(57)【要約】プレーナ型カーボンセグメント整流子アセンブリ（１０）が、基板（５２）の前面（５４）から一体的かつ軸方向に伸長する環状前面突起（５２）を有する環状導体基板（５０）を形成することにより作られる。炭素化合物を導体基板（５０）の前面（５４）上および環状前面突起（５２）の周りにオーバーモールドすることにより、環状カーボンディスク（６２）が導体基板（５０）上に形成される。導体基板（５０）が絶縁ハブ（１２）上に取り付けられる。電気的に絶縁されて円周方向に間隔を空けられた整流子セグメント（２２）、および（各々分離した突起部分（１８）を有する）対応する機械的に連結された導体片（１６）が、環状カーボンディスク（６２）および金属基板（５０）を各々貫通する半径方向カット（７４）を作ることにより形成される。１実施例によると、各前面突起部分（１８）は、整流子セグメント（２２）を導体片（１６）上へ機械的に固定するために、ベース端の断面積よりも大きな遠心端の断面積を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーナカーボンセグメント整流子アセンブリであって、
電気絶縁材料から成る環状ハブと、
前記ハブ上で円周方向に間隔を空けて環状に並べられた状態で支持される複数の金属導体片であって、各導体片が各導体片の前面から一体的に伸長する第１の前面突起を含む前記複数の金属導体片と、
前記導体片の各々の上に配置されて平坦な環状の複合前面整流面を定め、前記前面突起が対応する整流子セグメントの空洞の中に配置される複数のカーボン整流子セグメントとから成り、
各導体片の前記第１の前面突起は、対応する整流子セグメントの背面と平行で隣接する第１の断面と、前記第１の断面と平行で軸方向前方に間隔を空けられた第２の断面とを有し、前記第２の断面は、対応する整流子セグメントからの各導体片の前記第１の前面突起の脱落を防止するために前記第１の断面より大きな領域を有し、前記整流子セグメントを対応する支持導体片へ機械的に固定することを特徴とするプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項２】
各導体片の前記第１の前面突起が台形断面を有し、対応するカーボンセグメントの相補的な凹部の内部に配置されることを特徴とする、請求項１に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項３】
前記ハブが中心で回転可能なハブ軸を含み、前記導体片の前記第１の前面突起が前記ハブ軸に対して同軸に配置された第１の前面突起のセグメント化された複合リングを共に定め、前記第１の前面突起の前記台形断面が前記ハブ軸に対して垂直方向および半径方向に向きを合わされることを特徴とする、請求項２に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項４】
各導体片の前記第１の前面突起が不連続面を含み、各カーボンセグメントが、前記対応する導体片突起の前記不連続面と補完してかみ合う対応する不連続を含むことを特徴とする、請求項３に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項５】
前記不連続面が各第１の前面突起の前面の内部に形成された溝を含み、前記ハブ軸に対して半径方向に向きを合わされることを特徴とする、請求項４に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項６】
第２の前面突起が各導体片の前記前面から伸長して対応するカーボンセグメントの相補的な凹部とかみ合い、前記導体片の前記第２の前面突起が、前記第１の前面突起のリングに対して同軸に配置された第２の前面突起のセグメント化された複合リングを共に定めることを特徴とする、請求項１に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項７】
各導体片が、各導体片の背面から一体的に伸長して前記ハブの空洞の中に配置される一体型の第１の背面突起を含むことを特徴とする、請求項１に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項８】
各導体片の前記第１の背面突起が、対応する整流子セグメントの前面と平行で隣接する第１の断面、および前記第１の断面と平行で軸方向後方に間隔を空けられた第２の断面を有し、前記第２の断面が前記第１の断面より大きな領域を有することを特徴とする、請求項７に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項９】
