(57)【要約】本発明は、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、製造工程を単純化するためにゲート絶縁膜及び保護膜を有機絶縁膜プリント技法を利用して形成する。本発明による薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と、絶縁基板の上に第１方向に延びるゲート線及びゲート線の一端に形成されるゲートパッドを含んで形成されるゲート配線と、絶縁基板の上にゲートパッド及びゲートパッドに隣接したゲート線部分を露出するように形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成される半導体パターンと、ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート線と交差して第２方向に延びるデータ線、データ線に接続されて半導体パターンに接触するソース電極、ソース電極に対応して半導体パターンに接触するドレイン電極及びデータ線の一端に形成されるデータパッドを含むデータ配線と、ゲート絶縁膜上にデータパッド及びデータパッドに隣接したデータ線部分を露出するように形成される保護膜とを含む。
2004531086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ基板において、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成されゲート線及び前記ゲート線の一端に接続されたゲートパッドを含むゲート配線と、
前記絶縁基板の上に前記ゲートパッド及び前記ゲートパッドに隣接したゲート線の一部を露出するように形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体パターンと、
前記ゲート絶縁膜上に形成されており、前記ゲート線に交差するデータ線、前記データ線に接続されていて前記半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極と対向して前記半導体パターンに接触するドレイン電極及び前記データ線の一端に接続されたデータパッドを含むデータ配線と、
前記ゲート絶縁膜上に前記データパッド及び前記データパッドに隣接したデータ線一部を露出するように形成される保護膜と
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜トランジスタ基板において、該基板はさらに、前記絶縁基板の上に前記ゲート線に平行に配列される共通電極線、前記共通電極線に接続される複数の共通電極及び前記共通電極線の一端に接続される共通電極用パッドを含む共通電極用配線を含み、前記ゲート絶縁膜は前記共通電極用パッド及び前記共通電極用パッドに隣接した前記共通電極線の一部を露出するように形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の薄膜トランジスタ基板において、前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、有機絶縁物質からなることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
絶縁基板の上にゲート線及び前記ゲート線の一端に接続されたゲートパッドを含むゲート配線を形成するステップと、
前記絶縁基板の上に前記ゲートパッド及び前記ゲートパッドに隣接したゲート線部分を露出するゲート絶縁膜を有機絶縁物質で形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンを形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート線と交差するデータ線、前記データ線に接続されて前記半導体パターンに接触するソース電極、前記ソース電極に対応して前記半導体パターンに接触するドレイン電極及び前記データ線の一端に接続されたデータパッドを含むデータ配線を形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜の上に前記データパッド及び前記データパッドに隣接したデータ線部分を露出する保護膜を有機絶縁物質で形成するステップと
を含み、前記ゲート絶縁膜または前記保護膜は、スリットコーティング法またはプリンティング法で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法において、該方法はさらに、前記ゲート絶縁膜を形成した後、前記ゲート絶縁膜の表面を平坦化するステップを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、特に、液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く用いられている平板表示装置のうちの一つであり、電極が形成されている二枚の基板とその間に挿入されている液晶層から構成されており、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって、透過する光の量を調節して画像を表示する装置である。
