(57)【要約】新規な光学スイッチングデバイスおよびその動作方法は、光学信号と出力との位置合わせが確保されるように光学信号を所望の伝播経路に制限するために埋め込まれ得る光学信号制限チャネルを用いることにより、位置合わせの問題を克服する。小角度ミラーが、意図する光学信号制限チャネル内へと光学信号を方向づけることにより、所望の光学スイッチングを達成するために用いられ得る。ミラーは、ラッチ型マイクロミラーまたは非ラッチ型マイクロミラーであり得る。このようなミラーは、静電気作動、熱作動、電磁気作動、または任意の他の技術によって制御され得る。【選択図】図１２Ａ
2004503801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学信号を送信するデバイスであって、
該光学信号を受け取る光学入力と、
少なくとも１つの該光学入力と光学出力との間で該光学信号を方向づける制御デバイスと、
該光学入力と該光学出力との間に位置し、該光学信号を所定の経路に制限するチャネルと、
を備えるデバイス。
【請求項２】
前記制御デバイスは、該デバイス内で前記光学信号を反射させるように構成された少なくとも１つのミラー素子を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記少なくとも１つのミラー素子の各々は、磁気感応部、および反射部を有するカンチレバーを備える、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記カンチレバーは、複数の電磁気信号のうちの１つによって、第１の状態と第２の状態とに切り換えられるように構成される、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記電磁気信号の各々は、前記カンチレバーが前記第１の状態と前記第２の状態とに切り換えられるように、前記複数のミラー素子のうちの１つに対応する該カンチレバーのうちの１つにトルクを誘発させるように構成される、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記複数の電磁気信号は、複数のコンダクタによって発生させられる磁気信号を含む、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記複数の電磁気信号は、複数の電極によって発生させられる静電気信号を含む、請求項５に記載のデバイス。
【請求項８】
前記チャネルは、少なくとも１つの反射壁を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記反射材料は、アルミニウム、金、銀、およびクロムからなる群のうちの１つを含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記チャネルは、少なくとも１つの反射壁を有する、請求項５に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記反射材料は、アルミニウム、金、銀、およびクロムからなる群のうちの１つを含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記チャネルは、前記光学信号を受信し、該光学信号に該チャネルを通過させるように構成された少なくとも１つのチャネルミラーを備える、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記チャネルは、前記ミラー素子のうちの１つと光通信を行う少なくとも１つのチャネルミラーを備え、該チャネルミラーは、前記光学信号を受信し、該光学信号に該チャネルを通過させるように構成される、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１４】
光学信号の第１の状態と第２の状態とを切り換える方法であって、
反射部を有するカンチレバーを備えるスイッチング素子を提供する工程と、
該カンチレバーを切り換える工程であって、該光学信号が該第１の出力で所望される場合には、該反射部が該光学信号の経路に配置されるようにカンチレバーを切換え、該光学信号が該第２の出力で所望される場合には、該反射部が該光学信号の経路外に配置されるようにカンチレバーを切換える、工程と、
を包含する方法。
【請求項１５】
チャネルを介して前記光学信号を伝送する工程をさらに包含し、該チャネルは反射壁を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記伝送する工程は、チャネルミラーを有する前記反射壁から離れるように前記光学信号を方向づける工程を包含する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記カンチレバーは、複数の電磁気信号のうちの１つによって切り換えられるように構成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記電磁気信号は前記カンチレバーに磁気トルクを生成する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法を実行するように構成されたスイッチ。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法を実行するように構成されたスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明の開発の一部の資金提供は、米国政府　Ｇｒａｎｔ　Ｎｕｍｂｅｒ　Ａｉｒ　Ｆｏｒｃｅ　ＳＢＩＲ　Ｆ２９６０１−９９−Ｃ０１０１、Ｕｎｉｔｅｄ　Ｓｔａｔｅｓ　Ａｉｒ　Ｆｏｒｃｅとの請負契約Ｎｏ．ＭＬ９９−０１によって提供された。米国政府は、本発明に関する所定の権利を有し得る。
【０００２】
（本発明の分野）
本開示は、電子スイッチおよび光学スイッチに関する。さらに詳細には、本開示は、低い電力消費でマイクロ磁気スイッチ（ｍｉｃｒｏ−ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｓｗｉｔｃｈ）をラッチすることおよびマイクロ磁気スイッチを明確にし、操作する方法を説明する。さらに、本開示は、組み込まれたビーム限定チャネル（ｂｅａｍ−ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ　ｃｈａｎｎｅｌ）を有する光スイッチアレイ（関連方法を用いて光のミスアライメント（ｍｉｓ−ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）および光の減衰を最小化する）を説明する。
【０００３】
（本発明の背景）
スイッチは、通常、電子的に制御された２状態デバイス（電子または光学回路においてデバイスの動作に影響する接触部を開閉する）である。例えば、リレーは、通常、スイッチ（電子的、光学的なデバイス等の一部を使用状態にするか、または停止状態にする）として機能する。リレーは、電気通信、無線周波数（ＲＦ）通信、ポータブル電子機器、消費者用および産業用の電子機器、エアロスペース、および他のシステムを含む多くの装置において一般的に使用される。最近、光スイッチ（本明細書中において「光リレー」または単に「リレー」とも呼ばれる）は、光信号（光ファイバまたは他の光通信システムを伝播する光のパルス等）をある経路から別の経路に切り替えるように用いられている。
【０００４】
最も初期のリレーは機械的なデバイスまたは物性を利用したデバイス（ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ　ｄｅｖｉｃｅ）であるが、マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）技術およびマイクロ電子機器製造の最近の進展は、マイクロな静電リレーおよびマイクロ磁気リレーを可能にする。このようなマイクロ磁気リレーは、通常、電気的に接触させるか、または接触を断ち切るために電器子（ａｒｍａｔｕｒｅ）にエネルギーを与える電磁石を含む。磁石が非エネルギー状態にあるときには、バネまたは他の機械的な力は、通常、静止位置に電器子を戻す。他の静電リレーは、移動可能なカンチレバーと固定された電極パッドと間の電位差を用いて、電器子またはカンチレバーを作動させる静電力を生成する。他のリレーは、熱的な作動、形状記憶合金による作動等の他の作動機構を有する。しかし、このようなリレーは、通常、単一の安定出力（すなわち、静止状態）のみを示し、ラッチしない（すなわち、このようなリレーは、電力がリレーから除かれないと一定の出力を保持しない）という多くの顕著な欠点を示す。さらに、従来のマイクロ磁気リレーが必要とするバネは、時間とともに劣化するか、または壊れる。
【０００５】
マイクロ磁気リレーの例は、Ｔａｙｌｏｒらによって、１９９８年１２月８日に発行された米国特許第５，８４７，６３１号にて説明され、全体的にわたって参考文献として援用される。この参考文献に開示されたリレーは、永久磁石によって生成された磁場を間欠的に対抗する磁場を生成する永久磁石および電磁石を含む。このリレーが双安定してるように意図されているが、このリレーは、出力状態の少なくとも１つを維持するために、電磁石の電力消費を必要とする。さらに、対抗する磁場を生成するために必要とされる電力が大きくなる。これにより、空間、ポータブル電子機器および低い電力消費を要求する他のアプリケーションにおける使用をこのリレーは所望しない。
【０００６】
光スイッチについて、さらに重要な課題は、入力レーザー光のアライメントに関する。光ファイバまたは他のコンポーネントへのレーザー光のアライメントに用いられるたいていの従来のミラーは、２つのカテゴリー（本明細書において、「フリップアップ」ミラーまたは「垂直スライディングミラー」と呼ばれる）に分けられる。作動する前には、「フリップアップ」：ミラーは、通常、水平状態であり、その結果、入射光がミラーによって影響されない。作動した後には、上記ミラーは、通常、入射レーザー光をほぼ９０°に反射するために垂直状態になっている。リレーの出力において、マイクロレンズを備えた光ファイバは、レーザービームを集光するために基板上にエッチングされた溝に常駐している。上記ミラーは、回転ピボットを提供するために底部にマイクロヒンジを備えた（単数または複数の）作動アーム部（ａｃｔｕａｔｉｎｇ　ａｒｍ）によって支持され得る。上記ミラーはまた、取り付けバネによって支持され得る。フリップアップミラーは、通常、様々な機構（例えば、スクラッチ駆動、カーム駆動、インパクトカーム駆動、カーム駆動によるスライディングギア、ミラーと側壁との間の単純な静電力、磁気力等）によって作動され得る。
