(57)【要約】【課題】本発明は、アーク蒸着装置（１０）において、基板（２０）を処理するための処理方法及び処理装置に係り、その改善された方法及び装置を提供すること。【解決手段】強度Ｉのアーク電流が陽極と陰極として機能する金属ターゲット（１４，１６，１８）との間でアーク蒸着装置内の脱気スペース（１２）内を流れる。アーク電流はターゲット材料を蒸発させるとともに金属イオン密度を生じさせるために使用される。本発明は、望ましくない過度の温度上昇を起こすことなく基板（２０）を取扱うことを意図する。この結果、ターゲット（１４，１６，１８）当りの金属イオン密度は、ターゲットを少なくとも部分的に覆うことにより設定される。この密度が基板を取扱うのに効果がある。【選択図】図１
2004532354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット材料を蒸発させるとともに金属イオン密度を生じさせるために、金属を含み陰極として作用するターゲット（１４，１６，１８，４０）と陽極との間の脱気スペース（１２）内で強度Ｉのアーク電流が流れるアーク蒸着装置（１０）において基板（２０）をエッチングする方法において、
該基板（２０）の処理に有効なターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、該ターゲットを少なくとも部分的に覆うことにより得られ、該ターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、陽極と陰極との間を非定常的アーク電流が流れる値にまで見かけ上のアーク電流密度の減少が得られるように変化してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、陽極と陰極との間を非定常的アーク電流が流れる値にまで見かけ上のアーク電流密度の減少が得られるように変化してなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、陽極とターゲットとの間のアークが定常状態を維持するときに基板（２０）が許容し得ない温度上昇が生じることがない程度にまで減少してなることを特徴とする請求項1又は２に記載の方法。
【請求項４】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）は、好ましくは揺動可能なフラップ部片（３２，３４，４２，４４）の形状をなす少なくとも１つのカバー（２６，２８，３０）によって所定の範囲にわたり基板側において覆われてなることを特徴とする前記請求項の少なくとも1つに記載の方法。
【請求項５】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）は、２つの揺動可能なフラップ部片（３２，３４，４２，４４）によって所定範囲にわたり基板側において覆われてなることを特徴とする前記請求項の少なくとも1つに記載の方法。
【請求項６】
ターゲット（１４，１６，１８）は、互いに調整可能で移動可能な開口を有する複数の部材を用いて基板側において覆われ、これら開口は該部材の調整により所定範囲において互いに合致あるいはオフセットするように整合してなることを特徴とする前記請求項の少なくとも1つに記載の方法。
【請求項７】
壁（２４）によって囲まれた真空室（１２）と、陽極及び陰極と、少なくとも1つのターゲット（１４，１６，１８，４０）とを備え、これら基板のエッチングのためにターゲット上のアークスポットの運動により金属イオンが発生してなるアーク蒸着装置（１０）において基板（２０）をエッチングするための装置において、
真空室（１２）の壁（２４）は陽極であり、1つ又は複数のターゲット（１４，１６，１８，４０）は陰極であり、ターゲットと基板（２０）との間に基板を所定の範囲にわたり覆うカバー（２６，２８，３０，３２，３４，４２，４４）が配置され、該ターゲットと対向する基板（２０）は負の電位に置かれてなることを特徴とする装置。
【請求項８】
カバー（２６，２８，３０）は、単一翼部又は複数翼部を有するフラップ部片、特に２つの翼部を有するフラップ部片（３２，３４，４２，４４）により形成されてなることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
ターゲット（１４，１６，１８）は、互いに調整可能で移動可能な開口を有する部材を用いて基板側において覆われ、これら開口は前記部材の調整によって、所定範囲において互いに合致あるいはオフセットするように整合しなることを特徴とする請求項7又は８に記載の装置。
【請求項１０】
ガス分子をゲッタするためにアークの作用を受けるとともに覆われたターゲット（１４，１６，１８）を備えた装置の使用。
【請求項１１】
