(57)【要約】本発明は、金属層（１２）上にパターン化された絶縁層（１４）を形成する方法に関する。該方法によれば、金属層（１２）に絶縁層（１４）を被着し、絶縁層（１４）にカバリング材料（１６）を被着し、かつ絶縁材料（１４）及びカバリング材料（１６）をプラズマエッチングプロセスでエッチングする。カバリング材料（１６）を絶縁層（１４）への被着に引き続きパターン化し、かつカバリング材料（１６）のパターン化に引き続きプラズマエッチングプロセスを実施し、パターン化及び平坦化された絶縁層（１４）を形成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層（１２）に絶縁材料（１４）を被着し、
絶縁層（１４）にカバリング材料（１６）を被着し、かつ
絶縁材料（１４）及びカバリング材料（１６）をプラズマエッチングプロセスでエッチングすることにより、金属層（１２）上にパターン化された絶縁層（１４）を形成する方法において、
カバリング材料（１６）を絶縁層（１４）への被着に引き続きパターン化し、かつ
カバリング材料（１６）のパターン化に引き続きプラズマエッチングプロセスを実施し、その際パターン化及び平坦化された絶縁層（１４）を形成することを特徴とする、金属層上にパターン化された絶縁層を形成する方法。
【請求項２】
カバリング材料（１６）がレジストである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
カバリング材料（１６）をフォトリソグラフィーによりパターン化する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
絶縁層（１４）が酸化物層（ＴＥＯＳ）である、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
プラズマエッチングプロセスを１ステップで実施し、その際カバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４である、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際
第１ステップでエッチングにより少なくとも１つの等方性凹所（２４）を絶縁層（１４）内に形成し、
第２ステップでエッチングにより少なくとも１つの異方性凹所（２６）を絶縁層（１４）内に形成し、
第３ステップで平坦化を行い、かつ
第４ステップで異方性凹所（２６）を仕上げエッチングして貫通孔（２８）を形成する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際
第１ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際一次カバリング材料（１６）をエッチングしかつ少なくとも１つの段部（３０）を絶縁層（１４）内に形成し、
第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４であり、その際エッチングにより少なくとも１つの凹所（３０）を絶縁層（１４）内に形成しかつ平坦化を行い、
第３ステップで固定の時間にわたり凹所（３０）をさらにエッチングしかつ
第４ステップで凹所（３０）を仕上げエッチングして貫通孔（２８）を形成する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際
第１ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際固定の時間にわたって少なくとも１つの段部を絶縁層内に形成し、
第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際一次カバリング材料をエッチングし、
第３ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４であり、その際エッチングにより少なくとも１つの凹所を絶縁層内に形成しかつ平坦化を行い、
第４ステップで固定の時間にわたり凹所をさらにエッチングしかつ
第５ステップで凹所を仕上げエッチングして貫通孔を形成する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
絶縁材料（１４）を１回の堆積により被着する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
プラズマエッチングプロセスに引き続き残留したカバリング材料（１６）をプラズマストリッピングにより除去する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
