(57)【要約】単結晶、特にＧａＡｓの分割のための方法が提供され、少なくとも２つに切断されるべき単結晶（１）と切断具（２，３；８，８ａ，８ｂ，８ｃ）とが、進行方向（Ｖ）において互いに対して移動され、単結晶は特定の結晶方位（Ｋ）が切断平面（Ｔ）にあるよう配向され、特定の結晶方位（Ｋ）と進行方向（Ｖ）との間の角度（ρ）が、切断平面に対して直角である方向における切断の間に切断具に作用する力が互いを補償する態様で選択されることを特徴とする。
2004512251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶材料の分割のための方法であって、少なくとも２つに切断されるべき単結晶（１）と切断具（２，３：８，８ａ，８ｂ，８ｃ）とが進行方向（Ｖ）において互いに対し移動され、単結晶（１）は特定の結晶方位（Ｋ）が切断平面（Ｔ）にあるよう配向され、
前記特定の結晶方位（Ｋ）と前記進行方向（Ｖ）との間の角度（ρ）は、切断の間に前記切断平面（Ｔ）に対して直角の方向において前記切断具に作用する力が互いを補償するか、または合わせて予め定められた力になるよう、選択されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
切断中の前記切断具（２，３：８，８ａ，８ｂ，８ｃ）の偏向（Ｘ）が測定され、前記単結晶（１）は、前記切断平面（Ｔ）において前記特定の結晶方位（Ｋ）で、測定された値の関数として回転されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
切断は、内周刃式切断によって行なわれることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
切断は、ワイヤ式切断によって行なわれることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記角度（ρ）は、切断の前に経験的に決定されることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記角度（ρ）の設定は、実際の切断装置の外部の調節装置によって行なわれることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、ＩＩＩ−Ｖ半導体、特にＧａＡｓの単結晶（１）を切断するために用いられることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
単結晶の分割のための装置であって、切断具（２，３：８，８ａ，８ｂ，８ｃ）と、単結晶（１）のための台と、前記台と前記切断具とを、前記単結晶（１）の中央長手軸（Ｍ）に対して直角に走る進行方向（Ｖ）において互いに対して移動させるための駆動装置とを含み、
前記台を回転させるための回転装置（５）が設けられ、前記回転装置（５）により、前記単結晶（１）がその中央長手軸（Ｍ）を中心として回転可能な態様で前記台が回転可能であることを特徴とする、装置。
【請求項９】
前記進行方向（Ｖ）に対して直角である方向における前記切断具の偏向（Ｘ）の測定のための測定装置（６）を特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記測定装置（６）および前記回転装置（５）に接続され、前記切断具の偏向が実質的に０になるかまたは予め定められた値を得るように単結晶が回転される態様で前記回転装置（５）を制御する制御装置を特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置は内周刃式切断装置であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置はワイヤ式切断装置であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
単結晶を調節するための装置であって、前記単結晶（１）は中央長手軸（Ｍ）を備えた実質的に円筒状の構造であり、前記単結晶は平坦外面部分（４）を有し、前記単結晶の特定の結晶方位（Ｋ）は、前記中央長手軸（Ｍ）に対して直角である平面において、前記平坦外面部分に対する法線（Ｎ）に対してわかっている角度（α）を有し、垂線との間に予め定められた角度（γ）をなす下側端縁（５４）を備えた垂直に配向される支持部（５１）にリミットストップが設けられる、装置。
【請求項１４】
前記リミットストップは高さが調節可能であることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
