(57)【要約】超小型電子素子上の接触パッドと確実な電気接続をする機械的に柔軟なコネクタが開示される。コネクタはウエハー水準で集積回路のバーンインに使用することができる。また他の応用として、集積回路を検査するプローブカード及びフリップチップ用ソケットにも使用することができる。コネクタの構成としては薄膜の延長されたスプリング８３上に突出するティップ８１を有するプローブを含む。薄膜スプリングがポスト８５によって基板８９上に支持され、プローブティップに作用する接触力によりプローブティップが垂直方向に自由に移動するようにする。プローブティップの曲がりは薄膜スプリングが曲がったり伸びたりすることにより柔軟に制限される。ティップの機械的な柔軟性はパッドが厳密に平面を形成しない集積回路のパッドとプローブアレイとが接触できるようにする。【選択図】図１０
2004503784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子素子上の接触パッドと電気的に接触するためのプローブにおいて、
（ａ）伝導性物質からなり、上側面と下側面とを有して第１端部と第２端部とを有する延長されたスプリングと、
（ｂ）上側面と下側面とを有する剛性（ｒｉｇｉｄ）基板と、
（ｃ）前記基板の上側面上に配置された電気端子と、
（ｄ）前記延長されたスプリングの下側面とそれぞれ連結され、前記基板の上側面上の電気端子のうちの一つにそれぞれ連結されて、前記延長されたスプリングが前記基板の上側面上に所定の距離で支持されるようにする多数の伝導性ポストと、
（ｅ）前記延長されたスプリングの上側面上に配置されたベースと前記延長されたスプリングの上側面上に突起を有する電気伝導性ティップとを含み、前記伝導性ティップの上側面が前記超小型電子素子上の接触パッドと一時的に連結されるようにし、
（ｆ）前記伝導性ティップが垂直方向に柔軟に移動することができる
ことを特徴とするプローブ。
【請求項２】
前記延長されたスプリングは長さが最長で１５０乃至１５００マイクロメーターの範囲内であり、最も薄い部分の厚さが１０乃至７５マイクロメーターの範囲内であるほぼ平板スプリングであることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】
前記延長されたスプリングは、長さ方向と垂直に配向された一つ以上のシワ（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓ）を含む金属スプリングであることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項４】
前記伝導性物質がベリリウム−銅、コロンビウム、銅−ニッケル、モリブデン、ニッケル、ニッケル−チタン、チタン、タングステン及びこれらの合金からなるグループより選択されることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項５】
前記伝導性ティップの上側面が銅−ニッケル、ニッケル、オスミウム、パリニー７（Ｐａｌｉｎｅｙ７）、白金、レニウム、ロジウム、タングステン及びこれらの合金からなるグループより選択される硬質金属で形成されることを特徴とする請求項４に記載のプローブ。
【請求項６】
前記電気回路パターンが前記延長されたスプリングの下に配置され、前記電気回路パターンと連結された回路は前記電気伝導性ティップの下に配置されることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項７】
前記プローブティップが単結晶シリコンの表面でエッチングされたピットを複製したピラミッドであることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項８】
前記プローブティップが電気メッキされた隆起（ｂｕｍｐ）であることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項９】
超小型電子素子上の接触パッドと電気的に接続するためのプローブにおいて、
（ａ）伝導性物質からなり、上側面と下側面とを有して第１端部と第２端部とを有する延長された薄膜スプリングと、
（ｂ）上側面と下側面とを有する剛性（ｒｉｇｉｄ）基板と、
（ｃ）前記薄膜スプリングの第１及び第２端部の下側面と少なくとも一つが連結され、前記薄膜スプリングが前記基板の上側面上に所定の距離で支持されるようにする多数の剛性（ｒｉｇｉｄ）伝導性ポストと、
（ｄ）前記薄膜スプリングの上側面上に配置されたベースを有して前記上側面から突出した電気伝導性ティップとを含み前記突出した電気伝導性ティップが前記接触パッドと接触するように形成され、
（ｅ）前記伝導性ティップが前記それぞれの支持ポストと所定の距離だけ離れて前記薄膜スプリング上に位置するので前記伝導性ティップが垂直方向に移動することができる
ことを特徴とするプローブ。
【請求項１０】
前記薄膜スプリングの下側面と前記基板の上側面との間に配置された弾性物質をさらに含む請求項９に記載のプローブ。
【請求項１１】
前記弾性物質はシリコン、フッ化シリコン、フッ化炭素及びウレタンポリマーからなるグループより選択されることを特徴とする請求項１０に記載のプローブ。
【請求項１２】
ほぼ平面である表面を有し、前記表面上に接触パッドアレイが配置されている超小型電子素子用ソケットにおいて、
（ａ）上側面と下側面とを有する基板と、
（ｂ）前記基板の上側面上にアレイの形態に配置され、前記接触パッドと電気的に連結するための多数の柔軟性プローブと、
（ｃ）前記柔軟性プローブと連結され、前記柔軟性プローブが前記接触パッドと連結される時に前記超小型電子素子が作動するようにする回路手段とを含み、
（ｄ）前記柔軟性プローブのそれぞれは伝導性物質からなり、第１端部及び第２端部で少なくとも一つ以上の剛性（ｒｉｇｉｄ）ポストによって下側面が支持される延長された薄膜スプリングと、
（ｅ）前記ポストのそれぞれと所定の距離だけ離れて前記延長された薄膜スプリングの上側面上に配置されて動くように形成されたプローブティップと
を含むことを特徴とする超小型電子素子用ソケット。
【請求項１３】
前記基板はシリコン物質からなることを特徴とする請求項１２に記載の超小型電子素子用ソケット。
【請求項１４】
前記超小型電子素子は切断されていないシリコンウエハー上に整列された多数の集積回路であることを特徴とする請求項１３に記載の超小型電子素子用ソケット。
【請求項１５】
