(57)【要約】本発明は、回転するバッチ型イオン注入機の処理用ディスク（２８２，３８０）において、固定の供給源から、注入されるワークピースの裏面側に冷却ガス（３０２）が供給される装置を提供する。この冷却ガス（３０２）は、ワークピースから処理用ディスク（２８２，３８０）への改良した熱伝達を与えるとともに、ワークピースからの熱を取り除くために、処理用ディスク内の通路を通って循環する冷却流体と有効に組み合わせることができる。本発明は、バッチ型イオン注入機の処理用ディスク（２８２，３８０）を回転する回転軸（２７０）内に、固定のハウジング（２１０）からガス室に冷却ガス（３０２）を移送するのに使用される回転フィードスルー（３００）をさらに含む。さらに、イオン注入されるワークピースの前側の真空状態に対して、ワークピースの裏面側に加えられる冷却ガス（３０２）を密閉するシール装置が設けられる。
2004510305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側表面（２５８）と内側表面（２６０）を有する外壁（２５６）を備え、内部キャビティ（２６２）、および前記外壁の前記外側表面（２５８）に設けた第１ガス入口開口（２６６）と前記内側表面（２６０）に設けた出口開口（２６８）との間で前記外壁（２５６）内を貫く第１のガス室（２６４）を有するハウジング（２１０）と、
１つの軸線（２７２）回りに回転するために前記ハウジング（２１０）の前記内部キャビティ（２６２）内で回転可能に取付けられて、第１端部（２７０ａ）と第２端部（２７０ｂ）との間で軸方向に伸び、かつ第２ガス入口開口（２７８）と前記第２端部（２７０ｂ）の間を通って伸びる第２のガス室（２７６）を有する軸（２７０）と、
前記軸線（２７２）回りに回転するために、前記軸（２７０）の第２端部（２７０ｂ）に取付られてワークピースを支持し、かつガス供給ポート（２９０）、および前記軸（２７０）内の前記第２のガス室（２７６）と前記ガス供給ポート（２９０）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を有する処理用ディスク（２８２）と、
前記ハウジング（２１０）の前記出口開口（２６８）と前記軸（２７０）の前記第２ガス入口（２７８）との間の流体連通を与える回転フィードスルー（３００）と、
前記ハウジング（２１０）に設けた第１ガス入口開口（２６６）に冷却ガス（３０２）を供給するための冷却ガス源（２５２）と、
前記処理用ディスク（２８２）に取り付けたワークピースにイオンを供給するためのイオン源（１１２）とを備え、
前記冷却ガス源（２５２）が前記第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介してワークピースに前記冷却ガス（３０２）を供給して、前記ワークピースから熱を取り除くことを特徴とするイオン注入システム。
【請求項２】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
処理用ディスク（２８２，３８０）は、このディスクの中心部分（３８２）から横方向外側に伸びる複数のペデスタル（３８４）を含み、各ペデスタル（３８４）は、前記ディスクの軸線（３６８）から放射状に配置されたワークピース取付部（３８６）を含み、このワークピース取付部は、前記ワークピースを支持するとともにガス供給ポート（３８８）を有しており、
前記第３のガス室（２９２）は、前記ワークピース取付部（３８６）に設けたガス供給ポート（３８８）と前記軸（２７０）内の第２のガス室（２７６）との間の流体連通を与え、前記冷却ガス源（２５２）は、前記第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して前記ワークピース取付部（３８６）の前記ガス供給ポート（３８８）の位置で、前記ワークピースに冷却ガス（３０２）を供給して、前記ワークピースから熱を取り除くことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
回転フィードスルー（３００）は、前記ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間でシール（３０６）を与えることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
磁気シールは、半径方向外側に配置されかつ軸（２７０，３６４）を取巻きその間にギャップを形成する内側表面（４０４）と、ハウジング（２５４，３５２）の内側表面（２６０，３６２）上に取付られた外側表面（４０６）と、前記軸と共に磁気回路を形成する磁石（４０８）と、前記円筒部材の内側表面（４０４）と前記軸（２７０，３６４）との間の前記ギャップを満たす磁気流体とを有している円筒部材（４０２）を含み、前記磁気流体が前記ハウジングの内部キャビティ（２６２）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）との間にシールを与えることを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
ハウジングの前記内部キャビティ（２６２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）に近接する第１キャビティ端部（２６２ａ）と、前記軸の第１端部（２７０ｂ）の近くに配置された第２キャビティ端部（２６２ｂ）とを含み、前記円筒部材（４０２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）の方に配置された第１端部（４００ａ）と、前記軸の第２端部（２７０ｂ）の方に配置された第２端部（４００ｂ）との間で軸方向に伸び、さらに、前記円筒部材（４０２）の第１端部（４００ａ）の近くにあって前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第１シール部分と、前記円筒部材（４０２）の第２端部（４００ａ）の近くにあって前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第２シール部分とを含んでいることを特徴とする請求項６記載のシステム。
【請求項８】
円筒部材（４０２）の第１シール部分は、
半径方向外側に配置されかつ軸（２７０，３６４）を取巻きその間に第１ギャップを形成し、この第１ギャップが前記円筒部材の第１端部（４００ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間で軸方向に配置されている、第１内側表面（４０４）と、
前記ハウジング（２１０）の内側表面（２６０）上に取付られる第１外側表面（４０６）と、
前記軸（２７０，３６４）と共に第１磁気回路を形成する第１磁石（４０８ａ）と、
前記円筒部材の内側表面（４０４）と前記軸（２７０，３６４）との間の前記第１ギャップの部分を満たし、かつ前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）との間にシールを与える第１磁気流体とを含み、さらに、
前記円筒部材（４０２）の第２シール部分は、
半径方向外側に配置されかつ軸（２７０，３６４）を取巻きその間に第２ギャップを形成し、この第２ギャップが前記円筒部材の第２端部（４００ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間で軸方向に配置されている、第２内側表面（４０４）と、
前記ハウジングの内側表面（２６０）上に取付られる第２外側表面（４０６）と、
前記軸（２７０，３６４）と共に第１磁気回路を形成する第２磁石（４０８ｂ）と、
前記円筒部材の内側表面（４０４）と前記軸（２７０，３６４）との間の前記第２ギャップの部分を満たし、かつ前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）との間にシールを与える第２磁気流体とを含んでいることを特徴とする請求項７記載のシステム。
【請求項９】
処理用ディスク（２８２，３８０）は、複数のペデスタル（３８４）を含み、このペデスタルは、前記処理用ディスクの中心部分（３８２）から横方向外側に伸び、各ペデスタルが、軸線（３６８）から放射状に配置されてワークピースを支持するとともに、ガス供給ポート（３８８）を有するワークピース取付部（３８６）を備え、かつ、軸（２７０）に設けた第２のガス室（２７６）とワークピース取付部（３８６）に設けたガス供給ポート（３８８）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を備えており、さらに、
冷却ガス源（２５２）が、前記ワークピースからの熱を取り除くために、前記ワークピース取付部（３８６）のガス供給ポート（３８８）で前記ワークピースに第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して冷却ガス（３０２）を供給することを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）に近接する第１キャビティ端部（２６２ａ）と、前記軸の第１端部（２７０ｂ）の近くに配置された第２キャビティ端部（２６２ｂ）とを含み、前記回転フィードスルー（３００）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）の方に配置された第１端部（４００ａ）と、前記軸の第２端部（２７０ｂ）の方に配置された第２端部（４００ｂ）との間で軸方向に伸び、さらに、前記回転フィードスルー（３００）の第１端部（４００ａ）の近くにあって前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第１シール部分と、前記回転フィードスルー（３００）の第２端部（４００ａ）の近くにあって前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第２シール部分とを含んでいることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
