(57)【要約】本発明は、集積回路における空隙構造に関し、この空隙構造は、第１の層（１０１）と、第１の層表面（１０３）と、その上に隣接して配置された空間（４０１）を含むランド（１０４）と、第２の層（１０５）と、その上に配置された第３の層（１０６）とを備える。この空隙構造は、いくつかの空間（４０１）を閉じる第４の層（１０７）をさらに備え、この第４の層は、第３の層（１０６）上に配置され、第２の層表面（１０８）を有する。空間（４０１）は、第４の層（１０７）によって閉じられず、導電性材料で充填される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と、第１の層表面と、該第１の層表面上にて隣接し合うランドであって、
空間を包囲し、かつ第１の絶縁材料の第２の層および該第２の層上に設けられた第２の絶縁材料の第３の層を含む、ランドと、
少なくともいくつかの該空間を閉じ、かつ該第１の絶縁材料上に堆積され得ない第３の絶縁材料の第４の層であって、
該第３の層の上に設けられ、かつ第２の層表面を有する、第４の層と
を備え、
該第４の層によって閉じられない空間は、導電性材料で充填される、集積回路における空隙構造。
【請求項２】
閉じられる前記空間は、前記隣接し合うランドと、前記第１の層表面と、前記第４の層との間に空隙を形成する、請求項１に記載の空隙構造。
【請求項３】
前記空隙は、前記第１の層表面と前記第２の層表面との間を電気的に絶縁する目的で提供される、請求項２に記載の空隙構造。
【請求項４】
前記第１の層表面は、部分的に導電性である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の空隙構造。
【請求項５】
導電性材料で充填された前記空間は、前記第１の層表面と前記第２の層表面との間の接点として提供される、請求項１〜４のいずれか１つに記載の空隙構造。
【請求項６】
前記空隙は、異なった空間における接点間を電気的に絶縁する目的で提供される、請求項１〜５のいずれか１つに記載の空隙構造。
【請求項７】
前記隣接し合うランドは、格子の形態で構成される、請求項１〜６のいずれか１つに記載の空隙構造。
【請求項８】
前記隣接し合うランドおよび前記空間は、平坦な第２の層を有する平坦な空隙構造を形成し、複数の該空隙の平面は、重ね合わされて構成される、請求項１〜７のいずれか１つに記載の空隙構造。
【請求項９】
集積回路において空隙構造を生成する方法であって、
第１の絶縁材料の第２の層が、第１の層の第１の層表面に付与され、
第２の絶縁材料の第３の層が、第２の層に付与され、該第３の層が、該第１の層表面と平行に構成される第２の層表面を取得し、
空間を有する隣接し合うランドは、該第２の層と該第３の層とから形成され、
第３の絶縁材料は、該隣接し合うランド上にて、該第３の層に選択的に付与され、その結果、第４の層が、該隣接し合うランド間、および該隣接し合うランドの上に形成され、
該第１の層表面と平行に、該第２の層表面が露出されるまで、該第４の層が部分的に除去され、
該第４の層は、いくつかの空間の上で完全に除去され、該第１の層表面と該第２の層表面との間に電気接点を形成するために、該空間が導電性材料で充填されて、空隙構造が生じる、方法。
【請求項１０】
前記隣接し合うランドは、リソグラフィおよびエッチングにより生成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
空隙は、前記第３の絶縁材料を前記空間に選択的に堆積させることによって、前記隣接し合うランドと、前記第１の層表面と、前記第４の層との間に形成される、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第４の層は、前記第３の層を露出させるために、化学的機械的研磨によって部分的に除去される、請求項９〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
いくつかの空間を露出させるために、リソグラフィおよびエッチングによって前記第４の層が前記空間の上で除去されて、該空間が再び開けられる、請求項９〜１２にいずれか１つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路における空隙構造、および集積回路において空隙構造を生成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路構成は、益々高い実装密度で生成される。その結果、メタライゼーションレベルにおける相互接続間の距離が益々小さくなっている。これは、相互接続間に形成されるキャパシタンスが上昇して、信号伝搬時間が長くなり、電力損失が大きくなり、かつクロストークが起こることを意味する。これまで、相互接続間を絶縁するための誘電体として、主に、ＳｉＯ２が用いられてきた。その比誘電率は、εｒ＝３．９である。
