(57)【要約】エレクトロルミネセンス材料としての有機金属錯体を用いたエレクトロルミネセンスデバイスにおける正孔輸送層および／または正孔注入層としての、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの使用は、このデバイスの性能を改善する。本発明に従って、（ｉ）第１電極；（ｉｉ）正孔移動層および／または正孔注入層としての、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの層；（ｉｉｉ）エレクトロルミネセンス材料からなる層；および（ｉｖ）第２電極を連続して備える、エレクトロルミネセンスデバイスが提供される。
2004535650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンスデバイスであって、
（ｉ）第１電極と；
（ｉｉ）正孔輸送層および／または正孔注入層としての、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの層と；
（ｉｉｉ）エレクトロルミネセンス材料からなる層と；
（ｉｖ）第２電極と；
を連続して備える、エレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２】
前記アミノ置換芳香族化合物のポリマーが、以下の一般式Ｉのアニリンモノマーおよび該式Ｉの少なくとも１つの他のモノマーのコポリマーであり、
【化１】
2004535650.tif 000030
ここで、Ｒはオルト位またはメタ位にあり、かつ水素、Ｃ１−１８アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシ、または以下の基であり、
【化２】
2004535650.tif 000031
ここでＲ’’はアルキルまたはアリールであり、かつＲ’’’は水素、Ｃ１−６アルキルまたはアリールである、請求項１に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項３】
前記コポリマーが以下の式を有し、
【化３】
2004535650.tif 000032
ここで、ｐが１〜１０であり、かつｎが１〜２０であり、Ｒは水素、Ｃ１−１８アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシであり、ｐが１〜２０であり、ｎが１〜５０であり、Ｘはアニオンである、請求項２に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項４】
前記コポリマーの重量平均分子量が、３０，０００のオーダーである、請求項３に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項５】
ｐが４である、請求項３または４に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項６】
前記アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーが脱プロトン化されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項７】
前記アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーが、蒸発可能な脱プロトン化ポリマーである、請求項６に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項８】
前記置換芳香族化合物のポリマーが以下の式を有する、請求項７に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【化４】
2004535650.tif 000033
【請求項９】Ｘが、Ｃｌ、Ｂｒ、ＳＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、Ｈ２ＰＯ３、Ｈ２ＰＯ４、アリールスルホネート、アレーンジカルボキシレート、ポリスチレンスルホネート、ポリアクリレート、アルキルスルホネート、ビニルスルホネート、ビニルベンゼンスルホネート、セルローススルホネート、セルローススルフェート、またはペルフルオロ化ポリアニオンから選択される、請求項３〜８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１０】
前記コポリマーがｏ−アニシジン、ｍ−スルファニル酸、またはｏ−アミノフェノールとアニリンとのコポリマー、あるいはｏ−アミノフェノール、ｏ−エチルアニリン、またはｏ−フェニレンジアミンとｏ−トルイジンとのコポリマーである、請求項３〜８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１１】
前記アミノ置換芳香族化合物のポリマーが、置換または非置換ポリアミノナフタレン、ポリアミノアントラセン、ポリアミノフェナントレンから選択されるポリマーである、請求項１または請求項１に従属する４〜９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１２】
前記第１電極が、透明の導電性ガラスまたはプラスチック材料、導電性ポリマー、あるいは導電性ポリマーでコーティングされたガラスまたはプラスチック材料である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１３】
前記エレクトロルミネセンス材料が、以下の式の有機金属錯体であり、
【化５】
2004535650.tif 000034
ここで、ＬαおよびＬｐは有機配位子であり、Ｍは希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドであり、そしてｎは、金属Ｍの原子価状態であり、そして該配石Ｌαは同じかまたは異なる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１４】
同じかまたは異なり得る複数の配位子Ｌｐが存在する、請求項１３に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１５】
前記エレクトロルミネセンス材料が式（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２または（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２（Ｌｐ）の有機金属錯体であり、ここで、ＬｎはＬαであり、Ｌｐは中性の配位子であり、Ｍ１は希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドであり、Ｍ２は非希土類金属であり、そしてｎはＭ１およびＭ２の合わせた原子状態である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１６】
前記エレクトロルミネセンス材料が、以下の式：
【化６】
2004535650.tif 000035
ここで、Ｌは架橋配位子であり、Ｍ１は希土類金属であり、Ｍ２はＭ１または非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは同じかまたは異なる前記有機配位子Ｌαであり、ｘはＭ１の原子価状態であり、そしてｙはＭ２の原子価状態である；あるいは、
【化７】
