(57)【要約】放射作用によるウェハ加熱後に、処理された半導体ウェハを急速に冷却する方法を提供する。本方法は、放射作用によるウェハ加熱後に、処理済みウェハ（２４）と高反射面（３２）との間に放射吸収材料エレメント（３４）を導入することを含む。高反射面（３２）は、処理済みウェハ（２４）及び周りの構成要素からの放射エネルギーを、反射し、処理済みウェハ（２４）に再度向けて、冷却プロセスを妨げる。放射吸収材料エレメント（３４）は、一度、処理済みウェハ（２４）と高反射面との間に配置されると、処理済みウェハ及び周りの構成要素からの放射を吸収し、冷却プロセスを促進する。従って、冷却プロセス時間が、かなり減少するので、全体のウェハスループットが改善される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを処理する方法であって、該方法は、
プロセスチャンバー内においてウェハ支持物上に半導体ウェハを配置し、
前記ウェハを高温で処理し、
前記ウェハ処理後に、反射面と前記ウェハとの間の位置に放射吸収媒体を移動させ、
前記媒体を、前記ウェハから約２ｍｍを超える間隔をおいて配置することを含み、
前記ウェハを、前記高温度から冷却することができる半導体ウェハ処理方法。
【請求項２】
前記放射吸収媒体は、熱源と前記ウェハとの間に配置される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記媒体は、特に赤外領域に高放射率を有する固体、液体または気体である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
半導体ウェハを処理する方法であって、該方法は、
半導体プロセスチャンバー内においてウェハ支持物上にウェハを配置し、
前記ウェハを処理温度まで加熱し、
前記ウェハ加熱後に、前記プロセスチャンバーの外部に配置した放射吸収媒体を反射面と前記ウェハとの間の位置に移動させることを含む半導体ウェハ処理方法。
【請求項５】
前記放射吸収媒体は、前記放射性の熱源と前記ウェハとの間に配置される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
次のウェハを処理する前に、前記位置から前記媒体を取り出すことをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項７】
半導体処理装置であって、該装置は、
半導体基板またはウェハを配置して処理するプロセスチャンバーと、
前記基板を支持するための、前記プロセスチャンバー内の基板支持物と、
前記半導体ウェハに放射エネルギーを供給するように、前記プロセスチャンバーの外部に配置された熱源と、
前記熱源の外部に配置され前記ウェハへの前記エネルギー伝達を促進する、高反射コーティングされた反射面と、
可動な放射吸収材料エレメントであって、前記プロセスチャンバーの外部に配置されており、半導体プロセス後に、前記反射面と前記半導体ウェハとの間に配置されて、前記半導体ウェハを冷却することができる前記放射吸収材料エレメントと、
を備える半導体処理装置。
【請求項８】
前記熱源は、前記ウェハの上下に配置された複数の放射性の熱源を含む請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ウェハの上下に配置された複数の反射面をさらに備える請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記熱源と前記ウェハとの間に配置される放射吸収媒体をさらに備える請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記チャンバーは、二重壁の間に空間を有する二重壁石英チャンバーを含む請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記二重壁の間に可動な放射吸収媒体をさらに含む請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記媒体は、水である請求項１２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、概ね、半導体プロセス装置に関し、さらに詳細には、基板を急速に冷却するための方法及び装置に関する。
【０００２】
（発明の背景）
