(57)【要約】本発明は、半導体基板を覆う反射防止膜（ＡＲＣ）層（２）に関する。このＡＲＣ層は、マトリックス基板（３）およびマトリックス基板とは別の材料のナノ結晶粒子（４）からなる。本発明によると、ナノ結晶粒子（４）は、量子サイズ効果を介して光を吸収する。これにより、新しい種類のＡＲＣ層、特に、吸収ＡＲＣ層が提供される。表面（１１）に反射防止膜材料の層が設けられた表面（１１）を有する基板（１）を含む半導体製品であって、該反射防止膜材料（２）は、マトリックス物質（３）と、該マトリックス物質とは別の材料のナノ結晶粒子（４）とを含み、該ナノ結晶粒子（４）は、量子サイズ効果を介して光を吸収する。【選択図】図２
2004524566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品をコーティングするための反射防止膜（ＡＲＣ）材料（２）であって、
該反射防止膜材料（２）は、マトリックス物質（３）と、該マトリックス物質材料とは別の材料のナノ結晶粒子（４）とを含む反射防止膜材料であって、
該ナノ結晶粒子（４）は、量子サイズ効果を介して光を吸収することを特徴とする、反射防止膜材料。
【請求項２】
前記ナノ結晶粒子（４）のサイズは、平均して直径が１００ナノメートル未満であることを特徴とする、請求項１に記載の反射防止膜材料。
【請求項３】
前記ナノ結晶粒子（４）のサイズは、ＵＶ露光光の２４８、１９３、１５７または１２７ｎｍの波長の４分の１未満であることを特徴とする、請求項２に記載の反射防止膜材料。
【請求項４】
前記粒子（４）の材料は、前記量子サイズ効果を介して吸収される波長に対応して選択され、該波長は、好適には、ＵＶ範囲にあることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項５】
前記マトリックス物質（３）と、前記粒子（４）の材料および密度とは、前記ＡＲＣ材料（２）の反射率（ε１）に対応して選択されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１つに記載の反射防止材料。
【請求項６】
前記粒子の材料および密度は、吸収の程度に対応して選択されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項７】
前記マトリックス物質（３）と、前記粒子（４）のサイズおよび密度とは、粘性値に対応して選択されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項８】
前記マトリックス物質（３）と、前記粒子（４）の材料および密度とは、半導体基板をエッチングするためのドライエッチングプロセスのエッチング耐性に対応して選択されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項９】
前記マトリックス物質（３）は、有機樹脂、シリケート、あるいはシリコン酸化物等またはチタン酸化物等といった酸化物であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項１０】
前記粒子（４）の材料は、金属酸化物、金属硫化物またはペロブスカイト材料であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項１１】
前記粒子の材料は、錫酸化物、チタン酸化物またはカドミウム硫化物を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項１２】
前記ＡＲＣ層は、体積当たり、３〜７０％のナノ結晶粒子（４）を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項１３】
前記ＡＲＣ層は、少なくとも２つの異なった材料（４ａ、４ｂ）のナノ結晶粒子（４）を含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の反射防止膜材料。
【請求項１４】
パターニングされるべき半導体基板（１）、または半導体基板上にパターニングされるべき層（１）を、請求項１〜１３のいずれか１つによる反射防止膜材料（２）で覆い、露光光（Ｉ）の光の反射を減衰させる反射防止膜層を形成する、方法。
【請求項１５】
マトリックス材料（３）を提供し、かつナノ結晶粒子（４）を提供する工程と、
該マトリックス材料（３）と該ナノ結晶粒子（４）とを混合して、該反射防止膜材料（２）を形成する工程と
によって反射防止膜材料（２）を生成する方法であって、
量子サイズ効果を介して光を吸収するナノ結晶粒子（４）が用いられることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
前記マトリックス材料（３）内の前記ナノ結晶粒子（４）の種類、および／または該ナノ結晶粒子（４）の密度は、調節された反射率（ε１）を有する反射防止膜材料（２）が形成されるように選択されることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ナノ結晶粒子（４）の種類および／または密度を選択することによって、該反射防止膜材料（２）上に付与されるべきレジスト層の反射率（ε０）に依存する、ならびに／あるいはパターニングされるべき半導体基板（１）の、または半導体基板上にパターニングされるべき層（１）の反射率（ε２）に依存する、そのような反射率（ε１）が調節されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