処理用ディスク（２８２，３８０）は、複数のペデスタル（３８４）を含み、このペデスタルは、前記処理用ディスクの中心部分（３８２）から横方向外側に伸び、各ペデスタルが、軸線（３６８）から放射状に配置されてワークピースを支持するとともに、ガス供給ポート（３８８）を有するワークピース取付部（３８６）を備え、かつ、軸（２７０）に設けた第２のガス室（２７６）とワークピース取付部（３８６）に設けたガス供給ポート（３８８）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を備えており、さらに、
冷却ガス源（２５２）は、前記ワークピースからの熱を取り除くために、前記ワークピース取付部（３８６）のガス供給ポート（３８８）の位置で前記ワークピースに第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して冷却ガス（３０２）を供給することを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
バッチ型イオン注入システム内に少なくとも１つのワークピースを支持するためのワークピース支持体であって、
外側表面（２５８）と内側表面（２６０）を有する外壁（２５６）を備え、内部キャビティ（２６２）、および前記外壁（２５６）の前記外側表面（２５８）に設けた第１ガス入口開口（２６６）と前記内側表面（２６０）に設けた出口開口（２６８）との間で前記外壁（２５６）内を貫く第１のガス室（２６４）を有するハウジング（２１０）と、
１つの軸線（２７２）回りに回転するために前記ハウジング（２１０）の前記内部キャビティ（２６２）内で回転可能に取付けられて、第１端部（２７０ａ）と第２端部（２７０ｂ）との間で軸方向に伸び、かつ第２ガス入口開口（２７８）と前記第２端部（２７０ｂ）の間を通って伸びる第２のガス室（２７６）を有する軸（２７０）と、
前記軸線（２７２）回りに回転するために前記軸（２７０）の第２端部（２７０ｂ）に取付られてワークピースを支持し、かつガス供給ポート（２９０）を有するとともに前記軸（２７０）内の前記第２のガス室（２７６）と前記ガス供給ポート（２９０）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を有する処理用ディスク（２８２）と、
前記ハウジング（２１０）の前記出口開口（２６８）と前記軸（２７０）の前記第２ガス入口（２７８）との間の流体連通を与える回転フィードスルー（３００）とを備えることを特徴とするワークピース支持体。
【請求項１４】
ハウジング（２１０）に設けた第１ガス入口開口（２６６）にガス（３０２）を供給するための冷却ガス源（２５２）を更に含み、
前記冷却ガス源（２５２）が前記第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介してワークピースに冷却ガス（３０２）を供給して、前記ワークピースから熱を取り除くことを特徴とする請求項１３記載の支持体。
【請求項１５】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項１３記載の支持体。
【請求項１６】
処理用ディスク（２８２，３８０）は、複数のペデスタル（３８４）を含み、このペデスタルは、前記処理用ディスクの中心部分（３８２）から横方向外側に伸び、各ペデスタルが、軸線（３６８）から放射状に配置されてワークピースを支持するとともに、ガス供給ポート（３８８）を有するワークピース取付部（３８６）を備え、かつ、軸（２７０）に設けた第２のガス室（２７６）とワークピース取付部（３８６）に設けたガス供給ポート（３８８）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を備えており、さらに、
冷却ガス源（２５２）が、前記ワークピースからの熱を取り除くために、前記ワークピース取付部（３８６）のガス供給ポート（３８８）で前記ワークピースに第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して冷却ガス（３０２）を供給することを特徴とする請求項１３記載の支持体。
【請求項１７】
回転フィードスルー（３００）は、前記ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間でシール（３０６）を与えることを特徴とする請求項１３記載の支持体。
【請求項１８】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項１７記載の支持体。
【請求項１９】
磁気シールは、半径方向外側に配置されかつ軸（２７０，３６４）を取巻きその間にギャップを形成する内側表面（４０４）と、ハウジング（２５４，３５２）の内側表面（２６０，３６２）上に取付られた外側表面（４０６）と、前記軸と共に磁気回路を形成する磁石（４０８）と、前記円筒部材の内側表面（４０４）と前記軸（２７０，３６４）との間の前記ギャップを満たす磁気流体とを有している円筒部材（４０２）を含み、前記磁気流体が前記ハウジングの内部キャビティ（２６２）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）との間にシールを与えることを特徴とする請求項１８記載の支持体。
【請求項２０】
ハウジングの前記内部キャビティ（２６２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）に近接する第１キャビティ端部（２６２ａ）と、前記軸の第１端部（２７０ｂ）の近くに配置された第２キャビティ端部（２６２ｂ）とを含み、前記円筒部材（４０２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）の方に配置された第１端部（４００ａ）と、前記軸の第２端部（２７０ｂ）の方に配置された第２端部（４００ｂ）との間で軸方向に伸び、さらに、前記円筒部材（４０２）の第１端部（４００ａ）の近くにあって前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第１シール部分と、前記円筒部材（４０２）の第２端部（４００ａ）の近くにあって前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第２シール部分とを含んでいることを特徴とする請求項１９記載の支持体。
【請求項２１】
円筒部材（４０２）の第１シール部分は、
半径方向外側に配置されかつ軸（２７０，３６４）を取巻きその間に第１ギャップを形成し、この第１ギャップが前記円筒部材の第１端部（４００ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間で軸方向に配置されている、第１内側表面（４０４）と、
前記ハウジング（２１０）の内側表面（２６０）上に取付られる第１外側表面（４０６）と、
前記軸（２７０，３６４）と共に第１磁気回路を形成する第１磁石（４０８ａ）と、
前記円筒部材の内側表面（４０４）と前記軸（２７０，３６４）との間の前記第１ギャップの部分を満たし、かつ前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）との間にシールを与える第１磁気流体とを含み、
さらに、前記円筒部材（４０２）の第２シール部分は、
半径方向外側に配置されかつ軸（２７０，３６４）を取巻きその間に第２ギャップを形成し、この第２ギャップが前記円筒部材の第２端部（４００ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間で軸方向に配置されている、第２内側表面（４０４）と、
前記ハウジングの内側表面（２６０）上に取付られる第２外側表面（４０６）と、
前記軸（２７０，３６４）と共に第１磁気回路を形成する第２磁石（４０８ｂ）と、
前記円筒部材の内側表面（４０４）と前記軸（２７０，３６４）との間の前記第２ギャップの部分を満たし、かつ前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）との間にシールを与える第２磁気流体とを含んでいることを特徴とする請求項２０記載の支持体。
【請求項２２】
処理用ディスク（２８２，３８０）は、複数のペデスタル（３８４）を含み、このペデスタルは、前記処理用ディスクの中心部分（３８２）から横方向外側に伸び、各ペデスタルが、軸線（３６８）から放射状に配置されてワークピースを支持するとともに、ガス供給ポート（３８８）を有するワークピース取付部（３８６）を備え、かつ、軸（２７０）に設けた第２のガス室（２７６）とワークピース取付部（３８６）に設けたガス供給ポート（３８８）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を備えていることを特徴とする請求項２１記載の支持体。
【請求項２３】
ハウジングの前記内部キャビティ（２６２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）に近接する第１キャビティ端部（２６２ａ）と、前記軸の第１端部（２７０ｂ）の近くに配置された第２キャビティ端部（２６２ｂ）とを含み、前記回転フィードスルー（３００）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）の方に配置された第１端部（４００ａ）と、前記軸の第２端部（２７０ｂ）の方に配置された第２端部（４００ｂ）との間で軸方向に伸び、さらに、前記回転フィードスルー（３００）の第１端部（４００ａ）の近くにあって前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第１シール部分と、前記回転フィードスルー（３００）の第２端部（４００ａ）の近くにあって前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第２シール部分とを含んでいることを特徴とする請求項１４記載の支持体。
