(57)【要約】レーザー光ビーム（１０）による消去可能な記録用の光情報媒体（２０）を提供する。基板（１）は、第一の誘電体層（４）と第二の誘電体層（６）との間に相変化記録層（５）をもつ層のスタック（２）を保持する。ＡｃとＡａが、３５０−４５０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光の波長で結晶状態及び無定形状態における記録層（５）に吸収されるレーザー光のそれぞれの量であるとして、０．８＜Ａｃ／Ａａ＜１．５０を達成するために、光吸収層（７）は、記録層（５）の近くに存在し、式ＱＲｘの化合物で作られ、ここで、Ｑは、元素Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ又はＴａであり、Ｒは、元素Ｏ又はＮであり、０＜ｘ＝２．５である。このようにして高いデータ転送速度及び低いデータのジッタは、光情報媒体の製造中にｘを最適値に調整することによって、この短い波長範囲で達成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光の波長を有するレーザー光ビームによる消去可能な記録用の光情報媒体であって、
基板および該基板に提供される層のスタックを有し、
前記スタックは、無定形及び結晶状態の間で変化することができる記録層、及び前記記録層の近くの光吸収層を含み、
前記記録層は、第一の誘電体層及び第二の誘電体層の間に挿入され、
Ａｃ及びＡａが、３５０−４５０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光の波長で前記結晶状態および前記無定形状態における前記記録層に吸収されるレーザー光のそれぞれの量であるとして、０．８＜Ａｃ／Ａａ＜１．５０を達成するように、
前記光吸収層は、式ＱＲｘの化合物を含み、
Ｑは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＮｂおよびＴａからなる群から選択される元素であり、
Ｒは、Ｏ及びＮからなる群から選択される元素であり、
０＜ｘ＜２．５であることを特徴とする光情報媒体。
【請求項２】
Ｑは、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選択される元素であることを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項３】
Ｒは、元素Ｏであることを特徴とする請求項１又は２記載の光情報媒体。
【請求項４】
前記レーザー光の波長は、３７５−４２５ｎｍの範囲から選択されることを特徴とする請求項１、２又は３記載の光情報媒体。
【請求項５】
第三の誘電体層は、前記記録層から遠い側で前記光吸収層の近くに存在することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の光情報媒体。
【請求項６】
前記第三の誘電体層の厚さは、２及び２００ｎｍの間にあることを特徴とする請求項５記載の光情報媒体。
【請求項７】
前記記録層は、Ｇｅ及びＴｅの化合物を含むことを特徴とする請求項１又は５記載の光情報媒体。
【請求項８】
前記記録層は、Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅの化合物を含むことを特徴とする請求項１又は５記載の光情報媒体。
【請求項９】
反射層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＨｆおよびＴａからなる群から選択される金属及び該金属の合金の少なくとも一つを含む前記スタックに存在することを特徴とする請求項１又は５記載の光情報媒体。
【請求項１０】
高速記録用の光情報媒体の使用であって、
前記レーザー光ビーム及び前記媒体の間の相対速度は、少なくとも７．２ｍ／ｓであり、
請求項１乃至９いずれか１項記載の光情報媒体を使用することを特徴とする使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、レーザー光の波長を有するレーザー光ビームによる消去可能な記録のための光情報媒体に関し、前記媒体は、基板及びそれに提供される層のスタックを有し、そのスタックは、
無定形と結晶状態との間で変化することができる記録層を含み、
前記記録層は、第一の誘電体層と第二の誘電体層との間に挿入され、
