(57)【要約】有利に透明な、場合により既に１つ又は複数の反射層で被覆された基板を有し、この基板の表面上に光により書き込み可能な情報層、場合により１つ又は複数の反射層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層が設けられていて、青色光、赤色光又は赤外線、有利にレーザー光により書き込み及び読み出すことができ、前記の情報層は吸光性化合物及び場合により結合剤を含有する光学データ記録媒体において、吸光性化合物が少なくとも２つの同じ又は異なる発色中心を有し、かつ３４０〜８２０ｎｍの範囲内に少なくとも１つの吸収極大を有することを特徴とする、光学データ記録媒体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
有利に透明な、場合により既に１つ又は複数の反射層で被覆された基板を有し、この基板の表面上に光により書き込み可能な情報層、場合により１つ又は複数の反射層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層が設けられていて、青色光、赤色光又は赤外線、有利にレーザー光により書き込み及び読み出すことができ、前記の情報層は吸光性化合物及び場合により結合剤を含有する光学データ記録媒体において、吸光性化合物が少なくとも２つの同じ又は異なる発色中心を有し、かつ３４０〜８２０ｎｍの範囲内に少なくとも１つの吸収極大を有することを特徴とする、光学データ記録媒体。
【請求項２】
吸光性化合物がポリマーとして、デンドリマーとして又は他の形で存在する、請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項３】
吸光性化合物が式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表されるか、又は骨格として機能する主鎖と、この主鎖から分枝する共有結合した式（ＩＩＩ）の側鎖基とを有するポリマーで表され、
Ｆ１−（ＢＦ２）ｎＢＦ１          （Ｉ）
ＤＦ１ｋ          （ＩＩ）、
−Ｓ−Ｆ１          （ＩＩＩ）
［式中、
Ｆ１は一価の発色中心を表し、
Ｆ２は二価の発色中心を表し、
Ｂは二価の架橋−Ｂ１−又は−（Ｂ２Ｆ１）−又は−（Ｂ３Ｆ１２）−を表し、
式中、
Ｂ２は三価の基を表し、及び
Ｂ３は四価の基を表し、
Ｄは世代２ｌのデンドリマー構造を表し、
Ｓは二価のスペーサー基を表し、
ｎは０〜１０００の整数を表し、
ｌは０〜６の整数を表し、及び
ｋは数３・２ｌ又は４・２ｌを表す］
その際、このポリマーは２〜１０００の重合度を有する、請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項４】
吸光性化合物として、
３４０〜４１０ｎｍの範囲内の吸収極大λｍａｘ１又は４００〜６５０ｎｍの範囲内の吸収極大λｍａｘ２又は６３０〜８２０ｎｍの範囲内の吸収極大を有し、その際、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の長波長側での吸光度又は波長λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の短波長側での吸光度がλｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の長波長側の吸光度又は波長λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の短波長側の吸光度がλｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３での吸光値の１０分の１である）とは有利にそれぞれ８０ｎｍより広く離れていないようなものを使用する、請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項５】
吸光性化合物として式（Ｉ）又は（ＩＩ）のようなものを使用し、
その際、
Ｂ１は−Ｑ１−Ｔ１−Ｑ２−を表し、
Ｂ２は
【化１】
2004524198.tif 000208
を表し、
Ｂ３は
【化２】
2004524198.tif 000209
を表し、
Ｄは次の式の基
【化３】
2004524198.tif 000210
【化４】
2004524198.tif 000211
を表し、
Ｑ１〜Ｑ６は相互に無関係に、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、−Ｃ（Ｒ２Ｒ３）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ１）−、−（ＳＯ２）−、−（ＳＯ２−Ｏ）−、−（ＳＯ２−ＮＲ１）−、−（Ｃ＝ＮＲ４）−、−（ＣＮＲ１−ＮＲ４）−、−（ＣＨ２）ｐ−、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｐ−ＣＨ２ＣＨ２−、ｏ−、ｍ−又はｐ−フェニレンを表し、その際、鎖−（ＣＨ２）ｐ−は−Ｏ−、−ＮＲ１−又は−ＯＳｉＲ５２Ｏ−により中断されていてもよく、
Ｔ１及びＴ４は相互に無関係に、直接結合、−（ＣＨ２）ｐ−又はｏ−、ｍ−又はｐ−フェニレンを表し、その際、鎖−（ＣＨ２）ｐ−は−Ｏ−、ＮＲ１−、−Ｎ＋（Ｒ１）２又は−ＯＳｉＲ５２Ｏ−により中断されていてもよく、
Ｔ２は
【化５】
2004524198.tif 000212
を表し、その際、鎖−（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｒ−及び／又は−（ＣＨ２）ｓ−は−Ｏ−、−ＮＲ１−又は−ＯＳｉＲ５２Ｏ−により中断されていてもよく、
Ｔ３は
【化６】
2004524198.tif 000213
を表し、
Ｔ５はＣＲ６、Ｎ又は次の式の三価の基
【化７】
2004524198.tif 000214
又は
【化８】
2004524198.tif 000215
を表し、
Ｔ６はＣ、Ｓｉ（Ｏ−）４、＞Ｎ−（ＣＨ２）ｕ−Ｎ＜又は次の式の四価の基
【化９】
2004524198.tif 000216
又は
【化１０】
2004524198.tif 000217
を表し、
ｐは１〜１２の整数を表し、
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは相互に無関係に、０〜１２の整数を表し、
ｕは２〜４の整数を表し、
Ｒ１は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−（ＳＯ２）−、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル−（ＳＯ２）−、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル−（ＳＯ２）−又はＣ６〜Ｃ１０−アリール−（ＳＯ２）−を表し、
Ｒ２〜Ｒ４及びＲ６は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ５はメチル又はエチルを表し、及び
他の基は上記の意味を有する、
請求項１から３までのいずれか１項記載の光学データ記録媒体。
【請求項６】
吸光性化合物として、式（ＩＩＩ）の基を有するポリマーを使用し、その際、このポリマー鎖は次の構成要素Ｋをベースとして構築されていて、
Ｋはポリ−アクリレート、−メタクリレート、−アクリルアミド、−メタクリルアミド、−シロキサン、−α−オキシラン、−エーテル、−アミド、−ウレタン、−尿素、−エステル、−カーボネート、−スチレン又は−マレイン酸の構成要素を表す、
請求項２記載の光学データ記録媒体。
【請求項７】
吸光性化合物が少なくとも２つの同じ又は異なる発色中心を有することを特徴とする、ライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中での、３４０〜８２０ｎｍの吸収極大λｍａｘ１を有する吸光性化合物の使用。
【請求項８】
有利に透明な、場合により既に１つの反射層で被覆された基板を、場合により適当な結合剤及び添加剤及び場合により適当な溶剤と組み合わせた吸光性化合物で被覆し、場合により反射層、他の中間層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層を設けることを特徴とする、請求項１記載の光学データ記録媒体の製造方法。
【請求項９】
青色光、赤色光又は赤外線、特にレーザー光で書き込まれた、請求項１記載の光学データ記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報層中に少なくとも２つの同じ又は異なる発色中心を有する吸光性化合物を含有するライトワンス型光学データ記録媒体、並びにその製造方法、並びにポリマー基板、特にポリカーボネート上へのスピンコーティング又は蒸着による前記の色素の適用に関する。
【０００２】
特別な吸光性物質もしくはこの混合物を使用したライトワンス型光学データ記録媒体は、青色レーザーダイオード、特にＧａＮ又はＳＨＧレーザーダイオード（３６０〜４６０ｎｍ）を用いて作業する高密度で書き込み可能な光学データ記録において使用するために、及び／又は赤色（６３５〜６６０ｎｍ）もしくは赤外線（７８０〜８３０ｎｍ）レーザーダイオードを用いて作業するＤＶＤ−ＲもしくはＣＤ−Ｒディスクにおいて使用するために特に適している。
【０００３】
ライトワンス型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ、７８０ｎｍ）は、最近では著しい量的成長を遂げていて、技術的に確立されたシステムである。
【０００４】
次世代の光学データ記録のＤＶＤは急速に市場に導入されている。短波長レーザー放射線（６３５〜６６０ｎｍ）並びに高い開口数ＮＡを使用することにより、記録密度は高めることができる。この書き込み可能なフォーマットは、この場合、ＤＶＤ−Ｒである。
【０００５】
現在、高いレーザー効率を有する青色レーザダイオード（ＧａＮベース、JP 08191171又は第２高調波発生(Second Harmonie Generation)ＳＨＧ、JP 09050629）（３６０ｎｍ〜４６０ｎｍ）を利用する光学データ記録フォーマットが開発されている。従って、書き込み可能な光学データ記録はこの世代でも使用される。この書き込み可能な記録密度は、情報面でのレーザースポットの焦点合わせに依存する。この場合、このスポットサイズはレーザー波長λ／ＮＡで測られる。
【０００６】
ＮＡは使用した対物レンズの開口数である。できる限り高い記録密度を達成するために、できる限り小さな波長λを使用するようにしなければならない。現在では半導体レーザーダイオードに基づき３９０ｎｍが可能である。
【０００７】
特許文献では、色素をベースとして書き込み可能な光学データ記録が記載されていて、この光学データ記録はＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒシステムにも同様に適している（JP-A 11 043 481及びJP-A 10 181 206）。この場合、読み取り信号の高い反射及び高い変調高さ、並びに書き込み時の十分な感度について、ＣＤ−ＲのＩＲ波長７８０ｎｍが色素の吸収ピークの短波長側部の脚部にあり、ＤＶＤ−Ｒの赤色波長６３５ｎｍもしくは６５０ｎｍが色素の吸収ピークの短波長側部の脚部にあることを実際に使用する。この構想は、JP-A 02557335, JP-A 10058828 , JP-A 06336086, JP-A 02 865 955, WO-A 09917284及びUS-A 5266699では、短波長側の作業波長は４５０ｎｍの領域に拡張され、かつ吸収ピークの長波長側では赤色及びＩＲ領域に拡張されている。
【０００８】
上記の光学特性の他に、書き込み又は読み出し時の雑音信号をできる限り小さく保つために、吸光性有機物質からなる書き込み可能な情報層はできる限り非晶質の形態を示さなければならない。このため、物質を溶液からスピンコーティングにより適用する際、次に真空中で金属層又は誘電層で被覆する場合に蒸着により及び／又は昇華により適用する際に、吸光性物質の結晶化を抑制するのが特に有利である。
【０００９】
吸光性物質からなる非晶質層は、有利に高い熱形状安定性を示すのが有利である、そうでないと吸光性情報層上にスパッタ又は蒸着によって設けられる有機又は無機材料からなる他の層は拡散によって不明瞭な界面が形成されてしまい、それにより反射に不利な影響を及ぼしてしまうためである。さらに、低すぎる熱形状安定性を示す吸光性物質は、ポリマーのキャリアに対する境界面でそのキャリア内へ拡散し、またも反射に不利な影響を及ぼしかねない。
【００１０】
吸光性物質の高すぎる蒸気圧は、前記した他の層を高真空中でスパッタもしくは蒸着する際に昇華し、それにより所望の層厚が減少してしまいかねない。これは、またも反射に不利に影響を及ぼす。
【００１１】
従って、本発明の課題は、ライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中に使用するための高い要求、特にレーザー波長領域３４０〜８３０で高密度で書き込み可能な光学データ記録−フォーマットのための高い要求（例えば光り安定性、適切な信号−雑音−比、基板材料上での損傷のない被着等）を満たす適当な化合物を提供することである。
【００１２】
意外にも、複数の発色中心を有する吸光性物質が特に良好に前記の要求を満たすことができることが見出された。
【００１３】
従って、本発明は、有利に透明な、場合により既に１つ又は複数の反射層で被覆された基板を有し、この基板の表面上に光により書き込み可能な情報層、場合により１つ又は複数の反射層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層が設けられていて、青色光、赤色光又は赤外線、有利にレーザー光により書き込み及び読み出すことができ、前記の情報層は吸光性化合物及び場合により結合剤を含有する光学データ記録媒体において、吸光性化合物が少なくとも２つの同じ又は異なる発色中心を有し、かつ３４０〜８２０ｎｍの範囲内に少なくとも１つの吸収極大を有することを特徴とする光学データ記録媒体に関する。
【００１４】
吸光性化合物（物理学的定義）
「発色中心」とは、本願明細書の範囲内で吸光性化合物の、３４０〜８２０ｎｍの範囲内に吸収極大を有する分子基であると解釈される。この基は有利に一価である。
【００１５】
３４０〜４１０ｎｍの範囲内の吸収極大λｍａｘ１又は４００〜６５０ｎｍの範囲内の吸収極大λｍａｘ２又は６３０〜８２０ｎｍの範囲内の吸収極大を有するような吸光性化合物が有利であり、その際、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の長波長側での吸光度又は波長λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の短波長側での吸光度がλｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の長波長側の吸光度又は波長λｍａｘ２又はλｍａｘ３の吸収極大の短波長側の吸光度がλｍａｘ１、λｍａｘ２又はλｍａｘ３での吸光値の１０分の１である）とは有利にそれぞれ８０ｎｍより広く離れていないような吸光性化合物が有利である。
【００１６】
この吸光性化合物の物理学的特性決定は、同様に発色中心に関しても当てはまる。つまり、吸収バンドの形状及び位置は、有利な実施態様の場合には、吸光性化合物に対して、並びに発色中心に対して同様に当てはまる。
【００１７】
この吸光性化合物は有利に熱により可変であるのが好ましい。熱による変化は、＜６００℃の温度、特に有利に＜４００℃の温度、さらに有利に＜３００℃、の温度、殊に＜２００℃の温度で行うのが有利である。このような変化は、例えば吸光性化合物の発色中心の分解又は化学変化であることができる。
【００１８】
本発明の有利な実施態様の場合には、吸光性化合物の吸収極大λｍａｘ１は３４０〜４１０ｎｍ、有利に３４５〜４００ｎｍ、特に３５０〜３８０ｎｍ、殊に有利に３６０〜３
７０ｎｍの範囲内にあり、この場合、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ１の吸収極大の長波長側での吸光度はλｍａｘ１での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ１の吸収極大の短波長側での吸光度はλｍａｘ１での吸光値の１０分の１である）とはそれぞれ５０ｎｍより広く離れていなてはならない。このような吸光性化合物は有利に波長５００ｎｍまで、特に有利に５５０ｎｍまで、さらに有利に６００ｎ
ｍまで、より長波長の極大λｍａｘ２を示さない。
【００１９】
有利にこのような吸光性化合物において、上記に定義されているようなλ１／２とλ１／１０とは４０ｎｍより広く離れていない、特に有利に３０ｎｍより広く離れていない、さらに有利に１０ｎｍより広く離れていない。
【００２０】
本発明の他の有利な実施態様の場合には、１種又は複数種の吸光性化合物の吸収極大λｍａｘ２は４２０〜５５０ｎｍ、有利に４１０〜５１０ｎｍ、特に４２０〜５１０ｎｍ、殊に有利に４３０〜５００ｎｍの範囲内にあり、この場合、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側での吸光度はλｍａｘ２での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ２の吸収極大の短波長側での吸光度はλｍａｘ２での吸光値の１０分の１である）とはそれぞれ５０ｎｍより広く離れていなてはならない。このような吸光性化合物は有利に波長３５０ｎｍまで、特に有利に３２０ｎｍまで、さらに有利に２９０ｎｍまで、より短波長の極大λｍａｘ１を示さない。
【００２１】
有利にこの化合物において、上記に定義されているようなλ１／２とλ１／１０とは相互に４０ｎｍより広く離れていない、特に有利に３０ｎｍより広く離れていない、さらに有利に２０ｎｍより広く離れていない。
【００２２】
本発明の他の実施態様の場合には、１種又は複数種の吸光性化合物の吸収極大λｍａｘ２は５００〜６５０ｎｍ、有利に５３０〜６３０ｎｍ、特に５５０〜６２０ｎｍ、殊に有利に５８０〜６１０ｎｍの範囲内にあり、この場合、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ２の吸収極大の長波長側での吸光度はλｍａｘ２での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ２の吸収極大の長波長側での吸光度はλｍａｘ２での吸光値の１０分の１である）とはそれぞれ５０ｎｍより広く離れていなてはならない。このような化合物は有利に波長７５０ｎｍまで、特に有利に８００ｎｍまで、さらに有利に８５０ｎｍまで、より長波長の極大λｍａｘ３を示さない。
【００２３】