液晶表示装置の一つとして、視野角を改善するため液晶表示装置が提案されており、該装置は、二つの基板の一方の基板上に互いに平行な線形の電極が形成されており、電極に印加される電圧をスイッチングして、二つの基板の平面に平行に配列されている液晶分子を再配列するための薄膜トランジスタを有している。そして、この薄膜トランジスタには、二つの電極が形成されるのが一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような薄膜トランジスタが形成されている基板は、マスクを利用した写真エッチング工程によって製造されるのが一般的であり、現在は通常、５枚または６枚のマスクが用いられている。しかしながら、生産費用を減らすためには、マスクの数を減らすのが好ましい。
したがって、本発明の目的は、製造工程を単純化する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記した目的を達成するために、本発明では、ゲート絶縁膜及び保護膜を有機絶縁物質でプリント技法またはスリットコーティング技法を利用して形成する。詳細には、本発明による薄膜トランジスタ基板には、絶縁基板と、絶縁基板の上に形成されているゲート線及びゲート線の一端に接続されるゲートパッドを含むゲート配線と、絶縁基板の上にゲートパッド及びゲートパッドに隣接したゲート線の一部が露出されるように形成されるゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上に形成される半導体パターンと、ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート線と交差するデータ線、データ線に接続されて半導体パターンに接触するソース電極、ソース電極と対向して半導体パターンに接触するドレイン電極及びデータ線の一端に形成されるデータパッドを含むデータ配線とゲート絶縁膜の上にデータパッド及びデータパッドに隣接したデータ線部分が露出されるように形成される保護膜とを含む。
【０００５】
ここで、絶縁基板の上にゲート線に平行に配列される共通電極線、共通電極線に接続される複数の共通電極及び共通電極線の一端に接続される共通電極用パッドを含む共通電極用配線を含み、ゲート絶縁膜は共通電極用パッド及び共通電極用パッドに隣接した共通電極線部分を共に露出するように形成できる。この時、ゲート絶縁膜または保護膜は有機絶縁物質で形成できる。
【０００６】
また、本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板の上にゲート線及びゲート線の一端に接続されるゲートパッドを含むゲート配線を形成するステップと、絶縁基板の上にゲートパッド及びゲートパッドに隣接したゲート線部分を露出するゲート絶縁膜を有機絶縁物質で形成するステップと、ゲート絶縁膜の上に半導体パターンを形成するステップと、ゲート絶縁膜の上にゲート線に交差するデータ線、データ線に接続されて半導体パターンに接触するソース電極、ソース電極と対向して半導体パターンに接触するドレイン電極及びデータ線の一端に接続されるデータパッドを含むデータ配線を形成するステップと、ゲート絶縁膜の上にデータパッド及びデータパッドに隣接したデータ線の一部を露出する保護膜を有機絶縁物質で形成するステップとを含む。この時、ゲート絶縁膜と保護膜はプリント技法またはスリットコーティング技法で塗布して形成される。ここで、ゲート絶縁膜または保護膜を形成した後、ゲート絶縁膜の表面を平坦化するステップをさらに含むことができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法では、ゲート絶縁膜と保護膜でパッド部分を覆う代わりにプリントまたはスリットコーティング方法を利用してこれらのパッド部分を露出させることで、ゲート絶縁膜または保護膜にパッドを露出するために実施される接触孔の形成工程を省略できるという特徴がある。
本発明は、有機絶縁物質でゲート絶縁膜と保護膜を形成し、このゲート絶縁膜と保護膜をゲートパッド及びデータパッドが露出されるようにプリントしたり、スリットコーティングして形成することによりマスクの使用回数を減らす等、薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明する。広視野角モードを実現するために、水平電界を利用して液晶を駆動させる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を実施例として本発明を説明する。
図１は、本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図２は図１に示した薄膜トランジスタ基板のII-II'に沿った断面図である。
