(57)【要約】プラスチックカプセル封止型半導体デバイス、たとえば表面実装パワーデバイスにおいて、ほぼ純アルミニウムからなる少なくとも１本の犠牲追加ワイヤ（２４、２５、２６、２７）をボンディングパッド（１１、１３、１４）および端子領域（１０１、１１０）の少なくとも一方に接合することによって、封入カプセル（１５０）内への湿気の滲入または内部発生によるアルミニウム腐食が回避される。デバイスの実際の接続ワイヤ（２１、２２、２３）は、犠牲追加ワイヤ（２４、２５、２７）よりも湿気による腐食に対して耐性のあるニッケルドープ処理されたアルミニウムのような合金化アルミニウム材料で構成される。犠牲追加ワイヤ（２４、２５、２７）はカプセル（１５０）内で湿気の腐食性ゲッターとして作用する。ボンディングパッド（１１、１２、１３、１４）はアルミニウム合金、たとえばアルミニウム・シリコン合金、または比較的純なアルミニウムで構成することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にアルミニウムからなるボンディングパッドを有するデバイス本体と、デバイスの前記ボンディングパッドと電気端子領域の間に接合されるアルミニウムからなる接続ワイヤとを有し、前記デバイス本体と接続ワイヤはプラスチック封止カプセルの内部に配置され、カプセル内の潜在的湿気領域におけるボンディングパッドおよび端子領域の少なくとも一方に犠牲追加ワイヤが接合され、前記接続ワイヤは前記犠牲追加ワイヤよりも湿気による腐食に対してより耐性を有する、前記接続ワイヤを提供する他の元素と合金化されたアルミニウムからなり、前記犠牲追加ワイヤはカプセル内の湿気の腐食性ゲッターとして作用する純アルミニウム材料からなっている、プラスチック封止型半導体デバイス。
【請求項２】
前記犠牲追加ワイヤは前記デバイス本体を通って主電流路のボンディングパッドに接合される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記犠牲追加ワイヤは接続ワイヤと平行に、前記接続ワイヤと同じボンディングパッドおよび同じ端子領域の間に接合される、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記犠牲追加ワイヤは前記平行接続ワイヤよりも狭い幅を有する、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記犠牲追加ワイヤは共通のボンディングパッドおよび端子領域の少なくとも一方の上にループ状に接合される、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記犠牲追加ワイヤは前記デバイス本体が実装される導電性マウントにループ状に接合される、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記犠牲追加ワイヤは前記ボンディングパッドおよび端子領域の少なくとも一方に接合され、ボールボンドの付近で切断されてボールスタンプを形成している、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記犠牲追加ワイヤは少なくとも９９．９９％の純アルミニウムである、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記犠牲追加ワイヤは７５マイクロメータ以上の幅を有する、請求項１ないし８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記接続ワイヤはニッケルでドープ処理されたアルミニウムからなる、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ボンディングパッドがアルミニウム合金からなっている、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明はプラスチック封止型半導体デバイス、たとえば、特に（しかし限定的ではない）表面実装デバイス（いわゆるＳＭＤ）タイプのパワーデバイス、デバイスアセンブリ、および集積回路に関する。本発明は湿気によるかかる装置のアルミニウム腐食に関する。
【０００２】
