(57)【要約】基板（１３）上に化学的気相蒸着によって物をエピタキシャル成長させる装置は、複数の基板（１３）を保持すると共に、成長中、上記フォルダを回転させる手段とともに垂直軸の回りを回転するようになっているフォルダ（１１）を、収容する室（５）を画定するケース（２）を備える。また、その装置は、略垂直軸に沿うように方向づけられている入り口（９）を通じて、成長のための混合ガスを上記室に送り込む手段（１０）と、上記室内の混合ガスを分解させるために加熱すると共に、そのように形成された粒子を基板上に蒸着することによって、基板上に略垂直方向に層を成長させる手段（１５）とを備える。上記室（５）は、十分に厚い固定壁（７,８）を有する加熱台によって境界が定められている。加熱手段（１５）は、上記加熱台壁を加熱することによって、熱せられた加熱台壁からの放射を通じて略上記混合ガスを加熱するようになっている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板（１３）を保持すると共に、略垂直軸の回りに回転するようになっているフォルダ（１１）を収容する室（５）を画定するケース（２）と、
成長中、上記フォルダを回転させる手段と、
略上記垂直軸に沿って方向づけられている入り口（９,１９,２１,２２）を介して、上記室内に成長のための混合ガスを送り込む手段（１０）と、
上記室内の混合ガスを加熱して上記混合ガスを分解すると共に、そのように形成された粒子を基板上に蒸着することによって、基板上に略垂直方向に層を成長させる手段（１５）と
を備える基板上に化学的気相蒸着によって物をエピタキシャル成長させる装置において、
上記室は、十分な厚さを有する固定壁（７,８）を有する加熱台によって境界が定められ、
上記加熱手段は、上記加熱台壁を加熱することによって、熱せられた加熱台壁からの放射を通じて略上記混合ガスを加熱することを特徴とする基板上に化学的気相蒸着によって物をエピタキシャル成長させる装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
上記加熱手段（１５）は、上記ケース（２）の外側に配置されていることを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置において、
上記加熱手段（１５）は、上記加熱台壁（７,８）を、高周波場を放射することによって加熱するようになっており、これにより上記壁に電流を誘発することを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の装置において、
上記加熱台壁（７,８）は、グラファイトで形成されていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の装置において、
上記室（５）は、中心に配置されている上記入り口（９,１９,２１,２２）から径方向に延びており、
上記加熱台壁（７,８）は、上記混合ガスのための流れの通路（１６）を、入り口から上記基板（１３）を超えてフォルダ（１１）に沿って径方向に、径方向の上記通路の上限と下限との間の距離を減少させることによって径方向に先細りにするように画定していることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置において、
上記流れの通路の垂直方向の寸法、すなわち、上記流れの通路の高さＹで表現される上記先細りは、Ｒを上記中心入り口から上記室の径方向の出口の間の上記室の半径とし、Ｈを上記出口における上記高さとし、χを上記入り口における上記中心軸からの径方向の距離としたとき、公式Ｙ＝ＲＨ／χに略従うことを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の装置において、
上記流れの通路（１６）は、上記基板フォルダ（１１）と加熱台の天井（７）、または、上記基板フォルダ（１１）と加熱台の底部（８）で画定されることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置において、
上記フォルダ（１１,１２）は、上記室（５）の中でフォルダの回転軸から略水平方向に延び、上記流れの通路を画定する加熱台の天井または底部は、上記軸から径方向に離れる方向で、上記フォルダに接近するようになっていることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１つに記載の装置において、
