(57)【要約】【課題】５酸化タンタルのような凝縮性の液体に関する捕捉装置１０。【解決手段】この装置１０は第２捕捉チャンバ９０を取り囲む第１捕捉チャンバ５０、および排出溜１１内に捕捉された液体を第１および第２チャンバを通る気体流から効果的に分離するのに十分な小さい開口部を持つ。第１および第２チャンバの仕切りおよび開口部は凝縮を促進すると同時に凝縮液を流すことを可能にするため，第１および第２チャンバでの気体流の流れを阻害しない。【選択図】図４
2004538127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２捕捉セクションと流体が流れる関係に接続された第１捕捉セクションを含む捕捉装置であって、
前記第１捕捉セクションが（ｉ）頂部、中央部および底部を有する第１捕捉チャンバ；（ｉｉ）頂部内への入り口；（ｉｉｉ）頂部および中央部を分離する頂部仕切りであって、前記頂部仕切りが頂部から中央部への流体流れを可能にする開口部を有する頂部仕切り；および（ｉｖ）中央部を底部から分離する底部仕切りであって、前記底部仕切りが中央部から底部への流体流れを可能にする開口部を有する底部仕切りを含んでおり；
前記底部が前記第２捕捉セクションと流体が流れる関係に接続してあり；そして
前記第２捕捉セクションが第２捕捉チャンバ、出口、および第１捕捉チャンバの底部と前記出口の間の第２捕捉チャンバ内に配置された流体分散面を有する、捕捉装置。
【請求項２】
中央部を上方中央部と中央下部に分ける中央仕切りを第１捕捉チャンバ中央部内に含んでおり、前記中央仕切りが上方中央部から下方中央部への流体流れを可能にする開口部を有する、請求項１記載の捕捉装置。
【請求項３】
頂部、中央部および底部仕切り内の開口部が、流体が第１捕捉チャンバの頂部から第１捕捉チャンバの底部まで単一の垂直な流路を流れないように位置をずらして配置される、請求項２記載の捕捉装置。
【請求項４】
前記第１捕捉セクションが第２捕捉セクションを取り囲む、請求項１記載の捕捉装置。
【請求項５】
流体移動流路と出口との間の第２捕捉チャンバ内に、流体が流体移動流路から第２捕捉チャンバを通り出口まで蛇行して流れるように配置された冷却面を含む、請求項１記載の捕捉装置。
【請求項６】
冷却面から熱を取り除くための冷却システムを冷却面に接続された第２捕捉セクション内に含む、請求項５記載の捕捉装置。
【請求項７】
第２捕捉セクション内に、冷却面を形成する相互に垂直方向に間隔を空けて配置された複数の穴あき円錐バッフルを含む、請求項６記載の捕捉装置。
【請求項８】
前記冷却システムが冷却面に接触する少なくとも１本の冷却剤チューブを含み、前記チューブが冷却剤源と接続可能であり、そしてそのような冷却剤流を送るのに適している、請求項６記載の捕捉装置。
【請求項９】
前記第１捕捉セクションが第２捕捉セクションを取り囲み、円筒内壁により第１捕捉セクションと第２捕捉セクションが分離される、請求項８記載の捕捉装置。
【請求項１０】
前記冷却剤チューブが円筒内壁および冷却面の両方に接触する、請求項９記載の捕捉装置。
【請求項１１】
前記頂部仕切りおよび底部仕切りが円筒内壁に接続されており、そしてそこから半径方向外向きに伸びる、請求項１０記載の捕捉装置。
【請求項１２】
第１捕捉チャンバの中央部内に中央仕切りを含み、前記中央仕切りが円筒内壁に接続され、そこから半径方向外向きに伸びて中央部を上方中央部と下方中央部に分割し、そして前記中央棚が上方中央部から下方中央部への流体流れを可能にする開口部を有する、請求項１１記載の捕捉装置。
【請求項１３】
第１捕捉セクションを取り囲む円筒外壁を含む、請求項１２記載の捕捉装置。
【請求項１４】
前記頂部仕切り、中央仕切りおよび底部仕切りそれぞれが円筒内壁から円筒外壁に向かって外側に放射状に伸びる、請求項１３記載の捕捉装置。
【請求項１５】
頂部仕切りの開口部が頂部仕切り内の角度ギャップにより画成され、中央仕切りの開口部が中央仕切りの角度ギャップにより画成され、そして底部仕切りの開口部が底部仕切りの角度ギャップにより画成される、請求項１４記載の捕捉装置。
【請求項１６】
第１捕捉セクションおよび第２捕捉セクションを収納するハウジングを含み、前記ハウジングが円筒外壁ならびに頂端壁および底端壁を含み、前記円筒外壁および円筒内壁の両方が頂端部と接触し、そして円筒外壁が底端壁に接触する、請求項１４記載の捕捉装置。
【請求項１７】
前記円筒外壁に第１捕捉チャンバの頂部への入り口を形成する注入開口部を有する、請求項１６記載の捕捉装置。
【請求項１８】
前記頂端壁に第２捕捉チャンバの出口を形成する排出出口部を有する、請求項１６記載の捕捉装置。
【請求項１９】
前記底端壁に底端壁を貫通して伸びるドレイン孔がある、請求項１６記載の捕捉装置。
【請求項２０】
底端壁のドレイン孔に接続した排出溜を含む、請求項１９記載の捕捉装置。
【請求項２１】
前記ドレイン孔の断面積が２０ｃｍ２より小さい、請求項１９記載の捕捉装置。
【請求項２２】
前記ドレイン孔の断面積が１０ｃｍ２より小さい、請求項２１記載の捕捉装置。
【請求項２３】
前記ドレイン孔の直径が１０から２０ｍｍの範囲の、請求項２２記載の捕捉装置。
【請求項２４】
排出溜が第１捕捉チャンバから直径２０ｍｍ未満の導管によって少なくとも５ｃｍ隔てられているリザーバを持つ、請求項２０記載の捕捉装置。
【請求項２５】
ドレイン孔と排出溜の間に弁を、そして弁と排出溜の間に着脱可能な接続部とを持つ、請求項２０記載の捕捉装置。
【請求項２６】
前記底端壁がドレイン孔に向かって傾斜している床面を持つ、請求項１９記載の捕捉装置。
【請求項２７】
底端壁に隣接する加熱装置を備えた、請求項２６記載の捕捉装置。
【請求項２８】
前記加熱装置が間欠的運転可能な、請求項２７記載の捕捉装置。
【請求項２９】
５酸化タンタル蒸着／反応チャンバから排出される気体流からタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を凝縮して除去するための捕捉装置にあって、
円筒外壁ならびに頂端壁と底端壁を含む頂端部および底端部を含み、これらが１つになって第２チャンバを取り囲む環状の第１チャンバを封入しているハウジングにあって、前記環状第１チャンバおよび前記第２チャンバは、頂端壁から底端壁にむかって半分を超えて伸びる円筒内壁と底端壁との間に生じるギャップにより分離されており、第１チャンバ頂部に入口開口部と第２チャンバ頂部に排出開口部を有し、その結果入口開口部を通り第１チャンバ内に流入して排出開口部を通り第２チャンバの外に流れる排気気体流が、第１チャンバ内を下方に流れ、円筒内壁と底端壁のギャップを通り半径方向内向きに流入し、そして第２チャンバ内を上向きに流れて排出開口部から流出するハウジングと、
第１チャンバ内に配置された複数の凝縮面と、
底端壁より下方に配置され、チューブにより底端部のドレイン孔に接続され、前記ドレイン孔の断面積が約２０ｃｍ２より小さい排出溜と、
ドレイン孔と排出溜の間のチューブ内に配置された弁と、
弁と排出溜の間にある着脱可能な接続部と、を含む捕捉装置。
【請求項３０】
