(57)【要約】フラットパネルＣＲＴディスプレイに適切な発光素子（４２、６８、８０、９０、又は１００）は、プレート（５４）、光を放出する領域（５６）、及び光を反射する層（６０又は７０）を含む。発光素子は、光を反射する層を適切に実現すること、又は／及び光を反射する層に沿って一つ以上の層（７２、８２、９２及び１００）を提供することによって、以下の特性、（ａ）  電子が光を反射する層を通過する際の、減少した電子のエネルギー損失、（ｂ）光を反射する層に沿ったゲッタリング、（ｃ）光を反射する層に沿った減少した二次電子放出、（ｄ）光を反射する層に沿った減少した電子の後方散乱、及び（ｅ）光を反射する層に沿った減少した化学反応性、の一つ以上を達成する。
2004524662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、並びに
前記光を放出する領域にわたって延びると共に、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属を含む、光を反射する層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項２】
前記非アルミニウムの金属は、実質的にベリリウムからなる請求項１記載の構造。
【請求項３】
前記光を反射する層は、アルミニウムをさらに含む請求項１記載の構造。
【請求項４】
前記非アルミニウムの金属は、前記光を反射する層においてアルミニウムと共に合金がつくられる請求項３記載の構造。
【請求項５】
前記非アルミニウムの金属は、前記光を反射する層の５−９５質量％を構成する請求項４記載の構造。
【請求項６】
前記光を反射する層は、
前記光を放出する領域に重なると共に主としてアルミニウムからなる第一のサブ層、及び
前記第一のサブ層に重なると共に質量でアルミニウムよりも多い前記非アルミニウムの金属を含む第二のサブ層
を含む請求項３記載の構造。
【請求項７】
前記第二のサブ層における前記非アルミニウムの金属は、主として、ベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる請求項６記載の構造。
【請求項８】
前記第二のサブ層における前記非アルミニウムの金属は、実質的に、ベリリウムからなる請求項６記載の構造。
【請求項９】
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域をさらに含み、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性であり、
前記光を反射する層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項１記載の構造。
【請求項１０】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、並びに
前記光を放出する領域にわたって延びると共に、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の少なくとも一つを含む、光を反射するゲッター層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項１１】
前記光を反射するゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、パラジウム、銀、及び鉛の少なくとも二つの合金を含む請求項１０記載の構造。
【請求項１２】
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域をさらに含み、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性であり、
前記光を反射するゲッター層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項１０記載の構造。
【請求項１３】
前記光を反射するゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項１０記載の構造。
【請求項１４】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に電子が前記構造より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、及び
（ｃ）前記本来の被膜のより低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の少なくとも一つを提供すると共に、
ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、ルテニウム、銀、スズ、ネオジム、イリジウム、白金、金、鉛、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、酸化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む、
前記光を反射する層に重なる上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項１５】
前記上塗り層は、クロムを含む請求項１４記載の構造。
【請求項１６】
前記上塗り層は、酸化クロムを含む請求項１４記載の構造。
【請求項１７】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する請求項１４記載の構造。
【請求項１８】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、ルテニウム、銀、スズ、イリジウム、白金、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項１７記載の構造。
【請求項１９】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、ケイ素、クロム、ゲルマニウム、銀、スズ、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項１７記載の構造。
【請求項２０】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、クロム、銀、金、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項１７記載の構造。
【請求項２１】
前記上塗り層は、
（ａ）クロム及びアルミニウムの酸化物、並びに
（ｂ）ホウ素、アルミニウム、ケイ素、及びクロムの少なくとも二つのオキシ窒化物、の一つの合金を含む請求項１７記載の構造。
【請求項２２】
前記上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項１７記載の構造。
【請求項２３】
前記上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項１７記載の構造。
【請求項２４】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項１４記載の構造。
【請求項２５】
前記上塗り層は、クロム、銀、ネオジム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項２４記載の構造。
【請求項２６】
前記上塗り層は、クロム、銀、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項２４記載の構造。
【請求項２７】
前記上塗り層は、クロム、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化セリウム、及び酸化ネオジムの少なくとも一つを含む請求項２４記載の構造。
【請求項２８】
前記上塗り層は、バナジウム、クロム、セリウム、及びネオジムの少なくとも二つの酸化物の合金を含む請求項２４記載の構造。
【請求項２９】
前記上塗り層は、バナジウム、クロム、セリウム、及びネオジムの少なくとも二つの合金を含む請求項２４記載の構造。
【請求項３０】
前記上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項２４記載の構造。
【請求項３１】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項１４記載の構造。
【請求項３２】
前記上塗り層は、前記光を反射する層よりも低い平均の容積測定の陽子密度のものである請求項３１記載の構造。
【請求項３３】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含み、
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウムの少なくとも一つ、並びに炭素、窒素、及び酸素の少なくとも一つとのベリリウム、ホウ素、及びナトリウムの少なくとも一つの化合物を含む請求項３２記載の構造。
【請求項３４】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３５】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３６】
前記上塗り層は、ホウ素及び酸化ホウ素の少なくとも一つを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３７】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３８】
前記光を反射する層は、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属をさらに含む請求項３７記載の構造。
【請求項３９】
前記光を反射する及び上塗り層の間に位置させられる酸化アルミニウムをさらに含む請求項３７記載の構造。
【請求項４０】
前記上塗り層は、前記光を放出する領域に重なる請求項１４記載の構造。
【請求項４１】
前記光を放出する領域に対しておおむね側方に前記プレートに重なる光を遮断する領域をさらに含み、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性であり、
前記上塗り層は、前記光を遮断する領域に重なると共に前記光を放出する領域より上にわずかに部分的に側方に延びる請求項１４記載の構造。
【請求項４２】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にベリリウム、ホウ素、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、ルテニウム、銀、スズ、イリジウム、白金、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む、上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項４３】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にクロム、銀、ネオジム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む、上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項４４】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にベリリウム、ホウ素、マグネシウム、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む、上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項４５】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、
前記光を反射する層に重なる下側の上塗り層、及び
前記下側の上塗り層に重なる上側の上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記二つの上塗り層は、異なる化学組成のものであり、
各々の上塗り層は、
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に電子が前記構造より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱の少なくとも一つを提供する構造。
【請求項４６】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項４７】
前記下側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、マグネシウム、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、炭化アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項４６記載の構造。
【請求項４８】
前記下側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、マグネシウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、炭化アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項４６記載の構造。
【請求項４９】
前記下側の上塗り層は、ホウ素、炭素、及び酸化ホウ素の少なくとも一つを含む請求項４６記載の構造。
【請求項５０】
前記上塗り層の指定された一つは、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項５１】
前記指定された上塗り層は、炭素、クロム、銀、バリウム、ネオジム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項５０記載の構造。
【請求項５２】
前記指定された上塗り層は、炭素、クロム、銀、バリウム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項５０記載の構造。
【請求項５３】
前記指定された上塗り層は、炭素、クロム、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化セリウム、及び酸化ネオジムの少なくとも一つを含む請求項５０記載の構造。
【請求項５４】
前記上側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項５５】
前記上側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、ケイ素、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、銀、スズ、ネオジム、イリジウム、白金、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項５４記載の構造。
【請求項５６】
前記上側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、ケイ素、クロム、ゲルマニウム、銀、スズ、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項５４記載の構造。
【請求項５７】
前記上側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、クロム、銀、金、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項５４記載の構造。
【請求項５８】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項５４記載の構造。
【請求項５９】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項５４記載の構造。
【請求項６０】
前記他の二つの上塗り層の間に位置させられると共に前記他の二つの上塗り層とは異なる化学組成の中間の上塗り層をさらに含み、
前記中間の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項５９記載の構造。
【請求項６１】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱の両方を提供する請求項５５記載の構造。
【請求項６２】
前記上側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出の両方を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項６３】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項６２記載の構造。
【請求項６４】
前記下側の上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項６３記載の構造。
【請求項６５】
前記上側及び下側の上塗り層は、それぞれ、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項６６】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項４５記載の構造。
【請求項６７】
前記光を反射する層と前記下側の上塗り層との間に位置させられる酸化アルミニウムをさらに含む請求項６６記載の構造。
【請求項６８】
前記上塗り層は、前記光を放出する領域に重なる請求項４５記載の構造。
【請求項６９】
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域をさらに含み、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性であり、
前記上塗り層は、前記光を遮断する領域に重なると共に前記光を放出する領域より上にわずかに部分的に延びる請求項４５記載の構造。
【請求項７０】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にマグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む、上塗りゲッター層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項７１】
前記上塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも二つの酸化物の合金を含む請求項７０記載の構造。
【請求項７２】
前記上塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、及び鉛の少なくとも二つの合金を含む請求項７０記載の構造。
【請求項７３】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層に重なる請求項７０記載の構造。
【請求項７４】
前記上塗りゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項７０記載の構造。
【請求項７５】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する及び光を遮断する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記光を反射する層に重なると共にマグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む、上塗りゲッター層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項７６】
前記上塗りゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項７５記載の構造。
【請求項７７】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域のわずかに一部より上の前記光を反射する層に重なる請求項７５記載の構造。
【請求項７８】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層に重なる請求項７５記載の構造。
【請求項７９】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に重なると共におおむね可視光に移行的である、下塗り層、及び
前記下塗り層に重なると共に前記光を放出する領域より上に延びる、光を反射する層
を含み、
前記下塗り層は、前記光を反射する層が、化学反応を被ることを、
仮想のアルミニウム層に沿って形成される酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜が、前記アルミニウム層が前記本来の被膜とのその界面に沿って化学反応を被ることを、阻害するよりも、
強く阻害し、
それは、前記下塗り層に最も接近する構造。
【請求項８０】
前記下塗り層は、酸素との前記光を反射する層の化学反応を、
前記本来の被膜が、酸素との前記アルミニウム層の化学反応を阻害するよりも、
強く阻害する請求項７９記載の構造。
【請求項８１】
前記下塗り層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化スズインジウム、及び酸化スズの少なくとも一つを含む請求項７９記載の構造。
【請求項８２】
前記下塗り層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項７９記載の構造。
【請求項８３】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項７９記載の構造。
【請求項８４】
前記光を放出する領域より上の前記光を反射する層に重なる上塗り層をさらに含み、
前記上塗り層は、
（ａ）電子が前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で電子が前記本来の被膜に衝突するときに前記本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、
の少なくとも一つを提供する請求項７９記載の構造。
【請求項８５】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に重なり、可視光におおむね移行的であり、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、仮想のアルミニウム層に沿って形成される酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜より大きい厚さの酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化スズインジウム、及び酸化スズの少なくとも一つを含む下塗り層、並びに
前記下塗り層に重なると共に前記光を放出する領域より上に延びる、光を反射する層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である構造。
【請求項８６】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を遮断する領域に重なると共にマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む、下塗りゲッター層、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記ゲッター層にわたって延びる光を反射する層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項８７】
前記下塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも二つの酸化物の合金を含む請求項８６記載の構造。
【請求項８８】
前記下塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、及び鉛の少なくとも二つの合金を含む請求項８６記載の構造。
【請求項８９】
前記下塗りゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項８６記載の構造。
【請求項９０】
前記下塗りゲッター層は、前記光を放出する領域のわずかに一部より上に延びる請求項８９記載の構造。
【請求項９１】
それが可視光を放出することを引き起こす、前記光を反射する層を通過すると共に前記光を放出する領域に衝突する電子を放出するための電子を放出するデバイスをさらに含む請求項１乃至９０いずれか１項記載の構造。
【請求項９２】
プレートにわたって光を放出する領域を提供すること、並びに
前記光を放出する領域にわたって、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属を含む光を反射する層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項９３】
前記光を反射する層は、アルミニウムをさらに含む請求項９２記載の方法。
【請求項９４】
前記形成する行為は、アルミニウム及び前記非アルミニウムの金属を含む合金として前記光を反射する層を形成することを必然的に伴う請求項９３又は９４記載の方法。
【請求項９５】
前記形成する行為は、
前記光を放出する領域にわたって、主としてアルミニウムからなる第一のサブ層を形成すること、及び
前記第一のサブ層にわたって、質量でアルミニウムよりも多い前記非アルミニウムの金属からなる第二のサブ層を形成すること
を含む請求項９３又は９４記載の方法。
【請求項９６】
プレートにわたって光を放出する領域を提供すること、
前記光を放出する領域にわたって、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、及び白金の少なくとも一つ並びに鉛を含む光を反射するゲッター層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項９７】
前記形成する行為より前に、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、及び前記光を反射するゲッター層が、後に前記光を遮断する領域にわたって延びるように、前記光を放出する領域のものに対して側方の場所で、前記プレートにわたって光を遮断する領域を提供することをさらに含む請求項９６記載の方法。
【請求項９８】
プレートにわたって光を放出する領域を提供すること、
前記光を放出する領域にわたって光を反射する層を形成すること、並びに
前記光を反射する層にわたって、
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に、電子が前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱
の少なくとも一つを提供する、上塗り層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、スズ、ネオジム、イリジウム、白金、金、鉛、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、酸化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む方法。
【請求項９９】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する請求項９８記載の方法。
【請求項１００】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項９８記載の方法。
【請求項１０１】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項９８記載の方法。
【請求項１０２】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項９８乃至１０１いずれか１項記載の方法。
【請求項１０３】
前記光を反射する層は、酸化アルミニウムが、前記光を反射する層を形成する行為に引き続き、前記光を反射する及び上塗り層の間に位置させられるように、前記形成する行為の間に酸素に露出される請求項１０２記載の構造。
【請求項１０４】
前記形成する行為は、実質的に酸化アルミニウムが前記光を反射する及び上塗り層の間に形成されないように、前記プレート及び重なる材料が、前記形成する行為の間に前記真空から前記プレート及び重なる材料を取り除くことなく、真空にあると同時に、行われる請求項１０２記載の方法。
【請求項１０５】
プレートにわたって光を放出する領域を提供すること、
前記光を放出する領域にわたって光を反射する層を形成すること、
前記光を反射する層にわたって下側の上塗り層を形成すること、及び
前記下側の上塗り層にわたって上側の上塗り層を、前記二つの上塗り層が異なる化学組成のものであるように、形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
各々の上塗り層は、
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に、電子が前記上塗り層より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の少なくとも一つを提供する方法。
【請求項１０６】
前記二つの上塗り層を形成する行為の間に、前記下側の上塗り層にわたって中間の上塗り層を、
前記上側の上塗り層が、後に前記中間の上塗り層にわたって形成されるように、
前記中間の上塗り層が、前記他の二つの上塗り層と異なる化学組成のものであるように、並びに
