(57)【要約】２つ以上の垂直方向に積層した非対称導波路を備える変調レーザデバイスを提供する。このレーザデバイスは、少なくとも第１のモードの光を増幅するために内部に形成された利得領域を有する第１の導波路と、第１導波路に垂直方向で結合され、第１モードとは異なる実効屈折率を有する第２のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有する第２の導波路とを備える。第１導波路内を伝搬する光は、第１導波路内の横方向テーパを介して第２導波路内に伝達される。レーザデバイスはさらに、利得領域と変調器との絶縁を提供するために第１導波路と第２導波路との間に配置された第３の導波路を備える。分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）および分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ設計をこのデバイスにおいて採用することもできる。
2004523113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調レーザデバイスであって、
少なくとも第１のモードの光を増幅するために内部に形成された利得領域を有する第１の導波路と、
第２の導波路であって、該第２導波路が、主に該第２導波路内を伝搬する第２のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有し、該第２導波路が前記第１導波路に関して垂直方向に配置され、前記第１導波路が、前記第１導波路と前記第２導波路の間で前記第１モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第１モードの光が、前記第２モードの光とは異なる実効屈折率を有する、前記の第２の導波路と、
から成る変調レーザデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２モードの光が、前記第１モードの光のものより小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、前記第２導波路の上に垂直方向に配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記利得領域が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記変調器が電界吸収型変調器であること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のレーザデバイスにおいて、多重量子井戸領域にわたる順バイアスが、前記第２モードの光を変調させること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路がさらに、主に１つの周波数の光を反射する回折格子を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、ｐドープ領域と、ｎドープ領域と、前記ｐドープ領域と前記ｎドープ領域との間に配置された多重量子井戸とを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｐ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１１】
請求項９に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｎ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路の前記ｎドープ領域が、前記変調器を変調するためにｐ−ｎ接合を作成するように内部に形成されたｐ型ドープ領域を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１３】
請求項１に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１４】
レーザデバイスであって、
少なくとも第１のモードの光を増幅するために内部に形成された利得領域を有する第１の導波路と、
主に第２のモードの光を案内するための第２の導波路であって、該第２導波路が、前記第１導波路に関して垂直方向に配置され、前記第１導波路が、前記第１導波路と前記第２導波路の間で前記第１モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第１モードの光が、前記第２モードとは異なる実効屈折率を有する、前記の第２の導波路と、
第３の導波路であって、該第３導波路が、主に該第３導波路内を伝搬する第３のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有し、該第３導波路が前記第２導波路に関して垂直方向に配置され、前記第２導波路が、前記第２導波路と前記第３導波路の間で前記第２モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第２モードの光が、前記第３モードの光とは異なる実効屈折率を有する、前記の第３の導波路と、
から成るレーザデバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２モードの光が、前記第１モードの光よりも小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１６】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第３モードの光が、前記第２モードの光よりも小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１７】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、前記第２導波路の上に垂直方向に配置され、前記第２導波路が、前記第３導波路の上に垂直方向に配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１８】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記利得領域が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項１９】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記変調器が電界吸収型変調器であること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２０】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第３導波路が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２１】
