(57)【要約】この発明の一局面に従って、レジストコーティングにおけるピンホール欠陥が、レジストを短時間加熱して流れさせピンホールを埋めるようにすることにより修正される。レジストは、十分に長くレジストが流れるような温度またはそれ以上の温度に上げられる。これはレジストが流れてピンホール欠陥を埋めることができるのに十分な長さであるが、レジストパターンを破損するほどではない。もとのレジストパターンは、ピンホール修正工程の間流れがいくらか可能となるようにゆがめられてもよい。パターニングされたレジストの全体は一度に加熱されてもよく、または一度に一部分が加熱されてもよい。加熱は、随意にはピンホール欠陥が発見される箇所に制限され得る。この発明により、ピンホール欠陥のない非常に薄いパターニングされたレジストコーティングが得られる。
2004512676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２２０）上のパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥を修正するためのシステム（２００，５００）であって、
制御された態様でレジスト（２１０，５４０）を加熱し、レジストパターンを実質的に保ったままピンホール欠陥を塞ぐのに十分にレジスト（２１０，５４０）を流れさせる加熱装置（２４０，５２０）を含む、システム。
【請求項２】
ピンホール欠陥検出装置（５１０）をさらに含み、加熱装置（２４０，５２０）はピンホール欠陥が検出される面積だけレジスト（２１０，５４０）を選択的に加熱する、請求項１に記載のシステム（２００，５００）。
【請求項３】
同装置（５１０）を用いてピンホール欠陥を検出し修正する、請求項２に記載のシステム（２００，５００）。
【請求項４】
基板（２２０）上のパターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥を修正するためのシステム（２００，５００）であって、
制御された態様でレジスト（２１０，５４０）を加熱することにより、ピンホール欠陥を修正するのに十分にレジスト（２１０，５４０）を流れさせるための手段（２４０，５２０）を含む、システム。
【請求項５】
ピンホール欠陥を検出するための手段（５１０）をさらに含む、請求項４に記載のシステム（２００，５００）。
【請求項６】
システムはピンホール欠陥が発見されたレジストを選択的に加熱する、請求項５に記載のシステム（２００，５００）。
【請求項７】
ピンホール欠陥を有するパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）を備えた基板（２２０）を処理する方法であって、
レジスト（２１０，５４０）を十分に加熱してレジスト（２１０，５４０）をを流れさせ、これによりレジストコーティング（２１０，５４０）における１つまたは複数のピンホール欠陥を塞ぐステップを含む、方法。
【請求項８】
レジストの流れの範囲を制限するためにレジストを冷却するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基板（２２０）が、レジスト（２１０，５４０）が加熱される間冷却される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
パターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥の位置を突き止めるステップと、
位置が突き止められたピンホール欠陥のすぐ近くだけにレジスト（２１０，５４０）が流れ始めるような温度またはそれ以上の温度にレジスト（２１０，５４０）を加熱するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板（２２０）上のパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥を修正するためのシステム（２００，５００）であって、
レジスト（２１０，５４０）のそれぞれの部分の上に放射線を照射する複数の光学繊維（２６０）と、
レジスト（２１０，５４０）から反射した放射線に基づいて、レジスト（２１０，５４０）の温度に関する少なくとも１つのパラメータを測定するレジストパラメータ測定システム（２８０）と、
