(57)【要約】半導体基板（１０２）上に光学検出デバイスを形成するための方法。該方法は、第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、上記基板（１０２）内に上記第１の組のトレンチと上記第２の組のトレンチとを形成するステップと、上記トレンチに犠牲材料（２０２）を充填するステップと、上記第１の組のトレンチから犠牲材料（２０２）をエッチングするステップとを含む。上記方法は、さらに、上記第１の組のトレンチに、第１の導電率のドーピングされた材料（５０２）を充填するステップと、上記第２の組のトレンチから上記犠牲材料（２０２）をエッチングするステップと、上記第２の組のトレンチに、第２の導電率のドーピングされた材料（８０２）を充填するステップと、上記ドーピングされた材料（５０２）からドーパントを上記第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層（９０４）を形成し、上記ドーピングされた材料（８０２）からドーパントを上記第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を（９０６）形成するステップと、上記第１の組のトレンチおよび上記第２の組のトレンチに個々の配線接続（１００２，１００４）を供給するステップとを含む方法。第１の組のトレンチと第２の組のトレンチは同時に形成される。【選択図】図１０
2004523905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に光学検出デバイスを形成するための方法であって、
第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、前記基板内に前記第１の組のトレンチと前記第２の組のトレンチとを同時に形成するステップと、
前記トレンチに犠牲材料を充填するステップと、
前記第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第１のドーパント材料からドーパントを前記第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層を形成し、第２のドーパント材料からドーパントを前記第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を形成するステップと、
前記第１の組のトレンチおよび前記第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記２つの接合層を形成する前に、
前記第１の組のトレンチに第１の導電率タイプである前記第１のドーパント材料を充填するステップと、
前記第２の組のトレンチから前記犠牲材料をエッチングするステップと、
前記第２の組のトレンチに第２の導電率タイプである前記第２のドーパント材料を充填するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記犠牲材料が，前記第２のドーパント材料を含み、前記第２の接合層が、前記犠牲材料から前記ドーパントを前記第２の組のトレンチ内に注入することにより前記第２の接合層が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接合層を形成する前に、
前記第１の組のトレンチに前記第１のドーパント材料を充填するステップをさらに含み、前記第１のドーパント材料が、第１の導電率タイプであり、前記犠牲材料が、第２の導電率タイプである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の組のトレンチ内に前記接合層を形成した後で、前記第２の組のトレンチから前記犠牲層をエッチングするステップと、
前記第２の組のトレンチに電極材料を充填するステップとをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のドーパント材料が気体ドーパントであり、前記接合層が、気相ドーピングにより前記第１の組のトレンチ内に形成され、
前記第１の組のトレンチに、第１の導電率タイプであるドーピングされた材料を充填するステップと、
前記第２の組のトレンチから前記犠牲材料をエッチングするステップと、
前記第２の組のトレンチに第２の導電率タイプのドーピングされた材料を充填するステップとをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の組のトレンチから前記犠牲材料をエッチングするステップが、
前記デバイスの表面から犠牲材料を除去するステップと、
前記第２の組のトレンチをマスキングするステップとをさらに含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップが、前記第２の組のトレンチの前記犠牲材料を前記デバイスの表面に露出させるステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
個々の配線接続を供給するステップが、
前記第１の組のトレンチを充填している材料、および前記第２の組のトレンチを充填している材料を前記デバイスの表面に露出させるステップと、
前記第１の組の各トレンチに第１の組の接点を供給し、前記第２の組のトレンチに第２の組の接点を供給するステップとをさらに含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記接合層を形成するステップが、
前記接合層を形成する前に、前記デバイスの表面上に拡散バリヤ層を形成するステップと、
前記接合層を形成した後で、前記デバイスの表面から前記拡散バリヤ層を除去するステップとをさらに含む、請求項２または４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、光学検出デバイスに関し、特に半導体光電子集積回路上に形成された横向きトレンチ光学検出デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチをベースとする光学検出デバイスを形成するための従来技術による方法によれば、検出デバイスを形成するためには、異なるタイプの電極用のトレンチを別々にエッチングしなければならない。そのため、製造プロセス中のステップの数が多くなる。これらのステップは、光学検出デバイスの製造の際の高価なステップであるので、製造コストも高くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
