(57)【要約】単一のプラズマバーナ（４ａ）が、複数の回転平行ターゲット（２ａ、２ｂ、２ｃ）上に煤材料を堆積させる。全てのターゲットは同時に成長する。結果は、光ファイバのための多重予備成形品である。
2004524253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ予備成形品を形成する方法であって、
プラズマエネルギを結合するための第１の直径のコイルを有する第１のプラズマトーチを準備するステップと、
各々が縦軸を有し、上記縦軸が上記縦軸に垂直な間隔距離によって互いに分離されるように配列されている複数のターゲットを準備するステップと、
上記複数のターゲットを、相互に平行な回転軸を中心として同時に回転させるステップと、
上記第１のプラズマトーチを使用して上記複数のターゲット上に同時にガラスを堆積させ、各々が第１の予備成形品直径を有する複数の中間予備成形品を形成させるステップと、
各々がプラズマエネルギを結合するためのコイルを有し、上記各コイルが上記第１の直径よりも小さい第２の直径を有する複数の第２のプラズマトーチを準備するステップと、
上記複数の第２のプラズマトーチを使用して上記複数の中間予備成形品上にガラスを堆積させ、対応する複数の最終予備成形品を形成させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記ターゲットの全ての隣接対の上記間隔距離の和は、上記第１のコイル直径より小さいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
光ファイバ予備成形品を形成する方法であって、
複数のターゲットを準備するステップと、
上記複数のターゲットを、相互に平行な回転軸を中心として同時に回転させるステップと、
プラズマエネルギを結合するための第１の直径のコイルを有する第１のプラズマトーチを準備するステップと、
上記第１のプラズマトーチを、上記回転軸に平行な上記ターゲットに沿って運動させることによって上記ターゲット上にガラスを堆積させるステップと、
上記複数の各ターゲットの一部分にわたってプラズマエネルギを結合するための上記第１の直径より大きい第２の直径のコイルを有する第２のプラズマトーチを準備するステップと、
上記第２のプラズマトーチを、上記回転軸に平行な上記ターゲットに沿って運動させることによって上記ターゲット上にガラスを堆積させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
光ファイバ予備成形品を形成する方法であって、
プラズマエネルギを結合するための第１の直径のコイルを有する第１のプラズマトーチを準備するステップと、
各々が縦軸を有し、上記縦軸が上記縦軸に垂直な間隔距離によって互いに分離されるように配列されている複数のターゲットを準備するステップと、
上記複数のターゲットを、それらのそれぞれの縦軸を中心として同時に回転させるステップと、
プラズマトーチを使用して上記複数のターゲット上に同時にガラスを堆積させるステップと、
上記ターゲットの１つまたはそれ以上の直径を検出するステップと、
上記検出された直径に応答して上記間隔を増加させるステップと、
上記増加した間隔だけ上記複数のターゲットの縦軸を互いに分離させ、上記複数のターゲット上に同時にガラスを堆積させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
光ファイバ予備成形品を形成する方法であって、
プラズマエネルギを結合するための第１の直径のコイルを有する１つのプラズマトーチを準備するステップと、
各々が縦軸を有し、上記縦軸が上記縦軸に垂直な間隔距離によって互いに分離されるように配列されている複数のターゲットを準備するステップと、
上記複数のターゲットを、それらのそれぞれの縦軸を中心として同時に回転させるステップと、
プラズマトーチを使用して上記複数のターゲット上に同時にガラスを堆積させるステップと、
上記ターゲットの１つまたはそれ以上の直径を検出するステップと、
上記検出された直径に応答して上記間隔を増加させるステップと、
上記プラズマトーチの断面積を増加させ、表面速度を一定に保つことによって上記プラズマトーチを変更するステップと、
上記増加した間隔だけ上記複数のターゲットの縦軸を互いに分離させ、上記複数のターゲット上に同時にガラスを堆積させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には光ファイバ製造の分野に関し、特定的には純粋な、またはドープされたシリカチューブ、またはファイバ予備成形品を、更に光ファイバに処理するために高速処理する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
所与の屈折率の断面プロファイルを有する合成シリカチューブ、または予備成形品を形成するための種々の装置及び方法は公知である。これらの方法は、本明細書が参照している本願出願人による特許出願第09/558,312号（以下、'312号出願という）及び同第08/994,970号（以下、'970号出願という）に開示されているプラズマ外部蒸着（ＰＯＶＤ）プロセスを含む。'312号出願に開示されている方法は、第１の堆積速さで１またはそれ以上の層を堆積させ、次いで第１の堆積速さより低速の第２の堆積速さで１つの層を堆積させる。'312号出願に記載されているように、第１の堆積速さは十分に高く、堆積されたガラスが焼固温度まで加熱されることはない。しかしながら、より低い第２の速さでの堆積では、今堆積させた層、及び先に第１の速さで堆積させた非焼固層が共に焼固する。'312号出願に記載されているように、第１の堆積速さは第２の、即ち堆積／焼固速さよりも2.5倍速くすることができる。従って、'312号出願に記載されている多重速度処理手順は、従来技術によって得られる堆積速度の２倍までの堆積速度が得られる。
【０００３】
