(57)【要約】２個のホスフィン残基（但し、ホスフィン残基の一方は３個のリン−炭素結合を有し、そして他のホスフィン残基は２個のリン−炭素結合及び１個のリン−窒素結合（但し、窒素はキラル主鎖の一部である）を有する）を結合する実質的にエナンチオマー的に純粋なキラル主鎖を含む実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物が開示される。この化合物は驚くほど空気安定性を示し、不斉反応用の金属触媒のための配位子として有用であり、特にエナミド、イタコン酸エステル及びα−ケトエステル化合物の不斉水素化のためのロジウム錯体として優れた結果を示した。また、このビスホスフィン化合物の新規な製造方法及びビスホスフィン化合物の製造で有用である新規な中間体化合物も開示する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
２個のホスフィン残基（但し、ホスフィン残基の一方は３個のリン−炭素結合を有し、そして他のホスフィン残基は２個のリン−炭素結合及び１個のリン−窒素結合（但し、窒素はキラル主鎖の一部である）を有する）を結合する実質的にエナンチオマー的に純粋なキラル主鎖を含んでなる実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物。
【請求項２】
一般式１：
【化１】
2004509968.tif 000027
［式中、Ｒは、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、ｎは０〜３であり、ｍは０〜５であり、そしてＭは、第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択される］
を有する請求項１に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物。
【請求項３】
Ｒがメチルであり、Ｒ２がフェニル、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３がフェニルであり、ｎ及びｍが０であり、そしてＭが鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ１が水素、メチル、エチル又はｎ−プロピルであり、そしてＭが鉄である請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
一般式２：
【化２】
2004509968.tif 000028
［式中、Ｒは、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、ｎは０〜３であり、ｍは０〜５であり、そしてＭは、第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択される］
を有する請求項１に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物。
【請求項６】
Ｒがメチルであり、Ｒ２がフェニル、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３がフェニルであり、ｎ及びｍが０であり、そしてＭが、鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ１が水素、メチル、エチル又はｎ−プロピルであり、そしてＭが鉄である請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
第ＶＩＩＩ族金属との錯会合状態にある請求項１に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物を含んでなる化合物。
【請求項９】
第ＶＩＩＩ族金属との錯会合状態にある請求項２に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物を含んでなる化合物。
【請求項１０】
（ｉ）請求項２に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物に於いて、Ｒがメチルであり、Ｒ１が水素、メチル、エチル又はｎ−プロピルであり、Ｒ２がフェニル、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３がフェニルであり、ｎ及びｍが０であり、Ｍが鉄、ルテニウム又はオスミウムであり、そして（ｉｉ）第ＶＩＩＩ族金属が、ロジウム、イリジウム又はルテニウムである請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
第ＶＩＩＩ族金属との錯会合状態にある請求項５に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物を含んでなる化合物。
【請求項１２】
（ｉ）請求項５に記載の実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物に於いて、Ｒがメチルであり、Ｒ１が水素、メチル、エチル又はｎ−プロピルであり、Ｒ２がフェニル、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３がフェニルであり、ｎ及びｍが０であり、Ｍが鉄、ルテニウム又はオスミウムであり、そして（ｉｉ）第ＶＩＩＩ族金属がロジウム、イリジウム又はルテニウムである請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】
式１：
【化３】
2004509968.tif 000029
を有する実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物の製造方法であって、
（１）式３：
【化４】
2004509968.tif 000030
を有するジアルキルアミンを、式（Ｒ１０ＣＯ）２Ｏを有するカルボン酸無水物と接触させて、式４：
【化５】
2004509968.tif 000031
を有するエステル化合物を得る工程、
（２）工程（１）で製造されたエステルを、式Ｈ２Ｎ−Ｒ１を有するアミンと接触させて、式５：
【化６】
2004509968.tif 000032
を有する中間体化合物を得る工程、
（３）中間体化合物５を式Ｘ−Ｐ（Ｒ２）２を有するハロホスフィンと接触させる工程
（上記式中、Ｒ、Ｒ８及びＲ９は、独立に、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、ｎは０〜３であり、ｍは０〜５であり、Ｍは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択され、Ｒ１０はＣ１〜Ｃ４アルキル基であり、そしてＸは塩素、臭素又はヨウ素である）
の各工程を含んでなる方法。
【請求項１４】
Ｒ、Ｒ８及びＲ９がメチルであり、Ｒ２がフェニル、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３がフェニルであり、Ｘが塩素又は臭素であり、ｎ及びｍが０であり、そしてＭが鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
Ｒ１が水素、メチル、エチル又はｎ−プロピルであり、Ｘが塩素であり、そしてＭが鉄である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
カルボン酸無水物が無水酢酸、プロピオン酸無水物又は酪酸無水物から選択され、そして低級アルコール溶媒がメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール又はｔｅｒｔ−ブタノールから選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
工程（３）がＣ３〜Ｃ１５トリアルキルアミン並びに炭素数６〜１０の脂肪族及び芳香族炭化水素、炭素数６以下のハロゲン化炭化水素並びに炭素数４〜８の環式及び非環式エーテルから選択された非極性非プロトン性溶媒の存在下で実施される請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
工程（３）がトリエチルアミン及びトルエンの存在下で実施される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
式２：
【化７】
2004509968.tif 000033
を有する実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物の製造方法であって、
（１）式６：
【化８】
2004509968.tif 000034
を有するジアルキルアミンを、式（Ｒ１０ＣＯ）２Ｏを有するカルボン酸無水物と接触させて、式７：
【化９】
2004509968.tif 000035
を有するエステル化合物を得る工程、
（２）工程（１）で製造されたエステルを、式Ｈ２Ｎ−Ｒ１を有するアミンと接触させて、式８：
【化１０】
2004509968.tif 000036
を有する中間体化合物を得る工程、
（３）中間体化合物８を式Ｘ−Ｐ（Ｒ２）２を有するハロホスフィンと接触させる工程
（上記式中、Ｒ、Ｒ８及びＲ９は、独立に、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、ｎは０〜３であり、ｍは０〜５であり、Ｍは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択され、Ｒ１０はＣ１〜Ｃ４アルキル基であり、そしてＸは塩素、臭素又はヨウ素である）
の各工程を含んでなる方法。
【請求項２０】
Ｒ、Ｒ８及びＲ９がメチルであり、Ｒ２がフェニル、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３がフェニルであり、Ｘが塩素又は臭素であり、ｎ及びｍが０であり、そしてＭが鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
Ｒ１が水素、メチル、エチル又はｎ−プロピルであり、Ｘが塩素であり、そしてＭが鉄である請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
カルボン酸無水物が無水酢酸、プロピオン酸無水物又は酪酸無水物から選択され、そして低級アルコール溶媒がメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール又はｔｅｒｔ−ブタノールから選択される請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
工程（３）がＣ３〜Ｃ１５トリアルキルアミン並びに炭素数６〜１０の脂肪族及び芳香族炭化水素、炭素数６以下のハロゲン化炭化水素並びに炭素数４〜８の環式及び非環式エーテルから選択された非極性非プロトン性溶媒の存在下で実施される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
工程（３）がトリエチルアミン及びトルエンの存在下で実施される請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
式：
【化１１】
2004509968.tif 000037
［式中、Ｒ及びＲ１は置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、ｎは０〜３であり、ｍは０〜５であり、そしてＭは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択される］
を有するアミノホスフィン化合物。
【請求項２６】
Ｒがメチルであり、Ｒ１がメチル、エチル又はｎ−プロピルであり、Ｒ３がフェニルであり、ｎ及びｍが０であり、そしてＭが鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項２５に記載の化合物。
【請求項２７】
式：
【化１２】
2004509968.tif 000038
［式中、Ｒ及びＲ１は置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、ｎは０〜３であり、ｍは０〜５であり、そしてＭは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択される］
を有するアミノホスフィン化合物。
【請求項２８】
Ｒがメチルであり、Ｒ１がメチル、エチル又はｎ−プロピルであり、Ｒ３がフェニルであり、ｎ及びｍが０であり、そしてＭが鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項２７に記載の化合物。
【請求項２９】
請求項８〜１２の何れか１項に記載の触媒錯体の存在下に、水素化性化合物を水素と接触させることを含んでなる水素化性化合物のエナンチオ選択的水素化方法。
【請求項３０】
水素化性化合物に残基Ｃ＝Ｃ（Ｎ−Ｃ＝Ｏ）−Ｃ＝Ｏが含まれる請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
水素化性化合物が式１０：
【化１３】
2004509968.tif 000039
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、そしてＲ１３は水素、置換及び非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルコキシ、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリールオキシ、置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリールオキシ（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択されるか又はＲ１３とＲ１４とは、集合的に、ラクタムを形成する１〜４個の鎖炭素原子の置換又は非置換のアルキレン基を表す］
を有する請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
水素化性化合物が式１４：
【化１４】
2004509968.tif 000040
［式中、Ｒ１５は、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル並びに置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキルから選択され、Ｒ１６及びＲ１７は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択される］
を有する請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
水素化性化合物が式１６：
【化１５】
2004509968.tif 000041
［式中、Ｒ１８及びＲ１９は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択されるか又はＲ１８とＲ１９とは、集合的に、α−ケトラクトンを形成する１〜４個の鎖炭素原子の置換又は非置換のアルキレン基を表す］
を有する請求項２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は、二価キラル基により結合された炭素結合したホスフィン及び窒素結合したホスフィンの両方を有するという独特の特徴を有する、新規な実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物に関する。この化合物は、不斉反応のための金属触媒のための配位子として有用であり、特に、不斉水素化のためのロジウム錯体として、驚くべき安定性及び優れた結果を示した。本発明は、また、このビスホスフィン化合物の製造のために有用な新規な方法及び中間体化合物並びに１個又はそれ以上の第ＶＩＩＩ族金属と錯会合（ｃｏｍｐｌｅｘ ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）状態にある１種又はそれ以上のビスホスフィン化合物からなる化合物及び不斉水素化のためのそれらの使用に関する。
【０００２】
発明の背景
非対称触媒反応は、触媒の不斉がキラル生成物の生成に於いて何倍にも増すので、高いエナンチオマー純度を有する生成物の生成のための最も有効な方法である。これらのキラル生成物は、単一のエナンチオマー薬物のために及びある種の農薬に於いてブロックを積み上げるような多数の応用を見出した。使用される不斉触媒は、事実上酵素的又は合成的であってよい。後者の種類の触媒は、適用可能な反応種類の一層大きい幅のために、前者よりも一層大きい有望性を有する。合成不斉触媒は、通常、有機配位子によって取り囲まれた金属反応中心から構成されている。この配位子は、通常、高いエナンチオマー純度で生成され、不斉を誘導する試薬である。これらの配位子は、一般的に、製造することが困難で、そのために高価である。
【０００３】
非特許文献１に記載されているように、不斉フェロセン誘導体は、不斉水素化、不斉アルドール反応、不斉有機金属付加及び不斉ヒドロシリル化のような種々の反応に於ける不斉触媒のための配位子として大きい有用性を見出した。これらのフェロセン種は、通常、事実上二座であり、種々の結合種（ｌｉｇａｔｉｎｇ ｓｐｅｃｉｅｓ）を使用する。配位子がホスフィンである場合に、これらは一定して炭素結合したホスフィンである。そうでない場合に、これらのフェロセンベースの配位子は、リン原子に対するヘテロ原子結合を有する。非特許文献２並びに非特許文献３には、ビス−アミノホスフィンベースの不斉配位子が、不斉水素化のための普通の結果（９０％未満エナンチオマー過剰−ｅｅ）を与えることが報告されているが、これらの配位子は、決して、それらの中に含有されるメタロセニル単位又は炭素結合したホスフィン及び窒素結合したホスフィンの混合物を有していなかった。実際に、一つのホスフィンが３個の炭素原子に結合され、他が２個の炭素及び１個の窒素に結合されているキラル非ラセミビスホスフィン配位子の報告は存在しないことが明らかである。
【０００４】
【非特許文献１】
Ｒｉｃｈａｒｄｓ， Ｃ． Ｊ． Ｌｏｃｋｅ， Ａ． Ｊ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ： Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ １９９８年、第９巻、第２３７７−２４０７頁
【非特許文献２】
Ｆｉｏｒｉｎｉ， Ｍ．及びＧｉｏｎｇｏ， Ｇ． Ｍ．、Ｊ． Ｍｏｌ． Ｃａｔ．、１９７９年、第５巻、第３０３−３１０頁
【非特許文献３】
Ｐｒａｃｅｊｕｓ， Ｇ．及びＰｒａｃｅｊｕｓ， Ｈ．、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．、１９７７年、第３４９７−３５００頁
【０００５】
発明の簡単な要約
