(57)【要約】３相モータを駆動する回路の構成要素を収容するパワーモジュール（１０）。パワーモジュール（１０）はモールドシェル（１２）を含む。いくつかのリード（２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗ）がパワーシェル（１２）本体に埋め込まれ、これらのリードは、リードが外部装置に電気的に接続されたパワーシェルの外部から、リードが回路のそれぞれの構成要素に接続されるモールドシェル（１２）内部のチャンバまで延びている。パワーモジュール（１０）は、それぞれのバスコンデンサ（１８、２０、２２）に直接に接続するためにモールドシェル（１２）に埋め込まれたコンデンサリード（３４ａ、３４ｂ、３５ａ、３５ｂ、３６ａ、３６ｂ）を含む。これによってコンデンサ（１８、２０、２２）をパワーシェル（１２）に直接に組み付け、パワーモジュール（１０）の一部とすることができる。モールドシェル（１２）に埋め込まれたリード（２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗ）は、モールドシェル（１２）本体内で互いの上を通過するように配置される。少なくとも１つのリード（２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗ）は、チャンバ中で、導体（４６）の通過を可能にするブリッジの働きをする部分を有する。
2004524701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上面とその下面との間に延びる開口を有するモールドパワーシェルと、
前記開口の底部に配置されており、少なくとも１本の導電性トレースを、そのより大きな表面上に配置されてなる基板と、
そのより大きな表面上にパワー半導体ダイが配置された少なくとも１つの導電性パッドを含むリードフレームとを備え、
前記導電性パッドは、前記導電性パッドの縁から前記少なくとも１本の導電性トレースの上へ延びる延長部分に一体に接続されている
ことを特徴とするパワーモジュール。
【請求項２】
前記延長部分は別の導電性パッドに一体に接続されており、それによって前記導電性トレースをまたぐブリッジを形成することを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記延長部分は、前記開口の壁の１つに貫入することを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
コンデンサの各コネクタに直接に結合された少なくとも一対のリードをさらに備え、それによって、前記パワーモジュールに前記コンデンサが直接に組み付けられていることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記一対のリードはそれぞれ、前記コンデンサのコネクタを受け取るアパーチャを含むことを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記導電性トレースと電気的に接触し、かつ前記開口の壁の１つを貫いて前記モールドパワーシェルの外部へ延びるコントロールピンをさらに備え、前記ピンは、前記パワー半導体デバイスを制御するためのコントロール機構に接続されており、前記導電性トレースは、前記パワー半導体デバイスのコントロール電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項７】
前記基板は絶縁された金属基板であることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項８】
前記リードフレームは、多相モータの一相の巻線に電気的に接続するための複数のリードを含み、前記リードはそれぞれ、前記パワーシェルの内部を通って前記パワーシェルの外部へ延びる延長部分に一体に接続された導電性パッドを含み、延長部分はそれぞれ下方へ曲がった曲げ部を有し、少なくとも１つのリードは、前記パワーシェルの内部で前記曲げ部の上を通過する部分を有することを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項９】
前記モールドパワーシェルの内部で前記曲げ部の上を通過する部分を有するグラウンドリードをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のパワーモジュール。
【請求項１０】
前記曲げ部の上を通過する前記グラウンドリードの前記部分からある角度で延びた複数のリードをさらに備え、前記複数のリードが、前記曲げ部の上を通過する前記少なくとも１つのリードの前記部分からある角度で延びる複数のリードとともに、複数のコンデンサのコネクタにそれぞれ接続された複数のリード対を形成することを特徴とする請求項９に記載のパワーモジュール。
【請求項１１】
