(57)【要約】本発明はポリマー樹脂、光酸発生剤、溶媒、および式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）：【化１】2004505302.tif 000032（式中、Ｒ１は−Ｈ、−ＮＨ２−、−ＯＨ、−Ｎ（ＣＨ３）２、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ３、または【化２】2004505302.tif 000033である）；【化３】2004505302.tif 000034（式中、Ｒ２は−ＣＨ３またはベンゾイルである）；【化４】2004505302.tif 000035（式中、Ｒ３は−ＨまたはＣ１〜Ｃ４のアルキルであり、Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ−ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＮＨ−、または−Ｎ（ＣＨ３）−からそれぞれ独立に選定されるが、ただしＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−Ｃ（Ｏ）−であり、またＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−ＮＨ−または−Ｎ（ＣＨ３）−である）；【化５】2004505302.tif 000036（式中、Ａは−ＣＨ＝または−Ｃ（Ｏ）−であり、Ｒ４は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２であり、Ｒ５は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２（ＯＨ）であり、Ｒ６は−Ｈであり、ＢおよびＤは同一でありまた【化６】2004505302.tif 000037から選択され、Ａが−ＣＨ＝であるとき、１つのｐおよびｑが０でありそして他のｐおよびｑは１であり、またＡが−Ｃ（Ｏ）−であるとき、ｐおよびｑはともに１であるる）の化合物およびこれらの混合物からなる群から選択される複素環添加剤を含有する放射線感受性組成物である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線感受性の化学的に増強されたフォトレジスト組成物であって、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）：
【化１】
2004505302.tif 000018
（式中、Ｒ１は−Ｈ、−ＮＨ２−、−ＯＨ、−Ｎ（ＣＨ３）２、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ３、または
【化２】
2004505302.tif 000019
である）；
【化３】
2004505302.tif 000020
（式中、Ｒ２は−ＣＨ３またはベンゾイルである）；
【化４】
2004505302.tif 000021
（式中、Ｒ３は−ＨまたはＣ１〜Ｃ４のアルキルであり、
Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ−ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＮＨ−、または−Ｎ（ＣＨ３）−からそれぞれ独立に選択されるが、ただしＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−Ｃ（Ｏ）−であり、またＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−ＮＨ−または−Ｎ（ＣＨ３）−である）；
【化５】
2004505302.tif 000022
（式中、Ａは−ＣＨ＝または−Ｃ（Ｏ）−であり、
Ｒ４は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２であり、
Ｒ５は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２（ＯＨ）であり、
Ｒ６は−Ｈであり、
ＢおよびＤは同一でありまた
【化６】
2004505302.tif 000023
から選択され、
Ａが−ＣＨ＝であるとき、１つのｐおよびｑが０であり、そして他のｐおよびｑは１である）
の化合物およびこれらの混合物からなる群から選択される複素環添加剤を上記組成物中に含ませることからなる改良されたフォトレジスト組成物。
【請求項２】
ポリマー樹脂、
光酸発生剤、
溶媒、および
式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）：
【化７】
2004505302.tif 000024
（式中、Ｒ１は−Ｈ、−ＮＨ２−、−ＯＨ、−Ｎ（ＣＨ３）２、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ３、または
【化８】
2004505302.tif 000025
である）；
【化９】
2004505302.tif 000026
（式中、Ｒ２は−ＣＨ３またはベンゾイルである）；
【化１０】
2004505302.tif 000027
（式中、Ｒ３は−ＨまたはＣ１〜Ｃ４のアルキルであり、
Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ−ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＮＨ−、または−Ｎ（ＣＨ３）−からそれぞれ独立に選択されるが、ただしＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−Ｃ（Ｏ）−であり、またＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−ＮＨ−または−Ｎ（ＣＨ３）−である）；
【化１１】
2004505302.tif 000028
（式中、Ａは−ＣＨ＝または−Ｃ（Ｏ）−であり、
Ｒ４は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２であり、
Ｒ５は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２（ＯＨ）であり、
Ｒ６は−Ｈであり、
