(57)【要約】【課題】シリコンで作製されたリブ型導波路における複屈折を制御する。【解決手段】リブ型導波路は、上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメント（４）を含んで構成される。本方法は、リブ型導波路の少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層（７）を所定の厚さで形成することを含む。【選択図】図２
2004510196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンで作製されたリブ型導波路における複屈折を制御する方法であって、
前記リブ型導波路は、上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントを含んで構成され、
前記縦長のリブエレメントの少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を所定の厚さで設けることを含む方法。
【請求項２】
前記縦長のリブエレメントの一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を設けることを含み、熱酸化層の厚さ及びこの熱酸化層が形成される縦長のリブエレメントの前記一部の長さを選択して、前記導波路における複屈折を実質的になくす請求項１に記載の方法。
【請求項３】
シリコン製のリブ型導波路の少なくとも一部に熱酸化物の層を所定の厚さで形成することにより複屈折を制御する、リブ型導波路を作製する方法における前記層の使用。
【請求項４】
シリコンリブ型導波路を作製する方法であって、
上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントをシリコン基板に形成することと、
前記縦長のリブエレメントの少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を所定の厚さで設けることとを含んで構成され、この所定の厚さを選択して、リブ型導波路における複屈折を制御する方法。
【請求項５】
シリコンリブ型導波路を作製する方法であって、
上面及び２つの側面を有する少なくとも１つの縦長のリブエレメントを含む複数の光学コンポーネントをシリコン基板に形成することと、
前記複数の光学コンポーネント上で熱酸化物の層を成長させることと、
１つ又は１組の前記光学コンポーネントから前記酸化層を、少なくとも前記縦長のリブエレメントの部分の少なくとも前記縦長のリブエレメント上に熱酸化層を残して、選択的にエッチングすることとを含んで構成され、前記熱酸化物の層の厚さを選択して、前記縦長のリブエレメントにおける複屈折を制御する方法。
【請求項６】
シリコンで作製された、異なる光路長及び固有の複屈折性を有する少なくとも２つのリブ型導波路を含む干渉式光学装置であって、各リブ型導波路は、上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントを含んで構成され、前記２つの縦長のリブエレメントの少なくとも一方の少なくとも一部に熱酸化物の層が設けられ、前記２つのリブ型導波路の複屈折性が実質的に等しい装置。
【請求項７】
シリコンで作製された、異なる光路長及び固有の複屈折性を有する一列のリブ型導波路を含んで構成され、各リブ型導波路が上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントを含んで構成されるアレイ導波路格子を含む光学装置であって、前記縦長のリブエレメントの少なくとも幾つかの少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層が設けられ、前記各リブ型導波路の複屈折性が実質的に等しい装置。
【請求項８】
シリコン製の一列のリブ型導波路の少なくとも幾つかの少なくとも一部に熱酸化物の層を所定の厚さで形成することにより複屈折を制御する、一列のリブ型導波路を含んで構成されるアレイ導波路格子を作製する方法における前記層の使用。
【請求項９】
一列のシリコンリブ型導波路を含んで構成されるアレイ導波路格子を作製する方法であって、
それぞれが上面及び２つの側面を有する一列の縦長のリブエレメントをシリコン基板に形成することと、
前記縦長のリブエレメントの少なくとも幾つかの少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を所定の厚さで設けることとを含んで構成され、前記所定の厚さを選択して、前記アレイ導波路格子における複屈折を制御する方法。
