(57)【要約】【課題】厚み及び阻止能力を増大させて、高周波電磁エネルギを電子へ直接変換すると共に、ＣＴ画像構成のためにデータ処理システムへ電子を直接伝達することが可能なシンチレータを提供する。【解決手段】本発明のマルチ・スライス型ＣＴシステム用の検出器（２０）は、電子を直接導通するように構成されるとともに、高周波電磁エネルギ（１６）を受け取って電子へ直接変換するシンチレータ（５７）と、シンチレータ・バルクと、高周波エネルギ（１６）を電子へ変換すると共に電子を導通することが可能な導電性材料とで形成されている化合物を含んでなる。ＣＴシステムは、高周波電磁エネルギ（１６）を検出器（２０）に向かって投射する出力（１４）を有するガントリ（１２）と、検出器（２０）から電子を直接受け取るデータ処理システム（３２）とを設けている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電磁エネルギ（１６）を検出して電子へ変換する装置であって、
信号系統を形成している複数の電気的インターコネクトと、
内部に複数のシンチレータ（５７）を有しており、高周波電磁エネルギ（１６）を電子へ直接変換して、該電子を前記信号系統へ導通するように構成されているシンチレータ・アレイ（５６）とを備えた装置。
【請求項２】
前記装置は計算機式断層写真法システムに組み入れられており、前記信号系統からの信号を、該信号に基づいて画像を再構成すると共に該画像を視覚的に表示するように構成されているデータ処理システム（３２）へ伝達するように構成されているインタフェイス（８４）をさらに含んでおり、各々のシンチレータ（５７）は電気導体として構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
各々のシンチレータ（５７）は、非ドープ型ＣｓＩ、ＣｓＢｒ及びＰｂＯを含んでなる材料の群から選択されるバルクと、発光性導電性化合物とで形成されている請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記発光性導電性化合物は、前記高周波電磁エネルギを電子へ変換することが可能である請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記発光性導電性化合物は、ＫＣｓＳｂ、Ｃｓ３Ｓｂ、ＲｂＣｓＳｂ、ＮａＣｓＳｂ及びＬｉＣｓＳｂから成る群から選択される請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記導電性化合物は、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ−Ｃｓ及びＰｂＴｅから成る群から選択される発光性半導性化合物である請求項３に記載の装置。
【請求項７】
フォトダイオード・アレイ及びその内部のフォトダイオードを用いずに構成される請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記シンチレータ・アレイ（５６）はピクセル型であって、入射面、出射面、及び前記入射面を前記出射面に接続する一定数の側壁を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記側壁は誘電材料を含んでいる請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
各々のシンチレータ（５７）はチューブ形状（７０）を有しており、前記シンチレータ・アレイ（５６）は周囲に保護シースを設けたファイバ・バンドルとして構成されている請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記高周波電磁エネルギ（１６）はＸ線（１６）であり、該Ｘ線（１６）は、電子への変換の前に光エネルギへ変換されない請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
高周波電磁エネルギ（１６）を電子へ直接変換して、該電子を電気的インターコネクトへ導通するバルクと導電性材料との組み合わせを含んでなる複合材料。
【請求項１３】
計算機式断層写真法システムに組み入れられている請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１４】
前記導電性材料は、前記高周波電磁エネルギ（１６）を電子へ直接変換すると共に、該電子を導通する請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１５】
