(57)【要約】【課題】導電性の前面を有する複数のウェーハを処理するための統合システムが提供される。【解決手段】このシステムは、金属をウェーハの前面に沈着し、または、そこから除去するための複数の処理サブシステムを備えている。各処理サブシステムは、処理チャンバーとクリーニングチャンバーとを備えている。システムはまた、各ウェーハを複数の処理サブシステムの適切な１つ内に入れ、またはそこから出す搬送用のウェーハ取り扱いサブシステムを備えている。複数の処理サブシステムとウェーハ取り扱いサブシステムは、統合システムを形成する。
2004531876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、このシステムは：
複数の処理サブシステムを備え、各処理サブシステムは、導電性の材料の少なくとも一部分を各ウェーハの導電性の前面に沈着し、または、そこから除去するための処理チャンバーと、各処理チャンバーの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために処理チャンバーに関して垂直に配置されたクリーニングチャンバーとを備えていて；
ウェーハを、複数の処理サブシステム内に、またはそれから搬送し、また、ウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項２】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的機械的沈着チャンバーである請求項１記載のシステム。
【請求項３】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的沈着チャンバーである請求項１記載のシステム。
【請求項４】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、化学的機械的ポリッシングチャンバーである請求項１記載のシステム。
【請求項５】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的ポリッシングチャンバーである請求項１記載のシステム。
【請求項６】
各処理サブシステムは、ウェーハ取り扱いサブシステムに隣接したクラスタ配列に配置されている請求項１記載のシステム。
【請求項７】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、少なくとも１つの取り扱いロボットを備えている請求項６記載のシステム。
【請求項８】
各処理サブシステムのクリーニングチャンバーは、流体および乾燥を使用してクリーニングを遂行することによって残留物を除去するようにした請求項１記載のシステム。
【請求項９】
流体は水である請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
各処理サブシステムの各クリーニングチャンバーは、ウェーハの端部近傍に配置された導電性の材料の一部分を除去する請求項８記載のシステム。
【請求項１１】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱うようにした請求項１記載のシステム。
【請求項１３】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えていて、
第１のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをカセットから取り除きそのウェーハをバッファに配置し、つぎに各ウェーハをバッファから取り除きそのウェーハをカセットに戻し、
第２のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをバッファから取り除きそのウェーハを複数の処理サブシステムの１つのに配置し、また、つぎに各ウェーハを１つの処理サブシステムから取り除きそのウェーハをバッファに戻す請求項１記載のシステム。
【請求項１４】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的機械的沈着チャンバーである請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的沈着チャンバーである請求項１４記載のシステム。
【請求項１７】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、化学的機械的ポリッシングチャンバーである請求項１４記載のシステム。
【請求項１８】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的ポリッシングチャンバーである請求項１４記載のシステム。
【請求項１９】
複数の処理サブシステムの少なくともある１つは、一方のサイズのウェーハの操作が可能であって、複数の処理サブシステムの他方の一つは、一方のサイズのウェーハと比べて異なったサイズのウェーハの操作が可能であって；
第１と第２のロボットは、一方のサイズおよび異なったサイズのウェーハの取り扱いが各可能である請求項１３記載のシステム。
【請求項２０】
複数の処理サブシステムの少なくともある１つは、一方のサイズのウェーハの操作が可能であって、複数の処理サブシステムの他方の一つは、一方のサイズのウェーハと比べて異なったサイズのウェーハの操作が可能である請求項１記載のシステム。
【請求項２１】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的機械的沈着チャンバーである請求項２０記載のシステム。
【請求項２２】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、電気化学的沈着チャンバーである請求項２０記載のシステム。
【請求項２３】
複数の処理サブシステムの各処理チャンバーは、化学的機械的ポリッシングチャンバーと電気化学的ポリッシングチャンバーとの一方である請求項２０記載のシステム。
【請求項２４】
少なくとも１つの処理サブシステムと、少なくとも１つのウェーハを保持領域から少なくとも１つの処理サブシステムへ移動することが可能なウェーハ取り扱いサブシステムとを備えた統合ウェーハ処理システムを使用して、導電性の前面を有する少なくとも１つのウェーハを処理する方法であって：
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して、ウェーハを保持領域から少なくとも１つの処理サブシステムへ移動するステップと；
少なくとも１つの処理サブシステム内において、処理されたウェーハを得るために、少なくとも１つの処理サブシステム内に設けられた処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップと；
処理されたウェーハを処理チャンバーから、同様に少なくとも１つの処理サブシステム内に配置されたクリーニングチャンバーに垂直に移動するステップと；
クリーニングされたウェーハを得るのにその上に設けられた残留物を除去するために、処理されたウェーハをクリーニングチャンバー内でクリーニングするプロセスと；
乾燥されたウェーハを得るために、クリーニングされたウェーハをクリーニングチャンバー内で乾燥するプロセスと；
を備えた方法。
【請求項２５】
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して、乾燥ウェーハを少なくとも１つの処理サブシステムから保持領域に移動するステップをさらに備えた請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
ウェーハを操作するステップは、電気化学的機械的沈着を遂行する請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
ウェーハを操作するステップは、電気化学的沈着を遂行する求項２４記載の方法。
【請求項２８】
ウェーハを操作するステップは、化学的機械的ポリッシングを遂行する請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
ウェーハを操作するステップは、電気化学的ポリッシングを遂行する請求項２４記載の方法。
【請求項３０】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、システムは：
複数の処理サブシステムを備え、ここにおいて：
少なくとも第１の処理サブシステムは、各ウェーハの導電性の前面に導電体を沈着するための第１の処理チャンバーと、第１の処理チャンバーの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために第１の処理チャンバーに関して垂直に配置された第１のクリーニングチャンバーとを備えていて；
少なくとも第２の処理サブシステムは、各ウェーハの導電性の前面の導電体の一部分を除去するための第２の処理チャンバーと、第２の処理チャンバーの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために第２の処理チャンバーに関して垂直に配置された第２のクリーニングチャンバーとを備えていて；
ウェーハを複数の処理サブシステム内に、またはそれから搬送し、また、ウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項３１】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３０記載のシステム。
【請求項３２】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３０記載のシステム。
【請求項３３】
第１の処理サブシステムは、電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３０記載のシステム。
【請求項３４】
第１の処理サブシステムは、電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３０記載のシステム。
【請求項３５】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱うようにした請求項３０記載のシステム。
【請求項３６】
複数の処理サブシステムのそれぞれは、ウェーハ取り扱いサブシステムに隣接したクラスタ配列に配置されている請求項３０記載のシステム。
【請求項３７】
