(57)【要約】本発明は、オプトエレクトロニクス素子と少なくとも１つの光ガイド部材とを受動的に軸合わせするための方法およびデバイスに関するものであり、また、そのようなデバイスを使用した光学システムに関するものである。オプトエレクトロニクス素子（２）は、基板（４）上に形成されかつ光ガイド部材（１８）に対して光学的に接続される活性領域（８）を備えている。本発明による方法においては、支持体（１２）を使用し、支持体に、支持体の一方の面を起点として、光ガイド部材の一端部を受領し得るよう構成された穴（１４）を形成し、活性領域が基板上に既に形成されている場合には、穴が活性領域に対向するようにして、基板を、支持体の他方の面に対して固定し、また、活性領域が基板上に未だ形成されていない場合には、穴に対向させつつ、基板に活性領域を形成する。
2004519705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス素子（２）と少なくとも１つの光ガイド部材（１８）とを受動的に軸合わせするための方法であって、
前記オプトエレクトロニクス素子が、基板（４）と、この基板上に位置しているとともに発光または受光を行うものとされさらに前記光ガイド部材に対して光学的に接続される少なくとも１つの活性領域（８）と、を備えている場合に、
この方法においては、
−互いに反対側に位置した第１面と第２面とを有した支持体（１２）を準備し、
−前記支持体に、前記第１面を起点として、前記光ガイド部材の一端部を受領し得るよう構成された少なくとも１つの穴（１４）を形成し、
−前記活性領域が前記基板上に既に形成されている場合には、前記穴が前記活性領域に対向するようにして、前記基板を、前記支持体の前記第２面に対して固定し、また、前記活性領域が前記基板上に未だ形成されていない場合には、前記穴に対向させつつ、前記基板に前記活性領域を形成し、
−前記穴内に前記光ガイド部材の一端部を配置する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記支持体（１２）上には、第１マーク（２４）を形成しておき、
前記基板（４）を、前記支持体（１２）の前記第２面に対して固定した後に、光リソグラフィー技術を使用することによって、前記基板上において、前記穴（１４）に対して対向した位置に、前記オプトエレクトロニクス素子の前記活性領域（８）を形成し、
この際、前記リソグラフィーを、形成されるべき活性領域に対応した少なくとも１つのパターン（３２）と第２パターン（３４）とを有したマスク（２６）を使用して行い、
ここで、前記第２パターンと前記第１マークとが位置合わせされたときには、前記マスクの前記パターン（３２）は、前記支持体の前記穴（１４）と位置合わせされるようになっており、
前記リソグラフィーにおいては、前記マスクを、前記第２パターンと前記第１マークとを位置合わせすることによって、前記基板の上方に配置することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法において、
前記支持体（１２）を、シリコンまたはコランダムのうちのいずれかの材料から形成されたものとすることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法において、
前記支持体（１２）の前記穴（１４）を、非貫通穴とし、
前記支持体を、前記オプトエレクトロニクス素子の前記活性領域が放出または受領する光に対して透明なものとすることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法において、
前記支持体（１２）の前記穴（１４）を、前記支持体の前記第２面において開口するものとすることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
前記基板（４）を前記支持体（１２）に対して固定する前に、前記穴のうちの、前記支持体（１２）の前記第２面において開口している端部上に、レンズ（３８）を配置することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法において、
前記光ガイド部材を、光ファイバ（１８）とすることを特徴とする方法。
【請求項８】
オプトエレクトロニクス素子（２）と少なくとも１つの光ガイド部材（１８）とを受動的に軸合わせするためのデバイスであって、
前記オプトエレクトロニクス素子が、基板（４）と、この基板上に位置しているとともに発光または受光を行うものとされさらに前記光ガイド部材に対して光学的に接続される少なくとも１つの活性領域（８）と、を備えている場合に、
前記デバイスが、互いに反対側に位置した第１面と第２面とを有した支持体（１２）を具備し、
前記支持体には、前記第１面を起点として、前記光ガイド部材の一端部を受領し得るよう構成された少なくとも１つの穴（１４）が形成され、
