(57)【要約】半導体ウエハを洗浄する配合物であって、２−９８重量％の無機アミン、０−５０重量％の水、０．１−６０重量％の1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤、０−２５重量％の追加の１または複数の異なるキレート化剤、０．５−４０重量％の窒素含有カルボン酸またはイミン、２−９８重量％の極性有機溶媒を含む。配合物は、レジストプラズマアッシング工程の後に、ウエハから残渣を除去するのに有用であり、例えば、精密な銅の相互接続構造を含む半導体ウエハから無機残渣を除去するのに有用である。
2004527105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマアッシング後の半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄配合物であって、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む配合物。
【表１】
2004527105.tif 000010
【請求項２】
前記１または複数の有機アミンが、
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）  ５−９５％、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）  ５−９５％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項３】
前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
2,4-ペンタンジオン  ２−９０％、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド  ２−９０％、
アセト酢酸メチル  １５−７０％、
ジメチルマロネート  １０−４８．３％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項４】
前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
イミノ二酢酸（ＩＤＡ）  ０．５−２．５％、
グリシン  ０．５−２．５％、
ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）  ０．５−２．５％、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）  ０．５−２．５％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項５】
前記極性有機溶媒が、
エチレングリコール  ０−７４％、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）  ０−４９％、
スルホラン  ０−１０％
から成る群から選択される溶媒種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項６】
前記追加の異なる１または複数のキレート化剤が、
ピロリジンジチオカルバミド酸アンモニウム  ０−２５％、
カルバミド酸アンモニウム  ０−１５％、
シュウ酸アンモニウム  ０−１５％、
チオシアン酸アンモニウム  ０−１５％、
チオ硫酸アンモニウム  ０−１５％、
トリフルオロ酢酸  ０−１２％
から成る群から選択される種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項７】
前記１または複数の有機アミンが、
モノエタノールアミン、
ジグリコールアミン、
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、
ジアザビシクロ（2.2.2）オクタン、
ジエチレントリアミン、
3,3'-イミノビス（N,N-ジメチルプロピルアミン）、
Ｎ−メチルイミダゾール、
テトラエチレンペンタアミン、
トリエチレンテトラアミン、
トリメトキシエトキシエチルアミン、
ジエタノールアミン、
メチルジエタノールアミン、
テトラメチルヘキサンジアミン、
N,N-ジエチルエタノールアミン
から成る群から選択される種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項８】
前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
2,4-ペンタンジオン、
アセト酢酸メチル、
ジメチルマロネート、
Ｎ−メチルアセトアセトアミド、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド、
アセトアセトアミド、
マロンアミド
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項９】
前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、
グリシン、
ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、
CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、
(CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、
HOOCCH2N(CH3)2、
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH
から成る群から選択される、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項１０】
前記１または複数の有機アミンが、
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）  ５−９５％、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）  ５−９５％
から成る群から選択される化合物を含み、
前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
