(57)【要約】本発明は、炭素原子の二重層（３）からなる円筒壁部を有するフラーレン炭素ナノチューブ並びにその製造および使用方法に関するものであり、さらに調節数の炭素層を有するナノチューブおよびその大規模量の製造方法、さらにたとえば発光ＣＲＴからなる低温フィールド電子放出装置のようなその使用方法に関するものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重壁ナノチューブ（ＤＷＮＴ）を含むフラーレンの製造方法において、炭素の供給源と実質的に元素周期律表の鉄族の遷移金属および硫黄からなる触媒とを実質的に水素含有ガスからなるＤＷＮＴ形成雰囲気を有する反応帯域に供給し、前記炭素および触媒を反応帯域で熱にかけ、これにより熱炭素含有蒸気を生成させ、熱蒸気を前記ＤＷＮＴ形成雰囲気で急冷して熱蒸気を凝縮させ、生ずる生成物を回収すると共に、得られた生成物から前記ＤＷＮＴを反応帯域の加熱領域の外部で回収することを特徴とするフラーレンの製造方法。
【請求項２】
ＤＷＮＴ形成雰囲気が、水素含有ガスの他に不活性ガスをも含有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＤＷＮＴ形成雰囲気の圧力が１０トル〜３気圧の範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＤＷＮＴ形成雰囲気の圧力が１０トル〜３気圧の範囲である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＤＷＮＴ形成雰囲気の圧力が周囲雰囲気の約半分である請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ＤＷＮＴ形成雰囲気の圧力が周囲雰囲気の約半分である請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ＤＷＮＴ形成雰囲気が実質的に元素水素とアルゴンガスとの混合物からなる請求項２に記載の方法。
【請求項８】
ＤＷＮＴ形成雰囲気が実質的に元素水素とアルゴンガスとの混合物からなる請求項３に記載の方法。
【請求項９】
水素およびアルゴンガスを、アルゴンに対する水素の分子比が０．１〜２．０に等しい比にて存在させる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
水素およびアルゴンガスを３水素と５アルゴンとの分子比にて存在させる請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
触媒が実質的に鉄、コバルトおよびニッケルと硫黄との混合物からなる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
触媒が実質的に鉄、コバルトおよびニッケルと硫黄との混合物からなる請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
触媒が実質的に鉄、コバルトおよびニッケルと硫黄との混合物からなる請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
触媒が実質的に鉄、コバルトおよびニッケルと硫黄との混合物からなる請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
触媒が実質的に鉄、コバルトおよびニッケルと硫黄との混合物からなる請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
触媒混合物が重量で２７％の鉄と１４％のコバルトと５１％のニッケルと８％の硫黄とからなる請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
触媒混合物が重量で２７％の鉄と１４％のコバルトと５１％のニッケルと８％の硫黄とからなる請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
触媒混合物が重量で２７％の鉄と１４％のコバルトと５１％のニッケルと８％の硫黄とからなる請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
触媒混合物が重量で２７％の鉄と１４％のコバルトと５１％のニッケルと８％の硫黄とからなる請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
触媒混合物が重量で２７％の鉄と１４％のコバルトと５１％のニッケルと８％の硫黄とからなる請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
炭素をアーク放電電極システムの消費可能な炭素電極として供給し、前記システムは反応帯域にて熱を供給し、触媒混合物を消費可能な電極内に含有させる請求項５に記載の方法。
【請求項２２】
炭素をアーク放電電極システムの消費可能な炭素電極として供給し、前記システムは反応帯域にて熱を供給し、触媒混合物を消費可能な電極内に含有させる請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
炭素をアーク放電電極システムの消費可能な炭素電極として供給し、前記システムは反応帯域にて熱を供給し、触媒混合物を消費可能な電極内に含有させる請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
炭素をアーク放電電極システムの消費可能な炭素電極として供給し、前記システムは反応帯域にて熱を供給し、触媒混合物を消費可能な電極内に含有させる請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
消費可能な電極が、その中心コアに含有された触媒混合物を有する炭素ロッドである請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
消費可能な電極が、その中心コアに含有された触媒混合物を有する炭素ロッドである請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
消費可能な電極が、その中心コアに含有された触媒混合物を有する炭素ロッドである請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
消費可能な電極が、その中心コアに含有された触媒混合物を有する炭素ロッドである請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
消費可能な電極が、圧縮混合物における炭素粒子と触媒材料の粒子とからなる請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
消費可能な電極が、圧縮混合物における炭素粒子と触媒材料の粒子とからなる請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
消費可能な電極が、圧縮混合物における炭素粒子と触媒材料の粒子とからなる請求項２３に記載の方法。
【請求項３２】
消費可能な電極が、圧縮混合物における炭素粒子と触媒材料の粒子とからなる請求項２４に記載の方法。
【請求項３３】
触媒の硫黄が金属、すなわち鉄、コバルトおよびニッケルの少なくとも１種のスルフィドとして存在する請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
触媒の硫黄が金属、すなわち鉄、コバルトおよびニッケルの少なくとも１種のスルフィドとして存在する請求項２に記載の方法。
【請求項３５】
触媒の硫黄が金属、すなわち鉄、コバルトおよびニッケルの少なくとも１種のスルフィドとして存在する請求項１１に記載の方法。
【請求項３６】
触媒の硫黄が金属、すなわち鉄、コバルトおよびニッケルの少なくとも１種のスルフィドとして存在する請求項１２に記載の方法。
【請求項３７】
触媒を、鉄とコバルトとニッケルと硫黄との各粒子の混合物を硫黄と混合物の他の金属との反応を生ぜしめて金属スルフィドを生成させるのに適する温度条件下で加熱する予備工程にかける請求項１に記載の方法。
【請求項３８】
触媒を、鉄とコバルトとニッケルと硫黄との各粒子の混合物を硫黄と混合物の他の金属との反応を生ぜしめることにより金属スルフィドを生成させるのに適する温度条件下で加熱する予備工程にかける請求項２に記載の方法。
【請求項３９】
触媒を、鉄とコバルトとニッケルと硫黄との各粒子の混合物を硫黄と混合物の他の金属との反応を生ぜしめることにより金属スルフィドを生成させるのに適する温度条件下で加熱する予備工程にかける請求項２６に記載の方法。
【請求項４０】
触媒を、鉄とコバルトとニッケルと硫黄との各粒子の混合物を硫黄と混合物の他の金属との反応を生ぜしめることにより金属スルフィドを生成させるのに適する温度条件下で加熱する予備工程にかける請求項２３に記載の方法。
【請求項４１】
触媒を、鉄とコバルトとニッケルと硫黄との各粒子の混合物を硫黄と混合物の他の金属との反応を生ぜしめることにより金属スルフィドを生成させるのに適する温度条件下で加熱する予備工程にかける請求項３５に記載の方法。
【請求項４２】
触媒を構成する金属および硫黄の各粒子の混合物として触媒を存在させる請求項１に記載の方法。
【請求項４３】
触媒を構成する金属および硫黄の各粒子の混合物として触媒を存在させる請求項２に記載の方法。
【請求項４４】
触媒を構成する各粒子の混合物を炭素電極のコアに設けた穴の内部に存在させ、炭素電極は気化させるべき炭素の供給源を含み、前記電極は前記炭素をその蒸発のため熱にかけるよう作用する電気アーク放電のアノードである請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
反応帯域にて蒸発させるため加熱すべき炭素を、触媒粒子を構成する各粒子の混合物と混合された炭素の粒子として存在させる請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
炭素粒子と触媒粒子との混合物を固化させて電気アーク放電システムのアノード電極を形成させ、これは前記圧縮混合物をその蒸発のため熱にかけるよう作用する請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
炭素粒子と触媒粒子との混合物を炭素電極に設けた穴の内部に存在させ、これは蒸発させるべき炭素の供給源として作用し、さらに前記電極は蒸発のため前記炭素を熱にかけるよう作用する電気アーク放電のアノードである請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
触媒の硫黄を元素硫黄として存在させる請求項１１に記載の方法。
【請求項４９】
触媒の硫黄を元素硫黄として存在させる請求項１２に記載の方法。
【請求項５０】
ＤＷＮＴ形成雰囲気の水素含有ガスが実質的に水素ガス並びにメタン、エタンおよびアセチレンから選択される炭化水素ガスの１種もしくはそれ以上からなる請求項１に記載の方法。
【請求項５１】
ＤＷＮＴ形成雰囲気の水素含有ガスが実質的に水素ガス並びにメタン、エタンおよびアセチレンから選択される炭化水素ガスの１種もしくはそれ以上からなる請求項２に記載の方法。
【請求項５２】
交流を使用して電極システムのアーク放電を維持する請求項２１に記載の方法。
【請求項５３】
それぞれ触媒混合物を含有する穴部を持った１対の電極として炭素を供給し、その両者がアークプロセスに際し消費される請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
少なくとも１つの電極をアーク操作に際し回転させる請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
反応器を通る初期ガス混合物の流れをアーク操作に際し維持する請求項２１に記載の方法。
【請求項５６】
反応器を通る初期ガス混合物の流れをアーク操作に際し維持する請求項５２に記載の方法。
【請求項５７】
初期ガス混合物を、アーク操作に際し置換させずに維持する請求項２１に記載の方法。
【請求項５８】
初期ガス混合物を、アーク操作に際し置換させずに維持する請求項５２に記載の方法。
【請求項５９】
初期ガス混合物を、前記触媒上で１２００〜１４００℃まで加熱することにより熱分解させる請求項１に記載の方法。
【請求項６０】
チオフェン蒸気、硫化水素、二硫化炭素およびベンゼン蒸気から選択されるガスの少なくとも１種を初期ガス混合物に添加する請求項７に記載の方法。
【請求項６１】
ガス混合物を、アーク放電システムで行われるＤＷＮＴ合成にて活性である触媒の再生により作成された支持金属触媒の上で熱分解させる請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
支持金属触媒を、先ず最初にアークにおけるＤＷＮＴ合成の生成物から炭素を燃焼除去し、第２に残留物を液体に分散させてスラリーを形成させ、第３にスラリーを不活性支持体（好ましくは窒化アルミニウム）の表面に施し、第４に金属酸化物を水素含有雰囲気下に高められた温度で金属状態まで還元することにより作成する請求項６１に記載の方法。
