(57)【要約】【課題】本発明は、立体の相互結合を伴う一体化した部品を有する電子装置の分配型シールディング及び減結合方法、そうした装置及び製造方法に関する。【解決手段】装置は、各活性部品（２）に関連して、誘電体の薄いシート（１０）から形成される少なくとも１つのコンデンサ平面を含み、前記シートはその２つの平面の表面上で金属化される（１０、１１、１２）。部品及びコンデンサ平面は交互に積み重なり結合してブロック（１´）を形成し、そのブロックの側表面（２１から２４）は立体の相互結合を確実にする導線（１３、１４）を担持する。金属化された部分（１１、１２）はタブ（１１０、１２０）を介してのみブロックの縁と同一平面となるように画定される。アース結合する金属化された部分の１つ（１１）はシールディングとしての役目を果たす。本発明は特に非常に小型のメモリーブロックの製造に適用する。【選択図】図２
2004505451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲に結合パッドを有し、積み重なり結合して立体の相互結合ブロック（１）を構成する一体化した電子部品を有する電子装置の分配型シールディング及び／又は減結合方法において、
前記方法が各部品（２）及び隣接する部品の間に、誘電体の薄いシート（１０）から成る少なくとも１つの独立した平面（１０、１１、１２）を挿入し、前記平面の少なくとも１つの表面が金属化された部分（１１、１２）を担持し、前記金属化された部分がアース結合して隣接する部品又は隣接する複数の部品を保護する方法。
【請求項２】
前記独立した平面の各表面が金属化されてコンデンサ平面を構成し、前記平面の金属化された部分（１１、１２）がそれぞれアース結合及び隣接する部品の少なくとも１つの供給電圧と結合することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属化された部分（１１、１２）及び結合パッド（２５、２６）が前記ブロックの側表面（２１から２４）の少なくとも１つ上に配置される導線（１３、１４）により結合することを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記平面の金属化された部分（１１、１２）が前記ブロックの少なくとも１つの表面近くに配置される結合タブ（１１０、１２０）を介してのみ前記ブロックの縁と同一平面となるように画定され、前記導線（１３、１４）が前記結合タブを前記部品の対応する結合パッドに結合するように配置されることを特徴とする、請求項１から請求項３のうちの１つに記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの独立した平面又はそれに隣接するコンデンサが各部品と関連することを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
結線（１３１、１３２）を前記ブロックの１つの表面から他の表面へ送り返すために、リンク付け導線（１２１）が供給電圧に結合する少なくとも１つのコンデンサ平面の金属化された部分（１２）で切断される（１２２）ことを特徴とする、請求項２から請求項５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記ブロックを構成するスタックにおいて、少なくとも１つの金属化された表面を有する少なくとも１つの誘電体の薄いシートが加えられて位相平面を構成し、前記ブロックの様々な側表面間の結合の経路を定めることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
分配型シールディング及び／又は減結合を伴い、周囲に結合パッドを有し、積み重なり結合して立体の相互結合ブロックを構成する一体化した電子部品を有する電子装置において、
前記電子装置が一体化した電子部品（２）と独立した平面の交互スタックを含んで前記ブロック（１´）を形成し、前記各平面が誘電体の薄いシート（１０）を含み、前記シートがその２つの表面の少なくとも１つ上で金属化され（１１、１２）、前記スタックが２つの連続する部品間に少なくとも１つの独立した平面を含み、前記ブロック（１´）の側表面（２１から２４）が前記表面の少なくとも１つ上に配置されるコンダクタ（１３、１４）を含み、前記独立した平面の金属化された部分（１１、１２）を前記部品の対応する結合パッド（２５、２６）に結合することを特徴とする電子装置。
【請求項９】
前記各平面が２つの表面（１１、１２）上で金属化され、コンデンサ平面を構成することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記コンデンサ平面の金属化された部分（１１、１２）が前記ブロックの少なくとも１つの表面に向かって配置される結合タブ（１１０、１２０）を介してのみ前記ブロックの側表面と同一平面になるよう画定され、前記関連する導線（１３、１４）に接触することを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記各平面（１０、１１、１２）に対して、前記薄いシート（１０）がポリエチレン・テレフタレート又はポリエチレン・ナフタレート製であることを特徴とする、請求項８から請求項１０のうちの１つに記載の装置。