記録層の近くに光吸収層を含む。
【０００２】
また、本発明は、このような高速記録用の光情報媒体の使用にも関する。
【０００３】
開始の段落に記載するタイプの光情報媒体は、米国特許ＵＳ−Ａ−５，６５２，０３６から知られている。既知の媒体は、開始の段落に記載する層及び追加の層を含む、層のスタックを所持する基板を有する。
【０００４】
相変化の原理に基づく光データ記憶媒体は、それが、ダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）及び高い記憶密度の可能性を、読み取り専用光データ記憶システムとの容易な互換性と組み合わせるので、魅力的である。相変化光記録は、集束した比較的高いパワーのレーザー光ビームを使用する、結晶の記録層におけるサブミクロンメートルの大きさにある無定形の記録マークの形成を伴う。情報の記録中に、媒体を、記録される情報に従って変調される集束したレーザー光ビームに対して移動させる。高いパワーのレーザー光ビームが、結晶の記録層を融解させるとき、記録マークを形成する。レーザー光ビームが、スイッチを切られる及び／又は引き続き記録層に対して移動するとき、融解したマークの消失は、記録層で起こり、露出してないエリアに結晶を残す記録層の露出したエリアに無定形の情報マークを残す。書き込まれた無定形のマークの消去は、記録層を融解させることなく、より低いパワーレベルにおける同じレーザーでの加熱を通じて、再結晶によって実現される。無定形のマークは、比較的低いパワーの集束したレーザー光ビームによって例えば基板を介して読み取ることができる、データビットを表す。結晶の記録層に対する無定形のマークの反射の差は、記録された情報に従って検出器によって変調された光電流に引き続き変換される、変調されたレーザー光ビームを引き起こす。
【０００５】
相変化光記録において最も重要な要求の一つは、データを少なくとも３０メガビット／秒の速度で媒体に書き込む及び再書き込みすることができることを意味する、高いデータ転送速度である。このような高いデータ転送速度は、記録層が高い結晶化速度、即ち短い結晶化時間を有することを要求する。以前に記録された無定形のマークをダイレクトオーバーライト中に再結晶させることができることを保証するために、記録層は、レーザー光ビームに対して媒体の速度を調和させるために、適切な結晶化速度を有さなければならない。結晶化速度が十分高くはないとすれば、ＤＯＷ中に、古いデータを表す、以前の記録からの無定形のマークを完全に消去する（再結晶することを意味する）ことができない。これは、高い雑音レベルを引き起こす。高い結晶化速度は、新世代の高い密度のデジタル・バーサタイル・ディスク＋ＲＷの略語である、円盤状のＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＲ−赤及び青のような、高密度記録媒体及び高いデータ転送速度の光記録媒体で特に要求され、ここでＲＷは、このようなディスク、及びディジタル・ビデオ・レコーディング光記憶ディスクの再書き込み可能性（ｒｅｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ）を参照し、ここで赤及び青は、使用するレーザー波長を参照する。これらのディスクに対して、完全消去時間（ＣＥＴ）は、高々６０ｎｓでなければならない。ＣＥＴは、静的に測定される、結晶環境における書き込まれた無定形のマークの完全な結晶化に関する消去パルスの最小の持続時間として定義される。１２０ｍｍのディスク毎に４．７ＧＢの記録密度を有するＤＶＤ＋ＲＷに対して、３３メガビット／秒のデータビット速度が必要とされ、ＤＶＲ−赤に対しては、前記速度は、３５メガビット／秒である。ＤＶＲ−青のような再書き込み可能な相変化光記録システムに対しては、５０メガビット／秒より高いユーザデータ転送速度が要求される。
【０００６】
