(57)【要約】半導体ウェハー基板又はプリント回路基板などの電子デバイスにおける、隣接するトレースから電気的に分離した金属トレース（回路パターン等）を有する金属層の電解析出のための新規な組成物及びそれを用いた方法。本発明は、単めっき浴（電解質）によって２種の異なる金属を異なる電流密度と還元電位で析出させる、組成が調整されためっき法により分離されたトレースを提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅の金属源と銅以外の第２の金属源を有する電解めっき組成物と半導体基板を接触させ、第１の還元電位で半導体基板上の銅の第１の金属層を電解析出し、第１とは異なる還元電位で半導体基板上の銅の第２の金属層を電解析出することを有する、半導体基板上の複数の金属層を析出する方法。
【請求項２】
第１の金属層が実質的に均一な銅の金属層である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２の金属層が銅の合金である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、タンタル、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、又は、カドミウムを有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、タンタル、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、又は、カドミウムを有する銅の合金である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１と第２の還元電位が少なくとも約０．２Ｖ異なる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
複数の第１の金属層と複数の第２の金属層が相互に析出された請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１の金属層が有用な導電性で、第２の金属層が実質的に第１の金属層より導電性が低い請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１の金属層が電気回路として機能し、第２の金属層が絶縁層である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基板が半導体デバイスのリードあるいは半導体デバイスの相互接続である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
複数の金属層を、銅の金属源と銅以外の第２の金属源を有する電解めっき組成物とプリント回路基板を接触させ、第１の還元電位でプリント回路基板上の銅の第１の金属層を電解析出し、第１とは異なる第２の還元電位でプリント回路基板上の第２の金属層を電解析出する電気回路構成を有するプリント回路基板上で析出する方法。
【請求項１２】
第１の金属層が実質的に均一な銅の金属層である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第２の金属層が銅の合金である請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、タンタル、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、又は、カドミウムを有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、タンタル、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、又は、カドミウムを有する銅の合金である請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
第１と第２の還元電位が少なくとも約０．２Ｖ異なる請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
複数の第１の金属層と複数の第２の金属層が相互に析出される請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
第１の金属層が有用な導電性で、第２の金属層が実質的に第１の金属層より導電性が低い請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
第１の金属層が電気回路として機能し、第２の金属層が絶縁層である請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
はんだ物質が基板に析出される請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
