(57)【要約】エピタキシャル層による被覆の場合と同じ要求が被覆に際して求められる被覆部材の製造において、反応ガスがプロセス空間内に注入され（ＰＲ）、かつ低エネルギプラズマ放電により反応ガスが活性化される。その際、そのような方法の工業有用性を高めるため、周囲にある受容器（１）の内壁からプロセス空間（ＰＲ）が分離される。
2004519108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス空間（ＰＲ）内に注入された反応ガスまたは反応ガスの混合物が、プラズマ放電内にある部材の表面におけるイオンエネルギＥが
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である低エネルギプラズマ放電（ＰＬ）によって活性化される少なくとも一つのプラズマ援用処理段階を用い、電子部材、光電子部材、光学部材またはマイクロメカニクス部材として、あるいはそれらの中間生産物として、部材を製造するための方法であって、前記処理段階中プロセス雰囲気（ＰＲ）が、周囲にある真空受容器（１）の内壁から分離される（１５；１５ａ；１４；１５ｂ）ことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つのプラズマ援用処理段階が、
（ａ）部材の被覆
（ｂ）所定の浸透深さに至る部材の材料組成変更
（ｃ）部材表面のエッチング
のいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも一つのプラズマ援用処理段階の前および／または後に、プラズマ援用洗浄段階が前述のようなもう一つのプラズマ援用処理段階として、好ましくは水素、希ガスまたはそれらの混合物を含むプラズマ内で行われることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
プロセス空間（ＰＲ）内に注入された反応ガスまたは、好ましくは水素を含む、反応ガスの混合物が、部材表面におけるイオンエネルギ（Ｅ）が、
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である低エネルギプラズマ放電（ＰＬ）によって活性化される、プラズマ援用部材洗浄段階により、前記少なくとも一つのプラズマ援用処理段階の実施場所からは離れた場所で、部材が洗浄されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法であって、部材洗浄段階の間、洗浄プロセス雰囲気が金属外被（１５ｂ）によって、周囲にある真空受容器の内壁から隔離され、あるいは好ましくは、周囲にある真空受容器（１）の内壁によって直接、洗浄プロセス雰囲気が限定される、方法。
【請求項５】
実効基板を製造するための、請求項３または４に記載の方法であって、
ｉ）    好ましくは水素を反応ガスとして使用しながら、基板に請求項３または４に記載の洗浄が施され、
ｉｉ）  ヘテロ・エピタキシャル層がプラズマ援用処理段階として育成され、
ｉｉｉ）場合によっては、さらなるプラズマ援用処理段階として、有効半導体層が育成されることを特徴とする、方法。
【請求項６】
プロセス空間（ＰＲ）内に時間的に連続して現れる部材がそれぞれ少なくとも一つのプラズマ援用処理段階を受け、これらのプラズマ援用処理段階が所定数実施された後、好ましくはまずエッチング段階とその後の、好ましくは水素、希ガス、またはそれらの混合物を含むプラズマ内での洗浄段階とを含む、部材装入なしの、あるいは基板モックアップを用いたプラズマ援用プロセス空間洗浄段階からなる、さらなるプラズマ援用処理段階が前記プロセス空間（ＰＲ）内において行われることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
少なくとも二つのプラズマ化学処理段階が別々の場所で部材に施され、かつその間の部材輸送は真空内で行われることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
真空内の輸送が少なくとも工作物ごとに直線的に、あるいは好ましくはプロセスへの直線供給運動を伴う円軌道に沿って、好ましくは円軌道に対して半径方向の運動成分によって行われることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
プラズマ活性化された反応ガスまたは反応ガス混合物に対し新規状態で化学的に不活性の表面によって、好ましくは絶縁表面または黒鉛製の表面によってプロセス空間が限定されることにより分離が成立することを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記不活性表面が、真空受容器の内壁の大半を占める表面セグメントに沿って間隔（ＺＷ）をおかれた分離壁の表面であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プロセス空間（ＰＲ）と、分離壁と真空受容器の内壁との間の隙間（ＺＷ）とが一緒に、または別々（１３ａ、１３ｂ、１１５）に排気されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記表面が新規状態で以下の材料、すなわち
石英、黒鉛、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオビウム、酸化ジルコン、またはこれらの材料が組み合わされた積層、ダイアモンド様の炭素、またはダイアモンド、
のうちの少なくとも一つから実現されることを特徴とする、請求項９から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記分離壁に部材（１２０）用の供給開口部（１２３）が設けられ、かつこの開口部が処理のため、部材および／または部材（１２０）のためのキャリヤ（１１９）によって密封されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記プラズマ放電が、電子エネルギが≦１００ｅＶの、好ましくは≦５０ｅＶの電子銃（１０５）によって、特に好ましくはＤＣ放電によって実現されることを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記プラズマ放電が熱イオン陰極（１０７）によって、好ましくは直接加熱される熱イオン陰極によって実現されることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
位置がずらされ、好ましくは各々加熱可能な陽極（１１７ａ、１１７ｂ）がプラズマ放電用に少なくとも二つ、好ましくはそれぞれ別々に電気操作可能なようにプロセス空間内に設けられ、かつそれぞれにかけられた電位および／またはそれらの温度の制御によりプロセス空間内のプラズマ密度分布（Ｖ）が動的または静的に調整または制御されることを特徴とする、請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
磁場（Ｈ）がプロセス空間（ＰＲ）内に作られ（１３３、１３５）、かつこの磁場により、静的および／または動的に、部材表面におけるプラズマ密度分布（Ｖ）が調整または制御され、好ましくは少なくとも位置が揺動することを特徴とする、請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
反応ガスがプロセス雰囲気内に、好ましくは基本的に部材表面（１２０）と平行な流入方向で、さらに好ましくは部材表面から等距離の注入箇所において、分割注入（１３７）されることを特徴とする、請求項１から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも一つのプラズマ援用処理段階のために、プロセス雰囲気（ＰＲ）内の気体の分圧が、処理用希ガスおよび反応ガスないしその気体状の反応生成物に関わりなく、最大でも１０−８ｍｂａｒ、好ましくは最大でも１０−９ｍｂａｒに維持される（ＵＨＶ）ことを特徴とする、請求項１から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも一つのプラズマ援用処理段階が、ホモまたはヘテロ・エピタキシャル層の布設であることを特徴とする、請求項１から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
ホモまたはヘテロ・エピタキシャル層としてシリコン／ゲルマニウム層が布設されることを特徴とする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
部材が基本的に円盤形状の部材（１２０）であることを特徴とする、請求項１から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記処理を施される部材がシリコンウェハまたは、化合物半導体からなるウェハであり、好ましくは砒化ガリウムまたは燐化インジウムまたは炭化シリコンまたはガラスからなることを特徴とする、請求項１から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
材料として、
シリコン、シリコン−ゲルマニウムの化合物、シリコン−ゲルマニウム−炭素の化合物、ダイアモンド、ダイアモンド様の化合物、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化ガリウム、砒化ガリウム、アルミニウム、銅、燐化インジウム、立方晶系窒化ボルン、
のうちの少なくとも一つを用いた層が布設されることを特徴とする、請求項１から２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
好ましくはシリコン−ゲルマニウムを含む実効基板を製造するための、請求項１から２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
同時に処理されるべき表面の直径が少なくとも１５０ｍｍ、好ましくは少なくとも２００ｍｍ、好ましくはさらに少なくとも３００ｍｍである部材を処理するための、請求項１から２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記プラズマ援用処理が、少なくとも６０ｎｍ／Ｍｉｎの被覆率での部材の被覆であることを特徴とする、請求項１から２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも一つの洗浄段階を含み、洗浄されるべき基板が、プロセス空間内に注入された反応ガスまたは反応ガスの混合物に晒され、部材表面におけるイオンエネルギＥが、
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である低エネルギプラズマ放電によって活性化される、プラズマ援用洗浄段階として、前記洗浄段階が実施されることを特徴とする、実効基板の、またはその上に好ましくはシリコン−ゲルマニウムをベースとして構成される部材の、製造方法。
【請求項２９】
―      少なくとも一つの真空室（１）と、その中の
―      少なくとも一つの工作物キャリヤ（５）と、
―      室（１）内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生配置と、
―      少なくとも一つの反応ガスまたは反応ガス混合物と接続されたガス注入配置（７）を室（１）内に有する、ガスタンク配置とを、
備えた、特に請求項１から２８のいずれかに記載の方法を実施するための、真空処理システムであって、工作物キャリヤ（５）がむき出しでその中の加工位置にあり、その中でプラズマ（ＰＬ）が発生し、かつガス注入配置がそれと作用接続されるプロセス室（ＰＲ）が真空室（１）内に設けられることを特徴とし、さらにプロセス室の内壁表面は、プラズマ活性反応ガスまたは反応ガス混合物に対し、新規状態で不活性の材料（１５，１５ａ、１１３）からなり、好ましくは絶縁材料または黒鉛材料からなる、システム。
【請求項３０】
請求項２９のプリアンブルによる真空処理システムであって、工作物キャリヤ（１５）がむき出しでその中の加工位置にあり、その中でプラズマ（ＰＬ）が発生し、かつガス注入配置（７）がそれと作用接続されるプロセス室（ＰＲ）が真空室内に設けられることを特徴とし、さらにプロセス室（ＰＲ）が、真空室壁の大半を占める表面セグメントに沿って内側にずらされた外被（１４、１５ｂ）によって形成される、システム。
【請求項３１】
請求項２９および３０に記載の特徴が組み合わされた、真空処理システム。
【請求項３２】
プロセス室の内側表面（１５、１５ａ、１１３）の少なくとも大半を占めるセグメントが新規状態において以下の材料、すなわち、
石英、黒鉛、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオビウム、酸化ジルコン、またはこれらの材料の組み合わせによる積層、ダイアモンド様の炭素またはダイアモンド、
のうちの少なくとも一つからなることを特徴とする、請求項２９から３１のいずれかに記載の真空処理システム。
【請求項３３】
プロセス室壁（１４、１５ｂ、１１３）が交換可能なように真空室壁（１）に対して固定されることを特徴とする、請求項２９から３２のいずれかに記載のシステム。
【請求項３４】
プラズマ発生配置が、工作物キャリヤ（５）の領域におけるイオンエネルギＥが  ０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ  である低エネルギプラズマ放電を発生させるための配置であることを特徴とする、請求項２９から３３のいずれかに記載のシステム。
【請求項３５】
プラズマ発生配置が、電子エネルギが≦１００ｅＶの、好ましくは≦５０ｅＶの電子銃（１０５）を含み、好ましくはＤＣ低電圧プラズマ発生配置であり、特に好ましくは熱イオン陰極（１０７）を、特に直接加熱される熱イオン陰極を備えることを特徴とする、請求項３４に記載のシステム。
【請求項３６】
真空室（１）に、これに対して好ましくは電気絶縁状態で、陰極室（１０９）が装着され、真空室（１）とはオリフィス（１１１）を介して連絡する、ことを特徴とする、請求項２９から３５のいずれかに記載のシステム。
【請求項３７】
オリフィス（１１１）の軸（Ａ）が工作物キャリヤ（１１９）の工作物受容表面（１１９ａ）と交差し、好ましくは基本的に垂直に、好ましくは基本的に中央で交差することを特徴とする、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
プロセス室壁（１５ｂ）の材料が金属から、好ましくはタンタルまたはＩｎｋｏｎｅｌｌからなることを特徴とする、請求項３０に記載の、または請求項３０に従属する請求項３２から３７のいずれかに記載のシステム。
【請求項３９】
