(57)【要約】少なくとも１つの化学エッチング形状を備えるポリイミド基板を有するフレキシブル回路であって、かかるエッチング形状が、所定の傾き角を有する側壁を有する。１０〜７０度の所定の傾きを有するエッチング形状を作製することが可能である。好ましくは、前記フレキシブル回路は、そのポリマー主鎖中に多数のエステル基を含有するポリアミック酸から形成された。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの化学エッチング形状を備えるポリイミド基板を有するフレキシブル回路であって、かかるエッチング形状が、所定の傾き角を有する側壁を有し、前記ポリイミドが、化学エッチング剤に暴露される時に５０容量％未満、膨張する、フレキシブル回路。
【請求項２】
前記ポリアミック酸が、少なくとも２５％のエステル基を含有する、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項３】
前記ポリアミック酸が、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）モノマー（ＴＭＨＱ）である、請求項２に記載のフレキシブル回路。
【請求項４】
前記ポリイミド基板が、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、ヒドロキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンジアミン、および４，４”−ジアミノジフェニルエーテルを有機溶剤中で反応させた時に得られたポリアミック酸から形成された、請求項３に記載のフレキシブル回路。
【請求項５】
前記傾き角が、１０度〜７５度である、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項６】
前記傾き角が、１０度〜６０度である、請求項５に記載のフレキシブル回路。
【請求項７】
所定の傾きの側壁を有する少なくとも第１および第２の化学エッチング形状を含むポリイミド基板を有し、前記第１の形状の前記側壁の前記所定の傾きが、前記第２の形状の前記側壁の前記所定の傾きと異なっている、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項８】
前記化学エッチング形状の少なくとも１つが、少なくとも１つの側壁を有し、各側壁が、少なくとも２つの異なる所定の傾きを有する、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項９】
前記表面処理が、ガスプラズマ処理およびコロナ処理からなる群から選択される、請求項１、５、７または８の何れか１項に記載のフレキシブル回路。
【請求項１０】
多数の化学エッチング形状を有する、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項１１】
前記化学エッチング形状が、スルーホールおよびブラインドビアから選択される、請求項１に記載のフレキシブル回路。
【請求項１２】
フレキシブル回路を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、および水酸化セシウムからなる群から選択されたエッチング溶液中に置く工程を含む、かかるエッチング形状が所定の傾き角を有する側壁を有する、請求項１に記載のフレキシブル回路、の形成方法。
【請求項１３】
前記エッチング溶液が、３０重量％〜５０重量％の濃度を有する、請求項１２に記載のフレキシブル回路形成方法。
【請求項１４】
コロナ処理およびプラズマ処理からなる群から選択された表面処理工程をさらに含む、請求項１３に記載のフレキシブル回路形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書の開示は一般に、フレキシブル回路に関し、より詳しくは、所定の側壁角度を有するビアを有するフレキシブル回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミドフィルムは通常、フレキシブル回路用の基板として用いられる。かかる基板のパターン化は主に、機械的打ち抜きまたは孔あけ、レーザーアブレーションおよび化学エッチングなどの工程段階によって達成される。ビアまたはスルーホールなどのエッチング形状は一般に、配線のためにフレキシブル回路に存在している。