【請求項１２】
前記薄いシートが２０〜３０ミクロンから数ミクロンの範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記平面の前記金属化された部分（１１、１２）がアルミニウム製で、２０〜３０ミクロンの厚さを有することを特徴とする、請求項１１及び請求項１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記一体化した電子部品（２）が記憶平面であることを特徴とする、請求項８から請求項１３のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１５】
前記部品がむき出しの集積回路チップから成ることを特徴とする、請求項８から請求項１３のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１６】
前記部品が集積回路チップをカプセル化したパッケージから成ることを特徴とする、請求項８から請求項１３のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１７】
前記様々な独立した平面及び／又はコンデンサ及びブロック（１´）の部品が接着剤又は樹脂で結合されることを特徴とする、請求項８から請求項１６のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１８】
前記ブロックがさらに、前記スタックの各側面上に、誘電体製の密閉層を含むことを特徴とする、請求項８から請求項１７のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１９】
前記方法が、請求項８から請求項１８のいずれか１つに記載の電子装置を集合的に得るための方法において、活性平面（２００）内で前記部品を規則正しい幾何学模様に並べて製造し、
前記金属化された部分を誘電体の薄いシート上で同じ幾何学模様に製造し、
前記活性平面と前記金属化されたシートを交互に積み重ねて結合し、少なくとも１つのシートが前記各活性平面間に挿入され、それにより前記部品及び前記金属化された部分が相互一致して前記個々のブロックを画定する鋸引き線（１７）を画定し、
得られたアセンブリの前記平面及びシートに垂直に、前記結合タブ（１１０、１２０）と前記結合パッド（２５、２６）に直接沿った鋸引き線に沿って孔（１７０）をあけ、
前記孔をめっきし、
前記ブロックを前記鋸引き線（１７）に沿って鋸引きし、立体の相互結合がめっきされた半分の孔から成る前記ブロックを得ることを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記孔が打ち抜きによって作られることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積み重なり結合して立体の相互結合ブロックを構成する一体化した電子部品を有する電子装置の分配型シールディング及び／又は減結合工程に関する。本発明はまた、そのようにして得られた装置及びこれら装置を集合的に得る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の電子システムの製造は、民間も軍も、採用される回路数の増加のために、緻密さを増すという要求を考慮しなければならない。
【０００３】
これらの要求を考慮するために、むき出しの集積回路チップのスタック又はチップをカプセル化するパッケージを作ることがすでに提案されており、立体となる相互結合は、スタックの表面を相互結合表面として使用し、出力ピン間に必要な結合を作る。
【０００４】
集積回路チップにおける発達は、チップをカプセル化するパッケージにおけるように、チップをさらに薄くする傾向にある。このことは、厚さが２〜３ミクロンから２０〜３０ミクロンに傾きがちな構造へ確実に方向付けられる。こうした回路を積み重ねようと思うと、それらの密接さにより問題をはらむ干渉がますます発生する。さらに、極めて高い動作周波数を得るための研究は、様々な回路に対する電圧供給の減結合をさらに改良することを暗示する。習慣的に減結合コンデンサが提供され、これはできるだけ回路の近くに、例えば回路のスタック上に直接、あるいはこのスタック又は一側面の下のできるだけ近くに配置される。極端に早いスイッチングに対しては、十分に蓄えられたエネルギー、従って十分な容量を有することでは不十分である。このエネルギーを非常にすばやくスイッチング回路に送ることも必要であり、深刻になっている問題は、コンデンサと回路の結合により現れるインダクタンスである。