前記基板が、前記支持体の前記第２面に対して固定され、
前記活性領域が、前記穴に対向して形成されているあるいは前記穴に対向して形成することが意図されていることを特徴とするデバイス。
【請求項９】
光学システムであって、
共に請求項８に記載されたような第１および第２デバイス（４０，４２）と、第１および第２端部を有した少なくとも１つの光ガイド部材（４４，５９）と、を具備し、
前記第１端部が、前記第１デバイスの前記支持体の前記穴内に配置され、
前記第２端部が、前記第２デバイスの前記支持体の前記穴内に配置されていることを特徴とする光学システム。
【請求項１０】
請求項９記載の光学システムにおいて、
前記光ガイド部材（４４）が、前記第１デバイスに属する前記支持体（５４）と前記第２デバイスに属する前記支持体（５６）とを実質的に互いに接触させ得る程度に十分に短いものとされていることを特徴とする光学システム。
【請求項１１】
請求項９または１０記載の光学システムにおいて、
前記光ガイド部材が、光ファイバ（４４）とされていることを特徴とする光学システム。
【請求項１２】
請求項９または１０記載の光学システムにおいて、
前記光ガイド部材が、レンズ（５９）とされていることを特徴とする光学システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも１つの光ガイド部材とオプトエレクトロニクス素子とを精度良く組み立て得るよう、これら部材を受動的に軸合わせするための方法およびデバイスに関するものであり、また、そのようなデバイスを使用した光学システムに関するものである。
【０００２】
オプトエレクトロニクス素子は、光検出器や光電子放出素子（例えば、レーザー、ダイオード）とすることができる。
【０００３】
特に、本発明は、標準的な光ファイバリボンと、複数の発光回路または複数の受光回路からなるモジュールと、の組立に際して使用することができる。
【０００４】
本発明は、また、光ファイバマトリクスを、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ
Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒｓ）マトリクスに対して、あるいは、このタイプの光検出器マトリクスに対して、接続する際に適用することができる。
【０００５】
本発明は、また、オプトエレクトロニクス素子を、高処理速度光リンク（例えば、コネクタ付きの光ケーブル）に対して、および、『パラレル』型光ファイバアセンブリおよび隣接オプトエレクトロニクス素子に対して、組み付ける際に適用することができる。
【０００６】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
光ファイバとレーザービーム放出素子との接続においては、この素子と光ファイバとの間において、通常は１０μｍ以内といったような、精度の高い軸合わせが必要とされる。要求される精度は、単一モード光ファイバの場合よりも、厳しいものである。光ファイバと光検出素子（例えば、光検出器として取り扱われるＶＣＳＥＬ）との接続において要求される精度は、光ファイバと光放出素子との間の接続の場合と同じである。
【０００７】
光ファイバとレーザー放出素子との接続を例にとって説明すると、多くの場合に使用される１つの軸合わせ技術は、光ファイバとレーザー放出素子との間の能動的軸合わせであって、その場合、レーザー放出素子は、レーザービームを放出するように励起される。軸合わせが得られると、溶着または接着によって、光ファイバが、レーザー放出素子に対して固定される。
【０００８】
この能動的軸合わせ技術は、得られるアセンブリのコストを大きなものとしてしまう。
【０００９】
そのため、受動的軸合わせ技術が研究された。受動的軸合わせ技術においては、光ファイバと発光素子または受光素子との間の相対的位置決めおよびその後の取付は、（素子を）一切励起することなくすなわち光束を使用することなく、行われる。光ファイバと素子とは、互いに機械的に固定され、その後、精度良く固定される。
【００１０】
例えば、光ファイバとレーザーロッドとの間の受動的軸合わせに関する技術は、側面発光構成において公知である。この組立においては、光ファイバを位置決めし得るよう構成されたＶ字形状グルーブを有した支持体を使用する。光ファイバは、Ｖ字形状グルーブ内に接着され、レーザーロッドは、光ファイバに対向した支持体上において、精度良く組み付けられる。
【００１１】
この技術は、１μｍ〜５μｍという程度の精度をもたらすことができる。このようにすることで、光ファイバと側面発光レーザーとを組み立てることができるものの、この方法では、光ファイバと、１つの面を通して光を放出するＶＣＳＥＬタイプのレーザーとを、組み立てることはできない。
【００１２】
