(57)【要約】【課題】ガス層から結晶層を特に結晶基板上に特に堆積する装置又は方法を提供する。【解決手段】この装置は、少なくとも一個の基板（３）を受ける基板支持体（２）を備える加熱反応室（１）と；ガス状ハロゲン化物が、基板ガスと共にソースに供給されるハロゲン、特にＨＣｌと、ガス流入口部分（５）を通して基板支持体（２）により支持された基板に輸送される金属、例えばソース（４）に関わるＧａ、Ｉｎ、Ａｌとの化学反応により形成される一個以上の加熱されたソース（４）と；水酸化物、特にＮＨ３、ＡｓＨ３又はＰＨ３を反応室に供給する水酸化物供給体（６）とを備える。複数個の回転駆動される基板支持体（２）が基板支持キャリア（７）上に環状に配置され、ソースは上記基板支持キャリアの中央に配置される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の結晶基板上にガス相から特定の結晶層を堆積させる装置であって、
少なくとも一個の基板（３）を受ける基板ホルダー（２）を有する加熱された反応室（１）と、
一個以上の加熱されたソース（４）であって、ガス状ハロゲン化物が、キャリアガス及び当該ソース（４）に配置された金属、例えばＧａ、Ｉｎ、Ａｌと共に当該ソースに供給されるハロゲン、特にＨＣｌの化学反応により形成され、ガス状ハロゲン化物は基板ホルダー（２）により支持された基板へガス流入部（５）を通して搬送されてなる一個以上の加熱されたソース（４）と、
ハロゲン化物、特にＮＨ３、ＡｓＨ３又はＰＨ３を反応室に供給するハロゲン化物供給ライン（６）とを備え、
基板ホルダーキャリア（７）であって、中央軸線を有すると共に中央軸線周り環状に多数の回転駆動される基板ホルダーが配列され、個別に加熱自在なソースが基板ホルダー（２）の内側半径方向に中央軸線周りに配置されてなる基板ホルダーキャリア（７）を特徴とする装置。
【請求項２】
特定の結晶基板上にガス相から特定の結晶層を堆積させる方法であって、
少なくとも一つの基板（３）を受ける基板ホルダー（２）を有する加熱された反応室（１）と、
一つ以上の加熱されたソース（４）であって、ガス状ハロゲン化物が、キャリアガス及び当該ソース（４）に配置された金属、例えばＧａ、Ｉｎ、Ａｌと共に当該ソースに供給されるハロゲン、特にＨＣｌの化学反応により形成され、ガス状ハロゲン化物は基板ホルダー（２）により支持された基板へガス流入部（５）を通して搬送されてなる一つ以上の加熱されたソース（４）と、
ハロゲン化物、特にＮＨ３、ＡｓＨ３又はＰＨ３を反応室に供給するハロゲン化物供給ライン（６）とを備え、
基板ホルダーキャリア（７）の中央軸線周り環状配置の多数の基板ホルダーが回転自在に駆動されることを特徴とし、更に基板ホルダー（２）の内側半径方向で中央軸線周りに配置された個別に加熱されたソースにハロゲン化物が生成されることを特徴とする方法。
【請求項３】
ハロゲン化物又は水酸化物は反応室を半径方向に流れることを特徴とする請求項１乃至２の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項４】
ハロゲン化物又はハロゲンが反応器の中央に導入されることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項５】
ソース（４）は光又は高周波により加熱される（８）ことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項６】
基板ホルダーキャリア（７）は回転駆動されることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項７】
ソース（４）は、基板ホルダーと共に回転するか、又は位置的に固定されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の装置及び方法。
【請求項８】
水酸化物が、基板ホルダーキャリア（７）に対向して配置された反応室カバー（１２）の開口（１０）から発生することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の装置及び方法。
【請求項９】
開口（１０）は環状の基板ホルダーキャリア（７）にわたって一様に分布することを特徴とする請求項８に記載の装置及び方法。
【請求項１０】
