(57)【要約】テクスチャリング加工用組成物は、（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、（ｉｉ）一般式  Ｒ１Ｏ（ＣｎＨ２ｎＯ）ｍＨ（式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸とを含有し、この組成物を用いて研磨することにより微細なテクスチャリング条痕の形成と「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の基板の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを達成することができる。
2004515609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、
（ｉｉ）一般式  Ｒ１Ｏ（ＣｎＨ２ｎＯ）ｍＨ（式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、
（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸
とを含有するテクスチャリング加工用組成物。
【請求項２】
上記微粒子または粉末の平均粒径が、０．０１〜１μｍの範囲内である請求の範囲第１項記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項３】
上記微粒子または粉末の含有量が、テスクチャリング加工用組成物中、０．００１〜５質量％である請求の範囲第１項または第２項記載のテスクチャリング加工用組成物。
【請求項４】
上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル、上記多価アルコールおよび上記多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種の含有量が、テスクチャリング加工用組成物中、総量で１〜５０質量％である請求の範囲第１項記載のテスクチャリング加工用組成物。
【請求項５】
上記脂肪酸は、ラウリン酸又はオレイン酸である請求の範囲第１項記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項６】
上記脂肪酸の含有量が、テスクチャリング加工用組成物中、０．０１〜５質量％である請求の範囲第１項または第５項記載のテスクチャリング加工用組成物。
【請求項７】
さらに、有機アミン化合物を含有する請求の範囲第１項記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項８】
上記有機アミンの含有量が、テスクチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％である請求の範囲第７項記載のテスクチャリング加工用組成物。
【請求項９】
さらに、界面活性剤を含有する請求の範囲第１項記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１０】
上記界面活性剤は、アニオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤からなる群より選ばれる少なくとも１つである請求の範囲第９項記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１１】
上記界面活性剤の含有量が、テスクチャリング加工用組成物中、総量で０．０１〜１０質量％である請求の範囲第９項または第１０項記載のテスクチャリング加工用組成物。
【請求項１２】
請求の範囲第１項乃至第１１項のいずれか一項記載のテスクチャリング加工用組成物を用いて形成されたスラリー。
【請求項１３】
スラリーの溶媒が、水、炭素数が１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数が３〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群より選ばれる少なくとも１つである請求の範囲第項１２記載のスラリー。
【請求項１４】
請求の範囲第１項乃至第１１項のいずれか一項記載のテスクチャリング加工用組成物を用いてテスクチャリング加工が施された磁気ディスク。
【請求項１５】
請求の範囲第１２項または第１３項記載のテスクチャリング加工用組成物を用いて形成されたスラリーを用いてテスクチャリング加工が施されたことを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本出願は、米国特許法１１１条（ｂ）項に基づく２００１年２月２１日出願の米国仮出願第６０／２６９，８４９号の米国特許法１１９条（ｅ），（１）項の出願日に基づく米国特許法１１１条（ａ）項の利益を主張した出願である。
【０００２】
（技術分野）
本発明は磁気ディスク用基板にテクスチャリング条痕を付けるテクスチャリング加工用組成物、該組成物を含有するスラリー、およびテクスチャリング加工された磁気ディスクに関し、特に、微細なテクスチャリング条痕を迅速に形成でき、かつテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることのできるテクスチャリング加工用組成物、該組成物を含有するスラリーおよびテクスチャリング加工された磁気ディスクに関する。
【０００３】
（背景技術）
増大する磁気ディスクの記録密度の要求を満たすために、磁気ディスク表面と磁気ヘッドとの距離が小さくなり、例えば５０〜１００ｎｍ程度になっている。このため磁気ディスクの表面はできるだけ平坦であることが必要である。磁気ディスクの平坦化に伴って、いわゆる磁気ヘッドの吸着、すなわち磁気ディスクの静止後再駆動しなくなり、ハードディスクドライブの始動が不能になるというトラブルが起こる。数年前まではこのような「磁気ヘッドの吸着」を防ぐために、通常磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）にいわゆるテクスチャリング加工を施していた。
【０００４】