複数の金属層を、第１の金属源と第１とは異なる第２の金属源を有する電解めっき組成物と電子デバイス基板を接触させ、第１の還元電位で基板の第１の金属層を電解析出し、第１とは異なる還元電位で基板上の第２の金属層を電解析出することを含む、電子デバイス基板で析出する方法。
【請求項２２】
基板が半導体基板である請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
基板が半導体パッケージ基板である請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
基板がマルチチップモジュール、コンデンサチップ、抵抗チップ、リードフレーム、又は、オプトエレクトロニックデバイスである請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
第１の金属層が実質的に均一なスズの金属層である請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
第２の金属層がスズの合金である請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
第２の金属層が少なくとも１種の亜鉛、ニッケル、銀、アンチモン、ビスマス、インジウム、コバルト、又は銅を有する請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
第１と第２の還元電位が少なくとも約０．２Ｖ異なる請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
複数の第１の金属層と複数の第２の金属層が相互に析出される請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
第１の金属層が有用な導電性で、第２の金属層が実質的に第１の金属層より導電性が低い、請求項２１から３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
第１と第２の金属層が単めっき浴で析出される請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスにおける隣接するトレースから電気的に分離した金属トレース（回路パターン等）を有する金属層の電解析出のための新規な組成物及びそれを用いた方法に関する。また、本発明は、単めっき浴（電解質）によって２種の異なる金属を異なる電流密度と還元電位で析出させる、組成が調整されためっき法により分離されたトレースを提供する。
【０００２】
【従来の技術】
配線技術を改良するために半導体チップおよび他の電子デバイスの高密度化及び性能の向上が製造業者に常に求められている。
【０００３】
従来の半導体デバイスは、ドーピングした単結晶シリコン、複数の誘電体層及び導電性トレースなどの半導体基板を有している。集積回路は、配線間の隙間によって分離された導電性トレース（ライン）などの一連の導電性パターンで形成されている。半導体の異なる層で形成された導電性パターンは、導電性金属層間がバイアホール又は他のアパーチャによって電気的に接続されている。
【０００４】
従来、アルミニウム（Ａｌ）はチップ相互接続に使われているが、極超ＬＳＩ（極超高密度集積回路）やより高速の回路など、性能の向上が常に求められている。さらにチップ相互接続は、臨界である２００ｎｍ以下が求められる。
【０００５】
さらに最近は、銅めっきも半導体製造に使われており、チップ相互接続を提供している。従来、半導体はアルミニウム導体を通して相互接続されているが、極超ＬＳＩ（極超高密度集積回路）やより高速の回路などの性能の向上が常に求められている。さらにチップ相互接続は、２００ｎｍ以下であることが求められる。そのような構造では、アルミニウムの抵抗（理論上、常温で２．６５ｘ１０−８ｏｈｍ／ｍｅｔｅｒ）は、要求されたスピードで電気シグナルを通過させるには大きすぎると考えられている。理論上の抵抗が１．６７８ｘ１０−８ｏｈｍ／ｍｅｔｅｒである銅は、次世代の半導体マイクロチップにより好ましい物質であると考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体のチップ相互接続、特にアルミニウム相互接続に採用されている従来の方法は、金属層の反応性イオンエッチング、例えば、金属析出、フォトリソグラフィーパターン、反応性イオンエッチングによるラインの確定、及び、誘電体の析出を含む工程である。しかし、銅の系では、除去すべき銅を除去するのに十分な蒸気圧を有する銅化合物がないので、反応性イオンエッチングによる方法は現実的ではない。
【０００７】
銅はまた、半導体デバイスの製造に使用される一般的な誘電中間層物質である二酸化シリコンを通して拡散することができ、このような拡散はデバイス性能に悪影響を及ぼす。米国特許第６，０２２，８０８参照。特に、このような銅拡散は、回路の短絡や隣接した回路トレース間の漏えい電流などの好ましくない結果を引き起こし得る。
【０００８】