今日の集積回路（ＩＣ）の開発には、多数の半導体プロセスステップが、含まれている。シリコン基板を最初に製作し最後にパッケージングして検査するまでに、集積回路製造は、フォトリソグラフィー、ドーピング、エッチング、及び薄膜堆積を含む多くの製造ステップを含んでいる。これらのプロセスの多くのためには、温度が、所望の膜性質及び特性を得るための基本要因である。薄膜金属及び誘電体の特性は、抵抗及び容量値のような電気特性に影響するので、デバイス速度や消費電力のようなＩＣ性能特性に直接影響する。
【０００３】
殆どの半導体プロセスにおいて、伝導及び対流による加熱と比べて急速に加熱可能であることから、放射加熱が、好ましい加熱方法である。シングルウェハ、またはウェハバッチが処理されているシステムにおいて、ウェハのスループットは、各ウェハまたはウェハの各バッチが加熱され続いて冷却される速度の影響を受けることになる。放射による加熱が利用されるこのようなシステムにおいては、急速な冷却方法が、放射作用による急速加熱によって達成される高いウェハスループットを損なわないように補償すべきである。
【０００４】
（発明の概要）
これら及び他の要請は、本発明のいくつかの態様により満たされる。
【０００５】
本発明の一態様によれば、半導体ウェハを、プロセスチャンバー内のウェハ支持物すなわちサセプタ上に配置し、温度を上昇させ、半導体プロセス後に、放射吸収媒体または放射吸収材料エレメントを、放射面とウェハとの間に配置する。放射吸収材料エレメントは、ウェハから約２ｍｍより広い間隔をおいて配置する。媒体は、処理済みウェハを高温度から冷却することができる。
【０００６】
本発明の別の態様によれば、半導体プロセスチャンバー内においてウェハを処理する方法が提供される。半導体ウェハを、プロセスチャンバー内においてウェハ支持物上に配置する。ウェハ加熱後に、放射吸収材料エレメントを、反射面とウェハとの間に配置する。放射吸収材料エレメントを、プロセスチャンバーの外部に配置する。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、プロセスチャンバーと、チャンバー内のウェハ支持用支持物すなわちサセプタとを有する半導体処理装置が、提供される。複数の熱源を、半導体ウェハに放射エネルギーを供給するようにプロセスチャンバーの外部に配置する。熱源の外部に配置する高反射面は、ウェハへの放射エネルギーの伝達効率を上げる。ウェハ冷却のために、半導体プロセスの後、可動な放射吸収材料エレメントを、反射面と半導体ウェハとの間に配置する。
【０００８】
有利には、好ましい方法では、半導体プロセス終了後に、ウェハ冷却プロセスを促進することにより、従来の方法よりも時間がかなり節約される。反射面とウェハとの間に放射吸収材料エレメントを導入することによって、処理済みウェハの冷却速度を一般に低減させることになる、放射のウェハへの反射が妨げられる。従って、逆に言えば、処理済みウェハを急速に冷却することによって、ウェハのスループット全体が改善される。
【０００９】
本発明のさらなる目的及び利点は、図面及び後に続く説明を検討することにより明らかとなる。
【００１０】
（好ましい実施形態）
上に言及したように、半導体デバイス及び構成要素の多数の製造プロセスは、加熱及び冷却を含んでいる。生産性すなわちスループットは、プロセスまたはシステムが、いかに速く加熱または冷却を行うかに時として左右される。
【００１１】
急速熱プロセス（ＲＴＰ： Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ）のような多くのプロセスにおいて、放射は、基板を加熱する主要な手段である。本システムは、加熱を促進するために多くの反射により放射の大部分がシステム内に入るように、設計されている。高反射コーティングがプロセスシステム内にあることによって、放射熱源からのエネルギーが、反射されてウェハへ再度効率よく向けられる。
【００１２】
同様に、基板が処理されている時にまたはその後に、被加熱基板からの放射によっても、エネルギーが、放射され、結果として高反射コーティングに当たり反射されることになる。半導体加熱プロセス中に、被加熱基板からの放射を反射することによって、処理中の基板の加熱速度がさらに促進されることになる。
【００１３】
しかしながら、逆に言えば、システム内に多くの反射による放射を含むことは、冷却プロセスを著しく妨げる。多くのプロセスでは、冷却剤を別途導入せずに、放射熱源からのエネルギーを止めるかまたは弱めることにより、被加熱基板を冷却することが好ましい。被加熱基板が放射した放射エネルギーの反射は、従って、被加熱基板の冷却を妨げることになる。その結果、冷却が遅くなり、製造の生産性すなわちスループットが直接制限される。
