(57)【要約】ウェハ（１６）をウェハホルダ（２００）に位置決めし、かつ一様なウェハ温度を維持する装置および方法を開示する。ウェハホルダまたはサセプタ（２００）は、表面（２２９）が凹状でありかつ突起（２２０）を隔てる複数の格子溝（２２２）を含んだ格子を含む凹部すなわちポケット（２０２）を備える。凹みおよび格子溝が、支持されたウェハ（１６）とサセプタ表面の間の密閉流れ体積（２４８）、ならびに逃がし面積またはウェハ（１６）の周囲部の下から開いている格子溝（２２２）の全断面積を画定する。これらは、温度一様性を高め、かつ粒子問題を軽減すると同時に、ウェハ降下中のウェハの滑りとねじれ、およびウェハ持上げ中のウェハくっつきを減らすように選ばれる。他の実施形態では、薄い半径方向に配置された突起の形をした中心位置決め装置（２５０または２５２）がサセプタポケット（２０２）の縁のまわりに設けられて、ウェハとサセプタの外側肩部（２０６）の接触の可能性をさらに減少する。これらの特徴は、処理中にウェハ全面にわたって温度の一様性を、したがってプロセスの結果の高品質を達成するのに役立つ。
2004519104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の突起の先端で画定される凹状の支持面を備える基板ホルダであって、前記突起が複数の交差する格子溝で分離され、前記支持面が約０．１３０ｍｍから０．５００ｍｍの凹みを有し、前記凹みが前記支持面の周縁から前記支持面内の中心点までの深さとして測定されるものである基板ホルダ。
【請求項２】
基板を収容する大きさに作られた凹部を囲む環状肩部をさらに備え、前記凹部が前記凹状支持面を含む、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記凹部および前記凹状支持面が２００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに前記凹が約０．１３０ｍｍから０．２５０ｍｍである、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記凹部および前記凹状支持面が２００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに前記凹が約０．１７０ｍｍから０．２２０ｍｍである、請求項３に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
前記凹部および前記凹状支持面が３００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに前記凹が約０．３００ｍｍから０．５００ｍｍである、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項６】
前記凹部および前記凹状支持面が３００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに前記凹が約０．３６０ｍｍから０．４００ｍｍである、請求項５に記載の基板ホルダ。
【請求項７】
前記ホルダに支持された平らな２００ｍｍの基板に関して、前記基板と前記支持面の間の体積と前記支持面の前記格子溝内の体積から成る全密閉流れ体積が、約１．３×１０−５ｍ３から４．０×１０−５ｍ３である、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項８】
前記全密閉流れ体積が、約１．４×１０−５ｍ３から１．６×１０−５ｍ３である、請求項７に記載の基板ホルダ。
【請求項９】
前記基板の周囲部の下で、かつこの周囲部のまわりの前記格子溝の全断面積として定義される逃がし面積が、約２．０×１０−４ｍ２から４．０×１０−４ｍ２である、請求項７に記載の基板ホルダ。
【請求項１０】
前記逃がし面積が、約２．５×１０−４ｍ２から３．５×１０−４ｍ２である、請求項９に記載の基板ホルダ。
【請求項１１】
前記ホルダに支持された平らな３００ｍｍの基板に関して、前記基板と前記支持面の間の体積と前記支持面の前記格子溝内の体積から成る全密閉流れ体積が、約３．０×１０−５ｍ３から６．０×１０−５ｍ３である、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項１２】
前記全密閉流れ体積が、約３．５×１０−５ｍ３から４．５×１０−５ｍ３である、請求項１１に記載の基板ホルダ。
【請求項１３】
前記基板の周囲部の下で、かつこの周囲部のまわりの前記格子溝の全断面積として定義される逃がし面積が、約３．０×１０−４ｍ２から６．０×１０−４ｍ２である、請求項１１に記載の基板ホルダ。
【請求項１４】
前記逃がし面積が、約４．０×１０−４ｍ２から５．０×１０−４ｍ２である、請求項１３に記載の基板ホルダ。
【請求項１５】
前記ホルダに支持された平らな１５０ｍｍの基板に関して、前記基板と前記支持面の間の体積と前記支持面の前記格子溝内の体積から成る全密閉流れ体積が、約７．５×１０−６ｍ３から１０．０×１０−６ｍ３である、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項１６】
前記全密閉流れ体積が、約８．０×１０−６ｍ３から９．０×１０−６ｍ３である、請求項１５に記載の基板ホルダ。
【請求項１７】
前記基板の周囲部の下の前記格子溝の全断面積として定義される逃がし面積が、約０．１×１０−４ｍ２から５．０×１０−４ｍ２である、請求項１５に記載の基板ホルダ。
【請求項１８】
前記逃がし面積が、約２．０×１０−４ｍ２から３．０×１０−４ｍ２である、請求項１７に記載の基板ホルダ。
【請求項１９】
前記支持面の外周が、前記環状肩部の上面の下に約０．０１０から０．０２５インチの距離だけ間隔を空けている、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項２０】
