(57)【要約】【課題】電子銃の動作寿命の間、電子ビームの電流密度が変化することが無い、冒頭の段落で述べた電子銃を提供すること。【解決手段】本発明は、CRTに用いられる電子銃（100）に関する。電子銃（100）は、電子源(10)と、壁（28）が二次電子の放射に対して少なくとも部分的に電気絶縁体で被覆される転送キャビティ（25）を有する物体(20)と、キャビティの入口（26）と出口（27）との間で第1の電界を供給するための電極（30）とを有する。電子銃は、キャビティ（25）から出射し、電子と同じ経路に沿って、逆方向にモジュール(20)に衝突する電子の衝突によって形成される、正イオンの移送を妨げるための手段を含むことを特徴とする。このような衝突によって、キャビティ出口（27）又は壁（28）の電気絶縁体はダメージを受ける。これは、キャビティ（25）から出射している電子ビーム（101）の電流密度が悪化するので、望ましくない。この問題は、本発明の偏向手段の採用によって防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出するための電子源と、
入口、出口、及び電気絶縁材料に投射する電子の受け取り後に少なくとも二次電子を放出することが可能な当該材料により少なくとも一部が形成されている壁、を有する転送キャビティを備えるモジュールと、
動作中、前記入口から前記転送キャビティを通って前記出口に前記電子源によって放出された二次電子を転送させる第1の電界を、前記入口と前記出口との間に印加するためのホップ電極と、
前記出口から排出される電子を当該出口から離れるように加速するための加速格子と、
前記出射電子をフォーカシングするための主レンズとを、含む電子銃において、
偏向手段が、前記出射電子と、前記出射電子によって放出されたイオンとが、相互に異なる経路をたどるようにするために、存在することを特徴とする電子銃。
【請求項２】
前記偏向手段が、前記出射電子に偏向電界を印加するための偏向電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子銃。
【請求項３】
前記ホップ電極が、前記出口の付近に配置されていて、かつ前記出口から排出される電子が通過することを可能とする開口部を備えていることを特徴とする請求項2に記載の電子銃。
【請求項４】
前記ホップ電極が、円形開口部を備えていることを特徴とする請求項3に記載の電子銃。
【請求項５】
前記偏向電極が、4象限で対称であり、かつ開口部を備えており、かつ、前記偏向電極が、前記出口開口部に対して偏心するように、ホップ電極の付近に配置されている請求項3に記載の電子銃。
【請求項６】
前記偏向電極が、前記主レンズの電子光学主軸に沿って前記モジュールから見て前記ホップ電極の後方に置かれ、かつ、前記偏向電極の開口部の直径が、出口開口部の最大直径よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の電子銃。
【請求項７】
前記偏向電極が、互いに電気的に絶縁された第1及び第2のセグメントを含み、前記第1のセグメントが、電圧Va1を受けるための第1の電圧源に結合されていて、かつ前記第2のセグメントが、電圧Va2を受けるための第2の電圧源に結合されていて、前記電圧Va1が、前記電圧Va2より大きいことを特徴とする請求項3に記載の電子銃。
【請求項８】
前記偏向電極及び前記ホップ電極が、実質的上、1個の同一平面に配置されていて、かつ、前記ホップ電極が、前記偏向電極内に位置することを特徴とする請求項5又は7に記載の電子銃。
【請求項９】
前記転送キャビティが、前記出口開口部の付近の中央軸線に関して対称であることを特徴とする請求項1に記載の電子銃。
【請求項１０】
前記転送キャビティが、前記出口開口部の付近で円錐形状を有し、当該形状の相対的に小さい端面が、前記出口開口部であることを特徴とする請求項9に記載の電子銃。
【請求項１１】
前記転送キャビティが、前記出口開口部の付近で、先端が切り取られたピラミッド形状を有し、当該形状の相対的に小さい端面が前記開口部であることを特徴とする請求項9に記載の電子銃。
【請求項１２】
前記中央軸線が、前記加速格子の電子光学主軸に対して角度を成していることを特徴とする請求項9に記載の電子銃。
【請求項１３】
前記出射電子の経路が、前記主レンズの電子光学軸に一致するように、前記加速格子の前記電子光学主軸が、前記主レンズの電子光学軸に対して、偏心していることを特徴とする請求項1に記載の電子銃。
【請求項１４】
請求項1から13のいずれか一つに記載された電子銃を備える陰極線管。
【請求項１５】
請求項14に記載の陰極線管を備える画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