前記基板上の各導電部に接続された２つの端部と、前記モールドパワーシェルの内部に配置された、前記２つの端部間の部分とを有するジャンパをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュールの配置に関し、詳細には３相モータを駆動するパワーモジュールの配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、２００１年４月２日に提出されたＰＯＷＥＲ  ＭＯＤＵＬＥという名称の米国仮特許出願番号６０／２８０，９０８に基づき、この出願の利益を請求するものである。本出願はこの仮出願の開示を参照により組み込み、その優先権を主張する。
【０００３】
プレハブ型パワーモジュールは、電気装置または電気機械装置を駆動する電力回路の回路要素（element）を収容するために、様々な産業で広範に使用されている。パワーモジュールは、モータを駆動する電源回路構成要素を収容するのに特に有用である。そのため、パワーモジュールは自動車産業において、様々なモータ駆動用構成要素を収容する目的に広く使用されている。
【０００４】
パワーモジュールの設計の際に考慮される因子には、モジュールのサイズ、モジュールに含まれる電力要素によって生み出される熱を管理するモジュールの能力などがある。パワーモジュールの各種要素を効率的に配置することは、モジュールのサイズの低減に寄与する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、モータを駆動する電力回路要素を収容するパワーモジュールを提供することにある。開示のモジュールは、パワーモジュールの新規の配置を表す。開示のパワーモジュールは、自動車産業での使用に特に適しているが、当業者であれば他の様々な分野でも有益であると容易に理解できる特徴を含んでいる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に基づくパワーモジュールは、３相モータを駆動する電力回路の要素（element）がその中に配置されたチャンバを有するモールドシェル（molded shell）を含む。このパワーモジュールはリードフレームを含み、このリードフレームは、パワーリードと、グラウンドリードと、３相モータの各相にそれぞれ接続可能な３つの端子リードと、バスコンデンサのコネクタにそれぞれ直接に接続可能なコンデンサリードと、ジャンパと、いくつかのパワーデバイスを受け取るための導電性パッドを有するリードとを含む。
【０００７】
本発明の一態様によれば、バスコンデンサが、パワーモジュールのコンデンサリードに直接に接続され、したがってパワーモジュールに直接に組み付けられる。これによって、モータの各相に対する高速電流応答が保証される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、リードフレームの様々な要素がモールドシェル本体の内部で互いに交差する。この配置は、リードフレームの各種要素のより効率的かつコンパクトな配置を提供し、したがってより小型のパワーモジュールを可能にする。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、少なくとも１つのリードが、電力用基板上の導電性トレースの上をまたぐブリッジ部分を含む。このブリッジ部分は、基板のある部分から基板の他の部分への導電性トレースの妨害のない通過を可能にする。この配置は、モジュール内の各種要素のよりコンパクトな配置を可能にし、さらに、可能な限り短い経路に沿って導電性トレースを配置することを可能にする。すなわち、基板表面の入り組んだ経路に沿ってトレースを迂回させる必要がなく、したがってトレースを実用上可能な限り短くすることができる。これによって、パワーモジュールの全体的な抵抗およびインダクタンスを低減することができる。
【００１０】
本発明の他の特徴および利点は、添付図面を参照した本発明の以下の説明から明白となろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１に、本発明に基づくパワーモジュール１０の上面透視図を示す。パワーモジュール１０は、一般的には油圧式パワーステアリングシステムで使用されている３相ブラシレス直流モータへの給電に使用することが好ましい。このときパワーモジュールはモータの３相への電力を切り換える。パワーモジュール１０は、パワーモジュール１０の様々な構成要素の構造上の支持、ならびにパワーモジュール１０のリードおよび他の電気構成要素の電気的絶縁および物理的分離を提供するモールドシェル（ｍｏｌｄｅｄ  ｓｈｅｌｌ）１２を含む。モールドシェル１２は一体構造であり、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社からＱＵＥＳＴＲＡ（商標）ＷＡ−５５２の商標で販売されているプラスチックなどの樹脂から製造されることが好ましい。モールドシェルには、取付けねじ（図示せず）を使用してパワーモジュール１０を表面に取り付けることができる取付けブッシング１４、１５が配置されている。