(57)【要約】液体ポリマー及び他の材料についての収率及び線幅性能を改善するのための方法及び装置が説明される。ｐＨの急激な変化を少なくすることにより現像反応物の沈殿を最小にするための方法には、現像剤流体の最初の供給により基板上のポリマー層の少なくとも一部を現像することと、次に、その後のｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために、該ポリマーを該現像剤流体の付加的な供給によりリンスして、次に該ポリマーを別の流体の付加的な供給によりリンスすることとが含まれる。現像剤成分のウエーハ表面への投入からその除去に至るまで、均一な準平衡状態を連続して達成するための方法がさらに説明される。本方法は、プロセスによって誘起された欠陥を低減し、限界寸法（ＣＤ）制御を改善する。
2004505301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハのパターン欠陥を低減するために現像プロセスを順序づけるための方法であって、
現像剤流体を供与するのに先立って、実質的に不活性な材料をウエーハ表面上に供与する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
ウエーハのパターン欠陥を低減するために現像プロセスを順序づけるための方法であって、
現像化学反応が実質的に完了する前に、流体要素がウエーハの外側縁に達するまでの遷移時間よりも長い時間にわたって、ウエーハ表面の一部を横切る現像剤流体の流れを誘起する、ことを特徴とする方法。
【請求項３】
ウエーハのパターン欠陥を低減するために現像プロセスを順序づけるための方法であって、
現像化学反応が実質的に完了まで進んだ後で、ウエーハ上に新たな量の現像剤流体を供与する、ことを特徴とする方法。
【請求項４】
新たな量の現像剤流体の供与に続いて、実質的に不活性な材料をウエーハ上に供与する、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は一般的に、超小型電子加工技術の分野に関する。より具体的には、本発明は液体ポリマーの収率及び線幅性能を改善することに関する。
【０００２】
（背景技術）
平版印刷技術は、収率が改善したより小型の形状を実現するために、止むことなく進歩を続けている半導体産業の主要な推進力の１つである。さらに具体的に述べると、限界寸法（ＣＤ）制御を改善することと、プロセスによって誘起された欠陥及び粒子計数を低減させることとが、同時に満たされなければならない。
【０００３】
線幅が一段と小さくなりつつあるパターン加工において、「現像」流体モジュールプロセスは重要な役割を果たしている。現像プロセスに先立つ一連の写真平版技術のプロセスステップの結果として、レジストフィルム上に、溶解率の高い領域と低い領域が生成される。現像プロセス中、レジストフィルムに転写された画像は、湿式プロセスによって三次元構造に現像される。後に続くエッチングプロセス（ほとんどの場合、乾式プロセスである）が、この画像を基板（Ｓｉ、ＳｉＯ２、ポリＳｉなど）上に転写する。
優れた現像プロセスには数多くの変形がある。一般に、典型的な現像プロセスには２つの主要な部分がある。最初の部分において、低回転数で回転するウエーハ上に現像剤流体が分散され、次に、静的パドルの形成、及び長い静止又は振動ステップが続き、ここで高い溶解率の領域がエッチングで取り除かれ、フィルム上に３次元の画像を生成する。パターン加工された画像の品質と、側壁角度の値及びＣＤ制御は全て、現像プロセスのこの最初の部分の影響を強く受ける。化学的湿式エッチングステップの直後に脱イオン（ＤＩ）水によるリンスステップが続くが、その主要な機能は、溶解したレジストと現像剤流体との混合物を洗い流し、パターン加工されたウエーハ上の粒子欠陥の計数を最小にすることである。当然ながら、リンスステップは、平版印刷技術プロセスの収率を改善するのに極めて重要である。
【０００４】
これまでのところ、上述の限界寸法制御が改善されるための必要条件と、プロセスによって誘起された欠陥計数の低減、及びプロセスによって誘起された粒子計数の低減のための必要条件は、充分に満たされていなかった。必要とされるのは、これらすべての必要条件に同時に対処する解決法である。
【０００５】
（発明の開示）
本発明の主要な目的は収率を改善することである。本発明の別の主要な目的は、ＣＤ制御能力の改善である。本発明は、ウエーハ・トラック工具の現像剤流体モジュールにおけるこれらの問題の両方についての解決法を提供する。
本発明の第１の観点は、ｐＨの急激な変化を少なくすることにより現像反応物の沈殿を最小にするための方法に基づく実施形態において実施され、該方法は、ある量の現像剤流体により基板上のポリマー層の少なくとも一部を現像することと、次に、その後のｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために、この現像剤流体の少なくとも一部が該ポリマー上に滞留できるようにし、次に該ポリマーをある量の別の流体によりリンスすることとを含む。
本発明の第２の観点は、ｐＨの急激な変化を少なくすることにより現像反応物の沈殿を最小にするための方法に基づく実施形態において実施され、該方法は、現像剤流体の最初の投与により基板上のポリマー層の少なくとも一部を現像することと、次にその後のｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために、該現像剤流体の付加的な投与により該ポリマーをリンスし、次に該ポリマーを別の流体の投与によりリンスすることとを含む。
【０００６】
本発明の第３の観点は、ｐＨの急激な変化を少なくすることにより現像反応物の沈殿を最小にするための方法に基づく実施形態において実施され、該方法は、ある量の現像剤流体により基板上のポリマー層の少なくとも一部を現像することと、次にその後のｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために、該基板をある量の緩衝液と接触させ、したがって該現像剤流体の少なくとも一部をこの緩衝液の少なくとも一部と混合し、次に該ポリマーをある量の別の液によりリンスすることとを含む。
本発明の第４の観点は、基板上に現像されるべきポリマー層に対する流体の衝突力を最小にし、したがって収率及び線幅制御性能が改善される装置に基づく実施形態において実施され、該装置は、流体を供給するようにされたマニホルドと、該マニホルドに連結された複数の流体導管と、該複数の流体導管内に配置される複数の管状挿入体とを含むノズルを備える。
本発明の第５の観点は、基板上に現像されるべきポリマー層に対する流体の衝突力を最小にし、したがって収率及び線幅制御性能が改善される装置に基づく実施形態において実施され、該装置は、現像剤流体を供給するようにされた現像剤マニホルドと、該現像剤マニホルドに連結された複数の現像剤流体オリフィスと、リンス流体を供給するようにされたリンスマニホルドと、該現像剤マニホルドに連結された複数のリンス流体オリフィスとを含むノズルを備え、該現像剤マニホルド及び該リンスマニホルドは互い違いに配置されて、該ノズルの外幅を低減する。
