(57)【要約】本発明は、スイッチ時間の短縮されたスイッチ装置に関する。本装置はスイッチ可能層（３）の水素含量を変更することで反射状態と吸収状態との間でスイッチされるスイッチ可能層（３）を有する。電子伝導層（１１、１３）に直流電圧を印加することにより、水素含量が変化する。これらの電子伝導層（１１、１３）は、このスイッチ可能層（３）と水素貯蔵層（９）とを有する積層を挟んでいる。この水素貯蔵層はスイッチ可能層（３）と実質的に同一の物質、すなわちＬＭｇＨｘ及び好適にはＧｄＭｇＨｘを有する。貯蔵層は薄くすることが可能であり、これにより水素輸送時間が比較的短くなり比較的速いディスプレイが得られる。本装置は散乱箔を適用することにより更に改良することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも光を反射する第一状態と光を吸収する第二状態との間で可逆的にスイッチ可能な装置であって、前記装置が、水素密度を変化させることにより前記装置の前記第一状態から前記第二状態へのスイッチをもたらす、光学的にスイッチ可能な物質のスイッチ可能層を含む積層を有し、前記積層が更に、スイッチ可能層と本質的に同一の化合物を有する物質を有する、水素を貯蔵するための層を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記装置が、少なくとも光を反射する前記第一状態と光を吸収する前記第二状態との間で可逆的にスイッチ可能なピクセル要素を持ち、前記ピクセル要素が前記積層を有することを特徴とするディスプレイ装置である装置。
【請求項３】
散乱フォイルが具備された可視面を持つ請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記スイッチ可能層の表面が光を散乱するよう荒くしてある請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記光学的にスイッチ可能な物質がＬＭｇＨｘを有し、ＬはＮｉ、Ｓｃ若しくはＹ又はランタニド系元素を表す請求項１に記載の装置。
【請求項６】
請求項２に記載の装置であって、前記ディスプレイ装置が可視面及び前記スイッチ可能層をスイッチさせるための電気的スイッチ手段を持ち、前記ディスプレイ装置の前記可視面から見て前記電気的スイッチ手段が前記スイッチ可能層の後方に位置している装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも光を反射する第一状態と光を吸収する第二状態との間で可逆的にスイッチ可能な光スイッチ装置に関し、前記装置は、水素密度を変化させることにより装置の第一状態から第二状態へのスイッチをもたらす、光学的にスイッチ可能な物質のスイッチ可能層を含む積層を有する。
【０００２】
【従来の技術】
米国特許第５，９０５，５９０号では、マグネシウム以外の三価金属を伴うマグネシウムの水素化物を含むスイッチ薄膜を有するスイッチ装置について記述されている。このスイッチ薄膜は、水素の交換により、透明状態から中間の黒色の吸収状態を介して全く透過しない鏡のような状態へ可逆的にスイッチすることが可能である。このスイッチ薄膜は、透明な基板上に蒸着された積層中に含まれている。この装置は光学効果によって、例えば可変ビームスプリッタ及び光学シャッターのような光学スイッチ要素並びに照明器具中での光ビームの照度又は形を制御するための利用などが可能である。このスイッチ装置は記憶保存用、光学計算用、並びに、建築ガラス、視覚制御ガラス、サンルーフ及びバックミラーなどのアプリケーションとしての利用も可能である。スイッチ薄膜にパターンを作製し、そこに透明電極を備えることで、薄型ディスプレイを製造することが可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
これらのタイプの装置の問題は、スイッチ効果の速度が水素の輸送によって決定されるため、装置が比較的遅いということである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は速度が向上したスイッチ装置を提供することである。この目的のため、本発明は前記積層が更に、スイッチ可能層と実質的に同一の化合物を有する物質を有する、水素を貯蔵するための層を含むことを特徴とする。このスイッチ物質は不透明状態で優れた水素貯蔵容量を持つ。装置は反射状態と吸収状態との間でのみスイッチされるため、水素貯蔵層は不透明であってもよく、このスイッチ物質を前記の目的のために使用することができる。スイッチ物質の貯蔵容量が高いということを考慮すると、スイッチ物質を貯蔵層としても用いれば貯蔵層をより薄くすることができ、これは水素輸送の拡散時間が短縮されることにつながるため、結果として装置のスイッチ速度が増加する。更に、反射状態と吸収状態との間のスイッチにおいて、輸送しなければならない電荷は減少する、つまり、スイッチに要求される電流は減少する。
【０００５】
本発明の利点のある実施例は従属請求項で説明される。
【０００６】