相変化光記録媒体における付加的な重要な項目は、このような媒体が高密度記録、例えば１２０ｍｍのディスク直径で３ギガバイト以上の記憶容量、に適するように、高い記憶容量を得ることである。相変化光情報媒体の記憶密度は、マークの半径方向の密度、及び接線方向の密度の両方によって決定される。トラックのピッチは、半径方向の密度、即ち隣接するトラックの中心線間の距離、を決定する。トラックのピッチは、熱的なクロストークによって制限される。これは、トラックに記録されたデータの質は、隣接するトラックによって影響されることを意味する。次に、記録されるマークの形状は、歪む場合もあり、大きなジッタに帰着する。接線方向の密度は、チャンネルビット長によって決定され、それは、標準的なＩＰＩＭスタックを使用するとき、無定形状態の光吸収が結晶状態のものよりも高いという事実によって制限される。このスタックにおいて、Ｉは、誘電体層を表し、Ｐは、相変化記録層を表し、Ｍは、反射又は鏡層を表す。それによって、記録層がレーザー光で照射されるとき、無定形の部分は、結晶の部分よりも高い温度まで加熱される。その結果、結晶のエリアに書き込まれたマークは、無定形のエリアで上書きされたものよりも小さい。このような現象は、チャンネルビット長の逆数に比例する、ジッタの増加を引き起こす。問題を克服するために、記録層の結晶のエリアのみで吸収されるレーザー光の量は、好ましくは、記録層の無定形エリアのみで吸収されるレーザー光の量に実質的に等しいか又はそれ以上であるべきである。これらの吸収される量は、それぞれ、Ａｃ及びＡａとして短縮される。
【０００７】
前記の米国特許ＵＳ−Ａ−５，６５２，０３６から、可能なスタックの多くの交換、例えばＩＡＩＰＩＭスタックが、知られており、ここでＩ、Ｐ、及びＭは、上述の意味を有し、Ａは、光吸収層を表す。光吸収層は、誘電体材料及び金属又は半導体材料の混合物からなる。光吸収層Ａの追加の結果は、ＡｃとＡａとの間の差は、より小さく、このようにしてマークの歪みを減少させるということである。
【０００８】
既知の記録媒体の欠点は、それは、約６８０ｎｍの比較的長いレーザー光の波長で記録することに適するのみであるということである。高密度記録に対しては、レーザー記録スポットの直径が、使用するレーザー光の波長に正比例するので、好ましくは、より小さな、例えば４５０ｎｍよりも小さな波長を使用する。より小さなレーザー記録スポットは、より小さな無定形マークに、従ってより高い可能な記録密度に、帰着する。４００ｎｍの波長では、誘電体材料及び金属又は半導体材料を含む前記既知の光吸収層は、金属あるいは半導体材料の光学的な分散特性によって、一般には、６８０ｎｍの波長におけるよりもはるかに高い吸収を有する。これは、光記録媒体を設計する及び製造する余白部を望ましくないが小さくさせる。吸収層における短い波長レーザー光の吸収は、その層の構成及び厚さにおけるわずかな変動に対して非常に敏感である。さらに、その厚さは、製造可能性の観点からは望ましくないが、その高い吸収のために、非常に小さくなければならないかもしれない。
【０００９】
本発明の目的は、３５０−４５０ｎｍの範囲におけるレーザー光の波長で高いデータ転送速度及び高密度記録に適すると共に製造することが容易である、開始の段落に記載したタイプの消去可能な記録用の光情報媒体を提供することである。
【００１０】
この目的は、Ａｃ及びＡａが、３５０−４５０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光の波長で結晶状態及び無定形状態における記録層に吸収されるレーザー光のそれぞれの量であるとして、０．８＜Ａｃ／Ａａ＜１．５０であることを達成するために、光吸収層が、式ＱＲｘの化合物を含み、ここでＱは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ及びＴａからなる群から選択される元素であり、Ｒは、Ｏ及びＮからなる群から選択される元素であり、
【００１１】
【数１】
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であるということで達成される。
【００１２】
上述した高いデータ転送速度の記録という用語は、この文書においては、コンパクト・ディスクの規格による速度の六倍である、少なくとも７．２ｍ／ｓのレーザー光ビームに対する媒体の線速度を意味することを理解することができる。重要なパラメーターは、上に定義するＣＥＴである。ＣＥＴは、その回転において最大のデータ転送速度を決定する、結晶化速度に反比例する。好ましくは、ＣＥＴの値は、ＣＤの速度の八倍に相当する９．６ｍ／ｓの線速度に必要な４５ｎｓ以下、又はさらにＣＤの速度の十二倍に相当する１４．４ｍ／ｓの線速度に必要な３５ｎｓ以下で、あるべきである。媒体のジッタは、低い一定のレベルにあるべきである。従って、結晶化速度が、無定形のマークの直径における変動によりジッタを増加させることなく、少なくともこの記録速度を許容するのに十分に速いので、本発明による光記録媒体の使用は有利である。