電子を放出するための電子源と、
入口、出口、及び電気絶縁材料に投射する電子の受け取り後に少なくとも二次電子を放出することが可能な当該材料により少なくとも一部が形成されている壁、を有する転送キャビティを備えるモジュールと、
動作中、前記入口から前記転送キャビティを通って前記出口に前記電子源によって放出された二次電子を転送させる第1の電界を、前記入口と前記出口との間に印加するためのホップ電極と、
前記出口から排出される電子を当該出口から離れるように加速するための加速格子と、
前記出射電子をフォーカシングするための主レンズとを、含む電子銃に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような電子銃は、公開された特許文献1から公知である。この公知の電子銃は、電子の移送を生じさせる第1の電界を印加するためのホップ電極を有する。この電界は、転送キャビティ中の長手方向に印加される。第1の電界の要求される強度E1は、幾何配置、及び、転送キャビティの壁の外形寸法、並びに、以下、放出体材料とも称する電気絶縁材料の二次電子放出係数δに依存する。二次電子放出係数δは、壁に入射する一電子のエネルギーEpに依存して、放出体材料に一電子が入射する結果、放出される二次電子の個数を示す。電界E1の強度は、放出体材料に電子が当るたびに、転送キャビティ全体にわたって平均して、1個の二次電子が、放出されるように、すなわち、二次電子放出計数δが1に等しくなるように、選択される。
【０００３】
この場合、動作中、転送キャビティの入口から入る電子と同数の電子が、転送キャビティの出口から出る。出口の表面領域を、入口の表面領域よりも（例えば、1/1000に）小さくすると、この転送キャビティは、電子コンセントレータとして作用させることが出来る。このとき、排出される電子ビームは、断面積が小さく、かつ出口開口部の領域での電流密度が、高い。
【０００４】
電子銃は、陰極線管（以下、「CRT」と称する。）に用いられる場合がある。ここに配設される電子レンズのシステムは、蛍光体のライン又はドットを備えているスクリーンに出口開口部を映像化する。蛍光体は、電子ビームがスクリーン上に衝突した場所で発光する。CRTは、電子ビームを偏向させ、かつスクリーン上の電子ビームの入射位置を、変化させることができる磁界偏向手段を含む。このようにして、スクリーン上に、映像を書き込むことが可能となる。CRTは、画像表示装置に用いられる場合がある。
【０００５】
この公知の電子銃の問題は、電子銃の動作期間中、電子ビームの電流密度が変化してしまうことである。電子銃を画像表示装置に用いる場合には、このことは、スクリーン上の出口開口部の映像の品質が低下するという結果をもたらす。スクリーン上のこの映像は、以下、スポットで示される。
【０００６】
本発明の目的は、電子銃の動作寿命の間、電子ビームの電流密度が変化することが無い、冒頭の段落で述べた電子銃を提供することである。
【０００７】
【特許文献１】
国際特許出願公開第WO 00/79558号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、この目的は、出射電子と、この出射電子によって放出されたイオンとが、相互に異なる経路をたどるようにさせる偏向手段が、存在する電子銃によって、達成される。
【０００９】
本発明は、公知の電子銃の使用中、出射電子が、電子銃の更に前方又は電子銃を備えるCRT内のガス分子と衝突することによって、正イオンが形成され、その結果、電子ビームの電流密度が変化してしまうという認識に基づく。これらの正イオンは、実質的に、出射電子と同じ経路を出射電子とは反対方向に（すなわち、転送キャビティと出口の方向に）たどる。これらの正イオンは、加速格子と出口との間で加速されるので、これらは、相当の運動エネルギーでモジュールに到達し、その結果、少なくとも2つの態様で、モジュールにダメージを与えることになるであろう。
【００１０】
第1に、出口開口部の端部に衝突したイオンが、そこの放出体材料を崩壊させるので、その端部が、ダメージを受ける場合がある。これにより、出口開口部の表面領域、従って、排出される電子のビームの表面領域が、拡がる。電子ビームの電流密度は、電子ビームの表面領域に反比例するので、ビーム電流密度は、より小さくなる。スポットの大きさは、CRT内で変化してしまう。
【００１１】
