(57)【要約】【課題】半導体基板（例えば、半導体チップ）を有機基板（例えば、チップ・キャリア）に結合する方法と構造を提供する。【解決手段】前記結合により、ハンダ部材（例えば、ハンダ・ボール）は半導体基板上の導電性パッドおよび有機基板上の導電性パッドの両方と境を接する。半導体基板上のパッドの表面積を有機基材上のパッドの表面積より大きくすることにより、熱サイクル中のハンダ部材の熱ひずみを減少させることができる。ハンダ部材の中心線から、半導体基板の最も近い端部までの距離を、約０．２５ｍｍより大きくすることによってもまた、熱サイクル中のハンダ部材の熱ひずみを減少させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電性パッドをその上に有する半導体基板と、
第２の導電性パッドをその上に有する有機基板と、
前記第１のパッドを前記第２のパッドに電気的に結合するハンダ部材と
を備え、
前記第１のパッドの表面積が前記第２のパッドの表面積より大きいことを特徴とするエレクトロニクス構造体。
【請求項２】
前記ハンダ部材の中心線から、前記半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約０．２５ｍｍまたは０．４０ｍｍである請求項１に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項３】
前記半導体基板と前記有機基板の間のアンダーフィル材をさらに備え、前記アンダーフィル材が前記ハンダ部材を包み込み、また前記アンダーフィル材の弾性率が少なくとも約１ＧＰａである請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項４】
前記有機基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）が約１０ｐｐｍ／℃と約１８ｐｐｍ／℃の間である請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項５】
ＣＳＯＬＤＥＲを前記ハンダ部材のＣＴＥ、ＣＯＲＧＡＮＩＣを前記有機基板のＣＴＥ、ＣＳＥＭＩを前記半導体基板のＣＴＥとして、Ｐを、（ＣＳＯＬＤＥＲ−ＣＯＲＧＡＮＩＣ）／（ＣＳＯＬＤＥＲ−ＣＳＥＭＩ）として定義すると、Ｐが約０．１５と約０．７５の間である請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項６】
前記有機基板が、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、およびこれらの組合せからなる群から選択される有機材料を含む請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項７】
前記ハンダ部材が、controlled collapse chip connection（Ｃ４）ハンダ・ボールを含む請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項８】
前記ハンダ部材が鉛−スズ合金を含む請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項９】
前記有機基板において、前記第１のパッドの表面積が、少なくとも約１．２倍または、約１．１と約１．３倍の間または、約１．３と２．０倍の間だけ前記第２のパッドの表面積より大きく、ハンダ部材が前記第１のパッドを前記第２のパッドに電気的に結合する請求項１に記載のエレクトロニクス構造体。
【請求項１０】
第１の導電性パッドをその上に有する半導体基板を形成することと、
第２の導電性パッドをその上に有する有機基板を形成することと、
ハンダ部材の使用により、前記第１のパッドを前記第２のパッドに電気的に結合することと
を含み、前記第１のパッドの表面積が前記第２のパッドの表面積より大きいことを特徴とするエレクトロニクス構造体を形成する方法。
【請求項１１】
前記ハンダ部材の中心線から、前記半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約０．２５ｍｍまたは０．４０ｍｍである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体基板と前記有機基板の間にアンダーフィル材を入れ、前記アンダーフィル材の弾性率が少なくとも約１ＧＰａである請求項１０または１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記有機基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）が約１０ｐｐｍ／℃と約１８ｐｐｍ／℃の間である請求項１０または１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ＣＳＯＬＤＥＲを前記ハンダ部材１６のＣＴＥ、ＣＯＲＧＡＮＩＣを前記有機基板１４のＣＴＥ、ＣＳＥＭＩを前記半導体基板１２のＣＴＥとして、Ｐを、（ＣＳＯＬＤＥＲ−ＣＯＲＧＡＮＩＣ）／（ＣＳＯＬＤＥＲ−ＣＳＥＭＩ）として定義すると、Ｐが約０．１５と約０．