不活性ガスを用いたエッチングのための装置の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アーク蒸着装置において基板をエッチングなどの処理を施す処理方法に関する。ここにおけるアーク蒸着装置においては、ターゲット材料を蒸発させるとともに金属イオン密度ないし濃度（density）を生じさせるために、陰極（カソード）として作用する金属からなるターゲットと陽極（アノード）との間の脱気スペースに強度Ｉのアーク電流が流れる。又、本発明は、陽極と金属からなるターゲットにより形成された少なくとも１つの陰極を有する真空室を備えたアーク蒸着装置において基板にエッチングなどの処理を施す処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
加工物などの材料に対して、特に硬質合金（カーバイド）などの被覆（コーティング）を行うために、被覆される表面は付与される材料が強く接着し得るように原子レベルでの不純物がない状態が必要とされる。
【０００３】
被覆は、例えば、真空室内において、４００ボルト（Ｖ）と５００ボルト（Ｖ）の範囲の電圧で、１アンペア（Ａ）と１０アンペア（Ａ）の間の電流の強さでスパッパリングを行なうことにより付与される。もし、アーク技術を用いる場合、一般に２０ボルトの電圧が１００アンペアのレベルの電流が流れている間に陰極と陽極の間に与えられる。
【０００４】
アーク蒸着装置は欧州特許第０３０６４９１号により公知である。構成部材に合金の被覆を行なうために、ターゲットが用いられ、それはターゲットの異なるアクティブな平断面において少なくとも２つの金属を有する。
【０００５】
金属を蒸発させてプラズマを生じさせるために、ターゲットの面全体にわたりランダムな通路上でアークスポットを移動させることは、ドイツ特許公開第４２４３５９２号により公知であり、ここにおいては、磁気コイルを介してターゲットに対して電流が付与され、その磁気コイルはアークスポットを移動させるに必要な磁界を生じさせる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
工具などの被覆すべき基板の前処理、すなわちエッチングの間、定常のアーク電流で発生する陰極当りの高い金属イオン密度ないし濃度のために、基板（工具）が過度に温度上昇したり、それに伴って基板の基礎材料の硬度が失われたり基板形状の変形を生じたり、あるいはターゲット材料により発せられる原子及び原子結合体（飛沫）による脱気材料の付着などの種々の望ましくない現象が発生する。その結果、被覆の接着度合が弱くなるとともに基板表面が粗くなるなどの問題があった。
【０００７】
本発明は、上記諸問題の改善を図るために、許容範囲を超えた過度の温度上昇を起こすことなく所要程度に基板のエッチング等の処理を遂行し得るこの種の処理方法及び処理装置を提供することを課題とする。又、本発明の課題は、基板の処理によって障害となっている分子（残留ガス原子）を極めて迅速に除去できることも意図するものであり、更には、いくつかのターゲットがアーク蒸着装置内にある場合に不使用のターゲット上への寄生的な付着を確実に排除することも意図するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、ターゲットの少なくとも一部を覆うことにより基板処理に有効なターゲット当りの金属イオン密度ないし濃度（以下、密度）を達成した処理方法を提案するものである。特に、ターゲット当りの金属イオン密度は、通常の場合に陰極と陽極との間に非定常的なアーク電流が流れる値にまで見かけ上のアーク電流密度の減少が得られるように変化する。
【０００９】
本発明によれば、処理されるべき基板に有効なターゲット当りの金属イオン密度が影響され、陽極とターゲットとの間のアークが定常を維持するときに基板が許容されない範囲にまで温度上昇することが起きない程度まで減少する。換言すれば、０．００１ミリバール以下の範囲の真空度において線状のアーク源がもはや定常的作動状態を持たない値、すなわち、代表的な矩形の蒸発器において約６０アンペア（Ａ）を下回る電流での値に向かってアーク電流密度の見かけ上の減少がある。
【００１０】
このように低い電流強度に対応するターゲット当りの金属イオン密度が基板にとって有効となり、従ってエッチングなどの所要の処理を基板に生じ得る変化や変形の危険なしに遂行できる。ここにおいて、ターゲット当りの金属イオン密度は、例えば揺動可能なフラップ部片などの形状の少なくとも１つのカバーを用いて基板側においてターゲットを所要範囲にわたり覆うことにより変えることができる。特に、該ターゲットを基板側において２つの揺動可能なフラップ部片で覆う構成が望ましい。
【００１１】
