(57)【要約】レーザー光ビーム（１０）による高速消去可能な記録用の光情報媒体（２０）を提供する。基板（１）は、第一の誘電体層（５）及び第二の誘電体層（７）、第一の誘電体層（５）と第二の誘電体層（７）との間の相変化記録層（６）、並びに反射層（３）をもつ層のスタック（２）を有する。記録層（６）は、Ｇｅ及びＴｅの化合物を有し、少なくとも第一の誘電体層（５）は、Ｔａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、又はＳｉの炭化物からなり、記録層（６）と接触している。加えて、記録層（６）は、５アト％までの量でＯ又はＮを含んでもよい。低いＣＥＴ値に対する広い使用可能な組成が得られる。このようにして、高いデータ速度を達成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光の波長を有するレーザー光ビームによる消去可能な記録のための光情報媒体であって、
基板及び該基板に提供される層のスタックを有し、
前記スタックは、第一の誘電体層及び第二の誘電体層、前記第一の誘電体層及び前記第二の誘電体層の間に配置される、無定形及び結晶状態の間で変化することができる記録層、並びに反射層、を含み、
前記記録層は、式ＧｅｘＴｅ１００−ｘの化合物を含み、
ｘは、アト％でのＧｅのフラクションであり、
３０＜ｘ＜７０であり、
前記第一の誘電体層は、Ｔａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、並びにＳｉの炭化物からなる群から選択される化合物を含み、前記記録層と接触して存在することを特徴とする光情報媒体。
【請求項２】
前記第二の誘電体層は、Ｔａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、並びにＳｉの炭化物からなる群から選択される化合物を含み、前記記録層と接触して存在することを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項３】
前記第一の誘電体層は、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉ３Ｎ４の群から選択される化合物を含み、
前記第二の誘電体層は、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉ３Ｎ４の群から選択される化合物を含むことを特徴とする請求項２記載の光情報媒体。
【請求項４】
前記第一の誘電体層及び前記第二の誘電体層は、高々１５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項３記載の光情報媒体。
【請求項５】
前記第一の誘電体層及び前記第二の誘電体層は、２−１０ｎｍの範囲における厚さを有することを特徴とする請求項４記載の光情報媒体。
【請求項６】
４０＜ｘ＜６０であることを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項７】
前記記録層の前記化合物は、５アト％までの量でＯをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載の光情報媒体。
【請求項８】
前記記録層の前記化合物は、５アト％までの量でＮをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載の光情報媒体。
【請求項９】
前記反射層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選択される金属及び該金属の合金の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載の光情報媒体。
【請求項１０】
高速記録用の光情報媒体の使用であって、
前記レーザー光ビーム及び前記媒体の間の相対速度は、少なくとも７．２ｍ／ｓであり、
