(57)【要約】平面基板上に集積される少なくとも1つのＹ字接合体を備える光導波路デバイス。Ｙ字接合体は基板上に延びる第一（１）、第二（３）、第三（４）光導波路、および所定幅の截頭部（５）を有し、第二および第三導波路が第一導波路から分岐する遷移領域（２）を備える。截頭部において、第一導波路の幅が第二、第三導波路、および截頭部の幅の合計より小さい。第一導波路が遷移領域の二股分岐部まで実質的に一定の幅で延びる。
2004529377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板上に集積される少なくとも1つのＹ字接合体を備える光導波路デバイスであって、前記接合体が前記基板上に延びる第一（１）、第二（３）、第三（４）光導波路、および所定幅の二股分岐不連続部（５）を有し、前記第二（３）および第三導波路（４）が前記第一導波路（１）から分岐する遷移部（２）を備える光導波路デバイスにおいて、
実質的に前記二股分岐不連続部（５）において、前記第一導波路（１）の幅が、前記第二および第三導波路（３、４）の幅と前記二股分岐不連続部（５）の幅との合計より小さく、前記第一導波路（１）が前記遷移部（２）の前記二股分岐不連続部（５）まで実質的に一定の幅で延びることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記二股分岐不連続部（５）の幅が０．２μmより大きいことを特徴とする請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記遷移部（２）が、前記第二導波路（３）と第三導波路（４）との間に分離領域（７）を有し、前記分離領域（７）が前記第二および第三導波路（３、４）より小さい屈折率を有することを特徴とする請求項１または２記載のデバイス。
【請求項４】
前記分離領域（７）の幅が、前記遷移部（２）全体にわたり実質的に一定であることを特徴とする請求項３記載のデバイス。
【請求項５】
前記分離領域（７）の幅が、前記第一導波路（１）から離間するに従い、漸次増加することを特徴とする請求項３記載のデバイス。
【請求項６】
前記第二および第三導波路（３、４）が、前記遷移領域（２）内において、前記第一導波路（１）から離間するに従い、漸次増加することを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載のデバイス。
【請求項７】
前記二股分岐不連続部（５）において、前記第二および第三導波路（３、４）の幅と前記二股分岐不連続部（５）の幅との合計が、前記第一導波路（１）の幅を約１０〜５０％上回ることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載のデバイス。
【請求項８】
前記二股分岐不連続部（５）において、前記第二および第三導波路（３、４）の幅と前記二股分岐不連続部（５）の幅との合計が、前記第一導波路（１）の幅を約１５〜３５％上回ることを特徴とする請求項７記載のデバイス。
【請求項９】
前記第一、第二、および第三導波路（１、３、４）が、所定波長の放射線をシングル・モードで伝搬することができることを特徴とする、請求項１〜８いずれか１項記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第二および第三導波路（３、４）が、前記第一導波路（１）から実質的に対称に分岐することを特徴とする請求項１〜９いずれか１項記載のデバイス。
【請求項１１】
前記平面基板がニオブ酸リチウムから成ることを特徴とする請求項１〜１０いずれか1項記載のデバイス。
【請求項１２】
集積光導波路デバイスを作成する方法であって、
屈折率を有する第一材料から成る平面基板を提供するステップ、および
前記基板の屈折率を増大することができる第二材料を用いて、前記基板の少なくとも一部に導波路構造体を集積するステップの各ステップを有して成り、
前記集積ステップが所定波長の照射放射線に対して透明である少なくとも１つの領域をマスクに設けるステップを含み、前記透明領域が前記導波路構造体と実質的に一致する構造体を規定し、前記導波路構造体が入力導波路（１）、遷移領域（２）、および２つの出力導波路（３、４）を有する少なくとも1つのＹ字形部分を備え、前記遷移部（２）が、前記入力導波路（１）から前記出力導波路（３、４）が分岐する二股分岐部に所定幅の截頭部（５）を設ける方法において、
前記少なくとも1つの透明領域をマスクに設けるステップが、
前記遷移部（２）の前記截頭部（５）の実質的な位置に、前記出力導波路（３、４）の幅と前記截頭部（５）の幅との合計が、前記入力導波路（１）の幅より大きくなるような幅の不連続部（６a、６b）を規定するステップ、および
前記入力導波路（１）が前記遷移領域（２）の前記截頭部（５）まで実質的に一定の幅で延びるよう規定するステップ
の各ステップを有して成ることを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記集積ステップが、
前記第二材料から成る第一層を堆積するステップ、
感光材料から成る第二層を堆積するステップ、
前記第二層を前記マスクで覆うステップ、
前記マスクに前記放射線を照射し、集積する導波路構造体のプロファイルを前記第二層にマスクするステップ、および
前記プロファイル外部の前記第二材料の一部を除去するステップ