しかしながら、発明者らは、'312号出願の方法及び装置によって遂行されるプロセスを含むプラズマ外部蒸着プロセスを用いて得られる処理速度を更に改善する必要があることを見出した。詳述すれば、発明者らは、ターゲットの直径が小さめである時、即ち堆積の早期段階中には、低堆積速度しか得られないという従来技術の欠点を見出した。更に発明者らは、既存堆積プロセスによって得られる材料の利用率より優れた利用率を得るように改善する必要があることも見出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、従来技術の堆積速度の上述した欠陥を解消することである。別の目的は、予備成形品を製造する際の堆積材料の利用率を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
これらの、及び他の目的を達成するための本発明による一般的方法は、１またはそれ以上のターゲット上にシリカを堆積させて第１の直径を有する第１の中間予備成形品を形成させるために１またはそれ以上の第１の直径のプラズマトーチを使用するステップと、それに続いて、上記第１の中間予備成形品上にシリカを堆積させて次の中間予備成形品、または最終予備成形品を形成させるために１またはそれ以上の第２の直径のプラズマトーチを配列するステップとを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明による第１の方法例は、第１のプラズマトーチを使用して複数の円筒形ターゲット上にガラスを同時に堆積させて第１の直径を有する複数の第１の中間予備成形品を形成させる第１のステップと、第２のプラズマトーチを使用して上記複数の第１の中間予備成形品上にガラスを同時に堆積させて複数の予備成形品を形成させる第２のステップとを含み、上記第１のプラズマトーチは第１のコイル直径を有し、上記第２のプラズマトーチは第２のコイル直径を有し、そして上記第１のコイル直径は上記第２のコイル直径よりも大きい。
【０００７】
本発明のさらなる実施例は、第１のプラズマトーチを使用して複数の円筒形ターゲット上にガラスを同時に堆積させて複数の第１の中間予備成形品を形成させる第１のステップと、第２のプラズマトーチを使用して上記複数の第１の中間予備成形品上にガラスを同時に堆積させて複数の第２の予備成形品を形成させる第２のステップと、上記複数の第２の中間予備成形品上にガラスを同時に堆積させて複数の予備成形品を形成させる第３のステップとを含み、上記第１のプラズマトーチは第１のコイル直径を有し、上記第２のプラズマトーチは第２のコイル直径を有し、上記第３のコイル直径は上記第２のコイル直径よりも大きく、そして上記第２のコイル直径は上記第１のコイル直径よりも大きい。
【０００８】
本発明の上述した、及び他の目的、面、及び長所は、以下の添付図面に基づく本発明の好ましい実施例の説明から明白になるであろう。
【０００９】
以下の表１は、高い堆積速度を得ながら適切なプラズマガス流特性を保存するように、発明者らが明らかにしたターゲットサイズとトーチの直径との間の最適関係を定義している。ターゲットサイズとトーチ直径との間のこの関係は、ほぼ３グラム／分またはそれ以上の堆積速度を与えながら、しかも十分なプラズマガス流特性を保存する。従って、後述する本発明の実施例に使用される。
【００１０】
【表１】
2004524253.tif 000003
【００１１】
また発明者らは、以下の方程式を使用することによって堆積速度を解析した。
堆積速度＝重量／時間
＝ρ×π/4×長さ×｛（Ｄ＋Δｔ）2−Ｄ2｝／（長さ／速さ）
＝ρ×π/4×速さ×Δｔ×（２×Ｄ＋Δｔ）
≒ρ×π/2×Ｄ×速さ×Δｔ                                    （１）
ここに、
ρ  は、ガラスの密度であってある定数であり、約2.2ｇ／ｃｃであり、
Ｄ  は、ターゲットの直径であり、そして
Δｔは、１堆積パスでの層の厚みである。
【００１２】
当業者ならば、発明者らの上式（１）から、ターゲット直径が小さければ堆積速度も低いという問題があることを理解できよう。また式（１）から、別の制御可能なパラメータが堆積速さであることも分かる。明らかに、式（１）は数学的に、堆積速さが速い程堆積速度も高くなることを自動的に意味している。しかしながら、実際には、堆積速度はこの式だけに従って達成されることはない。詳述すれば、他の調整を行わずに堆積速さだけを増加させた場合、堆積された層の厚みが減少することがあり得たり、及び／または堆積されたガラスが焼固しないことがあり得る。
【００１３】
本発明は、幾つかの実施例について後述するように、表１に示したトーチ直径とターゲット直径との間の関係を維持するために、複数のトーチ及び複数のターゲットを使用することによってこれらの、及び他の問題を解決する。
【００１４】
更に、プラズマトーチに関する特定の組合わせ例及び変更を以下に説明する。
【実施例１】
【００１５】
以下に図１及び２を参照し、本発明の第１の実施例を説明する。以下に説明する例においては、２ステップ堆積プロセスが遂行される。図１は第１ステップのための装置を示しており、図２は第２ステップのために使用される装置を示している。
【００１６】
図１を参照する。第１ステップのための装置及び配列は、単一のプラズマトーチ４Ａ、及び３つの堆積ターゲット２ａ、２ｂ、及び２ｃ（まとめてアイテム２という）を備え、各ターゲットは普通のチャック（図１には示してない）によって保持されてターゲットの縦軸（それぞれ、ＡＸａ、ＡＸｂ、及びＡＸｃで示す）を中心として回転するようになっている。図１の配列では、関連軸ＡＸａ−ＡＸｂ間の間隔は固定されている。従って、回転は３台のスピンドル旋盤によって遂行させることができ、そのような適当なモデルは当業者には公知の多くの業者から入手可能である。
【００１７】
各縦軸は、基準軸Ｚに平行に伸びている。基準軸Ｙは１または複数のターゲット２に対して垂直である。１または複数のガラス加工旋盤に対面している観測者（図示してない）の視線で見れば、Ｙ軸は床（図示してない）に対して上下方向である。Ｘ軸はＹＺ面に直角であり、Ｙ軸について説明した観測者の視線で見ればＸ軸はターゲットに対して入出方向にあり、Ｚ軸に垂直である。上述したＸ、Ｙ、Ｚ基準軸は、以下に説明する他の全ての実施例にも適用される。
【００１８】
プラズマトーチ４ａは、そのプラズマトーチが基準軸Ｙに平行な方向にターゲット２に向かう、及び遠去かる運動が可能なように、旋盤の往復台アタッチメント（図示してない）上に、且つターゲット２の下に取り付けられている。旋盤の往復台（図示してない）は旋盤（図示してない）の親ねじ（図示してない）によってターゲット２の長さに沿ってＺ方向に運動可能である。