レジストパラメータ測定システム（２８０）からの情報に基づいて、レジスト（２１０，５４０）を加熱するために加熱ランプ（２４０）を選択的に制御するプロセッサ（２５０）とを含み、前記プロセッサ（２５０）は、加熱ランプ（２４０）を駆動して制御された態様でレジスト（２１０，５４０）を加熱し、これにより、レジストパターンを実質的に保ったままピンホール欠陥を塞ぐのに十分にレジスト（２１０，５４０）を流れさせる、システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
この発明は、一般的に半導体プロセスに関し、特にパターニングされたレジストコーティングにおいてピンホール欠陥を修正するためのプロセスに関する。
【０００２】
【背景技術】
半導体産業では、より高密度の装置へと向かう傾向が続いている。これらの高密度を達成するために、半導体ウェハ上の装置寸法を縮小するよう努力されてきており、今後もその努力は続く。より高い装置密度を達成するために、さらに小さな特徴寸法が必要とされる。これらは、配線の幅および間隔、コンタクトホールの間隔および直径、並びにさまざまな特徴のコーナおよびエッジの表面形状を含んでいてもよい。
【０００３】
高解像度リソグラフィ工程を用いて、隣接した特徴間の間隔が詰まっている小さな特徴を達成する。一般的に、リソグラフィはさまざまな媒体間のパターン転写のための工程を指す。リソグラフィは集積回路製作のために用いられる技術であり、シリコンスライスすなわちウェハが、放射線感光性膜すなわちレジストで均一にコーティングされる。膜は、特定のパターンを形成している介在するマスタテンプレート、すなわちマスクを介して（光学系の光、Ｘ線、または電子ビーム等の）放射線で選択的に露光される。マスクを介して露光されるコーティングの面積は、ある特定の溶剤現像液において（コーティングの種類に応じて）より溶けやすいかまたは溶けにくくなる。より溶けやすい面積は、パターニングされたコーティングの形状で、より溶けにくい面積を残したまま、現像工程において除去される。
【０００４】
パターニングされたレジストコーティングにおいて生じるおそれのある１つの種類の欠陥がピンホール欠陥であり、これはコーティングを貫く孔であり、直径わずか数ミクロンであり得る。ピンホール欠陥は、レジストコーティングおよび調製工程における不均一性、レジストを露光するのに用いられるマスクにおける欠陥、または現像工程における不均一性から生じるおそれがある。非常に薄いレジストコーティングは、特にピンホール欠陥に対して脆弱である。これらの欠陥は、完成した装置において電流リーク等の問題に繋がるおそれがある。ピンホール欠陥を修正するための工程に対する要求は満たされていない。
【０００５】
【発明の開示】
この発明の一局面に従って、レジストコーティングにおけるピンホール欠陥が、レジストを短時間加熱して流れさせピンホールを埋めるようにすることにより修正される。レジストは、十分に長くレジストが流れるような温度またはそれ以上の温度に上げられる。これはレジストが流れてピンホール欠陥を埋めることができるのに十分な長さであるが、レジストパターンを破損するほどではない。もとのレジストパターンは、ピンホール修正工程の間流れがいくらか可能となるようゆがめられてもよい。パターニングされたレジスト全体が一度に加熱されてもよく、または一度に一部分が加熱されてもよい。加熱は、随意にはピンホール欠陥が発見される箇所に制限され得る。この発明により、ピンホール欠陥のない非常に薄いパターニングされたレジストコーティングが得られる。
【０００６】
一局面では、この発明は、基板上のパターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥を修正するためのシステムを提供し、このシステムは、制御された態様でレジストを加熱し、レジストパターンを実質的に保ったまま、ピンホール欠陥を塞ぐのに十分にレジストを流れさせる加熱装置を含む。
【０００７】
別の局面では、この発明は、基板上のパターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥を修正するためのシステムを提供し、このシステムは制御された態様でレジストを加熱し、これによりピンホール欠陥を修正するのに十分にレジストを流れさせるための手段を含む。
【０００８】
別の局面では、この発明は、ピンホール欠陥を有するパターニングされたレジストコーティングを備えた基板を処理する方法を提供し、この方法は、レジストを十分に加熱してレジストを流れさせ、これによりレジストコーティングにおける１つまたは複数のピンホール欠陥を塞ぐステップを含む。
【０００９】