請求項２０に記載のレーザデバイスにおいて、多重量子井戸領域にわたる逆バイアスが、前記第３モードの光を変調させること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２２】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路が、主に１つの周波数の光を反射するための回折格子を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２３】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、ｐドープ領域と、ｎドープ領域と、前記ｐドープ領域と前記ｎドープ領域との間に配置された多重量子井戸とを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２４】
請求項２３に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｐ＋ドープ基板を備え、前記第３導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第３導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２５】
請求項２３に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｎ＋ドープ基板を備え、前記第３導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２６】
請求項２５に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路の前記ｎドープ領域が、前記変調器を変調するためにｐ−ｎ接合を作成するように内部に形成されたｐ型ドープ領域を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２７】
請求項１４に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項２８】
変調レーザデバイスであって、
少なくとも第１のモードの光を増幅するための利得領域、および主に１つの周波数の光を反射するための回折格子領域を備える第１の導波路と、
第２の導波路であって、該第２導波路が、主に前記第２導波路内を伝搬する第２のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有し、該第２導波路が前記第１導波路に関して垂直方向に配置され、前記第１導波路が、前記第１導波路と前記第２導波路の間で前記第１モードの光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、前記第１モードの光が、前記第２モードの光とは異なる実効屈折率を有する、前記の第２の導波路と、
から成る変調レーザデバイス。
【請求項２９】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２モードの光が、前記第１モードの光よりも小さい実効屈折率を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３０】
請求項２９に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、前記第２導波路の上に垂直方向に配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３１】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記利得領域が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３２】
請求項２７に記載のレーザデバイスにおいて、前記変調器が電界吸収型変調器であること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３３】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路が多重量子井戸領域を備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３４】
請求項３３に記載のレーザデバイスにおいて、多重量子井戸領域にわたる逆バイアスが、前記第２モードの光を変調させること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３５】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、ｐドープ領域と、ｎドープ領域と、前記ｐドープ領域と前記ｎドープ領域との間に配置された多重量子井戸とを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３６】
請求項２８に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｐ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３７】
請求項２８に記載のレーザデバイスであって、さらに、ｎ＋ドープ基板を備え、前記第２導波路が、多重量子井戸およびｎドープ領域を備え、前記第１導波路内の前記ｎドープ領域が、前記第２導波路内の前記ｎドープ領域に隣接して配置されていること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３８】
請求項３７に記載のレーザデバイスにおいて、前記第２導波路の前記ｎドープ領域が、前記変調器を変調するためにｐ−ｎ接合を作成するように内部に形成されたｐ型ドープ領域を有すること、を特徴とするレーザデバイス。
【請求項３９】
請求項２８に記載のレーザデバイスにおいて、前記第１導波路が、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを備えること、を特徴とするレーザデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本発明は、一般に光通信デバイスの分野に関し、より詳細には、レーザに関するものである。
【０００２】
背景技術
本出願は、「Asymmetric Waveguide Electroabsorption-Modulated Laser」という名称の２００１年１月１９日出願の米国仮特許出願第６０／２６２８６３号に主題が関係するものであって、その仮特許出願の優先権を主張するものであり、仮特許出願の内容全体を言及により本明細書に含めるものとする。