前記バルクは、非ドープ型ＣｓＩ、ＣｓＢｒ及びＰｂＯから成る材料の群から選択される請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１６】
前記導電性材料は、ＫＣｓＳｂ、Ｃｓ３Ｓｂ、ＲｂＣｓＳｂ、ＮａＣｓＳｂ及びＬｉＣｓＳｂから成る群から選択される請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１７】
前記導電性材料は、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ−Ｃｓ及びＰｂＴｅから成る群から選択される半導性化合物である請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１８】
前記バルク及び導電性材料は、減圧雰囲気下で圧縮されて熱処理され、ピクセル形態、柱状形態（７０）、及び複数の導電層（６０）と複数のバルク層（６２）とを有する成層形態のうちの１から選択可能な形態として構成されている請求項１２に記載の複合材料。
【請求項１９】
各々の導電層（６０）は幅が約５μｍ〜１５μｍであり、各々のバルク層（６２）は幅が約５０μｍ〜１００μｍである請求項１８に記載の複合材料。
【請求項２０】
前記バルク及び導電性材料（６０、６２）はいずれも粉体である請求項１２に記載の複合材料。
【請求項２１】
計算機式断層写真法システムのデータ取得システムに撮像用電子を供給する方法であって、
高周波電磁エネルギ（１６）を電子へ直接変換すると共に該電子を導通することが可能なシンチレータ（５７）を設ける工程と、
内部に前記シンチレータ（５７）を有する検出器ハウジング（２０）に向けて前記高周波電磁エネルギを照射する工程と、
前記電子をデータ処理システム（３２）へ伝達する工程とを備えた方法。
【請求項２２】
シンチレータ（５７）を設ける前記工程は、高周波電磁エネルギ（１６）を電子へ変換することが可能なバルク材料と、電子を導通すると共に高周波電磁エネルギ（１６）を電子へ変換することが可能な導電性化合物との混合物を圧縮して燒結する工程を含んでいる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記シンチレータ（５７）は、非ドープ型ＣｓＩ、ＣｓＢｒ及びＰｂＯを含んでなる材料の群から選択されるバルクと、ＫＣｓＳｂ、Ｃｓ３Ｓｂ、ＲｂＣｓＳｂ、ＮａＣｓＳｂ、ＬｉＣｓＳｂ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ−Ｃｓ及びＰｂＴｅから成る群から選択される発光性導電性化合物とで形成されている請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記シンチレータをシンチレータ・アレイ（５６）にピクセル化する工程、柱状化（７０）する工程及び成層する工程のうち１を含んでいる請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記伝達する工程は、前記シンチレータ（５７）から前記データ処理システム（３２）まで延在する信号系統を形成している１以上の電気的インターコネクトを設ける工程を含んでいる請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記高周波電磁エネルギ（１６）はＸ線である請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
本発明は一般的には、高周波電磁エネルギの検出及び電気信号への変換に関し、さらに具体的には、Ｘ線を電子へ直接変換する計算機式断層写真法システム用の装置及び方法に関する。
【０００２】
典型的には、計算機式断層写真法（ＣＴ）イメージング・システムにおいては、Ｘ線源が患者等の物体に向かってファン（扇形）形状のビームを照射する。ビームは物体によって減弱された後に放射線検出器のアレイに入射する。検出器アレイで受光される減弱後のビーム放射線の強度は典型的には、物体によるＸ線ビームの減弱量に依存している。検出器アレイ内の各々の検出器素子が、各々の検出器素子によって受光された減弱後のビームを示す別個の電気信号を発生する。電気信号は解析のためにデータ処理システムへ伝達されて、これにより最終的には画像が形成される。
【０００３】
