(57)【要約】基板表面を有する基板；１ｍｍより小さい最大寸法を有する対象物（１２）；対象物本体に取り付けられ、軸を有する回転軸（２６）；基板に取り付けられ、支持表面を有する回転軸支持体（２２）を含む。回転軸は、製造された状態で丸い断面を有し、表面への垂線に対し零でない角度を形成する。対象物は、回転軸について回転可能である。
2004524550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面を有する基板；
１ｍｍよりも小さい最大寸法を有する対象物；
前記対象物の本体に取り付けられ、軸を有する回転軸；及び
前記基板に取り付けられ、支持表面を有する回転軸支持体を有し；
前記回転軸は、製造された状態で丸い断面を有し、前記回転軸が前記表面に対する垂線に対し零でない角度を形成し；
前記対象物が前記回転軸について回転可能である装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置であって、前記回転軸は、前記対象物が回転するに従って前記回転軸支持体表面に沿って回転する装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の装置であって、その中で前記回転軸が回転する少なくとも一つのソケットを含む装置。
【請求項４】
請求項３記載の装置であって、前記ソケットは、前記回転軸支持体表面を覆い、前記回転軸は、前記支持体表面、エッジ拘束体約及びトップ拘束体の間に保持される装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置であって、前記サイド拘束体は、前記回転軸の直径よりも大きく、前記回転軸は、前記サイド支持体表面間に前記ソケットにより拘束されない装置。
【請求項６】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸は、軸の方向に離脱した２つの部分で構成され、前記対象物は、前記２つの部分間で前記回転軸に取り付けられた装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置であって、前記対象物は、前記回転軸の前記軸に垂直な方法において前記回転軸の両側に延在する装置。
【請求項８】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲は、２００ミクロンよりも小さい装置。
【請求項９】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が９０ミクロン以下である装置。
【請求項１０】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が５０ミクロン以下である装置。
【請求項１１】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が２０ミクロン以下である装置。
【請求項１２】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が１０ミクロンである装置。
【請求項１３】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸支持体は、前記基板表面に対して概して平行である装置。
【請求項１４】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸の前記軸は、前記基板表面に対して実質的に平行である装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の装置であって、前記対象物は、平坦な表面が前記回転軸に対して平行である平坦な対象物である装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置であって、前記平坦な対象物は、前記対象物の一つの面が可視である第１の位置から前記平坦な対象物の第２の面が可視である第２の位置に回転される装置。
【請求項１７】
マイクロメカニカルディスプレイ装置であって、それぞれ請求項１６記載の対象物を含む複数の画素を有するマイクロメカニカルディスプレイ装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の装置であって、前記平坦な対象物は、前記軸の一つのサイドで第１の範囲に延在し、第２のサイドでより小さい範囲に延在する装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の装置であって、少なくとも前記より小さい範囲の部分下の前記基板上又は基板内の通電可能な表面エリアを含む装置。
【請求項２０】
請求項１８又は請求項１９記載の装置であって、前記平坦な対象物は、少なくともその範囲の部分にわたって電気的に導通している装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の装置であって、前記平坦な対象物は、少なくとも前記より小さい範囲の部分にわたって導通している装置。
【請求項２２】
マイクロメカニカルディスプレイ装置であって、
基板；
平坦な対象物と、前記平坦な対象物がその回りを回転可能である回転軸とをそれぞれ含む前記基板上の複数の画素であって、前記平坦な対象物は、前記対象物の一つの面が可視である第１の位置から前記平坦な対象物の第２の面が可視である第２の位置に回転する、複数の画素；
を有し、
前記平坦な対象物は、前記回転軸の軸を過ぎてそれらの一つのサイドのより大きい範囲及び第２のサイドのより小さい範囲に延在し、
少なくとも前記より小さい範囲の部分にわたって導通しており、
さらに少なくとも前記より小さい範囲の部分の下の前記基板上又は基板内の導通可能な表面エリアを有する装置。
【請求項２３】
請求項２２記載の装置であって、少なくとも部分的に前記回転軸の動きを拘束する少なくとも一つのソケットを含む装置。
【請求項２４】
請求項１８から請求項２３のいずれかに記載の装置であって、前記導通可能な表面エリアに零でない電圧を与える電圧源を含み、前記より小さい範囲を引き寄せて前記表面エリアの回転を開始する装置。
【請求項２５】
請求項１８から請求項２４のいずれかに記載の装置であって、前記より大きい範囲を過ぎ、前記平坦な対象物の静止位置上に設置された、導通可能である少なくとも一つの浮上電極を含む装置。
【請求項２６】
請求項２５記載の装置であって、前記導通可能な表面エリア及び前記浮上電極の選択的導通を制御して、前記平坦な素子を前記第１の位置から前記第２の位置に反転させる装置。
【請求項２７】
請求項１８から請求項２６のいずれかに記載の装置であって、少なくとも前記より大きい範囲の位置の前記軸の近くの前記平坦な対象物の部分は、欠けているか非導通である装置。
【請求項２８】
請求項１８から請求項２７のいずれかに記載の装置であって、前記平坦な対象物の前記第１の面は第１の方法で仕上げられ、前記パネルの前記第２の面は第２の方法で仕上げられる装置。
【請求項２９】
請求項２８記載の装置であって、前記平坦な対象物が前記第１の位置又は前記第２の位置にあるときに、前記軸の遠いサイドの可視エリアが前記平坦な対象物の前記可視面と同じ方法で仕上げられている装置。
【請求項３０】
請求項２８又は請求項２９記載の装置であって、前記異なる仕上げが異なる色を有する装置。
【請求項３１】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物がポリシリコンで構成された装置。
【請求項３２】
請求項３１記載の装置であって、前記対象物は、別の材料で少なくとも部分的に被覆された装置。
【請求項３３】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸はポリシリコンで構成された装置。
【請求項３４】
請求項１から請求項２９のいずれかに記載の装置であって、前記対象物が金属で構成された装置。
【請求項３５】
請求項３４記載の装置であって、前記対象物は、別の材料で少なくとも部分的に被覆された装置。
【請求項３６】
請求項１から請求項２９、請求項３４又は請求項３５のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸が金属で構成された装置。
【請求項３７】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記基板がシリコンである装置。
【請求項３８】
請求項１から請求項３６のいずれかに記載の装置であって、前記基板がガラスである装置。
【請求項３９】
請求項１から請求項３６のいずれかに記載の装置であって、前記基板が可撓性である装置。
【請求項４０】
丸い筒状素子を形成する方法であって、
（ａ）第１のエッチャントでエッチングされ得る第１の材料の矩形筒状素子を与え、
（ｂ）前記矩形筒状素子の表面の少なくともいくつかを、第２のエッチャントでエッチング可能であり、前記第１のエッチャントに耐性のある第２の材料の層で被覆し、
（ｃ）前記第１及び第２のエッチャントに耐性があり、前記筒状素子の少なくともいくつかの角で不連続である第３の材料で前記第２の材料をオーバーコートし、
（ｄ）前記第２のエッチャントで前記第２の材料をエッチングして、前記角で前記角近傍の第２の材料の層の部分を除去し、
（ｅ）前記第１のエッチャントで前記第１の材料をエッチングして、前記角での及び残存した第２の材料層の部分の下の前記第１の材料の部分を除去する、
方法。
【請求項４１】
請求項４０記載の方法であって、少なくとも１回（ｄ）及び（ｅ）を繰り返す方法。
【請求項４２】
請求項４１記載の方法であって、複数回（ｄ）及び（ｅ）を繰り返す方法。
【請求項４３】
請求項４０から請求項４２のいずれかに記載の方法であって、いかなる残存した第１及び第２材料を除去することを含む方法。
【請求項４４】
請求項４０から請求項４３のいずれかに記載の方法であって、前記第１の材料がポリシリコンである方法。
【請求項４５】
請求項４０から請求項４４のいずれかに記載の方法であって、前記第２の材料は酸化物又はガラス層である方法。