【０００７】
通常、作動中に回転を必要とする「フリップアップ」ミラーと異なって、垂直スライディングミラーは、通常、特定の平行移動を用いて使用状態となる。通常、上記ミラーは、スライドの上部に垂直に配置されている。上記ミラーが使用状態になると、上記ミラーは、ストッパによって所定位置に滑動し、これによりレーザービームの経路を中断し、９０°だけレーザービームを反射させる。垂直ミラーは、通常、ＬＩＧＡ（レントゲンリソグラフィ　ガルバニック　アブフォーミュング（ＲｏｅｎｔｇｅｎＬＩｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ　Ｇａｌｖａｎｉｋ　Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）：Ｘ線リソグラフィ、電極位置およびモールディング）プロセスまたは深反応イオンエッチング（ｄｅｅｐ　ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｅｔｃｈｉｎｇ）（ＤＲＩＥ）によって作製され、作製後、反射性金属でコーティングされる。上記ミラーの傾斜は、ＬＩＧＡプロセスの場合、約１／１０００のオーダーであり得る。上記ミラーの表面の平滑度は、ＤＲＩＥプロセスの場合、約５ｎｍのオーダーであり得る。
【０００８】
スイッチアレイのサイズが大きくなる（例えば、５１２×５１２のオーダー）と、自由空間において出力ポートに対して垂直ミラーによって反射されたレーザービームをアライメントすることは、しばしば極端に困難になる。チップサイズが５ｃｍであると仮定すると、スイッチのサイズは、約５／５１２または約１００μｍ必要となる。設計には、一般に約０．０１°のオーダーのアライメント精度を必要とするので、標準的なマイクロ電子部品製造技術についてのこのような精度を達成することが極端に困難である。使用状態にあるミラーのマイクロ調整は、いくらか問題を緩和させ得るが、この調整は、通常、製造および回路の複雑化、減速化等の他の問題を引き起こす。アライメント問題に加えて、レーザービームの発散はまた、アレイサイズが大きくなると（例えば、平行移動距離が約１ｃｍを超えると）、許容可能になり得る。それゆえ、大きなスイッチ製造品の場合でさえ、頑丈な設計仕様を満たすことができる光スイッチを作製することが所望である。
【０００９】
（例示的な実施形態の簡単な要旨）
このようなデバイスを動作する新しい光スイッチデバイスおよび方法は、光信号限定チャネルを使用することによってアライメント問題を克服する。このチャネルは、所望の伝播経路に光信号を限定するように組み込まれ得、その結果、光信号の出力アライメントが確実となる。小さい角度のミラーは、意図された光信号限定チャネルに光信号を向けるように用いられ、その結果、所望の光スイッチングを達成し得る。上記ミラーは、マイクロのミラーをラッチしてもよいし、またはマイクロなミラーをラッチしなくてもよい。このようなミラーは、静電的な動作、熱的な動作または電磁気的な動作、または任意の他の技術により、制御されしてもよい。
【００１０】
本発明の上述した特徴および他の特徴および利点は、添付図面と関連して読まれる例示的な実施形態の以下の詳細な説明で説明される。同一の番号は、類似した観点において、同一部分または類似部分を識別するために用いられる。
【００１１】
（例示的実施形態の説明）
本明細書において示され且つ記載される特定の実施は、本発明の例であり、いかなる方法でも本発明の範囲を別なように制限することが意図されないことが認識されるべきである。実際に、簡潔のため、従来の電子機器、製造、ＭＥＭＳ技術および本発明の他の機能的な局面（および本システムの個々の操作要素の構成要素）が、本明細書において詳細に記載されない場合がある。同様に、異なる制御機構のための種々の制御または発動素子は、簡単のため、種々の図面に示されない場合がある。さらに、簡潔のため、本発明は、本明細書において、電子機器または電子システムに使用するマイクロ電子的に機械化されたリレーに関連するようにしばしば記載される。多くの他の製造技術が本明細書に記載されたリレーを生成するために用いられ得、本明細書に記載された技術が、機械的なリレー、光リレーまたは任意の他のスイッチングデバイスに用いられ得ることが認識されるべきである。さらに、技術は、電子システム、光学システム、消費者電子機器、工業電子機器、無線システム、宇宙での適用、または任意の他の適用での適用に適している。さらに、本明細書においてなされた空間的な記述（例えば、「上方（ａｂｏｖｅ）」、「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「上に（ｕｐ）」、「下に（ｄｏｗｎ）」等）は、例示のみの目的のためであり、実際のラッチングリレーは、任意の方向または方法で空間的に配置され得ることが理解されるべきである。これらのリレーのアレイは、さらに、それらを適切な方法および適切なデバイスで結合することによって形成され得る。
【００１２】
（ラッチングスイッチ）
図１Ａおよび図１Ｂは、ラッチングスイッチの側面図および平面図をそれぞれ示している。図１Ａおよび図１Ｂを参照して、例示的なラッチングリレー１００は、磁石１０２、基板１０４、コンダクタ１１４を覆っている絶縁層１０６、コンタクト（ｃｏｎｔａｃｔ）１０８および基板の上方にステージ層（ｓｔａｇｉｎｇ　ｌａｙｅｒ）１１０によって配置されたカンチレバー（ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ）１１２を適切に含んでいる。
【００１３】
磁石１０２は、以下により十分に記載されるように、永久磁石、電磁石、または磁場Ｈｏ１３４を生成することが可能な任意の種類の磁石等の任意の種類の磁石である。例示的な実施形態において、磁石１０２は、カリフォルニア州のＦｒｅｍｏｎｔのＤｅｘｔｅｒ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＭｏｄｅｌ　５９−Ｐ０９２１３Ｔ００１磁石であるが、当然、他の種類の磁石が用いられ得る。磁場１３４は、任意の方法で、約１エルステッド〜１０４エルステッドまたはそれ以上といった任意の大きさで発生され得る。図１に示される例示の実施形態において、磁場Ｈｏ１３４は、Ｚ軸にほぼ平行に、約３７０エルステッドのオーダーの大きさで発生され得るが、他の実施形態は、磁場１３４に対して変更した方向および大きさを使用する。種々の実施形態において、単一の磁石１０２は、共通の基板１０４を共用する複数のリレー１００に関連して用いられ得る。
【００１４】
基板１０４は、シリコン、ガリウムヒ素、ガラス、プラスチック、金属または任意の他の基板材料等の任意の種類の基板材料から形成される。種々の実施形態において、基板１０４は、絶縁材料（酸化物等）でコーティングされ、平面化あるいは平坦化され得る。種々の実施形態において、複数のラッチングリレー１００は、単一の基板１０４を共用し得る。代替として、他のデバイス（トランジスタ、ダイオード、または他の電子デバイス等）は、例えば、従来の集積回路製造技術を用いて、基板１０４上に一つ以上のリレー１００と共に形成され得る。代替として、磁石１０２は、基板として用いられ得、以下に議論される追加の要素は、直接磁石１０２上に形成され得る。このような実施形態において、分離した基板１０４は、要求されない場合がある。
【００１５】
絶縁層１０６は、酸化物等の絶縁体任意の材料または薄膜絶縁体等の別の絶縁体から形成される。例示の実施形態において、絶縁層は、Ｐｒｏｂｉｍｉｄｅ７５１０材料から形成される。絶縁層１０６は、コンダクタ１１４を適切に覆う。コンダクタ１１４は、コイルパターンに配列された二つの端部１２６および１２８を有する単一のコンダクタであるように図１Ａおよび１Ｂに示される。代替の実施形態のコンダクタ１１４は、曲折パターン、蛇行パターン、ランダムパターン、または任意の他のパターン等の任意の適切なパターンに配置された単一または複数の伝導セグメントを用いる。コンダクタ１１４は、金、銀、銅、アルミニウム、金属等の電気を伝導することが可能な任意の材料から形成される。コンダクタ１１４が電気を伝導するとき、以下に詳細に議論されるように磁場がコンダクタ１１４の周りに生成される。
【００１６】
カンチレバー１１２は、任意の電機子（ａｒｍａｔｕｒｅ）、拡張子（ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）、露出部（ｏｕｔｃｒｏｐｐｉｎｇ）または磁力によって作用されることが可能な部材である。図１Ａに示される実施形態において、カンチレバー１１２は、磁気層１１８および伝導層１２０を適切に含む。磁気層１１８は、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）（ＮｉＦｅアロイ等）または任意の他の磁気に感度を有する材料から形成され得る。伝導層１２０は、金、銀、銅、アルミニウム、金属または任意の他の伝導材料から形成され得る。種々の実施形態において、カンチレバー１１２は、以下により詳細に記載されるように、リレー１００が「開」であるかまたは「閉」であるかに対応する二つの状態を示す。多くの実施形態において、リレー１００は、伝導層１２０がステージ層１１０をコンタクト１０８に接続している場合に「閉じられている」と言われる。逆に、リレーは、カンチレバー１１２が接続部１０８と電気的に接続していない場合に「開いている」と言われ得る。カンチレバー１１２は、コンタクト１０８と接触して及び接触から外れて物理的に移動し得るので、種々の実施形態のカンチレバー１１２は、カンチレバー１１２が適切に曲がることができるように可撓性を有して作製される。可撓性は、カンチレバー（またはその種々の成分層）の厚さを変更することによって、パターニングすることまたは他の方法ではカンチレバーに穴または切欠（ｃｕｔ）を形成することによって、または、可撓性がより大きい材料を用いることによって形成され得る。代替として、カンチレバー１１２は、図３に関連して以下に記載されるように「ヒンジ状」に配置され得る。当然、カンチレバー１１２の寸法は、実施ごとに劇的に変更し得るが、マイクロ磁気リレー１００での使用に適切な例示のカンチレバー１１２は、長さで１０〜１０００ミクロンのオーダー、厚さで１〜４０ミクロン、幅で２〜６００ミクロンであり得る。例えば、図１に示された実施形態による例示のカンチレバーは、６００ミクロン×１０ミクロン×５０ミクロンの寸法、または１０００ミクロン×６００ミクロン×２５ミクロンの寸法、または任意の他の適切な寸法を有し得る。
