(57)【要約】ある遷移密度を有する少なくともひとつのマイクロトラックを構成することにより、隣接接合磁気トランスデューサ（１０）の側面読取が測定される（２０２、２０４；２５２、２５４）。トランスデューサは、マイクロトラックに対して移動されて（２０６；２５６）、前記トランス・デューサが所定の応答を供給するマイクロトラックに対する前記トランスデューサの複数の位置が識別される（２１６，２６０）。複数の位置からトランスデューサの側面読取距離が識別される。ひとつの実施例において、各々異なった遷移密度を有する別々の繰返し（２１４）中に、複数のマイクロトラックが構築され、トランスデューサの位置は、各繰返し中にそれぞれのマイクロトラックに対して識別される。他の実施例において、選択された遷移密度が基本周波数を有し、この基本周波数の複数の各調波周波数において所定の応答をトランスデューサが供給するマイクロトラックに対して、トランスデューサの位置が識別される（２５６）。
2004504686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接接合磁気トランスデューサの側面読取距離を測定する処理であって、前記処理は、
ａ）　選択された遷移密度を有する少なくとも１つのマイクロトラックに対する前記トランスデューサを移動するステップと、
ｂ）　前記トランスデューサが所定の応答を供給する少なくとも１つのマイクロトラックに対する前記トランスデューサの複数の位置を識別するステップと、
ｃ）　前記複数の位置からの前記トランスデューサの前記側面読取距離を識別するステップとを含む前記処理。
【請求項２】
ステップ（ａ）が、
ａ１）　繰返しごとに異なる遷移密度を各々有する複数のマイクロトラックを反復的に構成するステップを含み、またステップ（ｂ）が、
ｂ１）　前記トランスデューサが所定の応答を供給する各マイクロトラックに対する前記複数の位置を識別するステップを含む請求項１記載の処理。
【請求項３】
ステップ（ａ１）の各繰返しが、
ａ１Ａ）　１つの遷移密度を有する１つのトラックを構成し、前記遷移密度が繰返しごとに異なるステップと、
ａ１Ｂ）　前記トラックを調整して１つのマイクロトラックにするステップとを含む請求項２記載の処理。
【請求項４】
ステップ（ｂ）が、
ｂ１）　前記マイクロトラックに対する前記トランスデューサの前記中心の前記位置の表現を記憶するステップを含む請求項１記載の処理。
【請求項５】
ステップ（ｃ）が、
ｃ１）　前記所定の応答について前記マイクロトラックに対する前記トランスデューサの前記位置の前記記憶された表現をプロットするステップと、
ｃ２）　前記プロットから前記トランスデューサの前記側面読取距離を補間するステップとを含む請求項４記載の処理。
【請求項６】
前記所定の応答が、前記トランスデューサのピーク応答の５０％未満である請求項１記載の処理。
【請求項７】
前記所定の応答が、前記ピーク応答の１０％と３０％の間にある請求項６記載の処理。
【請求項８】
前記選択された遷移密度が基本周波数を有し、またステップ（ｂ）が、
ｂ１）　前記基本周波数の複数の各調波周波数において、前記トランスデューサが前記所定応答を供給する、少なくとも１つのマイクロトラックに対する前記トランスデューサの位置を識別するステップを含む請求項１記載の処理。
【請求項９】
ステップ（ｃ）が、
ｃ１）　前記トランスデューサの複数の応答幅を識別し、前記調波周波数の各々について前記トランスデューサの識別された位置に各応答幅が基づいているステップと、
ｃ２）　前記複数の応答幅に基づいて前記側面読取距離を計算するステップとを含む請求項８記載の処理。
【請求項１０】
ステップ（ｃ１）が、前記基本周波数について前記トランスデューサの前記識別された位置に基づいた応答幅を含む請求項９記載の処理。
【請求項１１】
ステップ（ａ）が、
ａ１）　前記選択された遷移密度を有するトラックを構成するステップと、
ａ２）　前記トラックを調整してマイクロトラックにするステップとを含む請求項８記載の処理。
【請求項１２】
隣接接合磁気トランスデューサの側面読取距離を測定する処理であって、
ａ）　第１遷移密度を有する第１トラックを構成するステップと、
ｂ）　前記第１トラックを調整して第１マイクロトラックにするステップと、
ｃ）　前記第１マイクロトラックを横切って前記トランスデューサを移動させるステップと、
ｄ）　前記トランスデューサが所定の応答を供給する前記第１マイクロトラックに対する前記トランスデューサの第１の複数位置を識別するステップと、
ｅ）　前記第１遷移密度と異なる第２遷移密度を有する第２トラックを構成するステップと、
ｆ）　前記第２トラックを調整して第２マイクロトラックにするステップと、
ｇ）　前記第２マイクロトラックを横切って前記トランスデューサを移動するステップと、
ｈ）　前記トランスデューサが前記所定の応答を供給する前記第２マイクロトラックに対する前記トランスデューサの第２の複数位置を識別するステップと、
ｉ）　前記第１および第２の複数位置から前記トランスデューサの側面読取を計算するステップとを含む前記処理。
【請求項１３】
ステップ（ｄ）が、
ｄ１）　前記第１の複数位置の前記位置間での第１距離の表現を記憶するステップを含み、
またステップ（ｈ）が、
ｈ１）　前記第２の複数位置の前記位置間での第２距離の表現を記憶するステップを含む請求項１２記載の処理。
【請求項１４】
ステップ（ｉ）が、
ｉ１）　前記第１および第２の距離から前記トランスデューサの前記側面読取距離を補間するステップを含む請求項１３記載の処理。
【請求項１５】
前記所定の応答が前記トランスデューサのピーク応答の５０％未満である請求項１２記載の処理。
【請求項１６】
隣接接合磁気トランジスタの側面読取距離を測定する処理であって、
ａ）　基本周波数を定義する遷移密度を有するトラックを構成するステップと、
ｂ）　前記トラックを調整してマイクロトラックにするステップと、
ｃ）　前記マイクロトラックを横切って前記トランスデューサを移動するステップと、
ｄ）　前記トランスデューサにより前記マイクロトラックを読取って、前記基本周波数の前記複数の調波周波数の各々において、複数の応答を引出すステップと、
ｅ）　各調波周波数について、前記トランスデューサが所定の応答を供給するマイクロトラックに対する前記トランスデューサの複数位置を識別するステップと、
ｆ）　前記複数位置から前記トランスデューサの前記側面読取を計算するステップとを含む前記処理。
