(57)【要約】６３０から６８０ｎｍの波長のレーザビームで書込可能かつ読出可能なＤＶＤ−Ｒ型光学データ記憶手段のための記録媒体は、レーザエネルギの吸収のため、サブフタロシアニン（ｓＰｃＹ）を含む。ｓＰｃＹは、部分的にはビス−もしくはトリスフェノレートまたはビス−もしくはトリスチオフェノレート（ｂＰｈまたはｔＰｈ）を有するイオン錯体として、および部分的にはアニオン金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体（ＭＣ）を有するイオン錯体として記録媒体中に存在する。イオン錯体は以下の構造を有する。【化１】2004528198.tif 000014ここで、ｓＰｃＹ−、ｓＰｃＹ′−、ｓＰｃＹ″−およびｓＰｃＹ″′−は等しいかまたは異なっている。記録媒体は非常に高い安定性を呈し、非常に速い書込速度で書込可能である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
６３０から６８０ｎｍの波長のレーザビームで書込可能かつ読出可能な光学データ記憶手段のための記録媒体であって、前記記録媒体は、レーザエネルギの吸収のため、部分的にはビス−もしくはトリスフェノレートまたはビス−もしくはトリスチオフェノレート（ｂＰｈまたはｔＰｈ）を有するイオン錯体として、および部分的にはアニオン金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体（ＭＣ）を有するイオン錯体として存在するサブフタロシアニン（ｓＰｃＹ）を含み、前記イオン錯体は以下の構造を有し、
【数１】
2004528198.tif 000010
ここでｓＰｃＹ−、ｓＰｃＹ′−、ｓＰｃＹ″−およびｓＰｃＹ″′−は等しいかまたは異なっており、かつ以下の構造を有し、
【化１】
2004528198.tif 000011
ここで、互いとは独立したＡ１からＡ１２は、−Ｈ、−ハロゲン、−アルキル、−アリール、−アルキル−アリール、−オキシ−アルキル、−オキシ−アリール、−オキシ−アルキル−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリールまたは−チオ−アルキル−アリールであり、前記アルキル基は１から２０個の炭素原子を有し、前記アリール基は、−フェニルもしくは−ナフチル基またはハロゲン置換されたその誘導体であり、Ｙはホウ素またはアルミニウムであり、
ｂＰｈおよびｔＰｈは以下の一般構造を有し、
【化２】
2004528198.tif 000012
ここで、Ｚの位置には、何もないか、−ＣＨ2−、−Ｃ2Ｈ4−、−Ｓ−、−Ｏ−または−ＮＨ−が存在し、Ｚ′の位置には、ｎ＝１、２もしくは３である−（ＣnＨ(2n-1)）＜または−Ｎ＜が存在し、各ベンゼン環は、−Ｏ-または−Ｓ-基に加えて、さらなる置換基Ｒ１からＲ６を２つまで保持し、互いとは独立したＲ１からＲ６は、−ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ2、−アルキル、−アリール、−アルキル−アリール、−オキシ−アルキル、−オキシ−アリール、−オキシ−アルキル−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリール、−チオ−アルキル−アリール、−ＳＯ3Ｈ、−ＳＯ2Ｈ、−ＳＯ3Ｎ（アルキル）2、−ＮＨ2、−ＮＨ（アルキル）、−ＮＨ（アリール）、−Ｎ（アルキル）2、−Ｎ（アリール）2であり、前記アルキル基は１から８個の炭素原子を含み、前記アリール基は、−フェニルまたは−ナフチルまたは置換されたその誘導体であり、
ＭＣは以下の一般構造の金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体であり、
【化３】
2004528198.tif 000013
