(57)【要約】本発明は、電気光学材料で作られ２つのアームを有する二波干渉計を構成する導波管構造と、一方のアーム又は他方のアームのそれぞれに沿って発光波間の位相間隔を変動させるために干渉計のアームの少なくとも一方に対して電界を印加することを可能にする、制御可能な電源に接続された一組の電極とを含む光学変調器に関する。本光学変調器は、干渉計の各アーム上に一方は電気光学材料の非反転領域に他方は反転領域にそれぞれ配置された二組の電極と、第１の電極の組における光の伝播時間と等しい遅延を導入する、電極の組を制御するための電子装置間に配置された遅延ラインとを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学材料で作られ２つのアームを有する二波干渉計を構成する導波管構造と、
一方のアーム又は他方のアームのそれぞれに沿って発光波間の位相間隔を変動させるために干渉計のアームの少なくとも一方に対して電界を印加することを可能にする、制御可能な電源に接続された一組の電極と、
を含む光学変調器であって、
干渉計の各アーム上に一方は電気光学材料の非反転領域に他方は反転領域にそれぞれ配置された二組の電極と、
第１の電極の組における光の伝播時間と等しい遅延を導入する、前記電極の組を制御するための電子装置間に配置された遅延ラインと、
を含むことを特徴とする光学変調器。
【請求項２】
基板は、表面に垂直なＺ字形のニオブ酸リチウムの非等方性結晶であることを特徴とする請求項１に記載の光学変調器。
【請求項３】
基板は、表面に垂直なＺ字形のタンタル酸リチウムの非等方性結晶であることを特徴とする請求項１に記載の光学変調器。
【請求項４】
前記導波管構造は、薄い金属層の熱分散によって生じることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項５】
前記導波管構造は、陽子交換によって生じることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項６】
前記電極の組は、それぞれ負荷インピーダンス上で閉じていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項７】
前記電極の組は、グループ化され、Ｓ字形の長さで接続された偶数個の平行な部分を含む互いに平行な２つの電極で構成され、各部分は、強誘電体極性の符号が隣接部分の符号とは逆の領域を通過することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項８】
前記電極の組は、グループ化され、Ｓ字形の長さで接続された２つの部分の各々から成る互いに平行な２つの電極で構成されることを特徴とする請求項７に記載の光学変調器。
【請求項９】
いかなる遅延ラインも含まないことを特徴とする請求項７又は請求項８のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項１０】
前記電気光学材料の反転領域は、電界パルスの局所的な印加によって永続的に得られることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項１１】
前記電気光学材料の反転領域は、電子衝撃によって得られることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項１２】
前記電気光学材料の反転領域は、少なくとも前記電極の組のうちの１つの長さと等しい長さに亘って前記干渉計の両方のアームを覆い、かつ、これらのアームを少なくとも発光電場の幅と等しい幅に亘って覆うことを特徴とする請求項１０又は請求項１１のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項１３】
前記干渉計は、マッハ・ツェンダー干渉計であることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項１４】
電極の各組は、前記干渉計の各アームの中心にそれぞれ置かれた低損失の中央導体を含むことを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の光学変調器。
【請求項１５】