【００１９】
プラズマトーチ例４ａは、前記 '970号出願に記載されているトーチに従っている。本発明の好ましい実施例では、プラズマトーチ４ａ及び他の全てのプラズマトーチは、前記 '970号出願に記載のスタビライザ５８及び噴射ポート（ノズル）を含んでいる。'970号出願のスタビライザバー５８及び噴射ポート６０の目的及び機能に関しては後述する。
【００２０】
図１の装置を使用するステップ１について説明する。先ず、直径ＤＭＴＲＡを有し、Ｚ軸に沿ってターゲットの長さを走行し、そして一時に３つのターゲットの全てにガラスを堆積させる単一のプラズマトーチ４ａを用いて堆積を開始する。堆積を開始する前の各ターゲットの初期直径はＤ（start）である。この例の場合、プラズマトーチの直径ＤＭＴＲＡは100ｍｍであり、Ｄ（start）は25ｍｍである。ステップ１におけるターゲットの中心間間隔はＳＰ１である。この例の場合、ＳＰ１は40ｍｍである。ステップ１の堆積は、ターゲットの直径が所定の暫定直径Ｄ（inter）に到達するまで続けられる。上例のＤ（start）及びＤＭＴＲＡ値に対応付けたＤ（inter）の例は35ｍｍである。ステップ１における３つのターゲット上への合計堆積速度は、この例のＤ（start）及びＤＭＴＲＡ値を使用すれば、10グラム／分より大きい。
【００２１】
図２を参照する。ステップ１においてＤ（inter）ターゲット直径の堆積が達成されると図１のプラズマトーチ４ａがスイッチオフされ、３つの新プラズマトーチ４ｂ1、４ｂ2、及び４ｂ3がスイッチオンされる。各プラズマトーチ４ｂ1、４ｂ2、及び４ｂ3の直径はＤＭＴＲＢであり、この例の場合70ｍｍである。単一のプラズマトーチ４ａに対するこれら３つのプラズマトーチの配列は、設計選択上の問題である。配列の例は、３つのトーチ４ｂ1、４ｂ2、及び４ｂ3をＺ軸方向にトーチ４ａから変位させて取り付けて、何れのグループも他方から物理的に妨害されることなくターンオンさせ、動作させることができるようにしてある。
【００２２】
図２におけるステップ２の配列は、直径Ｄが所定のＤ（final）（例えば、75ｍｍ）に到達するまで３つのプラズマトーチ４ｂ1、４ｂ2、及び４ｂ3を使用して３つのターゲット２上にガラスを堆積させる。
【００２３】
この例のステップ２における平均堆積速度は、各ターゲット毎に約10グラム／分である。従って、この第２のステップは、３つのターゲットのために約30グラム／分の合計堆積速度を達成する。
【００２４】
図１及び図２の２ステッププロセスは単に本発明を例示しているものであり、ステップの数または異なるトーチ直径を限定しているものではない。例えば、もし最終ターゲット直径Ｄ（final）を75ｍｍの代わりに100ｍｍとすることを望むのであれば、それぞれが100ｍｍの直径を有する別の３つのプラズマトーチ（図示してない）を使用して第３ステップ（図示してない）を遂行することになろう。更に、図２のステップ２は、単一のターゲット回転装置（図示してない）上に取り付けられている３つのトーチ４ｂ1、４ｂ2、及び４ｂ3を用いて遂行されている。代替として、第２ステップは、第１ステップによって形成された３つの個々のターゲット２を、３つの別々の旋盤（図示してない）上に取り付けることによって遂行することができる。３つの各旋盤（図示してない）は４ｂ1、４ｂ2、及び４ｂ3の何れかに類似する単一のトーチを有することになろう。第２ステップを遂行するためのこの代替手段は、75ｍｍの最終ターゲット直径のために装置の各部分において10グラム／分の平均堆積速度を達成しよう。
【実施例２】
【００２５】
次に、図３、４、及び５を参照して本発明の第２の装置及び方法例を説明する。先ず図３及び４に示す本例には、４つのプラズマトーチ４Ｃ１、４Ｃ２、４Ｃ３、及び４Ｃ４が配列されている。これらのプラズマトーチはＺ軸に沿って互いに他方から変位しており、各プラズマトーチは２つのターゲット２を指すようにＹ軸方向に向けられている。最も左側のプラズマトーチ４Ｃ１の直径はＤ（４Ｃ１）であり、これは４つの中で最小である。右に行く程その順序で直径が増加し、トーチ４Ｃ２の直径はＤ（４Ｃ２）であり、トーチ４Ｃ３の直径はＤ（４Ｃ３）であり、そしてトーチ４Ｃ４の直径はＤ（４Ｃ４）である。この例の場合、Ｄ（４Ｃ１）＝60ｍｍ、Ｄ（４Ｃ２）＝80ｍｍ、Ｄ（４Ｃ３）＝100ｍｍ、そしてＤ（４Ｃ４）＝120ｍｍである。
【００２６】
２つのターゲット２ｍ及び２ｎは各々、この例の場合25ｍｍである初期直径（参照文字を付してない）を有しており、また各ターゲットは旋盤のチャック（図示してない）または同等ターゲット回転装置内に支持されている。図４に示すように、２つのターゲットはＸ−Ｚ面内で互いに平行に伸びており、トーチの中心軸Ｃを中心として実質的に対称的である。
【００２７】
今度は図５を参照して、図３及び４による装置を用いて遂行される方法例を説明する。
【００２８】
図５にフローチャートで示す本方法例は、第１のステップ１００において、最小直径のトーチ４Ｃ１を使用して２つのターゲット２ｎ及び２ｍ上にガラスを堆積することから開始される。堆積は、ステップ１０２においてチューブ直径Ｄが所定の第１中間値Ｄ（inter１）（この例の場合、35ｍｍ）に到達したことを検出するまで続けられる。この例のステップ１における２つのターゲット２に対する合計堆積速度は10グラム／分より大きい。
【００２９】
次のステップ１０４において、最小プラズマトーチ４Ｃ１がスイッチオフされ、隣接する次に大きいプラズマトーチ４Ｃ２がスイッチオンされてトーチ４Ｃ２を用いる堆積が開始される。上述したように、この例の場合４Ｃ２プラズマトーチの直径Ｄ（４Ｃ２）は、第１堆積ステップに使用したプラズマトーチの直径Ｄ（４Ｃ１）が60ｍｍであるのに対して80ｍｍである。ステップ１０４における堆積は、ステップ１０６においてチューブ直径Ｄが所定の第２中間値Ｄ（inter２）（この例のトーチ直径の故に、45ｍｍ）に到達したことを検出するまで続けられる。ステップ１０４における２つのターゲット２に対する合計堆積速度は16グラム／分より大きい。この堆積速度の増加は、主としてプラズマトーチ４Ｃ２の直径を大きくしたことによるものであり、これはターゲットの３つのプラズマトーチの何れよりもチューブ２の開始直径、即ち35ｍｍに良好にマッチしている。