ここで、Ｍ＝Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＯ、Ｃｒ、Ｖ、ＶＯ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＧｅまたはＳｉであり、各ベンゼン環は置換基Ｒ′１からＲ′８を２つまで保持し、互いとは独立したＲ′１からＲ′８は、−ハロゲン、−ＮＯ2、−ＮＨ2、−ＮＨ（アルキル）、−ＮＨ（アリール）、−Ｎ（アルキル）2、−Ｎ（アリール）2、−ＣＮ、−オキシ−アルキル、−オキシ−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリールであり、前記アルキル基は１から８個の炭素原子を有し、前記アリール基は−フェニルまたは−ナフチルまたは置換されたその誘導体である、記録媒体。
【請求項２】
ビス−またはトリス−フェノレートまたは−チオフェノレートを含むイオン錯体と、アニオン金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体を含むイオン錯体とのモル比は１：９９から９９：１の間にあることを特徴とする、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
サブフタロシアニンは、等しい置換基Ａ１，Ａ４，Ａ５，Ａ８，Ａ９およびＡ１２ならびに等しいＡ２，Ａ３，Ａ６，Ａ７，Ａ１０およびＡ１１を少なくとも部分的に有することを特徴とする、請求項１または２に記載の記録媒体。
【請求項４】
ビス−またはトリス−フェノレートまたは−チオフェノレートにおいて、置換基Ｒ１およびＲ２は置換基Ｒ３およびＲ４と同じであり、かつ置換基Ｒ５およびＲ６と同じであることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の記録媒体。
【請求項５】
金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体において、置換基Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５およびＲ７
はすべて同じであり、かつ置換基Ｒ２，Ｒ４，Ｒ６およびＲ８はすべて同じであることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の記録媒体。
【請求項６】
金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体において、置換基は、次のような態様、すなわちＲ１／Ｒ２＝Ｒ７／Ｒ８およびＲ３／Ｒ４＝Ｒ５／Ｒ６の態様で同じであることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の記録媒体。
【請求項７】
記録媒体は、サブフタロシアニンに加えて、レーザエネルギを吸収する少なくとも１つのさらなる化合物を含むことを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の記録媒体。
【請求項８】
さらなるレーザエネルギ吸収化合物は、シアニン染料、スチリル染料、ホルマザン染料、ジアゾ染料または金属化ジアゾ染料であることを特徴とする、請求項７に記載の記録媒体。
【請求項９】
記録媒体は、メタロセン、アセチルアセトナト金属錯体、Ｎ，Ｎ′−テトラ置換ｐジアミノフェノールおよび／またはキノリンをさらに含むことを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の記録媒体。
【請求項１０】
透明プラスチックからなる基板、反射層および基板と反射層との間に配置される記録層を含むＤＶＤ−Ｒ型データ記憶手段であって、記録層は、請求項１から９のいずれかに記載の記録媒体からなることを特徴とする、データ記憶手段。
【請求項１１】
記録層と反対向きの反射層の側に、透明プラスチックからなる第２の層が設けられることを特徴とする、請求項１０に記載のデータ記憶手段。
【請求項１２】
反射層および第２のプラスチック層の上には各々保護ワニス層が設けられ、保護ワニス層は、接着剤で互いと接合されることを特徴とする、請求項１１に記載のデータ記憶手段。
