(57)【要約】本発明は、ボンディング可能なコンタクト5,6に対してプラットホーム2,2’の形態で設けられている接続領域を備えたモノリシック集積回路用の支持装置1に関する。前記プラットホーム2,2’は支持装置1上のチップ接続領域に関して位置的に高くされ、急峻な側面3を有している。
2006503427.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持装置(1)がボンディングワイヤ(5，6)の接続のための部分を一段高いペデスタル(2、2’)の形態で有しており、前記ペデスタル(2、2’)は前記支持装置(1)上のチップ接続領域より高い位置にあるモノリシック集積回路(7)用の支持装置(1)。
【請求項２】
一段高いペデスタル(2、2’)は、支持装置(1)の平面に関して４５°より大きい角度（α）を有する側面(3)を備えていることを特徴とする請求項１記載の支持装置(1)。
【請求項３】
一段高いペデスタル(2、2’)はそれぞれ、チップ接続領域の平面に平行であり、かつ、少なくとも単一のボンディングワイヤ(5，6)の接続のための領域を含んでいる平面の表面を有していることを特徴とする請求項１または２記載の支持装置(1)。
【請求項４】
一段高いペデスタル(2、2’)の高さ(hp)は、チップの高さの１／１０乃至１．５倍の範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項５】
一段高いペデスタル(2、2’)の高さ(hp)は、支持装置(1)の材料の厚さの１／５乃至２倍の範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項６】
一段高いペデスタル(2、2’)はそれぞれ、パンチングまたは屈曲装置によって形成された支持装置(1)の局部的な変形を示していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項７】
一段高いペデスタル(2、2’)は、支持装置(1)に材料を供給することによって形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項８】
一段高いペデスタルの領域内においてのみ、とくに銀または金による仕上げがボンディングを可能にするように行われることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項９】
少なくとも１つのボンディングされていない一段高いペデスタル(2’)が支持装置(1)上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項１０】
ボンディングされていない一段高いペデスタル(2’)だけを備えており、それらはとくに剥離に関連した固定された地点として機能することを特徴とする請求項９記載の支持装置(1)。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモノリシック集積回路用の支持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モノリシック集積回路、すなわち、チップを備えた支持装置は、熱可塑性材料のカプセルに収容されている。プラスチックカプセルで包むことはパッケージとして機能し、金属支持装置にボンディングされた導線フィンガは、ボンディングワイヤによりモノリシック集積回路のボンディングパッドに接続され、パッケージ導線を形成する。多くの回路において、通常は接地電位または電源電位であるモノリシック集積回路の基準電位は、可能ならば、均一であって妨害されていないことが必要である。全ての動作条件の下においてこれを可能な最良の方法で達成するために、大部分のモノリシック集積回路はそれらの背面および支持プラットホームにより基準電位に接続されるだけでなく、その回路自身もまた複数の付加的な接続によって支持プラットホームに接続される。これは一般に、チップ表面上のボンディングパッドと支持プラットホームとの間にボンディングワイヤを設けることによって行われる。ボンディングワイヤは一般に金ワイヤであり、このボンディングワイヤを銅の支持プラットホームに良好に接着させるために、銀、金その他の適切な材料の薄い被覆が支持プラットホームに設けられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
動作において、電力消費率の高い回路はチップ温度が１５０℃以上に到達することが可能であり、一方、非活動状態においては回路の温度はその周囲温度になり、それはたとえば、自動車適用では−４０℃に低下する可能性がある。その結果、個々の材料の間で機械的な応力が生じる。これは、これらの各材料が異なった熱膨張係数を有しているためである。この影響は、モノリシック集積回路の寸法と共に増加する。たとえば、パッケージ、チップ、および支持装置の個々の層の間において剪断力が発生する。モールド材料と支持装置の金属被覆層との間に発生したこれらの剪断力は、とくに危険である。それは、接着力が比較的弱く、また、支持プラットホーム上の金属被覆の熱膨張係数とその上に位置するプラスチックの熱膨張係数が大きく異なっているためである。これは、とくに、支持構造上のボンディングパッドに影響を与える。その結果、多数回の温度サイクル後、プラスチックは被覆表面から剥離するので、相対運動が可能になってしまう。その後、唯一の固定される基準地点は支持プラットホーム上のボンディングパッドであり、それらには当然過度の圧力を加えられ、最終的にはやはり剥がれてしまい、そこの接続は切断される。しかしながら、結果的には、必要とされる均一な基準電位はもはや維持されることができないため、回路が結局完全に故障するまで、その性能は低下を続ける。
