(57)【要約】熱処理したい基板の表面上の温度均一性を高めるために、基板を熱処理する方法が提供され、この方法では、基板が多数の別個に制御可能な加熱エレメントによって加熱され、これらの加熱エレメントにそれぞれ目標値プロフィルが設定され、熱処理の間に基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度を位置分解して測定するステップと、基板表面上に生じる温度不均一を検出するステップと、検出された温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルを決定するステップと、次の処理プロセスのための新たな目標値プロフィルを準備するステップとを有している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理するための方法において、基板が多数の別個に制御可能な加熱エレメントによって加熱されるようになっており、これらの加熱エレメントにそれぞれ目標値プロフィルが設定されるようになっており、
ａ）熱処理中に、基板の加熱エレメントとは反対側の表面の温度を位置分解して測定し、
ｂ）基板表面上に生じる温度不均一を検出し、
ｃ）検出された温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルを決定し、
ｄ）次の処理プロセスのための新たな目標値プロフィルを準備する
ステップを有することを特徴とする、基板を熱処理するための方法。
【請求項２】
熱処理中に生じる温度不均一が、目標値プロフィルを決定する場合に時間的に前もって考慮される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板表面の温度が、所定の表面点において検出される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記表面点に、該表面点に対応させられた表面領域からの全ての温度測定値の中間値が配分される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記表面点に対する表面領域の対応関係が、少なくとも１つの測定サイクルの間一定に保たれる、請求項３又は４記載の方法。
【請求項６】
前記新たな目標プロフィルの決定が、加熱エレメントに対する個々の表面点の加重を考慮された対応関係に応じて行われる、請求項３から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記加重を考慮された対応関係が、少なくとも１つの測定サイクルの間一定に保たれる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記加重を考慮された対応関係が、新たな目標値プロフィルを決定する場合に変更される、請求項６又は７記載の方法。
【請求項９】
前記新たな目標値プロフィルを決定する場合に、目標値変更のための時間区分が新たに選択される、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
温度不均一が所定のしきい値を越えた場合にのみ、目標値プロフィルの新たな決定が行われる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、熱処理の間、加熱エレメントと基板との間に配置されたプレート上に載置される、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
最初の目標値プロフィルとして、規格化された目標値プロフィルが使用され、該規格化された目標値プロフィルは、最適化された目標値プロフィルから計算される、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
基板を熱処理するために多数の別個に制御可能な加熱エレメントの目標値プロフィルを最適化する方法において、
ａ）それぞれ設定された目標値プロフィルに応じて加熱エレメントを加熱し、
ｂ）加熱の間基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度を位置分解して測定し、
ｃ）基板表面上に生じる温度不均一を時間の経過と共に検出し、
ｄ）処理プロセスの間に温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルを決定し、
ｅ）次の加熱プロセスのために前記新たな目標値プロフィルを使用し、
ｆ）温度不均一が加熱のどの時点においても所定のしきい値よりも低くなるまで前記ａからｅまでのステップを繰り返す
ステップを有することを特徴とする、基板を熱処理するために多数の別個に制御可能な加熱エレメントの目標値プロフィルを最適化する方法。
【請求項１４】