前記支持面の外周が、前記環状肩部の上面の下に約０．０１５から０．０２０インチの距離だけ間隔を空けている、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項２１】
環状溝が前記支持面から前記環状肩部を隔てる、請求項２に記載の基板ホルダ。
【請求項２２】
炭化珪素皮膜を有するグラファイトを備える、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項２３】
前記突起先端からの前記溝の深さが、約０．３５ｍｍから０．５５ｍｍである、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項２４】
前記溝の前記深さが、約０．４０ｍｍから０．４５ｍｍである、請求項２３に記載の基板ホルダ。
【請求項２５】
前記支持面上の隣り合う同様な特徴の間のピッチが、約１．０ｍｍから１．５ｍｍである、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項２６】
前記ピッチが、約１．２ｍｍから１．３ｍｍである、請求項８に記載の基板ホルダ。
【請求項２７】
複数のスパイダアーム用の少なくとも１つの収容溝をその下面に有する、請求項１に記載のホルダ。
【請求項２８】
前記支持面が前記下面までの貫通孔を含まない、請求項２７に記載のホルダ。
【請求項２９】
高温反応チャンバ中に１５０ｍｍ半導体ウェハを保持するためのくぼんだポケットを有するサセプタであって、前記ポケットが、凹状の格子付き表面を有し、７．５×１０−６ｍ３よりも大きな、前記ウェハと前記格子付き表面の底の間の全密閉流れ体積を含むものであるサセプタ。
【請求項３０】
高温反応チャンバ中に２００ｍｍ以上の直径の半導体ウェハを保持するためのくぼんだポケットを有するサセプタであって、前記ポケットが、凹みおよび格子を有する表面を有し、約１．３×１０−５ｍ３から６．０×１０−５ｍ３の、前記ウェハと前記格子の底面の間の全密閉流れ体積を含むものであるサセプタ。
【請求項３１】
前記ウェハの直径が２００ｍｍであり、前記全密閉流れ体積が約１．３×１０−５ｍ３から４．０×１０−５ｍ３である、請求項３０に記載のサセプタ。
【請求項３２】
前記ウェハの直径が２００ｍｍであり、前記表面の凹みが約０．１３０ｍｍから０．２５０ｍｍである、請求項３０に記載のサセプタ。
【請求項３３】
前記ウェハの直径が３００ｍｍであり、前記全密閉流れ体積が約３．０×１０−５ｍ３から６．０×１０−５ｍ３である、請求項３０に記載のサセプタ。
【請求項３４】
前記ウェハの直径が３００ｍｍであり、前記表面の凹みが約０．３００ｍｍから０．５００ｍｍである、請求項３０に記載のサセプタ。
【請求項３５】
降下時に基板が滑らないようにする基板ホルダを製造する方法であって、
放射エネルギーを吸収することができる材料でくぼんだポケットのまわりに環状肩部を形成するステップと、
前記ポケットの周縁から前記ポケット内の中心点までの深さとして測定した結果、約０．１３０ｍｍから０．５００ｍｍの凹を有する凹状支持面として前記ポケットの上面を形成するステップと、
前記凹面に交差する格子溝を掘るステップと、を備える方法。
【請求項３６】
前記凹部および支持面が、２００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、前記凹が、約０．１３０ｍｍから０．２５０ｍｍである、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記凹みが、約０．１７０ｍｍから０．２２０ｍｍである、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記凹部および支持面が、３００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、前記凹が、約０．３００ｍｍから０．５００ｍｍである、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
前記凹みが、約０．３６０ｍｍから０．４００ｍｍである、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記溝を掘ることが、約０．３５ｍｍから０．５５ｍｍの深さまで機械加工することを含み、隣り合う特徴間のピッチが約１．０ｍｍから１．５ｍｍである、請求項３５に記載の方法。
【請求項４１】
前記くぼんだポケットおよび支持面が、３００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに、前記凹状支持面全体に広がる面が、約３．０×１０−５ｍ３から６．０×１０−５ｍ３の体積を囲む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４２】
前記くぼんだポケットおよび支持面が、２００ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに、前記凹状支持面全体に広がる面が、約１．３×１０−５ｍ３から４．０×１０−５ｍ３の体積を囲む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】
前記くぼんだポケットおよび支持面が、１５０ｍｍの基板を収容する大きさに作られ、さらに、前記凹状支持面全体に広がる面が、約７．５×１０−６ｍ３から１０．０×１０−６ｍ３の体積を囲む、請求項３５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、一般的に、プロセスチャンバ中に半導体基板を支持するためのサセプタに関し、より詳細には、一様な基板温度を維持するようにウェハ支持面を構成することに関する。