【０００７】
本発明の第６の観点は、基板上に現像されるべきポリマー層に対する流体の衝突力を最小にし、したがって収率及び線幅制御性能が改善される装置に基づく実施形態において実施され、該装置は、現像剤流体を供給するようにされた現像剤マニホルドと、該現像剤マニホルドに連結された複数の現像剤流体オリフィスと、リンス流体を供給するようにされたリンスマニホルドと、該リンスマニホルドに連結され、少なくとも１つのリンス流体軸を形成するように配列された複数のリンス流体オリフィスとを含むノズルを備え、該ノズルはブラケットに結合されており、このブラケットは、該ノズルを該基板に対して上下させ、且つ該少なくとも１つのリンス軸を再配置して該基板の中心に対する垂線とほぼ同一平面となるようにする。
本発明の別の観点は、現像剤成分のウエーハ表面への投入からその除去に至るまで、均一な準平衡状態を連続して達成するための方法を提供するものである。この観点及び他の観点は、一実施形態において、現像剤流体の供与に先立って実質的に不活性な材料をウエーハ表面上に供与することと、現像化学反応が実質的に完了する前に、流体要素がウエーハの外側縁に達するまでの遷移時間よりも長い時間にわたって、ウエーハ表面の一部を横切る現像剤流体の流れを誘起することと、現像化学反応が実質的に完了まで進んだ後で、ウエーハ上に新たな量の現像剤流体を供与することと、新たな量の現像剤流体の供与に続いて、実質的に不活性な材料をウエーハ上に供与することにより、構成される。
【０００８】
本発明のこれらの及び他の目的と態様は、以下の説明及び添付の図面と共に考慮することにより、よく認識され、理解されるであろう。しかしながら、以下の説明は、本発明の好ましい実施形態及びその多くの具体的な詳細を示してはいるが、図示の目的で与えられるのであって限定の目的で与えられるのではないということが理解されるべきである。本発明の精神を逸脱することなく、その特許請求の範囲内において多くの変更及び修正を行うことができ、本発明はそうした修正の全てを含むものである。
【０００９】
（発明を実施するための最良の形態）
本発明を構成する利点及び特徴の明らかな概念、また本発明と共に提供されるモデル・システムの構成部品及び作動は、添付の図面及び本明細書の一部をなす図面に示される、例示的かつしたがって非限定的な実施形態を参照することによって、より容易に明らかとなり、ここで同じ参照文字（１つ以上の図に存在する場合）は、同じ部分を示す。図面に示される特徴は、必ずしも縮尺通りではない。
本発明及びその種々の特徴及び有利な詳細は、添付の図面に示され、次の好ましい実施形態の説明の中で詳述される、非限定的な実施形態を参照してより全面的に論じられる。本発明の詳細を不必要に不明瞭なものとしないために、周知の構成部品及び処理技術の説明は略される。
本発明の概念には、超小型構造（例えば超小型電子構造）の写真平版技術による処理が含まれる。これらの構造は、典型的にはエッチングされ、関係あるポリマーは、エッチング液によって少なくとも殆ど影響を受けない状態のままでいるべき構造の部分を保護するためのマスクとして機能する。現像されるポリマーは、ネガのフォトレジスト及び／又はポジのフォトレジストとすることができる。本発明はさらに、例えばノズルの再配置、又は回転速度の変更のような、相互に連結する個別のハードウェア要素を作動させるために、ポリマー処理の状態を特徴づける信号を変換するデータ処理方法を利用することもできる。
【００１０】
本発明は、新規な多重ポート供給装置（ノズル）を採用することにより、現像プロセスにおいて、写真平版技術のステップで用いられる液体ポリマーの欠陥密度を減らすことを含む。多重ポート供給装置の１つの重要な態様は、液滴の衝撃を減らすことである。この供給システムは現像剤流体モジュールであり、ここでは、均一な層流空気流の場が存在することが好ましい。この装置は、その優れたリンス作用により、欠陥密度の顕著な低減を可能にする。さらに、この多重ポートのノズル・システムは、２つの異なる現像剤流体成分が、（リンス成分に加えて）いかなる相互汚染も伴わずに保持されることを可能にする。現像剤流体と脱イオン水の両方のためのこの供給システムは液体の衝撃力を減らし、したがって、小型形状にとって重要な収率管理上の問題であるパターン崩壊を防止する。
【００１１】
本発明は、ウエーハ・トラック工具の現像剤流体モジュールの一部とすることができる。この適用例において、本発明は、１）いかなるクロストーク（ｃｒｏｓｓ−ｔａｌｋ）も伴わずに２つの異なる現像剤流体の供与を行う多重ポートのノズル・システムと、２）リンスステップ中に脱イオン水を供与するために用いられる同じ又は同様の形状の第２多重ポートのノズル・システムと、３）現像プロセス全体を通して、２つの成分の現像剤流体、並びに低衝突必要条件を達成するために１）又は２）のいずれかの部分を実装することを含むものとして、分類することができる。本発明は、現像剤流体を露光されるウエーハ全体に均一に分布させることによって、現像剤流体モジュールが限界寸法（ＣＤ）の変動に寄与するのを減少させることを含む。これにより、ウエーハ・トラック・システムがその現像剤流体モジュール中にこのような装置を含むときに、ウエーハ・トラック・システムの全体のＣＤ制御能力が改善される。トラック・システムは、ステッパに連結することができる。ここで用いる「連結する」という用語は接続することとして定義され、必ずしも直接的である必要はなく、また必ずしも機械的である必要はない。
【００１２】
本発明は、現像されたレジスト構造の崩壊の防止を助けることを含み、及び急激なｐＨ変化を少なくすることを含む。ここでｐＨ変化を特徴づけるために用いられる「急激な」という用語は、ほぼ１秒未満、好ましくはほぼ０．１秒未満、より好ましくはほぼ０．０１秒未満の時間によって分けられた２つの変曲点を含む時間に対するｐＨの変化として定義される。このようなほぼ一致した２つの変曲点の発生を、ステップ関数と呼ぶことができる。
本発明は、基板上の現像されるべきポリマー層の上に、現像剤流体および脱イオン水の両方を供給するのに用いることができる多重ポートのノズルのための多くの設計を含むことができる。ノズルは、液垂れを最小限にしながら、最適な空間的液体流速を与えるために配列された出口の形状を提供する。本発明は、フィルムに対する液体の衝撃力を減らすことによって、現像されたレジスト構造の崩壊の防止を助けることを含む。本発明は、ポートの少なくとも１つにノズル挿入体を持つ多重ポートのノズルを提供することを含む。挿入体は、ノズルの作業流体に対して低い摩擦係数（静摩擦係数又は動摩擦係数のいずれか）を有する材料で製造することができる。
【００１３】
本発明は、挿入体を、それらが配置される材料を越えて延長させることを含む。この延長は、内向きとすることができ、この場合には、挿入体が入口マニホルドの中に延びる。この延長は、外向きとすることもでき、この場合には、挿入体はノズル本体の底部を越えて延びる。
挿入体を延長することの利点は、内部マニホルドが空気均等化リザーバとして機能することを可能にし、したがってポートに対する静的圧力の均等化に影響を与えるようにすることである。挿入体を外方に延ばすことの利点は、作業流体の圧力を反転させて吸引を達成することにより、残留蓄積を緩和しようとするいかなる操作上の試みにもかかわらずノズル本体の底面に残留する作業流体が蓄積するのを防止することである。
