(57)【要約】【課題】反射型液晶表示装置が開示されている。【解決手段】画素が形成された第１基板と対向して第２基板が具備される。第１基板と第２器板との間に液晶層が形成される。第１基板上には、光散乱のために相対的な高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部とを含む反射電極が形成される。第１領域部は、第１方向に対して第２方向より相対的に高い反射率を有するように、第１方向による第１幅が第２方向による第２幅より広く形成される。レンズの形状に関係なく所望の方向にグルーブの幅のみを変更させて特定方向の視野角を確保して反射率を増加させることができる。【選択図】図３
2004538514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素が形成された第１基板と、
前記第１基板と対向して形成された第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、
前記第１基板上に形成され、光散乱のために相対的な高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部とを有する反射電極とを含み、
前記第１領域部は、第１方向における第１反射率が第２方向における第２反射率より相対的に高い反射率を有するように、前記第１方向における第１幅が前記第２方向における第２幅より広く形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１領域部は、前記第２領域部と比較して相対的に低い高さのグルーブ形状を有し、前記第２領域部は、相対的に高い高さの複数の突出部形状を有することを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１領域部は、前記第１方向に沿って連続的に形成された第１グルーブと、前記第２方向に沿って連続的に形成された第２グルーブとを含むことを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１領域部は、前記第２領域部を閉曲線の形態に限定することを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１方向は画素の横方向であり、前記第２方向は画素の縦方向であることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１方向は画素の縦方向であり、前記第２方向は画素の横方向であることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素は、スイッチング素子である薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１基板と前記反射電極との間に、前記反射電極と同一の構造を有するように形成された有機絶縁膜を更に具備することを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及び銀（Ａｇ）の群のうち選択されたいずれか一つで構成されることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アクティブ層、ソース電極およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板及び前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記ドレイン電極の一部分を露出させるコンタクトホールを有する有機絶縁膜と、
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続されるように有機絶縁膜上に形成され、光散乱のために相対的に高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部とを含む反射電極と、
前記反射電極の前記第１領域部は、第１方向の第１反射率が第２方向の第２反射率より相対的に高い反射率を有するように、前記第１方向の第１幅が前記第２方向の第２幅より広く形成されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１領域部は、前記第２領域部と比較して相対的に低い高さのグルーブ形状を有し、前記第２領域部は、前記第１領域部と比較して相対的に高い高さの複数の突出部形状を有することを特徴とする請求項１０記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第１領域部は、前記第１方向に沿って連続的に形成された第１グルーブと、前記第２方向に沿って連続的に形成された第２グルーブと、で構成されることを特徴とする請求項１０記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１領域部は、前記第２領域部を閉曲線の形態に限定することを特徴とする請求項１０記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１４】