2,4-ペンタンジオン  ２−９０％、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド  ２−９０％、
アセト酢酸メチル  １５−７０％、
ジメチルマロネート  １０−４８．３％
から成る群から選択される化合物を含み、
前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
イミノ二酢酸（ＩＤＡ）  ０．５−２．５％、
グリシン  ０．５−２．５％、
ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）  ０．５−２．５％、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）  ０．５−２．５％
から成る群から選択される化合物を含み、且つ
前記極性有機溶媒が、
エチレングリコール  ０−７４％、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）  ０−４９％、
スルホラン  ０−１０％。
から成る群から選択される溶媒種を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【請求項１１】
下記の式で表されるキレート化剤を含む、請求項１に記載の洗浄配合物。
【化１】
2004527105.tif 000011
（式中、Ｒは、水素原子または脂肪族基であり、ＸおよびＹは、電子吸引特性を有する多重結合部分を含む官能基である）
【請求項１２】
ＸおよびＹの各々が、独立して、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＲ'、ＣＯＮＲ'Ｒ"、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯＲ'、およびＳＯ２Ｚ（ここで、Ｒ'およびＲ"はアルキル基であり、Ｚは水素、ハロゲン、またはアルキル基である）から選択される、請求項１１に記載の洗浄配合物。
【請求項１３】
前記窒素含有カルボン酸が下記の式を有する、請求項１に記載の洗浄配合物。
【化２】
2004527105.tif 000012
（式中、ＲおよびＲ’の各々は、独立して、水素、アルキル、アリールおよびカルボン酸から成る群から選択される）
【請求項１４】
半導体ウエハを製造する方法であって、
金属被覆層を、ウエハの表面からプラズマエッチングすること、
ウエハの表面からレジストをプラズマアッシングすること、
ウエハを、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む半導体ウエハ洗浄配合物で、洗浄すること
【表２】
2004527105.tif 000013
を含む工程を含む方法。
【請求項１５】
前記１または複数の有機アミンが、
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）  ５−９５％、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）  ５−９５％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
2,4-ペンタンジオン  ２−９０％、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド  ２−９０％、
アセト酢酸メチル  １５−７０％、
ジメチルマロネート  １０−４８．３％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
イミノ二酢酸（ＩＤＡ）  ０．５−２．５％、
グリシン  ０．５−２．５％、
ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）  ０．５−２．５％、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）  ０．５−２．５％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記極性有機溶媒が、
エチレングリコール  ０−７４％、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）  ０−４９％、
スルホラン  ０−１０％
から成る群から選択される溶媒種を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記追加の異なる１または複数のキレート化剤が、
ピロリジンジチオカルバミド酸アンモニウム  ０−２５％、
カルバミド酸アンモニウム  ０−１５％、
シュウ酸アンモニウム  ０−１５％、
チオシアン酸アンモニウム  ０−１５％、
チオ硫酸アンモニウム  ０−１５％、
トリフルオロ酢酸  ０−１２％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記１または複数の有機アミンが、
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、
モノエタノールアミン、
ジグリコールアミン、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、
ジアザビシクロ（2.2.2）オクタン、
ジエチレントリアミン、
3,3'-イミノビス（N,N-ジメチルプロピルアミン）、
Ｎ−メチルイミダゾール、
テトラエチレンペンタアミン、
トリエチレンテトラアミン、
トリメトキシエトキシエチルアミン、
ジエタノールアミン、
メチルジエタノールアミン、
テトラメチルヘキサンジアミン、
N,N-ジエチルエタノールアミン
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
2,4-ペンタンジオン、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド、
アセト酢酸メチル、
ジメチルマロネート、
Ｎ−メチルアセトアセトアミド、
アセトアセトアミド、
マロンアミド
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、
グリシン、
ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、
CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、
(CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、
HOOCCH2N(CH3)2、
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記１または複数の有機アミンが、
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）  ５−９５％、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）  ５−９５％
から成る群から選択される化合物を含み、
前記1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤が、
2,4-ペンタンジオン  ２−９０％、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド  ２−９０％、
アセト酢酸メチル  １５−７０％、
ジメチルマロネート  １０−４８．３％
から成る群から選択される化合物を含み、
前記窒素含有カルボン酸またはイミンが、
イミノ二酢酸  ０．５−２．５％、
グリシン  ０．５−２．５％、
ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）  ０．５−２．５％、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）  ０．５−２．５％
から成る群から選択される化合物を含み、且つ
前記極性有機溶媒が、
エチレングリコール  ０−７４％、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）  ０−４９％、
スルホラン  ０−１０％
から成る群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
配合物が、下記の式で表されるキレート化剤を含む、請求項１４に記載の方法。
【化３】
2004527105.tif 000014
（式中、Ｒは、水素原子または脂肪族基であり、ＸおよびＹは、電子吸引特性を有する多重結合部分を含む官能基である）
【請求項２５】
ＸおよびＹの各々が、独立して、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＲ'、ＣＯＮＲ'Ｒ"、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯＲ'、およびＳＯ２Ｚ（ここで、Ｒ'およびＲ"はアルキル基であり、Ｚは水素、ハロゲン、またはアルキル基である）から選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
下記の式で表される窒素含有カルボン酸を有する、請求項１４に記載の方法。
【化４】
2004527105.tif 000015
（式中、ＲおよびＲ’の各々は、独立して、水素、アルキル、アリールおよびカルボン酸から成る群から選択される）
【請求項２７】
ウエハから残渣を除去し、次いでレジストプラズマアッシング工程を当該ウエハについて実施する方法であって、ウエハを、（ｉ）１または複数の有機アミン、（ii）水、（iii）1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤、（iv）窒素含有カルボン酸またはイミン、（ｖ）極性有機溶媒、および必要に応じて（vi）追加の異なる１または複数のキレート化剤を含む洗浄配合物と接触させることを含む方法。
【請求項２８】
（ｉ）１または複数の有機アミン、（ii）水、（iii）1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤、（iv）窒素含有カルボン酸またはイミン、（ｖ）極性有機溶媒、および必要に応じて（vi）追加の異なる１または複数のキレート化剤を含むウエハ洗浄配合物。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、１９９７年１２月２３日に出願され、米国を指定国として指定している国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９７／２３９１７に基づき、その優先権を主張して、１９９９年８月２０日に出願された米国特許出願第０９／３３１５３７号の一部継続出願である。
【発明の背景】
【０００２】
（発明の分野）
本発明は一般に、半導体ウエハの製造に有用な化学配合物に関し、特にレジストプラズマアッシング工程の後にウエハから残渣を除去するのに利用される化学配合物に関する。より具体的には、本発明は、精密な銅の相互接続（または相互配線もしくはインターコネクト）構造を含む半導体ウエハから、無機残渣を除去するための洗浄配合物に関する。
【０００３】
（従来技術の説明）
レジストのアッシング（または灰化；ashing）工程の後に残渣を除去し、ウエハを清浄にするために、種々の化学配合物が常套的に採用されている。これらの化学配合物の幾つかには、アミンおよび／またはテトラアルキル水酸化アンモニウム、水および／または他の溶媒、ならびにキレート化剤を含むアルカリ性組成物が含まれる。そのような配合物は、金属または絶縁層の好ましくない除去、および望ましい金属層、特に銅または銅合金の主要部の侵食の促進を含む欠点を伴っていた。
【０００４】
そのような配合物の幾つかは、腐食防止添加剤を採用して、洗浄プロセス中の望ましくない銅金属の腐食を防止している。しかしながら、常套の腐食防止添加剤は、一般には、洗浄プロセスに不利な影響を及ぼす。なぜならば、そのような添加剤は、残渣と相互作用して、当該残渣が洗浄流体中に溶解することを阻害するからである。さらに、常套の添加剤は、洗浄プロセスが終了した後、銅表面から容易に濯ぎ落とされず、それらの存在は、集積回路の汚染（またはコンタミネーション）を招く。集積回路の汚染は、汚染された領域の電気抵抗を不利に上昇させ、予想できない導電不良を回路内で引き起こすであろう。
【０００５】
