することができる。これについての内容は本発明者の2001年８月６日に発刊された"Physical Review Letters Volume 87，Number 6"に詳しく述べられている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、磁気薄膜をイオン線で処理することによって、磁気層の磁気的な性質を制御する方法を提供する。本発明の核心な部分であるイオン線処理を行うことによって磁気モメンタムを増加させ、保磁力を制御でき、磁気容易軸を自在に形成することができる。さらに、従来技術によるグレインの構造から開放されることで磁性材料の物理的な限界を克服することができる。そのため、本発明をハードディスクシステムに適用することで、高密度記録媒体を開発することだけではなく、Terra bit/in2の超高密度の記憶能力がある記億装置を開発することができる。
【００２１】
また、フロッピー（登録商標）ディスクシステム及び光磁気ディスクシステムに適用すれば高容量補助記憶装置(high density capable removing storages)を開発することができる。
また、次世代の記憶装置であるマグネティックラム(MRAM)の磁気媒体になる磁性層に本発明を適用すれば超高密度マグネティックラムを開発することができる。
【００２２】
本発明は従来の磁気記憶装置の関連技術との互換性が優れるため、開発された記憶装置技術をそのまま用いることができるという利点を有する。そのため、これまで開発された記憶装置技術をそのまま活用することができ、現在の産業及び市場に簡単に適用することができ、経済的にもかなり効率的である。
さらに、磁気的な特性を自在に制御し得るという本発明の主要な範囲を用いることによって、磁性材料を使うほとんど全ての技術分野における磁気装置をも開発することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（実施例１）
本実施例では、ビットセルを形成することによって極座標系の角度方向に沿って形成された磁化容易軸を有する磁気記録媒体について説明する。
図４ａは本実施例による、磁化容易軸を持つ円盤形磁気媒体を製造する方法を示す平面図である。図４ｂは図４ａのＢ−Ｂ'線で切った断面を示す図である。
【００２４】
ガラスまたはＡｌ／Ｍｇを含む、円盤形の基板(111)を準備する。上記の基板(111)上にＣｒを含む物質を堆積させ、基底層(113)を作る。この基底層(113)の上にＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＣｒＴａ，ＦｅＰｔまたはＦｅＰｔＣｒなどの強磁性物質を堆積させることによって磁性層(115)を作る。これによって磁気ディスク(101)を製作する。この磁性層(115)はデジタル化された情報が記憶されるデータゾーン(121)と非動作時にヘッドが保管されるパーキングゾーン(123)を有している。データゾーン(121)にはトラック(122)が同心円で配列されてあり、各々のトラック(122)には一連のデータビット（不図示）が線形的に配列されている。
【００２５】
上記の磁気ディスク(101)を真空度が10-7torr程度の真空チャンバ内部に設置する。この磁気ディスク(101)はディスクを中心にして自由に回転ができるように設置される。
図４ａに示したように、ステンシルマスク(151)を準備する。このステンシルマスク(151)のサイズは上記の磁気ディスク(101)より少し大きい方が望ましい。上記ステンシルマスク(151)は上記の磁気ディスク(101)の一部を開放するように設計されたスリット形の開口部(157)を有している。この開口部(157)は上記の磁気ディスク(101)の半径より大きい長辺と、ビットの長さのサイズと同様の短辺とを持つようにするのが望ましい。
【００２６】
しかし、製造工程の便宜性と効率性のために、短辺を数十個または数百個のビットセルの長さに相応することもできる。これは非常に小さなサイズのビットセルが円周状に並んでいるとき、数十個または数百個のビット列は円弧形ではなく直線形で羅列されたと考えられる可能性があるためである。
上記の開口部(157)は、上記の磁気ディスク(101)の半径の方向、つまり極座標系で磁気ディスク(101)の中心から０°方向で配置するのが望ましい。
また製造工程の効率のために磁気ディスク(101)の中心から１８０°方向で開口部を追加することが望ましい。
【００２７】