開口（１０）は、互いに角度をなしてオフセットされて配置された半径方向ゾーン内に配置されることを特徴とする請求項８乃至９の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１１】
半径方向ゾーンの間に配置され、ハロゲン化物が入る開口を有する部分を特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１２】
異なるハロゲン化物の導入のための複数個の部分が、周囲方向に互いにオフセットされて配置され、水酸化物を導入するための開口により特に互いに分離されることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１３】
ソース（４）はハロゲンで走査されるパン（１７）により又はハロゲンで洗浄される容器（１８）により形成されることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１４】
ガスクッション（１４）に装着された基板ホルダー（２）はガス流により回転駆動されることを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１５】
３００ｍｍまでの直径を有するＳｉ又はＡｌ２Ｏ３基板が基板材料として使用されることを特徴とする請求項１乃至１４の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１６】
ＡｌＧａＩｎＮからなるＧａＮ層及び／又は層シーケンスが基板に塗布されることを特徴とする請求項１乃至１５の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１７】
約２００μｍ厚みの層または層シーケンスが基板から除去され、ＧａＮの堆積のための基板として使用されることを特徴とする請求項１乃至１６の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１８】
反応室（１）にはガス状ドーパントもＶ族からの水酸化物と並列に導入されることを特徴とする請求項１乃至１７の何れかに記載の装置又は方法。
【請求項１９】
反応室にハロゲン化物として搬送される固体又は液体ドーパントを受ける一個以上のソースを特徴とする請求項１乃至１８の何れかに記載の装置又は方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に結晶性の層をガス相から特に結晶性の基板上に堆積させる装置または方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
公知の装置は、少なくとも一つの基板を受ける基板ホルダー、及び一つ以上の加熱されたソースを備える加熱された反応室を具備し、これによりハロゲン、特にＨＣｌの化学反応が行われ、このハロゲンは、キャリアガス及びソースに配置された金属、例えばＧａ、Ｉｎ又はＡｌと共にソースに供給される。ガス状ハロゲン化物が形成され、このハロゲン化物はガス流入部分を通して基板ホルダーにより支持された基板に搬送され、水酸化物、特にＮＨ３、ＡｓＨ３又はＰＨ３を反応室に供給する水酸化物供給ラインも設けられる。更に、堆積した半導体層を所望通りに注入するためにドーパントを添加することが出来る。使用するドーパントは、中でも、例えばＳｉＨ４などの十分に希釈した水酸化物又は塩化物、例えばＦｅＣｌである。しかしながら、ドーパントに供するキャリアとしてＨ２Ｓ又は有機金属化合物を使用することも可能である。この性質を持つ適切な化合物としては特にＤＥＺｎ又はＤＰＺＭｇがある。
【０００３】
この種の装置及び／又はこれらの装置に適用される方法は、特に、擬似基板を堆積するために使用される。これは比較的大きな成長速度（＞２００μｍ／ｈ）のために可能である。ＩＩＩ−Ｖ族擬似基板を用いてＧａＮに基づく発光ダイオードを形成する。これらは紫外光又は青色光又は緑色光を放射することが出来る。特に、紫外光は適切な燐光物質により白色光に変換することが出来る。この種の発光ダイオードの製造の予備条件は適切な基板を設けることである。ＧａＡｓ又はＩｎＰの場合とは異なって、従来の基板生成に対して比較的大きなバルクのＧａＮ結晶を成長させることは不可能ではない。ディスク形状をなして基板が切断されるバルク結晶に代わるものとして、エピタキシ工程で生成された圧肉層を擬似基板として使用することも可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、従って、ＧａＮ層の引き続く堆積に供する擬似基板として使用する層の成長が適切な基板上に大きな成長速度で可能である装置又は方法を提供する目的に基づくものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的は、特許請求の範囲に開示した装置及びそこに開示した方法により達成される。
