(57)【要約】ディスクリート半導体コンポーネントからなる高周波回路を有するラジオ又はテレビジョン信号のための受信機であって、第１ドーピング濃度ｎ１を有する第１ドーピング・タイプの半導体基板上に形成されたプレーナ可変容量ダイオードを含んでおり、半導体基板上に第２ドーピング濃度ｎ２＞ｎ１を有する同じドーピング・タイプのエピタキシャル層が設けられ、このエピタキシャル層上に、第１ウインドウを有する絶縁層が第１ウインドウの下方にエピタキシャル層内にドーピング濃度ｎ３＞ｎ２を有する第２ドーピング・タイプの第１横方向境界半導体領域によって設けられ、さらに第１ウインドウを介して第１横方向境界半導体領域と接触する第１コンタクトパッドを含んでおり、半導体コンポーネントがさらに、絶縁層上の二つのパス端からなる抵抗器パスで構成され集積直列抵抗器を含み、第１パス端が絶縁層内の第２ウインドウを通してドーピング濃度ｎ５＞ｎ２を有する第１ドーピング・タイプの第３横方向境界半導体領域と接触すると共に、垂直方向へ少なくともエピタキシャル層を貫通するように延出し、抵抗器パスがさらに絶縁層上に配備されるとともに、第２コンタクトパッドと抵抗器パスの下方で該抵抗器パスの第２パス端と接触する第２コンタクトパッドと、エピタキシャル層内の第２横方向境界半導体領域からなり、前記半導体領域がドーピング濃度ｎ４を有する第２ドーピング・タイプのドーピングを有しており、実質的に第１ドーピング・タイプのドーピングがエピタキシャル層のドーピング濃度ｎ２で補償される高周波回路を有する、ラジオ又はテレビジョン信号のための受信機。
2004504726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクリート半導体コンポーネントからなる高周波回路を有するラジオ又はテレビジョン信号のための受信機であって、
第１ドーピング濃度ｎ１を有する第１ドーピング・タイプの半導体基板上に形成されたプレーナ可変容量ダイオードを含んでおり、半導体基板上に第２ドーピング濃度ｎ２＞ｎ１を有する同じドーピング・タイプのエピタキシャル層が設けられ、このエピタキシャル層上に、第１ウインドウを有する絶縁層が第１ウインドウの下方にエピタキシャル層内にドーピング濃度ｎ３＞ｎ２を有する第２ドーピング・タイプの第１横方向境界半導体領域によって設けられ、さらに第１ウインドウを介して第１横方向境界半導体領域と接触する第１コンタクトパッドを含んでおり、
半導体コンポーネントがさらに、絶縁層上の二つのパス端からなる抵抗器パスで構成され集積直列抵抗器を含み、第１パス端が絶縁層内の第２ウインドウを通してドーピング濃度ｎ５＞ｎ２を有する第１ドーピング・タイプの第３横方向境界半導体領域と接触すると共に、垂直方向へ少なくともエピタキシャル層を貫通するように延出し、抵抗器パスがさらに絶縁層上に配備されるとともに、第２コンタクトパッドと抵抗器パスの下方で該抵抗器パスの第２パス端と接触する第２コンタクトパッドと、エピタキシャル層内の第２横方向境界半導体領域からなり、前記半導体領域がドーピング濃度ｎ４を有する第２ドーピング・タイプのドーピングを有しており、実質的に第１ドーピング・タイプのドーピングがエピタキシャル層のドーピング濃度ｎ２で補償される高周波回路を有する、ラジオ又はテレビジョン信号のための受信機。
【請求項２】
ディスクリート半導体コンポーネントであって、
第１ドーピング濃度ｎ１を有する第１ドーピング・タイプの半導体基板上に形成されたプレーナ可変容量ダイオードを含んでおり、半導体基板上に第２ドーピング濃度ｎ２＞ｎ１を有する同じドーピング・タイプのエピタキシャル層が設けられ、このエピタキシャル層上に、第１ウインドウを有する絶縁層が第１ウインドウの下方にエピタキシャル層内にドーピング濃度ｎ３＞ｎ２を有する第２ドーピング・タイプの第１横方向境界半導体領域によって設けられ、さらに第１ウインドウを介して第１横方向境界半導体領域と接触する第１コンタクトパッドを含んでおり、
