(57)【要約】水素を吸収できる材料の水素化を迅速に行う方法が開示されている。水素を吸収できる材料の粉末を、室温ではなく高温（マグネシウムの場合は約３００℃）で、グラファイトなどの水素化活性剤の存在下、オプションとして触媒の存在下で、水素圧力の下で粉砕すると、該材料粉末を、完全に水素化物へ変換できることが見い出された。この変換は１時間未満で達成される。既知の方法ではこの１０倍くらいの時間がかかる。この予想外の迅速な変換は、水素化物、とりわけＭｇＨ２の製造コストを大幅に減少させる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素貯蔵材料の迅速水素化方法であって、該材料を、室温よりも高い温度で、水素圧力の下、水素化活性剤の存在下で機械的に粉砕する工程を含むことを特徴とする水素貯蔵材料の迅速水素化方法。
【請求項２】
前記水素圧力が１ｂａｒ以上であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記温度が５０℃以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記機械的粉砕が０．０５ｋＷ／リットル以上の機械的エネルギーで、筐体内で行われることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記水素化活性剤がグラファイトであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記グラファイトの使用量が１重量％以上であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記グラファイトの使用量が３重量％以上であることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記水素化活性剤が炭化水素であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記炭化水素が、ナフタレン、ペリレン、ペンタセン、アダマンタン、フラーレンとバルカンからなる群から選ばれることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記水素貯蔵材料がマグネシウムであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記水素圧力が約４ｂａｒであり、前記温度が約３００℃であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記水素化活性剤がグラファイトであり、該グラファイトの使用量が１重量％以上であることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記機械的粉砕が、触媒としてのバナジウムの存在下で行われることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記機械的粉砕が触媒の存在下で行われることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記触媒がバナジウムからなり、該触媒の存在量が１原子％以上であることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記水素貯蔵材料がナトリウムとアルミニウムを含有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
水素を貯蔵、輸送、及び／又は製造する材料であって、該材料は水素化活性剤を含有し、請求項１乃至請求項１６のうちいずれか１項記載の方法により水素化されることを特徴とし、該水素化活性剤がグラファイト、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、又はアントラセンである場合、該材料は、Ｍｇ，Ｍｇ−Ｎｉ，Ｍｇ−Ｒｕ，Ｍｇ−Ｐｔ，Ｍｇ−Ｐｄ，ＮａＡｌＨ４とＮａ３ＡｌＨ６からなる群からは選ばれないことを特徴とする材料。
【請求項１８】
前記水素化活性剤が、固体、液体、又は気体の炭化水素であることを特徴とする請求項１７記載の材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
本発明は、水素貯蔵材料の水素化を迅速に行う方法に関する。
【０００２】
背景技術
水素を吸収できる材料（物質）の水素化、とりわけ最初の水素化は非常に困難であることが知られている。なぜなら、通常、材料の表面には天然の酸化物が存在し、この酸化物が水素の浸透の障壁となるからである。したがって、材料を水素化する際は、第一の水素化工程として、この障壁を破壊しなければならない。破壊すれば、第二の、及びその後の水素化工程はかなり容易に行うことができる。
【０００３】
