(57)【要約】本発明は、上に第１層（２）、第２層（３）、および、第３層（４）が配置されている基板（１）に関する。第３層（４）は、例えば、第２層（３）をパターニングするために使用されるレジストマスクである。第２層（３）は、例えば、第１層（２）をパターニングするために使用されるハードマスクである。次に、第３層（４）を取り除き、第４層（８）が堆積される。第４層（８）は、例えば、第１層（２）に形成されるトレンチを充填する絶縁体である。次に、第４層（８）は、ＣＭＰ工程において平坦化され、平坦化は、例えば、ハードマスクである第２層（３）が第１層（２）から第４層（８）とともに取り除かれるまでの間続く。従って、第１層（２）に堆積されている、トレンチ（７）の第４層（８）は残っている。
2004519107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板からマスク層を取り除く方法であって、以下の工程を含む：
半導体基板（１）を用意し、この半導体基板（１）の上に第１層（２）が配置されており、この第１層（２）の上に第２層（３）が配置されており、この第２層（３）の上に第３層（４）が配置されており、
第３層（４）は、第２層（３）を露出させる第１トレンチ（５）がこの第３層（４）に形成されるようにパターニングされており、
第３層（４）をエッチングマスクとして使用して第２層（３）をエッチングし、上記第１層（２）を露出させる第２トレンチ（６）が、第１トレンチ（５）の領域の第２層（３）に形成され、
第２層（３）から第３層（４）を取り除き、
第２層（３）をエッチングマスクとして使用して第１層（２）をエッチングし、上記基板（１）を露出させる第３トレンチ（７）が、第２トレンチ（６）の領域の第１層（２）に形成され、
このようにエッチングした半導体基板（１）の上に、第４層（８）を析出させ、
第４層（８）、次に、第２層（３）を化学機械研磨し、第４層（８）は、第２層（３）から取り除かれ、続いて、第２層（３）は、第１層（２）から取り除かれ、第３トレンチ（７）には第４層（８）が残っている、
方法。
【請求項２】
上記第１層（２）は、ポリシリコン含有層または金属含有層により形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記第１層（２）は、金属含有層であることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記第１層（２）は、酸化イリジウム、タングステン、タンタル、チタン、銅、窒化チタン、窒化タンタル、シリコン化タングステン、窒化タングステン、白金、イリジウム、コバルト、パラジウム、シリコン化物、窒化物、または、炭化物を含む層により構成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
上記第１層（２）は、複数の層を含み、これら複数の層の上部層（２１）は、金属を含み、中間層（２２）は、誘電体を含み、下部層（２３）は、バリア層を含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
上記中間層（２２）は、バリウム−ストロンチウム−チタン酸塩およびストロンチウム−ビスマス−タンタル酸塩という物質のうちの１つを誘電体として含み、下部層（２３）は、物質であるイリジウム、二酸化イリジウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンの１つをバリア層として含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記第２層（３）は、窒化シリコン、酸化シリコン、ポリシリコン、チタン、窒化チタン、またはタングステンを含む層により形成されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
上記第３層（４）は、フォトレジストマスク層として形成されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
上記第４層（８）は、酸化シリコン、窒化シリコン、ブチルシクロブテン、または、ポリブチルシュウ酸塩を含む層により形成されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
化学機械研磨を、固体重量含有量が２０％〜４０％である、あるいは、アンモニアを含んでいる、あるいは、ｐＨ値が９〜１１である研磨液によって実施することを特徴とする、請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板からマスク層を取り除くための方法に関するものである。
