(57)【要約】本発明の１つの実施例について簡単に述べると、集積回路が、トランジスタのソース領域に関連するトランジスタのチャネル領域上の電圧を選択的に上昇させる電圧発生器を有する。
2004503948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を有する装置であって、前記集積回路が、
ソース領域およびボディ領域を有する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタの前記ソース領域へ第１電圧を提供するために適合される第１回路と、
前記第１トランジスタの前記ボディ領域へ第２電圧を選択的に提供するために適合される第２回路であって、前記第２電圧が前記第１電圧よりも高い、第２回路と、
から構成されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第２回路は、さらに、前記第１電圧よりも少なくとも約０．４ボルト高い第２電圧を選択的に提供するために適合されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第２回路は、さらに、前記第１トランジスタが不活性状態であるときに、前記第２電圧を選択的に提供するために適合されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第２回路は、第３電圧に結合するために適合されるトランジスタを含み、前記第３電圧が前記第１電圧よりも高いことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記第２回路の前記トランジスタはゲート端子を有し、前記第２回路は、前記第２回路の前記トランジスタの前記ゲート端子に電圧を印加するために適合される基準電圧回路を含むことを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第２回路の前記トランジスタがドレイン端子を有し、前記第２回路がさらに前記トランジスタの前記ドレイン端子に前記第２電圧を提供するために適合されることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記第２電圧を選択的に提供するために適合するトランジスタからさらに構成されることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
ソース領域およびボディ領域を有する第２トランジスタと、
前記第２論理トランジスタの前記ソース領域へ第３電圧を選択的に提供するために適合される第３回路と、
前記第２トランジスタの前記ボディ領域へ第４電圧を提供するために適合される第４回路であって、前記第４電圧が前記第３電圧よりも低い、第４回路と、
からさらに構成されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記第１電圧が、前記第４電圧よりも高いことを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記第１トランジスタがｐチャネル・トランジスタであり、前記第２トランジスタがｎチャネル・デバイスであることを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記第４回路が、抵抗要素に結合された差動増幅器を含むことを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１２】
前記抵抗要素が、複数のトランジスタからなることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記集積回路が、外部電源から、前記第１電圧、前記第２電圧、および、前記第４電圧を受けるために適合されることを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１４】
前記第２回路が、さらに、前記第３電圧が上昇した場合に、実質的に一定の値で前記第２電圧を維持するために適合されることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項１５】
各々が電流輸送電極およびチャネル領域を含む第１トランジスタおよび第２トランジスタと、
第１電圧を受けて、前記第１電圧を前記第１トランジスタの前記電流輸送電極へ提供するために適合される第１回路と、
