(57)【要約】本発明は、強誘電体層（Ｃ）と基板（Ｓ）とを備え、基板表面に堆積された、あるいは基板を構成する部品である第１の電極（Ｅ１）と第２の電極（Ｅ２）の間に強誘電体層が設けられることを特徴とし、かつ、強誘電体層が、正の第１の分極ドメイン（Ｄ１）および負の第２の分極ドメイン（Ｄ２）からなることを特徴とする音波デバイスに関する。表面波変換器の分野における応用例の場合、ドメイン反転のピッチが数百ナノメータ程度の構造を生成することが有利であり、前記構造は、高周波数（１ギガヘルツ程度）での応用例に適している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体層（Ｃ）と、基板（Ｓ）とを備える音波デバイスであって、強誘電体層が、基板表面に堆積された、あるいは基板を構成する部品である第１の電極（Ｅ１）と第２の電極（Ｅ２）の間に設けられることを特徴とし、かつ、強誘電体層が、正の第１の分極ドメイン（Ｄ１）および負の第２の分極ドメイン（Ｄ２）を有することを特徴とする音波デバイス。
【請求項２】
第２の電極が、強誘電体層の表面上に堆積されることを特徴とする請求項１に記載の音波デバイス。
【請求項３】
基板に支えられたカバー（ＣＬ）を備え、前記カバーが第２の電極を有し、前記第２の電極と強誘電体層の間で空間を作り出すことを特徴とする請求項１に記載の音波デバイス。
【請求項４】
強誘電体層からカバーを除去することができることを特徴とする請求項３に記載の音波デバイス。
【請求項５】
分極されていない第３のドメイン（Ｄ３）を備え、音波の指向性を左右することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項６】
第１のドメインおよび第２のドメインを有する一連の線形ドメインを備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項７】
一連の線形ドメインが、分極されていないドメインをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の音波デバイス。
【請求項８】
第１のドメインおよび第２のドメインのマトリックス配列を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項９】
分極されていないドメインをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の音波デバイス。
【請求項１０】
強誘電体が、鉛チタンジルコニウム酸化物であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項１１】
第１の電極が白金／チタン合金であることを特徴とする請求項１０に記載の音波デバイス。
【請求項１２】
基板がシリコン製であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項１３】
第２の電極がアルミニウム製であることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項１４】
ｆが実関数であるｙ＝ｆ（ｘ）型の式を満足する２つのパラメータｙおよびｘによって表面が画定される少なくとも１つの電極を備えることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項１５】
強誘電体層の平面における空間分極分布が幾何学法則に従い、それにより、得られる分極表面が、ｆが実関数であるｙ＝ｆ（ｘ）型の式を満足する２つのパラメータｙおよびｘによって画定されることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の音波デバイス。
【請求項１６】
第１の電極を有する基板表面上に強誘電体層を生成するステップと、
その極性がドメインの分極の方向を決定する、強誘電体の保磁力より大きい電界を印加することにより、強誘電体層中に正および負の分極ドメインを形成するステップと、
強誘電体の反対側に第２の電極を生成するステップとを含むことを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の表面波デバイスを製造するための方法。
【請求項１７】
強誘電体層の表面上に第２電極が生成されることを特徴とする請求項１６に記載の音波デバイスを製造するための方法。