【請求項６３】
ガス混合物を含浸−乾燥−焼成−還元技術により作成された支持金属触媒の上で熱分解させ、前記技術ではそれぞれ約２：１：４のモル比として鉄塩、コバルトおよびニッケル塩の混合溶液を含浸につき使用する請求項６０に記載の方法。
【請求項６４】
ガス混合物を、ガス流中へメタロセンおよびＦｅ、ＣｏおよびＮｉのカルボニルから、並びにチオフェンおよび二硫化炭素からそれぞれ選択される鉄、コバルト、ニッケルおよび硫黄化合物のベンゼン溶液を供給することにより得られた浮遊触媒の上で熱分解させる請求項６０に記載の方法。
【請求項６５】
触媒熱分解を、ガス流の加熱の代わりに用いられる流過チューブ状反応器における減圧下での誘電結合高周波プラズマにより行う請求項６１に記載の方法。
【請求項６６】
触媒が鉄、コバルト、ニッケルおよび硫黄の各粒子の混合物からなり、これを硫黄と混合物の他の金属との間の反応を生ぜしめることにより前記金属のスルフィドを生成させるのに適する温度条件下で加熱する予備工程にかけ、前記触媒を構成する粉末を流入ガスに分散させると共に垂直装着チューブ状反応器のプラズマ領域に供給する請求項６２に記載の方法。
【請求項６７】
実質的に炭素原子の２つの層よりなる壁部を持った中空炭素ナノチューブの重量で半分より大で構成される固体物質。
【請求項６８】
主として複数の放出性の細管よりなる表面からなり、複数の放出性の細管のそれぞれが一般に調節数のグラフェン層を有するナノチューブであることを特徴とする電子放出材料。
【請求項６９】
グラフェン層の個数が２つである請求項６８に記載の電子放出材料。
【請求項７０】
電子放出材料が二重壁ナノチューブと数個の壁部（５個未満の壁部）のナノチューブとの混合物で構成される請求項６８に記載の電子放出材料。
【請求項７１】
電子放出材料の全組成が少なくとも２０％の二重壁ナノチューブからなる請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項７２】
電子放出材料の全組成が二重壁ナノチューブの少なくとも７０％からなる請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項７３】
電子放出材料の全組成が、数個の壁部（５個未満の壁部）のナノチューブの少なくとも２０％からなる請求項７０に記載の電子放出材料。
【請求項７４】
電子放出材料の全組成が、混合壁ナノチューブの９０％までからなる請求項７０に記載の電子放出材料。
【請求項７５】
ナノチューブの円筒形の層のそれぞれが０．３５〜０．４５ｎｍの格子スペースを有する請求項６８に記載の電子放出材料。
【請求項７６】
二重層湾曲を持った二重壁ナノチューブの端部キャップが単一湾曲、グラファイトシート、エッジもしくはリッジのエミッタよりも大の電場強度を発生する請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項７７】
二重壁ナノチューブの湾曲および鋭端部要素の湾曲が１．７〜５．５ｎｍの範囲である請求項７６に記載の電子放出材料。
【請求項７８】
二重壁ナノチューブが１．２ｎｍより大の直径を有する請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項７９】
二重壁ナノチューブの大半が２．７〜５．５ｎｍの範囲の直径を有する請求項７８に記載の電子放出材料。
【請求項８０】
二重壁ナノチューブが１０００ｎｍより大の長さを有する請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項８１】
複数の二重壁ナノチューブを、電場増大を生ぜしめるよう配向させる請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項８２】
二重壁ナノチューブが１０Ｖ／μｍ未満の平均電場にて電子を放出する請求項６９に記載の電子放出材料。
【請求項８３】
二重壁ナノチューブが、５Ｖ／μｍ未満の平均電場における電子の放出を特徴とする請求項８２に記載の電子放出材料。
【請求項８４】
二重壁ナノチューブが２Ｖ／μｍ未満の平均電場における電子の低温放出を特徴とする請求項８２に記載の電子放出材料。
【請求項８５】
電子放出材料を有するカソードからなり、電子放出材料は表面にわたり均一分配された調節個数のグラフェン層を有する複数のナノチューブよりなる表面を有し、複数の放出素子のそれぞれが一般に二重壁ナノチューブであると共に、アノードを電子放出性カソードから放出された電子を受け入れるよう配置することを特徴とするフィールド放出装置。
【請求項８６】
前記カソードおよびアノードを包封する減圧チャンバを備える請求項８５に記載のフィールド放出装置。
【請求項８７】
カソードに対し制御グリッドに印加された電圧に呼応してカソードからアノードまで電子流を制御すべくカソードとアノードとの間に介装された制御グリッドを備える請求項８６に記載のフィールド放出装置。
【請求項８８】
蛍光発生素子が、カソードから放出された電子を受け入れるよう位置する請求項８７に記載のフィールド放出装置。
【請求項８９】
アノードとカソードと制御グリッドとが、これらに印加される電圧を有するよう適合させると共に配置されて、印加制御グリッド電圧に呼応した蛍光放出素子まで流動する電子をカソードにより放出させ、印加制御グリッドカソード電圧の関数として蛍光素子により放出される光を制御するＣＲＴを備える請求項８８に記載のフィールド放出装置。
【請求項９０】
請求項１に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【請求項９１】
請求項２に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【請求項９２】
請求項３に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【請求項９３】
請求項７に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【請求項９４】
請求項１１に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【請求項９５】
請求項１５に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【請求項９６】
請求項１８に記載の方法により製造される二重壁炭素ナノチューブを含むフラーレン材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、炭素原子の二重層からなる円筒形の壁部を持ったフラーレン炭素ナノチューブ並びにこれら二重壁炭素ナノチューブの製造および使用方法、さらに詳細には調節数の炭素層を有するナノチューブおよび著量のこれらナノチューブの製造方法、さらにこの種のナノチューブを用いる新規な低温フィールド電子放出装置に関するものである。
【０００２】
（背景技術）
その独特な機械的および電気的性質のため、最近見出されたフラーレンナノチューブ（単壁部ナノチューブ（ＳＷＮＴｓ）および多壁部ナノチューブ（ＭＷＮＴｓ）の両者）が多くの用途につき検討されている。事実、これらは用途開発がその大規模な利用可能性に突出している極めて興味ある材料である。ナノチューブを用いて開発されつつある最も付加価値のある用途はフィールド放出装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）、メモリー装置（高密度メモリーアレー、メモリーロジック切換アレー）、ナノ−ＭＥＭｓ、ＡＦＭ画像形成プローブ、分配ダイアグノスティックセンサおよびストレインセンサを包含する。他の重要な用途は次のものを包含する：熱制御材料、超高引張強度（鋼材の約２０倍大）および軽重量（鋼材の１／６）の補強材およびナノコンポジット、ＥＭＩシールド材料、触媒および触媒支持体、ガス貯蔵材料、高表面積電極、並びに軽重量および高コンダクタンスのワイヤ類。
【０００３】
大抵の公知技術により製造される炭素ナノチューブは本質的に大フラーレンである［Ｂ．Ｉ．ヤコブソンおよびＲ．Ｅ．スモーリー、アメリカン・サイエンチスト、第８５巻、第３２４−３３７頁（１９９７）参照］。これらは理想的にはその優秀な平面内強度につき知られた巻上げグラフェンネットワークで作成されて炭素ナノチューブに極めて高い長手方向剛性を付与する１本もしくはそれ以上の閉鎖キャップシームレスシリンダで構成される。炭素ナノチューブは、完全な構造および一般に使用される高強度繊維と比べたその極めて高いアスペクト比（Ｌ／Ｄ）［Ｒａｏ  ＡＭ、リヒターＥ、バンドウＳ、チェイスＢ、エクルンドＰＣ、ウィリアムスＫＡ、ファングＳ、サブラスワンニＫＲ、メノンＭ、テスＡ、スモーリーＲＥ、ドレッセルハウスＧ、ドレッセルハウスＭＳ、サイエンス（１９９７）、第２７５巻、第１８７−１９１頁］の結果として極めて高い剛性および軸方向強度を有すると予測される。ＭＷＮＴは典型的には直径３〜１００ｎｍおよび典型的には１００未満のアスペクト比を有する。ＭＷＮＴは約５０層までの５つの同一中心のグラフェン層よりなっている。しかしながら、層の個数は極めて調節困難である。他方、ＳＷＮＴは典型的には１．２〜３ｎｍの直径と極めて大きい（１０４〜１０５）アスペクト比とを有する単一グラフェン層で構成される。ＳＷＮＴｓおよびＭＷＮＴｓのヤング率の数値は実験的にテラ−パスカル範囲であると実験的に確認され、従って有名な炭素ホイスカー（最初にロジャー・ベーコンにより作成）の約８００ＧＰａの記録値を含め他の任意の強化材料の数値をずっと越える［「グラファイト  ホイスカーの成長、構造および性質」、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジークス、第３１巻、第２８３頁（１９６０）］。
【０００４】
ナノチューブの電子的性質および用途は大いに魅力的である。ＳＷＮＴｓは大きい比表面積を有して、その湾曲に基づき向上した化学反応性を有すると共に独特の多孔質構造を有する。優秀な導電率と組合わせて、この独特な特徴はナノチューブを進歩したバッテリーおよび燃料電池（特にリチウムイオンバッテリー電極）につき理想的な電極材料にする。これらチューブの内側中空キャビティは異原子を組込むことができ、この性質の魅力的使用の１つは金属クアンタム（ｑｕａｎｔｕｍ）ナノワイヤ類の設計である。
【０００５】
炭素ナノチューブのフィールド放出特性は幾つかの理由にて顕著である。特に、極めて大きい安定電流が、中庸な電場のみを用いてナノチューブアレーから発せられる。しかしながら、幾つかのフィールド放出特性は扁平パネルディスプレーにおけるナノチューブの用途につき最適化する必要があり、これは多くの研究および工学グループにて現在追跡中であると思われる。何故なら、大規模工業実施のための他の用途のうち、これが最も有望であるからである。その１つは「付勢（ｔｕｒｎ−ｏｎ）」フィールドであって１０μＡ／ｃｍ２の電流密度を発生させることが要求され、他のものは「閾値」フィールドであって１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を与え、この数値は扁平パネルディスプレーにて使用するための最小電流密度であると考えられる。閾値フィールドが低いほど、実際の目的につきエミッタは一層好適となる。現在ＳＷＮＴｓがこれらパラメータにつき最良のものである。しかしながら、実際のエミッタにつき任意の材料は許容しうる性能耐久性を与えねばならない。ＭＷＮＴｓは低減圧にて極めて頑丈であり、従ってこの要件を満たす一方、ＳＷＮＴｓはこれを完全には行いえない。何故なら、より低い頑丈さが高電流にて劣化するからである。このことは、ＳＷＮＴｓの直径に近いが厚いＭＷＮＴｓの頑丈さを保持する或る種の肉薄の多重壁チューブが最適フィールド放出パラメータに適合するための有望な目的であることを意味する。さらに、仮想の肉薄ＭＷＮＴｓから安定放出を得るには、これらが均一な直径および性質を持たねばならない。本発明は、これら予想を実験的に証明する目的の作業の過程でなされたものである。二重壁のナノチューブ（ＤＷＮＴｓ）にて、フィールド放出につき薄壁チューブの予想される利点は全く真となり、これが本発明の目的の１つである。ＤＷＮＴ特性、フィールド放出の観察およびその顕著なパラメータの知見を充分検討して、本発明で最初に国家的および国際的に達成および説明された殆どの純粋ＤＷＮＴｓの大量を得る際に可能となった。本発明者等は、本発明に記載したエミッタの優秀なパラメータがその製造およびその独特な電子特性にて用いられるＤＷＮＴｓの高純度に基づくことを示した。本発明の以前には、薄壁炭素ナノチューブ（ＤＷＮＴｓを含む）の選択的製造方法は報告されていない。主として存在するＤＷＮＴｓを含む薄壁ナノチューブでさえ、或る種の高温プロセスにて主としてＳＷＮＴｓおよび／又はＭＷＮＴｓの合成にて形成された炭素生成物における極めてまばらなこの種のチューブの電子顕微鏡（ＥＭ）同定から知られている。同定または性質の検討に関する他の手段は決して用いられなかった。何故なら、ＤＷＮＴｓは小規模でさえ材料物質として入手しえないだけでなく、積極的同定につき前記炭素生成物の混合物から殆ど分離しえないからである。多量のほぼ純粋なＤＷＮＴｓを得るため、本出願人等は驚くことに［カーボン（１９９９）、第３７巻、第１８６５−１８６８頁、リウＣ、コングＨ．Ｔ．、リーＦ．、タンＰ．Ｈ．チェングＨ．Ｍ．、ルーＲ、ゾウＢ．Ｌ．］におけるものに極めて近い条件にて実験を行うことにより（ただし電極構造および配向（すなわち「端部−端部」の通常の方法を用いて））著量の二重���ナノチューブ（ＤＷＮＴｓ）が生成混合物における主たる成分として形成されたことを突き止めた（ここに以下説明する）。
