(57)【要約】有利に透明の場合によっては既に１つ以上の反射層で被覆された支持体を有し、この支持体の表面上に光で書込み可能な情報層、場合によっては１つ以上の反射層および場合によっては保護層または他の支持体または被覆層が施こされており、青色光、有利にレーザー光で書込みおよび読取りをすることができ、この場合情報層は、光吸収性化合物および場合によっては結合剤を含有している光学媒体であって、光吸収性化合物として少なくとも１つのフタロシアニン染料が使用されていることを特徴とする光学媒体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
有利に透明の場合によっては既に１つ以上の反射層で被覆された支持体を有し、この支持体表面上に光で書き込み可能な情報層、場合によっては１つ以上の反射層および場合によっては保護層または他の支持体または被覆層が施こされており、青色光、有利にレーザー光で書込みおよび読取りをすることができ、この場合情報層は、光吸収性化合物および場合によっては結合剤を含有している光学媒体において、光吸収性化合物として少なくとも１つのフタロシアニン染料が使用されていることを特徴とする光学媒体。
【請求項２】
式（Ｉ）のフタロシアニン染料が
ＭＰｃ［Ｒ３］ｗ［Ｒ４］ｘ［Ｒ５］ｙ［Ｒ６］ｚ　　　 （Ｉ）
〔この場合、
Ｐｃは、フタロシアニンを表わし、
Ｍは、２個の独立のＨ原子、２価の金属原子または式（Ｉａ）
【化１】
2004509785.tif 000016
で示される３価の１回アキシアル置換された金属原子または式（Ｉｂ）
【化２】
2004509785.tif 000017
で示される４価の２回アキシアル置換された金属原子または式（Ｉｃ）
【化３】
2004509785.tif 000018
で示される３価の１回アキシアル置換されかつ１回アキシアル配位された金属原子を表わし、その際電荷を有する配位子または置換基Ｘ１またはＸ２の場合に電荷は、対イオンによって補償され、
基Ｒ３〜Ｒ６は、フタロシアニンの置換基に相当し、
Ｘ１およびＸ２は、互いに独立にハロゲン、ヒドロキシ、酸素、シアノ、チオシアナト、シアナト、アルケニル、アルキニル、アリールチオ、ジアルキルアミノ、アルキル、アルコキシ、アシルオキシ、アルキルチオ、アリール、アリールオキシ、−Ｏ−ＳＯ２Ｒ８、−Ｏ−ＰＲ１０Ｒ１１、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ１２Ｒ１３、−Ｏ−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、ＮＨ２、アルキルアミノおよび複素環式アミンの残基を表わし、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、互いに独立にハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２、ＣＯ２Ｒ９、ＣＯＮＲ１Ｒ２、ＮＨ−ＣＯＲ７または式−（Ｂ）ｍ−Ｄの残基を表わし、
Ｂは、直接結合、ＣＨ２、ＣＯ、ＣＨ（アルキル）、Ｃ（アルキル）２、ＮＨ、Ｓ、Ｏまたは−ＣＨ＝ＣＨ−の群からの架橋員を表わし、この場合（Ｂ）ｍは、架橋員Ｂの化学的に重要な順序を表わし、但し、ｍ＝１〜１０、有利にｍ＝１、２、３または４であるものとし、
Ｄは、式
【化４】
2004509785.tif 000019
で示されるレドックス系の１価残基または金属オセニル基もしくは金属オセニルカルボニル基を表わし、この場合金属中心としては、チタン、マンガン、鉄、ルテニウムまたはオスミウムがこれに該当し、
Ｚ１およびＺ２は、互いに独立にＮＲ′Ｒ′′、ＯＲ′′またはＳＲ′′を表わし、
Ｙ１は、ＮＲ′、ＯまたはＳを表わし、Ｙ２は、ＮＲ′を表わし、
ｎは、１〜１０を表わし、
Ｒ′およびＲ′′は、互いに独立に水素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘタリールを表わすかまたは直接結合または
【化５】
2004509785.tif 000020
のＣ原子の１個に対する橋を形成し、
ｗ、ｘ、ｙおよびｚは、互いに独立に０〜４を表わし、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１６であり、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立にアルキル、ヒドロキシアルキル、アリールを表わすか、またはＲ１とＲ２は、Ｒ１とＲ２が結合しているＮ原子と一緒に、場合によっては殊にＯ、ＮおよびＳの群からの他のヘテロ原子が参加して複素環の５、６または７員の環を形成し、この場合ＮＲ１Ｒ２は、殊にピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノを表わし、
