(57)【要約】本発明は半導体特性を有する発光体ならびにその製造および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）および有機太陽電池中でのその使用に関する。新規の材料は調製により容易に得られ、かつ有機発光ダイオード中で使用する際に優れた電流密度および効率を有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイプＸＩ、ＸＩＩおよびＸＩＩＩ（反応図式Ｃ）、ＸＩＶおよび／またはＸＶ（反応図式Ｄ）の１，３，２−ジオキサボリン発光体、その際、下記が該当する：
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ９は、相互に無関係に、そのつどモノ官能性の（ヘテロ）アリール系、つまり共役の炭素環式もしくは複素環式の環系であり、該環系は直線的に、もしくは角度をつけて縮合もしくは結合した同一もしくは異なったタイプの環からなっていてもよく、その際、周囲の水素原子は場合によりアルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ジアルキルアミノ基またはジフェニルアミノ基（アルキル＝Ｃ１〜Ｃ６）により置換されていてもよく；さらにＲ１およびＲ２はタイプＸＶの化合物中で分枝鎖状もしくは非分枝鎖状のアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６）であってもよいか、または結合したＮ−原子と一緒になってピロリジン環、ピペリジン環またはモルホリン環を形成してもよく；Ｒ３およびＲ４はさらに相互に無関係にＨであってもよく；Ｒ８は化学結合または相応する二官能性の（ヘテロ）アリーレン系、つまり共役の炭素環式もしくは複素環式の環系であってもよく、該環系は直線的に、もしくは角度をつけて縮合もしくは結合した同一もしくは異なったタイプの環からなっていてもよく、その際、周囲の水素原子は場合によりアルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ジアルキルアミノ基またはジフェニルアミノ基（アルキル＝Ｃ１〜Ｃ６）により置換されていてもよい。
【請求項２】
１，３−ジケト誘導体を無水酢酸中でホウ酸誘導体と反応させることにより１，３，２−ジオキサボリン発光体ＸＩ、ＸＩＩおよびＸＩＩＩを製造する方法。
【請求項３】
リガンド交換反応により１，３，２−ジオキサボリン発光体の２つのアセテートリガンドを、ジカルボン酸のような二座のリガンドと交換する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
アセチル化合物を無水酢酸中で三フッ化ホウ素によるアシル化反応によりメチレン活性な４−メチル−６−（ヘテロ）アリール−２，２−ジフルオロ−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＶ／ＸＶＩへ変換し、かつその後の反応工程でメチレン活性化合物から任意のアリールアルデヒドを用いてビニログな１，３，２−ジオキサボリン発光体ＸＶが得られる、請求項２または３記載の方法。
【請求項５】
アセチル化合物が２−Ｎ，Ｎ−ジ置換されたアミノチエン−５−イル−アセトフェノンＶＩＩであり、かつ／またはアリールアルデヒドが２−Ｎ，Ｎ−ジ置換されたアミノ−５−ホルミル−チオフェンＩＸである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
有機発光ダイオード中でのタイプＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶおよび／またはＸＶの１，３，２−ジオキサボリン発光体の使用。
【請求項７】
有機機能層を有する電子デバイス中、たとえば太陽電池中、有機電界効果トランジスタおよび／またはフォトリフラクティブデバイス中でのタイプＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶおよび／またはＸＶの１，３，２−ジオキサボリン発光体の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体の特性を有する発光体ならびにその製造および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤＳ）および有機太陽電池におけるその使用に関する。