【０００３】
比誘電率εｒを低減するため、従って、相互接続レベル内の相互接続間のキャパシタンスを低減するための多数の方法が、例えば、非特許文献１または非特許文献２から公知である。
【０００４】
引用された従来技術によると、相互接続レベル内の相互接続間に空隙が生成される。従って、相互接続間のキャパシタンスを決定する絶縁用誘電体は、ほぼ１に等しい比誘電率εｒを有する。この場合、相互接続それ自体は、絶縁の目的で、上側および下側が固体のＳｉＯ２層によって包囲される。
【０００５】
下に位置する絶縁層および上に位置する絶縁層のキャパシタンスは、層内で隣接し合う相互接続間のキャパシタンス全体にもまた、少なからず寄与し、これらの絶縁層は、依然として固体のＳｉＯ２材料からなるので、これらの絶縁層の高い比誘電率εｒは、隣接し合う相互接続間のキャパシタンス全体にかなりの影響を及ぼす。固体のＳｉＯ２材料を含む絶縁層の高い比誘電率εｒは、さらに、異なった層において隣接して設けられる相互接続のキャパシタンスに特に影響を及ぼす。
【０００６】
従って、本発明は、集積回路における空隙構造、および集積回路において空隙構造を生成する方法を提示するという問題に基づく。この構造および方法の場合、異なったレベルの相互接続間の絶縁層は、比誘電率εｒが小さいことによる低いキャパシタンス、および接点を形成する選択肢を有する。
【０００７】
この問題は、集積回路における空隙構造によって、および独立請求項に記載される特徴を有する集積回路において空隙構造を生成する方法によって解決される。
【０００８】
集積回路における、本発明による空隙構造は、第１の層、第１の層表面、および第１の層表面上に隣接し合うランドを有し、隣接し合うランドは、空間を包囲し、かつ第１の絶縁材料の第２の層および第２の層上に設けられた、第２の絶縁材料の第３の層を含む。さらに、空隙構造は、少なくともいくつかの空間を閉じる、第３の絶縁材料の第４の層を有する。さらに、空隙構造において、第４の層は第２の層表面を有する。最後に、空隙構造において、第４の層によって閉じられていない空間が、導電性材料で充填される。
【０００９】
集積回路に空隙構造を生成する方法の場合、第１の絶縁材料の第２の層が第１の層の第１の層表面に付与される。第２の絶縁材料の第３の層が第２の層に付与され、第３の層は、第１の層表面と平行に構成された第２の層表面を得る。空間を有する隣接し合うランドは、第２の層および第３の層から形成される。第３の絶縁材料は、隣接し合うランド上で第３の層に選択的に付与される。その結果、隣接し合うランド間および隣接し合うランドの上に第４の層が形成される。第１の層表面と平行して、第４の層は、第２の層表面が露出するまで部分的に除去される。第４の層は、いくつかの空間の上で完全に除去され、最後に、第１の層表面と第２の層表面との間に電気接点を形成するために、これらの空間は導電性材料で充填されて、空隙構造が生じる。
【００１０】
本発明の１つの利点は、隣接し合う相互接続間の絶縁層として空隙構造を用いることによって、隣接し合う相互接続間の絶縁層の比誘電率εｒが、１とほぼ等しくなり、従って、これらの相互接続間のキャパシタンスが低減されるという事実において見出され得る。キャパシタンスの低減は、層内の隣接し合う相互接続、および異なった層において隣接して構成される相互接続の両方に影響を及ぼす。従って、空隙構造は、集積回路内のキャパシタンス全体をかなり低減することを可能にする。
【００１１】
空隙構造のさらなる利点は、異なった層にて設けられた相互接続間に、接点が容易に提供されることである。隣接し合うランドによって、特に、これらのランドによって包囲される空間によって、いくつかの空間において、隣接し合うランド間で第４の層が的確に除去され、これにより、これらの空間を開けて、その開けられた空間を導電性材料で充填し、従って、空隙構造の下に位置する層と、上に位置する層との間に接点を生成することが可能である。
【００１２】
閉じられた空間は、好適には、隣接し合うランドと、第１の層表面と、第４の層との間に空隙を形成する。空隙構造が完成した後、これらの空隙は空気で充填され、従って、ほぼ１の比誘電率εｒを有する。従って、空隙構造のキャパシタンス効果は、わずかにすぎない。