上記入り口（９,２１）は、上部から上記混合ガスを導入するようになっており、上記基板（１３）は、上記フォルダの上部に配置されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１つに記載の装置において、
上記室（５）に下から混合ガスを導入する入り口（１９,２２）を備えることを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置において、
上記フォルダ（１１,１２）は、それの上部で基板を保持するようになっており、上記フォルダは、くり抜かれることによって入り口（１９）が形成されている回転軸に固定されており、上記混合ガスは、上記くり抜かれたフォルダ軸を通じて上記室に入り込むことを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の装置において、
上部から冷たいガスを導入するための更なる入り口（２０）を備えることを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の装置において、
上記混合ガスを上記室に上方と下方の両方から導入するための入り口（２１,２２）を備え、上記フォルダ（１２）は、上記基板を上側に保持すると共に、その下側に基板を保持することを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置において、
径方向の流れの通路（１６）は、上記フォルダの上側と下側で、両方とも径方向に先細りになっていることを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１つに記載の装置において、
上記入り口は、上記室（５）に入るガスの流れを分離するための略同心円状のリング入り口溝（２３−２５）を画定する手段を備え、一番外側のリング溝（２５）は、事前に加熱されていないキャリアガスを収容するようになっており、このキャリアガスを、上記室中の上記加熱台壁（７,８）の近傍に流すことを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置において、
少なくとも３つの上記リング状溝（２３−２５）を備え、上記送り込む手段は、径方向において中間に位置している上記リング溝（２４）を通じて全部の上記混合ガスを送り込むようになっていることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１つに記載の装置において、
上記室に入り込む上記混合ガスを、上記入り口（２１,２２）の上流側で事前に加熱する手段（２６）を備えることを特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置において、
事前加熱されたガスが上記入り口（２１,２２）に入るまでに、通路の断面積を減少させる手段（２７）を備え、そのことによって、ガスの速度を上昇させ、上記室（５）に入るまでに見込まれる乱流を取り除くことを特徴とする装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１つに記載の装置において、
上記基板の上部に結晶のＳｉＣのウエハを成長させるようになっていることを特徴とする装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置において、
上記加熱手段は、上記加熱台壁（７,８）を加熱するようになっており、そのことによって、上記基板（１３）および上記混合ガスを、１２００℃を超える温度まで加熱することを特徴とする装置。
【請求項２１】
請求項１９に記載の装置において、
上記加熱手段は、上記加熱台壁（７,８）を加熱するようになっており、そのことによって、上記基板（１３）および上記混合ガスを、１４００℃を超える温度まで加熱することを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野および背景技術】
【０００１】
この発明は化学的気相蒸着によって基板上に物をエピタキシャル成長させる装置に関し、上記装置は、複数の基板を支持すると共に、略垂直軸のまわりを回転するフォルダを収容するための室を画定するケースと、成長の間に上記フォルダを回転させる手段と、上記垂直軸に沿って略方向づけられている入り口を介して上記室の内部に、成長のための混合ガスを流入させる手段と、上記室の内部の上記混合ガスを加熱する手段とを備える。上記加熱する手段は、上記混合ガスを分解し、基板上にその分解で形成された粒子を蒸着し、略垂直方向の上記成長によって基板上に層を成長させている。