半導体デバイス製造において、プラスチック材料（合成樹脂）を用いて半導体デバイス本体を封止することは一般的技術である。一般的に、パワーデバイスについては、デバイス本体はその表面にアルミニウムからなるボンディングパッドを有する。接続ワイヤはデバイスのこれらのボンディングパッドと電気端子領域の間で接合される。金属適合性、通電性およびコストに関しては、接続ワイヤもまたアルミニウムで製造することは好都合である。デバイス本体および接続ワイヤの両方がプラスチックカプセル内部に配置され、それゆえそれらはデバイスを取り巻く環境から保護される。
【０００３】
しかしながら、プラスチック封止型半導体デバイスは、プラスチック材料の中に湿気が入ったり、その中で生じたりすると、機能不全となる。これは、デバイスが、たとえば回路基板上での表面実装中やデバイスの作動中に高熱になると発生する。製造されたデバイスが湿度および熱の条件において事前に条件設定されている場合に、その発生は信頼性テストにおいてデバイス製造者によって調査される。湿気はアルミニウムボンディングパッドおよびアルミニウム接続ワイヤを破壊し腐食することが分かる。アルミニウム材料の深刻な粒間腐食が起こり得、電気抵抗の増加および電気コンタクトにおける根本的不良にさえつながる。
【０００４】
アルミニウムではなく金からなる接続ワイヤを形成することは既知である。金自体は湿気による腐食に耐性があり、そのため接続ワイヤ自体の完全性を保証する。しかしながら、金ワイヤの使用はアルミニウムワイヤに比べて非常に高価であり、アルミニウムボンディングパッドとは適合しない。したがって、特にパワーデバイス中や高温操作時に、機械的にもろく、電気的に抵抗性のある金属間Ａｕ−Ａｌ化合物が形成され得る。さらに、湿気の存在で、金とアルミニウムの２つの金属はガルバニ電池として作用し得るため、アルミニウムの重大な電解腐食を促進する。
【０００５】
米国特許第４７６８０８１号明細書は、ある形態のゲッターが提供され湿気を捕獲する、金からなる接続ワイヤを有するデバイスを記載している。米国特許第４７６８０８１号明細書の好ましいゲッターは、カプセル内のガス透過性不活性シリコンゴム内で微粒化パウダとして拡散される（ＢａＡｌ４などの）バリウム−アルミニウム合金である。米国特許第４７６８０８１号明細書の内容全体は参考資料として参照してここに組み込まれる。
【０００６】
金接続ワイヤを備えるデバイス内でアルミニウムボンディングパッドの電解腐食を減少させるために、特開昭６０−１５０６５７号公報および英文アブストラクト集（第９巻、３１８号）では、蒸着アルミニウムコーティングで（少量の）金ワイヤをスクリーニングすることを提案している。アルミニウムコーティングはアルミニウムイオンとして湿気に溶解する犠牲材料を提供し、その結果アルミニウムボンディングパッドに付着するいかなるかかる湿気もアルミニウムですでに飽和され、そのためボンディングパッドを腐食することがない。しかしながら、金ワイヤがアルミニウムパッドにボール接合するところでは、金ボールがアルミニウムコーティングによって保護されず、湿気に曝される。したがって、ガルバニック作用の可能性が残る。さらに、金ワイヤを使用する場合だけでなく、アルミニウムでコーティングする場合もまた処理は高価であり、コーティングはボール接合形成の領域では合金化され破壊される。アルミニウムコーティングの損傷なくワイヤ接合装置を採用してアルミニウムコーティングされた少量の金ワイヤを扱うことにおいても、困難が予想される。特開昭６０−１５０６５７号公報の内容全体およびその英文抄録は参考資料として参照してここに組み込まれる。
【０００７】
耐腐食性アルミニウムワイヤは、たとえばＴａｎａｋａという商品名で商業的に入手することができる。かかるワイヤは、湿気によるアルミニウムの粒間腐食を防止することにおいて効果的であるニッケルなどの他の元素でアルミニウムドープ処理される（すなわち、１００万分の１レベルで）。かかる耐腐食性アルミニウム合金（純アルミニウムの代わりの）の使用は、金ワイヤの不適合性の問題を避ける。しかしながら、湿気による腐食は、たとえばボンディングパッドにおいて発生することがさらに分かっている。
【０００８】
本発明の目的は、接続ワイヤとボンディングパッドに対してアルミニウム系金属を有するプラスチック封止型半導体デバイスにおける湿気腐食に対処することである。
【０００９】
本発明によれば、アルミニウム合金接続ワイヤよりもカプセル内で湿気による腐食に耐性がより少ない、実質的に純アルミニウムからなる犠牲追加ワイヤを有するプラスチック封止型半導体デバイスが提供される。
【００１０】