そのため、半導体チップと半導体パッケージなどの電子デバイスの新規な製造方法が求められている。特に、使用中に銅回路が好ましくない電子の移動や漏えい電流を起こさない、電子デバイスにおける銅回路パターンの新規な製造方法が求められている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電子デバイス製造において隣接するトレースから電気的に分離した金属トレース（回路パターン等）を含む金属膜又は金属層の製造のための新規な組成物及びそれを用いた方法に関する。銅は回路相互接続を提供するために好ましい析出金属であるが、本発明に従って他の金属も好ましく析出され得る。好ましくは、単めっき浴（電解質）によって、２種類以上の異なる金属が異なる電流密度と還元電位で析出されるように組成が調整されためっき法に関する。
【００１０】
本発明の好ましい態様では、第１と第２の回路パターンが挿入されたバリア型あるいは導入剤（ｄｏｐａｎｔ）の層で電気的に析出される。バリア層は回路パターンを形成する金属の好ましくない電子の移動を防ぎ、その結果漏えい電流などの欠陥を回避することができる。第１と第２の回路パターンの少なくともどちらか一方が銅を有する場合、銅などの回路金属に挿入された、より導電性の低い物質のバリア層あるいは亜鉛やリンなどの導入剤は、銅及び銅イオンの望ましくない移動（特に、誘電層への拡散）を防ぎ、その結果漏えい電流などのデバイス欠陥を制限あるいは減少させることができる。
【００１１】
分離した回路トレースは、単めっき浴（電解質）によって異なる還元電位で２種類の金属を析出するように組成が調整されためっき法によって形成される。例えば、ｉ）銅金属源及びｉｉ）導入剤として機能する少なくとも１種の亜鉛、タンタル、リン、ベリリウム、マグネシウム、ニッケル、チタン、スズ、パラジウム、銀、及び、カドミウムを有する及び／又は銅の合金などのバリヤ層源を含む単めっき浴が使用できる。第１の還元電位において銅が析出でき、第２の還元電位において銅合金などのバリヤ層物質（導入剤）が析出できる。金属あるいは銅を含まない合金などのその他の物質をバリヤ層として使用できる。しかし、銅合金が銅回路層に使用される一般に好ましい導入剤層物質である。
【００１２】
このように、単めっき容器あるいはその使用により、バリヤ層が挿入された複数の回路パターンが電子デバイス基板上に形成され、そしてそれは非常に向上し合理化された製造工程を提供する。さらに、品質改良された回路トレースは、好ましくない漏えい電流などのデバイス欠陥の原因となり得る導電性物質（銅等）の有害な拡散を起こさずに製造され得る。
【００１３】
導電性物質としての銅をめっきする際、実質的に均一な銅の層、例えば少なくとも９０あるいは９５重量パーセント、９６重量パーセント、９７重量パーセント、９８重量パーセント、９９重量パーセント、あるいは９９．５重量パーセントの銅からなる層が析出されるのが好ましい。このような銅層は前記したように電子回路の役割を果たす有用な導電体である。
【００１４】
ドーピングした銅合金などの導電性の低い金属である第２のめっき金属は、実質的に均一な銅層などの第１のめっき金属よりも実質的に導電性が低いことが好ましい。つまり、電気信号は、移動あるいは電気的な欠陥等を引き起こさずに第１の金属層を通過し、第２の金属層へ伝達される。
【００１５】
その他の態様において、本発明は、はんだ可能な仕上げあるいは金属レジストとして適用される組成物、特にプリント配線基板とその他の電子パッケージデバイスの製造に使用されるスズを含む組成物の電解析出のための方法と製品を提供する。組成が調整されためっき法は、はんだ可能な仕上げあるいは金属レジストとしての使用に適している組成物の析出に使用される。析出された好ましい組成物は鉛を含まず、スズと、銀やコバルトなど１種以上の他の金属との混合物である。
【００１６】
さらに本発明は、マイクロエレクトロニクスデバイス基板などの基板、特に本発明の組成物と、バリヤ層で分けられた第１と第２の回路トレースを有する、本発明の方法で得られる半導体チップ基板を有する製品を含有する。さらにまた、本発明は、本発明のはんだ可能な仕上げを有する半導体チップや半導体パッケージなどのマイクロエレクトロニクスデバイスなどの基板を有する製品を含有する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明のその他の態様は以下に開示されている。
【００１８】
前記したように、本発明は異なる金属層プレートを提供することができる、組成が調整されためっき法を含む新規な金属層の析出方法を提供する。
【００１９】
本発明の好ましいめっき溶液は、水溶性及び非水性溶液を含み、析出されるめっき金属源を含む浴である。溶液は酸性、アルカリ性あるいは実質的に中性であってもよいが、酸性溶液が一般に好まれる。好ましい酸性源は、硫酸、塩酸などである。本発明のめっき組成物は、めっきされた金属の品質を向上させるために、光沢剤又は平滑化剤などの少なくとも１種の添加剤を有することが好ましい。