請求項１乃至９いずれか１項記載の光情報媒体を使用することを特徴とする使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、レーザー光波長を有するレーザー光ビームによる消去可能な記録のための光情報媒体に関し、前記媒体は、基板及びそれに提供される層のスタックを有し、スタックは、第一の誘電体層及び第二の誘電体層、第一の誘電体層と第二の誘電体層との間に配置される、無定形及び結晶状態の間で変化することができる記録層、並びに反射層を含む。
【０００２】
また、本発明は、高速記録用のこのような光情報媒体の使用にも関する。
【０００３】
開始の段落に記載するタイプの光情報媒体は、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ４９（１９８６）５０２．に出版されたＭ．Ｃｈｅｎ、Ｋ．Ａ．Ｒｕｂｉｎ及びＲ．Ｗ．Ｂａｒｔｏｎによる論文から知られている。
【０００４】
相変化の原理に基づく光データ記憶媒体は、それが、ダイレクトオーバーライト（ＤＯＷ）及び高い記憶密度の可能性を、読み取り専用光データ記憶システムとの容易な互換性と組み合わせるので、魅力的である。相変化光記録は、集束した比較的高いパワーのレーザー光ビームを使用する、結晶の記録層におけるサブミクロンメートルの大きさにある無定形の記録マークの形成を伴う。情報の記録中に、媒体を、記録される情報に従って変調される集束したレーザー光ビームに対して移動させる。高いパワーレーザー光ビームが、結晶の記録層を融解させるとき、マークを形成する。レーザー光ビームが、スイッチを切られる及び／又は引き続き記録層に対して移動するとき、融解したマークの消失は、記録層で起こり、露出してないエリアに結晶を残す記録層の露出したエリアに無定形の情報マークを残す。書き込まれた無定形のマークの消去は、記録層を融解させることなく、より低いパワーレベルにおける同じレーザーでの加熱を通じて、再結晶によって実現される。無定形のマークは、比較的低いパワーの集束したレーザー光ビームによって例えば基板を介して読み取ることができる、データビットを表す。結晶の記録層に対する無定形のマークの反射の差は、記録された情報に従って検出器によって変調された光電流に引き続き変換される、変調されたレーザー光ビームを引き起こす。
【０００５】
相変化光記録において最も重要な要求の一つは、データを少なくとも３０メガビット／秒の速度で媒体に書き込む及び再書き込みすることができることを意味する、高いデータ転送速度である。このような高いデータ転送速度は、記録層が高い結晶化速度、即ち短い結晶化時間を有することを要求する。以前に記録された無定形のマークをダイレクトオーバーライト中に再結晶させることができることを保証するために、記録層は、レーザー光ビームに対して媒体の速度を調和させるために、適切な結晶化速度を有さなければならない。結晶化速度が十分高くはないとすれば、ＤＯＷ中に、古いデータを表す、以前の記録からの無定形のマークを完全に消去する（再結晶することを意味する）ことができない。これは、高い雑音レベルを引き起こす。高い結晶化速度は、新世代の高い密度のデジタル・バーサタイル・ディスク＋ＲＷの略語である、円盤状のＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＲ−赤及び青のような、高密度記録媒体及び高いデータ転送速度の光記録媒体で特に要求され、ここでＲＷは、このようなディスク、及びディジタル・ビデオ・レコーディング光記憶ディスクの再書き込み可能性（ｒｅｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ）を参照し、ここで赤及び青は、使用するレーザー波長を参照する。これらのディスクに対して、完全消去時間（ＣＥＴ）は、高々６０ｎｓでなければならない。ＣＥＴは、静的に測定される、結晶環境における書き込まれた無定形のマークの完全な結晶化に関する消去パルスの最小の持続時間として定義される。１２０ｍｍのディスク毎に４．７ＧＢの記録密度を有するＤＶＤ＋ＲＷに対して、３３メガビット／秒のデータビット速度が必要とされ、ＤＶＲ−赤に対しては、前記速度は、３５メガビット／秒である。ＤＶＲ−青のような再書き込み可能な相変化光記録システムに対しては、５０メガビット／秒より高いユーザデータ転送速度が要求される。
【０００６】