【０００２】
（発明の背景と概要）
半導体製造プロセスは、一般に、制御された条件の下でチャンバ内に支持された基板に対して行われる。多くのプロセスにおいて、半導体基板（例えば、シリコンウェハ）はプロセスチャンバ内で加熱される。例えば、加熱されたウェハホルダとの直接物理接触で、および／または放射加熱源からの放射で、基板を加熱することができる。例えば、「サセプタ」は、放射熱を吸収し、吸収した熱を基板に伝達するウェハ支持物である。
【０００３】
一般的なプロセスでは、反応ガスが加熱されたウェハに送られ、ウェハ上に反応材料の薄い層の化学気相成長（ＣＶＤ）を行う。連続する処理によって、多数の層が集積回路に作り込まれる。他の例示的なプロセスには、スパッタ堆積、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、プラズマ処理、および高温アニールがある。これらのプロセスの多くは、高温を必要とし、同様の反応チャンバで行うことができる。
【０００４】
様々なプロセスパラメータを注意深く制御して、堆積膜の高品質を保証しなければならない。１つの重要なパラメータは、処理中のウェハの温度である。例えば、ＣＶＤ時に、ウェハに薄膜を堆積するようにプロセスガスが最も効率よく反応する特性温度範囲がある。約５００℃と９００℃の間のシリコンＣＶＤのような質量輸送律速より下の温度で、温度制御は特に重要である（熱力学律速、シランを使用するシリコンＣＶＤでは約５００℃から９００℃まで）。この熱力学律速で、ウェハ表面全体に温度が一様でなければ、堆積膜の厚さは一様でなくなる。
【０００５】
近年、バッチ処理で実現でき得る以上に、プロセス制御において高い精度を必要とするといった様々な理由により、大口径ウェハの単一ウェハ処理がますます広く使用されるようになった。一般的なウェハは、最も一般的には、直径が約１５０ｍｍ（６インチ）か約２００ｍｍ（８インチ）で厚さが約０．７２５ｍｍのシリコンで作られている。近年、単一ウェハ処理の利益をさらに効率的に活用するものとして、直径が約３００ｍｍ（１２インチ）で厚さが約０．７７５ｍｍのより大きなシリコンウェハが導入された。将来は、さらに大きなウェハが見込まれている。
【０００６】
本発明者は、基板の滑り、くっつき、およびねじれ等のサセプタに関連した取扱い問題から、歩留りの結果に影響を及ぼす多くの品質制御の問題を見出した。これらの問題は、高温プロセスチャンバにおける基板の配置およびその後の取出しの間に生じる。
【０００７】
サセプタ凹部またはポケット中のガスのクッションが、基板が直ぐにサセプタに落下させるように、十分速く漏れない場合の降下中に、滑りが発生する。ガスがゆっくり漏れるので、基板は一瞬の間サセプタの上に浮かび、ウェハは滑って中心から外れる傾向がある。このようにして、基板は意図されたポケットの中心に静止しないことがあり、さらに、結果として基板の不均一な加熱が生じることがある。サセプタポケットの縁部に滑ると、基板がポケットの縁と接触するところで局部的な冷却が起こり、結果として堆積される層の性質に依存して厚さ一様性不良、抵抗率一様性不良および結晶学的なスリップが生じる。ウェハ降下位置が一致しないことによるこれらの不均一性のために、プロセスの最適調整が非常に困難になる。同様に、温度の不均一性は、エッチング、アニール、ドーピング、酸化、窒化、および他の製造プロセスにおける不均一性の原因となり得る。
【０００８】
逆に言えば、持上げ時に、ウェハとポケットの表面の間の小さなスペースにガスがゆっくり流れ込むために、基板が下の支持物に貼りつくときに、くっつきが起こる。これによって、基板が持ち上げられるときに基板と支持物の間に真空効果が生じる。くっつきは、潜在的な粒子汚染の原因であり、極端な場合には１から２ｍｍ程度の基板ホルダの持上げを生じさせる。
【０００９】
ねじれは、基板中の半径方向と軸方向の両方の温度勾配の組合せによって生じた基板の反りである。強いねじれによって、基板がベルヌーイワンドの底の側面に接触するようになることがあり、さらに、同様にして、他のロボット先端効果器との相互作用に影響を与え得る。ベルヌーイワンドの場合には、基板の上部側がベルヌーイワンドを引っ掻いて、粒子汚染を起こし、著しく歩留りを下げることがある。ベルヌーイワンドの設計および機能は、米国特許第５，９９７，５８８号に記載されており、ここで参照することで含めるものとする。
【００１０】
図１Ａおよび１Ｂは、サセプタ１００に支持されたウェハ１を示す。ここで、サセプタ１００は格子付き支持面Ｇを有する。最初に図１Ａを参照して、ウェハの周縁２に近いウェハ１の部分を格子Ｇの上に示す。格子Ｇの上面は、複数の格子溝によって２次元で互いに分離された複数の突起３で画定されている。これらの突起３は、格子を囲繞する環状肩部４の上面に対してくぼんでいる。２００ｍｍのウェハでは、この凹部すなわちポケットの深さは約０．０１８インチ（０．４５７ｍｍ）であり、一方で、２００ｍｍウェハの厚さは約０．２８５インチである。したがって、ウェハ１１の上面は肩部４の上面より僅かに上に出る。このことは、ウェハ上に層状ガスの流れを維持するのに役立つ。格子Ｇの外周５は、肩部４の内側の縁６から環状の溝７で隔てられている。この環状の溝７は断面がほぼ半円である。環状溝７のサセプタ１００中の深さは、格子溝の深さとほぼ同じである。肩部４の内側の縁６の直径は、ウェハをポケットに位置づけする許容値を与えるように、ウェハ１の直径よりも僅かに大きい。同様な格子付きサセプタは、アリゾナ州フェニックスのＡＳＭ  Ａｍｅｒｉｃａ社から、ＣＶＤ反応チャンバ用のＥｐｓｉｌｏｎ（商標）シリーズとして市販されている。
【００１１】
