(57)【要約】集積回路デバイスを電気的に試験するために使用されるタイプの垂直ピンプローブ装置に使用するためのプローブヘッド組立体（６６）は、複数の積層金属層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）から形成された金属スペーサ（７４、７６）部分を有する。積層金属層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）は、アンバーのような熱膨張係数の低い金属、３６％のニッケルと６４％の鉄の合金から形成される。隣接ホイル層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）の金属粒子の配向からオフセットされるように、積層金属層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）の金属粒子を配向することによって、強度および平坦度の向上が達成される。
2004518957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直ピンプローブ装置に使用するために適切なプローブヘッド組立体（６６）において、
第１の最内側面と第１の最外側面と中心に配置された第１のアパーチャ（７８）とを有する第１のスペーサ部材（７４）と、前記第１の最外側面に隣接する前記第１のアパーチャ（７８）にまたがる、パターンを画定する第１の組の貫通孔を有する第１の誘電体シート（５６）と；
第２の最内側面と第２の最外側面と中心に配置された第２のアパーチャ（８０）とを有する第２のスペーサ部材（７６）と、前記第２の最外側面に隣接する前記第２のアパーチャ（８０）にまたがる前記第１の誘電体シート（５６）に対し略平行である第２の誘電体シート（５８）であって、該第２の誘電体シート（５８）が、前記同一のパターンを規定するが前記第１の組の貫通孔との垂直配列から水平にオフセットされる第２の組の貫通孔を有し、前記第２の最内側面が前記第１の最内側面に隣接する、第２の誘電体シート（５８）と；を有し、
また前記第１のスペーサ部材（７４）および前記第２のスペーサ部材（７６）の少なくとも一方が、共にラミネートされた低い熱膨張係数の金属合金ホイルの複数のラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）から形成された複合材であり、少なくとも第１のラミネート層（７４ａ、７６ａ）および第２のラミネート層（７４ｂ−ｅ、７６ｂ−ｅ）が、非整列の細長い金属粒子（９６）を有することを特徴とするプローブヘッド組立体。
【請求項２】
前記第１のスペーサ部材（７４）および前記第２のスペーサ部材（７６）の両方が、共にラミネートされた低い熱膨張係数の金属合金ホイルの複数のラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）から形成された複合材であり、少なくとも第１のラミネート層（７４ａ、７６ａ）および第２のラミネート層（７４ｂ−ｅ、７６ｂ−ｅ）が、非整列の細長い金属粒子（９６）を有することを特徴とする、請求項１に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項３】
前記ラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）が、７ｘ１０−６ｍ／ｍ／°Ｋ内にある熱膨張係数、試験下の集積回路デバイスの熱膨張係数を有することを特徴とする、請求項２に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項４】
前記誘電体層（５６、５８）が、７ｘ１０−６ｍ／ｍ／°Ｋ内の熱膨張係数、前記ラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）の熱膨張係数を有するセラミックであることを特徴とする、請求項３に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項５】
前記ラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）がアンバーであり、前記セラミック誘電体シート（５６、５８）が窒化ケイ素であることを特徴とする、請求項４に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項６】