前記シリコン物質は厚さが１００μｍ乃至５００μｍのシリコンウエハーであることを特徴とする請求項１３に記載の超小型電子素子用ソケット。
【請求項１６】
前記基板はセラミック物質からなることを特徴とする請求項１２に記載の超小型電子素子用ソケット。
【請求項１７】
前記基板は金属−セラミック多層構造からなっており、それぞれのプローブが前記超小型電子素子を検査してバーンイン（ｂｕｒｎ−ｉｎ）する回路手段に連結されることを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子素子用ソケット。
【請求項１８】
前記薄膜スプリングの下に接地シールドが配置されることを特徴とする請求項１２に記載の超小型電子素子用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は超小型電子素子のバーンイン（ｂｕｒｎ−ｉｎ）及び検査に係り、より詳しくは、単一チップまたはウエハー形態の集積回路の接続に使用するのに適したソケットアセンブリーで使用するプローブに関する。
【０００２】
【背景技術】
超小型電子素子は機能性及び信頼性を検証するために製造工程中に一連の検査過程を経る。検査過程は一般にウエハープローブ検査を含み、このようなウエハープローブ検査では超小型電子素子チップをウエハーから切断してパッケージングする前にそれぞれのチップの動作を判断する検査をする。長いカンチレバーワイヤー（ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ ｗｉｒｅｓ）で組み立てられたプローブカードはウエハー水準で同時に一つまたは多数のチップを検査するのに使用される。
【０００３】
一般に、ウエハー上の全てのチップがウエハープローブ検査で良好なものと判断されるのではないため、１００％未満の収率が得られる。ウエハーはそれぞれのチップに切断され、良好なチップは組み立てられてパッケージングされる。欠陥がある素子を破損させるために、パッケージングされた素子はバーンイン基板上のソケットに搭載され、８時間乃至７２時間のバーンイン期間の間１２５−１５０℃の温度で電気的に作動してダイナミックバーンイン過程を経る。バーンイン検査は、破損メカニズムを促進して素子の初期破損及び故障を起こすようにし、このような欠陥のある素子が商業的に使用される前に機能性電気検査によって選り分けられるようにする。
【０００４】
完全機能検査は、パッケージングされた素子に実施され、素子の最大動作速度によってそれぞれの素子を分類するために、パッケージングされた素子を多様な動作速度で動作させる。パッケージングされた素子を分類して検査することもバーンイン過程の間に破損する素子を除去することができるようにする。パッケージングされた素子のバーンイン及び検査は、バーンイン条件と高速検査に適するようにそれぞれ特別に製作されたソケットを使用して遂行される。従来の製造工程は一連の長い段階を通じてそれぞれの分離された素子を反復して処理して検査したため費用及び時間が多くかかり、このような一連の段階が素子を製作するのにかかる総製作時間を何週間も追加した。
【０００５】
ウエハーがそれぞれの素子に切断される前にウエハーをバーンインして検査することによって製造費用及び時間の面で相当な発展を遂げた。また、ウエハーがそれぞれの素子に切断される前にウエハー上のそれぞれの素子をチップ大のパッケージに製造することによって製造費用及び時間をさらに減少させることができた。超小型電子素子を製作する工程を簡単にして縮少させるのに伴う利点を得るために、半導体産業では相当な努力をしてウエハー水準のパッケージング、バーンイン及び検査方法を発展させた。このような利点を得るために、検査チップがウエハーからそれぞれの分離された素子に切断される前にバーンイン及び速度検査を行うことができる手段を用意する必要がある。
【０００６】
従来のカンチレバーワイヤープローブはウエハー上の素子のバーンイン及び速度検査に適しない。ウエハー上の全ての素子を同時にバーンインしなければならない必要性にもかかわらず、カンチレバーワイヤープローブは長すぎて体積が大きいためウエハー上の全ての素子に同時に接触することができない。さらに、長いカンチレバーワイヤープローブはプローブをなすワイヤーの長さが長く平行に配置されて固有インダクタンス及び相互インダクタンスが高いため高速素子の機能検査に適しない。
【０００７】
安価で生産することができる小型の高性能プローブは、ウエハー上のバーンイン及び検査過程で実際に使用するのに必須である。プローブがウエハーバーンイン及び検査に用いられるためには素子が切断されていないウエハー上にある間に素子上の全てのパッドとプローブが確実に接触しなければならない。ウエハー接触用プローブはウエハーの表面の高さを変化させる素子上のパッドと電気的に接触しなければならない。さらに、プローブがそれぞれのパッドと信頼性のある電気的接触をするためには接触パッドの表面上の酸化物層が突き抜かれなければならない。バーンイン及び検査のために、ウエハーと接触するための費用が効率的で信頼性のある手段を提供する多くの接近方法が試みられたが、完全な成功を収めることはできなかった。
【０００８】
小型で垂直柔軟性を有するプローブを使用してウエハー上の素子のパッドと信頼性のある接触が行われるようにする多数の試みがあった。デビッド アール．ロビラード（Ｄａｖｉｄ Ｒ． Ｒｏｂｉｌｌａｒｄ）とロバート エル．マイケルズ（Ｒｏｂｅｒｔ Ｌ． Ｍｉｃｈａｅｌｓ）とに許与された米国特許第４，１８９，８２５号に開示された発明によると、集積回路素子検査用カンチレバープローブが提供される。図１で、カンチレバー２２はチップ２３上のアルミニウム接触パッド２４の上に先の尖ったティップ２６を支持する。柔軟性部材２５は下に圧迫されてティップ２６がパッド２４と接触するように移動する。パッド２４上のアルミニウム酸化物層はティップ２６とパッド２４のアルミニウム金属との間の電気的接触のために先の尖ったティップ２６によって突き抜かれる。小型のカンチレバービームの強度は一般にカンチレバーに力を加える外部手段がない限り接触パッド上のアルミニウム酸化物層を突き抜くのに必要な力をティップに加えるのに足りない。ガラス、シリコン、セラミック物質及びタングステンで形成されたカンチレバービームが多様な構成で試みられたが、充分な力と柔軟性を有するバーンインプローブを提供するのには成功しなかった。
【０００９】