【００１３】
本発明による空隙構造の好適な改良点において、空隙は、第１の層表面と第２の層表面との間を電気的に絶縁する目的で提供される。２つの、いわゆるメタライゼーションレベル間の、固体材料からなる絶縁層、すなわち、１つ以上の集積された相互接続および／または半導体素子を有する層の代わりに、ここで、空隙構造を用いることが可能であり、その結果、異なったメタライゼーションレベルの隣接し合う相互接続および／または半導体素子間のキャパシタンスがかなり低減され、相互接続にて搬送される、および／または半導体素子にて処理される信号間のクロストークが低減される。
【００１４】
好適には、第１の層表面が部分的に導電性である。第１の層は、この場合、例えば、１つ以上の集積半導体素子を有する基板であり得る。あるいは、第１の層は、例えば、１つ以上の相互接続を有するメタライゼーションレベルでもよい。第１の層が、好適には、１つの平面に位置する層表面を有する場合、正確な内部構造、および、さらに、第１の層の状態は、本発明にとって重要ではない。
【００１５】
本発明による空隙構造の好適な改良点において、導電性材料で充填された空間が、電気接点として、第１の層表面と第２の層表面との間に提供される。この場合、これらの接点は、個々の相互接続および／または半導体素子間を的確に電気接続するために用いられ、その際、他の相互接続／半導体素子に対する空隙構造の絶縁効果を放棄することはない。
【００１６】
空隙構造の一部である空隙は、好適には、異なった空間における接点間を電気的に絶縁するために提供される。接点間の電気的絶縁は、隣接し合う相互接続間の電気的絶縁と同様であり、異なった信号経路間のキャパシタンスを低減するために利用される。
【００１７】
好適には、隣接し合うランドが格子の形態で設けられる。これは、空間の形状、従って、電気接点の形状または直径が予め決定され得るという利点を有する。さらに、格子構成は、ランドにはわずかな材料しか使用しない一方で、安定した空隙構造を製作し、それでもほぼ１の値を有する比誘電率εｒを得るという可能性を提供する。
【００１８】
隣接し合うランドおよび空間は、好適には、平坦な第２の層表面を有する平坦な空隙構造を形成する。さらに、これらの複数の平坦な空隙構造は、重ね合わされて構成され得る。これは、全体として、連続接触を有する幅広の絶縁層を形成することが可能であるという利点を有するが、さらに、この幅広の絶縁層は、安定させる目的で、複数の異なった構造を有する平坦な空隙構造を備える。
【００１９】
空隙構造を生成するための、本発明による方法の場合、隣接し合うランドは、好適には、リソグラフィおよびエッチングによって生成される。この目的で、第２の層および第３の層が、最初に、第１の層表面上に全面的に重ね合わされて設けられる。その後、隣接し合うランドの構造は、リソグラフィによって第２の層の中および第３の層の中に「書き込まれ」、最後に、エッチングによって露出される。適切なリソグラフィマスクを用いて、隣接し合うランドの構造、従って、格子の形状が予め決定される。
【００２０】
本発明による方法の好適な改良点において、空間内に第３の絶縁材料を選択的に堆積させることにより、隣接し合うランドと、第１の層表面と、第４の層との間に空隙が形成される。３つの絶縁材料が適切に選択された場合、第３の絶縁材料が、第２の絶縁材料にのみ選択的に蓄積され、第１の絶縁材料には蓄積されないことを確実にすることが可能である。従って、第４の層は、隣接し合うランド間に配置される空間に形成された一種の覆いのように見える。
【００２１】
別の明瞭な記載によると、第３の層に選択的に堆積された第４の層は、第３の層および第２の層と共に、きのこのような構造を形成する。この目的で、以下の材料を選択することが望ましい。第２の層については、第１の絶縁材料として窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、第３の層については、第２の絶縁材料としてシラン（ＳｉＨ４）に基づくプラズマエンハンスト二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、および第４の層については、第３の絶縁材料としオゾン活性（ｏｚｏｎｅ−ａｃｔｉｖａｔｅｄ）テトラエチルオルトシリケート（Ｏ３／ＴＥＯＳ）に基づく二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。この場合、シラン（ＳｉＨ４）に基づくプラズマエンハンスト二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）は、通常、ＰＥＣＶＤプロセス（ＰＥＣＶＤ＝Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）にて堆積される。当然、その材料が、その堆積態様に関して、上述の選択的性を有する場合、他の電気的絶縁材料を選択することもまた可能である。
