(57)【要約】第１の溝（４）を有する基板（１）は、第１の溝（４）に対し突出部（３）が設けられている。この突出部（４）は、３０ないし１５０度の頂角を有する頂部を有するのが好ましく、基板（１）の破断を規制し突出部（４）において開始される亀裂の逸脱による損失を最小限にする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側及び第２の側並びに厚さを有する基板であって、当該基板には、その第１の側において前記第１の側に対し深さを有する第１の溝が設けられ、前記第１の溝は、亀裂を形成するための開始ポイントにおいて突出部を有する、基板。
【請求項２】
請求項１に記載の基板であって、前記突出部は、３０ないし１５０度の頂角をなす頂部を有する、基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板であって、当該基板には、その第１の側において各々が前記第１の側に対して深さを有する第２及び第３の溝が設けられ、前記第１の溝は、第１及び第２の交差ポイントにおいてそれぞれ前記第２及び第３の溝と交差し、前記開始ポイントは、前記第１の交差ポイントと前記第２の交差ポイントとの間に存在し、前記第２及び第３の溝は、前記第１の交差ポイントと前記第２の交差ポイントとにおいて所定の凹み深さにまで比較的深く形成される、基板。
【請求項４】
請求項３に記載の基板であって、前記第１の溝は、前記第１の交差ポイントと前記第２の交差ポイントとの間に複数の突出部を有する、基板。
【請求項５】
請求項４に記載の基板であって、前記突出部の数は、前記第１の溝が前記第１の交差ポイントと前記第２の交差ポイントとの間に略鋸歯状の構造を有するように規定されている、基板。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちいずれか１つに記載の基板であって、前記第１の溝の深さは、前記基板の厚さの２５％を下回る、基板。
【請求項７】
請求項３に記載の基板であって、前記凹み深さは、前記第３の深さの少なくとも１．５倍である、基板。
【請求項８】
請求項３に記載の基板であって、前記第２及び第３の溝は、互いに略直角に方位づけられ、前記第１及び第３の溝は、互いに略直角になっている、基板。
【請求項９】
第１の側及び第２の側を有する基板から部品を分離する方法であって、
前記第１の側に第１の溝を形成するステップと、
前記第１の溝に沿って前記基板を破断するステップと、
を有し、
請求項１ないし８のうちいずれか１つに記載の基板を用いる、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、請求項２ないし８のうちいずれか１つに記載の基板が用いられ、前記第１の溝に沿って前記基板を破断した後、前記基板は前記第２の溝に沿って破断され、開始ポイントは、前記基板の前記第２の溝に設けられ、当該溝は、前記開始ポイントに突出部を有する、方法。
【請求項１１】
担体を備えた電子部品であって、当該担体は、前記第１の溝に沿って分離された請求項１ないし８のうちいずれか１つに記載の基板の一部を形成する、部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一方及び他方の側（面）を有し、その一方の側において当該一方の側に対しある深さの第１の溝が設けられる基板に関する。
【０００２】
本発明はまた、一方及び他方の側を有する基板から構成部分を分離する方法であって、当該一方の側に第１の溝を設けるステップと、その第１の溝に沿ってその基板を分断するステップとを有する方法に関する。
【０００３】
本発明はさらに、担体を備えた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００４】