テクスチャリング加工とは、所定の粒径の砥粒が付着した研磨テープあるいは砥粒の懸濁液を磁気ディスクの下地層表面に摺接して、磁気ディスク下地層の表面に微小な条痕を形成することである。このときに形成されるテクスチャリング条痕は、数年前まではいわゆる「磁気ヘッドの吸着」を防止するためのものであり、そのためにはある程度の大きさが必要だが、浮上中の磁気ヘッドと衝突する程大きくてはいけないという条件を満たす必要があり、さらにテクスチャリング条痕は十分に均一でなければならなかった。
【０００５】
このような条痕を形成するためのテクスチャリング加工用組成物としては、従来から、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒を研削液に混合したスラリーが用いられていた。
【０００６】
例えば、特開平６−３３０４２号公報には、炭素数２〜５の二価アルコール、エチレングリコール重合物またはプロピレングリコール重合物を分散媒とし、ダイヤモンド、炭化珪素、酸化アルミニウムの砥粒を分散させて得られるメモリーハード用ディスクのテクスチャリング用研磨組成物が開示されている。また、特開平８−２８７４５６号公報には、ダイヤモンド等の微粒子または粉末とアルキレングリコールモノアルキルエーテル並びに脂肪酸またはそれらの金属塩を含有する磁気ディスク用基板のテクスチャリング加工用組成物が開示されている。
【０００７】
しかし近年では、磁気ディスク内周部にレーザー加工による段差（当分野では「レーザーバンプ」といわれている。）を形成し、磁気ディスク静止時にはこの段差上に磁気ヘッドを着陸させることにより「磁気ヘッドの吸着」を防いでいる。そのため現在は「磁気ヘッドの吸着」防止とは異なる目的のためにテクスチャリング加工が行われている。
【０００８】
すなわち、テクスチャリング加工後の磁気ディスク表面に形成される磁性層中の粒子の結晶方向を揃え磁気記録を効率的に行うために、微細なテクスチャリング条痕を形成することが行われる。そのため、以前のような数μｍ程度の大きさのテクスチャリング条痕ではなく、例えば１μｍ当たり１０〜３０本の条痕が形成されている。
【０００９】
また、テクスチャリング加工前の磁気ディスク下地層に存在するサブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去するために、テクスチャリング加工が施される。これら「研磨痕」や「研磨スクラッチ」は、磁性粒子による記録読み書きの際のエラー原因となり、磁気ディスクの記録密度向上を阻害させる要因となる。
【００１０】
さらにまた、テクスチャリング後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくし磁気ヘッドの浮上高さを小さくするためにテクスチャリング加工が施されている。
【００１１】
しかし、上述の公報に開示されているテクスチャリング用研磨組成物、あるいはテクスチャリング加工用組成物は、上述の「磁気ヘッドの吸着」を防ぐことが目的であり、現在のテクスチャリング加工に必要とされる、微細なテクスチャリング条痕の形成と「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを同時に達成することは不可能であった。
【００１２】
磁気ディスクの記録密度を向上させるには、磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）のテクスチャリング加工表面粗さを小さくし磁気ヘッドの浮上高さを従来より小さくすると共に、ディスク円周方向に微細なテクスチャリング条痕を形成し磁気記録を効率的に行い、同時に、テクスチャリング加工前に行われるサブストレート研磨工程に起因する、磁気ディスクの下地層に存在する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去する必要がある。
【００１３】
テクスチャリング加工表面の表面粗さを小さくし、微細なテクスチャリング条痕を形成するためには微小な粒子ないし粉末を使用する必要があるが、通常は粒子が小さくなると加工レートが低下してしまうので、短時間のテクスチャリング加工によって「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することは困難であった。
【００１４】
本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであり、テクスチャリング加工後における、磁気ディスクの下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）が小さく、かつ微細なテクスチャリング条痕を形成すると同時に、サブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を、テクスチャリング処理により高加工レートで除去することのできるテクスチャリング組成物を提供することを目的とする。
【００１５】
（発明の開示）
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、
（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、
（ｉｉ）一般式  Ｒ１Ｏ（ＣｎＨ２ｎＯ）ｍＨ（式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、
（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸
とを含有することから成る。
【００１６】
また、微粒子または粉末の平均粒径は、０．０１〜１μｍの範囲内であることを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．００１〜５質量％であることを含む。
【００１７】
また、上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル、多価アルコールおよび上記多価アルコールの重合物の含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、総量で１〜５０質量％であることを含む。
