(57)【要約】Ｎ２Ｏ環境中で炭化ケイ素層を酸化すること、またはＮ２Ｏ環境中で炭化ケイ素層上の酸化物層をアニーリングすること、の少なくとも一方により酸化物層を形成することによる炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法を提供する。好ましくは、Ｎ２Ｏの所定の温度プロファイルおよび所定の流量プロファイルが、酸化またはアニールの間に与えられている。所定の温度プロファイルおよび／または所定の流量プロファイルは、一定でも可変でもよいし、定常状態条件へのランプを含んでいてもよい。所定の温度プロファイルおよび／または所定の流量プロファイルは、ＳｉＣの伝導帯付近のエネルギーを有する酸化物／炭化ケイ素界面の界面準位を低減するように選ばれる。
2004511101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素層と当該炭化ケイ素層上の酸化物層とを備えている炭化ケイ素構造の製造方法であって、
約１１００℃よりも高いアニール温度を含む所定の温度プロファイルと、少なくとも約１１秒のＮ２Ｏの初期滞留時間をもたらす流量プロファイルと、を用いて、Ｎ２Ｏを含む環境中で既存の酸化物層をアニールすること、または、
少なくとも約１２００℃の酸化温度を含む所定の温度プロファイルを用いて、Ｎ２Ｏ環境中で炭化ケイ素層を酸化すること、の少なくとも一方により特徴づけられる方法。
【請求項２】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、前記初期滞留時間が約１１秒から約４５秒であること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記初期滞留時間が約２６秒から約３１秒であること、を特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｎ２Ｏの全滞留時間が約２８秒から約１１２秒であること、を特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｎ２Ｏの全滞留時間が約４１秒から約７３秒であること、を特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、当該アニール温度が少なくとも約１１７５℃であること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、当該アニール温度が約１２００℃であること、を特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、前記流量プロファイルが、約２標準リットル毎分（ＳＬＭ）から約８ＳＬＭの流量をもたらすこと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、前記流量プロファイルが、約３から約５標準リットル毎分の流量をもたらすこと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
既存の酸化物層の前記アニーリングステップは、約３時間の間行われること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
既存の酸化物層の前記アニーリングステップは、約１．５時間の間行われること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
既存の酸化物層の前記アニーリングステップまたは前記酸化ステップの後に、不活性ガス環境中でのアニーリングステップが行われること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
既存の酸化物層の前記アニーリングステップまたは前記酸化ステップの後に、Ａｒを含む環境、Ｎ２を含む環境およびＨ２を含む環境のうちの少なくとも１つでのアニーリングステップが行われること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
不活性ガス環境中での前記アニーリングステップは、約１時間の間行われること、を特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、前記所定の流量は約０．３７ｃｍ／ｓから約１．４６ｃｍ／ｓの前記Ｎ２Ｏの流速をもたらすこと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
既存の酸化物層をアニールすることによって特徴づけられ、前記所定の流量は約０．５ｃｍ／ｓから約１ｃｍ／ｓの前記Ｎ２Ｏの流速をもたらすこと、を特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記既存の酸化物層は、前記酸化物層の堆積によって形成されること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記既存の酸化物層は、前記酸化物層の熱的成長によって形成されること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記既存の酸化物層は、前記酸化物層の湿式再酸化を行うことによって形成されること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記炭化ケイ素層は、４Ｈポリタイプ炭化ケイ素を含むこと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップによって特徴づけられ、Ｎ２Ｏを含む環境中での炭化ケイ素層の前記酸化ステップが、少なくとも約１１秒の前記Ｎ２Ｏの初期滞留時間をもたらす流量を含むＮ２Ｏの流量プロファイルを用いた前記炭化ケイ素層の酸化をさらに含むこと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記初期滞留時間は、約１１秒から約３３秒であること、を特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記初期滞留時間は、約１９秒から約２２秒であること、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記Ｎ２Ｏの全滞留時間は、約２８秒から約８４秒であること、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記Ｎ２Ｏの全滞留時間は、約４９秒から約５６秒であること、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記酸化温度は、約１３００℃であること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記流量プロファイルは、約２標準リットル毎分（ＳＬＭ）から約６ＳＬＭの流量をもたらすこと、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記流量プロファイルは、約３．５から約４標準リットル毎分の流量をもたらすこと、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップによって特徴づけられ、前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップの後に、不活性ガス環境中でのアニーリングステップが行われること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップによって特徴づけられ、前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップの後に、Ａｒを含む環境、Ｎ２を含む環境およびＨ２を含む環境のうちの少なくとも１つの中でのアニーリングステップが行われること、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