【０００２】
背景技術
特許出願ＤＥ１０００２４２３およびＤＥ１０００２４２４ならびに特許出願ＤＥ１００３８４３６およびＤＥ１００３８４３７（すべて現時点までは未公開）にはすでに、固体として高い蛍光を示し、かつガラス相を形成する新規の有機半導体材料が紹介されている。
【０００３】
新規の半導体材料は長波で発光するスペクトル領域（オレンジ色から赤色）をカバーするために適切であり、かつスピンコーティングにより加工することができるにも関わらす、「小さい分子(small molecules)」に属する。該材料は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）を構成するためにも、有機光起電性エレメントを構成するためにも、および最終的にその他の有機電子デバイスを構成するためにも適切であり、その際、これらの材料は正孔−ならびに電子輸送層中でも、エミッタ層中でも使用することができる。
【０００４】
該材料は調製により高い収率で得られ、かつ２−Ｎ，Ｎ−ジ（ヘテロ）アリールアミノ−チオフェン−および／または−チアゾール−誘導体から誘導される。
【０００５】
さらに有機デバイスおよび発光ダイオード中での種々の使用のために新規の有機半導体および／または発光材料に対する要求が存在する。
【０００６】
本発明の課題は、有機発光ダイオードおよび／または有機電子デバイス中で使用することができ、調製によって良好に得られ、かつ大量生産プロセスで容易に加工することができる、新規の非晶質長波エレクトロルミネセンス有機化合物を提供することである。
【０００７】
本発明の対象は、ＸＩ、ＸＩＩおよびＸＩＩＩ（反応図式Ｃ）、ＸＩＶおよび／またはＸＶ（反応図式Ｄ）のタイプの１，３，２−ジオキサボリン発光体であり、この場合、次のことが該当する：
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ９は、相互に無関係に、そのつど単官能性の（ヘテロ）アリール系、つまり共役の炭素環式もしくは複素環式環系であり、これは直線的に、もしくは角度をつけて縮合もしくは結合した同一もしくは異なった環系からなっていてもよく、その際、周囲の水素原子は場合によりアルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ジアルキルアミノ基またはジフェニルアミノ基（アルキル＝Ｃ１〜Ｃ６）により置換されていてもよく；
さらにタイプＸＶの化合物中のＲ１およびＲ２は、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状のアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６）であってもよく、または結合したＮ−原子と共にピロリジン環、ピペリジン環またはモルホリン環を形成してもよく；
Ｒ３およびＲ４はさらに、相互に無関係にＨであってもよく；
Ｒ８は化学結合または相応する二官能性の（ヘテロ）アリーレン系であってもよい、つまり共役の炭素環式もしくは複素環式環系であってもよく、これは直線的に、もしくは角度をつけて縮合もしくは結合した同一もしくは異なった環系からなっていてもよく、その際、周囲の水素原子は場合によりアルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ジアルキルアミノ基またはジフェニルアミノ基（アルキル＝Ｃ１〜Ｃ６）により置換されていてもよい。
【０００８】
さらに本発明の対象は、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶおよびＸＶのタイプの化合物の製造方法である。
【０００９】
最後に本発明の対象は、有機発光ダイオード、有機太陽電池、光起電性デバイスおよび／または有機機能層を有するその他の電子デバイスにおけるＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶおよびＸＶのタイプの化合物の使用である。
【００１０】
本発明による新規の化合物は調製により容易に入手可能であり、かつ総じてＮ，Ｎ−ジ置換カルボン酸アミドＩＩもしくはＮ，Ｎ−ジ置換チオカルボン酸アミドＩＶの構成単位系(Baukastensystem)により誘導される。これらは大量生産法の範囲で良好に加工可能である。