前記上側の、中間の、及び下側の上塗り層が、それぞれ、前記本来の被膜よりも低い化学反応性、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供するように、
形成することをさらに含む請求項１０５記載の方法。
【請求項１０７】
プレートにわたって光を放出する領域を提供すること、
前記光を放出する領域にわたって光を反射する層を形成すること、並びに
前記光を反射する層にわたって、マグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む上塗りゲッター層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項１０８】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層に重なる請求項１０７記載の方法。
【請求項１０９】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する及び光を遮断する領域にわたって光を反射する層を形成すること、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記光を反射する層にわたって、マグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、及びニッケルの少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つ並びに鉛を含む上塗りゲッター層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項１１０】
前記提供する行為は、前記光を遮断する領域における開口に主として位置させられる前記光を放出する領域を伴って、前記プレートから前記光を放出する領域よりもさらに遠くへ延びるために前記光を遮断する領域を形成することを必然的に伴い、
前記上塗りゲッター層を形成する行為は、前記ゲッターの材料が、実質的に、前記光を遮断する領域における前記開口において前記光を放出する領域に重なる前記光を反射する層の材料への途中までのみ、前記光を反射する層にわたって蓄積するように、前記プレートに対しておおむね垂直な延びる線に対して非ゼロの傾斜角で前記光を反射する層にわたってゲッターの材料を堆積させることを必然的に伴う請求項１０９記載の方法。
【請求項１１１】
前記上塗りゲッター層を形成する行為は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層にわたって前記ゲッターの材料を堆積させることを必然的に伴う請求項１０９記載の方法。
【請求項１１２】
プレートにわたって光を放出する領域を提供すること、
前記光を放出する領域にわたって、おおむね可視光に透過性の下塗り層を形成すること、及び
前記光を放出する領域より上の前記下塗り層にわたって、光を反射する層を、
前記下塗り層が、前記光を反射する層が化学反応を被ることを、
仮想のアルミニウム層に沿って形成される酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜が、前記アルミニウム層が前記本来の被膜とのその界面に沿って化学反応を被ることを、阻害するよりも、
強く阻害するように、
形成すること、
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
それは、前記下塗り層に最も接近する方法。
【請求項１１３】
前記下塗り及び光を反射する層より上の前記光を反射する層にわたって、
（ａ）電子が前記上塗り層より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で電子が前記本来の被膜に衝突するときに前記本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、
の少なくとも一つを提供する上塗り層を形成することをさらに含む、請求項１１２記載の方法。
【請求項１１４】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含み、
実質的に酸化アルミニウムが、前記下塗り及び光を反射する層の間に形成されないように、前記プレート及び重なる材料が、前記形成する行為の間で前記真空から前記プレート及び重なる材料を取り除くことなく、真空にあると同時に、前記形成する行為は、行われる請求項１１２又は１１３記載の方法。
【請求項１１５】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を遮断する領域にわたって、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む下塗りゲッター層を形成すること、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記ゲッター層にわたって光を反射する層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項１１６】
前記提供する行為は、前記光を遮断する領域における開口に主として位置させられる前記光を放出する領域を伴って、前記プレートから前記光を放出する領域よりもさらに遠くへ延びるために前記光を遮断する領域を形成することを必然的に伴い、
前記下塗りゲッター層を形成する行為は、前記プレートにおおむね垂直な延びる線に対して非ゼロの傾斜角で前記光を遮断する領域にわたってゲッターの材料を、前記ゲッターの材料が、前記光を遮断する領域における前記開口において前記光を放出する領域への途中までのみ蓄積するように、堆積させることを必然的に伴う請求項１１５記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
［使用の分野］
この発明は、フラットパネル陰極線管“ＣＲＴ”ディスプレイのようなフラットパネルディスプレイにおける使用に適切な発光素子の構成及び製造に関する。
【０００２】
［背景技術］
フラットパネルＣＲＴディスプレイは、電子を放出するデバイス及び反対に位置させた発光素子で形成される。電子を放出するデバイス、又は陰極は、相対的に広いエリアにわたって電子を放出する、電子を放出する素子を含む。発光素子における陽極は、発光素子における対応するエリアにわたって分布した光を放出する領域へ電子を引きつける。陽極を、光を放出する領域の上又は下に位置させることができる。いずれの場合にも、光を放出する領域は、ディスプレイの見る面に画像を生成させるために、電子に衝突されることで光を放出する。
【０００３】
図１は、米国特許第５，８５９，５０２又は６，０４９，１６５号に記載されているもののような従来のフラットパネルＣＲＴディスプレイの一部の横断面を示す。図１のフラットパネルＣＲＴディスプレイは、電子を放出するデバイス２０及び発光素子２２で形成される。  電子を放出するデバイス２０は、後板２４及び重なる電子を放出する領域２６を含む。領域２６によって放出された電子は、電子を集束させるシステム２８の制御の下で発光素子２２の方へ移動する。項目３０は、電子の軌跡を表わす。
【０００４】
発光素子２２は、その部分的な平面図を図２に示すが、高い真空に維持された封止された封入物を形成するために、（示してない）外壁を通じて電子を放出するデバイス２０に結合した面板３２を含む。光を放出する領域３４は、電子を放出する領域２６にそれぞれ、対向する面板３２に重なる。領域２６によって放出された電子が、光を放出する領域３４に衝突するとき、領域３４によって放出された光は、発光素子２２の外面（図１における下側の面）にディスプレイの画像を生成させる。コントラストを高める黒色のマトリックス３６は、側部で領域３４を囲む。
【０００５】
発光素子２２は、光を放出する領域３４及び黒色のマトリックス３を超えて位置する光を反射する層３８もまた含む。  領域３４は、全ての方向で光を放出する。このように光の一部は、ディスプレイの内部の方へ、後方へ移動する。層３８は、画像の強度を増加させるために、後部に向けられた光のいくらかを反射させる。
【０００６】
光を反射する層３８は、典型的には、アルミニウム、可視光を高度に反射させる銀白色の金属及び電気の良好な導体からなる。層３８は、一般的に、ディスプレイ製作工程の間に、ある点で空気に露出される。アルミニウムが、相対的に高い化学反応性のものであるのと同程度に、酸化アルミニウムの（示してない）本来の被膜は、通常、空気への露出の間に、層３８の外部の面に沿って形成する。本来の酸化アルミニウムの被膜は、かなり薄く、典型的には厚さで１−５ｎｍである。
【０００７】
光を反射する層３８は、ディスプレイの陽極として機能する。この目的のために、層３８は、発光素子２２の方へ電子を引きつける高い電気ポテンシャルを受ける。層３８を、光を放出する領域３４の上に位置させるので、領域２６によって放出された電子は、光を放出する領域３４に衝突する前に、層３８及び重なる本来の酸化物の被膜５を通過する。領域３４の上に位置した層３８を有することによって、図１及び２のディスプレイは、発光素子によって放出された光が、見る面に到達する前に、陽極を通過しなければならず、典型的には透明であるがまだ部分的に光吸収性である、フラットパネルＣＲＴディスプレイに起こる画像の強度における損害を回避する。
【０００８】
図１及び２の従来のディスプレイの欠点は、領域２６によって放出された電子が、それらが光を反射する層３８及び重なる本来の酸化物の被膜を通過するとき、いくらかのエネルギーを失うということである。また、層３８及び酸化物被膜を通過する代わりに、領域２６によって放出された電子のいくつかは、（ａ）層３８又は／及び酸化物の被膜を離れて後方へ散乱する、又は（ｂ）層３８又は／及び酸化物の被膜が二次電子を放出することを引き起こす。後方散乱されたもの及び二次電子のいくつかは、画像を劣化することを引き起こすようなこのような位置でディスプレイの内部に衝突する。加えて、光を反射する層３８に沿った本来の酸化物の被膜は、図１及び２のディスプレイの内面の一部を形成する。酸素及び他の化学的に反応性のガスの種のような、汚染物質は、一般的に、酸化物の被膜に付着する。電子（一次及び二次の両方）が酸化物の被膜に衝突すると、これらの汚染物質を、ディスプレイの内部に解放すると共に損傷を引き起こし得る。
【０００９】
Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎ，“Ｃｏｌｏｒ  ディスプレイ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  ＣＲＴ”，Ｐｒｏｃｓ．ＳＩＤ，１９９８，ｐａｇｅｓ  ２３−３１は、炭素の被膜が、ディスプレイの蛍光スクリーンの内面上に位置した光を反射するアルミニウム層に適用される、フラットチャネル増倍器ＣＲＴディスプレイを開示する。電子は、スクリーンに衝突するために、アルミニウム層通過する前に、炭素被膜を通過する。Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎは、炭素被膜が、後方散乱された電子の数及びエネルギーの両方を減少させることを報告している。Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎは、興味があるが、Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎは、電子の後方散乱の問題に狭い解決を与え、電子が図１及び２の従来のディスプレイにおける層３８のような光を反射する層に衝突すると起こる、電子の後方散乱、二次電子のミッション、及び、ディスプレイの汚染問題を一般には扱わない。
【００１０】
電子が、ディスプレイの発光素子において光を放出する領域に衝突する前に、フラットパネルＣＲＴディスプレイにおける光を反射する層を通過するときに、起こる電子のエネルギーにおける損失を減少させることが望ましい。また、ディスプレイの電子を放出するデバイスによって放出された電子が、光を反射する層に衝突すると、起こる電子の後方散乱及び二次電子放出を減少させるための一般の方法論を有することも望ましい。さらに、電子が、光を反射する層に衝突すると、ディスプレイの内部に解放された汚染物質の量を減少させることが望ましい。
【００１１】
［本発明の一般的な開示］
本発明は、プレート、プレートに重なる光を放出する領域、及び光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層を含む、発光素子を供給し、ここで、プレートは、一般に、可視光に透過性である。本発明の発光素子は、フラットパネルディスプレイ、特に、電子を放出するデバイスが発光素子に対向して位置するフラットパネルＣＲＴディスプレイにおける使用に適する。電子を放出するデバイスは、光を反射する層を通過させると共に光を放出する領域に衝突する、電子を放出し、それが光を放出することを引き起こす。電子を放出するデバイスは、光を反射する層を通過すると共に光を放出する領域に衝突する電子を放出し、それが光を放出することを引き起こす。
【００１２】
酸化アルミニウムの本来の被膜で被覆されると共に本発明の発光素子における光を反射する層と同じ相対位置に一般に置かれたアルミニウム光を反射する層を有する従来の発光素子と比較して、本発光素子は、以下の特性、（１）電子が、光を反射する層を通過するときの減少した電子のエネルギー損失、（２）汚染物質、特に光を反射する層に接近して解放された汚染物質によって引き起こされた損傷の量を減少させるための光を反射する層のすぐ近くにおけるゲッタリング、（３）電子が、発光素子の上から光を反射する層に衝突するときの減少した電子の後方散乱、（４）電子が、発光素子の上から光を反射する層に衝突するときの減少した二次電子放出、及び（５）光を反射する層に沿った減少した化学反応性、の一つ以上を達成するために構成される。
【００１３】
本発明の第一の態様においては、光を反射する層は、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属を含む。層を通過する際に電子によって失われたエネルギーは、層を通じたその通過の間に、電子が有効に遭遇する（相互作用する）陽子の数に依存する。次には、層を通過する電子に遭遇された陽子の数は、層の厚さ、電子が層に衝突する角度、及び層における陽子の平均の容積測定の密度に依存する。リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの各々は、アルミニウムよりも低い平均の容積測定の陽子の密度である。結果として、電子は、等しく厚いアルミニウム層よりも本光を反射する層を通過する際に、平均して、より少ないエネルギーを失う。
【００１４】
本発光素子における光を反射する層は、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上に加えて、典型的には、アルミニウムを含む。本光を反射する層が、これらの五つの非アルミニウムの金属の一つ以上を含むので、光を反射する層を通過する際に失った電子エネルギーは、平均して、等しく厚い純粋なアルミニウム層を通過する際に失われたものよりも再び少ない。光を反射する層を通じた電子エネルギーの損失を減少させることによって、本発光素子は、さもなければ等価な先行技術の発光素子よりも効率的に動作する。
【００１５】
本発明の第二の態様においては、光を反射する層は、汚染物質のガス、特に硫黄、光を放出する領域の共通の構成成分、を吸着／吸収する（吸着する又は吸収する）ためのゲッターとして実現される。光を反射するゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上を含み、それらの各々は、硫黄を吸着／吸収することに関して適切である。硫黄が光を放出する領域に存在するとき、光を放出する領域に衝突する電子は、それが、原子／分子の硫黄又は／及びガスの硫黄を含む化合物の形態で、硫黄をガス放出することを引き起こす場合もある。光を反射するゲッター層が、光を放出する領域に非常に接近するのと同程度に、光を反射するゲッター層は、それが、光を反射する層のすぐ近くを去ると共に他の場所で損傷を引き起こす前に、ガス放出された硫黄を吸着／吸収することができる。同じことは、光を反射するゲッター層のすぐ近くで解放され、そのゲッターの材料によって容易に吸着／吸収される、他の汚染物質に当てはまる。
【００１６】
本発明の第三の態様においては、上塗り層は、光を放出する領域の上で光を反射する層に重なる。仮想のアルミニウム層に沿って形成されたと共に電子が上塗り層に衝突するとき一般に同じエネルギー及び衝突角度で本来の酸化物の被膜に衝突する電子にさらされた、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜に対して、上塗り層は、（ａ）本来の酸化物の被膜よりも低い化学反応性、（ｂ）酸化物の被膜よりも単位面積当たりのより低い二次電子放出、及び（ｃ）酸化物の被膜よりも単位面積当たりのより低い電子の後方散乱の少なくとも一つを提供する。
【００１７】
用語“仮想の”は、化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の比較のための参照又は基線として仮想のアルミニウム層と併せて役立つが、酸化物の被膜が、本発明の電子を放出するデバイスの活性部分における表面層として現実には存在しないので、本来の酸化アルミニウムの被膜を記載する際に、ここで使用される。仮想と記載する代わりに、酸化物の被膜を、参照又は基線として記載することができるであろう。同様のコメントが、酸化物の被膜によって被覆されたアルミニウム層を記載する際に、“仮想の”の使用に当てはまる。
【００１８】
上塗り層に特に魅力的な材料は、ベリリウム、ホウ素、クロム、銀、金、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化セリウム、及び酸化ネオジムを含み、それらに依存して、前述の化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性は、上塗り層によって提供することができる。マグネシウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ホウ素−マグネシウム、酸化リンバナジウム、酸化銀、及び酸化ユーロピウムは、全て、上塗り層に魅力的である。上塗り層に適切な他の材料は、コバルト、ルテニウム、ネオジム、イリジウム、白金、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム―アルミニウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、酸化銅、及び酸化モリブデンである。
【００１９】
上塗り層を、二つ以上の層として実現してもよく、各々は、前述の化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性の少なくとも一つを提供する。減少した化学反応性が、多層の実現において上塗り層によって供給されるとき、層の最上のものは、減少した化学反応性を提供する。前の段落で識別された材料の全ては、上塗り層の多層の実現における異なる層に様々に適切である。加えて、炭素は、多層の実現における使用には特に魅力的である。多層の実現における使用に関する他の魅力的又は適切な候補は、鉄、ニッケル、ニオブ、モリブデン、及びバリウムである。
【００２０】
本発明の教示による光を反射する層に沿った化学反応性を減少させることは、電子が、光を反射する層に衝突するときに起こるデバイス汚染における減少をもたらす。本発明の教示教えによる電子の後方散乱又は／及び二次電子放出を減少させることによって、このような電子の後方散乱又は／及び二次電子放出によって直接引き起こされた画像の劣化を減少させる。また、電子の後方散乱又は／及び二次電子放出によって引き起こされたガス放出から結果として生じるディスプレイの汚染を減少させる。結果は、デバイスの性能又は／及び寿命における改善である。
【００２１】
上塗りゲッター層と呼ばれるゲッター層は、本発明の第四の態様における光を反射する層に重なり、上塗りゲッター層は、光を放出する領域の上に十分にあり得る。代わりに又は追加で、上塗りゲッター層は、光を反射する層の下で光を放出する領域の側面に位置した光を遮断する領域の上にあり得る。これらの場合の全てにおいては、上塗りゲッター層は、光を放出する領域に接近する。
【００２２】
上塗りゲッター層用の候補材料は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の酸化物と一緒に、金属、マグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、及び鉛である。これらの材料の全ては、硫黄を容易に吸着／吸収することができる。万一硫黄又は同様の汚染物質が、光を放出する領域からガス放出すると共に光を反射する層を通過するとすれば、上塗りゲッター層は、これらの汚染物質を吸着／吸収することができる。重要なことには、光を放出する領域に対する上塗りゲッター層の近接は、ゲッター層が、これらの汚染物質を、それらが光を放出する領域のすぐ近くを去ると共に他の場所に損傷を引き起こす前に、吸着／吸収することを可能とする。また、上塗りゲッター層は、光を遮断する領域によって解放されると共に光を反射する層を通過する、汚染物質を吸着／吸収することに関して良好に適する。
【００２３】
本発明の第五の態様において、透明な下塗り層は、光を放出する領域と光を反射する層との間に位置する。仮想のアルミニウム層に沿って形成された酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜と比較して、下塗り層は、光を反射する層が、その下側の面に沿った、すなわち、光を反射する層が下塗り層に接近する場所に沿って、化学反応を受けることを、仮想の本来の被膜が、仮想のアルミニウム層が本来の被膜とアルミニウム層との間における界面に沿った化学反応を受けることを阻害するよりも強く阻害する。下塗り層の存在により、光を反射する層の効率を低下させ得るであろう、不透明な材料のような化合物を損傷させることは、その下側の面に沿って形成することがあまりないようである。
【００２４】
下塗り層に関する魅力的な候補は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び酸化クロムである。下塗り層に関する他の適切な候補は、金属酸化物、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化スズインジウム、及び酸化スズである。酸化クロムを含む、それらの金属酸化物の一つ以上で下塗り層を形成することは、酸素、光を反射する層が典型的にはその形成に引き続き露出される高度に反応性のガスに対し、後の露出に対して、光を反射する層の下側の面を安定化させる。同様の利益を、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも大きい厚さの酸化アルミニウムで下塗り層を形成することによって、達成することができる。
【００２５】
下塗りゲッター層と呼ばれる、ゲッター層は、本発明の第六の態様においては、光を反射する層の下にある。特に、下塗りゲッター層は、光を反射する層の下における光を放出する領域の側面に提供される光を反射する層と光を遮断する領域との間にある。このように、下塗りゲッター層は、光を放出する領域にかなり接近する。
【００２６】
下塗りゲッター層に関する適切な材料は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の酸化物と一緒に、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、白金、及び鉛を含む。硫黄を吸着／吸収することに関して特に適切であるニッケルと共に、これらの材料の全ては、硫黄を吸着／吸収することに関して特に適切である。それによって、下塗りゲッター層は、硫黄を容易に吸着／吸収することができる。下塗りゲッター層が、光を放出する領域にかなり接近するので、これらの汚染物質が、光を放出する領域のすぐ近くを脱出すると共に他の場所に損傷を引き起こす前に、硫黄及び他の同様の汚染物質の吸着／吸収を行うことができる。また、下塗りゲッター層を、光を遮断する領域によって解放された汚染物質を吸着／吸収するために良好に位置させる。
【００２７】
本発明による発光素子の製作は、プレートにわたって光を放出する領域を提供することを必然的に伴う。本下塗り層をデバイスに含めることができるとき、下塗り層は、光を放出する領域にわたって形成される。下塗りゲッター層を、デバイスに含めることができるとき、下塗りゲッター層は、光を放出する領域の側面に提供された光を遮断する領域にわたって形成される。次に、光を反射する層は、下塗り層又は下塗りゲッター層にわたって形成される。下塗り層も下塗りゲッター層も存在することができないとすれば、光を反射する層は、単純に、光を放出する領域にわたって形成される。上塗り層又は上塗りゲッター層をデバイスに含めることができるとき、上塗り層又は上塗りゲッター層は、光を反射する層にわたって形成される。
【００２８】
要するに、本発明の発光素子は、画像の強度における顕著な損失無しに、写像性を改善する又は／及びデバイスの寿命を増加させるために、構成される。本発光素子を、大規模生産の環境において容易に製造することができる。よって、本発明は、先行技術を超える実質的な進歩を提供する。
【００２９】
同様の参照符号を、同じ又は非常に類似の単数又は複数の単位体を表すために、図面及び好適な実施形態の説明で用いる。
【００３０】
［好適な実施形態の説明］
［一般的考慮］
本発明によって構成された発光素子を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイに関して、様々な構成を以下に記載する。各々のフラットパネルＣＲＴディスプレイは、パーソナルコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ワークステーション、又はパーソナルディジタルアシスタントのようなハンドヘルドデバイス用のフラットパネルテレビ又はフラットパネルビデオモニターに、典型的には適切である。
【００３１】
本フラットパネルＣＲＴディスプレイの各々は、典型的には、カラーディスプレイであるが、単色の、例えば、黒色及び緑色又は黒色及び白色のディスプレイであり得る。
各々の光を放出する領域及び対応する反対に位置決めされた電子を放出する領域は、単色のディスプレイにおけるピクセル及びカラーディスプレイにおけるサブピクセルを形成する。カラーピクセルは、典型的には、三つのサブピクセル、赤色用の一つのサブピクセル、青色用の別のサブピクセル、及び緑色用の第三のサブピクセルからなる。
【００３２】
所定の本発光素子は、活性なデバイス部分に位置したゲッターの材料を有する。それによって、高いゲッタリング面積を、全体的な側方のデバイスのエリアを著しく増加させることなく達成することができる。加えて、ゲッターの材料を、典型的には、活発なデバイス部分にわたって相対的に均一な様式で分布させる。発光素子の活性部分における不均一なゲッタリングから起こり得る、望まれない活性部分の圧力勾配のような困難は、主として均一なゲッターの材料の分布を有する本発光素子において回避される。
【００３３】
層として整形された、ゲッターの材料は、本発明の前述の発光素子の各々においては、通常、多孔性である。汚染物質ガスは、時間が経過するにつれて、そのゲッタリングの能力が減少することを引き起こす、ゲッター層の外面に沿って又はその近くに集まる。“活性化”の工程に従ってゲッター層を適切に処理することによって、ゲッター層の外面に沿って又はその近くで蓄積されたガスを、その内部に運ぶ。これは、ゲッター層が、ゲッター層の内部のガスを保持する能力に到達する点までのそのゲッタリングの能力の多くを回復することを、可能とする。ゲッター層を、典型的には、多数回、活性化させことができる。
【００３４】
ゲッター層を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイを組み立てるために、ゲッター層は、通常、光を放出する及び電子を放出するデバイスを一緒に密閉して封止する前に作成される。典型的な製作の順序において、完成した発光素子を、ディスプレイを封止する動作に先立ち、空気に露出させる。ゲッター層が、表面の層であるとき、汚染物質のガスは、次に、その有効なゲッタリング面の多くに沿って蓄積する。よって、光を放出する及び電子を放出するデバイスの間における封入物が、高い真空にあると同時に、ゲッター層を、典型的には、ディスプレイを封止する動作の間又は後に続けて、活性化する必要がある。
【００３５】
ゲッター層の活性化を様々な方法で行うことができる。ゲッター層を、十分に長い期間の間に、十分に高い値、典型的には３００−９００℃までその温度を上昇させることによって活性化することができる。一般に、ゲッター層を活性化するために必要とされる時間の量は、活性化温度を増させると共に減少する。高度に排気された環境において、３００℃を超過した温度、典型的には３５０℃でディスプレイを封止することによって、活性化を、封止する動作の間に自動的に遂し遂げることができる。ゲッター層に付け加える構成部品が、電気的に抵抗性の材料を含むとき、ゲッター層を活性化するのに十分高いその温度を上昇させるために、電圧を、抵抗性の材料に時々印加することができる。
【００３６】
全体的なフラットパネルディスプレイの構成に依存して、電磁波のエネルギーを、ゲッター層の方へ、それを活性化するために、局所的に向けることができる。例えば、ゲッター層を、時々、レーザービームのような方向付けられたエネルギーのビームで活性化することができる。いくつかの場合には、活性化を、ゲッター層の方へ、マイクロ波のエネルギーのような、無線周波数のエネルギーを向けることによって遂し遂げることができる。電子を放出するデバイスによって放出された電子のいくつかは、ゲッター層に衝突してもよい。これらの電子は、典型的には、相対的に高いエネルギーのものであり、所定の場合には、ゲッター層を活性化することができる。