前記有機絶縁膜は、前記反射電極と同一の構造を有することを特徴とする請求項１０記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１５】
前記反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及び銀（Ａｇ）の群のうち選択されたいずれか一つで構成されることを特徴とする請求項８記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１６】
画素が形成された絶縁基板と、
前記画素に接続されて前記絶縁基板上に形成され、光散乱のために相対的な高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部と、
前記画素と接続されるように絶縁基板上に形成され、光散乱のために相対的に高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部とを含む反射電極とを含み、
前記反射電極の前記第１領域部は、第１方向の反射率が第２方向の反射率より相対的に高い反射率を有するように、前記第１方向の第１幅が前記第２方向の第２幅より広く形成されていることを特徴とする電子ディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第１領域部は、前記第２領域部と比較して相対的に低い高さのグルーブ形状を有し、前記第２領域部は、前記第１領域部と比較して相対的に高い高さの複数の突出部形状を有することを特徴とする請求項１６記載の電子ディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第１領域部は、前記第１方向に沿って連続的に形成された第１グルーブと、前記第２方向に沿って連続的に形成された第２グルーブと、で構成されることを特徴とする請求項１６記載の電子ディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記第１方向は画素の横方向であり、前記第２方向は画素の縦方向であることを特徴とする請求項１６記載の電子ディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記第１方向は画素の縦方向であり、前記第２方向は画素の横方向であることを特徴とする請求項１６記載の電子ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反射型液晶表示装置に関し、より詳細には複数のマイクロレンズが形成された反射電極を具備する反射型液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日の情報化社会において、電子ディスプレイ装置（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）の役割はますます重要になり、各種電子ディスプレイ装置が多様な産業分野または家電機器等に広範囲に用いられている。
【０００３】
一般に電子ディスプレイ装置とは、多様な情報を視覚を通じて人に伝達する装置を言う。即ち、電子ディスプレイ装置とは、各種電子器機から出力される電気的情報信号を人の視覚で認識可能な光情報信号に変換する電子装置と定義することができる。
【０００４】
このような電子ディスプレイ装置において、光情報信号が発光現状により表示される場合には、発光型表示（ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）装置と呼ばれ、反射、散乱、干渉現象などにより光変調を表示する場合には、受光型（ｎｏｎ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）装置と呼ばれる。能動型表示装置とも呼ばれる前記発光型表示装置としては、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ；ＣＲＴ）、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ；ＰＤＰ）、発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）及びエレクトロルミネセントディスプレイ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ；ＥＬＤ）などを挙げることができる。又、受動型表示装置とも呼ばれる前記受光型表示装置としては、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）、電気化学表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ；ＥＣＤ）及び電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｉｍａｇｅ  ｄｉｓｐｌａｙ；ＥＰＩＤ）などを挙げることができる。
【０００５】
