(57)【要約】ボトムゲート構造に基づいて、プラスチックＴＦＴトランジスタ（８）を用いるフレキシブルＡＭ−ＬＣＤにおいて、データライン（６）又は選択ライン（５）上の信号歪みは、低オーミック分路を設けるために（垂直相互接続部（１６）によって）前記データラインに取り付けられる金属ストリップ（１５、２５）を画素ごとに付け加えることによって、低減される。
2004519719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状の画素をもつフレキシブル基板と、列電極を介して与えられたデータを前記画素に与えるために、行電極によって選択可能なスイッチング素子とを有する表示装置であって、前記列電極の一部が、導電性材料の互いに別個のストリップと平行に配されるか、又は前記行電極の一部が、導電性材料の互いに別個のストリップと平行に配される表示装置。
【請求項２】
前記列電極の一部が、前記列電極から電気的に絶縁される導電性材料の互いに別個のストリップと平行に配され、又は前記行電極の一部が、前記行電極から電気的に絶縁される導電性材料の互いに別個のストリップと平行に配される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電性材料のストリップは、前記列電極の方向における寸法が、行電極の幅分低減された、前記列電極の方向における画素の長さと実質的に等しい寸法を有する、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導電性材料のストリップは、前記行電極の方向における寸法が、列電極の幅分低減された、前記行電極の方向における画素の長さと実質的に等しい寸法を有する、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記列電極の方向における、又は前記行電極の方向における、前記導電性材料のストリップが、前記対応する方向における画素と実質的に同じピッチを有する、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記導電性材料のストリップ及び前記行電極が、同じ材料から作られる、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記導電性材料のストリップ及び前記列電極が、同じ材料から作られる、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項８】
半導体材料が有機材料を有する、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項９】
絶縁層が、有機材料を有する、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記画素が有機材料を有する、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記画素が液晶材料の一部を形成するか、又は有機発光材料を有する、請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上にマトリクス状の画素をもつフレキシブル基板と、列電極を介して与えられたデータを前記画素に与えるために、行電極によって選択可能なスイッチング素子とを有する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このようなアクティブマトリクス表示装置の例は、ラップトップコンピュータにおいて及びオーガナイザにおいて使用されているＴＦＴ−ＬＣＤ又はＡＭ−ＬＣＤであるが、ＧＳＭ電話機においてもますます広がる用途を見出されている。「ホワイトペーパー」用途において上記表示装置を使用することもますます考慮されつつある。その場合の表示装置は新聞の体裁を有する。上記基板はフレキシブルなので、部分的に折り曲げられることが可能であり、さもなければ、部分的にではなく折り曲げられることも可能である。この可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）が「着用ディスプレイ」での用途の可能性を提供する。ＬＣＤの代わりに、例えば有機又はポリマーＬＥＤ表示装置が二者択一的に使われてもよい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板が頻繁に曲げられるとき、又は過度に曲げられるときに問題が起こる可能性がある。満足の行く可撓性を確実にするためには、例えば、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ（ＰＡＮＩ））、ポリエチレンジオキシチオフェン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ｐｏｌｙ−ＤＯＴ））、ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）、ポリ（チエニレンビニレン）（ｐｏｌｙ（ｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ）（ＰＴＶ））、又はポリ３ヘキシルチオフェン（ｐｏｌｙ−３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（Ｐ３ＨＴ））のようなポリマー材料が、使用されるべき全ての材料について選択されること、すなわち、列電極及び行電極用の材料と、絶縁層と、半導体材料とについても選択されることが好ましい。
【０００４】