図２Ａに示された柔軟性膜プローブはＩＢＭ技術発表社報（ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、１９７２年１０月、１５１３頁）の柔軟性接触プローブに記述されている。柔軟性誘電膜３２は集積回路上のパッドと電気的に接触するのに適するように形成された端子３３を含む。端子３３は接触パッド３５に付着された柔軟性ワイヤー３４によって電子素子を検査するように連結される。柔軟性ポリイミドシートで製造されたプローブはＩＥＥＥ国際検査学会会報（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、１９８８）でレスリー（Ｌｅｓｌｉｅ）などが発表した。柔軟性シートは垂直運動を一定量に制限して検査対象であるウエハー上の集積回路のボンドパッドの高さを調整する。レスリー等によって発表されたもののような薄膜プローブは高性能検査用集積回路チップ連結部を提供する。しかし、薄膜の大きさに対する安定性が十分でないため、バーンイン温度サイクルの間中ウエハー上のパッド全体と接触することができない。
【００１０】
薄膜二酸化シリコン膜は、図２Ｂに示されているように、グレーン ジェイ．リーディ（Ｇｌｅｎｎ Ｊ． Ｌｅｅｄｙ）に許与された米国特許第５，２２５，７７１号に記載されている。二酸化シリコン膜４０はポリイミドよりは大きさに対する安定性が高いため、バーンイン検査中にウエハー上のパッドと接触するようにする接触時の大きさ安定性の問題を多少改善することができた。プローブティップ４１は膜４０を通過するビア（ｖｉａ）４４によって回路トレース（ｃｉｒｃｕｉｔ ｔｒａｃｅ）４５と連結されており、回路トレース４５は誘電膜４３上の回路素子４２の付加的な層と連結されている。二酸化シリコン膜４０上の検査プローブの垂直柔軟性が制限されているため、プローブアレイを半導体ウエハー上の素子のバーンインに使用するには信頼性が劣る。
【００１１】
半導体ウエハー上のバーンインプローブのアレイ製造はその平面図と断面図がそれぞれ図３Ａ及び図３Ｂに示されており、これは米国特許第４，５８５，９９１号に記載されている。プローブ５１は半導体ウエハー基板５２にアーム５４で付着されたピラミッド型である。プローブ５１を機械的に分離させるために物質５３が半導体ウエハー５２から除去される。図３Ａのプローブは制限された垂直運動を提供するが、プローブアレイと検査電子素子とを連結するのに必要でダイナミックバーンインに必須なワイヤーリング空間を基板上に残さない。
【００１２】
柔軟性プローブを素子の接触パッドに提供する方式の一例は、柔軟性ワイヤーまたはポストを使用して検査回路素子をパッドに連結することである。図４Ａにはゾビナ ダス（Ｇｏｂｉｎａ Ｄａｓ）等に許与された米国特許第５，９７７，７８７号に記載された柔軟性プローブが示されている。プローブ６０はバックリングビーム（ｂｕｃｋｌｉｎｇ ｂｅａｍ）であって、既にロナルド ボブ（Ｒｏｎａｌｄ Ｂｏｖｅ）に許与された米国特許第３，８０６，８０１号に開示されているものと同様である。プローブ６０はウエハー上の素子のバーンインに使用するのに適している。プローブ６０を支持するガイド６１、６２は検査されるウエハーと同一の膨脹係数を有する。プローブティップ６３は短い長さ６０だけ曲がってビーム６０が偏向される正確な様式を提供する。バックリングビームがそれぞれの集積回路チップを検査するのに適しているにもかかわらず、これらはあまりにも高価であるため数千個の接触点が必要なウエハーバーンインに使用することが難しい。さらに、ビームの適当な屈曲部を形成するのに必要な長さのためにバックリングビームプローブの電気的性能は制限される。
【００１３】
柔軟性ポストを使用した他の方式は図４Ｂに示されており、これはアーノルド ダブリュー．ヤノフ（Ａｒｎｏｌｄ Ｗ． Ｙａｎｏｆ）とウィリアム ダウクシャー（Ｗｉｌｌｉａｍ Ｄａｕｋｓｈｅｒ）に許与された米国特許第５，５１３，４３０号に記載された発明である。図４Ｂにはプローブティップ６７に加えられる力によって曲がるポスト６６形態の柔軟性プローブが示されている。ポスト６６は接触パッドと接触するとともにティップ６７に加えられる力によって垂直に曲がるため基板６９と一定の角度を維持して形成される。ポスト６６は曲がるのを容易にするために基部端子６８からティップ６７に向うほど次第に細くなる形状である。
【００１４】
図４Ｃにはベンジャミン エヌ．エルドリッジ（Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ｎ． Ｅｌｄｒｉｄｇｅ）等に許与された米国特許第５，８７８，４８６号に記載されたその他の方式の柔軟性ワイヤーとポストが示されている。図４Ｃに示されたプローブはスプリングワイヤー７１上のプローブティップ７２を含み、スプリングワイヤー７１は曲がるのを容易にするために特定の形状に曲がっている。ワイヤー７１は一般的なワイヤーボンド７３によって基板７４に接合される。図４Ｃに示された類型のプローブはウエハーバーンインに必要な接触力と柔軟性とを得るために長いスプリングが必要である。さらに、それぞれのワイヤーが必要なこのようなプローブは非常に高価であるため数千個の接触点が必要なウエハーバーンインに使用するのは難しい。
【００１５】
柔軟性プローブを提供する他の方式は、検査ヘッドと検査対象である素子との間に柔軟性層を挿入して検査ヘッド上の端子が素子の対応接触パッドと電気的に連結するようにするものである。ウィレム ルットマー（Ｗｉｌｌｅｍ Ｌｕｔｔｍｅｒ）に許与された米国特許第３，７９５，０３７号に記載された電気コネクタは弾性物質に挿入された柔軟性導体を使用して電気コネクタの上側面と下側面とが接触するように圧迫される多数の対の伝導性ランドの間を連結する。柔軟性導体の多様な変更は曲がったワイヤー、導体が充填されたポリマー、メッキされたポスト及び柔軟性挿入層を形成するためにゴム類物質内に導電手段を使用する方式などを含む。
【００１６】
前述の方式及びその他の試みも、ウエハーが各々の素子に切断される前に超小型電子素子をウエハー上で経済的にバーンイン及び速度検査を行うことができるようにする高性能プローブを提供するのには成功しなかった。
【００１７】
【発明の目的】
本発明によって、伝導性ティップを含む小型の柔軟性プローブが提供され、伝導性ティップは支持表面に対して柔軟に移動するように支持面上に位置する。プローブティップは対応接触パッドがティップによって押さえられることによって生じる力によって垂直に移動する。プローブの機械的柔軟性はプローブと超小型電子素子上の対応接触パッドとの間で確実に電気的接触が行われるようにし、機械的柔軟性は接触パッドの高さ変化を調整する。