2004535650.tif 000036
ここで、Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３は同じかまたは異なる希土類金属であり、Ｌｍ、Ｌｎ、およびＬｐは有機配位子Ｌαであり、ｘはＭ１の原子価状態であり、ｙはＭ２の原子価状態であり、そしてｚはＭ３の原子価状態であり、そしてＬｐはＬｍおよびＬｎと同じであり得るかまたは異なり得る；あるいは
【化８】
2004535650.tif 000037
ここで、Ｍ４はＭ１であり、そしてＬは架橋配位子であり、そして該希土類金属および非希土類金属は、金属間結合により、および／または介在架橋原子、配位子、または分子群を介して一緒に連結され得るか、あるいは金属間結合により、および／または介在配位子を介して連結された３つより多い金属が存在する；
の二核性、三核性、または多核性の有機金属錯体である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１７】
Ｌαが本明細書中の式（ＩＶ）〜（ＸＶＩＩＩ）を有する、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１８】
Ｌｐが添付の図面の図１〜８の式または本明細書中の式（ＸＩＸ）〜（ＸＸＶ）を有する、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項１９】
前記希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドが、Ｓｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｕ（ＩＩＩ）、Ｔｍ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＩＩ）、Ｐｒ（ＩＩＩ）、Ｎｄ（ＩＩＩ）、Ｐｍ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｈｏ（ＩＩＩ）、およびＥｒ（ＩＩＩ）から選択される、請求項１３〜１８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２０】
カソードと前記エレクトロルミネセンス材料層との間に、電子注入材料の層が存在する、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２１】
前記電極注入材料が、金属キノレート、シアノ−アントラセン、９，１０ジシアノ−アントラセン、ポリスチレン−スルホネート、アルミニウムキノレート、およびリチウムキノレートから選択されるか、または図面の図１０の式を有する、請求項２０に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２２】
前記第２電極が、アルミニウム、カルシウム、リチウム、または銀／マグネシウム合金である、請求項１〜２１のいずれか１項に記載のエレクトロルミネセンスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンスデバイスに関する。
【０００２】
電流が通過する際に光を発する材料が周知であり、これらは、広範囲のディスプレイでの適用において使用される。液晶デバイスおよび無機半導体系に基づくデバイスは、広範に使用されているが、これらは、高エネルギー消費、高製造コスト、低量子効率およびフラットパネルディスプレイを作製することができないという欠点に悩まされている。
【０００３】
有機ポリマーは、エレクトロルミネセンスデバイスにおいて有用であると提唱されているが、有機ポリマーでは、純粋な色を得ることができず、これらは、作製するのに高価であり、かつ比較的に低効率を有する。
【０００４】
提唱されている別の化合物は、キノリン酸アルミニウムであるが、これは、一定範囲の色を得るためにドーパントを使用する必要があり、かつ比較的に低効率を有する。
【０００５】
特許出願ＷＯ９８／５８０３７は、一定範囲のランタニド錯体を記載しており、このランタニド錯体は、改善された特性を有しかつより良い結果を与える、エレクトロルミネセンスデバイスにおいて使用され得る。特許出願ＰＣＴ／ＧＢ９８／０１７７３、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０３６１９、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０３０、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２４、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２８、ＰＣＴ／ＧＢ００／００２６８は、希土類キレートを使用するエレクトロルミネセンス錯体、エレクトロルミネセンス構造およびエレクトロルミネセンスデバイスを記載している。
【０００６】
米国特許第５１２８５８７号は、高い仕事関数の透明な電極と低い仕事関数の第二電極との間に挟まれたランタニド系列の希土類元素の有機金属錯体からなるエレクトロルミネセンスデバイスを開示しており、このエレクトロルミネセンスデバイスは、エレクトロルミネセンス層と高い仕事関数の透明な電極との間に挿入された正孔伝導層、およびエレクトロルミネセンス層と低い仕事関数の電子注入アノードとの間に挿入された電子伝導層を備える。この正孔伝導層および電子伝導層は、このデバイスの作動および効率を改善するために必要とされる。正孔輸送層は、正孔を輸送し、電子を遮断する役目を果たしており、これによって、電極に移動するのを防ぎ電子を正孔と再結合させない。従って、キャリアの再結合は、主に、エミッター層で行われる。
【０００７】
本発明者らは、多環式芳香族（例えば、ポリアニリンコポリマー）により形成される改善された正孔輸送層および／または正孔注入層を有する、エレクトロルミネセンスデバイスを発明した。
【０００８】
ポリアニリンとして知られているアニリンのコポリマーは、既知の化合物であり、ＧＢ特許２１５１２４２号、同第２１６９６０８号、同第２１８４７３８号および同第２１２４６３５号において開示されている。
【０００９】
ＥＰ０３０２６０１Ａ１は、以下の一般式：
【００１０】
【化９】
2004535650.tif 000003
の置換アニリンのコポリマーであるポリアニリンを開示している。
【００１１】
ここで、Ｒは、水素、Ｃ１〜１８アルキル、Ｃ１〜６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシまたは以下の基：
【００１２】
【化１０】
2004535650.tif 000004
である。
【００１３】
ここで、Ｒ’’は、オルト位またはメタ位にあり、かつアルキル（ａｌｋｙ）またはアリールであり、そしてＲ’’’は、水素、上式Ｉの少なくとも１つの他のモノマーを有するＣ１〜６アルキルまたはアリールである。
【００１４】
ここで、本発明者らは、エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、これらの置換または非置換のポリアニリンが正孔輸送材料および／または正孔注入材料として使用され得ることを発見した。
【００１５】
本発明に従って、（ｉ）第１電極；（ｉｉ）正孔移動層および／または正孔注入層としての、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの層；（ｉｉｉ）エレクトロルミネセンス材料からなる層；および（ｉｖ）第２電極を連続して備える、エレクトロルミネセンスデバイスが提供される。