表面（１１）に反射防止膜材料の層が設けられた表面（１１）を有する基板（１）を含む半導体製品であって、
該反射防止膜材料は、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の反射防止膜材料（２）であることを特徴とする、半導体製品。
【請求項１９】
前記半導体製品は、前記反射防止膜材料（２）の層の上部にレジスト層（５）を備えることを特徴とする、請求項１８に記載の半導体製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製品をコーティングするための反射防止膜（ＡＲＣ）材料に関する。反射防止膜材料は、マトリックス物質、およびこのマトリックス物質とは別の材料のナノ結晶粒子を含む。
【０００２】
本発明は、さらに、
マトリックス材料を提供する工程およびナノ結晶粒子を提供する工程と、
マトリックス材料とナノ結晶粒子とを混合して、反射防止膜材料を形成する工程とによって、反射防止膜材料を製作するプロセスに関する。
【０００３】
本発明は、最終的に、表面に反射防止膜材料の層が設けられた表面を有する基板を備える半導体製品に関する。
【背景技術】
【０００４】
集積回路等の半導体製品の製造において、ウェハは、例えば、エッチング、ドーピングおよび堆積といった多くのプロセス工程に付される。集積回路の横方向の構造（Ｌａｔｅｒａｌ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）は、リソグラフィによって生成される。半導体製品は、マスクパターンを通してＵＶ線にさらされる。半導体製品の上部のレジスト層が、その後、エッチングされ、これによって、レジスト層の露光される領域または露光されない領域のどちらかが除去される。
【０００５】
レジスト層の深さがわずかであり、かつレジスト層および下に位置する基板の反射率が異なるので、レジスト層において露光光の反射および干渉が起こる。その結果、リソグラフィによって生成された横方向の構造は、所定のサイズからずれる傾向がある。
【０００６】
これらのずれの縮小は、レジスト層を形成する前に、最初に、反射防止膜層を形成することによって達成される。ＡＲＣ層の上部面および下部面にて反射した光の弱め合う干渉によって反射をなくすＡＲＣ層が公知である。他のＡＲＣ層は、入来する光を吸収することによって反射を低減する。
【０００７】
当該技術の別の分野において、１００ナノメートル未満の粒度を有するナノ結晶粒子が公知である。これらの粒子は、表面を容易に洗浄するためか（これらの表面は、好適には、フッソを含む）、または研磨傷防止膜を生成するために用いられる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の目的は、半導体製品または半導体製品上の層をコーティングするための新しい種類の反射防止膜材料、特に、従来技術のＡＲＣ層と比較して改善された特性のＡＲＣ層を提供することである。
【０００９】
本目的は、ナノ結晶粒子が、量子サイズ効果を介して光を吸収する、冒頭で記載された種類の反射防止膜によって達成される。本発明によると、ＡＲＣ層における光の吸収は、量子サイズ効果を用いることによって達成される。この効果により、周囲材料、すなわち、マトリックス基板のバンドギャップ内のエネルギーレベルが生成される。バンドギャップの両側の電子は、これらのさらなるエネルギーレベルを占め得、これにより、露光光の光子を吸収する。ＡＲＣ層材料のナノ結晶粒子における光の吸収のために、この効果を用いることによって、主に吸収によって作用する新しい種類のＡＲＣ層が提供される。さらに、ナノ結晶粒子は、波反射を引き起こすためには小さすぎるので、ＡＲＣ層材料から生じる妨害的な反射ビームが抑制される。
【００１０】
半導体製品については、製品は、表面、およびこの表面上に反射防止膜層が設けられた基板を備える。
【００１１】
好適には、ナノ結晶粒子のサイズは、平均して直径が１００ナノメートル未満である。特に、ＵＶ露光光の２８４、１９３、１５７または１２７ｎｍの波長の４分の１未満の平均粒度が好適である。
【００１２】
本発明の別の実施形態によると、粒子の材料は、量子サイズ効果を介して吸収された好適な波長に対応して選択される。マトリックス物質のバンドギャップおよび吸収されるべき波長を含むバンド構造に依存して、ナノ結晶粒子の材料は、価電子帯または伝導帯と所定の距離を置くバンドギャップ内にさらなるエネルギーレベルが生成されるように選択される。所定の距離は、吸収されるべき波長に対応する。好ましくは、この波長はＵＶ範囲内である。
【００１３】
好適な実施形態によると、マトリックス物質、および粒子の材料および密度は、ＡＲＣ材料の反射率に対応して選択される。これらのパラメータは、ＡＲＣ層に最大の光の入射をもたらす反射率が達成されるように選択される。従って、ナノ結晶粒子によりＡＲＣ層内に最大吸収量がもたらされる。
【００１４】
別の実施形態によると、粒子の材料および密度は、吸収の程度に対応して選択される。吸収の程度は、ＡＲＣ層の厚さ、および、当然、吸収されるべき波長に依存し得る。