上記のステンシルマスク(151)を固定し、上記の磁気ディスク(101)を一定速度で回転させる。このとき使用者の便宜に従って、等角速度または等線速度のうちのいずれか一つを選択できる。回転と同時に、Ａｒ＋を含むイオン線(161)を上記開口部(157)から上記の磁気ディスク(101)に注入する。イオン線として用いるイオン源はＨｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒのような不活性ガスまたはＮ２＋ガスあるいはＯ２＋ガスのうちの一つを選ぶことができる。このときに上記の磁気ディスク(101)の磁性薄膜に形成される磁化容易軸の方向が角度方向（回転方向）と一致するためには上記のイオン線(161)を図４ａに示したようなスキャニング軌跡(163)を持たせながら注入することが望ましい。
【００２８】
つまり、直角座標系でＹ軸方向に往復する周波数を速くして、Ｘ軸方向に往復する周波数をＹ軸の周波数より遅くすることによって、リザージュパターンで注入する。例えばＹ軸方向（ビットの長さの方向）の周波数を数百Hz〜数KHzにしてＸ軸方向（ビットの幅の方向）の周波数を数十Hzくらいに設定する。これにより、磁化容易軸(171)の方向は、スキャニング軌跡(163)の周波数が速い軸、ビットセルの長さの方向軸（角度方向軸）と平行になる。もし、磁化容易軸(171)の方向を半径方向（ビットセルの幅の方向）に設定したいならば、スキャニング周波数を反対に設定するのが望ましい。上記の磁気ディスク(101)が回転することによって、イオン線は磁性層に均等に注入され、磁化容易軸(171)がディスクの円周に沿って均等に形成される。磁気ディスク(101)が回転することで、スキャニング軌道の主軸方向がディスクの回転によって影響を受けるときもある。この場合は精密に実験を繰り返し、コンピュータシミュレーションによって、所望の磁化容易軸の方向が設定できるように最適な回転速度値を見つけることが望ましい。
【００２９】
より効果的に磁化容易軸(171)を所望の方向に設定するためには、上記の開口部(157)周辺に磁石(159)を設置し、イオン線(161)によって処理される磁性層(115)に外部磁場を印加することが望ましい。このとき、磁場の方向は、所望の磁化容易軸(171)の方向と一致させることが望ましい。
これはイオン線の処理で磁性薄膜(115)が加熱された状態では、外部に印加された磁場の方向に沿うように磁化容易軸(171)が設定されるという現像を利用している。または、上記ステンシルマスク(151)を磁性材料を用いて作製し、磁場を印加することで、開口部(157)の間には自然に開口部(157)の短辺方向で磁場が生じる。これを利用して別の磁石(159)がなくても磁場を与えることもできる。
【００３０】
一般的に超微細磁気ビットセルは長方形に設計する。その理由はいくつかあるが、その中にも主な理由は磁気形態異方性エネルギーを利用して、ビットセルの磁気方向を維持するようにするためである。しかし、本実施例のように磁化容易軸が設定された場合、上記の磁気ディスク(101)に生じる記録単位のビットセルを平面的に対称な図形、例えば、円形または正方形で設計しても磁化方向がそのまま維持される。
故に、本実施例を従来の記憶密度が20Gbit/in2の磁気媒体技術に適用すれば、ビットセルの形態を１２：１（長方形）から１：１（正方形）まで変化させることで、記憶密度を１２倍まで増加させることができる。つまり、Ｗ／Ｌ比を６：１まで減らせば、記憶密度は40Gbit/in2になり、Ｗ／Ｌ比を３：１まで減らせば、記憶密度は80Gbit/in2になる。ビットのサイズを決めるヘッドのサイズを縮小するとき、ヘッドの間隙(G)はそのままにしつつ、長さだけを減らすことでＷ／Ｌ比が１：１まで調節することができ、200Gbit/in2以上の超高密度の記憶密度を得ることができる。この方法はヘッドの長辺と短辺を同時に短縮させる従来の方法よりも、技術的に簡単に、かつ効率的にヘッドのサイズを小さくする方法である。
【００３１】
磁気記憶装置は、磁気媒体と、上記の磁気媒体に情報を記録、再生するための磁気ヘッドとを含んでいる。本実施例による磁気媒体は従来の磁気媒体と異なり磁化容易軸を持っているが、その配列は磁化容易軸がない従来の磁気媒体のビットセル配列と同じ形状である。従って、本実施例によって製作された磁気媒体を使うための磁気ヘッドは従来の磁気ヘッドをそのまま使える。このため、本実施例による磁気媒体は記憶密度を大幅に向上させ、磁気ヘッド及び他の部品は従来のもののまま活用できるという利点を備えている。
【００３２】
（実施例２）
上記の実施例１の方法で記憶密度を向上させると、記憶密度の増加はトラックの数の増加をもたらす。従ってトラックとトラックを区分するトラックのギャップの数も増加することになる。トラックのギャップは情報を記憶するところではなくトラックとトラックを区分する役割をするが、本実施例ではトラックのギャップを別の記録領域として使う方法を提供することにする。
ここでは各々の領域でお互いに異なる方向の磁化容易軸を有する二つ種類のトラックを含む磁気記録媒体を製造する代表的な方法について説明する。
