(57)【要約】１９０ｎｍ未満のＶＵＶ波長域におけるフォトリソグラフィアプリケーション用のフォトマスク基体として使用するのに適した高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを開示する。本発明の直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、およそ１５７ｎｍの波長において透過率を有し、とくに１５７ｎｍの波長域でのフォトマスク基体として使用するために作成される。本発明のフォトマスク基体は、高純度溶融シリカに一般的に関連する優れた熱的および物理的特性を維持する一方で、真空紫外線（ＶＵＶ）波長域において非常に高い透過率を示す乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスである。フッ素を含有し、ＯＨ含有物をほとんど有さないかまたは全く有さないことに加えて、１５７ｎｍのフォトマスク基体として使用するのに適した本発明の直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、１×１０１７分子／ｃｍ３未満の分子状水素を有するとともに、塩素レベルが低いことをも特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用の１９３ｎｍ未満のＶＵＶを透過するガラスフォトマスク基体であって、ＯＨ含有量が重量で２０ｐｐｍ未満、Ｃｌ含有量が重量で．１％未満、フッ素含有量が０．０１から７重量パーセントの範囲にある乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス（ｄｒｙ ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｔｙ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｇｌａｓｓ）からなることを特徴とするガラスフォトマスク基体。
【請求項２】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から２重量パーセントの範囲のフッ素含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項３】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から．５重量パーセントの範囲のフッ素含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項４】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．１から０．４重量パーセントの範囲のフッ素含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項５】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０８重量％以下のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項６】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０６重量％以下のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項７】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０４重量％以下のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項８】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０３重量％以下のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項９】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０２重量％以下のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１０】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、５ｐｐｍ未満のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１１】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、１ｐｐｍ未満のＣｌ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１２】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、Ｃｌが除去されていることを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１３】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、重量で１０ｐｐｍ未満のＯＨ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１４】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、重量で１ｐｐｍ未満のＯＨ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１５】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、１×１０１７分子／ｃｍ３未満の水素含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１６】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０００４重量％以下のＦｅ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１７】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０００４重量％以下のＺｒ含有量を有することを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１８】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、複数のＯ２分子を含むことを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項１９】
前記乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、Ｏ２濃度が少なくとも１０１５Ｏ２モル／ｃｃの複数のＯ２分子を含むことを特徴とする請求項１記載のガラスフォトマスク基体。
【請求項２０】
１９３ｎｍ未満のＶＵＶを透過するガラスフォトマスク基体を作成する方法であって、
一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、
熱含有直接堆積加熱炉（ｈｅａｔ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｆｕｒｎａｃｅ）を提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して、一酸化炭素燃焼反応炎（ｃａｒｂｏｎ ｍｏｎｏｘｉｄｅ ｃｏｍｂｕｓｔｉｏｎ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｆｌａｍｅ）を形成する工程、
前記炎に近接して直接ガラス堆積面（ｄｉｒｅｃｔ ｇｌａｓｓ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｕｒｆａｃｅ）を提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料およびＦガラス前駆体供給原料を供給し、該Ｓｉガラス前駆体供給原料および該Ｆガラス前駆体供給原料が、前記炎において前記ガラス堆積面に向けられたオキシフッ化珪素ガラススートになるように反応され、前記スートが同時にオキシフッ化珪素ガラス体になるように直接堆積されかつガラス固化される工程、
前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス体をフォトマスクブランクに形成する工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体が塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスフォトマスクブランクに形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体がＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスフォトマスクブランクに形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体がＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスフォトマスクブランクに形成されることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
前記塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料は、シリコンテトライソシアネート（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｉｓｏｃｙａｎａｔｅ）であることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記Ｆガラス前駆体供給原料を供給することは、所定のＦガラス前駆体供給原料流量を供給することを含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から７重量％Ｆの範囲のフッ素重量濃度を有することを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から２重量％Ｆの範囲のフッ素重量濃度を有することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から０．５重量％Ｆの範囲のフッ素重量濃度を有することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
前記酸素を供給する工程は、所定のＯ２供給流量を提供する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯ２を含有することを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２９】
前記熱含有直接堆積加熱炉を提供する工程は、ハロゲン処理洗浄二酸化アルミニウム耐熱物（ｈａｌｏｇｅｎ ｔｒｅａｔｅｄ ｃｌｅａｎｓｅｄ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ）からなる熱含有直接堆積加熱炉を提供する工程を含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項３０】
前記一酸化炭素を前記一酸化炭素燃焼バーナーに供給して、一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程は、高純度一酸化炭素供給ガスを提供し、該高純度一酸化炭素供給ガスを、前記一酸化炭素燃焼バーナーの上流にあるＣＯ清浄化フィルタ（ＣＯ ｐｕｒｉｆｉｅｒ ｆｉｌｔｅｒ）に透過させる各工程を含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項３１】
請求項２０記載の方法により作成されたことを特徴とする約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用のＶＵＶ透過ガラスフォトマスク基体。
【請求項３２】
約１５７ｎｍの波長を透過するための１９３ｎｍ未満のＶＵＶを透過するガラスを作成する方法であって、
一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して、一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、
前記炎に近接して直接ガラス堆積面を提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料およびＦガラス前駆体供給原料を供給し、該Ｓｉガラス前駆体供給原料および該Ｆガラス前駆体供給原料が前記炎において、前記ガラス堆積面に向けられたオキシフッ化珪素ガラススートになるように反応され、前記スートが同時にオキシフッ化珪素ガラス体になるように直接堆積されかつガラス固化される工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項３３】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスであることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３５】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３６】
前記塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料は、シリコンテトライソシアネートであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記Ｆガラス前駆体供給原料を供給する工程は、所定のＦガラス前駆体供給原料流量を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から７重量％Ｆの範囲のフッ素重量濃度を有することを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３８】
前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から２重量％Ｆの範囲のフッ素重量濃度を有することを特徴とする請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、０．０１から０．５重量％Ｆの範囲のフッ素重量濃度を有することを特徴とする請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
前記酸素を供給する工程は、所定のＯ２供給流量を提供する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが、少なくとも１０１５Ｏ２モル／ｃｃの分子状Ｏ２濃度を有することを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４１】
均質ガラス光学要素（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ ｇｌａｓｓ ｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ）を作成する方法であって、
