(57)【要約】【解決手段】ウエハに形成されたトレンチを有するような絶縁層と、絶縁層のトレンチの内部に位置する下側部分と下側部分及び絶縁層の上に重なる上側部分とを有するような金属層とを含んでなる金属のダマシン構造の化学機械研磨方法が提供される。方法は、金属層の上側部分を平坦化する第１の段階と、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨する第２の段階とを備える。金属層の上側部分を平坦化する第１の段階においては、ウエハと研磨パッドとの接触モードにおいて、適用圧力ｐと相対速度ｖにて、ウエハと研磨パッドとを動かして、金属の除去速度を向上させる。第２の段階では、定常状態のモードにおいて、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨して、最小の金属線のディシング及び絶縁層の過研磨にて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する。【選択図】図１
2004532510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに形成されたトレンチを有するような絶縁層と、絶縁層のトレンチの内部に位置する下側部分と下側部分及び絶縁層の上に重なる上側部分とを有するような金属層とを含んでなる金属のダマシン構造の化学機械研磨方法であって、この方法が、
ウエハと研磨パッドとの接触モードにおいて、適用圧力と相対速度にて、ウエハと研磨パッドとを動かして、金属層の上側部分を平坦化する第１の段階と、
定常状態のモードにおいて、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨して、最小の金属線のディシング及び絶縁層の過研磨にて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する第２の段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
絶縁層を研磨する前記第２の段階は、摩耗係数を制御することによって制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の段階において、絶縁層の硬度に近い硬度であって金属の硬度に比べて高い硬度を有するような研磨粒子を含有してなる研磨スラリーを使用することによって、摩耗係数を制御することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の段階において、金属の硬度を高めることによって、絶縁層の過研磨を減少させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の段階において、絶縁層の硬度を低下させることによって、絶縁層の過研磨を減少させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
研磨スラリーのｐＨ及び／又は組成を制御することによって、絶縁層の硬度を低下させることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ウエハ内の研磨の均等性を制御する段階をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ウエハとパッドとの接触条件と、研磨スラリーの分配条件と、パッドの剛性とを制御することによって、ウエハ内の研磨の均等性を制御することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ウエハ上のトレンチを有するような絶縁層と、絶縁層のトレンチの内部に位置する下側部分と下側部分及び絶縁層の上に重なる上側部分とを有するような金属層とを含んでなる金属のダマシン構造の化学機械研磨方法であって、この方法が、
ウエハと研磨パッドとの接触モードにおいて、適用圧力ｐavと相対速度ｖRにて、ウエハと研磨パッドとを動かして、金属層の上側部分を平坦化する第１の段階と、
下記の方程式を満足する定常状態のモードにおいて、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨して、最小の金属線のディシング及び絶縁層の過研磨にて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する第２の段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【数１】
2004532510.tif 000035
ここで、ＲMetalは銅の除去速度、ＲInsulationは絶縁層の除去速度、ｋwは摩耗係数、Ｈ’ は以下の方程式で表わされる研磨面の見かけの硬度である。
Ｈ’ ＝ ＨMetal Ａf ＋ ＨInsulation（１−Ａf）
ここで、ＨMetalは銅の硬度、ＨInsulationは絶縁層の硬度、Ａfは金属パターンの面積分率である。
【請求項１０】
見かけの硬度Ｈ’ は、ウエハのダイ領域にわたって均等にデザインされていることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の段階において、摩耗係数ｋｗを制御することによって、絶縁層の過研磨を制御することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の段階において、絶縁層の硬度ＨInsulationに近い硬度であって金属の硬度ＨMetalに比べて高い硬度を有するような研磨粒子を含有してなる研磨スラリーを使用することによって、摩耗係数ｋｗを制御することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の段階において、金属の硬度ＨMetalを高めることによって、絶縁層の過研磨を減少させることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の段階において、絶縁層の硬度ＨInsulationを低下させることによって、絶縁層の過研磨を減少させることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
研磨スラリーのｐＨ及び／又は組成を制御することによって、絶縁層の硬度ＨInsulationを低下させることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ウエハ内の研磨の均等性を制御する段階をさらに備えていることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
ウエハとパッドとの接触条件と、研磨スラリーの分配条件と、パッドの剛性とを制御することによって、ウエハ内の研磨の均等性を制御することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
金属のダマシン構造の面積分率Ａfは０．５であり、トレンチの内部の金属線の線幅ｗは０．５〜２５μｍであり、前記第１及び第２の段階における総研磨時間は１８０〜３００秒であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
金属のダマシン構造の面積分率Ａfは０．５であり、トレンチの内部の金属線の線幅ｗは５０〜１００μｍであり、前記第１及び第２の段階における総研磨時間は１８０〜２１０秒であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
トレンチの内部の金属線の線幅ｗは０．５μｍであり、金属のダマシン構造の面積分率Ａfは０．０５〜０．５であり、第１及び第２の段階における総研磨時間は１８０〜３００秒であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項２１】
トレンチの内部の金属線の線幅ｗは０．５μｍであり、金属のダマシン構造の面積分率Ａfは０．０１未満であり、前記第１及び第２の段階における総研磨時間は１８０〜２１０秒であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（関連出願）
本願は、２００１年１月２３日に出願された米国仮特許出願第６０／２６３，８１３号に基づく優先権を主張し、同文献の全体をここで参照して引用する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は一般的には、半導体製造における化学機械研磨法（ＣＭＰ）の分野に関する。特に、本発明は銅−酸化物のダマシン構造のＣＭＰに関し、材料の除去速度を増加させ、銅のディシングと酸化物の過研磨を減少させる。
【背景技術】
【０００３】
半導体装置の超大規模集積化（ＵＬＳＩ）の継続的な進歩のため、極度に小さい装置をデザインし製造することが必要である。既存の金属化の手法による内部連結は、新しい集積回路（ＩＣ）には不適当である。０．２５μｍ未満のゲート寸法のＣＭＯＳにおいては、金属化層によるＲＣ遅延は回路の総遅延の５０％を占めると予測されている。今日のＡｌの内部連結に置換えて、ＲＣ遅延と熱浪費に起因するエネルギー損失とを減少させるべく、新しい材料とプロセスが絶えず探求されている。銅は、電気抵抗がアルミニウム（Ａｌ）に比べて約３０％低いために、未来の好ましい内部連結材料として浮かんできた。これにより、より高い周波数かつ低電力でＩＣを動作させることができる。さらに、内部連結の寸法がスケールダウンすると、金属の内部連結によって運ばれる電流密度は比例的に増加して、電気移動の限界を越えるだろう。銅のより高温の融点は、アルミニウムに比べて約２．５倍の、電気移動に対する高い抵抗力を提供するので、ＩＣの信頼性を劇的に向上させる。
しかし、内部連結の金属としての銅の固有の利点にもかかわらず、銅の接続ラインの製造はいくつかの難しい点を伴なう。低温（１００℃未満）で揮発する銅の化合物が無いために、中間レベルの絶縁層（ＩＬＤ）の上に銅をエッチングして所望のパターンを形成することは困難である。従って、ダマシン手法にて銅の接続ラインをパターン化してからＣＭＰを行なう新たな方法は、内部連結の技術の発展の大きな可能性を示した。