【００１４】
本発明は、作業流体マニホルドを互い違いに配置することを含む。作業流体マニホルドを互い違いに配置することにより、互い違いでなく、交差もしていない形状の半径方向の孔の内側部分よりも、マニホルドの主軸を互いに近接させることができる。マニホルドを互い違いに配置することの１つの利点は、多重ポートのノズルの全体の幅がより狭くなることである。特に、ポート間で静的圧力を均等化するという機能上の必要条件のために、マニホルドによって占められる容積が増加する場合には、マニホルドを互い違いに配置することは、マニホルドが２つしか存在しない場合であっても有用である。
本発明は、全ての供与が１つのヘッド位置で行われることができるように戦略的に配置された複数の穴の列を通して、区別できる化学物質を有する２つの現像流体と、１つのリンス用脱イオン水（ＤＩ）成分とを供与する１つのノズルヘッドを含む。これにより、ヘッドを排出位置から１つの供与位置へ動かすための回転シリンダ・アクチュエータを使用することが可能になる。サーボ位置決め制御は必要とされない。ＤＩの穴の列は、ウエーハ全体をリンスするために中央に位置させられる。以下でより詳細に説明されるプロセスデータは、５ミリメートルの現像成分のオフセットがプロセス結果を実際に改善することを示しているため、現像剤成分の列は、５ミリメートルだけオフセットして配置されることが好ましい。供与穴は、半径の小さい端部を持つ管を圧入したものとすることができる。これらの管には、利便を与える少なくとも２つの性質がある。第１に、半径の小さい端部は液体が付着することを可能にするような表面を形成しない。この底面に付着するいかなる液体も、供与流を中心から外れさせることになる。さらに、底部の水平表面上の液体は、２つの流れを合流させて１つのより大きな流れにすることがある。これは、ヘッド上の異なる成分間での汚染もないことが重要なときには特に問題である。第２に、圧入された管のように、先端を半径方向の縁部又は端部となるように形成することは、非常にスムーズな内面を可能にし、流体付着の原因となるような異常を排除する。微細な表面異常は流れを誤った方向に向けることになる。粗い表面は、化学成分の乾燥及び汚染につながることになる制御不能な液体付着を引き起こす。液体／空気界面の形状は良好に制御されるため、気泡を吸引する機会が減少する。「プレナム」孔の位置は互い違いに配置されて、現像剤の５ミリメートルオフセットを維持することを可能にし、１．５インチ幅（１インチ＝２．５４ｃｍ）のヘッド上に３つの化学成分の列を可能にする。全ての穴は、供与ヘッドが一体部品になるように戦略的に配置される。
【００１５】
図１は、１つの化学成分流体を供与するための多重部品ノズル１００の一実施形態を示す。ノズル１００は、前面１０５から裏面に向けて測定した値で、流体を受けるウエーハの半径に等しい最大幅を有することができる。ノズル１００は、該ノズル１００の底面１１５に対して垂直方向の軸に沿って整列した複数の導管を有する主アーム１１０を含む。入口マニホルド１３０は、流入流体を受け、該流体は次にノズルを通り、回転するウエーハ上に複数の出口１０１を介して供与される。本実施形態において、出口１０１は、主アーム１１０の幅方向に直線状に整列しているところが示されている。ノズル１００の幅は、ウエーハが完全に１回転する際に、供与された流体がウエーハ全体を覆うことを可能にする。このようにして、ノズル１００は均一且つ迅速な流体の配分を提供するが、これは現像剤流体の適用例において、ＣＤ制御の改善のために重要な必要条件である。
【００１６】
図２は本発明の別の実施形態を示し、ここでは多重部品ノズル２００は、１つの流体又は区別できる化学成分を有する２つの流体を受ける入口マニホルド２３０を含む。入口マニホルドからの流体は、第１のアーム２１０と第２のアーム２２０との間で供与することができる。各々のアーム２１０及びアーム２２０は、ノズル２００の適用例に応じて、出口３０１（図３に示す）と区別でき或いは同一の配列を有することができる。ノズル２００はさらに、前面２０５と裏面の間に、ウエーハの直径に等しい幅を有して、ウエーハの完全な１回転で、供与された流体がウエーハ全体を覆うようにすることができる。
【００１７】
図３は、ノズル２００の断面図であり、入口マニホルド２３０が好ましくは現像剤流体及び脱イオン水のような、区別できる化学成分を有する２つの流体を受けるように分割されているところを示している。仕切り３３５は入口マニホルド２３０における流体流を分割する。図２は、入口マニホルド２３０が１つの流体流を第１の入口チャネル３４０に導くところを示している。第１の入口チャネル３４０は、第１のアーム２１０における導管３４５と合体する湾曲部３４２を含む。マニホルドは、別の流体流を第２の入口チャネル３６０に導く。第２の入口チャネル３６０は、第２のアーム２２０における第２の管状挿入体３６５と合体する湾曲部３６２を含む。ノズル２００の底面３８０上の出口３０１は、ノズル２００の幅方向に直線状に整列することが好ましいが、別の配列も可能であり、それは以下でさらに説明される。ノズル２００の構成は、温度制御をしながら、供与中にいかなる相互汚染も伴うことなく、２つの異なる現像剤流体成分を使用することに順応する。ノズル２００は、現像剤流体の供与と共に、或いはこれとは別に、脱イオン水の供与が可能となるようにすることができる。しかしながら、ノズル２００又はそれと同様の変形を、現像剤流体の単一又は２つの化学成分形態に組み込むこともできる。
【００１８】
本発明の別の重要な特徴は、このノズルが多重ポート性質を備えているために、単一穴ノズルに比べて、その衝突力が顕著に低減されることである。衝撃力の低減は、高いアスペクト比を有する傾向がある、より小さいＣＤ寸法にとって重要である。小さいＣＤ寸法は、流体の衝撃によるパターン崩壊に対して脆弱にするものである。本発明の実施形態は、現像剤流体及び脱イオン水についての衝撃力を低減する。このようにして、現像プロセスの全体に渡る衝突力を最小にすることができ、したがって、周知の技術によって提供されるよりも高い収率で、より小型の形状にパターン加工するための信頼性のある方法が確実となる。多重ポートのノズルを現像剤流体と脱イオン水の両方に使用することの別の重要な利点は、そのことによりプロセスの許容範囲が増大することである。さらに、多重ポートのノズルの改善した液体送出能力及び液体供与能力は、回転速度及び流体供与速度のような機械的プロセス変数について、プロセス全体のより良好な順応性を確実にする。したがって、本発明により提供される別の付加的な利点は、ＣＤ制御並びに良好な欠陥及び粒子性能を維持し、合計現像プロセス時間を減少させる可能性である。
【００１９】
