(57)【要約】本発明は、半導体材料製ウェハーの自由表面の状態を改善するための、該自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなる方法に関する。本発明は、急速熱アニーリングの前に、急速熱アニーリングの際の点食開始を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を行い、急速熱アニーリングを非還元雰囲気中で行うことができることを特徴とする。本発明は、該方法により製造される構造にも関する。
2004535685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料製ウェハーの表面状態を改善するための、前記自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなる方法であって、急速熱アニーリングの前に、急速熱アニーリングの際の点食開始を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を含んでなり、前記急速熱アニーリングを非還元雰囲気中で行うことができる、方法。
【請求項２】
前記前処理が、前記表面区域を再構築するための高温アニーリングである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記高温アニーリングが中性の雰囲気中で行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記高温アニーリングの温度が６００℃〜１３００℃である、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記高温アニーリングの温度が８００℃〜１１００℃である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記前処理により、前記表面区域の攪乱された部分を除去することができる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記前処理が化学的攻撃である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記前処理が湿式エッチングまたは乾式エッチングタイプの処理である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記前処理が犠牲酸化である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記急速熱アニーリング工程の後に犠牲酸化を行う、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法を使用して得られる、ＳＯＩまたはＳＯＡ構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、一般的には材料の表面処理に、特にマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクス用途の部品を製造するための基材の処理に関する。
【０００２】
より詳しくは、本発明は、半導体材料製ウェハーの自由表面の状態を改善するための、該自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなる方法に関する。
【０００３】
「自由表面」とは、ウェハーの、外部環境（別のウェハーまたは別の部品の表面と接触するインターフェース表面に対して）に露出される表面を意味する。
【０００４】
「急速熱アニーリング」とは、Rapid Thermal Annealing（急速熱アニーリング）の略号であるＲＴＡ法と通常呼ばれる方法に従う、調整された雰囲気中での急速アニーリングを意味する。
【０００５】
本説明の残りの部分で、この方法は急速熱アニーリングまたはＲＴＡと呼ぶものとする。
【０００６】
材料ウェハーのＲＴＡアニーリングを達成するには、ウェハーを高温、場合により１１００℃〜１３００℃の範囲、で１〜６０秒間アニーリングする。
【０００７】
ＲＴＡアニーリングは、調整された雰囲気中で行う。本発明の好ましい用途では、この雰囲気は例えば水素およびアルゴンを含む雰囲気、または純粋なアルゴン雰囲気でよい。
【０００８】