５酸化タンタル反応／蒸着チャンバからの排気気体流よりタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を捕捉して除去する方法にあって、
排気気体を蛇行して流し、排気気体と仕切りとの接触を高めるように相互に間隔をとって配置された複数の仕切りを持つチャンバに排気気体を流し通過させるステップと、
仕切りを冷却して排気気体から仕切りへの熱の移動を高め、仕切り上で排気気体からタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を十分凝縮させるステップと、
仕切り上に形成されるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮物を、排気気体流と排出溜の間に配置された壁のドレイン孔の中に流すことで、チャンバ内を流れる排気気体から分離された排出溜に集めるステップと、を含む方法。
【請求項３１】
前記ドレイン孔の断面積が２０ｃｍ２より小さい、請求項３０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的には、気体流から凝縮性流体物質を捕捉して保持するための液体−気体分離装置に関し、より詳細には電子装置の製造に於けるタンタル薄膜の蒸着に使用される反応／蒸着チャンバから流れ出る排気気体からタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を取り除くための捕捉装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は強誘電性の電気絶縁材であり、電荷蓄積密度を高め、それにより静電容量を減らさずにキャパシタに求められるセル面積を小さくすることを目的として主に集積回路やその他の半導体装置に用いられている。例えば５酸化タンタル膜はＤＲＡＭメモリーチップのような高密度集積回路内の蓄電キャパシタ誘電層として、そしてＣＭＯＳ装置用ゲート誘電体として使用されている。
【０００３】
５酸化タンタルの薄膜は通常、化学蒸着（ＣＶＤ）の名で知られる技術を利用して、化学蒸着チャンバ内にて所望の半導体集積回路基板上に蒸着される。例えば、ＴＡＥＴＯとしても知られるタンタルペンタエトキシド［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５］はよく前駆物質として用いられ、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）反応チャンバ内にて酸素またはオゾンと反応して５酸化タンタル膜を蒸着する。典型的にはタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液は気化され、加熱された上流搬送装置を通り反応チャンバに送られる。反応チャンバ内には１気圧の酸素（Ｏ２）またはオゾン（Ｏ３）が供給され、そして多くのタンタルペンタエトキシドの場合比較的高温、例えば約４５０℃に保たれ、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と酸素（Ｏ２）またはオゾン（Ｏ３）との化学反応を補助して所望の５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を生成させ、これが反応チャンバ内にて基板上に固体薄膜として蒸着する。蒸着した５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）薄膜は、次いでその品質向上のためにアニーリングステップを約８００℃の酸素雰囲気で行なうことが多い。
【０００４】
５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を生成する反応チャンバ内でのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と酸素（Ｏ２）との一次反応は：
2004538127.tif 000003
である。５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を生成する反応チャンバ内でのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）とオゾン（Ｏ３）との１次反応は：
2004538127.tif 000004
である。しかし上式（１）または（２）のいずれの場合も反応副生物として水蒸気（Ｈ２Ｏ）が発生するため、Ｔａ２Ｏ５の蒸着には２次反応も伴う。実際には、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と水との間のこのような２次化学反応の速度はタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）とＯ２またはＯ３との間の１次化学反応（式（１）または（２））より遙かに速い。このような２次反応により次式の如く５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）とアルコールが形成される：
2004538127.tif 000005
式（３）で表されるこの２次反応は、４５０℃の反応チャンバ内で式（１）または（２）の１次反応より格段に速く進むが、この反応は周囲温度（室温）でも同様に急速に進行する。従って仮に反応／蒸着チャンバから下流にある真空システム内にあるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が水蒸気と反応すると、その結果生じる固体の５酸化タンタルがポンプ、弁等の真空システムの構成部品を損傷する可能性がある。
【０００５】
ウエハ基板表面に基準を満たす均質な蒸着膜を作るために、５酸化タンタルは生成されるが、反応チャンバで消費されるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）前駆物質は、その約１０〜２０％に過ぎない。残った未使用のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）前駆物質は二酸化炭素（ＣＯ２）およびアルコール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）副生物と共に反応チャンバを出て、排気システムのポンピングフォアライン、即ち真空ポンプにつながるパイプに入る。実質的に全てではないにしても、反応（１）または（２）の水蒸気副生物の大部分は、反応（３）により消費されるが、このことは多くの従来型５酸化タンタル蒸着システムにおいて、反応／蒸着チャンバ出口付近のフォアライン内壁を覆う淡白色の５酸化タンタルが無視できるくらい極めて量が少ないことから明らかである。それゆえに、以下詳細に説明する様に、排気システムに於けるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を原因とする最初の問題はタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が凝縮した時に、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が真空システム内に逆流した水蒸気と、あるいは何らか別の原因で、例えば保守作業時に、真空システム内に入り込んだ水蒸気と反応して固体の５酸化タンタルを形成するときに発生する。