の各ステップを更に有して成ることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記集積ステップが、前記除去ステップの後に、前記第二材料を所定の温度で前記基板に拡散するステップを更に有して成ることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記温度が約９００℃〜１１５０℃であることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記第一材料がニオブ酸リチウムであることを特徴とする請求項１２〜１５いずれか1項記載の方法。
【請求項１７】
前記第二材料がチタンであることを特徴とする請求項１２〜１６いずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記第二材料から成る第一層の厚さが約５００nmであることを特徴とする請求項１３〜１７いずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
前記厚さが５０〜１５０nmであることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
光導波路デバイスを形成するためのマスクであって、所定波長の照射放射線に対し透明である少なくとも１つの領域を備え、前記透明領域が平面基板上に集積する導波路構造体と実質的に一致する構造体を規定し、前記導波路構造体が、入力導波路（１）、遷移部（２）、および２つの出力導波路（３、４）を有する少なくとも１つのＹ字形部分を備え、前記遷移部（２）が、前記入力導波路（１）から前記出力導波路（３、４）が分岐する二股分岐部に所定幅の截頭部（５）を備えることを特徴とするマスクにおいて、
前記マスクが前記遷移部（２）の前記截頭部（５）の実質的な位置に、前記出力導波路（３、４）の幅と前記截頭部（５）の幅との合計が、前記入力導波路（１）の幅より大くなるような幅の不連続部（６a、６b）を有し、
前記入力導波路（１）が前記遷移部（２）の前記截頭部（５）まで実質的に一定の幅で延びることを特徴とするマスク。
【請求項２１】
前記遷移部（２）の前記出力導波路（３、４）の間に、少なくとも前記截頭部（５）の幅と等しい幅を有する分離領域（７）を備えることを特徴とする請求項２０記載のマスク。
【請求項２２】
前記分離領域（７）の幅が前記遷移部全体にわたり実質的に一定であることを特徴とする請求項２１記載のマスク。
【請求項２３】
前記分離領域（７）の幅が、前記第一導波路（１）から離間するに従い、漸次増加することを特徴とする請求項２１記載のマスク。
【請求項２４】
前記二股分岐部において、前記出力導波路（３、４）の幅と前記截頭部（５）の幅との合計が、前記入力導波路（１）の幅を約１０〜５０％上回ることを特徴とする請求項２０〜２３いずれか１項記載のマスク。
【請求項２５】
前記二股分岐部において、前記出力導波路（３、４）の幅と前記截頭部（５）の幅との合計が、前記入力導波路の幅を約１５〜３５％上回ることを特徴とする請求項２４記載のマスク。
【請求項２６】
前記截頭部の幅が０．２μmより大きいことを特徴とする請求項２０〜２５いずれか１項記載のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面基板上に集積され、少なくとも１つのＹ字接合体を有する光デバイスに関するものである。また、本発明は、前記デバイスの製造方法、および前記デバイスを製造するためのマスクに関するものでもある。
【背景技術】
【０００２】
光通信用集積光部品の分野において、導波路を伝搬する光信号の電力を二等分割し、２つの異なる導波路に伝達することができる構造体を製造することが特に重要である。
【０００３】
一般に、図１に示すような対称Ｙ字接合体がこの機能を果たすために使用される。通常、前記接合体は幅Ｘｓの入力導波路１から成り、前記導波路が徐々にかつ連続的に拡大し、中間遷移領域２において、長手方向に存在する入力導波路１の軸に対し互いに対称な、幅Ｘｄの（一般に入力導波路の幅Ｘｓと等しい）２つの異なる出力導波路３および４に分離される。前記の導波路は適切な平面基板上に集積される。対称Ｙ字接合体は従来技術の分野において、「３ｄＢカップラー」、あるいは「３ｄＢスプリッタ」としても知られている。
【０００４】
Ｙ字接合体の動作原理はモード展開に基づいている。入力導波路１は、一般にシングル・モードである。即ち、入力導波路１は、所定波長の電磁放射線の基本モードのみを伝搬する幾何学的寸法を有している。また、出力導波路３および４も一般にシングル・モードである。一方、入力導波路１と出力導波路３および４との間の遷移領域２、即ち入力導波路１が徐々に拡大する領域は、前記電磁放射線の複数の高次モードを伝搬する寸法になる可能性がある。２つの出力導波路３および４が互いに分離する二股分岐部は、図１に示すように、理論的には微小な「先端」１０に過ぎない。しかし、前記二股分岐部は、製造上の制約から、一般に丸みを帯びているか、あるいは、例えば、図２に示すような截頭部５のような形をしている。
【０００５】
