(57)【要約】本発明は、狭帯域分光フィルタに関する。本発明の目的は、構造が簡単で所定のバンド幅の波長域を予め選定する光学フィルタ（１０）を用いることにより、超紫外光で使用される光学要素の放射線暴露を減少させることである。このために、２つのシリコン層（２）の間に介挿された少なくとも１つのジルコニウム、ニオブまたはモリブデン層（１ａ，ｂ）を備える光学フィルタ（１０）が提供される。フィルタの可使寿命を増大させ、分光特性をさらに制限するために、別の２つのルテニウムまたはロジウム層をシリコン層上に設けることができる。このフィルタ（１０）は、特に、半導体リソグラフィーに使用される超紫外光用の照明システムおよび投影照明システムに使用される。
2004524524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのシリコン層（２）を備え、これらシリコン層（２）の間に少なくとも１つのジルコニウム層（１ａ）が介挿されていることを特徴とする、特に超紫外領域のための、光学フィルタ。
【請求項２】
前記シリコン層（２）が、前記ジルコニウム層（１ａ）よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項３】
前記ジルコニウム層（１ａ）の厚さｄＺｒについて、１ｎｍ≦ｄＺｒ≦１，０００ｎｍの値が適用され、前記シリコン層（２）の厚さが、ｄＳｉ＝１−ｅ-k.dZr（μｍ単位）であって、０．００１≦ｋ≦０．００５（１／ｎｍ単位）であることを特徴とする請求項１または２に記載の光学フィルタ。
【請求項４】
前記シリコン層（２）が、５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有し、前記ジルコニウム層（１ａ）が、１０ｎｍ〜４０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項５】
少なくとも２つのシリコン層（２）を備え、これら２つのシリコン層（２）の間に少なくとも１つのニオブまたはモリブデン層（１ｂ）が介挿されていることを特徴とする、特に超紫外領域のための、光学フィルタ。
【請求項６】
前記シリコン層が、前記ニオブまたはモリブデン層（１ｂ）よりも厚いことを特徴とする請求項５に記載の光学フィルタ。
【請求項７】
前記ニオブ層（１ｂ）の厚さｄＮｂについて、１ｎｍ＜ｄＮｂ＜１，０００ｎｍの値が適用され、前記シリコン層（２）の厚さが、ｄＳｉ＝１−ｅ-k.dNb（μｍ単位）であって、０．００１＜ｋ＜０．００５（１／ｎｍ単位）であることを特徴とする請求項５または６に記載の光学フィルタ。
【請求項８】
前記モリブデン層（１ｂ）の厚さｄＭｏについて、１ｎｍ＜ｄＭｏ＜１，０００ｎｍの値が適用され、前記シリコン層（２）の厚さが、ｄＳｉ＝１−ｅ-k.dMo（μｍ単位）であって、０．００１＜ｋ＜０．００５（１／ｎｍ単位）であることを特徴とする請求項５または６に記載の光学フィルタ。
【請求項９】
前記シリコン層（２）が、５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有し、前記ニオブまたはモリブデン層（１ｂ）が、それぞれ、１０ｎｍ〜４０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１０】
前記少なくとも３つの層（１ａ，ｂ，２）が、自己支持性であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１１】
フィルタ平面上で１ｃｍ〜４ｃｍの最大寸法を有することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１２】
前記少なくとも３つの層（１ａ，ｂ，２）が、支持構造（３）上に設けられていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１３】
前記少なくとも３つの層（１ａ，ｂ，２）のうちの２つの層の間、またはその１つの層内に、前記支持構造（３）が介挿されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１４】
前記支持構造（３）が、ニッケルメッシュであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の光学フィルタ。
【請求項１５】
フィルタ平面上で８ｃｍ〜１４ｃｍの最大寸法を有することを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１６】
保護機能を有する少なくとも１つの追加の層（４，５）が前記フィルタの少なくとも一方の側に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１７】
少なくとも一方の側にルテニウム層（６ａ）を有することを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１８】
少なくとも一方の側にロジウム層（６ｂ）を有することを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項１９】
前記ルテニウムまたはロジウム層（６ａ，６ｂ）が、それぞれ、０．１ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１７または１８に記載の光学フィルタ。
【請求項２０】
少なくとも一方の側にホウ素、炭素、窒素および／または酸素を含有する層（６ｃ）を有することを特徴とする請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項２１】
前記ホウ素、炭素、窒素および／または酸素を含有する層（６ｃ）が、０．１ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２０に記載の光学フィルタ。
【請求項２２】
外側層（４，５，６ａ−ｃ）と前記シリコン層（２）との間に、前記フィルタがホウ素、炭素、窒素および／または酸素を化合物中に単独でまたは組み合わせて含有する層を拡散バリヤー層として有することを特徴とする請求項１６ないし２１のいずれか１項に記載の光学フィルタ。
【請求項２３】
前記拡散バリヤー層が、０．１ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２２に記載の光学フィルタ。
【請求項２４】
超紫外光用の照明システムにおける請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の光学フィルタの使用。
【請求項２５】