最適化が、種々異なる基板のために及び熱処理の種々異なる最終温度のために行われる、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
最初に設定された目標値プロフィルが、規格化されたプロフィルであり、該規格化されたプロフィルが、前もって最適化された目標値プロフィルから計算される、請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、基板を熱処理するための方法に関し、この方法では、基板が、多数の別個に制御される加熱エレメントによって加熱される。
【０００２】
このような装置は、例えば、半導体工業の分野において、層の硬化及び化学的予備処理のために基板を熱処理するために、基板、特にフォトマスクのコーティングプロセスに引き続き利用される。熱処理の場合、基板の後の利用可能性のために、塗布された層ができるだけ均一かつ均等に処理されることが重要である。しかしながらこの場合、加熱エレメントの均一な制御の場合、エッジ効果に基づき基板を均一に処理できないという問題が生じる。これにより、加熱エレメントが熱処理の初期において基板の縁部領域において弱く加熱することが知られている。なぜならば、中央領域においてまず比較的大きな質量が加熱されなければならないからである。後で、加熱エレメントは、基板の縁部領域において、この領域におけるより高い熱放射に基づきより強く加熱される。
【０００３】
同一出願人に由来するドイツ連邦共和国特許出願公開第１９９０７４９７号明細書から、基板を熱処理するための装置及び方法が提供されており、この装置及び方法の場合、多数の別個に制御される加熱エレメントがまず加熱プレート、次いでこの加熱プレートに載置された基板を加熱する。個々の加熱エレメントは、それぞれＰＩＤ調整器によって制御され、この場合、所要の目標値が目標値プロフィルの形式で設定される。目標値プロフィルとして、この場合、時間的に、特に時間区分において変化する、目標値の設定を考えることができる。
【０００４】
処理プロセスの間、基板の、加熱プレートとは反対側の表面の温度分布が検出され、基板表面の温度分布に応じて、個々の加熱エレメントのための、目標値プロフィルに対して変更された目標値が決定され、それぞれのＰＩＤ調整器に転送される。これにより、処理プロセスの間に、目標値プロフィルの修正を行うことができ、基板表面における温度均一性を向上させることができる。
【０００５】
しかしながら、この方法の場合、この方法が、基板表面上に既に生ぜしめられた温度不均一に対してのみ反応することができ、この温度不均一を、個々の加熱エレメントの目標プロフィルを変化させることによって後から修正するという問題が生じる。処理中に生じる将来の温度不均一を予想することは不可能である。また、処理時に生じた問題、例えば所定の温度値の場合における増大した温度不均一は、次の基板の処理時に考慮されない。なぜならば、個々の加熱エレメントには、前もって決定された目標値プロフィルが再び設定されるからである。これにより、次の処理時に、前の処理の時と同じ問題が生じることが予想される。
【０００６】
したがって、この公知の従来技術から出発して、本発明の課題は、処理したい基板の表面上の温度均一性を高めるために、自己最適化するプロセス制御を可能にする、基板を熱処理するための方法を提供することである。
【０００７】
本発明によれば、多数の別個に制御可能な加熱エレメントによって基板が加熱され、これらの加熱エレメントにそれぞれ目標値プロフィルが設定される、基板を熱処理するための方法の場合における課せられた課題は、熱処理の間に基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度を様々な場所で測定し、基板表面に生じる温度不均一を検出し、検出された温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルを決定し、次の処理プロセスのための新たな目標値プロフィルを準備することによって解決された。この方法は、自己最適化するプロセス制御を可能にする。なぜならば、個々の加熱エレメントに設定される目標値プロフィルが新たに決定され、次の処理プロセスのために準備され、これにより、熱処理の間に生じる温度不均一が、新たな目標値プロフィルを決定する場合に考慮され、これにより、次の処理の場合に防止されるからである。これにより、目標値プロフィルの自己最適化、ひいては基板の均一な熱処理が提供される。
【０００８】
本発明の特に有利な実施形態によれば、熱処理の間に生じる温度不均一は、新たな目標値プロフィルを決定する場合に、時間的に前もって考慮される。新たな目標値プロフィルを決定する場合、例えば処理中の所定の温度若しくは処理の所定の時期に生じる均一性に関する跳躍を、この温度の到達前若しくはそれぞれの時期の前に考慮されることができ、これにより、この温度不均一は既により低い温度において若しくはより早期に防止できる。これにより、不均一が生じる前に既に、検出された温度不均一を均一化し始めることができる。この所定の時期における若しくは所定の温度に生じる不均一を予め考慮することは、処理中の温度均一性を著しく向上させることができる。