ダマシン手法のひとつの問題は、化学機械研磨法の間のパターンのディシングと過研磨とである。図１Ａ及び１Ｂは、化学機械研磨法（ＣＭＰ）の前後における金属のダマシン構造を模式的に示している。金属のダマシンプロセスにおいては、エッチングされた中間レベルの絶縁層（ＩＬＤ）のトレンチに金属を蒸着させることで、金属の内部連結が製造される。次に、余分な金属をＣＭＰで除去して、ＩＬＤのトレンチに導電ワイヤをパターン形成する。金属の内部連結が孤立するように絶縁面の金属被覆のすべてを除去するために、ダイの内部のパターンは部分的に過研磨される。同時に、より軟質である内部連結の金属（Ｃｕ、Ｗ）は通常、拡散バリア層（Ｔａ、Ｔｉ、又は、ＴａＮ）や、周囲の絶縁材料（ＳｉＯ２）に比べて、より迅速に摩耗する。従って、トレンチに充填された軟質の金属の上にはディシングが起こる。過研磨とディシングとはいずれも表面の平坦性を劣化させ、次工程のリソグラフィープロセスにおいて、露出面（ダイスケール）を部分的に焦点ボケさせることになる。さらに、過研磨とディシングとは、金属の内部連結の横断面積を減少させるので、電気抵抗を増加させる。
【０００４】
ディシングと過研磨との速度は、プレストン方程式によって見積られる。
【数１】
2004532510.tif 000003
プレストン定数ｋｐは、酸化物と銅の内部連結との物理的なレイアウトに関連した位置の関数である。異なった材料についてのプレストン定数は、ブランケット研磨についてのプレストン定数と同じままであると仮定する。圧力分布は、ディシング／過研磨される表面の実際の形状によって影響され、これは銅の線幅ｗと面積分率（area fraction）Ａｆと過研磨時間ｔ＊との関数である。圧力分布は、ダイ領域の平均圧力と、パターンの幾何学構造の効果を含む幾何学的な関数φとの積として分断できる。実際には、たとえ表面のトポロジーが既知であったとしても、幾何学的な関数φを見つけるのは容易ではない。この場合、ディシングと過研磨とに起因する表面変量は、パッドの表面粗さと、スラリーの粒子サイズとに匹敵する。
従来技術においては、ＣＭＰのプロセス歩留りを増加させるべく、ディシングと過研磨とのメカニズムを決定するために、現象学的モデルと接触モデルとが提案された。現象学的モデルは、様々な特徴の配列の研磨速度と特徴の寸法及びパターン密度とを関連させるために提案された。研磨速度と特徴の寸法と隣接する特徴のレイアウトとの間の相関関係を実験的に決定することによって、表面輪郭の展開を予測できる。現象学的モデルのひとつの問題点は、研磨速度とパターンのトポロジーとの間の相関関係が、異なったパターンデザインでは変化して、このモデルでは平坦化の摩擦学的なメカニズムについて回答が得られないことである。近年、パターン密度（すなわち高い特徴の面積分率）や、ピッチ、パターン領域、及び、周辺長さに対する面積の比率などのパターンの幾何学的なパラメータの効果について大規模に研究されて、かかる研究は、パターンの密度がサブダイスケールの研磨速度に著しく影響することを示している。特定のパターンが隣接する領域に影響を及ぼす範囲は、実験的に測定された平坦化の長さによって特徴付けられる。任意のレイアウトについて、表面トポロジーの展開を計算するために、密度ベースの数値モデルが提案された。
【０００５】
接触モデルは、平坦化のメカニズムを調査するために採用された。このモデルでは平坦で弾性的なパッドを想定して、様々なパターンレイアウトのダイ表面の圧力分布を予測する。圧力分布とパッドの変位との間の一般化された関係が提案される。このモデルに基づけば、異なったパターン領域を横切るような不均等な研磨速度は、高い特徴の不均等な圧力に帰するとされる。低い特徴は、変形したパッドに接触するまでは、材料を除去されずにそのまま残されると仮定される。しかしながら、接触モデルは、金属研磨の事例でのいくつかのパターンレイアウトには適用できない。高い特徴が定常状態の輪郭に到達する前には、パッドは低い特徴に接触している。さらに、このモデルで想定されるように、パッドは高い特徴の表面と等角ではない。
現象学的モデルと接触モデルとのいずれも、ディシングと過研磨とを説明する上での限界がある。例えば、銅の研磨においては、銅の層が研磨される前に、しばしば表面が平坦になる。従って、ディシングと過研磨との開始時における圧力分布は、平坦化ステージにおける圧力分布に比べて、はるかに均等である見込みがある。さらに、平坦化された特徴のサイズが、研磨粒子（０．２〜０．３μｍ）とパッドの表面粗さとに近いかこれらよりも小さいときには、局所的な圧力を計算する際に、粒子分布とパッドの局所的なトポロジーを考慮しなければならない。しかしながら、この種の分析的モデルを確立することは難しい。その結果、ディシングと過研磨とについての研究は、実験的な特徴付けと、面積分率や、線幅、及び、ピッチなどのパターンパラメータについてのパラメータ的研究とに制限されていた。二三の準経験的なモデルが提案されたものの、ディシングと過研磨との基本原理、並びに、それらとパターンの幾何学構造及び材料特性との関係については、まだ完全に理解されていない。さらに、ほとんどの実験が大きいサイズの特徴について行なわれたために、その結果や関連する問題、例えば１００μｍの特徴の厳密なディシングなどは、スケーリングの論点を扱う必要のある、今日の１／４ミクロン以下の回路デザインに適用することはできない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的は、金属のダマシン構造を化学機械的に研磨する方法を提供することである。
本発明の他の目的は、金属の除去速度を最大化すると共に、金属のディシングと酸化物の過研磨とに起因する表面の不均等性を最小化するような、金属のダマシン構造の化学機械研磨方法を提供することである。
本発明の別の目的は、酸化物の研磨速度を減少させて、金属と酸化物との研磨選択度を向上させるような、金属のダマシン構造の化学機械研磨方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、金属のダマシン構造のパターン幾何学に基づいて、プロセス条件を最適化するような、金属のダマシン構造の化学機械研磨方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のこれらの及びその他の目的を達成するために、本発明は、ウエハに形成されたトレンチを有するような絶縁層と、絶縁層のトレンチの内部に位置する下側部分と下側部分及び絶縁層の上に重なる上側部分とを有するような金属層とを含んでなる金属のダマシン構造の化学機械研磨方法に関する。本発明によれば、金属のダマシン構造の化学機械研磨方法は、金属層の上側部分を平坦化し研磨する第１の段階と、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨する第２の段階と、を備えている。金属層の上側部分を平坦化し研磨する第１の段階においては、ウエハと研磨パッドとの接触モードにおいて、ウエハと研磨パッドとを、適用圧力ｐと相対速度ｖにて動かして、金属の除去速度の増加を促進する。第２の段階においては、絶縁層と金属層の下側部分とを定常状態のモードにおいて研磨して、最小の金属線のディシング及び絶縁層のオーバディシングにて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する。
好ましい実施形態における本発明による金属のダマシン構造の化学機械研磨方法は、ウエハと研磨パッドとの接触モードにおいて、適用圧力ｐavと相対速度ｖRにて、ウエハと研磨パッドとを動かして、金属層の上側部分を平坦化し研磨する第１の段階と、下記の方程式を満足する定常状態のモードにおいて、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨して、最小の金属線のディシング及び絶縁層の過研磨にて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する第２の段階と、を備えている。
【数２】
2004532510.tif 000004
ここで、ＲMetalは銅の除去速度、ＲInsulationは絶縁層の除去速度、ｋwは摩耗係数、Ｈ’ は以下の方程式で表わされる研磨面の見かけの硬度である。
Ｈ’ ＝ ＨMetal Ａf ＋ ＨInsulation（１−Ａf）
ここで、ＨMetalは銅の硬度、ＨInsulationは絶縁層の硬度、Ａfは金属パターンの面積分率である。
本発明の上記の及びその他の目的は、添付図面に関連させた以下の説明によって、さらに明らかになるだろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の説明においては以下の記号を用いることとし、それらの定義は次の通りである。
Ａf ＝ 金属パターンの面積分率
ａ ＝ 金属パターンの線幅の半分（ｍ）
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３ ＝ 積分定数
Ｅ ＝ 被覆材料のヤング率（Ｎ／m２）
Ｆｎ，Ｆ ＝ ウエハの法線力及び接線力（Ｎ）
Ｈ ＝ 被覆材料の硬度（Ｎ／m２）
Ｈ’ ＝ 複合表面の見かけの硬度（Ｎ／m２）
ｈ ＝ ウエハ表面の除去される材料の厚さ（ｍ）
ｋn ＝ プレストン定数（m２／Ｎ）
ｋw ＝ 摩耗係数
Ｐ ＝ 高い特徴の単位長さあたりの荷重（Ｎ／ｍ）
ｐ ＝ ウエハ表面の法線牽引力（Ｎ／m２）
ｐav ＝ ウエハへの公称圧力（Ｎ／m２）
ｐ’ ＝ 高い特徴への平均圧力（Ｎ／m２）
ｑ ＝ ウエハ表面の接線牽引力（Ｎ／m２）
ｒd ＝ ディシング面の半径（ｍ）
Ｓ ＝ 摺動距離（ｍ）
ｔ ＝ 実験の持続時間（ｓ）
ｔ＊ ＝ 過研磨の持続時間
ｕr，ｕz ＝ パッドの法線及び接線の変位
Ｖ ＝ 体積損失（m３）
ｖR ＝ ウエハの相対直線速度（ｍ／ｓ）
ｗ ＝ パターンの線幅（ｍ）
ｘ，ｙ，ｚ ＝ デカルト座標（ｍ）
Ｘn ＝ パッドの変位した表面のデータ位置（ｍ）
Δｈ ＝ 酸化物の過研磨（ｍ）
δ ＝ 銅のディシング（ｍ）
λ ＝ パターンピッチ（ｍ）
μ ＝ 摩擦係数
ｖ ＝ ポアソン比
ｐ’ ＝ 高い特徴への平均圧力（Ｎ／m２）
Ｓ ＝ 摺動距離（ｍ）
【実施例１】
【０００９】
図１Ａ及び図１Ｂは、化学機械研磨を行なう前と後とについての銅のダマシン構造を模式的に示している。図１Ａに示すように、銅のダマシン構造は、トレンチを有する絶縁ＳｉＯ２層をＳｉウエハの上に備えると共に、ＳｉＯ２層に蒸着した銅（Ｃｕ）を備えている。Ｃｕ層は、ＳｉＯ２の層のトレンチの内部に位置してなる下側部分と、Ｃｕ層の下側部分とＳｉＯ２とに重なるような上側部分とを備えている。ダマシン構造を例示するためにＣｕを用いているけれども、これはなんら本発明を限定する意図ではない。以下に説明する本発明のＣＭＰ方法は、他の材料のダマシン構造にも同様に使用することができる。