【００１６】
アミノ置換芳香族化合物の好ましいポリマーは、ポリアニリンであり、そして本発明において有用なポリアニリンは、以下の一般式：
【００１７】
【化１１】
2004535650.tif 000005
を有し、ここで、Ｒは、オルト位またはメタ位にあり、そして水素、Ｃ１〜１８アルキル、Ｃ１〜６アルコキシ、アミノ、クロロ、ブロモ、ヒドロキシ、または以下の基：
【００１８】
【化１２】
2004535650.tif 000006
であり、ここで、Ｒ’’は、アルキルまたはアリールであり、そしてＲ’’’は、水素、上記式Ｉの少なくとも１つの他のモノマーを有するＣ１〜６アルキルまたはアリールであり、そしてｎは、１〜５０であり、好ましくは、ポリアニリンの質量平均分子量は、３０，０００のオーダーである。
【００１９】
本発明において有用なポリアニリンの好ましいクラスは、以下の一般式：
【００２０】
【化１３】
2004535650.tif 000007
を有し、ここで、ｐは、１〜１０であり、そしてｎは、１〜２０であり、Ｒは、上記に定義されるとおりであり、そしてＸは、アニオンであり、好ましくは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＳＯ４、ＢＦ４、ＰＦ６、Ｈ２ＰＯ３、Ｈ２ＰＯ４、アリールスルホネート、アレーンジカルボキシレート、ポリスチレンスルホネート、ポリアクリレート、アルキルスルホネート、ビニルスルホネート、ビニルベンゼンスルホネート、セルローススルホネート、カンファースルホネート（ｃａｍｐｈｏｒ  ｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ）、セルローススルフェート、または過フッ化ポリアニオンから選択される。
【００２１】
アリールスルホネートの例は、ｐ−トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、９，１０−アントラキノン−スルホネートおよびアントラセンスルホネートであり、アレーンジカルボキシレートの例は、フタレートであり、そしてアレーンカルボキシレートの例は、ベンゾエートである。
【００２２】
（ｉ）第１電極；（ｉｉ）正孔移動層および／または正孔注入層としての、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの層；（ｉｉｉ）エレクトロルミネセンス材料からなる層；ならびに（ｉｖ）第２電極を連続して備える、エレクトロルミネセンスデバイスを形成する好ましい方法は、材料の層の真空蒸着または真空昇華によって、このエレクトロルミネセンスデバイスを形成する方法であり、例えば、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーは、第１電極に蒸発されそして沈着されるか、バッファー層のような材料の層が存在する場合、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーは、このような層に沈着される。本発明者らは、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマー（例えば、ポリアニリン）のプロトン化ポリマーが、蒸発するのが困難であるかまたは蒸発され得ないことを見出したが、驚くことに、本発明者らは、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーを脱プロトン化する場合、これは、容易に蒸発され得る（すなわち、このポリマーが蒸発可能である）ことを見出した。
【００２３】
本発明は、好ましくは、アミノ置換芳香族化合物の非置換または置換ポリマーの蒸発可能な脱プロトン化ポリマーを使用する。
【００２４】
アミノ置換芳香族化合物の脱プロトン化された非置換または置換ポリマーは、アルカリ（例えば、水酸化アンモニウムまたは水酸化アルカリ金属（例えば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム））での処理によってポリマーを脱プロトン化することによって形成され得る。
【００２５】
プロトン化の程度は、プロトン化されたポリアニリンを形成し、そして脱プロトン化することによって制御され得る。ポリアニリンを調製する方法は、Ａ．Ｇ．ＭａｃＤｉａｒｍｉｄおよびＡ．Ｆ．Ｅｐｓｔｅｉｎ，Ｆａｒａｄａｙ  Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｓ，Ｃｈｅｍ  Ｓｏｃ．８８  Ｐ３１９  １９８９による論文に記載される。
【００２６】
ポリアニリンの導電性は、プロトン化の程度に依存し、プロトン化の程度が４０〜６０％（例えば、約５０％）である場合に、導電性が最大である。
【００２７】
好ましくは、ポリマーは、実質的に完全に脱プロトン化されている。
【００２８】
ポリアニリンは、例えば、以下：
【００２９】
【化１４】
2004535650.tif 000008
のオクタマー単位（すなわち、ｐが４である）で形成され得る。
【００３０】
ポリアニリンは、１×１０−１ジーメンスｃｍ−１以上のオーダーの導電性を有し得る。
【００３１】
芳香族環は置換されなくてもよいし、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基（例えば、エチル）により置換されてもよい。
【００３２】
ポリアニリンは、アニリンのコポリマーであり得、そして好ましいコポリマーは、アニリンと、ｏ−アニシジン、ｍ−スルファニル酸（ｓｕｌｐｈａｎｉｌｉｃ  ａｃｉｄ）、またはｏ−アミノフェノールとのコポリマー、あるいはｏ−トルイジンと、ｏ−アミノフェノール、ｏ−エチルアニリン、ｏ−フェニレンジアミン、またはアミノアントラセンとのコポリマーであり得る。
【００３３】
用いられ得るアミノ置換芳香族化合物の他のポリマーとしては、置換もしくは非置換のポリアミノナフタレン、ポリアミノアントラセン、ポリアミノフェナントレンなど、および任意の他の縮合ポリ芳香族化合物のポリマーが挙げられる。ポリアミノアントラセンおよびこれらを作製するための方法は、米国特許第６，１５３，７２６号に開示される。芳香族環は置換されなくてもよいし、例えば、上記に規定されるＲ基により置換されてもよい。
【００３４】
このポリアニリンは、従来の方法により（例えば、真空蒸着、スピンコーティング、化学析出、直接電着などにより）、第１の電極上に沈着され得る。好ましくは、ポリアニリン層の厚さは、この層が、導電性かつ透明であり、そして好ましくは、２０ｎｍから２００ｎｍであり得るようなものである。このポリアニリンは、プロトン化され得るかまたは脱プロトン化され得、これらがプロトン化される場合、これらは溶媒に溶解され、そしてフィルムとして沈着され得、これらが脱ドープ（ｄｅ−ｄｏｐｅ）される場合、これらは固体であり、そして上記のように、真空蒸着により（すなわち、昇華により）沈着され得る。
【００３５】
第１電極は、好ましくは、カソードとして作用する、導電ガラスまたはプラスチック材料である透明基材であり、好ましい基材は、導電ガラス（例えば、インジウムスズ酸化物でコーティングされたガラス）であるが、導電性であるかまたは導電層を有する任意のガラスが使用され得る。導電性ポリマーおよび導電性ポリマーでコーティングされたガラスまたはプラスチックの材料もまた、基材として使用され得る。
