(57)【要約】放射線標識化移植可能な装置は、基部、基部上にCuと放射性同位体とを含む第1層、および第1層上にSnを含む第2層を含む。好ましくは、基部はステンレス鋼から形成され、そして放射性同位体はReの放射性同位体、例えば、188Reまたは186Reである。選択的に、下記の元素の放射性同位体を使用することができる：Be、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、No、Lr。さらに、Cuと放射性同位体とを含む第1層を基部上に析出させ、そしてSnを含む第2層を第1層上に析出させることを含む、放射線標識化移植可能な装置を製造する方法。この方法は、基部上に第1層を析出させる前に基部からCr2O3を除去しおよび／または基部をすすぐことを含むことができる。
2004538109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成成分：
基部；
基部上のCuと放射性同位体とを含んでなる第1層；および
第1層上のSnを含んでなる第2層；
を有する放射性移植可能な装置。
【請求項２】
前記基部が、ステンレス鋼を含んでなる、請求項1に記載の放射性移植可能な装置。
【請求項３】
前記放射性同位体が、Reの放射性同位体を含んでなる、請求項1に記載の放射性移植可能な装置。
【請求項４】
前記Reの放射性同位体が、188Reまたは186Reを含んでなる、請求項3に記載の放射性移植可能な装置。
【請求項５】
工程：
Cuと放射性同位体とを含んでなる第1層を基部上に析出させ；そして
Snを含んでなる第2層を第1層上に析出させる；
を含んでなる、基部を有する放射性移植可能な装置を製造する方法。
【請求項６】
前記放射性同位体が、Reの放射性同位体を含んでなる、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記Reの放射性同位体が、188Reまたは186Reを含んでなる、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記基部が、ステンレス鋼を含んでなる、請求項5に記載の方法。
【請求項９】
上記基部上に第1層を析出させる前に基部からCr2O3を除去する工程をさらに含んでなる、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記除去工程が、基部を電気エッチングすることを含んでなる、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気エッチング工程が、HClとReとを含んでなる溶液中に基部を入れることを含んでなる、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
電圧低下が観測されるまで、電気エッチング工程を基部上で実施する、請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
前記除去工程が、酸性溶液中に基部を浸漬することを含んでなる、請求項9に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸性溶液が、HClを含んでなる、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸性溶液をほぼ100℃に加熱する、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記第1層を基部上に析出させる前に、基部をすすぐ工程をさらに含んでなる、請求項5に記載の方法。
【請求項１７】
すすぎ工程を実施して基部を脱脂し、基部の無菌性を維持しそして／または基部上の微生物学的活性を最小にする、請求項16に記載の方法。
【請求項１８】
前記すすぎ工程が、基部をエタノールまたは水中に浸漬することを含んでなる、請求項16に記載の方法。
【請求項１９】
電圧源に接続され、溶液中に浸漬されたカソードとアノードとを含んでなる、電気化学的析出により、第1層を基部上に析出させる、請求項5に記載の方法。
【請求項２０】
前記カソードが基部を含んでなり、前記アノードがCuを含んでなり、そして前記溶液がHCl中の放射性同位体を含んでなる、請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
前記放射性同位体が、Reの放射性同位体を含んでなる、請求項20に記載の方法。
【請求項２２】
前記Reの放射性同位体が、188Reまたは186Reを含んでなる、請求項21に記載の方法。
【請求項２３】
Cu2+をアノードから溶液中に解放させ、次いで基部上にReの放射性同位体と共析出させる、請求項21に記載の方法。
【請求項２４】
電圧源に接続され、溶液中に浸漬されたカソードとアノードとを含んでなる、電気化学的析出により、第2層を第1層上に析出させる、請求項5に記載の方法。
【請求項２５】
前記アノードの長さが、カソードの長さに実質的に等しい、請求項19に記載の方法。
【請求項２６】
前記アノードが、カソードの長さに沿って実質的に延びている、請求項19に記載の方法。
【請求項２７】
前記アノードが、カソードの周囲の回りに実質的に配置されている、請求項26に記載の方法。
【請求項２８】
前記アノードが、複数の回転を含んでなる、請求項27に記載の方法。
【請求項２９】
前記アノードが、2つの末端区画と中央区画とを含んでなり、そしてさらに中央区画における回転が末端区画における回転よりも緊密に巻いている、請求項28に記載の方法。
【請求項３０】
前記アノードが、カソードの長さに沿って実質的に延びていない、請求項19に記載の方法。
【請求項３１】
電気化学的析出の間に、電流レベルを第1レベルから第2レベルに減少させる、請求項19に記載の方法。
【請求項３２】
前記電流レベルの減少が、第1層の表面仕上げを最適化する、請求項31に記載の方法。
【請求項３３】
電気化学的析出の間に、電流方向を第1方向から第2方向に転換する、請求項19に記載の方法。
【請求項３４】
電気化学的析出の間のある時間の間、電流方向の転換を維持する、請求項33に記載の方法。
【請求項３５】
前記電流方向の転換が、第1層の表面仕上げを最適化する、請求項33に記載の方法。
【請求項３６】
前記電気化学的析出の期間を調節して結果を調整する、請求項19に記載の方法。
【請求項３７】
前記電気化学的析出の間に、電流を調節して結果を調整する、請求項19に記載の方法。
【請求項３８】
前記電気化学的析出の電流および期間を調節して結果を調整する、請求項19に記載の方法。
【請求項３９】
第2層の析出前に第1層をその上に析出して含んでなる基部をすすぐことをさらに含んでなる、請求項5に記載の方法。
【請求項４０】
前記基部上の放射性同位体により提供された放射能の量を調節するために、すすぎ工程を実施する、請求項39に記載の方法。
【請求項４１】
前記すすぎ工程が、基部をエタノールまたは水中に浸漬することを含んでなる、請求項40に記載の方法。
【請求項４２】
前記第1層および第2層を析出する工程を電気化学的析出により実施する、請求項5に記載の方法。