本発明は、図１Ａに示すような金属のダマシン構造の化学機械研磨の方法を提供する。本発明のＣＭＰ方法は、接触モードにおいて、金属層の上側部分を平坦化し研磨する第１の段階と、定常状態のモードにおいて、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨して、最小の金属線のディシング及び絶縁層の過研磨にて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する第２の段階と、を備えている。
第１の段階では、ウエハと研磨パッドとの接触モードにおいて、適用圧力ｐａｖと相対速度ｖＲにて、ウエハと研磨パッドとを動かして、金属層の上側部分を平坦化する。接触メカニズムのモデルを使用して、高い特徴の圧力変動を決定し、また、高い特徴の外部のパッドの変位を決定して、低い特徴の上でウエハ／パッドが接触しないことを確保する。
図２Ａは、初期の段階において、高い特徴で明示された均等なパッド変位における、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面を示した模式図である。図２Ｂは、平坦化の段階において、高い特徴との接触で明示された圧力（均等な圧力、又は、楕円分布）における、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面を示した模式図である。
局所的なパターンの幾何学形状は、圧力分布に影響して、その結果、以下のプレストン方程式に従った、不均等な材料除去となる。
【数３】
2004532510.tif 000005
接触メカニズムのモデルの目的は、ウエハ表面の圧力分布を決定することである。図２Ａ及び図２Ｂに模式的に示すように、平坦化の段階では、高い特徴と低い特徴との間の段差高さｈは、パッドの変位ｕｚに比べてはるかに大きくて、このため、荷重は本質的に高い特徴のみによって支えられる。そして、パッドが低い領域と接触すると、高い特徴と低い特徴との双方が研磨される。図２Ｃに示すように、表面が徐々に研磨されて滑らかになると、圧力分布はさらにより均等になる。
【００１０】
図３は、弾性的な研磨パッドに接触して移動する、堅固な線構造を示した模式図である。高い特徴は、下側の酸化物に蒸着されたＣｕを表わし、低い領域は、酸化物の領域のトレンチに充填されたＣｕを表わしている。線の長さは線の横方向の寸法に比べてはるかに大きいので、パターン／パッドの接触は二次元の（平面歪の）問題としてモデル化することができる。パッドの変形は通例、パッドの厚みに比べてはるかに小さいので、接触応力はパッドの表面に特に集中する。この近似を用い、パッドは弾性的な準無限的なものと仮定して、応力を計算することができる。簡略化するために、以下の分析においては、接線牽引力が消失する、つまりｑ（ｘ）＝０であると仮定する。この仮定が成立するのは、ウエハとパッドとの界面の摩擦係数が低いときだけである。事前の実験結果によれば、Ｃｕの研磨における摩擦係数は約０．１である。従って、応力への接線牽引力の効果は無視できる。さらに、平坦化の段階においては、荷重の加わる領域の外部における圧力はゼロである。この条件において、全体の境界条件は、変位又は荷重領域の圧力分布のいずれかを特定することによって記述できる（−ａ ≦ ｘ ≦ ａ）。いくつかの事例では、パッドが高い特徴の輪郭に順応すると仮定して、接触領域中の法線変位（normal displacement）ｕｚ（ｘ）を特定するのが簡略である。接触領域中のパッド表面の圧力分布ｐ（ｘ）の式は次の通りである。
【数４】
2004532510.tif 000006
接線変位ｕｘ（ｘ）を得るためには、以下の式による。
【数５】
2004532510.tif 000007
ここで、ｕｚ（ｘ）は法線変位、ｖはポアソン比、Ｅはパッドのヤング率、ｓはダミー変数である。積分方程式（２ａ）の一般解は次の式で与えられる。
【数６】
2004532510.tif 000008
ここで、Ｐは高い特徴の単位長さあたりの荷重である。以下の分析においては、これらの方程式を用い、重ね合せが有効であるとの仮定のもとに、複数の孔（punch）の接触条件について解く。
Ｃｕの平坦化の初期段階においては、従来の蒸着プロセスによって知られているパターン輪郭は、図２Ａに示すようになる。平坦な荷重領域にわたって均等な押込み（indentation）であると仮定すると（∂ｕｚ／∂ｘ ＝ ０）、高い特徴（｜ｘ − ｎλ｜ ≦ ａ）の圧力分布は数式（３）から得られる。
【数７】
2004532510.tif 000009
ここで、Ｐは各接触領域の荷重、ｎはサブダイ領域の中心からの高い特徴のインデックスである（−Ｎ〜Ｎ、合計２Ｎ＋１個の高い特徴とする）。方程式（４）においては、それぞれの高い特徴の荷重Ｐは一定であると仮定する。これは、関心のある特徴が繰返しパターンのサブダイの中心近くにあるときであり、従って圧力分布は隣接するサブダイ領域の異なったパターンによって影響されない。
【００１１】
図４は、正規化した圧力ｐと、荷重の加えられた領域（高い特徴）を横切っての正規化した距離ｘ／ａとの関係を示していて、正規化した圧力は次のように定義される。
【数８】
2004532510.tif 000010
ここで、ｐ’ は特定の高い特徴における平均圧力である。圧力は、高い特徴の縁部においては、鋭利な角部で∂ｕｚ／∂ｘが不連続になることから、理論上は無限大になる。実際には、半径は有限であって、縁部の∂ｕｚ／∂ｘの連続性は維持されて、圧力は高くなるけれども、縁部付近では有限になる。さらに、パッドの材料は、そうした高い応力に耐えられないので、接触する角部のまわりで塑性的に降伏する。縁部付近の圧力集中にもかかわらず、特徴にわたる圧力は均等に分布して、接触領域の平均圧力ｐ’ の約０．７倍に近くなる。さらに、方程式（４）によれば、曲線の概略形状は、荷重やパッドの弾性特性によっては影響されないことが示されている。それぞれの高い特徴に加わる荷重の増加は、各ポイントの圧力を比例的に増加させるが、高い特徴にわたる圧力の分布は変化させない。
高い特徴の外部におけるパッドの変位を得るには、方程式（４）から得られる荷重の加わる領域内の圧力を、方程式（２ａ）に置換えて、積分を行なう。パッドの変位は、次のように正規化された形式で表わされる。
【数９】
2004532510.tif 000011
ここで、ｕzは高い特徴の外部における正規化された変位であって、その定義はｕz≡ｕz（ｘ）／ａであり、またＣ１は正規化された積分定数であって、その定義は単一の平坦な孔の押込みの場合には、次のようになる。
【数１０】
2004532510.tif 000012
積分定数Ｃ１は、初期の表面平面に注目した変位表面のデータｘ0を選択することによってだけ決定することができて、ｕx（ｘ0）＝０である。ｘ0の選択には通常、真の変形した表面の観察に注目することが必要である。このようなＣ１の決定の困難は、接触面から離れた末端の境界条件が未定義であることために、弾性的な半空間における一般的な特徴である。困難を乗越えるために、弾性体の実際の形状と寸法と、支持側における境界条件とについて考えなければならない。しかしながら、パッドの表面レベルではなくて、パッド表面の相対的な形状とパッドの低い特徴への変位とに関心があるのであれば、ｘ0の選択は重要ではなく、パッド表面の輪郭に影響することはない。
【００１２】
図２Ｂに示すように、低い特徴との接触が存在しないという仮定のもとに、高い特徴の輪郭が定常状態に達したとき、均等な圧力の境界条件を適用することができる。圧力分布は、それぞれの高い特徴（｜ｘ−ｎλ｜≦ａ）の荷重Ｐと、特徴の幅の半分ａとに関連させることができて次のようになる。
【数１１】
2004532510.tif 000013
この境界条件を利用すると、サブダイ領域を覆うパッドの変位について、方程式（２ａ）を解くことができる。同様に、変位は次のような正規形に書くことができる。
【数１２】
2004532510.tif 000014
ここで、Ｃ２は積分定数であって、データｘ0に対応して決定される。
【数１３】
2004532510.tif 000015
高い特徴についてのその他の可能な境界条件は、ヘルツ理論によって与えられる楕円圧力分布である。この場合、ウエハとパッドとの双方は、非順応的な弾性体としてモデル化される。二次元のヘルツの接触問題を考えると、接触領域、｜ｘ−ｎλ｜≦ａ、における圧力分布は次のように表わされる。
【数１４】
2004532510.tif 000016
ここで、ｐ０は特徴の最大圧力であって、次のように表わされる。
【数１５】
2004532510.tif 000017
図４に示すように、圧力分布は、正規化された形態のｐと、無次元距離ｘ／ａとの関係に書き直すことができる。
【数１６】
2004532510.tif 000018
楕円圧力分布は、高い特徴の中心付近において、より高い速度の材料除去をもたらす。これが特徴の輪郭を変化させて、圧力分布をより均等な状態へと促進する。この楕円圧力分布を境界に適用すると、正規化された変位は次のように与えられる。
【数１７】
2004532510.tif 000019
ここで、Ｃ３は別の無次元の積分定数である。
【数１８】
2004532510.tif 000020
図５は、様々な境界条件について、変形したパッドの表面輪郭を示した模式図である。様々な境界条件について、サブダイ領域の中心付近における正規化されたパッドの変位は、方程式（６）、（９）、及び、（１４）に基づく。縦座標のゼロ点は、高い特徴の上部を基準として定められる。変位の計算は、今日のＣＭＰの慣例に近い幾何学形状に基づくこととし、面積分率は０．５（Ａｆ ＝ ｗ／λ ＝ １−２ａ／λ ＝０．５）、ウエハへの適用圧力は０．０５ＭＰａ（７ｐｓｉ）とする。
表１に示すように、パッドの弾性率とポアソン比とは、Ｅ＝５００ＭＰａと、ｖ＝０．３とであると仮定する（今日のパッドの値に近い値）。Ｃｕのダマシンに関連したすべての材料のヤング率は、パッドのヤング率に比べてはるかに高いので、先の分析における堅固な孔の押込み（punching indentation）の仮定は有効である。
［表１］  材料の弾性的な特性
2004532510.tif 000021
* ASM Metals Handbook, ASM International.