相変化タイプの既知の媒体は、連続して、第一の誘電体、よく定義された相変化化合物ＧｅＴｅの記録層、第二の誘電体層及び反射層を有する層のスタックを所持する基板を含む。このような層のスタックを、ＩＰＩＭ構造と呼ぶことができ、ここでＭは、反射又は鏡層を表し、Ｉは、第一又は第二の誘電体層を表し、Ｐは、相変化記録層を表す。Ｇｅ及びＴｅの化合物の記録層は、３５０−７００ｎｍの範囲におけるレーザー光の波長で、無定形及び結晶の相の間における比較的高い相対的な反射の差を有する。加えて、Ｇｅ及びＴｅの化合物の記録層は、約１８０℃の比較的高い結晶化温度によって良好な熱安定性を有する。高い熱安定性は、一般的に記憶媒体に対する必要条件である、高い記録保存寿命に帰着する。
【０００７】
既知の媒体の欠点は、Ｇｅ及びＴｅの化合物の記録層のＣＥＴが、組成比に極めて敏感であることである。正確な５０：５０の比のみが、許容可能な短いＣＥＴを与える。この感度が不十分な製造の反復性をもたらすことは欠点である。
【０００８】
本発明の目的は、５０ｎｓ又はそれより短いＣＥＴ−値を有する、ＤＶＲ−青のような、高いデータ転送速度の光記録に適する、及び製造することが容易である、開始の段落に記載した種類の光情報媒体を提供することである。
【０００９】
この目的は、記録層が、式ＧｅｘＴｅ１００−ｘの化合物を含み、ここでｘは、アト％（ａｔ．％）でのＧｅのフラクションであり、３０＜ｘ＜７０であり、第一の誘電体層が、Ｔａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、並びにＳｉの炭化物からなる群から選択される化合物を含み、記録層と接触して存在することで達成される。
【００１０】
第一の誘電体層のこれらの酸化物、窒化物及び炭化物が、記録層のＧｅ及びＴｅの化合物の使用可能な組成の範囲を大幅に広げることを見出してきた。使用可能な組成の範囲は、低いＣＥＴをもつＧｅ及びＴｅの組成の範囲である。加えて、これらの酸化物、窒化物又は炭化物を使用するとき、ＣＥＴは、組成の範囲３０＜ｘ＜７０に対して、驚いたことに、はるかに、例えばおよそ２倍又はそれ以上で、低くなる。Ｇｅ及びＴｅの化合物の組成を、ＣＥＴを増加させることなく、かなり変動させてもよいので、広い使用可能な組成の範囲は、製造において有利である。正確な５０：５０の比、ｘ＝５０は、良好な結果を得るために、もはや要求されない。
【００１１】
実施例において、第一の誘電体層と同様に第二の誘電体層も、Ｔａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、並びにＳｉの炭化物からなる群から選択される化合物を含み、記録層と接触して存在する。これは、記録層の両側が、Ｔａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、並びにＳｉの炭化物の誘電体層と接触するという利点を有し、例えばおおよそ３倍で、さらに低いＣＥＴに、及び記録層の化合物のいっそう広い組成の範囲に、帰着する。
【００１２】
好ましくは、第一の誘電体層及び第二の誘電体層は、Ｔａ２Ｏ５及びＳｉ３Ｎ４の群から選択される化合物を含む。これらの材料は、容易に製造可能であるという利点を有し、使用可能な組成の範囲を広げること及びＣＥＴを低下させることに非常に適することを示してきた。
【００１３】
好適な実施例において、第一の誘電体層及び第二の誘電体層は、高々１５ｎｍの厚さを有する。Ｔａ２Ｏ５及びＳｉ３Ｎ４の熱伝導率は、誘電体層において頻繁に使用される材料である（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０のものより良好であるので、Ｔａ２Ｏ５又はＳｉ３Ｎ４層との接触を有する記録層のパワー感度は、より低い。しかしながら、１５ｎｍよりも薄いＴａ２Ｏ５−又はＳｉ３Ｎ４−層を使用するとき、記録パワー感度における効果は存在しないか又はほとんど存在しない。
【００１４】
より好適な実施例において、第一の誘電体層及び第二の誘電体層は、２−１０ｎｍの範囲における厚さを有する。２−１０ｎｍの範囲における層は、録音パワー感度に顕著な効果を持たない。このような薄い層の厚さの制御は厄介でありこのような薄い層における針穴の可能性はより高いので、２ｎｍより薄い層は、信頼性高く製造することが困難である。