【０００２】
この発明は、その方法で基板上に成長させられるありとあらゆるタイプの物に関し、特に、半導体装置に使用される成長層に関し、特に、出力半導体装置（power semiconductor device）で使用されるＳｉＣの高品質な結晶層のような、成長過程において高精度が必要とされる物質の成長に関する。この発明の個々の応用が、この後、この発明を限定することなしに、議論されるだろう。
【０００３】
化学的気相蒸着によってそのような物を成長させるとき、１つの物のみを１つの基板上に成長させることは、商業的な視点から、興味がある成長法ではない。というのも、その方法は、１つのものやウエハを製造するのに数時間を要することになるからである。イントロダクションで示されたタイプの装置は、同じ運転中に、複数のそのようなウエハを成長させるという目的を有している。
【０００４】
そのような装置の成長室に通じる略水平方向の入り口があることが知られており、その成長室の中で、基板フォルダが、略垂直な軸のまわりに回転するようになっており、上記フォルダの円環状の周辺近傍に配置されている基板自身が、所謂惑星反応器で、それら自身の軸のまわりに回転するようになっている。しかしながら、この種の装置では、成長に必要な混合ガス中の成長ガスが、成長室の中の流れの経路の縦方向で減少する。それは、低い成長率を生み出し、フォルダが回転しても、十分に一様な成長を得ることができなくなり、圧力や不規則性がウエハに生じることになる。
【０００５】
また、急速に回転しているフォルダ上の基板にそって方向転換させて基板を通過させるために、混合ガスを室の上部からフォルダ上に導入する略垂直な入り口を有するイントロダクションで示された種類の装置が知られている。しかしながら、そのような装置において成長させられる物質の品質は、十分なものでなく、室内において十分一様な温度配分をすることが難しく、バックグランド不純物水準が、非常に高くなる。これらの装置では、フォルダを加熱することによって混合ガスの加熱を行う加熱コイルが、上記ケースの中のフォルダディスクの下に直接配置されている。上記加熱コイルは、アーク発生の問題の危険性のために、生ずることが所望されている圧力量を制限している。
【発明の概要】
【０００６】
この発明の目的は、高品質の結晶性を保障しながら、同じ運転で、複数の上記物やウエハを成長させるイントロダクションで示されたタイプの装置を提供することにある。この発明に従う物は、そのような装置によって得られたものであり、上記装置内の室は、十分に厚い固定壁を有する加熱台（susceptor）によって区切られており、上記加熱手段は、熱せられた加熱台壁を通じた熱放射によって上記混合ガスを加熱するために、上記加熱台壁を加熱するようになっている。
【０００７】
これは、複数の利点を生み出す。基板および上記混合ガスを、主に固定されている加熱台からの放射によって熱することによって、回転機構に熱の移動が生じさせないようにすることが容易になり、上記室内の一様な温度分布を達成することが容易になる。これは、複数のウエハを、高い結晶品質を保ち、かつ、比較的高い成長率を保ちながら、同じ運転で製造することを可能にする。
【０００８】
この発明の好ましい実施形態では、上記加熱手段は、ケースの外部に配置される。これは、室の内部の基板および混合ガスに熱を伝導させるために、十分な厚さを有する加熱台の壁を用いることによって可能になり、システム（ケースの内部の室）は、加熱手段のこの配置のおかげでいっそう清潔になり、その結果、基板上に成長させられる層中の望まれない不純物の量がいっそう少なくなる。
【０００９】
この発明の他の好ましい実施形態によれば、加熱台壁は、特に誘導加熱による壁による一様な加熱を得るのにふさわしい物資であるグラファイトで形成されている。
【００１０】
この発明の他の好ましい実施形態によれば、上記室は中心に配置されている上記入り口から径方向に延びており、上記加熱台壁は、上記混合ガスの流れの通路を、入り口から基板を過ぎてフォルダに沿って径方向に、径方向の上記通路の低さ限界および高さ限界の間の距離を狭めることによって先細り形状に画定する。流れ通路のそのような先細りの伸張は、入り口から離れるにしたがって、流れの通路の水平方向の寸法が増大することに起因する混合ガスの速度の損失の影響を弱めることになる。従って、成長のために供給される成分が、径方向でいっそう均一に分配され、その結果、高品質な物質の成長が生み出される。
【００１１】