電極の各組は、少なくとも前記中央導体の幅の２倍に等しい距離に配置された２つの対称な横方向接地平面を含むことを特徴とする請求項１４に記載の光学変調器。
【請求項１６】
前記制御可能な電源は、残留位相変調を調節するために、単一の組の電極に起因する半波電圧の半分に対して前記電極にそれぞれ印加される電圧の制御を可能にする２つの可変利得制御増幅器を含むことを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載の光学変調器。
【請求項１７】
光学波及び外部マイクロ波の伝播時間が同一になるように、電極の両方の組にそれぞれ印加された電界を相殺することを可能にする遅延ラインを含むことを特徴とする請求項１６に記載の光学変調器。
【請求項１８】
前記遅延ラインは、不活性であることを特徴とする請求項１７に記載の光学変調器。
【請求項１９】
前記遅延ラインは、活性であることを特徴とする請求項１７に記載の光学変調器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、特に光電気通信の分野に適用可能な集積電気光学構成要素の分野に関する。
【０００２】
（背景技術）
本発明は、より詳細には、特にニオブ酸リチウムで作られることの多い光電式光変調器に関する。その構成には、例えばマッハ・ツェンダー干渉計のような２つのアームを有する干渉計を形成する導波管構造と平行に並べられた二組の電極のカスケード構造が必要である。第１の組は、強誘電界が正の（又は、負の）分極化を用いて配向された結晶の部分に配置され、電極の第２の組は、負の（又は、正の）反転強誘電分極化の場を呈する結晶の他方の半分に配置される。
【０００３】
最近の光ファイバ送信の発展により、４０ギガビット／秒の程度のより高いチャンネル情報伝送速度が要求される。そのような場合、各チャンネルは、放射レーザの波長チャンネルである。これは波長多重化と呼ばれる。チャンネル間のスペクトル間隔、放射周波数の安定性、及び、使用される半導体レーザのスペクトル的フィネスは、情報をチャンネルに移すための光源外部の光学変調器の使用に関連する。
【０００４】
ニオブ酸リチウムの電気光学結晶から作られた光学変調器により、この外部変調機能を満足させることができる。それらは、実績のある技術に基づいて工業化される。しかし、それらを最高４０ギガビット／秒の伝送速度で実行するためには、いくつかの問題を同時に解決しなければならない。これらの問題は、特に、電力消費が変調周波数に伴って急速に増加する変調器の平坦な周波数応答の問題である。重要な点は、更に、周波数領域の応答と同様に低い制御電圧を得ることであるが、後者は制御電子機器によって制限されている。最後に、最高４０ギガビット／秒の伝達速度においては、半導体レーザの直接変調時の変調器による光の外部変調と比較して小さいとはいえ、分散の問題が起きることである。例えばニオブ酸リチウムの外部変調器によるこれらの分散の問題は、残留位相変調と発生される強度変調との間の比率に結びついている。この比率は、「チャープ」と呼ばれる。
【０００５】
通常、このニオブ酸リチウム型の集積光学変調器の従来の構成には、いくつかの原理が必要である。
第１の原理は、もっともよく使用されるニオブ酸リチウム結晶が電気光学的であるという事実に基づき、それは、適切に配向され所定の距離だけ離れた結晶面に対して外部電界を印加することは、結果的に結晶を通過して所定の長さに亘って進む光学波の線形位相変動により、材料の屈折率の変化に変換されることを意味する。この作動には、光の電界が、印加された静的な電界に対して平行又は垂直である好ましい分極化の方向を有することが必要である。次に、干渉アセンブリは、この位相変動を光検出器によって検知できる強度変調に変換することができる。
【０００６】
第２の原理は、このような材料では金属イオン又は陽子でドーピングすることにより、例えば狭い領域の形で屈折率が局所的に高くなり、そのために、光は、この高くなった屈折率によって生じたマイクロチャンネル内に注入され、このようにもたらされた光導波管において全く発散することなく、連続する内部全反射によって伝播することができるという原理に基づく。こうして、一般的に幅が１０μｍ程度の導波管に沿った電極の実現が低い制御電圧（５Ｖ）で非常に高い電界を印加することを可能にする、また、電子通信システムにおいて必要なものと互換性のある、複雑な光学回路を得ることができる。