ＢおよびＤは同一でありまた
【化１２】
2004505302.tif 000029
から選択され、そして
ｐおよびｑは独立に０または１であり、また
Ａが−Ｃ（Ｏ）−であるとき、ｐおよびｑはともに１である）
の化合物およびこれらの混合物からなる群から選択される複素環添加剤
を含む放射線感受性組成物。
【請求項３】
添加剤が、
【化１３】
2004505302.tif 000030
からなる群から選択される請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
添加剤が
【化１４】
2004505302.tif 000031
からなる群から選択される請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
添加剤が光酸発生剤１００重量部あたり約０．０１〜２０重量部である請求項２に記載の組成物。
【請求項６】
ポリマーがシクロヘキシルエチル−アセタールでブロックされたポリヒドロキシスチレンを含む請求項２に記載の組成物。
【請求項７】
光酸発生剤が、オニウム塩、スルホン化合物、スルホネート化合物、スルホニルオキシイミド化合物、ジアゾメタン化合物、ジスルホン、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
光酸発生剤がトリアリールスルホニウムスルホネートである請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
光酸発生剤が、ポリマー１００重量部あたり約０．５〜１０重量部である請求項２に記載の組成物。
【請求項１０】
溶媒が、２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、γ−ブチロラクトン、ジグリム、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、１，２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルラクテート、エチルラクテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項２に記載の組成物。
【請求項１１】
溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
溶媒が、放射線感受性組成物中のポリマー１００重量部あたり約１００〜１０００重量部である請求項２に記載の組成物。
【請求項１３】
塩基性化合物をさらに含む請求項２に記載の組成物。
【請求項１４】
塩基性化合物が、１，５−ジアゾビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エン、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、トリメチルプロパントリス（２−メチル−アジリジンプロピオネート）、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）−２−チオ尿素、２，８−ジメチル−６Ｈ，１２Ｈ−５，１１−メタノジベンゾ［ｂ，ｆ］［１，５］ジアゾシン、１−アミノ−４−ピペラジン、４−（３−アミノプロピル）モルホリン、２−（アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、トリベンジルアミン、１，１，４，７，１０，１０−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、チオモルホリン、１，３−ビス（３−ピリジルメチル）−２−チオ尿素、４，４′′−テトラメチレンジピペリジン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、２，４−ルチジン、キノリン、イソキノリン、ホルムアミド、Ｎ−メチル−ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセタミド、Ｎ−メチル−アセタミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドンイミダゾール、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、１，２−フェニレンジアミン、１，３−フェニレン−ジアミン、１，４−フェニレンジアミン、２−アミノ−４−ニトロフェノール、および２−（ｐ−クロロ−フェニル）−４，６−トリクロロメチル−ｓ−トリアジン、１，３，５−トリベンジルヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジンのようなトリアジン、ならびにこれらの混合物からなる群から選択される請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
組成物が添加剤に対する塩基性化合物の比約９５：５〜３０：７０を有する請求項１３に記載の組成物。
【請求項１６】
塩基性化合物がおよび添加剤が光酸発生剤１００重量部あたり約１〜２０重量部である請求項１３に記載の組成物。
【請求項１７】
塩基性化合物が１，５−ジアゾビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エンであり、また添加剤がアンチピリンであり、組成物が添加剤に対する塩基性化合物の比約７０：３０を有する請求項１３に記載の組成物。
【請求項１８】
溶解防止剤をさらに含む請求項２に記載の組成物。
【請求項１９】
界面活性剤、接着促進剤、平坦化剤、染料、およびこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの成分をさらに含む請求項２に記載の組成物。
【請求項２０】
ａ）請求項２の放射線感受性組成物を基板上にコートし、コートされた基板をつくり、
ｂ）コートされたこの基板を焙り焼きし、
ｃ）コートされたこの基板を化学放射線に像様に露光し、
ｄ）コートされたこの基板を高温度で露光後に焙り焼きし
ｅ）コートされたこの基板を水性の現像剤で現像し、コートされ画像形成された基板をつくり、
ｆ）コートされ画像形成された基板をリンスし、そして
ｇ）リンスしたこの基板を乾燥する
段階からなる、レリーフパターンを形成する方法。
【請求項２１】