【０００６】
ＳＷＮＴｓがグラファイトおよび金属触媒の同時的蒸発のアーク放電（ＡＤ）プロセスにて突き止められた［Ｓ．イイジマおよびＴ．イチハシ、「直径１ｎｍの単一シェル炭素ナノチューブ」、ネイチャー、第３６３巻、第６０３−６０５頁（１９９３）およびＤ．Ｓ．ベチュン等、ネイチャー、第３６３巻、第６０５−６０７頁（１９９３）参照］。生成物はＳＷＮＴｓ、フラーレン、非晶質炭素、グラファイト微小粒子、裸および炭素被覆の金属粒子を含有する。触媒およびアーク発生条件が、ＳＷＮＴ収率を増大させる目的の研究にて反復的に改変された［たとえばＣ．ジャーネットおよびＰ．ベルニエール、「炭素ナノチューブの製造」、アプライド・フィジークス、Ａ６７巻、第１頁（１９９８）参照］。
【０００７】
ＡＤ技術は安価であると共に実施容易であるが、これは平均して生成される全煤における２０重量％のＳＷＮＴｓの現在一般的なレベルより充分低く製造しつつある。触媒として４．２％のＮｉおよび１％のＹの混合物を用い、平均で約１０〜２０％までＡＤ法の収率を押し上げると共に少量部の実質的に多量のＳＷＮＴｓ（７０％に達する）を含有する煤を生成させることがジャーネット等、「電気アーク技術による単壁炭素ナノチューブの大規模製造」、ネイチャー、第３８８巻、第７５６−７５８頁（１９９７）による開発であった。同じ高い数値がＡＤシステムにてＳＷＮＴ収率につき最近報告され、これには硫黄促進のＦｅ／Ｃｏ／Ｎｉ触媒および水素含有ガス媒体を使用した［Ｃ．リュー等、「水素アーク放電法による単壁炭素ナノチューブの半連続合成」、カーボン、第３７巻、第１８６５−６８頁（１９９９）参照］。この研究において、アーク実験の配置は慣用のものとは実質的に異なる。コンポジットＭ／Ｃアノードロッドの代わりに、グラファイトと金属粉末との混合物が充填された幅広の浅いグルーブをアノードにつき使用した。鉛筆状に削ったカソードロッドを、一般に用いられる「端部−端部」アノード−カソード配置の代わりに、アノードの作用表面に対し傾斜させた。これら異常な条件が、ＳＷＮＴｓを高収率で得るため重要であると考えられる。収率の数値は電子マイクログラフ値から評価されるように７０容量％であった。共鳴ラマンスペクトルにおける１５９３ｃｍ−１、１５７６ｃｍ−１および１５６９ｃｍ−１での３つの良好解像ピークは、製造されたままの材料におけるＳＷＮＴｓの存在と一致する。高解像力伝達電子顕微鏡（ＨＲＴＥＭ）画像から決定されるようにＳＷＮＴｓの平均直径は１．８５ｎｍであった。すなわちＳＷＮＴｓは、他の公知のＡＤシステム（ここでは直径分布は平均して〜１．３ｎｍである）で通常得られるものよりも一般に厚かった。
【０００８】
ＡＤ法を見出した直後に、遷移−金属−グラファイト複合ペレットのパルス化レーザー蒸発（ＰＬＶ）は高品質のＳＷＮＴ材料を生成することが判明した［Ｐ．ニコラエフ等、「レーザー蒸発による単壁ナノチューブの触媒成長」、ケミカル・フィジークス・レタース、第２４３巻、第４９頁（１９９５）参照］。ＰＬＶ技術の各種の改変が行なわれて、ＳＷＮＴｓの収率を改善すると共にその形成のメカニズムを説明しており、これには二重レーザーパルスを使用し或いは標的を円筒形の軸線に沿ってグラファイトおよび金属半部に分割した［Ａ．テス等、「金属炭素ナノチューブの結晶ロープ」、サイエンス、第２７３巻、第４８３頁（１９９６）およびＭ．ユダサカ等、「炭素および金属の二重標的を用いるレーザー剥離による単壁炭素ナノチューブ形成」、ケミカル・フィジークス・レタース、第２７８巻、第１０２頁（１９９７）参照］。連続レーザーおよびソラー照射はＳＷＮＴｓをも生成するが一層低い収率である［Ｅ．ムノス等、「金属−グラファイト複合標的のレーザー誘発熱分解により発生する煤の構造」、カーボン、第３６巻、第５２５頁（１９９８）およびＤ．ラプレイズ等、「炭素ナノチューブ：ソラー・アプローチ」、カーボン、第３６巻、第６８５頁（１９９８）参照］。ＰＬＶペレットにおける最適金属濃度は６〜１０重量％であり、ＡＤアノードロッドにおけると同じである。レーザー光線により気化するペレットは一般に１２００℃に維持され、５００トルのおけるＡｒをキャリヤガスとして使用する。この方法により生成されたＳＷＮＴは、約１００本のＳＷＮＴｓよりなる束を形成する。ＰＬＶ法におけるＳＷＮＴ収率は７０〜９０容量％程度に高くなりうるが、生成速度は慣用の実験室規模のアークプロセスと比較して低い程度となる。ＳＷＮＴ含有煤のバルク生成速度は、レーザーを上昇させて実質的に増大させうるがＳＷＮＴ収率における減少を代償とする［たとえばＡ．Ｇ．リンスラー等、「単壁炭素ナノチューブの大規模精製：方法、生成物および特性化」、アプライド・フィジークス、Ａ６７巻、第２９頁（１９９８）参照］。
【０００９】
ＳＷＮＴｓ合成のための炭素含有ガスの触媒化学蒸着（ＣＣＶＤ）は、アルミナに支持されたモリブデンもしくはＮｉ／Ｃｏ粒子を触媒として用いた際に１２００℃にて一酸化炭素の不均化により始めて示された。１〜５ｎｍの範囲のナノチューブ直径が観察され、同寸法の触媒粒子がしばしばＨＲＴＥＭ画像におけるナノチューブ端部に付着して見出された。この結果は、予備形成触媒粒子によるＳＷＮＴ製造の最初の実験的証明を示す。ＳＷＮＴｓに関する炭化水素のＣＣＶＤは最初にＫ．ヘルナジ等、カーボン、第３４巻、第１２４９−１２５７頁（１９９６）により報告された。７００℃におけるシリカまたはゼオライト支持の遷移金属触媒におけるアセチレン分解はＳＷＮＴｓおよびＭＷＮＴｓの両者をもたらす。触媒粒子の表面密度および寸法が生成ナノチューブの形状を調整する際に重要であると判明した。これら金属触媒を大表面積基質に高度に分散させてＳＷＮＴｓを生成させることが肝要であった。典型的には大型金属粒子がナノ繊維を生成する。ＳＷＮＴ生成速度は１時間当たり１ｇ未満であった。生成物の性質は、用いる試薬ガスおよび触媒作成の方法に応じて極めて大きく変化した。
【００１０】
ＣＣＶＤ技術の「浮遊触媒」変法は、水素流によりチューブ状反応器を流過するフェロセンの蒸気から形成された金属鉄触媒の存在下にベンゼンもしくはメタンから１２００℃にてＳＷＮＴｓを生成することが報告されている。このように得られたＳＷＮＴｓは、ＡＤおよびＰＬＶ技術により得られたもの（直径〜１．３ｎｍ）と比較して大きい直径（〜１．７５ｎｍ）を有する。チオフェンの添加は、ＳＷＮＴの成長を促進すると共に異なる成長条件下でのＳＷＮＴもしくはＭＷＮＴｓのいずれかの収率を増大させるのに効果的であることが判明した［Ｈ．Ｍ．チェング等、「炭化水素の触媒作用熱分解による単壁炭素ナノチューブの大規模かつ低コストの合成」、フィジカル・レタース、第７２巻、第３２８２頁（１９９８）参照］。
【００１１】
本発明者等はアーク放電プロセスおよびＣＣＶＤシステムにて数年にわたりＳＷＮＴｓの効率的製造につき探索しており、幾つかの報告結果の再現を試みた。驚くことに、水素（Ｈ２）／アルゴン（Ａｒ）雰囲気におけるＦｅ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓ触媒を用いるアーク放電実験を行うことにより、微量の二重壁ナノチューブ（ＤＷＮＴｓ）を同時に少量のＳＷＮＴｓと一緒に含有する生成物が得られることを見出し、これはリュー等、カーボン、第３７巻、第１８６５−６８頁（１９９９）の同様な触媒およびガス雰囲気で得られた上記結果に基づき予想されるものと対比的である。アークプロセスにおけるＤＷＮＴｓの高収率のための条件を最適化すれば、高選択率にてＤＷＮＴｓを製造しうるようになり、これは本発明に従って３０個のＤＷＮＴｓ当たりにＨＲＴＥＭ画像で観察された１未満のＳＷＮＴに対応する。
【００１２】
さらに、ＤＷＮＴｓを製造するためのアークプロセス条件（触媒、ガス雰囲気、化学力学パラメータ）は、ＣＣＶＤ技術の２つの変法（炭化水素の熱的および高周波数のプラズマ促進触媒作用熱分解の両者を含む）によりＤＷＮＴを得るための試みにて、できるだけ厳密に再現されている。最終的に、これら試みは本発明にてここに説明するように熱的およびプラズマ促進の変法にてＤＷＮＴｓの効率的合成をもたらす。
【００１３】
ＤＷＮＴｓは既にＳＷＮＴ製造に関する多くの触媒系、すなわちアークシステムおよび金属触媒上での炭化水素の熱分解を用いる慣用のＣＣＶＤシステムの両者にて少量副生物として既に観察されており、報告されたＤＷＮＴｓの量は決してＳＷＮＴｓの数％を越えなかった［たとえばＪ．コング等、「単壁炭素ナノチューブのためのメタンの化学蒸着」、ケミカル・フィジークス・レタース、第２９２巻、第５６７頁（１９９８）；Ｃ．Ｈ．キヤング等、「広範囲の直径を有する単層ナノチューブの触媒作用合成」、ジャーナル・フィジークス・ケミストリー、第９８巻、第６６１２頁（１９９４）；Ｊ．Ｆ．コロマー等、「触媒作用化学蒸着（ＣＣＶＤ）法による単壁炭素ナノチューブの大規模合成」、ケミカル・フィジカル・レタース、第３１７巻、第８３頁（２０００）参照］。金属の所定の添加なしに行われたアークプロセスでの純グラファイト蒸発の生成物においてさえ、極めて稀にＤＷＮＴｓが観察されている［Ｓ．イイジマ、ネイチャー、第３５４巻、第５６頁（１９９１）；Ｔ．Ｗ．エベセン、Ｐ．Ｍ．アジャヤン、「炭素ナノチューブの大規模合成」、ネイチャー、第３５８巻、第２２０頁（１９９２）参照］。本発明は主たる生成物である多量のＤＷＮＴｓの効率的かつ選択的製造のための技術を示す。これは多量のＤＷＮＴｓにつき容易に用いることができ、従ってその部分的な物理的および化学的性質の先駆的研究を可能にすると共に、各種の用途に関するこれら性質の開発をも可能にする。ＤＷＮＴｓのこれら諸性質の幾つかを理論的に評価すると共に、適する用途につき良好な展望が要約されている［たとえばＪ．Ｃ．チャーリヤおよびＪ．Ｐ．ミッシェナウド、「多層炭素チューブのエネルギー論」、フィジカル・レビュー・レタース、第７０巻、第１８５８頁（１９９３）；Ｄ．Ｈ．ロバートソン等、「ナノスケールのグラファイトチューブのエネルギー論」、フィジカル・レビュー、Ｂ４５巻、第１２５９２頁（１９９２）；Ｊ．チェ等、「拡大結合順序ポテンシャルによるフラーレンおよび炭素ナノチューブの研究」、ナノテクノロジー、第１０巻、第２６３頁（１９９９）；Ｓ．Ｍ．リー等、「炭素ナノチューブにおける水素吸着および貯蔵」、シンセチック・メタルス、第１１３巻、第２０９頁（２０００）；Ｊ．Ｍ．ボナード等、「単壁炭素ナノチューブフィルムからのフィールド放出」、アプライド・フィジカル・レタース、第７３巻、第９１８頁（１９９８）；Ｏ．グレーニング等、「炭素ナノチューブのフィールド放出特性」、ジャーナル・バキューム・サイエンス・テクノロジー、Ｂ１８巻、第６６５頁（２０００）参照］．一般に、ＭＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓと比べたＤＷＮＴの真の予想される利点は、純チューブを製造する際の高収率および低い生産コストを包含する。特に、構造用途におけるＭＷＮＴｓと比べたＤＷＮＴｓの利点はより少量の欠陥部、より高いアスペクト比、より小さい寸法に基づくより高い強度、より高い機械的柔軟性、より低い密度を包含し、さらに電子用途においてはたとえばドナー・アクセプター・ドーピングもしくは化学的官能化による電子構造および性質を調節するための一層良好な機会を包含する。ＳＷＮＴｓと比べたＤＷＮＴｓの利点は、ナノ尺度の電子装置を設計するための一層有能な電子特性および一層多い機会を包含し、これは低温フィールド放出、水素貯蔵およびリチウムイオンバッテリーにおける一層良好な性能を予測させた。ＤＷＮＴｓの欠点のない構造はナノチューブ間の最高の比電導率を有することが判明しうる。何故なら、ＭＷＮＴｓにて電流はチューブの２、３の外側層にのみ流れ、これは磁気輸送実験と一致する［Ａ．バッハトールド等、ネイチャー、第３９７巻、第６７３頁（１９９９）参照］。さらにＤＷＮＴは、トンネル顕微鏡を走査するためのプローブ電極につき理想的候補ともなりうる。何故なら、実用上同じ狭さであると共にＳＷＮＴよりもずっと大の剛性を有すると共に、たとえば柔軟性およびＭＷＮＴｓの特性である屈曲応力下での脆い破壊でなく可逆的バックリングのようなＳＷＮＴｓの諸性質を保持するからである。同じ理由から、ＤＷＮＴｓはＳＷＮＴｓおよびＭＷＮＴｓよりもフィールド放出および生物学的電極につき好適である。ＤＷＮＴｓからの電子フィールド放出は主たるパラメータＳＷＮＴｓよりずっと優れ、本発明によるこの実験的知見をここに記載する。
【００１４】
