(57)【要約】磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、磁性層と、酸化金属からなる鏡面散乱層と、Ａｕ，Ｃｕ，ＡｕＣｕ，ＡｇＣｕ，ＡｕＡｇＣｕ又はその合金からなり、前記磁性層及び前記鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、前記鏡面散乱層に隣接して前記裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させる金属からなる金属層とを備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性層と、
酸化金属からなる鏡面散乱層と、
Ａｕ，Ｃｕ，ＡｕＣｕ，ＡｇＣｕ，ＡｕＡｇＣｕ又はその合金からなり、該磁性層及び該鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、
該鏡面散乱層に隣接して該裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させる金属からなる金属層とを備えた、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項２】
該鏡面散乱層は、ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４，Ｃｏ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＮｉＯ，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，ＭｎＯ，ＴｉＯ２又はその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項１記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項３】
該金属層は、Ｔａ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ａｇ，Ａｕ，Ｈｆ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｎｂ又はその合金からなるグループから選択された材料からなる、請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項４】
磁気的デッド層の膜厚を除く該磁性層の有効膜厚は、０より大きく約４０Åより小さい、請求項１〜３のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項５】
該裏打ち層の膜厚は、約２０Å以下である、請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項６】
該裏打ち層は、Ａｕ１−ｘＣｕｘ合金からなり、ｘは合金中のＣｕの割合を示す０．０より大きく１．０より小さい値を示す、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項７】
該裏打ち層は、Ａｇ１−ｘＣｕｘ合金からなり、ｘは合金中のＣｕの割合を示す０．０より大きく１．０より小さい値を示す、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項８】
該裏打ち層は、Ａｕ１−ｘ−ｙＡｇｙＣｕｘ合金からなり、ｘは合金中のＣｕの割合を示し、ｙは合金中のＡｇの割合を示し、ｘ及びｙはいずれもｘ＋ｙが１．０より小さくなるような、０．０より大きく１．０より小さい値を示す、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項９】
該磁性層はフリー層を形成し、
ピン層を形成する別の磁性層と、
前記２つの磁性層の間に設けられたスペーサ層を更に備えた、請求項１〜８のいずれか１項記載の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ。
【請求項１０】
磁気記録媒体から情報を読み取る磁気記憶装置であって、
該磁気記録媒体から情報を読み取る磁気抵抗効果型スピンバルブセンサを備え、
該磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、
磁性層と、
酸化金属からなる鏡面散乱層と、
Ａｕ，Ｃｕ，ＡｕＣｕ，ＡｇＣｕ，ＡｕＡｇＣｕ又はその合金からなり、該磁性層及び該鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、
該鏡面散乱層に隣接して該裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させる金属からなる金属層とを備えた、磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ及び磁気記憶装置に係り、特に鏡面散乱（specular）層を有する磁気抵抗効果型スピンバルブセンサと、そのような磁気抵抗効果型スピンバルブセンサを用いる磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的な磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、ベース層、第１の磁性（ピン）層、スペーサ層及び第２の磁性（フリー）層がこの順に積層された構造を有する。磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大することにより、高記録密度の磁気記録媒体から情報を読み取ることができる。