一般的には、Ｘ線源及び検出器アレイは、ガントリを巡って撮像平面内で物体の周りを回転する。Ｘ線源は典型的にはＸ線管を含んでおり、Ｘ線管は焦点においてＸ線ビームを放出する。Ｘ線検出器は典型的には、検出器で受光されるＸ線ビームをコリメートするコリメータと、コリメータに隣接して設けられておりＸ線を光エネルギへ変換するシンチレータと、隣接して設けられているシンチレータから光エネルギを受け取るフォトダイオードとを含んでいる。
【０００４】
典型的には、シンチレータ・アレイ内の各々のシンチレータがＸ線を光エネルギへ変換する。各々のシンチレータは、隣接して設けられているフォトダイオードへ光エネルギを放出する。各々のフォトダイオードはこの光エネルギを検出して対応する電気信号を発生する。次いで、フォトダイオードの出力はデータ処理システムへ伝達される。典型的には、フォトダイオード・アレイはシリコン・チップ上に形成されているため、複雑で且つ極端に高価な製造手法が必要とされる。結果として、ＣＴイメージング・システムが甚だしく複雑化し、極めて高価になる場合がある。
【０００５】
さらに、ＣＴイメージング・システム用の典型的なシンチレータは、厚みが制限されている。一般的には、シンチレータの厚みは、高周波エネルギがシンチレータを透過して検出器の構成要素の残部に入射することを阻止するのに十分なものでなければならない。しかしながら、各々のフォトダイオードが放出された光エネルギを効率的に検出するためには、シンチレータの厚みは薄くなければならない。結果として、典型的なシンチレータの設計には、阻止能力（ｓｔｏｐｐｉｎｇ ｐｏｗｅｒ）を小さくしたシンチレータが必要とされ、このことにより、ＣＴシステムの全体的な性能及び機能的な寿命が経時的に小さくなる。
【０００６】
従って、厚み及び阻止能力を増大させて、高周波電磁エネルギを電子へ直接変換すると共に、ＣＴ画像構成のためにデータ処理システムへ電子を直接伝達することが可能なシンチレータを提供できると望ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の欠点を克服したＣＴシステム用の検出器を提供する。この検出器は、高周波電磁エネルギを受け取って電子へ直接変換するシンチレータを含んでいる。検出器はさらに、電子を直接導通するように構成されている。検出器は、シンチレータ・バルクと、高周波エネルギを電子へ変換すると共に電子を導通することが可能な導電性材料とで形成されている化合物（コンパウンド）を含んでなる。このＣＴシステムはまた、高周波電磁エネルギを検出器に向かって投射する出力を有するガントリと、検出器から電子を直接受け取るデータ処理システムとを設けている。
【０００８】
本発明の一観点によれば、計算機式断層写真法システム用の検出器が提供される。この検出器はシンチレータ・アレイを含んでおり、シンチレータ・アレイは、内部に複数のシンチレータを有しており、高周波電磁エネルギを受け取って、電磁エネルギを電子へ直接変換して、これらの電子をデータ処理システムへ直接伝達することが可能である。
【０００９】
本発明の他の観点によれば、画像検出ＣＴシステム用の複合材料が、高周波電磁エネルギを電子へ直接変換するバルクと、導電性材料との両方を含んでいる。導電性材料はまた、高周波電磁エネルギを電子へ変換することが可能であり、さらに、複数の電気的インターコネクト（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）へ電子を導通することが可能である。
【００１０】
本発明はまた、撮像用電子をＣＴシステムのデータ取得システムへ供給する方法を含んでいる。この方法は、高周波電磁エネルギを、内部にシンチレータを有するシンチレータ・ハウジングに向けて照射する工程を含んでいる。この方法はさらに、高周波電磁エネルギを電子へ直接変換した後に、これらの電子をＣＴ画像構成のためにデータ取得システムへ導通することが可能なシンチレータを設ける工程を含んでいる。
【００１１】
本発明の他の様々な特徴、目的及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図面には、本発明を実施するために現状で思量される一つの好適実施形態が示されている。
【００１３】
４スライス型計算機式断層写真法（ＣＴ）システムに関連して本発明の動作環境を説明する。但し、当業者であれば、本発明がシングル・スライス型構成又は他のマルチ・スライス型構成での利用にも同等に適用可能であることが理解されよう。さらに、本発明は、Ｘ線の検出及び変換に関連して説明される。しかしながら、当業者は、本発明が他の高周波電磁エネルギの検出及び変換にも同等に適用可能であることをさらに理解されよう。
【００１４】