図１Ａで、ウェハの全周でウェハの縁２と肩部の縁６の間に等しい間隔を空けた状態で、ウェハ１はポケットの中心に位置している。しかし、図１Ｂに示すように、最初の配置時において、ウェハ１は滑りやすく、および／または跳ねやすく、そして、外側の縁２が肩部４の内側の縁６と接触するか、または縁６の直ぐ近傍に来ることがよくある。肩部４は、ウェハ１および下の格子Ｇよりも厚いので、一般に、より温度が低い。その結果、ウェハの縁２は伝導で冷える傾向がある。また、ウェハの縁２は、肩部の縁６に非常に近い場合、たとえ実際に接触していなくても、輻射によって熱を失う。
【００１２】
ウェハ縁部での冷却で、ウェハの温度は不均一になる。薄膜堆積速度（および多くの他の製造プロセス）が強く温度に依存するならば、特に熱力学律速のＣＶＤでは、膜厚および抵抗率は、温度不均一の条件下で処理されたウェハにわたって不均一となる。その結果、温度一様性を促進しながら基板の持上げおよび降下を容易にする改良された基板支持物が必要とされる。
【００１３】
この要求を満たして、かつ本発明の態様に従って、基板支持物は凹状表面に延びる溝の格子を備え、この凹状表面は、処理するためにシリコンウェハのような一般的に平らな基板を保持することができる。望ましい熱特性を依然として維持しながら、くっつき、滑りおよびねじれを最小限にするように、凹および溝が構成される。この支持物を構成し、その上に基板を支持するための方法も提供する。
【００１４】
本発明の他の態様に従って、基板ホルダの環状肩部の内側の縁に沿って半径方向に配列された中心位置決め装置を提供する。この中心位置決め装置は、基板と環状肩部の熱的な直接接触を防げるように、それらの間の距離を設定する。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴および利点は、本発明を例示であって限定するものではない意図である添付の図面とともに考察されるとき、以下の好ましい実施形態の詳細な説明から明らかになるであろう。
【００１６】
（好ましい実施形態の詳細な説明）
上記の背景と概要の部で言及したように、本発明者は、従来の基板ホルダに基板を出し入れで移すことに関して重大な問題を発見した。基板をホルダに降ろす際に、基板の滑りで、再現性よくホルダの中心に正確に基板を置くことが困難になる。ホルダが加熱されているとき、特に、ホルダがコールドウォール反応炉中にある加熱されたサセプタであるとき、サセプタ上に降ろされた基板は、基板内の一時的な温度差のためにねじれる傾向がある。ねじれによって、「跳ね」が起こり、基板は所望の位置から動くようになる。サセプタ上の基板の配置が予期できないために、特に低温プロセスでは、基板を一様に加熱するように温度制御機構を正確に調整することは困難である。
【００１７】
さらに、ねじれで、ウェハ取扱い先端効果器の引掻きおよび基板の落下が起こり、粒子汚染につながることがある。ホルダからウェハを取り出す際に、ウェハはホルダにくっつく傾向があり（「スティクション（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）」として知られている）、サセプタを持ち上げ、またサセプタを支持構造の上に落とすことがあり、さらなる粒子発生を引き起こす。これらの粒子の問題で、ウェハ全体の汚染、またはウェハのバッチの汚染さえも起こり、著しく歩留りを下げることがある。
【００１８】
図２は、石英反応チャンバ１２を含んだ例示の化学気相成長（ＣＶＤ）反応炉１０を示す。放射加熱エレメント１４が、チャンバ壁であまり吸収されることなくチャンバ１２に熱エネルギーを供給するように、石英チャンバ１２の外部に支持されている。好ましい実施形態は「コールドウォール」ＣＶＤ反応炉の背景で説明するが、ここで説明するウェハ支持システムは他の型の反応路でも有用であることは理解されるであろう。特に、当業者は、ここで説明するウェハ支持システムの応用を、基板が支持され同時に基板が一様に加熱または冷却されるような他の半導体処理システムに見いだすことができる。さらに、ここで説明する支持物は、標準的なシリコンウェハの背景で説明するが、ＣＶＤ、物理蒸着法（ＰＶＤ）、エッチング、アニール、ドーパント拡散、フォトリソグラフィなどの他のような処理に供される、例えばガラスなどの他の種類の基板を支持するために使用することができる。該支持物は高温で、処理される際の基板の支持に特に有用である。
【００１９】
図示の基板は、ウェハ支持構造上に反応炉チャンバ１２内で支持された、図２に示す、一般的に円形の縁１７を有する半導体ウェハ１６で構成される。支持構造は、ウェハ１６が載っているウェハホルダまたは支持物２００と、好ましくは絶縁材料で作られ、ウェハホルダ２００を支持するスパイダ２２を含んでいる。スパイダ２２は軸２４に取り付けられ、この軸は、チャンバの下の壁から垂れ下がる管２６を通って下方に延びている。図示の実施形態では、ウェハホルダ２００は、加熱要素１４からの放射エネルギーを吸収することができるサセプタを備える。サセプタの上面は固体であり、１つの部品で作られるのが好ましい。
【００２０】
中心の温度センサまたは熱電対２８は、軸２４およびスパイダ２２を通ってウェハホルダ２００の近傍に延びる。また、他の周辺熱電対３０が、ウェハホルダ２００およびウェハ１６を囲むスリップリングまたは温度補償リング３２の中に収納されて示されている。熱電対２８、３０は温度コントローラ（図示しない）に接続され、この温度コントローラは熱電対２８、３０の測定値に応答して様々な加熱エレメント１４の電力を設定する。
【００２１】
熱電対３０を収納することに加えて、スリップリング３２は高温処理中に輻射熱を吸収する。これによって、ウェハ縁部１７で熱損失が大きくなる傾向、すなわち、そのような縁近くで特定の体積に対する表面積の集中が大きくなることによって生じることが知られている現象を補償する。スリップリング３２は、縁部損失を最小にし、付随するウェハ１６の半径方向温度不均一性に注意することで、結晶学的な滑りおよびウェハの温度不均一性に関連した他の問題を防止するのに役立つ。スリップリング３２は、任意の適切な手段で吊すことができる。例えば、図示のスリップリング３２は、石英チャンバの仕切り３６から垂れ下がるエルボー（ｅｌｂｏｗ）３４に載っている。