各導体片の前記第１の背面突起が台形断面を有し、前記ハブの相補的な凹部の内部に配置されることを特徴とする、請求項８に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項１０】
前記導体片の前記第１の背面突起が前記ハブ軸に対して同軸に配置された第１の背面突起のセグメント化された複合リングを共に定め、前記第１の背面突起の前記台形断面が前記ハブ軸に対して垂直方向および半径方向に向きを合わされることを特徴とする、請求項９に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項１１】
各導体片の前記第１の背面突起が不連続面を含み、前記ハブが、前記対応する導体片突起の前記不連続面と補完してかみ合う対応する不連続を含むことを特徴とする、請求項１０に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項１２】
前記不連続面が各第１の背面突起の背面の内部に形成される溝を含み、前記ハブ軸に対して半径方向に向きを合わされることを特徴とする、請求項１１に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項１３】
第２の背面突起が各導体片の前記背面から伸長し、相補的な凹部とかみ合い、前記導体片の前記第２の背面突起が、前記第１の背面突起のリングに対して同軸に配置された第２の背面突起のセグメント化された複合リングを共に定めることを特徴とする、請求項１０に記載のプレーナカーボンセグメント整流子アセンブリ。
【請求項１４】
電気絶縁材料から成るハブ上で円周方向に間隔を空けて環状に並べられた状態で支持される複数の金属導体片を含み、各導体片が各導体片の前面から一体的に伸長して複数のカーボン整流子セグメントの１つに埋め込まれる第１の前面突起を含み、前記整流子セグメントが平坦な環状の複合前面整流面を定めるプレーナカーボンセグメント整流子を作るための方法であって、
前記基板の前面から一体的かつ軸方向に伸長している環状の第１の前面突起を有する環状導体基板を形成すること、
炭素化合物を前記導体基板の前記前面上および前記環状の第１の前面突起の周りにオーバーモールドすることによって前記導体基板上に環状のカーボンディスクを形成して前記化合物が硬化することを許容すること、
絶縁材料から成る環状ハブを提供すること、
前記導体基板を前記ハブの前面へ接続すること、および
環状のカーボンディスクおよび前記金属基板を各々貫通する半径方向カットを形成することにより、電気的に絶縁されて円周方向に間隔を空けられた整流子セグメントおよび対応する機械的に連結された導体片を形成することの諸ステップから成ることを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記環状導体基板を形成するステップが、
前記導体基板を第１の金属材料から成形すること、および
前記導体基板を金属ブランクから打ち抜くことを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記環状導体基板を形成するステップが、コーティングを前記第１の金属材料上に提供することを含み、前記コーティングが前記第１の金属材料より導電性が高い金属材料から成ることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記環状導体基板を形成するステップが、前記第１の前面突起のベース端断面積より大きな遠心端断面積を含むように前記環状の第１の前面突起を形成することを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
環状のカーボンディスクを前記導体基板上に形成するステップが、カーボンを前記導体基板の前記前面上および前記環状の第１の前面突起の周りに圧縮成形することを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記導体基板を形成するステップが、前記環状の第１の前面突起と同軸の環状の第２の前面突起を形成することを含み、および
環状のカーボンディスクを前記導体基板上に形成するステップが、カーボンを前記環状の第２の前面突起の周りにモールドすることを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