最後に記載された実施形態の更なる発展からなるこの発明の好ましい実施形態によれば、上記先細りは、上記流れの通路の垂直方向の寸法によって表現される。すなわち、その高さＹは、略Ｙ＝ＲＨ／χという公式に従う。ここで、Ｒは、中心入り口から径方向の出口までの上記室の半径であり、Ｈは、上記出口の高さであり、χは、上記入り口における上記中心軸からの径方向の距離である。上記流れの通路を規定するそのようなデザインは、ガスの速度を通路全体で略同じにする。
【００１２】
この発明の他の好ましい実施形態によれば、装置は、上記室の下から混合ガスを導入する入り口を有し、上記フォルダは、それの先端で基板を保持するようになっており、上記フォルダは、入り口を形成するためにくり抜かれている回転軸に固定されており、上記混合ガスは、そのくり抜かれた軸を通じて室に導入される。そして、上部には、冷たいガスを導入するための更なる入り口が形成される。成長させるための混合ガスの導入の方向と反対方向からの冷たいガスの導入は、混合ガス中の原料ガスが熱分解したときに形成される粒子が基板上でなくて加熱台の天井に蒸着することを防止する。
【００１３】
この発明の他の実施形態によれば、装置は、上記室に混合ガスを導入するための入り口を上部と下部の両方に有し、上記フォルダは、上側と下側で上記基板を保持するようになっている。これは、２倍の製造率を実現させ、ウエハを成長させるときのコストを低減させ、かつ、成長過程をいっそう価格的に優位性のあるものにする。
【００１４】
この発明の他の好ましい実施形態によれば、上記入り口は、上記室に流れ込むガスの流れを分離するための略同心円状のリング入口溝を画定する手段を備え、最も外側のリング溝は、上記室中の加熱台壁の近傍を流すために、事前加熱が行われていないキャリアガスを収容するようになっている。上記成長のために室に流れ込む流れのそのような分離は、壁すなわち天井壁または底壁、および、加熱台を、原料ガスの熱分解によって形成される粒子種の蒸着から保護し、成長に必要なガスを減少させる。
【００１５】
最後に述べた実施形態の更なる発展からなるこの発明の他の好ましい実施形態によれば、装置は、少なくとも３つの上記リング溝を備え、上記供給手段は、径方向の中間に配置された上記リング溝を通じて、上記混合ガスの全部を送り込むようになっている。これは、他のガスであるキャリアガスが、上記混合ガスのためのリング溝よりも中心に位置する上記リング溝を介して室に流入するだろうことを意味している。それは、基板上の均一な粒子の蒸着を可能にし、特に、中心の流れが事前加熱されていれば、室の内側側面を均一な温度にすることができる。
【００１６】
この発明の他の好ましい実施形態によれば、装置は、上記基板の上部に結晶性に優れたＳｉＣのウエハを成長させるようになっており、上記加熱手段は、加熱台を１２００℃を超える温度まで、好ましくは、１４００℃を超える温度まで加熱するようになっており、そのことによって、基板および混合ガスを、１２００℃を超える温度まで、好ましくは、１４００℃を超える温度まで加熱するようになっている。このタイプの装置は、特に、高い結晶性が必要となるＳｉＣの層の成長に相応しく、そのことによって、例えば、Ｓｉと比較して、場の崩壊強度や高温安定性等に関してＳｉＣの優れた性質から十分な恩恵を受けることができ、かつ、高出力の半導体装置における使用を意図した物質を作成することができる。
【００１７】
この発明の上記有益な特徴以外の更なる有益性は、以下の記載および他の従属クレームから明白になるだろう。
【この発明の好適な実施形態の詳細な記述】
【００１８】
この発明の原理を説明するために、化学的気相蒸着を用いて特にＳｉＣのエピタキシャル成長を行う装置１を図１に示す。この装置１は、石英の外壁３から構成されるケース２と、ステンレス鋼製の端部フランジ４を備える。上記ケース２は、図示しないポンプによって真空が作り出される内部領域すなわち室５を画定している。この装置は、更に、石英製のケースの内側に、断熱発泡体で形成されれば好適な熱的な断熱層６を備える。上記室５に隣接する壁（天井壁７および底部壁８も含む）部分は、十分に厚いグラファイトで形成されており、これらの壁７,８は、いわゆる熱い壁の加熱台（hot-wall susceptor）を構成している。また、上記ケース２は、上部と室５内とを連通させる略垂直方向に延びる入り口９を有し、矢印で示された手段１０は、ＳｉＣを成長させるために、プロパンやシランのようなＣやＳｉを含んだガスである原料物質ガスと、Ｈ２のようなキャリアガスとの混合ガスを供給する。
【００１９】