超紫外光用の投影照明システムにおける請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の光学フィルタの使用。
【請求項２６】
ＥＵＶ波長範囲のための、光線の経路を備えた光学装置、特に半導体部材製造のためのリソグラフィー装置であって、前記光線の経路が、請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の光学フィルタを少なくとも１つ有する光学装置。
【請求項２７】
少なくとも前記フィルタが、１０-2〜１０-8ｍｂａｒの圧力のガス雰囲気、特にＡｒ雰囲気中に配置されていることを特徴とする請求項２６に記載の光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超紫外領域用の光学フィルタおよびその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
超紫外光（ＥＵＶ光）は、将来、７０ｎｍ未満の構造サイズを有する半導体構造および部材を製造するための大量生産リソグラフィーにおいてより広範に使用されるであろう。この目的のために、特に約１３ｎｍの波長を有する放射線が使用されるであろう。それぞれの生産システムの操作のために、十分な可使寿命を有する狭周波数帯分光フィルタが必要とされるであろう。現在まで当該分野で知られている全ての超紫外光源は、一方では、高い熱負荷およびデブリにおいて、他方では、超紫外光を用いたリソグラフィーに必要な放射帯域の外側の大きな不所望の部分（share）において表現される非常に低い程度の効率を有するので、これらフィルタは必要である。ここで、デブリは、超紫外光の発生のための高いエネルギー入力のために微粉砕された後、光学要素上に堆積し、例えばリソグラフィーチャンバ内に層の形態で堆積するいずれもの材料、例えばセラミック材料または金属として解釈される。特許文献１に記載されているように、放射線源とリソグラフィー装置との間のセパレータとしてフィルタを用いることにより、デブリをリソグラフィー装置から排除することができる。透過がもはや十分ではない程度にデブリが蓄積したときに、フィルタを交換することが必要なだけである。
【０００３】
赤外、可視、また紫外波長領域用の光学フィルタは、当該分野において以前から知られている。一般に、これは、波長依存性透過率を有する、すなわち、特定の波長から出発して透過率が急峻な角度で増加または減少する層を備える透明基板の装置を含む。このタイプの透過端（transmission edge）を有する層は、特定の波長からのまたは特定の波長領域内の光のみを通過させるので、光低域通過フィルタ層としてしばしば使用されている。
【０００４】
特に紫外波長領域のために、例えばサングラスやサンベッド（sun bed）において使用される種々のフィルタが当該分野で知られている。
【０００５】
例えば、特許文献２から、ＵＶ吸収性顔料を有する合成材料のフォイルから製造され、その合成材料のフォイルが、比較的無害のＵＶＡ放射線のみを通過させるように、３２０〜４００ｎｍで透明であり、２９０〜３２０ｎｍで吸収するところのフィルタが当該分野で知られている。
【０００６】
特許文献３から、異なるアルミニウム含有率と任意の厚さを有する少なくとも２つのＡｌxＧａ(1-x)Ｎ層を備えた紫外光用の狭周波数帯フィルタが当該分野で知られている。アルミニウム含有率を変えることにより、この半導体のエネルギーギャップが変化し、それにより２７０〜３６５ｎｍの範囲内の透過光の波長が変化する。少なくとも２つの層を組み合わせることにより、透過と反射を当該システムに適合させるように調節することができる。
【０００７】
特許文献４に記載されたＵＶ領域用の低域通過フィルタでは、反射についての限界周波数として金属のプラズモン振動数（plasmone frequency）が使用されている。この目的のために、とりわけ、アルカリ土類金属またはアルカリ金属が使用されている。さらに、ＭｇＯもしくはＡｌ2Ｏ3とＭｇＦ2との、またはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2との干渉システムを低域通過フィルタに適用することができる。
【０００８】
特許文献５は、３２０〜４３０ｎｍで透明な、紫外波長領域用の薄層帯域通過フィルタを開示している。このフィルタ端は、薄層の材料の吸収端により達成され、そのスペクトル位置は、薄層の材料の組成を調整することにより達成される。このプロセスにおいて、材料の１つの成分は、所望のスペクトル位置より上に吸収端を発生させ、他の成分は、所望のスペクトル位置より下に吸収端を発生させる。好ましい材料は、金属の酸化物、フッ化物、硫化物および酸窒化物であり、特にＴａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＴａＯxＮy、ＨｆＯxＮy、ＺｒＯxＮy、ＴｉＯ2およびＺｎＳである。特に好ましいものは、５３〜１３８ｎｍの厚さのＳｉＯ2層上の厚さ５３．８ｎｍ〜８５ｎｍのＮｂ2Ｏ5／Ｔａ2Ｏ5単一層である。これらの層システムは、さらに干渉効果を利用し得るように、１〜５の繰り返し数を有する。
【０００９】
超紫外波長領域において、反射性多層システム、特にモリブデン層およびシリコン層から構成されるものが使用されている。これらは、その製造が非常に複雑であり、コスト集約的である。それ故、これらのタイプのミラーは、放射線負荷を減少させ、それにより可使寿命を向上させるために、不所望のスペクトル部分（spectral shares）に対して保護されなければならない。この要求は、ミラーが不所望に高い効率を有する光子エネルギー＜１０ｅＶの光子エネルギーを有する放射を反射するという事実により強化される。さらに、デブリによる汚染が、また、きわめて迅速にミラーを使用不能とさせる。このことは、非常に高いコストと高い停止時間を受けることを意味し、大量生産のためにＥＵＶリソグラフィーを使用することに対し許容し得ないものである。
【特許文献１】
ＷＯ  ００／４１８７５
【特許文献２】
ＥＰ０２６７６５５Ａ２
【特許文献３】
米国特許５，１８２，６７０号
【特許文献４】
米国特許５，９７８，１３４号
【特許文献５】
ＤＥ４４１０２７５Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明は、例えばミラーのようなさらなる光学要素の前にＥＵＶ放射線源を使用するために特定の幅の波長帯域を予め選定する（preselect）簡単な構造の光学フィルタを提供することを目的とする。さらに、本発明は、このタイプのフィルタのための用途を示すことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、間に少なくとも１つのジルコニウム層が介挿した少なくとも２つのシリコン層により特徴付けられる超紫外領域用の光学フィルタによって達成される。他の側面によれば、この目的は、間に少なくとも１つのニオブ層またはモリブデン層が介挿した少なくとも２つのシリコン層により特徴付けられるフィルタにより達成される。さらに、本目的は、請求項２４〜２６に従うアプリケーションにより達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