第２電圧を、前記第１トランジスタの前記チャネル領域へ提供するために適合される第２回路であって、前記第２電圧が前記第１電圧よりも高い、第２回路と、
第３電圧を受けて、前記第３電圧を前記第２トランジスタの前記電流輸送電極へ提供するために適合される第３回路と、
第４電圧を、前記第２トランジスタの前記チャネル領域へ提供するために適合される第４回路と、
から構成されることを特徴とする集積回路。
【請求項１６】
前記第２回路が、さらに、前記第２電圧を前記第１トランジスタの前記チャネル領域へ選択的に提供するために適合されることを特徴とする請求項１５記載の集積回路。
【請求項１７】
前記第３回路が、さらに、前記第３電圧を前記第２トランジスタの前記ソース領域へ選択的に提供するために適合されることを特徴とする請求項１６記載の集積回路。
【請求項１８】
前記第２回路がチャージ・ポンプを含むことを特徴とする請求項１５記載の集積回路。
【請求項１９】
第１電圧を第１トランジスタの電流輸送電極へ提供する段階と、
第２電圧を発生する段階と、
前記第２電圧を前記第１トランジスタのチャネル領域へ提供する段階と、
第３電圧を発生する段階と、
前記第３電圧を第２トランジスタの電流輸送電極へ提供する段階と、
第４電圧を第２トランジスタの前記チャネル領域へ提供する段階と、
からなることを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記第２電圧を発生する段階が、前記第１電圧よりも高い電圧を発生する段階を含むことを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記第３電圧を発生する段階が、前記第４電圧よりも高い電圧を発生する段階を含むことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記第２電圧を発生する段階が、前記第１電圧より高い前記第２電圧を上昇するために第５電圧を受ける段階を含むことを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２３】
前記第３電圧を発生する段階が、前記第４電圧が上昇する段階を含むことを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２４】
前記第２電圧を、前記第１トランジスタの前記チャネル領域から選択的に除去する段階からさらに構成されることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２５】
前記第４電圧を、前記第２トランジスタの前記チャネル領域から選択的に除去する段階からさらに構成されることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第４電圧を選択的に除去する段階が、前記第２電圧を選択的に除去する段階と実質的に同時に生じることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
チャネル領域およびソース領域を有するトランジスタ内の漏れ電流を減少する方法であって、その方法が、
第１電圧を前記トランジスタの前記ソース領域へ提供する段階と、
前記第１電圧を使用して第２電圧を発生する段階であって、前記第２電圧が前記第１電圧よりも高い、段階と、
前記第２電圧を前記トランジスタの前記チャネル領域へ選択的に印加する段階と、
からなることを特徴とする方法。
【請求項２８】
前記第２電圧を発生する段階が、第３電圧を受ける段階を含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記第２電圧を発生する段階が、第３電圧が変化するときに実質的に一定の電圧を発生する段階を含むことを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記第１電圧を提供する段階が、外部電源から電圧を受ける段階を含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３１】
集積回路を有する携帯用通信デバイスであって、前記集積回路が、
ソース領域およびボディ領域を有する第１論理トランジスタと、
前記第１論理トランジスタの前記ソース領域へ第１電圧を提供するために適合される第１回路と、および
前記第１論理トランジスタの前記ボディ領域へ第２電圧を提供するために適合される第２回路であって、前記第２電圧が前記第１電圧よりも低い、第２回路と、
から構成されることを特徴とする携帯用通信デバイス。