１０７Ｖ／ｃｍの程度の高い電場を陰電位を有する固体表面に施すと、固体内の電子はクアンタム機械トンネリング効果により減圧中へ放出される。この現象は電子フィールド放出と呼ばれる。この種の極めて高いフィールドを極めて細い針の鋭端部にて得ることができる。何故なら、電場は鋭い先端部に集中するからである。炭素ナノチューブはフィールドエミッタにつき次の好適な性質を有する：（１）好適な電子構造、（２）良好な平面内導電率、（３）鋭い先端部、（４）高い化学安定性、および（５）高い機械強度。１９９５年に、分離された単一ＭＷＮＴからのフィールド放出（ＦＥ）が先ず最初にリンヅラーＡＧ、ハフナーＪＨ、ニコラエフＰ、ラウＬ、キムＳＧ、トマネクＤ、ノルドランダーＰ、コルバートＤＴ、スモーリーＲＥ［サイエンス（１９９５）、第２６９巻、第１５５０−３頁］により報告された。次いで、多くの実験結果がＭＷＮＴにつきＦＥに公開され［たとえばコリンスＰ．Ｇ．、ゼトルＡ．、アプライド・フィジカル・レタース（１９９６）、第６９巻、第１９６９−７０頁、サイトーＹ．、ハマグチＫ．、ハタＫ．、ウチダＫ．、タサカＹ．、イカザキＦ．、ユムラＭ．、カスヤＡ．、ニシナＹ．、ネイチャー（１９９７）、第３８９巻、第５５４−５頁およびボナードＪ．Ｍ．、マイヤーＦ．、ストックリＴ．、チャテレインＡ．、デヘールＷ．Ａ．、サルベタトＩ．Ｐ．、フォロＬ．、ウルトラマイクロスコピー（１９９８）、第７３巻、第７−１５頁による］、さらにＳＷＮＴｓにつき公開された［たとえばサイトーＹ．、ハマグチＫ．、ニシノＴ．、ハタＫ．、トージＫ．、カスヤＡ．、ニシナＹ．、ジャパニーズ・ジャーナル・アプライド・フィジークス（１９９７）、第３６巻、第Ｌ１３４０−２２頁、並びにボナードＪ．Ｍ．、サルベタトＩ．Ｐ．、ストックリＴ．、デヘールＷ．Ａ．、ホロＬ、チャテレインＡ．、アプライド・フィジカル・レタース、（１９９８）、第７３巻、第９１８−２０頁］。極く最近、ナノチューブがサイトーＹ．、ウエムラＳ．、ハマグチＫ［ジャパニーズ・ジヤーナル・アプライド・フィジークス、（１９９８）、第３７巻、第Ｌ３４６−８頁］によりディスプレー装置に低温電子供給源として使用され、さらにナノチューブ系カソード線チューブ（ＣＲＴ）照明素子を製造することに成功し、これは安定な電子放出と充分なルミナンスとエミッタの長寿命とを示した。モンテリロＯ．Ｒ．、マンマナ、Ｖ．Ｐ．、サルバドリＭ．Ｃ．、アゲルＪ．Ｗ．およびジミトリジェビックＳ．、アプライド・フィジークス、Ａ７１巻、（２０００）、第１２１−４頁による最近の研究が示したところでは付勢フィールドがそれぞれＳＷＮＴｓおよびＭＷＮＴｓにつき２．３Ｖ／μｍおよび２．６Ｖ／μｍであると測定された。
【００１５】
（本発明の目的および利点）
本発明の主たる目的は、２つのほぼ円筒状のグラフェン層を有する炭素ナノチューブからなる新規な材料を提供することにある。
【００１６】
さらに本発明の目的は、著量の調節数の層ナノチューブを作成する新規な方法を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、特に実質的に純粋な二重壁ナノチューブを作成する新規な方法を提供することにある。
【００１８】
さらに本発明の他の目的は、特に実質的に純粋な二重壁ナノチューブを作成する新規な方法を提供することにある。
【００１９】
さらに本発明の他の目的は、フィ−ルド放出ディスプレーおよび減圧微小電子装置のための低温カソードを作成するのに適したこの種の二重壁ナノチューブを用いる新規な電気放出炭素構造を提供することにある。さらに本発明の目的は、この種の電子放出炭素構造を用いる新規な固体フィールド放出カソード構造を提供することにある。
【００２０】
本発明のさらに特殊な目的は、炭素二重壁部ナノチューブ材料をカソードの電子放出構造体として用いる新規な発光ＣＲＴを提供することにある。
【００２１】
これらおよび他の目的および利点は、以下の詳細な説明を読めば当業者には明らかとなるであろう。
【００２２】
（発明の開示）
本発明によれば、二重壁ナノチューブ（ＤＷＮＴ’ｓ）を含むフラーレンの新規な製造方法が提供され、この方法は炭素供給原料および実質的に元素周期律表の鉄族の遷移金属および硫黄からなる触媒を実質的に水素含有ガスからなるＤＷＮＴ形成性雰囲気を持った反応帯域に供給し、炭素および触媒を反応帯域にて熱にかけることからなっている。熱は炭素を気化させてＤＷＮＴ雰囲気で炭素含有蒸気を生成させ、これを内部で急冷して蒸気を凝縮させることによりＤＷＮＴ生成物の形成を加熱反応帯域の外部で形成させ、ここでこれを回収することからなっている。
【００２３】
好適具体例において、ＤＷＮＴ雰囲気は水素の他に不活性ガス、有利にはアルゴンを含有する。ＤＷＮＴ形成雰囲気は好ましくは１０トル〜３気圧の範囲の圧力に維持される。
【００２４】
好適具体例において、触媒は実質的に鉄とコバルトとニッケルとの粉末の混合物からなり、これを有利には予熱して硫黄を混合物の金属粒子と反応させる。
【００２５】
好適具体例において、反応帯域は反応チャンバにおける電気アーク放電システムで加熱され、ここでＤＷＮＴ雰囲気を維持する。アーク放電システムは有利には炭素電極を利用し、その一方または両方を消費して気化すべき炭素の若干または全部を与える。直流もしくは交流のいずれのアーク放電システムを用いたかに応じ、炭素電極の一方または両方が気化されて炭素をＤＷＮＴ生成物の供給源として与える。
【００２６】
有利には触媒混合物を、電極のアーク端部に位置する消費可能な電極（ＤＣシステム）における中心穴部に位置せしめる。炭素粒子を有利には触媒粒子と混合して、さらに反応帯域で蒸発させるための供給源炭素を与える。
【００２７】
他の具体例において、ＤＷＮＴ雰囲気の水素は、たとえばメタン、エタンおよびアセチレンのような炭化水素ガスにおける水素で構成される。
【００２８】
更なる具体例において、本発明によるＤＷＮＴｓはＤＷＮＴ形成雰囲気（これにはメタン、水素およびアルゴンを流す）におけるチューブ状ファーネス内の反応帯域に生成される。チューブ状ファーネスは好ましくは反応帯域を包囲する電気加熱システム内に包封される。
【００２９】
更なる具体例によれば、新規なＤＷＮＴｓは主として放出性チューブよりなる表面で構成された電子放出材料にて実現され、複数の放出性チューブのそれぞれは一般に調節数のグラフェン層（好ましくは２つのグラフェン層）を有するナノチューブ材料である。好適具体例において、電子放出材料は少なくとも７０％のＤＷＮＴｓで構成される。好ましくは電子放出材料のＤＷＮＴｓは直径２．７ｎｍ〜５．５ｎｍを有するＤＷＮＴｓの大半を有する。
【００３０】
他面において本発明は、低温カソード電場放出装置の提供をも含み、ここでカソードは蛍光放出素子に衝突する電子を放出するためのＤＷＮＴｓで構成され、これに蛍光素子構造を包含しうるアノードにより指向させる。制御グリッドをカソードに隣接して設けると共にバイヤスさせて、カソードから蛍光素子への電子の流れを制御し、これによりＣＲＴの方式にて制御グリッドに加えられた電気信号に呼応して蛍光素子により放出された光を制御する。
【００３１】
（発明の実施の形態）
アーク放電技術および ＣＣＶＤ技術は、調節数の層を有するナノチューブ（より詳細にはＤＷＮＴｓ）を製造して、その後に低温カソード電子放出装置を作成すべく使用するために使用されている。
【００３２】
アーク放電技術によりＤＷＮＴｓを製造するには、金属−グラファイト電極の蒸発を用いた。アノードは、触媒が充填された穿設チャンネル（直径３．２ｍｍおよび長さ２００ｍｍ）を有するグラファイトロッド（一般に直径約８ｍｍ）であった。カソードは直径１０ｍｍおよび長さ１５ｍｍのグラファイトロッドであった。触媒は次のように作成した：Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉの粉末金属と元素Ｓとの混合物を乳鉢で磨砕すると共に７５０℃にて１時間加熱した。次いで凝集体をボールミルでミクロン粒子寸法まで磨砕し、次いで炭素粉末と緊密混合した。グラファイトアノードに穿設された３．２ｍｍチャンネルにこの混合物を密に充填した。
【００３３】
アーク合成は、ＡｒおよびＨ２混合物の雰囲気を有する反応チャンバ（図１）にて行った。アーク空隙部にわたる減圧低下を２３〜２６Ｖとし、空隙幅を１．５〜２ｍｍに一定かつ等しく保った。アーク蒸発プロセスの時間を約２時間とした。２種類の炭素材料が得られた：（１）反応器壁部における布状沈着物；および（２）各電極に沈着した残留生成物および弾性繊維質材料としてのカソード沈着物。
【００３４】
ＴＥＭおよびＨＲＥＭのための試料を、アセトンにおける炭素材料を超音波力浴に分散させて作成した。懸濁物の液滴を、銅グリッドにより支持されたレース状炭素フィルムに載せた。最適条件下で得られた製造されたままの繊維質材料の典型的試料をＨＲＴＥＭ分析して示したところでは、ＤＷＮＴ／ＳＷＮＴの比は３０より高く、ＤＷＮＴｓの収率は７０重量％を越える。従って、ＤＷＮＴｓは主として最適化Ｆｅ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓ系の生成物に見られる主たる種類の構造であった。
【００３５】
図２〜１１により下記に例示されるように、ナノチューブは周辺部に明らかに見られる個々のチューブと共に束まで合体する。束におけるこれらチューブの観察長さは１μｍより大である。ＨＲＴＥＭマイクログラフが示したように、大抵のチューブは２つの同心的なほぼ円筒状のグラフェン層、すなわち二重壁ナノチューブ（ＤＷＮＴｓ）で構成される。一般にＤＷＮＴの外径は３．４〜５．５ｎｍの範囲である一方、内側チューブの外径は２．７〜４．７ｎｍの範囲で変化した。これら束と一緒に、或る程度の個々の分離したしＤＷＮＴｓも観察された。個々のＤＷＮＴｓの形状はしばしば歪んでいる。チューブ長さに沿った３．７５ｎｍから５．０ｎｍまでのチューブ長手セクションの幅の周期的変化が極めて一般的であって、約３０ｎｍ毎に生じ、ＤＷＮＴｓは端部に丸味二重層末端キャップを有する（図２参照）。各キャップの形状はほぼ半球状であり、これはチューブ構造につきキラル対称性を意味する。注目すべきは、チューブ壁部で測定した中間層間隔は０．３９〜０．４１ｎｍであり、これはＭＷＮＴｓにつき一般に観察される距離（０．３４〜０．３６ｎｍ）よりも大であり、従って適する介装につき一層良好な機会をＤＷＮＴｓに付与する。この点に関し、本発明者等はＤＷＮＴの直径が小さくなるほど各層間の距離が大となることを確認した（たとえば図５のａおよびｂの画像を比較）。ＤＷＮＴ構造のこの幾何学的特異性は理論的計算により予測され、本発明者等はこれに実験的確認を与えた。
【００３６】
大抵の場合、アーク合成の生成物にはＳＷＮＴｓがＤＷＮＴｓと一緒に存在する。これらＳＷＮＴｓの直径は２．７〜４．７ｎｍの範囲であって、ＤＷＮＴｓの内側層の直径範囲に近い。従って、これらＳＷＮＴｓは「太いＳＷＮＴｓ」と命名することができる。ＤＷＮＴ合成につき最適化された条件下で製造される太いＳＷＮＴｓの量はＤＷＮＴｓ３０個当たりＳＷＮＴ１個を越えない。しかしながら、或る主の条件下で太いＳＷＮＴｓが、Ｆｅ／Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓ触媒系における合成の生成物にてＤＷＮＴに対して優位を占める。或る種の特殊の場合、ＳＷＮＴｓの直径は最適化ＤＷＮＴシステムで一般に遭遇する直径（２．７〜４．７ｎｍ）よりも小さくなる（１．７〜２ｎｍ）。ＤＷＮＴｓの場合と同様に太いＳＷＮＴ直径の周期的変化がＨＲＴＥＭ画像で極めて一般的に観察される。観察した或る種の場合、太いＳＷＮＴｓは第２層の長い（＞１ｍｉｃｒｏｎ）フラグメントを有し［たとえば図５ｂ参照］、従って混合種類のチューブ（ＳＷＮＴ→ＤＷＮＴ）の存在を例示し、これはチューブ形成のメカニズムにつきヒントを与えうる。ＳＷＮＴ部分とＤＷＮＴ部分とに電気接触部を設ければ、これら構造体はたとえば両層が金属導電性を有すれば最少の製造キャパシタを示す。チューブにおける内側層および外側層につき異なる種類の導電性を組合わせれば各種の興味あるナノ電子装置をもたらし、さらに僅か２つの隣接グラフェン層を有する独特な設計の物理的性質を有する基本的研究のための組合せの明らかな魅力性をも有する。ナノチューブからナノ電子装置を製造する際の従来技術は、この研究を可能にするのに全く充分である［たとえばＴ．ルエックス等、「炭素ナノチューブに基づく分子演算のための非揮発性ランダムアクセスメモリー」、サイエンス、第２８９巻、第９４頁（２０００）参照］。
【００３７】
数少ない三重壁部炭素ナノチューブが生成物にて同定されており、さらに或る種のＤＷＮＴｓにて第３および第４層のフラグメントも観察された。その発生の検討は、対応する小壁炭素ナノチューブの選択的合成につき機会を形成しうる。
【００３８】
「各実施例」に詳細に記載した最適合成条件からの小さい変動でさえ一般にＤＷＮＴｓに関する収率および選択率における顕著な減少をもたらし、最終的にしばしば生成混合物におけるＳＷＮＴｓの優位をもたらした。
【００３９】
ＤＷＮＴｓの高収率および高選択率に関するアーク合成条件のこの最適化を、プロセスの外部制御パラメータ、たとえば反応器におけるガス雰囲気の組成および全圧力、並びに触媒および気化電極の組成および作成手順、アーク電流の数値、アーク帯域に供給する消費電極の線状速度、実験セットアップの設計および配置、特にアーク空隙部の近傍におけるものなどの変動により行った。
【００４０】
