(57)【要約】半導体ウェハーを裁断する方法は、第１（３０２）、第２（３３２）のレーザー光線を回路基板（１００）の上面へ向けるステップ；コーティング層を横断して第１のレーザー光線を走査してコーティング層のスクライブ線（１０２）を形成するステップ；およびスクライブ線に沿って第２のレーザー光線で回路基板を切断するステップを備える。本装置は、回路基板のコーティング層の上に置かれた第１の波長をもつ第１のレーザー、および第１のレーザーとは波長が異なり回路基板の表面の上に置かれた第２の波長を持つ第２のレーザー（３２４）を含む。コーティング層は、第１のレーザーの波長に対する第１の吸収係数を持っていて、半導体回路基板は、第１の吸収係数よりも小さい第２の吸収係数を持っている。第１のレーザー光線からのエネルギーがコーティング層に吸収されてスクライブ線を形成して、第２のレーザー光線がスクライブ線に沿って回路基板を切断する。
2004526335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティング層を持つ半導体回路基板を裁断する方法であって、以下のステップを備える：
（ａ）第１のレーザー光線および第２のレーザー光線を、回路基板上面へ向けるステップ；
（ｂ）コーティング層を横断して、少なくともコーティング層の一部を除去する第１のレーザー光線を走査することにより、コーティング層にスクライブ線を形成するステップ；および
（ｃ）スクライブ線に沿って、第２のレーザー光線で回路基板を切断して、各切断面を形成するステップ。
【請求項２】
第１のレーザー光線の焦点の大きさが、第２のレーザー光線の焦点の大きさよりも大きい請求項１に記載の方法。
【請求項３】
スクライブ線の幅が切断面の幅よりも大きい請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのスクライブ線が曲がった請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のスクライブ線が実質的にまっすぐな請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１のレーザー光線の波長が約１．２から１５ミクロンの間であって、第２のレーザー光線の波長が約１．０６ミクロンから１９３ｎｍの間である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
コーティング層を持つ半導体回路基板を裁断する方法であって、以下のステップを備える：
（ａ）第１のレーザー光線および第２のレーザー光線を、回路基板上面へ向けるステップ；
（ｂ）少なくとも層の一部を除去する第１のレーザー光線を、層を横断して走査することにより、層の第１の方向への第１の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｃ）層を横断して、第１のレーザー光線を走査することにより、および、第１のレーザー光線により少なくとも層の一部を除去することにより、層の第２の方向への第２の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｄ）第２の組のスクライブ線に沿って、第２のレーザー光線で回路基板を切断して、第１の組の切断面各々を形成するステップ；および
（ｅ）第１の組のスクライブ線に沿って、第２のレーザー光線で回路基板を切断して、第２の組の切断面各々を形成するステップ。
【請求項８】
第２の方向が第１の方向と実質的に直交する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１のレーザーが１．１ミクロンより長い波長を持つ赤外線放射を発して、第２のレーザーが１．１ミクロンよりも短い波長を持つ放射を発する請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
第１のレーザーの波長が、約１．２から１５ミクロンの間である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１のレーザーの上記波長が、約９から１１ミクロンの間である請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
第１のレーザーの上記波長が、i）９．３、ii）９．６、およびiii）１０．６ミクロンのうちの１つである請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
第２のレーザーの波長が、約１．０６ミクロンから１９３ｎｍの間である請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
第２のレーザーの上記波長が、i）１．０６ミクロン、ii）５３２ｎｍ、iii）３５５ｎｍ、およびiv）２６６ｎｍのうちの１つである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第１のレーザーの波長が約１．２と１５ミクロンの間であって、第２のレーザーの波長が約１．０６ミクロンと１９３ｎｍの間である請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
第１のレーザー光線がＣＯ2レーザーにより生成されて、第２のレーザー光線がＣＯ2レーザー以外により生成される請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
第１のレーザー光線がＣＯ2レーザーにより生成されて、第２のレーザー光線が、i）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、ii）チタンサファイアレーザー、iii）半導体ダイオードレーザー、iv）アルゴンイオンレーザー、およびv）エキシマレーザーのうち１つにより生成される請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
半導体ダイオードレーザーがＡｌＧａＡｓレーザーである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
スクライブ線が、層の深さよりも深くない深さをもつ請求項７に記載の方法。
【請求項２０】
回路基板がシリコンベースであって、回路基板上の層がシリコンベース以外である請求項７に記載の方法。
【請求項２１】
半導体回路基板を裁断する方法であって：
（ａ）回路基板上面の上にある、第１のレーザー光線のある波長に対して第１の吸収係数を持つ層へ、第１のレーザー光線を向けるステップ；
（ｂ）第１のレーザー光線から、第１の吸収係数に基づく層へのエネルギーを吸収するステップ；
（ｃ）層を横断して、少なくとも層の一部を除去する第１のレーザー光線を走査することにより、層の第１の方向の第１の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｄ）層を横断して第１のレーザー光線を走査することにより、および第１のレーザー光線で少なくとも層の一部を除去することにより、層の第２の方向の第２の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｅ）切断面の各第１の組を形成するために、第２のレーザー光線を第２の組のスクライブ線へ向けるとともに、第１の組のスクライブ線に沿って第２のレーザー光線で回路基板を切断するステップ；および