又、他の構成として、互いに調整可能ならびに移動可能な開口を有する複数の部材を用いて基板側においてターゲットを覆うことも可能である。ここにおいて、これら開口は該部材の調整により所要範囲にわたって合致するか、あるいは互いにオフセットするように位置の整合を行なうことができる。これにより、基板に有効なターゲット当りの金属イオン密度に調整することができる。
【００１２】
本発明の具体的構成において、カバーのターゲット側のガス分子を結合させるためにターゲットとカバーとの間に形成されるプラズマが使用される、すなわち高いポンプ容量を有するゲッターポンプ（getter  pump）として使用される。測定数値を挙げれば、ポンプ容量は、ターゲット当り１００アンペア（Ａ）、合計４つのアクティブターゲットで１０，０００リットル／秒が得られる。これらターゲットはチタンあるいはクロムあるいはゲッター効果を有する他のターゲット材料を含み得る。
【００１３】
これらターゲットが覆われた時に形成されるゲッターポンプは、通常５００〜１，０００リットル／秒の容量を有するとともにアーク蒸着装置に組込まれるターボポンプの実際のポンプ容量よりもはるかに高いポンプ容量を有する。従って、本発明においては、形成されたゲッターポンプのポンプ容量は、特に基板をエッチングする時に有効である。これによって、処理すべき基板表面の所要の接着効果に害となるガス分子の集積を避けることができる。
【００１４】
ターゲットとこれを基板側で閉鎖するカバーとの間に形成されるプラズマの効果は更に次のような利点を結果としてもたらす。すなわち、ここにおいてはエッチングなどの実際の処理を一般的な分離した個々のポンプを単に備えた標準的なアーク蒸着装置よりもより早くスタートさせることができる。この比較測定によれば、本発明は、その時間を３分の１まで容易に短縮できる。通常、基板の温度上昇はチャンバ内部でのガス発生よりも早い。
【００１５】
本発明における更なる利点は、不使用ターゲットは、処理すべき基板の温度上昇の間あるいは単一の陰極を有する付着の間、これらターゲットを完全に覆うことにより、寄生的付着から保護される。その結果、汚染されたターゲットについて必要な追加的な清掃（クリーニング）工程を何等必要としない。
【００１６】
更に、本発明における利点は、基板を被覆する時に得られる。すなわち、例えば、チタンの基板が使用されるとともに窒素が供給されたときに、窒化チタンで基板の被覆を行なう間、ターゲットカバーを用いて被覆処理をコントロール状態で行なうことができ、従って、ナノレベルの層形成においても極めて精度が高く薄い被覆形成が可能となる。又、多層被覆処理も可能であり、更に、使用されるターゲットが異なる材料よりなる場合、種々異なる材料での被覆を必要に応じて行なうことができる。
【００１７】
また更に、本発明によれば以下の利点も得られる。すなわち、アークを消す代りに、該アークを「隠す」ことができる。これによって、プラズマの中断がない。この結果、より品質の高い被覆が可能となる。又、アルゴンなどの不活性ガスを用いたエッチングが１０−３ミリバール（ｍｂａｒ）程度の圧力で可能となる。その他では不可能な不活性ガスによるエッチングにより、イオンの流れが極めて少ないことのお陰で、基板上で極めて均一で穏やかな効果が発揮される。従来の方法においては、極めて高価なイオン化補助手段を設置する必要があった。換言すれば、本発明では、同時的ゲッターポンプ効果を伴った不活性ガスによるエッチングが可能となる。
【００１８】
この種の本発明の処理装置においては以下の特徴がある。すなわち、ターゲットをカバーによって基板側で所要範囲にわたり覆うことができる。ここにおいて、該カバーは揺動可能な単一の翼部を有するフラップ部片あるいは複数の翼部を有するフラップ部片、特に２重翼を有するフラップ部片で構成することができる。又、可能なことは、ターゲットを単一の孔あきシート部材あるいは互いに調整可能な２つの孔あきシート部材で囲むことである。孔あきシートにある孔は必要な範囲、覆ったりあるいは開放される。
【００１９】
本発明の更なる詳細、利点及び特徴は、特許請求の範囲ならびに以下、図面を参照して説明する本発明の実施例の記載により明らかである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の実施例に係るアーク蒸着装置１０の真空室１２の構成を示す。この真空室１２は脱気スペースであり、この内部には複数のターゲット１４，１６，１８が配置され、これらは陰極の機能を果たす。２０は基板で真空室１２の内部において、例えばターンテーブル上に配置される。この基板２０は本発明に従って、少なくともエッチング処理され、特に最初にエッチングされ、次いで被覆処理される。これを行なうに必要なプラズマはターゲット材料の蒸発及びアーク電流の形成によって発生する。アーク電流は、一方において陰極をなすターゲット１４，１６，１８と他方において陽極との間で形成される。陽極は真空室１２又はその壁部２４に接続されている。上記構成部分は公知であり、これは供給される電圧が２０ボルト（Ｖ）の程度で電流が１００アンペア（Ａ）の程度であることについても同様である。真空室（アーク室）１２内の圧力は、形成されるプラズマあるいはエッチング／被覆処理に応じて設定されるが、一例として、１０−４〜Ｐ３パスカル（Ｐａ）の範囲に入る。