【００１１】
出発シントンおよびジオキサボリン前駆物質を形成するためには次のことが該当する：
Ｒ５およびＲ６は相互に無関係にＨ、Ｃ１〜Ｃ１０−アルキルまたはフェニルであるか、または一緒になってＣ４〜Ｃ６−アルキレン基または基−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−を形成し；
Ｒ７は分枝鎖状もしくは非分枝鎖状のアルキル基であり；
Ｘはハロゲン、有利にはＣｌ、ＢｒまたはＩであり；
Ａ−はフィルスマイヤー(Vilsmeier)試薬のアニオン、有利にはＣｌＯ４−であり；
Ｒ１０はＲ１の意味を有するが、しかし有利には構造タイプＶＩＩＩの意味を有し、この場合、Ｒ１およびＲ２は化合物タイプＶＩＩＩ中で分枝鎖状もしくは非分枝鎖状のアルキル基（Ｃ１〜Ｃ６）を表してもよく、または結合したＮ−原子と共にピロリジン環、ピペリジン環またはモルホリン環を形成してもよい。
【００１２】
反応図式：
Ａ：出発シントンの形成
【００１３】
【化１】
2004526707.tif 000002
【００１４】
エレクトロルミネセンス発光体を製造するための出発シントンであるビニログなチオカルボン酸アミドＶ、２−Ｎ，Ｎ−ジ置換アミノチオフェン−５−イル−カルボン酸エステルＶＩ、２−Ｎ，Ｎ−ジ置換アミノチエン−５−イル−アセトフェノンＶＩＩおよび２−Ｎ，Ｎ−ジ置換アミノ−５−ホルミル−チオフェンＩＸ（反応図式Ａ）はカルボン酸アミドＩＩから出発して容易に、かつ高い収率で入手可能である。
【００１５】
この場合、ビニログなチオカルボン酸アミドＶは２つの異なった合成経路により得られる。３−置換されたビニログなチオカルボン酸アミドＶを製造するためには、相応するカルボン酸アミドＩＩをラウェソン(Lawesson)試薬により付属するチオカルボン酸アミドＩＶへ変換し、シントンＶは次の反応工程でオルトギ酸エステルおよび１００℃より高い温度で沸騰する第二アミンを用いたリーブシャー(Liebscher)によりアミノホルミル化することにより得られる。これに対して３−非置換のビニログなチオカルボン酸アミドＶはカルボン酸アミドＩＩからアーノルド(Arnold)反応によりクロロプロペンイミニウム塩ＩＩＩを生じ、シントンＶは該塩から、チオ硫酸塩との反応によるブンテ(Bunte)塩および引き続きスルフィット押出(Sulfitextrusion)の段階を経由して得られる。
【００１６】
ハンチ合成に類似の反応により相応する２−Ｎ，Ｎ−ジ置換アミノチオフェンＶＩＩＩへと変換されるチオカルボン酸アミドＩＶから、フィルスマイヤー反応により２−Ｎ，Ｎ−ジ置換されたアミノ−５−ホルミルチオフェンＩＸが得られる。
【００１７】
ビニログなチオカルボン酸アミドＶからハンチ合成に類似の反応において２−ハロゲン酢酸エステルとの反応によりシントンＶＩが、ならびに２−ハロゲン−アセトンとの反応によりシントンＶＩＩが得られる。３−非置換のシントンＶＩはアーノルド反応の生成物ＩＩＩからチオ酢酸エステルによりＳ−アルキル化および環化ならびに芳香族化合物への縮合によるこれらの安定化により形成することができる。
【００１８】
Ｂ：１，３，２−ジオキサボリン前駆物質の製造
【００１９】
【化２】
2004526707.tif 000003
【００２０】
１，３，２−ジオキサボリン前駆物質、１，３−ジケトンＸ（反応図式Ｂ）の製造は、シントンＶ、ＶＩおよびＶＩＩから行う。
【００２１】
Ｖタイプのシントンから置換された１，３−ジチエニルプロパン−１，３−ジオンＸａが二官能性のハンチ合成に類似の反応により１，５−ジハロゲンペンタン−２，４−ジオンとの反応の際に得られる。
【００２２】
ジオキサボリン前駆物質Ｘａを合成するためのもう１つの変法は、タイプＶＩのチエニルカルボン酸エステルとタイプＶＩＩのチエニルアセトフェノンとから強塩基の存在下に無極性溶剤中でクライゼン縮合で行う。
【００２３】
同様にタイプＸｂの相応する非対称の１，３，２−ジオキサボリン前駆物質を、タイプＶＩのチエニルカルボン酸エステルと、任意のアセトフェノンＶＩＩｂとの反応により、またはその反対にチエニルアセトフェノンＶＩＩと任意の（ヘテロ）アリールカルボン酸エステルＶＩｂとの反応により製造する。ビス−およびトリス−１，３，２−ジオキサボリン前駆物質ＸｃもしくはＸｄを得るために、相応するジアセチル誘導体ＶＩＩｃもしくはトリアセチル誘導体ＶＩＩｄをタイプＶＩのチエニルカルボン酸エステルと反応させるか、または相応するジ−もしくはトリカルボン酸エステルＶＩｃもしくはＶＩｄと、タイプＶＩＩのチエニルアセトフェノンとを反応させる。
