(57)【要約】【課題】小領域において大きなキャパシタンスを得ることができる回路構造体を提供する。【解決手段】半導体基板１１０には、基板１１０における第１の面と第２の面との間を貫通する開口１３０が形成されている。開口１３０内には、導電層２１０、絶縁層３１０、及び導電層３２０が外側から順に形成されている。導電層２１０は、コンタクトパッド３２０Ｃにより伝達される交流信号から、基板１１０を保護する電磁シールドの役割を果たす。また、導電層２１０及び３２０は、開口１３０の外部に設けられた接続線によって接続され、キャパシタを構成する。
2004526321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１の面に、開口を形成するステップと、
前記開口内に、互いに重なり合うように形成される複数の導電層であって、第１の導電層と、前記第１導電層と重なる第２の導電層とを有し、前記第１及び第２導電層は、（１）前記開口内で絶縁層により隔てられるか、（２）前記開口内でｐｎ接合を構成するか、又は（３）前記開口内でショットキー接合を構成するかのいずれかである、複数の導電層を形成するステップと、
前記半導体基板の第２の面から物質を除去し、前記第２面において、前記開口内で前記第２導電層を露出させるステップと
を含むことを特徴とする回路製造方法。
【請求項２】
前記第１導電層及び第２導電層は、前記開口内で絶縁層により隔てられていることを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項３】
前記開口内の前記第１導電層は、回路の動作中に、前記基板を、前記開口内の第２導電層が伝達する交流信号により発生する電磁場からシールドすることを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項４】
前記第１導電層を形成する前に、前記開口内で前記第１導電層を前記基板から絶縁するために、前記開口に絶縁層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項５】
前記第１導電層は、前記半導体基板におけるドーピングされた領域を含んでおり、前記領域は、前記開口の側壁部の少なくとも一部を占めるように形成されることを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板は、集積回路を製造するために加工され、前記第２導電層の露出した部分は、前記集積回路におけるコンタクトパッドとして機能することを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板は、集積回路を製造するために加工され、前記第２導電層の露出した部分は、前記集積回路における入力端子、出力端子、又は入出力端子として機能することを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項８】
前記した半導体基板の第２の面から物質を除去するステップは、物質を機械的に除去する方法を含み、
前記物質を機械的に除去するときに、前記第２面において、前記開口内で前記第２導電層を露出させることを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項９】
前記した物質を機械的に除去する方法は、化学機械研磨を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路製造方法。
【請求項１０】
前記複数の導電層は、前記第２導電層と重なり、かつ前記開口を充填する第３の導電層を含み、
前記した半導体基板の第２面から物質を除去するステップは、物質を機械的に除去する方法を含み、
前記物質を機械的に除去するときに、前記第２面において、前記開口内で前記第３導電層を露出させることを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項１１】
前記した物質を機械的に除去することは、前記第２面において前記物質をエッチングした後に行われ、
前記エッチング後に、前記第１、第２及び第３導電層の少なくとも１つは、前記第２面において、前記開口から突出させることを特徴とする請求項１０に記載の回路製造方法。
【請求項１２】
前記した物質を除去するステップの後、前記第２面において、前記開口内で前記第１及び第２導電層を露出させ、
前記第２面を科学薬品で処理して、前記半導体基板及び／又は第１導電層及び／又は第２導電層と反応して絶縁層を作成することを特徴とする請求項１に記載の回路製造方法。
【請求項１３】
半導体基板と、前記基板における第１の面と第２の面との間を貫通する開口と、前記開口の側壁と重なる複数の導電層とを備えた回路構造体であって、
前記複数の導電層は、第１の導電層と第２の導電層とを含んでおり、
前記第１導電層及び第２導電層は、（１）前記開口内で絶縁層により隔てられるか、（２）前記開口内でｐｎ接合を構成するか、又は（３）前記開口内でショットキー接合を構成するかのいずれかであり、
前記第１導電層は、前記開口内で、前記第２導電層を周囲しており、
前記第２導電層の少なくとも一部が、前記第２面側に位置しており、
前記第２導電層の一部は、前記第２面側において、前記基板、絶縁層、又は第１導電層のどの層にも覆われておらず、
前記第２導電層の一部は、前記第１面側において、前記基板、絶縁層、又は第１導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする回路構造体。
【請求項１４】
前記第１及び第２導電層は、前記開口内で、絶縁層により隔てられることを特徴とする請求項１３に記載の回路構造体。
【請求項１５】
前記第１導電層を前記開口の側壁から絶縁するための絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路構造体。
【請求項１６】
前記複数の導電層は、前記開口内で前記第１導電層を囲み、前記開口内で前記第１導電層から絶縁される、１つ又は複数の導電層を含むことを特徴とする請求項１３に記載の回路構造体。
【請求項１７】
前記第２導電層の一部は、前記第１面側及び第２面側のどちら側においても、前記開口内で前記第１導電層を囲む前記複数の導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする請求項１６に記載の回路構造体。
【請求項１８】
前記複数の導電層は、前記開口内で前記第１導電層及び第２導電層により囲まれる、かつ前記開口部を充填する第３の導電層を含み、
前記第３導電層の少なくとも一部が、前記第２面側において、前記基板、絶縁層、第１導電層、及び第２導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする請求項１３に記載の回路構造体。
【請求項１９】
前記基板は、前記基板の前記第１面上及び前記基板のトランジスタ領域に、回路素子の少なくとも一部を作成するために加工されることを特徴とする請求項１３に記載の回路構造体。