** Handbook of materials Science, CRC Press Inc.
３つの境界条件についてのパッドの最大変位は、概略同一オーダーの大きさであることが示されている。小さな特徴の幅がおよそｗ＝０．１８〜０．５μｍ（または面積分率が０．５で、特徴はａ＝０．０９〜０．２５）である今日の回路デザインでは、高い特徴の外部におけるパッドの変位は約０．０３〜０．０８ｎｍであって、パッドの表面粗さと比較してほとんど無視することができる。従って、Ｃｕ研磨の平坦化段階のように（初期の段差高さが約０．５〜１μｍ）、段差高さがパッドの変位に比べてはるかに大きいのであれば、パッドは低い表面に接触しないと期待される。従って、平坦化のプロセスが終了するまで研磨が生じることがないために、低い特徴における材料の除去速度は比較的低い。さらに、図５は、３３個の平坦な孔の押込み（高い特徴）に基づいて計算した。サブダイ領域の中心付近におけるパッドの変位は、関心点から所定距離を越えた特徴の総数と幾何学形状によっては、ほとんど影響されないことが見い出された。一般的に、パッドの変位と、特定の低い特徴の箇所における変形したパッドの形状とは、関心のある領域からピッチの５〜６倍の範囲内にある特徴によってのみ影響を受ける。
【００１３】
図５には、線幅のパッド変位への影響も示されている。一定の面積分率、例えば０．５のパターンにおいては、線幅の増大は比例的にパッドの変位を拡大させる。その結果、トポロジーが平坦化される前に、パッドは低い領域に接触し始めて、平坦化の速度は減少する。例えば、１００μｍの線幅においては、パッドの変位は約２０ｎｍである。実際には、パッドの粗さが約１００〜２００ｎｍのサイズであって、粒子のサイズが約２００ｎｍであると考えられるときには、幅広い特徴の低い領域（内部連結線、パッドとの接触）は、早期の平坦化の段階（この場合、初期の段差高さの約半分）にてパッドと接触する。これに比較して、サブミクロンのサイズの特徴では、周囲の高い特徴の制約から、パッドの粗さは低い特徴に自由に達することはできない。従って、パッドの変位が非常に小さいために、平坦化の段階の終わりまで、パッドは低い領域に接触することがない。
面積分率Ａfが同じときの線幅の増大の別の影響は、高い特徴の材料の平均除去速度が減少することである。平坦化の段階において、いくつかの箇所の荷重の一部分は低い特徴によって支えられるので、高い特徴の平均圧力は減少し、材料の除去速度も減少する。異なった面積分率の領域での材料の除去速度の変動は、同じダイのＣｕを除去するためのプロセス時間の変動につながる。このために、ダイの一部を過研磨することが必要になり、酸化物の厚みの変動と、Ｃｕの損失の問題を生じさせる。さらに、低い特徴のパッドとの接触が早まるほど、表面のトポロジーがプロセスの終了点まで部分的に残される見込みは大きくなる。これは、表面の不均等性を増加させ、Ｃｕ層が研磨される前に、トレンチの中のＣｕのディシングを開始させる。
【００１４】
図６は、様々な境界条件について、パッドの変位とパターンの面積分率との関係を示している。正規化されたパッドの変位ｕz／ａは、Ａfと共に増加する。適用された３つの境界条件は、同じ傾向と類似した変位の値を示している。これらの３つの境界条件のうち、楕円圧力分布は、すべてのＡfについて、最大のパッド変位を得ている。低いＡfについて、均等圧力の境界条件は、一定の変位特定条件に比べると、低い領域においてわずかに大きいパッド変位になっている。Ａfが概略０．７よりも大きいとき、荷重領域にて一定である変位の境界条件では、パッドは低い領域においてより変位する。
高い面積分率つまり０．７を越える領域においてＡfに伴なってｕz／ａが急に増加することを除けば、変位はＡfと共にほとんど線形的に増加する。面積分率が０．２〜０．６の領域では、曲線の傾斜はおよそ１×１０-3である。従って、現在の回路デザインの慣習において、たとえ面積分率がわずかに変動したとしても、パッドの変位は同じオーダーの大きさである。そのため、微細な内部連結を備えた最初の２〜３の金属層にあっては、パッドが低い領域に接触する前に表面が平坦化される。さらに、Ｃｕの線幅が小さくて、パッドの変位の影響が本質的に無視できるのであれば、金属の除去速度と平坦化の速度との双方は、Ａfと共に比例的に増加するが、というのは、高い特徴の平均圧力はＡfに対して逆比例するためである。このために、プロセスの平坦化段階では、異なった面積分率を横切るようなダイに、表面の非平坦性が蓄積することになる。
【００１５】
図７は、適用圧力ｐavとパッドのヤング率Ｅとのパッド変位への影響を示していて（楕円圧力分布）、無次元のパラメータｐav／Ｅを用い、その値は現在のパッドとＣＭＰに用いられる公称圧力との１０-4に近い値になっている。しかしながら、表面の平坦性の度合いを変化させるために、異なったパッドを使用しても良い。例えば、ある種のエンジニアリングプラスチックであって、ポリウレタンパッドに比べて約１桁のオーダーの大きいＥであるもの（約１〜５ＧＰａ）、または、ある種の柔軟な金属であって、Ｅに比べて２桁のオーダーの大きいもの（約１０〜２０ＧＰａ）などを上部パッドとして使用して、表面の平坦性を改善しても良い。図７は、Ｅの増加に伴なって、または、ｐav／Ｅの値の減少に伴なって、パッドの変位が比例的に減少することを示している。この結果は、低い特徴と、周囲の低い面積分率の表面に比べて面積分率が高いためにより迅速に研磨された低いサブダイ領域との双方にて、パッドの変位に適用することができる。より堅固なパッドを使用することによって、２つの異なった面積分率の領域の表面レベルを小さい差異に維持して、ダイを横切る表面の平坦性を保持することができる。他方では、Ｅの範囲が約５００ＭＰａ〜約１０ＭＰａであるようなある種のポリマー発泡材などの柔軟なパッドは、研磨粒子の荷重を減少させて、最終研磨段階にて表面のスクラッチを防止する。接触メカニズムモデルを使用することによって、適用圧力の範囲に対応させて、所望の範囲のパッド特性を決定することができる。
【００１６】
再び図２Ｄを参照すると、パッドがディシングと過研磨を開始したときの、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面とが示されている。図２Ｄに示すように、柔軟なＣｕの内部連結は、拡散バリア（Ｔａ、Ｔｉ、又は、ＴａＮ）や、中間レベルの絶縁（ＩＬＤ）酸化物に比べて迅速に摩耗して、Ｃｕの内部連結の表面はディシングされる。さらに、パターン上のＣｕの内部連結を隔離するために、酸化物は過研磨される。
本発明によるＣＭＰ方法によれば、絶縁層と金属層の下側部分とを研磨する第２の段階は、定常状態のモードにおいて実行されて、最小の金属線のディシングと最小の絶縁層の過研磨にて、トレンチの内部に個別の金属線を形成する。
摩耗方程式を参照すると、プレストン定数は、摩耗係数ｋwと研磨される材料の硬度Ｈとの比として定義することができる。従って、ウエハ面の任意の点における本質的な材料の除去速度は、プレストン方程式によって定めることができて、次のように表わされる。
【数１９】
2004532510.tif 000022
ここで、ｐはウエハ表面の関心のある箇所の付近における局所的な平均適用圧力である。摩耗係数は研磨メカニズムに依存して、研磨される材料に対しては鈍感である。ｋwは、ＣＭＰの条件において、ブランケットウエハのＣｕやＴＥＯＳを含む様々な表面被覆に対して、概略一定に維持される。ｋｗがダイスケールと特徴のスケールとの双方で同じであると仮定されるのであれば、図２Ｄに示す如く、Ｃｕと酸化物との双方の表面の材料の除去速度は次のようになる。
【数２０】
2004532510.tif 000023
【数２１】
2004532510.tif 000024
ここで、ＨCuとＨOxideとは、それぞれＣｕと酸化物との硬度である。定常状態の段階を仮定するならば、つまりＣｕのディシングの量が過研磨時間に対して一定であるならば、Ｃｕと酸化物表面との双方の材料除去は均等で同じ速度になる。
【数２２】
2004532510.tif 000025
方程式（１７）と（１８）とを等しいと置いて、隣接するＣｕと酸化物との領域の相対速度は実質的に等しいことを考慮すると、Ｃｕと酸化物との圧力分布とこれらの材料の硬度との関係は、次のようになる。
【数２３】
2004532510.tif 000026
ｐCuとｐOxideとをパターンの幾何学形状について解くためには、内部連結を横切る関心のある領域と周囲の酸化物の間隔との力の平衡条件を使用する。
【数２４】
2004532510.tif 000027
ここで、ｐは特定の領域の平均圧力である。面積分率Ａf＝ｗ／λであるから、方程式（２１）は次のように書き直される。
【数２５】
2004532510.tif 000028