【請求項３２】
前記第１回路が、さらに、前記第２電圧よりも少なくとも０．４ボルト高い第１電圧を提供するために適合されることを特徴とする請求項３１記載の携帯用通信デバイス。
【請求項３３】
前記第１回路が、さらに、前記第１トランジスタが不活性状態であるときに、前記第１電圧を提供するために適合されることを特徴とする請求項３１記載の携帯用通信デバイス。
【請求項３４】
集積回路を有する携帯用通信デバイスであって、前記集積回路が、
ソース領域およびボディ領域を有する第１論理トランジスタと、
前記第１論理トランジスタの前記ソース領域へ第１電圧を提供するために適合される第１回路と、
前記第１論理トランジスタの前記ボディ領域へ第２電圧を選択的に提供するために適合される第２回路であって、前記第１電圧が前記第２電圧よりも高い、第２回路と、
から構成されることを特徴とする携帯用通信デバイス。
【請求項３５】
前記第１回路が、さらに、前記第２電圧よりも少なくとも０．４ボルト高い電圧を提供するために適合されることを特徴とする請求項３４記載の携帯用通信デバイス。
【請求項３６】
前記第２回路は、さらに、前記トランジスタが不活性状態であるときに、前記第２電圧を提供するために適合されることを特徴とする請求項３４記載の携帯用通信デバイス。
【請求項３７】
トランジスタのチャネル領域における漏れ電流を減少する方法であって、
前記チャネル領域へ電圧を選択的に印加する段階であって、前記電圧が、前記トランジスタの電流輸送電極上の電圧よりも高い、段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項３８】
前記電圧を前記トランジスタの電流輸送電極へ提供する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記電流輸送電極へ印加される前記電圧を使用して、前記チャネル領域へ印加される前記電圧を発生する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来の技術】
製造技術の進歩によって、トランジスタはかつてないほど小さい形状で製造できるようになった。例えば、フォトリソグラフィックおよびエッチング技術は、ゲート長が０．２５ミクロン（ｍ）のトランジスタを製造できるところまで向上した。トランジスタのサイズの縮小によって、半導体ダイ上の同一面積内に、より多くのトランジスタを作ることができるので、一般的にトランジスタのサイズの縮小は有益であると考えられる。
【０００２】
しかしながら、トランジスタのゲート長が短縮されるにつれて、電流輸送電極間（すなわち、ソース端子とドレイン端子との間）の距離もまた、これに比例して短縮される。その結果、これらの端子とトランジスタのゲート下方との間、しばしばチャネル領域またはボディ領域と呼ばれる、の半導体材料の量も減少する。トランジスタのチャネル領域の長さが減少すると、ドレイン端子の電界が、チャネル領域内の電流の流れによってより大きな効果を生じる。したがって、チャネル長の減少は、ソース端子とドレイン端子との間のチャネル領域にわたる電流の制御をより困難にするとともに、ソース−ドレイン間の漏れ電流（すなわち、オフ状態の電流）の総量の増加を導く。
【０００３】
この漏れ電流に向けられた技術は、電流輸送電極の周りに環状のインプラントの使用を伴う。しかしながら、かかる技術は、しばしば追加の製造段階を伴うので、製造工程の複雑化や費用の増加を招く。したがって、トランジスタの電流輸送電極間の漏れ電流を減少させる要求が依然として存在する。
【０００４】
本発明の主題は、特許請求の範囲において特に指摘され、明確に主張されている。しかしながら、動作の構成や方法、そして、それらの目的、特徴、および利点に関する発明は、後述の詳細な説明および添付図面を参照することにより、さらによく理解されるであろう。
【０００５】
図面の単純化および明確化のために、図中に示す要素は必ずしも同一寸法で描かれていないことを理解されたい。例えば、いくつかの要素の寸法は、明確化のために他の要素に比べて拡大されている。さらに、適当であると思料される場合には、参照番号は、対応または類似する要素を示す図の間で繰り返し用いられる。
【０００６】
【実施例の詳細な説明】