【０００３】
光集積回路（ＰＩＣ）は、複雑な光回路を形成する際に使用の度合が増している集積技術プラットフォームを提供する。ＰＩＣ技術は、能動および受動の複数の光デバイスを単一の基板上に集積できるようにする。例えば、ＰＩＣは、集積レーザと、集積受信器と、導波路と、検出器と、半導体光増幅器（ＳＯＡ）と、回折格子と、他の能動および受動半導体光デバイスとを備えることができる。ＰＩＣ内の能動および受動デバイスのモノリシック集積は、光通信で使用するのに効果的な集積技術プラットフォームを提供する。
【０００４】
特に用途の広いＰＩＣプラットフォーム技術は、集積二重導波路（ＴＧ）構造である。二重導波路は、エバネッセント場結合（evanescent field coupling）を使用して垂直方向カプラ幾何形状で能動および受動導波路を組み合わせる。ＴＧ構造は、能動および受動デバイスが層状化されて製造される構造を生成するために、単一のエピタキシャル成長ステップのみを必要とする。すなわち、ＴＧは、それぞれ異なるレイアウトおよび構成要素を備える様々なＰＩＣを同じベースウェハから製造することができるプラットフォーム技術を提供する。集積される構成要素は、成長後パターニングによって定められ、エピタキシャル再成長の必要はない。さらに、ＴＧベースＰＩＣ内の能動および受動構成要素は、成長後処理ステップを使用してＰＩＣでのデバイスの位置およびタイプを決定することで、個別に最適化することができる。
【０００５】
しかし、従来のＴＧ構造は、光モード間の相互作用により、導波路結合がデバイスの長さに大きく依存するという欠点を有する。レーザなどのＰＩＣデバイスでは、光モード間の相互作用により、デバイス構造自体の変動に対する敏感さの結果、レージングしきい値電流および受動導波路への結合を制御することができなくなる。変動に対する敏感さは、従来のＴＧ構造における異なる光伝搬モード間の相互作用により生じる。この相互作用は、レーザキャビティでの強め合う干渉および弱め合う干渉をもたらし、これは、しきい値電流、モード利得、結合効率、およびデバイスの出力結合パラメータに影響を及ぼす。従来のＴＧ構造は、デバイス長さ、偶／奇モード相互作用、および層状構造の変動により、性能特性の感度が不安定である。
【０００６】
「Twin Waveguide Based Design for Photonic Integrated Circuits」という名称の１９９９年６月２２日に出願の米国特許出願第０９／３３７７８５号（その内容全体を言及により本明細書に含める）で、本出願人は、非対称二重導波路（ＡＴＧ）と呼ばれる変調ＴＧ構造を開示し、これは、従来のＴＧ構造の性能問題のいくつかに対処する。ＡＴＧ構造は、異なる導波路内に異なる光伝搬モードを閉じ込めることによってモード干渉を大幅に低減する。これは、二重導波路内に構成される各シングルモード導波路を設計することによって達成され、それにより２つの導波路それぞれの中を伝搬する光モードが、異なる実効屈折率を有する。非対称導波路は、第１の導波路と第２の導波路の間の光エネルギーの共振または断熱結合による結合損失を低減するように横方向にテーパを付けることができる。非対称導波路設計は、光モード間の相互作用を大幅に低減し、したがって、従来のＴＧデバイスに勝る大幅な改良を表す。
【０００７】
ＡＴＧは用途の広いプラットフォームとなる見込みがあるが、本出願人は、しばしば要求され、しかしＰＩＣ技術では実現されていない光デバイスを提供する必要性を認識した。したがって、「Photonic Integrated Detector Having a Plurality of Asymmetric Waveguides」という名称の２０００年１１月２１日出願の米国特許出願第０９／７１７８５１号（その内容全体を言及により本明細書に含める）で、本出願人は、非対称導波路設計に基づく光検出器デバイスを開示している。光検出器ＰＩＣの一実施形態は、２つより多い非対称導波路を備える。非対称導波路光検出器は、応答性が高く、非常に高い周波数で動作可能である。
【０００８】
非対称導波路光検出器デバイスの開発は、非対称導波路ＰＩＣに関して非常に将来性がある。しかし、他のタイプのＰＩＣデバイスの開発の必要性も依然として存在する。より具体的には、電界吸収型変調レーザ（ＥＭＬ）など改良型レーザデバイスの必要性も存在する。ＥＭＬはしばしば、光ファイバ通信システムで送信機として採用される。ＥＭＬデバイスは通常、レーザ出力において電界吸収型変調器と共に集積されたレーザを備える。レーザは、例えば、分布帰還型（ＤＦＢ）デバイスまたは分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）デバイスであり、これは、出力パワーおよび波長の安定性を保証するように連続的に操作される。電界吸収型（ＥＡ）変調器は、レーザ出力に光結合され、レーザによって発生される信号を変調する。
【０００９】
モノリシック集積高速ＥＭＬを作成することに関連するいくつかの難点が存在する。第１に、レーザおよび変調器の活性領域は通常、異なる波長で発光する量子井戸を必要とする。この設計制約は通常、異なる厚さおよび／または異なる材料を用いてレーザおよび変調器を設計することによって満足される。また、効率的な光結合が、レーザと変調器の間で、さらにＤＢＲレーザの場合には、レーザの活性領域と回折格子との間で必要とされる。さらに、レーザと変調器の活性デバイス間の効果的な電気絶縁が、２つのデバイス間のクロストークを回避するために必要である。
【００１０】
モノリシックＥＭＬデバイスを製造する既存の方法は通常、レーザおよびＥＡ変調器を個別に製造するための複数の半導体再成長ステップ、または誘電体マスクがウェハの隣接領域内で様々なバンドギャップを作成する、特別に準備された基板上での単一成長を含む。これらの方法はどちらも、複雑であり、通常は歩留まりが低く、したがって、仕上がった製品は、非常にコストが高くなる。
【００１１】
したがって、効率的な結合および効果的な絶縁を提供し、比較的安価に製造することができる改良型のＥＭＬが当技術分野で求められている。
【００１２】
発明の摘要
簡潔に述べると、本発明は、当技術分野でのこれらおよびその他のニーズを満たすものである。
【００１３】
本発明の第１の形態によれば、モノリシック非対称二重導波路ベース電界吸収型変調レーザデバイスが提供される。レーザデバイスは、主に第１のモードの光を増幅するために多重量子井戸領域など利得領域を有する第１の導波路と、第２の導波路であって、該第２導波路内を伝搬し、第１モードの光とは異なる実効屈折率を有する第２のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有する前記の第２の導波路とを備える。第１導波路は、第２導波路の上に垂直方向に配置され、第１導波路と第２導波路の間で光を移動させるために内部に形成された横方向テーパを有する。本発明のこの第１の形態によれば、第１モードの光が、第１導波路内で増幅され、横方向テーパによって第２導波路内に伝達される。第２導波路の端部で、光が変調器に入り、変調器が、デバイスから変調光信号を放出させる。