それ故、トレンチがパターン形成され、次に、すべてのタイプの電極が同時に、すなわち、同じ作業ステップでエッチングされる横向きトレンチｐ−ｉ−ｎフォトダイオード（ＬＴＤ）を形成するための方法の開発が待望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第１の態様によれば、本発明は、半導体基板上に光学検出デバイスを形成するための方法である。該方法は、
第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを同時に形成するステップと、
トレンチに犠牲材料を充填するステップと、
第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第１のドーパント材料からドーパントを第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層を形成し、第２のドーパント材料からドーパントを第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を形成するステップと、
第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【０００５】
第２の態様によれば、本発明は、半導体基板上に光学検出デバイスを形成するための方法である。該方法は、
第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを形成するステップと、
トレンチに犠牲材料を充填するステップと、
第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第１の組のトレンチに第１の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、
第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第２の組のトレンチに第２の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、
ドーピングされた材料からドーパントを第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層を形成し、ドーピングされた材料からドーパントを第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を形成するステップと、
第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【０００６】
上記方法は、第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを形成するステップと、トレンチに犠牲材料を充填するステップと、第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップとを含む。上記方法は、さらに、第１の組のトレンチに第１の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、第２の組のトレンチに第２の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、ドーピングされた材料からドーパントを第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層を形成し、ドーピングされた材料からドーパントを第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を形成するステップと、第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【０００７】
好適には、基板内の第１の組のトレンチと第２の組のトレンチを同時に形成することが好ましい。
【０００８】
第２の態様によれば、好適には、第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップは、さらに、デバイスの表面から犠牲材料を除去するステップと、第２の組のトレンチをマスキングするステップとを含むことが好ましい。また、好適には、第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップが、第２の組のトレンチの犠牲材料をデバイスの表面に露出させるステップを含むことが好ましい。
【０００９】
個々の配線接続を供給するステップは、第１の組のトレンチを充填しているドーピングされた材料、および第２の組のトレンチを充填しているドーピングされた材料をデバイスの表面に露出させるステップと、第１の組の各トレンチに第１の組の接点を供給し、第２の組のトレンチに第２の組の接点を供給するステップとを含むことができる。
【００１０】
また、第２の態様においては、接合層を形成するステップは、さらに、接合層を形成する前に、デバイスの表面上に拡散バリヤ層を形成するステップと、接合層を形成した後で、デバイスの表面から拡散バリヤ層を除去するステップとを含むことができる。
【００１１】
第２の組のトレンチの犠牲材料を露出させるステップは、さらに、第１の導電率のドーピングされた材料を、機械的研磨により第２の組のトレンチの上の領域から除去するステップを含むことができる。第２の組のトレンチの犠牲材料を露出させるステップは、第１の導電率のドーピングされた材料をパターン形成するステップと、第２の組のトレンチ上の領域内の第１の導電率のドーピングされた材料をエッチングするステップとを含むことができる。
【００１２】
第１の導電率の材料は、ｎ型のドーピングされたポリシリコン、および第２の導電率の材料は、ｐ型のドーピングされたポリシリコンを含むことができる。別な方法としては、第１の導電率の材料は、ｐ型のドーピングされたポリシリコン、および第２の導電率のｎ型のドーピングされたポリシリコンの材料を含むことができる。