【０００１】
半導体産業では、集積密度が上昇するのに伴って、使用される層のパターニングに関する要求がいっそう多くなる。このことは、寸法をより小さくすることと、新しい物質および物質の組み合わせを使用することとの双方に該当する。
層をパターニングする際に、大抵の場合、いわゆるハードマスクを使用することが好ましく、あるいは、必要不可欠でさえある。なぜなら、ハードマスクは、従来のレジストマスクよりもエッチング耐性が高いからである。ハードマスク自体は、一般的なレジスト技術を用いてパターニングされ、例えば、トレンチをエッチングするために使用される。大抵の場合、エッチングを行った後に、ハードマスクを再び取り除かなければならない。ハードマスクを取り除く際に、ハードマスクの下にある層を侵食、または、変化させてはならない。大抵、トレンチが形成されている層の物質とは異なる物質をトレンチに析出させる。導体配線を形成するために金属を含む層をパターニングする場合、例えば、パターニングする導体配線の間に配置されているトレンチに絶縁物質を充填する。
【０００２】
従来技術では、ハードマスクを、ドライエッチング方法または湿式化学エッチング方法により取り除く方法が知られている。この方法の主な不利点は、ハードマスクの下に配置されている層がエッチング化学的に侵食、あるいは、変化されることである。これは、大抵、ハードマスクを用いてパターニングする物質のことである。
【０００３】
本発明の目的は、半導体基板からマスク層を取り除くための改善された方法を提供することである。
【０００４】
本発明に基づき、本目的は、以下の工程を含む、半導体基板からマスク層を取り除くための方法により達成される：
半導体基板を用意し、この半導体基板の上に、第１層が配置されており、この第１層の上に第２層が配置されており、この第２層の上に第３層が配置されており、
この第３層は、第２層を露出させる第１トレンチがこの第３層に形成されるようにパターニングされており、
第３層をエッチングマスクとして使用して第２層をエッチングし、第１層を露出させる第２トレンチが、第１トレンチの領域の第２層に形成され、
第２層から第３層を取り除き、
第２層をエッチングマスクとして使用して第１層をエッチングし、基板を露出させる第３トレンチが、第２トレンチの領域の第１層に形成され、
このようにエッチングした半導体基板の上に、第４層を析出させ、
第４層、次に、第２層を化学機械研磨し、第４層が、第２層から取り除かれ、続いて、第２層が、第１層から取り除かれ、第３トレンチには第４層が残っている。
【０００５】
本発明に基づく方法の長所は、第４層および第２層が、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施している間に取り除かれることである。このことにより、プロセス工程を１つに統合できる。このプロセス工程では、まず、第４層を、第２層から取り除き、次に、第２層を、第１層から取り除く。この場合、第２層および第４層は、平坦化され、取り除かれ、第１層に配置されている第３トレンチには第４層が残ったままである。第２層は、例えば、ハードマスクであり、第４層は、例えば、中間層である。この中間層は、導体配線の間に配置できる（金属間誘電体）。本発明に基づく方法工程は、ハードマスクの除去が、ＣＭＰを用いて、ハードマスクを用いてパターニングされた層のトレンチに充填されている中間層を平坦化するのと同時に実施されるという長所を有している。
【０００６】
有利な方法工程では、第１層を、ポリシリコン含有層または金属含有層により構成する。第１層は、例えば、パターニングされる層である。このパターニングされる層から、導体配線を形成できる。
【０００７】
他の方法工程では、第１層を、イリジウム、酸化イリジウム、タングステン、タンタル、チタン、銅、窒化チタン、窒化タンタル、シリコン化タングステン、窒化タングステン、白金、イリジウム、コバルト、パラジウム、シリコン化物、窒化物、または、炭化物を含む層により構成する。上述の物質は、エッチングプロセスを用いて、導体配線になるようにパターニングするのに適していることが有利である。
【０００８】
本発明に基づく方法のほかの有利な形態では、第２層を、窒化シリコン、酸化シリコン、ポリシリコン、チタン、窒化チタン、または、タングステンを含む層により構成する。上記の物質は、ハードマスクとして、エッチングプロセスの間に使用するのに適していることが有利である。
【０００９】