導電性材料としてポリアニリン（ＰＡＮＩ） を使用することの欠点は自身の高い抵抗であり、シート抵抗は約１．５×１０３Ω／（２００ｎｍの層厚）である。このシート抵抗が、約２５μｍの幅と、約５４０μｍの列導体の方向における画素の寸法とをもつ列導体に関して用いられる場合、各々の画素を伝わる抵抗は約３５ｋΩである。例えば金属を含むＰＡＮＩの二重層の供給により、解決策をもたらしてもよいけれども、通常の材料ではＰＡＮＩに対して不十分に付着するために、さもなければ他の理由（エッチングレートの差）のためにあまり魅力的ではない。有機層又はＰＡＮＩに設けられる金属の構造化は、実際には不可能であり、さもなければ大きな問題を引き起こす。
【０００５】
本発明の目的は、この問題を取り除くことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的のために、本発明では、列電極の一部が列電極から絶縁される導電性材料の互いに別個のストリップと平行に配されるか、又は行電極の一部が行電極から絶縁される導電性材料のストリップと平行に配されるフレキシブル基板を表示装置に供給する。
【０００７】
本発明は、高オームの列電極又は行電極と平行な満足の行く導電性材料のストリップを設けることが可能であり、このストリップは、いわば、規定されたやり方では既に壊れているだろうという認識に基づいている。別個の部分が、そのときフィードスルーを介して高オームの導体と平行に配される。
【０００８】
導電性材料のストリップは、好ましくは、関連する電極の方向において、この方向における画素の寸法と実質的に等しい寸法であるとともに、（少なくとも列電極及び行電極を横向きに交差するマトリクスにおいて）当該電極に対して横向き（垂直）の方向における電極の幅分低減される寸法を有する。
【０００９】
通常、行電極が最大の容量性負荷にさらされるので、導電性材料のストリップ及び行電極は、好ましい実施の形態において同じ低オーミック材料から作られる。上記ストリップ及び行電極は、あるレベルで（直接基板上で）製造されること（ボトムゲート構造）が可能なので、この目的のために金属が使用されることができ、追加のマスキングステップは必要とされない。
【００１０】
本発明のこれら及び他の態様は、本明細書の以下に説明される実施例から明らかになるであろうし、これらの実施例を参照して明瞭に説明されるであろう。
【００１１】
図面は概略であり、一律の縮尺に従わずに描かれている。対応する構成要素は、同じ参照符号によって一般に示されている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明による表示装置の一部の平面図であり、図２及び図３は本発明による表示装置の一部の断面図である。
【００１３】
図１は、本発明が適用可能な表示装置１の平面図である。この表示装置はマトリクス状の画素を有しており、このマトリクスの中で、図１は、行電極又は選択電極５と、列電極又はデータ電極６との交差領域における画素電極７を示している。図１は、さらに、そのソース電極が列電極６の一部によって構成されるとともに、画素電極７の一部がドレインとして機能し、行電極の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｎｇ ｐｏｒｔｉｏｎ）５’がゲート電極として機能する（図２の断面図も参照）ＴＦＴトランジスタ８を示している。
【００１４】
図２は、例えば液晶材料２、この実施例では、合成材料（例えばポリエチレン）のようなフレキシブル材料から成る２つの基板３と基板４との間に存在するＰＤＬＣ（ポリマー分散液晶）を備える光変調セルの一部の概略断面図である。第１の基板３は、例えば、アルミニウム若しくは別の好適な金属（金、クロム、銅）、金属の組み合わせ、又は金属層とＴＦＴトランジスタ８の位置においてゲート電極として機能する突出部５’をもつ導電ポリマーとの二重層から成る複数の行電極５を備えている。上記ゲート電極、及びさらに説明されるべき（例えば同時に行電極５を備えている）金属ストリップ１５は、突出部５’の位置においてゲート誘電体として機能している絶縁層９を備えている。この絶縁層については、例えば、ポリフェニルビニル（ＰＶＰ）又はフォトレジストのようなポリマー材料が選択される。絶縁層９は、列電極６と、例えば、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、又はポリエチレンジオキシチオフェン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ｐｏｌｙ−ＤＯＴ））から成るパターン化された画素電極７とを備えている。半導体材料（例えば、ペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）、ポリチエニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅ）（ＰＴＶ）、又はポリ３ヘキシルチオフェン（ｐｏｌｙ−３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）（Ｐ３ＨＴ）のようなポリマー材料）から成るパターン層が、列電極６と画素電極との間のゲート電極の位置に存在している。このような半導体材料の層は、ＴＦＴトランジスタ８を、 列電極６及び画素電極７の一部と共に、またゲート電極５’及び中間の絶縁層９と共に構成している。例えばフォトレジスト素材の層１０が、 行及び列電極、画素電極７並びにＴＦＴトランジスタ８上の保護コーティングとして供給されている。
【００１５】