【０００６】
本発明によれば、多数の回転駆動基板ホルダーが基板ホルダーキャリア上に環状に配置されることが先ず、実質的に与えられる。水酸化物及び／又はハロゲン化物は反応室の中央に導かれる。しかしながら、水酸化物及び／又はハロゲン化物が周囲から反応室に供給され、また反応室の中央に吐出されることも可能である。両者の場合に、水酸化物及び／又はハロゲン化物は反応室を半径方向に流動する。本発明による装置は一個以上のソースを有する。これらのソースは金属Ｇａ、Ｉｎ又はＡｌを収容する。これらのソースは、ハロゲン化物が反応室に直接形成されるように基板ホルダーキャリアの中央に配置されるとよい。一方、反応室の外側でハロゲン化物を生成することも可能である。ハロゲン又は水酸化物が反応器の中央に導入されると好適である。反応室の外側又は内側に配置されるとよいソースは赤外光または高周波により加熱することが出来る。この加熱は抵抗器によって行ってもよい。基板ホルダーは回転駆動してもよい。この場合、基板は、ソースが好適に配置される反応室の対称軸線周りに回転する。円形ディスク形状をなす基板が工程の実行時に基板により静置された基板ホルダーが基板ホルダーキャリア上にサテライト的に配置される。基板ホルダーは自身回転駆動され、又このため円形ディスク状に形成される。ソ―スは基板ホルダーキャリアと回転してもよく、反応室内の一定位置に配置されてもよい。
【０００７】
水酸化物の供給はハロゲン化物の供給とは別に行われると好適である。水酸化物の供給ラインはハロゲン化物源の上に設けられるとよい。ＧａＩｎＡｌＮ結晶の成長工程は水酸化物ＮＨ３の存在により制御されるので、水酸化物ＮＨ３は環状に配列された基板の直ぐ前方に、すなわちハロゲン化物の供給に関して半径方向外方にシフトされた位置に単に供給される。水酸化物の半径方向の供給に代わるものとして、水酸化物は基板の反対側に配置された反応室カバーに配置された開口から取り出されてもよい。これらの開口は環状の基板ホルダーキャリアにわたって一様に配置してもよい。しかしながら、水酸化物が反応室に流されるこれらの開口が、互いに関して角度をなしてオフセットされる半径ゾーン内に配列されることも可能である。これらの半径方向ゾーンの間には、ハロゲン化物が反応室に供給される開口があってもよい。この場合、ハロゲン化物は反応室の内側又は外側で生成されてもよい。
【０００８】
異なるハロゲン化物の導入に供する複数個の断面が、互いに対して周辺方向にオフセットされて配置されると好適である。水酸化物に供する導入ゾーンはこれらの断面の間に配置されてもよい。ソースは、半径方向にオフセットされて、変心的に配置されてもよい。ソースは加熱される。従って、金属Ｇａ、Ｉｎ又はＡｌは液体状になっている。金属は、ＨＣｌ又は他のハロゲンが流れるパンから取り上げることが出来る。この工程において、ＨＣｌは金属と反応して揮発性金属塩化物を形成する。特に、アルミニウムに供するソースはガスにより洗浄される容器として構成することが出来、従ってハロゲンとアルミニウムの間で最適な反応が行われる。このときソースは洗浄ビンと同様に機能する。基板は、基板ホルダーキャリアの中心周りに環状に配置される。これらの基板は経路の非常に広い範囲にわたって配置してもよい。例えば、各基板ホルダーに一枚の基板を配置してもよい。ただし、一個の基板ホルダー上に多数の基板を配置することも可能である。基板ホルダーは公知の方法でガスクッション上に配置してもよい。同様に、回転駆動はガス流により公知の方法で行われる。上記ソースの一つはドーパントを受けるように使用することが出来る。使用ドーパントは金属、例えば鉄を用いることが出来る。但し、ドーパントはガス状で、特に水酸化物として反応室に導入することも出来る。使用ドーパントは、例えば、ＳｉＨ４を用いることが出来る。