【００１７】
コンタクト１０８およびステージ層１１０は、適切に絶縁層１０６上に配置される。種々の実施形態において、ステージ層１１０は、絶縁層１０６の上方のカンチレバー１１２を支持し、真空であるか、あるいは空気または別のガスまたはオイル等の液体で充填され得るギャップ１１６を形成する。ギャップ１１６のサイズは、異なる実施によって広く変更されるが、例示のギャップ１１６は、１〜１００ミクロンのオーダー、例えば、約２０ミクロンであり得る。コンタクト１０８は、以下に記載されるように、リレー１００が閉じた状態である場合、カンチレバー１１２を受け取り得る。コンタクト１０８およびステージ層１１０は、金、金アロイ、銀、銅、アルミニウム、金属その他等の任意の伝導材料から形成され得る。種々の実施形態において、コンタクト１０８およびステージ層１１０は、同様の伝導材料から形成され、リレーは、図３および４に関連して以下に記載されているように、カンチレバー１１２がステージ層１１０とコンタクト１０８との間の回路を完了（ｃｏｍｐｌｅｔｅ）している場合、「閉じている」と考えられる。カンチレバー１１２が電気を伝導しない一定の実施形態において、ステージ層１１０は、Ｐｒｏｂｉｍｉｄｅ材料、酸化物、または任意の他の材料等の非伝導材料から形成され得る。さらに、代わりの実施形態は、カンチレバー１１２が他の方法で絶縁層１０６の上方に支持されている場合、ステージ層１１０を要求しない場合がある。
【００１８】
（動作の原理）
本発明の広い局面において、磁石１０２は、カンチレバー１１２に磁化（ｍ）を誘導する磁場Ｈｏ１２６を発生する。磁化は、カンチレバー１１２上に、磁化の方向に依存してカンチレバー１１２にコンタクト１０８に向かうかまたはコンタクト１０８から離れる力を付与するトルクを適切に生成し、これにより、リレー１００を開または閉状態に配置する。カンチレバー１１２の磁化の方向は、適切におよび以下により充分に記載されるように、コンダクタ１１４によって発生される第二の磁場によって調整され得る。
【００１９】
引き続いて図１Ａおよび１Ｂを参照して、磁場Ｈｏ１３４は、主として磁石１０２によって、Ｚ軸に平行な方向に適用され得、その結果、磁場がカンチレバー１１２の主要な寸法（例えば、長さ）に垂直である。磁場１３４は、カンチレバー１１２の磁化を適切に誘導し、これは、ソフトな磁気材料から形成され得る。カンチレバー１１２のジオメトリのために、カンチレバー１１２の磁化は、カンチレバーの長軸に沿って適切に整列され、これは、図１におけるカンチレバー１１２の長さ（Ｘ軸に平行）である。
【００２０】
カンチレバー１１２の磁化の配向は、適用された磁場１３４とカンチレバー１１２の長軸との間の角度（アルファ）に適切に依存している。特に、角度（アルファ）が９０度より小さい場合、カンチレバー１１２の磁気モーメント（ｍ）は、カンチレバー１１２の端部１３０から端部１３２の方に向いている。磁気モーメントと磁場Ｈｏ１３４との間の相互作用は、このため、カンチレバー１１２の端部１３０の周りに反時計方向にトルクを形成し、適切に端部１３２を上方に移動させる。これにより、ステージ層１１０とコンタクト１０８との間の回路が開になる。逆に、角度（アルファ）が９０度より大きい場合、カンチレバー１１２の磁気モーメント（ｍ）は、端部１３２から端部１３０の方に向き、端部１３０の周りに時計方向にトルクを形成する。時計方向のトルクは、端部１３２を下方に移動させ、ステージ層１１０とコンタクト１０８との間の回路を完了する。カンチレバー１１２の磁化（ｍ）は、カンチレバー１１２の長軸と適用された磁場１３４との間の角度（アルファ）が変化しなければ変化しないため、付与されたトルクは、外部の摂動が付与されなければ、残存する。カンチレバーまたはストッパー（コンタクト等）の弾性トルクは、付与された磁気トルクとバランスをとり、このため、リレー１００は、カンチレバー１１２の上方および下方の位置に対応した（したがって、それぞれ、リレー１００の開および閉状態に対応した）二つの安定した状態を示す。
【００２１】
スイッチングは、カンチレバーの磁気双極子モーメントの方向を逆転する任意の適切な技術によって達成され得る。例示的な実施形態では、スイッチングは、カンチレバー１１２の磁化（ｍ）に影響を与えるのに十分な強さがあるカンチレバー１１２の長軸に沿って成分を有する第２の磁場を生成することによって達成され得る。図１に示される実施形態では、第２の磁場に関連のある成分は、Ｘ軸に沿う磁場の成分である。カンチレバー１１２の長軸に沿う第２の強度が重要な関係であるため、第２の磁場の全体の強さは、典型的には磁場１３４の強さよりも著しく小さい（もちろん、任意の磁場強度が様々な実施形態において使用され得るにもかかわらず）。他の実施形態では、より強い磁場またはより弱い磁場が使用され得るにもかかわらず、例示的な第２の磁場は２０エルステッドのオーダであり得る。
【００２２】
第２の磁場は、例えば電気的に制御された電磁石のような磁石によって生成され得る。あるいは、第２の磁場は、導電体１１４を介して電流を通すことによって生成され得る。電流が導電体１１４を介して通る場合、磁場は「右手の法則」に従って生成される。例えば、導電体１１４（図１Ｂ）上の点１２６から点１２８に流れる電流は、コイルの中央「内部に」磁場（図１Ａのフィールド矢印１２２に対応する）を生成する。逆に、図１において、点１２８から点１２６に流れる電流は、コイルの中央「外部に」磁場（図１Ａのフィールド矢印１２４に対応する）を生成する。磁場が、図１Ａにも示される態様で導電体１１４の周りにループ状に形成され、カンチレバー１１２に磁場の水平（Ｘ）成分を与える。
【００２３】
導電体１１４に流れる電流または電流パルスの方向を変更することによって、次いで第２の磁場の方向が所望されるように変更され得る。第２の磁場の方向を変更することによって、カンチレバー１１２の磁化が影響を受け、リレー１００が適切にスイッチオンまたはスイッチオフされ得る。第２の磁場がフィールド矢印１２２の方向にある場合、例えば、カンチレバー１１２の磁化は、端部１３０に向う。この磁化は、端部１３０の周りに時計回りのトルクを生成し、カンチレバー１１２をリレー１００を適切に閉じる「ダウン」状態にする。逆に、第２の磁場が点線のフィールド矢印１２４の方向にある場合、例えば、カンチレバー１１２の磁化は、端部１３２に向い、反時計回りのトルクが生成し、カンチレバー１１２をリレー１００を適切に開く「アップ」状態にする。従って、カンチレバー１１２の「アップ」または「ダウン」状態（従って、リレー１００の「開いた」状態または「閉じた」状態）が、導電体１１４を通して流れる電流を制御することによって調整され得る。さらに、カンチレバー１１２の磁化は、外部摂動なしで一定のままであるため、第２の磁場は「パルス」で印加されるか、またはこのリレーをスイッチングするように要求される場合、断続的に印加される。このリレーが状態の変化を要求しない場合、導電体１１４への出力が除去され得る。従って、電力消費のない静止状態の双安定性ラッチングリレー１００を生成する。このようなリレーは、宇宙、航空、携帯電子機器等の用途に十分適合する。
【００２４】
（ラッチングリレーの製造）
図２Ａ〜図２Ｈは、ラッチングリレー１００を製造するための例示的な技術を示す複数の側面図を含む。本明細書中で開示されるプロセスが、ラッチングリレー１００を構築するために使用され得る多くの技術の内の１つの例として単に提供されることが理解される。
【００２５】
例示的な製造プロセスは、光絶縁層を要求し得る基板１０２を供給することによって適切に開始する。上述のように、任意の基板材料は、ラッチングリレー１００を作製するために使用され得、例えば絶縁基板が使用される場合、絶縁基板は必要ではない。絶縁増を含む実施携帯では、この層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層であり得るか、または他の絶縁材料層は、１０００オングストロームのオーダの厚さであり得る。再度、絶縁材料に対して選択された材料およびこの層の厚さは、特定の実現に従って変更され得る。
【００２６】
図２Ａを参照すると、導電体１１４は、基板１０４上に適切に形成される。導電体１１４は、堆積（電子ビーム堆積等）、蒸着、電気メッキ、または無電解メッキ等の任意の技術によって形成され得る。様々な実施形態では、導電体１１４は、図１Ｂに示されるコイルパターンと同様のコイルパターンで形成される。あるいは、導電体１１４は、直線状、曲線状、円状、蛇状（ｍｅａｎｄｅｒ）、ランダム、または他のパターンで形成される。図２Ｂに示されるように、絶縁層１０６は、引き伸ばされ、基板１０４および導電体１１４に付与される。絶縁層１０６は、フォトレジスト、二酸化ケイ素、Ｐｒｏｂｉｍｉｄｅ−７５１０材料、または上部デバイスを電気的に絶縁可能な任意の他の絶縁材料の層として付与され得る。たった１つの導電層が図２Ａに示されるが、導電材料の繰り返された多層構造が追加され得る。これらの多層は、バイアまたは他の技術によってシリアル（パラレルまたはその他）に接続され得、所与の電流によって生成された磁場の強度を増加する。様々な実施形態では、絶縁材料の表面は化学機械平坦化（ＣＭＰ）のような任意の技術によって平坦化される。
