(57)【要約】【課題】５５よりも高い比誘電率を有し、そのＴＣＣがＮＰ０の基準を満たし、かつ、Ｃｕを含む電極とともに焼結できる誘電体組成物を提供する。【解決手段】誘電体組成物は、ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、ガラス組成物と、金属酸化物と、の混合物を備える。ここで、ＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わす。ガラス組成物は、ＺｎＯまたはＭｇＯ、ＳｉＯ２、および重量で少なくとも１０％のＬｉ２ＯまたはＴｉＯ２を含むことが好ましい。アルカリ土類金属酸化物は、ＭｇＯであることが好ましい。できれば、ガラス組成物は、実質的に、５０〜８０重量パーセントのＳｉＯ２と、５〜２５重量パーセントのＭｇＯと、任意の他のアルカリ土類金属酸化物と、重量で１０〜２５％のＬｉ２Ｏと、からなり、実質的にボロンが無い。誘電体組成物は、セラミック多層素子のような電子装置が製造されるように、Ｃｕ電極の存在中にＣｕの融点を下回る温度で焼結できる。焼結後、誘電体組成物は、少なくとも５５の比誘電率を有する。【選択図】図１
2004505878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み、鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、
ＳｉＯ２と、ＭｇＯおよびＺｎＯを有するグループから選択された二価金属酸化物と、Ｌｉ２ＯとＴｉＯ２を有するグループから選択された他の金属酸化物と、を含むガラス組成物と、
前記ガラス組成物内に存在する前記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物と、の混合物を備える誘電体組成物であって、
前記ＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わし、
前記他の金属酸化物は、前記ガラス組成物から見て重量で少なくとも１０％である、
誘電体組成物。
【請求項２】
前記誘電体組成物内の前記金属酸化物は、マグネシウム、亜鉛、銅、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、エルビウム、ホルミウム、インジウム、ジスプロシウム、タングステンおよびイットリウムを有するグループから選択された金属の酸化物である、
ことを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
前記ガラス組成物中の前記他の金属酸化物は、Ｌｉ２Ｏである、
ことを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
前記ガラス組成物は、実質的に、重量で５０〜８０％のＳｉＯ２と、ＭｇＯを含む重量で５〜２５％の少なくとも一つのアルカリ土類金属酸化物と、重量で１０〜２５％のＬｉ２Ｏと、からなり、実質的にボロンが無い、
ことを特徴とする請求項３に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
前記アルカリ土類金属酸化物は、主としてＭｇＯである、
ことを特徴とする請求項４に記載の誘電体組成物。
【請求項６】
前記ガラス組成物内の前記二価金属酸化物は、ＺｎＯであり、
前記他の金属酸化物は、ＴｉＯ２である、
ことを特徴とする請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項７】
前記ガラス組成物は、前記セラミック組成物から見て重量で３〜５％の量内にある、
ことを特徴とする請求項１，３，４，または６に記載の誘電体組成物。
【請求項８】
第１のセラミックフォイルと、Ｃｕを含む第１の電極と、第２のセラミックフォイルと、Ｃｕを含む第２の電極と、を備える積層体を製造する工程と、
前記積層体を焼結する工程と、
を備えるセラミック多層素子の製造方法であって、
前記セラミックフォイルは、セラミック組成物と、ＳｉＯ２を含むガラス組成物とを備える誘電体組成物から製造され、
前記セラミック組成物は、ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み、鉛およびビスマスが無く、
前記ＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わし、
前記ガラス組成物は、
ＭｇＯおよびＺｎＯを有するグループから選択された二価金属酸化物と、
Ｌｉ２ＯとＴｉＯ２を有するグループから選択された他の金属酸化物であって、前記ガラス組成物から見て少なくとも１０重量パーセントの他の金属酸化物と、を含み、