【０００６】
まずタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は加熱されていないポンピングフォアライン（フォアライン内でタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を凝縮させないためには一般に約１２５℃から１５０℃の温度が必要とされる）で凝縮し、フォアライン内に蓄積した液体が真空ポンプの特性に影響を及ぼし、反応／蒸着チャンバ内に求められる真空圧の維持を阻害する。第２は、液状または蒸気のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が真空ポンプ内に運び込まれた時であり、特にタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と真空システム内に達した水蒸気との反応によってポンプ内に固体の５酸化タンタルが形成されると、ポンプの寿命が大きく損なわれることがある。初期反応（式（１）または（２））により生成された水は、たとえ全てではなくともその大部分は上記の様に第２反応（式（３））により消費されるため、真空ポンプやバルブ、制御装置等の真空システム内で起こる固体５酸化タンタル形成と蓄積を原因とする問題は、通常は大気からの周囲水分、または真空ポンプの下流に設置されることが多い湿式スクラバーからの周囲水分を原因とするものであり、これら水分はポンプやその他の真空システム構成部品内に逆流し、反応／蒸着チャンバから排気されたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と結合して真空システム内に固体の５酸化タンタルを形成する。さらに気体または液体のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が大気の周囲空気に含まれる水蒸気と結合した時も固体の５酸化タンタルは素早く形成され、これが真空システムの構成部品の保守や修理を極めて困難にすることがある。固体５酸化タンタルはパイプやその他真空システム構成部品から機械的に一掃する必要がある。さらにタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は高価なので、もし回収できれば例えば５酸化タンタル蒸着用前駆物質として再利用することを目的として加工精製することができる。
【０００７】
５酸化タンタルＣＶＤ反応チャンバの排気システムからのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）除去には、各種の固体ＣＶＤ反応副生物を取り除くために、一般的応用を目的として設計された従来型の捕捉装置が使用されている。しかし従来型捕捉装置は捕捉効率が極めて低い。それは、捕捉した液体が捕捉した固体副生物に比べ非常に高い流動性を持つため、または上述のようにこのような装置をタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の捕捉に使用した場合、水蒸気との反応およびその結果起こる固体の形成が速いために頻繁な保守および運転休止が必要となるからである。
また上記説明した様に、このような通常型捕捉装置内にあるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液が空気中の水蒸気に触れて急速に形成された固体５酸化タンタルは、機械的にきれいに洗い流す必要があり、さもなければ捕捉装置を交換しなければならないこともあるため、このような従来型捕捉装置使用に伴う上述の保守及び運転休止時間は増幅する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
よって、本発明の一般的目的は気流体から凝縮性の液体および副生物を捕捉し除去するためのより効率的かつ効果的な装置および方法を提供することである。
【０００９】
本発明のより具体的な目的は、５酸化タンタルＣＶＤまたはＬＰＣＶＤ反応チャンバの排気システムからタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を捕捉し取り除くことに関し、より効率的および効果的な装置および方法を提供することである。
【００１０】
よりさらに具体的な本発明の目的は、ＣＶＤまたはＬＰＣＶＤ反応／蒸着チャンバから気体の形で排出され、蒸気と反応して固体の５酸化タンタルを形成する強い傾向を持つ、各種の粘度を持った液体に凝縮するタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）に固有の捕捉および取扱いに関する問題に対し特別に設計された捕捉装置および方法を提供することである。
【００１１】
本発明のさらなる目的、利点および斬新な特徴は、ある程度以下に記述されており、当技術の技術者には、以下の記載および図面を検証することで明らかになり、あるいはこの発明を実施することで知ることができる。さらに、本発明の目的および利点は添付のクレーム内に具体的に指示された手段および組み合わせにより実現し達成できる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記およびその他目的を、この中で実施し、広範に記載されている本発明の目的に従って達成するために、本発明の捕捉方法はタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の様な凝縮性物質を含む気体流を真空の蛇行流路を通し冷却面に接触させる経路を含むが、前記冷却面は凝縮を促進し、各種粘度の凝縮液を捕捉し、リザーバーに流すのに好都合に配置されており、気体流を詰まらせず、また流れを阻害せず、集められた凝縮液が再蒸発して気体流内に逆流するのを最小限に抑える。
【００１３】