テレビ受像機やコンピュータモニター等のような画像表示装置に用いられる陰極線管（ＣＲＴ）は、表示品質及び経済性などの面において最も高い占有率を占めているが、重い重量、大きい容積及び高い消費電力などの問題点を持っている。
【０００６】
しかし、半導体技術の急速な発展により、すぐれた性能を有する新たな電子ディスプレイ装置、即ち、薄い厚さ、軽い重量、低い駆動電圧及び低い消費電力の特徴を備えるフラットパネル（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ）型ディスプレイ装置に対する要求が増加している。
【０００７】
フラットディスプレイ装置のうち、液晶表示装置は、薄い厚さ、製造が容易低い駆動電圧及び低い消費電力を備えているのみならず、陰極線管とほぼ同一の画像表示が可能なので、多様な電子装置に広範囲に用いられている。
【０００８】
このような液晶表示装置は、外部光源を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置と、自然光を用いた反射型液晶表示装置と、反射透過型液晶表示装置とに区分することができる。反射透過型液晶表示装置は、外部光が存在しない暗所や室内においては、作り込まれた光源を用いて映像を表示するために透過モードで動作する。一方、外においては、外部光を反射して映像を表示する反射モードで動作する。
【０００９】
しかし、現在の反射型液晶表示装置は、その表示画面が暗く、高精細表示及びカラー表示に適切な対応が困難なので、図や簡単な文字の表示のみを要求する装置に限定され用いられている。従って、反射型液晶表示装置が多様な電子ディスプレイ装置として利用されるためには、反射効率の向上と高精細化及びカラー化が要求される。又、十分な明るさと速い応答速度及び画像のコントラストの向上も要求される。
【００１０】
現在の反射型液晶表示装置において、明るさを向上させる技術は、反射電極の反射効率を高める方向と、超開口率技術を調合する方向に進行されている。このように反射電極に微細な凸凹を形成して反射効率を向上させる技術は、Ｎａｏｆｕｍｉ  Ｋｉｍｕｒａによる「REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH BUMPS ON THE REFLECTOR」特許文献１に開示されている。
【００１１】
一方、本出願人は、均一に乱反射させることにより画像の画質を向上させることができる反射電極を発明して、１９９９年３月４日付で韓国出願第１９９９−７０９３号（発明の名称：反射型液晶表示装置及びその製造方法）に出願している。
【００１２】
図１は、前記韓国出願に開示された反射電極または反射電極を形成するためのフォトマスク上のパターンを示した平面図である。
【００１３】
図１を参照すると、反射電極は画素の境界線内に相対的に高低を有して形成される第１領域部１４と、第２領域部１６とに区分される。前記第１領域部１４は、第２領域部１６を閉曲線の形態として取り囲んでいる。前記第１領域部１４は一定な幅に形成される。前記第１領域部１４は、第２領域部１６と比較して相対的に低い高さのグルーブ形状を有するように形成し、前記第２領域部１６は、相対的に高い高さの突出部形状を有するように形成してマイクロレンズとしての機能をする。
【００１４】
このように反射電極に多数のマイクロレンズを形成するためには、薄膜トランジスタが形成された第１絶縁基板上に有機絶縁膜を塗布した後、図１に示したようなパターンが形成されているフォトマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光及び現像しなけらばならない。
【００１５】
図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ図１のＡ１−Ａ１’及びＢ１−Ｂ１’に沿って有機絶縁膜の上部に複数のグルーブを形成する方法を具体的に示した断面図である。
【００１６】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、有機絶縁膜１２にグルーブ形状を有する複数の第１領域部１４を形成するために、グルーブに相応するパターンを有するマイクロレンズ形成用フォトマスク２０を前記有機絶縁膜１２上に位置させる。この祭、フォトマスク２０は、図１に示した反射電極の形態と同一のパターンを具備する。具体的には、図１に示したように、前記フォトマスク２０は、第１領域部１４に相応するマスクパターンを透明な基板上に形成して製作する。このようなフォトマスクを用いて前記有機絶縁膜１２を露光させた後、現像工程を経ると、有機絶縁膜１２の表面から多数のグルーブ（即ち、第１領域部）１４が形成される。
【００１７】
前記第１領域部１４は、第１方向（図１のＡ1−Ａ1’方向）による幅Ｗａと第２方向（図１のＢ1−Ｂ1’方向）による幅Ｗｂを同様に形成する。このように、第１領域部１４の幅を一定に形成することにより、反射効率を向上させて液晶表示装置の画質を改善することができる。
【００１８】
前述した反射電極は、マイクロレンズ（即ち、第２領域部）１６が等方性（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）パターンに形成され、横及び縦の全ての方向に対して同一の反射率を示す。しかし、前記方法は携帯電話のように特定方向で高い反射率を要求する電子ディスプレイ装置に適用することができないという短所がある。