【００２０】
様々な金属が本発明に従ってめっきされる。めっき浴は電気抵抗の異なる２種の物質を析出できる。第１の析出された物質が電気信号を効果的に伝達し、第２の物質が抵抗層として働くように、例えば第２層の導電率が第１層よりも実質的に低いなど、２種の物質の電気抵抗は全く異なることが好ましい。
【００２１】
前記したように、回路層として機能する析出物の好ましい第１の物質は銅であるが、金、ニッケル及び銀など、その他の導電性物質を使用してもよい。はんだ可能な仕上げの析出に好ましい組成物は、一般にスズと１種以上の導電性物質を含む。導電性物質には、銅、銀、コバルト、インジウム、ニッケル、ビスマス、亜鉛及び、アンチモンなどがあるが、これらに限られるものではない。特に有用なはんだ可能な仕上げはスズ−銀、スズ−ビスマス、スズ−ニッケル、及び、スズ−インジウムである。
【００２２】
本発明の銅析出のための好ましい電解めっき組成物は、一般に銅塩である銅源、第２の金属源をめっきするソース、及び、電解質、好ましくは塩素イオン又はその他のハロゲンイオンを有する硫酸溶液など酸性の水溶液である。電解めっき浴は１種以上の光沢剤、１種以上の抑制剤、１種以上の平滑化剤などの成分を含んでいてもよい。
【００２３】
様々な銅塩が銅の析出のための電解めっき組成物に使用されてもよく、例えば硫酸銅、酢酸銅、テトラフルオロホウ酸銅塩、硝酸銅などがあげられる。硫酸銅五水和物は特に好ましい銅塩である。銅塩は本発明の電解めっき組成物において比較的広範囲の濃度で存在してもよい。好ましくは、銅塩はめっき溶液１リットルあたり約１０〜約３００グラムの濃度で用いられ、より好ましくは、めっき溶液１リットルあたり約２５〜約２００グラムの濃度で用いられる。さらに好ましくは、めっき溶液１リットルあたり約４０〜約１７５グラムの濃度で用いられる。
【００２４】
本発明の組成物として、様々なスズ化合物がスズの析出に用いられる。好ましいスズ化合物はハロゲン化スズ、硫酸スズ、メタンスルホン酸スズ等のアルカンスルホン酸スズ、フェニルスルホン酸スズ、及び、トルエンスルホン酸スズ等のアリールスルホン酸スズ、アルカノールスルホン酸スズなどがあげられるが、これらに限定されるものではない。好ましいスズ化合物は、硫酸スズ、塩化スズ、アルカンスルホン酸スズ、又は、アリールスルホン酸スズであり、より好ましくは、硫酸スズ又はメタンスルホン酸スズである。本発明の電解質組成物におけるスズ化合物の量は、スズ含有量が５〜１５０ｇ／Ｌ、好ましくは１０〜７０ｇ／Ｌの間なら何でもよい。本発明では、スズ全体の量が５〜１５０ｇ／Ｌであればスズ化合物の混合物も同様に有利に用いられる。本発明のめっき組成物の第２の金属源として様々な物質が用いられる。これらの物質は一般に任意の水溶性の物質としてめっき組成物に添加される。その物質は単独、あるいは、銅合金又はスズ合金として実質的に均一な銅めっき層又はスズめっき層（第１の金属）が析出できる電流密度とは異なる電流密度で析出する。好ましくは、第２の金属は実質的に均一な銅又はスズの層が同じめっき浴で析出される電流密度とは異なる、少なくとも約１、２、３、４、５アンペア平方フィート（ＡＳＦ）の電流密度でめっきするのがよく、より好ましくは、第２の金属層は実質的に均一なの銅又はスズの層が同じめっき浴で析出される電流密度とは異なる、少なくとも約６、７、８、９、１０、１２、１５、１８、又は２０平方フィート（ＡＳＦ）の電流密度でめっきするのがよい。
【００２５】
同様に、本発明における第１のめっき金属と第２のめっき金属の還元電位の差は好ましくは、少なくとも約０．１Ｖ、より好ましくは、第１のめっき金属（銅など）と第２のめっき金属（リン又は亜鉛を含む銅などの銅合金）の還元電位の差は少なくとも約０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．５、２、３、４、又は、５Ｖである。
【００２６】
さらに、第２の金属源として使用される物質は第１の金属めっき層よりも電気抵抗が大きい（導電性が低い）金属層を提供する。第２の金属源は第１の層の導電性物質に比べイオン移動度が小さい。例えば、好ましい第２の金属源は第１の導電層（銅層など）の電気抵抗よりも少なくとも約１０％大きい（オーム−ｃｍ単位）電気抵抗、より好ましくは、第１の導電層（銅層など）の電気抵抗よりも少なくとも約２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１２５、１５０、２００、３００、４００、５００％大きい（オーム−ｃｍ単位）電気抵抗をもつ好ましい金属めっき層を形成できる。
【００２７】
特に、第２の金属源として使用される物質は亜鉛、ビスマス、インジウム、銅（第１の金属がスズの場合）、コバルト、アンチモン、タンタル、ニッケル、ベリリウム、マグネシウム、チタニウム、スズ、パラジウム、銀、白金、金、及び、カドミウムなどが好ましい。これらの物質は単独で、又は、より一般的には第１の金属（電気抵抗が小さい）物質の合金として析出されてもよい。これらの物質の少なくともいくつかは非水性組成物から析出されることがより好ましく、タンタル、マグネシウム、ベリリウム、チタニウムなどがあげられる。