【００１８】
更に、上記脂肪酸は、ラウリン酸又はオレイン酸であることを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜５質量％の範囲であることを含む。
【００１９】
本発明のテクスチャリング組成物は、さらに、有機アミン化合物を含有するものを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％であることを含む。
【００２０】
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、さらに、界面活性剤を含有することを含み、上記界面活性剤はアニオン系界面活性剤またはノニオン系界面活性剤であることを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、総量で０．０１〜１０質量％の範囲であることを含む。
【００２１】
また、本発明は、上記テクスチャリング加工用組成物を用いて形成されたスラリーを含み、上記スラリーの溶媒は、水、炭素数が１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数が３〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアルデヒド、テトラヒドロフランおよびジオキサンであることを含む。
【００２２】
本発明は、上記テクスチャリング加工用組成物を用いてテクスチャリング加工が施された磁気ディスクであることを含む。
【００２３】
上述のテクスチャリング加工用組成物を用いて、例えば磁気ディスク用基板等にテクスチャリング加工を行うと、１μｍ当たり約２０〜３０本の微細なテクスチャリング条痕の形成を高加工レートで行うことができ、加工前の基板の下地層に存在する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を短時間のテクスチャリング加工により除去し、高品質の磁気ディスクの生産性を飛躍的に向上させることができる。
【００２４】
（発明を実施するための最良形態）
本発明のテクスチャリング加工組成物は、（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、（ｉｉ）一般式  Ｒ１Ｏ（ＣｎＨ２ｎＯ）ｍＨ（式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、
（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸
とを含有することを特徴とするテクスチャリング加工用組成物。
【００２５】
本発明に使用されるダイヤモンドの微粒子または粉末とは、天然または工業合成のダイヤモンドであって、ＪＩＳ  Ｒ６００１−１９８７に規定されている研磨材、砥粒の粗紛および微分の粒度に準じる粒度のものをいう。ただし、これらに限定されることなく、特殊な粒度分布を有する微粒子または粉末も使用することができる。
【００２６】
本発明に使用されるＣＢＮの微粒子または粉末とは、工業的に合成されたＣＢＮであって、上記したようなＪＩＳ  Ｒ６００１−１９８７準じる粒度のものをいう。ただし、これらに限定されることなく、特殊な粒度分布を有する微粒子または粉末も使用することができる。
【００２７】
本発明に使用されるアルミナまたは炭化ケイ素の微粒子または粉末とは、ＪＩＳ  Ｒ６１１１−１９８７に規定された人造研磨材またはそれに準するものであって、ＪＩＳ  Ｒ６００１−１９８７に規定されている研磨材、砥粒の粗紛および微分の粒度またはそれに準じる粒度の、アルミナ等の微粒子または粉末をいい、更には燒結用のアルミナ粉末または炭化ケイ素粉末も本発明に含まれる。
【００２８】
上記微粒子または粉末の粒度は、最大粒径が５μｍ以下であることが好ましく、より好ましは３μｍ以下である。最大粒径が５μｍを越えると形成されたテスクチャリングの条痕が太くなりすぎることがあり、微細なテスクチャリング条痕を形成することが難しくなる。
【００２９】
また、上記微粒子または粉末の平均粒径は、０．０１〜１μｍ、好ましくは０．０３〜０．５μｍの範囲であることが望ましい。平均粒径が１μｍを越えるとテスクチャリング加工により形成される条痕が太くなりすぎることがあり、微細なテスクチャリング条痕を形成することが難しくなり、０．０１μｍ未満であると切削力が低下し、速い研磨レートでのテスクチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが難しくなる。
【００３０】
上記微粒子または粉末の含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．００１〜５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．００５〜１質量％である。微粒子等の含有量が０．００１質量％未満では、テクスチャリング加工能率が極端に低下して「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが困難になることがある。一方、微粒子等の含有量を５質量％より多くしてもテクスチャリング加工能率の更なる向上は認められず、かつ経済的でもないので、５質量％以下であることが好ましい。
【００３１】
２種類以上の微粒子または粉末を混合して使用する場合にも、含有量は上記の範囲内で混合することが好ましい。
【００３２】
上述したように、本発明の組成物は、特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテル、多価アルコール、および多価アルコールの重合体からなる群のうち少なくとも１つを含有する。特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、一般式  Ｒ１Ｏ（ＣｎＨ２ｎＯ）ｍＨ  で表されるものが挙げられる。ただし、式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３の整数を示す。