Ｙ字接合体は、第一Ｙ字接合体を種々のＹ字接合体にカスケード接続して１ｘＮのパワー・スプリッタを構成し、入力光パワーが出力においてＮ等分割される、例えば、マッハ・ツェンダー干渉計や木構造型カスケード接合体のように、１つの基板上に集積される複雑な光構造体の「基本要素」として頻繁に使用される。前記デバイスは能動デバイスおよび受動デバイスのいずれであってもよい。受動デバイスの場合には、デバイス中を伝搬する電磁放射線は、導波路を平面基板上に適切に配置することによってのみ制御される。また、能動デバイスの場合には、前記電磁放射線は、例えば、基板上の光導波路の上または近傍に配置される（光電デバイスにおける）電気信号用電極、（光音響デバイスにおける）音波発生用電極、（光熱デバイスにおける）温度変化に敏感な要素など、適切な外部信号変換器を用いて制御することもできる。Ｙ字接合体を用いた能動デバイスの例には、マッハ・ツェンダー変調器、光電スイッチ、光電減衰器、カスケート型光電スイッチなどがある。
【０００６】
用途によっては、導波路を伝搬する光パワーを２つの出力導波路に等分割しない場合もある。従って、Ｙ字接合体は長手方向に対し非対称に製造されることもある。
【０００７】
Ｙ字接合体は、通常、下記を含む一定の要件を満足する必要がある。
【０００８】
1) 挿入損失が少ない。
【０００９】
2) 高次モード励起が小さい。
【００１０】
3) 長手方向の寸法が短い。
【００１１】
前記のような複雑な光構造体にＹ字接合体を使用するためには、前記要件を特に厳しく遵守する必要がある。例えば、木構造形に配列した、カスケード型Ｙ字接合体から成る１ｘＮのパワー・スプリッタの場合、各々のＹ字接合体の挿入損失が大きいと、デバイス全体の挿入損失が許容閾値を超え、高次モード励起によって接合体のパワー分割および/または基板上の導波路に分散した光パワーの接合体下流における再結合が不正確になり、および/または光パワーの高次モードとの結合による誘導光パワー損失の増大、更には各々の接合体の長手方向の寸法をできるだけ短くすることにより、デバイスがコンパクトになり著しくコストを削減することができる。
【００１２】
特に、高次モードの伝搬に適した寸法を有する、入力導波路と出力導波路３および４との間の遷移領域２が高次モード励起の原因となる。光パワーと高次モードとの結合は、長手方向に対する遷移領域拡大の度合いを非常に小さくする（＜１°）ことによって軽減することができる。前記のような場合を「断熱拡大」と呼ぶ。前記問題解決手法は、デバイス長が長くなることが避けられないという欠点がある。
【００１３】
Ｙ字接合体の特性を改善する方法がいくつか提案されている。
【００１４】
例えば、基板と基板上にＹ字接合体を有する導波路とを備える光デバイスが、特許文献１に記載されている。前記特許出願の目的は、従来のものより小型の素子を製造することである。前記Ｙ字接合体は、先に行くに従って幅が広くなり、伝送光をシングル・モードからマルチ・モードに変換するシングル・モード光伝送用の第一導波路、一方が前記拡大した側の一端に接続され、前記拡大した幅と同じ幅および特定の長さを有するマルチ・モード光を伝送する直線部、および端部が前記直線部の別の端部に面するよう配置され、前記直線部から離れるに従い特定の曲率をもって相互に分岐し、前記直線部の別の端部から届いた光をシングル・モードで伝送する第二および第三導波路を備えている。接合型光デバイスの特徴は、第二および第三導波路端部の曲率半径が５０ｍｍ未満であり、前記直線部は第二および第三導波路との結合損失が最小になるような幅および長さが選択されることである。前記第二および第三導波路は、特定の幅Ｇ1 を有する第一不連続部と交差し前記直線部に向け対向しており、幅Ｇ２を有する第二不連続部で互いに分離している。前記直線部と第二および第三導波路との結合損失を最小にするため、前記拡大部の拡大角度、直線部の幅および長さ、および不連続部の幅Ｇ１およびＧ２に対し、それぞれ最適な値が選択される。
【００１５】
入力導波路、および入力導波路に接続される２つの分岐導波路を備え、入力光導波路の中心軸と前記２つの分岐導波路間の中心軸とがずれている、入力光を二股分岐する光導波路Ｙ字分岐装置が特許文献２に記載されている。前記構成において、入力導波路に入射した光は、前記２つの分岐導波路の中心軸からずれながら、前記２つの分岐導波路に入射し、光パワーが前記２つの分岐導波路に均等に分配されないようにしている。従って、光パワーは２つの中心軸間のずれを関数とする分岐比に従って分配される。好ましい構成において、入力導波路は拡大導波路によって前記分岐導波路に接続されている。
【００１６】
１つの入力導波路とＮ個の出力導波路を有し、少なくとも一番外側の出力導波路が互いに傾斜している、集積光１ｘＮスプリッタが特許文献３に記載されている。前記１ｘＮスプリッタは、一番外側の導波路の内側縁部が交差する点の上流に位置する領域を含み、導波路のクラッド層と同じ屈折率を有するセパレータを更に備えている。前記１ｘＮスプリッタは、損失が小さく、分岐角度が大きいことが特徴である。例えば、前記セパレータの幅を拡大または縮小することができる。
【特許文献１】
特開平９‐２３０１５１号公報（株式会社フジクラ）
【特許文献２】
特開平９‐３３７４０号公報（日立電線株式会社）
【特許文献３】