【００１９】
特定方向の反射率を高めるために、マイクロレンズの全体パターンを変更する場合、工程条件を更に最適化しなければならず、全体基板に対する対称性の問題などが発生する虞がある。
【特許文献１】
米国特許第５,６１０,７４１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
従って、本発明の第１目的は、レンズの形状に関係なく、特定方向の反射率を調整することができる反射型液晶表示装置を提供することにある。
【００２１】
本発明の第２目的は、レンズの形状に関係なく、特定方向の反射率を調整することができる電子ディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記第１目的を達成するために本発明は、画素が形成された第１基板と、前記第１基板と対向して形成された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、前記第１基板上に形成され、光散乱のために相対的な高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部有する反射電極とをとを含み、前記第１領域部は第１方向に対して第２方向より相対的に高い反射率を有するように、前記第１方向による第１幅が前記第２方向による第２幅より広く形成された反射電極と、を具備することを特徴とする反射型液晶表示装置を提供する。
【００２３】
前記第２目的を達成するために本発明は、画素が形成された絶縁基板と、前記画素に接続されて前記絶縁基板上に形成され、光散乱のために相対的な高低に形成された複数の第１領域部と第２領域部とを含み、前記第１領域部は第１方向に対して第２方向より相対的に高い反射率を有するように前記第１方向による第１幅が前記第２方向による第２幅より広く形成された反射手段と、を具備することを特徴とする電子ディスプレイ装置を提供する。
【００２４】
本発明によると、反射率を高めようとする方向に対する反射電極のグルーブの幅を広く形成する。従って、レンズの形状に関係なく所望の方向にグルーブの幅のみを変更させて特定方向の視野角を確保し反射率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施例に沿って反射型液晶表示装置を詳細に説明する。
【００２６】
図３は、本発明の第１実施例に係る反射電極または反射電極を形成するためのフォトマスク上のパターンを示した平面図である。
【００２７】
図３を参照すると、本発明の第１実施例に係る反射電極は、画素の境界線内に相対的な高低に形成される第１領域部２９０と第２領域部２９５とに区分される。前記第１領域部２９０は、画素の横方向に連続的に形成された複数の第１グルーブ２９０ａと、画素の縦方向に連続的に形成された複数の第２グルーブ２９０ｂとで構成される。前記第２グルーブ２９０ｂは、第１グルーブ２９０ａと比較して広い幅に形成されて、画素の縦方向、即ち、上下方向に対する視野角を確保し反射率を増加させる。
【００２８】
前記第１領域部２９０は、第２領域部２９５と比較して相対的に低い高さのグルーブ形状を有するように形成し、前記第２領域部２９５は、相対的に高い高さの突出部形状を有するように形成し、マイクロレンズとしての機能をする。
【００２９】
図４は、本発明の第１実施例に係る反射電極を有する反射型液晶表示装置を示した断面図である。
【００３０】
図４を参照すると、本実施例に係る反射型液晶表示装置は、画素が形成されている第１基板２１０と、前記第１基板２１０と対向して配置された第２基板２２０と、前記第１基板２１０と第２基板２２０との間に形成された液晶層２３０と、反射型液晶表示装置の画素電極である反射電極２３５と、を含む。
【００３１】
前記第１基板２１０は、第１絶縁基板２４０と、前記第１絶縁基板２４０に形成されたスイッチング素子の薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）２４５と、を含む。前記薄膜トランジスタ２４５は、ゲート電極２５０、ゲート絶縁膜２５５、アクティブ層２６０、オームコンタクト層２６５、ソース電極２７０及びドレイン電極２７５を含む。
【００３２】
前記薄膜トランジスタ２４５が形成された第１絶縁基板２４０上には、フォトレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）のような感光性物質からなる有機絶縁膜２８０が積層され、このような有機絶縁膜２８０には薄膜トランジスタ２４５のドレイン電極２７５の一部分を露出させるコンタクトホール２８５が形成される。
【００３３】
前記コンタクトホール２８５及び有機絶縁膜２８０上には、反射電極２３５が形成される。前記反射電極２３５は、コンタクトホール２８５を通じてドレイン電極２７５に接続されることにより、薄膜トランジスタ２４５と反射電極２３５とが電気的に連結される。
【００３４】