したがって、本発明の目的は、レジストアッシング工程の後に残渣を効果的に除去する化学配合物を提供することである。
【０００６】
別の目的は、ウエハに残存する精密な金属構造体を攻撃せず、また潜在的に劣化させないウエハの洗浄配合物を提供することである。
【０００７】
本発明のさらに別の目的は、残渣除去プロセスが完了した後に、水または他の濯ぎ媒体で容易に濯ぎ落とされ、それによりウエハ基板上の集積回路の汚染を減少させる組成物の形態で、半導体基板上の銅構造体を保護するための改良された腐食防止剤を含むウエハ洗浄配合物を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的および利点は、以下の開示および添付の請求の範囲から十分に明らかになるであろう。
【発明の概要】
【０００９】
本発明は、例えばプラズマアッシング後の半導体製造において、半導体ウエハの洗浄に有用な半導体ウエハ洗浄配合物に関する。
【００１０】
１つの要旨において、本発明は、ウエハのレジストプラズマアッシング工程の後に、ウエハから残渣を除去する方法であって、ウエハを、（ｉ）有機アミン、（ii）水、（iii）窒素含有カルボン酸またはイミン、（iv）1,3-ジカルボニルキレート化化合物、（ｖ）極性有機溶媒、および必要に応じて（vi）少なくとも１つの他の金属キレート化剤を含む洗浄配合物と接触させることを含む方法に関する。
【００１１】
本発明の別の要旨は、（ｉ）有機アミン、（ii）水、（iii）窒素含有カルボン酸またはイミン、（iv）1,3-ジカルボニルキレート化化合物、（ｖ）極性有機溶媒、および必要に応じて（vi）少なくとも１つの他の金属キレート化剤を含むウエハ洗浄配合物に関する。
【００１２】
さらに別の要旨において本発明は、プラズマアッシング後の半導体製造において使用するための半導体ウエハ洗浄配合物であって、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む配合物に関する。
【表１】
2004527105.tif 000003
【００１３】
本発明の配合物は、プラズマアッシング工程の後で、無機残渣、特に金属ハロゲン化物および金属酸化物残渣を有効に除去する。そのような配合物はまた、それらが使用されている間、半導体ウエハ上の銅金属構造体の望ましくない腐食または除去を有意に減少させる。
【００１４】
加えて、本発明の配合物は、残渣除去プロセスの後の汚染をより少なくし、したがって最終的に得られるマイクロ電子デバイス製品の質を向上させる。
【００１５】
本発明の他の特徴および利点は、以下の開示および添付した請求の範囲から明らかであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、ウエハの無機残渣をストリッピングするのに適した配合物に関する。無機残渣は、高密度プラズマエッチングし、次いで酸素含有プラズマでアッシングすることにより生じる。
【００１７】
配合物は、有利には、1,3-ジカルボニル化合物および／または他の金属キレート化剤、窒素含有カルボン酸またはイミン、アミン、および水または他の溶媒を主たる成分として含む。
【００１８】
好ましい配合物は、下記の成分を、（配合物の全重量を基準として）下記に示す重量％の範囲で含む。
【表２】
2004527105.tif 000004
【００１９】
上述の配合物の成分は、当業者に認識されるであろう、いずれの適当なタイプまたは種のものであり得る。配合物の構成成分の各々について、特定の例示的な好ましい配合物成分を、以下に説明し、特定の成分は、上述した全重量を基準とする、配合物中のその好ましい重量％濃度とともに特定される。
【００２０】
好ましいアミンには下記のものが含まれる。
ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）  ５−９５％、
トリエタノールアミン（ＴＥＡ）  ５−９５％。
【００２１】
非常に好都合である他のアミンには下記のものが含まれる。
モノエタノールアミン、
ジグリコールアミン、
ジアザビシクロ（2.2.2）オクタン、
ジエチレントリアミン、
3,3'-イミノビス（N,N-ジメチルプロピルアミン）、
Ｎ−メチルイミダゾール、
テトラエチレンペンタアミン、
トリエチレンテトラアミン、
トリメトキシエトキシエチルアミン、
ジエタノールアミン、
メチルジエタノールアミン、
テトラメチルヘキサンジアミン、
N,N-ジエチルエタノールアミン。
【００２２】
特定の好ましい1,3-ジカルボニル化合物キレート化剤には下記のものが含まれる。
2,4-ペンタンジオン  ２−９０％、
N,N-ジメチルアセトアセトアミド  ２−９０％、
アセト酢酸メチル  １５−７０％、
ジメチルマロネート  １０−４８．３％。
【００２３】
非常に好都合である他の1,3-ジカルボニル化合物には下記のものが含まれる。
Ｎ−メチルアセトアセトアミド、
アセトアセトアミド、
マロンアミド。
【００２４】
好ましい窒素含有カルボン酸またはイミンには下記のものが含まれる。
イミノ二酢酸  ０．５−２．５％、
グリシン  ０．５−２．５％、
ニトリロ三酢酸  ０．５−２．５％、
1,1,3,3-テトラメチルグアニジン  ０．５−２．５％。
【００２５】
非常に好都合である他の好ましい窒素含有カルボン酸またはイミンには下記のものが含まれる。
CH3C(=NCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NCH2CH2OCH2CH2OH)CH2C(O)N(CH3)2、
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3、
(CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2、
HOOCCH2N(CH3)2、
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH。
【００２６】
好ましい溶媒には下記のものが含まれる。
水  ０−５０％、
エチレングリコール  ０−７４％、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）  ０−４９％、
スルホラン  ０−１０％。
【００２７】