しかしながら、この技術は、そのような組立を行い得るように改良された。この場合、光学的手段や機械的手段を使用することによって、ＶＣＳＥＬが、光ファイバに対して９０°に配置される。
【００１３】
それでもなお、この改良型受動的軸合わせ技術は、特に補助的軸合わせ手段といったような、複雑な手段の使用を必要としている。
【００１４】
ＶＣＳＥＬストリップ（放出素子または検出素子）と複数の光ファイバとを組み立てることが要望された場合には、従来技術においては、組立に際して、補助的軸合わせ手段と支持手段との使用を必要とする。
【００１５】
しかしながら、背面発光型のＶＣＳＥＬと光ファイバとの間の『直接的』組立が、公知であり、以下の文献に記載されている。
［１］Ａ． Ｋｅａｔｉｎｇ 氏他による“６ Ｇｂｉｔｓ／ｓ ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｐｕｍｐｅｄ １．５５ μｍ ＶＣＳＥＬ
ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ｕｐ ｔｏ １０５℃”と題する Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ｒｅｖｉｅｗ， ｖｏｌ １２， Ｎｏ． ２， ２０００，
ｐｐ １１６−１１８
［２］Ｙ． Ｋｏｂａｙａｓｈｉ 氏他による“Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ｏｆ ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｆｏｒ
ｐａｓｓｉｖｅ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｏｆ ｓｔａｃｋｅｄ ｍｕｌｔｉｆｉｂｒｅ ｔａｐｅｓ ｔｏ ａ ｖｅｒｔｉｃａｌ−ｃａｖｉｔｙ
ｓｕｒｆａｃｅ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｓｅｒ ａｒｒａｙ”と題する Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ｖｏｌ ３６， Ｐａｒｔ
Ｉ， Ｎｏ． ３Ｂ， １９９７， ｐｐ １８７２−１８７５
【００１６】
この公知の組立は、ＶＣＳＥＬ基板内にガイド穴を形成することにより、得られる。
【００１７】
従来技術の場合と同様に、本発明の目的は、少なくとも１つの光ガイド部材（例えば、光ファイバ）と、例えば能動的『プレーナ』タイプのものといったような、オプトエレクトロニクス素子（例えば、発光素子または受光素子）と、の間における直接的な高精度の接続に関し、この接続を受動的に行う場合における問題点を、すなわち、すべての素子を動作状態とすることなく行う場合における問題点を、克服することである。
【００１８】
論点を明瞭とするために、ＶＣＳＥＬと光ファイバとの間の直接的かつ高精度の組立に関する特別の問題点について説明する。
【００１９】
上記文献［１］には、複数のオプトエレクトロニクスデバイスが支持される基板内に複数のガイド穴を穿孔しさらにこれらガイド穴を通して複数の光ファイバをスライドさせることによって、複数の光ファイバと複数のオプトエレクトロニクスデバイス（ＶＣＳＥＬ）とを軸合わせし得る方法が開示されている。
【００２０】
複数の光ファイバと複数のオプトエレクトロニクスデバイスとは、このようにして得られたアセンブリを使用して受動的に軸合わせすることができる。
【００２１】
しかしながら、この公知技術は、複数のオプトエレクトロニクスデバイスを成長させる基板内に直接的に複数のガイド穴を形成する必要があるという欠点を有している。
【００２２】
しかしながら、この基板は、ＧａＡｓから形成されており、そのため、脆弱である。よって、予め穿孔される場合には、デバイスの形成時に破損する可能性がある。あるいは、デバイスの形成後に穿孔される場合には、アセンブリの最終製造時に破損する可能性がある。
【００２３】
しかも、このＧａＡｓ基板は、複数のガイド穴によって脆弱化されている場合には、複数の光ファイバを挿入する際に破損する可能性がある。
【００２４】
さらに、例えばＧａＡｓといったような材料内において穿孔寸法の精度を確保することは、周知手法ではなく、そのため、実施が困難である。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、上述した複数の欠点を克服することである。
【００２６】
本発明においては、成長基板を、支持体上に移送すべきであること、および、複数の穴を、成長基板に直接的に穿孔するのではなく、この支持体上に形成すべきであること、を提案する。
【００２７】
この支持体は、好ましくは、穴の形成に耐え得るような、強度の大きな材料から形成される。
【００２８】