図５ａと図６ａはトラックで各々異なる方向の磁化容易軸を持っている二つのグループを形成する方法を示した平面図である。図５ｂと図６ｂは図５ａと図６ａのＣ−Ｃ'線とＤ−Ｄ'線で切った断面図である。
【００３３】
図５ｂ及び図６ｂで示したようにガラスまたはＡｌ／Ｍｇを含む円盤形の基板(111)を準備する。上記の基板(111)上にＣｒのような非磁性金属を堆積させて基底層(113)を作る。上記の基底層(113)上にＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＣｒＴａ，ＣｏＰｔＣｒＢ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｔＣｒなどの強磁性物質を堆積させ、磁性層(115)を形成する。これにより磁気ディスク(101)が作製される。上記の磁性層は情報が記憶されるデータゾーン(121)と、非作動時にヘッドを保管するパーキングゾーン(123)とを含む。データゾーン(121)には複数のトラックが設けられ、これを便宜上、奇数番目のトラック(122a)と偶数番目のトラック(122b)とに区分する。各々のトラックでは所定の長さを持っている一連のデータビットが線形的に配列されている。
【００３４】
スピンコーティング法を用いて、上記の磁性層(115)の上にフォトレジストを塗布する。上記のフォトレジストをパターニングし、奇数のトラック(122a)を覆うフォトレジストを除去して開放し、偶数のトラック(122b)上だけにフォトレジスト(117)が残るようにする。上記の磁気ディスク(101)より大きいステンシルマスク(151)を準備する。上記のステンシルマスク(151)はスリット形の開口部(157)を持っている。上記開口部(157)はビットの長さに近似するサイズの幅と磁気ディスク(101)の半径に近似するサイズの長さである。
【００３５】
上記の磁気ディスク(101)はその中心点を基準にして自由に回転ができるように真空チャンバ内に設置する。上記のステンシルマスク(151)は上記の磁気ディスク(101)上に設置する。このとき、上記の開口部(157)を上記の磁気ディスク(101)の中心点から０°方向、または中心点から１８０°方向に設置することが望ましい。
上記の磁気ディスク(101)を一定速度で回転させる。Ａｒ＋イオンを含むイオン線(161)を上記開口部(157)を通して上記磁気ディスク(101)に注入してＡｒ＋イオンが磁性層(115)に注入されるようにする。これにより、上記の開放された偶数のトラック(122a)には極座標系で角度方向軸に平行な第１磁化容易軸(173)が形成される。反面、フォトレジスト(117)によって覆われた偶数のトラック(122b)はイオン線による影響を受けないことになる。
【００３６】
図６ａ及び図６ｂに示したように、フォトレジスト(117)を除去して上記の磁性層(115)上に新しいフォトレジストを塗布する。上記のフォトレジストをパターニングして偶数のトラック(122b)の上のフォトレジストだけを除去して開放し、奇数のトラック(122b)の上だけにフォトレジスト(119)が残るようにする。
上記のステンシルマスク(151)を再び上記の磁気ディスク(101)の上に所定の間隙を設けて設置する。このとき上記の開口部(157)は第１磁化容易軸(173)を形成する工程で設定した開口部の方向と直角になるように設置する。すなわち、上記の開口部(157)は極座標系の中心点から９０°方向の半径、または中心点から２７０°方向の半径と一致するように設置することが望ましい。
【００３７】
上記の磁気ディスク(101)の中心点を基準にして一定速度で回転させる。Ａｒ＋イオンを含むイオン線(161)を上記の開口部(157)から上記の磁性層(115)に注入する。この結果、上記の開放された偶数のトラック(122b)には極座標系で半径方向と一致する方向で第２磁化容易軸(175)が維持される。反面、フォトレジスト(119)に覆われた奇数のトラック(122a)は何らの影響を受けない、第１磁化容易軸(173)が維持される。図では示してないが、本実施例でイオン線を磁性層(115)に注入するとき、スキャニング周波数変調方法及び外部磁場印加方法は実施例１で説明した方法と類似に適用することができる。
【００３８】
トラック別に異なる方向の磁化容易軸を設定するための他の方法では、ステンシルマスクだけを使用することもできる。まず、図４ａに示すのと同様の方法でディスク(101)の上に、スリット形の開口部(157)を有するステンシルマスク(151)を利用して実施例１と同じ方法で磁性薄膜(151)に半径方向に平行な方向の磁化容易軸を形成する。これにより、全てのトラックに半径方向と平行な磁化容易軸が形成される。これが本実施例では第１磁化容易軸(173)になる。そして図７に示したように、磁気ディスク(101)上にトラックの幅に近似するサイズの第２開口部(257)を有する第２ステンシルマスク(251)を設置する。