前記複数のラミネート層（７４ａ、７６ａ）の各々が、前記複数のラミネート層（７４ｂ−７４ｅ、７６ｂ−７６ｅ）の隣接する各ラミネート層からオフセットされた細長い金属粒子（９６）を有することを特徴とする、請求項２に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項７】
前記複数のラミネート層（７４ａ、７６ａ）の各々が、前記複数のラミネート層（７４ｂ−７４ｅ、７６ｂ−７６ｅ）の隣接する各ラミネート層から９０°オフセットされた細長い金属粒子（９６）を有することを特徴とする、請求項６に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項８】
前記ラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）がアンバーであり、前記セラミック誘電体シート（５６、５８）が窒化ケイ素であることを特徴とする、請求項６に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項９】
前記複数のラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）が最内側層から最外側層に延在し、また前記アパーチャ（７８、８０）が、前記最内側層においてよりも前記最外側層においてより大きな周辺長さを有し、これによってシェルフを形成することを特徴とする、請求項２に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項１０】
前記誘電体シート（７８、８０）が、前記シェルフによって支持されるセラミックであることを特徴とする、請求項９に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項１１】
前記セラミックシート（７８、８０）が前記シェルフに接着（８２、８４）接合されることを特徴とする、請求項１０に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項１２】
前記複数のラミネート層（７４ａ、７６ａ）の各々が、前記複数のラミネート層（７４ｂ−７４ｅ、７６ｂ−７６ｅ）の隣接する各ラミネート層からオフセットされた細長い金属粒子（９６）を有することを特徴とする、請求項１１に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項１３】
前記複数のラミネート層（７４ａ、７６ａ）の各々が、前記複数のラミネート層（７４ｂ−７４ｅ、７６ｂ−７６ｅ）の隣接する各ラミネート層から９０°オフセットされた細長い金属粒子（９６）を有することを特徴とする、請求項１２に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項１４】
前記ラミネート層（７４ａ−７４ｅ、７６ａ−７６ｅ）がアンバーであり、前記セラミック誘電体シート（５６、５８）が窒化ケイ素であることを特徴とする、請求項１３に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【請求項１５】
前記スペーサ部材（７４、７６）が、１ｃｍ当たり０．０００２ｃｍ未満の平坦度変化を有することを特徴とする、請求項１４に記載のプローブヘッド組立体（６６）。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の背景）
（１）発明の分野
本発明は、垂直ピンプローブ装置のような、半導体試験装置における上方ダイと、小直径の試験ピンを案内する下方ダイとの組み合わせに関する。より詳しくは、上方ダイと下方ダイは、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）の合金の比較的薄い複数の金属層をラミネートすることによって形成された開口フレーム部分を有する。一列の孔を有する低いＣＴＥのセラミックインサートは、アパーチャをシールしまた小直径の試験ピンを案内する。
【０００２】
（２）関連技術の説明