【請求項４６】
請求項４０から請求項４５のいずれかに記載の方法であって、前記第３の材料はシリコン窒化物である方法。
【請求項４７】
請求項４０から請求項４３のいずれかに記載の方法であって、前記第１の材料が金属である方法。
【請求項４８】
対象物の一つのエリアが可視である第１の位置から前記対象物が可視である第２の位置に前記対象物が概して回転可能な回転軸を有する前記対象物を反転する方法であって、前記対象物は、前記回転軸の軸を過ぎて、一つのサイドのより大きい範囲及びその第２のサイドのより小さい範囲に放射状に延在し、
パネルを反転から拘束し；
前記第１の位置から前記第２の位置に前記パネルを移動する方法に少なくとも前記より小さい範囲の部分に電場を与える方法。
【請求項４９】
請求項４８記載の方法であって、前記対象物が前記第１の位置から前記第２の位置に反転するように反転に対する拘束を除去することを含む方法。
【請求項５０】
請求項４９記載の方法であって、拘束は、追加の電極を通電することを含み、拘束の除去は、通電を除去することを含む方法。
【請求項５１】
請求項４８から請求項５０のいずれかに記載の方法であって、前記対象物は、少なくとも前記より小さい範囲の部分にわたって導電している方法。
【請求項５２】
先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、前記対象物は、概して平坦な対象物であり、前記平坦な対象物の一つの面は、前記第１の位置で可視であり、前記対象物の前記第２の面は、前記第２の位置で可視である方法。
【請求項５３】
請求項５２記載の方法であって、前記対象物が概して矩形パネルである方法。
【請求項５４】
請求項５２又は請求項５３記載の方法であって、前記追加の電極は、前記第１の位置又は前記第２の位置における前記平坦な対象物のものと異なる面に設置された電極である方法。
【請求項５５】
請求項５４記載の方法であって、前記追加の電極は、前記第１の位置の面の下に設置された方法。
【請求項５６】
請求項５４記載の方法であって、前記追加の電極は、前記第１の位置にあるときに、前記第１の位置の面の上方で前記対象物のサイドに設置された方法。
【請求項５７】
請求項４８から請求項５６のいずれかに記載の方法であって、前記対象物がポリシリコンで構成される方法。
【請求項５８】
請求項４８から請求項５６のいずれかに記載の方法であって、前記対象物が金属で構成される方法。
【請求項５９】
請求項４８から請求項５８のいずれかに記載の方法であって、前記対象物は、１ｍｍより小さい最大寸法を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
この出願は、２０００年１１月２２日出願の米国仮出願６０／２５２,６９９の利益を主張する。この出願は、１９９９年９月８日に出願され、ＷＯ００／５２６７４として公開されたＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＩＬ９９／００４８８、１９９９年３月４日に出願され、ＷＯ９９／４５４２３として公開されたＰＣＴ／ＩＬ９９／００１３０、及び２０００年８月６日に出願されたＰＣＴ出願ＰＣＴ／ＩＬ００／００４７５におおむね関連する。それらの全ての開示は、参照によりにここに包含する。
【０００２】
これらの出願の主題のなかには、本発明を実施する際のベストモードに関連するものもある。これは、全ての、あるいは、たとえ一部であっても、その主題を利用する実施の形態に、本発明を限定するものとして解釈するべきではない。
【技術分野】
【０００３】
本発明は、マイクロマシニングにより製造されたディスプレイに対する特有の適用性を有するマイクロマシンデバイスの分野に関する。
【背景技術】
【０００４】
フラットパネルビデオディスプレイは、多くの消費者用、工業用及び軍用の製品及びデバイスとして広く普及している部品である。それらは、コンピュータのラップトップ、自動車のダッシュボード、電子レンジ、その他、人が関わる無数の機械及びデバイスにおいて見られる。
【０００５】
アクティブマトリクス液晶ディスプレイは、高品質・中解像度のフラットパネルディスプレイのマーケットにおいて優位を示している。しかしながら、これらのディスプレイは、比較的高価であり、動作時の消費電力量が、多くのバッテリ駆動される機器から容易に得られる電力量に比べて相対的に大きい。
【０００６】
携帯型ＧＰＳ受信機から、ハンドヘルドコンピュータ、おもちゃにわたるますます多くの製品にビジュアルディスプレイを組み込むニーズ及び要望から、高品質の画像を提供でき、低電力消費で動作する、安価なフラットパネルディスプレイに対する強い需要及び拡大されたマーケットが生み出されている。
【０００７】
その需要に答えて、新しいタイプのフラットパネルディスプレイが、ＭＥＭＳ技術を用いたシリコンの処理に基づいて開発されている。ＭＥＭＳ技術は、数ミクロンのオーダーの形態を有するマイクロ構造を、適当なシリコン基板やその他の基板上に形成することを可能にする。このため、この技術は、光を操作することができる「画素」サイズのデバイスをシリコン上に形成するために使用することができる。これらのデバイスのアレイは、潜在的に安価であり、低エネルギー消費で動作し、高品質な画像を提供する、フラットパネルディスプレイを構成するために使用可能である。
【０００８】
シリコン技術を用いて製造された大抵のフラットパネルディスプレイは、２つの一般的なタイプのいずれかに属する。第１のタイプのフラットパネルは、シリコン基板上に形成された液晶セルを各々が備えた画素を有する。光、外光又は適当な光源からの光など、が画素を照らす。それぞれの画素における液晶の光透過率は、どのような明るさで各画素が見えるかを決定する。液晶の透過率は、画素中の電極の電圧により制御される。ディスプレイの各画素の電極電圧を制御することにより、種々の輝度レベルを有する画素のパターンがディスプレイ上に形成されて、画像を形成する。このタイプのディスプレイにより与えられる画像は、一般に低輝度及び低コントラストという問題を有する。
【０００９】
第２のタイプのフラットパネルディスプレイ（以下、マイクロメカニカルディスプレイと呼ぶ）は、各々がシリコン基板上に微細加工（micro-machined）された少なくとも一つの可動構造を含む複数の画素を有する。各画素における少なくとも一つの可動構造の位置は、画素が反射し又は回折する光の量を制御することにより、どのような明るさで画素が見えるかを制御する。一般に、少なくとも一つの可動素子の位置は、電極に適当な電圧を印加することにより生成される、その少なくとも一つの可動素子と画素中の電極との間の静電気力により制御される。しばしば、電圧が比較的高く、その少なくとも一つの可動素子を動かすために、比較的大きなエネルギー消費を必要となる。通常、これらのタイプのディスプレイにおいては、輝度及び画像コントラストは、ディスプレイ面に対する法線に対して測定された視野角に依存し、視野角が増加するにつれて減少する。これらのディスプレイのなかには、動作時に相対的に大量の電力を消費する内部光源を必要とするものがある。
【００１０】
ディスプレイの画素内の少なくとも一つの可動構造が複数の平行可撓性反射リボンを含むマイクロメカニカルディスプレイは、D.M.Bloom その他の米国特許第５,８４１,５７９号に記載されている。この内容は参照によりここに包含する。ディスプレイの画素内の可撓性リボンは、通常は基板面に平行に位置しており、画素は基板面上方の小さい距離位置に形成されている。リボンは、画素内の電極に印加される電圧により生成される静電気力により、基板に向って押し下げられるように制御可能である。
【００１１】
ディスプレイに画像を形成するために、ディスプレイにおける画素は、光がディスプレイの面に関して所与の角度となるよう、画素に入射するように、好適な光源からの光で照らされる。画素中の複数のリボンが交互に押し下げられる時、その画素における複数のリボンは、画素がディスプレイのユーザに対して明るく見えるような角度で入射光のいくらかを回折する回折格子を形成する。リボンが交互に押し下げられない場合、画素における複数のリボンは、画素からの光がユーザの目に達せず、画素が暗く見えるような、別の角度で入射光を反射する。明暗画素の適当なパターンは、ディスプレイ上で画像を形成する。この特許には、カラー画像を与えるフラットパネルディスプレイを製造するために記載されたタイプの画素を用いる方法が記載されている。
【００１２】
別のタイプのマイクロメカニカルディスプレイが、S.C.Arney その他の米国特許第５,６３６,０５２号に記載されており、この内容は、参照によりにここに包含する。このフラットパネルディスプレイにおいて、画素における少なくとも一つの可動素子は薄膜である。その薄膜は、基板との間に小さいエアギャップを有して基板に対して平行であるようにフレキシブルに支持される。画素に入射する光は、基板及び膜の両方により反射される。エアギャップの高さにより、膜及び基板からの反射光が強め合うように干渉するか、弱め合うように干渉するか、従って、画素が明るく見えるか、暗く見えるかが決まる。画素中のアドレス指定可能な電極は、チャージした時に基板に向って薄膜を引き寄せ、それによりエアギャップの高さ、それゆえ画素が明であるか暗であるかを制御する。薄膜を変位させるためには、数十ボルトの比較的高い電圧がアドレス指定可能な電極に印加されなければならない。
【００１３】
なお、一般に、ＭＥＭＳで製造されたディスプレイは、全体のサイズにおいてとても小さく、補助的な光学部品（投影光学部品又は拡大光学部品）が表示を見る際に一般に使用されることに留意すべきである。
【００１４】
関連出願の欄に挙げた上記公報には、電場の印加により、パネルの一方の面が可視である第１の位置からパネルの第２の面が可視である第２の位置にパネルが反転する、ＭＥＭＳ技術により製造されたフラットパネルディスプレイが記載されている。本発明は、これらの公報に記載されたものに全体としては類似した構造を持ち、改良された性能を有するシステムを述べる。
【発明の要旨】
【００１５】