【００３０】
図５の次のステップ１０８において、プラズマトーチ４Ｃ２がスイッチオフされ、次に大きい直径Ｄ（４Ｃ３）（この例の場合、100ｍｍ）のプラズマトーチ４Ｃ３がスイッチオンされてターゲット２上へのガラスの堆積に使用される。ステップ１０８における堆積は、ステップ１１０においてチューブ直径Ｄが所定の第３中間値Ｄ（inter３）（この例の場合、60ｍｍ）に到達したことを検出するまで続く。このプロセスは、ステップ１１０において終了する。上述したトーチ及びターゲットパラメータを使用してステップ１０８において遂行される２つのターゲット２に対する合計堆積速度は20グラム／分より大きい。
【００３１】
次に、ステップ１１２において、プラズマトーチ４Ｃ３がスイッチオフされ、次に大きい直径Ｄ（４Ｃ４）（この例の場合、120ｍｍ）のプラズマトーチ４Ｃ４がスイッチオンされてターゲット２上へのガラスの堆積に使用される。ステップ１１２の堆積は、ステップ１１４においてチューブ直径Ｄが最終値Ｄ（final）（この例の場合、70ｍｍ）に到達したことを検出するまで続く。ステップ１１２において遂行される２つのターゲット２に対する合計堆積速度は26グラム／分より大きい。
【００３２】
図３及び４に基づいて説明した装置、及び図５を参照して説明した方法は、単なる例示目的に過ぎない。所望のターゲット直径に到達するまで、付加的なトーチ（図示してない）を用いて、または別のターゲット回転及びトーチ装置（図示してない）を用いて多重トーチプロセスを続行することができる。
【００３３】
図３及び４に基づいて説明した装置は、説明した全てのプラズマトーチに必要電力を供給するために単一の高周波発生器（図示してない）を使用する。発生器の例は、ドイツのFritzHuttinger Electronic GmbH製可変電力モデルNo. IG 120/5000であり、これはプラズマトーチを付勢するために5.00ＭＨｚ（±0.13ＭＨｚ）の周波数で120ｋＷまでを出力する。この例示発生器は、商用の50Ｈｚ、３相、380Ｖ電源で駆動される。
【実施例３】
【００３４】
図６Ａ乃至９を参照して、本発明の別の実施例を説明する。先ず図６Ａを参照する。この実施例の一般的な特色は、複数のターゲット（この例では数は３であって、それぞれに２Ｘ、２Ｙ、及び２Ｚとラベル付けしてある）が各々、旋盤（図示してない）のような関連回転駆動手段内に取り付けられている。旋盤は、図７Ａ乃至８Ｂを参照して後述する装置によって、Ｘ方向に互いに他方に対して別個に制御可能に運動する。ターゲット２Ｘ、２Ｙ、及び２Ｚの直径がガラスの堆積によって増加するにつれて、旋盤が運動してそれらの中心間間隔ＳＰ２を徐々に大きくし、それによってガラスが堆積されて行くにつれて隣接するターゲット間の間隔ＳＰ２を維持するようになっている。
【００３５】
図６Ａはターゲット２の開始位置を示しており、図６Ｂは第２のより広げられた中心間間隔ＳＰ２を示している。図６Ａを参照する。ターゲットの開始位置においては、単一のトーチ４Ｄ１が使用される。トーチ４Ｄ１の例は、３つのターゲット２の開始直径の例が25ｍｍであることに対応付けられた100ｍｍの直径Ｄ（４Ｒ）を有している。図６Ｂを参照する。第２の中心間間隔ＳＰ２位置は、35ｍｍのターゲット直径に対応する。図６Ｂの位置においては、２つのトーチ４Ｄ１及び４Ｄ２が使用されている。ターゲット直径が35ｍｍの場合、各トーチの直径Ｄ（４Ｒ）は100ｍｍである。
【００３６】
図６Ａ及び６Ｂに基づいて概述した特色のための２つの例示メカニズム及び装置を説明する。第１の例示メカニズム及び装置を図７Ａ及び７Ｂに、また第２の例示メカニズム及び装置を図８Ａ及び８Ｂに示す。
【００３７】
図７Ａ及び７Ｂは、３つの旋盤６Ａ−６ＣをＸ方向に互いに他方に対して並進運動させるための第１のメカニズムを示しており、これら２つの図面は同一のメカニズムがそれぞれ第１の位置及び第２の位置にある場合を示している。３つの各旋盤６Ａ−６Ｃは、例えばArnold（商品名）、Heathway（商品名）、またはLiton（商品名）として販売されているユニットのような市販のガラス加工旋盤であり、支持プラットフォームは以下に説明するように変更してある。各旋盤６Ａ−６Ｃは、ターゲットを支持するための、主軸台５Ａ、５Ｂ、及び５Ｃ内に収容されている１対の回転チャックと、心押し台７Ａ、７Ｂ、及び７Ｃとを含んでいる。スピンドルドライバ１０Ａ、１０Ｂ、及び１０Ｃはチャックを回転させるためのものである。
【００３８】
図７Ａ及び７Ｂに示すように、中央の旋盤６Ａはプラットフォーム１２上に取り付けられ、旋盤６Ｂはプラットフォーム１４上に取り付けられ、そして旋盤６Ｃはプラットフォーム１６上に取り付けられている。図示のように、プラットフォーム１２は大きめの構造である。それは、プラットフォーム１２が旋盤６Ａのための取付け支持具であることの他に、他の２つのプラットフォーム１４及び１６のための主要支持具でもあるからである。プラットフォーム１４及びプラットフォーム１６は各々、共働する通路案内（図示してない）を有しており、これらの通路案内は通路１８と係合して通路１８に沿ってＸ方向に滑る。機械通路１８は、機械ツールの分野に存在するＶ字形、逆Ｖ字形、円形、または他の複数の公知の通路形態の何れかであることができる。図７Ａに示す例では、２本の機械通路１８がプラットフォーム１２の上面（参照文字は付してない）に取り付けられている。当業者ならば、プラットフォーム１２、１４、及び１６の上述した構造及び配列は、市販の機械ツール取付け用ハードウェアを使用して容易に実現することができよう。
【００３９】
図７Ａを参照する。ターゲット直径センサ２０は１またはそれ以上のターゲット２の直径を検出し、対応する信号Ｓを生成する。ターゲットセンサ２０は、コペンディング出願第09/058,207号に開示されているので参照されたい。ターゲットセンサ２０の例は、LAP GmbH製のモデル＃LDM-100Aレーザ微小直径モニタである。第１の旋盤位置ドライブ２２は、制御信号Ｓに応答して第１の親ねじ２４を制御可能に回転させる。第１の親ねじ２４は、プラットフォーム１４内の共働ねじ付き案内（図示してない）と係合する。親ねじ２４及び共働ねじ付き案内の特定の構造、寸法、及び型は、機械ツールの関連技術に精通する者にとっては公知の選択及び設計基準を使用して、多くの市販の親ねじ成分の中から容易に選択できよう。第２の旋盤ドライブ２６は、ターゲットセンサ２０から受信した制御信号Ｓに応答して第２の親ねじ２８を制御可能に回転させる。