【００１４】
一般に、熱伝達プロセスは、伝導、対流及び放射の３つの基本的なメカニズムまたはモードにより起こる。放射による熱伝達（ｑｒ）は、放熱または吸熱のいずれかであり、式ｑｒ＝σΑεＴ４で表され、該式において、σは、シュテファン・ボルツマン定数、Αは、熱伝達体の表面積、εは、放射率、Ｔは、熱伝達体の絶対温度である。従って、放射による熱伝達は、温度の一乗にのみ比例する伝導または対流による熱伝達よりも、高温域において、より重要になり得る。この式は、放射による熱伝達が、表面積を大きくすることにより、及び、高放射率材料を使用することにより、促進され得ることも示している。さらに、放射による熱伝達は、電磁波の形態であって、伝導及び対流とは異なり、エネルギーを移動させる材料媒体を含んでいない。従って、放射熱は、伝達、反射及び吸収され得る。
【００１５】
典型的なプロセスモジュールは、熱源、プロセスチャンバー、サセプタ、リングアッセンブリ、高反射コーティング及びウェハのようなエレメントを含んでいる。殆どの半導体プロセスは、半導体基板すなわちウェハを所望の高温度まで加熱することを含んでいる。結果として、プロセスモジュールは、ウェハのすぐ上にかつ時に下に熱源を配置することにより、熱源からのエネルギーをウェハ面に効率よく伝達するように、設計されている。典型的には、ウェハは、プロセスチャンバー内においてウェハ支持物すなわちサセプタ上に配置される。チャンバーは、サセプタ及びリングアッセンブリを収容しており、ロボットアームが、加工のために半導体ウェハを出し入れすることを可能とする。
【００１６】
好ましいプロセスチャンバー
図１は、好ましい実施形態により構成され石英プロセスチャンバー３０を含むプロセスモジュール１０を示しており、該プロセスモジュール１０のための、本明細書に開示した方法は、特定の有用性を有している。このプロセスモジュールの構造は、基板１枚ずつにシリコンをエピタキシャル成長させることを含む、いくつかの異なる種類の層を化学的気相成長（ＣＶＤ）させるのに利用され得る。
【００１７】
複数の熱源が、プロセスチャンバー３０の外部に支持されており、熱エネルギーをプロセスチャンバー３０及びその内容物に供給するが、石英チャンバー３０の壁にはそれ程度吸収されない。好ましい実施形態では、半導体ウェハを処理するための「コールドウォール」ＣＶＤリアクターに関連して説明しているが、ここに説明した加工方法は、誘導加熱または抵抗加熱を行うシステムのような他の加熱及び冷却システムについて有用性があることが理解されよう。
【００１８】
好ましい実施形態において、複数の熱源は、放射熱ランプ２０を含む。図１によれば、放射熱ランプ２０は、石英プロセスチャンバー３０の上下に配置され、石英プロセスチャンバー３０の水平面に平行に配置されている。上下の放射熱ランプ２０は、プロセスチャンバー３０の外部にあり、石英プロセスチャンバー３０及びその中の内容物の方向に放射エネルギー２２を供給する。
【００１９】
シリコンウェハ２４のような基板が、石英プロセスチャンバー３０内においてウェハ支持物すなわちサセプタ２６上に支持された状態で示されている。図示した実施形態の基板は、単結晶シリコンウェハであるが、「基板」という用語は、広く、層を堆積させる種々の面に関するものと理解されることに留意されたい。石英プロセスチャンバー３０内の半導体ウェハ２４及びサセプタ２６は、石英プロセスチャンバー３０及び放射熱ランプ２０の水平面に平行である。
【００２０】
高反射面３２は、好ましくは、放射熱ランプの裏側にあり、石英プロセスチャンバー３０及びその内部の内容物の上下を取り囲み得る。高反射面３２は、図１において線２２で表したように、放射熱ランプ２０からウェハ２４への放射エネルギー伝達を促進して効率を上げる。さらに、石英プロセスチャンバー３０内から放射される放射エネルギー２２はまた、図２において放射双方向線で示したように、高反射面３２から石英プロセスチャンバー３０及び内容物の方へも反射し得る。
【００２１】
図１及び図２において、可動な放射吸収媒体または放射吸収材料エレメント３４が、プロセスモジュール１０の外部に図示されている。図３においては、可動な放射吸収材料エレメント３４は、プロセスモジュール１０の内部に配置され、石英プロセスチャンバー３０及び放射熱ランプ２０の水平面に平行に位置調整され、チャンバーとランプとの間に配置される。
【００２２】