【００２２】
本発明による方法の好適な実施形態において、第３の層を露出させるために、第４の層は、化学的機械的研磨により部分的に除去される。第４の層が、部分的にのみでなく、第１の層表面に対して垂直方向に、すなわち、第３の層の上にも設けられるので、第４の層を、第１の層表面と平行に、第３の層に達するまで剥離することによって、均一の平面の第２の層表面を生成し、この表面にさらなる層が付与され得ることが可能である。
【００２３】
本発明による方法において、いくつかの空間を露出させるために、第４の層が、リソグラフィおよびエッチングによって空間の上で除去されて、これらの空間が再び開けられることが望ましい。このために、第４の層に化学的機械的研磨を事前に行うことが特に有利である。なぜなら、これによって、第１の層表面と平行の第３の層の表面が露出されるからである。このようにして、隣接し合うランドの構造、従って、空間の位置が見えるようになる。いくつかの空間の上の第４の層を除去することによって、空隙構造において、第２の層表面から第１の層表面に伸びる開口部が形成され、これらの開口部は、その後、接点を形成するために導電性材料で充填され得る。
【００２４】
本発明の例示的実施形態は、図で示され、かつ以下においてより詳細に説明される。ここで、同様の参照符号は、同様の素子を示す。
【非特許文献１】
Ｊ．Ｇ．Ｆｌｅｍｉｎｇ、Ｅ．Ｒｏｈｅｒｔｙ−Ｏｓｍｕｎ、Ａ．Ｊ．Ｆａｒｉｎｏ，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ＵＬＳＩ  ＸＩＩ、４７１〜４７７ページ、１９９７年
【非特許文献２】
Ｔ．Ｕｅｄａ、Ｅ．Ｔａｍａｏｋａ、Ｋ．Ｙａｍａｓｈｉｔａ、Ｎ．Ａｏｉ、Ｓ．Ｍａｙｕｍｉ、Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，ＩＥＥＥ  Ｐｒｏｃ．１９９８年  Ｓｙｍｐ．ＶＬＳＩ  Ｔｅｃｈｎ．、４６〜４７ページ、１９９８年
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００２５】
図１は、本発明の例示的実施形態による、空隙構造１００の断面を示す。
【００２６】
空隙構造１００は、集積相互接続１０２、および第１の層表面１０３として形成される、第１の層１０１としての基板表面を有する。選択された基板材料は、絶縁材料、好適には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。第１の層は、代替的に、第１の層１０１内にて空隙が間に設けられた集積相互接続の構造を含んでもよい。
【００２７】
第２の層１０５および第３の層１０６を有する隣接し合うランド１０４は、第１の層表面１０３上に位置する。この例示的実施形態において、隣接し合うランド１０４は、それぞれの場合について、互いに一定の距離を置き、かつ、実質的に同じ大きさの方形を有する格子の形状に構成される。第２の層１０５は、本例示的実施形態によると窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）である、第１の絶縁材料を含む。第３の層１０６は、第２の絶縁材料を含む。ここで、本例示的実施形態によると、シラン（ＳｉＨ４）に基づくプラズマエンハンスト（ＰＥＣＶＤプロセス）二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が用いられる。
【００２８】
本例示的実施形態によると、オゾン活性テトラエチルオルトシリケート（Ｏ３／ＴＥＯＳ）に基づく二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である第３の絶縁材料からなる第４の層１０７が、隣接し合うランド１０４間の第３の層１０６に位置する。絶縁材料の適切な選択は、第４の層１０７が、第３の層１０６上にのみ選択的に形成されることを確実にする。第４の層１０７および第３の層１０６は、以下において、第２の層表面１０８と呼ばれ、かつ第１の層表面１０３と平行である共通の表面を有する。