有利にこのような１種又は複数種の吸光性化合物において、上記に定義されているようなλ１／２とλ１／１０とは４０ｎｍより広く離れていない、特に有利に３０ｎｍより広く離れていない、さらに有利に１０ｎｍより広く離れていない。
【００２４】
本発明の他の実施態様の場合には、１種又は複数種の吸光性化合物の吸収極大λｍａｘ３は６３０〜８００ｎｍ、有利に６５０〜７７０ｎｍ、特に６７０〜７５０ｎｍ、殊に有利に６８０〜７２０ｎｍの範囲内にあり、この場合、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ３の吸収極大の短波長側での吸光度はλｍａｘ３での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ３の吸収極大の短波長側での吸光度はλｍａｘ３での吸光値の１０分の１である）とはそれぞれ５０ｎｍより広く離れていなてはならない。このような吸光性化合物は有利に波長６００ｎｍまで、特に有利に５５０ｎｍまで、さらに有利に５００ｎｍまで、より短波長の極大λｍａｘ２を示さない。
【００２５】
有利にこのような１種又は複数種の吸光性化合物において、上記に定義されているようなλ１／２とλ１／１０とは４０ｎｍより広く離れていない、特に有利に３０ｎｍより広く離れていない、さらに有利に２０ｎｍより広く離れていない。
【００２６】
本発明の他の実施態様の場合には、１種又は複数種の吸光性化合物の吸収極大λｍａｘ３は６５０〜８１０ｎｍ、有利に６６０〜７９０ｎｍ、特に６７０〜７６０ｎｍ、殊に有利に６８０〜７４０ｎｍの範囲内にあり、この場合、波長λ１／２（この場合、波長λｍａｘ３の吸収極大の長波長側での吸光度はλｍａｘ３での吸光値の半分である）と波長λ１／１０（この場合、波長λｍａｘ３の吸収極大の長波長側での吸光度はλｍａｘ３での吸光値の１０分の１である）とは有利にそれぞれ５０ｎｍより広く離れていない。
【００２７】
有利にこの化合物において、上記に定義されているようなλ１／２とλ１／１０とは相互に４０ｎｍより広く離れていない、特に有利に３０ｎｍより広く離れていない、さらに有利に１０ｎｍより広く離れていない。
【００２８】
この吸光性化合物は、吸収極大λｍａｘ１、λｍａｘ２及び／又はλｍａｘ３で、有利にモル吸光係数ε＞１００００  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ、有利に＞１５０００  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ、特に有利に＞２００００  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ、さらに特に有利に＞２５０００  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ、殊に＞３００００  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ、有利に＞４００００  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍを有する。
【００２９】
吸光性化合物（化学的定義）
この吸光性化合物は例えばポリマーとして、例えばホモポリマー、コポリマー又はグラフトポリマー、デンドリマーとして又は他の形で存在することができる。線状のホモポリマーが有利であり、この繰返単位は発色中心を有する。式（Ｉ）のこのようなポリマーが特に有利である。同様に、吸光性化合物がデンドリマーの形であるのが有利であり、この場合に有利に発色中心はデンドリマーを構築する基本骨格の端部にある。式（ＩＩ）のデンドリマーが特に有利である。
【００３０】
同様に、吸光性化合物はいわゆる側鎖ポリマーの形であるのが有利であり、この側鎖ポリマーに発色中心が、有利に適当な方法でポリマー鎖に結合している。
【００３１】
有利に、光学データ記録媒体の情報層中の吸光性化合物として、次式の化合物
Ｆ１−（ＢＦ２）ｎＢＦ１          （Ｉ）
ＤＦ１ｋ                  （ＩＩ）、
又は骨格として機能する主鎖と、この主鎖から分枝する共有結合した次の式（ＩＩＩ）の側鎖基とを有するポリマー
−Ｓ−Ｆ１          （ＩＩＩ）
（その際、このポリマーは２〜１０００の重合度を有する）
が使用され、
式中、
Ｆ１は一価の発色中心を表し、
Ｆ２は二価の発色中心を表し、
Ｂは二価の架橋−Ｂ１−又は−（Ｂ２Ｆ１）−又は−（Ｂ３Ｆ１２）−を表し、
式中、
Ｂ２は三価の基であり、Ｂ３は四価の基であり、
Ｄは世代２ｌのデンドリマー構造を表し、
Ｓは二価のスペーサー基を表し、
ｎは０〜１０００の整数を表し、
ｋは数３・２ｌ又は４・２ｌを表し、
ｌは０〜６の整数を表す。
【００３２】
有利な吸光性化合物として式（Ｉ）及び（ＩＩ）のようなものが挙げられ、
式中、
Ｂ１は−Ｑ１−Ｔ１−Ｑ２−を表し、
Ｂ２は
【００３３】
【化１】
2004524198.tif 000002
を表し、
Ｂ３は
【００３４】
【化２】
2004524198.tif 000003
を表し、
Ｄは次の式の基
【００３５】
【化３】
2004524198.tif 000004
【００３６】
【化４】
2004524198.tif 000005
を表し、
Ｑ１〜Ｑ６は相互に無関係に、直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１−、−Ｃ（Ｒ２Ｒ３）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ１）−、−（ＳＯ２）−、−（ＳＯ２−Ｏ）−、−（ＳＯ２−ＮＲ１）−、−（Ｃ＝ＮＲ４）−、−（ＣＮＲ１−ＮＲ４）−、−（ＣＨ２）ｐ−、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｐ−ＣＨ２ＣＨ２−、ｏ−、ｍ−又はｐ−フェニレンを表し、その際、鎖−（ＣＨ２）ｐ−は−Ｏ−、−ＮＲ１−又は−ＯＳｉＲ５２Ｏ−により中断されていてもよく、
Ｔ１及びＴ４は相互に無関係に、直接結合、−（ＣＨ２）ｐ−又はｏ−、ｍ−又はｐ−フェニレンを表し、その際、鎖−（ＣＨ２）ｐ−は−Ｏ−、ＮＲ１−又は−ＯＳｉＲ５２Ｏ−により中断されていてもよく、
Ｔ２は
【００３７】
【化５】
2004524198.tif 000006
を表し、その際、鎖−（ＣＨ２）ｑ−、−（ＣＨ２）ｒ−及び／又は−（ＣＨ２）ｓ−は−Ｏ−、ＮＲ１−又は−ＯＳｉＲ５２Ｏ−により中断されていてもよく、
Ｔ３は
【００３８】
【化６】
2004524198.tif 000007
を表し、
Ｔ５はＣＲ６、Ｎ又は次の式の三価の基
【００３９】
【化７】
2004524198.tif 000008
又は
【００４０】
【化８】
2004524198.tif 000009
を表し、
Ｔ６はＣ、Ｓｉ（Ｏ−）４、＞Ｎ−（ＣＨ２）ｕ−Ｎ＜又は次の式の四価の基
【００４１】
【化９】
2004524198.tif 000010
又は
【００４２】
【化１０】
2004524198.tif 000011
を表し、
ｐは１〜１２の整数を表し、
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは相互に無関係に、０〜１２の整数を表し、
ｕは２〜４の整数を表し、
Ｒ１は水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−（ＳＯ２）−、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル−（ＳＯ２）−、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル−（ＳＯ２）−又はＣ６〜Ｃ１０−アリール−（ＳＯ２）−を表し、
Ｒ２〜Ｒ４及びＲ６は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、Ｃ３〜Ｃ１０−シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２−アルケニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ５はメチル又はエチルを表し、及び
他の基は上記の意味を有する。
【００４３】
有利にｎは０〜１０の整数、特に有利に０〜２の整数、さらに特に有利に０を表す。有利にｌは０〜３の整数、特に有利に０〜１を表す。
【００４４】
吸光性化合物として式（ＩＩＩ）の基を有する有利なポリマーは、ポリマー鎖が同じ又は異なる構成要素Ｋをベースとして構築されているようなものであり、
Ｋはポリ−アクリレート、−メタクリレート、−アクリルアミド、−メタクリルアミド、−シロキサン、−α−オキシラン、−エーテル、−アミド、−ウレタン、−尿素、−エステル、−カーボネート、−スチレン又は−マレイン酸の構成要素を表し、
他の基は上記の意味を有する。
【００４５】
有利に、
Ｓは式−Ｑ５−Ｔ４−Ｑ６−のスペーサー基を表し、このスペーサー基は発色中心Ｆ１を有する側鎖ポリマーの主鎖と結合している。
【００４６】
ポリ−アクリレート、−メタクリレート及び−エステルが有利である。同様に、アクリレート−又はメタクリレート−及びアクリルアミド−単位を含有するコポリマーが有利である。ポリ−アクリレート及び−メタクリレートが特に有利である。この場合に、
Ｋは
【００４７】
【化１１】
2004524198.tif 000012
式中、
Ｒは水素又はメチルを表し、及び
アスタリスク（*）を付与した結合は二価スペーサー基に続く。
【００４８】
同様に、ＫはＫ′及びＫ″を表すコポリマーが特に有利であり、その際、
Ｋ′＝
【００４９】
【化１２】
2004524198.tif 000013
及び
Ｋ″＝
【００５０】
【化１３】
2004524198.tif 000014
式中、
Ｒは水素又はメチルを表し、かつアスタリスク（*）を付与した結合は二価のスペーサー基に続く。
【００５１】
２〜１００、特に有利に２〜２０の重合度が有利である。
【００５２】
吸光性化合物の発色中心は、例えば次の構造タイプ（例えばG. Ebner及びD. Schulz著, Textilfaerberei und Farbstoffe, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 1989; H. Zollinger著, Color Chemistry, VCH Verlagsgesellschaft mbH Weinheim, 1991参照）の基であることができる：
アゾ色素、アントラキノン系色素、インジゴ系色素、ポリメチン色素、アリルカルボニウム色素、フタロシアニン色素、ニトロ色素、ペリレン、クマリン、ホルマザン、金属錯体、特に
場合により架橋された（ヘテロ）−ケイ皮酸誘導体、（ヘテロ−）スチルベン、クマリン、メチン、シアニン、ヘミシアニン、ニュートロメチン（メロシアニン）、ヌルメチン、アゾメチン、ヒドラゾン、アジン色素、トリフェンジオキサジン、ピロニン、アクリジン、ローダミン、インダミン、インドフェノール、ジ−又はトリフェニルメタン、アリール−及びヘタリール−アゾ色素、キノン系色素、フタロシアニン、ナフトシアニン、サブフタロシアニン、ポルフィリン、テトラアザポルフィリン並びに金属錯体。
【００５３】
３４０〜４１０ｎｍの範囲内に吸収極大λｍａｘ１を有する有利な吸光性化合物は、例えば次の式のようなものである。情報層中にこのような化合物を有する相応する光学データ記録は、青色光又は赤色光、特にレーザー光によって読み取り及び書き込みされる：
【００５４】
【化１４】
2004524198.tif 000015
【００５５】
【化１５】
2004524198.tif 000016
【００５６】
【化１６】
2004524198.tif 000017
【００５７】
【化１７】
2004524198.tif 000018
【００５８】
【化１８】
2004524198.tif 000019
式中、
Ａｒ１０１及びＡｒ１０２は相互に無関係に、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又は５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分水素化された複素環式の環の基を表し、この基はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性基により置換されていてもよく、
Ｙ１０１及びＹ１０２は相互に無関係にＮ又はＣ−Ｒ１０１を表すか、又は
Ｙ１０１＝Ｙ１０２は直接結合を表すことができ、
Ｒ１０１及びＲ１０４は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、シアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイル、又はＡｒ１０２を表すか、又はＲ１０１はＡｒ１０１に対する架橋を表し、
Ｒ１０２及びＲ１０３は相互に無関係に、シアノ、ニトロ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル又はＣ１〜Ｃ１６−アルカノイルを表すか、又はＲ１０２は水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又は次の式の基
【００５９】
【化１９】
2004524198.tif 000020
を表し、
又はＲ１０３はＡｒ１０２、ＣＨ２−ＣＯＯアルキル又はＰ（Ｏ）（Ｏ−Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル）２又はＣ１〜Ｃ１６−アルキルを表すか、又はＲ１０２；Ｒ１０３はこれらが結合しているＣ原子と一緒になって５員又は６員の炭素環式又は芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよいか、又はＲ１０３はＡｒ１０１に対する架橋又は環Ａ１０１を形成し、これはヘテロ原子を含有していてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｒ１００は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル又はＲ１０１を表すか、又は
ＮＲ１００Ｒ１００はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表すか、又は
Ｒ１００及びＲ１０４は一緒に−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−架橋を表し、
Ｒ１０５はシアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイル又はＡｒ１０１を表すか、又はＲ１０４；Ｒ１０５はこれらが結合しているＣ原子と一緒になって５員又は６員の炭素環式又は芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｘ１０１、Ｘ１０２、Ｘ１０３、Ｘ１０４、Ｘ１０６、Ｘ１０９及びＸ１１０は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ１００を表すか、又はＸ１０２、Ｘ１０４又はＸ１０６は付加的にＣＨ又はＣＲ１００Ｒ１００を表す、
Ａ１０１、Ｂ１０１、Ｃ１０１、Ｆ１０１、Ｇ１０１及びＨ１０１は相互に無関係に、５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｘ１０５及びＸ１０８は相互に無関係にＮを表し、
Ｅ１０１は直接結合、＝ＣＨ−ＣＨ＝、＝Ｎ−ＣＨ＝又は＝Ｎ−Ｎ＝を表し、
Ｅ１０２は直接結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、
Ａｒ１０３及びＡｒ１０４は相互に無関係に、２−ヒドロキシフェニル基を表し、この基はベンゼン縮合されていてもよくかつ／又はヒドロキシ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ又はＣ６〜Ｃ１０−アリールオキシにより置換されていてもよく、
Ｒ１０６及びＲ１０７は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表すか、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−又はｏ−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ１０８はＣ１〜Ｃ１６−アルキル、ＣＨＯ、ＣＮ、ＣＯ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、ＣＯ−Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又はＣＨ＝Ｃ（ＣＯ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキル）−ＣＨ２−ＣＯ−Ｃ１〜Ｃ８−アルキルを表し、
Ｒ１０９はヒドロキシ又はＣ１〜Ｃ１６−アルコキシを表し、
Ｒ１１０及びＲ１１１は水素を表すか又は一緒に−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ１１２は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又はシアノを表し、
Ｒ１１３は水素、シアノ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、チエン−２−イル、ピリド−２−又は−４−イル、ピラゾル−１−イル又は１，２，４−トリアゾル−１−又は−４−イルを表し、これらはベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｒ１１４は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、１，２，３−トリアゾル−２−イル（これは非イオン性の基により置換されていてもよい）、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイルアミノ、Ｃ１〜Ｃ８−アルカンスルホニルアミノ又はＣ６〜Ｃ１０−アリールスルホニルアミノを表し、
Ａｒ１０５及びＡｒ１０６は相互に無関係に、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又は５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性基及び／又はスルホにより置換されていてもよく、
ａ、ｂ及びｃは相互に無関係に０〜２の整数を表し、
Ｘ１０７はＮ又はＮ＋−Ｒ１００  Ａｎ−を表し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｅ１０３はＮ、ＣＨ、Ｃ−ＣＨ３又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ１１５及びＲ１１６は相互に無関係に、水素又はＣ１〜Ｃ１６−アルキルを表し、