本発明者等は、触媒の組成がＤＷＮＴ製造のためのアークプロセスの選択率に強く影響することを突き止めた。ＤＷＮＴ／ＳＷＮＴ比の全範囲（対応生成物におけるほぼ純粋なＤＷＮＴｓから優位なＳＷＮＴｓまで）は、触媒における金属の相対量を変化させると共に触媒および消費電極の作成の同じ手順および他のプロセスパラメータを保持することによりカバーすることができる。
【００４１】
硫黄助触媒添加の主たる作用はナノチューブ（ＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴの両者）の収率の大きい増大であると判明した。しかしながら、注目せねばならないことは、著量のＤＷＮＴｓが硫黄成分を全体的に欠如する触媒で得られた生成物に見出されたことである。
【００４２】
上記した触媒作成のための最適手順に従うことがＤＷＮＴｓへの高い選択率を得るのに重要であることも判明した。
【００４３】
すなわち、触媒の特定成分は生成物におけるＤＷＮＴｓ発生の原因とならないと判明した。その代わり、これら成分の組み合わせと触媒作成の手順とがＤＷＮＴｓへの収率および選択率を主として決定することが判明した。
【００４４】
本発明者等は、アーク電流の数値における僅かな変化（最適値の＋５％以内）および各電極を引張る線状供給速度の変化（最適値の＋１５％以内）でさえＤＷＮＴへの選択率の大きい減少を所定直径の電極および保持条件と共に影響することを突き止めた。恐らく、これは少なくとも部分的に、これらパラメータ（アーク電流および供給速度）が主として空隙幅の数値を決定し、次いでＤＷＮＴｓが主として形成されると共に電極に付着した繊維質材料として蓄積する（図１）。アークの極く近くにおける温度分布の主たる原因となる一方、温度が恐らく考慮中のシステムにて製造されるチューブの種類、寸法および性質を決定する主たる因子となるからである。
【００４５】
上記予想は次の考慮に基づく。ＳＷＮＴｓの触媒合成に関する各システムの報告温度値は一般にＭＷＮＴｓのそれよりも大であり、蒸気成長炭素繊維（ＶＧＣＦ）の触媒合成に関するものをずっと越える。すなわち、より大きい直径にはより低温度が必要とされ、ＤＷＮＴ合成は実質的に小さい直径（〜１．４ｎｍ）のＳＷＮＴｓの温度よりも低い温度で行わねばならず、これらは一般にヘリウムガスの雰囲気にて行われるアークプロセスで製造される。ヘリウムアークプラズマの温度は、ＤＷＮＴ合成で用いられる混合物Ｈ２＋Ａｒに対する温度よりもずっと高い。さらに、ＤＷＮＴ合成における最適アーク電流（〜８０Ａ）は同じ直径（〜８．０ｍｍ）複合アノードに関するＳＷＮＴ合成のそれ（〜９５Ａ）よりもずっと低く、従ってアークプロセスによるＤＷＮＴ合成のための低温度の必要性に証明を与える。
【００４６】
注目すべきは、シリーズにおける合成温度低下ＳＷＮＴ＞ＤＷＮＴ＞ＭＷＮＴ＞ＶＧＣＦは、熱伝導率および炭素構造（金属触媒粒子から沈殿）の線状成長速度の同じシリーズにおける低下を伴う。この比較および考慮中のシリーズの発生に関する論理的説明は次のように与えることができる。より細いチューブ合成の一層高い特定速度は、供給原料からの炭素吸収過程の高い発熱性のため、金属触媒粒子の過熱をもたらす。粒子温度を平衡値まで低下させるため、すなわち定常状態の粒子温度を維持するため、一層良好（一層特異的に強力）な熱沈降が細いチューブの場合に必要とされる。すなわち、シリーズにおける最少の欠陥部、従って最も熱伝導性のＳＷＮＴｓが高温度にて好適であり、従ってシリーズにおける最高の特定反応速度については、ＳＷＮＴｓにつき一層積極的な形成エンタルピーにも拘わらずシリーズにおける太い同族体と比較してＳＷＮＴｓの形成を一層熱力学的に好適にする。若干低い温度にて、熱力学上一層安定なＤＷＮＴｓの形成が好適であり、これらは適する熱沈下を与えるのに成功するからである。ＭＷＮＴｓおよびＶＧＣＦに関する同様な理由が当てはまり、すなわち上記シリーズの発生の合理性を決定する。勿論、他の因子のプレソラ（ｐｌｅｔｈｏｒａ）もＤＷＮＴ形成の真の動的および分子メカニズムが明らかになる前に考慮および合理化すべきである。
【００４７】
温度が最適であるアークに近近接して形成するＤＷＮＴｓに富む繊維質材料は、プロセスが開始した直後にアーク空間を密に包囲する傾向を有し、したがつてこの領域にて安定なアークおよびチューブ生成を維持するのに必要な正常のガス循環を打ち消す。さらに、繊維質材料は長時間かつ過度の加熱および照射を受け、ナノチューブの焼結およびその破壊をもたらす。これら望ましくない現象を回避するには、繊維質材料を反応帯域から永久除去せねばならない。本発明者等は、この除去を完遂するため機械的方式を選択した。タングステンスクレーパーは、合成に際しカソードの回転に基づきカソード沈着物の表面で形成された繊維質材料を連続脱着させる（図１、「ナイフ」１１３）。
【００４８】
ＤＷＮＴｓの合成に対するガス雰囲気の影響をパラメータ検討すれば明らかとなるように、反応器における所定ガス混合物の全圧力には最適値が存在する。さらに本発明者等は、比Ｈ２／Ａｒが同じ全ガス圧力下で生成されたＤＷＮＴｓへの選択率にも強く影響することを突き止めた。Ｈ２／Ａｒ雰囲気はＤＷＮＴ形成の方向へ顕著に生産的であり、これは上記したような硫黄を欠如する触媒の場合でさえ当てはまる。従って、ＤＷＮＴｓ形成をもたらすには硫黄助触媒よりも水素が重要である。
【００４９】
ＤＷＮＴ形成を支援するＨ２／Ａｒ雰囲気の役割はプラズマ条件下での水素の化学反応性を可能にすることにより合理化することができ、これはアークにおける著量なＤＷＮＴ生成を与えることができない純ヘリウム雰囲気の化学的不活性とは本質的に異なる。事実、純Ａｒにおける炭素プラズマは純Ｈｅにおけるものと比較してずっと低温であり、従ってグラファイトは純Ｈｅにおける安易なグラファイト蒸発につき用いられるものと同じ電流密度およびガス圧力の下で純Ａｒ中で一層気化しにくい。ＡｒおよびＨｅにおける同じアーク電流程度である電流キャリヤの同じ濃度を生ぜしめるには、Ａｒガスの場合はずっと低いプラズマ温度が必要とされる。何故なら、Ａｒイオン化電位（１５．７６ｅｖ）の数値はＨｅのそれ（２４．５ｅＶ）に比べてずっと低いからである。Ｈｅにおける定常フラーレンアークは３６００−３９００Ｋの温度を有する［Ａ．Ｖ．クレスチニンおよびＡ．Ｐ．モラブスキー、「アーク反応器におけるフラーレン合成のメカニズム」、ケミカル・フィジカル・レタース、第２８６巻、第４７９頁（１９９８）参照］。すなわち小炭素クラフター（主としてＣ２、Ｃ３およびＣ４）の形態における容易なグラファイト蒸発につき充分である。Ａｒアークにて僅か約２４００−２６００°Ｋにて同じ電流が発生し、この温度は炭素蒸発にて効果的でない［Ｊ．アブラハムソン、「グラファイト昇華温度、炭素アークおよび結晶腐食」、カーボン、第１２巻、第１１１頁（１９７４）参照］。従って本発明者等の観察により、アークをグラファイトアノードの極く僅かな消費と共に数時間にわたり発光させることができる。しかしながら、水素をＡｒ雰囲気に添加すると、アノード蒸発はずっと急速になる。水素分子はＡｒイオン化電位のそれに等しく、従ってプラズマ温度はこの添加に際し同一に留まる。グラファイト蒸発速度のこの増大に関する理由は、固体炭素から離れる際に種（ｓｐｅｃｉｅｓ）としての小炭化水素分子および基ＣｎＨｍを小炭素クラスターＣｎの代わりに使用することである。これらＣｎＨｍ炭化水素の一層高い安定性は、蒸発プロセスを熱力学的に裸炭素クラスターＣｎの場合に比べ熱力学上一層好適にする。
【００５０】
Ｈ２／Ａｒ雰囲気で操作する炭素アークにおれる炭化水素の形成はメタン、アセチレン、エチレンおよび或る種の少量生成物（ベンゼンを含む）の反応器ガスからの流出物におけるガスクロマトグラフィー観察により確認されている。ＤＷＮＴ合成につき正常に使用される条件下で、これら炭化水素はガスを５〜１０容量％だけ希釈すると共に、Ｈ２含有量における同時的な実質的除去と共に反応器を流過する。ガス流動条件下で、初期水素の１／３までが炭化水素まで変換される。ＤＷＮＴ製造にて効率が低いと判明した定常Ｈ２／Ａｒ雰囲気下で、変換の程度は結局一層高く、これは反応器で顕著な圧力低下が観察されるからである。
【００５１】
従ってアークシステムは、水素プラズマと元素炭素との反応に際し発生した実質量の炭化水素からなる雰囲気にてＤＷＮＴｓを生成する。この点に関し、アークシステムは本質的に「浮遊」もしくは支持金属触媒上での炭化水素の触媒作用熱分解を介する炭素ナノチューブ合成のためのシステムを思い出させる。事実、炭化水素は炭素を金属触媒粒子の表面まで炭素を輸送する効率的手段を与えることにより、ＤＷＮＴｓのアーク合成にて重要な役割を演ずる。この種の手段の必要性は次の速度論的因子により仮定的に規定すことができる。混合金属／炭素蒸気の炭素成分は、金属成分の凝縮が開始する充分前に、大型非晶質炭素粒子まで完全に凝縮する。これら非晶質粒子は低い移動性を有すると共に、上記繊維質材料（アークの近くの適するホットスペースに位置する）の残骸にてＤＷＮＴｓを生成しつつある活性金属粒子に僅かにアクセスする。極めて熱安定性であるアセチレンおよびメタンは恐らくこの高温度で完全分子として作業金属触媒粒子の表面に達するのに必要な長時間にわたり生き延び、溶融金属における溶解およびその後の炭素ナノチューブとしての沈殿につき炭素を供給する。
【００５２】
他の種類のフラーレン製造とは異なり、顕著にＣ６０およびＣ７−０  ＤＷＮＴｓおよび太いＳＷＮＴｓはその成長プロセスにて活性な小クラスターＣｎの即座の参加を必要とせず、炭化水素から或いはずっと安定な大型炭素粒子のいずれかから形成され、これらを約１５００℃以下の炭素蒸気のほぼ完成縮合の不活性生成物まで冷却する。炭化水素および水素の不存在下に、これらは全く非晶質の粒子となって、金属−触媒粒子でのナノチューブ製造のための主たる炭素供給原料として作用する。ＤＷＮＴｓのＴＥＭ画像を検討している間、本発明者等は太いＳＷＮＴ（直径２．３ｎｍ）が観察につきアクセスしうる全長に沿って大型薄壁チューブのキャビティ（内径５．０ｎｍ）に組込まれた独特な構造を突き止めた（図５ｄ）。この種の構造の実際の存在は、太いＳＷＮＴ合成のための単一炭素供給原料として作用する非晶質炭素の能力に関し確実な証拠を与える。事実、この構造形成のための極めて可能性のある速度論的シナリオは次の通りである。大型金属−触媒粒子は先ず最初に外側大チューブを生成すると共にチャンネルに或る程度の非晶質炭素を残し、これはＤＷＮＴｓの大抵のＨＲＴＥＭマイクログラフにて識別可能である（たとえば図１および５参照）。その時点で、小ピースを大金属粒子から分離すると共に、反対方向でのチャンネル内部の移動を開始して、非晶質炭素を消費させると共にそのＳＷＮＴを裏側から沈殿させる。成長する小チューブは粒子を前進させ、従ってチャンネルにおける非晶質炭素の次の部分との接触を確保し、これは大型チューブの内側層の炭素に比べ金属における溶解方向にずっと反応性である。さらに大チューブの内側ライニングからよりＳＷＮＴへの炭素の変換は熱力学上好ましくなく、大チューブは容易に無傷で保持され、特に中庸な低合成温度を可能にする。これは従って、鉄群の金属におけるＨＯＰＧ（高配向熱分解グラファイト）の基礎面の効率的（太いＳＷＮＴの半時間は恐らく秒未満である）溶解につき必要とされる温度と推定することもできるが、チューブ内側層の完全構造はＨＯＧＰの扁平基礎平面よりも反応性を低くせねばならない。このように行われる大凡の評価は、ＳＷＮＴ合成温度の上限値につき１５００℃を与える。キャビティ内の存在する非晶質炭素は、明らかにＳＷＮＴの成長のための唯一の炭素源である。何故なら、反応器ガス層からの炭化水素は内側触媒粒子の表面に達するチャンスを持たないからである。非晶質炭素の調和プロセス量につき過剰量がチューブ内に存在すれば、小金属粒子は新たに形成されＳＷＮＴの内側で過剰量を沈殿させる（図５ｄのチューブの場合）。代案として、ＳＷＮＴの代わりにＤＷＮＴの製造は、非晶質炭素が豊富なチューブセグメントにて開始することができる。ＤＷＮＴ成長は図５ｄの検査から示しうるが、画像詳細部の低解像力のため確度がない。
【００５３】
大チューブの内側における小金属触媒粒子により満たされた非晶質炭素の均一分布および適する濃度と同様に、ＳＷＮＴ成長のための好適条件はチューブの外側でも生じうる。事実、外側チューブ表面は、たとえば製造されたままの無傷束（図４に示す）のＳＥＭ画像にて見られる気相から沈着した非晶質炭素の層で覆われる。繊維質材料が成長しつつあるアーク近くの箇所で明らかに生ずる適する温度の下で、この非晶質層に或る程度突入する金属触媒粒子はこれを消費してチューブまで変換し、従って供給原料濃度のゼロ勾配の方向に波及し、すなわちチューブもしくは束に沿って波及する。触媒粒子がチューブ壁部からの炭素を溶解しないという知見（図５ｄ）は、束形成のメカニズムに関するこの思想を強く支持する。チューブ壁部における非晶質炭素層はガス層からの非晶質粒子の沈殿により或いは主としてこれらがガス層に存在する際の炭化水素の脱水素化および縮合によって形成される。明らかに、非晶質炭素沈着の速度およびその量はガス層における水素の存在に依存する。すなわちチューブ成長のプロセスは反応器における炭化水素および水素の量により大いに影響を受け、この挙動は各実施例に詳細に観察されると共に説明される。確かに、炭化水素および水素はシステムにて多くの他の機能を有する。炭化水素は直接に金属触媒と反応し、これを溶解炭素と共に供給して水素を気相中へ発生させる。この反応はたとえば、束が一般に細くかつその分枝が炭化水素ガス含有系にて一層頻繁である理由を説明することができる。
