(57)【要約】本発明は、研磨操作中に、研磨流体と共に使用する研磨パッドの下に配置されるベースパッドであって、研磨流体を吸収しベースパッド内での吸収した研磨流体の横方向の移動を制限する縦長のポアを備えた層を有するベースパッドに関する。層内のマイクロポアは研磨流体に対して不浸透性でありガスに対して浸透性である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッド下に配置するように適合され、さらに研磨流体を吸収するように適合されたベースパッドであって、
研磨流体を吸収し、層内での吸収研磨流体を横方向の変位から制限するための縦長のポアを有する異方性層を含み、この異方性層は、ベースパッドの圧縮性の変動を最小にすることを特徴とするベースパッド。
【請求項２】
ベースパッドが、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項１に記載のベースパッド。
【請求項３】
吸収研磨流体に対し不浸透性であり、かつガスに対し浸透性であるマイクロポアで構成された層をさらに含む、請求項１に記載のベースパッド。
【請求項４】
層が、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項３に記載のベースパッド。
【請求項５】
ポアが、吸収研磨流体に対し不浸透性であり、かつガスに対し浸透性であるマイクロポアの側壁を有する、請求項１に記載のベースパッド。
【請求項６】
層が、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項５に記載のベースパッド。
【請求項７】
吸収研磨流体を制限するための縦長のポアを有する層を含み、この層は、ベースパッドの圧縮性の変動を最小にするベースパッドを含む、ベースパッドと半導体ウェハを研磨する研磨パッドとの組み合わせ。
【請求項８】
層が、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項７に記載のベースパッドと研磨パッドとの組み合わせ。
【請求項９】
吸収研磨流体に対し不浸透性であり、かつガスに対し浸透性であるマイクロポアで構成された層をさらに含む、請求項８に記載のベースパッドと研磨パッドとの組み合わせ。
【請求項１０】
半導体ウェハを研磨する方法であって、
吸収した研磨流体を制限するための縦長のポアを有する層を含み、この層は、ベースパッドの圧縮性の変動を最小にするベースパッドを備えた研磨パッドを提供する工程と、
研磨パッド及び研磨流体で半導体ウェハを研磨する工程と、を含み、
ベースパッドが研磨流体の一部をポア内に吸収し、かつ吸収された研磨流体を横方向の変位からポア内に制限し、この層はベースパッドの圧縮性の変動を最小にする、
ことを特徴とする半導体ウェハを研磨する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
本発明は、シリコン、二酸化ケイ素、金属、金属酸化物、誘電体（高分子誘電体を含む）、セラミックス、ガラスなどを含み、またそれらに限定されることがない各種の基材を有する半導体デバイス、メモリディスクなどの電子デバイスを研磨する研磨パッド用ベースパッドに関する。
【０００２】
関連技術の解説
ＣＭＰ（化学機械研磨又は化学機械平坦化）は、たとえばウェハの基材におけるトレンチ内に金属回路を埋め込んだシリコンウェハを研磨するため、研磨流体と組み合わせた研磨パッドによって行われる製造工程である。研磨パッドは既知の研磨装置のプラテン上に取り付けられる。ベースパッドは研磨パッドとプラテンとの間に位置決めされる。
【０００３】
