(57)【要約】共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタのような共通入出力電極トランジスタの利得の変動と関連する動作点の不所望の変動が、トランジスタの第１の入出力電極（コレクタ）と制御電極（ベース）との間のネガティブ・フィードバックパスで電子的に制御可能なコンダクタンスを結合することにより未然に防がれる。バイポーラ・デバイスに適用される第１の実施例では、電子的に制御されるフィードバック・エレメントには、制御可能な電流源を通じて電流の流れを調整することにより変動される順方向コンダクタンスを有するダイオードが含まれる。これによってコレクタからベースへのフィードバック量が制御され、したがって共通エミッタ・トランジスタの順方向ループ利得も制御される。バイポーラ・デバイスの第２の実施例では、制御されるフィードバック・エレメントはエミッタ・フォロワ・トランジスタを備え、その順方向利得は、制御可能な電流ソース／シンクにより、そのエミッタを通じて得られる電流の変動により制御される。これによって、コレクタからベースへフィードバックされる電圧量が変動し、この変動により共通エミッタ・トランジスタの利得も変動する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御電極と、第１の入出力電極及び第２の入出力電極とを備えたトランジスタの利得を制御する方法であって、前記制御電極に入力信号を印加し、前記第１の入出力電極から出力信号を導き、前記第２の入出力電極を基準ノードと結合して、共通電極トランジスタ構成を実現する方法において、
（ａ）前記共通電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極との間で制御可能な電子コンダクタンスを結合するステップと、
（ｂ）前記制御可能な電子コンダクタンスの動作を制御して、前記共通電極トランジスタの動作点を変えることなく、前記共通電極トランジスタの順方向ループ利得を調整するように成すステップと、を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記制御可能な電子コンダクタンスが、前記共通電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極と回路を成して結合される整流ＰＮ接合と、前記整流ＰＮ接合と回路を成して結合される可変電流源であって、前記制御処理可能な電子コンダクタンスの電流を制御し、それによって前記制御処理可能な電子コンダクタンスのコンダクタンスを制御するように動作して、前記共通電極トランジスタの前記第１の入出力電極から前記制御電極へフィードバックされる電圧を制御するように成す可変電流源とを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記制御可能な電子コンダクタンスが、前記共通電極トランジスタの前記制御電極の順方向電流伝導パスと平行にその順方向電流伝導パスを備えたダイオードと；前記ダイオードと回路を成して結合される可変電流源であって、前記ダイオードのコンダクタンスを通じて電流を制御して、前記共通電極トランジスタの前記第１の入出力電極から前記制御電極へフィードバックされる電圧を制御するように成す可変電流源と；を有し、前記共通電極トランジスタが、ベースと、コレクタと、エミッタとを備えた共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタを有し、さらに、前記制御可能な電子コンダクタンスが、エミッタ・フォロワ・トランジスタであって、そのベースを前記共通エミッタ・トランジスタの前記コレクタと結合し、そのエミッタを前記共通エミッタ・トランジスタの前記ベースと結合し、そのコレクタを共通コレクタ構成でバイアス源と結合して備えるエミッタ・フォロワ・トランジスタと；前記エミッタ・フォロワ・トランジスタの前記エミッタと回路を成して結合される可変電流源であって、ベース・エミッタ電流を制御し、それによって前記共通エミッタ・フォロワ・トランジスタの電圧フォロワ伝達関数を制御するように動作して、前記共通エミッタ・トランジスタの前記コレクタから前記ベースへフィードバックされる電圧を制御するように成す可変電流源と；を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