本発明によって提供される新規なビスホスフィン化合物は、２個のホスフィン残基（但し、ホスフィン残基の一つは３個のリン−炭素結合を有し、そして他のホスフィン残基は２個のリン−炭素結合及び１個のリン−窒素結合（但し、窒素はキラル主鎖の一部である）を有する）を結合する実質的にエナンチオマー的に純粋なキラル主鎖を含む実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物である。これらの化合物は、トリ−ヒドロカルビルホスフィンをジヒドロカルビルアミノホスフィンと結合するキラルビスホスフィンの第一実施例である。これらの種は、種々の反応のための不斉触媒のための二座配位子として利用することができる。これらは、不斉水素化のために特に関心のあるものであり、ロジウム錯体として、これらは、特にプロキラルオレフィン及びケトンのロジウム触媒作用水素化について、高いエナンチオマー過剰を有する水素化生成物を与えた。これらの化合物の活性は、アミン置換基の選択によって容易に変えることができる。
【０００６】
詳細な説明
本発明者等は、３個のリン−炭素結合を有する一つのホスフィン残基並びに２個のリン−炭素結合及び１個のリン−窒素結合を有する他のホスフィンからなる、新規な実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物の広いグループを見出した。実質的にエナンチオマー的に純粋な、即ち、９０％以上のエナンチオマー過剰の化合物の実施例には、一般式１及び２（１のエナンチオマー）：
【０００７】
【化１６】
2004509968.tif 000002
【０００８】
［式中、Ｒは置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、
ｎは０〜３であり、
ｍは０〜５であり、そして
Ｍは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選択される］
を有するホスフィノメタロセニルアミノホスフィンが含まれる。
【０００９】
Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５のそれぞれによって表すことができるアルキル基は炭素数２０以下の直鎖又は分枝鎖脂肪族炭化水素基であってよく、そして例えばＣ１〜Ｃ６−アルコキシ、シアノ、Ｃ２〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ２〜Ｃ６−アルカノイルオキシ、ヒドロキシ、アリール及びハロゲンから選択された１〜３個の基で置換されていてよい。用語「Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ」、「Ｃ２〜Ｃ６−アルコキシカルボニル」及び「Ｃ２〜Ｃ６−アルカノイルオキシ」は、それぞれ、構造−ＯＲ６、−ＣＯ２Ｒ６及び−ＯＣＯＲ６（式中、Ｒ６はＣ１〜Ｃ６−アルキル又は置換Ｃ１〜Ｃ６−アルキルである）に対応する基を示すために使用される。用語「Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル」は、炭素数３〜８の飽和炭素環式炭化水素基を示すために使用される。Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５のそれぞれが表すことができるアリール基には、フェニル、ナフチル又はアントラセニル並びにＣ１〜Ｃ６−アルキル、置換Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、置換Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、ハロゲン、カルボキシ、シアノ、Ｃ１〜Ｃ６−アルカノイルオキシ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルスルホニル、トリフルオロメチル、ヒドロキシ、Ｃ２〜Ｃ６−アルコキシカルボニル、Ｃ２〜Ｃ６−アルカノイルアミノ及び−Ｏ−Ｒ７、−Ｓ−Ｒ７、−ＳＯ２−Ｒ７、−ＮＨＳＯ２Ｒ７及び−ＮＨＣＯ２Ｒ７（式中Ｒ７はフェニル、ナフチル又はＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ及びハロゲンから選択された１〜３個の基で置換されたフェニル若しくはナフチルである）から選択された１〜３個の置換基で置換されたフェニル、ナフチル又はアントラセニルが含まれていてよい。
【００１０】
ヘテロアリール基には、酸素、硫黄及び窒素から選択された１〜３個のヘテロ原子を含有する５員又は６員の芳香族環が含まれる。このようなヘテロアリール基の例はチエニル、フリル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、トリアゾリル、チアジアゾリル、オキサジアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンズイミダゾリル、インドリル等である。ヘテロアリール基は例えばＣ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、置換Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６−アルキルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオキシ、Ｃ２〜Ｃ６−アルコキシカルボニル及びＣ２〜Ｃ６−アルカノイルアミノのような３個以下の基で置換されていてよい。また、ヘテロアリール基は縮合環系、例えばベンゾ又はナフト残基（これらは置換されていないか又は例えば、前記の文に記載した３個以下の基で置換されていてよい）で置換されていてよい。用語「ハロゲン」はフッ素、塩素、臭素及びヨウ素を含めるために使用される。
【００１１】
現在好ましい本発明の化合物は、式１及び２（式中、ＲはＣ１〜Ｃ６−アルキルであり、Ｒ１は水素又はＣ１〜Ｃ６−アルキルであり、Ｒ２はアリール（好ましくはフェニル）、エチル、イソプロピル又はシクロヘキシルであり、Ｒ３はアリール、最も好ましくはフェニルであり、Ｒ４及びＲ５は水素であり、そしてＭは鉄、ルテニウム又はオスミウム、最も好ましくは鉄である）を有する。
【００１２】
本発明の化合物には、炭素結合したホスフィン及び窒素結合したホスフィンの両方が含有されている。この特徴の混合物は、文献中に知られておらず（特に、メタロセンベースの配位子について知られていない）、触媒金属中心に錯化したとき、他の配位子に比較して異なった電子環境を提供する。更に、このメタロセンベースの配位子は使用するアミンの選択に従ってＲ１を変化させることによって容易に変性することができ、従って、これらの配位子から製造された触媒の反応性及び選択性の簡単な変性が可能である。このメタロセンベースのホスフィノ−アミノホスフィン構造種類の予想されないが特に有利な特徴は、それらの酸化分解に対する耐性である。実際に、これらの種類の化合物は、多くのホスフィンが酸化して不活性のホスフィン酸化物になる条件である環境温度で空気雰囲気中で、長期間に亘って、活性及びエナンチオ選択性を保持する（それらの金属錯体の物理的特性及び試行反応の両方によって示される）。
【００１３】
本発明は、また、式１及び２の化合物の新規な製造方法を提供する。即ち、本発明の方法の一つの態様には、式１：
【００１４】
【化１７】
2004509968.tif 000003
【００１５】
を有する実質的にエナンチオマー的に純粋な化合物の製造方法であって、
（１）式３：
【００１６】
【化１８】
2004509968.tif 000004
【００１７】
を有するジアルキルアミンを、式（Ｒ１０ＣＯ）２Ｏを有するカルボン酸無水物と接触させて、式４：
【００１８】
【化１９】
2004509968.tif 000005
【００１９】
を有するエステル化合物を得る工程、
（２）工程（１）で製造されたエステルを、式Ｈ２Ｎ−Ｒ１を有するアミンと接触させて、式５：
【００２０】
【化２０】
2004509968.tif 000006
【００２１】
を有する中間体アミノ−ホスフィン化合物を得る工程、
（３）中間体化合物５を式Ｘ−Ｐ（Ｒ２）２を有するハロホスフィンと接触させる工程
（上記式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ｎ、ｍ及びＭは、前記定義されており、Ｒ８及びＲ９は、独立に、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、Ｒ１０はＣ１〜Ｃ４−アルキル基であり、そしてＸは塩素、臭素又はヨウ素である）
からなる方法が含まれる。式２の化合物は、式６：
【００２２】
【化２１】
2004509968.tif 000007
【００２３】
を有するジアルキルアミンを、それぞれ４及び５に類似する中間体７及び８：
【００２４】
【化２２】
2004509968.tif 000008
を与える出発物質として使用するとき、製造することができる。
【００２５】
この方法の第一工程に於いて、ジアルキルアミン反応剤化合物３を、カルボン酸無水物と接触させる。使用する無水物の量は、ジアルキルアミン反応剤３の１モル当たり、１〜１００モル、好ましくは２〜１０モルであってよい。カルボン酸無水物には８個以下の炭素原子が含有されていてよいが、無水酢酸が特に好ましい。この方法の第一工程は、２０℃と無水物の沸点との間の温度、好ましくは８０〜１２０℃で実施することができる。工程（１）に於いて不活性溶媒を使用することができるが、このような溶媒は必須ではなく、カルボン酸無水物が溶媒及び反応剤の両方として機能し得る。第一工程が完結したとき、エステル中間体を、結晶化又はカルボン酸無水物及び存在する任意の外来の溶媒を例えば蒸留によって除去することのような一般的な手順によって、第二工程で使用するために単離することができる。
【００２６】
ジアルキルアミン反応剤化合物３は、幾つかの公知の方法によって高いエナンチオマー純度で製造することができる。例えば、式：
【００２７】
【化２３】
2004509968.tif 000009
【００２８】
を有する前駆体９は、Ｍａｒｑｕａｒｄｉｎｇ， Ｄ．、Ｋｌｕｓａｃｅｋ， Ｈ．、Ｇｏｋｅｌ， Ｇ．、Ｈｏｆｆｍａｎｎ， Ｐ．、Ｕｇｉ， Ｉ．、Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． １９７０年、第９２巻、第５３８９−５３９３頁、Ａｒｍｓｔｒｏｎｇ， Ｄ． Ｗ．、ＤｅＭｏｎｄ， Ｗ．、Ｃｚｅｃｈ， Ｂ． Ｐ．、Ａｎａｌ． Ｃｈｅｍ． １９８５年、第５７巻、第４８１−４８４頁及びＢｏａｚ， Ｎ． Ｗ．、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、１９８９年、第３０巻、第２０６１−２０６４頁により記載されている手順を使用して、高いエナンチオマー純度で製造することができる。次いで、前駆体９を、公知の手順により、例えばＨａｙａｓｈｉ， Ｔ．等、Ｂｕｌｌ Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｊｐｎ． １９８０年、第５３巻、第１１３０−１１５１頁及び前の文に記載した文献に記載された手順を使用して、ジアルキルアミン反応剤３に転化させることができる。エナンチオマー種６は類似の方法で製造することができる。
【００２９】
この方法の第二工程に於いて、工程（１）から得られたエステル中間体を、式Ｈ２ＮＲ１を有するアミンと、Ｃ１〜Ｃ４アルカノール溶媒、好ましくはメタノール又は２−プロパノールの存在下で接触させ、反応させる。第二工程は、２０℃と溶媒の沸点との間の温度、好ましくは２５〜５０℃で実施することができる。アミン：エステル中間体４（又は７）のモル比は、典型的に、１：１〜２５：１の範囲内である。中間体５（又は８）を、工程（３）で使用するために、抽出精製又は結晶化のような一般的な手順によって回収することができる。
【００３０】
本発明の新規な方法の第三工程に於いて、中間体５（又は８）を、ＸＰＲ２２（式中、Ｘは塩素、臭素又はヨウ素である）のハロホスフィンと、０．８：１〜１．３：１の範囲内のハロホスフィン：中間体５（又は８）モル比を使用して、接触させ、反応させる。工程（３）の反応は、第三級アミン、例えば合計炭素数３〜１５のトリアルキルアミン、ピリジン、置換ピリジン等のような酸受容体の存在下で実施される。使用される酸受容体の量は、通常、使用されるハロホスフィンの１モル当たり少なくとも１モルの酸受容体で、ハロホスフィンの１モル当たり５モル以下の酸受容体である。工程（３）は、不活性溶媒の存在下で実施される。不活性溶媒の例には、これらに限定されないが、炭素数６〜１０の脂肪族及び芳香族炭化水素、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、種々のキシレン異性体及びこれらの混合物等；ハロゲン化物、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン等のような炭素数６以下の塩素化炭化水素並びに炭素数４〜８の環式及び非環式エーテル、例えばｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のような非極性非プロトン性溶媒が含まれる。特に好ましい酸受容体及び溶媒は、それぞれ、トリエチルアミン及びトルエンである。工程（３）は−２０℃と溶媒の沸点との間の温度、好ましくは０〜３０℃で実施することができる。
【００３１】
中間体アミノ−ホスフィン化合物５及び８は、新規な化合物であり、本発明の追加の態様を構成する。また、本発明の範囲内には、２個のホスフィン残基（但し、ホスフィン残基の一方は３個のリン−炭素結合を有し、そして他方のホスフィン残基は２個のリン−炭素結合及び１個のリン−窒素結合（但し、窒素は１個又はそれ以上の第ＶＩＩＩ族金属、好ましくはロジウム、イリジウム又はルテニウムと錯会合状態にあるキラル主鎖の一部である）を有する）を結合する実質的にエナンチオマー的に純粋なキラル主鎖からなる、１種又はそれ以上の実質的にエナンチオマー的に純粋なビスホスフィン化合物からなる触媒的に活性の化合物が含まれる。
【００３２】
実施例
本発明によって提供される新規な化合物及び方法を、下記の実施例によって更に示す。
【００３３】
例１
（Ｒ）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−５ａ）（Ｒ１＝Ｈ）の製造
２５０ｍＬのフラスコ内で、（Ｒ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−３ａ、Ｒ＝Ｒ８＝Ｒ９＝メチル、Ｒ３＝フェニル−Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ、Ｍ＝Ｆｅ）（１０．０ｇ、２２．７ミリモル）を、無水酢酸（１４．２５ｍＬ、１５０ミリモル、６．７当量）と一緒にした。このフラスコを１０回、真空にし、窒素で充填し、次いで１００℃に２時間加熱し、この時点で薄層クロマトグラフィー（ｔｌｃ）分析は，３ａが存在しないことを示した。残留無水酢酸を減圧下で蒸発させて、酢酸エステルＲ，Ｓ−４ａを含有する固体塊を得た。酢酸エステルＲ，Ｓ−４ａの一部（１．０ｇ）を除去し、残りをイソプロパノール（２００ｍＬ）中に溶解させ、濃水酸化アンモニウム（２８％ＮＨ３、２４．３ｍＬ、３６０ミリモル、１７．５当量）で処理した。この反応混合物を５０℃に一夜加熱して、ｔｌｃ分析により４を完全に消費した。この混合物を減圧下で小体積にまで濃縮した。残渣を酢酸エチル中に溶解させ、１０％クエン酸水溶液（３×７５ｍＬ）で抽出した。酸性抽出液を４Ｎ　ＮａＯＨ（１１５ｍＬ）でｐＨ１２に中和し、酢酸エチル（３×５０ｍＬ）で抽出した。一緒にした有機溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥させ、真空中で濃縮して、７．３４ｇ（８７％収率）のＲ，Ｓ−５ａ（Ｒ１＝水素）を得た。Ｓ，Ｒ−８ａを、同じ方法でＳ，Ｒ−６ａから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．６−７．２（ｍ，１０Ｈ）；４．４３（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．２８（ｍ，１Ｈ）；４．２０（ｍ，１Ｈ）；４．０１６（ｓ，５Ｈ）；３．７６（ｍ，１Ｈ）；１．４３９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６　５９Ｈｚ）．
【００３４】
（Ｓ）−Ｎ−ジフェニルホスフィノ−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｓ，Ｒ−２ａ）（Ｒ１＝Ｈ）の製造
アミンＳ，Ｒ−８ａ（１．９ｇ；４．６ミリモル）を、１１ｍＬのトルエン中に溶解させた。トリエチルアミン（１．３ｍＬ、９．３ミリモル、２当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１０分間の窒素パージにより脱気した。クロロジフェニルホスフィン（８６０μＬ、４．８ミリモル、１．０４当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を環境温度に加温させ、一夜攪拌して８ａを殆ど完全に消費して、ｔｌｃ上の新しいスポットを得た。ヘプタン（１１ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をトルエンで洗浄した。濾液を濃縮して、幾らかのトリエチルアミン塩酸塩で汚染された２ａ（Ｒ１＝水素）を得た。この粗製生成物を１：１トルエン：ヘプタン（２０ｍＬ）と共に、４℃で１時間粉砕した。この混合物を濾過し、濾液を真空中で濃縮して、２．６ｇのＳ，Ｒ−２ａ（９５％収率）を油として得た。Ｒ，Ｓ−１ａを、同じ方法でＲ，Ｓ−５ａから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．８−７．１（ｍ，２０Ｈ）；４．５０（ｍ，１Ｈ）；４．４６（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．３０（ｍ，１Ｈ）；３．９１５（ｓ，５Ｈ）；１．５１５（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．５９Ｈｚ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　５９７．２５（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５＋２３３．３°（ｃ１．１２、トルエン）
【００３５】
例２
（Ｓ）−Ｎ−メチル−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｓ，Ｒ−８ｂ）（Ｒ１＝Ｍｅ）の製造