【０００３】
例えば、米国特許第５，４２２，５７１号では、フリー層上に高導電性裏打ち層を設けることが提案されている。この裏打ち層を設けることにより、所謂「スピンフィルタ効果」により電子平均自由行程（路）が増大され、その結果磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大することができる。
【０００４】
他方、Egelhoff et al., "Specular electron scattering in metallic thin films", J. Vac. Sci. Technol. B 17(4),Jul/Aug 1999には、フリー層上に鏡面散乱層を設けることが提案されている。この鏡面散乱層を設けることにより、伝導電子の鏡面散乱（specularity）が増大され、その結果スピンに依存する散乱及び電子平均自由行程を増大することができる。これにより、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大することができる。
【０００５】
磁束密度と膜厚の積、即ち、ｔＢｓ値は、フリー層の膜厚を減少させると減少するので、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大させることができる。ここで、ｔはフリー層の膜厚を表し、Ｂｓはフリー層の磁束密度を表す。しかし、ピン層とフリー層との間の層間結合磁界Ｈｉｎ及び保磁力を小さく保ちつつフリー層の膜厚を減少させることは難しく、特に鏡面散乱層が直接フリー層と接している場合にはこの傾向が顕著となる。
【０００６】
別の方法として、スペーサ層の膜厚を減少させることで磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大させることもできる。これは、磁気抵抗効果に寄与しないシャント電流がスペーサ層の膜厚の減少に応じて減少するからである。しかし、ピン層とフリー層との間の層間結合磁界Ｈｉｎを増加させることなくスペーサ層の膜厚を減少させることは難しい。
【特許文献１】
米国特許第５，４２２，５７１号
【非特許文献１】
Egelhoff et al., "Specular electron scattering in metallic thin films", J. Vac. Sci. Technol. B 17(4),Jul/Aug 1999
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の問題点を除去した新規、且つ、有用な磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ及び磁気記憶装置を提供することを概括的目的とする。
【０００８】
本発明のより具体的な目的は、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサから大きな出力が得られるように、第１の磁性（ピン）層と第２の磁性（フリー）層との間の層間結合磁界Ｈｉｎ及び保磁力を小さく保ちつつ磁性層及び/又はスペーサ層の膜厚を減少させることのできる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ及び磁気記憶装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、磁性層と、酸化金属からなる鏡面散乱層と、Ａｕ，Ｃｕ，ＡｕＣｕ，ＡｇＣｕ，ＡｕＡｇＣｕ又はその合金からなり、該磁性層及び該鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、該鏡面散乱層に隣接して該裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させる金属からなる金属層とを備えた磁気抵抗効果型スピンバルブセンサを提供することにある。本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサによれば、磁性層と他の磁性層との間の層間結合磁界Ｈｉｎ及び保磁力を小さく保ちつつ磁性層及び/又はスペーサ層の膜厚を減少させて、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサから大きな出力を得ることができる。
【００１０】
本発明の更に他の目的は、磁気記録媒体から情報を読み取る磁気記憶装置であって、該磁気記録媒体から情報を読み取る磁気抵抗効果型スピンバルブセンサを備え、該磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、磁性層と、酸化金属からなる鏡面散乱層と、Ａｕ，Ｃｕ，ＡｕＣｕ，ＡｇＣｕ，ＡｕＡｇＣｕ又はその合金からなり、該磁性層及び該鏡面散乱層の間に設けられた裏打ち層と、該鏡面散乱層に隣接して該裏打ち層とは反対側に設けられ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させる金属からなる金属層とを備えた磁気記憶装置を提供することにある。本発明になる磁気記憶装置によれば、磁性層と他の磁性層との間の層間結合磁界Ｈｉｎ及び保磁力を小さく保ちつつ磁性層及び/又はスペーサ層の膜厚を減少させて、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサから大きな出力を得ることができる。この結果、高記録密度の磁気記録媒体から情報を読み取ることが可能となる。
【００１１】