回路であって、入力信号が結合される制御電極と、増幅された出力信号が導き出される源である第１の入出力電極と、共通電極トランジスタ構成を実現するために基準ノードと結合される第２の入出力電極とを備えた共通電極トランジスタと；前記共通電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極との間で回路を成して結合される電子コンダクタンスであって、前記共通電極トランジスタの動作点を変えることなく、順方向ループ利得を調整するように制御可能に動作する制御可能な電子コンダクタンスと、を有することを特徴とする回路。
【請求項５】
請求項４に記載の回路において、前記制御可能な電子コンダクタンスが、前記共通電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極と回路を成して結合される整流ＰＮ接合と、前記整流ＰＮ接合と回路を成して結合される可変電流源であって、前記制御処理可能な電子コンダクタンスの電流と、前記制御処理可能な電子コンダクタンスとを制御するように動作して、前記共通電極トランジスタの前記第１の入出力電極から前記制御電極へフィードバックされる電圧を制御するように成す可変電流源とを含むことを特徴とする回路。
【請求項６】
請求項４に記載の回路において、前記制御可能な電子コンダクタンスが、前記共通出力電極トランジスタの前記制御電極の順方向電流伝導パスと平行にその順方向電流伝導パスを備えたダイオードと；前記ダイオードと回路を成して結合される可変電流源であって、前記ダイオードのコンダクタンスの電流を制御し、それによって、前記ダイオードのコンダクタンスを制御して、前記共通電極トランジスタの前記入力電極から前記第１の入出力電極へフィードバックされる電圧を制御するように成す可変電流源とを有することを特徴とする回路。
【請求項７】
請求項５に記載の回路において、前記共通電極トランジスタが、ベースと、コレクタと、エミッタとを備えた共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタを有し、さらに、前記制御可能な電子コンダクタンスが、エミッタ・フォロワ・トランジスタであって、そのベースを前記共通エミッタ・トランジスタの前記コレクタと結合し、そのエミッタを前記共通エミッタ・トランジスタの前記ベースと結合し、そのコレクタを共通コレクタ構成でバイアス源と結合して備えるエミッタ・フォロワ・トランジスタと；前記エミッタ・フォロワ・トランジスタの前記エミッタと回路を成して結合される可変電流源であって、ベース・エミッタ電流を制御し、前記共通エミッタ・フォロワ・トランジスタの電圧フォロワ伝達関数を制御するように動作して、前記共通エミッタ・トランジスタの前記コレクタから前記ベースへフィードバックされる電圧を制御するように成す可変電流源と、を有することを特徴とする回路。
【請求項８】
可変利得共通入出力電極トランジスタ回路において、入力信号が結合される制御電極と、増幅された出力信号が導き出される源である第１の入出力電極と、基準ノードと結合されて、共通入出力電極トランジスタ構成を実現するように成す第２の入出力電極と、を備えた共通入出力電極トランジスタと；前記共通入出力電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極との間で回路を成して結合される制御可能な電子コンダクタンスと；前記制御処理可能な電子コンダクタンスと回路を成して結合される可変電流源であって、制御可能な電子コンダクタンスのコンダクタンスの電流を制御し、それによって、制御可能な電子コンダクタンスのコンダクタンスを制御して、前記共通入出力電極トランジスタの前記第１の入出力電極から前記制御電極へフィードバックされる電圧を制御し、それによって前記共通入出力電極トランジスタの動作点を変えることなく、前記共通入出力電極トランジスタの順方向ループ利得を調整するように動作する可変電流源と、を有することを特徴とする可変利得共通入出力電極トランジスタ回路。
【請求項９】
請求項８に記載の可変利得共通入出力電極トランジスタ回路において、前記制御可能な電子コンダクタンスが、前記共通入出力電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極と回路を成して結合される整流ＰＮ接合を含み、さらに、前記制御可能な電子コンダクタンスが、前記共通入出力電極トランジスタの前記制御電極−第１入出力電極パスの順方向電流伝導パスと平行に前記第１の入出力電極パスの転送電流伝導パスを備えたダイオードを有することを特徴とする可変利得共通入出力電極トランジスタ回路。
【請求項１０】