異なる電位におくことができ、かつ好ましくはそれぞれ加熱可能な、位置がずらされた少なくとも二つの陽極（１１７ａ、ｂ）がプロセス室（ＰＲ）内に設けられることを特徴とする、請求項３５から３８のいずれかに記載のシステム。
【請求項４０】
オリフィス軸（Ａ）に沿って、その長手方向に変位された、好ましくは前記軸と同軸の少なくとも二つの陽極（１１７ａ、ｂ）がプロセス室内に設けられることを特徴とし、さらに前記陽極は好ましくは異なる電位におくことが可能であり、かつさらに好ましくは、それぞれ別様に加熱可能である、請求項３６または３７に記載のシステム。
【請求項４１】
真空室壁（１０１）の大半の表面セグメントが二重壁構造であり、かつその隙間が温度調節媒体接続部と、好ましくは温度調節液と接続されることを特徴とする、請求項２９から４０のいずれかに記載のシステム。
【請求項４２】
プロセス室（ＰＲ）内で磁場を発生し、かつ好ましくは真空室外部に設けられたヘルムホルツ・コイル（１３３）を含む、好ましくは制御可能な、磁場発生配置（１３３、１３５）が設けられることを特徴とする、請求項２９から４１のいずれかに記載のシステム。
【請求項４３】
プロセス室が大半の表面セグメントに沿って真空室壁（１）から距離をおかれ、かつプロセス室内部（ＰＲ）と、そのようにして形成された隙間とが、同じまたは異なるポンプ横断面を介して共通のポンプ接続部と作用接続し、あるいはプロセス室と隙間用に、それぞれ少なくとも一つのポンプ接続部が設けられることを特徴とする、請求項２９から４２のいずれかに記載のシステム。
【請求項４４】
プロセス室（ＰＲ）にある開口部（１２３）に対して工作物キャリヤ（１１９）が好ましくは直線的に、開口部表面法線の方向に駆動（１２１）されて移動し、かつ好ましくはプロセス室（ＰＲ）に対し高く掲げられた位置で、プロセス室内部空間を密封することを特徴とする、請求項２９から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項４５】
工作物キャリヤ（１１９）が温度調節装置（１２７）と作用接続されることを特徴とする、請求項２９から４４のいずれかに記載のシステム。
【請求項４６】
パッキングしつつ密封可能な、少なくとも一つの工作物供給開口部（１２９）を真空室（１）が有することを特徴とする、請求項２９から４５のいずれかに記載のシステム。
【請求項４７】
真空室（１）が密封可能な被制御工作物供給開口部（１２９）を有し、かつ工作物輸送真空配置を介して前記供給開口部が接続される、少なくとも二つの真空室が設けられることを特徴とする、請求項２９から４６のいずれかに記載の真空処理システム。
【請求項４８】
前記真空輸送配置が直線輸送配置または回転運動（１５０）輸送配置であり、好ましくは後者であることを特徴とする、請求項４７に記載のシステム。
【請求項４９】
前記真空室（１）の内の一つにあるプロセス室（ＰＲ）が、真空室（１）の金属内部表面自体によって限定され、かつプラズマを発生させるためのプラズマ発生配置と、少なくとも一つの反応ガスを含むタンク配置と接続されたガス注入配置とを有することを特徴とする、請求項４７または４８に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
この明細書には、方法についての明細書としてＷＯ９８／５８０９９が添付される。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
この発明は、請求項１のプリアンブルにより、プロセス空間内に注入された反応ガスまたは反応ガスの混合物が、部材表面におけるイオンエネルギＥが
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である低エネルギプラズマ放電により活性化される少なくとも一つのプラズマ援用処理段階を用いて、電子部材、光電子部材、光学部材またはマイクロメカニクス部材として、あるいはそれらの中間生産物として、部材を製造するための方法に関するものである。
【０００３】
さらにこの発明は、請求項２８のプリアンブルによる、実効基板を製造するための、またはその基板から好ましくはシリコン−ゲルマニウムをベースとする部材を製造するための、少なくとも洗浄段階を含む、製造方法に関するものである。この発明はさらに、請求項２９ないし３０のプリアンブルによる真空処理システムに関するものである。
【０００４】
この発明は基本的には、エピタキシャル層で部材を被覆する場合と同様の要求がなされるべき部材の製造方法に関するものである。
【０００５】
【従来の技術】
同一出願人によるＷＯ９８／５８０９９（添付）により、始めに述べられたような方法並びにシステムは既に周知のものである。上記明細書では、プロセス空間内に注入された反応ガスまたは反応ガス混合物が、部材表面におけるイオンエネルギＥが
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である低エネルギプラズマ放電により活性化されるプラズマ援用処理段階として、エピタキシとして十分な品質を備える工作物の被覆について専ら詳細に記載され、かつそれについてクレーム請求されている。低エネルギプラズマ放電により発生したプラズマは基本的に電子と、単一または多重荷電イオンと中性粒子（原子、解離分子）、ならびに励起はされているがイオン化されていない中性粒子とからなる。このプラズマに特徴的なのは、単一荷電イオンのエネルギ領域が
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である点である。１５ｅＶとはいわゆるスパッタ閾値であり、その閾値を超えると、イオンが基板に作用した場合そこに損傷が生じ得る。電子自体は１００ｅＶまでは基本的に基板の加熱に関与するだけである。さらに、後に説明されるように、特にここで特に好ましいＤＣ低電圧プラズマ発生配置においては、単一荷電イオンの上記エネルギ領域は同時に、プラズマ内にある中性粒子ならびに励起された中性粒子の上限を規定することが知られている。その理由は、中性粒子はその基本的エネルギ貢献をイオンとの衝突によって維持するからである。
【０００６】
同様にＷＯ９８／５８０９９には前述の被覆のための、真空室、その中の工作物キャリヤ、室内でプラズマ発生させるためのプラズマ発生配置、並びに少なくとも一つの反応ガスと接続されたガス流入配置を備えた室内ガスタンク配置とを備えた真空処理システムについて、詳細に説明されている。プラズマ発生配置は低電圧プラズマ発生配置、すなわちオリフィスを介してプロセス空間と連絡する陰極室、として特定されている。陰極室内には熱陰極が、プロセス空間には陽極配置が装着される。空間的には下方に配向された工作物キャリヤは電気絶縁配置される。
【０００７】
この低電圧プラズマ発生配置の原理は、同様に周知のその他のプラズマ発生方法（例えばマイクロ波プラズマ）に比してはるかに、ここに記載された方法に適しているが、それはこの配置が上記のエネルギ特性を好ましい方法で満たすことができるからである。
【０００８】
従ってこの発明はこのような方法およびシステムを前提とするが、中でもＷＯ９８／５８０９９に記載された方法がまた、後に説明されるであろうように、この発明の課題のさらなる条件を満たしながら、この出願によって実現されるであろう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、特により長い耐用期間やより多くの装入量といった経済的条件に関し工業有用性が大幅に高められた、上述のような方法ないしシステムを提供することである。
【００１０】
したがって所望の長い耐用期間中、上述のような方法のため遵守さるべき高い清潔度がシステムにおいて保証されねばならない。さらに、様々な処理段階とシステムとが、自動化された製造工程に最適な状態で統合可能でなければならない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
始めに述べられたような方法においてこの課題は、プラズマ援用処理段階の間プロセス雰囲気が、周囲にある真空受容器の内壁から分離されることにより、解決する。この場合、周囲圧力に対して真空技術上求められる圧力比率を確保する構造と、処理プロセスに直接晒される構造との機能的分離により、上述の課題が解決するという、基本的認識がある。
【００１２】
ＷＯ９８／５８０９９によると、通常ステンレス鋼ないしＩｎｏｘから製造される真空室の内側表面は直接プロセス雰囲気に接する。特に、工作物ないし部材の低エネルギプラズマ放電による被覆が行われる、プラズマ援用処理段階の間は、真空室壁が、従って内側表面が加熱する。例えば、進行する露出プロセス中の内側表面の吸収反応のような様々な影響により、工業製造に使用されるかぎり許容できない汚染が処理段階のプロセス雰囲気に生じ、あるいは許容され得ない分圧が残存ガスによって形成される。この場合の、プロセス雰囲気内の残存ガスとは、例えばアルゴンのようなプラズマ放電処理ガスや、注入された反応ガスないし反応ガス混合物、あるいはまたそれらの気体状反応生産物のいずれにも由来しないガス成分を指す。この発明の方法により、真空受容器壁部によるプロセスへの影響を最小化することができる。
【００１３】
請求項２によるとこの発明の方法は、（ａ）部材の被覆、（ｂ）所定の浸透深さまで達する部材の材料組成の変更、あるいは（ｃ）特に構造エッチングのような、部材表面のエッチングに、極めて好ましい様態で適用される。上記全ての場合について、エピタキシャル層の成長に必要とされるようなプロセス条件の遵守は、この発明で試みられる製造プロセスの枠組において、不可欠である。ここで、この発明による（ｂ）の材料組成の変更により、所定の目標材料への材料移植が求められる。
【００１４】
さらに、この発明に従って実施されるプラズマ援用処理段階として、請求項３に記載の洗浄段階が、あるいはこの発明によるプラズマ援用処理段階に加え、請求項４に記載の洗浄段階が、提案される。
【００１５】
この発明による方法の好ましい一実施例では、請求項５に従って実効基板が製造される。実効基板とは、一貫して単結晶の半導体材料からなるウェハとは異なり、特別な層構造を有しながら機能的には半導体部材の原料として同様に使用される半導体ウェハを指す。
【００１６】
例えばウェハ形状の単結晶シリコンのような半導体材料“Ａ”が原料基板として使用される。その上に、好ましくは連続的に変化する半導体材料“Ａ”の成分とさらなる半導体“Ｂ”とからなるバッファ層が布設されるが、その場合通常“Ａ”の成分比が高く“Ｂ”がわずかな場合から、“Ｂ”の成分比が高く“Ａ”がわずかな場合へと変化する。これは「段階的バッファ層」と呼ばれる。このバッファ層構造にはたくさんの欠点がある。バッファ層上には、基本的に最上部のバッファ層区域のそれに相当する組成の被覆層が設けられる。その目的は、欠点が少なく、転移のない混晶層を得ることである。これら三つの構成要素、すなわち基底部ないし基板、バッファ層および被覆層が実効基板を形成する。当該業者には周知のように、さらなる中間層の布設もまた可能である。実効基板上には、目的とする半導体材料特性に必要な組成を有する本来の有効層が設けられる。有効層材料としてはまた、二つの半導体の混合物が使用され得るが、例えば“Ｂ”のように混ざり気のない半導体からなる層もまた使用可能である。この層は一般に大変薄いので転移は生じず、ストレスはこの層内部にとどまる（バンド・ギャップ・エンジニアリング  ｂａｎｄ  ｇａｐ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）。この有効層の成長は実効基板の布設と組み合わされ得るが、あらかじめ製造された実効基板に後で有効層を設けることも可能である。
【００１７】
この発明および請求項５によると、実効基板の製造枠内で湿式洗浄が行われた従来の方法とは異なり、基底部ないし前記基板にはまずプラズマ援用洗浄が施される。その後、ヘテロ−エピタキシャルバッファ層が布設され、必要な場合にはさらに、前記被覆層が布設される。この発明によると、次に場合によってはまた利用されるべき有効層が布設されるか、あるいはバッファ層の布設後、被覆層に移行しながら、本来既に完成した実効基板が、後に行われる有効層の布設に備えて用意される。
【００１８】
ここで既に指摘されるべきは、実効基板（その中には、ＭＢＥ  分子線エキタピシ、ＵＨＶＣＶＤ  超高真空ＣＶＤ、ＡＬＤ  原子層蒸着、等が含まれる）の従来の製造方法の枠内で、そこで行われていた湿式化学洗浄段階が、低エネルギプラズマ内におけるプラズマ援用洗浄段階にとって代わられること、それ自体がまた発明であり、抜本的な製造技術上の利点をもたらす、という点である。
【００１９】
これに関しては、請求項２８に記載の製造方法を参照されたい。
当該工業生産の流れにおいて、前記プラズマ援用処理段階（ａ）、（ｂ）、（ｃ）によって後ほど処理されるべき部材がまず、例えば周囲雰囲気による表面汚染の洗浄を受けることは一般的に何度も必要である。
【００２０】
さらに、前記プラズマ処理段階（ａ）、（ｂ）、（ｃ）がそれぞれ終わるたびに、例えばエッチングの際に生じる汚染材料ないし汚染ガスの洗浄のように、洗浄段階が必要となり得る。
【００２１】
洗浄方法の一実施形態においてはその際、反応ガス（水素、水素と希ガスの混合物）が使用されるが、これらはプロセス雰囲気を取り囲む材料を損傷し得る。
【００２２】
したがって、請求項４にも記載されたように、そのような洗浄段階に備え、比較的コストの安い金属製カプセルがプロセス雰囲気を取り囲むのに用いられるか、あるいは周囲にある真空受容器の内壁で直接、洗浄プロセス雰囲気を制限するよう、提案される。
【００２３】
従って、後で再び詳述されるように、部材の前記処理段階（ａ）、（ｂ）、（ｃ）用にプロセス雰囲気を制限するには非金属製の材料、すなわち、プラズマ活性化した反応ガスに対して不活性の材料が、はるかに好ましい。しかしながら、この洗浄段階においてはまた、その後の処理がエピタキシャル層の布設であっても、洗浄された部材表面が同様に無傷でその処理を受けられるよう、保障されねばならない。したがって部材のプラズマ化学洗浄段階においても、部材表面において特定のイオンエネルギを有する上記低エネルギプラズマが使用される。
【００２４】
さらに、請求項６に記載されたように、当該プロセス空間では次々と、すなわち時間的に連続した順序で現れる部材が前記プラズマ援用処理段階の少なくとも一つを受け、そのような処理段階が所定数実施された後、前記当該プロセス空間では、プロセス空間に部材が搬入されることなく、あるいは基板モックアップ（ダミー）が使用されて、さらなるプラズマ援用処理段階、すなわちプロセス空間洗浄段階が行われるよう、提案される。このプロセス空間洗浄段階は、少なくとも二つの小段階に分けて実施されるのが好ましい。すなわち、まずエッチング、次にエッチング残滓の洗浄であり、後者は水素、希ガスまたはそれらの混合物を含むプラズマ内で行われるのが好ましい。
【００２５】