従来のべースパッドは高分子材料を含浸させた発泡シート又はフェルトから形成される。しかし、かかるベースパッドは研磨作業時に発生する力にさらされると可撓性になりすぎ、それが研磨される基材の凹部にパッドを沈み込ませ、その結果過度の研磨を引き起こすことになる。結果として、埋設した回路の表面は過度に研磨されることになり、ディシングとして知られる望まれていない凹みを生じさせる。さらに、かかるベースパッドは研磨流体を吸収し、研磨操作中に全方向に変形するように圧縮され、その結果パッドは可撓性になりすぎることになる。かかる異なる方向における圧縮の度合いは、ベースパッドは力を加えることによりその異なる方向に変形することが予測される。
【０００４】
米国特許第５，２１２，９１０号は、軟質弾性材料、中間層としてのエポキシファイバーグラス組成物などの硬質材料、及び研磨表面としてスポンジ材料を有する複合研磨パッドを開示している。
【０００５】
米国特許第５，２５７，４７８号は、研磨層と異なる静水圧係数を有する弾性層を有する研磨パッドを開示している。
【０００６】
米国特許第５，８７１，３９２号は、プラテンと研磨パッドとの間に配置し、研磨パッドの平坦化された表面にわたって温度勾配を減少させるために、複数の熱伝導体を含有するアンダーパッドを開示している。
【０００７】
米国特許第５，２８７，６６３号は、研磨層に隣接する剛性層を有する研磨パッドを開示している。剛性層は研磨層に制御された剛性を付与する。
【０００８】
米国特許第５，８９９，７４５号は、最終のウェハプロフィール制御を行うための従来のＣＭＰパッドの下に位置決めされ、パッドの中心部と外側部との間に異なる硬さの領域を有するアンダーパッドを開示している。
【０００９】
発明の概要
本発明は、研磨中に高レベルの平坦性及び低い不均一性を提供する、ベースパッド及びベースパッドと研磨パッドとを組み合わせたものに関する。本発明のベースパッドは、縦長のポアを有する異方性構造の層を含む。最小の研磨流体吸収は縦長のポアによる吸収に限定され、これは吸収された研磨流体の横方向の移動を最小にし、それによって研磨中のパッド内の横方向の研磨流体のウイッキングを大幅に減少させ、これはベースパッド及び研磨パッドの圧縮性の変動を最小にする。さらに、異方性構造はマイクロポーラスであり、研磨流体を通過させず閉じ込められたガス雰囲気を通過できるポアを有し、それによって研磨流体を吸収したベースパッド内に閉じ込められる傾向があるガスを放出することができる。研磨パッドとの組み合わせによる本発明のベースパッドは、高度な平坦性及び低度なディシングによる不均一性を備えた半導体ウェハを研磨することができる。
【００１０】
詳細な説明
図１は基材５に接着させるために位置決めされた研磨層４を有する研磨パッド１を開示する。ｐｓａ（感圧接着剤）層６を基材５の裏面に接着させる。研磨パッド１をベースパッド２の表面層７と接触させてｐｓａ層６を備えたベースパッド２上に位置決めする。ベースパッド２の表面層７は異方性構造を有し、フレキシブル基材８に接着される。ベースパッド２は、研磨プラテン３に取り付けられるように適合されたフレキシブル基材８に付着されたｐｓａ層９を有する。
【００１１】
異方性という用語は、ベースパッド２の表面層７がその材料及びその構造的な特徴によって、層７の本体内の一個所で全方向に同一ではない機械的性質を有することを意味すると解される。具体的には、ベースパッド２の表面層７のポア構造は、研磨流体を吸収するのに十分な大きさであり、研磨工程における層７内に吸収された研磨流体が横方向の移動を制限する縦長のポアを有し、それによって特定方向のパッドの圧縮性及び変形の両方の変動を排除する。さらなる実施形態によれば、ベースパッドはベースパッドの構造及び材料構成に組み込まれた小さなポアを有することを意味するマイクロポーラスであり、このマイクロポアは研磨流体に対し不浸透性となるのに十分なほど小さなサイズであり、それでいてガス雰囲気を通過することができ、研磨流体を吸収したベースパッドによって閉じ込められるガスを逃がすことができる。かかるマイクロポアの特徴はさらにベースパッドの異方性特性に貢献する。ガスを逃がすことによって、さらにベースパッド内に及び研磨流体を吸収したポア内に閉じ込められ、研磨操作中に加えられた力に応答して、全方向でベースパッドの望ましくない変形の一因となるガスが排除される。