【請求項４３】
前記第1層および第2層の電気化学的析出を単一の電気化学槽中で実施する、請求項42に記載の方法。
【請求項４４】
前記第1層の電気化学的析出を第1電気化学槽において実施し、そして前記第2層の電気化学的析出を第2電気化学的槽において実施する、請求項42に記載の方法。
【請求項４５】
前記アノードが、円筒形メッシュを含んでなる、請求項27に記載の方法。
【請求項４６】
前記アノードが、充実の円筒形シートを含んでなる、請求項27に記載の方法。
【請求項４７】
前記アノードが、針金を含んでなる、請求項26に記載の方法。
【請求項４８】
電気化学的析出の間に、ガスを溶液から放出させる、請求項19に記載の方法。
【請求項４９】
前記ガスの放出が溶液を混合し、基部上の放射性同位体の析出を改良する、請求項48に記載の方法。
【請求項５０】
前記ガスがO2またはH2またはこれらのガスの任意の組み合わせである、請求項48に記載の方法。
【請求項５１】
Cu、Snおよび放射性同位体を基部上に析出することを含んでなる、基部を含んでなる放射性移植可能な装置を製造する方法。
【請求項５２】
前記放射性同位体が、Reの放射性同位体を含んでなる、請求項51に記載の放射性移植可能な装置。
【請求項５３】
前記Reの放射性同位体が、188Reまたは186Reを含んでなる、請求項52に記載の方法。
【請求項５４】
前記基部が、ステンレス鋼を含んでなる、請求項51に記載の方法。
【請求項５５】
電圧源に接続され、溶液中に浸漬されたカソードとアノードとを含んでなる、電気化学的析出により、層を基部上に析出させる、請求項51に記載の方法。
【請求項５６】
前記カソードが、基部を含んでなり、前記アノードがSnを含んでなり、そして前記溶液がCuキレート、SnSO4および放射性同位体を含んでなる、請求項55に記載の方法。
【請求項５７】
前記放射性同位体が、Reの放射性同位体を含んでなる、請求項57に記載の放射性移植可能な装置。
【請求項５８】
前記Reの放射性同位体が、188Reまたは186Reを含んでなる、請求項57に記載の方法。
【請求項５９】
放射線標識化前にCr2O3を移植可能な装置から除去する工程をさらに含んでなる、放射線標識化用ステンレス鋼移植可能な装置を製造する方法。
【請求項６０】
前記除去工程が、移植可能な装置を電気エッチングすることを含んでなる、請求項59に記載の方法。
【請求項６１】
前記電気エッチング工程が、HClおよびReを含んでなる溶液中に移植可能な装置を入れることを含んでなる、請求項60に記載の方法。
【請求項６２】
電圧低下が観測されるまで、電気エッチング工程を実施する、請求項60に記載の方法。
【請求項６３】
前記除去工程が、移植可能な装置を酸性溶液中に浸漬することを含んでなる、請求項59に記載の方法。
【請求項６４】
前記酸性溶液が、HClを含んでなる、請求項63に記載の方法。
【請求項６５】
前記酸性溶液をほぼ100℃に加熱する、請求項64に記載の方法。
【請求項６６】
移植可能な装置をすすぐ工程をさらに含んでなる、請求項59に記載の方法。
【請求項６７】
前記除去工程前に、すすぎ工程を実施する、請求項66に記載の方法。
【請求項６８】
前記すすぎ工程を実施して移植可能な装置を脱脂し、移植可能な装置の無菌性を維持しおよび／または移植可能な装置上の微生物学的活性を最小にする、請求項66に記載の方法。
【請求項６９】
前記すすぎ工程が基部をエタノールまたは水中に浸漬することを含んでなる、請求項66に記載の方法。
【請求項７０】
電気化学的析出の間に、電流レベルを第1レベルから第2レベルに減少させることを含んでなる、電気化学的析出により製造される放射性移植可能な装置の表面仕上げを最適化する方法。
【請求項７１】
前記電気化学的析出の間に、第2レベルから第1レベルに電流レベルを増加させることをさらに含んでなる、請求項70に記載の方法。
【請求項７２】
前記電気化学的析出の間に、電流方向を第1方向から第2方向に転換することをさらに含んでなる、請求項70に記載の方法。
【請求項７３】
前記電気化学的析出の間に、電流方向を第2方向から第1方向に転換することをさらに含んでなる、請求項72に記載の方法。
【請求項７４】
電流方向の転換を電気化学的析出の間のある時間の間維持する、請求項72に記載の方法。
【請求項７５】
電気化学的析出の時間を調節することをさらに含んでなる、請求項70に記載の方法。
【請求項７６】
放射性移植可能な装置をすすいで、必要な量の放射能を除去することを含んでなる、放射性移植可能な装置の放射能を調節する方法。
【請求項７７】
前記すすぎ工程が、移植可能な装置からすべての放射能を除去する、請求項76に記載の方法。
【請求項７８】
前記すすぎ工程が、移植可能な装置をエタノールまたは水中に浸漬することを含んでなる、請求項76に記載の方法。
【請求項７９】
電気化学的析出時間を調節することによって、放射性同位体の放射性崩壊を補償することを含んでなる、移植可能な装置上に放射性同位体を電気化学的に析出させることによって製造された放射性移植可能な装置を調整する方法。
【請求項８０】
前記電気化学的析出の電流レベルを調節することをさらに含んでなる、請求項79に記載の方法。
【請求項８１】
前記電気化学的析出の間に、電流レベルを調節することによって放射性同位体の放射性崩壊を調整することを含んでなる、移植可能な装置上に放射性同位体を電気化学的に析出させることによって製造された放射性移植可能な装置の放射能を調整する方法。
【請求項８２】
前記電気化学的析出時間を調節することをさらに含んでなる、請求項81に記載の方法。
【請求項８３】
アノードの構成を調節して移植可能な装置上の放射性同位体の析出を変化させることを含んでなる、電気化学的析出により製造された放射性移植可能な装置の放射能を調整する方法。
【請求項８４】
前記調節工程が、アノードの長さを変化させることを含んでなる、請求項83に記載の方法。
【請求項８５】
前記アノードの長さが、移植可能な装置の長さよりも短い、請求項84に記載の方法。
【請求項８６】
前記アノードが、実質的に移植可能な装置の周囲の回りに配置されている、請求項83に記載の方法。
【請求項８７】
前記アノードが複数の回転を含んでなる、請求項86に記載の方法。
【請求項８８】
前記アノードが、2つの末端区画と中央区画とを含んでなり、そしてさらに中央区画における回転が末端区画における回転よりも緊密に巻いている、請求項87に記載の方法。
【請求項８９】
前記放射能レベルが、アノードの中央区画に対応する移植可能な装置の部分上よりもアノードの末端区画に対応する移植可能な装置の部分上で低い、請求項88に記載の方法。
【請求項９０】