集積回路の製造は、何百もの個々の集積回路（ＩＣ）のオーダで、直径が２０．３ｃｍ（８インチ）のオーダの比較的大きな単一のシリコンウェハ上に、フォトリソグラフィによってチップが形成される状況に進歩している。製造および試験後、個々のチップは個々の装置に組み立てるために単一化される。比較的大きなシリコンウェハを処理することがより容易であるので、単一化の前にチップの機能試験を行うことが好ましい。ウェハ上のチップを試験するために、いくつかの試験装置が利用可能である。ウェハ状態にある集積回路は、プローブ装置を使用して試験され、そのプローブは従来片持ちまたは垂直構造である。垂直ピンプローブ装置の公知のタイプでは、プローブは、離間した上方ダイと下方ダイとの間に保持され、また一般に湾曲し、ハウジングの下方ダイを通して略垂直に突出する直線部分を有する。試験下のウェハが持ち上げられてプローブ装置と接触し、次に、数インチの１０００分の１だけオーバドライブされるとき、プローブはハウジングの中に後退し、プローブの湾曲部分は偏向して、集積回路パッドとの優れた電気的接触をもたらすばね力を引き起こす。
【０００３】
従来、プローブピンを案内するハウジングは、誘電体材料、しばしばＤｅｌｒｉｎ（登録商標）、Ｅ．Ｉ．ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ＆Ｃｏ．ＷｉｌｍｉｎｇｔｏｎＤＥの商標名のようなプラスチックから製造される。いくつかのＩＣ試験プロトコルは、２つ以上の異なる温度、例えば０℃と１３５℃（３２°Ｆと２７５°Ｆ）でチップ機能を試験することを含む。可塑性の従来技術のプローブハウジングは、試験下のＩＣウェハのシリコンベースの材料の熱膨張率よりも相当高い熱膨張率で膨張する。膨張差は、プローブ位置とＩＣパッド位置との不整合の原因となり、満足のゆく電気的接触形成の不具合をもたらすのみならず、ＩＣの回路領域におけるプローブ浸透の故にＩＣに致命的な損傷をもたらす条件の原因となり得る。
【０００４】
この問題に対する１つの解決方法は、特定の試験温度において、プローブ位置とパッド位置とのほぼ正確な整合を行うべくプローブが拡張するように、ハウジング内のプローブの室温ピッチ寸法を寸法的に補償することである。狭い範囲の温度を除いて、この選択は、各特定の温度のために別個のプローブ装置を必要とし、したがって、プローブ装置に対するユーザの財政的投資を大幅に増加する。
【０００５】
他の解決方法は、シリコンウェハの熱膨張係数と整合する可塑性または他の適切な誘電体を見つけることであろう。しかし、現在のところ、大部分の実用的な選択による誘電性材料は、シリコンよりもはるかに高い膨張率を有する。プラスチックの高温能力は一般に限定され、このため、ＩＣの高温検査のためのプラスチックの使用が妨げられる。
【０００６】
米国特許第６，１６３，１６２号、表題「Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｐｉｎ  Ｐｒｏｂｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ」は、ピンを案内するハウジング部分を低いＣＴＥの金属、アンバーから形成することを開示している。アンバーは、Ｉｍｐｈｙ，Ｓ．Ａ．の商標名である。
【０００７】
アンバーは、重量で３６％のニッケルおよび６４％の鉄の名目組成、およびシリコンにほぼ等しいＣＴＥを有する合金である。アンバーは導電性である。ハウジングによるピンの電気短絡を防止するために、上記の特許は、ポリマまたはセラミックのような誘電体でピンガイドリセスを被覆することを開示している。誘電体は、被覆またはインサートとしてリセス内に配置することが可能である。開示されているポリマは、Ｖｅｓｐｅｒ（登録商標）で、ＤｕＰｏｎｔの商標名である。開示されたセラミックは、Ｍａｃｒｅ（登録商標）で、Ｃｏｍｉｎｇ  Ｇｌａｓｓ  Ｗｏｒｋｓ，Ｃｏｍｉｎｇ，ＮＹの商標名である。典型的に、誘電体がセラミックであるならば、アンチスティック被覆がセラミックに適用される。開示されている適切なアンチスティック被覆は、Ｗｈｉｔｆｏｒｄ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製造のＸＹＬＡＮＸ（登録商標）である。
【０００８】