【００４０】
図６Ａ及び６Ｂの一般的実施例を参照する。同一の型の２つプラズマトーチ４Ｄ１及び４Ｄ２は、Ｘ軸に沿って位置決めされている。第３のプラズマトーチ４Ｄ３（図示してない）は、ターゲットの直径が更に増加した時に、そしてそれらの外面間の間隔を維持するように作動される。これらのトーチの直径Ｄ（４Ｒ）は、例えば100ｍｍである。図７Ａ及び７Ｂは可動旋盤６の配列例を説明する目的のためのものであり、従ってプラズマトーチ４Ｄ１、４Ｄ２、及び４Ｄ３は示されていない。
【００４１】
図９を参照する。図７Ａ及び７Ｂの旋盤配列を使用する図６Ａ及び６Ｂのシステムの動作例を以下に説明する。
【００４２】
ステップ２００において、単一のトーチ４Ｄ１をターンオン、即ち作動させることによって堆積プロセスが開始され、次いでステップ２１０へ進み、それを３つのターゲット２の長さに沿って走行させる。単一のトーチ４Ｄ１の直径Ｄ（４Ｒ）は、３つの全てのターゲット２が初期直径にある時にそれらをカバーするのに十分であるように選択される。堆積が進行するにつれて、ターゲットセンサ２０はターゲット２の増加して行く直径を検出し、対応する値の信号Ｓを出力する。ステップ２０４は、信号Ｓと、旋盤６Ａ、６Ｂ、及び６Ｃの間隔位置を表す（従って、ターゲットの中心間間隔を表す）値ＰＶ１とを比較する。この比較は、堆積により増加したターゲットの直径を考慮してターゲットが互いに十分に離間しているか否かを決定する。もしステップ２０４の返答が“YES”であればプロセスはステップ２０６へ進み、ターゲット直径を表すＳ値を比較してターゲットがそれらの最終処理直径に到達したことを決定する。もし返答が“NO”であれば（処理の始まりには、このようになることが予測される）、プロセスはステップ２０２へループバックして堆積を続行する。
【００４３】
もしステップ２０４の返答が“NO”であってターゲットが最早十分に離間していないことを指示すればプロセスはステップ２０８へ進み、第１及び第２の旋盤位置ドライブ２２及び２６がそれぞれ第１及び第２の親ねじ２４及び２８を回転させる。これによって、プラットフォーム１４及び１６を中央のプラットフォーム１２から遠去ける。これは、旋盤６Ｂ及び６Ｃを中央旋盤６Ａから離れるように運動させる。ＰＶ１の値は、旋盤の新しい間隔位置を反映するように、相応に更新される。
【００４４】
第１及び第２の旋盤位置ドライブは旋盤をステップ状に運動させる、即ち、ターゲット２の直径が次の所定値に到達したことをターゲット直径センサ２０が検出する度に、旋盤６Ｂ及び６Ｃを増分的に次の位置まで運動させるようにプログラムすることが好ましい。更に、第１及び第２の旋盤位置ドライブは、堆積パス中にではなく、堆積パスの終わりに旋盤６Ｂ及び６Ｃの位置を変化させるようにプログラムすることが好ましい。
【００４５】
ステップ２０８において旋盤６Ｂ及び６Ｃを運動させた後に、ステップ２１０は信号Ｓと第１のトーチ制御パラメータＴとを比較し、単一のトーチ４Ｄ１の直径Ｄ（４Ｒ）が３つのターゲット２の全てをカバーするのに十分であるか否かを決定する。もし返答が“YES”であればプロセスはステップ２０２へループバックし、トーチ４Ｄ１を用いての堆積が進められる。もしステップ２１０の返答が“NO”であって、１つのトーチ４Ｄ１単独では３つのターゲットの全ての上にガラスを十分に堆積させることができないことを指示すれば、プロセスはステップ２１２へ進んで次のトーチ、この場合には、図６Ｂに示すように第１のトーチ４Ｄ１の次に配置されている別のトーチ４Ｄ２がスイッチオンされる。ステップ２１２に従って、全てのターゲット２が適切にカバーされるように２つのトーチの中心間間隔が自動的に調整される。次いでプロセスはステップ２０２へループバックし、作動した２つのトーチ４Ｄ１及び４Ｄ２を用いての堆積が続行される。ターゲットの増加した直径を補償するために、ステップ２０８においてターゲットの中心間間隔を増加させ、またターゲットがそれらの所望最終直径に到達したことをステップ２０６が検出するまでステップ２１０及び２１２が必要に応じて付加的なトーチを作動させて位置決めしながら、プロセスは続行される。
【００４６】
図６Ａ及び６Ｂの装置、及び図７Ａ及び７Ｂの特定の旋盤配列の例を使用した場合の総合堆積速度は、実施例１に極めて類似している。ステップ２１２におけるプロセスは、ターゲットが所定の最終ターゲット直径Ｄに到達するまで続けられる。
【００４７】
図７Ａ及び７Ｂの旋盤６Ａ−６Ｃは、支持体が上述したように変更されている普通のガラス旋盤である。従って、各旋盤６Ａ−６Ｃは個々のスピンドルドライブ１０Ａ−１０Ｃを有している。図８Ａ及び８Ｂは同一装置の２つの位置を示しており、以下に説明するように、この装置からは冗長ドライブ１０Ａ乃至１０Ｃが除去され、また親ねじ２４及び２８も除去されている。図８Ａ及び８Ｂの装置は図７Ａ及び７ＢをＡＡ矢印の方向に投影した図であって、説明を容易にするために類似構造には同じ番号を付してある。
【００４８】
図８Ａを参照する。上述したように、プラットフォーム１４及び１６はプラットフォーム１２上の図７Ａ及び７Ｂの通路１８（図８Ａには図示してない）上に支持されている。駆動スプロケット３２を有する旋盤電動機３０が、垂直案内スロット３６と共働し、該スロットに対して運動可能であるように支持体３４内に取り付けられている。図７Ａ及び７Ｂの旋盤の各チャック５Ａ乃至５Ｃ（図８Ａ及び８Ｂには図示してない）はそれぞれ、スプロケット９Ａ乃至９Ｃを有している。駆動チェーン３４は、駆動用スプロケット３２及び３つの旋盤のスプロケット９Ａ乃至９Ｃを巻いて伸びている。従って、１つの旋盤電動機３０が、全ての旋盤チャック５Ａ乃至５Ｃのための回転ドライブになっている。当業者ならば市販のユニットから容易に選択することができる普通のサーボドライブ（図示してない）が、上述したように制御信号Ｓに応答して旋盤電動機３０を垂直方向に制御可能に位置決めする。バイアスばね４０がプラットフォーム１２の中央構造１２ａとプラットフォーム１４との間に配列され、バイアスばね４２がプラットフォーム１２の中央構造１２ａとプラットフォーム１６との間に配列されている。バイアスばね４０及び４２は、プラットフォーム１４及び１６をプラットフォーム１２からＸ方向に遠去けるように押している。図７Ａ及び７Ｂに関して説明したように、プラットフォーム１２は固定されている。