【０００９】
有利には、全ての表面点が考慮されるようなシステムよりも所要の計算作業を減じるために、基板表面の温度は所定の表面点において検出される。方法の精度を高めるために、表面点には、表面点に対応させられた表面領域上の全ての温度測定値の中間値が割り当てられる。この場合、測定サイクルの間均一な結果が得られるように、少なくとも１つの測定サイクルの間は表面点への表面領域の対応関係は一定である。
【００１０】
発明の特に有利な実施形態の場合、新たな目標値プロフィルの決定は、個々の加熱エレメントへの表面点の加重を考慮された対応関係に応じて行われ、これにより、種々異なる表面点に対する加熱エレメントの種々異なる影響が考慮される。測定サイクルの間に均一な結果を得るために、少なくとも１つの測定サイクルの間は表面点に対する個々の加熱エレメントの加重を考慮された対応関係は一定である。しかしながら、表面点に対する個々の加熱エレメントの加重を考慮された対応関係は、新たな目標値プロフィルを決定する場合に、対応関係に関して最適化を得るように、変化させられることができる。
【００１１】
目標値プロフィルは、所定の加熱プロフィルを生ぜしめるために、所定の時間区分において目標値変化を設定する。目標値プロフィルの改善された適応を可能にするために、新たな目標値プロフィルを決定する場合、有利には目標値変化のための時間区分が新たに選択される。
【００１２】
有利には、温度不均一が設定されたしきい値を越えた場合にのみ、新たな目標値プロフィルの決定が行われると有利である。なぜならば、しきい値よりも低い温度不均一の場合、最適化されたシステムを出発点とし、このシステムにはできるだけもはや介入されないからである。有利には、基板は、熱処理の間、加熱エレメントと基板との間に配置されたプレートに載置される。
【００１３】
本発明による課題は、基板を熱処理するための多数の別個に制御可能な加熱エレメントの目標値プロフィルを最適化するための方法の場合にも解決され、この場合、加熱エレメントは、それぞれ設定された目標値プロフィルに従って加熱され、基板の、加熱エレメントとは反対側の表面の温度は、加熱の間、位置分解されて測定され、基板表面上に生じる温度不均一は、時間に応じて検出され、この場合、処理プロセスの間の温度不均一に基づき新たな目標値プロフィルが決定され、後の加熱プロセスのために利用され、この場合、温度不均一が加熱のどの時点においても所定のしきい値よりも低くなるまで、繰り返される。これにより、既に上に説明したように、最適化された目標値プロフィルを決定することができる。
【００１４】
有利には、本発明による方法はフォトマスクの場合に使用される。
【００１５】
本発明は以下に有利な実施例を用いて図面を参照に説明される。図面のうち、
図１は、本発明による基板を熱処理するためのシステムの概略的な側面図を示しており、
図２ａは、加熱プレート上に配置された基板の概略的な図を示しており、
図２ｂは、基板上の所定の表面点に関する個々の加熱エレメントの影響を表した表であり、
図３は、基板の熱処理の経過における、ゾーン毎に制御される加熱プレートの個々のゾーン（５×５加熱ゾーン）のための位置的な目標値配分の時間的変化を示す図であり、
図４ａは、基板のための１１０℃の最終温度を用いて熱処理する場合における、加熱プレートのゾーンのための目標値配分の表であり、
図４ｂは、このような目標値プロフィルのグラフであり、
図５は、設定された目標値プロフィルを自動的に最適化するための反復サイクルを示す概略的な図である。
【００１６】
図１は、基板を熱処理するための装置１の概略的な側面図を示している。
【００１７】
装置１は、ゾーンごとに制御される加熱プレート２を有しており、この加熱プレート２は、実質的に矩形の横断面を有する正方形のベースプレート３から成る。ベースプレート３は、第１の平坦な上側５と、区分けされた下側６とを有している。下側６は、それぞれ加熱プレートの側縁部に対して垂直に延びた４つの溝によって、全部で２５個の正方形のセグメント８に分割されている。溝７の深さは、ほぼベースプレート３の厚さの半分に相当する。加熱プレート２の正方形のセグメント８には、それぞれ正方形の加熱エレメント１０が配置されており、これらの加熱エレメント１０は、適切な形式で、例えば接着によってベースプレート３のセグメント８と結合されており、これらのセグメントと共に対応した加熱ゾーンを形成している。溝７によって分割されたセグメント８上に加熱エレメント１０をそれぞれ配置することにより、加熱エレメントは互いに熱的に分離されており、これにより、加熱エレメントは互いに影響しない、つまり、加熱エレメントの間の著しい熱的な重なりは生じない。しかしながら、ベースプレート３によって加熱エレメント１０は互いに十分に熱的に結合されており、これにより、ベースプレート３の上側５には、上側５の熱画像において個々の加熱エレメントが熱的に突出することなく、均一な温度分布が達成される。それぞれの加熱エレメントには、サーモエレメントの形式の図示しない温度センサが割り当てられており、この温度センサは、加熱エレメント１０の現在の温度を測定する。サーモエレメントの代わりに、別のセンサ、例えば光温度センサを使用することも可能である。