このとき、上記の第２開口部(257)は偶数のトラック(122b)を開放するように設けられる。そして、上記の第２開口部(257)を利用して半径の方向と平行な第２磁化容易軸(175)を生成するために、磁気ディスク(101)の中心から９０°または２７０°方向の半径方向で上記の第２開口部(257)を設置することが望ましい。
この方法を使えるのは、イオン線によって磁性薄膜(115)に形成される磁化容易軸の方向は最終のイオン線処理過程に与えられた条件で決められるためである。つまり、前述の図４ａと同様の方法で偶数のトラック(122b)に角度方向で磁化容易軸が形成されても、図７に示したように、再びイオン線処理をしたら、最終処理条件によって偶数のトラック(122b)には半径方向の第２磁化容易軸(175)が生じる。
【００３９】
磁気記憶装置は磁気媒体と上記の磁気媒体に情報を記録、再生するための磁気ヘッドとを含む。本実施例によって製作された磁気媒体を使用するためにはこれに合う磁気ヘッドシステムが必要である。
図８は、本実施例によって磁気媒体を使えるように構成された磁気ヘッドシステムの一例を示す平面図である。
ヘッドシステムは二つのヘッドを備える。第１ヘッド(201)は第１磁化容易軸(173)の領域のため、第２ヘッド(202)は第２磁化容易軸(175)の領域を使うために準備されている。
図８には第１ヘッド(201)と第２ヘッド(202)が一列に配列されている場合を示しているが、必要に応じて第１ヘッド(201)と第２ヘッド(202)が離れるように配列されていてもよい。例えば、第１ヘッド(201)と第２ヘッド(202)は磁気ディスク(101)の中心点を基準にしてお互いに向かい合う位置に設けられていてもよい。
上記の第１ヘッド(201)は第１磁化容易軸(173)の方向と一致する磁場が生じるようにヘッドギャップが形成され、第２ヘッド(202)は第２磁化容易軸(175)の方向と一致する磁場が生じるようにヘッドギャップが形成されるのが望ましい。
万一、上記第１ヘッド(201)が第２磁化容易軸(175)の領域に位置しても、第１ヘッド(201)は動作しない。この理由は、第２磁化容易軸(175)の方向と第１ヘッド(201)ギャップによる磁場の方向が互いに９０°にずれているため、第１ヘッド(201)による磁場力の方向と第２磁化容易軸(173)に沿って記録された磁気ビットの磁場力の方向とは線形的に独立的なことにある。
【００４０】
本実施例による磁気記憶装置は情報記憶領域のみならずトラックとトラックの間にも情報を記憶することができ、実施例１での記憶密度より２倍以上の記憶密度を持つ。さらに、同時に作動する独立的なヘッドを二つ使うためデータ入出力が従来の技術に比べて同じディスクの速度で２倍速くなる。
【００４１】
（実施例３）
本実施例３では本発明の概念を情報の基本単位であるビットのレベルに適用した場合を説明する。図９ａと図９ｂはイオン線処理して第１領域に第１磁化容易軸を形成する方法を示す平面図である。
図１０ａと図１０ｂは上記の第２領域に第２磁化容易軸を形成する方法を示す平面図である。
【００４２】
先に説明した実施例１及び２と同様の方法でガラスまたはＡｌ／Ｍｇを含む基板(111)上にＣｒなどの非磁性物質を堆積させて基底層(113)を形成し、その上にＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＰｔＣｒＴａ，ＣｏＰｔＣｒＢ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｔＣｒなどのような強磁性物質を堆積させて磁性層(115)を形成することで磁気ディスク(101)を準備する。
上記の磁性層(115)は情報を記憶するデータゾーン(121)と非作動時にヘッドを保管するパーキングゾーン(123)とを含む。上記のデータゾーン(121)に従って長方形の形状を有する一連のビットが配列されている。図９ａと図１０ａに示したように上記のビットは便宜上、第１ビットセル(142a)と第２ビットセル(142b)との二つのグループに分けられている。第１ビットセル(142a)と第２ビットセル(142b)とは、各々極座標系を構成する二つの軸（角度方向軸及び半径方向軸）から選択される一つの方向を持つ磁化容易軸を持つように設計される。
【００４３】
上記の磁性薄層(115)の上にフォトレジストを塗布する。上記のフォトレジストをパターニングして、図９ａに示すように、上記第１ビットセル(142a)の上のフォトレジストだけを除去して開放し、第２ビットセル(142b)の上だけにフォトレジストを残しておく。上記の磁気ディスク(101)より若干大きいステンシルマスク(151)を準備する。上記のステンシルマスク(151)にはスリット形の開口部(157)が設けられている。上記の開口部(157)はビットの長さに近似する幅と、少なくとも上記のデータゾーン(121)の半径に近似する長さを持つ。