【００２８】
本発明のめっき浴は、一般に酸性の水溶液であり、好ましくはハロゲンイオン源、主として塩素イオン源を有する酸性の電解質を使用することが好ましい。電解質の好ましい酸の例として硫酸；酢酸；フッ化ホウ酸；メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、フェニルスルホン酸、及び、トルエンスルホン酸などのアルカン又はアリールスルホン酸があげられる。スルホン酸は一般に銅に適しており、アルカン又はアリールスルホン酸はスズに適している。塩素は一般にハロゲンイオンに適している。ハロゲンイオンが使用される際には、広範囲のハロゲンイオン濃度で好ましく利用される。例えば、めっき溶液中のハロゲンイオンが約０（ハロゲンイオンが使用されていない）から１００ｐｐｍ、より好ましくはめっき溶液中のハロゲンイオン源の濃度が約２５から約７５ｐｐｍである。
【００２９】
本発明は同様に、実質的又は完全に酸が添加されない、中性又は実質的に中性（例えばｐＨが約４から９）である電解めっき浴を含有する。好ましくは、このようなめっき組成物は、酸を添加するという点を除いて、ここに開示されている他の組成物と同じ成分及び同じ方法で調製される。
【００３０】
前記したように、本発明のめっき浴は、好ましくは１種以上の添加剤、例えば析出された金属層の特性を向上させるための有機物質を有する。
【００３１】
本発明による銅析出のための電解めっき浴は、好ましくは、光沢剤も含有する。公知の光沢剤など種々の光沢剤が使用される。一般的な光沢剤は１種以上の硫黄原子を有し、窒素原子を含まない。分子量は約１０００以下である。スルフィド及び／又はスルホン酸基を有する光沢剤化合物は、一般に式Ｒ’−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ基を有する化合物が一般に好ましい。式において、Ｒは置換されていてもよいアルキル（シクロアルキルを含む）、置換されていてもよいヘテロアルキル、置換されていてもよいアリール基、又は、置換されていてもよいヘテロ脂環式基を示し、Ｘはナトリウムイオン、カリウムイオンなどの対イオンであり、Ｒ’は水素又は化学結合（例えば−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ、又は大きな化合物の置換基）である。一般にアルキル基は１〜約１６個、より一般的には１〜約８又は１２個の炭素を有する。ヘテロアルキル基は、好ましくは１〜約１６個の炭素、より一般的には１〜約８又は１２個の炭素を有する、鎖中に１個以上のヘテロ原子（Ｎ、Ｏ又はＳ）を有する。炭素環式アリール基は、一般にフェニル及びナフチル等のアリール基である。ヘテロ芳香族基も同様に好ましいアリール基であり、一般に１〜約３個のＮ、Ｏ又はＳ原子と、１〜３個の独立した又は縮合した環を有し、例えばクマリニル、キノリニル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジル、フリル、ピロリル、チエニル、チアゾリル、オキサゾリル、オキシジゾリル（ｏｘｉｄｉｚｏｌｙｌ）、トリアゾリル、イミダゾリル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチアゾリルなどがあげられる。ヘテロ脂環式基は一般に１〜３個のＮ、Ｏ又はＳ原子と、１〜３個の土栗した又は縮合した環を有し、例えばテトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニル、テトラヒドロピラニル、ピペラジニル、モルホリノ、ピロリジニルなどがあげられる。置換されたアルキル、ヘテロアルキル、アリール又はヘテロ脂環式基の置換基は、Ｃ１−８アルコキシ；Ｃ１−８アルキル、ハロゲン、特に、Ｆ、Ｃｌ、及び、Ｂｒ；シアノ；及びニトロなどがあげられる。
【００３２】
より具体的には、有用な光沢剤には以下の式のものがあげられる。
ＸＯ３Ｓ−Ｒ−ＳＨ
ＸＯ３Ｓ−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ 及び
ＸＯ３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ−Ａｒ−ＳＯ３Ｘ
式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基、好ましくは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、より好ましくは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基である。Ａｒは置換されていてもよいフェニル又はナフチルなどの置換されていてもよいアリール基である。また、Ｘはナトリウムイオン又はカリウムイオンなどの好ましい対イオンである。