【００３６】
エレクトロルミネセンス材料は、好ましくは、有機金属錯体（例えば、希土類キレート）である。
【００３７】
紫外線放射において蛍光を発する希土類キレートが既知であり、そしてＡ．Ｐ．Ｓｉｎｈａ（Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ｏｆ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  第２巻  Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ  １９７１）は、種々の単座配位子および二座配位子を有する、数種のクラスの希土類キレートを記載している。
【００３８】
芳香族錯化剤と共に第ＩＩＩ族の金属ならびにランタニドおよびアクチニドが、Ｇ．Ｋａｌｌｉｓｔｒａｔｏｓによって記載されている（Ｃｈｉｍｉｃａ  Ｃｈｒｏｎｉｋａ，Ｎｅｗ  Ｓｅｒｉｅｓ，１１，２４９〜２６６（１９８２））。この参考文献は、詳細には、ジフェニル−ホスホンアミドトリフェニル−ホスホラン（ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｏｓｐｏｎａｍｉｄｏｔｒｉｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｏｓｐｈｏｒａｎ）のＥｕ（ＩＩＩ）錯体、Ｔｂ（ＩＩＩ）錯体、Ｕ（ＩＩＩ）錯体およびＵ（ＩＶ）錯体を開示している。
【００３９】
ＥＰ  ０７４４４５１Ａ１はまた、遷移金属またはランタニド金属またはアクチニド金属の蛍光キレートを開示しており、使用され得る公知のキレートは、上記参考文献において開示されているキレート（ジケトン部分およびトリケトン部分に基づくキレートを含む）である。
【００４０】
本発明において使用され得るエレクトロルミネセンス化合物は、式
【００４１】
【化１５】
2004535650.tif 000009
の化合物であり、
ここで、ＬαおよびＬｐは、有機配位子であり、Ｍは、希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドであり、そしてｎは、金属Ｍの原子価状態である。配位子Ｌαは、同じであっても異なってもよく、そしてこれらは、同じであっても異なってもよい複数の配位子Ｌｐであり得る。
【００４２】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ．．）Ｍ（Ｌｐ）について、Ｍは、希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドであり、そして（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ．．．）は、同じかまたは異なる有機錯体であり、そして（Ｌｐ）は、中性配位子である。配位子（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ．．）の総電荷は、金属Ｍの原子価状態に等しい。
【００４３】
３価状態のＭに対応する３つのＬα基が存在する場合、錯体は、式（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）Ｍ（Ｌｐ）を有し、そして異なる基（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）は、同じでも異なってもよい。
【００４４】
充填されていない内殻を有する任意の金属イオンが、この金属として使用され得る。好ましい金属は、Ｓｍ（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩ）、Ｅｕ（ＩＩＩ）、Ｔｂ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｙｂ（ＩＩＩ）、Ｌｕ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）、Ｇｄ（ＩＩＩ）Ｕ（ＩＩＩ）、Ｔｍ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＩＩ）、Ｐｒ（ＩＩＩ）、Ｎｄ（ＩＩＩ）、Ｐｍ（ＩＩＩ）、Ｄｙ（ＩＩＩ）、Ｈｏ（ＩＩＩ）、Ｅｒ（ＩＩＩ）から選択される。
【００４５】
本発明において使用され得る他の有機金属エレクトロルミネセンス材料は、式（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２および（Ｌｎ）ｎＭ１Ｍ２（Ｌｐ）の材料であり、ここでＬｐは、中性配位子であり、ここでＭ１は、希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドであり、Ｍ２は、非希土類金属であり、Ｌｎは、有機錯体（例えば、Ｌα）であり、そしてｎは、Ｍ１およびＭ２の価電子状態を合わせたものである。
【００４６】
金属Ｍ２は、希土類遷移金属のランタニドでもアクチニドでもない、任意の金属であり得る。使用され得る金属の例としては、以下が挙げられる：リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム（ｃａｅｓｉｕｍ）、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、鉛、ならびに第１系列、第２系列および第３系列の遷移金属の金属（例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル（ｔａｎｔｕｌｕｍ）、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウムなど）。
【００４７】
非希土類金属は、以下から選択され得る：リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、鉛、ならびに第１系列、第２系列および第３系列の遷移金属の金属（例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウムなど。
【００４８】
本発明において使用され得るさらなるエレクトロルミネセンス化合物は、一般式（Ｌα）ｎＭ１Ｍ２の化合物であり、ここで、Ｍ１は、上記のＭと同じであり、Ｍ２は、非希土類金属であり、Ｌαは、上記の通りであり、そしてｎは、Ｍ１およびＭ２の価電子状態を合わせたものである。この錯体はまた、１つ以上の中性配位子Ｌｐを含み得、その結果、この錯体は、一般式（Ｌα）ｎＭ１Ｍ２（Ｌｐ）を有し、ここで、Ｌｐは、上記の通りである。金属Ｍ２は、希土類遷移金属のランタニドでもアクチニドでもない、任意の金属であり得、使用され得る金属の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅（Ｉ）、銅（ＩＩ）、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ（ＩＩ）、スズ（ＩＶ）、アンチモン（ＩＩ）、アンチモン（ＩＶ）、鉛（ＩＩ）、鉛（ＩＶ）、ならびに異なる価電子状態の第１系列、第２系列および第３系列の遷移金属（例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＶ）、白金（ＩＩ）、白金（ＩＶ）、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム）が挙げられる。