本発明の配合物のいくつかにおいて、適宜用いられる好ましい二次的な又は代替のキレート化剤には下記のものが含まれる。
ピロリジンジチオカルバミド酸アンモニウム  ０−２５％、
カルバミド酸アンモニウム  ０−１５％、
シュウ酸アンモニウム  ０−１５％、
チオシアン酸アンモニウム  ０−１５％、
チオ硫酸アンモニウム  ０−１５％、
トリフルオロ酢酸  ０−１２％。
【００２８】
1,3-ジカルボニル化合物および／または他の金属キレート化剤を含む配合物をアミンおよび溶媒と組み合わせて利用することは、技術の独特な改善が実現されることを可能にする。本発明の配合物は、より良好なストリッピング性能を提供し、また、カテコール、アミンおよび溶媒を含む常套のウエハストリッピング配合物よりも腐食性が少ない。
【００２９】
窒素含有カルボン酸またはイミンの添加は、本発明の別の有利な改良点である。窒素含有カルボン酸またはイミンは、自由な銅原子に特に引き付けられる官能基を有する。図１に示されるように、残基除去プロセスの間、銅表面と接触する銅特異的な（または銅に有効な）腐食防止剤Ｃは、銅表面に付着して保護層を形成して、銅表面が洗浄剤Ａ＋およびＸ−によって腐食されるのを防止する。さらに、図２に示すように、そのような銅特異的な腐食防止剤Ｃは、脱イオン水または他の濯ぎ媒体で容易に濯ぎ落とすことができ、したがって、洗浄操作が終了した後の銅表面の汚染を非常に少なくする。
【００３０】
本発明の配合物は、具体的に例示したもの以外にも、種々の溶媒、有機アミン、キレート化剤、および窒素含有カルボン酸またはイミンを含んでよい。特に、1,3-ジカルボニル化合物および適当な性質を有する関連する化合物には、下記の式の化合物が含まれる。
【化１】
2004527105.tif 000005
（式中、Ｒは、水素原子または脂肪族基、例えばＣ１−Ｃ８アルキル、アリール、アルケニル等であり、ＸおよびＹは、同じ又は互いに異なるものであって、電子吸引特性を有する多重結合部分を含む官能基、例えば、ＣＯＮＨ２、ＣＯＮＨＲ'、ＣＯＮＲ'Ｒ'、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯＲ'、またはＳＯ２Ｚ（ここで、Ｒ'およびＲ"は同じ又は異なるものであって、Ｃ１−Ｃ８アルキル基を示し、Ｚは他の原子または基、例えば水素、ハロゲン、またはＣ１−Ｃ８アルキル基を示す）である。）
【００３１】
本発明の一般的な実施において有用性を有する追加の窒素含有カルボン酸には、下記の式の化合物が含まれる。
【化２】
2004527105.tif 000006
（式中、ＲおよびＲ’の各々は、独立して、水素、アルキル、アリールおよびカルボン酸から成る群から選択される）
【００３２】
上記において具体的に言及したもの以外のカルバミド酸塩およびジアルキルジチオカルバミド酸塩を、本発明の一般的な実施において、キレート化剤として使用してよい。
【００３３】
種々の他の極性有機溶媒を、例えば単独で又は水と混合して使用してよい。
【００３４】
本発明の配合物は、本発明の配合物の所定の最終用途において、有用な又は望ましいものとして、界面活性剤、安定剤、腐食防止剤、緩衝剤および補助溶剤のような成分をもまた適宜含んでよい。
【００３５】
本発明の配合物は、塩素またはフッ素を含むプラスマでエッチングされ、続いて酸素プラズマアッシングされたウエハについて、特に有用である。このタイプの加工により生じる残渣は、一般的に酸化金属を含む。有効なデバイス性能に必要とされる金属の主要部の腐食を引き起こすことなく、これらの残渣が完全に溶解することはしばしば困難である。
【００３６】
本発明の特徴および利点は、下記の非制限的な実施例によってより十分に示される。
【実施例１】
【００３７】
窒素含有カルボン酸およびイミンのうちどちらかが含まれる銅特異的な腐食防止剤を、下記の成分および特性を有する、２つの異なるタイプのアルカリ性洗浄配合物中で試験した。
【００３８】
【表３】
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【００３９】
銅エッチ速度は、標準の四点プローブ法によって決定した。本発明に従って腐食防止剤を添加することによって、銅エッチ速度が下記の表に示すように有意に低下し、洗浄プロセスの間の望ましくない腐食が有効に防止された。
【００４０】
【表４】
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【実施例２】
【００４１】
汚染試験を、イミノ二酢酸防止剤（またはインヒビター）を含む配合物２について実施した。洗浄すべき半導体ウエハは、銅およびシリコンフィルムを含んでいた。洗浄操作が終了した後、ウエハを２５℃の脱イオン水で約１５分間濯いだ。得られた二次イオン質量分光分析（ＳＩＭＳ）データは下記のとおりである。
【表５】
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【００４２】
上記の結果は、酸化銅ＣｕｘＯが洗浄プロセスによって有効に除去され、一方、洗浄配合物中の有機腐食防止剤によって主に引き起こされる炭素による汚染が著しく減少したことを示している。
【００４３】
本発明を、特定の特徴、要旨、および態様を参照して説明したが、本発明はそのように限定されるものでないことが理解されるであろう。本発明は、従って、種々の組成物において相応じて、対応する成分のバリエーションおよび最終用途について、具現化される。したがって、ここで請求する発明の精神および範囲内において、本発明は、すべてのそのような変形例、改変物および代替の形態を包含するものであると、理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明の一般的な実施において有用である、銅金属の上に保護層を形成して腐食を防止する銅特異的な腐食防止剤の模式図である。
【図２】図２は、脱イオン水で銅表面から濯ぎ落とされる、銅特異的な腐食防止剤の模式図である。
【図１】
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【図２】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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