異なった角度（γ）を有する交換可能な異なったリミットストップが設けられることを特徴とする、請求項１３または請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記装置は、請求項１から請求項８のいずれかに記載の方法を実行するための調節装置であることを特徴とする、請求項１３から請求項１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の方法の、特定の結晶方位（Ｋ）と進行方向（Ｖ）との間の最適な角度を決定するためのテスト方法であって、
単結晶を分割するステップを含み、前記単結晶は中央長手軸（Ｍ）を備えた実質的に円筒状の構造であり、前記単結晶は、前記単結晶の特定の結晶方位（Ｋ）に対する配向がわかっている外部特徴（４）を有し、前記単結晶は中央長手軸に対し直角に予め定められた厚さで複数の部分（２０ａ〜２０ｅ）に分割され、さらに
前記部分の外部特徴の各々が前記中央長手軸に対して異なった方位位置をとる態様で、前記部分を接合するステップと、
この態様で組まれた前記単結晶（２０）を切断装置において、後に製作されるべきウェハの厚さを有するディスクに同時に切断するステップと、
この態様で製作された前記ディスクの表面均一性および／または厚さを測定するステップと、
切断具の進行方向（Ｖ）に対する前記特定の結晶方位（Ｋ）の最適な角度（ρ）を決定するステップとを含む、テスト方法。
【請求項１８】
前記外部特徴は平坦部またはノッチであることを特徴とする、請求項１７に記載のテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、単結晶の分割のための方法および装置、調節装置、ならびにそのような方法のために単結晶の方位を決定するためのテスト方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
結晶引上げによって製作される単結晶は、半導体技術において用いられるウェハとして公知である個々のディスクに分割される。公知である切断方法は、内周刃式切断およびワイヤ式切断である。単結晶の分割で生じる切断力は、内周刃式切断の場合には回転切断ディスクに、またはワイヤ式切断の場合にはワイヤに、横方向の偏向をもたらす。その結果、不均一な厚さのウェハが製作されるか、または表面に他の不規則性、たとえば歪み（ｗａｒｐ）および曲がり（ｂｏｗ）が生じる。シリコン単結晶の場合、主に生じる問題は表面の波形化である。これは、製作されるウェハの品質劣化をもたらし、よって高品質のウェハの歩留まりを減じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この問題を解決するために、内周刃式切断の場合には、切断ディスクの偏向を計測し、これを圧縮空気の作用によって補正することが公知である。しかしながら、この方法は、切断ディスクを冷却するために付与される冷却液の膜が圧縮空気の影響を受け、これが切断の間の冷却に影響する不利益を有する。さらに、切断ディスクの偏向において生じる力を補償のための反対方向の力で打ち消すように特別に整形された台に単結晶をセットすることも公知である。ワイヤ式切断においては、ワイヤの偏向に対して有効な影響を与えることは不可能である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この発明の目的は、単結晶の分割のための方法および装置、調節装置、ならびに上記問題を回避するそのような方法のために単結晶の方位を決定するためのテスト方法を提供することである。
【０００５】
この目的は、この発明のクレーム１に記載の方法、クレーム１１に記載の調節のための装置、およびクレーム１４に記載のテスト方法によって達成される。
【０００６】
この発明の展開例は、従属クレームに特定される。
方法および発明は、ウェハの品質が向上し、かつ切断の間のより高速な進行速度が可能になるという利点を有する。その結果、内周刃式切断は、特にＧａＡｓに対して、直径が６インチおよびおそらくはそれよりも大きなウェハに対してさえも、用いることができる。製作されるウェハの向上した品質によって、通常行なわれるはずの機械加工後のステップを大幅になくすことができる。
【０００７】
この発明の他の特徴および実際的な機能は、図面を参照して例示的な実施例の説明から明らかとなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１および図２に示されるように、この発明の第１の実施例に従ったこの発明の装置は、内周刃装置を有する。中央長手軸Ｍを有する実質的に円筒状の単結晶１は、図示しない台によって支持される。内周切断ディスク２は、公知の態様でダイアモンド粒子を付与して境界に切断エッジ３が形成された同心状穴を有する金属ディスクからなり、単結晶の中央長手軸Ｍと切断ディスクの回転軸Ｒとが互いに並行に延びる態様で、単結晶に対して回転軸Ｒを中心として回動可能に搭載される。図示しない駆動装置が設けられ、これにより切断ディスク２は図１に示す方向Ａに回転軸Ｒを中心として規定された速度で回転できる。単結晶１は送りユニットの駆動装置によって図２に示す進行方向Ｖに移動可能であるが、その態様は、切断ディスク２が中央長手軸Ｍに対して直角である平面において単結晶１を完全に切断できるものである。さらに、単結晶１を切断ディスク２に直角にまたは中央長手軸方向に沿って速度ｗで移動させるための駆動装置が設けられる。