Ｒ１１７及びＲ１１８は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、シアノ又はＣ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニルを表し、
Ｒ１１９は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ又はチオフェン環のそれぞれ２個の基Ｒ１１９は式−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−の二価の基を表し、
Ｙ１０３及びＹ１０４は相互に無関係に、Ｏ又はＮ−ＣＮを表し、
Ｒ１２０〜Ｒ１２３は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、ハロゲン、Ａｒ１０１、Ａｒ１０２を表すか、又は
Ｒ１２０はＲ１２１と及び／又はＲ１２２はＲ１２３と一緒に−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−又はｏ−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、この架橋は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｒ１２４はＣ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキルアミノカルボニル又はＣ１〜Ｃ１６−ジアルキルアミノカルボニルを表し、
Ｒ１２５及びＲ１２６は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、カルボン酸又はＣ６〜Ｃ１０−アリールオキシを表し、
ｅ、ｆ及びｇは相互に無関係に、１〜４の整数を表し、その際、ｅ、ｆ又はｇが＞１である場合、基は異なることができ、
Ｘ１１１はＮ又はＣ−Ａｒ１０２を表し、
Ｒ１２７は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ１２８及びＲ１２９は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又はＣ７〜Ｃ１５−アラルキルを表すか、又は
ＮＲ１２８Ｒ１２９はモルホリノ、ピペリジノ又はピロリジノを表し、
Ｒ１３０はＣ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ７〜Ｃ１５−アラルキル又はＡｒ１を表し、
Ｒ１３１及びＲ１３２は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、ハロゲン又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表すか又は一緒になって式−ＣＯ−Ｎ（Ｒ１３０）−ＣＯ−の架橋を表し、及び
式（ＣＣＣＩＸ）の基Ｍ３００、Ｒ３０６〜Ｒ３０９及びｗ〜ｚはさらに下記に詳細に説明する、
その際、架橋Ｂ、デンドリマー構造Ｄ又はスペーサー基Ｓとの結合は基Ｒ１００〜Ｒ１３２、Ｍ３００、Ｒ３０６〜Ｒ３０９を介してか、又はＡｒ１０１〜Ａｒ１０６及び環Ａ１０１〜Ｈ１０１を置換することができる非イオン性の基を介して行うことができる。この場合、この基は直接結合を表す。
【００６０】
非イオン性の基として、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ４−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、モノ−又はジ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノである。
【００６１】
アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は、場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ、又はフェニル基を有することができ、アルキル基及びアルコキシ基は直鎖又は分枝鎖であってもよく、アルキル基は部分的に又は完全にハロゲン化されていてもよく、アルキル基及びアルコキシ基はエトキシル化又はプロポキシル化又はシリル化されていてもよく、アリール基又は複素環式基に隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基は一緒に３員又は４員の架橋を形成することができ、複素環式基はベンゼン縮合されていてもよくかつ／又は４級化されていてもよい。
【００６２】
特に有利であるのは式（ＣＩ）〜（ＣＸＸＩ）、（ＣＩＩＩａ）及び（ＣＣＣＩＸ）の吸光性化合物であり、
式中、
Ａｒ１０１及びＡｒ１０２は相互に無関係に、フェニル、ナフチル、ベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル、チアゾリン−２−イル、ピロリン−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピロル−２−又は−３−イル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、インドル−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、ベンゾフラン−２−イル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ又はジブチルアミノにより置換されていてもよく、
Ｙ１０１及びＹ１０２は相互に無関係にＮ又はＣ−Ｒ１０１を表すか、又は
Ｙ１０１＝Ｙ１０２は直接結合を表すことができ、
Ｒ１０１及びＲ１０４は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、シアノ、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、アセチル、プロピオニル又はＡｒ１０２を表すか、又はＡｒ１０１とＲ１０１とは一緒になって次の式の環
【００６３】
【化２０】
2004524198.tif 000021
を表し、この環はメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシにより置換されていてもよく、その際、アスタリスク（*）は二重結合が出ている環原子を表し、
Ｒ１０２、Ｒ１０３及びＲ１０５は相互に無関係に、シアノ、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、メトキシエトキシカルボニル、アセチル、プロピオニル又はブタノイルを表すか、Ｒ１０２は水素又は次の式の基
【００６４】
【化２１】
2004524198.tif 000022
を表すか
又はＲ１０３はＡｒ１０２を表すか、又はＲ１０５はＡｒ１０１を表すか、又はＲ１０２；Ｒ１０３又はＲ１０４；Ｒ１０５はこれらが結合しているＣ原子と一緒になって次の式の環
【００６５】
【化２２】
2004524198.tif 000023
を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、この場合、アスタリスク（*）は二重結合が出ている環原子を示すか、又は
Ｒ１０３は−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ３）−、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−、−Ｎ（ＣＯＣＨ３）−、−Ｎ（ＣＯＣ４Ｈ９）−又は−Ｎ（ＣＯＣ６Ｈ５）−架橋を表し、この架橋はＡｒ１０１又は環Ａ１０１の２位（置換箇所に対して）に結合していて、
Ｒ１００は、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はベンジルを表すか、又は
ＮＲ１００Ｒ１００はピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノを表すか、又は
Ｒ１００及びＲ１０４は一緒に−ＣＨ２−ＣＨ２−架橋を表すか、又は
式（ＣＶＩＩ）又は（ＣＸＩＩＩ）中の２個の基Ｒ１００は−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−架橋を表し、
Ａ１０１、Ｂ１０１及びＧ１０１は相互に無関係に、ベンゾチアゾル−２−イリデン、ベンゾオキサゾル−２−イリデン、ベンゾイミダゾル−２−イリデン、チアゾル−２−イリデン、チアゾリン−２−イリデン、ピロリン−２−イリデン、イソチアゾル−２−イリデン、イミダゾル−２−イリデン、１，３，４−チアジアゾル−２−イリデン、１，３，４−トリアゾル−２−イリデン、ピリジン−２−又は−４−イリデン、キノリン−２−又は−４−イリデン、ピロル−２−又は−３−イリデン、チオフェン−２−又は−３−イリデン、フラン−２−又は−３−イリデン、インドル−２−又は−３−イリデン、ベンゾチオフェン−２−イリデン、ベンゾフラン−２−イリデン又は３，３−ジメチルインドレン−２−イリデンを表し、Ａ及びＢは付加的に１，３−ジチオル−２−イリデン又はベンゾ−１，３−ジチオル−２−イリデンを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルチオ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、
Ｃ１０１及びＦ１０１は相互に無関係に、ベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル、チアゾリン−２−イル、ピロリン−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピロル−２−又は−３−イル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、インドル−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、ベンゾフラン−２−イル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、
Ｘ１０１、Ｘ１０２、Ｘ１０３、Ｘ１０４、Ｘ１０６、Ｘ１０９及びＸ１１０は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ１００を表すか、又はＸ１０２、Ｘ１０４又はＸ１０６は付加的にＣＨ又はＣＲ１００Ｒ１００を表す、
Ｘ１０５及びＸ１０８は相互に無関係にＮを表し、
Ｘ１０７はＮ又はＮ＋−Ｒ１００  Ａｎ−を表し、及び
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｅ１０１は直接結合又は＝Ｎ−Ｎ＝を表し、
Ａｒ１０３及びＡｒ１０４は相互に無関係に、２−ヒドロキシフェニル基を表し、これはヒドロキシ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ又はフェノキシにより置換されていてもよく、
Ｒ１０６及びＲ１０７は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はフェニルを表すか、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−又はｏ−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ１０８はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ＣＨＯ、ＣＮ、アセチル、プロピオニル又はベンゾイルを表し、
Ｒ１０９はヒドロキシ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシを表し、
Ｒ１１０及びＲ１１１は水素を表すか又は一緒に−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ１１２は水素又はメチルを表し、
Ｒ１１３は水素、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、フェニル、チエン−２−イル、ピリド−２−又は−４−イル、ピラゾル−１−イル又は１，２，４−トリアゾル−１−又は−４−イルを表し、これらはメチル、メトキシ又はクロロにより置換されていてもよく、
Ｒ１１４は水素、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、１，２，３−トリアゾル−２−イル（これはメチル及び／又はフェニルにより置換されていてもよい）、アセチルアミノ、メタンスルホニルアミノ又はベンゼンスルホニルアミノを表し、
Ａｒ１０５及びＡｒ１０６は相互に無関係に、フェニル、ベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル、チアゾリン−２−イル、ピロリン−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル又はベンゾフラン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル又はスルホにより置換されていてもよく、
ａ、ｂ及びｃは相互に無関係に０〜１の整数を表し、
Ｅ１０２は直接結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｎ＝ＣＨ−を表し、
Ｅ１０３はＮ又はＣ−ＣＮを表し、
Ｒ１１５及びＲ１１６は相互に無関係に水素、メチル又はエチルを表し、
Ｒ１１７及びＲ１１８は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、シアノ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｒ１１９は水素、メチル、メトキシ、エトキシ又はチオフェン環のそれぞれ２個の基Ｒ１１９は式−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−の二価の基を表し、
Ｙ１０３及びＹ１０４は相互に無関係に、Ｏ又はＮ−ＣＮを表し、
Ｒ１２０〜Ｒ１２３は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、クロロ、ブロモ、又は
Ｒ１２０はＲ１２１と一緒になって及び／又はＲ１２２はＲ１２３と一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ１２４はメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、シアノ、メトキシカルボニル又はエトキシカルボニルを表し、
Ｒ１２５及びＲ１２６は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル又はヒドロキシを表し、その際、基Ｒ１２６の少なくとも一方は環の位置１又は３にあり、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシを表し、
ｅ、ｆ及びｇは相互に無関係に、１〜２の整数を表し、その際、ｅ、ｆ又はｇが＞１である場合、基は異なることができ、
Ｘ１１１はＮ又はＣ−Ａｒ１０２を表し、
Ｒ１２７は、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はフェニルを表し、
Ｒ１２８及びＲ１２９は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル又はベンジルを表すか、又は
ＮＲ１２８Ｒ１２９はモルホリノ、ピペリジノ又はピロリジノを表し、
Ｒ１３０はメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシエチル、エトキシエチル、メトキシプロピル、ベンジル、フェネチル又はＡｒ１を表し、
Ｒ１３１及びＲ１３２は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、クロロ又はブロモを表すか、又は一緒になって式−ＣＯ−Ｎ（Ｒ１３０）−ＣＯ−の架橋を表し、
Ｍ３００は２個のＨ−原子、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｍｇ又はＴｉＩＶを表し、その際、Ｍ３００がＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＴｉＩＶの場合になお１個又は２個の他の置換基又はリガンドＲ３１３及び／又はＲ３１４を有し、これはフタロシアニン平面に対して相対的に軸方向に配置されていて、
Ｒ３０６〜Ｒ３０９は相互に無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ又はクロロを表し、
ｗ〜ｚは相互に無関係に、０〜４の整数を表し、
Ｒ３１３及びＲ３１４は相互に無関係に、メチル、エチル、フェニル、ヒドロキシ、フルオロ、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、トリルオキシ、シアノ又は＝Ｏを表し、
かつ、基Ｒ３０６〜Ｒ３０９、Ｍ３００及びｗ〜ｚは付加的にさらに下記に定義する意味を表すことができ、
その際、架橋Ｂ、デンドリマー構造Ｄ又はスペーサー基Ｓとの結合は、基Ｒ１００〜Ｒ１３２を介して、Ａｒ１０１〜Ａｒ１０６及び環Ａ１０１〜Ｈ１０１を置換することができる基を介して、Ｒ３０６〜Ｒ３０９、Ｒ３１３又はＲ３１４を介して行うことができる。この場合、この基は直接結合を表す。
【００６６】
次の実施例を説明のために用いる：
（ＣＩ）：
【００６７】
【化２３】
2004524198.tif 000024
【００６８】
【化２４】
2004524198.tif 000025
【００６９】
【化２５】
2004524198.tif 000026
【００７０】
【化２６】
2004524198.tif 000027
【００７１】
【化２７】
2004524198.tif 000028
【００７２】
【化２８】
2004524198.tif 000029
【００７３】
【化２９】
2004524198.tif 000030
【００７４】
【化３０】
2004524198.tif 000031
【００７５】
【化３１】
2004524198.tif 000032
【００７６】
【化３２】
2004524198.tif 000033
【００７７】
【化３３】
2004524198.tif 000034
【００７８】
【化３４】
2004524198.tif 000035
【００７９】
【化３５】
2004524198.tif 000036
【００８０】