【００２７】
コンタクトパッド１０８および１１０は、フォトリソグラフィ、エッチング等（図２Ｃ）任意の技術によって絶縁層１０６上に形成され得る。パッド１０８および１１０は、絶縁層１０６上に一つ以上の導電材料の層を堆積することによって形成され得、次いで、例えばウエットエッチングによってパッドをパターンニングする。例示的な実施形態では、パッド１０８および１１０は、クロムまたはチタン（絶縁層１０６への密着を改善する）の第１の層と、金、銀、銅、アルミニウム、または別の導電材料の第２の層とを適切に含む。追加の金属層は、電気メッキまたは無電解メッキ法によってコンタクトに追加され得、コンタクト信頼性および抵抗を低下させる。
【００２８】
図２Ｄを参照して、コンタクトパッド１０８および１１０は、フォトレジスト、アルミニウム、銅、または他の材料の層で適切に被覆され、犠牲層２０２を形成し得る。カンチレバーベース領域上の犠牲層２０２の開口部２０６は、フォトリソグラフィ、エッチング、または別のプロセスによって規定され得る。次いで、カンチレバー１１２は、図２Ｅに示されるように、犠牲層２０４の上部上に材料の一つ以上の層を堆積、スパッタリング、または配置し、開口部２０６にわたって延ばすことによって形成され得る。例示的な実施形態では、クロムまたは他の金属のベース層２０４は、付着を改善するように犠牲層２０４上に配置され得、一つ以上の導電層１２０が同様に形成され得る。層２０４および層１２０は、堆積した後、例えば化学エッチングまたは機械エッチングによって形成され得る。層１２０は、別の導電層（例えば、金、金合金等）を追加すること、電気メッキまたは無電解めっきによって厚くされ得る。カンチレバー１１２は、図２Ｆに示されるように、電気メッキまたは導電層１２０の上部上にパーマロイ（ＮｉＦｅパーマロイ）の層１１８を設けることによってさらに形成される。パーマロイ層１１８の厚さは、メッキ処理電流および電気メッキ時間を変更することによって制御され得る。０．０２アンペア／ｃｍ２において６０分間電気メッキ処理することによって、例えば、約２０ミクロンの厚さの例示的なパーマロイ層を生じ得る。様々な実施形態では、さらなるパーマロイ層３０６（図３に示される）は、カンチレバー１１２の上部上に電気メッキされ、カンチレバー１１２の磁場に対する応答を増加させ得る。
【００２９】
図２Ｇを参照して、犠牲層２０２は、例えば、ウエットまたはドライ（すなわち、酸素プラズマ）リリース技術によって除去され、カンチレバー１１２と絶縁層１０６との間のギャップ１１６を生成する。様々な実施形態では、接着層２０４は、適切なエッチングまたは等価な除去技術を用いてリレー１００（図２Ｈ）を形成するように除去される。次いで、リレー１００はダイシングされ、磁石１０２でパッケージングされ得る（図１に図示）か、または適切に処理される。永久磁石１０２は、代替的に基板上に直接製造されるか、カンチレバーの上部上に配置されるか、またはコイルおよびカンチレバーが永久磁石基板上に直接製造され得る。
【００３０】
（ラッチングレイヤの代替の実施形態）
図３および図４は、ラッチングレイヤ１００の代替の実施形態を開示する。図３Ａは側面図を、図３Ｂは平面図を示し、ヒンジカンチレバー１１２を含むラッチングリレーの代替の実施形態である。図３Ａおよび図３Ｂの透視図は、図１Ａおよび図１Ｂに示される透視図からのＸ−Ｙ平面において９０度回転され、ヒンジカンチレバーの詳細を示す。図３Ａおよび３Ｂを参照すると、ヒンジカンチレバー１１２は、絶縁層１０６上の磁気感知部材３０６を支持する一つ以上のバネ３０２および３０４を適切に含んでいる。部材３０６は、バネ３０２および３０４に比べて比較的厚く（約５０ミクロンオーダー）になり得る。バネ３０２および３０４は、導電物質で形成され得る。図１に関連して上述されるリレー１００のように、ヒンジカンチレバーを有するリレー１００は、磁場（磁石１０２および導体１１４によって生成される磁場）に応答され得る。多様な実施形態において、バネ３０２および３０４の一方または両方は、リレーが「クローズ」状態のとき、コンタクトパッド１０８に電気通信状態である。確かに、任意の数のバネが使用され得る。例えば、一つのバネが部材３０６の全体の重さを支持するように作成され得る。さらに、バネは部材３０６上の任意の点に設置され得る。図３は、部材３０６の中央近くにあるバネ３０２および３０６を示すが、バネは、コンタクト１０８の方へ部材３０６の末端近くに設置され得る。
【００３１】
図３Ｃは、図３Ａおよび３Ｂに示される実施形態および他の実施形態を用いる使用に適した例示のカンチレバー１１２の平面図である。カンチレバー１１２は、導電層１２０に接続された部材３０６を適切に含む。ホール３１０および／または３１２は、カンチレバー１１２の柔軟性を改良するために導電層１２０に形成され得、任意のコンタクトバンプ３０８は、導電層１２０の表面上に形成され、コンタクト１０８との接触状態になる。バネ３０２および３０４（図３Ｃに示されず）は、適切に任意の位置（例えば、導電層１２０の中央、または導電層１２０の一方の端部）にカンチレバー１１２上に取り付けられ、すなわち言い換えると形成され得る。代替的に、バネは非導電性物質で形成され得、カンチレバー１１２は、以下に示されるようにクローズ状態のカンチレバーによって同時に接触された二つの分離した導電体間に導電経路を提供し得る。
【００３２】
比較的広い磁気感知部材３０６を含む正確なスイッチは、カンチレバー１１２の幅対長さの比較的大きな比のため、減少される磁化を示し得ることが観測される。しかし、増加した幅によりカンチレバー１１２の幅と共に磁化が増加する。増加した磁化により、カンチレバーの二重化およびカンチレバー１１２およびコンタクト１０８の間に品位が落ちたコンタクトになり得る。図３Ｄは、区分された磁気感知部材３０６Ａ、３０６Ｂ、３０６Ｃ、および３０６Ｄを含むスイッチの平面図である。カンチレバー１１２の長さと共に磁化を改良するために、磁気感知部材３０６は区分され、各部材３０６Ａ〜Ｄの磁化は、幅の代わりに部材の長さに沿って最大化される。区分化は、導電層１２０上の各部材３０６Ａ〜Ｄを個々に形成することによって、すなわち単一の電極プレート層３０６にギャップをエッチングすること（すなわち言い換えると形成すること）によって達成され得る。確かに、任意の数の磁気感知部分３０６Ａ〜Ｄは、多様な実施形態で使用され得、各部分のサイズは、実施形態によって変化する。例えば、多様な例示のカンチレバー１１２は、約１０００×６００×２５μｍの四つの部材３０６Ａ〜Ｄ、約１０００×５０×２５μｍ（約２５μｍ間隔を空けて）の八つの部材、約１０００×２５×２５μｍ（約２５μｍ間隔を空けて）の十五個の部材、または任意の寸法を有する任意の数の部材を用いて形作られ得る。多様な実施形態において、磁気材料、金属、または任意の他の材料の連結は、カンチレバー１１２を強化するために部材３０６Ａ〜Ｄ間に追加され得る。図３Ｅは、多層で形成されたカンチレバー１１２の概略図である。例示の実施形態において、カンチレバー１１２は、確かに他の物質が示される物質またはその物質に加えて使用され得るが、図３Ｅに示されるように、磁気材料１１８の相互作用する層（例えば、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ））および導電物質１２０を含む。多層カンチレバーは、例えば上述の図２Ｅおよび２Ｆと共に、または他の任意の技術を介して、記載されるような多層をスパッタリング、堆積、または言い換えると形成することによって形成され得る。多層カンチレバーはまた、上述されたように区分化され、本発明の任意の多様な実施形態を用いて使用され得る。
【００３３】
図４Ａおよび４Ｂは、ラッチングリレー１００の代替の実施形態の、それぞれ側面図および上面図である。図に示されるように、カンチレバー１１２の多様な実施形態は、ステージ層１１０からコンタクト１０８に電気を直接導電しない。このような実施形態において、導電素子４０２がカンチレバー１１２に取り付けられ、リレー１００が「クローズ」状態であるとき、コンタクト１０８および４０８の間に電気的な接触を適切に提供し得る。図４Ｃおよび４Ｄは、カンチレバー１１２の代替の例示の実施形態の平面図である。このような実施形態において、カンチレバー１１２は、絶縁層４１０によって導電部分４０２から分離される磁気感知部分１１８を含み得る。カンチレバー１１２は例えば絶縁体であり得る。任意のコンタクトバンプ３０８はまた、示されるように導電部分４０２上に形成され得る。カンチレバー１１２がリレー１００の「クローズ」状態に対応する状態であると、電流は、適切であるようにコンタクトパッド１０８および４０８の間に矢印４１２によって示される経路をたどり得る。
【００３４】
図５は、リレー１００の代替の例示の実施形態の側面図である。図５を参照すると、リレー１００は上述（例えば、図１と関連して）のように、磁石１０２、基板１０４およびカンチレバー１１２を含み得る。しかし、基板１０４に形成される導体１１４の代わりに、導体１１４は示されるように第２の基板５０４上に形成され得る。第２の基板５０４は、例えば、プラスチック、ガラス、シリコンなどの任意の種類の基板であり得る。上述の実施形態と共に、導体１１４は、適切であるように、絶縁層５０６でコーティングされ得る。リレー１００を作成するために、多様な構成要素が、基板１０４および５０４上に形成され得、次に、基板は適切なようにアライメントされ、配置され得る。二つの基板１０４および５０４（および基板上に形成された多様な構成要素）は、例えば図５におけるスペーサ５１０および５１２といったスペーサによってお互いに分離され得る。スペーサは任意の物質で形成され得る。
【００３５】
