(57)【要約】反射防止組成物とこれら組成物を低誘電率材料に用いる方法の提供。  一つの実施形態において、組成物は未反応環状部分を持つ繰返しモノマーを含むポリマーを含む。別の実施形態において、ポリマーはさらに光減衰化合物と反応して開環した環状部分を含む繰返しモノマー類を含む。本組成物は誘電体に塗布することによりデュアルダマシン工程中の反射を最小限にする、あるいは防止することができる一方、同時に有機反射防止被覆を低誘電率層に塗布する場合によく起きるビアあるいはフォトレジスト被毒をブロックする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーを含む反射防止または充填用組成物中に、
光減衰化合物と反応して開環した環状部分を個々に含む、第１の組の繰返しモノマー、および
反応環状部分に対する未反応環状部分のモル比が約１０：９０から９０：１０である個々に未反応環状部分を含む、第２の組の繰返しモノマーを含むことを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記環状部分が、環状無水物類、ラクトン類、アズラクトン類、およびオキサゾール類からなる群から選択される請求項１の組成物。
【請求項３】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが異なるポリマー中に存在する請求項１の組成物。
【請求項４】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが同一のポリマー中に存在する請求項１の組成物。
【請求項５】
前記光減衰化合物の一部分が、カルボン酸類、フェノール類、およびアミン類からなる群から選択される部分を含む請求項１の組成物。
【請求項６】
前記光減衰化合物が９−アントラセンカルボン酸である請求項５の組成物。
【請求項７】
前記繰返しモノマーが次のものからなる群から選択される請求項１の組成物：
【化１】
2006509245.tif 000006
2006509245.tif 000007
ここにＲは光減衰化合物を含み；ｎは約０．９から０．５；そして ｍ は約０．１から０．５である。
【請求項８】
ビア被毒をブロックあるいは抑制することが可能な反射防止組成物を用いる方法で、この方法は次の工程を含む：
ポリマーを含む組成物で以下を含む、ある量の組成物を準備する工程；
（ａ）光減衰化合物と反応して開環した環状部分を個々に含む、第１の組の繰返しモノマー、および
（ｂ）反応環状部分に対する未反応環状部分のモル比が約１０：９０から９０：１０である個々に未反応環状部分を含む、第２の組の繰返しモノマーを含む、
前記組成物を基板の少なくとも一部に塗布する工程；そして
前記組成物を硬化して前記基板上に反射防止層を形成する工程。
【請求項９】
前記環状部分が、環状無水物類、ラクトン類、アズラクトン類、およびオキサゾール類からなる群から選択される請求項８の組成物。
【請求項１０】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが異なるポリマー中に存在する請求項８の方法。
【請求項１１】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが同一のポリマー中に存在する請求項８の方法。
【請求項１２】
前記基板が誘電体材料で、その誘電率が約３．８未満である請求項８の方法。
【請求項１３】
前記誘電体材料が、フッ素化ケイ酸ガラス、アモルファスフッ素化カーボン、フッ素化ポリイミド類、フッ素化ポリアリーレンエーテルおよびパリレン−Ｆからなる群から選択される請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記光減衰化合物が、カルボン酸類、フェノール類、およびアミン類からなる群から選択される部分を含む請求項８の方法。
【請求項１５】
前記光減衰化合物が９−アントラセンカルボン酸である請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記組成物が以下に示す群から選択された繰返しモノマーを含む請求項８の方法。
【化２】
2006509245.tif 000008
2006509245.tif 000009