以下の詳細な説明において、多数の特定された詳細な記述は、本発明を完全に理解するために記されたものである。しかしながら、本発明は、かかる特定の記述がなくても実行できることが、当業者には理解されるであろう。換言すれば、周知の方法、手順、装置、および回路が詳細な説明に記述されていないとしても、それによって本発明が不明瞭にはならない。本説明において”＃”の記号は、信号の論理補数を示すために使用されることに注意されたい。例えば、ＢＬが論理”１”の場合、ＢＬ＃は論理”０”となるが、本発明はいかなる特定の信号体系にも限定されない。
【０００７】
図１は、本発明に従って実施例１００を示す。実施例１００は、移動通信装置（例えば、携帯電話）、携帯用コンピュータ、あるいはそれらと同等の携帯装置から構成される。しかしながら、本発明の範囲は、これらの応用に限定されない。
【０００８】
実施例１００は、例えばマイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）のようなメモリ・アレイ、またはそれと同等のもので構成される集積回路１０を含む。しかしながら、本発明の範囲は、これらの例に限定されるものではないと理解される。集積回路１０は、例えばシリコンの基板に形成されたトランジスタ２０，３０で構成されるが、本発明の範囲はこれに関しても限定されない。
【０００９】
トランジスタ２０，３０は、それぞれゲート電極２３，３３を含み、それらは、トランジスタ２０，３０が動作している間に、チャネル領域２４，３４を横切る電流の流れを調整するために使用される。本発明の範囲を限定することを意図するものではないが、チャネル領域２４は基板１５の部分を含み、そこでトランジスタ２０の電流輸送電極２１−２２間に電流が流れる。さらに、チャネル領域３４は、Ｎ型ウェル３５から構成され、そこでトランジスタ３０の電流輸送電極３１−３２間に電流が流れる。一般的に述べると、チャネル領域２４，３４は、それぞれ電流輸送電極２１−２２および３１−３２間のゲート２３，３３の下方にあるトランジスタ２０，３０の部分である。チャネル領域２４，３４はまた、当業者からボディ領域と呼ばれる。
【００１０】
ある実施例では、トランジスタ３０は、Ｎウェル領域３５内に形成されたｐチャネル・トランジスタから構成され、一方、トランジスタ２０は、ｐ型基板１５内に形成されたｎチャネル・トランジスタから構成される。この配置は、集積回路１０が、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）回路で構成される場合に望ましい。しかしながら、本発明の範囲は、トランジスタ２０，３０の電気的性質により、あるいはトランジスタ２０，３０が形成される材料のタイプによって限定されないことが理解されるべきである。例えば、他の実施例によれば、ウェル領域３５の使用は随意であり、基板１５は、エピタキシャル層、フィールド酸化領域等の多様な材料から構成される。例えば、トランジスタ２０，３０は、ツイン・ウェル、またはＮ型基板内のＰウェルで形成される。さらに、基板１５は、シリコンにより構成される必要はなく、例えば、半導体オン絶縁体（ＳＯＩ： ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）等の他の半導体材料が使用できる。
【００１１】
トランジスタ２０，３０は、集積回路１０の全てのまたはいくつかのトランジスタが非導通モード（すなわち、少なくともいくつかのトランジスタが不活性モードであり、それらのゲート端子上に駆動された実効電圧を有しない）の場合に、集積回路１０の漏れ電流を減少するために使用される。図１に示す２個のトランジスタは、本発明の範囲を限定するものではない。集積回路１０は、如何なる数のトランジスタまたはサブ回路でも構成できることが理解されるべきである。以下の説明は、一般的にトランジスタが複数、例えば２個またはそれ以上である回路またはサブ回路に関する。しかしながら、１個のトランジスタからなる回路またはサブ回路もあることが理解されるべきである。さらに、いくつかの実施例において、回路は、他の回路またはボンディング・パッドのノードによって提供される電圧レベルまたは論理信号に関する。
【００１２】
この特定の実施例において、例えば、Ｖｓｓｓｕｐ電圧４０、Ｖｃｃｐ電圧４１、Ｖｃｃ電圧４２の３つの電圧は、選択的にトランジスタ２０，３０の部分に印加され、チャネル領域２４，３４における漏れを減少させる。図１に示すように、電圧４０−４２は、集積回路１０の外部にある電源に結合されたパッドによって提供される。しかしながら、これは、本発明の範囲の限定を意図するものではなく、電圧４０−４２は、集積回路１０の内部に位置する電源から（すなわち、チャージ・ポンプまたは電圧分離器から）提供することができる。さらに、他の実施例において、電圧４０−４２は、他の回路のノード（図示せず）によって、または、集積回路（１０）の他の部分から提供される電圧を表す。