【請求項２０】
半導体基板の第１の面に、開口を形成するステップと、
前記開口内に互いに重なり合うように形成される複数の導電層であって、少なくとも３層を有し、その内の各２層は、（１）前記開口内で絶縁層により隔てられるか、（２）前記開口内でｐｎ接合を構成するか、又は（３）前記開口内でショットキー接合を構成するかのいずれかである、複数の導電層を形成するステップと、
前記半導体基板の第２の面から物質を除去し、前記第２面において、前記開口内で前記複数の導電層の少なくとも一部を露出させるステップと
を含むことを特徴とする回路製造方法。
【請求項２１】
前記複数の導電層の全層を金属から形成し、前記開口内で各導電層が互いに絶縁されるように、各導電層間に絶縁層を形成することを特徴とする請求項２０に記載の回路製造方法。
【請求項２２】
前記複数の導電層の少なくとも２層を、前記開口の外側で、恒久的に又はプログラム可能に接続することを特徴とする請求項２０に記載の回路製造方法。
【請求項２３】
半導体基板の第１の面に、開口を形成するステップと、
前記開口内に、互いに重なり合うように形成される複数の導電層であって、第１の導電層と、前記第１導電層と重なる第２の導電層とを有し、前記第１導電層及び第２導電層は、（１）前記開口内でｐｎ接合を構成する、又は（２）前記開口内でショットキーダイオード接合を構成する、複数の導電層を形成するステップと、
前記半導体基板の第２の面から物質を除去し、前記第２面において、前記第１導電層及び第２導電層の少なくとも一方を露出させるステップとを含むことを特徴とする回路製造方法。
【請求項２４】
半導体基板と、前記基板における第１の面と第２の面との間を貫通する開口と、前記開口内で互いに重なり合う複数の導電層とを備えた回路構造体であって、
前記複数の導電層は、（１）前記開口内でｐｎ接合を構成する、又は（２）前記開口内でショットキー接合を構成する、第１の導電層と第２の導電層とを含んでおり、
前記第１導電層及び第２導電層の少なくとも一方は、前記第２面において露出していることを特徴とする回路構造体。
【請求項２５】
前記第２面において、前記第１導電層及び第２導電層の少なくとも一方の露出した部分は、集積回路の入力端子、出力端子、又は入出力端子として機能することを特徴とする請求項２４に記載の回路構造体。
【請求項２６】
前記半導体基板は、集積回路を製造するために加工され
基板上に回路素子の少なくとも一部を製造するために加工された半導体基板と、前記基板における表側と裏側との間を貫通する開口と、前記開口の側壁と重なる複数の導電層とを備えた回路構造体であって、
前記複数の導電層は、前記開口内で絶縁層により隔てられる第１の導電層と第２の導電層とを含んでおり、
前記第１の導電層は、前記開口内で前記第２の導電層を囲み、
前記第２の導電層の少なくとも一部が前記基板の裏面側に位置しており、
前記第２の導電層の一部は、前記基板の裏面側において、前記基板、絶縁層、又は第１導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする回路構造体。
【請求項２７】
前記基板は、トランジスタ領域を含むことを特徴とする請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項２８】
前記第２の導電層の一部は、集積回路の入力端子、出力端子、又は入出力端子として機能することを特徴とする請求項１３又は請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項２９】
前記第１導電層を前記開口の側壁から絶縁する絶縁層をさらに備えたことを特徴とする請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項３０】
前記複数の導電層は、前記開口内で前記第１導電層を囲み、前記開口内で前記第１導電層から絶縁されている、１つ又は複数の導電層を含み、
前記第２の導電層の一部は、前記基板の裏面側において、前記開口内で前記第１導電層を周囲している導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項３１】
前記第１導電層は、前記開口の側壁と隣接する前記半導体基板のドーピングされた領域を含むことを特徴とする請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項３２】
前記複数の導電層は、前記開口内で前記第１導電層及び第２導電層により囲まれる、かつ前記開口部を充填する第３の導電層を含み、
前記第３導電層の少なくとも一部は、前記基板の裏面側において、前記基板、絶縁層、第１導電層、及び第２導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項３３】
前記複数の導電層は、１つ又は複数の導電層を有し、
前記１つ又は複数の導電層は、前記開口内で前記第１導電層及び第２導電層により囲まれる、かつ前記開口内で１つ又は複数の絶縁層により前記第１導電層及び第２導電層から絶縁されることを特徴とする請求項１３又は請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項３４】
前記複数の導電層は、２つ又は複数の導電層を有し、
前記２つ又は複数の導電層は、前記開口内で前記第１導電層及び第２導電層により囲まれる、かつ前記開口内で絶縁層により互いに隔てられる、かつ前記開口内で絶縁層により前記第１及び第２導電層から隔てられることを特徴とする請求項１３又は請求項２６に記載の回路構造体。
【請求項３５】
動作中、前記開口内で、前記第１導電層が定電圧に保たれることを特徴とする請求項１３又は請求項２６に記載の回路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体技術としては、ＰＣＴ公開番号WO 98/19337（TruSi Technologies, LLC, 1998/5/7公開）、及び米国特許第6,322,903号（2001/11/27交付）がある。
【発明の開示】
【発明の効果】
【０００３】
本発明のある実施形態によれば、交流信号を伝達する回路の節点に対しての電磁シールドを作成することが容易となる。このようなシールドは、交流電流によるエネルギー損失を著しく低減させる。また、前記シールドは、シールドされている領域において、ノイズを減少させる。
【０００４】
ある実施形態によれば、小さな領域に、キャパシタ及び整流器ネットワークを形成することができる。
【０００５】
また、本発明に係る回路製造方法のある実施形態によれば、半導体基板の第１の面に、開口を形成するステップと、前記開口内に互いに重なり合うように形成される複数の導電層であって、第１の導電層と前記第１導電層と重なる第２の導電層とを有し、前記第１及び第２導電層は、（１）前記開口内で絶縁層により隔てられるか、（２）前記開口内でｐｎ接合を構成するか、又は（３）前記開口内でショットキー接合を構成するかのいずれかである、複数の導電層を形成するステップと、前記半導体基板の第２の面から物質を除去し、前記第２面において、前記開口内で前記第２導電層を露出させるステップとを含むことを特徴とする。