１００ｍＬのフラスコ内で、（Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｓ，Ｒ−６ａ）（５．０ｇ、１１．３ミリモル）を、無水酢酸（７．１ｍＬ、７５．２ミリモル、６．７当量）と一緒にした。このフラスコを１０回、真空にし、窒素で充填し、次いで１００℃に２時間加熱し、この時点でｔｌｃ分析は，６ａが存在しないことを示した。残留無水酢酸を減圧下で蒸発させて、酢酸エステルＳ，Ｒ−７ａを含有する固体塊を得た。この物質をイソプロパノール（１１０ｍＬ）中に溶解させ、４０％メチルアミン水溶液（１４．６ｍＬ、１７０ミリモル、１５当量）で処理した。この反応混合物を５０℃に４８時間加熱して、ｔｌｃ分析により７ａを完全に消費した。この混合物を減圧下で小体積にまで濃縮した。残渣を１：１酢酸エチル：ヘプタン中に溶解させ、１０％クエン酸水溶液（４×１０ｍＬ）で抽出した。酸性抽出液を２Ｎ　ＮａＯＨ（５０ｍＬ）で中和し、酢酸エチル（３×２０ｍＬ）で抽出した。一緒にした有機溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥させ、真空中で濃縮して、４．３３ｇ（９０％収率）のＳ，Ｒ−８ｂ（Ｒ１＝メチル）を橙色固体として得た。Ｒ，Ｓ−５ｂを、同じ方法でＲ，Ｓ−３ａから製造した。１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．５５（ｍ，２Ｈ）；７．３７（ｍ，３Ｈ）；７．２６（ｍ，５Ｈ）；４．４６３（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．２８６（ｍ，１Ｈ）；４．０２８（ｓ，５Ｈ）；３．９４（ｍ，１Ｈ）；３．７８（ｍ，１Ｈ）；１．９４３（ｓ，３Ｈ）；１．４４５（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．５９Ｈｚ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　４２７（Ｍ＋）．
【００３６】
（Ｓ）−Ｎ−メチル−Ｎ−ジフェニルホスフィノ−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｓ，Ｒ−２ｂ）（Ｒ１＝Ｍｅ）の製造
アミンＳ，Ｒ−８ｂ（４２７ｍｇ、１．０ミリモル）を、２．５ｍＬのトルエン中に溶解させた。トリエチルアミン（０．２９ｍＬ、２．１ミリモル、２．１当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１０分間のアルゴンパージにより脱気した。クロロジフェニルホスフィン（１８０μＬ、１．０ミリモル、１．０当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を環境温度に加温させ、一夜攪拌して８ｂを殆ど完全に消費して、ｔｌｃ上の新しいスポットを得た。ヘプタン（２．５ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をヘプタンで洗浄した。濾液を真空中で濃縮して、０．６８ｇのＳ，Ｒ−２ｂ（Ｒ１＝メチル）を黄色フォームとして得た。Ｒ，Ｓ−１ｂを、同じ方法でＲ，Ｓ−５ｂから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．６５（ｍ，２Ｈ）；７．４−７．０（ｍ，１４Ｈ）；６．８２（ｍ，４Ｈ）；５．００６（ｍ，１Ｈ）；４．５０２（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．４０（ｍ，１Ｈ）；４．１５（ｍ，１Ｈ）；３．７９８（ｓ，５Ｈ）；２．１４８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝３．３０Ｈｚ）；１．４７１（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６　８７Ｈｚ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　６１１（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５＋２２９．８°（ｃ１．１０、トルエン）
【００３７】
例３
（Ｒ）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアセテート（Ｒ，Ｓ−４ａ）の製造
１００ｍＬのフラスコ内で、（Ｒ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−３ａ）（１０．４ｇ、２４．０ミリモル）を、無水酢酸（１５ｍＬ、１３６ミリモル、５．７当量）と一緒にした。このフラスコを１０回、真空にし、窒素で充填し、次いで１００℃に２時間加熱し、この時点でｔｌｃ分析は，３ａが存在しないことを示した。残留無水酢酸を減圧下で蒸発させて、酢酸エステルＲ，Ｓ−４ａを得た。この物質は、酢酸エチル−ヘプタン混合物から再結晶させることができた。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．５２（ｍ，２Ｈ）；７．３７（ｍ，３Ｈ）；７．３−７．１５（ｍ，５Ｈ）；６．２０６（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝２．７５Ｈｚ）；４．５６８（ｍ，１Ｈ）；４．３４９（ｍ，１Ｈ）；４．０４５（ｓ，５Ｈ）；３．８００（ｍ，１Ｈ）；１．６３０（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．３２Ｈｚ）；１．１７０（ｓ，３Ｈ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　４５６（Ｍ＋）．
【００３８】
（Ｒ）−Ｎ−エチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−５ｃ）（Ｒ１＝Ｅｔ）の製造
（Ｒ）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアセテート（Ｒ，Ｓ−４ａ）（１．３７ｇ、３．０ミリモル）をイソプロパノール（２５ｍＬ）中にスラリー化させ、７０％エチルアミン水溶液（３．６ｍＬ、４５ミリモル、１５当量）で処理した。この反応混合物を５０℃に２日間加熱して、ｔｌｃ分析により４ａを完全に消費した。この混合物を減圧下で小体積にまで濃縮した。残渣を１：１酢酸エチル：ヘプタン中に溶解させ、１０％クエン酸水溶液（２×２５ｍＬ）で抽出した。酸性抽出液を４Ｎ　ＮａＯＨ（２５ｍＬ）で中和し、酢酸エチル（３×２５ｍＬ）で抽出した。一緒にした有機溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥させ、真空中で濃縮して、１．１９ｇ（９０％収率）のＲ，Ｓ−５ｃ（Ｒ１＝エチル）を橙色固体として得た。Ｓ，Ｒ−８ｃを、同じ方法でＳ，Ｒ−７ａから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．６−７．２（ｍ，１０Ｈ）；４．５（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．２８（ｍ，１Ｈ）；４．０５（ｓ，５Ｈ）；４．０（ｍ，１Ｈ）；３．７８（ｍ，１Ｈ）；２．４−２．２（ｍ，２Ｈ）；１．４５（ｄ，３Ｈ）；０．４２（ｔ，３Ｈ）．
【００３９】
（Ｒ）−Ｎ−エチル−Ｎ−ジフェニルホスフィノ−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−１ｃ）（Ｒ１＝Ｅｔ）の製造
アミンＲ，Ｓ−５ｃ（１．１ｇ、２．５ミリモル）を、６ｍＬのトルエン中に溶解させた。トリエチルアミン（０．６９ｍＬ、５．０ミリモル、２．０当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１０分間のアルゴンパージにより脱気した。クロロジフェニルホスフィン（４７０μＬ、２．６ミリモル、１．０５当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を環境温度に加温させ、一夜攪拌して５ｃを殆ど完全に消費して、ｔｌｃ上の新しいスポットを得た。ヘプタン（７ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をトルエン及びヘプタンで洗浄した。濾液を濃縮し、次いでヘプタン中に再懸濁させた。この混合物を濾過し、真空中で濃縮して、１．４１ｇ（９０％）のＲ，Ｓ−１ｃ（Ｒ１＝エチル）を黄色フォームとして得た。Ｓ，Ｒ−２ｃを、同じ方法でＳ，Ｒ−８ｃから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．７−７．０５（ｍ，１８Ｈ）；６．９８７（ｍ，２Ｈ）；４．７６６（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．７（ｍ，１Ｈ）；４．４０５（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．１３９（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；３．８２２（ｓ，５Ｈ）；２．６５（ｍ，２Ｈ）；１．７６８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）；０．６９８（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　６２５．２５（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５−２７８．３°（ｃ１．０２、トルエン）
【００４０】
例４
（Ｒ）−Ｎ−プロピル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−５ｄ）（Ｒ１＝Ｐｒ）の製造
（Ｒ）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアセテート（Ｒ，Ｓ−４ａ）（２．５０ｇ、５．５ミリモル）をメタノール（４５ｍＬ）中に溶解させ、ｎ−プロピルアミン（２．２ｍＬ、２６．８ミリモル、４．９当量）で処理した。この反応混合物を５０℃に２日間加熱して、ｔｌｃ分析により４ａを完全に消費した。この混合物を減圧下で小体積にまで濃縮した。残渣を１：１酢酸エチル：ヘプタン中に溶解させ、１０％クエン酸水溶液（３×２５ｍＬ）で抽出した。酸性抽出液を４Ｎ　ＮａＯＨ（３８ｍＬ）で中和し、酢酸エチル（３×２５ｍＬ）で抽出した。固体が有機抽出液中に認められた。これを濾過によって集め、空気乾燥して、０．５８ｇのＲ，Ｓ−５ｄ（Ｒ１＝プロピル）のクエン酸塩を橙色結晶として得た。有機溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮して、１．２７ｇ（５１％収率）のＲ，Ｓ−５ｄ（Ｒ１＝プロピル）を油として得た。Ｓ，Ｒ−８ｄを、同じ方法でＳ，Ｒ−７ａから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．６−７．２（ｍ，１０Ｈ）；４．４９７（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．２９０（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．０２５（ｓ，５Ｈ）；３．７６４（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；３．２０５（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）；２．３５−２．１（ｍ，２Ｈ）；１．４６２（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．５９Ｈｚ）；０．９−０．６（ｍ，２Ｈ）；０．５０６（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）．
【００４１】
（Ｒ）−Ｎ−プロピル−Ｎ−ジフェニルホスフィノ−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−１ｄ）（Ｒ１＝Ｐｒ）の製造
アミンＲ，Ｓ−５ｄ（４００ｍｇ、０．８８ミリモル）を、２．１ｍＬのトルエン中に溶解させた。トリエチルアミン（２５０μＬ、１．８ミリモル、２．０当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１０分間の窒素パージにより脱気した。クロロジフェニルホスフィン（２００μＬ、１．１ミリモル、１．２５当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を環境温度に加温させ、一夜攪拌して５ｄを殆ど完全に消費して、ｔｌｃ上の新しいスポットを得た。ヘプタン（５ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をトルエン及びヘプタンで洗浄した。濾液を真空中で濃縮して、０．５５ｇ（８６％）のＲ，Ｓ−１ｄ（Ｒ１＝プロピル）を得た。Ｓ，Ｒ−２ｄを、同じ方法でＳ，Ｒ−８ｄから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．６５（ｍ，２Ｈ）；７．５−７．１（ｍ，１６Ｈ）；６．９５（ｍ，２Ｈ）；４．７５（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．６５（ｍ，１Ｈ）；４．４（ｍ，１Ｈ）；４．１５（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；３．８２（ｓ，５Ｈ）；２．４２（ｍ，２Ｈ）；１．８１（ｄ，３Ｈ）；１．４−１．２（ｍ，２Ｈ）；０．３９（ｔ，３Ｈ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　６３９．３４（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５−１０１．４°（ｃ１．０５、トルエン）
【００４２】
例５
（Ｓ）−Ｎ−メチル−Ｎ−ジエチルホスフィノ−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｓ，Ｒ−２ｅ、Ｒ１＝Ｍｅ、Ｒ２＝Ｅｔ）の製造
アミンＳ，Ｒ−８ｂ（５００ｍｇ、１．１７ミリモル）を、５ｍＬのトルエン中にスラリー化した。トリエチルアミン（０．３３ｍＬ、２．３４ミリモル、２．０当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１５分間のアルゴンパージにより脱気した。クロロジエチルホスフィン（０．１７ｍＬ、１．４０ミリモル、１．２当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を氷−水中で３０分間攪拌して、ｔｌｃ分析により８ｂを完全に消費した。この反応混合物を環境温度に一夜加温した。ヘプタン（１０ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をヘプタンで洗浄した。濾液を真空中で濃縮して、０．５９ｇ（９８％）のＳ，Ｒ−２ｅを黄色フォームとして得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ７．５３（ｍ，２Ｈ）；７．４０（ｍ，３Ｈ）；７．１８（ｍ，３Ｈ）；６．９６９（ｍ，２Ｈ）；４．５０３（ｍ，２Ｈ）；４．３９２（ｍ，１Ｈ）；３．８７３（ｍ，１Ｈ）；３．８３１（ｓ，５Ｈ）；１．９１４（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝３．０２Ｈｚ）；１．４３８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）；１．３−１．０（ｍ，４Ｈ）；０．８４１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．４２，１５．１１Ｈｚ）；０．５５−０．４（ｍ，２Ｈ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　５１５（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５＋３２８．９°（ｃ１．０１、トルエン）
【００４３】
例６
（Ｒ）−Ｎ−メチル−Ｎ−ジイソプロピルホスフィノ−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−１ｆ、Ｒ１＝Ｍｅ、Ｒ２＝ｉ−Ｐｒ）の製造
アミンＲ，Ｓ−５ｂ（１．００ｇ、２．３４ミリモル）を、５ｍＬのトルエン中に溶解させた。トリエチルアミン（０．６５ｍＬ、４．７ミリモル、２．０当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１５分間のアルゴンパージにより脱気した。クロロジイソプロピルホスフィン（０．３９ｍＬ、２．４６ミリモル、１．０５当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を環境温度に加温させ、一夜攪拌して５ｂを部分的に消費して、ｔｌｃ分析による新しいスポットを得た。この混合物を５０℃に１８時間加熱して、限界まで更に転化させた。ヘプタン（１０ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をヘプタンで洗浄した。濾液を真空中で濃縮し、粗製生成物を、アルミナのパッドを通して濾過し、８５：１５：５ヘプタン：酢酸エチル：トリエチルアミンで溶離して、０．８３ｇ（６５％）のＲ，Ｓ−１ｆを黄色フォームとして得た。Ｓ，Ｒ−２ｆを、同様の方法でＳ，Ｒ−８ｂから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ７．５７（ｍ，２Ｈ）；７．４０（ｍ，３Ｈ）；７．２０（ｍ，３Ｈ）；７．０９（ｍ，２Ｈ）；４．５３８（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．４３６（ｍ，１Ｈ）；４．３１（ｍ，１Ｈ）；４．０４（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；３．７８４（ｓ，５Ｈ）；２．１０３（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝２．２０Ｈｚ）；１．６２（ｍ，１Ｈ）；１．５５７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）；１．３４（ｍ，１Ｈ）；０．８５−０．６０（ｍ，１２Ｈ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　５４３．４０（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５−３０１．９°（ｃ１．１５、トルエン）
【００４４】
例７
（Ｒ）−Ｎ−メチル−Ｎ−ジシクロヘキシルホスフィノ−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（Ｒ，Ｓ−１ｇ、Ｒ１＝Ｍｅ、Ｒ２＝ｃ−Ｃ６Ｈ１１）の製造