より詳細には、本発明の目的は、オプトエレクトロニクス素子と少なくとも１つの光ガイド部材（例えば、光ファイバ）とを受動的に軸合わせするための方法であって、オプトエレクトロニクス素子が、基板と、この基板上に位置しているとともに発光または受光を行うものとされさらに光ガイド部材に対して光学的に接続される少なくとも１つの活性領域と、を備えている場合に、この方法が、
−互いに反対側に位置した第１面と第２面とを有した支持体を準備し、
−支持体に、第１面を起点として、光ガイド部材の一端部を受領し得るよう構成された少なくとも１つの穴を形成し、
−活性領域が基板上に既に形成されている場合には、穴が活性領域に対向するようにして、基板を、支持体の第２面に対して固定し、また、活性領域が基板上に未だ形成されていない場合には、穴に対向させつつ、基板に活性領域を形成し、
−穴内に光ガイド部材の一端部を配置する、
ことを特徴とする方法である。
【００２９】
本発明による方法の１つの格別の実施形態においては、支持体上に、第１マークを形成しておき、基板を、支持体の第２面に対して固定した後に、光リソグラフィー技術を使用することによって、基板上において、穴に対して対向した位置に、オプトエレクトロニクス素子の活性領域を形成し、この際、リソグラフィーを、形成されるべき活性領域に対応した少なくとも１つのパターンと第２パターンとを有したマスクを使用して行い、ここで、第２パターンと第１マークとが位置合わせされたときには、マスクのパターンは、支持体の穴と位置合わせされるようになっており、リソグラフィーにおいては、マスクを、第２パターンと第１マークとを位置合わせすることによって、基板の上方に配置する。
【００３０】
本発明の他の目的は、オプトエレクトロニクス素子と少なくとも１つの光ガイド部材とを受動的に軸合わせするためのデバイスであって、オプトエレクトロニクス素子が、基板と、この基板上に位置しているとともに発光または受光を行うものとされさらに光ガイド部材に対して光学的に接続される少なくとも１つの活性領域と、を備えている場合に、デバイスが、互いに反対側に位置した第１面と第２面とを有した支持体を具備し、支持体には、第１面を起点として、光ガイド部材の一端部を受領し得るよう構成された少なくとも１つの穴が形成され、基板が、支持体の第２面に対して固定され、活性領域が、穴に対向して形成されているあるいは穴に対向して形成することが意図されていることを特徴とするデバイスである。
【００３１】
例えば、支持体は、シリコンまたはコランダムから形成することができる。
【００３２】
本発明の第１の格別の実施形態においては、支持体の穴は、非貫通穴とされ、支持体は、オプトエレクトロニクス素子の活性領域が放出または受領する光に対して透明なものとされる。
【００３３】
第２の格別の実施形態においては、支持体の穴は、支持体の第２面において開口するものとされる。
【００３４】
この場合、基板を支持体に対して固定する前に、穴のうちの、支持体の第２面において開口している端部上に、レンズを配置することができる。
【００３５】
本発明は、また、本発明による第１および第２デバイスと、第１および第２端部を有した少なくとも１つの光ガイド部材と、を具備した光学システムに関するものであって、第１端部は、第１デバイスの支持体の穴内に配置され、第２端部は、第２デバイスの支持体の穴内に配置されているような光学システムに関するものである。
【００３６】
例えば、十分に短い光ガイド部材を使用することによって、第１デバイスに属する支持体と第２デバイスに属する支持体とを実質的に互いに接触させることができる。
【００３７】
光ガイド部材は、光ファイバまたはレンズとすることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明は、添付図面を参照しつつ、本発明を何ら限定するものではなく単なる例示としてのいくつかの実施形態に関する以下の説明を読むことにより、明瞭に理解されるであろう。
【００３９】
図１に概略的に示されているような、本発明によるデバイスは、オプトエレクトロニクス素子（２）を備えている。この素子は、例えばＧａＡｓから形成されたような、成長基板をなす基板（４）を備えている。光ビーム（１０）を放出し得るようあるいは検出し得るよう構成された例えば活性領域（８）といったような１つまたは複数の活性領域が形成されるエピタキシャル成長層（６）が、基板（４）上において成長形成されている。基板（４）は、光ビーム（１０）に対して透明なものとされる。
【００４０】
オプトエレクトロニクス素子（２）は、エピタキシャル成長層（６）の成長時におよび活性領域（８）の形成時に獲得した同一の公称厚さを有することができる。あるいは、オプトエレクトロニクス素子（２）は、選択された厚さへと薄肉化することができる（公称厚さよりも薄くなる）。
【００４１】
素子（２）は、活性領域（８）が形成される起点をなしている面とは反対側の面に対して、光を放出する。あるいは、素子（２）は、その反対側の面から入射する光を検出する（受光する）。
【００４２】