【請求項２４】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項２３記載の支持体。
【請求項２５】
処理用ディスク（２８２，３８０）は、複数のペデスタル（３８４）を含み、このペデスタルは、前記処理用ディスクの中心部分（３８２）から横方向外側に伸び、各ペデスタルが、軸線（３６８）から放射状に配置されてワークピースを支持するとともに、ガス供給ポート（３８８）を有するワークピース取付部（３８６）を備え、かつ、ワークピース取付部（３８６）に設けたガス供給ポート（３８８）と軸（２７０）に設けた第２のガス室（２７６）との間の流体連通を与える第３のガス室（２９２）を備えており、さらに、
冷却ガス源（２５２）が、前記ワークピースからの熱を取り除くために、前記ワークピース取付部（３８６）のガス供給ポート（３８８）の位置で前記ワークピースに第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して冷却ガス（３０２）を供給することを特徴とする請求項２３記載の支持体。
【請求項２６】
内部キャビティ（２６２）、および第１ガス入口（２６６）と第１出口ガス開口（２６８）との間に流体連通を与える第１のガス室（２６４）を有するハウジング（２１０）と、
１つの軸線（２７２）回りに回転するために前記ハウジング（２１０）の前記内部キャビティ（２６２）内に取付けられ、第２ガス入口（２７８）と第２ガス出口（２７０ｂ）との間に流体連通を与える第２のガス室（２７６）を有する軸（２７０）と、
前記軸（２７０）と前記ハウジング（２１０）に連動し、前記ハウジング（２１０）の第１ガス出口（２６８）と前記軸の前記第２ガス入口（２７８）との間の流体連通を与える回転フィードスルー（３００）と、
前記軸（２７０）に取付られてワークピースを支持するとともにガス供給ポート（３８８）を有し、かつ前記第２ガス出口（２７０ｂ）と前記ガス供給ポート（３８８）との間に流体連通を与える第３のガス室（２９２）を有する処理用ディスク（２８２，３８０）と、
前記第１ガス入口（２６６）を通って前記ワークピース取付部（３８６）に取り付けられた前記ワークピースに、第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して冷却ガス（３０２）を供給するための冷却ガス源（２５２）と、
前記ワークピース取付部（３８６）に取り付けた前記ワークピースにイオンを供給するためのイオン源（１１２）とを備えることを特徴とするバッチ型イオン注入システム。
【請求項２７】
回転フィードスルー（３００）は、前記ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）と第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）の間にシールを与えるための磁気シールを構成することを特徴とする請求項２６記載のシステム。
【請求項２８】
軸は、第１、第２の端部（２７０ａ，７０ｂ）を含み、処理用ディスク（２８２，３８０）は、前記軸の前記第２端部（２７０ｂ）に取付られ、前記ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）に近接する第１キャビティ端部（２６２ａ）と、前記軸の第１端部（２７０ｂ）の近くに配置された第２キャビティ端部（２６２ｂ）とを含み、前記回転フィードスルー（３００）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）の方に配置された第１端部と、前記軸の第２端部（２７０ｂ）の方に配置された第２端部との間で軸方向に伸び、さらに、前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第１シール部分と、前記回転フィードスルー（３００）の第２端部（４００ａ）の近くにあって前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第２シール部分とを含んでいることを特徴とする請求項２６記載のシステム。
【請求項２９】
バッチ型イオン注入システム内に少なくとも１つのワークピースを支持するためのワークピース支持体であって、
内部キャビティ（２６２）、および第１ガス入口（２６６）と第１出口ガス開口（２６８）との間に流体連通を与える第１のガス室（２６４）を有するハウジング（２１０）と、
１つの軸線（２７２）回りに回転するために前記ハウジング（２１０）の前記内部キャビティ（２６２）内に取付けられ、第２ガス入口（２７８）と第２ガス出口（２７０ｂ）との間に流体連通を与える第２のガス室（２７６）を有する軸（２７０）と、
前記軸（２７０）と前記ハウジング（２１０）に連動し、前記ハウジング（２１０）の第１ガス出口（２６８）と前記軸の前記第２ガス入口（２７８）との間の流体連通を与える回転フィードスルー（３００）と、
内部にガス供給ポート（３８８）を有すると共に前記ワークピースを支持し、かつ前記第２ガス出口（２７０ｂ）と前記ガス供給ポート（３８８）との間に流体連通を与える第３のガス室（２９２）を有する処理用ディスク（２８２，３８０）とを備えることを特徴とするワークピース支持体。
【請求項３０】
前記第１ガス入口（２６６）を通って前記ワークピースに、第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して冷却ガス（３０２）を供給するための冷却ガス源（２５２）をさらに含むことを特徴とする請求項２９記載の支持体。
【請求項３１】
回転フィードスルー（３００）は、前記ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）と第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）の間にシールを与えるための磁気シールを構成することことを特徴とする請求項２９記載の支持体。
【請求項３２】
軸（２７０）は、第１、第２の端部（２７０ａ，７０ｂ）を含み、処理用ディスク（２８２，３８０）は、前記軸の前記第２端部（２７０ｂ）に取付られ、前記ハウジング（２１０）の内部キャビティ（２６２）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）に近接する第１キャビティ端部（２６２ａ）と、前記軸の第１端部（２７０ｂ）の近くに配置された第２キャビティ端部（２６２ｂ）とを含み、前記回転フィードスルー（３００）は、前記軸の第１端部（２７０ａ）の方に配置された第１端部と、前記軸の第２端部（２７０ｂ）の方に配置された第２端部との間で軸方向に伸び、さらに、前記第１キャビティ端部（２６２ａ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第１シール部分と、前記回転フィードスルー（３００）の第２端部（４００ａ）の近くにあって前記第２キャビティ端部（２６２ｂ）と第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間にシールを与える第２シール部分とを含んでいることを特徴とする請求項２９記載の支持体。
【請求項３３】
バッチ型イオン注入システム内のワークピースを冷却する方法であって、
前記ワークピースの少なくとも一部分に冷却ガス（３０２）を供給する工程と、
前記ワークピースからの熱を前記冷却ガス（３０２）を用いて取り除く工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項３４】
前記ワークピースの少なくとも一部分に冷却ガス（３０２）を供給する工程は、ハウジング（２１０）に対して回転可能な軸（２７０）に取付けられた処理用ディスク（２８２，３８０）上にワークピースを支持し、
前記ハウジング（２１０）、回転する前記軸（２７０）、及び前記処理用ディスク（２８２，３８０）を通るガス通路（２６４，２７６，２９２）を設け、
前記ガス通路（２６４，２７６，２９２）を介して前記ワークピースに冷却ガス（３０２）を供給する、各ステップを有することを特徴とする請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
前記ハウジング（２１０）、回転する前記軸（２７０）、及び前記処理用ディスク（２８２，３８０）を通るガス通路（２６４，２７６，２９２）を設けるステップは、
前記ハウジング（２１０）内に第１のガス室（２６４）を設け、
前記軸（２７０）に第２のガス室（２７６）を設け、
前記処理用ディスク（２８２，３８０）内に第３のガス室（２９２）を設け、
前記回転フィードスルー（３００）を用いて前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間に流体連通を与えることを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記回転フィードスルー（３００）を用いて前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間に流体連通を与えるステップは、前記軸（２７０）と前記ハウジング（２１０）との間に磁気シールを与える事を含み、この磁気シールは、前記第１、第２のガス室（２６４，２７６）の間に流体連通を与えるように作動することを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