【００４９】
例えば、（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ．．）Ｍ（Ｌｐ）について、Ｍは、希土類遷移金属のランタニドまたはアクチニドであり、そして（Ｌ１）（Ｌ２）（Ｌ３）（Ｌ．．）および（Ｌｐ）は、同じかまたは異なる有機錯体である。
【００５０】
本発明で使用され得るさらなる有機金属錯体は、例えば、式（Ｌｍ）ｘＭ１←Ｍ２（Ｌｎ）ｙ（例えば、
【００５１】
【化１６】
2004535650.tif 000010
）の二核性、三核性および多核性の有機金属錯体であり、ここで、Ｌは、架橋配位子であり、Ｍ１は、希土類金属であり、そしてＭ２は、Ｍ１または非希土類金属であり、ＬｍおよびＬｎは、上記に定義した同じかまたは異なる有機配位子Ｌαであり、ｘは、Ｍ１の価電子状態であり、そしてｙは、Ｍ２の価電子状態である。
【００５２】
これらの錯体には、金属−金属結合が存在し得るか、またはＭ１とＭ２との間に１つ以上の架橋配位子が存在し得、そしてＬｍ基およびＬｎ基は、同じであっても異なってもよい。
【００５３】
三核性によって、以下の式
【００５４】
【化１７】
2004535650.tif 000011
の金属−金属結合によって連結された、３つの希土類金属が存在することが意味され、ここで、Ｍ１、Ｍ２およびＭ３は、同じかまたは異なる希土類金属であり、そしてＬｍ、ＬｎおよびＬｐが、有機配位子Ｌαであり、そしてｘが、Ｍ１の原子価状態であり、ｙは、Ｍ２の原子価状態であり、そしてｚは、Ｍ３の原子価状態である。Ｌｐは、ＬｍおよびＬｎと同じであっても異なってもよい。
【００５５】
希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合によって、そして／または、媒介の架橋原子、架橋配位子または架橋分子群を介して、一緒に連結され得る。
【００５６】
例えば、金属は、例えば、架橋配位子によって連結され得る：
【００５７】
【化１８】
2004535650.tif 000012
ここで、Ｌは、架橋配位子である。
【００５８】
多核性によって、以下の式：
【００５９】
【化１９】
2004535650.tif 000013
【００６０】
【化２０】
2004535650.tif 000014
の金属−金属結合によって、そして／または、中間配位子を介して連結された、３より多くの金属が存在することが意味される。ここで、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３およびＭ４は、希土類金属であり、そしてＬは、架橋配位子である。
【００６１】
好ましいＬαは、式
【００６２】
【化２１】
2004535650.tif 000015
のようなβジケトンから選択され、ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、同じであり得るかまたは異なり得、そして以下から選択される：水素、ならびに置換および非置換のヒドロカルビル基（例えば、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族環構造、置換および非置換の複素環式環構造ならびに置換および非置換の多環式環構造）、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（例えば、フッ素）、またはチオフェニル基；Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３はまた、置換および非置換の縮合芳香族環構造、置換および非置換の縮合複素環式環構造、ならびに置換および非置換の縮合多環式環構造を形成し得、そしてモノマー（例えば、スチレン）と共重合可能であり得る。Ｘは、Ｓｅ、Ｓ、またはＯであり、Ｙは、水素、置換もしくは非置換のヒドロカルビル基（例えば、置換および非置換の芳香族環構造、置換および非置換の複素環式環構造ならびに置換および非置換の多環式環構造）、フッ素、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（フッ素）またはチオフェニル基またはニトリルであり得る。
【００６３】
Ｒ１および／またはＲ２および／またはＲ３の例としては、以下が挙げられる：脂肪族、芳香族および複素環式の、アルコキシ基、アリールオキシ基、およびカルボキシ基、置換および非置換のフェニル基、置換および非置換のフルオロフェニル基、置換および非置換のビフェニル基、置換および非置換のフェナントレン基、置換および非置換のアントラセン基、置換および非置換のナフチル基および置換および非置換のフルオレン基、アルキル基（例えば、ｔ−ブチル）、複素環式基（例えば、カルバゾール）。
【００６４】
異なるＬα基のいくつかはまた、同じ荷電した基または異なる荷電した基（例えば、カルボキシレート基）であり得、その結果、Ｌ１基は、上記に定義されるようなものであり得、そしてＬ２基、Ｌ３基．．．は、
【００６５】
【化２２】
2004535650.tif 000016
のような荷電した基であり得、
ここで、Ｒは、上記で定義されるようなＲ１であるか、またはＬ１基、Ｌ２基は、上記で定義されるようなものであり得、そしてＬ３．．．などは、他の荷電した基である。
【００６６】
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３はまた、以下であり得る。
【００６７】
【化２３】
2004535650.tif 000017
好ましいＲ１部分は、トリフルオロメチルＣＦ３であり、そしてこのようなジケトンの例は、以下である：ベンゾイルトリフルオロアセトン、ｐ−クロロベンゾイルトリフルオロアセトン、ｐ−ブロモトリフルオロアセトン、ｐ−フェニルトリフルオロアセトン、１−ナフトイルトリフルオロアセトン、２−ナフトイルトリフルオロアセトン、２−フェナントイルトリフルオロアセトン、３−フェナトイルトリフルオロアセトン、９−アントロイルトリフルオロアセトントリフルオロアセトン、シンナモイルトリフルオロアセトン、および２−テノイルトリフルオロアセトン。
【００６８】
異なるＬα基は、式
【００６９】
【化２４】
2004535650.tif 000018
の同じ配位子または異なる配位子であり得、
ここで、Ｘは、Ｏ、Ｓ、またはＳｅであり、そしてＲ１、Ｒ２、およびＲ３は、上記のようなものである。
【００７０】
異なるＬα基は、以下のような同じキレート誘導体または異なるキレート誘導体であり得る：
【００７１】
【化２５】
2004535650.tif 000019
（ここで、Ｒは、ヒドロカルビル、脂肪族、芳香族もしくは複素環式の、カルボキシ、アリールオキシ、ヒドロキシまたはアルコキシである（例えば、８−ヒドロキシキノレート誘導体）；または
【００７２】
【化２６】
2004535650.tif 000020
（ここで、Ｒは、上記の通りかまたはＨもしくはＦである）；または
【００７３】
【化２７】
2004535650.tif 000021
（ここで、Ｒ５は、置換または非置換の、芳香族環、多環式環または複素環式環、ポリピリジル基であるか、Ｒ５はまた、２−エチルヘキシル基であり得、その結果、Ｌｎは、２−エチルヘキサノエートであるか、あるいはＲ５は、イス型構造であり、その結果、Ｌｎは、２−アセチルシクロヘキサノエートである）。あるいは、Ｌは、
【００７４】
【化２８】
2004535650.tif 000022