【００１５】
別の実施形態によると、マトリックス物質ならびに粒子の粒度および密度は、粘性値に対応して選択される。ＡＲＣ層は、特に、半導体ウェハまたはフラットパネルといった、ＡＲＣ層前駆体物質を有する半導体製品をコーティングすることによって形成される。ＡＲＣ層前駆体物質は、ＡＲＣ層の化合物、および溶媒を含み、ＡＲＣ層前駆体物質を回転する半導体製品に回転塗布（ｓｐｉｎ  ｏｎ）することを可能にする。ＡＲＣ層における溶媒の量は、その粘性を調節する。材料が回転塗布されると、材料それ自体の温度は、スピンプロセス、基板上の最終層の均質性および材料の消費を最適化するために調節される。調節された温度は、手順の信頼性を保証するために、スピンプロセス全体の間中制御される。スピンプロセスは、基板上の層が乾燥に関して安定した状態に達すると終了される。スピンプロセスの直後、薄膜生成のプロセスを完了するために少なくとも１つ以上の加熱プロセスが適用される。しかしながら、本実施形態によると、マトリックス物質ならびに粒子の粒度および密度は、さらに、粘性値を目指して調節される。
【００１６】
別の実施形態によると、マトリックス物質ならびに粒子の材料および密度は、半導体基板をエッチングするためのドライエッチングプロセスのエッチング耐性に対応して選択される。ＡＲＣ層、およびそのＡＲＣ層上にレジスト層を含む半導体製品がエッチングされた場合、パターニングマスクそれ自体と同じ態様でＡＲＣ層の基板をパターニングするためにエッチングが続行される。３次元構造の正確な形状は、エッチングマスク、すなわちレジストの、および／またはＡＲＣ層の高いエッチング耐性を必要とする。ＡＲＣ層の組成物を慎重に選択することによって、このパラメータさえも制御され得る。
【００１７】
好適には、マトリックス物質は、有機樹脂またはシリケートである。あるいは、シリコン酸化物またはチタン酸化物といった酸化物が望ましい。
【００１８】
粒子の材料については、好適には、金属酸化物、金属硫化物またはペロブスカイト材料が選択される。特に、錫酸化物またはカドミウム硫化物が望ましい。しかしながら、マトリックス物質のバンドギャップ内の適切なエネルギーレベルに至る個々のバンド構造を有する多数の他の物質がある。特に、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌａ等の酸化物、および酸化物の混合物、ならびに希土類金属の酸化物および酸化物の混合物が考慮に入れられ得る。
【００１９】
好適には、ＡＲＣ層は、体積当たり、３〜７０％のナノ結晶粒子を含む。広い範囲の組成物は、マトリックス対粒子比を考慮したとしても、上述のパラメータを最も柔軟に調節することに寄与する。
【００２０】
本発明の改良された実施形態によると、ＡＲＣ層は、少なくとも２つの異なった材料のナノ粒子を含む。これにより、異なった範囲の波長が吸収され得る。異なった種類の粒子を提供することによって、所定の吸収プロファイルが形成され得る。さらに、吸収プロファイルの緻密な調節は、所定の平均サイズの粒子を選択することによって達成され得る。
【００２１】
本発明による反射防止膜材料は、パターニングされるべき半導体基板、または半導体基板上にパターニングされるべき層を覆い、露光光の反射を減衰させる反射防止膜層を形成するために用いられ得る。
【００２２】
上述の反射防止膜材料を生成する方法を目的として、この目的は、量子サイズ効果を介して光を吸収するナノ結晶粒子を用いることによって解決される。
【００２３】
好適には、マトリックス材料内のナノ結晶粒子の種類および／またはナノ結晶粒子の密度は、調節された反射率を有する反射防止膜材料が形成されるように選択される。特に、ナノ結晶粒子の種類および／または密度を選択することによって、反射防止膜材料上に付与されるべきレジストの反射率に依存する、ならびに／あるいはパターニングされるべき半導体基板の反射率、または半導体基板上にパターニングされるべき層の反射率に依存する、そのような反射率が調節される。
【００２４】
最初に記載された半導体製品を目的として、本発明の目的は、量子サイズ効果を介して光を吸収する反射防止膜材料を提供することによる反射防止膜材料を、本発明による反射防止膜材料である表面に提供することによって解決される。
【００２５】
好適には、この半導体製品は、ＡＲＣ層の上部にレジスト層を含み、このレジスト層は、好適には、有機材料からなる。
【００２６】
ナノ結晶粒子の種類および／または密度は、反射防止膜材料に付与されるべきレジスト層の反射率に依存する反射防止膜材料の反射率などを調節するように選択される場合、ＡＲＣ材料層の上部の光の反射が低減される。従って、レジスト層とＡＲＣ材料層との間の中間層にて、入来する光のほとんどの部分がＡＲＣ材料層材料に入射し、ナノ結晶粒子によって吸収される。
【００２７】
以下において、本発明は、添付の図面を参照して記載される。
【００２８】
図１において、レジスト層５に入来する入射光のビームＩは、レジスト層とＡＲＣ層２との間の中間面にて部分的に反射され、反射ビームはＲ１として示される。残留強度は、ＡＲＣ層に入射し、ＡＲＣ層２と基板１との間の中間面１１にて反射され、結果として反射されたビームＲ２は、弱め合う干渉を介して少なくとも部分的に他のビームＲ１を消す。