【００２１】
ターゲット１４，１６，１８のそれぞれに対応する電力供給源２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、これらターゲットに対して個々にあるいは、それらの必要に応じた組合わせで電力を供給する。
【００２２】
本発明に従って、これらターゲット１４，１６，１８は、これに対し負の電位に置かれた基板２０側において、ないしは基板に対して所要ないし所定の範囲にわたり、覆われることが可能である。この結果、ターゲット当りの金属イオン密度が変化し得、定常的なアーク電流が流れて蒸発するターゲット１４，１６，１８の表面上にアークスポットが形成される状態に拘わらず、エッチングの間、基板２０の過度の温度上昇が起きないようにすることができる。
【００２３】
これにより、基板２０の表面は、その上に硬質合金等の金属の被覆（コーティング）を良好な接着状態で行なうに十分なクリーンな面となる。
【００２４】
この実施例において、カバー２６，２８，３０は２つの翼部を有するフラップ部片３２，３４で構成され、それら両フラップ部片の相対位置関係に応じて対応するターゲット１４，１６，１８を部分的あるいは完全に覆う。両フラップ部片３２，３４が離間した状態でその間に形成されるスリットないし開口（以下、開口）３６を通して、その開口の幅に応じたプラズマを基板２０の方向に形成することができる。これらフラップ部片よりなる複数の部材の調整により、これら開口は所定範囲において互いに合致あるいはオフセットするように整合する。図２にその具体例が明白に示されている。３８はターゲット４０のための支持体を示す。ターゲットは、その表面側に配置されたフラップ部片４２，４４によって、ここでは図示されていない基板の方向ないし基板側において覆うことができる。これらフラップ部片４２，４４はシャッターの機能を果たす。
【００２５】
図２の（１）では、両フラップ部片４２，４４が完全に閉じられ、例えばチタンイオンのプラズマが基板の方向に形成され得ない。
【００２６】
図２の（２）では、両フラップ部片４２，４４は、その間に開口４６を形成する状態にあり、その開口４６を通して基板側にプラズマが送出される。このプラズマの送出度合、すなわち金属イオン密度は、４８で示すように両フラップ部片４２，４４の間の開口４６の幅の関数として変化する。図２の（３）及び（４）にその異なる変化状態を示す。このように、ターゲット４０からの金属イオン密度は両フラップ部片４２，４４の位置設定により所要ないし所定の程度に変えることができるので、その結果、基板に当たる金属イオンの密度が変化し得、クリーニング処理、すなわちエッチング処理の間、望ましくない過度の温度上昇を解消し得る。
【００２７】
又、窒化チタンなどの金属被覆の処理工程においても、フラップ部片４２，４４は効果を発揮する。すなわち、基板２０上に薄い被覆あるいは多層被覆を選択的に行ない得ることである。これは、真空室１２が種々異なる材料よりなるターゲットを有し、これらターゲットが所要の被覆処理工程に適合する基板に有効なプラズマを発生させる場合に可能である。
【００２８】
カバー２６，２８，３０すなわちフラップ部片３２，３４又は４２，４４の作用により、陽極と陰極との間を非定常的アーク電流が流れる値まで見かけ上のアーク電流密度の減少が生じ、これによってターゲット／陰極当りの金属イオン密度が変化して所要量の減少が得られる。このように、基板２０に対して有効な陰極当りの金属イオン密度は、シャッターとしてのカバー２６，２８，３０の手段により減少させることができる。これはアーク電流を減少させることにより達成し得ることであるが、アーク電流の減少では、真空室１２が０．０００１ミリバール又はそれ以下の圧力状態で６０アンペア（Ａ）又はそれ以下の定常のアークの範囲では、もはや達成し得ないのである。この範囲について、図３に参照番号５０で示し、シャッター付き（極めて関係する範囲）と表示してある。換言すれば、本発明のごとく、シャッターによる見かけ上のアーク電流の減少はアーク自体の不安定化を招かないのである。従って、低温での被覆処理においても有利である。
【００２９】