【請求項１８】
第２の電極が、基板に固定されたカバーによって支持されることを特徴とする請求項１６に記載の音波デバイスを製造するための方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明の分野は音波デバイスであり、詳細には、数ギガヘルツ程度の超高周波で動作可能な表面波変換器の分野である。
【０００２】
現在の変換器は、従来、波長λ毎に２極、４極、または８極の電極からなる構造を用いた櫛形電極に基づく櫛状構造を使用して製造されている。λは変換器の中心動作周波数に対応し、意図する応用例によって決まる。これらのすべての変換器で、自由表面の面積に対する基板上金属化表面の面積の通常使用されている比率は、一般に、０．２５と０．７５の間である。
【０００３】
しかし、新しい種類の変換器が脚光を浴びている。それらは、いわゆる微小間隙変換器であり、連続する２つの電極間の距離を可能な限り最小にするために、自由表面が極めて狭くなっている。この種の変換器の利点は、電極間の反射現象を大きく緩和した状態で、可能な限り最大の電極幅を周期毎に得ることができることに由来する。
【０００４】
これらの構造の欠点は、技術的な困難に由来している。例えば１．６ＧＨｚで動作する変換器の場合、幅がλ／２すなわち１．５μｍの電極は、数百オングストローム程度の距離で隔てなければならず、極めて精巧な技術が必要である。
【０００５】
また、極めて接近して隔てられた電極に電力が供給されると、前記電極を構成している金属、この場合はアルミニウム（ほとんどの場合、アルミニウムが使用される）がエネルギーを熱に変換し、そのために金属がクリープしようとし、このようにして様々な電極を短絡させることがある（この場合レイリー波）。
【０００６】
これらの様々な問題を解決するために、本発明は、分極反転強誘電体製の連続電極を有する音波デバイスを提供する。
【０００７】
より具体的には、本発明の対象は、強誘電体層および基板を備える音波デバイスであって、基板表面に堆積された、あるいは基板を構成する部品である第１の電極と第２の電極の間に強誘電体層が設けられることを特徴とし、かつ、強磁性体層が、正の第１の分極ドメインおよび負の第２の分極ドメインを含むことを特徴としている。
【０００８】
第１の変形態様によれば、第２の電極は、強磁性体層上に堆積されている。第２の変形態様によれば、第２の電極と強誘電体層の間に空間を作り出し、それにより表面波の伝播特性を増加させるために、カバーによって前記第２の電極が支持される。強誘電体と上部電極との間に接触部がないため、表面波は拘束されることが少ない。
【０００９】
本発明の変形態様によれば、追って説明するように、強誘電体層は、強誘電体層中を伝搬する音波の指向性を左右するために、位相要素を導入することができる非分極ドメインを含むこともできる。
【００１０】
本発明の変形態様によれば、音波デバイスは、正分極、負分極、またはゼロ分極の一連の線形ドメインを含む。
【００１１】
本発明の他の変形態様によれば、特殊な変換器構造を作り出すために、ドメインは、音波間の干渉の組合せを促進し、かつ、追加自由度を許容する２つの直交方向に分散されている。
【００１２】
本発明の変形態様によれば、音波デバイスは、ｆが実関数であるｙ＝ｆ（ｘ）型の式を満足する２つのパラメータｙおよびｘによって表面が画定される少なくとも１つの電極を備えている。
【００１３】
本発明の変形態様によれば、強誘電体層の平面中における空間分極分布が幾何学法則に従い、それによって、得られる分極表面は、ｆが実関数である２つのパラメータｙおよびｘによって画定される。
【００１４】
非制限の例として示す以下の説明を読むことによって、また、添付の図から、本発明がより明確に理解され、かつ、本発明の他の利点が明らかになるであろう。
【００１５】
一般的に、本発明は、交互分極ドメインが生成される、強誘電体層を使用した音波デバイスを提供する。
【００１６】
具体的には、局所電気分極により、任意の種類の金属基板上または金属化表面上の強誘電体によって圧電励起される音波デバイスを製造するために、局所分極ドメインを作り出し、この種の局所分極を利用して、結果として得られる材料の電気音響特性を機能化する、すなわち周期化することが提案されている。
【００１７】
