(57)【要約】【課題】本発明は、物理蒸着ターゲット（１００）を処理するための方法及び物理蒸着ターゲットに関する。【解決手段】ターゲットは、スパッタリング表面（１３６）及びこのスパッタリング表面の周囲の側壁縁部（１０５）を有する。本方法は、工具を側壁縁部に押し付けてターゲットの側壁縁部にインプリント（１４０）の分布を形成する工程を含む。次いで、工具（１２０）を側壁縁部から外し、前記側壁縁部内に延びるインプリントを残す。ターゲットは、外周を持つスパッタリング表面、及びこのスパッタリング表面の外周に沿った側壁縁部を含む。側壁縁部は、側壁縁部内に延びるインプリントの繰り返しパターンを有する。【選択図】図７
2004511656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング表面及びこのスパッタリング表面の周囲と近接した側壁縁部を持つ物理蒸着ターゲットを処理するための方法において、
工具を前記側壁縁部に押し付けて前記ターゲットの前記側壁縁部にインプリントの分布を形成する工程、及び
前記工具を前記側壁縁部から外す工程を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記インプリントの前記分布が前記側壁縁部に繰り返しパターンを形成する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記インプリントはほぼダイヤモンド形状の形体である、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲットは、金属材料を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲットはチタニウムを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲットはセラミック材料を含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記側壁縁部は、前記スパッタリング表面に隅部のところで接合し、押し付け前に隅部に切子面を形成する工程を更に含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記側壁縁部は、前記スパッタリング表面に隅部のところで接合し、押し付け後に隅部に切子面を形成する工程を更に含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲット周囲は円形であり、前記側壁縁部が円形の周囲を取り囲み、更に、押し付け中に前記工具を前記円形のターゲットの周囲に亘って移動するため、前記工具を前記ターゲットに対して変位する工程を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、押し付け中、液体潤滑剤を前記工具と前記ターゲット周囲との間に提供する工程を更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記ターゲットを裏打ちプレートに接合する工程を更に含み、前記接合は、前記工具を前記側壁縁部に押し付ける前に行われる、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記裏打ちプレートは、前記物理蒸着ターゲットの前記側壁縁部と同延の側壁縁部を有し、前記工具は前記裏打ちプレートの前記側壁縁部に押し付けられる、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、前記裏打ちプレートは、前記物理蒸着ターゲットの前記側壁縁部と同延の側壁縁部を有し、前記工具は前記裏打ちプレートの前記側壁縁部に押し付けられて前記裏打ちプレートの前記側壁縁部にインプリントを形成すると同時に、前記ターゲットの前記側壁縁部にインプリントを形成する、方法。
【請求項１４】
物理蒸着ターゲットにおいて、
外周を持つスパッタリング表面、及び
前記スパッタリング表面の外周に沿った側壁縁部を含み、前記側壁縁部はその中に延びるインプリントの繰り返しパターンを有する、物理蒸着ターゲット。
【請求項１５】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、金属製材料でできている、物理蒸着ターゲット。
【請求項１６】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、チタニウムでできている、物理蒸着ターゲット。
【請求項１７】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、セラミック材料でできている、物理蒸着ターゲット。
【請求項１８】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、裏打ちプレートに接合されており、前記裏打ちプレートは前記物理蒸着ターゲットの側壁と同延の側壁を有し、インプリントが前記裏打ちプレート側壁に設けられていない、物理蒸着ターゲット。