【００４９】
図８Ａは、回転駆動電動機がその最下垂直位置にある場合を示している。この最下位置にある時には、駆動チェーン３４の張力が、バイアスばね４０及び４２の力に逆らって外側スプロケット９Ｂ及び９Ｃを内側スプロケット９Ａに向かって引張る。従って、旋盤チャック５Ｂ及び５Ｃは、中央旋盤チャック５Ａに対して最も近い位置にある。
【００５０】
堆積プロセスは、図７Ａに関して説明したものと同一プラズマトーチ装置を使用して、装置が図８Ａに示す位置にある時から開始される。堆積が続行されるにつれてターゲット２の直径が増加して行く。ターゲット直径センサ２０は、上述したように、ターゲット２直径を表す制御信号Ｓを出力し、この信号はサーボドライブ３８によって受信される。サーボドライブはそれに応答し、旋盤電動機３０をより高い位置へ運動させる。旋盤電動機３０が上方へ運動するにつれて、駆動チェーン３４にゆるみを生ずるようになる。バイアスばね４０及び４２は、プラットフォーム１４及び１６を離間させるように駆動することによってこのゆるみを取る。これにより、プラットフォーム１４及び１６は、中央プラットフォーム１２からＸ方向に更に離間した位置を取る。ターゲットが別の設計直径に到達するまで堆積が続けられ、到達するとサーボドライブが旋盤電動機３０を次の上方の位置まで移動させる。上述したように、バイアスばね４０及び４２は、相応してプラットフォーム１４及び１６を中央プラットフォーム１２に対する次の外側位置まで駆動する。ターゲット直径を検出し、それに応答して旋盤電動機３０を上方に運動させるプロセスは最終設計直径に到達するまで続けられる。図８Ｂは、堆積が最終設計直径に到達した時の旋盤電動機３０及びプラットフォーム１４及び１６の位置の例を示している。回転駆動電動機３０の合計運動距離が、外側旋盤のチャック５Ｂ及び５Ｃの総合横送りを制御する。
【００５１】
上述した旋盤電動機３０、支持体３４、案内スロット３６、及びサーボドライブ３８の配列は単なる例示に過ぎない。当業者ならば、本明細書の説明から多くの代替配列を考案することができよう。例えば、旋盤電動機は、ピボット点（図示してない）を中心として円弧運動する旋回スウィングアーム（図示してない）上に取り付けることができる。
【００５２】
また更に、もしプラットフォーム１４及び１６を高精度に位置決めすることを望むのであれば、図７Ａ及び７Ｂを参照して説明した第１及び第２の親ねじ２４及び２８、及びドライブ２２及び２６を保持しておくことができる。この場合、駆動チェーン３４の張力を適切に維持するために、サーボドライブによる旋盤電動機３０の垂直運動と、親ねじ２４及び２８の回転とを同期させなければならない。
【実施例４】
【００５３】
上述した実施例は、説明の目的から、直径が固定されているプラズマトーチを使用してガラスを堆積させるための種々の配列及び順序を使用するように説明した。図１０及び１１は、先行実施例のための固定直径プラズマトーチ配列よりもハードウェアを大幅に減少させた可変直径プラズマトーチ６０を示している。図１０は可変直径プラズマトーチ６０の上面図であり、図１１は図１０のＢＢ−ＢＢ矢視断面図である。図１０及び１１に示す可変直径プラズマトーチ６０は、実施例２において使用した４つのトーチ４Ｃ１、４Ｃ２、４Ｃ３、及び４Ｃ４と直接置換することが可能である。
【００５４】
図１０を参照する。可変直径トーチ６０は、内側チューブ６２、及び同心状の４つの石英ガラスチューブ６４、６６、６８、及び７０を含んでいる。銅製導体コイル７２が、外側石英チューブ７０を取り囲んでいる。リング６４の直径はＤ（６４）であり、リング６６、６８、７０の直径はそれぞれＤ（６６）、Ｄ（６８）、及びＤ（７０）である。
【００５５】
以下に、可変トーチ６０の２つの構造例を説明する。各例は、実施例２の４つのトーチ４Ｃ１、４Ｃ２、４Ｃ３、及び４Ｃ４の全てと置換されるものである。
【００５６】
チューブの高さを精密制御するようになっている第１の構造例では、各チューブ６４、６６、及び６８は、独立的に、軸方向、即ち高さ方向ＡＸに運動可能である。トーチリング６４、６６、及び６８は、トーチの直径を変化させるためにリングステッパ（図示してない）によって高さ方向ＡＸに選択的に位置決めされる。発明者らは、上述した例示リング寸法Ｄ（６４）、Ｄ（６６）、Ｄ（６８）、及びＤ（７０）の場合、トーチリングの、従ってリングステッパの位置決めの好ましい精度がほぼ0.1ｍｍであることを見出した。リングステッパ（図示してない）は、普通の市販の精密ステッパ電動機及び付属精密ドライブメカニズム、及び普通の市販のマイクロプロセッサをベースとするコントローラユニットであり、当業者ならばこれらの全てを公知の標準基準及び方法に従って容易に選択し、構成することができよう。
【００５７】
可変トーチ６０の第２の構造例はリングの高さが固定されていることが特徴であり、これは第１の構造例よりも簡易であり、若干の応用には好ましいものであろう。しかしながら、内側リング６４の高さは、外側リングの高さより低くしてある。これにより、プラズマガスを適切に混合し、所望の流れ状態を達成することが可能になる。以下の表２に、直径及び高さ値の例を示す。
【００５８】
【表２】
2004524253.tif 000004
【００５９】
プラズマガスが外側へ僅かに漏洩するが、この差を受け入れるように動作パラメータを調整することによって所望の流れ状態が得られる。詳述すれば、キー動作パラメータはトーチ上の一定の表面速度であり、この表面速度は次のように定義される。
表面速度＝合計流量／断面積＝Ｆ／Ａ                        （２）
【００６０】
断面積とは、プラズマガスが実際に流れているトーチの断面積のことである。
【００６１】