図５に連続して参照されると共に、コンタクト１０８は上述のように絶縁層１０６上に形成され得る。代替的に、コンタクト５０８は、図５に示されるように第２の基板５０４上に形成され得る（確かに、カンチレバー１１２は、カンチレバー１１２の導電部分がコンタクト５０８と接触状態にあるように再成形され得る）。他の実施形態において、カンチレバー１１２がコンタクト１０８で接触状態であるときの第１の状態、カンチレバー１１２がコンタクト５０８と接触状態であるときの第２の状態、および／またはカンチレバー１１２がコンタクト１０８および５０８のいずれにも接触状態でない第３の状態であるようなコンタクト１０８および５０８が、共に提供され得る。確かに、図５に示されるリレー１００の一般的なレイアウトは、上述されるように任意の技術およびレイアウトと組み合わされ得、リレー１００の新しい実施形態を作り出す
図６Ａおよび６Ｂは、ラッチングリレー（ｌａｔｃｈｉｎｇ　ｒｅｌａｙ）１００の代替的実施形態の、それぞれ、側面図および平面図である。ここで、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、リレー１００の種々の実施形態は、導体１１４により生成される磁気エネルギーの代わりに、静電駆動を用いてカンチレバー１１２の状態を切り換え得る。このような実施形態において、１つ以上の切り換え電極（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）６０２および６０４が堆積され得るか、またはそうでない場合、絶縁層１０６上に製作され得る。電極６０２および６０４は、金属または他の導電性材料で形成され得、リード線、ワイヤまたは他の接続デバイス（図示せず）と電気的に結合され得、どちらかの電極とカンチレバー１１２との間に電位を生成する。
【００３６】
図６Ａおよび６Ｂは、中央ヒンジ形（ｃｅｎｔｅｒ−ｈｉｎｇｅｄ　ｔｙｐｅ）のカンチレバー１１２を示し、導体１１４により生成される磁気駆動の代わりに（またはこれに加えて）、電極６０２および６０４ならびに／あるいは静電駆動の原理が、明細書中に記載されたリレーまたはスイッチのいずれかに含まれ得る。種々の実施形態において、電極６０２および６０４は、２つの電極により生成される静電力が、カンチレバー１１２に逆の効果を及ぼすように、カンチレバー１１２に関して適切に配置される。図６Ａおよび図６Ｂに示される中央ヒンジ形の実施形態において、例えば、電極６０２および６０４は、ヒンジ１１０のどちらかの側に配置され得、電極６０２とカンチレバー１１２との間の電圧差がカンチレバー１１２を「開」状態に「押す」。逆に、電極６０４とカンチレバー１１２との間の電圧差は、カンチレバー１１２を「閉」状態に「引き」得る。これにより、カンチレバー１１２は、コンタクト１０８と接触した状態にある。このような実施形態において、カンチレバー１１２の状態は、永久磁石１０２によって生成される磁界により保持され得、結果として、双安定スイッチが生じ得る。リレーは、電位を適切な電極に提供し、カンチレバー１１２を、適宜、引き付けることによって、安定状態間で切り換えられ得る。例示のリレー１００において、約１０００×２００×２０マイクロメータの寸法を有するヒンジ形のカンチレバー１１２、および２８０×２０×３マイクロメータの寸法を有する補助ねじれストリング（ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ　ｔｏｒｓｉｏｎ　ｓｔｒｉｎｇ）１１０は、カンチレバーと電極との間の重なった領域が約２００×４００平方マイクロメータか、それくらいである場合、カンチレバー１１２を約２００エルステッドの永久外部磁界において切り換えるために、約３７ボルトの電圧を必要とし得る。再び、スイッチまたはリレーは、任意の寸法またはアーキテクチャを用いて形成され得、状態間を切り換えるために必要とされる電圧は、インプリメンテーション毎に適切に異なる。特に、電極６０２および６０４を用いる静電スイッチング技術は、上述のリレーのいずれか、または本明細書中に記載されるスイッチのいずれかに組み込まれ得る。磁気スイッチングと比較して、静電気のスイッチングを用いる利点は、電力消費が低減されること、および製造が容易であることを含む。なぜなら、電極６０２および６０４は非常に薄くなり得るからである（例えば、約１００オングストローム〜約０．５マイクロメータ厚さ）。さらに、静電スイッチは、いくつかの対応する磁気スイッチよりも小さくなるように製作され得る。従って、スイッチングデバイスの全体の大きさを低減する。切り換え制御は、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、論理回路、アナログまたはデジタル制御回路等の制御デバイスによって提供され得る。例示の実施形態において、制御器は、電気信号の形態で制御信号を電極６０２および６０４に提供し、適宜、電圧差を生成する。
【００３７】
本発明の範囲から逸脱することなく、種々のリレーの他の複数の実施形態が形成され得ることが理解される。例えば、双投リレーは、さらなるコンタクト１０８を付加することによって生成され得る。このコンタクトは、カンチレバーが開状態である場合、カンチレバー１１２と接触するようになる。同様に、種々の構成要素（例えば、パッド１０８および１１０、ならびにカンチレバー１１２）のレイアウトを変更することによって、リレーの種々の微細構成および形状寸法が形成され得る。
【００３８】
（光学スイッチ）
電気リレーとの関連で上で説明された機構、原理および技術は、さらに、通信または他の光学系において用いるために適切な光学スイッチを生成するために用いられ得る。光学スイッチの種々の実施形態において、カンチレバー１１２の磁気を感知する部位は、ミラー、または光を反射する他の材料に取付けられ得る。カンチレバーが「開」状態から「閉」状態に切り換えられると、反射面は、信号が、適宜、反射または吸収されるように、光学信号に対して露出されるか、または光学信号に対して隠蔽される（以下に、より詳細に説明される）。
【００３９】
図７Ａおよび７Ｂは、例示の光学ミラー７００（本明細書中で「タイプＩ」ミラーと呼ばれる）の、それぞれ、側面図および平面図である。上述の電気スイッチのように、カンチレバー１１２は、絶縁層１０６の上方に、補助ストリング、ヒンジまたは他のスペーサ１１０により適切に配置される。カンチレバー１１２は、（上述のように）軟磁性体１３２で形成され得、反射コーティング７０２（アルミニウムまたは金等）が堆積またはスパッタリングされ得るか、そうでない場合、磁気材料上に配置され得る。１つ以上の光学ストッパ７０４は、絶縁層１０６上に、適宜、配置され得、必要に応じて、カンチレバー１１２を受け取り、かつ配置する。ストッパ７０４は、エッチングされたシリコン、金属、またはポリイミド等の任意の適切な材料で形成され得る。種々の実施形態において、補助ストリング１１０は、カンチレバー１１２の「上」状態および「下」状態への回転を、適宜、支援する。カンチレバー１１２が「上」状態にある場合、例えば、カンチレバー１３２の端部７４２がストッパ７０４Ｌと接触するまで、カンチレバー１１２は、ストリング１１０の回りを反時計回りに回転し得る。例示の「下」状態において、カンチレバー１１２は、ストリングの回りを時計回りに回転し得、カンチレバー１１２の端部７４０がストッパ７４０Ｒと接触するようにする。１３２の右端部が下部ストッパ７０４に接触する場合、カンチレバーは「下」状態にある。設計により、補助ストリング１１０は、カンチレバー１１２が「下」位置におけるよりも「上」位置においてより大きい角度に傾けられ得るように、カンチレバー１１２の端部７４２により近く配置され得る。当然、補助ストリング１１０は、カンチレバー１１２の端部から、ほぼ等距離に配置されてもよいし、「下」位置がより大きい角度を生成するように配置されてもよく、本発明の他の実施形態において複数の配向が形成され得る。
【００４０】
光学ミラー７００の動作は、上述の電気スイッチ１００の動作と同様であり得る。種々の例示の実施形態において、ラッチングおよびスイッチングは、導体１１４（図７に図示）または光学電極（図６との関連で上述の）でカンチレバー１１２に磁気トルクを誘導することによって達成される。上述のように、カンチレバー１１２は、磁石１０２により生成された磁界によって「上」状態または「下」状態のどちらかで安定した状態で維持され得る。
【００４１】
図８Ａ〜図８Ｇは、光学ミラー８００の第２のタイプの種々の図および状態を示す（本明細書中で「タイプＩＩ」ミラーまたは「反射器」と呼ばれる）。これらのデバイスは、本明細書中で、主に、スイッチまたはリレーと共に用いられる反射デバイスに属すると説明されるが、本明細書中に記載される原理および構造は、任意の用途において用いられ得る任意の種類のアクチュエータ（反射または非反射）を生成するために用いられ得る。
【００４２】
図８Ａおよび図８Ｂを参照して、光学ミラー８００は、磁気を感知する部位１３２を含むカンチレバー１１２を備え得る。カンチレバー１１２は、さらに、どちらかの側、または両側に反射コーティングを有する反射部位８０４を含み得る。例示の実施形態において、反射部位８０４は、面８０２上に堆積されるか、またはそうでない場合、この面上に配置される反射コーティングを有する。１つ以上のストッパ７０４は、さらに、必要に応じて、絶縁層上に配置され得、カンチレバー１１２を、適宜、配置または持ち上げ、サポート、ストリングまたはヒンジ１１０（図８Ａおよび図８Ｃに図示せず）は、カンチレバー１１２を基板１０４の上部に回転させて固定し得る。
【００４３】
例示の実施形態において、ストリング１１０は、カンチレバー１１２の２つの状態間の９０度の回転を支持する（製造中等に生じた誤差のプラスマイナスの修正）。図８Ａおよび図８Ｂにおいて示される実施形態において、カンチレバー１１２は、基板１０４の面とほぼ平行になるように磁石１０２によって「上」状態に配置される（図示せず）。例えば、光学ビームが、反射することなく、タイプＩＩのミラーを直接的に通過するために、遮蔽のない光学ビームの光路を有することが必要である場合、「上」位置が有用であり得る。ミラー８００の第２の「下」状態は、図８Ｃおよび図８Ｄに示される。ミラー８００は、例えば、磁石１０２によって（図示せず）（基本的には、磁石は、カンチレバーを２つの安定状態のどちらかに保持し得る）、および／または重力が、カンチレバーの磁気を感知する部位１３２を「上」位置から引き離すことを可能にすることによって「下」状態に配置され得る。永久磁石１０２および導体１１４は、ミラー８００の各実施形態には必要とされ得ず、これは、他の力（たとえば、ストッパ７０４上に選択的にバックリング構造を有することにより付与される力等）が外部の力を必要とすることなく、カンチレバー１１２を「下」位置に維持し得るからであることが理解され得る。複数の実施形態において、一次的磁界が提供され得、他方、製造中に反射コーティングがカンチレバー１１２に付与され、その後、除去される。ミラー８００のさらに別の実施形態において、ヒンジ１１０および磁気を感知する部位１３２は除去され得、反射部位８０４は、基板１０２または絶縁層１０４に強固に固定され得る。
