(57)【要約】【課題】本発明は、結晶構造基板上に結晶構造層を堆積する方法及び装置に関する。【解決手段】本発明によれば、少なくとも二つの処理ガスが、互いに分離して、反応器の処理チャンバー（１）に導入される。ここで、第１の処理ガスは、中央出口開口（３）を有する中央ライン（２）を介して流れ、第２の処理ガスは、その周辺にあり、周辺出口開口を有するラインを介して流れる。第２のガスは、一つ以上の供給ライン（５）を介して混合チャンバー（４）に流れ、さらに、付加手段を介して流れる。付加手段は、ガス流に影響を与え、処理ガスの径方向流れプロファイルガスを均質にする。この発明の目的は、簡単な手段を用いて均質な径方向流れプロファイルを得ることにある。このため、本発明では、流れ影響素子を介して第２の処理ガスが流れ、この流れ影響素子は、混合チャンバー（４）の下流に位置し、特に、環状スロットル（７）又は乱流発生器の形態で提供される。そして、第２の処理ガスがガス浸透性ガス放出リング（６）を介して出た後、これらから下流側に位置する環状の予備チャンバーに流れる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つの処理ガスが、互いに分離して、反応器の処理チャンバー（１）に導入され、特に、結晶構造基板上の結晶構造層を堆積する際、第１の処理ガスを中央出口開口（３）を有する中央ライン（２）を介して流し、第２の処理ガスを、中央ラインに関して周辺にあり、周辺出口開口を有するライン（４）を介して流して、第２の処理ガスを一つ以上の供給ライン（５）を介して混合チャンバー（４）に流すと共に、ガス流に影響を与え周辺出口開口から出る処理ガスの径方向流れプロファイルを均質化する手段を介して混合チャンバーに流す方法において、第２の処理ガスは、特に環状スロットル（７）又は渦発生器（１９）の形式で、混合チャンバー（４）の下流に配置された流れ影響素子を介して流れると共に、流れ影響素子の下流に配置された環状の副室を介して流れて、ガス浸透性ガス放出リング（６）を介して出ることを特徴とする堆積方法。
【請求項２】
少なくとも二つの処理ガスが、互いに分離して、反応器の処理チャンバー（１）に導入され、特に、結晶構造基板上に結晶構造層を堆積する装置に用いられ、第１の処理ガスに対する中央出口開口（３）を有する中央ライン（２）と、中央ラインに関して周辺にあり、第２の処理ガスに対する周辺出口開口を有するライン（４）とを有し、前記周辺ラインが、混合チャンバー（４）に開口する一つ以上の供給ライン（５）と、周辺出口開口との間に配置され、ガス流に影響を与えて周辺出口開口から出る処理ガスの径方向流れプロファイルを均質化する手段を備えるガス吸入素子において、混合チャンバー（４）の下流側に配置され、環状スロットル（７）又は渦発生器（１９）の形式の流れ影響素子と、流れ影響素子の下流に配置されるとともにガス浸透性ガス放出リング（６）によって囲まれた環状の副室（８）とを有することを特徴とするガス吸入素子。
【請求項３】
二つ以上の供給ライン（５）がどのような分岐もなく、混合チャンバー（４）に開口していることを特徴とする請求項１の方法又は請求項２のガス吸入素子。
【請求項４】
副室（８）と混合チャンバー（４）との圧力差が副室（８）と処理チャンバー（１）との圧力差よりも大きい範囲で、環状スロットル（７）の流れ抵抗値をガス放出素子（６）の流れ抵抗値よりも大きくしたことを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項の方法又はガス吸入素子。
【請求項５】
前記二つの圧力差は少なくとも１０倍異なることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項の方法又はガス吸入素子。
【請求項６】
供給ライン（５）が非対称に混合チャンバー（４）に開口していることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項の方法又はガス吸入素子。
【請求項７】
前記供給ラインは傾斜して、特に、周辺方向において傾斜して前記混合チャンバーに開口していることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項の方法又はガス吸入素子。
【請求項８】