Ｒ７〜Ｒ１６は、互いに独立にアルキル、アリール、ヘタリールまたは水素を表わす〕に相当する、請求項１記載の光学媒体。
【請求項３】
Ｍが２個の独立のＨ原子を表わすかまたはＣｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、ＰｂおよびＳｎの群からの２価の金属原子を表わすか、または式（Ｉａ）〔式中、Ｍｅは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｉｎ、ＦｅまたはＭｎを表わす〕の３価の１回アキシアル置換された金属原子を表わすかまたは式（Ｉｂ）〔式中、Ｍｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＣｏまたはＶを表わす〕の４価の金属原子を表わす、請求項２記載の光学媒体。
【請求項４】
Ｍが式（Ｉａ）または（Ｉｂ）〔式中、ＭｅはＡｌまたはＳｉを表わす〕の残基を表わし、
Ｘ１およびＸ２がハロゲン、殊に塩素、アリールオキシ、殊にフェノキシまたはアルコキシ、殊にメトキシを表わし、
ｗ、ｘ、ｙおよびｚがそれぞれ０を表わす、請求項２記載の光学媒体。
【請求項５】
請求項１記載の光学媒体の製造法において、有利に透明の場合によっては既に反射層で被覆された支持体を、場合によっては適当な結合剤および添加剤ならびに場合によっては適当な溶剤と組み合わせてフタロシアニン染料で被覆し、場合によっては反射層、他の中間層および場合によっては保護層または他の支持体または被覆層を備えさせることを特徴とする、請求項１記載の光学媒体の製造法。
【請求項６】
フタロシアニン染料を用いての被覆を回転塗布、スパッタリングまたは蒸着によって行なう、請求項５記載の光学媒体の製造法。
【請求項７】
請求項１記載の光学媒体に青色光、有利にレーザー光、殊に３６０〜４６０ｎｍの波長を有するレーザー光を用いて書込みをすることによって得ることができる、書き込まれた情報層を有する光学媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野：
本発明は、情報層中に光吸収性化合物として少なくとも１つのフタロシアニン染料を含有する、１回書込み可能な光学媒体ならびにその製造法に関する。
【０００２】
特殊な光吸収性物質またはその混合物を使用しながら１回書込むことができる光学媒体は、殊に青色レーザーダイオード、殊にＧａＮまたはＳＨＧレーザーダイオード（３６０〜４６０ｎｍ）を用いて作業する、高密度で書込み可能な光学データーストレージの場合の使用および／または赤色（６３５〜６６０ｎｍ）または赤外（７８０〜８３０ｎｍ）のレーザーダイオードを用いて作業する、ＤＶＤ−ＲまたはＣＤ−Ｒの場合の使用に適しており、ならびにポリマー支持体、殊にポリカーボネート上への上記染料の塗布は、回転塗布、蒸着またはスパッタリングにより行なわれる。
【０００３】
１回書込み可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ、７８０ｎｍ）は、最近著しい量産成長を経験し、工業的に確立された体系である。
【０００４】
つい最近、光学データーストレージの直ぐ次の世代、ＤＶＤが市場に参入してきた。短波長のレーザービーム（６３５〜６６０ｎｍ）およびより高い開口数ＮＡを使用することによって、記憶密度を高めることができる。この場合、１回書込み可能なフォーマット形式は、ＤＶＤ−Ｒである。
【０００５】
現在、高いレーザー性能を有する青色レーザーダイオード（基体ＧａＮ、特開平０８−１９１１７１号公報またはＳｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ＳＨＧ 特開平０９−０５０６２９号公報）（３６０ｎｍ〜４６０ｎｍ）を利用する光学データーストレージのフォーマット形式が開発されている。従って、書込み可能な光学データーストレージは、この世代においても使用されている。達成可能な記憶密度は、情報平面内でのレーザースポットのピント合わせに依存する。この場合、スポットの寸法は、レーザー波長λ／ＮＡで基準化される。ＮＡは、使用される対物レンズの開口数である。できるだけ高い記憶密度を得るために、できるだけ短い波長λの使用を達成しようと努力されている。半導体レーザーダイオードに基づいて現在３９０ｎｍが可能である。
【０００６】
特許文献には、染料に基づく、書込み可能な光学データーストレージが記載されており、この光学データーストレージは、同様にＣＤ−ＲおよびＤＶＤ−Ｒシステムに適している（特開平１１−０４３４８１号公報および特開平１０−１８１２０６号公報）。この場合、読取り信号の高い反射性および高い変調高さならびに書込みの際の十分な感度にとっては、ＣＤ−ＲのＩＲ波長７８０ｎｍが染料の吸収ピークの長波長の側面の脚部に存在し、ＤＶＤ−Ｒの赤色波長６３５ｎｍまたは６５０ｎｍが染料の吸収ピークの短波長の側面の脚部に存在するという事実が使用される（欧州特許出願公開第５１９３９５号明細書およびＷＯ−Ａ　００／０９５２２参照）。この概念は、特開平０２−５５７３３５号公報、特開平１０−０５８８２８号公報、特開平０６−３３６０８６号公報、特開平０２−８６５９５号公報、ＷＯ−Ａ　０９　９１７２８４および米国特許第５２６６６９９号明細書の記載において、吸収ピークの短波長の側面で４５０ｎｍの作業波長の範囲に拡大しており、かつ吸収ピークの長波長の側面で赤色領域およびＩＲ領域に拡大している。