前記放射性同位体が、Re、Be、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、NoおよびLrの放射性同位体から成る群から選択される、請求項1に記載の放射性移植可能な装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、放射線標識化移植可能な装置に関し、さらに詳しくは、再狭窄を減少させる放射線標識化ステント、およびそれらを製造しかつ使用する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒトおよび動物における血管狭窄は、例えば、血管の閉塞 (例えば、アテローム性動脈硬化症) により、または管に対して加えられる外部の圧力 (例えば、腫瘍) により起こることがある。狭窄部位を治療して (例えば、バルーン血管形成術) 閉塞または収縮した血管をきれいにし、または拡張した後、ステントをしばしば血管内に配置して再狭窄(血管の再閉塞) を防止する。それにもかかわらず、再狭窄は有意な数の患者においてなお起こる。
【０００３】
再狭窄の原因は明瞭に理解されていないが、治療した血管における平滑筋細胞の増殖は瘢痕組織を形成させ、これは究極的に血管中の血流の制限または遮断に導くことがあると考えられる。局所的照射は平滑筋細胞の増殖を減少させることが示されたので、再狭窄を防止する1つのアプローチは、ステント配置後、狭窄部位を局所的に照射することである。他のアプローチは、米国特許第5,059,166号 (Fischell他) (「’166特許」) に開示されているように、治療した血管中に放射性ステントを移植して平滑筋細胞の増殖を阻害し、これにより再狭窄を防止する。
【０００４】
“Electrodeposition of Radioactive Rhenium onto Stents to Prevent Restenosis,”Urs O. Haefeli他著、Biomaterials, Vol. 19、pp. 925−933 (1998) (“Biomaterials”) において論じられているように、移植に先だって放射性ステントを製造し、活性化することが現在必要であり、したがって−ステントの長さおよび型によりまたは放射能レベルにより−個々の病変の特性のために調整することができない。Biomaterialsにおいて、移植直前に、放射性ステントを15分で製造できるアプローチが示唆されている。
【０００５】
Biomaterialsにおいて、放射性ステントは慣用のステンレス鋼またはタンタルのステントを放射性レニウムで被覆することによって製造される。常用のステントは1系列のすすぎおよび電気めっき溶液中に配置され、それらの1つは放射性レニウム (188Reまたは186Reまたは両方) を含有する。めっきされたステントは厚さ1.2 μmのコバルト層中に放射性レニウムを含有し、厚さ2 μmの外層は金である。Biomaterialsによれば、金層はきわめてすぐれた化学的安定性、すぐれた結合性および生物適合性、および蛍光透視間の改良された可視性を提供する。
【０００６】
Biomaterialsは放射性ステントの製造において有意な進歩をなしたのように思われるが、放射性ステントおよびそれらの製造および臨床的環境における使用に関する多数の改良が望ましい。例えば、最近の研究 (例えば、“Edge Restenosis after Implantation of High Activity P−32 Radioactive Beta−Emitting Stents,”Albiero他、Circulation 2000、101：2454−2457) は、治療した血管中に移植した放射性ステントの末端において再狭窄が起こること示している。
【０００７】
現在の理論は、この「キャンディー包装紙 (candy wrapper)」の原因が放射性ステントの放射能レベルにあるとしている。放射線量が低過ぎるか、あるいは短過ぎる期間である場合、平滑筋細胞の増殖が起こり、究極的にステントの末端における血管壁は収縮しまたは閉じる。他方において、放射線量が高過ぎるか、あるいは長過ぎる期間である場合、平滑筋細胞の背後の組織は放射能に対する反応において収縮し、これにより外部の圧力により血管を収縮または閉鎖する。こうして、最適な量の放射能を狭窄部位に送達させて再狭窄を防止する放射性ステントが要求されている。
【０００８】
さらに、病院または技術的作業員による関与をほとんど、あるいはまったく必要としないで、放射性ステントおよび他の移植可能な装置を容易にかつ安全に製造する、電気化学的析出技術が要求されている。例えば、放射線標識化移植可能な装置、例えば、ステントの製造に制限された数の電解槽および／または溶液を必要とする、電気化学的析出技術を提供することが望ましい。
さらに、放射線標識化し、放射線標識化移植可能な装置の表面仕上げを最適化し、そして放射線標識化移植可能な装置の放射能レベルを調整および調節する移植可能な装置を製造する改良された技術は望ましい。
【発明の開示】
【０００９】
本発明は、放射線標識化移植可能な装置、例えば、ステント、針金およびシード、およびそれらを製造する方法および装置および使用を提供する。
また、本発明は、前述のものを包含するが、これらに限定されない、常用の放射線標識化移植可能な装置を製造し、使用する技術の多数の改良および改良された技術を提供する。例えば、本発明の放射線標識化移植可能な装置は、必要な部位に放射能を最適に送達するために調整可能である。さらに、放射線標識化移植可能な装置の放射能レベルは、移植可能な装置を廃棄する必要なしに、調節または補正することができる。さらに、本発明は、電気化学的析出により移植可能な装置を放射線標識化し、その表面仕上げを最適化する改良された技術を提供する。その上、本発明は、放射線標識化するための移植可能な装置を製造する改良された技術を提供する。
【００１０】
1つの面において、本発明は、基部、基部上のCuと放射性同位体とを含む第1層、および第1層上のSnを含む第2層を含む放射線標識化移植可能な装置を提供する。好ましくは、基部はステンレス鋼から形成され、そして放射性同位体はReの放射性同位体、例えば、188Reまたは186Reである。選択的に、下記の元素の放射性同位体を使用することができる： Be、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、NoおよびLr。
【００１１】
他の面において、本発明は、放射線標識化移植可能な装置を製造する方法を提供する。この方法は、Cuと放射性同位体とを含む第1層を基部上に析出させ、そしてSnを含む第2層を第1層上に析出させることを含む。好ましくは、基部はステンレス鋼から形成され、そして放射性同位体はReの放射性同位体、例えば、188Reまたは186Reである。さらに、この方法は、基部上に第1層を析出させる前に基部からCr2O3を除去しおよび／または基部をすすぐことを含むことができる。
【００１２】
好ましくは、電気化学的析出により第1層を基部上に析出させ、および／または第2層を第1層上に析出させる。さらに、電気化学的析出の電流レベルおよび／または期間を調節して、移植可能な装置の放射能レベルを調整しおよび／または放射線標識化溶液の放射性崩壊を補償する。さらに、電気化学的析出の電流方向をある時間逆転または転換して、電解研磨による移植可能な装置の仕上げ調製を最適化する。