この材料表面の酸化物からなる被覆物を破壊するために行う上記第一の水素化工程は、「活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）」と呼ばれる。そのような活性化は、通常、水素貯蔵材料（水素を貯蔵できる材料）を、高水素圧力下、典型的には１５乃至５０ｂａｒの水素圧力下で、高温、典型的には摂氏数百度に曝して行われる。水素化のために必要な温度や水素圧力が低くなればなるほど、活性化が容易になり、水素化時間が短縮される。
【０００４】
活性化が特に困難な水素貯蔵材料の一つとして、マグネシウムがある。多くの研究者たちが、金属マグネシウムから出発して、水素化マグネシウムを安価に製造することを試みてきたが、うまくいかなかった。
従来のマグネシウム粉末の水素化方法のうち、最も代表的な方法が、Ｅ． ＢＡＲＴＭＡＮＮら著の文献Ｃｈｅｍ． Ｂｅｒ． １２３ （１９９０） １５１７の１５２３頁に、以下のように記載されている。
「ガラス容器にフィットする鋼鉄製オートクレーブの中にＭｇ粉末を設置した。オートクレーブを２回真空引きして、３ｂａｒのＨ２で加圧した。水素圧力を５ｂａｒに上昇させ、オートクレーブを３４５℃に昇温し、その温度でＨ２圧力を１５ｂａｒに上昇させ、水素化が完了するまで（約２４時間）その圧力を保持した。」
上記従来方法においては極端な条件が用いられていたため、研究者たちは、マグネシウムの第一の水素化工程を容易にする目的で、触媒を使用する実験を試みた。
【０００５】
ＴＨ． ＧＯＬＤＳＣＨＭＩＤＴ ＡＧの１９９３年のアメリカ合衆国特許第５，１９８，２０７号の第１欄３８〜４５には、マグネシウムに、他の金属、例えばアルミニウム、インジウム、鉄などの金属を仕込む方法は、マグネシウムの水素化を触媒するために既に使用されてきた方法であったが、この方法では成功を収めることができなかった、と記載されている。また、このアメリカ合衆国特許第５，１９８，２０７号には、代替案として、５乃至５０ｂａｒの水素圧力下、２５０℃超の温度でのマグネシウムの水素化を触媒するために、少量の水素化マグネシウム、典型的には１．２重量％以上の量の水素化マグネシウムをマグネシウムに添加する方法が示唆されている。この特許に開示されている事項によれば、「自動触媒作用（ａｕｔｏｃａｔａｌｙｓｉｓ）」と呼ばれるこの技術は、７時間を超える時間内で水素化を完了させる、となっている（同特許第３欄）。
【０００６】
上記した既知の方法は、どれもこれも、マグネシウムを高い水素圧力下、高温に曝して水素化マグネシウムを製造する方法である。しかしながら、加圧された水素の存在下でマグネシウム粉末を激しく機械的に粉砕（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）することからなるメカニカルアロイングを行うことによって、水素化マグネシウムが室温で製造可能なことが見い出された。Ｊ． ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ， ２１７ （１９９４）， １８１の「メカニカルアロイングによる金属水素化物の生成」と題する論文の中で、Ｙ． ＣＨＥＮらは、２４０ｋＰａ（約２．４ｂａｒ）の水素圧力下でマグネシウム粉末を４７．５時間、激しく粉砕したところ、大量のマグネシウムが水素化マグネシウムに変換された旨、発表した。しかしながら、これでは水素化を完了させるに必要な時間が非常に長い。Ｊ． ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ， ２９８ （２０００）， ２７９の「反応性メカニカルアロイングによる水素化マグネシウム及び水素化チタンの合成」と題する論文の中で、Ｊ．Ｌ． ＢＯＢＥＴらは、グラインダーの坩堝中のマグネシウムに、例えばコバルトなどの３ｄ遷移金属からできている触媒を添加するという点以外は同様のメカニカルアロイングによる実験を行った。この著者らは、水素の存在下、マグネシウムを単独で粉砕した場合、５時間後に、水素化マグネシウムを３５％しか生成できなかったが、コバルトを触媒として添加した場合は、同時間後に、４７％に達する水素化マグネシウムを生成したとしている。しかしながら、コバルトを触媒として使用した場合でも、１０時間の粉砕後に、水素化マグネシウムを７１％しか生成できていない。
【０００７】
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｅｎｅｒｇｙ， ２５ （２０００）， ８３７−８４３の「グラファイトカーボンを用いた機械的粉砕により得られるマグネシウム複合物（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ）の水素化−脱水素化挙動」と題する論文の中で、Ｈ． ＩＭＡＭＵＲＡらは、触媒（Ｐｄ）が存在しても存在しなくても、シクロヘキサン（ＣＨ）又はテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の存在下で、マグネシウム粉末をグラファイトと共に粉砕すれば、粉砕後の混合物を１８０℃で６６．７ｋＰａ（約０．７ｂａｒ）の水素圧力に曝した場合、得られる複合物（ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）（Ｍｇ／Ｃ、又はＭｇ／Ｃ／Ｐｄ）ＣＦ、又はＴＨＦは、マグネシウム単独の場合と比較して、より迅速に水素化されることを示した。Ｍｇをグラファイトと共に粉砕しただけの場合は、すなわち、シクロヘキサン（ＣＨ）又はテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の存在なしで粉砕した場合は、得られる複合物は反応性に富んでおらず、２０時間かけても、水素を５％吸収しただけであった。しかしながら、シクロヘキサン（ＣＨ）の存在下で、Ｍｇをグラファイトと共に粉砕した場合は、２０時間の粉砕後に、Ｍｇの８０％が水素化マグネシウムに変換された。