【００３３】
特に好ましい光沢剤として、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−スルホプロピル）エステル、３−メルカプト−プロピルスルホン酸−（３−スルホプロピル）エステル、３−メルカプト−プロピルスルホン酸（ナトリウム塩）、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸（カリウム塩）の炭酸−ジチオ−Ｏ−エチルエステル−Ｓ−エステル、ビススルホプロピルジスルフィド、３−（ベンズチアゾリル−Ｓ−チオ）プロピルスルホン酸（ナトリウム塩）、ピリジニウムプロピルスルホベタイン、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸ナトリウム、米国特許第３，７７８，３５７に開示されているスルホアルキルスルフィド化合物、ジアルキルアミノ−チオ−メチル−チオアルカンスルホン酸の酸化生成物である過酸化物、及び前記の混合物があげられる。その他の好ましい光沢剤は、米国特許第３，７７０，５９８、米国特許第４，３７４，７０９、米国特許第４，３７６，６８５、米国特許第４，５５５，３１５、及び米国特許第４，６７３，４６９にも記載されており、それら全ては参照して取り込まれる。本発明のめっき組成物に使用される特に好ましい光沢剤はＮ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−スルホプロピル）エステル、及び、ビス−ナトリウム−スルホノプロピル−ジスルフィドである。
【００３４】
特に、従来の組成物における代表的な光沢剤の濃度が約０．０５から１．０ｍｇであるのに比べ、提供される銅の電解めっき組成物の光沢剤濃度は、めっき溶液１リットルあたり少なくとも約１．５ｍｇ（１．５ｍｇ／Ｌ）である。より好ましくは、本発明の電解めっき浴において、光沢剤濃度は少なくとも約１．７５ｍｇ／Ｌ、さらに好ましくは少なくとも約２、２．５、３、３．５、又は、４ｍｇ／Ｌである。これ以上の光沢剤濃度、例えばめっき溶液の１リットルあたり少なくとも約１０、１５、２０、３０、４０、５０ｍｇの光沢剤であっても適しており、むしろより好ましい。めっき溶液の１リットルあたり約２０から約２００ｍｇの光沢剤濃度は様々な用途に適応する。
【００３５】
好ましくは、光沢剤の濃度が、例えばめっき溶液の１リットルあたり少なくとも光沢剤が約１．５ｍｇであるような比較的高い濃度で使用される。
【００３６】
銅塩、電解質、及び、光沢剤に加え、本発明のめっき浴は様々な他の成分が含まれていてもよい。例えば、抑制剤、平滑化剤などの有機添加剤などがあげられる。
【００３７】
本発明の組成物に使用される好ましい抑制剤は高分子物質であり、好ましくは異種原子で置換されているＳ、特に酸素に結合している高分子物質である。一般に好ましい抑制剤は、一般に次の式で表される高分子量ポリエーテルである。
Ｒ−Ｏ−（ＣＸＹＣＸ’Ｙ’Ｏ）ｎＨ
上記の式において、Ｒは約２〜２０個の炭素原子を有するアルキル又はアリール基を表す。Ｘ、Ｙ、Ｘ’、Ｙ’はそれぞれ水素、好ましくはメチル、エチル、プロピルであるアルキル、フェニル等のアリール、ベンジル等のアラルキルを表し、好ましくはＸ、Ｙ、Ｘ’、Ｙ’の少なくとも１つが水素である。ｎは５〜１００，０００の整数を表す。好ましくは、Ｒはエチルで、ｎは１２，０００以上である。
【００３８】
より具体的には、本発明において有用な抑制剤は、エトキシ化アミン、ポリオキシアルキレンアミン、アルカノールアミン等のアミン；アミド；ポリエチレングリコール、ポリアルキレングリコール、及び、ポリオキシアルキレングリコール等のポリグリコール型湿潤剤；高分子量のポリエーテル；ポリエチレンオキサイド（分子量３００，０００〜４，０００，０００）；ポリオキシアルキレンのブロック共重合体；アルキルポリエーテルスルホネート；アルコキシ化ジアミン等の錯化界面活性剤；エントプロール（ｅｎｔｐｒｏｌ）、クエン酸、エデト酸、酒石酸、酒石酸カリウムナトリウム、カプロン酸、ピリジンなどの１価又は２価の銅イオンのための錯化剤を含有する。
【００３９】
本発明のめっき組成物に特に好ましい抑制剤は、市販されているポリエチレングリコール共重合体である。これらの重合体はＢＡＳＦなどから入手でき、（ＢＡＳＦではテトロニック及びプルロニックという商品名で売られている）共重合体はＣｈｅｍａｘから入手できる。Ｃｈｅｍａｘの約１８００の重量平均分子量（ＭＷ）を有するブチルアルコール−エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド共重合体は特に好ましい。
【００４０】
これらの抑制剤は、一般に浴の重量に応じて約１〜１０，０００ｐｐｍの濃度、より好ましくは約５〜１０，０００ｐｐｍの濃度の銅電解めっき溶液に加えられる。
【００４１】