本発明のなお他の面において、放射線標識化移植可能な装置を製造する方法は、Cu、Snおよび放射性同位体を含む層を基部上に析出させることを含む。好ましくは、基部はステンレス鋼から形成され、そして放射性同位体はReの放射性同位体、例えば、188Reまたは186Reである。
【００１３】
なお他の面において、本発明は、放射線標識化するステンレス鋼の移植可能な装置を製造する方法を提供する。この方法は、放射線標識化前に移植可能な装置からCr2O3を除去することを含む。Cr2O3は移植可能な装置を電気エッチングするか、あるいは酸性溶液中に移植可能な装置を浸漬することによって除去できる。好ましくは、電解研磨電圧の低下が認められるまで、Cr2O3を除去する方法を続ける。
【００１４】
なお他の面において、本発明は、放射線標識化移植可能な装置の表面仕上げを最適化する方法を提供する。好ましくは、この方法は、電気化学的析出の間のある時間、電流レベルを減少させ、および／または電流方向を電解研磨モードに転換することを含む。さらに、この方法は、電気化学的析出の時間を調節することを含む。
それ以上の面において、本発明は、放射線標識化移植可能な装置の放射能を調節する方法を提供する。好ましくは、この方法は、移植可能な装置をすすいで必要な量の放射能を除去することを含む。この方法は、移植可能な装置をエタノールまたは水中に浸漬することを含むことができる。
【００１５】
なお他の面において、本発明は、移植可能な装置上に放射性同位体を電気化学的析出することによって製造された放射線標識化移植可能な装置を調整する方法を提供する。好ましくは、この方法は、めっき条件により、特に電気化学的析出の時間および／または電流レベルを調節することによって、放射性同位体の放射性崩壊を補償することを含む。
【００１６】
なおそれ以上の面において、本発明は、電気化学的析出により製造された放射線標識化移植可能な装置の放射能を調整する方法を提供する。好ましくは、この方法は、アノードの構成を調節して、移植可能な装置上の放射性同位体の析出を変化させることを含む。アノードの構成は、アノードの長さを変化させおよび／または移植可能な装置の周囲にアノードを実質的に配置することによって調節することができる。さらに、複数の回転で、例えば、ばねで形成することができ、そして回転の密度または「緊密度」をアノードのある区画において変化させ、引き続いて移植可能な装置の対応する区画上に析出する放射能の量を変化させることができる。
【００１７】
本発明、ならびにその属性および付随する利点は、添付図面と組み合わせて下記の詳細な説明にかんがみて、最もよく認識し、理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、ステント、針金およびシードを包含する、放射線標識化移植可能な装置に広く適用可能である。しかしながら、例示のみを目的として、本発明は、主として放射性ステント、特に188Reで放射線標識化されたジョームド・コロナリー・ウェイブ (Jomed coronary wave) 構成のステントにより下記の実施例において説明する。
【００１９】
本発明の好ましい態様において、ステンレス鋼の移植可能な装置上にCuとReの放射性同位体との第1層を電気化学的に析出させ、次いで第1層上にSnの第2層を電気化学的に析出させて、放射線標識化移植可能な装置をシールすることによって、移植可能な装置を放射線標識化する。前述したように、適当な移植可能な装置はステント、針金およびシードを包含するが、これらに限定されない。
【００２０】
本発明の好ましい態様によれば、放射線標識化移植可能な装置を製造する電気化学的方法は下記の化学反応により表される：
アノードエッチング
アノードサイクルの間に、電気化学反応は下記の通りであると考えられる (ここでCu(0) は金属銅である)：
カソード (銅線) ：
Cu2O + 2 e- + 2 H+ → Cu(0) + H2O (少量)
CuO + 2 e- +2 H+ → Cu(0) + H2O (少量)
2H+ + 2 e- → H2↑(大部分)
Cu2O + 2 H+ → 2Cu+ + H2O
CuO +2 H+ → Cu2+ + H2O
Cu+ + e- → Cu(0)
Cu2+ + 2 e- → Cu(0)
アノード (ステント) ：
Fe(0) → Fe2-+ 2 e-
2 Fe2+ + Cr2O3 + 6 H+ → 2 F3+ + 2 Cr+2 + 3 H2O
H2O → 1/2 O2 + 2 H+ + 2 e-
【００２１】
放射線標識化されたストライク (Re−188を使用する) 
ステントがカソード (負に帯電した) となり、そして銅線がアノード (正に帯電した) となるように、極性を逆転させる。
カソード (ステント) は早い時間に反応する。主要なカソードの標識化化学反応は下記の通りであると考えられる：
ReO4- + 4 Fe2+ + 4 H+ → 1/2 Re2O3・2 H2O + 4 Fe3+ + 1 1/2 H2O
ReO4- + Fe2+ + 2 H+ → ReO3 + Fe3+ + H2O
ReO4- + 3 Fe2+ + 4 H+ → ReO2 + 3 Fe3+ + 2 H2O
ReO4- + 4 Cr2+ + 4 H+ → 1/2 Re2O3・2 H2O + 4 Cr3+ + 1 1/2 H2O
ReO4- + Cr2+ + 2 H+ → ReO3 + Cr3+ + H2O
ReO4- + 3 Cr2+ + 4 H+ →ReO2 + 3 Cr3+ + 2 H2O
【００２２】
また、多分脱不動態化ステント上の触媒ニッケル部位において、吸着された水素による少量の還元は次のようにRe(VII) の還元に寄与する：
ReO4- + 2 H2 + H+ → 1/2 Re2O3・2 H2O + 1 1/2 H2O
ReO4- + 1/2 H2 + H+ → ReO3 + H2O
ReO4- + 3/2 H2 + H+ → ReO2 + 2 H2O
【００２３】
ここで次のようにしてカソード／ステントの表面上で水素は産生され、局所的に吸着される：
2 H+ + 2 e- → H2↑
【００２４】
標識化工程において後に、より多くのカソード反応が起こり、これらの反応は可溶性銅を生成し、この銅は不溶性Re酸化物をステント表面上にシールする：
アノード (銅線) の反応：
2 Cu(0) + H2O →  Cu2O + 2 H+ + 2 e-
Cu2O + H2O → 2 CuO + 2 H+ + 2 e-
Cu2O + 2 H+ → 2 Cu+ +  H2O
CuO + 2 H+ → Cu2+ +  H2O
それゆえ少量の銅は標識化工程の間にアノードエッチングにより電解液に入ると考えられる。銅酸化物、特に酸化第一銅 (Cu2O) は電位のこの転換の数秒以内に視的に明らかである。これらの反応は次の通りであると考えられる：
【００２５】
後の時間におけるカソード (ステント) の反応：
Cu2+ + 2 e- →  Cu(0)
2 Cu2+ + 2 e- + H2O →  Cu2O + 2 H+
Cu+ + e- → Cu(0)
【００２６】