【０００３】
特許文献１には、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、ヒドロキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンジアミンおよび４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを有機溶剤中で反応させた時に得られたポリアミック酸から形成されたポリイミドフィルムが開示されている。前記フィルムは、高い弾性率、高い伸びおよび低い線膨張率および吸湿による膨張率を有する。
【０００４】
前記形状の側壁は、前記形状を形成するために物理的または化学的な方法が用いられるかどうかによって、異なる傾きを示す。例えば、打ち抜きまたは孔あけは基本的に、平行な側壁を提供する。レーザーアブレーションは特定の傾きを提供することができるが、実施するのに非常に費用がかかる。化学エッチングは、角度のある側壁の傾きを有する形状を提供する。例えば、普及している市販のポリイミド、カプトン（Ｋａｐｔｏｎ）（商標）の側壁の傾きは、フォトレジストマスクを用いて、化学エッチングされる時に約２０〜３０度である。しかしながら、ポリイミドの制御されない膨張など、様々な問題が原因で、フォトレジストマスクで化学エッチングするとき、角度を制御または変えることが非常に難しい。コロナおよびプラズマエッチングなどの表面処理もまた、ポリイミドをエッチングし、浅い角度を達成するために用いられる。しかしながら、表面処理は、約１５％より大きいポリイミドの角度を形成することに成功していない。
【０００５】
用途に応じて、化学エッチングによって通常得られるポリイミドビア傾き角とは大きく異なるポリイミドビア傾き角が望ましい。例えば、より大きな剛性が必要とされるか、またはエッチ形状が別の部分と接続しなければならない場合、浅い角度が望ましいことがある。あるいは、トレース密度が高いかまたは回路のより大きな可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）が望ましい場合、急なビア角度が望ましいことがある。
【０００６】
基板が特定のポリイミド基板から形成されたフレキシブル回路を、制御された手段によって化学エッチングして、所定の傾きの側壁を有するエッチング形状を形成することができることが発見された。
【０００７】
さらに、異なる所定の傾きの側壁を有する多数のエッチング形状が存在ように、基板を制御された手段によって化学エッチングしたフレキシブル回路が形成されてもよい。
【０００８】
同様に、かかるポリイミド基板から形成されたフレキシブル回路は、従来のポリイミド基板に関して見られるようにエッチが行われる時に、制御されない膨張を示さない。
【０００９】
フレキシブル回路はまた、１つのエッチング形状が、２つの異なる傾きを有する少なくとも１つの側壁を有するところで形成される。
【特許文献１】
ＷＯ  ００／１１０６６号パンフレット
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、少なくとも１つの化学エッチング形状を備えるポリイミド基板を有するフレキシブル回路を提供し、かかるエッチング形状が、所定の傾き角を有する側壁を有する。
【００１１】
本発明はさらに、ポリイミド基板を有し、かつ少なくとも１つの化学エッチング形状を含む、フレキシブル回路の形成方法を提供し、かかるエッチング形状が、所定の傾き角の側壁を有する。
【００１２】
より具体的には、本発明は、１５度〜７５度の予め選択された傾き角の側壁を有する少なくとも１つの化学エッチング形状を含むポリイミド基板を有するフレキシブル回路を提供する。
【００１３】
本発明はさらに、所定の傾きの１つ以上の側壁を有する少なくとも第１および第２の化学エッチング形状を含むポリイミド基板を有するフレキシブル回路を提供し、第１の形状が第２の形状の所定の傾きとは異なる所定の傾きを有する。第１および第２の形状と同一または異なる所定の側壁の傾きを有する、より多くの形状が、複数含まれてもよい。
【００１４】