【００５４】
この知見および思想は、ＤＷＮＴ合成のためのアークシステムにおける軽質炭化水素の作用を検討する構築ブロックであった。
【００５５】
別な方法で保持された条件下でのメタンに対する水素の全置換は、アークの不安定操作およびナノチューブの貧弱な収率をもたらした。しかしながら、初期ガスにおける極く１部の水素をメタンの代わりに使用した場合、アークプロセスを安定的に行うことが可能となり、ナノチューブ生成物は一般に「各実施例」にて下記するようにＤＷＮＴｓの量および品質の両者にてＨ２／Ａｒシステムにおける最適条件下で得られたものに大いに類似した。初期ガスにおける或る程度の水素の存在は、先ず第１に安定かつ効率的なアノードの蒸発を確保するのに必要であるが、システムにて機能する水素は明らかに一層有能である。
【００５６】
ＤＷＮＴｓ合成における炭化水素の活発な役割に関する推測は、触媒（ここではアークプロセスにて活発であると見られる）のＣＣＶＤシステムにおける実施の探求を促進させた。本発明によれば、ＤＷＮＴｓは実施例１に記載されたアークプロセスに用いられるものの組成に近い触媒、およびアーク反応器の雰囲気にて見られる炭化水素を用いて常法で構成されたＣＣＶＤプロセスにて顕著に形成され、１２５０−１３００℃の範囲の温度で行われた。支持金属触媒法および浮遊触媒法の両者は、実施例８および９に詳細に例示するようにＤＷＮＴ合成につき用いて成功を収めている。
【００５７】
ＤＷＮＴ合成における炭化水素利用に関する同じ考えに基づき、本発明者等は熱を熱分解プロセスの反応帯域に供給する代案技術を開発した。熱い高周波プラズマを用いて、気相に分散された触媒の存在下に炭化水素ガスの熱分解を行った。粉末化された「アークＤＷＮＴのための最適」触媒をメタン−水素−アルゴンガス混合物に導入し、これを熱誘導結合プラズマに流過させ、ここで触媒熱分解を生ぜしめる。第２のプラズマ支援の変法にて浮遊触媒プロセスは触媒先駆体のベンゼン溶液をガス流中に注入して反応帯域に流入させるよう配置した（実施例１１および１２に詳細に説明）。両変法において、生成物はＤＷＮＴｓリッチであり、同様な実験室規模寸法のアークおよびここで使われた化学ＣＶＤ装置をずっと越える速度で得た。
【００５８】
アーク放電、熱ＣＶＤおよびプラズマ支援ＣＶＤ法を含めＤＷＮＴ合成に関する３種の技術のそれぞれは、本発明で示されたように、各実施例で強調される大量生産レベルまでスケールアップするための良好な展望を有する。
【００５９】
本発明において、ＤＷＮＴｓは放出表面のほぼに均一分布を有する電子フィールドエミッタとして、高収率におけるその製造の結果として用いた。本発明の電子フィールドエミッタカソードは均一の電子放出を与え、低い電場要件および高い放出電流を有し、電流の顕著な長期間にわたる減少なしに安定な電子放出を保持することができる。製造されたままの沈着物からピンセットにより採取されたプリスチン（ｐｒｉｓｔｉｎｅ）ＤＷＮＴｓ繊維質フラグメント（直径０．０５〜０．１０ｍｍ、長さ１〜２ｍｍ）を用いてフィールド放出特性を測定した。ＦＥＤ型（フィールド放出ディスプレー）素子を用いてナノチューブフィールドエミッタの性能を検査した。これら素子はＣＲＴ（カソード線チューブ）型発光素子につき典型的な構成および内部部品で作成した。熱フィラメントカソードが装着されたＣＲＴ発光素子（光バブル）を、ここでは屋外巨大ディスプレーの素子として使用する。この実験においては実施例１３に記載したように、フィラメントカソードをナノチューブ低温カソードで置換する。カソード以外の全ての部品はウエムラＳ．、セコＶ．、カモガワＨ．、モリカワＭ．、シモジョウＴ．、ＩＴＥテクニカル・リポート（１９９３）、第１７巻、第３１−６頁に記載されたように、発光素子を作成すべく従来使用されているものと同じである。本発明により製造されたＤＷＮＴｓを導電性ペーストの使用によりステンレス鋼プレート（図１９、ＣＲＴのカソード２００）に直接接着した。ＤＷＮＴ沈着物（約４ｍｍｘ４ｍｍ）を厚さ０．５〜１．０ｍｍを有する薄い基板までダイス装置を用いてスライスした。スライスされたカソードを銀ペーストによりステンレス鋼プレート（５ｘ５ｍｍ２、厚さ０．１５ｍｍ）に接着した。接着されたカソード材料を空気中で４５０〜５００℃にて焼成することにより銀ペーストを硬化させた。炭素ナノチューブ（図１９、炭素ナノチューブ、１１０）のフィールドエミッタをグリッド電極（図１９、グリッド、２０２）で覆って、ナノチューブからの電子の放出を制御した。カソードとグリッドとの両者をセラミック板に固定した。ナノチューブ先端部とグリッドとの間の距離ｄＴ−Ｇはセラミックスペーサ（図１９、スペーサ２０１）を用いて０．２〜１ｍｍにした。最初の試験製作の後、カソード表面上へ炭素ナノチューブを固定すべく幾つかの技術を検査し、スクリーン印刷の技術が工業用途に最も効果的であると判明した。ＤＷＮＴｓを含有する繊維質材料を破砕すると共に、ペーストおよびスラリーと混合した。この技術を用いる場合、カソード表面におけるＤＷＮＴｓの密度は導電性充填剤および結合剤をペーストに添加して調整することができる。ペーストで印刷した後、カソードを空気中で４５０〜５００℃にて加熱し、ＤＷＮＴと基板との間に電気接触および機械接触を形成させ、結合剤を気化させる。次いで減圧チューブを封止すると共に、ゲッター材料をフラッシュさせて１０−８トル程度の高減圧を達成する。
【００６０】
ナノチューブカソードを磨砕し（０Ｖ）、制御グリッドを陽電圧（０．２〜３．０ｋＶの範囲）までバイヤスさせて、ナノチューブ先端から電子を抽出する。図２０は、グリッドに印加された電圧の関数としてナノチューブから放出される全電流（ＭＷＮＴと比較したＤＷＮＴ）を示す。ｄＴ−Ｇ＝０．５ｍｍにつき、４００μＡを越える全放出電流がグリッド電圧を９００Ｖとした際に得られた。すなわちカソード表面（有効面積は約２ｍｍ２である）における電流密度は１．８Ｖ／μｍ未満の平均フィールド強度にて約２０ｍＡ／ｃｍ２であった。同じ条件下で試験したＭＷＮＴは４Ｖ／μｍを越える平均フィールド強度を有する。これら結果は、確かにＭＷＮＴ性能に比べて顕著な改良である。ＤＷＮＴ系ＣＲＴｓについても長期安定性につき試験し、固定グリッド電圧での全放出電流の典型的時間追跡を図２１に示し、これは初期安定化後の１２０μＡの平均アノード電流にて４％未満の変動を持って安定放出を示す。１２００時間を超える長期操作につき顕著な電流減少なしに維持しうる安定電子放出が達成された。本発明による材料の使用および製造方法は、ＳＷＮＴの性能に比べ顕著に長期の安定性改善を有する材料を与えることができる。
【００６１】
頑丈かつ安定なナノチューブエミッタは、たとえばタングステンおよびモリブデンで製造されたもののような繊細かつ感受性の金属エミッタと対比することができる。金属フィールドエミッタにつき、超高減圧条件（１０−１０トル）がＦｅを維持するのに不可欠である。金属エミッタとは異なり、全く驚くことに炭素ナノチューブエミッタは中庸減圧条件（超高減圧を必要としない）場合でさえ安定に作用する。この信頼しうる作用は、恐らく化学的不活性、融点の不存在および炭素ナノチューブの機械的強度に基づくと思われる。
【００６２】
（発明を実施するための最良の形態）
以下の実施例は本発明の好適実施例を詳細に説明すると共に格別かつ代表的試験の装置、プロセス、手順および結果、並びに生成物を示す。この詳細な説明は本発明の範囲内であって、上記に一層一般的に記載したプロセスを例示するのに役立つ。各実施例は単に例示の目的に過ぎず、本発明の範囲を限定することを意図しない。
【００６３】
実施例１
この実施例はＤＷＮＴｓの高収率のための最適化条件を示す。
【００６４】
触媒の作成
鉄（８１．０ｇ、２〜５μｍ粒子寸法）とコバルト（４１．３ｇ、２〜５μｍ）とニッケル（１５２．６ｇ、２〜５μｍ）と元素硫黄（２４．１ｇ）との微細金属粉末の混合物を３０Ｃ／ｍｉｎの速度にて７５０℃まで加熱すると共に、この温度に３０分間にわたりＨ２（２０ｓｃｃｍ）およびＨｅ（３０ｓｃｃｍ）の流動下で大気圧にて直径８０ｍｍの石英管にて維持し、次いで室温まで冷却した。得られた緑褐色の強いパリパリの塊をボールミルで約１〜２μｍの粒子寸法を有する粉末まで磨砕する。この粉末を７５．０ｇの微細グラファイト粉末（スーペリヤ・グラファイト、ＢＧ−３４）と混合する。
【００６５】
消費可能なアノードの作成
長さ２１０ｍｍ、直径７．９３ｍｍおよび１．７８ｇ／ｃｍ３の密度を有するグラファイトロッドを直径３．１８ｍｍのドリルで軸線に沿って深さ２００ｍｍまで穿つと共に、得られた穴には上記で作成された５．５ｇの触媒を濃密充填する。得られたアノードの計算断面組成は７７．３％グラファイト＋６．１％Ｆｅ＋３．１％Ｃｏ＋１１．６％Ｎｉ＋１．８％Ｓである。
【００６６】
アークプロセスの条件
図１は、フラーレンを製造すべく典型的に使用されると共に本発明に従い実施例１に記載するように二重壁ナノチューブを製造するのに適する種類の反応器１０１を示す。反応器１０１は、上側および下側蓋１０４、１０５を有するほぼチューブ状の石英カラム１０３により形成された反応チャンバ１０２を備え、前記蓋はそれぞれ上側および下側の円形シール１０６、１０７を有し、これにより効果的減圧を圧力制御システム１０８によりチャンバ内に維持することができる。ガス供給システム１０９を設けてチャンバ中へガスの混合物を導入し、すなわち各ガスを予備選択速度にて導入する。上側および下側電極１１０および１１１を備えるアーク放電システムを電力源に接続して、電極１１０と１１１との間の空隙部に形成された電気アークを付勢する。領域「Ｈ２Ｏ」および隣接矢印により図示したように、電極１１０および１１１を支持すると共に移動させる機械的システムには水冷システムを常法で設ける。アノード供給部１１２として示した機械的システムはアーク空隙幅を一定値に維持し、ただしアーク電流および供給速度の両者はアーク操作に際し一定にする。電極を垂直に装着すると共にアノードロッド１１１を下側位置に設ける。カソードは直径１０ｍｍかつ長さ１５ｍｍのグラファイトシリンダであって、アノードに対し同軸で位置せしめる。試験に際し各電極を互いにその共通軸線に沿って１．０ｍｍ／ｍｉｎに等しい一定線状速度（供給速度）にて近ずける。水冷された石英反応チャンバ（容量で３．２リットル）における全圧力を試験に際し４００トルに等しく維持する。水素の分圧は１５０トルであり、アルゴンの分圧は２５０トルである。反応器を流過する（頂部から底部まで）水素およびアルゴンガスはそれぞれ３００ｓｃｃｍおよび５００ｓｃｃｍである。カソードを２ｒｐｍの角速度で回転させる。タングステンナイフ１１３は、主として試験に際しカソードアセンブリで形成された繊維質材料を連続的に掻取り、かくして繊維のないアークの周囲にこの空間を維持して、このスペースを封鎖する傾向を有する。この封鎖はアークスペースの過熱、空隙幅の増加およびアークの不安定操作をもたらす。掻取られた繊維質材料は反応器の底部１１１に蓄積する。アーク電流を試験に際し８０Ａに等しく一定に維持する。空隙部にわたる電圧低下（アノードロッドおよびカソード沈着物にて測定された全電圧−電圧低下）は２３〜２６ボルトに等しい。空隙幅は試験に際し１．５〜２．０ｍｍである。
【００６７】
アーク合成の生成物
反応器の底部およびカソード表面から集めた繊維質材料をカソード沈着物の小フラグメントから分離すると共に、粉末煤および金属触媒の小ボール（直径０．２ｍｍ）から手動で或いは３０メッシュシーブで振動させて分離する。このようにして得られる強い繊維質材料の収量は１．１ｇ、すなわち消費アノードの重量（１７．８ｇ）の６．２％である。繊維質材料は強磁性であると共に、約２０重量％の金属触媒ナノ粒子（化学的およびトランスミッション電子顕微鏡測定（ＴＥＭ）の各分析データに従う）を含有する。繊維質材料の残部（約０．９ｇ）はＤＷＮＴ（約７５％、すなわち外径３〜４ｎｍにて０．７ｇ）と太いＳＷＮＴｓ（約３％、直径３〜４ｎｍ）と非晶質炭素とで示され、非晶質炭素および他の貧弱構造の炭素物質（約２０％）により示される。これら数値は高解像ＴＥＭ（代表的マイクログラフを図２に示す）、低解像ＴＥＭ（図３）およびＳＥＭ（図４）により繊維質材料の検査を介して評価される。製造されたままの材料における炭素ナノチューブの束を非晶質炭素の層で覆い（図４）、これを図２および３に示されるようにＴＥＭ観察のための試料作成の過程で超音波処理によりチューブ表面から除去する。
【００６８】
石英チャンバの内表面に沈着した炭素は厚さ約０．５ｍｍの連続緻密層であり、これはスリーブの内側ライニングの種類として石英壁部から容易に剥離される。この「壁部スリーブ」材料を上側および下側蓋の表面から集められた或る種のリーフ型炭素と組合せ、３０メッシュシーブでの振動にかけて煤状粉末および小粒子を除去する。この手順は２．１ｇ（消費アノードの１１．８％）の純「壁部スリーブ」をもたらす。ＤＷＮＴｓおよび太いＳＷＮＴｓの含有量はこの壁部スリーブの重量に対しそれぞれ約１０％および０．５％であり、これは繊維質材料におけるその含有量よりもずっと低い。壁部スリーブの残部は金属触媒粒子（約２０％）並びに各種形態の非晶質および貧弱構造の炭素で構成され（ＨＲＴＥＭ評価による）、図５は壁部スリーブのマイクログラフである。