ストライキング後のステントのレンガ赤色は、ステントカソードにおける銅析出を含む主要反応が酸化第一銅、Cu2O、多分銅金属との合金の形成であり、そして低い酸性度のために本質的に酸化第二銅の銅との合金が存在せず、色が存在し、CuOの還元が容易であることを示唆する。
すすぎ
エタノールすすぎを使用して酸 (HCl) および水をステントから除去する。しかしながら、金属イオンはエタノール中に不溶性であるか、あるいは十分に急速に可溶性ではないので、金属イオンはステント表面に残留する (ただし過剰のすすぎを使用しないかぎり)。酸が存在しないと、カチオンの3価の金属イオンは容易に沈殿する。これらの反応は次の通りであると考えられる：
Fe3+ + 3 H2O → Fe(OH)3 +3 H+
Cr3+ + 3 H2O → Cr(OH)3 +3 H+
ここでH+はHClとして存在し、したがってエタノールで容易にすすぎ除去される。
FeおよびCrの酸化物は沈殿間の金属イオンのきわめてすぐれたスカベンジャーであることが知られており、したがってステント表面に対する水和されたRe酸化物の保持を促進することを期待することができる。
【実施例】
【００２７】
下記の実施例は本発明の例示を目的とし、Reの放射性同位体で標識化されたステントに関する本発明の最も好ましい態様に関する。
実施例１．ステントまたは他の移植可能な装置の放射線標識化
A. 標識浴に添加すべき活性の量の決定
下記の手順を使用して、移植時にステント上の必要な放射能レベルを得るためにストライク浴に移さなくてはならない放射性溶液の体積を計算する。
この手順の必要条件は、それが得られる時間における既知の (測定した) 活性レベルを有する放射能源である。液体をこの源からピペットで抜き出し、ストライク溶液に移し、このとき放射線標識化手順を実施する。
【００２８】
この手順に対する3つの入力は次の通りである：
移植すべきステントの最終の必要な活性−S0 (MBq)
ステントの開始比活性−a (MBq/mL)
直径1.8 mmのステントの長さ−L (mm)
3つのシステムの効率は手順に対する入力であり、そしてジョームド・コロナリー・ウェイブ (Jomed coronary wave) 構成のステントについて実験的に決定された (下記表1参照)。
標識効率−E1 (ストライク間にステントに転移された活性)
プロセス−Ep (スズめっきおよびすすぎ間にステントから失われた活性)
拡張−Ee (拡張間に失われた活性)
【００２９】
工程1：  S、すなわち、放射線標識化プロセスの終わりにおいてステント上に必要な活性を計算する。これは放射線標識化と移植との間の崩壊時間を許す。
S ＝ S0／Ee×exp(−k×t2)
ここで：
S＝標識化プロセス後のステントの活性 (MBq)
S0＝移植 (拡張を伴う) 時にステントの必要な活性
t2＝標識化と移植との間の時間 (時間)
Ee＝膨張効率＝1
k＝ln (2) ／t 1/2
ここでt 1/2＝188Reについて16.94時間
【００３０】
工程2：  A0、すなわち、ステントを標識化するとき、標識化溶液 (ストライク溶液) 中に必要な活性。
A0＝S／E1×Ep
A0＝標識発生時における標識溶液の必要な活性 (MBq)
S＝標識化後の必要な活性 (MBq)
E1＝標識効率
Ep＝プロセス効率＝0.817
ここで標識活性E1はステント長さL (mm) を使用して計算する：
E1＝0.0027×L + 0.048
【００３１】
【表１】
2004538109.tif 000003
【００３２】
工程3： V、すなわち、放射性同位体源から標識溶液 (ストライク浴) へ転移すべき液体体積 (mL)
V＝A0／a×exp(−k×t1)
ここで：
k＝ln (2)／t1/2 (ここで188Reについてt1/2＝16.94時間)
t1＝溶離液活性測定から標識溶液発生までの時間
a＝溶離液測定時間における比活性 (MBq/mL)
A0＝標識発生時間における標識溶液の必要な活性 (MBq)
V＝活性A0を得るために標識溶液に添加する溶離液体積 (mL)
【００３３】
B. 188Re標識溶液 (ストライク溶液) の調製
析出収率について補正した、ステント上の必要な活性レベルを提供するために必要な計算した体積のレニウム溶離液 (ボーラス) を移す。等しい体積の2.0 N HClを添加する。表1に示す体積までの1.0 N HClを添加する。標識化操作間にステントがわずかに浸されるように、全液体体積を選択する。
バイアルをクリンプキャップし、十分に混合し、バイアルの全活性を測定する。
必要な活性が達成されていない場合、ストライク溶液を調節または除去する。
【００３４】
【表２】
2004538109.tif 000004
【００３５】
好ましい態様において、アノードは針金である。コイルの回転は均一に間隔を置いて位置し、回転間のギャップはほぼ1.6 mmである。アノードを検査し、調節した後、槽の中に入れるべきである。アノードコイルの回転が均一に間隔を置いて位置しない場合、表2における体積はステントを正しく被覆しないことがある。適当なアノードの構成については、第1図を参照のこと。
【００３６】
C. めっき槽の中へのステントの挿入
ステントをその無菌の包装から取出す。裸の指によるステントの損傷または接触を回避する。
ステントの中心を通して針金をスライドすることによって、ステントをカソード上に取り付ける (第2図参照)。ステントをカソードの下部に下降させる。引き続く工程における電気的接触のために、ステントを針金に接触させることが必要である。
カソードの針金 (ループを最初に) をビュレットの中に下降させて、ループが下部ロケイター中でスロット中で中心になるようにする。 (ループがスロットの中に落下するまで、針金を回転する)。
【００３７】
D. ステントの脱脂
めっき槽上のストップコックドレン弁が閉じていることを確認する。
ストライク槽に4 mLのエタノールを満たす。ステントを2分間ソーキングする。
「非放射性廃棄物」ビーカーをめっき槽の下に配置し、ストップコックを開いて、脱脂溶液を排出する。
ストップコックを開いたままにし、めっき槽を通して脱イオン水をフラッシュして槽から液体をフラッシュする。
ストップコックを閉じ、槽に4 mLの脱イオン水を満たす。ステントを30秒間ソーキングする。槽を廃棄物ビーカーの中に排出し、そしてダンプビーカーを非放射性液体廃棄物収集容器の中に排出する。
槽を約3 mLの1 N HClですすぎ、直ちに排出して、引き続く工程間にストライク試薬の希釈を防止する。直ちに次の工程に進行する。
【００３８】
E. ステントのアノードエッチング
上部または上のカソードロケイター (第3図参照) を針金末端の上に配置し、それを槽のへりに静置する。上部ロケイターにおいてスペーサースロットを外側電極タブと整列させる。スペーサーをビュレットの中に完全に下降させない、すなわち、緩いままにする。
DC電力供給をオフにし、赤色 (正の) リード線を外側電極タブにクリップし、そして黒色 (負の) リード線を上部ロケイターより上の点において針金カソードにクリップする。
電力供給極性スイッチを「アノードエッチング」にスイッチし、直ちに次の工程に進行する。
【００３９】
