(57)【要約】ニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶を予め状態調節して、計画的にその伝導性を増大させ、このように表面電荷を減少する能力が増大された結晶が提供される。表面電荷を減少することは、結晶が破滅的に放電し、かつ結晶が配合されるデバイスの性能に不利に影響するリスクを減らす。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶を予め状態調節して結晶表面の電荷を減少する結晶の能力を増大させる方法において、結晶を化学的に還元する雰囲気下で加熱し、かつ前記結晶を化学的に還元する雰囲気下でその温度を約２５０℃以下まで減少させることにより急冷することを含む、ニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶を予め状態調節する方法。
【請求項２】
結晶を化学的に還元する雰囲気下で、その温度を約２５０℃〜約１００℃の間に減少させることにより急冷する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
さらに急冷された結晶を酸化雰囲気下で室温まで冷却する工程を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
加熱工程は、結晶を４００℃より高い温度まで加熱することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
加熱工程は、結晶を約４００℃〜約１１４０℃の間の温度範囲まで加熱することを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
化学的に還元する雰囲気がアルゴン、水、水素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素およびこれらの組合せ物から選択されたガスを含む、請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、予め状態調節されたニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムの結晶およびその製法という名称で１９９７年、７月２５日に提出された出願番号０８／９００， １７９の先願米国特許の一部継続出願である。
【０００２】
本発明の分野
本発明は、ニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムの改善された結晶、ならびに弾性表面波フィルターデバイスのような電気的用途に使用するために、このような結晶を予め状態調節する方法に関する。
【０００３】
本発明の背景
ニオブ酸リチウム（ＬＮ）およびタンタル酸リチウム（ＬＴ）は、弾性表面波（ＳＡＷ）の信号処理、案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学的レーザーのＱスイッチングおよび変調を含めて多種多様の電子的用途に広範に使用されている。このタイプの用途に適したＬＮ結晶およびＬＴ結晶についての物理学的な基礎は、原子的規模の結晶構造にあり、この構造は、ＳＡＷを基礎とするデバイスに有用な結晶の自然な圧電気応答、光学的集積デバイスに有用な電子光学的応答および焦電気検出器に有用な焦電気応答を生じる。幾つかの用途において重要であり得るＬＮおよびＬＴの別の特性は、結晶の光学吸収にある。例えば、光学的集積デバイスは、比較的小さな光学吸収を必要とするが、他方、他のデバイス、例えばＳＡＷフィルターは、低い光学吸収を必要としない。幾つかの場合において、結晶のこの自然な物理的応答は、結晶処理を複雑にする可能性があり、かつ結晶が配合されるデバイスに不利に影響する可能性がある。
【０００４】
結晶の焦電気応答または圧電気応答は、二次加工された結晶の外側表面を、結晶の温度変化に応じてかまたは結晶に加えられた機械的応力に応じて帯電させる。この表面電荷は、自然と短絡する可能性があり、点火と関連して、著しい処理または性能の欠陥を引き起こし、結晶の亀裂さえも引き起こす。このような性能の欠陥の１つの共通の例は、デジタル無線用途において使用されるＬＮを基礎とするＳＡＷフィルターの受け入れがたい高いビットエラー速度にある。このようなタイプの欠陥を回避するために、このタイプのフィルターに対する常用の生産プロトコルは、このようなスプリアスの焦電気または圧電気により誘発された欠陥を生じる傾向にあるフィルターを排除するように設計された、高価で費用のかかるデバイス試験を含んでいる。