放射線感受性組成物が塩基性化合物をさらに含有する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
塩基性化合物が、１，５−ジアゾビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エン、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、トリメチルプロパントリス（２−メチル−アジリジンプロピオネート）、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）−２−チオ尿素、２，８−ジメチル−６Ｈ，１２Ｈ−５，１１−メタノジベンゾ［ｂ，ｆ］［１，５］ジアゾシン、１−アミノ−４−ピペラジン、４−（３−アミノプロピル）モルホリン、２−（アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、トリベンジルアミン、１，１，４，７，１０，１０−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、チオモルホリン、１，３−ビス（３−ピリジルメチル）−２−チオ尿素、４，４′′−テトラメチレンジピペリジン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、２，４−ルチジン、キノリン、イソキノリン、ホルムアミド、Ｎ−メチル−ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセタミド、Ｎ−メチル−アセタミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドンイミダゾール、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、１，２−フェニレンジアミン、１，３−フェニレン−ジアミン、１，４−フェニレンジアミン、２−アミノ−４−ニトロフェノール、および２−（ｐ−クロロ−フェニル）−４，６−トリクロロメチル−ｓ−トリアジン、１，３，５−トリベンジルヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジンのようなトリアジン、ならびにこれらの混合物からなる群から選択される請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
【発明の分野】
本発明は放射線感受性組成物に関する。一層特定的に本発明は画質およびプロフィル強化剤を含有する化学的に増強されたレジスト組成物に関する。
【０００２】
【関連技術の説明】
集積回路（ＩＣ）デバイスおよびコンピュータチップの複雑性は、半導体産業に対する需要が大きくなるにつれ劇的に増大している。集積回路およびコンピュータチップは現在、より小さい臨界的寸法で製造されており、ウェーファ上に形成される写真製版画像パターンは解像度が０．３ミクロン（μｍ）より小さいことが要求される。この目的を達するために、写真製版画像形成のために使用するフォトレジストは、１０年前の最新技術に比べてより良い解像度、改善された感受性、そして一層の垂直プロフィルを有することが求められる。
【０００３】
解像度がより大きいパターンを得るため、化学的に増強されたフォトレジストが一般に使用される。この化学的に増強されたフォトレジストでは、部分的に変性されまたは保護されたポリ（ヒドロキシスチレン）樹脂または部分的に変性されたヒドロキシスチレンとアクリレートまたはメタクリレートのような他のモノマーとのコポリマーのような選ばれたポリマー樹脂、光酸発生化合物（ＰＡＧ）、および選定した溶媒の組み合わせが利用される。
【０００４】
しかしながら、半導体の製造者はフォトレジスト組成物の解像度およびプロフィル画像の鋭さを改善する方法を常に模索している。従って、本発明はレジストパターンの解像度をさらに改善する方法を提供しまた垂直側壁プロフィルと平坦頂面とを有するレジストパターンを提供する。
【０００５】
【発明に関する簡潔な要約】
本発明はポリマー樹脂、光酸発生剤（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）、溶媒、および、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）：
【０００６】
【化１５】
2004505302.tif 000002
（式中、Ｒ１は−Ｈ、−ＮＨ２−、−ＯＨ、−Ｎ（ＣＨ３）２、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ３、または
【化１６】
2004505302.tif 000003
である）；
【０００７】
【化１７】
2004505302.tif 000004
（式中、Ｒ２は−ＣＨ３またはベンゾイルである）；
【０００８】
【化１８】
2004505302.tif 000005
（式中、Ｒ３は−ＨまたはＣ１〜Ｃ４のアルキルであり、
Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ−ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＮＨ−、または−Ｎ（ＣＨ３）−からそれぞれ独立に選定されるが、ただしＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−Ｃ（Ｏ）−であり、またＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−ＮＨ−または−Ｎ（ＣＨ３）−である）；
【０００９】
【化１９】
2004505302.tif 000006
（式中、Ａは−ＣＨ＝または−Ｃ（Ｏ）−であり、
Ｒ４は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２であり、
Ｒ５は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２（ＯＨ）であり、
Ｒ６は−Ｈであり、
ＢおよびＤは同一でありまた
【化２０】
2004505302.tif 000007
から選択され、
Ａが−ＣＨ＝であるとき、１つのｐおよびｑが０でありそして他のｐおよびｑは１であり、Ａが−Ｃ（Ｏ）−であるとき、ｐおよびｑはともに１である）