供給ライン（５、５’）を介して流れるガス流が個々に調整されるようにしたことを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項の方法又はガス吸入素子。
【請求項９】
環状スロットルが、軸（Ａ）に関して軸方向に平行であるか又は傾斜して延びる多数の個々の通路（９）を備え、個々の通路の数が特に供給ライン（５、５’）の数に関して素数であることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１０】
供給ライン（５、５’）が開口される点（１３、１３’）及び／又は個々の通路（５、５’）がガス吸入素子の中央軸（Ａ）に関して点対称に配置されていないことを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１１】
環状スロットル（７）が多孔質材料、特に、水晶又はステンレススチールで構成されていることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１２】
ガス放出リング（６）が多数の出口通路（１０）を備え、好ましくは、出口通路（１０）の数が環状スロットル（７）の個々の通路（９）に関連して素数であることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１３】
出口通路（１０）が櫛状に形成され、特に、傾斜切り欠きで形成されていることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１４】
ガス放出リング（６）の直径が環状スロットル（７）の直径よりも大きいことを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１５】
ガス放出リング（６）が、ガス放出リングキャリア（１４）の縁環によって保持され、その切頭円錐状又は鐘形状の外側面が副室後壁（１５）を形成し、そして、その端面において、中央出口開口（３）が配置されていることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項１６】
一つ又はそれ以上の前請求項によるガス吸入素子を備えて、特に結晶構造基板上に結晶構造層を堆積させるための装置。
【請求項１７】
前記ガス放出リング（６）の前記形状の端面が処理チャンバー（１）のシーリング（１’’）を区画することを特徴とする請求項１６の装置。
【請求項１８】
渦発生器（１９）が混合チャンバーの下流に配置されていることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項の装置。
【請求項１９】
媒体が径方向内側に流れる渦発生器（１９）の個々の通路（２３）が、軸を横切る面に関して傾斜をもって、環状の流れチャンバー（１８）に開口していることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【請求項２０】
環状の流れチャンバー（１８）は、下流方向において広げられ、径方向外側で、媒体が上流に流れる分流環（２２）によって区切られていることを特徴とする一つ又はそれ以上の前請求項のガス吸入素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、結晶構造基板上に結晶構造層を堆積（積層）するための方法に関し、少なくとも二つの処理ガスが、互いに分離されて、反応器の処理チャンバーに導入され、第１の処理ガスが中央出口開口を備える中央ラインを介して流れ、第２の処理ガスが、中央ラインに関して周辺にあり、そして、周辺出口開口を有するラインに沿って流れ、さらに、第２の処理ガスが複数の供給ラインを介して混合チャンバーに流れて、そして、ガス流に影響を与え周辺出口開口から出る処理ガスの径方向流れプロファイルを均質化するためのさらなる手段を介して第２のガスを流すことに関する。
【０００２】
また、本発明は、特に、結晶構造基板上に結晶構造層を堆積するための装置上のガス吸入素子に関し、少なくとも二つの処理ガスが、互いに分離されて、反応器の処理チャンバーに導入され、第１の処理ガスに対する中央側端出口開口を備える中央ラインを有するとともに、中央ラインに関して周辺にあり、そして、第２のガスに対する周辺出口開口を有するラインを有し、周辺ラインが、混合チャンバーに開口する一つ以上の供給ラインと、周辺出口開口との間でガス流に影響を与えて周辺開口から出る処理ガスの径方向流れプロファイルを均質化するための手段を備えるガス吸入素子に関する。