請求項８に記載の可変利得共通入出力電極トランジスタ回路において、前記共通電極トランジスタが、ベースと、コレクタと、エミッタとを備えた共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタを有し、さらに、前記制御可能な電子コンダクタンスが、エミッタ・フォロワ・トランジスタであって、そのベースを前記共通エミッタ・トランジスタの前記コレクタと結合し、そのエミッタを前記共通エミッタ・トランジスタの前記ベースと結合し、そのコレクタを共通コレクタ構成でバイアス源と結合して備えるエミッタ・フォロワ・トランジスタを有し、前記可変電流源が、前記エミッタ・フォロワ・トランジスタの前記エミッタと回路を成して結合され、ベース・エミッタ電流を制御し、前記共通エミッタ・フォロワ・トランジスタの電圧フォロワ伝達関数を制御するように動作して、前記共通エミッタ・トランジスタの前記コレクタから前記ベースへフィードバックされる電圧を制御し、したがって前記共通エミッタ・トランジスタの利得を制御するように成し、その場合、前記共通電極トランジスタが、前記制御電極に対応するベースと、前記第１の入出力電極に対応するコレクタと、前記第２の入出力電極に対応するエミッタと、を備えた共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタを有することを特徴とする可変利得共通入出力電極トランジスタ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、ＲＦ電力増幅器で用いられるＦＥＴやバイポーラ・トランジスタ増幅回路のようなトランジスタ増幅回路に関し（但しこれに限定されるものではない）、特に、トランジスタの動作点に影響を与えることなく、電子的に共通の電極（エミッタやソースなど）トランジスタの順方向ループ利得を制御するネガティブ・フィードバックベースのメカニズムを対象とするものである。
【０００２】
（背景技術）
直線性がＲＦ通信回線の好結果の動作における相対的に重要な基準であるという理由で、増幅器アーキテクチャの基本構築ブロックとして、共通入出力電極と接続されたトランジスタ回路が使用されことが多い。図１は、増幅対象信号を印加する入力端子２１と結合されるベース１１を備えた一般的なエミッタ構成バイポーラ・トランジスタＱ１における複雑さを簡略にした例を示す図である。トランジスタのエミッタ１２は基準（接地）端子と結合され、トランジスタのコレクタ１３は出力端子２２と結合され、増幅されたＲＦ出力信号がこの出力端子２２から導き出される。
【０００３】
図１の回路アーキテクチャでは、増幅器の利得はコレクタ１３からベース１１へのフィードバック・パスに結合される抵抗器２３の値により確立される。増幅器の利得を変えるために、１以上の制御回路と共通エミッタ・トランジスタＱ１との中間結合を行う（ｉｎｔｅｒｃｏｕｐｌｅ）ことが一般に実施され、これらの制御回路によって、或る形のバイアス電流の変調やエミッタ・デジェネレイションが一般に行われる。
【０００４】
例えば、図２は、米国特許出願第４，３０５，０４４の明細書に開示されているタイプの多段アーキテクチャを図示するものであり、該アーキテクチャには、共通のコレクタ・トランジスタＴ３を備えたカスケード式共通エミッタ・トランジスタＴ１が設けられる。増幅対象の入力信号が入力端子１０を介して第１段共通エミッタ・トランジスタＴ１のベースと結合されるのに対して、増幅された出力信号は、第２段エミッタ共通コレクタ・トランジスタＴ３と接続された出力端子１６から導き出される。利得制御電圧が、端子１４を介してバイアス電流制御トランジスタＴ２のベースに印加され、該バイアス電流制御トランジスタＴ２のコレクタは、共通エミッタ・トランジスタＴ１のコレクタ、及び、トランジスタＴ３のベースとノード１８とを介して接続される。この利得制御電圧は、コンダクタンス（ｇｍ）の変調、及び、この変調による共通エミッタ増幅器トランジスタＴ１のコレクタ電流の変調を行うのに役立つ。
【０００５】
利得制御される共通エミッタ・トランジスタ回路の別の例の中には、米国特許出願番号３，９０３，４７９；３，９４２，１２９；４，０４８，５７６；４，２７５，３６２；４，３６５，２０８；４，７２７，３３５の明細書に開示される例が含まれる。これらの増幅器設計の共通の欠点として、共通の電極（エミッタなど）トランジスタ段の利得がその動作点の変更により変わるという事実がある。増幅器の直線性はその動作点と緊密なつながりがあるため、上記方法による増幅器の利得の変化はその直線性の望ましくない変調を引き起こす。
【０００６】
（発明の開示）
本発明は、制御電極と、第１の入出力電極と第２の入出力電極とを備えたトランジスタの利得を制御する方法を含み、前記制御電極に入力信号を印加し、前記第１の入出力電極から出力信号を導き、前記第２の入出力電極を基準ノードと結合して、共通電極トランジスタ構成を実現する方法において、
（ａ）前記共通電極トランジスタの制御電極と第１の入出力電極との間で制御可能な電子コンダクタンスを結合するステップと、