【０００９】
特に図１に示されるように、単結晶１は正確に円筒状ではなく平坦な外面部分４を有し、これを平坦部と称するが、これは単結晶が引き上げられた後で、角度αがわかるように規定された態様で適合されたものであり、該角度αは、特定の結晶方位Ｋ、たとえばＧａＡｓに対する［０１１］方位と、平坦外面部分４に対する法線Ｎとの間に、中央長手軸Ｍに対して直角である平面において形成される。角度αがわかっているので、単結晶の中央長手軸Ｍに対して直角である平面における、すなわち切断平面Ｔにおける、特定の結晶方位Ｋと単結晶の進行方向Ｖとの角度ρもわかる。平坦部の代わりに、ノッチと呼ばれる切りこみを単結晶の外側に設けてもよいことに留意されたい。唯一の決定的な要素とは、特定の結晶方位に対する配置がわかっている外的特徴があることである。
【００１０】
さらに、図２に示すように、単結晶１の切断ディスク２から遠い側の端部に、装置は単結晶をその中央長手軸Ｍを中心として回転させるための装置５を有する。さらに、単結晶１から後にウェハになるディスク型部分１ａを切断中の切断ディスク２の切断平面Ｔからの何らかの偏向ｘを測定するために、センサ６が設けられる。センサ６と単結晶１を回転させるための装置５とは、制御装置７によって互いに接続されるが、該制御装置７の構築態様は、切断ディスク２の測定された偏向ｘに依存して回転装置５が起動され、それにより単結晶１が特定の方位位置に回転され、よって、切断ディスク２の測定された偏向ｘに対応して、特定の結晶方位Ｋと進行方向Ｖとが予め定められた角度ρをなすものである。
【００１１】
変形例においては、単結晶を切断するための装置は図３および図４に示すワイヤ式切断装置である。図１および図２に示す装置に対応する部品には同じ参照符号を付す。図３に示すように、単結晶１は図示しない台で支持され、送りユニットの駆動装置によりワイヤカッター８のワイヤ領域上で前後に移動可能である。ワイヤカッター８はローラ（図示せず）の上に張られて並行に走る多数のワイヤ８ａ、８ｂ、８ｃからなり、矢印によって示す方向ＡおよびＢにおいて、単結晶１の中央長手軸Ｍに直角である平面上で移動可能である。装置はさらに、単結晶の一方側のワイヤ８ａ、８ｂ、８ｃにダイアモンド粒子を含むペーストを付与するための装置９と、単結晶を通過した後でワイヤを洗浄し、かつ単結晶を通過するワイヤによって削られた材料を除去するための装置１０とを含む。これに代えて、ダイアモンド粒子はワイヤに既にしっかりと一体化され、ペーストによる付与は必要ではない。図２に示す装置に類似して、この図４に示す実施例は同様に単結晶１を回転させるための装置５と、ワイヤ８ａ、８ｂまたは８ｃの偏向を検出するセンサと、検出されたワイヤの偏向の関数として単結晶１を回転させるための装置５を制御するための制御装置７とを含む。
【００１２】
図１および図２にしたがった装置の動作を図５から図１０を参照して説明する。
【００１３】
単結晶１を台に嵌めた後に、単結晶の自由端１ａと切断ディスク２との間に製作されるべきウェハの厚さよりも少し大きい距離がある態様で、台は図２に示される方向Ｗに向かって駆動装置によって前方に押される。単結晶１は、次いで図２および図５に示される送り方向Ｖに向かって、駆動装置によって切断ディスク２に抗して送り速度ｖで移動されるが、該切断ディスク２自体は図１に示す方向Ａにおけるその回転軸を中心として回転する。回転する切断ディスク２は単結晶１に食い込み、単結晶１から後にウェハとなる部分１ａを切断する。切断動作において、単結晶１の臨界的貫入深さに到達した後で、切断ディスク２の切断エッジ３におけるダイアモンド粒子は微細な亀裂を生じさせ、これが相互に網状化することにより、材料が摩滅する。この臨界的貫入深さは、特定の結晶方位Ｋに対する粒子の運動の方向に依存する。巨視的なレベルから見ると、臨界的貫入深さは、単結晶の中央長手軸Ｍに直角である平面において特定の結晶方位Ｋと進行方向Ｖとがなす角度ρに依存する。臨界的貫入深さは、係合する切断ディスク２の両側の側部Ｓ、Ｓ´の各々において異なることが見出された。図７は、特定の結晶方位Ｋと進行方向Ｖとの角度ρのさまざまな設定に対する、図５に示された切断ディスク２の両側の前側Ｓおよび後側Ｓ´における臨界的貫入深さを示す。この、切断ディスク２に対する前側Ｓおよび後側Ｓ´の貫入深さにおける差は、異なった臨界的負荷、すなわち前側Ｓに臨界的負荷Ｌｘ−を、後側Ｓ´に臨界的負荷Ｌｘ＋をもたらす。こうして、切断エッジ３は、図６に示される単結晶１の材料に接した場合の進行方向に作用する拘束力Ｆｚに加えて、前側Ｓおよび後側Ｓ´から異なった拘束力Ｆｘ−、Ｆｘ＋に晒される。これらの、異なった大きさである方向に依存する力Ｆｘ−、Ｆｘ＋は合力Ｆを発生し、これは方向に依存する横方向の偏向Ｘをもたらす。