本発明のいくつかの実施の形態の一態様は、非常に小さいディスプレイ素子を有するエレクトロメカニカルディスプレイに関する。
【００１６】
本発明の実施の形態において、ディスプレイは、それぞれが異なる色や陰影を有するパネルの両面が選択的に見られるように機械的に反転されるパネルを含む画素を有する。本発明の実施の形態において、パネルは、丸い（rounded）（丸（round）である必要はない）回転軸（axle）が形成された軸（axis）について回転する。本発明の例示的な実施の形態においては、回転軸は水平軸である。任意に、パネルは、ディスプレイのビューイング面に実質的に平行（又は鋭角）である位置からビューイング面に実質的に平行（又は鋭角）である別の位置に反転する。２つの位置において、反対の面が視認可能である。ここで使用されるように、語句「丸い」は、シリンダー又は概ね丸い形を有するエッジを意味する。この語句は広く円状の形状を含む。それはまた、広く、楕円状の形状と、六角形、五角形若しくは八角形のすべてあるいは一部、又はより大きい数の辺を有する形状とを含む。それはまた、概ね丸い輪郭を有する段差のある層のとして形成された形状を含む。
【００１７】
本発明のいくつかの実施の形態の一態様は、対象物が形成された基板の表面に実質的に平行な軸について対象物を回転させる方法に関する。本発明の実施の形態において、対象物には、それが回転する時の軸に沿った回転軸が形成されている。回転軸は、丸くても良く、また四角であっても良い。軸は、表面に対して実質的に水平である。任意に、回転軸は、基板表面に実質的に平行である少なくとも一つの回転面に沿って転がる。本発明の例示的な実施の形態においては、対象物、回転軸、及び回転面は、ＭＥＭＳ技術により製造される。
【００１８】
本発明のいくつかの実施の形態の一態様は、ＭＥＭＳ技術を用いて、基板の表面に平行な軸を有する丸い対象物を製造する方法に関する。そのような対象物は、例えば、表面に平行な方向に転がることができる。また、そのような転がりが表面に垂直又は表面に対してある角度でなされ得ることをも意図する。
【００１９】
本発明の実施の形態において、実質的に四角の断面を有するシリンダーが製造され、四角断面の角から選択的に材料が除去されて丸い回転軸を形成する。本発明の実施の形態において、部分的なマスク除去及びシリンダーのエッチングの連続的ステップが使用される。任意に、マスクは、角（及び任意に基板と対向するシリンダーの一つの面）を除いて、第２の材料の内層を覆う第１の材料の外層を有する。角に近い内層の部分は、例えば選択的エッチングにより、連続的に除去される。シリンダー材料に対するエッチングが適用され、角及び内層下の短い距離のシリンダー材料を除去する。選択的エッチングによる内層マスクの除去部分のプロセスは、所望の丸い形状のシリンダーが達成されるまで一回又はそれ以上繰り返される。達成され得る一形状は、形状が形成されるプロセスの層構造の性質を表現する「ノッチ」又はステップを有する概略円形形状である。第１の材料はポリシリコンであり得る。あるいは、第１の材料は金属又はプラスティック材料でも良い。
【００２０】
本発明の実施の形態において、丸いシリンダーは、取り付けられた対象物の回転のための回転軸として機能する。任意に、回転軸がそれに沿って転がる細長い面を有する表面も生成される。
【００２１】
本発明のいくつかの実施の形態の一態様は、マイクロメカニカルディスプレイにおけるパネルを反転する方法に関する。本発明の実施の形態において、異なる着色又は表面仕上げを任意的に有するパネルは、パネルの異なる面が可視である２つの安定な位置を有するように拘束される。パネルは、通常その回りを回転する（いくつかの横向きの移動もあるが）回転軸が形成されている。回転軸は、パネルのエッジから間隔がおかれており、パネルの主部からの軸の他のサイドに電気的に導通する「末端」を置く。パネルを反転するために、末端下方の電極に電圧を印加して、末端を引き寄せ、この作用により、回転軸についてパネルを回転させることにより反転動作が始まる。パネルが鉛直位置（すなわち、それが搭載されている表面に垂直）に到達すると、電圧が切られ、パネルが慣性により回転しつづけ、完全に反転される。
【００２２】
任意に、安定な位置でのパネルのエッジの表面上方で外側に浮上電極が与えられる。浮上電極は、（１）反転前に静止摩擦を取り消すため、パネルが載置されているベースからパネルを上げる、（２）反転動作を妨げる、の一つ又は両方の機能を有する。これらの機能は、反転電極によりパネルの回転を妨げると同時に、パネルを引き寄せ、それを上げる浮上電極で電圧を与えることにより達成される。浮上電極が低減された時、基板電極はパネルを反転する。任意に、他の安定な位置での浮上電極がＯＮにされる（又は回転を助けるため及び／又はパネルに対してソフトランディングを与えるためにいつもＯＮされている）。浮上電極のさらなる任意の機能は、パネルがそれ自身で反転しないように安定な位置でパネルを保持することである。
【００２３】
本発明の例示的な実施の形態にしたがってこのように与えられる装置は、
基板表面を有する基板と、
１ｍｍよりも小さい最大寸法を有する対象物と、
対象物本体に取り付けられ、軸を有する回転軸と、
基板に取り付けられ、支持表面を有する回転軸支持体と、
を具備し、
回転軸は製造された状態で丸い断面を有し、
回転軸は表面に対する垂線に対し零でない角度を形成し、
対象物が回転軸について回転可能である。
【００２４】
本発明の実施の形態において、回転軸は対象物が回転するに従って回転軸支持表面に沿って転がる。
【００２５】
本発明の実施の形態において、装置は、回転軸が内側で回転する少なくとも一つのソケットを含む。任意に、ソケットは回転軸支持表面を覆い、回転軸が支持表面、エッジ拘束体、及びトップ拘束体の間で保持される。任意に、サイド拘束体の間の距離は回転軸の直径よりも大きく、回転軸はサイド支持表面間でソケットにより拘束されない。
【００２６】
本発明の実施の形態において、回転軸は２つの軸の方向に分離された部分で構成され、対象物はその２つの部分の間で回転軸に取り付けられる。任意に、対象物は、回転軸の軸に垂直な方向において回転軸の両サイドに延在する。
【００２７】
任意に、対象物の最大の範囲は２００ミクロンよりも小さい。いくつかの実施の形態において、９０,５０,２０又は１０ミクロンよりも小さい。
【００２８】
本発明の実施の形態において、回転軸支持表面は、基板表面に対して通常平行である。本発明の実施の形態において、回転軸の軸は、基板表面に対して実質的に平行である。
【００２９】
本発明の実施の形態において、対象物は、その平坦面が回転軸に平行である平坦な対象物である。任意に、平坦な対象物は、対象物の一つの面が可視である第１の位置から平坦な対象物の第２の面が可視である第２の位置に回転する。
【００３０】
本発明に係る平坦な対象物を有するマイクロメカニカルディスプレイ装置がさらに提供される。本発明の実施の形態においては、平坦な対象物は、軸の一つのサイドで第１の範囲に延在し、第２のサイドでそれより小さい範囲に延在する。
【００３１】
本発明の実施の形態において、ディスプレイは、少なくともより小さい範囲の部分下の基板上又は基板に通電可能な表面エリアを含む。任意に、平坦な対象物は、少なくともその範囲の部分にわたって電気的に導通している。任意に、平坦な対象物は、少なくともより小さい範囲の部分にわたって導通している。
【００３２】
本発明の例示的な実施の形態にしたがってさらに提供されるマイクロメカニカルディスプレイ装置は、
基板と、
平坦な対象物と、対象物の一つの面が可視である第１の位置から平坦な対象物の第２の面が可視である第２の位置に回転する平坦対象物がその回りで回転可能である回転軸と、をそれぞれ有する、基板上の複数の画素と、
を具備し、
平坦な対象物は、回転軸の軸を過ぎて、一つのサイドでより広い範囲に、及びそれらの第２のサイドでより小さい範囲に延在し、
平坦な対象物は、少なくともより小さい範囲の部分にわたって導通し、
少なくともより小さい範囲下で基板上又は基板に通電可能な表面エリアをさらに含む。
【００３３】
任意に、画素は、回転軸の移動を少なくとも部分的に拘束する少なくとも一つのソケットを含む。
【００３４】
本発明の実施の形態において、画素は、より小さい範囲をそれに引き寄せるために、表面エリアの回転を開始する通電可能な表面エリアに零でない電圧を与える電圧源を含む。
【００３５】
本発明の実施の形態において、画素は、より大きい範囲を過ぎ及び平坦な対象物の停止した位置上方に設置された通電可能である少なくとも一つの浮上電極を含む。
【００３６】
本発明の実施の形態において、ディスプレイは、通電可能な表面エリア及び浮上電極の選択的通電を制御して平坦な素子を第１の位置から第２の位置に反転させるコントローラを含む。
【００３７】
任意に、少なくともより大きい範囲の部分の軸の近くの平坦な対象物の部分は、欠けているか又は非導電状態である。
【００３８】
任意に、平坦な対象物の第１の面は第１の方法で仕上げられ、第２の面は第２の方法で仕上げられる。任意に、平坦な対象物は、第１の位置又は第２の位置にあり、軸の遠いサイドの可視エリアは、平坦な対象物の可視面と同様の方法で仕上げられる。任意に、異なる仕上げは異なる色を有する。
【００３９】
本発明の実施の形態において、対象物は、任意に別の材料で少なくとも部分的に被覆されたポリシリコンで構成される。任意に、回転軸は、ポリシリコンで構成される。
【００４０】
あるいは又はさらに、対象物は、任意に別の材料で少なくとも部分的に被覆された金属で構成される。任意に、回転軸は、金属で構成される。
【００４１】
本発明の実施の形態において、基板はシリコンである。あるいは、基板はガラスである。本発明の実施の形態において、基板は可撓性である。
【００４２】
本発明の実施の形態にしたがって提供される丸い円筒状素子を形成する方法は、
（ａ）第１のエッチャントでエッチングされ得る第１の材料の矩形筒状素子を与え、
（ｂ）第２のエッチャントでエッチング可能であり、第１のエッチャントに対して耐性のある第２の材料の層で矩形筒状素子の少なくともいくつかの表面を被覆し、
（ｃ）第１及び第２のエッチャントに耐性があり、筒状素子の少なくともいくつかの角で不連続である第３の材料で第２の材料をオーバーコートし、