【００１２】
使用の際には、本発明のベースパッドと組み合わせた研磨パッドは、既知の研磨装置のフラットプラテンに取り付け、次いで研磨又は平坦化されている半導体ウェハ上の基材に対して装置の動作によって移動し、一方では研磨流体を研磨パッドと基材との界面に供給する。ベースパッドは縦長のポア内に研磨流体の一部を吸収する。ベースパッド及び研磨パッドは、プラテンと基材との間に圧縮されて、研磨流体を吸収したベースパッドが変形を受ける。研磨流体を縦長のポア内に制限することによって、研磨流体を層７内での横方向の移動により逃がすことができず、またベースパッドの変形を変化させるベースパッドに対する圧縮を緩めたり、その変化を引き起こすこともない。さらに、ベースパッドのマイクロポーラス構造は雰囲気空気などのガスの逃げを許し、縦長のポア内に吸収された研磨流体によるガスの変位を可能にし、層７からのガスの逃げを可能にし、これがさらに圧縮下にあるベースパッドの所望の異方性変形に貢献する。
【００１３】
ベースパッド２の圧縮性は４〜８％の範囲である。かかる圧縮性は、押え直径５．２ミリメートル、及び感度限界０．００１２７ミリメートルのＭｉｔｕｔｏｙｏ　Ｄｉｇｉｍａｔｉｃ　Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ　Ｍｏｄｅｌ　５４３−１８０によって測定され計算される。初期ベースパッド厚さは、合計荷量１１３＋／−５グラムをベースパッドに加えて測定され、合計荷量１０００＋／−５グラムを最終ベースパッド厚さの測定に使用している。圧縮性は最終パッド厚さと初期パッド厚さとの差を初期パッド厚さで割算したものであり、パーセントで表示される。本発明による異方性ベースパッドの横方向におけるパッド圧縮性は、許容可能な低限界内であることが判明しており、異方性ベースパッドによって実質的に最小にされている。
【００１４】
ベースパッド２のフレキシブル基材８は単層又は互いに結合された層の組み合わせを含む。フレキシブル基材８はロールから引き出すことができるか、又はロールに簡単に巻き込むことができるフレキシブル材料を含む実施形態である。工業用プラスティックのシートをフレキシブル基材として使用することができ、特に有用なものは、ポリアミド類、ポリイミド類、及び又はポリエステル、特にポリエチレンテレフタレート又は「ＰＥＴ」であり、ＰＥＴ、ポリアミド類又はポリイミド類などのポリエステル繊維の機械的に裁縫されたウエブである。
【００１５】
一つの実施形態によるベースパッド２のフレキシブル基材８は１００〜１，０００ミクロンの厚さを有する。一つの実施形態によれば、フレキシブル基材８は約１００〜５００ミクロンの厚さを有し、さらに一つの実施形態では約１００〜３００ミクロンを含む。
【００１６】
ベースパッド２のフレキシブル基材８に接着された異方性マイクロポーラス高分子材料７の層は、約１００〜１０００ミクロンの厚さを有し、さらに一つの実施形態では３００〜８００ミクロンを含み、表面組織は異なる縦長のポア及び／又はサイズ及び寸法の異なった微小ボイドを含む。この層を形成する方法を含む実施形態は、フレキシブル基材上に高分子を凝結するものであり、これは１９６６年１１月８日付与のＨｕｌｓｌａｎｄｅｒらによる米国特許第３，２８４，２７４号及び１９６３年８月１３日付与のＨｏｌｄｅｎによる米国特許第３，１００，７２１号に基づくものであり、それらの特許は引用により本明細書に組み入れられている。Ｈｕｌｓｌａｎｄｅｒ特許では、マイクロポーラスな側壁を有する縦長のポアを有する構造を含む実施形態が提供されている。それに代わる実施形態として、異方性マイクロポーラス層は、フレキシブル基材上にプリントされ、スプレーされ、注型され、あるいはコーティングされて、その後冷却又は硬化反応によって固化されている。
【００１７】