導体基板を形成するステップが、前記基板の背面から一体的かつ軸方向に伸長する第１の円形背面突起を形成することを含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の円形背面突起を形成するステップが、前記第１の前面突起のベース端断面積より大きい遠心端断面積を有する円形背面突起することを含み、および
ハブを提供するステップ、および前記導体基板を前記ハブへ接続するステップが、絶縁材料を前記金属基板の前記背面上、および前記第１の円形背面突起の周りにモールドすることを含むことを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
導体基板を形成するステップが、前記基板の前記背面から一体的かつ軸方向に伸長し、前記第１の円形背面突起と同軸である第２の円形背面突起を形成することを含むことを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の背面突起を形成するステップが、前記第１の前面突起のベース端断面積より大きい遠心端断面積を有する第２の背面突起を形成することを含み、および
ハブを提供するステップ、および前記導体基板を前記ハブへ接続するステップが、絶縁材料を前記金属基板の前記背面上、および前記第２の円形背面突起の周りに圧縮成形することを含むことを特徴とする、請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
［発明の属する技術分野］
本発明は、概して、プレーナ「対向」型カーボンセグメント整流子アセンブリ、およびそのようなアセンブリを作るためにカーボン整流子セグメントを金属導体に固定する方法に関する。
【０００２】
［本発明の背景］
プレーナカーボンセグメント整流子が、絶縁体から成る環状ハブの環状前面の周りに円周方向に間隔を空けて並べられた状態で支持される金属導体片を含むことは既知である。また、そのような整流子が、各々の金属導体片の部分の周りに形成されて金属導体片と連結するカーボン整流子セグメントを含むことも既知である。カーボン整流子セグメントは、平坦な複合整流面を定める。そのような整流子の実施例は、１９９９年６月５日に Ｚｉｅｇｌｅｒ 他に付与され、本発明の譲受人に譲渡され、言及することにより本明細書に取り込まれる米国特許第５，９１２，５２３号に開示されている。カーボンセグメントを確実に位置決めして固定するために、それらはハブに埋め込まれる。
【０００３】
加えて、１９９９年７月２０日に Ｋｏｂｍａｎ 他に付与された米国特許第５，９２５，９６２号、および Ｚｉｅｇｌｅｒ 特許の両方は、カーボンセグメントと導体片の間の更に確実な機械的連結をもたらすために、製造工程でカーボンおよび絶縁材を金属基板にオーバーモールドすること、およびオーバーモールドされた炭素化合物を金属導体片の孔を通してプレスすることを開示する。
【０００４】
必要なのは、ハブ材料をカーボンセグメントの周りにオーバーモールドすること、または他の方法でカーボンセグメントをハブへ直接的に接続することなしに、カーボン整流子セグメントを支持し確実に固定するプレーナ整流子セグメント取付アセンブリである。また、必要なのは、整流子製造工程でカーボンセグメントを取り付ける更に単純で安価な方法である。
【０００５】
［発明の要約］
プレーナ整流子アセンブリは電気絶縁材料、およびハブ上で円周方向に間隔を空けて環状に並べられた状態で支持される複数の金属導体片から成る環状ハブを含む条件で提供され、各導体片は各導体片の前面から一体的に伸長している第１の背面突起を含む。また、プレーナ整流子アセンブリは、導体片の各々の上に配置されて平坦な環状の複合前面整流面を定める複数のカーボン整流子セグメントを含む。前面突起は、対応する整流子セグメントの空洞の中に配置される。
【０００６】
各導体片の第１の背面突起は、対応する整流子セグメントの背面と平行で隣接する第１の断面、および第１の断面と平行で軸方向前方に間隔を空けられた第２の断面を有する。第２の断面は、対応する整流子セグメントからの各導体片の第１の背面突起の脱落を防止するために、第１の断面より大きい領域を有する。各導体片の第１の背面突起は、整流子セグメントの１つを導体片へ機械的に固定する。第１の前面突起は、整流子セグメントをハブへ部分的に埋め込むような方法により整流子セグメントを更に固定する必要性を除去する押し込み式の機械的ロックを提供する。