別の局面では、この発明は、パターニングされたレジストコーティングを調製する方法を提供し、この方法は、所望のコーティングパターンよりわずかに小さいパターンを備えたコーティングにレジストを形成するステップと、レジストを加熱し、これによりレジストを、それが所望のパターンを形成するまで流れさせるステップとを含む。
【００１０】
さらなる局面では、この発明は、パターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥を修正する方法を提供し、この方法は、レジストを流れさせ、ピンホール欠陥を埋めるようにするためのステップを含む。
【００１１】
この発明は、以下に十分に記載される特徴、および特許請求の範囲において特に示される特徴にわたる。以下の詳細な記載および添付の図面はこの発明のある具体的な例を詳細に述べる。これらの例は、この発明の原理を用いることのできるさまざまな方法のうちほんの数例を示す。この発明の原理を用いることのできる他の方法、ならびにこの発明の他の目的、利点および新規な特徴は、図面に関連して考慮すると、この発明の詳細な記載から明らかとなるであろう。
【００１２】
【発明を実施するためのモード】
一局面では、この発明は、図１ａに示されるとおり、ピンホール欠陥を修正するためにレジスト１０２を加熱するためのシステム１００を提供する。システム１００は制御された態様でレジスト１０２を加熱し、ピンホール欠陥を塞ぐ制限されたレジストの流れをもたらす。レジスト１０２が加熱される範囲、およびそれが流れる範囲を制限するよう同時に冷却してもよい。
【００１３】
別の局面では、この発明は、図１ｂに示されるとおり、ピンホール欠陥を修正するために、レジストを選択的に加熱する場合にピンホール欠陥を検出するためのシステム１１０を提供する。システム１１０はピンホール欠陥を探すようレジスト１０２をスキャンし、ピンホール欠陥が発見される箇所に制限されたレジストの流れをもたらすよう選択的に加熱する。ピンホール欠陥検出部１１０およびシステム１００は、図１ｂに示されるとおり１つの装置またはシステムの一部であってもよく、またはこれらは図１ｃに示されるとおり別個の装置およびシステムであってもよい。
【００１４】
さらなる局面では、この発明は、パターニングされたレジストを加熱してレジストを流れさせ、パターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥を埋めるようにする方法を提供する。図１ｄはこのような工程のブロック図である。１５０では、レジスト１０２は基板上で第一にコーティングされる。１６０では、レジスト１０２を、マスクを介して光化学作用の放射線に選択的に露光し、その後１７０で、レジストのより溶けにくい部分を現像液で優先的に除去する。１８０では、レジスト１０２を入念に加熱して、ピンホール欠陥を塞ぐのに十分に流れるようにする。
【００１５】
基板は、典型的にはシリコン等の半導体材料である。半導体材料に加えて、基板はさまざまな素子および／または層を含んでいてもよく、金属層、バリア層、誘電体層、装置構造、能動素子および受動素子を含んでおり、これらの素子はシリコンゲート、ワード線、ソース領域、ドレイン領域、ビット線、ベースエミッタ、コレクタ、導電線、導電プラグ等を含む。通常、これらの材料は、レジストが流れる温度より高い融点およびガラス転位温度を有する。
【００１６】
レジストは実際にはいかなる種類であってもよく、有機物または無機物、ポジまたはネガ型、高分子物質または非高分子物質であってもよい。レジストは可視光線、紫外線、またはＸ線に反応するフォトレジストであってもよく、レジストは電子ビームレジストまたはイオンビームレジストであってもよい。レジストは化学的に増幅（ａｍｐｌｉｆｉｅｄ）されてもよい。レジストは、シプレイ社（Ｓｈｉｐｌｅｙ Ｃｏｍｐａｎｙ）、コダック（Ｋｏｄａｋ）、ヘキストセラニーズ社（Ｈｏｅｃｈｓｔ Ｃｅｌａｎｅｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）、クラリアント（Ｃｌａｒｉａｎｔ）、ＪＳＲマイクロエレクトロニクス（ＪＳＲ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）、ハント（Ｈｕｎｔ）、アーチケミカル（Ａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）、アクアメール（Ａｑｕａｍｅｒ）およびブルーワー（Ｂｒｅｗｅｒ）を含む多くのところから市販されている。