【請求項１３】
反射層は、金、銀、アルミニウム、または金、銀もしくはアルミニウムの合金からなることを特徴とする、請求項１０から１２のいずれかに記載のデータ記憶手段。
【請求項１４】
記録媒体のイオン錯体は個別に合成され、精製されかつ乾燥され、それらは次に有機溶媒中に所望の量比で溶解されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の記録媒体を製造するための方法。
【請求項１５】
イオン錯体は、ハロゲン化サブフタロシアニンを過剰なビス−もしくはトリス−フェノレートもしくは−チオフェノレートまたは金属チオレン錯体もしくは金属ジアゾ錯体と反応させることによって合成されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
過剰とはモルで５倍過剰であることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
イオン錯体は、６０−１００℃の温度で５から５０時間の間反応混合物を攪拌することによって合成されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
ハロゲン化サブフタロシアニンは、１，８ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）が存在する中で、フタロニトリルをハロゲン化ホウ素またはハロゲン化アルミニウムと反応させることによって合成されることを特徴とする、請求項１５から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
ＤＢＵは、フタロニトリルに対するモル比が０．１：２から１：２となるように適用されることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は光学データ記憶手段の分野に存在し、第１の独立クレームのプリアンブルに従う光学記録媒体と、対応の独立クレームのプリアンブルに従う光学記録媒体を製造するための方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
公知の光学データ記憶手段は、透明プラスチックからなるディスク状基板、基板上に堆積される記録層および記録層上に堆積される反射層を含む。基板は、記録層が堆積される一方の側に螺旋状の記録溝を含む。書込ビームとして働くレーザビームでこの溝に沿って書込むことによってデータが記憶されて、記録層が局所的に変更され、記録層と基板との間に泡状のピットが形成される。読出ビームとして働くさらなるレーザビームは、書込まれたトラックを走査し、反射層での読出ビームの反射が読出信号として記録される。
【０００３】
ＤＶＤ−Ｒ（記録可能デジタル多目的ディスク）型光学データ記憶手段は、記録溝が互いにより接近して存在し、かつディスクが通常は２枚の基板を含み、その間に記録層と反射層とが配置されるという点においてＣＤ−Ｒ（記録可能コンパクトディスク）型光学データ記憶手段と異なっている。ＤＶＤ−Ｒの書込および読出には６３０から６８０ｎｍの波長のレーザビームが用いられる（ＣＤ−Ｒ：７８０ｎｍ）。好適な記録層は、レーザエネルギを吸収するため、たとえば、以下の一般式のサブフタロシアニン−ホウ素化合物を含む記録媒体からなる。
【０００４】
【化１】
2004528198.tif 000002
【０００５】
ここで、互いとは独立したＡ１からＡ１２は、−Ｈ、−ハロゲン、−アルキル、−アリール、−アルキル−アリール、−オキシ−アルキル、−オキシ−アリール、オキシ−アルキル−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリール、または−チオ−アルキル−アリールであり、アルキル基は１から２０個の炭素原子を有し、アリール基はフェニルもしくはナフチル基またはそれらのハロゲン誘導体であり、Ｙはホウ素である。
【０００６】