１つのエッチング形状が第１の側壁および第２の側壁を有し、各側壁が、異なる所定の傾きを有する、フレキシブル回路もまた、形成されてもよい。
【００１５】
本発明のフレキシブル回路のポリイミド基板が、エステル基を含有する少なくとも１つのポリアミック酸から形成されたポリイミドを含む。有用なモノマーの１つは、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）モノマー（ＴＭＨＱ）である。他の有用なモノマーには、１，３−ジフェノールビス（アンヒドロ−トリメリテート）、１，４−ジフェノールビス（アンヒドロ−トリメリテート）、エチレングリコールビス（アンヒドロ−トリメリテート）、ビフェノールビス（アンヒドロ−トリメリテート）、オキシ−ジフェノールビス（アンヒドロ−トリメリテート）、ビス（４−ヒドロキシフェニルスルフィド）ビス（アンヒドロ−トリメリテート）、ビス（４−ヒドロキシベンゾフェノン）ビス（アンヒドロ−トリメリテート）、ビス（４−ヒドロキシフェニルスルホン）ビス（アンヒドロ−トリメリテート）、ビス（ヒドロキシフェノキシベンゼン）、ビス（アンヒドロ−トリメリテート）、１，３−ジフェノールビス（アミノベンゾエート）、１，４−ジフェノールビス（アミノベンゾエート）、エチレングリコールビス（アミノベンゾエート）、ビフェノールビス（アミノベンゾエート）、オキシ−ジフェノールビス（アミノベンゾエート）、ビス（４−アミノベンゾエート）ビス（アミノベンゾエート）などがある。
【００１６】
他のタイプのポリイミドがエッチングされるとき、それらは、エッチングされる毎に同じ傾きを提供し、傾きを変えるか、または望ましい傾きを予め決めることが可能ではない。さらに、電子パッケージングに従来用いられるポリイミドは、エッチングの間に非常に膨張しやすく、それは、エッチ深さおよび角度の制御をよくても困難にする。本発明の回路に有用な好ましい基板は、フレキシブル回路をエッチングするために一般に用いられる化学エッチング剤に暴露されるとき、５０容量％（５０％）を超えて膨張しない。
【００１７】
本発明はまた、少なくとも１つの化学エッチング形状を上に備えるポリイミド基板を有するフレキシブル回路を提供し、かかるエッチング形状が、所定の傾き角を有する側壁を有する。
【００１８】
本明細書中で用いるとき、これらの用語は、以下の意味を有する。
【００１９】
１．用語「エッチング形状」（ｅｔｃｈｅｄ  ｆｅａｔｕｒｅ）、および「化学エッチング形状」（ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ  ｅｔｃｈｅｄ  ｆｅａｔｕｒｅ）は同義であり、化学浴中で少なくとも１つの層の少なくとも一部分をエッチングすることによってフレキシブル回路の１つ以上の層中に形成される、窪み、ビア、孔などを意味する。
【００２０】
２．用語「側壁」（ｓｉｄｅｗａｌｌｓ）は、基板の１つ以上の層をエッチングすることによって形成された窪みまたは孔形状の側面を指す。側壁の数がエッチング形状の幾何学的形状によって変化することが指摘されるべきである。例えば、円形のエッチング形状は、１つだけの側壁を有し、それらは、１つ以上の傾き角してもよい。正方形は４つの側壁を有し、それらは各々、１つ以上の傾き角を有してもよい。
【００２１】
３．用語「傾き角」（ｓｌｏｐｅ  ａｎｇｌｅ）は、エッチング形状の下部からエッチング形状の最上部までの測定された角度を指す。
【００２２】
本明細書に記載したすべてのパーセンテージ、比および量は、重量に基づいている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の方法で用いたポリイミドフィルムは、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、ヒドロキシジフタル酸二無水物、ｐ−フェニレンジアミンおよび４，４”−ジアミノジフェニルエーテルを有機溶剤中で反応させた時に得られたはポリアミック酸から製造される。ポリイミドフィルムは、一般的な合成法によって調製されたポリアミック酸から製造される。
【００２４】