ここに、Ｒは光減衰化合物を含み；ｎ は約０．９から０．５；そして ｍ は約０．１から０．５である。
【請求項１７】
ビア被毒をブロックまたは抑制できる硬化保護層において、この層が少なくとも１つのポリマーを含む組成物で形成され、次のものを含むことを特徴とする前記硬化保護層：
（ａ）光減衰化合物と反応して開環した環状部分を個々に含む、第１の組の繰返しモノマー、および
（ｂ）反応環状部分に対する未反応環状部分のモル比が約１０：９０から９０：１０である個々に未反応環状部分を含む、第２の組の繰返しモノマー。
【請求項１８】
前記環状部分が、環状無水物類、ラクトン類、アズラクトン類、およびオキサゾール類からなる群から選択される請求項１７の組成物。
【請求項１９】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが異なるポリマー中に存在する請求項１７の層。
【請求項２０】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが同一のポリマー中に存在する請求項１７の層。
【請求項２１】
前記光減衰化合物がカルボン酸類、フェノール類、およびアミン類からなる群から選択される部分を含む請求項１７の層。
【請求項２２】
前記光減衰化合物が９−アントラセンカルボン酸である請求項２１の層。
【請求項２３】
前記硬化保護層が以下に示す群から選択された繰返しモノマーを含む請求項１７の層。
【化３】
2006509245.tif 000010
2006509245.tif 000011
ここに、Ｒは光減衰化合物を含み；ｎ は約０．９から０．５；そして ｍ は約０．１から０．５である。
【請求項２４】
ビア被毒をブロックあるいは抑制することが可能な反射防止組成物を用いる方法で、次の工程を含む：
ビア被毒をブロックあるいは抑制することが可能な反射防止組成物をある量準備する工程；
前記組成物を基板の少なくとも一部に適用する工程；そして
前記組成物を硬化して前記基板上に反射防止層を形成する工程。
【請求項２５】
前記適用する工程が、組成物と誘電体材料の間にいかなる介在層も設けずに前記組成物を前記誘電体材料に適用する請求項２４の方法。
【請求項２６】
前記誘電体材料の誘電率が約３．８未満である請求項２４の方法。
【請求項２７】
前記誘電体材料がフッ素化ケイ酸ガラス、アモルファスフッ素化カーボン、フッ素化ポリイミド類、フッ素化ポリアリーレンエーテルおよびパリレン−Ｆからなる群から選択される請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記反射防止層上にさらにフォトレジスト層を形成する工程を含む請求項２４の方法。
【請求項２９】
前記誘電体材料にビア孔が形成してあり、前記適用する工程がビア孔に前記組成物を適用することを含む請求項２４の方法。
【請求項３０】
さらに前記反射防止層の上にフォトレジスト層を、このフォトレジスト層が前記組成物と前記ビア孔内で接する様に形成する工程を含む請求項２９の方法。
【請求項３１】
さらに前記フォトレジスト層を硬化および現像する工程を含み、この現像工程の結果、前記フォトレジスト層の少なくとも約９８％がビア孔から除去される請求項３０の方法。
【請求項３２】
前記反射防止組成物が、誘電体材料によって形成されるアミン類を物理的にブロックしたり反応したりすることができる請求項２４の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連明細書】
【０００１】
本出願は、２００１年６月５日出願の米国特許出願第０９／８７４７８３号、本願に引用して本明細書とする、の部分継続出願である。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、未反応環状部分を含むポリマーを含む反射防止被覆、およびそれら被覆を低誘電率材料に用い、通常これらの材料に付随するビア（via、回り）あるいはフォトレジスト被毒を抑制ないし防止する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路業界は絶えずデバイスのより高密度集積化およびデバイスのスイッチング速度のより高速化の方向に動いている。進んだ半導体生産技術により今ではサブミクロンフィーチャーサイズ（描画サイズ）（つまり０．３５μｍ未満）の集積回路デバイスも製造できるようになっている。このフィーチャーサイズ削減の趨勢が、今度は多層間連結の必要性を駆り立てた。