したがって、この発明の課題に照らして、特により長い耐用期間の実現という課題に照らして、当該プロセス空間は処理段階を所定の数こなした後、プラズマ援用洗浄される。その際通常、請求項３の記載どおりに、場合によっては請求項４の記載どおりにプロセス空間内で、（ａ）または（ｂ）または（ｃ）の処理または洗浄が部材に施される。しかしながらまた、唯一の当該プロセス空間において、あらかじめプログラムされた順序で連続して被覆、エッチングが、または材料組成の変更が行われるか、あるいは請求項３に記載されたように、部材の洗浄が行われる場合も当然あり得る。
【００２６】
この発明によるプロセス雰囲気の真空受容器壁による分離によって、真空室壁がそれに晒されてはならない反応ガスを使用しながら、プロセス室を、あるいはまた部材をプラズマ化学洗浄することが可能となる。部材が所定の、またはあらかじめ設定可能な回数の処理段階を経た後、当該プロセス空間をプラズマ援用により自浄処理することが可能であり、その後すぐ部材処理にまた使用可能であるという事実により、連続稼働のための耐用期間が劇的に延長される。これは、例えばプロセス空間がＷＯ９８／５８０９９に従って洗浄される場合と、比較される。
【００２７】
したがってこれまでの実施例をまとめると、この発明の製造プロセスは、エピタキシに求められる品質要求に鑑み、湿式化学洗浄段階を避けながら、被覆、部材の材料組成の変更、部材における構造エッチングまたはその洗浄を可能にし、かつプロセスパラメータの変更、特に注入反応ガスの変更のみで、そのような処理段階の間にプロセス空間の自浄処理を可能とする。同じ方法がまた、プロセス雰囲気と真空受容器との間の分離部材が変えられるか、撤去されることにより、この発明による製造過程での部材の洗浄にもまた適用可能である。
【００２８】
請求項７によると、部材は前記プラズマ援用処理段階の少なくとも二つを別々の場所で受け、かつその間の輸送は真空内で行われるのが好ましい。請求項８によるとこの輸送は、直線状装置によって、処理段階から処理段階へと直線移動で、あるいは、「クラスタ装置」の名で知られる環状装置の円軌道に沿って行われるのが好ましい。その場合、環状輸送の周りに集められた処理ステーションに、あらかじめプログラムされて、ないし自由にプログラム可能な状態で、環状輸送により部材ないし工作物が回される。
【００２９】
請求項９に記載の、さらに好ましいこの発明の方法の一実施形態では、プロセス雰囲気と真空受容器壁部表面との間の分離が、プラズマ活性化された反応ガスまたは反応ガス混合物に対し新規状態で化学的に不活性な表面、好ましくは絶縁表面または黒鉛表面によりプロセス空間が制限されることによって、実現する。
【００３０】
操作中、したがって特に被覆（ａ）、材料組成の変更（ｂ）、またはエッチング（ｃ）の間、特に構造エッチングまたは洗浄の際には、この表面上にいずれにせよ材料が沈積する。しかしながらこの材料によるプロセス汚染はないか、あるいは許容範囲である。同じ当該プロセス空間に順番に現れる部材に同じ処理段階が実施される場合にこそ、上述のように新規状態で不活性の、好ましくは絶縁性、または黒鉛製の分離表面が、最終的な被覆が前記表面にしっかりと付着する程度に前記反応生産物材料によって被覆されるのは、望ましくさえある。
【００３１】
所望された不活性の、好ましくは絶縁性の表面は、不活性の、好ましくは絶縁性表面を形成する構造が真空受容器の内側表面上に直接布設されることにより設けられ得るが、これはそのような材料による被覆の場合もあれば、あるいは真空受容器内壁に直接そのような内向きの表面を有する自立内壁部材が取り付けられる場合もある。
【００３２】
しかしながら、請求項１０に記載のさらに好ましい一実施形態では、前記不活性表面は少なくとも大半の表面セグメントに沿って、ある間隔をおいて真空受容器の内壁から隔てられる。この方法は、分離壁構造の交換が可能であり、またサービスが容易である、さらに表面温度をあらかじめ適切に設定可能である、という点において大きな利点を有する。
【００３３】
請求項１１によると、プロセス空間と前記隙間は一緒に、または別々に排気され得る。したがって特に、真空受容器内壁と前記表面との間に所望の熱伝導比率を生み出す雰囲気を前記隙間に実現することが場合によっては可能である。その際、例えばヘリウムのような熱伝導能力が高い気体がこの隙間に注入されると、かつ／またはプロセス空間よりも高い気圧がこの隙間において少なくとも一時的に実現されると、この隙間での熱伝導性がプロセス空間のそれより高まり、その結果、表面温度を所望の値に維持することが可能となり得る。ここで熱伝導性は、一定の真空圧以下では圧力と共に低下し、かつ含有される当該気体の熱容量に当然依存することに、注意されたい。
【００３４】
新規状態での表面に好ましい材料は、請求項１２に特定されている。ここで強調さるべきは、不活性の、さらに好ましくは絶縁材料からなる表面とは、まず専らプロセス空間側の表面材料を指す、という点である。この表面はしたがって、分離壁のそのような材料によって形成されるのが好ましい。分離壁はこの場合、例えば真空受容器側は金属で形成され、プロセス空間ないしプロセス雰囲気側は不活性表面で被覆され得る。この意味において、請求項１２に記載されたように、表面は層構造で形成され得、したがってまたダイアモンド様の材料またはダイアモンドの使用が可能となる。
【００３５】
プラズマ化学法では基本的に温度上昇につれて（また衝撃を受けるプラズマの強度により）被覆率が上がることが知られている。上述のように、プロセス空間側の表面を、プラズマ活性化された反応ガスのそれぞれのプロセスに応じた反応生産物で被覆することは極めて望ましいことであり得る。しかしながらその際には、そのような被覆のいかなる剥離も回避すべく十分注意が払われねばならない。この認識は換言すると、プラズマ援用処理段階の実施中、前記表面の温度を制御することにより、前記表面の被覆率を最小限度に抑えることができると、解釈可能である。したがって例えば、この干渉被覆率を部材における作用率よりもはるかに小さく選択し、したがって比較的数多くの処理が部材に施された後で初めてプロセス空間を自浄処理することも可能となる。その場合前記被覆は、例えばその厚さが剥離に関し限界値に達する前に、除去される。
【００３６】
ここで部材における作用率とは、処理に応じて、被覆率、浸透率、エッチング率、洗浄率を意味する。
【００３７】
この発明において解決さるべき課題という意味においては、方法ないしシステムの自動化率にも十分な注意が払われねばならない。これに関しては、請求項１３に記載されたように、前記表面に部材用供給開口部が設けられ、かつ部材処理用の供給開口部が、少なくとも搭載キャリヤがプロセス空間から出られない程度に、部材および／または部材のキャリヤによって塞がれるよう、提案される。
【００３８】
好ましいさらなる一実施形態では、請求項１４に記載されたように、電子エネルギが≦１００ｅＶの、好ましくは≦５０ｅＶの電子銃を用いた低エネルギプラズマ放電が使用され、特に好ましくはＤＣ放電を用いて実現されるが、その際好ましくは、請求項１５に記載されたように、好ましくは直接加熱される熱イオン陰極によって実現される。より一層好ましいのは、処理された部材表面がさらに直接、直にプラズマに晒されることである。
【００３９】
請求項１６によると、さらに好ましくは、位置のずれた少なくとも二つの陽極が、プラズマ放電のためプロセス空間内に設けられる。それらは、それぞれ別々に加熱可能であるのが好ましい。それらにかけられた電位および／またはそれらの温度制御により、プロセス空間内のプラズマ密度分布は動的かつ／または静的に調整ないし制御可能である。静的調整とは、調整が行われるが、少なくとも処理段階の間は固定されたままである、という意である。動的調整とは、周期的揺れであれ、所定の曲線形に応じた非周期的発振であれ、あるいは任意の直線または非直線ランプ関数の形であれ、処理段階中前記パラメータのうちの少なくとも一つが時間的に変更される、という意である。特に最後のやり方では、処理段階中プロセス空間内において変化する諸条件を計算し、これらを補整しつつ緩和し、あるいはまた部材表面におけるプラズマ密度の望ましい時間的変化を得ることが可能となる。
【００４０】
さらに好ましいことに、請求項１７によると、上に述べられた陽極電位および／または陽極温度のパラメータ同じ意図で静的または動的に、部材表面のプラズマ密度分布を調整または制御する磁場がプロセス空間内に生み出される。この磁場が制御されて時間的に変化することにより、部材表面に沿ったプラズマ密度の分布が変更可能であり、これは特に、固定分布するプラズマの中を部材が周期的に移動する場合のように、好ましい。固定保持された部材表面に沿って、磁場がそのように揺動しプラズマ密度分布が振動しながら変化することにより、部材が振動しながら、または回転しつつ移動する場合と同じ効果が得られるが、部材が移動しない方が特に真空技術上有利である。
【００４１】
請求項１８によると、反応ガスが分割されてプロセス雰囲気内に注入され、かつ好ましくは流入方向が基本的に部材表面と平行であり、さらに好ましくは注入箇所が部材表面から等距離であることにより、プラズマ活性化された反応ガスに対する部材表面の最適な露出が得られ、かつ逆効率に関して、すなわち単位時間あたりに流入する未使用反応ガスの、単位時間あたりに排気される依然未使用の反応ガスに対する指数という意味において、流入する未使用反応ガスの最適利用率が達成される。
【００４２】
前記処理段階、特に（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または請求項３に記載の部材洗浄処理段階を経て、エピタキシャル層の布設に必要な品質を伴う効果を上げるには、請求項１９に記載されたように、上に定義されたような残存ガスの分圧が最大でも１０−８ｍｂａｒ、好ましくは最大でも１０−９ｍｂａｒに維持される。
【００４３】
この発明の方法における前記少なくとも一つのプラズマ援用処理段階は、好ましい第一の実施形態では、ホモエピタキシャルまたはヘテロ・エピタキシャル層の布設である。そのような層はさらに好ましくは、請求項２１によると、シリコン−ゲルマニウム層として布設される。
【００４４】
さらに、請求項２２によると、部材は基本的に円盤形状の部材として製造される。
【００４５】
請求項２３によると、さらに好ましい一実施形態では、処理を施される部材はシリコンウェハであるが、あるいは好ましくは燐化ガリウム、硫化インジウム、炭化シリコンまたはガラスからなる化合物半導体のウェハである。請求項２４は、この発明による製造方法において好んで布設される層材料を特定する。
【００４６】
請求項２５に記載の、この発明の製造方法の極めて基本的な一実施形態では、好ましくはシリコン−ゲルマニウムを含む、上述のような実効基板が製造される。
【００４７】
請求項２６に記載の、この発明による製造方法のさらに好ましい一実施形態では、部材が、この場合特に前記の基本的に平らな、ないし円盤形状の部材が、少なくとも１５０ｍｍの直径、好ましくは少なくとも２００ｍｍ、好ましくはさらに少なくとも３００ｍｍの直径を有するように製造される。
【００４８】
請求項２７に記載の、この発明による製造方法のさらに好ましい一実施形態では、部材の被覆が少なくとも６０ｎｍ／Ｍｉｎの被覆率で実現される。
【００４９】
実効基板、ここでは特にシリコン−ゲルマニウムベースの基板に関しては、製造済みの実効基板をさらなる加工段階のために洗浄する場合であれ、既にエピタキシャル被覆された基板をさらに実効基板の準備のため洗浄する場合であれ、バッファ層の成長前にエピタキシの育成に適切な下層を洗浄するためであれ、今日では通常、湿式の化学洗浄法が用いられる。この発明の枠内においては、プラズマ援用洗浄段階に前記低エネルギプラズマを使用することにより、後続する実効基板の製造、あるいは実効基板を前提とする部材の製造が問題なく可能となるよう、洗浄が実現されることが認められた。その結果、すなわちプラズマ援用洗浄方法の使用により湿式化学洗浄法が回避される結果、根本的に優れた利点が得られ、さらにこの認識により、実効基板またはそれをベースとする部材の製造方法へのそのようなプラズマ援用洗浄の統合が可能となる。したがって、請求項２８には、実効基板の製造、または実効基板、好ましくはシリコン−ゲルマニウム基盤をベースとした部材の製造方法が提案されるが、この方法は、プラズマを援用し、かつプロセス空間に注入された反応ガスまたはその混合物に工作物が晒される、少なくとも一つの洗浄段階を含む。この反応ガスは、部材表面において最大でも１５ｅＶのイオンエネルギを伴う低エネルギプラズマ放電により活性化される。
【００５０】
極めて取り扱いの難しい表面に関しこの乾式洗浄方法によって発明者が達成したこの驚くべき成功は、既に説明されたように、低エネルギプラズマの使用に帰せられるものである。
【００５１】
請求項２９および３０には、前記方法を前述の観点のいずれかに従い実施するのに特に適した、この発明による真空処理システムについて明記されている。すなわち、請求項２９によると、プロセス室内壁表面は新規状態において、プラズマ活性化された反応ガスまたは反応ガス混合物に対し不活性な材料、好ましくは絶縁材料より実現され、請求項３０によると、プロセス空間を含むプロセス室は真空室壁から内側に向けてオフセット、すなわち間隔を置いて実現される。この発明による真空処理システムの好ましい実施形態が続いて請求項４２から６０に明記される。
【００５２】
以下においては図面を参照に、この発明の説明がなされる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
図１には、この発明によるプロセスモジュールのタイプＩの概略が示される。真空受容器３の室壁１が、プラズマが発生するプロセス空間ＰＲを取り囲む。プロセス空間ＰＲ内には、基板キャリヤ５が設けられ、供給管７の一方がプロセス空間ＰＲと、他方が反応ガスタンク配置９と連絡する。プロセス空間ＰＲは、真空ポンプ１３で概略が示されたように、ポンプ接続部１１を介して最大でも１０−８ｍｂａｒ、好ましくは最大でも１０−９ｍｂａｒの、この発明による製造方法の実施に必要な圧力に達するまで排気される。受容器の構造はＵＨＶ条件（例えば金属により密閉された真空ボイラで、加熱可能）を満たす。プロセス空間ＰＲに面した室壁１の表面の大部分は、通常ステンレス鋼ないしＩｎｏｘからなるが、プラズマ活性化されたタンク９内の反応ガスに対し不活性の材料から造られる。図１に図示されたタイプＩのプロセスモジュールの実施形態ではさらに、室壁１が前記不活性材料で内側を被覆されるか、あるいは室壁１の内側に、前記不活性材料からなる内側表面を少なくとも備える内壁部材が装着される。この被覆ないしこの不活性材料表面は図１では１５で示される。プロセス空間ＰＲが前記所望の残存ガス分圧にまで排気された後、例えばアルゴンのような処理ガスの空間ＰＲへの注入下において、この発明に必要な低エネルギプラズマが発生させられるが、このプラズマのイオンエネルギＥは、基板キャリヤ５ないしその上に置かれた部材の領域において、