かかる方法及び基板は、米国特許公開公報(ＵＳ−Ａ４，２４７，０３１)から知られている。この既知の基板は、第１の側を有するシリコンウエハである。この第１の側において、当該基板には、第１、第２、第３及び第４の溝が設けられており、第１及び第４の溝並びに第２及び第３の溝は相互に平行に方位づけられている。これらの溝は、構成部品が形成された第２の側に設けられる。各溝は、ある機械的方法により、又は既知の方法により、レーザで書き込み若しくは切り込むことにより形成される。分断のために、基板は、圧力が後で掛けられる柔軟性のあるプレートでカバーされる。この既知の方法において、溝の設けられていない箇所に割れ目の表面が生じうることは不利である。この結果、個々の部品の相当な数が、それらの寸法に関して許容誤差の要求仕様内に収まらなくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明の第１の目的は、割れ目表面のずれが進んでしまうことの傾向を抑えることのできる、本文冒頭の段落に記載の種類の基板を提供することである。
【０００６】
本発明の第２の目的は、寸法に関する許容誤差の条件に準拠しないことによる歩留まり損失を少なくすることのできる本文第２段落に記載の種類の方法を提供することである。
【０００７】
本発明の第３の目的は、本発明による基板から分離された担体を有する本文第３段落に記載の種類の電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の目的は、前記第１の溝は、開始ポイントにおいて突出部を有する、という本発明による基板により達成される。第２の目的は、本発明による基板が用いられるという本発明による方法により達成される。
【０００９】
本発明による基板に圧力が掛けられると、当該突出部と第１の溝との間に圧力差が生じることになる。このため、前もって形成されていた開始ポイントに分裂の開始がなされる。そして、この分裂は、実質的に平坦でかつ実質的に当該基板の第１の側の面に垂直な分裂表面（割れ目表面）へと進展することになる。これは、当該第１の溝に沿い互いに逆の２つの方向において当該開始ポイントから行われる。
【００１０】
当該突出部は、例えば円錐又はブロック形状とすることができるが、丸みを帯びたエッジを有するものに代えてもよい。ブロック形突出部の場合、第１の溝から測定した突出部の高さと第１の溝において測定した幅との比は、０．５よりも大きいのが好ましく、より好ましくは、１．０より大きくするのがよい。
【００１１】
なお、前記突出部は、３０ないし１５０度の頂角をなす頂部を有するものとするのが好ましい。山形刻み目構造（chevron-notch structure）の如きこのような頂部を有する突出部の第１の利点は、開始された亀裂が同等のものになる、ということである。これにより、これらの亀裂がある程度の深さまで達し、かかる深さにおいて均等な破断圧力が存在するという点でその亀裂が安定したものとなることが促進される。また、これにより、当該亀裂は、障壁まで均等に続くことも促進される。かかる障壁は、例えば第１の溝と第２の溝との交差領域における当該溝の局部的深さ形成部に相当する。
【００１２】
頂部を有するその突出部は、溝上に幾つかの突出部がある場合に特に重要なものである。その場合、当該第１の溝の平面から亀裂が簡単に外れうるという結果、１つのポイントにもはや圧力が集中しなくなる。かかる外れ（逸脱）は望ましくなく、避けるべきものである。３０ないし１５０度の頂角を有する頂部を持つ突出部は、これを確実なものとすることができることが判明した。このタイプの突出部は、開始ポイントにおける亀裂を開始させ第１の溝の面において当該亀裂を伝搬させるのに十分な圧力の集中を導く。
【００１３】
本発明による基板は、色々なパターンで分裂可能である。第１の溝に沿い２つのパーツに分割し、又は２つの独立した部品又は２組の部品群にすることもできる。これの第１の例は、独立した部品がＬＣＤ画面であるものに相当する。これの第２の例は、独立した部品群が受動又は能動型の複数の部品が設けられたストリップ（細片）であるものに相当する。このストリップは、後の段階で個別の部品に小分けすることができる。