（ｄ）角で第２のエッチャントで第２の材料をエッチングして、角近傍の第２の材料の層の部分を除去し、
（ｅ）第１のエッチャントで第１の材料をエッチングし、角及び残存した第２の材料層の部分下の第１の材料の部分を除去する、
ことを含む。
【００４３】
任意に、この方法は、少なくとも一回又は複数回（ｄ）及び（ｅ）を繰り返すことを含む。
【００４４】
任意に、この方法は、いかなる残存した第１及び第２の材料を除去することを含む。
【００４５】
本発明の実施の形態において、第１の材料はポリシリコンである。任意に、第２の材料は酸化物又はガラス層である。任意に、第３の材料はシリコン窒化物である。
【００４６】
あるいは、第１の材料は金属である。
【００４７】
本発明の実施の形態にしたがって、さらに方法が提供される。その方法は、対象物の一つのエリアが可視である第１の位置から対象物の第２のエリアが可視である第２の位置に対象物が通常それについて回転可能である回転軸を有し、回転軸の軸を過ぎ、一つのサイドでより大きい範囲及び第２のサイドでより小さい範囲に放射状に延在する対象物を反転する方法であって、この方法は、
反転からパネルを拘束し、
第１から第２の位置にパネルを移動する傾向がある方向で、少なくともより小さい範囲の部分に電場を与える、
ことを含む。
本発明の実施の形態において、この方法は、対象物が第１の位置から第２の位置に反転するように、反転に対する拘束を除去することを含む。
任意に、拘束は、さらなる電極に通電することを含み、拘束を除去することは、通電を除去することを含む。
【００４８】
任意に、対象物は、少なくともより小さい範囲の部分にわたって導電する。
【００４９】
本発明の実施の形態において、対象物は概して平坦な対象物であり、平坦な対象物の第１の面が第１の位置で可視であり、対象物の第２の面が第２の位置で可視である。任意に、対象物は概して矩形パネルである。
【００５０】
本発明の実施の形態において、追加の電極は、第１の位置又は第２の位置の平坦な対象物の平面と異なる平面に設置された電極である。任意に、追加の電極は、第１の位置の平面下に設置される。あるいは、追加の電極は、それが第１の位置にあるときに、第１の位置の平面上方及び平坦な対象物のサイドに設置される。
【００５１】
任意に、対象物はポリシリコンで構成される。あるいは、対象物は金属で構成される。
【００５２】
本発明の実施の形態において、対象物は、１ｍｍよりも小さい最大寸法を有する。
【００５３】
例示的に、本発明の制限的でない実施の形態は、ここに添付した図面に関して読み取られる以下の記述で記載されている。図面において、一つの図よりも多くに現れるそれらの同一及び同様の構造、要素又は部分は、通常それらが現れる図面において同じ又は同様の参照番号で表示される。図面に示された部品及び形態の寸法は、説明の便宜及び明確のために第一に選ばれており、概して比べるためのものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
画素構成の概観
図１Ａから図１Ｃは、本発明の実施の形態に係る例示的な画素１０の概観を示す。この構成が実施例として与えられるが、示された多くの要素は異なる構成を有し得る。そして、いくつかは完全に削除され得る。
【００５５】
画素１０は、反転パネル１２、電極１４,１６、浮上電極１８,２０、及び一対のソケット２１を主な部品として有する。パネルは、好ましくはソケット２１内に適合する丸い回転軸２６を有して形成される。ソケットは、関係する回転軸が回転する上端を有して形成された、任意に楔状の低部素子３０（ここではときどき「ナイフ３０」と呼ぶ）、一対のサイド動き拘束体２２、及び上部拘束体２４を含む。それぞれの電極は、パネルと下地構造、特に下地電極との間の接触エリアを最小にする任意に絶縁性のナブ（nub）２８を有して任意に形成される。
【００５６】
図１Ａは、一つの位置における画素の投影図を示し、図１Ｂは、上部拘束体２４が除去された状態のソケット２１の図を示し、図１Ｃは、ナイフがその上にあるポリ０層３４と、機械的に及び電気的に部品に接続するバイアス３６,４０とを含むソケット２１の異なる切断面での断面図を示す。
【００５７】
以下に記述された構成の方法において、全体の構造は、主として、シリコン基板８上に形成された、ポリ０、ポリ１及びポリ２で指定された３つの層として構成されたポリシリコンで作られる。他の実施の形態において、その構造は、金属又はプラスチック（他の手段により金属化（metalized）され又は導電性になる）であり得る。見やすくするために、その層は、右に傾く斜線を有する層０,２及び左に傾く斜線を有する層１を用いて同じタイプの斜線の断面ハッチングで示される。一般に、すべてのポリシリコンは導電性となっている。本発明の実施の形態において、電極１４,１６（ナブ２８を含む）,３０は、ポリ０に置かれ、パネル１２（回転軸２６を含む）及びサイド動き拘束体２２は、ポリ１に置かれ、浮上電極１８,２０及び上部拘束体２４は、ポリ２に置かれる。
【００５８】
電極１６の上表面及びパネル１２の可視面は、それらに第１の色を可視的に与える第１のコーティングで被覆される。第１及び第２の色は、例えば黒及び白であり得る。電極１４の上表面及びパネル１２の他の面は、それらに第２の色を与える第２のコーティングで被覆される。このように、パネルが、図示された位置にあるとき、パネル及び可視電極（１６）の両方は同じ（第１の）色を有する。パネル１２が電極１６を覆うように反転されたとき、可視電極（１４）及びパネルは第２の色を有する。
【００５９】
例示的な実施の形態において、パネルは８５×８５ミクロンであり、回転軸は２ミクロンの直径を有する。パネルが４０×８５ミクロン（結果として８５×８５の正方形画素になる）又はより大きいサイズ（０．２×０．２ｍｍが意図されるが、１ｍｍ×１ｍｍも可能である）及び、１０×１０ミクロン又はそれより小さい程度の代替のデザインもまた本発明の範囲内である。より小さいサイズのものに対しては、回転軸のサイズが縮小され得る。非常に大きいパネルに対しては、回転軸のサイズは拡大され得る。
【００６０】
パネルの反転
本発明の実施の形態において、電極１４,１６及びナイフ３０は一緒に通電される。回転軸２６は、パネル１２が同時に通電されるように、ナイフ３０の上端に接触する。したがって、電極１４,１６及びパネル１２は同じ電位である。左（２０）及び右（１８）浮上電極は個別に通電され、全構造が位置する、基板８の電極５３もまた個別に通電される。反転動作の理解を容易にするために、図１Ｄは、ヒンジ間の画素構造の断面を示す。この断面においては、電極５３、電極１４,１６及びパネル１２のみが示される。図示されているように、パネル１２には回転軸２６（その位置を示すために図１Ｄにおいて白で示される）を越えて延在する末端１３が形成されている。長いスロット又は一連のスロット１５が末端に対し回転軸の反対側でパネル１２に形成されている。末端１３及びスロット１５の機能は以下の説明で明らかになるであろう。
【００６１】
図２Ａから図２Ｄはパネルを反転する方法を示す。第１の動作（図２Ａ）として、両浮上電極が通電される。浮上電極はポリ２であり、パネル１２がポリ１であり、電極（及びナブ）がポリ０であるので、浮上電極の通電がパネルを持ち上げてナブから外そうとする（静止摩擦低減）。パネル及び電極は共に同じ電位（この場合接地されている）であるので、パネルと電極との間で電気的引力が働かない。一方、電極５３も通電されており、末端１３が基板に引き寄せられる。スロット１５がパネルに切られているので、パネルの回転軸２６の右の部分は本質的に基板に引き寄せられない。電極１８にパネル１２が引き寄せられることによるさらなる効果は、ナイフ３０及び拘束素子２２,２４により形成されたスロットの右で回転軸２６を位置決めすることである。これは図３Ａに示されている。ナイフ３０は、動き及び回転、又は少なくともその開始を抑制し得る静止摩擦を低減するため、薄くなっている。
【００６２】
図２Ｂにおいて示すように、電極１８上の電圧が切られ、末端１３と電極５３との間の引力の作用は、末端１３を引き下げ、パネル１２の残りを上げるようなてこの力を与えることである。この上昇動作及び通電されたままの浮上電極２０に対するパネル１２の引き寄せの間に発生した勢いは、垂直（図２Ｃ）を過ぎて浮上電極２０及び電極１６に向けてパネルを持っていく。任意に、同時に（パネルが垂直を通るとき）、基板電極上の電圧は、パネルが電極１６に向けて動き続けることを可能にするために除去される。あるいは、基板電極上の電圧は、とりわけ回転軸２６がナイフ３０と接触したままにすることを保証するために、可能であれば低減された電圧で維持される。しかしながら、この接触は、動作に対して必須ではない。図２Ｄにおいて、電極の下降は、浮上電極２０に対するその引力により抑えられる。その後、浮上電極１８の電圧は解放され得るか、又はパネル１２がその新しい位置から外れることを避けるために維持され得る。あるいは、パネルは、ナブ２８に接触するように下降され得る。実際の目的では、パネル１２とナブ２８との間の静止摩擦は、パネルを所定の位置に保持するためにしばしば十分であることが分かっている。さらなる効果として、浮上電極２０に対するパネルの引力は、次の反転（図３Ｂ）のための準備の位置にパネルを位置合わせするために役立つ。
【００６３】
電圧が正として示されるが、反転は電圧が正であろうと負であろうと全く同じように機能することに留意されたい。
【００６４】
図４及び図５は、パネルの反転に対するタイミング図の例である。図４に示される電圧スキームは、左側から右側にパネルを反転することに留意されたい。さらに、パネル、右電極及び左電極は、両タイミング図では接地されていることにも留意されたい。
【００６５】
図４において、ｔ０でシステムは停止しており、両浮上電極が通電される。基板はオフである。ｔ１で基板はオンとなる。（図２Ａ）その後、ｔ２で左浮上電極が接地され、反転が始まる（図２Ｂ）。ｔ３で左浮上電極がオフされ、基板が好ましくはオフされる（例えば、接地される）（図２Ｃ）。もしも基板がオフであれば、これは反転のいかなる遅延をも減少させる。あるいは、次の反転動作のちょうど前まで基板はオンのままにされる。ｔ４で電極が所定の位置にあり、右浮上電極により所定の位置に保持される（図２Ｄ）。右電極がオンである限りにおいてそれらは反転を起こさないので、その後、左浮上電極及び基板電極は、任意でオンにし得る。