（ｆ）切断面の各第２の組を形成するために、第２のレーザー光線を第１の組のスクライブ線へ向けるとともに、第２の組のスクライブ線に沿って第２のレーザー光線で回路基板を切断するステップを備え、
回路基板は、第１のレーザー光線の波長に対する第２の吸収係数を持っていて、その第２の吸収係数は、上記第１の吸収係数よりもマグニチュードが約１オーダー小さい方法。
【請求項２２】
層が複数の層から成っていて、回路基板の第２の吸収係数が複数の層各々の吸収係数よりも小さい請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第２の吸収係数は、第１の吸収係数よりも少なくともマグニチュードが１オーダー小さい請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
半導体回路基板を裁断する方法であって：
（ａ）第１のレーザー光線を回路基板の上面の上にある層へ向けるステップ；
（ｂ）第１のレーザー光線から層だけへのエネルギーを吸収するステップ；
（ｃ）層を横断して、少なくとも層の一部を除去する第１のレーザー光線を走査することにより、第１の方向の第１の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｄ）層を横断して第１のレーザー光線を走査することにより、第１の方向と実質的に直交する層の第２の方向の第２の組のスクライブ線を形成するステップと、第１のレーザー光線で少なくとも層の一部を除去するステップ；
（ｅ）第２のレーザー光線を回路基板の上面へ向けるステップ；
（ｆ）第２の組のスクライブ線に沿って、第２のレーザー光線で回路基板を切断するステップ；および
（ｇ）第１の組のスクライブ線に沿って、第２のレーザー光線で回路基板を切断するステップを備え、
レーザー光線の波長に対して、層は第１の吸収係数を持ち、回路基板は第２の吸収係数を持ち、第１の吸収係数は第２の吸収係数よりも大きい方法。
【請求項２５】
第１の吸収係数は、第２の吸収係数よりも少なくともマグニチュードが１オーダー大きい請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
複数のレーザーを使用して半導体回路基板を裁断する方法であって：
（ａ）複数のレーザーのうちの第１のレーザーを回路基板の上面の上の層へ向けるステップ；
（ｂ）第１のレーザーから層へのエネルギーを吸収するステップ；
（ｃ）層を横断して、少なくとも層の一部を除去する第１のレーザーを走査することにより、層の第１の方向の第１の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｄ）層を横断して第１のレーザーを走査することにより、層の第１の方向と実質的に直交する第２の方向の第２の組のスクライブ線を形成するステップと、少なくとも層の一部を第１のレーザーで除去するステップ；
（ｅ）複数のレーザーのうちの第２のレーザーを、回路基板の上面へ向けるステップ；
（ｆ）第２のレーザーで、第２の組のスクライブ線に沿って、回路基板の第１の組の切断面を切断するステップ；および
（ｇ）第２のレーザーで、第１の組のスクライブ線に沿って、回路基板の第２の組の切断面を切断するステップを備え、
層が第１の吸収係数を持ち、回路基板が第１のレーザーの波長に対する第２の吸収係数を持ち、第１の吸収係数は第２の吸収係数よりマグニチュードが約１オーダー大きく、第１の組の切断面と第２の組の切断面とが回路基板から複数のダイスを形成する方法。
【請求項２７】
第１の吸収係数は、第２の吸収係数よりマグニチュードが少なくとも１オーダー大きい請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
複数のレーザーを使用して半導体回路基板を裁断する方法であって：
（ａ）回路基板の上面の上へ複数のレーザーを向けるステップ；
（ｂ）複数のレーザーのうちの第１のレーザーから層へのエネルギーを吸収するステップ；
（ｃ）層を横断して、少なくとも層の一部を除去する第１のレーザーを走査することにより、層の第１の方向の第１のスクライブ線を形成するステップ；
（ｄ）第１のスクライブ線に沿って、複数のレーザーのうちの第２のレーザーで、回路基板の第１の切断面を切断するステップ；
（ｅ）回路基板上の層の第１の方向の、上記第１のスクライブ線に対して実質的に平行なもう１つの第１のスクライブ線を形成するステップ；
（ｆ）第２のレーザーで、上記もう１つの第１のスクライブ線に沿って、回路基板のもう１つの第１の切断面を切断するステップ；
（ｇ）第１の方向に関してすべての回路基板がスクライブされて、切断されるまでステップ（ｅ）および（ｆ）を繰り返すステップ；
（ｈ）層を横断して第１のレーザーを走査することにより、および少なくとも層の一部を除去することにより、層の、上記第１の方向と直交する第２の方向の第２のスクライブ線を形成するステップ；
（ｉ）第２のレーザーで、第２のスクライブ線に沿って回路基板の第２の切断面を切断するステップ；
（ｊ）回路基板上の層の第２の方向の、上記第２のスクライブ線に対して実質的に平行なもう１つの第２のスクライブ線を形成するステップ；
（ｋ）第２のレーザーで、上記もう１つの第２のスクライブ線に沿って、回路基板のもう１つの第２の切断面を切断するステップ；および
（ｌ）第２の方向に関してすべての回路基板がスクライブされて、切断されるまでステップ（ｊ）および（ｋ）を繰り返すステップを備え、
レーザー光線の波長に対して、層が第１の吸収係数を持っていて、回路基板が第２の吸収係数を持っていて、第１の吸収係数は第２の吸収係数よりもマグニチュードが約１オーダー大きく、最初の第１の切断面、その他の第１の切断面、および最初の第２の切断面、その他の第２の切断面が、回路基板から複数のダイスを形成する方法。
【請求項２９】
第１の吸収係数は、第２の吸収係数よりもマグニチユードが少なくとも１オーダー大きい請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
第２のレーザーが、第１のレーザーとは所定の距離だけ相隔たる請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
複数のレーザーを使用して、半導体回路基板を裁断する方法であって：
（ａ）第１のレーザーを回路基板の上面の上の層へ向けるステップ；
（ｂ）層を横断して、少なくとも層の一部を除去する第１のレーザーを走査することにより、層の第１の方向の第１の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｃ）第２のレーザーを回路基板の上面へ向けるステップ；
（ｄ）第２のレーザーで、第１の組のスクライブ線に沿って、回路基板の第１の組の切断面を切断するステップ；