前記誘電体組成物は、前記ガラス組成物内に存在する前記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物をさらに含み、
前記積層体は、９００℃と１０８０℃との間の温度で、かつ、Ｃｕを酸化しない雰囲気内で焼結される、
製造方法。
【請求項９】
第１の誘電体セラミック層と、Ｃｕを含む第１の電極と、第２の電極と、を備える電子装置であって、
前記第１の誘電体セラミック層は、
ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、　ＳｉＯ２と、ＭｇＯおよびＺｎＯを有するグループから選択された二価金属酸化物と、Ｌｉ２ＯとＴｉＯ２を有するグループから選択された他の金属酸化物であって自身から見て少なくとも重量で１０％の他の金属酸化物と、を有するガラス組成物と、
前記ガラス組成物に内存する前記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物と、
を含む焼結体であり、
前記ＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わす、ことを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
前記第１の誘電体セラミック層は、基板として存在する、
ことを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、ＳｉＯ２を含むガラス組成物と、の混合物を備える誘電体組成物であって、上記ＲＥが、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わす誘電体組成物に関する。
【０００２】
本発明はまた、第１のセラミックフォイルと、Ｃｕを含む第１の電極と、第２のセラミックフォイルと、Ｃｕを含む第２の電極と、を備える積層体を製造する工程と、上記積層体を焼結する工程と、を備えるセラミック多層素子の製造方法であって、上記セラミックフォイルは、セラミック組成物と、ＳｉＯ２を含むガラス組成物とを備える誘電体組成物から製造され、上記セラミック組成物は、ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み、鉛およびビスマスが無く、上記ＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わす、製造方法に関する。
【０００３】
本発明はさらに、第１の誘電体セラミック層と、Ｃｕを含む第１の電極と、第２の電極と、を備える電子装置に関する。
【０００４】
【従来の技術】
このような誘電体の組成物は、欧州特許公開公報０９２６１０７から知られている。セラミックの組成物ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３は、誘電率が高い材料の一グループとして周知である。ここでＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わす。しかしながら、ガラスの組成物を加えなければ、セラミック組成物は、一般的に１３００℃を超える高い焼結温度を有する。ガラス組成物を加えることにより、焼結温度が低下することが知られている。既知の誘電体組成物は、約１０００℃の焼結温度を有し、これは、銅の融解温度である１０８４℃を下回る。ガラス自体は低い誘電率を有するため、セラミック組成物を備える誘電体組成物とガラス組成物との混合物は、同様に比較的低い誘電率を有する。この比較的低い誘電率とは、５０より低い。より高い誘電率を得るために、セラミック組成物には通常鉛またはビスマスが存在する。この誘電組成物は、低温で焼結できる。しかしながら、鉛またはビスマスが存在するために、この誘電体組成物は、消却されたとき、またはそうでなければ廃棄物として処理されたときに、有害であり、かつ、環境に害を及ぼす。
【０００５】
既知の誘電体組成物は、ＣｕＯをさらに含む。ＣｕＯが有ることで既知の誘電体組成物がより高い誘電率を有する。また、ＣｕＯがある結果、焼結温度がより低くなる。このＣｕＯは、粉末として、またはガラス組成物の含有物として添加される。Ｐｂ含有のセラミック組成物を用いる場合、ＣｕＯがなければその比誘電率は６２であり、ＣｕＯがあれば７７である。参考として、引用した上記出願では、他に規定されない限り、組成物２，３および６が挙げられている。
【０００６】