【請求項１７】
ステップ（ｅ）が、
ｅ１）　各調波周波数について、前記それぞれの複数位置の諸位置の間での距離の表現を記憶するステップを含む請求項１６記載の処理。
【請求項１８】
ステップ（ｆ）が、
ｆ１）　各調波周波数について前記諸距離から前記トランスデューサの前記側面読取距離を補間するステップを含む請求項１７記載の処理。
【請求項１９】
ステップ（ｅ）が、
ｅ１）　前記トランスデューサが前記基本周波数の前記所定の応答を供給する前記マイクロトラックに対する前記トランスデューサの複数位置を識別するステップを含む請求項１６記載の処理。
【請求項２０】
前記所定の応答が前記トランスデューサのピーク応答の５０％未満である請求項１６記載の処理。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、磁気記憶装置の隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する処理に関し、特に、隣接接合磁気抵抗型ヘッドおよび巨大磁気抵抗型ヘッドの幅を測定することに対する。
【０００２】
（発明の背景）
磁気抵抗型（ＭＲ）ヘッドおよび巨大磁気抵抗型（ＧＭＲ）ヘッドは、回転ディスクなどの記録媒体に記録されたデータを読取るために、磁気記憶装置内に使用される。媒体がヘッドを通過するときに、磁気方位の遷移がヘッドへの磁束の遷移を引き起こすように、磁気媒体内の磁気領域の遷移として、データが記録される。ヘッド内の磁束の遷移がＭＲまたはＧＭＲ素子の電気インピーダンスの変化を引き起こす。電気インピーダンスの変化は、ヘッドにバイアス電流を加えて、ヘッドを横切る電圧の変化を検出することにより、検出される。結果として、ヘッドを横切る電圧の変化は、磁気媒体に記録されるデータを表現する。
【０００３】
ＭＲヘッドは磁気抵抗層を使用するが、この磁気抵抗層の抵抗は、通過する磁気記録媒体上のデータからの外部磁界の遷移により変化する。ＧＭＲヘッドは少なくとも３層のスタック、すなわち、強磁性的にアクティブすなわちフリーな層、強磁性ピン層、およびこれら２つの強磁性層に挟まれた非磁性層を使用する。外部磁界に応答して、アクティブすなわちフリーな層が回転できるようにされている間は、ピン層内の磁化の方向が一定に保持される。フリーな層内の磁化の回転により、ＧＭＲはスピン・バルブと呼ばれることがある。スタックの固有抵抗は、フリー又はアクティブな層の磁化とピン層の磁化の間の角度の関数として変化する。接触層がＭＲ素子またはＧＭＲスタックに付けられて、素子またはスタックへバイアス電流を供給して、抵抗の測定を可能にする。
【０００４】
多くのＭＲおよびＧＭＲヘッドは、磁気抵抗素子またはスタックの反対側に隣接する永久磁石を使用する。これらのヘッドは「隣接接合（ａｂｕｔｔｅｄ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ）」ＭＲヘッドおよびＧＭＲヘッドと呼ばれる。通常、ヘッドを形成するには、平らな低部シールド上でエレメントまたはスタックを形成した後に、永久磁石層と接触層を形成する。永久磁石層と接触層の高さの構成は、下部シールドと反対の上部シールドが下部シールドから種々の距離にあることを要求することが多い。一層詳しくは、永久磁石層と接触層の高さ構成は共に、ＭＲ層またはＧＭＲスタックの高さよりも大きく、従って永久磁石層と接触層の上にある上部シールドの部分は、ＭＲまたはＧＭＲの上にある上部シールドの部分よりも、下部シールドから一層大きな距離にある。その上、永久磁石およびＭＲまたはＧＭＲスタックの間のテーパを付けた接合のために、素子またはスタックのいくつかの部分は、素子またはスタックの他の部分よりも、ヘッドのトラック幅を横切る幅が大きい。
【０００５】
多くの磁気ヘッドは、そのヘッドの境界（幅）の外側の変動する磁界に応答する。「側面読取（ｓｉｄｅ−ｒｅａｄｉｎｇ）」効果と呼ばれるこの効果は、回復されるデータ信号の雑音源であり、また読取ヘッドが２つまたはそれ以上の隣接するトラックからデータを読取る漏話の源泉である。
【０００６】
少なくとも２つの要素が、隣接接合ヘッドの側面読取の原因になっている。第１に、記録媒体上のデータにより生成される磁界の磁束密度は、ヘッドがトラックの中心にあるときに最大である。記録トラックは通常読取ヘッドの幅よりも広く、従ってヘッドがトラックの中心にあるときは、変換する読取ギャップ（たとえばＭＲまたはＧＭＲ素子の幅）を超えるトラックの位置からの磁束が読取られる。読取ヘッドは、変換する読取ギャップの（トラックの長さ方向における）長さが、トラックに沿って連続する遷移の間の最小間隔よりも、僅かに長いように設計されている。変換ギャップを限定することにより、２つまたはそれ以上の連続的な遷移が同時に読取られずに、互いに取り消すようにすることができる。しかしながら、隣接結合読取ヘッドにおいては、上部シールドと底部シールドの間の間隔が（トラック長さに沿って）ヘッド幅の外側に増加して、ヘッド幅の外側のシールドの間の複数の遷移と、読取信号の打消し効果となっている。第２に、隣接接合ＧＭＲヘッドにおいては、テーパの付いた隣接接合構造のために、スタックのアクティブすなわちフリーな層が読取ヘッドの有効幅の外側に展開している。アクティブすなわちフリーな層のこの展開部分は、シールドからシールドの間隔がより大きな接触領域に展開し、こうして側面読み取りを増加させる。
【０００７】
磁気媒体のデータ面密度は、記録トラックの長さに沿ったビット密度とトラック長さに直角の方向にある諸トラックの密度との積である。トラック密度が増加するにつれて、トラック幅と間隔が減少し、面密度が増加する。しかしながら、トラック幅と間隔がより小さくなると、より狭い幅の読取ヘッドが必要になる。トラック間隔が狭くなるにつれて、読取ヘッドの側面読み取りは一層危機的になる。読取ヘッドの側面読取の効果は、隣接する側面の間の間隔を取る上での制限要素であり、従って、増加する面密度への制限要素である。
【０００８】
ヘッドの実効幅を最小化するために、かなりの研究が読取ヘッドの設計へ向けて実行された。その研究の１つの要素は、ヘッドの側面読取の最小化である。しかしながら、ヘッドの側面読取を測定するための効果的な技法は皆無であった。本発明は、この問題および他の問題を解決し、先行技術に優る他の諸利点を提供する。
【０００９】
（発明の要約）
