(57)【要約】例えばテレビセット、モニタなどといった陰極線管（ＣＲＴ）を有する装置中の高電圧・水平偏向回路（１００）の高電圧部においてフラッシュ（Ｆ）が発生しているかどうかを検出する方法及び装置を記載する。起こり得るフラッシュは、フラッシュの発生を反映するずれについて水平偏向回路（１６）のフライバックパルス（７０）を調べることにより検出される。フラッシュの発生を示す１つの起こり得る歪みは、フライバックパルスのはね返りである。フラッシュの発生を示す別の起こり得る歪みは、フライバックパルスの潰れである。フラッシュの発生を示す別の起こり得るずれは、ライン偏向トランジスタ（３０）の記憶時間（τＳ）の大幅な減少である。
2004512747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧・水平偏向回路を備える陰極線管を有する装置において高電圧回路中でフラッシュが発生しているかどうかを検出する方法であり、フラッシュの発生を反映するずれについてフライバックパルスを監視し、調べる方法。
【請求項２】
歪んだフライバックパルスの形状が前記フラッシュの発生を示すものとみなされる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フライバックパルスの電圧が第１既定しきい値未満まで減少する場合に監視時間ウィンドウが開始され、前記監視時間ウィンドウ内の第２既定しきい値を超える前記フライバックパルスの電圧の上昇が前記フラッシュの発生を示すものとみなされる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ライン偏向トランジスタの記憶時間のずれが前記フラッシュの発生を示すものとみなされる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ライン偏向トランジスタの前記記憶時間の既定パーセント分より多いずれが前記フラッシュの発生を示すものとみなされ、前記パーセントが好ましくは約２％である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
高電圧・水平偏向回路、及び
フラッシュの発生を反映するずれについてフライバックパルスを監視し、前記フライバックパルスを調べることにより、前記高電圧・水平偏向回路においてフラッシュが発生するかどうかを検出する手段を有する偏向及び高電圧を生成する装置。
【請求項７】
例えばテレビセット、モニタなどの高電圧・水平偏向回路を備える陰極線管を有する装置であり、
当該偏向コントローラの出力部においてＨ駆動パルスを生成する偏向コントローラ、
前記偏向コントローラの前記出力部に結合される入力部を持つベース駆動回路、
前記ベース駆動回路の出力部に結合される制御入力部を持つライン偏向スイッチ、
前記ライン偏向スイッチの出力端子に接続されており、ＣＲＴの電子銃のための高電圧を生成する高電圧生成手段、
前記ライン偏向スイッチの前記出力端子に接続されており、前記ＣＲＴの偏向コイル中の偏向電流を生成する偏向電流生成手段、及び
前記ライン偏向スイッチの前記出力端子の出力電圧を受け取るよう結合される第１入力部を持ち、前記偏向コントローラの制御入力部に結合される制御出力部を持つ制御装置を有する装置であり、前記制御装置が該制御装置の第１入力部において受け取られる前記電圧を監視し、前記入力電圧が高電圧回路におけるフラッシュの発生を示しているとみなされる場合に適当な動作を行なうよう適合される装置。
【請求項８】
前記制御装置の前記適当な動作は、前記偏向コントローラの前記制御入力部へ第１動作信号を送り、該偏向コントローラを待機状態にすること、及び既定待ち時間後に、前記偏向コントローラの前記制御入力部へトリガ信号を送り、該偏向コントローラが再始動を行なうことを含む請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記制御装置が、前記入力電圧が第１既定しきい値未満まで減少する場合に監視時間ウィンドウを開始し、前記監視時間ウィンドウの間に前記入力電圧が再び第２既定しきい値を超える場合に前記適当な動作を行なうよう適合される請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御装置が、前記偏向コントローラによって生成される前記Ｈ駆動パルスを受け取るよう結合される第２入力部を持ち、前記制御装置が、次のラインの前記Ｈ駆動パルスが該制御装置の第２入力部において受け取られる場合に前記監視時間ウィンドウを停止するよう適合される請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ライン偏向スイッチはライン偏向トランジスタであり、前記制御入力部は前記ライン偏向トランジスタのベースであり、前記出力端子は前記ライン偏向トランジスタのコレクタである請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記制御装置が前記偏向コントローラにより生成される前記Ｈ駆動パルスを受け取るよう結合される第２入力部を持ち、前記制御装置が、