不活性ガス環境中での前記アニーリングステップは、約１時間の間行われること、を特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記所定の流量は、約０．３７ｃｍ／ｓから約１．１１ｃｍ／ｓの前記Ｎ２Ｏの流速をもたらすこと、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
前記所定の流量は、約０．６５ｃｍ／ｓから約０．７４ｃｍ／ｓの前記Ｎ２Ｏの流速をもたらすこと、を特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項３４】
前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップによって特徴づけられ、前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップが、Ｎ２Ｏを含み酸化作用物質および不活性ガスの少なくとも一方を含む環境中での前記炭化ケイ素層の酸化を含むこと、を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３５】
前記酸化作用物質が、蒸気およびＯ２の少なくとも一方を含むこと、を特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップによって特徴づけられ、前記炭化ケイ素層の前記酸化ステップの後に、Ｎ２Ｏを含む環境中における約１１００℃よりも高いアニール温度でのアニーリングステップが行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３７】
炭化ケイ素構造の製造方法であって、
炭化ケイ素層上に酸化物層を形成することと、
所定の温度プロファイルを用いてＮ２Ｏの所定の流量プロファイルでＮ２Ｏ環境中で前記酸化物層をアニーリングすることと、を含み、
前記所定の温度プロファイルと前記所定の流量プロファイルとは、ＳｉＣの伝導帯付近のエネルギーを有する酸化物／炭化ケイ素界面の界面準位を低減するように選択されること、を特徴とする方法。
【請求項３８】
前記所定の温度プロファイルは、約１１００℃よりも高いアニール温度を含むこと、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記アニール温度は、約１１７５℃よりも高いこと、を特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記アニール温度は、約１２００℃であること、を特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記所定の流量プロファイルは、約２標準リットル毎分（ＳＬＭ）から約８ＳＬＭの流量をもたらすこと、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】
前記流量は、約３から約５標準リットル毎分であること、を特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記酸化物層の前記アニーリングステップは、約３時間の間行われること、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４４】
前記酸化物層の前記アニーリングステップは、約１．５時間の間行われること、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４５】
前記酸化物層の前記アニーリングステップの後に、不活性ガス環境中での前記酸化物層のアニーリングステップが行われること、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４６】
前記酸化物層の前記アニーリングステップの後に、Ａｒを含む環境、Ｎ２を含む環境およびＨ２を含む環境のうちの少なくとも１つの中での前記酸化物層のアニーリングステップが行われることを特徴とする、請求項３７に記載の方法。
【請求項４７】
不活性ガス環境中での前記酸化物層の前記アニーリングステップは、約１時間の間行われること、を特徴とする請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記所定の流量プロファイルは、約０．３７ｃｍ／ｓから約１．４６ｃｍ／ｓの前記Ｎ２Ｏの流速をもたらすこと、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４９】
前記所定の流量プロファイルは、約０．５ｃｍ／ｓから約１ｃｍ／ｓの前記Ｎ２Ｏの流速をもたらすこと、を特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】
前記酸化物層の前記形成ステップは、前記酸化物層の堆積ステップを含むこと、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項５１】
前記酸化物層の前記形成ステップは、前記酸化物層の熱的成長ステップを含むこと、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項５２】
前記酸化物層の形成ステップは、前記酸化物層の湿式再酸化を行うことをさらに含むこと、を特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項５３】
前記炭化ケイ素層は、非炭化ケイ素基板上の炭化ケイ素層を含むこと、を特徴とする請求項１または３７に記載の方法。
【請求項５４】
前記炭化ケイ素層は、炭化ケイ素基板の一部を含むこと、を特徴とする請求項１または３７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（関連出願）