一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して、一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、
前記炎に近接して直接ガラス堆積面を提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料およびドーパントＲガラス（ｄｏｐａｎｔ Ｒ−ｇｌａｓｓ）前駆体供給原料を供給し、該Ｓｉガラス前駆体供給原料および該ドーパントＲガラス前駆体供給原料が、前記炎において前記ガラス堆積面に向けられた乾式Ｒドープ石英ガラススートになるように反応され、前記スートが同時に乾式均質Ｒドープ石英ガラス体になるように直接堆積されかつガラス固化される工程、
前記直接堆積ガラス固化ガラス体を均質ガラス光学要素に形成する工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項４２】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化ガラスが塩素不含有ガラスであり、前記ガラス体が塩素不含有均質ガラス光学要素に形成されることを特徴とする請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体がＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式均質ガラス光学要素に形成されることを特徴とする請求項４１記載の方法。
【請求項４４】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体がＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有均質ガラス光学要素に形成されることを特徴とする請求項４１記載の方法。
【請求項４５】
前記塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料は、シリコンテトライソシアネートであることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
請求項４１記載の方法により作成されたことを特徴とする均質ガラス光学要素。
【請求項４７】
均質ガラス光学要素を作成する方法であって、
一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して、一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、
前記炎に近接して直接ガラス堆積面を提供する工程、
前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料を供給し、該Ｓｉガラス前駆体供給原料が、前記炎において前記ガラス堆積面に向けられた乾式石英ガラススートになるように反応され、前記スートが同時に乾式均質石英ガラス体になるように直接堆積されかつガラス固化される工程、
前記直接堆積ガラス固化ガラス体を均質ガラス光学要素に形成する工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項４８】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化ガラスが塩素不含有ガラスであり、前記ガラス体が塩素不含有均質ガラス光学要素に形成されることを特徴とする請求項４７記載の方法。
【請求項４９】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式ガラスであり、前記ガラス体がＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式均質ガラス光学要素に形成されることを特徴とする請求項４７記載の方法。
【請求項５０】
前記Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程は、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を含み、前記直接堆積ガラス固化石英ガラスがＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有石英ガラスであり、前記ガラス体がＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有均質ガラス光学要素に形成されることを特徴とする請求項４７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
関  連  特  許
本出願は、２０００年１２月２２日に出願された、発明の名称が「実質的に乾燥したシリカ含有スート、溶融シリカおよび光ファイバースートプレフォーム、装置、方法、および同じものを製造するためのバーナーおよびそのための方法」の米国仮特許出願第６０／２５８，１３２号、および２００１年２月２４日に出願された、発明の名称が、真空紫外線透過オキシフッ化珪素リソグラフィガラスの米国仮特許出願第６０／２７１，１３６号、および２００１年２月２４日に出願された、発明の名称が、オキシフッ化珪素ガラスの酸素ドーピングの米国仮特許出願第６０／２７１，１３５号、および２０００年９月８日に出願された、発明の名称が、高純度溶融シリカ、加熱炉および方法の国際公開第０１／１７９１９号の優先権およびその利益を主張する。なお、これらの開示内容は本願に引用して援用する。
【０００２】
技  術  分  野
本発明は、一般的にリソグラフィに関し、とくに、例えば１５７ｎｍの波長域を用いたＶＵＶ投影リソグラフィシステム等の、１９３ｎｍ未満、好ましくは１７５ｎｍ未満、好ましくは１６４ｎｍ未満の真空紫外線光（ＶＵＶ）の波長を用いた光学フォトリソグラフィシステムに使用される光学フォトリソグラフィガラスに関するものである。
【０００３】
本発明は、１９３ｎｍ未満の波長を透過可能なＶＵＶ透過ガラスに関し、とくに１５７ｎｍの波長域の真空紫外線（ＶＵＶ）での使用に適したフォトマスクオキシフッ化珪素ガラスに関するものである。
【０００４】
背  景  技  術
屈折性の光学素子は高い透過率を有する材料が必要である。２４８および１９３ｎｍの波長において、より小さな機能が要求される半導体アプリケーション用として、必要とされる最小透過率が９９％／ｃｍまたはそれ以上であることを示すために、高純度溶融シリカが提案されている。
【０００５】
１９３ｎｍ未満の真空紫外線波長光を用いた投影光学フォトリソグラフィシステムは、より小さな機能寸法を実現するという点において利益を提供する。１５７ｎｍの波長域の真空紫外線を用いたこのようなシステムは、集積回路をより小さな機能サイズを有するものに改良する可能性を有する。集積回路を製造する半導体産業に使用されている現在の光学リソグラフィシステムは、例えば一般的な２４８ｎｍおよび１９３ｎｍの波長のように、より短い波長を用いる方向に進歩を遂げているが、そのような１５７ｎｍ域の真空紫外線の、光学材料を透過する透過特性により、例えば１５７ｎｍのような１９３ｎｍ未満の真空紫外線波長の商業的な利用および採用が阻害されている。例えば１５７ｎｍ光のような１７５ｎｍ未満のＶＵＶ光を使用する半導体産業による進歩の遅れは、光透過材料から経済的に製造可能なフォトマスクブランクがないということをも原因としている。Ｆ２エキシマーレーザの発光スペクトルＶＵＶウィンドウのように、集積回路の製造に使用される１５７ｎｍ域における真空紫外線フォトリソグラフィの利益を得るためには、１６４ｎｍ未満および１５７ｎｍにおいて良好な透過率を有し、かつ経済的に製造できる有益な光学特性を有するマスクブランクが必要である。
【０００６】
本発明は、従来技術の問題点を解決し、経済的に高い品質を有する改良されたフォトマスクブランクおよび真空紫外線波長を用いた集積回路の製造を改良するために使用されることが可能なＶＵＶ透過リソグラフィガラスを提供する。
【０００７】
フォトリソグラフィにおける光学要素として高純度溶融シリカ（ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｔｙ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ）を使用することは、高純度溶融シリカが赤外線から遠紫外線に亘る広い波長幅において透明であるという事実から始まる。さらに、高純度溶融シリカは優れた化学的耐久性および寸法安定性を示す。
【０００８】
欧州特許出願公開第０６３６５８６号明細書には、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍの波長における特定のフォトリソグラフィアプリケーション用のフォトマスク基体として使用するのに適したものとするために、直接火炎法（ｄｉｒｅｃｔ ｆｌａｍｅ ｍｅｔｈｏｄ）により製造される高純度溶融シリカが１０１７〜１０１９分子／ｃｍ３の範囲の高分子状水素を含まなければならないことが提案されている。同様に特開平１−２０１６６４号には、スパッタリング、プラズマエッチングまたはエキシマー照射によりその光学特性が変更されるフォトマスク材料として使用される合成石英ガラス（ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ｑｕａｒｔｚ ｇｌａｓｓ）が、水素雰囲気中においてガラスに熱処理を加えることによりその元の状態に復元され得ることが開示されている。とくにこの文献には、合成石英（ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ｑｕａｒｔｚ）に対する２４８ｎｍおよび１９３ｎｍの波長の照射の効果が記載されている。溶融シリカに対する２４８ｎｍおよび１９３ｎｍの波長の照射による効果が「Ｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ ｕｎｄｅｒ １９３ｎｍ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ， Ｂｏｒｒｅｌｌｉ ｅｔ ａｌ．， ｉｎ Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｂ／Ｖｏｌ．１４， Ｎｏ．７， ｐｐ．１６０６−１６１５（Ｊｕｌｙ １９９７）」および「１９３−ｎｍ ｅｘｃｉｍｅｒ−ｌａｓｅｒ−ｉｎｄｕｃｅｄ ｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ， Ａｌｌａｎ ｅｔ ａｌ．， Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ．２１， Ｎｏ．２４， ｐｐ．１９６０−１９６２（Ｄｅｃ．５，１９９６）」に記述されている。
【０００９】
２４８および１９３ｎｍの双方の波長域におけるフォトリソグラフィにおいて光学レンズとして使用されるときに、高純度溶融シリカの光学特性を改良するための種々の効果的な方法が以前になされた出願に開示されている。例えば、本願に引用して援用する例えば米国特許第５，６１６，１５９号；同第５，６６８，０６７号および同第５，７３５，９２１号の各明細書を参照されたい。
【００１０】
したがって、本発明は１９３ｎｍ未満、好ましくはＦ２エキシマーレーザの１５７ｎｍ波長域においてＶＵＶ波長にて使用されるＶＵＶ透過乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス（ＶＵＶ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ｄｒｙ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｇｌａｓｓ）、このようなガラスの製造方法、および乾式直接堆積ガラス固化リソグラフィガラス品（ａｒｔｉｃｌｅｓ）を提供することを目的とする。
【００１１】
発  明  の  開  示
本発明は、１９３ｎｍ未満のＶＵＶ波長での光学要素としての使用、レンズとしての使用または好ましくはフォトマスク基体（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）としての使用に適したＶＵＶ透過乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素リソグラフィガラスを開示する。とくに、本発明の直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス製品は、光学リソグラフィ品および１５７ｎｍエキシマーレーザ波長付近および１９３ｎｍ未満のフォトリソグラフィＶＵＶ波長域におけるアプリケーションに適した利点を示す。
【００１２】
本発明の目的は、真空紫外線（ＶＵＶ）波長域において高い透過率を示す一方で、優れた熱的および物理的特性を示す乾式低水素ラジカルフッ素ドープＳｉＯ２溶融直接堆積ガラス固化合成オキシフッ化珪素ガラス（ｄｒｙ ｌｏｗ ｈｙｄｒｏｘｙ ｒａｄｉｃａｌ ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ ＳｉＯ２ ｆｕｓｅｄ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｇｌａｓｓ）を使用することにより達成される。ここで、「乾式」とは、ＯＨ含有量が５０重量ｐｐｍ未満、好ましくは脱水されてＯＨ含有量が重量で１０ｐｐｍ未満、最も好ましくは１重量ｐｐｍ未満であることを意味する。
【００１３】
もう一つの側面において、本発明の目的は、乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが本質的に塩素が除去されていることを保証することによりさらに達成される。
【００１４】
さらにもう一つの側面において、本発明の目的は、乾式直接堆積ガラス固化ガラスにおける低分子状水素含有量を保証することにより達成される。ここで、低分子とは、分子状水素（Ｈ２）含有量が１×１０１７分子／ｃｍ３（ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３）未満であることを意味する。
【００１５】
本発明の好ましい実施形態において、ＶＵＶ透過乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、レーザ照射誘導吸収（ｌａｓｅｒ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｉｎｄｕｃｅｄ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を示し、照射の延長の後に１５７．６ｎｍにおいて最小の透過損失となるレーザ照射耐久性を備えた、０．１〜０．４重量パーセントの範囲のフッ素含有量を有する。本発明は、ＯＨ含有量が５０重量ｐｐｍ未満であり、水素含有量が１×１０１７分子／ｃｍ３未満であり、さらにフッ素含有量が０．１〜０．４重量パーセントの範囲にある高純度乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスとなるガラスを含んだ、１９３ｎｍ未満のＶＵＶを透過する、約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用のガラスフォトマスク基体を含む。
【００１６】