【０００７】
また、本発明は、基板の前面から一体的かつ軸方向に伸長する第１の円形前面突起を含む環状導体基板を形成することを含む、プレーナ整流子を作るための方法を含む。環状のカーボンディスクは、炭素化合物を導体基板の前面上および第１の円形前面突起の周りにオーバーモールドすることにより導体基板上に形成される。次に、化合物は硬化される。次に、絶縁体から成る環状ハブが提供され、導体基板がハブの前面へ接続される。次に、環状のカーボンディスクおよび金属基板を各々貫通する半径方向カットを提供することにより、電気的に絶縁されて円周方向に間隔を空けられた整流子セグメント、および対応する機械的に連結された導体片が形成される。
【０００８】
［詳細な説明］
一般に、プレーナまたは「対向型」カーボンセグメント整流子アセンブリは、図１−図３の１０で示される。整流子セグメント取付アセンブリの第２の実施例は、図４および図５の１０’で示される。図４および図５でプライム（’）記号を有する参照番号は、第１の実施例にも現れる素子の代わりの構成を示す。特に指示されない限り、以下の記載の部分が図面を参照するために参照番号を使用する場合、その記載部分は図４および図５でプライム記号を有する参照番号により指定される素子にも同様に適用される。
【０００９】
アセンブリ１０は、電気絶縁材料から成り概して平坦な環状前面１４を有する環状ハブ１２を含む。ハブ１２は、図１−図３において２８で示される中心で回転可能なハブ軸を含む。また、図３に示されるように、アセンブリ１０は、ハブ１２の前面１４の周りで円周方向に間隔を空けて環状に並べられた状態でハブ１２上で支持される複数の金属導体片１６を含む。各導体片１６は、各導体片１６の前面２０から一体的に伸長している第１の環状前面突起１８を含む。
【００１０】
また、アセンブリ１０は、導体片１６の各々の上で支持され、導体片１６の各々と機械的に連結され、および平坦な環状の前面複合整流面を定める複数のカーボン整流子セグメント２２を含む。導体片１６の前面突起１８は、対応する整流子セグメント２２の内部に埋め込まれる。換言すれば、前面突起１８は、導体片１６上で支持される対応する整流子セグメント２２の背面２６の内部に形成される相補的な空洞２４の内部に配置される。
【００１１】
図８に示されるように、各導体片１６の前面突起１８は「ダブテール」構成を有し、各導体片１６に対応する整流子セグメント空洞２４は相補的なダブテール構成を有する。特に、図２および図７に示されるように、各導体の第１の前面突起はアーチ形の台形角柱の形状を有し、アーチ形の台形角柱形の空洞２４の内部で対応する整流子セグメント２２にぴったり合う。従って、図２に示されるように、各導体片１６の第１の前面突起は、対応する整流子セグメント２２の背面２６と平行で隣接する第１の断面を有する狭いネックまたはベース端２５を含み、また、第１の断面と平行で軸方向前方に間隔を空けられた第２の断面を有する広い遠心端２７も含む。第２の断面は、対応する整流子セグメント２２からの各導体片１６の第１の前面突起の脱落を防止する、第１の断面より大きな領域を有し、整流子セグメント２２を対応する支持導体片１６へ機械的に固定する。この連結ダブテール装置は、整流子セグメント２２をハブ１２へ部分的に埋め込むような手段により、整流子セグメント２２を更に固定する必要性を除去する押し込み式の機械的ロックを提供する。
【００１２】
図３に示されるように、導体片１６の前面突起１８は、前面突起１８のセグメント化された複合リングを共に定める。前面突起１８のリングは、ハブ軸２８に対して同軸に配置される。導体片前面突起１８は、台形断面がハブ軸２８に対して垂直方向および半径方向に配置されるように向きを合わされる。換言すれば、ハブ軸２８および各導体片１６を通過する垂直面は、各導体片前面突起１８を貫通する台形断面を定める。
【００１３】
各導体片１６の前面突起１８は、各前面突起１８の遠心端２７に配置された各前面突起１８の正面３２に形成される溝３０の形態の不連続面を含む。溝３０は、ハブ軸２８に対して半径方向に向きを合わされる。各カーボンセグメント２２は、対応する不連続を、各カーボンセグメント空洞２４の前面２４の内部に形成される溝３１の形態で含む。各カーボンセグメント空洞２４の前面の溝は、対応する導体片１６突起の溝３０と補完してかみ合う。カーボンセグメント２２および導体片１６の半径方向の連結溝３０，３１は、整流子セグメント２２が対応する導体片１６上で円周方向に滑ることを防止する。