本発明によるデバイスは請求項１に記載される特徴を有している。
【００１１】
ニッケルドープ処理されたアルミニウムなどの耐腐食性アルミニウム材料が接続ワイヤに使用され、これに対して犠牲追加ワイヤは、カプセル内で湿気の腐食性ゲッターとして作用する比較的純なアルミニウム材料からなる。犠牲アルミニウムワイヤのこの湿気ゲッターは、アルミニウム合金または比較的純なアルミニウムから構成することができ、それはボンディングパッドを深刻な湿気腐食から保護する。したがって、本発明は、ボンディングパッドおよびワイヤに対して、低コストのアルミニウム系適合金属材料を提供する。接続ワイヤおよび犠牲追加ワイヤは同じ装置を用いて接合することができる。
【００１２】
犠牲追加ワイヤは、たとえば平行接続、またはいわゆる「ステッチ接合」、ワイヤループ、または接合ボールスタンプなどの様々な形態を採ることができる。
【００１３】
本発明による１つ以上のかかる犠牲追加ワイヤがカプセル内に、スペースが許す場合にはたとえば封止カプセル内部の異なる場所に設けられ得る。
【００１４】
本発明による犠牲追加ワイヤは１つの接続ワイヤと平行に、接続ワイヤと同様にボンディングパッドおよび同じ電気端子領域との間に接合され得る。ボンド間および端子領域間の少なくとも一方の上に不十分なスペースしか得られない場合は、本発明による犠牲追加ワイヤはそのボンド近くで切断されスタンプを形成してもよく、あるいは電気的に絶縁されたループ状に接合されてもよい。
【００１５】
特に、パワーデバイスにおいては、デバイス本体を通る主電流路のボンディングパッドは、本発明の１つまたはそれ以上のかかる犠牲追加ワイヤのさらなる接合に使用可能な十分なスペースを有してもよい。
【００１６】
十分なスペースが使用可能なところでは、犠牲追加ワイヤはデバイス本体を担持する導電性マウント上またはデバイス本体上に提供され得るさらなるボンディングパッド（たとえば、電気的に不活性なボンディングパッド）上に接合され得る。しかしながら、これらのボンディングパッドの保護機能を最大化するために、犠牲ワイヤをデバイス本体の活性ボンディングパッドに接合することが優先されるべきである。
【００１７】
本発明の実施形態は添付の概略図を参照して、実施例を用いて以下に説明される。
【００１８】
図１および図２は概略図である。図面の各部分の寸法および比率は、図面の明確性および便宜性のために、サイズを拡大したり縮小したりして示されている。図２はデバイス本体とその接続を封止する固体プラスチック材料を通る断面を示しているが、このカプセルは図面の明確性のために図２においてはハッチングが付けられていない。同一参照番号は、修正された、また異なる実施形態において対応するまたは類似の部分を参照するのに一般に用いられる。
【００１９】
図１の半導体デバイスはプラスチックカプセル１５０内部に単一半導体本体１０を備える個別（ディスクリート）デバイス、たとえばパワーデバイスである。図２の半導体デバイスはプラスチックカプセル１５０内部の２つの半導体本体１０および１０’のアセンブリを備えるパワーデバイスモジュールである。
【００２０】
図１および２の大まかな概略図において、半導体デバイス本体１０、１０’はその上面にアルミニウム（またはアルミニウム合金）からなるボンディングパッド１１、１２、１３、１４を備える。接続ワイヤ２１、２２、２４はボンディングパッド１１、１２、１４とデバイスの各電気端子領域１０１、１０２、１０４の間に接合される。一般的にこれらの端子領域１０１、１０２、１０４は導電性リードフレーム１００の端部に導かれる。リードは標準ＳＭＤ実装概観においてカプセル１５０の外側に曲げられてもよい。
【００２１】
本発明によれば、少なくとも１つの付加ワイヤである犠牲ワイヤが、カプセル１５０内の潜在的湿気の滲入や湿気発生の領域においてボンディングパッドおよび端子領域の少なくとも一方に接合される。実施例によると、図１は本発明による１つの効果的な場所に設けた１つのかかる犠牲追加ワイヤ２５を示しており、これに対して図２は、本発明による異なる場所においても３つのかかる犠牲追加ワイヤ２４、２６、２７を示している。デバイス本体１０、１０’およびそのワイヤ２１から２７はすべてそれぞれのプラスチックカプセル１５０の内部に配置される。
【００２２】