図３の放射吸収材料エレメント３４は、チャンバー３０の外部にあるが、当業者は、チャンバー３０内を含む他の位置における放射吸収材料エレメント３４の有用性を理解するであろう。代替実施形態において、放射吸収材料エレメント３４は、プロセスチャンバー３０内に導入され得るが、ウェハの粒子汚染を最小限とするためにウェハ２４から十分に離す。放射吸収材料エレメント３４とウェハ２４との間には、好ましくは約２ｍｍを超える、さらに好ましくは約５ｍｍを超える、最も好ましくは約１ｃｍを超える間隔をおく。
【００２３】
別の代替実施形態において、プロセスチャンバーは、二重壁石英チャンバー４４を備えている。図４によれば、二重壁石英チャンバー４４は、その中を放射吸収媒体が流れ得る入口３８及び出口４０を備えている。水などの放射吸収媒体３６を、図５に示したようにシート状の形態で入口３８から流入させ出口４０から流出させることができる。シート状の水の層流３６は、各二重壁の表面積の、好ましくは約８５％を超える表面積、さらに好ましくは約９０％を超える表面積、最も好ましくは約９５％を超える表面積を覆うように、二重壁石英チャンバー４４の壁同士の間を流れる。
【００２４】
半導体プロセス
図６のフローチャートに示すように、好ましい方法における第１のステップ１００は、石英プロセスチャンバー３０内に基板すなわち半導体ウェハ２４を搬入することである（図１）。ロードアーム（図示せず）が、石英プロセスチャンバー３０内に半導体ウェハを差し込み、ウェハ支持物すなわちサセプタ２６上に配置する。半導体ウェハ２４が、一度、サセプタ２６上に固定されると、ロボットアームは、石英プロセスチャンバーから引っ込み、半導体プロセスが開始可能となる。
【００２５】
図６のフローチャートを再度参照すると、半導体ウェハが、好ましい石英プロセスチャンバー３０内に搬入された後、基板を加熱すること１０２を含み得る半導体プロセスが、始まる。図１に示した実施形態によれば、半導体ウェハ２４に放射エネルギー２２を伝達するために、放射熱ランプ２０を利用することが好ましい方法である。所望の半導体プロセスを開始するために、放射熱ランプ２０を付けて、すなわち、所望の高温度まで温度を上昇させることができる。さらに、高反射面３２によって、放射熱ランプ２０から半導体ウェハ２４への放射エネルギー２２の伝達の効率が更に促進される。放射熱ランプ２０からの放射エネルギー２２は、高反射面３２で反射し、半導体ウェハ２４へ跳ね返る。
【００２６】
図６に示した好ましい方法における次のステップは、半導体ウェハの処理１０４である。所望の高温度は、半導体ウェハ２４が受ける処理１０４の種類により異なり得る。１つの特定のウェハ処理は、エピタキシャル成長と呼ばれるＣＶＤプロセスである。エピタキシャル成長の成長温度は、シリコンエピタキシャル成長に使用する化学物質源により異なる。例えば、シリコンソースとして四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）を使用することが望ましい場合、所望の成長温度は、約１１５０〜１２５０℃の範囲となる。その温度域でＳｉＣｌ４を使用することによって、プロセスチャンバー壁上にごくわずかしか成長が起こらないので、洗浄回数が低減することが、有利である。これによって、今度は、プロセスチャンバーの壁の内壁から剥落するシリコンが最小限となることから、粒子汚染を低減する結果となる。しかしながら、このような高い処理温度ではオートドーピング及び外方拡散がかなりあり、これらは、敏感な半導体デバイスの製造においては一般に望ましくない。
【００２７】
しかしながら、それとは異なり、シラン（ＳｉＨ４）のようなシリコンソースを使用する際は、温度を、わずか９５０〜１０５０℃の範囲とすることができる。これらの低い温度域によって、より高温で堆積する膜に比べると、オートドーピング及び外方拡散が、実質的に少なくなる結果になる。しかしながら、これらの温度でＳｉＨ４を使用することについての最も重要な欠点は、低温で分解して、プロセスチャンバー壁上に大量の堆積物が生じかねないことである。これによって、今度は、プロセスチャンバーを頻繁に洗浄する必要が生じて、実質上のスループットが低減することになる。他の処理には、エッチング、アニーリング及び拡散のようなプロセスがあり、それらの全ては、プロセス温度域が異なり得る。
【００２８】
冷却方法