図４は本発明の別の実施形態を示し、ここでは多重ポートのノズル４００は１つ又は２つの現像剤流体及び／又は脱イオン水を供与することができる。ノズル４００は、該ノズル４００をただ１つの位置に配することにより、全ての供与が達成できるように、２つの現像剤流体及び脱イオン水を供与することが好ましい。ノズル４００のヘッド４２０は、現像剤流体及び／又は脱イオン水を受けるための３つの入口又は入口マニホルドを有する上面４２５を含む。図４において、１つの好ましい配列は、第１の現像剤流体のための第１の入口４０５と、脱イオン水のための第２の入口４１０と、第２の現像剤流体のための第３の入口４１５を備える。空間を節約しノズル４００全体の寸法を減らすために、２つ又はそれ以上の入口が上面４２５に対して互い違いに配置されることが好ましい。図４において、第１の入口４０５は第３の入口４１５と互い違いに配置され、第２の入口は第１の入口４０５と第３の入口４１５との間の中央に配置され、及び／又はオフセットして配置されている。図５は、ヘッド４２０の端面５２０を示し、内部マニホルドは入口に対応する孔あきチャンバとして示されている。端面５２０は、第１の現像剤流体のための第１の入口４０５と合体する第１のマニホルド５０５と、脱イオン水のための第２の入口４１０と合体する第２のマニホルド５１０と、第２の現像剤流体のための第３の入口４１５と合体する第３のマニホルド５１５を含むことが好ましい。ノズルの寸法を更に減らすために、２つ又はそれ以上のマニホルドは、端面を横切り、相互に互い違いになるように配置される。第１のマニホルド５１０は端面５２０の中央に配置され、第２のマニホルド５１０と第３のマニホルド５１５は、該第１のマニホルド５０５の両側に対称的に、三角形をなすように配置されるのが好ましい。
【００２０】
図６は、図４の線Ａ−Ａに沿って切断された断面であり、底面６８０を垂直軸に沿って垂直に孔あけする複数の導管６７０を含む第３のマニホルド５１５の一例を示す。第３のマニホルド５１５の構造は、第１のマニホルド５０５及び／又は第２のマニホルド５１０と同一であることが好ましく、実施形態全体の代表として、以下でもっと詳細に説明される。第３のマニホルド５１５の例示として、各々の導管６７０は、内端６６０と外端６５５を有する管状挿入体６５０を含むことができる。各々の管状挿入体６５０の内端６６０は、ある高さだけ第３のマニホルド５１５の内方に延びることが好ましい。第３のマニホルド５１５に入る流体は、該第３のマニホルド５１５内に集められた流体の水準が内端６６０の高さを越えない限り、流れ出すことはない。このようにして、内端６６０は、管状挿入体６５０の内端６６０からマニホルドの底面６６５までとして定められる深さを有するリザーバを形成する。このような方法において、第３のマニホルド６１５内の静的圧力を、対応する流体導管６７０に対して一定に又は同等に維持するために、内端６６０の高さを用いることができる。同様にして、挿入管６５０の外端６５５は、ノズル４００の底面６８０を越えて延びることができる。
【００２１】
管状挿入体６５０は、現像剤流体又は脱イオン水の流れを誤った方向に向けてしまうことがある表面の傷を、最小にし又は除去する非常にスムーズな内面を提供するように形成されることができる。管状挿入体６５０内の液体−空気界面は制御することができるため、管状挿入体６５０のスムーズな表面が気泡の吸引を回避する。管状挿入体６５０は、さらに、マニホルドの内側とノズルの外側の両方に、通過する流体に接触する可能性のある管状挿入体の領域を減少させる薄い半径方向縁を設ける。これにより、ノズル４００は、導管に接触する現像剤流体及び／又は脱イオン水の流体流に関連した問題、例えば流体の付着、又は流れを中心から引き離す他の問題を回避することが可能になる。さらに、外端６５５は、ノズル４００を越えて十分に延び、流れが引き寄せられて底面６８０に集まることを回避する。
【００２２】
図７は、ノズル４００の底面６８０の出口の好ましい配列を示す。出口は、示されるように直線状に配列することができ、或いは面積を節約するために互い違いに配置することもできる。一実施形態において、出口７０１の中央列７０５は、処理されるウエーハ全体がリンスされるように、脱イオン水を配分する。出口７０１の第２の列７１０は第２のマニホルド５１０に連結することができ、第３の列７１５は第３のマニホルド５１５に連結することができ、それぞれ少なくとも１つの現像剤流体、好ましくは２つの現像剤流体を供与する。
【００２３】
図８は、互い違いに配置された又はオフセット配置された入口４０５、４１０、４１５を組み込んだノズル４００の斜視図を示す。ノズル４００は、第１の縦方向端８２０上に、該ノズルをウエーハのアーム又はスタンドに固定するためのピボット運動可能な取り付けブラケット８１０を含むことができる。また、ノズルは小型であり、上面４２５から底面６８０まで延びる１．５インチの垂直方向の高さを有することが好ましい。ノズル４００は、第１の縦方向端８２０上に、該ノズルをウエーハのアーム又はスタンドに固定するためのピボット運動可能な取り付けブラケット８１０を含むこともできる。また、ノズルは小型であり、上面４２５から底面６８０まで延びる１．５インチの垂直方向の高さを有することが好ましい。
【００２４】
図９は、図４のノズル４００の線Ｂ−Ｂに沿って取った断面である。図９において、ノズル４００は、第１の複数の管状挿入体６５０ａに連結される第１のマニホルド５０５を含むものとして示されている。同様にして、第２のマニホルド５１０は第２の複数の管状挿入体６５０ｂと連結され、第３のマニホルド５１５は第３の複数の管状挿入体６５０ｃと連結される。第１の管状挿入体６５０ａは第１のマニホルド５０５の内方に延び、第２の管状挿入体６５０ｂは第２のマニホルド５１０の内方に延び、第３の管状挿入体６５０ｃは第３のマニホルド５１５の内方に延びることが好ましく、そのことにより、各々の管状挿入体の内方延長部６６０ａ、６６０ｂ、６６０ｃは、それぞれ対応するマニホルドと共に、リザーバを形成する。図１２と図１３及びここで説明されるように、マニホルド５０５内のリザーバの高さは内方延長部６６０ａの長さによって、マニホルド５１０内のリザーバの高さは内方延長部６６０ｂの長さによって、マニホルド５１５の内のリザーバの高さは内方延長部６６０ｃの長さによって、それぞれ個々に設定することができる。
【００２５】
図１０は、図４のノズル４００の線Ｂ−Ｂに沿って取った断面である。図１０に示されるように、各々の入口は、マニホルドに関連付けられた又はマニホルドの一部を形成する１つ又はそれ以上のチャンバを用いて、該マニホルドに連結することができる。特に、図１０は、第１の入口チャンバ１００５によって第１のマニホルド５０５に連結される第１の入口４０５、及び第３の入口チャンバ１０１５によって第３のマニホルド５１５に連結される第３の入口を示す。図１１は、図４のノズル４００の線Ｂ−Ｂに沿って取った断面である。他の入口及びマニホルドのように、図１１は、第２の入口チャンバ１１１０によって第２の入口４１０を第２のマニホルド５１０に連結できることを示す。他の実施形態においては、付加的な入口を、チャンバを含む同様の構成を用いて、対応するマニホルドに連結することができる。さらに、図１０及び図１１は、異なるマニホルドから分岐する流れが合流することを回避するために、ノズル４００の底面６８０から延びる管状挿入体６５０ａ、６５０ｂ、６５０の別の斜視図も示している。