【０００６】
また、ある実施形態によれば、前記第１及び第２導電層は、前記開口内で絶縁層により隔てられている。
【０００７】
また、ある実施形態によれば、前記第１導電層は、前記基板を、ウエハ裏側に形成された前記第２導電層において発生し、コンタクトパッドにより伝達される交流信号から保護する。ウエハの裏側にあるコンタクトパッドは、小さな領域における垂直方向に一体化させることを容易にすることができる。詳しくは、ＰＣＴ公開番号WO 98/19337（TruSi Technologies, LLC, 1998/5/7公開）、及び米国特許第6,322,903号（2001/11/27交付）を参照されたい。これらは引用を以って本明細書の一部とする。
【０００８】
また、ある実施形態によれば、前記第１及び第２導電層は、キャパシタの導電板のして機能する。
【０００９】
また、本発明に係る回路構造体のある実施形態によれば、半導体基板と、前記基板における第１の面と第２の面との間を貫通する開口と、前記開口の側壁と重なる複数の導電層とを備えた回路構造体であって、前記複数の導電層は、第１の導電層と第２の導電層とを含んでおり、前記第１導電層及び第２導電層は、（１）前記開口内で絶縁層により隔てられるか、（２）前記開口内でｐｎ接合を構成するか、又は（３）前記開口内でショットキー接合を構成するかのいずれかであり、前記第１導電層は、前記開口内で、前記第２導電層を周囲しており、前記第２導電層の少なくとも一部が、前記第２面側に位置しており、前記第２導電層の一部は、前記第２面側において、前記基板、絶縁層、又は第１導電層のどの層にも覆われておらず、前記第２導電層の一部は、前記第１面側において、前記基板、絶縁層、又は第１導電層のどの層にも覆われていないことを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の特徴及び長所は、以下に説明する。
【００１１】
本発明は、別紙の特許請求の範囲により定義される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この欄において説明する実施形態は、本発明を限定するものではない。また、本発明は、特定の材質、寸法、及び製造方法により限定されるものではない。
【００１３】
図１は、１つ又は複数の裏側コンタクトパッドを含むであろう半導体ウエハ１１０を示している。ある実施形態では、ウエハは、図示しない、トランジスタ、キャパシタ、抵抗、接続線、及び／又は他の回路素子（又は回路素子の一部）を作成するために製造される。回路素子は、前記基板１１０の表面又は裏面に作成される。そして、ウエハ上には、絶縁層１２０が形成される。ある実施形態では、絶縁層１２０は、前述した回路素子を作成するために、ウエハの他の部分に形成される。なお、ある実施形態では、絶縁層１２０は省略することもできる。
【００１４】
そして、マスク（図示せず）が、一般的なフォトリソグラフィにより、ウエハ上に形成される。その後、絶縁層１２０とウエハをエッチングすることにより、１つ又は複数の開口１３０が形成される。各開口１３０の深さは、開口が形成される位置における厚さ以上となるように形成される（ウエハは、その後、シンニングされる。詳しくは後述する）。各開口１３０の側面形状及び寸法は、この後に開口に形成される裏側コンタクトパッドの好ましい形状及び寸法に合致している。ある実施形態では、各開口１３０の深さＤ１は、約１００μｍである。少なくとも、開口１３０のいくつかは、上部Ｄ２の直径が３０〜５０μｍである、円錐を逆さにして、その先端を切り取ったような形状に形成される。又は、その上面が一辺３０〜５０μｍの四角形である、ピラミッドを逆さにして、その先端を切り取ったような形状に形成される。また、開口は、逆さにしていない先端を切り取った円錐又はピラミッドのような形状、又は円筒状に形成することもできる。また、開口の底部は、曲面状に形成することもできる。例えば、ある実施形態では、開口は半球状に形成されている。また、開口は、溝のように、細長く形成することもできる。また、他の形状や寸法でもよい。また、１つのウエハに、それぞれ形状及び寸法が異なる、複数の開口１３０を形成することもできる。
【００１５】
開口１３０を形成するための適した製法は、前述したＰＣＴ公開番号WO 98/19337に記載されている。その中に記載されているように、開口をエッチングするためのマスク（図示せず）は、アルミニウムをフォトリソグラフィによりパターンニングして形成することができる。なお、本発明は、マスクの特定の形成方法により限定されるものではない。
【００１６】
図２に示すように、ウエハ上には、導電層２１０が形成される。導電層２１０は、開口１３０内において、電磁シールドとして機能する。導電層２１０は、開口１３０の側壁と重なっている。導電層２１０は、要望があれば、フォトリソグラフィによりパターンニングして形成することもできる。
【００１７】
そして、図３に示すように、ウエハ上に、絶縁層３１０と導電層３２０が形成される。これらの層は、要望どおりに形成することができる。ある実施形態では、導電層２１０、絶縁層３１０、及び導電層３２０が、各開口１３０の内面（側壁と底面）と全面的に重なっている。
【００１８】
また、任意で、開口１３０には、機械強度を強めることを目的として、全体的又は部分的に何らかの物質３４０を充填することができる。このことにより、おそらく、電気及び温度の伝導性を高めることができる。物質３４０としては、導電性物質と絶縁性物質のどちらでも使用することができる。詳しくは、前述したＰＣＴ公開番号WO 98/19337を参照されたい。他の実施形態では、開口には、導電層３２０から形成された栓が充填されている。また、他の実施形態では、開口には何も充填されていない。
【００１９】
図１〜図３において図示した工程（開口１３０、絶縁層１２０、導電層２１０、絶縁層３１０、及び導電層３４０の形成）は、ウエハに他の回路素子を作成する際にも適用することができる。及び／又は、他の回路素子の作成工程と混用することもできる。
【００２０】
そして、図４Ａに示すように、前記した構造体は、裏面１１０Ｂからシンニングされ、開口１３０が露出する。導電層２１０及び絶縁層３１０は、開口１３０の底部においては除去されるが、側壁においては残される。導電層３２０は、ウエハの裏面において露出する。また、導電層３２０は、水平断面図４Ｂに示すように、開口１３０の側壁と重なっている。
【００２１】
導電層３２０の底部３２０Ｃは、配線基板（例えばプリント基板）や、他の集積回路に接合するコンタクトパッドとなる。詳しくは、米国特許第6,322,903号（2001/11/27交付）を参照されたい。これは引用を以って本明細書の一部とする。
【００２２】