であり得、ここで、Ｒは上記の通り（例えば、アルキル、アルケニル、アミノまたは縮合環（例えば、環式環または多環式環）である。
【００７５】
異なるＬα基はまた、以下であり得る：
【００７６】
【化２９】
2004535650.tif 000023
ここで、Ｒ、Ｒ１およびＲ２は、上記の通りである。
【００７７】
上記のように、異なるＬα基はまた、同じカルボキシレート基または異なるカルボキシレート基（例えば、
【００７８】
【化３０】
2004535650.tif 000024
）であり得、
ここで、Ｒ５は、置換もしくは非置換の、芳香族環、多環式環または複素環式環、ポリピリジル基であるか、Ｒ５はまた、２−エチルヘキシル基であり得、その結果、Ｌｎは、２−エチルヘキサノエートであるか、あるいはＲ５は、イス型構造であり得、その結果、Ｌｎは、２−アセチルシクロヘキサノエートである。
【００７９】
好ましくは非希土類キレートと共に使用されるβ−ジケトンの例は、トリス−（１，３−ジフェニル−１−３−プロパンジオン）（ＤＢＭ）であり、適切な金属錯体は、Ａｌ（ＤＢＭ）３、Ｚｎ（ＤＢＭ）２およびＭｇ（ＤＢＭ）２、Ｓｃ（ＤＢＭ）３などである。
【００８０】
好ましいβ−ジケトンは、Ｒ１および／またはＲ３がアルコキシ（例えば、メトキシ）であり、金属がアルミニウムまたはスカンジウムである場合、すなわち、この錯体が以下の式を有する場合である：
【００８１】
【化３１】
2004535650.tif 000025
ここで、Ｒ４は、アルキル基、好ましくはメチルであり、Ｒ３は、水素、アルキル基（例えば、メチル）またはＲ４Ｏである。
【００８２】
Ｌｐ基は、以下から選択され得る：
【００８３】
【化３２】
2004535650.tif 000026
ここで各Ｐｈは、同じであっても異なってもよく、そしてフェニル（ＯＰＮＰ）または置換フェニル基、他の置換または非置換の芳香族基、置換または非置換の複素環式基または多環式基、置換または非置換の縮合芳香族基（例えば、ナフチル基、アントラセン基、フェナントレン基、ペリレン基またはピレン基）であり得る。置換基は、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、芳香族基、複素環式基、多環式基、ハロゲン（例えば、フッ素）基、シアノ基、アミノ基、および置換アミノ基などであり得る。例を、図面の図１および２に提供する。この図面において、Ｒ、Ｒｌ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、同じであっても異なってもよく、そして水素、ヒドロカルビル（ｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、置換および非置換の芳香族環構造、複素環式環構造、および多環式環構造、フルオロカーボン（例えば、トリフルオリルメチル基）、ハロゲン（例えば、フッ素）またはチオフェニル基から選択され；Ｒ、Ｒｌ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はまた、置換および非置換の縮合芳香族環構造、縮合複素環式環構造、および縮合多環式環構造を形成し得、そして、モノマー（例えば、スチレン）と共重合可能であり得る。Ｒ、Ｒｌ、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はまた、ビニル基または−Ｃ−ＣＨ２＝ＣＨ２−Ｒ基（ここで、Ｒは上記の通りである）のような不飽和アルキレン基であり得る。
【００８４】
Ｌｐはまた、以下の式の化合物であり得る：
【００８５】
【化３３】
2004535650.tif 000027
【００８６】
【化３４】
2004535650.tif 000028
ここで、Ｒｌ、Ｒ２、およびＲ３は、上記で言及された通り（例えば、図面の図３に示されるバソフェン（ｂａｔｈｏｐｈｅｎ））であり、ここでＲは、上記の通りである。
【００８７】
Ｌｐはまた、以下：
【００８８】
【化３５】
2004535650.tif 000029
であり得、ここでＰｈは、上記の通りである。
【００８９】
Ｌｐキレートの他の例は、図４に示されるもの、ならびに、フルオレンおよびフルオレン誘導体（例えば、図５に示される）、ならびに図６〜８に示される式の化合物である。
【００９０】
ＬαおよびＬｐの特定の例は、トリピリジルおよびＴＭＨＤ、ならびにＴＭＨＤ錯体、α、α’、α’’トリピリジル、クラウンエーテル、シクラン、クリプタン（ｃｒｙｐｔａｎ）、フタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎａｎ）、ポルフォリン（ｐｏｒｐｈｏｒｙｉｎ）、エチレンジアミンテトラアミン（ＥＤＴＡ）、ＤＣＴＡ、ＤＴＰＡおよびＴＴＨＡである。ＴＭＨＤが２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート（ｈｅｐｔａｎｅｄｉｏｎａｔｏ）である場合、ＯＰＮＰはジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｍｉｄｅ  ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ  ｐｈｏｓｐｈｏｒａｎｅ）である。ポリアミンの式を、図９に示す。
【００９１】
エレクトロルミネセンス材料は、有機溶媒中における材料溶液からのエバポレーションによって直接的に基材に沈着され得る。使用される溶媒は、材料に依存するが、塩素化炭化水素（例えば、ジクロロメタン）、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミドなどが、多くの場合に適切である。
【００９２】
あるいは、材料は、溶液からのスピンコーティングによって沈着され得るか、もしくは例えば、スパッタリングによって固体状態からの真空蒸着によって沈着され得るか、または任意の他の従来法が使用され得る。
【００９３】
第１電極は、好ましくは、アノードとして作用する、導電ガラスまたはプラスチック材料におけるような透明基材であり、好ましい基材は、導電ガラス（例えば、酸化インジウムスズでコーティングされたガラス）であるが、導電性であるかまたは導電層（例えば、金属または導電性ポリマー）を有する任意のガラスが使用され得る。導電性ポリマーおよび導電性ポリマーでコーティングされたガラスまたはプラスチックの材料もまた、基材として使用され得る。エレクトロルミネセンス材料は、有機溶媒中における材料溶液からのエバポレーションによって直接的に基材に沈着され得る。使用される溶媒は、材料に依存するが、塩素化炭化水素（例えば、ジクロロメタン）、ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミドなどが、多くの場合に適切である。
【００９４】
あるいは、この材料は、溶液からのスピンコーティングにより、または固体状態からの真空蒸着により（例えば、スパッタリングにより）沈着され得るか、あるいは任意の他の方法が用いられ得る。
【００９５】
必要に応じて、正孔輸送材料は、エレクトロルミネセンス材料と混合され得、そしてそれと共に同時沈着され得る。
【００９６】