図１及び図２には、計算機式断層写真（ＣＴ）イメージング・システム１０が、「第３世代」ＣＴスキャナに典型的なガントリ１２を含むものとして示されている。ガントリ１２はＸ線源１４を有しており、Ｘ線源１４は、Ｘ線ビーム１６をガントリ１２の対向する側に設けられている検出器アレイ１８に向かって投射する。検出器アレイ１８は複数の検出器２０によって形成されており、検出器２０は一括で、患者２２を透過した投射Ｘ線を感知する。各々の検出器２０は、入射Ｘ線ビームの強度を表わし、従って患者２２を透過した減弱後のビームを表わす電気信号を発生する。Ｘ線投影データを取得するための一回の走査の間に、ガントリ１２及びガントリ１２に装着されている構成部品が回転中心２４の周りを回転する。
【００１５】
ガントリ１２の回転及びＸ線源１４の動作は、ＣＴシステム１０の制御機構２６によって制御されている。制御機構２６はＸ線制御器２８とガントリ・モータ制御器３０とを含んでおり、Ｘ線制御器２８はＸ線源１４に電力信号及びタイミング信号を供給し、ガントリ・モータ制御器３０はガントリ１２の回転速度及び位置を制御する。制御機構２６内に設けられているデータ取得システム（ＤＡＳ）３２が検出器２０からのアナログ・データをサンプリングして、後続の処理のためにこのデータをディジタル信号へ変換する。画像再構成器３４が、サンプリングされてディジタル化されたＸ線データをＤＡＳ３２から受け取って高速画像再構成を実行する。再構成された画像はコンピュータ３６への入力として印加され、コンピュータ３６は大容量記憶装置３８に画像を記憶させる。
【００１６】
コンピュータ３６はまた、キーボードを有するコンソール４０を介して操作者から指令及び走査用パラメータを受け取る。付設されている陰極線管表示器４２によって、操作者は再構成された画像及びコンピュータ３６からのその他のデータを観測することができる。操作者が供給した指令及びパラメータはコンピュータ３６によって用いられて、ＤＡＳ３２、Ｘ線制御器２８及びガントリ・モータ制御器３０に制御信号及び情報を供給する。加えて、コンピュータ３６は、モータ式テーブル４６を制御するテーブル・モータ制御器４４を動作させて、患者２２及びガントリ１２を配置する。具体的には、テーブル４６は患者２２の各部分をガントリ開口４８を通して移動させる。
【００１７】
図３及び図４に示すように、検出器アレイ１８は、シンチレータ・アレイ５６を形成する複数のシンチレータ５７を含んでいる。シンチレータ・アレイ５６の上方にはコリメータ（図示されていない）が配置されていて、Ｘ線ビーム１６がシンチレータ・アレイ５６に入射する前にかかるビームをコリメートしている。
【００１８】
図３に示す一実施形態では、検出器アレイ１８は５７個の検出器２０を含んでおり、各々の検出器２０が１６×１６のアレイ寸法を有している。結果として、アレイ１８は１６行及び９１２列（１６×５７個の検出器）を有し、ガントリ１２の各回の回転で同時に１６枚のスライスのデータを収集できるようになっている。
【００１９】
図４のスイッチ・アレイ８０及び８２は、シンチレータ・アレイ５６とＤＡＳ３２との間に結合されている多次元半導体アレイである。スイッチ・アレイ８０及び８２は、多次元アレイとして配列されている複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ、図示されていない）を含んでいる。ＦＥＴアレイは、シンチレータの各々にそれぞれ接続されている一定数の電気リードと、可撓性電気インタフェイス８４を介してＤＡＳ３２に電気的に接続されている一定数の出力リードとを含んでいる。具体的には、シンチレータ出力の約２分の１がスイッチ８０に電気的に接続されており、シンチレータ出力の他の２分の１がスイッチ８２に電気的に接続されている。各々の検出器２０は、装着用ブラケット７９によって図３の検出器フレーム７７に固定されている。
【００２０】
スイッチ・アレイ８０及び８２はさらに、各々のスライスについて所望のスライス数及びスライス分解能に従ってシンチレータ出力のイネーブル、ディスエーブル及び結合を制御するデコーダ（図示されていない）を含んでいる。デコーダは一実施形態では、当技術分野で公知のデコーダ・チップ又はＦＥＴコントローラである。デコーダは、スイッチ・アレイ８０及び８２並びにＤＡＳ３２に結合されている複数の出力線及び制御線を含んでいる。１６スライス・モードとして定義される一実施形態では、デコーダは、シンチレータ・アレイ５６のすべての行が起動されるようにスイッチ・アレイ８０及び８２をイネーブルにして、結果として、ＤＡＳ３２によって処理される１６スライス分のデータを同時に生成する。言うまでもなく、他の多くのスライスの組み合わせが可能である。例えば、デコーダは、１スライス・モード、２スライス・モード及び４スライス・モードを含めた他のスライス・モードから選択してもよい。