表面の変動（不均等性）は大きくなくて、短時間の過研磨の後では通常１００〜２００ｎｍ未満であるから、ｐの局所的な圧力は、ダイの平均圧力ｐavと概略等しいと仮定することができる。方程式（２０）によって与えられる関係によって、方程式（２２）を解くと、定常状態における酸化物表面の圧力は次のように与えられる。
【数２６】
2004532510.tif 000029
酸化物の表面の圧力は、ダイの平均圧力と、表面に表われている材料の硬度と、パターンの面積分率との関数である。方程式（１８）の圧力を、方程式（２３）に置換するならば、酸化物の表面のプレストン方程式は次のように書き直される。
【数２７】
2004532510.tif 000030
ここで、Ｈ’ は“見かけの硬度”として定義されるもので、次のように表わされる。
Ｈ’ ≡ ＨCu Ａf ＋ ＨOxide（１−Ａf）    …(25)
方程式（２４）を解釈すると、定常状態においては、特定のパターン領域の研磨速度は、材料の硬度がＨ’ で同じ平均圧力ｐ（≒ｐav）であるようなフィールド領域における速度と同等であるということになる。パターンの面積分率の変動に起因して、ダイ領域を横切るＨ’ に変動が存在するのであれば、平均厚さからの酸化物とＣｕとの厚さの偏差は、過研磨時間に伴なって増加する。このため、ダイを横切る見かけの硬度は、可能な限り均等にデザインして、過研磨を減少させるべきである。さらに、酸化物の過研磨の速度は、定常状態の速度とブランケット酸化物の研磨速度とによって束縛される。力の平衡に基づいて、定常状態の値に達するまで、ディシング（Ｃｕの線には低い圧力が適用される）の増加と共に、酸化物の圧力は増加する。同様に、Ｃｕの研磨速度は、ブランケットＣｕの速度（ちょうど端部箇所での平坦な表面上の如く）と、周囲の酸化物の定常状態の速度（これは面積分率が非常に高い場合を除いて、ブランケット酸化物の研磨速度に極めて近い）とによって束縛される。
【００１７】
（実験結果）
以下の例はＣＭＰ方法を例示するために提供するものであって、なんら本発明の範囲を限定する意図ではない。
Ｃｕのダマシン構造をデザインして、金属のディシングと酸化物の過研磨とに対する幾何学形状の影響を研究した。図８は、テストウエハ上のパターンレイアウトを模式的に示している。各ダイ（１０mm×１０mm）の上のパターンは、２mm×２mmのブロック（サブダイ領域）のマトリックスから構成される。これらのブロックはさらに、最小線幅が０．５μｍである線と隙間との特徴から構成される。
図９Ａは、ＣＭＰのマスクレイアウトを模式的に示している。図９Ｂは、図９Ａに示したＣＭＰのマスクレイアウトに対応する、パターンの幾何学形状のレイアウトを示している。図９Ａ〜図９Ｂに示すように、第１のタイプの特徴は、一定の線幅０．５μｍである微細なＣｕ線と、１μｍ〜２００μｍまでの様々なピッチとから構成される。これらは、限界的な寸法で異なったパッキング密度を備えた金属の内部連結を表わしている。第２のタイプの特徴は、大きいピッチ２００μｍにおいて、０．５μｍ〜１００μｍまでの様々なＣｕ線を含んでいて、隣接するＣｕの内部連結の間に大きい間隔を提供して、ディシングにおける線幅の影響を研究するものである。小さいＣｕの線においては、広い間隔は、ディシングに際して、ＳｉＯ２の過研磨の影響を低減する助けになる。第３のタイプの特徴は、様々な線幅とピッチとについて、２つの一定の面積分率０．０１と０．５とのＣｕ領域を含んでいて、ディシングと過研磨とにおけるスケーリングの影響を研究するものである。０．５の面積分率は、今日のＵＬＳＩ回路の金属層レイアウトのデザインルールに近いものである。対照的に、０．０１の面積分率である特徴は、単一の孤立した線を表わしている。表２は、上述した様々なパターンのデザインの特徴を記載している。
［表２］  テストマスクのパターンにおける
線幅(ｗ)とピッチ(λ)と面積分率(Ａf)
2004532510.tif 000031
パターンは、１００mmの（１００）配向のシリコンウエハに、リソグラフィーによって、１．５μｍの厚さのＳｉＯ２（ＴＥＯＳ）のコーティングの上に転写した。酸化物のトレンチが１μｍ深さにエッチングされた後に、２０ｎｍの厚さのＴａのバリア層を蒸着し、続いて１．５μｍの厚さのＣｕ膜をＰＶＤで蒸着した。図１０は、パターン形成されたウエハの横断面を示した走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）の写真である。
実験は、ロータリータイプの研磨機を用いて行なった。ウエハとパッドとの界面の接触を維持すべく、標準圧力（normal pressure）と相対速度とは、それぞれ４８ｋＰａと０．７ｍ／ｓとに維持した。研磨時間は１分間から６分間まで変化させて、研磨中と研磨直後と過研磨との段階をカバーするようにした。研磨スラリーは、平均サイズが３００ｎｍである、４vol.％のα−Ａｌ２Ｏ３の研磨剤から構成した。商業的なＣｕのＣＭＰで使用されている酸性溶液と比較するために、スラリーのｐＨは７に維持して、研磨の機械的な観点にのみ着目することとした。ウエハの研磨にはＲｏｄｅｌのＩＣ−１４００を使用して、各ウエハの研磨前にパッドのコンディショニングを行なった。研磨機の実験条件を表３に示す。
［表３］  実験の条件
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異なる研磨時のパターン表面の輪郭について、粗い特徴と微細な特徴とを、針式プロフィルメータと原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）とによって測定した。このデータから、Ｃｕのディシングの決定は、酸化物の上のＣｕの被覆を除去した後、酸化物表面に対するＣｕ線上の凹部の大きさを測定することによって行なった。酸化物の過研磨の決定は、残された酸化物の厚さを測定することで行なった。粗い特徴については、酸化物の厚さは楕円偏光測定器によって直接測定した。幅が２０μｍ未満の微細な特徴については、楕円偏光測定器によって、基準となる酸化物厚さを、サブダイブロックの間の間隔の４００μｍの幅の酸化物にて測定した。酸化物の特徴の厚さは、サブダイブロックの内部の表面輪郭とこれらの基準となる間隔とを関連させて決定した。すべての測定は中央にあるダイのサブダイブロックの中心で行なって、ウエハスケールの研磨の不均等に起因する空間的変動の影響を最小にするようにした。
【００１８】
図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。図１１Ａは、未研磨の無傷である高い特徴を示していて、Ｃｕの高い反射率のために、光学顕微鏡写真においては明るく示されている。高い表面と低い表面との間の壁は、垂直な入射光の反射が少ないために、明るい視野照明のもとで暗く見えている。図１１Ｂは、２分間の研磨の後を示していて、高い特徴の表面は粗くなっている。しかしながら、低い領域の表面は、Ｃｕの蒸着と同じミクロ構造のままに残っていて、これはパッドが低い領域に接触していないことを示している。図１１Ｃは、３分間の研磨の後を示していて、高い特徴と低い特徴とのいずれの表面も粗くなっていて、高い特徴と低い特徴との間の境界は区別しにくくなっている。これは、段差高さが減少して、高い特徴と低い特徴との鋭利な縁部が丸められたためである。従って、パッドは高い特徴と低い特徴との双方に接触して、両方の表面が研磨される。図１１Ｄは、３分３０秒間の後を示していて、境界は区別不能になって、段差高さがほとんど消失して、Ｃｕの表面が平坦化されている。図１１Ｄでは、３分３０秒でプロセスがほぼ終了点に達して、反射率の低いバリア層のＴａが表われ始めている。図１１Ｅでは、さらに３０秒間の研磨の後に、バリア層が除去されて、下層の酸化物が露出していることが示されている。図１１Ｆは、５分間の後のはるかに暗い酸化物の表面であって、Ｔａ層が取り去られたことを示している。Ｃｕの線は、酸化物の反射率がＣｕの反射率に比べてはるかに低いために、はっきりと識別できる。
【００１９】
図１２は、時間の経過に応じて、発展中のパターンの輪郭の横断面を示したグラフである（線幅は５μｍ、ピッチは２００μｍ）。研磨の始めには、高い特徴は、低い特徴に比べて迅速に除去されて、表面を迅速に滑らかになる。また、鋭利な角部はこの期間に丸められるが、それは縁部に圧力が集中するためである。平坦化の段階における材料の除去速度は、この特徴では約５００ｎｍ／分であって、高い特徴の０．０２５という面積分率はブランケット表面に非常に近いにもかかわらず、ブランケット速度の約２倍である。これについてのひとつの説明は、表面のトレンチが局所的なスラリーの配分を改善するということである。さらに、各サブダイの圧力が、ダイレベルの表面の不均等に起因して、均等でないということもあるだろう。
