(57)【要約】表示管は、電子源（１０）と、前記電子源（１０）によって放出された電子を誘導キャビティ（２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ）の出射開口（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）に誘導する誘導キャビティ（２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ）を設けたモジュール（２０）と、前記出射開口（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）を離れた誘導された電子から電子ビーム（ＥＢＲ，ＥＢＧ，ＥＢＢ）を形成するビーム成形手段（３０）とを具える。前記電子ビーム（ＥＢＲ，ＥＢＧ，ＥＢＢ）は、表示スクリーン（３）に向かって進む。前記ビーム成形手段（３０）を、前記電子ビーム（ＥＢＲ，ＥＢＧ，ＥＢＢ）が前記誘導キャビティ（２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ）を予め決められたアプリケーションにしたがって離れるように配置する。例えば、前記電子ビーム（ＥＢＲ，ＥＢＧ，ＥＢＢ）を偏向し、陰極線管の電子銃における銃ピッチ変調を実現する。前記電子ビームが前記出射開口（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）の近くで偏向されるため、到着点誤差が減少し、前記表示管は比較的高い画質を有する。
2004527890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出する電子源と、
前記電子源によって放出された電子を受ける入射開口と、出射開口と、電子を受けた後に二次電子を放出する壁とを有する誘導キャビティを具えるモジュールであって、前記出射開口が前記モジュールのエンド面において位置する、モジュールと、
前記出射開口の近くで前記二次電子から電子ビームを形成するビーム成形手段と、
前記電子ビームを受け、前記電子ビームによって画像を発生する表示スクリーンとを具える表示管において、
前記ビーム成形手段を、動作において、予め決められたアプリケーションにしたがって前記電子ビームの出射方向を調節することに適合させたことを特徴とする表示管。
【請求項２】
請求項１に記載の表示管において、前記ビーム成形手段が、動作において異なった電圧を受ける２つのセグメントを有する偏向電極を具えることを特徴とする表示管。
【請求項３】
請求項１に記載の表示管において、前記モジュールは３つの輸送キャビティを有し、これらの出射開口を、前記エンド面において、内側電子ビームと、第１外側電子ビームと、第２外側電子ビームとを形成する第１方向において整列させたことを特徴とする表示管。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の表示管において、前記外側電子ビームに関する偏向電極が、前記電子ビームの相互出射角を変化させるために、前記内側電子ビームと対面する内側セグメントと、前記内側電子ビームから離れた方を向いた外側セグメントとを有することを特徴とする表示管。
【請求項５】
請求項４に記載の表示管において、前記変更手段を、前記表示スクリーン上の前記電子ビームの到着点を変化させるために与え、前記電子ビームの相互出射角を前記到着点に応じて動的に可変としたことを特徴とする表示管。
【請求項６】
請求項５に記載の表示管において、シャドーマスクを前記表示スクリーンの近くに配置し、前記シャドーマスクが、前記モジュールの方を向く前記表示スクリーンの内側の曲率半径より小さい少なくとも１つの方向における曲率半径を有することを特徴とする表示管。
【請求項７】
請求項３に記載の表示管において、少なくとも第１の前記電子ビームの出射方向を、前記少なくとも第１の電子ビームのビーム電流に応じて動的に可変としたことを特徴とする表示管。
【請求項８】
請求項２に記載の表示管において、前記ビーム成形手段が、前記誘導キャビティにおいて二次電子を実質的に前記出射開口に向けて輸送する跳躍電極を具えることを特徴とする表示管。
【請求項９】
請求項８に記載の表示管において、前記跳躍電極と前記偏向電極とを、実質的に同じ面において配置し、前記跳躍電極を、前記偏向電極における開口内に配置したことを特徴とする表示管。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の表示管を具える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
電子を放出する電子源と、
前記電子源によって放出された電子を受ける入射開口と、出射開口と、電子を受けた後に二次電子を放出する壁とを有する誘導キャビティを具えるモジュールであって、前記出射開口が前記モジュールのエンド面において位置する、モジュールと、
前記出射開口の近くで前記二次電子から電子ビームを形成するビーム成形手段と、
前記電子ビームを受け、前記電子ビームによって画像を発生する表示スクリーンとを具える表示管に関係する。
【０００２】
本発明は、このような表示管を具える表示装置にも関する。
【背景技術】
【０００３】
このような表示管の実施例は、ＷＯ０１／２６１３１から既知の陰極線管である。前記陰極線管は、以後ＨＥＣ電子銃とも呼ぶ“跳躍電子カソード”電子銃を具える。このような電子銃は、誘導キャビティを備える前記モジュールを具える。