バッチ型イオン注入システム内に少なくとも１つのワークピースを支持するためのワークピース支持体であって、
ワークピースをディスク上に載置して支持するための処理用ディスク（２８２，３８０）と、
１つの軸線（２７２）回りに回転するために前記ハウジング（２１０）に取付けられ、前記処理用ディスク（２８２，３８０）が取り付けられる軸（２７０）と、
前記ワークピースに冷却ガス（３０２）を供給するように作動する冷却ガス源（２５２）とを有することを特徴とするワークピース支持体。
【請求項３８】
ハウジング（２１０）は、前記冷却ガス源（２５２）と出口との間に流体連通を与える第１ガスの室（２６４）を含み、前記軸（２７０）は、入口と前記処理用ディスク（２８２，３８０）との間に流体連通を与える第２のガス室（２７６）を含み、前記処理用ディスクは、前記第２のガス室（２７６）と前記ワークピースとの間に流体連通を与える第３のガス室（２９２）を含み、さらに、前記ハウジング（２１０）に取り付けられかつ前記ハウジング（２１０）の出口と前記軸（２７０）の入口との間に流体連通を与える回転フィードスルー（３００）を備え、これにより、冷却ガス（３０２）が、第１、第２、第３のガス室（２６４，２７６，２９２）を介して、前記冷却ガス供給源（２５２）から前記ワークピースに供給されることを特徴とする請求項３７記載のワークピース支持体。
【請求項３９】
回転フィードスルー（３００）は、磁気シールを構成することを特徴とする請求項３８記載のワークピース支持体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、バッチ型イオン注入システム（ｂａｔｃｈ ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）に関し、特に、バッチ型イオン注入機及びそのためのシール装置において、回転シールを通って大気圧から高真空に冷却ガスを配給するための改良されたシステム及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造において、イオン注入機は、半導体ウエハに不純物を添加するのに使用される。イオンビーム注入機は、不純物をドーピングしてｎ型又はｐ型の半導体材料を製造したり又は集積回路の製造中に不活性層を形成するために、イオンビームでシリコンウエハを処理するのに使用される。半導体に不純物をドーピングするとき、イオンビーム注入機は、選択されたイオン種を注入して所望の半導体材料を製造する。アンチモンや砒素や燐等のイオン源材料から生成される注入イオンは、結果的にｎ型の半導体材料のウエハを生じることになり、一方、ｐ型の半導体材料のウエハが必要とされる場合、ボロンやガリウムやインジウム等のイオン源材料から生成されるイオンが注入される。
【０００３】
一般的なイオンビーム注入機は、イオン化可能材料から正電荷イオンを発生させるためのイオン源を有している。生成されたイオンは、ビームに形成され、所定のビーム経路に沿って注入ステーションに導かれる。イオンビーム注入機は、イオン源と注入ステーションとの間に延びたビーム形成／整形構造体を有している。この構造体は、イオンビームを維持し、ビームが注入ステーションへの途上で通る細長い内部キャビティまたは通路の境界を定めている。イオン注入機を動作させるときには、この通路は、イオンがガス分子と衝突した結果として所定のビーム経路から偏向する確率が低下するように、一般的に排気されている。
【０００４】
イオンの電荷に対する質量（例えば、電荷対質量比）は、静電界や磁界によって軸方向と横断方向の両方にイオンが加速される度合に影響する。従って、望ましくない分子質量を有するイオンはビームから離れた位置に偏向され、所望の材料以外の注入は回避されるので、半導体ウエハの所望の領域や他のターゲットに到達するビームは非常に純度の高いものになる。望ましいまた望ましくない電荷対質量比のイオンを選択的に分離するプロセスは、質量分析として知られている。質量分析器は、一般的に、異なった電荷対質量比のイオンを効果的に分離するアーチ状通路において磁気偏向作用を介してイオンビームの種々のイオンを偏向させるために、双極子磁界をつくり出す質量分析磁石を用いている。
【０００５】
イオン注入機は、２つの異なるカテゴリーに分離することができる。イオン注入機の第１のカテゴリーは、直列型イオン注入機であり、半導体ウエハまたは他のワークピースを直列式に順次イオン注入をする。この形式のイオン注入機は、注入されるワークピースを保持または支持するようにする単一のワークピース取付部を含んでいる。イオン注入機の第２のカテゴリーは、バッチ型イオン注入機であり、複数のウエハまたは他のワークピースを単一のバッチ内でイオンを注入することができる。
【０００６】
注入されるワークピースは、回転可能な処理用ディスクに設けた個々のワークピース取付部に取り付けられる。このワークピース取付部は、処理用ディスクが駆動モータを介して制御された仕方で回転するとき、取付部内にワークピースを載置させるために、遠心力を使用できるように、一般的に処理用ディスクの中心部からわずかに傾斜して外側に伸びている個別のペデスタル（受け台）に配置されている。イオン源は、処理用ディスクの回転軸からオフセットされたビーム経路に沿ってイオンが存在するように設けられる。そして、これにより、ワークピースがイオンビーム内を横切るときにワークピースにイオンを注入する。このイオン注入方法は、時々ディスク回転式イオン注入方法と呼ばれる。
【０００７】
イオンがワークピース内にイオンを注入するとき、そこに熱が発生し、これは、ワークピースを取り外さなければ、ワークピースにダメージを与え、あるいは有害な影響を生じさせる。従来のバッチ式イオン注入システム及び装置は、ワークピースが取り付けられた処理用ディスクから熱を取り除くために、水等の冷却流体を、内部通路を介して循環させる。ワークピースが載置されている加硫処理されたゴムまたはＲＴＶパッドを介してワークピースから処理用ディスクに熱が伝達される。このＲＴＶパッドは、ワークピースから処理用ディスクに熱を伝達することによって熱を取り除く。しかし、ワークピースに対する熱的損傷を最小限にするために、改良された熱伝達が望ましい。さらに、熱を下げるために使用されるＲＴＶは、比較的固着性があるために他の問題を生じさせる。特にワークピースがＲＴＶに固着すると、バッチ型イオン注入機からワークピースを取り外すのが難しくなる。さらに、ワークピースに移送される望ましくない汚染粒子がＲＴＶに固着する傾向にある。その上、ＲＴＶパッドは、ワークピースを容量的にチャージングする原因となる。したがって、従来のＲＴＶをワークピースの熱シンクパッドに関連する多くの問題を取り除き、または最小限にし、かつワークピースから熱が取り除かれるようにする改善されたバッチ型イオン注入システム及び装置に対する未解決の問題がある。
【０００８】
（発明の開示）
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、バッチ型イオン注入作業において、ワークピースからの改良された熱伝達を与えるシステム及び装置を指向している。このため、これまで使用されたＲＴＶパッドを取り除き、これに関連した問題をなくす。本発明は、回転するバッチ型イオン注入機の処理用ディスク内において、冷却ガスが固定の供給源からワークピースの裏面側に供給される装置を提供する。冷却ガスを供給することにより、ワークピースから処理用ディスクに改良された熱伝達を可能にする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、さらに、固定のハウジングからガス室に冷却ガスを移送するために、バッチ型イオン注入機の処理用ディスクを回転する回転軸に設けた回転フィードスルーを用いることを含んでいる。さらに、イオン注入されるワークピースの前側の真空に対して、ワークピースの裏面側に加えられる冷却ガスを密閉するシール装置が設けられている。このようにして、本発明は、熱伝達を改善すると共に、従来のバッチ型イオン注入機に関連して、汚染粒子の移送、ウエハの固着、及び、容量性チャージングを減少させあるいは取り除く。
【００１０】
本発明の１つの実施形態において、イオン注入システムは、内側表面と外側表面を有する外壁を備えて、内部キャビティを形成するハウジングと、外壁の外側表面に設けた第１ガス入口開口と内側表面内の出口開口との間で外壁を通って伸びている第１のガス室とを含んでいる。１つの軸が、ハウジングの内部キャビティ内で、１つの軸線回りに回転可能に取り付けられ、かつこの軸は第１端部と第２端部との間で軸方向に伸びる外側表面を含んでいる。軸は、外側表面を通る第２ガス入口開口と軸の第２端部との間を通って伸びる第２のガス室を有する。処理用ディスクは、この軸上に取り付けられ、あるいは、軸線回りに回転できるように軸の第２端部に係合して作動する。この処理用ディスクは、軸の第２のガス室と流体連通する第３のガス室を有する。
【００１１】
処理用ディスクは、１つまたはそれ以上のペデスタルを含み、このペデスタルは、中心部分から横方向外側に伸び、それぞれが、軸線から放射方向に配置されたワークピース取付部を備えている。ペデスタルは、ワークピース取付部に対応するガス供給ポートを有し、軸に設けた第２のガス室とワークピース取付部に設けたガス供給ポートとの間の流体連通を与える第３のガス室を備える。システムは、更に、ハウジングに対して軸を回転させるモータ等の駆動部と、ハウジング内のガス入口開口にガスを供給する冷却ガス源とを有する。
【００１２】