【００２２】
図３〜６を参照して、好ましい実施形態のウェハホルダを示す。上で言及したように、図示のウェハホルダは、加熱エレメント１４からの放射エネルギーを吸収することができるサセプタ２００である。サセプタ２００は、好ましくは炭化珪素を被覆されたグラファイトで作られるが、当業者は他の材料も適していることを理解するであろう。図示のサセプタ２００は、温度安定性を維持する「熱フライホイール」として作用することができるように、支持すべきウェハよりも相当に大きく重い型のものであり、好ましくはウェハの熱質量の５倍以上、より好ましくは約７倍から９倍である。さらに、サセプタ２００は好ましくは「固体」、すなわち貫通する開口を含まない。そのような開口は、熱特性を変えるだけでなく、裏面堆積の危険がある。
【００２３】
図３Ａは、上から見たような、すなわち、ウェハが支持される窪んだポケット２０２の中を覗き込んだサセプタ２００を示す。窪んだポケット２０２は、それの凹状の表面に切り込まれ、さらに環状の溝２０４で囲繞された垂直交差の格子溝の組を有する。この特徴は、以下で図３Ｄに関してより詳細に説明する。サセプタポケット２０２の一部だけを横切って示すが、格子がサセプタポケット２０２全体を横切って環状溝２０４まで延びることは理解されるであろう。隆起した肩部２０６が環状溝２０４に外接する。例えば、２００ｍｍウェハを支持するように設計された実施形態では、環状溝の外側の縁までのサセプタ２００の直径は、約８．０００±０．００５インチか、またはサセプタが支持すべきウェハよりも僅かに大きく、サセプタの全直径は約８．８５０±０．００５インチである。ポケットの縁に最も近い円周に沿った格子突起の先端が、ウェハが載る面を画定する。この面は、標準２００ｍｍウェハの厚さよりも約０．０１０インチ薄い環状隆起肩部２０６の上面よりも約０．０１０から０．０２５インチ、より好ましくは約０．０１５から０．０２０インチ、最も好ましくは約０．０１８インチだけ下にある。
【００２４】
サセプタの底面図を図３Ｂに示す。底面２１０は、幅が約０．２５０インチで垂直交差部分を有する下面の溝２１４を含む。この下面の溝２１４はほぼ完全な同心円を形成し約５．２５０±０．００５インチの外径を有する。下面の溝２１４は完全な円を形成しないで、図３Ｂの右側に示す部分２１６で分断されている。図示の分断部分２１６は長さが約０．２５０インチである。下面の溝２１４にはスパイダ２２（図２）の指部が入り、スパイダが所定位置で部分２１６に組み合うと、分断部分２１６によって、スパイダ２２はサセプタ２００から独立して回転することができなくなる。
【００２５】
図３Ｃは、図３Ａの線３Ｃ‐３Ｃに沿った周囲近くのサセプタ２００の部分の断面図である。上面に、ポケット２０２を示し、複数の格子突起２２０が、ページの面に対して垂直な複数の平行な格子溝２２２で隔てられている。当業者は理解するであろうが、図示の格子溝２２２に垂直でかつページの面に平行な第２の組の同様な平行格子溝（この図には見られない）がある。このようにして、突起２２０は、１組の格子溝２２２が平行な２辺を縁取りし、この図に見えない第２の組の格子溝が他方の平行な２辺を縁取りする小さな正方形の島として理解することができる。環状溝２０４は、サセプタの肩部２０６、およびそれらの相対的な位置も示す。下面２１０に、下面の溝２１４の長方形断面を示す。
【００２６】
図３Ｄは、図３Ｃの３Ｄと表示した円の中に示されるポケット２０２の表面の詳細である。各格子溝２２２は平らな格子床すなわち底面２２４および側壁２２６を有し、この側壁２２６は外側に傾斜し、４５°の夾角に対する。格子溝２２２間の突起２２０は、平らな先端２２８を有し、この先端２２８がポケット２０２の支持面を画定する。図示の実施形態では、先端は正方形で約０．００８インチ×０．００８インチ（０．２０ｍｍ×０．２０ｍｍ）の幅および長さを有し、一方で、格子溝２２２の平らな底面部２２４は幅が約０．２２１インチ（０．５６ｍｍ）である。
【００２７】
突起先端２２８と格子溝底面２２４の高さの差は、好ましくは、約０．３５ｍｍから０．５５ｍｍ、より好ましくは約０．４０ｍｍから０．４５ｍｍである（図示の実施形態では、公称０．４３ｍｍすなわち０．０１７インチ）。格子のピッチ、すなわち同一の隣り合う特徴間の距離は、両方向で、好ましくは約１．０ｍｍから１．５ｍｍ、より好ましくは約１．２ｍｍから１．３ｍｍである（図示の実施形態では、公称１．２７ｍｍすなわち０．０５０インチ）。
【００２８】
同様の格子付きサセプタは、アリゾナ州フェニックスのＡＳＭ  Ａｍｅｒｉｃａ社から、ＣＶＤ反応チャンバ用のＥｐｓｉｌｏｎ（商標）シリーズとして市販されている。しかし、このサセプタは格子構成が異なっている。例えば、従来のサセプタの格子のピッチは好ましい実施形態のピッチの約半分であった。さらに、従来のサセプタは、ただ単に凸状の形にならないようにするための格子の周辺部に比べて凹の最小製造公差（例えば、０から０．００５インチすなわち０．１２７ｍｍ）を除いて、ほぼ平面であるように設計されていた。図４に関して以下で詳しく述べるように、好ましい実施形態は、ウェハ取扱いを改良するためにかなり大きな凹みまたはボウル形状を特徴とする。
【００２９】
図４を参照して、サセプタ２００の上部の断面を示す。図は、サセプタの中心線２４０から環状の肩部２０６に及ぶ。環状肩部２０６のほんの一部だけを示す。ポケット２０２の上面２２９は、格子突起２２０の上面２２８で画定される。上面２２９は、周囲の格子突起２４２から中心の格子突起２４４まで徐々に下方に傾斜する。図示しないが、上面２２９は、また、中心の格子突起２４４からポケット２０２の他方の端にある他の周囲の格子突起２２０まで上方に傾斜する。したがって、ポケット２０２は円対称で、全体的に凹状の形を形成する。サセプタポケット表面の凹および格子構造は、説明のために誇張して示した。