半導体コンポーネントがさらに、絶縁層上の二つのパス端からなる抵抗器パスで構成された集積直列抵抗器を含み、第１パス端が絶縁層内の第２ウインドウを通してドーピング濃度ｎ５＞ｎ２を有する第１ドーピング・タイプの第３横方向境界半導体領域と接触すると共に、垂直方向へ少なくともエピタキシャル層を貫通するように延出し、抵抗器パスがさらに絶縁層上に配備されるとともに、第２コンタクトパッドと抵抗器パスの下方で該抵抗器パスの第２パス端と接触する第２コンタクトパッドと、エピタキシャル層内の第２横方向境界半導体領域からなり、前記半導体領域がドーピング濃度ｎ４を有する第２ドーピング・タイプのドーピングを有しており、実質的に第１ドーピング・タイプがエピタキシャル層のドーピング濃度ｎ２のドーピングで補償されるディスクリート半導体コンポーネント。
【請求項３】
電荷キャリア濃度ｎ４とｎ２の和が１０１６／ｃｍ３未満であることを特徴とする請求項２に記載のディスクリート半導体コンポーネント。
【請求項４】
第２の横方向境界半導体領域がエピタキシャル層の全厚みにわたって延出していることを特徴とする請求項２に記載のディスクリート半導体コンポーネント。
【請求項５】
第２の横方向境界半導体領域のドーピング濃度ｎ４が絶縁層に対する境界面から、基板に対する境界面に減少していることを特徴とする請求項２に記載のディスクリート半導体コンポーネント。
【請求項６】
半導体基板が裏面金属化からなることを特徴とする請求項２に記載のディスクリート半導体コンポーネント。
【請求項７】
三つの接続部を有する標準化トランジスタ・ハウジング内に収容されていることを特徴とする請求項２に記載のディスクリート半導体コンポーネント。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は共通の半導体基板上にプレーナ可変容量ダイオードと集積直列抵抗器を含むディスクリート半導体コンポーネントからなる高周波回路を有するラジオ又はテレビジョン信号用受信機に関する。
【０００２】
電磁高周波を送信することによって放射される信号が、ラジオ又はテレビジョン信号用の受信機によって受信され、その信号が受信アンテナによって高周波交流電圧に変換される。受信機が望ましくない送信機から所望の送信機を分離（チューニグ）し、変調高周波発振器からの送信情報を回収（復調）し、低周波数増幅器によって低周波数信号を音響信号及び光学信号に変換する。
【０００３】
ラジオ及びテレビジョン信号用の最新技術による受信機において、全チューニングと帯域変換操作が電子的に実行される。この目的のために、共振回路を備えた高周波回路が使用され、ここでは可変容量ダイオードが可変コンデンサとして動作する。チューニング精度は、受信機内のチューニング回路の数が多くなるにつれて、高くなる。
【０００４】
ラジオ及びテレビジョン信号受信機の高周波回路はディスクリートコンポーネントで構成される。しかし、これらのディスクリートコンポーネントがリード線に接続されたときに、リード線の漂避容量の問題が発生し、受信機のチューニング特性上マイナスの効果となる。これらの問題を回遊するために、入力ステージを備えたテレビジョン・チューナを提供することがドイツ特許公開ＤＥ３９４３０１３Ｃ２に開示されており、テレビジョン・チューナは、半導体基板（Ｎ）と、逆導電性を有する半導体領域（Ｐ）から構成されるダイオードと、ここで半導体領域は基板内に挿入され、また絶縁層上方で基板（Ｎ）上に配備された抵抗器と、この抵抗器が絶縁層内に形成された開口部を介して基板と接触し、過渡電圧に対してダイオードを保護する働きをし、さらにダイオードの端子に接続された第１及び第２接続素子と、抵抗器に接続された第３接続素子と、またダイオード、抵抗器及び接続素子が封止され固定された樹脂パッキングとからなる。
【０００５】
ラジオ又はテレビジョン信号用の受信機は、重畳ノイズの結果として多数のエラーを含んだ高周波入力信号をエラーのないデータストリームに変換するには、受信機内の寄生容量をできる限り阻止することが望ましい。
【０００６】
従って、本発明の目的は減少された寄生容量でラジオ又はテレビジョン信号受信機と改良されたデータ受信を提供することである。
【０００７】