【００２４】
Ｃ：ジオキサボリンの形成：
【００２５】
【化３】
2004526707.tif 000004
【００２６】
１，３−ジケト誘導体Ｘの、１，３，２−ジオキサボリン発光体ＸＩおよびＸＩＩへの特に容易な変換ならびに１，３，２−ジオキサボリン発光体ＸＩＩＩを形成するためのリガンド交換が反応図式Ｃ中に記載されている。このために１，３−ジケト誘導体を無水酢酸中でホウ酸誘導体（酢酸−三フッ化ホウ素もしくは三酢酸ホウ素）と共に短時間、還流するまで加熱し、その際、本発明による発光体ＸＩおよびＸＩＩは冷却の際に沈澱析出する。
【００２７】
錯体ＸＩＩ中のホウ素リガンドは任意のアルキルリガンドまたはアリールオキシリガンドであってもよく、その際、アルキル基は分枝鎖状もしくは非分枝鎖状で、１〜１８個の炭素原子を有していてもよい。相応するホウ酸エステルの形成は、相応するカルボン酸をホウ酸の存在下で熱的に脱水することにより現場で実施する。
【００２８】
さらにジクロロエタン中で２，２−ジアセチル−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＩを用いてリガンド交換を実施することができ、シュウ酸の存在下に加熱沸点させて、さらに長波で発光し、かつより安定した２，２−オキサラト−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＩＩが得られる。
【００２９】
このリガンド交換のために当然、その他のジカルボン酸、有利にはシュウ酸とならんでマロン酸、アルキルマロン酸またはジアルキルマロン酸を使用することもできる。
【００３０】
Ｄ：（ヘテロ）−アリールスチリル−置換されたジオキサボリンの形成：
【００３１】
【化４】
2004526707.tif 000005
【００３２】
反応図式Ｄでは、２，２−ジフルオロ−１，３，２−ジオキサボリンを製造するために別の方法を使用して、ビニログな１，３，２−ジオキサボリン発光体ＸＶを製造している。この場合、無水酢酸中で三フッ化ホウ素により生じた公知のアセチル化合物ＶＩＩのアシル化反応により、メチレン活性な４−メチル−６−（ヘテロ）アリール−２，２−ジフルオロ−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＶおよびＸＶＩを形成し、これらは任意の（ヘテロ）アリールアルデヒド、しかし有利にはタイプＩＸの化合物により、これまで知られていなかった非晶質の特性を有し、長波で発光する発光体ＸＶへと変換される。
【００３３】
新規の発色団ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶおよびＸＶの非晶質は傾向としてヘテロ芳香族の基本構造におけるアリール置換度の増加と共に改善される。これらは溶液からの被覆方法で、および蒸発により加工することができ、その際、この発光材料を電子輸送材料にドープするか、またはペルアリール置換基の場合、発光材料および電子輸送材料として組み合わせて使用することができる。
【００３４】
実施例：
例１〜１４には個々の例における物質クラスの一般的な合成方法が記載されており、例１５にはＯＬＥＤの構造およびこれらの物理的な特徴が記載されている。
【００３５】
例１）
カルボン酸アミドＩＩの合成
還流冷却器、電磁撹拌機、滴下漏斗および不活性ガスの貫流を有する２ｌの三口フラスコ中で、ジオキサン６００ｍｌ中にそのつど第二アミンＩを１モル溶解する。その後、そのつど必要とされるカルボン酸ハロゲン化物を当量で滴加する。引き続き、反応の際に生じるハロゲン化水素が不活性ガス流から除去されてしまうまで、反応混合物を還流下で加熱する。薄膜クロマトグラフィーによるコントロールにより反応の終了を付加的に検出することができる。次いで反応溶液を冷却し、かつ少なくとも２倍量の水を撹拌導入する。その際、多くの場合油状物が分離し、該油状物は数時間後に固化する。水相を分離し、かつ粗生成物をエタノールから再結晶させる。収率はそのつど、少なくとも９０％である。
【００３６】
【化５】
2004526707.tif 000006
【００３７】