各処理サブシステムのクリーニングチャンバーは、流体および乾燥を使用してクリーニングを遂行することによって残留物を除去するようにした請求項３０記載のシステム。
【請求項３８】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３７記載のシステム。
【請求項３９】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３７記載のシステム。
【請求項４０】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３７記載のシステム。
【請求項４１】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項３７記載のシステム。
【請求項４２】
第１のクリーニングチャンバーは、ウェーハの端部近傍に沈着した導電体の一部分を除去する請求項３０記載のシステム。
【請求項４３】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱い、また、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えていて、
第１のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをカセットから取り除きそのウェーハをバッファに配置し、つぎに各ウェーハをバッファから取り除きそのウェーハをカセットに戻し、
第２のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをバッファから取り除きそのウェーハを複数の処理サブシステムの１つのに配置し、また、つぎに各ウェーハを１つの処理サブシステムから取り除きそのウェーハをバッファに戻す請求項３０記載のシステム。
【請求項４４】
第１のロボットと第２のロボットとは、少なくとも２つの異なったサイズのウェーハを取り扱うことが可能な請求項３０記載のシステム。
【請求項４５】
複数の処理サブシステムと、ウェーハ取り扱いサブシステムとを備えた統合されたウェーハ処理システムを使用して導電性の前面を有する少なくとも１つのウェーハを処理する方法であって：
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して、ウェーハを保持領域から少なくとも１つの処理サブシステムへ移動するステップと；
第１の処理サブシステム内において、最初に処理されたウェーハを得るのにウェーハの導電性の前面に導電性材料を少なくとも沈着するために、第１の処理サブシステム内に設けられた第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップと；
最初に処理されたウェーハを第１の処理チャンバーから、同様に第１の処理サブシステム内に配置されたクリーニングチャンバーに垂直に移動するステップと；
最初にクリーニングされたウェーハを得るのにその上に設けられた残留物を除去するために、処理されたウェーハを第１のクリーニングチャンバー内でクリーニングするプロセスと；
最初に乾燥されたウェーハを得るために、最初にクリーニングされたウェーハをクリーニングチャンバー内で乾燥するプロセスと；
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して最初に乾燥されたウェーハを第１の処理サブシステムから第２の処理サブシステムに移動するステップと；
第２の処理サブシステム内において、処理されたウェーハを得るためにウェーハの導電性の前面の導電性の材料の一部分を除去するために第２の処理サブシステム内に設けられた第２の処理チャンバーを使用して最初に乾燥されたウェーハの導電性の前面に操作するステップと；
第２の処理サブシステム内に同様に設けられた第２の処理チャンバーから第２のクリーニングチャンバーへ処理されたウェーハを移動するステップと；
クリーニングされたウェーハを得るために、ウェーハ上に設けられた残留物を除去するために処理されたウェーハを第２のクリーニングチャンバー内でクリーニングするステップと；
乾燥されたウェーハを得るためにクリーニングされたウェーハを第２のクリーニングチャンバー内で乾燥するステップと；
を備えた方法。
【請求項４６】
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して、乾燥ウェーハを第２の処理サブシステムから保持領域に移動するステップをさらに備えた請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
ウェーハの端部近傍に沈着した導電性の材料の一部分を除去するステップをさらに備えた請求項４５記載の方法。
【請求項４８】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項４５記載の方法。
【請求項４９】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項４５記載の方法。
【請求項５０】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的機械的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項４５記載の方法。
【請求項５１】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的機械的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項４５記載の方法。
【請求項５２】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、システムは：
複数の処理サブシステムを備え、各処理サブシステムは、導電体の少なくとも一部分を各ウェーハの導電性の前面に沈着し、または、そこから除去するための処理チャンバーと、処理チャンバーの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために処理チャンバーに関して垂直に配置されたクリーニングチャンバーとを備えていて、ここにおいて；
複数の処理サブシステムの最初の１つは、電気化学的沈着チャンバーであり；
複数の処理サブシステムの第２の１つは、電気化学的機械的沈着チャンバーであり；
複数の処理サブシステムの第３の１つは、化学的機械的沈着チャンバーであり；
複数の処理サブシステムの第４の１つは、電気化学的ポリッシングチャンバーであり；
ウェーハを、複数の処理サブシステム内に、またはそれから搬送し、また、ウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項５３】
各処理サブシステムは、ウェーハ取り扱いサブシステムに隣接してクラスタ配列に設けられている請求項５２記載のシステム。
【請求項５４】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、少なくとも１つのウェーハ取り扱いロボットを備えている請求項５２記載のシステム。
【請求項５５】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、少なくとも２つのウェーハ取り扱いロボットを備えている請求項５２記載のシステム。
【請求項５６】
各処理サブシステムのクリーニングチャンバーは、流体および乾燥を使用してクリーニングを遂行することにより残留物を除去する請求項５２記載のシステム。
【請求項５７】
第１と第２の処理サブシステムのクリーニングチャンバーは、ウェーハの端部近傍に沈着した導電体の一部分を除去する請求項５２記載のシステム。
【請求項５８】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハを取り扱う請求項５２記載のシステム。
【請求項５９】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項５２記載のシステム。
【請求項６０】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えていて、
第１のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをカセットから取り除きそのウェーハをバッファに配置し、つぎに各ウェーハをバッファから取り除きそのウェーハをカセットに戻し、
第２のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをバッファから取り除きそのウェーハを複数の処理サブシステムの１つのに配置し、また、つぎに各ウェーハを１つの処理サブシステムから取り除きそのウェーハをバッファに戻す請求項５２記載のシステム。
【請求項６１】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、システムは：
複数の処理サブシステムを備え、ここにおいて：
少なくとも第１の処理サブシステムは、各ウェーハの導電性の前面に導電体を沈着するための第１の処理チャンバーを備えていて；
少なくとも第２の処理サブシステムは、各ウェーハの導電性の前面の導電体の一部分を除去するための第２の処理チャンバーを備えていて；
ウェーハを複数の処理サブシステム内に、またはそれから搬送し、また、ウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項６２】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６１記載のシステム。
【請求項６３】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６１記載のシステム。
【請求項６４】
第１の処理サブシステムは、電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６１記載のシステム。
【請求項６５】
第１の処理サブシステムは、電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは、電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６１記載のシステム。
【請求項６６】
第１の処理サブシステムは、第１の処理サブシステムの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために第１の処理サブシステムと関連された第１のクリーニングチャンバーをさらに備えていて；