超紫外領域、特に９２ｅＶ付近のエネルギーバンドにおける最大透過とこのバンド外での最大吸収を得るために、いずれも９２ｅＶの領域に吸収端を有する材料ジルコニウムおよびシリコンの濾過特性が組み合わされる。このフィルタにおけるジルコニウムの使用は、より低い光子エネルギーに対する透過をかなり減少させる。これに対し、シリコンの使用は、より高い光子エネルギーに対する透過をかなり減少させる。加えて、２つのシリコン層の間にジルコニウムが介挿されているので、ジルコニウムの酸化が有効に防止され、フィルタのより長い可視寿命がもたらせられる。
【００１３】
フィルタ層の吸収効果のみが利用されているにもかかわらず、光学フィルタの比較的狭い分光特性が得られるということは注目すべきことである。
【００１４】
現在まで、ジルコニウムは、主として、化学産業においては構造用原料として、または鋼および非鉄金属における合金成分として知られてきている。米国特許６，０１３，３９９号によれば、ジルコニウムは、とりわけ、ＥＵＶリソグラフィーのためのマスクの成分として役立ち、また反射層として機能する。本発明者らの会社内の一般的な技術水準は、現在まで、ＥＵＶ領域のための透過性光学要素においてジルコニウムを使用することは、一方では、ジルコニウムの迅速な酸化のために、他方では要求される薄さのために、失敗するに違いないという考えであった。光学的な観点からすれば、干渉システムにおける誘電体としてのＺｒＯ2（ＤＥ４４１０２７５Ａ１参照）または出願ＥＰ０８６〇４９２Ａ１に記載されているように例えばＸ線用の蛍光面におけるリン酸ジルコニウムが、当該分野でよりよく知られている。ＺｒＯ2は、また、基板の酸化に対する保護層としても使用されている（例えば、ＥＰ０５８８０３８Ｂ１参照）。
【００１５】
入射放射線、例えばシンクロトロン放射線源からの放射線を本発明によるフィルタを通して濾過した後、高い強度を有する狭周波数帯放射線を利用できるようになる。より強い強度を目的として、バンド幅は、例えばＭｏ／Ｓｉミラーのような後続の光学要素の帯域通過よりも大きいが、超紫外スペクトル領域に対する制限がすでに生じる。特に可視（ＶＩＳ）、紫外（ＵＶ）および深紫外（deep ultraviolet）（ＤＵＶ）部分におけるシェアは、ほとんどゼロまで減少する。
【００１６】
本発明によるフィルタは、デブリに対する保護としても使用することができる。この目的のために、本発明によるフィルタは、デブリを阻止し、デブリが後続の光学要素上に堆積することを防止するように、例えば、ＥＵＶ放射源の最終要素として配置すべきである。
【００１７】
好ましくは、シリコン層はジルコニウム層よりも厚い。この態様は、より低いエネルギーに対する速度に匹敵するより高いエネルギーに対する速度で光子が吸収されるという利点を有する。
【００１８】
好ましくは、ジルコニウム層の厚さは、１ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲内にあり、特に好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内にある。
有利には、ジルコニウムおよびシリコンの層の厚さの選定のために、以下の比に従うべきである：
ｄＳｉ  ＝  １−ｅ-k.dZr
（ここで、ｄＳｉは、シリコン層の厚さ（μｍ単位）であり、
ｄＺｒは、ジルコニウム層の厚さ（ｎｍ単位）であり、
０．００１≦ｋ≦０．００５（１／ｎｍ単位）である）。
【００１９】
透過プロファイルに関し、並びに機械的安定性に関し、ＥＵＶリソグラフィーにおける適用についての最良の結果が、厚さ５０〜１００ｎｍ、好ましくは７０〜９０ｎｍのシリコン層および１０〜４０ｎｍ、好ましくは２０〜３０ｎｍの厚さのジルコニウム層について得られた。
【００２０】
しかしながら、シンクロトロン放射線源のような非常に顕著な明澄度の放射線源のためには、厚さ数百ｎｍのジルコニウム層、および厚さ数百ｎｍのシリコン層を有する、好ましくはＳｉが７００〜９００ｎｍ、Ｚｒが４００〜６００ｎｍであるフィルタを使用すること、特にほぼ１％の透過率を有するフィルタのためには８００ｎｍＳｉ／５００ｎｍＺｒ／８００ｎｍＳｉを使用することが必要であり得る。
【００２１】
超紫外領域、特に９２ｅＶ付近のエネルギーバンドにおける最大透過およびこのバンド外での最大吸収を達成するために、材料ニオブまたはモリブデンとシリコンのフィルタ特性が組み合わされる。ニオブまたはモリブデンをフィルタ中に使用することにより、より低い光子エネルギーに対し、透過率がかなり低下する。これに対し、シリコンをフィルタ中に使用することにより、より高い光子エネルギーに対する透過率がかなり低下する。
【００２２】
好ましくは、ニオブまたはモリブデン層の厚さは、１ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲内に、特に好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍ範囲内にある。
【００２３】
有利には、ニオブおよびシリコンの層厚の選定のためには、以下の比に従うべきである：
ｄＳｉ  ＝  １−ｅ-k.dNb
（ここで、ｄＳｉは、シリコン層の厚さ（μｍ単位）であり、
ｄＮｂは、ニオブ層の厚さ（ｎｍ単位）であり、
０．００１≦ｋ≦０．００５（１／ｎｍ単位）である）
またはモリブデンおよびシリコンのためには、
ｄＳｉ  ＝  １−ｅ-k.dMo
（ここで、ｄＳｉは、シリコン層の厚さ（μｍ単位）であり、
ｄＭｏは、モリブデン層の厚さ（ｎｍ単位）であり、
０．００１≦ｋ≦０．００５（１／ｎｍ単位）である）。
【００２４】
シリコン層は、より低いエネルギーに対する速度に匹敵するより高いエネルギーに対する速度で光子が吸収されるように、好ましくは、ニオブまたはモリブデン層よりも厚い。さらに、ニオブまたはモリブデンは２つのシリコン層の間に介挿されているので、ニオブまたはモリブデンの酸化が有効に防止され、より長い可使寿命を有するフィルタを提供する。
【００２５】
透過プロファイルに関し、並びに機械的安定性に関し、ＥＵＶリソグラフィーにおける適用についての最良の結果が、５０〜１００ｎｍ、好ましくは７０〜９０ｎｍの厚さのシリコン層および１０〜４０ｎｍ、好ましくは２０〜３０ｎｍの厚さのニオブまたはモリブデン層について得られた。