【００１４】
図８に示すように、力Ｆｘ−、Ｆｘ＋およびＦｚの総和によって発生する合力Ｆは、特定の結晶方位Ｋに対する進行方向Ｖ、すなわち、単結晶１の中央長手軸に対して直角である切断平面においてこれらの２つの方向がなす角度ρに依存する。単結晶の材料に依存して、またはドープ中の半導体の場合でも、および他の要因に依存して、上述の拘束力が釣り合って切断ディスク２が横方向の偏向なしに単結晶１に貫入する好ましい角度がある。
【００１５】
この発明に従った方法においては、上述の拘束力は切断中の切断ディスクの横方向の偏向Ｘを補正するために用いられる。この目的のために、図２に示すように、切断ディスクの偏向Ｘもしくは軸方向切断力成分ＦａまたはＦｂがセンサ６によって測定される。測定された値に依存して、拘束力Ｆｘ−、Ｆｘ＋による横方向の偏向が実質的にゼロに調節されるように特定の結晶方位Ｋと送り方向Ｖとの間の角度ρが設定される態様で、単結晶１を回転させるための装置５が制御装置７によって起動される。ある場合には、規定された態様で切断ディスクまたは切断具を軽く偏向させることも有利である。これもまた、角度ρを調節することにより行なわれる。
【００１６】
この方法は、図３および図４に示すワイヤ切断装置にも適用することができ、この場合１つ以上のワイヤの偏向が測定される。
【００１７】
図９および図１０に示すように、結果は、横方向の偏向の積極的な制御のために拘束力を用いることによって、単結晶をその中央長手軸Ｍを中心として回転させてある角度ρを特定の結晶方位Ｋと送り方向Ｖとの間に設定することにより、歪みおよび粗さｒａの補正が得られる。
【００１８】
切断中の切断具の偏向がゼロになる、進行方向Ｖに対する特定の結晶方位Ｋの好ましい角度は、単結晶の材料に依存する。これらの角度は、テスト手順によって各材料に対して経験的に定められる。そのようにすることによって、図１１に示すように、特定の材料の単結晶２０は複数の薄片２０ａ〜２０ｅに切断されるが、その厚さは後に製作されるウェハの複数倍である。ディスクは次いで、それらの平坦外面部分（平端部）４０ａ〜４０ｅが、たとえばワイヤ切断装置において、各々進行方向Ｖに対して異なった角度で配置される態様で、台２１上に貼りつけられる。このようにディスク２０ａ〜２０ｅにされた単結晶２０は、切断装置において同時に個々のウェハに切断され、このようにして得られたウェハのウェハ表面は粗さおよび歪みを検査される。この方法は、最適な切断に対する好ましい角度が決定されるまで十分に繰返される。このようにして決定された角度は、図１から図４に示す装置において後に分割されるべき単結晶に対する切断動作に対する開始変数としての役割を果たし、装置５および制御装置７による角度の設定の再調節は切断動作中の補正に役立つ。
【００１９】
図１から図４に示す装置へ単結晶１を特定の結晶方位Ｋと送り方向Ｖとの間の特定の角度ρで挿入するために、図１２に示される調節装置が設けられる。調節装置は、ベースプレート５０と、ここから垂直に上方に延在する支持部５１とを有する。支持部５１に設けられるのはスライド５２であり、これはたとえば、図示されず固定具５３によって予め定められた高さに視認することができるレール上で垂直方向に上下に変位可能である。スライド５２はラグ５４を有し、これはその下端縁５４ａが垂直平面との間に予め定められた角度γをなす角度の形状である。図１から図４に示す切断装置のうちの１つに単結晶を挿入するために、接続片５５に剛性を持って接続される単結晶１は、調節のために、たとえば黒鉛から作られる当て材５６に接着されるが、ここで用いられる接着剤は単結晶１がある期間にわたってその中央長手軸Ｍを中心として回転できるよう、予め定められた時間が経過してからのみ硬化する接着剤である。次いで単結晶１は接続片５５および当て材５６とともに調節装置に導入されるが、スライド５２は予めこの種の単結晶に対して必要である高さに固定されている。単結晶１を接続片５５および当て材５６とともに角度片５４の下に押圧することにより、単結晶１は、その平坦外面部分４が角度のついたラグ５４の下側端縁５４ａに抗して静止する態様で、調節される。これを行なうことにより、ラグ５４の下側端縁５４ａが垂線に対して形成する角度γは、この特定の単結晶１に対するある好ましい角度ρが特定の結晶方位Ｋと垂線との間に設定されるよう選択される。単結晶１がしっかりと当て材５６に固定されると、これは切断のために装置内に挿入される。進行方向Ｖは、角度ρが規定されるよう、垂線と一致する。