【００３０】
上面２２９の凹みは、肩部２０６の上端に対する深さの差２４６で画定される。例えば、周囲の（環状溝２０４に近接した）格子突起２４２の先端と格子突起２４４（ポケット２０２の中心２４０の）の先端の間の差で画定される。凹み２４６は、好ましくは約０．１３０ｍｍから０．５００ｍｍである。１５０ｍｍウェハ用に設計されたサセプタでは、凹み２４６は、より好ましくは約０．１３０ｍｍから０．２００ｍｍであり、最も好ましくは約０．１３０ｍｍから０．１５０ｍｍである（例示の１５０ｍｍの実施形態では、公称０．１３９７ｍｍ、すなわち０．００５５インチ）。２００ｍｍウェハ用に設計されたサセプタでは、凹み２４６は、より好ましくは約０．１３０ｍｍから０．２５０ｍｍであり、最も好ましくは約０．１７０ｍｍから０．２２０ｍｍである（例示の２００ｍｍの実施形態では、公称０．１９０５ｍｍ、すなわち０．００７５インチ）。３００ｍｍウェハ用に設計されたサセプタでは、凹み２４６は、より好ましくは約０．３００ｍｍから０．５００ｍｍであり、最も好ましくは約０．３６０ｍｍから０．４００ｍｍである。基板寸法が増すにつれて、凹は、比例するよりも大きく増加するのが好ましい。
【００３１】
図５は、好ましいサセプタ２００のポケットの所定位置にあるウェハ１６を示す。ポケット表面の湾曲および格子構造は、構成をよりはっきりと図示するために誇張されている。ウェハ１６と下のサセプタ２００の間に「閉じられた」体積は、図５において参照数字２４８で示し、以下の議論から理解されるように、ここで「流れ体積」と呼ぶ。密閉流れ体積２４８は、ウェハ１６の下の表面２４９と格子の上の表面２２９の間の空間と格子溝２２２の中の体積の両方（すなわち、下の表面２４９と格子溝２２２の底面２２４の間の体積）を含む。
【００３２】
図６Ａは、好ましい実施形態のサセプタ２００上の所定位置にある基板すなわちウェハ１６の透視図である。切り欠き部は、サセプタポケット２０２の周囲または周囲近くの突起２２０の上にあるウェハ１６の縁部１７を示す。格子の尺度は説明のために誇張されている。
【００３３】
図６Ｂは、サセプタポケットの外側の縁の格子突起２２０と接触するウェハの縁部１７を示す。格子は、ウェハの縁部すなわち周囲１７の出っ張りに沿って下方に向けて格子に区分されている。この出っ張りは、図示のように、複数の格子溝２２２と交差する。このようにして、断面には、ウェハの縁１２の格子溝２２２の開口が現れる。ガス（例えば、チャンバ中の空気または不活性ガス）は、ウェハ降下中にこの開口を通って出ていき、また、ウェハ持上げ中にこの開口を通って入っていく。したがって、ウェハ１６の下から開く格子溝２２２の断面積の和を、ここでは、サセプタ２００の「逃がし面積」と呼ぶ。全逃がし面積は、ウェハがサセプタ２００の上に降ろされるときにガスが漏れることができる、またはウェハ持上げ中にガスがサセプタに引き込まれる、ウェハの周囲の全ての逃がし面積の和である。
【００３４】
良好な熱交換特性を維持し、かつプロセスガスがウェハの裏側に達する可能性を最小限にしながら、ウェハの滑り、くっつき、およびねじれを最小限にするように、サセプタの密閉流れ体積および全逃がし面積を最適化する。好ましい実施形態では、直径６インチすなわち１５０ｍｍ、直径８インチすなわち２００ｍｍ、および直径１２インチすなわち３００ｍｍのウェハについて、これらのパラメータを別個に調整した。より大きなウェハサイズでは、流れ体積および全逃がし面積は、ウェハ周囲に達するために移動する距離が増し、かつガスの体積が増すため、ウェハ面積に比例してよりも多く増加するのが好ましい。
【００３５】
言及したように、全密閉流れ体積は、突起の先端２２８で画定される基板の下面２４９とサセプタポケットの上面２２９の間の体積ならびにグリッド溝２２２内の体積を含む。１５０ｍｍウェハを支持するように設計されたサセプタでは、全密閉流れ体積は、好ましくは約７．５×１０−６ｍ３から１０．０×１０−６ｍ３であり、より好ましくは約８．０×１０−６ｍ３から９．０×１０−６ｍ３である。直径２００ｍｍ以上のウェハを支持するように設計されたサセプタでは、全密閉流れ体積は、１．３×１０−５ｍ３から６．０×１０−５ｍ３である。２００ｍｍウェハを支持するように設計されたサセプタの全密閉流れ体積は、好ましくは約１．３×１０−５ｍ３から４．０×１０−５ｍ３であり、より好ましくは約１．４×１０−５ｍ３から１．６×１０−５ｍ３である（例示の２００ｍｍサセプタでは、１．５０６×１０−５ｍ３）。３００ｍｍウェハを支持するように設計されたサセプタでは、全密閉流れ体積は、好ましくは約３．０×１０−５ｍ３から６．０×１０−５ｍ３であり、より好ましくは約３．５×１０−５ｍ３から４．５×１０−５ｍ３である（すなわち、例示の３００ｍｍサセプタでは、４．０６２×１０−５ｍ３）。
【００３６】
６インチすなわち１５０ｍｍウェハでは、サセプタの逃がし面積は、好ましくは約０．１×１０−４ｍ２から５．０×１０−４ｍ２であり、より好ましくは約２．０×１０−４ｍ２から３．０×１０−４ｍ２である。２００ｍｍウェハでは、サセプタの逃がし面積は、好ましくは約２．０×１０−４ｍ２から４．０×１０−４ｍ２であり、より好ましくは約２．５×１０−４ｍ２から３．５×１０−４ｍ２である（例示の２００ｍｍサセプタでは、３．０９６×１０−４ｍ２）。本発明の他の実施形態では、これらのパラメータは、１２インチすなわち３００ｍｍウェハについて最適化する。逃がし面積は、好ましくは約３．０×１０−４ｍ２から６．０×１０−４ｍ２であり、より好ましくは約４．０×１０−４ｍ２から５．０×１０−４ｍ２である（例示の３００ｍｍサセプタでは、４．６４３×１０−４ｍ２）。
【００３７】