回路の動作中は、コンタクトパッド３２０Ｃは、交流信号を伝達する入力端子、出力端子、又は入出力端子として機能する。導電層２１０は、交流信号によって発生する電磁場から、基板１１０をシールドする。このシールドは、信号の減衰、及び基板のノイズを減少させる。導電層２１０は、図４Ａに模式的に示すように、定電位ＶＲＥＦに保つことができる。ＶＲＥＦは、グラウンド電位、ＶＣＣ、又は他の値であってもよい。開口１３０内の各導電層２１０は、それを取り囲む基板１１０の領域である１１０．１と物理的に接触している。他の開口１３０内の導電層２１０は、同じ集積回路において異なる電位であってもよい。
【００２３】
領域１１０．１は、隣接するシールド２１０と、同じＶＲＥＦ電位であってもよいし、異なる定電位又は可変電位であってもよい。ある実施形態では、領域２１０，１１０．１は、回路の動作中に、逆バイアスのダイオードを構成する。
【００２４】
図４Ａには、基板１１０の領域１１０．２が示されている。領域１１０．２は、トランジスタ領域（ソース、ドレイン、チャネル、エミッタなど）、又は他のどのような領域にもなり得る。領域１１０．２は、交流信号を伝達することができる。領域１１０．２は、導電層２１０により、コンタクトパッド３２０Ｃ上の信号からシールドされている。領域１１０．２は、１つ又は複数のｐｎ接合により、領域１１０．１から絶縁されている。
【００２５】
前記した集積回路は、その周囲に導電シールドを有していない他の裏側コンタクトパッド（図示しない）を備えていてもよい。それらのコンタクトパッドは、シールドされているコンタクトパッド３２０Ｃの作成と同時期に、導電層３２０から作成される。また、シールドされていないコンタクトパッドが、開口１３０の形成時と同時期に、他の開口（図示せず）に作成されるが、導電層２１０は、この層がパターンニングされる際に、これらの開口からエッチングにより除去される。ある実施形態では、シールドされていないコンタクトは、直流電圧を伝達し、例えば、電源装置又はアース端子として機能する。また、ある実施形態では、シールドされていないコンタクトは、低周波数の信号を伝達する。なお、本発明は、特定のシールドされたコンタクトパッドや、シールドされていないコンタクトパッドの使用により限定されるものではない。
【００２６】
次に、ある実施形態において用いられる特定の物質と作成方法について説明する。導電層２１０及び導電層３２０は、金属、ドーピングされたポリシリコン、導電性の金属ケイ化物、及びそれらの化合物から形成することができる。絶縁層１２０、絶縁層３１０、絶縁層３４０は、二酸化珪素、窒化珪素、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、及びそれらの化合物から形成することができる。層２１０、３２０、１２０、３１０は、スパッタリング、熱酸化、又は化学気相蒸着などの公知の技術により形成することができる。また、公知の又はこれから発明されるであろう他の物質及び作成方法を使用することもできる。各層２１０、３２０、１２０、３１０、３４０は、複数の層や、複数の物質を含むことができる。ある実施形態では、導電層２１０は、隣接する半導体領域１１０．１よりも高い導電性を有する層を含んでいる。
【００２７】
ある実施形態では、ウエハのシニングは、ブランケットエッチングにより行われる。導電層２１０及び絶縁層３１０が露出された後、前記エッチングを続行し、基板１１０と、導電層２１０及び絶縁層３１０とのエッチングを同時に行う。図４Ａでは、絶縁層３１０は、エッチング後、基板１１０の裏面から下方に突出している。その突出した絶縁層は、コンタクトパッドが接続構造体や他の集積回路に接合された際に、基板をコンタクトパッドから絶縁するのを助ける。導電層２１０も、絶縁層３１０と同様に、基板１１０の裏面から下方に突出している。しかし、絶縁層３１０は、導電層２１０と導電層３２０間の絶縁性を向上させるために、導電層２１０よりも下方に突出している。このことは、ウエハ１１０をエッチングレートが導電層２１０をエッチングレートよりも高くなり、導電層２１０をエッチングレートが絶縁層３１０をエッチングレートよりも高くなるように、物質及びエッチング工程を選択することにより達成される。導電層３２０は、エッチングレートが最も少ない（例えばゼロである）。ある実施形態では、エッチングは、常圧下でのフッ素を含有したプラズマエッチングにより行われる。エッチング装置としては、Tru-Si Technologies 社（Sunnyvale, California）製の Tru-Etch 3000(Ｒ)型が適している。ウエハ１１０は、モノクリスタル・シリコンから作成される。導電層２１０は、チタン、タングステン、モリブデン、バナジウム、又はそれらのケイ素化合物，又は窒化チタン、又はそれらの物質の化合物から形成される。絶縁層３１０は、二酸化珪素、窒化珪素、シリコンオキシナイトライド、又はそれらの物質の化合物から形成される。導電層３２０は、アルミニウム、銅、ニッケル、又はそれらの物質の化合物から作成される。
【００２８】
図５は、導電層２１０を形成する際の、他の実施形態を示す。この実施形態では、図４Ａと同様のエッチングが行われているが、導電層２１０は、基板１１０及び絶縁層３１０よりも先にエッチングされている。例えば、基板１１０としては、モノクリスタル・シリコンを用いることができ、導電層２１０としては、ドーピングされたポリシリコンを用いることができる。残りの物質は、図４Ａと同様のものを用いることができる。初めに、ポリシリコン２１０がモノクリスタル・シリコン１１０よりも先にエッチングされる。そして、ポリシリコン２１０が、シリコン１１０に対して凹んだ状態になると、ポリシリコン２１０のエッチングレートは減少する（凹部の幅が狭い場合。即ち、導電層２１０が薄い場合）。ある実施形態では、各層１２０、２１０、３１０、３２０は、約１μｍの厚さに形成されており、各開口１３０は、約１００μｍの深さ、及び３０〜５０μｍの幅に形成されている。
【００２９】
図５に示す構造体は、ウエハの裏面において、導電層２１０の絶縁が容易になるという長所がある。なお、本発明は、エッチングレートや、エッチングの方法により限定されるものではない。
【００３０】
ある実施形態では、導電層２１０は、高濃度にドーピングされた基板１１０の導電領域である。この導電層２１０は、開口１３０を形成する前は後に、イオン打込み法又は不純物を拡散させることにより形成することができる。また、導電層２１０は、基板１１０を作成するときに形成することもできる。例えば、導電層２１０は、基板１１０のエピタキシャル層とすることもできる。また、導電層２１０は、上述した技術（イオン打込み法やエピタキシャル層など）の組み合わせにより形成することができる。そして、注目すべきは、開口１３０の底部はウエハのシンニング中に除去されるので、導電層２１０は開口１３０の底部まで形成する必要がない。導電層２１０は、構造体がシンニングされた後、開口１３０の側壁の全部又は一部と重なる。
【００３１】