【００１３】
化合物ＱＲｘの光吸収層の存在は、Ａｃが、３５０−４５０ｎｍの範囲から選択された波長でＡａに実質的に等しいか又はそれよりも高いことを保証する。これを、ｘを変動させることによって正確に調整することができる。例えば、４００ｎｍの波長における化合物ＳｉＯｘの複素屈折率
【００１４】
【外１】
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の虚部であるｋλ＝４００ｎｍは、実質的に変数ｘの滑らかな関数である。ｘ＝０であるときには、ｋλ＝４００ｎｍ＝２．６６であり、ｘ＝１であるときには、ｋλ＝４００ｎｍ＝０．１７である。変数ｋは、その化合物におけるレーザー光の吸収に対する直接的な尺度である。従って、その化合物は、調整可能な光吸収層として非常によく使用可能である。光吸収層の適切な吸収は、条件０．８＜Ａｃ／Ａａ＜１．５０を満たすために、例えばＳｉにおけるＯのフラクションを変動させることによって容易に達成される。特にｋλ＝４００ｎｍのｘに対する予測可能で連続的な依存性は、製造可能性の観点から有利である。その結果、最適の光吸収層を選ぶことができ、結晶エリアに書き込まれるマークは、無定形エリアに上書きされるものと実質的に同じ大きさを有する。この結果は、ジッタを減少させ、このような記録媒体の記憶密度は、かなり高められる。ｘの関数としてのｋの依存性は、波長が４００ｎｍではないがまだ３５０−４５０ｎｍの範囲にあるとき、同様である。Ａｃ及びＡａが実質的に等しいときでさえ、光情報媒体からの読み出しに関する光学的なコントラストＣは、高いままでなければならない。光学的なコントラストＣは、１００（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃとして定義され、ここでＲｃ及びＲａは、それぞれ、結晶及び無定形状態における媒体の反射率である。高い光学的なコントラストは、スタックの光学設計によって達成される。
【００１５】
Ａｃ＞Ａａであるとき、より高いデータ転送速度を得ることができる。この場合には、記録層を、与えられたパルス持続時間又は停止時間を有するレーザー光で照射するとき、記録層の結晶の部分を、無定形のマークより高い温度まで加熱してもよい。無定形のマークの消去するために、温度を、しばらく、少なくともＣＥＴ値である結晶化温度Ｔｘ以上に維持しなければならない。結晶のバックグラウンドが、消去される無定形マークよりも高い温度を得るので、熱は、マークへ拡散することになり、その結果としてマークは、より低い速度で冷めて、より長い時間Ｔｘ以上のままであることになる。遅い冷却速度のために、無定形のマークは、同じ停止時間を使用して、ＣＥＴに等しいか又はそれより長い時間、Ｔｘ以上の温度にとどまり得る。本発明による光吸収層を有する媒体の構造で、ＣＥＴを低下させることなく、より高いデータ転送速度を達成する。これとは対照的に、ＡｃがＡａよりも実質的に低いスタックは、速い冷却構造に帰着するかもしれない、即ち結晶のバックグラウンドは、無定形のマークよりも低い温度を有するかもしれない。次に、熱は、マークから結晶のバックグラウンドへ拡散する。同じ停止時間及びパワーで、マークがＴｘ以上である時間は、ＣＥＴよりも短いかもしず、その場合には無定形のマークは、完全には消去されない。
【００１６】
実施例において、Ｑは、Ｓｉ又はＧｅであり、Ｒは、Ｏである。Ｓｉは、それが半導体産業におけるその頻繁な使用により非常に容易に得られるので、好ましい。
【００１７】
第三の誘電体層は、記録層から遠い側で光吸収層の近くに存在してもよい。第三の誘電体層は、もしあれば、光吸収層と光吸収層の側と対向する第三の誘電体層の側に存在する材料との間における移動を防止する。さらに、それは、スタックの冷却速度を、従って書き込み感度を調整する。加えて、第三の誘電体層は、特に第三の誘電体層が基板から遠い側に存在するとき、環境の影響に対して保護障壁として作用する。レーザー光ビームは、第一の誘電体層又は第三の誘電体層を通じてスタックに入射してもよい。
【００１８】