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
となる。好ましくは、プロセス空間ＰＲ側の表面１５の材料として絶縁材料が、さらに好ましくは以下に挙げられた材料グループＧの内の少なくとも一つの材料が使用される。すなわち、
石英、黒鉛、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオビウム、酸化ジルコン、ダイアモンドに似た炭素またはダイアモンド、であり、このグループの表面材料は層材料として使用される。
【００５４】
図２は、図１に示されたこの発明によるタイプＩのプロセスモジュールの好ましい一実施形態を示す、図１と同様の概略図である。既に図１において説明された部材には、同じ参照符号が使用される。図１の実施形態とは異なり、図２の実施形態ではプロセス空間ＰＲが、好ましくはステンレス鋼ないしＩｎｏｘからなる室壁１の大部分に沿って間隔を置かれたプロセス空間内壁１４によって制限される。少なくともそのプロセス空間ＰＲ側の表面１５ａは、タンク配置９内のプラズマ活性化された反応ガスに対し不活性の材料から、好ましくは絶縁材料からなり、さらに好ましくは前記材料グループＧの少なくとも一つからなる。
【００５５】
壁１を有する真空室内部においてプロセス空間外被を本来形成する内壁１４は、表面１５ａを形成する材料からなるか、あるいは表面１５ａを形成する不活性材料が壁１側を向いた坦体壁（図示されず）上に、例えば被覆により取り付けられるが、この坦体壁はプロセス空間ＰＲには晒されないので、例えばステンレス鋼ないしＩｎｏｘから作られ得る。プロセス空間ＰＲはポンプ接続部１１ないしポンプ１３を介して、図１との関連で説明された残存ガス分圧に達するまで排気されるが、例えば図２に示されたように、真空室壁１と外被１４との間の隙間ＺＷは、別のポンプ接続部１１ａを介して同じポンプで、あるいは別の真空ポンプで排気される。
【００５６】
当該業者には容易に認められるように、双方の空間、すなわちプロセス室間ＰＲと隙間ＺＷとを排気するのに同じポンプ１３を使用しても、相応に制御可能な絞り機構がそれぞれのポンプ接続パイプ１１ないし１１ａに取り付けられる。
図２のモジュールでこの発明の方法を実施するため使用される低エネルギプラズマについては、既に図１で説明されたモジュールに関する前提条件があてはまる。図２の実施形態で設けられた、内壁１４によって形成されるプロセス空間外被は好ましくは受容器３ａ内で交換可能なように形成される。
【００５７】
図３には、図１および２と同様に、タイプＩＩｅのプロセスモジュールが図示されるが、このモジュールの図２に示されたモジュールとの違いは、プロセス空間ＰＲを取り囲む表面１５ｂが、図２のプロセスモジュールに関して説明された不活性要求を満たすものではない、という点のみであり、内壁１４ａは、例えば壁１のように、ステンレス鋼ないしＩｎｏｘ、またはその他の金属から製造される。調整される残存ガス分圧や基板キャリヤ領域におけるイオンエネルギに関しては、既に図１および２に関してなされた説明のとおりであり、同様に通常金属製の内壁１４ａは交換可能であるため、図３のプロセスモジュールタイプＩＩｅは図２のプロセスタイプＩに容易に変換可能であり、その逆もまた然りである。そこで実施されるプロセスに関わりなく、図１から３のプロセスモジュール構造はこの発明に則ったものである。
【００５８】
図４には、ここでも図１から３と同様の、この発明によるものではない、さらなるプロセスモジュールのタイプＩＩｎｅが示される。図１から３に説明されたプロセスモジュールとは異なりタイプＩＩｎｅでは、その表面が例えばステンレス鋼ないしＩｎｏｘからなるプロセス室壁１によって、プロセス空間が区切られる。しかしながら、その構造がこの発明とは異なるこのプロセスモジュールがこの発明によって使用される。すなわち、このモジュールを用いてこの発明の方法が実施されるか、あるいはそのようなモジュールがこの発明の方法の枠内で使用されるため、残存ガス分圧およびプラズマに関しては、既にモジュールのタイプＩおよびＩＩｅについて説明された諸条件が当てはまる。
【００５９】
これらのモジュールのタイプＩ、ＩＩｅ、およびＩＩｎｅはそれぞれ対応するプロセス空間外被１４，１５ｂを相応に除去ないし使用することにより、互いに変換可能であることが容易に理解される。
【００６０】
図５には、図２によるプロセスモジュールのタイプＩの好ましい一実施形態が示される。ここで指摘されるべきは、図２のモジュールを前提としながら、図５のモジュールで追加的に、または特に好んで使用された全ての措置は、図２の原則的モジュールにおいて個々に、または任意の部分を組み合わせて使用可能である、という点である。
【００６１】
図５に示された、好ましい実施形態でのプロセスモジュールのタイプＩは、自明のことであろうが、タイプＩＩｅのモジュールまたはタイプＩＩｎｅのモジュールに容易に変換可能である。図５のプロセスモジュールの受容器壁１０１は、好ましくはステンレス鋼ないしＩｎｏｘから製造されるが、その中央に、好ましくはその上方正面プレート１０３上に、プロセス空間ＰＲ内にプラズマ放電を共に発生させるための電子銃１０５を担う。この発明において原則的に必要とされる基板キャリヤ領域におけるイオンエネルギの枠内では、例えばマイクロ波プラズマのようなその他のプラズマも使用され得るが、電子エネルギが最大でも１００ｅＶ、好ましくは最大でも５０ｅＶの電子を発する電子銃１０５のような電子銃が使用されるのが好ましい。その際、好ましい実施形態ではプラズマ放電はＤＣ放電として実現される。図５の電子銃１０５は、好ましくは熱イオン陰極、さらに好ましくは直接加熱される熱イオン陰極１０７が、受容器壁１０１，１０３からは電気的に絶縁された陰極室壁を有する陰極室１０９内に取り付けられて、形成されるのが好ましい。陰極室はオリフィス１１１を介してプロセス空間ＰＲと連絡する。例えばアルゴンのような処理ガスは、特にプロセス空間ＰＲ内への反応ガスの流入から熱イオン陰極１０７を保護し、かつより高い電子放出を可能にするために、好ましい方法で（図示されず）陰極室１０９内に注入される。
【００６２】
受容器壁１０３，１０１からは間隔をおきながら、それらと共に隙間ＺＷを固定しながらプロセス空間ＰＲを取り囲むプロセス空間外被１１３は、図２と同様に、好ましくは交換可能なように取り付けられる。外被１１３内部のプロセス空間ＰＲ、ならびに隙間ＺＷはここでは同じポンプ接続部１１５を介して排気されるが、場合によってはこの接続部１１５の異なるポンプ横断面がそれぞれ隙間ＺＷと、プロセス空間ＰＲとにつながる。
【００６３】
プロセス空間ＰＲ内部では陽極配置が作動する。この配置は、図５に示されたように、好ましくはオリフィス軸Ａと同心配置された二つ以上の陽極１１７ａないし１１７ｂによって形成される。これらの陽極は（図示されず）それぞれ互いに関わりなく質量電位または陽極電位に導かれ得るが、さらには互いに関わりなく調整可能であるのが好ましい。さらに好ましくは、金属製受容器壁１０１、１０３は基準電位に、好ましくは質量電位におかれる。オリフィス軸Ａに沿って変位された陽極１１７ａ、１１７ｂは互いに独立して電導操作可能である上に、好ましい方法で（図示されず）個別に加熱ないし冷却可能である。これは、これら陽極に温度調節媒体管が通され、かつ／または熱コイルが組み込まれることによって、実現する。
【００６４】
図５には、好んで使用されるプラズマ発生配置によって生じるプラズマビームＰＬが一点鎖線で、Ｖでは純粋に発見的に記入されたプラズマ密度分布が、オリフィス軸Ａと同心で、示される。陽極１１７ａおよび１１７ｂが陽極電位により、ないしこれらの陽極の被制御温度調整により相応の衝撃を受けることで、プラズマ密度分布Ｖが適切に調整され得る。
【００６５】
プロセス空間ＰＲには、ウェハ保持器１１９が装着されるか、後に説明されるであろうように、プロセス空間ＰＲ内に被制御装入され得る。円盤形状の工作物１２０の好ましい処理のため、キャリヤ表面１１９ａを規定する基板キャリヤ１１９を、このキャリヤ表面１１９ａがオリフィス軸Ａに対し平行に、または傾斜角で、あるいは図５のように垂直ではあるが偏心で、設けることは全く問題ないが、ウェハ保持器１１９はそのキャリヤ表面１１９ａがオリフィス１１１の軸Ａと同心で配置されるのがはるかに望ましい。ウェハ保持器１１９は、双方向矢印Ｆで示されたように、外部駆動装置１２１によって、プロセス空間外被１１３によって規定される受容開口部１２３に向けて駆動され、あるいはそこから引き戻され得る。ウェハ保持器１１９が駆動装置１２１によってプロセス空間ＰＲに向けて完全に高く掲げられると、少なくとも搭載キャリヤがプロセス空間ＰＲから出るのを阻止するように、プロセス外被１１３の内のり開口部１２３を縁部部材１２５が密閉する。
【００６６】
前述のように好ましくは円盤形状の工作物ないし、処理されるべき部材は、ウェハないし工作物保持器１１９が下降している間に、スリット弁１２９を介して固定受容支持部１２６上に置かれる。その後、ウェハ保持器１１９が持ち上げられ、そのキャリヤ表面１１９ａが工作物ないしウェハ１２０に下から係合し、それを固定支持部１２６から持ち上げて、プロセス空間ＰＲ内まで高く掲げられるが、その際加工位置に達すると、その縁部表面１２５が前述のようにプロセス空間を密閉する。
【００６７】
支持部１２６は、温度調整媒体供給および排出管１２８を介して温度調整媒体が衝撃を受ける工作物温度調整装置１２７に装着される。装入された基板１２０は通常プレート１２８ａを介して加熱される。図５にはウェハ保持器１１９の加工位置が一点鎖線で示される。
【００６８】
受容器内壁１０１およびその正面側の閉鎖プレート１０３ないし１３１は温度調節され、好ましくは冷却される。このため、外被を形成する内壁１０１は二重壁として形成され、その間に温度調節媒体システムが取り付けられる。同様に、正面プレート１０３ないし１３１には温度調節媒体管システムが取り付けられる。
【００６９】
真空受容器の外側には、ヘルムホルツ・コイル１３３並びに分散された転向コイル１３５が装着される。ヘルムホルツ・コイル１３３により、軸Ａに対し基本的に平行で、かつこれに対して対称形の磁場パターンがプロセス空間ＰＲ内に発生する。このパターンは、転向コイル１３５の援用により、図６に概略的に示されたように、軸Ａに対して垂直な平面に変位される。磁場強度分布ＨＡのこの「シフト」により、基板キャリヤ１１９上に装着された基板におけるプラズマ密度分布Ｖの「シフト」が生じる。したがって、プラズマ密度分布Ｖと、基板キャリヤ１１９上の処理されるべき工作物表面との間において、プラズマ密度分布が時間的に一定のプラズマに対して基板が変位された場合のような、相対運動が生じる。この磁場分布制御により、機械的基板運動はないにもかかわらず、プラズマに対して基板が機械的に移動した場合と同様の効果が基板に生じる。
【００７０】
反応ガスは反応ガス注入部１３７を介してプロセス空間内に注入される。図のように、反応ガスの注入部は好ましくは軸Ａと同心で、加工位置にある基板１２０ないし基板キャリヤ１１９のすぐ側の領域に配置され、注入開口部は処理されるべき基板表面と基本的に平行である。
【００７１】
上述のように、好ましくはステンレス鋼から作られる真空受容器１０１，１０３は集中的に冷却される。この受容器はＵＨＶ条件を満たす。したがって、集中冷却はプロセス中の鋼の加熱を防ぎ、それと結びついた、炭素含有ガスの鋼からの遊離を防ぐ。
【００７２】
プロセス空間外被１１３の材料、特にプロセスに晒される表面の材料については、既に図１についてなされた説明があてはまる。すなわち、不活性材料、好ましくは絶縁性で、既述されたように材料グループＧから選択されるのが好ましい材料は、プロセス温度が高くとも安定しており、特に水素や、シラン、ゲルマニウム（Ｇｅｒｍａｎ）、ジボラン（Ｄｉｂｏｒａｎ）、塩素、ＮＦ３、ＨＣｌ、ＳｉＨ３ＣＨ３、ＧｅＨ３ＣＨ３、Ｎ２、ＣｌＦ３、ＰＨ３、ＡｓＨ４のような使用される反応ガスと気状結合することはない。したがって、部材１２０は決して汚染されない。プロセス空間外被１１３の内部表面の干渉被覆は、粒子形成という点においてのみ問題である。薄い干渉被覆であれば、実際は専らプロセスに付随する材料によってのみ取り囲まれるプロセスのさらに高い清潔度を保障するために、好ましい場合もある。
【００７３】
タイプＩのプロセスモジュールでは、通常ステンレス鋼からなる真空室壁は被覆されないが、これは室壁がプロセス空間外被１１３によって反応ガスおよびプラズマから保護されているからであり、さらに、図５に図示されたように、集中冷却によって、気相からの析出がさらに強く減じられるからである。プロセス空間外被１１３の内側表面に該当することは、プロセスに晒される基板保持器１１９の表面にもあてはまる。
【００７４】
プロセス空間外被１１３は好ましくは複数部材から（図示されず）なるため、陽極配置１１７ａ、１１７ｂを取り外すことなく、除去ないし交換可能である。図５に示されたプロセス空間外被１１３が除去されると、プロセスモジュールのタイプＩＩｎｅが実現し、プロセス空間外被１１３を同様に形成された金属製の外被と交換すると、図３のプロセスモジュール・タイプＩＩｅが成立する。
【００７５】
以下には、図１から５で示されたプロセスモジュールでそれぞれ実施される方法がまとめられる。
【００７６】
タイプＩ
このプロセスモジュールでは、エピタキシャル層によって部材を被覆する際に求められるような品質要求を遵守しながら、プラズマ援用反応性被覆が、またはプラズマ援用反応性エッチングが行われ、あるいは、工作物における材料組成を所定の浸透深さまで変更するプラズマ援用反応性変更プロセスや、あるいは特に前述の、この発明による方法段階と組み合わされた、工作物ないし部材の表面の、特に水素プラズマ内での、プラズマ援用反応性洗浄が行われる。これらのプロセスモジュール・タイプＩは、所定の数の前記処理段階が連続して行われた後、あるいは必要とあれば、工作物がその中に装入されることなく、または基板モックアップが使用されて、自己洗浄される。この自己洗浄は、プラズマ援用反応性エッチング段階と、それに続く、好ましくは水素プラズマ内でのエッチング残留物プラズマ援用反応性洗浄段階とを含むのが好ましい。
【００７７】
タイプＩＩ
このタイプＩＩのプロセスモジュールは、例えば上記のエピタキシャル品質要求を満たす処理段階へと工作物が周囲雰囲気から供給される場合に必要とされるように、工作物をより徹底して洗浄する場合に、使用される。このプロセスモジュール・タイプＩＩにおいても、上述の極めて高い品質要求を満たす処理プロセスや、前記低エネルギプラズマと組み合わされ、好ましくはまずプラズマ援用反応性エッチングによって、次に、好ましくは水素プラズマにおけるプラズマ援用反応性洗浄によって、部材が反応性洗浄される。
【００７８】
好ましい被覆方法としては、すなわちヘテロまたはホモエピタキシャル層のタイプＩのモジュールでの析出に関しては、既に始めに述べられたＷＯ９８／５８０９９による方法を全面的に参照されたい。
【００７９】