（ｅ）層を横断して第１のレーザーを走査することにより、および第１のレーザーで少なくとも層の一部を除去することにより、層の第２の方向の第２の組のスクライブ線を形成するステップ；
（ｆ）第２のレーザーで、第２の組のスクライブ線に沿って、回路基板の第２の組の切断面を切断するステップを備え、
レーザー光線の波長に対して、層が第１の吸収係数を持っていて、回路基板が第２の吸収係数を持っていて、第１の吸収係数は、第２の吸収係数よりもマグニチュードが約１オーダー大きく、第１の組の切断面および第２の組の切断面が、回路基板から複数のダイスを形成する方法。
【請求項３２】
第２の方向が、第１の方向に実質的に直交する請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
第２のレーザー光線が、第１のおよび第２の切断面に沿って回路基板を切断する請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
コーティング層をその上に持つ半導体回路基板を裁断するための装置であって：
第１の吸収係数よりも小さい第２の吸収係数を持つ半導体回路基板の、第１のレーザーの波長に対する第１の吸収係数を持つコーティング層の上に置かれた第１のレーザー；および
回路基板の表面上に置かれた第２のレーザーを備え、
コーティング層に少なくとも１つのスクライブ線を形成するために、第１の吸収係数に基づいて、第１のレーザー光線からのエネルギーがコーティング層に吸収されて、少なくとも１つのスクライブ線に沿って第２のレーザーが回路基板を切断する装置。
【請求項３５】
第２の吸収係数は、第１の吸収係数よりもマグニチュードが約１オーダー小さい請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
第２の吸収係数は、第１の吸収係数よりもマグニチュードが少なくとも１オーダー小さい請求項３４に記載の装置。
【請求項３７】
第１のレーザーがＣＯ2レーザーである請求項３４に記載の装置。
【請求項３８】
第２のレーザー光線が、i）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、ii）チタンサファイアレーザー、iiii）半導体ダイオードレーザー、iv）アルゴンイオンレーザー、およびv）エキシマレーザーのうち１つである請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
コーティング層をその上に持った半導体回路基板を裁断する装置であって：
第１の吸収係数よりも小さい第２の吸収係数を持つ半導体回路基板の、第１のレーザーの波長に対する第１の吸収係数を持つコーティング層の上に置かれた第１のレーザー；
回路基板の表面上に置かれた第２のレーザー；および
第１のレーザーにより出力されるレーザー光線を分割して、２つの実質的に同じレーザー光線にするために、第１のレーザーに光学的に組み合わされた第１のビーム・スプリッタを備え、
２つの実質的に同じレーザー光線からのエネルギーが、第１の吸収係数に基づいたコーティング層に吸収されて、そこに各スクライブ線を形成して、第２のレーザーがスクライブ線に沿って回路基板を切断する装置。
【請求項４０】
コーティング層をその上に持った半導体回路基板を裁断する装置であって：
第１の吸収係数よりも小さい第２の吸収係数を持つ半導体回路基板の、第１のレーザーの波長に対する第１の吸収係数を持つコーティング層の上に置かれた第１のレーザー；
回路基板の表面上に置かれた第２のレーザー；および
第２のレーザーから出力されたレーザー光線を分割して、２つの実質的に同じレーザー光線にするために、第２のレーザーに光学的に組み合わされた第１のビーム・スプリッタを備え、
第１のレーザー光線からのエネルギーが、第１の吸収係数に基づいたコーティング層に吸収されて、そこにスクライブ線を形成して、複数の実質的に同じレーザー光線がスクライブ線に沿って回路基板を切断する装置。
【請求項４１】
コーティング層をその上に持った半導体回路基板を裁断する装置であって：
第１の吸収係数よりも小さい第２の吸収係数を持った半導体回路基板の、第１のレーザーの波長に対する第１の吸収係数を持ったコーティング層の上に置かれたスクライブレーザー；
回路基板の表面上に置かれた切断レーザー；
第１のレーザーにより出力されるレーザー光線を分割して、２つの実質的に同じスクライブレーザー光線にするために、スクライブレーザーに光学的に組み合わされた第１のビーム・スプリッタ；および
第２のレーザーにより出力されるレーザー光線を分割して、２つの実質的に同じ切断レーザー光線にするために、切断レーザーに光学的に組み合わされた第２のビーム・スプリッタを備え、
２つの実質的に同じスクライブレーザー光線からのエネルギーが、第１の吸収係数に基づいたコーティング層に吸収されて、そこに各スクライブ線を形成して、２つの実質的に同じ切断レーザー光線が複数のスクライブ線の各々に沿って回路基板を切断する装置。
【請求項４２】
コーティング層をその上に持った半導体回路基板を裁断する装置であって：
第１の吸収係数よりも小さい第２の吸収係数を持った半導体回路基板の、スクライブレーザーの波長に対する第１の吸収係数を持ったコーティング層の上に置かれた複数のスクライブレーザー；および
回路基板の表面上に置かれた複数の切断レーザーを備え、
複数のスクライブレーザー光線からのエネルギーが、第１の吸収係数に基づいたコーティング層に吸収されて、そこに各スクライブ線を形成して、複数の切断レーザー光線が複数のスクライブ線の各々に沿って回路基板を切断する装置。
【請求項４３】
複数のスクライブレーザーがＣＯ2レーザーである請求項４２に記載の装置。
【請求項４４】
複数の切断レーザーが、少なくともi）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、ii）チタンサファイアレーザー、iii）半導体ダイオードレーザー、iv）アルゴンイオンレーザー、およびv）エキシマレーザーのうち１つである請求項４３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的に半導体ウェハーの裁断に関係する。さらに詳細には、本発明は、完全二段式レーザーベース半導体ウェハー切断工程のための方法と装置に関連する。ここで各レーザー周波数は異なる。
【背景技術】
【０００２】
ソーイングによるダイ分離または裁断（ｓｉｎｇｕｌａｔｉｏｎ）は、回転する環状の研磨ソーブレードで、ミクロ電子工学の回路基板を個々の回路ダイに切断する工程である。上記工程は、今日使用可能で、最も効率的で経済的な方法であることが証明されている。これは、表面仕上がりの選択と同様に、裁断の深さと幅（切断面）の選択における汎用性を提供して、ウェハーまたは回路基板を部分的にまたは完全に切断するために使用できる。
【０００３】
ウェハーをダイシングする技術は急速に進歩して、ダイシングすることは、現在半導体パッケージ工程の前工程の多くで必須の手順である。これはシリコン集積回路ウェハー上のダイ分離に広く使用されている。
【０００４】