（ｂ）動作点を変えることなく、前記共通電極トランジスタの順方向ループ利得を調整するように前記制御可能な電子コンダクタンスの動作を制御するステップと、を有することを特徴とする。
【０００７】
また本発明には、入力信号が結合される制御電極と、増幅された出力信号が導き出される源である第１の入出力電極と、共通電極トランジスタ構成を実現するために基準ノードと結合される第２の入出力電極とを備えた共通電極トランジスタと；前記共通電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極との間で回路を成して結合される電子コンダクタンスであって、前記共通電極トランジスタの動作点を変えることなく、順方向ループ利得を調整するように制御可能に動作する制御可能な電子コンダクタンスとを有する回路が含まれる。
【０００８】
さらに、本発明は、入力信号が結合される制御電極と、増幅された出力信号が導き出される源である第１の入出力電極と、基準ノードと結合されて、共通入出力電極トランジスタ構成を実現するように成す第２の入出力電極と、を備えた共通入出力電極トランジスタと；前記共通入出力電極トランジスタの前記制御電極と前記第１の入出力電極との間で回路を成して結合される制御可能な電子コンダクタンスと；前記制御処理可能な電子コンダクタンスと回路を成して結合される可変電流源であって、電子コンダクタンスの電流を制御し、それによって、制御可能な電子コンダクタンスのコンダクタンスを制御して、前記共通入出力電極トランジスタの前記第１の入出力電極から前記制御電極へフィードバックされる電圧を制御し、それによって前記共通入出力電極トランジスタの動作点を変えることなく、前記共通入出力電極トランジスタの順方向ループ利得を調整するように動作する可変電流源と、を有する可変利得共通入出力電極トランジスタ回路を含む発明である。
【０００９】
都合のよいことに、共通電極トランジスタ増幅器、特に、トランジスタの動作点における不所望の変動に起因する従来技術の利得制御メカニズムの欠点が、新規の、改善された単一段共通電極トランジスタ増幅器アーキテクチャにより効果的に事前に除去される。該アーキテクチャは、第１の入出力電極（バイポーラ・トランジスタの場合にはコレクタ、ＦＥＴの場合にはドレインなど）と、制御電極（バイポーラ・トランジスタの場合にはベース、ＦＥの場合にはゲートなど）との間のネガティブ・フィードバックパスの中にインストールされた電子的に制御可能な補助コンダクタンスを備えている。
【００１０】
非限定的実施例の提供を目的とするバイポーラ型の共通エミッタ回路に適用された本発明の第１の実施例では、電子的に制御されるコンダクタンス・エレメントは、制御可能な電流ソース／シンクにより調整可能な順方向コンダクタンスを持つダイオードを有する。制御可能な電流源の中を通って流れる電流量を変えることにより、ダイオードの中を通って流れる電流量を変更し、したがって、コレクタからベースへのフィードバック量を設定するダイオードのコンダクタンスを変更し、したがって、共通エミッタ・トランジスタの順方向ループ利得の変更が可能となる。共通エミッタ・トランジスタのバイアス状態はダイオードのコンダクタンスのこの制御処理により影響を受けることはないため、共通エミッタ・トランジスタの利得が制御可能に変更される場合でもトランジスタの動作点は一定のままである。
【００１１】
本発明の第２の実施例（非限定的実施例としてバイポーラ・トランジスタを再び使用するものであるが）では、電子的に制御されるコンダクタンス・エレンとは、共通コレクタ構成エミッタ・フォロア・トランジスタを有し、該トランジスタはそのベースを共通エミッタ・トランジスタのコレクタと結合させ、そのエミッタを共通エミッタ・トランジスタのベースと結合させる。エミッタ・フォロワ・トランジスタの利得はそのエミッタを制御可能な電流源／シンクと結合することにより制御される。制御可能な電流源を介する電流量の変動により、エミッタ・フォロワ・トランジスタを介するベース・エミッタ電流の変化が生じ、その結果、その電圧フォロワ伝達関数、すなわちコレクタから共通エミッタ・トランジスタのベースへフィードバックされる電圧が電流源電流と共に変化する。第１の実施例の場合のように、電流源を変動させることによりここフィードバック装置（この場合エミッタ・フォロワ・トランジスタ）の動作点が変化する。しかし、共通エミッタ・トランジスタのバイアス状態はそのままで影響を受けることはなく、その結果、その利得が制御される場合でも動作点はのままであり、したがって共通エミッタ・トランジスタの直線性は一定のままである。好適には、各実施例で用いられる補助コンダクタンスが、共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタ回路に含まれる或るタイプの電子的に制御されるＰＮ接合デバイス構造を持つことが望ましく、これによって、増幅回路の製造に使用される処理シーケンスでセットされる追加マスクが不要となる。