必要に応じて、カソードとエレクトロルミネッセンス材料層との間に電子注入材料の層が存在し、この電子注入材料は、電流が電子注入材料を通じて通過した場合に、電子を輸送する材料であり、この材料としては、金属キノレート（例えば、アルミニウムキノレート、リチウムキノレート）のような金属錯体、シアノアントラセン（例えば、９，１０ジシアノアントラセン）、シアノ置換芳香族化合物（例えば、ポリシアノアントラセン、テトラシアノキニドジメタン）、ポリスチレンスルホネートまたは図面の図１０に示される構造式を有する化合物（ここで、フェニル環は、上記に規定される置換基Ｒにより置換され得る）が挙げられる。別個の層が存在する代わりに、電子注入材料は、エレクトロルミネッセンス材料と混合され得、そしてそれと共に同時沈着され得る。
【００９７】
正孔輸送材料、エレクトロルミネセンス材料および電子注入材料がともに混同されて、１つの層を形成し、この層により構成が単純化され得る。
【００９８】
第２電極は、カソードとして機能し、任意の低い仕事関数の金属（例えば、アルミニウム、カルシウム、リチウム、銀／マグネシウム合金、希土類金属合金など）であり得る。アルミニウムが好ましい金属である。金属フッ化物（例えば、アルカリ金属、希土類金属またはそれらの合金）は、例えば、金属フッ化物層を金属上に形成させることにより、第２電極として使用され得る。
【００９９】
本発明のディスプレイは、単色または多色であり得る。一定範囲の色（例えば、赤色光、緑色光、青色光および白色光）を発するエレクトロルミネセンス希土類キレート化合物が公知であり、例は、特許出願ＷＯ９８／５８０３７、ＰＣＴ／ＧＢ９８／０１７７３、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０３６１９、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０３０、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２４、ＰＣＴ／ＧＢ９９／０４０２８、ＰＣＴ／ＧＢ００／００２６８に開示され、このような色を発するＯＬＥＤを形成するために使用され得る。従って、フルカラーディスプレイは、光学系の異なる側に３つの個々のバックプレーン（各々が、異なる原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｍｏｎｏｃｈｒｏｍｅ  ｃｏｌｏｒ）を発する）を配置することによって形成され得、光学系の別の側からあわせたカラー画像が眺められ得る。あるいは、３つの隣接画素の群における隣接ダイオード画素が赤色光、緑色光、および青色光を生じるように、異なる色を発光する希土類キレートエレクトロルミネセンス化合物が作製され得る。さらに別の方法において、電界順次式カラーフィルター（ｆｉｅｌｄ  ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  ｃｏｌｏｕｒ  ｆｉｌｔｅｒ）が白色光発光ディスプレイに取り付けられ得る。
【０１００】
電極のいずれかまたは両方がシリコンから形成され得、エレクトロルミネセンス材料ならびに正孔輸送材料および電子輸送材料の介在層が、シリコン基材上に画素として形成され得る。好ましくは、各画素は、基材と離れた側に有機層が接触した状態で、希土類キレートエレクトロルミネセンス材料の少なくとも１つの層および（少なくとも半）透明電極を含む。
【０１０１】
好ましくは、基材は、結晶性シリコンであり、この基材の表面は、研磨されるかまたは滑らかにされて、電極またはエレクトロルミネセンス化合物を沈着させる前に平坦な表面が生成され得る。あるいは平面にされていないシリコン基材は、さらなる材料を沈着させる前に、滑らかな、平坦な表面を提供するために導電性ポリマーの層でコーティングされ得る。
【０１０２】
１つの実施形態において、各画素は、基材と接触した状態で金属電極を含む。金属および透明電極の相対的仕事関数に依存して、金属または透明電極のいずれかがアノードとして働き得、他方がカソードを構成する。
【０１０３】
シリコン基材がカソードである場合、酸化インジウムスズでコーティングされたガラスは、アノードとして作用し得、そして光がこのアノードを介して発光される。シリコン基材がアノードとして作用する場合、カソードは、例えば、酸化インジウム亜鉛でコーティングされたガラスによって（ここで、酸化インジウム亜鉛は、低い仕事関数を有する）、適切な仕事関数を有する透明電極で形成され得る。アノードは、アノード上に形成される金属の透明なコーティングを有し得、適切な仕事関数を提供する。これらのデバイスは、ときに、トップ発光デバイスまたはバック発光デバイスと称される。
【０１０４】
金属電極は、複数の金属層からなり得る（例えば、基材上に沈着されたより高い仕事関数の金属（例えば、アルミニウム）およびより高い仕事関数の金属上に沈着されたより低い仕事関数の金属（例えば、カルシウム））。別の例において、伝導ポリマーのさらなる層が、安定な金属（例えば、アルミニウム）の上にある。
【０１０５】
好ましくは、電極はまた、各画素に隠れたミラーとして機能し、そして基材の平面化された表面に沈着されるか、またはその中に沈められるかのいずれかである。しかし、基材に隣接した光吸収ブラック層が代替的に存在し得る。
【０１０６】
なお別の実施形態において、底部伝導ポリマー層の選択領域は、適切な水溶液への曝露によって非伝導性にされ、画素電極の底部接点として機能する、伝導画素パッドのアレイの形成を可能にする。
【０１０７】
ＷＯ００／６０６６９に記載されるように、各画素から発せられた光の明るさは、好ましくは、マトリクス回路により印加される電圧または電流を調節することにより、あるいは各画素回路においてアナログシグナルに変換されるデジタルシグナルを入力することにより、アナログ様式で制御可能である。基板はまた、好ましくは、情報を処理して、画像を生成するために画素のアレイをアドレス指定するためのデータドライバ、データコンバータ、およびスキャンドライバを提供する。印加される電圧に依存して異なる色の光を発するエレクトロルミネセンス材料が用いられる場合、各画素の色は、マトリクス回路により制御され得る。
【０１０８】
１つの実施形態において、各画素は、電圧制御要素および可変抵抗要素を備えるスイッチにより制御され、これらの要素はともに、金属酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）により、またはアクティブマトリクストランジスタにより簡便に形成される。
【０１０９】
（実施例１  ポリ（アニリン）および脱プロトン化ポリ（アニリン）の調製）  アニリンを、使用前に、減圧下で蒸留した。
【０１１０】
アニリン（２５．０ｇ；０．２７モル）を、１Ｍ  ＨＣｌ（１００ｍｌ）に溶解し、そして機械的に攪拌した溶液を、氷−ドライアイス浴を使用して、２５分間０℃に冷却した。
【０１１１】
過硫酸アンモニウム（９２．０ｇ；０．４０モル）を、１Ｍ  ＨＣｌ（２５０ｍｌ）に溶解し、そして同じ冷却浴中で３０分間、０℃に冷却した。この過硫酸アンモニウム溶液を、滴下漏斗を使用して、アニリン塩酸塩の機械的攪拌溶液に滴下した。この溶液の温度を０℃から３８℃へと、２０分かけてゆっくりと上昇させた。この添加に３５分かかった。全ての過硫酸アンモニウム溶液の添加後に、暗緑色の生成物を、同じ冷却浴中でさらに１．５時間攪拌した。ポリ（アニリン）塩酸塩を含む最終溶液の温度は、５℃に低下した。この生成物を吸引濾過し、そして緑色のフィルターケーキを、水で徹底的に洗浄した。
【０１１２】