本発明は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、熱含有直接堆積加熱炉を提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーへの一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して、一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、前記炎に近接した直接ガラス堆積面を提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス（Ｓｉ−ｇｌａｓｓ）前駆体供給原料およびＦ（Ｆ−ｇｌａｓｓ）ガラス前駆体供給原料を供給し、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料および前記Ｆガラス前駆体供給原料が前記炎において、前記ガラス堆積面に向けられたオキシフッ化珪素ガラススートになるように反応し、前記スートが乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス体になるように同時に直接堆積されかつガラス固化される工程を有してなる、ＶＵＶ透過ガラスオキシフッ化珪素ガラスを作成する方法を含む。
【００１７】
本発明は、本質的にＯＨ群を含まず、分子状水素が５×１０１６分子／ｃｍ３未満であり、フッ素含有量が０．１〜０．４重量％の範囲にある乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを含む。本発明は、ＯＨ含有量が５重量ｐｐｍ未満であり、Ｃｌ含有量が５重量ｐｐｍ未満であり、Ｈ２含有量が１×１０１７分子／ｃｍ３未満であり、フッ素含有量が０．１〜０．４重量％の範囲にあり、１５７ｎｍの内部透過率が少なくとも８５％／ｃｍの乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを含む。本発明は、ＶＵＶ光子を生成するために１６４ｎｍ未満の光源を提供する工程、５重量ｐｐｍ未満のＯＨ、５重量ｐｐｍ未満のＣｌ、０．５重量パーセント未満のフッ素含有量を含み、１５７ｎｍおよび１６５ｎｍでの測定された透過率が少なくとも７５％／５ｍｍの乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを提供する工程を有してなるＶＵＶパターン印刷方法を含む。このパターン印刷方法は、乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスにＶＵＶ光子を透過させる工程、ＶＵＶ光子を用いてパターンを形成する工程、およびＶＵＶ照射感知印刷パターン（ＶＵＶ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｐａｔｔｅｒｎ）にパターンを投影する工程を有してなる。本発明は、ＯＨ含有量が５重量ｐｐｍ未満であり、フッ素含有量が少なくとも０．１重量％であり、ガラスがＳｉ，Ｏ，Ｆから実質的になり、１５７ｎｍから１７５ｎｍの波長範囲における内部透過率が少なくとも８５％／ｃｍであり、２ｍＪ／ｃｍ２−パルスにおいて４１５０万回のパルスによる１５７ｎｍレーザの照射後に、１６５ｎｍでの吸収が０．４（吸収単位（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｕｎｉｔｓ）／５ｍｍ）未満である乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを含む。
【００１８】
本発明は、約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用の、１９３ｎｍ未満のＶＵＶ透過ガラスフォトマスク基体を含み、前記ガラスフォトマスク基体は、重量で２０ｐｐｍ未満のＯＨ含有量、０．１重量％未満のＣｌ含有量、および０．０１から７重量パーセントの範囲のフッ素含有量を含む。
【００１９】
本発明は、約１５７ｎｍの波長を透過するための１９３ｎｍ未満のＶＵＶ透過光学リソグラフィガラスを作成する方法を含み、この方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーへ一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、前記炎に近接した直接ガラス堆積面を提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料およびＦガラス前駆体供給原料を供給する工程を有してなり、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料および前記Ｆガラス前駆体供給原料が前記炎において、前記ガラス堆積面に向けられたオキシフッ化珪素ガラススートになるように反応し、前記スートが乾式直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス体になるように同時に直接堆積されかつガラス固化される。
【００２０】
本発明は、均質ガラス光学リソグラフィ要素を作成する方法を含み、この方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーへ一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、前記炎に近接した直接ガラス堆積面を提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料およびドーパントＲガラス前駆体供給原料を供給する工程を有してなり、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料および前記ドーパントＲガラス前駆体供給原料が前記炎において、前記ガラス堆積面に向けられた乾式Ｒドープ石英ガラススート（ｄｒｙ Ｒ ｄｏｐｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ ｓｏｏｔ）になるように反応し、前記スートが乾式均質Ｒドープ石英ガラス体になるように同時に直接堆積されかつガラス固化され、前記直接堆積ガラス固化ガラス体を均質ガラス光学リソグラフィ要素に形成する。乾式Ｒドープ石英ガラスを作成する方法の好ましい実施形態において、ガラスドーパントＲは、Ｆ，Ｔｉ，Ｇｅ，Ｂ，ＰおよびＡｌからなるガラスドーパント群から選択される。
【００２１】
本発明は、均質ガラス光学リソグラフィ要素を作成する方法を含み、この方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーへ一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供して一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程、前記炎に近接した直接ガラス堆積面を提供する工程、前記一酸化炭素燃焼バーナーにＳｉガラス前駆体供給原料を供給する工程を有してなり、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料が前記炎において、前記ガラス堆積面に向けられた高純度石英ガラススート（ｄｒｙ ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｔｙ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ ｓｏｏｔ）になるように反応し、前記スートが乾式均質高純度石英ガラス体に同時に直接堆積されかつガラス固化され、前記直接堆積されたガラス固化されたガラス体を均質ガラス光学リソグラフィ要素に形成する。
【００２２】
１９３ｎｍ未満のＶＵＶ透過オキシフッ化珪素ガラスを作成する方法は、好ましくは一酸化炭素燃焼バーナーとなる水素不含有燃料燃焼バーナーを有する水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供する工程を含む。この方法は、前記燃焼バーナーへの水素不含有一酸化炭素燃料の供給および酸素の供給を提供して熱含有直接堆積加熱炉内に含まれる一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程を含む。直接ガラス堆積面が前記加熱炉に近接して、好ましくは前記一酸化炭素バーナーおよび炎の下方に提供される。水素不含有燃料燃焼燃料（ｈｙｄｒｏｇｅｎ−ｆｒｅｅ ｆｕｅｌ ｃｏｍｂｕｓｔｉｏｎ ｆｕｅｌｓ）は、亜酸化炭素（ｃａｒｂｏｎ ｓｕｂｏｘｉｄｅ）および硫化カルボニル（ｃａｒｂｏｎ ｓｕｌｆｉｄｅ）を含んでいてもよい。一酸化炭素および酸素の燃焼バーナーへの供給は、Ｓｉガラス前駆体供給原料およびＦガラス前駆体供給原料が供給される一酸化炭素炎を維持する。好ましくは、Ｓｉガラス前駆対供給原料は、四塩化珪素および四イソシアン化珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｉｓｏｃｙａｎａｔｅ）［Ｓｉ（ＮＣＯ）４］のように、水素が含まれていない。
【００２３】
本発明の１つの実施形態による製法および装置は、実質的に水不含有石英ガラス（ｗａｔｅｒ−ｆｒｅｅ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ）を製造する。このような水不含有溶融シリカガラス（ｗａｔｅｒ−ｆｒｅｅ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ）を作成するための製法および装置は、燃焼雰囲気中に常に形成される水分の可能性を除去することにより実行される。これは、例えば一酸化炭素（ＣＯ）、亜酸化炭素（Ｃ３Ｏ２）、硫化カルボニル（ＣＯＳ）等の実質的に水素が含まれていない燃料を使用することによりその第１の実施形態において実現される。このような実質的にＨが含まれていない燃料を使用することは、燃焼反応での水分の形成を最小限なものとする。好ましい実施形態によれば、シリカ用のガラス前駆体としても実質的に水素が含まれていない原料を使用することが望ましい。最も好ましくは、実質的に水素が含まれていない原料および実質的に水素が含まれていない燃料の組み合わせが使用される。実質的にＨが含まれていない前駆体の典型例は、炭化珪素（ＳｉＣ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、四臭化珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｂｒｏｍｉｄｅ）（ＳＢｒ４）、四塩化珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｉｄｅ）（ＳｉＣｌ４）、四ヨウ化珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｉｏｄｉｄｅ）（ＳｉＩ４）およびシリカ（ＳｉＯ２）を含む。Ｓｉ（ＮＣＯ）４を使用してもよい。
【００２４】
本発明によれば、燃料として例えば一酸化炭素が使用され、酸素と結合される場合、副生成物は二酸化炭素のみである。この副生成物は容易に処分でき、有利なことには反応過程において水を形成しない。この反応は下記の式により示される。
【００２５】
ＣＯ＋１／２Ｏ２→ＣＯ２
一酸化炭素から得られる利用可能な熱は、天然ガス（メタン）から得られる利用可能な熱の１／４であることは知られていた。したがって、同量の熱を生成したければ４倍の燃料が必要である。しかしながら、１モルのＣＯを燃焼させるためには、燃焼補助酸素は１／２モルが必要であるのみである。したがって、必要とされる酸素の総容量は、同容量の熱を生成するためのいずれの燃料とも同一である。下記の式は、ある従来技術の過程において、１モルのメタン（ＣＨ４）の燃焼による利用可能な熱と一致させるために必要とされる、必要な一酸化炭素燃料を示す。
【００２６】
４ＣＯ＋２Ｏ２→４ＣＯ２
下記の式は、上記従来技術の過程において、１モルのメタンの燃焼に必要とされる副生成物および燃焼補助酸素を示す。
【００２７】
ＣＨ４＋２Ｏ２→２Ｈ２Ｏ＋ＣＯ２
したがって、上記より、実質的に水が含まれていない石英ガラスの生成物を得ることが可能であることが理解されよう。
【００２８】
ガラス固化ガラス品を生成する方法が本発明により提供される。この発明の方法はいくつかの工程を有してなる。第１に、実質的に水素が含まれていない燃料を燃やすことにより生成された炎を有する燃焼バーナーから熱が発生される。本発明によれば、その炎は単なる熱源である。次いで、シリカ含有スート（ｓｉｌｉｃａ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｓｏｏｔ）を生成するために、ガラス前駆体が炎に流入される。最後に、シリカ含有スートが基体に堆積され、炎の熱によりガラス固化ガラス品を形成するために実質的に同時に（炎の熱により）覆われる。好ましい実施形態において、スートは溶融シリカパック（ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｐｕｃｋ）のようなシリカ含有ガラス部材に堆積される。この方法によれば、ガラス固化ガラス品は水分含有量が非常に低いものとなる。堆積するための工程は、好ましくはそこに供給される窒素のように、パージガスを含んでもよい加熱炉チャンバ内において行われる。この方法は、均質ガラスを生成するのに適した方法である。本発明によれば、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーが使用される。このバーナーは、第１の流速でガラス前駆体を供給するのに適した放出路（ｆｕｍｅ ｐａｓｓａｇｅ）、およびこの放出路を取り囲む燃料路（ｆｕｅｌ ｐａｓｓａｇｅ）を備え、この燃料路は上記第１の流速の少なくとも２０倍の流速で実質的に水素が含まれていない燃料を供給するのに適したものとなっている。このバーナーは、燃料路と放出路との間に、少なくとも酸素を供給するのに適したインナーシールド路（ｉｎｎｅｒ ｓｈｉｅｌｄ ｐａｓｓａｇｅ）を含むものであってもよい。さらに、このバーナーは、追加のガスを導入するために燃料路を取り囲むアウターシールド路（ｏｕｔｅｒ ｓｈｉｅｌｄ ｐａｓｓａｇｅ）を備えていてもよい。
【００２９】
本発明のさらなる特徴および効果は、以下の詳細な説明において説明し、この詳細な説明から当業者であればある程度容易に理解できるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、同様に添付の図面を参照して、ここに説明するように発明を実施することにより認識されるであろう。
【００３０】
上述した一般的な説明および以下の詳細な説明の双方とも発明の典型例であり、クレームされた発明の性質および特徴を理解するための概要およびフレームワークを提供することを意図していることが理解されよう。添付の図面は本発明のさらなる理解を提供するために含められ、本明細書の一部に含められかつ本明細書の一部を構成する。図面は本発明の種々の実施形態を示し、詳細な説明とともに本発明の本質および作用を説明する。
【００３１】
発  明  の  詳  細  な  説  明
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００３２】
１９０ｎｍ未満、とくに１７５ｎｍ未満、さらに好ましくは１５７ｎｍ付近を中心とするＦ２エキシマーレーザの波長出力において、ガラスのＯＨまたは水分含有量を最小限にすることにより、オキシフッ化珪素ガラスを含むＳｉＯ２において高い透過率が得られることを本出願人は示した。とくに、低ＯＨ低塩素オキシフッ化珪素ガラスが高い透過率を示すことを本出願人は明らかにした。