４００〜６５０ｎｍの範囲内に吸収極大λｍａｘ２を有する有利な吸光性化合物は、例えば次の式のようなものである：
情報層中にこのような化合物を有する相応する光学データ記録媒体は、青色光又は赤色光、特に青色又は赤色レーザー光によって読み取り及び書き込みされる。
【００８１】
【化３６】
2004524198.tif 000037
【００８２】
【化３７】
2004524198.tif 000038
【００８３】
【化３８】
2004524198.tif 000039
【００８４】
【化３９】
2004524198.tif 000040
【００８５】
【化４０】
2004524198.tif 000041
【００８６】
【化４１】
2004524198.tif 000042
式中、
Ａｒ２０１、Ａｒ２０２、Ａｒ２０４、Ａｒ２０５及びＡｒ２０６は相互に無関係に、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又は５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分水素化された複素環式の環の基を表し、この基はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性基又はスルホにより置換されていてもよく、
Ａｒ２０３はＣ６〜Ｃ１０−芳香族の二官能性基又は５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環の二官能性基を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基又はスルホにより置換されていてもよく、この場合に、このような２個の二官能性基は二官能性架橋を介して結合していてもよく、
Ｙ２０１はＮ又はＣＲ２０１を表し、
Ｒ２０１は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、シアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイル又はＡｒ２０２を表すか、又はＡｒ２０１又はＲ２００に対する架橋を表し、
Ｒ２０２及びＲ２０３は相互に無関係に、シアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル又はＣ１〜Ｃ１６−アルカノイルを表すか、又はＲ２０２は水素、ハロゲン、又は次の式の基
【００８７】
【化４２】
2004524198.tif 000043
を表し、
又はＲ２０３はＡｒ２０２、ＣＨ２−ＣＯＯアルキル又はＰ（Ｏ）（Ｏ−Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル）２又はＣ１〜Ｃ１６−アルキルを表すか、又はＲ２０２；Ｒ２０３はこれらが結合しているＣ原子と一緒になって５員又は６員の炭素環式又は芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｅ２０１は直接結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−又は−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）−を表し、
ｏは１又は２を表し、
Ｒ２０４は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又はＣ７〜Ｃ１６−アラルキル又はＡｒ２０１又はＡｒ２０２又はＥ２０１もしくはＡｒ２０５又はＥ２０７に対する架橋を表すか、又は
ＮＲ２０４Ｒ２０４はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ｘ２０１、Ｘ２０２、Ｘ２０４及びＸ２０６は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ２００を表し、Ｘ２０２、Ｘ２０４及びＸ２０６は付加的にＣＨ又はＣＲ２００Ｒ２００を表し、
Ａ２０１、Ｂ２０１、Ｃ２０１及びＪ２０１は相互に無関係に、５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｘ２０３及びＸ２０５は相互に無関係にＮを表し、
Ｒ２００は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又はＣ７〜Ｃ１６−アラルキルを表すか又はＥ２０２、Ｅ２０３、Ｅ２０５又はＥ２０６に対して環を形成し、
Ｅ２０２は直接結合、＝ＣＨ−ＣＨ＝、＝Ｎ−ＣＨ＝又は＝Ｎ−Ｎ＝を表し、
Ｅ２０３、Ｅ２０４、Ｅ２０５、Ｅ２０６及びＥ２０７は相互に無関係に、Ｎ又はＣ−Ｒ２０１を表し、−Ｅ２０３＝Ｅ２０４−又は−Ｅ２０６＝Ｅ２０７−は直接結合を表し、かつ２個の基Ｒ２０１は一緒になって２員、３員又は４員の架橋を形成することができ、これはヘテロ原子を有していてもよくかつ／又は非イオン性基により置換されていてもよくかつ／又はベンゼン縮合されていてもよく、
Ｒ２０５及びＲ２０５′は水素を表すか又は一緒に−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ２０６は水素、シアノ又はＣ１〜Ｃ４−アルキル−ＳＯ２−を表し、
Ｒ２０７は水素、シアノ又はＣ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又はＡｒ２０１を表し、
Ｒ２０８はＮＲ２２２Ｒ２２３はピペリジノ、モルホリノ又はピロリジノを表し、
Ｒ２１３、Ｒ２１８、Ｒ２１９、Ｒ２２２及びＲ２２３は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｘ２０７はＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ２２２又はＣ（ＣＨ３）２を表し、
Ｙ２０２及びＹ２０４は相互に無関係に、ＯＲ２２２、ＳＲ２２２又はＮＲ２２２Ｒ２２３を表し、
Ｙ２０３及びＹ２０５は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ＋Ｒ２２２Ｒ２２３  Ａｎ−を表し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｒ２０９及びＲ２１０は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、ハロゲン、Ｙ２０２又はＹ２０４を表すか、又はＲ２１６及び／又はＲ２１７と一緒になって架橋を形成するか、又は隣接する２個の基Ｒ２０９もしくはＲ２１０は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成する、
ｈ及びｉは相互に無関係に、０〜３の整数を表し、
Ｒ２１１は水素、Ｃ１〜Ｃ４−アルキル又はＡｒ２０１を表し、
Ｙ２１０及びＹ２１１は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−ＣＮを表し、
Ｘ２０８及びＸ２０９は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ２１３を表し、
Ｒ２１２は水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル又は又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｒ２１４及びＲ２１５は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、Ｃ１〜Ｃ８−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ又はＮＲ２２２Ｒ２２３を表すか、又は２個の隣接する基Ｒ２１４もしくはＲ２１５は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、これ自体はＲ２１４もしくはＲ２１５により置換されていてもよく、この場合にＲ２１４もしくはＲ２１５の少なくとも１つはＮＲ２２２Ｒ２２３を表し、
ｊ及びｍは相互に無関係に、１〜４の整数を表し、
Ｄ２０１、Ｅ２０１、Ｇ２０１及びＨ２０１は相互に無関係に、５員又は６員の芳香族又は準芳香族の炭素環式の又は芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基又はスルホにより置換されていてもよく、
Ｙ２０６及びＹ２０７は相互に無関係に、−Ｏ−、−ＮＲ２２４−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ２２４−、−ＳＯ２−Ｏ−又は−ＳＯ２−ＮＲ２２４−を表し、
Ｙ２０８、Ｙ２０９及びＹ２１０は相互に無関係に、Ｎ又はＣＨを表し、
Ｙ２１１はＯ又は−ＮＲ２２４を表し、
Ｒ２２４は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、シアノ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキルスルホニル、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールカルボニル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールスルホニルを表し、
Ｍ２００及びＭ２０１は相互に無関係に、少なくとも二価の金属イオンを表し、これはなお他の置換基及び／又はリガンドを有していてもよく、かつＭ２０１は付加的に２個の水素原子を表すことができ、
Ｆ２０１は５員又は６員の芳香族環、準芳香族環又は部分水素化複素環を表し、この環は他のヘテロ原子を含有していてもよくかつ／又はベンゼン縮合又はナフタレン縮合していてもよくかつ／又は非イオン性又はスルホにより置換されていてもよく、
Ｒ２２０及びＲ２２１は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、ハロゲン、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、ＮＲ２２２Ｒ２２３又は一緒になって次の式の二価基
【００８８】
【化４３】
2004524198.tif 000044
を表し、
Ｘ２１０はＮ、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ−Ａｒ２０１、Ｃ−Ｃｌ又はＣ−Ｎ（Ｃ１〜Ｃ６−アルキル）２を表し、
Ｙ２１２はＮ−Ｒ２０４、Ｎ−Ａｒ２０１、Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−Ａｒ２０１、ＣＲ２０２Ｒ２０３又はＣＨ−Ｃ−Ｒ２０２Ｒ２０３  Ａｎ−を表し、
Ｙ２１３はＮＨ−Ｒ２０４、ＮＨ−Ａｒ２０１、ＮＨ−Ｎ＝ＣＨ−Ａｒ２０１、Ｃ−Ｒ２０２Ｒ２０３  Ａｎ−又はＣＨ−ＣＲ２０２Ｒ２０３を表し、
その際、架橋Ｂ、デンドリマー構造Ｄ又はスペーサー基Ｓとの結合は基Ｒ２００〜Ｒ２２４、又はＡｒ２０１〜Ａｒ２０５及び環Ａ２０１〜Ｊ２０１を置換することができる非イオン性の基を介して行うことができる。この場合、この基は直接結合を表す。
【００８９】
非イオン性の基は、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ４−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、モノ−又はジ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノである。
【００９０】
アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は、場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯＯＨ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ、又はフェニル又はＳＯ３Ｈを有することができ、アルキル基及びアルコキシ基は直鎖又は分枝鎖であってもよく、アルキル基は部分的に又は完全にハロゲン化されていてもよく、アルキル基及びアルコキシ基はエトキシル化又はプロポキシル化又はシリル化されていてもよく、アリール基又は複素環式基に隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基は一緒に３員又は４員の架橋を形成することができ、複素環式基はベンゼン縮合されていてもよくかつ／又は４級化されていてもよい。
【００９１】
特に有利であるのは式（ＣＣＩ）〜（ＣＣＸＸＶＩ）及び（ＣＣＩＶａ）の吸光性化合物であり、
式中、
Ａｒ２０１、Ａｒ２０２、Ａｒ２０４、Ａｒ２０５及びＡｒ２０６は相互に無関係に、フェニル、ナフチル、ベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル又は−５−イル、チアゾリン−２−イル、ピロリン−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピロル−２−又は−３−イル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、インドル−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、ベンゾフラン−２−イル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヒドロキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ、ＣＯＯＨ又はＳＯ３Ｈにより置換されていてもよく、
Ａｒ２０３はフェニレン、ナフチレン、１，３，４−チアジアゾル−２，５−ジイル、１，３，４−オキサジアゾル−２，５−ジイル、、１，３，４−トリアゾル−２，５−ジイル又は次の式の二官能性基
【００９２】
【化４４】
2004524198.tif 000045
【００９３】
【化４５】
2004524198.tif 000046
又は
【００９４】
【化４６】
2004524198.tif 000047
を表し、これらはクロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ＣＯＯＨ又はＳＯ３Ｈにより置換されていてもよく、
Ｙ２１０はＣｌ、ＯＨ、ＮＨＲ２００又はＮＲ２０２２を表し、
Ｙ２０１はＮ又はＣ−Ｒ２０１を表し、
Ｒ２０１は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、シアノ、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、アセチル、プロピオニル又はＡｒ２０２を表し、
Ｒ２０２及びＲ２０３は相互に無関係に、シアノ、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、メトキシエトキシカルボニル、アセチル、プロピオニル又はブタノイルを表すか、Ｒ２０２は水素又は次の式の基
【００９５】
【化４７】
2004524198.tif 000048
を表すか
又はＲ２０３はＡｒ２０２を表すか又はＲ２０２；Ｒ２０３はこれらと結合しているＣ原子と一緒になって次の式の環
【００９６】
【化４８】
2004524198.tif 000049
【００９７】
【化４９】
2004524198.tif 000050
を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性又はイオン性の基により置換されていてもよく、この場合、アスタリスク（*）は二重結合が出ている環原子を示し、
Ｅ２０１は直接結合又は−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、
Ｒ２０４は、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジルを表すか、又は
Ａｒ２０１−Ｎ−Ｒ２０４又はＡｒ２０５−Ｎ−Ｒ２０４はＮを介して結合するピロール環、インドール環又はカルバゾール環を表し、これらの環はメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ又はメトキシカルボニルにより置換されていてもよいか又は
ＮＲ２０４Ｒ２０４はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、
Ａ２０１はベンゾチアゾル−２−イリデン、ベンゾオキサゾル−２−イリデン、ベンゾイミダゾル−２−イリデン、チアゾル−２−イリデン、チアゾリン−２−イリデン、ピロリン−２−イリデン、イソチアゾル−２−イリデン、イミダゾル−２−イリデン、１，３，４−チアジアゾル−２−イリデン、１，３，４−トリアゾル−２−イリデン、ピリジン−２−又は−４−イリデン、キノリン−２−又は−４−イリデン、ピロル−２−又は−３−イリデン、チオフェン−２−又は−３−イリデン、フラン−２−又は−３−イリデン、インドル−２−又は−３−イリデン、ベンゾチオフェン−２−イリデン、ベンゾフラン−２−イリデン、１，３−ジチオル−２−イリデン、ベンゾ−１，３−ジチオル−２−イリデン又は３，３−ジメチルインドレン−２−イリデンを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、メチルベンジルアミノ、メチルフェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノにより置換されていてもよく、
Ｂ２０１はベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル、チアゾリン−２−イル、ピロリン−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、インドル−３−イル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、メチルベンジルアミノ、メチルフェニルアミノ、ピロリジノ又はモルホリノにより置換されていてもよく、
Ｃ２０１はベンゾチアゾル−２−イリデン、ベンゾオキサゾル−２−イリデン、ベンゾイミダゾル−２−イリデン、チアゾル−２−イリデン、チアゾル−５−イリデン、チアゾリン−２−イリデン、ピロリン−２−イリデン、イソチアゾル−２−イリデン、イミダゾル−２−イリデン、１，３，４−チアジアゾル−２−イリデン、１，３，４−トリアゾル−２−イリデン、ピリジン−２−又は−４−イリデン、キノリン−２−又は−４−イリデン、インドル−３−イリデン又は３，３−ジメチルインドレン−２−イリデンを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルチオ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ブチルアミノ、メチルベンジルアミノ、メチルフェニルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノにより置換されていてもよく、この場合に、