本発明のこの好ましい用途では、該発明は、特許第ＦＲ２８８１４７２号に記載されているタイプの半導体材料の薄膜または層の製造方法との組合せで、特に有利に実行される。
【０００９】
上記特許の開示を再現する一方法は、SMARTCUT（登録商標）法と呼ばれる。該方法の主な工程を概略すると、下記の様になる。
−半導体材料（特にシリコン）製基材の埋込区域で、基材表面の下に原子を埋め込む原子埋込工程、
−埋め込まれた基材を剛化剤(stiffener)と緊密に接触させる接触工程、および
−埋め込まれた基材を埋込区域で分割し、基材の、埋込に供した表面と埋込区域の間に位置する部分を剛化剤上に移行させ、それによって半導体の薄膜または層を剛化剤上に形成する工程。
【００１０】
原子埋込とは、原子またはイオン化学種をウェハー材料中に打ち込み、埋め込まれた化学種の濃度が、打ち込んだ表面に対するウェハーの特定の深さで最大になる様にし、弱体化区域を限定する方法を意味する。
【００１１】
弱体化区域の深さは、埋め込まれる化学種のタイプおよびそれらの埋込エネルギーにょつて異なる。
【００１２】
本明細書では、一般的な用語「ウェハー」は該SMARTCUT（登録商標）タイプの方法により移行させた皮膜または層を意味するものとする。
【００１３】
従って、ウェハー（半導体材料製の）は、剛化剤および所望により他の中間層と結合していてよい。
【００１４】
本明細書では、用語「ウェハー」は、そのウェハーがSMARTCUT（登録商標）型の方法によって製造されていても、いなくても、半導体材料、例えばシリコン、のすべてのウェハー、層または皮膜を包含し、すべての場合における目的はウェハーの自由表面の状態を改善することである。
【００１５】
本説明の冒頭で述べた用途には、ウェハーの自由表面に関連する粗さの規格は非常に厳格であり、ウェハーの自由表面の粗さは、このウェハー上に製造すべき部品の品質をある程度決定するパラメータである。
【００１６】
従って、粗さ規格は、ｒｍｓ（ｒｍｓは２乗平均を意味する）値で５オングストロームを超えないことが多い。
【００１７】
粗さの測定は、一般的に原子力顕微鏡(Atomic Force Microscope)（ＡＦＭ）を使用して行うことが規定されている。
【００１８】
このタイプの装置では、粗さは、ＡＦＭ顕微鏡のチップにより走査される表面上で測定され、１ｘ１μｍ２〜１０ｘ１０μｍ２、より一般的には５０ｘ５０μｍ２、場合によっては１００ｘ１００μｍ２である。
【００１９】
粗さは、特に２つの様式により特徴付けられる。
【００２０】
第一の様式では、粗さは高頻度であり、１ｘ１μｍ２のオーダーで走査した表面に関連すると云われている。
【００２１】
第二の様式では、粗さは低頻度であり、１０ｘ１０μｍ２以上のオーダーで走査した表面に関連すると云われている。従って、指針として上に記載した５オングストローム規格は、１０ｘ１０μｍ２の走査表面に対応する粗さである。
【００２２】
公知の方法（SMARTCUT（登録商標）または他の方法）を使用して製造したウェハーは、特別な処理、例えば研磨、をウェハー表面に行わない場合、上記の値より大きな値を有する表面粗さを有する。
【００２３】
ウェハー表面の粗さを下げる公知の方法の第一のタイプは、ウェハーを「従来の」熱処理（例えば犠牲酸化）にかけることからなる。
【００２４】
しかし、この種の処理は、ウェハーの粗さを上記規格のレベルまで下げることができない。
【００２５】
実際、該従来の熱処理工程を繰り返すこと、および／またはこれらの処理を他のタイプの公知の方法と組み合わせ、表面粗さをさらに下げることは考えられるが、これには長い複雑な製法が必要である。
【００２６】
表面粗さを下げるための第二のタイプの公知の方法は、ウェハーの自由表面を化学的−機械的に研磨することである。
【００２７】
このタイプの方法により、ウェハーの自由表面の粗さを効果的に下げることができる。
【００２８】
ウェハーの自由表面の方向で欠陥濃度が増加する勾配を有する場合、この第二のタイプの公知の方法で、該ウェハーを妥当な欠陥濃度を有する区域まで研磨することもできる。
【００２９】
しかし、この第二のタイプの公知の方法には、ウェハーの有効層、すなわち部品を造り出すのに効果的に使用できる層、の厚さの一様性を犠牲にするという欠点がある。
【００３０】
さらに、この欠点は、上に記載した値の様な粗さ値を達成する場合の様に、ウェハー表面の主要な研磨を行った場合に増大する。