表面速度を制御することによって、滑らかな動作を、より重要なことには、堆積されるガラスの品質を維持することができる。発明者らは、本発明の目的から最適表面速度がほぼ35メートル／分（ｍ／ｍ）であることを見出した。表面速度は所定の最適値に、またはその付近で一定に維持しなければならないから、合計流量Ｆと断面積Ａとの比は一定に保たなければならない。しかしながら、もし１または複数のターゲットを完全にカバーし続けるのであれば、トーチの断面積は一定に維持することはできず、また図１０及び１１から分かるように、トーチリング６４、６６、６８、及び７０を順次に動作可能にする（詳細は後述）ことによって、断面積は大きくなって行く。従って、式（２）内で唯一使用できる変数は合計流量である。詳細を以下に説明するように、この実施例の装置は合計流量を変化させ、それによって表面速度を所定の一定値に維持するために質量流コントローラ（ＭＦＣ）を使用している。この実施例のためのＭＦＣは、限定するものではないが、Tylan General（商品名）、Unit Instruments（商品名）、MKS（商品名）、及びAera（商品名）を含む市販のユニットである。図１１に示すように、トーチリング６４、６６、６８、及び７０のためのプラズマガスを制御するために、ＭＦＣ８０、８２、８４、８６がそれぞれ使用されている。
【００６２】
上例を続けると、35ｍ／ｍの一定表面速度を維持するために、ＭＦＣ８０はトーチリング６４のために100リットル／分（ｌ／ｍ）に初期設定される。トーチリング６６が作動する時には、ＭＦＣ８０は同じ100 ｌ／ｍの流量を維持し、ＭＦＣ８２の流量は75 ｌ／ｍになるであろう。トーチリング６８が作動する時には、ＭＦＣ８０及びＭＦＣ８２はそれぞれ未だ同じ100及び75 ｌ／ｍの流量を有しているが、ＭＦＣ８４は100 ｌ／ｍの流量を有していよう。最後のトーチリング８６が使用される時には、ＭＦＣ８０、ＭＦＣ８２及びＭＦＣ８４はそれぞれ同じ100、75、及び100 ｌ／ｍの流量を有しているが、ＭＦＣ８６は120 ｌ／ｍの流量が必要であろう。これらの流量を使用することによって、表面速度は約35ｍ／ｍに一定に維持されよう。
【００６３】
図１０を参照する。図示した例示可変トーチ６０は、同一面内に位置する２またはそれ以上の（図示の特定例では２つの）ノズル７４を更に含んでいる。ノズル７４は図示のように互いに対向するように位置決めされるか、または他の予め定められた角度に位置決めされる（図示してない）。ノズル７４の垂直位置は、前記 970号出願に記載されているようにする。ノズル７４は、精密微小運動デバイス（図示してない）に取り付けられ、普通の市販されているステッピング電動機（図示してない）によって図示の放射状のＲ方向に駆動される。ステッピング電動機の例は、RK Rose+Kriegel GmbH & Co. KG製のタイプPD 42-18.35（商品名）であり、付属精密微小運動デバイスも同社から入手可能である。ステッピング電動機及び精密微小運動デバイスの同等モデルは、当業者には公知の種々の業者から入手することができる。
【００６４】
ノズル７４は、可撓性配管（図示してない）によって堅固な主ガス送給ライン（図示してない）に接続されている。これらの可撓性配管は、ノズル７４の全運動範囲を受け入れるように十分なゆるみを有している。
【００６５】
上述した制御ユニットは、各ノズル７２の開口（参照文字は付してない）を、チューブ６４、６６、６８、及び７０の中から選択されたチューブの円周の周りの位置に選択的に位置決めする。選択されたチューブは、トーチ６０の所望直径を形成するように対応している。
【００６６】
ノズル７４の放射状のＲ方向の位置を制御するための上述した構造は、同じノズル７４を全ての同心状石英ガラスチューブ６４、６６、６８、及び７０のために、即ち異なる直径の全てのトーチのために使用することを可能にする。
【００６７】
図１２を参照して、可変直径トーチ６０を使用するプロセス例を説明する。特に記述しない限り、プロセスは、実施例２及び３とプロセスと同一であるが、先行実施例の多重トーチの代わりに単一の可変トーチ６０を用いている。詳述すれば、ステップ３００において、１つのターゲット２を、図７Ａ及び７Ｂの、または図８Ａ及び８Ｂの装置の各旋盤６Ａ及び６Ｂ内に取り付ける。各ターゲット２の開始直径は25ｍｍである。次に、ステップ３０２において図１０のノズル７４を運動させ、最も内側の石英チューブ、即ちトーチリング６４を動作可能にする。この例の場合、トーチリング６４の直径Ｄ（６４）は60ｍｍである。次に、ステップ３０４において、２つのターゲット２上への堆積が開始される。ステップ３０６はターゲットの直径とそれらの中心間間隔とを比較し、ターゲットセンサ２２の出力Ｓ及び旋盤位置値ＰＶ１に基づいて、図９のステップ２０４において説明したようにその間隔が十分であるか否かを決定する。もし返答が“NO”であればプロセスはステップ３０８へ進み、図９のステップ２０８に関して説明したように、旋盤６Ａ及び６Ｂを再位置決めする。ステップ３０８の後にプロセスはステップ３１２へ進み、トーチ６０がターゲットを十分にカバーするように構成されているか否かが決定される。この決定は、ターゲット直径信号Ｓ、及びＰＶ１によって表される中心間間隔、及びリング６４、６６、６８、及び７０のどれが作動しているのかに従ってセットされるトーチしきい値Ｔに基づいてなされる。図１２のプロセスを通る第１のループの場合、しきい値Ｔは最も内側のトーチリング６４に対応するようにセットする。この例の場合、第１しきい値は35ｍｍである。もしトーチ６０が十分な直径を有していないとステップ３１４が決定すれば、プロセスはステップ３１４へステップしてより大きいトーチリング６６へ切り替える。
【００６８】
ステップ３１４を遂行するために、ターゲットセンサ２２からの信号に応答してマイクロプロセッサをベースとするコントローラが一連の変化する命令（図示してない）を発行する。１つの命令は、化学材料流の弁（図示してない）を閉じることによってノズルへの源化学材料の流れを停止させ、同時に空気または窒素のようなパージガスのための弁を開かせる。指定されたＭＦＣへの別の命令は、化学材料の流量を、プラズマガスは増加させるが表面速度は一定に維持するような所望値にセットさせる。別の命令は、ノズルステッパにノズル７４をＲ方向に収縮させ、80ｍｍのトーチリング６６にマッチさせる。次いでプラズマトーチ６０は80ｍｍのトーチリング６６を用いて再始動し、トーチしきい値Ｔが80ｍｍ直径を反映するように更新され、プロセスがループバックしてステップ及び堆積が再開される。