【０００８】
表１は上記した従来技術についてまとめたものであり、金属マグネシウム粉末から出発して水素化マグネシウムを製造した実験を一覧にしたものである。表中の（１）〜（５）は以下の引用である。
（１）触媒を用いない従来の方法
（２）アメリカ合衆国特許第５，１９８，２０７号
（３）Ｙ． ＣＨＥＮらの論文
（４）Ｊ．Ｌ． ＢＯＢＥＴらの論文
（５）Ｈ． ＩＭＡＭＵＲＡらの論文
【０００９】
【表１】
2004512254.tif 000002
【００１０】
表１によれば、マグネシウム粉末を完全に水素化マグネシウムに変換するためには、使用する方法がどれであれ、少なくとも１０時間は典型的には必要とされる、ということが読み取れる。マグネシウムが水素貯蔵材料として戦略上重要であることを考えれば、技術的な見地から、水素化マグネシウムの製造時間を顕著に短縮できる方法を提供することは興味深いことである。
【００１１】
上記のことは、特に１９９９年４月２９日発行の本出願人の国際特許出願ＷＯ ９９／２４２２の内容から見て特に重要である。この出願は、水素化マグネシウム又はマグネシウム系化合物と、水素を吸収するが粉砕中にマグネシウムとは混和しないことが知られている一つ又は二つ以上の元素又は化合物とを、激しく機械的に粉砕する工程を含む水素貯蔵用のナノ複合物（ｎａｎｏｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）の調製方法を開示している。実際、この方法は、出発物質としての水素化マグネシウムの使用を必要とする。
【００１２】
水素を吸収できる材料の水素化を容易にするのは勿論のこと、マグネシウムにだけでなく、近年水素貯蔵用に使用されている他の材料にも適用できる方法が重要であることは容易に理解できる。
【００１３】
発明の開示
上記で述べた水素化の方法のうちの三つを適切に組み合わせることによって、水素化物を調製するのに必要な時間を顕著に短縮できる、予期せぬシナジー効果が得られることを見い出した。より詳細に云えば、水素を吸収できる材料（物質）の粉末を、室温ではなく高温（マグネシウムの場合は約３００℃）で、グラファイトなどの水素化活性剤の存在下、オプションとして触媒の存在下で、水素圧力の下で激しく機械的に粉砕（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）すると、該材料粉末を、１時間未満で、完全に水素化物へ変換できることが見い出された。これに対し、上記した既知の方法ではこの１０倍の時間がかかる。これは勿論、予期できなかった結果であり、この予想外の迅速な変換は、水素化物、とりわけＭｇＨ２の製造コストを大幅に減少させる。
【００１４】
このように、本発明は水素貯蔵材料の水素化を迅速に行わせる方法であり、この方法は、水素貯蔵材料を水素化するために、以前は互いに独立して使用されていた前記方法のうちの三つを結合した方法である。すなわち、
１）水素化が高温、高水素圧力下で行われる従来の方法と、
２）水素化が、添加物と共に或いは添加物なしに、水素圧力下で、粉砕によって行われる方法と、
３）材料を、例えばグラファイトなどの水素化活性剤と共に粉砕し、その後、高温で水素化する方法と、
を結合させた方法である。
【００１５】
より詳細に云えば、本発明は、水素貯蔵材料の水素化を迅速に行わせる方法であって、該材料を、室温よりも高い温度で、水素圧力の下、水素化活性剤の存在下で、激しく機械的に粉砕することを特徴とする水素貯蔵材料の迅速水素化方法である。
【００１６】
本明細書においては、「水素化活性剤」とは、機械的粉砕によって水素化される水素貯蔵材料の表面へ該水素化活性剤が適用されたとき、該表面を汚染から保護して、該材料が、望ましからぬ酸化又は水素化以外の反応を受ける危険を回避し、同時に、該材料への水素の浸透を促進し、高温での該材料の水素化を加速する物質であり、この物質は固体、液体、又は気体である。この活性剤は、同時に、粉砕中の粒子の凝集や冷間溶接を減少させ、水素化物製造後の粉末の圧縮（コンパクション）を容易にする。特に高効率の水素化活性剤として、例えば、グラファイトがあげられる。水素化活性剤の他の例としては、ナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）、ペリレン（Ｃ２０Ｈ１２）、ペンタセン（Ｃ２２Ｈ１４）、アダマンタン（Ｃ１０Ｈ１６）、アントラセン（Ｃ１４Ｈ１０）などの炭化水素があげられる。その他の例として、フラーレン（Ｃ６０）、バルカン、有機液体、高分子固体などがあげられる。