この方法でたとえば２−フェニル酢酸ジフェニルアミド（融点：７１〜７２℃）がジフェニルアミンと２−フェニルアセチルクロリドとから製造される。
【００３８】
例２
チオカルボン酸アミドＩＶの合成
そのつどカルボン酸アミドＩＩ０．５モルおよび当量のラウェソン試薬（アニソールと五硫化リンとから製造）を還流装置中で不活性ガスを貫流させながらジグリコールジエチルエーテル７５０ｍｌ中に懸濁させ、かつ次いで１００℃で６時間撹拌する。その際、清澄な溶液が形成され、ここから場合により冷間で反応生成物が析出する。生成物を完全に単離するために、反応混合物を２倍量の水中に撹拌導入し、次いでしばしば形成される油相を結晶化することができる。その後、生成物を水相から分離し、かつメタノールから再結晶させる。収率はそのつど少なくとも９０％である。
【００３９】
【化６】
2004526707.tif 000007
【００４０】
この方法でたとえば２−フェニルチオ酢酸ジフェニルアミド（融点：１４２〜１４４℃）が２−フェニル酢酸ジフェニルアミドおよびラウェソン試薬から製造される。
【００４１】
例３
クロロプロペンイミニウム塩ＩＩＩの合成
そのつどカルボン酸アミドＩＩ０．５モルを２ｌのビーカー中でＤＭＦ１．５モル中に懸濁させた。この懸濁液に反応混合物の温度が５０〜６０℃に維持されるようにＰＯＣｌ３  １．２５モルを滴加する。必要に応じて氷浴で冷却する。反応の経過において完全溶液が生じ、該溶液をＰＯＣｌ３の添加後、３０分経過するまで６０℃に維持し、かつその後冷却する。次いで反応溶液に、過剰のフィルスマイヤー試薬を分解するために慎重に７０％の過塩素酸０．５モルとメタノールとからなる混合物を添加する。使用されるメタノール量は、反応溶液のほぼ２倍に体積に相当すべきである。反応の際に形成されるクロロビニルイミニウム塩は冷却の際に過塩素酸塩の形で析出する。収率はそのつど、少なくとも８５％である。
【００４２】
【化７】
2004526707.tif 000008
【００４３】
この方法でたとえば１−クロロ−１−ジフェニルアミノプロペン−３−イル−ジメチルイミニウム−過塩素酸塩（融点：１７８〜１８０℃）がＤＭＦ中で酢酸−ジフェニルアミドおよびＰＯＣｌ３から製造される。
【００４４】
例４
ビニログなチオカルボン酸アミドＶの合成
ａ）チオカルボン酸アミドＩＶから
それぞれのチオカルボン酸アミドＩＶ  ０．２モル、オルトギ酸トリエチルエステル０．８モルおよびモルホリン０．６モルを、電磁撹拌機、水分離器および還流冷却器を備えたフラスコ中で、水分離器中でエタノール０．６モルが分離されるまで１３０℃で加熱した。冷却後、反応溶液を５倍量の水中に撹拌導入し、かつ次いで酢酸により中和する。析出する生成物を分離し、かつメタノールから再結晶させる。収率はそのつど少なくとも９０％である。
【００４５】
【化８】
2004526707.tif 000009
【００４６】
この方法でたとえば３−モルホリノ−２−フェニル−チオ−アクリル酸ジフェニルアミド（融点：１８２℃）が、オルトギ酸トリエチルエステルとモルホリンとの存在下に２−フェニルチオ酢酸ジフェニルアミドから製造され、ならびに３−モルホリノ−２−フェニル−チオアクリル酸−Ｎ−フェニル−Ｎ−１−ナフチルアミド（融点：１８５℃）が、オルトギ酸−トリエチルエステルとモルホリンとの存在下に２−フェニルチオ酢酸−Ｎ−フェニル−Ｎ−１−ナフチルアミドから製造される。
【００４７】
ｂ）クロロプロペンイミニウム塩ＩＩＩから
そのつどクロロビニルイミニウム塩ＩＩＩ０．２モルおよびチオ硫酸ナトリウム０．２モルを還流装置中でメタノール５００ｍｌ中に懸濁させ、次いで清澄な溶液が形成されるまで還流下で加熱する。その際に生じるブンテ塩ＩＩＩｂをアニリン０．４モルの添加によりビニログなチオカルボン酸アミドＶのアニル(Anil)に変換し、これはすでに熱間で結晶化し始め、かつ冷却後に完全に沈澱する。水１００ｍｌの添加により生成物を吸引濾過する。収率はそのつど少なくとも８０％である。
【００４８】
【化９】
2004526707.tif 000010
【００４９】
この方法でたとえば３−ジメチルアミノ−チオアクリル酸ジフェニルアミド（融点１８５〜１８７℃）が、１−クロロ−１−ジフェニルアミノ−プロペン−３−イル−ジメチルイミニウム−過塩素酸塩から製造される。
【００５０】
例５
チエニルカルボン酸エステルＶＩの合成
ａ）ビニログなチオカルボン酸アミドＶから