【０００９】
以下、図面を参照して実施例について説明する。
図１は、本発明による装置又は方法の概略図である。
図２は、同様に、装置の第一の実施例を概略的に示す図である。
図３は、図２のラインＩＩＩ−ＩＩＩ上の断面である。
図４は、図２に示した実施例の変形例である。
図５は、図２に示したものと同様の本発明の他の実施例を示す。
図６は、図５に示した実施例の変形例である。
図７は、本発明の他の実施例である。
図８は、図７の実施例の、図７に示した矢印ＶＩＩＩにより示した方向から見た図である。
図９は、他の実施例の、図８に示したものに対応する図である。
図１０は、基板ホルダー／基板ホルダーキャリア上の基板の配置を示す。
図１１は、図１０によるものの変形例である。
図１２は、図１０によるものの他の変形例である。
図１３は、図１０によるものの第三の変形例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
各実施例は、反応室１に導入されているＮＨ３と共に、加熱反応室１に導入されているＩｎＣｌ、ＧａＣｌ及びＡｌＣｌに配置された基板３上にＧａＩｎＡｌＮ層をエピタキシャルに堆積させる装置に関係する。このため、装置はソース４を有し、このソースはヒータによりソース温度Ｔｓに保持される。ソースはパン１７または容器１８を備え、これらは金属性のＩｎ、Ｇａ又はＡｌを充填される。水素又は窒素であるキャリアガスと、ＨＣｌからなる混合物がパン１７に通され、あるいは容器１８を通して流される。このガス、特にＨＣｌの質量流は質量流制御装置１９によりセットされる。ソース反応はＩｎＣｌ、ＧａＣｌ又はＡｌＣｌに導く。これらのハロゲン化物はガス流入部分５を通して反応室１に導入される。ＩＩＩ−Ｖ層を形成するためにはＶ成分を与える水酸化物も要求される。本実施例においてはこのハロゲン化物はＮＨ３である。しかし、ＮＨ３の代わりにＡｓＨ３又はＰＨ３も用いることが出来る。水酸化物は水酸化物供給ライン６を通して供給される。水酸化物の質量流は同様に質量流制御装置１９により制御される。
【００１１】
反応室１は基板ホルダーキャリア７を有し、このキャリアはリング又は円形ディスク形状をなし、回転駆動される。特に図１０−１３からわかるように、多数の基板ホルダー２が基板ホルダーキャリア７上に環状に配置される。基板ホルダー２は円形ディスク形状をなし、ガス供給ライン（図には示してない）を流れるガス流により維持されたガスクッション１４上に静置される。このガス流も（図には示してない）基板ホルダー２を回転駆動するために使用することが出来、従って二重回転が得られる。
【００１２】
基板ホルダーキャリア７は高周波により下から加熱される。このため、装置は高周波コイル１１を備え、このコイルはグラファイトからなる基板ホルダーキャリア７の下に配置される。反応室１に隣接する基板ホルダーキャリア７の部分２７はＰＢＮコートしてもよい。但し、それはまた水晶で形成してもよい。基板ホルダー２は同じ材料から形成してもよい。反応室１のカバー１２は水晶から形成すると好適である。
【００１３】
図２に示した実施例はソース４を有し、これは環状基板ホルダーキャリア７の中央に配置される。この実施例においては、パン１７又は容器１８が配置されるソースキャリア２１が基板ホルダーキャリアと共に回転することが出来る。図２において２０により示した個々のソース室１６の間の間仕切りは、全ての金属ソース４が共通の室内に配置されるようにこの変形例においてはなしにすることが出来る。図２に示した複数個のＨＣｌ供給ライン１３の代わりに単一のＨＣｌ供給ラインを使用することが可能である。しかし、環状基板ホルダーキャリア７がソース配置周りに回転するように、ソースキャリア板２１は回転せず、むしろ位置的に固定されたままにすることが可能である。特にこのとき、個別の金属ソース４が上記間仕切り２０により空間的に互いに分離されることが可能である。図３から特にわかるように、異なる金属Ｇａ、Ｉｎ又はＡｌに供するパン又は容器１８が配置され得る４個の個別のソース室１６が間仕切り２０により形成される。個別のＨＣｌ供給ラインは各々のソース室１６に関係する。
【００１４】
シールド１５はソース室１６をカバーする。シールド１５の上で水酸化物供給ライン６からＮＨ３が反応室１に流出する。シールド１５は、基板ホルダー２の前方に直接、半径方向外方にそれ程離れることなく延在する。