【００６９】
３０メッシュ銅グリッドで篩った粉末の全重量は４．９ｇ（消費アノードの２８％）である。この粉末は無視しうる量のチューブ（３％未満）と直径数ｎｍ〜約０．５ｍｍの範囲の金属触媒粒子（約３５％）と非晶質および貧弱構造の炭素（約６０％）とを種々の技術により推定して含有する。
【００７０】
カソード沈着シリンダ（図１）は長さ９５ｍｍかつ直径９ｍｍである。その重量は８．７ｇに等しい（消費アノードの４９％）。これはＤＷＮＴｓもしくはＳＷＮＴｓを全く含有せず、硬質の外側シェルおよび比較的軟質の内側コアで構成される。このコアはグラファイト微小粒子と嵩高オニオン（ｏｎｉｏｎ）と貧弱構造の炭素と或る程度のＭＷＮＴｓとを含有する。少量の金属触媒粒子が沈着物のコアおよびシェルに存在する。アノードの残部の重量は１．６ｇであり、その長さは１９ｍｍである。
【００７１】
このプロセスの材料バランスは０．７ｇの初期アノード重量を欠如する。この量の炭素は仮にメタンおよびプロセスに際し形成されると共に反応器からアルゴンと水素との混合物の流動により吹き出される他の炭化水素に割付けることができる。
【００７２】
実施例２
この実施例は、ＤＷＮＴｓの収率および品質に対する全圧力の最適値からの変動のマイナス作用を示す。
【００７３】
触媒および実験条件は実施例１におけると同じであるが、ただしチャンバ内の全ガス圧力をプロセスに際し７００トルに等しく維持した。
【００７４】
その結果、繊維質材料の収量は０．１８ｇ（消費アノードの約１．０％）まで低下した。これら繊維は弱くかつ指で擦ると粉末まで容易に崩壊する。繊維質材料におけるＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓの含有量は約５％であり、残部は主として非晶質炭素および金属ナノ粒子である。繊維質材料における比ＤＷＮＴｓ／ＳＷＮＴｓは約１である。壁部スリーブは極めてゆるくかつ粉末状である。これは約１％の炭素ナノチューブ、すなわちＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓを含有する。
【００７５】
実施例３
この実施例は、ＤＷＮＴ製造の収率および選択率に対する電流の最適値からの変動のマイナス作用を示す。
【００７６】
各条件は実施例１と同じであるが、ただし電流値は７５Ａに等しく維持した。
【００７７】
その結果、繊維質材料の収量は０．６５ｇ（消費アノードの約３．５％）である。繊維質材料におけるＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓの全収率は約６０％であり、残部は非晶質炭素および金属ナノ粒子（図６）である。ＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓの量は繊維質材料の試料にてほぼ等しい。同じことが壁部スリーブ材料でも観察され、比ＤＷＮＴｓ／ＳＷＮＴｓは約１である。
【００７８】
実施例４
この実施例は、ＤＷＮＴ製造の収率および選択率に対するガス混合物における水素とアルゴンとの最適比からの変動のマイナス作用を示す。
【００７９】
各条件は実施例１と同じであるが、ただし水素およびアルゴンの分圧はそれぞれ８０トルおよび３２０トルに等しく維持し、これには水素の流速を１６０ｓｃｃｍに等しく調整すると共にアルゴンについては６４０ｓｃｃｍに等しく調整し、全ガス圧力を４００トルに等しく保持する。
【００８０】
その結果、繊維質材料の収量は０．８８ｇ（消費アノードの約５．０％）である。繊維質材料におけるＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓの量は７０％であり、残部は非晶質炭素および金属ナノ粒子である。比ＤＷＮＴｓ／ＳＷＮＴｓは約３．０であり、すなわちそれぞれ３つのＤＷＮＴｓにつき１つのＳＷＮＴがＨＲＳＥＭマイクログラフにて観察される（図７）。
【００８１】
注目すべきは、Ｈ２／Ａｒ比における変化が他のプロセスパラメータ（たとえばＤＷＮＴ製造の選択率を変化させる主たる手段であると思われる空隙幅）の変化をもたらす。
【００８２】
実施例５
この実施例は、ＤＷＮＴ製造の収率および選択率に対する触媒作成の最適手順からの変動のマイナス作用を示す。
【００８３】
鉄とコバルトとニッケルと硫黄との微細金属粉末を実施例１におけると同じ比率で採取すると共に充分混合する。実施例１に記載した７５０℃におけるこの混合物の熱処理は省略する。これが実施例１に記載した手順からの作成手順の唯一の相違点である。その後、混合物を実施例１に従い４：１の比率でグラファイト粉末（スーペリヤ・グラファイトＣｏ、ＢＧ−３４）と合し、さらにその後の工程は全て記載した通りである。このようにして得られたアノードの計算断面組成は実施例１で示したものと一致する。
【００８４】
アーク実験条件は実施例１と同じである。
【００８５】
得られた繊維質材料の重量は０．９５ｇであり、これは実際に実施例１における重量に一致する。しかしながら、比ＤＷＮＴ／ＳＷＮＴは約０．１に等しく、すなわち写真で観察されるＳＷＮＴｓの個数はＤＷＮＴｓの個数を相当程度に越える（図８）。ＤＷＮＴ製造につき選択率の急激な変化の他に、この実施例はＤＷＮＴ／ＳＷＮＴ比の極めて広範囲における制御が極めて容易であることをも示す。
【００８６】
実施例６
この実施例は、触媒における各金属の相対量がプロセスの選択性を決定することを示す。
【００８７】
触媒作成の一般的方式は実施例１を保持すると共に、各成分の相対量は次の元素組成の触媒を得るよう変化させた：モル比Ｆｅ：Ｃｏ：Ｎｉ：Ｓ＝２：３：１：２に相当するＦｅ（１７．３％）、Ｃｏ（２７．３％）、Ｎｉ（９．１％）、Ｓ（９．９％）、Ｃ（３６．４％）。アノードにおける穴部をこの触媒で埋めた後、アノードの計算断面組成は８８．７％グラファイト＋３．１％Ｆｅ＋４．８％Ｃｏ＋１．６％Ｎｉ＋１．８％Ｓである。
【００８８】
実施例１の条件下でのアークにおけるこのアノードの蒸発は０．９２ｇの繊維質材料（消費アノードの５．２％）をもたらした。繊維質材料における炭素ナノチューブの収率は約６０％である。繊維質材料におけるＤＷＮＴｓの量は極めて少なく、ＳＷＮＴｓが主たる生成物である（図９）。比ＤＷＮＴｓ／ＳＷＮＴｓは０．１未満である。使用した触媒はかくして比較的純粋な太いＳＷＮＴｓを高収率で得ることを可能にした。この結果は、触媒の組成が或る種のチューブに対するプロセスの選択率を制御するための便利な手段であることを証明する。
【００８９】
実施例７
この実施例は、硫黄がＤＷＮＴｓの効率的合成につき重要であることを示す。
【００９０】
混合触媒を実施例１の相対量におけると同様に採取された鉄とコバルトとニッケルとの粉末から作成したが、元素硫黄はこの混合物に添加しなかった。複合アノードロッドの計算断面組成は７９．７％グラファイト＋６．０％Ｆｅ＋３．０％Ｃｏ＋１１．３％Ｎｉであった。
【００９１】
アークプロセスを操作するための外部制御条件は、実施例１で使用したものと同一にした。得られた繊維質材料の重量は０．７２ｇ（消費アノードの約４．０％）であった。炭素ナノチューブＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓは４０％レベルにて繊維質材料に存在し、残部は非晶質炭素および金属粒子である。ＨＲＴＥＭ写真（図１０）で見られるＤＷＮＴｓの個数はＳＷＮＴｓのそれのほぼ半分であり、すなわち比ＤＷＮＴｓ／ＳＷＮＴｓ＝０．５である。この比のほぼ同じ数値は壁部スリーブ試料の特性である一方、壁部スリーブにおけるチューブの収率は繊維質材料におけるもの（約４０％）よりも相当低い（約５％）。従って、硫黄の存在はアーク合成の生成物におけるＤＷＮＴｓの豊富さは重要でない。一方、硫黄助触媒の或る程度の量は、実施例１に示したようにＤＷＮＴｓのための高収率および選択率を得るのに必要であると思われる。
【００９２】
実施例８
この実施例は、水素ガスの代わりに軽質炭化水素を使用すると共に効率的ＤＷＮＴｓ製造を保持しうることを示す。
【００９３】
実施例１の最適条件を用いたが、ただし水素の８０％の代わりにメタンを使用し、さらに（ｂ）アーク電流を８５Ａまで増大させる。すなわち、ガスの流量はメタン、水素およびアルゴンにつきそれぞれ２４０、６０および５００ｓｃｃｍの数値に調整した。
【００９４】
繊維質材料の収量は１．２５ｇ（消費アノードの７．０％）であると判明した。繊維質材料におけるチューブの全収率は約５０％（図１１）であり、比ＤＷＮＴｓ／ＳＷＮＴｓは約１５であった。すなわち、ＤＷＮＴ製造の選択率および速度は主としてプロセスのガス系に対するメタンの投入に際し、Ｈ２／Ａｒガス混合物と比較して未変化に留まった。注目すべきは、供給ガスからの水素の完全排除はＤＷＮＴｓにつき一層貧弱な収率および選択率を与えた。
【００９５】
実施例９
この実施例は、図１２に示したような抵抗炉により加熱された流動反応器における支持金属触媒でのメタン熱分解のＤＷＮＴ生成性能を示す。
【００９６】
図１２は、チューブ状ファーネス１２２内の多重チューブ反応器１２１を示し、これは中央反応帯域に試験に際し温度１２５０℃を発生し、外部Ｐｔ／Ｐｔ／Ｒｈ熱電対により制御される。プレヒーターファネス１２３を１５０℃に維持して、液体チオフェンを毛細管１２４を介し反応器中へ気化させ、これには試験に際し０．５ｍｌ／ｈの速度で機械駆動注射器１２５を用いた。毛細管の端部は水冷ジャケットを有して、プレヒーターの中心への液体の均一供給を確保すると共に液体が固体の溶液で或る場合は溶解質沈殿によるノズルの起こりうる蓄積を防止する。ガス流制御ユニット１２６は合成に際しそれぞれ２００、６００および８００ｓｃｃｍの速度にてメタンと水素とアルゴンとを供給する。圧力制御システム１２７は、試験に際し７８０トルに等しい反応器内の全圧力を維持する。上側支持の触媒を有する窒化アルミニウムプレート１２８（１ｘ２０ｘ５０ｍｍ３）を高温ファーネス１２２の中心に位置せしめる。金属の質量比Ｆｅ／Ｃｏ／Ｎｉ＝２９％／１５％／５６％）を有するナノ分散触媒を、実施例１の条件下でＤＷＮＴ合成のアークプロセスにて製造された壁部スリーブから次のように作成した。ナノチューブと他の形態の炭素とを金属触媒粒子と一緒に含有する壁部スリーブ生成物を６００℃にて２時間にわたり空気酸化にかけて炭素成分を燃焼させた。残留する金属酸化物を磨砕すると共に、イソプロパノール中での超音波処理により粘性スラリーの状態まで分散させ、これをブラシによりＡＩＮウェファーの一方の側に施すと共に１００℃で乾燥させた。かくして沈着した触媒の量は約１２ｍｇであった。
【００９７】
触媒から金属状態への還元は、反応器１２１に１０％Ｈ２と９０％Ａｒとの混合物を金属粒子の凝集を防止するのに充分な低温度５００℃にて１時間通過させることにより合成の直前に行った。次いで水素流を停止させ、温度を約２０分間にわたり反応器内の純アルゴンで１２５０℃の作業値まで上昇させるようにした。温度が１２５０℃にて安定した際、最初にチオフェン供給を０．５ｍｌ／ｈの作業値に調整し、次いで同時に３種の全ガスの作業供給速度を調整した。合成は１５分間行い、次いでチオフェン供給並びにメタンおよび水素流を遮断すると共に、反応器をアルゴン雰囲気下に室温まで冷却した。
【００９８】
支持触媒を有するＡＩＮウェファーの上側を炭素沈着物（重量、２８ｍｇ）の約１ｍｍ厚さの繊維層で覆う一方、作用していない下側および反応器壁部における沈着はずっと小であった。生成物をウェファーから剃刀により掻落とし、６Ｎ  ＨＣｌでとの処理および音波処理にかけて、大部分の金属触媒を除去することにより炭素成分を精製した。ＴＥＭ検査は、実施例１で観察されたとほぼ同じ直径（〜４ｎｍ）のＤＷＮＴｓおよび太いＳＷＮＴｓが試料中に豊富であることを示し、チューブの全量は非晶質炭素および他の形態の炭素の約半分である。ナノチューブは比較的太い束まで凝集する傾向を有し、その１つを図１３に示す。束は、ほぼ等しい量のＤＷＮＴｓとＳＷＮＴｓとの両者で構成され、その比も試料で観察される稀な別々のチューブにつき特性的である。
【００９９】
従って使用触媒を再生すると共に同じ寸法および種類のチューブを適する条件下で製造することが可能となり、前記条件は実質的に気相におけるチオフェンの存在を包含する。チオフェンの不存在下にチューブの量はずっと少なく、これは硫黄が触媒粒子の活性を復活させるのに重要であることを意味する。さらに、触媒の活性はアークシステムにおける初期触媒の活性と同じ程度であることも評価され、これはナノチューブがアーク内（恐らく繊維質材料の残骸内）で成長する箇所につき１２５０℃近くの温度を意味する。これはさらに、より高温度１３８０℃にて本発明のＣＶＤシステムが主として非晶質炭素を生成するという知見により支持される。他の作業パラメータの選択も重要であることが強調される。たとえば長時間（１ｈｒ）にわたり操作されたＣＶＤプロセスは一層多量の炭素沈着をもたらす、この生成物はほぼ全く非晶質炭素であった。これは恐らく非晶質層の後に行われた金属粒子への気相供給物の阻害拡散が充分厚く成長するからである。従って、メタンの非触媒作用分解が波及し始め、著量の非晶質炭素蓄積をもたらす。現在まで、他の供給原料ガス（アセチレン、エチレンおよびベンゼン）の使用、並びに他の手段により作成された触媒の使用は一般に同様であるがＤＷＮＴｓの決して良好でない生成を与える。しかしながら、このＣＶＤプロセスは大量ＤＷＮＴ製造につきさらに調整するという価値がある。何故なら、一層最適な条件としてのこれら原理を見出しうると共に、多くの有望な選択が未開発で残されているからである。