【００４４】
上記磁気ディスク(101)を中心点を基準にして回転ができるように真空チャンバの内部に設置する。上記のステンシルマスク(151)を上記の磁気ディスク(101)から所定の距離を置いて設置する。このとき、上記の開口部(157)は中心点から０°方向の半径、または１８０°方向に沿うように設置されるようにする。
上記磁気ディスク(101)を一定速度で回転させる。同時に、Ａｒ＋イオンを含むイオン線(161)を上記の開口部(157)から上記の磁性層(115)に注入する。これにより、開放された第１ビットセル(142a)だけに上記のイオン線(161)が注入され、極座標系の角度方向と平行な方向で第１磁化容易軸(173)が形成される。フォトレジスト(117)で覆われた第２ビットセル(142b)はイオン線に影響を受けない。
【００４５】
上記のフォトレジスト(117)を除去し、新しいフォトレジストを上記の磁性薄膜(115)の上に再び塗布する。上記のフォトレジストをパターニングし、図１０ａに示したように、第２ビットセル(142b)の上のフォトレジストを除去して第１ビットセル(142a)の上だけにフォトレジスト(119)を残して第２ビットセル(142b)を開放させる。
再びステンシルマスク(151)を上記の磁気ディスク(101)の上に設置する。このとき、上記の開口部(157)が磁気ディスク(101)の中心点から９０°方向の半径または中心点から270°方向の半径と一致するように設置する。
上記の磁気ディスク(101)を一定速度で回転させる。Ａｒ＋を含むイオン線(161)を上記の開口部(157)から上記の磁気ディスク(101)の露出された第２ビットセル(142b)に注入する。これにより、第２ビットセル(142b)に極座標系の半径方向と平行な第２磁化容易軸(175)が形成される。反面、フォトレジスト(119)で覆われた第１ビットセル(142a)は何らの影響も受けないのでそのまま第１磁化容易軸(173)を持つことになる。
【００４６】
本実施例では、ビットセルは正確に規定された境界を有すように設けられる。そのため、従来の技術による磁性媒体に比べて信号対雑音比を非常に向上させることができる。そして、隣接のビットセル間の磁化容易軸の方向は９０°になり、相互交換力または電磁気交換力は最小化または除去される。そのため、従来の技術であったビットセル間の隙間領域は除去される。
従来の格子形の媒体では、図１１に示したようにビットセル(25)とビットセル(25)との間には必ず非磁性体の空間(27)が存在する。図１２では本実施例によるビットセルの配列を示している。本実施例においては、磁性薄膜には第１ビットセル(142a)と第２ビットセル(142b)との間に空間が存在していない。各々のビットセル(142a,142b)はそれぞれの磁化容易軸(173,175)を持ち、隣接のビットセル(142a,142b)ではそれらの方向の角度が９０°異なる磁化容易軸を有している。図１１と図１２を比較すればわかるように、本実施例では記憶密度が従来の格子媒体(patterned media)より４倍まで向上し得る。
【００４７】
磁気記憶装置は、磁気媒体とその磁気媒体を用いて情報を記録、再生する磁気ヘッドとを備えている。図１３は本実施例によって製造された磁気媒体に対して情報を記録、再生するヘッドシステムの例を示す平面図である。
好適なヘッドシステムは４つのヘッドを備える。第１ヘッド(211)は第１磁化容易軸(173)を有するビットセルのためのヘッドであり、第３ヘッド(215)は隣接するトラック上の第１磁化容易軸を有するビットセルのためのヘッドである。第２ヘッド(213)は第２磁化容易軸(175)に有するビットセルのためのヘッドであり、第４ヘッド(217)は隣接するトラックの上の第２磁化容易軸(175)を有するビットセルのためのヘッドである。
【００４８】
この４つのヘッド(211,213,215,217)は図１３に示すように、４×４行列構造で配列されていてよい。しかし、必要に応じて、この４つのヘッドを離した位置に配置することもできる。第１ヘッド(211)と第３ヘッド(215)はヘッドのギャップによる磁場の方向が第１磁化容易軸(173)の方向と整列するように設計するのが望ましい。そして、第２ヘッド(213)と第４ヘッド(217)はヘッドのギャップによる磁場の方向が第２磁化容易軸(175)の方向と整列するように設計するのが望ましい。
万一、第１ヘッド(211)と第３ヘッド(215)が第２磁化容易軸(175)を有するビットセル上に位置しても何ら影響を及ぼさない。これは、第１ヘッド(211)と第３ヘッド(215)とによって形成される磁場の方向と第２磁化容易軸(175)の方向とが垂直になり、ヘッドと容易軸との間の磁力は線形独立となるからである。