【００３１】
第三のタイプの方法では、ウェハーを調整された雰囲気中でＲＴＡアニーリングにかける。
【００３２】
この第三のタイプの方法は、一般的に満足のできる様式で、（特に有効層の厚さの一様性を損なうことなく）ウェハーの表面粗さを下げることができ、従って、重要な解決策を提供する。
【００３３】
しかし、この第三タイプの方法で、全体的に満足できる高頻度および低頻度粗さ値を実際に達成できるが、本出願者は、ウェハーをＲＴＡアニーリングにかけることにより、不具合が生じることがあることを見出した。
【００３４】
その様な処理を受けたウェハー（特にシリコンウェハー）の表面状態を細かく分析することにより、本出願者は、表面の全体的な粗さは十分であるが、非常に小さなサイズを有する孔が表面上に重なっていることを知見した。
【００３５】
その様な分析は、原子力顕微鏡を通した観察により行うことができる。
【００３６】
これらの小孔は、典型的にはサイズが深さ数ｎｍおよび直径数十ｎｍのオーダーにある。
【００３７】
これらの孔には、材料、例えばシリコン、の表面上に観察されることがある、いわゆる「点食」現象に帰せられる孔との類似性がある。
【００３８】
用語「点食」は、実用性の理由から本説明で使用するが、これらの孔の深さ／直径比は、通常の点食の場合に見られる比よりも小さい
【００３９】
より詳しくは、ここで我々が問題とする「点食」は、先行技術で一般的に記載される「点食」現象とは異なった原因を有する。
【００４０】
先行技術で云う点食は、一般的にウェハー材料の厚さ中に埋め込まれた欠陥によるものである。
【００４１】
これらの欠陥は、熱処理（例えばウェハーの表面状態を改良するための熱処理）により攻撃されることがある。
【００４２】
従って、先行技術では、点食の現象は、埋め込まれた欠陥の攻撃により発生した孔に関連する。
【００４３】
これに関して、これらの埋め込まれた欠陥、特に「ＣＯＰ」タイプの欠陥（ＣＯＰは、結晶に由来する粒子を意味する）、の特徴を記載する特許出願第ＥＰ１１５８５８１号を参照するとよい。例えば、この特許出願の１頁、４８〜５４行を参照するとよい。
【００４４】
また、この出願は、低頻度粗さ（１０ｘ１０μｍ２のオーダーにおける走査表面）に関連する、粗さの「長期間」成分だけを記載しており、粗さの高頻度成分は処理していない（特にこの出願の１０頁、５４〜５５行参照）ことも分かる。これに対して、本説明で「点食」と呼ばれる現象は、高頻度粗さにも関連する。
【００４５】
他の特許、例えばＥＰ１０４５４４８またはＦＲ２７９７７１３、では、先行技術により規定される「点食」に関するこの同じ処理目的も見られる。
【００４６】
これらの特許で述べられている「点食」は、本発明で云う「点食」ではない。
【００４７】
例えば、ＥＰ１０４５４４８は、標的とする欠陥が「ＣＯＰ」タイプの欠陥であることを規定しているが、これらの欠陥は、我々の見る所、埋め込まれた欠陥であり、その攻撃はかなり深い孔を生じると思われる。
【００４８】
従って、ＥＰ１０４５４４８は、ＣＯＰＳがＳＯＩタイプ構造の埋め込まれた酸化物層まで下方に伸びることがある（第２欄、５５行など）［すなわち、これらの欠陥は、材料の厚さ中に、シリコンの有効層（厚さが典型的には数千オングストロームに達することがある）の下に位置するこの埋め込まれた酸化物層まで伸びることがある］と規定している。
【００４９】
従って、対応する「点食」孔の深さは、ＥＰ１０４５４４８の場合、これらの数千オングストロームの値に達することがある。
【００５０】
従って、先行技術で理解されている「点食」が指定している孔は、
−ウェハー層の厚さ中に埋め込まれた欠陥の攻撃により発生し、
−これらの孔は場合により数千オングストロームのオーダーの深さを有する。
【００５１】
これに対して、本発明が問題とする「点食」は、予め存在する欠陥の攻撃により生じるものではない。
【００５２】
この点食は、ウェハー表面上の、ＲＴＡアニーリングによる再構築平滑化が完全に達成されていない場所にのみ関連し、上記小孔の開始を引き起こす。
【００５３】
従って、本発明で問題とする「点食」は、純粋に表面的な現象である。
【００５４】
これに関して、シリコンウェハー１０の断面図を示す単一の図であって、分割による移行工程により最初に限定されたその表面１００を、それに続くＲＴＡアニーリングにかけた図を参照するとよい。
【００５５】