の化合物およびこれらの混合物からなる群から選択される、複素環炭素と窒素とを含有する添加剤を含む放射線感受性組成物を提供する。
場合によっては、放射線感受性組成物は上記した添加剤に加えて１つまたはそれ以上の塩基性化合物を含んでよい。
【００１０】
【発明に関する詳述】
本発明者らは放射線感受性組成物つまり化学的に増強されたフォトレジスト組成物中に特定の複素環添加剤を含めると、一層くっきりした垂直側壁プロフィル、直角隅角、および平坦頂部を有する著しく改善されたレジストパターンを提供することを見出した。
本放射感受性組成物は、ポリマー樹脂、光酸発生剤、溶媒および複素環添加物を含有する。
【００１１】
本発明で使用するのに好適な添加剤は例えば、式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）：
【化２１】
2004505302.tif 000008
（式中、Ｒ１は−Ｈ、−ＮＨ２−、−ＯＨ、−Ｎ（ＣＨ３）２、−ＮＨ−ＣＯ−ＣＨ３、または
【００１２】
【化２２】
2004505302.tif 000009
である）；
【００１３】
【化２３】
2004505302.tif 000010
（式中、Ｒ２は−ＣＨ３またはベンゾイルである）；
【００１４】
【化２４】
2004505302.tif 000011
（式中、Ｒ３は−ＨまたはＣ１〜Ｃ４のアルキルであり、
Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ−ＣＨ２−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＮＨ−、または−Ｎ（ＣＨ３）−からそれぞれ独立に選定されるが、ただしＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−Ｃ（Ｏ）−であり、またＷ、Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つは−ＮＨ−または−Ｎ（ＣＨ３）−である）
に示される式を有する化合物である。
【００１５】
本発明の添加剤は例えば式（ＩＶ）
【化２５】
2004505302.tif 000012
（式中、Ａは−ＣＨ＝または−Ｃ（Ｏ）−であり、
Ｒ４は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２であり、
Ｒ５は−Ｈ、−ＣＨ３、または−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２（ＯＨ）であり、
Ｒ６は−Ｈであり、
ＢおよびＤは同一でありまた
【化２６】
2004505302.tif 000013
から選択され、
Ａが−ＣＨ＝であるとき、１つのｐおよびｑが０でありそして他のｐおよびｑは０であり、Ａが−Ｃ（Ｏ）−であるとき、ｐおよびｑはともに１である）
に相当する化合物もまた含む。
【００１６】
好適には式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の添加剤化合物は、
【化２７】
2004505302.tif 000014
からなる群から選択される。
【００１７】
好適には式（ＩＶ）の添加剤化合物は、
【化２８】
2004505302.tif 000015
からなる群から選択されるのが好ましい。
【００１８】
塩基性化合物が存在しない場合、添加剤は放射線感受性組成物中で使用される光酸発生剤１００重量部あたり約０．０１〜２０重量部含められる。塩基性化合物が含められない場合、添加剤は放射線感受性組成物中の光酸発生剤１００重量部あたり好ましくは約５〜１０重量部、一層好ましくは約６〜８重量部含められる。
【００１９】
本組成物の他の必須の成分はポリマーである。このポリマーは、アルカリ性現像溶液中の溶解度を増加するように酸の存在下でポリマーから放出されることができる酸不安定基を１つまたはそれ以上有するポリマーまたはコポリマーであってよく、本発明の放射線感受性組成物中で使用されることができる。
【００２０】
好適であるポリマーは例えば、ポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレン、ポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレン−コ−アセトキシスチレンターポリマー、およびポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレン−コ−ｔ−ブチルスチレンターポリマーである。好ましいポリマーはポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレンである。
【００２１】
使用することができる追加のポリマーには、例えば、ポリヒドロキシスチレンおよびこれの誘導体がある。好ましいのは、ポリヒドロキシスチレンのコポリマー、そしてポリヒドロキシスチレンのいくつかのＯＨ基の水素原子が、好適な任意の酸不安定基によって置換されているポリヒドロキシスチレン誘導体のコポリマーである。酸不安定基は例えば第３級ブチル、第３級ブトキシカルボニル、第３級ブトキシカルボニルオキシメチル、およびテトラヒドロピラニル、メトキシメチル、トリメチルシリル、アセタール基、および第３級ブチルジメチルシリル基であってよい。ヒドロキシスチレンコポリマーは例えばヒドロキシスチレンとスチレンとのコポリマー、ヒドロキシスチレンと第３級ブチルアクリレートとのコポリマー、ヒドロキシスチレンと第３級ブチルメタクリレートとのコポリマー、ヒドロキシスチレンと第３級ブチルビニルベンゾエートとのコポリマー、ヒドロキシスチレンと無水マレイン酸とのコポリマー、およびヒドロキシスチレンとジ−第３級ブチルマレエートとのコポリマーであってよい。ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体は好ましくは約５，０００〜約１００，０００の重量平均分子量を有すべきである。
【００２２】
そのうえ、ポリマーはモノマー中に脂環部分を含むコポリマーであってよい。脂環式モノマーは置換されていても、置換されていなくてもよい。このようなポリマーは、参照によって本記載に加入されている米国特許第５，８４３，６２４号およびＥＰ−０９３０５４１Ａ１中に記載されている。例えば、ノルボルネン、１，５シクロオクタジエン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、５，６−ジヒドロジシクロペンタジエンなどのようなポリマーを使用することができる。