ポリアミック酸を合成するために用いて本発明の回路およびプロセスに有用なフィルムを形成することができる酸無水物の実施例には、ポリマー主鎖（ｍａｉｎ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｃｈａｉｎ）、または「主鎖（ｂａｃｋｂｏｎｅ）」に少なくとも１つのエステル鎖を有する酸無水物が挙げられる。有用なポリアミック酸は、少なくとも２５％のエステル基を含有する。１つの実施例はＴＭＨＱであり、それは以下の構造を有する。
【化１】
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他のモノマーには、ＰＤＡ、ＯＤＡ、ピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）などがある。これらのタイプのモノマーは、カプトン（Ｋａｐｔｏｎ）（登録商標）、アピカル（Ａｐｉｃａｌ）（登録商標）である。合成のためにモノマーが添加される順序は制限的でない。しかしながら、モノマーの少なくとも１つがエステル基を有さなくてはならない。ジアミン化合物の全モル量および酸無水物の全モル量は、ほぼ等しく、０．９５：１．０５〜１．０５：０．９５の比を有する。正確な１：１比は、これが完全な分極を起こし、それに伴って過度に高い粘度が生じるので、避けるのがよい。
【００２５】
ポリイミドフィルムの重合方法に有用な有機溶剤には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよび類似のアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのピロリドン、およびｐ−クロロフェノールおよびクレゾールなどの、フェノールといった溶剤がある。かかる溶剤は単独で用いられてもよく、またはトルエン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノールおよびエタノールなどの、ポリアミック酸を十分に溶解しない溶剤の少量を有し、望ましい溶解度に調節してもよい。
【００２６】
前記溶液をイミド化（ｉｍｉｄｉｚａｔｉｏｎ）の間にフィルム中に形成することができる。一般に、イミド化は、熱イミド化または脱水剤および／または触媒を用いる方法のどちらであってもよい。有用な脱水剤には、芳香族酸無水物および無水酢酸などの脂肪族酸無水物などがある。イミド化に有用な触媒の例には、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、トリメチルアミン、ジメチルアニリン、トリエチルアミン、イソキノリンおよび類似の第三アミン、などがある。
【００２７】
最終ポリイミドフィルムはまた、一次性質を実質的に変化させないような量で、熱劣化を妨ぐ薬剤の他、塩、充填剤などの添加剤を含有してもよい。例には、リン酸トリフェニルおよびベンゾフェノンなどがある。次に、ポリイミドフィルムを用いてフレキシブル回路を形成する。
【００２８】
所定の傾きを有する形状を得る方法の別の要素は、フィルムがエッチングされる方法、その温度、圧力で用いられた化学エッチング剤、例えば、濃縮アルカリ金属水酸化物溶液、の濃度を変えることである。有用なエッチング剤は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、および水酸化セシウムなどであるがそれらに制限されない、水溶性である濃縮塩基である。水酸化リチウム、水酸化アルミニウム、および水酸化カルシウムなどの水への低い溶解性を有する塩基は、その溶液が有用な濃度に達する前に飽和するので、本発明の方法に有用でない。エッチング剤の濃度は、３０％〜５５％、好ましくは４０％〜５０％の範囲である。本発明の方法のエッチ工程は、ポリマーフィルムのマスクのない領域を濃縮塩基エッチング剤と接触させることによって、達成される。
【００２９】
エッチング時間は、エッチングされるフィルムのタイプおよび厚さに依存し、典型的には、約１０秒〜約２０分である。好ましいエッチング剤、濃縮ＫＯＨが用いられるとき、５０マイクロメータ（２ミル）のポリイミドフィルムのエッチング時間は、約３０秒〜約１８０秒である。エッチング溶液は一般に、約５０℃（１２２°Ｆ）〜約１２０℃（２５０°Ｆ）である。
【００３０】