【０００５】
ＬＮ結晶またはＬＴ結晶を電子デバイス中に配合する方法は、不時の望ましくない焦電気または圧電気の応答を呼び出す条件に結晶をさらすという数工程を含む。表面電荷の意図しない蓄積に関連した問題のリスク、例えば製造中での前記電荷の崩壊的放電を減少させることに努力する場合には、製造業者は、結晶をデバイス中に配合する費用、時間および煩雑さが著しく付加される数工程を取らなければならなかった。
【０００６】
常法によって製造されたＬＮ結晶およびＬＴ結晶に関連して、表面電荷は、結晶自体内または周囲環境からの遊離電荷の移動によって中和されるように時間と共にゆくゆくは崩壊しうる。この自然な崩壊は、表面電荷の発生後に起こり、かつ結晶表面が結晶の自然な焦電気または圧電気の応答の結果として帯電される程度を何等軽減するものでもないし、最小化するものでもない。
【０００７】
弾性表面波（ＳＡＷ）のフィルターデバイス、案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学的なＱスイッチングおよび変調のような用途に対して信頼のあるＬＮ結晶およびＬＴ結晶についての要求が増大していることに関連して、このような用途に対して望ましい性質を連続的に示しかつ過剰のスプリアスの焦電気または圧電気の表面電荷の蓄積と関連した欠点を蒙らないＬＮ結晶およびＬＴ結晶が必要とされる。
【０００８】
本発明の要約
本発明によれば、ＬＮ結晶またはＬＴ結晶は、結晶表面の電荷を減少させる結晶能力を増大させるために予め状態調節される。本発明による結晶は、好ましくは電荷が発生するのと同程度に迅速に（結晶の自然な焦電気または圧電気の応答によって引き起こされる）表面電荷の蓄積を有効に減少させるかまたは消滅させることによって電荷を減少させることができる。
【０００９】
また、本発明は、結晶表面の電荷を減少させる結晶の能力を増大させるためにＬＮ結晶またはＬＴ結晶を予め状態調節する方法に関する。本発明の方法の見地の好ましい１実施態様において、結晶表面の電荷を減少させる結晶能力は、結晶内の自由電子密度を増大させるために、結晶を熱と化学的に還元する雰囲気との組合せ物にさらし、続いて得られた結晶を約２５０〜約１００℃の範囲内で制御して急冷することによって増大されている。この結晶を急冷した後に酸化または還元雰囲気下で室温まで冷却してもよい。
【００１０】
本発明は、結晶の自然な焦電気または圧電気の応答によって誘発される結晶表面上の電荷、特に結晶が配合されているデバイスの標準の操作とは無関係に機械的応力または温度変化の結果として形成される表面電荷の蓄積を有効に最小化することができる結晶を提供する。好ましい１実施態様において、予め状態調節された結晶は、表面電荷が発生される程度と同程度に迅速に変化を中和するかまたは消滅させることによって表面電荷を減少させることができる。
【００１１】
有利な実施態様の詳細な説明
本発明によるＬＮ（Ｌｉ２ＯとＮｂ２Ｏ５から形成された化合物）結晶およびＬＴ（Ｌｉ２ＯとＴａ２Ｏ５から形成された化合物）結晶は、弾性表面波（ＳＡＷ）の信号処理、案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学的レーザーのＱスイッチングおよび変調のような用途に好適な結晶を形成させる圧電気応答および焦電気応答を示す。本発明は、以下のＬＮ結晶の記載内容に記載されているが、この記載は、ＬＴのような他のタイプの結晶に等しく適用できるものと考えられる。
【００１２】
ＬＮ結晶およびＬＴ結晶は、数多くの技術によって成長させることができ、その中で最もよく知られたものは、チョクラルスキーによる技術である。このチョクラルスキーによる技術の概論は、Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｔｏｐｉｃｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ， 第１巻， Ｅ． Ｋａｌｄｉｓ編， Ｎｏｒｔｈ Ｈｏｌｌａｎｄ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．， １９７８， ｃｈ． ７ Ｄｒ． Ａｒｍｉｎ Ｒａｅｕｂｅｒ， 第５４５〜５４８ページに見出すことができ、その内容を参照してここに導入する。チョクラルスキーによる技術によって成長されたＬＮ結晶は、溶融液からＬＮを引上げることによって達成される。ほぼ任意の常用の結晶引上げ装置を使用することができる。加熱されるＬＮが入っている坩堝は、白金であってよい。雰囲気に対しての特殊な要求は何もなく、この場合には、空気を用いるのが多くの状態において好ましい。