【００１３】
好適には、基板は、半導体材料、半導体材料上に形成されたＳｉＯ２層、およびＳｉＯ２層上に形成されたＳｉＮ層を含むことが好ましい。
【００１４】
第３の態様によれば、本発明は、半導体基板上に光学検出デバイスを形成するための方法である。該方法は、
第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを形成するステップと、
トレンチに第１の導電率の犠牲材料を充填するステップと、
第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第１の組のトレンチに第２の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、
ドーピングされた材料からドーパントを第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層を形成し、犠牲材料からドーパントを第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を形成するステップと、
第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第２の組のトレンチに電極材料を充填するステップと、
第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【００１５】
上記方法は、第１の組のトレンチが第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを形成するステップと、トレンチに第１の導電率の犠牲材料を充填するステップと、第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップとを含む。上記方法は、さらに、第１の組のトレンチに第２の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、ドーピングされた材料からドーパントを第１の組の各トレンチ内に注入することにより第１の接合層を形成し、犠牲材料からドーパントを第２の組の各トレンチ内に注入することにより第２の接合層を形成するステップと、第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、第２の組のトレンチに電極材料を充填するステップと、第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【００１６】
第３の態様によれば、好適には、第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップは、さらに、デバイスの表面から犠牲材料を除去するステップと、第２の組のトレンチをマスキングするステップとを含むことが好ましい。
【００１７】
接合層を形成する前に、好適には、第２の導電率のドーピングされた材料をデバイスの表面から除去することが好ましい。好適には、接合層を形成するステップは、さらに、接合層を形成する前に、デバイスの表面上に拡散バリヤ層を形成するステップと、接合層を形成した後で、デバイスの表面から拡散バリヤ層を除去するステップとを含むことが好ましい。
【００１８】
個々の配線接続を供給するステップは、さらに、第１の組のトレンチを充填しているドーピングされた材料、および第２の組のトレンチを充填している電極材料をデバイスの表面に露出させるステップを含むことができる。電極材料としては、第１の導電率のドーピングされた材料およびドーピングされていない材料のうちのどちらかを使用することができる。
【００１９】
第４の態様によれば、本発明は、半導体基板上に光学検出デバイスを形成するための方法である。
上記方法は、第１の組のトレンチが第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを形成するステップと、
トレンチに犠牲材料を充填するステップと、
第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
気相ドーピングにより第１の組のトレンチの壁部内に接合層を形成するステップと、
ドーパントが犠牲材料から壁部に注入されるように、第２の組の各トレンチの各壁部内に接合層を形成するステップと、
第１の組のトレンチに第１の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、
第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、
第２の組のトレンチに第２の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、
第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【００２０】
上記方法は、第１の組のトレンチが、第２の組のトレンチに対して交互に配置されるように、基板内に第１の組のトレンチと第２の組のトレンチとを形成するステップと、トレンチに犠牲材料を充填するステップと、第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップとを含む。上記方法は、さらに、気相ドーピングにより第１の組の各トレンチの壁部内に接合層を形成するステップと、ドーパントが犠牲材料から壁部に注入されるように、第２の組の各トレンチの壁部内に第２の接合層を形成するステップと、第１の組のトレンチに第１の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップと、第２の組のトレンチに第２の導電率のドーピングされた材料を充填するステップと、第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチに個々の配線接続を供給するステップとを含む。
【００２１】
好適には、第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップは、デバイスの表面から犠牲材料を除去するステップと、第２の組のトレンチをマスキングするステップとを含むことが好ましい。第２の組のトレンチから犠牲材料をエッチングするステップは、さらに、第１の導電率のドーピングされた材料をデバイスの表面から除去するステップを含む。