国際公開第９７/３２２２８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本出願人は、二股分岐領域の先端に截頭部５を有する図２に示すようなＹ字接合体において、断熱拡大を有する構造体であっても、中間遷移領域に高次モード励起が見られることに気がついた。出願人によれば、前記のことは、特に導波路の幅によって高次モードの伝搬が支持されるような場合、截頭部によって有次元の不連続性が二股分岐領域の屈折率プロファイルにもたらされるからである（二股分岐不連続性）。前に説明したように、高次モード励起は好ましくない現象である。また、本出願人は、前記特許文献３のように、二股分岐領域の基板と同じ屈折率を有する分離領域を備えても、高次モード励起の問題を充分に解決することはできないことに気がついた。
【００１８】
本出願人は、実質的に入力導波路１の漸次拡大領域をなくし、入力導波路１の最終部分の幅と截頭部における出力導波路３および４の当初の部分の幅との間に連続性を持たせないことにより、図２に示すようなＹ字接合体の入力導波路から出力導波路に遷移する中間領域における高次モードの励起を軽減できることを発見した。本出願人によれば、前記のような幅の不連続性により、截頭部５によって出力導波路３と４との間の二股分岐領域にもたらされる悪影響が実質的に補償される。特に、本出願人は遷移領域における前記幅の幾何学的不連続性は、実質的に光学的な連続性を有するように、即ち前記二股分岐領域直前および直後の電磁界のプロファイルが実質的に同じであるように設計することができることを発見した。
【００１９】
Ｙ字接合体を備えるデバイスの製造プロセスに使用されるマスクに、前記幅の不連続部を適切に形成することにより、前記のような導波路構造体を製造することができる。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
第一の態様において、本発明は、平面基板上に集積される少なくとも１つのＹ字接合体を備える光導波路デバイスに関するものである。前記Ｙ字接合体は、前記基板上に延びる第一、第二、第三光導波路、および所定幅の二股分岐不連続部を有する、前記第二および第三導波路が前記第一導波路から分岐する遷移部を備える。実質的に前記二股分岐不連続部における前記第一導波路の幅は、前記第二導波路、第三導波路、および二股分岐不連続部の幅の合計よりも小さい。前記第一導波路は実質的に一定の幅で遷移部の不連続部まで延びている。
【００２１】
一般に、前記二股分岐不連続部の幅は、０．２μｍより大きい。
【００２２】
更に、前記遷移部は、前記第二導波路と第三導波路との間に、前記第二導波路および第三導波路より小さい屈折率を有する分離領域を備えることができる。前記分離領域の幅は、遷移部全体にわたり実質的に一定であるか、または前記第一導波路から離間するに従って漸次増加してよい。
【００２３】
前記前記第二および第三導波路の幅も、前記遷移部内において前記第一導波路から離間する従って漸次増加してよい。
【００２４】
前記接合体の導波路は、シングル・モード・タイプであることが好ましい。
【００２５】
第二の態様において、本発明は集積光導波路デバイスの製造方法に関するものである。前記方法は、屈折率を有する第一材料から成る平面基板を提供するステップ、および前記基板の屈折率を増大することができる第二材料を用いて、前記基板の少なくとも一部に導波路構造体を集積するステップの各ステップを有して成り、前記集積ステップが所定波長を有する照射放射線に対し透明である少なくとも１つの領域をマスクに設けるステップを含み、前記透明領域が前記導波路構造体と実質的に一致する構造体を規定し、前記導波路構造体が、入力導波路、遷移部、および２つの出力導波路を有する少なくとも１つのＹ字形部分を備え、前記遷移部が、前記入力導波路から前記出力導波路が分岐する二股分岐部に所定幅の截頭部を設けることを特徴とする方法である。
【００２６】
前記少なくとも１つの透明領域をマスクに設けるステップが、前記遷移部の前記截頭部の実質的な位置に、前記出力導波路の幅と前記截頭部の幅との合計が、前記入力導波路の幅より大きくなるような幅の不連続部を設けるステップを含んでいる。
【００２７】
前記集積ステップが、前記第二材料から成る第一層を堆積するステップ；感光材料から成る第二層を堆積するステップ；前記第二層を前記マスクで覆うステップ；前記マスクに放射線を照射し、集積する導波路構造体のプロファイルを前記第二層にマスクするステップ；前記プロファイル外部の前記第二材料の一部を除去するステップを更に含むことができる。
【００２８】
１つの製造方法によれば、前記集積ステップが、前記除去ステップの後に、前記第二材料を所定の温度で前記基板に拡散するステップを更に含む。
【００２９】
前記拡散温度は約９００℃〜１１５０℃である。前記第一材料は、例えば、ニオブ酸リチウムであり、前記第二材料は、例えば、チタンである。
【００３０】
第三の態様において、本発明は、所定波長の照射放射線に対し透明である少なくとも１つの領域を備える光導波路デバイスを形成するためのマスクに関連している。前記透明領域が、平面基板上に集積する導波路構造体と実質的に一致する構造体を規定し、前記導波路構造体が、入力導波路、遷移部、および２つの出力導波路を有する少なくとも１つのＹ字形部分を備える。また、前記遷移部は、前記截頭部の実質的な位置において、前記出力導波路の幅と前記截頭部の幅との合計が、前記入力導波路の幅より大きくなるような幅の不連続部を含んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