前記およびその他目的を、ここで実施し、広範に記載されている本発明の目的に従って達成するために、本発明の捕捉装置は垂直方向に間隔をあけて備えられた複数の仕切りによって垂直方向に積み重ね配置された複数の部分またはプレナムに分割された第１捕捉チャンバを備えており、その部分またはプレナムは仕切りの開口部により液体が流れるように１つに接続されている。第２捕捉チャンバは好適にはハウジング内で第１次捕捉チャンバにより取り囲まれており、そして第１捕捉チャンバの複数の部分またはプレナムの内の最後または最下のものと液体が流れる関係で接続されている。第１捕捉チャンバは、内側の円筒形の壁により第２捕捉チャンバと隔てられ、外側の円筒形の壁により囲まれ封入されているのが望ましい。冷却システムは第１捕捉チャンバおよび第２捕捉チャンバの両方の表面から熱を取り除く。仕切りの開口部は、流路をより長くして、気流と第１捕捉チャンバ表面との接触部分を大きくするために、垂直方向にずらして取り付けることが好ましい。第１および第２チャンバ下の端壁内にある小排液口はリザーバーに接続されているが、リザーバーは第１および第２チャンバからの気体流路とは分離しているため、第１および第２チャンバ表面を流れて端壁に集められた凝縮液はこの小排液口内を流れてリザーバーに入り、流とは隔絶した形で貯蔵することができる。この小排液開口部とリザーバーとの間には弁が備えられ、第１および第２チャンバの真空を維持しながらリザーバーを空にして清掃するために一時的にリザーバーを取り外すことができ、完全ではないまでもこの小排液開口部から周囲水蒸気が第１および第２チャンバに入り込むのを最小限に抑えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の捕捉装置１０は、図１に示すように、その中で固体物質、例えば５酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜２１がウエハー基板２２上に蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）又は低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）反応チャンバの排気気体から生ずる凝縮液、これに必ずしも限定する訳ではないが、特にタンタルペンタエトキシド、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、即ち「ＴＡＥＴＯ」の捕捉、および除去に特に効率的且つ効果的に構成されている。当分野では良く知られているように、本質的に５酸化タンタル膜はタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を酸素（Ｏ２）またはオゾン（Ｏ３）雰囲気中またはキャリアガス中で前駆物質として用いる低圧化学蒸気蒸着（ＬＰＣＶＤ）により蒸着することができる。５酸化タンタルを生成するタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と酸素との１次反応は上記式（１）で、またオゾンとの反応では上記式（２）で示される。２次反応は少なくとも１次反応より格段に速い反応であり、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と水蒸気、即ちＨ２Ｏとの間で生ずるが、この水蒸気は式（１）または（２）の副生物の１つである。反応可能なＨ２Ｏが存在する限りタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）はこのＨ２Ｏと結合して式（３）に従い５酸化タンタルを急速に生成するが、特に温度が極めて高い、例えば約４５０℃の反応チャンバ２０内部で生成される。周囲温度または室温でのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と水蒸気間の反応もまた、固体の５酸化タンタルを急速に生成するが、このような周囲温度で生成された５酸化タンタルの構造は粗く、電子装置用の薄膜には適していない。それ故に反応チャンバ２０内でのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と酸素またはオゾン（式（１）または（２））との反応、およびタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）水（式３）との反応にふさわしい速度を得ると同時に電子装置へ使用が好適な高品質の５酸化タンタルを生成するには高温、例えば約４５０℃が必要とされる。しかし周囲温度または室温を含む低温で生成された固体５酸化タンタルは、パイプからすっかり取り除くことが難しく、そして以下詳細に説明する様に、反応チャンバ２０の下流にある真空システム３０内で真空ポンプを破損し、弁を詰まらせ、またその他の問題を起こすことがある。
【００１５】
一般的に反応チャンバ２０に接続された真空システム３０は、反応チャンバ２０の排気を行い５酸化タンタル蒸着中にチャンバ圧を約０．４〜２．０ｍｍＨｇに保ち、チャンバ２０から反応副生物を取り除くためのものである。典型的な運転では、反応チャンバ内で消費されるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）前駆体は、約１０〜２０％に過ぎない。必ずしも全てではないものの上記の初期反応（式（１）または（２））の副生物であるＨ２Ｏの大部分は一般には反応チャンバ２０内で２次反応（式（３））により消費される。残りの８０〜９０％のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）前駆体は反応チャンバからアルコール、ＣＯ２、および残った反応副生物のＨ２Ｏと共に、矢印２４で示すように真空システム内に排出される。
【００１６】
真空システム３０は、当分野では周知の通り、通常フォアライン２５によって反応チャンバ２０の排気ポート２３に接続されている真空ポンプ（非表示）を備えている。本発明の捕捉装置１０は、図１に示すようにフォアライン２５内に取り付けられる。上記のように捕捉装置１０は特にフォアライン２５内の排気気体から生ずるタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を捕捉し、除去することを目的とし、そしてタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が更に下流に移動して真空ポンプ（非表示）を破損しないよう設計されている。同じく上記のように、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は冷却されると液体に凝縮する。そのため捕捉装置１０の上流に位置するフォアライン２５の部分２６は、Ｄ．Ｈａｕｓｃｈｕｌｚらに交付された米国特許大５，７１５，７３８号のように加熱スリーブ２９で覆われ、排気気体流中のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を十分高温に維持し、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が捕捉装置１０に到達するまで凝縮しないようにすることが好ましい。例えばヒータースリーブ２９を使ってフォアライン２５の上流部分２６の温度を約１２５℃〜１５０℃に維持することで、上流部分２６内のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の凝縮は、捕捉装置１０にタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が到達するまで十分防ぐことができる。