【請求項１０】
前記一列のリブ型導波路は、シリコン基板の表面下を延伸する一列の縦長のトレンチを形成することにより設けられ、前記トレンチの側壁は、前記縦長のリブエレメントの前記側面を形成し、前記縦長のリブエレメントの前記上面は、シリコン基板の前記表面と一致する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
一体光学装置を作製する方法であって、
それぞれが上面及び２つの側面を有する一列の縦長のリブエレメントを含んで構成されるアレイ導波路格子を含む複数の光学コンポーネントをシリコン基板に形成することと、
前記複数の光学コンポーネント上に熱酸化物の層を成長させることと、
１つ又は１組の前記光学コンポーネントから前記酸化層を、少なくとも前記一列の縦長のリブエレメントの部分の前記一列の縦長のリブエレメント上に熱酸化層を残して、選択的にエッチングすることとを含んで構成され、前記熱酸化物の層の厚さを選択して、前記一列の縦長のリブエレメントにおける複屈折を制御する方法。
【請求項１２】
シリコン基板に形成された複数の光学コンポーネントを含んで構成され、前記光学コンポーネントは、それぞれが上面及び２つの側面を有する一列の縦長のリブエレメントと、前記一列の縦長のリブエレメントの少なくとも一部に設けられた熱酸化物の層とを含んで構成されるアレイ導波路格子を含み、前記熱酸化物の層の厚さが選択されて、前記一列の縦長のリブエレメントにおける複屈折が制御され、前記複数の光学コンポーネントの少なくとも１つが前記熱酸化層を介して露出された一体光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路、特にシリコンリブ型導波路における複屈折の制御に関し、また、アレイ導波路格子における複屈折の制御に関する。
【０００２】
【従来の技術】
よく知られたように、複屈折は、光導波路に関する重大な問題を生じる。複屈折は、多くの異なる発生因子を持ち、それらの因子の各々が、光を異なる態様で偏光させ、異なる屈折率を与える。これにより、異なる偏りを持つ光が、導波路を介して異なって伝送されることとなり、結果として、ランダムな偏り及び特に伝搬損失を持つ光を受けた装置の動作は、予期不能なものとなる。複屈折のよく知られた発生因子として、導波路の結晶構造、（光を案内する断面で見たときの）導波路の形状、及び導波路で構成された経路におけるあらゆる曲げ、基板の不連続等の結果として生じる応力及び歪みがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
シリコン−オン−インシュレータチップ上に作製されたリブ型導波路が知られている。ＰＣＴ特許明細書第ＷＯ９５／０８７８７号には、そのような構成の一例が記載されている。この形態の導波路は、光ファイバに接続することが可能であり、かつ他の一体コンポーネントとの互換性を持つ、典型的には３〜５ミクロンのオーダの寸法の単一モード、かつ（典型的には１．２〜１．６ミクロンの波長範囲について０．２ｄＢ／ｃｍ未満の）低損失な導波路を提供する。また、この形態の導波路は、（上記のＷＯ９５／０８７８７号に記載のように）従来のシリコン−オン−インシュレータウェーハから容易に作製することが可能であるため、作製費用が比較的に安価である。本発明の目的は、このタイプの構造において、複屈折を制御することである。
【０００４】
図７に平面で示すアレイ導波路格子では、複屈折は、伝搬光の偏りが変化したときのパスバンド周波数中心値のシフトとして実験的に確認することのできる偏光依存周波数（ＰＤＦ）を生じさせる（図８）。本発明の他の目的は、このタイプの構造において、偏光依存周波数効果を制御することである。
【０００５】
シリコンリブ型導波路上に熱酸化物の層を形成した場合に、この層がＴＭ及びＴＥ偏光の相対的な伝搬に影響する物理的な応力を、シリコンリブ型導波路に固有な複屈折の発生因子の全体的な影響とは反対の方向に生じさせることが判明している。また、応力を生じさせる熱酸化層がＴＭ及びＴＥ偏光の相対的な伝搬に影響する度合いは、熱酸化層を形成する厚さに依存することも判明している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一形態によれば、シリコンで作製されたリブ型導波路における複屈折を制御する方法が提供され、前記リブ型導波路は、上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントを含んで構成され、この方法は、 前記リブ型導波路の少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を所定の厚さで設けることを含む。