図１及び図２に示すように、絶縁基板１０の上に横方向に長く延びているゲート線２２、ゲート線２２の一端に接続されてゲート線２２に走査信号を伝達するゲートパッド２４及びゲート線２２に接続されているゲート電極２６を含むゲート配線２２、２４、２６及びゲート線２２と平行に位置し、外部から共通信号が伝えられる共通電極線２７及び共通電極線２７に接続されて縦方向に延びている複数の共通電極２８を含む共通配線２７、２８が形成されている。
【０００９】
この時、ゲート配線２２、２４、２６と共通配線２７、２８は、低い抵抗の金属物質で形成されることが有利である。また、ゲート配線２２、２４、２６と共通配線２７、２８は、単一層構造で形成したり二重層以上の構造で形成できるが、単一層構造で形成する場合には、クロムまたはクロム合金、モリブデンまたはモリブデン合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、或は銀または銀合金が用いられており、二重層構造で形成する場合には、二つの層の少なくとも一方の層は低い抵抗の金属物質で形成され、他方の層は他の物質層と接触抵抗が良い金属物質で形成されるのが好ましい。
絶縁基板１０の上には、有機絶縁物質からなるゲート絶縁膜３０が、ゲートパッド２４を除いた基板の前面、すなわちゲート線２２、ゲート電極２６及び共通配線２７、２８を覆っている。従って、ゲートパッド２４は、ゲート絶縁膜３０によって覆われず露出されている。
【００１０】
図１の図面符号３１が示す点線は、ゲート絶縁膜３０の端部の境界線を示す。ゲート絶縁膜３０は、ＢＣＢ（ｂｉｓｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはＰＦＣＢ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などのように、低い誘電率特性を有し、平坦化されているのが好ましい。
ゲート絶縁膜３０の上には、半導体物質、例えば非晶質シリコンからなる半導体パターン４２が形成されており、半導体パターン４２の上には不純物がドーピングされている半導体物質、例えば不純物がドーピングされている非晶質シリコンからなる抵抗性接触層パターン５５、５６が形成されている。
【００１１】
抵抗性接触層パターン５５、５６の上には、半導体との接触特性が良く、低い抵抗特性の金属物質からなるデータ配線及びデータ配線に接続される画素配線が形成されている。データ配線は、縦方向に形成されてゲート線２２と交差するデータ線６２、データ線６２の端に接続されていて外部からデータ信号の印加を受けてデータ線６２に伝達するデータパッド６４、データ線６２から突出したソース電極６５及びソース電極６５と対向して配置されたドレイン電極６６を含み、画素配線は、ドレイン電極６６に接続されてゲート線２２に平行に延びている画素電極線６７と画素電極線６７に接続されて縦方向に延びているが、共通電極２８と交互に配列されている画素電極６８を含む。
共通配線２７、２８と画素配線６７、６８は、絶縁基板１０の上に互いに平行に位置しており、両配線に互いに異なる電圧が印加される場合、両配線の間に水平電界が発生するが、このような水平電界を利用して液晶を駆動することによって広視野角モードを実現できる。
【００１２】
データ配線６２、６４、６５、６６及び画素配線６７、６８は、低抵抗金属物質で形成されるのが有利である。また、データ配線６２、６４、６５、６６もゲート配線２２、２４、２６と同様に単一層構造で形成したり、二重層以上の構造で形成できるが、単一層構造で形成される場合にはクロムまたはクロム合金、モリブデンまたはモリブデン合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、或は銀または銀合金が用いられており、二重層構造で形成される場合には二つの層のうち少なくとも一つの層は低抵抗金属物質で形成され、もう一つの層は他の物質層との接触抵抗が良い金属物質で形成されるのが好ましい。
【００１３】
ゲート電極２６、ソース電極６５、ドレイン電極６６及びソース電極６５とドレイン電極６６との間の半導体パターン４２部分は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。
半導体パターン４２は、ソース電極６５とドレイン電極６６との間の領域、すなわち薄膜トランジスタのチャネル領域を除けば、データ配線６２、６４、６５、６６と画素配線６７、６８の全てのパターンと同一なパターンを有する。すなわち、半導体パターン４２はデータ線６２、データパッド６４、ソース電極６５及びドレイン電極６６、画素電極線６７及び画素電極６８からなるパターンと同じであるが、ソース電極６５とドレイン電極６６との間に位置する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネルで画定される領域をさらに含んでいる。
【００１４】