第三の誘電体層の厚さは、保護力と製造可能性の間において適切なバランスを有するために、好ましくは２及び２００ｎｍの間に、より好ましくは１０及び１００ｎｍの間にある。厚さが２ｎｍよりも小さいとき、その断熱は、低くなる場合もある。例えば、金属反射層又は基板は、第三の誘電体層に隣接して存在してもよい。その結果、スタックの冷却速度、結果として書き込みのパワーは、増加する。２００ｎｍ以上の厚さで、スタックの冷却速度は、低くなりすぎる場合もある。
【００１９】
記録層は、Ｇｅ及びＴｅの化合物、例えばＧｅＴｅを含む。この相変化材料は、比較的高い光学的なコントラストＣを有するという利点を有する。
【００２０】
記録層として適切な他の既知の材料は、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ、又はＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの合金である。特に有用なのは、出願人が出願した米国特許５，８７６，８２２に記載する化合物である。これらの化合物は、短い完全消去時間（ＣＥＴ）を示し、式Ｇｅ５０ｘＳｂ４０−４０ｘＴｅ６０−１０ｘによって原子百分率で定義される組成を有し、ここで
【００２１】
【数２】
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である。これらの化合物は、三元のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの相図における化合物ＧｅＴｅ及びＳｂ２Ｔｅ３を接続する線に位置し、化学量論的な化合物Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（ｘ＝０．４４５）、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４（ｘ＝０．２８６）及びＧｅＳｂ４Ｔｅ７（Ｘ＝０．１６６）を含む。
【００２２】
他の有用な化合物は、出願人が出願した米国特許６，１２７，０４９に記載してある。これらの化合物は、三元相図Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅにおけるエリアによって定義される組成を有し、前記エリアは、次の頂点Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ及びＴ、
Ｇｅ１４．２Ｓｂ２５．８Ｔｅ６０．０    （Ｐ）
Ｇｅ１２．７Ｓｂ２７．３Ｔｅ６０．０    （Ｑ）
Ｇｅ１３．４Ｓｂ２９．２Ｔｅ５７．４    （Ｒ）
Ｇｅ１５．１Ｓｂ２７．８Ｔｅ５７．１    （Ｓ）、
Ｇｅ１３．２Ｓｂ２６．４Ｔｅ６０．４    （Ｔ）、
を有する五角形の形状である。
【００２３】
これらの化合物で、５０ｎｓ以下のＣＥＴ−値を達成することができる。
【００２４】
他の有用な化合物は、組成
（ＧｅＳｂ２Ｔｅ４）１−ｘＴｅｘ
を有し、ここでｘは、
【００２５】
【数３】
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を満たす。
【００２６】
これらの化合物は、三元相図において、五角形のエリアＰＱＲＳＴ内であるが、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４及びＴｅを接続する対応線に位置する。これらの化合物で、４５ｎｓより低いＣＥＴ−値が得られる。
【００２７】
３．５アト％（ａｔ．％）まで酸素を、上述のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物のどれか一つに加えるとき、さらにより低いＣＥＴ−値が得られる。
【００２８】
述べたＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物の結晶化速度又はＣＥＴ−値は、記録層の層の厚さに依存する。ＣＥＴは、層の厚さが増加すると、急速に減少する。記録層が２５ｎｍよりも厚いとき、ＣＥＴは、本質的にその厚さと無関係である。３５ｎｍより大きいと、媒体の繰り返し使用可能性（ｃｙｃｌａｂｉｌｉｔｙ）は、悪影響を及ぼされる。媒体の繰り返し使用可能性は、多数、例えば１０５回のＤＯＷ−サイクルの後に、光学的なコントラストＣの相対的な変化によって測定される。サイクル毎に、レーザー光ビームでの加熱を通じた再結晶は、新しい無定形のマークが書き込まれる一方で、古い無定形のマークを消去する。理想的な場合において、光学的なコントラストＣは、サイクリングの後に変化しないままである。繰り返し使用可能性は、実際には、３５ｎｍの記録層における層の厚さまで一定である。ＣＥＴ及び繰り返し使用可能性に関する組み合わせの要求の結果として、記録層の厚さは、好ましくは５及び３５ｎｍの間、より好ましくは１０及び３０ｎｍの間の範囲にある。１０及び３０ｎｍの間の厚さをもつ記録層を有する媒体は、第一の１０５回のＤＯＷ−サイクル中に一定の低いジッタを有する。