【００１５】
図２乃至図４に示した実施例においては、ソース４は個々のソース加熱器８により加熱される。ソース加熱器８は高周波コイルにより構成される。
【００１６】
図４に示した実施例は、ソースキャリア板２１は、また基板ホルダーキャリア７から空間的に離れた所にあるという事実から、ほぼ図２に示した実施例とは異なっている。
【００１７】
図５に示した実施例ではソースキャリア２１は赤外線ヒーターにより加熱される。この実施例においては、金属類を受けるパン１７は共通のソース室１６内に配置される。ただし、この場合も複数のソース室を適切な間仕切りにより与えることも出来る。供給ライン１３を通してソース室１６内へのＨＣｌの導入により生成されたハロゲン化物は、周囲ギャップ５を介して環状反応室１に流入するが、そこでは中心周り及びそれら自身の軸線周りに回転する基板ホルダー２が配置される。この実施例においては、水酸化物（ＮＨ３）が反応室１のカバー１２を通して供給される。このために、カバー１２は多数の水酸化物流入開口１０を有する。全体にわたってカバー１２はシャワーヘッドの形状をなしている。図において、参照番号２２は排気口を示し、これは基板ホルダーキャリア７周りに環状に配置されている。
【００１８】
図６に示した実施例は異なって形成されたソースを有する。この実施例においては、ＨＣｌは供給ライン１３を通してアンテ室２３に至る。アンテ室２３の基部はフリット２４により形成される。フリット２４はソース室１６の上に配置され、これによりＨＣｌは、一個以上のパン１７に配置された金属の表面に一様に流動することが出来る。
【００１９】
図７に示した実施例においては、ソース４は反応室１の外側に配置される。図８から、また図７から特にわかるように、ソース４が反応室の半径方向外方に配置される。ソース４はそれぞれの場合に赤外線ヒーター８によりソース温度Ｔｓに保持される。ソース４において生成されたハロゲン化物は、温度制御ライン２５により反応室１の中央に流動され、そこでそれは、半径方向外方に基板３に向けて流動するためにライン２５の端部５から出現する。本実施例においては、ハロゲン化物は、ＮＨ３の反応室内へのシャワーヘッド状供給に対して上記開口１０が配置されたカバー１２から供給される。
【００２０】
図８からわかるように、４個の半径方向部分の全体に水酸化物流入開口１０が配置される。
【００２１】
図９は、ハロゲン化物が、反応室１の中央に導入されず、むしろ基板ホルダーキャリア７の全半径にわたって延在する開口２６を通して導入される変形例を示している。半径方向ライン上、周囲方向に代わって、列をなして配置されたこの種の開口２６、１０が配置され、従ってハロゲン化物の供給ラインがそれぞれの場合に水酸化物に対する供給ラインの間に配置される。基板はこれらのクシ状供給ラインの下で回転するが、同時にそれら自身の軸線周りに回転する。
【００２２】
図１２及び図１３に示した例からわかるように、複数個の基板３が一個の基板ホルダー２上に配置されることが可能である。
【００２３】
基板３の、それら自身の軸線周りの回転は、ほぼ層の厚みの一様性を最適にするように作用する。基板ホルダー７の、反応室１の対称軸線周りの回転は、反応室内の周囲方向での非一様性をほぼ補償するように作用する。
【００２４】
本発明は二元ＧａＮ擬似基板を生成するように使用される。付加的にあるいは代替するものとして、Ｉｎ又はＧａを第ＩＩＩ成分として使用する可能性は、ＡｌＧａＮ又はＧａＩｎＮなどの三元又は四元基板を生成するオプシヨンを与える。
【００２５】
しかしながら、ＮＨ３に代わるものとして、ＡｓＨ３又はＰＨ３が水酸化物供給ライン６を介して反応室１に供給されることを可能にする。
【００２６】
ソース温度Ｔｓは約７００℃であり、供給ライン２５はソース温度Ｔｓより大きな温度であるが、基板ホルダー２は約１０００℃又はそれ以上の温度ＴＤにある。基板温度Ｔｓは１０００℃と１１００℃の間の範囲にあると好適である。適切な基板はＳｉである。しかし、Ａｌ２Ｏ３基板を用いることも可能である。当該装置はまた層シーケンスを堆積するためにも使用することが出来る。これの全ては１００μｍ／ｈ及びそれ以上の成長速度で行われ、好適である。これは、約２００μｍ厚みのクラックフリーなＡｌＧａＩｎＮ／ＧａＮ層を生成することを可能にする。次に、これらの層は、機械的／熱的手段により元の基板から順に支持されてない層として分離され、次に低欠陥のＧａＮ基板として作用する。この工程は、１から１５００ｍｂａｒの範囲内にある全圧力で実施される。コーティング動作前に基板を誘電体マスクでマスクすることも可能である。材料はこの工程の間にマスクを越えて成長する。この過剰成長は全圧力パラメータにより調節することが出来る。しかし、この現象を温度又はＨＣｌ流量又はＮＨ３流量により制御することも可能である。使用するキャリアガスは好適にはＨ２である。