アミンＲ，Ｓ−５ｂ（２．００ｇ、４．７ミリモル）を、１０ｍＬのトルエン中に溶解させた。トリエチルアミン（１．３０ｍＬ、９．４ミリモル、２．０当量）を添加した。この混合物を氷水中で冷却し、１５分間のアルゴンパージにより脱気した。クロロジシクロヘキシルホスフィン（１．０５ｍＬ、４．９４ミリモル、１．０５当量）を、滴下により添加した。この反応混合物を環境温度に加温させ、一夜攪拌して５ｂを部分的に消費して、ｔｌｃ分析による新しいスポットを得た。この混合物を５０℃に１８時間加熱して、著しく更に転化させた。ヘプタン（２０ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、沈殿物をヘプタンで洗浄し、一緒にした濾液及び洗液を真空中で濃縮した。粗製生成物を、アルミナのパッドを通して濾過し、８５：１５：５ヘプタン：酢酸エチル：トリエチルアミンで溶離して、１．５０ｇ（５２％）のＲ，Ｓ−１ｇを黄色フォームとして得た。Ｓ，Ｒ−２ｇを、同様の方法でＳ，Ｒ−８ｂから製造した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ７．６０（ｍ，２Ｈ）；７．４１５（ｍ，３Ｈ）；７．１９（ｍ，３Ｈ）；７．０４（ｍ，２Ｈ）；４．５３２（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．４４２（ｍ，１Ｈ）；３．３１２（ｍ，１Ｈ）；４．１１２（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；３．７１２（ｓ，５Ｈ）；２．１４３（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１．９２Ｈｚ）；１．５４９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）；１．７−０．７（ｍ，２２Ｈ）．ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ　６２４（Ｍ＋）．［α］Ｄ２５−２９２．２°（ｃ１．０１、トルエン）
【００４５】
ジホスフィン１又は２の利用には、この配位子の触媒的に活性の金属（「金属」）（これは、メタロセンの構造金属ではない）との錯化が必要である。選択される特別の金属は、所望の反応に依存する。これらに限定されないが、不斉水素化、不斉還元、不斉ヒドロホウ素化、不斉オレフィン異性化、不斉ヒドロシリル化、不斉アリル化及び不斉有機金属付加を含む、非常に多数の、化合物１及び２をベースにする触媒を使用する広範囲の種々の基体の可能な反応が存在する。配位子１及び２の利用性は、それらの金属錯体（これも本発明の態様である）の不斉水素化反応により示されるであろう。それで、本発明には、水素化性化合物を、金属と錯会合状態にある配位子１又は２からなる触媒錯体の存在下で、水素と接触させることからなる、水素化性化合物の水素化方法が含まれる。特別の基体種類に結び付けられることを望まないけれども、アミノ酸誘導体を与えるためのエナミド基体の不斉水素化は、薬物工業に於いて特に関心のあるものであり、配位子１及び２をベースにする触媒は、これらの転換のための特に高いエナンチオ選択率を示す。これらの状況下で水素化することができるエナミド化合物には、残基Ｃ＝Ｃ（Ｎ−Ｃ＝Ｏ）−Ｃ＝Ｏが含まれ、そうして水素化性化合物内にこの残基が存在する場合、転換は高いエナンチオ選択率で進行するであろう。
好ましいエナミド反応剤は、一般式１０：
【００４６】
【化２４】
2004509968.tif 000010
【００４７】
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択され、そして
Ｒ１３は水素、置換及び非置換のＣ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ１〜Ｃ２０アルコキシ、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルコキシ、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリールオキシ、置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリールオキシ（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択されるか又は
Ｒ１３とＲ１４とは、集合的に、ラクタムを形成する１〜４個の鎖炭素原子の置換又は非置換のアルキレン基を表す］
を有する。
【００４８】
式１０を有するエナミド反応剤は、Ｓｃｈｍｉｄｔ， Ｕ．、Ｇｒｉｅｓｓｅｒ， Ｈ．、Ｌｅｉｔｅｎｂｅｒｇｅｒ， Ｖ．、Ｌｉｅｂｅｒｋｎｅｃｈｔ， Ａ．、Ｍａｎｇｏｌｄ， Ｒ．、Ｍｅｙｅｒ， Ｒ．、Ｒｉｅｄｌ， Ｂ．：Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ １９９２年、第４８７−４９０頁に記載されている方法論を使用して製造することができる。
【００４９】
配位子１及び２をベースにする触媒による式１０を有するエナミドの水素化の生成物は、式１１：
【００５０】
【化２５】
2004509968.tif 000011
【００５１】
（式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は前記定義された通りである）
を有する種からなる。これらの化合物は、一般的に、非常に高いエナンチオ選択率（９０％超ｅｅ）で製造され、製造される特別のエナンチオマーは配位子１が使用されるか又は配位子２が使用されるかに依存する。
【００５２】
配位子１及び２をベースにする触媒は、また、種々のイタコン酸エステル及びα−ケトエステル誘導体の不斉水素化のための高いエナンチオ選択率を示す。選択的に水素化することができるイタコン酸エステル化合物は、一般式１４：
【００５３】
【化２６】
2004509968.tif 000012
【００５４】
［式中、Ｒ１５は水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル並びに置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキルから選択され、Ｒ１６及びＲ１７は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択される］
を有する。好ましいイタコン酸エステル反応剤は、Ｒ１５が水素であり、そしてＲ１６及びＲ１７が、独立に、水素及びＣ１〜Ｃ１０アルキルから選択される式１４を有する。式１４のイタコン酸エステル基体は、一般的に市販されているか又は当業者に公知の方法によって製造することができる。
【００５５】
配位子１及び２をベースにする触媒による式１４を有するイタコン酸エステルの水素化の生成物は式１５：
【００５６】
【化２７】
2004509968.tif 000013
【００５７】
（式中、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は前記定義された通りである）
を有する種からなる。これらの化合物は、一般的に、非常に高いエナンチオ選択率（８０％超ｅｅ）で製造され、製造される特別のエナンチオマーは、配位子１が使用されるか又は配位子２が使用されるかに依存する。
【００５８】
選択的に水素化することができるα−ケトエステル化合物は、一般式１６：
【００５９】
【化２８】
2004509968.tif 000014
【００６０】
［式中、Ｒ１８及びＲ１９は、独立に、水素、置換及び非置換の分枝鎖及び直鎖Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換及び非置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル、置換及び非置換のＣ６〜Ｃ２０炭素環式アリール並びに置換及び非置換のＣ４〜Ｃ２０ヘテロアリール（但し、ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選択される）から選択されるか又は　Ｒ１８とＲ１９とは、集合的に、α−ケトラクトンを形成する１〜４個の鎖炭素原子の置換又は非置換のアルキレン基を表す］
を有する。
【００６１】
式１６のα−ケトエステル基体は、一般的に市販されているか又は当業者に公知の方法によって製造することができる。
【００６２】
好ましいα−ケトエステル反応剤は、Ｒ１８及びＲ１９が、独立に、水素、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、Ｃ３〜Ｃ６シクロアルキル、フェニル及びベンジルから選択される式１６を有する。また、好ましいα−ケトエステル反応剤には、Ｒ１８とＲ１９とが、集合的に、α−ケトラクトンを形成する２〜３個の鎖炭素原子の置換又は非置換のアルキレン基を表す式１６の化合物が含まれる。
【００６３】
配位子１及び２をベースにする触媒による式１６を有するα−ケトエステルの水素化の生成物は、式１７：
【００６４】
【化２９】
2004509968.tif 000015
【００６５】
（式中、Ｒ１８及びＲ１９は前記定義された通りである）
を有する種からなる。これらの化合物は、一般的に、非常に高いエナンチオ選択率（８０％超ｅｅ）で製造され、製造される特別のエナンチオマーは、配位子１が使用されるか又は配位子２が使用されるかに依存する。
【００６６】
不斉水素化反応のために、錯化される金属は、ロジウム、イリジウム又はルテニウムからなる群から選択することができ、最も好ましくはロジウムである。配位子−金属錯体を製造し、単離することができるが、錯体を配位子１又は２と金属前触媒とからその場（ｉｎ　ｓｉｔｕ）で錯体を製造することが好ましい。配位子対金属モル比は、０．５：１〜５：１、好ましくは１：１〜１．５：１の範囲内であってよい。錯体の量は、反応剤化合物基準で０．００００５当量と０．５当量との間で変化してよく、より多い錯体は、通常、より速い反応速度を与える。雰囲気は水素であるが、反応条件に対して不活性である他の物質が含有されていてもよい。この反応は、大気圧又は０．５〜２００バールゲージ（ｂａｒｇ）（５０〜２０，０００ｋＰａ）の高い圧力で運転することができる。この反応は、妥当な転化速度を与える温度で運転され、この温度は、−５０℃のように低くてよいが、通常、環境温度と反応混合物中の最低沸点成分の沸点（又は高い圧力での見掛け沸点）との間である。この反応は、通常、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等のような脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等のような芳香族炭化水素、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のような環式若しくは非環式エーテル、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール等のような低級アルコール、ジクロロメタン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼン等のようなハロゲン化脂肪族若しくは芳香族炭化水素、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン等のようなジアルキルケトン又はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等のような極性非プロトン性溶媒から選択された溶媒の存在下で運転される。
【００６７】
これらの反応を、下記に示すように、種々のエナミド、イタコン酸エステル及びα−ケトエステルの不斉水素化反応によって例示する。配位子１又は２からその場で形成されたロジウム錯体を使用するエナミド基体の不斉水素化から生成したアミノ酸誘導体は、一般的に、非常に高いエナンチオマー過剰（９０％超ｅｅ）で得られ、他方、配位子１又は２からその場で形成されたロジウム錯体を使用する、それぞれイタコン酸エステル及びα−ケトエステル基体の不斉水素化から生成したコハク酸エステル及びα−ヒドロキシエステル誘導体は、一般的に、高いエナンチオマー過剰（８０％超ｅｅ）で得られる。
【００６８】
一般的手順Ａ−低圧不斉水素化
ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネートを、反応容器の中に入れ、アルゴンで１５分間パージした。無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、２０ｍＬ）中の配位子（１又は２）の溶液を、Ａｒで１５分間脱気し、次いでカニューレを経て、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネートに添加した。この溶液を２５℃でアルゴン下で１５分間攪拌した。無水ＴＨＦ（２．０ｍＬ）中のエナミド１０（０．５ミリモル）の溶液を、アルゴンで２０分間脱気し、次いでカニューレを経て触媒溶液に添加した。次いで、この溶液を水素でフラッシュし、０．６９〜１．３８バールゲージ（１０〜２０ポンド／平方インチゲージ−ｐｓｉｇ又は６９〜１３８ｋＰａ）水素まで加圧した。サンプルを取り、標準的分析技術（下記参照）を使用して、エナンチオマー過剰について分析した。
【００６９】
一般的手順Ｂ−高圧不斉水素化
ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート及び配位子（１又は２）を、高圧反応容器の中に入れ、容器を密閉し、アルゴンでパージした。所望の溶媒をＡｒで１５分間脱気し、次いで２．０ｍＬを、注射器を経て反応容器に添加した。この溶液を２５℃でアルゴン下で１５分間攪拌した。次いで、所望の脱気した溶媒（２ｍＬ）中の所望の基体（０．５ミリモル）の溶液を、注射器を経て触媒溶液に添加した。基体を、１ｍＬの脱気した溶媒中で洗浄した。次いで、この溶液をアルゴンで５回パージし、そして水素で所望の圧力（６．９〜２０．７ｂａｒｇ；１００〜３００ｐｓｉｇ；６９０〜２０７０ｋＰａ）まで加圧し、所望の温度に加熱した。反応を所望の温度及び圧力で６時間運転し、次いで（必要のある場合）環境温度に冷却し、減圧し、アルゴンでパージした。サンプルを取り、標準的分析技術（下記参照）を使用して、エナンチオマー過剰について分析した。
【００７０】
【化３０】
2004509968.tif 000016
【００７１】
例８
Ｎ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ａ）
エナミド１０ａ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９９．２％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ａ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ７．２８−７．１６（ｍ，５Ｈ）；４．６４−４．６１（ｍ，１Ｈ）；３．６５（ｓ，３Ｈ）；３．１３−３．０８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，１３．９Ｈｚ）；２．９４−２．８８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９，１３．９Ｈｚ）；１．８７（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシル（Ｃｈｉｒａｓｉｌ）Ｌ−バリン（バリアン社（Ｖａｒｉａｎ））２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、９分間１６０℃、７０℃／分で１６０−１８５℃、５分間１８５℃、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ａ）７．７７分、ｔＲ（Ｓ−１１ａ）８．２９分、ｔＲ（１０ａ）１３．２４分。
【００７２】
例９
ＴＨＦ中の高圧水素化によるＮ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ａ）
エナミド１０ａ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９６．８％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ａ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
【００７３】
例１０
アセトン中の高圧水素化によるＮ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ａ）
エナミド１０ａ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、アセトン中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．６％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ａ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
【００７４】
例１１
Ｎ−アセチルＬ−フェニルアラニン（Ｓ−１１ｂ）
エナミド１０ｂ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１３＝メチル）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、９９．４％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｂ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１３＝メチル）への１００％転化率を得た。
サンプルをジアゾメタンで処理して、分析の前にメチルエステルを作った。分析詳細について、例８（Ｎ−アセチルフェニルアラニンメチルエステル）参照。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，３００ＭＨｚ）δ７．２０−７．０８（ｍ，６Ｈ）；４．５８−４．５４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．２，９．１Ｈｚ）；３．１４−３．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．９，１３．９Ｈｚ）；２．８８−２．８０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．１，１４．０Ｈｚ）；１．８（ｓ，３Ｈ）．
【００７５】
例１２
Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｃ）
エナミド１０ｃ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（３．０ｍｇ、６．５μモル、０．０１３当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（４．４ｍｇ、７．２μモル、０．０１６当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９９．５％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｃ（Ｒ１１＝フェニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１４０℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｃ）１９．１４分、ｔＲ（Ｓ−１１ｃ）１９．６６分、ｔＲ（１０ｃ）４０．１４分。
【００７６】
例１３
Ｎ−ベンズアミドＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｄ）