結合が短ければ短いほどインダクタンスは低くなり、高い周波数でますます使用されうる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１の目的は、単純かつ安価な方法で、部品間の分配型シールディングを提供して相互干渉及び外部との干渉という問題を改善することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、干渉と減結合という２つの問題を、組み合わされた方法で解決することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の対象は、薄い金属化されたシートを立体のスタックを形成する様々な回路間に挿入することにより上記欠点を取り除く分配型シールディング及び／又は減結合方法である。
【０００８】
従って本発明は、周囲に結合パッドを有し、積み重なり結合して立体の相互結合ブロックを構成する一体化した電子部品を有する電子装置の分配型シールディング及び／又は減結合方法を提供し、前記方法が各部品と隣接する部品の間に、誘電体の薄いシートからなる少なくとも１つの独立した平面を挿入することにあり、そのシートの少なくとも１つの表面が金属化された部分を担持し、前記金属化された部分がアース結合して隣接する部品又は隣接する複数の部品を保護することを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、独立した平面の各表面が金属化されてコンデンサ平面を構成し、前記平面の金属化された部分は、それぞれアース結合及び隣接する部品の少なくとも１つの供給電圧と結合する。
【００１０】
この方法によって、アース結合する金属化された部分は部品間の完璧なシールディングとしての役目を果たし、各部品に関連する１つ又はそれ以上のコンデンサ平面の挿入は非常に改良された減結合を許容する。なぜなら、コンデンサと関連する部品間の結合の長さは最低限に減らされているからである。
【００１１】
本発明の他の側面は、分配型シールディング及び／又は減結合を伴う一体化した電子部品を有する電子装置を提供する。その際、前記部品は周囲に結合パッドを有し、積み重なり結合して立体の相互結合ブロックを構成する。本発明は、前記装置が一体化した電子部品と独立した平面の交互スタックを含んで前記ブロックを形成し、各平面が誘電体の薄いシートを含み、前記シートが２つの表面のうち少なくとも１つで金属化され、スタックが２つの連続した部品間に少なくとも１つの独立した平面を含み、ブロックの側表面が導線を含み、その導線が表面の少なくとも１つ上に配置され、独立した平面の金属化された部分を部品の対応する結合パッドに結合することを特徴とする。
【００１２】
好ましくは、各平面は２つの表面上で金属化され、コンデンサ平面を構成する。
【００１３】
最後に、こうした装置は、集合的に製造されうるというように、もっと経済的に得ることができる。
【００１４】
本発明の他の側面は上述した電子装置を集合的に得る方法を提供し、前記方法が、
前記部品を活性平面内で規則正しい幾何学模様に並べて製造し、
前記金属化された部分を誘導体の薄いシート上で同じ幾何学模様に製造し、
前記活性平面と前記金属化されたシートを交互に積み重ねて結合し、少なくとも１つのシートが各活性平面間に挿入され、それにより部品及び金属化された部分が相互に一致して前記個々のブロックを画定する鋸引き線を画定し、
得られたアセンブリの前記平面及びシートに垂直に、前記結合タブ及び前記結合パッドに直接沿った鋸引き線に沿って孔をあけ、
前記孔をめっきし、
鋸引き線に沿ってアセンブリを鋸引きして前記立体相互結合がめっきされた半分の孔からなる前記ブロックを得ることにあるということを特徴とする。
【００１５】
以下の記述及び添付の図面から本発明はさらに明白に理解され、さらなる特徴及び利点が明らかとなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、既知の立体相互結合の電子装置を部分的に示している。当該装置は、絶縁及び接着層３により垂直に積み重ねた半導体チップ２から形成されるブロック１から成る。こうした装置は、フランス特許ＦＲ２６４５６８１で開示されている。最上層と最下層に提供されるのは絶縁材製の密閉層４１及び４２で、それらは特に、必要であればブロック１を保護する及び補強する。ブロック１は、外側の表面の１つ上に、例えば密閉層４１の上表面の開口部４３に減結合コンデンサ６を有する。コンデンサは導線６１を経由して装置の結合パッド５２と結合する。相互結合導線５０は、ブロック１の側表面に配置され、チップ２の結合パッド２０と相互結合し、このパッド５２で終端結合する。
【００１７】