【００２６】
しかしながら、シンクロトロン放射線源のような非常に顕著な明澄度の放射線源のためには、数百ｎｍの厚さのニオブまたはモリブデン層および数百ｎｍのシリコン層例えば７００〜９００ｎｍ（Ｓｉ）／４００〜６００ｎｍ（ＮｂまたはＭｏ）／７００〜９００ｎｍ（Ｓｉ）を有するフィルタを使用すること、特に１％の透過率を有するフィルタのためには、８００ｎｍ（Ｓｉ）／５００ｎｍ（ＮｂまたはＭｏ）／８００ｎｍ（Ｓｉ）を使用することが必要であり得る。
【００２７】
好ましい態様において、上記少なくとも３つの層は、自己支持性である。本発明による光学フィルタは、ほとんどの厚さ／幅比について上記少なくとも３つの層から十分な機械的安定性を得ているので、フィルタ面上の最大寸法、例えば、１〜４ｃｍの直径が可能であることが明らかとなっている。
【００２８】
しかしながら、特別の用途のために、上記少なくとも３つの層を支持構造上に設けることが有利であることが証明されている。このことは、特にフィルタが異常な機械的負荷に供されるとき、または例えば大きな直径または幅／長さを有するフィルタが要求されて、匹敵する機械的安定性を条件とする場合、層の厚さの増加が支持構造が引き起こすよりも大きな透過率の減少をもたらすとき、重要である。支持構造として、例えばニッケルで作られたメッシュ状構造が特に適切であることが証明されている。支持構造を有するフィルタについて、平面上に８ｃｍ〜１４ｃｍの最大寸法を得ることができる。光学フィルタは、全体的に支持構造上に設けることができる。しかしながら、支持構造は、光学フィルタの２つの層の間に介挿させることもできる。
【００２９】
光学フィルタは、少なくとも一方の側に追加の層を備えることが有利であり得、その追加の層は、光学フィルタの最大透過率に実質的に影響を及ぼすことなく保護機能を有するものである。しかしながら、同時に、スペクトル狭窄（spectral constriction）が達成され得る。例えば、これら保護層は、特に大気からの炭素および酸素の堆積により形成することができ、光学フィルタの可使寿命を増加させる。保護層は、具体的には、光学フィルタ上に設けることができる。この文脈において、０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、特に１ｎｍ〜５０ｎｍの層厚さが推奨される。シリコン層の汚染を防止するための光学フィルタの分野で既知の全ての方法も用いることができる。この場合、＞１０，０００時間の可使寿命が期待できる。
【００３０】
少なくとも一方の側にルテニウム層またはロジウム層を有する光学フィルタが特に好ましい。有利には、それらの層は、０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、特に１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜２０ｎｍの厚さを有する。これら保護層は、フィルタの機械的安定性を増大させるばかりでなく、特に超紫外線による照射の場合にフィルタの可使寿命を増大させる。特に酸素による酸化が防止されるからである。加えて、ルテニウムばかりでなくロジウム層も、ほぼ５０ｅＶ〜８０ｅＶのスペクトル領域を抑制させることにより、フィルタの分光特性に影響を及ぼす。これは、光学フィルタの最大透過の少ない損失（ほぼ１０）を持って、より狭い分光特性をもたらす。
【００３１】
また、フィルタの少なくとも一方の側に、ホウ素、炭素、窒素、および／または酸素、または炭化水素、酸化物、炭化物、窒化物、ホウ化物、ＳｉＣ、ＢＮ、ＢＣＮ、Ｂ4Ｃ等のようなそれらの化合物（以下、「ＢＣＮＯ」と略す）を含有する保護層を設けることが有利であることも証明されている。好ましくは、この保護層は、０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、特に好ましくは、１ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有する。これは、具体的には、例えば最外層として、光学フィルタの製造中に設けることができる。この少なくとも１つの保護層は、機械的および熱的安定性ばかりでなく、光学フィルタの可使寿命をも向上させ、大気からの酸素によるフィルタ表面の酸化を防止する。
【００３２】
フィルタが一方側かまたは両側にルテニウム、ロジウムまたは「ＢＣＮＯ」層を有するかどうかは、フィルタが使用される環境に基づいて、およびそれぞれの側が曝される影響に基づいて決定される。
【００３３】
このタイプの外側層、特にルテニウムまたはロジウム層と、シリコン層との間に、拡散バリヤー層を設けることが有利であることが証明されている。この拡散バリヤー層は、好ましくは、ホウ素、炭素、窒素および／または酸素を化合物中に単独でまたは組合せて含有する。この層を「ＢＣＮＯ」、特に炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭窒化ホウ素（ＢＣＮ）または炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）で構成することが特に好ましい。この拡散バリヤーは、シリコンが特にルテニウムまたはロジウム層中に拡散して光学フィルタの濾過特性および可使寿命に悪影響を及ぼし得るルテニウムまたはロジウムシリコン合金に変換されることを防止する目的を果たす。この提案される拡散バリヤー材料は、超紫外領域において非常にわずかしか吸収しないので、フィルタの分光特性に対するそれらの影響は無視し得る。
【００３４】
物質窒素および酸素は、保護層を設ける前に、フィルタを予め選定された時間にわたって適切なガス、例えば窒素／酸素雰囲気に曝すことにより適用することができる。
【００３５】
シリコン層を上記雰囲気に短時間接触させた場合、１．５ｎｍ以下の厚さを有する二酸化シリコン層が生成する。その厚さは、シリコン層が上記雰囲気に曝される時間により、０．１〜１．５ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ〜１ｎｍの範囲内に調整することができる。この酸化シリコン層の利点は、その製造が他の材料よりも明らかに簡単で、より経済的であるということにある。
【００３６】
好ましくは、拡散バリヤーは、０．１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍないし１０ｎｍの厚さを有する。このことは、フィルタの機械的安定性をもさらに向上させる。本発明によるフィルタの濾過効果の付加的な増強は、光学ＥＵＶ部材の周りをガス、特にＡｒで満たすことにより得ることができる。その充填圧力は、好ましくは、０．１〜１０-8ｍｂａｒである。
【００３７】