第2に、本発明の電子銃の場合、出口を通って転送キャビティに入るイオンの数も低下する。転送キャビティに入るイオンは、放出体材料にダメージを与える場合がある。この放出体材料は、電子銃が動作中、特定時間の経過後に、局所的にダメージを受ける場合がある。これは、二次電子放出係数δが、局所的に変化するという結果をもたらすので、入射電子が二次電子を放出する場合には、入射電子は、これらの場所でより高いエネルギー準位Epを有していなければならない。この目的のために、これらの入射電子は、より強く加速されなければならず、このため、より強い電界E1が必要となる。しかしながら、一般に、電界E1は、製品寿命の間補正されることはない。したがって、出射電子の数が、入って来る電子の数より小さくなる場合がある。これにより、電子ビームの電流密度は、低下する。
【００１２】
本発明の電子銃内に偏向手段が存在することによって、出口付近のモジュールに戻るイオンの数は、かなり低下する。正イオンは、出射電子の経路とは異なる経路をたどるので、一般に、もはやそれらが、出口付近のモジュールに戻ることはない。これは、イオンと出口開口部の端部との間で生じる衝突が、より少なくなり、その結果、この端部がダメージを受ける割合が、より緩慢になることを意味する。転送キャビティに入るイオンも、より少なくなるので、転送キャビティの壁の放出体材料へのダメージは、防止される。
【００１３】
電子源に戻る正イオンが、放射電子の経路をたどることが出来ないことを、保証するための偏向手段を有する電子銃それ自体は、例えば、欧州特許出願公開第0795188号明細書から公知である。しかしながら、従来の電子銃では、電子放射用の熱電子陰極が、保護されるのに対して、本発明の電子銃においては、モジュールが保護される。
【００１４】
本発明の電子銃の一実施形態では、偏向手段は、出射電子に偏向電界を印加するための偏向電極を含む。一電極によって偏向電界を印加することは、イオンと電子が相互に異なる経路をたどるための、単純かつ安価な方法を構成する。これに代えて、偏向手段が、電子とイオンとを分離するための磁界を含んでいても良い。
【００１５】
本発明の電子銃の場合、ホップ電極は、出口の付近に配置させ、かつ出口から排出される電子が通過することを可能にする開口部を備えていてもよい。ホップ電極は、動作中、第1の電界E1を印加する目的で電圧Vhopを受ける。ホップ電極は、相対的にモジュールの近くに配置しているので、この電圧が相対的に低くてもよいという効果を奏する。ホップ電極の開口部の形状は、CRT内のスクリーンへの映像化に適している円型としてもよい。
【００１６】
偏向電極は、4象限で対称となるようにし、かつ開口部を備えていてもよい。偏向電極は、出口開口部に対して偏心させるために、ホップ電極の付近に配置させてもよい。出口開口部が、4象限で対称である開口部の中心にないので、排出される電子は、偏向電界の影響を受ける。電子が、未だ相対的に低速で、その結果、電子が、偏向電界によって、未だ、相対的にかなり偏向されるので、偏向電極をホップ電極と出口開口部の付近に配置することは、効果的である。加速されたイオンは、出口開口部の付近では相対的に高速であるので、加速されたイオンに対する、偏向電界による偏向の影響は、相対的に小さい。加速されたイオンは、出口付近の偏向電子の経路をたどることができず、実質的に直線に進む。
【００１７】
偏向電極は、モジュールから見て、主レンズの電子光学主軸に沿って、ホップ電極の後方に配置させてもよい。この場合、偏向電極の開口部の直径は、出口開口部の最大断面積よりも大きい。偏向電極をこのように構成すると、偏向電極を、電子ビームを前もってフォーカシングするための、いわゆるカップレンズとしても機能させることが出来る効果が得られる。電子ビームが偏向電極に衝突しないように、開口部の直径は、出口開口部の最大断面積より大きい。
【００１８】
これに代えて、偏向電極を、ホップ電極と実質的に同一平面に配置させて、ホップ電極が、偏向電極内に位置するようにしてもよい。さらに、偏向電極は、この構成内の電子ビームを前もってフォーカシングする別の目的を有する。この実施形態は、偏向電極によって前もってフォーカシングする程度をより幅広く自由に選択することを可能にする。偏向電極とホップ電極の構成は、両方とも、公開された国際特許出願公開第WO01/26131号に説明されている。
【００１９】
さらに、偏向電極は、第1のセグメントを、電圧Va1を受けるための第1の電圧源に結合させ、第2のセグメントを、電圧Va2を受けるための第2の電圧源に結合させ、電圧Va1を、電圧Va2より大きくして、電気的に絶縁されるように配設されている第1および第2のセグメントを含んでいてもよい。セグメント間の様々な電圧によって生じる電界は、電子ビームに対する偏向電界として作用する。
【００２０】