【００２３】
本発明の放射線感受性組成物は光酸発生剤（ＰＡＧ）を含む。ＰＡＧの機能は放射線の下におかれるとき酸を生成（光分解）し、従って、ポリマーから酸不安定基を放出することによりポリマー樹脂のアルカリ溶解度を増大することである。
【００２４】
フォトレジスト組成物中には、好適な任意の光酸発生剤化合物が使用されてよい。光酸発生剤化合物は例えば、ジアゾニウム、スルホニウム、スルホキソニウムおよびヨードニウム塩のようなオニウム塩、スルホン化合物、スルホネート化合物、スルホニルオキシイミド化合物、ジアゾメタン化合物、およびジスルホン化合物であってよい。さらに、好適な光酸発生剤化合物は、参照によって本記載に加入されているＵＳ−Ａ−５５５８９７８およびＵＳ−Ａ−５４６８５８９に記載されている。
【００２５】
トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネートおよびトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートのようなスルホニウム塩は好適な光酸発生剤の別な例である。本組成物中に含ませることができるスルホニウムおよびヨードニウム光酸発生剤に関する包括的な列挙および説明は参照によって本記載に加入されている米国特許第６，０１０，８２０号中にある。
【００２６】
好適な光酸発生剤の追加の例は、フェナシルｐ−メチルベンゼンスルホネート、ベンゾインｐ−トルエンスルホネート、α−（ｐ−トルエンスルホニロキシ）メチルベンゾイン３−（ｐ−トルエンスルホニロキシ）−２−ヒドロキシ−２−フェニル−１−フェニルプロピルエーテル、Ｎ−（ｐ−ドデシルベンゼンスルホニロキシ）−１，８−ナフタリミドおよびＮ−（フェニル−スルホニロキシ）−１，８−ナフタリミドである。
【００２７】
好適な他の光酸発生剤は、１−ニトロベンズアルデヒドおよび２，６−ニトロベンズアルデヒドのようなｏ−ニトロベンズアルデヒド（これは化学放射線の照射により転位してｏ−ニトロソ安息香酸を生成する）、α，α，α−トリクロロアセトフェノンおよびｐ−第３級ブチル−α，α，α−トリクロロアセトフェノンのようなα−ハロアシルフェノン、ならびに２−ヒドロキシベンゾフェノンメタンスルホネートおよび２，４−ヒドロキシベンゾフェノンビス（メタンスルホネート）のようなｏ−ヒドロキシアシルフェノンのスルホンエステルである。
【００２８】
光酸発生剤のさらに別な例はトリフェニルスルホニウムブロマイド、トリフェニルフェニルクロライド、トリフェニルスルホニウムヨーダイド、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアーセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルエチルスルホニウムクロライド、フェナシルジメチルスルホニウムクロライド、フェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライド、４−ニトロフェナシルテトラヒドロチオフェニウムクロライドおよび４−ヒドロキシ−２−メチルフェニルヘキサヒドロチオピリリウムクロライドである。
【００２９】
本発明で使用するために好適な光酸発生剤の別な例は、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メタンスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロ−ヘキシルスルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｐ−トルエンスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオプロピオフェノン）、２，４−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペント−３−オン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、２−（シクロヘキシルカルボキニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチレンスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−ベンゼンスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（ｐ−トルエンスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、シクロヘキシル２−ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、第３級ブチル２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、イソプロピル−２−ジアゾ−２−メタンスルホニルアセテート、シクロヘキシル２−ジアゾ−２−ベンゼンスルホニルアセテート、第３級ブチル２ジアゾ−２−（ｐ−トルエンスルホニル）アセテート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐトルエンスルホネート、２，４−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートである。
【００３０】
光酸発生剤の好適な他の例はヘキサフルオロテトラブロモビスフェノールＡ、１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）エタンおよびＮ−（２，４，６−トリブロモフェニル）−Ｎ′−（ｐ−トルエンスルホニル）尿素である。
【００３１】
本発明では、光酸発生剤はポリマー１００重量部あたり約０．５〜１０重量部使用される。光酸発生剤はフォトレジスト組成物中のポリマー１００重量部あたり好ましくは約２〜５重量部そして一層好ましくは約３〜４重量部が含められる。
【００３２】