別の変型は、上記のとおり、角度の傾きを変えるためにプラズマ処理および／またはコロナ処理など表面処理を用いることである。表面処理剤もまた、ビアの結合性を改良するのに役立つ。レジストと基板との間の境界面の接着性は、化学エッチングする間の重要な要素である。いかなる表面汚染、欠陥、または引掻きなどの不完全性も、エッチング形状の端縁の鮮鋭度に影響を与える。プラズマなどの表面処理が汚染を清浄にし、基板の表面に非常に微細なエッチングを行うことによって、表面欠陥の一部を回復することができる。ガスプラズマ（例えば、酸素プラズマ、窒素プラズマなど）のタイプの選択が、ガスプラズマの特性のためにだけではなく、ポリマーの表面もまた、若干のガス（例えば、空気または窒素）と化学的に相互作用して表面の化学的均質性を変化および改善し、化学エッチングプロセスの間に表面の湿潤性を増大させることがあるので、重要である。
【００３１】
図１において、例えば、フレキシブル回路の一方の表面１を予備処理した。これにより、浅い角度の傾き、３を有する側壁を有するビアを作り、一方エッチングされる時に表面処理を受けなかった第２の表面２が、より急な傾き角４有する側壁を形成した。
【００３２】
図２は、フレキシブル回路に表面処理を行ったエッチング形状を有する本発明のエッチングされたフレキシブル回路の写真である。平滑な側面の角度が得られた。
【００３３】
図３は、図２のエッチング回路（ｅｔｃｈｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）と同じプロセス条件によってエッチングされたエッチングフレキシブル回路の写真であり、ただし、エッチング工程の前にいかなる種類の表面処理も行われなかった。ここでわかるように、表面の予備処理がないエッチングされたビアは、幾分粗い側壁を有し、ビア端縁がぎざぎざである。図２のエッチに用いた表面処理は角度を変化させるだけではなく、エッチングされた表面の平滑度を改善した。
【００３４】
図４は、基板上の２つのエッチング形状の写真であり、そこにおいて、一方の形状は、第２の形状の側壁の傾き角と異なる側壁の傾き角を有する。一方の形状は、約２３°の側壁の傾き角を有し、この形状は、表面プラズマ処理の後にエッチングされた。他方の形状は、４９°の側壁の傾き角を有する。この形状は、表面の予備処理をせずにエッチングされた。両方の形状が、４５％のＫＯＨ濃度および１２８℃（２００°Ｆ）のエッチング剤温度という同じ条件でエッチングされた。
【００３５】
ポリイミド基板を有するフレキシブル回路の製造方法において、手順は、個々の用途に所望の順序に変えてもよい。
【００３６】
工程の代表的な順序を、次のように記載することができる。
【００３７】
すなわち、水性加工性フォトレジストを、標準的な積層技術を用いて、ポリマーフィルム面および銅面を有する清浄な基板の両面に積層する。典型的には、基板は、２５マイクロメータ〜１２５マイクロメータのポリマーフィルム層からなり、銅層は厚さ１〜５マイクロメータである。前記基板は、ポリイミド層を銅箔上に接着し、液体ポリイミドを銅箔上に被覆するなどのいろいろな方法によって作製されてもよい。
【００３８】
フォトレジストの厚さは、３５〜５０マイクロメータである。次に、フォトレジストを、紫外線などに、マスクを通して両面に露光し、レジストの露光部分を架橋した。次に、レジストを、所望のパターンが積層体の両面に得られるまで、稀釈水溶液、例えば、０．５〜１．５％のカーボネート溶液で現像する。次に、積層体の銅面をさらに、所望の厚さにメッキする。次いで、積層体を、約５０℃〜約１２０℃の温度の濃縮塩基浴中に置き、それが、架橋されたレジストによって覆われなかったポリマーフィルムの部分をエッチングする。これは、最初の薄い銅層の特定の領域を露出する。次に、レジストを約２０℃〜約８０℃、好ましくは、約２０℃〜約６０℃のアルカリ金属水酸化物の２〜５％の溶液中で積層体の両面からストリッピングした。引き続いて、最初の薄い銅層を、ポリマーフィルムを損なわないエッチング剤、例えば、エレクトロケミカルズ社（Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｓ，  Ｉｎｃ．）から入手できるパーマエッチ（Ｐｅｒｍａ−ｅｔｃｈ）（商標）で露出した場所においてエッチングした。
【００３９】