本発明の組成物にスズが使用される場合、好ましい非イオン性界面活性剤又は湿潤剤は、比較的低分子量の炭素数が７個までのアルキル基を有する脂肪族アルコールのエチレンオキサイド（“ＥＯ”）の誘導体であり、２個までの芳香環をもち、縮合されていてもよく、また炭素数が６個までのアルキル基で置換されていてもよい、芳香族アルコールのエチレンオキサイドの誘導体があげられるが、これらに限られるものではない。脂肪族アルコールは、飽和でも不飽和でもよい。エチレンオキサイドで誘導体化される前の芳香族アルコールは、一般に２０個までの炭素原子を有する。このような脂肪族及び芳香族アルコールは硫酸塩又はスルホネート基等でさらに置換されていてもよい。好ましい湿潤剤として、ＥＯを１２モル有するエトキシ化ポリスチレン化フェノール、ＥＯを５モル有するエトキシ化ブタノール、ＥＯを１６モル有するエトキシ化ブタノール、ＥＯを８モル有するエトキシ化ブタノール、ＥＯを１２モル有するエトキシ化オクタノール、ＥＯを１２モル有するエトキシ化オクチルフェニル、エトキシ化／プロポキシ化ブタノール、エチレンオキサイド／プロピレンオキサイドブロック共重合体、ＥＯを１３モル有するエトキシ化ベータ・ナフトール、ＥＯを１０モル有するエトキシ化ベータ・ナフトール、ＥＯを１０モル有するエトキシ化ビスフェノールＡ、ＥＯを１３モル有するエトキシ化ビスフェノールＡ、ＥＯを３０モル有するスルホン化エトキシ化ビスフェノールＡ、及び、ＥＯを８モル有するエトキシ化ビスフェノールＡがあげられるが、これらに限られるものではない。一般に、これらの湿潤剤は０．１〜２０ｇ／Ｌ、好ましくは０．５〜１０ｇ／Ｌの量が加えられる。
【００４２】
同様に、本発明のめっき浴、特に銅めっき浴において、１種以上の平滑化剤を使用することが一般に好ましい。好ましい平滑化剤の例は米国特許第３，７７０，５９８、米国特許第４，３７４，７０９、米国特許第４，３７６，６８５、米国特許第４，５５５，３１５、及び米国特許第４，６７３，４５９に記載され公表されている。一般に、有用な平滑化剤としてＲ−Ｎ−Ｒ’をもつ化合物である置換アミノ基を有するものがあげられる。式中、Ｒ、Ｒ’はそれぞれ置換又は無置換アルキル基、置換又は無置換アリール基を表す。一般に、アルキル基は１〜１６個の炭素原子、より一般的には１〜４個の炭素原子を有する。好ましいアリール基として、置換又は無置換フェニール又はナフチルがあげられる。置換アルキル基及び置換アリール基の置換基は、例えばアルキル、ハロ、アルコキシなどであってもよい。
【００４３】
より具体的には、好ましい平滑化剤として１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジンチオン；４−メルカプトピリジン；２−メルカプトチアゾリン；エチレンチオ尿素；チオ尿素；アルキル化ポリアルキレンイミン；米国特許第３，９５６，０８４に開示されているフェナゾニウム化合物；重合体を有するＮ−ヘテロ芳香環；第４級化、アクリル化、ポリマー化アミン；ポリビニルカルバメート；ピロリドン；及びイミダゾールがあげられる。特に好ましい平滑化剤は、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジンチオンである。平滑化剤の一般的な濃度はめっき溶液１リットルあたり約０．０５〜０．５ｍｇである。
【００４４】
スズが二価の状態で溶解しているのを保つために、本発明の電解質組成物に還元剤が加えられてもよい。好ましい還元剤は、ヒドロキノン、レゾルシノール及びカテコール等のヒドロキシ化芳香族化合物があげられるが、これらに限られるものではない。好ましい還元剤は、米国特許第４，８７１，４２９に開示されている。これらの還元剤の量は当業者には公知であるが、一般に約０．１ｇ／Ｌ〜約５ｇ／Ｌの間である。
本発明に従い、基板はパルスめっき法によってめっきされても好ましい。パルスめっき法では、前記したように、第１の金属は第１の還元電流密度でめっきされ、第２の異なる金属は第１とは異なる第２の還元電位でめっきされる。例えば、第１と第２の金属物質のめっきが約５Ｖ異なる還元電位で行われる場合、基板（半導体チップ基板等）は前記したようにめっき組成物に浸され、電極として作用する。めっき浴は室温かそれ以上、例えば６５℃又はやや高い温度が適している。めっき組成物は使用中に空気噴霧器、被処理物（ｗｏｒｋ ｐｉｅｃｅ）撹拌、インピンジメント攪拌、又はその他の適当な方法で撹拌されることが好ましい。めっきは基板の性質に応じて電流が１〜４０ＡＳＦで行われるのが好ましい。より高い電流密度、５０〜１００、２００、３００、４００、又は５００ＡＳＦ、又はそれ以上の電流密度も必要に応じて適用されてもよい。めっきの時間は析出される金属層の数や被処理物の難易度等に応じて５分から１時間又はそれ以上行われてもよい。
【００４５】