【０００３】
【従来の技術】
このタイプの装置はすでに知られており、例えば、米国特許第６，０８０，６４２号から、このような装置が知られている。この特許には、二つのガス供給ラインを備えるガス吸入素子が開示されており、一方の処理ガスに対して各々を、互いに分離して処理ガスを処理チャンバーに供給する。ここで、アルシン又はホスフィンが中央ラインを介し、ガス供給素子を介して案内される。中央ラインは、実質的に回転対称なガス導入素子の端側で終わり、第２の処理ガスが単一のパイプラインによって混合システムからガス吸入素子に供給される。ガス吸入素子の領域において、この供給ラインは初期的に二つの二次的供給ラインに分岐する。これら二つの二次的供給ラインは、再び各々が三次的供給ラインに分岐し、合計４つのラインが混合チャンバーに対称的に開口する。個々の通路は、さらに周辺出口開口に分岐し、この混合チャンバーから導かれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
パイプ径における増減の結果として、このカスケード状の分割が不均一性の流れ状態に導くかもしれない。さらに、この分割は互いに分離した二つのガスの一方（片面）において、非対称な供給に対しては適切ではない。
【０００５】
この発明は、第２の処理ガスを非対称に混合チャンバーに供給して、処理パラメータ又は反応器の幾何学的形状が異なる種類であっても、出口開口から出る第２の処理ガスの均質な径方向流れプロファイルを達成する手段を提供することを目的とする。
【０００６】
さらに、この発明は、簡単な手段で均質な径方向流れプロファイルを達成できる方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この目的は、請求項に記載されたこの発明によって達成される。請求項１で提案された方法では、第２の処理ガスが流れ影響素子を介して流れ、特に、環状スロットル又は渦発生器の形態で、混合チャンバーの下流側に流れ影響素子の下流に配置された環状の副室を介して配置され、ガス浸透性ガス放出リングを介して第２の処理ガスが流れ出る。
【０００８】
請求項２に記載された装置では、例えば、環状のスロットル又は渦発生器のような流れ影響素子が混合チャンバー及び環状の副室の下流に配置され、環状の副室が流れ影響素子の下流に配置されて、ガス浸透性ガス放出リングによって囲まれている。方法パラメータ又は幾何学パラメータは、副室と混合チャンバーとの圧力差が副室と処理チャンバーとの圧力差よりも大きくなる範囲によって、環状スロットルの流れ抵抗値がガス放出リングの流れ抵抗値よりも大きくなるように選択される。好ましい構成では、これら二つの圧力差は、少なくとも１０倍異なる。複数の、特に、二つの供給ラインが混合チャンバーに非対称に開口できる。供給ラインは、傾斜して、特に、周辺方向において傾斜して、混合チャンバーに開口することが好ましい。供給ラインを介して流れるガス流は、個々に調整することができる。特に、供給ラインを介して異なるガスを流すことができる。例えば、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム等が一つの供給ラインを介して流れる。金属有機添加物が、混合チャンバーに開口する他の供給ラインを介して流される。流れパラメータは、出口開口までの全てのラインが可能な限りガス吸入素子の内側の反応ガスの分解を回避する温度に維持されるように設定される。その結果、特に、ガス放出リング上の堆積が回避される。環状スロットルは、多数の個々の通路を備える不浸透性材料から成る。特に、環状スロットルは、水晶（石英）からなる。個々の通路の数は、供給ラインの数に関連して素数である。この結果は、周辺方向における異なるスペースが供給ラインの開口と個々の通路の開口との間に形成されることになる。特に、供給ラインが開口する位置ばかりでなく個々の通路も、ガス吸入素子の中央軸に関して点対象に配置されない。このことは、径方向の流れプロファイルを均質化することに寄与する。本発明の変形では、スロットルは多孔質材料、例えば、多孔質の水晶から成り、特に、原料として構成される。しかしながら、ステンレススチールで構成されるかもしれない。特に、ステンレススチール発泡体で構成される。