第２の処理サブシステムは、第２の処理サブシステムの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために第２の処理サブシステムと関連された第２のクリーニングチャンバーをさらに備えていて；
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う；
請求項６１記載のシステム。
【請求項６７】
複数の処理サブシステムのそれぞれは、ウェーハ取り扱いシステムに隣接してクラスタ配列に設けられている請求項６６記載のシステム。
【請求項６８】
各処理サブシステムのクリーニングチャンバーは、流体を使用したクリーニングと乾燥を遂行することによる残留物を除去する請求項６６記載のシステム。
【請求項６９】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６８記載のシステム。
【請求項７０】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６８記載のシステム。
【請求項７１】
第１の処理サブシステムは、電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６８記載のシステム。
【請求項７２】
第１の処理サブシステムは、電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項６８記載のシステム。
【請求項７３】
第１のクリーニングチャンバーは、ウェーハの端部近傍に沈着した導電体の一部分を除去する請求項６６記載のシステム。
【請求項７４】
ウェーハ取り扱いサブシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱い、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えている請求項６１記載のシステム。
【請求項７５】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、システムは：
複数の処理サブシステムを備え、各処理サブシステムは、導電性の材料の少なくとも一部分を各ウェーハの導電性の前面に沈着し、または、そこから除去するための処理チャンバーと、各処理チャンバーの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために処理チャンバーに関して垂直に配置されたクリーニングチャンバーとを備えていて；
少なくとも１つのウェーハを焼鈍する焼鈍チャンバーを備えていて；
ウェーハを、複数の処理サブシステム内に、またはそれから搬送し、また、ウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項７６】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、電気化学的機械的沈着チャンバーである請求項７５記載のシステム。
【請求項７７】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、電気化学的沈着チャンバーである請求項７５記載のシステム。
【請求項７８】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、化学的機械的ポリッシングチャンバーである請求項７５記載のシステム。
【請求項７９】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、電気化学的ポリッシングチャンバーである請求項７５記載のシステム。
【請求項８０】
各処理サブシステムは、ウェーハ取り扱いシステムに隣接してクラスタ配列に設けられている請求項７５記載のシステム。
【請求項８１】
ウェーハ取り扱いシステムは、少なくとも１つのウェーハ取り扱いロボットを備えている請求項８０記載のシステム。
【請求項８２】
各処理サブシステムのクリーニングチャンバーは、流体を使用したクリーニングと乾燥を遂行することによって残留物を除去する請求項７５記載のシステム。
【請求項８３】
各処理サブシステムの各チャンバーは、ウェーハの端部近傍に沈着した導電性材料の一部分を除去する請求項８２記載のシステム。
【請求項８４】
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項８３記載のシステム。
【請求項８５】
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項７５記載のシステム。
【請求項８６】
ウェーハ取り扱いシステムは、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えていて、
第１のウェーハ取り扱いロボットは、ウェーハをカセットから除去してそのウェーハをバッファ内に配置し、つぎに各ウェーハをバッファまたは焼鈍チャンバーから除去してそのウェーハをカセット内に戻し；
第２のウェーハ取り扱いロボットは、各ウェーハをバッファから除去してそのウェーハを複数の処理サブシステムの１つ内に配置し、つぎに各ウェーハを１つの処理サブシステムから除去してそのウェーハをバッファまたは焼鈍チャンバー内に戻す；
ようにした請求項７５記載のシステム。
【請求項８７】
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項８６記載のシステム。
【請求項８８】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、電気化学的機械的沈着チャンバーである請求項８７記載のシステム。
【請求項８９】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、電気化学的沈着チャンバーである請求項８７記載のシステム。
【請求項９０】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、化学的機械的ポリッシングチャンバーである請求項８７記載のシステム。
【請求項９１】
複数の処理サブシステムのそれぞれの処理チャンバーは、電気化学的ポリッシングチャンバーである請求項８７記載のシステム。
【請求項９２】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、システムは：
複数の処理サブシステムを備え、各処理サブシステムは、導電性の材料の少なくとも一部分を各ウェーハの導電性の前面に沈着し、または、そこから除去するための処理チャンバーと、各処理チャンバーの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために処理チャンバーに関して垂直に配置されたクリーニングチャンバーとを備えていて；
複数のウェーハを焼鈍するための焼鈍チャンバーを備えていて；
ウェーハを、複数の処理サブシステムおよび焼鈍チャンバー内に、またはそれらから搬送し、また、ウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項９３】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９２記載のシステム。
【請求項９４】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９２記載のシステム。
【請求項９５】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９２記載のシステム。
【請求項９６】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９２記載のシステム。
【請求項９７】
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う請求項９２記載のシステム。
【請求項９８】
複数の処理サブシステムのそれぞれは、ウェーハ取り扱いシステムに隣接してクラスタ配列に設けられている請求項９２記載のシステム。
【請求項９９】
各処理サブシステムにおけるクリーニングチャンバーは、流体を使用したクリーニングと乾燥を遂行することによる残留物を除去する請求項９２記載のシステム。
【請求項１００】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９９記載のシステム。
【請求項１０１】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９９記載のシステム。
【請求項１０２】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９９記載のシステム。
【請求項１０３】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項９９記載のシステム。
【請求項１０４】
第１のクリーニングチャンバーは、ウェーハの端部近傍に沈着した導電体の一部分を除去する請求項９２記載のシステム。
【請求項１０５】
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱い、また、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えていて、
第１のウェーハ取り扱いロボットは、ウェーハをカセットから除去してそのウェーハをバッファ内に配置し、つぎに各ウェーハをバッファから除去してそのウェーハをカセット内に戻し；
第２のウェーハ取り扱いロボットは、ウェーハをバッファから除去してそのウェーハを複数の処理サブシステムの１つ内に配置し、つぎに各ウェーハを１つの処理サブシステムから除去してそのウェーハをバッファ内に戻す；
ようにした請求項９２記載のシステム。
【請求項１０６】
焼鈍チャンバーは、焼鈍領域と冷却領域とを備えている請求項２５記載の装置。
【請求項１０７】
複数の処理サブシステムと、ウェーハ取り扱いサブシステムとを備えた統合されたウェーハ処理システムを使用して、導電性の前面を有する少なくとも１つのウェーハを処理する方法であって：
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して、ウェーハを保持領域から少なくとも１つの処理サブシステムへ移動するステップと；