たとえば公報ＵＳ５７７６６５６に記載のように、Ｘは、ハロゲン、−ＯＨ、−ＯＣ2Ｈ5または−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルである。同じ公報においては、Ｘが好ましくは未置換のフェニルまたはフェノキシ基であることが示唆される。
【０００７】
記録層は、たとえば金属錯体（たとえば金属−チオレン錯体）の形態で消光剤を、および適切な場合は、たとえばアミンなどの安定剤を公知の態様でさらに含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明の目的は、６３０から６８０ｎｍの間の波長のレーザで読出可能かつ書込可能な光学データ記憶手段（たとえばＤＶＤ−Ｒ）のための記録媒体であって、サブフタロシアニンに基づき、かつ光および気候の影響に対する特に高い安定性と、この発明に従う記録媒体の記録層に非常に高速で（特に低い最適書込エネルギで）書込みし得ることとにより公知のそのような記録媒体とは区別される記録媒体を提供することである。さらに、この発明の目的は、記録媒体を製造するための方法をもたらすことである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
これらの目的は、クレームに規定されるような記録媒体およびその製造方法によって達成される。
【００１０】
この発明に従う記録媒体は、中心原子としてホウ素またはアルミニウムを有するサブフタロシアニンをレーザエネルギ吸収化合物として含む。この発明に従う記録媒体中のこのサブフタロシアニンはイオン錯体の形態で存在し、特に、部分的には２もしくは３サブフタロシアニン単位（ｓＰｃＹ−）およびビス−もしくはトリフェノレートまたはビス−もしくはトリスチオフェノレート（−ｂＰｈ−、もしくは＞ｔＰｈ−）イオンからなるイオン錯体として、および部分的にはサブフタロシアニン単位（ｓＰｃＹ−）およびアニオン金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体（ＭＣ）（Ｍｅｔａｌｌ−Ｄｉａｚｏ−Ｋｏｍｐｌｅｘ（ＭＫ））からなるイオン錯体として存在する。このように、この発明に従う記録媒体は以下のイオン錯体を含む。
【００１１】
【数１】
2004528198.tif 000003
【００１２】
ここで、ｓＰｃＹ、ｓＰｃＹ′、ｓＰｃＹ″およびｓＰｃＹ″′は等しいかまたは異なるサブフタロシアニンであり、かつ以下の一般式を有する。
【００１３】
【化２】
2004528198.tif 000004
【００１４】
ここで、互いとは独立したＡ１からＡ１２は、−Ｈ、−ハロゲン、−アルキル、−アリール、−アルキル−アリール、−オキシ−アルキル、−オキシ−アリール、−オキシ−アルキル−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリールまたは−チオ−アルキル−アリールであり、アルキル基は１から２０個の炭素原子を有し、アリール基は、フェニルもしくはナフチル基またはハロゲン置換されたその誘導体であり、Ｙはホウ素またはアルミニウムである。
【００１５】
ここで、ｂＰｈおよびｔＰｈは以下の一般構造を有する。
【００１６】
【化３】
2004528198.tif 000005
【００１７】
ここで、Ｚの位置には、何もないか、−ＣＨ2−、−Ｃ2Ｈ4−、−Ｓ−、−Ｏ−または−ＮＨ−が存在し、Ｚ′の位置には、ｎ＝１、２もしくは３である−（ＣnＨ(2n-1)）＜または−Ｎ＜が存在し、各ベンゼン環は、−Ｏ-または−Ｓ-基に加えて、さらなる置換基Ｒ１からＲ６を２つまで保持し、互いとは独立したＲ１からＲ６は、−ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ、−アルキル、−アリール、−アルキル−アリール、−オキシ−アルキル、−オキシ−アリール、−オキシ−アルキル−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリール、−チオ−アルキル−アリール、−ＳＯ3Ｈ、−ＳＯ2Ｈ、−ＳＯ3Ｎ（アルキル）2、−ＮＨ2、−ＮＨ（アルキル）、−ＮＨ（アリール）、−Ｎ（アルキル）2、−Ｎ（アリール）2であり、アルキル基は１から８個の炭素原子を含み、アリール基は−フェニルまたは−ナフチルまたは置換されたその誘導体である。