必要であれば、捕捉装置上流にあるフォアライン２５内に弁２８を取り付け、保守、修理、または交換のために捕捉装置１０を取り外す間反応チャンバ２０を閉鎖して隔離することができるが、このような取り外しは捕捉装置１０内またはその下流構成部品中のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液を周囲水蒸気に曝すことになるため望ましくない。この様な周囲水蒸気に曝されると、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液は水蒸気と反応して固体の５酸化タンタルを形成する。このような固体５酸化タンタルが捕捉装置内および真空システム３０の他の部分に形成されることを防ぐことが本発明の主要目的であるので、特に本発明によるリザーバーまたは排出溜１１を装備した場合、捕捉装置１０のこのような取り外し、または開放の必要が殆ど無いことは好都合である。捕捉装置１０は通常のフランジ付きフィッティング３１、３２またはその他漏れ防止パイプ接続装置もしくは方法によりフォアライン２５の上流部分２６および下流部分２７に接続することができるが、これらのことは当分野の技術者の知識と能力の範囲内である。
【００１７】
捕捉装置１０はハウジング４０内の気体流中のほぼ全てのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の濃縮を促進するため、捕捉装置下流から真空ポンプ（非表示）へ向かう残りの副生物の気体流中にはタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は実質上含まれない。排出溜１１は、好適には排液ライン１２によりハウジング４０に接続され、ハウジング４０を流れる気流９１、９２と排出溜１１内の液とが物理的に接触することを防ぐ形でタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液を捕捉し、保持する；そうでない場合、捕捉された液状のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の上を流れる気流９１、９２は再気化して、大量の霧状のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を下流に運び、それが捕捉装置１０の効率に悪影響を及ぼすことになる。捕捉装置１０を含む反応チャンバ２０および真空システム３０を、周囲環境から隔離し、必要であれば排出溜１１を取り外したままこれらを運転することができるように、排出溜の中身の抜き取り、保守、または交換するために取り外す前に、排液ライン１２を閉じることができるようハウジング４０と排出溜１１とを繋ぐ排液ライン中に弁１３を備えることができる。弁１３は手動でも、あるいは電気、真空または圧ソレノイドのようなアクチュエータ、または当分野技術者に既知の好適なアクチュエータ１４によっても作動させることができる。排出溜１１内のリザーバーが、抜き取りが必要な量のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液で満たされた時期を判断するための目視検査を行うのぞき窓１５を排出溜１１内に備えることができる。
【００１８】
以下で、より詳細に説明するように、捕捉装置１０はさらに、水などで冷却しタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮を促進することが望ましい。冷却剤供給ライン１６、１７を用い、水などの冷却剤を捕捉装置１０内に循環させることができる。
【００１９】
まず図２〜４を参照すると、捕捉装置１０は円筒外壁４２、頂端壁またはキャップ４４および底端壁またはキャップ４６を具備するハウジング４０を持ち、第１捕捉チャンバ５０および第２捕捉チャンバ９０を封入していることが望ましい。円筒外壁４２は、取り入れ金具３４が接続され、反応チャンバ２０（図１）からの排液または排気ガスを含む流入体を図４に矢印５１、５２で示す様にして第１捕捉チャンバ５０内に導く取り入れ開口部４３を備えている。頂端壁４４は、排出金具３５が接続され、実質的にタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が除去された排気気体を含む排出流を、矢印９７、９８、９９で示すようにして第２捕捉チャンバ９０の外に導く排出開口部４５を備えている。
【００２０】
好適実施態様では、図２〜７の捕捉装置１０、第１捕捉チャンバ５０は図４〜７に最も良く示されるように管状であり、そして第２捕捉チャンバ７０を取り囲んでおり、内側の円筒壁５４が管状の第１捕捉チャンバ５０と第２捕捉チャンバ９０とを隔てている。第１捕捉チャンバ５０は垂直方向に間隔を置いて位置する頂部仕切り５６、中央仕切り５７、および底部仕切り５８によって頂部６０、上方中央部６１、下方中央部６２および底部６３に分割されるのが好ましいが、流入体中のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）含有量の多少、または捕捉装置１０の物理的大きさの大小などの条件によっては、仕切りおよび第１捕捉チャンバ部分（非表示）の数がより少ない方が適当な場合と、より多い方が適当な場合がある。しかし上記の配置は一般的な５酸化タンタル蒸着チャンバおよび工程としてはほぼ最適であると考えられる。
【００２１】
とりわけタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を含む流入体５１が、図４の矢印５１、５２が示すように第１チャンバ５０内に流れ込むと、流入体は第１次チャンバ５０の頂部６０内にて円筒外壁４２や円筒内壁といった表面と接触して冷やされる。タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）はこのように冷却されて、凝縮する。このように凝縮したタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は主に液体として集まり、図４では滴６５、６６、６７、６８として図示されている。第１次チャンバ５０の頂部６０内で凝縮されたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液は、６９として図示されているように頂部仕切り５６によって捕捉される。捕捉装置１０内に水蒸気が全くない場合は、凝縮されたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）６９は液体の状態を保ち、以下詳細に述べるように、最終的に捕捉装置１０の底床４７と排出溜１１に流れ込む。
【００２２】