【００２９】
第４の層１０７を第３の層１０６上に選択的に堆積させるので、空隙１０９は、第１の層表面１０３と、隣接し合うランド１０４と、第４の層１０７との間に包囲される。隣接し合うランド１０４のいくつかの間にて、第４の層１０７は、再び除去され、隣接し合うランド１０４間に位置する露出された領域は、電気接点１１０を形成するために、導電性材料で充填される。
【００３０】
さらなるメタライゼーションレベルは、第２の層表面１０８の上に任意に設けられ得る。本発明による空隙１００の構造は、第１に、電気的に絶縁する空隙１０９による相互接続間の絶縁効果の向上（これは、相互接続１０２間の比誘電率εｒを低減する）、および第１の層表面１０３と第２の層表面１０８との間の絶縁効果の向上の両方を提供する。第２に、本発明による空隙構造１００は、第１の層表面１０３と第２の層表面１０８との間に電気接点１１０を的確に提供するという可能性を提供する。
【００３１】
隣接し合う２つのランド１０４間の距離、および、さらに隣接し合うランド１０４の厚さは、本発明による空隙１００の構造が、第２の層表面１０８の上に構成される、さらなる層およびメタライゼーションレベルを支持する良好な能力を有するように選択されるべきである。本例示的実施形態によると、隣接し合うランド１０４は、各々、１００ｎｍの厚さを有し、かつ互いから５００ｎｍの距離を置く。
【００３２】
第３の絶縁材料が堆積特性に関して選択性を有するために、第４の層１０７の形成は、隣接し合うランド１０４の上端部におけるビードの形成と同様である。特定の成長時間の後、隣接し合うランド１０４のビードは、互いに重なり合い、かつ連続的な第４の層１０７を形成する。第４の層１０７は、ビードが重なり合う位置にて最も薄い。第４の層１０４は、第１の層表面１０３と平行の均一な第２の層表面１０８を形成するために、部分的に再び除去されるので、隣接し合うランド１０４間の距離が過度の大きくならないようにし、従って、第４の層１０７が、ビードが重なリ合う位置にて請わされて再び開けられないことを確実にしなければならない。
【００３３】
図２は、図１の空隙構造１００の平面図を示す。図２は、第２の層表面１０８にて可視の第３の層１０６を有する隣接し合うランド１０４を方形格子の形態で図示する。
【００３４】
隣接し合うランド１０４間の方形空間のほとんどは、第４の層１０７によって覆われ、かつ空隙１０９を包囲する。しかしながら、方形空間のいくつかは、導電性材料で充填され、かつ第１の層表面１０３と第２の層表面１０８との間に接点１１０を形成する。
【００３５】
隣接し合うランド１０４によって形成される格子の形状は、任意である。６角形の空間または他の形状の空間を、隣接し合うランド１０４間に形成する格子形状を用いることも同様に可能である。
【００３６】
以下において、本発明による空隙構造１００を形成する方法が順を追って記載される。
【００３７】
図３は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第１の時点の未完成の空隙構造３００の断面を示す。
【００３８】
集積相互接続１０２を有する基板、および第１の層表面１０３として形成される基板表面は、第１の層１０１として用いられる。基板材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。
【００３９】
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の第２の層１０５は、標準的プロセスにより第１の層表面１０３に全面的に設けられる。二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の第３の層１０６は、シラン（ＳｉＨ４）に基づくＰＥＣＶＤプロセスによって第２の層１０５上に面単位で成長させられる。第３の層１０６は、第１の層表面１０３と平行の第２の層表面１０８にて終端する。
【００４０】
第２の層１０５および第３の層１０６の厚さ全体は、後で所望される接点１１０の深さに対応するか、または十分な絶縁強度を確保するために必要である要件と適合され得る。本例示的実施形態において、厚さ全体は４００ｎｍであり、第３の層１０６の厚さは１００ｎｍである。
【００４１】
図４は、本発明の例示的実施形態による製造方法の実行における、第２の時点の未完成の空隙構造４００の断面を示す。