【００４４】
ここで、図８Ｅを参照して、反射器８００の代替的実施形態は、カンチレバー１１２およびねじり棒ヒンジ（ｔｏｒｓｉｏｎ　ｂａｒ　ｈｉｎｇｅ）または他のアンカー８７０を適切に含み、これらは基板１０４に取付けられ得る。コイルまたは他の導体１１４も提供され得るか、またはカンチレバー１１２に静電引力を提供することができる電極が代替的実施形態において提供され得る。カンチレバー１１２は、上述のように、磁気を感知し得、上述のように、１つ以上の反射面を有し得る。ねじり棒ヒンジ８７０は、上述のように、スイッチまたはリレーの他の実施形態との関連で、１つ以上のヒンジとしてインプリメントされ得る。種々の実施形態において、ねじり棒ヒンジは、カンチレバー１１２の端部または近傍に配置され得、カンチレバー１１２と比較して、比較的薄くおよび／または長くなるように製作され得るので、著しい機械的トルクが生じることなく、カンチレバー１１２の大きい回転の偏向が生じ得る。さらに、反射器８００に付与される外部磁界（Ｈ０）の方向は、基板１０４の面から描かれた垂直線（Ｚ）に対する角度（γ）にて配置され得る。図８Ｅに示された例示の実施形態において、例えば、γは約４５°に選択されるが、他の実施形態は、他の角度を用い得る。
【００４５】
磁界１３４の方向は、「上」状態および「下」状態に対応して、カンチレバー１１２の２つの安定位置を適切に生成する（カンチレバー１１２は、図８Ｅにおける２つの状態間に示される）。種々の実施形態において、カンチレバー１１２は、「上」状態で、基板１０４に対してほぼ垂直に、および「下」状態で、基板１０３に対してほぼ平行に位置合わせされ得る。「上」状態および／または「下」状態の所望の位置でカンチレバー１１２を維持するように、物理ストッパ（図８Ｅに図示せず）が提供され得る。
【００４６】
種々の実施形態において、約χＨ０ｓｉｎ（γ＋φ）エルステッドの大きさか、そのような大きさを有する磁界が、カンチレバー１１２を状態間で切り換えるための導体１１４によって提供され得る。ここで、「χ」は、カンチレバー１１２の磁化率であり、「φ」は、「下」状態のカンチレバー１１２と水平軸（Ｘ）との間の角度である。この大きさの磁界は、上述のスイッチング技術と同様に、カンチレバー１１２の磁化ベクトルを適切に、適宜、位置合わせし直し得、カンチレバー１１２は、２つの安定状態間を切り換える。導体１１４により生成される磁界は、外部磁界１３４と比べて比較的弱くなり得るので、磁界１３４は、デバイス８００を駆動するために十分に大きいが、導体１１４によって生成された磁界が、カンチレバー１１２の磁化ベクトルを反転させ得ないほど強くならないように設計され得る。例示の実施形態において、磁界１３４は、約２００エルステッドの大きさになるように設計され得るが、他の磁界の強度も当然用いられ得る。本明細書中に記載される反射器８００は、約９０度以上回転可能であり得、従って、リレーまたは光学スイッチ以外の幅広い用途を有し得る。例えば、比較的大きい回転角度を有する反射器８００は、光学投影またはスイッチシステムにとって有用であり得る。
【００４７】
ここで、図８Ｆおよび８Ｇを参照して、９０度以上に回転するために用いられ得る反射器８００の第３の実施形態は、カンチレバー１１２の上に配置される導線１１４を適切に含む。カンチレバーは、ヒンジ８７０（図８Ｆにおいて、２つのねじれヒンジ８７０Ａおよび８７０Ｂとして示される）によって基板１０４にヒンジによって接続され得る。電力源に結合され得る電気リード線８７２（図８Ｆにおいて、リード線８７２Ａおよび８７２Ｂとして示される）によって、導線１１４に電流が提供され得る。あるいは、導線１１４との電気接触は、導電材料（金属など）を介して提供され得る。導電材料は、ヒンジ８７０上に堆積、スパッタリング、または、配置される。種々の実施形態において、カンチレバー１１２は、反射材料（誘電体膜、多結晶シリコン、金属、非金属など）からなり得る。なぜならば、磁界に対する反応は、カンチレバー１１２内の磁気に影響されやすい材料を介してではなく、導線１１４によって提供され得るからである。種々の実施形態において、磁石１０２は、磁界Ｈ０を提供する。磁界は、図８Ｅと関連して上記したように、基板１０４に対して垂直に提供され得る、または、任意の傾斜角において提供され得る。
【００４８】
反射器８００の作動は、例えば、導線１１４の面に垂直であり得る磁気双極子モーメント（Ｍ）を生成する電流によって導線１１４を励磁することによって達成され得る。磁気双極子モーメント（Ｍ）は、Ｔ＝Ｍ×Ｈ０となるようにカンチレバー１１２にトルク（Ｔ）を生成するために、供給される外部磁界（Ｈ０）と相互作用し得る。トルク（Ｔ）は、上記のように、「上」状態と「下」状態との間でカンチレバー１１２を切り替えるように制御され得る。異なる状況において用いられるこの原理についてのより詳細な説明は、Ｃｈａｎｇ　Ｌｉｕ、Ｔ．Ｔｓａｏ、Ｙ−Ｃ　Ｔａｉ、およびＣ−Ｍ　Ｈｏの「Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｅｄ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ」、ＭＥＭＳ’９４、Ｏｉｓｏ、Ｊａｐａｎ、５７〜６２ページ（１９９４）に示され、本明細書中、同文献を参照として援用する。
【００４９】
図９Ａおよび９Ｂは、それぞれ、２枚のタイプＩミラー７００Ａおよび７００Ｂならびに１枚のタイプＩＩミラー／反射器８００を含む例示的なスイッチ９００の側面図および平面図である。ミラー８００の軸は、図９Ｂにおいて最もよく分かるように、ミラー７００Ａおよび７００Ｂの軸から４５度（または、任意の他の角度）に回転され得る。種々の実施形態において、光学信号を反射させるために、下記においてより詳細に説明するように、光学反射層９０２（ミラーなど）が提供され得る。本発明の種々の実施形態において、光学信号（パルスまたは光線など）９０４は、２つの出力９１０および９２０のうちの１つに切り替えられるべきである。スイッチ９００の第１の状態（図９Ａおよび９Ｂに示す）において、ミラー７００Ａおよび７００Ｂのカンチレバー１１２Ａおよび１１２Ｂは、図示のように、光学信号９０４が反射面７０２（図７）から反射するように、「上」状態に配置され得る。反射層９０２は、適宜、ミラー８００を通過させて、ミラー７００Ａと７００Ｂとの間で適切に伝達して、光学信号９０４を出力端子９１０に伝達する。
【００５０】
図１０Ａおよび１０Ｂは、それぞれ、第２の状態（出力端子９２０に対応する）における光学スイッチ９００の側面図および平面図である。ミラー７００Ａのカンチレバー１１２Ａは、光学信号９０４が、もはや、ミラー７００Ａの反射面７０２によって反射されず、むしろ、図１０Ｂにおいて最もよく分かるように出力端子９２０に向かって配置され得るミラー８００の反射面から反射するように、「下」状態に配置され得る。もちろん、ミラー７００Ｂのカンチレバー１１２Ｂも「下」状態に配置され得るが、図１０に示す状態において、光学信号９０４がミラー７００Ｂに到達しないため、このような移行は必要とされ得ない。光学スイッチの他の実施形態は、異なるレイアウトを示し得る。例えば、ミラー８００の反射部８０４の両側を反射材料によってコーティングすることによって、双方向スイッチが製造され得る。
【００５１】
図１１は、上記のようにスイッチ９００と共に製造され得る例示的な５×５光学スイッチ９５０の平面図である。図１１を参照して、光学信号９０４Ａ〜Ｅが、それぞれ、入力９３０Ａ〜Ｅにおいて受信される。各信号は、適宜、スイッチ９５０によって、所望の出力９４０Ａ〜Ｅに転送され得る。図示される例示的なスイッチ９５０において、入力ｉ１は出力ｏ３に転送され、入力ｉ２は出力ｏ１に転送され、入力ｉ３は出力ｏ４に転送され、入力ｉ４は出力ｏ５に転送され、入力ｉ５は出力ｏ２に転送される。もちろん、任意のＭ×Ｎスイッチ構造が製造され得、ここで、Ｍは入力の数を表し、Ｎは出力の数を表し、ＭおよびＮはそれぞれ整数である。例えば、スイッチ７００および８００の数を調整することによって、１×４スイッチ、４×８スイッチ、８×１６スイッチ、２×２スイッチ、または、任意の他のスイッチ構造が製造され得る。
【００５２】
図１１を引き続き参照して、例示的な５×５光学スイッチは、２５枚のタイプＩＩミラーおよび８枚のタイプＩミラーを含み得るマトリックスを含み得る。タイプＩＩミラー（対角矩形（ｄｉａｇｏｎａｌ　ｒｅｃｔａｎｇｌｅ）として示される）は、各入力９３０が各出力９４０に対応するタイプＩＩミラーを有するように構成され得る。タイプＩミラー（より小さな矩形として示される）は、適宜、反射層９０２（図１１には示されないが、図９Ａに示される）から信号を反射させることによって、所望のように光学信号９０４をタイプＩＩミラーの周りに偏向させるように構成される。信号ｉ５を出力ｏ２に転送するために、例えば、タイプＩミラー７５１および７５２は、信号ｉ５がミラー８５１の周りに偏向させられるように、「上」状態に配置され得る。タイプＩミラー７５３および７５４は、信号ｉ５がタイプＩＩミラー８５２から反射して出力９４０Ｂの方向に向かうことを可能にするように、「下」状態に配置され得る。上記のように、種々のタイプＩミラーは、磁石１０２によって生成される磁界によって、「上」または「下」状態に保持され得る。種々のミラーは、導線１１４（図７）を介して適切な磁気パルスを生成、または、電極６０２／６０４（図６）を介して静電気パルスを生成して、適切なカンチレバー１１２を移動させるトルクを生成して、所望のミラーの所望の状態を作り出すことによって、状態の間で切り替えられ得る。