【００１８】
本発明の目的は、超小型電子素子が各々のチップに切断される前にバーンインするために切断されていないウエハー上の素子の接触パッドと電気的に連結することができる方法及び手段を提供することにある。本発明による柔軟性プローブはウエハーの表面上に配列された全ての接触パッドと同時に確実な電気的連結が行われるようにするので、ウエハー上の超小型電子素子は経済的にバーンインされる。
【００１９】
本発明の他の目的は、切断されていないウエハー上の超小型電子素子のバーンインのための構造物を提供することにある。前記構造物は高温のダイナミックバーンイン中に必要な電気信号を素子に供給する回路素子を駆動するためにそれぞれの素子上の接触パッドと電気的に接触する。電気信号及び電力はウエハー上の全てのチップに同時に供給される。構造物内のプローブの機械的柔軟性は、接触パッドの高さ及びプローブティップの変化を調整することでそれぞれのプローブティップがバーンイン工程の温度サイクルの間中対応接触パッドと接触した状態で残っているようにする。
【００２０】
本発明の他の目的は、パッケージングされていない超小型電子素子の高速検査を可能にする電気プローブカードを提供することにある。小型の柔軟性プローブは、本明細書で開示されているように、素子に電気的検査信号を印加し、その素子からの電気信号を測定するために素子上の対応パッドと一時的に連結されるのに使用される。柔軟性プローブの大きさが小型であるため、先行技術に使用されたワイヤープローブで発生する過度なインダクタンス（ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ）またはキャパシタンス（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）による損失無く素子に高速電気信号を送受信することができる。
【００２１】
本発明の他の目的は、超小型電子素子の電気的接触部が素子表面上に２次元配列で配置された場合に素子をバーンインして検査して動作させるための方法及び手段を提供することにある。小型の柔軟性プローブは、本明細書に開示されたように、接触部が２次元配列で配列された場合に素子の接触部との確実な電気的連結が行われるようにするために使用される。機械的柔軟性は常温及び素子の動作温度範囲の両方での接触部の高さ変化にかかわらずそれぞれのプローブティップが素子の対応接触部と電気的接触を維持することができるようにする。
【００２２】
本発明のその他の目的は、チップのバーンイン、検査及び動作のために集積回路チップと電気回路とを連結する小型ソケットを提供することにある。ソケットでプローブ接触部の大きさが小さいのでソケット内に搭載されたチップの高速動作が可能になる。プローブの機械的柔軟性は、本明細書で開示されたように、最小パッケージングされたリジッドチップ（ｒｉｇｉｄ ｃｈｉｐ）またはパッケージングされていないリジッドチップに対して確実な電気的連結が可能になるようにする。本発明による柔軟性プローブはチップ規模のパッケージング用及びフリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐｓ）用の小型で経済的なソケットを製作することができるようにする。
【００２３】
本発明のこのような目的及びその他の目的は機械的に柔軟な電気プローブを提供することによって達成でき、ここでプローブティップは柔軟性物質からなる延長された薄膜スプリングの両端部の間に配置される。延長された薄膜スプリングはスプリングの両端部でポストによって基板上に支持され、スプリング物質が曲がったり伸びたりすることによってティップが垂直方向に柔軟に移動する。
【００２４】
本明細書に記載されたプローブは、プローブに加えられる力とプローブの大きさとが定められた時、従来のカンチレバープローブよりプローブティップが柔軟に移動する範囲が大きいという点で従来のプローブに比べて非常に改善されたものである。従来のカンチレバープローブはプローブ物質の弾性の限界が及ぶ一定の力によって移動範囲に限界がある。カンチレバープローブにおける最大の機械的ストレスは屈曲地点でカンチレバー物質の表面上に集中している。本発明は与えられたスプリング物質が弾性の限界に到達する前にスプリング物質とプローブに加えられる力に対して移動範囲をさらに大きくすることができる。
【００２５】
本発明はウエハー水準で信頼性のある検査とバーンイン機能を提供することによって超小型電子素子の製造効率を向上させると共に検査構造物の大きさを小さくすることができる。機械的に柔軟なプローブはプローブの大きさに比べて移動範囲が大きい。このような移動範囲は実質的に同一平面上に存在していない接触パッドを有する素子を連結するのに重要な役割を果たす。柔軟性プローブティップは柔軟に移動して対応接触パッドの高さの差異を調整する一方、接触パッド上のプローブティップに充分な力を維持させることでティップと接触パッドとの間の信頼性のある電気的接触が行われるようにする。
【００２６】
【発明の実施例】
本発明の原理による柔軟性プローブの第１実施例が図５に図示されている。プローブは集積回路（ＩＣ）、フリップチップ、手動素子及びチップスケールパッケージ（ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ ｐａｃｋａｇｅ）のような超小型電子素子上の接触パッドと安定した電気接続を行うことができるように開示されている。プローブはティップに作用する力によってプローブティップ８１が柔軟に垂直移動することができるようにする。従って、接触パッドがプローブティップ８１と接触するように圧迫されることによって、この構造の機械的柔軟性はプローブティップ８１が接触パッド上の絶縁酸化膜を通過するのに充分な力で対応接触パッドと接触するようにする。プローブの機械的柔軟性は超小型電子素子の領域中の接触パッドの高さの差異を調整する一方、それぞれのプローブティップに充分な力を加えることでティップと対応接触パッドとの間の確実な電気接続が行われるようにする。さらに、熱膨脹のために素子及びプローブ支持部の捩じれが発生することがある検査またはバーンインサイクルの間にティップが対応パッドと接続を維持することができるようにパッドの機械的柔軟性も必要である。
【００２７】