【０００７】
平面図として図１Ａに、断面図として図２Ｂに示されたマッハ・ツェンダー干渉計と呼ばれる構造は、変調器全体の一体化を可能にする。光学導波部分を有する光学回路は、１つのＺ字形のニオブ酸リチウム基板１上に一体化される。このような場合、それは、真空中の波長がλの光を挿入するための直線的導波部分２’と、それに続く、干渉計の各アームを形成する２つの他の直線部分及び平行部分４’及び４’’に向かって伝播光を分離するＹ字形の分岐３とから構成される。伝播長Ｌの後で、両方のアームは、波を再結合して光を装置の出力方向に案内して最後の部分２’’で終端する第２のＹ字形接合部３’によって再結合される。電界によってアーム間に生成された位相間隔は、干渉現象により、伝達された光の強度変調に変換される。
【０００８】
光学導波管構造の可能な実施形態は、結晶基板の表面上に予め設定された厚さのチタニウム層を薄膜層の蒸着技術により堆積させることにある。このチタニウム層では、導波管のパターンは、通常のフォトリソグラフィ技術によって形成され、次に一定期間に亘って高温で分散される。熱分散の間、金属イオンが結晶に入り、得られたドーピングは、計算して計測することができる振幅、深さ、及び、幅のプロフィールに従って屈折率の局所的増加に変換される。伝播する発光領域は、屈折率プロフィールと実質的に一致する空間的範囲を有する。
【０００９】
変調器の作動には、更に、例えば所定の厚さｅのシリカなどの完全に絶縁する誘電材料の薄い層５が必要である。その他にも、電極６が、フォトリソグラフィ転写技術により装置の表面に堆積される。この電極の構造を得るための可能な解決法は、干渉計のアームの１つ４’と平行に導線Ｃを配置することにある。非常に広い電気的通過域を有する変調器を得るための最も好ましい構成において、主要表面が検討中のニオブ酸リチウム結晶の主軸Ｚ（又は、Ｃ）と垂直に切られる、マッハ・ツェンダー干渉計の光学装置を有する基板の場合、導電電極は、例えばアーム４’’の上方に配置されることになる。次に、図１Ｂに示すように、この幅ｗの中心線の両側に距離ｓをおいて２つの接地平面が配置される。この距離ｓがおよそ１５ミクロン程度の場合、主導体Ｃと対称接地平面Ｍ及びＭ’との間に非常に高い電界を印加することができる。
【００１０】
位相変調の効率を向上させるために通常使用される可能な解決法は、図１Ａ及び１Ｂに示すように、接地平面の１つを第２のアーム４の真上に配置することにある。そのような場合、導波管４及び４’は、それらを通過する逆符号を有する電界の影響を受ける。電気光学的効果により相対的に導かれる位相変動は、この構成によって約２倍だけ改善することができる。
この状況においてこそ、変調器によって発生する「チャープ」振幅にとって決定的なパラメータが関わってくる。実際に、得られる半波電圧Ｖπは、相互作用長さＬ、材料に関して考慮される電気光学係数ｒ３３、及び、材料を通って伝播する光が見る材料の特別屈折率ｎｅの３乗に反比例し、光の波長での電極間の偏差ｓに比例する。従って、半波電圧は、電極が長くて近いと弱くなる。一方、この半波電圧は、値が０と１の間の範囲にあって更に各々が非均一な発光電界７と静的電界８との間の相互作用効率を変換する、いわゆる重複係数ηの逆数によって重み付けされる。図１Ｂに示すように、電界の分布８は、中央電極Ｃの下と横方向の接地平面Ｍ及びＭ’の縁部の下とでは同じではない。従って、中央電極の下に位置する導波管に対しては、横方向の接地電極の１つの下に位置する導波管によって得られるη２とは異なる重複η１が得られる。その結果、電極の端子への電圧の印加により、それぞれのアームにおいて異なる符号で異なる振幅の位相変動が生じる。再結合の後、波は干渉して強く変調される。一方のアームの他方のアームに対する過度の変調は、純粋な位相変調に変換される。信号供給装置９により、適応終端インピーダンス１０に接続された電極に高調波パルス信号Ωが印加された場合、それは、振幅変調によって変換されるが、光学搬送波の周波数の瞬時の変調を引き起こす残留位相変調によっても変換される。これは、発光源のスペクトルを拡げることによって変わる周波数「チャープ」と呼ばれる。これは、発散媒体における送信品質にとって有害な場合があり、デジタル信号の受信を危険にさらす信号形状の劣化に変化する。