【００１３】
図１に示すように、電圧（すなわち、Ｖｓｓｓｕｐ４０）は、チャネル領域２４に印加されるが、それは、トランジスタ２０のソース領域２１上の電圧（すなわち、Ｖｓｓ電位）よりも低い値である。ソース領域２１に対してチャネル領域２４を逆方向にバイアスすることによって、トランジスタ２０のチャネル領域における漏れ電流が減少される。以下でより詳細に説明するが、Ｖｓｓ発生器６０は、Ｖｓｓｕｐ電圧４０を上昇させることによって、Ｖｓｓ電圧をソース領域２１に提供するために使用される。
【００１４】
さらに、Ｖｓｓｕｐ発生器５０は、チャネル領域３４に電圧（すなわち、Ｖｃｃｓｕｐ）を提供するために使用されるが、その電圧はトランジスタ３０のソース領域３１に印加される電圧よりも大きい。これが、チャネル領域３４における漏れの総量を減少させる。本発明の範囲は、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０およびＶｓｓ発生器６０の両方を有する集積回路に限定されるものではないと理解されるべきである。他の実施例では、２つの回路のうちの１つのみが使用される。
【００１５】
図２に関し、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０を動作させるための２つの技術が提供される。図２は、２つの回路を示すが、これらは、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０を提供するために、単独でも組み合わせても使用できる。しかしながら、本発明の範囲は、これらの特定の技術に限定するものではないと理解されるべきであり、他の実施例では、例えばチャージ・ポンプ、ｄｃ−ｄｃコンバータ等の他の技術を使用することができる。ある実施例では、トランジスタ８２がＶｃｃｓｕｐ発生器５０として使用され、ＶｃｃｓｕｐとしてＶｃｃｐ電圧４１を提供する。図２においてＥ２と表示されたイネーブル信号は、トランジスタ８２の動作を可能にし制御するために使用され、それによって、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０がＶｃｃｓｕｐと表示された電圧を選択的に提供する。この特定の実施例において、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０によって提供された電圧は、実質的にはＶｃｃｐ電圧４１と等しいが、これは本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【００１６】
イネーブル信号Ｅ２は、集積回路１０が不活性またはスタンバイ・モードであるときに活性化される。集積回路１０の部分がスタンバイ・モード（すなわち、論理トランジスタ２０，３０）であるときに、電圧をチャネル領域３４（図１参照）へ印加することが望ましく、これが漏れ電流の総量を減少させる。他の実施例では、トランジスタ８２を作成することが望ましく、その結果、そのトランジスタは、集積回路１０のトランジスタよりも高い電圧耐性を有する。これは、例えば、集積回路１０のトランジスタのゲート酸化物と比べて、トランジスタ８２のゲート酸化物の厚みを増すことによって達成することができる。他の実施例では、ｎチャネル・トランジスタ（図示せず）が、トランジスタ８２の位置に使用される。
【００１７】
一方、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０は、トランジスタ８１（図２参照）のゲートに結合された基準電圧回路６５から構成される。図３は、基準電圧回路６５を実施するための一例を説明するために提供されるが、この特定の実施によって、本発明の範囲が限定されるものではない。図示のように、トランジスタ９１，９４，９９は、基準ブートストラップ回路に結合された基準抵抗要素を操作することができる。例えば、トランジスタ９２，９３，９５，９６を構成するブートストラップ回路は、トランジスタ８１のゲートへ印加される出力電圧を提供することができる。トランジスタ８１のゲート端子に印加された電圧は、少なくともある程度は、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０によって提供される電圧を決定する。他の実施例において、トランジスタ９２，９３，９５，９６は、厚いゲート酸化物トランジスタとして作られることが望ましく、これによって、スパイク電圧の場合、あるいは、例えば電源投入シーケンス中のように、Ｖｃｃｐ電圧４１がＶｃｃよりも非常に高い場合においてダメージを受けるリスクを軽減する。