米国特許第６，２９７，６５７号、表題「Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｂｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ」は、ダイハウジングがアンバーの加工ブロックであるよりも、むしろ多層のアンバーホイルを接着剤で被覆し、かつ共にラミネートして、ダイハウジングを形成し得ることを開示している。この構造も導電性であり、ピンガイドリセスを適切な誘電体で被覆することが必要である。
【０００９】
試験下のチップ上の回路トレースの間の間隔は、数ミクロンのオーダにある。この結果、プローブヘッド組立体は極めてきつい許容差を有する。フレームは極めて平坦にかつ正確に機械加工されなければならない。これは、０．１５ｍｍ（０．００６インチ）のピッチを有する最高４０００のプローブを保持するために、２．２９ｍｍ（０．０９インチ）のオーダの深さを有する機械加工されたポケットを収容し得る２．５４ｍｍ（０．１インチ）のオーダの厚さを有する大きなアンバーフレームにとって面倒であることが示されている。複雑な従来の機械加工工程に関連した時間と費用に加えて、薄いフレームを横切って大量の金属を除去することは、フレームに応力を及ぼして変形する傾向を有し、機械加工された完成部分の高い排除率をもたらす。
【００１０】
したがって、精密形成と、低い排除率と、機械加工によって与えられる内部応力の本質的な欠如とを特徴とするプローブカードフレームを製造するための比較的低コストの工程の必要性が存在する。
【００１１】
（発明の概要）
上述の目的、特徴および発明は明細書および以下の図面からより明白になるであろう。
【００１２】
（詳細な説明）
図１と図２は、「スペーストランスフォーマ」と呼ばれる相互接続装置と共に使用される垂直ピンプローブ装置と、従来技術から公知のようなプリント回路基板とを示している。図１を参照すると、時に「プローブカード」と呼ばれるプリント回路テストボード１０は、集積回路試験装置（図示せず）にテスト回路関係で接続される導電性トレース１２を含む。実際に、トレース１２は、プリント回路基板上の「ポゴパッド」に通じ、このパッドに、所定の試験の際に試験装置の外部リードが接続される。試験下の集積回路１４または他の装置は、移動可能なチャック１６上に支持される。集積回路１４は、典型的に、Ｗｅｎｔｗｏｒｔｈ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ  ｏｆ  Ｂｒｏｏｋｆｉｅｌｄ，ＣＴによって販売されているＣＯＢＲＡ（登録商標）プローブヘッドのような垂直ピン集積回路プローブヘッド組立体１８によって同時に検査されるコンタクトパッドのパターンまたはマトリックスを有する。典型的に、ＩＣは、シリコンまたはガリウムヒ素のウェハ上のフォトリソグラフィによって形成された回路特性を有する多数のチップの１つである。試験後、チップは分離され、これは時に単一化と呼ばれる。プローブ装置１８は、スペーサ２４によって分離されかつ多数の垂直ピンプローブ２６、２８を支承する一列の第１の孔を有する第１のダイ２０と一列の第２の孔を有する第２のダイ２２とを含む。ダイ材料は、典型的に、Ｄｅｒｌｉｎ（登録商標）アセチル樹脂のような可塑性の絶縁材料から製造される。
【００１３】
図２は、第１の配列の孔２１の１つから突出するプローブ先端２６ａと、第２の配列の孔２３の１つから突出するプローブヘッド２６ｂとを含む代表的なプローブ２６を示した拡大断面図である。垂直プローブピン２６の反対側端部を収容する孔２１、２３は、互いに僅かにオフセットされ、またプローブピンは、僅かな垂直方向の不均一性または不整合にもかかわらず集積回路パッド１４ａ上に実質的に均一な接触圧力を形成するように、スネークのような構造に曲げられて、座屈を容易にする。
【００１４】
図１に戻ると、スペーストランスフォーマ２９は、その中に形成されたウェル３２を有する装着ブロック３０を含む。ウェルの底部には、プローブヘッド組立体１８の露出ヘッド２６ｂによって画定される第１の小さな内部パターンに寸法的に対応するように、いくつかの孔３４が配列される。プローブヘッド組立体１８は、分かりやすくするためスペーストランスフォーマ２９から分離されて示されているが、実際の操作では、ねじ（図示せず）によってスペーストランスフォーマに接続される。
【００１５】