【００２９】
吸収ＡＲＣ層の場合、ＡＲＣ層２の反射率は、レジスト層５の反射率と同様になるように調節され、これにより、ビームＩの層２への最大透過率を生成し、かつビームＩをＡＲＣ層材料内で吸収する。本発明は、主に、ＡＲＣ層の吸収の種類に関し、本発明は、レジスト５、ＡＲＣ層２および基板１の３つの反射率を目的として、弱め合う干渉ＡＲＣ層にもまた適応し、反射されたビームＲ２の強度の相違が有用であり得る。反射されたビームＲ１が破線で描かれ、その強度は、吸収するＡＲＣ層の場合はかなり低い。
【００３０】
従来のＡＲＣ層材料が均質であるのに対して、図２に示される本発明によると、ＡＲＣ層２は、量子サイズ効果を介して入射する光を吸収させるナノ結晶粒子４を埋め込むマトリックス基板３を含む。好適には、２つ以上の種類の粒子４ａ、４ｂが提供される。
【００３１】
このメカニズムをＡＲＣ層２に利用することによって、反射ビーム２が吸収される。吸収プロファイルは、異なった種類またはサイズのナノ結晶粒子を提供することによって形成さえ得、これらおよび他の組成物パラメータは、ＡＲＣ層それ自体のさらなる物理特性の調節を可能にする。
【００３２】
ＡＲＣ層材料の化合物の生成は、周知の態様で生成される。ナノ結晶粒子は、化学加水分解縮合（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ  ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ）によって抽出され、マトリックス物質は、ソールゲル（ｓｏｌｅ  ｇｅｌ）プロセスによって生成される。本発明によると、マトリックス基板およびナノ結晶粒子は混合され、より良好に基板と接着するための溶剤または表面活性剤といった他の化学物質が追加される。従って、ＡＲＣ層材料の組成物は、基板上に回転塗布され、その後、マトリックス基板のポリマー炭化水素鎖を分解しないように２００℃未満の温度にまで加熱される。加熱の間、特定の量の溶剤が除去され、マトリックス物質の分子は互いに結合され、これにより、ナノ結晶粒子を安全に埋め込む網目状組織を形成する。
【００３３】
ＡＲＣ層の反射率、吸収プロファイル、粘性およびエッチング耐性を適切に調節するために、マトリックス物質の、およびナノ結晶粒子の種類および量を選択することが当業者に周知である。
【００３４】
図３によると、反射防止膜材料は、最初にマトリックス材料３を提供し、ナノ結晶粒子４を提供し、かつマトリックス材料３およびナノ結晶粒子４を混合して反射防止膜材料２を形成することによって生成される。本発明によると、量子サイズ効果を介して光を吸収するナノ結晶粒子４が用いられる。その後、反射防止膜材料２は、パターニングされるべき半導体基板１に付与されるか、または半導体基板上にパターニングされるべき層１に付与され、それにより、反射防止膜層２が形成される。ナノ結晶粒子４の材料およびマトリックス材料３における粒子の密度は、調節された反射率ε１を有する反射防止膜材料２が形成されるように選択される。好適には、ナノ結晶粒子４の種類および／または密度を選択することによって、反射防止膜材料２に付与されるべきレジスト層の反射率ε０に依存する、そのような反射防止膜層２の反射率ε１が調節される。反射率ε１は、パターニングされるべき半導体基板１の、または半導体基板上にパターニングされるべき層１の反射率ε２にさらに依存し得る。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、従来技術による半導体製品を図示する。
【図２】図２は、本発明による半導体製品を図示する。
【図３】図３は、本発明による反射防止膜を形成および付与する方法を図示する。
【国際公開パンフレット】
2004524566.tif 000003
2004524566.tif 000004
2004524566.tif 000005
2004524566.tif 000006
2004524566.tif 000007
2004524566.tif 000008
2004524566.tif 000009
2004524566.tif 000010
2004524566.tif 000011
2004524566.tif 000012
2004524566.tif 000013
2004524566.tif 000014
2004524566.tif 000015
2004524566.tif 000016
2004524566.tif 000017
2004524566.tif 000018
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004524566.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成15年4月9日(2003.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品を反射防止膜（ＡＲＣ）材料（２）でコーティングする方法であって、
半導体製品は、マトリックス物質（３）と、該マトリックス物質とは別のナノ結晶粒子（４）とを含む反射防止膜材料（２）でコーティングされ、