【００２２】
個々の配線接続を供給するステップは、第１の組のトレンチを充填しているドーピングされた材料、および第２の組のトレンチを充填しているドーピングされた材料をデバイスの表面に露出させるステップを含む。
【００２３】
本発明をもっとよく理解してもらうために、添付の図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を以下にさらに詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
光学検出デバイスは、交互のトレンチ領域により分離されているｎ型およびｐ型のドーピングされた材料の複数の領域を形成するために、基板内に複数のほぼ平行なトレンチを形成することにより半導体基板上に形成される。ｎ型領域は、互いに接続されてｎ型接点を形成している。ｐ型領域は、互いに接続されてｐ型接点を形成している。トレンチを分離している領域は、真性な半導体層（ｉ）として機能し、それにより、複数の平行なｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを形成している。この検出デバイスの基本的な原理は、検出デバイスの吸収領域内の自由キャリヤを入射光に垂直な方向に移動させ捕集することである。
【００２５】
本発明は、ｎ型およびｐ型のドーピングされた材料のトレンチが、望ましい集積化されたフォトダイオード・デバイスを形成するために、同時にエッチングされてパターン化される光学検出デバイスフォーメーションの方法を開示している。次に、第１の組のトレンチに犠牲層を充填することにより必要な構造体を形成することができる。一方、第２の組のトレンチには電極材料（例えば、ポリシリコン）が充填される。それ故、本発明は、第１の組のトレンチおよび第２の組のトレンチがパターン形成され、次に、同時にエッチングされる横向きトレンチ光学検出デバイスを形成するための方法を提案する。光検出器の製造プロセス中のリソグラフィのパターン形成および深いトレンチ・エッチング・ステップの数を低減することにより、本発明は、製造コストを削減することができる。
【００２６】
図１について説明すると、本発明の実施形態により、例えば、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）により、半導体基板（１０２）内に深いトレンチがパターン形成され、エッチングされる。図には一組しか示していないが、これらの深いトレンチの組は、横向きトレンチ光検出器デバイスの交互のｎ型電極およびｐ型電極を形成する。基板は、また、例えば、ＳｉＯ２からできているパッド層（１０４）、および化学的機械的研磨（ＣＭＰ）ストップとして使用するための、ＳｉＯ２上に形成したＳｉＮ層（１０６）を含むことができる。当業者であれば、本発明を読めば、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、例えば、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム、および、単結晶シリコンのような他の基板も使用することができることを理解することができるだろう。
【００２７】
図２について説明すると、次に、トレンチは、酸化物（ホウ珪酸ガラス（ＢＳＧ）、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）、ヒ素珪酸ガラス（ＡＳＧ）、ホウ燐珪酸ガラス（ＢＰＳＧ）、テトラオルト珪酸塩（ＴＥＯＳ）等）のような犠牲材料（２０２）で充填される。好適には、酸化物は、基板（１０２）に対して高いエッチング選択性を持つものであることが好ましい。犠牲材料は、下のＳｉＮ層まで（例えば、ＣＭＰにより）研磨することができる。
【００２８】
図３について説明すると、交互トレンチは、例えば、アモルファス・シリコン（３０２）によりマスキングされる。マスキング材料（３０２）は、デバイスの表面上に形成され、次に、交互トレンチ上のマスキング材料（３０２）が除去され、下の犠牲材料（２０２）が露出する。次に、犠牲材料（２０２）は、第１の組のトレンチからエッチングにより除去される（図４）。
【００２９】
図５について説明すると、デバイスは、開いているトレンチを満たしている第１のドーピングされた電極材料（５０２）で覆われる。ｎ型またはｐ型のドーピングされたポリシリコンのようなドーピングされた材料を使用することができる。前にマスキングされた犠牲材料（２０２）は、引き続き第２の組のトレンチを満たしていて、第１の電極材料（５０２）が、第２の組のトレンチに入り込むのを防止する。次に、犠牲材料充填を含む第２の組のトレンチ上の電極材料（３０２）（ポリ）をパターン形成し、エッチングすることができる。別な方法としては、本発明の方法は、トレンチ外にはみ出している電極材料を除去するために、デバイスを機械的に研磨し、平坦化するステップを含むことができる。第２の組のトレンチを満たしている犠牲材料をデバイスの表面に露出させるために、どちらの手段も使用することができる（図６）。次に、第２の組のトレンチから犠牲材料を除去する前に、第１の組のトレンチをマスキングすることができる。犠牲材料は、湿式エッチングのようなエッチング・プロセスにより除去することができる（図７）。その後で、図８に示すように、第２の組のトレンチにｎ型またはｐ型のドーピングされたポリシリコンのような第２のタイプの電極材料（８０２）が充填される。トレンチの外側のすべての余分な電極材料は、平坦化ステップにより除去することができる。
【００３０】
図９について説明すると、平坦化ステップの後で、ＴＥＯＳ拡散バリヤ層（９０２）がデバイス上に形成され、ドーパントが、それぞれ、ｎ型接合（９０４）およびｐ型接合（９０６）を形成しているｎ型およびｐ型のドーピングされたトレンチを囲んでいる基板内に注入される。焼きなまし後に、ＴＥＯＳ拡散バリヤ層（９０２）が除去され、金属接点（１００２，１００４）が電極に取り付けられる（図１０）。
【００３１】