研究から結果する一般的な層配列（変形は括弧内）は、（Ｒｕ，Ｒｈ）／Ｓｉ／（Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ）／Ｓｉ／（Ｒｕ，Ｒｈ）／（保護層としての「ＢＣＮＯ」および／または境界表面での拡散バリヤーを備える）である。このタイプのフィルタは、濾過プロセスに関与するガス、特にＡｒガス中に配置することができ、このことは、これもガス層、特に（Ａｒ）層と呼ぶことができることを意味する。用途に依存して、上に掲げた成分の１つまたはそれ以上を省略し、または互換させることができる。しかしながら、最適の濾過効果および可使寿命は、特に上記配列における成分について可能な最大数の適切な組合せにより可能となる。
【００３８】
本発明は、また、ＥＵＶ波長範囲のための光線経路を備える光学装置、特に、半導体部材の製造のためのリソグラフィー装置であって、光線の経路が少なくとも１つの本発明のフィルタを有する装置に関する。ガスの濾過効果を十分に利用することができるようにするために、本装置は、規定された圧力の規定されたガス雰囲気で動作できるように設計されている。好ましくは、少なくともフィルタは、１０-2〜１０-7ｍｂａｒのガス雰囲気、好ましくはＡｒ雰囲気中の本装置内に配置される。好ましい圧力は、１０-3〜１０-7、特に１０-5ｍｂａｒである。
【００３９】
好ましくは、本発明によるフィルタは、照明システム（lighting system）または特に半導体部材製造のためのリソグラフィー用の、ＥＵＶ光用投影照明システム（projection lighting system）に使用することができる。これらは通常のシステムであってもよいが、例えば出願ＤＥ１９９４８２４０．３において照明システムについて記載されたシステム、または例えば出願ＤＥ１０１００２６５．３において記載された投影システム用のもののような新しいシステムであってもよい。光学フィルタは、有利には、小さなビーム断面を有する位置に配置されるが、ビームウエスト（beam waists）および焦点の外側である。好ましくは、光学フィルタは、ビームのスペクトル狭窄のためばかりでなく、ＥＵＶ源および照明光学系、または投影光学系およびレジスト塗布ウエハの真空に基づく分離（vacuum-based separation）のために機能する。半導体素子の大量生産のためのリソグラフィー装置における適用のほか、本フィルタは、リソグラフィー装置にしっかりと組み込まれたＥＵＶ測定器具において使用することができ、あるいはＥＵＶ装置についての一般的な試験のための可動性装置として利用され得る。光学ＥＵＶ部品の部品試験のための静置装置におけるフィルタの使用、ＥＵＶ現像および／またはプロセス開発（process development）のためのデモンストレーション装置（demonstration device）における使用も可能である。
【００４０】
本発明によるフィルタは、容易に入手でき、比較的経済的な材料で構成され、通常のコーティング技術により大きなコストを伴わずに製造することができ、また特別の製作公差に従う必要がないので、本フィルタは、大量生産リソグラフィーにおける適用に好適である。
【００４１】
以下、本発明をいくつかの態様に関してより詳しく説明する。
【００４２】
それぞれ８０ｎｍの厚さのシリコン層の間に介挿された３０ｎｍの厚さの１層のジルコニウム層を備える第１の試験フィルタを調製した。大気と接触して、約１．４ｎｍの厚さの酸化物層並びに０．５ｎｍの厚さの炭素層がフィルタの両側に堆積し、この過程中に酸素はシリコンと反応してシリコン酸化物となった。ジルコニウム層はシリコン層により囲まれているので、攻撃性酸素により酸化されることはない。このフィルタは、１０ｍｍの直径を有し、機械的に安定であるので、郵便による数回の輸送および種々の研究室における繰り返しの取り扱いに耐える。
【００４３】
第１のテストフィルタのシリコンおよびジルコニウム層に加えて、両シリコン層の外側に５ｎｍの厚さのロジウム層を備える第２のフィルタも調製した。大気と接触したとき、ロジウムの酸化が低いので、ほぼ０．５ｎｍの厚さの炭素含有層のみが両側に堆積する。
【００４４】
研究は、ロジウムおよびルテニウムの光学特性が超紫外領域、特に９２ｅＶ付近において非常に類似していることを示しているので、ロジウム層を備える試験フィルタを代表フィルタとして選定した。個々のデータは、ルテニウム層を有するフィルタについても当てはまる。
【００４５】
図１は、上に指摘した厚さにおける個々の材料シリコン、ジルコニウム、酸素および炭素の分光特性を示している。さらに、得られたフィルタ（Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ）の分光特性が示されている。図１に見られるように、ジルコニウムの透過率は、ほぼ７０ｅＶから出発して、より低い光子エネルギーに対してかなり減少する。他方、シリコンの透過率は、９２ｅＶから出発して、より高い光子エネルギーに対してかなり減少する。酸素層の透過率は、９２ｅＶ（１３ｎｍに相当）付近の関連する領域においてほぼ一定である。酸素がシリコンを酸化させるということは、透過率に対し何らの影響を持たない。重要な要因は、存在する原子の数だけである。炭素層の透過率は、初期近似（initial approximation）において１で一定である。従って、薄い自然酸化物並びに炭素層の分光的影響（spectral influence）は非常に小さい。しかしながら、これらの層は、大気中およびＥＵＶ放射下の真空中における光学フィルタの可使寿命に正の影響を有する。フィルタは、９２ｅＶ付近のエネルギーバンドに対し６０％を超える透過率が存在するという効果を有する。５０ｅＶ未満および約１００ｅＶを超えると、透過率は、明らかに１０％を下回る。２５０ｅＶを超えた場合のみ、透過率が再び約１０％を上回る。しかし、今日知られており、ＥＵＶリソグラフィー用の光源として使用し得る線源はこのエネルギー範囲で顕著なフロー（flow）を示さないので、この事実はさほど意味のあるものではない。
【００４６】
図２において、酸素の分光特性の代わりに、ルテニウムの分光特性がプロットされており、加えて、得られたフィルタ（Ｒｕ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｒｕ）の分光特性もプロットされている。ルテニウムのより少ない酸化のため、炭素含有層のみがフィルタ表面上に生成する。最大でほぼ５５％に達する減少した透過率故に、より狭い分光特性が得られる。第１の試験フィルタに比べて、５０ｅＶ〜８０ｅＶの範囲における透過率は明らかに減少している。
【００４７】
図３は、層システムＲｈ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｒｈのフィルタに関する対応するグラフを示す。