図５で、プローブティップ８１は伝導性物質からなる延長された薄膜スプリング８３上で支持される。薄膜スプリング８３はポスト８５によって支持され、ポスト８５は延長された薄膜スプリング８３の両端部で接触パッド８４と結合されている。プローブティップ８１はティップに垂直に加えられる力によって柔軟に移動することができる。ティップ８１の垂直移動は薄膜スプリング８３が柔軟に曲がったり伸びたりするようにして柔軟性復原力がティップ８１に加えられるようにする。
【００２８】
図５に示された柔軟性プローブで、ポスト８５は回路トレース（ｃｉｒｃｕｉｔ ｔｒａｃｅ）８７と電気的に連結された端子８６によって基板上で支持される。回路トレース８７はビア（ｖｉａ）８８を通じて基板８９の電気回路と連結される。前述の一連の連結はプローブと連結された素子を動作させるためにプローブティップ８１を基板８９の回路と連結させる。基板８９は、バーンイン等に使用する時に、バーンインのように温度サイクルが２５℃〜１５０℃またはそれ以上の広い温度範囲で大きさ安定性を得るためにシリコンまたは低膨脹セラミック物質で製作される。
【００２９】
高周波数で動作するためにプローブティップ８１からビア接触部８８までの電気的連結はプローブティップ８１との接続によるインダクタンスを最少化するように配列される。ループのインダクタンスはビア接触部８８を実質的にプローブティップ８１の下に位置させることによって最少化することができる。ビア８８が常に理想的にプローブティップの下に位置しないとしても、高周波数動作が必要な場合にはティップ８１とビア８８との間の距離が短くなければならない。
【００３０】
図６は柔軟性プローブの第２実施例を図示しており、ここで延長された薄膜スプリング９３は接地面シールド９２によって基板９９の回路から遮蔽される。接地面シールド９２は誘電層９８Ａ、９８Ｂによって電気的に絶縁される。誘電層９８Ａは基板９９の上側面と接地面９２との間に挿入される。追加的な誘電層９８Ｂは、接地面９２と薄膜スプリング９３との間に挿入される弾性を有する誘電物質である。誘電層９８Ｂの弾性物質は、好ましくはシリコン、フッ化シリコン、フッ化炭素及びウレタンポリマーからなるグループより選択される。弾性を有する誘電層９８Ｂは薄膜スプリング９３を接地面９２から絶縁する一方、スプリング９３が垂直に曲がるようにする。
【００３１】
図６で、延長された薄膜スプリング９３の各端部上の接触パッド９４はポスト９５と結合されており、ポスト９５は基板９９上のパッド９６上に位置する。プローブティップ９１は薄膜スプリング９３を通じて接触パッド９４と電気的に接続され、接触パッド９４はポスト９５と結合され、ポスト９５は端子９６上に位置し、端子９６は回路トレース９７によって基板９９の電気回路と連結されて電気的に接続される。
【００３２】
図６に示されているように、プローブティップ９１は薄膜スプリング９３上に位置し、延長された薄膜スプリング９３の両端部のポスト９５の間の中心線に沿って所定の位置に位置する。プローブティップ９１上に作用する垂直力は薄膜スプリング９３の弾力ある曲がりと伸びによって生じた対抗力及び弾性体層９８Ｂの変形によって生じた対抗力に柔軟に対抗する。
【００３３】
図７Ａは図５に示された一般的な形態の柔軟性プローブの第１実施例を上から見た平面図である。延長された薄膜スプリング１０３はシートの両端部に形成された接触パッド１０４を含む金属シートからなる。薄膜スプリング１０３の金属は高い生産強度及び最終破損時までの適当な伸長率を有するものを選択する。モリブデン、コロンビウム、ステンレススチール、ベリリウム−銅、銅−ニッケル、ニッケル、チタン及びこれらの合金からなる金属が好ましい。このうちの適当な金属は生産強度５５０メガパスカルを有するベリリウム−銅合金ＡＳＴＭ仕様番号５３４である。他の適当な金属としては生産強度が９１０メガパスカルでＴｉ、８Ａｌ、１Ｍｏ、１Ｖからなるチタン合金である。
【００３４】
図７Ａに示されたプローブティップ１０１は薄膜スプリング１０３上で支持されてプローブディップ１０１に加えられる垂直力Ｆによって基板１０９側に垂直に押される。プローブディップ１０１が垂直に押されることは図７Ｂと図７Ｃの断面図に図示されている。プローブティップ１０１に作用する垂直力Ｆは薄膜スプリング１０３が柔軟に曲がるようにすることでチップ１０１が基板１０９側に押されるようにする。図７Ｃの断面図に示されているように、プローブティップ１０１の垂直移動はスプリング１０３の曲がりと伸びによるものである。
【００３５】
プローブティップ１０１は公知の工程によってシリコンの結晶面（１００）に形成されたエッチピット（ｅｔｃｈ ｐｉｔ）の複製によって形成されたピラミッドである。５４．７５゜であるティップ角度はピラミッドの斜面を形成するシリコンの結晶面（１１１）によって決定される。ティップ１０１の物質はタングステンであり、これは鋭利で硬い先端を形成することによって半導体集積回路素子に一般に使用されるアルミニウム接触パッド上のアルミニウム酸化膜を突き抜くことができる。硬いプローブティップを形成するのに適した物質はモリブデン、ニッケル合金、オスミウム、パリニー７（Ｐａｌｉｎｅｙ ７）、ロジウム、レニウム、チタン、タングステン及びこれらの合金である。
【００３６】
シリコンのエッチピットを複製して鋭利なプローブティップを製造することは本技術分野においては公知のものであり、ディー．エー．キーウィット（Ｄ． Ａ． Ｋｉｅｗｉｔ）の科学的道具に関する概観（Ｒｅｖｉｅｗｓ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）４４巻１７４１−１７４２頁１９７３年の出版物にも詳しく記述されている。キーウィットはニッケル−ボロン合金をピットに蒸着してからシリコンマトリックス物質を除去してピラミッドを露出させることによってシリコンのエッチピットを複製してプローブティップを形成することについて記述している。キーウィットは沸騰点のヒドラジン水酸化物（ｈｙｄｒａｚｉｎｅ ｈｙｄｒａｔｅ）で表面処理を行ってシリコン１００面にピラミッド型エッチピットを形成した。
【００３７】
薄膜スプリング１０３はポスト１０５によって基板１０９上に支持され、ポスト１０５は延長された薄膜スプリング１０３の両端部で端子１０４と結合されている。ポスト１０５は、好ましくは硬化銅、ニッケル、銅−ニッケル合金または硬化金からなるグループより選択される電着金属（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｍｅｔａｌ）で形成される。プローブティップ１０１と集積回路を検査するための回路との電気的連結はスプリング１０３、接触パッド１０４、ポスト１０５、端子１０６、回路トレース１０７及びビア１０８を通じた伝導によって行われる。ビア１０８からプローブ１０１への電気回路はインダクタンスを減少させて高周波数または高いデータレートで動作し得るようにできる限り最も小さい面積を含むループを形成するように構成される。