これにより、冷却ガスは、第１、第２、第３のガス室を介してワークピースの裏面側に供給され、イオンが注入されるとき、ワークピースからの熱を取り除く。システム内に回転フィードスルーが設けられ、このフィードスルーは、ハウジングの出口開口と軸の第２ガス入口との間の流体連通を与える。このフィードスルーは、例えば、磁気シールを含むことができ、ハウジングの内部キャビティと第１、第２のガス室との間のシールを与える。
【００１３】
これに関して、磁気シールは、半径方向外側に配置された内側表面を有しかつ軸を取巻きその間にギャップを形成する円筒部材と、ハウジングの内側表面上に取付られた外側表面と、軸と共に磁気回路を形成する磁石と、円筒部材の内側表面と軸との間のギャップ部分を満たす磁気流体とを含んでいる。磁気流体は、ハウジングの内部キャビティと第１、第２のガス室との間のシールを与える。このように構成されて、冷却ガスは、ワークピースから熱を取り除くために、冷却ガス源から第１、第２、第３のガス室を介してワークピース取付部のガス供給ポートに供給することができる。
【００１４】
真空状態で作動するイオン注入機を用いる応用において、磁気シールは、冷却ガス（加圧されうる）と周囲との間の密閉と同様に、真空源と冷却ガスとの間の密閉を与える。この二重のシール装置は、不純物のないバッチ型イオン注入機において、回転するウエハのワークピースの裏面側への加圧された冷却ガスの供給を容易にする。これに関して、固定ハウジングの内部キャビティは、軸の第１端部に近接する第１キャビティ端部と、軸の第２端部近くに配置された第２キャビティ端部を含み、第１キャビティ端部は、周囲圧力（大気圧）となっており、第２キャビティ端部は、排気されたイオン処理室の圧力となっている。従って、円筒形状のフィードスルー部材は、軸の第１端部に向かって配置された第１端部と、軸の第２端部に向かって配置された第２端部との間で軸方向に伸びている。回転フィードスルーは、更に、円筒部材の第１端部の近くにあって、第１キャビティ端部（例えば、周囲圧力）と第１、第２のガス室（例えば、加圧された冷却ガス）との間のシールを与える第１シール部分と、円筒部材の第２端部の近くにあって、第２キャビティ端部（例えば、真空圧）と第１、第２のガス室（例えば、冷却ガス）との間のシールを与える第２シール部分とを含むようにすることができる。
【００１５】
二重のシール磁気フィードスルーにおいて、例えば、円筒部材の第１シール部分は、半径方向外側に配置されかつ軸を取巻きその間に第１ギャップを形成し、円筒部材の第１端部と第１、第２のガス室との間に軸方向に配置される第１内側表面と、ハウジングの内側表面上に取付られた第１外側表面とを含んでいる。また、第１磁石が、軸と共に磁気回路を形成し、第１磁気流体が、円筒部材の内側表面と軸との間の第１ギャップ部分を満たしている。このように構成されて、第１磁気流体は、第１キャビティ端部と第１、第２のガス室（例えば、周囲圧力と冷却ガスとの間）周囲環境に冷却ガスが漏れたり、または冷却ガスに対して周囲ガスが漏れたり、あるいは不純物を冷却ガス内に導くことを防止する信頼性のあるシールを与える。
【００１６】
同様に、第２シール部分は、半径方向外側に配置されかつ軸を取巻きその間に第２ギャップを形成し、この第２ギャップが、円筒部材の第２端部と第１、第２のガス室との間に軸方向に配置されている第２内側表面と、ハウジングの内側表面上に取付られた第１外側表面とを含むようにしてもよい。第２磁石は、軸と共に磁気回路を形成し、第２磁気流体が、円筒部材の内側表面と軸との間の第２ギャップ部分を満たしている。第２磁気流体は、こうして、第２キャビティ端部と第１、第２のガス室（例えば、冷却ガスと真空との間の）の間のシールを与える。
【００１７】
本発明の別の構成によれば、ワークピース支持体は、バッチ型イオン注入システム内の少なくとも１つのワークピースを支持するために設けられている。この支持体は、内側表面と外側表面を有する外壁を備えて、内部キャビティを形成するハウジングと、外壁の外側表面に設けた第１ガス入口開口と内側表面内の出口開口との間で外壁を通って伸びている第１のガス室と、ハウジングの内部キャビティ内に回転可能に取付けられて１つの軸線の回りに回転し、かつ第１端部と第２端部との間で軸方向に伸びる外側表面を有する軸とを含んでいる。この軸は、軸の外側表面を通る第２ガス入口開口と第２端部との間を通って伸びる第２のガス室を含んでいる。バッチ型イオン注入機の回転ディスクによる注入を効果ならしめるために、ハウジングに対して軸の回転を与える駆動部を設けることができる。
【００１８】
処理用ディスクは、軸線回りに回転するために軸の第２端部に取り付けられ、かつ軸線に沿って配置された中央部分と、この中央部分から半径方向外側に伸びる１つまたはそれ以上のペデスタルとを含んでいる。ペデスタルは、軸線から放射状に配置されたワークピース取付部を含み、そこでワークピースを支持するとともに、更に、ガス供給ポートを含んでいる。処理用ディスクは、更に、軸内の第２のガス室とワークピース取付部のガス供給ポートとの間の流体連通を与える第３のガス室を有している。このワークピース支持体は、さらに、ハウジングの出口開口と軸の第２ガス入口との間で流体連通を与え、かつ磁気シールを与えるための回転フィードスルーを含んでいる。この回転フィードスルーは、ガス室と、ハウジングキャビティの第１、第２端部との間の第１、第２シールを有効に与えることができる。これにより、そこを通る冷却ガスは、ワークピースの前側表面にイオンが注入される真空室からと同様に、外側の周囲圧力からも密閉されている。
【００１９】
本発明の他の構成によれば、ワークピースの裏面側に供給される冷却ガスが、ウエハの前側に供給されないように密閉するためのシール装置が提供される。このシール装置は、回転可能な処理用ディスクを備えるバッチ型イオン注入機に使用され、ワークピースを支持し、かつワークピースの裏面側に冷却ガスを供給するための少なくとも１つのワークピース取付部を有する。シール装置は、ワークピース取付部に取り付けられたリング形状の支持部材と、この支持部材上に取り付けられる第１シール部材とを含み、第１シール部材は、支持部材に対して柔軟でかつワークピースの前側に冷却ガスが供給されないように密閉するために、周辺エッジに近接するワークピースの裏面側の一部分と係合する第１部分を有する。
【００２０】
第１シール部材の第１部分は、ワークピース平面に対してほぼ垂直な方向に屈曲性を有することができる。これにより、処理用ディスク内のワークピースの回転から生じる遠心力によって、ワークピースの周辺エッジの回りに第１シール部材を曲げて、その間に密着係合を与えることができる。二者択一的にまたは組合せにより、機械的なクランプ装置が、第１シール部材に曲げを与えるのに使用され、ワークピースの周辺表面との密着係合を実現する。また、第１シール部材の第１部分は、ワークピース平面に対してほぼ垂直な方向に円周方向軸線の回りに旋回するように、リング形状の支持部材の中心に対して半径方向外側に張り出している。
【００２１】
さらに、第１シール部材の第１部分は、周辺エッジに近接するワークピースの裏面側の方に伸びて係合するリブを含み、このリブは、周辺エッジに近接するワークピースの裏面側の方に延びて係合する山形エッジを備えるＶ形状の輪郭を有している。リング形状の支持部材は、イオン注入機内で交換できるように、ワークピース取付部から分離することができ、シール装置は、更に、ワークピース取付部の側面に係合できる半径方向外側に伸びるリブを有して、支持部材上に取り付けられる第２シール部材を含み、支持部材とワークピース取付部の側壁との間のシールを与える。
【００２２】
本発明の更に別の構成によれば、ワークピース取付部に取り付けられたリング形状の支持部材と、この支持部材に対して柔軟な第１シール部分を有して支持部材に取り付けられ、かつ冷却ガスからワークピースの前側を密閉するために、周辺エッジに近接したワークピースの裏面側の一部分に係合するようにした第１シール部材と、支持部材に取り付けられ、かつ支持部材とワークピース取付部の側壁との間のシールを与えるためにワークピース取付部の側壁を係合するように半径方向外側に伸びるリブを有する第２シール部材とを含んでいるシール装置が設けられている。
【００２３】
本発明の別の構成によれば、周辺エッジを有するワークピースを回転可能な処理用ディスク上に支持するための、バッチ型イオン注入機における処理用ディスクのペデスタルが設けられている。このペデスタルは、ワークピースを１つの平面に支持するようにしたワークピース取付部と、冷却ガスをワークピースの裏面側に供給するようにしたガス供給ポートと、ワークピース取付部上に取り付けられるリング形状の支持部材と、この支持部材に対して柔軟な第１シール部分を有して支持部材に取り付けられ、かつ冷却ガスからワークピースの前側をシールするために、周辺エッジに近接したワークピースの裏面側の一部分に係合するようにした第１シール部材とを含んでいる。リング形状の支持部材は、ペデスタル内でワークピースを交換できるように、ワークピース取付部から分離することができる。
【００２４】
ペデスタルは、さらに、支持部材に取り付けられ、かつ支持部材とワークピース取付部の側壁との間のシールを与えるためにワークピース取付部の側壁または表面を係合するように半径方向外側に伸びるリブを有する第２シール部材をさらに含んでいる。第１シール部材の第１部分は、ワークピースの平面に対してほぼ垂直な方向において屈曲性を有し、かつワークピースの平面に対してほぼ垂直な方向において周辺軸線の回りを旋回するように、リング形状の支持部材の中心に対して半径方向外側に張り出している。
【００２５】