本発明は、磁気抵抗型読取ヘッドまたは巨大磁気抵抗型読取ヘッドのような隣接結合トランスデューサの側面読取を測定することに向けられている。このトランスデューサは、選択された遷移密度を有する少なくとも１つのマイクロトラックに対して動かされる。トランスデューサの複数の位置は、前記トランスデューサが所定の応答を供給する少なくとも１つのマイクロプロセッサに対して識別される。トランスデューサの側面読取が、複数の位置から識別される。
【００１０】
１つの実施例において、複数のマイクロトラックがそれぞれの繰返し中に構成され、各マイクロトラックは別々の遷移密度を有する。トランスデューサの位置は、そのトランスデューサが所定の応答を供給するれそれぞれのマイクロトラックに関する各繰返し中に、識別される。
【００１１】
もう１つの実施例において、選択された遷移密度は基本周波数を有する。トランスデューサの位置は、基本周波数の複数の調波周波数の各々において所定の応答を、前記トランスデューサが供給するマイクロトラックに対して識別される。
【００１２】
本発明の性格を示す他の諸特徴と諸利点は、以下の詳細な説明を読み、添付図面を参照することにより、明らかになる。
【００１３】
（実施例の詳細な説明）
図１は、本発明を使用するディスク・ドライブ１００の透視図である。ディスク・ドライブ１００は、ベース１０２および上部カバー（図示なし）と共にハウジングを含む。ディスク・ドライブ１００は更に、ディスク・クランプ１０８によりスピンドル・モータ（図示なし）上に装着されるディスク・パック１０６を含む。ディスク・パック１０６は複数の個別ディスク１０７を含み、個別ディスク１０７は中心軸１０９の周りに装着されて共に回転する。各ディスク表面は、対面するディスク表面との連絡のためにディスク・ドライブ１００に装着された関連のヘッド・スライダ１１０を有する。ヘッド・スライダ１１０は、個別ディスク１０７の関連の表面上と、対面するディスク・表面上の同心トラックへデータを書込み、読取るように配置された変換ヘッド１１０の表面上とを飛ぶように配置されたスライダ構造を含む。更に詳しく言えば、ヘッド１１１は、対面するディスク１０７からデータを読取る読取部と、対面するディスク１０７へデータを書込む書込部とを有する。ヘッドは、ディスク１０７に対面し、ディスクの回転時にディスク表面の上方にヘッドを支持する空気ベアリングを含む。ヘッドの読取部と書込部は、ディスクに対面する空気ベアリング表面の変換ギャップを含む。
【００１４】
図１に示す例において、ヘッド・スライダ１１０はサスペンション１１２により支持され、サスペンション１１２はアクチュエータ１１６のトラック・アクセシング・アーム１１４に取付けられている。アクチュエータ１１６はボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１１８により駆動され、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）は、アクチュエータおよびそれに取付けられたヘッド１１０をピボット軸１２０の周りに回転させる。アクチュエータ１１６の回転は、弧状の経路１２２に沿ってヘッドを移動して、ディスク内径１２４とディスク外径１２６の間で、希望するデータ・トラックの上方にヘッド１１１を位置決めする。ヘッド・スライダ１１０のヘッド１１１およびホスト・コンピュータ（図示なし）により発生される信号に基づいて、回路基盤１３０に含まれるサーボ電子機器により、ボイス・コイル・モータ１１８が駆動される。読取と書込の電子機器も回路基板１３０に含まれていて、ヘッド１１１の読取部によりディスク・パック１０６から読取られたデータに基づいて、ホスト・コンピュータに信号を供給し、また、ヘッド１１１の書込部へ書込信号を供給して、ディスクにデータを書込む。
【００１５】
図２は、巨大磁気抵抗型読取ヘッド１０の空気ベアリング表面でとった断面の図である。ヘッド１０は「スピン・バルブ」としても知られる巨大磁気抵抗型（ＧＭＲ）素子を形成するスタック１２を含む。スタック１２は、少なくとも３つの層を含み、アクティブすなわちフリー層１４を含み、層１４が構成される強磁性体の磁化方向は、この素子が露出される磁界で回転できるようにされている。このスタックはまた、これも強磁性体で形成されたピン層１６を含み、その磁気方位は接点１８と接点２０を通じてバイアス電流により固定される。非磁性層２２がフリー層１４をピン層１６から分離する。ほとんどの実施例において、ＧＭＲ素子は追加の層を含み、また追加の自由層１４を含み得る。
【００１６】
ヘッド１０はまた、永久磁石材料の層２４を含み、これはスタック１２の両側に隣接接合２６、同２８を形成する。シールド３０と３２はＧＭＲ素子を、外部磁界からシールドする。スペーサ層３４はシールド３０を、接点１８と２０から、またＧＭＲスタック１２から電気的に分離し、またスペーサ層３６はシールド３２を永久磁石層２４とＧＭＲスタック１２から電気的に分離する。
【００１７】
図２に示すヘッドは、デポジションとエッチングの薄膜技法により構成されて、図示の構造を形成する。スタック１２と永久磁石層２４はデポジションおよびエッチングの処理中に形成されて、それらの間に隣接接合２６と２８を、底部シールド３２の平面に対して約３０°の角度で、形成する。スタック１２により形成される読取ヘッドの幅Ｗは、フリー層１４により形成される読取ギャップの実効幅により定義される。しかしながら、典型的に永久磁石２４との接合へのテーパ付きの角度は、フリー層１４の両端が永久磁石の下の領域へ展開する結果になる。この領域もまた、シールド３０と３２のより大きな分離の領域であり、シールド対シールドのより大きな分離と遮蔽効果の減少を結果する。結局、ヘッド幅領域の外側の磁界に、ヘッドが応答する。
【００１８】
一般に、ヘッドの幅Ｗは、外部磁界へのヘッドの応答がヘッド中心における最大応答の５０％である境界と考えられる。別の言い方をすれば、ヘッド幅Ｗは、応答が最大応答の５０％またはそれ以上であるヘッド幅に沿った寸法である。ヘッドの応答を測定する１つの技法は、既知の周波数の磁束遷移、または変化、または密度（通常インチごとのキロ磁束の変化ＫＦＣＩで表現される）を含む狭いテスト・トラックまたはマイクロトラックを使用することである。ヘッドは、テスト・トラックに対して種々の位置に位置決めされ、これにより、テスト・トラックの中心がヘッドの幅を横切り超える種々の位置に対向する。マイクロトラックの中心がヘッドの上に来たときに、ヘッドの応答が最大になり、ヘッドの幅を超えたときに、ゼロの近くへロール・オフする。