前記ライン偏向トランジスタの記憶時間τＳを測定し、
現在のラインに対して測定された前記記憶時間τＳを前のラインに対して測定された前の記憶時間τＳ＊と比較し、
記憶時間差ΔτＳ ＝τＳ＊ −τＳを計算し、
前記記憶時間差ΔτＳが既定しきい値より高い場合には前記適当な動作を行なうよう適合される請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記制御装置が、後のラインに対する前記記憶時間差ΔτＳを計算するのに用いるために、現在のラインに対して測定された測定記憶時間τＳを記憶する関連記憶時間メモリを持つ請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記制御装置が、あるラインに対して、記憶時間差が既定しきい値より大きく、且つ前記監視時間ウィンドウの間に前記入力電圧が再び前記第２既定しきい値を超える場合にのみ前記適当な動作を行なうよう適合される請求項９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばテレビセット、モニタなどの陰極線管（ＣＲＴ）を有する装置においてフラッシュ（ｆｌａｓｈ）の発生を検出する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
斯様な装置において、画像は、水平方向及び垂直方向に画面を走査する電子ビームによって画面上に投影される。電子ビームを生成するため、高電圧が生成される必要があり、水平方向に画面を走査するため、水平偏向回路が必要である。基本的に、これらの２つの回路は別々の回路であり得るが、本発明は、より特定的には、高電圧・水平偏向回路（ｃｏｍｂｉｎｅｄ ｈｉｇｈ ｖｏｌｔａｇｅ ａｎｄ ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔ）を有する上記のタイプの装置に関する。
【０００３】
実際には、希にではあるが、高電圧がかかっているある部分から別の部分へのフラッシュを伴う高電圧回路における故障状態が発生するということが起こり得る。フラッシュの最も考えられる原因は、場の強さ（ｆｉｅｌｄ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を局所的に増大させる高電圧部上に堆積させており、被覆している内部コーン（ｉｎｎｅｒ ｃｏｎｅ）から粒子が遊離（ｌｏｏｓｅ）することにある。このようなフラッシュに包含される高い電流は、通常このような粒子の蒸発（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）をもたらし、このような高い電流によって実害がもたらされていない場合には、フラッシュ後にも装置は機能し続け得る。しかしながら、フラッシュにより、装置のコントローラが不所望な又は未定義の状態に入るおそれもある。結果として、装置は、ユーザによって期待されるようには動作せず、前記ユーザは、装置が損傷していると信じて、修繕費を負うことになり得る。しかしながら、前記コントローラは、基本的に、単純なリセット動作などによってこのような不所望な又は未定義の状態を取り除かれることができ、このようにしてユーザの不安（ｄｉｓｔｕｒｂａｎｃｅ）を最小限に保つ。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、とりわけ、フラッシュが発生しているかどうかを信頼性をもって検出する方法及び装置を提供することにある。更に、フラッシュの発生を示す警報信号が生成されても良い。また、動作信号も生成されても良く、前記動作信号は、例えばリセットを行なうためにコントローラの制御信号として用いられ得る。この目的のため、本発明は、独立項において規定されているようなフラッシュ検出を供給する。有利な実施例は従属項に規定されている。