【請求項１９】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記裏打ちプレートに接合されており、前記裏打ちプレートは前記物理蒸着ターゲットの前記側壁と同延の側壁を有し、インプリントが前記裏打ちプレート側壁に設けられている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２０】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記外周は円形であり、前記側壁は前記円形の外周全体に亘って延びており、前記繰り返しパターンは前記円形の外周全体に亘って延びている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２１】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記側壁は前記スパッタリング表面に切子面をなした隅部で接合されている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２２】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記切子面をなした隅部は、前記側壁と前記スパッタリング表面との間を延びる切子面領域を含み、インプリントはこの切子面領域内に延びていない、物理蒸着ターゲット。
【請求項２３】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記インプリントはほぼダイヤモンド形状の形態をなしている、物理蒸着ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、物理蒸着ターゲット構造及び物理蒸着ターゲットの処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
物理蒸着法（これには、例えばスパッタリング法が含まれる）は、薄膜が所望である場合に製造プロセスで広い用途がある。例えば、半導体加工の用途で、半導体基板に亘って薄膜を形成するためにスパッタリングプロセスが頻繁に使用される。
【０００３】
例示のスパッタリングプロセスを図１を参照して説明する。詳細には、半導体基板１４の上方に物理蒸着ターゲット１２を含む装置１０が示してある。特許請求の範囲の解釈を助けるため、「半導性基板」及び「半導体基板」という用語は、半導性ウェーハ（単独で又は他の材料をその表面上に備えたアッセンブリをなした）等のバルク半導性材料及び半導性材料層（単独で又は他の材料を含むアッセンブリをなした）を含むがこれらに限定されない半導性材料を含む任意の構造を意味するものと定義される。「基板」という用語は、上文中に説明した半導性基板を含むがこれらに限定されない任意の支持構造に関する。
【０００４】
ターゲット１２は、スパッタリング表面１５を有する。作動では、イオンや原子（図示せず）がスパッタリング表面１５に衝突し、これらのイオンや原子により、材料がスパッタリング表面から基板１４に向かって放出される。放出された材料は、下向きの矢印によって示される。これらの矢印は、放出された材料を物理蒸着ターゲットに対して示す標準的な方法である。放出された材料の別の説明は、材料をクラウド１６として示すことである。これは、放出された材料が、一般的には、ミストの外観を持つためである。放出された材料は、単に基板１４に向かうのではなく、三次元で移動し、従って、放出された材料の幾つかはターゲット１２に戻る。
【０００５】
例示の装置は、裏打ちプレート１８に結合されたターゲット１２を示す。更に、ターゲット１２は、スパッタリング表面１５の周囲に結合する側壁表面２０を含むように示してある。クラウド１６は、表面２０及び２２と重なり、従って、スパッタリング表面１５から放出された材料の幾つかが側壁表面２０及び２２に再付着する。
【０００６】
再付着した材料は、半導体装置の製造にとって問題である。例示のプロセスでは、ターゲット１２はチタニウムでできており、窒素含有ガス中でスパッタリングされ、一層のチタニウムナイトライドを基板１４上にスパッタ付着させる。図２は、基板１４の表面上にチタニウムナイトライドを付着させた後の基板１４の拡大図を示す。詳細には、図２は、基板１４が開口部３０を有するということ、及び付着させたチタニウムナイトライドフィルム３２が基板１４上及び開口部３０内に延びるということを示す。開口部３０は、最終的には、半導体装置の製造に使用できる。開口部３０は所定の幅を有し、半導体装置加工は、半導体構成要素の幅を小さくすることにより、半導体基板の同じフットプリント上に構成要素を更に高密度で形成できるようにすることが求め続けられている。