本発明の電子銃の別の実施形態では、転送キャビティは、出口の付近の中央軸線に関して対称である。この場合、転送キャビティを、出口の付近で円錐形状とし、当該円錐の相対的に小さい端面を、出口開口部としてもよい。このような形状の転送キャビティは、電子銃の作動中、電子コンセントレータとして作用する。円形の出口開口部によって、スクリーン上に円形又は楕円スポットの映像が生じる。転送キャビティ全体を、相対的に大きい初期表面が、入口開口部となる円錐形状としてもよい。
【００２１】
これに代えて、転送キャビティを、その相対的に小さい端面が出口開口部である、出口開口部付近の先端が切り取られたピラミッド形状としてもよい。この形状も、動作中、電子コンセントレータとして、作用する。画像スクリーン上の出口開口部の映像によって、矩形のスポットが与えられる。転送キャビティを、相対的に大きい初期表面が入口開口部である、完全に先端が切り取られたピラミッド形状としてもよい。
【００２２】
転送キャビティが、中央軸線を有する場合、中央軸線は、加速格子の電子光学主軸に対し角度を成していてもよい。これは、偏向手段の別の実施形態を構成する。排出された電子のビームは、加速格子の電子光学主軸に対し角度を成す中央軸線に、実質的に平行である。この結果、加速格子は、排出された電子を偏向させる。
【００２３】
電子をフォーカシングするための主レンズは、通常、電子銃内に存在する。加速格子の電子光学主軸は、偏向された電子の経路が主レンズの電子光学主軸と一致するように、主レンズの電子光学主軸に対して偏心していてもよい。コマ及び収束誤りのような電子のフォーカシング中のレンズ誤りが、大きく、回避されるので、これは、スポットの大きさ及び形状を最適化する効果をもたらす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明のこうした及び他の電子銃の態様について、図面を参照して更に詳細に説明する。
【００２５】
図1の電子銃100は、電子源10、転送キャビティ25を備えるモジュール20、第1の電界を印加するための手段30及び加速格子40を含む。
【００２６】
図1の電子源10は、動作中、白熱ワイヤー11によって陰極12を加熱することにより、電子が放射される熱電子陰極である。第2の電極15が、強さE2の第2の電界を印加するためのモジュール20と電子源10との間に配置されている。この第2の電界は、電子源10から放射電子を引き出す。ビーム電流密度は、第2の電界の強度E2が、変化するように、変調される。
【００２７】
モジュール20は、入口26及び出口27を有する転送キャビティ25を備えている。第1の実施形態では、モジュール20は、中央軸線29に関して対称である円錐形状の転送キャビティ25を有している。出口27付近の転送キャビティ25の壁28の少なくとも一部は、二次電子を放出する電子放出係数δの放出体材料から成る。放出体材料の電子放出係数δが相対的に高いことは、第1の電界E1の強度を制限した状態に維持することが出来るので、好ましい。放出体材料を、例えば、酸化マグネシウム（MgO）とし、かつ層厚さを0.5μmとしてもよい。これに代えて、放出体材料を、ガラス、ポリアミド、イットリウム酸化物（Y2O3）、又は窒化シリコン（Si3N4）から成るようにしてもよい。入口開口部26の側面のモジュール20の表面21の一部にも、放出体材料を用いてもよい。これは、放出された電子が入口26に隣接する表面21に当たることにより、二次電子が放射され、この二次電子が続いて入口開口26に入り込む、という効果をもたらす。この結果、電子源10を、転送キャビティ25に対して、従って、図1に示されるように、出口開口部27に対して、偏心させて配置させても良い。
【００２８】
放出電子は、入口26から転送キャビティ25に入る。入口26は、図面では破線によって示されている。動作中、第1の電界E1の影響を受けて、一電子が転送キャビティ25に入るたびに、1個の電子が出口27から出る電子転送が起こる。一般に、この出射電子は、電子が放出体材料に到達した後に、放出体材料によって放出される二次電子である。この電子銃100の場合、放出体材料と干渉せずに電子源10によって放出される電子の出現は、電子源10と出口開口部27とが、偏心させて配置されているので、制限される。放出体材料と干渉せずに排出された電子のエネルギーは、高過ぎ、かつ、CRTのスポットの品質を低下させてしまうので、このことは、効果的である。
【００２９】
モジュール20を、酸化アルミニウム（Al2O3）から成るようにしてもよい。この場合、転送キャビティ25は、レーザー処理又は機械的処理によって形成される。円錐形の転送キャビティ25の相対的に大きい初期表面は、入口開口部26を形成する。この開口部は、直径が、例えば、2.5mmの円形開口部である。円錐形の転送キャビティ25の相対的に小さい端面は、出口27を形成する。この端面は、例えば、直径が、例えば、40μmの円形開口部である。壁28と中央軸線29により形成される角度は、通常、30°から60°の間、例えば、35°である。