所望に応じて、表面処理（例えば、プラズマまたはコロナ処理）を、２つの異なる時のどちらかで行うことができる。それは、レジストが基板上に積層される前に、最初に基板を清浄にした後に、行われてもよい。それはまた、フォトレジストが積層されエッチングされた後、レジストをストリッピングする前であってもよい。
【００４０】
別の方法において、水性加工性フォトレジストを、ポリマーフィルム面および銅面を有する基板の両面に、標準的な積層技術を用いて積層する。基板は、厚さ１２マイクロメータ〜１２５マイクロメータのポリマーフィルム層からなり、銅層が厚さ１２〜４０マイクロメータである。次に、フォトレジストを、紫外線などに、マスクを通して両面に露光し、レジストの露光部分を架橋した。次に、画像を、所望のパターンが積層体の両面に得られるまで、稀釈水溶液で現像する。次に、銅層を、回路を得るためにエッチングし、ポリマー層の部分をそれ故に露出した。次に、水性フォトレジストの付加的な層を、銅面上の第１のレジストの上に積層し、（銅面上の）露出したポリマーフィルム表面をさらなるエッチングから保護するために放射線源へのフラッド露光によって架橋する。次いで、架橋したレジストによって覆われていない（フィルム面の）ポリマーフィルムの領域を、約７０℃〜約１２０℃の温度の濃縮塩基でエッチングし、次に、フォトレジストを、稀釈塩基溶液で両面からストリッピングする。
【００４１】
また、この方法において、表面処理（例えば、プラズマまたはコロナ処理）を、最初に基板を清浄にした後に、レジストが基板上に積層される前に、または、フォトレジストが積層されエッチングされた後、レジストをストリッピングする前に、２つの異なる時のどちらかで行うことができる。
【００４２】
エッチング浴の前または後にフィルムを熱水に浸漬するなど、他の工程もまた含めてもよい。酸浴もまた、エッチング後の中和として用いられてもよい。
【００４３】
フレキシブル回路、「ＴＡＢ」（テープ自動化接合）プロセス用の相互接合テープ（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｔａｐｅ）、ミクロフレックス回路などの完成製品を作るために、さらに別の層を付加し、加工してもよく、銅メッキが、従来の手段によって後続のハンダ付け処置などのために金、スズ、あるいはニッケルでメッキされてもよい。
【００４４】
以下の実施例は説明に役立てることを意図するものであり、全く、請求項によってのみ表現される本発明の範囲を制限することを意図するものではない。
【実施例】
【００４５】
実施例１Ｃおよび２
カプトンＥ（Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）Ｅ）（実施例１Ｃ）の２ミルのポリイミドフィルムおよびアピカルＨＰ（Ａｐｉｃａｌ（登録商標）ＨＰ）（実施例２）の同一の試料を、同じ条件下で調製した。フォトレジストを前記試料上に積層し、その後に、標準露光および現像プロセスを行った。両方の試料を、４５％のＫＯＨおよび１９５°Ｆでエッチングした。試料をエッチング後にすすぎ洗いせず、ポリイミド基板の膨張度を示すために断面が出るように切断し、検査した。実施例１Ｃフィルムが、広範な膨張およびレジストの浮きを示し、それは時々、ポリイミドフィルムとレジストとの間の分離につながった。このような膨張は、フォトレジストの浮きが、アンダーカットおよびパターン鮮鋭度（形状寸法、側壁の傾き角）の低下を起こすので、エッチ角度を容易に制御することができない。同様に、ポリイミドの膨張がレジストの局所的な離層を起こすことがあり、それは、エッチング剤が剥離領域に移行するために凹凸のある形状をもたらすことがある。
【００４６】
実施例２のフィルムは、もしあるとしても、ほんのわずかしか膨張を示さない。ポリイミドは、比較用のポリイミドフィルム１Ｃの膨張と比較してエッチングの間に溶解した。化学エッチングの後に熱水によるすすぎ洗いをする必要がなく、エッチングされたスルーホール側壁の傾きが制御可能になる。
【００４７】
実施例３−４
アピカルＨＰ（Ａｐｉｃａｌ（登録商標）ＨＰ）として入手できるポリイミド基板を、２００Ｗ−分／ｍ２でのエアーコロナおよび８００ｎＡおよび６５ｍＴｏｒｒでの酸素プラズマの組合せによって処理した。次に、フィルムを、２００°Ｆにおいて４５％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）によって化学エッチングした。スルーホール形状は、１３度の側壁の傾きを有した。