前記反射電極２３５及び有機絶縁層２８０上には、第１配向膜（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）３００が積層される。
【００３５】
前記第１基板２１０と対向する第２基板２２０は、第２絶縁基板３０５、カラーフィルター３１０、共通電極３１５、第２配向膜３２０、位相差板３２５及び偏光板３３０を具備する。
【００３６】
前記第２絶縁基板３０５は、第１絶縁基板２４０と同一の物質、例えば、ガラス又はセラミックからなる。前記位相差板３２５及び偏光板３３０は、第２絶縁基板３０５の上部に順次形成される。前記カラーフィルター３１０は、第２絶縁基板３０５の下部に配置され、第２絶縁基板３０５の下部には、共通電極３１５及び第２配向膜３２０が順に形成される。前記第２配向膜３２０は、第１基板２１０の第１配向膜３００と共に、液晶層２３０の液晶分子を所定角度にプリティルティング（ｐｒｅ−ｔｉｌｔｉｎｇ）させる機能を行う。
【００３７】
前記第１基板２１０と第２基板２２０との間にはスペーサ３３５，３３６が介在され第１基板２１０と第２基板２２０との間に所定の空間が形成される。このような第１基板２１０と第２基板２２０との空間には液晶層２３０が形成される。
【００３８】
以下、図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
【００３９】
図５Ａ乃至図５Ｅは、図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。図５Ａ乃至図５Ｅにおいて、図４と同一の要素には同一な参照番号を付ける。
【００４０】
図５Ａを参照すると、ガラス又はセラミックのような絶縁物質からなる第１絶縁基板２４０上に、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）又はモリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の第１金属膜を蒸着した後、前記第１金属膜をパターニングしてゲートライン（図示せず）及び前記ゲートラインから分岐されるゲート電極２５０を形成する。次いで、前記ゲート電極２５０を含む第１絶縁基板２４０の全面にシリコン窒化物をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法で蒸着してゲート絶縁膜２５５を形成する。
【００４１】
前記ゲート絶縁膜２５５上に非晶質シリコン膜及びインシツ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ドーピングされた非晶質シリコン膜をプラズマ化学気相蒸着方法で順に蒸着した後、前記膜をパターニングしてゲート電極２５０の上部分のゲート絶縁膜２５５上にアクティブ層２６０及びオームコンタクト層２６５を形成する。
【００４２】
次いで、前記結果物の全面にクロム（Ｃｒ）のような第２金属膜を蒸着した後、前記第２金属膜をパターニングして前記ゲートラインと直交するデータライン（図示せず）と、前記データラインから分岐されるソース電極２７０及びドレイン電極２７５を形成する。従って、前記ゲート電極２５０、アクティブ層２６０、オームコンタクト層２６５、ソース電極２７０及びドレイン電極２７５を含む薄膜トランジスタ２４５が完成される。この祭、前記ゲートラインとデータラインとの間にはゲート絶縁膜２５５が介在されゲートラインがデータラインと接触することを防止する。
【００４３】
次いで、前記薄膜トランジスタ２４５が形成された第１絶縁基板２４０の全面にフォトレジストをスピンコーティング法で約１〜３μｍ厚さに塗布して有機絶縁膜２８０を形成する。
【００４４】
図５Ｂを参照すると、前記有機絶縁膜２８０上にコンタクトホール２８５を形成するための第１マスク４５０を位置させた後、有機絶縁膜２８０が第１マスクにより現像・露光される。そして、有機絶縁膜２８０にドレイン電極２７５を部分的に露出させるコンタクトホール２８５と有機絶縁膜２８０表面に複数のグルーブを形成する。
【００４５】
前記有機絶縁膜２８０にコンタクトホール２８５を形成する過程及び有機絶縁膜２８０の上部に複数のグルーブを形成する過程を詳細に説明すると、次ぎのようである。
【００４６】
図５Ｃ及び図５Ｄは、図３のＡ3−Ａ3’及びＢ3−Ｂ3’による断面図であって、図４Ｂのコンタクトホール２８５及び有機絶縁膜２８０の上部に複数のグルーブを形成する段階を具体的に説明する。
【００４７】
まず、フォトレジストからなる有機絶縁膜２８０にコンタクトホール２８５を形成するために、コンタクトホール２８５に相応するパターンを有する第１マスク（図４Ｂの参照符号４５０）を有機絶縁膜２８０上に位置させる。次いで、１次にフール（ｆｕｌｌ）露光工程を通じてドレイン電極２７５の上部の有機絶縁膜２８０を露光させる。
【００４８】
次いで、図５Ｃ及び図５Ｄに示したように、有機絶縁膜２８０に複数のグルーブ２９０ａ,２９０ｂを形成するために、グルーブに相応するパターンを有するマイクロレンズ形成用の第２マスク５００を有機絶縁膜２８０上に位置させる。前記第２マスク５００は、図３に示した反射電極２３５の形態と同一のパターンを具備する。具体的に、前記第２マスク５００は画素の横方向である第１方向、即ち、図３のＡ３−Ａ３’方向によるグルーブの幅Ｗ1aが、画素の縦方向である第２方向、即ち、図３のＢ３−Ｂ３’方向によるグルーブの幅Ｗ1bより狭く形成されたマスクパターンを透明な基板上に形成して製作する。