ベースパッドの異方性マイクロポーラス構造を形成する高分子は、ポリウレタン又はポリ尿素である。ポリウレタンを含む一方の実施形態は、ポリエーテルウレタン、つまりアルキレンポリオールと、脂肪族、脂環族又は芳香族ジイソシアネート類の群から選ばれた有機ポリイソシアネートとの反応生成物である。ポリウレタンを含むもう他の実施形態は、ポリエステルウレタン、つまりヒドロキシ官能性ポリエステルと、脂肪族、脂環族又は芳香族ジイソシアネート類の群から選ばれた有機ポリイソシアネートとの反応生成物である。
【００１８】
ポリイソシアネート類の実施例は、トルエンジイソシアネート及びジフェニルメタンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート類、又はメチレンジイソシアネートなどの脂肪族ジイソシアネート類である。ポリエーテルウレタンを含むとりわけ格別な一つの実施形態は、たとえばエチレングリコール、プロピレングリコール及びブタンジオールなどのポリオール類の混合物と、４，４ジフェニルメタンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネートとの反応生成物である。ポリエステルウレタンを含む実施形態は、ジヒドロキシポリブチレンアジペートなどのポリエステルと、メチレンビス（４−フェニルイソシアネート）との反応生成物である。
【００１９】
高分子層は、連鎖延長ポリウレタン類から作製することもできる。当業者に既知な各種の連鎖延長剤を使用することができる。重合反応に使用される代表的な連鎖延長剤は、ブタンジオールなどのポリオール類；エチレンジアミン、イソプロピルジアミン及びヒドラジンなどのポリアミン類であるが、それに限定するものではない。
【００２０】
本発明のベースパッドを作製する工程を含む一つの実施形態は、フレキシブル基材を高分子材料、つまりポリウレタン又はポリ尿素のいずれかの溶液で６００〜１２００ミクロン範囲の湿式のコーティング厚さにコーティングする工程を含み、実施形態は７００〜１，０００ミクロンの厚さを含む。コーティングされた基材を、その後約１０〜２０％の量のＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）などの少なくともいくつかの溶剤を含む水性浴に通し、ポリウレタン又はポリ尿素を凝結させて異方性マイクロポーラス構造とする。コーティングされた基材をその後乾燥させ、実施形態では約９０〜１２０℃で約５〜２０分間オーブン内に入れ、さらなる実施形態では８〜１０分間入れて残留溶剤及び／又は水分を除去することを含む。異方性マイクロポーラス構造の表面層をその後バフ研磨し、高分子の薄層（「スキン」）を除去し、縦長のポア構造を有する多孔性基材を露出させる。得られたベースパッドをサイズにカットし、感圧接着剤（ゴム系接着剤）シートをパッドのバフ研磨していない側に塗布する。使用の際には、ゴム系接着シートのリリースライナーを取り外すことによってベースパッドを従来の研磨機の研磨プラテン上に取り付ける。その後、感圧接着剤（アクリル系）バッキング面を有するＣＭＰ研磨パッドをベースパッド上に位置決めし、得られたベースパッドと研磨パッドとのアセンブリ（スタック）を使って、研磨スラリー及び研磨技術により半導体などの電子デバイスを研磨する。
【００２１】
通常、アクリル系接着剤を使って研磨パッドをベースパッドに接着する。アクリル系接着剤は両面接着シートとして商業的に入手できる。接着シートの各側はアクリル接着剤でコーティングされ、リリースライナーを有する。ベースパッドを研摩プラテンに接着させるため、除去可能なゴム系両面接着シートを使用する。ゴム系両面接着シートも商業的に入手できる。
【００２２】
本発明のベースパッドと組み合わせてさまざまな従来の研磨パッドを使用することができる。これらのパッドは、通常バッキング層に接着された親水性材料を含む研磨層を有する。さらに、実施形態によれば、研磨層はさらに複数の軟質ドメイン及び硬質ドメインを含む。