図１１について説明すると、本発明の他の実施形態によれば、（図６のように）第１の組のトレンチにｎ型ポリシリコン（５０２）を充填し、パターン形成した後で、ＴＥＯＳ拡散バリヤ層（９０２）をデバイスの表面上に形成することができる。ｐ型ドーパント源としての第２の組のトレンチ内の犠牲材料（２０２）（例えば、ＢＳＧ）により、また、ドライブイン焼きなましにより、ｎ型接合（９０４）およびｐ型接合（９０６）を、それぞれ、ｎ型のドーピングされた材料（５０２）および犠牲材料（２０２）から外方拡散法により形成することができる。次に、ＴＥＯＳ拡散バリヤ層（９０２）を除去することができる（図１２）。
【００３２】
図１３について説明すると、本発明の他の実施形態によれば、（図４に示すように）交互トレンチの第１の組のトレンチから犠牲材料をエッチングした後で、第１の接合タイプ（９０４）を形成している気相ドーピングにより第１の組のトレンチ内にドーパントが注入される。ドーパントは、第２の接合タイプ（９０６）を形成している犠牲材料（２０２）から第２の組のトレンチ内に注入される。第１の組のトレンチは、第１の電極材料で充填され、第２の組のトレンチを覆っている余分な電極材料は除去される。第２の組のトレンチを覆っている犠牲材料（３０２）は、エッチングされ、第２の組のトレンチは、第２のドーピングされた電極材料により充填される。第１の組のトレンチの第１のドーピングされた電極材料は、デバイスの表面に露出され、配線接続（接点等）が行われる。
【００３３】
１１〜１６Ｗ−ｃｍの比抵抗のｐ型シリコン基板上に、本発明により、横向きトレンチ光検出器を形成した。この場合、トレンチの深さは８μｍであり、幅は０．３５μｍであり、トレンチ間の間隔は３．３μｍであった。デバイスは、直径が７５μｍの円であった。ホウ珪酸ガラス（ＢＳＧ）を犠牲材料として使用した。一方、第１の組のトレンチには、燐でドーピングしたポリシリコン（〜１０２０ｃｍ−３）を充填し、第２の組のトレンチには、ホウ素でドーピングしたポリシリコン（〜１０１８ｃｍ−３）を充填した。基板内にドーパントを注入し、シリコンとポリシリコンとの界面に接合部が形成されるのを防止するために、デバイスを、アルゴン中で、１０００℃で１０分間焼きなました。各トレンチ電極の頂部上にケイ化物と金属の接点を形成した。
【００３４】
いくつかの結果は、横向きトレンチ光検出器の直流電流−電圧特性が、それぞれ、−５Ｖおよび−１５Ｖのところに、１．５ｐＡおよび３ｐＡの電流を含むことを示した。絶縁破壊電圧は−約２７Ｖであった。順方向バイアス電流−電圧曲線から抽出した横向きトレンチ光検出器の直列抵抗は１５Ｗであった。感度は、バイアス電圧とは無関係に、８４５ｎｍで、０．４５Ａ／Ｗであった。外部量子効率は６６％であることが観察された。本発明のデバイスの場合には、感度は、６７０ｎｍの光源の場合、２．８ＧＨｚの直流から−３ｄＢ帯域幅の周波数範囲で一定であった。
【００３５】
１０−９のビット誤り率で、２．５Ｇｂ／ｓ  ＢｉＣＭＯＳ前置増幅器を含む個々の光検出器を接続した場合、受信機は、３．３Ｖのバイアスの場合、２．５Ｇｂ／ｓで、−１６．１ｄＢｍ、３Ｇｂ／ｓで、−１５．４ｄＢｍの感度を示した。バイアスを−５．０Ｖに上げると、感度は、２．５Ｇｂ／ｓで、−１６．４ｄＢｍに改善することができた。
【００３６】
横向きトレンチ光検出器を形成するための方法の実施形態について説明してきたが、上記説明を読めば、当業者であれば種々の修正および変更を行うことができることに留意されたい。それ故、上記本発明の特定の実施形態において種々の変更を行うことができ、そのような変更は、添付の特許請求の範囲が記載する本発明の範囲に含まれることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】半導体基板内の横向きトレンチの断面図である。
【図２】複数のトレンチが犠牲材料で充填されている、図１の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図３】露出した犠牲材料の研磨中の、図２の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。この場合、
【図４】犠牲材料を第１の組のトレンチから除去中の、図３の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図５】ｎ＋ポリをデバイスの表面上に形成中の、図４の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図６】ｎ＋ポリをパターン形成中の、図５の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図７】犠牲材料を第２（第１）の組のトレンチから除去中の、図６の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図８】ｐ型ポリをデバイスの全表面上に形成中の、図７の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図９】ｎおよびｐ接合層が形成された、図８の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図１０】金属接点をドーピングされた領域上にパターン形成中の、図９の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図１１】ＴＥＯＳ拡散バリヤ層をデバイス上に形成中の、本発明の他の実施形態の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図１２】ＴＥＯＳ拡散バリヤ層が、ドライブイン焼きなまし後で、第１のドーピングされた電極材料（ｎ＋ポリ）および犠牲材料から除去された場合の、図１１の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図１３】気相ドーピングによりドーパントを第２の組のトレンチ、および犠牲材料から第１の組のトレンチに注入中の、本発明の他の実施形態の横向きトレンチ半導体基板の断面図である。
【図１】
2004523905.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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