【００２６】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明と共に用いる管状挿入体６５０のための１つの実施形態を示す。図１２Ａに示されるように、管状挿入体は円い断面１２１０を含むことができる。しかしながら、本発明の他の実施形態は、四角形状又は多角形状を含む非円形の断面を用いることもできる。管状挿入体６５０の高さは、該管状挿入体を保持するマニホルドの垂直位置か、又は該管状挿入体の内端６６０により定められるリザーバの所望の深さのいずれかによって、設定することができる。図１２Ａは、第１のマニホルド５０５又は第３のマニホルド５１５のような、底面６８０により近いマニホルドのための、より短い高さを有する管状挿入体６５０を示す。或いは、図１２Ａの管状挿入体は、第２のマニホルド５１０内に浅いリザーバを形成するために用いることもできる。
【００２７】
図１３Ａ及び図１３Ｂは、管状挿入体のための別の実施形態を示す。前に挙げた実施形態のように、図１３Ａの管状挿入体は円状の断面を含む。図１３Ｂに示す管状挿入体の長さは、他のマニホルドに対して底面６８０から隔たっているマニホルドのためには、長い方が好ましい。したがって、図１３Ａの管状挿入体６５０は、第２のマニホルド５１０のために好ましい。さらに、図１３Ｂの管状挿入体は、第１のマニホルド５０５又は第３のマニホルド５１５内により深いリザーバを生成するために用いることができる。１．５インチの深さを有する最適なノズルのためには、図１２Ｂ及び図１３Ｂに示すように、管状挿入体６５０は０．３５２インチから０．６６５インチまでの範囲に渡ることができる。
【００２８】
図１４は、ノズル４００の斜視断面である。第１の入口４０５及び第２の入口４１０は、ノズル４００の上面４２５上に、中心を外して又は互い違いに配列された状態で示されている。端面５２０は、第１のマニホルド５０５及び第２のマニホルド５１０を含む。本実施形態に関しては、第２のマニホルド５１０は、本実施形態における以下により詳細に説明される他の例示的なマニホルドとしても見ることができる。第２のマニホルド５１０は、拡大されたチャンバ１４１０を含む。拡大されたチャンバ１４１０は、第２のマニホルド５１０の残りの部分を形成する孔あきセグメント１４２０と合体する。第２の入口チャンバ１０１０は、第２の入口４１０を第２のマニホルド５１０と連結させる。管状挿入体６５０ｂは、外端６５５が底面６８０を越えて延びるように、導管６７０を貫通する。同様にして、内端６６０は、第２マニホルドの底面６６５の上に、第２のマニホルド５１０が流体を受けるときのためのリザーバの深さを定める高さ１４３０を形成する。このようにして、脱イオン水のような流体は、第２の入口４１０を通って受けられ、第２のマニホルド５１０の孔あきセグメント１４２０を通って広がることができる。流体の水準が高さ１４３０を越えるのに先立って、該流体は第２のマニホルド５１０内にリザーバを形成する。一旦流体が高さ１４３０を越えると、該流体は内端６６０を通って管状挿入体６５０ｂに入り、外端６５５を通過して出ていく。脱イオン水の場合、結果としてもたらされたノズル４００からの流出は、リンス用流体の微細な分散を与える。
【００２９】
いかなる特定の性能指標又は診断識別子にも限定されるものではないが、本発明の好ましい実施形態は、ウエーハの表面全体に渡ってほぼ均一な現像速度が存在するかどうかについて試験することにより、一度に１つずつ判別することができる。ほぼ均一な現像速度についての試験は、単純な通常のＩＰＥＣ　Ａｗｍａｐ速度マップ又は回転速度試験の使用により、必要以上の実験を伴わずに行うことができる。
現像剤供与中、回転するウエーハの中心に最も近い現像流との間にどれだけのオフセットが許容されるかを判断するために、回転速度試験が行われた。使用した基準は、現像の均一性が影響を受けるまでオフセットを増大させることであった。そうしたオフセットは、現像モジュールのために考慮される殆どの供与ノズル設計において固有のものであるため、これを知ることは重要である。
【００３０】
図１５から図１８は、供与中の回転を６０ｒｐｍと２５００ｒｐｍの間で変化させながら、ノズルのオフセットを０ミリメートル、５ミリメートル、１０ミリメートル、及び２０ミリメートルとして、ウエーハ上で同時に行った現像試験の結果を提供するものである。この試験により、少なくとも５ミリメートルまでのオフセットは、ウエーハ全体に渡る現像の均一性に対して悪影響がないことがわかった。５ミリメートル又はそれ以下のオフセットを伴うノズル設計は、ウエーハの中心において不均一な現像を生じないことが想定できる。５から１０ミリメートルの間の幾つかの点において、流体はもはやウエーハの中心を濡らさなくなり、その場所での現像は大きく抑制される。ウエーハの回転速度はオフセットとある程度相互に作用しており、それは１０ミリメートルの境界オフセットにおいて最も明らかである。
【００３１】
本発明の好ましい実施形態は、１ウエーハ半径の長さのバーに３つの平行な穴の列を含む。この１つのノズルは、脱イオン水（ＤＩ）と現像剤の両方を供与するものである。ウエーハの上のアームの半径方向の位置は空気圧シリンダで行われるため、どの流体が供与されるかにかかわらず、ウエーハに対してノズルの位置はただ１つしかない。したがって、１組の穴のみが正確にウエーハの中心上に配置され、ＤＩの供与が優先されて、流体はウエーハの中心に最も近接することが予想される。典型的な現像プロセスでは、回転しているウエーハ上に流体が供与されるため、流体の供与が離れすぎている場合には、流体が中心に到達するのを遠心力が妨げるであろう。この試験は、ウエーハ全体に渡る現像速度の均一性が影響を受ける前に、現像剤流体の供与は、中心からどれだけ外れることが可能であるかを判断するために行われた。
【００３２】
現像剤は、中心から０ミリメートル、５ミリメートル、１０ミリメートル、及び２０ミリメートルの固定オフセットで供与された。遠心力の差は、現像剤がウエーハの中心に到達するように影響する、中心寄りのオフセットと相互に作用する可能性があるため、供与中の初期回転も変えられた。６０ｒｐｍ、６００ｒｐｍ、１２００ｒｐｍ（標準）、及び２５００ｒｐｍの速度が用いられた。
【００３３】
図１９Ａから図２２Ｄを参照すると、幾つかの理由により、補助現像技術が現像品質の尺度として選ばれているが、その理由には、（１）補助現像技術は、線幅測定に比べて速いことと、（２）補助現像技術は、線幅又はＥ°測定より解像度が高く、Ｅ°測定より主観度が低いことと、（３）数箇所の別個の位置ではなくウエーハの領域全体が使用できることと、（４）Ｅ°の場合よりも露光速度及び現像速度が良好なため、揺動曲線、微小走査強度の均一性、ＰＥＢの均一性などのような現像速度に対する原因に比べ、現像プロセスの及ぼす影響が遥かに支配的である、ということが含まれる。レジストフィルムが完全な脱保護に近づくにつれて、現像は単純なエッチングプロセスの傾向を示す。現像後のウエーハ全体に渡る色の均一性の品質測定に加えて、ウエーハ全体に渡るレジスト除去の違いが、ＩＰＥＣ　Ａｃｕｍａｐの厚さ測定システムにより定量化された。このツールは、厚さを、ウエーハ全体を横切って１ミリメートル間隔（３０，０００箇所以上）で測定するが、実際問題として、この報告における計算のためには、１２１箇所の露光領域の中心における厚さのみが用いられた。