【０００７】
一実施例では、熱酸化物の層は、導波路の一部に設けられ、その熱酸化層の厚さ及びこれが形成される導波路の部分の長さは、導波路における複屈折が実質的になくなるように選択される。
【０００８】
しかしながら、リブ型導波路を含んで構成される光学装置が使用されるアプリケーションに応じ、前記熱酸化層は、制御された、ゼロでない所定レベルの複屈折が導波路に残るように形成される場合があり、その複屈折は、熱酸化層が形成される前の導波路における複屈折と比較して大きく又は小さい場合がある。
【０００９】
本発明の他の形態によれば、シリコン製のリブ型導波路の少なくとも一部に熱酸化物の層を所定の厚さで形成することにより複屈折を制御するための、リブ型導波路を作製する方法における前記熱酸化物の層の使用が提供される。
【００１０】
本発明の他の形態によれば、上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントをシリコン基板に形成することと、前記縦長のリブエレメントの少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を所定の厚さで設けることとを含んで構成され、リブ型導波路における複屈折が制御されるように前記所定の厚さを選択する、シリコンリブ型導波路を作製する方法が提供される。
【００１１】
本発明の他の形態によれば、シリコンリブ型導波路を作製する方法が提供され、この方法は、上面及び２つの側面を有する少なくとも１つの縦長のリブエレメントを含む複数の光学コンポーネントをシリコン基板に形成することと、前記複数の光学コンポーネント上に熱酸化物の層を成長させることと、１つ又は１組の前記光学コンポーネントから前記酸化層を、少なくとも前記縦長のリブエレメントの部分の少なくとも前記縦長のリブエレメント上に熱酸化層を残して、選択的にエッチングすることとを含んで構成され、前記熱酸化物の層の厚さを選択して、前記縦長のリブエレメントにおける複屈折を制御する。
【００１２】
本発明の他の形態によれば、異なる光路長及び固有の複屈折性を有する、シリコンで作製された少なくとも２つのリブ型導波路を含む干渉式光学装置が提供され、前記２つのリブ型導波路の少なくとも一方の少なくとも一部に、前記２つのリブ型導波路の複屈折性が実質的に等しくなるように熱酸化物の層が設けられる。
【００１３】
本発明の他の形態によれば、異なる光路長及び固有の複屈折性を有する、シリコンで作製された一列のリブ型導波路を含んで構成されるアレイ導波路格子を含む光学装置が提供され、各リブ型導波路は、上面及び２つの側面を有する縦長のリブエレメントを含んで構成され、前記縦長のリブエレメントの少なくとも幾つかの少なくとも一部の前記上面及び側面に、各リブ型導波路の複屈折性が実質的に等しくなるように熱酸化物の層が設けられる。
【００１４】
本発明のこの形態では、偏光依存周波数のシフトを実質的にゼロに減少させるように前記熱酸化層が形成される。また、アレイ導波路格子における複屈折を制御する本発明による方法では、前記熱酸化層は、そのアレイ導波路格子が使用されることとなるアプリケーションに応じ、偏光依存周波数のシフトを、その熱酸化層の形成前における偏光依存周波数よりも大きく又は小さな、ゼロでない所定の量に制御するように形成される。
【００１５】
本発明の他の形態によれば、シリコン製の一列のリブ型導波路を含んで構成されるアレイ導波路格子を作製する方法における熱酸化物の層の使用が提供され、前記リブ型導波路の少なくとも幾つかの少なくとも一部に前記層を所定の厚さで形成することにより複屈折を制御する。
【００１６】
本発明の他の形態によれば、それぞれが上面及び２つの側面を有する一列の縦長のリブエレメントをシリコン基板に形成することと、前記縦長のリブエレメントの少なくとも幾つかの少なくとも一部の前記上面及び側面に熱酸化物の層を所定の厚さで提供することとを含んで構成される、一列のシリコンリブ型導波路を含んで構成されるアレイ導波路格子を作製する方法が提供され、そのアレイ導波路格子における複屈折が制御されるように前記所定の厚さを選択する。
【００１７】