該ナノ結晶粒子（４）は、量子サイズ効果を介して光を吸収することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記ナノ結晶粒子（４）のサイズは、平均して直径が１００ナノメートル未満であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ナノ結晶粒子（４）のサイズは、ＵＶ露光光の２４８、１９３、１５７または１２７ｎｍの波長の４分の１未満であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記粒子（４）の材料は、前記マトリックス物質（３）のバンドギャップ内にさらなるエネルギーレベルが生成されるように選択され、該バンドギャップは、価電子帯または伝導帯と所定の距離を置き、該距離は、量子サイズ効果を介して吸収される波長に対応し、該波長は、好適には、ＵＶ範囲にあることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記マトリックス物質（３）と、前記粒子（４）の材料および密度とは、前記ＡＲＣ層材料（２）に最大の光の入射をもたらす反射率（ε１）が達成されるように選択されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記粒子の材料および密度は、吸収の程度を調整するために選択されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記マトリックス物質（３）と、前記粒子（４）のサイズおよび密度とは、粘性値を調整するために選択されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記マトリックス物質（３）と、前記粒子（４）の材料および密度とは、半導体基板をエッチングするためのドライエッチングプロセスのエッチング耐性を調整するために選択されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記マトリックス物質（３）は、有機樹脂、シリケート、あるいはシリコン酸化物等またはチタン酸化物等といった酸化物であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記粒子（４）の材料は、金属酸化物、金属硫化物またはペロブスカイト材料であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記粒子の材料は、錫酸化物、チタン酸化物またはカドミウム硫化物を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記ＡＲＣ層は、体積当たり、３〜７０％のナノ結晶粒子（４）を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記ＡＲＣ層は、少なくとも２つの異なった材料（４ａ、４ｂ）のナノ結晶粒子（４）を含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
パターニングされるべき半導体基板（１）、または半導体基板上にパターニングされるべき層（１）は、前記反射防止膜材料（２）でコーティングされ、露光光（Ｉ）の光の反射を減衰させる反射防止膜層を形成することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
マトリックス材料（３）を提供し、かつナノ結晶粒子（４）を提供する工程と、
該マトリックス材料（３）と該ナノ結晶粒子（４）とを混合して、該反射防止膜材料（２）を形成する工程と
を特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
前記マトリックス材料（３）内の前記ナノ結晶粒子（４）の種類、および／または該ナノ結晶粒子（４）の密度は、調節された反射率（ε１）を有する反射防止膜材料（２）が形成されるように選択されることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ナノ結晶粒子（４）の種類および／または密度を選択することによって、該反射防止膜材料（２）上に付与されるべきレジスト層の反射率（ε０）に依存する、ならびに／あるいはパターニングされるべき半導体基板（１）の、または半導体基板上にパターニングされるべき層（１）の反射率（ε２）に依存する、そのような反射率（ε１）が調節されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
表面（１１）に反射防止膜材料の層が設けられた表面（１１）を有する基板（１）を含む半導体製品であって、
該反射防止膜材料（２）は、マトリックス物質（３）と、該マトリックス物質とは別の材料のナノ結晶粒子（４）とを含み、該ナノ結晶粒子（４）は、量子サイズ効果を介して光を吸収する、半導体製品。
【請求項１９】
前記半導体製品は、前記反射防止膜材料（２）の層の上部にレジスト層（５）を備えることを特徴とする、請求項１８に記載の半導体製品。
【国際調査報告】
2004524566.tif 000020
2004524566.tif 000021
2004524566.tif 000022
2004524566.tif 000023
2004524566.tif 000024
2004524566.tif 000025