本発明の更に他の目的及び特長は、以下図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第１実施例の要部の概略構成を示す断面図である。図１に示す磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、大略基板１、下地層２、反強磁性層３、第１の磁性層４、スペーサそう５、第２の磁性層６、裏打ち層７、鏡面散乱層８及び金属キャップ層９からなる。
【００１３】
第１の磁性層４は、Ｃｏ系合金等の磁性材料からなり、単一層構造を有しても、多層構造を有しても良い。第１の磁性層４は、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのピン層を形成する。スペーサ層５は、Ｃｕ等の非磁性材料からなる。第２の磁性層６は、Ｃｏ系合金等の軟磁性材料からなり、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのフリー層を形成する。第２の磁性層６は、単一層構造を有しても、多層構造を有しても良い。裏打ち層７は、Ａｕ，Ｃｕ，ＡｕＣｕ，ＡｇＣｕ，ＡｕＡｇＣｕ又はその合金からなる。裏打ち層７は、Ａｕ１−ｘＣｕｘ合金、Ａｇ１−ｘＣｕｘ合金又はＡｕ１−ｘ−ｙＡｇｙＣｕｘ合金からなる構成であっても良い。ここで、ｘは合金中のＣｕの割合を示し、ｙは合金中のＡｇの割合を示し、ｘ及びｙはいずれもｘ＋ｙが１．０より小さくなるような、０．０より大きく１．０より小さい値を示す。鏡面散乱層８は、ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４，Ｃｏ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＮｉＯ，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，ＭｎＯ，ＴｉＯ２又はその合金からなるグループから選択された材料からなる。更に、金属キャップ層９は、Ｔａ，Ｒｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ａｇ，Ａｕ，Ｈｆ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｎｂ又はその合金からなるグループから選択された材料からなる。
【００１４】
第２の磁性層６と鏡面散乱層８との間には裏打ち層７が設けられているので、裏打ち層７と鏡面散乱層８の間の界面で所謂スピンフィルタ効果及び伝導電子の鏡面散乱の増大が得られる。このため、高いＧＭＲ効果が得られる。又、裏打ち層７は、第２の磁性層６が直接鏡面散乱層８に接しないようにしているため、第２の磁性層６の保磁力を低く保ちつつ第２の磁性層６の膜厚を小さな値に制御することができる。裏打ち層７は、Vries et al., "Oscillatory interlayer exchange coupling with the Cu cap layer thickness in Co/Cu/Co/Cu(100)", Phys. Rev. Lett., Vol.75, pp.4306, 1995からも容易に理解できるように、界面における電子の反射に影響を及ぼすので、第１の磁性層４と第２の磁性層６の間の層間結合磁界Ｈｉｎを減少させることができる。
【００１５】
図２に示すように、裏打ち層７からの磁界Ｈｍｓｂはすペーサ層５からの磁界Ｈｓとは反対方向であるため、裏打ち層７はバイアス点の制御を容易にする。図２は、第１実施例における磁界の補償を説明する図である。図２において、左部分は第１実施例の要部を示し、右部分は磁気抵抗効果型スピンバルブセンサにセンス電流が印加された場合の磁界Ｈｍｓｂを実線で、磁界Ｈｓを破線で夫々示す。Ｉｍｓｂは、裏打ち層７、鏡面散乱層８及び金属キャップ層９を流れる電流を示し、Ｉｓはスペーサ層５を流れる電流を示す。
【００１６】
従って、裏打ち層７と鏡面散乱層８の間の界面での増大された鏡面散乱、スピンフィルタ効果による電子平均自由行程の増大、及び容易なバイアス点の制御により、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を大幅に増加させることができる。
【００１７】
図３は、第１実施例における面積抵抗変化の裏打ち層の膜厚への依存性を示す図である。図３において、縦軸は面積抵抗の変化ΔＲ（Ω）を示し、横軸は裏打ち層７の膜厚ｔ（Å）を示す。説明の便宜上、第２の磁性層６の膜厚は４０Åであり、鏡面散乱層８の膜厚は１５Åであるものとする。面積抵抗変化の変化ΔＲは、面積抵抗Ｒの最大値と最小値の差であり、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力に比例するため、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの性能を評価するのに使用することができる。図３からも明らかなように、面積抵抗の変化ΔＲは、裏打ち層７の膜厚ｔが約２０Åより小さいと約６０％増加する。
【００１８】
図４は、第１実施例における層間結合磁界Ｈｉｎの裏打ち層の膜厚への依存性を示す図である。図４において、縦軸は層間結合磁界Ｈｉｎ（Ｏｅ）を示し、横軸は裏打ち層７の膜厚ｔ（Å）を示す。説明の便宜上、第２の磁性層６の膜厚は４０Åであり、鏡面散乱層８の膜厚は１５Åであるものとする。図４からも明らかなように、層間結合磁界Ｈｉｎは、裏打ち層７の膜厚ｔが約２０Åより小さいと約９０％以上減少して約１０Ｏｅ以下を保つ。
【００１９】
図３及び図４から、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性は、裏打ち層７の膜厚ｔが約２０Åを超えると、裏打ち層７を流れるかなり大きなシャント電流により低下することが確認された。