【００３０】
ホップ電極30及び偏向電極35は、出口27の付近に配置されている。ホップ電極30は、モジュール20の表面22に、気相堆積された金属層から成るようにしてもよい。この層は、出口27の付近に開口部31を備える。当該金属層は、例えば、厚さL1（例えば、2.5μm）のクロム及びアルミニウムから成る。加えて、この金属層を、ホップ電極30へのダメージを軽減させるために、イオンボンバード法によって相対的にゆっくりスパッタされるタングステン又はチタンのような材料から成るようにしてもよい。開口部31の直径D1は、出口27の直径（この例では40μm）と同等である。ホップ電極30は、動作中、電界E1を印加するための電圧源Vhopに結合されている。電界E1の値は、転送キャビティ25により電子転送が起り得るように、選択される。そのための電圧源Vhopの電圧は、例えば、1000Vである。
【００３１】
内部に開口部36を有する偏向電極35は、ホップ電極30が、モジュール20と偏向電極35との間に位置するように、ホップ電極30の付近に配置されている。さらに、ホップ電極30と偏向電極35とは、相互に接続されている。これに代えて、ホップ電極30と偏向電極35を、絶縁体によって分離してもよい。
【００３２】
偏向電極35は、図2に示すように、4象限で対称な、例えば、円形であり、直径D2の開口部36を備えている。偏向電極35は、同時に、排出された電子を前もってフォーカシングするように機能する。偏向電極35の厚さL2は、例えば、250μmである。開口部36の直径D2は、例えば、600μmである。所定のレシオ[L2/D2]が0.35から0.45の間の場合に、出射電子の電子ビーム101が、主レンズ50に最適に注入されるように、偏向電極35が、排出された電子を前もってフォーカシングすることが見いだされた。
【００３３】
偏向電極35を出口開口部27に対して偏心させて配置させることによって、排出電子を偏向するための電界が、偏向電極35によって生成される。出口開口部27は、偏向電極35の中心から距離S2（例えば、120μm）の位置にある。これによって、動作中、出口開口部27の付近のイオン密度は、1/10低減される。
【００３４】
その偏向により、電子ビーム101は、転送キャビティ25の中央軸線29と、主レンズ50の電子光学主軸51の両方に対し角度を有している。後者は、偏向電子のフォーカシング中に、収束誤り及びコマのようなレンズ誤りを生じさせるので好ましくない。これは、CRTのスポットの鋭さを変化させる。この影響を防止するために、加速格子40の電子光学主軸41は、フォーカシングレンズ50の主軸51に対して、距離S1以上横にシフトされている。この結果、電子ビーム101は、フォーカシングレンズ50の領域では、主軸51と平行になる。距離S1は、例えば、200μmである。
【００３５】
図3に示すように、モジュール120の別の実施形態では、ホップ電極130と偏向電極135とが、実質的に全く同一の平面に位置する。ホップ電極130と偏向電極135は、両方とも、厚さL1が、例えば、2.5μmである。
【００３６】
図4は、可能な電極の構成を、正面図として、示す。偏向電極135は、環状であり、開口部136の直径D3は、例えば、225μmである。ホップ電極130は、直径が、例えば、200μmの円型であり、偏向電極135内に位置している。ホップ電極130は、出口27の領域に、開口部131を有する。この場合、開口部131の直径D1は、出口開口部27の直径と同等（すなわち、40μm）である。このような電極構成を、第１実施形態のホップ電極130に類する方法で製造してもよい。この場合、表面22の大部分は、金属で覆われる。次いで、例えば、エッチングによって、金属層の一部を除去すれば、所望の電極の構成が得られる。
【００３７】
偏向電極135の電界は、電子ビーム101を偏向し、かつ主レンズ50に適切に注入されるように、電子ビーム101をフォーカシングする。偏向電極135は、この電界を生成するため電圧源に結合され、例えば、600Vの値の電圧Vaを受ける。
【００３８】
図5に示されるように、第2の電極構成では、偏向電極235は、第1のアーク・セグメント235Aと第2のアーク・セグメント235Bとに分割されている。アーク・セグメント235A，235Bは、電気絶縁体によって分離されている。動作中、電圧Va1を、第1のアーク・セグメント235Aに印加し、電圧Va2を、第2のアーク・セグメント235Bに印加し、電圧Va1を電圧Va2よりも大きくして、偏向電界を、印加してもよい。電圧Va1は、例えば、590Vであり、電圧Va2は、例えば、610Vである。この場合、偏向電界は、排出電子の電子ビーム101を横切って、セグメント235Aとセグメント235Bとの間に存在する。これにより、電子ビーム101は、偏向される。この構成では、転送キャビティ25の出口開口部27は、開口部231に中心を合わせて配置してもよい。