第１の処理サブシステム内において、最初に処理されたウェーハを得るのにウェーハの導電性の前面に導電性材料を少なくとも沈着するために、第１の処理サブシステム内に設けられた第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップと；
最初に処理されたウェーハを第１の処理チャンバーから、同様に第１の処理サブシステム内に配置されたクリーニングチャンバーに垂直に移動するステップと；
最初にクリーニングされたウェーハを得るのにその上に設けられた残留物を除去するために、処理されたウェーハを第１のクリーニングチャンバー内でクリーニングするプロセスと；
最初に乾燥されたウェーハを得るために、最初にクリーニングされたウェーハをクリーニングチャンバー内で乾燥するプロセスと；
ウェーハ取り扱いサブシステムを使用して最初に乾燥されたウェーハを第１の処理サブシステムから焼鈍チャンバーに移動するステップと；
焼鈍チャンバー内において、焼鈍されたウェーハを得るために最初に乾燥されたウェーハを焼鈍するステップと；
ウェーハ取り扱いシステムを使用して、焼鈍されたウェーハを焼鈍チャンバーから第２の処理サブシステムへ移動するステップと；
第２の処理サブシステム内において、処理されたウェーハを得るために、ウェーハの導電性の前面の導電性の材料の一部分を除去するために、第２の処理サブシステム内に設けられた第２の処理チャンバーを使用して、焼鈍されたウェーハの導電性の前面に操作するステップと；
第２の処理サブシステム内に同様に設けられた第２の処理チャンバーから第２のクリーニングチャンバーへ処理されたウェーハを移動するステップと；
クリーニングされたウェーハを得るために、ウェーハ上に設けられた残留物を除去するために処理されたウェーハを第２のクリーニングチャンバー内でクリーニングするステップと；
乾燥されたウェーハを得るためにクリーニングされたウェーハを第２のクリーニングチャンバー内で乾燥するステップと；
を備えた方法。
【請求項１０８】
ウェーハ取り扱いシステムを使用して、乾燥したウェーハを第２の処理サブシステムから保持領域へ移動するステップをさらに備えた請求項１０７記載の方法。
【請求項１０９】
ウェーハの端部近傍に沈着した導電性材料の一部分を除去するステップをさらに備えた請求項１０７記載の方法。
【請求項１１０】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項１０７記載の方法。
【請求項１１１】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項１０７記載の方法。
【請求項１１２】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的機械的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、化学的機械的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項１０７記載の方法。
【請求項１１３】
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的機械的沈着チャンバーを使用し；
第１の処理チャンバーを使用してウェーハの導電性の前面を操作するステップは、電気化学的ポリッシングチャンバーを使用する；
請求項１０７記載の方法。
【請求項１１４】
複数のウェーハを処理するための統合システムであって、各ウェーハは導電性の前面を有し、システムは：
複数の処理サブシステムを備え、ここにおいて：
少なくとも第１の処理サブシステムは、各ウェーハの導電性の前面に導電体を沈着するための第１の処理チャンバーを備えていて；
少なくとも第２の処理サブシステムは、各ウェーハの導電性の前面の導電体の一部分を除去するための第２の処理チャンバーを備えていて；
複数のウェーハのそれぞれを焼鈍するための焼鈍チャンバーを備えていて；
ウェーハを複数の処理サブシステム内に、またはそれから搬送し、また、ウェーハをウェーハ保持システム内に、またはそれから搬送するためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている；
システム。
【請求項１１５】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１１４記載のシステム。
【請求項１１６】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１１４記載のシステム。
【請求項１１７】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１１４記載のシステム。
【請求項１１８】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１１４記載のシステム。
【請求項１１９】
第１の処理サブシステムは、第１の処理サブシステムの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために第１の処理サブシステムと関連された第１のクリーニングチャンバーをさらに備えていて；
第２の処理サブシステムは、第２の処理サブシステムの先の使用中にウェーハ上に蓄積した残留物を除去するために第２の処理サブシステムと関連された第２のクリーニングチャンバーをさらに備えていて；
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱う；
請求項１１４記載のシステム。
【請求項１２０】
複数の処理サブシステムのそれぞれは、ウェーハ取り扱いシステムに隣接してクラスタ配列に設けられている請求項１１９記載のシステム。
【請求項１２１】
各処理サブシステムにおけるクリーニングチャンバーは、流体を使用したクリーニングと乾燥を遂行することによって残留物を除去する請求項１１９記載のシステム。
【請求項１２２】
第１の処理サブシステムは、電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１２１記載のシステム。
【請求項１２３】
第１の処理サブシステムは電気化学的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１２１記載のシステム。
【請求項１２４】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは化学的機械的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１２１記載のシステム。
【請求項１２５】
第１の処理サブシステムは電気化学的機械的沈着チャンバーを備えていて、第２の処理サブシステムは電気化学的ポリッシングチャンバーを備えている請求項１２１記載のシステム。
【請求項１２６】
第１のクリーニングチャンバーは、ウェーハの端部近傍に沈着した導電体の一部分を除去する請求項１１９記載のシステム。
【請求項１２７】
ウェーハ取り扱いシステムは、乾燥したウェーハのみを取り扱い、第１と第２のウェーハ取り扱いロボットを備えていて、
第１のウェーハ取り扱いロボットは、ウェーハをカセットから除去してそのウェーハをバッファ内に配置し、つぎに各ウェーハをバッファから除去してそのウェーハをカセット内に戻し；
第２のウェーハ取り扱いロボットは、ウェーハをバッファから除去してそのウェーハを複数の処理サブシステムの１つ内に配置し、つぎに各ウェーハを１つの処理サブシステムから除去してそのウェーハをバッファ内に戻す；
ようにした請求項１１９記載のシステム。
【請求項１２８】
焼鈍チャンバーは、焼鈍領域と冷却領域とを備えている請求項１１４記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の属する技術分野：
本発明は、全体的に半導体処理技術に関し、特に、統合(integrated)半導体ウェーハ処理システムに関する。
【０００２】
関連技術の説明：
半導体産業において、種々の処理(process)が、ウェーハの材料を沈着(deposit)しエッチング(etch)するために使用することができる。沈着技術は、電気化学的沈着(electrochemical deposition)（ＥＣＤ）と電気化学的機械的沈着(electrochemical mechanical deposition)（ＥＣＭＤ）のような処理を備えている。両方のシステムにおいて、導電体は、ウェーハ（陰極(cathode)）と接触する電解液を通してもたらされた電流を有することによって、半導体ウェーハすなわち加工部品(work piece)上に沈着する。ＥＣＭＤプロセスは、表面の平面性を維持しながら、ウェーハの表面の孔(hole)および溝(trench)を導電体材料で均一に充填することができる。ＥＣＭＤ方法と装置のさらなる詳細な記述は、本発明の譲受人によって普通に所有されている名称「電気化学的機械的沈着のための方法と装置」の特許文献１に見ることができる。
【０００３】
従来のプレーティング処理が、沈着チャンバーに導電体材料を沈着することを遂行した場合、加工部品は、例えば、化学的機械的ポリッシング(chemical mechanical polishing)（ＣＭＰ）のような機械的および化学的ポリッシング(polishing)のためにクラスタ工具(cluster tool)の他のチャンバーに移送される。知られているように、材料除去はまた、ＥＣＤまたはＥＣＭＤ処理が遂行された後の電極に関してウェーハを陽極性（陽性）にすることによって、電気化学的エッチングを使用して実行される。
どの処理が使用されるかに関わりなく、加工部品は、沈着、および／または、ポリッシング処理後に、すすぎ(rinse)／クリーニングステーションに移送される。すすぎ／クリーニングステップ中、沈着、および／または、ポリッシング処理によって生じた残留物(residue)は、水または類似のもののような流体でウェーハからすすぎ去られ、つぎにウェーハは乾燥される。
【０００４】