【００２９】
反射層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選択される金属（その合金を含む）の少なくとも一つを含む、スタックに存在してもよい。一般的に、この反射層は、もしあれば、レーザー光ビームが入射するスタックの側と反対のスタックの側に存在する。レーザー光ビームが最初に記録層を通過するとき、吸収層は、反射層として作用してもよく、その場合には反射金属層は、要求されない。しかし光情報媒体の種類に依存して、反射金属層は、その仕様書を満たすための十分な絶対反射を得るために、要求される場合もある。
【００３０】
第一、第二及び第三の誘電体層は、ＺｎＳ及びＳｉＯ２の混合物、例えば（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなってもよい。また、それらの層は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ又はＴａ２Ｏ５からなってもよい。好ましくは、ＳｉＣ、ＷＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ又はＴｉＣのような炭化物を使用する。これらの材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合物よりも高い結晶化速度及びより良好な繰り返し使用可能性を与える。
【００３１】
既に前述したように、第二の誘電体層は、光吸収層と記録層との間における移動又は拡散による合金化を防止する。さらに、その厚さは、干渉効果により、Ａｃ及びＡａの比を微調整する場合もある。その厚さは、好ましくは２及び７５ｎｍの間に、より好ましくは１５及び６０ｎｍの間に達する。２ｎｍよりも小さな厚さは、ひび割れの形成を引き起こす場合もあり、繰り返し使用可能性を減少させる。７５ｎｍよりも大きな厚さは、記録層の冷却速度を減少させ、光吸収層の効果を減少させる。
【００３２】
相変化記録層を、電子ビーム蒸着、化学気相蒸着、イオンプレーティング又はスパッタリングのような真空蒸着によって基板に塗布してもよい。蒸着されたような層は、無定形であり、低い反射を示す。高い反射を有する適切な記録層を構成するために、この層を最初に完全に結晶化させなければならず、通常初期化と呼ばれる。この目的のために、記録層を、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｏ又はＧｅ−Ｔｅ−Ｎの化合物の結晶化温度、例えば１９０℃、以上の温度まで燃焼室で加熱することができる。代わりに、ポリカーボネートのような合成樹脂基板を十分なパワーのレーザー光ビームによって加熱することができる。これを、例えば記録計において実現することができ、その場合には、レーザー光ビームは、移動する記録層を走査する。次に、無定形層を、基板が不都合な熱負荷を受けることなく、その層を結晶化させるために必要とされる温度まで局所的に加熱する。
【００３３】
光吸収層をスパッタリングによって基板に塗布してもよい。所望の量の酸素又は窒素を有するＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ又はＴａのスパッタターゲットを適用することができるか、又は前記元素の純粋なターゲットを使用することができ、それによってスパッタガスにおける酸素又は窒素の量を制御する。実際には、スパッタガスにおける酸素又は窒素の濃度は、ほとんど零とおおよそ３０体積％との間で典型的でなることになる。
【００３４】