金属層（１２）及び絶縁層（１４）からなる完成した装置に別の金属層を被着する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、金属層に絶縁材料を被着し、絶縁層にカバリング材料を被着し、かつ絶縁材料及びカバリング材料をプラズマエッチングプロセスでエッチングすることにより、金属層上にパターン化された絶縁層を形成する方法に関する。
【０００２】
従来の技術
集積回路を製造する際には、しばしば、絶縁層を金属層上に被着することが必要である。この絶縁層は、下方の金属層を後で絶縁層に被着される別の上方金属層に対して絶縁するために働く。絶縁層により分離された金属層の意図的コンタクトのために、上方金属層を被着する前にコンタクト孔（ビア）が絶縁層内に形成される。絶縁層としては、しばしば酸化物層（ＴＥＯＳ）が使用され、該酸化物層は上方の金属層を被着する前に平坦化される。平坦化された中間層内にコンタクト孔を形成するための慣用の方法は、エッチング法である。
【０００３】
図３には、従来の技術の標準法のプロセスステップが断面図により例示されている。
【０００４】
図３ａは、左側に基板１１０を示し、該基板上には２つのパターン化された金属路１１２が配置されている。この第１の金属層１１２のパターン化後に、図３ａの右側に示されているように、酸化物層（ＴＥＯＳ）１１４が堆積される。
【０００５】
図３ｂには、平坦化の目的のための装置の第１のレジスト塗布か示されてる。図３ｂの左側は、図３ａの右側に等しい。図３ｂの右側には、酸化物層１１４内の段部を良好に平滑にするための、酸化物層１１４上の良好に平坦化するレジスト１１６が存在する。
【０００６】
図３ｃには、第１のプラズマエッチングプロセスが示されている。図３ｃの左側は、図３ｂの右側に等しい。プラズマエッチングプロセスにおいて、レジスト１１６及び酸化物層１１４はほぼ同じエッチング速度で規定された最小厚さにエッチングされる。それによって、図３ｃの右側に示された平坦化された酸化物層１１４が得られる。プラズマエッチングプロセスは、例えば酸素濃度の適当な選択により、エッチング速度がレジスト層１１６及び酸化物層１１４に関して可能な限り一致するように設定される。このようにして、理想的な場合にはレジスト層１１６の表面が酸化物層１１４の表面上に示される。
【０００７】
図３ｄには、第２の酸化物堆積が示されている。図３ｄの左側は、図３ｃの右側に等しい。第２の酸化物堆積後に、少なくとも殆ど平坦な表面を有する全酸化物層１１４、１１８が得られる。
【０００８】
図３ｅは、レジスト層１２０を被着するための別のステップを示す。図３ｅの左側は、図３ｄの右側に等しい。ここで行われる第２のレジスト塗布後に、全酸化物層１１４、１１８上のレジスト層１２０が得られる。
【０００９】
図３ｆには、レジスト層１２０をフォトリソグラフィーによりパターン化する方法が示されている。フォトリソグラフィープロセスにより、レジスト層１２０内に開口１２２が生じる。図３ｆの左側は、図３ｅの右側に等しい。図３ｆの右側には、フォトリソグラフィープロセスの最終状態が示されており、この場合には今やレジスト層１２０は開口１２２を有するので、酸化物層１１４、１１８は部分的に露出されている。
【００１０】
図３ｇには、酸化物層１１４、１１８内にコンタクト孔を形成するためのプラズマエッチングプロセスの第１ステップが示されている。図３ｇの左側は、図３ｆの右側に等しい。第１の等方性プラズマエッチングステップにより、エッチングによりレジスト層１２０内の孔１２２の領域における酸化物１１４、１１８の表面に凹所１２４が形成される。
【００１１】
図３ｈは、さらなるプラズマエッチングステップを説明するものである。図３ｈの左側には、図３ｈの右側に示されたと同じ状態が示されている。異方性エッチングプロセスにより、酸化物層１１４、１１８内にコンタクト孔が完成エッチングされ、これらのコンタクト孔は今や等方性部分１２４と異方性部分１２６からなる。
【００１２】
図３ｉには、残留したレジスト層１２０がプラズマエッチングプロセスにより除去されることが示されている。図３ｉの左側は、図３ｈの右側に等しい。プラズマエッチングプロセスにより、レジスト１２０は除去されるので、結果として、金属層１１２の上に配置されかつ部分的に平坦化されたコンタクト孔１２４を有する酸化物層１１４、１１８が得られる。コンタクト孔１２４、１２６の領域１２４内の上方孔縁部の平坦化により、後でそれぞれの孔１２４、１２６内に堆積される上方金属層の良好な縁部カバリングが保証される。
【００１３】