【００４９】
他の例で、ヘッドシステムは新しい構造で設計することもできる。二つのヘッドの極間ギャップが互いに交差されるように、“＋”形に交差する２つのヘッドがあってもよい。この場合には、第１軸のヘッドに電気信号が与えるうちは第２軸のヘッドには信号が与えないように（または、その逆となるように）第１軸のヘッドと第２軸のヘッドの信号周波数が異ならなければいけない。例えば、第１軸のヘッドと第２軸のヘッドに与えられる電気信号の周波数がπ(＝１８０°)の位相差を有することが望ましい。
【００５０】
本実施例による磁気記録媒体の場合、独立的な４つのヘッドが同時に作動するため、１回に処理する情報の基本単位は従来のようにビット単位ではなく、ニブル（４つのビット）になる。つまり、従来にビット１つが処理した同一な領域でニブル（４つのビット）単位の情報の記録と再生ができるようになる。このため、同一のディスク回転速度の場合にも、データ伝送の速度は従来の技術に比べて４倍速くなり、物理的には記憶密度が４倍に向上される結果を生むことになる。さらに、従来の技術では一つのビットが情報の基本単位であり、区別できる情報の種類は２つであるに比べ、本実施例によって情報の基本単位がニブル（４つのビット）になる場合は、区別できる情報の種類が１６個となる。従って、論理的な記憶密度は従来の技術より８倍まで上がる結果になる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は磁気記憶装置に関するものである。特に、本発明は、磁気媒体と、上記磁気媒体に用いる磁気ヘットシステムとを備える磁気ヘッドシステムに関する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１ａはハードディスクシステムの一般的な構造の平面図であり、図１ｂはハードディスクシステムで用いられる磁気記録媒体（磁気ディスク）の一般的な構造の断面図である。
【図２】図２は従来の技術によるハードディスクにおいて、記録媒体とヘッドの動作を示す斜視図である。
【図３】図３は記憶密度によるビットセルのサイズの変化を示す。
【図４】図４ａ及び図４ｂは、本発明によるステンシルマスクを用いて磁化容易軸を持つ磁気ディスクを製造する方法を示す図面である。
【図５】図５ａ及び図５ｂは、本発明によるステンシルマスクとフォトレジストとを用いて隣接するトラックに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクを製造する方法を示す図である。
【図６】図６ａ及び図６ｂは、本発明によるステンシルマスクとフォトレジストとを用いて隣接するトラックに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクを製造する方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明による隣接するトラックに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクを製造するためのステンシルマスクとその使用法を示す図である。
【図８】図８は、本発明による隣接するトラックに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクと、上記の磁気ディスクに情報を記録及び再生できるように考案された磁気ヘッドセットとを備える記憶装置を示す。
【図９】図９ａ及び図９ｂは、本発明によるステンシルマスクとフォトレジストマスクを利用して隣接するビットセルに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクを製造する方法を示す。
【図１０】図１０ａ及び図１０ｂは、本発明によるステンシルマスクとフォトレジストマスクを利用して隣接するビットセルに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクを製造する方法を示す。
【図１１】図１１は従来の方法による形成された格子形磁気媒体のビットセルの配列状態を示す。
【図１２】図１２は本発明によって隣のビットセルに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気媒体のビットセルの配列状態を示す。
【図１３】図１３は本発明によって隣のビットセルに各々別な方向の磁化容易軸を持つ磁気ディスクと上記の磁気ディスクに情報を記録及び再生できるように考案された磁気ヘッドセットを含む磁気記憶装置を示す。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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