【００２０】
上述の発明は、特に６インチまたはおそらくはそれ以上の直径を有するＧａＡｓウェハに用いた場合に、加速された進行速度により内周刃式切断で困難なしに切断できるという特別な利点を示す。
【００２１】
この発明は、半導体単結晶（純要素、半導体、半導体化合物）の切断に限定されない。反対に、この発明に従った方法および装置は光学的単結晶またはセラミックスなどのどのような単結晶を切断するためにも採用し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】単結晶の中央長手軸方向における内周刃式切断のための装置の概略平面図である。
【図２】この発明の実施例に従った内周刃式切断のための装置の概略側部立面図である。
【図３】ワイヤ式切断のための装置の概略斜視図である。
【図４】この発明の実施例に従ったワイヤ式切断のための装置の概略側部立面図である。
【図５】内周刃式切断の間のウェハの概略側部立面図である。
【図６】内周刃式切断の間に生じる力を示す図である。
【図７】ＧａＡｓ単結晶の切断の間の切断具の進行方向の関数として、微細な亀裂の網状化のための臨界的貫入深さを示す図である。
【図８】内周刃式切断によってＧａＡｓ単結晶を切断する間の切断具の進行方向の関数として、切断具の横方向偏向をもたらす軸方向拘束力成分の合力の極値を示す図である。
【図９】内周刃式切断によるＧａＡｓの例を参照して、切断具の進行方向に対する特定の結晶方位の設定の関数としてウェハの歪みを示す図である。
【図１０】ＧａＡｓの例を参照して、切断具の進行方向に対する特定の結晶方位の設定の関数としてウェハの粗さを示す図である。
【図１１】ワイヤ式切断のための切断具の進行方向に対する特定の結晶方位の最適な角度の決定のための、この発明に従ったテスト方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図１２】単結晶を調節するための装置の概略斜視図である。
【図７】
2004512251.tif 000003
【図９】
2004512251.tif 000004
【国際公開パンフレット】
2004512251.tif 000005
2004512251.tif 000006
2004512251.tif 000007
2004512251.tif 000008
2004512251.tif 000009
2004512251.tif 000010
2004512251.tif 000011
2004512251.tif 000012
2004512251.tif 000013
2004512251.tif 000014
2004512251.tif 000015
2004512251.tif 000016
2004512251.tif 000017
2004512251.tif 000018
2004512251.tif 000019
2004512251.tif 000020
2004512251.tif 000021
2004512251.tif 000022
2004512251.tif 000023
2004512251.tif 000024
2004512251.tif 000025
2004512251.tif 000026
2004512251.tif 000027
2004512251.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成14年3月28日(2002.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶材料の分割のための方法であって、少なくとも２つに切断されるべき単結晶（１）と切断具（２，３：８，８ａ，８ｂ，８ｃ）とが進行方向（Ｖ）において互いに対し移動され、単結晶（１）は特定の結晶方位（Ｋ）が切断平面（Ｔ）にあるよう配向され、
前記特定の結晶方位（Ｋ）と前記進行方向（Ｖ）との間の角度（ρ）は、切断の間に前記切断平面（Ｔ）に対して直角の方向において前記切断具に作用する力が互いを補償するか、または合わせて予め定められた力になるよう、選択されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
切断中の前記切断具（２，３：８，８ａ，８ｂ，８ｃ）の偏向（Ｘ）が測定され、前記単結晶（１）は、前記切断平面（Ｔ）において前記特定の結晶方位（Ｋ）で、測定された値の関数として回転されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