【０００７】
書込みまたは読取りの際の雑音信号をできるだけ小さく維持するために、上記の記載された光学的特性と共に、光吸収性有機物質からなる書込み可能ま情報層は、できるだけ無定形の形態を有していなければならない。そのために、溶液からの回転塗布、スパッタリングまたは蒸着および／または昇華による物質の塗布の際に金属層または誘電層を有する次の上層の場合に真空中で光吸収性物質の結晶化が回避されることは、特に好ましい。
【０００８】
光吸収性物質からの無定形層は、有利に高い熱成形安定性を有している。それというのも、そうでない場合には、スパッタリングまたは蒸着毎に光吸収性情報層上にもたらされる、有機材料または無機材料からなる他の層は、拡散により鮮鋭でない境界面を形成し、それによって反射性に不利な影響を及ぼすからである。更に、低すぎる熱成形安定性を有する光吸収性物質は、ポリマー担体に対する境界面でこのポリマー担体中に拡散し、また反射性に不利な影響を及ぼしうる。
【０００９】
光吸収性物質の高すぎる蒸気圧は、他の層の上記のスパッタリングまたは蒸着の際に高真空中で昇華を生じさせることができ、それによって望ましい層厚を減少させるうる。また、これは、反射性の不利な影響をまねきうる。
【００１０】
従って、本発明の課題は、１回書込み可能な光学データーストレージ中の情報層への使用、殊に３６０〜４６０ｎｍのレーザー波長範囲内での高密度で書込み可能な光学データーストレージに対する高度な要件（例えば、光安定性、有利な信号対雑音比、支持体材料上への支障のない取付け等）を満たす適当な化合物を提供することである。
【００１１】
意外な方法で、フタロシアニンの群からの光吸収性化合物は上記の要件プロフィールを特に良好に満たすことができることが見い出された。フタロシアニンは、レーザーにとって重要な波長範囲内３６０〜４６０ｎｍ、所謂Ｂ帯またはソレー帯で強い吸収を示す。
【００１２】
従って、本発明は、有利に透明の場合によっては既に１つ以上の反射層で被覆された支持体を有し、この支持体表面上に光で書き込み可能な情報層、場合によっては１つ以上の反射層および場合によっては保護層または他の支持体または被覆層が施こされており、青色光、有利にレーザー光、特に有利に３６０〜４６０ｎｍ、殊に３８０〜４２０ｎｍ、殊に有利に３９０〜４１０ｎｍの光で書込みおよび読取りをすることができ、この場合この情報層は、光吸収性化合物および場合によっては結合剤を含有する光学媒体であって、その際に光吸収性化合物として少なくとも１つのフタロシアニンが使用されていることによって特徴付けられている光学媒体に関する。
【００１３】
１つの好ましい実施態様において、フタロシアニンとして式（Ｉ）
ＭＰｃ［Ｒ３］ｗ［Ｒ４］ｘ［Ｒ５］ｙ［Ｒ６］ｚ　　　 （Ｉ）
〔この場合、
Ｐｃは、フタロシアニンを表わし、その際
Ｍは、２個の独立のＨ原子、２価の金属原子または式（Ｉａ）
【００１４】
【化６】
2004509785.tif 000002
【００１５】
で示される３価の１回アキシアル置換された金属原子または式（Ｉｂ）
【００１６】
【化７】
2004509785.tif 000003
【００１７】
で示される４価の２回アキシアル置換された金属原子または式（Ｉｃ）
【００１８】
【化８】
2004509785.tif 000004
【００１９】
で示される３価の１回アキシアル置換されかつ１回アキシアル配位された金属原子を表わし、その際電荷を有する配位子または置換基Ｘ１またはＸ２の場合に電荷は、対イオン、例えば
【００２０】
【外１】
2004509785.tif 000005
【００２１】
基Ｒ３〜Ｒ６は、フタロシアニン環の置換基に相当し、その際
Ｘ１およびＸ２は、互いに独立にハロゲン、例えばＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ヒドロキシ、酸素、シアノ、チオシアナト、シアナト、アルケニル、アルキニル、アリールチオ、ジアルキルアミノ、アルキル、アルコキシ、アシルオキシ、アルキルチオ、アリール、アリールオキシ、−Ｏ−ＳＯ２Ｒ８、−Ｏ−ＰＲ１０Ｒ１１、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ１２Ｒ１３、−Ｏ−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６、ＮＨ２、アルキルアミノおよび複素環式アミンの残基を表わし、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、互いに独立にハロゲン、例えばＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、シアノ、ニトロ、アルキル、アリール、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシ、アルキルチオ、アリールオキシ、アリールチオ、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２、ＣＯ２Ｒ９、ＣＯＮＲ１Ｒ２、ＮＨ−ＣＯＲ７または式−（Ｂ）ｍ−Ｄの残基を表わし、