エナミド１０ｄ（Ｒ１１＝Ｒ１３＝フェニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．４％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｄ（Ｒ１１＝Ｒ１３＝フェニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，６００ＭＨｚ）δ７．７２−７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）；７．５０−７．４７（ｍ，１Ｈ）；７．４０−７．２３（ｍ，２Ｈ）；７．２０−７．１７（ｍ，５Ｈ）；４．８５−４．８３（ｍ，１Ｈ）；３．６９（ｓ，３Ｈ）；３．６５（ｓ，１Ｈ）；３．２９−３．２６（ｍ，１Ｈ）；３．１３−３．０８（ｍ，１Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１５０℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｄ）１１．６９分、ｔＲ（Ｓ−１１ｄ）１２．６８分、ｔＲ（１０ｄ）１８．５分。
【００７７】
例１４
Ｎ−アセチルＤ−アラニンメチルエステル（Ｒ−１１ｅ）
エナミド１０ｅ（Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（５．８ｍｇ、１２．５μモル、０．０２５当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｂ（９．３ｍｇ、１５μモル、０．０３当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．４％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｒ−１１ｅ（Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，６００ＭＨｚ）δ４．４２−４．３８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３，１４．７Ｈｚ）；＝３．７２（ｓ，３Ｈ）；１．９８（ｓ，３Ｈ）；１．３８−１．３７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．キラルＧＣ［サイクロシル（Ｃｙｃｌｏｓｉｌ）−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社（Ｊ＆Ｗ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ））３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、７０℃／分で４０−１００℃、１５分間１００℃、１５℃／分で１００−１７０℃、７分間１７０℃、６分間６ｐｓｉｇ　Ｈｅ、８０ｐｓｉｇ／分で６−２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ、２２分間２０ｐｓｉｇ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｅ）１９．３６分、ｔＲ（Ｓ−１１ｅ）１９．１２分、ｔＲ（１０ｅ）１７．９１分。
【００７８】
例１５
アセトン中の高圧水素化によるＮ−アセチルＬ−アラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｅ）
エナミド１０ｅ（Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、アセトン中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９５．２％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｒ−１１ｅ（Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル）への１００％転化率を得た。
【００７９】
例１６
Ｎ−アセチルＤ−アラニン（Ｒ−１１ｆ）
エナミド１０ｆ（Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１３＝メチル）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して２４時間水素化して、９６．１％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｒ−１１ｆ（Ｒ１１＝Ｒ１２＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１３＝メチル）への１００％転化率を得た。
サンプルをジアゾメタンで処理して、分析の前にメチルエステルを作った。分析詳細について、例１４（Ｎ−アセチルアラニンメチルエステル）参照。
【００８０】
例１７
Ｎ−ベンジルオキシカルボニルＬ−アラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｇ）
エナミド１０ｇ（Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ベンジルオキシ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．８％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｇ（Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｈ、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ベンジルオキシ）への５６％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，６００ＭＨｚ）δ７．３３−７．２６（ｍ，５Ｈ）；５．０７（ｓ，２Ｈ）；４．２３−４．１９（ｍ，１Ｈ）；３．６９（ｓ，３Ｈ）；１．３６−１．３４（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１５０℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｇ）１１．３７分、ｔＲ（Ｓ−１１ｇ）１１．７０分、ｔＲ（１０ｇ）１０．１０分。
【００８１】
例１８
Ｎ−ベンジルオキシカルボニルＬ−ホモフェニルアラニンエチルエステル（Ｓ−１１ｈ）
エナミド１０ｈ（Ｒ１１＝ベンジル、Ｒ１２＝エチル、Ｒ１３＝ベンジルオキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して水素化して、キラルＨＰＬＣ分析により決定したとき９８．１％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｈ（Ｒ１１＝ベンジル、Ｒ１２＝エチル、Ｒ１３＝ベンジルオキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への９９％超転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．３７−７．１５（ｍ，１０Ｈ）；５．３８−５．３６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．９Ｈｚ）；５．１２（ｓ，２Ｈ）；４．４４−４．３９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，１３．０Ｈｚ）；４．２０−４．１５（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０，１４．３Ｈｚ）；２．７３−２．６０（ｍ，２Ｈ）；２．２７−２．１４（ｍ，１Ｈ）；２．０２−１．９３（ｍ，１Ｈ）；１．２８−１．２５（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）．この２種のエナンチオマーのキラル順相ＨＰＬＣ分離は、サイクロボンド（Ｃｙｃｌｏｂｏｎｄ）Ｉ　２０００　ＳＮカラム（アドバンスド・セパレーション・テクノロジーズ社（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ．））を使用して展開した。紫外検出を２１０ｎｍの波長で使用した。移動相は９７／３ヘプタン／イソプロパノール（ｖ／ｖ）であった。ｔＲ（Ｒ−１１ｈ）２８．９３分、ｔＲ（Ｓ−１１ｈ）３０．９９分、ｔＲ（１０ｈ）３３．３９分。
【００８２】
例１９
Ｎ−アセチルＬ−４−クロロフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｉ）
エナミド１０ｉ（Ｒ１１＝４−クロロフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（４．６ｍｇ、１０μモル、０．０２当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（７．４ｍｇ、１２μモル、０．０２４当量）を使用して２時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．８％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｉ（Ｒ１１＝４−クロロフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，６００ＭＨｚ）δ７．２７−７．２５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）；７．１８−７．１６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）；４．６４−４．６２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，９．２Ｈｚ）；３．７０（ｓ，１Ｈ）；３．６７（ｓ，３Ｈ）；３．１３−３．０９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，１３．７Ｈｚ）；２．９３−２．８９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２，１３．９Ｈｚ）；１．８８（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１７５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｉ）７．２９分、ｔＲ（Ｓ−１１ｉ）７．７６分、ｔＲ（１０ｉ）１５．７２分。
【００８３】
例２０
ＴＨＦ中の高圧水素化によるＮ−アセチルＬ−４−クロロフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｉ）
エナミド１０ｉ（Ｒ１１＝４−クロロフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９６．２％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｉ（Ｒ１１＝４−クロロフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
【００８４】
例２１
Ｎ−アセチルＬ−４−シアノフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｊ）
エナミド１０ｊ（Ｒ１１＝４−シアノフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９９．０％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｊ（Ｒ１１＝４−シアノフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（バリアン社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１９０℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｊ）８．７３分、ｔＲ（Ｓ−１１ｊ）９．１７分。
【００８５】
例２２
Ｎ−アセチルＬ−４−メトキシフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｋ）
エナミド１０ｋ（Ｒ１１＝４−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（４．６ｍｇ、１０μモル、０．０２当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（７．４ｍｇ、１２μモル、０．０２４当量）を使用して３０分間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．９％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｋ（Ｒ１１＝４−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への９０％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ７．０９−７．０７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）；６．８２−６．８０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）；４．５９−４．５６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．８，８．９Ｈｚ）；３．７３（ｓ，３Ｈ）；３．７０（ｓ，１Ｈ）；３．６５（ｓ，３Ｈ）；３．０６−３．０１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．８，１３．７Ｈｚ）；２．８８−２．８２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９，１３．９Ｈｚ）；１．８８（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１８５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｋ）６．０４分、ｔＲ（Ｓ−１１ｋ）６．３２分、ｔＲ（１０ｋ）１５．１３分。
【００８６】
例２３
ＴＨＦ中の高圧水素化によるＮ−アセチルＬ−４−メトキシフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｋ）
エナミド１０ｋ（Ｒ１１＝４−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．３％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｋ（Ｒ１１＝４−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
【００８７】
例２４
Ｎ−アセチルＬ−３−メトキシフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｍ）
エナミド１０ｍ（Ｒ１１＝３−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（４．６ｍｇ、１０μモル、０．０２当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（７．４ｍｇ、１２μモル、０．０２４当量）を使用して３０分間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．０％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｍ（Ｒ１１＝３−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ７．１９−７．１５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．９Ｈｚ）；６．７８−６．７４（ｍ，３Ｈ）；４．６６−４．６２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，９．０Ｈｚ）；３．７５（ｓ，３Ｈ）；３．７２−３．６９（ｍ，１Ｈ）；３．６７（ｓ，３Ｈ）；３．１２−３．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．８，１３．９Ｈｚ）；２．９２−２．８８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９，１３．７Ｈｚ）；１．８９（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１８５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｍ）７．７３分、ｔＲ（Ｓ−１１ｍ）８．１８分。
【００８８】
例２５
Ｎ−アセチルＬ−２−メトキシフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｎ）
エナミド１０ｎ（Ｒ１１＝２−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（４．６ｍｇ、１０μモル、０．０２当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（７．４ｍｇ、１２μモル、０．０２４当量）を使用して２時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．７％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｎ（Ｒ１１＝２−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への９９．５％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，６００ＭＨｚ）δ７．２１−７．１９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）；７．０６−７．０５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）；６．９２−６．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）；６．８４−６．８２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）；４．６７−４．６６（ｍ，１Ｈ）；３．８２（ｓ，３Ｈ）；３．７０（ｓ，１Ｈ）；３．６３（ｓ，３Ｈ）；３．１６−３．１３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．０，１３．５Ｈｚ）；２．９０−２．８６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７，１３．３Ｈｚ）；１．８６（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１８５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｎ）４．８７分、ｔＲ（Ｓ−１１ｎ）５．０７分、ｔＲ（１０ｎ）８．９６分。