【００１９】
マイクロトラックは典型的に、ディスク上の単一のトラック、通常他のトラックに隣接していないトラックを記録することより構成される。所定の遷移密度で磁束遷移のパタンによりトラックが記録され、元のトラックに対する希望の幅へ「調整」される。たとえば、マイクロトラックは元のトラックから約２．０マイクロインチ（５０．８ナノメートル）へ調整される。
【００２０】
ヘッド１０の幅と側面読取は、マイクロトラックの幅を横切る方向に（円形トラックの場合半径方向に）ヘッドを移動することにより測定でき、これにより、２０．０マイクロインチ（５０８ナノメートル）幅のヘッドを横切り超えて隣接する種々の位置へマイクロトラックの中心を合わせる。具体的に、図２に示す隣接接合ＧＭＲヘッドの場合、５０％応答点は、永久磁石層２４の最近接点に、通常非常に近接している。
【００２１】
図３は、図２に示したＧＭＲヘッドの応答を、読取ヘッドの幅を横切り超える方向で、図示する。フリー層の幅の中央にマイクロトラックが位置するときに、読取ヘッドに隣接する磁界が最大振幅の応答を生成し、マイクロトラックの位置がフリー層のエッジへ向かって移動し通過するにつれて、振幅が減少（してロールオフ）する。幅の中心を１００％の応答と考えると、ヘッドの幅Ｗにより定義される両端において、応答は５０％に下落する。ヘッドの幅の外側では応答幅は更に下落して、ヘッドの境界を超えるとゼロに近く先細りする。幅Ｗで定義されるヘッドのエッジからわずかな距離で、振幅は５０％から１５％の間で劇的に下落する。「完全な」ヘッドは方形波に似た応答を有するヘッドであり、それはヘッドの幅で定義される点において、ゼロの近くへ急速に下落する。そうしたヘッドはほとんどゼロの側面読取を示し、トラック間隔を最小化した環境で全く満足できるものであろう。しかしながら図３に示すように、実際にはヘッドは、側面読取による相当な応答を示す。５０％から１５％の範囲の側面読取により増加するこの応答に対して、いくつかの要素が寄与する。第１に、永久磁石層２４と接点１８および接点２０との厚さの増加のために、シールド３０とシールド３２の間の間隔がヘッド幅の外側で増加する。シールドからシールドへの間隔のこの増加はヘッドの遮蔽を減少させ、隣接する媒体上のいくつかの遷移の同時的な読取を許容する。いくつかの遷移の結果を読取ることは、磁束の打消し効果と、読取ヘッドの応答の減少を結果する。第２に、テーパをつけた隣接接合２６、２８のために、幅Ｗで定義される読取領域の境界を超えて広がるフリー層１４の部分は、ヘッド幅を超えて磁界をセンスする。
【００２２】
遷移密度が増加するにつれて、読取ヘッドの応答が減少することが知られている。遷移密度が増加するにつれて中心よりもヘッドの幅の外側で一層迅速にヘッドの応答が減少することを、発見した。結果として、トラックに沿った磁束密度が増加するにつれて、５０％未満の応答点がヘッドの中心に一層近くなった。その上、応答点のこの移動がヘッドの側面読取の測定法であることを、発見した。従って本発明によれば、所定の読取ヘッドが応答する位置（ピーク応答の５０％未満）が種々な遷移周波数（密度）において測定される。その結果はヘッドの側面読取の測定である。本発明の好ましい形態において、ヘッド幅は３０％未満の応答において測定され、１０％ピーク応答の低さで測定される。この結果は、読取ヘッドの側面読取を直接に測定したものである。
【００２３】
図２に図示したような隣接接合ＧＭＲヘッドの側面読取幅を測定する実験を、実行した。ヘッドの物理的特性は、顕微鏡画像およびコンピュータ・シミュレーションにより測定された。この測定により、２０．０マイクロインチ（５０８ナノメートル）のＧＭＲスタックの両端に隣接する永久磁石層の間の最小間隔すなわち幅Ｗ、下部シールドへ約３０°で隣接するテーパ付き接合、幅のエッジを過ぎて約１マイクロインチ（２５ナノメートル）延伸するアクティブすなわちフリーな層（約２２マイクロインチ……５５８ナノメートルの幅を有するフリーな層）が、明らかになった。追加的に、フリー層の端部における上部シールド３０と底部シールド３２の間のシールド対シールド間隔は、ヘッドの中心においてよりも約２７％大きい。
【００２４】
代わりの空白のテスト・ディスク上に、２．０マイクロインチ（５１ナノメートル）の幅を有するマイクロトラックが形成された。このマイクロトラックを横切って、ヘッド中心の右へ約２０マイクロインチから、ヘッド中心の左へ約２０マイクロインチまで、読取ヘッドが走査された。マイクロトラックに対する読取ヘッドの種々の位置で読取応答の振幅が測定されて、マイクロトラックの中心にヘッドがあるときの応答の分数として図３にプロットされている。図３に示された応答プロファイルは、Ｌ５０およびＲ５０で識別されるように、ヘッド中心の各側１０．０マイクロインチ（２５４ナノメートル）にマイクロトラックが位置するときのヘッドの５０％振幅応答を明らかにし、Ｌ３０およびＲ３０において、ヘッド中心の各側１１．５マイクロインチ（２９２ナノメートル）において３０％応答が読まれること、また、ヘッド中心の右へ１３マイクロインチ（３３０ナノメートル）（Ｒ１５）およびヘッド中心の左へ１３．５マイクロインチ（３４３ナノメートル）（Ｌ１５）において、１５％応答が読まれることを明らかにする。注意すべきは、ヘッドについておこなわれた実際の測定が、テストの５０％応答点Ｒ５０とＬ５０に対応する２０．０マイクロインチの幅を明らかにしたことである。結果として、図３の点Ｒ５０と点Ｌ５０は、読取ヘッドのエッジの全く近くにある。
【００２５】
ヘッドの幅を横切り超える種々の位置において、５０キロ磁束／インチ（ＫＦＣＩ）から４５０ＫＦＣＩの間の種々な遷移密度における応答の振幅を識別するテストも実行された。図４は、ヘッドがＲ５０とＬ５０に位置するときと、（比較のために）マイクロトラックの中心にあるときに、５０ＫＦＣＩと４５０ＫＦＣＩの間の範囲で、（ヘッドがマイクロトラックの中心にある時の応答のパーセンテージとして）ヘッドの振幅応答を図示する。図５は、Ｌ１５、Ｒ１５、Ｌ３０の位置およびマイクロトラックの中心にあるときのヘッドの応答を図示する。図４と図５を比較すると、５０ＫＦＣＩから４５０ＫＦＣＩの範囲にわたるヘッドの応答は、マイクロトラックの中心および位置Ｒ５０と位置Ｌ５０（図４）にあるときに類似しているが、応答における変化は、Ｌ５０とＲ５０の外側で振幅が５０％よりも低いときに、一層顕著になる（図５）。