引用した出願から、他に規定されない限り、２１，２２および３４を含む組成物が知られており、これらの組成物は、鉛とビスマスがなく、かつ、１１００℃よりも低い温度で焼結できる。このような誘電体組成物におけるガラス組成物は、重量で２３％のＳｉＯ２と、重量で１４％のＢ２Ｏ３と、重量で６１％のアルカリ土類金属酸化物と、重量で２％のＬｉ２Ｏとを含む。アルカリ土類金属酸化物は、重量で８２％のＢａＯと、ＳｒＯ，ＣａＯおよびＭｇＯを有するグループから選択された少なくとも一つの化合物とを含む。言及した組成物にはＣｕＯがさらに包含される。この誘電体組成物は、１０００℃の焼成温度と、２７と６０との間の比誘電率とを有する。
【０００７】
高周波の分野での電子装置の応用では、高い誘電率の次に、誘電率の温度係数が小さいことが必要である。このための判定基準はＮＰ０標準であり、これには、誘電率の温度係数（静電容量またはＴＣＣの温度係数としても知られている）が−３０から＋３０ｐｐｍ／℃の範囲内になければならないと述べられている。この判定基準を満たし、かつ、鉛およびビスマスが無い、引用された誘電体組成物は、４８から５３までの間の比誘電率を有する。
【０００８】
さらに、このＮＰ０標準によれば、誘電体組成物は、焼結後に少なくとも１０００秒のＲＣ時間を有しなければならない。このＲＣ時間は、絶縁物に対する抵抗と容量との積として定義されており、誘電体組成物の安定性のための指標である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
鉛およびビスマスが無く、かつ、そのＴＣＣがＮＰ０標準を満たす、上述した既知の誘電体組成物の不利な点は、比誘電率が比較的低いということである。高周波アプリケーション用の装置を小型化するためには、高い誘電率を有する誘電体組成物が必要である。
【００１０】
従って、本発明の第１の目的は、最初に記載した種類の誘電体組成物であって、５５よりも高い比誘電率を有し、そのＴＣＣがＮＰ０の基準を満たし、かつ、Ｃｕを含む電極とともに焼結できる誘電体組成物を提供することにある。
【００１１】
本発明の第２の目的は、その表面領域と比較して高い容量を有し、上記静電容量の温度係数が低い、最初に記載した種類のセラミック多層素子の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の第３の目的は、高周波のアプリケーションに適した、最初に記載したような電子装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的は、上記誘電体組成物が
セラミック組成物と、
上記ガラス組成物として、ＳｉＯ２と、ＭｇＯおよびＺｎＯを有するグループから選択された二価金属酸化物と、Ｌｉ２ＯとＴｉＯ２を有するグループから選択され上記ガラス組成物から見て少なくとも１０重量パーセントの他の金属酸化物とを含むガラス組成物と、
上記ガラス組成物内に存在する上記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物と、を含むことにより達成される。
【００１４】
本発明にかかる誘電体組成物は、本発明の第１の目的を達成することが判明し、これは驚異的なことである。即ち、５５よりも高い比誘電率を有する誘電体組成物は、ＮＰ０標準の条件を満たし、Ｃｕを含む電極とともに焼結することができる。
【００１５】
本発明にかかる誘電体組成物内の金属酸化物は、その主要な機能として、ＲＣ時間を改善する。上記ＲＣ時間は、絶縁抵抗と静電容量との積として計算でき、これらのパラメータはいずれも測定できる。金属酸化物が存在しないと焼結後の絶縁抵抗が低いことが判明した。約１０３ＭΩのこのような低い絶縁抵抗により、上記ＮＰＯ標準を下回るＲＣ時間が得られる。金属酸化物が存在しなければ、焼結の間に上記誘電体組成物が半導体材料になってしまうこともまた判明した。
【００１６】
上記金属酸化物の有利な点は、その存在により、上記焼結された誘電体組成物のＴＣＣが上記ＮＰＯ標準の範囲内の値に低減することであり、このことは表３内のデータから明らかである。上記金属酸化物の両方の効果、即ち、ＲＣ時間の改善とＴＣＣの安定化は、引用した上記出願の誘電体組成物におけるＣｕＯの存在から予測できなかった。上記引用出願によれば、ＣｕＯはその主たる機能として上記誘電率を高める。さらに、上記誘電体組成物のＲＣ時間を改善し、ＴＣＣを安定化させるために、ＣｕＯのみならず他の多種多様な金属酸化物をも用いることができることが判明した。
【００１７】