【００２１】
図５に示すように、適当なデコーダ命令を伝達することにより、スイッチ・アレイ８０及び８２を４スライス・モードとして構成して、データがシンチレータ・アレイ５６の１行以上の行から成る４枚のスライスから収集されるようにことができる。スイッチ・アレイ８０及び８２の特定の構成に応じて、１行、２行、３行又は４行のシンチレータ・アレイ素子５７でスライス厚みを構成し得るように、シンチレータ５７の様々な組み合わせをイネーブル、ディスエーブル又は結合することができる。他の例としては、１．２５ｍｍ厚〜２０ｍｍ厚のスライスによる１枚のスライスを含んだシングル・スライス・モード、１．２５ｍｍ厚〜１０ｍｍ厚のスライスによる２枚のスライスを含んだ２スライス・モード等がある。所載以外の他のモードも思量される。
【００２２】
Ｘ線を電子へ直接変換してこれらの電子を信号系統へ直接伝達することによりＣＴ画像の構成を容易にするために、シンチレータ・アレイ５６のシンチレータ５７用の複合材料を開示する。シンチレータ・アレイ５６の各々のシンチレータ５７は、非ドープ型ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）及び酸化鉛（ＰｂＯ）から成る群から選択されるバルクと、発光性の導電性又は半導性化合物とで形成される。一つの好適実施形態では、導電性化合物はアンチモン化カリウムセシウム（ＫＣｓＳｂ）を含んでいる。導電性材料はまた、アンチモン化セシウム（ＩＩＩ）（Ｃｓ３Ｓｂ）、アンチモン化ルビジウムセシウム（ＲｂＣｓＳｂ）、アンチモン化ナトリウムセシウム（ＮａＣｓＳｂ）及びアンチモン化リチウムセシウム（ＬｉＣｓＳｂ）のような他の重金属材料の化合物を含んでいてもよい。
【００２３】
代替的に、発光性半導性材料はテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）を含むが、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、ガリウムヒ素−セシウム（ＧａＡｓ−Ｃｓ）及びテルル化鉛（ＰｂＴｅ）のような他の発光性半導性材料も本発明で適用可能である。
【００２４】
ここで、図６を参照すると、好適実施形態では、シンチレータ・アレイ５６の各々のシンチレータ５７は、非ドープ型ＣｓＩ４０％〜８０％と、ＣｄＴｅ２０％〜６０％とを含んでなる単層複合構造を有している。単層複合構造を有するシンチレータ５７は、非ドープ型ＣｓＩとＣｄＴｅとを混合することにより形成される。尚、好適実施形態では非ドープ型ＣｓＩ及びＣｄＴｅはいずれも粉体である。混合の後に、極高圧、典型的には数千ｐｓｉの圧力下で混合物を等方圧プレス（ｉｓｏｐｒｅｓｓ）又は圧縮する。混合物を等方圧プレス又は圧縮することは、混合物の気孔を完全に除去するのに必要とされる。次いで、等方圧プレス又は圧縮を施した混合物を熱処理する。熱処理すなわち燒結によって混合物が溶融して、混合物に残ったあらゆる気孔を除去すると共に、図６に示す単層形態を含む多くの異なる形態の一つとして複合材料を成形することを可能にする。
【００２５】
シンチレータ・アレイ５６の各々のシンチレータ５７についてのさらなる形態を図７の断面図に示す。この実施形態では、シンチレータ５７は多相複合構造を有しており、この構造を、交互配置した非ドープ型ＣｓＩ、ＣｓＢｒ又はＰｂＯ６２のバルク層６２の間に挟まれて散在した幾つかの層を成す導電性材料６０として図示している。好適実施形態では、各々の導電層６０の幅は約５μｍ〜１５μｍであり、各々のバルク層６２の幅は約５０μｍ〜１００μｍである。しかしながら、当業者は、各々の層６０及び６２の各幅は上述した寸法に限定されないことを理解されよう。但し、シンチレータ５７の全幅は、シンチレータ５７に入射するＸ線が吸収されて、放出されなくなるような幅でなければならない。
【００２６】