そのつどビニログなチオカルボン酸アミドＶ０．１モルを、エタノール３００ｍｌ中の当量のα−ハロゲン酢酸エステルと共に、還流冷却器を有するフラスコ中で撹拌下で３０分間、還流で加熱する。その際、完全溶液が生じる。その後、トリエチルアミン０．１モルを添加し、かつさらに５分間冷却し、その際、トリエチルアンモニウムハロゲン化物が沈澱し、かつ生成物が沈澱する。水１００ｍｌを添加し、かつ結晶化した生成物を吸引濾過し、乾燥させ、かつエタノールもしくはエタノール／水から再結晶させる。収率は少なくとも理論値の８０％である。
【００５１】
【化１０】
2004526707.tif 000011
【００５２】
この方法でたとえば２−（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニル−アミノ）−３−フェニルチエン−５−イル−カルボン酸エチルエステルＶＩ／ｌ、融点：５７℃が製造される。
【００５３】
ｂ）クロロプロペンイミニウム塩ＩＩＩから
そのつどクロロプレンイミニウム塩ＩＩＩ０．１モルをエタノール１５０ｍｌ中の当量のメルカプト酢酸エステルと共に、還流冷却器を有するフラスコ中で撹拌下に３０分間、還流で加熱する。その際に完全溶液が生じる。その後、トリエチルアミン０．１モルを添加し、かつさらに５分間冷却し、その際、トリエチルアンモニウムハロゲン化物および生成物が沈澱する。水１００ｍｌを添加し、かつ結晶化した生成物を吸引濾過し、乾燥させ、かつエタノールもしくはエタノール／水から再結晶させる。収率は少なくとも理論値の８０％である。
【００５４】
【化１１】
2004526707.tif 000012
【００５５】
この方法でたとえば２−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル）−アミノチエン−５−イル−カルボン酸メチルエステルＶＩ／２、融点：５５℃が製造される。
【００５６】
例６
アセチルチオフェンＶＩＩの製造
そのつどビニログなチオカルボン酸アミドＶ０．１モルをＴＨＦ１５０ｍｌ中の当量のクロロアセトンと共に、還流冷却器を有するフラスコ中で撹拌下に還流させながら３０分間加熱する。その際、完全溶液が生じる。その後、トリエチルアミン０．１モルを添加し、さらに５分後に冷却し、その際、トリエチルアンモニウムハロゲン化物が析出する。反応混合物からＴＨＦを回転蒸発器で除去し、かつその後、酢酸１０ｍｌおよび水１００ｍｌを添加する。生成物が析出し、かつこれを吸引濾過し、乾燥させ、かつエタノールもしくはエタノール／水から再結晶させる。収率は少なくとも理論値の７０％である。
【００５７】
【化１２】
2004526707.tif 000013
【００５８】
この方法でたとえば２−（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニル）−アミノ−３−フェニル−５−アセチルチオフェンＶＩＩ／ｌ、融点１３５〜１３７℃が製造される。
【００５９】
例７
２−アミノチオフェンＶＩＩＩの合成
そのつどのチオカルボン酸アミドＩＶ０．１モルをＤＭＦ２００ｍｌ中の当量の芳香族ω−ハロゲンアセチル化合物と共に、還流冷却器を有するフラスコ中で撹拌下に１２０℃で５時間加熱する。その際、完全溶液が生じる。その後、冷却する。反応混合物を撹拌下で砕いた氷３００ｇに添加し、その際、生成物が結晶化する。最後に吸引濾過し、乾燥させ、かつエタノールから再結晶させる。収率は少なくとも理論値の７０％である。
【００６０】
【化１３】
2004526707.tif 000014
【００６１】
この方法でたとえば２−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル）−アミノ−３，４−ジフェニル−チオフェンＶＩＩＩ／ｌ、融点１０５℃が製造される。
【００６２】
例８
２−アミノ−５−ホルミルチオフェンＩＸの合成
そのつど２−アミノチオフェンＶＩＩＩ０．１モルをビーカー中でＤＭＦ５０ｍｌと混合し、かつＰＯＣｌ３  ０．１５モルを滴加する際に温度が２０℃を越えないように冷却する。その際、完全溶液が生じ、該溶液を添加の終了後にふたたび６０℃で３０分加熱する。次いで反応混合物を撹拌下で砕いた氷３００ｇに添加し、その際、生成物が結晶化する。最後に吸引濾過し、乾燥させ、かつエタノールから再結晶させる。収率は少なくとも理論値の６０％である。
【００６３】
【化１４】
2004526707.tif 000015