ミクロ電子工学技術の、電子レンジおよびハイブリッド回路、メモリの、コンピュータの、防衛の、および医療の電子工学における使用の増加は、産業にとって新たなおよび困難な数々の問題を生み出した。さらに高価で新型の物質、例えばサファイア、ガーネット、アルミナ、セラミック、ガラス、石英、フェライト、および他の硬くてもろい回路基板などが使われている。これらはしばしば組み合わされて異なる物質の多重層を製造して、ダイシングするときの問題をさらに増やす。これらの回路基板の高コストは、その上に作られる回路の重要性（ｖａｌｕｅ）と共に、ダイ分離の段階で高生産を得ることを困難にしている。
【０００５】
ダイシングすることは、研磨粒子を使用した機械加工の機械的工程である。上記工程の仕組みはクリープ研削と同様であるとみなされる。したがってダイシングすることと研削することの間には、物質の除去作用に関して同様性が見られるかもしれない。しかし、ダイ分離に使用されるダイシングブレードの大きさは上記工程を独特なものにしている。典型的にブレードの厚さは０．６ミルから５０ミル（０．０１５ｍｍから１．２７ｍｍ）の範囲であって、ダイヤモンド粒子（最も硬い既知の物質）が、研磨物質の材料として使用される。ダイシングするソーブレードは、環状の円板の形状で作成されていて、その円板はハブのフランジに固定されて、またはハブに取り付けられて、薄くて、可撓性のあるソーブレードを適切な位置に正確に置く。ダイヤモンドのダイシングブレードの極端な繊細さのために、厳密なパラメータ集合の順守が必須であって、標準からのほんのわずかなずれさえも、完全な失敗となりうる。
【０００６】
図１は、半導体デバイスの製造工程における半導体ウェハー１００の等角図である。従来の半導体ウェハー１００は、上面に形成された複数のチップまたはダイ、１００ａ、１００ｂ、．．．を持つ。チップ１００ａ、１００ｂ、．．．をお互いにおよびウェハーから分離するために、一連の直角線または「道（ｓｔｒｅｅｔ）」１０２、１０４がウェハー１００に刻まれる。この工程はウェハーダイシングとしても知られている。
【０００７】
ＩＣウェハーは、例えば銅金属パッドと同様に、酸化物または窒化物による表面安定化処理、誘電体、ポリマーコーティング、およびアルミニウムなど（すべてまとめて図１の１０６で示される）の種々の層によりコーティングされている。ウェハースクライブ線（道）は、チップ上の同様なコーティングを反映する。なぜならすべてのテスト装置および位置合わせの印はスクライブ線境界内に位置しているからである。それ故、ウェハー上の道は、完全にまたは部分的に、種々の物質でコーティングされていて、大部分は均質ではない。物質の、この組み合わせは、ウェハーダイシングおよびダイのエッジの品質に重大な影響がある。例えば１枚のブレードによる１回での切断のなどの、従来のダイシング技術が使用されたとき、半導体ウェハーの裏面横のダイのエッジは、激しい裏面のチッピング（カケ）（ＢＳＣ）を受ける。加えて、ウェハーの上面では、ダイエッジの問題は、表面安定化処理および誘電体層に亀裂が生じること、金属パッドを汚すことおよび引き裂くこと、およびポリマーの破片の形成を含む。
【０００８】
上記ダイエッジの問題を克服する１つのアプローチは、機械式２段ダイシング方法である。この方法は、２回の切断（ステップ切断）の組み合わせであって、第１の切断は薄く、第２の切断は貫通するようにである。第１の切断の目的は、半導体ウェハー１００の道１０２、１０４からすべてのコーティング１０６を除去することであり、これはなめらかな貫通切断を可能にする。この第１の切断は、同様にシリコンウェハーに侵入する斜角をつけられたブレードまたは標準的なブレードのいずれかを使用して行われる。コーティング、表面安定化処理、誘電体、および金属パッドの道１０２、１０４からの除去も、裏面のチッピングに影響する。結果として、チッピングの大きさは減少する。
【０００９】
しかし、ステップ切断には大きな不利点がある。第１に、工程のスループットが大きく減少する、なぜなら１つの道に１回の通過で済むものを、２回の通過が必要なためである。第２に、コーティングの機械的除去は残りの亀裂を生む、それが今度は、更なるダイスの損傷を引き起こす。第３に、斜角ブレードが磨耗したとき、切断面が広がるので、これは頻繁なブレードの手入れと交換を必要とする。第４に、斜角ブレードの値段が、標準的なブレードと比較して５つの要素でより高価になる。これらすべての欠点は、ステップ切断工程に関して所有するには高費用につながる。
【００１０】
斜角切断に関しては他の不利点もある。すなわち、ブレードの侵入高が注意して監視されなければならない、なぜなら各１ミクロンの侵入に対して、切断面が約２ミクロン広がるからである。加えて、斜角ブレードは、例えば亀裂といった形で、隠れた損傷をダイのエッジに加えるかもしれない。ダイシング後のダイスの視覚的検査（１つの業界標準）は、この損傷を検出できない。
【００１１】
機械的ダイシングのもう１つの不利点は、切断工程の間の冷却液の必要性と同様に、費用および回路基板に侵入するために使用されるツール（ソー）の過度の磨耗を含む。加えて、ソーブレードの使用は、結果として生ずる形状要素を正方形や長方形などの線形のパターンを持つものへ限定してしまう。
【特許文献１】
米国特許第５，１５１，３８９号
【特許文献２】
米国特許第５，５５２，３４５号
【特許文献３】
米国特許第４，７１６，２７０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
先行技術の欠点から見て、種々のコーティング層とウェハースクライブレーンのテスト構造とを持ったダイを切断する方法と装置を、開発する必要があって、これはスループットを増加させるため、裏面のチッピングを最小にするため、薄いウェハーの機械的安定性を増すため、ツールの磨耗を減らすため、冷却液の必要性をなくすため、非線形エッジパターンを持ったダイの形成を可能にするため、および使用可能な回路の生産高を増すためである。
【００１３】
先行技術の欠点から見て、本発明の目的は、ダイシング工程を最適化することおよび半導体ウェハーの裏面のチッピング（ＢＳＣ）を最小化することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、第１の周波数を持った第１のレーザー光線を回路基板上面に焦点を合わせること、第１のレーザー光線で層にスクライブ線を形成すること、第１のレーザー光源の周波数とは異なった第２の周波数を持つ第２のレーザー光線を回路基板上面に焦点を合わせること、および第１のレーザー光線により形成されたスクライブ線に沿って第２のレーザー光線を走査することにより回路基板を切断することにより半導体回路基板を切断するための方法と装置である。
【００１５】
本発明のもう１つの形態では、回路基板は第２のレーザー光線で切断される。
【００１６】
本発明の更にもう１つの形態では、回路基板が第２のレーザーにより切断される前に、回路基板は第１のレーザーにより表面をスクライブされる。
【００１７】
本発明のまた更なるもう１つの形態では、第１のレーザー光線の直径は、第２のレーザー光線の直径より大きい。
【００１８】