【０００５】
本発明は、主に、高電圧・水平偏向回路を有する装置において、該回路の高電圧部において発生するフラッシュはこの回路の水平偏向部の動作にも影響を及ぼすであろうという事実の認識に基づく。従って、この認識に基づき、本発明は、水平偏向トランジスタの出力信号を監視し、前記出力信号の監視に基づいて、前記警報信号又は前記動作信号を各々生成する方法及び装置を提供する。
【０００６】
第１実施例においては、フライバックパルスの形状が監視され、通常のフライバックパルスの終端（ｅｎｄ）の後に、フライバック電圧が既定時間ウィンドウ（ｐｒｅｄｅｆｉｎｅｄ ｔｉｍｅ ｗｉｎｄｏｗ）内に著しく増大する場合には、前記警報信号又は前記動作信号が各々生成される。
【０００７】
第２実施例においては、ライン偏向トランジスタ（ｌｉｎｅ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の記憶時間が連続したラインに対して測定され、連続した測定値が互いに比較され、著しいずれが求められる場合には、前記警報信号又は前記動作信号が各々生成される。
【０００８】
本発明のこれら及び他の特徴を以下に記載の実施例を参照して説明し、明らかにする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は、例えばテレビセット又はコンピュータモニタなどに用いられるようなＣＲＴ１の平面図を概略的に示している。このようなＣＲＴは一般に知られているが、以下の記載に重要である幾つかの部分を特定的に記載する。ＣＲＴ１は画面２及び首状部３を有し、首状部３の中には画面２の方向に電子ビーム４を生成する電子銃５が配設される。電子ビーム４は水平偏向コイル６により水平方向に偏向される。
【００１０】
図１は、電子ビーム４が位置Ｘにおいて画面２にぶつかる特定の時点におけるＣＲＴ１を示している。水平偏向コイル６の適切な制御により、位置Ｘは始点（ｓｔａｒｔ ｐｏｉｎｔ）ＸＬから終点（ｅｎｄ ｐｏｉｎｔ）ＸＲへ水平ラインを通って一定速度で移動する。位置Ｘが終点ＸＲに達する場合、電子ビーム４は、非常に短い時間内に始点ＸＬへ跳び戻らなければならず、これはフライバックとして示される。
【００１１】
図２Ａは、高電圧・水平偏向回路１００中の電子銃５及び水平偏向コイル６のための主要な駆動素子を概略的に示すブロック図である。電子銃５のための高電圧は高電圧生成回路１５により生成される。水平偏向コイル６のための偏向電流は水平偏向電流生成器１６により生成される。高電圧生成器１５及び偏向電流生成器１６は共に制御回路２０の共通出力部２１により制御される。
【００１２】
図２Ｂは、高電圧・水平偏向回路１００をより詳細に示している。高電圧生成器１５は、一次巻線９１の一方の端部を前記制御回路２０の前記出力部２１に接続させている変圧器９０を有する。二次巻線９２は所望の高電圧を出力する。水平偏向電流生成器１６は、水平偏向コイル６と直列に接続される第１コンデンサ８１、及び前記コイル６と前記第１コンデンサ８１との前記直列接続と並列に接続される第２コンデンサ８２を有する。ダンパダイオード８３は前記第２コンデンサ８２と並列に接続される。ダンパダイオード８３の陰極、第２コンデンサ８２及び水平偏向コイル６の間のノードもまた前記制御回路２０の前記出力部２１に接続される。前記制御回路２０は、水平ドライバ（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｄｒｉｖｅｒ）２２を有し、前記水平ドライバ２２は、例えばよく知られている標準部品（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）ＴＤＡ ４８４１などの偏向コントローラ２３の水平駆動出力信号を入力信号として受け取る。前記制御回路２０は、前記水平ドライバ２２の出力部に接続される制御入力部３０Ｂ、及び前記制御回路２０の前記出力部２１に接続される出力端子３０Ｃを持つ可制御スイッチ３０を更に有する。通常、図示されているように、可制御スイッチ３０の作用は、実際には、ベース３０Ｂと、コレクタ３０Ｃと、接地又は任意の直流電圧に接続されるエミッタとを持つバイポーラＮＰＮトランジスタによって行なわれ、これはライン偏向トランジスタ３０として示される。他の例として、例えばＭＯＳＦＥＴを用いることは可能である。
【００１３】