一定電流のDC電力供給をターンオンし、直ちに次の工程に進行する。
ピペットを使用して、ストライク電解液 (標識溶液) をストライク槽に移す。 (ステントをわずかにカバーするために十分な電解液が存在すべきである)。上部カソードロケイターをビュレットの中に下降させ、電極および液面の位置をチェックする。
電気的ショート (ゼロ電圧の読み) が存在しないようにする。標識化されているステントのレベルに、電流を調節する (下記表3参照)。電圧が約1.2Vから約0.8V (通常約0.5〜1.5の最小) に低下するとき、直ちに次の工程に進行する。
極性逆転スイッチを「ストライク／めっき」にスイッチし、直ちに次の工程に進行する。
【００４０】
【表３】
2004538109.tif 000005
【００４１】
F. ステント上への188Reのストライク
上記最後の工程において、極性逆転スイッチを「ストライク／めっき」に設定して188Reのストライクを開始する。
電圧出力を監視し、ショートが起こる (電圧がゼロに低下する) 場合、カソードを直ちに調節する。
5分後、ストップコックを開き、反応器ビュレットの内容物を放射性廃棄物収集容器に排出する。
直ちにDC電力を遮断し、次の工程に進行する。
【００４２】
G. ステントのすすぎ
黒色 (負の) クリップリード線をカソードから分離し、上部カソードロケイターから槽およびカソードから除去する。
廃棄物受け器蒸留器を所定位置にし、槽壁および電極をエタノールですすぎ、反応器から残留物ストライク浴をフラッシュする。ストップコックを閉じる。ステントをカバーするために十分な4 mLのエタノールを反応器に添加する。ステントを30秒間ソーキングする。
【００４３】
ストップコックを開いてすすぎ溶液を排出する。
ストップコックを閉じ、廃棄物バイアルを放射性液体廃棄物収集容器の中に排出する。
保護された指を使用して、注意して (ステント上のコーティングの引っかきを回避するために) ステントとともにカソード針金をめっき槽の中から外に持ち上げる。ステントはかなり均一な、赤味がかった、艶消し銅色であろう。
【００４４】
H. ステントのめっきカソードへの転移
6インチのピンセットでカソードの下部ループをつかみ、20 mLのガラスバイアルの中に逆方向に入れ、カソードからステントをスライド除去する。カソードからステントを注意してプッシュして取出すために、第2対のピンセットを必要とすることがある。
いったんステントがストライクカソードから取出されると、スズめっきしたカソードをステントの1端の中におだやかに挿入する。
6インチのピンセットでカソードの下部ループをつかみ、ステントがカソード上にスライドして下部ループに下降するように、ガラスバイアルを倒立させる。
保護された指でカソードの上部をつかみ、次の工程に進行する。
【００４５】
I. スズめっきステント (188Re標識シール工程)
ステントとともにカソード針金 (ループを最初に) をめっき槽ビュレットの中に下降させ、ステントがスズアノードの側面を引っかかないようにし、そしてループが下部ロケイターのスロット中で中心になるようにする。 (ループがスロットの中に下降するまで、針金を回転させる)。
上部ロケイターをカソード針金の上に配置し、それをビュレットリップ上に静置させる。上部ロケイターをアノードテープ針金と整列させる。この時スペーサーがビュレットの中に完全に下降しないようにする。
【００４６】
黒色クリップ (負) のリード線を上部ロケイターより上の位置において針金−ステントカソードに取り付け、そして赤色 (正) のクリップリード線をアノードタブに取り付ける。ドレン弁が閉じていることをチェックする。
放射性廃棄物収集ビーカーをめっき槽の下に配置する。
めっき電力供給ターンオンする。直ちに次の工程に進行する。
ピペットを使用して適当量のスズめっき溶液をめっき槽に移す (表2)。上部ロケイターをめっき槽の中心にシフトする。電極間に電気的ショート (ゼロボルト) が存在しないことを確認する。ショートが起こる場合、カソードを調節する。
【００４７】
シールされているステントについて規定されたレベルに電流を直ちに調節する (表4参照)。タイマーを始動させる。
2分30秒後、めっき槽のストップコックを開いて、めっき溶液を反応器から排出し、めっきプロセスを停止させる。直ちに次の工程に進行する。
槽へのDC電力を遮断する。DC電力クリップを分離し、上部ロケイターを除去する。ストップコックを開いたままにし、洗浄びんからの数mLの60％／40％エタノール／水のすすぎ溶液で槽壁および電極をすすいで、残留するスズ浴をフラッシュする。
ストップコックを閉じる。
【００４８】
【表４】
2004538109.tif 000006
【００４９】
めっきアノードが12時間より長く使用されていない場合、それを使用前にコンディショニングすべきである。 (下記の「めっき槽アノードの前コンディショニング」参照)。さらに、スズめっき浴溶液を検査して、それが透明でありかつ茶色を有することを確認する。不透明度または沈殿が観測される場合、0.2 μmのフィルターを使用して溶液を濾過する。
【００５０】
J. ステントのすすぎ
標識化され、シールされたステントに寄与するめっき槽に、4.0 mLの60％／40％エタノール／水のすすぎ溶液を添加する。ステントを30秒間ソーキングする。
ストップコックを開いてすすぎ溶液を放射性廃棄物容器の中に排出する。
廃棄物容器の内容物を放射性廃棄物保持容器の中に入れる。
保護した指を使用して、ステントとともにカソードをめっき槽の中から外に注意して持ち上げる。ステントはかなり均一な、低い光沢の、淡い灰色であろう。
【００５１】
K. ステント管へのステントの移動
カソード針金のループ末端をピンセットでつかむ。無菌の10×75 mmのバイアルをピグの中に入れる。
カソード針金を倒立させて、ステントが針金を下方にスライドし、バイアルの中に入るようにする (他の対のピンセットを使用して、ステントをおだやかにプッシュして針金を下降させることが必要であることがある)。
12時間以内に再使用しないかぎり、カソード針金を取出し、固体の放射性廃棄物容器の中に入れる。
オプション：バイアルにエタノール／水溶液を満たす。
バイアルにキャップをする。
【００５２】
L. ステントの放射能の測定
通例の心出しジグ (下記参照) を使用してバイアルおよびステントを目盛定め装置のキャリヤーの中に入れ、バイアルをキャリヤーの中心に位置決定する。
キャリヤーを線量目盛定め装置の中に下降させる。
測定した活性を記録する。
必要な計算を実施する。
【００５３】
M. めっきアノード (槽を使用する場合) の貯蔵
めっきアノードの空気不動態化を減少させるために、延長した時間 (一夜) 使用しない場合、アノードコイルが沈められるように、めっき槽を無菌の水で満たすことが推奨される。
【００５４】
N. スズめっき槽のアノードの前コンディショニング
スズアノードは空気中で急速に不動態化する (曇る)。アノードは製作後または12時間より長いあき時間後前コンディショニングした後、ステントのめっきに使用すべきである。