モールドシェル１２はさらに、任意選択で外部ヒートシンク（図示せず）にパワーモジュール１０を取り付けるのに使用できるヒートシンク取付けブッシング１６、１７を含む。パワーモジュール１０には３つのバスコンデンサ１８、２０、２２が直接に組み付けられている。パワーモジュール１０にバスコンデンサ１８、２０、２２が組み付けられているのは、モータの各相に高速電流応答を提供するためである。好ましい実施形態では、バスコンデンサ１８、２０、２２が、インバータ回路の正バスとグラウンド端子の間に接続された３９００ｕＦの電解コンデンサである（図８参照）。パワーモジュール１０は、パワーリード２４αを介してカーバッテリなどの電源の正端子と電気的にインターフェースし、グラウンドリード（ｇｒｏｕｎｄ  ｌｅａｄ）２６を通して閉回路を完成させる。好ましい実施形態では、パワーリード２４およびグラウンドリード２６にアパーチャが設けられており、これによって、これらのリードをそれぞれの電力入力コネクタ（図示せず）にねじで組み付けることができる。もちろん、この目的に他の組付け方法を使用することもできる。
【００１２】
パワーモジュール１０は、それぞれの端子リード（ｔｅｒｍｉｎａｌ  ｌｅａｄ）２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗを介してモータの３相とインターフェースする。端子リード２８Ｕはモータの第１の相（Ｕ相）に給電し、端子リード２８Ｖはモータの第２の相（Ｖ相）に給電し、端子２８Ｗはモータの第３の相（Ｗ相）に電力を給電する。端子リード２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗを介して３相モータのそれぞれの相に電流が切り換えられる。図１に示した好ましい実施形態では、端子リード２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗがそれぞれ、ねじを受け取るためのアパーチャを含み、これによってリードを、モータのハウジング（図示せず）に組み付けることができる。
【００１３】
後に論じる通り、パワーモジュール１０に収容された複数のパワー半導体デバイス（図示せず）を制御可能に切り換えることによって、電流は、端子リード２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗを介して３相モータのそれぞれの相に切り換えられる。パワー半導体デバイス（パワー半導体ダイ）のスイッチングはコントロール回路（図示せず）が制御する。コントロール回路は、パワー半導体デバイスおよびパワーモジュール１０内の他の電気構成要素と１８本のコントロールピン３０を介してインターフェースする。コントロールピン３０は、モールドシェル１２の１つの辺に沿って一列に配置されている。それぞれのピンの機能については後に論じる。
【００１４】
図２に、パワーモジュール１０の下面透視図を示す。この図には、基板３２の下部が示されている。基板３２は、絶縁された金属基板とすることができ、または電気的な分離を提供し、同時にパワーモジュール１０に含まれるパワー半導体デバイスによって生み出される熱を放散させる良好な熱伝導性を提供することができる他の基板とすることができる。先に述べた通り、任意選択で、ヒートシンク取付け穴１６、１７を使用してパワーモジュール１０をヒートシンクに取り付けることができる。パワーモジュール１０をヒートシンクに取り付けるときには、基板３２の下面をヒートシンクと緊密に接触するように配置し、それによって熱放散を向上させる。しかし、基板３２の下面から周囲に十分に熱が放散されるので、ヒートシンクは必要ないことに留意されたい。
【００１５】
図３に、それぞれのコンデンサリード３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、３６Ａ、３６Ｂに直接に接続されたバスコンデンサ１８、２０、２２を示す。コンデンサリード３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、３６Ａ、３６Ｂは、バスコンデンサ１８、２０、２２のそれぞれのコネクタを、パワーモジュール１０に含まれる電力回路（後に示す）の正バスおよびグラウンドバスに接続する。好ましい実施形態では、後に詳細に示すように、コンデンサリード３４Ａ、３５Ａ、３６Ａが正バスに接続し、コンデンサリード３４Ｂ、３５Ｂ、３６Ｂがグラウンドリード２４を介して接地する。コンデンサリード３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、３６Ａ、３６Ｂはそれぞれ、バスコンデンサ１８、２０、２２のうちの１つのコンデンサのそれぞれのコネクタを受け取るアパーチャを含み、これによってパワーモジュール１０へのバスコンデンサ１８、２０、２２の直接組付けは容易になる。パワーモジュール１０にバスコンデンサ１８、２０、２２を直接に組み付けるのに、コンデンサリード３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、３６Ａ、３６Ｂにバスコンデンサ１８、２０、２２を接続する他の方法を使用することができることを理解されたい。