【００１３】
本発明の従来の技術に記載されているように、ＬＮ結晶は、自然な圧電気応答および焦電気応答を示す。結果として、下記の比較例に説明されているように、ウェファーの形のＬＮ結晶は、温度変化を受けた際の表面電荷、例えばこのような結晶が処理されかつ電気デバイス中に配合された際か、またはこのデバイスが使用された際に受けた表面電荷を蓄積する。自然に消滅させるために拡張された時間（例えば、１５〜２０時間）を取ることができる前記表面電荷は、デバイスの機能不調または欠陥をまねきうる点火または短絡を引き起こしうるか、または結晶の亀裂さえも引き起こす。これとは異なり、実施例および次の比較例に記載されているように、本発明の予め状態調節されたＬＮウェファーは、結晶の自然な焦電気応答から生じる表面電荷の少なくとも一部の蓄積を有効に減少させることができる。表面電荷を有効に減少させることにより、（１）点火のリスクを減少し、デバイス欠陥のリスクを減少させることができ；かつ（２）表面電荷の蓄積を減少するために通常使用される費用と時間のかかる処理工程の必要性は、回避される。
【００１４】
特定の理論に限定する意図はないが、しかし、本発明の予め状態調節された結晶について観察された表面電荷の減少は、予め状態調節されなかった結晶と比較して予め状態調節された結晶の導電性が増大した結果であると考えられる。有利には、結晶の導電性は、意図した目的にとって望ましい結晶を形成させる他の物理的性質および電気的性質の点で著しい変化なしに増大される。この導電性の増大は、＋５の酸化状態から＋４の酸化状態へのニオブまたはタンタルの一部の酸化状態の有効な変化により生じるものと考えられる。電子密度の増大は、結晶の導電性を増大するものと考えられ、この場合この結晶は、結晶の自然な圧電気応答または焦電気応答により生じる表面電荷を迅速に中和させるかまたは消滅させることができる。ＬＮ結晶を予め状態調節する１つの好ましい方法は、下記に記載されている。また、結晶の他の物理的性質および電気的性質に不利な影響を及ぼすことなしに結晶の導電性を増大させることができる他の技術は、本発明によれば、表面電荷を減少させるＬＮ結晶またはＬＴ結晶の能力を増大させるために使用することもできる。下記の特殊な方法は、対照の簡易化および簡便性のために好ましい。
【００１５】
本発明によるＬＮ結晶またはＬＴ結晶は、結晶表面上の電荷を中和させるかまたは消滅させる結晶能力を増大させるために処理された。予め状態調節されていない結晶とは異なり、好ましい１実施態様の方法を使用することにより状態調節された予め状態調節された結晶は、明るい灰色から暗青色または黒色までの範囲の色を示す。結晶は、結晶を状態調節するために使用される状態に依存して、明色に着色されていても、または不透明であってもよい。この色の変化に関連して、好ましい実施態様の予め状態調節された結晶は、光学吸収が重要な結晶の性質でない場合の用途にとって好ましい。予め状態調節された結晶は、焦電気応答を呼び出す条件にさらされた後に、本発明による予めの状態調節を行なわずに同じ条件にさらされた結晶から観察される表面電荷よりも少なく表面電荷を示す。実施例中に下記したように、一定の状態の場合には、好ましい実施態様の予め状態調節された結晶は、測定可能な表面電荷の形成を生じる焦電気応答を通常呼び出す温度変化にさらされた後に、測定可能な焦電気帯電を何も示さない。
【００１６】