図３に示された方法は、良好に平坦化された絶縁層を提供する。しかしながら、大多数のプロセスステップに基づき著しく費用がかかる。コンタクト孔の上方孔縁部は、部分的に平坦化されているにすぎない。原則的には、大多数のプロセスステップに基づき欠陥の確率が上昇する恐れがある。
【００１４】
発明の利点
本発明は、カバリング材料を絶縁層への被着に引き続きパターン化し、かつカバリング材料のパターン化に引き続きプラズマエッチングプロセスを実施し、その際パターン化及び平坦化された絶縁層を形成することによる請求項１の記載の形式の方法を基礎とする。従って、本発明によれば、絶縁層へのカバリング材料の被着後にまず第１のプラズマエッチングプロセスを実施し、引き続き酸化層を別の酸化物堆積により再び形成し、再度レジスト層を塗布しかつこれを初めてパターン化して、所望のパターンを酸化物層内に形成する必要はない。むしろ、カバリング材料を絶縁層への被着に引き続きパターン化しかつ引き続いてのプラズマエッチングプロセスにおいて絶縁層の所望のパターンを形成することが可能である。この場合、酸化物層の厚さはカバリング層の塗布前に十分な大きさであることに留意すべきであり、例えばこの厚さは従来の技術において別々に被着された酸化物層の和にほぼ等しくてもよい。
【００１５】
有利には、カバリング材料はレジストである。レジストは簡単に酸化物層に塗布することができ、かつこれらは特にマスクを形成するために好適である。
【００１６】
この関係において、カバリング材料をフォトリソグラフィーによりパターン化するのが特に有効である。
【００１７】
これにより、極めて精確なパターンが形成され、該パターンは次いで密にパッキングされた集積回路の精度においてプラスに現れる。
【００１８】
絶縁層は、有利には酸化物層（ＴＥＯＳ）である。酸化物層は、密にパッキングされた集積回路において絶縁層として有利であることが立証されている。
【００１９】
プラズマエッチングプロセスを１ステップで実施し、その際カバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４であるのが有利である。このようなエッチング速度比においては、被着された層の適当な厚さで、同じ形式の方法で、即ち唯一の製造ステップで所望の結果を得ることを達成することができる。
【００２０】
他面、プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際第１のステップでエッチングにより少なくとも１つの等方性凹所を絶縁層内に形成し、第２のステップでエッチングにより少なくとも１つの異方性凹所を絶縁層内に形成し、第３のステップで平坦化を行いかつ第４のステップで異方性凹所を仕上げエッチングして貫通孔を形成するのも有利である。このようにしてコンタクト孔を特に制御して形成することができる。層厚及びエッチングパラメータの適当な選択によりその表面が有利に面取りされたコンタクト孔が得られる。
【００２１】
さらに、プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有しており、その際第１ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際一次カバリング材料をエッチングしかつ少なくとも１つの段部を絶縁層内に形成し、第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁層エッチング速度に対する比が１±０．４であり、その際エッチングにより少なくとも１つの凹所を絶縁層内に形成しかつ平坦化を行い、第３ステップで固定の時間にわたり凹所をさらにエッチングしかつ第４ステップで凹所を仕上げエッチングして貫通孔を形成するのが有利である。それによって、第１ステップで、まずカバリング材料の除去に配慮することができ、一方第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比の適当な選択により絶縁層内の凹所のエッチングを開始しかつ平坦化を行う。次いで、第３ステップではエッチング速度の比は重要ではない；むしろ固定の時間にわたって凹所をさらにエッチングする。カバリング材料が既に完全に除去されていてもよい第４ステップにおいては、エッチング速度は問題でなく、なお、仕上げエッチングしてコンタクト孔を形成することのみが問題である。
【００２２】