本発明によれば、この目的はディスクリート半導体コンポーネントからなる高周波回路を有するラジオ又はテレビジョン信号のための受信機であって、
第１ドーピング濃度ｎ１を有する第１ドーピング・タイプの半導体基板上に形成されたプレーナ可変容量ダイオードを含んでおり、半導体基板上に第２ドーピング濃度ｎ２＞ｎ１を有する同じドーピング・タイプのエピタキシャル層が設けられ、このエピタキシャル層上に、第１ウインドウを有する絶縁層が第１ウインドウの下方にエピタキシャル層内にドーピング濃度ｎ３＞ｎ２を有する第２ドーピング・タイプの第１横方向境界半導体領域によって設けられ、さらに第１ウインドウを介して第１横方向境界半導体領域と接触する第１コンタクトパッドを含んでおり、
半導体コンポーネントがさらに、絶縁層上の二つのパス端からなる抵抗器パスで構成され集積直列抵抗器を含み、第１パス端が絶縁層内の第２ウインドウを通してドーピング濃度ｎ５＞ｎ２を有する第１ドーピング・タイプの第３横方向境界半導体領域と接触すると共に、垂直方向へ少なくともエピタキシャル層を貫通するように延出し、抵抗器パスがさらに絶縁層上に配備されるとともに、第２コンタクトパッドと抵抗器パスの下方で該抵抗器パスの第２パス端と接触する第２コンタクトパッドと、エピタキシャル層内の第２横方向境界半導体領域からなり、前記半導体領域がドーピング濃度ｎ４を有する第２ドーピング・タイプのドーピングを有しており、実質的に第１ドーピング・タイプのドーピングがエピタキシャル層のドーピング濃度ｎ２で補償される高周波回路を有する、ラジオ又はテレビジョン信号のための受信機により達成される。
【０００８】
第２コンタクトパッド以下の付加的なドーピングと抵抗器パスを備えたエピタキシャル層を提供することにより、寄生容量が前記ロケーションで減少する。寄生容量の減少が、可変容量ダイオードのＱ係数が増大する結果となり、これによって回路性能が高まることになる。全体回路損失が減少する。
【０００９】
本発明はディスクリート半導体コンポーネントにも関係し、第１ドーピング濃度ｎ１を有する第１ドーピング・タイプの半導体基板上に形成されたプレーナ可変容量ダイオードを含んでおり、半導体基板上に第２ドーピング濃度ｎ２＞ｎ１を有する同じドーピング・タイプのエピタキシャル層が設けられ、このエピタキシャル層上に、第１ウインドウを有する絶縁層が第１ウインドウの下方にエピタキシャル層内にドーピング濃度ｎ３＞ｎ２を有する第２ドーピング・タイプの第１横方向境界半導体領域によって設けられ、さらに第１ウインドウを介して第１横方向境界半導体領域と接触する第１コンタクトパッドを含んでおり、半導体コンポーネントがさらに、絶縁層上の二つのパス端からなる抵抗器パスで構成された集積直列抵抗器を含み、第１パス端が絶縁層内の第２ウインドウを通してドーピング濃度ｎ５＞ｎ２を有する第１ドーピング・タイプの第３横方向境界半導体領域と接触すると共に、垂直方向へ少なくともエピタキシャル層を貫通するように延出し、抵抗器パスがさらに絶縁層上に配備されるとともに、第２コンタクトパッドと抵抗器パスの下方で該抵抗パスの第２パス端と接触する第２コンタクトパッドと、エピタキシャル層内の第２横方向境界半導体領域からなり、前記半導体領域がドーピング濃度ｎ４を有する第２ドーピング・タイプのドーピングを有しており、実質的に第１ドーピング・タイプがエピタキシャル層のドーピング濃度ｎ２のドーピングで補償される。
【００１０】
寄生容量の減少が、関連する基板損失とＲＣ伝搬遅延の減少の結果となる。これは、特に例えば、コードレスＲＦ通信機器及びデジタル高速機器に発生する高周波において有利である。
【００１１】
本発明の範囲内で、電荷キャリア濃度ｎ４とｎ２の和が１０１６／ｃｍ３以下であることが好ましい。
【００１２】
特に有利なのは、第２の横方向境界半導体領域がエピタキシャル層の全厚みに渡って延出していることである。
【００１３】
第２の横方向境界半導体領域のドーピング濃度ｎ４が絶縁層に対する境界面から、基板に対する境界面に減少していることも好ましいことである。
【００１４】