【００３７】
電界放出ディスプレイは、しばしば電界放出源と呼ばれる、電子を放出するデバイスが、電界放出技術によって電子を放出する、フラットパネルＣＲＴディスプレイである。三次元の（非平面の）タイプの電界放出を利用する、電子を放出するデバイスにおける各々の電子を放出する領域は、円錐、フィラメント、又は無作為に整形された粒子のような一つ以上の電子放出素子を含む。各々の電子を放出する領域における一つ以上の電子を放出する素子は、適切な電気ポテンシャルを、制御（又はゲート）電極と一つ以上の電子を放出する素子との間に印加するとき、電子を放出する。各々の電子を放出する領域からの電子の放出の量を制御するために、電気ポテンシャルを、典型的には、調整することができる。電気ポテンシャルの大きさが、閾値より下にあるとき、電子を放出する領域は、電子を本質的に放出しない。
【００３８】
以下の記載において、用語“電気的に絶縁する”又は“誘電体の”は、一般に、１０１０オームｃｍより大きい抵抗を有する材料に当てはまる。このように、用語“電気的に絶縁しない”は、わずかに１０１０オームｃｍの抵抗を有する材料に言及する。電気的に絶縁しない材料は、（ａ）抵抗が１オームｃｍより小さい、電気的に伝導性の材料、及び（ｂ）  抵抗が１オームｃｍから１０１０オームｃｍまでの範囲にある、電気的に抵抗性の材料に分割される。これらの部類は、わずかに１０ボルト／ｐｍの電場で決定される。
【００３９】
二つ以上の材料の合金は、一般に、原子番号を増加させる順に列挙された材料と共にハイフンで結ばれた形態で以下に与えられる。例えば、“リチウム−アルミニウム”は、リチウム−アルミニウム合金を意味する。たとえリチウム、より低い原子番号の材料が、合金において第一に列挙されても、リチウム−アルミニウム合金は、リチウムよりも多くのアルミニウムを含んでもよい。合金を形成する材料は、通常相対的に均一な様式で、合金の全体にわたって分布される。
【００４０】
電気泳動堆積及び誘電泳動堆積は、時々、一緒に“電気泳動堆積”として分類される。用語“電気泳動／誘電泳動堆積”は、ここでは、このような堆積が電気泳動及び誘電泳動の一つ又は両方によって起こることを強調するために、利用される。
【００４１】
［エネルギーを減少させる光を反射する層］
図３及び４は、それぞれ、電子を放出するデバイス４０及び電子エネルギーの損失を減少させるために本発明によって構成された反対に位置していた発光素子４２を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の側面及び平面図の断面を図説する。デバイス４０及び４２は、高い真空、典型的にはわずかに１０−６トールの内圧で維持された封止した封入物を形成するために、外壁（示してない）を通じて互いに接続される。図４の平面図の断面は、封止した封入物を通じて側方に延びる平面に沿った発光素子４２の方向に取られる。よって、図４は、主として、発光素子４２の活性部分の一部の平面図を与える。
【００４２】
デバイス４０及び４２に加えて、図３及び４のフラットパネルディスプレイは、通常、おおよそ１気圧の典型的な外部から内部への圧力差のような外力がディスプレイを崩壊させることを予防する、スペーサーと呼ばれる、一群の内部の支持体を含む。また、スペーサーは、デバイス４０と４２との間に十分に均一な間隔を維持する。スペーサーは、典型的には、一般にフラットな壁のように整形されるが、柱のような他の形状を有することができる。図４における項目４４は、スペーサー壁に関する場所を示す。ゲッターの材料を、ディスプレイにおける様々な場所に位置させてもよい。
【００４３】
電子を放出するデバイス又は後板の構造４０は、一般に、フラットな電気的に絶縁する後板４６、及び後板４６の内面にわたって位置する一群の層及び領域のグループで形成される。これらの層／領域は、側方に分離された電子を放出する領域４８の行及び列の二次元配列を含む。各々の電子を放出する領域４８は、発光素子４２に向けられる電子を放出する、一つ以上の電子を放出する素子（別々に示してない）からなる。また、層／領域は、電子を放出する領域を越えて垂直に延びると共に発光素子４２の対応する目標のエリアに領域４６によって放出された電子を集束させる、電子を集束させるシステム５０を含む。項目５２は、これらの電子の一つの軌跡を表す。
【００４４】
電子を放出するデバイス４０は、典型的には、電界放出によって動作する。その場合には、各々の電子を放出する領域４８は、適切な電気ポテンシャルに応じて電子を放出する。好ましくは、各々の領域４８は、上述したような三次元のタイプの電界放出によって動作する。デバイス４０を実現するために適切な電界放出の電子を放出する構造の例は、米国特許第６，０４９，１６５号に記載されている。にもかかわらず、デバイス４０は、熱放出のような別の技術によって電子を放出してもよい。
【００４５】
発光素子、又は面板の構造４２は、一般に、フラットな電気的に絶縁する面板５４、並びに面板５４の内面にわたって位置する一群の層及び領域で形成される。面板５４は、少なくとも、可視光が、ディスプレイの前方における面板５４の外面（図３における下側の面）に画像を生成するために面板５４を通過するように意図される場合に、透明、すなわち、一般に可視光に透過性である。面板５４は、典型的には、ガラスからなる。面板５４に重なる層／領域は、光を放出する領域  ５６、パターニングされた光を遮断する領域５８、及び光を反射する層６０の行及び列の二次元配列からなる。
【００４６】
光を放出する領域５６及び光を遮断する領域５８は、面板５４に直接広がっている。光を放出する領域５６を、それぞれ電子を放出する領域４８に対向する場所における光を遮断する領域５８を通じて延びる開口に位置させる。面板５４は、少なくとも光を放出する領域  ５６より下で可視光に透過性である。ディスプレイのカラーの実現において、行における三つの連続的な領域  ５６は、領域４８から放出された電子に衝突されたとき、三つの異なる色、通常赤色、青色、及び緑色の光を放出する。
【００４７】
各々の光を放出する領域５６は、面板５４以にわたって実質的に無作為に分布した多数の発光体の粒子からなる。各々の領域５６の厚さは、典型的には、単層（できるだけ互いに接近して充填された粒子の一つの粒子の厚さの層）、例えば１．５単層、よりも大きいが、単層よりも小さくあり得る。各々の領域５６における発光体の粒子を、様々な方法で構成することができる。発光体の粒子は、典型的には、金属のオキシスルフィドの発光体を含む、金属の硫化物の発光体である。図３及び４のディスプレイのカラーの実現において、発光体の粒子は、赤色光に関してはＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕの発光体、青色光に関してはＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌの発光体、及び緑色光に関してはＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌの発光体であり得る。代わりに、発光体の粒子は、金属酸化物の発光体又は没食子酸ストロンチウムの発光体であり得る。
【００４８】
光を反射する層６０は、光を放出する領域  ５６及び光を遮断する領域５８にわたって広がっている。層６０の下側の面を形成する、通常金属の材料の酸化物の寄生の透明な層（示してない）は、一方における層６０と他方における領域５６及び５８の間にある。この寄生の透明な埋められた酸化物の層の厚さは、通常１−５ｎｍ、典型的には２．５ｎｍである。層６０の上側の面を形成する、同様に通常金属の材料の酸化物の寄生の層（示してない）は、層６０の上側の面に沿って広がっており、フラットパネルディスプレイの内面を形成する。また、たいてい透明な、この寄生の表面の酸化物の層の厚さは、通常１−５ｎｍ、典型的には２．５ｎｍである。
【００４９】
光を遮断する領域５８は、一般に、可視光に非透過性である。より詳しくは、領域５８は、主として、ディスプレイの前方において面板５４の外面に衝突する可視光を吸収し、面板５４を通過し、次に領域５８に衝突する。ディスプレイの前方から見ると、領域５８は、薄黒く、十分に黒色である。この理由のために、領域５８は、ここでは、“黒色のマトリックス”と呼ばれる。また、電子を放出する領域４８から放出された電子に衝突されたとき、黒色のマトリックス５８は、主として、光を放出しない。前述の特性は、マトリックス５８が画像のコントラストを高めることを可能とする。
【００５０】
黒色のマトリックス５８は、一つ以上の層又は領域からなり、それらの各々は、電気的に絶縁性、電気的に抵抗性、又は電気的に伝導性であってもよい。マトリックス５８の厚さの一部のみが、可視光を吸収する薄黒い材料からなってもよい。マトリックス５８の厚さの薄黒い部分は、面板５４と相接するか、又は面板５４から垂直に分離されることができる。
【００５１】
図３及び４の典型的なディスプレイにおいて、黒色のマトリックス５８は、光を放出する領域５６より薄く（又はより短く）、好ましくは、光を反射する層６０と接触する電気的に伝導性の材料を含む。さらに下に記載するように、層６０は、ディスプレイに関して高い陽極の電気ポテンシャルを受ける。マトリックス５８を電気的に絶縁しないもの、通常、電気的に伝導性のものにすることによって、それは、また陽極のポテンシャルを受け、ディスプレイの陽極として機能する際に層６０と協働する。さらに、層６０が、マトリックス５８との電気的な接触にあることを条件として、層６０は、マトリックス５８にわたって完全に延びることを必要としない。
【００５２】
図５は、黒色のマトリックス５８が、光を放出する領域５６より厚い（又はより高い）、発光素子４２の変形物を描く。この変形物においては、マトリックス５８は、完全に側方に各々の領域５６を囲む。また、マトリックス５８は、典型的には、光を反射する層６０と接触する電気的に絶縁する材料を含む。
【００５３】
さらに以下に記載するように、電子を放出するデバイス４０における領域４８によって放出された電子は、光を反射する層６０を通過し、光を放出する領域５６に衝突し、それらが全ての方向に光を放出することを引き起こす。領域５６に衝突する電子のいくつかは、光の放出を引き起こすことよりもむしろ後方へ散乱する。黒色のマトリックス５８は、これらの後方散乱した電子のいくつかを収集し、それによって、そのように収集された電子が、領域５６の意図してないものに衝突すること、及び画像の劣化を引き起こすことを予防する。マトリックス５８を図５の変形物で起こるように領域５６を越えて垂直に延ばすことによって、後方散乱した電子を収集するマトリックス５８の能力を高める。
【００５４】
マトリックス５８が、電気的に伝導性の材料からなるとき、光を反射する層６０は、それ自体によって、又は黒色のマトリックス５８との組み合わせで、通常、ディスプレイ用の陽極として役立つ。このように、層６０は、電気的に絶縁しない材料、通常電気的に伝導性の材料を含む。選択された陽極の電気ポテンシャルは、典型的には５００−１０，０００ボルト付近で、ディスプレイの動作の間に、適切な電圧源（示してない）から層６０の電気的に絶縁しない材料へ印加される。光を反射する層６０は、領域５６によって放出された初期に後部に向けられた光のいくらかを前方へ反射することによって、ディスプレイの画像の光の強度を高める。
【００５５】
光を反射する層６０は、図３及び４の例においては発光素子４２の活性部分の全体にわたって延びる。層６０は、各々の領域５６の上で、一般にフラット、すなわち、おおよそ（大雑把にはフラット）からほぼ完全にフラットまで、である。層６０を図３においては貫通してないブランケット層として図説するが、層６０は、典型的には、実質的に無作為の場所に位置した微視的な孔によって貫通される。その地盤に依存して、層６０は、３０−２００ｎｍ、典型的には７０ｎｍの厚さを有する。
【００５６】
陽子が、正に帯電されるのに対して、電子は、負に帯電される。電子が、光を反射する層６０のような層を通過すると、層における原子の陽子における正の電荷は、電子が減速すると共にエネルギーを失うことを引き起こす。個々の電子によって失われたエネルギーの量は、そのくらい多くの陽子が、層を通過する際に電子に遭遇するかに依存する。電子が、より多くの陽子に遭遇すると、エネルギーの損失の大きさは、一般に増加し、逆もまた同じである。
【００５７】
層を通過する電子によって遭遇される陽子の平均の数は、層の厚さ、電子が層に衝突する角度、及び層における単位容積当たりの陽子の平均数に依存する。後者のパラメーターは、ここでは、平均の容積測定の陽子密度Ｎｐと呼ばれる。陽子密度Ｎｐの異なる値を有するために異なる材料からなる二つの等しく厚い層を考慮すること。同じ衝突の角度で二つの層に衝突する等しく高エネルギーの電子に関して、層を通じた電子のエネルギー損失における差は、二つの層に関する陽子密度Ｎｐの値に依存する。
【００５８】
単一の原子の元素の層に関する平均の容積測定の陽子密度Ｎｐは、
【００５９】
【数１】
2004524662.tif 000003
のように与えられ、ここで、Ｚは、元素の原子番号であり、ρは、元素の質量密度であり、Ｋｗは、定数であり、Ｗは、元素の原子量である。定数Ｋｗは、原子量の単位における質量の量である。また、式１は、化合物からなる層にも当てはまる。その場合には、Ｚは、化合物における元素の原子番号の化学量論的に重みを付けた和であり、ρは、化合物の質量密度であり、Ｗは、化合物の分子量、すなわち、化合物における元素の原子量の化学量論的に重みを付けた和である。
【００６０】
二つ以上の別個の成分を含む層に関して、陽子密度Ｎｐを、
【００６１】
【数２】
2004524662.tif 000004
として評価することができ、ここで、ｎは、成分の数であり、ｉは、連続する正数であり、Ｆｉは、層におけるｉ番目の成分の質量部分であり、Ｚｉは、ｉ番目の成分の原子番号であるか、又はｉ番目の成分が化合物であるとすれば、
ｉ番目の成分における元素の原子番号の化学量論的に重みを付けた和であり、Ｗｉは、ｉ番目の成分の原子量であるか、又はｉ番目の成分が化合物であるとすれば、ｉ番目の成分の分子量であり、ρｉは、ｉ番目の成分の質量密度である。本発明と一致して、光を反射する層６０は、主として、その平均の容積測定の陽子密度Ｎｐが、アルミニウムの平均の容積測定の陽子密度Ｎｐ（Ａｌ）より小さい金属からなる。この特性は、主として、（ａ）Ｎｐ（Ａｌ）より小さい陽子密度Ｎｐを有する非アルミニウムの金属、又は（ｂ）アルミニウム及びＮｐ（Ａｌ）より小さい陽子密度Ｎｐを有する非アルミニウムの金属で、層６０を構成することによって、達成される。これらの方法のいずれかで層６０を構成することによって、与えられた衝突のエネルギー及び与えられた衝突の角度の電子が、層６０を通過する際に経験する、陽子の電荷の量は、平均して、同じ衝突のエネルギー及び同じ衝突の角度の電子が、層６０と同じ厚さの仮想のアルミニウム層を通過する際に経験するであろう、陽子の電荷の量より小さい。結果として、層６０を通過する電子は、平均して、層６０と同じ厚さのアルミニウム層を通過する、等しく高エネルギーの電子よりも少ないエネルギーの損失を経験する。
【００６２】
前述の方法で光を反射する層６０を実現することによって、層６０を、典型的には、アルミニウム層よりも低い平均の電子のエネルギー損失をまだ生じると同時に、アルミニウム層よりも多少厚くすることができる。層６０をより厚くすることは、それが、より機械的な強さを有することを可能とし、それによって、フラットパネルディスプレイをより丈夫する。また、ディスプレイ製作に関するプロセスウィンドウは、容積の量でディスプレイを製造することを促進するために、強調される。
【００６３】
Ｎｐ（Ａｌ）より小さい陽子密度Ｎｐを有する適切な非アルミニウムの金属は、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムである。よって、光を反射する層６０は、主として、（ａ）リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム及びマグネシウムの一つ以上、又は（ｂ）アルミニウム並びに及びリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上のいずれかからなる。層６０を、実質的に、これらの非アルミニウムの金属の一つのみで形成するとき、陽子密度Ｎｐは、式１によって与えられる。層６０が、二つ以上の非アルミニウムの金属からなるとき、密度Ｎｐは、おおよそ、式２によって与えられる。同様に、層６０が、アルミニウム及び一つ以上の非アルミニウムの金属のからなるとき、密度Ｎｐは、ｎ個の成分の一つであるアルミニウムと共に式２によって与えられる。
【００６４】
光を反射する層６０が、主として、二つ以上のアルミニウム及び前述の五つの非アルミニウムの金属、すなわち、（ａ）リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの二つ以上、又は（ｂ）アルミニウム及びリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上からなる場合には、層６０を、それらの二つ以上の金属の合金として、又は異なる金属の組成の二つ以上のサブ層として構成することができる。各々のサブ層は、実質的に、六つの金属の単なる一つ、又は二つ以上の金属を含む合金であり得る。層６０、又は層６０のサブ層が、合金からなるとき、合金における金属は、通常、層６０、又は層６０のサブ層の全体にわたって相対的に均一な様式で分布される。
【００６５】
図３及び５における発光素子４２の断面は、（ａ）光を反射する層６０が合金であるか又は主として非アルミニウムの金属の単なる一つのみからなる状況、及び（ｂ）層６０が二つ以上のサブ層からなる状況の両方を一般に表すが、具体的には、層６０が合金又は主として非アルミニウムの金属の単なる一つのみである状況に向けられる。層６０が、主として、アルミニウム、並びにリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上で形成された非アルミニウムの金属からなる合金であるとき、非アルミニウムの金属は、層６０の質量で通常５−９５％、好ましくは２０−８０％、より好ましくは３０−６０％、典型的には５０％を構成する。非アルミニウムの金属の百分率が、より好適な３０−６０％の質量パーセントの範囲に入り、そしてアルミニウムの百分率が４０−７０質量％であるとき、アルミニウムの高い光の反射率は、十分に達成される。
【００６６】
図６及び７は、光を反射する層６０が多数のサブ層からなる状況を実現する発光素子４２の実施形態を図説する。図６において、黒色のマトリックス５８は、光を放出する領域５６より薄くあるために、図３に示すように構成される。図７において、マトリックス５８は、領域５６より厚くあるために、図５に示すように構成される。図６及び７の実施形態における光を反射する層６０は、具体的には、下側のサブ層６０Ｌ及び上側のサブ層６０Ｕからなる。領域５６及びマトリックス５８に直接位置する下側のサブ層６０Ｌは、通常、サブ層６０Ｌに位置した上側のサブ層６ＯＵよりも可視光に反射性である。
【００６７】
光を反射する層６０が、アルミニウム、並びにリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上からなる非アルミニウムの金属を含む、多数のサブ層の状況において、下側のサブ層６０Ｌは、通常、第一にアルミニウムからなる。好ましくは、サブ層６０Ｌの主として全ては、アルミニウムである。次に、上側のサブ層６ＯＵは、通常、アルミニウムよりも質量で多くの非アルミニウムの金属からなる。大部分はあるいはほとんど、サブ層６ＯＵの主として又はほとんど全ては、典型的には、非アルミニウムの金属である。また、サブ層６ＯＵにおける非アルミニウムの金属は、好ましくは、ベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムの一つ以上である。前述の方法で層６０を実現することによって、上側のサブ層６ＯＵが、陽子密度ＮｐがＮｐ（Ａｌ）より小さいことを可能とすると同時に、下側のサブ層６０Ｌは、層に６０にアルミニウムの高い光の反射率を提供する。
【００６８】
ベリリウム、灰色の金属は、それ自体で、合金としてのアルミニウムとの組み合わせで、又は多数のサブ層のスタックにおいて、光を反射する層６０に関しては特に魅力的である。ベリリウムは、アルミニウムより小さい光の反射率のものであるが、ベリリウムは、アルミニウムを超える以下の有利な特性、
ａ．アルミニウムに関する２．７０ｇ／ｃｍ３と比較して、より低い密度、１．８５ｇ／ｃｍ３、
ｂ．アルミニウムに関するおおよそ１００メガパスカルと比較して、より大きい引張強さ、おおよそ２８０メガパスカル、
ｃ．アルミニウムに関する６６０℃と比較して、より高い融点、１２７８±５℃、
ｄ．アルミニウムより四から五倍大きい剛性、及び
ｅ．アルミニウムのおおよそ二倍の熱容量
を有する。
【００６９】
加えて、ベリリウムは、ほとんどアルミニウムと同じ高さの熱伝導性を有する。層６０を、二つのサブ層のスタックにおけるベリリウム及びアルミニウムで実現するとき、上側のサブ層６ＯＵが、通常、主として、ベリリウムからなると同時に、下側のサブ層６０Ｌは、通常、主としてアルミニウムからなる。
【００７０】
ホウ素、黄色の金属は、おおよそ２３００℃のホウ素の融点が、アルミニウムの６６０℃の融点よりもはるかに高いので、光を反射する層６０における使用に関して魅力的である。また、ホウ素は、アルミニウム、再度２．７０ｇ／ｃｍ３よりも多少低密、２．３４ｇ／ｃｍ３である。層６０に用いたとき、ホウ素は、典型的には、アルミニウムと合金をつくるか、又は主としてアルミニウムからなる下側のサブ層６０Ｌと共に主として上側のサブ層６０Ｕとして利用される。
【００７１】
マグネシウム、銀白色の金属は、マグネシウムの密度１．７４ｇ／ｃｍ３が、２．７０ｇ／ｃｍ３のアルミニウムの密度よりもかなり小さいので、光を反射する層６０における使用に関して魅力的である。マグネシウムの融点、６４９℃は、アルミニウムの融点とほとんど同じである。マグネシウムは、アルミニウムとほとんど同じ引張強さを有する。層６０を、それ自体で、合金としてのアルミニウムとの組み合わせで、又は多数のサブ層のスタックにおいて、マグネシウムと共に実現することができる。二つのサブ層のスタックにおいて、再び下側のサブ層６０Ｌが、主として、アルミニウムからなると同時に、マグネシウムは、主として、上側のサブ層６ＯＵを形成する。
【００７２】
ナトリウムが、銀色の金属であると同時に、リチウムは、銀白色の金属である。リチウム及びナトリウムは、非常に低い密度、リチウムに関して０．５３ｇ／ｃｍ３及びナトリウムに関して０．９７ｇ／ｃｍ３を有する。また、リチウムは、相対的に高い引張強さを有する。リチウム及びナトリウムは、相対的に低い融点、リチウムに関して１８０℃及びナトリウムに関して９８℃を有する。ディスプレイの組み立て及び封止する動作が、典型的には、リチウム及びナトリウムの融点よりもかなり大きい温度で行われるのと同じ程度に、それらの低い融点は、層６０又は層６０のサブ層の主として全て又はかなりの部分を形成するために、実質的には、リチウム、又はナトリウムを使用することを制限する場合もある。層６０において利用されたとき、リチウム又はナトリウムは、典型的には、アルミニウムと共に合金をつくられる。
【００７３】
以下に与えられるのは、アルミニウム及び非アルミニウムの金属、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムに関する色、融点、原子番号、及び陽子密度パラメーターＺρ／Ｗを与える表である。
【００７４】
表Ｉ
光を反射する層６０に関する材料の特性
2004524662.tif 000005
この表は、光を反射する層６０を実現するために材料を選択する際における使用に適切である。
【００７５】
図８ａ−８ｃ、８ｄ１、及び８ｄ２（ひとまとめにして“図８”）は、本発明と一致した図３及び４の発光素子４２を製造するための一般的な工程並びに本発明と一致した図６のデバイス４２を生産するための変形物を図説する。図８ａを参照して、図８の工程の起点は、面板５４である。
【００７６】
黒色のマトリックス５８は、図８ｂに示すように面板５４に形成される。マトリックス５８を様々な技術によって形成することができる。マトリックス５８が、単層であるとき、黒色のマトリックス材料のブランケット層を、面板５４に堆積させることができる。蒸発、スパッタリング、溶射、化学蒸着（“ＣＶＤ”）、また電気泳動／誘電泳動堆積のような技術を、ブランケット層を堆積させるために、利用することができる。黒色のマトリックス材料を含む液体の調合物又はスラリーの被膜を、面板５４に堆積させ、乾燥させることができる。焼結又は焼成を、必要に応じて行うことができる。フォトレジストマスクのような適切なマスクを使用して、マトリックス５８を、光を放出する領域５６の場所でブランケット層の部分を取り除くことによって作成する。
【００７７】
代わりに、黒色のマトリックス５８を、ブランケットの堆積／リフトオフ技術によって形成することができる。さらなる代替として、黒色のマトリックス材料を、シャドウマスクを通じて堆積させることができる。マトリックス５８が、
マトリックス５８を図５及び７に示すように構成するとき、しばしば発生するような重合体の材料を含むとすれば、堆積／化学線放射硬化／現像の動作を、重合体の材料のパターニングされた層を作成するために、行うことができる。必要に応じて、熱分解のステップを、パターニングされた重合体の材料を黒変させるために、行うことができる。マトリックス５８が、二つ以上の層からなるとき、前述の技術の反復又は／及び組み合わせを、マトリックス５８を作成するために、用いることができる。また、マトリックス５８を、予め形成し、次に適切な接着剤を使用して面板５４に取り付けることもできる。
【００７８】
ここで、光を放出する領域５６の発光体の材料を含む領域６２は、黒色のマトリックス５８を通じた開口に形成される。図８ｃを参照すること。領域６２をどのように作成するかに依存して、それらを、領域６２に利用された非発光体の材料（示してない）によって相互に連結してもよい。領域６２は、一般にフラットな上側の面を有する。
【００７９】
領域６２の形成を、様々な方法で成し遂げることができる。
【００８０】
カラーディスプレイに関して、化学線結合剤及び三色、赤色、青色、及び緑色のただ一つの光を放出することが可能な発光体のスラリーを、黒色のマトリックス５８における開口に導入することができる。化学線結合剤は、典型的には、重合体の架橋可能なタイプのものである。開口のどの三つの一つを、そのように露出させた結合剤を硬化させるために、紫外光のような化学線放射に露出させる。黒色のマトリックス５８に対する光を放出する領域５６の調整不良を最小にするために、露出のステップは、典型的には、その結合剤の材料が化学線に露出されることが意図されてない、開口を覆うためのマスクを使用して、面板５４の外面（図８ｃにおける下側の面）を通じて行われる。任意の露出されないスラリーの材料は、適切な現像剤で取り除かれる。この手法は、化学線結合剤及び他の二つの色の光を放出することが可能な発光体のスラリーと共に二度繰り返される。
【００８１】
容易にガスに変換することができる一般に固体の材料の中間の層は、それぞれ、発光体の領域に形成されると共に領域６２を定義するための硬化した結合剤であり、それらに一般にフラットな上側の面を提供する。中間の層は、典型的には、その構造の頂上にラッカーを堆積させ、ラッカーを乾燥させることによって、作成される。便宜上、たとえ中間の層を形成するために、ラッカー以外の材料を用いることができるとしても、中間の層を形成する固体の材料は、一般に、以下で“乾燥したラッカー”又は単純に“ラッカー”と呼ばれる。そして、領域６２は、発光体の材料、硬化した結合剤、及び乾燥したラッカーからなる。
【００８２】
ラッカーの堆積は、典型的には、領域６２の中間のラッカーの層は、黒色のマトリックス５８の頂上に位置した乾燥したラッカー（示してない）によって相互に連結されるように、ブランケットの様式で行われる。代わりに、ラッカーの堆積を、マトリックス５８より上に堆積を遮断する領域を有するスクリーンを通じて行うことができる。この場合に、乾燥したラッカーは、マトリックス５８の頂上にはほとんど存在しない。
【００８３】
光を反射する層６０を、黒色のマトリックス５８及び領域６２にわたって堆積させる。どのようにして層６０を構成すると共に形成することができるかに依存して、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上からなる光を反射する材料を、しばしばアルミニウムとの組み合わせで、蒸発、スパッタリング、溶射、及びＣＶＤのような技術によって堆積させることができる。層６０の堆積は、ＣＶＤ用に数トールから下へ蒸発又はスパッタリング用に１０−６トール以下（高い真空）まで変動する低い圧力で適切な堆積チャンバーにおいて行われる。層６０が、サブ層６０Ｌ及び６０Ｕのような二つ以上のサブ層からなるとき、多数の堆積のステップが行われる。
【００８４】
光を反射する層６０の堆積に引き続き、部分的に製作された発光素子は、堆積チャンバーから取り除かれ、空気に露出される。空気中の酸素により、層６０の上側の面を形成する金属の酸化物の寄生の層（示してない）は、層６０の上側の面に沿って成長する。層６０の下側の面を形成する金属の酸化物の寄生の層（示してない）は、同様に、層６０の下側の面に沿って成長し、それによって、一方では層６０、並びに他方では光を放出する領域５６及び黒色のマトリックス５８の間にある。層６０の下側の面に沿った寄生の酸化物の層を作成するために必要とされた酸素の少なくとも一部は、層６０における孔を通じて光を反射する層の下側の面に到達する。両方の寄生の酸化物の層は、透明である。
【００８５】