従って、半導体装置の製造は、更に狭幅の開口部内に薄膜を均等に付着できるようにすることが求め続けられている。開口部３０の幅が小さくなるに従って遭遇する問題点は、大きな開口部に対しては問題でない小さな粒子状汚染物が小さな開口部に対して問題となるということである。例示の汚染物は、図２に示すフレーク３４であり、開口部３０を部分的に塞いだ状態で示してある。フレーク３４は、ターゲット１２の側壁表面２０に再付着した材料から形成され、次いでターゲット１２から基板１４の表面上に落下する。フレーク３４は、所望の装置を開口部３０と関連して形成するのを困難にし、又は場合によっては不可能にしてしまう。従って、スパッタリング作業中、再付着した材料のフレークがターゲット表面から半導体基板上に落下しないようにするのが望ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するための手段】
一つの特徴では、本発明は、物理蒸着ターゲットの処理方法に関する。ターゲットは、スパッタリング表面及びこのスパッタリング表面の周囲にある側壁縁部を有する。本方法は、工具を側壁縁部に押し付け、ターゲットの側壁縁部にインプリントの分配を形成する工程を含む。次いで工具を側壁縁部から外し、インプリントが側壁縁部内に延びたままにする。
【０００８】
別の特徴では、本発明は物理蒸着ターゲットに関する。ターゲットは、外周を持つスパッタリング表面、及びこのスパッタリングの外周に沿った側壁縁部を有する。この側壁縁部は、この側壁縁部内に延びるインプリントの繰り返しパターンを有する。
【０００９】
本発明の好ましい実施例を添付図面を参照して以下に説明する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の方法の好ましい実施例では、フレークが物理蒸着ターゲットの側壁表面からターゲットの下にある基板表面上に落下するという「従来の技術」のセクションに記載の問題点を軽減するか或いはなくすことができる方法に関する。本発明の方法の第１実施例を図３乃至図７を参照して説明する。
【００１１】
まず最初に図３を参照すると、この図には物理蒸着ターゲット構造１００が示してある。この構造１００は、裏打ちプレート１０４に接合された物理蒸着ターゲット１０２を含む。ターゲット１０２は、セラミック又は金属材料のいずれかで形勢されているのがよく、特定の実施例では、チタニウムを含む。例えば、ターゲット１０２は、純度が９９．９９５％の高純度チタニウムでできているのがよい。
【００１２】
裏打ちプレート１０４は、例えば銅等の導電性材料で形成でき、例えばハンダ付け結合等の従来の方法を使用してターゲット１０２に接合できる。
【００１３】
ターゲット１０２はスパッタリング表面１０３を含む。スパッタリング表面１０３は外周を有し、ターゲット１０２はスパッタリング表面１０３の周囲に沿って側壁縁部１０５を有する。更に詳細には、側壁縁部１０５は、隅部１０７のところでスパッタリング表面１０３に接合する。
【００１４】
裏打ちプレート１０４は、側壁縁部１０５と同延の側壁縁部１０９を有し、更に、側壁縁部１０９のベースのところにフランジ１１５を含む。裏打ちプレート１０４及びターゲット１０２の図示の特定の形状は、裏打ちプレート／ターゲット構造の特定の商業的実施例とほぼ一致する。図示の構造は例示の構造であって、他のターゲット／裏打ちプレート構造で本発明の加工を使用できるということは理解されるべきである。
【００１５】
図４を参照すると、隅部１０７（図３参照）に面取りを施し、従って、切子面１１１に代えた後の構造１００が示してある。特定的には、図３の先の尖った隅部１０７に鑢掛け、研削、又は他の作業を施し、材料１０２を幾らか除去し、側壁表面１０５とスパッタリング表面１０３との間を延びる角度をなした領域１１０（この領域は、別の呼び方では切子面１１０という）を形成する。図３の先の尖った隅部１０７の構造を切子面１１１に代えることを面取り作業と呼ぶことができる。本開示及び特許請求の範囲を解釈する目的のため、「面取り」という用語は、第１角度から始まる隅部を切子面に代え、及びかくして第１角度よりも大きい角度を持つ二つの隅部に代える何らかの作業に関する。切子面１１１は、例えば、約１．５２４ｍｍ乃至約２．５４ｍｍ（約０．０６インチ乃至約０．１０インチ）の面取りを構成する。
【００１６】
図５は図４の構造の平面図であり、構造１００が円形の上面を持つことができることを示す。従って、スパッタリング表面１０３の外周は円形である。図５に示す構造は例示の構造であり、本発明は、他の形状を持つターゲット構造とともに使用でき、詳細には非円形表面形状を持つターゲット構造とともに使用できるということは理解されるべきである。
【００１７】