【００１８】
加熱プレート２は、ベースプレート３の上側６を区分けするための溝７が形成された、一部分から成るベースプレート３として説明されているが、ベースプレート３は、全く平坦に形成されることができ、加熱エレメント１０は直接に又はスペーサエレメントを介してベースプレート３と結合されている。同様に、本発明は、セグメント８及び加熱エレメント１０の形状及び数に関して制限されていない。
【００１９】
加熱プレート１のベースプレート３の平坦な上側５は、処理した基板１２に隣接している、例えば０．１〜０．５ｍｍの間隔をおいて配置されている。基板は例えば加熱プレート１上の図示していない４つの保持部上に保持されている。加熱プレート１及び基板１２の上方には赤外線カメラの形式の温度測定装置１７が配置されている。赤外線カメラ１７は、基板１２の、加熱プレート１とは反対側の表面１８に向けられている。赤外線カメラ１７は、可動な鏡を備えた、詳しく示されていないスキャン装置を有しており、鏡によって連続的に、基板１２の表面１８全体が走査される。スキャン装置によって、基板１２の表面１８の温度分布の位置分解された画像が生ぜしめられ、この場合、表面全体が例えば１秒に１回走査される。
【００２０】
赤外線カメラ１７は、データ導線２０を介してＰＣ２２の形式の計算ユニットと接続されている。ＰＣ内では、ＩＲカメラによって得られた測定値が処理され、基板の表面１８上の空間的な温度分布が算出され、以下にさらに詳しく説明するように処理される。
【００２１】
図１には、さらに、プロセス制御装置２４と、ＰＩＤ調整器２６とが示されており、ＰＩＤ調整器２６は、個々の加熱エレメント１０及び図示していない温度センサと接続されており、これらと共に制御回路を形成している。ＰＩＤ調整器は、プロセス制御によって設定された目標値プロフィル、すなわち時間的に変化する一連の温度目標値、特に時間区分と、温度センサによって測定された温度実際値とに応じて、個々の加熱エレメント１０の加熱出力を調整する。
【００２２】
図２は、加熱プレート１の概略的な平面図を示しており、この加熱プレート上には基板１２、例えばフォトマスクが載置されている。加熱エレメント１０及びセグメント８によって形成された加熱ゾーンは、概略的に示されており、１〜２５の番号が与えられている。基板１２上には表面点１〜１３が示されており、これらの表面点は、後で詳しく説明するように割当て点として使用される。
【００２３】
図２に示した概略的な平面図に示されているように、基板は、加熱プレート２の全部で２５個の加熱ゾーンのうちの中央の９つを被覆している。これにより、基板の熱処理時には、主としてこれらの９つのゾーンが関与させられるが、残りのゾーンも熱処理に影響を及ぼす。
【００２４】
図２ｂの表は、基板上の表面点への個々の加熱ゾーンの対応関係を示している。図２に示された対応関係及び加重は実際の通りではなく、単に加重の原理を示すものである。例えば、加熱ゾーン１に由来する、基板１２に到達する熱出力は、専ら表面点１の領域において基板１２の温度に影響する。つまり、この加熱ゾーンは１００％表面点１に割り当てられている。これに対して、加熱ゾーン２に由来する、基板１２に到達する加熱出力は、表面点１の領域における基板の温度及び表面点２の領域における基板の温度に影響する。この場合、加熱ゾーン２から出る熱は、表面点１に、表面点２の３倍強く影響する。つまり、加熱ゾーン２は、７５：２５の比率で表面点１と２とに割り当てられている。表２ｂは、加熱プレート１の全ての２５個のゾーンについての加重を示している。
【００２５】
図３は、基板の熱処理の経過における、５×５の加熱ゾーンを備えたゾーン制御式加熱プレートの個々のゾーンについての、局所的な目標値分配の時間的変化の４つの瞬間的記録を示しており、これらの記録は、中央のグラフの周りに集められている。中央のグラフは、基板表面上の測定された温度値の中間値の時間的発展を示しており、この場合、垂直な線は、個々の加熱ゾーンのための目標値が変化させられる時点を表している。中央のグラフの場合、縦軸が温度ｔを℃で示しているのに対し、横軸は時間Ｔを分及び秒で示している。局所的な目標値設定の４つの瞬間的記録の場合、縦軸には、それぞれの加熱ゾーンの目標温度が、℃で表されている。他の２つの軸は、加熱ゾーンの５×５基本パターンを示している。左上に位置したグラフは、熱処理の初期、すなわち０秒から約１分までの時間区分における、加熱プレート１の個々のゾーンの目標値分布を示している。その隣に右側に位置したグラフは、約２分５秒の時点における、ゾーン制御される加熱プレートの目標値分布を示しており、この目標値分布は、約２分から３分までの第３の時間区分の間維持される。左下に位置するグラフは、第６の時間区分のための約５分の時点における目標値分布を示しており、その右隣に位置するグラフは、約１１分において開始する最後の時間区分における目標値分布を示している。