【００３３】
ガラスの透過特性は一般的にガラスの組成に依存する。純粋シリカにおいては、トレースレベル（ｐｐｍまたはそれ未満）の金属汚染物質でさえも、紫外線域において透過率の重大な低下を引き起こしうることが実証されている。金属不純物に加えて、オキシフッ化珪素ガラスのＶＵＶ透過の極限を制御する最も重要な変量が、その塩素含有量と同様に、水分またはＯＨ含有量を含むことを本出願人は明らかにした。とくに、ＯＨ含有量が低くなるほど、透過率が良好なものとなる一方で、塩素含有量が高くなるほどＶＵＶ１５７ｎｍ域での透過率が低くなることを本出願人は見い出した。さらに、ガラス中の分子状水素が最小限とならなければならないことを本出願人は見い出した。とくに好ましくは、オキシフッ化珪素ガラスを含むＳｉＯ２が、少なくとも．５重量％のフッ素を有する。オキシフッ化珪素ガラスが、０．１から０．４重量パーセントの範囲にあるフッ素含有量を有する実施形態も好ましい。
【００３４】
好ましい実施形態において、ガラスのＯＨ含有量を定量化するために、２．７マイクロメートルのガラスの赤外線透過率の測定結果が使用される。
【００３５】
本発明の乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスリソグラフィフォトマスク基体の例示的な実施形態を参照番号２０により図１〜図２およびほぼ全図に示す。
【００３６】
図２に示すように、本発明によれば、リソグラフィパターンを生成するためのフォトリソグラフィ方法用の本発明は、３００ｎｍ未満、好ましくは２００ｎｍ未満、最も好ましくは１９３ｎｍ未満のＵＶ照射（ＵＶ ｒａｄｉａｔｉｏｎ）λを生成しかつ配向するための照明サブシステムを提供する工程を含む。この方法はマスクステージ、およびフォトリソグラフィパターン描画２４を有する乾式高純度直接堆積オキシフッ化珪素ガラスウェハ（ｄｒｙ ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｔｙ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｖｉｔｒｉｆｉｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｇｌａｓｓ ｗａｆｅｒ）２０を含む透過フォトリソグラフィマスク２２を備えたマスクサブシステムを提供する工程を含む。この方法は、投影光学素子サブシステムを提供する工程、および照射感知プリントメディア２６を含むλ照射感知プリントサブシステムを提供する工程を含む。図２に示すように、この方法は、照明サブシステム、マスクサブシステム、投影光学素子サブシステムおよび照射感知プリントサブシステムを揃える工程並びにガラスウェハマスク２２のフォトリソグラフィパターン描画ＩＣがメディア２６に投影されるようにガラス２０を通って進行する照射λによりマスク２２を照明する工程を含む。図３は、直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス基体２０上のフォトリソグラフィパターン描画ＩＣを有するマスク２２を示す図である。図４に示すようなフォトリソグラフィＩＣパターンは、ガラス２０を透過され、投影光学素子を透過された照射λ、および図５に示すように集積回路メディア２６に投影されたＩＣパターンとともに、マスク２２から形成される。本発明のフォトリソグラフィ方法は、１９３ｎｍ未満の波長を有するＵＶ光子となっているフォトリソグラフィパターンをガラスに透過させ、照射λフォトリソグラフィ光の減衰を抑制することを含む。好ましい実施形態において、この方法は、ＵＶ照射λおよび図６に示すように１５７ｎｍの波長のレーザ発光を含むλを生成するＦ２エキシマーレーザ２８を提供する工程を含む。
【００３７】
好ましい実施形態において、約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用の１９３ｎｍ未満のＶＵＶを透過するガラスフォトマスク基体２０は、ＯＨ含有量が２０重量ｐｐｍ未満であり、Ｃｌ含有量が重量で．１％未満であり、フッ素含有量が０．０１から７重量パーセントの範囲にある乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスである。
【００３８】
乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス２０は、好ましくはフッ素含有量が０．０１から２重量パーセントの範囲にあり、より好ましくはフッ素含有量が０．０１から０．５重量パーセントの範囲にあり、最も好ましくはフッ素含有量が０．１から０．４重量パーセントの範囲にある。乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス２０は、好ましくはＣｌ含有量が０．０８重量％以下であり、より好ましくはＣｌ含有量が０．０６重量％以下であり、より好ましくはＣｌ含有量が０．０４重量％以下であり、より好ましくはＣｌ含有量が０．０２重量％以下である。好ましい実施形態において、乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス２０は、Ｃｌ含有量が５ｐｐｍ未満であり、より好ましくはＣｌ含有量が１ｐｐｍ未満であり、最も好ましくは直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスが検出可能な塩素を含まずにＣｌが除去されている。
【００３９】
好ましくは、乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス２０は、ＯＨ含有量が重量で１０ｐｐｍ未満であり、より好ましくはＯＨ含有量が重量で１ｐｐｍ未満である。
【００４０】
好ましくは、乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、水素含有量が１×１０１７分子／ｃｍ３未満である。好ましくは乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、０．００００４重量％以下のＦｅ有量を有する。好ましくは乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、０．００００４重量％以下のＺｒ含有量を有する。
【００４１】
好ましい実施形態において、乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス２０は、好ましくはＯ２濃度が少なくとも１０１５Ｏ２モル／ｃｃ、好ましくは１０１６以上のＯ２モル／ｃｃ、好ましくは１０２０以下のＯ２モル／ｃｃ、最も好ましくは約１０１６から１０１０の範囲のＯ２モル／ｃｃを有する多数の格子間酸素（ｉｎｔｅｒｓｔｉｃｉａｌ Ｏ２）分子を含む。
【００４２】
本発明の好ましい実施形態においては、ガラス基体２０は、ガラス片２０がそのガラスウェハ基体の物理的形状状態（ｇｌａｓｓ ｗａｆｅｒ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｆｏｒｍ ｓｔａｔｅ）に焼き戻されていない非接合アニールガラスウェハ（ｎｏｎ−ｐｉｅｃｅ ａｎｎｅａｌｅｄ ｇｌａｓｓ ｗａｆｅｒ）である。好ましい実施形態において、このガラスは、ガラスウェハガラス基体片と区別されるとともにガラスウェハガラス基体片よりも大きく、好ましくはガラスプレフォームディスク３２（図７参照）に焼き戻され、ガラスウェハ２０の物理的サイズよりもかなり大きくなるように（容積および長さ寸法が非常に大きい；少なくとも２倍、好ましくは３倍、最も好ましくは少なくとも４倍）焼き戻されたガラスプレフォームディスクの物理的サイズを有するプレフォーム物理的状態に焼き戻される。
【００４３】
図１に示すように、リソグラフィフォトマスクブランクガラス基体２０は、長さＬの最大寸法を有する。図７に示すように、直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスプレフォームディスク３２は、プレフォームディスク直径ＤおよびＤ＞Ｈであるプレフォームディスク高さＨを有する。図７に示すように、好ましい直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスプレフォームディスク３２は、高さＨおよび直径Ｄを有し、直径Ｄはプレフォームディスクのｘ軸およびプレフォームディスクのｙ軸により規定されるｘｙ平面に位置し、ｘ軸およびｙ軸はプレフォームディスク高さＨ対して垂直となっている。ディスク高さＨは、プレフォームディスクｚ軸に揃えられている。図８ａ−ｃの側面工程図に示すように、この方法は、１μｍより大きい直径を有する包含物のガラスからの除去を含む、プレフォームディスク包含物除去部分（ｐｒｅｆｏｒｍ ｄｉｓｋ ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ ｆｒｅｅ ｒｅｇｉｏｎ）３４を備えたプレフォームディスク３２における包含物除去部分３４を確認する工程を含む。図８ａおよび８ｂに示すように、好ましくは本発明は、プレフォームディスクのｘ軸に揃えられたフォトマスクブランクプレフォームのｘ軸、プレフォームディスクのｙ軸に揃えられたフォトマスクブランクプレフォームのｙ軸、およびフォトマスクブランクプレフォームのｚ軸を備えたフォトマスクブランクプレフォーム３６を提供するために、プレフォームディスク３２から包含物除去部分３４を除去している間に、プレフォームディスクのｘ軸、ｙ軸およびｚ軸の方向を維持することを含む。図８ｂ、８ｃおよび図１に示すように、この方法は、フォトマスクブランクプレフォーム３６を最大寸法長さＬを有するリソグラフィフォトマスクブランク２０に形成することを含む。本発明の好ましい方法において、リソグラフィフォトマスクブランク２０は、厚さＴ、リソグラフィフォトマスクブランクｘ軸、リソグラフィフォトマスクブランクｙ軸およびリソグラフィフォトマスクブランクｚ軸を有し、リソグラフィフォトマスクブランクｘ軸およびリソグラフィフォトマスクブランクｙ軸は、フォトマスクブランクプレフォームのｘ軸およびフォトマスクブランクプレフォームのｙ軸に揃えられている。リソグラフィフォトマスクブランク２０の最大寸法長さＬは、フォトマスクブランクｘ軸およびｙ軸により規定されるｘｙ平面に位置し、リソグラフィフォトマスクブランク厚さＴはリソグラフィフォトマスクブランクｚ軸に揃えられるとともに、フォトマスクブランクｘ軸およびｙ軸に垂直とされ、厚さＴがＬより小さいものとなっている。好ましくはＴはＬよりも非常に小さく、より好ましくは１０Ｔ＜Ｌである。
【００４４】
本発明の方法を用いることにより、直接堆積ガラス固化ガラスプレフォーム３２は平坦な幾何学的形状を有し、好ましくはｚ軸方向の高さがｘｙ平面の基礎寸法よりも大きい背の高い円柱形状に対して平坦なディスク形状を有する。背の高い幾何学的形状に対して平坦な幾何学的形状を有するこのようなプレフォームにより、改良されたリソグラフィ性能を提供する均一な光学特性を有する好ましいガラス体が得られる。好ましい実施形態においては、直接堆積ガラス固化ガラスプレフォームディスク３２を提供することは、高さＨの２倍よりも大きいかまたは等しい（Ｄ≧２Ｈ）、好ましくはＤ≧３Ｈ、最も好ましくはＤ≧４Ｈの最大寸法直径Ｄを有するプレフォームディスク３２を提供することを含む。
【００４５】
１９３ｎｍ未満のＶＵＶを透過するガラスフォトマスク基体２０を作成する方法は、直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス体３２を作成することを含む。図９および図１０は、直接堆積ガラス固化ガラスプレフォームディスク３２を作成し提供する方法を示す図である。好ましい実施形態において、高純度Ｓｉガラス前駆体供給原料が、蒸気の状態で供給路３８を通って、ＳｉおよびＦを含む供給原料をガラス堆積面４５に向けられかつここに堆積される乾式オキシフッ化珪素ガラススート４４に変換する熱含有直接堆積変換サイト加熱炉（ｈｅａｔ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｓｉｔｅ ｆｕｒｎａｃｅ）４２における一酸化炭素変換サイトバーナー（ｃａｒｂｏｎ ｍｏｎｏｘｉｄｅ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｓｉｔｅ ｂｕｒｎｅｒ）の一酸化炭素燃焼炎４０へ供給される。なお、直接ガラス堆積面４５は、好ましくは水平方向に回転する集積カップ４６に含められ、スート４４は同時に高純度乾式オキシフッ化珪素ガラス体４８に直接に堆積されガラス固化され、強化される。好ましくは熱含有直接堆積変換サイト加熱炉４２は、含有された汚染物がハロゲン浄化（ｈａｌｏｇｅｎ ｃｌｅａｎｓｅｄ）された二酸化アルミニウムから作成された耐熱体により構成されている。好ましくはカップ４６を含む加熱炉４２は、汚染物質が除去され、好ましくはガラスの形成前に、ハロゲン含有除去／汚染物質除去ガス体（ｈａｌｏｇｅｎ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｃｌｅａｎｉｎｇ／ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ ｒｅｍｏｖｉｎｇ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ）を含む炭水化物−塩素処理（ｃａｒｂｏ−ｃｈｌｏｒｉｎａｔｉｏｎ）のように、汚染物質を除去することにより得られた、ハロゲン処理浄化二酸化アルミニウム耐熱体（ｈａｌｏｇｅｎ ｔｒｅａｔｅｄ ｃｌｅａｎｓｅｄ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｄｉｏｘｉｄｅ ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｂｌｏｃｋｓ）からなる。好ましい低汚染物質気泡アルミナ耐熱物（ｌｏｗ ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ ｂｕｂｂｌｅｄ ａｌｕｍｉｎａ ｒｅｆｒａｃｔｏｒｉｅｓ）が２０００年９月８日になされた、Ｋｏｔａｃｓｋａらによる発明の名称が、純粋溶融シリカ、加熱炉および方法であり、本願に引用して援用する国際公開第０１／１７９１９号明細書に開示されている。回転するカップ４６は、水平（ｘｙ平面に平行で、ｚ軸に垂直）に向けられており、好ましくはカップ４６の回転に加えて、カップ４６はｘｙ振動移動パターンを有するｘ−ｙ振動テーブル（ｘ−ｙ ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ ｔａｂｌｅ）を使用してｘｙ平面において移動される。図１０に示すように、安定したガラス体４８が生成されるように、加熱炉４２内のガス流量および環境の変化が最小限とされかつ抑制されることが好ましい。好ましい直接堆積加熱炉が、本願に引用して援用するＰａｕｌ Ｓｃｈｅｒｍｅｒｈｏｒｎによる１９９９年９月１４日出願の米国特許第５，９５１，７３０号明細書に開示されている。熱含有加熱炉４２内部の温度は、スート４４が堆積される際のガラス体４８への硬化を確実なものとするために高温に、好ましくは加熱炉４２およびガラス体４８の実用温度（ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が少なくとも１５００℃、より好ましくは���なくとも１６００℃、最も好ましくは１６５０℃に維持される。
【００４６】