レジストコーティングの特定の例は、ノバラク（ｎｏｖａｌａｃｓ）、ポリ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン（ＰＢＯＣＯＳ：ｐｏｌｙ−ｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅｓ）、ポリメチルメタクリル酸（ＰＭＭＡ：ｐｏｌｙ−ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅｓ）、ポリ（オレフィンスルホン）（ＰＯＳ：ｐｏｌｙ（ｏｌｅｐｈｉｎ ｓｕｌｆｏｎｅｓ）），およびポリ（メチルイソフェニルケトン）（ＰＭＩＰＫ：ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌ ｉｓｏｐｈｅｎｙｌ ｋｅｔｏｎｅｓ））を含む。
【００１７】
レジストコーティングは、いかなる好適な手段によっても基板表面上に形成され得る。スピンコーティング、ディップコーティングまたは気相成長法を、コーティング材料に応じて用いることができる。たとえば、１５７ｎｍ感光性フォトレジスト、１９３ｎｍ感光性フォトレジスト、Ｉ線、Ｈ線、Ｇ線、Ｅ線、中紫外線、遠紫外線または超遠紫外線フォトレジストを基板表面上でスピンコーティングしてもよい。露光の前に、レジストコーティングをしばしば「ソフトベーク」して溶媒を除去し、基板に対するレジストの密着性、およびスピン工程において直面する剪断力によって生じるアニール応力を改善する。
【００１８】
調製されたコーティングは、マスクを介して光化学作用の放射線に選択的に露光され、これによりレジストの露光された部分を、レジストのトーンに応じて現像液により溶けやすいかまたはより溶けにくくする。露光の後、しかし現像の前には、マスク像またはそのネガはレジストコーティングとともに潜在している。この発明の工程は現像の前に適用され得るが、ピンホール欠陥が現われた場合、現像の後にこれらのプロセスを適用することが多い。ピンホール欠陥は、単に現像工程によって現われるのではなく、現像工程によって作り出されることもある。
【００１９】
レジストコーティングにおけるピンホール欠陥は、レジストが流れ始める温度またはそれ以上の温度にレジストを加熱し、レジストが流れピンホール欠陥を実質的に塞ぐのに少なくとも十分な時間だけその温度を維持することにより修正される。レジストが流れる温度は、当然ながらレジストの個性に応じて決まるが、コーティングの厚さおよび基板表面の組成に応じて決められてもよい。一般的に、レジストは約１００℃から約３００℃の温度で流れ始め、通常用いられるノボラック等のレジストではこの温度範囲の下限近くとされる。一局面では、この発明は約１００℃から約１５０℃の温度までレジストを加熱することを必要とする。別の局面では、この発明は約１００℃から約１２０℃の温度までレジストを加熱することを必要とする。
【００２０】
レジストが流れる温度で維持される時間は一般的に短く、これはピンホール欠陥を塞ぐのに十分であるが、レジストパターンを実質的に変えるほど長くはない。この発明の一局面では、レジストを限られた特徴でパターニングして、ピンホール欠陥修正工程の間いくらか拡大することを可能とする。
【００２１】
レジストが加熱されるのは通常約５秒未満である。この発明の一局面では、その時間は約１秒未満である。この発明の別の局面では、この時間は０．１秒未満である。一般的に、レジストが流れ始める温度よりも高く加熱されるほど、その温度が維持される時間が短くなる。
【００２２】
レジストは、一度に全部、一度に一部分、またはピンホール欠陥が発見された箇所が選択的に加熱され得る。加熱されたレジストは、基板の加熱されていない部分およびその周辺への熱の消散により冷却され得るか、または、冷却プレートもしくは冷却ガスの流れ等のヒートシンクを用いて冷却されてもよい。冷却源を加熱と同時に適用して、加熱が止まった後の急速な温度低下を促進してもよい。
【００２３】
レジストは任意の好適な手段を用いて一度に加熱され得る。例として、１つまたは複数の加熱ランプ、基板がその上に配置されるホットプレート、レジストの上方においてレジスト面近くに配置される高温面、または高温ガスの流れが含まれる。基板全体を一度に加熱すると加熱が有利には均一に保たれ、またこのとき加熱工程を制御するために基板の温度を検知することが一般的に望ましい。
【００２４】
図２には、温度フィードバックでレジスト２１０を加熱するためのシステム２００の例が提供される。基板２２０がプレート２３０の上で支持される。レジストの上でグリッドパターンに配置される複数の加熱ランプ２４０が、プロセッサ２５０によって選択的に制御されてレジスト２１０を均一に加熱する。複数の光学繊維２６０が放射線をレジスト２１０のそれぞれの部分に照射する。光源２７０からの放射線がレジスト２１０から反射され、レジストパラメータ測定システム２８０によって処理されて、レジスト２１０の温度に関する少なくとも１つのパラメータを測定する。