Ｂは、直接結合、ＣＨ２、ＣＯ、ＣＨ（アルキル）、Ｃ（アルキル）２、ＮＨ、Ｓ、Ｏまたは−ＣＨ＝ＣＨ−の群からの架橋員を表わし、この場合（Ｂ）ｍは、架橋員Ｂの化学的に重要な順序を表わし、但し、ｍ＝１〜１０、有利にｍ＝１、２、３または４であるものとし、
Ｄは、式
【００２２】
【化９】
2004509785.tif 000006
【００２３】
で示されるレドックス系の１価残基または金属オセニル基もしくは金属オセニルカルボニル基を表わし、この場合金属中心としては、チタン、マンガン、鉄、ルテニウムまたはオスミウムがこれに該当し、
Ｚ１およびＺ２は、互いに独立にＮＲ′Ｒ′′、ＯＲ′′またはＳＲ′′を表わし、
Ｙ１は、ＮＲ′、ＯまたはＳを表わし、Ｙ２は、ＮＲ′を表わし、
ｎは、１〜１０を表わし、
Ｒ′およびＲ′′は、互いに独立に水素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘタリールを表わすかまたは直接結合または
【００２４】
【化１０】
2004509785.tif 000007
【００２５】
のＣ原子の１個に対する橋を形成し、
ｗ、ｘ、ｙおよびｚは、互いに独立に０〜４を表わし、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１６であり、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立に水素、アルキル、ヒドロキシアルキル、アリールを表わすか、またはＲ１とＲ２は、Ｒ１とＲ２が結合しているＮ原子と一緒に、場合によっては殊にＯ、ＮおよびＳの群からの他のヘテロ原子が参加して複素環の５、６または７員の環を形成し、この場合ＮＲ１Ｒ２は、殊にピロリジノ、ピペリジノまたはモルホリノを表わし、
Ｒ７〜Ｒ１６は、互いに独立にアルキル、アリール、ヘタリールまたは水素、殊にアルキル、アリールまたはヘタリールを表わし、
Ａｎ−は、陰イオン、殊にハロゲン化物、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルＣＯＯ−、蟻酸塩、蓚酸塩、乳酸塩、グリコール酸塩、クエン酸塩、ＣＨ３ＯＳＯ３−、ＮＨ２ＳＯ３−、ＣＨ３ＳＯ３−、１／２ＳＯ４２−または１／３ＰＯ４３−を表わす〕で示される化合物が使用される。
【００２６】
Ｍが殊に金属原子としてのＣｏ（ＩＩＩ）を有する、式（Ｉｃ）の残基を表わす場合には、Ｘ１およびＸ２の意味における複素環式アミン配位子または置換基としては、それぞれ窒素原子上で金属原子と配位結合されているかまたは置換されているモルホリン、ピペリジン、ピペラジン、ピリジン、２，２−ビピリジン、４，４−ビピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、イソキサゾール、ベンズイソキサゾール、オキサゾール、ベンゾキサゾール、チアゾール、ベンズチアゾール、キノリン、ピロール、インドール、３，３−ジメチルインドールが好ましい。
【００２７】
アルキル基、アルコキシ基、アリール基および複素環式基は、場合によっては他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピロリドノ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ、トリアルキルシロキシまたはフェニルを有することができる。アルキル基およびアルコキシ基は、飽和、不飽和、直鎖状または分枝鎖状であることができ、アルキル基は、部分ハロゲン化されていてもよいし、過ハロゲン化されていてもよく、アルキル基およびアルコキシ基は、エトキシル化されていてもよいし、プロポキシル化されていてもよいし、またはシリル化されていてもよい。アリール基または複素環式基に隣接したアルキル基および／またはアルコキシ基は、一緒になって３員または４員の橋を形成することができる。
【００２８】
好ましいのは、基Ｒ１〜Ｒ１６、Ｒ′、Ｒ′′ならびに配位子または置換基Ｘ１およびＸ２に次のものが当てはまる式（Ｉ）の化合物である：