ガラス体が流動することを許容するこのような高温とともに、好ましい実施形態においては、カップ４６は、図９に示すものほど急勾配ではなく、ガラスの有益な移動および流動を促進する、図１０に示すような傾斜した側壁を備える。好ましい集積カップ格納容器が、本願に引用して援用するＪｏｈｎ Ｍａｘｏｎによる１９９７年１２月１６日出願の米国特許第５，６９８，４８４号明細書に開示されている。水平方向に向けられた集積カップ４６は、好ましくは集積カップ高さＣＣＨおよび集積カップ直径ＣＣＤを有し、ＣＣＨ＞ＨかつＣＣＤ＞Ｄである。ガラスプレフォームディスク３２を提供することは、ガラス体４８の表面を除去すること、とくにカップ４６に接するガラス体４８の表面を除去することを含み、これによりフォトマスクブランクがガラス体４８の非外表面部分から創成される。図９から１０に示すように、ガラス体４８は好ましくは直接堆積集積カップ４６内に含有される。流動可能なガラスの物理的形状を含むことに加えて、カップ４６が耐熱断熱材料から形成され、とくにガラス体４８の上方から一酸化炭素燃焼バーナー４０の一酸化炭素炎により発生されるとともに、加熱炉変換サイト４２内においてガラス体４８およびカップ４６の上方にも設けられる一酸化炭素燃焼熱源バーナーのような補助的な熱源からの熱を有するガラス体４８の、側面および底部からの熱損失を低減するという点において、集積カップ４６は周辺環境の変化および影響からガラス体を保護し、最も好ましくはガラス体からの熱損失を抑制する。好ましい実施形態において、本発明は、少なくとも１５００℃の温度にて体（ｂｏｄｙ）を発達させる温度を維持する一方で、溶融ガラスを直接堆積ガラス固化するために同時にスートを強化しつつ、スート４４をカップ４６に連続して堆積させることを含む。ガラス体４８の発達は、好ましくは強化ガラス固化（強化ガラス固化温度）に必要とされる、ガラス体の全体が実質的に均質かつ完全に均一となる温度を含むそのような温度を維持することを含む。好ましくは、そのような温度は製造過程においてガラス体４８からの熱損失を最小にするために維持される。Ｄ≧２Ｈであるガラスプレフォームディスクのような平坦なディスクの幾何学的形状は、好ましくはガラス体４８の表面からの熱損失を最小にする。このような平坦なディスク形状体の形成は、好ましくは断熱収容カップ内において、熱源とは反対側における体の面（体４８の底部は加熱炉４２の上部における熱源の反対側にある）を通じての、および体４８の側面からの熱損失を最小なものとする。このような平坦ディスク形状は、背の高い長円柱を基本とする幾何学的形状と比較して、底部および側面を通じての熱損失を有利に抑制する。図９から１０に示すように、スート４４が堆積面４５に向けられ、一酸化炭素燃焼熱源バーナー４０の一酸化炭素燃焼炎から下方に向かう堆積経路に沿ってカップ４６へ移動し、回転するカップ４６がスート４４の下方へ向かう堆積経路に対してほぼ垂直な回転平面において回転することが好ましい。カップ４６の回転平面は、プレフォームディスクのｘ軸およびプレフォームディスクのｙ軸により規定される平面と平行である。ｘｙ平面に平行な回転面における回転��る動きに加えて、カップ４６は好ましくは本願に引用して援用するＪｈｏｎ Ｍａｘｏｎによる発明の名称が、溶融シリカガラスを生成する方法におけるブール振動パターン（Ｂｏｕｌｅ Ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）の１９９７年１２月９日に出願された米国特許第５，６９６，０３８号明細書に開示されているような振動回転パターンを使用して、そのようなｘｙ平行面において振動の動きにより移動される。
【００４７】
好ましい実施形態において、ガラスプレフォームディスク３２は、ガラス体４８の形成が完了した後に、一酸化炭素直接堆積加熱炉４２の内部で焼き戻され、スート４４の生成および堆積が終了する。リソグラフィフォトマスクブランク２０の作成の好ましい方法において、フォトマスクブランクプレフォーム３６および個々のブランク２０が焼き戻されないという点において、プレフォームディスク３２から除去した後、ガラスは焼き戻されない。好ましい実施形態において、ガラスに現れるあらゆる複屈折は、ディスクのプレフォーム後の工程においてではなく、プレフォームディスク３２および体４８の大きな物理的サイズにおいて減少される。
【００４８】
フォトマスクブランクプレフォーム３６をリソグラフィフォトマスクブランク２０に形成することは、好ましくはプレフォーム３６から複数のフォトマスクブランクを切り出し、切り出されたフォトマスクブランクを研磨することを含む。本発明は、フォトマスクブランク２０にリソグラフィックパターンを形成すること、およびこのフォトマスクブランクを通して１９３ナノメートル未満の波長の光を透過させることをさらに含む。
【００４９】
本発明の好ましい実施において、プレフォームディスク３２は、例えば約３から５フィート（０．９１から１．５メートル）のＤのように２０インチ（５０ｃｍ）より大きい直径、および約６から１０インチ（１５から２５ｃｍ）の高さＨを有し、そこから作成されるマスクブランク２０が、例えば約１０インチ×１０インチ（２５ｃｍ×２５ｃｍ）、約９インチ×９インチ（２２．８ｃｍ×２２．８ｃｍ）および約６インチ×６インチ（１５ｃｍ×１５ｃｍ）のブランク寸法のように、最大長さＬが１２インチ（３０ｃｍ）未満であり、約１／４インチ（０．６３ｃｍ）の厚さを有する。多数のマスクブランク２０をより大きなプレフォーム３２から切り出すことができ、大きなプレフォームのサイズにより、とくにフォトマスク基体の寸法に正味近いプレフォーム寸法を有する小さなプレフォーム円柱から形成されるフォトマスク基体と比較して、改良されたリソグラフィ性能が得られる。図１１は、マスクブランク２０を作成するより好ましい方法の工程を示す図である。図９から１０に示すように、一酸化炭素変換炎直接堆積ガラス化レイダウン工程（ｃａｒｂｏｎ ｍｏｎｏｘｉｄｅ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｆｌａｍｅ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔ ｖｉｔｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｌａｙ ｄｏｗｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）およびカップ４６の振動／回転を用いてプレフォームディスク３２が提供される。フォトマスクブランクプレフォーム３６の位置は、プレフォームディスク３２上に、好ましくはディスク３２の中心を避けてレイアウトされる。図１１に示すように、フォトマスクブランクプレフォームディスク３６の位置のレイアウトは、好ましくは人間の目が視覚的に検出可能なあらゆる含有物を避けるために、ずらされる。後の工程において廃棄される含有物を含むガラスを有するプレフォームディスク３２における検出可能な含有物を検査することなく、コラム列の配列に並べられたずらされていないチェッカーボードを使用することもできる。フォトマスクブランクプレフォーム３６の位置レイアウトが決められた後、フォトマスクブランクプレフォーム３６はプレフォームディスク３２に切り出される。代表的なフォトマスクブランクプレフォーム３６は、約６と１／２インチ×６と１／２インチ（１６．５ｃｍ×１６．５ｃｍ））の矩形の基部および約５−６インチ（１２から１５ｃｍ）の高さを有する。切り出されたブロック３６は、ガラス内部の検査およびマッピングが可能なように３面が研磨される。ガラスの容積中に含まれる可能性のある１μｍの大きさを超えるあらゆる含有物を特定し、マークし、かつマッピングするために、２つの対向する研磨面を通じて光を透過させることにより、３つの研磨された面を用いて内部が検査される。好ましくは、第３の研磨面を通じて観察される含有物を含む含有物を特定するために、ブロック３６の容積を通じて検査用レーザ光ビーム（ＨｅＮｅ走査ビーム）１０１を走査するための光学測定システムが使用され、これにより、次工程の除去を行うために、含有物の位置がマッピングされかつマークが付与されることができる。本願に引用して援用する、１９９９年１２月９日に出願された、Ｒｉｃｈａｒｄ Ｐｒｉｅｓｔｌｅｙによる発明の名称が光学特性の測定用自��システムである、米国特許出願第０９／４５８，５６１号（弁護士整理番号Ｐｒｉｅｓｔｌｅｙ−１）明細書に開示されたこのような方法およびシステムを使用することができる。次いで、ブロック３６は、スライスされたスラブからは特定された含有物が除去されているように、スラブにスライスされる。含有物は、約．４−．５インチ（１−１．３ｃｍ）の厚さを有する切り出しブランクスラブの周囲部分に含められて、切り出すブランクスラブとともに切り出される。切り出されたブランクスラブは、次いで、予備仕上げマスクブランク（ｐｒｅ−ｆｉｎｉｓｈｅｄ ｍａｓｋ ｂｌａｎｋ）を提供するために、化学機械仕上げ（ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）、平面ラップ仕上げ（ｆｌａｔｎｅｓｓ ｌａｐ）、平板平面研磨（ｆｌａｔ ｐｌａｔｅ ｆｌａｔｎｅｓｓ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）およびエッジ研磨により予備仕上げされる。予備仕上げマスクブランクは光学特性が測定される。ガラスの光学特性を、含有物の検査がなされたブロックの形態で行うことが可能な実施形態もある。本願に引用して援用する、１９９９年１２月９日に出願された、Ｒｉｃｈａｒｄ Ｐｒｉｅｓｔｌｅｙによる発明の名称が光学特性の測定用自動システムである、米国特許出願第０９／４５８，５６１号（弁護士整理番号Ｐｒｉｅｓｔｌｅｙ−１）明細書に開示されたこのような方法およびシステムを光学特性の測定のために使用することができる。予備仕上げマスクブランクは、次いで、完成したガラス基体フォトマスクブランク２０を提供するために、最終仕上げが施される。好ましくは、最終仕上げは、マスク２２として利用するために洗浄されかつ包装される、５オングストローム未満の仕上げおよび平面度のスーパーポリッシュの前処理としての化学機械研磨を含む。
【００５０】
図１２に示すように、好ましくは乾式ＣＯ炎から十分な熱を得るために、実質的に水素が含まれていないＣＯ燃料１２６、およびガラス供給原料前駆体１２４が好ましくは所定の流量比（ｆｌｏｗ ｒａｔｉｏ）で供給される。とくに十分な熱を生成するために、ガラス前駆体の流量に対する燃料の流量比が２０：１より大きくなるべきである。これは、燃焼バーナー１２５内の種々の流路を適切なサイズとすることにより達成される。１つの好ましい燃焼バーナーを図１３に示す。実質的に水素が含まれていないガスを燃焼させるのに適したＣＯ燃焼バーナーは、以降「乾式燃焼バーナー」と称するものとする。乾式燃焼ＣＯバーナー１２５は、細長い管として形成され、ガス状のガラス供給原料前駆体を供給するのに適した中央フューム管６８を含む。好ましくは、酸素を運ぶのに適したインナーシールドパッケージ７４が、フューム管６８の周囲を囲んでいる。燃焼補助ガスである酸素は、燃焼補助ガスに対する燃料の比率が約２：１となるように供給される。大容量の実質的に水素が含まれていないＣＯ燃料を運ぶのに適した燃料路７０が、フューム管６８およびインナーシールド７４を囲んでいる。倍率は正確に示していないが、燃料路７０の断面積は、フューム管６８の断面積よりも非常に大きいことが明らかである。例えば、一酸化炭素は燃焼した時に熱が少ないため、メタンと比較してより速い流速が必要とされる。これは、ガラス前駆体１２４が燃焼バーナー１２５の中央フューム管６８に第１の流速により供給され、かつ実質的に水素が含まれていない燃料１２６が第１の流速の少なくとも２０倍の流速により供給され、これにより、前駆体の酸化のために十分な熱の生成を可能なように設計される。実質的に水素が含まれていない燃料１２６および燃焼補助酸素２１を供給し、環状路においてより均一な流量配分が得られるように、バーナー１２５は複数の入力ポートを有していてもよい。
【００５１】
本発明の他の実施形態においては、フッ素がスートに組み込まれていてもよい。本発明によれば、これを実行するための種々の方法がある。第１に、フッ素をクロロフルオロシラン（ｃｈｌｏｒｏｆｌｕｏｒｏｓｉｌａｎｅ）が前駆体１２４として使用された場合のように、前駆体に含めてもよい。このシナリオにおいて、前駆体１２４はフューム管６８にガスとして供給され、ＣＯ炎により酸化され、これによりフッ素ドープスートが生成される。実質的に水素が含まれていない燃料とともに多少の燃料または酸素を供給してもよい。
【００５２】
フッ素を導入する第２の方法は、ガス状の供給原料形態におけるフッ素またはＦ２，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＳＦ６，ＮＦ３，ＳｉＦ４もしくはこれらの組み合わせ等のフッ素含有化合物（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を、燃焼バーナー内に含まれるシールドに流入させることによるものである。図１４は、オキシフッ化珪素物スートを生成するために使用されることが可能なバーナー１２５ａを示す図である。フッ素またはフッ素含有供給原料化合物が、燃料路７０を囲むアウターシールド路７２にガス状の形態で供給される。燃料路の周囲に水冷ジャケットを用いてもよい。ＣＯ燃焼バーナーの好ましい実施形態は、実質的に水素が含まれていないガラス前駆体を炎部分に供給するのに適し、バーナー１２５，１２５ａ（図１３−１４）の中央軸に沿うように配された中央管６８；炎に酸素を供給するのに適し、バーナーの中央軸から半径方向に離れて配されたインナーシールドユニット７４、バーナーの中央軸から半径方向に離れて配され、実質的に水素が含まれていない燃料を供給するのに適した燃料ユニット７０；および炎を包み込むフッ素含有ガスを供給するのに適し、アウターシールド部分がバーナーの中央軸から半径方向に離れて配され、インナーシールドユニットおよび燃料ユニットの外側に位置され、バーナーが実質的に水分が含まれていないフッ素ドープシリカを生成するのに適したものとされるアウターシールドユニット７２を備える。
【００５３】
図１２に示す実施形態によれば、実質的に水素が含まれていない燃料は、ガラス８６のディスク等のガラス品を作成するために利用されてもよい。珪素含有ガス供給原料分子（Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｇａｓ ｆｅｅｄｓｔｏｃｋ ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）は、スート粒子（ｓｏｏｔ ａｒｔｉｃｌｅ）を形成するためにＣＯ炎１２８において反応する。これらの粒子１３０は、これらが後に冷却されて固体となる非常に粘性のある液体（堆積されて垂直方向に同時にガラス固化された）に強化される体１３２の熱直接堆積面（ｈｏｔ ｄｉｒｅｃｔ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｕｒｆａｃｅ）に堆積される。
【００５４】