【００３４】
試験のためには、ベースライン化学、ＴＯＫ９、及びプロセスが用いられた。現像処方は、現像剤流体及びＤＩ供与中のアームの運動を排除するように修正された。ノズルの好ましい実施形態は、現像剤流体供与のために用いられた。真ん中の穴がウエーハ中心の上に０オフセットで配置されるように、アーム・プログラムにおいて調整がなされた。現像プロセスのパドル部分は、６０．５秒から５．５秒に短縮された。使用した露光量は、１２ｍＪ／ｃｍであった。（Ｅ°量はほぼ６．５から７．０ｍＪ／ｃｍ）。現像剤の流量計はほぼ３．８に設定され、容積は確認されなかったが、この流量計についての過去の経験から、約５０ｍｌとなるはずである。全てのウエーハがＰＥＢを通して一度に処理され、次に別々に現像装置に入れられたが、ここでパラメータは各々のウエーハについて、乱数化された順序で変動させられた。
【００３５】
現像速度は、まず１２１箇所における現像後のレジストの厚さを、ＰＥＢ後で現像直前の２つのウエーハ上で測定した厚さから差し引くことにより、求められた。この手法において、現像前のウエーハ間の厚さの違いは相対的に無視できるものと仮定され、代表的なウエーハは、全ての速度計算についての「前の」ウエーハとすることができる。除去されたレジストは、この試験における全てのウエーハについて１０秒の現像時間（供与＋パドル＋充填）で除算された。
ＰＥＢと現像の間の最初の厚さの測定は、２つの理由から重要である。第１に、多くの従来の現像速度計算は、露光前の厚さを用いて行われていた。元の８５００Åからの厚さ損失は約１０００Åであったため、これは現像速度のより正確な概算となるはずである。第２に、露光領域は明瞭に視認可能であり、且つ全てのウエーハ上に、ウエーハ全体に渡り特徴的なパターンが見られた。これは、ウエーハ全体に渡る相対的な脱保護の測定基準として有益であり、これを記載した論文も幾つかある。それは、現像プロセスとは独立しているという望ましい性質を有する。
【００３６】
使用した処方の現像部分は次の通りである。
2004505301.tif 000003
／／／
／／／
／／／
【００３７】
この試験の結果を要約して、下記の表に記す。
2004505301.tif 000004
2004505301.tif 000005
【００３８】
全体として、データにおける明らかな断絶は、５ミリメートルオフセットと１０ミリメートルオフセットの間にある。５は０よりわずかに良好であり、２０は最低である。主な要因はアーム位置であるが、特に１０ミリメートルオフセットにおいて、供与中の回転速度も見ることができる。予想されるように、特に１０ミリメートル及び２０ミリメートルの場合、中心の１つの点が不均一性の主な原因である。ウエーハの中心と残部との間の変動を捕捉するためには、他の１２０の点が中心を希釈する傾向にある標準偏差よりも範囲の方が、ここでは不均一性の尺度としてより有用である。
【００３９】
データにはかなりの散らばりが存在するため、異なる回転速度の間の比較を緩和するために、データを通じて三次多項式線が当てはめられている。図１５から図１８は、表に見られる傾向を裏付け、即ち、高速度については、主な不均一性はデータの中央と残部との間に存在し、０ミリメートル及び５ミリメートルは高いオフセットより明らかに均一であり、１０ミリメートルでは、オフセットと速度との間に相互作用が存在する。
【００４０】
図１９Ａから図２２Ｄは１つの繰り返しを除き、全てのウエーハについてのＩＰＥＣマップを示す。（マップは印刷して見るよりモニタ上の方が見やすい。モニタには拡大できるという利点もある。）異なる色にわたる速度範囲は、相対的均一性をウエーハ間で比較できるように、一定に保持される。灰色及び白の領域は尺度外である。ここで見られるように、ウエーハ上で視覚的にも明らかであるように、１０ミリメートルオフセットで開始すると、現像剤流体がウエーハに殆ど又は全く接触しない中心部に、相当に低い現像速度を有する「穴」が形成される。
現像剤の供与のためには、少なくとも５ミリメートルまでのある程度の中心からのオフセットは許容されることが試験により裏付けられた。中心からの、及び現像流の最も近傍からの５ミリメートルオフセットと１０ミリメートルオフセットとの間のある点において、流体はウエーハの中心に接触しなくなり、著しく現像速度が抑制される領域をもたらし、疑いなく、顧客のウエーハに対して壊滅的な収率の損失をもたらす。より大きいオフセットは影響を悪化させる。流体が最初にウエーハに触れるときに用いられる回転速度との間に軽い相互作用が存在するが、これは主に、１０ミリメートルオフセットの明らかな限界条件において現れる。測定された均一性は、実際の場合、０ミリメートルオフセットよりも５ミリメートルオフセットの方がわずかに良好であったが、恐らくこの試験においては有意義な違いではないであろう。
これらの結果は、真ん中の流れが中心から５ミリメートルより遠くに離れない限り、上述のノズル設計はウエーハ中心における現像速度の不均一性を引き起こさないことを示す。
【００４１】
発明の利点
本発明の実施形態を表すプロセス及び／又はノズルは、少なくとも次の理由により、費用効率が高く有益なものとなることができる。本発明は、現像剤流体モジュールのＣＤ制御能力を改善する。本発明は現像プロセス中の欠陥及び粒子を低減し、したがって最終的なデバイスの収率を改善する。本発明は、プロセスの現像部分およびリンス部分の両方について、衝突力の低いノズルを組み合わせ、現像されている形状に衝突する力を最小化し、次に、パターン崩壊が最小化され、したがってデバイスの収率が改善される。本発明は広いプロセスの許容範囲を有し、プロセス変数に対する感度は低減されている。本発明は改善されたリンス作用を含み、これは合計現像プロセス時間を減らし、処理能力を増加させる。このノズルの利点には、必要ならば１つのヘッドに２つの現像剤成分のための３つの穴の列と、脱イオン水のための１つの穴の列との一体化設計を可能にすることが含まれる。このノズルの利点には、例えば三重のヘッドのためのノズル幅がわずか１から１／２インチであるような、小型の設計であることが含まれる。このノズルの利点には、低費用であることが含まれる。このノズルの利点には、製造が容易である単一部品の本体設計が含まれる。このノズルの利点には、粒子性能を改善するためのスムーズな内面を伴う管状挿入体が含まれる。
【００４２】
上述のように、及び当該技術分野においてよく理解されているように、典型的な現像プロセスは、現像剤流体が直接ウエーハ上に供与される現像剤の供与ステップを含む。供与に続いて、現像剤流体はウエーハ上に一定期間滞留し、その間に化学反応によってウエーハ上にパターンが形成される。それに続いて、現像剤流体は、一連の高速回転、及びＤＩ水を用いるリンス処理により、除去される。
【００４３】