【００３８】
図８Ａ乃至図８Ｄに柔軟性プローブのその他のいくつかの構成が図示されている。ある構成は集積回路上の線状アレイで密接に位置した接触パッドをプローブに接触することを容易にする。最新集積回路上の接触パッドは中心間の間隔が６０マイクロメーター程度で小さい。密接な間隔を有するプローブパッドを接触させるためには、特別にデザインされたプローブが特別にデザインされた配列で重なる。図８Ａ乃至図８Ｄに示されたプローブデザインは検査を受ける集積回路素子上の接触パッドが密接な間隔を有するアレイである場合に接触させる手段を提供する。
【００３９】
図８Ａに示された柔軟性プローブはプローブティップ１１１の線状アレイの軸と所定の角度で配向されて延長された薄膜スプリングのアレイ形態にプローブが重なるようにする。このような構成はスプリングの短い部分１１３と長い部分１１２との間に配置されたプローブティップ１１１を有するスプリングを含む。接触パッド１１４、１１６はそれぞれ短い部分１１３と長い部分１１２の端部に位置する。スプリングは短い部分１１３の下のポスト１１５及び長い部分１１２の下のポスト１１７によって支持される。互いに交差する位置のポスト１１５、１１７はプローブが互いに密接な間隔を有するようにする。
【００４０】
図８Ｂに示された柔軟性プローブは接触パッド１２４で終わる短い部分１２３及び接触パッド１２６で終わる長い部分１２２を有する延長された薄膜スプリングを含む。プローブティップ１２１は長い部分１２２と短い部分１２３との間に配置される。接触パッド１２６はポスト１２７によって支持され、接触パッド１２４はポスト１２５によって支持される。図８Ｂに示されているように、複数のプローブを一つのライン上に短い部分と長い部分とが交互に現れるように配置することによって、パッド間隔が小さい集積回路を検査するのに適した密接な間隔を有するアレイの形態にプローブが重なる。
【００４１】
図８Ｃで、柔軟性プローブは二つの接触パッド１３４、１３６の間で維持される延長された薄膜スプリング１３３を含む。プローブティップ１３１は接触パッド１３４、１３６とそれぞれ結合されるポスト１３５、１３７の間の中間地点でスプリング１３３の上に配置される。延長されたポスト１３５、１３７及び延長された接触パッド１３４、１３６は所定の角度で配向されて図８Ｃに示されたようにプローブが密接な間隔の配列で重なるようにする。
【００４２】
図８Ｄに示された柔軟性プローブは接触パッド１４４で終わる短い部分１４３及び接触パッド１４４で終わる長い部分１４２を有する延長された薄膜スプリングを含む。プローブティップ１４１は長い部分１４２と短い部分１４３との間でスプリングの上に配置される。楕円形ポスト１４５、１４７はそれぞれ接触パッド１４４、１４６を支持してプローブが密接な間隔の配列で重なることができるようにする。スプリング部１４２、１４３は、素子上の接触パッドがプローブティップ１４１に対して傾く時に柔軟に曲がったり伸びたりする。
【００４３】
図９Ａ乃至図９Ｄに示されたプローブティップは超小型電子素子の検査とバーンインで特定用途に適するように構成されたものである。このようなプローブティップ及びその他のティップは集積回路分野の産業では公知のものである。本明細書で提示された例示は現在使用されている多くの種類のプローブティップを代表するものである。このようなプローブティップを製造する方法も電気接触部を製造する分野に従事する者には広く公知されたものである。
【００４４】
図９Ａに示されたプローブティップは集積回路上のアルミニウムボンドパッドを接触させるのに好ましいものであって、鋭利な頂点１５３がアルミニウムボンドパッドの酸化膜を突き抜くのに適している。ピラミッド１５２はシリコン結晶面（１１０）に配向されたエッチピットを複製して形成される。ピラミッド１５２は薄膜スプリング１５１上で支持される。ピラミッド１５２の頂点１５３はピラミッドの対向面の間の内角が５４．７５゜で鋭利に形成される。好ましくは、モリブデン、ニッケル、オスミウム、パリニー７（Ｐａｌｉｎｅｙ ７）、ロジウム、レニウム、チタン、タングステン及びこれらの合金からなるグループより選択される硬質物質がプローブティップ１５２に使用される。オスミウム、ロジウム及びタングステンははんだ及びその他の軟性物質とゆっくり反応するため軟性接触部と接触するプローブとして使用するのに好ましい。
【００４５】
図９Ｂに示されたプローブティップは貴金属接触パッドを接触させるのに好ましい。薄膜ディスク１５７は薄膜スプリング１５５の表面上に配置された金属ポスト１５６上で支持される。ポスト１５６は化学的エッチング工程によって下側部分がエッチングされることによってディスク１５７のエッジが露出する。薄膜ディスク１５７は好ましくは金、パリニー７、白金、ロジウム及びこれらの合金からなるグループより選択される非活性金属で形成される。
【００４６】
図９Ｃに示されたプローブティップははんだとその他の軟性物質と接触するのに好ましい。金属ポスト１６２上の丸く形成された金属ティップ１６１は板スプリング１６０上に配置される。金属ティップ１６１は高温の物質を閃光レーザー融解（ｆｌａｓｈ ｌａｓｅｒ ｍｅｌｔｉｎｇ）して丸い形状を有する部分に逆流させて丸い形状を形成する。丸く形成された金属ティップ１６１に適した物質はニッケル、白金、ロジウム、銅−ニッケル合金、ベリリウム−銅合金及びパリニー７からなるグループより選択される金属を含む。
【００４７】
図９Ｄに示されたプローブティップは小さい面積の接触パッド及び互いに密接な間隔のパッドを接触させるのに好ましい。上側エッジ１６６を有するプローブティップ１６７は薄膜スプリング１６５の上側面上に配置される。プローブティップ１６７は好ましくは犠牲物質でエッジをメッキした後で垂直方向に配向された金属の薄い部分１６７が残るように犠牲物質を除去して形成する。
【００４８】