図１に示すデバイスは、さらに、機械的支持体とも称される支持体（１２）を備えている。この支持体（１２）の一方の面は、その反対側の面に対して固定されている。複数の穴（１４）が、支持体（１２）の他方の面を起点として、支持体（１２）に形成されている。これら穴は、それぞれ対応する活性領域（８）に対向して形成される。各穴の中心線（１６）は、それぞれ対応する活性領域に適合している。
【００４３】
各穴は、コアが図１において符号（２０）によって示されているような光ファイバ（１８）の端部を受領し得るように、構成されている。光ファイバ（１８）は、この光ファイバが挿入される穴に対応する活性領域（８）に対して接続され得るように構成されている。この光ファイバの直径は、穴の直径よりもずっと小さなものである。
【００４４】
図１の例においては、各穴（１４）は、非貫通穴とされている。各穴（１４）は、支持体のうちの、オプトエレクトロニクス素子（２）が固定されている面においては開口していない。この場合、支持体は、活性領域（８）によって放出される光に対してあるいは活性領域（８）によって検出される光に対して透明な材料から形成されているものとして選択されることとなる。
【００４５】
他方、図２の例においては、複数の穴（１４）は、貫通形成されている。すなわち、各穴（１４）は、支持体（１２）のうちの、オプトエレクトロニクス素子（２）が固定されている面において開口している。図２においては、光ファイバ（１８）は、それぞれ対応する穴（１４）内に収容された状況で図示されている。
【００４６】
各光ファイバの周縁部回りに配置された接着剤層（２２）は、それぞれ対応する穴（１４）内において光ファイバの端部を保持する。
【００４７】
図１および図２における例は、隣接する２つの光ファイバを示している。しかしながら、複数の光ファイバからなる直線状アレイを形成するような、より多数の光ファイバを、素子（２）上に形成された直線状アレイをなす複数の活性領域に対して接続することができる。あるいは、複数の光ファイバからなる２次元アレイを形成するような、より多数の光ファイバを、素子（２）上に形成された２次元アレイをなす複数の活性領域に対して接続することができる。
【００４８】
以下、複数の光ファイバと複数の活性領域とを容易に軸合わせし得ることについて、説明する。
【００４９】
上述したような図１および図２に示すデバイスは、支持体（１２）の形成材料が例えばコランダムやシリコンといったように適切なものとして選択されている場合には、極めて強度が大きい。容易に動作するような材料を選択することが好ましい。シリコンがこの性質を有していることに注意されたい。
【００５０】
本発明の２つの利点は、オプトエレクトロニクス素子と機械的支持体とからなるアセンブリの強度が大きいことと、要求された精度（通常は、±１μｍ）でもってまた要求された形状（例えば、円筒形や円錐形）でもって支持体に容易に穴を形成し得ることと、である。
【００５１】
アセンブリの強度に関しては、このアセンブリが、活性領域（８）の形成前にでもあるいは形成後にでも、形成し得ることに注意されたい。
【００５２】
このアセンブリは、活性領域（８）の形成前に機械的支持体（１２）上にオプトエレクトロニクス素子（２）の基板（４）を配置することによって、活性領域の形成前に形成することができる。このようにして形成されたアセンブリは、活性領域（８）の形成時の基板（４）を非常に強度の大きなものとすることができることを意味している。よって、例えばＧａＡｓやＩｎＰからなるような標準的成長基板に由来する破損という問題点を回避することができる。
【００５３】
アセンブリは、活性領域（８）が形成され終わった後に機械的支持体（１２）上に基板（４）（通常は、ボードの形態とされている）を配置することによって、活性領域の形成後に形成することができる。このようにして形成されたアセンブリは、例えばセラミックボード上へのアセンブリの移送操作や光ファイバの配置操作といったような組立操作時に、非常に強度の大きなものである。
【００５４】
機械的支持体の穿孔の容易さに関して、シリコン製支持体を例にとって説明する。
【００５５】
この材料が、ＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ） アセンブリを形成するために使用されることは、公知である。したがって、シリコンの穿孔は、完全に制御可能であり、上述したような機械的支持体をなすボードを得るに際して、多くの技術や機械が存在する。
【００５６】
また、シリコン内に、この材料に対して能動的オプトエレクトロニクス機能を付与し得るような補完的部材（例えば、ガイド穴（１４）の底部に形成されるコリメーションレンズ）を形成することもできる。
【００５７】
図３Ａ〜図３Ｄは、本発明の格別の実施形態における様々なステップを概略的に示している。この場合、貫通している複数の穴（１４）を有したシリコン製ボード（１２）を、活性領域（８）（発光性または受光性）の形成前に、オプトエレクトロニクス素子（２）に対して接着することができる。