【００２５】
測定システム２８０は干渉計またはスペクトロメータを含んでいてもよい。光源２７０からのレーザ光等の単色放射線が、測定システム２８０を介して複数の光学繊維２６０によりレジスト２１０に向けられる。プロセッサ２５０は測定されたデータを測定システム２８０から受取り、レジスト２１０のそれぞれの部分の温度を判断する。プロセッサ２５０は測定システム２８０に作動的に結合され、ピンホール修正工程を実行するためにレジスト加熱システム２００内のさまざまな構成要素を制御および動作させるようプログラムされる。プロセッサ２５０はまた、加熱ランプ２４０を駆動するランプ駆動システム２９０に結合される。ランプ駆動システム２９０は、プロセッサ２５０によって制御されてそれぞれの加熱ランプ２４０の熱出力を選択的に変える。レジスト２１０の各それぞれの部分は対応するランプ２４０およびこれに関連する光学繊維２６０を有する。プロセッサ２５０はさまざまなレジスト部分の温度を監視することができ、対応する加熱ランプ２４０により各部分の温度を選択的に調節することができる。結果として、システム２００はレジスト２１０の温度を実質的に均一となるよう調節して、これにより、レジストパターンを実質的に保ったままピンホール欠陥をなくすのに十分な流れを生じさせる工程を促進する。
【００２６】
レジストが十分に加熱されると、レジストの流れが止まるまで、自然対流ならびに基板の加熱されていない部分および周辺への熱の消散により冷却されてもよい。しかしながら、冷却源を適用することにより、流れの範囲を制御することが容易となり得る。冷却源の例として、基板がその上に配置される低温プレートおよび基板の上を対流で循環する冷却ガスが含まれる。低温プレートは低温の液体の循環により、またはペルティエ素子により冷却されてもよい。冷却ガスは、ガスを熱交換器を介して送ることにより、またはガスを高圧源から排出しこれによりジュールトムソン効果を利用することにより、リザーバから供給されてもよい。低温プレートが用いられる場合では特に、加熱と同時に冷却して、加熱が止まった後の急速な冷却を促進することができる。
【００２７】
図２によって例示される特定の例では、プレート２３０は、低温の流体が中を循環している低温プレートである。基板２３０が上方から加熱され下方から冷却されると、温度勾配が基板２３０内で進み、これによりレジスト２１０の温度が基板２３０の平均温度より高くなる。十分な加熱によりレジストが流れピンホール欠陥が塞がれると加熱が止まり、レジストが、基板２３０のより低温の部分への熱伝導のために急速に冷める。これによりレジスト２１０の流れが突然止まるので、レジストの流れの範囲が正確に制御される。
【００２８】
代替的な方策は、図３に概略的に示されるように、パターニングされたレジストを一度に一部分だけ加熱することである。たとえば、３００では、レジストはグリッドに分けられ、一度に１グリッド部分が加熱されてもよく、または一連のバンドに分けられて、作用３１０、３２０および３３０により示されるとおり一度に１バンドが加熱されてもよい。加熱源がレジスト全体をスキャンしてもよく、または１つの領域から別の領域へと転々と移ってもよい。レジストを一度に一部分だけ加熱する利点は、レジストおよび基板の加熱されていない部分がヒートシンクとして作用してレジストの流れの速やかな中止を容易にすることである。
【００２９】
図２に示されるものと類似のシステムを用いて、基板全体をスキャンして一度に１バンドのレジストを加熱してもよい。この例では、加熱ランプおよび温度検出器が一列に配置され、基板はランプおよび検出器を通り過ぎてこの列に対して垂直な方向に運ばれる。プロセッサは基板を移動させるためにシステムに結合されてもよく、このためランプからの光度に加えて移動速度を制御することができる。冷却プレートは基板の下に配置され、基板とともに加熱ランプを通り過ぎるよう運ばれ得る。
【００３０】