【００２６】
マイクロトラックの中心および位置Ｒ１５と位置Ｌ１５にあるヘッドにより、５０ないし４５０ＫＦＣＩの範囲にわたるヘッドの理論的な応答曲線をシミュレートするコンピュータ・モデルを、構築した。それから、５０ないし４５０ＫＦＣＩの範囲にわたり、マイクロトラックの中心および位置Ｒ１５にあるヘッドの応答を実験的に測定した。この実験の結果を図６と図７に図示する。図６は、マイクロトラックの中心にあるときのヘッドの振幅測定の実験結果がモデルに近接して追従するすることを図示する。しかしながら、図７に示すように、位置Ｒ１５においては、実際の応答がモデルと全く異なる。
【００２７】
エッジから１マイクロインチ延伸しているフリー層を有するヘッドは、エッジから約３マイクロインチ遠くまで読取ることができ、２６マイクロインチの「見かけ上の」幅を示す（が、実際の幅は２０マイクロインチである）。しかしながら、トラックに沿った遷移密度が増加すると、側面読取が減少する。図８は、ヘッドがマイクロトラックの中心にあるときに対してヘッドがＬ１５とＲ１５に位置するときの、振幅の比率（ＡｍｐＬ１５／ＡｍｐｃｅｎｔｅｒおよびＡｍｐＲ１５／Ａｍｐｃｅｎｔｅｒ）を示すプロットを図示する。図８は、トラックに沿った記録トラック密度が増加するにつれて、この比率が減少することを証明する。（この例では、約３００ＫＦＣＩ以上のデータが正確に測定されず、図８に図示する約３００ＫＦＣＩ以上の乖離へ導かれる。）
【００２８】
より高い遷移密度における側面読取の減少が、より高い密度におけるヘッド幅プロファイルの見かけ上の狭小化として、見えることが理解される。こうして図９は、約２５ないし２００ＫＦＣＩの記録遷移密度の範囲にわたり、１０％振幅における応答（曲線１５０）における変化および５０％振幅における応答幅の変化（曲線１５２）を図示する。この範囲における１０％応答幅が約６マイクロインチ（１５２ナノメートル）まで減少することを曲線１５０が示すのに対し、５０％応答幅を表現する曲線１５２が遷移密度の範囲にわたり非常に僅かしか減少しない。こうして、１０％応答レベルは、点１５６から点１５４までに約６マイクロインチ（約３５マイクロインチから２９マイクロインチへ）減少するのに対し、５０％応答を生成するマイクロトラックの位置は、非常に僅かしか変化しない。これは、ヘッドの各側について計算される３マイクロインチの幅延長に一致する。約１９０ＫＦＣＩよりも上の遷移密度においては、ヘッドは、見かけ上の幅について目立った変化を全く示さない。結果として、ヘッドの側面読取は、点１５４と点１５６の間でヘッドの見かけ上の幅の相違から計算できる。この結果、図９に示すようにトラック密度の範囲にわたる１０％応答点の幅を測定すれば、それはヘッドの側面読取の直接の測定になる。５０％以下の応答振幅は、本書で考える測定動作を満足するが、ピーク応答振幅の約１０％と３０％の間の応答により、最良の結果が得られると期待される。
【００２９】
本発明は、種々の遷移周波数（密度）について所定の応答レベルにおいてそのヘッドの応答曲線の幅を識別することにより、あるヘッドの側面読取を測定する処理へ向けられている。この所定の応答レベルはピーク応答レベルの５０％未満であり、好ましくは、３０％と１０％の間である。ヘッドの側面読取が、応答曲線幅のプロットから遷移周波数（密度）へ補間される。結果として、本発明は、読取ヘッドの側面読取の直接測定を供給する。
【００３０】
図１０は、本発明の第１実施例による隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する処理のフロー・チャートである。ステップ２００で、応答レベルと初期遷移密度が選択される。便利であるが必須でないのは、データを表現しない選択された間隔に遷移が記録されることである。そうした状況においては、密度に対応する周波数において遷移があり、インチあたりの遷移の数、ＫＦＣＩで表現できる。選択された応答レベルは、ピーク応答の５０％未満であり、好ましくは約３０％と１０％の間にある。例として１０％応答レベルを使用して、この処理を説明する。初期遷移密度は、たとえば５０ＫＦＣＩであり、たとえば５０ＫＦＣＩのステップで、処理が密度をインクリメンタルに増加させて、たとえば最大で４５０ＫＦＣＩに至る。代わりに初期遷移密度を４５０ＫＦＣＩにして、低い密度へ段階的に減少させてもよい。いずれの場合もステップ２０２で、テスト・トラックが別の空白のディスクに選択された遷移密度で書込まれ、ステップ２０４でこのトラックが調整されて、マイクロトラックになる。ステップ２０６でトラック幅よりも大きい移動量でヘッドがトラックを横切って移動されて、ヘッドが選択された応答レベルを供給するマイクロトラックに対するヘッドの位置が、識別される。一層詳しく言えば、マイクロトラックを横切って（円形マイクロトラックの場合は半径方向に）ヘッドが移動されて、これにより、ピーク応答（すなわちヘッドの中心がマイクロトラックに隣接して位置決めされたとき）を識別し、マイクロトラックに対する種々の位置におけるヘッドの応答レベルを測定する。ステップ２０８で、マイクロトラックのＫＦＣＩレベルにより表現される遷移周波数について、ヘッドの見かけ上の幅が計算されるが、これは応答曲線に基づき、特に選択された応答レベル（たとえば１０％）をヘッドが供給される二つの点の間の距離に基づく。たとえば、ステップ２０６で、測定された応答レベルは、図３に示されたものと類似の応答曲線のように見え、その見かけ上の幅は、選択された応答レベル（たとえば１０％）を、ヘッドが供給される曲線上の二点間の曲線上の距離として、ステップ２０８で計算される。したがって、この見かけ上の幅は、選択された遷移周波数について識別される。選択された遷移周波数についてのこのヘッドの見かけ上の幅は、ステップ２１０で記憶される。
【００３１】
ステップ２１２で、遷移密度の選択された範囲（たとえば５０ないし４５０ＫＦＣＩ）の応答レベルが展開されたかどうかについて決定される。もし展開されてなければ、ステップ２１４で遷移密度レベルがインクリメントされて、処理ループはステップ２０２へ戻り、遷移密度の選択された密度の範囲にわたりヘッド幅の識別が完了するまで、ステップ２０２からステップ２１２までの処理が繰り返される。ステップ２１２で遷移密度の全範囲にわたりヘッド幅が測定され終われば、ステップ２１６で記憶されたヘッド幅における差異に基づいて側面読取距離の計算により処理が終了する。図９の曲線１５０で図示したように、選択された応答レベル（たとえば１０％応答レベル）についてのヘッド幅の変化が遷移密度の範囲にわたり識別される。曲線１５０の傾斜は、ヘッドの側面読取効果の直接測定であり、点１５４と点１５６における幅の差異は、ヘッドの側面読取距離を表現する。