【００３３】
本発明に好ましく用いられるアルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、具体的には、
エチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
エチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
エチレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２）２ＯＨ）、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２）２ＯＨ）、
トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２）３ＯＨ）、
トリエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ２ＣＨ２）３ＯＨ）、
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３ＯＨ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
本発明に好ましく用いられる炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物としては、具体的には、
エチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
プロピレングリコール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）、
１，３−プロパンジオール（ＨＯ（ＣＨ２）３ＯＨ）、
１，２−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
１，３−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
１，４−ブタンジオール（ＨＯ（ＣＨ２）４ＯＨ）、
２，３−ブタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
１，２−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）、
１，３−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
１，４−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
１，５−ペンタンジオール（ＨＯ（ＣＨ２）５ＯＨ）、
２，３−ペンタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
２，４−ペンタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−１，２−プロパンジオール（ＨＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−１，３−プロパンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）、
２−メチル−１，２−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
２−メチル−１，３−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−１，４−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
２−メチル−２，３−ブタンジオール（ＣＨ３Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−２，４−ブタンジオール（ＣＨ３Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ）、
２−メチル−３，４−ブタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）、
ジエチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
トリエチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ポリエチレングリコール（ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｑＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ジプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＨ）、
トリプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＨ）、
ポリプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ
３）Ｏ）ｑＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＨ）、
グリセリン（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）
等が挙げられる。本発明は、これらに限定されるものではなく、また、これらを単独で、または２種類以上を混合して用いることができる。なお、上記化合物のポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールの一般式におけるｑは４以上の整数である。
【００３５】
本発明においては、上記特定のアルキレングリコールエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物の含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、総量で１〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜３０質量％である。