【００８９】
例２６
ＴＨＦ中の高圧水素化によるＮ−アセチルＬ−２−メトキシフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｎ）
エナミド１０ｎ（Ｒ１１＝２−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９６．７％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｎ（Ｒ１１＝２−メトキシフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
【００９０】
例２７
Ｎ−アセチルＬ−４−ニトロフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｏ）
エナミド１０ｏ（Ｒ１１＝４−ニトロフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して３０分間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．７％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｏ（Ｒ１１＝４−ニトロフェニル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ８．１５−８．１３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）；７．４５−７．４３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）；４．７５−４．７１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，９．２Ｈｚ）；３．６９（ｓ，３Ｈ）；３．６７（ｓ，１Ｈ）；３．３０−３．２５（ｍ，１Ｈ）；３．０８−３．０２（ｍ，１Ｈ）；１．８８（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１８５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｏ）１５．７３分、ｔＲ（Ｓ−１１ｏ）１６．７９分。
【００９１】
例２８
Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルＬ−３−フラニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｐ）
エナミド１０ｐ（Ｒ１１＝３−フラニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．２％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｐ（Ｒ１１＝３−フラニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への９８％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．３６（ｓ，１Ｈ）；７．２５（ｓ，１Ｈ）；６．２１（ｓ，１Ｈ）；５．１２−５．０９（ｍ，１Ｈ）；４．５３−４．５１（ｍ，１Ｈ）；３．７３（ｓ，３Ｈ）；２．９３−２．９２（ｍ，２Ｈ）；１．４４（ｓ，９Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１４０℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｐ）７．６１分、ｔＲ（Ｓ−１１ｐ）７．８９分、ｔＲ（１０ｐ）１７．９７分。
【００９２】
例２９
Ｎ−ベンズアミドＤ−３−フラニルアラニンメチルエステル（Ｒ−１１ｑ）
エナミド１０ｑ（Ｒ１１＝３−フラニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝フェニル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９６．６％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｒ−１１ｑ（Ｒ１１＝３−フラニル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝フェニル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ７．７７−７．７５（ｍ，２Ｈ）；７．５３−７．３６（ｍ，６Ｈ）；４．７９−４．７５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．２，９．３Ｈｚ）；３．７２（ｓ，３Ｈ）；３．６９（ｓ，１Ｈ）；３．１１−３．０６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．２，１４．６Ｈｚ）；２．９９−２．９３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．５，１４．６Ｈｚ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１７５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｑ）１２．５７分、ｔＲ（Ｓ−１１ｑ）１３．２９分、ｔＲ（１０ｑ）９．３９分。
【００９３】
例３０
Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルＬ−シクロプロピルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｒ）
エナミド１０ｒ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．６％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｒ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への９０％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ５．２２−５．２０（ｍ，１Ｈ）；４．４１−４．３４（ｍ，１Ｈ）；３．７４（ｓ，３Ｈ）；１．６９−１．６４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）；０．７３−０．６７（ｍ，１Ｈ）；０．５１−０．４４（ｍ，２Ｈ）；０．１０−０．０５（ｍ，２Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１７５℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｒ）１４．５９分、ｔＲ（Ｓ−１１ｒ）１５．２１分、ｔＲ（１０ｒ）２６．３４分。
【００９４】
例３１
Ｎ−ベンズアミドＤ−シクロプロピルアラニンメチルエステル（Ｒ−１１ｓ）
エナミド１０ｓ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝フェニル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して２４時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９１．６％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｒ−１１ｓ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝フェニル、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．８０−７．７６（ｍ，２Ｈ）；７．５０−７．３６（ｍ，３Ｈ）；４．６２−４．５７（ｍ，１Ｈ）；３．６６（ｓ，３Ｈ）；１．８１−１．７５（ｍ，１Ｈ）；１．６９−１．６３（ｍ，１Ｈ）；０．８０−０．７５（ｍ，１Ｈ）；０．４５−０．３９（ｍ，２Ｈ）；０．０９−０．０４（ｍ，２Ｈ）．１３Ｃ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，７５ＭＨｚ）δ１３３．０，１２９．７，１２８．７，５５．３，５２．９，３７．５，２３．６，９．１，５．４，４．８．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１７５℃等温、２０ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｓ）１０．７６分、ｔＲ（Ｓ−１１ｓ）１１．１８分、ｔＲ（１０ｓ）１７．７３分。
【００９５】
例３２
Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルＬ−シクロプロピルアラニンベンジルエステル（Ｓ−１１ｔ）
エナミド１０ｔ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝ベンジル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、溶媒としてのアセトン中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９９％超ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｔ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝ベンジル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への９４％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．４１−４．３０（ｍ，５Ｈ）；５．１３−５．１２（ｍ，１Ｈ）；５．０２（ｓ，２Ｈ）；１．７０−１．６０（ｍ，２Ｈ）；１．４５（ｓ，９Ｈ）；０．６９−０．６１（ｍ，１Ｈ）；０．４２−０．３９（ｍ，２Ｈ）；０．０２−０．０１（ｍ，２Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（バリアン社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１７５℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｔ）１５．０３分、ｔＲ（Ｓ−１１ｔ）１５．４８分、ｔＲ（１０ｔ）２５．９８分。
【００９６】
例３３
アセトン中の高圧水素化によるＮ−ｔ−ブチルオキシカルボニルＬ−シクロプロピルアラニンベンジルエステル（Ｓ−１１ｔ）
エナミド１０ｔ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝ベンジル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、溶媒としてのアセトン中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９５．５％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｔ（Ｒ１１＝シクロプロピル、Ｒ１２＝ベンジル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への１００％転化率を得た。
【００９７】
例３４
Ｎ−アセチル１−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｕ）
エナミド１０ｕ（Ｒ１１＝１−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、溶媒としてのＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９９．３％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｕ（Ｒ１１＝１−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への９５％超転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ８．０８３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ）；７．８５５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ）；７．７６９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．９７Ｈｚ）；７．５１０（ｍ（５），２Ｈ，Ｊ＝７．９７Ｈｚ）；７．３８５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）；７．２３０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）；５．９８（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；５．０１７（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．５９Ｈｚ）；３．６２６（ｓ，３Ｈ）；３．５７（ｍ，２Ｈ）；１．９２６（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（バリアン社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、２２分間１８５℃、１０℃／分で１８５−１９５℃、１７分間１９５℃、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｕ）１８．８３分、ｔＲ（Ｓ−１１ｕ）１９．７６分。
【００９８】
例３５
高圧水素化によるＮ−アセチル１−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｕ）
エナミド１０ｕ（Ｒ１１＝１−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、溶媒としてのアセトン中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．４％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｕ（Ｒ１１＝１−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への９５％超転化率を得た。
【００９９】
例３６
Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニル１−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｖ）
エナミド１０ｖ（Ｒ１１＝１−ナフチル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、溶媒としてのＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＨＰＬＣ分析により決定したとき９８．２％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｖ（Ｒ１１＝１−ナフチル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への９５％超転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ８．０７５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．９６Ｈｚ）；７．８５８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ）；７．７６７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ）；７．５１２（ｍ（５），２Ｈ，Ｊ＝７．９７Ｈｚ）；７．３９１（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）；７．２７（ｍ，１Ｈ）；５．０５７（ｂｒ　ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ）；４．７１９（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝７．６９Ｈｚ）；３．７４４（ｓ，３Ｈ）；３．７−３．４（ｍ，２Ｈ）；１．３９５（ｓ，９Ｈ）．キラルＨＰＬＣ［キラルセル（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ）ＯＤ−Ｈ（ディアセル・ケミカル社（Ｄｉａｃｅｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ））２５０×４．６ｍｍ、９５：５ヘキサン：イソプロパノール、１ｍＬ／分、λ＝２５４ｎｍ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｖ）１４．０５分、ｔＲ（Ｓ−１１ｖ）１７．６４分。
【０１００】
例３７
Ｎ−アセチル２−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｗ）
エナミド１０ｗ（Ｒ１１＝２−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、溶媒としてのＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９８．１％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｗ（Ｒ１１＝２−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への９５％超転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．８５−７．７５（ｍ，３Ｈ）；７．５５３（ｓ，１Ｈ）；７．４７（ｍ，２Ｈ）；７．２１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５２Ｈｚ）；６．０１（ｂｒ　ｓ，１Ｈ）；４．９６６（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．０４Ｈｚ）；３．７２７（ｓ，３Ｈ）；３．３１４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．７７，１３．７４Ｈｚ）；３．２４４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．０４，１４．０１Ｈｚ）；１．９７３（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［キラシルＬ−バリン（Ｖａｒｉａｎ社）２５ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．１２μｍ、１８５℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｗ）２２．０２分、ｔＲ（Ｓ−１１ｗ）２３．２６分。