上述のようにカバーにより構成されたシャッターにより陰極／ターゲット１４，１６，１８を完全に覆うことができることは以下の利点がある。すなわち、ターゲット１４，１６，１８上でアーク形成がなされる場合、対応するターゲットが完全に覆われると、ターゲットがガス分子をゲッタするアークにさらされ、ここにゲッターポンプの機能が得られる。この場合、真空室内にあるガス分子は、ターゲットとカバーとの間に形成されたプラズマの存在のため、カバー上に付着したターゲット粒子によって結合され、その結果、ガス分子は基板２０の表面に全く蓄積しないか、あるいは殆ど無視できる程度にしか蓄積しない。このようにゲッターポンプの機能が発揮され、このポンプ容量は、陰極当り１００アンペア（Ａ）の電流の強さで、合計４つのアクティブな陰極を使用した場合に１０，０００リットル／秒となる。この結果、エッチング処理を従来の方法よりも、より早く実行できる。
【００３０】
更に、使用しないターゲットを完全に覆うことができる利点は、外部からの不純物の寄生的付着を排除できることである。
【００３１】
本発明においては、特に以下のような利点がある。
良好な表面のクリーニング
付与されるべき金属被覆の良好な接着
工程の所要時間の短縮
不使用ターゲットへの不純物混入の回避
被覆工程の連続形成
極薄の被覆（ナノレベルの層被覆）の形成
低圧不活性ガスによる効率的な不活性ガスイオンエッチング
連続したプラズマを伴ったイオン密度の減少による良好な低温被覆の達成
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施例に係るアーク蒸着装置の真空室構成を示す概要図である。
【図２】各ターゲットに付属するカバーによって基板上に作用するプラズマの度合をカバーの種々異なる位置状態で示す具体例の斜視図である。
【図３】アーク電流の関数としてアーク蒸着装置において発生する金属イオン密度を表したグラフである。
【図２】
2004532354.tif 000003
【図３】
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【国際公開パンフレット】
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2004532354.tif 000019
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004532354.tif 000020
2004532354.tif 000021
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2004532354.tif 000036
2004532354.tif 000037
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、アーク蒸着装置において基板をエッチングなどの処理を施す処理方法に関する。ここにおけるアーク蒸着装置においては、ターゲット材料を蒸発させるとともに金属イオン密度ないし濃度（density）を生じさせるために、陰極（カソード）として作用する金属からなるターゲットと陽極（アノード）との間の脱気スペースに強度Ｉのアーク電流が流れる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
工具などの被覆すべき基板の前処理、すなわちエッチングの間、定常のアーク電流で発生する陰極当りの高い金属イオン密度ないし濃度のために、基板（工具）が過度に温度上昇したり、それに伴って基板の基礎材料の硬度が失われたり基板形状の変形を生じたり、あるいはターゲット材料により発せられる原子及び原子結合体（飛沫）による脱気材料の付着などの種々の望ましくない現象が発生する。その結果、被覆の接着度合が弱くなるとともに基板表面が粗くなるなどの問題があった。
欧州特許第０７３２４２０号は、るつぼを有する陽極を備えたアーク蒸着装置を開示している。この陽極には蒸着すべきワイヤが供給され、又、該装置は陽極とともに真空室の下部に配置された陰極を有する。蒸発材料は被覆されるべきキャリヤ板を通る。ここにおいて、金属蒸気はカバーのシャッターを用いて調整可能となっている。このキャリヤ板はホイル材によって部分的に覆われる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記諸問題の改善を図るために、許容範囲を超えた過度の温度上昇を起こすことなく所要程度に基板のエッチング等の処理を遂行し得るこの種の処理方法を提供することを課題とする。又、本発明の課題は、基板の処理によって障害となっている分子（残留ガス原子）を極めて迅速に除去できることも意図するものであり、更には、いくつかのターゲットがアーク蒸着装置内にある場合に不使用のターゲット上への寄生的な付着を確実に排除することも意図するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、ターゲットの少なくとも一部を覆うことにより基板処理に有効なターゲット当りの金属イオン密度ないし濃度（以下、密度）を達成した処理方法を提案するものである。