本出願は、「ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ Ｎ２０ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＡＮ ＯＸＩＤＥ ＬＡＹＥＲ ＯＮ Ａ ＳＩＬＩＣＯＮ ＣＡＲＢＩＤＥ ＬＡＹＥＲ」という名称の米国仮出願第６０／２９４，３０７号（２００１年５月３０日出願）の優先権を主張する。また本出願は、「Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ ａｎ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｂｅｔｗｅｅｎ ａ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｌａｙｅｒ ａｎｄ ａｎ Ｏｘｉｄｅ Ｌａｙｅｒ」という名称の米国仮出願第６０／２３７，８２２号および「ＳｉＣ Ｐｏｗｅｒ ＭＯＳＦＥＴ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ」という名称の米国仮出願第６０／２３７，４２６号（どちらも２０００年１０月３日に出願）の優先権を主張する「ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ Ｎ２Ｏ ＡＮＮＥＡＬＩＮＧ ＡＮ ＯＸＩＤＥ ＬＡＹＥＲ ＯＮ Ａ ＳＩＬＩＣＯＮ ＣＡＲＢＩＤＥ ＬＡＹＥＲ」という名称の米国特許出願第０９／８３４，２８３号（２００１年４月１２日出願）の優先権を主張し、この出願の一部継続出願である。これらの引用した各出願の開示は、本明細書に完全に記載されているかのごとく、参照により本明細書に組み込む。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、半導体デバイスの製造に関し、より詳細には、炭化ケイ素（ＳｉＣ）上の酸化物層の製造に関する。
【０００３】
（発明の背景）
炭化ケイ素から製造されたデバイスは通常、デバイスの露出するＳｉＣ表面を保護するためおよび／または他の理由により、ＳｉＯ２などの酸化物層によって不動体化（ｐａｓｓｉｖａｔｅ）される。しかし、ＳｉＣとＳｉＯ２との界面は、電子の高い表面移動度を得るには不十分である可能性がある。より具体的には、ＳｉＣとＳｉＯ２との界面は一般的には高い界面準位密度を示し、表面の電子移動度を低下させる可能性がある。
【０００４】
最近、一酸化窒素（ＮＯ）雰囲気内での熱酸化物のアニーリングが、ｐ−ウェル注入を必要としないプレーナ型４Ｈ−ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ構造において有望であることが分かっている。Ｍ．Ｋ．Ｄａｓ、Ｌ．Ａ．Ｌｉｐｋｉｎ、Ｊ．Ｗ．Ｐａｌｍｏｕｒ、Ｇ．Ｙ．Ｃｈｕｎｇ、Ｊ．Ｒ．Ｗｉｌｌｉａｍｓ、Ｋ．ＭｃＤｏｎａｌｄ、およびＬ．Ｃ．Ｆｅｌｄｍａｎによる「Ｈｉｇｈ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ ４Ｈ−ＳｉＣ Ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｍｏｄｅ ＭＯＳＦＥＴｓ Ｕｓｉｎｇ Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｇｒｏｗｎ， ＮＯ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｓｉ０２」（ＩＥＥＥ Ｄｅｖｉｃｅ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、コロラド州デンバー、２０００年６月１９〜２１日）、およびＧ．Ｙ．Ｃｈｕｎｇ、Ｃ．Ｃ．Ｔｉｎ、Ｊ．Ｒ．Ｗｉｌｌｉａｍｓ、Ｋ．ＭｃＤｏｎａｌｄ、Ｒ．Ａ．Ｗｅｌｌｅｒ、Ｓ．Ｔ．Ｐａｎｔｅｌｉｄｅｓ、Ｌ．Ｃ．Ｆｅｌｄｍａｎ、Ｍ．Ｋ．Ｄａｓ、およびＪ．Ｗ．Ｐａｌｍｏｕｒによる「Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｆｏｒ ４Ｈ−ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ Ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ａｎｎｅａｌｓ ｉｎ Ｎｉｔｒｉｃ Ｏｘｉｄｅ」（ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ、刊行の承認済み）を参照されたい。このアニールは、伝導帯端付近の界面準位密度を著しく減少させることが分かっている。Ｇ．Ｙ．Ｃｈｕｎｇ、Ｃ．Ｃ．Ｔｉｎ、Ｊ．Ｒ．Ｗｉｌｌｉａｍｓ、Ｋ．ＭｃＤｏｎａｌｄ、Ｍ．Ｄｉ　Ｖｅｎｔｒａ、Ｓ．Ｔ．Ｐａｎｔｅｌｉｄｅｓ、Ｌ．Ｃ．Ｆｅｌｄｍａｎ、およびＲ．Ａ．Ｗｅｌｌｅｒによる「Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｎｉｔｒｉｃ ｏｘｉｄｅ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｔｒａｐ ｄｅｎｓｉｔｉｅｓ ｎｅａｒ ｔｈｅ ｂａｎｄ ｅｄｇｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ４Ｈ ｐｏｌｙｔｙｐｅ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ」（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第７６巻、第１３号、ページ１７１３〜１７１５、２０００年３月）。ＭＯＳ界面の改善によって、表面反転層内で高電子移動度（３５〜９５ｃｍ２／Ｖｓ）が得られている。
【０００５】
残念ながら、ＮＯは健康上有害で、全国防火協会（ＮＦＰＡ）による健康危険性評価は３であり、しかも通常のポスト酸化アニールが行われる装置は、クリーンルームの大気に開放されている。アニールは排気されることが多いが、室内においてＮＯ汚染の安全レベルを超える危険は無視できない。
【０００６】
Ｎ２Ｏ中で酸化物を成長させることは、Ｊ．Ｐ．Ｘｕ、Ｐ．Ｔ．Ｌａｉ、Ｃ．Ｌ．Ｃｈａｎ、Ｂ．Ｌｉ、およびＹ．Ｃ．Ｃｈｅｎｇによる「Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ａｎｄ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｎ２０−Ｇｒｏｗｎ Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ ｏｎ ６Ｈ−ＳｉＣ」（ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第２１巻、第６号、ページ２９８〜３００、２０００年６月）に記載されているように可能である。Ｘｕらは、ＳｉＣを１１００℃で３６０分間、純粋なＮ２Ｏ雰囲気の中で酸化させ、１１００℃で１時間、Ｎ２中でアニーリングすることを述べている。
【０００７】
また、Ｎ２Ｏ中における１１００℃の温度での６Ｈ−ＳｉＣ上の酸化物のポスト成長窒化（ｐｏｓｔ−ｇｒｏｗｔｈ ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）が、Ｌａｉらによって研究されている。Ｐ．Ｔ．Ｌａｉ、Ｓｕｐｒａｔｉｃ　Ｃｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、Ｃ．Ｌ．Ｃｈａｎ、およびＹ．Ｃ．Ｃｈｅｎｇによる「Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ ａｎｄ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ｏｘｉｄｉｚｅｄ Ｓｉ０２／ＳｉＣ ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｓｙｓｔｅｍ」（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、第７６巻、第２５号、ページ３７４４〜３７４６、２０００年６月）。しかし、Ｌａｉらは、このような処理は界面特性を劣化させるが、その後のＯ２中での湿式または乾式アニールによって改善することができ、このようなアニールによってＮ２Ｏ中の窒化が引き起こした損傷を修復できると結論した。また、Ｌａｉらによれば、その後にＯ２アニールを行っても、Ｎ２Ｏ中の窒化をしなかった場合と比べて界面準位密度の著しい低下は認められなかった。