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら、例を挙げて本発明について説明する。
【００１３】
（発明を実施するため最良の形態）
図３は、非限定的実施例としてバイポーラ（共通エミッタ）トランジスタに適用されるような、第１の実施例に基づく利得制御単一段共通電極接続トランジスタ増幅器を示す図である。
【００１４】
本例では、共通エミッタ構成バイポーラはＮＰＮトランジスタ３０であり、このＮＰＮトランジスタ３０は、増幅対象信号が印加される入力端子４１と結合されるそのベース３１と、基準電位のソース（接地（ＧＮＤ）など）と結合されるそのエミッタ３２と、そのコレクタ３３と結合される出力端子４２とを備え、該出力端子４２は、増幅された出力信号が導き出される源であり、また、インダクタンス４３を介してコレクタ・バイアス端子（＋Ｖｃｃ）へ向かう起点となる端子である。コレクタ３３とベース３１との間の電子的に制御可能なコンダクタンスを介するネガティブ・フィードバックパスの制御により共通エミッタ・トランジスタ３０の順方向ループ利得が確立される。
【００１５】
図３の回路アーキテクチャでは、電子的に制御されるコンダクタンスは、ダイオード５０を有し、ダイオード５０の陽極５１はコレクタ３３と結合され、ダイオード５０の陰極５２はコンデンサ６０を介してベース３１と結合される。ダイオード５０の順方向コンダクタンスは、陰極５２と結合される制御可能な電流ソース／シンク７０（接地基準）により確立される。制御可能な電流源７０の中を流れる電流量を変動させることにより、ダイオード５０の中を流れる電流量が制御可能に増減され、それによってダイオード５０のコンダクタンスが制御可能に増減される。
【００１６】
上記コンダクタンスび制御により、コレクタ３３からベース３１へのフィードバック量の制御が行われ、さらに、この制御によりトランジスタ３０の利得の制御が行われる。例えば、電流源７０により得られる電流を上げることは、ダイオード５０を介する順方向コンダクタンスの上昇となり、それによってトランジスタ３０のコレクタ３３における信号のより多くをトランジスタ３０のベースと結合することになり、それによってトランジスタの利得が減少する。逆に、電流源７０を介して電流を下げることは、ダイオード５０を介して順方向コンダクタンスを下げることになり、それによってトランジスタ３０のコレクタ３３における信号のさらに少ない信号をそのベースと結合することになり、それによって利得が増加する。トランジスタ３０のバイアス状態は、ダイオード５０のコンダクタンスのこの制御によって影響を受けることはないので、その利得が制御可能に変更される場合でもトランジスタの動作点は一定のままである。
【００１７】
図４は、本発明の第２の実施例に基づく利得制御単一段共通電極接続トランジスタ増幅器を図示するものであるが、この実施例は非限定的実施例を示すことを目的として、バイポーラ・デバイスのケースに再び適用されるものである。図４の回路は共通エミッタ構成バイポーラ（ＮＰＮなど）のＮＰＮトランジスタ３０を有し、このＮＰＮトランジスタ３０は、増幅対象信号が印加される入力端子４１と結合されるそのベース３１と、基準電位のソース（接地（ＧＮＤ）など）と結合されるそのエミッタ３２と、そのコレクタ３３と結合される出力端子４２とを備え、出力端子４２は増幅された出力信号が導き出される源であり、次いで、インダクタンス４３を介してコレクタ・バイアス端子（＋Ｖｃｃ）へ向かう起点となる端子である。
【００１８】
本発明の第２の実施例では、トランジスタ３０のコレクタ３３とベース３１との間の電子的に制御可能なコンダクタンス・エレメントは、バイポーラ（ＮＰＮ）共通コレクタ構成のエミッタ・フォロワ・トランジスタ８０を有し、このエミッタ・フォロワ・トランジスタ８０は、トランジスタ３０のコレクタ３３と結合されるそのベース８１と、コレクタ・バイアス端子（＋Ｖｃｃ）と結合されるそのコレクタ８３と、キヤパシタ６０を介してトランジスタ３０のベース３１と結合されるそのエミッタ８２とを備えている。エミッタ・フォロワ・トランジスタ８０の順方向利得は制御可能な電流ソース／シンク９０（接地基準）とそのエミッタ８２によって制御される。
【００１９】