本発明の他の実施形態において、乾式ガラス固化ガラス品を生成する方法が提供される。この方法は好ましくは、実質的に水素が含まれていない燃料１２６を燃焼することにより生成される炎１２８を有する燃焼バーナー１２５から熱を生成し、水素不含有ＣＯ燃料炎１２８を熱源とし、シリカ含有スート（ｓｉｌｉｃａ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｓｏｏｔ）１３０を生成するためにガラス前駆体１２４を炎１２８に流入し、堆積面基体１３２にシリカ含有スートを堆積し、かつガラス固化ガラス品８６を形成するために実質的に同時にスートをガラス固化し強化するステップを含む。好ましい実施形態において、スートはそれ自体がシリカ含有ガラス部材、最も好ましくは本発明の乾式ガラスディスクである基体１３２に堆積される。実質的に水素が含まれていない燃料を使用することにより、本発明によればガラス固化ガラス品８６は数ｐｐｍ未満の量の水（ＯＨ）しか含まないものとなる。図示の実施形態において、堆積のステップは熱含有加熱炉チャンバ（ｈｅａｔ ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｆｕｒｎａｃｅ ｃｈａｍｂｅｒ）８９内において行われる。好ましくは、実質的に水が含まれていない環境が提供されるように、窒素等のパージガスがチャンバ内に供給される。一般的に、チャンバ８９内はチャンバ外の大気よりも高い圧力に加圧されることが望ましい。
【００５５】
好ましい実施形態において、一酸化炭素を前記一酸化炭素燃焼バーナーに供給して一酸化炭素燃焼反応炎を形成する工程は、高純度一酸化炭素供給ガスを提供し、該高純度一酸化炭素供給ガスを、前記一酸化炭素燃焼バーナーの上流にあるインラインＣＯ清浄化フィルタ３００に透過させる各工程を含む。前記一酸化炭素燃焼バーナーの上流にあるインラインＣＯ清浄化フィルタ３００は、高純度炎（ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｔｙ ｆｌａｍｅ）を確保し、かつそれから高純度ガラスを生成するために、バーナーに供給されている高純度一酸化炭素から水分、鉄および汚染物質金属（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｎｇ ｍｅｔａｌ）を除去する。Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＷａｆｅｒｐｕｒｅ（登録商標）Ｍｉｃｒｏ／Ｍｉｎｉ−ＸＬ／Ｍｅｇａｌｉｎｅ Ｇａｓ Ｐｕｒｉｆｉｅｒｓ ｂｒａｎｄ ＣＯ ｐｕｒｉｆｉｅｒ ｔｙｐｅ等のＣＯ清浄化フィルタがＣＯ清浄化フィルタに適している。好ましくは、高純度一酸化炭素供給ガスは少なくとも９９．３％純ＣＯである。
【００５６】
約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用の１９３ｎｍＶＵＶ透過ガラスフォトマスク基体ブランクを作成する方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供すること；熱含有直接堆積加熱炉を提供すること；一酸化炭素燃焼反応炎を形成するために前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供すること、前記ＣＯ炎に近接して直接ガラス堆積面を提供すること、Ｓｉガラス前駆体供給原料およびＦガラス前駆体供給原料を前記一酸化炭素燃焼炎に供給することを含み、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料および前記Ｆガラス前駆体供給原料が、前記炎内において前記ガラス堆積面に向けられたオキシフッ化珪素ガラススートとなるように反応され、該スートが同時に直接堆積されオキシフッ化珪素ガラス体になるようにガラス固化される。この方法は、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラス体をフォトマスクブランクに形成することを含む。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは塩素不含有（好ましくはＣｌ＜１ｐｐｍ）オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体は塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスフォトマスクブランクに形成される。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体はＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスフォトマスクブランクに形成される。最も好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体はＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスフォトマスクブランクに形成される。好ましい実施形態において、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料は、シリコンテトライソシアネート（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｉｓｏｃｙａｎａｔｅ）である。好ましくは、フッ素ガラス前駆体供給原料を供給することは、所定のフッ素ガラス前駆体供給原料流量を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、０．０１から７重量％の範囲、好ましくは０．０１から２重量％の範囲、さらに好ましくは０．０１から０．５重量％の範囲のフッ素重量濃度を有する。好ましくは、酸素の供給を提供することは、所定のＯ２供給流量を提供することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは好ましくは少なくとも１０１５Ｏ２モル／ｃｃの分子状Ｏ２を有するＯ２を含む。
【００５７】
熱含有直接堆積加熱炉を提供することは、好ましくはハロゲン処理洗浄二酸化アルミニウム耐熱ブロックからなる熱含有直接堆積加熱炉を提供すること、および最も好ましくは二酸化アルミニウムから実質的になる耐熱ブロックを用いて、前記ハロゲン処理洗浄二酸化アルミニウムブロックを加熱炉を形成するために組み立てることを含む。熱含有直接堆積加熱炉は、汚染物質金属の耐熱物と反応させこれにより汚染物質金属の耐熱物を洗浄するために、反応性のハロゲン含有ガスにあらかじめ晒されたアルミナ耐熱材料から構成される。好ましくは、ＣＯバーナーを含むとともにＣＯバーナーに近接する加熱炉クラウン（ｆｕｒｎａｃｅ ｃｒｏｗｎ）が、固まりつつあるガラス塊（ｃｏｎｓｏｌｉｄａｔｉｎｇ ｇｌａｓｓ ｍａｓｓ）を覆うクラウンを有する二酸化アルミニウムから実質的に構成される。
【００５８】
好ましくは、二酸化アルミニウムから実質的になる加熱炉カップが、固まりつつあるガラス塊を含む。好ましくは、二酸化アルミニウム耐熱ブロックは、反応性のハロゲン含有ガス浄化処理に晒される。好ましくは、二酸化アルミニウム耐熱ブロックは、有孔性（ｐｒｏｕｓｉｔｙ）が２５−７０％の範囲にあり、好ましくはかさ密度（ｂｕｌｋ ｄｅｎｓｉｔｙ）が３．９グラム／ｃｍ３未満であり、より好ましくは二酸化アルミニウム耐熱物のかさ密度が１．２グラム／ｃｍ３以上の多孔性ブロックからなる。
【００５９】
本発明は、約１５７ｎｍの波長透過用の１９３ｎｍ未満のＶＵＶ透過光学リソグラフィガラスを作成する方法を含む。この方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供すること；一酸化炭素燃焼反応炎を形成するために前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供すること、前記炎に近接して直接ガラス堆積面を提供すること、Ｓｉガラス前駆体供給原料およびＦガラス前駆体供給原料を前記一酸化炭素燃焼炎に供給することを含み、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料および前記Ｆガラス前駆体供給原料が、前記ＣＯ炎内において前記ガラス堆積面に向けられたオキシフッ化珪素ガラススートになるように反応され、該スートが同時に直接堆積されオキシフッ化珪素ガラス体になるようにガラス固化される。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは塩素不含有（好ましくはＣｌ＜１ｐｐｍ）オキシフッ化珪素ガラスである。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式オキシフッ化珪素ガラスである。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであり、最も好ましくは、前記塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料は、シリコンテトライソシアネート（ｓｉｌｉｃｏｎ ｔｅｔｒａｉｓｏｃｙａｎａｔｅ）である。好ましくは、フッ素ガラス前駆体供給原料を供給することは、所定のフッ素ガラス前駆体供給原料流量を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは、０．０１から７重量％の範囲、好ましくは０．０１から２重量％の範囲、さらに好ましくは０．０１から０．５重量％の範囲のフッ素重量濃度を有する。好ましくは、酸素の供給を提供することは、所定のＯ２供給流量を提供することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスは好ましくは少なくとも１０１５Ｏ２分子／ｃｃの分子状Ｏ２を有するＯ２を含む。
【００６０】
本発明は、均質ガラス光学リソグラフィ要素を作成する方法を含み、この方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供すること；一酸化炭素燃焼反応炎を形成するために前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供すること、前記炎に近接して直接ガラス堆積面を提供すること、Ｓｉガラス前駆体供給原料およびドーパントＲガラス前駆体供給原料を前記一酸化炭素燃焼バーナーに供給することを含み、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料および前記ドーパントＲガラス前駆体供給原料が、前記炎内において前記ガラス堆積面に向けられた乾式Ｒドープオキシフッ化珪素ガラススートになるように反応され、該スートが同時に直接堆積され乾式均質Ｒドープ石英ガラス体になるようにガラス固化され、前記直接堆積ガラス固化ガラス体が均質ガラス光学リソグラフィ要素に形成される。好ましくは、ドーパントＲガラス前駆体供給原料は、Ｆ，Ｔｉ，Ｇｅ，Ｂ，ＰおよびＡｌからなるＲドーパント群から選択される。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化ガラスは塩素不含有（Ｃｌ＜１ｐｐｍ）ガラスであり、前記ガラス体は塩素不含有均質ガラス光学要素に形成される。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式ガラスであり、前記ガラス体はＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式均質ガラス光学要素に形成される。最も好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有オキシフッ化珪素ガラスであり、前記ガラス体はＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有均質ガラス光学要素に形成され、より好ましくは、前記塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料は、シリコンテトライソシアネートである。
【００６１】
本発明は、均質ガラス光学リソグラフィ要素を作成する方法を含み、この方法は、水素不含有燃料一酸化炭素燃焼バーナーを提供すること；一酸化炭素燃焼反応炎を形成するために前記一酸化炭素燃焼バーナーに一酸化炭素の供給および酸素の供給を提供すること、前記炎に近接して直接ガラス堆積面を提供すること、Ｓｉガラス前駆体供給原料を前記一酸化炭素燃焼バーナーに供給することを含み、前記Ｓｉガラス前駆体供給原料が、前記炎内において前記ガラス堆積面に向けられた乾式石英ガラススートになるように反応され、該スートが同時に直接堆積され乾式均質石英ガラス体になるようにガラス固化され、前記直接堆積ガラス固化ガラス体が均質ガラス光学リソグラフィ要素に形成される。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化ガラスは塩素不含有（Ｃｌ＜１ｐｐｍ）ガラスであり、前記ガラス体は塩素不含有均質ガラス光学要素に形成される。好ましくは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式ガラスであり、前記ガラス体はＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨ、好ましくはＯＨ重量濃度＜１ｐｐｍの乾式均質ガラス光学要素に形成される。好ましい実施形態において、Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することは、塩素不含有水素不含有Ｓｉガラス前駆体供給原料を供給することを含み、この場合、前記直接堆積ガラス固化石英ガラスはＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨの乾式塩素不含有石英ガラスであり、前記ガラス体はＯＨ重量濃度＜１０ｐｐｍＯＨ、好ましくはＯＨ重量濃度＜１ｐｐｍの乾式塩素不含有均質ガラス要素に形成される。
【００６２】
フッ素は本発明の溶融シリカの望ましい成分であるため、フッ化珪素、四フッ化珪素およびこれらの混合物等のフッ素含有Ｆガラス前駆体供給原料出発原料（ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ Ｆ−ｇｌａｓｓ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｆｅｅｄｓｔｏｃｋｓ ｓｔａｒｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ）を使用してもよい。フッ化珪素出発原料を使用するのに加えて、フッ化珪素シリカスートからフッ素ドープシリカを生成するために反応する珪素含有出発原料混合物Ｓｉガラス前駆体供給原料とともに、ＣＦ４，ＳＦ６，Ｆ２ ，Ｃ３Ｆ８，Ｃ２Ｆ６等のフッ素起源の出発原料Ｆガラス前駆体供給原料を使用することもできる。
【００６３】
好ましくはＯＨ群が除去されており、フッ素がドープされており、本質的に塩素が除去されていることに加えて、本出願人は本発明の溶融シリカフォトマスクブランクが好ましくは分子状水素が少ないこと、好ましくは１×１０１７分子／ｃｍ３未満であること、およびより好ましくは分子状水素が５×１０１６分子／ｃｍ３未満であることも見いだした。
【００６４】
ＯＨ含有量を５０ｐｐｍ未満、好ましくは１０ｐｐｍ未満、最も好ましくは１ｐｐｍ未満に減少させ、フッ素とともに石英ガラスをドーピングすることにより、１５７ｎｍにおける透過率を向上させ、熱膨張を低くすることができる。好ましい１５７ｎｍ透過フォトリソグラフィフッ素ドープ低ＯＨ溶融ＳｉＯ２ガラスフォトマスク基体は、少なくとも８０％、好ましくは１５７ｎｍにおいて少なくとも約８３％／ｃｍの透過率を有し、０．５５ｐｐｍ／℃未満、好ましくは０．５３ｐｐｍ／℃未満の熱膨張を有する。
【００６５】