【００１８】
ＭＣは、以下の一般構造の金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体である。
【００１９】
【化４】
2004528198.tif 000006
【００２０】
ここで、Ｍ＝Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＯ、Ｃｒ、Ｖ、ＶＯ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＧｅまたはＳｉであり、各ベンゼン環は置換基Ｒ′１からＲ′８を２つまで保持し、互いとは独立したＲ′１からＲ′８は、−ハロゲン、−ＮＯ2、−ＮＨ2、−ＮＨ（アルキル）、−ＮＨ（アリール）、Ｎ（アルキル）2、Ｎ（アリール）2、−ＣＮ、−オキシ−アルキル、オキシ−アリール、−チオ−アルキル、−チオ−アリールであり、アルキル基は１から８個の炭素原子を有し、アリール基は−フェニルまたは−ナフチルまたは置換されたその誘導体である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
この発明に従う記録媒体中に存在するサブフタロシアニン単位は、すべて等しく置換され、かつ同じ中心原子Ｙ（ホウ素もしくはアルミニウム）を有してもよく、または、それらは、異なって置換され、異なる中心原子Ｙを有してもよい。有利には、すべてのサブフタロシアニン単位において、置換基Ａ１からＡ４は置換基Ａ５からＡ８に等しく、かつ置換基Ａ９からＡ１２に等しい。
【００２２】
サブフタロシアニンの好ましい例は以下の置換基を有する。
【００２３】
Ａ１からＡ１２＝−Ｈ（未置換ｓＰｃＹ）；
Ａ１、Ａ４、Ａ５、Ａ８、Ａ９、Ａ１２＝−オクチル、およびＡ２、Ａ３、Ａ６、Ａ７、Ａ１０、Ａ１１＝−Ｈ；
Ａ２、Ａ３、Ａ６、Ａ７、Ａ１０、Ａ１１＝−オクチル、およびＡ１、Ａ４、Ａ５、Ａ８、Ａ９、Ａ１２＝−Ｈ；
Ａ２またはＡ３、Ａ６またはＡ７、Ａ１０またはＡ１１＝−Ｓ−オクチル、およびそれ以外すべて＝−Ｈ；
Ａ２、Ａ６、Ａ１０＝−フェノキシ、およびそれ以外すべて＝−Ｈ；
Ａ１、Ａ５、Ａ９＝−チオフェノキシ、およびそれ以外すべて＝−Ｈ；
Ａ１、Ａ５、Ａ９＝−オキシ−ヘキシル、Ａ３、Ａ７、Ａ１１＝−Ｃｌである。
【００２４】
この発明に従う記録媒体中のビス−もしくはトリスフェノレートまたはビス−もしくはトリスチオフェノレートのうち１つまたはさまざまなそのようなフェノレートの混合物が存在してもよい。同時に、フェノレートの各々において、置換基Ｒ１／Ｒ２は有利には置換基Ｒ３／Ｒ４およびＲ５／Ｒ６と同じである。
【００２５】
ビス−およびトリスフェノレートまたは−チオフェノレートの好ましい例は、以下のフェノールのアニオンである。
【００２６】
２，２′−メチレン−ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）
２，２′−メチレン−ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール）
２，２′−メチレン−ビス（４，６−ジメチルフェノール）
２，２′−イソブチリデン−ビス（４，６−ジメチルフェノール）
２，２′−メチレン−ビス（４−メチル−６−α−シクロヘキシルフェノール）
４，４−メチレン−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）
４，４−ブチリデン−ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノール）
２，２′−チオ−ビス（６−ｔｅｒ−ブチル−４−メチルフェノール）
２，２′−チオ−ビス（４−メチル−６−α−メチルベンジルフェノール）