さらに本発明による大まかな概略図において、接続ワイヤ２１ないし２３は犠牲追加ワイヤ２４ないし２７よりも湿気による腐食に対して耐性があるドープ処理アルミニウム材料からなる。犠牲追加ワイヤ２４ないし２７はほぼ純アルミニウム材料からなり、カプセル１５０内で湿気の腐食性ゲッターとして作用する。ボンディングパッド１１ないし１４はアルミニウム合金、たとえばアルミニウム・シリコン合金からなっていてもよく、あるいはそれらは比較的に純アルミニウムからなっていてもよい。
【００２３】
一般的な実施形態において、犠牲ワイヤ２４ないし２７は、少なくとも９９．９９％の比アルミニウム純度、すなわち不純物０．０１％未満の一般に入手可能な、商業的に純アルミニウムのワイヤである。実際に、この商業的に入手可能なアルミニウムの純度レベルは９９．９９％よりも高い。
【００２４】
１つまたはそれ以上の元素を備えるアルミニウム合金の耐腐食性ワイヤもまた商業的に入手可能である。１つのかかる例は、東京の田中電子工業株式会社（Ｔａｎａｋａ Ｄｅｎｓｈｉ Ｋｏｇｙｏ Ｋ．Ｋ．）からＴＡＮＷ（Ｔａｎａｋａ ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｎｅｗ ｗｉｒｅ、あるいはＴａｎａｋａ ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｎｉｃｋｅｌ ｗｉｒｅ）という商品名で入手可能なニッケルドープ処理されたアルミニウムワイヤである。このアルミニウムワイヤは、湿気によるアルミニウムの粒間腐食に対して耐性のあるワイヤを提供するのに十分なニッケルのｐｐｍ（１００万分の１）レベルを有する。一般的に、ＴＡＮＷのニッケル含有量は重量で５０±１０ｐｐｍであり、すなわち、０．１％未満の不純物を有するワイヤ材料は、約０．００５％のＮｉを有する、少なくとも９９．９８５％のＡｌである。より一般的には、アルミニウムワイヤは、重量で約２００ｐｐｍまでのニッケル含有量でドープ処理されたアルミニウムから形成されることによって、このように腐食耐性が備えられてもよい。その物理的扱いと接合特性に関して、たとえば、かかるアルミニウム・ニッケル合金（Ａｌ：Ｎｉ）ワイヤは商業的に純アルミニウムワイヤのものと完全に適合する。したがって、接続ワイヤ２１ないし２３に対する耐腐食性材料としてかかるアルミニウムニッケル合金を使用することは特に好都合である。
【００２５】
一般的に単結晶シリコンからなるデバイス本体１０、１０’からのシリコンの摂取を減らすために、シリコンとアルミニウムの合金からなるボンディングパッド１１ないし１４を形成することは一般的に好都合である。一般的にアルミニウム合金は重量で約１％のシリコンを備えている。パッド１１ないし１４のこのシリコン含有量もまた湿気による腐食に対するそれらの耐性を増加させるが、ニッケルの非常に低いドーピングレベル（ｐｐｍ）ほど効果的ではない。銅や、チタン、マグネシウムなどのその他の元素もまた単独にまたは組み合わせて、たとえばアルミニウムの電気移動を減少させるために、アルミニウム・シリコン合金に添加されてもよい。
【００２６】
これらの他の元素の含有はまた湿気による腐食に対するアルミニウムの耐性を増加させるが、ニッケルほど効果的ではない。したがって、接続ワイヤ２１ないし２３がニッケルドープ処理されるのが好ましい。しかしながら、１つまたはそれ以上のＳｉ、Ｃｕ、ＴｉおよびＭｇとＡｌの合金は接続ワイヤ２１ないし２３に使用することができる。したがって、たとえば、ボンディングパッドおよび接続ワイヤに１％Ｓｉの９９％Ａｌを使用する場合、商業的に純Ａｌ（少なくとも９９．９９％Ａｌ）からなる犠牲追加ワイヤの含有は、犠牲ワイヤへの粒間腐食の変化を生じる。
【００２７】
可能な限りこれらの他の元素と同様に、ボンディングパッド１１ないし１３はニッケルドーピング部を含有してよく、そのため腐食に対して非常に耐性的にされる。しかしながら、これは標準の製造過程を複雑化し、不要であることが分かった。本発明によるほぼ純アルミニウムからなる犠牲ワイヤ２４ないし２７の提供は湿気腐食の防止において非常に効果的であるので、パッド１１ないし１３が商業的に入手可能な標準アルミニウム、すなわち比較的に純アルミニウムからなっていてもよい。
【００２８】