添付図面を参照しながら、本発明のいくつかの例を説明する。下記の例は単に本発明を説明するためのものであって、限定を意味するものではない。
【００３２】
図４は本発明によるＹ字接合体の好ましい実施の形態を示す図である。前記接合体は平面基板上に集積され、入力導波路１と、２つの出力導波路３および４とを備えている。導波路１、３、および４は、所定波長の電磁放射線を誘導するのに適している。Ｙ字接合体は、出力導波路３および４が入力導波路１から分岐する、以下に詳述する遷移領域２を更に備えている。
【００３３】
本明細書において、以後「入力」、および「出力」という用語は、単に説明のために使用されるものであって、限定を意味するものではない。事実、Ｙ字接合体は１ｘ２のスプリッタ（放射線が第一導波路１から入射し、第二導波路３、および第三導波路４から出射する場合）、または２ｘ１のカプラー（第二および/または第三導波路３、４からの放射線が、第一導波路１から出射する場合）として動作することができる。
【００３４】
３ｄＢスプリッタ（またはカプラー）の場合、Ｙ字接合体は、図の平面と直交する実質的に対称な平面を有し、前記平面の長手方向に軸９が規定される。この方向が実質的に入力導波路１内の光の伝搬方向と一致する。別のアプリケーションにおいて、前記出力導波路３、４を軸９に対し非対称にすることができる。
【００３５】
前記平面基板は、光導波路の集積に適する材料であれば、どのような材料からでも作ることができる。例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を用いて作成することができる。前記材料は、例えば、本発明によるＹ字接合体を有する光電、または光音響デバイスの製造に適している。別の方法として、前記基板はガラス、またはポリマー材料を用いて作成することができる。当業者は、具体的な要件に基づいて、本明細書が開示する教示内容をあらゆる種類の平面基板上に形成されるＹ字接合体に応用することができる。
【００３６】
本出願人が作成した例では、Ｙ字接合体をカット方向が結晶ｘ軸に垂直な構造を有する（ｘカット）ニオブ酸リチウム基板上に形成し、光の伝搬方向を結晶ｙ軸の方向（ｙ伝搬）とした。別の方法として、前記構造体はカット方向が前記ｙ軸に垂直である基板（ｙカット）を備え、光の伝搬方向が実質的に前記ｘ軸に沿う方向（ｘ伝搬）とすることもできる。前記ｘカット、またはｙカット構造体は温度ドリフトが小さく（即ち、温度変化に伴う動作点の変動が小さい）、低電気駆動力の光電、または光音響デバイスを製造することができる。更に別の方法として、カット方向がｚ軸に沿った（ｚカット）基板とし、光の伝搬方向をｘ軸（ｘ伝搬）、またはｙ軸（ｙ伝搬）に沿った方向とすることもできる。
【００３７】
前記接合体は、光信号が前記導波路１、３、および４の延長方向によって実質的に規定される電磁放射線の実効伝搬方向を有するように構成される。特に、出力導波路３および４が少なくとも最初の位置において、前記軸９に対する角度が２°（絶対角）未満であることが好ましい。前記角度は前記導波路３および４の中心軸を基準にして測定することができる。
【００３８】
前記導波路１、３、および４は、所定波長のシングル・モードの放射線を伝搬することができる幅を有していることが好ましい。前記放射線は、約１５２５〜１６１０nm範囲の波長を有していることが好ましい。別の方法として、前記接合体を、所謂第二窓と呼ばれる１３００nm近傍の放射線の伝搬に適合させることができる。当業者は、具体的な要件に基づいて、本明細書が開示する教示内容をあらゆる波長の光信号を伝搬するよう設計されたＹ字接合体に応用することができる。
【００３９】
本発明による複数のＹ字接合体を、例えば、干渉計やカスケートＹ字接合体のような、更に複雑な平面光デバイスに用いることができる。前記デバイスは、前に説明したように、能動デバイス、または受動デバイスであってよい。
【００４０】
「拡散」と呼ばれる技術を用いて、例えば、チタンのような屈折率を増大させる材料層を基板上に蒸着し、フォトリソグラフ法によってプロファイルを規定し、残存チタンを熱的方法によって約９００〜１１５０℃の温度で下部基板に拡散させることによって、前記Ｙ字接合体の導波路１、３、および４を形成することができる。
【００４１】
基板に蒸着されるチタン層の初期厚は５００nm未満であることが好ましく、５０〜１５０nmの範囲であることが更に好ましい。別の方法として、「プロトン交換」と呼ばれる方法を用いて、導波路を形成することができる。いずれの場合においても、導波路領域の屈折率が周囲基板の屈折率より高くされる。
【００４２】
平面基板上に導波路を集積する場合、一般に、集積すべき導波路の構成が実質的に再生されるよう下準備されたマスクが用いられる。特に、前記マスクは電磁放射線、一般に集積すべき導波路構造体に対応する領域の紫外線に対し透明であり、前記領域以外に対して不透明（ポジティブ・マスク）、またはその反対（ネガティブ・マスク）であるように作成される。１つの製造方法では、集積プロセスにおいて、実質的に均一なチタン層（または、基板上に集積可能であり、屈折率を前記基板の屈折率より大きくすることができ、伝搬する光信号に対する減衰が小さいその他の材料）が基板表面全体に蒸着される。感光材料（フォトレジスト）層が前記チタン層の上に堆積される。次に、マスクを前記フォトレジスト層の上に重ねて放射線に露光される。前記放射線がマスク上に形成された透明領域を通過することにより前記感光層が変化し、形成すべき導波路構造体のプロファイルがマスクされる。この時点で、形成すべき導波路構造体プロファイル外部の余分なチタンが除去され、その後、除去されずに残っているチタンが基板に融合される（チタン層の上にあるフォトレジスト層も除去された後）。別の製造方法によれば、まずフォトレジスト層が基板上に堆積され、次にマスクを用いて形成すべき導波路のプロファイルがマスクされるよう露光され、前記プロファイル内のフォトレジストが除去される。この時点で、実質的に均一なチタン層が蒸着される。次に、適切な溶剤を用いて、残りのフォトレジスト、従ってフォトレジスト上に蒸着された余分なチタンも除去される。