例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）又はポリエチレンジオキシチオフェン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）（ｐｏｌｙ−ＤＯＴ 又はｐＤＯＴ）から成る透明対向電極１３が、他の基板４上に存在している。この実施例において、電極１３は、ＴＦＴトランジスタ８の反対側に黒い遮蔽物（ｍａｓｋ）１２’を含むカラーフィルタ１２を備えている。
【００１６】
表示装置の満足な可撓性を確実にするために、有機材料が列電極及び画素電極用の材料として選択されただけでなく、半導体材料及び液晶材料用の材料としても選択された。例えば、ＰＤＬＣは液晶効果に非常に適している。この実施例では、２００ｎｍの厚さを有する、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）又は銅（Ｃｕ）のような満足の行く導電性金属が行電極用に選択されているので、可撓性が確実にされながら、当該抵抗はライン上において十分迅速にスイッチングするのに十分な低さである。
【００１７】
既述されたように、行電極５との交差領域に割り込まれる金属ストリップ１５は、第１の基板３上にも存在している。金属ストリップ１５の別個の部分は、自身の終端の近傍で導電性の態様において、絶縁層９におけるスルーメタライゼーション（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ） １６を介して列電極６に接続されている。このようにして、「分路（ｓｈｕｎｔ）」（申し分なく平行に配された導電性ストリップ）が得られ、このことにより、列電極６の有効シート抵抗を（約６分の１である）２５０Ω／（２００ｎｍの層厚）を下回る値にまでかなり低減させる。
【００１８】
図４は、行電極（及びゲート電極）がこのような分路も備えている別の可能な断面図を示している。関連の場合においては、別個のストリップ２５が、追加の絶縁層２４によってＩＴＯ又は金属導体５から隔てられているけれども、このことは厳密に必要とされない。
【００１９】
図５は、フレキシブル基板３上のフレキシブル材料から成る導体トラック６（５）と平行な別個のストリップ１５及び２５においてメタライゼーションをもたらすことの追加の利点を示している。表示装置の他の（同様にフレキシブルな）部分は概略的に示されている（参照符号２及び４）。導体を離散（ディスクリート）ストリップ１５に分けることによって、 基板がかなりの曲率まで曲げられるときにも導体は壊れないだろう。
【００２０】
図６は、スイッチングレートに関して導体トラック６と平行なメタライゼーションの利点を示している。曲線（ａ）は、約１．５×１０３Ω／（２００ｎｍの層厚）のシート抵抗と、２５マイクロメートル（μｍ）の幅の電極と、３４．５６ミリメートル（ｍｍ）の長さとを有する導電性材料としてポリアニリン（ＰＡＮＩ）が使用される場合の、データライン６の終端における電圧を示している。この実施例において、表示装置は６４行を有する。列はステップ関数で駆動された。導体トラックに平行なメタライゼーションにより、シート抵抗が約０．２５×１０３Ω／（２００ｎｍの層厚）にまで低減されるために、本発明に従う装置において実現される一層迅速な反応が曲線（ｂ）として示されている。立上り期間（ｒｉｓｅ ｔｉｍｅ）は、６６マイクロ秒から１０マイクロ秒まで減少する。
【００２１】
本発明は勿論これまで説明された実施例に限定されるものではない。例えば、図１における複数のスルーメタライゼーション１６は、（図１において破線１６’として示されている）単一のスルーメタライゼーションとして形成されてもよい。図１乃至図３の実施例は、液晶画素を示したものである。本発明は、有機発光表示装置にも応用可能である。
【００２２】
上述された可能性の１つ又は複数の組み合わせが、実際にはさらに応用可能である。
【００２３】
本発明の保護範囲はこれまで説明された実施の形態に限定されるものではない。
【００２４】
本発明は、新規な特徴的事項のそれぞれ皆に、そしてこうした特徴的事項の組み合わせのそれぞれ皆に存するものである。請求項にある参照符号は、それらの保護範囲を限定するものではない。動詞「有する（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及びその活用形の使用は、請求項に記載されたもの以外の構成要素の存在を排除するものではない。構成要素に先行する単数表現の冠詞「ａ」又は「ａｎ」は、そうした構成要素の複数の存在を排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による表示装置の一部の可能な実施の形態の概略平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切った概略断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切った概略断面図である
【図４】別の実施の形態の断面図である。
【図５】本発明による表示装置のある利点を示す。
【図６】本発明による表示装置のある利点を示す。
【国際公開パンフレット】
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2004519719.tif 000006
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2004519719.tif 000009
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【国際調査報告】
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