上述の及びこれに関連する目的を完成するために、本発明は、以下で十分に説明されており、特に、特許請求の範囲に記載された特徴を有している。以下の記載およびこれに付随する図面によって本発明の例示的構成が記載されている。しかし、これらの形態は、例示的なものであり、本発明の原理のために使用する種々の方法のいくつかに過ぎない。そして、本発明は、このような全ての構成および等価物を含むことを意図している。本発明における他の利点及び新規の特徴は、図面との関連で考えると本発明の次の詳細な説明から明らかになる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明は、図面に関連して以下で説明される。ここで同一の参照符号は、全体を通して同一の部材に対して使用される。本発明は、固定の加圧ガス源から回転するバッチ型イオン注入機の処理用ディスクに注入されるバッチ型イオン注入機のワークピースに冷却ガスが供給される装置を提供する。この冷却ガスは、ワークピースから処理用ディスクに改善された熱伝達を与え、この冷却ガスは、処理用ディスク内の通路を通って循環する冷却流体と有効に組み合わせて、ワークピースから伝達された熱を取り除くことができる。本発明は、さらに、回転フィードスルーを含んでおり、この回転フィードスルーは、固定ハウジングからバッチ型イオン注入機の処理用ディスクを回転させる回転軸に設けられたガス室に冷却ガスを移送するのに使用される。さらに、ワークピースの前側に注入される真空から、ワークピースの裏面側に供給される冷却ガスをシールするためのシール装置が設けられている。こうして、本発明は、熱伝達を改善し、かつ従来のバッチ型イオン注入機に関連する汚染粒子の移送、ウエハの固着、及びウエハの容量性チャージングを軽減しあるいは取り除く。
【００２７】
図面を参照すると、図１Ａは、例示的なイオン注入機１０を示しており、このイオン注入機は、１つまたは複数のワークピースのバッチ式イオン注入において使用される。イオン注入機１０は、ターミナル１２、ビームラインアセンブリ１４、及びエンドステーション１６を有する。ターミナル１２は、高電圧電源２２によって駆動されるイオン源２０を含む。イオン源２０は、ビームラインアセンブリ１４に供給されるイオンビーム２４を作り出す。このイオンビーム２４は、質量分析磁石２６によって調整される。質量分析磁石２６は、適当な電荷対質量比のイオンのみをターゲット３０に通過させ、このターゲットには、回転する処理用ディスクを含み、この処理用ディスクに１つまたはそれ以上の半導体ウエハまたは他のワークピース（図示略）を取り付けて、イオンビーム２４からのイオンを用いてイオン注入する。調整されたイオンビーム２４は、エンドステーション１６内のターゲット３０に向かって指向する。
【００２８】
図１Ｂにおいて、別の例示的なバッチ型イオン注入機１００が示されている。本発明によれば、１つまたは複数のイオン注入機が使用される。イオン注入機１００は、イオン源１１２、質量分析磁石１１４、ビームラインアセンブリ１１５、及びターゲットまたはエンドステーション１１６を含んでいる。膨張可能なステンレス鋼のベローズアセンブリ１１８が、ビームラインアセンブリ１１５に対してエンドステーション１１６の移動を可能にし、かつエンドステーション１１６とビームラインアセンブリ１１５を接続する。イオン源１１２は、プラズマ室１２０とイオン引き出しアセンブリ１２２を含んでいる。イオン化可能なドーパントガスにエネルギーが分与されると、プラズマ室１２０内でイオンが発生する。本発明は、イオン源１１２によって負のイオンを発生させるシステムにも利用することができるが、ここでは、一般的に、正のイオンが発生する。正のイオンは、複数の電極１２７を含むイオン引出しアセンブリによって、プラズマ室１２０に設けたスリットを介して引き出される。従って、イオン引出しアセンブリ１２２は、プラズマ室１２０から正のイオンを引き出し、また、質量分析磁石１１４内に引き出されたイオンを加速する２つの機能を有する。
【００２９】
質量分析磁石１１４は、適当な電荷対質量比のイオンのみをビームラインアセンブリ１１５に通過させる機能を有し、このビームラインアセンブリは、分解ハウジング１２３とビーム中和器１２４を含んでいる。質量分析磁石１１４は、側壁１３０を有するアルミニウム製ビームガイドラインによって形成される通路１３９内の湾曲ビーム経路１２９を含み、このビーム経路の排気が、真空ポンプ１３１によって行われる。ビーム経路１２９に沿って伝搬するイオンビーム１２８は、質量分析磁石１１４によって発生する磁界により影響を受け、不適当な電荷対質量比のイオンを排除する。この双極子磁界の強さと方向は、制御用電子機器１３２によって制御される。
【００３０】
制御電子機器は、磁気コネクタ１３３を介して磁石１１４の界磁巻線を通って流れる電流を調整する。双極子磁界によって、イオン源１１２の近くの第１軌道、即ち、入口軌道１３４から、分解ハウジング１２３の近くの第２軌道、即ち、出口軌道１３５への湾曲したビーム経路１２９に沿ってイオンビーム１２８を移動させる。不適当な電荷対質量比を有するイオンから構成されているイオンビーム１２８の部分１２８’、１２８”は、湾曲軌道から離れて偏向し、アルミニウム製のビームガイド１３０の壁内に入る。このように、磁石１１４は、分解ハウジング１２３に対して所望の電荷対質量比を有するイオンのみを通過させる。
【００３１】
分解ハウジング１２３は、終端電極１３７、イオンビームを集束させる静電レンズ１３８、及びファラデーフラッグ１４２等の照射線量指示器を含んでいる。ビーム中和器１２４は、ターゲットウエハ上に蓄積される正電荷を中和するためのプラズマシャワー１４５を有している。これがなければ、正に荷電されたイオンビーム１２８によってイオン注入される結果、ターゲットウエハ上に正電荷が蓄積してしまうであろう。
【００３２】
このビーム中和器と分解ハウジングは、真空ポンプ１４３によって排気される。ビーム中和器１２４の下流には、エンドステーション１１６があり、このエンドステーションは、ディスク形状のワークピース支持体または処理用ディスク１４４を含み、この上に注入されるべきウエハが取付けられる。ターゲット平面内にある処理用ディスク１４４は、注入されるイオンビームの方向に対してほぼ垂直に向いている。エンドステーション１１６にある処理用ディスク１４４は、モータ１４６によって回転する。こうして、ウエハを円形経路内で移動させるとき、イオンビームは、処理用ディスクに取り付けられたウエハに衝突する。エンドステーション１１６は、イオンビームの経路１６４とウエハＷとの交点である点１６２の回りに旋回できるようになっている。その結果、ターゲット平面は、この点回りに調整可能である。
【００３３】
ウエハ又は他のワークピース上にイオンを注入する過程において、ワークピースには熱が発生する。この熱は、ワークピースへの熱的損傷を防止または最小限にするために、ワークピースから取り除かなければならない。図２において、バッチ型イオン注入機のスピンドルアセンブリ２００が示されており、このアセンブリは、回転軸２０４内に冷却流体通路２０２を有する。この回転軸を通して冷却流体（例えば、水）が、処理用ディスク２０６内に配置された処理用ディスクの循環通路２０２ａを介して、回転する処理用ディスク２０６から熱を除去するために循環する。従来のバッチ型イオン注入システムにおいて、ＲＴＶに取り付けられたワークピース（図示略）と処理用ディスクとの間ので熱伝達の所定レベルを与えるために、ＲＴＶがワークピース取付部（図示略）として用いられてきた。
【００３４】
軸２０４は、軸受２１２を用いて固定ハウジング２１０に回転可能に取り付けられ、駆動ギア２１４に連結されるモータ又は他の駆動装置（図示略）を介して回転する。これまで、ワークピース取付部内のＲＴＶパッドと組合せて、ワークピースから熱を取り除くために通路２０２，２０２ａを通って冷却流体を循環させることにより所定レベルの熱シンクを達成していたが、さらに、熱の除去を改善しかつＲＴＶと関連する諸問題を除去することが望ましい。
【００３５】
図３において、例示的なバッチ型イオン注入機のワークピース支持体スピンドルアセンブリ２５０の断面図が示されており、このアセンブリは、本発明の構成に従って固定の供給源２５２から１つまたはそれ以上のワークピース（図示略）の裏面側に冷却ガスを供給するようになっている。アセンブリ２５０は、ワークピース（図示略）にイオンを供給するためのイオン源（図示略）を有するバッチ型イオン注入システムにおいて使用することができる。このスピンドルアセンブリは、内部キャビティ２６２を形成する外側表面２５８と内側表面２６０を有する外壁２５６を備えるハウジング２５４を含み、内部キャビティは、第１キャビティ端部２６２ａと第２キャビティ端部２６２ｂを有する。ハウジング２５４は、さらに、外壁２５６の外側表面２５８に設けた第１ガス入口開口２６６と内側表面２６０に設けた出口開口２６８との間に外壁２５６を貫通する第１のガス室２６４を含む。
【００３６】
軸２７０は、軸線２７２回りに回転するために、ハウジング２５４の内部キャビティ内に回転可能に取り付けられ、第１端部２７０ａと第２端部２７０ｂとの間で軸方向に伸びる外側表面２７４を有している。この軸２７０は、更に、外側表面２７４を通る第２ガス入口開口２７８と軸の第２端部２７０ｂとの間を通って伸びる第２のガス室２７６を含んでいる。駆動部（図示略）が、軸２７０の第１端部２７０ａに連結されて、ハウジング２５４に対して軸線２７２回りに軸２７０を回転させる。この軸は、ハウジング２５４の内部キャビティ２６２内に回転軸受２８０を用いて支持されている。
【００３７】
処理用ディスク２８２は、軸線２７２回りに回転するために、軸２７０の第２端部２７０ｂに取り付けられ、軸線２７２回りに配置される中央部分２８４と、この中央部分２８４から横方向外側に延びる１つまたはそれ以上のペデスタル２８６とを有する。ペデスタル２８６は、軸線２７２から放射状に配置されたワークピース取付部２８８を含み、この取付部は、ガス供給ポート２９０と共に、半導体ウエハ等のワークピース（図示略）を支持するようになっている。処理用ディスク２８２は、さらに、軸２７４内の第２のガス室２７６とワークピース取付部２８８内のガス供給ポート２９０との間の流体連通を与える第３のガス室２８２を含んでいる。