【００１４】
代替の実施例において、本発明による基板は、互いに交差する溝によって囲まれた部品を有する。その場合において、当該基板には、その第１の側において各々が前記第１の側に対して深さを有する第２及び第３の溝が設けられ、前記第１の溝は、第１及び第２の交差ポイントにおいてそれぞれ前記第２及び第３の溝と交差するとともに、前記開始ポイントは、前記第１の交差ポイントと前記第２の交差ポイントとの間に存在する。この実施例において良好な割れ目（裂け目）を実現するために、当該第１及び第２の交差ポイントにおいてある凹み深さまでさらに溝が（比較的）深く形成される。
【００１５】
当該基板のこの実施例の実験により、当該開始ポイントと当該交差ポイントとの間には亀裂が進まないことが分かった。第１及び第２の交差ポイントにおいて比較的大なる深さとすることにより、亀裂を大幅に阻止し、それどころか同時に亀裂の形成を全て止めることとなる。交差ポイントの両側における溝に２つの開始ポイントを設けると、その２つの開始ポイントから当該交差ポイントまで亀裂が走り、亀裂のさらなる形成を強力に阻むこととなる。ここで当該亀裂が厳密に同じ速度で伝搬しない場合、この遅れは亀裂が交差ポイント横切って走るのを防止することになる。かかる遅延は、その間における第２の亀裂もその交差ポイントに達したようなものとなる。その時、連続的な亀裂が現れることになる。当該亀裂が既に形成された割れ目に入り込むことになる可能性は非常に高い。
【００１６】
但し、亀裂は、原理的には基板の第１の側の面に平行な方向だけでなく、それに対して垂直な方向においても伝搬する。この伝搬は、基板の第１の側の面に垂直な方向において速度を増大させて行われる。かかる速度は、掛けられる負荷及び負荷の掛け方に依存するものとみなされる。また、この速度は、基板の第１の側の面に平行な方向における速度に概して依存すると推察される。したがって、第１及び第２の交差ポイントにおける凹みの深さは、第１の溝の深さの少なくとも１．５倍であるのが好ましい。さらに、この凹みの深さは、基板の厚さの少なくとも半分に等しいときに好適となる。但し、これは、第１の交差ポイントにおける凹みの深さが第２の交差ポイントにおけるものと実質的に等しいことを当業者は理解しているので不要である。
【００１７】
交差ポイントにおける深さをより大きくすることの利点は、第２の溝に沿って破断する際の角部（コーナ）の破断のリスクが著しく減ることである。これは歩留まりの向上に直結する。さらに、深さを大きくすることにより細孔の影響を減らすという利点を奏する。本発明者の理論によれば、細孔は、第１の溝に沿った十分な圧力差がない場合、その破断処理に逆に影響を及ぼす。凹みの深さはこのような圧力差をつくるのである。
【００１８】
効果的実施例においては、第１の溝が第１の交差ポイントと第２の交差ポイントとの間に幾つかの突出部を有するものとしている。２つの交差ポイント間に１つ以上の突出部があることにより、所望の割れ目表面に沿った分断がなされることが判明した。本発明者は、これに拘束されることはないが、当該突出部の１つだけが開始ポイントとして機能するという理論を持っている。そして亀裂の伝搬は、第１の交差ポイントと第２の交差ポイントとの間で第２の（後を追う）開始が起こり得ないほどに速いものとなりうる。ところが一方では、２つの亀裂がその溝に同時に入り込み共に伝搬することを排除することはできない。これは特に、事実上第１の溝が第１の交差ポイントと第２の交差ポイントとの間に鋸歯構造を呈する程に突出部の数が多いときの場合に相当すると思われる。この実施例の利点は、突出部の数が増える程溝を作り易いという点である。少量の材料しか、レーザ除去により溝の作製の都度除去されない。そしてこのレーザは、当該基板に対して所定のステップサイズで移動させられる。このステップサイズは、１つしか突出部が設けられない場合に比べて、複数の突出部を有する溝の作製においてより大きくなるよう選ぶことができる。
【００１９】