【００６６】
図５は、その開始位置に関係なく、一つの面から他の面にパネルを反転する別の方法のタイミング図を示す。それは、両浮上電極が同時にオフ又はオンになること以外は図４のタイミング図と良く似ている。したがって、どちらの浮上電極で保持されていても、パネルは解放され、他の面に向けて反転を開始する。基板がオフされ、慣性により反転が完了する。両浮上電極は、パネルが垂直位置を過ぎた後のある時間にオンになる。「新しい」側の浮上電極への引力が、反転を完了する。「古い」側の浮上電極は十分に遠いので、それがパネルを制動することはない。
【００６７】
基板電極５３が与えられるならば（下記の代替例参照）、基板が接地された状態で電極１４,１６を省略し得る。ナブはこの場合でも好ましくは形成される。
【００６８】
代替としてあるいは上記に加えて、末端部分及びパネルの反対端での部分のみは導電性しても良い（それら両方と回転軸とを接続する導電ストリップを有する）。これは、カットアウト（cut-out）１５を不要とする。
【００６９】
実際には、画素は、例えば画素（基板電極）の中心での細片（stip）に沿って走り、列電極を形成する、基板表面の高い導電性ドープ層により基板電極が形成された状態で、行及び列で配置される。行の右浮上電極は第１行アドレス線に接続され、左浮上電極は第２行アドレス線に接続される。図５に示すアドレッシングスキームが使用されるならば、一つの行アドレス線のみが使用される。
【００７０】
あらゆる画素をアドレス指定するために、画素を含む列に対する基板電極は、図４及び図５に示すようにアクティブな状態にされ、画素を含む列に対する適当な（又は両方の）浮上電極は、タイミング図にしたがってアクティブな状態（接地状態）にされる。浮上電極が両方オンで反転を阻止するので、アクティブな状態の列における他の画素では反転が行われない。基板電極電圧が反転を起こさせるまで上がらないので、浮上電極電圧が降下する列における他の画素でも反転が行われない。基板が「オン」のパルスで、近傍の浮上電極が「オフ」のパルスの画素のみが反転する。
【００７１】
本発明の他の実施の形態においては、この構成は少し異なり、反転及び／又はアドレッシング方法が適合するように変更される。例えば、別の実施の形態において、電極５３が省略され、基板全体がそれぞれのサイクルでオンにパルスされる。電極１４,１６はまた、切り替えられる画素を含むそれらの列を除いてそれぞれの列に対して通電される。電極１４,１６のこの通電は接地されたパネルを引き寄せ、基板が通電され、浮上電極がオフのときでさえも切り替えを抑制する。
【００７２】
さらに、この実施の形態に対してであっても、パネルの部分のみは導通していることが必要である。というのは、電極に対するそのエリアの部分のみの引力が、より小さい末端での基板電圧の影響を克服するために必要とされるからである。。
【００７３】
あるいは、アドレス指定された列の画素に対して、電極１４,１６は浮上電極と共に又はその代わりに導通される。したがって、電極１４,１６は浮上電極の機能の制御（又は抑制）を行う。しかしながら、少なくとも反転の開始時には浮上電極の使用が好ましい。なぜなら、それらがパネルとナブとの間の静止摩擦力を破るのを手伝う過度の力を与えるからである。
【００７４】
構成及び反転手法の変形例は当業者には明らかであろう。いくつかの反転方法は上述した原理を利用する（末端を基板に引き寄せ、浮上電極を用いて反転を制御することにより反転する）。しかしながら、関連出願における公報において記述されたもののような他の方法が反転に使用され得る。
【００７５】
丸い回転軸が好ましい一方、高い印加電圧、概して低い切り替え速度及び潜在的に低減した信頼性の下ではあるが、矩形の回転軸も上記手法を使用して反転され得ることに留意すべきである。
【００７６】
高い電圧が長期間オンのままであるならば、ポリシリコン層とシリコン窒化物との間及びシリコン窒化物と空気との間の界面近くに電荷蓄積が起こり得る。この蓄積は反転信号を妨害し得る。そのような蓄積は、可能な最も低い電圧を用いること、別の反転サイクルで電圧の極性を交番すること、最小電圧を有するタイミングサイクルを用いること（例えば、反転サイクルの間全ての電圧を停止し、所定の場所にパネルを保持するように静止摩擦に頼る）、及び高い場の領域にそのような界面を置くことを避けることにより任意に避けられる。
【００７７】
本発明の実施の形態において、ディスプレイは、その上に被着された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を駆動するネットワークをすでに有するガラス基板のような基板上に製造される。これは、結果としてアクティブマトリクスディスプレイとなり、より低いアドレッシング電圧及びより小さいクロストークという効果をもたらす。フレキシブル基板を使用することもできる。非シリコン基板の使用は、１５インチ又はそれより大きいディスプレイを考慮に入れた大型ディスプレイの構成を可能にする。シリコン基板を用いることにより、電話に好適な２×３．５ｃｍのディスプレイや、手のひらサイズ又はそれより大きいコンピュータに好適な６×６ｃｍのディスプレイを都合良く製造することができる。後述するように製造された８５×８５ミクロンパネルに対して、基板電極なし（及び上述したように反転抑制として電極１４,１６への通電を用いて）であるが、１６ボルト程度の電圧が信頼性のある反転を提供する。より小さい画素を用いること又はさらに静止摩擦を低減させることは、１０又はさらには５ボルト程度にまで動作電圧を低減させ得る。反転時間は０．２ミリ秒未満であり、その結果少なくとも５０００反転／秒又は２５Ｈｚで２００反転／フレームの反転速度になる。これは、パネルが暗側及び明側である時間の割合を変えることにより、ディスプレイにおける非常に大きなグレースケールの変化をもたらす。
【００７８】
画素の製造
図６から図１０は、本発明の実施の形態に係る、図１に示すような画素の例示的な製造方法を示す。もちろん、そのような画素からなるアレイ全体が単一の基板上にその方法により製造される。
【００７９】
以下は、以下のリストで挙げられ参照され、図６から図１０の説明において記載されたプロセスにおける処理である。一般に、酸化物又はガラス層のそれぞれの被着の後にアニール（anneal）が行われる。記述した方法は特定の製造工場により使用されたプロセス技術に基づいており、同じプロセス手法に対してであっても詳細は変更し得ることに留意すべきである。いくつかの酸化物のエッチングに対しては、覆った窒化物層がマスクとして使用され、少なくともいくつかのポリシリコンのエッチングに対しては、窒化物及び／又は酸化物層がマスクとして使用される。
Ａ−ウエハ開始；
Ｂ−基板電極形成；
Ｃ−シリコン窒化物被着；
Ｄ−ポリ０（ポリシリコン）被着；
Ｅ−ＰＯＣｌ３ドーピング；
Ｆ−ナブ及びナイフ支持体エッチング（プラズマエッチング）；
Ｇ−電極エッジ、浮上電極、アドレス線形成のためのポリエッチング；
Ｈ−シリコン窒化物被着（０．０４ミクロン）；
Ｉ−窒化物エッチング；
Ｊ−シリコン窒化物被着（０．１８ミクロン）；
Ｋ−ナイフ露出のための窒化物エッチング；
Ｌ−犠牲酸化物被着０；及び化学的機械的研磨；
Ｍ−リンを含むシリコンガラス被着；
Ｎ−シリコン窒化物被着（０．２２ミクロン）；
Ｏ−窒化物エッチング；
Ｐ−ソケット及び浮上電極用のアンカー１のエッチング（酸化物エッチング）；
Ｑ−ポリ１（ポリシリコン）被着；
Ｒ−リンを含むシリコンガラスの被着及びアニール；
Ｓ−バッファ酸化物のエッチング；
Ｔ−シリコン窒化物被着（０．１８ミクロン）；
Ｕ−窒化物のエッチング；
Ｖ−低温酸化物被着；
Ｘ−シリコン窒化物被着
Ｙ−パネル、側部動き拘束体の形成用のポリ１のエッチング；
Ｚ−バッファ酸化物のエッチング５００オングストローム；
ＡＡ−低温酸化物被着；
ＣＣ−シリコン窒化物被着；
ＤＤ−水平窒化物の反応性イオンエッチング；
ＥＥ−バッファ酸化物エッチング３２００オングストローム；
ＦＦ−ウェットポリエッチング８００オングストローム；
ＧＧ−バッファ酸化物エッチング５００オングストローム；
ＨＨ−ウェットポリエッチング８００オングストローム；
ＩＩ−バッファ酸化物エッチング１０００オングストローム；
ＪＪ−ポリ酸化；
ＫＫ−バッファ酸化物エッチング１０秒；
ＬＬ−ウェット窒化物エッチング６００オングストローム＋５０〜１００％オーバエッチング；
ＭＭ−犠牲酸化物１被着；ＮＮ−アニール（×２）；ＯＯ−化学的機械的研磨；
ＰＰ−シリコン窒化物被着６００オングストローム；
ＱＱ−ソケット及び浮上電極用のアンカー２エッチング（酸化物エッチング）；
ＲＲ−ポリ２（ポリシリコン）被着；
ＳＳ−リンを含むシリコンガラス被着；
ＵＵ−上方回転軸拘束体及び浮上電極の形成用のポリ２エッチング；
ＶＶ−水平窒化物の反応性イオンエッチング；
ＷＷ−ウェット窒化物エッチング５０分；
ＸＸ−水平窒化物の反応性イオンエッチング（ハードマスク除去）；
ＹＹ−犠牲酸化物除去
【００８０】
これらの処理はここでは図６から図１０に関連する。
【００８１】
図６Ａは、プロセスＡ−Ｅあとの基板を示す。この基板は５２で示され、絶縁シリコン窒化物被着物（Ｃ）が５４で示される。それは通常０．６ミクロン厚である。通常２ミクロンであるポリ０被着物（Ｄ）が参照番号５６で示される。基板電極（Ｂ）（列）線が５３で示される。電極自身の正確な形状は示されていないが、ソケット（図１）間の空間に形成されており、パネルが反転するときに末端が基板をクリアしなければならない事実に限定されて、サイド拘束体間の空間や末端の幅に回転軸の直径を加えたものよりも通常大きい幅を有する。ポリ０層の被着の後にプロセスＥにより導電性になる。
【００８２】