本発明のこれらの及び他の側面を以下に記載の実施例を参照し、説明する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
一般的に、同様の参照番号は同様の要素を表す。
【０００８】
図１Ａ及び１Ｂは従来技術に基づいたスイッチミラー装置の断面図である。層の厚さの尺度は実際とは異なって描かれている。この装置は透明なガラス板１を有し、その上に真空蒸着、スパッタリング、レーザアブレーション、化学蒸着又は電気鍍金などの従来の方法により積層が蒸着されている。積層は、スイッチ薄膜として厚さ約２００ｎｍのＬＭｇＨｘ（ＬはＮｉ、Ｓｃ若しくはＹ又は元素周期表のランタニド系元素を表す）層３と、厚さ約５ｎｍのパラジウム層５と、厚さ０．１から１０μｍの範囲のイオン伝導電解質層７と、水素貯蔵層９とを有する。
【０００９】
ＧｄＭｇＨｘは、光学特性及びスイッチ時間に関する限り非常に適切なスイッチ物質であるが、スイッチ物質としては他の三価のマグネシウム−ランタニド合金を採用しても良い。スイッチ薄膜３は、低水素（ｘ＜〜２）組成と飽和した高水素（ｘ〜５）組成との間で、中間水素組成を介して可逆的にスイッチすることが可能である。これらの種々の組成は異なった光学特性を持っている。水素含量が低いとき、薄膜は金属的な特徴を持ち、不透明である。このとき薄膜は鏡のように反射する。水素含量が高いとき薄膜３は半導体的且つ透明で、水素含量が中間の場合はスイッチ薄膜は吸収性である。
【００１０】
パラジウム層５は水素化又は脱水素化の速度を増加させ、スイッチ速度を増加させる働きがある。白金又はニッケルなどの他の電気触媒的金属又は合金も使用することができる。加えて、この金属層はその下のスイッチ薄膜３の電解質による腐食を防止する。パラジウム層５の厚さは２から２５ｎｍの間の値をとることができる。しかし、薄膜の厚さがスイッチ装置の最大透過率を決定するため、厚さ２から１０ｎｍの薄い層が好適である。
【００１１】
適切に機能するためには、水素貯蔵層９及び水素イオン伝導電解質層７も必要である。良い水素イオン伝導電解質としてはＺｒＯ２Ｈｘがある。電解質は良いイオン伝導体でなくてはならないが、また、装置の自己放電を防止するため電子の絶縁体でなくてはならない。装置を単純にし、封入の問題を防止して装置の取り扱いを容易にするには、透明な固体電解質の使用が最も好適である。
【００１２】
もし切り換えミラーにおいて透明状態が必要であれば、貯蔵層の良い候補としてＷＯ３がある。
【００１３】
積層は、二つの透明電子伝導電極層１１及び１３、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の間に挟まれている。電極層１１及び１３は外部の電流源（示されない）と結合されている。直流電流を印加することにより、鏡状の低水素組成が、透明で中間灰色の高水素組成にスイッチされる。これにより装置は、図１Ａ中の点線で示されるように、透明な窓としての働きをもつようになる。電流の流れを逆にすると、スイッチ薄膜３は、図１Ｂに示されるように鏡状で不透明な低水素状態に戻る。このスイッチ時間は従来型のエレクトロクロミック装置に匹敵する。装置は室温で動作可能である。一旦鏡が所望の光学状態に達したら、装置には実質的に電流は流れなくなる。これは、ディスプレイが極めて低い電力で情報を保持することを意味する。
【００１４】
ディスプレイは、基板の側から、すなわち基板の積層が蒸着されたのと反対側の面から見られる。従来のスイッチミラー装置の問題点は、図２に示されるように、ピクセル要素２０の可視面２４、つまりディスプレイが見られる側から、いわゆるアクティブマトリックスの要素２２が見えてしまうことである。このアクティブマトリックス（薄膜トランジスタ、行部、列部、蓄積キャパシタ等）は、ピクセル要素のスイッチに必要な電気要素を有する。アクティブマトリックスは、埋め込み層２６に埋め込まれており、これらは共にピクセル要素中に含まれている。アクティブマトリックスは電極層１３及び１５と電気的に接続されている。絶縁層２８は積層からアクティブマトリックス要素２２を絶縁する。
【００１５】
従来技術に基づいた配置では、アクティブマトリックスに占有された表面領域は光学的に活性な層３として使用できない。これは可視面２４からディスプレイが見られた場合にディスプレイのアパーチャを低減させる。特に、駆動回路が比較的複雑であり、スイッチミラーディスプレイを充電するのに必要な高電流を取り扱うためトランジスタが好適には比較的大きく作製されるため、アパーチャは比較的小さくなる。
【００１６】
図３Ａ及び３Ｂは本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層を示す。この場合ディスプレイは、基板の積層が蒸着された方の側２４から見られる。スイッチ層３を構成する積層の順序は従来型とは逆になっている。この意味は、積層は、基板表面から始めて、水素貯蔵のための第一層９、水素伝導のための第二層７、そしてスイッチ可能層３を有するということである。
【００１７】
積層は電子伝導電極層１１及び１３の間に挟まれている。光学的にスイッチ可能な物質３は、水素密度を変化させることにより光を反射する状態から光を吸収する状態へスイッチされる。電子伝導層に直流電圧を印加することにより水素密度は変化する。