【０００４】
前記誘導キャビティの壁の少なくとも一部は、入射電子の受け取り後、二次電子を放出するエミッタ材料を具える。前記エミッタ材料は、好適には絶縁しており、二次電子放出係数δを有する。これは、前記エミッタ材料におけるエネルギーＥｐを有する電子の入射の結果として前記エミッタ材料から放出される二次電子の数を示す。
【０００５】
前記ビーム成形手段は、前記出射開口への二次電子の輸送を実質的に与える強度Ｅ１の一次電界を印加する跳躍電極を具える。
【０００６】
前記出射開口の表面が前記入射開口の表面に比べて小さい場合、前記誘導キャビティは電子集中装置として働く。このとき、前記出射開口の場所において形成された電子ビームは、比較的高いビーム電流密度を有する。
【０００７】
このような表示管に、前記電子ビームの経路が変化するアプリケーションを与えてもよい。
【０００８】
例えば、“銃ピッチ変調”と呼ばれるものを与えられた３つの電子ビームを有する陰極線管は、国際特許出願ＷＯ９９／３４３９２から既知である。この陰極線管において、外側電子ビームの経路は、前記電子ビームの着地点に応じて変化する。特に、前記経路は、前記陰極線管の電子銃において変化する。この目的のため、前記電極において前記外側電子ビームを通過させるように形成された開口を、２つの隣接する電極において互いにオフセットさせる。前記２つの隣接する電極を、前記電子銃のビーム成形セクションの近くに配置する。
【０００９】
他のアプリケーションは、前記電子ビームの経路が前記電子によって放出された陽イオンによる前記モジュール及び／又は電子源のダメージを抑制するように変化するイオンとラップと呼ばれるものである。電子銃を有する陰極線管において、イオントラップを、例えば、集束セクションにおける電子の１つを前記電子銃の電子−光軸に関してシフトすることによって形成することができる。
【００１０】
前記既知の表示管は、このようなアプリケーションを使用する場合、表示された画像が比較的低い品質を有するという欠点を有する。
【００１１】
本発明の目的は、画質が改善された序章において記載した形式の表示管を提供することである。
【００１２】
この目的は、前記ビーム成形手段を、動作において、予め決められたアプリケーションにしたがって前記電子ビームの出射方向を調節することに適合させたことを特徴とする本発明による表示管において達成される。
【００１３】
本発明は、前記電子ビームの経路が変化する場所と前記出射開口との間の距離が比較的大きいため、前記既知の表示管において表示スクリーンにおける電子ビームの表示が劣化するという認識に基づく。上述したように、前記既知の陰極線管における電子ビームの経路の変化は、一般に、前記表示管の構成要素の少なくとも１つ、例えば電子銃の電極をシフトさせたことによって実現される。
【００１４】
このとき、前記表示スクリーン上の電子ビームの画像は劣化する。前記出射開口は、前記表示スクリーンから見て前記電子ビームが出射する仮想物体と一致しない。前記表示スクリーン上の電子ビームの画像は、高品質画像を表示するのに必要な前記出射開口の画像ではない。
【００１５】
本発明において、前記ビーム成形手段を前記出射開口の近くに配置する。したがって、前記出射方向を、所望のアプリケーション、例えば、銃ピッチ変調にしたがって調節することができる。ここで、前記電子ビームの経路を前記出射開口の場所において変化させることができ、前記仮想物体は前記出射開口と常に一致し、結果として前記表示スクリーン上の電子ビームは比較的良好な品質を有するようになる。
【００１６】
前記ビーム成形手段は、動作において異なった電圧を受ける２つのセグメントを有する偏向電極を具えてもよい。この目的のため、前記セグメントを絶縁する。一般に、前記偏向電極を、前記モジュールのエンド面と平行に配置する。
【００１７】
前記偏向電極の一方のセグメントが他方のセグメントより高い電圧を受けると、前記電子ビームの出射方向は、前記エンド面と平行の方向における成分を受ける。前記電子ビームは、より高い電圧を受けたセグメントの方向において偏向する。したがって、前記出射電子ビームの出射方向は、前記セグメント間の電圧差を変化させることによって変更可能である。
【００１８】
カラー表示管の一実施例において、前記モジュールは３つの輸送キャビティを有し、これらの出射開口を、前記エンド面において、内側電子ビームと、第１外側電子ビームと、第２外側電子ビームとを形成する第１方向において整列する。
【００１９】
この実施例において、前記ビーム成形手段による前記電子ビームの相互出射角の変更が可能であり、この目的のため、前記外側電子ビームに関する偏向電極は、前記内側ビームに対面する内側セグメントと、前記内側ビームから離れた方を向いた外側セグメントとを有する。動作において、前記内側セグメントは第１電圧Ｖ１を受け、前記外側セグメントは第２電圧Ｖ２を受ける。
【００２０】
あるアプリケーションは、カラー陰極線管において外側電子ビームにいわゆる収束ねじれを与えることである。
【００２１】
一般に、カラー陰極線管における外側ビームは、表示スクリーンにおける電子ビームの良好な収束が保障されるように、内側ビームに向かう小さい偏向を有するべきである。本発明による陰極線管において、この収束ねじれを、前記電子ビームの相互出射角を小さい程度に減らすことで容易に実現することができる。前記収束ねじれを前記出射開口の場所において与え、前記表示スクリーンにおける電子ビームの画像が比較的高い質を有するようにする。