本発明のさらに好ましい実施形態によれば、半導体基板が底面金属化からなる。
【００１５】
本発明の特に好ましい実施形態によれば、ディスクリート半導体コンポーネントは、三つの接続部を有する標準化トランジスタ・ハウジング内に収容されている。収容された半導体コンポーネント内の信号パスは短く、従って、高周波範囲内で使用するのに特に適するように作られる。従来技術と比較して、標準化ハウジングを有する半導体コンポーネントからなる受信機の処理と製造費用が低減され、これによって必要とされる小さい表面積となり、また装荷操作数が少なくなる。
【００１６】
本発明のこれらの態様及び他の態様は、次に説明する実施形態を参照することで明白となり、また、解明されるであろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】
ラジオ又はテレビ信号用の受信機は、慣例的に重ね合わせの原理に基づいて動作する。すなわち、種々の高入力周波数がまず同じ中間周波数帯域に変換されるか、又はさらなる処理が課される前に、低い周波数に混合される。この目的のために必要な高い周波数入力パーツ（チューナ）の実施形態は、ラジオ受信機、白黒テレビ受像機及びカラーテレビ受像機において同一である。
【００１８】
高い周波数入力部において、受信機は所望の送信周波数にチューニングされる。入力回路及び／又は中間帯域フィルタは、入力における周波数スペクトルから必要とされる帯域を有する所望のチャネルをフィルタリングするのに使用される。続いて、混合器ステージがフィルタリングされた到来周波数を中間周波数範囲に変換する。
【００１９】
ラジオ又はテレビ信号用の受信機の高周波入力部は、複数の集合体からなる多数の高周波回路によって構成されている。集合体のうちのいくつかは、チューニング・コイル、電界効果トランジスタ、阻止コンデンサ及びバイパス・コンデンサ、保護抵抗器等だけでなく、共振回路、高周波信号の低雑音増幅、及び周波数変調と振幅変調をチューニングするために使用される可変容量ダイオードに上り負荷をかけられる。
【００２０】
可変容量ダイオードのバリア層容量は、逆電圧によって変化する。従って、共振周波数をチューニングするための共振回路内に使用される。集積直列抵抗器は、チューニング電圧の高周波供給のために使用される。可変容量ダイオードは、特に受信機の高周波入力ステージのために使用され、この受信機は選局及び自動チューニングのための共振回路からなる。
【００２１】
本発明の実施形態によれば、ラジオ及びテレビ信号用の受信機は図１に基づいた高周波回路を有する受信２方向スプリッタからなり、可変容量ダイオードＶ４、Ｖ５と集積直列抵抗器Ｒ２、Ｒ３を有する二つのディスクリートコンポーネントを含んでいる。チューニングされた入力回路が、画像周波数で信号を抑圧し、相互変調を不可能にする。
【００２２】
アンテナ信号が、高域フィルタを介してスイッチング・ダイオードＶ１、Ｖ２、Ｖ３の接続点に供給される。ある一定のチャネルを受信するために、例えば、スイッチング電圧Ｕｓ３がダイオードＶ２を介する信号パスの低インピーダンス・スイッチングのために使用され、ダイオードＶ１とＶ２が阻止モードになる。例えば２０２ＭＨｚの共振周波数に対する直列共振回路Ｃ３Ｌ２が非常に高い周波数範囲ＩＩＩを送信し、並列共振回路Ｌ３Ｖ４Ｃ４が周波数範囲のチャネル関係の選択のために使用される。このチューニングされた並列共振回路が画像周波数電圧を減衰し、また相互変調を不可能にする。可変容量ダイオードＶ５がＶ４に関してチューニングされ、並列共振回路上の小信号トランジスタの入力容量の影響を低減している。このような観点により、並列共振回路の帯域及びチューニング精度がチューニング範囲に渡って一定に維持される。
【００２３】
特に、ＶＨＦ範囲内の高周波において、多過ぎる高周波電力が抵抗器Ｒ２とＲ３における寄生容量のインピーダンスを介して結合されるのを阻止される。
【００２４】
ｎＡ範囲の残留電流以外に電流の流れていない可変容量ダイオードが、高インピーダンス直列抵抗器を介してバイアスされる。この直列抵抗器は、ｆｍｉｎとｆｍａｘ間の所望の周波数範囲に亘るように設計される。