【００１１】
それにもかかわらず、特定の条件下においては、伝播媒体の分散の符号が方法に適する場合にパルスの圧縮を実現するために、その目的は、このスペクトルの拡大の振幅、特にその符号を制御することにある。
周波数「チャープ」から逃れるための最良の解決法は、一般的に各アームの重複比ηを完全に釣り合わせることにある。この目標に到達するための手段には、Ｚと異なる結晶部分に対する作業が必要である。Ｘ断面は、両方の導波管が、それらを各横方向電極から分離する領域の中間において中央電極のどちら側にも位置する構造を得ることを可能にする。図１Ｃは、上から見た１つのＸ断面基板１１上にこの構造を得るための可能な解決法を示している。導波管を通って進むように印加された場は水平であり、その対称構造は、それぞれのアームで重複が同一になるようなものである。図１Ｄは、力線８の分布と、電極に対して導波管によって伝達される発光する電場７の位置とを断面図で示す。しかし、Ｘ断面変調器の周波数応答が、Ｚ断面変調器のそれと比べて好ましくないことを示すことができる。
【００１２】
Ｚ断面のニオブ酸リチウム結晶上の周波数「チャープ」を除去又は制御する解決法は、構造を対称にするために、各アーム上に中央導体を有する二組の対称電極１２を得ることにある。そのような場合、信号供給装置９が存在する。信号供給装置９は、それぞれのアームに対して、２つの制御増幅電子装置１３’及び１３’’に接続される。更に、印加された電界の極性を反転させるために、電子フリップ・フロップ１４が入力に追加されなければならない。図１Ｅは、下から見た実施形態の形状を示す。図１Ｆは、電極に対する導波管の位置を断面図で表している。
【００１３】
電極の周波数応答に関しては、この応答は、ラインの特性インピーダンスＺｃと、ラインの減衰αにおけるマイクロ波屈折率ｎｍに関連するラインのマイクロ波信号の伝播速度とに関連する。特性インピーダンスＺｃ及びマイクロ波屈折率ｎｍは、中央導体の幅、接地平面の間隔、電極の厚さ、及び、誘電層の厚さのようなラインの幾何学的パラメータに関連する。目的は、電気光学効果による光学位相変動が干渉を通して累積するように光学速度及びマイクロ波に適合させるために、光学屈折率ｎ０に等しいマイクロ波屈折率ｎｍに到達することである。他の目的は、マイクロ波信号の供給装置の出力インピーダンスと、ラインの出力に配置された負荷インピーダンス１０とにできるだけ近くなければならない特性インピーダンスに関連する。完全に適合したラインにより、伝播する波が変調信号の品質を損なう恐れがあるいかなる反射も受けないことを実際に保証することができる。
【００１４】
特性インピーダンスＺｃが適合され、マイクロ波屈折率ｎｍが光学屈折率ｎ０と等しくなるように電極が設計される時、一方では、周波数応答における単一の制限要素は、電極における伝播の損失αである。デシベルで表されるラインに沿った電力の伝播損失は、ラインの長さと変調周波数の平方根とに比例する。この損失は、一般に、α（ｆ、Ｌ）＝α０ｆ１／２Ｌで表され、α０は、ｄＢ／ｃｍ／ＧＨｚ１／２  で表される。従って、例として挙げると、α０が−０．４７ｄＢ／ｃｍ／ＧＨｚ１／２等しい時、２ｃｍの電極に対して４０ＧＨｚにおける通過域は−６ｄＢである。２ｃｍの電極の場合、半波電圧は通常６ボルトである。４０ＧＨｚでの通過域の−３ｄＢに相当する１ｃｍの電極に対しては、半波電圧は１２ボルトであり、４倍の大きさの消散電力を呈することになる。更に、１２Ｖの最大電圧を供給することができる４０ＧＨｚ通過域を有する制御電子装置を設計及び取得するのは非常に困難である。
従って、本発明の目的は、良好な周波数応答を有し、「チャープ」現象を解消する光学変調器を提供することである。
【００１５】
（発明の開示）
この目的のために、本発明は、電気光学材料で作られ２つのアームを含む二波干渉計を構成する導波管構造と、一方のアーム又は他方のアームのそれぞれに沿って発光波間の位相間隔を変動させるために干渉計のアームの少なくとも一方に対して電界を印加することを可能にする、制御可能な電源に接続された一組の電極とを含む光学変調器に関する。
本発明によれば、本光学変調器は、干渉計の各アーム上に一方は電気光学材料の非反転領域に他方は反転領域にそれぞれ配置された二組の電極と、第１の電極の組における光の伝播時間と等しい遅延を導入する、電極の組を制御するための電子装置間に配置された遅延ラインとを含む。