ある実施形態では、導電層２１０の抵抗率は、高くても１００×１０−６Ω・ｃｍ、又は高くても９０×１０−６Ω・ｃｍ、又は高くても５０×１０−６Ω・ｃｍ、又は高くても１０×１０−６Ω・ｃｍである。これらの範囲は、代表例であり、本発明を限定するものではない。
【００３２】
ある実施形態では、ウエハのシンニングは、複数の段階を含んでいる。初めに、ウエハ１１０はエッチング、機械的研削、及び／又はその他の処理によりシンニングされる。導電層２１０は、開口１３０の底部において露出する（あるいは側壁においても露出する）。なお、導電層２１０は、この段階でエッチングする必要はない。導電層２１０は、別個のプロセスにより、後の段階でエッチングされる。基板１１０及び絶縁層３１０は、この後の段階、及び／又は続いて行う段階において、エッチングされる。フォトリソグラフィによるマスキングは、好ましい選択的なエッチングを行うために、どの又は全ての段階で使用することができる。なお、ある実施形態では、フォトリソグラフィによるマスキングは使用してはいない。
【００３３】
図４Ａの工程の続きを説明する。図６に示すように、前記した構造体がシンニングされたとき、ウエハの裏面１１０Ｂに、絶縁層６０２が形成される。絶縁層６０２における基板１１０上の部分、導電層２１０上の部分、及び導電層３２０の部分を、それぞれ、６０２．１１０、６０２．２１０、及び６０２．３２０とする。ある実施形態では、絶縁層６０２は、ウエハの裏面を酸素又は窒素化合物により処理し、酸化又は窒化化合物６０２．１１０、６０２．２１０、６０２．３２０を形成することにより作成することができる（例えば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物や、金属酸化物又は金属窒化物を形成する）。絶縁層６０２を形成する際は、酸素又は窒素プラズマ処理を使用することができる。このとき、マスキングは必用ではない。コンタクトパッド３２０Ｃ上に形成された絶縁層６０２．３２０は、後に、絶縁層６０２．１１０，６０２．２１０を除去することなしに、除去することができる。また、ある実施形態では、絶縁層６０２．３２０は、マスキングすることなしに、除去することができる。例えば、絶縁層６０２．３２０は、絶縁層６０２．１１０，６０２．２１０に影響を及ぼさない、半田フラックスにより除去することができる。そのような実施形態では、導電層３２０は銅から形成されている。又は、導電層３２０の底部は、銅からなる補助層から形成されている。また、導電層２１０はチタン、基板１１０はシリコン、絶縁層６０２は酸化物から形成されている。半田フラックスは、酸化銅を除去するが、二酸化シリコンや酸化チタンを除去しないことが知られている。
【００３４】
基板１１０が絶縁物質から作成されている場合は、絶縁層６０２．１１０を形成する必要はない。また、絶縁層３１０上に、絶縁層６１０（図７及び図８参照）を形成してもよいし、形成しなくてもよい。他の実施形態では、物質又は処理方法により、絶縁層６０２を、導電層上に形成することなく、基板１１０上に形成することもできる。
【００３５】
他の適したウエハ裏面の絶縁処理方法を、図７及び図８に示す。前記した構造体は、裏面１１０Ｂ上が上側となるように、逆さまにされている。そして、裏面１１０Ｂ上に、スピンコーティング又はスプレーイングにより、流動性を有する物質６１０を成膜させる。適した物質としては、ガラス、ポリイミド、流動性を有する熱硬化性重合体、又はその他のスピンコーティング又はスプレーイングにより積層させることができ、硬化させた際に誘電性を有する物質が挙げられる。粘性の低い物質が特に適しているが、これは必須ではない。詳しくは、上述した米国特許第6,322,903号を参照されたい。図７では、絶縁層６１０がコンタクトパッド３２０Ｃを覆っているが、コンタクトパッド３２０上の絶縁層６１０は、ウエハの他の部分と比べて薄く形成されている。なお、他の実施形態では、絶縁層６１０は、コンタクトパッド３２０Ｃを覆ってはいない。
【００３６】
絶縁層６１０は硬化される。そして、コンタクトパッド３２０Ｃが露出するまで、ブランケットエッチングにより、エッチングされる（図８参照）。このとき、導電層２１０は、絶縁層６１０により覆われたままである。なお、最初に、絶縁層６１０を形成したときに、絶縁層６１０がコンタクトパッド３２０Ｃを覆っていなかった場合は、エッチングは省略される。
【００３７】
ある実施形態では、図７の段階でのコンタクトパッド３２０Ｃ上の絶縁層６１０の厚さは、約１〜１０μｍである。コンタクトパッド３２０Ｃは、基板１１０の裏面（図７及び図８では上側になっている）の表面から、垂直に測定して約５〜５０μｍ突出している。また、絶縁層３１０は、約１〜４０μｍ突出しており、導電層２１０は、約３〜３０μｍ突出している。
【００３８】
ある実施形態では、図６〜図８の処理を組み合わせている。絶縁層６０２が図６に示すように形成され、その後、絶縁層６１０が図７及び図８に示すように形成される。他の実施形態では、絶縁層６１０の方が先に形成される。絶縁層６１０をエッチングする際は（図８参照）、導電層２１０を露出させてもよいし、露出させなくてもよい。その後、導電層２１０の絶縁性を確実にするために、ウエハの裏面に絶縁層６０２が形成される。
【００３９】
図６〜図８の処理の利点は、フォトリソグラフィが不要ということである。他の実施形態では、フォトリソグラフィを使用している。例えば、絶縁層６１０は、流動性を有する又は流動性を有しない物質により形成することができ、導電層２１０及び基板１１０を露出させることなく、コンタクトパッド３２０Ｃを露出させるために、フォトリソグラフィによりパターニングされる。
【００４０】
図９及び図１０は、他のシンニング技術を示している。機械的研削のような機械的処理や化学機械研磨により、ウエハの裏面１１０Ｂにおいて導電層３２０を露出させている。図９では、充填物３４０を露出させるために、機械的処理によって、開口１３０の底部から導電層３２０を露出させている。ある実施形態では、導電層３２０を露出させるために、ウェットエッチング又はドライエッチングを使用することができる。そして、機械的処理により開口１３０の底部から導電層３２０を露出させる。他の処理の組み合わせも可能である。図９では、物質を同じエッチングレートで除去できるように、ウエハの裏面は平坦に形成されている。しかし、これは必須ではない。
【００４１】
そして、図１０に示すように、ウエハの裏面は、導電層３２０及び充填物３４０よりも先に、物質１１０、２１０、３１０をエッチングする。図４Ａ又は図５のようにするためには、図４Ａ、図４Ｂ及び図５を参照しつつ説明したエッチング方法を用いることができる。
【００４２】
エッチングする前に、基板１１０の表面から物質３２０、３４０のどの粒子でも取り除けるように、ウエハの裏面はきれいにしておくとよい。物質３２０、３４０の粒子は、特に物質３４０、３２０が柔らかい（例えば、銅からなる）場合は、図９を参照しつつ説明したような機械的処理により、基板１１０の裏側に運ばれ付着することがある。また、前述したように、充填物３４０は、省略することもできるし、導電層３２０の一部とすることもできる。