【００２５】
本発明のさらなる実施形態において、図２に示したような中間帯域フィルタからなるラジオ及びテレビ信号用の受信機は、可変容量ダイオードＶ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４によって受信チャネルにチューニングされる。
【００２６】
図３は集積直列抵抗器からなる本発明による可変容量ダイオードのレイアウトの断面図である。
【００２７】
本発明によるダイオードは可変容量ダイオードである。前記可変容量ダイオードはｐｎ接合からなる接合形ダイオードであって、非導通方向に作動される。高い容量変化と高い逆電圧を有する可変容量ダイオードは、高インピーダンスのエピタキシャルｎ層によって得られ、また小さいパス抵抗値と高いＱ係数を有する可変容量ダイオードは、低インピーダンスのエピタキシャルｎ層によって得られる。
【００２８】
半導体基板は、ドープ濃度ｎ１を有する第１ドーピング・タイプの高濃度にドープされたシリコン・チップ４からなる。前記ドーピング・タイプはＮ−ドーピング・タイプ又はＰ−ドーピング・タイプのいずれでもよいが、Ｎ−タイプが好ましい。典型的なＮ−ドーパントはリンイオン（Ｐ＋）によって形成される。別のＮ−ドーパントはひ素（Ａｓ＋）であって、その高い溶融性のために可変容量ダイオードの基板として使用されるのが好ましい。基板はその上に蒸着されたエピタキシャル層３のための低インピーダンス・リードとして作用する。
【００２９】
第２ドーピング濃度ｎ２＜ｎ１を有する同じドーピング・タイプのより密度軽くドープされたエピタキシャル層３が、半導体基板上に設けられる。エピタキシャル層の厚みとドーピングは、可変容量ダイオードの必要な逆電圧と容量によって決定される。可変容量ダイオードのエピタキシャル層は、一般的に軽く、すなわち、１０１６ｃｍ−３程度にドープされる。この結果、前記エピタキシャル層は高い抵抗率を有する。従って、エピタキシャル層３の厚みは、できる限り小さく、すなわち、１μｍから１０μｍの範囲に選択される。
【００３０】
第１ウインドウを有する絶縁層５がエピタキシャル層上に設けられる。約０．５から１．５μｍ厚のＳｉＯ２層から形成される絶縁層は、シリコン面の熱酸化によって生成することができる。第１コンタクトパッド６が第１ウインドウを覆っている。前記コンタクトパッドが可変容量ダイオードのアノード接点を形成する。
【００３１】
エピタキシャル層内の第３のドーピイング濃度ｎ３を有する第２ドーピング・タイプの谷（ｔｒｏｕｇｈ）形状の横方向境界半導体領域２で、前記ドーピング濃度が第２ドーイング濃度ｎ２よりも高く、可変容量ダイオードを形成する。ウインドウ内に、前記可変容量ダイオードが第１コンタクトパッドと近接している。谷形状半導体領域の導電型が、基板の導電型と逆である。例えば、基板がｐ−導電性であれば、この領域はｎ−導電性である。基板がｎ−導電性であれば、ドープされた領域はｐ−導電性であって、一般的にＰ−ドーパント・ホウ素を使用して達成される。
【００３２】
カソードによる可変容量ダイオード接触は、基板層を濃度高くドーピングするし、底部を金属化することによって改善される。
【００３３】
絶縁層はさらに集積直列抵抗器のための抵抗器パス８を備えている。直列抵抗器は軽くドープされたポリシリコンで形成するのが好ましい。軽くドープされたポリシリコンは、ＭΩ／□範囲で高いインピーダンス抵抗器を形成し、小さい表面積を必要とするのみである。ある目的では、抵抗器パスは絶縁フレーム９を介して可変容量ダイオードのカソードに接続されるか、又は第１コンタクトパッド６を介して可変容量ダイオードのアノードに接続されている。他の目的では、抵抗器パスは、第２コンタクトパッド７によって接続ピン等を介して外方接続部に接続されている。
【００３４】