【００１６】
本発明はまた、以下に説明する特徴、及び、独立して又は技術的に可能なその全ての組合せに従って検討される特徴に関する。すなわち、
・基板は、表面に垂直なＺ字形のニオブ酸リチウムの非等方性結晶である、
・基板は、表面に垂直なＺ字形のタンタル酸リチウムの非等方性結晶である、
・導波管構造は、薄い金属層の熱分散によって生じる、
・導波管構造は、陽子交換によって生じる、
・電極の組は、それぞれ負荷インピーダンス上で閉じている、
・電極の組は、グループ化され、Ｓ字形の長さで接続された２つの部分の各々から成る互いに平行な２つの電極で構成される、
・グループ化された電極の組を有する変調器は、いかなる遅延ラインも含まない、
・電極の組は、グループ化され、Ｓ字形の長さで接続された偶数個の平行な部分を含む互いに平行な２つの電極で構成され、各部分は、強誘電体極性の符号が隣接部分の符号とは逆の領域を通過する、
・電気光学材料の反転領域は、強い電界の短いパルスの局所的印加によって永続的に得られる、
・電気光学材料の反転領域は、電子衝撃によって得られる、
・電気光学材料の反転領域は、少なくとも電極の組のうちの１つの長さと等しい長さに亘って干渉計の両方のアームを覆い、これらのアームを少なくとも発光電場の幅と等しい幅に亘って覆う、
・干渉計は、マッハ・ツェンダー干渉計である、
・電極の各組は、干渉計の各アームの中心にそれぞれ置かれた低損失の中央導体を含む、
・電極の各組は、少なくとも中央導体の幅の２倍に等しい距離に配置された２つの対称な横方向接地平面を有する、
・制御可能な電源は、残留位相変調を調節するために、電極の単一の組に起因する半波電圧の半分に対して電極にそれぞれ印加される電圧の制御を可能にする２つの可変利得制御増幅器を含む、
・光学変調器は、光学波及び外部マイクロ波の伝播時間が同一になるように、電極の両方の組にそれぞれ印加された電界を相殺することを可能にする遅延ラインを含む、
・遅延ラインは不活性である、及び
・遅延ラインは活性である。
【００１７】
すなわち、以下の点に従いながら、本発明によるニオブ酸リチウム上の一体化された広帯域光学変調器の性能の改善が得られる。すなわち、
・干渉計のアームの光学距離の一部分上での強誘電界の反転、
・Ｚ断面ニオブ酸リチウム上に誘導された波を有するマッハ・ツェンダー干渉計の構造の実現、
・強誘電界の反転に曝されたことがない干渉計のアームの部分上への、中央導体が干渉計の一方のアームの上方に配置された一組の進行波電極の実現、
・強誘電界の反転に曝された干渉計のアームの部分上への、中央導体が干渉計の他方のアームの上方に配置された一組の進行波電極の実現、
・電極の各組の個々の長さの合計に等しい相互作用長さに相当する半波電圧Ｖπに等しい最大電圧を各々供給する２つの別々の制御電子装置の使用、及び
・マイクロ波信号供給装置によって供給される各制御電子回路は、電極の組の１つを操作する。
遅延ラインが各制御電子回路間に配置され、それによって下流の電子回路上の信号の付加は、導波管内の光学波の伝播速度と上流電極における相互作用の持続時間とを考慮して上流の電子回路と同期する。本発明は、以下に添付図面と関連して詳細に説明される。
【００１８】
（発明を実施するための最良の形態）
Ｚ断面の構成要素は、軸線Ｚが例えば結晶の主表面に対して正方向に向くとして、強誘電性ニオブ酸リチウムの基板１上に得られる。その方向は、方位Ｚ＋と呼ばれる。基板は、マッハ・ツェンダー干渉計の導波管パターンを有する。このパターンは、直線的な入力２’及び出力２’’導波管、及び、干渉計の各アーム４’及び４’’によって接続された２つの接合部Ｙ３’及び３’’を含む。導波管は、例えば、チタニウム分散により、又は、リチウム／陽子交換の方法により得られる。
【００１９】
ニオブ酸リチウムの結晶は、その全厚内に強誘電界の反転を受けた領域１５を含む。これは、短時間に２０ｋＶ／ｍｍ程度の電界を結晶の両面間へ短く局所的に印加することにより、結晶の自然発生的な分極化が恒久的にその方向を変えることを意味する。このように、結晶は、その極性の反転を局所的に受けるので、従って強誘電界反転と呼ばれる。軸線Ｚの方向は反転される。その表面では、領域１５はいわゆる方位Ｚ−を有する。この方位の変化の主な結果は、変調器に関しては、変調に関連する電気光学係数ｒ３３の符号が反転されることである。それは、いわゆる反転領域においては、正の電圧の印加がいわゆる非反転領域で得られた符号と反対の符号の屈折率の変動を引き起こすことを意味する。