【００１４】
本発明の別の形態によれば、２つより多い垂直方向に集積された非対称導波路を備える電界吸収型変調レーザデバイスが開示される。レーザデバイスは、主に第１のモードの光を増幅するための多重量子井戸領域など利得領域を有する第１の導波路と、内部に分布ブラッグ反射器を有して、第１モードの光とは異なる実効屈折率を有する第２モードの光を主に案内する第２の導波路と、第３の導波路であって、該第３導波路内を伝搬し、第２のモードの光とは異なる実効屈折率を有する第３のモードの光を変調するために内部に形成された変調器を有する前記の第３の導波路とを備える。第１導波路は、第２導波路の上に垂直方向に配置され、第２導波路は、第３導波路の上に垂直方向に配置される。第１導波路は、第１導波路と第２導波路の間で光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有し、第２導波路は、第２導波路から第３導波路に光を伝達するために内部に形成された横方向テーパを有する。第１モードの光は、第１導波路内で増幅され、横方向テーパによって第２導波路内に伝達される。この光は、第２モードの光として第２導波路内を伝搬し、横方向テーパによって第３導波路内に伝達される。第３導波路内の変調器は、デバイスの出力で信号を変調させる。
【００１５】
本発明のさらに別の形態によれば、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを採用する電界吸収型変調レーザデバイスが開示される。ＤＦＢ変調レーザデバイスは、第１の導波路と第２の導波路を備える。第１導波路は、利得領域と回折格子を内部に有して、ＤＦＢレーザを形成する。ＤＦＢレーザの信号出力は、横方向テーパを介して第２導波路内に伝達され、そこで信号が変調される。第１導波路内を伝搬する光は、第２導波路内を伝搬する光モードとは異なる実効屈折率を有する。
【００１６】
本発明による変調レーザは、レーザと変調器との効率の良い光結合、およびレーザデバイスと変調器デバイスとの効果的な電気絶縁を提供する。さらに、本発明による変調レーザは、単一エピタキシャル成長ステップのみを必要とするプロセスを通して製造することができる。成長後処理ステップが、レーザおよび変調器の配置を決定する。これは、製造プロセスを簡略化し、歩留まりの高い、比較的低コストの集積方法を可能にする。
【００１７】
本発明の追加の形態を、以下で詳細に説明する。
本発明の他の特徴は、本発明の現在好ましい例示的実施形態の以下の詳細な説明を、添付図面を参照しながら読めばさらに明らかになろう。
【００１８】
発明の詳細な説明
本発明の現在好ましい例示実施形態による上述した有利な特徴を有するシステムおよび方法を、図１〜１２Ｂを参照しながら以下で説明する。当業者には理解されるように、それらの図に関連して本明細書で行う説明は、単に例示目的のものであり、本発明の範囲の限定を何ら意図するものではない。本発明の範囲に関する全ての疑問を、添付の特許請求の範囲を参照することによって解消することができる。
【００１９】
一般に、本発明は、モノリシック集積非対称導波路構造を対象とする。非対称二重導波路（ＡＴＧ）設計が、「Twin Waveguide Based Design for Photonic Integrated Circuits」という名称の１９９９年６月２２日に出願された本願と同時係属の米国特許出願第０９／３３７７８５号に開示されており、その出願の内容全体を言及により本明細書に含める。一般に、ＡＴＧ設計は、２つの導波路を採用し、各導波路が、主にある１つのモードの光を案内するように設計されており、各モードが異なる実効屈折率を有している。それら導波路のうちの一方の中にある横方向テーパが、それら導波路間での光の結合を誘発する。横方向テーパは、第１導波路内を進行するある１つのモードの光の実効屈折率を、主に第２導波路内を伝搬する第２モードに変化させるように動作する。この移行は、テーパの長さにわたって生起する。それにより、第１屈折率を有する１つのモードの光が、テーパの始端部で第２導波路内を伝搬し始め、そしてテーパ領域の後端部までにより低い実効屈折率を有する第２モードの光に移行し、そしてこれにより、第２導波路内における伝搬へとそのモードを本質的にロックさせる。
【００２０】
本出願は、内部に形成された横方向テーパを有する複数の垂直方向に集積された非対称導波路を有するレーザＰＩＣデバイスを対象とする。本発明の第１の形態によれば、二重非対称導波路設計を有する電界吸収型変調レーザデバイスが提供される。光は、第１の導波路の長さにわたって増幅され、横方向テーパを介して第２導波路内に結合される。変調器が、第２導波路内を伝搬する光を変調するように動作する。したがって、第１の非対称導波路内で発生して増幅された光は、第２の非対称導波路内の変調器によって変調される。
【００２１】
図１は、本発明の一形態による例示非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの斜視図を提供する。図示されるように、電界吸収型変調レーザデバイス１１０は、レーザ領域１０４および変調器領域１０６を備える。レーザ領域１０４によって発生される信号が、変調器１０６によって変調される。
【００２２】
一般に、デバイス１１０は、基板１１２上に配置された第１の導波路１１４および第２の導波路１１６を備える。図２および３を参照して以下で詳細に説明するように、導波路１１４は、導波路内を伝搬する光を増幅するために内部に形成された利得領域を有する。導波路１１４内を伝搬する光は、導波路１１４内に形成された横方向テーパ１２２を介して導波路１１６内に伝達される。導波路１１６は、内部に形成された回折格子セクション１２８を有する。回折格子セクション１２８は、導波路１１４内の利得セクションと共に機能して、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザを形成する。したがって、レーザ領域１０４は、回折格子１２８間にある導波路１１４と、導波路１１６の一部分とを備える。ＤＢＲレーザ領域１０４によって放出される光は、導波路１１６の変調器領域１０６に入る。変調器領域１０６は、レーザの信号出力を変調するように動作する。
【００２３】