更に、図２Ｂは、偏向コントローラ２３が汎用マイクロコントローラ（ｇｅｎｅｒａｌ ｍｉｃｒｏ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２４の制御下にあることを示している。汎用マイクロコントローラ２４は、とりわけ、例えば水平ラインの長さなどの幾つかの初期ユーザ設定（ｐｒｉｍａｒｙ ｕｓｅｒ ｓｅｔｔｉｎｇ）を偏向コントローラ２３に伝達するよう構成される。汎用マイクロコントローラ２４は、偏向コントローラ２３を待機状態へ切り換えるよう又は偏向コントローラ２３をトリガして再始動を行なわせるよう構成される。このマイクロコントローラ２４及び偏向コントローラ２３の機能の部分それ自体は既知であることから、ここでより詳細に説明する必要はない。
【００１４】
本発明の重要な特徴によれば、ライン偏向トランジスタ３０のコレクタ電圧は第１監視線（ｆｉｒｓｔ ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ ｌｉｎｅ）４１を介してマイクロコントローラ２４に供給される。汎用マイクロコントローラ２４は、第１監視線４１を介して受け取られる信号を監視し、この信号がフラッシュの発生を示すある決定基準を満たすか否かを決定するためにこの信号を分析するよう適合される。この分析の結果に基づいて、汎用マイクロコントローラ２４は、警報信号を生成しても良く、且つ／又は汎用マイクロコントローラ２４は、偏向コントローラ２３を待機状態にするために偏向コントローラ２３に第１動作信号を送り、次いで、所定の待ち時間の後に偏向コントローラ２３に再始動動作を行なわせるために偏向コントローラ２３にトリガ信号を送っても良い。他の例においては、汎用マイクロコントローラ２４は他の信号を生成しても良い。以下において、汎用マイクロコントローラ２４のこのような動作は「適当な動作をする」として示されるであろう。
【００１５】
図３Ａは、正常な状況の下での特定の装置のライン偏向トランジスタ３０のコレクタ電圧を示すグラフである。水平ラインのトレース（ｔｒａｃｉｎｇ）の間、スイッチとして動作するライン偏向トランジスタ３０は導通状態にあり、これはコレクタ−エミッタ間の電圧降下が略々零であることを意味する。偏向電流は第１コンデンサ８１から偏向コイル６及びトランジスタ３０を介する経路を流れる。フライバックの間、トランジスタ３０は非導通状態にある。次いで、フライバック電流は、逆方向に、偏向コイル６を介し、第１コンデンサ８１を介し、第２コンデンサ８２を介する経路を流れる。第２コンデンサ８２と偏向コイル６との間のノードにおける電圧、従って、トランジスタ３０のコレクタ電圧は、ピーク値まで急速に上昇し、次いで、元の値まで急速に減少する。このフライバックパルスの形状は実質的に半正弦波の形状である。元の値に戻った後には、トランジスタ３０のコレクタ電圧は、次の水平ラインに関して新たなフライバックパルスが始まるまで前記元の値において実質的に一定のままである。
【００１６】
図３Ｂは、拡大された時間スケール上でのフライバックパルス７０を示している。この特定の装置の例において、このフライバックパルスの存続時間は約３μｓであり、繰り返し時間は約１６μｓである。しかしながら、種々の装置において、フライバックパルスの存続時間は約１μｓから約７μｓまでの範囲内にしても良いのに対し、繰り返し時間は約６４μｓから約７μｓまでの範囲内にしても良い。トランジスタ３０のコレクタ電圧が前記元の値において実質的に一定のままである、連続するフライバックパルスの間の時間はまた、以下において、トレース期間（ｔｒａｃｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）（図示されている例においては約１３μｓ）として示されるであろう。
【００１７】
図３Ｃは、高電圧回路において故意にフラッシュを引き起こした実験におけるフライバックパルスの形状を示す図３Ａと同様のグラフである。フラッシュの発生はＦで示されている。フラッシュＦの発生後の第１フライバックパルス７１は既にかなり減少した大きさを持つことが分かる。これはフライバックパルスの「潰れ（ｃｏｌｌａｐｓｅ）」として示されるであろう。更に、フライバック電圧は、ピーク値に達した後、かなり減少した後に、期待トレース期間（ｅｘｐｅｃｔｅｄ ｔｒａｃｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）に対応する時間ウィンドウ内に二度にわたって上昇し、時として三度にもわたって上昇する。これは、フライバックパルスの「はね返り（ｂｏｕｎｃｉｎｇ）」として示されるであろう。図３Ｃにおいて、このことは、フラッシュＦの発生後の第１フライバックパルス７１において既に認識可能であるが、第２フライバックパルス７２及び他のフライバックパルスについてはより容易に認識可能である。