【００２６】
左上のグラフに示されているように、熱処理の開始時には、中央ゾーンが他のゾーンよりも強く加熱される。なぜならば、この領域においては、まず比較的大きな質量が加熱されなければならないからである。その右隣に配置されたグラフの場合、中央ゾーンは、より弱く加熱されていることが分かり、このことは、基板の縁部領域におけるより大きな熱放射を補償することができる。同様に、下側に位置したグラフにも示したように、加熱プレートの縁部ゾーンは、少なくとも部分的に、中央ゾーンよりも強く加熱されることが分かる。
【００２７】
図４は、マスクを熱処理するための典型的なプロフィルを示しており、このプロフィルの場合、１１０℃の最終温度がサンプル表面において達せられるべきである。この場合、図４ａは、加熱プレートのゾーンのための目標値分布についての表を示しており、この場合、左の欄には、それぞれの温度ステップのための個々の時間区分の長さが挙げられている。図４ｂは、目標値プロフィルの三次元のグラフを示しており、この場合、縦軸は温度ｔを℃で示しており、実質的に水平に延びた軸は、加熱ゾーン１から２５までを示しており、後方へ延びた軸は、時間区分Ｒ１からＲ９までを表している。この三次元の図より、それぞれの加熱ゾーン１から２５までの種々異なる制御が明らかに分かり、この場合、処理の最初には、中央の加熱ゾーンが最も強く加熱される。
【００２８】
図５は反復サイクルを示しており、この反復サイクルは、加熱プレート１の個々の加熱ゾーンのための目標値プロフィルを自動的に最適化する場合に利用される。ブロック３０において処理サイクルが開始し、この処理サイクル時に、加熱プレート１の２５個のゾーンにそれぞれ所定の目標値プロフィルが設定される。最初に利用される目標値プロフィルは、任意の形式を有することができ、例えば全ての目標値プロフィルは全て同じであってよいか、又は後に説明するように、標準化された開始プロフィルであってよい。目標値プロフィルは、所定の基板を熱処理するためのものであり、所定の温度最終値を達成するために用いられる。
【００２９】
熱処理の間、赤外線カメラ１７によって、基板１２の、加熱エレメント１０とは反対側の表面１８上の温度が測定され、計算ユニット２２へ伝達される。計算ユニット２２において、基板の表面上における前述の表面点に、それぞれ、これらの表面点に割り当てられた表面領域からの全ての測定値の中間値が対応させられる。この対応関係は、新たな目標値プロフィルの後の計算を容易にする。
【００３０】
ブロック３４において、熱処理のそれぞれの時点において、基板表面上の表面点間の温度差が決定され、この温度差が所定の目標値と比較される。温度差が、熱処理のそれぞれの時点においてしきい値より低い場合には、プロセス制御はブロック３６へ移行し、このブロック３６は、最適化された目標値プロフィルが存在しかつさらなる適応は必要ないことを知らせる。
【００３１】
しかしながら、温度差が少なくとも一時的にしきい値を超えた場合には、プロセス制御はブロック３８へ移行し、このブロック３８において個々の加熱エレメントのための目標値プロフィルが新たに計算される。この場合に利用されるアルゴリズムは、加熱面のゾーンに対する、基板上の表面点の適切かつ加重を考慮された対応関係を含んでいる。新たに計算された目標値プロフィルは開始ブロック３０へ移行し、それまでの開始プロフィルの代わりに設定される。この新たに計算された目標値プロフィルを用いて、もう一度新たな熱処理プロセスが行われ、その間ブロック３２において基板表面上の温度分布が測定される。この繰返しサイクルは、基板表面上の温度箇所の間の温度差が、どの時点においても所定のしきい値よりも低くなるまで反復される。この時点で、最適化された目標値プロフィルが存在し、この目標値プロフィルにはもはや介入されない。この最適化された目標値プロフィルは、同じ温度最終値まで加熱される、同様のパラメータを有する基板を用いた後続の熱処理プロセスのために使用される。
【００３２】
目標値プロフィルを新たに計算する場合、所定の時間区分の間の温度基準値のみを変化させることができるわけではない。むしろ、個々の時間区分の長さも適応させられることができる。
【００３３】
表面点へのサンプルの表面領域の対応関係、若しくは加熱面のゾーンへの表面点の対応関係も同様に変化することができる。