【００６９】
トーチリング６６の80ｍｍ直径が不十分であることをステップ３１２が検出するとプロセスはステップ３１４へ進み、次に大きいリング６８（100ｍｍ）へ切り替わる。同様に、トーチリング６８の100ｍｍ直径が不十分であることをステップ３１２が検出するとプロセスはステップ３１４へ進み、最大の（この例の場合）リング６８（120ｍｍ）へ切り替わる。
【００７０】
ステップ３１０が、図９のステップ２０６と類似の手法でターゲットがその最終プロセス直径に到達した時点（Ｓ＝ＰFinalで表されている）を検出すると、プロセスはステップ３１６へ進んで終了する。
【００７１】
図１０及び１１に示す可変トーチ６０は、単なる例示に過ぎない。例えば、４つの同心状チューブ、即ちリング６４、６６、６８、及び７０より多くのリングを使用することができる。
【００７２】
滑らかな動作を行わせるためには、収縮可能なノズル６２が0.1ｍｍの範囲内の精密運動制御を有しているべきである。更に、好ましい実施例は、プラズマ電力の結合を監視し、切り替えステップ中の、及び全堆積動作中のインダクション（Ｌ）の変化を補償するためのフィードバックループ（図示してない）を含む。インダクタンス（Ｌ）の変化は、プラズマ発生器の周波数（ｆ）を変化させるが、それらは次の関係を有している。
ｆ＝１／２π√（ＬＣ）                                      （３）
ここに、Ｃはトーチへの電源に固有のキャパシタンスである。動作中、キャパシタンスＣは一定である。インダクタンスＬが変化すると、それは周波数を変化させる。フィードバックループはそれを検出し、キャパシタンスを自動的に調整して一定周波数を維持する。
【００７３】
可変トーチ６０の長所は、それが１つの発生器及び１つのトーチだけしか必要としないことである。更に、動作中、トーチ及び発生器の切り替えを必要としない。また可変トーチは、先行実施例の多重トーチ装置よりも実質的に少ない空間しか必要としない。この空間節約は、多重トーチを受け入れるために旋盤の長さを増加させる必要がないことをも意味している。
【００７４】
以上に本発明を特定の実施例について説明したが、これらは単なる例示に過ぎず、また本発明は図示し、説明した特定の配列または形態に限定されるものではないことを理解されたい。本発明は、特許請求の範囲内で種々変更できることは当業者には明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】３つのターゲット上にシリカを堆積させるために単一のプラズマトーチを使用して本発明の第１の例示方法の第１ステップを遂行するための配列を示す図である。
【図２】３つのターゲット上にシリカを堆積させるために３つのプラズマトーチを使用して本発明の第１の例示方法の第２ステップを遂行するための配列を示す図である。
【図３】本発明による第２の例示方法を遂行するためのトーチの配列をＸ軸方向から見た図である。
【図４】図３によるトーチの配列をＹ軸方向から見た図である。
【図５】図３及び４の装置を使用して遂行される例示動作のための方法のフローチャートである。
【図６】Ａ及びＢはそれぞれ、ターゲットを運動可能にして隣接するターゲット間の間隔を制御するための装置を有する第３の例示実施例のプラズマトーチ及びターゲットの第１及び第２の位置及び配列を示す図である。
【図７】Ａ及びＢはそれぞれ、図６Ａ及び６Ｂの実施例の第１の可動ターゲット間隔あけ装置の配列の第１及び第２の位置を示す図である。
【図８】Ａ及びＢはそれぞれ、図６Ａ及び６Ｂの実施例の第２の可動ターゲット間隔あけ装置の配列の第１及び第２の位置を示す図である。
【図９】図６Ａ及び６Ｂの実施例の例示動作のための方法のフローチャートである。
【図１０】先行実施例の方法の１またはそれ以上のステップを遂行するための可変直径プラズマトーチ構成の上面図である。
【図１１】図１０のＢＢ矢視断面図である。
【図１２】図１０及び１１の可変直径プラズマトーチの例示動作のための方法のフローチャートである。
【図５】
2004524253.tif 000005
【図９】
2004524253.tif 000006
【図１０】
2004524253.tif 000007
【図１１】
2004524253.tif 000008
【図１２】
2004524253.tif 000009
【国際公開パンフレット】
2004524253.tif 000010
2004524253.tif 000011
2004524253.tif 000012
2004524253.tif 000013
2004524253.tif 000014
2004524253.tif 000015
2004524253.tif 000016
2004524253.tif 000017
2004524253.tif 000018
2004524253.tif 000019
2004524253.tif 000020
2004524253.tif 000021
2004524253.tif 000022
2004524253.tif 000023
2004524253.tif 000024
2004524253.tif 000025
2004524253.tif 000026
2004524253.tif 000027
2004524253.tif 000028
2004524253.tif 000029
2004524253.tif 000030
2004524253.tif 000031
2004524253.tif 000032
2004524253.tif 000033
2004524253.tif 000034
2004524253.tif 000035
2004524253.tif 000036
2004524253.tif 000037
2004524253.tif 000038
2004524253.tif 000039
2004524253.tif 000040
2004524253.tif 000041
【国際調査報告】
2004524253.tif 000042