プロトン化ポリ（アニリン）をビーカーに移し、そして５％水酸化アンモニウム溶液（５００ｍｌ）を使用して、この溶液を室温で４時間機械的に攪拌することによって、脱プロトン化した。この脱プロトン化したポリ（アニリン）を吸引濾過し、水で徹底的に洗浄し、吸引乾燥し、そして再度ビーカーに移した。この脱プロトン化したポリ（アニリン）を再度、室温で、５％水酸化アンモニウム溶液（５００ｍｌ）と共に１８時間機械的に攪拌した。この２回脱プロトン化したポリ（アニリン）を吸引濾過し、蒸留水で洗浄し、そして最後に、エタノールと共に水を排液した。脱プロトン化ポリ（アニリン）を、減圧下９０℃で２０時間乾燥させ、そして実質的に脱プロトン化した。収量２２ｇ。
【０１１３】
（実施例２  ポリ（２−エチルアニリン）および脱プロトン化ポリ（２−エチルアニリン）の調製）
２−エチルアニリンを、減圧下で蒸留し、そしてすぐに使用した。
【０１１４】
２−エチルアニリン（１００ｇ；０．８３モル）を、１Ｍ  ＨＣｌ（５００ｍｌ）中に溶解し、そして氷浴中で冷却した。過硫酸アンモニウム（２８２．５ｇ；１．２４モル）を、１Ｍ  ＨＣｌ（１０００ｍｌ）中に溶解させ、そしてまた、氷浴中で冷却した。過硫酸アンモニウムを、ＨＣｌ中の２−エチルアニリンの機械的に攪拌した溶液にゆっくり添加した。この溶液の温度は、ゆっくりと上昇し、そしてこの溶液は、暗い青色になった。全ての過硫酸アンモニウム溶液を添加した後に、反応混合物を、さらに２．５時間、連続的に攪拌し、そして吸引下で濾別した。
【０１１５】
ポリ（２−エチルアニリン）塩酸塩を、５％水酸化アンモニウム溶液（１０００ｍｌ）を用いて、この溶液を１８時間室温で機械的に攪拌することによって脱プロトン化した。脱プロトン化されたポリマーを吸引下で濾別し、そしてこの固体を再び５％水酸化アンモニウム溶液（５００ｍｌ）でとり、そして機械的に２時間攪拌した。脱プロトン化されたポリ（２−エチルアニリン）を吸引下で濾別し、そして脱イオン水を用いて完全に洗浄し、続いて、少量のエタノールで水を排出した。この生成物を、減圧下で、９０℃、２０時間乾燥した。この生成物は、実質的に脱プロトン化された。
【０１１６】
（実施例３  エレクトロルミネセンスデバイスの作製）
ＩＴＯコーティングされたガラス片（１×１ｃｍ２）は、ＩＴＯを除去するために濃塩酸を用いてエッチングされた部分を有し、洗浄され、そして乾燥された。エレクトロルミネセンスデバイスは、減圧エバポレーションによって、以下の層を、ＩＴＯ上に連続的に形成することによって作製された。この層は、以下：
ＩＴＯ（１２０Ω／ｓｑｒ）（ＰＡＮＩ  ８ｎｍ）／ＴＰＤ（２０ｎｍ）／Ｇｌ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（１８ｎｍ）／Ａｌ
を含む。ここで、ＰＡＮＩは、上記実施例１のように合成された脱プロトン化ポリアニリンであり、ＴＰＤは、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンであり、Ｇｌは、Ｔｂ（ＴＭＨＤ）３ＯＰＮＰ（ここで、ＴＭＨＤおよびＯＰＮＰは、本明細書中で規定される通りである）であり、そしてＡｌｑ３は、アルミニウムキノレートである。
【０１１７】
濃塩酸を用いてエッチングされた部分上の有機コーティングを、綿棒を用いて拭いた。これらのコーティングされた電極を、減圧コーター（Ｅｄｗａｒｄｓ、１０−６トル）中に装填し、アルミニウムトップ接点が形成されるまで、これらのコーティングされた電極を、モレキュラーシーブおよび五酸化リン上で減圧デシケーター中で保存した。ＬＥＤの活性領域は、０．１ｃｍ２につき、０．０８ｃｍであり、次いで、このデバイスを、エレクトロルミネセンス研究を実行するまで、減圧デシケーターで保存した。
【０１１８】
ＩＴＯ電極は、いつも、正端子に接続された。電流対電圧の研究は、コンピューター制御Ｋｅｉｔｈｌｙ２４００ソースメーターで行った。
【０１１９】
電流を、デバイスを横切って印加し、そして５４８ｎｍのピーク波長および色座標（ｃｏｌｏｕｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）ｘ＝０．３１、ｙ＝０．６１（ＣＩＥ  Ｃｏｌｏｕｒ  Ｃｈａｒｔ  １９３１）を有する光を発した。ルミネセンス対電圧のプロットは、図１１のグラフに示される。電流密度対電圧（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｖｅｒｓｕｓ  ａｇａｉｎｓｔ  ｖｏｌｔａｇｅ）のプロットは、図１２に示される。ルミネセンス対電流密度のプロットは、図１３に示され、そして電流効率対電流密度のプロットを図１４に示す。
【０１２０】
（実施例４）
ＴＰＤを、ＳＴＡＤ（スピロＴＡＤ）に置き換え、そしてデバイスが、構造
ＩＴＯ（１００Ω／ｓｑｒ）／（ＰＡＮＩ  ８ｎｍ）／ＳＴＡＤ（２０ｎｍ）Ｇｌ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（１８ｎｍ）／Ａｌ
を有したことを除いて、実施例３を繰り返した。
【０１２１】
電流をこのデバイスにわたって印加し、そして５４８ｎｍのピーク波長および色座標ｘ＝０．３１、ｙ＝０．６１（ＣＩＥ  Ｃｏｌｏｕｒ  Ｃｈａｒｔ  １９３１）の光が放出された。ルミネセンス対電圧のプロットを、図１５のグラフに示し、ルミネセンス対電流密度のプロットを、図１６に示し、電流密度対電圧のプロットを、図１７に示し、そして電流効率対電流密度のプロットを、図１８に示す。
【０１２２】
（実施例５）
実施例３の手順を繰り返して、以下を含むエレクトロルミネセンスデバイスを形成した：
ＩＴＯ（１００Ω／ｓｑｒ）／（ＰＯＥ  １２ｎｍ）／ＭＴＤＡＴＡ（１３ｎｍ）／ＳＴＡＤ（１０ｎｍ）Ｇ１（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（１８ｎｍ）Ａｌ
ここで、ＰＯＥは、実施例２のように調製された脱プロトン化ポリオルトエチルアニリンである。
【０１２３】
電流をこのデバイスにわたって印加し、そして５４８ｎｍのピーク波長および色座標ｘ＝０．３２、ｙ＝０．６１（ＣＩＥ  Ｃｏｌｏｕｒ  Ｃｈａｒｔ  １９３１）の光が放出された。ルミネセンス対電圧のプロットを、図１９のグラフに示し、ルミネセンス対電流密度のプロットを、図２０に示し、電流密度対電圧のプロットを、図２１に示し、そして電流効率対電流密度のプロットを、図２２に示す。
【０１２４】
（実施例６）
実施例３の手順を繰り返して、以下を含むエレクトロルミネセンスデバイスを形成した：
ＩＴＯ（１００Ω／ｓｑｒ）／（ＰＯＥ  １２ｎｍ）／ＳＴＡＤ（２０ｎｍ）Ｇ１（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（１８ｎｍ）Ａｌ
電流をこのデバイスにわたって印加し、そして５４８ｎｍのピーク波長および色座標ｘ＝０．３１、ｙ＝０．６１（ＣＩＥ  Ｃｏｌｏｕｒ  Ｃｈａｒｔ  １９３１）の光が放出された。ルミネセンス対電圧のプロットを、図２３のグラフに示し、ルミネセンス対電流密度のプロットを、図２４に示し、電流密度対電圧のプロットを、図２５に示し、そして電流効率対電流密度のプロットを、図２６に示す。
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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2004535650.tif 000107
【国際調査報告】
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