【０００４】
デュアルダマシン工程はシングルダマシン工程の配線溝を形成することに加え、導電的接触あるいはビア孔をも形成する多層面間連結工程である。この仕組みにおいて回路性能は電子信号が集積回路チップ上にある何百万というゲートやトランジスタ間を通過する上でますます時間遅延の要因になってくる。つい最近まで、デバイスのスイッチング速度の決め手となる集積回路のＲ−Ｃ遅れはＣＭＯＳトランジスタの駆動キャパシタンスと負荷抵抗が支配的であった。サブミクロンのデバイスにとって、多層デバイスのキャパシタンスに起因するスイッチング遅れの増加はデバイス性能の向上を制約するものとなってきた。多層間連結デバイスに対する高速化およびクロストークの減少という要求に対処するため、金属間連結線間に低誘電率（つまり約３．８未満）の絶縁材料を用いることが望ましい。誘電率が３．８未満の幾つかの材料は米国特許第６０５４３８０号に開示されているので引用して本明細書とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これら誘電体の使用が検討されてはいたが、これらはまだ集積回路製造ラインには組み込まれていなかった。この様な材料の使用を妨げる基礎的な技術上の難点はビア被毒、あるいはフォトレジスト被毒として知られる問題点である（例えば、引用して本明細書とする米国特許第６１０３４５６号参照）。一般的なデュアルダマシン工程では光リソグラフィー手法を伴う。低誘電率材料を用いる工程においては、半導体基板上に逐次的にバリア層、低誘電率層、ハードマスク層、および反射防止膜の被覆を伴う。その後、反射防止層と低誘電率層（低ｋ誘電体層とも称する）には感光層と共に光リソグラフィーによりパターン付けされ開口部または溝が形成される。しかしながら、有機反射防止材料の下にある低ｋ誘電体のために起きるビアあるいはフォトレジスト被毒によりフォトレジストが反射防止材料の開口部から除去することが妨げられる。この開口部は後続する多層間連結を形成するステップで不可欠であるから、フォトレジストを除去できないと良質なデバイスの製造が妨げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明はビアあるいはフォトレジスト被毒の問題を、反射防止被覆組成物を提供してこの被毒を抑制および／またはブロックすることにより克服する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
より詳細にそして一つの実施形態において、ビア被毒を（化学的または物理的ないずれかのメカニズムで）抑制、ブロック、および／または防止できる組成物を提供している。かくて、組成物は誘電体による毒物と反応し、あるいはこれに対する物理的バリヤーを作る化合物を含むように策定されている。これらの組成物で抑制、ブロック、および／または防止される一つのタイプのビア被毒はアミン類を含む。
【０００８】
本発明が従来技術に伴う問題を減少し、さらに好ましくは防止し、次工程の間に実質的にビア孔や溝からすべてのフォトレジスト層の除去を可能にするとしたら高く評価されるであろう。本発明が従来技術に対して持つもう一つの大きな利点は、光吸収と被毒抑制あるいは防止が同じ層で達成できるという点にある。つまり、本発明の組成物と誘電体の間にバリヤー層やマスキング層のような介在層を必要としないということである。
【０００９】
別の実施形態では、本発明の組成物は光減衰化合物あるいは発色団を含みこれらは組成物が以下に示す量の未反応または完全な環状部分を含む限り、組成物内で物理的に混合できるか、組成物のポリマー中に存在する環の幾つかと反応可能か、および／またはそうでなければ組成物中のポリマーの一部あるいは全部と結合している。環としては、エポキシド環類、環状無水物類、ラクトン類、アズラクトン類、およびオキサゾール類で構成される群から選択された構造体を含むことが好ましい。
【００１０】