【００１６】
図４に、図３の４−４線の方向から見たパワーモジュール１０を示す。パワーモジュール１０内でのそれぞれのバスコンデンサの位置を示すために、図４では、バスコンデンサ１８、２０、２２の図示が省略されている。
【００１７】
図５を参照すると、リード２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃがそれぞれ、モールドシェル１２の内部で、導電性パッド３８Ｕ、３８Ｖ、３８Ｗに接続されている。パワー半導体デバイス４０ＵＬ、４０ＶＬおよび４０ＷＬは、そのドレイン電極がそれぞれの導電性パッド３８Ｕ、３８Ｖ、３８Ｗに電気的に接続されたパワーＭＯＳＦＥＴであることが好ましい。コンデンサリード３４Ａ、３５Ａ、３６Ａは、モールドシェル１２の内部で、導電性パッド４２、４４に接続されている。導電性パッド４２上にはパワー半導体デバイス４０ＵＨ、４０ＶＨが配置されおり、これらは導電性パッド４２に電気的に接続されている。導電性パッド４４上にはパワー半導体デバイス４０ＷＨ、４０ＲＢが配置されおり、これらは導電性パッド４４に電気的に接続されている。導電性パッド４２、４４はブリッジ４８を介して互いに接続されている。
【００１８】
さらに、モールドシェル１２の内部に位置する部分を介して接続された２つの端部を有するジャンパ４６、およびモールドシェル１２の内部でグラウンドリード２４に接続されたタブ５０も示されている。導電性パッド３８Ｕ、３８Ｖ、３８Ｗ、４２、４４、ジャンパ４６の端部およびタブ５０はすべて、モールドシェル１２にあけられた開口５２の中に配置されていることに留意されたい。開口５２は、モールドシェル１２の上面から下面まで延びるチャンバを形成している。図６には、導電性パッド３８Ｕ、３８Ｖ、３８Ｗ、４２、４４、ジャンパ４６の端部およびタブ５０の下面が示されており、したがってこの図は、開口５２が、モールドシェル１２の上面から下面まで延びていることを示している。コーナフォールドダウン（ｃｏｒｎｅｒ  ｆｏｌｄ  ｄｏｗｎ）５４も示されている。コーナフォールドダウン５４は、導電性パッド、例えば４２、４４の折り曲げられた部分である。コーナフォールドダウン５４は、基板３２を組み付けたときに基板と接触し、それによってそれらの関連する導電性パッド、例えば４２、４４を基板３２から離隔する。次いで、導電性パッド、例えば４２、４４と基板３２の間の空間に、はんだまたは他の導電材料を配置する。したがってコーナフォールドダウン５４は、リードフレームの導電性パッド、例えば４２、４４を基板３２の上方に適切に配置することを助ける。
【００１９】
基板３２は下面に配置され、開口５２の底部の凹み５１に受け取られる。凹み５１に受け取られると基板３２は、導電性パッド上に配置されたパワー半導体デバイスから熱を取り出すために、導電性パッド３８ＵＬ、３８ＶＬ、３８ＷＬ、４２、４４と接触した状態に置かれる。
【００２０】
図７に基板３２の上面図を示す。基板３２はその上面に、開口５２の底部に基板３２を取り付けたときにそれぞれの導電性パッドに熱的に接続される電気的に絶縁されたランド（ｌａｎｄ）を含む。具体的には、ランド５４ＵＬ、５４ＶＬ、５４ＷＬ、５６、５８がそれぞれ、はんだまたは他の熱伝導材料層によって導電性パッド３８ＵＬ、３８ＶＬ、３８ＷＬ、４２、４４に熱的に接続される。基板３２の上面にはさらに、複数の導電性トレースが配置されている。導電性トレースの機能は、コントロールピン３０と開口５２の中に配置された様々な構成要素との間の電気接続を容易にすることである。基板３２の上面には、ジャンパ４６のそれぞれの端部に接続されるランド６０、６２、および導電性タブ５０と接続されるランド６４が提供されている。ランド６２およびランド６４は導電性トレース６６、６８に接続されており、ランド６０は導電性トレース７０に接続されている。
【００２１】
パワーモジュール１０は、３相モータを駆動する回路のパワーコンポーネントおよび関連する構成要素のハウジングを提供する。図８に、本発明の好ましい実施形態に基づくパワーモジュール１０内に具体化される電力回路の一部分のパワーコンポーネントおよび関連する構成要素の回路図を示す。図８に示した回路７２は、３相モータの各相をそれぞれ駆動する３つのインバータ装置を含む。インバータ装置はそれぞれ、ハイ側およびロー側パワー半導体デバイスを含む。これらはＭＯＳＦＥＴであることが好ましい。
【００２２】