そのために、従来、金属基板の表面上または金属化基板の表面上に強誘電体層が生成されている。一般に、強誘電体は、任意の単結晶強誘電体、多結晶強誘電体あるいは多重結晶強誘電体、例えば鉛チタンジルコニウム酸化物（ＰＺＴ）、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、あるいはＫＮｂＯ３とすることができる。一般に、強誘電体層の厚さは、約１０μｍ未満である。次いで、強誘電体（予め分極されている、いないにかかわらず）は、特にチップすなわち突起物の形態の金属電極によって、あるいは必要とする局所分極プロファイルに従って作成された幾何形状の金属電極によって局所的に強力な電界を受ける。
【００１８】
この処理の目的は、強誘電体の最小の特定分極時間より長い十分な時間の間、強誘電体の保磁力を上回ることである。それにより、強誘電体の分子双極子が永続的に整列し、圧電分極を制御することができる。これは、このように印加された電界の極性により、強誘電体の分極の方向を局所的に強制することが可能になるためである。場合によって異なるが、電界が印加されている間、下にある電極または基板自体が電気基準まで上昇する。図１は、正の第１の分極ドメインＤ１および負の第２の分極ドメインＤ２を生成するための、および分極されていない第３のドメインＤ３を、第１の電極Ｅ１でカバーされた基板Ｓの表面上の強誘電体層Ｃ中に維持するためのこのプロセスを示したものである。チップＰは、前記層Ｃの反対側に配置されている。
【００１９】
次に、ＰＺＴ酸化物層の場合におけるこのプロセスについて説明する。一般に、ＰＺＴセラミックを作り出すための温度（約５００℃を超える温度）に耐えることができる白金／チタン合金製の第１の電極が、シリコン、サファイヤ、ガラス等からなる種類の材料からなる基板上で生成される。ＰＺＴ層は、数ミクロン程度の厚さの層を得るために、スパッター堆積またはゾル−ゲル型によって生成される。次に、ファンデルワールス力に対して敏感になるように、チップを標本に十分近接させる原子間力顕微鏡型の近接場顕微鏡（ＡＦＭ）、あるいは、電子トンネル効果によって標本からチップに電子を移動させるために、チップを標本に十分近接させるトンネル顕微鏡型の近接場顕微鏡（ＳＴＭ）に使用されているようなチップが使用される。チップに電位を印加することにより、期待通りの強制分極が、精密かつ再現可能な方法で得られる。厚さ５００ｎｍ程度の極めて薄いＰＺＴ層の場合、保磁力を超える電界を生成するには、５Ｖ〜１２Ｖの電位で十分である。実際には、このようにして生成されるドメインの大きさは、１３０ｎｍ未満である。
【００２０】
このプロセスを、チップの細さに応じて、より幅の広い領域、あるいはより幅の狭い領域に適用することができる。ＰＺＴの場合、ドメイン反転の空間分解能は、材料の粒度に直接左右される。通常、スパッタリングによって堆積される層の粒度は、数百ナノメータ程度であり、ゾル−ゲル・プロセスによって得られる粒子の場合は、その粒度は約６０ｎｍ程度である。
【００２１】
したがって、表面波変換器の分野における応用例の場合、ドメイン反転のピッチが数百ナノメータ程度の構造を作ることが可能であり、したがってその構造は、高周波応用例に極めて適している。これは、本発明によれば、格子のピッチが音響波長程度のピッチであるためである。周波数は、波の位相速度を格子のピッチで割ることによって第一近似が得られる。従来の表面波デバイスの場合、使用されている格子ピッチは、一般的に音響波長の２分の１である。
【００２２】
強誘電体中の分極反転を使用した本発明による音波デバイスは、表面波デバイスとして有利である。
【００２３】
これは、第２の電極を使用して強誘電体層を転換させることにより、このようにして作られた構造を動的に励起することができるためである。
【００２４】
正の分極ドメインおよび負の分極ドメインを交番させることにより、強誘電体層中の物質を交互に延長および圧縮され、それにより、好ましくは強誘電体層の体積中ではなく、平面中を伝搬する（したがってガイド機能を有する）強め合う音響干渉が生成される。これは、強誘電体層中の拘束弾性波の伝搬速度が、基板中の弾性波の伝搬速度より遅いためである。図２は、本発明によるデバイスの実施例を示したもので、基板Ｓ、第１のドメインＤ１および第２のドメインＤ２を有する強誘電体層Ｃ、および強誘電体層Ｃの表面に堆積された第２の電極Ｅ２を備え、電極Ｅ１およびＥ２によって電気励起される。したがって、基板表面上に、格子フィルタすなわち梯子形フィルタを生成するために、あるいは入力変換器および出力変換器を画定するために、同一種類の（ただし、中心周波数が異なる）他の変換器と組み合わせて使用される、明確で特徴的なアドミタンスを有する単一の変換器を画定することができる。