図６Ｂは、プロセスＦ後の基板を示す。プロセスＦは、ナブ及びナイフ上にマスクを形成し、その後１．５ミクロンの深さに酸化物をプラズマエッチングすることからなる。プラズマエッチングはマスクの下まで侵し、ナブの低トップエリア及びかなり細長いナイフエッジ３０を与える。ポリ０の部分は全体の表面にわたって残り、ナイフ及びナブの所ではより高い高さであることに留意されたい。一般に、２ミクロンのマスクサイズに対して酸化物が１．５ミクロンエッチングされると、ナイフ及びナブは、約１ミクロン幅が表面に残るようにマスク下でエッチングされる。この幅減少は、ナブからのパネルの離脱及び回転軸の回転開始に対する静止摩擦及び抵抗を低減させる。
【００８３】
図７Ａから図７Ｃは、プロセス処理Ｚ後の基板の３つの断面を示す。図７Ａは、ナイフ３０の中央を通る切り口を示す（図６Ｂと同じ）。図７Ｂは、図１Ｃに示すよりもパネルからわずかに遠い素子２２,２４を通る切り口を示す。図７Ｃは、パネルの末端の形成及びここで素子６０として示される基板電極の範囲の両方を示すためにソケット間の中途を通る切り口を示す。図７Ａから図７Ｃに示す構成は、ポリエッチング（Ｇ）を行って、浮上電極アドレス線及び電極１４,１６エッジ（Ｇ）を形成することにより達成される。ソケット用のベースはまたこのプロセスにおいて規定される。非導電空間６２がナイフ支持体と電極との間に形成される。０．０４ミクロンのシリコン窒化物被着物は、電極１４のトップ及びナイフ３０（また電極１６から除去された）の右端を除いたいかなる場所に被着され（Ｈ）、除去される（Ｉ）。０．１８ミクロンのさらなるシリコン窒化物層が被着される（Ｊ）。これは、電極１４上の０．２２ミクロンのシリコン窒化物層（参照符号６４）及び電極１６上の０．１８ミクロンのシリコン窒化物層（参照符号６６）になる。これらの２つの厚さの窒化物は、見るときに、それぞれ明暗の陰影を与える。これらの厚さは、プロセスにより変わる。他の色は、着色した表面に従来で既知のシリコンを与える方法により達成され得る。そのような着色表面は、ＲＧＢディスプレイを提供するために使用され得る。色は、例えば窒化物材料にリンを加えて、例えばＵＶにおけるサイドライトでリンを活性化することにより生成され得る。
【００８４】
その後、窒化物は除去され、ナイフのエッジでポリ０の高さを露出する（Ｋ）。犠牲酸化物層０（参照符号６８）は、低温酸化物（ＬＴＯ）プロセスにより被着され（通常２ミクロン）、ナイフ３０上の深さが０．５ミクロンになるように化学的機械的研磨が行われる（Ｌ）。リンを含むシリコンガラス（通常１５００オングストローム厚）は、研磨された酸化物上に被着される（参照符号６９）（Ｍ）。シリコンガラス及びＬＴＯ酸化物は、同じエッチャントで両方ともエッチングされる。しかしながら、シリコンガラスは、より早くエッチングされる。２つの異なる材料の使用は、プロセスわたるより多くの制御を許す。
【００８５】
これは、次の層の下側を着色するために０．２２ミクロンのシリコン窒化物被着物（Ｎ）により覆われる。シリコン窒化物層は、パネルが形成される位置の下を除いてあらゆる場所で除去される（Ｏ）。この層は、パネルが電極１６上方であり、電極１４上のものと同じ厚さであるときに、見えるパネルの色を形成する。
【００８６】
アンカー（酸化物）エッチング（Ｐ）は、必要に応じて、すなわち素子２２をポリ０層に接続するように、ポリ０層とポリ１層との間の導電バイアスを形成するために行われる。図７Ｂは、ソケット用のこれらの層／素子がバイアスを介して接続された切り口を示す。そのようなバイアスが形成された他の場所は、浮上電極がポリ０の高さであるワイヤにおけるリードに接続され得るように形成されたエリアの下である。
【００８７】
その後、ポリ１層７３が被着される（Ｑ）。通常、ポリ１層は２ミクロン厚である。その後、通常２０００オングストローム厚のリンを含むシリコンガラス層がポリ１層の上方に被着され、ポリ１が導電性になるようにアニールされる（Ｒ）。その後、バッファ酸化物のエッチングが行われ（Ｓ）、ガラス層の残存物が除去される。その後、０．１８ミクロン厚の窒化物層が被着される。この層は、パネル１２の上側に色を与える（Ｔ）。その後、窒化物は、生じ得るパネルの表面を除いた全表面から除去されるように、エッチングされる（Ｕ）。通常６００オングストローム厚の低温酸化物７２が被着され（Ｖ）、アニールされる。その後、通常６００オングストローム厚のシリコン窒化物層７４が酸化物層７２上に被着される（Ｘ）。その後、ポリ１層がエッチングされ、ポリ１レベル上に素子の一般外形が形成される。一般に、窒化物及び酸化物層は、下地ポリシリコンをエッチングするマスクとして使用される。その後、任意にバッファ酸化物エッチングが行われ、図７Ａから図７Ｃに示す構造が得られる。
【００８８】
図８Ａから図８Ｄは、丸い水平表面を形成するプロセスを示す。この場合において、それはまた一般に四角断面を有するシリンダの形の素子７６をより円柱断面を有する円柱構造に削る。副生成物として、素子２４の端部もまた丸くなる。明確さのために、素子７６に対する行程のみが示される。さらに、丸め処理がポリ１の全エッジでなされるが、説明を簡単にするためにほとんどのエッジに対してほとんどの図で示していない。
【００８９】
まず、通常１０００オングストローム厚の低温酸化物層８０がその構造上に被着（ＡＡ）され、アニールされる（ＢＢ）。その後、通常６００オングストローム厚のシリコン窒化物層８２が被着される（ＣＣ）。シリコン窒化物の水平部分は反応性イオンエッチングにより除去される（ＤＤ）。これは、図８Ａに示す構造をもたらす。
【００９０】
その後、通常３２００オングストロームのバッファ酸化物のエッチング（ＥＥ）が構造７６のトップの窒化物を覆う酸化物を除去する。それはまた、図８Ｂに示すように、犠牲酸化物６８及び酸化物層６９の下部を切り取る。通常８００オングストロームのウェットポリエッチング（ＦＦ）は、図８Ｃに示すように、素子７６のコーナーを丸める。図８Ｄは、窒化物の表面からいかなる酸化物をも除去するために、さらなる５００オングストロームのウェット酸化物エッチング（ＧＧ）、続けて８００オングストロームのウェットポリエッチング（ＨＨ）及び通常１０００オングストロームのバッファ酸化物エッチングをした後の結果を示す。上述したような変形例が実際に製造されるが、これは、理想的には丸い回転軸２６（図８Ｄ）になるように、素子７６の丸め処理をもたらす。本発明者は、上述した２つのステップのシリンダ形成プロセスが良好な反転性能を与えることを明らかにした一方で、回転軸が完全に丸くなくても、酸化物エッチング／ポリエッチングの繰り返し数の増加及びエッチング深さの調整により、より近い環状の回転軸や他の形状が生成され得る。さらに、本発明のいくつかの実施の形態に対して、回転軸は丸くなく、又は単一の丸め処理ステップのみが行われる。
【００９１】
図９に示す構造は、図８Ａから図８Ｄに関して記述されたプロセスを与えた後の、図７Ａと同じ切り口を示す。ポリ酸化（ＪＪ）に続く、１０秒のバッファ酸化物エッチング（ＫＫ）及びウェット窒化物エッチング（ＬＬ）は、図９に示す構造をもたらす。
【００９２】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、画素の製造、特にポリ２層の被着及びエッチングにおける連続するさらなるステージの結果を示す。図１０Ａの図は図７Ａのものと同じであり、図１０Ｂの図は図７Ｂのものと同じである。
【００９３】
窒化物のエッチングの後に、通常４ミクロン厚の犠牲酸化物１層９０が設けられる。本発明の実施の形態において、この酸化物は、ステップ間及び第２被着後にアニール（ＮＮ）を伴う、２ミクロンステップで設けられる（ＭＭ）。これは、ポリ１レベル上に通常０．８５ミクロン残す化学的機械的研磨操作（ＯＯ）が続く。その後、６００オングストロームのシリコン窒化物被着物が研磨した酸化物上に形成され（ＰＰ）、アンカーホール９４が素子２２（ポリ１レベル）に対する素子２４（ポリ２レベル）の取り付けのため、及びその送り込みリードに浮上電極を取り付けるために形成される。通常１．５ミクロンのポリ２層９２が被着され（ＲＲ）、シリコン窒化物層９１を覆う。この被着物はまた、浮上電極の酸化物におけるアンカーホール９４及び対応ホールを充填する。リンを含むシリコンガラス（通常２０００オングストローム）は、ポリ２層上に形成され（ＳＳ）、アニールされる（ＴＴ）。その後、ポリ２がエッチングされ（ＵＵ）、素子２４及び浮上電極を形成する。反応性イオンエッチング及びウェット酸化物エッチング（ＶＶ，ＷＷ及びＸＸ）は、上層上に残されたいかなる窒化物をも除去し、長い酸化物エッチング（ＹＹ）は、犠牲酸化物層を除去し、完成した画素を残す。
【００９４】
画素がポリシリコン以外の材料で作られ得ることは明らかである。特に、ポリ層の代わりに、金属層が被着され得、適当なエッチャントが使用され得る。さらに、酸化物及びシリコン窒化物以外の他の材料が、画素形成のプロセスにおいて使用され得る。最後に、適当なプラスチック材料は、任意に金属及び／又はポリシリコン材料とともにプロセスにおいて使用され得る。
【００９５】
この出願は、とりわけ丸くされた（丸い）水平回転軸（又は他の素子）、回転軸、位置を早く変えるパネルを有する及び／又は低電圧を用いる画素、パネルの反転方法、並びに製造方法を含む多くの異なる要素を記述することは明らかである。本発明を実施するために発明者に既知なベストモードを知らせるために、これらの要素がディスプレイの状態で記述されているが、上述したそれぞれの要素は、他のデバイスにおいて広い用途を有すると思われることを理解されたい。さらに、要素は、それらが単一のデバイスにおいて協働する状態で記述されているが、これらの新規な要素の多くが本発明のいくつかの実施の形態において、いかなる（及び確実に全てのもの無しで）他のものも無しで使用され得ることが明確にされるべきである。例えば、示した反転方法は、回転軸が丸くされない又は部分的のみ丸くされた画素で動作する。丸めた回転軸は、従来技術及び関連出願の欄で挙げられた参照文献において記述した反転方法で使用され得る。
【００９６】