慣習的に、処理チャンバーは、クラスタ工具またはシステムを形成するクラスタに配列された複数の処理ステーションすなわちモジュールに構成されている。そのようなクラスタ工具またはシステムは、同時に複数のウェーハを処理するためにしばしば使用される。一般に、クラスタ工具は、複数の処理ステーションまたはモジュールを有して構成され、また、特定の操作用に構成されている。しかしながら、そのような従来のクラスタ工具においては、沈着およびクリーニング処理ステップは、両方とも典型的に個別のチャンバーを必要とする。その理由により、処理されクリーニングされるべきウェーハ用の公知のクラスタ工具において、それは他のステーションまたはシステムに移動されなければならない。このように、そのように構成されたシステムは、ウェーハを特定の処理環境から取り上げてクリーニング環境内に位置付けることを必要とする。これは、そのようなウェーハの移送中に、粒子(particle)のような汚染がそれ自身ウェーハを攻撃するので適切ではない。でさらに、ウェーハの取り外し(unloading)、転送、および再装填(reloading)のようなシーケンスは、コストと時間を消費し、または比較的大きなフットプリント(foot print)を必要とする。
そのために、これに替わって、製造コストを減少しまた製造効率を増加する統合処理システム(integrated processing system)用の要望がある。
【特許文献１】
米国特許第６、１７６、９９２号明細書
発明の概要
導電体前面(front surface)を有する複数のウェーハを処理するための統合システムが提供される。システムは、金属をウェーハの前面に沈着しまたそれから除去するために複数の処理サブシステムを備えている。各処理サブシステムは、処理チャンバーとクリーニングチャンバーとを備えている。システムはまた、各ウェーハを複数の処理サブシステムの適切な一つ内に転送しまたそれから出すためのウェーハ取り扱いサブシステムを備えている。複数の処理サブシステムとウェーハ取り扱いサブシステムとは統合システムを形成する。
本発明のこれらおよび他の特徴、態様、および利点は、図面、記述、および請求項を参照することによってより良く理解されるであろう。
本発明の上述した、および他の目的、態様、および利点は、類似した参照符号は幾つかの図を通して本発明の類似する部品を表わす本発明の限定されない例示的実施例を介して図面を参照した以下の詳細な記述にさらに述べられている。
【０００５】
発明の詳細な説明
本発明は、半導体装置組み立て用のシステムを提供する。このシステムは、クリーニング端部除去(edge removal)、および乾燥のような他の処理ステップを統合(integrate)した、電気化学的機械的沈着（ＥＣＭＤ）、電気化学的沈着（ＥＣＤ）、化学的機械的ポリッシング（ＣＭＰ）、および電気化学的ポリッシング(ＥＣ―ポリッシング)のようなステップを遂行するための幾つかの処理モジュールを備えている。さらに、本発明の統合工具(integrated tool)は、電気化学的沈着，化学的機械的ポリッシング、および電気化学的ポリッシングに関する複数の処理ステップを遂行するために、これらの処理モジュールを使用するように構成されている。
【０００６】
上述したように、ＥＣＤ、ＥＣＭＤ、ＣＭＰまたは電気化学的ポリッシング処理に続いて、電解液の残留物はウェーハからすすぎ落とされなければならず、そしてウェーハは続いて乾燥されなければならない。さらに、そのような処理後、ウェーハ表面の近傍に沈着された金属の一部分を除去する必要がある。この処理は、しばしば「傾斜(bevel)端部クリーニング」または「端部除去」ステップとして参照される。本発明において、例示的処理チャンバー、すなわち、ＥＣＤ、ＥＣＭＤ、ＣＭＰまたは電気化学的ポリッシングチャンバー、およびそれらの各クリーニングチャンバーは、垂直に積み上げられている。しかしながら、従来技術において、ＥＣＤ処理、電気化学的エッチング処理、ＣＭＰ処理、およびクリーニング処理は、互いに関して水平に配置された異なったチャンバーで実行される。端部除去ステップは、クリーニングチャンバーで実行された。本発明に関連して、クリーニングチャンバーは、クリーニング（水または類似のものを使用して残留物をそこから除去する）および乾燥、さらに可能ならば端部除去処理ステップが遂行されるチャンバーである。
【０００７】
図面において全体を通して類似する参照符号が類似する部品に参照されている。図１は、本発明の統合工具(integrated tool)１００またはシステムを示していて、処理セクション１０２と、バッファセクション(buffer section)１０６によって処理セクションに接続された装填／取り外し(load/unload)セクション１０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクションは、一つまたはそれ以上の処理ステーション１０８Ａ〜１０８Ｄを備えていて、これらは、図１に示されたような方法で、処理セクション１０２の周りにクラスタ（集合）されている。この実施例において、処理ステーション１０８Ａ〜１０８Ｄは、電気化学的沈着（ＥＣＤ）チャンバーおよびクリーニングチャンバー（すなわち、ＥＣＤ／クリーニングチャンバー）を有する好ましくは垂直に重ねられたチャンバーである。そのように構成された場合、本発明の統合工具１００は、異なった直径を有するウェーハを処理することができる。１つの例において、処理ステーション１０８Ａおよび１０８Ｂは、３００ｍｍウェーハを処理することができるのに対して、処理ステーション１０８Ｃ、１０８Ｄは２００ｍｍウェーハを処理でき、また逆も可能である。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。操作において、メッキ(plate)されるべきウェーハ１１０すなわち加工部品は、カセット１１２のカセットセクション１０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット１１４によって取り上げられバッファセクション１０６に搬送される。各ウェーハ１１０はつぎに、第２のロボット１１６によって垂直チャンバー１０８Ａ〜１０８Ｄの一つに搬送される。上述したように、垂直チャンバー１０８Ａ〜１０８Ｄは、２００ミリメータまたは３００ミリメータのウェーハを処理するのに適している。電気化学的沈着およびクリーニング処理が完了した後、上述した搬送ステップは、各ウェーハを統合工具１００から取り除くために反対の順序で遂行される。
【０００８】
図２は、本発明の統合工具２００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション２０２と、バッファセクション２０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション２０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクションは、一つまたはそれ以上の処理ステーション２０８Ａ〜２０８Ｄを備えていて、これらは、図２に示されたような方法で、処理セクション２０２の周りにクラスタされている。この実施例において、処理ステーション２０８Ａ〜２０８Ｄは、電気化学的機械的沈着（ＥＣＭＤ）チャンバーおよびクリーニングチャンバー（すなわち、ＥＣＭＤ／クリーニングチャンバー）を有する好ましくは垂直に重ねられたチャンバーであって、上述した特許文献１に述べられたように導電体の材料の加工部品上へのメッキと除去の両方を遂行できる。そのように構成された場合、本発明の統合工具２００は、異なった直径を有するウェーハを処理することができる。１つの例において、処理ステーション２０８Ａおよび２０８Ｂは、３００ｍｍウェーハを処理できるのに対して、処理ステーション２０８Ｃ、２０８Ｄは２００ｍｍウェーハを処理でき、また逆も可能である。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている、１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。
【０００９】
操作において、導電体の材料によってメッキされるべき、および／または、除去されてその上に設けられた事前に沈着された導電体の材料を有するウェーハ２１０すなわち加工部品は、取り上げられカセット２１２のカセットセクション２０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット２１４によって取り上げられバッファセクション２０６に搬送される。各ウェーハ２１０はつぎに、第２のロボット２１６によって垂直チャンバー２０８Ａ〜２０８Ｄの一つに搬送される。上述したように、垂直チャンバー２０８Ａ〜２０８Ｄは、２００または３００ミリメータのウェーハを処理するのに適している。メッキ、および／または、クリーニング処理が完了した後、上述した搬送ステップは、各ウェーハ２１０を統合工具２００から取り除くために反対の順序で遂行される。
【００１０】
図３は、本発明の統合工具３００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション３０２と、バッファセクション３０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション３０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクション３０２は、一つまたはそれ以上の処理ステーション３０８Ａ〜３０８Ｄを備えていて、これらは、図３に示されたような方法で、処理セクション３０２の周りにクラスタされている。この実施例において、処理ステーション３０８Ａ〜３０８Ｄは、化学的機械的ポリッシング（ＣＭＰ）チャンバーおよびクリーニングチャンバー（すなわち、ＣＭＰ／クリーニングチャンバー）を有する好ましくは垂直に重ねられたチャンバーである。そのように構成された場合、本発明の統合工具３００は、異なった直径を有するウェーハを処理することができる。１つの例において、処理ステーション３０８Ａおよび３０８Ｂは、３００ｍｍウェーハを処理できるのに対して、処理ステーション３０８Ｃ、３０８Ｄは２００ｍｍウェーハを処理でき、また逆も可能である。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。
【００１１】
操作において、ポリッシングされるべきウェーハ３１０すなわち加工部品は、カセット３１２のカセットセクション３０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット３１４によって取り上げられバッファセクション３０６に搬送される。各ウェーハ３１０はつぎに、第２のロボット３１６によって垂直チャンバー３０８Ａ〜３０８Ｄの一つに搬送される。上述したように、垂直チャンバー３０８Ａ〜３０８Ｄは、２００または３００ミリメータのウェーハを処理するのに適している。電気化学的沈着およびクリーニング処理が完了した後、上述した搬送ステップは、各ウェーハ３１０を統合工具３００から取り除くために反対の順序で遂行される。