本発明の他の形態によれば、一体光学装置を作製する方法が提供され、この方法は、それぞれが上面及び２つの側面を有する一列の縦長のリブエレメントを含んで構成されるアレイ導波路格子を含む複数の光学コンポーネントをシリコン基板に形成することと、前記複数の光学コンポーネント上に熱酸化物の層を成長させることと、１つ又は１組の前記光学コンポーネントから前記酸化層を、少なくとも前記一列の縦長のリブエレメントの一部の前記一列の縦長のリブエレメント上に熱酸化層を残して、選択的にエッチングすることとを含んで構成され、前記熱酸化物の層の厚さを選択して、前記一列の縦長のリブエレメントにおける複屈折を制御する。
【００１８】
本発明の他の形態によれば、シリコン基板に形成された複数の光学コンポーネントを含んで構成される一体光学装置が提供され、前記光学コンポーネントは、それぞれが上面及び２つの側面を有する一列の縦長のリブエレメントと、前記一列の縦長のリブエレメントの少なくとも一部に設けられた熱酸化物の層とを含んで構成されるアレイ導波路格子を含み、前記熱酸化物の層の厚さを選択して、前記一列の縦長のリブエレメントにおける複屈折が制御され、前記複数の光学コンポーネントの少なくとも１つが前記熱酸化層を介して露出される。
【００１９】
本発明をより詳細に理解するため、及び本発明がいかに実施されるかを示すため、添付の図面を例示として参照する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施形態によるシリコンリブ型導波路を作製する方法について説明する。ここで述べる導波路は、シリコン−オン−インシュレータチップを基礎としている。このタイプのチップを形成するプロセスは、Ｊ．Ｍｏｒｇａｉｌ らによる論文（“Ｒｅｄｕｃｅｄ ｄｅｆｅｃｔ ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎ ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｆｏｒｍｅｄ ｂｙ ｏｘｙｇｅｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｉｎ ｔｗｏ ｓｔｅｐｓ”、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． 、５４、ｐ５２６、１９８９）に記載されている。この論文には、シリコン−オン−インシュレータウェーハを作製するプロセスが記載されている。このウェーハのシリコン層を、たとえばエピタキシャル成長により増大させ、ここで述べる一体導波路の基礎を形成するのに適したものとする。図１は、そのようなシリコン−オン−インシュレータウェーハの断面を示しており、縦長のリブエレメントが形成されている。このウェーハ又はチップは、二酸化シリコン層３によりシリコン基板２から分離されたシリコン層１を含んで構成される。縦長のリブエレメント４は、このシリコン層１にエッチングにより形成される。
【００２１】
縦長のリブエレメント４の幅は、典型的には１〜１０ミクロン、特に３〜５ミクロンのオーダである。
光波を案内するうえで問題となるのは、複屈折性を持つ物質が光の異なる偏りに対して異なる屈折率を示すことである。案内される光の方向性を制御することが困難であるか、あるいはこれが不可能である導波路では、この問題により重大な問題が生じ、特に大きな損失の原因となる。熱酸化層を使用して、たとえばここで述べるリブ型導波路の複屈折性を実質的に低減し又は特になくすことのできることが判明している。
【００２２】
続く処理ステップでは、１０５０℃での熱成長により酸化層が形成される。この層は、図２に符号７で示されている。図２では、図１におけると同じ部分を同じ符号で示している。
【００２３】
熱酸化物の成長は、多数のシリコン導波路及び他の光学コンポーネントと結合したウェーハの表面全体で生じる。このウェーハには、他の一体光学コンポーネントを形成してもよい。ウェーハ上にフォトレジスト８が置かれ、ウェーハの選択部分からエッチングされる。ここで、熱酸化層が必要なウェーハの部分にフォトレジスト部８が残される。
【００２４】
次いで、ＨＦエッチングが行われて熱酸化層７のうち保護されていない部分が除去され、縦長のリブエレメント４の上面５及び側面６上の層が残される。
最終的な構造は、図４に示すようである。すなわち、熱酸化物の層は、この最終的な構造において、縦長のリブエレメント４の上面及び側面５，６上に残されている。
【００２５】