本発明は、実施形態の如何を問わず、最小限のＸ線であってもシンチレータから出ることを阻止されていることを条件として、任意の厚みのシンチレータを思量している。このことから、図８に示すファイバ・バンドル型シンチレータ・アレイ構成のように、シンチレータ設計における幾分かの柔軟性が許容される。ファイバ・バンドル型構成では、シンチレータ・アレイ５６の各々のシンチレータ５７が円筒構成を有している。この構成を容易にするために、非ドープ型ＣｓＩを圧縮し熱処理して、中実円筒チューブ７０とする。非ドープ型ＣｓＩ６２によって発生される電子の効率的な導通を可能にするために、非ドープ型ＣｓＩ６２の中実体の周りをＣｄＴｅの薄層７２で包む。Ｘ線がシンチレータ５７に向かって投射されて、非ドープ型ＣｓＩによって電子へ変換されると、電子は非ドープ型ＣｓＩを包む導電性薄層７２によって処理のために伝達される。別個のシンチレータ同士の間での電子の導通を防止するために、各々のシンチレータ５７を薄い絶縁シース（図示されていない）で包む。
【００２７】
従って、本発明は、複数のフォトダイオードを有するフォトダイオード・アレイを必要とせずに計算機式断層写真法システムのデータ取得システムに撮像用電子を供給する。これにより、ＣＴシステムに撮像用電子を供給する方法を開示する。この方法は、Ｘ線を電子へ直接変換することが可能であり、さらにこれらの電子を処理のためにデータ取得システムへ導通することが可能なシンチレータを設ける工程を含んでいる。この方法は好適実施形態では、非ドープ型ＣｓＩとＣｄＴｅとの混合物を圧縮すると共に燒結して、開示したシンチレータ５７を形成する工程を含んでいる。この方法はまた、複合材料をピクセル形態、柱状形態又は成層形態として構成する工程を含んでいる。形態の如何を問わず、シンチレータ５７に向かって投射されたＸ線は電子へ直接変換されて、データ取得システムへ伝達される。
【００２８】
好適実施形態によって本発明を説明したが、明示した以外の均等構成、代替構成及び改変が可能であって、これらが特許請求の範囲内にあることを理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ＣＴイメージング・システムの見取り図である。
【図２】
図１に示すシステムのブロック概略図である。
【図３】
ＣＴシステムの検出器アレイの一実施形態の遠近図である。
【図４】
検出器の一実施形態の遠近図である。
【図５】
４スライス・モードでの図４の検出器の様々な構成を示す図である。
【図６】
本発明の一実施形態の遠近図である。
【図７】
本発明のもう一つの実施形態の断面図である。
【図８】
本発明のもう一つの実施形態の一部の破断遠近図である。
【符号の説明】
１０  ＣＴシステム
１２  ガントリ
１４  Ｘ線源
１６  Ｘ線ビーム
１８  検出器アレイ
２０  検出器
２２  患者
２４  回転中心
２６  制御機構
４２  陰極線管表示器
４６  モータ式テーブル
４８  ガントリ開口
５６  シンチレータ・アレイ
５７  シンチレータ
６０  導電性材料層
６２  バルク層
７０  ＣｓＩの中実円筒チューブ
７２  ＣｄＴｅの薄層
７７  検出器フレーム
７９  装着用ブラケット
８０、８２  スイッチ・アレイ
８４  可撓性電気インタフェイス
【図１】
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【図２】
2004515761.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004515761.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004515761.tif 000009
【図８】
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【国際公開パンフレット】
2004515761.tif 000011
2004515761.tif 000012
2004515761.tif 000013
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2004515761.tif 000019
2004515761.tif 000020
2004515761.tif 000021
2004515761.tif 000022
2004515761.tif 000023
2004515761.tif 000024
2004515761.tif 000025
2004515761.tif 000026
2004515761.tif 000027
2004515761.tif 000028
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004515761.tif 000029
【国際調査報告】
2004515761.tif 000030
2004515761.tif 000031
2004515761.tif 000032