本発明によるＬＮ結晶を予め状態調節する１つの方法は、化学的に還元する雰囲気下でＬＮ結晶のウェファーを熱にさらすことを含む。ウェファーを予定した時間の間、所望の温度にさらした後に、このウェファーは、結晶を化学的に還元する雰囲気下で約２５０〜約１００℃の範囲内の温度に冷却することにより急冷される。次に、急冷された結晶は、還元雰囲気または酸化雰囲気下、たとえば空気の下で室温まで冷却するのが有利である。ＬＮ結晶ウェファーの好適な予めの状態調節は、約１分〜約２００分の程度の滞留時間で窒素ガス８５％と水素ガス１５％の雰囲気下で約５００℃を上回る炉中でウェファーをターゲット温度にさらすことによって達成できる。ウェファーを予定された時間の間ターゲット温度にさらした後に、このウェファーは、オーブン中の結晶をはじめに加熱しておいた同じ還元雰囲気下または異なる還元雰囲気下で冷却することにより急冷できる。結晶を還元雰囲気下で急冷し（酸化雰囲気に対抗するように）、より高い温度で起こる還元の戻りを回避するのが好ましい。急冷の目的は、化学的に還元する雰囲気下での初期加熱工程から生じる非平衡条件を維持しながら結晶を冷却することである。理論に制限されることなく、化学的に還元する雰囲気下での初期加熱工程は、準安定な条件を結晶に与えていると考えられるが、その際、結晶はその酸素含有率に関して平衡ではない。急冷工程は、この準安定な状況を固定（ｌｏｃｋ ｉｎ）すると考えられる。この非平衡条件を有効に固定するに際して、初期加熱工程で達成された還元の戻りを最小化するかまたは回避するために、冷却工程を化学的に還元する雰囲下で実施する必要があると考えられている。結晶が約１００℃またはそれ以下の温度に到達したら直ぐに、この結晶を化学的に還元する雰囲気または酸化雰囲気下で室温まで冷却することができる。急冷された結晶の冷却を酸化雰囲気下で実施する場合には、還元された結晶の酸化を最小化するために、酸化雰囲気の導入は、結晶温度が約１００℃以下に減少した後に行うのが好ましい。
【００１７】
以下の実施例中に詳説されているように、焦電気応答を呼び出す条件にさらされた予め状態調節された結晶ウェファーは、本発明による場合と同じ条件にさらしたが、しかし、予め状態調節されていない同一のウェファー上に蓄積される表面電荷よりも少ない表面電荷を示す。更に、検出可能な表面電荷が観察される場合には、常用の静電界計量器を使用することにより検出可能なレベル未満で表面電荷を崩壊するために必要な時間の長さは、予め状態調節されていない結晶ウェファーと比較して予め状態調節された結晶の場合には短い。
【００１８】
上記のものおよび以下の実施例に記載されたもの以外に、結晶の望ましい性能特性に不利な影響を及ぼすことなしに表面電荷を減少させる結晶の能力を増大させるのに適した他のターゲット温度、加熱速度および冷却速度、滞留時間および雰囲気も使用することができる。例えば、下記した水素と窒素とのガス混合物の他に、本発明によれば、他のガス、例えば水素だけ、窒素だけ、アルゴン、水、二酸化炭素、一酸化炭素およびこれらの組合せ物を使用することもできる。窒素ガス８５％と水素ガス１５％との組合せ物は、数多くの市販元から容易に入手可能であるために好ましい。異なるガス混合物は、達成される還元の程度に応じて異なる結果を提供することが予想される。
【００１９】
結晶ウェファーが加熱される速度は、重要なことではないと考えられる。ＬＮ結晶の有効な予めの状態調節は、毎分約６℃〜約７℃の加熱速度で達成できる。同様に、冷却速度も重要ではないと考えられ、毎分約０．５℃〜約１００℃の範囲内の冷却速度で達成できるＬＮ結晶の有効な予めの状態調節は良好な結果を提供した。また、前記のものを上回るかまたは下回る他の加熱速度および冷却速度も使用できる。
【００２０】
有効な予めの状態調節は、５００℃を上回る炉温度で達成される。好ましくは、この炉温度は、約５００℃〜約１１４０℃（ニオブ酸リチウムに対するキュリー温度）、最も好ましくは約７５０℃〜約１１４０℃の範囲内にある。より高い温度は、好ましい。それというのも、この温度は、前記範囲の下限付近の温度と比較して表面電荷を減少させる結晶の能力の著しい増大を提供するからである。上記範囲の下限付近の温度に近い炉温度に関連して、表面電荷を減少させる結晶の能力の増大が観察されるが、しかし、この増大は、より高い温度で観察される増大と比較して大きくはない。また、このような増大は、５００℃を上回る温度で観察されるものを下回るにもかかわらず、表面電荷を減少させる結晶の能力の増大は、約５００℃を下回る温度でも観察される。上記したように、結晶の他の性質に対する予めの状態調節の効果に依存して、より低い温度が好適であってもよく、実際に好ましい。
【００２１】