場合によってはハロゲン、例えば塩素、臭素、弗素、ヒドロキシ、シアノおよび／またはＣ１〜Ｃ６−アルコキシによって置換されている、”アルキル”の名称、有利にＣ１〜Ｃ１６−アルキル、殊にＣ１〜Ｃ６−アルキルを有する置換基；
場合によってはハロゲン、例えば塩素、臭素、弗素、ヒドロキシ、シアノおよび／またはＣ１〜Ｃ６−アルキルによって置換されている、”アルコキシ”の名称、有利にＣ１〜Ｃ１６−アルコキシ、殊にＣ１〜Ｃ６−アルコキシを有する置換基；
場合によってはハロゲン、例えば塩素、臭素、弗素、ヒドロキシ、シアノおよび／またはＣ１〜Ｃ６−アルキルによって置換されている、”シクロアルキル”の名称、有利にＣ４〜Ｃ８−シクロアルキル、殊にＣ５〜Ｃ６−シクロアルキルを有する置換基；
場合によってはハロゲン、例えば塩素、臭素または弗素、ヒドロキシ、シアノおよび／またはＣ１〜Ｃ６−アルキルによって置換されている、”アルケニル”の名称、有利にＣ６〜Ｃ８−アルケニルを有する置換基、殊にアルケニルアリル；
有利に、Ｎ、Ｓおよび／またはＯの群からのヘテロ原子を有しかつ場合によっては芳香環と縮合環化されているかまたは場合によっては他の置換基、例えばハロゲン、ヒドロキシ、シアノおよび／またはアルキルを有する、有利に５〜７員環を有する複素環式基について”ヘタリール”の名称を有する置換基、この場合には、特に次のものが好ましい：ピリジル、フリル、チエニル、オキサゾリル、チアゾリル、イミダゾリル、キノリル、ベンゾキサゾリル、ベンズチアゾリルおよびベンズイミダゾリル；
場合によってはハロゲン、例えばＦ、Ｃｌ、ヒドロキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、ＮＯ２および／またはＣＮによって置換されている、”アリール”の名称、有利にＣ６〜Ｃ１０−アリールを有する置換基、殊にフェニルまたはナフチル。
【００２９】
好ましくは、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、互いに独立に塩素、弗素、臭素、沃素、シアノ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三ブチル、ペンチル、第三アミル、ヒドロキシエチル、３−ジメチルアミノプロピル、３−ジエチルアミノプロピル、フェニル、ｐ−第三ブチルフェニル、ｐ−メトキシフェニル、イソプロピルフェニル、トリフルオルメチルフェニル、ナフチル、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、第三ブチルアミノ、ペンチルアミノ、第三アミルアミノ、ベンジルアミノ、メチルフェニルヘキシルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、アミノプロピルアミノ、アミノエチルアミノ、３−ジメチルアミノプロピルアミノ、３−ジエチルアミノプロピルアミノ、ジエチルアミノエチルアミノ、ジブチルアミノプロピルアミノ、モルホリノプロピルアミノ、ピペリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、ピロリドノプロピルアミノ、３−（メチル−ヒドロキシエチルアミノ）プロピルアミノ、メトキシエチルアミノ、エトキシエチルアミノ、メトキシプロピルアミノ、エトキシプロピルアミノ、メトキシエトキシプロピルアミノ、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミノ、イソプロピルオキシプロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジエタノールアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−第三ブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジ−第三アミルアミノ、ビス（２−エチルヘキシル）アミノ、ビス（アミノプロピル）アミノ、ビス（アミノエチル）アミノ、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミノ、ビス（３−ジエチルアミノプロピル）アミノ、ビス（ジエチルアミノエチル）アミノ、ビス（ジブチルアミンプロピル）アミノ、ジ（モルホリノプロピル）アミノ、ジ（ピペリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリドノプロピル）アミノ、ビス（３−（メチル−ヒドロキシエチルアミノ）プロピル）アミノ、ジメトキシエチルアミノ、ジエトキシエチルアミノ、ジメトキシプロピルアミノ、ジエトキシプロピルアミノ、ジ（メトキシエトキシエチル）アミノ、ジ（メトキシエトキシプロピル）アミノ、ビス（３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピル）アミノ、ジ（イソプロピルオキシイソプロピル）アミノ、