【００４８】
第２の同一のポリイミド基板を、処理なしに化学エッチングし、６３度の側壁の傾き角が得られた。
【００４９】
さらに別の試料が、エアーコロナ処理を５０〜２００Ｗ−分／ｍ２の出力領域で単独で用いるとき、２０〜３５度のエッチング側壁角が得られたことを示した。エッチング角度は、酸素プラズマによって、エアーコロナよりもさらに狭くなった。プラズマ処理のレベルおよび時間もまた、エッチング角度に若干の影響を示した。より長い処理時間およびより高い電力は通常、エッチング側壁角を同じエッチング条件でより狭くした。
【００５０】
実施例５
エッチング剤の濃度を調節することによるビア角の変更
ポリイミド基板、アピカルＨＰ（Ａｐｉｃａｌ（登録商標）ＨＰ）を、アートワークデザインに依存して、６０〜９０秒間、２００°Ｆの４０〜５０％の範囲の異なる濃度のＫＯＨ溶液を用いて化学エッチングした。得られたエッチング角について以下の表を参照のこと。エッチング角はアートワークデザインに関係なく類似しているが、エッチング剤の濃度にのみ依存する。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
同様な実験を、主鎖と同じエステル官能価を有さないカプトンＥ（Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）Ｅ）フィルムを用いて繰り返した。エッチング濃度およびエッチング条件は、他の点では、アピカルＨＰ（Ａｐｉｃａｌ（登録商標）ＨＰ）に用いたエッチング濃度およびエッチング条件と同じである。ＫＯＨ濃度の変化によるエッチング角は、わずかである。
【００５３】
実施例６
エアーコロナ予備処理による試料のエッチング角の変化
ポリイミド基板、アピカルＨＰ（Ａｐｉｃａｌ（登録商標）ＨＰ）を、５０、１００、１５０、および２００Ｗ−分／ｍ２のエアーコロナに暴露することによって予備処理した。次に、フィルムを、アートワークデザインに依存して６０〜９０秒間、２００°Ｆの４５％のＫＯＨ溶液でエッチングした。得られたビアの側壁の傾きは、２０°±３°であり、それは、４０重量％のＫＯＨ溶液を用いて得られた角に非常に似ているが、ただし、端縁の鮮鋭度の有意の改善および側壁の実角度の、より小さい変化があった。しかしながら、前記角は、適用されたエアーコロナ予備処理のレベルに基づいて変化しなかった。
【００５４】
実施例７
エアーコロナ予備処理およびＫＯＨ濃度によるエッチング角の変化
ポリイミド基板、アピカルＨＰ（Ａｐｉｃａｌ（登録商標）ＨＰ）を、２００Ｗ−分／ｍ２のエアーコロナに暴露することによって予備処理した。次に、フィルムを、５０％のＫＯＨ溶液でエッチングした。得られたビア側壁の傾きは、３０°±３°であった。エッチングされたビア側壁は、ＫＯＨエッチングが予備処理工程なしに行われた場合よりも良い端縁の鮮鋭度を有し、試料毎の側壁の実角度の変化が、より小さかった。
【００５５】
【表２】
2004528725.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】多数の予め選択された傾き角を有する少なくとも１つの側壁を有するエッチング形状の側面図である。
【図２】エッチングした後にコロナ表面処理を有する基板上のエッチング形状の写真である。側壁の傾き角は２５度である。
【図３】エッチングした後に表面処理がない基板上のエッチング形状の写真である。側壁の傾き角は４３度である。表面の予備処理がないエッチングされたビアは幾分粗い側壁を有し、前記ビア端縁はぎざぎざである。
【図４】基板上の２つのエッチング形状の写真であり、そこにおいて、一方の形状が第２の形状の側壁の傾き角と異なる側壁の傾き角を有する。
【国際公開パンフレット】
2004528725.tif 000006
2004528725.tif 000007
2004528725.tif 000008
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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