【００１２】
図４は、本発明の統合工具４００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション４０２と、バッファセクション４０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション４０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクション４０２は、一つまたはそれ以上の処理ステーション４０８Ａ〜４０８Ｄを備えていて、これらは、図４に示されたような方法で、処理セクション４０２の周りにクラスタされている。この実施例において、処理ステーション４０８Ａ〜４０８Ｄは、電気化学的ポリッシングまたはエッチングチャンバーおよびクリーニングチャンバー（すなわち、電気化学的ポリッシング／クリーニングチャンバー）を有する好ましくは垂直に重ねられたチャンバーである。そのように構成された場合、本発明の統合工具４００は、異なった直径を有するウェーハを処理することができる。１つの例において、処理ステーション４０８Ａおよび４０８Ｂは、３００ｍｍウェーハを処理できるのに対して、処理ステーション４０８Ｃ、４０８Ｄは２００ｍｍウェーハを処理でき、また逆も可能である。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている、１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。
【００１３】
操作において、電気化学的にポリッシングされるべきウェーハ４１０すなわち加工部品は、カセット４１２のカセットセクション４０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット４１４によってバッファセクション４０６に搬送される。各ウェーハ４１０はつぎに、第２のロボット４１６によってピックアップされ垂直チャンバー４０８Ａ〜４０８Ｄの一つに搬送される。上述したように、垂直チャンバー４０８Ａ〜４０８Ｄは、２００または３００ミリメータのウェーハを処理するのに適している。ＥＣポリッシングおよびクリーニング処理が完了した後、上述した搬送ステップは、各ウェーハを統合工具４００から取り除くために反対の順序で遂行される。
【００１４】
上述した議論から、本発明の利点は、消費される時間の減少と同様に汚染を減少することであることが明らかであるけれども、同一のチャンバー内で実行できる操作の数がそれゆえウェーハを取り扱うロボットをそれ以上必要としないので、異なった処理可能性を有する垂直チャンバーが統合システムの部分で作られた場合、よりさらなる利点が、全体の生産量および減少された汚染の観点から得られる。これは、単一の処理セクションと関連された各異なったメッキおよび除去チャンバー内において、クリーニングチャンバーにもまた関連するからである。したがって、ウェーハをある処理チャンバーから異なったクリーニングチャンバーへ、つぎに再び異なった処理チャンバーへ搬送するために必要とされる時間は省略され、これは以下においてより明らかになる。
【００１５】
図５は、本発明の統合工具５００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション５０２と、バッファセクション５０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション５０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクション５０２は、一つまたはそれ以上の処理ステーション５０８Ａ、５０８Ｂおよび５０９Ａ、５０９Ｂを備えていて、これらは、図５に示されたような方法で処理セクション５０２の周りにクラスタされている。この実施例において、処理ステーション５０８Ａ、５０８Ｂおよび５０９Ａ、５０９Ｂは、好ましくは、垂直に重ねられたチャンバーである。垂直に重ねられたチャンバーは、ＥＣＤ／クリーニングチャンバー５０８Ａ、５０８ＢのセットおよびＣＭＰ／クリーニングチャンバー５０９Ａ、５０９Ｂのセットとして配置されている。電気化学的沈着（ＥＣＤ）チャンバーおよびクリーニングチャンバー（すなわち、ＥＣＤ／クリーニングチャンバー）を有する好ましくは垂直に重ねられたチャンバーである。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。
【００１６】
操作において、メッキされポリッシングされるべきウェーハ５１０すなわち加工部品は、カセット５１２のカセットセクション５０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット５１４によって取り上げられバッファセクション５０６に搬送される。１つの例において、第２のロボット５１６は、最初にウェーハ５１０をＥＣＤ／クリーニングチャンバー５０８Ａに搬送する。沈着によるメッキと最初のクリーニングが終了すると、第２のロボット５１６がウェーハをピックアップしてＣＭＰ／クリーニングチャンバー５０９Ａに搬送する。化学的機械的ポリッシングおよびクリーニング処理がＣＭＰ／クリーニングチャンバー５０９Ａ内で完了した後、第２のロボット５１６およびつぎに第１のロボット５１４が、各ウェーハ５１０を統合工具５００のカセット５１２内のウェーハと交換するために連続的に取り扱う。上述したように、垂直チャンバー５０８Ａ、５０８Ｂまたは５０９Ａ、５０９Ｂは、２００または３００ミリメータのいずれかのウェーハを処理するのに適している。
【００１７】
図６は、本発明の統合工具６００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション６０２と、バッファセクション６０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション６０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクション６０２は、一つまたはそれ以上の処理ステーション６０８Ａ、６０８Ｂおよび６０９Ａ、６０９Ｂを備えていて、これらは、図６に示されたような方法で、処理セクション６０２の周りにクラスタされている。この実施例において、処理ステーション６０８Ａ、６０８Ｂおよび６０９Ａ、６０９Ｂは、好ましくは、垂直に重ねられたチャンバーである。垂直に重ねられたチャンバーは、ＥＣＤ／クリーニングチャンバー６０８Ａ、６０８ＢのセットおよびＥＣ−ポリッシング／クリーニングチャンバー６０９Ａ、６０９Ｂのセットとして配置されている。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている、１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。
【００１８】
操作において、メッキされ電気化学的にポリッシングされ、および／または、エッチングされるべきウェーハ６１０すなわち加工部品は、カセット６１２のカセットセクション６０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット６１４によってバッファセクション６０６に搬送される。各ウェーハ６１０は、つぎに第２のロボット６１６によってピックアップされ垂直チャンバー６０８Ａ、６０８Ｂおよび６０９Ａ、６０９Ｂの一つに搬送される。１つの例において、第２のロボット６１６は、最初に各ウェーハ６１０をＥＣＤ／クリーニングチャンバー６０８Ａに搬送する。メッキとそれに続く最初のクリーニングがＥＣＤ／クリーニングチャンバー６０８Ａ内で実行されると、第２のロボット６０６が各ウェーハ６１０をピックアップしてＣＭＰ／クリーニングチャンバー６０９Ａに搬送する。化学的機械的ポリッシングおよびクリーニング処理がＣＭＰ／クリーニングチャンバー６０９Ａ内で完了した後、第２のロボット６１６およびつぎに第１のロボット６１４が、各ウェーハ６１０を統合工具６００のカセット６１２内のウェーハと交換するために連続的に取り扱う。上述したように、垂直チャンバー６０８Ａ、６０８Ｂまたは６０９Ａ、６０９Ｂは、２００または３００ミリメータのいずれかのウェーハを処理するのに適している。
【００１９】
図７は、本発明の統合工具７００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション７０２と、バッファセクション７０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション７０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクション７０２は、第１、第２、第３、および第４の処理セクション７０８Ａ、７０８Ｂ、７０８Ｃ、および７０８Ｄを備えていて、これらは図７に示されたように処理セクション７０２の周りにクラスタされている。この実施例において、処理セクション７０８Ａ〜７０８Ｄは、好ましくは垂直チャンバーである。第１のステーション７０８Ａは、ＥＣＤ／クリーニング垂直チャンバーを備えている。第２のステーション７０８Ｂは、ＥＣＭＤ／クリーニング垂直チャンバーを備えている。第３のステーション７０８Ｃは、ＣＭＰ／クリーニング垂直チャンバーを備えている。第４のチャンバー７０８Ｄは、ＥＣ−ポリッシング／クリーニング垂直チャンバーを備えている。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている、１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。
【００２０】
操作において、メッキされ（ＥＣＤ、および／または、ＥＣＭＤによって）、電気化学的にポリッシングされ、または、ＣＭＰポリッシングされるべきウェーハ７１０すなわち加工部品は、カセット７１２のカセットセクション７０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット７１４によってバッファセクション７０６に搬送される。各ウェーハ７１０は、つぎに第２のロボット７１６によってピックアップされ垂直チャンバー７０８Ａ〜７０８Ｄの一つに搬送される。
【００２１】