【０００８】
（発明の概要）
本発明の実施形態によって、Ｎ２Ｏ環境中での炭化ケイ素層の酸化またはＮ２Ｏ環境中での炭化ケイ素層上への既存の酸化物層のアニーリングの少なくとも一方による、炭化ケイ素層上の酸化物層の製造方法が提供される。好ましくは、所定の温度プロファイルとＮ２Ｏの所定の流量プロファイルとを、酸化またはアニール中に設ける。所定の温度プロファイルおよび／または所定の流量プロファイルは、一定でも可変でもよく、定常状態条件へのランプ（ｒａｍｐ）を含んでいてもよい。所定の温度プロファイルおよび／または所定の流量プロファイルは、ＳｉＣの伝導帯付近のエネルギーを有する酸化物／炭化ケイ素界面の界面準位を低減するように選択される。
【０００９】
アニールを行う本発明の特定の実施形態において、所定の温度プロファイルは約１１００℃よりも高いアニール温度となってもよい。アニールを行う本発明の実施形態において、アニール温度は約１１７５℃より高くてもよい。特定の実施形態においては、アニール温度は約１２００℃である。本発明のさらなる実施形態においては、アニールは約１．５時間から約３時間またはそれ以上であってもよい。
【００１０】
酸化を行う本発明の実施形態においては、所定の温度プロファイルは、少なくとも約１２００℃の酸化温度となってもよい。特定の実施形態においては、酸化温度は約１３００℃である。本発明のさらなる実施形態においては、酸化の継続時間は、所望する酸化物層の厚みに応じて変化してもよい。その結果、酸化を約１５分から約３時間またはそれ以上の間行ってもよい。
【００１１】
本発明のさらなるアニールの実施形態においては、所定の流量プロファイルは、約２標準リットル毎分（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｌｉｔｅｒｓ　ｐｅｒ　Ｍｉｎｕｔｅ）（ＳＬＭ）から約８ＳＬＭの１つまたは複数の流量を含む。特定の実施形態においては、流量は約３から約５標準リットル毎分である。
【００１２】
本発明のさらなる酸化の実施形態においては、所定の流量プロファイルは、約２標準リットル毎分（ＳＬＭ）から約６ＳＬＭの１つまたは複数の流量を含む。特定の実施形態においては、流量は約３．５から約４標準リットル毎分である。
【００１３】
さらなる実施形態においては、酸化物層のアニールまたは酸化物層の形成の後に、ＡｒまたはＮ２中での酸化物層のアニーリングを行ってもよい。またこのアニールは、水素含有環境、たとえばＨ２、またはＨ２と１種または複数種の不活性ガス（ＡｒもしくはＮ２など）との混合物の中で行ってもよい。このようなアニーリング作業は、たとえば約１時間の間行ってもよい。
【００１４】
本発明のさらなるアニールの実施形態においては、所定の流量プロファイルは、約０．３７ｃｍ／ｓから約１．４６ｃｍ／ｓのＮ２Ｏの１つまたは複数の流速をもたらす。特定の実施形態においては、所定の流量プロファイルは、約０．５ｃｍ／ｓから約１ｃｍ／ｓのＮ２Ｏの１つまたは複数の流速をもたらす。
【００１５】
本発明のさらなる酸化の実施形態においては、所定の流量プロファイルは、約０．３７ｃｍ／ｓから約１．１１ｃｍ／ｓのＮ２Ｏの１つまたは複数の流速をもたらす。特定の実施形態においては、所定の流量プロファイルは、約０．６５ｃｍ／ｓから約０．７４ｃｍ／ｓのＮ２Ｏの１つまたは複数の流速をもたらす。
【００１６】
加えて、本発明のアニールの実施形態においては、酸化物層を、酸化物層の堆積によっておよび／または酸化物層の熱成長によって、形成してもよい。本発明のさらなる実施形態においては、酸化物層の湿式再酸化を行ってもよく、および／または蒸気の部分もしくは分圧を有する環境中でＮ２Ｏ酸化を行ってもよい。
【００１７】
さらなるアニールの実施形態においては、炭化ケイ素層上の酸化物層の製造方法は、炭化ケイ素層上に酸化物層を形成することと、約１１００℃よりも高いアニール温度を含む所定の温度プロファイルおよびＮ２Ｏに対する所定の流量プロファイルにおいてＮ２Ｏ環境中で酸化物層をアニールすることと、を含む。所定の流量プロファイルは、少なくとも１１秒のＮ２Ｏの初期滞留時間（ｉｎｉｔｉａｌ ｒｅｓｉｄｅｎｃｅ ｔｉｍｅ）をもたらすように選んでもよい。
【００１８】
本発明の特定のアニールの実施形態においては、初期滞留時間は約１１秒から約４５秒であってもよい。本発明のさらなる実施形態においては、初期滞留時間は約１６秒から約３１秒である。
【００１９】
加えて、Ｎ２Ｏの全滞留時間は約２８秒から約１１２秒であってもよい。本発明のこのようなアニールの実施形態においては、全滞留時間は約４１秒から約７３秒であってよい。
【００２０】
さらなる酸化の実施形態においては、炭化ケイ素層上の酸化物層の製造方法は、少なくとも約１２００℃の酸化温度を含む所定の温度プロファイルおよびＮ２Ｏに対する所定の流量プロファイルにおいてＮ２Ｏ環境中で炭化ケイ素層上に酸化物層を形成することを含む。所定の流量プロファイルは、少なくとも約１１秒のＮ２Ｏの初期滞留時間をもたらすように選んでもよい。
【００２１】
本発明の特定の酸化の実施形態においては、初期滞留時間は約１１秒から約３３秒であってもよい。本発明のさらなる実施形態においては、初期滞留時間は約１９秒から約２２秒である。
【００２２】
加えて、Ｎ２Ｏの全滞留時間は約２８秒から約８４秒であってもよい。本発明のこのような酸化の実施形態においては、全滞留時間は約４８秒から約５６秒であってもよい。
【００２３】
（発明の詳細な説明）
本発明を、本発明の好ましい実施形態を示す添付の図面を参照して、以下においてより十分に説明する。しかし本発明は、多くの異なる形態で具体化してもよく、本明細書で述べる実施形態に限定されると解釈してはならない。むしろこれらの実施形態は、ここでの開示が完璧で完全となるようにかつ本発明の範囲を当業者に対して十分に伝えるように、提供されている。図面において、層および領域の厚みは、明瞭にするために誇張されている。全体を通して、同様の番号は同様の要素を示している。層、領域、または基板などのある要素が他の要素「上に」あると言うときには、他の要素上に直接あることもできるし、または介在する要素が存在する場合もあることを理解されたい。対照的に、ある要素が他の要素「上に直接」あると言うときには、介在する要素は全く存在しない。
【００２４】
本発明の実施形態によって、酸化物層とＳｉＣとの界面を含むどんなデバイスにおいてもこのような界面を改善することができる方法が提供される。これらの方法は、ＳｉＣ上に形成される金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）デバイスの製造において特に好都合である。本発明の実施形態を用いれば、ＳｉＣの伝導帯付近のエネルギー準位を有する界面準位を劇的に低減させることができる。これらの欠陥によってＭＯＳＦＥＴの有効表面チャネル移動度が制限され得るので、このような欠陥の低減は好都合であり得る。