図７には、タイプＩまたはタイプＩＩのプロセスモジュール１４０の概略が示される。連続操作においては、処理されるべき部材１４２がプロセスモジュール１４０に連続して供給され、処理後モジュールから撤去される。図７に示された時間軸ｔ上に、あくまで例として、部材１４２におけるこの発明の被覆段階および／またはエッチング段階および／または材料変成段階および／または洗浄段階が細い縞模様で示されるが、それぞれ必要に応じて、または上のような処理段階が所定数終わった後、連続操作に使用されたモジュール１４０の、縞模様が付されていない自浄段階がそれに続く。
【００８０】
図８には、例えばインライン装置である装置１４４の真空雰囲気内部において、例えば工作物がまずプロセスモジュールのタイプＩＩで入口洗浄され、その後プロセスモジュールＩで被覆段階、エッチング段階、材料変成段階、さらに場合によってはまた洗浄段階を経る様子が、概略的に示される。ここでも、図７におけると同様に、それぞれ所定の数の加工サイクルが終了した後、使用されたモジュールが自己洗浄される。
【００８１】
既に始めに述べられたような、好ましいプロセスは、実効基板の製造である。その場合、プロセスモジュールのタイプＩＩにおいて、その後のヘテロ・エピタキシャル層の成長に適した土台に、反応ガスとしてハロゲンを、好ましくは水素を使用した、プラズマ援用反応性洗浄が施される。その後、後続する一つまたは複数のタイプＩのプロセスモジュールにおいて、格子定数が変わるように、かつさらなる材料が段階的濃度変化を伴って組み込まれることによりできるだけ欠陥のない表面構造が得られるように、ヘテロ・エピタキシャル層が育てられる。その後、再びタイプＩのもう一つのモジュールで、有効半導体層の成長が場合によっては実現されるが、エネルギギャップを調整し、かつ例えば電荷坦体の可動性といった所望の半導体特性を調整するため、あらかじめ設定可能なように機械固定される。製造された実効基板が装置１４４から出されるまで、場合によっては、この発明によるさらなる処理段階が続く。
【００８２】
当該業者には明白なことであるが、実効基板製造の際にはまたさらなる層が組み込まれるか、あるいは被覆段階の間に洗浄段階が、好ましくは「ソフト洗浄段階」としてタイプＩのプロセスモジュールで行われ得る。
【００８３】
図８には、概略的にではあるが、モジュールからモジュールへの工作物の輸送が真空内で、基本的に直線的に行われる「インライン」装置が示される。
【００８４】
図９は、タイプＩおよびタイプＩＩの複数プロセスモジュールの好ましい配置が、それぞれクラスタ装置に属するクラスタとして示される、概略上面図である。この配置は、基本的に半径方向でプロセスモジュールに対応する、環状真空輸送室１５０を含む。未加工の基板がスルース室１５２から取り出され、その中に処理済みの基板が置かれ、例えば冷却される。例えば設置される搬入／搬出スルース室１５２からは、通常雰囲気と接する回転子ユニット１５４によって、処理済みの完成した基板用の貯蔵庫１５８へ基板がと取り出されるか、あるいは未処理基板用の貯蔵庫１５６から前記室へと基板が供給される。この装置はプログラム制御によってその時間的順序が、例えば自由にプログラム可能な順序として、制御される。
全て相互に変換可能な前記プロセスモジュールは、直径が少なくとも１５０ｍｍ、好ましくは少なくとも２００ｍｍ、好ましくはさらに少なくとも３００ｍｍの基板を処理可能である。この出願の方法開示に関し付録Ａとして添付された、既述のＷＯ９８／５８０９９に記載された方法によるエピタキシ被覆では、前記基板において少なくとも６０ｎｍ／ｍｉｎの被覆率が達成される。
【００８５】
［付録“Ａ”  明細書ＰＣＴ／ＣＨ９８／００２２１の始まり］
被覆工作物を製造するための方法、その方法の利用およびそのための装置
この発明は、請求項１のプリアンブルによる被覆工作物の製造方法と、請求項２８から３５によるその利用と、請求項３６のプリアンブルによる前記方法を実施するための装置と、さらに請求項５１から５４によるその利用に関するものである。
【００８６】
この発明は、薄い層をＣＶＤおよびＰＥＣＶＤ方法で製造する際に生じる諸問題を前提とする。この発明は特に、太陽電池の製造または変調ドーピングされたＦＥＴまたはヘテロバイポーラトランジスタ等における半導体層の製造に利用される。
【００８７】
半導体薄膜は単結晶の形態、すなわちエピタキシャルでシリコン基板のような同様に単結晶の基板上に析出されるか、あるいは多結晶形態またはアモルファス状態で例えばガラスのような多結晶またはアモルファス基板上に析出される。以下においては特に、シリコンおよび／またはゲルマニウムで被覆された基板との関連でこの発明の説明がなされるが、上述のようにこの発明は、その他の工作物、およびその他の材料で被覆された工作物の製造にも利用され得る。
【００８８】
エピタキシャル半導体フィルムを析出するための周知の方法は以下のとおりである。
【００８９】
−  分子線エピタキシ、ＭＢＥ
（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）
−  熱化学気相析出、ＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  化学蒸着）
−  ＤＣまたはＨｆ放電を用いた遠隔プラズマ強化ＣＶＤ法、ＲＰＥＣＶＤ
（Ｒｅｍｏｔｅ−Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）
−  マイクロ波プラズマ強化化学的気相析出およびＥＣＲＣＶＤ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ−Ｐｌａｓｍａ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ ＣＶＤ  電子サイクロトロン共鳴プラズマ強化ＣＶＤ）
ＣＶＤ法とは、数多くの熱析出方法の総称であり、使用される装置の構造またはその操作方法の違いによって分類される。例えば、あるＣＶＤ法は通常の大気圧において行われ得るが、超真空領域にまで達するはるかに低い圧力下においても可能である。これについては（１）ならびに（２）を参照されたい。
【００９０】
エピタキシャルＳｉ層を商業用に生産するには一般に専らＣＶＤが用いられる。その際使用される反応ガスは、例えばクロロシラン、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌおよびＳｉＨ２Ｃｌ２等のシリコンを含有するガス、ならびに、例えばＳｉＨ４またはＳｉ２Ｈ６などのシランである。標準的なＣＶＤ法の特徴は、析出温度が１０００℃以上の高温であり、かつ圧力が典型的には２０ｍｂａｒから１０００ｍｂａｒ、すなわち通常の大気圧までである点である。
【００９１】
したがって工程の条件に応じて毎分数μｍ、すなわち数１００Å／ｓｅｃの被覆率を達成することが可能であり、これについては同様に（１）を参照されたい。
【００９２】
一方、低圧化学気相析出法（ＬＰＣＶＤ低圧化学蒸着、ＬＰＶＰＥすなわち低圧気相エピタキシと同義）は１ｍｂａｒよりも低い圧力下において行われ、かつ典型的には７００℃までの低い工程温度を可能にする。これについては（１）の他に、（３）および（６）も参照されたい。
【００９３】
ＬＰＣＶＤに関し（６）を参照すると、６５０℃の析出温度では以下の成長率（ｇｒｏｗｔｈ ｒａｔｅ）が示される。
【００９４】
ＧＲ ＝ ５０Å／ｍｉｎ
これはシランのための反応ガス流が以下の場合のものである。すなわち、
Ｆ ＝ １４ｓｃｃｍ
ここから、ガス収量にとって重要な指数、すなわち反応ガス流単位あたりの成長率ＧＲＦが以下のとおり得られる。
【００９５】
ＧＲＦ ＝ ３．６Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）
以下の表面、すなわち
Ａ５ ＝ １２３ｃｍ２
に相当する５”ウェハについて、２”ウェハの実際の表面Ａ２から換算すると以下の析出量（成長量  ｇｒｏｗｔｈ ａｍｏｕｎｔ）ＧＡが得られる。
【００９６】
ＧＡ ＝ ５．２×１０１６Ｓｉ原子／ｓｅｃ
さらに反応ガス流単位に関連して、「反応ガス流単位あたりの析出量」の指数が得られるが、これは「ガス利用数」ＧＡＦと呼ばれ、以下のとおりである。
【００９７】
ＧＡＦ ＝ ８．４×１０−３
すなわち、８．４‰である。
【００９８】
６５０℃でエピタキシャル層が生成する。
析出温度が６００℃に下げられると、多結晶層が生じる。この場合、以下のとおりである。
【００９９】
ＧＲ ＝ ３Å／ｍｉｎ
Ｆ ＝ ２８ｓｃｃｍシラン
ＧＲＦ ＝ ０．１１Å／（ｓｃｃｍ／ｍｉｎ）
ＧＡ ＝ ３．１×１０１５Ｓｉ原子／ｓｅｃ（Ａ５の場合）
ＧＡＦ ＝ ２．５×１０−４、すなわち、０．２５‰
欠陥のないエピタキシャル層の成長には基本的には以下の基準が要求される。
【０１００】
−  透過電子顕微鏡を断面プレパラートに用いると、電子回折および高溶解によってエピタキシが検出される。
【０１０１】
−  その際、基板との境界表面に沿って典型的には透過可能な１０〜１５μｍの領域に欠陥があってはならない。欠陥分析における典型的倍率は１１０’０００から２２０’０００である。
【０１０２】
さらに開発されたのが、１０−４から１０−２ｍｂａｒ、典型的には１０−３ｍｂａｒの領域の動作圧力が用いられる超真空化学気相析出（ＵＨＶ−ＣＶＤ）法である。これに関しては（４）、ならびに（５）、（７）を参照されたい。この方法によると、極めて低い工作物温度が可能であり、その場合いずれにせよ成長率ないし被覆率が極めて小さく、例えば（５）によると純粋なシリコンの場合５５０℃で約３Å／ｍｉｎである。
【０１０３】
成長率が小さい理由は、工作物の表面が水素で覆われてゆくにしたがって、反応分子、例えばＳｉＨ４の吸収率および崩壊率が下がるからである。層の成長はしたがってＨ２の脱着率によって制限されるが、この脱着率は温度とともに加速度的に増加する。これについては（８）を参照されたい。Ｓｉ−Ｈ結合に比してＧｅ−Ｈ結合の結合エネルギがより小さいために、Ｓｉ−Ｇｅ合金表面の水素脱着率はより大きく、したがって基板温度が同じであれば純粋なＳｉにおけるよりも高い成長率が、例えば１０％のＧｅを含有する場合５５０℃で係数２５だけ大きな成長率が得られる（５）。
【０１０４】
低い基板温度でエピタキシ品質を有する高い析出率を達成するもう一つの可能性としては、μ波プラズマを援用して反応ガスを分解する（ＥＣＲＣＶＤ）という方法がある（９）。
【０１０５】
電子サイクロトロン共鳴の原理に基づくプラズマ供給源を利用することによって、高エネルギのイオンの基板への照射が妨げられる。
【０１０６】
そのような供給源は一般に１０−３から１０−４ｍｂａｒの圧力領域において作動するが、これによると容量結合された高周波Ｈｆプラズマの場合よりも自由飛程が長くなる。これはまた、基板の望ましくないイオン照射につながって、（１０）からわかるように欠陥が生じることもあり得る。基板上に現れるイオンのエネルギはしかしながら、基板電位を外部から制御することによって制限可能であり、これによってイオン焼けがほぼ避けられる。またＥＣＲＣＶＤ法によると純粋なシリコンにおける成長率は一般に、６００℃以下の低い析出温度で、２、３０Å／ｍｉｎである。
【０１０７】
要約すると以下のとおりである。
今日までエピタキシャル層にも適した品質を備える層の布設が６００℃以下の析出温度で可能であったのは、以下の方法による。すなわち、
・成長率ＧＲが約３Å／ｍｉｎのＵＨＶ−ＣＶＤ法、または
・成長率ＧＲの大きさが約１（３０Å／ｍｉｎ）だけ大きいＥＣＲＣＶＤ法。
【０１０８】
ＤＣ放電によってプラズマを発生させるＰＥＣＶＤ法は、エピタキシ品質を備える、すなわち誤差密度（上記参照）が小さい層の製造には、エピタキシャル層を得るにも、アモルファスまたは多結晶層を得るにも、少なくとも工業製造用に保障さるべき成長率ＧＲ、信頼性および効果ないし効率をもってしては、利用不可能であった。
【０１０９】
一方、ＰＥＣＶＤ法のＨｆプラズマを発生させるための、容量結合された高周波フィールドの利用については既に極めて早い時期から報告があった。これについては（１１）を参照されたい。この方法の難点は、このようなＨｆプラズマにおいて分解されるのは反応ガスのみではないという点である。同時に基板表面が、特に反応スパッタリングまたは高周波エッチングにおいても利用されるような高エネルギイオンの集中照射に曝される。これは水素脱着を促進する一方、同時に成長する層に欠陥を生じさせる。これから派生した方法であるＲＰＣＶＤ、すなわち遠隔プラズマ化学蒸着法ではこれを考慮して、被覆されるべき基板がＨｆプラズマに直接さらされず、したがってより良好な結果が得られる（１２）。いずれにせよ個々の成長率はわずか、すなわち（１３）によると大抵は毎分１ｎｍのほんの一部からせいぜい２、３ｎｍまでである。
【０１１０】
この発明の課題は、エピタキシ品質を備える層を従来よりはるかに高い成長率で成長させることができる、工業生産に利用可能な方法を提供することである。
【０１１１】
この課題は、請求項１の特徴において優れた始めに述べられたような方法によって、ないし請求項３６の特徴において優れた装置によって達成される。この方法の好ましい実施形態は請求項２から２７に、この装置の好ましい実施形態は請求項３７から５０に特定される。この発明の方法は特に、エピタキシャル層、アモルファスまたは多結晶層、特にＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉ／Ｇｅ合金層ならびにＧａ層またはＧａ接合層を備える半導体被覆基板の製造に適している。
【０１１２】
ここではまた特にドーピングされた半導体層が布設され得る。好ましくは周期系の第ＩＩＩまたは第Ｖ群から少なくとも一つの元素がドーピングされた、シリコンおよび／またはゲルマニウムを含有する層、ないし周期系の第ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶまたはＶＩ群から少なくとも一つの元素、例えばＭｇまたはＳｉを含む、ガリウム含有層が挙げられる。
【０１１３】
始めに論じられた、エピタキシャル層を生成させるための被覆技術を統合して、以下が実施され得る。
【０１１４】
−  ＣＶＤ法、特にＵＨＶ−ＣＶＤ法によると５００℃以下の基板温度においても優れた品質の層が得られる。したがってこれらの方法は、層の品質について極めて高い要求がなされるエピタキシャル層の製造においても考慮に値する。しかしながら、例えばＳｉの場合の成長率はこれらの方法によると極めて低く、上述のように５５０℃で３Å／ｍｉｎの範囲である。
【０１１５】
−  マイクロ波プラズマ強化方法、ＥＣＲＣＶＤの利点は、高い熱エネルギを用いずに反応分子の分解が可能である、という点である。基板のイオン照射は水素脱着を促進する。双方の効果によって、成長率が大幅に増加し得る。しかしながら低温においては、イオン照射に起因する、許容し得ない高欠陥密度が観察される。基板バイアス電圧を制御することによって層の品質を高めることはできるが、比較的小さい成長率を変えることはできない。