単一の突出部を有する実施例において、開始ポイントから第１の交差ポイントまでの距離及び第２の交差ポイントまでの距離はほぼ等しくされる。交差ポイントを越えて伝搬する亀裂のリスクは、これにより制限される。また、この実施例は、与えられる所望の歩留まりの長さをより大きくすることを可能とする。溝に対して亀裂が外れるリスクは、亀裂が長くなるほど増大する。
【００２０】
他の実施例において、第１の溝の深さは、基板の厚さの２５％を下回るものとされる。基板は、アモルファス材料を有し、第１の溝の深さが当該厚さの２０％を下回るのがより好ましく、当該厚さの１０％を下回るのであればもっと好ましい。本発明による基板は、第１の溝の深さが小さい場合でも十分な歩留まりをもって分断可能であることが判明した。この小さい深さによって、各部品を互いにより近接して配置することができるという効果を奏する。これは、深さが小さいほど溝の幅を小さくすることもできるからである。以前は、部品間距離が概ね１５０μｍとなるようレーザ除去によって基板に溝を形成していた。本発明による基板においては、概ね３５μｍの距離が得られ、実現された。かかる部品間距離は、他の何らかの方法によって設けられた溝の場合において、実に１５０μｍを下回るが、これらの方法は、別の不利な点を有する。これの一例として、切欠溝をダイヤモンドピンによって基板に形成する方法がある。この方法においては、当該溝に亀裂が開始される。但し、これについての不利な点は、方法が低速であることと、所望の割れ目表面から外れるリスクが比較的大きいことである。
【００２１】
かかる基板は、脆い無機性の分断材料又は脆い有機性の分断材料を有するものとすることができる。かかる無機材料の例としては、とりわけアルミナやガラスなどのアモルファス材料、サファイヤや水晶、シリコンなどの結晶材料、及びバリウムチタン酸塩（barium titanate）をベースとするもののような他のセラミック材料が挙げられる。基板、例えば低温共焼成セラミック基板すなわちＬＴＣＣ基板に電極を設けるようにしてもよい。
【００２２】
パウダーブラスト、レーザ除去及び異方性イオンエッチングのような技術によってこのような脆性材料に溝を設けることが可能である。セラミック材料においては、懸濁液の鋳造により焼結する前にさらに溝を形成してもよい。
【００２３】
脆性有機材料には、例えば、ガラス状態又は一部結晶質となっている工学材料及びその他の高分子材料が挙げられる。充填材を有する有機材料を用いることもできる。このような有機材料についての処理技術には、特にレーザ除去や射出成形がある。
【００２４】
本発明による方法により、基板は専ら部品を具備したストリップに分離され、かかるストリップは、他の処理の後にさらに分離される。また、１つしか部品がないのではなく、第１の溝と第２の溝との間に複数の部品を設けることも可能である。
【００２５】
溝を含む本発明による基板は、部品の製造をなす部品製造業者に供給可能である。この製造業者は、その後、溝が設けられている第１の側にそれらの部品を設けるか或いは第２の側にするかの選択をなす。製造業者が溝のない基板で始める場合には、部品を用意する前又はそれ以降において溝が形成されるものとしてもよい。当該部品の後に溝が設けられる場合、それら部品は第２の側に設けられるのが好ましく、これにより溝の作製中における部品の汚染が回避される。
【００２６】
本発明による基板においては、第１の溝と第３の溝とが互いに略直角となっていることが好ましい。これにより、溝の交差ポイントを越えて伝搬する亀裂のリスクは小さくなる。或いは、第１の溝と第３の溝とが９０°ではない角をなす場合には、交差ポイントにおける凹みの深さを当該基板の厚さに等しくするのが好ましい。すなわち、当該基板の第１の側から第２の側まで空きがあるのである。概ね１２０°の角とした例があり、これによれば６角形を基礎とする表面を有する部品となる。このような大きな凹みは、交差ポイントにおいて亀裂を止めるのに望ましい。
【００２７】