【００２５】
本発明の実施形態を、図１、２Ａ、および２Ｂを参照して説明する。これらは、本発明の実施形態での使用に適した炉心管を示す概略図および本発明の特定の実施形態による作業を示すフローチャートである。図１に見られるように、炉心管１０は、ＳｉＯ２などの酸化物層が形成されているかまたは酸化物層が形成されるべき複数のＳｉＣウェハ１２を有している。好ましくは、ＳｉＣウェハは４Ｈ−ＳｉＣである。ウェハ１２はキャリア１４上に、通常ウェハが炉心管１０内の固定された位置を有するように配置される。キャリア１４は、ウェハが、炉心管１０の入口からＬ１＋Ｌ２の距離にあって炉心管１０内に距離Ｌ３だけ延びるように配置される。導入ガス１６（本明細書で述べるようにＮ２Ｏ環境をもたらすＮ２Ｏを含む）を炉心管１０内に通し、ガスが距離Ｌ１だけ横断したときに所定の温度プロファイルに基づいて加熱して、加熱ガス１８を得る。加熱ガス１８は、所定の温度プロファイルに基づく温度に維持され、距離Ｌ２を横断してウェハ１２の最初の一枚に達する。加熱ガス１８は、排出ガス２０として出口ポートを通って炉心管１０から出て行くまで、炉心管１０を通り続ける。こうして、加熱ガス１８は距離Ｌ３を横断する。加熱ガス１８は好ましくは、距離Ｌ２およびＬ３の間、実質的に一定の温度に維持されるが、本開示を考慮すれば当業者には分かるように、種々の温度プロファイルを用いてもよい。このようなプロファイルは、ある時間または距離にわたる温度変化を含んでいてもよい。しかし所定の温度プロファイルは、約１１００℃よりも高いアニール温度または少なくとも約１２００℃の酸化温度の何れかを含んでいなければならない。
【００２６】
図１に見られるように、加熱ガス１８は、Ｌ１距離の最後において、Ｎ２Ｏがその成分への分解を開始する温度に達してもよい。この距離は、炉心管１０の物理特性、所定の温度プロファイル、および流量プロファイルに依存し得る。Ｎ２Ｏが分解を開始する温度に達した後、加熱ガス１８は、ウェハ１２に達する前に距離Ｌ２を横断する。加熱ガスが距離Ｌ２を横断するのに要する時間を、本明細書では「初期滞留時間」と言う。好ましくは加熱ガスが、初期滞留時間の間、約１１００℃よりも高いアニール温度または少なくとも約１２００℃の酸化温度に対応する実質的に一定の温度に維持される。しかし当業者であれば分かるように、初期滞留時間を増加または減少させる種々の加熱プロファイルを用いることができる。しかし好ましくは、初期滞留時間が、加熱ガス１８がＬ３距離を横断する前に約１１００℃よりも高いアニール温度または少なくとも約１２００℃の酸化温度に維持される時間と実質的に同じになるように、加熱プロファイルは急峻である。
【００２７】
加熱ガス１８が距離Ｌ２＋Ｌ３を横断するのに要する全時間を、本明細書では「全滞留時間」と言う。本開示を考慮すれば当業者には分かるように、これらの滞留時間は、加熱ガス１８が炉心管１０を通る流速に依存し、この流速は、加熱ガス１８の流量および炉心管１０の断面積に基づいて決めることができる。このような流速は、たとえば乱流が得られている場合には平均流速であり得るし、またはたとえば層流システムにおいては実際の流速であり得る。したがって、用語流速は、本明細書では平均および実際の流速の両方を指すために用いる。
【００２８】
図２Ａに、本発明の実施形態による作業を示し、図１を参照しながら説明する。しかし本開示を考慮すれば当業者には分かるように、本発明の実施形態は図１に示した炉心管の実施形態には限定されず、本明細書で説明した状態が得られるならばどんなシステムで行ってもよい。図２Ａを参照すれば、作業は、酸化物層をＳｉＣ層上に形成することによって開始することができる（ブロック３０）。ＳｉＣ層は、エピタキシャル層および／または基板であってもよい。さらに酸化物層は、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）などの堆積、熱酸化プロセスによる熱成長で形成してもよく、および／または他の技術を用いて形成してもよい。好ましくは酸化物層を、米国特許第５、９７２、８０１号に記載されているように、湿式再酸化プロセスを用いて形成する。なおこの文献の開示は、本明細書に完全に記載されているかのごとく、本明細書において参照により取り入れられている。また酸化物層は、その後のＮ２Ｏアニールによってその場で（ｉｎ ｓｉｔｕ）、およびＳｉＣ層とともにその場で形成してもよく、および／または別個のチャンバ内で形成してもよい。
【００２９】
次に酸化物層を、Ｎ２Ｏ環境中で所定の温度および所定の流量でアニールする（ブロック３２）。好ましくは酸化物を、約１１００℃よりも高いアニール温度を含む所定の温度プロファイルを用いて、所定の流量範囲内の流量プロファイルでＮ２Ｏが供給されるチャンバ内でアニールする。さらなる実施形態においては、アニール温度は約１１７５℃またはそれ以上である。特定の実施形態においては、約１２００℃のアニール温度を用いてもよい。Ｎ２Ｏの流量範囲は、プロセスを用いる個々の装置に基づいて選んでもよい。しかし特定の実施形態においては、Ｎ２Ｏの流量範囲は、約２標準リットル毎分（ＳＬＭ）と低いか、または約８ＳＬＭと高くてもよい。さらなる実施形態においては、約３から約５ＳＬＭの流量範囲が好ましくあり得る。
【００３０】
６インチ径の炉心管の場合、流量が２ＳＬＭから８ＳＬＭであれば、約０．３７ｃｍ／秒と低いかまたは約１．４６ｃｍ／秒と高いガス流速となり、および流量が約３から５ＳＬＭであれば、流速は約０．５５ｃｍ／ｓから約０．９５ｃｍ／ｓとなる。特に、Ｌ２距離が約１２インチ（約３０．４８ｃｍ）でＬ３距離が約１８インチ（約４５．７２ｃｍ）の場合には、このような流速の結果、初期滞留時間は約１１秒から約４５秒となり、全滞留時間は約２８秒から約１１２秒となる。特に好ましい実施形態においては、初期滞留時間は約１６秒から約３１秒であり、全滞留時間は約４１から約７３秒である。Ｎ２Ｏアニールは約３時間の間行ってもよいが、約３０分から約６時間のアニールを用いることもでき、さらに長い時間でもよい。
【００３１】
図２Ａにさらに示したように、Ｎ２Ｏアニールの後に、１種または複数種の不活性ガス、たとえばアルゴンおよび／もしくはＮ２またはこれらの組合せの中で随意的なアニールを行ってもよい（ブロック３４）。随意的なアニールは、水素含有環境、たとえばＨ２、またはＨ２に１種または複数種の不活性ガス（アルゴンおよび／またはＮ２またはこれらの組合せなど）を組み合わせたものの中で行ってもよい。このようなアニールは約１時間行ってもよいが、最大約３時間またはそれ以上のアニールを用いてもよい。
【００３２】
図２Ｂに、本発明のさらなる実施形態による作業を示し、図１を参照しながら説明する。しかし本開示を考慮すれば当業者には分かるように、本発明の実施形態は図１に示した炉心管の実施形態には限定されず、本明細書で説明した状態が得られるならばどんなシステムで行ってもよい。図２Ｂを参照すれば、作業は、ＳｉＣ層を設けることによって開始する（ブロック６０）。ＳｉＣ層は、エピタキシャル層および／または基板であってもよい。次に酸化物層を、Ｎ２Ｏ環境中で所定の温度および／または所定の流量で形成する（ブロック６２）。