抵抗性接触層パターン５５、５６は、その下部の半導体パターン４２とその上部のデータ配線６２、６４、６５、６６及び画素配線６７、６８との接触抵抗を低くする役割をし、データ配線６２、６４、６５、６６と画素配線６７、６８からなるパターンと同一なパターンを有する。この時、一つの抵抗性接触層パターン５５は一体となっているデータ線６２、データパッド６４及びソース電極６５に接触されており、他の抵抗性接触層パターン５６は一体となっているドレイン電極６６、画素電極線６７及び画素電極６８に接触されている。
ゲート絶縁膜３０の上には、有機絶縁物質からなる保護膜７０がゲートパッド２４部分及びデータパッド６４部分を除いた基板の前面、すなわちデータ線６２、ソース電極６５、ドレイン電極６６、画素電極線６７及び画素電極６８を覆っている。従って、ゲートパッド２４及びデータパッド６４は保護膜７０で覆われず露出されている。
【００１５】
図１において、符号７１が示す指す点線は、保護膜７０の端部の境界線を示す。この時、保護膜７０はＢＣＢまたはＰＦＣＢなどのように低い誘電率特性を有し、平坦化特性の良い物質で形成されるのが好ましい。
前述したような本発明による薄膜トランジスタ基板では、データ線とゲート線との間に厚い有機絶縁膜が形成されていて二つの線の間に生ずる寄生容量を減らすことができる。そして、本発明の実施例のように、共通電極と画素電極との間で発生する水平電界を利用して液晶を駆動する場合には、広視野角を実現できるという長所がある。
【００１６】
以下、このような本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法について、図３Ａ〜図９並びに図１及び図２を参照して、詳細に説明する。
図３Ａ及び図３Ｂに示したように、絶縁基板１０の上にクロムまたはクロム合金、モリブデンまたはモリブデン合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、或は銀または銀合金をスパッタリングなどの方法で蒸着し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてゲート線２２、ゲートパッド２４、ゲート電極２６を含むゲート配線２２、２４、２６と共通電極線２７、共通電極２８を含む共通配線２７、２８を形成する。
【００１７】
次に、図４Ａ及び４Ｂに示したように、ＢＣＢまたはＰＦＣＢなどのように低い誘電率特性を有する有機絶縁物質を、プリンティング技法またはスリットコーティング技法で、ゲート配線２２、２４、２６と共通配線２７、２８が形成された基板１０の上に塗布して、ゲート絶縁膜３０を形成する。その後、後続工程によって形成される膜の蒸着及び接触特性を向上させるためにゲート絶縁膜３０をグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）して平坦化することができる。ここで、スリットコーティング技法とは、０．１ｍｍ以下のスリットノズルの先端部を通じて有機絶縁物質を排出して基板１０の上部に有機絶縁物質を塗布するスリットコーターを利用する方法である。
ゲート絶縁膜３０がゲートパッド２４の上に形成されないようにするためには、有機絶縁物質を基板の上にプリントする際に、ゲート絶縁膜３０がゲートパッド２４を覆わないようにプリント作業モードを設定する。図面中、符号３１が示す点線は、ゲート絶縁膜３０の縁の境界線を示す。
【００１８】
次に、図５Ａ及び図５Ｂに示したように、ゲート絶縁膜３０の上に、半導体層、不純物がドーピングされた半導体層及び金属層を連続的に蒸着し、この多重層を写真エッチング工程でパターニングして半導体パターン４２、抵抗性接触層パターン５５、５６及びデータ配線６２、６４、６５、６６と画素配線６７、６８からなる金属パターンを形成する。
データ配線６２、６４、６５、６６及び画素配線６７、６８下端には、それと同一なパターンを有する抵抗性接触層パターン５５、５６が接触されており、抵抗性接触層パターン５５、５６下端には、半導体パターン４２が接触されている。半導体パターン４２は、データ配線６２、６４、６５、６６と同一であるが、ソース電極６５とドレイン電極６６との間に位置する薄膜トランジスタのチャネル領域をさらに含む。このようなデータ配線６２、６４、６５、６６、抵抗性接触層５５、５６及び半導体パターン４２は、一つのマスクのみを使用して形成できる。これについて、図６〜図９を参照して説明する。
【００１９】
まず、図６に示したように、ゲート絶縁膜３０の上に半導体層４０、不純物がドーピングされた半導体層５０を、化学気相蒸着法を利用して連続蒸着する。引続き、クロムまたはクロム合金、モリブデンまたはモリブデン合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、或は銀または銀合金などからなる金属層６０を、スパッタリングなどの方法で蒸着する。