同様に、プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際第１ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際固定の時間にわたって少なくとも１つの段部を絶縁層内に形成し、第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際一次カバリング材料をエッチングし、第３ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４であり、その際エッチングにより少なくとも１つの凹所を絶縁層内に形成しかつ平坦化を行い、第４ステップで固定の時間にわたり凹所をさらにエッチングして貫通孔を形成しかつ第５ステップで凹所を仕上げエッチングするのが有利である。従って、この実施態様では、まず固定の時間にわたり段部を絶縁層内に形成し、その際僅かにカバリング材料をプラズマエッチングプロセスにより除去するに過ぎない。それによって、まずさらなるエッチングステップのための明確に規定された初期条件がつくり出され、このことは絶縁層の表面パターンに関する特に正確な結果をもたらす。
【００２３】
本発明による方法の特に有利な実施態様においては、絶縁層を１回の堆積により被着する。絶縁材料の堆積を複数のステップで行うことが可能でありかつ絶縁層その都度要求される品質及び厚さに基づきまた有効である場合でも、方法の経済性に関しては時折、プロセスステップの数を減らすために絶縁材料を唯一のステップで被着させるのが有利である。
【００２４】
場合によっては、プラズマエッチングプロセスに引き続き残留したカバリング材料をプラズマストリッピングにより除去するのが有利である。それにより、本来のプラズマエッチングプロセスは、被着される層厚及びエッチング速度比に関して、プラズマエッチングプロセスの終了時でもなおカバリング材料が絶縁層上に残留するように可変に構成することができる。その後、これをプラズマストリッピングにより除去する。
【００２５】
次いで、本発明による方法のさらなる実施態様によれば、金属層と絶縁層からなる完成した装置の上にもう１つの上方金属層を被着する。表面が面取りされたコンタクト孔は、これらは良好な縁部カバリングを保証するために、特に別の金属層を被着するために好適である。従って、該方法は、結局中間位置にある絶縁層を有するしばしば必要とされる多層金属化物の製造に利用することができる。
【００２６】
本発明は、平坦化とコンタクト孔のエッチングを一緒にすることにより製造方法の簡単化を達成することができるという驚異的な結果を基礎とする。それにもかかわらず、特にコンタクト孔の形態に関して、満足すべき結果が得られる。集積回路の製造においてプロセスステップの数が減らされることにより、欠陥の数が減少し、このことは一層高い歩留まりをもたらす。コンタクト孔の形は、本発明に基づきプロセスパラメータを変更することにより、例えばレジストの種類、フォトリソグラフィーの実施形式及び層の厚さ、及び特にエッチング速度の比に関するプラズマエッチングプロセスのパラメータの変更により影響を及ぼすことができる。コンタクト孔の所望の面取りは、その拡大をもたらす。この拡大は、リソグラフィーで使用されかつレジストマスクのパターン化の際に使用される露光マスクにおける寸法の適合により補償することができる。
【００２７】
図面
以下に、添付図面を参照して実施例により本発明を説明する。
【００２８】
実施例の記載
図１には、本発明による方法の第１実施例のプロセスステップが種々の図式化された層構造に示されている。
【００２９】
図１ａは、基板１０と、その上に配置されかつパターン化された金属路１２とが断面図で示されている。この図１ａの左側に示された装置は、酸化物堆積により、右側に示され、基板１０及びパターン化された金属路１２の上に付加的に配置された装置に移行する。図３ａの相応する図面と比較すると、図１ａの酸化物層１４は、図３ａの従来の技術の酸化物層１１４よりも大きな厚さを有することが明らかである。例えば、酸化物層１４の厚さは、図３に基づく従来の技術の酸化物層の２回の堆積物の厚さの和に相当することができる。
【００３０】
図１ｂには、レジスト層１６の塗布が示されている。図１ｂの左部分は、図１ａの右部分に等しい。図１ｂの右部分において、基板１０、金属路１２及び酸化物層１４の他にレジスト層１６が示されている。
【００３１】
この図面は、図１ｃの左側に再度示されている。本発明による方法によれば、レジスト層１６の塗布に引き続きリソグラフィープロセスを実施する。これは図１ｃに示されている。図１ｃの右側に、レジスト層内の孔２２が認識され、これらの孔は酸化物層１４の表面のある程度の領域を露出させる。
【００３２】