図２は、本発明の一形態による例示非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの一部の斜視図を提供する。図示されるように、モノリシック集積二重導波路変調レーザデバイス１１０が、基板１１２上に配置され、第１導波路１１４および第２導波路１１６を備える。導波路１１４は、導波路１１４内を伝搬する光を増幅するために内部に形成された多重量子井戸領域１１８を有する。一実施形態では、量子井戸領域１１８が、５つの量子井戸を備える。レーザ電気コンタクト領域１２０を使用して多重量子井戸領域１１８にわたって電圧を印加し、それによりレージング信号を発生する。この例示実施形態では、導波路１１４を構成する材料、およびそれらの材料の相対厚さが、シングルモードの光が主に導波路１１４内を伝搬するように選択される。１つの例示実施形態では、シングルモードの光が、約３．２４の実効屈折率を有する。
【００２４】
導波路１１４は、導波路１１６内に光を伝達するために内部に形成された横方向テーパ１２２を有する。本明細書でＷTAPENDと呼ぶ導波路１１６のテーパ端部の幅は１μｍである。本明細書でＷTAPと呼ぶ、１点（例示実施形態ではテーパの最も広い点）でのテーパの幅は、約１．８〜２．２μｍである。本明細書でＬTAPと呼ぶ、テーパ端部からＷTAPに対応する点までのテーパの長さは、約１００〜１２５０μｍである。ＷTAPEND、ＷTAP、およびＬTAPに関する上述した値は、約０．０９〜０．２３度の横方向テーパ角θをもたらす。
【００２５】
導波路１１６は、導波路１１４の下に配置され、導波路１１４と一体に形成される。導波路１１６は、１つのモードの光を主に案内するように設計されており、このモードの光は、導波路１１４内を伝搬する光モードよりも低い実効屈折率を有する。１つの例示実施形態では、導波路１１６内を伝搬する光モードの実効屈折率は、約３．２〜３．２１である。
【００２６】
導波路１１６は、多重量子井戸領域１２４を備え、この領域１２４は、一実施形態では１０個の量子井戸を備える。電気コンタクト１２６を使用して、量子井戸領域１２４にわたる逆バイアスを誘起し、それによりバンドギャップシフトおよび吸収を誘発する。逆バイアスは、導波路１２６から出力される信号の変調をもたらす。
【００２７】
一般に、多重量子井戸領域１２４は、バンドギャップ離調に因り、レーザ発光波長に対して透明である。したがって、分布ブラッグ回折格子反射器１２８が、導波路１１６中にエッチングされる。その結果、周波数安定分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザ１０４が得られ、その１つの周波数の光出力が導波路１１６に沿って導かれる。
【００２８】
前述したように、電界吸収型変調レーザに関する１つの重要な設計考慮事項は、レーザと変調器との間に効果的な電気絶縁をもたせることである。電気絶縁は、２つのデバイスに独立してバイアスをかけることができるようにする。図３は、図２に示される非対称二重導波路レーザの断面図を提供する。図示されるように、導波路１１４は、ｐドープ領域２１０と、多重量子井戸領域１１８と、ｎドープ領域２１２とを備える。導波路１１６は、ｎ＋ドープ基板１１２上に配置され、量子井戸領域１２４およびｎ＋ドープ領域２１４を備える。ｎドープ領域２１４は、導波路１１４のｎドープ領域２１２に隣接して配置される。
【００２９】
コンタクト１２６の下に位置する導波路１１６の上部クラッド層２１４の部分は、アクセプタ拡散を用いてｐ型領域２２０に局所的に変換される。この拡散は、コンタクト１２６の下の領域内にｐ−ｎ接合を生み出す。コンタクト１２０と基板１１２とにわたって、あるいはコンタクト１２０と層２１４へのサイドコンタクトとにわたって電圧を印加することによって、デバイスのレーザ部分に順バイアスが印加される。変調器コンタクト１２６と基板１１２の間に負の電圧を印加することで、量子井戸領域１２４にわたって逆バイアスが生み出される。領域２２０とクラッド２１４の接合部に逆バイアスｐ−ｎ接合が形成され、これが、変調器とレーザの間の電気絶縁を提供する。したがって、導波路のこの構成は、レーザと変調器の間に電気絶縁を提供するように機能する。
【００３０】
非対称二重導波路レーザに電気絶縁を提供するための代替実施形態が図４に示されている。図示されるように、導波路１１４は、ｐドープ領域３１０と、ｎドープ領域３１２と、量子井戸領域１１８とを備える。導波路１１６は、基板１１２の上、かつ導波路１１４の下に配置される。導波路１１６は、ｎドープ・クラッド層３１４と、量子井戸領域１２４と、高ｎ＋ドープ・コンタクト層３１６とを備える。
【００３１】
レーザに関する順バイアスは、レーザコンタクト１２０とｎ＋層３１６とにわたって印加される。変調器に関する逆バイアスは、ｎ＋コンタクト層３１６と基板１１２との間に印加される。したがって、図４の実施形態で、レーザと変調器が、共通の接地としてコンタクト層３１６を共有する。変調器からより効果的にレーザを絶縁するために、イオン注入領域３２０が、ｎ＋層３１２、コンタクト層３１６、およびｎ＋層３１４内に形成される。イオン注入領域は、レーザと変調器の間で数百キロオームの抵抗を生み出す。この追加された抵抗は、２つのデバイス間のクロストークを最小限に抑える働きをする。
【００３２】
前述したように、非対称導波路技術の大きな利点は、単一の成長ステップを使用してデバイスを作成するのに適していることである。図１〜４を参照して上述した非対称導波路ベースの変調レーザを作成する際に使用されるウェハは、以下のように成長させることができる。第１に、厚さ０．５μｍのＩｎＰバッファ層を、（１００）ｐドープＩｎＰ基板１１２上に成長させる。次に、変調器ＭＱＷ領域１２４を成長させる。ＭＱＷ領域１２４は、約λg＝１．２μｍのバンドギャップ波長を有する９つのＩｎＧａＡｓＰ障壁によって離隔された、約λ＝１．５０μｍの発光波長を有する１０個のＩｎＧａＡｓＰ量子井戸を備える。これらの層は、それぞれが厚さ約０．０５μｍの２つのＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長λg＝１．０５μｍ）分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層の間に挟まれる。変調器の後に、厚さ０．３５μｍのＩｎＰ層、厚さ０．０５μｍのｎ＋ドープＩｎＧａＡｓＰ層、および厚さ０．３５μｍのさらなるＩｎＰ層を成長させる。この上に、レーザＭＱＷ領域１１８を成長させる。レーザ波長ＭＱＷ領域１１８は、約λg＝１．２μｍのバンドギャップ波長を有する４つのＩｎＧａＡｓＰ障壁によって離隔された、約λ＝１．５５μｍの発光波長を有する５つのＩｎＧａＡｓＰ量子井戸を備える。これらの層は、厚さが約０．１５μｍの２つのＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長λg＝１．２μｍ）ＳＣＨ層間に挟まれる。このレーザの上に０．１μｍのＩｎＰ層を成長させ、次いで、０．０２μｍのＩｎＧａＡｓＰエッチストップ、および厚さ１μｍのＩｎＰ上部クラッド層を成長させる。最後に、クラッド層の上に、厚さ０．２μｍのｐ＋ドープＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ波長λg＝１．２μｍ）を成長させる。