【００３９】
図6に示すように、モジュール320の更なる実施形態は、先端が切り取られたピラミッド形状、四角い入口326及び四角い出口327を備える転送キャビティを有する。このようなモジュール320は、例えば、水酸化カリウム（KOH）を用いてシリコンからなる本体をエッチングすることによって製造される。このとき、転送キャビティ325の壁328と中央軸線329が成す角度は、例えば、55°である。ホップ電極30と偏向電極35は、出口開口部327の周囲のモジュール320の表面付近に存在している。
【００４０】
図7は、電子銃100の第2の実施形態を示す。この電子銃100のモジュール20は、転送キャビティ25の中央軸線29が、加速格子40の電子光学主軸41と角度を成すように、電子銃100に対して斜めに配置されている。本実施形態では、加速格子40は、偏向手段を含み、かつある角度で出射された電子は、加速格子40によって生成される偏向電界の影響を受ける。
【００４１】
CRT Kを有するカラー画像表示装置は、赤・緑・青に関する3つの電子源10R、10G、10Bを有するインライン電子銃100を備えていてもよい。
【００４２】
図8は、インライン平面内での電子銃100'の断面図である。電子銃100'は、転送キャビティ25R、25G、25Bを、色毎に別々に備えているモジュール20を有する。出口開口部27G、27R、27Bから排出された電子のビーム101G、101R、101Bは、それぞれ、偏向電極35G、35R、35Bによって偏向される。偏向は、インライン平面に対して垂直方向に生じることが好ましい。
【００４３】
出射電子は、出口開口部27G、27R、27Bから排出された後、加速格子40によって加速され、主レンズ50によってフォーカシングされる。CRTは、スクリーン70上の電子ビーム101R、101G、101Bの投射スポットが、それぞれ、変化出来るように、偏向手段60を備えている。スクリーン70は、赤・緑・青の蛍光体のドット又はラインを、交互に備えている。これらの蛍光体は、それぞれの電子ビーム101R、101G、101Bが衝突したときに発光する。
【００４４】
CRT Kの他に、画像スクリーン・デバイスのCRT Kを制御するための制御装置Aも、存在している。制御装置は、ビデオ信号を受け、そして別々の変調信号を各々の電子源10R、10G、10Bに供給する。制御装置Aは、偏向手段60に対しても制御信号を供給する。
【００４５】
図面は、本発明の実施形態のいくつかを示している。図面は、概略であり、その比率は、忠実ではない。記載される実施形態は、単に本発明の例示の意味であり、どのようなものであれ、それにいかなる制限を構成するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の電子銃の第1の実施形態の断面図である。
【図２】電子銃の第１実施形態の電極構成の正面図である。
【図３】モジュールの別の実施形態の断面図である。
【図４】モジュールの別の実施形態の第1の電極構成の正面図である。
【図５】モジュールの別の実施形態の第2の電極構成の正面図である。
【図６】モジュールの更なる実施形態の断面図である。
【図７】本発明の電子銃の第2の実施形態を示す図である。
【図８】本発明の電子銃を備えているCRTを有するカラー画像表示装置を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
10  電子源
11  白熱ワイヤー
12  陰極
15  第2の電極
25  転送キャビティ
20  モジュール
21  表面
22  表面
26  入口
27  出口（開口部）
28  壁
29  中央軸線
30  ホップ電極
31  開口部
35  偏向電極
36  開口部
40  加速格子
41  電子光学主軸
50  主レンズ
51  電子光学主軸
70  スクリーン
100  電子銃
101  電子ビーム
130  ホップ電極
135  偏向電極
235A  第1のアーク・セグメント
235B  第2のアーク・セグメント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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