【００３３】
酸化物層は、ＳｉＣウェハ１２を、約１２００℃よりも高い酸化温度を含む所定の温度プロファイルを用いて、所定の流量範囲内の流量プロファイルでＮ２Ｏが供給されるチャンバ内で酸化することによって形成される。さらなる実施形態においては、酸化温度は約１３００℃である。Ｎ２Ｏの流量範囲は、プロセスを用いる個々の装置に基づいて選んでもよい。しかし特定の実施形態においては、Ｎ２Ｏの流量範囲は、約２標準リットル毎分（ＳＬＭ）と低いか、または約６ＳＬＭと高いかもしくはそれ以上であってもよい。さらなる実施形態においては、約３．５ＳＬＭから約４ＳＬＭの流量範囲が好ましくあり得る。本明細書で用いる場合、Ｎ２Ｏとは、純粋なＮ２Ｏ、またはＮ２Ｏに他の酸化剤（水蒸気、Ｏ２など）および／または不活性ガスを組み合わせたものを指す。
【００３４】
６インチ径の炉心管の場合、流量が約２ＳＬＭから約６ＳＬＭであれば、約０．３７ｃｍ／秒と低いかまたは約１．１１ｃｍ／秒と高いガス流速となる。同様に、６インチ径の炉心管の場合、流量が３．５ＳＬＭから４ＳＬＭでは、流速は約０．６５ｃｍ／ｓから約０．７４ｃｍ／ｓとなる。特にＬ２距離が約１２インチ（約３０．４８ｃｍ）でＬ３距離が約１８インチ（約４５．７２ｃｍ）の場合には、このような流速の結果、初期滞留時間は約１１秒から約３３秒となり、全滞留時間は約２８秒から約８４秒となる。特に好ましい実施形態においては、初期滞留時間は約１９秒から約２２秒であり、全滞留時間は約４９秒から約５６秒である。Ｎ２Ｏ酸化は、酸化物層の所望する厚みで決まる時間の間行ってもよい。たとえば、約３時間またはそれ以上の酸化時間を用いてもよい。
【００３５】
図２Ｂにさらに示したように、Ｎ２Ｏ酸化の後に、不活性ガスたとえばアルゴンまたはＮ２の中で随意アニールを行ってもよい（ブロック３４’）。随意的に、アニールを水素含有環境、たとえばＨ２、またはＨ２に１種または複数種の不活性ガス（アルゴンおよび／またはＮ２またはこれらの組合せなど）を組み合わせたものの中で行ってもよい。このようなアニールはおよそ１時間まで行ってもよいが、約３時間までまたはそれ以上のアニールを行ってもよい。
【００３６】
図３から１４に見られるように、本発明によりアニールおよび／または酸化温度ならびにＮ２Ｏ流量を適切に制御することによって、ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面の特性を、Ｌａｉらが教示するように損傷を与えるのではなく、改善できることが分かった。
【００３７】
どんな動作理論にも束縛されることを望まないが、高温（８００℃を超える）では、Ｎ２Ｏの一部がＮ２、Ｏ２、およびＮＯに分解するようである。ＮＯの割合は、温度、および、ガス流量、炉心管の断面積および管内の距離によって定まるところのガスが高温に留まる時間によって決まる。表１に、最大界面準位密度に対するＮ２Ｏ流量の効果を、１１７５℃で３時間のアニール、そしてＮ２Ｏアニール後の１時間のＡｒアニールをした場合について示す。
【００３８】
【表１】
2004511101.tif 000003
【００３９】
表１に示すように、４ＳＬＭのＮ２Ｏを用いたアニールにおいて、界面準位密度が最も小さく、フラットバンド電圧が最もネガティブである。したがって本発明の特定の実施形態においては、約４から約６ＳＬＭの流量を用いてもよい。
【００４０】
図３から１０に、本発明の種々の実施形態における、ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面でのバンドギャップ全体にわたる界面トラップ密度（Ｄｉｔ）のプロファイルを示す。ＤＩＴは、当業者に知られるどんな技術を用いて測定してもよい。
【００４１】
図３に、１１７５℃のアニール温度での、表１中の流量に対する種々のＮ２Ｏ流速に対する、界面トラップ密度対エネルギー準位を示す。図３に見られるように、各流量において、Ｎ２Ｏアニールがない場合と比べてトラップ密度が低減しているが、トラップ密度の最も大きな低減は、０．７ｃｍ／ｓおよび１．１ｃｍ／ｓの流速を与える流量によって得られる。図３は、最適な流量が約０．７ｃｍ／ｓ（または約４ＳＬＭ）であることを示している。
【００４２】
図４は、１２００℃のアニール温度における、種々の流速に対するＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図４も同様に、１２００℃のアニールにおけるトラップ密度の最も大きな低減は、約０．７ｃｍ／ｓ（または約４ＳＬＭ）の流速によって実現されることを示している。したがって図３および４より、初期滞留時間が約２２秒のときにトラップ密度を最も低減することができる。
【００４３】
図５は、種々のアニール温度に対するＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図５は、ＤＩＴを低減するためには温度は１１００℃より高くなければならず、好ましくは１１７５℃よりも高いことを示している。
【００４４】
図６は、１１７５℃において異なる継続時間、すなわち１分間および３時間のアニールに対するＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図６に見られるように、トラップ密度の低減が、継続時間が短いアニール（１分）よりも継続時間が長いアニール（３時間）によって得られている。
【００４５】
図７は、ＡｒおよびＮ２中でのポスト処理アニール（ｐｏｓｔ−ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ａｎｎｅａｌ）に対するＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図７は、両方の雰囲気とも、実質的に同様の結果をもたらすため、本発明の目的に適していることを示している。
【００４６】
図８は、熱酸化物およびＬＰＣＶＤ酸化物という２つの異なるタイプの酸化物に対する、ＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図８は、両方のタイプの酸化物に対して同様の結果が得られているので、両方のタイプの酸化物に対して本発明の実施形態を用いてトラップ密度を低減できることを示している。
【００４７】
図９は、米国特許第５，９７２，８０１号に記載されているような湿式再酸化を含んでいた酸化物層への３時間のアニールと、湿式再酸化プロセスを用いなかったアニールとに対するＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図９から分かるように、湿式再酸化を用いたときに界面密度の低減が得られた。
【００４８】
図１０は、継続時間が１．５および３時間の場合のＤＩＴ対エネルギー準位のグラフである。図１０から分かるように、３時間の長さの継続時間は、約１．５時間の継続時間と比べて、何ら効果は高くなく、おそらく効果がより低いように思われる。しかしどちらの継続時間も、許容できる結果が得られるようである。
【００４９】