上記誘電体組成物内に存在する金属酸化物は、マグネシウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、インジウム、タングステン、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、イッテルビウムおよびルテチウムを有するグループから選択された金属の酸化物であることが好ましい。表３は、多種多様な金属酸化物の存在による上記誘電率、上記ＲＣ時間および上記ＴＣＣへの影響を示す。タングステン酸化物を除き、上記好ましい金属酸化物は全て、いわゆる「アクセプタ」金属の酸化物である。これらアクセプタ金属の金属イオンは、チタニウムの電荷よりも小さな電荷を有し、せいぜいチタニウムと同じ大きさの半径を有する。本発明によれば、これらの金属イオンは、セラミック組成物内のチタニウムイオンに置換でき、かつ、部分的に置換する。チタニウムイオン内では通常、バリウムの希土類チタン酸塩が格子内に存在する。この置換において、酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｉｅｓ）も上記バリウムの希土類チタン酸塩の格子内で形成される。特に、酸素の低い分圧の条件をもたらす、銅の電極との組み合わせにおいて、この酸素空孔の形成は、上記誘電体組成物が焼結の間に半導体セラミック材料になることを防ぐために必須であるように見える。しかしながら、本願発明者は、上記説明にとどまることを望まない。例えば、上記説明は、焼結の間における上記誘電体組成物の減少を妨げるためにタングステン酸化物の動作態様をカバーするものではない。
【００１８】
いくつかのガラス組成物が、上記焼結温度を下げるに当たって有効であることが判明した。上記ガラス組成物として様々な珪酸塩ガラス組成物、例えば、主としてＬｉ２Ｏ−ＭｇＯ−ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２に基づく珪酸塩ガラス組成物などが選択可能である。これらのガラス組成物はすべて、重量で少なくとも１０％の量の他の金属酸化物ＴｉＯ２またはＬｉ２Ｏを含む。
【００１９】
本発明にかかる誘電体組成物の一実施態様において、上記ガラス組成物内の他の金属酸化物は、Ｌｉ２Ｏである。表１および２内のデータから、重量でそれぞれ２１，１８および１４％のＬｉ２Ｏを含むガラス組成物Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５を有する誘電体組成物は、それぞれ２および３重量パーセントのＬｉ２Ｏを含むガラス組成物Ｇ１，Ｇ３を有する誘電体組成物よりも低い温度で焼結できることが導かれる。しかしながら、当業者であれば、１０重量パーセントを超えるＬｉ２Ｏを含むガラス組成物は決して利用しないであろう。上記引用出願には、このようなガラス組成物を用いると、上記誘電体組成物が焼結後に好ましくない耐湿性を有したと記載されている。このような好ましくない耐湿性は、本願発明者には観察されなかった。
【００２０】
一実施態様において、上記ガラス組成物は、実質的に、重量で５０〜８０％のＳｉＯ２と、重量で５〜２５％の少なくとも一つのアルカリ土類金属酸化物と、重量で１０〜２５％のＬｉ２Ｏと、からなり、かつ、実質的にボロンが無い。上記ガラス組成物により良い結果が得られた。このガラス組成物は、さらなる利点として、ポリビニル・アルコールの結合剤（ｂｉｎｄｅｒ）との組み合わせで用いることができる。この結合剤は水溶性である。有機溶剤に溶ける結合剤と比較して、水溶性の結合剤は実質的に環境への害が少ない。
【００２１】
上記ガラス組成物は、上記セラミック組成物から見て重量で３〜５％の量内に存在することが好ましい。重量で３〜５％の本願発明のガラス組成物を加えることにより、バリウムの希土類チタン酸塩のセラミック組成物の焼結温度が少なくとも１３０℃だけ、即ち、１２００℃を超える温度から１０７０℃以下にまで低下することが判明した。焼結温度のこのような効果的な低下は、上記引用出願と比較して非常に大きい。上記引用出願では、約１０００℃の温度で充分な焼結を得るために重量で少なくとも１０％のガラス組成物を加えなければならないからである。上記誘電体組成物内に存在するガラス組成物が少量である結果として、上記誘電体組成物内に存在するセラミック組成物の相対的な量が大きい。
【００２２】
他の実施態様において、上記アルカリ土類金属酸化物は主としてＭａＯである。ＭａＯを含みかつＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯが実質的に無いガラス組成物により、同一量のガラスを用いたときに焼結温度が１０６０から１０４０℃へ低減すると判明したことは驚異的である。表３からも明らかなように、より少量のガラス組成物を用いることで焼結温度の低下が発生する。これにより、誘電率がより高くなる。
【００２３】