【００３６】
上記含有量が１質量％未満では、後述する脂肪酸を完全に溶解することは難しく、かつ加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは難しい。また、含有量が５０質量％より多いとテクスチャリング加工用組成物の粘度が高くなり、均質で微細なテクスチャリング条痕を形成すること、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることが困難になる。
【００３７】
本発明に使用される脂肪酸としては、炭素数１０〜２２の飽和またはモノ、ジ、およびトリ不飽和脂肪酸が挙げられ、具体的には、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、脂肪酸の金属塩は含まれない。
【００３８】
本発明においては、上記脂肪酸を単独でまたは混合して使用することができる。また、炭素数１０〜２２以外の範囲の脂肪酸を混合して使用することもできるが、本発明の目的を十分に達成させるためには炭素数１０〜２２の脂肪酸を主に使用することが好ましい。
【００３９】
脂肪酸の含有量は総量で、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％、好ましくは０．０５〜５質量％であることが好ましい。含有量が０．０１質量％未満では加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは難しく、かつ微細なテクスチャリング条痕の形成が困難である場合がある。一方、含有量が５質量％より多くてもそれ程効果の向上が認められず、また本発明の組成物として均一分散系にすることが難しくなるので、５質量％以下であることが好ましい。
【００４０】
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、さらに有機アミン化合物を含有することが好ましい。本発明に好ましく用いられる有機アミン化合物としては、具体的には、
メチルアミン（ＣＨ３ＮＨ２）、
エチルアミン（ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ２）、
プロピルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）２ＮＨ２）、
イソプロピルアミン（（ＣＨ３）２ＣＨＮＨ２）、
ブチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＮＨ２）、
アミルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）４ＮＨ２）、
ヘキシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）５ＮＨ２）、
ヘプチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）６ＮＨ２）、
オクチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＮＨ２）、
ノニルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）８ＮＨ２）、
デシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）９ＮＨ２）、
ウンデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＮＨ２）、
ドデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１１ＮＨ２）、
トリデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１２ＮＨ２）、
テトラデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１３ＮＨ２）、
ペンタデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１４ＮＨ２）、
セチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＮＨ２）、
ジメチルアミン（（ＣＨ３）２ＮＨ）、
ジエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ）、
ジプロピルアミン（（ｎ−Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ）、
ジイソプロピルアミン（（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ）、
ジブチルアミン（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）２ＮＨ）、
ジアミルアミン（（ｎ−Ｃ５Ｈ１１）２ＮＨ）、
トリメチルアミン（（ＣＨ３）３Ｎ）、
トリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ）、
トリプロピルアミン（（ｎ−Ｃ３Ｈ７）３Ｎ）、
トリブチルアミン（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）３Ｎ）、
トリアミルアミン（（ｎ−Ｃ５Ｈ１１）３Ｎ）、
アリルアミン（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＮＨ２）、
ジアリルアミン（（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２）２ＮＨ）、
トリアリルアミン（（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２）３Ｎ）、
アニリン（Ｃ６Ｈ５ＮＨ２）、
メチルアニリン（Ｃ６Ｈ５ＮＨＣＨ３）、