【００２３】
研磨層は、溝加工ができ、穿孔を有し、又はリッジなどを有することができ、それらは切削加工、型押加工、成形加工、シンターリング加工、及び／又はプレス加工によって形成することができる。代表的な研磨パッドは、Ｃｏｏｋらによる米国特許第６，０２２，２６４号、Ｒｏｂｅｒｔｓらによる米国特許第６，０２２，２６８号、Ｒｏｂｅｒｔｓらによる米国特許第６，０１９，６６６号、Ｃｏｏｋらによる米国特許第６，０１７，２６５号、Ｂｕｄｉｎｇｅｒらによる米国特許第５，９００，１６４号、Ｒｏｂｅｒｔｓらによる米国特許第５，６０５，７６０号、Ｒｅｉｎｈａｒｄｔらによる米国特許第５，５７８，３６２号、Ｃｏｏｋらによる米国特許第５，４８９，２３３号、及びＢｕｄｉｎｇｅｒらによる米国特許第４，９２７，４３２号に開示されており、これらは引用によりそれぞれ本明細書に組み入れられている。
【００２４】
研磨パッドと本発明のベースパッドとの組み合わせは、研磨流体を使用する実施形態である。研磨中、研磨流体を、研磨パッドの研磨表面と、研磨される又は平坦化される基材との間に配置する。パッドが研磨されている基材に対して移動するにつれて、研磨パッドの一実施形態にある表面の溝により界面（研磨パッドの研磨層の表面と研磨される基材との間）に沿う研磨流体の流れを改善することができる。研磨流体の流れの改善は、高い平坦性及び５％未満の低い不均一性を伴うより効率的な研磨性能を一般に与える。ウェハの不均一性（一部は表面の凹みによる）はできるだけ低くしなければならず、デバイスウェハに対する現行の工業規格では３％である。ウェハの不均一性は、一般の除去速度の標準偏差として定量化されており、ウェハ表面上のリング内の特定数の個所、たとえば中心で１個所、次ぎのリング以降で４個所などで測定する。除去速度は、研磨の前後にウェハ表面上の特定個所で測定されたウェハの目標層の厚さの差を研磨サイクル時間で割算したものである。
【００２５】
研磨流体の実施形態は、ＣＭＰ研磨によって除去される材料と反応する化合物の水性溶液を含み、研磨層の組成に応じて、砥粒の存在を必要とする又は必要としない。たとえば、砥粒を含む研磨層は研磨流体内に砥粒を必要としない。
【００２６】
使用の際に、本発明のベースパッドと組み合わせる研磨パッドを、既知の研磨装置のフラットプラテンに取り付け、研磨される又は平坦化されるフラット基材に当てる。基材上の表面の凹凸は、基材表面に対するパッド圧力（又はその逆）；パッド及び基材が互いに移動する速さ；研磨流体の成分；及び研磨パッドの物理的性質などの多くのパラメーターに依存する速度で除去される。１平方インチ当り２５ポンド未満の均一な力が、通常研磨表面を研磨される基材の表面に対して平坦にするために加えられる。
【００２７】
研磨パッドの研磨につれて、研磨パッドの研磨層の代表的な微細構造が磨耗除去及び塑性流動を受けることになり（微細凸部が平らにされるか、そうでないにせよ微細凸部が著しくなくなり）、それは研磨性能を減じることになる。そのため、微細凸部の実施形態では、たとえば研磨表面に対してパッドを再度移動し、材料にもう一度溝を形成させるなどのさらなるコンディショニングによって再生される。コンディショニング用の研磨表面を含む一実施形態では、ディスクの実施形態が０．００１〜０．５ミリメートルの範囲のサイズのダイアモンドグリットで埋設された金属を含む。コンディショニングの間、コンディショニングするディスクと研磨パッドとの間の圧力の実施形態は１平方インチ当り０．１〜約２５ポンドを含む。ディスクの回転速度の実施形態は、毎分１〜１０００回転の範囲を含む。コンディショニングはコンディショニング用流体を存在させて行うことができ、実施形態は、砥粒を含む水性流体を含む。
【００２８】
次の実施例は、本発明のベースパッドを詳細に説明する。すべての部及び百分率は他に断わりのないかぎり重量に基づく。
【００２９】
実施例１