２，２′−チオ−ビス（４，６−ジｓｅｃ（ｓｅｋ）−アミルフェノール）
４，４′−チオ−ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェノール）
ビス（４−ヒドロキシ（hyroxy）−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル）−硫化物
２，２′−ビス（５−ジエチルアミノ−フェノール）
４，４′−ジエチル−６，６′−ジｔｅｒｔ−ブチル−２，２′−ビスフェノール
４，４′−ジエチル−６，６′−ジｔｅｒｔ−ブチル−２，２′−ビス−チオフェノール
１，１，３−トリス（５′−ｔｅｒｔ−ブチル−４′−ヒドロキシ−２′−メチルフェニル）−ブタン。
【００２７】
好ましいアニオン金属チオレン錯体および金属ジアゾ錯体は以下のとおりである。
【００２８】
【化５】
2004528198.tif 000007
【００２９】
イオン錯体（ｓＰｃＹ）2−ｂＰｈまたは（ｓＰｃＹ）3−ｔＰｈ（サブフタロシアニンとビス−またはトリス−フェノレートまたは−チオフェノレートとのイオン錯体）とイオン錯体ｓＰｃＹ−ＭＣ（サブフタロシアニンとアニオン金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体とのイオン錯体）との間のモル比は、１：９９から９９：１の間である。
【００３０】
記録媒体は、さらなるレーザエネルギ吸収化合物として、フタロシアニンイオン錯体に加えて、シアニン、スチリル、ホルマザン、ジアゾおよび／または金属化ジアゾ染料を含んでもよい。さらに、記録媒体は、レーザエネルギ吸収化合物または複数のその化合物の１００重量部当たり１０重量部までの、メタロセン（たとえばフェロセン）、アセチルアセトナト金属錯体、Ｎ，Ｎ′−テトラ−アルキル−（または−アリール）置換されたｐジアミノベンゼンおよび／またはキノリンを含んでもよい。
【００３１】
中心原子としてホウ素またはアルミニウムを有するサブフタロシアニンは、好適に置換された１，２−ジシアノ−ベンゼン（フタロニトリル）が、ハロゲン化ホウ素またはハロゲン化アルミニウム（有利には塩化ホウ素または塩化アルミニウム）と反応することによって製造される。１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）が触媒として用いられる（有利には、フタロニトリルに対するモル比は０．１：２から１：２である）。この反応がハロゲン化サブフタロシアニンを生じる。
【００３２】
次に、ハロゲン化サブフタロシアニンは、好適な有機溶媒または溶媒混合物中に、一方では過剰なビス−またはトリスフェノレートで溶解され、他方では過剰なアニオン金属チオレン錯体または金属ジアゾ錯体（有利には約５倍過剰）で溶解され、温度を上昇させてより長い間攪拌される（たとえば６０−１００℃で５から５０時間）。
【００３３】
次に、水溶性の塩が水で洗い落とされ、再結晶または別の好適な態様で有機イオン錯体が単離され、洗浄され、精製され、かつ乾燥される。
【００３４】
記録層を作製するため、記録媒体の別個に製造されたサブフタロシアニンイオン錯体は、適切な場合はさらなる化合物とともに、所望の比率で有機溶媒中に溶解される。記録媒体の溶液は、たとえばスピンコーティングによりポリカーボネート基板の上に堆積され、乾燥される。このように作製された記録媒体の上には、銀、金、もしくはアルミニウムまたはこれらの金属の合金からなる反射層が、たとえばスパッタリングにより堆積される。適切な場合はこれは保護ワニス層で覆われ、このように作製されたディスクは、同様に保護ワニス層を有する第２の基板に接着層によって固定される。
【実施例１】
【００３５】
未置換サブフタロシアニン−ホウ素化合物の合成