【０１１６】
したがってここ独自の相反が生じるようである。すなわち、基板のイオン照射は、水素脱着の促進によって成長率を引き上げる一方、同時に欠陥密度も高める。
【０１１７】
大気圧下で行われる熱ＣＶＤ法では、（２）によると以下のようになる。
・Ｓｉ成長率ＧＲ：  ２×１０−３ｎｍ／ｍｉｎ
（６００℃で３×１０−２ｎｍ／ｍｉｎが測定され、５５０℃に換算された）
・ガス流、ＳｉＣｌ２Ｈ２、Ｆ：  １００ｓｃｃｍ
これより得られるＳｉＣｌ２Ｈ２の流量単位あたりの成長率ＧＲは、
ＧＲＦ ≒ ２×１０−４Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）である。
【０１１８】
１００ｓｃｃｍのＳｉＣｌ２Ｈ２ガス流Ｆは４．４×１０１９分子／ｓｅｃに相当する。
【０１１９】
２×１０−３の成長率ＧＲは、１２３ｃｍ２の表面Ａ５に相当する５”ウェハ上において一秒あたり２×１０−４シリコン単一層の成長率に相当する。したがって、全表面上には一秒あたり以下の量が布設される。すなわち、
ＧＡ ＝ １．７×１０１３シリコン原子／ｓｅｃ
一秒あたりに布設されるシリコン量および一秒あたりに注入される反応ガス量との関連で、以下のガス利用率ＧＡＦが得られる。
【０１２０】
ＧＡＦ ＝ ３．９×１０−７
これは約０．０００４‰の利用率に相当する。
【０１２１】
大気圧下におけるＣＶＤでは以下のとおりとなることに留意されたい。
ＧＲＦ ≒ ２×１０−４Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）
ＧＡＦ ＝ ０．０００４‰
（４）および（７）と組み合わせると（５）より、ＵＨＶ−ＣＶＤ法について以下の値が見積もられる。
【０１２２】
ＧＲＦ ≒ ０．１Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）および
ＧＡＦ ≒ ０．００３５すなわち約３５‰に相当
これは従来、エピタキシ品質の層を製造するために工業上用いられてきた方法によって得られたものである。
【０１２３】
ＤＥ−ＯＳ  ３６  １４  ３８４からさらに周知のものとなったＰＥＣＶＤ法では、低電圧放電の形でＤＣコロナ放電が利用される。これによって、極めて優れた機械的特性を備える層が迅速に、すなわち高成長率で布設されるという。
【０１２４】
熱陰極を備える陰極室がオリフィスを介して真空室と連絡する。オリフィスに相対して陽極が設けられる。オリフィスと陽極との間に形成される放電軸に平行して反応ガスのための注入配置が設けられ、この配置に放電軸を挟んで向き合うように工作物が配置される。陽極電位に関しては、１５０Ｖより低い放電電圧ＵＡＫがかけられ、少なくとも３０Ａの電流値ＩＡＫで放電が行われる。工作物は被覆のために４８から６１０Ｖの間の負の電位にされる。
【０１２５】
そこに記載された実験では次の表が得られる。
【０１２６】
［表］
2004519108.tif 000003
【０１２７】
この発明は、これまでの期待に相反して、非マイクロ波プラズマＰＥＣＶＤ法、すなわちＤＣ放電を用いたＰＥＣＶＤ法、特にその原理についてはＤＥ−ＯＳ  ３６  １４  ３４８によって周知のものとなったＰＥＣＶＤ法が用いられることによって、エピタキシャル層に求められる要求を満たす品質を備える工作物の被覆が可能であるという前提に立つ。図示されるように、この場合のエピタキシャル品質に関しては以下が可能である。
ａ）少なくとも１５０Å／ｍｉｎ、さらに少なくとも６００Å／ｍｉｎの成長率ＧＲ
ｂ）少なくとも７．５Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）、あるいはさらに４０Å／
（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）、好ましくはさらに７５Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）のＧＲＦの達成、および
ｃ）少なくとも５％の範囲のガス利用指数ＧＡＦの達成。
【０１２８】
この発明で用いられたＤＣ−ＰＥＣＶＤ法においてはプラズマ放電によって極めて低エネルギのイオンが、そして同様に極めて低エネルギの電子が発生するが、キャリヤ密度、特に利用された放電における電子密度は極めて高いことがわかるであろう。
【０１２９】
次に例として図面を参考にこの発明の説明がなされる。
図１は、この発明の方法を実施するためのこの発明の装置の第一の好ましい実施形態の概略図である。
【０１３０】
図２は、複数の操作バリエーションを有する、図１の装置の第二の好ましい実施形態の概略図である。
【０１３１】
図３は、図２の装置をシリコン被覆のために操作する際の、成長率のウェハ温度への依存を示す。
【０１３２】
図４は、反応ガス流ＧＲＦに関連した成長率の増加を放電電流の関数で示す。
図５は、工作物領域の様々なプラズマ密度における成長率を反応ガス流の関数で示す。
【０１３３】
図６は、析出した層におけるゲルマニウム濃度の関数で成長率を示す。
図７は、成長率／ガス利用指数の表における、現行技術およびこの発明による結果を示す。
【０１３４】
まず、例えばＤＥ−ＯＳ  ３６  １４  ３８４による装置は、この発明の条件にしたがって操作されるかぎり、この発明の方法を実施するために十分利用可能である。
【０１３５】
図１によると、この発明の方法を実施するために現在好ましい第一の装置は真空室１を有し、これにオリフィス３を介して陰極室５がフランジによって接続される。陰極室５は周知の方法で室１の電位におかれるか、あるいは陰極室５は室１から絶縁され、それとは異なる電位に置かれ得る（図示されず）。
【０１３６】
陰極室５には熱陰極７、すなわちフィラメントが設けられ、好ましくはヒータ電流発生器９によって直接加熱される。
【０１３７】
オリフィス軸Ａ内には、室１内のオリフィスに相対して、絶縁装着された工作物キャリヤ１３が設けられる。工作物キャリヤ１３の領域には工作物加熱器１７が設けられ得る。室１は真空ポンプ２７、好ましくはターボ真空ポンプによって、ここでは好ましくはターボ分子ポンプによって排気される。例えばプラズマモニタ等のセンサが、観察および、場合によっては制御目的で、接続部３１に設けられ得る。
【０１３８】
放電電流ＩＡＫを有する放電の軸Ａと同心で、ガス噴射リング２３が反応ガス噴射配置として設けられ、反応ガスのためのガスタンク配置２５と接続され、反応ガスは制御可能なガス流Ｆ（ｓｃｃｍ）として室１内に注入される。
【０１３９】
陰極室５内には、例えばＡｒの処理ガスタンクにつながる接続部６が合流する。電磁および／または永久磁石配置２９によって、基本的には室内の軸Ａと同心で磁場Ｂが発生するが、特にオリフィス３の領域においても作用する。この磁場はその際、好ましくは同心から変位され得る。
【０１４０】
図１の実施形態における装置は以下のように操作される。
−  １に相当する室壁は放電の陽極として利用され、さらに基準電位に、図示されたように好ましくは質量電位に接続される。同様に、好ましくは調整可能なＤＣ発生器１１によって陰極７は（負の）電位に置かれる。発生器１１を介して放電電圧ＵＡＫがかかり、放電電流ＩＡＫが陰極７と室１との間を流れる。
【０１４１】
−  図１に示された装置の第二の操作バリエーションにおいては、工作物キャリヤ１３にはＤＣバイアス発生器１５によって電圧ＵＳがかけられる。
【０１４２】
図２には、この発明の方法を実施するためのこの発明のさらなる好ましい装置が示される。同じ部材には図１と同様の参照記号が付される。図２の装置が図１の装置と異なるのは以下の点である。すなわち、
放電軸Ａと同心で配置されるリング形状の補助陽極１９が設けられる。
【０１４３】
ここでは以下の操作方法が可能である。
−  切替スイッチＳによって概略的に示されたように、室１の室内壁は、既に図１で示されたように基準電位に、好ましくは質量電位におかれ、あるいはインピーダンスエレメント１４、好ましくは抵抗エレメントを介してある電位に、好ましくは基準電位に固定されるか、あるいは浮遊電位で操作される。補助陽極１９は、室１が基準電位におかれると、室の電位におかれるか、あるいは好ましくは調整可能なＤＣ発生器２１を介して電圧がかけられる。
【０１４４】
−  室１がインピーダンスエレメント１４を介して基準電位に固定されると、補助陽極はＤＣ発生器２１によって操作され、破線で示されたように放電電圧ＵＡＫが陰極７と補助陽極１９との間に現れる。これはまた、室内壁１が浮遊電位で操作される場合も同様である。
【０１４５】
今日では、図２の装置の操作は、質量電位の室壁と補助電極１９、ならびに電位制御されて操作される工作物キャリヤ１３を備えるのが好ましい。全ての装置バリエーションにおいて重要なのは以下の調整である。
・室内の全圧  ＰＴ：
１０−４ｍｂａｒ ≦ ＰＴ ≦ １０−１ｍｂａｒ
好ましくは       １０−３ｍｂａｒ ≦ ＰＴ ≦ １０−２ｍｂａｒ
典型的には５×１０−３ｍｂａｒの領域。この圧力は主に処理ガス、好ましくアルゴンの分圧によって確保される。真空ポンプ２７はしたがって、上述のように、好ましくはターボ真空ポンプとして、特にターボ分子ポンプとして形成される。
・処理ガス圧  ＰＡ：
この圧力は以下のように選択される。
【０１４６】
１０−４ｍｂａｒ ≦ ＰＡ ≦ １０−１ｍｂａｒ
好ましくは       １０−３ｍｂａｒ ≦ ＰＡ ≦ １０−２ｍｂａｒ
・反応ガス分圧ＰＲ：
この圧力は以下のように選択される。
【０１４７】
１０−５ｍｂａｒ ≦ ＰＲ ≦ １０−１ｍｂａｒ
好ましくは       １０−４ｍｂａｒ ≦ ＰＲ ≦ １０−２ｍｂａｒ
特にシリコンおよび／またはゲルマニウムを含有するガスの分圧については１０−４ｍｂａｒと２５×１０−３ｍｂａｒの間が望ましい。平面性（表面粗さ）を改善するために、特に多層析出およびドーピング層についてはさらに、１０−４ｍｂａｒから１０−２ｍｂａｒの、好ましくは約１０−３ｍｂａｒの大きさの水素分圧を設けるのがよい。
・ガス流：
アルゴン：必要な分圧ＰＡないしＰＴの調整には、室および陰極室の容量にほぼ完全に依存する。
【０１４８】
反応ガス流：１から１００ｓｃｃｍ、特にシリコンおよび／またはゲルマニウムを含有するガスについては、
Ｈ２：  １から１００ｓｃｃｍ
・放電電圧  ＵＡＫ：
放電電圧は、それが図１のように陰極７と室１との間であっても、あるいは陰極７と室１と補助陽極１９との間ないし、陰極７と補助陽極１９との間であっても、以下のように調整される。
【０１４９】
１０Ｖ ≦ ＵＡＫ ≦ ８０Ｖ、好ましくは
２０Ｖ ≦ ＵＡＫ ≦ ３５Ｖ
・放電電流  ＩＡＫ：
これは以下のように選択される。
【０１５０】
５  Ａ ≦ ＩＡＫ ≦ ４００Ａ、好ましくは
２０Ａ ≦ ＩＡＫ ≦ １００Ａ
・工作物電圧  ＵＳ：
いずれの場合においてもこの電圧は放電のスパッタ閾値より低く選択される。これは全ての場合において以下のように調整される。
【０１５１】
−２５Ｖ ≦ ＵＳ ≦ ＋２５Ｖ
Ｇａ接合にとって好ましく、Ｓｉ、Ｇｅおよびそれらの接合にとって好ましくは、
−２０Ｖ ≦ ＵＳ ＜ ＋２０Ｖ
好ましくは負の電圧であり、その場合好ましくは、
−１５Ｖ ≦ ＵＳ ＜ −３Ｖ
・被覆されるべき工作物表面のその場所における電流密度：
これはまず、被覆されるべき表面が後に位置決めされる場所において、ゾンデによって測定される。ゾンデ表面の電流密度は少なくとも０．０５Ａ／ｃｍ２に、好ましくは少なくとも０．１Ａ／ｃｍ２から最大、放電電流／基板表面までで調整される。
【０１５２】
この電流密度は以下のように測定され調整される。
単数または複数のゾンデが、後に被覆されるべき表面に位置決めされ、かつその質量ないし陽極電位は正の可変電圧におかれる。この電圧は、測定された電流がもはや上昇しなくなるまで高められる。ゾンデ表面において測定された電流の値から、全電流密度が得られる。この密度は次に放電の調整によって所望の値に合わせられる。前記電流密度の値の調整は、好ましく調整された５から４００Ａ、ないし好ましくは２０から１００Ａの放電電流ＩＡＫによって容易に可能である。
【０１５３】
工作物にあたる低エネルギイオンおよび電子の高流量は、「低エネルギプラズマ強化ＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）」を略してＬＥＰＥＣＶＤと記されるこの発明の方法の特徴である。
【０１５４】
シリコンおよび／またはゲルマニウム層は、周期系のＩＩＩ群またはＶ群からの元素、例えばホスフィン、ジボラン、アルシン等のドーピングガスが被覆の際に加えられることによってｎまたはｐ伝導層にドーピングされる。したがって、ｐ／ｎ半導体接合部がその場で製造可能であって、例えば太陽電池の製造には極めて経済的である。
【０１５５】
ガリウム層またはがリウム接合層が布設される場合、これらは周期系のＩＩまたはＩＩＩまたはＩＶまたはＶＩ群からの元素、例えばＭｇまたはＳｉのドーピングガスを使用することによってドーピングされ得る。
【０１５６】
陽極１９および／または磁場Ｂを援用することによって、低電圧放電が圧縮され得、かつ／または工作物キャリヤ１３によって偏向され得る。それによって工作物キャリヤにおけるプラズマ密度が高められ（率）および／または広い領域に渡って変化がつけられ（分布の調整）、または制御されて変動、ないし偏向され得る。加熱器１７を援用することによって工作物ないし基板がイオンおよび／または電子群にかかわりなく約８００℃まで加熱され得る。磁石配置２９は永久磁石および／または電子磁石によって、好ましくは２、３０から２、３００ガウスの磁束密度の磁場Ｂを放電室内に発生させる。
【０１５７】
上述のように好ましくは２０から３５Ｖの領域の異例の低さの放電電圧によって、（１５）によると陽極電位に近い放電プラズマ電位が生じる。工作物ないし基板電位は、イオンエネルギが１５ｅＶより低くなるようにその電位を微調整することが可能であり、したがって工作物における層成長中のイオン焼けは完全に避けられる。
【０１５８】
上記のように、工作物においてできるだけ高いプラズマ密度が得られるよう努力されるべきである。上記の例ではプラズマ密度は工作物表面における電流密度で定められる。この電流密度は先に述べられたようにゾンデによる較正作業において測定され、調整される。
【０１５９】
図１および図２に概略的に示された装置は現時点において望ましい実施形態であろうが、この発明の方法は、例えばＤＥ−ＯＳ  ３６  １４  ３８４に示された装置であっても、それらが同様に装備かつ実施される限り、全く問題なく実現可能である。現時点で重要に思われるのは、工作物の電位制御操作である。
【０１６０】
図２に概略的に示されたような装置によって、３”シリコン単結晶基板がシリコンないしシリコン／ゲルマニウム合金によってエピタキシャル被覆された。室１の容積は６０リットルであった。
【０１６１】