現像されたウエーハの品質は、側壁角度の値、ＣＤ寸法、及びウエーハ位相に関する他の性能指数（粒子欠陥密度のような）におけるパターン加工された画像の品質によって測定されるように、プロセスステップに伴う機械的要因と化学的要因の両方の影響を強く受ける。例えば、供与プロセスステップ中、現像剤流体流によって与えられるウエーハ上の超小型構造に対する運動量は、該超小型構造を物理的に損傷するほどの大きさになることもある。さらに、自由表面液体がウエーハの上に広がるにつれ、微小気泡の形成が、液体−空気界面の前線がウエーハ表面上を移動する近傍で、観察される。こうした微小気泡は、パターン加工される画像の品質に悪影響を与え、粒子欠陥を生成する。さらに、化学的時間尺度が、運搬時間尺度に対して、化学反応に起因する付随的な局所的な変化のためにあまりにも小さすぎ、ウエーハの超小型構造に対する損害を防止するのに十分なだけ迅速に分散されないとき、化学的な「ショック」はパターン加工された画像の品質を低下させることがある。むしろ、好ましいのは、現像剤成分のウエーハ表面への投入からその除去に至るまでの間の、連続した均一な準平衡状態である。
【００４４】
一実施形態において、上述の装置は、現像剤供与ステップに先立ち、化学的に不活性な材料の層を用いてウエーハを被覆するために作動し、その後で投入される現像剤は拡散するか又は他の形で該層を通過してウエーハ表面に到達する。１つの好ましい不活性材料は、ＤＩ水である。不活性材料の層を提供する一実施形態において、現像剤流体の流れによってウエーハ上の超小型構造に与えられる運動量は、乾燥したウエーハに対する衝撃に対して低減され、該超小型構造に対する物理的な損傷、及び微小気泡が生成される可能性を低くする。さらに、その後で現像剤が不活性層上に供与されるときには、拡散作用の働きにより、ウエーハ全体における不均一性が減少すると共に、運搬（拡散）時間尺度に対する化学的時間尺度の相対比率が変化する。現像剤はウエーハ表面に拡散しなければならないため、表面反応速度は、現像剤流体がウエーハ表面上に直接供与される形の実施形態に比べて、変化が見られる場合がある。具体的な実施形態において、表面反応速度は、化学的動力学（速度定数）による制御から、運搬（ウエーハ表面に向かう現像剤の拡散に起因する流動）による制御へと切り替えることができる。
【００４５】
代替的な実施形態において、現像剤のプロセスの流れは、現像剤供与と実質的に同時に発生する高速回転ステップを含む。回転は、現像剤のウエーハの外側縁に向かう流れを迅速に誘起させるのに十分な角速度を持つ。現像剤を、一定の期間、全体的な現像プロセスの化学反応が完了するのに先立って、ウエーハの外側縁に向かって流すことにより、微小気泡は、主要な流れ及び二次的な流れによって、表面から洗い出される。二次的な流れは、超小型構造により形成されるキャビティ内に誘起され、該超小型構造上を主要な流れによって押し動かされる。
典型的な現像プロセスにおいて、現像剤流体を伴う化学反応ステップの後には、溶解したレジストと現像剤流体との混合物が、回転ステップ及びＤＩ水による洗浄ステップによって除去されるステップが続く。これは、パターン加工されたウエーハ上の微小粒子及び欠陥の計数を最小にした状態で達成されることが最も好ましい。こうした除去ステップ中、例えば急激なＤＩ水の投入によって引き起こされる、化学的ｐＨの時間上又は空間上の不均一性が発生することになる。これらのショックはウエーハ・パターンの品質を劣化させることがある。本発明の実施形態によって、現像剤のｐＨからＤＩ水のｐＨへのよりスムーズな時間的推移が提供される。
【００４６】
ＤＩ水による急激な除去及びリンス処理と比較して、均一且つ緩やかに変化する化学的環境（特にｐＨに関して）を維持しながら、本発明の実施形態は、パドルステップと関連する滞留時間の後で、新たな量の現像剤溶液を供与する。現像剤の反応は、新たな量を投入する前のパドルステップ中に実質的に完了するに至った。好ましい実施形態において、その後ＤＩ水が、回転除去ステップに先立って、新たに供与された量の現像剤に追加される。
図２３Ａから図２３Ｂは、関連技術と比較して、一実施形態の現像プロセスにおける一連のステップを示す。図２３Ａは、関連技術の方法を示す。図２３Ａにおいて、現像ステップ２３００は、補助ステップ２３１０から２３６０を含むものとして示される。ステップ２３１０において、ウエーハが回転され、続いてブロック２３２０において現像剤流体が供与される。ブロック２３３０において、現像剤流体はある滞留時間の間、ウエーハ上にパドルすることが可能である。化学反応が実質的に完了に進んだ後で、ブロック２３４０において、ウエーハは高速で回転されて、流体流をウエーハの外側縁に向かって、及びウエーハの外に誘起する。ブロック２３５０においてＤＩ水によるリンス処理が続く。最後にウエーハは回転乾燥のために回転される。
【００４７】
図２３Ｂにおいて、一実施形態による現像ステップ２３００が示される。本実施形態は、図２３Ａと比較すると、補助ステップ２３１５、２３２５、２３３２、及び２３３７を含む。ブロック２３１５では、ブロック２３２０における現像剤の供与に先立ち、ＤＩ水のような不活性材料がウエーハ上に供与される。少なくとも一部の現像剤の供与中に、ウエーハが回転されて、該ウエーハの外側縁に向う現像剤流体の流れを誘起する。現像剤溶液がウエーハ上に滞留できるようになった後、ブロック２３３２において、新たな量の現像剤が追加され、続いてブロック２３３７において、ＤＩ水が新たに供与された現像剤に追加される。それに続いて、ウエーハは、図２３Ａに示すように、高速で回転され、追加のＤＩ水によってリンスされることになる。
【００４８】
ここに説明された本発明の全ての開示された実施例は、必要以上の実験を伴うことなく実現し、及び実施することができる。発明者により意図される、本発明を実施するための最良の形態が上記で開示されたが、本発明の実施はこれに限定されない。したがって、当業者は、ここで具体的に説明した以外の方法で本発明を実施し得ることを理解するであろう。
例えば、個々の構成部品は開示された形状で形成されたり、又は開示された構成で組み立てられる必要はなく、事実上いかなる形状で提供されてもよく、事実上いかなる構造で組み立てられてもよい。さらに、個々の構成部品は開示された材料から製造される必要はなく、事実上いかなる適当な材料から製造されてもよい。さらに、ここに説明された多重ポートのノズルは物理的に分離されたモジュールとすることもできるが、該多重ポートのノズルはそれが関連する装置の中に一体化されてもよいることは明らかであろう。さらにまた、各々の開示された実施形態における全ての開示された要素及び特徴は、そうした要素又は特徴が相互に背反する場合を除いて、開示された他の全ての実施形態における要素及び特徴と組み合わせることが可能であり、又はこれらで置き換えることが可能である。
【００４９】
種々の追加、修正、及び再配列が、本発明概念の根底にある精神及び範囲から逸脱することなく行われることは明らかであろう。特許請求の範囲及びその均等物により定義される本発明の範囲は、こうした追加、修正、及び再配列の全てを網羅することを意図されている。所定の請求項において、「・・・のための手段」という語句を用いてそうした限定が明記されていない限り、特許請求の範囲は、手段付き機能の限定を含むものとして解釈されてはならない。本発明の便宜上の実施形態は、従属する特許請求の範囲によって区別されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一実施形態を表す多重ポートのノズルの底部斜視図である。