好ましい実施形態では、平らなポケット面を有するサセプタをグラファイトから機械加工する。好ましくは約１０００℃から１５００℃、より好ましくは１２５０℃から１３５０℃の高温で、サセプタに炭化珪素を被覆する。サセプタが冷えるとき、グラファイトと炭化珪素の熱膨張係数の不整合のために、サセプタが曲がり、ポケット面の凹みが生じる。この実施形態は、サセプタポケット面に凹を導入する好ましい方法を説明するために示す。上述の好ましい実施形態に従って、当業者は凹面を生成する他の方法を見いだすであろう。
【００３８】
より深くかつより広い溝とともに、サセプタ表面に凹みを生じさせることで、全密閉流れ体積が生成される。この流れ体積は、逃がし面積（ウェハ周囲に開いている溝の全断面積）とともに、ウェハにスケートをさせる、すなわちウェハを滑らせるのに十分な圧力の圧縮されたガスのクッションが作られない状態でのウェハの突然の降下に、対応することができる。ひとつに、大きな流れ体積はガスの圧縮を吸収する助けとなり、その結果加圧は過大にならないし、さらに、ひとつに、逃がし面積によって、降下時に一時的にでもウェハを支持すのに十分なクッションが作られないほど急速に、ガスは漏れるようになる。ウェハは、ウェハ移送ロボットがプログラムされた中心位置で支持格子に載っている。
【００３９】
さらに、好ましい実施形態のポケット断面を使用すると、ウェハがベルヌーイワンドのようなロボットエンドエフェクタで持ち上げられたときに、ウェハとサセプタの間に重要な吸い込み作用は生じない。持上げにおけるこの改良で、粒子の発生が減少する。
【００４０】
有利なことに、サセプタにレッジ（ｌｅｄｇｅ）のような鋭い熱変化を生成することなしに、好ましい流れ体積および逃がし面積を実現することができる。このようにして、格子は、ウェハ面全体の下に延び続け、さらに中央の突起とウェハの間の小さな空間は、ウェハとサセプタの間の熱的な相互作用に悪影響を及ぼさない。実際、サセプタに対してウェハをよりばらつきなく配置することで、膜堆積の一様性および再現性の改良が実現されるので、連続して処理される多数のウェハに等しく適切に温度調整が適用される。対照的に、従来のサセプタ設計では、ウェハが滑ってポケット縁部と接触するとき、局部的な低温箇所が現れる。好ましい実施形態に従った格子付きサセプタで支持されたウェハに対して行った堆積の繰返し試験では、堆積層厚さの優れた再現性および小さな標準偏差が得られた。表Ｉは、新しいサセプタで実現された堆積一様性を示す。
【００４１】
【表１】
2004519104.tif 000003
【００４２】
さらに、中心位置づけ降下についてのより適切な制御で、処理時の破滅的な故障が起こらなくなった。好ましい実施形態を用いて行われた堆積では、滑りは観察されなかった；ウェハは、降下時の中央位置を保ち、堆積膜は制御限界内であった。
【００４３】
他方で、凹のないより狭い溝のある格子付きサセプタを使用して行われた実験で、表ＩＩに示すように、許容できない膜が観察された。表ＩおよびＩＩのウェハは、プロセス方法は同一ではないが、同じ型のチャンバで、かつ同様な温度範囲で処理されたものである。
【００４４】
【表２】
2004519104.tif 000004
【００４５】
ウェハ４、７、８、１６および１７は、本来、比較的大きな標準偏差を有し、したがって、表Ｉのウェハに比べて遥かに大きな膜厚ばらつきを有する。このことは、これらのウェハではサセプタ２００の肩部２０６に接触するウェハ滑りが起こったことの表れである。この接触による重要な温度差によって、ウェハ１６全体で堆積速度が変化し、したがって、一様でない膜厚となる。
【００４６】
さらに、サセプタ上面２２９の凹み２４６（図４）によって、ウェハねじれの発生が減少した。図２を参照して、ウェハ１６が最初にチャンバ１２に導入され、サセプタ２００に保持されるとき、ウェハ１６は下から不均衡に加熱される。したがって、ウェハ１６の下面のより高い温度で、この下面により大きな熱膨張が生じ、したがって、僅かな量の上向きのねじれが生じる。ウェハは、約０．０１０インチのオーダの凹みを有するボウルまたは凹形状である。この状況における凹みは、ウェハの最も高い点（一般には縁部）からウェハの最も低い点（一般には中心部）までの深さを意味する。「平らな」格子付きサセプタの上に降ろした場合には、ウェハ１６の中心が最初にサセプタに接触し、半径方向の温度勾配が発生する。これによって、ねじれ効果は急速に悪化するので、接触するや否や凹は約０．３５０インチに増えて、多くの場合、先端効果器を引っ込めることができないうちにこれを引っ掻き、時には、ウェハの破壊をもたらすことがある。
【００４７】
対照的に、好ましい実施形態のサセプタの凹みによって、ウェハが降下されたときに僅かにねじれたウェハの形によりよく一致したサセプタ、したがってウェハとより連続的に熱的に接触するサセプタが作られる。ウェハねじれは、約０．２００インチの凹みに減少し、これはベルヌーイワンドを引っ掻くのには不十分である。ワンド引掻きおよび付随する粒子問題が起きないようにすることで、歩留りは３０％から４０％向上することが示された。
【００４８】
図７Ａおよび７Ｂは、他の実施形態に従って作られたサセプタ２００を示し、これによって、中心位置づけが改良され、さらに、ポケット２０２の縁部の壁に接触することによる熱的な不均一性が回避される。また、図示の実施形態は、格子付きサセプタを含むので、前の実施形態のものと同様な要素は同様な参照番号で参照する。
【００４９】