【００１５】
４０＜ｘ＜６０であることが好ましく、ここでｘは、記録層の化合物の式ＧｅｘＴｅ１００−ｘからの値である。ｘの値のこの範囲は、高いデータ転送速度の記録に要求される、低いＣＥＴを得るために特に適切である。光記録媒体におけるマークの大きさは、実質的に、与えられたレーザー光の波長及び記録レンズの開口数に対して相対的に決められる記録スポットの大きさによって決定されるので、高いデータ転送速度の記録は、高速記録を要求する。高速記録は、この文脈では、少なくとも、コンパクト・ディスクの規格による速度の六倍である、７．２ｍ／ｓのレーザー光ビームに対する媒体の線速度を意味することが理解され得る。好ましくは、ＣＥＴ−値は、ＣＤ−速度の八倍に相当する９．６ｍ／ｓの線速度に必要な４５ｎｓ以下、又はさらにＣＤ−速度の十二倍に相当する１４．４ｍ／ｓの線速度に必要な３５ｎｓ以下であるべきである。媒体のジッタは、低い一定のレベルにあるべきである。さらに、媒体は、良好な熱安定性を有するべきである。
【００１６】
加えて、記録層の化合物は、５アト％までの量におけるＯ又はＮを含んでもよい。両方、Ｏ及びＮの添加は、１．５倍までだけ、より短いＣＥＴに帰着する。酸素又は窒素が、０．０１及び５アト％の間、好ましくは１．５及び２．０アト％の間の少量で化合物に存在するとき、ＣＥＴ−値を大幅に減少させることができる。０．０１アト％よりも低い酸素又は窒素の値は、記録層を得る工程の状況によって、例えば、酸素又は窒素のバックグラウンドの圧力が必然的に存在することになる、不活性ガス雰囲気におけるスパッタリングによっては、ほとんど得ることができない。５アト％以上の酸素又は窒素の濃度では、記録層のＣＥＴ−値は、５０ｎｓ以上に上昇し、ジッタ及びＤＯＷ繰り返し使用可能性（ｃｙｃｌａｂｉｌｉｔｙ）は、悪影響を及ぼされる。また、ＤＯＷ中における無定形及び結晶の反射の最大の変化は、許容できないほど小さくなる。さらに、酸素又は窒素の含量が高すぎるとき、記録された無定形のマークは、酸化物又は窒化物の形成の容易さのために、不安定になる場合もある。
【００１７】
反射層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選択される金属（その合金を含む）の少なくとも一つを含んでもよい。
【００１８】
追加の誘電体層は、記録層を湿気から保護するために、記録層を基板及び／又は反射層から断熱するために、並びに光学的なコントラストを最適化するために、第一及び／又は第二の誘電体層に隣接して存在してもよい。一般的に、レーザー光は、記録層に到達する前に、最初に第二の誘電体層を通過する。
【００１９】
特に、第三の誘電体層は、即ち記録層から遠い側で、第一の誘電体層に隣接して、及び第一の誘電体層と反射層との間に、存在してもよい。厚さは、一般的に１０及び５０ｎｍの間、好ましくは１５及び３５ｎｍの間にある。この層が薄すぎるとき、記録層／第一の誘電体層とさらなる層、即ち反射層との間における断熱性は、悪影響を及ぼされる。その結果、記録層の冷却速度は、増加し、それは、遅い再結晶又は消去過程、及び不十分な繰り返し使用可能性をもたらす。冷却速度は、第三の誘電体層の厚さを増加させることによって、減少することになる。
【００２０】
第四の誘電体層は、即ち記録層から遠い側で、第二の誘電体層に隣接して、存在してもよい。
【００２１】
ジッタの観点から、レーザー光が最初に入射する、誘電体層又は近隣の誘電体層の合計の厚さは、好ましくは、少なくとも７０ｎｍである。結晶の環境に無定形の記録マークを読み出すための最適な光学的なコントラストを考慮して、この層又はこれらの層の厚さは、使用するレーザー光の波長及び一つ又は複数の誘電体層の屈折率に依存して、最適な値、７０ｎｍ以上に設定される。自由選択で、基板と対向するスタックの最も外側の層は、例えばＵＶ光で硬化するポリアクリレート（ポリメタクリレート）の、保護のカバー層によって環境から遮られる。基板及びカバー層を交換してもよく、その場合には、レーザー光は、スタックに入射する前に、最初に基板を通過する。
【００２２】