【００４９】
このような第２マスク５００を用いたレンズ露光工程（露光し、レンズを形成する）を通じてコンタクトホール２８５を除外した部分の有機絶縁膜２８０を２次に露光させる。
【００５０】
次いで、有機絶縁膜２８０の現像工程を経ると、前記ドレイン電極２７５を露出させる有機絶縁膜２８０内のコンタクトホール２８５と有機絶縁膜２８０の表面に複数のグルーブが形成される。即ち、画素の横方向である第１方向に沿って一定な第１幅を有する第１グルーブ２９０ａと、画素の縦方向である第２方向に沿って前記第１幅より広い第２幅を有する第２グルーブ２９０ｂからなる連続した複数のグルーブが有機絶縁膜２８０の表面に形成される。これにより、前記有機絶縁膜２８０の表面は、連続した複数のグルーブからなる第１領域部２９０と、前記第１領域部２９０によって取り囲まれた複数の突出部からなる第２領域部２９５とに区分される。
【００５１】
図５Ｅを参照すると、前述したように複数のグルーブが形成された有機絶縁膜２８０上に、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）又は銀（Ａｇ）などの反射率に優れた第３金属膜を蒸着した後、前記第３金属膜を所定の画素形状にパターニングして図４に示した反射電極２３５を形成する。次いで、前記反射電極２３５上にフォトレジストを塗布して、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）処理などを通じて液晶層２３０内の液晶分子を選択された角度にプリティルト（pre-tilte）させる第１配向膜３００を形成する。
【００５２】
前記反射電極２３５は、有機絶縁膜２８０の表面と同一の形状を有する。反射電極２３５は、有機絶縁膜２８０のグルーブの上に形成された複数のグルーブからなる第１領域部２９０と、複数の突出部からなるマイクロレンズ領域である第２領域部２９５とに区分される。この際、前記第１領域部２９０は、横方向である第１方向に沿って第１幅に形成された複数の第１グルーブと、縦方向である第２方向に沿って前記第１幅より広い第２幅に形成された複数の第２グルーブが連続された構造を有する。このような反射電極２３５は、縦方向である第２方向によるグルーブの幅が第１方向（水平方向）に沿う第１グルーブの幅よりも広く形成されるので、上下視野角を確保して上下方向の反射率を増加させることができる。
【００５３】
次いで、図５Ｅを参照すると、前記第１絶縁基板２４０と同一の物質からなる第２絶縁基板３０５上に、カラーフィルター３１０、共通電極３１５及び第２配向膜３２０を順次形成して、第２基板２２０を完成する。次いで、第２基板２２０と第１基板２１０が互いに対向するように配置した後、第１基板２１０と第２基板２２０との間にスペーサ３３５を介在して接合することにより、第１基板２１０と第２基板２２０との間に所定の空間が形成される。その後、第１基板２１０と第２基板２２０との間の空間に真空注入方法を用いて液晶物質を注入して液晶層２３０を形成すると、本実施例に係る反射型液晶表示装置が完成される。この際、前記第２基板２２０の全面に偏光板３３０及び位相差板３２５が形成されることができ、図示しないが、第２絶縁基板３０５とカラーフィルター３１０との間にブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）が配置されることもできる。
【００５４】
前述した本発明の第１実施例によると、グルーブ形状の複数の第１領域部２９０と、突出部形状の複数の第２領域部２９５と、で構成された反射電極２３５において、前記第１領域部２９０を構成している縦方向の第２グルーブ２９０ｂの幅を、横方向の第１グルーブ２９０ａの幅より広く形成する。従って、画素の垂直方向に沿って形成された反射電極２３５のグルーブは、画素の水平方向に沿って形成されたグルーブの幅よりも広いため、上下視野角を確保し、上下方向の反射率を増加させることができる。
【００５５】
図６は、本発明の第２実施例に係る反射電極または反射電極を形成するためのフォトマスク上のパターンを示した平面図である。
【００５６】
図６を参照すると、本発明の第２実施例に係る反射電極は、画素の境界線内に相対的な高低に形成される第１領域部２９０と第２領域部２９５とに区分される。前記第１領域部２９０は、第２領域部２９５と比較して相対的に低い高さのグルーブ形状を有するように形成し、前記第２領域部２９５は、相対的に高い高さの突出部形状を有するように形成して、マイクロレンズとしての機能をする。
【００５７】
前記第１領域部２９０は、画素の横方向に連続的に形成された複数の第１グルーブ２９０ａと、画素の縦方向に連続的に形成された複数の第２グルーブ２９０ｂと、で構成される。前記第１グルーブ２９０ａは、第２グルーブ２９０ｂと比較して広い幅に形成される。従って、水平方向のグルーブ幅を広く形成して左右視野角を確保して左右方向の反射率を増加させることができる。