【００６４】
この方法でたとえば２−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−３，４−ジフェニル−５−ホルミルチオフェンＩＸ／ｌ、融点１１６℃が製造される。
【００６５】
例９
ジチエニルプロパン−１，３−ジオンＸａの合成
ａ）ビニログなチオカルボン酸アミドＶから
アセトニトリル（５０ｍＬ）中のビニログなチオカルボン酸アミドＶ（０．００２モル）および１，５−ジクロロ−ペンタン−２，４−ジオン（０．００１モル）からなる混合物を水浴で短時間加温し、かつ引き続きトリエチルアミン（１ｍｌ）を添加する。水（１０ｍｌ）の添加による冷却の際に析出する生成物を吸引濾過し、かつ空気中で乾燥させる。
【００６６】
この方法でたとえばＸａタイプの化合物が得られる：
１，３−ビス−（２−ジフェニルアミノ−チエン−５−イル）−プロパン−１，３−ジオン、収率７１％および融点３０２℃；
【００６７】
【表１】
2004526707.tif 000016
【００６８】
ｂ）チエニルカルボン酸エステルＶＩおよびアセチルチオフェンＶＩＩから
トルエン（２５０ｍｌ）中の水素化ナトリウム（０．１２モル）の懸濁液に撹拌下でチエニルカルボン酸エステルＶＩ（０．１モル）およびアセチルチオフェンＶＩＩ（０．１モル）からなる混合物を滴加した。引き続き還流下に１０時間加熱し、かつ冷却後に反応混合物を水性の酢酸中に注ぐ。析出する生成物を吸引濾過し、かつ酢酸または酢酸エステルから再結晶させる。
【００６９】
この方法でたとえばＸａタイプと同じ化合物が得られる：
１，３−ビス−（２−ジフェニルアミノチエン−５−イル）−プロパン−１，３−ジオン、収率５６％および融点３０２℃；
【００７０】
【表２】
2004526707.tif 000017
【００７１】
例１０
１，３−ジケト誘導体Ｘｂ〜Ｘｄの合成
ａ）チエニルカルボン酸エステルＶＩおよびアセチル誘導体ＶＩＩｂ〜ＶＩＩｄから
トルエン（２５０ｍｌ）中の水素化ナトリウム（０．１２モル）からなる懸濁液に撹拌下でチエニルカルボン酸エステルＶＩ（０．１モル）およびアセチル誘導体ＶＩＩｂ（０．１モル）；ＶＩＩｃ（０．０５モル）およびＶＩＩｄ（０．０３３モル）からなる混合物を滴下する。引き続きＶＩＩｂの場合には１０時間もしくはＶＩＩｃおよびＶＩＩｄの場合には４８時間、還流下で加熱し、かつ冷却後に反応混合物を水性の酢酸中に注ぐ。析出する生成物を吸引濾過し、かつ酢酸または酢酸エチルエステルから再結晶させる。
【００７２】
この方法でたとえば次のシントンＸｂ〜Ｘｄが製造される。
【００７３】
【表３】
2004526707.tif 000018
【００７４】
ｂ）アセチルチオフェンＶＩＩおよびエステル誘導体ＶＩｂ〜ＶＩｄから
トルエン（３５０ｍｌ）中の水素化ナトリウム（０．２４モル）からなる懸濁液に、撹拌下でアセチルチオフェンＶＩＩ（０．２モル）およびエステル誘導体ＶＩｂ（０．２モル）；ＶＩｃ（０．１モル）；ＶＩｄ（０．０６７モル）からなる混合物を滴下する。引き続き還流下で４８時間加熱し、かつ冷却後に反応混合物を水性酢酸中に注ぐ。析出する生成物を吸引濾過し、かつ酢酸または酢酸エチルエステルから再結晶させる。
【００７５】
この方法でたとえば化合物Ｘｃ／ｌ（Ｒ１、Ｒ２＝フェニル、Ｒ３＝Ｈ、Ｒ８＝化学結合）が収率５９％；融点２０５〜２０７℃で製造される。
【００７６】
【表４】
2004526707.tif 000019
【００７７】
例１１
１，３，２−ジオキサボリンＸＩおよびＸＩＩの合成
無水酢酸（１００ｍｌ）中の１，３−ジケト誘導体Ｘ（０．００１モル）の混合物に、ＸＩａ、ＸＩＩａ、ＸＩｂおよびＸＩＩｂのためにはホウ酸誘導体である酢酸−三フッ化ホウ素−錯体もしくは三酢酸ホウ素（０．００２モル）；ＸＩｃおよびＸＩＩｃのためには酢酸−三フッ化ホウ素−錯体もしくは三酢酸ホウ素（０．００４モル）およびＸＩｄおよびＸＩＩｄのためには酢酸−三フッ化ホウ素−錯体もしくは三酢酸ホウ素（０．００６モル）を添加し、かつ引き続き還流下で３０分間加熱する。冷却後に析出した生成物を吸引濾過し、かつ精製のために酢酸から再結晶させる。
【００７８】
この方法でたとえば次の１，３，２−ジオキサボリンＸＩおよびＸＩＩが製造される。
【００７９】
【表５】
2004526707.tif 000020
【００８０】
【表６】
2004526707.tif 000021