【００２２】
他の有利な実施例において、前記表示管は、前記表示スクリーンにおける前記電子ビームの到着点を変化する偏向手段を具える。一般に、このようにして前記表示スクリーン全体に電子ビームで書き込むことができる。前記電子ビームの相互出射角を、前記表示スクリーンにおける電子ビームの到着点に応じて動的に変化させることができると有利である。
【００２３】
慣例的なカラー陰極線管は、電子ビームごとに対応する蛍光体を具える画素を設けた表示スクリーンを有する。前記表示スクリーンにおける各々の電子ビームがその対応する蛍光体に到着することを保障するために、前記表示管に色選択手段を設ける。
【００２４】
前記色選択手段は、前記表示スクリーン近くにシャドーマスクを具えてもよい。前記電子ビームは、各々異なった入射角において前記シャドーマスクにおける共通開口を通過する。前記入射角を、各々のビームに関して、前記表示スクリーン上の画その対応する蛍光体上に到着するようにする。
【００２５】
表示管の表示スクリーンをできるだけ平坦にすることが望ましい。既知の表示管において、これは、シャドーマスクも実質的に平坦にすべきことを意味する。しかしながら、実質的に平坦なシャドーマスクは、比較的小さい形状安定性を有し、例えば、振動及びドーミングに敏感になる。
【００２６】
このとき、前記シャドーマスクが、少なくとも１つの方向において前記モジュールに対面する前記表示スクリーンの内側の曲率半径より小さい曲率半径を有すると有利である。このとき、前記シャドーマスクと表示スクリーンとの間の距離は、前記表示スクリーンの中心よりもエッジに近い方がより大きい。前記シャドーマスクが特定の曲率を有する限り、前記表示スクリーンを実質的に平坦にすることができる。
【００２７】
前記外側電子ビームは、前記表示スクリーンのエッジのより近くに到着するにつれ、より小さい入射角で前記シャドーマスクを通過する。この方法において、前記表示スクリーンとシャドーマスクとの間の距離が変化する間、対応する蛍光体における前記電子ビームの収束は前記表示スクリーンじゅうで保障される。
【００２８】
この目的のため、前記電子ビームの相互出射角を、前記電子ビームが前記表示スクリーンのエッジのより近くに到着するにつれ、前記ビーム成型手段によって減少させる。
【００２９】
前記カラー表示管の他の実施例において、前記ビーム成型手段は、少なくとも第１電子ビームの出射方向を、少なくとも前記第１電子ビームのビーム電流に応じて変化させる。
【００３０】
前記第１電子ビームのビーム電力が、前記第１電子ビームと隣接する電子ビームとの間の相互距離に関して大きい場合、前記第１電子ビームと隣接する電子ビームとの間のクーロン相互作用は比較的強い。
【００３１】
前記クーロン相互作用により、前記シャドーマスク近くの前記電子ビームの入射角は変化するかもしれない。ここで、前記電子ビームは対応する蛍光体に完全には到着しない。
【００３２】
これを、表示された画素における色誤差として前記画像において観察することができる。白色のような明るい色において特に、表示された色は所望の色から逸脱する。
【００３３】
前記ビーム成型手段が前記外側電子ビームを増加するビーム電流と共により外側に偏向すると、クーロン相互作用による入射角の変化を少なくとも部分的に補償することができる。色の均一さが改善される。
【００３４】
好適実施例において、前記ビーム成型手段は、二次電子を関連する誘導キャビティにおいて実質的に前記出射開口に向けて輸送する跳躍電極を具える。
【００３５】
これは、二次電子を輸送するのには前記電子ビームの少なくとも１つの出射方向を変化させるより高い電圧が一般に必要であるため、有利である。
【００３６】
前記跳躍電極及び偏向電極を、好適には、前記モジュールのエンド面に近い同じ平面において実質的に配置し、各々の跳躍電極を個々の偏向電極における開口内に配置する。
【００３７】
この構成は、前記誘導キャビティから出射する電子ビームにおいて平面電子レンズとして作用する。前記電子ビームの直径を、メインレンズを前記電子ビームによってできるだけ十分に満たすことができるように調節可能とする。さらに、電圧Ｖｈｏｐ、Ｖ１及びＶ２はこの構成において比較的制限される。
【００３８】
本発明のこれら及び他の態様は、いかに説明する実施例の参照によって明らかになるであろう。
【００３９】
本発明による表示管の一実施例は、図１に示すようなカラー陰極線管ＣＲＴである。この管において、電子光学システム１は、３つの電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢを発生し、これらを電子光学システム１内に存在するメインレンズ５０によって表示スクリーン３において集中させる。
【００４０】
表示スクリーン３における電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの到着点を変化させることができるようにするために、水平方向において自己収束する偏向手段２が前記陰極線管のネックを取り囲む。電子銃１は、電子を輸送する輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを有するモジュール２０を設けたＨＥＣ電子銃である。
【００４１】