第２の実施例では、制御可能な電流源９０の中を通って流れる電流量の変動により、エミッタ・フォロワ・トランジスタ８０（したがってエミッタ・フォロワ・トランジスタ８０の動作点）の中を通るベース・エミッタ電流が変えられ、その結果、共通コレクタ・トランジスタ８０の電圧フォロワ伝達関数によってコレクタ３３から共通エミッタ・トランジスタ３０のベース３１へフィードバックされる電圧量は電流源９０の動作の調整に伴い変動する。例えば、エミッタ・フォロワ・トランジスタ８０のエミッタ８２から電流源９０により得られる電流を上げることは、トランジスタ８０のベース・エミッタ接合を通じて順方向コンダクタンスを増加させ、トランジスタ３０のコレクタ３３における信号のさらに多くをそのベース３１と結合し、それによって、トランジスタ３０の順方向ループ利得を減らすことになる。
【００２０】
逆に、電流源９０によりトランジスタ８０から得られるエミッタ電流の量を減らすことは、エミッタ・フォロワ・トランジスタ８０のベース・エミッタ接合を通じて順方向コンダクタンスを下げることになり、それによって、共通エミッタ・トランジスタ３０のコレクタ３３において、より少ない信号がそのベース３１と結合され、共通エミッタ・トランジスタ３０の利得が減少する。電流源９０により得られる電流量の変動はエミッタ・フォロワ・トランジスタ８０の動作点を変えることになるものの、トランジスタ３０のバイアス状態はままでで影響を受けないため、トランジスタ３０の利得が制御可能に変更される場合でも共通エミッタ・トランジスタ３０の動作点（及びその直線性）は一定のままである。
【００２１】
従来方式の利得制御メカニズムによるトランジスタの利得の変動と関連する、共通電極と接続されたトランジスタ（共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタなど）の動作点の不所望の変動は、トランジスタの第１の入出力電極（コレクタなど）と制御電極（ベースなど）との間のネガティブ・フィードバックパスに電子的に制御可能なコンダクタンスを結合することにより効果的に事前に除去することが可能となる。
【００２２】
電子的に制御されるフィードバック・エレメントがダイオードを含む場合、ダイオードと結合される制御可能な電流源を介して電流の流れを調整することによりその順方向コンダクタンスを変動させることは容易である。この順方向コンダクタンスの変動によって第１の入出力電極（コレクタ）から制御電極（ベース）へのフィードバック量が制御され、また、このフィードバック量の制御によってトランジスタの順方向ループ利得が制御される。制御されるフィードバック・エレメントがエミッタ・フォロワ・バイポーラ・トランジスタやソース・フォロワＦＥＴのような電極フォロワ・トランジスタを含む場合、制御可能な電流ソース／シンクによりその第２の入出力電極を通じて得られる電流の変動によってその順方向利得を容易に制御することが可能となる。次いで、この順方向利得の制御によってトランジスタの第１の入出力電極から制御電極へフィードバックされる電圧量の変動が生じる。
【００２３】
電流源により得られる電流の変動は電子的に制御されるフィードバック・エレメントの動作点を変動させることになるものの、共通電極トランジスタのバイアス状態はそのままで影響を受けないため、トランジスタの動作点はそのまま一定であり、したがってトランジスタの直線性は一定のままである。上述したように、バイポーラ・アーキテクチャの場合、各実施例により用いられる補助エレメントが、共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタ回路に含まれるタイプの電子的に制御されるＰＮ接合デバイス構造を備えていることに起因して、増幅回路の製造を行う処理シーケンス用としてセットされた同一マスクに補助フィードバック・コンダクタンスを容易に形成することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
共通エミッタ・バイポーラ・トランジスタ増幅回路の複雑さを簡略にした例図である。
【図２】
米国特許出願第４，３０５，０４４の明細書で開示されたタイプの多段アーキテクチャを図示する。
【図３】
本発明の第１の実施例に基づく利得制御単一段共通エミッタ・トランジスタ増幅器を図示する。
【図４】
本発明の第２の実施例に基づく利得制御単一段共通エミッタ・トランジスタ増幅器を図示する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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2004505484.tif 000017
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004505484.tif 000018
【国際調査報告】
2004505484.tif 000019
2004505484.tif 000020
2004505484.tif 000021