図６を参照すると、図５の構造１００が側面図で示してある。この図には、スピンドル１２２に取り付けられた工具１２０が更に示してある。この工具１２０は、突出部１２６が形成された表面１２４を有する。工具１２０及びスピンドル１２２は、好ましくは、突出部１２６が表面１０５内にインプリントを形成するように表面１２４がターゲット１０２の表面１０５に押し付けられて回転されるように、形成されている。工具１２０の回転を示すため、軸線１３０が示してあり、表面１０５に亘る工具１２０の移動を示すため、別の軸線１３２が示してある。工具１２０は、ローレット切り工具と呼ぶことができ、工具１２０によって行われる作業をローレット切りと呼ぶことができる。実際には、スピンドル１２２は、モータ及び支持構造（図示せず）に連結できる。モータ及び支持構造は、スピンドル１２２を回転し、スピンドル１２２及びこれに取り付けられた工具１２０を側壁１０５に向かって押し付ける。本発明を工具１２０の回転及び移動に関して説明したが、表面１０５内にインプリントを形成する際、工具１２０の代わりに、又は工具１２０の他にターゲット構造１００を移動できるということは理解されるべきであるということに着目されたい。例えば、ターゲット構造１００を手動旋盤に置き、工具１２０に対して毎分約２０回乃至約６０回の速度で回転させることができる。工具１２０を移動するのか、ターゲット構造１００を移動するのか、又は工具１２０及びターゲット１００を同時に移動するのかに拘わらず、ターゲット構造１００を工具１２０に対して変位させる。
【００１８】
図７を参照すると、この図には、工具１２０を表面１０５に亘って通した後の構造１００が示してある。突出部１２６が、ターゲット１０２の表面１０５内に延びるインプリント１４０を残した。これらのインプリント１４０は、例えば、微細な、中程度の、又は粗いほぼダイヤモンド形状又は鋸歯状をなしており、２．５４ｃｍ（１インチ）当たり約２０個乃至約１００個（約２０ｐｐｉ乃至約１００ｐｐｉ）によって定義されるローレット表面をなすように形成でき、更に代表的には、約４０ｐｐｉ乃至約８０ｐｐｉによって定義される。インプリントは、工具１２０に設けられたインプリントのパターンと対応するパターン１４２を形成する。図７は、工具１２０上に見えるパターンと正確に対応する相補的パターン１４２を示す上で簡略化してある。実際には、工具１２０は、代表的には、円形の表面１２４を有し、従って、図５及び図６に見えるパターンは、工具１２０に設けられたパターンの一部に過ぎない。従って、工具１２０によって形成された繰り返しパターンは、図６及び図７の側面図に見えるパターンよりも多くてもよい。それにも拘わらず、図６及び図７に示す概念は、工具１２０が、ターゲット１０２の表面１０５内に延びるインプリント１４０の繰り返しパターンを形成するという点で正確である。図７のインプリント１４０は、好ましくは、表面１０５全体に亘って形成されており、従って、図５に示すように、円形のターゲットについてスパッタリング表面１０３を取り囲む。
【００１９】
幾つかの実施例では、インプリント１４０は、側壁表面１０５に沿ってのみ形成されており、裏打ちプレート１０４の表面１０９に沿って、又は切子面１１１の切子面領域１１０に沿っては設けられていない。図示の実施例は好ましい実施例であり、本発明は、表面１０９及び表面１１０の一方又は両方（例えば図８参照）に沿ってインプリントが形成された他の実施例を含むことができるということは理解されるべきである。しかしながら、インプリントを表面１０９内に形成すると、裏打ちプレートのリサイクルが困難になる。詳細には、ターゲットの使用中、ターゲットが消耗し、裏打ちプレートからなくなるのが一般的であり、その後、別のターゲットと交換する。代表的には、スパッタリング作業中に表面１０９上に形成された再付着材料を除去し即ち清掃しなければならない裏打ちプレート１０９内にインプリントが形成されている場合には、裏打ちプレート１０４のリサイクルが困難になる。従って、表面１０９は滑らかなままであるのが望ましい。
【００２０】
インプリント１４０は、本開示の「従来の技術」のセクションに記載の問題点を小さくし又はなくすことができる。詳細には、インプリント１４０は、スパッタリング作業中に側壁１０５上に形成された再付着した材料を保持でき、従って、スパッタリング作業中、再付着した材料のフレークが表面１０５から基板上に落下しないようにできる。
【００２１】
本発明の方法では、任意のインプリントパターンを使用できる。二つの例示のパターンを図１０及び図１１に示す。
【００２２】
切子面１１１は、スパッタリング表面１０３の外領域に先の尖った縁部が形成されないように形成されている。詳細には、図３の構造（即ち、切子面隅部が形成されていない構造）にローレット切り作業を行うと、側壁１０５がスパッタリング表面１０３に接合する隅部１０７のところに先の尖った縁部が形成される。このような先の尖った隅部は、ターゲット１０２の材料に押し込まれる工具１２０の突出部１２６によって、物理蒸着ターゲット１０２の材料が外方に押されるために形成されてしまうのである。かくして隅部１０７のところに縁部が形成され、捲れ、襞形成、又は他の不均等部分がそこから延びる。このような不均等部分は、スパッタリングプロセスでのターゲット１０２の使用を困難にする。切子面１１１を形成することにより、インプリントが側壁表面１０５に形成された後でもターゲット１０３の外縁部を均等にしておくことができる。