殆どの処理方法は、一般に、物理的プロセス、化学的プロセス、またはウェハ搬送プロセスであり得る次のプロセスに進む前に、続いてウェハを冷却する必要を共に有している。ウェハ加熱プロセス１０４が終了した後、ロボットアーム（図示せず）がウェハ２４を取り出し次の送り先に搬送する前に、一般に、ウェハ２４を多少冷却することができる。そうしなければ、半導体ウェハの後加工温度が高いことによって、処理済みウェハを入れるプラスチックカセットのような感熱性材料に損傷を与える可能性がある。さらに、ロボットアームは、高いプロセス温度に加熱された基板の操作に耐えることができない。高いプロセス温度に耐えることができるロボットアームはまた、高価となり過ぎる場合もある。加工後にウェハを冷却するためには、ウェハが、ロボットアームまたはウェハハンドラーにとって少なくとも十分な程度に冷えるまで、熱源を弱くするかまたは止めておく。さらに、搬送及び保管に安全な温度まで半導体ウェハを単に冷却することに加えて、冷却は、ウェハのスループットを妨げない程度に速やかに行うべきである。例えば、ウェハスループットは、被加熱ウェハ２４が放射する放射エネルギー２２により損なわれる可能性がある。図２に示したように、放射エネルギー２２は、処理済みウェハから高反射面３２へ放射され、処理済みウェハへ反射し得る。その結果、処理済みウェハ２４の冷却は、緩やかになり遅くなり得る。
【００２９】
高ウェハスループット要件は、示した図３の実施形態により満たされる。図６を再度参照すると、好ましい方法における次のステップは、放射吸収媒体または放射吸収材料エレメント３４を導入すること１０６により半導体ウェハ２４を冷却することである。表面の、放射による放射能力または吸収能力は、放射率という用語で知られている。完全黒体は、完全に放射エネルギーを放射または吸収する理想体であり、放射率１．００を有するものと定義され、また、それ以外のあらゆる表面は、１．００未満の小数値で示されるより低い放射率を有するものと定義される。放射吸収材料エレメント３４に適切な媒体の例として、特に、赤外線について高放射率を有する固体、液体及び気体がある。例えば、０．９５〜０．９６３の範囲の放射率を有する水は、赤外線を効率よく吸収する。被加熱ウェハ２４が放射する光の波長を吸収する放射吸収材料エレメント３４を、選択することが好ましい。この吸収特性によって、処理済みウェハ２４及び支持サセプタ２６のようなエネルギー放射体の冷却が促進されると有利である。
【００３０】
可動な放射吸収材料エレメント３４は、取り扱い安全温度まで急速に半導体ウェハを冷却するために利用することが好ましい。高温加工後に、赤外線を、特に１０μｍの範囲の赤外線を効率よく吸収する放射吸収媒体または放射吸収材料エレメント３４を利用することは、処理済みウェハ２４を急速に冷却する好ましい方法である。半導体加工後に放射吸収材料エレメント３４を導入することによって、処理中の放射エネルギーの伝達が妨げられることはなく、ウェハ２４及びサセプタ２６のような周囲の構成要素の冷却が促進される。図３に示した実施形態によれば、放射吸収材料エレメント３４は、石英プロセスチャンバー３０のいずれかの側に配置され、ウェハ２４と平行である。プロセスチャンバー３０内においてエネルギー放射体を冷却する必要がある場合、放射熱ランプ２０を、止めるかまたは弱くして、放射吸収材料エレメント３４を、放射熱ランプ２０とプロセスチャンバー３０との間の位置に移動させる。放射エネルギー２２は、加熱処理されたウェハ２４及び支持サセプタ２６を含むエネルギー放射体から放射吸収材料エレメント３４へ移動して、その結果、冷却が促進される。
【００３１】
図示された別の実施形態によれば、図４は、放射を吸収する手段として水３６の利用を示している。二重壁石英チャンバー４４によって、水は、二重壁石英プロセスチャンバー４４の壁内部を流れ、高吸収材料として機能させることができる。水は、放射、特に赤外領域における放射を効率よく吸収する材料である。二重壁石英チャンバー４４には、好ましくは、ウェハ２４の処理期間中に水は無いので、放射熱ランプ２０からウェハへの放射エネルギー２２の効率のよい伝達が可能となる。プロセス終了後、処理済みウェハ２４の冷却は、二重壁石英チャンバー４４間に水３６を連続して流すことにより促進されることがさらに好ましい。水３６を、二重壁石英チャンバー４４の入口３８から流入させて出口４０から流出させる。図５を参照すると、水３６は、入口３８から流れ込み、二重壁石英チャンバー４４内においてシート状の形態に広がることが、好ましい。水３６のシート状形態の層流は、二重壁石英チャンバー４４の壁の間を流れて各二重壁の表面積の、好ましくは約８５％を超える表面積を、さらに好ましくは約９０％を超える表面積を、最も好ましくは約９５％を超える表面積を覆う。二重壁石英チャンバー４４内の水３６をシート状形態にすることによって、吸収表面積を大きくすることができることが有利である。水のシート状形態の層流は、処理済みウェハ２４の温度が急速に下がり所望の温度となるまで、ウェハ２４及びサセプタ２６のようなエネルギー放射体からの放射エネルギー２２を吸収する。