誘導キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂごとに、前記陰極線管に、別々の対応する電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂを各々設ける。これは、熱電子陰極であり、動作において、フィラメントによって前記陰極を加熱することによって電子を放出する。
【００４２】
第２電場を印加する別々の第２電極１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂを、各々の電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂとモジュール２０との間に配置する。この第２電場は、電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂから放出された電子を引き出し、これらをモジュール２０の関連する輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに加速させる。
【００４３】
前記第２電場の強度を第２電極１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂによって変化させることによって、関連する輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに入る電子の数を適合させることができ、したがって、関連する電子銃ＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの電流密度を、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの場所において調節することができる。第２電極１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂは、例えば、６０％の電子透過のモリブデンから成るグリッドである。
【００４４】
モジュール２０を、図２及び３においてより詳細に示す。モジュール２０は、各々が入射開口２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂ及び出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂを有する輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを有する。輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、例えば、中心軸２９Ｒ、２９Ｇ、２９Ｂの周りで対称なフルスト円錐形形状を有する。出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの近くの輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂの壁２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂの少なくとも一部は、電子を受けた後に二次電子を放出する電子放出係数δを有するエミッタ材料から成る。
【００４５】
跳躍電極３１、３２、３３は、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂが位置するモジュール２０のエンド面２２における各々の出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの近くに存在する。跳躍電極３１、３２、３３は、第１電場Ｅ１を印加する跳躍電圧Ｖｈｏｐを受け、輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂにおける二次電子を出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂに輸送する。
【００４６】
前記輸送キャビティは、入射するのと同じくらい多くの電子が前記輸送キャビティを離れる跳躍プロセスによって電子を輸送する。この目的のため、前記エミッタ材料の電子放出係数δを、前記輸送キャビティを通して平均において１に等しくすべきである。
【００４７】
前記エミッタ材料が比較的高い最大電子放出係数δｍａｘを有すると有利である。第１電場Ｅ１の電場強度と、したがって跳躍電圧Ｖｈｏｐとは、引き続き比較的制限されるかもしれない。Ｖｈｏｐは、例えば１０００ボルトである。前記エミッタ材料は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成り、０．５マイクロメータの層厚を有してもよい。代わりに、前記エミッタ材料は、ガラス、ポリイミド、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）又は窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）から成ってもよい。
【００４８】
さらに、出射開口２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂが位置するモジュール２０のイニシャル面２１の一部に前記エミッタ材料を設ける。
【００４９】