【００１８】
図３Ｄは、図３Ｂの時間スケールに対応する拡大された時間スケールにおけるフラッシュＦの発生後の第１フライバックパルス７１を示しており、図３Ｄにおいて、フライバック電圧が零値に達した後に二度にわたって上昇することが分かる。
【００１９】
本発明によれば、フライバックパルスの歪みは、高電圧回路におけるフラッシュの発生を示す信頼性の高い特徴である。それ故、本発明によれば、マイクロコントローラ２４は、各フライバックパルスの形状を監視し、歪んだ形状が見出される場合には適当な動作をするよう適合される。例えば、図４のフローチャートにおいて図示されているように、マイクロコントローラ２４は、フライバック電圧Ｖ４１の値を測定し、略々零であっても良い第１既定しきい値Ｖ１とこの値を比較しても良い（ステップ２０１）。好ましくは、前記第１既定しきい値Ｖ１はフライバックパルスの正常のピーク値の約０．５％から約１％までの範囲内で選ばれる。フライバック電圧が前記第１既定しきい値Ｖ１未満まで落ちるや否や、時間ウィンドウＴが開始される（ステップ２０２、Ｔ＋）。この時間ウィンドウＴの間、測定フライバック電圧Ｖ４１は第２既定しきい値Ｖ２と比較される（ステップ２０３）。この第２既定しきい値Ｖ２は、好ましくは第１しきい値Ｖ１と等しいが、幾分高く選ばれても良い。
【００２０】
前記時間ウィンドウＴの間に測定フライバック電圧が（図３Ｄにおいては時間ｔ２において）前記第２しきい値Ｖ２を超える場合には、マイクロコントローラ２４はフラッシュ認識状態Ｆに入り、適当な動作をする（ステップ２０４）。このような適当な動作は、例えば、偏向コントローラ２３を停止して待機状態にするステップ、既定待ち時間を待つステップ、及び次いで再始動を実行するステップを有しても良い。
【００２１】
しかしながら、通常、前記時間ウィンドウＴはフラッシュの発生なしに終了するであろう（Ｔ−）。
【００２２】
時間ウィンドウＴは期待パルス繰り返し時間に対応する既定固定長Ｗを持ち得る。例えば、パルス繰り返し時間が約１６μｓであるのに対してフライバックパルスの幅が約３μｓである上記の例においては、時間ウィンドウＷの適切な長さは例えば略々１２μｓである。しかしながら、マイクロコントローラ２４はまた、第２監視線４２を介して偏向コントローラ２３からライン駆動回路（ｌｉｎｅ ｄｒｉｖｅ ｃｉｒｃｕｉｔ）２２へのＨ駆動パルス（Ｈ−ｄｒｉｖｅ ｐｕｌｓｅ）も受け取っても良い。その場合、マイクロコントローラ２４は、第２監視線４２を介して次のＨ駆動パルスを受け取る際に時間ウィンドウＷを終了させても良い。
【００２３】
好ましくは、第２既定しきい値Ｖ２は第１既定しきい値Ｖ１と略々等しい。有利なことには、監視する前記時間ウィンドウＴはライン繰り返し速度（ｌｉｎｅ ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ）に関して選ばれる既定長Ｗを持つ。好ましくは、前記監視時間ウィンドウＴは次のラインのＨ駆動パルスの到着時に終了する。
【００２４】
フラッシュの発生を示す第２の現象もまた図３Ｂ及び３Ｄにおいて図示されている。これらの図においては、Ｈ駆動パルス（線Ｈ）もまた偏向コイルを介する電流（線Ｉ）と同様に示されている。Ｈ駆動パルスの立ち下がり縁（ｄｏｗｎ ｇｏｉｎｇ ｅｄｇｅ）は非導通状態に切り換えるためのライン偏向トランジスタ３０に対するトリガ信号である。しかしながら、Ｈ駆動パルスの立ち下がり縁の直後にオフに切り換わるのではなく、ライン偏向トランジスタ３０が実際にオフに切り換わるまで幾らかの時間がかかる。この遅延時間は図３Ｂ及び３Ｄにおいて記憶時間τＳとして示されている。この記憶時間τＳはトランジスタ３０のコレクタを介する電流に依存する。回路の正常動作中には、トランジスタ３０のコレクタを介する電流は、連続したラインに対して略々等しいであろう、それ故、記憶時間は、連続したラインに対して略々等しいであろう。記憶時間が、例えば温度の変化に起因して動作中に徐々に変わることもあり得るが、このような徐々の変化の時間スケールは連続する水平ラインの時間スケールよりずっと大きい。
【００２５】