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、イソブチルオキシ、第三ブチルオキシ、ペンチルオキシ、第三アミルオキシ、メトキシエトキシ、エトキシエトキシ、メトキシプロピルオキシ、エトキシプロピルオキシ、メトキシエトキシプロピルオキシ、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルオキシ、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、第三ブチルチオ、ペンチルチオ、第三アミルチオ、フェニル、メトキシフェニル、トリフルオルメチルフェニル、ナフチル、ＣＯ２Ｒ７、ＣＯＮＲ１Ｒ２、ＮＨＣＯＲ７、ＳＯ３Ｈ、ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２を表わすかまたは式
【００３０】
【化１１】
2004509785.tif 000008
【００３１】
〔式中、（Ｂ）ｍは、
【００３２】
【化１２】
2004509785.tif 000009
【００３３】
を表わし、この場合星印（＊）は、５員環を有する共通点を示し、
Ｍ１は、ＭｎまたはＦｅ陽イオンを表わす〕で示される基を表わし、
ｗ、ｘ、ｙおよびｚは、互いに独立に０〜４を表わし、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１２であり、
ＮＲ１Ｒ２は、アミノ基、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、第三ブチルアミノ、ペンチルアミノ、第三アミルアミノ、ベンジルアミノ、メチルフェニルヘキシルアミノ、２−エチル−１−ヘキシルアミノ、ヒドロキシエチルアミノ、アミノプロピルアミノ、アミノエチルアミノ、３−ジメチルアミノプロピルアミノ、３−ジエチルアミノプロピルアミノ、モルホリノプロピルアミノ、ピペリジノプロピルアミノ、ピロリジノプロピルアミノ、ピロリドノプロピルアミノ、３−（メチルヒドロキシエチルアミノ）プロピルアミノ、メトキシエチルアミノ、エトキシエチルアミノ、メトキシプロピルアミノ、エトキシプロピルアミノ、メトキシエトキシプロピルアミノ、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルアミノ、イソプロピルオキシイソプロピルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ−第三ブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジ−第三アミルアミノ、ビス（２−エチルヘキシル）アミノ、ジヒドロキシエチルアミノ、ビス（アミノプロピル）アミノ、ビス（アミノエチル）アミノ、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミノ、ビス（３−ジエチルアミノプロピル）アミノ、ジ（モルホリノプロピル）アミノ、ジ（ピペリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリジノプロピル）アミノ、ジ（ピロリドノプロピル）アミノ、ビス（３−（メチル−ヒドロキシエチルアミノ）プロピル）アミノ、ジメトキシエチルアミノ、ジエトキシエチルアミノ、ジメトキシプロピルアミノ、ジエトキシプロピルアミノ、ジ（メトキシエトキシプロピル）アミノ、ビス（３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピル）アミノ、ジ（イソプロピルオキシイソプロピル）アミノ、アニリノ、ｐ−トルイジノ、ｐ−第三ブチルアニリノ、ｐ−アニシジノ、イソプロピリアニリノまたはナフチルアミノを表わすかまたは
ＮＲ１Ｒ２は、ピロリジノ、ピペリジノ、ピペラジノまたはモルホリノを表わし、
Ｒ７〜Ｒ１６は、互いに独立に水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三ブチル、ペンチル、第三アミル、フェニル、ｐ−第三ブチルフェニル、ｐ−メトキシフェニル、イソプロピルフェニル、ｐ−トリフルオルメチルフェニル、シアノフェニル、ナフチル、４−ピリジニル、２−ピリジニル、２−キノリニル、２−ピロリルまたは２−インドリルを表わし、この場合
アルキル基、アルコキシ基、アリール基および複素環式基は、場合によっては他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピロリドノ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシまたはフェニルを有することができ、アルキル基および／またはアルコキシ基は、飽和、不飽和、直鎖状または分枝鎖状であることができ、アルキル基は、部分ハロゲン化されていてもよいし、過ハロゲン化されていてもよく、アルキル基およびアルコキシ基は、エトキシル化されていてもよいし、プロポキシル化されていてもよいし、またはシリル化されていてもよく、アリール基または複素環式基に隣接したアルキル基および／またはアルコキシ基は、一緒になって３員または４員の橋を形成することができる。