同様に、ガス放出リングは、多孔質材料、例えば、水晶で構成される。変形例において、ガス放出リングは、多数の通路を有し、好ましくは、出口通路の数は、環状スロットルの個々の通路に関して素数である。出口通路は、櫛状で形成され、特に、傾斜切り欠きである。ガス放出リングの直径は、環状スロットルの直径よりも大きい。環状スロットルの正面の混合チャンバーの空間において、環状スロットルの後ろ側のガス圧よりもかなり高いガス圧が形成され、それによって、周辺的に対称なガス流が環状スロットルを介して流れる。この周辺対称なガス流は、副室内に開いている。混合チャンバーのように、副室は、中央ライン周りにリングの形状で配置され、副室は、好ましくは、分割されず、これによって、周辺方向におけて事実上一定な圧力が副室内に設定され、この圧力は、ガス放出リングを囲む処理チャンバー内の圧力よりも僅かに高い。この僅かな圧力差によって、ガスは、ガス放出リングを介して、特に、周辺方向に、均質的に、好ましくは層流で流れる。
【０００９】
本発明の改良点において、また、渦発生器が混合チャンバーの上流に配置される。混合チャンバーから流れるガスは、渦発生器を介して中央流れチャンバーに送られ、ここで、その場所で発生する渦によって混合される。この渦発生器には環状スロットルが続いているかもしれない。本発明による変形例によれば、装置は、混合チャンバーの下流に配置された渦発生器と、渦発生器の下流に配置され、ガス浸透性ガス放出リングで囲まれた環状副室を有している。渦発生器の個々の通路のすぐ下流に配置された環状の流れチャンバーにおいて、この渦発生器は、環状の流れを発生して、反応ガスがここで混合される。媒体が径方向内側に流れる渦発生器の個々の通路は、軸方向に交差する平面に関して傾斜を持って環状の流れチャンバーに開口していることが好ましい。環状の流れチャンバーは下流方向に広くすることができ、径方向外側において、媒体が上流方向に流れる分流環によって区切られている。この渦もガス組成の均質化に効果を有する。環状流れチャンバーにおいて、中央供給ライン周りに流れる周辺流とともに、この環状の渦は、ガスの均質混合において改善の効果がある。拡張され配置された流れを含む環状流れチャンバーの体積は、一又は数ミリリットルの領域内であるので、渦は単にごく僅かな蓄積機能を有しているのみである。環状スロットルは後ろ側に対して分流環と協働する。この環状スロットルは、ガスが流れる多数の穴を有している。穴は偏向環の偏向壁に向かっており、この偏向環は、ガスが回りに流れ、径方向内側に向かう突起によって形成されるかもしれない。
【００１０】
方法の変形例においては、混合チャンバーに開口する少なくとも二つの供給ラインを有している。本発明によれば、供給ラインの一つを介して流れる十倍を越えるガスが少なくとも一つのさらなる供給ラインを介して流れる。容積流れにおけるこの著しい差は、混合チャンバーにおいて改善された均質ガス混合を引き起こす。この手続きによって、環状スロットル又は渦発生器を省くことができる。供給ラインの一つを介して流れる十五倍を越えるガスが少なくとも一つのさらなる供給ライン又は全てのさらなる供給ラインを介して流すことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【００１２】
ガス吸入素子は、特に金属有機成分及び水素化物から、半導体基板上に半導体層を堆積する際、エピタキシー反応器で用いられる。このタイプの装置は、例えば、米国特許第６，０８０，６４２号に示されている。反応器は、基板キャリアを備えており、基板キャリアは、実質的に円形ディスク形状であって、その上に、回転駆動基板ホルダー上に配置された基板が平面的に配置される。さらに、本発明のガス吸入素子は、特に結晶構造基板に結晶構造層を堆積する他の装置にも適合する。特に、本発明のガス吸入素子は、モジュラー構造であるため、キャリアガス（水素、窒素、又は不活性ガス）及び処理温度のような、異なる処理パラメータに合致させることができる。さらに、ガス吸入素子は、適当な成分を選択することによって、異なる処理温度に合致させることができる。
【００１３】