一実施形態では、熱酸化物は、縦長のリブエレメントの選択部分のみの上面及び側面に残される。この熱形成層の厚さは、熱酸化物が設けられた導波路の部分が熱酸化層が設けられていない導波路の部分とは反対の符号の複屈折性を持つように選択される。たとえばうね（リッジ）の高さが４．３μｍ、うねの幅が５．８μｍ、エッチングの深さが１．７μｍである導波路の複屈折性が、１０５０℃で湿潤成長させた０．３５ミクロンの熱酸化層を設けることにより（複屈折性をｎＴＥ−ｎＴＭで定義したときに）＋３．１×１０−４から−０．５５×１０−４に低減すること、及びうねの高さが４．３μｍ、うねの幅が３．８μｍ、エッチングの深さが２．３μｍである導波路の複屈折性が、同様な熱酸化層を設けることにより＋１．８×１０−４から−６．４×１０−４に低減することが実験により確認されている。熱酸化層が設けられた縦長のリブエレメントの部分の相対的な長さは、導波路全体の複屈折性が実質的にゼロとなるように選択される。たとえば熱酸化物が設けられる導波路の部分が、熱酸化層のない導波路の部分と比較して５倍の大きさの複屈折性を有するとすれば、熱酸化層が設けられる部分の長さは、導波路における複屈折が全体として実質的になくなるように、熱酸化層のない部分の長さの１／５に設定する。
【００２６】
他の実施形態では、縦長のリブエレメント全体の上面及び側面に熱酸化物のブランケット層が残され、その熱酸化層の厚さは、導波路全体の複屈折性が実質的にゼロとなるように選択される。
【００２７】
上記の実施形態の特徴として記載してはいないが、熱酸化層は、シリコン基板の表面全体に残すこととしてもよい。また、基板の側面上で熱酸化層を広げる範囲を変化させることで、導波路における複屈折を制御することができると考えられる。
【００２８】
アレイ導波路格子における複屈折の制御への本発明の適用について、以下に一例を述べる。
デマルチプレクサ等の一体光学コンポーネントは、図７に平面で概略を示すもののようなアレイ導波路格子を含んで構成される。このような格子は、一定量だけ光路長を増大させたリブ型導波路１２の列から第１の自由伝搬領域１６により分離された入力リブ型導波路１０と、このリブ型導波路の列から第２の自由伝搬領域１８により分離された１組の出力リブ型導波路１４とを有する、上記の種類のシリコン−オン−インシュレータウェーハ８を含んで構成されるのが典型的である。出力リブ型導波路は、ウェーハ８の端縁に並列に配列されている。リブ型導波路は、図６に黒色で示すようにエピタキシャルシリコン層にエッチングされた溝により形成されている。
【００２９】
上記のように、導波路における複屈折は、パスバンド周波数中心値のシフトとして実験的に確認することのできる偏光依存周波数効果をもたらす。本発明者は、並んだリブ型導波路上に熱酸化層を成長させることによりその効果が制御可能であることを認識した。
【００３０】
導波路の列は、次の条件のもとで形成する。シリコン層を１μｍ〜１０μｍの厚さにエピタキシャル成長させた後、トレンチをエピタキシャルシリコンの厚さの１０％〜９０％に相当する深さにエッチングし、１μｍ〜１０μｍの範囲の幅と、１μｍ〜５０μｍの範囲の隔離距離とを有する一列のリブを残す。そして、列全体に対し、熱酸化物の層を８００℃〜１２００℃の範囲の酸化成長温度で０．０１μｍ〜１．０μｍの範囲の厚さに形成する。
【００３１】
図５は、このような熱酸化層が設けられた導波路の断面を示している。３つの導波路のみが示されているが、より多くの導波路を含んで列が構成されるのが典型的である。図５では、図４におけると同じ部分を同じ符号で示している。
【００３２】
図７に示す実施形態では、アレイ導波路格子の選択部分から上記の技術により熱酸化層がエッチングされ、アレイ導波路格子の選択部分に三角形の頭を切り落とした形状の熱酸化物パッチ３０が残されている。
【００３３】
このアレイ導波路格子の各導波路は、長さ及び曲率が異なるため、固有の構造的な複屈折性が異なる。熱酸化物パッチ３０は、この列の各導波路における全体的な複屈折が実質的に同じとなるように構成されている。熱酸化層は、それが形成された導波路の部分の複屈折性を低減させる（複屈折性は、ＴＥ及びＴＭモードの屈折率の差、すなわち、ｎＴＥ−ｎＴＭとして定義する。）。固有の構造的な複屈折性は、並んだ導波路のうちで長いものほど大きくなる。このため、熱酸化物パッチは、並んだ導波路の間での固有の複屈折性の違いを補うように、熱酸化層が設けられた各導波路の部分の長さが、図７に示すように導波路の長さの増大とともに増大するように構成されている。熱酸化層の厚さ及びパッチの形状は、並んだ導波路のそれぞれについて、全体的な複屈折性のレベルが実質的に共通するように、あるいは全体的な複屈折性が実質的にゼロとなるように選択される。
【００３４】
他の実施形態では、熱酸化物のブランケット層がアレイ導波路格子全体に残され、その熱酸化層の厚さが選択されて、偏光依存周波数のシフトがゼロ（又はアレイ導波路格子が使用されることとなるアプリケーションに応じた他の所定量）に減少する。