しかしながら、フラッシュの発生の場合には、図３Ｃに示されているようにフライバックパルスの潰れが起こるだけでなく、記憶時間τＳがかなり減少する。例えば、図３Ｂにおいて、ある回路に対して正常な状況の下では記憶時間τＳが略々２．４μｓｅｃである一方、図３Ｄに示されているように、同一の回路に対してフラッシュの発生直後の記憶時間τＳは略々２．１μｓｅｃであることが分かる。これは、約１５％の減少に相当する。
【００２６】
以下において、連続したラインにおける連続する記憶時間τＳの間の差は記憶時間差ΔτＳとして示されるであろう。通常、記憶時間差ΔτＳはかなり小さい、即ち１％より少ないのに対し、フラッシュの場合には記憶時間差ΔτＳがかなり大きく、たいてい５％より大きい。適切な決定基準は例えば２％であるが、他の値を選んでも良い。
【００２７】
それ故、本発明の第２実施例において、マイクロコントローラ２４は、水平偏向トランジスタ３０の記憶時間τＳを、一方の第２監視線４２におけるＨ駆動パルスのトリガ縁（ｔｒｉｇｇｅｒｉｎｇ ｅｄｇｅ）と、他方の第１監視線４１における第３しきい値Ｖ３を超えるフライバック電圧との間の経過時間として各水平ラインに関して測定するよう適合される。Ｈ駆動パルスのトリガ縁が第２監視線４２において認識される（ステップ３０１）場合、クロックが始動され（ステップ３０２、Ｃｌｃｋ＋）、フライバック電圧が上昇し始める（ステップ３０３）場合に前記クロックは停止される（ステップ３０４、Ｃｌｃｋ−）。更に、マイクロコントローラ２４は、関連メモリ２５から前のラインの測定値τＳ＊を読み取り（ステップ３０５）、前のラインの測定値τＳ＊と測定値τＳを比較する（ステップ３０６）よう適合される。マイクロコントローラ２４が、秒単位の絶対値として又はパーセント単位の比例値（ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｖａｌｕｅ）としてのいずれかで記憶時間差ΔτＳ ＝τＳ＊ −τＳが既定値より大きいことを見出す場合には、マイクロコントローラ２４は、フラッシュ認識状態に入り、上記の適当な動作をするであろう（ステップ３０７）。
【００２８】
通常、記憶時間差ΔτＳは、相対的に小さいであろう。その場合、マイクロコントローラ２４は、記憶時間τＳの測定値を前記メモリ２５に記憶し（ステップ３０８）、次のラインに対するＨ駆動パルスのトリガ縁を待つであろう。
【００２９】
好ましい実施例においては、上記の実施例が組み合わされる。マイクロコントローラ２４は、フライバックパルスが歪んでいるかどうか、即ち、フライバック電圧が前記時間ウィンドウＴの間に前記第２しきい値Ｖ２を超えるかどうかを調べる（第１フラッシュ認識基準）。マイクロコントローラ２４はまた、記憶時間差ΔτＳ ＝τＳ＊ −τＳが前記既定しきい値より大きいかどうかも調べる（第２フラッシュ認識基準）。マイクロコントローラ２４は、前記基準のいずれか１つが満たされる場合にフラッシュ認識状態に入り、適当な動作をするよう構成されても良く、さもなければ、他の例においては、マイクロコントローラは、前記基準の両方が同時に満たされる場合にのみフラッシュ認識状態に入り、適当な動作をするよう構成されても良い。
【００３０】
好ましくは、前記しきい値は固定時間量、例えば略々０．０３μｓである。有利なことには、前記しきい値は前の記憶時間τＳ＊と比較しての相対値である。好ましくは、前記しきい値は、ΔτＳ ／τＳ＊≧０．０２という関係を満たす。
【００３１】
このようにして、本発明は、例えばテレビセット、モニタなどといった陰極線管（ＣＲＴ）を有する装置の中の高電圧・水平偏向回路１００の高電圧部においてフラッシュが発生しているかどうかを検出する方法及び装置を提供するのに成功している。起こり得るフラッシュは、フラッシュの発生を反映するずれ（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）について水平偏向回路１６のフライバックパルス７０を調べることにより検出される。フラッシュの発生を示す１つの起こり得る歪みは、フライバックパルスのはね返りである。フラッシュの発生を示す別の起こり得る歪みは、フライバックパルスの潰れである。フラッシュの発生を示す別の起こり得るずれは、ライン偏向トランジスタ３０の記憶時間τＳの大幅な減少である。好ましくは、フラッシュが発生しているとみなされる場合に、警報信号が生成され、又は前記装置が待機状態にされ、既定時間後に再始動される。
【００３２】
本発明の範囲は上記の例に限定されず、添付している特許請求の範囲において規定されているような本発明の範囲から外れることなしに幾つかの修正及び変更が可能であることは当業者にとって明らかであろう。
【００３３】