【００４３】
基板にＹ字接合体を集積するプロセスを反復可能にするため、出力導波路３および４の内側縁部によって規定される二股分岐部に所定幅の截頭部５が設けられるようにマスクが作成される。図４の構成において、截頭部５は、後で詳細に説明する光分離部７の先端に位置している。一般に、截頭部は約０．２μmを超える幅を有しており、０．５μmを超えることが好ましい。本出願人による例では、前記截頭部の幅は約１．０〜１．２μmである。本明細書および特許請求の範囲において、「幅」と言う用語は、長手方向に対し実質的に垂直な方向に沿って測定した寸法を意味する。
【００４４】
本出願人は、前記截頭部を形成すると、Ｙ字接合体を作成するプロセスをかなり反復使用することができる反面、遷移領域２の屈折率プロファイルに不連続が生じるという欠点があることに気がついた。特に、本出願人は前記の不連続により、遷移領域２内部を伝搬するモードが相当変化することに気がついた。本明細書および特許請求の範囲において、前記幅の不連続部および截頭部を「二股分岐不連続部」と呼ぶ。フィールド伝搬モデル（ビーム伝搬法、もしくはＢＰＭ）を用いたシミュレーションにより、本出願人は前記二股分岐不連続部により、入力導波路１と出力導波路３および４との間の遷移部２に高次モードが励起される可能性があることに気がついた。
【００４５】
本出願人は、入力導波路１と出力導波路３および４との間の遷移部２の二股分岐不連続部５の実質的な位置に、幅の幾何学的不連続部を設けることによって、前記接合体の高次モードの励起を減じることができることを発見した。前記幅の不連続は、図４に示す２つの急激な拡張部６aおよび６ｂである。前記２つの拡張部６aおよび６ｂは長手方向に対し実質的に垂直であることが好ましい。図４において、符号Ａは二股分岐不連続部５の位置において長手方向に対し直角に配した面を示している。面Ａにおいて、入力導波路１の幅は２つの出力導波路３、４、および二股分岐不連続部５の幅の合計より小さい。以後、面Ａのことを「二股分岐横断面」と呼ぶ。
【００４６】
二股分岐不連続部５に対し、横方向に実質的に位置あわせされた拡張部６aおよび６ｂを有するマスクを用いることによって、前記集積デバイスに幅の不連続部を設けることができる。製造プロセスにもよるが、集積プロセスの最終段階における導波路の実際の配置は、導波路を構成する材料の丸み付けおよび/または拡散によって、マスク上に形成された配置とは多少異なるのが実情である。
【００４７】
本出願人は、本発明の明白な効果を享受するためには、幅の不連続部６aおよび６ｂ、および二股分岐不連続部５は、完成デバイスにおいて、それぞれ長手方向に約５μm以内であることが必要であると確信している。従って、本明細書および特許請求の範囲において、「二股分岐不連続部の実質的な位置」は、「二股分岐不連続部から長手方向に測定して約５μm未満の位置」を意味する。
【００４８】
本出願人が設定した仮説によれば、「外側」の幅の不連続部６aおよび６ｂが「内側」の不連続部５を「補償」する傾向にある。後で詳細に説明するように、本出願人は遷移領域２における前記幅の幾何学的不連続部を最適化することにより、実質的に光の連続性をもたらすことができることを発見した。換言すれば、導波路に拡大部を設けずに、入力導波路１を伝搬するモードと、出力導波路３および４を伝搬するモードとが最もよく一致するように幅の不連続部を設計することができる。
【００４９】
事実、図４を図２と比較すると、後で更に詳しく説明する領域７を除き、遷移領域２の漸次拡大領域が実質的になくなっており、出力導波路３および４が直接入力導波路１に連絡している。前記により、高次モードを支持する寸法を有する導波路の一部を基板上に形成する必要がなくなると共に、更なる効果として接合体の幾何学的寸法が非常に小さくなる。
【００５０】
高次モードの励起を回避するため、入力導波路１の寸法は、遷移領域全体にわたり同じ数の伝搬モードが支持されるような寸法とされる。このため、入力導波路１の幅は前記二股分岐横断面Ａまで実質的に一定である。「実質的に一定な幅」という表現は、本明細書および特許請求の範囲において、当初の幅の５０％以下の拡大を意味する。前記のことは、デバイスの設計上必要な場合（例えば、異なるサイズの導波路を有する別のデバイスにＹ字接合体が接続される場合）入力導波路が、遷移領域２において前記二股分岐横断面Ａに向け少し拡大することを妨げるものではないが、その場合には、必ず高次モードの伝搬を抑えるために入力導波路の寸法を変更する必要がある。
【００５１】
前記二股分岐横断面Ａにおいて、出力導波路３、４、および二股分岐不連続部５の幅の合計が、入力導波路１の幅より約１０〜５０％大きいことが好ましく、約１５〜３５％大きいことが更に好ましい。