【００３２】
図１１は、本発明の第２実施例による隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する処理のフロー・チャートである。この実施例は、テスト・マイクロトラックの遷移密度が選択された周波数においてであることを認識し、また図３のような応答曲線の幅においてその周波数の測定可能な各調波について相違することを認識する。ステップ２５０において、応答レベルと初期遷移周波数が選択される。遷移の周波数は、インチあたりの遷移の数ＫＦＣＩで表現され、本発明のこの実施例において使用される基本周波数である。この基本周波数は、本書に説明するように測定可能な複数の調波を形成するのに十分なだけ低いが、しかしそこから側面読取を補間できる範囲にわたりデータを供給するのに十分なだけ高い。直径３インチ（７．６２センチメートル）で、７２００ｒｐｍで回転するディスク上に記録される５０ＫＦＣＩの記録密度は、約５６．５メガヘルツの基本周波数を供給する。
【００３３】
選択される応答レベルは、ピーク応答の５０％未満であり、好ましくは、図１０の実施例のように約３０％と１０％の間である。例として、この処理は、図１０の場合のように１０％応答レベルを使用して説明される。
【００３４】
ステップ２５２で、選択された遷移密度で別の空白のディスクへテスト・トラックが書込まれて基本周波数を引出し、ステップ２５４で前記のようにこのトラックが調整されてマイクロトラックになる。ステップ２５６で、ヘッド幅よりも大きな距離にわたってトラックを横切ってこのヘッドが移動して、選択された応答レベルにおける応答曲線の幅を識別する。一層詳しく言えば、このヘッドがマイクロトラックを横切って（円形トラックの場合は、半径方向に）移動して、基本周波数および基本周波数の各読み取り可能な周波数、すなわち第３、第５、第７などの奇数調波におけるピーク応答（すなわちマイクロトラックに隣接してヘッドの中心が位置する場合）を識別する。マイクロトラックに対するヘッドの位置は、基本周波数および各調波周波数について所定の応答レベル（１０％）が、識別される各位置について識別される。こうしてステップ２５６において基本周波数および各調波についてピーク振幅が識別されて、マイクロトラックを横切ってヘッドがインクリメンタルに移動されて、基本周波数および各調波周波数について選択された応答レベルにおいてヘッド幅が識別される。ステップ２５８で、各周波数について測定されたヘッド幅が記憶されて、こうして基本周波数と各奇数調波周波数において、選択された応答レベルについて応答曲線の幅の表現が記憶される。
【００３５】
ステップ２６０でヘッドの側面読取距離が、図１０においてと同様な仕方で計算される。図１１の曲線２６２は、ステップ２５６で周波数の範囲にわたり選択された応答レベル（たとえば１０％応答レベル）において識別された応答曲線の幅をプロットする。図９の曲線１５０の場合と同様に、周波数範囲にわたりヘッドの見かけ上の幅の変化からヘッドの側面読取距離を識別できる。曲線２６２は、約２８．３メガヘルツ（例において約２５ＫＦＣＩである）における約３４マイクロインチと、約２８２．５メガヘルツ（例において約２５０ＫＦＣＩ）における２９マイクロインチとの間で、変動する幅を図示する。図９の曲線１５０の場合と同様に曲線２６２の傾斜は、ヘッドの側面読取効果の直接測定である。曲線２６４は、５０％応答レベルについて応答曲線の幅を識別するデータを表現するが、図９の曲線１５２の場合と同様に実質的に平らのままであり、調波周波数の範囲にわたり５０％応答レベルにおいて、応答曲線の幅に実質的に変化がないことを示している。
【００３６】
図１１の処理の主要な長所は、基本遷移周波数を表現する密度において記録された単一のマイクロトラックへの需要にあり、一方図１０の処理は、各遷移密度について別々のマイクロトラックを必要とする。基本周波数の各奇数調波において希望するレベル（たとえば１０％）における応答曲線の幅を測定すれば、図１０の方法に類似の結果が与えられる。しかしながら、図１１の処理は、曲線２６２（図１２）について、数少ないデータを結果するのが通常であり、正確さのより少ない結果になるかもしれない。たとえば、曲線１５２は、多数のデータ・ポイントを取って、６マイクロインチの側面読取を示すが、一方曲線２６２は、５マイクロインチの側面読取を示す。従って、図１１の処理は、より早く、より容易であるが、正確さに劣る。
【００３７】
要するに本発明は、読取ヘッドのような隣接接合トランスデューサ１０の開発のために有用なツールを提供して、トランスデューサの側面読取を識別する。トランスデューサは、選択された遷移密度（ステップ２００およびステップ２５０）を有する少なくとも１つのマイクロトラック（ステップ２０６およびステップ２５６）に対して、移動する。トランスデューサ１０が所定の応答を供給する少なくとも１つのマイクロトラックに対して、トランスデューサの複数の位置が識別される（ステップ２０６およびステップ２５８）。トランスデューサの側面読取距離は、複数の位置から識別される（ステップ２１６およびステップ２６０）。
【００３８】
図１０の実施例において複数のマイクロトラックが繰返し構成され（ステップ２１４とステップ２０２を含むループ）、各マイクロトラックは、異なった転移密度（ステップ２１４）を有する。トランスデューサが所定の応答を供給するそれぞれのマイクロトラックに対する各繰返しの間に、トランスデューサの位置が識別される（ステップ２０６）。
【００３９】
図１１の実施例において、選択された遷移密度は基本周波数を有する（２５０）。基本周波数の複数の各調波周波数における所定の応答をトランスデューサが供給するマイクロトラックに対して、トランスデューサの位置が識別される（ステップ２５８）。
【００４０】
好ましい実施例において、応答レベルはピーク応答の５０％未満であり、好ましくはピーク・レベルの１０％と３０％の間にある。
【００４１】