頂部仕切り５６にギャップまたは開口部７０があることで、矢印７５で示されるように第１チャンバ５０の頂部６０から上方中央部６１へ気体流は連続して流れることが可能で、そこで気体流中のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は、滴７３、７４で図示されるように、円筒外壁４２や円筒内壁５４などの表面に継続的に接触し冷却され、凝縮する。また頂部仕切り５６で捕捉された凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）６９は頂部仕切り５６にあるギャップまたは開口部７０に流入し、そして滴７１、７２で図示されるように、引き続き中央部５７まで流れることができ、そこで第１チャンバ５０の上方中央部６１内で凝縮されたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）と一緒に集められ、図示するように７６となる。
【００２３】
中央仕切り５７にギャップまたは開口部７７があることで、矢印７８で示すように気体流を第１捕捉チャンバ５０の上方中央部６１から第１捕捉チャンバ５０の下方中央部に流れ続けることを可能にし、そこで気体流中のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は滴８１、８２により図示されるように円筒外壁４２や円筒内壁５４などの表面に継続的に接触し冷却され、凝縮する。また中央仕切り５７上に捕捉された凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）７６は中央仕切り５７のギャップまたは開口部まで流れることができ、そこで凝縮体はさらに滴７９、８０で図示される様に底部仕切り５８に流れることができる。
【００２４】
底部仕切り５８にもギャップまたは開口部８３があり、これにより矢印８４で示されるように第１捕捉チャンバ５０の中央部下６２から底部６３内に気体流を流すことができる。気体流が第１チャンバ５０の底部６３に達するまでに、大部分のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が気体流から凝縮され（好ましくは少なくとも９０パーセント、より理想的には少なくとも９５パーセント）除去される。頂部、中央部および底部の各ギャップまたは開口部７０、７７、８３は全てが垂直方向に互いに一致する位置に配置されないことが好ましく、これにより気体流が矢印５２、７５、７８、８４で示されるように第１捕捉チャンバの頂部、上方中央部、および下方中央部それぞれの周囲を流れるようになり、第１捕捉セクション内に於ける気体流の表面への接触を最大にし、気体流中のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）分子の冷却を促進してタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮効率を高める。実際、中央部５７のギャップまたは開口部７７は、気体流路の長さを最大にすることで、頂部、上方中央部および下方中央部６０、６１、６２を通過する際の表面接触を最大にし、それにより第１捕捉チャンバ５０内での気体流からのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の凝縮および除去を最大にするために、それぞれ頂部および底部５６、５８のギャップまたは開口部７０、８３に対し角度にして約１８０°ずらして配置するのが望ましい。それぞれ仕切り５６、５７、５８にある開口部７０、７７、８３は、図５〜７に最も明確に示されているように、好適な角度ギャップを付けられ配置されている。しかし例えば仕切り５６、５７、５８を通り抜ける穴（非提示）のように、他に適した開口部の使用も可能である。
【００２５】
底仕切り５８に集められた凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液８５もまた底仕切り５８のギャップまたは開口部８３まで流れることができ、続けて滴８６で図示されるように、第１捕捉チャンバ５０の底部６３内へと流れることができる。底端壁またはキャップ４６の床表面４７は底端キャップ４６を貫通する排液口または排出開口部４８に向かって傾斜しており、集めたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮液８７を第１チャンバ５０の外に迅速に流しだし、排出管１２を介しリザーバー溜１１に送り易くすることが好ましい。タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮液８７は、必要があれば底部６３に集め、保持することができる。しかし、床表面上４７にプールされたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液は矢印４６により示される気体流に曝され接触することでタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液霧を形成し、および／又は気流９２内に再蒸発する傾向があり、そのことが捕捉装置１０のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）除去効率に悪影響を及ぼすことになる。従って、ＣＶＤ反応チャンバ２０（図１）での５酸化タンタル蒸着工程を中断することなしに捕捉装置１０のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）捕捉および除去効率を最大にし、運転寿命を増すためには、滴８８、８９（図４）が示すように底部６３から排出口１２を経由して排出溜１１内のリザーバーまでのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮液を迅速且つ連続的に除去し、それを捕捉装置１０の第１チャンバおよび第２チャンバを通り流れる気体流９１、９２から隔離し、接触しないようにすることが好ましい。排出溜１１内での気流９１、９２とタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液の致命的接触を避けるには、底端キャップ４６の排出開口部４８を可能な限り小さくしながら、なおも排出開口部４８を通るタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液８７の流れを妨げず、そして／または排出溜１１の設置場所を第１捕捉チャンバ４０の底部６３から充分離すことが好ましい。例えば、排出開口部４８の断面積は約２０ｃｍ２以下であることが好ましく、できれば１０ｃｍ２より小さく、そして穴の直径は約１０から２０ｍｍの範囲であることがさらに好ましく、そして／または排出溜１１が底部６３から少なくとも５〜２０ｃｍ離れていることが好ましい。
【００２６】