【０１０１】
例３８
高圧水素化によるＮ−アセチル２−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｗ）
エナミド１０ｗ（Ｒ１１＝２−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ｂに従って、溶媒としてのアセトン中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．６％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｗ（Ｒ１１＝２−ナフチル、Ｒ１２＝Ｒ１３＝メチル、Ｒ１４＝Ｈ）への９５％超転化率を得た。
【０１０２】
例３９
Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニル２−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ｘ）
エナミド１０ｘ（Ｒ１１＝２−ナフチル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）を、一般的手順Ａに従って、溶媒としてのＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＨＰＬＣ分析により決定したとき９７．４％ｅｅを有するアミノ酸誘導体Ｓ−１１ｘ（Ｒ１１＝２−ナフチル、Ｒ１２＝メチル、Ｒ１３＝ｔ−ブトキシ、Ｒ１４＝Ｈ）への９７％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）δ７．８０（ｍ，３Ｈ）；７．５８６（ｓ，１Ｈ）；７．４５（ｍ，２Ｈ）；７．２６（ｍ，１Ｈ）；５．０００（ｂｒ　ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）；４．６７７（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）；３．７１３（ｓ，３Ｈ）；３．３５−３．１５（ｍ，２Ｈ）；１．３９９（ｓ，９Ｈ）．キラルＨＰＬＣ［キラルセルＯＤ−Ｈ（ディアセル・ケミカル社）２５０×４．６ｍｍ、９５：５ヘキサン：イソプロパノール、１ｍＬ／分、λ＝２５４ｎｍ］：ｔＲ（Ｒ−１１ｘ）１２．８６分、ｔＲ（Ｓ−１１ｘ）１４．４１分。
【０１０３】
例４０
Ｎ−アセチルフェニルアラニンメチルエステル（１１ａ）を製造するための水素化への配位子置換基影響
【０１０４】
【化３１】
2004509968.tif 000017
【０１０５】
エナミド１０ａを、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び下記に示す配位子（６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、全ての場合に、キラルＧＣ分析（分析の詳細については、例８を参照されたい）により決定したとき下記に示すエナンチオマー純度を有するアミノ酸誘導体１１ａへの１００％転化率を得た。
【０１０６】
【表１】
2004509968.tif 000018
【０１０７】
例４１
Ｎ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ａ）を製造するための水素化への溶媒影響
【０１０８】
【化３２】
2004509968.tif 000019
【０１０９】
エナミド１０ａを、一般的手順Ａに従って、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用して、下記に示す溶媒中で１時間水素化して、下記に示す転化率及びエナンチオマー過剰でアミノ酸誘導体Ｓ−１１ａを得た（分析の詳細については、例８を参照されたい）。
【０１１０】
【表２】
2004509968.tif 000020
【０１１１】
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン（ＰｈＭｅ）、ｔ−ブチルメチルエーテル（ＴＢＭＥ）及びメタノール（ＭｅＯＨ）は無水であり、受け入れたままで使用した。ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、アセトン、２−プロパノール（ｉＰｒＯＨ）、酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）は厳密には無水ではなかったし、使用する前に乾燥もしなかった。
【０１１２】
例４２
配位子安定性の例証
【０１１３】
【化３３】
2004509968.tif 000021
【０１１４】
（Ｒ，Ｓ）−１ｂを、蓋をしないバイアルの中に入れ、使用前に７ヶ月間環境条件（２５℃）に曝露させた。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）を、反応容器の中に入れ、アルゴンで１５分間パージした。無水ＴＨＦ（２０ｍＬ）中の（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）の溶液を、アルゴンで１５分間脱気し、次いでカニューレを経てビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネートに添加した。この溶液を２５℃でアルゴン下で１５分間攪拌した。無水ＴＨＦ（２．０ｍＬ）中のエナミド１０ａ（０．５ミリモル）の溶液を、アルゴンで２０分間脱気し、次いでカニューレを経てこの触媒溶液に添加した。次いで、この溶液を水素でフラッシュし、０．６９〜１．３８ｂａｒｇ（１０〜２０ｐｓｉｇ、６９〜１３８ｋＰａ）水素まで加圧した。１時間後に反応を減圧した。Ｎ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−１１ａ）を、１００％収率及び９８．８％ｅｅで単離した（分析の詳細については、例８を参照されたい）。
【０１１５】
例４３
高い基体対触媒比の例証
【０１１６】
【化３４】
2004509968.tif 000022
【０１１７】
エナミド１０ａ（５．４８ｇ、２５．０ミリモル）を乾燥窒素パージしたフィッシャー−ポーター（Ｆｉｓｈｅｒ−Ｐｏｒｔｅｒ）ボトルに添加した。アルゴン脱気したメタノール（３２ｍＬ）を添加して均一な溶液を得、これをアルゴンで１０分間パージした。このボトルに圧力ヘッドを取り付け、１０回、真空にし、アルゴンを充填した。乾燥した２５ｍＬフラスコに、環境温度で７ヶ月間以上空気に開放した、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（１．２ｍｇ、０．００２５ミリモル、０．０００１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（１．７ｍｇ、０．００２８ミリモル、０．０００１１当量）を添加した。このフラスコをアルゴンでパージし、２ｍＬのアルゴン脱気したＴＨＦを添加して、均一な溶液を得た。これを１５分間放置し、次いで気密注射器を経て、１０ａのメタノール性溶液を含んでいるフィッシャー−ポーターボトルに添加した。このボトルを１０回、真空にし、アルゴンを充填し、次いで５回、真空にし、水素を充填した。このボトルを４５ｐｓｉｇの水素で加圧し、密閉し、そして環境温度で激しく攪拌した。水素吸収は即座で急速であり、７０分後に本質的に完結した。この反応混合物を５回、真空にし、アルゴンで充填し、次いで減圧した。この反応混合物をサンプリングし、キラルＧＣにより分析して、９６．８％ｅｅを有するＳ−１１ａへの９６．３％転化率が示された。この反応混合物を蒸発させて、５．２７ｇ（９５％）の生成物を得た。分析の詳細については、例８を参照されたい。
【０１１８】
【化３５】
2004509968.tif 000023
【０１１９】
例４４
配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用してエステル１３を製造するためのエナミド１２の水素化
フィッシャー−ポーターチューブに、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（２２ｍｇ、０．０３６ミリモル、０．０６４当量）及び無水ＴＨＦ（４．０ｍＬ）を、アルゴン雰囲気下で装入した。アルゴンを、この溶液を通して２０分間バブリングさせ、その後、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（１２ｍｇ、０．０２６ミリモル、０．０４７当量）を添加した。この溶液を２５℃で、５分間又はビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネートの全てが溶解するまで攪拌した。エナミド１２（１００ｍｇ、０．５５ミリモル）を、注射器を経て添加した。この容器に蓋をし、２．７５ｂａｒｇ（４０ｐｓｉｇ、２７５ｋＰａ）水素に加圧した。１８時間後に、この混合物をヘキサン（４．０ｍＬ）で希釈し、シリカゲルを通して濾過して、触媒を除去した。生成物１３を、油（９９％収率、キラルＧＣにより決定したとき９６．２％ｅｅ）として単離した。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ４．７１−４．６５（ｍ，１Ｈ）；３．７１（ｓ，３Ｈ）；３．５５−３．４７（ｍ，１Ｈ）；３．３８−３．３０（ｍ，１Ｈ）；２．４５−２．４０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）；２．１２−１．９７（ｍ，３Ｈ）；１．７４−１．６４（ｍ，１Ｈ）；０．９４−０．８９（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）．キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）、４分間４０℃、７０℃／分で４０℃−１７５℃、１７５℃で１２分間保持］：ｔＲ＝２３．１９（主エナンチオマー）、ｔＲ＝２３．２４（副エナンチオマー）。
【０１２０】
例４５
配位子（Ｓ，Ｒ）−２ａを使用してエステル１３を製造するためのエナミド１２の水素化
この水素化は、（Ｒ、Ｓ）−１ｂの代わりに配位子（Ｓ，Ｒ）−２ａを使用した以外は、前の例に於けるようにして実施した。これによって、９０．８％ｅｅで生成物１３が得られた。
【０１２１】
例４６
ＴＨＦ中の高圧水素化により、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用してエステル１３を製造するためのエナミド１２の水素化
エナミド１２を、一般的手順Ｂに従って、溶媒としてのＴＨＦ中でビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９２．８％ｅｅを有するアミノ酸誘導体１３への９４．９％転化率を得た。
【０１２２】
【化３６】
2004509968.tif 000024
【０１２３】
例４７
ＴＨＦ中で低圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ａを使用するメチルコハク酸ジメチル（１５ａ、Ｒ１５＝Ｈ、Ｒ１６＝Ｒ１７＝Ｍｅ）
イタコン酸ジメチル（１４ａ、Ｒ１５＝Ｈ、Ｒ１６＝Ｒ１７＝Ｍｅ）を、一般的手順Ａに従って、ＴＨＦ中で０．６９〜１．３８バールゲージ（１０〜２０ｐｓｉｇ、６９〜１３８ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ａ（３．６ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８０．２％ｅｅを有するメチルコハク酸ジメチル（１５ａ、Ｒ１５＝Ｈ、Ｒ１６＝Ｒ１７＝Ｍｅ）への９５％転化率を得た。１５ａの分析特性を、真性のサンプルに対して同定した。
キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、９０℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（エナンチオマー１、１５ａ）１７．３６分、ｔＲ（エナンチオマー２、１５ａ）１７．８２分、ｔＲ（１４ａ）２３．１６分。
【０１２４】
例４８
アセトン中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ａを使用するメチルコハク酸ジメチル（１５ａ、Ｒ１５＝Ｈ、Ｒ１６＝Ｒ１７＝Ｍｅ）
イタコン酸ジメチル（１４ａ、Ｒ１５＝Ｈ、Ｒ１６＝Ｒ１７＝Ｍｅ）を、一般的手順Ｂに従って、アセトン中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ａ（３．６ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８９．１％ｅｅを有するメチルコハク酸ジメチル（１５ａ、Ｒ１５＝Ｈ、Ｒ１６＝Ｒ１７＝Ｍｅ）への１００％転化率を得た。
【０１２５】
【化３７】
2004509968.tif 000025
【０１２６】
例４９
ＴＨＦ中で低圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ａに従って、ＴＨＦ中で０．６９〜１．３８バールゲージ（１０〜２０ｐｓｉｇ、６９〜１３８ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して８時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８８．２％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９０．２％転化率を得た。１７ａの分析特性を、真性のサンプルに対して同定した。
キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、７５℃等温、１５ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１７ａ）７．７５分、ｔＲ（Ｓ−１７ａ）９．１６分、ｔＲ（１６ａ）５．１６分。
【０１２７】
例５０
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して８時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８６．８％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９８．３％転化率を得た。
【０１２８】
例５１
トルエン中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、トルエン中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８３．２％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９５％超転化率を得た。
【０１２９】
例５２
ＴＨＦ中で低圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、環境温度で一般的手順Ａに従って、ＴＨＦ中で０．６９〜１．３８バールゲージ（１０〜２０ｐｓｉｇ、６９〜１３８ｋＰａ）水素で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄ（３．８ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８７．４％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への２１．１％転化率を得た。
【０１３０】
例５３
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、環境温度で一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄ（３．８ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８３．８％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９８．８％転化率を得た。
【０１３１】
例５４
ＴＨＦ中で低圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、環境温度で一般的手順Ａに従って、ＴＨＦ中で０．６９〜１．３８バールゲージ（１０〜２０ｐｓｉｇ、６９〜１３８ｋＰａ）水素で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅ（３．１ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９１．７％ｅｅを有するＳ−乳酸メチル（Ｓ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への６７％転化率を得た。
【０１３２】
例５５
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、環境温度で一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅ（３．１ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８８．６％ｅｅを有するＳ−乳酸メチル（Ｓ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９８．７％転化率を得た。
【０１３３】
例５６
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｆを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｆ（３．３ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８８．６％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９９．６％転化率を得た。
【０１３４】
例５７
ＴＨＦ中で低圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ａに従って、ＴＨＦ中で０．６９〜１．３８バールゲージ（１０〜２０ｐｓｉｇ、６９〜１３８ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して１７時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９０．８％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への９９％転化率を得た。