【００４８】
図４および図５は、支持構造を持たないフィルタ（Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ）および支持構造を有するフィルタ（Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ）についての分光特性を示す。ここでは、また、理論的に計算された値が、実験的に測定された値と比較されている。支持構造は、７０線／インチに相当するメッシュ幅を有するニッケルで作られたメッシュ状支持構造である。このメッシュ状支持構造について得られる機械的および熱的安定性の改善は、支持構造を持たないフィルタと比較して２０％の透過率の損失を伴う。
【００４９】
比較のために、図６は、メッシュおよび表面での酸化を防止するためのロジウム層を備えたフィルタの分光特性を示す。このフィルタの層配列は、以下の通りである：Ｒｈ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｒｈ。
【００５０】
図７は、メッシュ構造を持たない層構造Ｒｈ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｒｈを有するフィルタの対応するグラフを示す。
【００５１】
図８は、電子貯蔵リング装置（electron storage ring facility）ＢＥＳＳＹ ＩＩ上の双極子磁石（dipole magnet）の放射線の分光特性、並びに１０°の偏角の下でロジウム塗布ミラー上で反射した後の同双極子磁石の放射線の分光特性を示す。プロットされた強度は、ロジウム塗布ミラー上での反射後の双極子磁石の放射線の最大強度について目盛った。上記フィルタ（Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ）が双極子磁石およびロジウムミラーの後段に配置される場合、ほぼ９２ｅＶにおいてほぼ３５ｅＶのピーク半値幅を有する最大強度が得られる。
【００５２】
図９は、第１の試験フィルタの分光特性の代わりに、第２の試験フィルタ（Ｒｈ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｒｈ）の分光特性を示す。この場合のピークの半値幅は、わずかになおほぼ２０ｅＶである。試験フィルタの後側の放射線は、ＥＵＶリソグラフィーシステムの光学要素のための初期放射線として非常に好適である。
【００５３】
寿命試験中に、両フィルタに対する１０-8ｍｂａｒの真空中２００時間にわたる１Ｗ／ｃｍ2のＥＵＶ放射線は、測定し得る変化をもたらさなかった。大気中に保管したとき、１２ヶ月の期間内で透過性における変化は認められなかった。
【００５４】
図１０は、フィルタ１０の概略構造を示す。５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さのシリコン層２が、１０ｎｍ〜４０ｎｍの厚さのジルコニウム層１ａの両側に配置されている。両側に、１ｎｍ〜２ｎｍの厚さの酸化物層４および０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの厚さの炭素含有層５が堆積されているが、フィルタ１０の透過挙動に決定的な影響を持たない。全体のシステムは、機械的および熱的安定性を得るために、ニッケルメッシュ３上に設けられている。
【００５５】
図１１は、さらなるフィルタ１０の構造を示す。フィルタ１０の両側で、ジルコニウム層１ａおよび２つのシリコン層２は、それぞれ、０．１ｎｍ〜５０ｎｍ（好ましくは、１ｎｍ〜２０ｎｍ、特に５ｎｍ）の厚さのルテニウム層６ａまたはロジウム層６ｂを有し、その上に、０．５ｎｍ〜１．５ｎｍ、特に１ｎｍの厚さの炭素含有層５が大気中で堆積されている。場合により、ホウ素、炭素、窒素および／または酸素を含有する厚さ０．１ｎｍ〜５０ｎｍ（好ましくは、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ、特に２ｎｍ）の拡散バリヤーを、層６ａまたは６ｂとシリコン層２の間に設けることができる。ルテニウム層６ａまたはロジウム層６ｂにより、機械的安定性および可使寿命が改善されるばかりでなく、フィルタ１０の分光特性が狭くなる。
【００５６】
全体のシステムは、機械的および熱的安定性の目的で、ニッケルメッシュ３上に設けられている。
【００５７】
ルテニウム層６ａまたはロジウム層６ｂの代わりに、製造プロセス中に、ホウ素、炭素、窒素、および／または酸素を含有する厚さ０．１ｎｍ〜５０ｎｍの層６ｃをシリコン層２上に直接適用することもでき、場合によっては、厚さ０．５〜１．５ｎｍの追加の炭素含有層５を上記層６ｃ上に大気中で堆積させることができる。（図１２参照）。
【００５８】
図１３は、上に示した厚さでの個々の材料シリコン、ニオブ、酸素および炭素の分光特性を示す。さらに、得られたフィルタ（Ｓｉ−Ｎｂ−Ｓｉ）の分光特性も示されている。図１３に見られるように、ニオブの透過率は、ほぼ７０ｅＶから、より低い光子エネルギーに対してかなり減少する。他方、シリコンの透過率は、９８ｅＶから、より高い光子エネルギーに対してかなり減少する。９２ｅＶ（１３ｎｍに対応）付近の関連範囲における酸化物層の透過率は、ほぼ一定である。酸素がシリコンを酸化するということは、透過率に影響を及ぼさない。重要な要因は、存在する原子の数だけである。炭素層の透過率は、初期近似において１で一定である。従って、薄い自然酸化物並びに炭素層の分光的影響は非常に小さい。しかしながら、これらの層は、大気中およびＥＵＶ放射下の真空中における光学フィルタの可使寿命に正の影響を有する。フィルタは、９２ｅＶ付近のエネルギーバンドに対し６０％を超える透過率が存在するという効果を有する。５０ｅＶ未満および約１００ｅＶを超えると、透過率は、明らかに１０％を下回る。２５０ｅＶを超えた場合のみ、透過率が再び約１０％を上回り始める。しかし、今日知られており、ＥＵＶリソグラフィー用の光源として使用し得る線源はこのエネルギー範囲で顕著なフローを示さないので、この事実はさほど意味のあるものではない。
【００５９】