本発明の放射線感受性組成物は溶媒もまた含む。溶媒は好ましくは不活性であり、組成物中にすべての成分を溶解し、他の成分との化学反応をなんらおこなわず、またコーティングの後の乾燥に際して除去されるべきである。好適な溶媒には、２−メトキシ−１−プロピレンアセテート、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、ジグリム、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−エトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、１，２−ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、メチルラクテート、エチルラクテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのような有機溶媒があるが、これらに限定されない。好ましい溶媒はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
【００３３】
溶媒は典型的に、フォトレジスト組成物中のポリマー１００重量部あたり約１００〜１０００重量部である。フォトレジスト組成物中のポリマー１００重量部あたり約２００〜約８００重量部が溶媒であるのが好ましく、約４００〜７００重量部が溶媒であるのが一層好ましい。
【００３４】
本発明の組成物は場合によっては塩基性化合物も含有してよい。塩基性化合物は放射線感受性組成物が化学放射線によって照射される前にこの組成物中に存在する陽子を捕集する機能を有する。塩基は好ましくない酸による酸不安定基に対する侵攻およびこれの分裂を防止し、これによってレジストの性能および安定性を増大する。塩基性化合物の好適な例は、例えば１，５−ジアゾビシクロ［４．３．０］ノネ−５−エン（ＤＢＮ）、１，８−ジアゾビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エン（ＤＢＵ）、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、トリメチルプロパントリス（２−メチル−アジリジンプロピオネート）、１−シクロヘキシル−３−（２−モルホリノエチル）−２−チオ尿素、２，８−ジメチル−６Ｈ，１２Ｈ−５，１１−メタノジベンゾ［ｂ，ｆ］［１，５］ジアゾシン（Ｔｒｏｇｅｒの塩基）、１−アミノ−４−ピペラジン、４−（３−アミノプロピル）モルホリン、２−（アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、トリベンジルアミン、１，１，４，７，１０，１０−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、チオモルホリン、１，３−ビス（３−ピリジルメチル）−２−チオ尿素、４，４′′−テトラメチレンジピペリジン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、２，４−ルチジン、キノリン、イソキノリン、ホルムアミド、Ｎ−メチル−ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセタミド、Ｎ−メチル−アセタミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドンイミダゾール、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、１，２−フェニレンジアミン、１，３−フェニレン−ジアミン、１，４−フェニレンジアミン、２−アミノ−４−ニトロフェノール、および２−（ｐ−クロロ−フェニル）−４，６−トリクロロメチル−ｓ−トリアジン、１，３，５−トリベンジルヘキサヒドロ−１，３，５−トリアジンのようなトリアジン、ならびにこれらの混合物である。
【００３５】
塩基性化合物および添加剤はフォトレジスト組成物中で使用される光酸発生剤１００重量部あたり約１〜２０重量部の量で一緒に存在する。塩基性化合物および添加剤はフォトレジスト組成物中の光酸発生剤１００重量部あたり好ましくは約５〜１０重量部の量で、一層好ましくは約６．５〜７．５重量部の量で存在するのが一層好ましい。
【００３６】
添加剤に対する塩基性化合物の比は約９５：５〜３０：７０を有する。添加剤に対する塩基性化合物の比は約９０：１０〜５０：５０であるのが好ましくまたこの比は約６５：３５〜７５：２５であるのが最も好ましい。
【００３７】
放射線感受性組成物は溶解防止剤も含有してよい。溶解防止剤は露光放射線の波長および使用する特定の溶解防止剤の吸収特性に基づき選定される。２４８ｎｍの波長の放射線露光のためにはナフトキノンジアジド溶解防止剤が好適である。一層詳細な説明は、参照によって本記載に加入されているＲｅｉｓｅｒ， Ａ．， Ｐｈｏｔｏｒｅａｃｔｉｖｅ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ： Ｔｈｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｓ， ５および６章（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， ｐｕｂ． １９８９）およびＤａｍｍｅｌ， Ｒ．， Ｄｉａｚｏｎａｐｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ−ｂａｓｅｄ Ｒｅｓｉｓｔｓ， （ＳＰＩＥ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｅｓｓ １９９３）中に示されている。例えば、ナフトキノンジアジドのようなジアジドおよびヘキサヒドロキシスピロビフルオレンのナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸とのペンタエステルが好適な溶解防止剤である。
【００３８】
放射線感受性組成物は、溶解防止剤の分子量が約２０００より小さい場合、約１０〜３５重量％の溶解防止剤を含むのが好ましい。