【００４２】
第２の層１０５および第３の層１０６を備える隣接し合うランド１０４を含む格子の形態の構造は、第２の層１０５および第３の層１０６のリソグラフィおよび次のエッチングにより形成される。隣接し合うランド１０４は、各々、互いに同じ距離を置き、空間４０１を包囲する。空間４０１は、第１の層表面１０３まで達する。
【００４３】
図５は、図４の空隙構造４００の平面図を示す。図５は、隣接し合うランド１０４間の空間４０１の方形形状を示す。空間４０１は、第１の層表面１０３にまで達するので、いくつかの空間４０１にて、下に位置する相互接続１０２が露出される。
【００４４】
図６は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第３の時点の未完成の空隙構造６００の断面を示す。
【００４５】
隣接し合うランド１０４の上端部にてビード６０１を形成する第３の絶縁材料は、隣接し合うランド１０４における第３の層１０６に選択的に付与される。隣接し合うランド１０４の上端部にて、ビード６０１は、ランド間に位置する空間４０１を狭くし、空間４０１は、成長によって少しずつ閉じられる第３の層１０６の近傍に開口部６０２を有する。
【００４６】
用いられる第３の絶縁材料は、オゾン活性テトラエチルオルトシリケート（Ｏ３／ＴＥＯＳ）に基づく二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）であり、真空プロセスにて堆積される。第２の層１０５の第１の絶縁材料（Ｓｉ３Ｎ４）、および第３の層１０６の第２の絶縁材料（ＳｉＯ２）の的確な選択に基づいて、ならびに選択されたＯ３／ＴＥＯＳ真空プロセスに基づいて、ビード６０１を形成するために、第３の絶縁材料（ＳｉＯ２）が第３の層１０６上にのみ選択的に堆積される。
【００４７】
本発明による空隙構造１００を形成するために、選択された３つの絶縁材料およびそれらを生成するために用いられるプロセスの代わりに、他の絶縁材料および生成プロセスを用いることも可能である。
【００４８】
図７は、図６の空隙構造６００の平面図を示す。堆積された第３の絶縁材料は、隣接し合うランド１０４、従って、第３の層１０６を覆う。図６との関連で既に記載されたように、開口部６０２が成長して空間を少しずつ覆うビード６０１は、堆積された第３の絶縁材料によって形成される。集積相互接続１０２を有する第１の層表面１０３は、成長する開口部６０２を通じて、依然として可視である。
【００４９】
図８は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第４の時点の未完成の空隙構造８００の断面を示す。
【００５０】
図６との関連で既に記載されたように、第３の絶縁材料（ＳｉＯ２）は、ビード６０１に選択的に堆積され、その結果、成長したビード８０１の層が、第３の層１０６の上に形成される。成長したビード８０１の層は、第１の層表面１０３と平行の平坦な表面を有さないが、空間４０１を完全に覆う。従って、空間４０１は、第１の層表面１０３と、隣接し合うランド１０４と、成長したビード８０１の層との間に空隙１０９を形成する。
【００５１】
図９は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第５の時点の未完成の空隙構造９００の断面を示す。
【００５２】
成長したビード８０１の層は、隣接し合うランド１０４の上側のエッジが再び露出され、第１の層表面１０３と平行の平坦な表面が形成されるように、化学的機械的研磨によって削り取られる。この平坦な表面は、第２の層表面１０８と同一である。従って、第４の層１０７は、成長したビード８０１の層から形成される。従って、第２の層表面１０８は、第１の層表面１０３と平行の第３の層１０６および第４の層１０７を区切る。
【００５３】
図１０は、図９の空隙構造１００の平面図を示す。隣接し合うランド１０４間の空隙１０９は、第４の層１０７によって完全に閉じられる。従って、第３の層１０６および第４の層１０７のみが依然として露出され、第４の層１０７は、選択された格子構造に基づいて、平面図では方形の、複数の部分領域に分割される。
【００５４】
図１１は、本発明の例示的実施形態による製造方法の実行における、第６の時点の未完成の空隙構造１１００の断面を示す。第４の層１０７は、さらなるリソグラフィ、およびさらなるエッチングによりいくつかの空隙１０９の上で再び露出され、その結果、隣接し合うランド１０４間の空間４０１は、その位置にて再び完全に開けられる。