【００２３】
インプリント１４０を表面１０５に形成する前に切子面１１１を形成することに関して本発明を図示し且つ説明したが、切子面１１１は、インプリントの形成後に形成することもできるということは理解されるべきである。詳細には、不均等な縁部の形成に関して上文中に論じた問題点は、縁部を除去することによって緩和できる。従って、インプリント領域１４０の形成後に縁部に鑢掛けを施す等により面取り即ち切子面を形成することができる。しかしながら、切子面形成をインプリント後でなくインプリント前に行う場合に、スパッタリング表面１３６を取り囲む均等な縁部を形成するのが容易であるということがわかった。インプリントによって形成された不均等な縁部は、切子面形成作業を困難にし、従って、一般的には、側壁表面１０５にインプリントを形成する前に切子面形成を行う方が便利である。
【００２４】
更に、インプリントをターゲットに形成する前にターゲットを裏打ちプレートに接合した構造を参照して本発明を示し且つ説明したが、別の態様では、ターゲットを裏打ちプレートに接合する前にターゲットの側壁にインプリントを形成できる。しかしながら、ターゲットを裏打ちプレートに接合する前にインプリントを形成する場合には困難が生じる。詳細には、ターゲットは、多くの場合、ハンダ付けを使用して裏打ちプレートに接合され、稀には、接合作業中にハンダの幾らかがターゲットと裏打ちプレートとの間からはみ出す。ターゲットを裏打ちプレートに接合する前にインプリントをターゲットに形成した場合には、はみ出したハンダがインプリントに付着してしまい、これは除去が困難である。更に、裏打ちプレート１０４は、ローレット切り作業中にターゲット１０２を操作するための便利なハンドルを提供できる。このハンドルは、更に、ターゲットの側壁表面内にインプリントを形成する前にターゲット１０２を裏打ちプレートに取り付ける上で利点を提供できる。
【００２５】
インプリント１４０を側壁表面１０５内に形成した後、工具１２０を取り外し、ターゲット１０５をスパッタリング作業で使用できる。
【００２６】
図６及び図７を参照して説明した作業におけるインプリントの形成中、工具１２０をターゲット１０５に直接当てて配置できる。しかしながら、工具１２０とターゲット１０５との間に潤滑液（例えばオイル等）を提供するのが好ましいということがわかっている。これは、工具１２０から材料がターゲット１０５上に掻き取られることを少なくでき、更に、材料がターゲット１０５から工具１２０上に掻き取られることを少なくできる。好ましくは、工具１２０は、ターゲット１０５よりも硬質の材料から形成される。
【００２７】
本発明の別の実施例を図８を参照して説明する。図８は、裏打ちプレート１０４の表面１０９及びターゲット１０２の表面１０５の両方に亘って延びるように形成された工具１６０で処理した図４及び図５の構造１００の側面図を示す。工具１６０は、この工具１６０が軸線１３２に沿って及び表面１０５及び１０９に亘って通過する際にこの工具１６０を軸線１３０を中心として回転させることができるように形成されたスピンドル１６２に取り付けられた状態で示してある。図８の実施例は、ターゲット表面１０５にインプリントを形成するばかりでなく、裏打ちプレートの表面１０９にインプリントを形成し、表面１０５にインプリントを形成する際に表面１０９にインプリントを形成できる。
【００２８】
本発明の別の実施例を図９を参照して説明する。図９は、モノリシックなターゲット２００の側面図を示す。当業者に周知のように、モノリシックターゲットは、裏打ちプレートなしで使用されるように形成されたターゲットである。従って、ターゲット２００は、図６及び図７に示すターゲット／裏打ちプレート構造の形状を持つ。ターゲット２００は、スパッタリング表面２０３、このスパッタリング表面２０３の周囲に亘って延びる側壁表面２０５、表面２０５と２０３との間を延びる切子面を備えた縁部２１０、及びフランジ２１５を含む。工具２２０は、軸線２３０を中心として回転し、表面２０５に押し付けられた状態で示してある。工具２２０は、図６及び図７を参照して説明したインプリント１４０と同様のインプリントを表面２０５内に形成する突出部２２６を備えている。工具２２０は、工具を回転し且つ工具を表面２０５に押し付けるように形成されたスピンドル２２２に取り付けられている。更に、工具２２０は、インプリントがスパッタリング表面２０３の全周に亘って形成されるように、軸線２３０が示す方向に沿って表面２０５に対して変位するように形成されている。図９の形体と図６及び図７の形体との間の相違は、工具２２０が、フランジ２１５と切子面を備えた縁部２１０との間で側面２０５全体に沿って延びるように形成されているということである。