具体的には、回路７２は、ハイ側パワー半導体デバイス４０ＵＨ、４０ＶＨ、４０ＷＨを含み、これらのハイ側パワー半導体デバイスは、それぞれのロー側パワー半導体デバイス４０ＵＬ、４０ＶＬ、４０ＷＬに電気的に結合されて３つのインバータ回路を形成している。パワー半導体デバイス４０ＵＨ、４０ＵＬ、４０ＶＨ、４０ＶＬ、４０ＷＨ、４０ＷＬは、本発明の譲受け人によってＨＥＸ（商標）４．６Dの商標で販売されている４０ＶのＭＯＳＦＥＴであることが好ましい。３相モータの３相はＵ、Ｖ、Ｗで表わされている。３相モータの３相はそれぞれ、それぞれのハイ側／ロー側パワー半導体デバイス対に接続されている。具体的には、図８に示すように、Ｕ相が、パワー半導体デバイス４０ＵＨと４０ＵＬの間に、Ｖ相が、パワー半導体デバイス４０ＶＨと４０ＶＬの間に、Ｗ相が、パワー半導体デバイス４０ＷＨと４０ＷＬの間にそれぞれ接続されている。パワー半導体デバイス４０ＵＨ、４０ＵＬ、４０ＶＨ、４０ＶＬ、４０ＷＨ、４０ＷＬはＭＯＳＦＥＴなので、インバータ装置を形成するためには、ハイ側パワー半導体デバイスのソース電極が、ロー側パワー半導体デバイスのドレイン電極に接続されることに留意されたい。回路７２では、ロー側パワー半導体デバイスのソース電極が互いに接続され、次いで、電流検出抵抗器７４を介してグラウンドに直列に接続されている。電流検出抵抗器７４は、低インダクタンスの１メガオームシャント抵抗器であることが好ましい。さらに、ハイ側パワー半導体デバイスのドレイン電極が互いに接続され、次いで、逆極性状態に対する保護を提供するＮチャネルＭＯＳＦＥＴ  ４０ＲＢを介して電力バスに直列に接続されている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ  ４０ＲＢは、本発明の譲受け人によってＩＲＦＣ３７０３  ＨＥＸＦＥＴ（商標）の名称で販売されているＭＯＳＦＥＴであることが好ましい。
【００２３】
回路７２は、基板３２の温度情報を得るために基板上に配置されたサーミスタ７８を含む。サーミスタ７８は、好ましくは２５℃で１０キロオームの抵抗を示すように選択する。許容誤差は約３％である。
【００２４】
回路７２の左側には各種接続が示されている。表１に、図８に示したこれらの接続の一覧を示す。
【００２５】
【表１】
2004524701.tif 000003
【００２６】
次に図９を参照すると、パワーモジュール１０の上面図には、コントロールピン３０への各種接続が示されている。コントロールピン３０は、モールドシェル１２の開口５２の中に配置されたパワーコンポーネントおよび他の構成要素の動作を制御するコントロール回路（図示せず）に接続されている。図９にはさらに、開口５２の底部に配置された基板３２が示されている。図９に示すように、基板３２の上面に配置された複数の導電性トレースの上をブリッジ４８がまたいでいる。さらに、導電性パッド４２、４４のそれぞれの縁から、基板３２上の複数の導電性トレース、例えば６６、６８をまたいで、モールドシェル１２の開口５２の壁まで延びるブリッジ部分８０、８２が示されている。本発明の一態様によれば、ブリッジ４８およびブリッジ部分８０、８２によって、導電性トレースが、適当なピン３０と電気的に接続することができる場所まで、障害なしに到達することができ、それによってより効率的な配置を提供することができる。回路７２の構成要素間の様々な電気接続は、図９に示すようにボンドワイヤを使用して実施される。
【００２７】
次に図１０〜図１７Ｃを参照する。ここではパワーモジュール１０のリードフレームの構造について説明する。図１０に、パワーモジュール１０のリードフレームを示す。この図では、モールドシェル１２本体内の様々なリードの配置を示すために、モールドシェル１２の図示が省略されている。
【００２８】
次に図１１Ａ〜図１７Ｃを参照して、それぞれのリードの構造を説明する。
【００２９】
図１１Ａ〜図１１Ｃに、パワーリード２４を様々な方向から見た図を示す。パワーリード２４は、パッド２７に接続された延長部分２３を含む。延長部分２３は、パワーモジュール１０の１つの辺に沿ってピン３０の列の近くに延びている。パッド２７は、延長部分２３の縁からモールドシェル１２本体の内部を通って開口５２の中まである角度で延び、そこで、ＭＯＳＦＥＴ  ４０ＲＢのソース電極に電気的に接続される（図９参照）。パワーリード２４はさらに、モールドシェル１２本体に埋め込まれてパワーリード２４の位置をさらに固定するアンカー（ａｎｃｈｏｒ）２５を含む。
【００３０】
図１２〜図１２Ｃに、グラウンドリード２６を様々な方向から見た図を示す。図１２Ａに示すように、タブ５０が、ある角度で、延長部分２９の縁から、モールドシェル１２本体の内部を通って、開口５２の側壁から開口の中へ延びている（図５）。さらに、コンデンサリード３４ｂ、３５Ｂ、３６Ｂが、グラウンドリード２６の縁から同じ方向にほぼ直角に延びている。延長部分２９は、その縁に形成された凹部３１、３３を有する。延長部分２９の凹部３１、３３の目的については、図１３Ａ〜図１３Ｃを参照して次に説明する。
【００３１】