反応器は処理チャンバー１を備え、処理チャンバー１は処理チャンバーベース１’及び処理チャンバーシーリング（天井）１’’を有している。ガス吸入素子は処理チャンバー１の中央に配置され、領域において、それは、ベース１’とシーリング１’’との間の空間に突出している。ガス吸入素子は、アルシン又はホスフィンが処理チャンバー１に流れ込む中央ライン２を有しており、この水素化物がガス吸入素子の端側で実質的に漏斗形状の中央出口開口３から出る。ガス吸入素子の周辺側には、ガス放出リング６があり、これは中央ライン２を形成するガス放出リングキャリア１４の縁部上に支持されている。ガス放出リング６はその上端面によって処理チャンバー１のシーリング１’’に対してはめ込まれている。
【００１４】
ガス放出リング６は、多孔質材料で作られるか又は開口を有しているという事実によって、ガス浸透性（透過性）であり、開口はスロットとして形成される。第１の二つの実施例（図１〜図５）に示された実施例では、多孔質水晶から作られたガス放出リング６を有している。図６〜図１０に示された実施例において、ガス放出リング６は多数の出口通路１０を有しており、これら通路は、ガス放出リング６の一方の縁に向かって開口されたスロットとして形成されている。従って、このガス放出リング６は、櫛状構造を有している。
【００１５】
図７から分かるように、個々の出口通路１０は中央に関して傾斜して延びる切り欠きとして形成されるかもしれない。
【００１６】
ガス放出素子６の後において、環状の副室８がある。副室８の後壁１５の形状は、ガス放出リング６の構成に依存しており、ガス放出リング６が多孔質体として形成されると、後壁１５は、好ましくは、切頭円錐状であり、これによって、第２の処理ガスが軸方向においてガス放出リング６を介して均一に流れる。
【００１７】
副室８の上流には、ガス放出素子内の環状の空洞があり、この環状空洞に、環状スロットル７がある。図１に示す実施例において、環状スロットル７は、五つの個々の通路９を備える円形水晶ディスクを有し、これら通路はガス放出素子の軸に関して平行であるか又は傾けられている。
【００１８】
図５に示す実施例において、環状スロットル７は同様の構成であるが、かなり大きな厚さを有している。図５に示す実施例において、個々の通路９は図１に示す実施例のものよりも長い。
【００１９】
図６〜図１０に示す実施例において、副室後壁１５は、鐘状構造を有しており、これによって、狭い入口隙間１６が、その反対側に偏向壁１７を有して形成される。偏向壁１７は櫛状の歯が始まりからガス放出リングの縁部によって形成される。入口隙間１６の上流には、環状スロットル７があり、その直径はガス放出リング６の直径よりも小さい。
【００２０】
スロットル７は、多穴質材料から構成され、例えば、多孔質水晶から構成される。スロットル７はステンレススチール発泡体又は流れ抵抗値がある他の材料から生成するようにしてもよい。環状スロットル７とガス放出リング６の特質は、環状スロットル７がガス放出リングよりもガス流に対する大きな流れ抵抗値を現すように、互いに合致され、これによって、環状スロットル７の上流に配置された混合チャンバー４と副室８との圧力差が副室８と処理チャンバー１との圧力差よりも大きくなる。二つの圧力差の差は、少なくとも１０倍であるが、１００倍であるかもしれない。例の方法によって、１〜１００ミリバールの圧力差がスロットルにおいて設定され、一方、単に０．１ミリバールの圧力差が副室と処理チャンバーとの間にある。
【００２１】
図４、図１１及び図１２から特に分かるように、第２の処理ガスのための供給ライン５が、中央ライン２の中央に位置する中央軸Ａに関して非対称に配置されており、参照番号１３及び１３’で示される位置において、二つの供給ライン５、５’が環状の混合チャンバー４に開口している。これらは径方向に関して傾斜して混合チャンバー４に開口されるかもしれず、これによって、ガス流の回転運動が混合チャンバー４内で確立される。
【００２２】
実施例において、五つの個々の通路９は二つの供給ライン５、５’又は開口１３、１３’と協働する。ガス放出素子６の１６個の出口通路１０はこれら五つの個々の通路９と協働する。
【００２３】
図１２から分かるように、供給ライン５、５’の各々は、個々のマスフロー調整器１２、１２’を有しており、これによって、入力ガス流れが調整される。中央ライン２に導く供給ライン１１は、このタイプのマスフロー調整器１３’’’を有している。
【００２４】
図９及び図１０に示す実施例は、ガス放出リングキャリア１４を備えており、これは、大径のガス放出リング６が位置する拡張された端面及び周辺環を有している。
【００２５】