以下に、本発明をより詳細に説明するが、これらの説明は本発明を限定するものではない。
【００１７】
発明を実施するための最良の形態
上記において説明してきたように、水素貯蔵材料の水素化を迅速に行わせるための本発明は、室温よりも高い温度で、水素圧力の下、水素化活性剤の存在下で、該材料を機械的に粉砕することにある。
【００１８】
ここで「水素貯蔵材料」とは、水素を貯蔵、輸送、及び／又は製造するために水素を吸収できることが知られている元素、合金、固溶体、溶液、又は複合水素化物（ｃｏｍｐｌｅｘ ｈｙｄｒｉｄｅ）を意味する。この水素貯蔵材料は、例えば、以下に示す群に所属するものである。
１）Ｌｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｃ，ＴｈとＵからなる群から選ばれる元素
【００１９】
２）ＡＢ５型の合金
ここで、ＡはＬａ，Ｃａ，Ｙ，Ｃｅ，Ｍｍ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，ＹｂとＴｈからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、ＢはＮｉ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，ＭｏとＰｄからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素である。
３）ＡＢ２型の合金
ここで、ＡはＣａ，Ｃｅ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｈｆ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｐｒ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｔｈ，Ｔｉ，Ｕ，ＹとＺｒからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、ＢはＮｉ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，ＣｕとＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素である。
【００２０】
４）ＡＢ型の合金
ここで、ＡはＴｉ，Ｅｒ，Ｈｆ，Ｌｉ，Ｔｈ，ＵとＺｒからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、ＢはＦｅ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，ＮｂとＶからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素である。
５）Ａ２Ｂ型の合金
ここで、ＡはＨｆ，Ｍｇ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ａｌ，ＴｉとＺｒからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、ＢはＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｖ，ＺｎとＰｄの組み合わせである。
【００２１】
６）ＡＢ３型の合金
ここで、ＡはＣｅ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｔｈ，Ｔｉ，ＵとＹからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、ＢはＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎ，ＣｒとＡｌからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素である。
７）Ａ２Ｂ７型の合金
ここで、ＡはＣｅ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｔｂ，ＴｈとＹからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素であり、ＢはＣｏ，Ｎｉ，ＦｅとＭｎからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素である。
【００２２】
８）溶媒がＰｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，ＮｂとＶからなる群から選ばれる一つの元素である固溶体
９）複合構造［ＲｅＨ９］２−，［ＲｅＨ６］５−，［ＦｅＨ６］４−，［ＲｕＨ６］４−，［Ｒｕ２Ｈ６］１２−，［ＲｕＨ４］ｎ，［ＣｏＨ５］４−，［ＣｏＨ４］５−，［ＮｉＨ４］４−，［ＰｄＨ３］３−と［ＺｎＨ４］２−のうち少なくとも一つを含むものから選ばれる遷移金属の複合水素化物（ｃｏｍｐｌｅｘ ｈｙｄｒｉｄｅ）