他の方法の変化形では、第３層を、フォトレジストマスク層として形成する。このフォトレジストマスク層は、例えば、光学リソグラフィーおよびエッチング技術を用いてパターニングできる。それゆえ、このフォトレジストマスク層は、例えば、ハードマスクのような第２層をパターニングするために使用できる。
【００１０】
他の方法工程では、第４層を、酸化シリコン、窒化シリコン、ブチルシクロブテン、または、ポリブチルシュウ酸塩を含む層により構成する。
【００１１】
他の方法の変化形では、化学機械研磨を、固体重量含有量が２０％〜４０％である、あるいは、アンモニアを含んでいる研磨液、あるいは、９〜１１のｐＨ値である研磨液により実施する。上記の特性のうち１つを有する研磨液は、ハードマスクと中間層とを同時に研磨するために適していることが有利である。
【００１２】
本発明のほかの有利な形態は、それぞれの従属請求項に関するものである。
【００１３】
以下に、本発明を実施例および図を参照して詳しく説明する。
【００１４】
図１は、パターニングされたレジストマスクを有する層堆積を示す。図２は、ハードマスクがパターニングされた図１の層堆積を示す。図３は、レジストマスクが取り除かれた後の図２の層堆積を示す。図４は、中間層が堆積された図３の層堆積を示す。図５は、ＣＭＰを用いて部分的に平坦化された図４の構造を示す。図６は、ＣＭＰを用いて研磨した後の図５の構造を示す。図７は、本発明を使用できる、他の好ましい実施例に基づいてパターニングされたレジストマスクを有する堆積層を示す。
【００１５】
図１に、上に第１層２が配置されている基板１が示されている。第１層２に第２層３が配置されている。第２層３に第３層４が配置されている。この第３層４に第１トレンチ５が形成されている。第１層２は、パターニングされる層であり、例えば、酸化イリジウム、タングステン、タンタル、チタン、銅、窒化チタン、窒化タンタル、シリコン化タングステン、窒化タングステン、白金、イリジウム、コバルト、パラジウム、シリコン化金属、窒化金属、または、炭化物の１つまたはこれら物質の組み合わせを含んでいる。第２層３は、例えばハードマスクを形成し、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、多結晶シリコン、チタン、窒化チタン、または、タングステンの１つまたはこれら物質の組み合わせを含んでいる。第３層４は、例えば、感光性のレジストマスクである。このレジストマスクを、フォトリソグラフィーによる露光工程によって感光し、続いて、現像する。このときに、第１トレンチ５が、第３層４に形成される。
【００１６】
図２を参照すると、エッチング工程が実施されている。このエッチング工程では、第２層３を、第３層４を用いてパターニングする。このとき、第３層４に配置されている第１トレンチ５の領域に、第２層３における第２トレンチ６が形成される。この場合、第２トレンチ６の領域に、第１層２の表面が露出する。層３は、層４により形成されているマスクに対して選択的にエッチングされる。
【００１７】
次に、図３を参照すると、第３層４により構成されているレジストマスクが取り除かれている。このためには、例えば、レジストマスクを取り除ける溶剤が適している。このことを、通常、基板１に配置されているほかの層に対して非常に選択的に実施できる。次に、第１層２をエッチングプロセスによりパターニングする。この際、第２層３をエッチングマスクとして使用する。第２層３は、ハードマスクである。エッチングプロセスの間に、層３に形成されているトレンチ６が層２へと深まる。その結果第３トレンチ７が生じる。エッチング工程によって、第３トレンチ７を、基板１が少なくとも部分的に露出するように形成する。
【００１８】
図４を参照すると、続いて、第４層８が、パターニングされた構造に析出されている。この場合、第４層８を、基板１および第２層３に析出し、トレンチ７を満たす。第４層８は、例えば、酸化シリコン、ドーピングされた酸化シリコン、窒化シリコン、または、２未満の低い比誘電率を有する誘電体、ブチルシクロブテン、または、ポリブチルシュウ酸塩を含んでいる。上記の物質は、伝導性構造の間に絶縁層を形成することに適していることが有利である。
【００１９】
図５を参照すると、化学機械研磨工程（ＣＭＰ）が実施されている。この化学機械研磨工程において、第４層８を、第２層３からまず取り除く。化学機械研磨工程は、図６に示すように、第２層３が、第１層２から取り除かれ、第３トレンチ７に残っている第４層の一部が平坦化されるまで続く。
【００２０】