めっき操作中、電圧は必要に応じて調整される。めっきサイクルの長さは一般に析出される特定の層の厚さに依存する。例えば、めっき組成物が一定時間、例えば０．２５秒、０．５、０．７５、１、２、３、４、５、１０、２０、３０、４０、５０、又は６０秒、又はそれ以上の間、第１の電流密度に上昇し（ｒａｍｐ）、その後、０．２５秒、０．５、０．７５、１、２、３、４、５、１０、２０、３０、４０、５０、又は６０秒、又はそれ以上の一定時間維持された、第２の電流密度のパルス（ｐｕｌｓｅ）がつづき、その後再び第１の電流が一定時間パルスする。その後、第２の電流は再び一定時間パルスし、これが繰り返される。パルスの回数は、析出される金属層の数を提供する。
【００４６】
金属層の厚さは異なっていてもよい。例えば好ましい金属層は各層につき少なくとも約２０ｎｍの厚さ、より一般には少なくとも約２５、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、又は１００ｎｍの厚さである。その他の層は、０．５ミクロンまでの様々な厚さの層が使用されてもよい。層の厚さの違いは、一連のめっきされる金属の異なる層に適用されてもよい。
【００４７】
本発明の組成が調整されためっき法は、手動、半手動又は自動システムによって実施できる。自動システムは一般に、各層の厚さと境界において、より性能が向上した金属析出と再生産性を提供するため好ましい。ある特定の自動めっきシステムがＤ．Ｒａｎｉ ｅｔ ａｌ．， Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， ７：１４３−１４３（１９９６）に記載されている。
【００４８】
本発明により様々な基板がめっきされてもよいが、電子デバイス基板とオプトエレクトロニックデバイス基板が本発明によりめっきされ、複数の回路層を提供することが好ましい。典型的な電子デバイスは、マルチチップ・モジュールを有する半導体基板などの集積回路基板、リードフレームなどの電子パッケージ基板があげられる。特にソルダレジストの析出、はんだ可能仕上げである電子部品に関して、プリント回路基板も本発明によりめっきすることができる。その他の好ましい基板は、コンデンサチップ、抵抗チップであるがこれらに限られるものではない。
【００４９】
例えば、半導体基板において、本発明によりウェハー基板をめっき浴に浸すと電極として機能する。第１の金属層（例えば導電性層）は第１の還元電位で析出され、第２の金属層（例えばより電気抵抗の大きい層）は第２の還元電位で析出される。これらの第１と第２の還元電位は一般に少なくとも約０．２Ｖ異なる。その後第１の層は再び第１の還元電位で析出され、これが繰り返される。プリント回路基板又はリードフレーム基板は同様の方法で処理することができる。
【００５０】
ソルダレジストもまた、プリント回路基板又はその他の基板上で析出される。本発明の方法で析出される好ましいはんだ組成物は鉛を含まない。例えば本発明により、スズと銀、スズとコバルト、スズとビスマス、スズとアンチモン、スズと亜鉛、スズとニッケルなどの混合物が析出されてもよい。より詳細には、スズ／銀層において、スズ層は第１の還元電位で析出されてもよく、銀層は第２の還元電位で析出されてもよい。スズのその他の層は第１の還元電位で析出されてもよく、これが繰り返される。そのようなソルダレジストはプリント回路基板上の銅の回路トレースに被覆していてもよい。
【００５１】
ここで述べている全ての文献は、参照することにより本明細書に取り込まれている。
【実施例】
【００５２】
実施例１
水に混合した以下の成分を含む電解めっき浴が提供される。
成分                        濃度
ＣｕＳＯ４  ５Ｈ２Ｏ          ７０ｇ／ｌ
Ｈ２ＳＯ４                    １７５ｇ／ｌ
Ｃｌ                        ５０ｐｐｍ
抑制剤                      ０．８７５ｇ／ｌ
光沢剤                      ２．４ｍｇ／ｌ
スルファミン酸ニッケル      １．５モル
上記組成物において、光沢剤はビス−カルシウム−ジスルフィドであり、抑制剤はＢＡＳＦよりＬ６２Ｄという商品名で売られているプロピレングリコール共重合体である。
【００５３】
半導体のマイクロチップウェハー基板は、前記めっき組成物によってめっきされる。ウェハー基板は、電気的に陰極に付着し、めっき溶液は最大２００ＲＰＭで回転しているウェハー基板の表面に導入される。好ましくは、第１の電流（ｍＡ／ｃｍ２）は２５℃で３０秒間又はある一定の間、直流で送られる。第１とは異なる第２の電流はその後３０秒間又は一定の間送られ、第１と第２の電流サイクルが数回繰り返される。
【００５４】
本発明の前記の記載は、単にそれを例示するものであり、本発明の特許請求の範囲に述べられている本発明の精神又は範囲から逸脱することなく、変化および変更を成し得るものである。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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2004518022.tif 000024
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