個々の絶縁ワイヤ３６は、一方の端部でＰＣＢトレース１２に接続され、また他方の端部で、ワイヤは、プローブヘッド組立体１８がスペーストランスフォーマ２９にボルト締めされるときにブロック３０の下側のプローブヘッド２６ｂと電気接触するように、装着ブロック３０の孔３４内に延在する。
【００１６】
スペーストランスフォーマ２９は、ねじ３８のような手段によってＰＣボードに取り付けられ、エポキシ注封材料３９がワイヤ３６を固定化する。プローブヘッド組立体１８は、スペーストランスフォーマ２９の下側にねじ（図示せず）によって取り付けられ、この結果、プローブヘッド２６ｂはワイヤ３６との電気的接触を形成する。集積回路１４は、機能試験の間にプローブ先端２６ａと物理的に接触しかつ電気的に連続するいくつかの離間したコンタクトパッド１４ａを有する。ダイ材料の熱膨張係数が実質的にシリコンウェハの熱膨張係数（約１．６ｘ１０−６インチ／インチ／°Ｆ、すなわち約２．８ｘ１０−６ｍ／ｍ／°Ｋ）と異なるならば、プローブ先端２６ａは、試験温度の範囲にわたってコンタクトパッド１４ａと接触しない可能性がある。
【００１７】
次に図３、図４、図５を参照すると、温度補償された改良垂直ピンプローブヘッド組立体は、参照番号４０によって一般に示され、第１のダイ部材４２と第２のダイ部材４４とを含む。ダイは共に保持され、また周縁の周りに適切に配置された孔４６を通過するねじまたは他の締結具（図示せず）によって、装着ブロック３０（図１）に装着される。第１および第２のダイ部材４２、４４の各々は、それぞれアパーチャ５２、５４をそれぞれ有するスペーサ部材４８、５０を含む。アパーチャ５２、５４は、試験下のＩＣに合致する任意の適切な形状であることが可能であり、典型的に長方形である。アパーチャ５２、５４は、薄い誘電体シート５６、５８によってそれぞれ封止される。
【００１８】
スペーサ部材４８、５０は、回路基板を形成するシリコンの熱膨張係数に可能な限り近い熱膨張係数を有する基板コア材料から製作される。１つの好ましい材料はアンバーである。アンバーは、３６％のニッケルの名目重量組成において、シリコンの熱膨張係数よりも僅かに小さい１．０ｘ１０−６インチ／インチ／°Ｆ（１．８ｘ１０−６ｍｅｔｅｒ／ｍｅｔｅｒ／°Ｋ）の熱膨張係数を有する。熱膨張係数は、望むなら、関連技術で公知の合金のニッケルの割合を調整することによって、正確にシリコンの熱膨張係数と一致するように変更し得る（Ｓｉｓｃｏ  Ｍｏｄｅｒｎ  Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ  ｆｏｒ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ第２版２９９ページ）。他のＣＴＥの低い金属および約４ｘ１０−６インチ／インチ／°Ｆ（７ｘ１０−６ｍ／ｍ／°Ｋ）以内のＣＴＥ、シリコンのＣＴＥを有する金属合金も使用することが可能である。
【００１９】
誘電体シート５６、５８は、約４ｘ１０−６インチ／インチ／°Ｆ（７ｘ１０−６ｍ／ｍ／°Ｋ）内のＣＴＥ、シリコンのＣＴＥを有する任意の剛性誘電体から形成され、試験温度の範囲にわたって構造的完全性を維持する。適切な材料には、セラミックと窒化ケイ素セラミックを有するガラスとが含まれ、（ＣＴＥ＝１．７ｘ１０−６インチ／インチ／°Ｆ（３．０ｘ１０−６ｍ／ｍ／°Ｋ）が最も好ましい。
【００２０】
関連技術で以前に公知のように、プローブピン６４は、第１および第２のダイ部材４２、４４のスペーサ部材４８、５０によってそれぞれ支持された誘電体シート５６、５８内の離間かつオフセットされた孔６０、６２のパターンの間に延在する。プローブピン６４の一方の端部は、配置されるプローブ先端６４ａに終端し、プリント回路テストボードに通じるワイヤ（例えば図１の３６）との電気的接触を形成する。プローブピン６４の対向端部は、試験下のウェハの検査時に公知の方法で孔６２内で摺動するプローブ先端６４ｂに終端する。
【００２１】
図３の線Ａ−Ａに沿った図４の断面図を参照すると、第１の誘電体シート５６の周縁はスペーサ部材４８の第１の表面６５に装着され、また第２の誘電体シート５８はスペーサ部材５０の第１の表面６７に装着され、この結果２つの誘電体シートは離間した関係で分離保持されることが理解される。第１の誘電体シート５６は、レーザまたは他の適切な手段によって所定の第１の孔パターンで穿孔された複数の孔６０を含む。第２の誘電体シート５８は、小さな値、典型的に０．５１ｍｍ（０．０２インチ）のオーダで当該パターンが第１のパターンからオフセットされる点を除いて、レーザまたは他の適切な手段によって同一の所定のパターンで同様に穿孔された複数の孔６２を含む。