Ｘ２０１、Ｘ２０２、Ｘ２０４及びＸ２０６は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ２００を表し、Ｘ２０２、Ｘ２０４及びＸ２０６は付加的にＣＲ２００Ｒ２００を表し、
Ｘ２０３及びＸ２０５は相互に無関係にＮを表し、及び
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｒ２００は、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はベンジルを表し、
Ｒ２００′はメチル、エチル、プロピル、ブチル又はベンジルを表し、
Ｅ２０２は＝ＣＨ−ＣＨ＝、＝Ｎ−ＣＨ＝又は＝Ｎ−Ｎ＝を表し、
−Ｅ２０３＝Ｅ２０４−Ｅ２０５＝は、−ＣＲ２０１′＝ＣＲ２０１′−ＣＲ２０１′＝、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ＝、−Ｎ＝ＣＲ２０１′−ＣＲ２０１′＝、−ＣＲ２０１′＝Ｎ−ＣＲ２０１′＝、−ＣＲ２０１′＝ＣＲ２０１′−Ｎ＝、−Ｎ＝Ｎ−ＣＲ２０１′＝又は−ＣＲ２０１′＝Ｎ−Ｎ＝を表し、
Ｅ２０６＝Ｅ２０７はＣＲ２０１′＝ＣＲ２０１′、Ｎ＝Ｎ、Ｎ＝ＣＲ２０１′、ＣＲ２０１′＝Ｎ又は直接結合を表し、
Ｒ２０１′は水素、メチル又はシアノを表すかまたは２個の基Ｒ２０１′は−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ２０５及びＲ２０５′は水素を表すか又は一緒に−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｒ２０６はシアノ又はメチル−ＳＯ２−を表し、
Ｒ２０７は水素、シアノ又はＣ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル又はＡｒ２０１を表し、
Ｒ２０８はＮＲ２２２Ｒ２２３はピペリジノ、モルホリノ又はピロリジノを表し、
Ｒ２１３、Ｒ２１８、Ｒ２１９、Ｒ２２２及びＲ２２３は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル又はフェニルを表し、これらの基はメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、ＣＯＯＨ又はＳＯ３Ｈにより置換されていてもよく、
Ｘ２０７はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ２２２を表し、
Ｙ２０２及びＹ２０４は相互に無関係に、ＮＲ２２２Ｒ２２３を表し、
Ｙ２０３及びＹ２０５は相互に無関係に、Ｏ又はＮ＋Ｒ２２２Ｒ２２３  Ａｎ−を表し、
Ｒ２０９及びＲ２１０は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、クロロ又はブロモを表すか、又はＲ２０９；Ｒ２２２、Ｒ２０９；Ｒ２２３、Ｒ２１０；Ｒ２２２及び／又はＲ２１０；Ｒ２２３は−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−架橋を形成するか、又は隣接する２個の基Ｒ２０９もしくはＲ２１０は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成し、
ａ及びｂは相互に無関係に、０〜３の整数を表し、
Ｒ２１１は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル又はフェニルを表し、これらの基はヒドロキシ、メチル、メトキシ、クロロ、ブロモ、ＣＯＯＨ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル又はＳＯ３Ｈのグループの１〜３個の基により置換されていてもよく、
Ｙ２１０及びＹ２１１は相互に無関係に、Ｏ又はＮ−ＣＮを表し、
Ｘ２０８及びＸ２０９は相互に無関係に、Ｏ又はＮ−Ｒ２１３を表し、
Ｒ２１２は水素又はクロロを表し、
Ｒ２１４及びＲ２１５は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、シアノ、ニトロ又はＮＲ２２２Ｒ２２３を表すか、又は隣接する２個の基Ｒ２１４及びＲ２１５は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を形成することができ、この場合少なくとも１個の、有利に２個の基Ｒ２１４もしくはＲ２１５はＮＲ２２２Ｒ２２３を表し、
ｄ及びｅは相互に無関係に、１〜３の整数を表し、
Ｄ２０１及びＥ２０１は相互に無関係に、フェニル、ナフチル、ピロール、インドール、ピリジン、キノリン、ピラゾール又はピリミジンを表し、これらの基はメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、ＮＲ２２２Ｒ２２３、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、
Ｙ２０６及びＹ２０７は相互に無関係に、−Ｏ−、−ＮＲ２２４−、−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−ＮＲ２２４−を表し、
Ｙ２０８＝Ｙ２０９はＮ＝Ｎ又はＣＨ＝Ｎを表し、
Ｙ２１０はＮ又はＣＨを表し、
Ｒ２２４は水素、メチル、ホルミル、アセチル、プロピオニル、メチルスルホニル又はエチルスルホニルを表し、
Ｍ２００はＣｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ又はＺｎを表し、
Ｍ２０１は２個のＨ−原子、ＣｕＩＩ、ＣｏＩＩ、ＣｏＩＩＩ、ＮｉＩＩ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃａ、Ｂａ、Ｉｎ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｂｅ、ＰｄＩＩ、ＰｔＩＩ、Ａｌ、ＦｅＩＩ、ＦｅＩＩＩ、ＭｎＩＩ、ＶＩＶ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ及びＳｉを表し、その際にＭ２０１はＣｏＩＩＩ、ＦｅＩＩ、ＦｅＩＩＩ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、ＶＩＶ及びＳｉの場合にはなお１個又は２個の他の置換基又はリガンドＲ２２５及び／又はＲ２２６を有し、これはピロリジン環平面に対して相対的に軸方向に配置されていて、
Ｒ２２５及びＲ２２６は相互に無関係に、メチル、エチル、フェニル、ヒドロキシ、フルオロ、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、トリルオキシ、シアノ又は＝Ｏを表し、
Ｆ２０１はピロリル−２−イル、イミダゾル−２−又は−４−イル、ピラゾル−３−又は−５−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、チアゾル−２−又は−４−イル、チアゾリン−２−イル、ピロリン−２−イル、オキサゾル−２−又は−４−イル、イソチアゾル−３−イル、イソオキサゾル−３−イル、インドル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、ベンゾチオゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイソチアゾル−３−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，２，４−チアジアゾル−３−又は−５−イル、１，３，４−オキサジアゾル−２−イル、ピリド−２−イル、キノル−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジエチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチルアニリノ、ジエタノールアミノ、Ｎ−メチルエタノールアミノ、ピロリジノ、モルホリノ又はピペリジノにより置換されていてもよく、
Ｇ２０１は次の式の環
【００９８】
【化５０】
2004524198.tif 000051
を表し、これらの環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、この場合にアスタリスク（*）はＹ２１０に対する単結合が出ている環原子を表し、チルダ（~）はＭに対する単結合が出ている酸素原子（＝Ｙ２０６）を表し、かつその際、
Ｙ２０６は−Ｏ−を表し、
Ｈ２０１は次の式の環
【００９９】
【化５１】
2004524198.tif 000052
を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、この場合、アスタリスク（*）はＹ２１０に対する二重結合が出ている環原子を表し、かつその際、
Ｙ２１１は−Ｏ−を表し、
Ｅ２０１は直接結合を表し、
Ｒ２０４は、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジルを表すか、又は
Ａｒ２０１−Ｎ−Ｒ２０４又はＡｒ２０５−Ｎ−Ｒ２０４はＮを介して結合するピロール環、インドール環又はカルバゾール環を表し、これらの環はメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ又はメトキシカルボニルにより置換されていてもよいか又は
Ｒ２２０及びＲ２２１は相互に無関係に、水素、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、シアノ、メトキシカルボニル、クロロ、ブロモ、フェニル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、アニリノ又は一緒になって次の式の二価基
【０１００】
【化５２】
2004524198.tif 000053
を表し、
Ｘ２１０はＮ又はＣＨを表し、
Ｙ２１２はＮ−Ｒ２０４、Ｎ−Ａｒ２０１又はＣＲ２０２Ｒ２０３を表し、
Ｙ２１３はＮＨ−Ｒ２０４、ＮＨ−Ａｒ２０１又はＣ−Ｒ２０２Ｒ２０３  Ａｎ−を表し、
その際、架橋Ｂ、デンドリマー構造Ｄ又はスペーサー基Ｓとの結合は基Ｒ２００〜Ｒ２２４、又はＡｒ２０１〜Ａｒ２０５及び環Ａ２０１〜Ｈ２０１を置換することができる非イオン性の基を介して行うことができる。この場合、この基は直接結合を表す。
【０１０１】
次の実施例を説明のために用いる：
【０１０２】
【化５３】
2004524198.tif 000054
【０１０３】
【化５４】
2004524198.tif 000055
【０１０４】
【化５５】
2004524198.tif 000056
【０１０５】
【化５６】
2004524198.tif 000057
【０１０６】
【化５７】
2004524198.tif 000058
【０１０７】
【化５８】
2004524198.tif 000059
【０１０８】
【化５９】
2004524198.tif 000060
【０１０９】
【化６０】
2004524198.tif 000061
【０１１０】
【化６１】
2004524198.tif 000062
【０１１１】
【化６２】
2004524198.tif 000063
【０１１２】
【化６３】
2004524198.tif 000064
【０１１３】
【化６４】
2004524198.tif 000065
【０１１４】
【化６５】
2004524198.tif 000066
【０１１５】
【化６６】
2004524198.tif 000067
【０１１６】
【化６７】
2004524198.tif 000068
【０１１７】
【化６８】
2004524198.tif 000069
【０１１８】
【化６９】
2004524198.tif 000070
【０１１９】
【化７０】
2004524198.tif 000071
【０１２０】
【化７１】
2004524198.tif 000072
【０１２１】
【化７２】
2004524198.tif 000073
【０１２２】
【化７３】
2004524198.tif 000074
【０１２３】
【化７４】
2004524198.tif 000075
【０１２４】
６３０〜８２０ｎｍの範囲内に吸収極大λｍａｘ３を有する有利な吸光性化合物は、例えば次の式のようなものである：
情報層中にこのような化合物を有する相応する光学データ記録媒体は、赤色光又は赤外線、特に赤色又は赤外線レーザー光によって読み取り及び書き込みされる。
【０１２５】
【化７５】
2004524198.tif 000076
【０１２６】
【化７６】
2004524198.tif 000077
式中、
Ａｒ３０１及びＡｒ３０２は相互に無関係に、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール又は５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分水素化された複素環式の環の基を表し、この基はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性基又はスルホにより置換されていてもよく、
Ａｒ３０３はＣ６〜Ｃ１０−芳香族の二官能性基又は５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環の二官能性基を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基又はスルホにより置換されていてもよく、この場合に、このような２個の二官能性基は二官能性架橋を介して結合していてもよく、
Ｅ３０１はＮ、Ｃ−Ａｒ３０２又はＮ＋−Ａｒ３０２  Ａｎ−を表し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｒ３０２及びＲ３０３は相互に無関係に、はシアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル又はＣ１〜Ｃ１６−アルカノイルを表すか、又はＲ３０３はＡｒ３０２を表すか、又はＲ３０２；Ｒ３０３はこれらが結合しているＣ原子と一緒になって５員又は６員の炭素環式又は芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性又はイオン性の基により置換されていてもよく、
Ｅ３０３〜Ｅ３０９は相互に無関係にＣ−Ｒ３１０又はＮを表し、この場合に基Ｒ３１０は２個の要素Ｅ３０２〜Ｅ３０９と一緒になって２員〜４員の架橋を形成することができ、ヘテロ原子を含有していてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよくかつ／又はベンゼン縮合されていてもよく、かつＥ３０５−Ｅ３０６及び／又はＥ３０７−Ｅ３０８は直接結合を表すことができ、
Ｒ３１０は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、シアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイル、Ａｒ３０２、−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ３０２、−（ＣＨ＝ＣＨ）２−Ａｒ３０２又は次の式の基
【０１２７】
【化７７】
2004524198.tif 000078
を表し、
Ｘ３０１、Ｘ３０２、Ｘ３０４及びＸ３０６は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ３００を表し、Ｘ３０２、Ｘ３０４及びＸ３０６は付加的にＣＲ３００Ｒ３００を表し、
Ａ３０１、Ｂ３０１及びＣ３０１は相互に無関係に、５員又は６員の芳香族、準芳香族又は部分的に水素化された複素環式の環を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、
Ｘ３０３及びＸ３０５は相互に無関係にＮを表すか又は（Ｘ３０３）＋−Ｒ３００はＯ＋又はＳ＋を表しかつ／又はＸ３０５−Ｒ３００はＯ又はＳを表し、
Ｒ３００は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル又はＣ７〜Ｃ１６−アラルキルを表すか又はＥ３０２、Ｅ３０３又はＥ３０７に対して環を形成し、
Ｅ３０２は＝ＣＨ＝ＣＨ−、＝Ｎ−ＣＨ＝、＝Ｎ−Ｎ＝又は次の式の二価基
【０１２８】
【化７８】
2004524198.tif 000079
又は
【０１２９】
【化７９】
2004524198.tif 000080
を表し、この場合に６員環は非イオン性の基により置換されいてもよくかつ／又はベンゼン縮合されていてもよく、
Ｙ３０１はＮ又はＣＲ３０１を表し、
Ｒ３０１は水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、シアノ、カルボン酸、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルカノイル又はＡｒ３０２を表すか、又はＲ３０２又はＡｒ３０３に対する架橋を表し、
ｖは１又は２を表し、
Ｘ３０７はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ３１１を表し、
Ｒ３１１及びＲ３１２は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ７〜Ｃ１６−アラルキル又はＣ６〜Ｃ１０−アリールを表し、
Ｙ３０２はＮＲ３１１Ｒ３１２を表し、
Ｙ３０３はＣＲ３０２Ｒ３０３を表し、
Ｒ３０４及びＲ３０５は相互に無関係に、水素、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシを表すか、又は隣接する２個の基Ｒ３０４もしくはＲ３０５は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
ｈ及びｉは相互に無関係に、０〜３の整数を表し、
Ｍ３００は２個のＨ原子又は少なくとも二価の金属又は非金属を表し、この場合にＭは他の有利に２個の置換基又はリガンドＲ３１３及び／又はＲ３１４を有していてもよく、
Ｒ３０６〜Ｒ３０９は相互に無関係に、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキルチオ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、ハロゲン、ＣＯＯＨ、−ＣＯ−ＯＲ３１１、−ＣＯ−ＮＲ３１１Ｒ３１２、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ２−ＮＲ３１１Ｒ３１２を表すか、又は隣接する２個の基Ｒ３０６、Ｒ３０７、Ｒ３０８もしくはＲ３０９は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