この装置は以下のように操作された。
補助陽極１９は室１の電位に、工作物キャリヤ１３は制御されたバイアス電位に、陽極としての室は質量電位に設定。
【０１６２】
以下の動作点調整が行われた。
・工作物温度  ＴＳ：
プラズマによって工作物の温度はわずか１００℃あまり、例えば約１５０℃となる。
【０１６３】
これは、例えば有機基板のように熱に弱い基板を被覆するのに極めて有利である。
【０１６４】
より高温が所望される場合は、分離加熱される。Ｓｉおよび／またはＧｅ層およびＧｅ−Ｓｉ接合の層を製造する際に望ましい工作物温度ＴＳは、
３００℃ ≦ ＴＳ ≦ ６００℃
であり、Ｇａ層またはＧａ接合層の場合は
３００℃ ≦ ＴＳ ≦ ８００℃
である。この方法は「低温」であるので、層材料および基板材料にしたがって極めて柔軟に温度を選択することができる。
【０１６５】
［表］
2004519108.tif 000004
【０１６６】
放電電流  ＩＡＫ： ７０Ａ
放電電圧  ＵＡＫ： ２５Ｖ
基板温度：       ５５０℃（加熱器によって加熱）
第一の実験においては、加熱器１７を援用し基板温度に変化がつけられた。その際、その他の動作点パラメータは一定に保たれた。図３にその結果が示される。この図からわかるのは、成長率ＧＲは工作物ないし基板温度Ｔ１３にごくわずかしか依存しないということである。測定値の大きなばらつきは、この実験装置においてはそれぞれの析出の前に操作パラメータをそのつど手で調整し直さなねばならなかったことに起因する。
【０１６７】
前記の動作点の諸々の値を前提として次に、放電電圧ＵＡＫの調整および場合によっては陰極ヒータ電流を変えることによって、放電電流ＩＡＫに変化がつけられた。その他全てのパラメータはまた一定に保たれた。放電電流ＩＡＫが被覆されるべき表面におけるキャリヤ密度ないしプラズマ密度に直接対応せずとも、その他のパラメータが一定であるので、プラズマ密度は被覆されるべき工作物表面の電流密度に対応して基本的には放電電流に比例する。したがって図４に示された結果は一貫して、成長率ＧＲとプラズマ密度との間の比例および比例係数を示す。この比例は、ガスの利用率が約６０％を越えて飽和効果が現れない限り、持続し得る。上述のように、プラズマ密度は例えば放電電流の調整の他に、低電圧放電の焦点合わせないし焦点外しによって、あるいはその方向転換によっても影響を受け得る。ここでも、比較的大きなばらつきは放電条件を調整する際に生じるものである。
【０１６８】
最後に図５より極めて多くの情報が得られる。この図は、その他のパラメータは一定のまま、反応ガス流Ｆに動作点１０ｓｃｃｍから始めて変化をつけた実験の結果である。直線（ａ）は、図１の軸Ａに対して磁場の調整によってわずかに変位された低電圧放電について得られたものであり、この場合、放電電圧ＩＡＫが２０Ａで、基板におけるプラズマ密度が下がり、成長率が下がった。
【０１６９】
曲線（ｂ）は、非偏向放電においてＩＡＫ＝２０Ａの場合の率を示す。最後に、（ｃ）は非偏向放電でＩＡＫ＝７０Ａの場合に増加した成長率を示す。
【０１７０】
１０ｓｃｃｍの反応ガス流で基板温度が５５０℃、放電電流ＩＡＫが７０Ａの場合、図３で確認されるように、ＧＲは約１５Å／ｓｅｃとなる。
【０１７１】
放電電流が７０Ａで反応ガス流が１０ｓｃｃｍの場合、この結果はまた図４でも確認される。放電電流が２０ＡではＧＲは約６Å／ｓｅｃに下がる。
【０１７２】
次に、この発明の結果が従来技術による結果と比較される。
ａ）ＡＰＣＶＤ（２）との比較
図５から、例えば点Ｐ１について次の結果が得られる。
【０１７３】
ＧＲ ≒ １２００Å／ｍｉｎ、これに対し
ＡＰＣＶＤの場合は以下のとおり、
ＧＲ ≒ ２×１０−２Å／ｍｉｎ。
【０１７４】
図５から点Ｐ１については以下の値が得られる。
ＧＲＦは８０Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）
ＡＰＣＶＤではこれに対して、
ＧＲＦ ≒ ２×１０−４Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）。
【０１７５】
この発明のＬＥＰＥＣＶＤにおいて基板３”についてのガス利用率を計算すると、以下の結果が得られる。
【０１７６】
ＧＡＦ ≒ ６．８×１０−２、これは約６．８％に相当。
ここで留意すべきは、基板表面がより大きく例えば５”になると、この係数はさらに大幅に改善されるという点である。
【０１７７】
図７には以下の結果が示される。
−  フィールドＩ：  ＡＰＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、ＲＰＥＣＶＤの場合
−  フィールドＩＩ：  ＵＨＶＣＶＤの場合
−  フィールドＩＩＩ：  ＥＣＲＣＶＤの場合
−  フィールドＩＶ：  この発明の場合
これらは温度が６００℃以下の場合のものである。
【０１７８】
この関連においてもう一度強調されるべきは、この発明の方法によって、比較的大きな表面を被覆することが可能となり、したがってガス利用率ＧＡＦがさらに上昇するという点である。
【０１７９】
成長率ＧＲと、反応ガス流単位あたりの成長率ＧＲＦと、ガス利用係数ＧＡＦとをそれぞれ、大気圧条件下におけるＣＶＤの場合の数字とアナログ式に比較すると、この発明ではあらゆる関係において劇的な改善が見られる。最後にこの発明の結果を、ＤＥ−ＯＳ  ３６  １４  ３８４にしたがって低電圧放電で行われるＰＥＣＶＤ法の場合に得られる結果と比較すると、この発明によって得られる１２００Å／ｍｉｎの成長率は驚くべきことに、従来の方法によって得られる最大の成長率よりもはりかに大きく、さらにこの発明によって得られる反応ガス流単位あたりの成長率ＧＲＦは実際１０の２乗分高いことがわかる。
【０１８０】
したがって驚くべきことに、原則的にはＤＥ−ＯＳ  ３６  １４  ３８４によって周知となったような装置において、この発明によって布設される層が欠陥密度に関してエピタキシ条件に従うよう配慮されれば、一定の操作条件下においてそのような改善が達成可能である。
【０１８１】
これは、図２の装置を所定の動作点パラメータで上記のとおり操作すれば、単結晶基板を挿入すると優れたエピタキシ被覆を得ることができ、一方アモルファス基板を挿入すれば、さらに同じ動作点パラメータにおいて、アモルファス被覆が得られることから、極めて容易に検査された。
【０１８２】
図５ではさらに、測定点Ｐ２が記入されるが、これは純粋なＳｉ層の代わりに、４％のＧｅを含有するＳｉＧｅエピタキシ層が布設される場合である。
【０１８３】
すでにそこから明らかなように、Ｇｅ／Ｓｉ合金が布設される場合、先に説明された認識とは異なり、この発明の方法においては諸々の状況は変化しない。これは、％で示されるＧｅ含有量の関数で所定の動作点における成長率ＧＲが示される図６において確認される。ここから、Ｇｅ対Ｓｉの比率に関してはその極めて大きな範囲において基本的に成長率が変化しない、ということがわかる。
【０１８４】
この発明の方法はまず、Ｓｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉ／Ｇｅ合金層ないしＧａ層およびＧａ接合層を、全てドーピングあり、およびなしで、布設する実験によってその有効性が証明された。
【０１８５】
この発明の方法を組み合わせると、極めて高い析出率と同時に、注入される反応ガス量あたりに布設される層材料に関して極めて高い効率で、さらに６００℃以下の低温で、極めて高品質の層が得られる。したがってここに提案される方法は、エピタキシャル層であろうと、高品質のその他の層であろうと、工業製造用に極めて適している。
文献目録
（１）薄膜溶着プロセスおよび技術に関するハンドブック，Ｋｌａｕｓ Ｋ． Ｓｃｈｕｅｇｒａｆ編，Ｎｏｙｅｓ出版，Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ，ＵＳＡ，１９８８，ＩＳＢＮＮ ０−８１５５−１１５３−１
（２）低温におけるＳｉおよびＳｉＧｅの大気圧化学蒸着，Ｔ．Ｏ． Ｓｅｄｇｗｉｃｋ および Ｐ．Ｄ． Ａｇｎｅｌｌｏ，Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ａ１０版，１９１３（１９９２）
（３）ＬＰＶＰＥによって成長したサブミクロン高ドーピングＳｉ層，Ｌ． Ｖｅｓｃａｎ，Ｈ． Ｂｅｎｅｋｉｎｇ および Ｏ． Ｍｅｙｅｒ，Ｊ． Ｃｒｙｓｔ． Ｇｒｏｗｔｈ ７６版，６３（１９８６）
（４）超真空／化学蒸着による低温シリコンエピタキシ，Ｂ．Ｓ． Ｍｅｙｅｒｓｏｎ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ４８版，７９７（１９８６）
（５）シリコン／ゲルマニウム低温エピタキシにおける協同成長現象，Ｂ．Ｓ． Ｍｅｙｅｒｓｏｎ，Ｋ．Ｊ． Ｕｒａｍ および Ｆ．Ｋ． ＬｅＧｏｕｅｓ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５３版，２５５５（１９８８）
（６）プラズマ強化を用いた場合と用いない場合の低圧化学蒸着による、６５０℃から８００℃におけるシリコンエピタキシ，Ｔ．Ｊ． Ｄｏｎａｈｕｅ および Ｒ． Ｒｅｉｆ， Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ５７版，２７５７（１９８５）
（７）高温壁超真空低圧化学蒸着技術による低温シリコンエピタキシ，Ｂ．Ｓ． Ｍｅｙｅｒｓｏｎ，Ｅ． Ｇａｎｉｎ，Ｄ．Ａ． Ｓｍｉｔｈ および Ｔ．Ｎ． Ｎｇｕｙｅｎ，Ｊ． Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． １３３版，１２３２（１９８６）
（８）ＳｉＨ４からのＳｉの超低圧化学蒸着における表面反応の動力学，Ｓ．Ｍ． Ｇａｔｅｓ および Ｓ．Ｋ． Ｋｕｌｋａｒｎｉ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５８版，２９６３（１９９１）
（９）シランを用いたＳｉの、電子サイクロトロン共鳴強化低温超真空化学蒸着，Ｄ．Ｓ． Ｍｕｉ，Ｓ．Ｆ． Ｆａｎｇ および Ｈ． Ｍｏｒｋｏｃ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５９版，１８８７（１９９１）
（１０）超真空電子サイクロトロン共鳴化学蒸着による低温シリコンホモエピタキシ，Ｈ−Ｓ． Ｔａｅ，Ｓ−Ｈ． Ｈｗａｎｇ，Ｓ−Ｊ． Ｐａｒｋ，Ｅ． Ｙｏｏｎ および Ｋ−Ｗ． Ｗｈａｎｇ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６４版，１０２１（１９９４）
（１１）８００℃から１１５０℃の温度範囲におけるＳｉＨ４からのシリコンのエピタキシャル成長，Ｗ．Ｇ． Ｔｏｗｎｓｅｎｄ および Ｍ．Ｅ． Ｕｄｄｉｎ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ １６版，３９（１９７３）
（１２）遠隔プラズマ強化化学蒸着によって１５０℃でＳｉ（１００）上に成長したホモエピタキシャルフィルム，Ｌ． Ｂｒｅａｕｘ，Ｂ． Ａｎｔｈｏｎｙ，Ｔ． Ｈｓｕ，Ｂ． Ｂａｎｅｒｊｅｅ および Ａ． Ｔａｓｃｈ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５５版，１８８５（１９８９）
（１３）遠隔プラズマ化学蒸着によるＧｅＸＳｉｌ／Ｓｉヘテロエピタキシャルフィルムの成長，Ｒ． Ｑｉａｎ，Ｄ． Ｋｉｎｏｓｋｙ，Ｔ． Ｈｓｕ，Ｊ． Ｉｒｂｙ，Ａ． Ｍａｈａｊａｎ，Ｓ． Ｔｈｏｍａｓ，Ｂ． Ａｎｔｈｏｎｙ，Ｓ． Ｂａｎｅｒｊｅｅ，Ａ． Ｔａｓｃｈ，Ｌ． Ｒａｂｅｎｂｅｒｇ および Ｃ． Ｍａｇｅｅ，Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ａ１０版，１９２０（１９９２）
（１４）超真空電子サイクロトロン共鳴プラズマ蒸着を用いた低温エピタキシャルシリコンフィルムの成長，Ｓ．Ｊ． ＤｅＢｏｅｒ，Ｖ．Ｌ． Ｄａｌａｌ，Ｇ． Ｃｈｕｍａｎｏｖ および Ｒ． Ｂａｒｔｅｌｓ，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ６６版，２５２８（１９９５）
（１５）金属基板およびシリコンウェハの水素プラズマ化学洗浄，Ｗ． Ｋｏｒｎｅｒほか，Ｂａｌｚｅｒｓ Ｌｔｄ．，Ｌｉｅｃｈｔｅｓｔｅｉｎ，Ｓｕｒｆａｃｅ ａｎｄ ｃｏａｔｉｎｇｓ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，７６〜７７（１９９５）７３１〜７３７．
請求の範囲
１．エピタキシに十分な品質を備えた被覆工作物を製造するための方法であって、ＤＣ放電を利用してＰＥＣＶＤによって工作物が被覆されることを特徴とする、方法。
２．前記被覆が以下の成長率、すなわち
ＧＲ ≧ １５０Å／ｍｉｎ
で行われ、さらにガス利用係数が、
１％ ≦ ＧＡＦ ≦ ９０％
であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
３．成長率が、
ＧＲ ≧ ３００Å／ｍｉｎ  であり、好ましくは
ＧＲ ≧ ６００Å／ｍｉｎ  、特に好ましくは
ＧＲ ≧ １’０００Å／ｍｉｎ
であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
４．ガス利用係数が、
ＧＡＦ ≧ ５％
であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
５．被覆されるべき工作物表面が後に位置決めされるべき場所でのゾンデ測定において同じ電位で、少なくとも０．０５Ａ／ｃｍ２ゾンデ表面の電流密度が、好ましくは少なくとも０．１Ａ／ｃｍ２から、最大でも放電電流／基板表面までの密度が生じるように、放電が行われることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
６．測定された電流密度の大半が電子の流入によって得られることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
７．放電電流ＩＡＫとして
５Ａ ≦ ＩＡＫ ≦ ４００Ａ
が、好ましくは
２０Ａ ≦ ＩＡＫ ≦ １００Ａ
が選択されることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
８．放電電圧ＵＡＫとして、
１０Ｖ ≦ ＵＡＫ ≦ ８０Ｖ
が、好ましくは
２０Ｖ ≦ ＵＡＫ ≦ ３５Ｖ
が選択されることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
９．プロセス室内の反応ガスの分圧ＰＲとして
１０−５ｍｂａｒ ≦ ＰＲ ≦ １０−１ｍｂａｒ
が、好ましくは
１０−４ｍｂａｒ ≦ ＰＲ ≦ １０−２ｍｂａｒ