結晶が本発明によりターゲット温度にさらされる滞留時間は、変動させることができる。所定のターゲット温度および雰囲気に対して滞留時間を増大させることにより、より短い滞留時間でターゲット温度にさらされる結晶と比較して表面電荷の蓄積を減少させる結晶の能力が増大される。より短い滞留時間は、処理時間および処理に対するエネルギー要件を最小化する見地から好ましい。
【００２２】
本発明による１つの方法を実施する方法によれば、急冷工程の終了近くに結晶が約１００℃またはそれ以下の温度に到達したら直ちに、結晶周辺の雰囲気をゆっくりと酸化雰囲気に変換することができる。１００℃を上回る温度で結晶を酸化雰囲気に接触させることの回避は、すでに還元された結晶の酸化を回避するために好ましい。
【００２３】
以下の比較例および引続く実施例に詳細に記載されているように、自然な焦電気応答を呼び出す条件にさらされた本発明による予め状態調節されたＬＮ結晶ウェファーは、予め状態調節されていないが、同じ条件にさらされた常用のＬＮウェファーに対して観察された表面電荷を下回る表面電荷を示す。
【００２４】
比較例
この比較例により、本発明による予めの状態調節を行なわなかった常用のＬＮ結晶の自然な焦電気応答を詳説する。
【００２５】
表面法線に対してｙ方向に６４゜回転して配向された直径７６ｍｍおよび厚さ０．５ｍｍのＬＮウェファーを、チョクラルスキー法および常用の二次加工法を使用することにより調製した。このウェファーの片面を研磨し、このウェファーは、無色で半透明であった。このウェファーをホットプレート上で１２５℃で電気的に中和した。電気的中和に引き続いて、このウェファーを４５分間にわたり８０℃まで冷却し、かつ同じホットプレートを用いて８０℃で維持した。Ｍｏｎｒｏｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社からＤｉｇｉｔａｌ Ｓｔａｔ−Ａｒｃ ２， Ｍｏｄｅｌ Ｎｏ． ２８２−１の商標名で入手できる実験室用静電界計量器を使用することにより、ウェファー表面は、ウェファーの全表面積に対して少なくとも５×１０−９クーロンの電荷を有することが測定された。表面電荷を連続的に監視し、かつ５分間ごとに記録した。８０℃でほぼ１時間たった後に、表面電荷を再び測定し、かつ本来の表面電荷の約６０％に徐々に崩壊されることが観察された。全表面電荷が８０℃でウェファーの全表面積に対して５×１０−１１クーロンを下回るレベルまで消滅されることが観察されたのは、８０℃で約１５時間の延長時間後にすぎず、これは、静電界計量器の検出限界であった。
【００２６】
この比較例の場合には、表面電荷およびその崩壊は、８０℃で観察された。室温で検出限界を下回って表面電荷を崩壊させるのに必要とされる時間の長さは、十分に長いであろう。
【００２７】
この比較例により、ＬＮの自然な焦電気応答から生じるＬＮウェファーの表面電荷および蓄積された電荷を自然に消滅させるのに必要とされる時間の長さが詳説される。
【００２８】
実施例
この実施例において、本発明により表面電荷を減少させるＬＮウェファーの能力を増大させるために、ＬＮウェファーを予め状態調節する。
【００２９】
ＬＮウェファーを、比較例の場合のウェファーの源として役立つ同じボウルから細断した。ウェファーを研磨し、かつ比較例に記載されたウェファーと同一の方法で重ねた。これらのウェファーを、窒素ガス８５％と水素ガス１５％との混合物が毎分約１．５リットルの速度で流通する封止された炉中に置いた。この炉は、水平方向の直径４インチのアルミナ処理管を備えた３つの帯域の管状炉から成り立っていた。ウェファーを前記処理管の中心に置かれたアルミナ担体によって支持した。アルミナ処理管は、炉から延在しており、従ってこのアルミナ処理管の端部は、さらされかつ冷却されたままである。アルミナ処理管上のＯリングシールは、封止された炉空隙を提供した。ウェファーを処理管中に入れ、次にこの処理管を端部キャップで封止した。ガス流を流し始め、炉の加熱スケジュールを開始した。炉の温度を室温から毎分約６．７℃の速度でターゲット温度に増加させた。ターゲット温度に到達したら直ちに、この温度を予め定めた滞留時間の間、維持した。滞留時間後、炉を自然冷却させた。一方で、結晶は、その温度が１００℃未満に到達するまで化学的に還元された雰囲気中に残した。約１００℃未満に到達された後、空気を炉内へ導入することにより、結晶周囲の雰囲気をゆっくりと酸化雰囲気へ変化させた。