【００５３】
（光学クロススイッチアレイ）
光学スイッチアレイの性能、効率、および全体の有効性は、上記のように、信号制限チャネル（ｓｉｇｎａｌ−ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ　ｃｈａｎｎｅｌ）を追加することによって、種々の実施形態において増強され得る。このようなチャネルは、所望のパスに光を制限するために、スイッチ内の種々の光路の周りに配置され得る。図１２Ａは、光学信号制限チャネルを含む例示的な光学クロススイッチアレイ１２００の透視図である。２×２構造（すなわち、２つの入力および２つの出力）を有するスイッチアレイが簡略化のために示されるが、本明細書中で説明される技術は、任意の大きさのＮ×Ｍのスイッチに簡単に拡張され得る。ここで、ＮおよびＭの両方は、任意の整数である。もちろん、信号制限チャネルの使用によって、以前よりはるかに大きいけれども可能なスイッチ構造（５１２×５１２、１０２４×１０２４、またはそれ以上のオーダの構造など）が可能になり得る。
【００５４】
図１２Ａを参照して、光学信号９０４Ａおよび９０４Ｂは、それぞれ、入力光ファイバー１２１０Ａおよび１２１０Ｂから入射し、レンズ１２２０Ａおよび１２２０Ｂを介して平行化され、その後、出力光ファイバー１２１０Ｃ〜Ｄに切り替えられる。光学ミラー１２８０Ａ〜Ｄは、上記のように、「タイプＩ」または「タイプＩＩ」ミラーなどの任意のタイプのミラーであり得る。光学信号制限チャネル１２３０Ａおよび１２３０Ｂは、下記においてより詳細に説明するように、任意のチャネル、通路、または、意図する方向に光信号を方向付けることが可能な他のパスである。例示的な実施形態において、チャネル１２３０Ａおよび１２３０Ｂは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒなどの金属または他の反射面によってコーティングされる壁１２４０（図１２Ｂ）を有する通路として形成される。入力信号９０４Ａ〜Ｂは、信号が、光ファイバー１２１０Ｃまたは光ファイバー１２１０Ｄのいずれかの意図する出力パスに向かう所望の光学信号制限チャネル１２３０Ａ〜Ｂ内へと偏向されるように、適宜、光学ミラー１２８０Ａ〜Ｄによって偏向される。光学信号９０４は、光ファイバーコア（ｏｐｔｉｃａｌ　ｆｉｂｅｒ　ｃｏｒｅ）１２１０Ａ〜Ｂから出てくると、それぞれ、マイクロレンズ１２２０Ａまたは１２２０Ｂを通る。光学信号９０４は、次いで、平行化され、正しい光学ミラー１２８０に到達するまで前方に伝搬されて、高反射面１２４０によってコーティングされた適切な光学信号制限チャネル１２３０内へと反射される。レンズ１２２０は、図１２Ａにおいて、光ファイバー１２１０から離れて示されるが、ファイバーの端部の一部を溶解し、ファイバーの端部にエポキシドロップ（ｅｐｏｘｙ　ｄｒｏｐ）を形成し、固めることによって、または、任意の他の方法によって、都合よく、光ファイバーに直接製造され得る。
【００５５】
信号制限チャネル１２３０は、基板または任意の技術によって基板上に堆積される任意の層内に形成され得る。例示的な実施形態において、チャネル１２３０は、方形切断、鋸引き、マイクロ機械加工、または、基板内に溝を形成し、溝を反射材料によってコーティングし、溝の上に反射カバーを配置して、適宜、チャネルを形成することによって、形成される。カバーは、エポキシなどの任意の形態の接着剤によって、基板に貼り付けられ得る。あるいは、チャネル１２３０は、従来のマイクロ機械加工技術を用いて、基板、ポリイミド（または任意の他の材料）の層、あるいは任意の他の層にマイクロ機械加工され得る。次いで、薄膜の反射コーティングが、チャネル１２３０内に蒸着または配置され得、さらなるカバー層が、チャネル１２３０の上に堆積、スパッタリング、または配置され得る。上記で簡単に説明したように、光学信号制限チャネル１２３０の内壁は、薄い金膜、銀膜、アルミニウム膜、クロム膜、または、多層の反射膜などの高反射材料によってコーティングされて、反射面１２４０が形成される。金属膜は、スパッタリング、ｅビーム蒸着、または任意の他の技術によって堆積され得る。チャネル１２３０のセクションの大きさは、例えば、異なるタイプの光ファイバー１２１０およびマイクロレンズ１２２０、マイクロレンズの大きさ、ファイバーコアの大きさ、数値的なファイバーアパーチャなどに基づいて、実施形態によって広く異なる。しかし、例示的な実施形態において、チャネルの大きさは、約１００ミクロンの幅および約３０〜５０ミクロンの深さのオーダである。
【００５６】
図１２Ｂおよび図１２Ｃは、光学信号制限チャネル１２３０の２つの例示的な実施形態の断面図である。図１２Ｂにおいて、光学信号９０４は、上記のように、反射ミラー１２８０によってチャネル１２３０内へと偏向される。信号９０４は、信号９０４が出力に向かって伝搬するように、チャネル１２３０の側壁をコーティングする反射面１２４０によって反射される。光学ミラー１２８０が閉じられた状態である場合、光学信号制限チャネル１２３０の開口部が覆われ、従って、他の信号がチャネル１２３０内を伝搬することが可能になることが分かる。例えば、ミラー１２８０からの信号９０４がチャネルに入るにつれて、さらなるミラー１２８４は、閉じられた状態のままである。光学ミラー１２８０、１２８２、および１２８４は、上記で説明した技術を含む種々の手段（すなわち、磁気、静電気、圧電など）によって作動され得る。例えば、ミラーがニッケル、パーマロイ、鉄、または他の軟磁性体によってコーティングされる場合、ミラーは、ミラーの周りに巻き付けられた平面コイルによって作動され得る（光学ミラー７００および８００に関して上記したように）。あるいは、種々のミラーは、任意の種類のメカニズムによって作動され得、スクラッチドライブ、コームドライブ、インパクトコームドライブ、コームドライブを有するすべり歯車、１つの電極としてのミラーと他の反対側の非可動電極との間の簡単な静電力などによって作動され得る。
【００５７】
図１３、１４、および１５において、チャネル／ミラー構成の別の実施形態が示される。図１３は、図１２Ａに示す構成と同様の構成の透視図であり、入力光学信号９０４は、チャネルの上部に対して角度アルファに配置されるミラー１２８０によって、チャネル１２３０内へと反射する。種々の実施形態は、角度アルファに関して異なる値を選択して、チャネル１２３０内へと光を方向付ける。例示的な実施形態において、角度アルファは、３０〜６０度（約４５度など）であり得る。図１４ＡおよびＢは、それぞれ、ミラー１２８０の例示的な横方向の方向付けを示す上面図および側面図である。図示される実施形態において、チャネルから約１３５度にミラー１２８０を配置して、ほぼ正しい角度でチャネル１２３０内へと信号９０４を向ける。図１４に示すように、ミラー１２３０は第１の状態にあり、光はチャネル１２３０の端部１４０１の方向に反射される。この状態において、ミラー１２３０は、所望のように光が反射するように、約１３５度より小さい角度ベータ（または、任意の他の適切な角度）に配置され得る。ここで、図１５を参照して、ミラー１２３０は、ミラーとチャネルとの間の角度ベータが１３５度（または、任意の他の適切な角度）より大きくなるように、第２の状態に配置されて、チャネル１２３０の反対側の端部（すなわち、端部１４０２）に向かって光を反射し得る。もちろん、使用される正確な角度は、チャネル１２３０に対する入射光の正確な構成によって異なり、実施形態によって広く異なり得る。
【００５８】
チャネル１２３０における反射率は、チャネル１２３０の材料のタイプおよび表面のなめらかさなどの要素に基づいて異なり得る。例示的な実施形態において、反射率は、約８０％から９０％まで異なり得る。標準光学計算から、多くの反射の後、光学信号強度が指数的に減衰することが簡単に判明し得る。例えば、反射率が０．９の場合、１０回の反射の後、強度は、最初の値の０．３５まで減少する。５０回の反射の後、強度は、最初の値の０．０５まで落ち、１００回の反射の後、強度は、最初の値の０．００００２７まで落ちる。
【００５９】
図１２Ｃを一時的に再度参照して、（「チャネルミラー」とも呼ばれる）任意の第２の光学ミラー１２８２は、上部光学ミラー１２８０の下にある信号制限チャネル（ｓｉｇｎａｌ−ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ　ｃｈａｎｎｅｌ）１２３０の下部に回転可能に配置されることにより、光学信号９０４の方向を変更し、それによって、チャネル１２３０内での光学信号９０４の反射を減少させ得る。（ミクロ磁性作動（ｍｉｃｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　ａｃｔｕａｔｉｏｎ）を用いる用途における光学ミラー７００または８００に関して上述したような）ミラー１２８２は、そのミラー１２８２が光学信号制限チャネル１２３０の底面に回転可能に取りつけられるように、上部ミラー１２８０の下に作製され得る。上部および下部ミラーの両方が（それぞれの特定の設計に従って選択された任意の手段によって）作動させられると、望ましくは、送出光信号９０４が下側の小ミラー１２８０により反射され、次いで、チャネル１２３０のチャネル長の対称軸に沿って移動する。実際には、処理における限界のため、ミラー１２８０は、正確には、１００％の精度では機能しないため、光学信号の伝播方向はその処理に応じて、そのチャネル長の軸からわずかにずれることに留意されたい。しかしながら、本発明によって開示される方法およびデバイスを用いることにより、反射の度合いが大きく低減され得る。例えば、ずれがない場合、光学信号９０４が下部ミラーから反射された後には反射は起こらない。そのずれが１度である場合、長さ５ｃｍ、幅２０μｍ、高さ２０μｍのチャネルに関しては、約４３回の反射が予想される。ずれが０．５度の場合、その回数は２２回である。０．１度の場合は４回等である。よって、５１２×５１２のマトリックス、またはさらに大きなマトリックスの大規模のシステムでは特に、強度の損失が大きく減少する。図１６および図１７は、それぞれ、入力光信号９０４をチャネル１２３０内へと方向づける、例示的な第１および第２の状態を示す。図面に示すように、チャネルミラー１２８２は、光が所望により、終端１４０１（図１７）または終端１４０２（図１６）に対して方向づけられるように、上部ミラー１２８０の角度に応じた角度で配置され得る。示される実施形態では、ミラー１２８２は、（１８０−β）の角度で配置されることにより、光を終端１４０２へと方向づけ、（β−９０）の角度で配置されることにより、光を終端１４０１へと方向づける。当然ながら、用いられる正確な角度および方式は、実施形態ごとに変化し得る。