本発明は、例示された、そして発明の範囲を限定する目的ではない、例示的実施例についての非限定的な詳細な説明により記載されていることは明らかである。種々の実施の形態の特徴の組み合わせを含む本発明の種々の変形例が、当業者により考えられるであろう。このように、本発明の範囲は、請求項の範囲よってのみ定められる。さらに、請求項の範囲に関するいかなる疑問をも避けるために、語句、「有する（comprise, comprising）」、「含む（include, including）などが請求項において使用される場合、それらは「含むが必ずしも限定されない」を意味する。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態に係るディスプレイにおける画素の概略概観図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態に係る、回転軸が回転するソケットの切り離しヴァージョンと共に、ディスプレイにおけるパネルが回転する回転軸の詳細を示す。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態に係る、回転軸及びソケットの断面を示す。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態に係る、基板電極及びパネルの末端の簡略化した断面を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施の形態に係る反転の手順を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施の形態に係る反転の手順を示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の実施の形態に係る反転の手順を示す。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明の実施の形態に係る反転の手順を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、反転の下方及びサイド拘束の効果を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、反転の下方及びサイド拘束の効果を示す。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る、反転のための電圧の予想されるタイミング図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る、反転のための電圧の予想されるタイミング図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施の形態に係る、画素の形成における初期プロセス処理の結果を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施の形態に係る、画素の形成における初期プロセス処理の結果を示す。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の実施の形態に係る、第２ポリシリコン層の形成を示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の実施の形態に係る、第２ポリシリコン層の形成を示す。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の実施の形態に係る、第２ポリシリコン層の形成を示す。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の実施の形態に係る、丸い回転軸の形成を示す。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明の実施の形態に係る、丸い回転軸の形成を示す。
【図８Ｃ】図８Ｃは、本発明の実施の形態に係る、丸い回転軸の形成を示す。
【図８Ｄ】図８Ｄは、本発明の実施の形態に係る、丸い回転軸の形成を示す。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る、回転軸の丸め処理後の画素の部分を示す。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の実施の形態に係る、画素の製造の最終ステージを示す。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明の実施の形態に係る、画素の製造の最終ステージを示す。
【図１Ａ】
2004524550.tif 000003
【図１Ｂ】
2004524550.tif 000004
【図１Ｃ】
2004524550.tif 000005
【図１Ｄ】
2004524550.tif 000006
【図２Ａ】
2004524550.tif 000007
【図２Ｂ】
2004524550.tif 000008
【図２Ｃ】
2004524550.tif 000009
【図２Ｄ】
2004524550.tif 000010
【図３Ａ】
2004524550.tif 000011
【図３Ｂ】
2004524550.tif 000012
【図４】
2004524550.tif 000013
【図５】
2004524550.tif 000014
【図６Ａ】
2004524550.tif 000015
【図６Ｂ】
2004524550.tif 000016
【図７Ａ】
2004524550.tif 000017
【図７Ｂ】
2004524550.tif 000018
【図７Ｃ】
2004524550.tif 000019
【図８Ａ】
2004524550.tif 000020
【図８Ｂ】
2004524550.tif 000021
【図８Ｃ】
2004524550.tif 000022
【図８Ｄ】
2004524550.tif 000023
【図９】
2004524550.tif 000024
【図１０Ａ】
2004524550.tif 000025
【図１０Ｂ】
2004524550.tif 000026
【国際公開パンフレット】
2004524550.tif 000027
2004524550.tif 000028
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2004524550.tif 000039
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2004524550.tif 000044
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2004524550.tif 000066
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004524550.tif 000067
2004524550.tif 000068
【手続補正書】
【提出日】平成14年7月29日(2002.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面を有する基板；
１ｍｍよりも小さい最大寸法を有する対象物；
前記対象物の本体に取り付けられ、軸を有する回転軸；及び
前記基板に取り付けられ、支持表面を有する回転軸支持体を有し、
前記回転軸は、製造された状態で丸い断面を有し、前記回転軸が前記表面に対しする垂線に対しで零でない角度を形成し、前記対象物が前記回転軸について回転可能である装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置であって、前記回転軸は、前記対象物が回転するに従って前記回転軸支持体表面に沿って回転する装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の装置であって、その中で前記回転軸が回転する少なくとも一つのソケットを含む装置。
【請求項４】
請求項３記載の装置であって、前記ソケットは、前記回転軸支持体表面を覆い、前記回転軸は、前記支持体表面、エッジ拘束体約及びトップ拘束体の間に保持される装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置であって、前記回転軸は、前記ソケット及び回転軸支持体表面によりその長さの部分にわたって完全に取り囲まれている装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の装置であって、前記サイド拘束体間の距離は前記回転軸の直径よりも大きく、前記回転軸は前記サイド支持表面間において前記ソケットにより拘束されない装置。
【請求項７】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸は、軸方向に分離された２つの部分で構成され、前記対象物は、前記２つの部分間で前記回転軸に取り付けられた装置。
【請求項８】
請求項７記載の装置であって、前記対象物は、前記回転軸の軸に垂直な方向において、前記回転軸の両サイドに延在する装置。
【請求項９】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲は、２００ミクロンよりも小さい装置。
【請求項１０】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が９０ミクロン以下である装置。
【請求項１１】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が５０ミクロン以下である装置。
【請求項１２】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が２０ミクロン以下である装置。
【請求項１３】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物の最大範囲が１０ミクロンである装置。
【請求項１４】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸支持体表面は、前記基板表面に対して概して平行である装置。