また、上記装置２は、ディスク状の部材１２によって構成されたフォルダを備えており、このディスク状の部材１２の周辺領域には基板１３が配置されている。上記ディスク状の部材１２は、立軸の回りを回転するようになっている軸１４に中心が連結されており、成長中に、室５の内部で基板１３を有するフォルダ１１を回転させるようになっている。上記基板１３は、ＳｉＣの成長の場合においては、結晶性のＳｉＣやＳｉあるいはIII族窒化物で形成されるのが好ましい。
【００２０】
また、上記装置は、上記ケース２の下面および上面上で上記垂直軸の回りに巻き付けられた所謂パンケーキ高周波放射コイル（pancake RF-field radiating coils）の形式の加熱手段１５を備える。ケース２が石英で形成されているおかげで、上記高周波場が透過可能である。上記加熱台は、更に、少なくとも基板１３の近傍においては、ＳｉＣで被覆されているのが好ましく、このことによって、加熱台におけるグラファイト中の不純物が、室５中に放出されて、基板のエピタキシャル層に混入することを抑制できる。上記加熱手段は、上記高周波場によってグラファイトの厚い壁７,８を熱するようになっており、そこからの放射によって、基板と上記入り口９を通じて室に入る混合ガスとを熱するようになっている。加熱を行う部分（加熱台壁７,８）は、回転部分（フォルダディスク状部材１２）から分離されていると有益であり、そのことによって、室５内を均一な温度にすることが容易になる。上で述べたように、加熱手段は、ケースの外部に配意されると有益であり、このことによりクリーナーシステム（cleaner system）を実現できる。冷却目的のために、２８で指し示される水を循環させるための溝が、端部フランジ４に配置されている。この装置および以下に記述される他の実施形態の装置は、垂直中心軸に対する回転に対して略対称である。
【００２１】
上記入り口９を通じて室に流れ込む上記混合ガスのための流れの通路１６が、上記ディスク状の部材と上記天井の間で径方向にいくに従って先細りになるような形式で、ディスク状の部材１２と天井７との間に径方向の出口１７の方に径方向に形成されている。これは、上記成長における基板上の一様な蒸着に有益であり、これによって、混合ガスの径方向の速度が略一様になる。特に、流れの通路の高さＹが、次式を満たすようにすれば特に有益な結果となる。
【００２２】
Ｙ＝ＲＨ／χ,
ここで、Ｒは、中心入り口から径方向の出口１７の間の室５の半径であり、Ｈは、上記出口の高さであり、χは、フォルダ１１の軸１４が下方から加熱台室に入り込んでいる点が実質的に図１に従う実施形態と異なる図２に従う実施形態で例解されているように、上記入り口における中心軸からの径方向の距離である。図１に従う実施形態では、水平方向に対して小さな角をなしていたが、図２においては、ディスク状の部材は、略水平方向に延びている。流れの通路におけるこのデザインは、直線形状の天井壁がガスの速度を速めている回転軸に近接する幾分冷たい領域における、不都合な蒸着を低減するだろう。この方式では、図２に従う天井壁は、基板１３上の上昇気流領域における減少を低減し、ウエハにおける高い成長率を実現し、ウエハ上に均一な膜１８を成長させる。
【００２３】
このタイプの装置は、主に高出力の半導体装置で使用するために１−５０μｍの厚さの膜を成長させるのに用いられる。上記加熱手段１５は、加熱台壁を加熱し、加熱台壁からの放射によって、基板および室に流入した混合ガスを、好ましくは、１５００−１６００℃まで加熱する。その結果、原料ガスは熱分解し、ＳｉＣを成長させる場合では、それで形成されたＳｉ原子やＣ原子が、基板１３上に蒸着され、基板１３上に良質なエピタキシャル層が形成される。基板フォルダを回転させ、かつ、上記デザインの流れの通路を用いることによって、基板上における略一様な成長条件が、供給される。その結果、異なる基板上に成長させられる層は、略同じ特性を有するようになる。これはまた、Ａｌ,Ｂ,Ｎ等のドーパントを混合ガスに加えることによって得られる層のドーピングに有効である。
【００２４】
この発明の第３の好ましい実施形態に従う装置を、図３に示す。これは、混合ガスを室５に流入するための入り口１９を画定するためにくり抜かれている回転軸１４に、フォルダ１１が固定されている点が図１に示す装置と異なっている。更に、第２の入り口２０が、その入り口を通して上から冷たいガスを導入するために配置されている。この冷たいガスは、原料ガスが室５内で分解することによって生じる原子の蒸着から天井７を保護することによって、略径方向のガスの流れが、基板１３に到達する途中で徐々に減少することを妨げている。図４にこの発明の第４の好適な実施形態に従う装置を示す。この装置は、図２に示す装置を更なる説明を必要としない程度わずかに変形して構成されている。