一つの好ましい実施形態において、組成物は次のものから構成されるポリマーを含む。すなわち：光減衰化合物と反応して開環した環状部分を含む繰返しモノマー（例えば、環の１つの炭素原子が光減衰化合物の原子と結合しているなど）、および未反応環を含む繰返しモノマー（つまり閉じた、あるいは完全な環）を含む。別の実施形態では、開いた環と完全な環が異なるポリマー中に存在する。
【００１１】
これらの実施形態において、組成物内の既反応環状部分に対する組成物内の未反応環状部分のモル比は約１０：９０から約９０：１０が好ましく、約２０：８０から約８０：２０がより好ましく、約２０：８０から約５０：５０がさらに好ましい。これらの比は硬化した組成物内でもまた本質的に同じである。化合物の平均分子量は一般に約１０００〜１５０００ダルトンであるが、約３０００〜５０００ダルトンであることがより好ましい。
【００１２】
とくに好ましい実施形態において、ポリマーは以下に示す群から選択された繰返しモノマーを含む。
【００１３】
【化４】
2006509245.tif 000002
2006509245.tif 000003
【００１４】
ここに、Ｒは光減衰化合物を含み；ｎ は約０．９から０．５、より好ましくは約０．６から０．５の数；ｍ は約０．１から０．５、より好ましくは約０．４から０．５の数である。
好ましい光減衰化合物は、カルボン酸類、フェノール類、およびアミン類を含む群から選択された部分を含むが、とくに好ましい光減衰化合物は９−アントラセンカルボン酸である。
【００１５】
ポリマー類は希望する環状部分（例えば、エポキシ樹脂）を持つポリマーを光減衰化合物と一部グラフト化して調合されることが望ましい。当業者には判る様に、上に述べたとおり希望する環のレベルを達成できる限り、周知のいかなるグラフト化工程も適している。これで得られたポリマーはポリマーを適当な溶媒系に溶解または分散することにより反射防止化合物を調合するために用いることができる。光減衰化合物の一部または全部がポリマーと物理的に混合される適用例においては光減衰化合物もまた溶媒系に溶解または分散される。
【００１６】
溶媒系は約１００〜１８０℃、好ましくは約１２０〜１５０℃の沸点を持つ必要がある。溶媒系に溶解するポリマー量は、組成物全体の重量を１００％とした基準で、ポリマー重量で約２〜１５％が好ましく、ポリマー重量で約３〜７％がより好ましい。溶媒系は組成物全体の重量を１００％とした基準で、重量で約８５〜９８％のレベルで使用されることが好ましく、重量で約９３〜９８％のレベルで使用されることがより好ましい。好ましい溶媒系は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、およびこれらの混合物を含む群から選択される溶媒を含む。
【００１７】
本発明の組成物はさらに架橋剤を含むことも可能である。これはポリマーとは別個の架橋剤を用いても、あるいは別にポリマーは「組み込まれた」架橋剤部分を含んでいてもよい。好ましい架橋剤として、メラミン類およびグリコウリル架橋剤を含む群から選択されるものを含む。架橋剤ないし架橋部分は組成物中に、その組成物中の成分全体の重量を１００％とした基準で、重量で約０．２〜５％のレベルで存在すべきで、重量で約０．５〜１％のレベルで存在することがより好ましい。このようにして反射防止組成物は約８５〜２５０℃、より好ましくは約１００〜２２０℃で架橋すべきである。
【００１８】
もし希望するなら、他の無数の随意的な化合物がこの本発明の反射防止あるいは充填組成物に含まれることが出来ることは歓迎されるであろう。このような他の随意的な成分として、４，４’−スルホニルジフォノル(diphonol)およびピリジニウムトシレートが含まれる。
【００１９】
反射防止被覆は通常の工程（例えばスピンコート）により行われ、フッ素化ケイ酸ガラス、アモルファスフッ素化カーボン、フッ素化ポリイミド類、フッ素化ポリアリーレンエーテル、およびパリレン−Ｆを含むどのような低ｋ（約３．８未満）誘電体とでも共に用いることが出来る。
【実施例】
【００２０】
以下の実施例は本発明による好ましい方法について述べる。しかし当然ながら、これらの実施例は実例を示すためのものであり、その内容のいかなるものも発明全体の適用範囲を制約するものではない。
【００２１】
＜実施例１＞
１．９−アントラノイック酸(Anthranoic)によるポリマーのグラフト化