【００３３】
図５Ａは、図３に示した非対称二重導波路電界吸収型変調レーザを製造するための方法の流れ図である。変調レーザは、一連のマスキングおよびエッチングステップを通して製造される。図示されるように、ステップ４１０で、上述した層を備えるモノリシック構造を、例えば、ｎ＋ドープ基板１１２上での単一エピタキシャルステップで、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）または金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）によって成長させる。ステップ４１２で、内部に形成された横方向テーパ１２２を有する導波路１１４の外形がマスキングによって定められ、周りの層が、導波路１１６の上までエッチング除去される。ステップ４１４で、導波路１１６がマスキングによって定められ、周りの領域が、基板１１２の上までエッチング除去される。ステップ４１６で、回折格子１２８が、干渉計法または電子ビームリソグラフィによって導波路１１６内に形成される。ステップ４１８で、ｐ＋領域２２０が、アクセプタ不純物拡散技法を使用して導波路１１６内に形成される。ステップ４２０で、コンタクト１２０および１２６が、それぞれ導波路１１４および導波路１１６の上に形成される。
【００３４】
図５Ｂは、図４に示される非対称二重導波路電界吸収型変調レーザを製造するための方法の流れ図である。図示されるように、ステップ４５０で、上述した層を備えるモノリシック構造を、例えば、ｐ＋ドープ基板１１２上での単一エピタキシャルステップで、ＭＢＥまたはＭＯＣＶＤによって成長させる。ステップ４５２で、内部に形成された横方向テーパ１２２を有する導波路１１４の外形がマスキングによって定められ、周りの層が、導波路１１６の上までエッチング除去される。ステップ４５４で、導波路１１６がマスキングによって定められ、周りの領域が、基板１１２の上までエッチング除去される。ステップ４５６で、回折格子１２８が、干渉計法または電子ビームリソグラフィによって導波路１１６内に形成される。ステップ４５８で、電気絶縁領域３２０が、標準のイオン注入技法を使用して導波路１１６内に形成される。ステップ４６０で、コンタクト１２０および１２６が、それぞれ導波路１１４および導波路１１６の上に形成される。
【００３５】
図６は、図４に示されるデバイスのレーザ（線５１２によって表される）および変調器（線５１０によって表される）それぞれに関する、フォトルミネセンススペクトルの強度対フォトルミネセンス波長のグラフを提供する。図示されるように、レーザと変調器で、フォトルミネセンス波長に３３ｎｍのシフトが存在する。実際のレージング波長は１５４０ｎｍであり、変調器フォトルミネセンスピークから５２ｎｍ離調されている。
【００３６】
図７Ａおよび７Ｂは、図４に示されるような非対称二重電界吸収型変調レーザデバイスからの出力のグラフである。図７Ａは、変調器を通る出力パワーとレーザ駆動電流とのグラフを提供する。図７Ｂは、出力パワー消光比と、印加される変調器電圧とのグラフである。
【００３７】
本出願人は、典型的には金属からなるコンタクト１２６を量子井戸１２４に近接して配置することが、量子井戸１２４内を伝搬する信号の光損失をもたらす可能性があることに注目した。したがって、変調器コンタクト１２６と量子井戸１２４の距離を最大にするための動機が存在する。図１〜４の変調レーザでは、導波路７１４と７１６の接合部にあるクラッド層が、コンタクト１２６と量子井戸１２４の離隔を提供する。変調器の最適な動作を実現するために、クラッド層の厚さは、比較的大きく、例えば約１マイクロメートルのレンジにすべきである。クラッドの厚さを１マイクロメートル未満に低減すると、変調器セクション内の導波路損失の急速な増大がもたらされる。
【００３８】
本出願人は、導波路１１４と１１６の間のクラッドの厚さが約０．５マイクロメートルであるときにデバイス１１０のレーザ領域１０４が最良に動作することも発見した。クラッドが約０．５マイクロメートルであるとき、比較的短いテーパ１２２が、導波路１１４と１１６の間で非常に低い結合損失を提供する。０．８〜１マイクロメートルにクラッド厚さを増大するには、テーパ長さを長くして低い結合損失を維持する必要がある。しかし、テーパ長さの増大は、テーパを、処理の種類の影響を受けやすいものにする。さらに、長い活性テーパは、量子井戸領域をエッチングすることによって生じるテーパ内部での比較的大きな非放射再結合により、高いしきい値電流をもたらす可能性がある。
【００３９】
したがって、変調器領域１０６およびレーザ領域１０４の性能の最適化は、相容れない設計考慮事項を提示する。すなわち、コンタクト１２６と量子井戸１２４の間のクラッドが大きいときに変調器が最良に動作し、その一方で、このクラッド層が最小のときにレーザが最良に動作する。どちらの設計考慮事項も満足させる試みにおいて、本出願人は、２つより多い非対称導波路を有する変調レーザ設計を開発した。第３導波路の導入が、レーザ構成要素と変調器構成要素を独立して最適化できるようにする。
【００４０】
したがって、２つより多い非対称導波路を有する電界吸収型変調レーザデバイスが提供される。光は、第１導波路の長さにわたって増幅され、横方向テーパを介して第２導波路内に結合される。第２導波路は、光信号のパワーおよび波長の安定性を保証するために分布ブラッグ反射器を備える。反射器を通過した光は、第２の横方向テーパを介して第３導波路内に結合される。第３導波路内の変調器が、光信号を変調するように動作する。
【００４１】
図８は、２つより多い非対称導波路を備える例示電界吸収型変調レーザデバイス７１０の斜視図を提供する。図示されるように、デバイス７１０は、レーザ導波路７１２と、受動導波路７１４と、変調器導波路７１６とを備え、それら全てが基板７１８上に配置されている。導波路７１２、７１４、および７１６を構成する材料、およびそれらの材料の相対厚さは、それぞれが異なる実効屈折率を有する異なるモードの光が、各導波路内を主に伝搬するように選択される。導波路７１２は、導波路７１２と導波路７１４の間で光を移動させるために内部に形成された横方向テーパ７２２を有する。同様に、導波路７１４が、導波路７１４と導波路７１６の間で光を移動させるために内部に形成された横方向テーパ７２４を有する。
【００４２】