ＣＥＴ−値は、２０から２００ｎｍまでの範囲における反射層の厚さにほとんど敏感でない。しかし、反射層が６０ｎｍよりも薄いとき、繰り返し使用可能性は、冷却速度が低すぎるので、悪影響を及ぼされる。反射層が、１６０ｎｍ又はそれより厚いとき、繰り返し使用可能性は、さらに低下し、記録及び消去のパワーは、増加した熱伝導のために、高くなければならない。好ましくは、反射層の厚さは、８０及び１２０ｎｍの間である。
【００２３】
追加の誘電体層、即ち第三及び第四の誘電体層は、ＺｎＳ及びＳｉＯ２の混合物、例えば（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなってもよい。
【００２４】
反射層及び誘電体層の両方を、蒸着又はスパッタリングによって提供することができる。
【００２５】
レーザー光ビームが、情報媒体の基板を通じて最初に入射するとき、それは、レーザーの波長に対して少なくとも透明であり、例えば、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、無定形ポリオレフィン、又はガラスで作られる。典型的な例では、基板は、円盤状であり、１２０ｍｍの直径及び０．１、０．６又は１．２ｍｍの厚さを有する。
【００２６】
記録スタックの側における基板の表面には、好ましくは、光学的に走査することができるサーボトラックが提供される。このサーボトラックは、しばしば螺旋形状の溝であり、射出成形又はプレス成形中に、型によって基板に形成される。代わりに、これらの溝を、基板に個別に提供される、透明なスペーサー層の合成樹脂、例えばＵＶ光で硬化可能なアクリレートに複製の工程で形成することができる。高密度記録において、このような溝は、例えば、０．６−０．８μｍのピッチ及び０．５μｍの幅を有する。
【００２７】
短い波長の、例えば６７０ｎｍ又はそれより短い波長をもつ、レーザーを使用することによって、高密度記録及び消去を達成することができる。
【００２８】
相変化記録層を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、化学気相蒸着、イオンプレーティング又はスパッタリングによって基板に塗布することができる。スパッタリングを使用するとき、酸素又は窒素の所望の量を有するＧｅＴｅのスパッタのターゲットを塗布することができるか、又はＧｅ−Ｔｅのターゲットを使用することができ、それによって、スパッタリングガスにおける酸素又は窒素の量を制御する。実際には、スパッタリングガスにおける酸素又は窒素の濃度は、ほとんど零及び１０体積％の間にあることになる。堆積するような層は、無定形であり、低い反射を示す。高い反射を有する適切な記録層を構成するために、通常初期化と呼ばれる、この層を最初に完全に結晶化しなければならない。この目的のために、記録層を、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｏ又はＧｅ−Ｔｅ−Ｎの化合物の結晶化温度、例えば１９０℃、以上の温度まで燃焼室で加熱することができる。代わりに、ポリカーボネートのような合成樹脂基板を十分なパワーのレーザー光ビームによって加熱することができる。これを、例えば記録計において実現することができ、その場合にはレーザー光ビームは、移動する記録層を走査する。次に、無定形の層を、基板が不都合な熱負荷を受けることなく、層を結晶化するために要求される温度まで局所的に加熱する。
【００２９】
本発明による光情報媒体は、典型的な実施例によって、及び添付する図面を参照して、より詳細に解明されると思われる。
【００３０】
［模範的な実施例］
図１において、レーザー光ビーム１０による消去可能な記録のための情報媒体２０は、基板１を有する。層のスタック２は、その上に提供される。スタック２は、第一の誘電体層５及び第二の誘電体層７、無定形及び結晶状態の間で変化することができる記録層６を有する。記録層は、第一の誘電体層５及び第二の誘電体層７の間に配置される。反射層３は、存在する。記録層６は、式Ｇｅ４９．５Ｔｅ５０．５の化合物を含む。加えて、記録層６の化合物は、５アト％までの量でＯ又はＮを含んでもよい。記録層は、６７０ｎｍのレーザー光の波長に対して最適化された２８ｎｍの厚さを有する。