【００３５】
たとえば４．３μｍのシリコンのエピタキシャル厚さ、シリコンの厚さの４０％に相当するエッチングの深さ、４μｍ又は６μｍのリブ型導波路の幅、５μｍ〜１５μｍの範囲の導波路の隔離距離、及び１０５０℃の温度で０．３５μｍの厚さに成長させた熱酸化層についてよい結果が得られている。
【００３６】
図８は、熱酸化層の３つの異なる厚さに関し、アレイ導波路の公称隔離距離に対するＰＤＦシフト測定値のプロットをそのような実施形態について示している。この図８のグラフが基づく結果は、隣り合う導波路の間で光路長に必要な増大分を持たせるため、列における個々の導波路同士の隔離距離が複雑に変化するアレイ導波路格子について得られたものである。第２の自由伝搬領域と結合するところでの導波路の隔離距離は、一定であり、ここで述べる導波路の公称隔離距離は、導波路同士の平均隔離距離にほぼ等しいと考えられるこのポイントでのものとしている。ここで述べる隔離距離は、図５にＳで示すような隣り合う導波路の中心間距離をいう。
【００３７】
アレイ導波路格子が形成されるウェーハは、シリコンで作製された他の追加の光学コンポーネントを含んで構成されてもよい。そのような実施形態では、熱酸化層は、選択エッチングを行って追加の光学コンポーネントを露出させることで、アレイ導波路格子及び追加の光学コンポーネント上に形成することができる。図６は、アレイ導波路格子の一部の概略を示しており、熱酸化層の一部が除去されて、追加の光学コンポーネント２０が露出している。
【図面の簡単な説明】
【図１】リブ型導波路の製造ステップを示す。
【図２】リブ型導波路の製造ステップを示す。
【図３】リブ型導波路の製造ステップを示す。
【図４】改良された複屈折のない構造を示す。
【図５】アレイ導波路格子のための、改良された複屈折のない一列の導波路を模式的に示す。
【図６】本発明により作製されたアレイ導波路格子の一部の概略を示す。
【図７】本発明により作製されたアレイ導波路格子の概略を平面で示す。
【図８】熱酸化層の異なる厚さに応じた平均ＰＤＦシフト及びアレイ導波路の公称隔離距離の関係を示す。
【図９】アレイ導波路格子における偏光によりパスバンド周波数がいかに変化するかを示す。
【符号の説明】
１…シリコン層、２…シリコン基板、３…二酸化シリコン層、４…リブエレメント、５…（リブエレメントの）上面、６…（リブエレメントの）側面、７…熱酸化層、８…フォトレジスト、１０…入力リブ型導波路、１２…リブ型導波路、１４…出力リブ型導波路、１６…第１の自由伝搬領域、１８…第２の自由伝搬領域、２０…光学コンポーネント、３０…熱酸化物パッチ。
【図１】
2004510196.tif 000003
【図２】
2004510196.tif 000004
【図３】
2004510196.tif 000005
【図４】
2004510196.tif 000006
【図５】
2004510196.tif 000007
【図６】
2004510196.tif 000008
【図７】
2004510196.tif 000009
【図８】
2004510196.tif 000010
【図９】
2004510196.tif 000011
【国際公開パンフレット】
2004510196.tif 000012
2004510196.tif 000013
2004510196.tif 000014
2004510196.tif 000015
2004510196.tif 000016
2004510196.tif 000017
2004510196.tif 000018
2004510196.tif 000019
2004510196.tif 000020
2004510196.tif 000021
2004510196.tif 000022
2004510196.tif 000023
2004510196.tif 000024
2004510196.tif 000025
2004510196.tif 000026
2004510196.tif 000027
2004510196.tif 000028
2004510196.tif 000029
2004510196.tif 000030
2004510196.tif 000031
2004510196.tif 000032
2004510196.tif 000033
2004510196.tif 000034
【国際調査報告】
2004510196.tif 000035
2004510196.tif 000036
2004510196.tif 000037