領域６２における結合剤の材料及びラッカーは、構造を適切に加熱することによって取り除かれる。また、黒色のマトリックス５８の頂上に位置した任意のラッカーは、加熱するステップの間に取り除かれる。結合剤及びラッカーは、光を反射する層６０における孔を通じて脱出するガスへ熱で分解する。領域６２の残りの部分は、それぞれ、光を放出する領域５６を構成する。結合剤の材料及びラッカーの除去は、通常、３００−４８０℃、典型的には４００℃の最大温度に到達する熱プロファイルによって空気中で行われる。層６０の下側及び上側の面に沿った寄生の透明な酸化物の層の厚さは、結合剤／ラッカーの除去の動作中に増加してもよい。
【００８６】
光を反射する層６０の上側及び下側の面に沿って存在する、示してない寄生の酸化物の層を除いて、結果として生じる構造は、層６０がどのように構成されるかに依存して、図８ｄ１又は８ｄ２に示すように現われる。図８ｄ１は、図３における発光素子４２を与える。図８ｄ１は、（ａ）層６０が合金であるか、又は主として、非アルミニウムの金属、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの単なる一つのみからなる状況並びに（ｂ）層６０が多数のサブ層からなる状況の両方を表すが、図８ｄ１は、具体的には、層６０が合金であるか、又は主として、これらの非アルミニウムの金属の一つのみからなる状況に向けられる。図６を繰り返す図８ｄ２は、それが、サブ層６０Ｌ及び６０Ｕからなるとき、層６０の実施形態を与える。層６０は、主として、領域６２の結合剤及びラッカーがその構造に存在したときに存在した形状を保持する。よって、層６０は、一般に、光を放出する領域５６より上でフラットである。
【００８７】
［光を反射するゲッター層］
光を放出する領域５６における発光体の粒子は、高エネルギーの荷電粒子、特に電子を放出するデバイス４０の領域４８によって放出された電子に衝突されたとき、汚染物質のガスを生成する場合もある。発光体の粒子が金属の硫化物の発光体（再度金属のオキシスルフィドの発光体を含む）からなる、上で述べた典型的なカラーディスプレイの実現において、発光体の粒子は、硫黄をガス放出してもよい。ガス放出された硫黄は、原子／分子の硫黄の形態に、又は／及び硫黄を含む化合物の形態にあり得る。硫黄は、標準温度（０℃）及び圧力（１気圧）で固体であるが、硫黄は、図３及び４のフラットパネルディスプレイの内部に存在する、高い真空、典型的には１０−６トール以下の圧力ではガスである。発光体に源を発したガスにおける硫黄のような汚染物質が、領域５６及び光を反射する層６０のすぐ近くを離れることを予防しない限り、汚染物質は、ディスプレイの内部に入ると共に損傷を引き起こし得る。
【００８８】
光を反射する層６０は、本発明と一致して、発光素子４２の変形物において汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収する（再び、吸着する又は吸収する）ためのゲッターとして機能する。この変形物においては、光を反射するゲッター層６０は、好ましくは、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上を含む。これらの九つの金属の各々は、硫黄を吸着／吸収することに関して特に適切である。層６０が、ゲッタリングの機能を提供するとき、層６０の主として全ては、典型的には、前述の金属の一つ以上からなる。そして、層６０の厚さは、層６０を実現するために選択された特定の単数又は複数の金属に依存して、３０−３００ｎｍ、典型的には１００ｎｍである。
【００８９】
前述の十個の金属の二つ以上を、それにゲッタリングの機能を提供するために、光を反射する層６０において利用するとき、金属は、通常、全ての材料が層６０にわたって分布する合金を形成するために、互いに混合される。このような多数の金属のゲッタリング合金の実現において、層６０は、好ましくは、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、パラジウム、銀、及び鉛の二つ以上の合金を含む。これらの八つの金属の二つ以上で光を反射するゲッター層６０を実現することは、所定の組み合わせで、成分の金属の各々で個々に達成可能なものよりも良好なゲッタリング、特に硫黄のゲッタリングを提供することができる。層６０は、例えば、主として、マグネシウム及びクロムからなってもよく、ここでクロムは、通常、合金において５−９５原子百分率（“原子％”）の酸化クロムマグネシウムを構成する。
【００９０】
光を反射する層６０がゲッターとして機能する場合において、層６０は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上に加えて、アルミニウムを含むことができる。層６０におけるアルミニウムは、その光の反射率を高める。また、層６０は、層６０を通じた電子のエネルギー損失を減少させるために、リチウム、ベリリウム、ホウ素、及びナトリウムの一つ以上を含むこともできる。ゲッタリングの作用を提供する、マグネシウムもまた、層６０を通じた電子のエネルギー損失を減少させることに役立つ。アルミニウム又は／及びリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上は、合金を形成するために、層６０のゲッターの材料の全体にわたって分布する。ベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムは、光を反射するゲッター層６０のこの実現において電子のエネルギー損失を減少させるために特に適切である。
【００９１】
光を反射するゲッター層６０は、光を放出する領域５６に非常に接近し、重要なことには、領域５６とフラットパネルディスプレイの内部との間に位置する。例えば領域４８によって放出された電子に衝突される結果として領域５６が硫黄をガス放出するとすれば、それが、ディスプレイにおける他の場所に損傷を引き起こすために、領域５６のすぐ近くを離れると共にディスプレイの内部に入る前に、層６０は、そのように解放された硫黄を吸着／吸収するために、良好に位置決めされる。層６０におけるゲッターの材料は、通常、硫黄以外に汚染物質を吸着／吸収することに関して適切である。
【００９２】
よって、層６０は、領域５６によって解放されたこのような非硫黄の汚染物質を吸着／吸収すると共に同様に非硫黄の汚染物質が領域５６のすぐ近くを離れ他の場所で損傷を引き起こすことを予防することができる。
【００９３】
光を反射するゲッター層６０は、黒色のマトリックス５８に広がっている。層６０のゲッターの材料がマトリックス５８からガス放出する任意の汚染物質を吸着／吸収することに関して適切であるという程度まで、層６０は、これらの汚染物質を吸着／吸収すると共にそれらがマトリックス５８のすぐ近くを離れディスプレイにおける他の場所で損傷を引き起こすこと予防するために、同様に良好に位置決めされる。
【００９４】
ゲッタリングの機能を提供するために構成された光を反射する層６０を有する発光素子４２は、アルミニウム又は／及びリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上の代わりに又はそれらに加えて、層６０が所望のゲッター金属を含むことを除いて、図８ａ−８ｃ及び８ｄ１の工程によって、本発明と一致して製作される。マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上からなるゲッター金属を、アルミニウム又は／及びリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上を堆積させるために、任意の上述の方法で堆積させる。製作の工程は、層６０が主としてもしかするとアルミニウム、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上と合金をつくる、ゲッター金属からなる、図８ｄ１の段階で終了する。
【００９５】
［一般的な上塗り層］
図９及び１０は、上述のように構成された、電子を放出するデバイス４０、及びその内面が高い真空、典型的にはわずかに１０−６トールの内圧にさらされる、反対に位置した発光素子６８を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の側面及び平面図の断面を描く。本発明と一致して、発光素子６８の真空と接する内面は、（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成された酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、（ｂ）主として同じ高エネルギーの電子の衝突の条件に関する本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、及び（ｃ）主として同じ高エネルギーの電子の衝突の条件に関する本来の酸化物の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の一つ以上を達成する。
【００９６】
上述の高い真空に維持された封止された封入物を形成するために、電子を放出するデバイス４０及び発光素子６８は、外壁（示してない）を通じて互いに接続される。図１０の平面図の断面は、封止した封入物を通じて側方に延びる平面に沿った発光素子６８の方向に取られる。よって、図１０は、主として、デバイス６８の活性部分の一部の平面図を与える。図３及び４のディスプレイと同様に、図９及び１０のディスプレイは、典型的には、デバイス４０及び６８の間に位置したスペーサーを含み、ディスプレイにおける様々な場所に設置したゲッターの材料を有してもよい。再度スペーサーの壁として表された、典型的なスペーサーに関する場所は、図１０における項目４４によって示される。
【００９７】
発光素子６８は、面板５４、及び面板の内面にわたって位置した一群の層／領域で形成される。これらの層／領域は、光を放出する領域５６、黒色のマトリックス５８、光を反射する層７０、及び上塗り層７２からなる。デバイス６８における構成部品５４、５６、及び５８は、発光素子４２におけるのと同じに形成されると共に構成され、同じに機能する。図３及び４のディスプレイにおけるデバイス４２とのように、黒色のマトリックス５８は、図９及び１０においてはディスプレイのデバイス６８における光を放出する領域５６よりも薄い。図５に示す変形物と同様に、図１１は、マトリックス５８が領域５６よりも厚い、デバイス６８の変形物を描く。
【００９８】
発光素子４２における光を反射する層６０と類似する、光を反射する層７０は、発光素子６８における光を放出する領域５６及び黒色のマトリックス５８にわたって広がっている。層６０とのように、層７０は、通常、貫通される。層７０は、電気的に絶縁しない材料、通常電気的に伝導性の材料を含み、様々な方法で構成され得る。アルミニウムは、典型的には、層７０の構成部品である。  一つの実施形態においては、主として、層７０の全ては、アルミニウムである。
【００９９】
代わりに、光を反射する層７０は、図３及び４のディスプレイにおける光を反射する層６０と同じであってもよい。よって、層７０を、層７０を通じた電子のエネルギー損失を減少させるために構成してもよい。この場合には、層７０は、（ａ）リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムからなる非アルミニウムの金属の一つ以上で、又は（ｂ）アルミニウム及びこれらの五つの非アルミニウムの金属の一つ以上で形成される。層６０と類似して、層７０は、二つ以上サブ層からなってもよい。サブ層の状況を絵入りで示すために、図９における破線は、層７０を、一般に図６の発光素子４２における層６０のサブ層６０Ｌ及び６０Ｕにそれぞれ対応する、下側のサブ層７０Ｌ及び上側のサブ層７０Ｕに分割する。
【０１００】
また、光を反射する層７０は、光を反射するゲッター層６０に関する上述の様式で、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するためのゲッターとして機能してもよい。その場合には、光を反射する層７０は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上を含む。光を反射するゲッター層６０と同様に、光を反射するゲッター層７０は、また、光の反射率を高めるためのアルミニウム、又は／及び層７０を通じた電子のエネルギー損失を減少させるためのリチウム、ベリリウム、ホウ素、及びナトリウムの一つ以上を含んでもよい。ベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムは、電子のエネルギー損失を減少させるための光を反射するゲッター層７０中への混和に関して特に魅力的である。
【０１０１】
光を反射する層７０を図９及び１０のディスプレイにおいてどのように構成するかは別として、層７０は、光を反射する層６０と同じに構成され、同じに機能する。よって、層７０は、それ自体によってか又はマトリックス５８が電気的に絶縁しない材料からなるとき黒色のマトリックス５８との組み合わせにおいてか、いずれかで、ディスプレイの陽極として役立つ。適切な陽極の電気ポテンシャルを、典型的には５００−１０，０００ボルトの近辺で、ディスプレイの動作に間に層７０に印加する。電子を放出するデバイス４０における領域４８によって放出された電子は、光を放出する領域５６に衝突すると共にそれらが発光素子６８の外面にディスプレイの画像を生成する光を放出することを引き起こす前に、層７０を通過する。領域５６が全ての方向に光を放出するので、層７０は、初期に後部に向けられた光のいくらかを前方に反射することによって、画像の光の強度を改善する。
【０１０２】
上塗り層７２は、光を反射する層７０にわたって広がっている。特に、層７２は、典型的には、少なくとも発光素子６８の活性部分において、層７０の全て又はほぼ全てを覆う。最低でも、層７２は、実質的に、光を放出する領域５６より上の場所で層７０を覆う。上塗り層７２は、デバイス６８の内面を形成すると共にこのようにフラットパネルディスプレイの内部に存在する高い真空に露出される、光を反射する層７０から間隔を空けた外面を有する。
【０１０３】
光を反射する層６０と同様に、光を反射する層７０の下側の面を形成する金属の酸化物の寄生の透明な層（示してない）は、通常、一方では層７０、他方では光を放出する領域５６及び黒色のマトリックス５８の間に広がっている。層７０の下側の面が、主としてアルミニウムからなるとき、この寄生の透明な埋められた酸化物の層は、主として、１−５ｎｍ、典型的には２．５ｎｍの厚さを有する酸化アルミニウムである。代わりに、層７０の下側の面を形成する金属の酸化物は、実質的に、一方では層７０、他方では領域５６及び黒色のマトリックス５８の間に位置しない。
【０１０４】
酸化物の寄生の層（示してない）は、発光素子６８の一つの実施形態において光を反射する層７０と上塗り層７２との間に広がっている。このさらなる寄生の埋められた酸化物の層は、典型的には透明で、少なくとも、光を反射する層７０の上側の面を形成する金属の酸化物からなる。層７０の上側の面が、主としてアルミニウムで形成されるとき、さらなる寄生の埋められた酸化物の層は、１−５ｎｍ、典型的には２．５ｎｍの厚さを有する酸化アルミニウムを含む。上塗り層７２の下側の面が、金属又は／及び半導体の材料で形成されるとすれば、層７０と７２との間における寄生の埋められた酸化物の層は、その金属又は／及び半導体の材料の酸化物を含んでもよい。代替の実施形態において、実質的には、酸化物は、層７０と７２との間に広がらない。
【０１０５】
上塗り層７２に関する基準点は、仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に、領域４８によって放出された電子が発光素子６８より上から上塗り層７２に衝突するような一般に同じエネルギー及び一般に同じ角度で本来の酸化アルミニウムの被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜である。本発明の教示と一致して、層７２は、（ａ）仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い化学反応性、（ｂ）本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、及び（ｃ）本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の少なくとも一つを提供する。層７２が、光を反射する層７０に重なるので、光を放出する領域５６への途中で光を反射する層７０を通過する電子は、領域４８によって放出されてきた後、光を反射する層７０を通過する前に、上塗り層７２を通過しなければならない。次に、上塗り層７２は、主として、光を反射する層７０並びに、上塗り層７２の欠如で、二次電子放出、電子の後方散乱、及びデバイス６８の内面に衝突する電子によって引き起こされた汚染に関して関心のある表面のように光を反射する層７０の上側の面に沿って広がっているであろう、寄生の酸化物の層を交換する。仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い化学反応性を有することによって、上塗り層７２は、通常、本来の酸化物の被膜よりも低いガスの付着係数を有する。ディスプレイに潜在的に有害である、本来の酸化物の被膜に付着するであろうよりも少ないガスの材料が、層７２の欠如で、ディスプレイの内面に沿って層７２に付着する。電子に衝突されたとき、それによって、層７２は、ディスプレイの内部を汚染し得るであろう材料をあまり解放しそうにない。
【０１０６】
二次電子は、フラットパネルディスプレイを害し得るイオンを生成するためにガスをイオン化するための典型的には適切なエネルギーで放出される。上塗り層７２に仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い二次電子放出を提供させることによって、ディスプレイを損傷させるイオン化の量を減少させる。また、発光素子６８の内面に沿った二次電子放出によって引き起こされた画像の劣化の量も減少させる。同様に、層７２が、仮想の酸化物の被膜よりも低い電子の後方散乱を提供するとき、デバイス６８の内面に沿った電子の後方散乱によって引き起こされた画像の劣化の量を減少させる。それによって、層７２の存在は、ディスプレイの性能及び寿命を改善する。
【０１０７】
上記したように、光を放出する領域５６に衝突する電子は、領域４８によって放出されてきた後、光を反射する層７０及び上塗り層７２の両方を通過しなければならない。このように層７２の存在は、電子が、それらが光の放出を生成するために領域５６に衝突する前に、あるエネルギーを損失することを引き起こす。電子のエネルギー損失を低く保つために、層７２は、好ましくは、減少した化学反応性、減少した二次電子放出、及び減少した電子の後方散乱の特性の一つ以上を層７２が提供するという能力を減ずることなく、実行可能にすることができるようにできるだけ薄く作られる。層７２は、層７２の地盤に依存して、通常２−１００ｎｍ、典型的には１０ｎｍの厚さを有する。７０−１００ｎｍである光を反射する層７０の典型的な厚さで、上塗り層７２は、典型的には、光を反射する層７０よりもかなり薄い。
【０１０８】
上塗り層７２は、（ａ）これらの特性の一つのみを発光素子６８の特定の実施形態で達成することができるとすれば、前述の化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性の一つ、（ｂ）特性の二つのみを特定の実施形態で達成することができるとすれば、特性の二つ、又は（ｃ）特性の三つの全てを提供する、主として単一の材料のみ、又は材料の合金若しくは混合物からなってもよい。代わりに、層７２は、各々の異なる層が主として単一の材料のみ又は二つ以上の材料の混合物若しくは合金からなる、異なる化学組成の多層からなってもよい。
【０１０９】
上塗り層７２が、多層からなるとき、各々の異なる層は、化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性の、三つの全てではなく、一つ又は二つを提供してもよい。二つ以上の連続的な層は、いくつかの状況において、同じ単数又は複数の特性を提供してもよい。このタイプの状況は、通常、上塗り層７２の層が、堆積した層の上側の面、すなわちその外面が、大いに反応性のガス、典型的には空気中における酸素に露出される、低圧の環境で金属又は／及び半導体の材料を堆積させることによって形成されるとき、発生する。大いに反応性のガスへの露出により、堆積した層のガス及び金属又は／及び半導体の材料の化合物は、上塗り層７２のさらなる層を作成するために、堆積した層の露出した表面に沿って成長する。もともと堆積した層を貫通させるとすれば、堆積した層の反応性のガス及び金属又は／及び半導体の材料の化合物で形成された層は、その上側及び下側の面の両方に沿って成長してもよい。
【０１１０】
図９及び１０における発光素子６８の断面は、（ａ）上塗り層７２が主として単一の材料のみ又は材料の合金若しくは混合物からなる状況及び（ｂ）層７２が異なる組成の多層からなる状況の両方に一般に向けられるが、具体的には、層７２が主として単一の材料のみ又は材料の合金若しくは混合物からなる状況に向けられる。図９及び１０においてデバイス６８によって具体的に表された状況において、層７２の単一の材料又は層７２を形成する材料の混合物若しくは合金は、以下の、（ａ）減少した化学反応性、（ｂ）減少した二次電子放出、（ｃ）減少した電子の後方散乱、（ｄ）減少した化学反応性及び減少した二次電子放出、（ｅ）減少した化学反応性及び減少した電子の後方散乱、（ｆ）減少した二次電子放出及び減少した電子の後方散乱、並びに（ｇ）減少した化学反応性、減少した二次電子放出、及び減少した電子の後方散乱、の任意の一つを提供する。
【０１１１】
図１２及び１３は、上塗り層７２が多層からなる状況を実現する発光素子６８の実施形態を図説する。図１２において、層７２は、下側の上塗り層７２Ｌ及び上側の上塗り層７２Ｕからなる。下側の上塗り層７２Ｌは、寄生の酸化物の層が層７０の上側の面に沿って位置してないとすれば層７０に直接か、又はこのような寄生の酸化物の層が存在するとき、その寄生の酸化物の層でかのいずれかで、光を反射する層７０にわたって広がっている。上側の上塗り層７２Ｕは、より低い層７２Ｌに広がっている。図１３において、上塗り層７２は、より低い層７２Ｌ上に位置した中間の上塗り層７２Ｉをさらに含む。上側の層７２Ｕは、図１３における中間の上塗り層７２Ｉに広がっている。層７２Ｕ、７２Ｉ、及び７２Ｌの各々は、各々の下にある層７２Ｉ、７２Ｌ、又は７０に、実質的に十分に重なる。
【０１１２】
電子を放出するデバイス４０及び発光素子６８を有するディスプレイの内部への汚染物質の導入に関係する限りでは、上塗り層７２の化学反応性は、主として、層７２の外面、すなわち、デバイス４０と６８との間における封止した封入物において真空に露出された表面を形成する材料の特性によって、決定される。酸化アルミニウムの上述の仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する層７２に関して、層７２の外面に沿った材料は、このように、本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い化学反応性を有する。層７２が多層からなる実施形態において、本来の酸化物の被膜よりも低い化学反応性を層７２に提供する材料は、少なくとも、最上部の層、すなわち、図１２及び１３の実現においては上側の上塗り層７２Ｕからなる。
【０１１３】
生成熱は、化学反応性の主要な指標である。生成熱を増加させることは、通常、ガスの付着係数における減少をもたらす。層７２の外面を形成する材料が、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも高い生成熱を有するとき、上塗り層７２は、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い化学反応性を提供する。また、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜と比較して、層７２の外面に沿った材料は、水とあまり反応しない、好ましくは実質的に全く反応しない。また、層７２の外面に沿った材料は、フッ素ともあまり反応しない、再度好ましくは全く反応しない。
【０１１４】
衝突する電子にさらされた表面に関する電子の後方散乱は、表面を形成する材料の平均の容積測定の陽子密度が減少すると、一般に減少する。よって、上塗り層７２は、典型的には、本来の酸化物の被膜よりも低い平均の容積測定の陽子密度のものであるために、層７２、又は層７２の適切な層を準備することによって、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い電子の後方散乱を達成する。
【０１１５】
上塗り層７２が多層で形成されるとき、減少した電子の後方散乱を提供する層に重なる材料は、電子の後方散乱の特性がその材料を通じて制御されることを可能とするために十分に薄いことを条件として、減少した電子の後方散乱を提供する層を、層７２の外面より下に、すなわち、図１２又は１３の実施形態においては上側の上塗り層７２Ｕより下に、設置させることができる。具体的には、減少した電子の後方散乱を提供する層に重なる単数又は複数の層の厚さは、通常、わずかに１−５ｎｍ、典型的にはわずかに２ｎｍである。
【０１１６】
減少した二次電子放出を提供する層は、それが、減少した化学反応性を提供するとき、直接、上側の上塗り層７２Ｕの下にあることができる。しかしながら、減少した二次電子放出を提供する層は、通常、減少した電子の後方散乱を提供する、重なる層によってマスクされるであろうし、このように、通常、電子の後方散乱を減少させることを提供する層の下にあるべきではない。
【０１１７】
先の光において、減少した化学反応性、減少した単位面積当たりの二次電子放出、及び減少した単位面積当たりの電子の後方散乱の特性を、図１２又は１３の発光素子６８における上塗り層７２の層において様々に実現することができる。以下の表は、上塗り層７２が下側の上塗り層７２Ｌ及び上側の上塗り層７２Ｕからなる、図１２のデバイス６８においてこれらの三つの特性を実現するための適切な方法を与える。
【０１１８】
表ＩＩ
上塗り層７２が下側の層から７２Ｌ及び上側の層７２Ｕからなるときの特性の割当て
2004524662.tif 000006
図１３の実施形態における上側の上塗り層７２Ｕ、中間の上塗り層７２Ｉ、及び下側の上塗り層７２Ｌは、それぞれ、減少した化学反応性、減少した二次電子放出、及び減少した電子の後方散乱を提供する。上塗り層７２の二つ以上の連続的な層が同じ特性又は特性の組みを提供することができるのと同程度に、表ＩＩにおける層７２Ｕ及び７２Ｌの各々又はこの三層の状況における層７２Ｕ、７２Ｉ、及び７２Ｌの各々は、異なる化学組成の多数のサブ層からなってもよい。
【０１１９】
ベリリウム、ホウ素、銀、金、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムは、層７２が主として単一の材料又は二つ以上の材料の合金からなるとき、それに仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い化学反応性を提供するために、上塗り層７２を実現するための特に魅力的な候補の材料である。層７２の単層の実現において、電子を放出するデバイス４０が、電界放出源、特に三次元タイプの電界放出によって動作するものであるとき、炭素は、層７２に減少した化学反応性を提供することに関して特に魅力的である。層７２の単層の実現において、デバイス４０が、三次元の電界放出によって動作するとき、クロムは、層７２が減少した化学反応性を与えることを可能とすることに関して特に魅力的である。層７２が、必須の減少した化学反応性を提供する上側の上塗り層７２を備えた多層において実現されるとき、これらの材料の十二個の全ては、上側の層７２Ｕに関する特に魅力的な候補である。
【０１２０】
上塗り層７２は、主として、層７２の単層の実現の一つの好適な実施形態において減少した化学反応性を達成するための酸化クロムからなる。単層の実現の別の好適な実施形態において、層７２は、電子を放出するデバイス４０が、三次元の電界放出によって動作するとき、減少した化学反応性を獲得するために主としてクロムで形成される。上側の上塗り層７２Ｕが減少した化学反応性を提供した層７２の多層の実現において、上側の層７２Ｕは、好ましくは、主として、クロム又は／及び酸化クロム、典型的には、クロムの下側のサブ層に位置した酸化クロムの上側のサブ層からなる。
【０１２１】
ケイ素、ゲルマニウム、スズ、及び鉛は、層７２の単層の実現において減少した化学反応性を達成するために、上塗り層７２を実現することに関して魅力的な候補である。同じことは、上側の上塗り層７２Ｕが減少した化学反応性を提供する、多層の実現に当てはまる。単層の実現において層７２が減少した化学反応性を達成することを可能とするために適切な他の候補の材料は、コバルト、ルテニウム、イリジウム、及び白金を含む。電子を放出するデバイス４０が、三次元の電界放出によって動作するとき、鉄、ニッケル、及びニオブは、単層の実現において層７２に減少した化学反応性を提供することに関して適切である。鉄、コバルト、ニッケル、ニオブ、ルテニウム、イリジウム、及び白金は、モリブデンと一緒に、全て、層７２の多層の実現において、上側の層７２Ｕに減少した化学反応性を提供することに関して適切である。層７２又は７２Ｕに減少した化学反応性を提供するために、前述の材料の二つ以上を一般に用いることができる。
【０１２２】
層７２の単層の実現における上塗り層７２又は多層の実現における上側の上塗り層７２Ｕを、減少した化学反応性を達成するために二つ以上材料で構成するとき、材料は、通常、全ての材料が層７２又は７２Ｕにわたって分布する、合金を形成するために、互いに混合される。層７２又は７２Ｕの一つのこのような多数の金属の合金の実現は、クロム及びアルミニウムの酸化物の合金であり、ここで酸化クロムは、通常、合金における酸化クロムアルミニウムの１０−９０原子％、典型的には５０原子％を構成する。例えば、クロム及びアルミニウムの酸化物を、典型的には、化学量論的な式Ｃｒ２ＸＡｌ２−２ＸＯ３によって表すことができ、ここでＸは、ここでは０．１から０．９まで変動する比率のパラメーターである。酸化クロムアルミニウムを伴った層７２又は７２Ｕを実現することは、典型的には酸化クロムでのみ獲得可能なものよりも低い炭素に関するガスの付着係数を生じる。