【００６０】
代替的な実施形態では、入射光学信号の位置合わせは、さらなるチャネル１２３０の使用を通じて改善され得る。次に、図１８および図１９を参照して、チャネル１２３０ｉが入力光学信号９０４を導くために用いられ得る。簡略化のために、図面には光学信号の軌跡が１つしか示されていないが、任意の数の入力信号９０４に対してチャネルが形成され得ることが理解される。チャネ１２３０内での反射の回数を低減するためには、しかしながら、さらなる下部ミラー１２８２が、図１８および図１９には示されていない上部ミラーの下に追加され得る。
【００６１】
光学信号９０４がチャネル１２３０により導かれるため、アレイの数が増加しても位置合わせの問題が生じないことが理解される。さらに、光学交差スイッチアレイ１２００の設計は、光ファイバのタイプによって制限されない。シングルモードファイバおよびマルチモードファイバの両方がそのデバイスのために用いられ得る。図１２Ａを再度参照して、図面には入射光学信号の方向が送出光学信号を導くために、チャネル１２３０と直交するように示されているが、スイッチ１２００は必ずしもこのように構成される必要はない。入射光学信号の方向と送出チャネルとの角度は、光学交差スイッチアレイの用途に従って、任意の角度になるように構成され得る。さらに、チャネル１２３０は、必ずしも示されるような矩形である必要はないが、円形または楕円形等の任意の形状で適切に構成され得る。また、チャネル１２３０は必ずしも直線である必要はない。チャネル１２３０内で光学信号９０４を伝播させることができる限り、曲線、ジグザグ、またはその他の形状であり得る。さらに、本明細書中に開示されるチャネルガイドは、光学スイッチ以外のデバイスでも有用であり得る。特に、光学チャネルガイドは、スイッチ、ルータ、コネクタ、導波路、リレー、入力または出力端子、ヘッダー、もしくは光送信機または光受信機等の任意の光学デバイスまたはコンポーネントで有用であり得る。
【００６２】
特許請求の範囲の全ての要素に対応する構造、材料、動作、および等価物は、明確に特許請求される他の特許請求される要素とともにその機能を実施する任意の構造、材料、または動作を含むことを企図する。さらに、いずれの方法クレームにおいても、記載される工程は任意の順序で実行され得る。本発明の範囲は、上記の実施例によってではなく、特許請求の範囲およびそれらの法的な等価物により規定されるべきである。最後に、本明細書中において明確に示されるものを除いて、上記の要素またはコンポーネントのいずれもが本発明の実践に関して不可欠または重要であるというわけではないことを強調しておく。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
図１Ａは、スイッチの例示的な実施形態の側面図である。
【図１Ｂ】
図１Ｂは、スイッチの例示的な実施形態の平面図である。
【図２Ａ】
図２Ａは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｂ】
図２Ｂは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｃ】
図２Ｃは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｄ】
図２Ｄは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｅ】
図２Ｅは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｆ】
図２Ｆは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｇ】
図２Ｇは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図２Ｈ】
図２Ｈは、スイッチを製造する例示的な技術を示す側面図である。
【図３Ａ】
図３Ａは、スイッチの第２の例示的な実施形態の側面図である。
【図３Ｂ】
図３Ｂは、スイッチの第２の例示的な実施形態の平面図である。
【図３Ｃ】
図３Ｃは、スイッチの第２の例示的な実施形態の使用に適した例示的なカンチレバーの透視図である。
【図３Ｄ】
図３Ｄは、区分化された磁気感知部を含むスイッチの第２の例示的な実施形態の透視図である。
【図３Ｅ】
図３Ｅは、複数の磁気感知層を含む例示的なカンチレバーの側面図である。
【図４Ａ】
図４Ａは、ラッチリレーの第３の例示的な実施形態の例示的な側面図である。
【図４Ｂ】
図４Ｂは、ラッチリレーの第３の例示的な実施形態の例示的な平面図である。
【図４Ｃ】
図４Ｃは、ラッチリレーの第３の例示的な実施形態の使用に適した例示的なカンチレバーの透視図である。
【図４Ｄ】
図４Ｄは、ラッチリレーの第３の例示的な実施形態の使用に適した例示的なカンチレバーの透視図である。
【図５】
図５は、ラッチリレーの第４の例示的な実施形態の側面図である。
【図６Ａ】
図６Ａは、ラッチリレーの第５の例示的な実施形態の側面図である。
【図６Ｂ】
図６Ｂは、ラッチリレーの第５の例示的な実施形態の平面図である。
【図７Ａ】
図７Ａは、例示的な「タイプＩ」ミラーの側面図である。
【図７Ｂ】
図７Ｂは、例示的な「タイプＩ」ミラーの平面図である。
【図８Ａ】
図８Ａは、例示的な「タイプＩＩ」ミラーの水平方向からの側面図である。
【図８Ｂ】
図８Ｂは、例示的な「タイプＩＩ」ミラーの水平方向からの平面図である。
【図８Ｃ】
図８Ｃは、例示的な「タイプＩＩ」ミラーの垂直方向からの側面図である。
【図８Ｄ】
図８Ｄは、例示的な「タイプＩＩ」ミラーの垂直方向からの平面図である。
【図８Ｅ】
図８Ｅは、反射ミラーの例示的な第２の実施形態の側面図である。
【図８Ｆ】
図８Ｆは、レフレクター／ミラーの例示的な第３の実施形態の平面図である。
【図８Ｇ】
図８Ｇは、レフレクター／ミラーの例示的な第３の実施形態の側面図である。
【図９Ａ】
図９Ａは、第１の状態の例示的なスイッチの側面図である。
【図９Ｂ】
図９Ｂは、第１の状態の例示的なスイッチの平面図である。
【図１０Ａ】
図１０Ａは、第２の状態の例示的なスイッチの側面図である。
【図１０Ｂ】
図１０Ｂは、第２の状態の例示的なスイッチの平面図である。
【図１１】
図１１は、例示的な５×５の光スイッチの平面図である。
【図１２Ａ】
図１２Ａは、例示的な光クロススイッチアレイの透視図である。
【図１２Ｂ（ａ）】
図１２Ｂ（ａ）は、例示的な光信号限定チャネルの側面図である。
【図１２Ｂ（ｂ）】
図１２Ｂ（ｂ）は、例示的な光信号限定チャネルの側面図である。
【図１３】
図１３は、例示的な光信号限定チャネルに出入りしている例示的な光信号の経路の拡大透視図である。
【図１４Ａ】
図１４Ａは、第１の状態の外側の上方向のチャネル面上のみに位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの平面図である。
【図１４Ｂ】
図１４Ｂは、第１の状態の外側の上方向のチャネル面上のみに位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの側面図である。
【図１５】
図１５は、第２の状態の外側の上方向のチャネル面上のみに位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの平面図である。
【図１５Ａ】
図１５Ａは、第２の状態の外側の上方向のチャネル面上のみに位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの平面図である。
【図１５Ｂ】
図１５Ｂは、第２の状態の外側の上方向のチャネル面上のみに位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの側面図である。
【図１６Ａ】
図１６Ａは、第１の状態の外側の上方向のチャネル面および内側の下方向のチャネル面上の両方に位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの平面図である。
【図１６Ｂ】
図１６Ｂは、第１の状態の外側の上方向のチャネル面および内側の下方向のチャネル面上の両方に位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの側面図である。
【図１７Ａ】
図１７Ａは、第２の状態の外側の上方向のチャネル面および内側の下方向のチャネル面上の両方に位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの平面図である。
【図１７Ｂ】
図１７Ｂは、第２の状態の外側の上方向のチャネル面および内側の下方向のチャネル面上の両方に位置する光学ミラーを有する例示的な光信号限定チャネルを備えた例示的な光クロススイッチアレイに出入りしている光信号の経路の模式的なダイアグラムの側面図である。
【図１８】
図１８は、第１の状態の光クロススイッチアレイに光信号を入力するように用いられる例示的な光クロススイッチアレイの透視図である。
【図１９】
図１９は、第２の状態の光クロススイッチアレイに光信号を入力するように用いられる例示的な光クロススイッチアレイの透視図である。
【図１０Ａ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１５Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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