【０１００】
実施例１０
この実施例は、電気炉で加熱された流動反応器におけるメタンの熱分解によるＤＷＮＴ製造のための浮遊触媒技術の性能を示す。
【０１０１】
実施例９に記載したような実験設定を使用したが、ただしムライトチューブの内部には基板を置かず、熱分解の生成物を図１４に示すようにその壁部に直接沈着させた。浮遊触媒先駆体は２．０ｇのフェロフェンと１．０ｇのコバルトセンと４．０ｇのニッケロセンと０．５ｍｌのチオフェンとの１００ｍｌのゼンベンにおける溶液とした。この溶液を２ｍｌ／ｈｒの供給速度にて反応器中へ供給した。この溶液およびメタンを反応器中へ流入させる前に、その温度を７００ｓｃｃｍのアルゴンおよび６００ｓｃｃｍの水素の流動下で１３００℃の数値まで上昇させた。この時点で合成を、ベンゼン溶液の供給および１００ｓｃｃｍのメタンの流入を同時的に調整することにより開始させた。このプロセスを３０分間にわたり続け、次いで溶液とメタンと水素とを遮断し、反応器をアルゴンの緩徐な流動下に冷却した。反応器壁部から集められた繊維質生成物の重量は約２５０ｍｇであり、ＴＥＭ検査によればほぼ等しい量におけるＤＷＮＴｓおよびＳＷＮＴｓの半分より大で構成された（図１５）。得られた結果は、用いたシステムにおける浮遊触媒技術をＤＷＮＴｓの大量生産につき良好な候補にする。何故なら、これは容易に規模拡大するための機会を与えるからである。さらに処理パラメータは複数であると共に容易に制御可能であり、従ってＤＷＮＴｓにつき高収率および選択率のためのその最適化が全く容易であると思われる。
【０１０２】
実施例１１
この実施例は、ＤＷＮＴｓの製造における高周波プラズマ支援触媒作用メタン熱分解の性能を示す。
【０１０３】
図１６は直径２０ｍｍおよび長さ１．５ｍの石英チューブで作成された流動反応器１６１を示し、ここで実施例１により作成された触媒粉末１６２をメタン−水素−アルゴン混合物の下流に導入し、従って熱誘導結合プラズマ１６３に流入し、ここでメタンの触媒作用分解が生じて炭素生成物１６４を生成し、これをガラス布フィルタ１６５に集める。圧力制御システム１６６は３００トルの全圧力を維持すると共に速度８００、１２００および２０００ｓｃｃｍがそれぞれメタン、水素およびアルゴンにつきガス流システム１６７により試験に際し維持された。この試験は、バイブレータ１６８を付勢させて予備調整速度〜４０ｍｇ／ｍｉｎにて触媒粉末１６２の供給を生ぜしめると共に同時に出力電圧および電流の数値を８．０ｋＶおよび１．８Ａに設定することにより開始させ、２．５ＭＨｚゼネレータＬＥＰＥＬ  Ｔ−３０により誘導コイル１６９内に発生させた。試験時間は２００秒とし、フィルタ上に集められた繊維質生成物の重量は約４５０ｍｇであった。触媒の炭素成分を精製するため、生成物を６Ｎ  ＨＣｌで１時間にわたり処理した。ＴＥＭ検査は、稀な別々のチューブの形態および異常に太い束の形態の両者（その一方を図１７に示す）で太いＳＷＮＴｓの上に存在するＤＷＮＴｓを含め精製生成物におけるナノチューブの豊富な存在を示した。
【０１０４】
チューブ生成のためのその速度がアーク放電および熱ＣＶＤプロセスのそれよりもずっと高く、さらに実質的に増大させうるので、開発されたシステムにおける炭化水素の熱プラズマ支援の触媒作用熱分解は比較的複雑であるにもかかわらずＤＷＮＴｓの大量生産における実施の良好なチャンスを有する。さらに、連続プラズマ支援プロセスも明らかに設計することができる。
【０１０５】
実施例１２
この実施例は、ＤＷＮＴｓの製造における浮遊触媒上でのメタンの高周波プラズマ支援熱分解の性能を示す。
【０１０６】
実験設定条件および操作条件は実施例１１のそれと同一にしたが、ただし触媒作成および供給は実施例１０のそれに類似させ、次のように行った。浮遊触媒先駆体溶液を実施例１０につき作成したように採取した。プラズマ反応器（図１８）の上蓋には貫通毛細管１８１を装着して、注射ポンプ１８２により鉄とコバルトとニッケルと硫黄化合物の溶液を反応器中へ供給すべく使用した。毛細管のノズルを低温度に保つと共に、そこから抜き出された液滴を蒸発段階１８３まで落下させ、これを試験に際し液滴を気化させるのに充分な高温度に維持した。毛細管を介する溶液供給の速度は０．５ｍｌ／ｍｉｎに設定した。
【０１０７】
得られた生成物は繊維質であると共に、実施例１１の試験で触媒粉末を用いて製造された品質を思い出させた。従って、活性触媒粒子は両者の場合に明らかに極めて類似した。触媒供給に関する比較的容易な取扱いは注射器ポンプ技術を好適にする。ＤＷＮＴｓ合成が種々異なる実験方式にて効果的であるという事実は、ＤＷＮＴ製造につき触媒の見出された組成を保持する重要性を強調し、恐らく最適に近いことを意味する。
【０１０８】
実施例１３
図１９に示した本発明によるＣＲＴ発光素子に埋設された低温フィールド電子放出ＤＷＮＴカソードを次のように作成した。実施例１により製造されたＤＷＮＴ材料の試料を、導電性銀ペーストを用いてステンレス鋼プレート（図１９、ＣＲＴのカソード２００および炭素ナノチューブ１１０）に直接接着し、空気中４５０℃で焼成して銀ペーストを硬化させた。このカソードを制御グリッド電極（図１９、グリッド２０２）で覆った。カソードと制御グリッドとをセラミックスペーサ（図１９、スペーサ２０１）により一定間隔で分離した。ナノチューブ先端とグリッドとの間の間隔ｄＴ−Ｇは０．２ｍｍとした。アノードである燐スクリーン（図１９、燐光２０４）をフロントガラスプレートの内側表面にプリントすると共に、厚さ１００〜１５０ｎｍのアルミニウムフィルム（図１９、アノード２０３）で裏打ちして導電性を与えた。記載したＣＲＴ構造体を減圧チューブ内に封入し（図１９には図示せず）、この減圧チューブは透明ガラス壁部を有して燐スクリーンから光を放出させることができた。減圧チューブを封止した後、得られた材料をフラッシュさせて、減圧チューブで５ｘ１０−０８の程度の高減圧を達成した。
【０１０９】
ＤＷＮＴカソードとアノードと制御グリッドとで構成されたＣＲＴ構造体を、当業界で周知された常法にて適する電気回路に接続した。
【０１１０】
ＣＲＴのナノチューブカソードを接地する（０Ｖ）と共に、制御グリッドを陽電圧（０．２〜２．０ｋＶ）までバイヤスさせて、電子をカソードのナノチューブ先端から抽出した。図２０は、印加された電圧の関数としてナノチューブ（ＤＷＮＴ）カソードから放出された電流を示す。１０μＡ／ｃｍ２の平均フィールド強度は１．４３Ｖ／μｍであった。図２１は、フィールド放出装置として、すなわちＣＲＴのカソードとして使用した場合のＤＷＮＴ材料の寿命試験特性を示す。
【０１１１】
実施例１４
実施例１３と同じ試験を行ったが、ただしアークプロセスから生成されたＭＷＮＴをカソード材料として使用した。図１９は、印加電圧の関数としてナノチューブ（ＭＷＮＴ）カソードから放出された電流を示す。１０μＡ／ｃｍ２における平均フィールド強度は４．３２Ｖ／μｍであった。
【０１１２】
実施例１５
実施例１に従って製造したＤＷＮＴ材料を破砕すると共にペーストと混合し、スラリー化させ、ステンレス鋼プレートにスクリーン印刷すると共に、空気中で５００℃にて乾燥させてＣＲＴカソードを得た。このカソード材料を実施例１３に従って試験した。１０μＡ／ｃｍ２における平均フィールド強度は１．５４Ｖ／μｍであると共に、極めて均一な電子放出を有した。
【図面の簡単な説明】
【図１】
複合ロッドの電気アーク放電気化が達成されて、最終的にＤＷＮＴリッチ生成物の形成をもたらす本発明による装置の略図。
【図２】
本発明の実施例１に記載したＤＷＮＴ製造のための最適条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。黒点は金属触媒粒子である。挿入部には、ほぼ半球形状の二重層末端キャップを有するＤＷＮＴ端部が示される。
【図３】
本発明の実施例１に記載したＤＷＮＴ製造のための最適条件下におけるアーク放電プロセスで得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な低解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。少ない別々のチューブを持ったＤＷＮＴの束およびロープが存在する。
【図４】
本発明の実施例１に記載したＤＷＮＴ製造のための最適条件下におけるアーク放電プロセスで得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な走査型電子顕微鏡マイクログラフ。
【図５】
本発明の触媒系にてアークプロセスの或る種の条件下に得られた種々異なる構造の個々のチューブの４枚の高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。これらは本文中に説明した幾つかの特徴を示す：（ａ）断面の振動幅を有するＤＷＮＴ、（ｂ）ＤＷＮＴセグメントおよびＳＷＮＴセグメントを組合わせたチューブ、（ｃ）第４層のセグメントと第５層のフラグメントとを有するほぼ三壁部のチューブ、（ｄ）恐らく内部蓄積した非晶質炭素から内側チューブの構築が開始する前に製造された太いチューブのキャビティの内側で形成された太いＳＷＮＴ。ＳＷＮＴの中心における暗色シリンダは金属触媒の残留物である。
【図６】
本発明の実施例３に記載した条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図７】
本発明の実施例４に記載した条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図８】
本発明の実施例５に記載した条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図９】
本発明の実施例６に記載した条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図１０】
本発明の実施例７に記載した条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な高解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図１１】
本発明の実施例８に記載した条件下でアーク放電プロセスにて得られた製造されたままの繊維質材料の典型的な低解像トランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図１２】
本発明の実施例９に記載した条件下で支持触媒を用いた本発明によるＤＷＮＴのための炭化水素のＣＣＶＤを行ったチューブ状流動反応器の略図。
【図１３】
本発明の実施例９に記載した条件下で図１２につき示したセットアップで行ったＣＣＶＤ合成の生成物のトランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。各チューブの太い束が示される。
【図１４】
本発明によるＤＷＮＴのための炭化水素のＣＣＶＤを行うチューブ状流動反応器の略図。ここでは浮遊触媒を本発明の実施例１０に記載した条件下で使用する。
【図１５】
本発明の実施例１０に記載した条件下で図１４に示したセットアップで行った「浮遊触媒」ＣＣＶＤ合成の生成物のトランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。チューブの太い束が示される。
【図１６】
加熱源が誘導結合プラズマ型システムからなり、炭化水素を炭素の供給源として使用することによりＤＷＮＴを生成させかつ触媒微粒子を反応帯域に供給する熱プラズマ反応器の略図。
【図１７】
本発明の実施例１１に記載した条件下に図１６に示したセットアップで行った「浮遊触媒」ＣＣＶＤ合成の生成物のトランスミッション電子顕微鏡マイクログラフ。
【図１８】
図１６に示したものと同様であるが粉末供給システムを注射システムで代替して触媒先駆体のベンゼン溶液を反応チャンバに供給する装置の略図。
【図１９】
実施例１３に記載したように本発明により電子放出カソードとして用いた炭素ナノチューブフィールドエミッタを有するＣＲＴ発光素子の断面図。
【図２０】
ＭＷＮＴと比較した本発明によるＤＷＮＴから作成されたカソードに関する放出電流とグリッド電圧との関係を示す特性曲線図。
【図２１】
本発明による固定アノード電圧に関する時間（ｈｒ）の関数としてのμＡにおける放出電流（合計、アノードおよびグリッド）を示すＣＲＴ発光素子の寿命試験図。
【図１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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