めっきカソードをめっき槽の中に、下部の心出し挿入溝の中心に挿入する。
硫酸スズめっき溶液 (約4 mL) を槽に満たす。
上部の心出しスペーサーを挿入し、クリップリード線を取り付ける−赤色を外側電極に、そして黒色を中央のカソード針金に取り付ける。
【００５５】
極性スイッチを「ストライク／めっき」に設定し、電力供給をターンオンにする。
電流を調節して40 mAの電流を10分間槽に供給する。
槽を排出し、電力をターンオフにする。
槽を脱イオン水で十分にすすぎ、カソードを取出す。
めっきアノードはここでステントのスズめっきに使用される状態である。めっきされたカソードは、ステントスズめっき工程においてカソードとして使用することができる。
【００５６】
実施例２．カテーテルバルーン上へのステントの圧縮
ステントは移植のためにカテーテルバルーン上に圧縮しなくてはならない。ベータ線への技術者の暴露を減少させ、ステント表面上のスズめっきに対する損傷を最小とするように、下記の手順を設計した。
取り付けるべきステントの正しい外径および長さを有するカテーテルバルーンを得る。
カテーテルバルーンをその無菌の包装から取出す。内部の針金を取出し、末端ループをはさみ切る。
【００５７】
鞘 (存在する場合) をバルーン末端から除去する。
カテーテルバルーンポンプに10 mLの水を満たし、過剰の空気をパージする。
ルーエル (luer) ロック取り付けを使用して、カテーテルバルーンポンプをカテーテルの末端に取り付ける。
カテーテルバルーン上に1〜2 psiaの真空を引く。
ステントを含有するバイアルの中にカテーテルバルーンの末端を挿入する。
バルーンの末端がステントの中にしっかりと挿入されるまで、バルーンの末端をステントの1端の中におだやかに案内する。
【００５８】
バイアルからカテーテルバルーンをステントとともに取出し、細い先端を有する金属ピンセットを使用して、金属バルーン拘束間にステント上の中心にステントをおだやかに配置する。バルーンがカテーテルバルーン上にしっかり位置決定されない場合、ステントがもはや容易に動かないように、少量の正圧をカテーテルバルーンに加える。しかしながら、ステントをまだ完全に拡張させない。
ループが除去された内部針金を置換する。
カテーテルバルーンおよびステントをステント圧縮管 (下記参照) の中に挿入する。
【００５９】
1つの手でカテーテルバルーンを所定位置に保持すると同時に、平らな面を有するプライヤーを使用してステントをバルーン上に圧縮する。
ステントを長さ方向に動かし、回転させて、圧縮を均一にする。ステントの平坦化を回避する。
ステントおよびカテーテルバルーンをステント圧縮管から取出し、フレーク化または剥離が起こらないように監視する。
内部の針金を除去する。
【００６０】
実施例３．原液の調製
A. スズめっき溶液
100 mLのフラスコに、10.00 mLの濃硫酸 (H2SO4) 添加し、次いで2.10 gの硫酸第一スズを添加する。次いで3,000 mLのチノールSスターターB (Tinol S Starter B) 溶液を添加し、次いで0.075 mLのチノールSブライトナー (Tinol S Brightener) 溶液を添加する。100 mLの脱イオン水を満たす。
【００６１】
この溶液を空気への拡張により急速に酸化する。使用後、できるだけ急速に緊密に蓋をし、黄色がかった色が顕著に暗色化する場合、溶液を再調製すべきである。また、酸化物は溶液がエージングするにつれて沈殿し、この沈殿を使用前に再混合すべきではない。これはスズめっきを高い粒状性とするであろう。いったん有意な沈殿が起こったとき、溶液を再調製すべきである。試薬中に沈んだ数片の粒状スズまたはスズ針金のコイルの存在は、その貯蔵寿命を大きく延長するであろう。
B. スズめっきのすすぎ溶液
60容量％／40容量％のエタノール／水混合物。
【００６２】
実施例４．槽製作物のめっき
前述の好ましい態様において、放射線標識化プロセスを実施するために、2つのめっき槽を必要とする。しかしながら、選択的に、1つのめっき槽を含む、任意の適当な数のめっき槽を使用できるであろう。
好ましい態様によれば、1つのめっき槽をアノードの清浄およびストライクプロセス工程および関連するすすぎに使用する。他方のめっき槽をめっきプロセス工程およびすすぎに使用する。アノード材料を除外して、槽は同一である。
2つのめっき槽の製作に必要な材料を下記表5に示す。
【００６３】
【表５】
2004538109.tif 000007
【００６４】
下記のプロセスを使用して2つのめっき槽を製作することができる。
ビュレットを次のように変更する：
・ビュレットを20 mLの線において切断し、へりを磨く。別のビュレットを使用する場合、切断線を調節して下部のステントロケイターから上部の距離を維持することが必要であることがあることに注意すべきである。この距離はカソード針金およびアノードタブの両方についての必要条件によりコントロールして、槽の外側を電気的接続のために延長する。
・ストップコックの中線よりほぼ4 cm下 (テーパーの開始より上) においてビュレット出口管を切断し、へりを磨く。
・PTFEストップコック中の出口穴を直径3.5 mmに拡大する。
【００６５】
PTFEロッドから上部および下部のカソードロケイターを機械加工する (第3図および第4図参照)。次のようにして、ステンレス鋼針金 (第2図参照) からストライクカソードを製作する：
・針金を15 cmの長さに切断する。
・針のノーズのプライヤーを使用して1端を5 mmの直径に曲げる。長さ60 mmのステントがその長さに沿って自由にスライドできるように、カソード針金は十分に直線であるべきである。
・カソードの形成された末端の上に熱収縮性管をすべらせ、所定位置で収縮させる。図面に示す線を超えてはならない。カソード上に配置されたステントが下部において金属と接触し、絶縁されていないことを確認する。絶縁をトリミングしてカソード金属を暴露させ、必要に応じてアノードを容易に出入りするように適合させる。
【００６６】
次のようにしてステンレス鋼針金 (第2図参照) からめっきカソードを製作する：
・先行する使用説明に従い、ストライクカソードを作る。
・使用前にシャフト上にスズをめっきしてめっきカソードを前コンディショニングする。
・カソードをめっき槽中に挿入し、硫酸スズ溶液を満たす。
・カソードを中心に配置し、クリップリード線を取り付ける−赤色をアノードに、黒色をカソードに取り付ける。
・極性スイッチを「標識／めっき」に動かし、電力を「オン」にスイッチする。
・電流を40 mAに調節し、2分間めっきする。
・排出し、電力を遮断し、槽をすすぎ、そしてカソードを除去する。
【００６７】
次のようにして金属針金 (第1図参照) からアノード (1つの銅および1つのスズ) を製作する：
・針金を40 cmに切断する。
・4.5 mmのマンドレルの回りに3回転／cmのピッチでシリンダーに巻きつける。
・標準的めっき溶液およびステントを含まないステンレス鋼カソードを使用して、めっき操作を3回実施することによってアノードをコンディショニングする。
【００６８】
アセンブリー