これは、電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂを輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに関して偏芯し、放出された電子が、これらが二次電子を放出するイニシャル面２１における入射開口２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂに到着するようにすると長所がある。これにより、電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂによって放出された電子が直接輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに到着し、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂから出射することは実質的に防止される。これらの電子は、前記二次電子より大きいエネルギーを有し、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの画像に影響を及ぼす。
【００５０】
モジュール２０は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）から成り、モジュール２０において輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを配置する。イニシャル面２１における出射開口２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂは、例えば２．５ミリメータの直径を有する円形開口である。エンド面２２における出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂは、例えば４０マイクロメータの直径を有する円形開口である。壁２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが中心軸２９Ｒ、２９Ｇ、２９Ｂに延びる角度は、例えば３５度である。
【００５１】
第１電極３４、３５、３６を、エンド面２２の近くに跳躍電極３１、３２、３３に関して同心に配置する。出射する電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢごとに、跳躍電極３１、３２、３３及び第１電極３４、３５、３６は、共同で平面電子レンズを構成する。電極３１から３６は、例えば２．５マイクロメータの厚さＬ１を有する。
【００５２】
このような電極構成を、エンド面２２の一部における金属層の真空めっきによって形成することができる。前記金属層は、例えば、クロム及びアルミニウムから成る。実質上、跳躍電極３１、３２、３３及び第１電極３４、３５、３６の所望の構成を、前記金属層において与えることができる。
【００５３】
モジュール２０は、動作において局所的に帯電され得る絶縁材料、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）から成る。これは、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの近くの電場を妨害し、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの形状を望ましくない程度変化させてしまうかもしれない。電極３１から３６は、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの近くのエンド面２２に、最適に大きい金属クラッディングを与え、帯電を抑制するようにする。
【００５４】
エンド面２２は、メインレンズ５０の対物面と一致する。動作において、メインレンズ５０は、これにより、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの電子−光学画像を表示スクリーン３上に形成する。モジュール２０から出射した後、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢは、前記出射電子を出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの近くに加速する集中電極４０と、メインレンズ５０と、偏向手段２とを、表示スクリーン３に到着する前に通過する。
【００５５】
跳躍電極３１、３２、３３は、直径Ｄ２を有する円形形状を有し、これらの跳躍電極３１、３２、３３に、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの場所において前記出射電子を通過させる開口を設ける。前記開口の直径Ｄ１を、出射開口２７の直径と実質的に等しくし、例えば４０マイクロメータとする。
【００５６】
第１電極３４、３５、３６は、内径Ｄ３を有する円形開口を有し、前記円形開口内において、個々の跳躍電極３１、３２、３３を同心に配置する。
【００５７】
第１電極３４、３５、３６と跳躍電極３１、３２、３３との間の距離Ｄ３−Ｄ２を、前記電極間で異なる電圧の影響の下で電極３１から３６の間の真空において放電が起きないようにすべきである。この目的のため、Ｄ２を、例えば２００マイクロメータとし、Ｄ３を、例えば２２５マイクロメータとする。
【００５８】
外側電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの第１電極３４、３６は、内側電子ビームＥＢＧに対面する内側セグメント３４Ａ、３６Ａと、内側電子ビームＥＢＧから離れた外側セグメント３４Ｂ、３６Ｂとから成る。前記内側セグメントは第１電圧Ｖ１を受け、前記外側セグメントは第２電圧Ｖ２を受ける。