乾燥された１，２−ジシアノベンゼン（０．５ｇ、０．０４モル）が、新たに蒸留されたクロロベンゼン（１２ｍｌ）中にＤＢＵ（０．０２モル）とともに窒素下で懸濁された。懸濁液は−３℃に冷却され、注入シリンジからｎ−ヘキサン中の塩化ホウ素（ＢＣｌ3）の１モル溶液２０．５ｍｌがゆっくりと加えられた。黄緑色の固体は、ゆっくりとかつ強く攪拌されながら６０℃に加熱され、流体は黒くなった。ヘキサンは蒸留で除去された。次に、１００℃でさらに１０分間攪拌が継続された。色は紫色に変化した。液相が除去され、まず、固体が石油エーテル（８０−１００℃）で抽出され、次にトルオールで２時間抽出された。残余の茶色の固体はエタノールから再結晶化され、石油エーテルで洗浄され、３５０℃で昇華された。この結果、３．５７ｇ（６４％）の茶色い粉状の産物が得られた。ＵＶ（ＤＭＦ）λｍａｘ：５６２，３０２ｎｍ；ＩＲ（ＫＢｒ）：１６９２，１６１１，１４５２，１３８４，１２８０，１１９５，１１３０，９５０，８７８，７５３，６９５，６２９ｃｍ-1；1Ｈ  ＮＭＲ（３６０ＭＨｚ）（ＤＭＳＯ−ｄ6）：δ８．８５（６Ｈ，ｄｄ）、７．９０（６Ｈ  ｄｄ）；ＭＳ（ＥＩ  ７０ｅＶ，２６０℃）：ｍ／ｚ４６４（Ｍ+＋Ｃｌ−Ｈ，４），４３１（Ｍ+，２０），４３０，（５５），４２９（１８），３９６（７０），２６７（１０），２５６（８），２１５（５），１９７．５（３５），１３９（１５）．
【実施例２】
【００３６】
トリチオオクチル置換されたサブフタロシアニンアルミニウム化合物（位置異性体の混合物）の合成
乾燥４−チオ−フタロニトリル（４６０ｇ，１．７９ｍモル）およびＤＢＵ（１ｍモル）がアルゴン下で０．５ｍｌのクロロベンゼン中に懸濁された。カニューレを通して、０．１５ｍｌ（１，７９）モルの塩化アルミニウム（前もって−７８℃で凝縮されている）がわずかなアルゴン過剰圧力を用いて加えられた。次に、混合物は室温で１０分間攪拌され、次に８０℃で１５分間攪拌された。冷却の後、沈殿した黒い固体がヘキサンで洗浄され、ろ過され、Ａｌ2Ｏ3上で塩化ヘキサン／メチレン（１：１）を用いてクロマトグラフにかけられた。この結果、粘着性の紫色の化合物２０１ｇ（４４％）が得られた。
【実施例３】
【００３７】
サブフタロシアニンとビフェノレートとのイオン錯体の製造
ｎ−ブタノール中０．０１モルの１，４，５，８，９，１２−ヘキサ−オクチル−ｓＰｃ−臭化ホウ素の５％溶液に、ナトリウム塩のモル質量に対して５倍過剰の４，４′−ジエチル−６，６′−ジｔｅｒｔ−ブチル−２，２′−ビスフェノールが加えられた。得られた溶液は８０℃で１２時間攪拌され、冷却され、その後冷水に注がれた。有機成分は沈殿し、水溶性の無機塩は溶解した。沈殿した固体はろ過で除去され、水で洗浄され、エタノールから再結晶化され、真空中で乾燥された。
【実施例４】
【００３８】
サブフタロシアニンとビスチオフェノレートとのイオン錯体の製造
クロロベンゼン中０．０１モルの２，６，１０−トリフェノキシ−ｓＰｃ−臭化ホウ素の５％溶液に、ナトリウム塩のサブフタロシアニンに対して５倍過剰の４，４′−ジエチル−６，６′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２′−ビス−チオフェノールが加えられた。得られた溶液は８０℃で１０時間攪拌された。その後、溶媒は蒸留して除去され、次にその産物がエタノールから再結晶化され、真空中で乾燥された。
【実施例５】
【００３９】
サブフタロシアニンと金属ジアゾ錯体とのイオン錯体の製造
ジメチルホルムアミド／Ｈ2Ｏ（９５：５）中０．０１モルの１，５，９−トリ−チオ
フェノキシ−ｓＰｃ−臭化ホウ素（ＩＩＩ）の５％溶液に、ビス−（２−ヒドロキシ（hydroxi）−５−ニトロ−４′−ジエチルアミノ−ジアゾ−フェノール）−ＴｉＯ（ＩＩ）−テトラブチル臭化アンモニウムが加えられた。得られた溶液は７０℃で１２時間攪拌され、冷却され、冷水に注がれた。その後の手順は実施例３で述べられたのと同じであった。
【実施例６】
【００４０】
サブフタロシアニンと金属ジチオレン錯体とのイオン錯体の製造
ジメチルホルムアミド／Ｈ2Ｏ（９５：５）中０．０１モルの１，５，９−トリヘキシル−オキシ−３，７，１１−トリクロロ−ｓＰｃ−臭化ホウ素（ＩＩＩ）の５％溶液に、ビス−１，２（４−メトキシベンゾール−１，２−ジチオレン）−Ｎｉ（ＩＩ）−テトラブチル臭化アンモニウムが加えられた。得られた溶液は７０℃で１５時間攪拌され、冷却され、次に冷水に注がれた。その後の手順は実施例３に述べられたのと同じであった