さらに本発明は、１７５ｎｍ未満のＶＵＶリソグラフィガラスを含む。このリソグラフィガラスは、溶融オキシフッ化珪素ガラス（ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｇｌａｓｓ）からなる。このオキシフッ化珪素ガラスは、ＯＨ含有量が５重量ｐｐｍ未満、Ｃｌ含有量が５重量ｐｐｍ未満、Ｈ２含有量が１×１０１７分子／ｃｍ３未満、フッ素含有量が少なくとも０．１重量％であり、このガラスは、少なくとも８０％／ｃｍ、好ましくは少なくとも８５％／ｃｍの内部透過率を有する。このオキシフッ化珪素ガラスは、室温から３００℃の範囲において０．５５ｐｐｍ／℃未満である溶融シリカよりも低い熱膨張係数を有する。好ましくは、リソグラフィガラスは、１５７ｎｍから１７５ｎｍの波長範囲における内部透過率が少なくとも８０％／ｃｍ、好ましくは少なくとも８５％／ｃｍである。好ましくは、オキシフッ化珪素リソグラフィガラスは、４ｍＪ／ｃｍ２−パルスでのＦ２エキシマーレーザ照射を含む１５７ｎｍの波長に少なくとも．９６×１０６パルス晒された場合に、２１５ｎｍにおいて１ｍｍ当たり０．１光学濃度（ｌｏｇ１０透過率）未満の吸収の増加、より好ましくは２１５ｎｍにおいて０．０５光学濃度未満の吸収の増加を有するが、最も好ましくは２１５ｎｍの吸収域は実質的に形成されない。好ましくは、ガラスのＣｌ含有量は１ｐｐｍ未満であり、ＯＨ含有量は１ｐｐｍ未満であり、より好ましくはガラスはＳｉ，ＯおよびＦから実質的になる。好ましくは、ガラスは実質的にメタルＳｉ−Ｓｉ結合に対して金属が除去されており、ガラスは１６５ｎｍにおいて少なくとも８５％／ｃｍの内部透過率を有する１６５ｎｍの吸収中心が除去されている（ｆｒｅｅ ｏｆ ａ １６５ｎｍ ａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｃｅｎｔｅｒ）。
【００６６】
好ましい実施形態において、リソグラフィガラスは、好ましくは透過フォトリ ソグラフィマスクパターンを形成する（Ｃｒ等の）パターン化された堆積フイルムを備えたリソグラフィガラスの表面を有するフォトマスクを通じてＶＵＶ光が透過される、ＶＵＶ透過フォトマスクを作成するために使用される。さらなる実施形態において、リソグラフィガラスは、ガラスを通じて伝達されるＶＵＶリソグラフィ光の位相がシフトされ、構造的（ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｖｅ）および／または破壊的（ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖｅ）干渉パターンを形成するために走査される、ＶＵＶ位相シフトフォトマスクを作成するために使用される。さらなる実施形態において、より低い熱膨張および０．５５ｐｐｍ／℃未満の熱膨張係数を有するリソグラフィガラスが、反射フォトマスクを作成するために使用され、この場合、反射パターン化されたリソグラフィマスクパターンが前記オキシフッ化珪素ガラスにより支援される。
【００６７】
さらに本発明は、ＶＵＶリソグラフィのパターン印刷方法を含み、この印刷方法は、ＶＵＶリソグラフィ光子を生成するための１６４ｎｍ未満の光源を提供すること、重量で５ｐｐｍ未満のＯＨ、重量で５ｐｐｍ未満のＣｌを有し、１５７ｎｍおよび１６５ｎｍの測定された透過率が少なくとも７５％／５ｍｍのオキシフッ化珪素ガラスを提供すること、提供されたオキシフッ化珪素ガラスにＶＵＶリソグラフィ光子を透過させること、光子によりリソグラフィパターンを形成すること、および印刷されたリソグラフィパターンを形成するために、形成されたリソグラフィパターンを縮小してＶＵＶ照射感知リソグラフィ印刷媒体に形成されたパターンを投影することを含む。好ましくは、オキシフッ化リソグラフィガラスを提供することは、Ｓｉガラス前駆体供給原料を提供すること、並びに５０％の１６０ｎｍ未満のＶＵＶカットオフ波長を有する直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスを提供するために、これから作成される直接堆積ガラス固化ガラスのＨ２、ＯＨおよびＣｌ含有量を少なくするとともに、Ｆ含有量を多くすることにより、ガラスのＶＵＶカットオフ波長を低くすることを含む。好ましくは、提供されるガラスはＳｉ，ＯおよびＦから実質的になり、実質的にＳｉ−Ｓｉ結合が除去されている。
【００６８】
本発明は、１５７ｎｍフォトリソグラフィフォトマスク基体フォトマスクステージおよび１５７ｎｍフォトリソグラフィデバイス（１５７ｎｍ照明システム、フォトマスク−マスクステージ、１５７ｎｍ投影光学系、１５７ｎｍウェハステージ）に、ＯＨ含有量が１ｐｐｍ未満であり、フッ素含有量が０．１から１．５重量％の範囲にあり、１５７ｎｍの内部透過率が少なくとも５０％、好ましくは６５％、最も好ましくは１５７ｎｍにおいて８３％／ｃｍであり、好ましくは熱膨張が０．５５ｐｐｍ未満、好ましくは０．５３ｐｐｍ未満、最も好ましくは０．５２ｐｐｍ／℃以下であるフッ素ドープ低ＯＨオキシフッ化珪素フォトマスク石英ガラス基体（ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ ｌｏｗ ＯＨ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｓｉｌｉｃａ ｇｌａｓｓ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を提供する。
【００６９】
２５ｍｍ×２５ｍｍ×１５ｍｍ厚の研磨された基体が、オキシフッ化珪素ガラスから用意された。比較のために、２５ｍｍ×２５ｍｍ×６．３５ｍｍ厚の基体も標準的に販売されているシリカフォトマスク基体から切り出された。これらの基体は、硫酸／過酸化物溶液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ／ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）内およびマスク洗浄剤内において洗浄され、次いで遠心力により脱水されて１２０℃にて焼成され、１００ｎｍ厚のＣｒフイルムがスパッタリングにより溶着される。
【００７０】
フイルムの接着強度の測定は、ＮａｎｏｉｎｄｅｎｔｅｒＩＩを使用した圧痕および引っかき試験により行われた。同様のテスト条件下において、いずれのタイプの基体においてもＣｒフイルムの剥離は生じなかった。これらの結果は、フイルムが良好に接着されていることを示している。
【００７１】
石英ガラス構造は、すべての四隅がともに結合され、互いに不規則に配向されたＳｉＯ４四面体（ｔｅｔｒａｈｅｄｒａ）のネットワークとして表現されることができる。水は、隣接する四面体に対する結合がＯＨ群において破壊されるように、≡Ｓｉ−ＯＨ（ここで≡はＳｉＯ４ネットワークに結合していることを示す）として構造内に組み込まれる。ＯＨは１７５ｎｍ未満の遠紫外線における吸収を生成する。フッ素は、ネットワークの接続性がＦ原子において破棄されるように、同様に≡Ｓｉ−Ｆとして構造に組み込まれる。Ｓｉ−Ｆ結合に関連する電子遷移は、Ｓｉ−Ｏネットワーク結合の電子遷移よりも高いエネルギー（短い波長）にあることが予想される。
【００７２】
フッ素ドープシリカ構造は、とくにＦ２エキシマーレーザ照射によるダメージに対して耐性を有する。ここで、本出願人は、たとえシリカが非常に低いフッ素濃度にあっても、Ｅ’色中心（Ｅ’ ｃｏｌｏｒ ｃｅｎｔｅｒ）がフッ素化された構造において大きく抑制されていることを示した。フッ素が、弱められまたは変形された結合、および酸素欠乏Ｓｉ−Ｓｉ欠陥（ｏｘｙｇｅｎ−ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ Ｓｉ−Ｓｉ ｄｅｆｅｃｔｓ）のように、色中心形成のための前駆体サイト（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｓｉｔｅ）の数を減少することが可能である。
【００７３】
好ましい実施形態において、本発明は、約１５７ｎｍの波長におけるフォトリソグラフィ用の１９３ｎｍ未満のＶＵＶ透過ガラスフォトマスク基体を含む。このＶＵＶ透過ガラス基体は、ＯＨ含有量が重量で５０ｐｐｍ未満であり、水素含有量が１×１０１７分子ｃｍ３未満であり、さらにフッ素含有量が０．１〜０．４重量パーセントの範囲にある高純度オキシフッ化ガラスからなる。好ましくは、ガラスはＣｌ含有量が５ｐｐｍ未満、より好ましくは１ｐｐｍ未満であり、最も好ましくは本質的に塩素が除去されている。好ましくは、ガラスは分子状水素含有量が３×１０１６分子／ｃｍ３未満であり、より好ましくは検出可能な分子状水素含有物を含まない。好ましくは、ガラスはＯＨ含有量が重量で１０ｐｐｍ未満、より好ましくは重量で１ｐｐｍ未満であり、最も好ましくは検出可能なＯＨ含有物を含まず、実質的にＯＨが含まれていない。好ましくは、ガラスはＳｉ，ＯおよびＦからなり、実質的にＯＨ，ＣｌおよびＨ２が含まれていない。好ましくは、オキシフッ化珪素ガラスフォトマスク基体は、１５７ｎｍにおける内部透過率が少なくとも８９％／ｃｍ、最も好ましくは、例えば６．３５ｍｍ厚のような約６ｍｍ厚となる基体を有するフォトマスク基体の厚さを通じて、測定される透過率が少なくとも７９％である。
【００７４】
好ましい実施形態において、本発明は、１５７ｎｍの波長域におけるエキシマーレーザ照射の光学的ダメージに対する高い耐性を有するＶＵＶ透過ガラスを作成する工程を含む。この工程は、フッ素含有量が０．５重量パーセント未満の透明溶融オキシフッ化珪素ガラスの乾式、無孔のモノリシック体（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｂｏｄｙ）を形成することを含む。
【００７５】
本発明は、１５７ｎｍ波長域での使用に適したＦ２レーザ誘起吸収耐性オキシフッ化珪素ガラス（Ｆ２ ｌａｓｅｒ−ｉｎｄｕｃｅｄ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ ｇｌａｓｓ）を含み、０．１ｍＪ／ｃｍ２−パルスにて６千万パルスのＦ２エキシマーレーザを照射した後に、このガラスが１５７．６ｎｍで１％未満の透過損失を有するように、フッ素含有量が０．５重量％未満であり、１５７．６ｎｍで安定しかつ高い透過率を有する。好ましくは、オキシフッ化珪素ガラスは、本質的にＯＨ群が除去され、分子状水素が５×１０１６分子／ｃｍ３未満であり、フッ素含有量が約０．１から０．４重量％の範囲にある。
【００７６】
本発明は、ＯＨ含有量が重量で５ｐｐｍ未満、Ｃｌ含有量が重量で５ｐｐｍ未満、フッ素含有量が０．１から０．４重量％の範囲にあり、少なくとも８０％／ｃｍ、より好ましくは８５％／ｃｍの１５７ｎｍの内部透過率を有するＦ２レーザ誘起吸収耐性リソグラフィガラス（Ｆ２ ｌａｓｅｒ−ｉｎｄｕｃｅｄ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｇｌａｓｓ）を含む。好ましくは、ガラスはＨ２含有量が１×１０１７分子／ｃｍ３未満である。オキシフッ化珪素ガラスはレーザ誘起吸収に対して耐性を有し、０．１ｍＪ／ｃｍ２−パルスにて６千万パルスの１５７ｎｍのレーザを照射した後に、１％未満の１５７ｎｍ透過損失を有する。１６５ｎｍ吸収酸素欠乏中心（１６５ｎｍ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｏｘｙｇｅｎ−ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ ｃｅｎｔｅｒｓ）を示すフッ素含有物を有するオキシフッ化珪素ガラスは、１５７．６ｎｍ誘起吸収に対して耐性を有する。好ましくは、このガラスは、１５７ｎｍレーザの２ｍＪ／ｃｍ２−パルスにて４１５０万パルスの１５７ｎｍレーザを照射した後に、１６５ｎｍの吸収が０．４（吸収単位（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｕｎｉｔｓ）／５ｍｍ）未満であり、最も好ましくは、１６５ｎｍの吸収が０．２（吸収単位／５ｍｍ）未満である。好ましくは、Ｃｌ含有量が１ｐｐｍ未満、ＯＨ含有量が１ｐｐｍ未満であり、好ましくはガラスが本質的にＳｉ，ＯおよびＦからなる。ある実施形態において、このガラスはＶＵＶ透過フォトマスクである。ある実施形態において、このガラスはＶＵＶ位相シフトフォトマスクである。好ましくは、このガラスフォトマスクは、レーザ誘起酸素欠乏中心に対して耐性を有し、好ましくは、ガラスは実質的にメタルＳｉ−Ｓｉ結合に対して金属が除去されており、１６５ｎｍ吸収中心がなく、１６５ｎｍでの内部透過率が少なくとも８５％／ｃｍである。
【００７７】
本発明はＶＵＶパターン印刷方法を含む。このパターン印刷方法は、ＶＵＶ光子を生成するための１６４ｎｍ未満の光源を提供すること、重量で５ｐｐｍ未満のＯＨ、重量で５ｐｐｍ未満のＣｌ、０．５重量パーセント未満のフッ素含有量を有し、さらに１５７ｎｍと１６５ｎｍの測定された透過率が少なくとも７５％／５ｍｍのオキシフッ化珪素ガラスを提供することを含む。この方法は、オキシフッ化珪素ガラスにＶＵＶ光子を透過させること、ＶＵＶ光子を用いてパターンを形成すること、および印刷されたパターンを形成するためにＶＵＶ照射感知印刷媒体に、形成されたパターンを投影することを含む。好ましい実施形態において、ＶＵＶリソグラフィパターン印刷方法は、ＶＵＶリソグラフィ光子光源を提供すること、１ｐｐｍ未満のＯＨを有するオキシフッ化珪素リソグラフィガラスを提供すること、オキシフッ化珪素リソグラフィガラスにＶＵＶリソグラフィ光子を透過させること、ＶＵＶ光子を用いてリソグラフィパターンを形成すること、および印刷されたリソグラフィパターンを形成するためにＶＵＶ照射感知リソグラフィ印刷媒体に、形成されたリソグラフィパターンを投影することを含む。
【００７８】
好ましくは、ＶＵＶパターン印刷方法は、１６０ｎｍ未満での５０％の透過ＶＵＶカットオフ波長を有し、かつ２ｍＪ／ｃｍ２−パルスにて４５０万パルスの１５７ｎｍレーザを照射した後に１６５ｎｍの波長吸収が０．４（吸収単位／５ｍｍ）未満であるオキシフッ化珪素ガラスを提供するために、Ｓｉガラス形成前駆体を提供しかつＦ含有物をドープすることにより、オキシフッ化珪素ガラスのＶＵＶカットオフ波長を低くすることを含む。
【００７９】
本発明は、高純度かつ乾燥している（１ｐｐｍＯＨ未満）オキシフッ化珪素ガラスを用いてのＶＵＶの優れた透過率を提供する。本発明のガラスは、７９．８％／６．３５ｍｍ（および９０％／ｃｍ  内部Ｔ）のような１５７ｎｍの透過率を提供してきた。好ましくは、オキシフッ化珪素ガラスは１５７ｎｍリソグラフィ用の部材、とくにフォトマスク基体、ペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌｅｓ）、薄いレンズおよびウィンドウとして使用される。これらのリソグラフィアプリケーション用としては、ガラスが高い内部透過率を示すことが重要であるのみならず、Ｆ２エキシマーレーザ照射条件下において透過率が減少してはいけないことが重要である。このガラスは、０．１ｍＪ／ｃｍ２−パルスにて６千万パルスのＦ２エキシマーレーザを照射した後に、１５７．６ｎｍで１％未満の透過損失を有する。本出願人の好ましいオキシフッ化珪素ガラス部材は、Ｆ２レーザ誘起吸収に対して良好な耐性を示す。
【００８０】
乾式シリカガラスにフッ素を加えることにより、真空紫外線、とくにＵＶ境界（例えば１５７ｎｍ）近傍での透過率を良好にするが、ガラスのフッ素濃度を高くするとそのレーザダメージ耐性に対して弊害をもたらすことを、本出願人は見いだした。とくに、Ｆ２エキシマーレーザ照射条件下において、ガラスにおける誘起吸収がガラスのフッ素含有量に比例することを本出願人は見いだした。フッ素含有量が増大するほど、１５７．６ｎｍにおける誘起吸収が増大する。