【００８１】
例１２
１，３，２−ジオキサボリンＸＩＩＩの合成
ジクロロエタン（１００ｍＬ）中の２，２−ジアセチル−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＩ（０．００１モル）の混合物に、ＸＩＩＩａおよびＸＩＩＩｂのためにはシュウ酸（０．００２モル）；ＸＩＩＩｃのためには（０．００４モル）およびＸＩＩＩｄのためには（０．００６モル）を添加し、かつ引き続き還流下に３０分間加熱する。冷却後、析出した生成物を吸引濾過し、かつ精製のために酢酸から再結晶させる。
【００８２】
この方法でたとえば２，２−オキサラト−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＩＩａ／ｌが製造される。
【００８３】
【表７】
2004526707.tif 000022
【００８４】
例１３
４−メチル−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＶおよびＸＶＩの合成
無水酢酸（０．６モル）中の（ヘテロ）芳香族アセチル化合物ＶＩＩ、ＶＩＩｂ、ＶＩＩｃまたはＶＩＩｄ（０．１モル）の混合物にＶＩＩおよびＶＩＩｂのためには三フッ化ホウ素−酢酸−錯体（０．２モル）；ＶＩＩｃのためには（０．４モル）およびＶＩＩｄのためには（０．６モル）を添加し、かつ引き続き４５℃で３時間加熱する。冷却後、析出した生成物を吸引濾過し、かつ精製のために粗生成物を酢酸から再結晶させるが、しかし場合によってはシリカゲルを介してトルエン／酢酸を用いてクロマトグラフィーにより分離する。
【００８５】
この方法でたとえば次の２，２−ジフルオロ−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＶ／ＸＶＩが製造される。
【００８６】
【表８】
2004526707.tif 000023
【００８７】
【表９】
2004526707.tif 000024
【００８８】
例１４
ビニログな１，３，２−ジオキサボリンＸＶの合成
無水酢酸（５０ｍｌ）中の４−メチル−置換された２，２−ジフルオロ−１，３，２−ジオキサボリンＸＩＶもしくはＸＶＩａ、ＸＶＩｂまたはＸＶＩｃ（０．００１モル）および当量のＮ，Ｎ−ジ置換された２−アミノチオフェン−５−カルボアルデヒドまたは同量の、これらの属するイミニウム塩からなる混合物を水浴で３０分間加熱する。引き続き冷却し、その際、染料の結晶が沈澱し、かつ酢酸エチルエステルおよびエーテルで洗浄する。
【００８９】
この方法でたとえば次のビニログな２，２−ジフルオロ−１，３，２−ジオキサボリンＸＶが製造される。
【００９０】
【表１０】
2004526707.tif 000025
【００９１】
【表１１】
2004526707.tif 000026
【００９２】
分光分析によるデータを測定するために染料を次の溶剤中で測定した：
ＣＨ２Ｃｌ２中で注釈なし
ａ）ＤＭＦ中、
ｂ）ＣＨＣｌ３中、
ｃ）アセトン中。
【００９３】
例１５
発光材料ＸＩａ／ｌによるＯＬＥＤの特徴付け
ＯＬＥＤは次の層順序で構成した：
アノード：ＩＴＯ（インジウム−酸化スズ）、
５ｎｍ  ＣｕＰｃ（Ｃｕ−フタロシアニン）、
５５ｎｍ  １−ナフダタ(Naphdata)［４，４′，４″−（１−ナフチル−フェニルアミノ）−トリフェニルアミン］、
５ｎｍ  α  ＮＰＤ  （Ｎ，Ｎ′−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン）
３０ｎｍ  Ａｌｑ３＋１．４％  ＸＩａ／ｌ、
３０ｎｍ  Ａｌｑ３（アルミニウム−８−ヒドロキシキノレート）、
０．５ｎｍ  ＬｉＦ（フッ化リチウム）、
カソード  Ａｌ１５０ｎｍ。
【００９４】
ａ）電流密度
【００９５】
【表１２】
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【００９６】
ｂ）効率
【００９７】
【表１３】
2004526707.tif 000028
【００９８】
ｃ）ＯＬＥＤのＣＩＥデータ：（０．２５ｍＡ／ｃｍ２で０．６４×０．３２）
【００９９】
【表１４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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