この手順において、脂環式固形エポキシ樹脂（１０００ｇ当たり６．１４モルのエポキシ当量を有し、ダイセル化学工業から商品名ＥＨＰＥとして市販されている）１０ｇ、９−アントラセンカルボン酸５．４５ｇ、およびベンジルトリエチルアンモニウムクロリド（ＢＴＡＣ）０．３１５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）６３ｇに溶解し、次いで１２０℃で２４時間還流した。それから反応混合物を放冷した。
【００２２】
スキームＡに実施例のこの部分で起きた反応を描写している。
【００２３】
【化５】
2006509245.tif 000004
【００２４】
２．反射防止被覆剤の形成
次に、この実施例の１．で準備した中間物５６．５４ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２１２．３０ｇ、ＰＧＭＥ１３０．４６ｇ、Ｃｙｍｅｌ(R)（アミノプラスト、Ｃｙｔｅｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社から入手）２．５８ｇ、およびピリジニウムｐ−トルエンスルホネート０．４５ｇに加えた。内容物を固形物がすべて溶解するまで混合し、その後イオン交換ビーズ（６５０Ｃ）４０ｇを加えそして４時間混合した。ビーズを篩で漉し、形成物を窒素加圧下で分離限界（end point  終点）０．１μｍのフィルターでろ過した。形成物をシリコンウェーハーに２５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートし、次いで２０５℃のホットプレート上で６０秒間焼き付けした。硬化膜の厚みは７２０Åで光学密度は１０．３５／μｍであった。
【００２５】
＜実施例２＞
１．共重合体の生成
この手順において、グリシジルメタクリレート１２．３９ｇ、ヒドロキシプロピルメタクリレート２３．０１ｇ、ドデカンチオール３．５４ｇ、およびアゾビスイソブチロニトリル１．０６ｇをＰＧＭＥ１６０．０ｇに溶解した。反応混合物を常時かき混ぜながら窒素雰囲気下で１００℃まで加熱した。この反応条件を２４時間維持し、ＰＧＭＥ中に２０重量％の共重合体溶液を得た。
２．９−アントラノイック酸による共重合体のグラフト化
【００２６】
次に、この実施例の１．で準備した共重合体溶液６５．０ｇを９−アントラセンカルボン酸０．１７５ｇ、ＢＴＡＣ０．１７５ｇ、およびＰＧＭＥ２７．２５ｇと混合した。反応混合物を常時かき混ぜながら窒素雰囲気下で還流温度まで加熱し、この反応条件を２４時間維持した。ＧＰＣ分析により、作成した溶液は１６％の未反応９−アントラセンカルボン酸を含むことが判った。
【００２７】
この実施例の１．、２．でおこなわれた反応を下のスキームＢに示す。
【００２８】
【化６】
2006509245.tif 000005
【００２９】
３．反射防止被覆剤の形成
反射防止被覆剤はこの実施例の２．で作成したグラフト化ポリマー溶液１２．０ｇをＰＧＭＥＡ１７．９ｇ、ＰＧＭＥ３２．１４ｇ、Ｃｙｍｅｌ ３０３(R)（架橋剤、Ｃｙｔｅｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社から入手可能）０．５８ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．０１１６ｇ、および４，４’−スルホニルジフェノール０．１４３ｇと共に混合した。内容物をすべての固形物が溶解するまで混合し、次いで混合物を０．１μｍのフィルターでろ過した。
【００３０】
それからろ過した形成物を２５００ｒｐｍで６０秒間シリコンウェーハー上にスピンコートし、次いで２０５℃のホットプレート上で６０秒間焼き付けを行った。硬化した膜は厚み１９５Å、光学密度９．１０μｍであった。
【００３１】
＜実施例３＞
上の実施例１で作成した反射防止組成物をＬＣＦパターン（ウェーハースクリブリング上に逆基調で印刷されたパターンを参考にしている）、コンビネーション（溝と空白部のパターンで、溝の下にビアがある）、堆積接触、およびＳＥＭバー特性を持つウェーハー上でテストした。有機ケイ酸塩誘電体をウェーハーに塗布した。次に反射防止組成物をできあがった低ｋ誘電層（内部にビアパターン付き）に５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートし、次いで５００ｒｐｍで最終振り切りをして１８５℃で９０秒間焼き付けをおこなった。フォトレジスト組成物（ＰＥＫ−１３１、住友化学から入手）を硬化した反射防止層に４０００ｒｐｍで６０秒間スピンコートし、次いで９０℃で６０秒間焼き付けた。