【００５２】
本発明によるＹ字接合体の遷移領域２が、出力導波路３および４の内側縁部の延長線の交点から実質的に長手方向に上流に向かって延び、少なくとも二股分岐不連続部５と等しい幅を有する分離領域７を更に備えることが好ましい。分離領域７の屈折率は導波路の屈折率より小さく、基板と同じ材料で形成することができる。この場合、二股分岐不連続部５が分離領域７の1つの端部に一致する。好ましい実施の形態において、分離領域７の幅は二股分岐横断面Ａから離間するに従って増大する。また、分離領域７は、遷移領域２における出力導波路３および４の初期幅を漸次拡大するために設けることもできる。また、分離領域７はマスクを適切に設計し、遷移領域２を規定する部分に実質的に分離領域７に対応する領域を備えることによって作成することができる。
【実施例】
【００５３】
（実施例１）
本出願人は従来のＢＰＭモデル（ＢＰＭ＿ＣＡＤ Waveguide Optics Modelling Software System、Version 4.0、Optiwave 社）を使用して、ニオブ酸リチウムにチタンを拡散して形成したＹ字接合体に関し、一連のシミュレーションを実施した。幅Ｘs の直線入力導波路１、および幅Ｄ＝１．２μmの二股分岐不連続部５によって分離される、幅Ｘdの２つの直線出力導波路３および４を備える、図５に示すような導波路の作成から開始し、電磁界モードのプロファイルが二股分岐不連続部５に位置する二股分岐横断面Ａの上流と下流とにおいて、できるだけ同じになるような導波路構成に関する調査を行った。図５の概略図において、二股分岐横断面ＡがＹ字接合体の遷移部に相当することに留意されたい。
【００５４】
特に、二股分岐横断面Ａの上流および下流における、１５５０nmの電磁放射線の基本モードを算出し、重畳積分を求め、光のパワー損失を評価できるようにした。前記重畳積分は次のように定義される。
【数１】
2004529377.tif 000003
【００５５】
ここで、Ｅ１およびＥ２はそれぞれ二股分岐横断面Ａの上流および下流の電磁界基本モードの振幅である。重畳積分の計算は基板の寸法を意図したものである。重畳積分Ｉの取り得る値は０〜１の範囲であり百分率で記録することができる。１００％に近い値は、実質的に基本モードのみが結合されたことを示す。
【００５６】
前記の計算はＴＥおよびＴＭ偏光の両方について行った。
【００５７】
前記シミュレーション結果が図６Ａおよび６Ｂに示してあり、それぞれＴＥおよびＴＭ偏光における重畳積分の等高線を示している。両方のグラフにおいて、横軸は入力導波路１の幅Ｘs を示し、縦軸は出力導波路３、４、および二股分岐不連続部５の幅の合計２Ｘd＋Ｄを示している。直線６０はＸs ＝２Ｘd＋Ｄの軌跡、即ち入力導波路と２つの出力導波路との分岐部に幅の不連続部がない場合を示している。重畳積分の最高値が、図６Ａおよび６Ｂの入力導波路の幅が９〜１０未満の範囲の直線６０の上側に位置するループバック状の曲線である。これは出力導波路３、４、および二股分岐不連続部５の幅の合計が、入力導波路１の幅より大きい構成に対応している。他の水準線は、前記曲線から離間するに従って徐々に減少する重畳積分値に対応している。特に、図６Ａは約９９．８％の重畳積分値に相当する２つの等高線を示しており、これらの曲線は、それぞれ入力導波路の幅Ｘs が約５および６μm、出力導波路および二股分岐不連続部の幅の合計２Ｘd＋Ｄが約７および８μmを実質的に中心としている。出力導波路の幅が分岐部から離間する方向に最高５〜６μmまで適切に拡大された、波長約１５５０nmの光信号用シングル・モード導波路を有するＹ字接合体を前記の範囲で構成することが有益である。
【００５８】
（実施例２）
本出願人は、３つの構造体それぞれにおけるモード態様を明らかにするため、ＢＰＭモデルを用いて同数のＹ字接合体に対し、３つの異なるシミュレーションを実施した。
【００５９】
第一構造体は、入力導波路１、および出力導波路３および４の幅がそれぞれ６μm、二股分岐不連続部５の幅が１．２μmである、図２に示す従来技術に基づいて作成した構造体である。遷移領域２は、長手方向に対し０．１°の勾配で６μmから６＋６＋１．２μmまで漸次拡大する領域で、長さが約２０００μmである。
【００６０】
第二構造体は、遷移領域２が、更に出力導波路３および４の内側縁部延長線の交点から実質的に長手方向に上流に向かって延びる幅１．２μmの分離領域７を備える、図３に示す従来技術に基づいて作成した構造体である。分離領域７は約１５００μmにわたり遷移領域２に延びており、約５００μmの拡大「残余」領域が残っている。分離不連続部５における出力導波路３および４の最初の部分の幅は約３μmである。
【００６１】
第三構造体は、入力導波路１、および出力導波路３および４の幅がそれぞれ６μm、分離領域の幅が１．２μm、長さが１７００μmである、図４に示す本発明の好ましい実施の形態に基づいて作成した構造体である。幅の不連続は出力導波路３および４の最初の部分の幅を３μmとすることにより与えられる。出力導波路の最初の部分の外縁の勾配は０．１°である。
【００６２】
表１はシミュレーションを実施した接合体の構造上のデータをまとめたものである。
【表１】
2004529377.tif 000004
【００６３】