本発明のこれらのおよび他の形態は、本発明の模範的な実施の形態の図および記述への参照とともに、以下に示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
半導体デバイスの製造において、個々のチップは大きなウェハーから、非常に高速で回転するソーブレードを使用して切断される。本質的にソーブレードは、線形の道または切断面（図１で示される１０２、１０４）に沿って第１の方向へウェハーの１部切削して取り除いて、その後第１の方向とは直角の方向へ同様な第２の工程が続く。
【００２０】
ダイス（チップ）の品質は、ダイシング工程の間、チッピング（表面と裏面）を最小にすることに直接関係する。発明者は、非機械的アプローチを使用して、シリコン回路基板のすべての上部層を除去することにより、回路基板が切断されるエリアでスループットが大きく増加して（２つの要素のうちの１つ）、表面のチッピング（ＦＳＣ）が大きく減少して（もし完璧には無くならなければ）、ＢＳＣは最小化されて、デバイス生産高も同様に増加する。
【００２１】
図２を参照すると、本発明の模範的実施の形態の１つのフローチャートが示されている。図３Ａおよび３Ｂを参照すると、模範的なウェハー裁断装置が示されていて、図４Ａ‐４Ｃを参照すると、スクライブ線と切断線の形成が示されている。
【００２２】
図２のステップ２００では、第１のレーザー光源３０４（図３Ａおよび３Ｂで示される）は、折りたたみ式鏡３０８により向けられて、第１の、焦点を合わされたレーザー光線３０２として、回路基板１００の表面上に横たわるコーティング層１０６の上にレンズ３１０により焦点が合わせられる。第１の、焦点を合わされたレーザー光線３０２の周波数は、回路基板１００の吸収係数よりもコーティング層１０６のその周波数の吸収係数はかなり大きい（マグニチュードが１オーダー）という物理的制約の影響下にある。第１の、焦点を合わせられたレーザー光線３０２は、コーティング層１０６または回路基板１００の表面の上または下の点に焦点が合わせられるかもしれない。図４Ａで示されているように、第１の、焦点を合わせられたレーザー光線をコーティング層１０６へ向ける前に、コーティング層は回路基板１００の表面の上に横たわっている。
【００２３】
図２を参照すると、ステップ２０５において第２のレーザー光源３２４（図３Ａおよび３Ｂで示されている）からの第２のレーザー光線３２６は、第１の、焦点を合わせられたレーザー光線３０６の波長とは異なる波長を持っていて、折りたたみ式鏡３２８で向けられて、第２の、焦点を合わせられた光線３２２として、回路基板１００の表面にレンズ３３０により焦点が合わせられる。第２の、焦点を合わせられたレーザー光線３２２の周波数は、光線が回路基板１００により吸収されるという物理的制約の影響下にある。ステップ２１０では、焦点を合わされたレーザー光線３０２は、回路基板のコーティング層１０６の表面に沿って走査される（例えばＡの方向に）。これは消散により層１０６を除去するため、および望むスクライブ線１０２（図４Ｂで示される）を形成するためである。ステップ２１５では、焦点を合わせられたレーザー光線３２２は、先に形成されたスクライブ線１０２、１０４に沿って走査されて、回路基板１００を貫通して、スクライブ線と一致したおよびスクライブ線で区切られた切断３５０を形成して、順にダイ１００ａ、１００ｂ、などを形成する。
【００２４】
方向Ａ（図３Ａで示される）は本質的に線形に描かれているが、模範的な実施の形態は、線形のスクライブすることおよび切断することに限定されない。第１の模範的な実施の形態は、回路基板を切断するためにソーブレードに頼らないので、スクライブすることおよび切断することは非線形のパターンを持ってもよい。例えば円、楕円、またはそれらの複数部分からなるものであってもよい。
【００２５】
回路基板１００の表面の上のコーティング層１０６は、表面安定化処理層、誘電体、酸化物、窒化物、および金属パッドの組み合わせである。多くの標準的なＩＣでは、これらの層全体の厚さは通常２０ミクロン未満である。各層個々の厚さは通常１ミクロン未満であるが、ポリマー層は例外的に数ミクロンの厚さを持つ。例えばこれらの層の吸収、反射、屈折率などの光学的特性は、層ごとに異なり、シリコン回路基板の特性とも異なる。
【００２６】
レーザー照射でＩＣウェハーを処理するときの主な懸念事項の１つは、加熱および温度による破損に対するデバイスの高い敏感さである。回路基板の過度の加熱は、デバイスの性能、信頼性を下げて、瞬間的にデバイスの障害を引き起こす。それ故スクライブのときに、コーティング層で強度に吸収されて、回路基板では最低の吸収しかされないレーザー周波数の適切な範囲を使用することが必要である。本実施の形態において提案するスクライブ工程に最も適したレーザーの１つは、例えば、約１０．６ミクロンの波長のスペクトルの遠赤外線領域であるＣＯ2レーザー照射である。ＣＯ2レーザーエネルギーのシリコンによる吸収係数は実質的にゼロであって、コーティング層の吸収係数より著しく低い（マグニチュードが約１のオーダー、すなわち因数１０で、できれば少なくともマグニチュードが１のオーダー）。一方で、シリコンは、スペクトルの紫外線の領域のエネルギーを大量に吸収する（吸収係数１０6ｃｍ-1）。例えば約２００ｎｍの波長である。例えばシリコンを処理する先行技術で説明されている（ゼッペラによる特許文献１、およびシュランツらによる特許文献２）エキシマ（ＵＶ）レーザー光源などのレーザーエネルギー源は、エネルギーが容易にシリコンにより吸収される例である。それにもかかわらず、紫外線周波数領域のエネルギーを発生するレーザーの使用はシリコンウェハーを著しく損傷しうるが、本実施の形態は、この主要な欠陥を、シリコン回路基板によって吸収されないが、コーティングをスクライブレーザー照射を使用することにより克服する。シリコンは遠赤外線レーザー照射により直接的には加熱されないが、シリコン回路基板上のコーティングは部分的にまたは完全にＣＯ2レーザー光線により除去される。これはシリコン回路基板の吸収係数と比較すると大きいコーティング層の吸収係数のためである。同様なアプローチがよく知られたエッチングの工程で使用されている。ここではストップエッチ層（ｓｔｏｐ  ｅｔｃｈ  ｌａｙｅｒ）が、工程の堅牢性、正確さを増して、他の層を保護するために使用される。上記実施の形態では、シリコン回路基板は、レーザー照射のストップエッチ層として作用する。特許文献３においてグナナマスらにより、まったく異なった物理的現象が、物質の２つの層のレーザー処理を区別するために使用された。グナナマスらによれば、加工中の製品は、有機ポリマーによりコーティングされた金属であって、２つの層へのレーザー処理の間の区別は、反射原理に基づいている。つまり、レーザー照射は、横たわる金属回路基板によりよく反射される。対照的に、本発明の模範的な実施の形態は、レーザー照射による高反射率にもかかわらず、ウェハー回路基板上の薄い金属層を除去可能である。これは、模範的な工程は反射よりもレーザーエネルギーの吸収に基づいているので可能となる。
【００２７】