本発明による方法により分離可能な個々の部品には、抵抗器、キャパシタ、集積回路、トランジスタ、ダイオード、受動部品のネットワーク及び表示器がある。さらに個別部品は種々の部品が設けられたモジュールとしてもよい。
【００２８】
基板の分割は、本発明による方法において既知の手法により行われる。例えば、１ｍｍの厚さのスチールプレートの如き支持板上に基板が置かれる。この基板は、被覆材でカバーされるか、又は分離の後に再び除去される接着剤により当該支持板に固着される。かかる被覆材は、当該支持板よりも十分硬さの低いものである。支持板を曲げると、溝に実質的に鉛直な基板上の一方側の弾性負荷が生じる。基板の全面にわたる弾性負荷の存在により、エッジの形成が回避される。好ましくは、基板に曲折（曲げ）の負荷を掛けるようにする。曲折の負荷は、亀裂の伝搬速度を増大する深さに対して概して同じに保つ張力（引っ張り）負荷に関する効果がある。これにより、深さが増大すると落ち込む圧力特性があるものと理論的には説明することができる。特に複数の開始ポイントが２つの突出部間に存在する場合には、張力成分のみ有する曲折負荷が好ましい。伝搬速度はさらにこのような曲折負荷によりさらに低下する。
【００２９】
また、本発明による方法は、支持板、基板及び被覆部により形成される積層が第１のローラと第２のローラとの間に配され、第１のローラは、第２のローラよりも硬く小さな直径を有するようにして実行されうる。より大なる直径の第２ローラは好ましくは、この場合被覆部の側に配される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明による上記態様その他の態様の基板及び方法を図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
各図は概略的なものであり一律の尺度で描かれていない。同等の構成部分には同一の参照符号が付されている。当業者であれば、本発明の本質から逸脱することなく本発明の代替可能でかつ等価な実施例を実現することは可能であり、本発明の保護範囲は請求項に基づいて定められる。
【実施例１】
【００３２】
図１及び図２は、基板１の一部を平面図及び断面図にして示している。基板１は、第１の側（面）１１とこれと反対の第２の側（面）１２とを有し、1．８７ｍｍの厚さ２０を有する。エレメント２は、基板１の第１の側１１に形成される。本例におけるエレメント２は、発光ダイオードであるが、これらは、例えばトランジスタ、集積回路、受動素子又は受動素子の回路網に代替可能である。本例における基板１は、ガラスを有し、この上にエレメント２が通例の手法で形成される。エレメント２の各々は、例えばインジウム錫酸化物（indium-tinoxide）を有する第１電極、ポリフェニレン・ビニレン（polyphenylene-vinylene）のようなエレクトロルミネセント材料の層、中間又は介在の層、及びＡｌの第２電極を有する。エレメント２は、未処理の材料のストリップ（細片）により互いに分離しているのが普通である。基板１は、エレメント２の分離において、複数のパーツに小分けされる。この分離処理を行うため、基板１、本例においては基板１の第１の側１１に溝４，５，６が設けられる。溝４，５，６は、例えば２５ｋＨｚの周波数で１．６０μｍの波長の放射パルスを発射する５ＷのＹＡＧレーザにより形成される。この放射線は、光システムにより基板１に向けられる１６ｍｍ径のビームの形状を有する。基板１は、その際に形成されるべき溝４，５，６に沿って、当該放射線に対し、本例では毎秒約２５ｃｍの速度で移動させられ、この間において、形成されるべき開始ポイント１９に対応する所定のポイントが飛び越される。したがって、突出部３は、これら該当箇所に形成される。第１の溝４は、交差ポイント１７において第３の溝６と交差する。第１の溝４は、交差ポイント１８において第２の溝５と交差する。溝５，６は、交差ポイント１７，１８において凹み深さ２２まで落ち込むよう深く形成される。この凹みは、第２及び第３の溝５，６の一部にわたって延び、レーザによる後処理において形成される。