【図２】
本発明の一実施形態を表す多重ポートのノズルの上部斜視図である。
【図３】
図２に示す多重ポートのノズルの断面図である。
【図４】
本発明の一実施形態を表す多重ポートのノズルの平面図である。
【図５】
図４に示す多重ポートのノズルの端面図である。
【図６】
図４に示す多重ポートのノズルの断面線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図７】
図４に示す多重ポートのノズルの底面図である。
【図８】
図４に示す多重ポートのノズルの上部斜視図である。
【図９】
図４に示す多重ポートのノズルの断面線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１０】
図４に示す多重ポートのノズルの断面線Ｃ−Ｃに沿った断面図である。
【図１１】
図４に示す多重ポートのノズルの断面線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。
【図１２Ａ】
本発明の一実施形態を表すノズル挿入体の端面図である。
【図１２Ｂ】
図１２Ａに示すノズル挿入体の断面線Ｆ−Ｆに沿った断面図である。
【図１３Ａ】
本発明の一実施形態を表すノズル挿入体の端面図である。
【図１３Ｂ】
図１３Ａに示すノズル挿入体の断面線Ｅ−Ｅに沿った断面図である。
【図１４】
図４に示す多重ポートのノズルの断面線Ａ−Ａに沿った断面斜視図である。
【図１５】
本発明の一実施形態を表す０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板の中心からの距離の関数としての現像速度を示す図である。
【図１６】
本発明の一実施形態を表す５ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板の中心からの距離の関数としての現像速度を示す図である。
【図１７】
本発明の一実施形態を表す１０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板の中心からの距離の関数としての現像速度を示す図である。
【図１８】
本発明の一実施形態を表す２０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板の中心からの距離の関数としての現像速度を示す図である。
【図１９Ａ】
本発明の一実施形態を表す０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図１９Ｂ】
本発明の一実施形態を表す０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図１９Ｃ】
本発明の一実施形態を表す０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図１９Ｄ】
本発明の一実施形態を表す０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２０Ａ】
本発明の一実施形態を表す５ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２０Ｂ】
本発明の一実施形態を表す５ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２０Ｃ】
本発明の一実施形態を表す５ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２０Ｄ】
本発明の一実施形態を表す５ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２１Ａ】
本発明の一実施形態を表す１０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２１Ｂ】
本発明の一実施形態を表す１０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２１Ｃ】
本発明の一実施形態を表す１０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２１Ｄ】
本発明の一実施形態を表す１０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２２Ａ】
本発明の一実施形態を表す２０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２２Ｂ】
本発明の一実施形態を表す２０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２２Ｃ】
本発明の一実施形態を表す２０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２２Ｄ】
本発明の一実施形態を表す２０ミリメートルオフセットの現像軸についての、基板上の空間的位置の関数としての現像速度を示す図である。
【図２３Ａ】
関連技術の現像プロセス、及び本発明の一実施形態による現像プロセスを示すフローチャートである。
【図２３Ｂ】
関連技術の現像プロセス、及び本発明の一実施形態による現像プロセスを示すフローチャートである。
【図１５】
2004505301.tif 000006
【図１６】
2004505301.tif 000007
【図１７】
2004505301.tif 000008
【図１８】
2004505301.tif 000009
【図１９Ａ】
2004505301.tif 000010
【図１９Ｂ】
2004505301.tif 000011
【図１９Ｃ】
2004505301.tif 000012
【図１９Ｄ】
2004505301.tif 000013
【図２０Ａ】
2004505301.tif 000014
【図２０Ｂ】
2004505301.tif 000015
【図２０Ｃ】
2004505301.tif 000016
【図２０Ｄ】
2004505301.tif 000017
【図２１Ａ】
2004505301.tif 000018
【図２１Ｂ】
2004505301.tif 000019
【図２１Ｃ】
2004505301.tif 000020
【図２１Ｄ】
2004505301.tif 000021
【図２２Ａ】
2004505301.tif 000022
【図２２Ｂ】
2004505301.tif 000023
【図２２Ｃ】
2004505301.tif 000024
【図２２Ｄ】
2004505301.tif 000025
【図２３Ａ】
2004505301.tif 000026
【図２３Ｂ】
2004505301.tif 000027
【国際公開パンフレット】
2004505301.tif 000028
2004505301.tif 000029
2004505301.tif 000030
2004505301.tif 000031
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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