図１１に示したように、Ｎ２Ｏ環境中でのアニーリングは、高い温度での方が、低い温度でのアニールよりも界面特性が良好となる。これは、プロセス中でのＮ２Ｏの分解によってより多くの望ましいＮＯが化学反応により生成されると思われるためである。このことは、Ｎ２Ｏプロセシングが１１００℃、１２００℃、および１３００℃で比較される図１１に見られる。また温度が高くなるにつれて、酸化速度が著しく増加する。このように速度が大きくなると、Ｎ２Ｏ雰囲気の中で酸化物を成長させることが（既存の酸化物をアニーリングすることとは対照的に）、実現可能となることが予想される。Ｎ２Ｏ中で１３００℃で成長させた酸化物は、これまで報告されているＳｉＯ２／ＳｉＣ界面特性と同じように良好かまたはより良好な界面特性を有し、酸化物の成長およびアニーリングを別個に行うのに必要なプロセシング時間を著しく短くすることができる。図１２に見られるように、「１３００で成長」の線は、Ｎ２Ｏ酸化プロセスに対する界面特性を示す。このようなＮ２Ｏ酸化では、成長およびアニール両方のステップを行う必要がなくなることで、数時間のプロセシング時間を節約することができる。
【００５０】
前述したように、酸化物−ＳｉＣ界面を有するＳｉＣデバイス、たとえばＳｉＣ金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスは、ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面に存在する高密度の界面準位によって大きな影響を受ける可能性がある。特に伝導帯端付近の界面準位が、ＳｉＣデバイス性能の抑制に効力があり得る。酸化プロセスの初期の改良においては通常、価電子帯からミッド−ギャップの界面準位のみを低減していた。より最近は、伝導帯端付近の界面準位を低減することができるＮＯアニールを用いて進歩がなされている。ＮＯアニーリングを用いるこれらの改良は重要であり得るが、従来の炉においてこのガスを用いることは、純粋なＮＯに関連する健康危機のために望ましくない場合がある。本明細書で述べるように、Ｎ２Ｏを用いることが追求され、ＮＯに対する代替手段として効果的に開発されている。
【００５１】
図１３に示すように、Ｎ２Ｏプロセシングの温度は重要であり得る。熱酸化物を示す太い実線を、同じ酸化物を１１００℃のＮ２Ｏアニールにさらしたデータと比較することで分かるように、温度が低いところでは（１１００℃）、既存の酸化物をＮ２Ｏにさらすことによって界面準位密度が増加する。１２００℃では、熱酸化物はＮ２Ｏアニールによって著しく改善される。黒丸を白丸データと比較することで分かるように、ウエットな雰囲気の中で処理された熱酸化物であれば、１２００℃のＮ２Ｏアニールによってさらに改善することができる。１３００℃のＮ２Ｏプロセスを用いることで、さらに改善された結果が得られた。この温度ではＳｉＣの酸化が著しい。そのため、Ｎ２Ｏ中での既存の酸化物のアニーリングに加えて、ある程度の酸化物がＮ２Ｏ雰囲気の中で成長した（３時間で５００Åが成長した）。酸化物をＮ２Ｏ中で成長させることによって酸化物ステップが省かれることにより、Ｎ２Ｏ中での既存の酸化物のアニーリングと比べて約９時間のプロセシング時間を節約できる。酸化物をＮ２Ｏプロセシングの前に成長させたかＮ２Ｏ中で成長させたかに関係なく、実質的に同じ結果が得られた。
【００５２】
図１３に示すように、１２００℃のＮ２Ｏでアニールされた酸化物を用いてプロセスされたＭＯＳＦＥＴは、有効表面チャネル移動度が、Ｎ２Ｏアニールを受けなかったデバイスよりも高かった。図１４に、隣接するｐ型キャパシタ構造と、対応するｎ型キャパシタと、に対して測定した界面準位密度を示す。界面準位密度の低減が、有効表面チャネル移動度の向上と直接関係しているように思われる。
【００５３】
本発明の実施形態のさらなる実施例においては、２枚のｎ型４Ｈウェハと２枚のｐ型４Ｈウェハとが得られた。これらの４枚のウェハをさらに次のように分けた。各対からウェハを一枚取り出し、水平型チャネルバッファードゲート（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｃｈａｎｎｅｌ ｂｕｆｆｅｒｅｄ ｇａｔｅ）ＦＥＴ（ＨＣＢＧＦＥＴ）デバイスをシミュレートするために注入層を設けてエピタキシャル再成長させる一方、他方のウェハ上にはＭＯＳＦＥＴを作製した。選択したウェハ上への水平型チャネルバッファードゲートＦＥＴデバイスの作製は、ブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）Ａｌ注入および注入アニールによって行った。この注入層上に、さらにｎ型エピ層を成長させた。ソース／ドレイン領域に注入を行ないアニールした。非デバイス領域内のｎ型エピ層をエッチングすることによって、これらのウェハを分離した。フィールド酸化物を堆積し、緻密にした。フィールド酸化物内に能動素子領域を開口した。ゲート絶縁物を、Ｎ２Ｏ中で１３００℃で成長させた。ゲート金属を堆積してパターニングした。ソース／ドレインコンタクトを堆積した。バックサイドＰｔを堆積した。コンタクトをアニールして、オーミックにした。
【００５４】
これらのＭＯＳＦＥＴに対して、有効表面チャネル移動度と閾値電圧とを測定した。また、デバイス特性はチャネル抵抗によって支配されるので、これらの測定には、ゲート長が２００μｍで幅が２００μｍの「ｆａｔＦＥＴ」デバイスを用いた。表２にこのｆａｔＦＥＴのデータを要約する。
【００５５】
【表２】
2004511101.tif 000004
【００５６】
表２では、平均値を記載し、括弧内に最も高い表面チャネル移動度を記載している。１０列および７行（４つのコーナーを差し引く）をプローブで測定した＝合計６６。
【００５７】
水平型チャネルバッファードゲートデバイスは高い有効表面チャネル移動度を示したが、最も高い移動度はノーマリーオンデバイスと一致しており、望ましくない。より適切な統計を最後の２つの行に示す。ここでは全てのノーマリーオンデバイスを計算から除いている。ＨＣＢＧＥＦＴの結果は、ノーマリーオンデバイスを除いても従来の酸化物プロセスよりも向上していることを示している。一方のウェハは、平均有効表面チャネル移動度として５５．５ｃｍ２／Ｖ−ｓを示し、最大は９９ｃｍ２／Ｖ−ｓであったが、他方のウェハは平均有効表面チャネル移動度が４１ｃｍ２／Ｖ−ｓで、最大は７５ｃｍ２／Ｖ−ｓであった。この変動は、エピタキシャル層のドーピングの変動に起因するものと思われる。この変動を、図１５Ａおよび１５Ｂに示す。図１５Ａおよび１５Ｂは、ウェハ＃３（図１５Ａ）およびウェハ＃４（図１５Ｂ）の全面での有効表面チャネル移動度を示す。ドーピングは、ウェハのエッジ上で高く、デバイスをノーマリーオンにし、非常に高い移動度を生じさせていた。
【００５８】
図１６Ａおよび１６Ｂに示すように、横型ＭＯＳＦＥＴは、ＨＣＢＧＦＥＴと同程度の移動度の変動は示さなかった。図１６Ａおよび１６Ｂは、ウェハ＃１（図１６Ａ）および＃２（図１６Ｂ）の全面での有効表面チャネル移動度のグラフである。図１６Ａおよび１６Ｂに示すように、偶発的な非生産的（ｎｏｎ−ｙｉｅｌｄｉｎｇ）デバイスを除いて、移動度は、ウェハ全面にわたって非常に均一であった。典型的には、ＮＯまたはＮ２Ｏプロセシングを行わない熱酸化物または堆積酸化物を用いた４Ｈ−ＭＯＳＦＥＴは通常、移動度が一桁である。Ｎ２Ｏ中で酸化物を成長させることによって得られる界面準位の低減によって、表面チャネル移動度は１０倍（程度）だけ効果的に増加している。
【００５９】