【００４３】
エッチング後、ウエハの裏面は、図６〜図８を参照しつつ説明したどの処理によっても絶縁することができる。
【００４４】
図１１〜図１３は、他のシンニング技術を示している。最初に、シンニング作業により、基板１１０及び導電層２１０の一部を除去する。しかし、絶縁層３１０は、導電層３２０を覆ったままである。この作業の適した処理としては、基板１１０の機械的研磨の後、図４Ａ及び図５を参照しつつ説明したような、常圧下でのフッ素含有プラズマ処理によるエッチングが挙げられる。ある実施形態では、絶縁層３１０としては、二酸化珪素が用いられる。二酸化珪素は、モノクリスタル・シリコンよりもゆっくりと、約８〜１０回エッチングするとよい。他の実施形態では、絶縁層３１０としては、酸化アルミニウム、酸化チタン、又はＡ１ｘＴｉｙＯｚが用いられる。これらの化合物は、公知の手法により、ウェットエッチングされる。なお、他の化合物、組み合わせ、及び処理方法を用いることもできる。
【００４５】
次に、図１２に示すように、絶縁層６１０が、図７及び図８を参照しつつ説明したようにして形成される。例えば、流動性を有する物質が、スピンコーティング又はスプレーイングにより、ウエハ裏面に成膜される。そして、硬化された後、ブランケットエッチングされる。エッチングは、導電層３２０を露出させないように、絶縁層３１０に対して選択的に行われる。ある実施形態では、絶縁層６１０はポリイミドから形成されており、Tru-Etch 3000エッチング装置により、常圧で、酸素プラズマエッチングされる。なお、絶縁層３１０としては、二酸化珪素が用いられる。また、絶縁層３１０及び導電層３２０は、絶縁層６１０の表面から突出している。
【００４６】
そして、図１３に示すように、絶縁層３１０は、エッチングにより、コンタクトパッド３２０Ｃから除去される。また、絶縁層６１０の厚さが十分である場合、及び／又はエッチングが絶縁層６１０に対して十分に選択的である場合は、このエッチングでは絶縁層６１０を除去しない。なお、選択性を得るためには、 絶縁層６１０としてはポリイミドを、絶縁層３１０としては二酸化珪素、そして、エッチングはフッ素を含有したプラズマエッチング（例えば、常圧下で、Tru-Etch 3000エッチング装置を使用する）を用いるとよい。望ましい選択性を得るためには、フォトリソグラフィを使用することもできる。なお、ある実施形態では、フォトリソグラフィは使用していない。
【００４７】
ある実施形態では、絶縁層６１０の形成は、絶縁層６０２（図６参照）の形成の前又は後に行われる。また、絶縁層６０２の形成は、絶縁層３１０（図１３参照）のエッチングの前でもよいし、後でもよい。
【００４８】
ウエハの製造が完了したら、多数の個別の集積回路を作成するために、ウエハはダイシングされる。また、ウエハ全体を１つの集積回路とすることもできる。
【００４９】
図１４は、他の実施形態を示している。開口１３０が形成された後、ウエハ上に、絶縁層１１１０が形成される。そして、電磁シールドの役割を果たす導電層２１０が形成される。絶縁層１１１０は、基板１１０を導電層２１０から絶縁する。適した絶縁層としては、二酸化珪素、ＢＰＳＧ、窒化珪素、及び他の絶縁物質（公知の又はこれから発明されるであろう絶縁物質）を挙げることができる。絶縁層は、熱酸化、化学気相蒸着、又は他の技術（公知又はこれから発明されるであろう技術）により形成することができる。
【００５０】
絶縁層１１１０は、必用に応じて形成することができる。
【００５１】
層２１０、３１０、３２０（及び任意で３４０）は、図１〜図１３を参照しつつ説明したようにして形成することができる。
【００５２】
そして、構造体は、図１〜図１３を参照しつつ説明したどの方法によってでも薄くすることができる。図１５は、図４Ａを参照しつつ説明したエッチングによってシンニングされた構造体を示す。絶縁層１１１０は、このエッチングにより、裏面１１０Ｂの導電層２１０上から除去される。ある実施形態では、絶縁層１１１０のエッチングレートは、絶縁層３１０のエッチングレートと同じ程度である。しかし、このことは必須ではない。この２つの絶縁層は、同一の物質から形成することができる。残りの製造段階（絶縁層６０２や絶縁層６１０の製造を含む）は、図１３を用いて説明したように行うことができる。
【００５３】
ある実施形態では、導電層２１０が形成される前に、開口１３０のいくつかから（全ての開口からではない）、絶縁層１１１０が除去される。その結果、開口１３０のいくつ（全ての開口ではない）の内部において、導電層２１０が基板１１０と接触する。導電層２１０は、異なる開口に形成された導電層２１０が互いに絶縁されるようにパターンニングされる。
【００５４】
ある実施形態では、複数のシールド層（導電層２１０）が形成されている。図１６では、２つの導電層２１０．１，２１０．２が形成されている。開口１３０が形成された後、絶縁層１１１０が図１４を参照しつつ説明したように形成される（ある実施形態では、絶縁層１１１０は省略することもできる。又は、絶縁層１１１０は形成されるが、いくつかの開口１３０から（全部の開口からではない）、エッチングにより除去される。そして、導電層２１０．１、絶縁層３１０．１、導電層２１０．２、絶縁層３１０．２、導電層３２０が、順に形成される。これらの層は、好ましい形状にパターンニングされる。例えば、導電層２１０．１又は導電層２１０．２は、いくつかの開口１３０から（全部の開口からではない）、エッチングにより除去することができる。このことにより、いくつかの開口では、１つのシールド層（導電層２１０）のみを有することとなる（導電層２１０．１又は導電層２１０．２のいずれか一方である。両方ではない）。そして、ウエハは、ウエハ裏面において導電層３２０が露出するように、シンニングされる。そして、コンタクトパッド３２０Ｃが露出した状態でウエハ裏面を絶縁するために、絶縁層６０２及び／又は絶縁層６１０が前述したように形成される。なお、２つ以上のシールド層（導電層２１０）を形成することもできる。１つ又は複数のシールド層（導電層２１０）は、図５に示すような凹んだ状態でもよい。作動中は、各シールド層２１０．１，２１０．２は、図４Ｂを用いて説明したように一定の電位に保たれる。複数のシールド層は、電磁シールドの効果を高める。
【００５５】
また、図１７に示すように、ウエハをシンニングする前に、ウエハの表面を１つ又は複数の基板１４１０に接合させることにより、垂直方向に一体化された構造体を作成することができる。１つ又は複数の基板１４１０は、回路を含んでいてもよい。詳しくは、前述した米国特許第6,322,903号を参照されたい。また、基板１４１０は、保護板としてのみ使用することもできる。基板１４１０は、ウエハのシンニング中やその後の製造段階において、ウエハ１１０の表面側の回路を保護する。
【００５６】