【００３８】
ワークピース支持体のスピンドルアセンブリ２５０は、また、回転フィードスルー３００を有し、この回転フィードスルーは、ハウジング２５４の外壁２５６の内側表面２６０に設けた出口開口２６８と、軸２７０の第２ガス入口開口２７８との間の流体連通を与える。
【００３９】
回転フィードスルー３００と複数のガス室２６４，２７６，２９２を設けることにより、スピンニング式イオン注入のために、ガス供給源２５２からワークピース取付部２８８に取り付けられたワークピース（図示略）の裏面側に冷却ガス３０２を供給することができる。これにより、ワークピースから改善された熱の除去が、本発明に従って与えられる。本発明に従い、ワークピース取付部２８８内のワークピースから熱を取り除くために冷却ガスを用いることによって、これまで、ワークピースから処理用ディスク２８２に熱を伝達させるために用いられた通常のＲＴＶゴムパッドを除去することができる点に注目すべきであろう。このようにして、ワークピース上のＲＴＶの有害な作用（例えば、固着、粒子汚染、容量性チャージング等）を除去または最小限に抑えることができ、またワークピースからの熱伝達を改善することができる。更に、以下で図示するとともに説明するように、ガス冷却は、流体（水）による冷却と組み合わせて使用することができ、その結果、さらに、イオンを用いて注入されるワークピースから排出される熱の伝達を改善する。
【００４０】
回転フィードスルー３００は、ハウジング２５４の内部キャビティ２６２と第１、第２のガス室２６４，２７６との間のシールを与えるようにした磁気シールを含んでいる。他の形式のメカニカルシールを用いることができるが、この磁気形式のシールは、高純度のシールとともに高信頼性で真空シールを提供する。冷却ガスに影響を与える不純物があると、これらの不純物により、ワークピースの受け入れがたい汚染が生じることになる。従って、発明者は、磁気シールが、ワークピースに加えられるべき冷却ガスに対して適切な圧力及び不純物のシールを与えることを見出した。
【００４１】
スピンドルアセンブリ２５０は、バッチ型イオン注入システムに使用されるイオンは真空中でイオン注入される。ハウジング２５４の第１キャビティ端部２６２ａは、周囲圧力となっており、一方、第２キャビティ端部２６２ｂは、真空状態にある。対応する圧力境界３０４は、真空状態と周囲圧力との間に確立される。この点において、回転フィードスルー３００は、第１、第２のガス室２６４，２７６と第１キャビティ端部２６２ａとの間に配置される第１シール３０６と、第１、第２のガス室２６４，２７６と第２キャビティ端部２６２ｂとの間に配置される第２シール３０８を含んでいる。こうして、第１キャビティ端部２６２ａは、周囲圧力であり、第２キャビティ端部２６２ｂは、真空状態にある場合、回転フィードスルー３００は、イオン注入が起こる際に周囲圧力と真空状態の両方から第１、第２、第３のガス室２６４，２７６，２９２のそれぞれを通って流れる冷却ガスを分離する二重シールを与える。
【００４２】
図４Ａ及び図４Ｂにおいて、別の例示的なバッチ型イオン注入機用のワークピース支持体３５０が、本発明に従って断面図で示されている。この支持体３５０は、第１のガス室３５４を有するハウジング３５２を含み、第１のガス室は、第１ガス入口開口３５８と出口開口３６０の間で、外壁３５６の内側表面３６２を通って伸びている。第１のガス室３５４は、第１ガス入口開口３５８から長手方向に伸びる第１部分と、第１部分３５４ａから出口開口３６０にある角度で伸びている第２部分３５４ｂとを含んでいる。軸３６４は、軸線３６８回りに回転するように、ハウジング３５２の内部キャビティ３６６に回転可能に取り付けられ、かつ軸受３７０に支持されている。軸３６４は、第１端部３６４ａと第２端部３６４ｂとの間で軸方向に伸びる外側表面３７２と、軸の外側表面３７２を通る第２ガス入口開口３７６と軸３６４の第２端部３６４ｂとの間を通って伸びる第２のガス室３７４とを含んでいる。軸３６４は、更に、第１端部３６４ａの近くに取り付けられたモータロータ支持体３７８を含み、駆動モータ（図示略）と連結するかあるいはモータロータに直接連結される。
【００４３】
処理用ディスク３８０は、軸３６４の第２端部３６４ｂに取り付けられ、軸線３６８回りに回転し、この軸線に沿って配置された中央部分３８２と１つまたはそれ以上のペデスタル３８４（図４Ｂ）を有している。ペデスタル３８４は、軸線３６８から放射状に配置されかつワークピース（図示略）を支持すると共にガス供給ポート３８８を有するワークピース取付部３８６を含んでいる。更に、処理用ディスク３８０は、軸３６４内の第２のガス室３７４とワークピース取付部３８６内のガス供給ポート３８８との間の流体連通を与える第３のガス室３９０を含んでいる。
【００４４】
回転フィードスルー３９２は、ハウジング３５２と軸３６４との間に取り付けられ、ハウジング３５２の出口開口３６０と軸３６４の第２ガス入口３７６との間の流体連通を与える。これにより、冷却ガスが、ガス室３５４，３７４，３９０を介して入口開口３５８から、ワークピース取付部３８６に取付られたワークピースの裏面側へと循環することができる。軸３６４は、さらに、入口３９６から処理用ディスク３８２内の流体通路３９８に冷却流体（たとえば、水）を供給するようにした流体通路３９４を含んでいる。これにより、ワークピース取付部３８６内のワークピースから処理用ディスク３８２へ伝達された熱（ガス室３５４，３７４，３９０を通ってワークピース取付部３８６内に取り付けたワークピースの裏面側に循環した冷却ガスを介して）は、処理用ディスク３８２から取り除くことができる。
【００４５】
本発明に従う回転フィードスルー（例えば、図３及び図４の各フィードスルー３００，３９２）は、固定のハウジング内の冷却ガス室と回転軸との間の流体連通を与える形式であればいずれでもよく、冷却ガスは、（例えば、第１のガス室２６４，３５４、および第２のガス室２７６，３７４）を通って循環することができる。本発明の別の構成によれば、回転フィードスルーは、以下で詳細に図示しかつ説明する、１つまたはそれ以上の磁気シールを含むことができる。
【００４６】
図５Ａ及び図５Ｂにおいて、例示的な回転フィードスルー４００が図示されており、これは、円筒部材４０２から構成され、軸（例えば、図３及び図４の各軸２７０，３６４）の半径方向外側及び軸を取り囲んでそこにギャップ（図示略）を形成するための内側表面４０４と、ハウジングの内部表面（例えば、ハウジング２５４，３５２の各表面２６０，３６２）に取り付けるようにした外側表面４０６とを有している。一対の磁石４０８ａ、４０８ｂは、ライン４１０ａ、４１０ｂに沿う軸を備える磁気回路を形成し、磁性流体（例えば、強磁性流体、図示略）は、円筒部材の内側表面４０４と軸との間のギャップの部分を満たす。磁性流体は、ハウジングの内部キャビティと第１、第２のガス室（例えば、図３のガス室２６４，２７６）の間のシールを与える。冷却ガスは、円筒部材４０２（例えば、図３において、ハウジング２５４の内側表面２６０に設けた出口開口２６８を介して）内に１つまたはそれ以上のポート４１２を備えることができる。円筒部材４０２の内側表面４０４の中央部分の回りに円周方向に配置されたチャネル４１４に沿って循環する。
【００４７】
磁石４０８ａ、４０８ｂから生じる磁界によってチャネル４１４のいずれか一方の磁石４０４ａ、４０８ｂに近接する磁気シールを与え、また、回転フィードスルー４００の第１、第２端部４００ａ、４００ｂの間の圧力障壁を与え、さらに、チャネル４１４内に冷却ガスを与える。回転フィードスルーに設けられた二重のシール構造は、バッチ型イオン注入機のスピンドルアセンブリ（図３及び図４のアセンブリ２５０，３５０）に有効に使用される。これにより、上述しかつ図示されたように、冷却ガスは、注入されるべきワークピースから熱を取り除くために供給することができる。
【００４８】
例えば、図３のハウジング２５４の内部キャビティは、軸２７０の第１端部２７０ａに近接する第１キャビティ端部２６２ａと、軸２７０の第２端部２７０ｂの近くに配置された第２キャビティ端部２６２ｂとを有する。回転フィードスルー４００の第１端部４００ａは、第１軸の第１端部２７０ａの方に配置され、第２端部４００ｂは、軸２７０の第２端部２７０ｂの方に配置される。この点において、例示的な回転フィードスルー４００は、第１シール部分（例えば、第１端部４００ａ近くのライン４１０ａに沿う磁界）を含み、この第１シール部分は、第１キャビティ端部２６２ａと第１、第２のガス室２６４，２７６との間で、かつ軸２７０と円筒部材４０２の内側表面４０４との間のギャップ（図示略）内にシールが与えられる。これは、例えば、スピンドルアセンブリ２５０の第１キャビティ端部２６２ａに存在する周囲圧力から、ガス室２６４，２７６内の冷却ガスを密閉することができる。
【００４９】
同様の方法で、回転フィードスルー４００は、第２シール部分（例えば、第１端部４００ａ近くのライン４１０ａに沿う磁界）を含み、この第２シール部分は、第２キャビティ端部２６２ａと第１、第２のガス室２６４，２７６との間で、かつ軸２７０と円筒部材４０２の内側表面４０４との間のギャップ（図示略）内にシールが与えられる。これは、例えば、ワークピースがイオン注入される真空環境からガス室２６４，２７６（例えば、加圧することができる）内の冷却ガスを密閉することができる。
【００５０】