本発明にかかる誘電体組成物の他の実施態様において、上記二価金属酸化物は、ＺｎＯであり、また、上記他の金属酸化物はＴｉＯ２である。上記ガラス組成物ＺｎＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２は欧州特許公開公報０９６０８６８から既知であり、このような開示も本願に引用したものとする。この文献には、上記ガラス組成物の上記二価金属酸化物形成部分とは異なる金属酸化物が存在すればこのガラス組成物はＣｕの融点よりも低く焼結できるという指摘が含まれていない。
【００２４】
ＮｄおよびＧｄがＲＥとして存在し、さらに、ＢａがＳｒによって部分的に置換される上記セラミック組成物としてＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３が選択されることが好ましい。このような組成物は米国特許５，５５６，８１８から既知であり、このような開示も本願に引用したものとする。
【００２５】
本願発明の第２の目的は、
上記ガラス組成物が、ＭｇＯおよびＺｎＯを有するグループから選択された二価金属酸化物と、Ｌｉ２ＯとＴｉＯ２を有するグループから選択された他の金属酸化物であって上記ガラス組成物から見て重量で少なくとも１０％の他の金属酸化物と、を含み、
上記誘電体組成物が、上記ガラス組成物内に存在する上記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物をさらに含み、
上記積層体が、９００℃と１０８０℃の間の温度でかつＣｕを酸化しない雰囲気内で焼結される、
ことにより達成される。
【００２６】
本発明にかかる方法において、本発明にかかる誘電体組成物は、銅の電極とともに焼結される。銅を酸化しない雰囲気の例は、Ｎ２／Ｈ２Ｏ、ＣＯ２／ＣＯおよび純粋のＮ２である。上記ガラス組成物の例は、表１において与えられる。他のガラス組成物、例えば主としてＬｉ２Ｏ−ＭｇＯ−ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、ＭｇＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２に基づくガラス組成物などもまた利用できる。上記焼結は、１０００と１０５０℃の間の温度で発生することが好ましい。上記積層体は多数の第１および第２の電極を含むことが好ましい。これらの第１および第２の電極は、第１および第２の端子にそれぞれ接続される。上記セラミック多層素子は、例えば、セラミック積層コンデンサ、セラミック積層コンデンサのアレイまたは高周波フィルタの場合がある。
【００２７】
本発明の第３の目的は、
上記第１の誘電体セラミック層が
ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３を含み鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、
ＳｉＯ２と、ＭｇＯおよびＺｎＯを有するグループから選択された二価金属酸化物と、
Ｌｉ２ＯとＴｉＯ２のグループから選択された他の金属酸化物であって、自身から見て重量で少なくとも１０％の他の金属酸化物と、を有するガラス組成物と、
上記ガラス組成物に内存する上記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物と、
を備える焼結体であり、
上記ＲＥは、０．０５≦ａ≦０．２５、０．５２５≦ｂ≦０．７０、０．８５≦ｃ≦１．０であり２ａ＋３ｂ＋４ｃ＝６である希土類元素を表わす、
ことにより達成される。
本発明にかかる電子装置は、少なくとも５５の比誘電率を有し、−３０から＋３０ｐｐｍ／℃の範囲内のＴＣＣを有し、鉛およびビスマスを含まない、ことにより上記目的を達成する。銅は高い導電率を有するため、電極における電気損失は、大幅に低減される。さらに、本発明にかかる装置の価格は、上記電極が貴金属からなる装置と比較して低減される。電子装置の製造の分野で既知であるとおり、銅は配線や端子などの形態で存在することもある。様々な珪酸塩ガラス組成物は、例えば表１で挙げられたガラス組成物および上述したガラス組成物のために選択することができる。上記金属酸化物は、マグネシウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、インジウム、タングステン、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、イッテルビウムおよびルテチウムを有するグループから選択することが好ましい。ＢａａＲＥｂＴｉｃＯ３は、セラミック組成物として選択することが好ましい。ここで、ＲＥとしてはＮｄおよびＧｄが存在し、さらに、Ｂａは部分的にＳｒで代用される。