前述の説明において本発明の種々な実施例の多くの特性と長所が提示され、本発明の種々な実施例の構成と機能の詳細と共に提示されてきたが、この開示は単に例示的なものであって、前記の特許請求の範囲が表現される用語の広く一般的な意味により指示される全範囲に対して、本発明の諸原則の範囲以内にある細部の変更が、特に部品の構造および配置についてがなされ得ることを理解すべきである。たとえば側面読取測定のための特定アプリケーションによって特定の要素が変化し得るが、一方本発明の範囲と精神から離れることなく同一機能性を実質的に維持する。更に本書においては、ディスク・ドライブ・システムのためのＧＭＲヘッドへ向けられた好ましい実施例を説明したが、本発明の範囲と精神から離れることなくＭＲヘッド、インパクト・トランスデューサ、加速度計などを含む他の隣接接合変換装置およびテープ・ドライブ・システムなど他のシステムに対して本発明の教示を適用できることが当業者に明らかなことが理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】読取ヘッドが使用される環境を例示するディスク・ドライブの透視図である。
【図２】本発明により側面読取が測定される典型的な巨大磁気抵抗型ヘッドの断面図をその空気ベアリング面で示す。
【図３】図２に図示するヘッドの応答プロファイルをヘッドの幅を交差する方向に、図示する。
【図４】種々の実験的条件および理論的条件の下でヘッドの応答を図示するグラフである。
【図５】種々の実験的条件および理論的条件の下でヘッドの応答を図示するグラフである。
【図６】種々の実験的条件および理論的条件の下でヘッドの応答を図示するグラフである。
【図７】種々の実験的条件および理論的条件の下でヘッドの応答を図示するグラフである。
【図８】種々の実験的条件および理論的条件の下でヘッドの応答を図示するグラフである。
【図９】本発明の第１実施例に採用された隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する諸原則を図示するグラフである。
【図１０】本発明の第１実施例による隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する処理のフローチャートである。
【図１１】本発明の第２実施例による隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する処理のフローチャートである。
【図１２】本発明の第２実施例に採用された隣接接合読取ヘッドの側面読取を測定する諸原則を図示するグラフである。
【図１】
2004504686.tif 000003
【図２】
2004504686.tif 000004
【図３】
2004504686.tif 000005
【図４】
2004504686.tif 000006
【図５】
2004504686.tif 000007
【図６】
2004504686.tif 000008
【図７】
2004504686.tif 000009
【図８】
2004504686.tif 000010
【図９】
2004504686.tif 000011
【図１０】
2004504686.tif 000012
【図１１】
2004504686.tif 000013
【図１２】
2004504686.tif 000014
【国際公開パンフレット】
2004504686.tif 000015
2004504686.tif 000016
2004504686.tif 000017
2004504686.tif 000018
2004504686.tif 000019
2004504686.tif 000020
2004504686.tif 000021
2004504686.tif 000022
2004504686.tif 000023
2004504686.tif 000024
2004504686.tif 000025
2004504686.tif 000026
2004504686.tif 000027
2004504686.tif 000028
2004504686.tif 000029
2004504686.tif 000030
2004504686.tif 000031
2004504686.tif 000032
2004504686.tif 000033
2004504686.tif 000034
2004504686.tif 000035
2004504686.tif 000036
2004504686.tif 000037
2004504686.tif 000038
2004504686.tif 000039
2004504686.tif 000040
2004504686.tif 000041
2004504686.tif 000042
2004504686.tif 000043
2004504686.tif 000044
2004504686.tif 000045
2004504686.tif 000046
2004504686.tif 000047
2004504686.tif 000048
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004504686.tif 000049
2004504686.tif 000050
【手続補正書】
【提出日】平成14年8月16日(2002.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接接合磁気トランスデューサの側面読取を測定する処理であって、前記処理は、
ａ）　それぞれの遷移密度を各々有する複数の各マイクロトラックに対して前記トランスデューサを移動して、トランスデューサ応答幅の変化を識別できる密度の範囲を前記諸トランジスタ密度が定義するステップと、
ｂ）　前記トランスデューサの複数のオフ・トラック位置を識別し、前記トランスデューサが所定の応答を供給するそれぞれのマイクロトラックに各オフトラック位置が関係するステップと、
ｃ）　前記複数の位置からの前記トランスデューサの前記側面読取特性を識別するステップとを含む前記処理。
【請求項２】
各マイクロトラック・ステップ（ａ）が、
ａ１）　１つの遷移密度を有する１つのトラックを構成し、前記遷移密度がトラックごとに異なるステップと、
ａ２）　前記トラックを調整して１つのマイクロトラックにするステップとから構成される請求項１記載の処理。
【請求項３】
前記ステップ（ａ１）とステップ（ａ２）が、繰返し遂行される請求項２の処理。
【請求項４】
ステップ（ｂ）が、