高い特徴と低い特徴との間の段差高さが減少すると、高い特徴の上の材料の除去速度は、低い特徴における速度に近くなる。これは、表面が滑らかになって、圧力がはるかに均等に分布したことを示している。最終的には、双方の材料の除去速度は、ブランケットＣｕの研磨速度である約２２０ｎｍ／分に近くなって、表面が平坦化される。そして、図１１Ｃに一致するような、プロセスの終了点に達するまで、Ｃｕの表面は平坦に残される。３〜４分後である終了点を過ぎると、Ｃｕの線はディシングを開始して、過研磨の時間に伴なってディシングの量は増加する。酸化物も同じく研磨されるけれども、その速度は、柔らかいＣｕに比べてはるかに遅い。従って、表面のトポロジーは再び大きくなる。
【００２０】
図１３Ａ〜図１３Ｄは、最小の特徴、すなわち０．５μｍのＣｕの線について、パターン発展の同じような傾向を示している。図１３Ａは、線幅が０．５μｍで異なったピッチ（１、２、４、及び、２００μｍ）の様々なパターンについて、プロセスの終了点近くである３分３０秒のＣＭＰ後の様子を示したＡＦＭ写真である。図１３Ｂは、５分間のＣＭＰの後のＡＦＭ写真である。図１３Ｃと図１３Ｄは、それぞれ３分３０秒間と５分間とのＣＭＰの後における、様々なパターンの表面輪郭を示したグラフである。図示のすべての表面は、終了点の直前に平坦化されている。柔らかいＣｕの表面を粒子で研磨するために生じる少数の浅いかすり傷が図１３Ａと図１３Ｂとに明瞭に示されている。過研磨の場合には、Ｃｕの線にディシングが生じて、これは周囲の酸化物の表面に比べて低い位置にあるために、ＡＦＭでは暗く見える。λ＝１及び２μｍの特徴（又はＡf＝０．５及び０．２５の高いＣｕの面積分率）においては、ディシングの量は過研磨後には３０ｎｍ未満であった。対照的に、２００μｍのピッチで孤立した線の特徴については、ディシングは約２００ｎｍと極めて大きかった。孤立した線構造においては、酸化物の縁部に著しい丸まりも生じた。
表４は、テストウエハの中央のダイの構造について、異なった持続時間でのディシングの量を示している。３分以前には、表面が薄いＣｕ層で被覆されていて、ディシングは開始しない。ディシングの開始はパターンの幾何学形状に依存して、Ｃｕの線幅と面積分率（又はピッチ）とで特徴付けられる。初期の観察によれば、ディシングが開始するのは、Ｃｕが研磨され終わった時である。異なった線幅や面積分率の特徴にあっては同時にはＣｕが除去されないので、ディシングの開始は同じパラメータでも変化する。ディシングの開始時間の変動は、すべてのパターンについて、約１分間である。実際には、この変動のために、酸化物表面上のすべてのＣｕを除去するには、ウエハの一部分を過研磨することが必要となって、このために、表面の不均等が生じる。データの最小二乗法から得られたディシングの速度を表４に示す。正規化されたディシングの速度は、０．０４〜１．３９の範囲であって、これは、ディシングの速度を、Ｃｕブランケットの研磨速度である約２１０ｎｍ／分で割ったものとして定義される。
［表４］ディシングの発展の実験結果
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図１４は、面積分率が０．５の特徴について、線幅のディシングへの影響を示していて、これは今日の回路デザインに近いものである。線幅が０．５や１、あるいは２５μｍという小さい特徴においては、ディシングの量は、短時間の過研磨の後には同一水準になる。０．５μｍと２μｍの線について、一定のディシングレベルは約２０〜３０ｎｍであった。さらに、ディシングの速度は、ブランケットＣｕと酸化物の研磨速度によって制限された。０．５μｍと２μｍの線幅では、ディシングの速度は、ブランケット酸化物の研磨速度である約１２ｎｍ／分に近い大きさだった。しかしながら、１００μｍなどの大きな線幅にあっては、ディシングは過研磨時間に伴なって増加して、実験の過研磨時間は比較的長いのに、その間に一定のレベル（定常状態）に達することはなかった。３分間の過研磨の後におけるディシングの量は約４５０ｎｍであった。従って、ディシング速度は約１５０ｎｍ／分であり、これは、ブランケットＣｕの研磨速度である約２１０ｎｍ／分に近い大きさであった。
小さい特徴にあっては、周囲の酸化物が微細なＣｕ線の研磨を制限するために、ディシングは酸化物の除去速度と同じように遅かった。パッドは、小さいトレンチに入るほどには変形しなかった。例えば、線幅が０．５ｎｍでＡf＝０．５のような、小さい線幅で面積分率が適度なパターンにあっては、パッドの下方への変位は約０．０８ｎｍであって、パッドの粗さと比較してほとんど無視できる大きさだった。化学反応を伴なわないのであれば、ディシングの量は、パッドの変位と粒子の押込み深さ（indentation depth）との合計に匹敵するだろうと予想された。実験結果に基づくと、通常のＣＭＰ条件での３００ｎｍのＡｌ2Ｏ3の研磨剤について、押込み深さは約１０〜２０ｎｍであった。従って、最大ディシングは約２０ｎｍであると予想され、これは測定値に一致していた。
Ｃｕの線が十分に幅広であるときには、パッドはディシングされたＣｕの表面に容易に順応して、Ｃｕ表面と酸化物表面との双方へ、ブランケットウエハと同じく、均等な圧力を適用した。例えば、１００μｍでは、パッドは周囲の酸化物に制限されずにディシングされた領域に入り込むように変形した。１００μｍの線における３００〜４００ｎｍのように、たとえ大きい量のディシングが生じたとしても（パッドの変形とパッドの粗さと粒子のサイズとを考慮して）、線幅に対するディシングの比率は依然として約０．００４と非常に小さかった。Ｃｕの接触領域と酸化物の接触領域との間のそうした小さい歪（strain）の違いから、標準圧力は均等、つまりｐCu≒ｐOxide≒ｐであると想定された。従って、ディシングの速度は、ブランケットＣｕの研磨速度である約２２０ｎｍ／分に近い大きさであった。さらに、Ｃｕの深さが１μｍであるデザインにおいて、最悪の場合には、ディシングによって４０％を越えるＣｕが失なわれた。
【００２１】
図１５は、Ａf＝０．０１である孤立した線について、線幅のディシング挙動への影響を示している。その傾向は面積分率が０．５のものと同じであって、ディシングは過研磨時間に伴なって増加して、その速度はブランケットＣｕと酸化物の研磨速度によって制限された。面積分率が０．５である線に比べて、孤立した線ではディシングの量と速度が増加した。ディシングの速度は、０．５μｍと２μｍとの特徴の双方では約１４倍に増加して、５μｍ以上の特徴ではより小さくなった。しかしながら、面積分率が５０分の１に減少したことを考慮するならば、それほど重要なことではない。さらに、０．５μｍや２μｍなどの小さいＣｕ線のディシングでは、約２分半の過研磨で、定常状態に達することがなかった。
図１６は、０．５μｍの線について、面積分率のディシングへの影響を示している。面積分率は、さほどディシングに影響しないことが確認された。０．０１〜０．５の範囲の面積分率において、ディシングの速度はすべて、ブランケット酸化物の研磨速度に近かった。非常に小さい０．０１の面積分率の場合を除けば、２分間の過研磨でも、ディシングは３５ｎｍ未満の低いレベルにとどまることがわかった。
【００２２】
図１７は、面積分率が０．５の特徴について、中性スラリーを使用した本発明と、商業的な化学スラリーを使用した従来技術（１９９９年、Ｐａｒｋら）とを比較して示したグラフである。ディシングの挙動が、約２５μｍ未満であるスラリーにおいて、スラリー中の化学薬品の存在によって影響されなかったことは明らかである。両方の実験において、約１分間の過研磨の後には、ディシングは同じ定常状態レベルに達している。しかしながら、例えば１００μｍなどの幅広のＣｕ領域においては、スラリーのｐＨと化学的性質とを適切に調整することによって、ディシングの速度は減少した。３分間の過研磨の後では、ディシングの量は４５０ｎｍから２３０ｎｍへと半分に減少した。短時間の１分間の過研磨においてさえ、化学スラリーを使用することによって、ディシングは０．６５倍に減少した。これらの結果は、化学作用のディシングへの影響が、機械的な粒子研磨の援助に依存していることを示唆している。純粋な化学的エッチングは、Ｃｕの研磨プロセスにおいては、それほど重要ではなかった。小さい線においては、粒子研磨による材料の除去は、ディシングの増加につれて、粒子に加わる荷重が減少するために、減少した。従って、表面材料の硬度を変化させる化学的効果は、Ｃｕのディシング速度を減少させる上で重要ではなかった。これに反して、ディシングした表面にパッドが順応するために、圧力分布ははるかに均等でディシングが増加してもあまり変化しなかった。従って、化学作用による表面特性の変化速度は、ブランケットウエハに観察される結果と同様に、ディシングの速度を変化させることができる。