・下部のカソードロケイターをビュレット中に下降させ、次いでアノードを挿入する。湾曲部が接触しないようにし、そして間隔を約2 mmにし、ループ間で均一にする。電気的接続のために、アノードの上部タブをビュレットの上に曲げる。
・ステントをカソード上に取り付け、カソードを槽中に挿入し、下部ロケイター中の中心に配置する。
・上部カソードロケイターを中央穴を通してカソード上に挿入し、カソードのノッチ線をアノード針金の上部と整列させる。
・電力供給クリップリード線をアノードおよびカソードに接続し、上部から下部への均一に間隔を確認する。
【００６９】
実施例５．線量目盛定め装置心出しジグ
線量目盛定め装置は商業的に入手可能な商品であるが、貯蔵のために線量目盛定め装置ウェルの中にそれを下降させるためのキャディーは、ウェルの中央にステントを含有するバイアルを配置するジグを有するべきである。このジグは、本発明の放射線標識化移植可能な装置を製造するために選択した線量目盛定め装置を適合させるように設計することが必要である。本発明の好ましい態様について、スペーサーをポリカーボネートから製作し、このスペーサーはキャリヤーの中に適合する外径を有し、そしてバイアルの直径よりわずかに大きい穴が中央に形成されていた。バイアルの上部がピンセットでつかむことができるように、クリアランスが残されていた。
【００７０】
実施例６．ステント圧縮管
ステントをカテーテルバルーン上に圧縮するために使用する管を、5 mm (内径) Tygon柔軟性管から構成する。放射能標識すべきステントよりも3 cm長い1片のTygonTM管を切断することによって、圧縮管を製造する。この管は1.6 mmの壁厚さを有するべきである。
【００７１】
実施例７．めっき電力源の製作
めっき電力源は2つの電力供給装置から成り、1つはストライク槽および1つはめっき槽のための装置である。選択的に、2組の別々のリード線を有する1つの電力源を使用できるであろう。ストライク槽のための電力源は、アノードのクリーニングおよびストライク (すなわち、標識化) がクリップリード線を物理的に動かさないで実行可能であるように、クリップリード線における極性を逆転するスイッチを含む。
【００７２】
A. 構成成分
・ディジタル読出しおよびバナナプラグ適合性出口を有する5W、4A DC電力源 (2)
・クリップリード線 (赤色および黒色、2対)
・バナナプラグ (赤色および黒色)
・電気トグルスイッチ、二極、双投 (1つ)
・スイッチエンクロージャー (1つ)
・5メーター18ゲージの銅線
【００７３】
B. アノード清浄／ストライク槽の電力配線
正常または上の位置において赤色が正、黒色が負であり、そしてスイッチ位置が変化したとき極性が逆転するように、赤色および黒色のクリップリード線をスイッチに60 cmの長さの針金で取り付ける。
正常または上の位置において赤色が正であり、黒色が負であるように、バナナプラグをスイッチに60 cmの長さの針金で取り付ける。
「ストライク／めっき」として表示する正常位置 (上) および「アノード清浄」として表示する下の位置を有する、スイッチボックスを取り付ける。
赤色バナナプラグを赤色電力供給ソケットの中に差込み、そして黒色バナナプラグを黒色電力供給ソケットの中に差込む。
【００７４】
C. めっき槽電力の配線
赤色クリップリード線および赤色バナナプラグを、1 mの長さの両端に取り付ける。黒色クリップリード線および黒色バナナプラグの操作を反復する。
赤色バナナプラグを赤色電力供給ソケットの中に差込み、そして黒色バナナプラグを黒色電力供給ソケットの中に差込む。
【００７５】
材料および装置
下記の材料および装置を前述の実施例と組み合わせて使用することができる。
A. プロセス溶液
エチルアルコール、変性された：HPLC等級 (純度91％) −Aldrich Chemical Co.
脱イオン水、18.2 Mohm/cm：無菌の脱イオン水 (Milipore Milli−Q Plus Systemから入手可能である) −すすぎ工程に使用し、そして貯蔵ストライクおよびスズめっき溶液の調製に使用する。
塩酸、2 N溶液 (ストライク溶液) ：試薬等級−Mallinckrodt Baker, Inc.
塩酸、1 N溶液 (ストライクおよびすすぎ溶液) ：試薬等級−Mallinckrodt Baker, Inc.
硫酸、濃 (スズめっき溶液) ：A. C. S. 試薬等級−Mallinckrodt Baker, Inc.
硫酸第一スズ (スズめっき溶液)：純度95+％−Aldrich Chemical Co.
チノールSスターターA (スズめっき溶液)：Maclee Chemical Co.
チノールSブライトナー (スズめっき溶液)：Maclee Chemical Co.
【００７６】
B. 装置
DC電力供給：Hewlett Packard Harrison 6290A DC Power Supply
線量目盛定め装置：Syncor CRC−7 Radioisotope Calibrator
放射線シールド：厚さ3インチの鉛ガラス直立シールド、厚さ1/2インチのアクリルシートを有する (めっき槽に最も近い側面に取り付けられている)。
【００７７】
本発明はReの放射性同位体を使用する放射線標識化および移植可能な装置により説明されたが、本発明は移植可能な装置の電気めっき可能な金属放射性同位体の使用を広く包含する。例えば、Reに加えて、下記元素の放射性同位体は放射線標識化剤として適当であり、そして本発明に包含される：Be、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Po、At、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、NoおよびLr。
【００７８】
前述の説明および添付図面は現時点において本発明の好ましい態様を記載する。本発明の範囲から逸脱しないで、前述の教示に照らして見ると、種々の変更、付加および選択的設計は、もちろん、当業者にとって明らとなるであろう。本発明の範囲は前述の説明よりむしろ特許請求の範囲により示される。特許請求の範囲の同等の態様の意味および範囲内に入るすべての変化および変形は特許請求の範囲内に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】第1図は、本発明の好ましい態様のめっき槽において利用するアノードの種々の外観を図解する。
【図２】第2図は、本発明の好ましい態様のめっき槽において利用するカソードの種々の外観を図解する。
【図３】第3図は、本発明の好ましい態様において利用する上部カソードロケイターの種々の外観を図解する。
【図４】第4図は、本発明の好ましい態様において利用する下部カソードロケイターの種々の外観を図解する。
【国際公開パンフレット】
2004538109.tif 000008
2004538109.tif 000009
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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