１９３ｎｍで、ナフトキノンジアジド溶解防止剤は吸収性が更に一層大きく、また吸収が強すぎるであろう。エチレン不飽和がなくまた脂環式部分から主としてなる溶解防止剤はそのままで、放射線露光波長１９３ｎｍでより一層好適である。１９３ｎｍでの好適な溶解防止剤には、例えばコール酸、デオキシコール酸、ウルソコール酸およびリトコール酸から誘導される胆汁酸がある。Ｃｒｉｖｅｌｌｏらの米国特許第５，３１０，６１９号およびＡｌｌｅｎらの米国特許第５，３７２，９１２号には、デバイスを製造するためのリトグラフィー法でのこれらの溶解防止剤の使用が記載されている。これらの特許はともに参照によって本記載に加入されている。
【００３９】
本発明は、界面活性剤、接着促進剤、平坦化剤、染料、これらの混合物などからなる群から選択される１つまたはそれ以上の他の成分をさらに含んでよい。
好適な界面活性剤には、例えばパーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノールおよびそのエーテルおよびエステル誘導体、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイドなどがある。
【００４０】
加えて、本発明はその組成物を用いてレリーフパターンを作成する方法を包含する。この方法は、（ａ）（ｉ）ポリマー樹脂、（ｉｉ）光酸発生剤、（ｉｉｉ）溶媒、および（ｉｖ）式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（ＩＶ）の化合物およびそれらの混合物、そして場合によっては（ｖ）１つまたはそれ以上の塩基性化合物からなる放射線感受性組成物を好適な基板上にコートして、コートされた基板をつくり；（ｂ）放射線感受性組成物を焙り焼きし；（ｃ）コートされた基板を化学放射線によって像様に露光し；（ｄ）コートされた基板を高温で露光後の焙り焼きを行ない；（ｅ）コートされた基板を水性の現像剤によって現像してコートされ画像形成された基板を形成し；（ｆ）コートされ画像形成された基板をリンスし、そして（ｇ）リンスした基板を乾燥する段階からなる。
【００４１】
本発明の放射線感受性組成物はシリコンウェーファ、セラミック基板などのような好適な任意の基板上にコートされる。コーティング方法には、噴霧コーティング、スピンコーティング、オフセット印刷、ローラーコーティング、スクリーン印刷、押し出しコーティング、メニスカスコーティング、カーテンコーティングおよび浸漬コーティングがあるがこれらに限定されない。得られるフィルムは場合によっては、コーティング方法に依存しつつ、約６０〜１７０℃の高められた温度で数分から３０分にわたって予備的に焙り焼きされて残留する溶媒が蒸発されてよい。得られる乾燥フィルムは引き続いて好ましいパターンの化学放射線にマスクを通じて像様に露光される。化学放射線としては、Ｘ線、ＫｒＦ−エキシマーレーザー、ＡｒＦ−エキシマーレーザー、電子ビーム、紫外線、可視光線などが使用されることができる。最も好ましい放射線は約２４８ｎｍまたはそれ以下の波長を有する放射線である。
【００４２】
化学放射線への露光に続いて、コートされた基板を約６０〜２００℃の温度まで加熱するのが有利である。コートされた基板は典型的には数秒から数分の短い時間にわたってこの温度範囲に加熱される。このプロセス段階は技術上、露光後焙り焼きと普通称される。
【００４３】
フィルムは水性の現像剤によって現像され、そしてレリーフパターンが得られる。水性現像剤には、無機アルカリ（例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア水）、第１級アミン（例えばエチルアミン、ｎ−プロピルアミン）、第２級アミン（例えばジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン）、第３級アミン（例えばトリエチルアミン）、アルコールアミン（例えばトリエタノールアミン）、第４級アンモニウム塩（例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド）、およびこれらの混合物のような１つまたはそれ以上のアルカリの溶液を含んでいる。最も好ましい現像剤はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含有するものである。現像剤には適当な量の界面活性剤が添加されてよい。現像は浸漬、噴霧、パッドリング、または他の同様な現像方法によって実施されることができる。
次いで、脱イオン水によってレリーフパターンをリンスする。
本発明を説明するために、以下の実施例を示す。ここに記載する実施例に本発明が限定されないと理解すべきである。
【００４４】
合成例１
ポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレン−コ−アセトキシスチレン−ターポリマーの調製
丸底、三つ口の１０００ｍｌフラスコに、測温端、頂部の機械撹拌機および窒素流入口を装備した。このフラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）５４６Ｇを装入した。粉末化されたＰＨＳ（Ｎｉｓｓｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ＭＷ−１５，０００）９０Ｇを撹拌下の溶媒に添加した。次にシクロヘキシルエタノール１９．２Ｇを添加した。混合物を３０分間撹拌して均一な溶液をつくった。溶液を６０℃に加熱し、そして真空を適用して溶媒２７６ｇを溜出した。窒素雰囲気下で溶液を室温まで放冷した。均一な溶液に第３級ブチルビニルエーテル１５．０３Ｇを添加し、引き続いて固体のピリジニウムパラ−トルエンスルホネート５００ｍｇを添加した。短時間の発熱が認められ、次いで２５〜３２℃の温度上昇があった。次に、溶液を２３℃で２．５時間撹拌した。ＰＧＭＥＡ９９ｇ中にトリエチルアミン１ｇを溶解することによりつくったトリエチルアミン溶液２４Ｇを反応混合物に添加して酸を急冷した。反応混合物をさらに３０分間撹拌した。ピリジン２．９９Ｇを添加した。混合物を５分間撹拌し、次いで３．０６ｇの無水酢酸を添加した。次いで混合物を２３℃で２時間撹拌した。ポリマー溶液を２０００ｍｌの分離漏斗に移しそしてアセトン３４５ｇ、ヘキサン１３８ｇおよび脱イオン水１３８ｇによって処理した。混合物を５分間手短に撹拌し、そして２つの層に分離させた。下にある水性層を廃棄した。上部の有機層をさらに２回の洗浄にかけた。第２の洗浄にはアセトン６９ｇ、ＰＧＭＥＡ２１ｇおよび脱イオン水６９ｇを使用した。第３の洗浄にはアセトン５２ｇ、ＰＧＭＥＡ２１ｇおよび脱イオン水６９ｇを使用した。上部の有機層を丸底、三つ口の１０００ｍｌのフラスコに移し入れた。フラスコには測温端、頂部撹拌機および真空蒸留アセンブリーを装備した。フラスコを加熱マントル上に置いた。７０℃での常圧蒸留によってポリマー溶液から有機揮発物を除去した。真空を適用することにより低揮発性の溶媒の最後の痕跡量を除去した。残留するポリマー溶液を固形分含有率３０重量％まで希釈した。