【００２０】
いわゆる非反転領域においては、Ｃ１による断面図に対応する図２Ａに示すように、長さＬ１の一組の電極６は、中央の電極が干渉計のアーム４’’の上方に位置合わせされて配置される。このアームの屈折率の変動は、例えば正であって、電界及び発光電場η１間に重複がある。他方のアーム４’は、接地電極の１つの下に位置し、重複比がη２の負の屈折率変動を受ける。
いわゆる反転領域１５では、Ｃ２による断面図に対応する図２Ｂに示すように、長さＬ２の第２の組の電極１６は、中央の電極が今度は干渉計のアーム４’の上方に位置合わせされて配置される。Ｖ１と同じ符号の電圧Ｖ２が電極１６の端子に印加される。このアームの屈折率の変動は、ｒ３３の符号の反転のために今度は負である。重複比は今度はη１である。横方向電極の１つの下に位置する他のアーム４’’は、対称性の理由から正の屈折率変動を受け、重複比η２を有する。
【００２１】
図３によって別の可能性が示される。そのような場合、全長が２Ｌ１の単一の組の電極１８が実施され、これらの電極は、２つの部分に分割される。第１の部分は、中央導体がアーム４’’の上方に配置されるいわゆる非反転区域の上方の位置に対応し、次に、Ｓ字形のアダプタ１９によって第２の部分が第１の部分に接続され、それによって中央導体は、アーム４’’からいわゆる反転結晶領域のアーム４’まで動かされる。そのような場合は、単一の電源が必要である。以下により明らかになるが、そのような構造の場合は、周波数応答は好ましくないが、必要な制御電力はそれほど大きくない。逆に、周波数「チャープ」を除去し得ることが以下で示される。
【００２２】
図２の一般的な構造に関しては、これらの実施形態のいずれにおいても、Ｌ１からＬ２の相互作用長さに対するアーム４’における累積位相は、＋η１Ｖ１Ｌ１＋η２Ｖ２Ｌ２に比例する。Ｌ１からＬ２の相互作用長さに対するアーム４’’において、累積位相は、−η２Ｖ１Ｌ１−η１Ｖ２Ｌ２に比例する。
各波間の再結合後の強度変調は、各アームに累積された位相間の差の自乗に対する余弦に依存する。すなわち、
2004523775.tif 000003
Ｓ０は、構成要素に入射する光学出力に比例する。
構成要素によって送信された信号に付随する、光学周波数「チャープ」によって変えられる残留位相変調は、それぞれのアームに累積された位相の合計に依存する。すなわち、
2004523775.tif 000004
【００２３】
特に図３に示された状況に対応する、Ｌ１＝Ｌ２及びＶ１＝Ｖ２になる単純な場合、残留位相の変動はゼロであることが分かる。その作動により、干渉計の単一アーム上に位置合わせされた直線的中央導体を備えた一組だけの電極を有するＺ断面構成要素に関して一般に起こる各アームの電界／発光電場の重複比の間の不均衡が抑制される。すなわち、「チャープ」のない装置が提供される。逆に、図２に示す構造を用いて可能なように、Ｖ１及びＶ２間の１つの比に対して作用することにより、予期される用途により調節可能な「チャープ」を得ることができる。
【００２４】
電圧Ｖ１及びＶ２は、信号供給装置９によって駆動される制御増幅器１３’及び１３’’の利得に対して作用することにより調節することができる。上述の静的な説明は、一般に時間に関連する信号で変調され、４０ＧＨｚ程度の周波数範囲に及ぶ装置の動的挙動を考慮に入れていない。これらの条件の下では、電波及び光学波の伝播時間を無視してもよく、特に、上述のように光学波及びマイクロ波の速度が適応されるべきである。電極の両方の組に沿って信号が累積するためには、光が導波管２’から出力導波管２’’に向けて伝播すると推定される限り、電極の第２の組によって印加された変調が電極の第１の組において伝播する変調と同期する必要があり、これは、変調効率を悪化しやすいあらゆる位相遅延を避けるためである。そうするために、電子装置１３’及び１３’’間に遅延ライン１７が挿入される。導入される遅延は、長さＬ１の電極部分６を通る光の通過時間と正確に対応する。図３の装置に関しては、単一の信号供給装置が電極１８の単一の組と共に使用されるので、この遅延ラインは作用しない。