【００１４】
各導体片１６は、各導体片１６の背面３６から一体的に伸長する一体型の背面突起３４を含む。各導体片１６の背面突起３４は、導体片１６をハブ１２へ確実に固定するためにハブ１２の前面１４の内部に形成される相補的な空洞３７の中に配置される。
【００１５】
一般に、各導体片１６の背面突起３４は、図２に示される各導体片１６の前面突起１８と同じである。各導体片１６の前面突起１８と同様に、各導体片１６の背面突起３４は溝３６を含む。溝３６は各背面突起３４の背面３８の内部に形成され、各背面突起３４の遠心端を定める。背面突起３４の中の溝３６は、ハブ軸２８に対して半径方向に向きを合わされる。ハブ１２は、対応する不連続を、各ハブ空洞３７の前面の内部に形成された溝４３の形態で含む。各ハブ空洞３７の前面の溝４３は、対応する導体片背面突起３４の溝３６と補完してかみ合う。ハブ空洞３７および背面突起３４の半径方向の連結溝３６，４３は、導体片１６がハブ１２上で円周方向に滑ることを防止する。
【００１６】
また、各導体片１６は、軸方向外向きに伸長しているタング３９を含む。タング３９は、半田付けのような手段によりタング３９へ電気的に接続されるコイル線を支持するように構成される。
【００１７】
図４および図５において１０’で示されるアセンブリの第２の実施例によると、第２の前面突起５２，４０が各導体片１６’の前面２０’から伸長し、対応するカーボンセグメント２２’の背面２６’の相補的な凹部４２とかみ合う、更に、第２の前面突起４０が、カーボンセグメント２２’を各導体片１６’へ固定する。図５に示されるように、導体片１６’の第２の前面突起４０は、第１の背面突起５２のリングに対して同心円状に配置された第２の前面突起４０のセグメント化された複合リングを共に定める。第１の前面突起１８’と同様に、第２の前面突起４０はアーチ形の台形角柱の一般的形状を有する。
【００１８】
図４および図５の第２の実施例によると、第２の背面突起４４は各導体片１６’の背面２６’から伸長し、ハブ１２’の前面１４’の相補的な凹部４６とかみ合う。更に、各導体片１６’の第２の背面突起４４が、導体片１６’をハブ１２’へ固定する。導体片１６’の第２の背面突起４４は、第１の背面突起１８’のリングに対して同心円状に配置された第２の背面突起のセグメント化された複合リングを共に定める。一般に、第２の背面突起のリングは第２の前面突起５２のリングと同じであり、第２の前面突起１８と同じ台形断面およびアーチ形の台形角柱形状を有する。
【００１９】
実際には、プレーナまたは「対向」型カーボンセグメント整流子は、図６および図７において５０で示されるような環状導体基板を最初に形成することにより作ることができる。導体基板５０は、導体基板５０の前面５４から一体的かつ軸方向に伸長している環状またはリング状の第１の前面突起５２を有する。環状導体基板５０は、導体基板５０を第１の金属材料から成型すること、または導体基板５０を銅ブランクもしくは他の適切な金属から成るブランクから打ち抜くことにより形成される。また、（図８において５６で示される）金属コーティングが第１の金属材料状に提供される。この場合、コーティングが第１の金属材料より導電性が高い金属材料（例えば、銅）から成ることが好ましい。環状導体基板５０の形成では、前面突起５２の軸方向遠心端５８が前面突起５２のベース端６０より幅広になるように、連続する台形断面を円周の周りに有する目的で第１の円形前面突起５２が形成される。
【００２０】
図７に示されるように、炭素化合物を導体基板５０の前面５４上および第１の円形前面突起５２の周りにオーバーモールドすることにより、環状のカーボンディスク６２が導体基板５０上に形成される。当該技術分野で既知の適切な手段（例えば、射出成形または圧縮成形）により、炭素化合物が導体基板５０の前面５４上に形成される。カーボンディスク６２は硬化前のサイズに圧縮されるか、または硬化後の寸法に機械加工される。どちらの場合も、炭素化合物が成形の後に硬化されるとき、炭素化合物は導体基板５０との機械的連結を形成する。
【００２１】
カーボンディスク６２は「標準的な」カーボン調合物（例えば、３００−４５０μΩの抵抗率を有し、 ＳＧＬ Ｃａｒｂｏｎ 社（ドイツ連邦共和国、ボン）から入手可能な Ｒｉｎｇｓｄｏｒｆ ＥＫ２３ ）から形成される。あるいは、ディスク６２は、より良い電気的性質を有する電気黒鉛等級のカーボンから形成できる。どちらの場合も、ブラシ材料を整流子材料と適合させることが性能を向上させる。