【００２９】
図９の方法に従って形成されたターゲットは、側壁表面全体にインプリントを有し、従って、スパッタ付着プロセス中にフレークが側壁表面から落下することを緩和し又はなくすことができる。
【００３０】
本明細書中に説明した方法は、物理蒸着ターゲットを形成するための本発明の例示の方法であって、その他の方法を使用できるということに着目されるべきである。例えば、ターゲットは、インプリントパターンが設けられた賦形物に形成でき、従って、ローレット切り工具を使用せずにパターンを形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来技術の物理蒸着装置の一部の概略断面図である。
【図２】
従来技術のスパッタリング方法に従って加工した半導体ウェーハの概略部分断面図である。
【図３】
物理蒸着ターゲット／裏打ちプレート構造の概略断面図である。
【図４】
図３の加工工程に続いて行われる加工工程での図３の構造の図である。
【図５】
図４の構造の平面図であり、４−４線は図４と対応する切断面を示す。
【図６】
本発明の方法に従ってインプリントを形成するための予備加工工程での図５の構造の概略側面図である。
【図７】
図６の加工工程に続く加工工程での図６の構造の図である。
【図８】
本発明の第２実施例の方法の予備工程での図５の構造の概略側面図である。
【図９】
本発明の第３実施例を示す、モノリシック物理蒸着ターゲットの側面図である。
【図１０】
本発明の方法で使用できるインプリントパターンの写真である。
【図１１】
本発明の方法で使用できる別のインプリントパターンの写真である。
【符号の説明】
１００　物理蒸着ターゲット構造
１０２　物理蒸着ターゲット
１０３　スパッタリング表面
１０４　裏打ちプレート
１０５　側壁縁部
１０７　隅部
１０９　側壁縁部
１１５　フランジ
１１１　切子面
１１０　角度をなした領域
【図１】
2004511656.tif 000003
【図２】
2004511656.tif 000004
【国際公開パンフレット】
2004511656.tif 000005
2004511656.tif 000006
2004511656.tif 000007
2004511656.tif 000008
2004511656.tif 000009
2004511656.tif 000010
2004511656.tif 000011
2004511656.tif 000012
2004511656.tif 000013
2004511656.tif 000014
2004511656.tif 000015
2004511656.tif 000016
2004511656.tif 000017
2004511656.tif 000018
2004511656.tif 000019
2004511656.tif 000020
2004511656.tif 000021
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004511656.tif 000022
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004511656.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成14年7月12日(2002.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング表面及びこのスパッタリング表面の周囲と近接した側壁縁部を持つ物理蒸着ターゲットを処理するための方法において、
工具を前記側壁縁部に押し付けて前記ターゲットの前記側壁縁部にインプリントの分布を形成する工程、及び
前記工具を前記側壁縁部から外す工程を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記インプリントの前記分布が前記側壁縁部に繰り返しパターンを形成する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記インプリントはほぼダイヤモンド形状の形体である、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲットは金属材料を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲットはチタニウムを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲットはセラミック材料を含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記側壁縁部は、前記スパッタリング表面に隅部のところで接合し、押し付け前に隅部に切子面を形成する工程を更に含