本発明によるベースパッドＳＰ２１００を調製し、ＴＥＯＳ（テトラエチロースシリケート）ウェハを研磨するため研磨実験において研磨パッドと組み合わせて使用した。研磨実験では、他の商業的に入手できるベースパッドＳＵＢＡ　ＩＶと比較した場合、ベースパッドＳＰ２１００（本発明）は高い平坦性及び５％未満の低い不均一性を発揮することを示した。ＳＵＢＡ　ＩＶは、圧縮性７％の商業的に入手可能なウレタン含浸ポリエステルフェルトである。
【００３０】
ベースパッドＳＰ２１００は、ポリウレタン溶液により接着促進層を予めコーティングした１７７．８μｍ厚さのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを押出しコーティングすることによって調製し、８３８．２μｍ厚さコーティング層をもたらした。ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）中のポリエチレン溶液は、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール及び４，４−ジフェニルメタンジイソシアネートのポリウレタン、イエロー及びレッド着色剤、並びにポリスルホン酸溶液の界面活性剤を含んだ。
【００３１】
コーティングされたフィルムを、１０〜２０％ＤＭＦを含む水／ＤＭＰ浴に３回通してフィルムを凝結させた。コーティングされたフィルムを１０５℃で８〜１０分間オーブンに通し、残留ＤＭＦ及び水を除去した。乾燥後、コーティング厚さ５７１．５μｍに達するまで、材料を２回バフ研磨した。得られた材料の圧縮性は４〜６％の範囲となった。
【００３２】
Ｎｅｗａｒｋ，　ＤＥのＲｏｄｅｌ　Ｉｎｃ．，によって作製された成型化ポリウレタンパッドであるＯＸＰ３０００研磨パッドと組み合わせて、ベースパッドＳＰ２１００及びＳＵＢＡ　ＩＶを、ベースパッドとして使用して、同一の研磨条件並びに酸化物研磨のため設計されたヒュームドシリカ及び水酸化アンモニウムを含む水性研磨流体であるＩＬＤ１３００（８ＭＪ−ＹＥ１Ａ）研磨流体を使用して、ＴＥＯＳ（テトラエチロースシリケート）ウェハを研磨した。ベースパッドなしに、ＯＸＰ３０００研磨パッドのみにより制御研磨テストを行った。
【００３３】
取り外し可能な両面ゴム系接着シートを備えた研磨機のプラテンにベースパッドを固着した。次いで、研磨パッドを両面永久アクリル接着シートでベースパッドに取り付けた。
【００３４】
すべての研磨テストに、Ｓｔｒａｓｂａｕｇｈ　６ＤＳ−ＳＰ研磨機を使用した。すべてのテストは、研磨圧力７ｐｓｉ；背圧０．５ｐｓｉ；プラテン速さ５１ｒｐｍ；キャリア速さ４１ｒｐｍ；研磨流体流速１５０ｍｌ／分；及びテスト期間２分である同一条件下で行った。
【００３５】
テストした各ベースパッドについて、さまざまなフィーチャーサイズ（ｍｍ単位）の平坦性指数を算出した。フィーチャーは、同一の深さ（たとえば０．０００６３ｍｍ）及び長さ（たとえば８ｍｍ）有するが、異なる幅（たとえば０．１〜８ｍｍ）を有するウェハ表面上のトレンチであった。平坦化効率の尺度である平坦性指数（ＰＱ）は、トレンチ（Ｒｄｏｗｎ）の中心における表面の材料除去に対するトレンチ（Ｒｕｐ）の上部における表面の材料除去の比である。図２は、ＰＱ対トレンチ幅（又はフィーチャーサイズ）のプロットである。所望のＰＱ（つまり平坦化効率）、たとえば０．３については、図２の各々の特定のベースパッドの曲線に交差するよう水平線を引くことができ、平坦化距離（ＰＤ）として定義された対応するフィーチャーサイズを決定した。ＰＤが長いほど、平坦化が向上することに直接対応する。図２からわかる通り、ベースパッドなしで高い平坦性が達成された。しかし、ベースパッドの使用又は不使用は、ウェハの平坦性に対してだけでなく、％ＮＵとして報告されるウェハの不均一性に対しても影響を与える。前述の通り、ウェハの不均一性は、除去速度の標準偏差をパーセントとして表示したものである。半導体ウェハの研磨においては、高い平坦性及び低い不均一性が望ましい。ベースパッドがない場合、ウェハの不均一性は、研磨テスト時約５〜６％であることが観察された。ウェハの不均一性はＳＵＢＡ　ＩＶをベースパッドとした場合７〜８％に上昇した。しかし、ウェハの不均一性は、本発明のベースパッドの場合３〜５％の範囲内に減少した。