【００５９】
さらに、内側電子ビームＥＢＧの第１電極３５は第３電圧Ｖ３を受ける。第３電圧Ｖ３は、例えば６００ボルトの一定値を有する。第１電圧Ｖ１及び第２電圧Ｖ２は、一般にＢ３の周囲で可変である。
【００６０】
電圧差Ｖ２−Ｖ１を変化させることによって、モジュール２０から出射する電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの収束を変化させることができる。これを図４において示す。
【００６１】
Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ３ならば、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢは、個々の輸送キャビティ２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂから平行に出射する。
【００６２】
出射する電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’は、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３のように正の電圧差Ｖ２−Ｖ１が印加されたため、それる。特に、Ｖ１が５００ボルト、Ｖ３が６００ボルト、Ｖ２が６５０ボルトである。代わりに、前記出射電子ビームを、Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ１のような負の電圧差Ｖ２−Ｖ１を印加することによって収束するようにしてもよい。これは図には示さない。
【００６３】
図５に示す表示装置の第１実施例において、電圧差Ｖ２−Ｖ１は、表示スクリーン３における電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの到着点に応じて変化可能である。
【００６４】
前記表示装置は、制御ユニットＡによって位置信号Ｐｘ、Ｐｙ及び変調信号ＰＲ、ＰＧ、ＰＢに変換された表示すべき画像情報Ｉを受ける。
【００６５】
位置信号Ｐｘ、Ｐｙを、これらから偏向手段２を制御する偏向電流を発生する偏向回路Ｄに印加する。変調信号ＰＲ、ＰＧ、ＰＢを電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂに印加して、電子源１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂによる電子放出を制御し、したがって、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢのビーム電流密度を変調する。
【００６６】
さらに、位置信号Ｐｘ、Ｐｙを、電圧Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を跳躍電極３１、３２、３３及び第１電極３４、３５、３６に印加する跳躍回路Ｈに印加する。特に、跳躍回路Ｈは、電圧Ｖ１とＶ２との間の差を、位置信号Ｐｘ、Ｐｙに応じて変化させる。
【００６７】
電圧Ｖ１とＶ２との間の差は、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢが表示スクリーン３の中心Ｖからより遠くに到着するにつれて増加する。したがって、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢは、出射開口２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ近くのより大きい偏向に関してよりそれるようになる。すでに説明したように、本発明による陰極線管の画質は、これによって改善される。
【００６８】
前記表示装置の第１実施例において、前記陰極線管は、表示スクリーン３の近くにシャドーマスク４を具える。シャドーマスク４は、表示スクリーン３の内側の曲率半径より小さい曲率半径を有する。これを図６においてより詳細に示す。
【００６９】
電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢは、前記表示スクリーンの中心における画素４１に到着し、偏向面２’の領域において例えば６．５ミリメートルの相互距離ｐを有する。この相互距離を、以下において、“銃ピッチ”と呼ぶ。表示スクリーン３の中心Ｃの近くに、シャドーマスク４及び前記表示スクリーンは、相互距離ｑを有する。各々の電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢは、シャドーマスク４における共通開口を経て、表示スクリーン３における画素４１の対応する蛍光体上に入射する。
【００７０】
電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’は、表示スクリーン３のかどＥの近くに到着し、この目的のため、偏向面２’の領域において偏向される。偏向面２’において、これらは、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの銃ピッチｐより大きい銃ピッチｐ’を有し、例えば、ｐ’＝５．５ｍｍである。
【００７１】
表示スクリーン３のかどの近くで、シャドーマスク４及び表示スクリーン３は、比較的大きい相互距離ｑ’を有する。銃ピッチｐ’が減少するため、シャドーマスク４との外側電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＢ’の入射角は減少する。結果として、前記ビームは、シャドーマスク４と表示スクリーン３との間の比較的大きい距離ｑ’にもかかわらず、画素４２の対応する蛍光体に到着する。