【００２２】
寸法通りでない図５の拡大断面図を参照すると、スペーサ部材４８のアパーチャ５２は、第１の表面６５のその周縁の周りで拡大されて、レッジ５２ａを設け、また同様の周縁レッジ５４ａがスペーサ部材５０の第１の表面に設けられる。第１の誘電体シート５６は、比較的薄く（名目０．２５ｍｍ（０．０１インチ））、また第２の誘電体シートも比較的薄いが、第１のシートよりも典型的に厚く、好ましい名目厚さは０．５１ｍｍ（０．０２インチ）である。誘電体シート５６、５８はアパーチャ５２、５４にまたがるように装着され、エポキシまたは他の適切な手段のような高強度の剛性接着剤によって、レッジ５２ａ、５４ａに接合される。
【００２３】
本発明によれば、我々は、窒化ケイ素セラミックが、改良垂直ピンプローブ装置に使用される誘電体シート５６、５８に理想的に適していることを発見した。窒化シリコンセラミックは、高温における高い機械的強度、熱衝撃抵抗性および強靱さを提供し、ならびに低い摩擦係数を有し、アンチスティック材料を被覆する必要なしにプローブピンの摺動を可能にする。窒化ケイ素シートは、熱間プレスによって通常製造され、二相、アルファおよびベータの多結晶セラミックである。このシートは、１．７ｘ１０−６インチ／インチ／°Ｆ（３．４ｘ１０−６ｍｅｔｅｒ／ｍｅｔｅｒ／°Ｋ）の熱膨張係数を有し、これはシリコンの熱膨張係数よりも僅かに大きい。スペーサ部材４８、５０の熱係数はシリコンの熱係数よりも僅かに小さく、また窒化ケイ素の熱係数はシリコンの熱係数よりも僅かに大きいので、ダイ部材に使用される２つの材料は互いに協働して、ダイ部材の全体的な熱係数がシリコンウェハの熱係数に密に近似するようにさせる。
【００２４】
本発明の代替的実施態様が、図３、図４、図５にそれぞれ対応する図６、図７、図８に示されている。中実のアンバーのスペーサ部材を使用するよりむしろ、我々は、積層のアンバースペーサが、図３〜図５に示したタイプの中実のアンバースペーサと比べて、容易な構造および性能の向上に関して相当の利点を提供することを確認した。
【００２５】
図６、図７、図８を参照すると、温度補償された代わりの垂直ピンプローブヘッド組立体は、参照番号６６によって一般に示され、第１のダイ部材６８と第２のダイ部材７０とを含む。ダイは、前述したように、周縁の周りに適切に配置された孔７２を通過するねじ（図示せず）によって共に保持される。第１および第２のダイ部材６８、７０は、それぞれアパーチャ７８、８０がそれぞれ設けられた第１のスペーサ部材７４と第２のスペーサ部材７６とを含む。各アパーチャ７８、８０は、図３〜図５に関連して前述したのと同一であり得る薄い誘電体シート５６、５８によってそれぞれ覆われる。
【００２６】
スペーサ部材７４、７６は、アンバーホイルまたは他の適切なＣＴＥの金属ホイルからスペーサ部材を化学エッチングし、ラミネートを接着剤で共に接着することによって製作される。第１のスペーサ７４はラミネート７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅから成り、第２のスペーサ７６はラミネート７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、７６ｄ、７６ｅから成る。ラミネートまたはホイルは、ラミネート構造体に共に接合される。適切な接着剤は、熱および圧力下で噴霧されかつ接合する３Ｍ（Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，ＭＮ）の構造用接着剤＃２２９０である。支持孔７２は、中央孔またはアパーチャがラミネートにエッチングされるのと同時にエッチングしてもよく、これは、大幅に構造を容易にし、図３〜図５の構造におけるような中実のアンバーを通した孔の穿孔を回避する。積層スペーサ７４と７６を製造するために使用されるアンバーホイルの適切な厚さは、１０ミルである。これには、スペーサ製造のための典型的な用途で約４枚〜６枚のホイルのスタックが必要である。
【００２７】