この技術は、コンタクトパッド３２０Ｃに、キャパシタ及び／又は整流器ネットワークを作成するのに用いられる。図１８は、図４Ａ〜図１３に示した構造体の回路図である。導電層２１０、導電層３２０及び絶縁層３１０は、キャパシタ１５０４を構成する。このキャパシタは、例えば、バンドパスフィルタとして使用することができる。
【００５７】
図１８では、コンタクトパッド３２０Ｃは、基板１１０に作成された回路１５１０に接続されている。なお、ある実施形態では、コンタクトパッド３２０はそのような回路には接続されておらず、導電層２１０がそのような回路に接続されている。また、ある実施形態では、コンタクトパッド３２０と導電層２１０の両方がそのような回路に接続されている。
【００５８】
キャパシタ１５０４は、接合キャパシタ又は整流器である。なお、絶縁層３１０は省略することもできる。導電層３２０、２１０としては、ｐｎ接合を作成するために、反対の導電型の半導体層を用いることができる。また、導電層３２０、２１０は、一方の導電層がｎ型の半導体層で、他方の層が金属層の場合は、ショットキー接合を構成することもできる。
【００５９】
図１９及び図２０では、両方とも、導電層２１０と基板１１０は、ダイオード１６１０を構成している（導電層２１０は、図１９では陽極として作用し、図２０では陰極として作用する）。ダイオード１６１０は、導電層２１０及び基板１１０の隣接領域１１０．１が反対の導電型の半導体物質である場合は、ｐｎ接合ダイオードである。また、ダイオード１６１０は、導電層２１０が金属からなり、領域１１０．１がｎ型である場合は、ショットキー・ダイオードである。コンタクトパッド３２０Ｃ、導電層２１０及び／又は基板の領域１１０．１は、基板１１０に作成された回路１５１０に接続されている。
【００６０】
図２１は、図１５に示した構造体の回路図である。キャパシタ１５０４．１は、図１８に示したキャパシタ１５０４のように構成されている。キャパシタ１５０４．２は、導電層２１０、基板の領域１１０．１、及び絶縁層１１１０から構成されている。基板の領域１１０．１は、好ましい伝導性となるように、ドーピングされている。
【００６１】
キャパシタ１５０４．１及びキャパシタ１５０４．２の一方又は両方は、図１８〜図２０を参照しつつ説明したように、接合キャパシタ又は整流器である。なお、絶縁層３１０及び／又は１１１０は、省略することができる。
【００６２】
図２２は、図１６に示した構造体の回路図である。キャパシタ１５０４．１は、導電層３２０、導電層２１０．２、及び絶縁層３１０．２から構成されている。また、キャパシタ１５０４．２は、導電層２１０．２、導電層２１０．１、及び絶縁層３１０．１から構成されている。また、キャパシタ１５０４．３は、導電層２１０．１、基板の領域１１０．１、及び絶縁層１１１０から構成されている。
【００６３】
キャパシタ１５０４．１、キャパシタ１５０４．２、及びキャパシタ１５０４．３の１つ以上は、接合キャパシタ又は整流器である。
【００６４】
前記各キャパシタは、相互接続することができる。図２２に示すように、導電層３２０及び導電層２１０．１は、接続線１９１０により互いに接続されている。このことにより、キャパシタ１５０４．１及び１５０４．２は、コンタクトパッド３２０Ｃと回路１５１０に接続されている導電層２１０．２との間において、並列に接続される。接続線１９１０は、開口１３０の外側に設けることができる。接続線１９１０は、製造中又は製造後に、容量を調整することができるように、恒久的に接続することができる。また、接続線１９１０は、プログラム可能である（例えば、ヒューズや、アンチヒューズを使用して）。
【００６５】
接続線１９１０は、開口１３０の外側にエッチングされたコンタクト開口（図示せず）により実現することができる。そして、導電層３２０及び２１０．１を互いに接続させる（直接又は層を介して接続させる）ことができる。
【００６６】
絶縁層２１０は、コンタクトパッド３２０Ｃと基板１１０との間に、複数のキャパシタ及び整流器を構成するために、また、好ましい電磁シールドを設けるために、いくつでも形成することができる。接続線１９１０は、好ましいネットワークを構成するために使用される。
【００６７】
図２３は、キャパシタ構造体の他の実施形態を示している。この構造体は、次の（１）〜（９）のようにして製造される。
【００６８】
（１）１つ又は複数の開口１３０が基板１１０の表面に形成される（図１〜図１７に示すように）。
【００６９】
（２）所望に応じて、絶縁層１１１０が形成される（図１６に示すように）。
【００７０】
（３）１つ又は複数の導電層２１０が開口に形成される（図１５又は図１６のように）。図２３Ａでは、そのような導電層２１０を１つのみ示している。また、所望に応じて、複数の導電層２１０，２１０間に、絶縁層３１０が形成される（図１６における絶縁層３１０．１，３１０．２のように）。
【００７１】
（４）所望に応じて、図１５において絶縁層３１０を形成したときと同じ技術を用いて、開口１３０内に、導電層２１０と重なるようにして、絶縁層３１０を形成する。
【００７２】
（５）図３〜図１６において導電層３２０を形成したときと同じ技術を用いて、導電層３２０．１を形成する。
【００７３】
（６）図１５において絶縁層３１０を形成したときと同じ技術を用いて、絶縁層２０１０．１を形成する。
【００７４】
（７）（５）の工程を繰り返して、導電層３２０．２を形成する。そして、（６）の工程を繰り返して、絶縁層２０１０．２を形成する。そして、（５）の工程を繰り返して、導電層３２０．３を形成する。
【００７５】
（８）所望に応じて、開口１３０に物質３４０を充填する（図３に示すように）。開口は、（７）の工程において、導電層３２０．３によって充填することもできる。
【００７６】
（９）そして、ウエハ裏面１１０Ｂは導電層３２０．１を露出させるために処理される。この処理は、図４Ａ〜図１７を参照しつつ説明した技術により行うことができる。そして、導電層３２０．１の露出された部分がコンタクトパッド３２０Ｃとなる。ウエハ裏面は、図６〜図１７を参照しつつ説明したようにして絶縁される。
【００７７】
図２３Ｂは、図２３Ａに示した構造体の回路図である。導電層３２０．１、絶縁層３１０、及び導電層２１０は、キャパシタ１５０４．１を構成している。また、導電層２１０、絶縁層１１１０、及び基板の領域１１０．１は、キャパシタ１５０４．２を構成している（領域１１０．１が、ドーピングにより、導電性を有している場合）。また、導電層３２０．１、絶縁層２０１０．１、及び導電層３２０．２は、キャパシタ２０２０．１を構成している。また、導電層３２０．２、絶縁層２０１０．２、及び導電層３２０．３は、キャパシタ２０２０．２を構成している。
【００７８】
恒久的に接続されている又はプログラム可能に接続されている接続線１９１０は、選択された導電層間において、開口１３０の外側に設けることができる。図２３Ａでは、恒久的に接続されている接続線１９１０．１が、導電層３２０．２と導電層２１０とを接続している。したがって、キャパシタ２０２０．１とキャパシタ１５０４．１は、コンタクトパッド３２０Ｃと、導電層２１０及び導電層３２０．２により構成された電気的ノードＮとの間において、並列に接続されている。恒久的に接続されている接続線１９１０．２は、導電層３２０．３と導電層３２０．１とを接続している。そして、コンタクトパッド３２０Ｃとノードｎとの間における容量の合計を増加させることができる。