図１４は、上に述べた厚さにおける個々の材料シリコン、モリブデン、酸素および炭素の分光特性を示す。さらに、得られたフィルタ（Ｓｉ−Ｍｏ−Ｓｉ）の分光特性も示されている。図１４から結論付けられるように、モリブデンの透過率は、ほぼ７０ｅＶから、より低い光子エネルギーに対してかなり減少する。他方、シリコンの透過率は、９８ｅＶから、より高い光子エネルギーに対してかなり減少する。９２ｅＶ（１３ｎｍに対応）付近の関連範囲における酸化物層の透過率は、ほぼ一定である。酸素がシリコンを酸化するということは、透過率に影響を及ぼさない。重要な要因は、存在する原子の数だけである。炭素層の透過率は、初期近似において係数１である。従って、薄い自然酸化物並びに炭素層の分光的影響は非常に小さい。しかしながら、これらの層は、大気中およびＥＵＶ放射下の真空中における光学フィルタの可使寿命に正の影響を有する。フィルタは、９２ｅＶ付近のエネルギーバンドに対し６０％を超える透過率が存在するという効果を有する。５０ｅＶ未満および約１００ｅＶを超えると、透過率は、明らかに１０％を下回る。２００ｅＶを超えた場合のみ、透過率が再び約１０％を上回る。しかし、今日知られており、ＥＵＶリソグラフィー用の光源として使用し得る線源はこのエネルギー範囲で顕著なフローを示さないので、この事実はさほど意味のあるものではない。
【００６０】
図１５および図１６において、ロジウムの分光特性、並びに得られたフィルタ（図１５：Ｒｈ−Ｓｉ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｒｈ；図１６：Ｒｈ−Ｓｉ−Ｍｏ−Ｓｉ−Ｒｈ）の分光特性も示されている。ロジウムの低い酸化により、炭素層だけがフィルタ表面上に生成する。最大でほぼ５５％に達する減少した透過率故に、より狭い分光特性が得られる。５０ｅＶ〜８０ｅＶの範囲における透過率は、フィルタ（Ｓｉ−Ｎｂ−Ｓｉ−またはＳｉ−Ｍｏ−Ｓｉ）に対して明らかに減少している。
【００６１】
図１〜図７および図１３〜図１６で調べたフィルタは、以下の層厚さを有するものであった：
Ｓｉ              各８０ｎｍ
Ｒｈ              各３ｎｍ
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ  ２０ｎｍ。
【００６２】
図１７は、フィルタ１０の概略構造を示す。５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さのシリコン層２が、１０〜４０ｎｍの厚さのニオブ層１ｂの両側に配置されている。両側に、１ｎｍ〜２ｎｍの厚さの酸化物層４および０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの厚さの炭素含有層５が配置されているが、フィルタ１０の透過挙動に決定的な影響を持たない。全体のシステムは、機械的安定性を目的として、ニッケルメッシュ３上に配置されている。ニオブ層の代わりに、モリブデン層１ｂを設けることができる。
【００６３】
図１８は、さらなるフィルタ１０の構造を示す。フィルタ１０の両側において、ニオブ層１ｂおよび２つのシリコン層２は、１ｎｍ〜５０ｎｍ（好ましくは、１ｎｍ〜２０ｎｍ）の厚さのロジウム層６ｂを有し、その上に０．５ｎｍ〜１．５ｎｍの厚さの炭素含有層５が大気中で堆積されている。ロジウム層６ｂの代わりに、ルテニウム層を設けることができる。場合により、ホウ素、炭素、窒素および／または酸素を含有する厚さ０．１ｎｍ〜５０ｎｍ（好ましくは、１ｎｍ〜１０ｎｍ、特に２ｎｍ）の拡散バリヤーをロジウム層６ｂとシリコン層２の間に設けることができる。ロジウム層６ｂにより、機械的安定性および可使寿命が改善されるばかりでなく、フィルタ１０の分光特性も向上する。
【００６４】
全体のシステムは、機械的および熱的安定性を目的として、ニッケルメッシュ３上に配置されている。
【００６５】
スタンドアロン型フィルタシステムの代わりに、材料をＥＵＶ部材の上に直接適用することもできる。この場合、中心面に対する層配置の対称性は、断念することができる。
【００６６】
図１２と同様に、ロジウム層６ｂの代わりに、製造プロセス中に、０．１ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有し、ホウ素、炭素、窒素、および／または酸素を含有する層６も、シリコン層２上に直接適用することができ、場合により、０．５〜１．５ｎｍの厚さの追加の炭素含有層５を前記層５上に大気中で堆積させることができる。
【００６７】
現在の実験は、シンクロトロン放射線源における光線経路に上に記述したフィルタを設けることは、同フィルタの後に置かれた多層ミラーの可使寿命において、５〜１０倍の増加をもたらすことを示している。
【００６８】
本発明により、特にＥＵＶ用途のための、狭周波数帯分光フィルタが入手可能となり、その分光フィルタは適切な分光特性を有するばかりでなく、操作条件下および大気中での長い可使寿命を有し、また高い機械的安定性を有する。さらに、このフィルタは、後続する光学要素のためのデブリに対する保護として好適である。その顕著な特性および経済効率のために、このフィルタは、超紫外光を用いた大量生産リソグラフィーにおける使用に特に適している。
【００６９】
図１９は、光源１８と、光学要素１６ａ〜１６ｆを備える照明システム１２と、レチクル１４と、光学要素１７ａ〜１７ｆを備える投影対物レンズ（projection objective）１３とウエハ１５を具備する投影照明システム１１を示す。照明システム１２は、出願ＤＥ１０１００２６５．３においてより詳細に記載されている。投影対物レンズは、ＤＥ１９９４８２４０．３により詳細に記載されている。レーザプラズマ源またはピンチプラズマ源（pinch plasma source）が、光源１８として使用される。光源１８の光は、二次光源１８ａ上の楕円ミラー（ellipsoid mirror）１６ａとして設計された集光装置（collector unit）により投影される。ついで、光は、ミラー１６ｄおよび１６ｃからなる反射性ハニカム集光鏡を通過死する。後続のミラー１６ｄ、１６ｅおよび１６ｆを備えた視野レンズが、環状視野（ring field）を有するレチクル１４を照射し、照明システムの出力ひとみ（output pupil）を投影対物レンズの入力ひとみに合せて調節する。投影対物レンズ１３は、レジストとも呼ばれる感光層を備えた基板であるウエハ１５上のレチクル１４の照射部分を投影する。このために、光線は、ミラー１７ａ〜１７ｆから反射される。ここで、投影対物レンズ１３は、中間イメージ１８ｂを有する。投影対物レンズ１３の光学軸は、破線で示されている。
【００７０】
１９ａ〜ｄをもって、本発明によるフィルタが配置されうる位置が、２つの交差ビーム（crossbeams）を有する線によって示されている。これらの位置は、単に例に過ぎないものと解釈すべきである。フィルタは、光線断面が比較的小さいが、ビームウエストおよび焦点外にあるような点に適切に配置される。フィルタは、例えば位置１９ａにおいて、放射線源と光学システムとの間の真空関連分離（vacuum-related separation）として作用し得る。また、フィルタは、例えば位置１９ｄにおいて、光学システムとレジスト塗布ウエハ１５との間の真空関連分離としても作用し得る。ＡおよびＢで示される矢印は、投影照明システム１１の寸法を示す。Ａは、１ｍを表わし、Ｂは、ちょうど１．５０ｍを示す。光学要素は、ほぼ３０ｃｍの直径を有する。普通、光線経路にはフィルタが１つだけ配置されるであろう。非常に良好な透過率を有するフィルタについては、２つまたはそれ以上のフィルタを光線経路に配置するかどうかを考慮する。