【００２２】
導体基板５０の形成では、第１の円形背面突起６４も形成され、導体基板５０の前面５４と軸対称である導体基板５０の背面６８からから一体的かつ軸方向に伸長する。一般に、第１の円形背面突起６４は第１の円形前面突起５２と同じになるように形成され、従って、突起６４のベース端７２より幅広の遠心端７０をもつ連続する台形断面を有する。
【００２３】
次に、ハブ１２が、絶縁体（例えば、フェノール樹脂）を金属導体基板５０の背面６８上および第１の円形背面突起６４の周りに圧縮成形することにより形成される。絶縁体は硬化され、金属導体基板５０との機械的連結を形成できる。他の実施例では、ハブ１２は適切な高強度成形用プラスチックから形成される。
【００２４】
次に、（図１−図３で示される）半径方向カット７４が、環状のカーボンディスクおよび金属導体基板５０の両方を貫通して形成される。半径方向カット７４は、電気的に絶縁されて円周方向に間隔を空けられた整流子セグメント２２、および対応する機械的に連結された導体片１６を形成する。
【００２５】
また、図４および図５のセグメント化された形態に示されるように、導体基板５０の形成は第２の円形前面突起および第２の円形背面突起の形成も含む。第２の円形前面突起は第１の円形前面突起５２と同軸になるように形成され、炭素化合物は第１および第２の円形前面突起の両方の周りに圧縮成形される。一般に、第２の円形背面突起は第２の円形前面突起と同じであり、第１の円形背面突起６４と同軸である導体基板５０の背面から一体的かつ軸方向に伸長する。第１の円形背面突起６４と同様に、第２の円形背面突起は、ベース端断面積より大きい遠心端断面積をもつ連続する台形断面を有する。ハブ１２の絶縁領域は、第１および第２の背面突起の両方の周り、ならびに金属導体基板５０の背面６８上に圧縮成形される。
【００２６】
本発明により組み立てられるプレーナカーボン整流子は、カーボンセグメント２２、導体片１６、およびハブ１２の間の確実な機械的連結、カーボンセグメント２２と導体片１６の間の高導電性の電気的接続を提供し、頑丈で組立が容易なデザインを提供する。
【００２７】
本明細書は、本発明を限定するよりも本発明の実施例を例示することを意図する。従って、本明細書は限定的な語句よりも記述的な語句を使用している。本発明を記載の教示から変更することは明らかに可能である。特許請求の範囲で、本発明は記載したように実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により組み立てられたプレーナ整流子アセンブリの正面図である。
【図２】図１の線２−２に沿った図１のアセンブリの断面図である。
【図３】アセンブリの導体片を見せるために整流子セグメントを除去した図１のアセンブリの正面図である。
【図４】図１のアセンブリの代わりの実施例の断面図である。
【図５】アセンブリの導体片を見せるために整流子セグメントを除去した図４のアセンブリの正面図である。
【図６】導体基板の部分的に切り取られた斜視図であり、本発明によるプレーナカーボン整流子を組み立てる際に前記導体基板から導体セグメントが形成される。
【図７】図６の導体基板上に形成されるカーボンディスクの部分的に切り取られた斜視図であり、本発明によるプレーナカーボン整流子を組み立てる際に前記カーボンディスクから整流子セグメントが形成される。
【図８】図６の円８の内部の切り取られた部分に示される導体基板の拡大断面図である。
【符号の説明】
１０　アセンブリ
１２　ハブ
１４　前面
１６　導体片
１８　前面突起
２０　前面
２２　カーボン整流子セグメント
２４　空洞
２５　ベース端
２６　背面
２７　遠心端
２８　ハブ軸
３０，３１　連結溝
３２　正面
３４　背面突起
３６，４３　連結溝
３７　空洞
３８　背面
３９　タング
４０，５２　前面突起
４２　凹部
４４　背面突起
４６　凹部
５０　導体基板
５４　前面
５８　軸方向遠心端
６０　ベース端
６２　カーボンディスク
６４　突起
６８　背面
７０　遠心端
７２　ベース端
７４　半径方向カット
【国際公開パンフレット】
2004505594.tif 000003
2004505594.tif 000004
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【国際調査報告】
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