【００３３】
第１の溝４並びに第２及び第３の溝５，６は、本例においてはほぼ９０°の相互角をなす。溝４，５，６の各々は深さ２４を有する。この深さ２４は、本例では一定であり、溝４，５，６の各々につき０．３２ｍｍに等しい。凹み深さ２２は、例えば１．２９ｍｍである。突出部３は、溝４，５，６の深さ２４に対して例えば０．１７ｍｍの高さを有する。これは、基板１の第１の側１２に対し０．１５ｍｍの深さに対応する。溝４，５，６は、基板１の第１の側１１において０．７５ｍｍの幅２５を有する。
【実施例２】
【００３４】
図３は、本発明による第２の実施例の基板１の概略的断面図である。本例における基板１は、シリコンの６インチのウェーハを有し、半導体装置に適したものとなっている。このシリコン基板１の厚さ２０は、６００μｍである。この図において、第３の溝６は図の平面と符合する。溝４，５及び６は、１００μｍの深さ２４を持ち、多数の突出部３を有する。溝４，５及び６は、この結果として鋸歯状の構造を有する。溝４，５，６の交差ポイント１７，１８の各々は、１５０μｍの凹み深さ２２を有する。溝４，５，６は、基板１の第１の側１１において８０μｍの幅２５を有する。ここでの開始ポイント１９は、突出部３の１つである。突出部３のうちどれになるかは、突出部３間の高さの小差、粒子境界などの材料特性、及びこの方法において掛けられる圧力のばらつきによる。
【実施例３】
【００３５】
基板１は、０．３８ｍｍの厚さ２０を有する。基板１は、９６％のＡｌ２Ｏ３、２％のガラス及び２％の細孔を有する。この材料は、２０ないし３０μｍオーダの粒子サイズを有する。この基板は、１５×４５ｍｍのサイズを有する部品に分割されなければならないものであった。第１、第２及び第３の溝４，５，６は、レーザにより基板１の第１の側１１に設けられた。１０．６μｍの波長を有するコヒーレントダイヤモンド８４，２２５Ｗの平板ＣＯ２レーザ（Coherent Diamond 84 225 W slab CO2laser）が用いられた。基板１の第１の側１１と当該レーザの焦点との間の距離は、３００μｍであった。このレーザは、１ｍｍのノズルを有していた。使用パルス時間は、１５０μｓ及び２５０μｓであり、総パルス時間は２３５０μｓであった。
【００３６】
第１の溝４の形成中におけるパルス動作は、第１の溝４におけるポイントが飛び越されることを意味する。これらのポイントは、突出部３を伴う開始ポイント１９として残存した。第１の溝４は、図３に示されるような鋸歯構造を持った。相互に隣接する突出部３間の距離は、１２５ないし１７５μｍオーダであった。第１の溝の深さ２４は、連続した２回の実験において６０μｍと３０μｍにされた。追加のレーザ処理はその後に第１及び第２の交差ポイント１７，１８に施され、それぞれ９０μｍ及び６０μｍの凹み深さが得られた。
【実施例４】
【００３７】
２０×７０ｍｍのサイズを有する実施例１による基板は、各々が５ｍｍの幅の４つの部品を有するものとされた。これらは、当業者に知られている手法により行われる４ポイント曲折により分断される。内部長は３０ｍｍ、外部長は６０ｍｍであった。したがって、分断において、２つの破断速度すなわち１ｍｍ／分と５ｍｍ／分とされた。割れ目表面は目視検査に付された。表面の跡は、約１００°の頂角を有する頂部を持つ突出部が設けられた「主たる」開始ポイントにおいて割れ目が起こることを実証した。第１の溝における第２のあまり明確でない突出部における単一の割れ目の開始は、亀裂を招くが、このように開始された割れ目は、主たる開始ポイントにおいて生じた割れ目と一致する。
【実施例５】
【００３８】
実施例３による基板は、破断試験に掛けられた。採用された破断速度は、種々の実験において１０ｍｍ／分及び５０ｍｍ／分とされた。当該基板は、それ自体は知られている３ポイント曲折編制（構成）における破断試験において曲げ圧力が掛けられた。ここで、当該基板は、硬質のスチール担体上に置かれ、薄い比較的柔軟性のある被覆層でカバーされる。この被覆層は、外部圧力によって基板に付着される。