１つの例において、第２のロボット７１６は、最初に各ウェーハ７１０をＥＣＭＤ／クリーニングチャンバー７０８Ｂに搬送する。メッキ、および／または、電気的ポリッシングが、つぎに最初のクリーニングがＥＣＭＤ／クリーニングチャンバー７０８Ｂ内で一旦遂行されると、第２のロボット７１６はウェーハ７１０をピックアップし、それをＣＭＰ／クリーニングチャンバー７０８ＣまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニングチャンバー７０８Ｄに搬送する。ＣＭＰ／クリーニングチャンバー７０８ＣまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニングチャンバー７０８Ｄによって、化学的機械的ポリッシングおよびクリーニングまたはＥＣ―ポリッシングおよびクリーニングのいずれかが各遂行された後、第２のロボット７１６とつぎに第１のロボット７１４は、統合工具７００のカセット７１２内の各ウェーハを交換するために各ウェーハ７１０を連続的に取り扱う。
【００２２】
第２の例において、第２のロボット７１６は、最初に各ウェーハ７１０をＥＣＤ／クリーニングチャンバー７０８Ａに搬送する。メッキ、および最初のクリーニングがＥＣＤ／クリーニングチャンバー７０８Ａ内で一旦遂行されると、第２のロボット７１６はウェーハ７１０をピックアップし、それをＣＭＰ／クリーニングチャンバー７０８ＣまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニングチャンバー７０８Ｄに搬送する。ＣＭＰ／クリーニングチャンバー７０８ＣまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニングチャンバー７０８Ｄによって、化学的機械的ポリッシングおよびクリーニングまたはＥＣ―ポリッシングおよびクリーニングのいずれかが各遂行された後、第２のロボット７１６とつぎに第１のロボット７１４は、統合工具７００のカセット７１２内の各ウェーハを交換するために各ウェーハ７１０を連続的に取り扱う。
【００２３】
上述したように、垂直チャンバー処理セクション７０８Ａ、７０８Ｂ、または７０８Ｃ、７０８Ｄは、２００または３００ミリメータウェーハのいずれかの処理に適している。上述の実施例では、４つの処理ステーションを有するものについて説明したが、例えば、６つのように４つよりも多い処理チャンバーが本発明の目的内で使用できることが理解できる。
【００２４】
上記システムはまた、ウェーハを焼鈍(anneal)するために焼鈍チャンバーを備えることもまた本発明の目的内である。焼鈍チャンバーが備えられている場合、バッファ領域(buffer area)の近傍に配置された焼鈍チャンバーを有していることが好ましく、また、焼鈍チャンバーように、ウェーハを温めることが可能な「熱い」セクションと、焼鈍完了後にウェーハを冷却することができる「冷たい」セクションとの両方を備えている。そのような焼鈍チャンバーは典型的には、よく知られているように単一のウェーハを操作する能力を有している。それゆえ、さらなる記述は必要がないと信ずる。本発明に関して何が利点かというと、効率と生産量とを最大にするために、焼鈍チャンバーが他の処理セクションと一体にされているという方法である。
【００２５】
システムの構成にもよるが、両方のロボットの一方のみが、ウェーハを焼鈍チャンバー内に配置しまたそれから取り出すために構成できる。以下に述べるように、両方のロボットがそのような操作を遂行できる場合、また、後で述べるように、焼鈍後にさらなる操作がない場合、焼鈍チャンバーは補助バッファ領域として作用できる。
【００２６】
図８は、上述した焼鈍チャンバーを使用した本発明の統合工具８００またはシステムの他の実施例を示していて、処理セクション８０２と、バッファセクション８０６によって処理セクションに接続された装填／取り外しセクション８０４すなわちカセットセクションとを備えている。処理セクション８０２は、第１、第２、第３、第４および第５の処理ステーション８０８Ａ、８０８Ｂ、８０８Ｃ、８０８Ｄおよび８０８Ｅを備えていて、これらは図８に示されたように処理セクション８０２の周りにクラスタされている。第１のステーション８０８Ａは、ＥＣＤ／クリーニング垂直チャンバーまたはＥＣＭＤ／クリーニング垂直チャンバー（両方ともより大きなシステムでもまた使用できる）を備えていて、２００ｍｍウェーハの操作も可能である。第２のステーション８０８Ｂは、ＥＣＤ／クリーニング垂直チャンバーまたはＥＣＭＤ／クリーニング垂直チャンバー（両方ともより大きなシステムでもまた使用できる）を備えていて、３００ｍｍウェーハの操作も可能である。第３のステーション８０８Ｃは、ＣＭＰ／クリーニング垂直チャンバーまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニング垂直チャンバー（両方ともより大きなシステムでもまた使用できる）を備えていて、２００ｍｍウェーハの操作も可能である。第４のステーション８０８Ｄは、ＣＭＰ／クリーニング垂直チャンバーまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニング垂直チャンバー（両方ともより大きなシステムでもまた使用できる）を備えていて、３００ｍｍウェーハの操作も可能である。先にも述べたように、そのような例示的垂直チャンバー構造および操作の一つの例は、本発明の譲受人によって普通に所有されている、１９９９年１２月１７日に出願された出願中の表題「複数処理に使用するための垂直に構成されたチャンバー」の出願番号第０９／４６６、０１４の米国特許出願に開示されている。第５のステーション８０８Ｅは、上述したような焼鈍チャンバーを備えている。
【００２７】
操作において、メッキ（ＥＣＤ、および／または、ＥＣＭＤによって）されるべきウェーハ８１０すなわち加工部品は、カセット８１２のカセットセクション８０４に供給され、つぎにそれぞれは第１のロボット８１４によってバッファセクション８０６に搬送される。各ウェーハ８１０は、つぎに第２のロボット８１６によってピックアップされ垂直チャンバー８０８Ａ〜８０８Ｅの一つに搬送される。
【００２８】
１つの例において、第２のロボット８１６は、最初に各ウェーハ８１０を、ウェーハのサイズによって、ＥＣＭＤ／クリーニングチャンバー８０８Ａおよび８０８Ｂに搬送する。メッキ、および／または、ウェーハの前面からの導電性材料の除去と最初のクリーニングがＥＣＭＤ／クリーニングチャンバー８０８Ａまたは８０８Ｂ内で遂行されると、第２のロボット８１６はウェーハ８１０をピックアップしそれを焼鈍チャンバー８０８Ｅに搬送する。焼鈍チャンバー内で一旦焼鈍され冷却されると、ウェーハ８１０はつぎに第２のロボット８１６によってピックアップされ、ウェーハのサイズによって、ＣＭＰ／クリーニングチャンバー８０８Ｃ、または、ＥＣ−ポリッシングチャンバー／クリーニングチャンバー８０８Ｄの一方に搬送される。導電性材料が、ＣＭＰ／クリーニングチャンバー８０８ＣまたはＥＣ−ポリッシング／クリーニングチャンバー８０８Ｄのいずれかを使用してウェーハの前面から一旦除去され、また、同一の垂直チャンバー内での引き続くクリーニングが完了すると、第２のロボット８１６および続いて第１のロボット８１４は、ウェーハをカセットセクション８０４に戻して搬送するために協力できる。他の実施例のように、焼鈍後に更なる処理が不要な場合、ウェーハは第１のロボット８１４によって焼鈍チャンバーからピックアップされ、カセットセクション８０４に直接戻されるように搬送される。
【００２９】
上述した種々の実施例において、本発明はカセットセクション内に配置された異なったサイズのウェーハの操作が可能であることが注目される。各異なったカセットにおけるウェーハのサイズは、システム制御装置によって使用されたソフトウェアタグ(tag)のようなものによって知られている。ウェーハを持ち上げるロボットアームは、サイズに関係なく各ウェーハの中心を検知でき、また、適切にウェーハをピックアップするように構成されている。
【００３０】
さらに、各ウェーハ用に、システム制御装置はまた、処理シーケンスすなわち製法(recipe)が装填されていて、これは、そのウェーハ用に必要な異なった処理ステーションによって遂行された処理シーケンスの種々の部分を有する。特定のウェーハが特定の処理ステーションに送られた場合、製法のその部分は、システム制御装置による指揮下において処理ステーションモジュールに送ることができ、そして、その処理は実行され、ついで、計画されているウェーハの追跡(tracking)もまた可能になる。
【００３１】
製造環境において、各ウェーハにとって同様の処理シーケンスを有することが代表的であり、それは本発明によってもまた意図されているので、確実な研究背景において、各ウェーハの処理にわたってより制御され、有益であることが分かってきた。このように、各ウェーハが、異なったサイズのウェーハに操作する同様のタイプの処理ステーションを備えた適切な処理ステーションに搬送され、システム制御装置はシステムを通してウェーハの進行を追跡するので、処理ステーションから処理ステーションへのウェーハの搬送の整合が起きる。
上述のことは、当然、本発明の好ましい実施例に関することであり、請求の範囲で述べられたような本発明の精神と目的から逸脱しないで変更がなされることを理解しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】複数の電気化学的沈着処理ステーションを使用した本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】複数の電気化学的機械的沈着処理ステーションを使用した本発明の第２の実施例を示す図。
【図３】複数の化学的機械的処理プロセスを使用した本発明の第３の実施例を示す図。
【図４】複数の電気化学的ポリッシングまたはエッチング処理ステーションを使用した本発明の第４の実施例を示す図。
【図５】少なくとも１つのメッキ処理ステーションと少なくとも１つの導電体除去ステーションとを使用した本発明の第５の実施例を示す図。
【図６】少なくとも１つのメッキ処理ステーションと少なくとも１つの導電体除去ステーションとを使用した本発明の第６の実施例を示す図。
【図７】複数の異なった処理ステーションを使用した本発明の第７の実施例を示す図。
【図８】焼鈍ステーションを含む複数の異なった処理ステーションを使用した本発明の第７の実施例を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【手続補正書】