【００２０】
従来は実現が難しいとされていたが、第１実施例によれば、第２の磁性層６の膜厚が４０Å以下であると層間結合磁界Ｈｉｎを２０Ｏｅ以下に抑えることができることが確認された。つまり、磁気的デッド層の膜厚を除く第２の磁性層６の有効膜厚が０より大きく約４０Åより小さければ、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大可能であることが確認された。従って、第１実施例によれば、軟磁性特性を保ちつつ第２の磁性層６の膜厚を制御することができ、保磁力及び層間結合磁界Ｈｉｎを約２０Ｏｅ以下に抑えることができる。
【００２１】
図５及び図６は、夫々第１実施例において裏打ち層７がＣｕ合金からなり金属キャップ層９がＴａからなる場合のＧＭＲ特性及び面積抵抗変化を示す図である。図５及び図６において、「●」印はＧＭＲ特性を示し、「○」印は面積抵抗変化を示す。
【００２２】
図５中、左側の縦軸は磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性（％）を示し、右側の縦軸は面積抵抗変化ΔＲ（Ω）を示し、横軸は裏打ち層７に用いられるＣｕ又はＣｕ合金を示し、金属キャップ層９の膜厚は５０Åであるものとする。図６中、左側の縦軸は磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性（％）を示し、右側の縦軸は面積抵抗変化ΔＲ（Ω）を示し、横軸は裏打ち層７に用いられるＣｕ合金を示し、金属キャップ層９の膜厚は１０Åであるものとする。
【００２３】
図５及び図６からもわかるように、裏打ち層７にＣｕを用いた場合と比較すると、裏打ち層７にＡｇＣｕ合金又はＡｕＣｕ合金を用いた場合の方がＧＭＲ特性を更に向上可能であることが確認された。又、図６からもわかるように、鏡面散乱は少ないと考えられるものの、膜厚が１０Åの金属キャップ層９は鏡面散乱層８の如き機能を有することが確認された。更に、例えばＡｇ１１Ｃｕ８９又はＡｕ９．２Ｃｕ９０．８を裏打ち層７に用いることにより、特にスピンバルブセンサの特性を向上可能であることがわかった。層間結合磁界Ｈｉｎ及び保磁力Ｈｃは、裏打ち層７の組成の変化に応じて大きく変化することはなく、スピンバルブセンサから大きな出力を得るのに必要な小さな値に維持されることも確認された。
【００２４】
更に、金属キャップ層９は、製造工程における化学的、物理的、機械的及び熱的に厳しい環境下で、鏡面散乱層８及び第２の磁性層５を保護する。この結果、第１実施例によれば、製造工程における磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの電気的特性及び磁気的特性の低下を防止することができ、金属キャップ層９は、キャップ機能により第２の磁性層６を保護するのに加えて、積極的に磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させることができる。
【００２５】
例えば、特開平１０−３１３１３８号公報には、種々の金属からなる金属キャップ層が提案されているが、金属キャップ層は単に下に設けられた磁性層を保護する目的で設けられており、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのＧＭＲ特性を向上させるものではない。
【００２６】
従って、図１に示す如き配置された第２の磁性層６、裏打ち層７、鏡面散乱層８及び金属キャップ層９からなる構造により、以下に説明する如き有用な効果を得ることができる。第１に、裏打ち層７は、製造工程において鏡面散乱層８を形成する際に、隣接する第２の磁性層６への酸素の拡散を防止するので、第２の磁性層６の保磁力を約２０Ｏｅより小さい値に保つことができる。第２に、裏打ち層７は磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ内で高伝導であるため、スピンフィルタ効果により電子平均自由行程が増大され、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大させることができる。第３に、裏打ち層７と鏡面散乱層８との間の界面は伝導電子の鏡面散乱を増加させ、この結果スピンに依存する鏡面散乱の確立を増加させるので、これによっても磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの出力を増大させることができる。
【００２７】
図７は、本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第２実施例の要部の概略構成を示す断面図である。図７中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００２８】
上記第１実施例では、図１に示す如き構造が磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの上部に設けられている。これに対し、第２実施例では、図７に示す構造が磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ内に挿入されている。第２実施例では、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、第１実施例の構造と比較すると反転された構造を有し、第１実施例とは逆の順序で各層が積層されている。
【００２９】
図８は、本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第３実施例の要部の概略構成を示す断面図である。図８中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３０】