図１３Ａには、延長部分３７の第１の縁から直角に延びるコンデンサリード３４Ａ、３５Ａ、および反対側の延長部分３７の第２の縁から直角に延びるコンデンサリード３６Ａが示されている。延長部分３７はさらに、その第１の縁に図１３Ａに示すように形成された凹部３９、４１を含む。再び図１０を参照する。コンデンサリード３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、３６Ａ、３６Ｂは、共通の平面上で互いにほぼ平行に配置されている。凹部３９、４１はそれぞれ、コンデンサリード３４Ｂ、３５Ｂの先端を収容でき、凹部３３、３１は、コンデンサリード３５Ａの先端および延長部分３７の一部分を収容できる。こうすることによって、リードフレーム内のリードの配置がよりコンパクトになる。
【００３２】
次に、図１４Ａ〜図１４Ｃ、図１５Ａ〜図１５Ｃおよび図１６Ａ〜図１６Ｃを参照する。ここでは端子リード２８Ｕ、２８Ｖ、２８Ｗの構造について説明する。まず最初に図１４Ａを参照すると、端子リード２８Ｕは、導電性パッド３６Ｕと一体の延長部分４３を含む。延長部分４３は、モールドシェル１２本体の内部を通って延び、したがって延長部分４３は、パワー半導体デバイス４０ＵＬが配置された導電性パッド３８Ｕからの熱の一部を取り出し、その熱をパワーモジュール１０の外部へ伝えて放散させることによって、熱管理を助ける。延長部分４３は、下方へ傾斜した部分４３Ａを含む。図１０に示すように、延長部分４３の下方へ傾斜した部分４３Ａは延長部分２９、３７の下に配置されている。こうすることによってモールドシェル１２本体内のリードフレームの配置をよりコンパクトにすることができる。
【００３３】
次に図１５Ａ〜図１５Ｃを参照すると、端子リード２６Ｖが、導電性パッド３８Ｖと一体に接続された延長部分４５を含む。延長部分４５は、モールドシェル１２本体の内部を通って延び、したがって延長部分４５は、パワー半導体デバイス４０ＶＬが配置された導電性パッド３８Ｖからの熱の一部を取り出し、この熱をパワーモジュール１０の外部へ伝えて放散させることによって、熱管理を助ける。延長部分４５は、下方へ傾斜した部分４５Ａを含む。図１０に示すように、延長部分４５の下方へ傾斜した部分４４５Ａも延長部分２９、３７の下に配置されている。こうすることによってモールドシェル１２本体内のリードフレームの配置をよりコンパクトにすることができる。
【００３４】
次に図１６Ａ〜図１６Ｃを参照すると、端子リード２８Ｗが、導電性パッド３８Ｗと一体に接続された延長部分４７を含む。延長部分４７は、モールドシェル１２本体の内部を通って延び、したがって延長部分４７は、パワー半導体デバイス４０ＷＬが配置された導電性パッド２８Ｖからの熱の一部を取り出し、この熱をパワーモジュール１０の外部へ伝えて放散させることによって、熱管理を助ける。延長部分４７は、下方へ傾斜した部分４７Ａを含む。図１０に示すように、延長部分４７の下方へ傾斜した部分４７Ａも延長部分２９、３７の下に配置されている。こうすることによってモールドシェル１２本体内のリードフレームの配置をよりコンパクトにすることができる。
【００３５】
図１７Ａ〜図１７Ｃを参照すると、ジャンパ４６が、モールドシェル１２本体内に配置された延長部分４６Ａを含む。図１０に示すように、延長部分４６Ａは、延長部分４３Ａ、４５Ａ、４７Ａの上、延長部分２９、４１の下に配置されており、これによってリードフレームの様々な構成要素のよりコンパクトな配置が実現される。
【００３６】
図１８には、モールドシェル１２本体の内部のリードフレームコンポーネントが破線で示されている。図１８に示すように、モールドシェル１２には、コンデンサリード３４Ａ、３４Ｂ、３５Ａ、３５Ｂ、３６Ａ、３６Ｂを露出させてバスコンデンサ１８、２０、２２と電気接続させるための開口が作られている。
【００３７】
図１９に、図１８の１９−１９線の方向に見たパワーモジュール１０の断面図を示す。図１９には、パワーモジュール１０の様々な構成要素をよりコンパクトに配置する目的に先に論じたように使用されるブリッジ４８およびブリッジ部分８０、８２が示されている。
【００３８】
図２０にパワーモジュール１０の断面図を示す。この図には、モールドシェル１２本体内の延長部分２９、３７、４３、４５、４６Ａの相対位置が示されている。
【００３９】
図２１に、本発明の第２の実施形態に基づくパワーモジュールを示す。この実施形態では、パワーリード２４が延長部分２３を含まず、したがってパワーリード２４とグラウンドリード２６が互いに近接している。
【００４０】
本発明をその特定の実施形態に関して説明したが、当業者には、この他の多く変形および修正、ならびに他の使用法が明白であろう。したがって本発明は、本明細書の特定の開示に限定されるものではなく、添付の請求項によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの上面の透視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの下面の透視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの下面の平面図である。
【図４】図３の４−４線の方向から見た、本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの側面図である。