この図は、厚さが１００ｎｍ未満であり、シリコン構造が最早結晶性ではない表面区域１０１を示す。
【００５６】
本説明で考察する点食を生じるのは、厚さが非常に小さいこの区域１０１である。
【００５７】
この図は、先行技術の「点食」および本発明の「点食」のそれぞれの異なった性質を示す。
【００５８】
本説明の残りの部分では、用語「点食」は、特に上に定義されたものであり、（他に指示がない限り）先行技術で理解されているものではない。
【００５９】
従って、本出願者は、ＲＴＡアニーリングをウェハー（特にシリコンウェハー）に応用することにより、この点食の開始が促進されることを知見した。
【００６０】
これは、SMARTCUT（登録商標）タイプの方法に由来するＳＯＩウェハー（Silicon-On-Insulatorウェハー）またはＳＯＡウェハー（Silicon-On-Anything）で特に観察される。
【００６１】
ＲＴＡアニーリングが、ウェハーの表面状態を改良する処理の最終工程である限り、ＲＴＡアニーリング後のウェハー表面の点食は、ＲＴＡアニーリングにより発生した「点食された」表面が最終製品中に存在するので、問題を引き起こす。
【００６２】
無論、ＲＴＡアニーリングから得たウェハーを再処理し、この現象を修正し、点食されたウェハーの十分な厚さを研磨することにより点食を除去しようとすることは可能である。
【００６３】
しかし、これによって上に記載した（ＦＲ２７９７７１３の開示による）研磨の欠点が再び生じ、この場合、ＲＴＡアニーリングに伴う有益性が失われる。
【００６４】
本発明の目的の一つは、ＲＴＡアニーリングにより半導体材料製のウェハーの自由表面の状態を改善する方法を改良することである。
【００６５】
より詳しくは、本発明の目的の一つは、その様な方法を、上記の点食に関連する欠点から解放することである。
【００６６】
すでに説明した様に、本発明は、分割による移行方法（例えばSMARTCUT（登録商標）タイプの方法）により得られるＳＯＩ（またはＳＯＡ）タイプのウェハーの表面に特に適用される。
【００６７】
本発明の別の目的は、研磨工程を含んでなる方法に代わる方法を提供することである。
【００６８】
上記の目的を達成するために、本発明は、半導体材料製ウェハーの自由表面の状態を改善するための、該自由表面を平滑にする急速熱アニーリング工程を含んでなる方法であって、急速熱アニーリングの前に、急速熱アニーリングの際の点食開始を阻止するためのウェハー表面区域の前処理を含んでなり、急速熱アニーリングを非還元雰囲気中で行うことができることを特徴とする方法を提案する。
【００６９】
本発明の幾つかの好ましい態様を以下に記載するが、これらの態様に限定するものではない。
−該前処理は、表面区域を再構築するための高温アニーリングであり、
−該高温アニーリングは中性の雰囲気中で行い、
−該高温アニーリングの温度は６００℃〜１３００℃であり、
−該高温アニーリングの温度は８００℃〜１１００℃であり、
−該前処理により、表面区域の攪乱された部分を除去することができ、
−該前処理が化学的攻撃であり、
−該前処理が湿式エッチングまたは乾式エッチングタイプの処理であり、
−該前処理が犠牲酸化であり、
−急速熱アニーリング工程の後に犠牲酸化を行う。
【００７０】
本発明は、上記請求項の一つによる方法を使用して得られるＳＯＩまたはＳＯＡ構造も提案する。
【００７１】
本発明の他の態様、目的および優位性は、下記の本発明の好ましい実施態様の説明を読むことにより、より明確に理解される。
【００７２】
本説明は、SMARTCUT（登録商標）法に由来するＳＯＩまたはＳＯＡウェハーの表面状態の改善に関する本発明の好ましい応用を参照しながら行う。しかし、ウェハーは異なったタイプのウェハーでもよい。
【００７３】
本発明の様々な実施態様に共通した特徴の一つは、ウェハーの表面を、ウェハーの表面粗さを下げるために行うＲＴＡアニーリングの前に調製することである。
【００７４】
ＲＴＡアニーリングは、特に、水素／アルゴン混合物または純粋なアルゴンの雰囲気中で行うことができる。
【００７５】
従って、ＲＴＡアニーリングは非還元性雰囲気中で行うことができる。
【００７６】
これは、特許ＥＰ１０４５４４８およびＥＰ９５４０１４（これらの特許は、本説明で定義する「点食」ではなく、先行技術で定義される様な「点食」に関するものであるので、記録のためにのみ記載した）の開示と比較して、さらなる相違点を形成することが分かる。