【００３１】
第一の誘電体層５及び第二の誘電体層７は、Ｓｉ３Ｎ４であり、記録層６と接触接して存在する。Ｓｉ３Ｎ４に対する良好な代替物は、Ｔａ２Ｏ５である。第一の誘電体層５及び第二の誘電体層７は、５ｎｍの厚さを有する。
【００３２】
反射層３は、１００ｎｍの厚さをもつＡｌを含む。
【００３３】
例えば（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の第三の誘電体層４及び第四の誘電体層８は、それぞれ、第一の誘電体層５及び第二の誘電体層７に隣接して存在する。第三の誘電体層の厚さは、２０ｎｍであり、第四の誘電体層の厚さは、９０ｎｍである。このようなスタックにおいて、６７０ｎｍのレーザー光の波長で、無定形の反射Ｒａは、３．８％であり、結晶の反射Ｒｃは、３６．５％である。
【００３４】
基板１は、１２０ｍｍの直径及び０．６ｍｍの厚さを有するポリカーボネートの円盤状の基板である。
【００３５】
例えば、１００μｍの厚さをもつＵＶで硬化する樹脂Ｄａｉｃｕｒｅ  ＳＤ６４５で作られるカバー層９は、第四の誘電体層８に隣接して存在する。
【００３６】
４０５ｎｍのレーザー光の波長を使用するとき、記録層６の最適な厚さは、１５ｎｍであり、第三及び第四の誘電体層４、８は、それぞれ、２０及び１３５ｎｍの厚さを有する。スタック２及び基板１の他の層は、変化しないままである。このようなスタック２において、４０５ｎｍのレーザー光の波長で、無定形の反射Ｒａは、０．８％であり、結晶の反射Ｒｃは、２２．９％である。
【００３７】
図２は、図１によるＩＩ’ＰＩ’ＩＭスタックにおいて、しかし記録層６への酸素の添加なしで、Ｓｉ３Ｎ４の第一及び第二の誘電体層と接触するＧｅｘＴｅ１００−ｘの記録層におけるｘの値に対する完全消去時間（ＣＥＴ）の依存性のグラフ２１を示す。比較のために、第一及び第二の誘電体層の材料を標準的な材料（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０と交換するとき、別のグラフ２２を示す。本発明による媒体において、本発明による第一及び第二の誘電体層を使用して、おおよそ３倍のＣＥＴの減少が達成されることが結論される。
【００３８】
図３は、図１によるスタックにおいて、３．５アト％までの量での記録層６の化合物Ｇｅ４９．５Ｔｅ５０．５におけるＯの存在の（ｎｓでの）ＣＥＴに対する効果のグラフ２３を示す。同様の効果は、窒素の添加で得られる。このようにして、最適な実施例において、記録層６は、式Ｇｅ４９．５Ｔｅ５０．５のものであり、１．８７アト％の酸素が存在する。
【００３９】
本発明によれば、広い使用可能な組成の範囲をもつＴａ及びＳｉの酸化物、Ｓｉ及びＡｌの窒化物、又はＳｉの炭化物の化合物を含む少なくとも一つの誘電体層と接触する、Ｇｅ−Ｔｅ化合物の記録層をもつ、従って製造することが容易な、低い完全消去時間（ＣＥＴ）の値を有する、ダイレクトオーバーライト及び高いデータ転送速度の記録に適する、並びに７．２ｍ／ｓ又はそれ以上の線速度での良好な繰り返し使用可能性及び低いジッタを示す、ＤＶＲ−青のような再書き込み可能な相変化光情報媒体が提供される。記録層における酸素又は窒素の存在は、４５ｎｓ以下の値までのＣＥＴの特別な減少を与える。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による光情報媒体の概略の断面図を示す。測定するための寸法を描いてない。
【図２】
既知の媒体のＣＥＴを本発明による媒体のＣＥＴと比較する、 ＧｅｘＴｅ１００−ｘの記録層におけるｘの値に対する完全消去時間（ｎｓでのＣＥＴ）の依存性を伴った二つのグラフを示す。
【図３】
本発明による媒体のＧｅ４９．５Ｔｅ５０．５の記録層における酸素の量に対する完全消去時間（ｎｓでのＣＥＴ）の依存性を伴ったグラフを示す。
【図２】
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【図３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004516595.tif 000019
2004516595.tif 000020