図１０は柔軟性プローブの第３実施例を示したものであって、薄膜スプリング１７２はその長さ方向に垂直に配向されたシワ（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎ）によって柔軟性が向上する。一つ以上のシワはスプリング１７２がより容易に曲がったり伸びたりするようにして、プローブティップ１７１に加えられる垂直力によってさらに柔軟性を有するようにする。シワ１７３はシリコンの結晶面（１００）に形成された延長されたエッチピットを複製して形成される。シリコン表面の延長されたピットをエッチングする方法は、アーネスト　バスース（Ｅｒｎｅｓｔ Ｂａｓｓｏｕｓ）のＩＥＥＥ電子素子回報（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）ＥＤ−２５巻１０号（１９７８）１１８４頁のシリコンの（１００）面及び（１１０）面を非等方性にエッチングして新規の３次元微細構造を製造する方法という題目の論文で代表されるように広く公知された技術である。シワはエッチピットの長さ方向軸に対して垂直方向に金属帯を蒸着することによって形成される。
【００４９】
図１０で、延長された薄膜スプリング１７２の両側端部上の端子１７４はポスト１７５と結合されており、ポスト１７５は基板１７９上の所定の距離でスプリングを支持する。ポスト１７５は接触パッド１７６上に位置し、接触パッド１７６は回路トレース１７７とビア１７８によって基板１７９の電気回路と連結される。
【００５０】
図１０に示されているように、プローブティップ１７１は薄膜スプリング１７２上に位置し、延長された薄膜スプリング１７２の両端部でポスト１７５から所定の距離に位置する。プローブティップ１７１上に作用する垂直力は薄膜スプリング１７２が柔軟に曲がったり伸びたりするようにし、柔軟性はシワ１７３の曲がりによって向上する。シワ１７３の高さは検査を受ける素子の上部と接触しないように幅を調節して決定される。
【００５１】
図１１は柔軟性プローブの第４実施例を図示しており、ここで基板１８９の表面上の回路１８７は弾性カプセル１８８によって保護される。弾性カプセル１８８は薄膜スプリング１８２と基板１８９の上側面との間に挿入される。カプセル１８８は腐食及び機械的な損傷を防止する一方、プローブティップ１８１が検査を受ける素子上の対応接触パッドに押さえられることによって薄膜スプリング１８２が柔軟に移動するようにする。
【００５２】
第４実施例で、延長された薄膜スプリング１８２はその長さ方向軸と垂直に配向された一つ以上のシワ１８３を有する。スプリング１８２はポスト１８５によって基板１８９上に所定の高さで支持され、ポスト１８５は延長された薄膜スプリング１８２の両端部上の端子１８４と結合されている。ポスト１８５は接触パッド１８６上に位置し、接触パッド１８６はビア１８８を通じて回路トレース１８７によって基板１８９の電気回路と連結されている。
【００５３】
第３実施例で二つのシワ１９３を含むようにする構成については図１２Ａ乃至図１２Ｃに詳細に図示している。図１２Ａの平面図は薄膜スプリング１９２上にプローブティップ１９１が配置された柔軟性プローブを示している。スプリング１９２はモネル（Ｍｏｎｅｌ）合金Ｋ−５００の銅−ニッケル薄膜である。薄膜スプリング１９２の厚さは１０乃至７５マイクロメーターの範囲内であり、より好ましくは２５乃至５０マイクロメーターの範囲内である。薄膜スプリング１９２の幅は２０乃至１５０マイクロメーターの範囲内であり、より好ましくは３０乃至７５マイクロメーターの範囲内である。スプリング１９２の第１端部１９４でのポスト１９５の中心とスプリング１９２の第２端部１９４でのポスト１９５の中心との間の距離は約２００乃至１５００マイクロメーターである。より好ましくはポストの中心間の間隔は２５０乃至７５０マイクロメーターである。
【００５４】
垂直力Ｆがプローブ１９１に加えられることによって現れる反応が図１２Ｂ及び図１２Ｃに示されており、これらは垂直力Ｆが作用する前と後のプローブの断面図である。図１２Ｃに示されているように、プローブティップ１９１に加えられる垂直力Ｆは薄膜スプリング１９２を基板１９９側に下に押さえる。スプリング１９２は弾性的に曲がったり伸びたりするので、垂直力Ｆによってティップ１９１が曲がるのに伴ってこれに対抗する対抗力を発生させる。シワ１９３はスプリング１９２が伸びたり曲がったりして移動するのを強化させるので全体的な柔軟性を向上させる。具体的に、シワ１９３はスプリング１９３で軸上応力を減少させ、スプリング１９２が伸びることによって生じるストレスを大幅に緩和させる。
【００５５】
プローブティップ１９１は検査を受ける素子を動作させるのに使用する電気回路と連結される。プローブティップ１９１はスプリング１９２によって連結され、スプリング１９２は両端部で接触パッド１９４と結合されているポスト１９５によって支持される。ポスト１９５は基板１９９の表面上の端子１９６上に位置する。端子１９６は回路トレース１９７と連結され、回路トレース１９７は伝導性ビア１９８によって基板１９９で電気回路と結合される。選択的に、基板１９９の隣接回路トレースの信号からティップ１９１を遮蔽するために、接地面がプローブティップ１９１と基板１９９の回路との間に挿入され得る。
【００５６】
図１３Ａ及び図１３Ｂは集積回路検査を完壁に遂行するのに必要な低いインダクタンスを提供する柔軟性プローブを示している。図１３Ｂは柔軟性プローブの断面図であり、ここでプローブティップ２０１は薄膜スプリング２０２上に位置する。スプリング２０２で信号用復帰接地経路が金属層２１２に形成され、金属層２１２はスプリング２０２との間に挿入された誘電層２１１によってスプリングから絶縁される。
【００５７】
プローブティップ２０１での信号及び関連接地復帰信号は全て基板２０９でこれらそれぞれの回路に対する短絡された電気経路によって連結される。プローブティップ２０１はスプリング上の接触パッドと結合されている支持ポスト２０５と連結されている。ポスト２０５は回路トレース２０７と連結された端子２０６上に位置し、回路トレース２０７は基板２０９の検査回路と連結されている。電極２１２の対応接地復帰信号は支持ポスト２１５と連結されている。ポスト２１５は接地トレース２１７と連結された端子２１６上に位置し、接地トレース２１７は基板２０９の接地回路と連結されている。
【００５８】