ジメチルアニリン（Ｃ６Ｈ５Ｎ（ＣＨ３）２）、
エチルアニリン（Ｃ６Ｈ５ＮＨＣ２Ｈ５）、
ジエチルアニリン（Ｃ６Ｈ５Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）、
トルイジン（Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）（ＮＨ２））、
ベンジルアミン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ２ＮＨ２）、
ジベンジルアミン（（Ｃ６Ｈ５ＣＨ２）２ＮＨ）、
トリベンジルアミン（（Ｃ６Ｈ５ＣＨ２）３Ｎ）、
ジフェニルアミン（（Ｃ６Ｈ５）２ＮＨ）、
トリフェニルアミン（（Ｃ６Ｈ５）３Ｎ）、
ナフチルアミン（Ｃ１０Ｈ７ＮＨ２）、
エタノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、
プロパノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、
ブタノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、
ジエタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）２ＮＨ）、
ジプロパノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２ＮＨ）、
ジブタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２ＮＨ）、
トリエタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）３Ｎ）、
トリプロパノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３Ｎ）、
トリブタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３Ｎ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、これらは単独で、または２種類以上を混合して用いることができる。
【００４１】
有機アミン化合物の含有量は、総量で、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％、好ましくは０．０５〜１０質量％であることが好ましい。含有量が０．０１質量％未満では加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは難しい。一方、含有量が２０質量％より多くてもそれ程効果の向上が認められないので、２０質量％以下であることが好ましい。
【００４２】
上記ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素等の微粒子又は粉末と、上記アルキルエーテル又はアルコール又はその重合物と、上記脂肪酸はそれぞれ所定量混合し、充分攪拌することにより、テクスチャリング加工用組成物になる。
【００４３】
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、さらに界面活性剤を含有することが好ましい。本発明の目的を十分に達成するためには、テクスチャリング加工用組成物における、ダイヤモンド等の微粒子または粉末以外の成分は均一溶液になっていることが望ましく、少なくともエマルジョン状態になっていることが望ましいので、界面活性剤を添加して均一溶液化またはエマルジョン化することが望ましい。
【００４４】
本発明に用いられる界面活性剤としては、陰イオン性界面活性剤（アニオン系界面活性剤）、陽イオン性界面活性剤（カチオン系界面活性剤）、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられ、これらのいかなる種類のものを用いても十分に性能を発揮することができるが、本発明においては特に非イオン性界面活性剤が好ましい。
【００４５】
また、必要に応じて用いられる、アニオン系界面活性剤としては、公知のカルボン酸塩（石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド等）、スルホン酸塩（アルカンスルホン酸塩（アルキルベンゼンスルホン酸塩を含む）およびアルキルナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α―オレヒィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩等）、硫酸エステル塩（硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩等）、燐酸エステル塩（アルキル燐酸塩、アルキルエーテル燐酸塩、アルキルアリルエーテル燐酸塩等）から選ばれ、低分子の化合物や高分子型化合物も含まれる。ここで、塩とはＬｉ塩、Ｎａ塩、Ｋ塩、Ｒｂ塩、Ｃｓ塩、アンモニウム塩の少なくとも１種から選ばれる。
【００４６】
例えば、石鹸としては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８の脂肪酸塩であり、一般には脂肪酸基としては、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸が挙げられ、Ｎ−アシルアミノ酸塩としては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８のＮ−アシル−Ｎ−メチルグリシン塩やＮ−アシルグルタミン酸塩が挙げられる。アルキルエーテルカルボン酸塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の化合物が挙げられ、アシル化ペプチドとしては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８の化合物が挙げられる。スルホン酸塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられ、例えばアルカンスルホン酸では、ラウリルスルホン酸、ジオクチルサクシンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。硫酸エステル塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられ、例えばラウリル硫酸、ジオクチルサクシン硫酸、ミリスチル硫酸、ステアリル硫酸等のアルキル硫酸塩、燐酸エステル塩としては、炭素数がＣ８〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられる。また、ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル等が挙げられる。さらには前記アニオン系界面活性剤やノニオン系界面活性剤以外に公知のフッ素系界面活性剤が使用できる。