【００３２】
図６のフローチャートを再度参照すると、好ましい方法における次のステップは、処理済みウェハ２４を搬出すること１０８である。半導体ウェハの処理１０４及び次の冷却１０６の後、ロードアーム（図示せず）は、ウェハハンドラ（図示せず）及び／またはウェハカセット（図示せず）を含み、処理済みウェハ２４を取り出して次の送り先へ安全に運ぶことができる。
【００３３】
一度、搬出されると、石英プロセスチャンバー３０は、処理１０２が施されるべき次のウェハ２４を搬入する準備がなされ得る。なお、図２は、次のウェハ２４を好ましい処理温度域まで急速に上昇させるために、放射吸収材料エレメント３４を、いかにプロセスモジュールの外部の位置に戻すことができるかを示している。プロセスモジュールの外部に放射吸収材料エレメント３４を配置することによって、放射熱ランプ２０から処理されるウェハ２４へ放射エネルギー２２を効率よく伝達できる。同様に、二重壁チャンバー４４間の水３６は、次に処理される半導体ウェハ２４のために排出することができる。
【００３４】
或いは、ウェハ２４及びサセプタ２６のようなエネルギー放射体からの放射エネルギー２２の吸収は、プロセスチャンバー内に放射吸収材料エレメント３４を導入することによっても起こり得る。半導体プロセスの一工程が行われ、続いて冷却の必要が生じた後、吸収材料媒体３４を、プロセスチャンバー３０内に導入することができるが、ウェハの粒子汚染を最低限にするのに十分ウェハ２４から離す。材料をごく接近させて配置することにより冷却すること、すなわち、伝導は、汚染の可能性を最低限とするためには避けることが好ましい。
【００３５】
従って、いくつかの目的及び利点は、説明した本発明に固有である。例えば、放射吸収材料エレメントを利用することによる放射冷却は、特に、放射加熱されるシステムまたはプロセスには、非常に効率よくかつ有効である。同様に、放射吸収材料エレメントの利用によって、同じシステムまたはプロセスにおいて放射により効率的かつ効果的に急速加熱するのと同様に、システムまたはプロセスが非常に急速に冷却される結果となる。冷却がプロセスに含まれる場合、放射吸収材料媒体の利用によって、プロセス時間も短くしかつ歩留まりまたはスループットも高くすることができる。さらに、放射吸収材料エレメントの利用によって、例えばシステムまたはプロセスチャンバー内部を流れるガスを増やす他の冷却方法よりもコスト効果も高くすることができる。放射吸収材料媒体の利用によって、必要に応じて、吸収媒体の放射率または放射吸収効率を調節することにより、冷却を調節することもでき、プロセスチャンバーの外部で放射吸収材料媒体を利用することによって、システムまたはプロセスへの汚染または粒子が生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ワークピースが加熱されている高温プロセス中のプロセスチャンバーの概略図である。
【図２】
エネルギーの再放射及び反射を図示した、半導体プロセス後の図１のプロセスチャンバーの概略図である。
【図３】
放射吸収媒体を含んだ、好ましい実施形態により構成したプロセスチャンバーの概略図である。
【図４】
二重壁石英チャンバー内に形成された水のシートを有した、本発明の別の実施形態により構成したプロセスチャンバーの概略図である。
【図５】
二重壁内における水のシート状形態の層流を図示した、二重壁石英チャンバの概略図である。
【図６】
好ましい実施形態によりウェハを冷却するステップの概略を示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際公開パンフレット】
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2004503074.tif 000010
2004503074.tif 000011
2004503074.tif 000012
2004503074.tif 000013
2004503074.tif 000014
2004503074.tif 000015
2004503074.tif 000016
2004503074.tif 000017
2004503074.tif 000018
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