図１ｄには、プラズマエッチングプロセスの第１ステップが示されている。図１ｄの左側は、図１ｃの右側に等しい。まず、等方性エッチングプロセスを行い、該等方性エッチングプロセスは、図３ｇとの関係で説明した従来の技術の等方性エッチングよりも短く選択する。該等方性エッチングプロセスは、酸化物層１４の表面の、レジスト層１６の貫通孔２２の領域に窪み２４を形成する。
【００３３】
図１ｅには、プラズマエッチングプロセスのさらなるステップとして異方性エッチングが示されている。図１ｅの左側は、図１ｄの右側に等しい。図１ｅの右側には、付加的に窪み２４の続きとして異方性凹所２６が示されている。
【００３４】
図１ｆは、平坦化のため及び酸化物層１４内の凹所２４，２６のさらなる形成のためのプラズマエッチングプロセスのさらなるステップを示す。図１ｆの左側は、図１ｅの右側に等しい。図１ｆの右側には、基板１０と、金属路１２と、凹所２４，２６を有する酸化物層１４とからなる平坦化された層列が示されている。既に、凹所２４，２６は表面が面取りされていることが認識される。
【００３５】
図１ｇには、どのようにして該装置が仕上げエッチングされるかが示されている。図１ｇの左側は、図１ｆの右側に等しい。プラズマエッチングにより、凹所２４，２６を、有利には面取りされた縁部を有する酸化物層１４を貫通する貫通孔２８が生じるようにさらに加工する。
【００３６】
それぞれの層の除去の速度もしくは除去速度の比は、著しくプラズマエッチングプロセスのパラメータに依存する。このパラメータの適当な選択及び変化により、層を種々のプロセスステップで選択的かつ意図的に除去することができ、このことは結局製造プロセスにおける精度を改良する。
【００３７】
エッチングプロセスのパラメータを製造プロセス中に変化させる本発明による方法の一部としての多段階式プラズマエッチングプロセスの１例が図２に示されている。図２ａの左側は、図１ｄの右側に等しい。図２ａに示された平坦化ステップは、プラズマエッチングにより行う。この場合、エッチングパラメータは、有利にはレジスト層１６がエッチングされるように設定する。酸化物層１４において、もっぱら段部３０をエッチングする。図２ａの右側で、レジスト層１６は既に著しく除去されているが、一方酸化物層内には前記の僅かな段部３０が存在するにすぎないことが認識される。
【００３８】
今や、図２ｂには、どのように別のエッチングパラメータでさらに処理するかが示されている。この場合には、図２ｂの左側の図は、図２ａの右側の図に等しい。ここでは、エッチングパラメータは、レジストエッチング速度がほぼ酸化物層エッチング速度に等しいように選択されている。従って、高い平坦化エッチング度と同時に酸化物層１４における凹所３０の後続形成が達成される。
【００３９】
図２ｃには、プラズマエッチングプロセスのもう１つのステップが示されている。図２ｃの左側は、図２ｂの右側に等しい。凹所３０をさらなるエッチングにより引き続き形成する。その結果は、図２ｃに右側に示されている。今や、もはやエッチング速度は重要ではない。図２ｃに相応するプロセスステップのための固定時間に設定することができる。
【００４０】
図２ｄにおいて、凹所３０をさらに貫通孔２８まで加工する。この場合、図２ｄの左側は、図２ｃの右側に等しい。図２ｄの右側には、完成した貫通孔２８が示されている。このプロセスステップにおいては、レジストと酸化物のエッチング速度の比は重要でない。
【００４１】
図１ｇと図２ｄの右側に示された層列は、さらなる金属化層を被着するための出発点を形成する。表面が面取りされたコンタクト孔は、特に別の金属層を被着するために適当である。それというのも、これらは良好な縁部カバリングを保証するからである。それにより、該方法は、結局中間に位置する絶縁層を有するしばしば必要とされる多層金属化物を製造するために利用することができる。
【００４２】
本発明に基づく実施例の前記記載は、本発明を説明するだけのものであって、本発明を制限するものではない。本発明の範囲内で、本発明の範囲及びその同等の思想を逸脱することなく、種々の変化及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による方法の第１実施例において生じる層列の断面図である。
【図２】
本発明による方法の第２実施例において生じる層列の断面図である。
【図３】
従来の技術の方法により生じる層列の断面図である。
【符号の説明】
１０　基板、　１２　金属層（金属路）、　１４　絶縁材料（絶縁層、酸化物層）、　１６　カバリング材料（レジスト層）、　２２　孔、　２４　等方性凹所（窪み）、　２６　異方性凹所、　２８　貫通孔、　３０　段部（凹所）
【図３】