図４に概略的に示される別の方策は、ピンホール欠陥の位置を突き止め、欠陥の付近でレジストを選択的に加熱することである。欠陥はその寸法に応じて、光学顕微鏡、電子顕微鏡、または原子間力顕微鏡もしくは走査型トンネル顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡を含むいかなる好適な手段によっても検出され得る。加熱ランプ、レーザまたはレジスト付近の高温の表面位置を含むいずれかの好適な手段によって、ピンホール欠陥付近でレジストを加熱してもよい。レジスト付近の表面を、たとえば抵抗体を介して電流を流すことにより、または金めっき等の吸着面上にレーザを照射することにより加熱してもよい。レジストまたは吸着体を加熱するための好適なレーザはＵＶ範囲から赤外線までの波長を有していてもよく、パルス状であってもよく、または連続的であってもよい。ＵＶレーザは可視光線または赤外線レーザより精密に焦点を合わせることができるという利点を有するが、いくつかの材料の化学分解を生じるという不利点を有する。４００では、レジスト表面のピンホール欠陥に対する系統的なスキャンを行なう。４１０では、欠陥が発見されない場合、スキャン４３０が欠陥を探して続けられる。欠陥が４１０で発見されると、４２０で、欠陥に隣接する領域が十分に加熱されて、レジストを流れさせ欠陥を塞ぐ。
【００３１】
ピンホール欠陥の位置を突き止め修正するための例示的なシステムが図５に示される。原子間力顕微鏡５００は白金／ロジウム線５２０を備えた先端５１０を有する。顕微鏡５００はレジスト５４０でコーティングされた基板５３０の表面全体をスキャンする。ピンホール欠陥がレジスト５４０に検出されると、先端５１０が孔からレジスト５４０の少し上に持ち上げられて、孔の上でセンタリングされ、十分な電流が線５２０を介して流されて、レジスト５４０が流れその孔を埋めるまでその孔辺りのレジスト５４０を加熱する。これに代えて、先端５１０に金めっきを施し、先端５１０のめっき部分上にレーザを集中させることにより熱を与えてもよい。また、たとえばレジスト上にレーザを集中させることによりレジストを直接加熱することもできる。顕微鏡の検出先端とは別個の加熱体によって熱を生成することもできる。加熱されるべき面積の辺りを流れる冷風の流れを用いて、レジストが流れる面積を局在化するよう促進することができる。同様に、制御された流れを基板の下にある冷却プレートにより促進してもよい。
【００３２】
上述の記載はこの発明およびいくつかのその特定の局面である。当然、この発明を記載する目的のための構成要素または方法の考えられ得る組合せをすべて記載することは不可能であるが、通常の当業者はこの発明のさらなる多くの組合せおよび交換が可能であることを理解するであろう。したがって、この発明は、前掲の特許請求の範囲の精神および範囲内のそのような変更、修正および変形をすべて包含することを意図するものである。
【００３３】
［産業上の利用可能性］
この発明は半導体プロセスの分野における産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】この発明の一局面に従ったシステムのハイレベルの概略図である。
【図１ｂ】この発明の一局面に従った別のシステムのハイレベルの概略図である。
【図１ｃ】この発明の一局面に従った別のシステムのハイレベルの概略図である。
【図１ｄ】この発明の一局面に従った工程の概略図である。
【図２】この発明の一局面に従った工程を実現するために用いることができる装置の概略図である。
【図３】この発明の別の局面に従った工程の概略図である。
【図４】この発明のさらなる局面に従った工程の概略図である。
【図５】この発明の一局面を実現するために用いることができる原子間力顕微鏡の概略図である。
【図１ａ】
2004512676.tif 000003
【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004512676.tif 000009
【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004512676.tif 000027
2004512676.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成15年2月11日(2003.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２２０）上のパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥を修正するためのシステム（２００，５００）であって、
制御された態様でレジスト（２１０，５４０）を加熱して、これにより、ピンホール欠陥を修正するのに十分にレジスト（２１０，５４０）を流れさせるための手段（２４０，５２０）と、ピンホール欠陥を検出するための手段（５１０）とを含む、システム。
【請求項２】
システムはピンホール欠陥が発見されたレジストを選択的に加熱する、請求項１に記載のシステム（２００，５００）。