導波路７１２は、導波路７１２内を伝搬する光を増幅するための多重量子井戸領域７３０を備える。導波路内の信号を増幅するために、レーザ電気コンタクト領域７３２を使用して、多重量子井戸領域７３０にわたり電圧を印加する。例示実施形態では、導波路７１２を構成する材料、およびそれらの材料の相対厚さが、シングルモードの光が主に導波路７１２内を伝搬するように選択される。１つの例示実施形態では、シングルモードの光が、約３．２６の実効屈折率を有する。横方向テーパ７２２は、増幅された光を導波路７１４内に案内するように動作する。例示実施形態では、テーパ７２２が、約１００〜２５０マイクロメートルである。
【００４３】
導波路７１４は、導波路７１２の下に配置され、導波路７１２と一体に形成される。導波路７１４は、導波路７１２から受け取った光を回折格子セクション７３４に移動させるための受動伝搬領域７３３を備える。回折格子セクション７１４は、１つの周波数の光を主に反射する分布ブラッグ反射器を形成する。
【００４４】
横方向テーパ７２４は、導波路７１４内を伝搬する光を導波路７１６内に伝達するように動作する。導波路７１４は、例えば、ＩｎＰに合致するＩｎＧａＡｓＰ格子など、レージング波長で非常に低い損失を有する高光品質材料から作成される。さらに、テーパ７２４は比較的長く、例えば約２５０〜６００マイクロメートルの範囲である。高品質であり低光損失の材料、および長いテーパが、導波路７１４と７１６の効率の良い結合を提供する。導波路７１４は、主に１つのモードの光を案内するように設計され、このモードの光は、導波路７１２内を伝搬する光モードよりも低い実効屈折率を有する。１つの例示実施形態では、導波路７１４内を伝搬する光モードの実効屈折率は、約３．２３〜３．２４である。
【００４５】
導波路７１６は、導波路７１４の下に垂直方向に配置され、導波路７１４と一体に形成される。導波路７１６は、多重量子井戸領域７３６を備え、上に形成された電気コンタクト７４０を有する。コンタクト７４０を使用して、量子井戸領域７３６にわたる逆バイアスを誘起し、それにより導波路内を伝搬する信号のバンドギャップシフトおよび吸収を誘発する。逆バイアスは、導波路７１６から出力された信号を変調することができるようにする。導波路７１６は、主にある１つのモードの光を案内するように設計され、このモードの光は、導波路７１４内を伝搬する光モードよりも低い実効屈折率を有する。１つの例示実施形態では、導波路７１６内を伝搬する光モードの実効屈折率が約３．２〜３．２１である。
【００４６】
図９は、変調レーザデバイス７１０の断面図を提供する。図示されるように、例示実施形態で、導波路７１２が、ｐドープ・クラッド層７４２と、多重量子井戸領域７３０と、ｎドープ領域７４４とを備える。導波路７１４は、ｎドープ領域７４６と、受動導波路領域７３３と、ｎドープ領域７４８とを備える。導波路７１６は、ｎドープ領域７５０と、多重量子井戸領域７３６とを備える。ｐドープ領域７５２が、ｎクラッド層７５０内に形成され、図３に関連して上述したのと同様に機能する。
【００４７】
当業者には理解されるように、導波路７１２と導波路７１６の間への導波路７１４の導入により、デバイスのレーザ部分と変調器部分を独立して最適化することができるようになる。デバイスのレーザ部分に関して、導波路７１２と７１４の接合部にあるクラッド層７４４および７４６の厚さを最小にして、短いテーパ７２２を提供することができる。例えば、一実施形態では、クラッド厚さが約０．５マイクロメートルであり、これは、約１００〜１２０マイクロメートルのテーパ７２２の使用を可能にする。薄いクラッド、およびそれに関連する短いテーパが、量子井戸領域７３０と回折格子７３４との効率の良い結合を提供する。さらに、導波路７１４は、量子井戸を有さず、非常に低い光損失の高光品質材料から作成される。これらの特徴は、回折格子およびレーザキャビティでの余剰な損失を低減する。さらに、クラッド層の相対厚さが、ブラッグ回折格子７３４を形成するために比較的浅い回折格子を提供する。
【００４８】
デバイスの変調器部分に関して、波長７１４と７１６の接合部にあるクラッド層７４８および７５０の厚さを最大にし、それによりコンタクト７４０と量子井戸領域７３６の間の空間を増大することができる。クラッドの増大された厚さが、コンタクト７４０による、導波路７１６内を伝搬する信号との干渉を最小限に抑える。
【００４９】
図８〜９に関連して上述した非対称導波路ベースの変調レーザを作成する際に使用されるウェハは、以下のように成長させることができる。第１に、厚さ０．５μｍのＩｎＰバッファ層を、（１００）ｐドープＩｎＰ基板７１８上に成長させる。次に、変調器ＭＱＷ領域７３６を成長させる。変調器ＭＱＷ領域７３６は、約λg＝１．２μｍのバンドギャップ波長を有する９つのＩｎＧａＡｓＰ障壁によって離隔された、約λ＝１．５０μｍの発光波長を有する１０個のＩｎＧａＡｓＰ量子井戸を備える。これらの層は、それぞれが厚さ約０．０５μｍの２つのＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長λg＝１．０５μｍ）分離閉じ込めへテロ構造（ＳＣＨ）層の間に挟まれる。変調器導波路７１６の後に、厚さ１μｍのＩｎＰ層を成長させ、この層が、導波路７１６を受動導波路７１４から離隔する。次に、受動導波路７１４を成長させ、これは、厚さ０．５μｍのＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長λg＝１．２μｍ）層を備える。その後に、厚さ０．２２μｍのＩｎＰ層と、厚さ０．０５μｍのｎ＋ドープＩｎＧａＡｓＰ層と、厚さ０．２２μｍのさらなるＩｎＰ層を成長させる。その上に、レーザＭＱＷ導波路７１２を成長させる。レーザ導波路７１２は、約λg＝１．２μｍのバンドギャップ波長を有する４つのＩｎＧａＡｓＰ障壁によって離隔された、約λ＝１．５５μｍの発光波長を有する５つのＩｎＧａＡｓＰ量子井戸を備える。これらの層は、厚さ約０．１７μｍの２つのＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長λg＝１．２μｍ）ＳＣＨ層の間に挟まれる。これらの層の上に、０．１μｍのＩｎＰ層を成長させ、その後、０．０２μｍのＩｎＧａＡｓＰエッチストップ、および厚さ１μｍのＩｎＰ上部クラッド層を成長させる。最後に、クラッド層の上に、厚さ０．２μｍのｐ＋ドープＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ波長λg＝１．２μｍ）を成長させる。
【００５０】