情報媒体の基板は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、無定形ポリオレフィン又はガラスからなる。典型的な例において、基板は、円盤状であり、１２０ｍｍの直径及び０．１、０．６又は１．２ｍｍの厚さを有する。０．６又は１．２ｍｍの基板を使用するとき、それらの層を、第一の誘電体層で開始してこの基板に塗布することができる。レーザー光が基板を介してスタックに入射するとすれば、前記基板は、少なくともレーザー光の波長に対して透明でなければならない。また基板におけるスタックの層を、逆の順序で、即ち第三の誘電体層で開始して、塗布してもよく、その場合にはレーザー光ビームは、基板を通じてスタックに入射しないことになる。自由選択で、最も外側の透明な層が、環境から下にある層を保護するカバー層としてスタックに存在してもよい。この層は、上述の基板材料、又は透明な樹脂、例えば０．１ｍｍの厚さをもつ例えばＵＶ光で硬化するポリメタクリレート、の一つからなってもよい。レーザー光ビームが、この透明層の入射面を介してスタックに入射するとすれば、基板は、不透明であってもよい。
【００３５】
記録層の側における光情報媒体の基板の表面には、好ましくは、レーザー光ビームで光学的に走査してもよいサーボトラックが提供される。このサーボトラックは、しばしば、螺旋形状の溝によって構成され、射出成型又はプレス成形中に型によって基板に形成される。代わりに、この溝を、基板に個別に提供される、例えばアクリレートのＵＶ光で硬化する層の、合成樹脂層に複製の工程で形成してもよい。高密度記録において、そのような溝は、例えば０．５−０．８μｍのピッチ、及びピッチの約半分の幅を有する、
本発明による光情報媒体は、典型的な実施例によって、及び添付する図面を参照して、より詳細に解明されると思われる。
【００３６】
［実施例］
図１において、レーザー光ビーム（１０）によって消去可能な記録のための光情報媒体（２０）は、基板（１）及びそれに提供される層のスタック（２）を有する。スタック（２）は、無定形と結晶状態との間で変化することができる記録層（５）を有する。記録層（５）は、第一の誘電体層（４）と第二の（６）誘電体層との間に挿入される。
【００３７】
第一及び第二の誘電体層（４、６）は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０で作られ、それぞれ２０ｎｍ及び４９ｎｍの厚さを有する。
【００３８】
光吸収層（７）は、記録層（５）の近くに存在し、２０ｎｍの厚さを有する。光吸収層（７）は、式ＳｉＯ０．７の化合物を含む。４０５ｎｍのレーザー光の波長でＡｃ／Ａａ＝０．８５であることは達成される。この光吸収層（７）の存在なしでは、Ａｃ／Ａａ＝０．７１であり、かなりより多くの記録マークの歪みをもたらす。
【００３９】
第三の誘電体層（８）は、記録層（５）から遠い側における光吸収層（７）の近くに存在する。第三の誘電体層（８）の厚さは、５５ｎｍである。記録層（５）は、ＧｅＴｅである。
【００４０】
Ａｌの反射層（３）は、スタックに存在し、１００ｎｍの厚さを有する。このようなスタックにおいて、４０５ｎｍのレーザー光の波長で、無定形の反射Ｒａ＝４％であり、結晶の反射は、Ｒｃ＝１４％である。
【００４１】
基板１は、１２０ｍｍの直径及び０．６ｍｍの厚さを有するポリカーボネートの円盤状の基板である。
【００４２】
自由選択のカバー層（９）は、１００μｍの厚さでＵＶで硬化する樹脂Ｄａｉｃｕｒｅ  ＳＤ  ４１５で作られ、第三の誘電体層に隣接して存在する。
【００４３】
本発明によれば、ＤＶＲ−青のような、高密度の消去可能な記録のための光情報媒体に、相変化材料の記録層の近くに光吸収層が提供される。光吸収層のレーザー光吸収は、製造中にそのＯ又はＮの含量を変動させることによって容易に調整可能である。これは、０．８＜Ａｃ／Ａａ＜１．５０であることを達成するためであり、ここでＡｃ及びＡａは、３５０−４５０ｎｍの範囲から選択されたレーザー光の波長で結晶状態及び無定形状態における記録層に吸収されるレーザー光のそれぞれの量である。このようにして、高いデータ転送速度及び高い記録速度は、前記波長範囲で達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ＭＩＰＩＡＩ構造を有するスタックをもつ光情報媒体の概略の断面図を示す。
【国際公開パンフレット】
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2004515875.tif 000008
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【国際調査報告】
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