次に、金属層６０の上に感光膜を塗布した後、マスク（図示しない）を介して感光膜に光を照射し現像して感光膜パターン１１２、１１４を形成する。この時、感光膜パターン１１２、１１４は、データ配線及び画素配線部分（Ａ）に位置した感光膜の第１部分１１２が薄膜トランジスタのチャネル部（Ｂ）、すなわちソース電極６５とドレイン電極６６との間に位置した感光膜の第２部分１１４より厚くなるように形成し、他の部分（Ｃ）は残留しないように形成する。感光膜の第２部分１１４の感光膜の第１部分１１２の厚さの比は、後述するエッチング工程での工程条件に応じて異ならせる必要があり、第２部分１１４の厚さを第１部分１１２厚さの１/２以下にするのが好ましい。
【００２０】
このように、部分的に異なる厚さを有する感光膜パターンは、部分的に異なる透過率を有する一つのマスクを使用して形成する。光透過量を調節するために主にスリットや格子形態のパターン、あるいは半透明膜のあるマスクを使用する。この時、スリットの間に位置したパターン線の幅やパターン間の間隔、すなわちスリットの幅は、露光時に使用する露光器の分解能より小さいのが好ましく、半透明膜を利用する場合には、マスク製作の時に透過率を調節するために異なる透過率を有する薄膜を利用したり、厚さが異なる薄膜を利用できる。
【００２１】
このようなマスクを通じて感光膜に光を照射すると、光に直接露出される部分（Ｃ）では高分子が完全に分解され、スリットパターンや半透明膜に対応される部分（Ｂ）では光の照射量が少ないため高分子は不完全分解の状態となり、遮光膜で覆われた部分（Ａ）では高分子がほとんど分解されない。この時、露光時間を長くすると全ての分子が分解されてしまうのでそうならないように注意する必要がある。
このように選択露光された感光膜を現像すると、分子が分解されなかった高分子部分だけが残され、照射量が少ない中央部分には全く光に照射されない部分より厚さの薄い感光膜が残る。
【００２２】
次に、図７に示したように、感光膜パターン１１２、１１４をマスクとして、その他の部分（Ｃ）の露出されている金属層６０をエッチングし、その下部の不純物がドーピングされた半導体層５０を露出させる。このようにすれば、チャネル部（Ｂ）及びデータ配線及び画素配線部分（Ａ）にある金属パターン６１のみ残され、その他の部分（Ｃ）の金属層は除去されてその下部に位置する不純物がドーピングされた半導体層５０が露出される。金属パターン６１は、ソース電極６５とドレイン電極６６がまだ分離されていないためデータ配線と画素配線が一体に接続されている。
【００２３】
次に、図８に示したように、その他の部分（Ｃ）の露出された不純物がドーピングされた半導体層５０及びその下部の半導体層４０を、感光膜の第２部分１１４と共に乾式エッチング方法で同時に除去する。この時のエッチングは、感光膜パターン１１２、１１４と不純物がドーピングされた半導体層５０及び半導体層４０が同時にエッチングされ、ゲート絶縁膜３０はエッチングされない条件下で実施する。ここで、感光膜パターン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング比がほぼ同一な条件でエッチングするのが好ましい。例えば、ＳＦ６とＨＣｌの混合気体やＳＦ６とＯ２の混合気体を用いれば、ほぼ同一な厚さで二つの膜をエッチングすることができる。
感光膜パターン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング比が同一である場合、感光膜の第２部分１１４の厚さは半導体層４０と不純物がドーピングされた半導体層５０の厚さを合せたものと同一であるか、それより小さくする必要がある。
【００２４】
このようにすれば、チャネル部（Ｂ）に位置した感光膜の第２部分１１４が除去されて、チャネル部（Ｂ）の導電体パターン６１が露出され、その他の部分（Ｃ）の不純物がドーピングされた半導体層５０及び半導体層４０は、除去されその下部のゲート絶縁膜３０が露出される。一方、データ配線及び画素配線部分（Ａ）の感光膜の第１部分１１２もエッチングされるので厚さが薄くなる。この工程で半導体パターン４２が完成する。そして、半導体パターン４２の上には抵抗性接触層用パターン５２が半導体パターン４２と同一なパターンで形成される。次に、アッシングによって、チャネル部（Ｂ）の金属パターン６１の表面に残っている感光膜の第２部分の残留物を除去する。
【００２５】
次に、図９に示したように、残っている感光膜パターンの第１部分１１２をマスクとしてチャネル部（Ｂ）に位置する金属パターン６１及びその下部の抵抗性接触パターン５２部分をエッチングする。この時、半導体パターン４２の一部が除去されて厚さが薄くなることがあり、感光膜パターンの第１部分１１２もある程度の厚さがエッチングされる。この時のエッチングは、ゲート絶縁膜３０がエッチングされない条件下で行う必要があり、感光膜パターンの第１部分１１２がエッチングされ、その下部の金属パターンが露出されることがないように感光膜パターンを厚くすることが好ましい。
このようにすれば、金属パターン６１でソース電極６５とドレイン電極６６が分離されが、これにより、データ線６２、データパッド６４、ソース電極６５が一体に接続された状態で形成され、ドレイン電極６６、画素電極線６７、画素電極６８が一体に接続された状態で形成される。そして、その下部の抵抗性接触層パターン５５、５６が完成する。