【００３４】
レドックス系は、本発明の範囲内で殊にＡｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． １９７８， 第９２７頁およびＴｏｐｉｃｓ ｏｆ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｖｏｌ． ９２， 第１頁 （１９８０）に記載されたレドックス系である。
【００３５】
好ましいのは、ｐ−フェニレンジアミン、フェノチアジン、ジヒドロフェナジン、ビピリジニウム塩（Ｖｉｏｌｏｇｅｎｅ）、キノジメタンである。
【００３６】
１つの好ましい実施態様において、
Ｍが２個の独立のＨ原子を表わすかまたはＣｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、ＰｂおよびＳｎの群からの２価の金属原子を表わすか、または
式（Ｉａ）〔式中、金属Ｍｅは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｉｎ、ＦｅまたはＭｎの群から選択されたものである〕の３価の１回アキシアル置換された金属原子を表わすかまたは
式（Ｉｂ）〔式中、金属Ｍｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＣｏおよびＶの群から選択されたものである〕の４価の２回アキシアル置換された金属原子を表わすような式（Ｉ）のフタロシアニンが使用される。
【００３７】
特に有利に、Ｘ１およびＸ２としては、ハロゲン、殊に塩素、アリールオキシ、殊にフェノキシまたはアルコキシ、殊にメトキシである。
【００３８】
Ｒ３〜Ｒ６は、殊にハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルまたはＣ１〜Ｃ８−アルコキシを表わす。
【００３９】
殊に好ましいのは、Ｍが式（Ｉａ）または（Ｉｂ）の基を表わし、ｗ、ｘ、ｙおよびｚがそれぞれ０を表わし、かつＸ１および／またはＸ２がそれぞれハロゲンを表わすような式Ｉのフタロシアニンである。
【００４０】
本発明により使用されるフタロシアニンは、公知方法により、例えば：
−　相応する置換フタロジニトリルから相応する金属、金属ハロゲン化物または金属酸化物の存在下での核合成、
−　フタロシアニンの化学変化、例えばフタロシアニンのスルホ塩素化または塩素化およびさらに変換、例えば前記塩素化により生成される生成物の縮合または置換によって製造されることができ、
−　アキシアル置換基Ｘ１およびＸ２は、通常、相応するハロゲン化物から交換によって製造される。
【００４１】
光吸収性化合物は、有利に熱変化可能である。特に、熱変化は、６００℃未満の温度で行なわれる。このような変化は、例えば光吸収性化合物の発色団中心の分解または化学変化であってよい。
【００４２】
記載された光吸収性物質は、光学媒体の十分に高い反射性を書込みされていない状態で保証し、ならびに有利に３６０〜４６０ｎｍの範囲内の光波長を有するピント調節された青色光、殊にレーザー光を用いての点状照射の際に情報層の熱的崩壊のために十分に高い吸収を保証する。前記媒体上での書込まれた個所と書込まれていない個所とのコントラストは、熱的崩壊後に変化された、情報層の光学特性による入射光の振幅ならびに位相の反射性の変化によって実現される。
【００４３】
即ち、好ましくは、光学媒体は、３６０〜４６０ｎｍの波長のレーザー光で書込むことができ、かつ読取ることができる。
【００４４】
フタロシアニンを用いての被覆は、有利に回転塗布、スパッタリングまたは真空蒸着によって行なわれる。殊に、真空蒸着またはスパッタリングによって、有機媒体または水性媒体中で不溶性のフタロシアニン、有利にｗ、ｘ、ｙおよびｚが０を表わし、Ｍが
【００４５】
【化１３】
2004509785.tif 000010
【００４６】
を表わし、この場合Ｘ１およびＸ２は上記の意味を有するような式（Ｉ）のフタロシアニンは、被覆することができる。
【００４７】
回転塗布による塗布には、殊に有機媒体または水性媒体中で可溶性のフタロシアニンがこれに該当する。フタロシアニンは、互いに混合されてもよいし、類似のスペクトル特性を有する別の染料と混合されてもよい。情報層は、フタロシアニンと共に、添加剤、例えば結合剤、湿潤剤、安定剤、希釈剤および増感剤ならびに他の成分を含有することができる。
【００４８】
光学媒体は、情報層と共に、他の層、例えば金属層、誘電性層ならびに保護層を有することができる。金属層および誘電性層は、なかんずく反射性および熱平衡の調節に使用される。金属は、レーザー波長に応じて金、銀、アルミニウム、合金等であることができる。誘電性層は、例えば二酸化珪素および窒化珪素である。保護層は、例えば光硬化可能な塗料、接着剤層および保護フィルムである。