上記の頂部、中央部および底部仕切り５６、５７、５８を備えた第１捕捉チャンバ５０を含む第１捕捉セクションは、小型のパッケージまたはハウジング４０のなかで最適な表面接触を提供する。従って、第１捕捉チャンバ５０を通る気体流５２、７５、７８、８４が目詰まりし、または阻害されるのを防ぐのに十分な開放空間を第１捕捉セクション内の第１捕捉チャンバ５０の頂部、上方中央部、下方中央部、および底部６０、６１、６２、６３に供給し、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の凝縮および除去効率をもたらす。第１捕捉チャンバ５０でのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の凝縮効率は冷却システムによってさらに向上するが、この冷却システムは第２捕捉チャンバ９０内にコイルチューブ１００を含むことが好ましく、さらに図４に示すように、円筒内壁５４と接触して第１捕捉チャンバ５０の円筒内壁５４および仕切り５６、５７、５８からの熱伝導率を高めることも好ましい。コイルチューブ１００は冷却剤、例えば水を以下詳細に説明するように第２捕捉チャンバに導くが、同時に円筒内壁５４およびそこから外向きに放射状に突出する仕切り５６、５７、５８も冷却する。上記の如くこの第１捕捉セクションの構成は効率的であり、流入気体からタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を９９パーセントまたはそれ以上を除去できる上、圧力が大きく低下することも、第１捕捉チャンバ５０内への気体流が制限されることもない。タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は２０℃未満の温度で凍って固体となるので、コイルチューブ１００内の冷却水を約２０℃に維持すると、捕捉装置１０の連続的かつ効率的な運転が確保され、凝縮されたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は確実に妨げられることなく継続的に排出開口部４８に流れる。実験の結果、冷却チューブ１００内の冷却水を約２０℃に維持した場合には、捕捉装置１０内の気体流からタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の９６％が凝縮され、除去されることが判明した。しかし流入気体は反応チャンバ２０から捕捉装置１０内に熱を運び込み、そして冷却水とタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）間の熱交換は不完全かつ瞬時に完了しないため、捕捉装置１０の第１チャンバ５０内の凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は、流入気体中の熱により冷却水より数度高い温度に保たれる。そのために冷却チューブ１００内を流れる冷却水を約１８℃に保つことで捕捉装置１０のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の凝縮および除去効率を大巾に、例えば９９％まで上げることができ、さらに第１チャンバ５０内でタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が冷凍される事態を発生させない。
【００２７】
冷却コイル１００に、例えば１５℃のより冷たい冷却水を使用すると、９９％を越える効率を得られるが、それでは流入する熱が不十分であり捕捉装置１０内では、特に第１チャンバ５０の底部６３では、気体流９２があったとしてもほとんど流入熱をもはや保持していないため、凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の固体凍結を防止できなくなる可能性がある。そのため約１８℃未満の冷却水温度、例えば約１５℃を採用する場合には、床表面４７にある凍結タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を溶解し、それが排出開口部４８に連続的に流れ第１チャンバ５０の外に出るようにするために、図４に例示した電気加熱コイル４９のような加熱装置を備える必要がある。加熱装置４７から常に熱を加えることは、確かに冷たい冷却剤を用いて高めた凝縮効率には逆効果を与えるが、このような熱を例えば１ヶ月に１〜２回間欠的に加えて捕捉装置１０内の床表面４７またはその他の場所に蓄積した凍結タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を溶解すれば、捕捉装置１０の最高効率での作動を十分に維持できる。
【００２８】
上記のように第１捕捉セクションの気体流から少なくとも９０パーセント、好適には９５パーセント以上のタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）が除去できれば、気体流９１、９２、９３内に残存するタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は第２チャンバ９０を含む第２捕捉セクション内で除去できるが、そこで気体流は高密度構造の気体分散および冷却面の中を目詰まりや深刻な圧力低下なしに通される。そのため、捕捉装置１０の好ましい第２捕捉セクションは、図４に最もよく示されているように、第２捕捉チャンバ内でお互いに縦軸方向に間隔を開け配置された、複数の円錐状穴あきバッフル１０２、１０４、１０６を備えている。この穴のあいたバッフル１０２、１０４、１０６は周りを、接触する形でコイル状の冷却チューブ１００で取り囲まれている。バッフル１０２、１０４、１０６はさらに中心部の冷却導管１００とも接しているが、この冷却導管は冷却チューブ１００と接続されており冷却装置の１部を形成している。その結果、図４に矢印９１、９２、９３で示すように、第１捕捉チャンバ５０から出て第２捕捉チャンバ９０内に入る気体流は矢印９４、９５、９６で示されるように円錐状バッフル１０２、１０４、１０６の穴から広く分散させられ、バッフル１０２、１０４、１０６の広い冷却面ならびにコイル型冷却チューブ１００および中央冷却導管１１０の表面と密に接触するようになり、気体流とこれら表面との間の接触と熱交換は最大になる。このような接触と熱交換は、残存する５から１０パーセントのタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を気体流から除去するのに効果的であり、残留するタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は約１〜２パーセントと無視できる程度で、上記のように、より冷たい冷却水を用いれば１パーセント未満になる。上記の第２捕捉セクションで捕捉して除去するべきタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は約５〜１０パーセントまたはそれ以下に過ぎないため、第２捕捉チャンバ９０内の凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液の量は極めて少量であり、穴あきバッフル１０２、１０４、１０６または第２捕捉チャンバ内のその他の気体流路を詰まらせることはない。いかに少量であっても、第２捕捉チャンバ９０で集められた凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液は、バッフル１０２、１０４、１０６の穴を通り、第１捕捉チャンバ５０の底部６３内に流れこみ、そしてそこから第１捕捉チャンバ５０より出てきたタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液８７と共に上述したように排出溜１１に排出できる。実質的に全て、例えばタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）の９９パーセント以上が除去された排気流９７、９８は、排気フィッティング３５を通り捕捉装置１０から真空ポンプ（非表示）に流れ出る。