プローブピン６４は、誘電体シート５６、５８内で離間かつオフセットされた孔６０、６２のパターンの間に延在する。プローブピン６４の第１の端部は、配置されるプローブ先端６４ａに終端し、プリント回路テストボードに通じる３６（図１）のようなワイヤとの電気的接触を形成する。プローブピン６４の対向端部は、ウェハ１４の検査時に公知の方法で孔６２内で摺動するプローブ先端６４ｂに終端する（図１）。
【００２８】
図６のラインＢ−Ｂに沿った図７の断面図を参照すると、第１の誘電体シート５６はスペーサ部材７４の第１の側面に装着され、また第２の誘電体シート５８は、スペーサ部材７６の第１の側面に装着され、この結果２つの誘電体シートは離間した関係で分離保持される。第１および第２の誘電体シート５６、５８は孔６０、６２のパターンを収容する。このパターンは、上述のように、誘電体シート５８のパターンが誘電体シート５６のパターンからオフセットされる点を除いて同一である。
【００２９】
図８の拡大断面図（寸法通りでない）を参照すると、プローブアセンブリの部分が示されている。最外側のラミネート層７４ａは、誘電体シート５６を受容するための周縁リセスを設けるように、下層ラミネート層７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅよりも大きな開口部を設けるためにエッチングされる。最外側のラミネート７６ａは、ラミネート層７６ｂ、７６ｃ、７６ｄ、７６ｅよりも大きな開口部でエッチングされ、誘電体シート５８用のリセスを設ける。エッチング加工は、セラミックシートを保持するための周縁レッジを形成する場合、図３〜図５に使用されるような中実のアンバーブロックスペーサを機械加工するよりも容易な方法である。誘電体シート５６、５８は、８２、８４において接着剤でリセスに保持される。適切な接着剤は、３Ｍ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ＃２２９０または高強度の剛性エポキシである。好ましい接着剤は、ｂステージエポキシのようなセルフレベリングの噴霧されたポリマ接着剤であるが、他の熱的に順応するポリマも使用可能である。
【００３０】
したがって、得られるラミネートは、中実の金属部片から加工したならば不可能である形状を達成することができ、また他の場合に、これらの形状は、代わりの方法によって形成される形状と比べてより正確かつ容易に達成される。
【００３１】
構造的強度および平坦度の向上は、アンバーホイルの隣接層を重ね合わせて回転式に整列することによって達成される。図９を参照すると、ラミネート層内に形成するためのホイル８６の製造は、圧延機内の１対のロール９０、９２を通過させることによって、金属ストック８８の厚さを低減することをしばしば含む。ロールにより、金属ストックの厚さは、１回以上の通過により所望のホイル厚さに低減される。金属ストック８８は、すべての軸に沿って実質的に同一の長さである金属粒子９４から形成される。圧延後、粒子９６は圧延方向に対し長手方向の方向９８に伸長される。圧延方向に対し横断方向１００の粒子幅は、実質的に変化しない。この結果、ホイルは、それに付与される異方性特性を有する傾向があり、また長手方向の９８方向に僅かにカールする傾向がある。各連続層が同一の粒子配向を有するようにホイル層がラミネートされるとき、カール傾向の効果が強められ、複合スペーサ部材の平坦度に対し有害な影響を及ぼす。
【００３２】
連続したホイル層の配向を変更することにより、ホイルの非常に優れた平坦度および強度が得られる。図１０に示したような１つの好ましい配向は、粒子配向矢印９８、１００によって示されるように、各隣接層の配向が隣接層から９０°オフセットされるように、交互のホイルラミネート層７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄを隣接ホイル層に対して９０°回転することである。約１０°〜４５°の範囲にわたって交互のホイル層を回転するような他の配向も許容し得る。各ホイル層が各隣接層に対してオフセットされる必要はなく、少なくとも１つのホイルラミネート層のみがホイルラミネート層の他の層に対してオフセットされる。
【００３３】