【００２５】
本発明の概念によれば、変換機能を極めて直接的に生成することができ、それにより所与の仕様で変換器を構築することができる。
【００２６】
次いで、ドメインＤ１およびＤ２の周期は、従来技術による櫛形構造内の同一極性の電極間の周期と等しい。
【００２７】
具体的には、分極の観点から、図３に示すように、交番するドメインのピッチを局所的に乱す波の位相を修正する中立要素を作り出すことにより、表面音波の指向性を左右することができる。これは、正の分極ドメイン（Ｄ１）および負の分極ドメイン（Ｄ２）の交番分布内に障害物（ドメインＤ３）を局所的に作り出すことにより、表面音波の伝搬が非対称的にかく乱され、一方向のみが優先されるためである。
【００２８】
また、従来技術によるデバイスより簡単に、高水準の波長選択フィルタリング機能を備えた表面波デバイスを製作することも可能である。
【００２９】
これは、高阻止表面波デバイスを製作するために、図４に示すように、複雑な櫛形電極をオーバラップさせることにより、アポディゼーション関数を確立することが広く実践されていることによるものである。変数ｙは、隣接する２つの電極がオーバラップする長さを表している。極めて急峻なフィルタ機能を得ることができるｙ＝ｓｉｎｘ／ｘ型の関数が示されている。
【００３０】
一般的に、アポディゼーション関数により、一方がアポディゼーションされ、他方はアポディゼーションされていない（ただし、少なくともアポディゼーションされた変換器の最大開口に等しい音響開口を有する）対向する２つの変換器を有する構造のパルス応答が、アポディゼーション関数と同じ同次式になるように、弾性波伝送における振幅を変調することができる。空間アポディゼーションが三角形の場合、例えばディラック関数を用いてシステムを励起することにより、常に三角形の信号が受信される。
【００３１】
また、自然に非分極化された材料（例えば薄膜ＰＺＴ）の場合、必要な関数を再構築するために、より長い線形ドメインまたはより短い線形ドメインを生成することにより、局所分極処理中に、直接アポディゼーション関数を生成することができる。
【００３２】
本発明によれば、図５に示すように、音波デバイスの電極の１つの幾何形状によって、この種のオーバラップをシミュレートすることができる。
【００３３】
図３に示す、本発明によるデバイスの第１の実施例では、強誘電体表面上に第２の電極が生成されている。
【００３４】
図６は、本発明による表面波デバイスの第２の実施例を示したもので、上部電極と強誘電体層の間を、何ら接触することなく励起されている。そのために、電極Ｅ２は、基板Ｓに支えられたカバーＣＬによって支持されている。通常、この間隙の厚さは、約２０ミクロン未満である。２つの電極間すなわち強誘電体層中には、依然として電界線が存在している。このような構造は、以下に示す利点を有している。
−　少なくとも上部電極における金属化の経年変化の問題が限定され、金属層の耐電力の問題および薄膜金属によってもたらされる音響損失の問題も限定される。
【００３５】
カバーの取外しが可能なアーキテクチャの場合、正、負、またはゼロの分極ドメインを再構成し、それにより音波デバイスを再プログラムすることも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による表面波デバイスのための正の分極ドメインおよび負の分極ドメインを生成するプロセスを示す図である。
【図２】
本発明による表面波デバイスの第１の実施例を示す図である。
【図３】
本発明による、非分極ドメインを有するデバイスの実施例を示す図である。
【図４】
アポディゼーション関数生成用として知られる従来技術による櫛形電極アーキテクチャを示す図である。
【図５】
アポディゼーション関数を生成するために本発明に使用される電極形態の実施例を示す図である。
【図６】
強誘電体層に接触しない第２の電極を使用した表面波デバイスの第２の実施例を示す図である。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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