例えば、化学機械研磨を、スピードファム−アイペック社のＷｅｓｔｅｃｈ ４７２研磨装置を用いて実施する。この装置は、１つの研削ホイールおよび２つの研磨テーブルを有する研磨装置である。研磨テーブル上の研磨布として、例えば、ロデール社のＩＣ １０００ Ｓｕｂａ ＩＶが適している。基板支持体上のバッキングフィルム（絶縁機構的支持）として、標準モデルＲｏｄｅｌ Ｔ３を使用する。研磨液として、例えば、クラリアント社のＫｌｅｂｏｓｏｌ ３０Ｎ５０が適している。同じく、２０〜４０％の固体重量パーセント含有量で、３０〜５００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍの大きさである酸化シリコン粒子を含み、ｐＨ値９〜１１を有するアンモニアを安定剤として使用する研磨液が適している。
【００２１】
酸化シリコンと窒化シリコンとのために同じような侵食率を達成するため、研磨液として、粒子の平均的な大きさが７５ｎｍであり３０％の酸化シリコンを含むスラリー、および、ｐＨ値が約１０である安定剤として、アンモニアが使用される。
【００２２】
研磨テーブルの回転速度として、例えば、２０〜７０回転／分が適しており、６５回転／分が特に有利である。基板支持体を、２０〜７０回転／分で操作でき、６２回転／分が特に有利である。基板が研磨布へ押し付けられる圧力は、値３〜１２ＰＳＩが適しており、８ＰＳＩが特に有利である。背面圧として、値０〜５ＰＳＩが適しており、１ＰＳＩが特に有利である。研磨液は、この場合、流速６０〜２５０ｍｌ／分が適しており、１００ｍｌ／分が特に有利である。第２層３は、例えば、ハードマスクとして窒化シリコンにより形成されており、第４層８は、金属間誘電体として、例えば酸化シリコンにより形成されている。その結果、上記のプロセスパラメータにより、有利な約３６０ｎｍ／分の侵食率が生じる。
【００２３】
化学機械研磨の間は、第２層３と第４層８との間の侵食率が１：１の比率であるプロセスパラメータを選択することが好ましい。同じく、侵食率０．９〜１．１の比率が適している。この場合、ハードマスクである第２層３が、第４層８よりもいくらか速く侵食されると有利である。第２層３が完全に除去されており、プロセスを終了できるということを検出するための可能性として、例えば、研磨テーブルまたは基盤支持体のモータ電流、またはこの２つの組み合わせが適している。つまり、このことは、第２層３が、通常、第１層２とは異なる、研磨布との摩擦を有しているということに起因している。この場合、モータ電流の変化を、プロセス終了の合図として使用できる。同じく、比較的固く柔軟性のない研磨布を使用できることが有利である。これにより、平坦化効果が促進される。例えば、３５〜６５の範囲に特定されている、ショア「Ｄ」という単位の硬さが５０の研磨布が適している。研磨布の偏差は、約３．８インチ（規格：０〜６）および圧縮率約３．５％（規格：０〜６％）であるのがよい。
【００２４】
さらに、第４層８の物質として、ダウ  ケミカル社の商標ＳＩＬＫとして扱われている製品が適しており、これは、シリコン含有、酸化シリコン含有、および、炭素含有混合物である。
【００２５】
図７に、本発明のほかの実施例を示す。この実施例は、図１に相当する加工状態である。図７は、層１，２，３の層堆積を示し、これらの層に、既にパターニングされたレジストマスク４が備えられている。層２は、複数のサブ層２１，２２により構成されている。例えば、この場合、これは、磁気抵抗メモリー、いわゆるＭＲＡＭ、または強誘電メモリー、いわゆるＦＲＡＭ、または、約１Ｇビットまでの容量であるダイナミックメモリーセルを有する半導体メモリー、いわゆるＧビットＤＲＡＭを製造するのに適している層連続である。このようなメモリーは、データを不揮発性格納するために使用される。誘電体または電極物質として機能する特別な物質が使用される。例えば、ＦＲＡＭメモリーセルのために、バリウム−ストロンチウム−チタン酸塩（ＢＳＴ）を使用できる。ＧビットＤＲＡＭのために、ストロンチウム−ビスマス−チタン酸塩を使用できる。このような物質を析出するため、酸素を含むプロセス工程が不可欠なので、酸素がその下に配置されている層に拡散するのを防止するため、酸化耐性のあるバリアが必要である。最後に、これらの誘電体は、金属製の電極物質も必要とする。電極物質として、ＦＲＡＭのために、白金またはイリジウムを使用できる。バリア物質として、一般的に、イリジウムまたは酸化イリジウムも考えられる。鉄、ニッケル、銅、クロム、金属酸化物、コバルト、または、これらの物質の多層構造などの電極物質がＭＲＡＭメモリーセルに使用できる。ＭＲＡＭメモリーセルの場合のトンネルバリアとして、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または二酸化チタンが考えられる。