【図５】基板およびコンデンサを除いた、本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの透視図である。
【図６】コンデンサおよび基板を除いた、下面から見たパワーモジュールの透視図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールで使用する基板の上面図である。
【図８】本発明に基づく第１の実施形態のパワーモジュール内で具体化される電力回路の一部分の回路図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの上面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールのリードフレームの上面図である。
【図１１Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールのパワーリードの上面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示したパワーリードを１１Ｂ−１１Ｂ線の方向から見た図である。
【図１１Ｃ】図１１Ａに示したパワーリードを１１Ｃ−１１Ｃ線の方向から見た図である。
【図１２Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールのグラウンドリードの上面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに示したグラウンドリードを１２Ｂ−１２Ｂ線の方向から見た図である。
【図１２Ｃ】図１２Ａに示したグラウンドリードを１２Ｃ−１２Ｃ線の方向から見た図である。
【図１３Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールのリードの上面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに示したリードを１３Ｂ−１３Ｂ線の方向から見た図である。
【図１３Ｃ】図１３Ａに示したリードを１３Ｃ−１３Ｃ線の方向から見た図である。
【図１４Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの端子リードの上面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ａに示した端子リードを１４Ｂ−１４Ｂ線の方向から見た図である。
【図１４Ｃ】図１４Ａに示したパワーリードを１４Ｃ−１４Ｃ線の方向から見た図である。
【図１５Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの端子リードの上面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａに示した端子リードを１５Ｂ−１５Ｂ線の方向から見た図である。
【図１５Ｃ】図１５Ａに示したパワーリードを１５Ｃ−１５Ｃ線の方向から見た図である。
【図１６Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの端子リードの上面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに示した端子リードを１６Ｂ−１６Ｂ線の方向から見た図である。
【図１６Ｃ】図１６Ａに示したパワーリードを１６Ｃ−１６Ｃ線の方向から見た図である。
【図１７Ａ】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールで使用するジャンパの上面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａに示したジャンパを１７Ｂ−１７Ｂ線の方向から見た図である。
【図１７Ｃ】図１７Ａに示したジャンパを１７Ｃ−１７Ｃ線の方向から見た図である。
【図１８】本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの上面図である。パワーモジュールのモールドシェルの内部にあるリードフレームのそれぞれのリードの位置が破線によって示されている。
【図１９】図１８の１９−１９線の方向に見た、本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの断面図である。
【図２０】図１８の２０−２０線の方向に見た、本発明の第１の実施形態に基づくパワーモジュールの断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施形態に基づくパワーモジュールの上面の透視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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