図１８は、０．５μｍの一定の線幅における様々な面積分率について、酸化物の過研磨量と研磨時間との関係を示している。酸化物の過研磨が開始するのは、Ｃｕ層が研磨され終わった時であって、それはパターンの幾何学形状に依存する。この事例では、ダイ上の異なったパターンについて、３分間の研磨から４分間までに変化した。過研磨の量は、過研磨の時間の経過につれて増加した。過研磨の速度は、パターンの面積分率の増加と共に増加することが示されている。０．０１や０．０５、及び、０．１２５などの小さい面積分率においては、過研磨の速度は、ブランケット酸化物の研磨の速度と同じか近い大きさであった。０．２５や０．５などの大きい面積分率においては、過研磨の速度は面積分率の増加と共に大きくなった。
【００２３】
図１９は、面積分率の過研磨速度への影響について、分析的結果と実験的結果とを比較して示している。実線は、Ｃｕと酸化物とのブランケット研磨が２７０ｎｍ／分と２６ｎｍ／分とであるときの、方程式（２４）の分析的な結果を表わしている。実験的な結果は、特に面積分率が０．２５未満のときに、モデルと良く一致していることが示されている。０．５などの高い面積分率については、モデルの予測に比べて、速度が高くなっていた。この食違いについての可能性のある説明は、密度の高いパターン領域においては、ブランケット領域や低密度の領域に比べて、スラリーがより効率的に界面に移動するということである。ディシングされたＣｕの凹部は、Ｃｕと酸化物との材料除去の本質的な速度を向上させて、それにより過研磨の速度を増加させる。
図２０及び図２１はそれぞれ、面積分率が０．５と０．０１における異なった線幅の様々なパターンについて、酸化物の過研磨を示している。図２０及び図２１によれば、面積分率が小さくても大きくても、過研磨は線幅にはそれほど強く依存しないことが示されている。面積分率が０．５の場合には、０．５〜１００ｎｍの範囲の線幅について、過研磨の速度は約１００ｎｍ／分であった。面積分率が小さい０．０１は、表面上に孤立した内部連結を有する領域としてモデル化されるもので、０．５〜５ｎｍの範囲の線幅について、酸化物の過研磨の速度は酸化物研磨のブランケット速度に極めて近い。このことは、スケーリングはＣｕと酸化物との双方の圧力分布を著しくは変化させないことを暗示している。過研磨段階中における表面上の圧力分布は、本質的には面積分率だけに影響される。この理由は、サブダイ領域にわたる材料の平均除去速度は、酸化物の過研磨の速度に制約されて、これがパターンの面積分率に依存するためである。このことは、各サブダイ領域の圧力分布が、ウエハに適用される平均圧力と同じであるか近いことを示唆しており、前述の理論的説明の部分で用いた仮定が正しいことを立証している。
また、図２０及び図２１は、定常状態の段階の前の早期の過研磨の段階においては、酸化物の過研磨の速度がより小さいことを示している。これは、過研磨中のＣｕと酸化物と双方の表面における圧力分布の変動によって説明される。圧力は、Ｃｕと酸化物との双方の表面に均等に分配された。Ｃｕがディシングされて表面の不均等性が増加すると、パッドがわずかに変形してディシングされた領域に入り込むようになって、Ｃｕに加わる圧力は減少して、接触面の応力を緩和させる。力の平衡に基づいて、酸化物に加わる荷重が増加して、その結果、定常値に達するまでＭＲＲが増加した。酸化物のＭＲＲは、方程式（２４）から与えられる定常状態の速度と、（表面が平坦である段階の）ブランケット速度とによって制約された。
ＣｕのＣＭＰにおいて、ダイ領域には２つの重要なプロセス条件があって、それは、残っているＣｕの内部連結の厚みと、そのダイ内での均等性とであり、後者は表面トポロジーの変動を表わしている。ウエハのｉ番目のダイの、ｊ番目のサブダイ領域において、ランダムに選んだｋ点における、残っているＣｕの厚みは次のように表わされる。
ｈijk ＝ ｈo−（μi＋ξj(i)＋δj(i)＋ｒk(ij)）    …(26)
ここで、ｈｏは、当初のデザインによるＣｕの内部連結の厚みであって酸化物のトレンチの深さと同一であり、μｉは、特定のダイｉでの酸化物の過研磨の平均であり、ξｊ（ｉ）は、ダイｉの（同じパターン幾何学形状をもった）サブダイ領域ｊにおける酸化物の過研磨量のμｉからの偏差である。従って、過研磨に起因して失なわれるＣｕの量は、μｉとξｊ（ｉ）との合計である。また、方程式（２６）において、δｊ（ｉ）は、ダイｉのサブダイ領域ｊにおけるディシングの量であり、ｒｋ（ｉｊ）はダイｉのサブダイ領域ｊの特定点ｋにおけるランダム誤差である。サブダイ領域の各観察におけるランダム誤差は、ｎ回反復のＣｕの内部連結の厚さをランダムに選択することで見積られる。繰返される特徴をもった特定のサブダイが十分に大きいならば、すなわち、隣接するサブダイの異なったパターンがほとんどのサブダイ領域で圧力分布とスラリーの流れとに影響しないのであれば、ランダム誤差は測定とその他のランダムな要因による誤差を表わすことになる。方程式（２６）は、それぞれの幾何学形状やプロセスパラメータの影響を確認して、プロセスを最適化する助けになる。
Ｃｕの損失を最小にするためには、方程式（２６）の右辺の各変数を、平均及び分散ともに最小にしなければならない。酸化物の過研磨の平均であるμｉは、Ｃｕの面積分率の平均値に影響され、過研磨時間の経過に伴なって増加する。そしてウエハにわたる分散は、ウエハ内の研磨の不均等性に伴なって増加するが、かかる不均等性は、ウエハ／パッドの接触条件や、スラリーの分配、及びパッドの剛性などの全域的な（ウエハスケールの）要因によって定められる。実際には、面積分率の平均は０．３〜０．５に限られていて、同一のＩＣ製品ではそれほど大きく変化することはない。従って、μｉの最小化は主としてウエハ内の研磨の不均等性の減少に依存していて、異なったダイにおいて余分なＣｕを除去するのに必要な過研磨時間を最小化することができる。
【００２４】
方程式（２６）によって示唆されるように、サブダイ領域の局所的なパターンレイアウトによる過研磨の速度∂ξ／∂ｔは、摩耗係数とＣｕの面積分率とＣｕ及び酸化物の硬度とによって定められる。サブダイの面積分率の配置状態は、通常は回路のデザイナーが定めるので、変更することはできない。パターンの局所的なレイアウトの過研磨への影響を最小にするため、∂ξ／∂ｔは可能な限り小さく調整する必要があり、及び／又は、研磨の最終段階において（又は過研磨の開始の後に）局所的なトポロジーの変動に対して感受性を低くしなければならない。過研磨の速度は、摩耗係数に伴なって増加する。本発明のひとつの実施形態では、研磨剤の硬度がＩＬＤ酸化物に近くてＣｕよりは高いような、軟質の研磨粒子を使用した。従って、たとえすべての余分なＣｕを除去するための過研磨時間が同じままに維持されたとしても、より少ない過研磨が生じる。他の実施形態では、スラリーのｐＨと化学的性質とを調整することによって、Ｃｕの硬度を高めて、及び／又は、酸化物の硬度を低めた（本質的にはＣｕのＭＲＲと酸化物のＭＲＲとの比率、いわゆる選択度を下げている）。これは、過研磨の速度の変動（又は異なったサブダイにわたる“相対硬度”の変動）について、面積分率の変動の感受性を低下させる。スラリーのｐＨを（Ｃｕ除去を遅らせない程度に）高めて酸化物の硬度を低下させることは、Ｃｕの硬度を高めるよりも優れているが、それは過研磨時間が増加しないためである。しかしながら、酸化物がはるかに高い速度で過研磨されるので、終了点を検出する機構を採用すべきである。
発明者の発見によれば、ディシングはＣｕの線幅に強く関連している。サブミクロンの線においては、ディシングの速度は極めて低くて（酸化物のブランケット速度に近くて、スラリーの化学的性質には敏感でない）、定常状態のディシングは非常に小さい。ディシングのＣｕ損失と表面の不均等性への影響は、今日若しくは未来の回路デザインにとって、無視することができる。しかしながら、大きな金属パッドや５０〜１００μｍの幅広の電力伝達線などを備えたいくつかのデザインにおいては、ディシングの速度はブランケット研磨の速度に近くなる。これらの事例では、ディシングはＣｕの損失と表面の不均等性とをもたらす。パッドの押込みを減少させるためにパッドのヤング率を高めたり、わずかに基本的なスラリーを使用して酸化物の過研磨速度を増加させずにＣｕの研磨速度を遅らせることが必要である。
【００２５】