図１０は、図８および９に示される非対称二重導波路電界吸収型変調レーザを製造するための方法の流れ図である。変調レーザは、一連のマスキングおよびエッチングステップを通して製造される。図示されるように、ステップ９１０で、上述した層を備えるモノリシック構造を、例えば、ｎ＋ドープ基板７１８上での単一エピタキシステップで、ＭＢＥまたはＭＯＣＶＤによって成長させる。ステップ９１２で、内部に形成された横方向テーパ７２２を有する導波路７１２の外形がマスキングによって定められ、周りの層が、導波路７１４の上までエッチング除去される。ステップ９１４で、内部に形成された横方向テーパ７２４を有する導波路７１４がマスキングによって定められ、周りの領域が、導波路７１６の上までエッチング除去される。ステップ９１６で、導波路７１６の外形がマスキングによって定められ、周りの層が基板７１８の上までエッチング除去される。ステップ９１８で、回折格子反射器７３４が、干渉計法または電子ビームリソグラフィによって導波路７１４内に形成される。ステップ９２０で、ｐ＋領域７５２が、アクセプタ不純物拡散技法を使用して導波路７１６内に形成される。ステップ９２２で、コンタクト１２０および１２６が、それぞれ導波路７１２および導波路７１４の上に形成される。
【００５１】
図１〜１０に関連して説明したデバイスは、ＤＢＲレーザ設計を採用している。しかし、本発明によるデバイスが、別法として分布帰還型（ＤＦＢ）レーザを採用することもできることに留意されたい。図１１は、ＤＦＢレーザを備える本発明による電界吸収型変調レーザデバイスの斜視図を提供する。図示されるように、図１１のデバイスは、第１導波路１１１０および第２導波路１１１２を備える。導波路１１１０は、利得領域１１１６および回折格子１１１８を備えて、ＤＦＢレーザを形成する。導波路１１１２は、利得領域１１２０および変調器領域１１２２を備える。ＤＦＢレーザの信号出力が、横方向テーパ１１２４を介して導波路１１１４内に伝達され、そこで信号が変調される。上述した実施形態とは対照的に、図１１のデバイスのレーザ部分は、完全に上部導波路１１１０内に構成される。したがって、第２導波路１１１２内に回折格子セクションは存在しない。
【００５２】
図１１に示されるデバイスは、上で設計された非対称設計と両立するものである。したがって、導波路１１１０内を伝搬する光は、導波路１１２内を伝搬する光モードとは異なる実効屈折率を有する。
【００５３】
図１２Ａおよび１２Ｂは、図１１のデバイスの２つの代替実施形態の断面図を提供する。図示されるように、図１２Ａのデバイスでは、図４に関連して上述した実施形態と同様に機能するイオン注入領域１２１０を使用して、デバイスのレーザ領域とデバイスの変調器領域との間に絶縁が提供される。図１２Ｂの実施形態では、図３に関連して上述した同様の実施形態と同様に動作する拡散領域１２１２を使用して絶縁が提供される。どちらの実施形態に関しても、回折格子領域１１１８は、上側導波路内に形成される。
【００５４】
以上、改良したモノリシック非対称導波路電界吸収型変調レーザデバイスを開示した。本発明の一形態によれば、非対称二重導波路ベースの電界吸収型変調レーザＰＩＣが提供される。本発明の別の形態によれば、２つより多い非対称導波路を有する電界吸収型変調レーザＰＩＣが提供される。この改良したレーザデバイスの例示実施形態は、レーザと変調器との効率の良い光結合、およびそれらのデバイス間の効果的な絶縁を提供する。これらデバイスは、少なくとも１０〜４０ＧＨｚの速度で動作可能である。これらデバイスは、比較的簡単に、かつ安価に製造される。
【００５５】
本発明について、特定の実施形態に関して説明し例示してきたが、当業者には理解されるように、上述しまた添付の特許請求の範囲に記載した本発明の原理から逸脱することなく修正および変更を加えることができる。例えば、本発明による非対称導波路電界吸収型変調レーザでは、上述したのとは異なるドーピング構成および材料を備えることができる。さらに、本発明は、広範囲のデバイスにおいて使用することができる。例えば、本発明による非対称導波路電界吸収型変調レーザを、光通信リンク用の高感度４０ＧＨｚ送信機を作成するために採用することができる。したがって、添付の特許請求の範囲を本発明の範囲を示すものとして参照すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの斜視図である。
【図２】図２は、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの一部の斜視図である。
【図３】図３は、本発明による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの断面図である。
【図４】図４は、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの代替実施形態の断面図である。
【図５−Ａ】図５Ａは、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザを製造するための方法の流れ図である。
【図５−Ｂ】図５Ｂは、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの代替実施形態を製造するための方法の流れ図である。
【図６】図６は、本発明によるデバイスのレーザおよび変調器に関するフォトルミネセンススペクトルの強度対フォトルミネセンス波長のグラフである。
【図７】図７Ａは、本発明による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザに関する変調器を介する出力パワー対電流のグラフである。図７Ｂは、本発明による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザに関する出力パワー消光比対印加変調器電圧のグラフである。
【図８】図８は、本発明による非対称導波路電界吸収型変調レーザの一部の斜視図である。
【図９】図９は、本発明による非対称導波路電界吸収型変調レーザの断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一形態による非対称導波路電界吸収型変調レーザを製造するための方法の流れ図である。
【図１１】図１１は、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの一部の斜視図である。
【図１２−Ａ】図１２Ａは、本発明による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの断面図である。
【図１２−Ｂ】図１２Ｂは、本発明の一形態による非対称二重導波路電界吸収型変調レーザの代替実施形態の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−Ａ】
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【図５−Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２−Ａ】
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【図１２−Ｂ】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
2004523113.tif 000064