【実施例７】
【００４１】
光学データ記憶手段の製造およびテスト
実施例３から６で得られたサブフタロシアニンを含むイオン錯体をＤＶＤ−Ｒデータ記憶手段を製造するのに用いた。
【００４２】
別個に製造され、精製され、乾燥されたサブフタロシアニン含有イオン錯体、および適切な場合はさらなる化合物は、攪拌されながら有機溶媒または溶媒混合物（たとえば２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、２−エトキシエタノール、ジアゼトンアルコール／ブタノール（１０：１）、ジアゼトンアルコール／イソプロパノール（１０：１）またはエチルセロソルブ）中に所望の量比で溶解された。溶液の濃度は０．５−５％（重量）の範囲で変更された。
【００４３】
ポリカーボネートからなる必要な基板ディスクは射出成形によって製造された（直径１２０ｍｍ、厚み０．６ｍｍ）。ディスクは、一方の表面に０．７４μｍのピッチで螺旋状の溝を含んだ。使用される記録媒体に依存して、１００−２００ｎｍの範囲の溝の深さおよび１８０−４００ｎｍの範囲の溝の幅が選択された。記録層はスピンコーティングによって堆積された。記録媒体中のレーザエネルギ吸収化合物の光学パラメータに依存して、溝の中の記録層の厚みは９０−１４０ｎｍの範囲で異なり、ランドの上での厚みは１０−３０ｎｍの範囲で異なっていた。
【００４４】
コーティングされたポリカーボネート基板は、その後７０から８０℃で乾燥された。スパッタリングにより、層の厚みが７０−１２０ｎｍである金の反射層が堆積された。その後、保護ワニス層（厚み約４μｍ）が堆積され、ＵＶ照射下で硬化された。染料または金属層を有しないポリカーボネートディスクには同様に保護ワニス層が設けられた。各々の場合、金属および保護ワニス層を有する、記録する一方のディスクと、保護ワニス層しか有しない一方のディスクとは、好適な接着剤を用いて互いに接着するように接合された。
【００４５】
標準的なデータ記憶手段として、富士写真フィルム株式会社のトリメチンシアニン染料の記録層を備えるディスクが同じ態様で製造された。なお、この染料は以下の構造を有する。
【００４６】
【化６】
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【００４７】
標準的なディスクの記録層は、たとえば日本化薬株式会社のＩＲＧ２２などの消光剤（Ｑ）をさらに含んだ。
【００４８】
上述のような態様で製造されたディスクは、レーザビーム（波長６３５ｎｍ；書込線速度：３．４９ｍ／ｓ）で書込まれ、e-focus社のテスト装置を用いてテストされた。次にそれらは、（空冷キセノンランプを用いてＩＳＯ−１０５−Ｂ０２に従って、ならびにＪＥＣ６８−２−２ＢａおよびＪＥＣ６８−２−３０Ｄｄに従って）光および環境安定性についてテストされた。
【００４９】
この発明に従う記録媒体からなる記録層を含むすべてのデータ記憶手段は、光および気候テストの後も標準を満たしている。
【００５０】
次の表では、現行技術（ＴＤＫ株式会社のＵＳ６１６８８４３に従う最良値およびメチン染料に基づく記録媒体を有する標準的ディスク）と比較して、平均値としてテスト結果をまとめる。
【００５１】
この発明に従う記録媒体の記録層を含む光学データ記憶手段は、波長が６５０ｎｍのレーザビームでうまく書込および読出し得る。また、ここでは標準的なパラメータが達成される。コンピュータシミュレーションは、この発明に従う記録媒体からなる記録層を備える光学データメモリは、４倍よりも大きな書込スピードで書込まれ得ることも示している。
【００５２】
【表１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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