【００２９】
上記の如く、排出溜１１（図１および２）が一杯になり、抜き取る必要があると判断されると、弁１３を閉じ、排出溜１１はパイプフィッティング１８の位置で捕捉装置１０から取り外すことができる。弁１３を閉じると、捕捉装置１０のハウジング内の真空を維持することができ、５酸化タンタル反応／蒸着チャンバ２０の運転は中断されることなく続けられる。このように弁１３を閉じ、排出溜１１を外した状態で運転を継続している間は、凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）液は底部６３（図４）に短時間貯められる。従ってＣＶＤ反応チャンバ２０（図１）内の５酸化タンタル蒸着工程を続けながらでも排出溜１１を外し、中身を抜き取り、洗浄することができる。排出溜１１から抜き取られた凝縮タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は、そのまま前駆物質として５酸化タンタル蒸着工程に再使用可能な純度は満たしていないが、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）は極めて高価であり、当分野の技術者が既知の如く、反応チャンバ内で前駆物質としての再使用するためにタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を再処理し回収することは可能であるが、これは本発明の一部ではない。排出溜１１を捕捉装置１０の排液ライン１２に再度取り付ければ、弁１３を再開放して底部６３（図４）に貯まったタンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）を排出溜１１に排出することができ、ＣＶＤ反応チャンバ２０の運転は中断あるいは停止することなく続けられる。
【００３０】
いずれは捕捉装置１０も分解して掃除する必要がある。捕捉装置に周囲水蒸気が入らないように努めても、反応チャンバからの気体流中に含まれる少量の水蒸気、あるいはより可能性のある捕捉装置１０への水蒸気の逆流によって、仕切り５６、５７、５８またはバッフル１０２、１０４、１０６の上には時間の経過とともに少量の固体の非晶質５酸化タンタルが蓄積することがある。捕捉装置１０を分解するため、円筒外壁４２の底にある外周リム１１６の穴１１４からボルト１１２を取り外すことができ、それにより底端キャップ４６をハウジング４０から取り外すことができる。次にコイル型チューブ１００、中央冷却導管１１０、穴あきバッフル１０２、１０４、１０６を備えた第２捕捉組立体を第２捕捉チャンバ８０から引き出すことができる。円筒内壁５４に取り付けられている（溶接などで）仕切り５６、５７、５８を備えた第１捕捉組立体を円筒外壁４２から引き出すことができる。
【００３１】
コンパクト性と空間効率の観点からは、上記のように第１捕捉チャンバ５０が第２捕捉チャンバ９０を取り囲むことが好ましいが、この構成の変型もまた機能すると思われる。例えば、そのような変型は図面表示してないが、上記説明から本発明の機能的構造的特徴をひとたび理解すれば、第１捕捉チャンバ５０が第２捕捉チャンバ９０を取り囲むのは一部のみでもよいこと、また第１捕捉チャンバ５０の底部６３と第２捕捉チャンバ９０の間に流体流れ接続が備えられていれば、第１捕捉チャンバ５０は第２捕捉チャンバ９０の上でも、下でも、また横に配置してもよいことは明らかである。
【００３２】
その他変型としては、１部または全ての仕切り５６、５７、５８を水平ではなく傾斜をつけて、円筒内壁５４の周囲に螺旋状または部分的螺旋状に設置することができる。
【００３３】
さらに別の変型として、バッフル１０２、１０４、１０６を平坦または水平にすること、あるいはそれらを円錐ではなく半球型または風船型にすること、あるいは１つまたは複数の螺旋構造をとることもできる。さらに、穴のあいた表面に代わり、バッフル１０２、１０４、１０６をスクリーンまたはメッシュで作り、気体流を分散し第２捕捉チャンバ９０での気体流の表面接触を高めることもできる。
【００３４】
第１チャンバ５０に入る気体流取り入れ開口部４３を、円筒外壁４２を通す代わりに頂端壁４４を通すように配置することも好適な変型である。同様に、出口を図４に示すように上端壁４４を通して伸ばす代わりに、第２チャンバ９０の外に開く出口をチューブまたは開口部と仕切り（非表示）を使って第２チャンバ９０から円筒内壁５４を通り、第１チャンバ５０を経て、円筒外壁４２に通すようにすることができる。さらに円筒内壁５４は底壁４６にまで伸ばすことができ、このように伸びた円筒壁に貫通する開口部を１つあるいは複数設けて、第１チャンバ５０から第２チャンバ９０に入る気体流と、タンタルペンタエトキシド（ＴＡＥＴＯ）凝縮液の排液開口部４８への流れに対処することができる。
【００３５】
当分野の技術者にとって上記方法および構造に関するこれらの、あるいは他の多くの改良および組み合わせは容易であるため、本発明を例示の構造および工程に限定することは望ましくない。従って、例えば本発明の範囲内に入るあらゆる改良および等価体は、クレームにより規定される手段とすることができる。「備える」、「備えている」、「含む」および「含んでいる」という言葉は、本明細書および添付のクレームに使用される場合には、記載の特徴または段階の存在を明記することを目的としているが、それらは１つまたは複数の他の特徴、段階、またはそのグループの存在、または追加を排除するものではない。特記無い限り、「約」という語は、凝縮効率に関連して使用する場合±１．０％を、温度に関連して使用される場合には±１．０℃を、断面積に関連して使用される場合には±１．０ｃｍ２を意味する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
本明細書に含まれ、その一部を成す添付図面は、本発明の好適実施態様を描写するものであり、記述と共に本発明の原理を説明するものである。
【図１】５酸化タンタルＣＶＤ反応チャンバ用排気システム内に取り付けられた状態の本発明による凝縮液捕捉装置の線図式正面図である。
【図２】本発明による凝縮液捕捉装置の等測図である。
【図３】図２の凝縮液捕捉装置の上平面図である。
【図４】図３の断面線４−４に沿った凝縮液捕捉装置の断面図である。
【図５】図４の断面線５−５に沿った凝縮液捕捉装置の断面図である。
【図６】図４の断面線６−６に沿った凝縮液捕捉装置の断面図である。
【図７】図４の断面線７−７に沿った凝縮液捕捉装置の断面図である。
【図１】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004538127.tif 000044