【００１８】
図２に示すように、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０は、さらにイネーブル・トランジスタ８０を含み、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０の出力電圧、すなわちＶｃｃｓｕｐ電圧としてトランジスタ８１により提供される電圧に選択的に結合する。Ｅ１と表示されたイネーブル信号は、いつトランジスタ８１がＶｃｃｓｕｐ電圧を提供するのかを決定するために使用される。
【００１９】
実施例１００（図１参照）の操作の間、図２でＡＣＴＩＶＥ＃と表示された信号は、全てまたは一部の集積回路１０がいつスタンバイまたは不活性モードに入ればよいのかを示すために使用されるが、本発明の範囲は、この例に限定されない。その結果、イネーブル信号Ｅ１は、ＡＣＴＩＶＥ＃信号を反転することによって発生し、その結果、トランジスタ８９がオフのときに、トランジスタ８０がオンになる。これとは反対に、集積回路１０がスタンバイあるいは低漏れモードでないときは、イネーブル信号Ｅ１，Ｅ２が無効化され、かつ、ＡＣＴＩＶＥ＃信号が有効化され、その結果、Ｖｃｃｓｕｐ電圧がトランジスタ８９によってＶｃｃへ運ばれ、こうして、トランジスタ２０，３０を正常に操作することができる。
【００２０】
ＡＣＴＩＶＥ＃信号が無効化され、かつ、イネーブル信号Ｅ１が有効化されたとき（すなわち、集積回路が不活性モードであることを示す）、基準電圧回路６５はＶｃｃｓｕｐ電圧を上昇させ、その結果、チャネル領域３４（図１参照）に印加される電圧は、ソース領域３１上の電圧よりも高くなる。この特定の実施例において、Ｖｃｃｓｕｐ電圧は、Ｖｃｃｐ電圧４２よりも少なくとも０．４ボルト高い。しかしながら、本発明の範囲はこの実施例に限定されないと理解されるべきであり、電圧差は要望に応じて増減可能である。
【００２１】
オプションとして、基準電圧回路６５は、ＲＥＳＥＴ＃・ＡＣＴＩＶＥ信号に結合されたトランジスタ９７，９８を含む。ＲＥＳＥＴ＃・ＡＣＴＩＶＥ信号が活性化されるとき（すなわち、コア・トランジスタ２０，３０が活性であることを示す）、トランジスタ９１，９８は、トランジスタ９６のドレイン上の電圧を上昇せしめ、トランジスタ９２，９３，９５，９６から構成されるブートストラップ回路が、ゼロ電流状態の解決を図れないリスクを軽減する。
【００２２】
Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０に関するこの特定の実施例の１つの利点は、Ｖｃｃｐ電圧４１がたとえ変化しても、トランジスタ８１が、Ｖｃｃｓｕｐに実質的に一定の電位を提供できることである。一方、Ｖｃｃｓｕｐ発生器５０を実施するためにトランジスタ８２を使用することは、図３に示す特定の実施例よりも複雑でなく、より小さな表面領域に形成することができるので有利である。さらに、同一の集積回路内で両方の実施例を使用することもまた望ましい。
【００２３】
図１に示すように、実施例１００はまた、必要によりＶｓｓ発生器６０を含んでもよい。Ｖｓｓ発生器６０を実施するための２つの特定の技術を図２に示す。しかしながら、これらの特定の実施例により本発明の範囲が限定されることがないと理解されるべきである。例えば、１つの技術において、Ｖｓｓ発生器６０は、Ｖｓｓｓｕｐ電圧４０を「フロート・アップ（ｆｌｏａｔ−ｕｐ）」するトランジスタ８３，８４で構成される。図示のように、Ｖｓｓ発生器６０はまた、Ｅ４と表示されたイネーブル信号によって制御されるイネーブル・トランジスタ８５を含む。例えば、集積回路１０が低漏れまたは不活性モードである場合は、トランジスタ８５が有効化され、その結果、トランジスタ８３−８４が、Ｖｓｓｓｕｐ電圧４０よりも高いＶｓｓ電圧を提供する。
【００２４】
この特定の実施例において、Ｖｓｓ電圧は、Ｖｓｓｓｕｐ電圧４０より少なくとも０．４ボルト高い。しかしながら、本発明の範囲は本実施例に限定されないと理解されるべきである。チャネル領域２４に印加される電圧と、これに対応するソース領域２１との電圧差は、例えば、トランジスタ８３，８４を異なった大きさにすることにより、要望に応じて変更可能である。この特定の実施例におけるトランジスタ８３，８４の使用は、Ｖｓｓｓｕｐ電圧４０より高いほぼ２つのＶｔ（閾値電圧）であるＶｓｓ電圧を提供する。しかしながら、低い閾値電圧の装置を使用する他の実施例よって、本発明の範囲が限定されることを意図するものではないと理解されるべきである。一方、本発明の範囲は、２つのトランジスタを使用する実施例に限定されず、他の実施例において、１または複数のトランジスタの使用が可能である。