【００２３】
１０）一般式Ａ（ＢＨ４）ｎ　で表される水素化物のファミリーから選ばれる複合水素化物（ｃｏｍｐｌｅｘ ｈｙｄｒｉｄｅ）
ここで、Ａは原子価ｎを有する金属（典型的にはＩＡ族、又はＩＩＡ族の金属）であり、ＢはＩＩＩＢ族の金属（典型的にはＢ，Ａｌ，又はＧａ）である。
１１）アメリカ合衆国特許第５，９６８，２９１号に記載のＢＣＣ型の合金
【００２４】
「水素圧力」とは、水素化雰囲気を意味し、好ましくは、１ｂａｒ以上の圧力に保持された水素化雰囲気である。
「室温よりも高い温度」とは、好ましくは、５０℃以上の温度を意味する。勿論、該温度は、選ばれた材料の性質に依存して幅広く変わり得るものである。水素化が困難なことが知られているマグネシウムの場合は、該温度は、好ましくは、約３００℃である。
【００２５】
好ましくは、前記機械的粉砕は、０．０５ｋＷ／リットル以上の機械的エネルギーで、筐体（ｃｌｏｓｅｄ ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）内で行われる。この粉砕は、任意の種類の従来からあるグラインダー、例えば、ＳＰＥＸ ８０００、ＦＲＩＴＣＨ 、或いはＺＯＺのグラインダーを用いて行うことができる。
【００２６】
実際においては、所望の成果を得るために、水素化活性剤は充分な量を用いる必要がある。特にマグネシウムの場合は、少なくとも１重量％の量のグラファイトが必要であると考えられる。３重量％の量のグラファイトを使用すれば、優れた結果が得られる（以下の実施例参照）。水素化活性剤の使用すべき最適量は、水素化する材料に依存して容易に決めることができ、本技術分野において熟練した人にとっては自明なことである。
【００２７】
本発明の好ましい実施形態の一つとして、前記機械的粉砕は触媒の存在下でなされる。この点に関しては、この分野における本出願人の多数の特許（特に、国際出願番号ＷＯ ９６／２３９０６、ＷＯ ９７／２６２１４、ＷＯ ９９／２０４２２とＷＯ ００／１８５３０）の内容を参照することができる。触媒の例として、Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｖなどがあげられる。Ｍｇの水素化の場合は、触媒としてバナジウムが好ましい。
【００２８】
表１に示す如く、水素貯蔵材料としてのマグネシウムの水素化に関して、現在までに得られた最も短い水素化時間の一つは７時間である（ＴＨ． ＧＯＬＤＳＭＩＴＨのアメリカ合衆国特許参照）。高温で水素化する前にマグネシウムを粉砕する工程を記載している上記のすべての論文は、水素化時間を２０時間と報告している。本発明によれば以下のことが見い出された。すなわち、マグネシウムの高温での水素化を、４ｂａｒという低水素圧力下で該マグネシウムをグラファイトと共に粉砕しながら実行すれば、２０時間という従来の水素化時間を顕著に短縮して、１時間未満にすることができる、ということである。この結果は先験的に自明なことではなく、相乗効果の存在を証明するものである。
【００２９】
（実施例１）
本発明の方法を用い、触媒として５原子％のＶを使用して、マグネシウムの第一の水素化工程を達成させることを目的として、三つの試験を行った。この三つの試験とは、３種類の試料を作製したことを意味しており、水素化活性剤としてのグラファイトの添加量をそれぞれ３重量％、１重量％、及び０．３重量％としたことに対応する。すべての試料について、３００℃、水素圧力４ｂａｒの条件下で、粉砕を１時間行った。
３重量％のグラファイトを添加した試料の場合は、ＭｇからＭｇＨ２への変換は殆ど完全であった。
１重量％のグラファイトを添加した試料の場合は、ＭｇからＭｇＨ２への変換は達成されたが、変換割合はかなり低かった。
０．３重量％のグラファイトを添加した試料の場合は、マグネシウム粉末は小ボール状に凝集し、水素化物の生成はなかった。
以上のことから、マグネシウムの場合は、水素化活性剤としてグラファイトを使用する場合、グラファイトの最少使用量は１重量％であると考えられる。
【００３０】
（比較例１）
本発明の方法において、グラファイトを使用することの重要性を確かめる目的で、グラファイトを用いないことの他は、上記実施例１と同じ試料（Ｍｇ＋触媒として５原子％のＶ）を用いて、同じ条件（３００℃、水素圧力４ｂａｒの条件下で１時間粉砕）で、比較のための試験を行った。
この試験の結果、非常に少量の水素化物が得られたに過ぎなかった。実際、上記実施例１の０．３重量％のグラファイト添加の場合のように、マグネシウム粉末は凝集して小ボールが形成された。
したがって、マグネシウムの場合に良好な結果を得るためには、少なくとも１重量％の量のグラファイトを使用することが必須であることがわかる。
【００３１】
（比較例２）
室温よりも高い温度で粉砕することの重要性を確かめる目的で、３重量％のグラファイトの存在下、上記実施例１と同じ試料（Ｍｇ＋触媒として５原子％のＶ）を用いて別の比較試験を行った。４ｂａｒの水素圧力下で、３００℃ではなく室温で粉砕を行った。
その結果、２時間後であっても、マグネシウムの水素化物への変換は検出されなかった。このことから、材料の粉砕は熱い条件下で行う必要のあることがわかる。