【００３４】
本発明の有利な実施形態によれば、目標値の新たな計算の場合、所定の時点に生じる温度不均一は前もって考慮され、プロフィルの均一でかつ早期の適応を達成することができる。例えば、Ｔ＝５０秒の時点において温度不均一が所定の表面点に生じるならば、新たに計算されるプロフィルの場合、この不均一はすぐに前の時点、例えばＴ＝３０秒において考慮され、この場合、少なくとも１つの加熱エレメントの目標値プロフィルが、すぐにこの時点で局所的により強く又はより弱く加熱するように変化させられる。これにより、温度不均一を、加熱エレメントの温度跳躍及び、個々の時間区分の間における目標値設定の場合の跳躍なしに、達成することができる。
【００３５】
上記の最適化は、それぞれの種々異なる基板のために、及びそれぞれの温度最終値のために行われなければならない。種々異なる最終温度を備えた、熱処理のための理想的な目標値プロフィルを算出する場合に時間を節約するために、まず、規格化されたプロフィルが計算される。この計算の場合、基板タイプの熱反応が、種々異なる温度において実質的に同じであることから始められる。したがって、規格化されたプロフィルは、最適化されたプロフィルから、最適化されたプロフィルを最適化されたプロフィルの温度最終値で除することによって形成され、これにより、規格化されたプロフィルを有する。それぞれの別の所望の最終温度のために、今や、規格化されたプロフィルに、新たな最終値が乗じられる。このように計算された目標値プロフィルは、次いで開始プロフィルとして、図５に示した反復サイクルにおいて使用される。これにより、最適化されたプロセスプロフィルを達成する前の繰返しサイクルの数が一層減じられる。
【００３６】
このように最適化されたプロフィルは、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第１９９０７４９７号から公知の方法と組み合わせて使用されるために、顧客に使用されることができ、その限りにおいて本願の対象となり、繰返しを回避する。択一的に最適化サイクルは顧客の場合にも生じることができ、これにより、プロセス制御は時間を超えて自動的に自己で最適化する。
【００３７】
本発明は、以上のように本発明の有利な実施例に基づき説明されているが、特定の実施形態に制限されない。例えば、加熱プレートは、別の形状、例えば円形又は円弧状に形成された加熱エレメントを備えた円形を有することができる。赤外線カメラの代わりに、別の位置分解する温度測定装置を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明による基板を熱処理するためのシステムの概略的な側面図を示している。
【図２ａ】
加熱プレート上に配置された基板の概略的な図を示している。
【図２ｂ】
基板上における所定の表面点に関する個々の加熱エレメントの影響を表した表である。
【図３】
基板の熱処理の推移における、ゾーン毎に制御される加熱プレートの個々のゾーン（５×５加熱ゾーン）のための位置的な目標値配分の時間的変化を示す図である。
【図４ａ】
基板のための１１０℃の端部温度を用いた熱処理の場合における、加熱プレートのゾーンのための目標値配分の表である。
【図４ｂ】
このような目標値プロフィルのグラフである。
【図５】
設定された目標値プロフィルの自動化された最適化のための反復サイクルの概略的な図である。
【符号の説明】
１  装置、  ２  加熱プレート、  ３  ベースプレート、  ５  上側、  ６  下側、  ７  溝、  ８  セグメント、  １０  加熱エレメント、  １２  基板、  １７  温度測定装置、  １８  表面、  ２４  プロセス制御装置、  ２６  ＰＩＤ調整器
【図１】
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【図２ｂ】
2004526297.tif 000004
【図４ａ】
2004526297.tif 000005
【国際公開パンフレット】
2004526297.tif 000006
2004526297.tif 000007
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2004526297.tif 000009
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004526297.tif 000030
2004526297.tif 000031
【国際調査報告】
2004526297.tif 000032
2004526297.tif 000033
2004526297.tif 000034
2004526297.tif 000035
2004526297.tif 000036
2004526297.tif 000037