【００４７】
界面活性剤の添加量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．０５〜５質量％であることが好ましい。添加量が０．０１質量％未満では微細なテクスチャリング条痕の形成が困難になる場合があり、１０質量％より多いと、ダイヤモンド等の微粒子または粉末が滑ってしまい、加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング処理により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは困難になる。
【００４８】
さらに本発明の研磨材スラリー組成物には、上記界面活性剤以外にスラリーの沈降防止あるいは安全性向上を図るために、必要に応じてトリポリリン酸塩のような高分子分散剤、ヘキサメタリン酸塩等のリン酸塩、メチセルロース、カルボキシメチセルロース等のセルロースエーテル類、ポリビニルアルコール等の水溶性高分子などの添加剤を添加することもできる。これらの添加剤の添加量は、研磨材に対して、０．０５〜２０質量％の範囲内であることが一般的に好ましく、特に好ましくは０．１〜１０質量％の範囲である。
【００４９】
本発明のテクスチャリング加工用組成物を用いれば、磁気ディスク用基板の下地層に対して均質で微細なテクスチャリング条痕を形成することができ、また、高い加工レートでテクスチャリング加工を行っても、サブストレート研磨工程起因の「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することができる。特に磁気ディスクの下地層がＮｉ−Ｐメッキや、ガラスである場合に、優れた効果を発揮する。
【００５０】
本発明は、テクスチャリング加工用組成物のみから成っていても良いが、適当な溶媒を用いて適当な濃度に組成物を希釈されて形成したスラリーであっても良い。スラリーの製造方法は特に限定されるものではなく、乾式粉砕プロセス、湿式粉砕プロセス等の当分野で使用される技術を適宜用いて製造することができる。
【００５１】
上記のスラリーの溶媒としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等の炭素数が１乃至１０の１価アルコール類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン、ジオキサンからなる群から選ばれた少なくとも１種が用い得る。中でも、水、アルコール類が好ましく使用される。
【００５２】
次に図面を用いてテクスチャリング加工方法を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
図１は磁性層を形成する前の状態の磁気ディスク用基板の構成を模式的に示す断面図の一例である。磁性層未設の磁気ディスク用基板１は、Ａ１合金等の基板１１と、その両面に形成されたＮｉ−Ｐメッキの下地層１２とから成る。ただし、磁気ディスクは、下地層１２の表面にテクスチャリング加工を施して、テクスチャリング条痕を付けた後、その上に磁性層が形成されている。基板１１がガラスの場合には、下地層１２を設けずに、ガラスの表面に直接テクスチャリング加工を施してテクスチャリング条痕を付し、その上に直接磁性層を、もしくは下地層を形成した上に磁性層を形成することができる。なお、以下の説明においては下地層にテクスチャリング加工を施す方法を示すが、ガラス表面にテクスチャリング加工を施す場合にも同様に適用されるものとする。
【００５４】
下地層１２の表面にはテクスチャリング加工前に鏡面研磨が施され、好ましくは平均表面粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ以下にする。
【００５５】
図２（ａ）は磁気ディスク用基板１にテクスチャリング加工を施す状態の一例を示す模式的断面図であり、図２（ｂ）はこの状態を示す斜視図である。磁気ディスク用基板１における下地層１２の表面にそれぞれテープ２をローラー３で押圧し、磁気ディスク表面と接触させる。テープ２の上方に設けたスラリー供給装置４からテクスチャリング加工用組成物のスラリー５をテープ表面および／または磁気ディスク表面に供給し、テープ２を押しつけたまま磁気ディスク１を回転させて、磁気ディスクの下地層にテクスチャリング条痕を形成する。図２（ｂ）において、テープ２は、ローラー３の回転により、磁気ディスク１の回転方向と同方向または逆方向に進行させることが可能である。すなわち、接触部分が磁気ディスク用基板上を同心円状に摺動し、テープに保持される砥粒が磁気ディスク面を転がることによって、凹凸のテクスチャリング条痕を形成する。スラリー供給装置４によるスラリー供給は、スラリーを連続的に供給しても良い。また、間隔をあけて供給しても良く、または不連続的に供給しても良い。また、テープ２を押圧する方法はローラー自体の重さで押圧しても、外部から圧力をかけてもよく、後者の場合その押圧する圧力は適宜選択されるものとするが、０．１〜２０ｋｇ、好ましくは０．５〜１０ｋｇの範囲であることが好ましい。
【００５６】
摺接用テープの材質としては、ナイロン、ポリエステル等の繊維からなる織布テープ、不織布テープあるいは、植毛布テープや、ポリウレタンの発泡テープを使用することができる。