【０１３５】
例５８
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇを使用する乳酸メチル（１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝Ｍｅ）
ピルビン酸メチル（１６ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８８．１％ｅｅを有するＲ−乳酸メチル（Ｒ−１７ａ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝メチル）への１００％転化率を得た。
【０１３６】
例５９
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用する乳酸エチル（１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）
ピルビン酸エチル（１６ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８３．４％ｅｅを有するＲ−乳酸エチル（Ｒ−１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）への９８．６％転化率を得た。１７ｂの分析特性を、真性のサンプルに対して同定した。
キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、７５℃等温、１４ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１７ｂ）１１．４０分、ｔＲ（Ｓ−１７ｂ）１３．２４分、ｔＲ（１６ｂ）７．７３分。
【０１３７】
例６０
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄを使用する乳酸エチル（１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）
ピルビン酸エチル（１６ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄ（３．８ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８７．８％ｅｅを有するＲ−乳酸エチル（Ｒ−１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）への９９．８％転化率を得た。
【０１３８】
例６１
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅを使用する乳酸エチル（１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）
ピルビン酸エチル（１６ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅ（３．１ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８９．８％ｅｅを有するＳ−乳酸エチル（Ｓ−１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）への９９．９％転化率を得た。
【０１３９】
例６２
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｆを使用する乳酸エチル（１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）
ピルビン酸エチル（１６ｂ、Ｒ１７＝Ｈ、Ｒ１８＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｆ（３．３ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８９．８％ｅｅを有するＲ−乳酸エチル（Ｒ−１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）への９９．９％転化率を得た。
【０１４０】
例６３
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇを使用する乳酸エチル（１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）
ピルビン酸エチル（１６ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９０．８％ｅｅを有するＲ−乳酸エチル（Ｒ−１７ｂ、Ｒ１８＝Ｈ、Ｒ１９＝エチル）への９９．９％転化率を得た。
【０１４１】
例６４
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂを使用する２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）
２−オキソ−４−フェニル酪酸エチル（１６ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝Ｅｔ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｂ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８５．２％ｅｅを有するＲ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（Ｒ−１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）への９７．０％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ７．４−７．１（ｍ，５Ｈ）；４．２１３（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）；４．１５（ｍ，１Ｈ）；２．７７（ｍ，２Ｈ）；２．１２（ｍ，１Ｈ）；１．９６（ｍ，１Ｈ）；１．２８６（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）．キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、１５０℃等温、１８ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（Ｒ−１７ｃ）２６．４９分、ｔＲ（Ｓ−１７ｃ）２７．０９分、ｔＲ（１６ｃ）２３．９８分。
【０１４２】
例６５
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｃを使用する２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）
２−オキソ−４−フェニル酪酸エチル（１６ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｃ（３．８ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８５．８％ｅｅを有するＲ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（Ｒ−１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）への５０．０％転化率を得た。
【０１４３】
例６６
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄを使用する２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）
２−オキソ−４−フェニル酪酸エチル（１６ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝Ｅｔ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｄ（３．８ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８８．６％ｅｅを有するＲ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（Ｒ−１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）への９８．０％転化率を得た。
【０１４４】
例６７
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅを使用する２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）
２−オキソ−４−フェニル酪酸エチル（１６ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅ（３．１ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８９．０％ｅｅを有するＳ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（Ｓ−１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）への９７．２％転化率を得た。
【０１４５】
例６８
ＴＨＦ中で低圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇを使用する２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）
２−オキソ−４−フェニル酪酸エチル（１６ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）を、一般的手順Ａに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して２４時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８０．２％ｅｅを有するＲ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（Ｒ−１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）への６５％転化率を得た。
【０１４６】
例６９
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇを使用する２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）
２−オキソ−４−フェニル酪酸エチル（１６ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝Ｅｔ）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９２．４％ｅｅを有するＲ−２−ヒドロキシ−４−フェニル酪酸エチル（Ｒ−１７ｃ、Ｒ１８＝ＰｈＣＨ２、Ｒ１９＝エチル）への９６．６％転化率を得た。
【０１４７】
例７０
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅを使用する２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１７ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）
２−オキソ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１６ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅ（３．１ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８３．２％ｅｅを有する２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１７ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ７．３−７．１（ｍ，５Ｈ）；５．５４７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．０４Ｈｚ）；４．２２（ｍ，１Ｈ）；３．５８４（ｓ，３Ｈ）；２．９２３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．２２，１３．７４Ｈｚ）；２．２８９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．２４，１３．７４Ｈｚ）．キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、１４０℃等温、１８ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（エナンチオマー１、１７ｄ）１９．６２分、ｔＲ（エナンチオマー２、１７ｄ）２１．５４分、ｔＲ（１６ｄ）１８．５４分。
【０１４８】
例７１
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｆを使用する２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１７ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）
２−オキソ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１６ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｆ（３．３ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８６．０％ｅｅを有する２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１７ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）を得た。
【０１４９】
例７２
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇを使用する２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１７ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）
２−オキソ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１６ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｒ，Ｓ）−１ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき８５．４％ｅｅを有する２−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチル（１７ｄ、Ｒ１８＝Ｐｈ、Ｒ１９＝メチル）への３０％転化率を得た。
【０１５０】
【化３８】
2004509968.tif 000026
【０１５１】
例７３
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅを使用する２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１９）
２−オキソ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１８）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｅ（３．１ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９５．０％ｅｅを有する２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１９）への９９．０％転化率を得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ４．１１４（ｓ，１Ｈ）；４．０２３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５２Ｈｚ）；３．９３６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５２Ｈｚ）；１．２２３（ｓ，３Ｈ）；１．０７１（ｓ，３Ｈ）．キラルＧＣ［サイクロシル−Ｂ（ジェイ・アンド・ダブリュー・サイエンティフィック社）３０ｍ×０．２５ｍｍ内径、膜厚さ０．２５μｍ、１４０℃等温、１４ｐｓｉｇ　Ｈｅ］：ｔＲ（エナンチオマー１、１９）１１．１８分、ｔＲ（エナンチオマー２、１９）１１．６６分、ｔＲ（１８）７．９９分。
【０１５２】
例７４
ＴＨＦ中で高圧で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｆを使用する２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１９）
２−オキソ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１８）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｆ（３．３ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９６．６％ｅｅを有する２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１９）への９９．６％転化率を得た。
【０１５３】
例７５
ＴＨＦ中で、配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｇを使用する２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１９）
２−オキソ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１８）を、一般的手順Ｂに従って、ＴＨＦ中で２０．７ｂａｒｇ（３００ｐｓｉｇ、２０７０ｋＰａ）水素で環境温度で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ、５μモル、０．０１当量）及び配位子（Ｓ，Ｒ）−２ｇ（３．７ｍｇ、６μモル、０．０１２当量）を使用して６時間水素化して、キラルＧＣ分析により決定したとき９７．２％ｅｅを有する２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−γ−ブチロラクトン（１９）への９９．６％転化率を得た。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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