【０１２３】
他のこのような多数の金属の合金の実現において、上塗り層７２又は上側の上塗り層７２Ｕは、特に炭素に関して、典型的には酸化クロムでのみ達成可能に見えるよりも低いガスの付着係数を達成するために、ホウ素、アルミニウム、ケイ素、及びクロムの二つ以上のオキシ窒化物として形成される。酸化クロム及び窒化ホウ素は、一つの具体的な実現においてクロム及びホウ素のオキシ窒化物の合金を形成するために組み合わせられる。酸化クロムは、別の実現においてクロム及びアルミニウムのオキシ窒化物の合金を形成するために、窒化アルミニウムと組み合わせられる。第三の実現において、酸化クロムは、クロム及びケイ素のオキシ窒化物の合金を形成するために、窒化ケイ素と組み合わせられる。酸化クロムは、通常、合金におけるホウ素−クロムのオキシ窒化物、アルミニウム−クロムのオキシ窒化物、又はケイ素−クロムのオキシ窒化物の１０−９０原子％を構成する。そして、クロム及びホウ素の、クロム及びアルミニウムの、並びにクロム及びケイ素のオキシ窒化物が、それぞれ、化学量論的な式Ｃｒ２ＸＢ１−ＸＯ３ＸＮ１−Ｘ、Ｃｒ２ＸＡｌ１−ＸＯ３ＸＮ１−Ｘ、及びＣｒ２ＸＳｉ３−３ＸＯ３ＸＮ４−４Ｘによって表される場合に関しては、比率のパラメーターＸは、０．１から０．９まで変動する。酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化セリウム、及び酸化ネオジムは、層７２の単層の実現において仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出をそれに提供するために、上塗り層７２を実現するための特に魅力的な候補の材料である。減少した化学反応性と同様に、電子を放出するデバイス４０が、電界放出源、特に三次元の電界放出によって動作するものであるとき、炭素は、層７２の単層の実現において減少した二次電子放出を提供することに関して特に魅力的である。また、減少した化学反応性と同様に、デバイス４０が、三次元の電界放出によって動作するとき、クロムは、層７２の単層の実現において、層７２が減少した二次電子放出を獲得することを可能とすることに関して特に魅力的である。層７２を、（ａ）必須の減少した二次電子放出を提供する上側の上塗り層７２Ｕ若しくは下側の上塗り層７２Ｌを伴った二つの層で、又は（ｂ）減少した二次電子放出を提供する中間の上塗り層７２Ｉを伴った三つの層で実現するとき、これらの材料の七つの全ては、減少した二次電子放出を提供する層７２Ｕ、７２Ｌ、又は７２Ｉに関する特に魅力的な候補である。
【０１２４】
上塗り層７２は、主として、層７２の単層の実現の一つの好適な実施形態において減少した二次電子放出を達成するために酸化クロムからなる。単層の実現の別の好適な実施形態において、電子を放出するデバイス６８が、三次元の電界放出によって動作するとき、層７２は、減少した二次電子放出を獲得するために、主として炭素又はクロムで形成される。層７２の多層、ここでは上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、又は中間の上塗り層７２Ｉの実現において、減少した二次電子放出を提供する層７２Ｕ、７２Ｌ、又は７２は、好ましくは、主として、炭素、クロム、又は／及び酸化クロム、典型的にはクロムの下側のサブ層における酸化クロムの上側のサブ層で形成される、
銀、金、酸化リンバナジウム、酸化銀、及び酸化ユーロピウムは、層７２の単層の実現において減少した二次電子放出を達成するために、上塗り層７２を実現するための魅力的な候補である。層７２の単層の実現において、電子を放出するデバイス４０が、三次元の電界放出によって動作するとき、バリウムは、また、層７２に関する魅力的な候補である。これらの材料の六つの全ては、上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、又は中間の上塗り層  ７２Ｉが、層７２の多層の実現において減少した二次電子放出を獲得することを適切に可能とすることに関して魅力的である。単層の実現において層７２が減少した二次電子放出を達成することを可能とすることに関して、又は多層の実現において層７２Ｕ、７２Ｌ、若しくは７２Ｉが減少した二次電子放出を獲得することを可能にすることに関して、適切な他の材料は、ネオジム、酸化銅、及び酸化モリブデンを含む。層７２、７２Ｕ、７２Ｌ、又は７２Ｉに減少した二次電子放出を提供するために、前述の十六個の材料の二つ以上を、一般に利用することができる。
【０１２５】
上塗り層７２が、層７２の単層の実現において減少した二次電子放出を達成するための二つ以上の材料で構成されるとき、全ての材料が層７２にわたって分布する合金を形成するために、材料を、通常、互いに混合する。上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、又は中間の上塗り層７２Ｉが、減少した二次電子放出を達成するために二つ以上の金属からなるとき、同じことが、多層の合金の実現に当てはまる。
【０１２６】
上塗り層７２、上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、又は中間の上塗り層７２Ｉのこれらの多数の金属の実現における合金は、典型的には、金属、バナジウム、クロム、セリウム、及びネオジムの二つ以上の酸化物からなる。酸化物は、クロム及びネオジムの酸化物の合金を形成するために組み合わせられ、ここで酸化クロムは、合金における酸化ネオジムクロムの１０−９０原子％を構成する。そして、クロム及びネオジムの酸化物が、化学量論的な式Ｃｒ２ＸＮｄ２−２ＸＯ３によって表される場合に関して、比率のパラメーターＸは、０．１から０．９まで変動する。酸化ネオジムクロムの合金において酸化クロムの原子百分率から酸化ネオジムの原子百分率に依存して、合金は、酸化ネオジムよりも優れた付着／化学的安定性を有すると同時に、純粋な酸化クロムよりも低い二次電子放出を達成することができる。
【０１２７】
酸化クロム及び酸化バナジウムは、上塗り層７２、上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、又は中間の上塗り層７２Ｉの別の具体的な金属酸化物の合金の実現においてバナジウム及びクロムの酸化物の合金を形成するために、組み合わせられる。酸化クロムは、合金における酸化クロムバナジウムの１０−９０原子％を構成する。そして、クロム及びバナジウムの酸化物が、化学量論的な式Ｃｒ２ＸＶ２−２ＸＯ５−２Ｘによって表されるとき（ここでＯ５−２Ｘの項は、クロムに関するＯ３Ｘ及びバナジウムに関するＯ５−５Ｘを組み合わせることによって導出される）、比率のパラメーターＸは、０．１−０．９である。酸化クロムバナジウムの合金における酸化クロムの原子百分率から酸化バナジウムの原子百分率までに依存して、合金は、酸化バナジウムよりも優れた電子の衝撃に対する化学的安定性を有すると同時に、純粋な酸化クロムよりも低い二次電子放出を達成することができる。
【０１２８】
上塗り層７２、上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、又は中間の上塗り層７２Ｉに関する二つのさらなる金属酸化物の合金の実現は、（ａ）バナジウム及びネオジムの酸化物の合金を形成するために酸化バナジウム及び酸化ネオジムを組み合わせること、並びに（ｂ）酸化物並びにクロム及びセリウムの合金を形成するために酸化クロム及び酸化セリウムを組み合わせること、からなる。これらの合金の各々において各々の金属酸化物は、その合金において二つの金属酸化物の１０−９０原子％を構成する。そして、バナジウム及びネオジムの酸化物が化学量論的な式Ｖ２ＸＮｄ２−２ＸＯ３＋２Ｘによって表される（ここでＯ３＋２Ｘの項は、バナジウムに関するＯ５Ｘ及びネオジムに関するＯ３−３Ｘを組み合わせることによって導出される）並びにクロム及びセリウムの酸化物が化学量論的な式Ｃｒ２ＸＣｅ２−２ＸＯ３によって表される場合に関しては、比率のパラメーターＸは、０．１から０．９まで変動する。所定の場合には、上塗り層７２は、減少した単位面積当たりの二次電子放出を達成するために実質的に純粋な金属を含んでもよい。純粋な金属は、主として層７２の全てか、又は層７２が多層からなる場合には、主として減少した二次電子放出を提供する上側の上塗り層７２Ｕ、下側の上塗り層７２Ｌ、若しくは中間の上塗り層７２Ｉの全てか、いずれかを形成する。純粋な金属の融点は、通常、少なくとも６００℃である。純粋な金属は、層７２の単層の実現においては銀又は金であり得る。電子を放出するデバイス４０が、三次元の電界放出によって動作するとき、純粋な金属は、また、層７２の単層の実現においてはクロム又はバリウムであり得る。純粋な金属は、層７２の多層の実現において、これらの四つの金属のいずれでもあり得る。
【０１２９】
ホウ素及び酸化ホウ素は、層７２の単層の実現において仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱をそれに提供するための上塗り層７２を実現することに関して特に魅力的な候補の材料である。減少した化学反応性及び減少した二次電子放出と同様に、発光素子６８が、電界放出源、特に三次元の電界放出によって動作するものであるとき、炭素は、層７２の単層の実現において、減少した電子の後方散乱を提供することに関して特に魅力的である。下側の上塗り層７２Ｌが、減少した電子の後方散乱を提供する、層７２の多層の実現において、ホウ素、炭素、及び酸化ホウ素の各々は、下側の層７２Ｌが減少した電子の後方散乱を達成することを可能とすることに関して特に魅力的である。
【０１３０】
上塗り層７２は、発光素子６８が、電界放出源、特に三次元の電界放出によって動作するものであるとき、層７２の単層の実現の好適な実施形態において、減少した電子の後方散乱を達成するために炭素で形成される。下側の上塗り層７２Ｌが減少した電子の後方散乱を提供する層７２の多層の実現において、下側の層７２Ｌは、同様に、好ましくは炭素からなる。
【０１３１】
ベリリウム、マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、及び窒化アルミニウムは、上塗り層７２が層７２の単層の実現において減少した電子の後方散乱を達成することを可能とすることに関して魅力的である。これらの五つの材料は、炭化アルミニウムと一緒に、全て、下側の上塗り層７２Ｌが層７２の多層の実現において減少した電子の後方散乱を達成することを可能とすることに関して魅力的である。層７２、７２Ｕ、又は７２Ｌに減少した単位面積当たりの電子の後方散乱を提供するために用いることができる他の材料は、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、及びマグネシウム−アルミニウムである。一般に、前述の材料の二つ以上を、層７２、７２Ｕ、又は７２Ｌに減少した単位面積当たりの電子の後方散乱を提供するために、組み合わせることができる。
【０１３２】
上塗り層７２に仮想の本来の酸化物の被膜よりも低い電子の後方散乱を提供することに関して一般に適切なかなり多くの材料を、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、これらの三つの金属の合金、並びにベリリウム、ホウ素、及びナトリウムの炭素、窒素、又は／及び酸素との所定の化合物からなるクラスに以下のように記載することができる。このクラスに分類される材料の全ては、酸化アルミニウムよりも低い平均の容積測定の陽子密度のものであり、また、アルミニウムよりも低い平均の容積測定の陽子密度のものである。このクラスにおける材料に関する化学量論的な式、質量密度ρ、及び陽子密度パラメーターＺρ／Ｗを与える以下の表を参照すること。
【０１３３】
表ＩＩＩ
上塗り層７２と共に減少した電子の後方散乱を達成するための材料の特性
2004524662.tif 000007
表ＩＩＩは、上塗り層７２、上側の上塗り層７２Ｕ、又は下側の上塗り層７２Ｌと共に減少した電子の後方散乱を達成するために材料を選択する際における使用に関して適切である。
【０１３４】
上塗り層７２又は上側の上塗り層７２Ｕを、金属（純粋な金属か又は二つ以上の金属の合金若しくは混合物かのいずれか）又は／及び半導体の材料を堆積させることによって作成するとき、層７２又は７２Ｕは、通常、その金属又は／及び半導体の材料の酸化物の寄生の層（別々に示してない）を含む。この寄生の酸化物層は、層７２又は７２Ｕの上側の面を形成し、このように発光素子６８の内面を構成する。寄生の表面の酸化物層は、減少した化学反応性、減少した二次電子放出及び減少した電子の後方散乱の一つ以上を提供するために、層７２又は７２Ｕの金属又は／及び半導体の材料と共に協働する。寄生の表面の酸化物層の厚さは、層７２又は７２Ｕの地盤に依存して、通常１−１０ｎｍ、典型的には２．５ｎｍである。
【０１３５】
上塗り層７２が、減少した化学反応性、減少した二次電子放出、及び減少した電子の後方散乱の特性の一つを達成することを可能とする所定の材料は、層７２がこれらの特性の他の二つの一方又は両方を達成することを可能とする。層７２にこれらの特性を提供する材料を適切に選ぶことによって、層７２にこれらの特性のすべての三つを提供するために必要とされる材料の数は、一つ又は二つであり得る。また、図６又は７の発光素子４２における光を反射する層６０の上側のサブ層６０Ｕが、主として、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、及びクロムの一つ以上からなるとき、層６０Ｕは、層７２又は７２Ｌが主としてベリリウム、ホウ素、マグネシウム、及びクロムの一つ以上からなるときの上塗り層７２又は下側の上塗り層７２Ｌと同じである。
【０１３６】
図１４ａ、１４ｂ１、１４ｂ２、及び１４ｂ３（ひとまとめにして“図１４”）は、本発明並びに本発明と一致した図１２及び１３のデバイス６８を生産するための変形物と一致して、図９及び１０の発光素子６８を製作するための一般的な工程を図説する。上塗り層７２をどのように構成することができるかに依存して、層７０が、主としてアルミニウムからなってもよい、又は電子のエネルギー損失を減少させること又は／及びゲッタリングの機能を提供するために構成された層６０であってもよいことを理解することと共に、図１４の工程は、光を反射する層７０に光を反射する層６０を変化させることを仮定して、図８の工程において、図８ｄ１又は８ｄ２の段階と共に本質的に開始する。図１４ａを参照のこと。図８ｄ１の段階及び図８ｄ２の段階の両方で開始することを包含するために、図１４ａにおける層７０は、図８ｄ２の段階に関して、図９、１２、及び１３におけるように下側のサブ層７０Ｌ及び上側のサブ層７ＯＵに層７０を分割する、内部の破線で描かれる。
【０１３７】
図１４ａの段階に到達する工程において、光を反射する層７０は、潜在的に層６０と異なる金属からなる層７０を仮定して、発光素子４２における光を反射する層６０と同じ方法で作成されてきた。よって、層７０の上側及び下側の面をそれぞれ形成する単数又は複数の金属の寄生の層（示してない）は、それぞれ、層７０の上側及び下側の面に沿って広がっている。また、領域６２にもともと存在する結合剤の材料及びラッカーを、図１４ａの段階を始めるために取り除いておいた。また、黒色のマトリックス５８の頂上にもともと存在する任意のラッカーも、１４ａの図の段階を始める際に取り除いておいた。
【０１３８】
上塗り層７２は、ここでは、光を反射する層７０にわたって、特に、層７０の上側の面に沿って延びる寄生の酸化物層に堆積される。上塗り層７２の所望の地盤及び構成に依存して、単数又は複数の上塗り材料の堆積を、蒸発、スパッタリング、溶射、ＣＶＤ及び電気泳動／誘電泳動の堆積のような様々な技術によって、行うことができる。層７２の堆積は、ＣＶＤに関する数トールから蒸発又はスパッタリングに関する１０−６トール以下まで（高い真空）の範囲にわたる低い圧力で適切な堆積チャンバーにおいて行われる。層７２が、層７２Ｌ及び７２Ｕ又は層７２Ｌ、７２Ｉ、及び７２Ｕのような多層からなるとき、多数の堆積のステップが、行われる。
【０１３９】
ここでは事実上完全な、発光素子６８は、堆積チャンンバーから取り除かれ、空気に、よって酸素に露出される。金属又は／及び半導体の材料を堆積させることによって、上塗り層７２又は上側の上塗り層７２Ｕが形成された場合に、酸素に対する引き続く露出は、堆積した金属又は／及び半導体の材料の上側の面に沿って成長するために、その金属又は／及び半導体の材料の酸化物の寄生の層（別々に示してない）を引き起こす。この表面の本来の酸化物層は、層７２又は７２Ｕの一部を形成する。層７２を貫通するとすれば、及び層７２又は下側の上塗り層７２Ｌが金属又は／及び半導体の材料からなるとすれば、光を反射する層７０の上側の面に沿った寄生の酸化物層は、その金属又は／及び半導体の材料の酸化物を含むために、成長してもよい。この後者の寄生の酸化物層は、層７０と７２との間に広がっている、埋められた層である。
【０１４０】
光を反射する層７０の上側及び下側の面に沿った寄生の酸化物層を除いて、結果として生じる構造は、上塗り層７２の構成に依存して図１４ｂ１、１４ｂ２、又は１４ｂ３で図説される。図１４ｂ１は、図９の発光素子６８を与える。図４ｂ１は、（ａ）上塗り層７２が主として単一の材料のみ又は材料の合金若しくは混合物からなる状況、及び（ｂ）層７２が多層からなる状況、の両方を表すが、図１４ｂ１は、具体的には、層７２が主として単一の材料のみ又は材料の合金若しくは混合物からなる状況に、向けられる。図１２を繰り返す、図１４ｂ２は、層７２が層７２Ｌ及び７２Ｕで形成される、デバイス６８の実施形態を与える。図１３を繰り返す、図１４ｂ３は、層７２が、主として層７２Ｌ、７２Ｉ、及び７２Ｕからなる、デバイス６８の実施形態を与える。
【０１４１】
代替の実施形態において、
領域６２において結合剤の材料及びラッカーの上昇した温度の除去の間に、また上塗り層７２の引き続く堆積の間にも、部分的に製作された発光素子で維持される、高真空の環境で光を放出する領域５６及び黒色のマトリックス５８にわたって光を反射する層７０を堆積させる。結果として、主として、酸化物は、上塗り層７２の堆積を通じて層７０の堆積から延びる期間の間に、光を反射する層７０の上側又は下側の面に沿って形成しない。層７２が、酸素に対して主として不浸透性であるとすれば、その構造が、層７２の堆積に引き続き、空気に、よって酸素に露出されるとき、主として酸化物は、光を反射する層７０の上側又は下側の面に沿って形成しない。具体的には、主として、酸化アルミニウムは、それが主としてアルミニウムからなる又はアルミニウムを含むとき、光を反射する層７０の上側又は下側の面に沿って形成しない。
【０１４２】
［上塗りゲッター層］
本発明と一致して、発光素子６８の変形物において、上塗り層７２は、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するためのゲッターとして機能する。この変形物においては、上塗りゲッター層７２は、金属、マグネシウム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上を含む。特に、電子を放出するデバイス４０が、三次元の電界放出によって動作する電界放出源であるとき、上塗りゲッター層７２に関する別の候補の金属は、クロムである。交互に又は付加的に、上塗り層７２は、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の一つ以上の酸化物を含む。これらの金属及び金属酸化物の十四個全ては、硫黄を吸着／吸収することに関して適切である。
【０１４３】
上塗りゲッター層７２が、前述の十四個のゲッターの材料の二つ以上を含む場合に、二つ以上のゲッターの材料を、合金又は混合物を形成するために、互いに混合することができる。代わりに、二つ以上のゲッターの材料を、二層の実施形態において、層７２Ｕ及び７２Ｌのような多数の上塗り層にわたって様々に分布させることができる。そして、上塗りゲッター層７２の各々の層は、十四個のゲッターの材料の一つ以上を含む。上塗りゲッター層７２の厚さは、層７２を実現するために選ばれた具体的な単数又は複数の材料に依存して、２−２０ｎｍ、典型的には１０ｎｍである。
【０１４４】
前述の十四個の材料の二つ以上を、層７２の単層の実現においてそれにゲッタリングの機能を提供するために、層７２に用いるとき、材料は、全ての材料が層７２にわたって分布する、合金を形成するために、通常、互いに混合される。同じことは、上側の上塗り層７２Ｕ又は下側の上塗り層７２Ｌが、汚染物質を吸着／吸収するための二つ以上の材料からなる、多層の実現に当てはまる。多数の金属の合金の実現において、合金は、好ましくは、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の二つ以上の酸化物からなる。これらの六つの金属酸化物の二つ以上の合金で層７２、７２Ｕ、又は７２Ｌを実現することは、所定の組み合わせに関しては、典型的には対応する成分の金属酸化物の各々で個々に達成可能であるものよりも良好なゲッタリング、特に硫黄のゲッタリングを提供することができる。
【０１４５】
上塗りゲッター層７２又は上側の上塗り層層７２Ｕは、主として、一つの多数の金属の合金の実現においてクロム及びマグネシウムの酸化物の合金からなる。酸化クロムは、通常、合金において酸化クロムマグネシウムの５−９５原子％を構成する。そして、クロム及びマグネシウムの酸化物が、化学量論的な式Ｃｒ２ＸＭｇ１−ＸＯ１＋２Ｘによって表される（ここでＯ１＋２Ｘの項は、クロムに関するＯ３Ｘ及びマグネシウムに関するＯ１−Ｘを組み合わせることによって導出される）場合に関しては、比率のパラメーターＸは、０．０５から０．９５まで変動する。酸化マグネシウム及び酸化クロムの合金が造られた組み合わせは、硫黄を含む化合物において硫黄−酸素及び硫黄−水素の結合を切断するために、酸化マグネシウム又は酸化クロムそれ自体ですることよりも大きい能力を有する。結果として、酸化クロムマグネシウムで層７２又は７２Ｕを実現することは、硫黄を含む化合物における硫黄の吸着／吸収を高めること。
【０１４６】
代わりに、上塗りゲッター層７２又は上側の上塗り層７２Ｕのこれらの多数の金属の実現における合金は、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、パラジウム、ニッケル、銀、及び鉛の二つ以上からなる。光を反射するゲッター層６０と同様に、上塗りゲッター層７２は、一つの具体的な実現において、主として、マグネシウム及びクロムの合金からなる。クロムは、通常、合金におけるマグネシウム及びクロムの５−９５原子％を構成する。
【０１４７】
層７２が、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するためにゲッターとして機能するとき、光を反射する層７０は、通常、同じ汚染物質のガスを吸着／吸収するためのゲッターとして機能しない。最低でも、層７０及び７２は、異なって構成される。例えば、光を反射する層７０は、層７２がゲッターである発光素子６８の変形物においては、主としてアルミニウムからなってもよい。代わりに、この変形物において層７２が、マグネシウムを含んでないか、又は層７０とは著しく異なる原子百分率でマグネシウムを含むか、いずれかであることを条件として、電子のエネルギー損失を減少させるために、層７０を、主としてリチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上、好ましくはベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムの一つ以上で、しばしばアルミニウムと組み合わせて、形成してもよい。
【０１４８】
上塗りゲッター層７２は、光放出領域５６に非常に接近し、重要なことには、領域５６とフラットパネルディスプレイの内部との間に設置される。領域５６が、例えば、電子を放出するデバイス４０の領域４８によって放出された電子に衝突されることの結果として硫黄をガス放出すると仮定し、硫黄が光を反射する層７０における孔を通過すると仮定すると、層７２は、それが領域５６のすぐ近くを離れ、他の場所に損傷を引き起こすようにディスプレイの内部を入る前に、ガス放出された硫黄を吸着／吸収するために良好に位置決めされる。同じことは、領域５６によって解放されると共に層７２によって容易に吸着／吸収可能である他の汚染物質に当てはまる。
【０１４９】
上塗りゲッター層７２は、黒色のマトリックス５８に重なる。層７２のゲッターの材料が、マトリックス５８に源を発すると共に光を反射する層７０を通過する任意の汚染物質を吸着／吸収することに関して適切である程度まで、層７２は、同様に、これらの汚染物質を吸着／吸収すると共にそれらがマトリックス５８のすぐ近くを離れディスプレイにおける他の場所で損傷を引き起こすことを予防するために、良好に位置決めされる。
【０１５０】
上塗りゲッター層７２を有する発光素子６８を、様々な方法で変更することができる。層７２が、光を放出する領域５６の下にあることによって、いくつかの場合には、黒色のマトリックス５８の下にあることによって、解放された汚染物質のガスを吸着／吸収するのと同程度に、これらの汚染物質が、領域  ５６及びマトリックス５８のすぐ近くを離れる前に、層７２を、最低の層が汚染物質のガス、再度特に硫黄を吸着／吸収するために上の金属の一つ以上を含むと共に他の単数又は複数の層が上述した減少した化学反応性、減少した二次電子放出、及び減少した電子の後方散乱の特性の一つ以上を提供する、多層まで延ばすことができる。
【０１５１】
［不動態化下塗り層］
図１５及び１６は、再度上述のように構成された電子を放出する領域４０及び発光素子８０において光を反射する材料の下側の面に沿って望まれない材料の形成を阻害するための本発明によって構成された反対に位置した発光素子８０を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の側面及び平面図の断面を図説する。デバイス４０及び８０は、高い真空、再度通常わずかに１０−６トールの内圧で維持された封止された封入物を形成するために、外壁（示してない）を通じて互いに接続される。図１６の平面図の断面は、封止した封入物を通じて側方に延びる平面に沿った発光素子８０の方向に取られる。結果として、図１６は、主として、デバイス８０の活性部分の一部の平面図を与える。本発明の前述のディスプレイにおけるように、図１５及び１６のディスプレイは、ゲッターの材料を含んでもよく、典型的にはスペーサー、スペーサーの壁の形成においてスペーサーに関する場所を示す図１６における項目４４を有する。
【０１５２】
発光素子８０は、面板５４、並びに面板の内面に重なる層及び領域の群で形成される。層／領域は、光を放出する領域５６、黒色のマトリックス５８、不動態化下塗り層８２、及び光を反射する層７０からなる。不動態化下塗り層８２は、光を放出する領域５６及び黒色のマトリックス５８に広がっている。層８２は、典型的には、領域５６及びマトリックス５８を十分に覆う。光を反射する層７０は、下塗り層８２に広がっており、典型的には、少なくともデバイス８０の活性部分において層８２を十分に覆う。光を反射する層７０の上側の面を形成する金属の酸化物の寄生の層（示してない）は、層７０の上側の面に沿って広がっている。
【０１５３】
下塗り層８２の存在は別として、発光素子８０における構成部品５４、５６、５８、及び７０は、図９及び１０のディスプレイの発光素子６８におけるのと同じに形成されると共に構成され、同じに機能する。このように、光を反射する層７０の下側の（内部の）面は、典型的には、アルミニウムで形成されるが、電子のエネルギー損失を減少させるめに、おそらくアルミニウムとの組み合わせで、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上で、又は／及び、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するためのゲッタリングの機能を提供するために、再度おそらくアルミニウムとの組み合わせで、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上で、形成され得る。図３、４、９、及び１０のディスプレイにおけるように、黒色のマトリックス５８は、図１５及び１６のディスプレイにおける光を放出する領域５６よりも薄い。図５及び１１に描かれた変形物と同様に、図１７は、マトリックス５８が領域５６よりも厚い、発光素子８０の変形物を描く。
【０１５４】
下塗り層８２は、一般的な可視光に透過性、すなわち透明である。光を放出する領域５６によって放出された後部に向けられた光のいくらかは、ディスプレイの画像を強調するために、層８２を通過し、一般にその下側の面に沿って光を反射する層７０から前方へ反射され、再度層８２を通過し、次に領域５６及び面板５４を通過する。層８２は、図１５においてブランケット層として描かれているが、層８２は、通常、実質的に無作為の場所に位置した微視的な孔によって貫通される。光を反射する層７０を、同様の様式で貫通させるので、微視的な開口は、実質的に無作為の場所で層８２及び７０の組み合わせを通じて延びる。下塗り層８２は、一般に、各々の領域５６より上でフラットであり、それによって、光を反射する層７０が各々の領域５６より上で一般にフラットであることを可能とする。
【０１５５】