【請求項３】
基板（２２０）上のパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥を修正するためのシステム（２００，５００）であって、
制御された態様でレジスト（２１０，５４０）を加熱し、レジストパターンを実質的に保ったままピンホール欠陥を塞ぐのに十分にレジスト（２１０，５４０）を流れさせる加熱装置（２４０，５２０）を含み、前記システムはさらに、
ピンホール欠陥検出装置（５１０）を含み、加熱装置（２４０，５２０）はピンホール欠陥が検出される面積だけレジスト（２１０，５４０）を選択的に加熱する、システム。
【請求項４】
同装置（５１０）を用いてピンホール欠陥を検出し修正する、請求項３に記載のシステム（２００，５００）。
【請求項５】
ピンホール欠陥を有するパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）を備えた基板（２２０）を処理する方法であって、
パターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥の位置を突き止めるステップと、
レジストコーティング（２１０，５４０）を十分に加熱してレジストコーティング（２１０，５４０）を流れさせ、これによりレジストコーティング（２１０，５４０）における１つまたは複数のピンホール欠陥を塞ぐステップとを含む、方法。
【請求項６】
位置が突き止められたピンホール欠陥のすぐ近くだけ、レジスト（２１０，５４０）が加熱される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
レジストの流れの範囲を制限するためにレジストを冷却するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
基板（２２０）が、レジスト（２１０，５４０）が加熱される間冷却される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
位置が突き止められたピンホール欠陥のすぐ近くだけにレジストコーティング（２１０，５４０）が流れ始めるような温度またはそれ以上の温度にレジストコーティング（２１０，５４０）を加熱するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
基板（２２０）上のパターニングされたレジストコーティング（２１０，５４０）におけるピンホール欠陥を修正するためのシステム（２００，５００）であって、
レジスト（２１０，５４０）のそれぞれの部分の上に放射線を照射する複数の光学繊維（２６０）と、
レジスト（２１０，５４０）から反射した放射線に基づいて、レジスト（２１０，５４０）の温度に関する少なくとも１つのパラメータを測定するレジストパラメータ測定システム（２８０）と、
レジストパラメータ測定システム（２８０）からの情報に基づいて、レジスト（２１０，５４０）を加熱するために加熱ランプ（２４０）を選択的に制御するプロセッサ（２５０）とを含み、前記プロセッサ（２５０）は、加熱ランプ（２４０）を駆動して制御された態様でレジスト（２１０，５４０）を加熱し、これにより、レジストパターンを実質的に保ったままピンホール欠陥を塞ぐのに十分にレジスト（２１０，５４０）を流れさせる、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一局面では、この発明は、基板上のパターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥を修正するためのシステムを提供し、このシステムは制御された態様でレジストを加熱し、これによりピンホール欠陥を修正するのに十分にレジストを流れさせるための手段と、ピンホール欠陥を検出するための手段とを含む。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
別の局面では、この発明は、ピンホール欠陥を有するパターニングされたレジストコーティングを備えた基板を処理する方法を提供し、この方法は、パターニングされたレジストコーティングにおけるピンホール欠陥の位置を突き止め、レジストコーティングを十分に加熱してレジストコーティングを流れさせ、これによりレジストコーティングにおける１つまたは複数のピンホール欠陥を塞ぐステップを含む。




【国際調査報告】
2004512676.tif 000029
2004512676.tif 000030