【００５８】
図３Ａは、例えば化学的エッチングやプラズマエッチングや機械加工によって複数の穴（１４）すなわち複数の光ファイバキャビティが形成されているシリコン製ボード（１２）を示している。それら穴形成手法を使用することによって、一組をなす複数の穴（１４）の両サイドという位置において、このボードにマークすなわち位置合わせマーク（２４）を、形成することができる。位置合わせマーク（２４）は、例えば、貫通穴（１４）と同一の穿孔とすることができる。
【００５９】
このタイプの穿孔（２４）を、非貫通穴（１４）に関するマークとしても使用し得ることに注意されたい。
【００６０】
図３Ｂは、例えばＧａＡｓから形成された基板（４）（エピタキシャル成長層（６）を有している）を、機械的支持体をなす穿孔済みシリコン製ボード（１２）上へと、移送して接着する様子を示している。
【００６１】
例えば、接着は、分子接着や、共融接着や、適切な接着剤層（図示せず）を使用した接着、とすることができる。
【００６２】
図３Ｃは、第１軸合わせレベルを概略的に示している。光リソグラフィーマスク（２６）が、（眼（２５）によって模式的に表されているように）マーク（２４）（支持体（１２）に対しての基板（４）の接着領域よりも外側に形成されている）に対して軸合わせされる。
【００６３】
次なるステップ（基板（４）上に前もって形成されたフォトレジスト層（３０）に対して紫外照射を行うステップ）は、光リソグラフィーであり、これにより、第１レベルが、複数の穴すなわち光ファイバ用キャビティ（１４）に対して位置合わせされる。
【００６４】
光リソグラフィーにより、穴（１４）に対向した活性領域（８）を形成することができる（図３Ｄ）。マスク（２６）は、形成されるべき活性領域（８）に対応したパターン（３２）と、パターン（３４）と、を有している。この場合、パターン（３４）がマーク（２４）に対して位置合わせされたときには、マスクのパターン（３２）が、支持体（１２）内の対応穴（１４）に対して位置合わせされるようになっている。
【００６５】
図３Ｄは、第１軸合わせレベル上に形成された活性領域（８）の位置合わせを示している。よって、複数の活性領域から形成された発光パターンまたは受光パターンは、非常に良好な精度でもって（１μｍ以内）、ファイバキャビティ（１４）に対して軸合わせされる。
【００６６】
その後、複数の光ファイバ（１８）の各端部を、それぞれ対応する穴（１４）内へと配置することができる。
【００６７】
図３Ａ〜図３Ｄを参照して上述した格別の実施形態に関して、様々な変形が可能である。
【００６８】
基板（４）上に活性領域（８）を形成する前に支持体（１２）上に基板（４）を移送する場合には、基板（４）は、例えば、移送前に薄肉化することができ、その後、分子接着によって支持体（１２）上へと接着することができる。
【００６９】
また、基板（４）を支持体（１２）に対して接着する前に、シリコン上に、複数の補完部材を形成することができる。
【００７０】
この可能性は、図４において概略的に図示されている。図４は、各穴（１４）のうちの、基板（４）に対して接着されている支持体表面上において開口している端部に、円錐形状（３６）が形成されている様子を示している。円錐形状部分には、球形のコリメーションレンズ（３８）あるいはキャビティボトムレンズが収容されている。このレンズ（３８）の直径は、基板（４）が支持体（１２）に対して固定されたときにこのレンズ（３８）が基板（４）に対して内接するように、選択されている。
【００７１】
この構成は、ＧａＡｓ基板の直接的穿孔という手法を採用した場合には、形成することができない。
【００７２】
基板（４）は、位置合わせと接着とを同時に行い得る機械によって例えば接着や溶着といったような低温技術を使用することによって、活性領域（８）が形成された後に支持体（１２）上へと移送することができる。
【００７３】
オプトエレクトロニクス素子の背面上におよび機械的支持体をなすボードの前面上に複数の活性領域を形成し、その後、フリップチップ技術を使用して、半田ボールを利用した組立を行うことを想定することができる。
【００７４】
本発明は、様々な応用が可能である。本発明を使用することにより、単一ファイバ光コネクタを形成することができ、また、マトリクス状光コネクタを形成することができ、また、ファイバテープコネクタを形成することができ、また、複数のレーザー発光素子と、これらレーザー発光素子の光学的ポンピングを行う他のレーザー発光素子と、の間の直接的光接続を行うことができる。
【００７５】
よって、本発明は、複数の光学的ボードからなる３次元アセンブリを含んでいるとともに、複数の光ファイバによるこれらボード間の接続を含んでいる。
【００７６】