すでに述べたように、コンデンサ６及びチップ２間の結合の長さは、特にブロックの下部のチップ２の場合にかなり長く、それゆえ高速で作動するのに深刻な欠点を構成する。さらに、隙間を少なくしてスピードも増大させるためにチップ２と層３を薄くすればするほど、チップ間の干渉は大きくなり、さらに問題化する。
【００１８】
本発明は、技術的に、非常に薄い誘導体フィルム、例えば厚さ１から２μｍのフィルムから、多層コンデンサを大量生産する方法が知られているという観察に基づく。フィルムは両表面が金属化されて、何百もの層を形成して巻き上げられている。コンデンサはその後鋸で切断される。
【００１９】
本発明によれば、従って各チップすなわち電子部品間に、むき出しであろうとパッケージにカプセル化されていようと、誘電体の薄いシートから形成される少なくとも１つの独立した平面を挿入する準備がされ、少なくとも１つの表面は金属化された部分を担持し、金属化された部分の１つはアース結合する。それにより隣接する部品を保護する。両表面が金属化される場合、もう一方の表面は、隣接する部品の少なくとも１つのための供給電圧と結合し、減結合コンデンサを製造する。
【００２０】
「電子部品」という語は、その複雑さにかかわらず、任意のむき出し又はカプセル化したチップ、又は集積回路を意味すると理解される。例として、これはシリコン又は他の材料で作られる任意の活性物質上の記憶平面である。
【００２１】
図２は、上記で定義された本発明による装置の構造を部分的に拡大して示している。この装置を構成するブロック１７のうち、ブロック１´を形成する交互スタックの単一の電子部品２及びその側に位置する２つのコンデンサ平面だけが示されている。部品２はその表面の少なくとも１つ上で、その周囲に結合パッド２５、２６を含む（ここでは接地パッド２５及び供給電圧パッド２６に対応するものだけ示されている）。例として、パッドはブロック１´のすべての側表面２１から２４の近くに示されているが、これが本質的なものではなく、それらを１つの側表面又はいくつかの側表面の近くだけに提供することが可能である。
【００２２】
コンデンサ平面は部品２の各側面に配置され、それぞれが誘電体の薄いシート１０から成り、その上部及び下部表面は金属化される。上部の金属化された部分１１及び下部の金属化された部分１２は結合タブ１１０、１２０を介してのみブロック１´の縁と同一平面となるように画定される。ブロック１´の様々な要素が、例えば接着及び絶縁材料（図示せず）により、交互に積み重なり結合したあと、タブ１１０、１２０及びパッド２５、２６はそれぞれの導線１３、１４を経由してブロック１´の側表面に結合し、導線１３は、例えばアース結合し、導線１４は供給電圧と結合する。
【００２３】
もちろん、各部品とその隣接物間で、図２のような単一のコンデンサ平面の代わりに、いくつかのコンデンサ平面を並列に使用して、容量を増やすことは可能である。
【００２４】
さらに、２つ又はそれ以上の供給電圧レベルが１つ又はそれ以上の活性部品に対して必要な場合、ここで再び２つ又はそれ以上のコンデンサ平面を提供してそれぞれの金属化された部分を１４のような異なる導線を経由してこれらの電圧に結合することが必要である。
【００２５】
薄いシート１０は、２０〜３０ミクロンから２〜３ミクロンの桁の非常に小さい厚さを有する。材料として、例えば約２μｍの厚さのポリエチレン・テフタレート又は例えば約０．９μｍの厚さのポリエチレン・ナフタレートを使用することが可能である。
【００２６】
金属化された部分１１、１２はアルミニウム製であり、例えば０．３μｍの厚さで、活性部品にしばしば使用されるアルミニウム導線と両立するという利点を有する。
【００２７】
図１のブロックの場合のように、下部の密閉層は外側の結合要素（パッド、結線、タブ、ＢＧＡなど）を担持し、上部密閉層は例えば分極のマーキングを担持する有機体シートを使用するブロック１´上に提供される。
【００２８】
アース結合する金属化された部分１１の場合、薄いシート１０の１つの表面だけを金属化する準備がされることは明らかである。効果的な分配型シールディングが、コンデンサ機能なしでこのように得られる。
【００２９】
図３に示される本発明の他の利点は、ブロックの１つの側面から他の側面へ一定の結線を送り返す又はその経路を定めるためにコンデンサ平面の金属化された部分の１つを使用できることである。これを行うために、ブロックの１つの側表面上の導線１３１を隣接する表面上の導線１３２に結合する経路決め又はリンク付け結合導線１２１が、金属化された部分上で、好ましくは供給電圧と結合する金属化された部分１２でエッチング処理される（１２２）。この導線１２１は、任意の既知の方法により得られるエッチング処理１２２によって金属化された部分１２、１２３から分離される。金属化された部分１２３は、ここでは結合していないので何の役にも立たない。これらのリンク付け導線は、好ましくは供給電圧に結合する金属化された部分１２に作られる。これは容量の一部分だけがこのように失われるからである。これは更なるコンデンサ平面により補償されうる。ところが、接地面の金属化された部分１１によるシールディングは無傷のままで、それは逆の場合では得ることができない。