本発明の模範的な実施の形態では、回路基板１００をスクライブするために使用される焦点を合わされたレーザー光線３０２は、他の直径が必要に応じて使用されるかもしれないが、直径約５０μｍである。図４Ｂおよび４Ｃに示されているように、焦点を合わされたレーザー光線３０２（コーティング層１０６をスクライブするために使用される）の直径（焦点にある点の大きさ）は、好ましくは焦点を合わされたレーザー光線３３２（下に横たわっている回路基板をそれに連続して切断するために使用される）の直径よりも大きい。図４Ｂに示されているように、道１０２、１０４の形成において、焦点を合わせられたレーザー光線３０２は、下に横たわるシリコン回路基板１００の間接的加熱を最小にする結果になる、シリコン回路基板の上の層１０６のみを除去する。
【００２８】
図４Ａ‐４Ｃを再度参照すると、層１０６は通常１０ミクロンの厚さであるが、シリコンウェハーはコーティングの厚さの何倍もの厚さ持つことが可能であって、約１００ミクロンから７５０ミクロンの間で変化するが、３０ミクロンの厚さのウェハーも同様に実現されている。加えて、図４Ｂおよび４Ｃで示されるレーザースクライブ線および切断線のエッジは、単にわかりやすい図のためであって、現実には図示されるほど鋭くなく、はっきりと区画されていない。
【００２９】
模範的な実施の形態ではレーザー光源３０４および３２４（および関連する構成部品）は静止しているが、例えば、回路基板１００は、道１０２を形成するために、回路基板１００が上に取り付けられた（例えば真空吸気により）従来のＸ‐Ｙテーブルを使用して、Ａの方向へ移動される。各道１０２が完了すると、回路基板１００は、Ｘ‐Ｙテーブル３１６によりＢの方向へ平行移動されて、もう１つの道１０２のためにこの工程が繰り返される。
【００３０】
すべての道１０２が形成された後で、回路基板１００は約９０°回転されてもよい。これにより回路基板１００の道１０４を形成するために上記工程が繰り返されてもよい。代わりに、レーザーが、静止した回路基板１００に対して、Ｘ、Ｙのいずれかまたは両方の方向へ移動されてもよい。
【００３１】
レーザースクライブ／レーザー切断の１つの主な利点は、回路基板上の上部層を取り除くため、および回路基板を裁断するために、従来のステップダイシングよりもかなり速い供給速度を達成することができる。後者は、薄い回路基板が裁断されるとき特に重要である。
【００３２】
従来のダイシングに対して模範的なレーザースクライブ工程のもう１つの利点は、図５Ａおよび５Ｂに示されている。ソーブレードでダイシングするとき、ソーブレードは、特定の方向からウェハーに侵入する必要がある（動作５００、図５Ａで示されている）。それ故、連続して切断するために、ブレードの動作は図５Ａで示されているようにジグザグの形をとる（動作５００に続く動作５０２）。しかし、このアプローチは時間を浪費する。なぜなら、ブレードが戻る間（動作５０２）ブレードは切断不可能であるからである。対照的に、本発明の模範的な実施の形態によると、レーザースクライブ／レーザー切断は非接触工程であるため、レーザーは、図５Ｂで示されているように（スクライブ／切断動作５００に続く横への動作５０４、さらに続くスクライブ／切断動作５０６など）両方向へ動作する（ジグザグのモード）。それ故、スクライブ／切断していない動作は、道に沿って切断している時と、次に道に沿って切断するときとの間の横への動作５０４の時だけである。
【００３３】
ステップ斜角切断に対するさらにもう１つのレーザースクライブ／レーザー切断の利点は、スクライブレーザー光線を使用して、高価なブレードの必要性を無くして、表面安定化処理層の封止を可能にする。それにより亀裂の発生を防ぐ。
【００３４】
模範的な実施の形態では、２つの異なるタイプのレーザー光源（レーザーヘッド）が使用される。第１のレーザー光源は、スクライブするために使用されて、約９から１１ミクロンの間の範囲の波長を、可能ならば約９．３または１０．６ミクロンの波長を備えたＣＯ2レーザーである。第２のレーザー光源３２２は、切断するために使用されて、主要な波長（１．０６ミクロン）で主に動作するＮｄ：ＹＡＧであってもよい。
【００３５】
１．０６ミクロンの基本周波数で動作するＮｄ：ＹＡＧレーザーは、回路基板１００を裁断するために、第２のレーザー光源３２２として使用されてもよいが、他のタイプのレーザーも切断を実行するために使用されてよい。例は、基本周波数の高調波で動作するＮＤ：ＹＡＧレーザーである。例えば第２の高調波‐５３２ｎｍ、第３の高調波‐３５５ｎｍ、および第４の高調波‐２６６ｎｍ、スペクトルの赤および近赤外線領域で動作する例えば約７８０ｎｍのチタンサファイアレーザー、スペクトルの可視光領域で動作するアルゴンイオンレーザー、スペクトルの近赤外線領域で照射発光する例えば８０８ｎｍのＡｌＧａＡｓダイオードレーザーのような半導体ダイオードレーザー、および例えばＡｒＦ‐１９３ｎｍ、ＫｒＦ‐２４８ｎｍ、ＸｅＣｌ‐３０８ｎｍ、ＸｅＦ‐３５１ｎｍなどのスペクトルの紫外線領域で動作するエキシマレーザーである。
【００３６】
切断工程の供給速度は回路基板の厚さによるので、スクライブレーザーおよび切断レーザーに対する回路基板の供給速度は、少なくとも２．５４ｍｍ／秒で速くても１０１６ｍｍ／秒であってもよいと意図されている。さらに、供給速度は２つの異なる工程では異なってもよい。すなわち、スクライブ工程は第１の供給速度で実行されるが、第２の（切断）工程は、第１の供給速度とは異なってもよい第２の供給速度で実行される。さらに、スクライブするためのＣＯ2レーザーの代わりに、コーティング層１０６でのレーザーの吸収が、回路基板でのレーザーの吸収よりもかなり高くなるような（レーザーの波長に基づいたマグニチュードが少なくとも１オーダー位）他の波長のレーザー照射を使用してもよい。約１．２から１５ミクロンの間の波長を持つレーザーが、コーティング層１０６をスクライブするために使用されてもよいと意図されている。できれば約９から１１ミクロンの間がよくて、約９．３、９．６、または１０．３ミクロンであれば最もよい。
【００３７】
希望に応じて、種々のスクライブレーザーおよび切断レーザーのパワーレベルが使用されてもよいとも意図されている。例えば、最低１ワットから最高４０ワットまでのパワーが、高い切断面の品質を達成することが望まれるように、使用されてもよい。切断面の幅は、そのサイズが第１のスクライブレーザーにより形成されるスクライブ線のサイズよりも小さい限りでは、同様に変更の影響下にある（図４Ｃを参照）。レーザー切断による切断面の幅は、１００μｍから５μｍ未満になる。
【００３８】