【００２７】
ドーパントが同様に反応室に添加される。与えられるドーパントは固体ソース例えば鉄ソースである。このソースは既存のＧａ、Ｉｎ又はＡｌソースの一つと交換することが出来る。図３に示した自由位置１６がドーパントソースを位置付けるために使用することも可能である。水酸化物が固体ドーパントソースに代わるドーパントとして使用することが出来る。この意味でシランを考えることが出来る。最後に、有機金属化合物をドーパントとして使用することも可能である。この化合物は同様にガス形態で反応室に導入される。この工程においてはＤＰＺＭｇを使用すると好適である。
【００２８】
以上に開示した全ての特徴は本発明に固有のものである。関連／添付した優先権書類｛先行出願のコピー｝の開示の内容は、これにより、その全体が、本願の開示に、一部は本願のクレームにおけるこれらの書類の特徴を取り込む観点をもって取り込まれる。
【国際公開パンフレット】
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2004526324.tif 000004
2004526324.tif 000005
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【手続補正書】
【提出日】平成15年2月27日(2003.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
特定の結晶基板上にガス相から特定の結晶層を堆積させる装置であって、
少なくとも一つの基板（３）を受ける基板ホルダー（２）を有する加熱された反応室（１）と、
一つ以上の加熱されたソース（４）であって、ガス状ハロゲン化物が、キャリアガス及びソース（４）に配置された金属、例えばＧａ、Ｉｎ、Ａｌと共に当該ソ−スに供給されるハロゲン、特にＨＣｌの化学反応により形成され、ガス状ハロゲン化物は基板ホルダー（２）により支持された基板へガス流入部（５）を通して搬送されてなる一つ以上の加熱されたソース（４）と、
ハロゲン化物、特にＮＨ３、ＡｓＨ３またはＰＨ３を反応室に供給するハロゲン化物供給ライン（６）とを備え、
反応室（１）が対称軸線を有し、多数の回転駆動される基板ホルダー（２）が基板ホルダー（７）に対する対称軸線周りに環状に配置され、個別に加熱自在なソースが対称軸線周りに配置されることを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
特定の結晶基板上にガス相から特定の結晶層を堆積させる方法であって、
少なくとも一つの基板（３）を受ける基板ホルダー（２）を有する加熱された反応室（１）と、
一つ以上の加熱されたソース（４）であって、ガス状ハロゲン化物が、キャリアガス及び当該ソース（４）に配置された金属、例えばＧａ、Ｉｎ、Ａｌと共に当該ソースに供給されるハロゲン、特にＨＣｌの化学反応により形成され、ガス状ハロゲン化物は基板ホルダー（２）により支持された基板へガス流入部（５）を通して搬送されてなる一つ以上の加熱されたソース（４）と、
ハロゲン化物、特にＮＨ３、ＡｓＨ３又はＰＨ３を反応室に供給するハロゲン化物供給ライン（６）とを備え、
対称軸線であって、その周りで基板ホルダーキャリア（７）が回転駆動され、この基板ホルダーキャリアに対して当該対称軸線周りに環状に配置された多数の基板ホルダーが回転駆動されてなる対称軸線を反応室（１）が有し、更にハロゲン化物が前記対称軸線内に配置された個別に加熱されるソース内で生成されることを特徴とする方法。
【国際調査報告】
2004526324.tif 000033
2004526324.tif 000034
2004526324.tif 000035
2004526324.tif 000036
2004526324.tif 000037
2004526324.tif 000038