第２の横方向境界半導体領域１が、第２コンタクトパッド７と抵抗器パス８の下方でエピタキシャル層内に延出している。第１ドーピング・タイプをドーピング濃度ｎ２でドーピングするのに付加して、前記半導体領域がドーピング濃度ｎ４を有する第２ドーピング・タイプのドーピングを提供する。第２の横方向境界半導体領域が、エピタキシャル層の第１ドーピングの導電型とは逆である導電型に通じているドーパントによって形成されている。この方式において、自由帯電キャリアの非常に小さい密度が、第２の横方向境界半導体領域内に達成され、この結果コンタクトパッド、基板及び可変容量ダイオード間の寄生容量が排除される。
【００３５】
第２の横方向境界半導体領域は、できる限り深く施行されることが好ましい。前記半導体領域は均一なドーピング濃度と基板までの漸進的ジャンクション領域を有することになる。
【００３６】
半導体コンポーネントが、エピタキシャル層を貫通するように垂直方向に延出する絶縁フレーム９（チャネル・ストッパ）によって境界付けられる。前記絶縁フレームは基板深くまで下方向にも延出している。絶縁フレームが、第３ドーピング濃度ｎ５を有する谷形状の第１ドーピング・タイプの横方向境界半導体領域９とによって形成されている。第３ドーピング濃度ｎ５はエピタキシャル層の第２ドーピング濃度ｎ２よりも高い。
【００３７】
集積抵抗器を備えたレーナ可変容量ダイオードが、レーナ技術を使用して製造される。この方法において、必要とされるｐｎ接合は半導体基板への、又はエピタキシャル層への特定拡散による多数の連続処理で表面から生成される。使用される出発物質として一般的に安価なシリコンで作られ、あるいは、非常に高い周波数においては、ひ化ガリウムで作られたものが使用される。
【００３８】
例えば、基板としてｎ−導電性シリコン単結晶ディスクから出発される。高濃度にドープされた基板は、数百μｍの層厚を有し、また、機械的支持物としても機能する。可変容量ダイオードの非拡散横方向境界半導体領域が、基板の厚みと比較して平坦なので、ｎ−ドープ基板が有利に使用される。より高い電子流動性のために、これがパス抵抗をｐ−基板の抵抗よりも小さく達成させることができる。
【００３９】
エピタキシャル層に対して、ｎ−ドープされたヘテロエピタキシャル・シリコン層がシリコン面上に設けれられる。次の処理において、シリコン・ディスクの全面が酸素の流れ中で、又は水蒸気によって１０００℃付近の温度で酸化され、ＳｉＯ２の絶縁層を形成する。続いて、フォトリソグラフィ構造の解像度が生じる。絶縁層において、ウインドウがエピタキシャル層内の二つの横方向境界半導体領域の上方で、フォトリソグラフィ処理とそれに続くエッチング作用によってエッチングされる。マスク・アートワークに依存して、ポジティブ又はネガティブなレジスト塗布処理を使用することができる。ＳｉＯ２内のパターン転写が、湿式又は乾式化学エッチング処理によって実行される。続いて、残留レジスト層が除去される。
【００４０】
例えば、ｎ−導電性シリコン基板の場合はホウ素であり、またｐ−導電性シリコン基板の場合、リンであるアクセプタ又はドナー基板は、ウインドウを介して拡散されず、前記アクセプタ又はドナー基板は出発物質に向かうｐｎ−接合を有するｐ−導電性又はｎ−導電性横方向境界半導体領域を生成する。
【００４１】
抵抗器パスの下方に横方向境界半導体領域を製造するために、拡散処理を使用する。種々の処理の変形が知られている。特に、別の形態として可能なのは組み合わされた処理で、イオン注入及び拡散からなる。ドーパントがウインドウを通してエピタキシャル層に侵入し、又は注入エネルギーが十分高ければ、薄いシリコン酸化絶縁層に侵入する。前記エピタキシャル層は数マイクロメータの深さに、ｐ−導電性領域又はｎ−導電性領域に変換される。
【００４２】
均一なドーピングプロファイルを得るために、ドープされた層はイオン注入によって形成される。例えば、ドープ領域は、１０ｋｅＶから５００ｋｅＶの範囲の注入エネルギーでリンイオンの注入と、ｃｍ２当たり約１０１２から１０１６のイオンの範囲の量からなる方法によって形成される。
【００４３】