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記側壁縁部は、前記スパッタリング表面に隅部のところで接合し、押し付け後に隅部に切子面を形成する工程を更に含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記物理蒸着ターゲット周囲は円形であり、前記側壁縁部が円形の周囲を取り囲み、更に、押し付け中に前記工具を前記円形のターゲットの周囲に亘って移動するため、前記工具を前記ターゲットに対して変位する工程を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、押し付け中、液体潤滑剤を前記工具と前記ターゲット周囲との間に提供する工程を更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記ターゲットを裏打ちプレートに接合する工程を更に含み、前記接合は、前記工具を前記側壁縁部に押し付ける前に行われる、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記裏打ちプレートは、前記物理蒸着ターゲットの前記側壁縁部と同延の側壁縁部を有し、前記工具は前記裏打ちプレートの前記側壁縁部に押し付けられる、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、前記裏打ちプレートは、前記物理蒸着ターゲットの前記側壁縁部と同延の側壁縁部を有し、前記工具は前記裏打ちプレートの前記側壁縁部に押し付けられて前記裏打ちプレートの前記側壁縁部にインプリントを形成すると同時に、前記ターゲットの前記側壁縁部にインプリントを形成する、方法。
【請求項１４】
物理蒸着ターゲットにおいて、
外周を持つスパッタリング表面、及び
前記スパッタリング表面の外周に沿った側壁縁部を含み、前記側壁縁部はその中に延びるインプリントの繰り返しパターンを有する、物理蒸着ターゲット。
【請求項１５】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、金属製材料でできている、物理蒸着ターゲット。
【請求項１６】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、チタニウムでできている、物理蒸着ターゲット。
【請求項１７】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、セラミック材料でできている、物理蒸着ターゲット。
【請求項１８】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、裏打ちプレートに接合されており、前記裏打ちプレートは前記物理蒸着ターゲットの側壁と同延の側壁を有し、インプリントが前記裏打ちプレート側壁に設けられていない、物理蒸着ターゲット。
【請求項１９】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記裏打ちプレートに接合されており、前記裏打ちプレートは前記物理蒸着ターゲットの前記側壁と同延の側壁を有し、インプリントが前記裏打ちプレート側壁に設けられている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２０】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記外周は円形であり、前記側壁は前記円形の外周全体に亘って延びており、前記繰り返しパターンは前記円形の外周全体に亘って延びている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２１】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記側壁は前記スパッタリング表面に切子面をなした隅部で接合されている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２２】
請求項２１に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記切子面をなした隅部は、前記側壁と前記スパッタリング表面との間を延びる切子面領域を含み、インプリントはこの切子面領域内に延びていない、物理蒸着ターゲット。
【請求項２３】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記インプリントはほぼダイヤモンド形状の形態をなしている、物理蒸着ターゲット。
【請求項２４】
請求項１４に記載の物理蒸着ターゲットにおいて、前記インプリントの繰り返しパターンはローレットを含む、物理蒸着ターゲット。
【国際調査報告】
2004511656.tif 000024
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