【００７７】
ＥＰ１０４５４４８が、いずれにしても、点食開始を阻止するための処理を開示しているのではなく、既存の欠陥を修復するための修復処理を記載していることも明らかである。
【００７８】
ＥＰ９５４０１４が、特にＲＴＡアニーリングの前にあらゆる点食の開始を阻止するための処理の、ウェハーに対する応用を開示していないことも明らかである。上記の特許は、その開示をＲＴＡアニーリングの応用に限定している。このことは、特許ＦＲ２７６１５２６にも当てはまる。
【００７９】
ウェハーがSMARTCUT（登録商標）法を使用する分割により製造されている場合、ウェハーの表面は「分割された状態の」表面であり、この表面はＲＴＡアニーリングにより低減させるべき不規則性を有する。
【００８０】
本発明の第一の実施態様の一つにより、ウェハー表面のこの調製は、ＲＴＡアニーリング前に中性雰囲気中での高温アニーリングにより行う。
【００８１】
この先行アニーリングの雰囲気は、アルゴンまたは窒素雰囲気でよい。
【００８２】
この先行アニーリングは、処理すべき表面がアニーリングに露出される様に配置されているウェハーに対して行われる。
【００８３】
この先行アニーリングの際、温度は６００℃〜１３００℃でよい。
【００８４】
好ましくは、この温度は８００℃〜１１００℃である。
【００８５】
この先行アニーリングは真空中で行うこともでき、圧力は、場合により１気圧までのいずれかの値を有する。
【００８６】
該先行アニーリングにより、ウェハー表面の攪乱された区域を再構築し、ＲＴＡアニーリングの際に点食を引き起こすことがある欠陥を除去することができる。
【００８７】
本出願者は、SMARTCUT（登録商標）法に由来するウェハーの表面上で、ウェハーの表面区域における空洞の形態にあるこれらの欠陥、特に分割の際に発生した欠陥を、１原子の等級のオーダーで細部を見ることができる電子透過顕微鏡を使用して観察した。
【００８８】
これらの空洞は、厚さが数十ｎｍのオーダーにあるウェハーの表面区域に寄せ集められている。
【００８９】
これらの空洞が存在するために、問題とする区域は、ウェハーの、結晶構造が攪乱されていない下側区域に対して攪乱された区域である。
【００９０】
これらの空洞は、直径が１０〜２０ｎｍのオーダーでよい。
【００９１】
先行アニーリングは、従来の炉の中で行う（表面を平滑化するためのＲＴＡアニーリングは続いて特殊な炉中で行う）か、またはＲＴＡアニーリングと同じ炉中で行うことができる。
【００９２】
本発明の第二の実施態様により、ウェハーの先行処理は、ウェハー表面の化学的攻撃を行うことからなる。
【００９３】
この化学的攻撃は、湿式または乾式エッチングタイプの攻撃でよい。この場合、先行処理の効果は、上記の空洞を含み、ＲＴＡアニーリングの際に点食現象の原因となるウェハーの表面区域を除去することである。
【００９４】
本発明のすべての実施態様で、ＲＴＡアニーリングに先行する処理の目的は、構造が空洞の存在により攪乱されている表面区域を処理することである。
【００９５】
この区域の処理は、この区域の空洞を減少させるか、または除去すること（これは第一の実施態様の場合である）、またはこの区域を直接攻撃し、この区域自体を減少させること／除去すること（第二の実施態様および後述する様に第三の実施態様でも）からなる。
【００９６】
本発明の第三の実施態様では、ＲＴＡアニーリングの前にウェハーを犠牲酸化にかける。
【００９７】
この第三の実施態様では、先行処理の効果は、やはり、空洞を含む攪乱された表面区域の空洞を減少させるか、または除去することのみならず、この攪乱された表面区域自体を減少させること／除去することである。
【００９８】
従って、ＲＴＡアニーリングの前にウェハーを犠牲酸化にかけることは、攪乱された区域の減少／除去に貢献する（この犠牲酸化が、この区域の空洞を減少させるか、または除去することにも貢献できることは明らかである）。
【００９９】
この第三の実施態様の好ましい変形の一つでは、酸化工程を酸化工程および脱酸素工程に分割し、酸化工程と脱酸素工程の間に熱処理を挿入する。
【０１００】
酸化工程は、好ましくは温度７００℃〜１１００℃で行う。
【０１０１】
酸化工程は乾式経路または湿式経路で行うことができる。
【０１０２】
乾式経路では、酸化工程は、例えば気体状酸素の下でウェハーを加熱することにより行う。
【０１０３】