【００３２】
第２のグループのウェーファーも上に述べたのと同じ手順で準備されたが、これらのウェーハーは反射防止被覆を塗布する前にさらに４４０℃で９０秒間不動態化焼き付けを行っている。また従来技術による反射防止被覆（在来の２４８ｎｍＢＡＲＫ用途のＲＨ２２１３−２２−５、ＢｒｅｗｅｒＳｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．）を用いたコントロールセットのウェーハーもテストされた。
【００３３】
すべてのウェーハーを被覆しＤＮＳ８０Ｂで現像した。露光はニコンＳ２０１スキャナーを用いて露光出力３２ｍＪでおこなった。フォトレジストをそれから９０℃で９０秒間焼き付けしＣＤ２６現像機（ＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙから入手）を用いて現像した。
【００３４】
図１（ＰＲ：０．５３μｍＰＥＫ１３１、露光３２ｍＪ、焦点−０．１μｍ；反射防止被覆：１５８２Å、１８５℃硬化）は本発明による反射防止被覆を用いた露光後のテストサンプルのフォトレジスト層のＳＥＭ写真を表している。図２（ＰＲ：０．５３μｍＰＥＫ１３１、露光３２ｍＪ、焦点−０．１μｍ；反射防止被覆：１６３８Å、１８５℃硬化）はコントロールサンプルのフォトレジスト層のＳＥＭ写真を表している。両写真を比較すると、本発明による反射防止被覆はビア被毒を阻止しフォトレジスト材料を孔や溝から実質的に完全に除去することを可能にし（図１参照）、フォトレジスト材料が孔や溝に残っているコントロールサンプル（図２参照）と異なっていることを示している。
【００３５】
このように、本発明のどの実施形態をおこなってもフォトレジストを誘電体のビア孔や溝から実質的に完全に除去することを可能にしている。特に従来技術でフォトレジストを現像したときに、フォトレジストの少なくとも約９８％、好ましくは少なくとも約９９％、より好ましくは少なくとも約１００％がビア孔や溝から除去される。使用する特定のフォトレジストに必要な現像工程の方式については当業者には判ることである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来技術によるコントロールウェーハーの反射防止被覆を含むフォトレジスト層を描写したＳＥＭ写真（４０Ｘ）である。
【図２】本発明によるテストウェーハーの反射防止被覆を含むフォトレジスト層を描写したＳＥＭ写真（４０Ｘ）である。
【図１】
2006509245.tif 000012
【図２】
2006509245.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビア被毒をブロックあるいは抑制することが可能な反射防止組成物を用いる方法で、この方法は次のステップを含む：
ポリマーを含むある量の組成物を準備する工程；
前記組成物を基板の少なくとも一部に塗布する工程；および
前記組成物を硬化して前記基板上に反射防止層を形成する工程で、この硬化層は次のものを含む：
（ａ）光減衰化合物と反応して開環した、エポキシドを除く環状部分を個々に含む、第１の組の繰返しモノマー、および
（ｂ）反応環状部分に対する未反応環状部分のモル比が約１０：９０から９０：１０である個々にエポキシドを除く未反応環状部分を含む、第２の組の繰返しモノマー。
【請求項２】
前記環状部分が、環状無水物類、ラクトン類、アズラクトン類、およびオキサゾール類からなる群から選択される請求項１の組成物。
【請求項３】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが異なるポリマー中に存在する請求項１の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが同一のポリマー中に存在する請求項１の方法。
【請求項５】
前記基板が誘電体材料で、その誘電率が約３．８未満である請求項１の方法。