室温まで到達した後、ウェファーを炉から取り出し、このウェファーの視覚による外観を品質について観察し、かつ記録した。Ｘ線回折分析により、物質の本来の結晶構造が確認された。予め状態調節されたウェファーに、比較例の記載と同じホットプレート処理を行ない、温度変化にさらされた後のウェファーの表面電荷、および表面電荷が静電界計量器の検出限界よりも低い５×１０−１１クーロンを下回って減少することが必要とされる電荷崩壊時間を確認した。ターゲット温度が５００℃またはそれ以上で設定されたウェファーおよびターゲット温度が４００℃でありかつ滞留時間が２００分であるウェファーについては、８０℃への冷却直前、冷却中および冷却の完結後に測定された表面電荷は、静電界計量器の検出限界を下回っていた。この観察により、電荷は１秒未満で崩壊したものと推測された。ウェファーの表面抵抗率を、Ｍｏｄｅｌ ８００８ 抵抗率試験取付け具を備えたＫｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｍｏｄｅｌ ４８７ ピコ電流計／電圧源を用いて測定した。表面抵抗率を、２つの電極の間の環状間隙を横切る２００ボルトの電圧を印加することによって測定した。両電極は、環状であり（一方は、大きなドーナツ形状の電極であり、他方は、大きな電極内に位置した小さな環形状のものである）、かつ導電性ゴムを使用することにより、研磨されたウェファー表面に接触されていた。環状電極の“有効な周長”は、１６．９７センチメートル（６．６８インチ）であり、間隙幅は、０．３２センチメートル（１インチの１／８）であった。表面抵抗率Σは、６．６８／０．２５×Ｕ／Ｉ＝５３．４×Ｕ／Ｉによって記載され、この場合Ｕは、印加された２００ボルトであり、かつディスプレイが安定である場合には、Ｉは、電圧を印加してから約１分後に読み取られた間隙を横切る電流であった。結果は、第１表にまとめられている。
【００３０】
【表１】
2004510666.tif 000002
【００３１】
この実施例は、本発明の予め状態調節されたＬＮ結晶ウェファーがＬＮ結晶ウェファーの表面電荷を如何にして減少させるのかを説明するものである。
【００３２】
本発明の概念は、多種多様の物理的特性を有する種々のＬＮ結晶またはＬＴ結晶、例えば直径、厚さおよび配向が変動するウェファーに簡単に適用できるものと考えられる。このことは、適当な炉温度、滞留時間、化学的還元雰囲気および他のパラメーターを選択することによって達成できる。また、本発明の概念は、ウェファーの研磨前または研磨後にウェファーに適用でき、結晶材料のスラブにも適用できるであろう。その上、本発明による方法は、デバイスを製造する異なる段階で、例えばウェファー上の清浄後またはウェファー上での金属析出後に実施することもできる。
【００３３】
本発明の予め状態調節された結晶によって提供される利点および結晶を予め状態調節する本発明による方法は、望ましくない表面電荷の蓄積を生じる焦電気応答または圧電気応答を呼び出す製造条件にさらされるＬＮ結晶およびＬＴ結晶に適用することができる。表面電荷の蓄積を減少させる本発明による予め状態調節された結晶の能力は、意図された方法を実施する結晶の能力に不利な影響を及ぼすとは考えられない。例えば、ＳＡＷを基礎とするデバイスについては、通常の操作で発生する機械的応力の周波数および生じる応答は、結晶を配合するデバイスの性能に影響を及ぼさない本発明による結晶を予め状態調節することから生じる表面電荷の消滅速度が幾らか増大するのに十分な高さである。他方で、本発明による予め状態調節された結晶は、結晶が配合される場合のデバイスの製造方法に由来するかまたはデバイスの使用の間に起こる温度変化または機械的応力から生じる望ましくない表面電荷の蓄積を有効に減少させることができる。それというのも、機械的応力または温度変化の周波数は、通常の操作の場合に発生する周波数よりも著しく短いからである。
【国際公開パンフレット】
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2004510666.tif 000011
2004510666.tif 000012
2004510666.tif 000013
2004510666.tif 000014
2004510666.tif 000015
【国際調査報告】
2004510666.tif 000016