７５の間である請求項１０または１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記有機基板が、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、およびこれらの組合せからなる群から選択される有機材料を含む請求項１０または１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ハンダ部材が、Ｃ４ハンダ・ボールを含む請求項１０または１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハンダ部材が鉛−スズ合金を含む請求項１０または１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記形成ステップにおいて、前記第１のパッドの表面積が、少なくとも約１．２倍または、約１．１と約１．３倍の間または、約１．３と２．０倍の間だけ前記第２のパッドの表面積より大きい請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機チップ・キャリアへ半導体チップをハンダ・ボールにより結合する方法および構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを有機チップ・キャリアに結合するハンダ・ボールは、熱サイクル中に、熱に誘起されてひずむ。熱により発生するこのひずみにより、不可避的にハンダが損傷を受け、十分なサイクルが行われると、クラック発生と電気的不良に至る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように、前記の熱により発生するひずみを小さくして疲労寿命を延ばす方法および構造が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、
第１の導電性パッドをその上に有する半導体基板；
第２の導電性パッドをその上に有する有機基板；
を備え、第１のパッドの表面積は第２のパッドの表面積より大きく、さらに
第１のパッドを第２のパッドに電気的に結合するハンダ部材；
を備えるエレクトロニクス構造体（electronic structure）を提供する。
【０００５】
本発明は、
第１の導電性パッドをその上に有する半導体基板；
第２の導電性パッドをその上に有する有機基板；および
第１のパッドを第２のパッドに電気的に結合するハンダ部材；
を備え、ハンダ部材の中心線から、半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約０．２５ｍｍであるエレクトロニクス構造体を提供する。
【０００６】
本発明は、
第１の導電性パッドをその上に有する半導体基板を形成すること；
第２の導電性パッドをその上に有する有機基板を形成すること；
を含み、第１のパッドの表面積は第２のパッドの表面積より大きく、さらに
ハンダ部材の使用により、第１のパッドを第２のパッドに電気的に結合すること；
を含むエレクトロニクス構造体を形成する方法を提供する。
【０００７】
本発明は、
第１の導電性パッドをその上に有する半導体基板を形成すること；
第２の導電性パッドをその上に有する有機基板を形成すること；および
ハンダ部材の使用により、第１のパッドを第２のパッドに電気的に結合すること；
を含み、ハンダ部材の中心線から、半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約０．２５ｍｍであるエレクトロニクス構造体を形成する方法を提供する。
【０００８】
本発明は、熱サイクル中に、半導体チップを有機チップ・キャリアに結合するハンダ・ボールに生じる、熱により誘起されるひずみを小さくする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、本発明の実施形態によるエレクトロニクス構造体１０の断面正面図を示す。エレクトロニクス構造体１０には、ハンダ部材１６により有機基板１４に結合する半導体基板１２が含まれる。ハンダ部材１６は、半導体基板１２上の導電性パッド２０に機械的および電気的に結合している。同様に、ハンダ部材１６は、有機基板１４上の導電性パッド２２に機械的および電気的に結合している。
【００１０】
半導体基板１２には、特に、半導体チップ（例えば、シリコン・チップまたはゲルマニウム・チップ）が含まれるであろう。半導体基板１２の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、ｐｐｍを百万分率であるとして、約３ｐｐｍ／℃であろう。
【００１１】
有機基板１４には、特に、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ガラス・クロス、銅−インバー−銅あるいは他の強化多層、ならびにこれらの組合せなどの有機材料が含まれる。有機基板１４には、特に、有機チップ・キャリアが含まれるであろう。有機基板１４のＣＴＥは、約１０ｐｐｍ／℃と約１８ｐｐｍ／℃の間である。
【００１２】