上記第１実施例では、図１に示す如き構造が磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの上部に設けられている。これに対し、第３実施例では、図７に示す構造が磁気抵抗効果型スピンバルブセンサ内に挿入されている。第３実施例では、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサは、第１実施例の構造と比較すると反転された構造を有し、第１実施例とは逆の順序で各層が積層されている。
【００３１】
第３実施例では更に、鏡面散乱層８の下に金属下地層９−１が設けられている。金属下地層９−１は、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの他の層の結晶配向を良好なものとし、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの電気的特性及び磁気的特性を向上させることができる。金属下地層９−１を設けることにより、特に第２の磁性層６の結晶配向が向上し、これにより第２の磁性層６の軟磁性特性が向上する。
【００３２】
上記各実施例において、第２の磁性層６は、磁気抵抗効果型スピンバルブセンサのフリー層を形成しても、他の磁気的反応層を形成しても良い。
【００３３】
次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図９及び図１０と共に説明する。図９は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１０は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【００３４】
図９及び図１０に示すように、磁気記憶装置は、大略ハウジング１１３からなる。モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータユニット１２０が、ハウジング１１３内に設けられている。磁気記録媒体１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられている。記録再生ヘッド１１７は再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドからなる。各記録再生ヘッド１１７は、サスペンション１１８を介して対応するアーム１１９の先端に取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエータユニット１２０により移動される。この磁気記憶装置の基本構成事態は公知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００３５】
磁気記憶装置の本実施例は、記録再生ヘッド１１７の再生ヘッドに特徴がある。つまり、再生ヘッドは、図１〜図８と共に説明した磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第１〜第３実施例のいずれの構造を用いても良い。勿論、磁気記録媒体１１６の数は３つに限定されるものではなく、１つだけでも、２つ又は４つ以上設けても良い。従って、設けられた記録再生ヘッド１１７の数に応じて、１又は複数の磁気抵抗効果型スピンバルブセンサを設けることができる。
【００３６】
磁気記憶装置の基本構成は、図９及び図１０に示す構成に限定されるものではない。又、本発明で用いる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されるものではない。
【００３７】
尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良及び変形が可能であることは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第１実施例の要部の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１実施例における磁界の補償を説明する図である。
【図３】第１実施例における面積抵抗変化の裏打ち層の膜厚への依存性を示す図である。
【図４】第１実施例における層間結合磁界Ｈｉｎの裏打ち層の膜厚への依存性を示す図である。
【図５】第１実施例において裏打ち層がＣｕ合金からなり金属キャップ層がＴａからなる場合のＧＭＲ特性及び面積抵抗変化を示す図である。
【図６】第１実施例において裏打ち層がＣｕ合金からなり金属キャップ層がＴａからなる場合のＧＭＲ特性及び面積抵抗変化を示す図である。
【図７】本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第２実施例の要部の概略構成を示す断面図である。
【図８】本発明になる磁気抵抗効果型スピンバルブセンサの第３実施例の要部の概略構成を示す断面図である。
【図９】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。
【図１０】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際公開パンフレット】
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2004523925.tif 000031
2004523925.tif 000032
2004523925.tif 000033
【国際調査報告】
2004523925.tif 000034
2004523925.tif 000035