図６を参照すると、第２の模範的な工程のフローチャートが、図３Ａおよび３Ｂで示された第１の模範的装置にしたがって示されている。ステップ６００においては、第１のレーザー光源３０４からのスクライブレーザー光線３０６は、折りたたみ式鏡３０８により向けられて、回路基板１００上への第１の焦点を合わされた光線３０２としてレンズ３１０により焦点を合わされる。ステップ６０５において、第２のレーザー光源３２４からのレーザー光線３２６は、折りたたみ式鏡３２８により向けられて、回路基板１００上への第２の焦点を合わされた光線３３２としてレンズ３３０により焦点を合わされる。第１の模範的な実施の形態のように、焦点を合わされたレーザー光線３０２、３３２は、表面の回路基板１００の上方または下方の点においても焦点を合わされてよい。ステップ６１０においては、第１の焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０２を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して繰り返し走査される（各スクライブ線のための回路基板１００を横断する１つの走査）。ステップ６１５においては、回路基板１００は、スクライブ線１０２に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断される。ステップ６２０においては、回路基板１００は回転されて（望ましくは９０°）、第１の焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０４を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して再び繰り返し走査される。ステップ６２５においては、回路基板１００は、ダイ１００ａ、１００ｂなどを形成するために、スクライブ線１０４に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断される。
【００３９】
図７を参照すると、第３の模範的な工程のフローチャートが、図３Ａおよび３Ｂで示された第１の模範的装置にしたがって示されている。ステップ７００においては、第１のレーザー光源３０４からのスクライブレーザー光線３０６は、折りたたみ式鏡３０８により向けられて、回路基板１００上への第１の焦点を合わされた光線３０２としてレンズ３１０により焦点を合わされる。ステップ７０５において、第２のレーザー光源３２４からのレーザー光線３２６は、折りたたみ式鏡３２８により向けられて、回路基板１００上への第２の焦点を合わされた光線３３２としてレンズ３３０により焦点を合わされる。第１の、および第２の模範的な実施の形態のように、焦点を合わされたレーザー光線３０２、３３２は、表面の回路基板１００の上方または下方の点においても焦点を合わされてよい。ステップ７１０においては、焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０２を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して第１の方向（図３Ａで示されるようにＡの方向）へ走査される（各スクライブ線のための回路基板１００を横断する１つの走査）。同時に、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２が、スクライブ線１０２に沿って、回路基板１００を、スクライブ線１０２に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断するために、第１の焦点を合わされたレーザー光線のすぐ後に続く。ステップ７１５においては、ステップ７１０の工程は、すべての回路基板１００が第１の方向に分離されるまでさらにスクライブ／切断線が形成されるのが繰り返される。ステップ７２０においては、回路基板１００は回転されて（望ましくは９０°）、焦点を合わされたレーザー光線３０２、３２２は、ステップ７１０、７１５と同様に回路基板１００をスクライブおよび切断するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して再び繰り返し操作されて、ダイ１００ａ、１００ｂなどを形成する。
【００４０】
図８を参照すると、第４の模範的な工程のフローチャートが、図３Ａおよび３Ｂで示された第１の模範的装置にしたがって示されている。ステップ８００においては、第１のレーザー光源３０４からのレーザー光線３０６は、折りたたみ式鏡３０８により向けられて、回路基板１００上への第１の焦点を合わされた光線３０２としてレンズ３１０により焦点を合わされる。ステップ８０５においては、第１の焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０２を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して繰り返し走査される（各スクライブ線のための回路基板１００を横断する１つの走査）。ステップ８１０においては、回路基板１００は回転されて（望ましくは９０°）、第１の焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０４を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して再び繰り返し走査される。ステップ８１５においては、第２のレーザー光源３２４からのレーザー光線３２６が、折りたたみ式鏡３２８により向けられて、回路基板１００上への第２の焦点を合わされた光線３２２として、レンズ３３０により焦点を合わせられる。ステップ８２０においては、回路基板１００は、スクライブ線１０４に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断される。ステップ８２５においては、回路基板１００は、最初の位置まで回転させられて、ダイ１００ａ、１００ｂなどを形成するために、スクライブ線１０２に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断される。
【００４１】
図９を参照すると、さらにもう１つの模範的な工程のフローチャートが、図３Ａおよび３Ｂで示された第１の模範的装置にしたがって示されている。ステップ９００においては、第１のレーザー光源３０４からのレーザー光線３０６は、折りたたみ式鏡３０８により向けられて、回路基板１００上への第１の焦点を合わされた光線３０２としてレンズ３１０により焦点を合わされる。ステップ９０５においては、第２のレーザー光源３２４からのレーザー光線３２６が、折りたたみ式鏡３２８により向けられて、回路基板１００上への第２の焦点を合わされた光線３２２として、レンズ３３０により焦点を合わせられる。ステップ９１０においては、第１の焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０２を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して繰り返し走査される。ステップ９１５においては、回路基板１００は回転されて（望ましくは９０°）、第１の焦点を合わされたレーザー光線３０２は、すべての層１０６の一部を蒸発により除去するために、およびスクライブ線１０４を形成するために、回路基板コーティング層１０６の表面を横断して再び繰り返し走査される。ステップ９２０においては、次に、回路基板１００は、スクライブ線１０４に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断される。ステップ９２５においては、回路基板１００は、最初の位置まで回転させられて、ダイ１００ａ、１００ｂなどを形成するために、スクライブ線１０２に沿って、第２の焦点を合わされたレーザー光線３３２で回路基板１００を貫通することにより切断される。