ｂ１）　前記マイクロトラックに対する前記トランスデューサの前記中心の前記位置の表現を記憶するステップを含む請求項１記載の処理。
【請求項５】
ステップ（ｃ）が、
ｃ１）　前記所定の応答について前記マイクロトラックに対する前記トランスデューサの前記位置の前記記憶された表現をプロットするステップと、
ｃ２）　前記プロットから前記トランスデューサの前記側面読取を補間するステップとを含む請求項４記載の処理。
【請求項６】
前記所定の応答が、前記トランスデューサのピーク応答の５０％未満である請求項１記載の処理。
【請求項７】
前記所定の応答が、前記ピーク応答の１０％と３０％の間にある請求項６記載の処理。
【請求項８】
隣接接合磁気トランスデューサの側面読取距離を測定する処理であって、前記処理は、
ａ）　ある基本周波数を有する選択された遷移密度を有するマイクロトラックに対する前記トランスデューサを移動するステップと、
ｂ）　前記基本周波数の複数の各調波周波数において、前記トランスデューサが前記所定応答を供給するマイクロトラックに対する前記トランスデューサの位置を識別するステップと、
ｃ）　前記複数の位置からの前記トランスデューサの前記側面読取を識別するステップとを含む前記処理。
【請求項９】
ステップ（ｃ）が、
ｃ１）　前記トランスデューサの複数の応答幅を識別し、前記調波周波数の各々について前記トランスデューサの識別された位置に各応答幅が基づいているステップと、
ｃ２）　前記複数の応答幅に基づいて前記側面読取距離を計算するステップとを含む請求項８記載の処理。
【請求項１０】
ステップ（ｃ１）が、前記基本周波数について前記トランスデューサの前記識別された位置に基づいた応答幅を含む請求項９記載の処理。
【請求項１１】
ステップ（ａ）が、
ａ１）　前記選択された遷移密度を有するトラックを構成するステップと、
ａ２）　前記トラックを調整してマイクロトラックにするステップとを含む請求項８記載の処理。
【請求項１２】
隣接接合磁気トランスデューサの側面読取を測定する処理であって、
ａ）　第１遷移密度を有する第１トラックを構成するステップと、
ｂ）　前記第１トラックを調整して第１マイクロトラックにするステップと、
ｃ）　前記第１マイクロトラックを横切って前記トランスデューサを移動させるステップと、
ｄ）　前記トランスデューサが所定の応答を供給する前記第１マイクロトラックに対する前記トランスデューサの第１の複数位置を識別するステップと、
ｅ）　前記第１遷移密度と異なる第２遷移密度を有する第２トラックを構成するステップと、
ｆ）　前記第２トラックを調整して第２マイクロトラックにするステップと、
ｇ）　前記第２マイクロトラックを横切って前記トランスデューサを移動するステップと、
ｈ）　前記トランスデューサが前記所定の応答を供給する前記第２マイクロトラックに対する前記トランスデューサの第２の複数位置を識別するステップと、
ｉ）　前記第１および第２の複数位置から前記トランスデューサの側面読取を計算するステップとを含む前記処理。
【請求項１３】
ステップ（ｄ）が、
ｄ１）　前記第１の複数位置の前記位置間での第１距離の表現を記憶するステップを含み、
またステップ（ｈ）が、
ｈ１）　前記第２の複数位置の前記位置間での第２距離の表現を記憶するステップを含む請求項１２記載の処理。
【請求項１４】
ステップ（ｉ）が、
ｉ１）　前記第１および第２の距離から前記トランスデューサの前記側面読取を補間するステップを含む請求項１３記載の処理。
【請求項１５】
前記所定の応答が前記トランスデューサのピーク応答の５０％未満である請求項１２記載の処理。
【請求項１６】
隣接接合磁気トランジスタの側面読取を測定する処理であって、
ａ）　基本周波数を定義する遷移密度を有するトラックを構成するステップと、
ｂ）　前記トラックを調整してマイクロトラックにするステップと、
ｃ）　前記マイクロトラックを横切って前記トランスデューサを移動するステップと、
ｄ）　前記トランスデューサにより前記マイクロトラックを読取って、前記基本周波数の前記複数の調波周波数の各々において、複数の応答を引出すステップと、
ｅ）　各調波周波数について、前記トランスデューサが所定の応答を供給するマイクロトラックに対する前記トランスデューサの複数位置を識別するステップと、
ｆ）　前記複数位置から前記トランスデューサの前記側面読取を計算するステップとを含む前記処理。
【請求項１７】
ステップ（ｅ）が、
ｅ１）　各調波周波数について、前記それぞれの複数位置の諸位置の間での距離の表現を記憶するステップを含む請求項１６記載の処理。
【請求項１８】
ステップ（ｆ）が、
ｆ１）　各調波周波数について前記諸距離から前記トランスデューサの前記側面読取を補間するステップを含む請求項１７記載の処理。
【請求項１９】
ステップ（ｅ）が、
ｅ１）　前記トランスデューサが前記基本周波数の前記所定の応答を供給する前記マイクロトラックに対する前記トランスデューサの複数位置を識別するステップを含む請求項１６記載の処理。
【請求項２０】
前記所定の応答が前記トランスデューサのピーク応答の５０％未満である請求項１６記載の処理。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ステップ２６０でヘッドの側面読取距離が、図１０においてと同様な仕方で計算される。図１２の曲線２６２は、ステップ２５６で周波数の範囲にわたり選択された応答レベル（たとえば１０％応答レベル）において識別された応答曲線の幅をプロットする。図９の曲線１５０の場合と同様に、周波数範囲にわたりヘッドの見かけ上の幅の変化からヘッドの側面読取距離を識別できる。曲線２６２は、約２８．３メガヘルツ（例において約２５ＫＦＣＩである）における約３４マイクロインチと、約２８２．５メガヘルツ（例において約２５０ＫＦＣＩ）における２９マイクロインチとの間で、変動する幅を図示する。図９の曲線１５０の場合と同様に曲線２６２の傾斜は、ヘッドの側面読取効果の直接測定である。曲線２６４は、５０％応答レベルについて応答曲線の幅を識別するデータを表現するが、図９の曲線１５２の場合と同様に実質的に平らのままであり、調波周波数の範囲にわたり５０％応答レベルにおいて、応答曲線の幅に実質的に変化がないことを示している。




【国際調査報告】
2004504686.tif 000051
2004504686.tif 000052
2004504686.tif 000053