【００１８】
第二層が電解質物質、例えばＺｒＯ２Ｈｘを有し、第二層７とスイッチ可能層３との間に分離層５が存在し、そして第一層９がＧｄＭｇＨｘを有する積層によって良い結果が得られた。
【００１９】
図４は本発明記載のピクセル要素２０の断面図である。積層の順序は逆になっており（図３Ａ及び３Ｂにより詳細に示される）、スイッチ層３はアクティブマトリックス要素２２間に延在している。よってディスプレイ装置の可視面２４から見て電気的スイッチ手段は光学的スイッチ物質の層の後方に位置している。スイッチ層が、反射状態から吸収状態へ及びその逆方向へスイッチされるとき、アクティブマトリックス要素２２は見えない。アクティブマトリックス要素がアパーチャを決定することはなくなり、結果的にアパーチャは増加する。
【００２０】
スイッチ層３により基板とスイッチ層との間に位置する伝導層１３も見えなくなる。従って、伝導層１３は透明である必要がなくなるため金属を含むことができるようになり、伝導率が向上する。
【００２１】
スイッチミラーが透明状態である必要がないため、第二のＬＭｇＨｘ（ＬはＮｉ若しくはＹ又はランタニド系元素を表す）層は貯蔵層として使用することができる。よって、水素貯蔵層はスイッチ可能層と本質的に同一な化合物を有するが、層の中で種々の化合物が作る相互比はスイッチ可能層の相互比と異なっていてもよい。
【００２２】
これには貯蔵層（９）をより薄くすることができるという利点があり、水素の輸送時間が短縮され結果としてより速いディスプレイが得られることになる。更に、反射状態と吸収状態との間のスイッチにおいて、輸送しなければならない電荷（水素イオン）は減少する、つまり、スイッチのために必要な電流は減少する。典型的には、１００ｎｍの薄いＧｄ４０Ｍｇ６０水素化物層において、透明状態と反射状態との間でスイッチするために一つの層から他の層へ全ての水素を輸送させるのに約０．１Ｃ／ｃｍ２の電荷が必要である。反射状態と吸収状態との間でのみのスイッチには、輸送しなければならない水素はより少ない（約０．０５Ｃ／ｃｍ２）。
【００２３】
このような装置は反射状態と吸収状態との間でのみスイッチが必要なアプリケーションに使用することができる。もしディスプレイ装置の可視面２４に散乱箔が具備されていれば、ディスプレイのコントラストは改善される。箔の存在により、反射状態のスイッチミラーピクセルは白く見え、吸収状態のスイッチミラーピクセルは黒く見える。このようなタイプのディスプレイは例えば書類リーダとして使用することができる。この原理をカラーフィルタと組み合わせることにより、フルカラー書類リーダが得られる。
【００２４】
他の態様として、反射層表面を意図的に荒くして、白く又は黒く見える反射状態を提供するための所望の散乱反射を得ることができる。
【００２５】
まとめとして、本発明は、スイッチ時間の短縮されたスイッチ装置に関する。本装置は、スイッチ可能層３の水素含量を変更することで反射状態と吸収状態との間でスイッチされるスイッチ可能層３を有する。電子伝導層１１及び１３に直流電圧を印加することにより、水素含量が変化する。これらの電子伝導層１１及び１３は、スイッチ可能層３と水素貯蔵層９とを有する積層を挟んでいる。この水素貯蔵層はスイッチ可能層３と同一の物質、すなわちＬＭｇＨｘ及び好適にはＧｄＭｇＨｘを有する。貯蔵層は薄くすることが可能であり、これにより水素輸送時間が比較的短くなり比較的速いディスプレイが得られる。本装置は散乱箔を適用することにより更に改良することができる。
【００２６】
上記の実施例は本発明を制限するのではなく説明しているのであって、当業者は添付の請求項の範囲から出ることなく多くの代替実施例をデザインすることが可能であるということに注意すべきである。これは特に、引用した従来技術の書類の、米国特許第５，９０５，５９０号に示された応用例に関連した実施例に関して有効である。請求項においては、いかなる括弧内の参照記号も請求項を制限するものではない。動詞「有する（ｔｏ ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及びその活用形の使用は、請求項記載以外の要素又は段の存在を排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイの積層の断面図。
【図１Ｂ】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイの積層の断面図。
【図２】従来技術に基づいたスイッチミラーディスプレイのピクセル要素の断面図。
【図３Ａ】本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層。
【図３Ｂ】本発明記載のスイッチミラーディスプレイの積層。
【図４】本発明記載のスイッチミラー装置のピクセル要素の断面図。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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