【００２６】
上記の物質は、エッチングされにくいという特性がある。従って、マスクを用いてこれらの層をパターニングするために、本発明に基づき、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンにより構成されるハードマスクが考えられる。
【００２７】
図７に示す実施例では、層２は複数のサブ層を備えている。例えば、上部サブ層２１は、白金、イリジウム、コバルト、または、銅などの金属を含んでいる。その下に、例えば、ＢＳＴにより構成される誘電層２２が備えられている。複数層堆積２の最下サブ層２３は、例えばイリジウムまたは酸化イリジウムにより形成されており、酸化耐性のあるバリアである。ＭＲＡＭメモリーセルの例では、金属電極２１が、鉄、ニッケル、銅、クロム、金属酸化物、コバルト、または、これらの複数層により形成されていてもよい。トンネルバリア２３として、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、または、二酸化チタンが使用される。下に配置されている層１は、基板物質、例えば、シリコン、または、二酸化シリコンである。
【００２８】
層堆積２１，２２，２３は、エッチングしにくい物質により構成されており、その結果、ハードマスクをエッチングしてパターニングするのに使用される。ハードマスク層３を、まずレジスト層４を用いてパターニングする。次に、層堆積２１，２２，２３を、レジストマスク４とハードマスク３とにより形成されたマスクに基づいてエッチングする。次に、図３〜図６に示すように、レジストマスク４を取り除く。ハードマスク３を除去するために、付加的な層８（図４参照）を形成し、次に、層８とハードマスク３とを、化学機械研磨により共に除去する。半導体ウエハーの表面は、ＣＭＰプロセス工程の後、層堆積２の表面、つまり金属電極２１を示す。この金属電極２１に、エッチングにより形成されるトレンチは、付加的に形成される層８により充填されている。表面は、このとき既に平坦化されている。ハードマスク３の除去および平坦化が、ＣＭＰ工程を行うことにより同時に実施されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】
パターニングされたレジストマスクを有する層堆積を示す図である。
【図２】
ハードマスクがパターニングされた図１の層堆積を示す図である。
【図３】
レジストマスクが取り除かれた後の図２の層堆積を示す図である。
【図４】
中間層が堆積された図３の層堆積を示す図である。
【図５】
ＣＭＰを用いて部分的に平坦化された図４の構造を示す図である。
【図６】
ＣＭＰを用いて研磨した後の図５の構造を示す図である。
【図７】
本発明を使用できる、他の好ましい実施例に基づいてパターニングされたレジストマスクを有する堆積層を示す図である。
【符号の説明】
１  基板
２  第１層
３  第２層
４  第３層
５  第１トレンチ
６  第２トレンチ
７  第３トレンチ
８  第４層
【国際公開パンフレット】
2004519107.tif 000003
2004519107.tif 000004
2004519107.tif 000005
2004519107.tif 000006
2004519107.tif 000007
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2004519107.tif 000009
2004519107.tif 000010
2004519107.tif 000011
2004519107.tif 000012
2004519107.tif 000013
2004519107.tif 000014
2004519107.tif 000015
2004519107.tif 000016
2004519107.tif 000017
2004519107.tif 000018
2004519107.tif 000019
2004519107.tif 000020
2004519107.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成15年1月8日(2003.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のマスク層を生成する方法であって、以下の工程を含む：