湿式経路では、酸化工程は、例えば水蒸気を含む雰囲気中でウェハーを加熱することにより行う。
【０１０４】
乾式経路でも湿式経路でも、当業者には公知の従来方法により、酸化雰囲気は塩酸を含むこともできる。
【０１０５】
酸化工程により、ウェハーの表面上に酸化物が形成される。
【０１０６】
熱処理工程は、ウェハーの表面区域を形成する材料の品質を改良するためのいずれかの加熱操作を使用して行う。
【０１０７】
この熱処理は、一定または変化する温度で行うことができる。
【０１０８】
後者の場合、熱処理は例えば温度を２つの値の間で徐々に上げる、または２つの値の間で周期的に上下させる、等の方法で行う。
【０１０９】
好ましくは、熱処理工程は少なくとも部分的に１０００℃を超える温度で、特に約１１００〜１２００℃で行う。
【０１１０】
好ましくは、熱処理工程は非酸化雰囲気中で行う。
【０１１１】
熱処理の雰囲気はアルゴン、窒素、水素、等を含むか、またはこれらのガスの混合物を含むこともできる。熱処理は真空中で行ってもよい。
【０１１２】
本発明の第三の実施態様のこの好ましい変形では、酸化工程は熱処理工程の前に行う。
【０１１３】
特にその様な犠牲酸化の熱処理工程による点食を減少させるための考慮はなされているが、本発明が解決しようとする、その後に続くＲＴＡアニーリング工程のために生じる点食を阻止する問題には対処されていないことに注意すべきである。
【０１１４】
さらに、これに関して、犠牲酸化によって引き起こされることがある「点食」は「真の」点食（孔が広いよりも深い）であるのに対し、問題とする孔（その開始をＲＴＡアニーリングの後に阻止しようとする）は一般的に深いよりも広い。
【０１１５】
有利な変形の一つでは、酸化工程を、熱処理のための温度上昇の開始と共に開始し、温度上昇が終わる前に終了する。
【０１１６】
熱処理により、先行する製造工程およびウェハー処理工程の際に発生した欠陥を少なくとも部分的に修復することができる。
【０１１７】
より詳しくは、熱処理は、酸化工程の際にウェハーの表面層に発生した結晶性欠陥、例えば、積重欠陥、「ＨＦ」欠陥、等を修復できる時間および温度で行うことができる。
【０１１８】
「ＨＦ」欠陥とは、ウェハーをフッ化水素酸浴中で処理した後、ウェハーの厚さ中に埋め込まれた酸化物層の様な層における装飾性ハロによりその存在が示される欠陥である。
【０１１９】
脱酸素工程は、好ましくは溶液中で行う。
【０１２０】
この溶液は、例えば１０％または２０％のフッ化水素酸溶液である。一千〜数千オングストロームの酸化物を除去するのは、ウェハーをこの溶液に数分浸漬することで、十分である。
【０１２１】
本発明の様々な実施態様で、ＲＴＡアニーリング工程の後に、上記の様な犠牲酸化を行うことができる（この場合、本発明の第三の実施態様を使用する場合、２回の犠牲酸化操作を行うことになる）。
【０１２２】
ＲＴＡアニーリングの後にこの犠牲酸化を加えることにより、ウェハーの有効層の厚さを所望の厚さに下げることができる。
【０１２３】
主として酸化時間を操作することにより、ウェハーの有効層から除去すべき厚さを決定することができる。
【０１２４】
従って本発明により、その様々な実施態様で、本出願者が強調する表面区域（特にSMARTCUT（登録商標）法に由来するＳＯＩまたはＳＯＡ構造の場合）を処理し、その後のＲＴＡアニーリングの際の点食の開始を阻止できることが分かる。
【０１２５】
これらの実施態様のそれぞれで、本発明は、ＲＴＡアニーリングを行ったウェハーの表面形態に大きな改良をもたらし、このアニーリングがウェハーの粗さを改善し、より微細な尺度では、本発明は点食開始を阻止するという他の優位性を与える。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】ＲＴＡアニーリングにかけたシリコンウェハーの断面図を示す。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2004535685.tif 000023
2004535685.tif 000024
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2004535685.tif 000040
【国際調査報告】
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