【００５５】
第１の層表面１０３における相互接続１０２が、第２の層表面１０８から電気的に接触されるべき場合、開けられた、すなわち、露出された空間４０１が、相互接続１０２の上の選択された位置にて形成されることが望ましい。
【００５６】
電気接点１１０を生成するために、開けられた空間４０１は、導電性材料が第２の層表面１０８と同じ高さになるまで導電性材料で充填される。開けられた空間４０１は、好適には、従来のメタライゼーションプロセスによって導電性材料で充填される。これにより、その後、図１に図示された空隙構造１００が生じる。
【００５７】
例として、信号処理または信号搬送のために、本発明による空隙構造１００の上に、さらなるメタライゼーションレベルが提供される場合、電気接点１１０を生成することが必要であり得る。
【００５８】
図１２は、図１１の空隙構造１１００の平面図を示す。この平面図は、第４の層１０７が、いくつかの隣接し合うランド１０４間にもはや存在せず、従って、第１の層表面１０３に設けられた相互接続１０２が可視であるという点で図１０に示された平面図とは異なる。
【００５９】
図１３は、図１に示される空隙構造１００の断面を拡大した詳細図を示す。この図は、第２の層１０５および第３の層１０６を含み、第１の層１０１に付与される、隣接し合うランド１０４を図示する。隣接し合うランド１０４間には、第１の層１０１および隣接し合うランド１０４と共に空隙１０９を包囲する第４の層１０７が、第３の層１０６に選択的に設けられる。空隙１０９を覆う第４の層１０７の形状は、さらに、第４の層１０７が形成される間に生じたビード６０１の形状を示す。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、本発明の例示的実施形態による、空隙構造の断面を示す。
【図２】図２は、図１の空隙構造の平面図を示す。
【図３】図３は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第１の時点の図１による未完成の空隙構造の断面を示す。
【図４】図４は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第２の時点の図１による未完成の空隙構造の断面を示す。
【図５】図５は、図４の空隙構造の平面図を示す。
【図６】図６は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第３の時点の図１による未完成の空隙構造の断面を示す。
【図７】図７は、図６の空隙構造の平面図を示す。
【図８】図８は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第４の時点の図１による未完成の空隙構造の断面を示す。
【図９】図９は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第５の時点の図１による未完成の空隙構造の断面を示す。
【図１０】図１０は、図９の空隙構造の平面図を示す。
【図１１】図１１は、本発明の例示的実施形態による生成方法の実行における、第６の時点の図１による未完成の空隙構造の断面を示す。
【図１２】図１２は、図１１の空隙構造の平面図を示す。
【図１３】図１３は、図１の空隙構造の断面を拡大した詳細図を示す。
【符号の説明】
【００６１】
１００    本発明による空隙構造
１０１    第１の層
１０２    集積相互接続
１０３    第１の層表面
１０４    隣接し合うランド
１０５    第２の層
１０６    第３の層
１０７    第４の層
１０８    第２の層表面
１０９    空隙
１１０    接点
３００    第１の生成時点における未完成の空隙構造
４００    第２の生成時点における未完成の空隙構造
４０１    空間
６００    第３の生成時点における未完成の空隙構造
６０１    ビード
６０２    成長によって閉じられている開口部
８００    第４の生成時点における未完成の空隙構造
８０１    成長したビードの層
９００    第５の生成時点における未完成の空隙構造
１１００  第６の生成時点における未完成の空隙構造
１３００  本発明による空隙構造の詳細
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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