下塗り層８２に関する基準点は、仮想のアルミニウム層に沿って形成された酸化アルミニウムの仮想の本来の層である。本発明の教示と一致して、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜が、本来の酸化物の被膜とアルミニウム層との間の界面に沿って仮想のアルミニウム層が特に酸素との化学反応を受けることを阻害するよりも強く、層８２は、光を反射する層７０が特に酸素との化学反応を受けることを阻害し、ここで層７０は、層８２に最も接近する、即ち層７０の下側の面に沿ってある。本質的には、層７０の下側の面が、仮に層７０の下側の面が本来の酸化アルミニウム層で覆われたアルミニウムからなるとすれば発生するであろうものよりも、あまり化学的に反応性でないように、下塗り層８２は、光を反射する層７０の下側の面を不動態化する。
【０１５６】
光を反射する層７０の下側の面に沿って化学反応性を有効に減少させるために下塗り層８２を利用することによって、層７０の下側の面を形成する金属は、他の材料と化合物、特に層７０の光を反射する性能を損し得る化合物をあまり形成しそうでない。例えば、光を放出する領域５６及び層７０の形成は、典型的には、さらに下で議論するように、（ａ）領域５６を作成するために使用されたスラリーにおける結合剤の材料、及び（ｂ）層７０が領域５６より上で一般にフラットであることを可能とするラッカー、を取り除くことを含む。結合剤及びラッカーは、主として、発光素子８０から漏れるガスに分解するが、結合剤及びラッカーは、典型的には、デバイス８０において残留物として残る、いくらかの材料を含む。
【０１５７】
結合剤及びラッカーの残留物のいくらかは、特に少なくともラッカー、またしばしば結合剤を取り除くために用いられる、引き続く上昇した温度で加熱するステップの間に、光を反射する層７０の下側の面に上方へ移動すると共に層７０の下側の面を形成する金属で化合物を形成することができる。層７０の下側の面に沿ってそのように形成された化合物のいくらかは、不透明、すなわち可視光に強く吸収性であり得る。領域５６によって放出された後部に向けられた光は、一般に層７０の下側の面に沿って前方へ反射されるのと同程度に、層７０の下側の面に沿った不透明な化合物の存在は、その光を反射する性能を有効に低下させる。
【０１５８】
仮に酸化アルミニウムの本来の被膜が光を反射する層７０の下側の面に沿って存在するとすれば起こるであろうものと比較して、下塗り層８２は、このような不透明な化合物が層７０の下側の面に沿って形成することをより強く阻害する。層８２が、結合剤及びラッカーの残留物が層７０の下側の面に到達するために上方へ移動することをより有効に遮断するので、層８２が層７０の下側の面に沿ってこのような不透明な化合物の形成に提供する、増加した抵抗が、少なくとも部分的に起こる。それによって、下塗り層８２は、これらの不透明な化合物によって引き起こされた光を反射する性能における損失を減らす。事実上は、層８２は、を層７０の光を反射する性能を改善する。
【０１５９】
また、酸素は、ディスプレイの製作又は／及びディスプレイの動作の間に光を反射する層７０の下側の面に到達してもよい。酸素は、結合剤又は／及びからラッカーに源を発する場合もある。また、酸素は、光を放出する領域５６における発光体の材料に、例えばそれらが金属のオキシ硫化物の発光体を含む金属酸化物の発光体からなるとき、源を発する場合もある。下塗り層８２が、層７０の下側の面に沿って特に酸素との化学反応性を有効に減少させるので、層７０の下側の面を形成する金属は、あまり酸素と反応して層７０の下側の面に沿って特性を変化させ得る金属酸化物を形成しそうにない。このように、下塗り層８２は、層７０の形成に引き続く酸素への露出に対して層７０の下側の面を安定化させる。発光素子８０の特性は、時間と共により安定である。これは、ディスプレイの製造を促進し、ディスプレイの性能をより一貫させる。
【０１６０】
光を反射する層７０の下側の面が、少なくとも部分的にアルミニウムで形成される、典型的な状況を考慮すること。そして、下塗り層８２は、層７０の下側の面に沿った、望まれない酸化アルミニウムの形成を、その形成に引き続く層７０の下側の面への酸素の浸透により、顕著に阻害する。これは、さらに下に記載する、その実現において層７０の下側の面に沿った追加の酸化アルミニウムの形成を顕著に阻害することを含み、ここで下塗り層８２は、仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜よりも大きい厚さの酸化アルミニウムで形成される。
【０１６１】
アルミニウムを、光を反射する層７０の下側の面を形成する際に利用しなくてもよい。例えば、層７０は、層７０の下側の面が、層７０を通じて電子のエネルギー損失を減少させるために、非アルミニウムの金属、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上で形成される、光を反射する層６０の実現であってもよい。代わりに、層７０の下側の面を、汚染物質、特に硫黄を吸着／吸収するために、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上で形成してもよい。いずれの場合にも、下塗り層８２は、その形成に引き続く層７０の下側の面への酸素の浸透の結果として層７０の下側の面に沿って作成されることから層７０の下側の面を形成する、非アルミニウムの金属の望まれない酸化物を顕著に阻害する。
【０１６２】
電子を放出するデバイス４０における領域４８によって放出されてしまった後に光の放出を生成させるために光を放出する領域５６に衝突する電子は、光を反射する層７０及び下塗り層８２の両方を通過しなければならない。よって、層８２の存在は、電子がいくらかエネルギーを失うことを、それらが領域５６に衝突する前に、引き起こす。電子のエネルギー損失を低く保つために、層８２は、好ましくは、その不動態化の機能を提供するために、層８２の能力を顕著に害することなく、できるだけ実行可能にするように、薄く造られる。層８２は、層８２の組成に依存して、通常２−１０ｎｍ、典型的には３ｎｍの厚さを有する。再度通常３０−２００ｎｍ、典型的には７０−１００ｎｍである光を反射する層７０の厚さで、下塗り層８２は、光を反射する層７０よりもかなり薄い。
【０１６３】
下塗り層８２は、少なくとも層８２の厚さで透明である材料からなる。透明な絶縁物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び酸化クロムは、層８２には特に魅力的である。好適な実施形態において、主として層８２の全ては、酸化クロムである。また、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化スズインジウム、及び酸化スズは、それらの全てが、透明な金属酸化物であるが、層８２に適切である。酸化ケイ素、透明な半導体の酸化物は、同様に層８２に適切である。前述の材料の二つ以上は、材料の合金若しくは混合物の形態で、又は二つ以上のサブ層として、層８２に存在してもよい。また、層８２は、前述のものの他に、一つ以上の透明な金属又は／及び半導体の酸化物を含むか、又はから主としてなるでもよい。
【０１６４】
下塗り層８２が、上で識別された金属又は／及び半導体の酸化物の一つ以上のからなるとき、層８２は、層８２より下に存在する酸素が、光を反射する層７０の下側の面に到達すること及び損傷を引き起こすことを阻害する。仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜より大きい厚さの酸化アルミニウムで層８２を形成することは、同様の利益を生ずる。１−５ｎｍである仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜の厚さと共に、層８２の厚さは、それが、主として酸化アルミニウムからなるとき、通常少なくとも１０ｎｍ、３０ｎｍ以上までである。
【０１６５】
本発明によって構成されたフラットパネルＣＲＴディスプレイは、下塗り層８２及び上塗り層７２の両方を含んでもよい。図１８−２０は、層７２及び８２が提供された発光素子８４の変形物を図説する。上塗り層７２の存在は別として、各々の発光素子８４は、図１５及び１６における発光素子８０と同じである。図１８は、上塗り層７２を様々な方法で形成すると共に構成することができる、一般的な場合を与える。図１９及び２０に対して、図１８は、具体的には、層７２が、実質的に、単一の材料のみ又は二つ以上の材料の合金若しくは混合物からなる状況に向けられる。図１９は、層７２が、下側の層７２Ｌ及び上側の層７２Ｕからなる状況を図説する。図２０は、層７２が、下側の層７２Ｌ、中間の層７２Ｉ、及び上側の層７２Ｕからなる状況を描く。
【０１６６】
図２１ａ、２１ｂ、及び２１ｃ１−２１ｃ４（ひとまとめにして“図２１”）は、本発明と一致した図１８−２０の各々の発光素子８４を生産するための、本発明及び変形物と一致した図１５及び１６の発光素子８０を製造するための一般的な工程を図説する。図２１の工程は、主として、図８の工程の図８ｃの段階で開始する。主として図８ｃを繰り返す図２１ａを参照のこと。
【０１６７】
図２１ａの段階では、領域６２を、黒色のマトリックスの開口における面板５４に位置させる。各々の領域６２は、少なくとも、容易にガスに変換することができると共にその領域６２に一般にフラットな上側の面を提供する、一般に固体の材料、通常は乾燥したラッカーの発光体及び中間の層からなる。ラッカーが領域６２の形成の間にその構造にわたってどのように提供されるかに依存して、領域６２の中間のラッカー層を、黒色のマトリックス５８に位置したさらなる乾燥したラッカー（示してない）によって相互に連結してもよい。また、領域６２は、発光体の材料に関する硬化した結合剤を含んでもよい。自由選択で、ラッカーの堆積及び乾燥に先立ち、結合剤の材料を、その構造を適切に、典型的には空気中で、加熱することによって取り除くことができる。この自由選択のステップが行われるとき、結合剤は、その構造を離れるガスへ熱分解する。そして、引き続くラッカーの堆積及び乾燥は、主として発光体及びラッカーからなる領域６２に帰着する。
【０１６８】
図２１ａの構造は、高真空の堆積チャンバーに置かれる。下塗り層８２を、図２１ｂに描かれるような領域６２及び黒色のマトリックス５８の頂上に堆積させる。層８２の堆積は、高い真空、通常１０−６トール以下の圧力で行われる。蒸発、スパッタリング、及び溶射のような様々な高真空の堆積の技術を、層８２を堆積させるために利用することができる。
【０１６９】
下塗り層８２を堆積させるために使用した真空チャンバーから部分的に製作された発光素子を取り除くことなく、光を反射する層７０を、下塗り層８２に堆積させる。図２１ｃ１を参照のこと。光を反射する層７０の堆積は、任意の上述の技術によって高真空の条件下で行われる。重要なことには、高い真空は、下塗り層８２の堆積と光を反射する層７０の堆積との間における期間に、部分的に製作された発光素子において維持される。結果として、下塗り層８２の上側の面は、主として、望まれない酸化物が層７０と８２との間に生成すること引き起こすかもしれない酸素にさらされない。
【０１７０】
製作下の発光素子が、発光素子８０であることが意図され、よって上塗り層７２を有することが意図されないとすれば、図２１ｂの構造は、堆積チャンバーから取り除かれ、空気に露出される。空気中の酸素により、光を反射する層７０の上側の面を形成する金属の酸化物の寄生の層（示してない）は、層７０の上側の面に沿って成長する。その構造は、領域６２において乾燥したラッカー、及び存在するときには硬化した結合剤を取り除くために引き続き加熱される。黒色のマトリックス５８の頂上に位置する任意のラッカーを含む、ラッカーは、層８２及び７０における孔を通じて漏れるガスに熱分解する。それが存在するとき、同じことが、結合剤でも起こる。領域６２の残りの部分は、光を放出する領域５６である。
【０１７１】
ラッカー、及び存在するときは結合剤を取り除くための加熱する動作は、通常、３００−４８０℃、典型的には４００℃の最大温度に到達する熱的なプロファイルに従って、すなわち、図８の工程においてラッカー及び結合剤が取り除かれるのと一般に同じ方法で、空気中で行われる。下塗り層８２は、光を反射する層７０の下側の面に沿って存在するので、非常に少ない酸化物、例えば酸化アルミニウムは、層７０がアルミニウムからなるとき、加熱する動作の間に層７０の下側の面に沿って成長する。層７０の上側の面に沿って示されてない寄生の金属酸化物層を除いて、結果として生じる構造は、図２１ｃ１に示すように現われる。図２１ｃｌの構造は、発光素子８０を構成する。
【０１７２】
発光素子が、上塗り層７２を有するデバイス８４であることが意図されるとき、様々な工程の順序を、下塗り８２及び光を反射する層７０の形成の後に、利用することができる。例えば、寄生の金属酸化物層（再度、示してない）が光を反射する層７０の上側の面に沿って広がっており、ラッカー、及び存在するときは結合剤を取り除いておいた、図２１ｃ１の構造から開始すると、上塗り層７２を、層７０より上の寄生の酸化物層に堆積させることができる。図２１ｃ２−２１ｃ４を参照のこと。層７２の堆積は、図１４の工程において層７２を堆積させるために利用した任意の技術によって低い圧力で適切なチャンバーにおいて行われる。結果として生じる構造は、堆積チャンバーから取り除かれる。
【０１７３】
代わりに、下塗り層８２及び光を反射する層７０を堆積させることに用いた真空チャンバーから部分的に製作された発光素子を取り除くことなく、加熱する動作は、ラッカー、及び存在するときは結合剤を、層８２及び７０における孔を通じて漏れるガスに熱分解するために、高真空の条件下で行われる。真空チャンバーにまだ位置した構造と共に、上塗り層７２は、層７０を堆積させるためにここで用いた任意の高真空の技術によって、光を反射する層７０に堆積させられる。再度、図２１ｃ２−２１ｃ４を参照のこと。高い真空は、上塗り層７２の堆積を通じて下塗り層８２の堆積から延びる期間にその構造で維持される。前述の代替物によって作成された構造は、引き続き、真空チャンバーから取り除かれ、空気に露出される。その構造は、光を反射する層７０の堆積と上塗り層７２の堆積の間における期間に、空気に露出されなかったので、主として酸化物は、その期間には層７０の上側の面に沿って成長しない。上塗り層７２が、酸素の浸透に主として不浸透性であるとすれば、その構造が、上塗り層７２を形成することに引き続き、空気、よって酸素に露出されるとき、主として酸化物は、光を反射する層７０の上側の面に沿って成長しない。
【０１７４】
さらなる代替物は、層８２及び７０を堆積させることに用いられた真空チャンバーから部分的に製作された発光素子を取り除くことなく、光を反射する層７０に上塗り層７２を堆積させることを必然的に伴う。もう一度、図２１ｃ２−２１ｃ４を参照のこと。上塗り層７２の堆積は、光を反射する層７０を堆積させるためにここで利用した任意の高真空の技術によって行われる。高い真空は、上塗り層７２の堆積を通じて下塗り層８２の堆積から延びる期間に、その構造で維持される。その構造は、真空チャンバーから引き続き取り除かれ、空気に露出される。空気中の酸素により、光を反射する層７０の上側の面を形成する、金属の酸化物の寄生の層（示してない）は、層７０の上側の面に沿って成長する。貫通される上塗り層７２と共に、加熱する動作は、ラッカー及び存在するときは硬化した結合剤を、層８２、７０、及び７２における孔を通じて漏れるガスに熱分解するために、空気中におけるその構造で行われる。
【０１７５】
少なくとも、発光素子に上塗り層７２を提供するための上述の第一及び第三の工程の順序において、寄生の酸化物層は、光を反射する層７０の上側の面に沿って広がっている。しかしながら、実質的に望まれない酸化物は、層７０の下側の面に沿って広がらない。下塗り層８２の存在は、任意の望まれない酸化物が層７０の下側の面に沿って成長することを強く阻害する。層７２の上側の面に沿った、示してない寄生の酸化物層を除いて、三つの工程の順序の各々によって生産された構造は、上塗り層７２が、本質的に単層（図２１ｃ２）か、上側の層７２Ｕ及び下側の層７２Ｌからなる（図２１ｃ３）か、又は上側の層７２Ｕ、中間の層７２Ｉ、及び下側の層７２Ｌからなる（図２１ｃ４）かどうかに依存して、図２１ｃ２−２１ｃ４に描かれている。図２１ｃ２―２１ｃ４の構造は、それぞれ、図１８−２０の発光素子８４である。
【０１７６】
［下塗りゲッター層］
図２２及び２３は、もう一度上述のように構成された、電子を放出するデバイス４０、及び汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するゲッター機能を提供するために本発明によって構成された反対に位置した発光素子９０を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の側面及び平面図の断面を描く。デバイス４０及び９０は、高い真空、再度通常はわずかに１０−６トールの内圧で維持された封止された封入物を形成するために、外壁（示してない）を通じて互いに接続される。図２３の平面図の断面は、封止された封入物を通じて側方に延びる平面に沿った発光素子９０の方向に取られる。よって、図２３は、デバイス９０の活性部分の一部の平面図を与える。本発明の前述のディスプレイと同様に、図２２及び２３のディスプレイは、典型的には、内部のスペーサーを有する。図２３における項目４４は、スペーサーの壁として実現されたスペーサー用の場所を示す。
【０１７７】
発光素子９０は、面板５４並びに面板の内面に重なる層及び領域の群で形成される。層／領域は、光を放出する領域５６、黒色のマトリックス５８、パターニングされた下塗りゲッター層９２、及び光を反射する層７０からなる。図５の発光素子４２におけるように、ここでは、マトリックス５８は、領域  ５６よりも厚く、このように領域  ５６を行うよりも面板５４から遠く延びる。各々の領域５６を、黒色のマトリックスの開口に十分に位置させる。代わりに、領域５６は、図３及び４の発光素子４２において起こるように、マトリックス５８を行うよりも面板５４から遠く延びることができる。
【０１７８】
下塗りゲッター層９２は、黒色のマトリックス５８に広がっている。より詳しくは、図２２及び２３におけるゲッター層９２は、マトリックス５８の頂上に広がっており、光を放出する領域５６が位置するが光を放出する領域５６を横切ってせいぜい途中までしか延びない黒色のマトリックスの開口中へ、それの側壁を下って少なくとも途中まで延びる。図２２及び２３の例において、層９２は、領域５６にわたって著しく延びる。層９２は、典型的には、領域５６より上でマトリックス６８の側壁の部分を下って途中までのみ、よって、黒色のマトリックスの開口における領域５６への途中までのみ延びる。光を反射する層７０は、領域５６及び層９２にわたって広がっている。層９２の存在は別として、構成部品５４、５６、及び５８は、図５のデバイス４２におけるのと同じに形成されると共に構成され、同じに機能する。
【０１７９】
下塗りゲッター層９２は、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収する。この目的のために、層９２は、主として、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上からなる。代わりに又は付加的に、層９２は、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の一つ以上の酸化物を含んでもよい。
【０１８０】
前述の十六個のゲッターの材料の二つ以上が、下塗りゲッター層９２に存在するとき、二つ以上の材料は、典型的には、合金又は混合物を形成するために、互いに混合される。代わりに、二つ以上のゲッターの材料を、層９２の多数のサブ層にわたって様々に分布させることができる。各々の下塗りゲッターサブ層は、十六個の材料の一つ以上を含む。層９２の厚さは、層９２を実現するために選ばれた具体的な単数又は複数の材料に依存して、２ｎｍ−１０μｍ、典型的には２μｍである。
【０１８１】
下塗りゲッター層９２が、前述の十六個のゲッターの材料の二つ以上を含む場合に、材料は、全ての材料が層９２にわたって分布させられる合金を形成するために、通常、互いに混合される。合金は、好ましくは、対応する成分の金属酸化物の各々で典型的に個々に達成可能であるものよりも良好なゲッタリング、特に硫黄のゲッタリングを達成するために、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の二つ以上の酸化物からなる。一つの多数の金属の合金の実現において、層９２は、主として、クロム及びマグネシウムの酸化物の合金からなる。上塗りゲッター層８２を実現するための酸化クロムマグネシウムの使用法でのように、層９２における酸化クロムは、通常、合金における酸化クロムマグネシウムの５−９５原子％を構成する。
【０１８２】
下塗りゲッター層９２を実現する合金は、代わりに、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の二つ以上からなってもよい。光を反射するゲッター層６０及び上塗りゲッター層７２のように、層９２は、主として、一つの具体的な合金の実現においてマグネシウム及びクロムの合金からなる。クロムは、再び、通常、合金においてマグネシウム及びクロムの５−９５原子％を構成する。
【０１８３】
上塗り層７２が、発光素子６８におけるゲッターとして機能するとき、光を反射する層７０について上に記したことと同様に、発光素子９０における光を反射する層７０は、通常、上塗り層９２と同じ汚染物質のガスを吸着／吸収するためのゲッターとして機能しない。最低でも、層７０及び９２は、異なって構成される。光を反射する層７０は、主として、デバイス９０においてはアルミニウムから成ってもよい。代わりに、
層９２が、マグネシウムを含まないか、層７０とは著しく異なる原子百分率でマグネシウムを含むか、いずれかを条件として、電子のエネルギー損失を減少させるために、デバイス９０における層７０を、主として、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上、好ましくはベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムの一つ以上で、しばしばアルミニウムとの組み合わせで、形成してもよい。これ及びゲッター層９２の存在は別として、層７０は、図１１の発光素子６８におけるのと同じに構成され、同じに機能する。
【０１８４】
下塗りゲッター層９２は、光を放出する領域５６に接近する。結果として、領域５６によってガス放出された硫黄は、例えば、電子を放出するデバイス４８における領域４８によって放出された電子に衝突されることにより、ガス放出された硫黄が、領域５６のすぐ近くを離れ、ディスプレイにおける他の場所で損傷を引き起こす前に、容易に層９２に到達すると共にそれによって吸着／吸収されることができる。同じことは、領域５６によって解放されると共に層９２によって容易に吸着／吸収可能な他の汚染物質に当てはまる。
【０１８５】
ゲッター層９２は、黒色のマトリックス５８に非常に接近し、重要なことには、マトリックス５８とフラットパネルディスプレイの内部との間に設置される。層９２のゲッターの材料が、マトリックス５８によって解放された汚染物質を吸着／吸収することに適切である限りでは、層９２は、これらの汚染物質を吸着／吸収するために、それによって、それらが、ディスプレイにおける他の場所で汚染物質の損傷を引き起こすことを予防するために、非常に良好に位置決めされる。
【０１８６】
発光素子９０を、様々な方法で変更することができる。例えば、ゲッター層９２を、光を反射する層７０より下の光を放出する領域５６にわたって延びるブランケット層に変換することができる。その場合には、層９２は、主として透明であるか、領域５６によって放出された後部に向けられた光のいくらかを前方へ反射するための層７０との組み合わせで反射器としての機能するか、いずれかである。ゲッター層９２が領域５６にわたって延びるように配置することによって、層９２は、領域５６とディスプレイの内部との間に広がっており、このように、領域５６によって解放された硫黄のような汚染物質のガスを吸着／吸収するために非常に良好に位置決めされる。領域４８によって放出された電子は、電子が領域５６に衝突する前に、層９０を通過しなければならないので、いくらかの付加的な電子のエネルギー損失が起こるが、層９０の改善されたガスの吸着／吸収の位置は、付加的な電子のエネルギー損失を補償する。
【０１８７】
発光素子９０を、上塗り層７２又は／及び下塗り層８２を含むために、変更することができる。下塗り層８２を含む変更において、下塗りゲッター層９２を、好ましくは、一方における下塗り層８２と他方における光を放出する領域５６との間に位置させる。
【０１８８】
図２４ａ−２４ｅ（ひとまとめにして“図２４”）は、本発明と一致した図２２及び２３の発光素子９０を製造するための工程を図説する。図２４の工程の起点は、面板５４である。図２４ａを参照のこと。黒色のマトリックス５８は、図２４ｂに示されるように面板５４に形成される。後に形成される光を放出する領域５６より高いと仮定して、マトリックス５８を、図８の工程においてマトリックス５８を作成するために利用した任意の技術によって作成することができる。図２４ｃを参照して、発光体、硬化した結合剤、及び乾燥したラッカーからなる領域６２は、典型的には、図８の工程において領域６２を作成するために用いた手順によって、黒色のマトリックス開口において形成される。ラッカーをその構造にわたってどのように堆積させるかに依存して、領域６２のラッカーを、再度、マトリックス５８の頂上に位置したさらなるラッカー（示してない）によって相互に連結してもよい。
【０１８９】
下塗りゲッター層９２は、ゲッターの材料がマトリックス５８の頂上に、及びその側壁を下って少なくとも途中まで蓄積するが領域６２に蓄積しないような方法で、黒色のマトリックス５８に所望のゲッターの材料を堆積させることによって形成される。層９２の堆積は、好ましくは、角度を付けた蒸発、角度を付けたスパッタリング、又は角度を付けた溶射のような角度を付けた物理的な堆積の技術によって行われる。ゲッターの材料は、面板５４及びマトリックス５８で形成されたプレート構造に対して移すことができる堆積の源から提供される。プレート構造及び堆積の源を、圧力が通常１０−６以下である高い真空の環境に位置させる。
【０１９０】
各々がゲッターの材料の一つ以上の原子からなる粒子は、角度を付けた物理的な堆積の間に、面板５４（の上側の面）に垂直に延びる線に対して平均の傾斜角αで黒色のマトリックス６８に衝突する。図２４の項目Ｐは、このような線を示す。このように、ゲッター粒子は、平均して、線Ｐに対して傾斜角αにある主要な衝突軸におおざっぱに平行に瞬間に延びる経路を経て進む。相対的に均一な堆積を得るために、プレート構造及び堆積の源は、堆積の間に、互いに対して異なる回転（方位）位置にあるために配置される。このように主要な衝突軸を、線Ｐのまわりに回転させる。図２４ｄにおける矢印Ａは、二つの異なる回転位置における主要な衝突軸を示す。
【０１９１】
角度を付けた堆積を、一群の顕著な期間に行うことができ、その各々の間に、プレート構造及び堆積の源は、互いに対して主として固定された回転位置にある。代わりに、プレート構造及び堆積の源を、堆積の間に、互いに対して連続的に回転させる。回転速度は、通常、おおよそ一定であるが、可変であり得る。堆積は、少なくとも一つの十分な回転の間に行われる。ゲッターの源の傾斜角α及び地盤を、堆積の間に変化させることができる。
【０１９２】
傾斜角αの値は、ゲッターの材料が領域５８に蓄積することを予防するために、黒色のマトリックス５８が遮蔽（又は陰）としての機能するのに十分に大きいように選ばれる。角度αは、黒色のマトリックスの開口の側方の大きさ、及び
マトリックス５８が、光を放出する領域５６より上にどれくらい遠くまで延びるかに依存して、通常５−４５°、典型的には１５°である。角度αの値を注意深く選ぶことによって、任意のゲッターの材料を領域６２に蓄積させることなく、ゲッター層９２を領域６２にほとんど触れさせることが、時々可能であってもよい。少量のゲッターの材料が、領域６２に蓄積するとすれば、そのゲッターの材料を取り除くために、層９２の厚さを著しく減少させることなく、洗浄の動作を行うことができる。
【０１９３】
光を反射する層７０を、ゲッター層９２及び領域６２に堆積させる。図２４ｅを参照のこと。層７０の堆積は、蒸発、スパッタリング、又は溶射のような技術によって、高い真空、通常１０−６トール以下の圧力で行われる。高い真空を、層９２の堆積から層７０の堆積を通じて延びる期間に、その期間に層９２及び７０の間に任意の金属酸化物を生成させることを主として回避するために、部分的に製作した発光素子で維持してもよい。
【０１９４】
空気における加熱する動作は、領域６２における結合剤、及び黒色のマトリックス５８に重なる任意のラッカーを含むラッカーを取り除くために、実質的に、部分的に製作された発光素子で行われる。結合剤及びラッカーは、光を反射する層７０における孔を通じて漏れるガスへ熱分解する。空気中の酸素により、層７０の上側及び下側の面を形成する、単数又は複数の金属の酸化物の寄生の層（示してない）は、その上側及び下側の面に沿って成長する。これらの寄生の酸化物層を除いて、結果として生じる構造は、図２４ｅに示すように現われる。図２４ｅの構造は、図２２及び２３の発光素子９０である。
【０１９５】
［さらなる変形物及び全体的な考察］
図９−１３の発光素子６８における上塗り層７２を、特に黒色のマトリックス５８が、光を放出する領域５６よりも高いとき、発光素子９０における下塗りゲッター層９２と同様にパターニングされた上塗り層と交換することができる。図２５−２７は、デバイス６８の層７２を交換するパターニングされた上塗り層１０２を含むために、本発明によって構成された発光素子１００の三つの例を描く。この差は別として、デバイス１００は、図１１のデバイス６８におけるのと同じに形成されると共に構成され、同じに機能する構成部品５４、５６、及び５８を含む。よって、デバイス１００における黒色のマトリックス５８は、光を放出する領域５６を行うよりも面板５４から遠くに延びる。各々の領域５６を、黒色のマトリックスの開口において十分に位置させる。
【０１９６】