【００２５】
位相に対する周波数応答を判断するために、電極を通って伝播する極超短波が進行波であるように特性インピーダンスが適応される仮説を参照し、光学速度及びマイクロ波が適合されると仮定する。そのような場合の主な制限因子は、周波数と共に表皮厚さが減少する導体中のエネルギ消散による電極に沿う電圧損失である。すなわち、各ラインに沿って、範囲の及ぶ距離ｘに対する電圧振幅の分布が次式のように考えられる。
2004523775.tif 000005
【００２６】
Ｖ０は、電極の入力に印加された電圧の振幅である。次に、電極の両方の組との相互作用後の位相差に対する応答は、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ０、及び、Ｌ１＝Ｌ２＋Ｌとすれば、低損失に対して概略次式で与えられることを示すことができる。
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比較のために、単一入力電圧Ｖ０によって制御される、全長２Ｌの電極の組に対する図１Ａに示すような変調器は、次式に等しい位相応答を有する。
2004523775.tif 000007
【００２７】
πラジアンの位相差を得るのに必要な電圧Ｖ０はいずれの場合も同じであるが、周波数減衰は、第１の場合にそれほど大きくないことが分かる。この第１の場合では、電極の各組に電力供給するために２つの制御用電子装置１３’及び１３’’を必要とし、これは２倍もの消散電力を表している。しかし、電極の長さを２で割算することにより、単一の電極の組と単一の制御電子回路とを用いて同じ周波数応答を得ることができる。そのような場合、同じ位相差を得るのに必要な制御電圧は２Ｖ０に等しいことになる。この場合、電力消費量は２倍に大きくなることになる。ただし、後者の場合のように広い通過域上に高電圧を供給する制御電子装置は、今のところ競争力のある価格で容易に入手可能ではない。
【００２８】
図４により、Ｚ断面に切られた結晶に対して、本発明によって検知された光学信号の電力応答を従来技術に対して比較することが可能である。この図は、それぞれの状況に対応する周波数に対する応答をデシベルで与える。これらの曲線は、電極の特性（中央導体の幅、接地平面に対する間隔、電極の厚さ、及び、電気層の厚さ）が同一であると仮定して得られる。選択された１つ又は複数の制御電圧は、使用される電力が各場合で同じであるように各曲線間で修正される。曲線によって同じく修正されるのは、直列接続又は並列接続による必要な電極の長さ及び数量である。
【００２９】
曲線２０は、半波電圧Ｖπに等しい最大電圧Ｖ０によって制御される長さが２Ｌの電極の単一の組の場合を表す。０Ｈｚの基準点は、０ｄＢに位置する。４０ＧＨｚにおいて、信号損失は−６ｄＢである。更に、各アームに対応する電界／発光電場の重複比η１及びη２の差のために、信号は、光学周波数「チャープ」によって影響される。
曲線２１は、一方の電極に対して電圧＋Ｖ０／√２、他方の電極に対してＶ０／√２で制御された長さ２Ｌの平行に配置された二組の電極の場合を表している。使用された電力は上述の場合と同じである。０Ｈｚの基準点は−３ｄＢに位置する。同じレベルの変調を取り出すのに必要な２つの電源により印加される電力は、第１の場合の２倍にも達する。４０ＧＨｚにおける信号損失は、上述の場合と同様に−６ｄＢであり、電極の長さは同じである。逆に、各アームに対する重複ηが同一なので、応答は光学周波数「チャープ」によって影響されない。しかし、両方の入力間で信号を反転させるために電子フリップ・フロップが必要である。
【００３０】
曲線２２は、最大電圧がＶ０に等しい信号により、すなわちそのような場合に必要な半波電圧Ｖπの半分の信号により制御された長さＬの電極の単一の組の場合を表している。同じレベルの変調を取り出すのに使用される電力が第１の場合と比べて４倍の大きさなので、０Ｈｚの基準点は−６ｄＢに位置する。４０ＧＨｚにおける信号損失は、この場合は−３ｄＢだけである。逆に、応答は光学周波数「チャープ」によって影響される。
【００３１】