図１４は図１３Ａ及び図１３Ｂを参照して説明した接地復帰信号を有する柔軟性プローブの他の実施例を示す図面である。図１４のプローブは機械的に強く、これは延長された薄膜スプリング２２２がストレスを緩和させるシワ２２３を有するだけでなく両端部でポスト２２５によって直接支持されるためである。プローブティップ２２１はスプリング２２２、接触パッド２２４、ポスト２２５、及び基板２２９で検査回路と連結された端子２２６を通じて連結されることによって基板２２９の検査回路と連結されている。接地電極２３５はスプリング２２２との間に挿入された誘電膜によってスプリング２２２と絶縁される。接地復帰経路は接地電極２３５からポスト２３６を通じて基板２２９上の接地端子２３３への経路である。
【００５９】
接地電極２３５は基板２２９上の接地端子２３３に付着された別途のポスト２３６と結合されている。接地電極２３５はスプリング２２２との間に挿入された誘電膜２３１によってスプリング２２２から絶縁される。
【００６０】
図１５Ａは接地復帰電極を有する柔軟性プローブを含む検査ヘッド装置を図示している。検査ヘッドは高性能集積回路チップを検査する手段を提供する。高性能電気接触部はチップ上のパッドを連結させて高速チップ検査器の入力／出力チャンネルと連結された回路２５９を駆動する。それぞれのプローブは回路トレース２５８によってチップ検査器のチャンネル（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、．．．．．．）と連結されており、回路トレース２５８はセラミック基板２４９上の端子２５７で終わる。
【００６１】
検査ヘッドは機械的安定性及び熱的安定性を有するセラミック基板２４９に装着されている。それぞれの柔軟性プローブは薄膜スプリング２４２上に配置されたプローブティップ２４１を含み、薄膜スプリング２４２はポスト２４５によって基板２４９の表面上の所定の距離で支持される。プローブ２４１は垂直方向に柔軟に動いてチップ上の接触パッドの高さの差異を調整する一方、チップ上の接触パッドとの確実な連結を維持する。
【００６２】
図１５Ａの柔軟性プローブの機械的な動作は図１５Ｂの断面図と関連してよりよく理解することができる。プローブティップ２４１は薄膜スプリング２４２に位置し、薄膜スプリング２４２はプローブの柔軟性を増加させるシワ２４３を含む。延長された薄膜スプリング２４２の両端部上の接触パッド２４４はポスト２４５と結合される。ポスト２４５は回路トレース２４７上の端子２４６に配置されており、回路トレース２４７は基板２４９のそれぞれの回路トレース２５８と連結されている。
【００６３】
図１５Ｂに示された柔軟性プローブはスプリング２４２の上側の接地復帰電極２５５を含む。接地復帰電極２５５はスプリング２４２との間に挿入された薄膜誘電膜２５１によってスプリング２４２から絶縁される。接地復帰電極２５５はポスト２５６によって接地端子２５３と連結されている。このような構成はスプリング２４２の機械的ストレスが接地回路２５５に伝達されるのを防止する。
【００６４】
本発明の好ましい実施例をいくつか記述したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば本発明の本質及び範囲を外れないで多様に変更したり代替が可能であるということは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術のカンチレバープローブの断面図。
【図２Ａ】先行技術の柔軟性薄膜プローブの断面図。
【図２Ｂ】先行技術の柔軟性薄膜プローブの断面図。
【図３Ａ】シリコンウエハー上で製造された先行技術のプローブを示した平面図。
【図３Ｂ】シリコンウエハー上で製造された先行技術のプローブを示した断面図。
【図４Ａ】先行技術の柔軟性ポストプローブを示した図。
【図４Ｂ】先行技術の柔軟性ポストプローブを示した図。
【図４Ｃ】先行技術の柔軟性ポストプローブを示した図。
【図５】本発明による柔軟性プローブを示した図。
【図６】接地面シールドを含む柔軟性プローブの他の構成を示した図。
【図７Ａ】柔軟性プローブの一実施例に関する平面図。
【図７Ｂ】柔軟性プローブの一実施例の停止時の断面図。
【図７Ｃ】柔軟性プローブの一実施例の力Ｆが作用する時の断面図。
【図８Ａ】本発明による柔軟性プローブに関するプローブデザインのその他の実施例の平面図。
【図８Ｂ】本発明による柔軟性プローブに関するプローブデザインのその他の実施例の平面図。
【図８Ｃ】本発明による柔軟性プローブに関するプローブデザインのその他の実施例の平面図。
【図８Ｄ】本発明による柔軟性プローブに関するプローブデザインのその他の実施例の平面図。
【図９Ａ】本発明による柔軟性プローブ構造で使用されるプローブティップを示した図。
【図９Ｂ】本発明による柔軟性プローブ構造で使用されるプローブティップを示した図。
【図９Ｃ】本発明による柔軟性プローブ構造で使用されるプローブティップを示した図。
【図９Ｄ】本発明による柔軟性プローブ構造で使用されるプローブティップを示した図。
【図１０】柔軟性プローブの実施例を示した図。
【図１１】弾性カプセル物質を含む柔軟性プローブの実施例を示した図。
【図１２Ａ】柔軟性プローブの一実施例に関する平面図。
【図１２Ｂ】柔軟性プローブの一実施例の停止時の断面図。
【図１２Ｃ】柔軟性プローブの一実施例の力Ｆが作用する時の断面図。
【図１３Ａ】一体型接地シールドを有する柔軟性プローブの実施例に関する平面図。
【図１３Ｂ】一体型接地シールドを有する柔軟性プローブの実施例に関する断面図。
【図１４】一体型接地シールドを有する柔軟性プローブの他の実施例を示した断面図。
【図１５Ａ】柔軟性プローブを含む検査ヘッド装置を示した図。
【図１５Ｂ】図１５Ａの柔軟性プローブの断面図。
【符号の説明】
８１、９１、１０１、１１１、１３１、１４１、１５２、１６７、１７１、１８１、１９１、２０１、２２１、２４１　　プローブティップ
８３、９３、１０３、１３３、１５１、１５５、１６５、１７２、１８２、１９２、２０２、２２２、２４２　　薄膜スプリング
８４、９４、１０４、１１４、１１６、１２４、１２６、１３４、１３６、１４４、１８６、２２４、２４４　　接触パッド
８５、９５、１０５、１１５、１１７、１４５、１４７、１５６、１６２、１７５、１８５、１９５、２０５、２２５、２４５　　ポスト
８６、９６、１０６、１７４、１８４、１９６、１９７、２０７、２４７　　端子
８７、９７、１０７、１７７、１８７、１９７、２０７、２４７　　回路トレース
８９、９９、１０９、１７９、１８９、１９９、２０９、２２９、２４９　　基板
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
2004503784.tif 000042
2004503784.tif 000043