ｗ〜ｚは相互に無関係に０〜４の整数を表し、この場合にｗ、ｘ、ｙもしくはｚは＞１の場合にＲ３０６、Ｒ３０７、Ｒ３０８もしくはＲ３０９は異なる意味を有することができ、
Ｒ３１３及びＲ３１４は相互に無関係に、Ｃ１〜Ｃ１６−アルコキシ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリールオキシ、ヒドロキシ、ハロゲン、シアノ、チオシアナト、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルイソニトリロ、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール、Ｃ１〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−ＣＯ−Ｏ−、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル−ＳＯ２−Ｏ−、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール−ＣＯ−Ｏ−、Ｃ６〜Ｃ１０−アリール−ＳＯ２−Ｏ−、トリ−Ｃ１〜Ｃ１２−アルキルシロキシ又はＮＲ３１１Ｒ３１２を表し、
その際、架橋Ｂ、デンドリマー構造Ｄ又はスペーサー基Ｓとの結合は基Ｒ３００〜Ｒ３１４、又はＡｒ３０１〜Ａｒ３０３及び環Ａ３０１〜Ｃ３０１を置換することができる非イオン性の基を介して行うことができる。この場合、この基は直接結合を表す。
【０１３０】
式（ＣＣＣＩＸ）のフタロシアニンの場合には、相応するモノ−〜テトラアザ−誘導体並びに第４級塩も考えられる。
【０１３１】
非イオン性の基として、例えばＣ１〜Ｃ４−アルキル、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシカルボニル、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ４−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、モノ−又はジ−Ｃ１〜Ｃ４−アルキルアミノである。
【０１３２】
アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は、場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯＯＨ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ、又はフェニル又はＳＯ３Ｈを有することができ、アルキル基及びアルコキシ基は直鎖又は分枝鎖であってもよく、アルキル基は部分的に又は完全にハロゲン化されていてもよく、アルキル基及びアルコキシ基はエトキシル化又はプロポキシル化又はシリル化されていてもよく、アリール基又は複素環式基に隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基は一緒に３員又は４員の架橋を形成することができ、複素環式基はベンゼン縮合されていてもよくかつ／又は４級化されていてもよい。
【０１３３】
特に有利であるのは式（ＣＣＣＩ）〜（ＣＣＣＩＸ）の吸光性化合物であり、
式中、
Ａｒ３０１及びＡｒ２０２は相互に無関係に、フェニル、ナフチル、ベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピロル−２−又は−３−イル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、インドル−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、ベンゾフラン−２−イル、１，２−ジチオル−３−イル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヒドロキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ、ＣＯＯＨ又はＳＯ３Ｈにより置換されていてもよく、かつＡｒ３０１は付加的に次の式の環
【０１３４】
【化８０】
2004524198.tif 000081
を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性の基により置換されていてもよく、この場合、アスタリスク（*）は単結合が出ている環原子を示し、
Ａｒ３０３はフェニレン、ナフチレン、チアゾル−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル又はフラン−２，５−ジイルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヒドロキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、
Ｅ３０１はＮ、Ｃ−Ａｒ３０２又はＮ＋−Ａｒ３０２  Ａｎ−を表し、
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｒ３０２及びＲ３０３は相互に無関係に、シアノ、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、メトキシエトキシカルボニル、アセチル、プロピオニル又はブタノイルを表すか、又はＲ３０３はＡｒ３０２を表すか又はＲ３０２；Ｒ３０３はこれらが結合しているＣ原子と一緒になって次の式の環：
【０１３５】
【化８１】
2004524198.tif 000082
【０１３６】
【化８２】
2004524198.tif 000083
を表し、この環はベンゼン縮合又はナフタレン縮合されていてもよくかつ／又は非イオン性又はイオン性の基により置換されていてもよく、この場合、アスタリスク（*）は二重結合が出ている環原子を示し、
Ｅ３０３〜Ｅ３０９は相互に無関係に、Ｃ−Ｒ３１０又はＮを表し、この場合に隣接する２個の要素Ｅ３０３〜Ｅ３０９は次の式の二価原子団
【０１３７】
【化８３】
2004524198.tif 000084
又は
【０１３８】
【化８４】
2004524198.tif 000085
を表すことができるか又は隣接する３個の基Ｅ３０３〜Ｅ３０９は式の二価基
【０１３９】
【化８５】
2004524198.tif 000086
又は
【０１４０】
【化８６】
2004524198.tif 000087
を表すことができるか又は隣接する５個の基Ｅ３０３〜Ｅ３０９は式の二価基
【０１４１】
【化８７】
2004524198.tif 000088
を表すことができ、
この場合、アスタリスク（*）を付与した結合は、次の要素Ｅ、Ａｒ３０１、ＣＲ３０２Ｒ３０３又は環Ｂ３０１又はＣ３０１に対する単結合もしくは二重結合であり、前記の環はメチル、メトキシ、クロロ、シアノ又はフェニルで置換されていてもよく、Ｅ３０５＝Ｅ３０６及び／又はＥ３０７＝Ｅ３０８は直接結合を表すことができ、
Ｒ３１０は水素、メチル、エチル、シアノ、クロロ、フェニル又は次の式の基
【０１４２】
【化８８】
2004524198.tif 000089
を表し、
Ａ３０１はベンゾチアゾル−２−イリデン、ベンゾオキサゾル−２−イリデン、ベンゾイミダゾル−２−イリデン、チアゾル−２−イリデン、イソチアゾル−３−イリデン、イミダゾル−２−イリデン、１，３，４−チアジアゾル−２−イリデン、１，３，４−トリアゾル−２−イリデン、ピリジン−２−又は−４−イリデン、キノリン−２−又は−４−イリデン、ピロル−２−又は−３−イリデン、チオフェン−２−又は−３−イリデン、フラン−２−又は−３−イリデン、インドル−２−又は−３−イリデン、ベンゾチオフェン−２−イリデン、ベンゾフラン−２−イリデン、１，３−ジチオル−２−イリデン、ベンゾ−１，３−ジチオル−２−イリデン、１，２−ジチオル−３−イリデン又は３，３−ジメチルインドレン−２−イリデンを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルチオ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、
Ｂ３０１はベンゾチアゾル−２−イル、ベンゾオキサゾル−２−イル、ベンゾイミダゾル−２−イル、チアゾル−２−イル、イソチアゾル−３−イル、イミダゾル−２−イル、１，３，４−チアジアゾル−２−イル、１，３，４−トリアゾル−２−イル、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピリリウム−２−又は−４−イル、チオピリリウム−２−又は−４−イル、インドル−３−イル、ベンゾ［ｃ，ｄ］インドル−２−イル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、
Ｃ３０１はベンゾチアゾル−２−イリデン、ベンゾオキサゾル−２−イリデン、ベンゾイミダゾル−２−イリデン、チアゾル−２−イリデン、イソチアゾル−３−イリデン、イミダゾル−２−イリデン、１，３，４−チアジアゾル−２−イリデン、１，３，４−トリアゾル−２−イリデン、ピリジン−２−又は−４−イリデン、キノリン−２−又は−４−イリデン、デヒドロピラン−２−又は４−イリデン、チオピラン−２−又は−４−イリデン、インドル−３−イリデン、ベンゾ［ｃ，ｄ］インドル−２−イリデン又は３，３−ジメチルインドレン−２−イリデンを表し、これらはメチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、クロロ、ブロモ、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチルチオ、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、ブタノイルアミノ又はベンゾイルアミノにより置換されていてもよく、その際、
Ｘ３０１、Ｘ３０２、Ｘ３０４及びＸ３０６は相互に無関係に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ３００を表し、Ｘ３０２、Ｘ３０４及びＸ３０６は付加的にＣＲ３００Ｒ３００を表し、
Ｘ３０３及びＸ３０５は相互に無関係にＮを表すか又は（Ｘ３０３）＋−Ｒ３００はＯ＋又はＳ＋を表しかつ／又はＸ３０５−Ｒ３００はＯ又はＳを表し、及び
Ａｎ−はアニオンを表し、
Ｒ３００は、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル又はベンジルを表し、
Ｒ３００′はメチル、エチル、プロピル、ブチル又はベンジルを表し、
Ｅ３０２は次の式の二価の基
【０１４３】
【化８９】
2004524198.tif 000090
を表し、この場合、この６員環はメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、アセトアミノ、プロピオニルアミノ又はメチルスルホニルアミノにより置換されていてもよくかつ／又はベンゼン縮合されていてもよく、
Ｙ３０１はＮ又はＣ−Ｒ３０１を表し、
Ｒ３０１は水素、メチル、エチル、シアノ、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、アセチル又はプロピオニルを表し、
ｖは１又は２を表し、
Ｘ３０７はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ３１１を表し、
Ｒ３１１及びＲ３１２は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ベンジル、フェニルを表し、これらはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、クロロ、ブロモ、ジメチルアミノ又はジエチルアミノの１個又は数個の基によって置換されていてもよく、
Ｙ３０２はＮＲ３１１Ｒ３１２を表し、
Ｙ３０３はＣＲ３０２Ｒ３０３を表し、
Ｒ３０４及びＲ３０５は相互に無関係に、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ又はフェノキシを表すか、又は隣接する２個の基Ｒ３０４もしくはＲ３０５は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
Ｍ３００は２個のＨ−原子、ＣｕＩＩ、ＣｏＩＩ、ＣｏＩＩＩ、ＮｉＩＩ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｉｎ、Ｂｅ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｂｅ、Ａｌ、ＰｄＩＩ、ＰｔＩＩ、Ａｌ、ＦｅＩＩ、ＦｅＩＩＩ、ＭｎＩＩ、ＶＩＶ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ及びＳｉを表し、その際にＭはＣｏＩＩＩ、ＦｅＩＩ、ＦｅＩＩＩ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、ＶＩＶ及びＳｉの場合にはなお１個又は２個の他の置換基又はリガンドＲ３１３及び／又はＲ３１４を有し、これはフタロシアニン環平面に対して相対的に軸方向に配置されていて、
Ｒ３０６〜Ｒ３０９は相互に無関係に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、フェノキシ、クロロ、ブロモ、−ＳＯ３Ｈ又はＳＯ２ＮＲ３１１Ｒ３１２を表すか、又は隣接する２個の基Ｒ３０６、Ｒ３０７、Ｒ３０８もしくはＲ３０９は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、
ｗ〜ｚは相互に無関係に０〜４の整数を表し、この場合にｗ、ｘ、ｙもしくはｚは＞１の場合にＲ３０６、Ｒ３０７、Ｒ３０８もしくはＲ３０９は異なる意味を有することができ、
Ｒ３１３及びＲ３１４は相互に無関係に、ヒドロキシ、フルオロ、クロロ、ブロモ、シアノ、＝Ｏ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、フェノキシ、ピラゾロ、イミダゾロ又はＮＲ３１１Ｒ３１２を表し、これらはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、クロロ、ブロモ、ジメチルアミノ又はジエチルアミノの１個又は数個の基により置換されていてもよく、
その際、架橋Ｂ、デンドリマー構造Ｄ又はスペーサー基Ｓとの結合は基Ｒ３００〜Ｒ３１４、又はＡｒ３０１〜Ａｒ３０３及び環Ａ３０１〜Ｃ３０１を置換することができる非イオン性の基を介して行うことができる。この場合、この基は直接結合を表す。
【０１４４】
次の実施例を説明のために用いる：
【０１４５】
【化９０】
2004524198.tif 000091
【０１４６】
【化９１】
2004524198.tif 000092
【０１４７】
【化９２】
2004524198.tif 000093
【０１４８】
【化９３】
2004524198.tif 000094
【０１４９】
【化９４】
2004524198.tif 000095
【０１５０】
【化９５】
2004524198.tif 000096
【０１５１】
【化９６】
2004524198.tif 000097
【０１５２】
【化９７】
2004524198.tif 000098
【０１５３】
【化９８】
2004524198.tif 000099
【０１５４】
【化９９】
2004524198.tif 000100
【０１５５】
【化１００】
2004524198.tif 000101
【０１５６】
【化１０１】
2004524198.tif 000102
前記したように少なくとも２個の発色中心を有し、本発明による光学データ記録媒体に適している吸光性化合物の例は次のものである：
例（１）
【０１５７】
【化１０２】
2004524198.tif 000103
例（２）
【０１５８】
【化１０３】
2004524198.tif 000104
例（３）
【０１５９】
【化１０４】
2004524198.tif 000105
例（４）
【０１６０】
【化１０５】
2004524198.tif 000106
例（５）
【０１６１】
【化１０６】
2004524198.tif 000107
例（６）
【０１６２】
【化１０７】
2004524198.tif 000108
例（７）
【０１６３】
【化１０８】
2004524198.tif 000109
（例７ａ）
【０１６４】
【化１０９】
2004524198.tif 000110
例（８）
【０１６５】
【化１１０】
2004524198.tif 000111
例（９）
【０１６６】
【化１１１】
2004524198.tif 000112
例（１０）
【０１６７】
【化１１２】
2004524198.tif 000113
例（１１）
【０１６８】
【化１１３】
2004524198.tif 000114
例（１２）
【０１６９】
【化１１４】
2004524198.tif 000115
（例１３ａ）
【０１７０】
【化１１５】
2004524198.tif 000116
（例１３ｂ）
【０１７１】
【化１１６】
2004524198.tif 000117
（例１３ｃ）
【０１７２】
【化１１７】
2004524198.tif 000118
（例１３ｄ）
【０１７３】
【化１１８】
2004524198.tif 000119
（例１３ｅ）
【０１７４】
【化１１９】
2004524198.tif 000120
（例１３ｆ）
【０１７５】
【化１２０】
2004524198.tif 000121
（例１３ｇ）
【０１７６】
【化１２１】
2004524198.tif 000122
（例１３ｈ）
【０１７７】
【化１２２】
2004524198.tif 000123
（例１３ｉ）
【０１７８】
【化１２３】
2004524198.tif 000124
（例１４）
【０１７９】
【化１２４】
2004524198.tif 000125
（例１４ｂ）
【０１８０】
【化１２５】
2004524198.tif 000126
（例１５ａ）
【０１８１】
【化１２６】
2004524198.tif 000127
（例１５ｂ）
【０１８２】
【化１２７】
2004524198.tif 000128
（例１５ｃ）
【０１８３】
【化１２８】
2004524198.tif 000129
（例１５ｄ）
【０１８４】
【化１２９】
2004524198.tif 000130
（例１５ｅ）
【０１８５】
【化１３０】
2004524198.tif 000131
（例１５ｆ）
【０１８６】
【化１３１】
2004524198.tif 000132
（例１５ｇ）
【０１８７】
【化１３２】
2004524198.tif 000133
（例１５ｈ）
【０１８８】
【化１３３】
2004524198.tif 000134
（例１５ｉ）
【０１８９】
【化１３４】
2004524198.tif 000135
（例１５ｊ）