【０００４】
したがって、本発明の目的は可能な最も簡単な方法で廉価にこれを改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的は、ボンディングワイヤをチップから直接支持プラットホームに配線するのではなく、この支持プラットホームに接続された一段高くされたペデスタルに配線することにより達成される。このペデスタルはプラットホーム平面より一段高くなっている。それらは、その比較的急峻な側面のために、横方向の動きに関して各ボンディングパッドの領域内において固定される地点を形成する。ペデスタルに必要な高さは、プラスチック材料の可塑弾性（ｐｌａｓｔｏ−ｅｌａｓｔｉｃ）特性から導かれ、実験によって最適化されることができる。適切な高さは、チップの高さのほぼ１／１０からチップ自身の高さまでの範囲内のものである。一段高くされたペデスタルがパンチ工具のようなツールを使用してフレームの製造中にドローイングまたはプレス処理により形成された場合、その高さの範囲は支持体の材料の厚さの約１／１０から支持体自身の厚さまでとなる。これらの制限は、高くされたペデスタルが低過ぎた場合はそれらの転移部が十分に急峻に形成されることができず、また、それらが高過ぎた場合は側面における材料が薄くなり過ぎるか、あるいは断裂することすらあることに起因する。当然ながら、側面がより急峻でれば、それだけ一層固定された地点としての高くされたペデスタルの働きは良くなるが、しかし、これはまた使用されるプラスチック材料の特性に依存する。側面は、たとえば、アンダーエッチング、適切なフランジ形成または後続的なアプセット等を行うことにより９０°より大きい角度で形成されることさえ可能である。また、側面の上端部および下端部におけるト転移部は、可能ならば、小さい半径だけを有するべきであることもまた重要であり、これは、そうでないと、高くされたペデスタル上のボンディングパッドの剥離の一因となる垂直成分が剪断成分に追加されるためである。したがって、側面の最適な高さと、少なくとも４５°であるべきそれらの急峻さは関連している。固定された地点の機能については、全てのペデスタルがボンディングのために使用されなくても、支持装置上に非常に多くのペデスタルを有しているほうがよい。ペデスタル単独の、すなわち、ボンディングパッドを有しない高くされたペデスタルは、たとえば湿度が毛管現象によりパッケージ中に浸透する可能性が生じる剥離の別の欠点に対抗する適切な手段である。
【０００６】
一段高いペデスタルは、支持プラットホームに平行である小さい平面を形成すると共に、２以上の、たとえば離れたステッチボンドを有するパッド等の、ボンディングパッドの形成もまた可能にする。一段高いペデスタル上において２以上のボンディングパッドが形成可能であることは、非常に多数のペデスタルに対する上述の要求と矛盾しない。多くの場合において、低い比抵抗は各パッケージ導線に対する並列なボンディングによってのみ達成され、また、関連したボンディングワイヤは可能な限り短く、かつそのインダクタンスが低くなければならない。
【０００７】
一段高くされたペデスタルが支持プラットホームのエッジ部分に配置された場合、それらはある種の屈曲（ｂｅｎｄｉｎｇ−ｏｆｆ）または折曲げ装置により、たとえば、プラットホームの端部における特定の支持領域をフランジに形成することによって形成されることができる。支持体材料の厚さを考慮する必要のない別の可能性は、材料を分離したペデスタル上に、たとえば、はんだ付けし、溶接し、あるいは接着すること等によって設けることにより一段高くされたペデスタルを形成することである。
【０００８】
高くされたペデスタルの存在はまた、たとえば、銀または金めっき等を行うことによって支持装置の選択的な仕上げを容易にする。一段高くされたペデスタルの形が支持プラットホームの残りのものからはずれているために、支持装置の残りのものがその処理を免れたままにさるように、ペデスタルへの仕上げを制限することが容易である。したがって、材料の節約に加えて、プラスチックの良好な接着が達成される。これは、支持体表面上の酸化銅が一般に使用される仕上げ材料よりはるかに良好にプラスチックに接着するためである。
【０００９】
一段高くされたペデスタルの別の利点は、チップを導線フィンガおよび支持プラットホームにボンディングしているときに高さの差が減少することである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明およびそのさらに発展したものは、例示的な実施形態の以下の説明および添付図面から明らかになるであろう。  