第２横方向境界半導体領域のための補償ドーピングはウンドウを通して実行され、次に、このウインドウが、酸素又は水素の流れの中で熱酸化によって、あるいはＴＥＯＳ又はＰＹＲＯＸのシリコン酸化層の堆積によって再度閉じられる。可変容量ダイオードのための横方向境界半導体領域の新しいウインドウが、フォトリソグラフィによって閉じられた絶縁層内でエッチングされる。続く製造工程において、ドーピングプロファイルはこのウインドウを通して拡散されない。ドーピングプロファイル、従って、容量−電圧曲線に影響させるために、多重拡散、プロファイル・エピタキシー及び多重イオン注入を使用する。可変容量ダイオードは、平坦でしかも高濃度にドープされたｐ−ドープされた横方向境界半導体領域からなり、ｐ−ドープされたポリシリコンの外拡散（ｏｕｔｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）によって形成することもできる。
【００４４】
製造処理の複雑さは、第２コンタクトパッド７の下方に横方向境界半導体領域を形成することと可変容量ダイオードのための注入操作とを組み合わせによって低減することができる。
【００４５】
続いて、全表面が保護酸化物層で再度覆われるまで、酸素の流れの中で全体を再度酸化させる。別の方法として、ＴＥＯＳ又はＰＹＲＯＸの堆積によって表面に絶縁シリコン酸化層の形成することが可能である。
【００４６】
新規なリソグラフィ相において、絶縁フレームのドーピング領域が製造される。
【００４７】
集積直列抵抗器のための抵抗器パスが絶縁層上に設けられる。好ましくは、抵抗器パスは軽くドープされたポリシリコンから製造され、これがエッチングされて、特定長さ寸法と断面積を得て、所望の抵抗値を得る。ポリシリコン層が、ＣＶＤ処理及びプラズマ増強ＣＶＤ処理によってシランＳｉＨ４から熱分解的に製造することができる。
【００４８】
続いて、第１コンタクトパッド６のためのウインドウがエッチングによって形成される。次に、アルミニウムが全表面上に蒸着され、前記アルミニウムがウインドウの近傍領域内で合金を形成する。この結果、金属、バリア層のないコネクタ接点を得ることができる。
【００４９】
最終のフォト及びエッチング処理において、過剰アルミニウムは二つのコンタクトパッドと導電体トラックが外部接続部に至るまで除去される。
【００５０】
カソード接続部が基板の底部に達するまで延出するようにされる。基板自体はカソード接続部を形成する。カソード接続部のために底部の金属化は基板の下方側に適用されるのが好ましい。
【００５１】
プレーナ処理の最後に、半導体ウエハがそれぞれディスクリート半導体コンポーネントとなるように切断される。
【００５２】
ディスクリート半導体コンポーネントが接着剤でホルダ上に取り付けられるか、合金化され、ホルダが後のステージでハウジングの一部を形成することになる。続いて、外部接続部のための電気接点が形成され、ここに半導体コンポーネントの接点パッドから出発した金属導体トラックが拡張されて接着点を形成し、ここに外部に導出される接続ワイヤが取り付けられる。
【００５３】
接着構造はさらに合成樹脂によって供給され、例えば、ＴＯないしＳＯＴパッケージ内に収容される。
【００５４】
集積直列抵抗器を有する平坦な可変容量ダイオードからなる半導体デバイスはテレビ及びラジオ信号の受信の入力ステージにおいて使用されるだけでなく、電圧制御可変コンデンサとしても使用することができる。例としては振幅変調及び周波数変調用の回路、電圧制御発振器（ＶＯＣ）、周波数シンセサイザー及び移動体電話用のフェーズ・ロック・ループ（ＰＬＬ）回路が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
受信機の２方向スプリッタのための高周波回路を示す図。
【図２】
中間帯域フィルタのための高周波回路を示す図。
【図３】
プレーナ可変容量ダイオードと集積直列抵抗器からなるディスクリート半導体コンポーネントの断面図。
【図４】
図３に示したディスクリート半導体コンポーネントの等価回路を示す図。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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