【０１９０】
【化１３５】
2004524198.tif 000136
（例１５ｋ）
【０１９１】
【化１３６】
2004524198.tif 000137
（例１５l）
【０１９２】
【化１３７】
2004524198.tif 000138
（例１５ｍ）
【０１９３】
【化１３８】
2004524198.tif 000139
（例１５ｎ）
【０１９４】
【化１３９】
2004524198.tif 000140
（例１６）
【０１９５】
【化１４０】
2004524198.tif 000141
（例１６ａ）
【０１９６】
【化１４１】
2004524198.tif 000142
（例１７）
【０１９７】
【化１４２】
2004524198.tif 000143
（例１８）
【０１９８】
【化１４３】
2004524198.tif 000144
（例１９）
【０１９９】
【化１４４】
2004524198.tif 000145
（例２０）
【０２００】
【化１４５】
2004524198.tif 000146
（例２１）
【０２０１】
【化１４６】
2004524198.tif 000147
（例２２）
【０２０２】
【化１４７】
2004524198.tif 000148
（例２３）
【０２０３】
【化１４８】
2004524198.tif 000149
（例２３ａ）
【０２０４】
【化１４９】
2004524198.tif 000150
（例２４）
【０２０５】
【化１５０】
2004524198.tif 000151
（例２５）
【０２０６】
【化１５１】
2004524198.tif 000152
（例２６）
【０２０７】
【化１５２】
2004524198.tif 000153
（例２７）
【０２０８】
【化１５３】
2004524198.tif 000154
（例２８）
【０２０９】
【化１５４】
2004524198.tif 000155
（例２９）
【０２１０】
【化１５５】
2004524198.tif 000156
（例３０）
【０２１１】
【化１５６】
2004524198.tif 000157
（例３１）
【０２１２】
【化１５７】
2004524198.tif 000158
（例３２）
【０２１３】
【化１５８】
2004524198.tif 000159
（例３３）
【０２１４】
【化１５９】
2004524198.tif 000160
（例３３ａ）
【０２１５】
【化１６０】
2004524198.tif 000161
（例３３ｂ）
【０２１６】
【化１６１】
2004524198.tif 000162
（例３４）
【０２１７】
【化１６２】
2004524198.tif 000163
（例３５）
【０２１８】
【化１６３】
2004524198.tif 000164
（例３６）
【０２１９】
【化１６４】
2004524198.tif 000165
（例３７）
【０２２０】
【化１６５】
2004524198.tif 000166
（例３８）
【０２２１】
【化１６６】
2004524198.tif 000167
（例３９）
【０２２２】
【化１６７】
2004524198.tif 000168
（例４０）
【０２２３】
【化１６８】
2004524198.tif 000169
（例４１）
【０２２４】
【化１６９】
2004524198.tif 000170
（例４２）
【０２２５】
【化１７０】
2004524198.tif 000171
（例４３）
【０２２６】
【化１７１】
2004524198.tif 000172
この吸収スペクトルは有利に溶液中で測定される。
【０２２７】
書き込まれる吸光性化合物は、書き込みしていない状態で光学データ記録媒体の十分に高い反射率（＞１０％）を保証し、並びにフォーカスされた光で点状に照射した際に、光の波長が３６０〜４６０ｎｍ、６００〜６８０ｎｍ又は７５０〜８２０ｎｍの範囲内にある場合に、情報層の熱的変性のために十分に高い吸収を保証する。データ記録媒体上での書き込まれた箇所と書き込まれていない箇所との間のコントラストは、振幅の反射率の変化によって実現され、並びに入射光の相は情報層の熱分解後に変化した光学特性によって実現される。
【０２２８】
本発明は、さらに、有利に透明な基板を有し、この基板表面上に光を用いて書き込み可能な少なくとも１つの情報層、場合により反射層及び／又は場合により保護層が設けられているライトワンス型光学データ記録媒体において、この記録媒体は青色光、赤色光又は赤外線、有利にレーザー光を用いて書き込み及び読み出すことができ、その際、情報層は少なくとも１種の上記の吸光性化合物及び場合により結合剤、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤並びに他の成分を含有するライトワンス型光学データ記録媒体に関する。他には次の光学データ記録媒体の構造がある：
・  有利に透明な基板を有し、この基板表面上に光を用いて書き込み可能な少なくとも１つの情報層、場合により反射層及び場合により接着層及び他の有利に透明な基板が設けられている。
【０２２９】
・  有利に透明な基板を有し、この基板表面上に場合により反射層、の光を用いて書き込み可能な少なくとも１つの情報層、場合により接着層及び透明なカバー層が設けられている。
【０２３０】
この光学データ記録媒体は、情報層の他に他の層、例えば金属層、誘電層並びに保護層を有していることができる。金属層及び誘電層は、特に反射率の調整及び熱調整のために用いられる。金属はレーザー波長に応じて金、銀、アルミニウム等である。誘電層は例えば二酸化ケイ素及び窒化ケイ素である。保護層は、例えば光硬化性の、塗料、（感圧性の）接着層及び保護シートである。
【０２３１】
感圧接着層は主にアクリル接着剤からなる。特許JP-A 11-273147に開示されたNitto Denko DA-8320又はDA-8310は、例えばこの目的のために使用することができる。
【０２３２】
この光学データ記録媒体は例えば次の層構造を示す（図１参照）：透明な基板（１）、場合による保護層（２）、情報層（３）、場合による保護層（４）、場合による接着層（５）、カバー層（６）。
【０２３３】
次の光学データ記録媒体の構造が有利である：
−  有利に透明な基板（１）を有し、この表面上に光で書き込み可能な少なくとも１つの情報層（３）（これは光で、有利にレーザー光で書き込むことができる）、場合による保護層（４）、場合による接着層（５）、及び透明なカバー層（６）が設けられている。
−  有利に透明な基板（１）を有し、この表面上に保護層（２）、光、有利にレーザー光で書き込み可能な少なくとも１つの情報層（３）、場合による接着層（５）、及び透明なカバー層（６）が設けられている。
−  有利に透明な基板（１）を有し、この表面上に保護層（２）、光、有利にレーザー光で書き込み可能な少なくとも１つの情報層（３）、場合による保護層（４）、場合による接着層（５）、及び透明なカバー層（６）が設けられている。
−  有利に透明な基板（１）を有し、この表面上に、光、有利にレーザー光で書き込み可能な少なくとも１つの情報層（３）、場合による接着層（５）、及び透明なカバー層（６）が設けられている。
【０２３４】
また、光学データ記録媒体は例えば次の構造を有する（図２参照）：有利に透明な基板（１１）、情報層（１２）、場合による反射層（１３）、場合による接着層（１４）、他の有利な透明な基板（１５）。
【０２３５】
また、光学データ記録媒体は例えば次の構造を有する（図３）：有利に透明な基板（２１）、情報層（２２）、場合による反射層（２３）、保護層（２４）。
【０２３６】
本発明は青色光、赤色光又は赤外線で、特にレーザー光で書き込み可能な本発明による光学データ記録媒体に関する。
【０２３７】
本発明は、さらに青色光、赤色光又は赤外線、特にレーザー光で１回書き込まれた本発明による光学データ記録媒体に関する。
【０２３８】
さらに、本発明は、少なくとも２つの同じ又は異なる発色中心を有しかつ３４０〜８２０ｎｍの範囲内の少なくとも１つの吸収極大を有する吸光性化合物の、ライトワンス型光学データ記録媒体の情報層中での使用に関する。この有利な範囲は吸光性化合物並びに光学データ記録媒体並びに本発明による使用に対しても通用する。
【０２３９】
この情報層は、吸光性化合物の他になお結合剤、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤並びに他の成分を含有することができる。
【０２４０】
この基板は光学的に透明なプラスチックから製造することができ、この基板は必要な場合に表面処理を行うことができる。有利なプラスチックはポリカーボネート及びポリアクリレート、並びにポリシクロオレフィン又はポリオレフィンである。この吸光性化合物は、わずかな濃度でもポリマー基板の保護のために及びその光安定化のために使用することができる。
【０２４１】
この反射層は、通常は書き込み可能な光学データ記録媒体用に利用することができるそれぞれの金属もしくは金属合金から製造することができる。適当な金属もしくは金属合金は蒸着又はスパッタリングにより作成され、例えば金、銀、銅、アルミニウム及びこれら相互の合金又はこれらと他の金属との合金を有する。
【０２４２】
反射層上の保護塗膜は、ＵＶ硬化性アクリレートからなることができる。
【０２４３】
反射層を酸化から保護するための中間層も同様に存在することができる。
【０２４４】
前記の吸光性化合物の混合物も同様に使用可能である。
【０２４５】
さらに、本発明は、場合により予め反射層を備えている、有利に透明な基板を、適当な結合剤及び場合により適当な溶剤と組み合わた形の吸光性化合物で被覆し、場合により反射層、他の中間層及び場合により保護層又は他の基板又はカバー層を設置することを特徴とする、本発明による光学データ記録媒体の製造方法に関する。
【０２４６】
場合により色素、結合剤及び／又は溶剤と組み合わせた形の吸光性化合物を用いた基板の被覆は、スピンコーティングにより行うのが有利である。
【０２４７】
このコーティングのために、吸光性化合物を有利に添加物ありで又はなしで適当な溶剤又は溶剤混合物中に溶かすため、このＵＶ吸収剤は溶剤１００質量部に対して１００又はそれ以下、例えば１０〜２質量部である。書き込み可能な情報層はその後で有利に減圧下でスパッタリング又は蒸着により金属被覆（反射層）し、場合により引き続き保護塗膜（保護層）又は他の基板又はカバー層を設ける。部分透過性反射層を備えた多層構造も可能である。
【０２４８】
吸光性化合物又はそれと添加剤及び／又は結合剤との混合物で被覆するための溶剤もしくは溶剤混合物は、一方で吸光性化合物及び他の添加物の溶解性により及び他方で基板に対する最小限の影響により選択される。基板にわずかしか影響を与えない適当な溶剤は、例えばアルコール、エーテル、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、セロソルブ、ケトンである。このような溶剤の例は、メタノール、エタノール、プロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、ベンジルアルコール、テトラクロロエタン、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、１−メチル−２−プロパノール、メチルエチルケトン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレンである。
【０２４９】
有利な溶剤は炭化水素及びアルコールである、それというのもこれらは基板に最も影響が少ないためである。
【０２５０】
書き込み可能な情報層に適当な添加物は安定剤、湿潤剤、結合剤、希釈剤及び増感剤である。
【０２５１】
次の実施例は本発明の対象を明確にする：
実施例
実施例Ａ
ジエチレングリコール３１．８ｇ、シアノ酢酸１０２．１ｇ及びｐ−トルエンスルホン酸４ｇをトルエン１５０ｍｌ中で１２時間水分離器で還流させた。冷却後に飽和炭酸水素ナトリウム溶液５００ｍｌで希釈し、酢酸エチルエステル８００ｍｌ＋２×１００ｍｌで抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、真空中で蒸発した。次の式の油状物５９ｇ（理論値の８２％）が得られた
【０２５２】
【化１７２】
2004524198.tif 000173
ＭＳ（ＣＩ）：ｍ／ｅ＝２４１（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２５３】
実施例Ａ−ａ
実施例Ａと同様に、エチレングリコール１８．６ｇとシアノ酢酸１０２．１ｇから次の式の油状物４４．６ｇ（理論値の７６％）が得られた
【０２５４】
【化１７３】
2004524198.tif 000174
ＭＳ（ＣＩ）：ｍ／ｅ＝１９７（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２５５】
実施例Ａ−ｂ
実施例Ａと同様に、２−（ヒドロキシメチル）−２−メチル−１，３−プロパンジオール３６．０ｇとシアノ酢酸１５３．１ｇから次の式のゆっくりと結晶化する油状物８１．３ｇ（理論値の８４％）が得られた
【０２５６】
【化１７４】
2004524198.tif 000175
ＭＳ（ＣＩ）：ｍ／ｅ＝３２２（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２５７】
実施例Ｂ
ピロル−２−カルバルデヒド９．５ｇを２５質量％の苛性ソーダ液５０ｇ及びトルエン５０ｍｌからの混合物中に装入した。７５〜８０℃でα，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン１３．２ｇのトルエン１００ｍｌ中の溶液を滴加した。この混合物を７５〜８０℃で３．５時間撹拌した。冷却後に有機相を分離し、硫酸ナトリウムで乾燥し、真空中で蒸発した。次の式の油状物１４ｇ（理論値の９６％）が得られた
【０２５８】
【化１７５】
2004524198.tif 000176
ＭＳ：ｍ／ｅ＝２９２。
【０２５９】
実施例Ｂ−ａ
例Ｂと同様にピロル−２−カルバルデヒド９．５ｇと１，３−ジブロモプロパン１０．１ｇとから次の式の生成物１０．８ｇ（理論値の４７％）が得られた
【０２６０】
【化１７６】
2004524198.tif 000177
ＭＳ：ｍ／ｅ＝２３０。
【０２６１】
実施例Ｃ
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−アニリン１５．１ｇの塩化メチレン１００ｍｌ中の溶液にコハク酸ジクロリド７．９ｇ及び引き続きトリエチルアミン１０．０ｇを滴加した。４時間煮沸した後に溶剤を真空中で除去した。この油状の粗製生成物をトルエン１００ｍｌ中に溶かし、濾過し、酸化アルミニウム３０ｇで濾過した。溶剤を真空中で除去した後、次の式の油状物１２．３ｇ（理論値の６４％）が得られた
【０２６２】
【化１７７】
2004524198.tif 000178
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３８４。
【０２６３】
実施例Ｃ−ａ
実施例Ｃと同様にＮ−エチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−ｍ−トルイジン１８．１ｇから次の式の油状物１５．０ｇ（理論値の６８％）が得られた。
【０２６４】
【化１７８】
2004524198.tif 000179
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４４０。
【０２６５】
実施例Ｄ
２，３，３−トリメチル−３Ｈ−インドール１５．９ｇ及びテトラブチルアンモニウムヨージド１００ｍｇのブチロラクトン５０ｍｌ中の溶液に６０℃で１，４−ジブロモブタン２１．６ｇを滴加した。９０〜１２０℃で６時間後に冷却し、吸引濾過した。次の式の無色粉末８．２ｇ（理論値の３０．６％）が得られた
【０２６６】
【化１７９】
2004524198.tif 000180
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝８．５８（ｄ），７．６３（ｍ），７．５５（ｄ），４．８４（ｍ），３．２７（ｓ），２．５６（ｍ），１．６４ｐｐｍ（ｓ）。
【０２６７】
実施例Ｅ
ジブロモ−ｏ−キシレン８．２ｇとγ−ピコリン５．６ｇとをγ−ブチロラクトン６０ｍｌ中で８０℃で３０分間撹拌した冷却後に吸引濾過し、γ−ブチロラクトン２×１０ｍｌで洗浄し、撹拌した。次の式の無色粉末８．７ｇ（理論値の６４％）が得られた
【０２６８】
【化１８０】
2004524198.tif 000181
１Ｈ−ＮＭＲ（［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ＝９．０２（ｄ），８０８（ｄ），７．５０（ｍ），７．１９（ｍ），６．１８（ｓ），２．６６ｐｐｍ（ｓ）。
【０２６９】
実施例Ｆ
Tetrahedron 55, (1999), 6511と同様に５−ブロモフラン−２−カルバルデヒドとピペラジンとから次の式のフルフラール誘導体
【０２７０】
【化１８１】
2004524198.tif 000182
を製造した。
融点２３５〜２４０℃。
【０２７１】
実施例１
３，３−ジメチル−５，６−ジメトキシ−インダン−１−オン４４．１ｇ、実施例Ａ−ａの生成物１９．６ｇ、プロピオン酸１４．８ｇ、酢酸アンモニウム３．６ｇ及びキシレン４０ｇを１３時間水分離器で乾燥させた。冷却した後、吸引濾過し、キシレン９ｍｌで洗浄した。この固形物を水２００ｍｌ中で撹拌し、新たに吸引濾過し、メタノール２００ｍｌで洗浄した。真空中で乾燥後に、次の式の淡黄色の結晶粉末２１．７ｇ（理論値の３６％）が得られた
【０２７２】
【化１８２】
2004524198.tif 000183
融点２４４〜２４８℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝３６３ｎｍ、３７８ｎｍ。
【０２７３】
実施例２
実施例Ａからの生成物６．０ｇ、ピロル−２−カルバルデヒド２．４ｇ及び２−メチルフルフラール２．８ｇをエタノール１００ｍｌ中に溶かし、トリエチルアミン５ｇを添加した。これを室温で一晩中撹拌した。生じた生成物を吸引濾過し、エタノール１０ｍｌで洗浄し、真空中で乾燥した。次の式の淡黄色粉末５．８ｇ（理論値の５６．６％）が得られた
【０２７４】
【化１８３】
2004524198.tif 000184
ランダムな混合物
融点１３１〜１３５℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝３５９ｎｍ。
ＭＳ（ＣＩ）：ｍ／ｅ＝３９５、４１０、４２５（Ｍ＋＋Ｈ）。
【０２７５】
実施例３
実施例Ａ−ｂからの生成物６．４ｇと２−メチルフルフラール６．６ｇとをピリジン７０ｍｌ中で室温で一晩中撹拌した。この溶剤を真空中で留去し、残留物をアセトン５０ｍｌ中に溶かし、新たに真空中で蒸発させた。この残留物を水１００ｍｌ中で撹拌し、吸引濾過し、水で洗浄し、真空中で乾燥させた。次の式の淡黄色粉末６．２ｇ（理論値の５２％）が得られた