【００２８】
上記電子装置は、高周波フィルタ、例えば電磁妨害用のフィルタ、ＬＣフィルタ、ＲＣフィルタ、ＬＲＣフィルタ、共通モードフィルタもしくは差動モードフィルタなどであっても、またはそれを備えても良い。これとは代替的に、上記電子装置は、例えばセラミック積層コンデンサやコンデンサアレイなどの受動素子でも良い。他の実施態様において、第１のセラミック層、またはこのセラミック層内に挟まれた電極を有するセラミック積層体が、層の堆積およびパターニングまたは個々の素子の組み立てによりさらなる素子がその上に設けられる基板として利用される。この結果、上記電子装置は、高周波アプリケーション、例えば携帯電話などの集積化ソリューションを提供する。
【表１】
重量パーセントにおけるガラス組成物
2004505878.tif 000003
【表２】
ガラスとＢａＧｄＮｄＳｒＴｉＯ３のセラミック組成物とを備える誘電体組成物の焼結温度Ｔｓおよび比誘電率Ｋ
ガラス％はセラミック組成物から見たガラスの重量パーセント
2004505878.tif 000004
【表３】
４％のガラスＧ４とＢａＧｄＮｄＳｒＴｉＯ３のセラミック組成物と添加物とを備える誘電体組成物の焼結温度Ｔｓ、ＲＣ時間、比誘電率Ｋおよび静電容量ＴＣＣの温度係数である。ここで、添加物％はセラミック組成物から見た添加物の重量パーセントである。酸素の分圧が高い第２例を除いて、銅を酸化しない雰囲気（Ｈ２Ｏ／Ｎ２）中で焼結が発生した。
2004505878.tif 000005
以下、図１を参照しながら、上記誘電体組成物、上記ガラス組成物、上記製造法および上記電子装置のこれらの側面および他の側面をより詳細に説明する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１のセラミック多層素子１０は、第１のセラミック層１１と、銅から形成され第１の端子３１に電気的に接する第１の電極２１と、第２のセラミック層１２と、銅から形成され第２の端子３２に電気的に接する第２の電極２２とを備える。上記層１１，１２と上記電極２１，２２の多数のそれぞれは、セラミック多層素子１０内に存在し、これにより、積層体をなす。セラミック多層素子１０はコンデンサである。
【００３０】
セラミック多層素子１０を製造するために、５０ｇのＢａ０．２３１Ｇｄ０．１９６Ｎｄ０．２７０Ｓｒ０．０２０Ｃａ０．０５０Ｔｉ１．００Ｏ３と、Ｍｇ０．１８Ｌｉ０．６０Ｓｉ０．５２Ｏ１．００を含む２ｇのガラス組成物と、０．２５ｇのＹ２Ｏ３と、５０ｇの水と、好適な分散剤とを混合することにより誘電体組成物を準備した。ボールミル内でイットリウム安定化ジルコニアボールとともに２０時間粉砕した後、ポリビニル・アルコールを含む有機結合剤を誘電体組成物に加えた。セラミックスリップを作成するようにこの混合物をウエットミキシングに曝した。このセラミックスリップをドクター・ブレード法によりシートモールディングに曝し、２１μｍの厚さを有する矩形のグリーンシートを取得した。次いで、Ｃｕを含む導電ペーストをセラミックグリーンシート１１，１２にプリントし、電極２１，２２を形成した。一つの電極２１，２２が２つのグリーンシート１１，１２の間に毎回現われるように、電極２１，２２が形成された上述の複数のセラミックグリーンシート１１，１２をラミネートした。
【００３１】
結果として得られた構造を乾燥させ、引き続いて１０ａの圧力の下で圧縮した。その結果の構造をキルン内で焼結した。この焼結は、室温から１０３０℃へゆっくりと加熱して行ない、続いて、室温までゆっくりと冷却した。焼成時間は、約９時間であった。焼成の間Ｎ２／Ｈ２Ｏのガス流を維持した。
【００３２】
標準的な方法で第１および第２の端子を設けた後、セラミック積層コンデンサを用意した。Ｋ値は６８で、損失係数ｔａｎδは２．１０−４であった。静電容量は３３ｐＦであった。静電容量の温度係数は−２６ｐｐｍ／℃であった。絶縁抵抗は７．１０６ＭΩであり、５５００ｓのＲＣ時間が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の電子装置であるセラミック多層素子の断面図である。
【符号の説明】
１０　セラミック多層素子
１１　第１のセラミック層
１２　第２のセラミック層
２１　第１の電極
２２　第２の電極
３１　第１の端子
３２　第２の端子
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
2004505878.tif 000021
2004505878.tif 000022