接続ワイヤ２１ないし２３の幅（直径）はそれらの通電要件によって選択される。したがって、１つまたはそれ以上の非常に厚いワイヤがパワーデバイスの主電流路に必要とされる。犠牲ワイヤは２４ないし２７より薄くてもよい。アルミニウムの体積あたりのワイヤの表面積（および、したがって湿気捕獲領域）はより小さいワイヤの幅よりも大きい。しかしながら、犠牲ワイヤの幅の下限は、デバイスに含まれ得る接合されたワイヤの実際の最大長およびデバイスの寿命中のワイヤの粒間腐食と分解の程度によって決定される。一般的に、約５０マイクロメータが犠牲ワイヤの幅（直径）の実際の下限であり、好ましくは、たとえば７５マイクロメータ以上または約２００マイクロメータまでのより幅の広いワイヤが使用される。
【００２９】
図１の実施形態の典型例において、単結晶シリコンからなるデバイス本体１０はパワーＭＯＳＦＥＴまたはパワーバイポーラトランジスタであってもよい。各場合において、主電流路はデバイス本体１０を通って、本体のそれぞれの対向する主表面で主電極対（ソースとドレイン、またはエミッタとコレクタ）の間に延びる。
【００３０】
１つまたはそれ以上の絶縁パッシベーション層１９が従来のように本体１０の上面に存在する。上面の主ボンディングパッド１１は一般的にソースまたはエミッタ電極からなる。他のより小さいボンディングパッド１２（パッド１１と同じアルミニウム材料からなる）もまた上面に存在し、トランジスタの制御（ゲートまたはベース）電極のための接続領域を提供する。
【００３１】
底面の対向する主電極（ドレインまたはコレクタ）は本体が担持される導電性マウント１１０に直接接続される。一般的に、この直接接続はマウント１１０の基台部分１０５上の半田２０によって達成される。マウント１１０はリードフレーム１００の一部であってもよい。
【００３２】
図１は線１２０に沿って切断されて別個の端子接続、すなわちソースリードまたはエミッタリード１１１、ゲートリードまたはベースリード１１２、およびマウント１１０によって提供されるドレイン端子またはコレクタ端子を形成する前のデバイスリードフレーム１００を示す。プラスチックカプセル１５０は図１においてのみ示されている。
【００３３】
本発明によるパワーＭＯＳＦＥＴの実施形態の具体例において、Ｔａｎａｋａ ＴＡＮＷ−３００（商品名）を使用して、主ボンディングパッド１１へのソース接続に対して３００マイクロメータの直径のＡｌ：Ｎｉワイヤ２１を形成した。より薄いＴａｎａｋａワイヤ（ＴＡＮＷ−１２５）を使用して、ボンディングパッド１２へのゲート接続に対する１２５マイクロメータの直径のＡｌ：Ｎｉワイヤ２２を形成した。直径１５０マイクロメータの商業的に純な（少なくとも９９．９９％）アルミニウムからなる単一ワイヤ２５を犠牲ゲッターに使用した。このデバイス（実施形態で指定される）は、そのソース接続に対して３００マイクロメータの直径のＴａｎａｋａ ＴＡＮＷ−３００ワイヤ２１およびそのゲート接続に対して１２５マイクロメータの直径のＴａｎａｋａ ＴＡＮＷ−１２５ワイヤ２２を有するコントロールデバイス（指定されたコントロール）と比較される。コントロールデバイスは犠牲ゲッターワイヤを有していない。実施形態とコントロールの両方とも１％Ｓｉ対９９％Ａｌのボンディングパッド１１および１２を有していた。実施形態とコントロールの両方の例が、相対湿度１００％中で１２１℃で９６時間の信頼性テストに付された。Ｒｄｓｏｎ （ソース／ドレイン端子１１１および１１０間のＯＮ耐性）に関する結果は以下の表に要約される。
【表１】
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【００３４】
実施形態の（コントロールと比較して）低い初期Ｒｄｓｏｎは他のワイヤ２５によって提供される余分な平行接続の結果である。最終Ｒｄｓｏｎはテスト後に測定され、その後プラスチック材料１５０がデバイスから剥がされそれらのワイヤおよびボンディングパッドの検査を可能にした。
【００３５】
実施形態とコントロールのいずれにおいても、湿気によって腐食されたＡｌ：Ｎｉワイヤの兆候はなかった。コントロールのＡｌ：Ｓｉソース／ゲートパッド１１および１２は、たとえば接合領域周辺で、湿気による粒間腐食の兆候を示し、これはコントロールにおけるＲｄｓｏｎ の変化の原因であると判断される。実施形態において、９９．９９％純Ａｌからなる犠牲ゲッターワイヤ２５の粒間腐食は明らかに見られたが、Ａｌ：Ｓｉボンディングパッド１１および１２においてかかる腐食の兆候はなかった。実施形態のＲｄｓｏｎ において結果として生じた変化はコントロールにおける変化より大きいが、実施形態の最終Ｒｄｓｏｎ はさらにコントロールの初期Ｒｄｓｏｎ よりもかなり低い。
【００３６】