【００３２】
（実施例２）
本発明の方法を用い、触媒として５原子％のバナジウムを使用して、マグネシウムの第一の水素化工程を達成させることを目的として、三つの試験を行った。
すなわち、３重量％のグラファイトを用い、３００℃、水素圧力４ｂａｒの条件下で、粉砕をそれぞれ３０分、１時間、２時間行った。
粉砕によって得られた水素化物の量の決定はＸ線回折によって行われた。３０分粉砕の場合は、マグネシウムの５０％超がＭｇ水素化物であるβ−ＭｇＨ２に変換された。１時間粉砕の場合は、マグネシウムの９５％超がβ−ＭｇＨ２に変換された。上記二つの場合はいずれも、準安定（ｍｅｔａｓｔａｂｌｅ）なＭｇ水素化物であるγ−ＭｇＨ２が極微量検出された。２時間粉砕の場合は、１時間粉砕の場合と類似の結果になったが、β−ＭｇＨ２相の激しい機械的粉砕によって、１時間粉砕の場合と比べてより多量の準安定ＭｇＨ２（即ち、γ−ＭｇＨ２）を得た。
得られた水素化物の量を表２に示した。
【００３３】
【表２】
2004512254.tif 000003
【００３４】
（実施例３）
本発明の方法を用い、純粋なマグネシウムの第一の水素化工程を達成させることを目的として、触媒を用いないで試験を行った。この試験は、３重量％のグラファイトを用い、３００℃、水素圧力４ｂａｒの条件下で行った。
２時間の粉砕後、水素化は完了していなかった。すなわち、いくらかの水素化されていない金属マグネシウムがあった。これに対して、バナジウムの存在下では、１時間の粉砕で、すべてのマグネシウムが水素化された。
したがって、触媒の使用によって、水素化が助長されることがわかる。しかしながら、バナジウムなしの場合であっても、高温、水素化雰囲気、グラファイトの存在下での機械的粉砕による本発明の水素化反応は、従来の技術で得られた如何なる水素化反応よりも顕著に迅速である。
【００３５】
（実施例４）
他の種類の材料に対する本発明の方法の適用性を証明する目的で、水素化ナトリウムとアルミニウムの混合物について、第一の水素化工程を達成する試験を行った。
１４０℃、１２ｂａｒの水素圧力下、３重量％のグラファイトと共にＮａＨ＋Ａｌ系試料を９時間粉砕したところ、β−Ｎａ３ＡｌＨ６が形成された。このように、本発明の方法は、マグネシウム以外の他の系についても適用可能であることがわかる。
１４０℃、１２ｂａｒの水素圧力下、３重量％のグラファイトと共に３ＮａＨ＋Ａｌ系試料を１４時間粉砕したところ、該出発材料系のβ−Ｎａ３ＡｌＨ６への変換は完了していなかった。実際、この系の水素化反応は、ＮａＨ＋Ａｌ系の水素化反応と比較して遅いことがわかった。
用いるグラファイトの量を６重量％に増やして、その他は上記と同じ条件で粉砕（すなわち、１４０℃、１２ｂａｒの水素圧力下、３ＮａＨ＋Ａｌ系試料を１４時間粉砕）したところ、水素化物への変換はほぼ完了していた。ＮａＨとＡｌの混合物の第一の水素化工程は、極めて困難である（例えば、Ａ． Ｚａｌｅｓｋａ ｅｔ ａｌ．， Ｊ． ｏｆ Ａｌｌｏｙｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ， ２９８ （２０００） １２５参照）ことが知られているので、この結果は非常に並外れた結果というべきである。
上記の結果から、グラファイトの添加は必須であるが、添加すべきグラファイトの百分比は、水素化すべき材料や材料系の性質に依って最適化されることがわかる。そして前記したように、この最適化は、本技術分野において熟練した人にとっては容易で自明なことである。
【００３６】
（実施例５）
水素化活性剤として使用できる、グラファイトのような有益な効果を奏する物質があることを証明するために、Ｍｇ＋５原子％のＶについて、ペリレンを添加して、第一の水素化工程を達成させるべく試験を行った。
１．００２ｇのＭｇと、０．０９９ｇのＶと、０．０３１ｇのペリレンとからなる混合物を、２５０℃、１０ｂａｒの水素圧力下で２時間粉砕した。粉砕後の試料のＸ線回折図形から、完全な水素化が達成されたことがわかった。
上記の結果から、本発明の方法においては、ナフタレン、フラーレン、バルカン、ペンタセン、及び／又はアダマンタン等、他の水素化活性剤も使用できることがわかる。
【００３７】
（実施例６）
水素化活性剤の形態として、固体以外の形態でもよいことを証明するために、アントラセンを添加して、Ｍｇの水素化を達成させるべく試験を行った。０．９００ｇのＭｇと０．１００ｇのアントラセンからなる混合物を、３００℃（アントラセンが液体である温度）、４ｂａｒの水素圧力下で１時間粉砕した。粉砕後の試料のＸ線回折図形から、この材料の４０％が水素化マグネシウムに変換されたことがわかった。
上記の結果から、本発明の方法においては、例えばアントラセン等の液体炭化水素のような、高温で固体の形態ではない水素化活性剤も使用できることがわかる。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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