ＨＣＢＧＦＥＴの移動度は高電界ではこの表面移動度によって制限されると考えられるので、これらの横型ＭＯＳＦＥＴの移動度は重要であり得る。図１７Ａ、１７Ｂ、および１７Ｃに、異なるゲートバイアスにおける移動度を示す。ゲートバイアスが高いところでは、図１７Ａのウェハ＃１および＃２のＭＯＳＦＥＴと、ウェハ＃３（図１７Ｂ）およびウェハ＃４（図１７Ｃ）のＨＣＢＧＦＥＴとの間に差が殆どないことに注意されたい。
【００６０】
前述の実施例で示したように、改善された有効表面チャネル移動度を、Ｎ２Ｏ中で成長させたゲート酸化物を有するＭＯＳＦＥＴにおいて得ることができる。標準的な横型デバイスは、移動度が約２０ｃｍ２／Ｖ−ｓである。２４０ｃｍ２／Ｖ−ｓと高いＨＣＢＧＦＥＴ移動度がノーマリーオンデバイスに対して得られ、９９ｃｍ２／Ｖ−ｓがノーマリーオフデバイスに対して得られている。また前述の図３から１７Ｃで示したように、本発明の実施形態を用いることによって、炭化ケイ素上に形成された酸化物層に対する界面トラップ密度を、Ｎ２Ｏ酸化および／またはアニールを用いて、その後の湿式Ｏ２アニールを必要とすることなく低減することができる。また前述したようにＮ２Ｏ酸化を、雰囲気内で他のガスを用いて行うことができる。さらに本発明の譲受人に譲渡された「ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ Ｎ２０ ＡＮＮＥＡＬＩＮＧ ＡＮ ＯＸＩＤＥ ＬＡＹＥＲ ＯＮ Ａ ＳＩＬＩＣＯＮ ＣＡＲＢＩＤＥ ＬＡＹＥＲ」（２００１年４月１２日に出願）という名称の米国特許出願第０９／８３４，２８３号に記載されているように、Ｎ２Ｏ酸化の後にＮ２Ｏアニールを行うことができる。
【００６１】
図面および明細書において、本発明の典型的な好ましい実施形態を示してきた。具体的な用語を用いているが、それらは、一般的および説明的な意味だけで用いており、限定するためではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲で示される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施形態での使用に適した炉心管を示す概略図である。
【図２Ａ】
本発明のアニーリングの実施形態によるプロセシングステップを示すフローチャートである。
【図２Ｂ】
本発明の酸化の実施形態によるプロセシングステップを示すフローチャートである。
【図３】
１１７５℃におけるＮ２Ｏの種々の流量に対する、界面トラップ密度対伝導帯からのエネルギー準位（Ｅｃ−Ｅ）を示すグラフである。
【図４】
１２００℃における種々の流量に対する、界面トラップ密度（ＤＩＴ）対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図５】
種々のアニール温度に対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図６】
１１７５℃における種々の異なる継続時間のアニールに対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図７】
ＡｒおよびＮ２中でのポスト処理アニールに対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図８】
初期熱酸化物および初期ＬＰＣＶＤ酸化物に対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図９】
湿式再酸化有りおよび無しで形成した酸化物層に対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図１０】
１１７５℃における種々の異なる継続時間のアニールに対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図１１】
種々のアニール温度に対する、界面トラップ密度（ＤＩＴ）対伝導帯からのエネルギー準位（ＥＣ−Ｅ）を示すグラフである。
【図１２】
種々の熱酸化物、ポスト成長Ｎ２ＯアニールおよびＮ２Ｏ酸化に対する、ＤＩＴ対伝導帯からのエネルギー準位を示すグラフである。
【図１３】
Ｎ２Ｏプロセシング有りおよび無しでの４Ｈ−ＳｉＨプレーナ型ＭＯＳＦＥＴに対する、有効表面チャネル移動度対ゲート電圧を示すグラフである。
【図１４】
図１３の酸化物に対する界面準位を示すグラフである。
【図１５Ａ】
本発明の実施形態によるＮ２Ｏ成長酸化物を用いて製造された水平型チャネルバッファードゲートデバイスに対する有効表面チャネル移動度を示すグラフである。
【図１５Ｂ】
本発明の実施形態によるＮ２Ｏ成長の酸化物を用いて製造された水平型チャネルバッファードゲートデバイスに対する有効表面チャネル移動度を示すグラフである。
【図１６Ａ】
本発明の実施形態によるＮ２Ｏ成長の酸化物を用いて製造された横型の金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタの有効表面チャネル移動度を示すグラフである。
【図１６Ｂ】
本発明の実施形態によるＮ２Ｏ成長の酸化物を用いて製造された横型の金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタの有効表面チャネル移動度を示すグラフである。
【図１７Ａ】
本発明の実施形態により製造された酸化物層を有するデバイスに対する、異なるゲートバイアスにおける有効チャネル移動度を示すグラフである。
【図１７Ｂ】
本発明の実施形態により製造された酸化物層を有するデバイスに対する、異なるゲートバイアスにおける有効チャネル移動度を示すグラフである。
【図１７Ｃ】
本発明の実施形態により製造された酸化物層を有するデバイスに対する、異なるゲートバイアスにおける有効チャネル移動度を示すグラフである。
【図１】
2004511101.tif 000005
【図２Ａ】
2004511101.tif 000006
【図２Ｂ】
2004511101.tif 000007
【図３】
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【図４】
2004511101.tif 000009
【図５】
2004511101.tif 000010
【図６】
2004511101.tif 000011
【図７】
2004511101.tif 000012
【図８】
2004511101.tif 000013
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004511101.tif 000016
【図１２】
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【図１３】
2004511101.tif 000018
【図１４】
2004511101.tif 000019
【図１５Ａ】
2004511101.tif 000020
【図１５Ｂ】
2004511101.tif 000021
【図１６Ａ】
2004511101.tif 000022
【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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