【提出日】平成14年8月16日(2002.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各前面を有する複数のウェーハを処理するための統合クラスタ工具であって：
実質的に平坦な表面層をその上に生成するために選択されたウェーハの前面上に電気化学的機械的沈着処理を遂行するように構成された少なくとも１つの電気化学的機械的沈着ステーションと；
電気化学的機械的沈着ステーションにおいて、選択されたウェーハ上に沈着された表面層をポリッシングするために構成された少なくとも１つのポリッシングステーションと；
選択されたウェーハをステーション間およびウェーハ保持システムで移送するために構成されたウェーハ取り扱いシステムと；
を備えた統合クラスタ工具。
【請求項２】
少なくとも１つの電気化学的機械的沈着ステーションは、電気化学的機械的エッチング処理を遂行するためにさらに構成されている請求項１記載の統合クラスタ工具。
【請求項３】
各１つの電気化学的機械的沈着ステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項１記載の統合クラスタ工具。
【請求項４】
各１つの電気化学的機械的沈着ステーションは、選択されたウェーハを処理するように構成され、処理チャンバーの上方のクリーニングチャンバーは、処理された後の選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するように構成された処理チャンバーを備えている請求項１記載の統合クラスタ工具。
【請求項５】
各ポリッシングステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項１記載の統合クラスタ工具。
【請求項６】
各ポリッシングステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項３記載の統合クラスタ工具。
【請求項７】
各ポリッシングステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項４記載の統合クラスタ工具。
【請求項８】
選択されたウェーハ上の表面層を焼鈍するために構成された少なくとも１つの焼鈍ステーションをさらに備えた請求項１記載の統合クラスタ工具。
【請求項９】
選択されたウェーハ上の表面層を焼鈍するために構成された少なくとも１つの焼鈍ステーションをさらに備えた請求項３記載の統合クラスタ工具。
【請求項１０】
選択されたウェーハ上の表面層を焼鈍するために構成された少なくとも１つの焼鈍ステーションをさらに備えた請求項５記載の統合クラスタ工具。
【請求項１１】
選択されたウェーハ上の表面層を焼鈍するために構成された少なくとも１つの焼鈍ステーションをさらに備えた請求項６記載の統合クラスタ工具。
【請求項１２】
少なくとも１つの電気化学的機械的沈着ステーションと、少なくとも１つのポリッシングステーションと、ウェーハ取り扱いシステムとは、異なったサイズのウェーハの操作用に適している請求項１記載の統合クラスタ工具。
【請求項１３】
各前面を有する複数のウェーハを処理するための方法であって：
選択されたウェーハをウェーハ保持システムから引き出すステップと；
実質的に平坦な表面層をその上に生成するために選択されたウェーハの前面上に電気化学的機械的沈着処理を遂行するステップと；
電気化学的機械的沈着処理ステップによって沈着された選択されたウェーハ上の表面層をポリッシングするステップと；
処理された各ウェーハをウェーハ保持システムに戻すステップと；
を備えた方法。
【請求項１４】
電気化学的機械的沈着処理を遂行するステップは、電気化学的機械的エッチング処理を遂行するステップを備えている請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
電気化学的機械的沈着処理を遂行するステップは、選択されたウェーハをクリーニングおよび乾燥するステップを備えている請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
電気化学的機械的沈着処理が遂行された後で処理チャンバーの上方で選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップと；
乾燥ウェーハをポリッシングステップに供給するステップと；
をさらに備えた請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
ポリッシングステップは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップを備えている請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
ポリッシングステップは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップを備えている請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
ポリッシングステップは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップを備えている請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
選択されたウェーハの表面層を焼鈍するステップをさらに備えた請求項１３記載の方法。
【請求項２１】
選択されたウェーハの表面層を焼鈍するステップをさらに備えた請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
選択されたウェーハの表面層を焼鈍するステップをさらに備えた請求項１７記載の方法。
【請求項２３】
選択されたウェーハの表面層を焼鈍するステップをさらに備えた請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
引き出し、遂行し、ポリッシングし、および戻すステップは、異なったサイズのウェーハに操作可能である請求項１３記載の方法。
【請求項２５】
請求項１３記載のステップで製造された集積回路。
【請求項２６】
各前面を有する複数のウェーハを処理するための統合クラスタ工具であって：
表面層をその上に生成するために選択されたウェーハの前面上に電気化学的沈着処理を遂行するように構成された少なくとも１つの電気化学的沈着ステーションと；
選択されたウェーハの表面層を焼鈍するために構成された少なくとも１つの焼鈍ステーションと；
電気化学的機械的沈着ステーションにおいて、選択されたウェーハ上に沈着された表面層をポリッシングするために構成された少なくとも１つのポリッシングステーションと；
選択されたウェーハをステーション間からウェーハ保持システムに移送するために構成されたウェーハ取り扱いシステムと；
を備えた統合クラスタ工具。
【請求項２７】
各電気化学的沈着ステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項２６記載の統合クラスタ工具。
【請求項２８】
各電気化学的沈着ステーションは、選択されたウェーハを処理するために構成された処理チャンバーと、処理された後の選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成された処理チャンバーの上方のクリーニングチャンバーとを備えている請求項２６記載の統合クラスタ工具。
【請求項２９】
各ポリッシングステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項２６記載の統合クラスタ工具。
【請求項３０】
各ポリッシングステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項２７記載の統合クラスタ工具。
【請求項３１】
各ポリッシングステーションは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するために構成されたクリーニングチャンバーを備えている請求項２８記載の統合クラスタ工具。
【請求項３２】
少なくとも１つの電気化学的機械的沈着ステーションと、少なくとも１つのポリッシングステーションと、ウェーハ取り扱いシステムとは、異なったサイズのウェーハの操作用に適している請求項２６記載の統合クラスタ工具。
【請求項３３】
各前面を有する複数のウェーハを処理するための方法であって：
選択されたウェーハをウェーハ取り扱いシステムから引き出すステップと；
実質的に平坦な表面層をその上に生成するために選択されたウェーハの前面上に電気化学的機械的沈着処理を遂行するステップと；
選択されたウェーハの表面層を焼鈍するステップと；
電気化学的機械的沈着処理ステップによって沈着された選択されたウェーハ上の表面層をポリッシングするステップと；
処理された各ウェーハをウェーハ保持システムに戻すステップと；
を備えた方法。
【請求項３４】
電気化学的機械的沈着処理を遂行するステップの後で、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップをさらに備えた請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
電気化学的機械的沈着処理を遂行するステップの後で、選択されたウェーハを処理チャンバーの上方でクリーニングし乾燥するステップをさらに備えた請求項３３記載の方法。
【請求項３６】
ポリッシングステップは、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップを備えている請求項３３記載の方法。
【請求項３７】
ポリッシングステップの後で、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップをさらに備えた請求項３４記載の方法。
【請求項３８】
ポリッシングステップの後で、選択されたウェーハをクリーニングし乾燥するステップをさらに備えた請求項３５記載の方法。
【請求項３９】
乾燥し、引き出し、遂行し、ポリッシングし、および戻すステップは、異なったサイズのウェーハに操作可能である請求項３３記載の方法。
【請求項４０】
請求項３３記載のステップを備えて製造された集積回路。
【国際調査報告】
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2004531876.tif 000047
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