図６、図７Ａ、図７Ｂにおいて、本発明の別の構成に従う冷却ガス供給ポート５０２及びガス移送チャネル５０４を備えた、例示的なウエハペデスタル５００が図示されている。このペデスタル５００は、処理用ディスクの中央部分（例えば、図３の処理用ディスク２８２の中央部分２８４）上にペデスタル５００を取り付けるためのアーム５０６を含み、ワークピース取付部５０８は、処理用ディスクの回転軸（図示略）からライン５１０に沿って半径方向外側に配置される。ペデスタル５００は、アーム５０６を介してガス室５１４と同様に、処理用ディスクに取付けるためのカウンタボアの取付穴５１２を含み、この取付穴は、ガス供給ポート５０２を介してワークピース取付部５０８に到達する冷却ガス（図示略）のための流体連通を与える。ワークピース（図示略）は、処理用ディスクが回転する軸線（図示略）に対して僅かな角度を有するワークピース表面５１６に取り付けられる。ワークピース取付部５０８は、図８Ａ〜図８Ｄに関して後で示されてかつ説明するように、シール装置を取り付けるためのマウント用孔５１８をさらに含んでいる。
【００５１】
図８Ａ及び図８Ｂは、回転可能な処理用ディスク（例えば、図３の処理用ディスク２８２）を有するバッチ型イオン注入機を用いるための例示的なシール装置５５０を図示する。回転可能な処理ディスクは、少なくとも１つのワークピース取付部（例えば、図６のワークピース取付部５０８）を有し、本発明の他の構成に従ってワークピースの裏面側に冷却ガスを供給すると共に、ワークピース平面における周辺エッジを有する円筒状ワークピース（図示略）を支持するようにする。
【００５２】
シール装置５５０は、ワークピース取付部（例えば、取付部５０８）に取り付けることができるリング形状の支持部材５５２と、この支持部材５５２に取り付けられる第１シール部材５５４を含み、第１シール部材は、支持部材５５２に対して柔軟な第１部分５５６を有し、図８Ｄにおいて図示しかつ説明するように、ワークピースの裏面の一部分と係合するようになっている。シール装置５５０は、固定具（図示略）を用いる複数の取付タブ５６８に設けた穴を介してワークピース取付部５０８上に取り付けることができる。これに関して、シール装置５５０は、ワークピース取付部５０８（例えば、取付固定具及び同等物を介して）から分離可能であり、その結果、取付部の修繕及び交換を容易にする。
【００５３】
第１シール部材５５４の第１部分は、リング形状の支持部材５５２の中心部に対して半径方向外側に張り出している。その結果、図８Ｄで示すように、ワークピース５６２の平面にほぼ垂直な方向５６０に円周回りに旋回または点５５８を中心に旋回する。リング形状の支持部材５５２とシール部材５５４は、本発明の範囲内で適当な材料から作ることができる。例えば、支持部材５５２は、金属から作られ、また、柔軟なシール部材５５４は、弾性体又は他の柔軟材料から作ることができる。さらに、支持部材５５２と第１シール部材５５４は、本発明の範囲内で適当な材料から形成される単一部材とすることができる。第１シール部材５５４の第１部分５５６は、ワークピース５６２の方に伸びかつ周辺エッジに近接してワークピースの裏面に係合するリブ５６４を備えることができ、この結果、リブはワークピースと連結してシールを与える。
【００５４】
本発明の別の構成に従って、シール装置５５０は、さらに、図８Ｃ及び図８Ｄに示すように、第２シール部材５７０を含むことができる。この第２シールは、支持部材５５２に取付けられ、支持部材５５２とワークピース取付側壁部５７２との間にシールを与えるために、ワークピース取付部５０８の側壁５７２に係合する半径方向外側に伸びるリブを有する。第１、第２のシール部材５５４，５７０の各リブは、本発明の範囲内で他の外形状が可能であるが、例えば、Ｖ形状とすることができる。この点に注目して、支持部材５５２、第１シール部材５５４、および／または第２シール部材５７０は、単一部材で一体に形成することもでき、また、本発明の範囲内で適当な材料から作ることができる。
【００５５】
図８Ｄに示すように、例示的なシール装置５５０は、ワークピース取付部５０８に設置するとき、第１シール部材５５６は、Ｖ形状のリブ５６４とワークピースの周辺エッジ近くのあるワークピースの一部分との間に第１シール５８０を設け、これにより、ワークピース５６２の裏面側５８４から熱を除去する冷却ガス５８２は、イオン５８８が真空中で注入される際にワークピース５６２の前側５８６からシールされる。さらに、第２シール部分５７０は、シール装置５５０とワークピース取付部５０８の側壁５７２との間で第２シールを与える。これにより、ワークピース５６２の裏面側に供給される冷却ガスは、支持部材５５２の半径方向外端とワークピース取付部５０８の側壁５７２との間の漏れを防止する。
【００５６】
図９Ａ及び図９Ｂにおいて、例示的なウエハクランプ６００は、閉じた、即ち、クランプ位置が図示されており、ワークピース５６２（図９Ａ）の頂部表面と係合する旋回係合アーム６０２を有している。また、開位置（図９Ｂ）において、このアーム６０２は、ワークピースから離れている。クランプ６００は、シール装置５５０をワークピース５６２に対して密着係合を与えるために、処理用ディスク（例えば、図７Ａ〜ズ７Ｃ、及び図８Ｄ）のワークピース取付部に設けることができる。この点において、ワークピース５６２がワークピース取付部５０８に取付けられるときの角度により、処理用ディスクが回転する際に遠心力を生じさせることができる。これは、第１シール部材５５６のシール用リブ５６４における圧縮および／または矢印５６０（図８Ｄ）方向への第１シール部材における曲げを生じさせるのに役立つ。裏面側の冷却ガス（例えば、概略３〜５トルに加圧された）に対向する力は、遠心力よりも大きくなることが見出されることから、クランプ装置６００は、シール装置５５０を介して適切なシーリングを実現するために、有効に使用することができる。
【００５７】
本発明を或る用途及び実施に対して図示して説明してきたが、この明細書と添付された図面とを読んで理解すると他の同業者にも同等の変更や修正ができるものと認識することができる。特に上述の構成要素（アセンブリ、装置、回路、システム等）によって実行される種々の機能に関して、そのような構成要素を説明するために使用される用語（「手段」に対する参照を含めて）は、他に表示されていなければ、たとえ開示された構成に構造的に同等でなくても本発明のここで図示された例示的実施においてその機能を果たすものであれば、説明された構成要素の特定された機能を実行する（即ち、機能的に同等である）いずれかの構成要素に相当するものと意図されている。
【００５８】
更に、本発明の特定の特徴が幾つかの実施の内のただ一つに対して開示され得てきたようであるが、そのような特徴は、いずれかの或る又は特定の用途にとって望ましくかつ有利な他の実施形態における一つ以上の特徴と組み合わされ得るものである。更に、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」及びそれらの変形が詳細な説明か特許請求の範囲のいずれかで使用されている限り、これらの用語は、用語の『構成されている』と同様に包含されるものであると理解すべきである。
【００５９】
（産業上の利用可能性）
本発明のシステム及び方法は、バッチ型イオン注入機において、大気圧から真空中に冷却ガスを与えるために、イオン注入機等の半導体処理の分野において使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
図１Ａは、本発明に使用することができるイオンビーム注入システムを説明するための概略ブロック図である。
【図１Ｂ】
図１Ｂは、ワークピースのイオンビーム処理用のイオン注入機を説明する一部断面で示す側面図である。
【図２】
図２は、回転軸内に冷却流体通路を有しているバッチ型イオン注入機のスピンドルアセンブリを説明する側方断面図である。
【図３】
図３は、本発明の構成に従って、回転軸内にガス室を有し、固定のガス供給源から回転シールを通って冷却ガスを受け取るようにした、例示的なワークピース支持用スピンドルアセンブリを説明するための側方断面図である。
【図４Ａ】
図４Ａは、本発明に従う別の例示的なバッチ型イオン注入機のワークピース支持体を説明するための側方断面図である。
【図４Ｂ】
図４Ｂは、図４Ａのバッチ型イオン注入機のワークピース支持体を説明する別の側方断面図である。
【図５Ａ】
図５Ａは、本発明の別の構成に従う例示的なシールを説明するための端部正面図である。
【図５Ｂ】
図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ−５Ｂ線に沿って見た例示的シールを説明するための側方断面図である。
【図６】
図６は、本発明の別の構成に従う冷却ガス供給ポートを有する例示的なウエハペデスタルを説明するための端部正面図である。
【図７Ａ】
図７Ａは、図６の例示的なウエハペデスタルを説明するための部分側面図である。
【図７Ｂ】
図７Ｂは、図６および図７Ａの例示的なウエハペデスタルを説明するための部分側方断面図である。
【図８Ａ】
図８Ａは、本発明の別の構成に従う例示的なリングシールを説明するための上面図である。
【図８Ｂ】
図８Ｂは、図８Ａの８Ｂ−８Ｂ線に沿って見たリングシールを説明するための側方断面図である。
【図８Ｃ】
図８Ｃは、図８Ａの８Ｃ−８Ｃ線に沿って見たリングシールを説明するための別の側方断面図である。
【図８Ｄ】
図８Ｄは、ウエハワークピースに係合する図８Ａから図８Ｃの例示的なリングシールを説明するための部分側方断面図である。
【図９Ａ】
図９Ａは、閉じたまたはクランプした位置において、例示的なウエハクランプを説明するための側方断面図である。
【図９Ｂ】
図９Ｂは、開放位置において、図９Ａのウエハクランプを説明するための側方断面図である。
【図１Ｂ】
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【図３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004510305.tif 000045
2004510305.tif 000046
【国際調査報告】
2004510305.tif 000047
2004510305.tif 000048