サセプタ２００は、ウェハを位置づけすることができる中央の格子付きポケット２０２、およびポケット２０２の周囲にある複数の中心位置決め装置２５０または２５２を含む。位置決め装置２５０または２５２は、格子の高さより上に延び、ウェハが環状肩部２０６と、上述のようにウェハ縁部の冷却を引き起こし得る接触をしないようにする。ウェハ縁部は位置決め装置２５０または２５２と接触することができるので、位置決め装置２５０または２５２は、これが与えるかもしれない不都合な熱的影響を最小限にするように設計される。図７Ａの中心位置決め装置２５０は、この位置決め装置の最も小さな側だけで環状肩部２０６と接触する。図７Ｂに示すように、中心位置決め装置と環状肩部の間に間隔を空けるのが好ましい配列であるが、図７Ａに示すように環状肩部２０６に取り付けられた中心位置決め装置さえも、環状肩部２０６自体とのウェハ接触の危険を冒すことに優る改良である。狭い位置決め装置で、冷却効果が大きい環状肩部２０６の遥かに大きな熱質量からウェハを離す。
【００５０】
凹部の周囲に沿った、すなわち図７Ａおよび７Ｂの表面２６０、２６２に沿った各位置決め装置の幅は、それぞれ、約１．５０ｍｍよりも小さい。位置決め装置の上面は、環状肩部２０６の上面とほぼ同じ高さである。図７Ａで、各位置決め装置のその上面での半径方向の長さは、好ましくは、約１．００から２．００ｍｍである。図７Ｂで、各位置決め装置の外側の縁２５８は、環状肩部２０６の内周から約０．５０ｍｍから２．００ｍｍ離れている。
【００５１】
位置決め装置２５０および２５２は、それぞれ、ウェハの直径よりも僅かに大きな直径を有する円に沿って、内側の縁２６０および２６２で位置づけされている。図８に示すように、ポケット２０２の縁のまわりに、好ましくは６から１０個、より好ましくは約７から９個、さらに、最も好ましくは約８個の位置決め装置が等間隔で配置されている。
【００５２】
ここで説明した基板支持物は、基板処理システムでの基板位置決めの多くの態様で、従来技術に優る改良を行う特徴を含む。特に、基板の下のサセプタポケット中の密閉流れ体積および基板の周囲の逃がし面積は、降下および持上げ中の基板の滑りおよびくっつきの可能性を低減するように設計された。これによって、基板は、処理中にサセプタポケットの中心近くに確実に位置づけされるようになる。他の実施形態では、サセプタポケットの縁のまわりの中心位置決め装置により、基板とサセプタの外側の縁の接触の可能性がさらに減少する。サセプタポケットのこれらの特徴は、基板の縁部と基板ホルダの温度の低い外側の肩部との接触を防ぎ、それによって、温度一様性の実現を助け、プロセスの結果の品質が優れた再現性を有することを保証する。
【００５３】
本発明の範囲から逸脱することなしに様々な修正物および変化物を作ることができることを当業者は理解するであろうし、また、全てのそのような修正物および変化物は、添付の特許請求の範囲で定義されるような本発明の範囲内に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】サセプタの中心に位置づけされたウェハを示す略断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａのサセプタに中心を外れて位置づけされたウェハを示す略断面図である。
【図２】サセプタ上に支持されたウェハを有する例示の反応チャンバを示す模式化された断面図である。
【図３Ａ】本発明の好ましい実施形態に従って構成された、ウェハを保持するための格子付きポケットを有するサセプタを示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａのサセプタを示す底面図である。
【図３Ｃ】図３Ａの線３Ｃ‐３Ｃに沿った図３Ａのサセプタを示す部分断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｃの支持格子の部分を示す拡大断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態を図示するためにポケット表面の凹が誇張された、図３Ａのサセプタの部分を示す略断面図である。
【図５】支持されたウェハと図３Ａのサセプタの間の閉じられた体積を示す略断面図である。
【図６Ａ】図３Ｃのサセプタに支持されたウェハを示す略遠近法および部分切り取り図である。
【図６Ｂ】ウェハの周囲の下の支持格子を示す図６Ａの円で囲んだ部分を示す拡大断面図である。断面はウェハの縁の曲線に沿っている。
【図７Ａ】中心位置決め装置の外側の縁がサセプタの肩部と接触している場合の、本発明の他の実施形態に従って作られたサセプタの部分を示す透視図である。
【図７Ｂ】中心位置決め装置の外側の縁がサセプタの肩部から内側の方に離れて位置づけされている場合の、本発明の実施形態に従って作られたサセプタの部分を示す透視図である。
【図８】図７Ｂの複数の中心位置決め装置によってサセプタの中心に位置決めされたウェハを示す略平面図である。
【国際公開パンフレット】
2004519104.tif 000005
2004519104.tif 000006
2004519104.tif 000007
2004519104.tif 000008
2004519104.tif 000009
2004519104.tif 000010
2004519104.tif 000011
2004519104.tif 000012
2004519104.tif 000013
2004519104.tif 000014
2004519104.tif 000015
2004519104.tif 000016
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2004519104.tif 000019
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2004519104.tif 000029
2004519104.tif 000030
2004519104.tif 000031
【国際調査報告】
2004519104.tif 000032
2004519104.tif 000033
2004519104.tif 000034