本発明によるＣＭＰ方法のひとつの利点は、金属層の上側部分の平坦化と研磨との第１の段階にあっては接触モデルに基づいて、金属のディシングと酸化物の過研磨との第２の段階にあっては定常状態のモデルに基づいていることである。従って、第１の段階においては様々なパターン（Ａfが０．０１〜０．５）の初期のトポロジーの平坦化と研磨とが迅速になるようにプロセス条件を選択することができ、平坦な表面に達する。表面が平坦化された後には、残っているＣｕをブランケット研磨速度に近い速度にて除去して、いくつかのサブダイ領域でＣｕの一部分が除去されるまで、表面の変化は維持される。Ｃｕが除去された後には、ディシングと過研磨とのために、表面の不均等性は増加する。本発明による第２の段階の定常状態モデルは、金属のディシングと酸化物の過研磨とを減少させるべく、プロセス条件を最適化するメカニズムを提供する。実験は、ディシングにおいては線幅が重要な幾何学的パラメータであることを示している。１μｍ未満の細い線については、ディシングの速度は酸化物のブランケット速度に近くて、短時間の過研磨の後に定常状態の輪郭に達するだろう。約５０〜１００μｍの幅広の線については、Ｃｕはブランケット速度に近い速度でディシングされる。従来技術と比較すると、スラリーのｐＨと化学的性質とは、細い線のディシング速度を大きくすることは無いが、幅広の線のディシングを遅らせることがある。このことは、パッドの変形に帰する荷重分布と粒子の機械的作用とが、特に細い線のＣｕのディシングにおいて、重要な役割をもっていることを暗示している。酸化物の過研磨は、パターンの面積分率には大きく依存し、線幅にはさほど依存しない。実験は、短時間の後に過研磨が定常状態の速度に達することを示している。過研磨の定常状態の速度は、見かけの硬度と、Ｃｕ及び酸化物の固有の摩耗係数とに依存している。また実験は、大きな面積分率のパターンにおける過研磨の速度は、スラリーの移動が改善されるために、モデルによって予測されるよりも大きくなることを示している。さらに、過研磨はさほど線幅に依存しないので、デバイスのスケールを縮小したとき、パターンレイアウトに面積分率の大きい変動があったならば、ダイ内の不均等性は主として過研磨に帰するものでディシングに帰するものではない。
本発明によるＣＭＰ方法を使用すれば、Ｃｕの除去速度を最大化すると共に、ディシングと過研磨とに起因する表面の不均等性を減少させることができる。本発明の方法は、酸化物の過研磨を減少させ、異なった面積分率と線幅との影響によって生じる、ディシングと過研磨との変動を最小化することができる。従って、表面のトポロジーは、短時間の過研磨によっても、平坦でなくなることがない。
本発明の特定の実施形態と例示についての上記説明は、例示と解説を目的として提示したものであり、発明を例証するのにいくつかの例を用いてはいるけれども、それらに限定されると解釈すべきではない。そうした例示は網羅的であることを意図していないし、開示されたそのままの形態に発明を限定することも意図していなくて、上述の教示に鑑みて多数の改変や具体化及び変形が可能であることは明らかである。本発明の範囲は、本願で開示された包括的領域を包含し、特許請求の範囲とその均等物によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】図１Ａは、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行なう前における金属のダマシン構造を示した模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、金属のＣＭＰの後におけるディシングと過研磨とを示した模式図である。
【図２Ａ】図２Ａは、初期の段階において、高い特徴で明示された均等なパッド変位における、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面を示した模式図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、平坦化の段階において、高い特徴との接触で明示された圧力（均等な圧力、又は、楕円分布）における、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面を示した模式図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、パッドが低い領域と接触した、平坦化の終わりの段階における、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面を示した模式図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、パッドがディシングと過研磨を開始したときの、特徴パターンと研磨パッドとの接触界面を示した模式図である。
【図３】図３は、弾性的な研磨パッドに接触して移動する、堅固な線構造を示した模式図である。
【図４】図４は、様々な境界条件について、高い特徴の接触領域の圧力分布を示したグラフである。
【図５】図５は、様々な境界条件について、変形したパッドの表面輪郭を示した模式図である。
【図６】図６は、様々な境界条件について、パッドの変位とパターンの面積分率との関係を示したグラフである。
【図７】図７は、パッドの変位（楕円圧力分布）において、適用圧力ｐａｖとパッドのヤング率Ｅとの効果を示したグラフである。
【図８】図８は、テストウエハのパターンレイアウトを示した模式図である。
【図９Ａ】図９Ａは、ＣＭＰのマスクレイアウトを示した模式図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示したＣＭＰのマスクレイアウトに対応する、パターン形態のレイアウトを示した図である。
【図１０】図１０は、特徴パターンの横断面を示したＳＥＭ写真である。
【図１１Ａ】図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。
【図１１Ｂ】図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。
【図１１Ｃ】図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。
【図１１Ｄ】図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。
【図１１Ｅ】図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。
【図１１Ｆ】図１１Ａ〜図１１Ｆは、ＣＭＰ時間の経過に応じ、パターン面（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）の発展を示した光学顕微鏡写真である。
【図１２】図１２は、時間の経過に応じて、発展中のパターンの輪郭の横断面を示したグラフである（ｗ＝２５μｍ、λ＝２５μｍ）。
【図１３Ａ】図１３Ａは、ＣＭＰの３分３０秒後における様々なパターンを示したＡＦＭ写真である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、ＣＭＰの５分後における様々なパターンを示したＡＦＭ写真である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、ＣＭＰの３分３０秒後における様々なパターンの表面輪郭を示したグラフである。
【図１３Ｄ】図１３Ｄは、ＣＭＰの５分後における様々なパターンの表面輪郭を示したグラフである。
【図１４】図１４は、一定の面積分率ｗ／λ＝０．５のパターンについて、時間経過による銅のディシングの発展を示したグラフである。
【図１５】図１５は、一定の面積分率ｗ／λ＝０．０１における様々な線幅ｗのパターンについて、時間経過による銅のディシングの発展を示したグラフである。
【図１６】図１６は、一定の線幅ｗ＝０．５μｍにおける様々な面積分率ｗ／λのパターンについて、時間経過による銅のディシングの発展を示したグラフである。
【図１７】図１７は、中性スラリーを使用した本発明と、化学スラリーを使用した従来技術との比較を示したグラフである。
【図１８】図１８は、一定の線幅ｗ＝０．５μｍにおける様々な面積分率ｗ／λのパターンについて、時間経過による酸化物の過研磨の発展を示したグラフである。
【図１９】図１９は、一定の線幅ｗ＝０．５μｍにおける様々な面積分率ｗ／λのパターンについて、酸化物の過研磨の速度の理論値と実験結果との比較を示したグラフである。
【図２０】図２０は、一定の面積分率ｗ／λ＝０．５における様々な線幅ｗのパターンについて、時間経過による酸化物の過研磨の発展を示したグラフである。
【図２１】図２１は、一定の面積分率ｗ／λ＝０．０１における様々な線幅ｗのパターンについて、時間経過による酸化物の過研磨を示したグラフである。
【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１２】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際公開パンフレット】
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2004532510.tif 000118
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004532510.tif 000119
【国際調査報告】
2004532510.tif 000120