【００２５】
一方、Ｖｓｓ発生器６０は、帰還回路６１を伴って提供される（図２参照）。本発明の範囲はこの特定の配置に限定されないが、図４はトランジスタ８６に結合された差動増幅器４５および抵抗要素Ｒ１，Ｒ２を使用する帰還回路６１の実施例として提供される。図４に示すように、差動増幅器４５はトランジスタ１０２−１０６を伴って実施され、抵抗要素Ｒ１，Ｒ２は直列のトランジスタ１００によって提供される。トランジスタ２０，３０（図２参照）による電流の消費によって、Ｖｓｓ電圧がＶｓｓｓｕｐ電圧４０よりも上昇する。帰還回路６１は、Ｖｓｓが、Ｒ１，Ｒ２によって提供される基準電圧に比例してどれだけ上昇し得るかの限界を定める。
【００２６】
差動増幅器４５の外部信号は、トランジスタ８６のゲートを駆動するために使用される。一方、これは、Ｖｓｓ電圧が、トランジスタ８３，８４によってＶｓｓｓｕｐ電圧４０以上に上昇される場合に、それを一定に保つために十分な電流の総量の供給源である。図２および図４に示すように、この実施例はまた、Ｅ３と表示されたイネーブル信号によって制御されるイネーブル・トランジスタ８７，１０７を含む。ＡＣＴＩＶＥ信号（図２参照）に結合したイネーブル信号Ｅ３は、Ｖｓｓ電圧が、トランジスタ８８、またはトランジスタ８３，８４に結合したトランジスタ８６によって、いつ提供されるべきかを決定するために使用される。この特定の実施例の利点の１つは、Ｖｓｓ電位が高すぎる状態になった場合であっても、集積回路１０に追加の電流を提供できることである。例えば、これは、集積回路１０が活性状態から不活性状態に変化した（すなわち、集積回路１０のコアが、高周波操作の直後で「熱」く、かつ、漏れ、従って全体の電流要求、が高い）ときに発生する。
【００２７】
図４に示した特定の実施例において、トランジスタ１０２−１０７は、サブ・スレッショルド・モードで操作することが望ましい。しなしながら、これは、本発明の範囲の限定を意図するものではない。他の実施例では、キャパシタを帰還回路８６のゲートとドレインとの間に配置し、帰還増幅器４５に安定性を提供する。
【００２８】
本発明は、集積回路の漏れ電流を減少させるための回路および方法を提供するものであると理解されるべきである。特定の実施例において、トランジスタのチャネル領域は、その電流輸送電極に関して逆バイアスされ、漏れ電流の流れを減少させる。電流輸送電極に関するチャネルまたはボディ領域の逆バイアスは、チャネル領域によって生成される電位バリアを増大させる。この結果、トランジスタの電流輸送電極間を電子が通過し難くなる。本発明のいくつかの特徴が、ここに図示され説明されているが、多様な変形、置換、変更、および等化が当業者によって行われるであろう。例えば、上述の実施例において、電圧は、漏れ電流の総量を減少するために、ｐチャネル・デバイスのチャネル領域、またはｎチャネル・デバイスのソース領域に選択的に印加することができる。また、電圧は、トランジスタの他の端子に選択的に印加することができると理解すべきである。さらに、上述のいくつかの実施例は、集積回路に提供される電圧の上昇を含み、トランジスタのチャネル領域がソース領域に関して逆バイアスされる。他の実施例において、電圧を低くし、かつ、電圧が印加される場所を転換することが望ましく、その結果、チャネル領域は、なおソース領域に関して逆バイアスされ、漏れ電流が減少する。したがって、本特許請求の範囲は、本発明の真の精神の範囲内において、かかる全ての変形および変更を網羅することを意図するものであると理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に従った、２つのトランジスタと１つの回路を図式化した図である。
【図２】本発明の多様な実施例に従って使用される回路を図式化した図である。
【図３】本発明の多様な実施例に従った電圧発生器を図式化した図である。
【図４】本発明の他の実施例に従った電圧発生器を図式化した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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