【請求項６】
前記誘電体材料が、フッ素化ケイ酸ガラス、アモルファスフッ素化カーボン、フッ素化ポリイミド類、フッ素化ポリアリーレンエーテルおよびパリレン−Ｆからなる群から選択される請求項５の方法。
【請求項７】
前記光減衰化合物が、カルボン酸類、フェノール類、およびアミン類からなる群から選択される部分を含む請求項１の方法。
【請求項８】
前記光減衰化合物が９−アントラセンカルボン酸である請求項７の方法。
【請求項９】
前記組成物が以下に示す群から選択された繰返しモノマーを含む請求項１１の方法。
【化１】
2006509245.tif 000014
ここに、Ｒは光減衰化合物を含み；ｎ は約０．９から０．５；そしてｍ は約０．１から０．５である。
【請求項１０】
ビア被毒をブロックまたは抑制できる硬化保護層において、この層が少なくとも１つのポリマーを含む組成物で形成され、次のものを含むことを特徴とする前記硬化保護層：
（ａ）光減衰化合物と反応して開環した、エポキシドを除く環状部分を個々に含む、第１の組の繰返しモノマー、および
（ｂ）反応環状部分に対する未反応環状部分のモル比が約１０：９０から９０：１０である個々にエポキシドを除く未反応環状部分を含む、第２の組の繰返しモノマー。
【請求項１１】
前記環状部分が、環状無水物類、ラクトン類、アズラクトン類、およびオキサゾール類からなる群から選択される請求項１０の組成物。
【請求項１２】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが異なるポリマー中に存在する請求項１０の層。
【請求項１３】
前記第１および第２の組の繰返しモノマーが同一のポリマー中に存在する請求項１０の層。
【請求項１４】
前記光減衰化合物がカルボン酸類、フェノール類、およびアミン類からなる群から選択される部分を含む請求項１０の層。
【請求項１５】
前記光減衰化合物が９−アントラセンカルボン酸である請求項１４の層。
【請求項１６】
前記硬化保護層が以下に示す群から選択された繰返しモノマーを含む請求項１０の層。
【化２】
2006509245.tif 000015
ここに、Ｒは光減衰化合物を含み；ｎ は約０．９から０．５；そして ｍ は約０．１から０．５である。
【請求項１７】
ビア被毒をブロックあるいは抑制することが可能な反射防止組成物を用いる方法で、次の工程を含む：
ビア被毒をブロックあるいは抑制することが可能な反射防止組成物をある量準備する工程；
前記組成物を基板の少なくとも一部に適用する工程；そして
前記組成物を硬化して前記基板上に反射防止層を形成する工程。
【請求項１８】
前記適用する工程が、組成物と誘電体材料の間にいかなる介在層も設けずに前記組成物を前記誘電体材料に適用する請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記誘電体材料の誘電率が約３．８未満である請求項１７の方法。
【請求項２０】
前記誘電体材料がフッ素化ケイ酸ガラス、アモルファスフッ素化カーボン、フッ素化ポリイミド類、フッ素化ポリアリーレンエーテルおよびパリレン−Ｆからなる群から選択される請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記反射防止層上にさらにフォトレジスト層を形成する工程を含む請求項１７の方法。
【請求項２２】
前記誘電体材料にビア孔が形成してあり、前記適用する工程がビア孔に前記組成物を適用することを含む請求項１７の方法。
【請求項２３】
さらに前記反射防止層の上にフォトレジスト層を、このフォトレジスト層が前記組成物と前記ビア孔内で接する様に形成する工程を含む請求項２２の方法。
【請求項２４】
さらに前記フォトレジスト層を硬化および現像する工程を含み、この現像工程の結果、前記フォトレジスト層の少なくとも約９８％がビア孔から除去される請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記反射防止組成物が、誘電体材料によって形成されるアミン類を物理的にブロックしたり反応したりすることができる請求項１７の方法。
【国際調査報告】
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