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【国際公開パンフレット】
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2004503087.tif 000005
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2004503087.tif 000027
2004503087.tif 000028
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【手続補正書】
【提出日】平成14年8月1日(2002.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料（１４）として酸化物層（ＴＥＯＳ）を金属層（１２）に被着し、
絶縁層（１４）にカバリング材料（１６）を被着し、かつ
絶縁層材料（１４）及びカバリング材料（１６）をプラズマエッチングプロセスでエッチングすることにより、金属層（１２）上にパターン化された絶縁層（１４）を形成する方法において、
カバリング材料（１６）を絶縁層（１４）への被着に引き続きパターン化し、かつ
カバリング材料（１６）のパターン化に引き続きプラズマエッチングプロセスを実施し、その際パターン化及び平坦化された絶縁層（１４）を形成しかつカバリング材料（１６）がレジストであり又はカバリング材料（１６）をフォトリソグラフィーによりパターン化し、かつ
金属層（１２）及び絶縁層（１４）からなる完成した装置に別の金属層を被着することを特徴とする、金属層上にパターン化された絶縁層を形成する方法。
【請求項２】
プラズマエッチングプロセスを１ステップで実施し、その際カバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際
第１ステップでエッチングにより少なくとも１つの等方性凹所（２４）を絶縁層（１４）内に形成し、
第２ステップでエッチングにより少なくとも１つの異方性凹所（２６）を絶縁層（１４）内に形成し、
第３ステップで平坦化を行い、かつ
第４ステップで異方性凹所（２６）を仕上げエッチングして貫通孔（２８）を形成する、請求項１又は２項記載の方法。
【請求項４】
プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際
第１ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際一次カバリング材料（１６）をエッチングしかつ少なくとも１つの段部（３０）を絶縁層（１４）内に形成し、
第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±であり、その際エッチングにより少なくとも１つの凹所（３０）を絶縁層（１４）内に形成しかつ平坦化を実施し、
第３ステップで固定の時間にわたり凹所（３０）をさらにエッチングしかつ
第４ステップで凹所（３０）を仕上げエッチングして貫通孔（２８）を形成する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
プラズマエッチングプロセスが複数のステップを有し、その際
第１ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際固定の時間にわたって少なくとも１つの段部を絶縁層内に形成し、
第２ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１よりも大きく、その際一次カバリング材料をエッチングし、
第３ステップでカバリング材料エッチング速度の絶縁材料エッチング速度に対する比が１±０．４であり、その際エッチングにより少なくとも１つの凹所を絶縁層内に形成しかつ平坦化を行い、
第４ステップで固定の時間にわたり凹所をさらにエッチングしかつ
第５ステップで凹所を仕上げエッチングして貫通孔を形成する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
絶縁材料（１４）を１回の堆積により被着する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
プラズマエッチングプロセスに引き続き残留したカバリング材料（１６）をプラズマストリッピングにより除去する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【国際調査報告】
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