発光素子１００における光を反射する層７０は、図１１における発光素子６８におけるのと同じに構成され、同じに機能する。例示の目的のために、図２５−２７は、上側のサブ層７ＯＵ及び下側のサブ層７０Ｌからなるような層７０を図説する。図２５−２７の各々におけるデバイス１００を、図９及び１０のフラットパネルディスプレイにおいてデバイス６８の代わりに用いることができる。
【０１９７】
上塗り層１０２は、黒色のマトリックス５８の頂上より上に設置した光を反射する層７０の部分に広がっており、マトリックス５８の側壁にわたって位置した層７０の部分を下って少なくとも途中まで延びる。上塗り層１０２は、各々の光を放出する領域５６のわずかに一部を覆う。図２５−２７の例において、層１０２は、領域５６を覆う層７０の部分にわたって顕著には延びない。層１０２は、典型的には、マトリックス５８の側壁に沿って層７０の部分を下って途中までのみ、よって、黒色のマトリックスの開口における領域５６を覆う層７０の部分への途中までのみ延びる。マトリックス５８は、領域５６よりも短くあり得る。その場合には、層１０２は、マトリックス５８の頂上より上で光を反射する層７０の部分に位置し、領域５６の側壁にわたって位置した層７０の部分を上って少なくとも途中まで延び、領域５６を覆う層７０の部分にわたっては、通常必ずしも顕著でなく、せいぜい途中までしか延びない。
【０１９８】
パターニングの差は別として、パターニングされた上塗り層１０２は、ブランケットの上塗り層７２が、どのように一つ以上の層からなるかに類似する、一つ以上の層からなる。よって、上塗り層１０２の尾の各々層は、通常、主として、単一の材料から、又は材料の合金若しくは混合物からなる。図２５は、層１０２が一つ以上の層からなる、一般的な状況を表し、具体的には層１０２が単層である状況に向けられる。図２６は、層１０２が、それぞれ、層７２の二層の実現における下側の層７２Ｌ及び上側の層７２Ｕに類似する、下側の上塗り層から１０２Ｌ及び上側の上塗り層１０２Ｕからなる、二層の状況を与える。図２７は、層１０２が、それぞれ、層７２の三層の実現における層７２Ｌ、７２Ｉ、及び７２Ｕに類似する、下側の上塗り層１０２Ｌ、中間の上塗り層１０２Ｉ、及び上側の上塗り層１０２Ｕからなる、三層の状況を与える。
【０１９９】
パターニングされた上側の上塗り層１０２は、ブランケット上塗り層７２と同じ単数又は複数の機能を提供する。仮想のアルミニウム層に形成された仮想の本来の酸化アルミニウムの被膜を再度参照して、上塗り層１０２は、（ａ）本来の被膜より低い化学反応性、（ｂ）本来の被膜より低い単位面積当たりの二次電子放出、及び（ｃ）本来の被膜より低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の一つ以上を提供する。上塗り層１０２、上側の上塗り層１０２Ｕ、中間の上塗り層１０２Ｉ、及び下側の上塗り層１０２Ｌは、これらの化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性を様々に達成するための層７２、７２Ｕ、７２Ｉ、及び７２Ｌをそれぞれ実現するために、上述の同じ材料で様々に構成される。
【０２００】
電子を放出するデバイス４０において領域４８によって放出された電子のいくつかは、光を放出する領域５６の側面に向かって発光素子１００に衝突する。よって、いくつかの電子は、領域５６の側面に向かって光を反射する層７０に衝突し、パターニングされた上側の上塗り層１０２が無いときには、二次電子放出／電子の後方散乱の懸念を起こし得るであろうし、また汚染物質のガスが、黒色のマトリックス５８に重なる光を反射する層の部分から追い払われることを引き起こし得るであろう。層７０は、それが、前述の化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性の一つ以上を提供するとき、これらの懸念を緩和する。
【０２０１】
上塗り層１０２が、光を反射する層７０を十分に覆わないのと同程度に、層１０２は、ブランケット上塗り層７２と同程度に、化学反応性、二次の電子放出、及び電子の後方散乱の特性に改善を提供しない。しかしながら、領域４４によって放出された電子は、発光素子１００において電子を放出する領域５６に衝突する前には層１０２を通過せず、それによって、ブランケット上塗り層７２を有する発光素子６８におけるよりもわずかに少ない電子のエネルギー損失を招く。これは、化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性においてより少ない改善を補償する。
【０２０２】
ブランケット上塗り層７２のように、パターニングされた上塗り層１０２は、代わりに又は付加的に、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するためのゲッターの機能を提供することができる。この目的のために、層１０２は、金属、マグネシウム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、及び鉛の一つ以上を含む。特に電子を放出するデバイス４０が、三次元の電界放出によって動作する電界放出源であるとき、層１０２は、また、クロムを含んでもよい。代わりに又は付加的に、層１０２は、金属、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の一つ以上の酸化物を含む。また、層１０２を、層７２に関する上述と同じ方法で、これらの十四個のゲッターの材料の二つ以上の合金として実現することができる。
【０２０３】
上塗り層１０２は、光を放出する領域５６に相対的に接近する。領域５６が硫黄又は同様の汚染物質をガス放出することを仮定して、層１０２を、これらの汚染物質のいくつかを適切に吸着／吸収するために、それらが、層１０２のすぐ近くを離れる前に、位置させる。黒色のマトリックス５８が、硫黄及び同様の汚染物質をガス放出する程度まで、層１０２は、これらの汚染物質を吸着／吸収するために、良好に位置決めされる。
【０２０４】
上側の上塗り層１０２が、前述の化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性の一つ以上を提供するとき、発光素子１００における光を反射する層７０は、一般に、図９及び１０の発光素子６８におけるのと同じに構成される。しかしながら、層１０２が、代わりに又は付加的に、汚染物質のガス、特に硫黄を吸着／吸収するためのゲッターとして機能するとき、下にある光を反射する層７０は、通常、同じ汚染物質のガスを吸着／吸収するためのゲッターとして機能しない。最低でも、この場合における層７０及び１０２は、上側の上塗り層７２がこのようなゲッタリングの機能を提供するとき層７０及び７２が異なって構成されるのと同じ方法で、異なって構成される。
【０２０５】
上側の上塗り層１０２は別として、光を放出する領域５６より高いために黒色のマトリックス５８を作成すると仮定して、発光素子１００は、一般に発光素子６８を製造するための上述の方法で、本発明によって製造される。上塗り層１０２を、典型的に、図２４の工程において下塗りゲッター層９２を堆積させるために用いたタイプの角度を付けた物理的な堆積の手順によって、堆積させる。よって、堆積した材料が、マトリックス５８の頂上を覆う層７０の部分に、しかし、マトリックス５８の側壁を覆う層７０の部分を下って途中までのみ、よって、黒色のマトリックスの開口へ下って途中までのみ、蓄積するように、層１０２の材料を、面板５４に一般に垂直に延びる線に対して非ゼロの傾斜角で黒色のマトリックス５８にわたって光を反射する層７０に堆積させる。傾斜角は、マトリックス５８及び層７０の重なる部分が、実質的に層の材料が領域５６を覆う層７０の部分に蓄積することを予防するために、遮蔽として役立つように十分に大きい。角度を付けた堆積が、層１０２がゲッターの材料からなる状況、及び層１０２が、化学反応性、二次電子放出、及び電子の後方散乱の特性の一つ以上を提供する状況の両方において、用いられる。
【０２０６】
連続的な（しかし貫通された）領域であるよりもむしろ、黒色のマトリックス５８を、本発光素子のいくつかの変形物において列の方向のような選択された方向に一般に延びる一群の側方に分離された黒色のマトリックスのストライプとして実現することができる。そして、光を放出する領域５６を、黒色のマトリックスのストライプの間における溝に位置させる。
黒色のマトリックスのストリップが、領域５６を行うよりも面板５４から遠くに延びる、発光素子９０又は１００のこのような変形物においても、面板５４及び重なる材料で形成されたプレート構造に堆積の源の回転の方位の範囲が、層９２又は１０２の材料を領域５６より上に蓄積させることを回避するために、十分に制限されることを条件として、パターニングされた下塗りゲッター層９２又はパターニングされた上塗り層１０２を形成するために、角度を付けた物理的な堆積を、まだ用いることができる。例えば、角度を付けた堆積を、黒色のマトリックスのストライプの方向に対して＋９０°及び−９０°の回転の角度で行うことができる。
【０２０７】
黒色のマトリックス５８は、発光素子９０及び１００のいくつかの実現において光を放出する領域５６よりも短い。このような場合に、下塗りゲッター層９２又は上塗り層１０２は、通常、角度を付けた堆積以外の技術によって作成される。例えば、層９２又は１０２を、適切なマスクを使用するブランケットの堆積／選択的な除去の手順によって、又はリフトオフの技術によって、作成することができる。
【０２０８】
上述した方法で発光素子４２、６８、８０、９０、及び１００を製作することを仮定して、本発明のフラットパネルＣＲＴディスプレイの各々は、一般に、以下の方法で製造される。電子を放出するデバイス４０は、発光素子４２、６８、８０、８４、９０、又は１００から別々に製作される。スペーサーの壁のような内部の支持物を、電子を放出するデバイス４０又は発光素子４２、６８、８０、８４、９０、若しくは１００に取り付けられる。電子を放出するデバイス４０は、引き続き、組み立てられた封止されたディスプレイが、非常に低い内圧、典型的にはわずかに１０−６トールにあるような方法で、上述の外壁を通じて発光素子４２、６８、８０、８４、９０、又は１００に封止される。
【０２０９】
読者が、本発明の様々な部分がどのように互いに適合するかをより容易に理解することができる理論構成の枠組みを確立するために、本発明を記載する際に、“側方の”、“垂直の”、“より上の”、及び“より下の”のような方向の用語を用いてきた。現実の実践においては、フラットパネルＣＲＴディスプレイの構成部品を、ここで使用された方向の用語によって暗示されたものと異なる方位で位置させてもよい。方向の用語が、記載を容易にするための便宜に使用されるのと同程度に、本発明は、方位が、ここで用いた方向の用語によって厳密に扱われるものと異なる実現を包含する。同様に、用語“行”及び“列”は、互いに対して任意であり、逆にされ得る。
【０２１０】
本発明を、特定の実施形態を参照して記載してきたと同時に、この記載は、単に実例の目的に関するものであり、以下に請求した本発明の範囲を限定すると解釈されてはならない。電界放出は、一般に表面伝導放出と名付けられた平面の現象を含む。このように、様々な変更及び用途は、添付した請求項に定義されるような本発明の真の範囲及び主旨から逸脱することなく、当業者によってなされる場合もある。
【図面の簡単な説明】
【０２１１】
【図１】従来のフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の断面の側面図である。断面は、図２における平面１−１に沿って取得される。
【図２】図１の従来のフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部、具体的には発光素子、の断面の平面図である。断面は、図１における平面２−２に沿って取得される。
【図３】本発明によって構成された発光素子を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の断面の側面図である。断面は、図４における平面３−３に沿って取得される。
【図４】図３のフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部、具体的には発光素子、の断面の平面図である。断面は、図３における平面４−４に沿って取得される。
【図５】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図３及び４の発光素子の代わりになる。
【図６】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図３及び４の発光素子の代わりになる。
【図７】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図３及び４の発光素子の代わりになる。
【図８】ａ−ｃ、ｄ１、及びｄ２は、本発明による図３及び４の発光素子並びに図６発光素子を製作する際のステップを表す断面の側面図である。
【図９】図９は、本発明によって構成された発光素子を有する別のフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の断面の側面図である。断面は、図１０における平面９−９に沿って取得される。
【図１０】図９のフラットパネルディスプレイの活性領域の一部、具体的には発光素子、の断面の平面図である。断面は、図９における平面１０−１０に沿って取得される。
【図１１】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図９及び１０の発光素子の代わりになる。
【図１２】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図９及び１０の発光素子の代わりになる。
【図１３】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図９及び１０の発光素子の代わりになる。
【図１４】ａ、ｂ１、ｂ２、及びｂ３は、図８ｄ１又は図８ｄ２の段階から本質的に開始する本発明による図９の発光素子並びに図１２及び１３の発光素子を製作する際のステップを表す断面の側面図である。
【図１５】本発明によって構成された発光素子を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の断面の側面図である。断面は、図１６における平面１５−１５に沿って取得される。
【図１６】図１５のフラットパネルディスプレイの活性領域の一部、具体的には発光素子、の断面の平面図である。断面は、図１５における平面１６−１６に沿って取得される。
【図１７】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図１５及び図１６の発光素子の代わりになる。
【図１８】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図１５及び図１６の発光素子の代わりになる。
【図１９】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図１５及び図１６の発光素子の代わりになる。
【図２０】本発明によって構成された三つの発光素子の活性部分の一部の断面の側面図であり、図１５及び図１６の発光素子の代わりになる。
【図２１】ａ、ｂ、及びｃ１−ｃ４は、図８ｃの段階から本質的に開始する本発明による図１５及び１６の発光素子並びに図１８−２０の発光素子を製作する際のステップを表す断面の側面図である。
【図２２】本発明によって構成された発光素子を有するさらに別のフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の断面の側面図である。断面は、図２３における平面２２−２２に沿って取得される。
【図２３】図２２のフラットパネルディスプレイの活性領域の一部、具体的には発光素子、の断面の平面図である。断面は、図２２における平面２３−２３に沿って取得される。
【図２４】ａ−ｅは、本発明による図２２及び２３の発光素子を製作する際のステップを表す断面の側面図である。
【図２５】本発明による図１１の発光素子の変形物の活性部分の一部の断面の側面図である。
【図２６】本発明による図１１の発光素子の変形物の活性部分の一部の断面の側面図である。
【図２７】本発明による図１１の発光素子の変形物の活性部分の一部の断面の側面図である。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図１０】
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【図１６】
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【図２３】
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【国際公開パンフレット】
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【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
並びに
前記光を放出する領域にわたって延びると共に、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属を含む、光を反射する層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項２】
前記非アルミニウムの金属は、実質的にベリリウムからなる請求項１記載の構造。
【請求項３】
前記光を反射する層は、アルミニウムをさらに含む請求項１記載の構造。
【請求項４】
前記非アルミニウムの金属は、前記光を反射する層においてアルミニウムと共に合金がつくられる請求項３記載の構造。
【請求項５】
前記非アルミニウムの金属は、前記光を反射する層の５−９５質量％を構成する請求項４記載の構造。
【請求項６】
前記光を反射する層は、
前記光を放出する領域に重なると共に主としてアルミニウムからなる第一のサブ層、及び
前記第一のサブ層に重なると共に質量でアルミニウムよりも多い前記非アルミニウムの金属を含む第二のサブ層
を含む請求項３記載の構造。
【請求項７】
前記第二のサブ層における前記非アルミニウムの金属は、主として、ベリリウム、ホウ素、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる請求項６記載の構造。
【請求項８】
前記第二のサブ層における前記非アルミニウムの金属は、実質的に、ベリリウムからなる請求項６記載の構造。
【請求項９】
前記光を反射する層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項１記載の構造。
【請求項１０】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
並びに
前記光を放出する領域にわたって延びると共に、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、白金、及び鉛の少なくとも一つを含む、光を反射するゲッター層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項１１】
前記光を反射するゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、パラジウム、銀、及び鉛の少なくとも二つの合金を含む請求項１０記載の構造。
【請求項１２】
前記光を反射するゲッター層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項１０記載の構造。
【請求項１３】
前記光を反射するゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項１０記載の構造。
【請求項１４】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に電子が前記構造より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、及び
（ｃ）前記本来の被膜のより低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の少なくとも一つを提供すると共に、
ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、ルテニウム、銀、スズ、ネオジム、イリジウム、白金、金、鉛、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、酸化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む、
前記光を反射する層に重なる上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項１５】
前記上塗り層は、クロムを含む請求項１４記載の構造。
【請求項１６】
前記上塗り層は、酸化クロムを含む請求項１４記載の構造。
【請求項１７】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する請求項１４記載の構造。
【請求項１８】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、ルテニウム、銀、スズ、イリジウム、白金、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項１７記載の構造。
【請求項１９】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、ケイ素、クロム、ゲルマニウム、銀、スズ、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項１７記載の構造。
【請求項２０】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、クロム、銀、金、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項１７記載の構造。
【請求項２１】
前記上塗り層は、
（ａ）クロム及びアルミニウムの酸化物、並びに
（ｂ）ホウ素、アルミニウム、ケイ素、及びクロムの少なくとも二つのオキシ窒化物、の一つの合金を含む請求項１７記載の構造。
【請求項２２】
前記上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項１７記載の構造。
【請求項２３】
前記上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項１７記載の構造。
【請求項２４】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項１４記載の構造。
【請求項２５】
前記上塗り層は、クロム、銀、ネオジム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項２４記載の構造。
【請求項２６】
前記上塗り層は、クロム、銀、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項２４記載の構造。
【請求項２７】
前記上塗り層は、クロム、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化セリウム、及び酸化ネオジムの少なくとも一つを含む請求項２４記載の構造。
【請求項２８】
前記上塗り層は、バナジウム、クロム、セリウム、及びネオジムの少なくとも二つの酸化物の合金を含む請求項２４記載の構造。
【請求項２９】
前記上塗り層は、バナジウム、クロム、セリウム、及びネオジムの少なくとも二つの合金を含む請求項２４記載の構造。
【請求項３０】
前記上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項２４記載の構造。
【請求項３１】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項１４記載の構造。
【請求項３２】
前記上塗り層は、前記光を反射する層よりも低い平均の容積測定の陽子密度のものである請求項３１記載の構造。
【請求項３３】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含み、
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウムの少なくとも一つ、並びに炭素、窒素、及び酸素の少なくとも一つとのベリリウム、ホウ素、及びナトリウムの少なくとも一つの化合物を含む請求項３２記載の構造。
【請求項３４】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３５】
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３６】
前記上塗り層は、ホウ素及び酸化ホウ素の少なくとも一つを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３７】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項３１記載の構造。
【請求項３８】
前記光を反射する層は、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属をさらに含む請求項３７記載の構造。
【請求項３９】
前記光を反射する及び上塗り層の間に位置させられる酸化アルミニウムをさらに含む請求項３７記載の構造。
【請求項４０】
前記上塗り層は、前記光を放出する領域にわたって延びる請求項１４記載の構造。
【請求項４１】
前記光を反射する層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項１４記載の構造。
【請求項４２】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にベリリウム、ホウ素、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、ルテニウム、銀、スズ、イリジウム、白金、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む、上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項４３】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にクロム、銀、ネオジム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む、上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項４４】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にベリリウム、ホウ素、マグネシウム、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む、上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項４５】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、
前記光を反射する層に重なる下側の上塗り層、及び
前記下側の上塗り層に重なる上側の上塗り層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性であり、
前記二つの上塗り層は、異なる化学組成のものであり、
各々の上塗り層は、
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に電子が前記構造より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱の少なくとも一つを提供する構造。
【請求項４６】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項４７】
前記下側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、マグネシウム、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、炭化アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項４６記載の構造。
【請求項４８】
前記下側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、マグネシウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、炭化アルミニウム、及び窒化アルミニウムの少なくとも一つを含む請求項４６記載の構造。
【請求項４９】
前記下側の上塗り層は、ホウ素、炭素、及び酸化ホウ素の少なくとも一つを含む請求項４６記載の構造。
【請求項５０】
前記上塗り層の指定された一つは、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項５１】
前記指定された上塗り層は、炭素、クロム、銀、バリウム、ネオジム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項５０記載の構造。
【請求項５２】
前記指定された上塗り層は、炭素、クロム、銀、バリウム、金、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む請求項５０記載の構造。
【請求項５３】
前記指定された上塗り層は、炭素、クロム、酸化ベリリウム、酸化バナジウム、酸化クロム、酸化セリウム、及び酸化ネオジムの少なくとも一つを含む請求項５０記載の構造。
【請求項５４】
前記上側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項５５】