ガス放出リング６の直径の選択及び／又は出口通路１０の領域の選択、そして、それらを環状スロットル７の流れ抵抗値に適合する方法は、使用されるガスの粘度及び密度の関数として効果的である。
【００２６】
好ましくは、スロットルの個々の通路９におけるレイノルズ数が、ガス放出リングの出口通路１０におけるレイノルズ数よりも大きい。
【００２７】
図１３及び図１４に示す実施例において、渦発生器１９が混合チャンバー４の後に配置されている。この渦発生器１９は、多数の個々の通路２３を有しており、これらの通路は、軸方向を横切る平面に関して角度をもって傾けられて、径方向内側に向かい、環状流れチャンバー１８に接線方向に開口している。この流れチャンバー１８は、中央ライン２のケーシングの領域に配置されている。環状流れチャンバー１８に接線方向に開口する個々の通路２３によって、中央ライン２の周りに延びる渦が、そこで形成される。
【００２８】
環状流れチャンバー１８は下流方向に向かい、径方向に大きくなる。この拡張された領域において、環状流れチャンバー１８は、ガスが上流側に流れる分流環２２によって径方向外側で区分されている。逆流のため、環状の渦が、環状流れチャンバー１８の下流側に位置する拡張された領域に形成される。
【００２９】
分流環２２の後において、環状スロットル７があり、この環状スロットル７は、多数の軸方向穴を有している。図示はしないが、軸方向穴は、偏向壁２１の方向に開口しており、偏向壁２１は、径方向内側に延び入口隙間１６を規定する偏向環２０によって形成されている。軸方向穴の代わりとして、傾斜して延びる穴を用いてもよい。
【００３０】
本発明の方法の展開によれば、少なくとも二つの供給ライン５が混合チャンバー４に開口している。本発明によれば、供給ラインの一つに流れるガスの少なくとも１０倍、好ましくは、１５倍のガスが、混合チャンバーに開口する他の全ての供給ライン５に流される。この結果、乱流が混合チャンバー４内で発達し、これによって、下流側に向かうガス流が、周辺方向において事実上均質なガス組成を得る。
【００３１】
【発明の効果】
このようにして、本発明では、簡単な手段を用いて均質な径方向流れプロファイルを得ることができる。なお、開示した全ての形態は、（本質的に）本発明に該当する。補助的な／追加された優先書類（先行出願のコピー）の開示内容は、本出願の請求項におけるこれらの書類の具体化形態の観点で、本出願の開示においてその全体に組み込まれる。
［図面の簡単な説明］
図１は、反応器に適合するガス吸入素子の関連する要素が図式的に示された本発明の第１の実施例を示す断面図である。
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面を示す図である。
図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面を示す図である。
図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線の断面を示す図である。
図５は、図１に対応する本発明の第２の実施例を示す図である。
図６は、図１に対応する本発明の第３の実施例を示す図である。
図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の断面を示す図である。
図８は、図１に対応する本発明の第４の実施例を示す図である。
図９は、図１に対応する本発明の第５の実施例を示す図である。
図１０は、図１に対応する本発明の第６の実施例を示す図である。
図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線の断面を示す図である。
図１２は、ガス吸入素子に導入される供給ラインを示す図である。
図１３は、本発明の第７の実施例を示す図である。
図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線の断面を示す図である。
【国際公開パンフレット】
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2004529834.tif 000004
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【国際調査報告】
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