半導体基板（１）を用意し、この半導体基板（１）の上に、複数の層を含む強誘電体層または誘電体層の第１層構造（２）が配置されており、この第１層（２）の上に第２層（３）が配置されており、この第２層（３）の上に第３層（４）が配置されており、
第１層構造（２）は、金属を含む上部層（２１）と、バリウム−ストロンチウム−チタン酸塩およびストロンチウム−ビスマス−タンタル酸塩という物質の１つを含む中間層（２２）と、イリジウムまたは酸化イリジウムという物質の１つを含む下部層（２３）とを備え、
第３層（４）は、第２層（３）を露出させる第１トレンチ（５）がこの第３層（４）に形成されるようにパターニングされており、
第３層（４）をエッチングマスクとして使用して第２層（３）をエッチングし、第１層構造（２）の上部層（２１）を露出させる第２トレンチ（６）が、第１トレンチ（５）の領域の第２層（３）に形成され、
第２層（３）から第３層（４）を取り除き、
第２層（３）をエッチングマスクとして使用して第１層構造（２）の全層をエッチングし、上記基板（１）を露出させる第３トレンチ（７）が、第２トレンチ（６）の領域の第１層構造（２）の全層に形成され、
次に、このようにエッチングした半導体基板（１）に、絶縁性物質により形成されている第４層（８）を析出させ、
第４層（８）、次に、第２層（３）を化学機械研磨し、上記第４層（８）は、第２層（３）から取り除かれ、続いて、第２層（３）は、第１層構造（２）の上部層から取り除かれ、第３トレンチ（７）には第４層（８）が残っている、
方法。
【請求項２】
半導体基板のマスク層を生成する方法であって、以下の工程を含む：
半導体基板（１）を用意し、この半導体基板（１）の上に、複数の層を含む磁気抵抗性の第１層構造（２）が配置されており、この第１層（２）の上に第２層（３）が配置されており、この第２層（３）の上に第３層（４）が配置されており、
第１層構造（２）は、金属を含む上部層（２１）と、中間層（２２）と、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、および、酸化チタンという物質の１つを含む下部層（２３）とを備え、
第３層（４）は、第２層（３）を露出させる第１トレンチ（５）がこの第３層（４）に形成されるようにパターニングされており、
第３層（４）をエッチングマスクとして使用して第２層（３）をエッチングし、第１層構造（２）の上部層（２１）を露出させる第２トレンチ（６）が、第１トレンチ（５）の領域の第２層（３）に形成され、
第２層（３）から第３層（４）を取り除き、
第２層（３）をエッチングマスクとして使用して第１層構造（２）の全層をエッチングし、基板（１）を露出させる第３トレンチ（７）が、第２トレンチ（６）の領域の第１層構造（２）の全層に形成され、
次に、このようにエッチングした半導体基板（１）に、絶縁性物質により形成されている第４層（８）を析出させ、
第４層（８）、次に、第２層（３）を化学機械研磨し、第４層（８）は、第２層（３）から取り除かれ、続いて、第２層（３）は、第１層構造（２）の上部層から取り除かれ、第３トレンチ（７）には第４層（８）が残っている、
方法。
【請求項３】
上記第１層構造（２）の第１層（２１）は、タングステン、タンタル、チタン、銅、窒化チタン、窒化タンタル、シリコン化タングステン、窒化タングステン、白金、イリジウム、コバルト、パラジウム、シリコン化物、窒化物、または、炭化物を含む層により構成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記第３層（４）は、フォトレジストマスク層として形成されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
上記第４層（８）は、酸化シリコン、窒化シリコン、ブチルシクロブテン、または、ポリブチルシュウ酸塩を含む層により形成されることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
化学機械研磨を、固体重量含有量が２０％〜４０％である、あるいは、アンモニアを含んでいる、あるいは、ｐＨ値が９〜１１である研磨液によって実施することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【国際調査報告】
2004519107.tif 000022
2004519107.tif 000023
2004519107.tif 000024
2004519107.tif 000025
2004519107.tif 000026
2004519107.tif 000027