【００３９】
互いに隣接する突出部間の距離並びにパルス持続期間及び破断速度に応じて、破断のために掛けられた圧力は、当業者には知られている手法によりワイブル強度（Weibull strength）として測定される８０ないし１８０ＭＰａの範囲に及んだ。ワイブル係数（Weibull modulus）は１４ないし２６の間とされた。このワイブル係数は、論理的にはＰｆ／（ｌｎσ-ｌｎσ0）と定義される。Ｐｆは、破壊率であり、σは圧力、σ0はＰｆが６３％に等しいときの固有強度である。個々の基板の強度の広がりが大きくなるにつれて、このワイブル係数の減少が見られる。ワイブル係数が低くなるにつれ、所望の割れ目ラインからの割れ目表面の逸脱（ずれ）のリスクが大きくなる。２０以上の係数は、３ポイント曲折構成に優れており、１５の係数は穏当であり、１０の係数は普通であり、１０未満の係数は足りないものとなっている。２２ないし４６μｍの分離幅が得られた。これらの結果は、３０枚の基板の測定値から得られた。当該基板の目視検査により、当該所望の割れ目表面に対しての逸脱は生じず又は生じ難いことが証明された。割れ目表面は、交差ポイントにおいても当該溝のコースに沿うことが分かった。また、コーナ部は壊れないことも分かった。表１には、さらに詳しい内容が挙げられている。
【００４０】
【表１】
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【実施例６】
【００４１】
基板は、事前に較正され検査された新しい破断機械によりテストされた。ここでの設定（値）は、実験１におけるものと一致させられた。ここで、１１５±７ＭＰａのワイブル強度と２０±２のワイブル係数が得られた。かかる新しい破断機械は、１０８±８ＭＰａのワイブル強度と１７±３のワイブル係数を呈した。結論として、エラーのマージン内にこれらの差が収まっている。
【実施例７】
【００４２】
基板は、水中テストにより、水の影響についてテストされた。１１５±７ＭＰａのワイブル強度と２０±２のワイブル係数が、実験１の条件の下、実施例１による基板に見られた。水中では、他の全ての条件を同じままとし、９５±６ＭＰａのワイブル強度と２０±４のワイブル係数が呈された。１４７±８ＭＰａのワイブル強度と２３±４のワイブル係数が、通常の条件の下９９．６％のアルミナを有する本発明による基板に対し見られた。水中では、１２２±８ＭＰａのワイブル強度と１８±３のワイブル係数が呈された。これにより、当該値間の差が当該基板の構造ではなく計器によって生じるものであると結論付けられる。さらに水分及び／又は湿気は何の影響力もないという結論に至る。
【００４３】
（参照例１）
アルミナ９６％、細孔２％及びガラス２％の組成の基板は、実施例５の３ポイント曲折構成において試験された。この基板は、溝又は他の開始部も含まなかった。これは、実施例１の基板と同じ厚さ及び同じサイズを持つものであった。試験は実験１の手法により行われた。２×１０３ＭＰａのワイブル強度及び３のワイブル係数が呈された。目視検査により、幾つかの箇所において所望の割れ目ラインから逸脱した割れ目表面が判明した。
【００４４】
（参照例２）
逆さまの円錐形状、２００μｍの深さ、及び２００μｍの間隔を有する孔の形態を採る割れ目開始部が参照例１の基板に形成された。当該孔と孔との間において当該基板表面は平坦であった。１００±２０ＭＰａのワイブル強度及び１０±３のワイブル係数が呈された。目視検査により、分離された部品の角部において逸脱が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１実施例の基板の平面図。
【図２】図１のＶ−Ｖ線において破断された第１実施例の断面図。
【図３】第２実施例の基板の断面図。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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