前記上側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、ケイ素、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、銀、スズ、ネオジム、イリジウム、白金、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項５４記載の構造。
【請求項５６】
前記上側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、ケイ素、クロム、ゲルマニウム、銀、スズ、金、鉛、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項５４記載の構造。
【請求項５７】
前記上側の上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、炭素、クロム、銀、金、窒化ホウ素、酸化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項５４記載の構造。
【請求項５８】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項５４記載の構造。
【請求項５９】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項５４記載の構造。
【請求項６０】
前記他の二つの上塗り層の間に位置させられると共に前記他の二つの上塗り層とは異なる化学組成の中間の上塗り層をさらに含み、
前記中間の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項５９記載の構造。
【請求項６１】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱の両方を提供する請求項５５記載の構造。
【請求項６２】
前記上側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出の両方を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項６３】
前記下側の上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項６２記載の構造。
【請求項６４】
前記下側の上塗り層は、また、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項６３記載の構造。
【請求項６５】
前記上側及び下側の上塗り層は、それぞれ、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項４５記載の構造。
【請求項６６】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項４５記載の構造。
【請求項６７】
前記光を反射する層と前記下側の上塗り層との間に位置させられる酸化アルミニウムをさらに含む請求項６６記載の構造。
【請求項６８】
前記上塗り層は、前記光を放出する領域にわたって延びる請求項４５記載の構造。
【請求項６９】
前記光を反射する層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項４５記載の構造。
【請求項７０】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を反射する層に重なると共にマグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む、上塗りゲッター層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項７１】
前記上塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも二つの酸化物の合金を含む請求項７０記載の構造。
【請求項７２】
前記上塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、及び鉛の少なくとも二つの合金を含む請求項７０記載の構造。
【請求項７３】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層に重なる請求項７０記載の構造。
【請求項７４】
前記上塗りゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項７０記載の構造。
【請求項７５】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する及び光を遮断する領域にわたって延びる光を反射する層、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記光を反射する層に重なると共にマグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む、上塗りゲッター層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項７６】
前記上塗りゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項７５記載の構造。
【請求項７７】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域のわずかに一部より上の前記光を反射する層に重なる請求項７５記載の構造。
【請求項７８】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層に重なる請求項７５記載の構造。
【請求項７９】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域に重なると共におおむね可視光に透過性である、下塗り層、及び
前記下塗り層に重なると共に前記光を放出する領域より上に延びる、光を反射する層
を含み、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性であり、
前記下塗り層は、前記光を反射する層が、化学反応を被ることを、
仮想のアルミニウム層に沿って形成される酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜が、前記アルミニウム層が前記本来の被膜とのその界面に沿って化学反応を被ることを、阻害するよりも、
強く阻害し、
それは、前記下塗り層に最も接近する構造。
【請求項８０】
前記下塗り層は、酸素との前記光を反射する層の化学反応を、
前記本来の被膜が、酸素との前記アルミニウム層の化学反応を阻害するよりも、
強く阻害する請求項７９記載の構造。
【請求項８１】
前記下塗り層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化スズインジウム、及び酸化スズの少なくとも一つを含む請求項７９記載の構造。
【請求項８２】
前記下塗り層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化アルミニウム、及び酸化クロムの少なくとも一つを含む請求項７９記載の構造。
【請求項８３】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項７９記載の構造。
【請求項８４】
前記光を放出する領域より上の前記光を反射する層に重なる上塗り層をさらに含み、
前記上塗り層は、
（ａ）電子が前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で電子が前記本来の被膜に衝突するときに前記本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、
の少なくとも一つを提供する請求項７９記載の構造。
【請求項８５】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を放出する領域に重なり、可視光におおむね移行的であり、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、仮想のアルミニウム層に沿って形成される酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜より大きい厚さの酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化スズインジウム、及び酸化スズの少なくとも一つを含む下塗り層、並びに
前記下塗り層に重なると共に前記光を放出する領域より上に延びる、光を反射する層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項８６】
プレート、
前記プレートに重なる光を放出する領域、
前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートに重なる光を遮断する領域、
前記光を遮断する領域に重なると共にマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む、下塗りゲッター層、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記ゲッター層にわたって延びる光を反射する層
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を遮断する領域は、おおむね可視光に非透過性である構造。
【請求項８７】
前記下塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも二つの酸化物の合金を含む請求項８６記載の構造。
【請求項８８】
前記下塗りゲッター層は、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、及び鉛の少なくとも二つの合金を含む請求項８６記載の構造。
【請求項８９】
前記下塗りゲッター層は、硫黄を吸着／吸収する請求項８６記載の構造。
【請求項９０】
前記下塗りゲッター層は、前記光を放出する領域のわずかに一部より上に延びる請求項８９記載の構造。
【請求項９１】
それが可視光を放出することを引き起こす、前記光を反射する層を通過すると共に前記光を放出する領域に衝突する電子を放出するための電子を放出するデバイスをさらに含む請求項１乃至９０いずれか１項記載の構造。
【請求項９２】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、並びに
前記光を放出する領域にわたって、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの少なくとも一つからなる非アルミニウムの金属を含む光を反射する層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項９３】
前記光を反射する層は、アルミニウムをさらに含む請求項９２記載の方法。
【請求項９４】
前記形成する行為は、アルミニウム及び前記非アルミニウムの金属を含む合金として前記光を反射する層を形成することを必然的に伴う請求項９２又は９３記載の方法。
【請求項９５】
前記形成する行為は、
前記光を放出する領域にわたって、主としてアルミニウムからなる第一のサブ層を形成すること、及び
前記第一のサブ層にわたって、質量でアルミニウムよりも多い前記非アルミニウムの金属からなる第二のサブ層を形成すること
を含む請求項９２又は９３記載の方法。
【請求項９６】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する領域にわたって、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、モリブデン、パラジウム、銀、及び白金の少なくとも一つ並びに鉛を含む光を反射するゲッター層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項９７】
前記形成する行為は、前記光を遮断する領域にわたって延びるために前記光を反射するゲッター層を形成することを含む請求項９６記載の方法。
【請求項９８】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する領域にわたって光を反射する層を形成すること、並びに
前記光を反射する層にわたって、
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に、電子が前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱
の少なくとも一つを提供する、上塗り層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記上塗り層は、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、ケイ素、クロム、コバルト、ゲルマニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、スズ、ネオジム、イリジウム、白金、金、鉛、リチウム−アルミニウム、ベリリウム−ホウ素、炭化ベリリウム、酸化ベリリウム、ベリリウム−アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ホウ素、ホウ素−マグネシウム、ホウ素−アルミニウム、炭化ナトリウム、窒化ナトリウム、酸化ナトリウム、ナトリウム−アルミニウム、マグネシウム−アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化バナジウム、酸化リンバナジウム、酸化クロム、酸化銅、酸化モリブデン、酸化銀、酸化セリウム、酸化ネオジム、及び酸化ユーロピウムの少なくとも一つを含む方法。
【請求項９９】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い化学反応性を提供する請求項９８記載の方法。
【請求項１００】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出を提供する請求項９８記載の方法。
【請求項１０１】
前記上塗り層は、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供する請求項９８記載の方法。
【請求項１０２】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含む請求項９８乃至１０１いずれか１項記載の方法。
【請求項１０３】
前記光を反射する層は、酸化アルミニウムが、前記光を反射する層を形成する行為に引き続き、前記光を反射する及び上塗り層の間に位置させられるように、前記形成する行為の間に酸素に露出される請求項１０２記載の構造。
【請求項１０４】
前記形成する行為は、実質的に酸化アルミニウムが前記光を反射する及び上塗り層の間に形成されないように、前記プレート及び重なる材料が、前記形成する行為の間に前記真空から前記プレート及び重なる材料を取り除くことなく、真空にあると同時に、行われる請求項１０２記載の方法。
【請求項１０５】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する領域にわたって光を反射する層を形成すること、
前記光を反射する層にわたって下側の上塗り層を形成すること、及び
前記下側の上塗り層にわたって上側の上塗り層を、前記二つの上塗り層が異なる化学組成のものであるように、形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
各々の上塗り層は、
（ａ）仮想のアルミニウム層に沿って形成されると共に、電子が前記上塗り層より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で前記本来の被膜に衝突する電子にさらされる、酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、の少なくとも一つを提供する方法。
【請求項１０６】
前記二つの上塗り層を形成する行為の間に、前記下側の上塗り層にわたって中間の上塗り層を、
前記上側の上塗り層が、後に前記中間の上塗り層にわたって形成されるように、
前記中間の上塗り層が、前記他の二つの上塗り層と異なる化学組成のものであるように、並びに
前記上側の、中間の、及び下側の上塗り層が、それぞれ、前記本来の被膜よりも低い化学反応性、前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、及び前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱を提供するように、
形成することをさらに含む請求項１０５記載の方法。
【請求項１０７】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する領域にわたって光を反射する層を形成すること、並びに
前記光を反射する層にわたって、マグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む上塗りゲッター層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項１０８】
前記上塗りゲッター層は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層に重なる請求項１０７記載の方法。
【請求項１０９】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する及び光を遮断する領域にわたって光を反射する層を形成すること、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記光を反射する層にわたって、マグネシウム、クロム、コバルト、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、及びニッケルの少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つ並びに鉛を含む上塗りゲッター層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項１１０】
前記提供する行為は、前記光を遮断する領域における開口に主として位置させられる前記光を放出する領域を伴って、前記プレートから前記光を放出する領域よりもさらに遠くへ延びるために前記光を遮断する領域を形成することを必然的に伴い、
前記上塗りゲッター層を形成する行為は、前記ゲッターの材料が、実質的に、前記光を遮断する領域における前記開口において前記光を放出する領域に重なる前記光を反射する層の材料への途中までのみ、前記光を反射する層にわたって蓄積するように、前記プレートに対しておおむね垂直な延びる線に対して非ゼロの傾斜角で前記光を反射する層にわたってゲッターの材料を堆積させることを必然的に伴う請求項１０９記載の方法。
【請求項１１１】
前記上塗りゲッター層を形成する行為は、前記光を放出する領域の主として全てより上の前記光を反射する層にわたって前記ゲッターの材料を堆積させることを必然的に伴う請求項１０９記載の方法。
【請求項１１２】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を放出する領域にわたって、おおむね可視光に透過性の下塗り層を形成すること、及び
前記光を放出する領域より上の前記下塗り層にわたって、光を反射する層を、
前記下塗り層が、前記光を反射する層が化学反応を被ることを、
仮想のアルミニウム層に沿って形成される酸化アルミニウムの仮想の本来の被膜が、前記アルミニウム層が前記本来の被膜とのその界面に沿って化学反応を被ることを、阻害するよりも、
強く阻害するように、
形成すること、
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
それは、前記下塗り層に最も接近する方法。
【請求項１１３】
前記下塗り及び光を反射する層より上の前記光を反射する層にわたって、
（ａ）電子が前記上塗り層より上から前記上塗り層に衝突するのとおおむね同じエネルギー及びおおむね同じ角度で電子が前記本来の被膜に衝突するときに前記本来の被膜よりも低い化学反応性、
（ｂ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの二次電子放出、並びに
（ｃ）前記本来の被膜よりも低い単位面積当たりの電子の後方散乱、
の少なくとも一つを提供する上塗り層を形成することをさらに含む、請求項１１２記載の方法。
【請求項１１４】
前記光を反射する層は、アルミニウムを含み、
実質的に酸化アルミニウムが、前記下塗り及び光を反射する層の間に形成されないように、前記プレート及び重なる材料が、前記形成する行為の間で前記真空から前記プレート及び重なる材料を取り除くことなく、真空にあると同時に、前記形成する行為は、行われる請求項１１２又は１１３記載の方法。
【請求項１１５】
（ａ）プレートにわたって光を放出する領域を、及び（ｂ）前記光を放出する領域に対しておおむね側方の前記プレートにわたって光を遮断する領域を、前記光を遮断する領域が、おおむね可視光に非透過性であるように、提供すること、
前記光を遮断する領域にわたって、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、白金、鉛、並びにマグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、及び鉛の少なくとも一つの酸化物の少なくとも一つを含む下塗りゲッター層を形成すること、並びに
前記光を遮断する領域より上の前記ゲッター層にわたって光を反射する層を形成すること
を含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性である方法。
【請求項１１６】
前記提供する行為は、前記光を遮断する領域における開口に主として位置させられる前記光を放出する領域を伴って、前記プレートから前記光を放出する領域よりもさらに遠くへ延びるために前記光を遮断する領域を形成することを必然的に伴い、
前記下塗りゲッター層を形成する行為は、前記プレートにおおむね垂直な延びる線に対して非ゼロの傾斜角で前記光を遮断する領域にわたってゲッターの材料を、前記ゲッターの材料が、前記光を遮断する領域における前記開口において前記光を放出する領域への途中までのみ蓄積するように、堆積させることを必然的に伴う請求項１１５記載の方法。
【請求項１１７】
前記上塗り層は、前記光を放出する領域より上に延びる請求項４２乃至４４いずれか１項記載の構造。
【請求項１１８】
前記上塗り層は、前記光を放出する及び光を遮断する領域より上に延びる請求項１４乃至３９及び４１乃至４４いずれか１項記載の構造。
【請求項１１９】
前記上塗り層は、前記光を遮断する領域より上に、及びわずかに部分的に前記光を放出する領域より上に延びる請求項１４乃至３９及び４１乃至４４いずれか１項記載の構造。
【請求項１２０】
前記上塗り層は、前記光を放出する及び光を遮断する領域より上に延びる請求項４５乃至６７及び６９いずれか１項記載の構造。
【請求項１２１】
前記上塗り層は、前記光を遮断する領域より上に、及びわずかに部分的に前記光を放出する領域より上に延びる請求項４５乃至６７いずれか１項記載の構造。
【請求項１２２】
前記下塗り層は、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項７９乃至８５いずれか１項記載の構造。
【請求項１２３】
前記光を反射する層は、また、前記光を遮断する領域にわたって延びる請求項４２乃至４４、７０乃至７４、及び７９乃至８５いずれか１項記載の構造。
【請求項１２４】
前記光を遮断する領域は、可視光を吸収する請求項１乃至９０いずれか１項記載の構造。
【請求項１２５】
前記光を遮断する領域は、前記プレートに垂直な見ると前記光を放出する領域を実質的に側方に囲む請求項１乃至９０いずれか１項記載の構造。
【請求項１２６】
前記プレートに重なる少なくとも一つの付加的な光を放出する領域をさらに含み、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
各々の光を放出する領域は、互いに光を放出する領域から側方に空間を隔てられ、
前記光を遮断する領域は、前記プレートに垂直な見ると各々の光を放出する領域を側方に囲み、
前記光を反射する層は、各々の付加的な光を放出する領域より上に延びる請求項１乃至９０いずれか１項記載の構造。
【請求項１２７】
前記上塗り層を形成する行為は、前記光を放出する及び光を遮断する領域の少なくとも一つより上に延びるために前記上塗り層を形成することを含む請求項９８乃至１０１いずれか１項記載の方法。
【請求項１２８】
前記上塗り層を形成する行為は、前記光を放出する及び光を遮断する領域の両方より上に延びるために前記上塗り層を形成することを含む請求項９８乃至１０１いずれか１項記載の方法。
【請求項１２９】
前記上塗り層を形成する行為は、前記光を放出する及び光を遮断する領域の少なくとも一つより上に延びるために前記上塗り層を形成することを含む請求項１０５又は１０６記載の方法。
【請求項１３０】
前記上塗り層を形成する行為は、前記光を放出する及び光を遮断する領域の両方より上に延びるために前記上塗り層を形成することを含む請求項１０５又は１０６記載の方法。
【請求項１３１】
前記上塗り層を形成する行為は、前記光を遮断する領域にわたって延びるために前記下塗り層を形成することを含む請求項１１２又は１１３記載の方法。
【請求項１３２】
前記光を反射する層を形成する行為は、前記光を遮断する領域にわたって延びるために前記光を反射する層を形成することを含む請求項９２、９３、９８乃至１０１、１０５乃至１０８、１１２、及び１１３いずれか１項記載の方法。
【請求項１３３】
前記提供する行為は、可視光を吸収すると共に前記プレートに垂直な見ると前記光を放出する領域を実質的に側方に囲む材料を含むために前記光を遮断する領域を提供することを必然的に伴う請求項９２、９３、９６乃至１０１、１０５乃至１１３、１１５、及び１１６いずれか１項記載の方法。
【請求項１３４】
前記提供する行為は、
（ａ）各々の光を放出する領域が、互いに光を放出する領域から側方に空間を隔てられるように、前記プレートにわたって少なくとも一つの付加的な光を放出する領域を提供すること、及び
（ｂ）前記プレートに垂直な見ると各々の光を放出する領域を側方に囲むために前記光を遮断する領域を提供すること
を必然的に伴い、
前記プレートは、おおむね可視光に透過性であり、
前記光を反射する層を形成する行為は、各々の付加的な光を放出する領域より上に延びるために前記光を反射する層を形成することを含む
請求項９２、９３、９６乃至１０１、１０５乃至１１３、１１５、及び１１６いずれか１項記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［エネルギーを減少させる光を反射する層］
図３及び４は、それぞれ、電子を放出するデバイス４０及び電子エネルギーの損失を減少させるために本発明によって構成された反対に位置していた発光素子４２を有するフラットパネルＣＲＴディスプレイの活性領域の一部の側面及び平面図の断面を図説する。デバイス４０及び４２は、高い真空、典型的にはわずかに１０−６トールの内圧で維持された封止した封入物を形成するために、外壁（示してない）を通じて互いに接続される。図４の平面図の断面は、封止した封入物を通じて側方に延びる平面に沿った発光素子４２の方向に取られる。よって、図４は、主として、発光素子４２の活性部分の一部の平面図を与える。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
光を反射する層６０を、黒色のマトリックス５８及び領域６２にわたって堆積させる。どのようにして層６０を構成すると共に形成することができるかに依存して、リチウム、ベリリウム、ホウ素、ナトリウム、及びマグネシウムの一つ以上からなる光を反射する材料を、しばしばアルミニウムとの組み合わせで、蒸発、スパッタリング、溶射、及びＣＶＤのような技術によって堆積させることができる。層６０の堆積は、ＣＶＤ用に数トールから下へ蒸発又はスパッタリング用に１０−６トール以下（高い真空）まで変動する低い圧力で適切な堆積チャンバーにおいて行われる。層６０が、サブ層６０Ｌ及び６０Ｕのような二つ以上のサブ層からなるとき、多数の堆積のステップが行われる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
上塗り層７２は、ここでは、光を反射する層７０にわたって、特に、層７０の上側の面に沿って延びる寄生の酸化物層に堆積される。上塗り層７２の所望の地盤及び構成に依存して、単数又は複数の上塗り材料の堆積を、蒸発、スパッタリング、溶射、ＣＶＤ及び電気泳動／誘電泳動の堆積のような様々な技術によって、行うことができる。層７２の堆積は、ＣＶＤに関する数トールから蒸発又はスパッタリングに関する１０−６トール以下まで（高い真空）の範囲にわたる低い圧力で適切な堆積チャンバーにおいて行われる。層７２が、層７２Ｌ及び７２Ｕ又は層７２Ｌ、７２Ｉ、及び７２Ｕのような多層からなるとき、多数の堆積のステップが、行われる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2004524662.tif 000280
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2004524662.tif 000281
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2004524662.tif 000282
【国際調査報告】
2004524662.tif 000283