【００５８】
このようなレンズパターンを有する反射電極を提供するために有機絶縁膜の表面に複数のグルーブを形成する方法を説明すると、次ぎのようである。
【００５９】
図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ図６のＡ6−Ａ6’及びＢ6−Ｂ6’による有機絶縁膜の上部に複数のグルーブを形成する方法を具体的に示した断面図である。
【００６０】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、有機絶縁膜２８０に複数のグルーブ２９０ａ,２９０ｂを形成するためにグルーブに相応するパターンを有するマイクロレンズ形成用マスク５１０を有機絶縁膜２８０上に位置させる。具体的に、前記マスク５１０は画素の横方向である第１方向、即ち、図６のＡ6−Ａ6’方向によるグルーブの幅Ｗ2aが、画素の縦方向である第２方向、即ち、図６のＢ6−Ｂ6’方向によるグルーブの幅Ｗ2bより広く形成されたマスクパターンを透明な基板上に形成して製作する。
【００６１】
このようなマスク５１０を用いてレンズ露光工程を通じて有機絶縁膜２８０を露光させた後、現像工程を経ると、有機絶縁膜２８０の表面に複数のグルーブが形成される。即ち、画素の横方向である第１方向に沿って一定な第１幅を有する第１グルーブ２９０ａと、画素の縦方向である第２方向に沿って前記第１幅より狭い第２幅を有する第２グルーブ２９０ｂとからなる連続された複数のグルーブが有機絶縁膜２８０の表面に形成される。これにより、前記有機絶縁膜２８０の表面は、連続された複数のグルーブからなる第１領域部２９０と前記第１領域部２９０により取り囲まれた複数の突出部からなる第２領域部２９５とに区分される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
前述したように、本発明によると、反射率を高めようとする方向に対する反射電極のグルーブの幅を広く形成する。従って、レンズの形状に関係なく所望の方向にグルーブの幅のみを変更させて特定方向の視野角を確保して反射率を増加させることができる。
【００６３】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本出願人の先行韓国出願に開示された反射電極または反射電極を形成するためのフォトマスク上のパターンを示した平面図である。
【図２Ａ】図１のＡ1−Ａ1’及びＢ1−Ｂ1’による有機絶縁膜の上部に多数のグルーブを形成する方法を具体的に示した断面図である。
【図２Ｂ】図１のＡ1−Ａ1’及びＢ1−Ｂ1’による有機絶縁膜の上部に多数のグルーブを形成する方法を具体的に示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る反射電極または反射電極を形成するためのフォトマスク上のパターンを示した平面図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る反射電極を有する反射型液晶表示装置を示した断面図である。
【図５Ａ】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５Ｅ】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第２実施例に係る反射電極または反射電極を形成するためのフォトマスク上のパターンを示した平面図である。
【図７Ａ】図６のＡ6−Ａ6’及びＢ6−Ｂ6’による有機絶縁膜の上部に複数のグルーブを形成する方法を具体的に示した断面図である。
【図７Ｂ】図６のＡ6−Ａ6’及びＢ6−Ｂ6’による有機絶縁膜の上部に複数のグルーブを形成する方法を具体的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
２１０    第１基板
２２０    第２基板
２３０    液晶層
２３５    反射電極
２４０    第１絶縁基板
２４５    薄膜トランジスタ
２５０    ゲート電極
２５５    ゲート絶縁膜
２６０    アクティブ層
２６５    オームコンタクト層
２７０    ソース電極
２７５    ドレイン電極
２８０    有機絶縁膜
２８５    コンタクトホール
２９０    第１領域部
２９５    第２領域部
３００    第１配向膜
３０５    第２絶縁基板
３１０    カラーフィルター
３１５    共通電極
３２０    第２配向膜
３２５    位相差板
３３０    偏光板
【国際公開パンフレット】
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2004538514.tif 000004
2004538514.tif 000005
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【国際調査報告】
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2004538514.tif 000035