【００４２】
図１０は本発明の第２の模範的な実施の形態を示す。図１０で示されるように、レーザー光源３０４の２倍のパワーを持った１つのレーザー光源１０１０が、スクライブレーザー光線１０１６を生成するために使用される。次にそのレーザー光線１０１６は、ビーム・スプリッタ１０１２で２つの本質的に同じレーザー光線１０１８および１０２０に分割される。次にレーザー光線１０１８、１０２０は、各スクライブ線を形成するための上記の工程により、各々焦点を合わされたレーザー光線１００２と１００４を生成するために使用されて、これはコーティング層１０６をスクライブするためである。第１の模範的な実施の形態のように、折りたたみ式鏡１０１４および焦点を合わせるレンズ１００６、１００８は、焦点を合わされたレーザー光線１００２および１００４の生成に使用される。同様にレーザー光源３２４の２倍のパワーを持った１つのレーザー光源１０４０が、切断レーザー光線１０４６を生成するために使用される。次にそのレーザー光線１０４６は、ビーム・スプリッタ１０４２で２つの本質的に同じレーザー光線１０４８および１０５０に分割される。次にレーザー光線１０４８、１０５０は、各々焦点を合わされたレーザー光線１０３２および１０３４を生成するために使用されて、上記の種々の工程により、前に形成されたスクライブ線の各々１つに沿って回路基板１００を切断する。この模範的な実施の形態は、第１の模範的な実施の形態の約２倍のスループットという付加的な利点をもつ。これは複数のスクライブ線が１回の通過で形成されて、複数の切断光線による速い速度での裁断がそれに続くからである。
【００４３】
図１１は、さらにもう１つの本発明の模範的な実施の形態を示す。図１１では、複数のスクライブレーザー光線または切断レーザー光線を生成するための１つのレーザー光源を使用する代わりに、複数のレーザー光線各々のために１つのレーザー光源が使用される。図１１に示されるように、スクライブレーザー３０２の生成と切断レーザー３３２の生成とは、図３Ａおよび３Ｂで示される第１の実施の形態と同じであるので、詳細な説明はここでは繰り返さない。図１１でまた示されるように、第２のスクライブレーザー１１０４からのレーザー光線１１０６は、回路基板１００の表面に横たわるコーティング１０６の上へ、折りたたみ式鏡１１０８で向けられて、焦点を合わされたスクライブレーザー光線１１０２として、レンズ１１３０により焦点を合わされる。加えて、第２の切断レーザー１１２４からのレーザー光線１１２６は、回路基板１００の表面の上へ、折りたたみ式鏡１１２８で向けられて、焦点を合わされた光線１１２２としてレンズ１１３０により焦点を合わせられる。
【００４４】
図１０と１１において、図示を簡単にするために、スクライブレーザー光線および切断レーザー光線は、互いに並んで示されているが、本発明はこれに限定されない。切断するおよびスクライブレーザーの配置、および関連する要素の配置は、１つの切断レーザー光線が、各々１つのスクライブレーザー光線の後に続くように、スクライブレーザー光線と切断レーザー光線の組が、互いに整列するように設定される。第１のスクライブレーザー／切断レーザーの組が、回路基板の約半分に使用される一方で、第２のスクライブレーザー／切断レーザーの組が、第１の組と同時に、回路基板の残りの部分に使用されるように、スクライブレーザーおよび切断レーザーを配置することも可能である。加えて、第１のスクライブレーザー／切断レーザーの組が、１つおきの線をスクライブおよび切断するために使用されて（例えば奇数番目の線）、第２のスクライブレーザー／切断レーザーの組が、その中間の線をスクライブおよび切断する（例えば偶数番目の線）。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】半導体デバイスを形成するために使用される半導体ウェハーの等角図法図
【図２】本発明の第１の模範的な方法のフローチャート図
【図３Ａ】本発明の第１の模範的な実施の形態の図
【図３Ｂ】本発明の第１の模範的な実施の形態の図
【図４Ａ】本発明の模範的な実施の形態によるスクライブ線と切断線の形成を示す側面図
【図４Ｂ】本発明の模範的な実施の形態によるスクライブ線と切断線の形成を示す側面図
【図４Ｃ】本発明の模範的な実施の形態によるスクライブ線と切断線の形成を示す側面図
【図５Ａ】従来のダイシングで使用されたソーブレードの動きを示す図
【図５Ｂ】本発明の模範的実施の形態のレーザー光線の動きを示す図
【図６】本発明の第２の模範的な方法のフローチャート図
【図７】本発明の第３の模範的な方法のフローチャート図
【図８】本発明の第４の模範的な方法のフローチャート図
【図９】本発明の第５の模範的な方法のフローチャート図
【図１０】本発明の第２の模範的な実施の形態の図
【図１１】本発明の第３の模範的な実施の形態の図
【符号の説明】
【００４６】
１００  回路基板
１０２  スクライブ線（道）
１０４  スクライブ線（道）
１０６  コーティング層
３０２  第１の焦点を合わされたレーザー光線
３０４  第１のレーザー光源
３０６  第１のレーザー光源３０４からのレーザー光線
３０８  折りたたみ式鏡
３１０  レンズ
３１６  Ｘ‐Ｙテーブル
３２４  第２のレーザー光源
３２６  第２のレーザー光源３２４からのレーザー光線
３２８  折りたたみ式鏡
３３０  レンズ
３３２  第２のレーザー光源３２４からのレーザー光線
３５０  切断
５００  スクライブ／切断動作
５０２  ジグザグの形
５０４  横への動作
５０６  スクライブ／切断動作
１００２  焦点を合わされたレーザー光線
１００４  焦点を合わされたレーザー光線
１００６  焦点を合わせるレンズ
１００８  焦点を合わせるレンズ
１０１０  レーザー光源３０４の２倍のパワーを持った１つのレーザー光源
１０１２  ビーム・スプリッタ
１０１４  折りたたみ式鏡
１０１６  スクライブレーザー光線
１０１８  レーザー光線
１０２０  レーザー光線
１０３２  焦点を合わされたレーザー光線
１０３４  焦点を合わされたレーザー光線
１０３６  レンズ
１０３８  レンズ
１０４０  レーザー光源３２４の２倍のパワーを持った１つのレーザー光源
１０４２  ビーム・スプリッタ
１０４４  折りたたみ式鏡
１０４６  切断レーザー光線
１０４８  レーザー光線
１０５０  レーザー光線
１１０２  焦点を合わされたスクライブレーザー光線
１１０４  第２のスクライブレーザー
１１０６  第２のスクライブレーザー１１０４からのレーザー光線
１１０８  折りたたみ式鏡
１１１０  レンズ
１１２４  第２の切断レーザー
１１２６  第２の切断レーザー１１２４からのレーザー光線
１１２８  折りたたみ式鏡
１１３０  レンズ
１１３２  焦点を合わされた切断レーザー光線
【図２】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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