この可能性は、図５の光学システムによって概略的に図示されている。図５の光学システムは、共に図２に図示されたタイプの第１デバイス（４０）および第２デバイス（４２）を備えている。これらデバイス（４０，４２）は、一組をなす複数の光ファイバ（４４）を介して、互いに接続されている。
【００７７】
デバイス（４２）は、下側デバイスを形成していて、複数のＶＣＳＥＬ（縦型キャビティ表面発光レーザー）をなす複数の活性領域（４８）が形成された基板（４６）を有している。
【００７８】
これらＶＣＳＥＬは、９８０ｎｍで動作し、上向きに光束を放出し、これら光束は、光ファイバ（４４）を通過する。これら光ファイバ（４４）は、これら光束を、基板（５２）内に形成された上側デバイス（４０）の各活性領域（５０）に対して伝達される。これら活性領域（５０）は、９８０ｎｍの入射光束によって励起されて１５５０ｎｍで上向きに発光するレーザーである。
【００７９】
図５は、また、基板（５２）が接着される機械的支持体（５４）と、基板（４６）が接着される機械的支持体（５６）と、を示している。これら基板（４６，５２）は、９５０ｎｍという波長の光に対して透明である。
【００８０】
図６は、複数の光ファイバ（４４）が、単一部材型光学システムを形成し得るよう十分に短い場合を示している、あるいは、支持体（５４，５６）どうしが接着剤層（５８）によって互いに固定されている場合を示している。
【００８１】
図６の変形例が、図７において概略的に図示されている。図７においては、複数の光ファイバ（４４）が、複数の球形コリメーションレンズ（５９）によって代替されている。
【００８２】
図７の例においては、機械的支持体（５４）内の複数の穴（６０）と、機械的支持体（５６）内の複数の穴（６２）とは、円錐形に形成されている。複数のレンズ（５９）の各下部は、それぞれ対応する穴（６２）内に収容され、複数のレンズ（５９）の各上部は、それぞれ対応する穴（６０）内に収容されている。
【００８３】
よって、各レンズは、それぞれ対応するＶＣＳＥＬ（４８）から放出された光束をコリメートしつつ、それぞれ対応するレーザー（５０）へと伝達する。
【００８４】
円錐形の穴（６０，６２）は、化学的エッチングによって形成することができる。レンズ（５９）が球形であることにより、これら穴（６０，６２）あるいはキャビティを使用することによって、背面どうしが互いに接触した支持体（５４，５６）をなすボードに対して自己軸合わせすることができる。
【００８５】
図７に示すデバイス（４０，４２）によって形成された光学システムは、複数のマイクロ半田ボール（６６）を介することによって、制御回路（６４）上に搭載することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるデバイスの格別の実施形態を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明によるデバイスの格別の実施形態を概略的に示す断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｄは、本発明による方法の格別の実施形態における各ステップを概略的に示す断面図である。
【図４】本発明によるデバイスの他の格別の実施形態を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明による光学システムの格別の実施形態を概略的に示す図である。
【図６】本発明による光学システムの格別の実施形態を概略的に示す図である。
【図７】本発明による光学システムの格別の実施形態を概略的に示す図である。
【符号の説明】
２  オプトエレクトロニクス素子
４  基板
８  活性領域
１２  支持体
１４  穴
１８  光ファイバ（光ガイド部材）
２４  位置合わせマーク（第１マーク）
２６  マスク
３２  パターン
３４  パターン（第２パターン）
３８  球形のコリメーションレンズ（レンズ）
４０  第１デバイス
４２  第２デバイス
４４  光ファイバ（光ガイド部材）
５４  支持体
５６  支持体
５９  球形コリメーションレンズ（光ガイド部材）
【国際公開パンフレット】
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2004519705.tif 000004
2004519705.tif 000005
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【国際調査報告】
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2004519705.tif 000030
2004519705.tif 000031
2004519705.tif 000032
2004519705.tif 000033
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