図１１は、本発明によるアンバーダイを製造するためのプロセスフローを示している。特徴部は、例えば化学エッチングによって複数のダイラミネート層内に形成される。ホイルエッチングは特徴部が適切な寸法であること、およびホイルがエッチング時に破損していなかったことを確認するために１０２で点検される。第１のダイラミネート層は、１０４で、例えば切断によってホイルから取り除かれる。次に、この第１のダイラミネート層は、１０６でＨＦＣ（ヒドロフルオロカーボン）溶剤のような適切な溶剤内で脱脂される。エポキシのような接着層は、１０８で第１のダイラミネート層に噴霧され、次に１１０で炉内で加熱することによって部分的に硬化され、これはｂステージングと呼ばれる。
【００３４】
次に、残りのダイラミネート層は、１１２でホイルから分離され、脱脂され、また接着層で被覆される。ダイラミネート層は、１１４で適切に整列するために取付け具の中で組み立てられ、次に１１６で、熱および圧力の下でラミネートすることによってダイが形成される。積層のダイフレームは、１１８で平坦度について点検される。一般に、１ｃｍ当たり０．０００２ｃｍ（１インチ当たり０．０００２インチ）未満の偏差が必要とされる。
【００３５】
最外側のダイラミネート層の周縁は、１２０で例えばプレータのテープでマスクされ、レッジは１２２で接着剤で噴霧される。この接着剤は、部分的に硬化され、１２４で炉内でｂステージングされ、また１２６で、レッジによって支持されたアパーチャにまたがるように、窒化ケイ素シートが挿入される。アセンブリは、１２８で加熱によって硬化され、シートをレッジに接着接合する。次に、一列の孔が、例えばレーザ穿孔によってシート内に形成される。
【００３６】
本発明の操作は、次のように記述することが可能である。アンバー材料は、シリコンの熱膨張係数よりも僅かに低いが、実質的にそれに整合する熱膨張係数を有するので、アンバーダイは、シリコンウェハの膨張に寸法的に対応するように実質的に膨張する。したがって、誘電体シートおよび孔の中央線の位置は、シリコンウェハ上のコンタクトパッドに従って配置され、シリコンウェハの膨張および収縮に従う。
【００３７】
誘電体シートは、シリコンウェハおよびスペーサ部材よりも僅かに高い熱膨張係数で、それら自体の中央線の周りで拡張し、また収縮することが可能である。しかし、インサートは接着剤によって抑止され、ウェハの面に対し垂直方向にのみ膨張することが許される。したがって、絶縁されたインサートの熱膨張係数は、シリコンウェハの熱膨張係数よりも僅かに大きいことがあるという事実にもかかわらず、大きな温度範囲にわたってウェハコンタクトパッドとプローブ点との間に大きな不整合を引き起こさない。好ましいセラミック材料によって付与される潤滑性は、アンチスティック被覆を必要とすることなくプローブピンの摺動を可能にする。
【００３８】
本発明の好ましい実施態様およびその１つの修正であると考えられるものについて記述してきたが、他の修正が当業者に思い浮かび、また本発明の真の精神と範囲内に含まれるものとして、このような修正のすべてを添付の特許請求の範囲に確認することが望まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来技術から公知の垂直ピンプローブ装置の断面図である。
【図２】
図１の垂直ピンプローブ装置のダイ部分の拡大断面図である。
【図３】
垂直ピンプローブ装置に使用するための本発明によるダイの頂面図である。
【図４】
図３のダイの断面図である。
【図５】
図３のダイ部分の拡大断面図である。
【図６】
垂直ピンプローブ装置に使用するための本発明の代替実施態様によるダイの頂面図である。
【図７】
図６のダイの断面図である。
【図８】
図６のダイ部分の拡大断面図である。
【図９】
従来技術から公知のように、圧延時に金属ストリップが異方性の粒子構造を獲得する方法の概略図である。
【図１０】
本発明の実施態様による粒子構造に従って配向されたダイラミネート層の斜視図である。
【図１１】
図６のダイに使用するためのダイフレームを製造するための方法のブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図９】
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【図１１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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