【００５７】
テクスチャリング加工において、磁気ディスク用基板１の回転速度は５０〜２０００ｒｐｍ、好ましくは１００〜１，０００ｒｐｍとすることが好ましい。回転速度が５０ｒｐｍより遅いと加工レートが低下するためテクスチャリング加工により短時間で「研磨傷」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することが難しくなる。２０００ｒｐｍより速いとテクスチャリング加工用組成物が下地層表面に留まれず周囲に飛散するので装置の汚染源となり実用的ではない。
【００５８】
テクスチャリング加工した下地層上に中間層、磁性層を形成して磁気ディスクを得る。中間層、磁性層はメッキ法、スパッタリング法、蒸着法等により薄く（一般に、０．０５〜０．１５μｍ）形成するので、磁性層の表面にはテクスチャリング条痕とほとんど同じ条痕が現れる。磁性層の上に更に保護層を形成してもよく、かかる保護層は、カーボン等の潤滑性の良好な材料をスパッタリング法等で薄く（一般に、０．０１〜０．０３μｍ）形成したものである。従って、保護層の表面にもテクスチャリング条痕跡とほぼ同じ条痕跡が現れる。
【００５９】
本発明を以下の実施例により詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。また、以下の実施例ではアルキレングリコールモノアルキルエーテルとしてジエチレングリコールモノブチルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物としてエチレングリコールを、脂肪酸としてラウリン酸をそれぞれ使用したが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
【００６０】
実施例１〜１１
各実施例において、３．５インチの磁気ディスク用アルミニウム基板にＮｉ−Ｐをメッキして下地層を形成したものに、あらかじめ鏡面処理を施しておいた。これを、図２に示すような構成のテクスチャリングマシン（米国Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ  Ｄｅｓｉｇｎ社製  ＥＤＣ−１８００Ａ型）に取り付けた。
【００６１】
各実施例において、スラリー供給装置から、表１に示す組成のテクスチャリング加工用組成物からなるスラリーを摺接用テープの研磨処理部分の上方に供給しつつ、ディスクを２００ｒｐｍの速度で回転させた。スラリーの供給速度は１０ｍｌ／ｍｉｎで、テクスチャリング加工を行っている間、連続的に供給した。
【００６２】
また、磁気ディスク用基板と同方向にテープが進行速度５ｃｍ／ｍｉｎで進行するようにローラを回転させた。なお、テクスチャリング時のローラーの押圧は２．０ｋｇであり、テクスチャリング加工時間は３０秒とした。
【００６３】
テクスチャリング加工完了後の磁気ディスク用基板について、以下の方法で評価を行った。
評価方法：
（１）テクスチャリング条痕数（条痕数）
原子間力顕微鏡（米国Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ−ＩＩＩ）を用いて、磁気ディスク表面（下地層）上の１μｍ×１μｍの視野範囲を観察し、テクスチャリング条痕の数をカウントした。
【００６４】
（２）加工レート
テクスチャリング加工前と後の磁気ディスクの重量を測定し、加工前後の重量減少値を求め、これを処理時間で除して、１分当たりの重量減少値に換算して加工レートとした。
【００６５】
（３）平均表面粗さ（Ｒａ）
触針式表面粗さ測定機（英国Ｔａｙｌｏｒ  Ｈｏｂｓｏｎ社製、Ｔａｌｙｓｔｅｐ）を用いて加工後のディスク用基板表面（下地層）の平均表面粗さを測定した。
得られた評価結果を表１に示す。
【００６６】
比較例１〜８
実施例１において、テクスチャリング加工用組成物を表２に示す組成のものに変更した以外は実施例１と同様にして、テクスチャリング加工を行った。また、テクスチャリング加工後の磁気ディスク用基板について、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を２に示す。
【００６７】
【表１】
2004515609.tif 000003
【００６８】
【表２】
2004515609.tif 000004
【００６９】
表１から明らかなように、実施例１〜１１は細いテクスチャリング条痕の形成および高い加工レートを達成することができ、かつ、下地層表面の平均表面粗さを小さくすることができた。
【００７０】
一方、比較例１〜８は、表２に示されるように、微細なテクスチャリング条痕の形成と「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを同時に達成することは不可能であった。
【００７１】
（産業上の利用可能性）
本発明のテクスチャリング加工用組成物を用いて、例えば磁気ディスク用基板等にテクスチャリング加工を行うと、磁気ディスク基板上１μｍ当たり約２０〜３０本の微細なテクスチャリング条痕の形成を、今までのテクスチャリング加工用組成物では成し得ない高加工レートで行うことができ、かつテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることができる。このため、テクスチャリング加工前の下地層に存在する「研磨傷」や「研磨スクラッチ」の除去を短時間のテクスチャリング加工で行うことが可能となり、磁気ディスクの生産性を飛躍的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
磁性層が未設の磁気ディスク基板の構成を示す模式的断面図である。
【図２】
（ａ）は磁気ディスク基板にテクスチャリング加工を施す状態を模式的に示す正面図である。
（ｂ）は図２（ａ）の磁気ディスク用基板の斜視図である。
【図１】
2004515609.tif 000005
【図２】
2004515609.tif 000006
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004515609.tif 000043