前記シミュレーションにおいて、前記構造体の入力導波路に１５５０nmの放射線を入射しその変化を観測した。
【００６４】
前記３つの構造体に関するシミュレーション結果が、それぞれ図７、８、および９に示してある。
【００６５】
図７に示すように、図２に相当する構造体において、放射スペクトルのモード成分による伝搬モードの乱れが出力導波路に沿って見られる。本出願人によれば、二股分岐不連続部５によって、導波路が一定の高次モードを支持する寸法を有する遷移領域の一部に高次モードが励起される。これらの高次モードは、シングル・モード出力導波路に誘導されず、導波路の方向に対し特定の角度を持って基板に放射されるため、少なくとも最初の部分において出力導波路内の伝搬モードに乱れが生じる。更に、二股分岐不連続部において励起される第二高次モードに起因する光パワーの一部が接合体の出力において基本モードと結合する可能性があり、これは実際問題として予測不能でありかつ望ましくないことである。
【００６６】
図８に示すように、図３に相当する構造体においては、図７に示す結果に対し改善が見られるが、依然として伝搬モードに乱れが観測される。
【００６７】
これに反し、図４に示す本発明に基づく構造体に対応する図９においては、前記の乱れは基本的に見られない。この結果が、前記２つの比較例における２０００μmの遷移領域とは異なり、出力導波路が入力導波路から分岐開始する点から実質的に一定の幅になる領域の初めまでの距離である、長さ１７００μmの遷移領域を有する構造体で得られたことになる。従って、高次モード励起の少ない非常にコンパクトなＹ字接合体が得られたことになる。このことは、特に複数のＹ字接合体を有するデバイスを１つの基板上に集積する場合非常に有益である。
【００６８】
（実施例３）
本出願人は、導波路の幅を変更した後、実施例２で説明したシミュレーションを繰返し実施した。この一連のシミュレーションでは、入出力の導波路の幅を７μmとした。前記の導波路は波長１５５０nmの放射線に対しバイモーダルである。前記３つの構造体の２つのブランチのうちの１つの出力において、基本モードに対する挿入損失（ＩＬ）および（この場合、導波路内を伝搬する）第一高次モードに結合する光パワー（Ｐ）の評価を行った。この場合も、前記構造体の入力導波路に１５５０nmの放射線を入射し、その変化を観測するシミュレーションを行った。表２は前記シミュレーション結果をまとめたものである。
【表２】
2004529377.tif 000005
【００６９】
表２から分るように、本発明による構造体は基本モードに対する挿入損失を若干減らし、第一高次モードの励起を著しく低減する。
【００７０】
本発明の前後関係を明らかにするためには、本発明の背景に関するあらゆる説明が含まれる。如何なるドキュメントもしくは情報も、それが「周知」であると言う場合には、本出願の出願日以前のある時点において、少なくとも一人の一般人がそれを承知していたことを認めるに過ぎない。引例が別に明記しない限り、（ＰＣＴ加盟国であるかないかを問わず）如何なる国においても、本発明がなされた日以前、もしくは本発明に関連してなされた如何なる請求の請求日以前において、かかる知識が一般の人々もしくは当業者にとって利用可能であったことを認めるものではなく、またそれが周知もしくは開示された知識であると認めるものでもない。更に、如何なるドキュメントもしくは情報も、国際的にまたは各国において、当技術分野の常識の一部を構成するものであると認めるものではなくまたそう信じるものでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】Ｙ字接合体を示す概略図。
【図２】二股分岐領域に截頭部を有するＹ字接合体を示す概略図。
【図３】従来の技術に基づくＹ字接合体を示す概略図。
【図４】本発明によるＹ字接合体の好ましい実施の形態を示す概略図。
【図５】本出願人が一連のシミュレーションに用いた、本発明によるＹ字接合体構成を示す概略図。
【図６】図６ａおよび６ｂは図５の構成を用いて行ったＴＥおよびＴＭ偏光によるシミュレーション結果をそれぞれ示す図。
【図７】図２に示すような従来技術に基づくＹ字接合体を用いたＢＰＭシミュレーション結果を示す図。
【図８】図３に示すような従来技術に基づくＹ字接合体を用いたＢＰＭシミュレーション結果を示す図。
【図９】図４に示すような本発明に基づくＹ字接合体を用いたＢＰＭシミュレーション結果を示す図。
【符号の説明】
【００７２】
１    入力導波路
２    遷移領域
３、４    出力導波路
５    截頭部
６a、６b     幅の不連続部
７    分離領域
１０  微小な先端
【図７】
2004529377.tif 000006
【図８】
2004529377.tif 000007
【図９】
2004529377.tif 000008
【国際公開パンフレット】
2004529377.tif 000009
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【国際調査報告】
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2004529377.tif 000042
2004529377.tif 000043
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