図１は、一段高くされたペデスタル2を備えた支持装置1の一部分の概略的な断面図である。この断面は、フレームの製造中にパンチツールによって形成された一段高くされたペデスタル2を通るような断面である。示されている例において、ペデスタルの高さｈｐは１２０マイクロメートルであり、これは、約２５０マイクロメートルである支持体の高さｈの１／３である。ペデスタルの最適な高さｈｐの範囲は、支持装置1の材料の厚さｈのほぼ１／５乃至２倍である。約３００マイクロメートルの現在一般的なチップの高さと比較すると、これは、このチップの高さの１／１０乃至１．５倍の範囲にほぼ一致する。複数のボンディングに適したものであるために、一段高いペデスタルは十分な長さと幅を有していなければならない。これは、各パッド直径に対してほぼ３５マイクロメートルプラス必要なパッド間隔が必要とされるためである。
【００１１】
図２は、８個のボンディングパッド4を備えた一段高いペデスタル2の上面図である。ボンディングパッド4に関連したボンディングワイヤ5および6は、異なった方向をさしている。したがって、この一段高いペデスタル2により、支持プラットホーム1上の２個の異なったチップは多数のボンディングによってその支持プラットホーム1と接続される。
【００１２】
図３は、モノリシック集積回路を概略的に表す単一のチップ7に対してプラットホームを提供する支持装置1の上面図である。１０個の一段高いペデスタル2および2’がプラットホームのエッジ部分に配置されており、それらの配置はモノリシック集積回路の要求に適応されている。チップ7から一段高いペデスタル2への接続は多数のボンディングによって形成される。同じ支持装置が異なった回路に対して使用されているならば、一段高いペデスタル2および2’のいくつかがボンディングされていないことは有害ではない。逆に、このようなボンディングされていないペデスタルは、本発明の目的内において有効である付加的な固定地点を表す。一段高いペデスタル2’は、ボンディングされていないペデスタルの一例である。上述したように、ボンディングされていないペデスタル2’の使用はまた、剥離に対する改善が必要とされる場合にのみ有効である。以上、種々のボンディング接続が導線フィンガ8，9または10を介してチップ7の信号入力または出力ならびに支持プラットホーム1に配線されることが可能であるが、ここではそのうちの数例を示したに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一段高いペデスタルを備えた支持装置の一部分の断面図。
【図２】複数ボンディングされている一段高いペデスタルの上面図。
【図３】１個のチップと複数の高くされたペデスタルを備えた支持装置の上面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月22日(2005.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持装置(1)がチップ接続領域から浮上がるように高くされたペデスタルをこのチップ接続領域の外側に有しているモノリシック集積回路(7)用の支持装置(1)において、
高くされたペデスタル(2、2’)の各領域は、前記チップ接続領域と比較して比較的小さく、複数の高くされたペデスタル(2、2’)は、支持装置の全高さ（ｈ）を貫通しないスタンピング動作のような方法で高くされたペデスタルを支持装置(1)からプレスするパンチタイプの工具によって支持装置(1)上に生成され、それによって高くされたペデスタル(2、2’)はそれらの上部表面に支持装置(1)と平行な小さい平面を形成していることを特徴とするモノリシック集積回路(7)用の支持装置(1)。
【請求項２】
高くされたペデスタル(2、2’)は、ボンディング接続のために機能し、および、または剥離に関連した固定された地点を形成することを特徴とする請求項１記載の支持装置(1)。
【請求項３】
高くされたペデスタル(2、2’)は、全ての側面(3)が支持装置(1)の平面に関して４５°より大きい角度（α）をなし、これら側面(3)は支持装置(1)の平面に平行な丸みを付けられた接合部を有するか、あるいは全体的に丸みを付けられていることを特徴とする請求項１または２記載の支持装置(1)。
【請求項４】
高くされたペデスタル(2、2’)の高さ(hp)は、チップの高さ(h)の１／１０乃至チップ自身の高さの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【請求項５】
高くされたペデスタルの領域内においてのみ、仕上げ、とくに銀または金による仕上げがボンディング性を良好にするために行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の支持装置(1)。
【国際調査報告】
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