【請求項１５】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸の前記軸は、前記基板表面に対して実質的に平行である装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置であって、前記対象物は、平坦な表面が前記回転軸に対して平行である平坦な対象物である装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の装置であって、前記平坦な対象物は、前記対象物の一つの面が可視である第１の位置から前記平坦な対象物の第２の面が可視である第２の位置に回転される装置。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７記載の装置であって、前記平坦な対象物は、前記基板に対して実質的に平行又は鋭角である一つの位置から前記基板に対して実質的に平行又は鋭角である他の位置に反転する装置。
【請求項１９】
マイクロメカニカルディスプレイ装置であって、それぞれ請求項１６から請求項１９のいずれかに記載の対象物を含む複数の画素を有するマイクロメカニカルディスプレイ装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の装置であって、前記平坦な対象物は、前記軸の一つのサイドで第１の範囲に延在し、第２のサイドでより小さい範囲に延在する装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の装置であって、少なくとも前記より小さい範囲の部分下の前記基板上又は基板内の通電可能な表面エリアを含む装置。
【請求項２２】
請求項２０又は請求項２１記載の装置であって、前記平坦な対象物は、少なくともその範囲の部分にわたって電気的に導通している装置。
【請求項２３】
請求項２２記載の装置であって、前記平坦な対象物は、少なくとも前記より小さい範囲の部分にわたって導通している装置。
【請求項２４】
マイクロメカニカルディスプレイ装置であって、
基板；
平坦な対象物と、前記平坦な対象物がその回りを回転可能である回転軸とをそれぞれ含む前記基板上の複数の画素であって、前記平坦な対象物は、前記対象物の一つの面が可視である第１の位置から前記平坦な対象物の第２の面が可視である第２の位置に回転する、複数の画素；
を有し、
前記平坦な対象物は、前記回転軸の軸を過ぎてそれらの一つのサイドのより大きい範囲及び第２のサイドのより小さい範囲に延在し、
少なくとも前記より小さい範囲の部分にわたって導通しており、
さらに少なくとも前記より小さい範囲の部分の下の前記基板上又は基板内の通電可能な表面エリアを有する装置。
【請求項２５】
請求項２４記載の装置であって、少なくとも部分的に前記回転軸の動きを拘束する少なくとも一つのソケットを含む装置。
【請求項２６】
請求項２０から請求項２５のいずれかに記載の装置であって、前記導通可能な表面エリアに零でない電圧を与える電圧源を含み、前記より小さい範囲を引き寄せて前記表面エリアの回転を開始する装置。
【請求項２７】
請求項２０から請求項２６のいずれかに記載の装置であって、前記より大きい範囲を過ぎ、前記平坦な対象物の静止位置上に設置された、通電可能である少なくとも一つの浮上電極を含む装置。
【請求項２８】
請求項２７記載の装置であって、前記通電可能な表面エリア及び前記浮上電極の選択的通電を制御して、前記平坦な素子を前記第１の位置から前記第２の位置に反転させる装置。
【請求項２９】
請求項２０から請求項２８のいずれかに記載の装置であって、少なくとも前記より大きい範囲の位置の前記軸の近くの前記平坦な対象物の部分は、欠けているか非導通である装置。
【請求項３０】
請求項２０から請求項２９のいずれかに記載の装置であって、前記平坦な対象物の前記第１の面は第１の方法で仕上げられ、前記パネルの前記第２の面は第２の方法で仕上げられる装置。
【請求項３１】
請求項３０記載の装置であって、前記平坦な対象物が前記第１の位置又は前記第２の位置にあるときに、前記軸の遠いサイドの可視エリアが前記平坦な対象物の前記可視面と同じ方法で仕上げられている装置。
【請求項３２】
請求項３０又は請求項３１記載の装置であって、前記異なる仕上げが異なる色を有する装置。
【請求項３３】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記対象物がポリシリコンで構成された装置。
【請求項３４】
請求項３３記載の装置であって、前記対象物は、別の材料で少なくとも部分的に被覆された装置。
【請求項３５】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸はポリシリコンで構成された装置。
【請求項３６】
請求項１から請求項３１のいずれかに記載の装置であって、前記対象物が金属で構成された装置。
【請求項３７】
請求項３６記載の装置であって、前記対象物は、別の材料で少なくとも部分的に被覆された装置。
【請求項３８】
請求項１から請求項３１、請求項３６又は請求項３７のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸が金属で構成された装置。
【請求項３９】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸及び前記対象物は同じ材料で構成された装置。
【請求項４０】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記回転軸及び前記対象物は単一の一体型素子で形成する装置。
【請求項４１】
先行する請求項のいずれかに記載の装置であって、前記基板がシリコンである装置。
【請求項４２】
請求項１から請求項３９のいずれかに記載の装置であって、前記基板がガラスである装置。
【請求項４３】
請求項１から請求項３９のいずれかに記載の装置であって、前記基板が可撓性である装置。
【請求項４４】
丸い筒状素子を形成する方法であって、
（ａ）第１のエッチャントでエッチングされ得る第１の材料の矩形筒状素子を与え、
（ｂ）前記矩形筒状素子の表面の少なくともいくつかを、第２のエッチャントでエッチング可能であり、前記第１のエッチャントに耐性のある第２の材料の層で被覆し、
（ｃ）前記第１及び第２のエッチャントに耐性があり、前記筒状素子の少なくともいくつかの角で不連続である第３の材料で前記第２の材料をオーバーコートし、
（ｄ）前記第２のエッチャントで前記第２の材料をエッチングして、前記角で前記角近傍の第２の材料の層の部分を除去し、
（ｅ）前記第１のエッチャントで前記第１の材料をエッチングして、前記角での及び残存した第２の材料層の部分の下の前記第１の材料の部分を除去する、
方法。
【請求項４５】
請求項４４記載の方法であって、少なくとも１回（ｄ）及び（ｅ）を繰り返す方法。
【請求項４６】
請求項４５記載の方法であって、複数回（ｄ）及び（ｅ）を繰り返す方法。
【請求項４７】
請求項４４から請求項４６のいずれかに記載の方法であって、いかなる残存した第１及び第２材料を除去することを含む方法。
【請求項４８】
請求項４４から請求項４７のいずれかに記載の方法であって、前記第１の材料がポリシリコンである方法。
【請求項４９】
請求項４４から請求項４８のいずれかに記載の方法であって、前記第２の材料は酸化物又はガラス層である方法。
【請求項５０】
請求項４４から請求項４９のいずれかに記載の方法であって、前記第３の材料はシリコン窒化物である方法。
【請求項５１】
請求項４４から請求項４７のいずれかに記載の方法であって、前記第１の材料が金属である方法。
【請求項５２】
対象物の一つのエリアが可視である第１の位置から前記対象物が可視である第２の位置に前記対象物が概して回転可能な回転軸を有する前記対象物を反転する方法であって、前記対象物は、前記回転軸の軸を過ぎて、一つのサイドのより大きい範囲及びその第２のサイドのより小さい範囲に放射状に延在し、
パネルを反転から拘束し；
前記第１の位置から前記第２の位置に前記パネルを移動する方法に少なくとも前記より小さい範囲の部分に電場を与える方法。
【請求項５３】
請求項５２記載の方法であって、前記対象物が前記第１の位置から前記第２の位置に反転するように反転に対する拘束を除去することを含む方法。
【請求項５４】
請求項５３記載の方法であって、拘束は、追加の電極を通電することを含み、拘束の除去は、通電を除去することを含む方法。
【請求項５５】
請求項５２から請求項５４のいずれかに記載の方法であって、前記対象物は、少なくとも前記より小さい範囲の部分にわたって導電している方法。
【請求項５６】
先行する請求項のいずれかに記載の方法であって、前記対象物は、概して平坦な対象物であり、前記平坦な対象物の一つの面は、前記第１の位置で可視であり、前記対象物の前記第２の面は、前記第２の位置で可視である方法。
【請求項５７】
請求項５６記載の方法であって、前記対象物が概して矩形パネルである方法。
【請求項５８】
請求項５６又は請求項５７記載の方法であって、前記追加の電極は、前記第１の位置又は前記第２の位置における前記平坦な対象物のものと異なる面に設置された電極である方法。
【請求項５９】
請求項５８記載の方法であって、前記追加の電極は、前記第１の位置の面の下に設置された方法。
【請求項６０】
請求項５８記載の方法であって、前記追加の電極は、前記第１の位置にあるときに、前記第１の位置の面の上方で前記対象物のサイドに設置された方法。
【請求項６１】
請求項５２から請求項６０のいずれかに記載の方法であって、前記対象物がポリシリコンで構成される方法。
【請求項６２】
請求項５２から請求項６０のいずれかに記載の方法であって、前記対象物が金属で構成される方法。
【請求項６３】
請求項５２から請求項６２のいずれかに記載の方法であって、前記対象物は、１ｍｍより小さい最大寸法を有する方法。
【国際調査報告】
2004524550.tif 000069
2004524550.tif 000070
2004524550.tif 000071
2004524550.tif 000072
2004524550.tif 000073
2004524550.tif 000074