【００３０】
もちろん、コンデンサ平面に対するのと同じ技術で、そこから様々なリンク付け導線が切断される薄いシート上に、金属化された部分を伴う位相平面を加えることは可能である。
【００３１】
上述した型の電子装置は、交互に活性部品と容量性平面（随意的に密閉層）を積み重ね、その後それらを接着剤又は樹脂で結合してブロックを形成し、最後にブロックの側表面上に導線を作ることにより個々に作られる。これらの工程は主要な製造工程を構成する。
【００３２】
しかし経済的な理由のため、これらの装置を集合的に作るのが好ましい。これを行うために、図４に示されるように、活性平面２００が提供され、そこでは活性部品２が規則正しい幾何学模様（隣接する長方形又は正方形）に並んで作られる。コンデンサ平面の金属化された部分は、誘電体の薄いシート上で同じ幾何学模様に作られる。活性平面及び金属化されたシートは交互に、随意的に４１´のような密閉層とともに積み重ねられて結合し、それにより部品と金属化されたシートが互いに向き合って相互一致し、個々のブロック１´を画定する鋸引き線１７を画定する。アセンブリは、孔１７０で鋸引き線１７に沿って前記平面及びシートに垂直に、各ブロックの結合タブ及び結合パッドに沿って垂直に貫通する。この貫通は、打ち抜きによって行われる。孔１７０はめっきされ、その後ブロックが線１７に沿って鋸引きされ、めっきされた半分の孔により作られる立体の相互結合導線を持つ個々のブロックを得る。このことは図５の部分的な描写に見ることができる。
【００３３】
この図は、めっきされた半分の孔１７０を示し、その金属化された部分１３´は、コンデンサ平面（１０、１１、１２）の金属化された部分１１のタブ１１０を、活性部品２の結合パッド１５に結合する。接着層１８は部品２をコンデンサ平面に結合する。
【００３４】
この集合的な製造工程が行われるのは、適正な金属化された部分を得るために、ブロックの厚さが小さくそれほど高くない孔の径と互換性があるからだというのは明らかである。
【００３５】
ひとつの特に有利な実行方法は、円形の孔の代わりに、主軸が鋸引き線をたどる長円の孔を開けることにある。これは、活性部品の作業領域及び金属化された部分を侵害しない及び心合わせの許容範囲を増大するという利点を有する。
【００３６】
もちろん、本発明は任意の型の部品に適用され、非常に薄い記憶平面を伴う記憶ブロックの製造に特に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
既知の立体相互結合装置の部分図である。
【図２】
本発明による装置の部分拡大図である。
【図３】
本発明の１つの実施形態によるコンデンサ平面の図である。
【図４】
本発明による集合的な製造工程を示す部分図である。
【図５】
図４により示される工程により得られた装置を部分的に示している。
【符号の説明】
１　ブロック
１´　ブロック
２　半導体チップ
３　絶縁及び接着層
６　コンデンサ
１０　誘電体の薄いシート
１１　上部の金属化された部分
１２　下部の金属化された部分
１３　導線
１３´　金属化された部分
１４　導線
１５　結合パッド
１７　鋸引き線
１８　接着層
２０　結合パッド
２１　側表面
２２　側表面
２３　側表面
２４　側表面
２５　結合パッド
２６　結合パッド
４１　密閉層
４２　密閉層
４３　開口部
５０　相互結合導線
５２　結合パッド
６１　導線
１１０　結合タブ
１２０　結合タブ
１２１　経路決め又はリンク付け結合導線
１２３　金属化された部分
１３１　導線
１３２　導線
１７０　めっきされた半分の孔
２００　活性平面
【国際公開パンフレット】
2004505451.tif 000003
2004505451.tif 000004
2004505451.tif 000005
2004505451.tif 000006
2004505451.tif 000007
2004505451.tif 000008
2004505451.tif 000009
2004505451.tif 000010
2004505451.tif 000011
2004505451.tif 000012
2004505451.tif 000013
2004505451.tif 000014
2004505451.tif 000015
2004505451.tif 000016
2004505451.tif 000017
2004505451.tif 000018
2004505451.tif 000019
【国際調査報告】
2004505451.tif 000020
2004505451.tif 000021
2004505451.tif 000022
2004505451.tif 000023
2004505451.tif 000024
2004505451.tif 000025