【００３６】
実施例２
ベースパッドＳＰ２１００及びＳＵＢＡ　ＩＶによる研磨流体の吸収は、Ｋｒｕｓｓ　Ｔｅｎｓｉｏｍｅｔｅｒを使って測定した。各ベースパッドのサンプルをサンプルホルダーにＩＬＤ−１３００を備えた器具内の金属クーポンに取り付けた。ＩＬＤ１３００は、酸化物研磨用に設計されたヒュームドシリカ及び水酸化アンモニウムを含有する水性研磨流体（研磨流体）である。ベースパッドサンプルが取り付けられた金属クーポンを、サンプルホルダー内に６．５ｍｍだけ浸漬した。その後研磨流体の吸収を単位時間あたりのベースパッドサンプルの重量変化として測定した。図３は、ベースパッドＳＰ２１００及びＳｕｂａ　ＩＶについて、時間の関数としての研磨流体の吸収を示す。図示した通り、ベースパッドＳＰ２１００の研磨流体の吸収特性は、従来の商業的に入手できるベースパッドであるＳＵＢＡ　ＩＶよりはるかに優れている。
【００３７】
ここに開示する本発明の実施形態、その他の実施形態及び改良は、添付の特許請求の範囲の精神及び適用範囲によって包含されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】
ベースパッド上に位置決めされ、結果として研磨プラテンに取り付けるため位置決めされた研磨パッドの断面の断片図である。
【図２】
ベースパッドの効用として基材の平坦性を開示するグラフである。
【図３】
ベースパッドの研磨流体の吸収対時間を開示するグラフである。
【図２】
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【図３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【手続補正書】
【提出日】平成14年6月25日(2002.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッド下に配置するように適合され、さらに研磨流体を吸収しガスを放出するように適合されたベースパッドであって、
研磨流体を吸収するための縦長のポアを有する異方性層であって、異方性層は異方性層からガスを放出するガス浸透性のマイクロポアを組み入れており、マイクロポアは研磨流体に対し不浸透性であり、
それにより研磨流体の吸収は縦長のポアによる吸収に制限され、かつ吸収された研磨流体は異方性層内における横方向の変位が防止され、異方性層はベースパッドの圧縮性の変動を最小にすることを特徴とするベースパッド。
【請求項２】
ベースパッドが、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項１に記載のベースパッド。
【請求項３】
ポアが、マイクロポアとの側壁を有する、請求項１に記載のベースパッド。
【請求項４】
層が、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項３に記載のベースパッド。
【請求項５】
研磨流体を吸収し、ガスを放出するように適合されたベースパッドを備えた研磨パッドを提供する工程と、
ベースパッドがベースパッド中の縦長のポア内の研磨流体を吸収する間に、研磨パッドで半導体ウェハを研磨する工程と、
ベースパッドに組み入れた研磨流体に対し不浸透性であるガス浸透性マイクロポアを介してベースパッドからガスを放出する工程と、を含むことを特徴とする、半導体ウェハを研磨する方法。
【請求項６】
ベースパッドが、４〜８％の範囲の圧縮性を有する、請求項５に記載の半導体ウェハを研磨する方法。
【国際調査報告】
2004511083.tif 000022
2004511083.tif 000023