【００２５】
図５に、この発明の第５の好適な実施形態に従う装置を示す。この装置は、図２に示す装置の片方と同等なデザインを有し、しかしながら、この装置は、上と下の両方から成長させるための、ガスを導入する入り口２１,２２を有し、ディスク状のフォルダ部材１２の上側と下側の両方でエピタキシャル層を成長させるようになっている。それで、装置において２倍の成長率が実現される。更に、図６に示すように、この装置の入り口は、軸１４のまわりに略同心円状に配置されている３つのリング溝２３−２５を備えたデザインになっている。また、この装置は、各入り口を通じて室５に流入する前に、ガスを事前に加熱するための手段２６（この手段２６は、図においては上側入り口２１の方に示されているが、下側入り口の方にも存在している）を備えている。ガスを事前に熱することによって、垂直方向の温度勾配を発生させて、成長率および成長層の質に影響を及ぼすかもしれないより低い温度のゾーンが、加熱台の断面の中心領域に発生することを回避する。そのようなより低い温度ゾーンは、また、加熱台の表面上の水平方向の温度勾配を引き起こし、ガスが蒸着の所望の温度に到達するのに、長い道のりを要することになる。この長い温度勾配の経路は、原料の深刻な減少または過剰なシリコンの蒸着（ＳｉＣを成長させる時）を引き起こす。事前加熱は、これを回避する。しかしながら、もし、事前加熱が原料ガスとキャリアガスの混合ガスに行われれば、良質でない形態を有するＳｉＣの事前成長領域が形成され、それゆえに、原料が減少する。図５に示すこの発明の装置は、入り口２１におけるガスを、リング溝２３−２５で３つの流れに分割することによって、この問題を解決している。一番外側のリング２５には、事前加熱されていない少ない量のキャリアガスが導入され、それによって加熱台の天井に、加熱分解した原料ガスが蒸着するのを防止する。この方法では、中位程度の量のキャリアガスとともに中位程度事前加熱された大部分の原料を、中間のリング溝２４を介して導入することで、エピタキシャル成長を効率的に行うことができる。事前加熱された大量のキャリアガスが内側のリング溝２３に導入される。流れの大部分（リング溝２３および２４を通じて流れ込む流れ）を事前加熱することによって、室５における一様な温度特性を達成できる。
【００２６】
更に、上側入り口２１に示されているように、入り口は、ガスの速度を増加させると共に、室５に流入する前の事前加熱によって引き起こされる乱流を取り除くために、入り口に流入する前の事前加熱されたガスの通路の断面積を減少させる手段２７を備えていても良い。
【００２７】
この発明は勿論上記好ましい実施形態に限定されるものではなく、当該技術に通常の知識を有する人には、添付された請求項で定義されたこの発明の基本概念の範囲内の可能な変形が、明白であるだろう。
【００２８】
例えば、図５に従う装置において、成長をフォルダディスク１２の下側のみで行うようにさせる変形が可能である。
【００２９】
また、上記の物質と異なる物質を成長させることもできる。
【００３０】
「ガス混合」は、この明細書では、少なくとも成長に用いる原料ガスと、ありがちなキャリアガスやドーパントのような他のガスとを有するガスの混合として定義されている。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】熱い壁を有する回転垂直ＣＶＤ−装置の形式における、この発明の第１の好適な実施形態の装置の断面図である。
【図２】この発明の第２の好適な実施形態に従う装置における、図１に対応する部分図である。
【図３】この発明の第３の好適な実施形態に従う装置における、図１に対応する図である。
【図４】この発明の第４の好適な実施形態に従う装置における、図１に対応する図である。
【図５】この発明の第５の好適な実施形態に従う装置における、図２に対応する図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ方向で見られる図５に従う装置の入り口の図である。
【国際公開パンフレット】
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2004524699.tif 000004
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2004524699.tif 000021
【国際調査報告】
2004524699.tif 000022
2004524699.tif 000023
2004524699.tif 000024