【００７９】
図２３Ｃは、図２３Ａに示した構造体の回路についての他の説明である。キャパシタ２０２０．１とキャパシタ２０２０．１は、（ｉ）「指」３２０．１及び「指」３２０．３を有する第１の導電板と、（ｉｉ）「指」２１０及び「指」３２０．２を有する第２の導電板とから構成された単一のキャパシタと見なすこともできる。これらの交互に配置された「指」は互いにかみ合い、図２３Ａに示したようなインターデジタル構造を構成する。このことにより、小領域において大きなキャパシタンスを得ることができる。
【００８０】
前記した（５）及び（６）の工程を繰り返すことにより、導電層３２０と絶縁層２０１０をいくつでも形成することができる。そして、このことにより、キャパシタ２０２０をいくつでも構成することができる。また、１つ又は複数の絶縁層２０１０は省略することができ、１つ又は複数の構成物２０２０は、接合キャパシタ又は整流器として機能する。また、絶縁層３１０は省略することができ、接続キャパシタ又は整流器は、導電層３２０．１及び導電層２１０により構成することもできる。
【００８１】
ある実施形態では、１つ又は複数の絶縁層１１１０、導電層２１０、絶縁層３１０、導電層３２０、及び絶縁層２０１０は、いくつかの開口１３０にのみ形成されており、同じ構造体の他の開口には形成されていない。また、例えば、これらの層のいくつかは、いくつかの開口において、エッチングにより除去することができる。また、これらの層は、いくつかの開口（全部ではない）に、選択的に形成してもよい。導電層２１０は、基板１１０のための電磁シールドとして機能する。
【００８２】
図２４に示すように、小領域において、多数のキャパシタネットワークを形成するために、また、様々な電磁シールドパラメータを得るために、導電層２１０及び導電層３２０は、いくつでも形成することができる。また、１つ又は複数の絶縁層３１０、２０１０、１１１０が省略された際は、整流器又は接合キャパシタが構成される。
【００８３】
本発明は、前記した方法、物質、寸法、及び構造体に限定されるものではない。例えば、ある実施形態では、シリコン以外の半導体物質を使用することができる。また、他の実施形態及び変形例は、別紙の特許請求の範囲によって定義された本発明の範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明に係る構造体の縦断面図であり、基板１１０と基板１１０上に形成された絶縁層１２０とを示している。
【図２】図１の状態から、絶縁層１２０上に、導電層２１０を形成した状態を示している。
【図３】図２の状態から、導電層２１０上に、絶縁層３２０と導電層３２０を順に形成した状態を示している。
【図４−Ａ】図３の状態から、ウエハの裏面１１０Ｂにおいて開口１３０を露出させた状態を示している。
【図４−Ｂ】図４−Ａに示した構造体の水平断面図である。
【図５】導電層２１０の他の形成方法を説明するための図であり、導電層３１０が基板１１０に対して凹んでいることを示している。
【図６】図４−Ａの状態から、ウエハの裏面１１０Ｂに、絶縁層６０２を形成した状態を示している。
【図７】ウエハ裏面の他の絶縁方法を説明するための図であり、ウエハ裏面１１０Ｂに絶縁層６１０を形成した状態を示している。
【図８】図７の状態から、絶縁層６１０をエッチングした状態を示している。
【図９】他のシンニング方法を説明するための図であり、導電層３２０を露出させた状態を示している。
【図１０】図９の状態から、物質１１０、２１０、３１０をエッチングした状態を示している。
【図１１】他のシンニング方法を説明するための図であり、基板１１０及び導電層２１０の一部を除去した状態を示している。
【図１２】図１１の状態から、絶縁層６１０を形成した状態を示している。
【図１３】図１２の状態から、絶縁層３１０を除去した状態を示している。
【図１４】本発明に係る構造体の他の実施形態を示す縦断面図であり、絶縁層１１１０が形成された状態を示している。
【図１５】図１４に示した構造体をシンニングした状態を示している。
【図１６】本発明に係る構造体の他の実施形態を示す縦断面図であり、２つの導電層２１０．１，２１０．２が形成された状態を示している。
【図１７】本発明に係る構造体の他の実施形態を示す縦断面図であり、ウエハの表面を基板１４１０に接合させた状態を示している。
【図１８】図４Ａ〜図１３に示した構造体の回路図であり、キャパシタ１５０４が構成された状態を示している。
【図１９】図４Ａ〜図１３に示した構造体の回路図であり、ダイオード１６１０が構成された状態を示している。
【図２０】図４Ａ〜図１３に示した構造体の回路図であり、ダイオード１６１０が構成された状態を示している。
【図２１】図４Ａ〜図１３に示した構造体の回路図であり、キャパシタ１５０４．１及び１５０４．２が構成された状態を示している。
【図２２】図４Ａ〜図１３に示した構造体の回路図であり、キャパシタ１５０４．１、１５０４．２、及び１５０４．３が構成された状態を示している。
【図２３−Ａ】本発明に係る構造体の他の実施形態を示す縦断面図であり、開口内に複数の絶縁層及び導電層が形成された状態を示している。
【図２３−Ｂ】図２３−Ａに示した構造体の回路図である。
【図２３−Ｃ】図２３−Ａに示した構造体の回路についての他の説明である。
【図２４】複数のキャパシタが構成された状態を示す回路図である。
【符号の説明】
【００８５】
１１０    基板
１１０Ｂ  裏面
１２０    絶縁層
１３０    開口
２１０    導電層
３１０    絶縁層
３２０    導電層
３２０Ｃ  コンタクトパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−Ａ】
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【図４−Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３−Ａ】
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【図２３−Ｂ】
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【図２３−Ｃ】
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【図２４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2004526321.tif 000074
【国際調査報告】
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