【００７１】
ＥＵＶ投影リソグラフィーにおいて、使用するＥＵＶ放射線のスペクトル狭窄のための手段を放射線源の後段に用いることが特に有利である。これらの手段は、上記フィルタのような吸収フィルタであるか、または回折格子と光線トラップ（ray trap）の組合せであり得る。また、線源放射線の波長スペクトルが９２ｅＶ付近の有用範囲に集中させる他の全ての要素が想定される。スペクトル狭窄のための手段は、フィルタ５０ｅＶ未満および１００ｅＶを超えるスペクトル範囲を濾過除去するか、これらの波長範囲における透過率を好ましくは最大強度の１０％未満まで減少させるべきである。フィルタは、特にＵＶおよびＤＵＶ放射線をほとんど完全に濾過除去する。例えばＵＶおよびＤＵＶ波長範囲における光化学のような光誘起効果は、劇的に抑制される。これは、ＥＵＶリソグラフィーに必要なスペクトル範囲内の放射線のほかに、可視スペクトル範囲並びにＵＶおよびＤＵＶにおける部分（shares）を有する。スペクトル狭窄により、投影照明システムの後続の要素のミラー表面に対する光誘起プロセスによる組合せ効果は、明らかに減少し得る。
【００７２】
図２０〜図２３は、以下の層配列を有するさらなるフィルタの態様を示す：
図２０：Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）／Ｒｈ（３ｎｍ）／Ｓｉ（８０ｎｍ）／Ｚｒ（２０ｎｍ）／Ｓｉ（８０ｎｍ）／Ｒｈ（３ｎｍ）／Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）；
図２１：Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）／「ＢＣＮＯ」（３ｎｍ）／Ｓｉ（８０ｎｍ）／Ｚｒ（２０ｎｍ）／Ｓｉ（８０ｎｍ）／「ＢＣＮＯ」（３ｎｍ）／Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）；
図２２：Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）／Ｒｈ（３ｎｍ）／「ＢＣＮＯ」（３ｎｍ）／Ｓｉ（８０ｎｍ）／Ｚｒ（２０ｎｍ）／Ｓｉ（８０ｎｍ）／「ＢＣＮＯ」（３ｎｍ）／Ｒｈ（２ｎｍ）／Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）;
図２３：Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）／Ｒｈ（３ｎｍ）／Ｚｒ（２０ｎｍ）／Ｒｈ（３ｎｍ）／Ａｒ（０．０５ｍｂａｒで１ｍ）。
【００７３】
全ての場合において、０．０５ｍｂａｒの圧力を有する１ｍの厚さのアルゴンガスのガス層をフィルタの前後に配置することが計画され、このガス層は、濾過プロセスにも寄与する。
【００７４】
図２３に示す例は、いずれの場合にも１００ｅＶを超える放射線を発出することのないＥＵＶとともに好ましく使用される。このタイプの特性を有する放射線は、また、放射線をＳｉ含有フィルタで予め濾過することによっても達成され得る。このフィルタの利点は、８０ｅＶ未満での継続する強い抑制を伴って、９２ｅＶ付近の範囲におけるより高い透過率にある。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図２】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図３】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図４】支持構造を有しないフィルタの分光特性を示す図。
【図５】支持構造を有するか有しないフィルタの分光特性を示す図。
【図６】支持構造を有するか有しないフィルタの分光特性を示す図。
【図７】支持構造を有しないフィルタの分光特性を示す図。
【図８】シンクロトロン放射線源に配置されたときのフィルタの効果を示す図。
【図９】シンクロトロン放射線源に配置されたときのフィルタの効果を示す図。
【図１０】フィルタの構造を示す図。
【図１１】フィルタの構造を示す図。
【図１２】フィルタの構造を示す図。
【図１３】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図１４】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図１５】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図１６】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図１７】フィルタの構造を示す図。
【図１８】フィルタの構造を示す図。
【図１９】フィルタを備えた光学システムを示す図。
【図２０】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図２１】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図２２】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【図２３】個々の層とそれから構成されるフィルタの分光特性を示す図。
【符号の説明】
【００７６】
１ａ…ジルコニウム層
１ｂ…モリブデン層
２…シリコン層
３…支持構造
４，５…追加の層
６ａ…ルテニウム層
６ｂ…ロジウム層
６ｃ…ホウ素、炭素、窒素および／または酸素含有層
１１…投影照明システム
１２…照明システム
１３…投影対物レンズ
１４…レチクル
１５…ウエハ
１６ａ〜１６ｆ…光学要素
１７ａ〜１７ｆ…ミラー
１８…光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004524524.tif 000019
【図１８】
2004524524.tif 000020
【図１９】
2004524524.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004524524.tif 000079
2004524524.tif 000080
【国際調査報告】
2004524524.tif 000081
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