ここにおいて、ターゲット当りの金属イオン密度は、陰極と陽極との間に非定常的なアーク電流が流れる値にまで見かけ上のアーク電流密度の減少が得られるように変化する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、処理されるべき基板に有効なターゲット当りの金属イオン密度が影響され、陽極とターゲットとの間のアークが定常を維持するときに基板が許容されない範囲にまで温度上昇することが起きない程度まで減少する。０．００１ミリバール以下の範囲の真空度において線状のアーク源がもはや定常的作動状態を持たない値、すなわち、代表的な矩形の蒸発器において約６０アンペア（Ａ）を下回る電流での値に向かってアーク電流密度の見かけ上の減少がある。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット材料を蒸発させるとともに金属イオン密度を生じさせるために、金属を含み陰極として作用するターゲット（１４，１６，１８，４０）と陽極との間の脱気スペース（１２）内で強度Ｉのアーク電流が流れるアーク蒸着装置（１０）において基板（２０）をエッチングする方法において、
該基板（２０）の処理に有効なターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、該ターゲットを少なくとも部分的に覆うことにより得られ、該ターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、陽極と陰極との間を非定常的アーク電流が流れる値にまで見かけ上のアーク電流密度の減少が得られるように変化してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）当りの金属イオン密度は、基板（２０）が許容し得ない温度上昇が生じることがない程度にまで減少してなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）は、好ましくは揺動可能なフラップ部片（３２，３４，４２，４４）の形状をなす少なくとも１つのカバー（２６，２８，３０）によって所定の範囲にわたり基板側において覆われてなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項４】
ターゲット（１４，１６，１８，４０）は、２つの揺動可能なフラップ部片（３２，３４，４２，４４）によって所定範囲にわたり基板側において覆われてなることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ターゲット（１４，１６，１８）は、互いに調整可能で移動可能な開口を有する複数の部材を用いて基板側において覆われ、これら開口は該部材の調整により所定範囲において互いに合致あるいはオフセットするように整合してなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項６】
壁（２４）によって囲まれた真空室（１２）と、陽極及び陰極と、少なくとも1つのターゲット（１４，１６，１８，４０）とを備え、これら基板のエッチングのためにターゲット上のアークスポットの運動により金属イオンが発生してなるアーク蒸着装置（１０）において基板（２０）をエッチングするための装置において、
真空室（１２）の壁（２４）は陽極であり、1つ又は複数のターゲット（１４，１６，１８，４０）は陰極であり、ターゲットと基板（２０）との間に基板を所定の範囲にわたり覆うカバー（２６，２８，３０，３２，３４，４２，４４）が配置され、該ターゲットと対向する基板（２０）は負の電位に置かれ、該ターゲット（１４，１６，１８）は覆われるとともにガス分子をゲッタするアークにさらされてなることを特徴とする該装置の使用。
【請求項７】
壁（２４）によって囲まれた真空室（１２）と、陽極及び陰極と、少なくとも1つのターゲット（１４，１６，１８，４０）とを備え、これら基板のエッチングのためにターゲット上のアークスポットの運動により金属イオンが発生してなるアーク蒸着装置（１０）において基板（２０）をエッチングするための装置において、
真空室（１２）の壁（２４）は陽極であり、1つ又は複数のターゲット（１４，１６，１８，４０）は陰極であり、ターゲットと基板（２０）との間に基板を所定の範囲にわたり覆うカバー（２６，２８，３０，３２，３４，４２，４４）が配置され、該ターゲットと対向する基板（２０）は不活性ガスエッチングのために負の電位に置かれてなることを特徴とする該装置の使用。
【国際調査報告】
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