次に、残留する感光膜パターンの第１部分１１２を除去すると、図５Ｂに示したような断面構造を有する基板を得ることができる。
【００２６】
次に、図１及び図２に示すように、ＢＣＢまたはＰＦＣＢなどのように低い誘電率特性を有する有機絶縁物質をプリンティング技法またはスリットコーティング技法で、データ配線及び画素配線が形成された基板の上に塗布して保護膜７０を形成する。この時、保護膜７０がゲートパッド２４及びデータパッド６４の上に形成されないようにするために、有機絶縁物質を基板の上に形成する時に、保護膜７０がゲートパッド２４及びデータパッド６４を覆わないように印刷板を設計したり、スリットコーティングの時にノズルを制御する。
このようにして、本発明の製造方法に基づいて製造された薄膜トランジスタ基板は、ゲートパッド２４及びデータパッド６４が全面的に露出されるため、ゲートパッド２４及びデータパッド６４が外部駆動ＩＣに接触することを補強するための補助ゲートパッド及び補助データパッドを形成する必要がないという特徴がある。
【００２７】
前述した本発明による薄膜トランジスタ基板は、複数の共通電極線を電気的に接続する共通信号線及びこれと接続されている共通信号用パッドを含むことができる。これについて、図１０と図１１を参照して具体的に説明する。
図１０は、本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造工程を通じて製造されるゲート絶縁膜パターンを示したものであり、図１１は、本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造ステップを通じて製造される保護膜パターンを示したものである。
本発明による薄膜トランジスタ基板には、ゲート線２２及びゲート線２２の一端に形成されるゲートパッド２４を有するゲート配線が複数配列されており、複数個の共通電極線２７が、ゲート線２２それぞれの間に介するように配列されている。この時、共通電極線２７の各々は、これらを電気的に接続する縦方向に延びた共通線３８によって接続されており、共通信号線の一端には外部から共通信号の伝達を受けて共通信号線に伝達する共通電極用パッド３９が形成されている。
【００２８】
このような基板１００の上にゲート絶縁膜３０をプリントしたりコーティングする時、図１０に示したように、ゲートパッド２４及び共通電極用パッド３９を露出するように形成する。そして、後続工程により、ゲート線２２と交差するデータ線６２及びデータ線６２の一端に形成されるデータパッド２４を有するデータ配線を追加して形成した基板２００の上に保護膜７０をプリントしたりスリットコーティングする時に、図１１に示すように、既に露出されたゲートパッド２４及び共通電極用パッド３９と後続工程で形成されたデータパッド６４を全て露出させる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２】図１のII-II´に沿った断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の第１製造工程での基板の配置図である。
【図３Ｂ】図３ＡのIII-III´に沿った断面図である。
【図４Ａ】図３Ａの次の工程での基板の配置図である。
【図４Ｂ】図４ＡのIVｂ-IVｂ´に沿った断面図である。
【図５Ａ】図４Ａの次の工程での基板の配置図である。
【図５Ｂ】図５ＡのVｂ-Vｂ´に沿った断面図である。
【図６】図４Ｂに示す断面構造を有する基板から図５Ｂに示す断面構造を有する基板を製造するまでの最初の工程を示したものである。
【図７】図４Ｂに示す断面構造を有する基板から図５Ｂに示す断面構造を有する基板を製造するまでの２番目の工程を示したものである。
【図８】図４Ｂに示す断面構造を有する基板から図５Ｂに示す断面構造を有する基板を製造するまでの３番目の工程を示したものである。
【図９】図４Ｂに示す断面構造を有する基板から図５Ｂに示す断面構造を有する基板を製造するまでの４番目の工程を示したものである。
【図１０】本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造工程により製造されるゲート絶縁膜パターンを示したものである。
【図１１】本発明の実施例による薄膜トランジスタ基板の製造工程により製造される保護膜パターンを示したものである。
【国際公開パンフレット】
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2004531086.tif 000004
2004531086.tif 000005
2004531086.tif 000006
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【国際調査報告】
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