が選択されることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
１０．放電が主に反応ガス解離のための電子供給源として利用されることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
１１．ＤＣ放電として低電圧放電が、好ましくは熱陰極低電圧放電が利用されることを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
１２．プロセス室中の全圧力ＰＴが以下のように
１０−４ｍｂａｒ ≦ ＰＴ ≦ １０−１ｍｂａｒ
好ましくは
１０−３ｍｂａｒ ≦ ＰＴ ≦ １０−２ｍｂａｒ
に調整されることを特徴とする、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
１３．プロセス室中の処理ガス分圧ＰＡが以下のように
１０−４ｍｂａｒ ≦ ＰＡ ≦ １０−１ｍｂａｒ
好ましくは
１０−３ｍｂａｒ ≦ ＰＡ ≦ １０−２ｍｂａｒ
に調整されることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
１４．放電陰極と、基準電位、好ましくは質量電位におかれた真空室壁との間に放電電圧がかけられることを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
１５．プロセス室内の工作物が
・浮遊電位で操作されるか、あるいは
・印加されたバイアス電位におかれる、
ことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
１６．工作物が操作される際、放電陽極に関する電圧ＵＳが、負の値であり、好ましくはＵＳ≧−２５Ｖ、好ましくは−１５Ｖから−３Ｖの間であることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
１７．放電経路に沿って補助陽極が、好ましくは放電に巻き付くリング陽極の形で設けられ、この補助陽極が操作される際、放電陰極の好ましくは調整可能な電圧が、好ましくは放電電圧より大きくないことを特徴とする、請求項１４から１６のいずれかに記載の方法。
１８．真空室内に、これに対して絶縁装着された放電のための陽極が、好ましくはリング陽極の形態で設けられることを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
１９．プロセス室内の工作物が
・浮遊電位か、あるいは
・印加されたバイアス電位にある、
ことを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
２０．工作物が放電陰極に関して最大でも放電電圧で操作されることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
２１．真空室壁が
・浮遊電位か、あるいは
・インピーダンスエレメントを介して基準電位に固定されることを特徴とする、請求項１８から２０のいずれかに記載の方法。
２２．好ましくはＧａ接合、好ましくはＳｉ接合、Ｇｅ接合、あるいはそれら両者の接合に関して、工作物が放電陽極に関して−２５Ｖから＋２５Ｖの間の電圧で操作され、好ましくは、
−２０Ｖ ≦ ＵＳ ≦ ＋２０Ｖ
で、さらに好ましくは負の電圧で操作されることを特徴とする、請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
２３．好ましくはＳｉ接合、Ｇｅ接合、またはそれら両者の接合の場合、工作物温度が最大でも６００℃、好ましくは３００℃から６００℃の間に保たれ、かつ好ましくはＧａ接合の場合３００℃から８００℃の間に保たれることを特徴とする、請求項１から２２のいずれかに記載の方法。
２４．被覆が行われる際の反応ガス流単位あたりの被覆率ＧＲＦが少なくとも７．５Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）、好ましくは少なくとも４０Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）、特に好ましくは少なくとも７５Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）であることを特徴とする、請求項１から２３のいずれかに記載の方法。
２５．所望の被覆率の変更が、真空室内の反応ガス流を基本的にはこれに比例して調整することによって行われることを特徴とする、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
２６．所望の被覆率の変更が、放電電流密度を基本的にはこれに比例して調整することによって、好ましくは放電電流および／または放電電圧の調整によって、および／または方向転換によって、および／または工作物に対する放電の焦点合わせを、好ましくは静電気および／または磁気によって変化させることによって、行われることを特徴とする、請求項１から２５のいずれかに記載の方法。
２７．工作物が放電と関わりなく加熱されることを特徴とする、請求項１から２６のいずれかに記載の方法。
２８．エピタキシ層を製造するための、ＤＣ放電を用いるＰＥＣＶＤ法の使用。２９．半導体層を有する基板を製造するための、請求項１から１７のいずれかに記載の方法の使用、ないし請求項２８に記載の使用。
３０．好ましくは非被覆基板によって、特にその表面特性によって制御しながら、半導体エピタキシ層または多結晶またはアモルファス半導体層を備える基板を製造するための、請求項２９に記載の使用。
３１．好ましくは周期系の第ＩＩＩおよび／または第Ｖ群の少なくとも一つの元素によってドーピングされた、シリコンおよび／またはゲルマニウム層、あるいはＳｉ／Ｇｅ合金層を備える基板を製造するための、請求項２８から３０のいずれかに記載の使用。
３２．好ましくは周期系の第ＩＩ、第ＩＩＩ、第ＩＶ群または第ＶＩ群の少なくとも一つの元素、例えばＭｇまたはＳｉによってドーピングされた、Ｇａ層またはＧａ結合層を備える基板を製造するための、請求項２８から３０のいずれかに記載の使用。
３３．反応ガスとして少なくともＳｉまたはＧｅを含有するガスが利用され、好ましくはさらに反応室内に水素ガスが注入されることを特徴とする、請求項２８から３２のいずれかに記載の使用。
３４．反応ガス流単位あたりの被覆率ＧＲＦが少なくとも７．５Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）、好ましくは少なくとも ４０Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）、好ましくはさらに少なくとも７５Å／（ｓｃｃｍ・ｍｉｎ）である、工作物を被覆するための請求項２８から３３のいずれかに記載の使用。
３５．基板温度が６００℃より低く、Ｓｉ接合、Ｇｅ接合、およびそれらの接合については好ましくは３００℃から６００℃の間、好ましくはＧａ接合については好ましくは３００℃から８００℃の間である、基板を被覆するための請求項３４に記載の使用。
３６．真空室と、オリフィスを介してそれに接続された、少なくとも一つの熱陰極を備える陰極室と、前記室内に配置された工作物キャリヤならびに陽極配置とを備える、請求項１から２６のいずれかに記載の方法を実施するための装置であって、前記工作物キャリヤは前記室内に絶縁装着される、装置。
３７．工作物キャリヤは陽極に関して調整可能な電圧におくことができ、あるいは電位が浮遊し、さらに室ハウジングは陽極電位にあり、かつ陰極は陽極電位に関して陰極電位にあり、好ましくは１０から８０Ｖの間、特に好ましくは２０から３５Ｖの間におくことができることを特徴とし、好ましくは工作物キャリヤは陽極電位に関して最大でも±２５Ｖ調整可能である、請求項３６に記載の装置。
３８．放電のための陽極配置が真空室壁を含み、または陽極配置が室内に絶縁装着されることを特徴とする、請求項３６または３７に記載の装置。
３９．工作物キャリヤが浮遊電位であり、かつその電圧が陽極配置に関して−２５Ｖより負の値になることはなく、好ましくは−３Ｖから−１５Ｖの間となるように配置されることを特徴とする、請求項３８に記載の装置。
４０．工作物キャリヤを、好ましくは調整可能なバイアス供給源によって、陽極配置に関して−２５Ｖから＋２５Ｖの電圧に、好ましくは負の、好ましくは−１５Ｖから−３Ｖの間におくことができることを特徴とする、請求項３８に記載の装置。
４１．補助陽極が、好ましくはオリフィスの軸と同心で配置されたリング陽極の形で設けられることを特徴とし、前記補助陽極は室壁に関して同じか、または異なる電位におくことができる、ないしおかれる、請求項３６から４０のいずれかに記載の装置。
４２．室壁の電位が浮遊するか、またはインピーダンスエレメントを介して、好ましくは抵抗エレメントを介して基準電位に固定されることを特徴とする、請求項３６から４１のいずれかに記載の装置。
４３．熱陰極と、陽極配置の少なくとも一部との間の電圧ＵＡＫが以下のとおり、すなわち
１０Ｖ ≦ ＵＡＫ ≦ ８０Ｖ、好ましくは
２０Ｖ ≦ ＵＡＫ ≦ ３５Ｖ
に調整されることを特徴とする請求項３６から４２のいずれかに記載の装置。
４４．工作物キャリヤと陽極配置における最大電位との間の電圧ＵＳが以下のとおり、すなわち
−２５Ｖ ≦ ＵＳ ≦ ＋２５Ｖ
に調整され、好ましくは負の値に、好ましくは
−１５Ｖ ≦ ＵＳ ≦ −３Ｖ
に調整されることを特徴とする、請求項３６から４３のいずれかに記載の装置。
４５．陰極室内に、処理ガスタンクと、好ましくはアルゴンガスタンクと接続されたガス供給管が合流することを特徴とする、請求項３６から４４のいずれかに記載の装置。
４６．オリフィス軸と同軸の、またはこれに対して変位された磁場を室内に発生させるために、基本的にはオリフィス軸と同心で磁石配置が設けられることを特徴とし、前記磁石配置は永久磁石および／または少なくとも一つのコイル配置を含む、請求項３６から４５のいずれかに記載の装置。
４７．前記室がターボ真空ポンプに、好ましくはターボ分子ポンプに接続されることを特徴とする、請求項３６から４６のいずれかに記載の装置。
４８．熱陰極が５から４００Ａの、好ましくは２０から１００Ａの間の電子の流れを供給することを特徴とする、請求項３６から４７のいずれかに記載の装置。
４９．工作物キャリヤが放電電子密度が最も高い場所に、好ましくは基本的にオリフィス軸と同心で室内に配置されることを特徴とする、請求項３６から４８のいずれかに記載の装置。
５０．Ｓｉおよび／またはＧｅ含有ガス、またはＧａ含有ガスを、好ましくはさらにＨ２を含むガスタンク配置に、前記室が接続されることを特徴とする、請求項３６から４９のいずれかに記載の装置。
５１．請求項３６から５０のいずれかに記載の装置の、請求項２８から３５に記載の使用。
５２．エピタキシ層を成長させるための、ＤＣ放電を用いたＰＥＣＶＤ被覆方法の使用。
５３．結晶構造等の工作物表面の特性をあらかじめ設定することによって、多結晶層、アモルファス層またはエピタキシャル層のいずれが生成するかが制御されるように、請求項３６から５０のいずれかに記載のＰＥＣＶＤ装置を操作するための方法。
５４．太陽電池を製造するための、請求項１から２７のいずれかに記載の方法、ないし請求項３６から５０のいずれかに記載の装置の使用。
要約
この方法は、エピタキシに十分な質を備えた層が、大幅に向上した成長率で工作物に被覆されることを特徴とする。このためには、ＵＨＶ−ＣＶＤ法またはＥＣＲ−ＣＶＤ法の代りに、例えば、ＰＥＣＶＤ法がＤＣプラズマ放電によって用いられる。
2004519108.tif 000005
【０１８６】
2004519108.tif 000006
【０１８７】
2004519108.tif 000007
【０１８８】
2004519108.tif 000008
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による方法を実施するための、この発明によるプロセスモジュールの第一の実施形態を示す概略図である。
【図２】この発明による方法を実施するための、図１のプロセスモジュールを変形した、好ましい一実施形態を示す、図１と同様の図である。
【図３】この発明による方法、すなわちこの発明による洗浄を実施するための、この発明によるプロセスモジュールのもう一つのタイプを示す、図１ないし２と同様の図である。
【図４】この発明による方法、すなわちこの発明による洗浄を実施するための、図３にプロセスモジュールに変更が加えられた、図１から図３と同様の図である。
【図５】この発明による方法を実施するための、図３または４のプロセスモジュールに変更可能な、図２のこの発明によるプロセスモジュールの好ましい一実施形態を示す、簡略図である。
【図６】図５のプロセスモジュールのオリフィス軸Ａに対し、オリフィス軸Ａに垂直な平面Ｅ上の、軸Ａに平行な磁場成分の場所的および時間的被制御調整を示す図である。
【図７】図１から５によるプロセスモジュールの連続被覆を工作物と共に、時間軸に関して示す概略図であり、このモジュールの自己洗浄は所定数の処理段階が実施された後で、あるいは任意に行われる。
【図８】図１から５によるプロセスモジュールのインライン連続装置における組み合わせを示す図である。
【図９】実効基板の、ないし実効基板をベースとする部材の、特にこの発明による製造のための、図１から５によるプロセスモジュールを組み合わせた環状ないしクラスタ装置の簡略上面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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【国際公開パンフレット】
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【手続補正書】
【提出日】平成14年9月13日(2002.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
プロセス空間（ＰＲ）内に注入された反応ガスまたは反応ガスの混合物が、プラズマ放電内にある部材の表面におけるイオンエネルギＥが
０  ｅＶ  ＜  Ｅ  ≦  １５  ｅＶ
である低エネルギプラズマ放電（ＰＬ）によって活性化される少なくとも一つのプラズマ援用処理段階を真空受容器内で用い、電子部材、光電子部材、光学部材またはマイクロメカニクス部材として、あるいはそれらの中間生産物として、部材を製造するための方法であって、プロセスに応じて、プロセス雰囲気受容のための材料が選択され、前記選択された材料を内側表面材料とするプロセス受容器が前記真空受容器内に導入され、したがって前記処理段階中プロセス雰囲気（ＰＲ）が、周囲にある真空受容器（１）の内壁から分離される（１５；１５ａ；１４；１５ｂ）ことを特徴とする、方法。
【国際調査報告】
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