最後に、曲線２３は、本発明の目的である結果を表している。それは、各電極の長さがＬ、すなわち相互作用の全長が２Ｌの二組の電極の場合に相当する。それぞれの組は、電圧Ｖ０／√２によって制御される。電極の組の一方は、いわゆる非反転領域の上方に配置され、他方の組は、結晶のいわゆる反転領域上に配置される。更に、第２の組の中央導体は、第１の組の電極に使用されたものとは異なるマッハ・ツェンダー干渉計のアームの上方に位置合わせされる。０Ｈｚの基準点は−３ｄＢに位置する。そのような場合はまた、同じレベルの変調を取り出すのに必要な２つの電源により印加される電力は、第１の場合と比べて２倍の大きさである。この場合には、４０ＧＨｚにおいて信号損失は−３ｄＢだけであり、従って、応答はより平坦である。ただし、そのような場合は、両方の組の電極間の各アームに沿う重複の平均値の均等化のために、応答は光学周波数「チャープ」によって影響されない。この解決法は、上述の他の解決法と比較して、低電力消費、平坦な周波数応答、及び、低い関連残留位相変調（チャープ）の要件間の良好な妥協点を構成する。
【００３２】
本発明の目的である最後のケースは、曲線２０の通りである。これは、図３に示されたケースであり、単一組の電極が、結晶のいわゆる非反転領域と結晶のいわゆる反転領域との間の通路で中央導体の位置を反転されて実装されている。この電極の組は、半波電圧Ｖπに等しい最大電圧Ｖ０により制御された、長さ２Ｌの独特なものである。４０ＧＨｚにおける信号損失は−６ｄＢである。逆に、上述の場合と同じ理由で、信号は、関連する残留位相変調（チャープ）によって影響されない。
【００３３】
従って、低いチャープの変調器を得るために２つの構造が示唆される。一方の構造は、同一の長さであるが強誘電界の人工的な逆転により反対符号の極性を有する干渉計のアーム部分の上方に配置された二組のマイクロ波ラインの使用に基づいている。この構造には、遅延ラインで接続された２つの制御電子装置の使用が必要である。
他方の構造は、中央導体が干渉計の一方のアームからＳ字形の曲線を通って他方に至る共面ライン型の単一組の電極の使用に基づいており、このアームの変更は、電極により伝えられる電界と相互作用する両方の領域における伝播を通して光の構成的位相変調を保つための材料の極性変化に相当する。
【００３４】
この種の構造では、作り出された位相変調の振幅は、各アームに対して絶対値で等しい。示唆された構成は、電界の重複と発光電場の重複とに対して同一の値を導入することにより位相変動を均衡させる。
しかし、電極の長さに亘って伝播損失を導きやすいのはマイクロ波ラインなので、そのエネルギは、電極の第１の部分の非常に高い周波数において部分的に消散し、その結果、第２の部分の変調に対する貢献はそれほど効率的でないことになる。
【００３５】
図５は、本発明の代替案を提供し、本装置は、一対よりも多い反転場構造と、Ｓ字形の長さで接続された同数の電極の部分を表しており、それにより、１つの部分がラインに沿う伝播損失の影響に対して個別にそれ自体が露出されるのに十分なほど決して長くはない。区域１５は、反転領域に対応する。他の領域への領域の各転移には、Ｓ字形の長さが対応する。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
上述の従来技術の構造を示す図である。
【図１Ｂ】
上述の従来技術の構造を示す図である。
【図１Ｃ】
上述の従来技術構造のＸ断面を示す図である。
【図１Ｄ】
上述の従来技術構造のＸ断面を示す図である。
【図１Ｅ】
上述の従来技術構造のＺ断面を示す図である。
【図１Ｆ】
上述の従来技術構造のＺ断面を示す図である。
【図２Ａ】
本発明の第１の実施形態を示す線Ｃ１沿った断面図である。
【図２Ｂ】
本発明の第１の実施形態を示す線Ｃ２に沿った断面図である。
【図２Ｃ】
本発明の第１の実施形態を示す平面図である。
【図３】
本発明の第２の実施形態を示す平面図である。
【図４】
従来技術のＺ断面に対する本発明の性能の比較図である。
【図５】
本発明の代替実施形態の平面図である。
【国際公開パンフレット】
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2004523775.tif 000009
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【国際調査報告】
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