【００８１】
好ましくは、本出願人のオキシフッ化珪素ガラスは、フッ素含有量が０．５重量％Ｆ未満である。本出願人の０．５重量％Ｆ未満の乾式オキシフッ化珪素ガラスは、良好なレーザ耐久性およびＦ２エキシマーレーザ照射を含むアプリケーションに対して安定性を示す。高い内部透過率および低い誘起吸収の双方を実現するための本出願人の好ましい組成範囲は０．１−０．４重量％Ｆである。
【００８２】
本発明は、ＯＨ含有量が５重量ｐｐｍ未満、フッ素含有量が少なくとも０．１重量％のＶＵＶ透過オキシフッ化珪素ガラスを含む。好ましくは、このガラスは本質的にＳｉ，ＯおよびＦからなり、１５７ｎｍから１７５ｎｍの波長範囲において少なくとも８５％／ｃｍの内部透過率を有する。好ましくは、このガラスは、２ｍＪ／ｃｍ２−パルスにて４１５０万パルスの１５７ｎｍレーザを照射した後に、１６５ｎｍの吸収が０．４（吸収単位／５ｍｍ）未満である。
【００８３】
実施例
１５７ｎｍ（８５％／６．３５ｍｍ（測定値））において所望の透過率を実現するために、ＯＨ、Ｃｌ、金属（例えばＦｅ，Ｚｒ）、本質的な欠陥（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｄｅｆｅｃｔ）（例えばペルオキソ基を含むリンケージ（ｐｅｒｏｘｙ ｌｉｎｋａｇｅ））および巨視的な欠陥（ｍａｃｒｏｓｃｏｐｉｃ ｄｅｆｅｃｔ）（例えばガス泡）が最小限のものとならなければならない。ＣＯ燃料を用いたダイレクト−トゥー−ガラス（ｄｉｒｅｃｔ−ｔｏ−ｇｌａｓｓ）乾式燃焼工程は、好ましくは、このまたは他の用途の乾式ＦドープＳｉＯ２ガラスを作成するために好ましい方法である。乾式ドープＳｉＯ２ガラスは、単一のステップ工程において直接生成される。Ｈの存在により、乾燥するための別の工程ステップおよび多段階ステップを基本とする工程のように乾式ガラスを生成するための固結を必要とする、相対的に湿ったスートの生成に対して、メタンバーナーが有効に制限される。しかしながら、ＣＯバーナーは乾式ガラスを直接生成することを可能にするが、（ｉ）Ｈ不含有Ｓｉ供給源（例えばＳｉＣｌ４）および（ｉｉ）Ｈの外気の排除（例えば空気漏れ）と併せて使用することが好ましいことに注意されたい。乾式ドープＳｉＯ２ガラスの生成を可能にすることに加えて、本発明は、（ｉ）ガラスの純度の増加（ＣＯはカルボニルを生成するためにほとんどの金属と反応する）および（ｉｉ）ＣＦ４の消費／減少の低下（一つにまとまったＦドープＳｉＯ２スートと比較して、同様のＦレベルを実現するために乾式燃焼工程はより少ないＣＦ４しか必要としない）という利点を提供する。
【００８４】
１５７ｎｍフォトマスクプレート製品が開発されているが、本発明は、光学素子として使用するための乾式ドープガラスを生成する乾式燃焼の使用を提供する。好ましくは、ガラスは単一のステップにより直接生成される。ドーパントは、所望の特性を生成するために必要とされるＦまたは１もしくは複数の金属酸化物（ＴｉＯ２，ＧｅＯ２，Ｂ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ５を含む）であってもよい。
【００８５】
本発明は、フォトリソグラフィ用のフォトマスクプレートとして使用される、１５７ｎｍにおいて８５％／６．３５ｍｍ以上の測定された透過率を有する乾式ＦドープＳｉＯ２ガラスの生成に主眼を置いている。所望の透過率を実現するために、以下に示すものの濃度が最小にされる：（ｉ）不純物（とりわけ水（ＯＨ）、Ｃｌ、および金属（例えばＦｅ，Ｚｒ））、（ｉｉ）本質的な欠陥（とりわけ酸素欠乏中心およびペルオキソ基を含む結合（ｐｅｒｏｘｙ ｌｉｎｋａｇｅ））および（ｉｉｉ）巨視的な欠陥（とりわけガス泡）。
【００８６】
工程の状態が不純物および欠陥の濃度にどのような影響を与えるかを決定するために、実験的および理論的な作業の双方が行われた。ＯＨ、Ｃｌ、トランプメタル（ｔｒａｍｐ ｍｅｔａｌｓ）および本質的な欠陥の熱力学的な予測および実験的な結果に主眼が置かれた。表１は最も適切な乾式ＣＯ燃焼の実験結果のグラフをまとめたものである
水
水（ガラス中ではＯＨとして存在する）は、ＶＵＶの透過率を減少させる。例えば、火炎加水分解工程（ＣＨ４が燃料であり、ＯＭＣＴＳがＳｉ供給源である）により生成されるＨＰＦＳ（登録商標）（コーニングコード７９８０）、溶融シリカは、水含有量が高い（〜８００ｐｐｍＯＨｔｙｐｉｃａｌ）ため、図１５（１＋１４）に示すように〜１７０ｎｍ未満の波長の光を透過しない。ガラス中の水を最小限にすることは、乾式燃焼工程の開発において主要な事項（ｍａｉｎ ｄｒｉｖｅｒ）であり、そこにおいては、シングルバーナー加熱炉（図１２）において、ＣＨ４をＣＯにより、ＯＭＣＴＳをＳｉＣｌ４により置換することにより、バーナー入力からＨを除去していた。
【００８７】
加熱炉チャンバからの湿り空気の排除を補助するために窒素カーテンが一旦配されると、Ｆドープされたまたはされていない乾式ガラス（１ｐｐｍＯＨ未満）が生成されるが、常に燃料としてＣＯを、ＳｉソースとしてＳｉＣｌ４を使用する。グラフ（ｒｕｎ）ＤＣ６において、ＯＭＣＴＳ、Ｃｌ除去ＳｉソースがＳｉＣｌ４に代用された場合、ガラスのＣｌ含有量が非常に低減されるが、ガラスが非常に湿ったものとなり（〜４２０ｐｐｍＯＨ）、ＶＵＶを透過しなくなる（図１５（１＋１４）は水に起因する吸収境界を示している）。
【００８８】
塩素
水と同様に、Ｃｌは、ＵＶ境界における吸収と石英ガラスにおける残留塩素との間で強い相互関係を持ってＶＵＶの透過を減少させ、Ｃｌは１５７ｎｍにおいて比較的高い吸収横断面（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）（６．３２×１０−２０ｃｍ２−ＯＨの横断面の約４０％）を有するため、このアプリケーションのガラスにはほんのわずかのＣｌ量しか許容することができない。残念なことに、しかし驚くことではないが、Ｃｌ含有ＳｉソースではなくＨ除去ＳｉＣｌ４を使用することにより、乾式ＣＯ燃焼工程により生成されたガラスにおけるＣｌレベルが高くなる。乾式燃焼工程は、ＳｉＣｌ４から約０．０８重量％Ｃｌ（ＤＣ３）を含むガラスを生成する。このため、ガラス中のＣｌを最小限のものとすることは、乾式燃焼工程の開発において主眼が置かれるものとなった。
【００８９】
ガラス中のＣｌを最小限のものとする以下に示す手法は、（ｉ）Ｃｌ除去Ｓｉソース（システムからＣｌを除去することによりガラス中のＣｌを除去する）の使用、（ｉｉ）Ｏ２の増加（燃焼雰囲気中においてＯ２を増加させることによりガラス中のＣｌを最小限にする）、（ｉｉｉ）ＣＦ４の増加（Ｆの組み込みを増加させることによりガラス中のＣｌを最小限する）を評価した。
【００９０】
理論および／または実験は、４つのすべての手法がＣｌ含有量が低いガラスを生成するであろうことを示す；しかしながら、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）のみがシステムにＨを導入することなく実行されることができるであろう。約０．０２重量％（これは”初期状態”から７５％減少している、ＤＣ３）のＣｌ含有量は、増加したＯ２および増加したＣＦ４．．Ｓｉ（ＮＣＯ）４の組み合わせを用いて実現された（ＤＣ５）。
【００９１】
（ｉ）の背後にある基本的な考え方は、システムから完全にＣｌを除去することにあり、（ｉ）はガラス中のＣｌを最小限にする／除去するための明らかな最良の方法である。（ｉｉ）の背後にある基本的な考え方は、合成雰囲気中における増加したＯ２が、Ｃｌ組み込み反応、すなわち以下に示す平衡を左側にシフトするということである。
【００９２】
０．５Ｃｌ２（ｇａｓ）＋ＳｉＯ２（ｇｌａｓｓ）≡ＳｉＯ１．５Ｃｌ（Ｃｌ−ｄｏｐｅｄ ｇｌａｓｓ）＋Ｏ２（ｇａｓ）
図１６（１４＋２）は、増加したＯ２の予測される効果を示すグラフである。
【００９３】
（ｉｉｉ）の背後にある基本的な考え方は、ＦおよびＣｌがＳｉＯ２における同一のサイトを占め、その結果増加されたＦ濃度がガラス中のＣｌ濃度を減少させるはずであるということである。理論的および実験的の双方の証拠がこの手法が有効であることを示唆している。増加されたＯ２および減少されたＳｉＣｌ４流と組み合わせて、増加されたＦにより、ＳｉソースとしてＳｉＣｌ４を用いた乾式燃焼によって最もＣｌが少ないガラスが生成された（ＤＣ５、約０．０２重量％Ｃｌ）。
【００９４】
トランプメタル
トランプメタルはＵＶの透過を減少させることが知られているため、この目的は最小のトランプメタルを有する高純度ガラスを生成することであった。しかしながら、これらのガラスは比較的高いＣｌ濃度であるため、トランプメタルが存在することによる透過損失は２次的な効果（ｓｅｃｏｎｄ ｏｒｄｅｒ ｅｆｆｅｃｔ）である。表１に示すように、ＦｅおよびＺｒ（主要なトランプメタル）の濃度は、清浄ＣＯを使用することおよびＤＣ１０（Ｆｅが約２因子減少され、Ｚｒが約１０因子減少された）においてジルコン耐熱物に代えてＡｌ２Ｏ３を使用することにより、大きく減少される。
【００９５】
汚染物質種の吸収効果は以下に示す結果を有するオキシフッ化珪素ガラスにおいて調査された。
【００９６】
【表１】
2004519704.tif 000002
１５７ｎｍおよび１９３ｎｍにおけるこの吸収断面の調査は、１５７ｎｍガラスの製造にアルミナ耐熱物を使用することが有益であることを示す。
【００９７】
本質的な欠陥
酸化および還元の双方がなされた欠陥は１５７ｎｍの透過を減少させることが知られているため、この目的は双方のタイプの欠陥が最小の中性（ｎｅｕｔｒａｌ）（酸化も還元もされていない）ガラスを生成することにある。Ｓｉメタル−メタル結合欠陥は、１６５ｎｍでの吸収帯域−１５７ｎｍの透過を非常に少なくする吸収に寄与する。本質的な欠陥は、平衡状態において高温で作成されたケイ酸塩ガラス（ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）に必然的に生じ、温度および化学量論の双方が濃度に影響を与えることが知られている。実験的に、本出願人は、１６５ｎｍの吸収帯域が、ガラス中のＦ濃度を減少させることにより最小化され／除去されることが可能であることを示した。図１に示すように、１６５ｎｍ吸収帯域はＤＣ７（Ｆなし）、ＤＣ８（低Ｆ−０．２８重量％）およびＤＣ１０（低Ｆ−０．２２重量％）を除くすべてのケースに現れた。
【００９８】
本発明の思想および範囲を離れることなく、本発明に対して種々の改良および変更が可能であることが当業者であれば明らかであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびこれらの均等物の範囲内において当業者が想到する改良および変更を含むことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の乾式高純度直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素ガラスリソグラフィフォトマスク基体の例を示す図
【図２】
フォトリソグラフィ方法を説明するための図
【図３】
フォトリソグラフィＩＣパターン描画を有するマスクを示す図
【図４】
フォトリソグラフィパターンを示す図
【図５】
集積回路メディアに投影されたＩＣパターンを示す図
【図６】
フォトリソグラフィ方法を説明するための図
【図７】
ガラスプレフォームディスクを示す図
【図８】
プレフォームディスクの側面工程図
【図９】
直接堆積ガラス固化ガラスプレフォームディスクを作成し提供する方法を示す図
【図１０】
直接堆積ガラス固化ガラスプレフォームディスクを作成し提供する方法を示す図
【図１１】
マスクブランクを作成するより好ましい方法の工程を示す図
【図１２】
直接堆積ガラス固化ガラスプレフォームディスクを作成し提供する方法を示す図
【図１３】
燃焼バーナーの構成を示す断面図
【図１４】
オキシフッ化珪素物スートを生成するために使用されるバーナーを示す図
【図１５】
ＶＵＶ透過スペクトルのグラフ
【図１６】
増加したＯ２の予測される効果を示すグラフ
【図２】
2004519704.tif 000003
【図５】
2004519704.tif 000004
【図６】
2004519704.tif 000005
【図９】
2004519704.tif 000006
【図１０】
2004519704.tif 000007
【図１１】
2004519704.tif 000008
【図１２】
2004519704.tif 000009
【図１５】
2004519704.tif 000010
【図１６】
2004519704.tif 000011
【国際公開パンフレット】
2004519704.tif 000012
2004519704.tif 000013
2004519704.tif 000014
2004519704.tif 000015
2004519704.tif 000016
2004519704.tif 000017
2004519704.tif 000018
2004519704.tif 000019
2004519704.tif 000020
2004519704.tif 000021
2004519704.tif 000022
2004519704.tif 000023
2004519704.tif 000024
2004519704.tif 000025
2004519704.tif 000026
2004519704.tif 000027
2004519704.tif 000028
2004519704.tif 000029
2004519704.tif 000030
2004519704.tif 000031
2004519704.tif 000032
2004519704.tif 000033
2004519704.tif 000034
2004519704.tif 000035
2004519704.tif 000036
2004519704.tif 000037
2004519704.tif 000038
2004519704.tif 000039
2004519704.tif 000040
2004519704.tif 000041
2004519704.tif 000042
2004519704.tif 000043
2004519704.tif 000044
2004519704.tif 000045
2004519704.tif 000046
2004519704.tif 000047
2004519704.tif 000048
2004519704.tif 000049
2004519704.tif 000050
2004519704.tif 000051
2004519704.tif 000052
2004519704.tif 000053
2004519704.tif 000054
2004519704.tif 000055
2004519704.tif 000056
2004519704.tif 000057
2004519704.tif 000058
2004519704.tif 000059
2004519704.tif 000060
2004519704.tif 000061
2004519704.tif 000062
2004519704.tif 000063
2004519704.tif 000064
2004519704.tif 000065
2004519704.tif 000066
2004519704.tif 000067
2004519704.tif 000068
2004519704.tif 000069
【国際調査報告】
2004519704.tif 000070