切断は、内周刃式切断によって行なわれることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
切断は、ワイヤ式切断によって行なわれることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記角度（ρ）は、切断の前に経験的に決定されることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記角度（ρ）の設定は、実際の切断装置の外部の調節装置によって行なわれることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、ＩＩＩ−Ｖ半導体、特にＧａＡｓの単結晶（１）を切断するために用いられることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
単結晶の分割のための装置であって、切断具（２，３：８，８ａ，８ｂ，８ｃ）と、単結晶（１）のための台と、前記台と前記切断具とを、前記単結晶（１）の中央長手軸（Ｍ）に対して直角に走る進行方向（Ｖ）において互いに対して移動させるための駆動装置と、前記台を回転させるための回転装置（５）とを含み、前記回転装置（５）により前記単結晶（１）がその中央長手軸（Ｍ）を中心として回転可能な態様で前記台が回転可能であり、
前記進行方向（Ｖ）に対して直角である方向における前記切断具の偏向（Ｘ）の測定のための測定装置（６）を特徴とする、装置。
【請求項９】
前記測定装置（６）および前記回転装置（５）に接続され、前記切断具の偏向が実質的に０になるかまたは予め定められた値を得るように単結晶が回転される態様で前記回転装置（５）を制御する制御装置を特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置は内周刃式切断装置であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置はワイヤ式切断装置であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
単結晶を調節するための装置であって、前記単結晶（１）は中央長手軸（Ｍ）を備えた実質的に円筒状の構造であり、前記単結晶は平坦外面部分（４）を有し、前記単結晶の特定の結晶方位（Ｋ）は、前記中央長手軸（Ｍ）に対して直角である平面において、前記平坦外面部分に対する法線（Ｎ）に対してわかっている角度（α）を有し、垂線との間に予め定められた角度（γ）をなす下側端縁（５４）を備えた垂直に配向される支持部（５１）にリミットストップが設けられる、装置。
【請求項１３】
前記リミットストップは高さが調節可能であることを特徴とする、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
異なった角度（γ）を有する交換可能な異なったリミットストップが設けられることを特徴とする、請求項１２または請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記装置は、請求項１から請求項８のいずれかに記載の方法を実行するための調節装置であることを特徴とする、請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の方法の、特定の結晶方位（Ｋ）と進行方向（Ｖ）との間の最適な角度を決定するためのテスト方法であって、
単結晶を分割するステップを含み、前記単結晶は中央長手軸（Ｍ）を備えた実質的に円筒状の構造であり、前記単結晶は、前記単結晶の特定の結晶方位（Ｋ）に対する配向がわかっている外部特徴（４）を有し、前記単結晶は中央長手軸に対し直角に予め定められた厚さで複数の部分（２０ａ〜２０ｅ）に分割され、さらに
前記部分の外部特徴の各々が前記中央長手軸に対して異なった方位位置をとる態様で、前記部分を接合するステップと、
この態様で組まれた前記単結晶（２０）を切断装置において、後に製作されるべきウェハの厚さを有するディスクに同時に切断するステップと、
この態様で製作された前記ディスクの表面均一性および／または厚さを測定するステップと、
切断具の進行方向（Ｖ）に対する前記特定の結晶方位（Ｋ）の最適な角度（ρ）を決定するステップとを含む、テスト方法。
【請求項１７】
前記外部特徴は平坦部またはノッチであることを特徴とする、請求項１６に記載のテスト方法。
【国際調査報告】
2004512251.tif 000029
2004512251.tif 000030
2004512251.tif 000031
2004512251.tif 000032
2004512251.tif 000033
2004512251.tif 000034