実施形態とコントロールの両方における最大比率の変化は３％前後である。これは非常に好ましいことに、すべてのワイヤが商業的に純（少なくとも９９．９９％）Ａｌからなるデバイスと比較され、１０％の平均比率変化が見られ、２０％以上の最大比率変化は一般的でない。
【００３７】
図１の実施形態において、犠牲Ａｌゲッターワイヤ２５はデバイス本体１０を通る主電流路の大きなボンディングパッド１１に接合される。これは最適な場所である。この例においても、犠牲ワイヤ２５はより幅の広い接続ワイヤ２１と平行に、接続ワイヤ２１と同じボンディングパッド１１および同じ電気端子領域１０１の間に接合される。これは、犠牲ワイヤ２５に対する十分な長さ、ならびに平行パスを提供することによって接続の抵抗を減らすことを提供する。
【００３８】
図１のデバイスは１つの犠牲Ａｌワイヤ２５のみで図示されている。しかしながら、より多くのかかるワイヤが本発明に従って、カプセル１５０の内部の様々な場所に提供されてもよい。３つのこのような可能性が図２に図示されている。すなわち、図２のデバイスは実質的に純Ａｌからなる３つのさらなるゲッターワイヤ、すなわち、ワイヤ２４、２６、および２７を含んでいる。これらの犠牲ワイヤ２４、２６、２７はまた商業的に純（少なくとも９９．９９％純）Ａｌから構成することができる。
【００３９】
図２のワイヤ２４および２６はそれぞれ電気的絶縁ループにおいて、デバイスの共通導電部分上に接合されることによって接合される。ループ２６はデバイス本体１０および１０’が実装される導電性マウント１１０に接合される。図１のリードフレーム１００によって、図１の場所ＡおよびＢには犠牲Ａｌゲッターワイヤの類似ループ２６の接合に可能な十分なスペースがある。それに対して図２の犠牲Ａｌワイヤループ２４はボンディングパッド１４に接合され、それはデバイス本体１０’の上面で、電気的に活性または不活性なボンディングパッド１４であってもよい。ボンディングパッド１２を図１の本体１０の角に向けて再配置することによって、ボンディングパッド１２に加えて、犠牲Ａｌワイヤループ２４を備える（不活性）パッド１４に対する図１の本体１０上にスペースが生成されてもよい。
【００４０】
図２の犠牲Ａｌワイヤ２７はボンディングパッド１１にボール接合され、ボールの付近で切断され、ワイヤスタンプを形成する。かかるボールスタンプ２７は図１の主電極パッド１１上に提供されてよい。類似のフリースタンディングワイヤスタンプ２７は端子領域、あるいは図１または図２のマウント１１０に接合されてもよい。
【００４１】
本明細書を見れば、他の変形や修正は当業者にとって明らかである。このような変形および修正は当業者においてすでに知られていることであり、すでにここに記載された特徴の代わりに、またはそれに加えて使用され得る同等またはその他の特徴を含む。
【００４２】
特許請求の範囲は本出願において、特に特徴の組み合わせについて述べてきたが、本発明の開示の範囲は、いかなる請求項において現在特許請求されているのと同じ発明に関しているか否か、また本発明と同じ技術的問題の一部または全部を軽減するか否かに関係なく、明確にまたは暗示的にここに記載されるいかなる新規の特徴またはいかなる新規の特徴の組み合わせ、あるいはその一般化をも含むことを理解すべきである。
【００４３】
したがって、本出願は、本出願またはここから引き出されるさらなる出願の実施中にいかなるこのような特徴やこのような特徴の組み合わせについて新しい請求項を述べることを指摘しておく。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は本発明によるプラスチック封止型半導体パワーデバイスの一例の一部の平面図である。
【図２】
図２は本発明による犠牲追加ワイヤが接合され得るいくつかの他の場所を図示する、プラスチック封止型半導体パワーデバイスの他の例の部分断面側面図である。
【国際公開パンフレット】
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2004505467.tif 000018
2004505467.tif 000019
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004505467.tif 000020
【国際調査報告】
2004505467.tif 000021
2004505467.tif 000022
2004505467.tif 000023