【００４９】
また、光学媒体の構造は、次の支持体を含む：
・　その表面上に光で書き込み可能な少なくとも１つの情報層、場合によっては反射層および場合によっては接着剤層および他の有利に透明な支持体が施こされている、有利に透明の支持体。
【００５０】
・　その表面上に場合によっては反射層、光で書き込み可能な少なくとも１つの情報層、場合によっては接着剤層および透明な被覆層が施こされている、有利に透明の支持体。
【００５１】
更に、本発明は、青色光、殊にレーザー光、特に有利に３６０〜４６０ｎｍの波長を有するレーザー光で書込まれる本発明による光学媒体に関する。
【００５２】
次の実施例は、本発明の対象を詳説する。
【００５３】
実施例
例１
【００５４】
【化１４】
2004509785.tif 000011
【００５５】
染料モノクロル−アルミニウム−フタロシアニン（ＡｌＣｌＰｃ）を高真空（圧力ｐ≒２・１０−５ｍｂａｒ）中で抵抗加熱されたモリブデンシャットル（Ｍｏｌｙｂｄａｅｎ−Ｓｃｈｉｆｆｃｈｅｎ）から約５Å／ｓの速度で予め溝を備えたポリカーボネート支持体上に蒸着した。層厚は、約７０ｎｍであった。予め溝を備えたをポリカーボネート支持体を射出成形によりディスクとして製造した。ディスクの直径は、１２０ｍｍであり、その厚さは、０．６ｍｍであった。射出成形法で刻まれた溝構造体は、約１μｍのトラック間隔を有し、この場合溝の深さおよび溝の半値全幅は、約１５０ｎｍまたは約２６０ｎｍであった。染料層を情報担体として有するディスクをＡｇ１００ｎｍで蒸着した。引続き、ＵＶ硬化可能なアクリル塗料を回転塗布によって塗布し、ＵＶ灯により硬化させた。オプティカルベンチ上に構成され、直線偏光のレーザー光を発生させるためのＧａＮダイオードレーザー（λ＝４０５ｎｍ）、偏光に敏感なビームスプリッター、λ／４小板および開口数ＮＡ＝０．６５を有する可動に懸吊された集束レンズ（アクチュエーターレンズ）からなる動的書込み試験構造体を使用した。ディスクから反射した光を上記の偏光に敏感なビームスプリッターを用いて光路から偏向させ、非球面レンズを通して４象限検出器上にピント調節した。線速度Ｖ＝５．２４ｍ／ｓおよび書込み効率Ｐｗ＝１３ｍＷの場合に、信号対雑音比Ｃ／Ｎ＝２５ｄＢを測定した。この場合、書込み効率をパルスシーケンスとして示し、この場合このディスクを交互に上記の書込み効率Ｐｗで１μｓの間照射し、読取り効率Ｐｒ＝０．４４ｍＷで４μｓの間照射した。このディスクをそれ自体１回回転するまで前記パルスシーケンスで照射した。その後に、こうして得られたマークを読取り効率Ｐｒ＝０．４４ｍＷで読取り、上記の信号対雑音比Ｃ／Ｎを測定した。
【００５６】
例２
【００５７】
【化１５】
2004509785.tif 000012
【００５８】
例１と同様に、同じ厚さおよび溝構造を有するディスク上に染料ジクロル−珪素−フタロシアニンの厚さ４５ｎｍの層を蒸着した。同じ光学的構造および同様の書込み方法（書込み効率Ｐｗ＝１３ｍＷ、読取り効率Ｐｒ＝０．４４ｍＷ）でＶ＝４．１９ｍ／ｓの線速度の際に信号対雑音比Ｃ／Ｎ＝４６ｄＢを測定した。
【００５９】
また、例１および２の方法と同様に、フタロシアニンを次の例に使用し、比較可能な性質を示した。
【００６０】
例３
【００６１】
【化１６】
2004509785.tif 000013
【００６２】
例１と同様に、同じ厚さおよび溝構造を有するディスク上にそれぞれ染料フェノキシ−アルミニウム−フタロシアニンの厚さ７０ｎｍの層を蒸着した。同じ光学的構造および同様の書込み方法（書込み効率Ｐｗ＝１３ｍＷ、読取り効率Ｐｒ＝０．４４ｍＷ）でＶ＝５．２４ｍ／ｓの線速度の際に信号対雑音比Ｃ／Ｎ＝２２ｄＢを測定した。
【００６３】
例４
【００６４】
【化１７】
2004509785.tif 000014
【００６５】
例１と同様に、同じ厚さおよび溝構造を有するディスク上にそれぞれ染料ジフェノキシ−珪素−フタロシアニンの厚さ７０ｎｍの層を蒸着した。同じ光学的構造および同様の書込み方法（書込み効率Ｐｗ＝１３ｍＷ、読取り効率Ｐｒ＝０．４４ｍＷ）でＶ＝５．２４ｍ／ｓの線速度の際に信号対雑音比Ｃ／Ｎ＝２３ｄＢを測定した。
【００６６】
例５
【００６７】
【化１８】
2004509785.tif 000015
【図面の簡単な説明】
【図１】
ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒおよび高記録密度ディスクの層構造を示す略図。
【図１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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