【００４５】
溶液の少部分を等容積のＴＨＦで希釈した。均一な溶液を１０倍過剰のヘキサンに滴状に添加した。濾過によって白色固形物を回収しそして真空炉内で４５℃で１２時間乾燥した。シクロヘキシルエチルアセタールおよびアセトキシの取り込みを定量するために、この固形物試料を１Ｈ−および１３Ｃ−ＮＭＲ分析に付した。結果：シクロヘキシルアセタール１３．２％およびアセトキシスチレン８．６％。
【００４６】
合成例２
ポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレンポリマーの調製
丸底、三つ口の１０００ｍｌフラスコに、測温端、頂部機械撹拌機および窒素流入口を装備した。このフラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）５４６Ｇを装入した。粉末化されたＰＨＳ（Ｎｉｓｓｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ＭＷ−８０００）９０Ｇを撹拌下の溶媒に添加した。次にシクロヘキシルエタノール２０．７７Ｇを添加した。混合物を３０分間撹拌して均一な溶液をつくった。混合物を６０℃に加熱し、そして真空を適用して溶媒２７６ｇを溜出した。窒素雰囲気下で溶液を室温まで放冷した。固体のピリジニウムパラ−トルエンスルホネート５００ＭＧを添加した。短時間の発熱が認められ、次いで２５〜３２℃の温度上昇があった。溶液を２３℃で２．５時間撹拌した。ＰＧＭＥＡ９９ｇ中にトリエチルアミン１ｇを溶解することによりつくったトリエチルアミン溶液２４ｇを反応混合物に添加して酸を急冷した。反応混合物をさらに３０分間撹拌した。反応混合物をさらに３０分間撹拌した。ポリマー溶液を２０００ｍｌの分離漏斗に移しそしてアセトン３４５ｇ、ヘキサン１３８ｇおよび脱イオン水１３８ｇによって処理した。混合物を５分間手短に撹拌し、そして２つの層に分離させた。下にある水性層を廃棄した。上部の有機層をさらに２回の洗浄にかけた。第２の洗浄にはアセトン６９ｇ、ＰＧＭＥＡ２１ｇおよび脱イオン水６９ｇを使用した。第３の洗浄にはアセトン５２ｇ、ＰＧＭＥＡ２１ｇおよび脱イオン水６９ｇを使用した。上部の有機層を丸底、三つ口の１０００ｍｌのフラスコに移し入れた。フラスコには測温端、頂部撹拌機および真空蒸留アセンブリーを装備した。フラスコを加熱マントル上に置いた。７０℃での常圧蒸留によってポリマー溶液から有機揮発物を除去した。真空を適用することにより低揮発性の溶媒の最後の痕跡量を除去した。残留するポリマー溶液を固形分含有率３０重量％まで希釈した。
【００４７】
溶液の少部分を等容積のＴＨＦで希釈した。均一な溶液を１０倍過剰のヘキサンに滴状に添加した。濾過によって白色固形物を回収しそして真空炉内で４５℃で１２時間乾燥した。シクロヘキシルエチルアセタールを定量するために、この固形物試料を１Ｈ−および１３Ｃ−ＮＭＲ分析に付した。結果：シクロヘキシルアセタール２０．４％およびアセトキシスチレン０％。
【００４８】
合成例３
ポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレン−コ−アセトキシスチレン−ターポリマー配合物の調製
合成例１および２で説明したように調製したポリマー溶液を、合成例１のポリマー４６．５％および合成例２のポリマー５３．５％の重量比で一緒に配合して、平均するとアセトキシスチレン４％とシクロヘキシルアセタール１７％とを含有する均一溶液を得た。
このポリマー溶液を実施例１から２１において用意したすべてのレジスト処方物を調製するのに使用した。
【００４９】
実施例１〜１１
（ａ）アセトキシスチレン４モル％を含有するシクロヘキシルエチルでブロックされたポリヒドロキシスチレンポリマー１２．６１ｇ、（ｂ）ＰＡＧ（トリアリールスルホニウムスルホネート）０．３９ｇ、（ｃ）平坦化剤（ＦＬＵＯＲＡＤ−４３０−フルオロカーボンをベースとする界面活性剤）を含有する溶媒（ＰＧＭＥＡ）８７．０ｇおよび（ｄ）表１に示す添加剤０．０２４８９ｇを使用してレジスト処方物を調製した。
【００５０】
【表１】
2004505302.tif 000016
【００５１】
Ｅ０は所定のプロセスでの大きな領域内でレジストを所与に時間内で完全に溶解するのに要する最小線量（ｍｉｎｉｍｕｍ ｄｏｓｅ）の測定値である。ガンマ値は、残留するフィルムの正規化された厚さを露光線量の対数にたいしてプロットした曲線に接する直線の勾配である。
【００５２】
実施例１２〜２１
（ａ）アセトキシスチレン４モル％を含有するポリ−１−シクロヘキシルエトキシ／エトキシスチレン−コ−ヒドロキシスチレンポリマー１２．６１ｇ、（ｂ）ＰＡＧ（トリアリールスルホニウムスルホネート）０．３９ｇ、（ｃ）平坦化剤（ＦＬＵＯＲＡＤＦＣ−４３０−フルオロカーボンをベースとする界面活性剤）を含有する溶媒（ＰＧＭＥＡ）８７．０ｇおよび（ｄ）表２に示す塩基および添加剤混合物を使用してレジスト処方物を調製した。
【００５３】
【表２】
2004505302.tif 000017
【００５４】
リトグラフィーの結果は、プロフィルの質が表２に示すガンマ値に一般に比例するものであった。実施例１２で用いた処方物は、垂直側壁が他のすべての処方物より切り立っている最良の画像プロフィルを与えた。実施例１５で、処方物は、平坦頂面と、本発明の添加剤を含有しない実施例２１の処方物より切り立ったプロフィルとを与えた。
【００５５】
本発明の好ましい態様に特定的に言及することにより本発明を説明してきた。本発明の趣意および範囲から逸脱することなく、本発明において変更および修正が可能であることは、当該技術に通常程度に熟達した者にとって明らかであろう。
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004505302.tif 000076
2004505302.tif 000077