例えば、上記の実施例において、ライン偏向トランジスタ３０のコレクタ信号を監視するステップ及び前記コレクタ信号に基づいて適当な動作をするステップは、通常、装置中にある汎用マイクロコントローラ２４により行なわれる。これは、この汎用マイクロコントローラ２４の適切なプログラミング又は再プログラミングを含む。しかしながら、本発明の原理が別個の第２コントローラによっても実施され得ることは明らかであろう。更に、本発明の原理が、ソフトウェアで実施される代わりに、ハードウェアでも実施され得ることは明らかであろう。しかしながら、現在は、既存のマイクロコントローラ２４を用いるのが好ましい。
【００３４】
更に、上記においては、フラッシュ認識が、概してフライバックパルスの動きのずれに基づいて記載されており、１つの例においてフライバックパルスのはね返りに関して更に詳しく述べられており、別の例において記憶時間のずれに関して更に詳しく述べられている。しかしながら、フラッシュ認識は、フライバックパルスの潰れにも基づかれ得る。その場合、各フライバックパルスについてピーク値が測定され、前のラインのピーク値と比較されるであろう。潰れは、現在のピーク値が前のピーク値より既定パーセント分以上に低い場合に認識されるであろう（第３フラッシュ認識基準）。マイクロコントローラ２４は、前記フラッシュ認識基準のうちの少なくとも２つが同時に満たされる場合にのみ、又は３つの前記フラッシュ認識基準が同時に満たされる場合にのみフラッシュ認識状態に入るよう適合されても良い。
【００３５】
斯くして、上記の実施例は、本発明を限定するものではなく、本発明を説明するものであり、当業者は添付されている特許請求の範囲から外れることなしに多くの別の実施例を設計することが出来ることに注意されたい。特許請求の範囲において、括弧の間に置かれている如何なる参照符号も特許請求の範囲を限定するように解釈されるべきではない。「有する」という語は、特許請求の範囲に記載されている構成要素又はステップ以外の構成要素又はステップの存在を除外しない。構成要素の単数形表記は、斯様な構成要素の複数の存在を除外しない。本発明は、幾つかの別個の構成要素を有するハードウェア、及び適切にプログラムされたコンピュータによって実施され得る。幾つかの手段を挙げているデバイスクレームにおいて、これらの手段の幾つかはハードウェアの同一アイテムによって実施され得る。単にある方策が相互に異なる従属項において再度引用されているというだけ事実は、これらの方策の組み合わせは有利に用いられ得ないということを示してはいない。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＲＴの平面図を概略的に示す。
【図２Ａ】電子銃及び水平偏向コイルのための駆動素子を概略的に示す。
【図２Ｂ】電子銃及び水平偏向コイルのための駆動素子を概略的に示す。
【図３Ａ】フライバックパルスの波形を示すグラフである。
【図３Ｂ】フライバックパルスの波形を示すグラフである。
【図３Ｃ】フライバックパルスの波形を示すグラフである。
【図３Ｄ】フライバックパルスの波形を示すグラフである。
【図４】本発明の第１実施例に従うフラッシュ認識を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第２実施例に従うフラッシュ認識を示すフローチャートである。
【国際公開パンフレット】
2004512747.tif 000003
2004512747.tif 000004
2004512747.tif 000005
2004512747.tif 000006
2004512747.tif 000007
2004512747.tif 000008
2004512747.tif 000009
2004512747.tif 000010
2004512747.tif 000011
2004512747.tif 000012
2004512747.tif 000013
2004512747.tif 000014
2004512747.tif 000015
2004512747.tif 000016
2004512747.tif 000017
2004512747.tif 000018
2004512747.tif 000019
2004512747.tif 000020
2004512747.tif 000021
【国際調査報告】
2004512747.tif 000022
2004512747.tif 000023
2004512747.tif 000024