【００７２】
前記表示装置の第２実施例を図７において示す。電圧Ｖ１とＶ２との間の差は、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢのビーム電流に応じて変化可能である。
【００７３】
この第２実施例において、跳躍回路Ｈ’は、変調信号ＰＲ、ＰＧ、ＰＢを受ける。ここで、跳躍回路Ｈ’は、電圧Ｖ１、Ｖ２を、変調信号ＰＲ、ＰＧ、ＰＢに応じて変化させる。例えば、電圧Ｖ１とＶ２との間の差は、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢのビーム電流に応じて変化可能である。
【００７４】
したがって、色均一性は、特に白色のような明るい色に関して改善される。明るい色において、変調信号ＰＲ、ＰＧ、ＰＢの和は比較的大きく、シャドーマスク４の近くの電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢ間に比較的強いクーロン反発力が存在する。これを図８においてより詳細に示す。
【００７５】
電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢは、暗いグレーの画素５１を、例えば、最高に達成可能な輝度の１０分の１の輝度で表示する。この場合において、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢのビーム電流は等しく、各々のビームの最大ビーム電流の約１０％である。このとき、電子ビームのＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢのビーム電流は０．２ｍＡである。
【００７６】
前記ビーム電流のこのような値において、電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢ間のクーロン反発力を実質的に無視することができ、Ｖ１とＶ２との間の電圧差が実質的にゼロであり、ビーム成形手段３０が電子ビームＥＢＲ、ＥＢＧ、ＥＢＢの収束を実質的に変化させないようにすることができる。
【００７７】
電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’は、白色画素５２を、例えば、前記最高に達成可能な輝度に等しい輝度で表示する。この場合において、電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’のビーム電流は等しく、各々のビームに関し、最大ビーム電流、例えば２ｍＡに等しい。
【００７８】
このとき、表示スクリーン３の近くの電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’間のクーロン反発力は、比較的強い。ここで、電圧Ｖ１とＶ２との間の差は、例えば、Ｖ１＝５５０ボルト、Ｖ３＝６００ボルト、Ｖ２＝６５０ボルトとなるように、１００Ｖである。電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’は、ビーム成形手段３０の近くで比較的強くそれ、したがって、シャドーマスク４に比較的大きい入射角で延びる。電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’間の望ましくないクーロン反発力はこの方法において補償され、電子ビームＥＢＲ’、ＥＢＧ’、ＥＢＢ’は、画素５２の対応する蛍光体上に到着する。したがって、クーロン反発力による白色画素５２における色誤差は抑制される。
【００７９】
本発明をいくつかの実施例の参照と共に説明したが、これらの実施例に限定されると考えるべきではない。特に、本発明は、付属する実施例の保護範囲内で当業者によって着想し得る実施例の任意の変形も含む。
【００８０】
この点で、非限定的な例は、陽イオンによる電子源及び／又はモジュールのダメージの減少、前記表示管と、特に電子−光学システムのアッセンブリの製造中に生じる整列誤差の補償、又は、前記電子ビームの経路に影響する前記表示管における任意の要素の帯電の補償である。
【００８１】
括弧間に置かれた任意の参照符を、請求項を制限すると解釈すべきではない。動詞“具える”及びその活用の使用は、請求項において述べたもの以外の要素の存在を除外しない。要素に先立つ不定冠詞“１つの”は、このような要素の複数の存在を除外しない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明による表示管の一実施例を示す。
【図２】跳躍電極及び第１電極を有するモジュールの断面図である。
【図３】跳躍電極及び第１電極を有するモジュールの正面図である。
【図４】モジュールから延びる電子ビームの収束の変化を図式的に示す。
【図５】本発明による表示装置の第１実施例である。
【図６】第１実施例の細部を図式的に示す。
【図７】本発明による表示装置の第２実施例である。
【図８】第２実施例の細部を図式的に示す。
【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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