【０２７６】
【化１８４】
2004524198.tif 000185
融点１３５〜１４０℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝３５４ｎｍ。
【０２７７】
実施例４
実施例Ｂからの生成物２．９ｇとシアノ酢酸プロピルエステル２．６ｇとを、エタノール３０ｍｌ中でトリエチルアミン２ｇと混合し、室温で一晩中撹拌した。この生成物を吸引濾過し、エタノールで洗浄した。真空中で乾燥した後、次の式の淡黄色粉末３．９ｇ（理論値の７６％）が得られた
【０２７８】
【化１８５】
2004524198.tif 000186
融点１２３〜１２５℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝３７０ｎｍ。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝５１０（Ｍ＋）。
【０２７９】
実施例５
Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−アニリン１８．８ｇのジメチルホルムアミド３０ｍｌ中の溶液に、室温でテトラシアノエタン１１．５ｇを、この温度が５０℃より高く上昇しないように添加した。この温度で１０分間保持し、２℃に冷却し、吸引濾過した。乾燥後に、次の式の赤色結晶粉末２１．８ｇ（理論値の９６％）が得られた
【０２８０】
【化１８６】
2004524198.tif 000187
【０２８１】
この色素５．１ｇを塩化エチレン５０ｍｌ中でコハク酸ジクロリド２．１ｇと、引き続きトリエチルアミン２ｇと混合した。８時間還流で煮沸した。冷却後に濾過し、この濾液を真空中で濃縮した。この残留物をエタノール５０ｍｌ中で室温で撹拌し、吸引濾過し、水５００ｍｌ中で室温で撹拌し、新たに吸引濾過し、乾燥した。次の式の赤色粉末２．４ｇ（理論値の４１％）が得られた
【０２８２】
【化１８７】
2004524198.tif 000188
融点２９２〜２９９℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝４９３ｎｍ。
ε＝６４３４０  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ。
可溶性：  ＴＦＰ中で１％。
【０２８３】
実施例６
同じ生成物が実施例Ｃの生成物７．７ｇをテトラシアノエタン５．６ｇとジメチルホルムアミド１５ｍｌ中で５０℃で１０分間反応させることにより得られた。
【０２８４】
実施例７
４−アミノフタル酸ジニトリル１０．８ｇを酢酸１０５ｍｌ、プロピオン酸３７ｍｌ及び濃塩酸２６ｍｌからなる混合物中へ投入した。０〜５℃で、ニトロシル硫酸２４．８ｍｌを滴加し、この温度で３０分間後撹拌した。
【０２８５】
このジアゾ化物を１０℃でメタクリル酸−［２−（Ｎ−エチル−３−メチルアニリノ）エチル］エステル１８．６ｇの酢酸６０ｍｌとアミジノスルホン酸０．５ｇとからの混合物中での溶液に１時間滴加し、この場合にｐＨ値を２０質量％のソーダ溶液の添加により３に上昇させた。室温でｐＨ＝３で一晩中撹拌した。次いで吸引濾過した。この粗製生成物を水３００ｍｌ中で撹拌し、２０質量％のソーダ溶液でｐＨ＝７．５に調節した。新たに吸引濾過し、水で洗浄し、真空中で乾燥させた。次の式の赤色結晶粉末２６．０ｇ（理論値の８６．５％）が得られた
【０２８６】
【化１８８】
2004524198.tif 000189
融点９５〜１１０℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝４７９ｎｍ。
ε＝３３０４０  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ。
【０２８７】
実施例８
実施例７のこの色素２ｇをジメチルホルムアミド２０ｍｌ中で窒素雰囲気下で２，２′−アゾビス−（２−メチルプロピオニトリル）０．１ｇ及びトリエチルアミン０．５ｇと共に７０℃で２５時間撹拌した。冷却後に水１５０ｍｌを滴加した。生じた生成物を吸引濾過し、水で洗浄しかつ乾燥させた。次の式のポリマー１．９ｇ（理論値の９５％）が得られた
【０２８８】
【化１８９】
2004524198.tif 000190
可溶性：  ＴＦＰ中で０．３％。
【０２８９】
実施例９
実施例Ｂ−ａの生成物５．８ｇとベンジルシアニド５．９ｇとをエタノール１００ｍｌ中に溶かした。５０質量％の苛性ソーダ液４ｍｌを滴加した。室温で３時間後に、酢酸４ｍｌを添加し、生じた固体を吸引濾過し、エタノールで洗浄し、乾燥した。次の式の生成物３．０ｇ（理論値の２８％）が得られた
【０２９０】
【化１９０】
2004524198.tif 000191
融点１２３〜１２７℃
λｍａｘ（ジオキサン）＝３６６ｎｍ
ε＝４９８６０  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４２８（Ｍ＋）
可溶性：ジアセトンアルコール中で２％。
【０２９１】
実施例１０
実施例Ｆからのフルフラール誘導体２．７ｇとジメドン２．８ｇとを無水酢酸５０ｍｌ中で８０℃で３０分間撹拌した。冷却後に水２００ｍｌに移した。次の式の赤色粉末３．０ｇ（理論値の５８％）が得られた
【０２９２】
【化１９１】
2004524198.tif 000192
融点２３０〜２３５℃。
λｍａｘ（ジオキサン）＝４９５ｎｍ
ε＝７６２５０  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ
可溶性：ＴＦＰ中で２％。
【０２９３】
実施例１１
次の式の色素５ｇからの
【０２９４】
【化１９２】
2004524198.tif 000193
（DE-OS 29 11 258の実施例１と同様に製造）γ−ブチロラクトン２５ｍｌ中の溶液に、７０℃でジブロモ−ｏ−キシレン２．０ｇを滴加した。７０℃で２７時間冷却し、水２００ｍｌに注ぎ、Ａ−炭１ｇを添加し、澄明にし、塩化ナトリウムを添加することにより塩析した。吸引濾過及び乾燥後に次の式の色素６．２ｇ（理論値の８９％）が得られた
【０２９５】
【化１９３】
2004524198.tif 000194
【０２９６】
この色素１．４ｇをメタノール２０ｍｌ中で加熱還流させた。テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート２ｇを添加した。１０分間還流させた後、冷却し、吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥した。次の式の色素１．２ｇ（理論値の８５％）が得られた
【０２９７】
【化１９４】
2004524198.tif 000195
λｍａｘ（メタノール／酢酸９：１）＝５６７、６１５ｎｍ
ε（５６７ｎｍ）＝９０５２０。
【０２９８】
実施例１２
実施例Ｅからの生成物１３．５ｇを酢酸３０ｍｌ中に導入した。この混合物をゆっくりとピペリジン３０ｍｌと混合し、温度を８０℃まで上昇させた。４−（ジエチルアミノ）ベンゾアルデヒド１０．８ｇをふりかけた。８０℃で２時間後に冷却し、水５００ｍｌに注いだ。吸引濾過し、乾燥して、次の式の黒赤色粉末１７．２ｇ（理論値の７４％）が生じた。
【０２９９】
【化１９５】
2004524198.tif 000196
１Ｈ−ＮＭＲ（［Ｄ６］−ＤＭＳＯ）：δ＝８．７６（ｄ），８．０８（ｄ），７．５８（ｄ），７．５２（ｍ），７．２８（ｍ），７．１６（ｄ，−ＣＨ＝ＣＨ−），  ６．７４（ｄ），５．９８（ｓ），３．４５（ｑ），１．１３ｐｐｍ（ｔ）。
この色素７．７ｇをメタノール１７０ｍｌ中で沸点に加熱してテトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート１３．２ｇと混合した。還流で１５分後に冷却し、吸引濾過し、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート１ｇを溶かしてあるメタノール３０ｍｌで、引き続きメタノール３×１０ｍｌで洗浄し、乾燥した。次の式の黒青色粉末５．８ｇ（理論値の７４％）が得られた
【０３００】
【化１９６】
2004524198.tif 000197
融点２６４〜２６６℃
λｍａｘ（メタノール／酢酸９：１）＝５０４ｎｍ
ε＝９０５３５  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ
可溶性：  ＴＦＰ中で２％。
【０３０１】
実施例１３
実施例１２と同様に、実施例Ｄからの生成物とＮ−メチル−Ｎ−シアノエチルベンズアルデヒドとを使用して次の式の色素
【０３０２】
【化１９７】
2004524198.tif 000198
が理論値の４９％の収率で得られた。
融点＞３００℃
λｍａｘ（ＤＭＦ）＝５３２ｎｍ
ε＝８４５５０  ｌ／ｍｏｌ  ｃｍ
可溶性：ＴＦＰ中で２％。
【０３０３】
実施例Ｉ（比較例）
次の式の物質からなる１／１混合物（質量割合）を、テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）中に固体２部対ＴＦＰ９８部の質量割合で溶かした。この溶液を石英ガラスキャリア上にスピンコーティングにより塗布し、透明な皮膜が生じた。透過率及び反射スペクトルの評価は１６５ｎｍのフィルムの層厚で行った。
【０３０４】
【化１９８】
2004524198.tif 000199
【０３０５】
この皮膜を室温で１時間真空（圧力約１０−６ｍｂａｒ）にさらし、光学データ記録媒体の製造時に金属層又は誘電層をスパッタリングする際の負荷をシミュレートした。この処理の後で、同じ方法による真空処理後の全層厚ｄは０ｎｍと評価された。つまりこの物質は完全に昇華した。
【０３０６】
実施例ＩＩ
次の式の物質（これは実施例Ｉの物質Ｂのダイマーである）を実施例Ｉに記載したと同様に合成した。この物質をテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）中に固体１部対ＴＦＰ９９部の質量割合で溶かした。この溶液を石英ガラスキャリア上にスピンコーティングにより塗布し、透明な皮膜が生じた。透過率及び反射スペクトルの評価は８５ｎｍのフィルムの層厚で行った。
【０３０７】
【化１９９】
2004524198.tif 000200
【０３０８】
この皮膜を室温で１時間真空（圧力約１０−６ｍｂａｒ）にさらし、光学データ記録媒体の製造時に金属層又は誘電層をスパッタリングする際の負荷をシミュレートした。この処理の後で、同じ方法による真空処理後の全層厚ｄは８５ｎｍと評価された。つまりこの物質は完全に維持された。
【０３０９】
実施例ＩＩＩ
次の式の物質（WO 9851721により製造）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中に、固体２部対ＴＨＦ９８部の質量割合で溶かした。この溶液を石英ガラスキャリア上にスピンコーティングにより塗布し、透明な皮膜が生じた。透過スペクトル及び反射スペクトルの評価は９０ｎｍのフィルムの層厚で行った。
【０３１０】
【化２００】
2004524198.tif 000201
【０３１１】
この皮膜を室温で１時間真空（圧力約１０−６ｍｂａｒ）にさらし、光学データ記録媒体の製造時に金属層又は誘電層をスパッタリングする際の負荷をシミュレートした。この処理の後で、同じ方法による真空処理後の全層厚ｄは９１ｎｍと評価された。つまりこの物質は完全に維持された。
【０３１２】
引き続き、こうして前処理された層にＳｉＮからなる層を蒸着させた。この蒸着はモリブデンボート中のＳｉ３Ｎ４を真空中で電気的に加熱することにより実施した。蒸着の間の圧力は約１０−４ｍｂａｒであり、この蒸着速度は１秒あたり約４〜５オングストロームであった。析出したＳｉＮ層の複素屈折率の測定のために、ブランクの石英ガラス板の対照試験で実施した。ＳｉＮ層の層厚は、ステップ型走査装置（Tencor Alpha Step 500 Surface Profiler）を用いて測定した。この層系から、透過スペクトル及び反射スペクトルの評価に関して、複素屈折率及びＳｉＮ層の厚さを考慮しながら、有機被膜の見かけの層厚を測定した。この層厚は９４ｎｍであった。このことは、この層が蒸着により変化せず、かつ有機層とＳｉＮとの間のシャープな境界面が維持されたことを示す。
【０３１３】
実施例ＩＶ
次の式の物質をテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）中に固体１部対ＴＦＰ９９部の質量割合で溶かした。この溶液を石英ガラスキャリア上にスピンコーティングにより塗布し、結晶性の皮膜が生じた。
【０３１４】
【化２０１】
2004524198.tif 000202
【０３１５】
実施例Ｖ
次の式の物質（これは実施例ＩＶの分枝したトリマーである）を実施例３に記載したと同様に合成した。この物質をテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）中に固体１部対ＴＦＰ９９部の質量割合で溶かした。この溶液を石英ガラスキャリア上にスピンコーティングにより塗布し、透明な皮膜が生じた。透過率及び反射スペクトルの評価は１５３ｎｍのフィルムの層厚で行った。
【０３１６】
【化２０２】
2004524198.tif 000203
【０３１７】
この皮膜を室温で１時間真空（圧力約１０−６ｍｂａｒ）にさらし、光学データ記録媒体の製造時に金属層又は誘電層をスパッタリングする際の負荷をシミュレートした。この処理の後で、同じ方法による真空処理後の全層厚ｄは１４３ｎｍと評価された。つまりこの物質は実際に完全に維持された。
【０３１８】
引き続き、こうして前処理された層にＳｉＮからなる層を蒸着させた。この蒸着はモリブデンボート中のＳｉ３Ｎ４を真空中で電気的に加熱することにより実施した。蒸着の間の圧力は約１０−４ｍｂａｒであり、この蒸着速度は１秒あたり約４〜５オングストロームであった。析出したＳｉＮ層の複素屈折率の測定のために、ブランクの石英ガラス板の対照試験で実施した。ＳｉＮ層の層厚は、ステップ型走査装置（Tencor Alpha Step 500 Surface Profiler）を用いて測定した。この層系から、透過スペクトル及び反射スペクトルの評価に関して、複素屈折率及びＳｉＮ層の厚さを考慮しながら、有機被膜の見かけの層厚を測定した。この層厚は１６０ｎｍであった。このことは、この層が蒸着により測定誤差の範囲内で変化せず、かつ有機層とＳｉＮとの間のシャープな境界面が維持されたことを示す。
【０３１９】
透過スペクトル及び反射スペクトルを用いた複素屈折率及び有機物質の層厚の測定：
被膜／石英ガラス又はＳｉＮ／被膜／石英ガラス又はＳｉＮ／石英ガラスの層系の透過スペクトル及び反射スペクトルを、２００ｎｍ〜１７００ｎｍの波長領域内の平行な光線を垂直に入射させて測定した。石英基板は約１ｍｍの厚さを有していた。反射光は入射方向に対して１７２℃の角度で測定した。それぞれ２種の異なる層厚の有機被膜をスピンコーティングにより製造した。この層厚は溶液濃度により調節した。この層厚は５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であった。透過スペクトル及び反射スペクトルの評価のために公知のフレネルの式を引用し、層系中での数回の反射による干渉を考慮した。２種の異なる厚さの層系の測定された透過スペクトル及び反射スペクトルが計算された透過スペクトル及び反射スペクトルに、同時の最小二乗法により適合することを用いて、この各波長に関する有機物質の層厚および複素屈折率を測定できる。石英ガラスキャリアの屈折率はこのために知られていなければならない。このスペクトル領域での石英ガラス基板の屈折率推移を、未被覆の基板に依存せずに測定した。
【０３２０】
実施例ＶＩ
室温で、次の式の色素９１．４質量％と
【０３２１】
【化２０３】
2004524198.tif 000204
次の式の例１３ｄからのポリマーの色素８．６質量％とからなる染料混合物の
【０３２２】
【化２０４】
2004524198.tif 000205
２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール中の３質量％溶液を製造した。この溶液を予めグルーブ付けしたポリカーボネート基板上にスピンコーティングで塗布した。予めグルーブ付けしたポリカーボネート基板は射出成形によりディスクとして製造した。ディスクの寸法及びグルーブ構造は通常のＤＶＤ−Ｒで使用されるものに一致した。情報記録媒体として色素層を備えたディスクに、銀１００ｎｍを蒸着した。引き続き、ＵＶ硬化性アクリル塗料をスピンコーティングにより塗布し、ＵＶランプで硬化させた。このディスクは光学ベンチ上に構築された動的な書き込み試験構造を用いて試験し、この試験構造は直線偏光を作成するためのダイオードレーザ（λ＝６５６ｎｍ）、偏光に敏感なビームスプリッタ、λ／４板及び可動に懸架した、開口数ＮＡ＝０．６集光レンズ（アクチュエータレンズ）からなる。ディスクの反射層により反射した光は、上記の偏光に敏感なビームスプリッタを用いてビーム路から取り出され、非点収差レンズを通して４クワドラント検出器上にフォーカスさせた。線速度Ｖ＝３．５ｍ／ｓ及び書き込み出力Ｐｗ＝１０．５ｍＷの場合に、信号−雑音−比Ｃ／Ｎ＝５０ｄＢが測定されれた。この場合、この書き込み出力は発振パルス系列として調達し、この場合にディスクを上記の書き込み出力Ｐｗで１μｓ間及びＰｒ≒０．６ｍＷの読み出し出力で４μｓ間交互に照射した。このディスクをこの発振パルス系列で、このディスクがそれ自体１回転分回転するまで照射した。その後で、こうして作成したマーキングをＰｒ≒０．６ｍＷの読み出し出力で読み出し、上記の信号−雑音−比Ｃ／Ｎを測定した。
【０３２３】
実施例ＶＩＩ
これと同様に、次の式の色素８５質量％
【０３２４】
【化２０５】
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と次の式の例１３ｄからのポリマーの色素１５質量％
【０３２５】
【化２０６】
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とからなる色素混合物を備えたディスクを製造し、測定した。書き込み出力Ｐｗ＝１０．５ｍＷでＣ／Ｎ＝４４ｄＢが得られた。
【図面の簡単な説明】
【０３２６】
【図１】光学データ記録媒体の構造を示す図
【図２】光学データ記録媒体の構造を示す図
【図３】光学データ記録媒体の構造を示す図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004524198.tif 000399
2004524198.tif 000400
【国際調査報告】
2004524198.tif 000401
2004524198.tif 000402
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