ハンダ部材１６には、特に、controlled collapse chipconnection（Ｃ４）ハンダ・ボールのようなハンダ・ボールが含まれであろう。ハンダ部材１６には、特に、鉛−スズ共晶合金（すなわち、重量で約６３％の鉛と３７％のスズ）、鉛−スズ高融点合金、eutectic-tipped高融点合金、無鉛ハンダなどが含まれるであろう。例えば、鉛−スズ高融点合金では、鉛とスズが９７：３の重量比で、融点は約３３０℃であろう。ハンダ部材１６のＣＴＥは、約２１ｐｐｍ／℃と約２８ｐｐｍ／℃の間である。特に、鉛とスズの重量濃度比が９７：３の合金のＣＴＥは、約２８ｐｐｍ／℃である。
【００１３】
アンダーフィル材２４が半導体基板１２と有機基板１４の間に存在し、アンダーフィル材２４はハンダ部材１６を封じ込め、アンダーフィル材２４は少なくとも約１ギガパスカル（ＧＰａ）の弾性率をもつ。アンダーフィル材２４はハンダ部材１６への熱応力を低下させる役目を果たし、このような熱応力は熱サイクル動作中に生じうる。アンダーフィル材２４として、当分野の技術者に知られているどのようアンダーフィル材料も用いることができる。知られているアンダーフィル材料の例には、特に、Dexter CNB840-38およびNamics U8437-2が含まれる。
【００１４】
次の様にしてエレクトロニクス構造体１０を製造することができる。パッド２０をその上にもつ半導体基板１２を形成するか、あるいは何らかの別の仕方で得る。パッド２２をその上にもつ有機基板１４を形成するか、あるいは何らかの別の仕方で得る。鉛−スズ高融点ハンダを、半導体基板１２のパッド２０上に付着させ、付形して、ハンダ・ボールを形成する。鉛−スズ共晶ハンダ・ペーストを有機基板１４のパッド２２上に付着させる。パッド２０上の高融点ハンダをパッド２２上の共晶ハンダ・ペーストと接触させる。ハンダ・ペーストを、鉛−スズ高融点ハンダの融点以下の温度でリフローさせ、次いで冷却して、半導体基板１２を有機基板１４に機械的および電気的に結合するハンダ部材１６を形成する。次に、アンダーフィル材２４がハンダ部材１６を封じ込むように、アンダーフィル材２４が半導体基板１２と有機基板１４の間に入れられるであろう。
【００１５】
ハンダ部材１６への熱応力を軽減するというアンダーフィル材２４の役割にもかかわらず、こうして低下した熱応力が、それにもかかわらず、ハンダ部材１６とパッド２０の間の境界で、ハンダ部材１６にクラックを引き起こしうる。ハンダ部材１６とパッド２０に結合している半導体基板１２との間のＣＴＥの局所的不一致は、半導体部材１６とパッド２２に結合している有機基板１４との間の不一致より大きいので、ハンダ部材１６とパッド２０の間の境界は、ハンダ部材１６とパッド２２の間の境界より熱応力による損傷を受けやすい。熱応力による損傷は、ハンダ部材１６とパッド２０の間の境界の、疲労寿命に悪影響を及ぼす。
【００１６】
本発明は、ハンダ部材１６とパッド２０との間の境界の疲労寿命を延長する、２つの発明技術を開示する。第１の発明技術では、ハンダで濡れた半導体基板１２のパッド２０の表面３２の表面積をＳ１、有機基板１４のパッド２２の表面３４の表面積をＳ２であるとして、Ｓ１／Ｓ２が１を超える。第２の発明技術では、ハンダ部材１６の中心線２６から、半導体基板１２の最も近い横端部１３までの、方向８での距離が、約０．２５ｍｍを超える。中心線２６は、ハンダ部材１６の重心２８を通り、表面３２に垂直な方向９に沿うものとして定義される。
【００１７】
Ｓ２に対してＳ１を大きくすることにより、Ｓ１／Ｓ２を１より大きくする第１の発明技術は、パッド２０でのハンダ部材１６への熱応力および結果としての熱ひずみを、パッド２２でのハンダ部材１６への熱応力および結果としての熱ひずみに比べて、減少させる。第１の発明技術は、パッド２０でのハンダ部材１６への相対的に大きな熱応力の一部分を緩和し、前記の相対的に大きな熱応力は、ハンダ部材１６と有機基板１４との間のＣＴＥの違いに比べて、ハンダ部材１６と半導体基板１２との間の相対的に大きいＣＴＥの違いによる。
【００１８】
図２は、図１のハンダ部材１６に対する熱サイクル疲労試験データの表であり、Ｓ１／Ｓ２を増加させると、図１のハンダ部材１６とパッド２０との間の境界の疲労寿命が増加することを例示している。図２の元になった試験では、各サイクルでエレクトロニクス構造体１０を、１００℃から０℃へ、そして１００℃に戻す熱サイクルを実施した。半導体基板１２はシリコン半導体チップであり、有機基板１４は有機ビルドアップ層をもつガラス・エポキシ・コアを備える有機チップ・キャリアであり、またハンダ部材１６は、重量濃度で約９７％の鉛と約３％のスズからなる鉛−スズ合金を含むＣ４ハンダ・ボールである。弾性率が７ＧＰａであるNamics U8437-2材料のアンダーフィル２４材を用いた。
【００１９】
図２の第１行に現れる列のタイトルは次の通りである。「行」の列は行番号を表す。「試料数」の列は、試験された各バッチで用いられた、同じエレクトロニクス構造体１０の試料数を表す。「チップ・サイズ」は、チップ１２の表面１８に沿うチップ寸法を表す。パッド２２は、「有機基板パッド直径、Ｄ２」の列に記される直径をもつ。パッド２０は、「チップ・パッド直径、Ｄ１」の列に記された直径をもつ。「Ｄ１／Ｄ２」の列はＤ１とＤ２の比を示す。「Ｓ１／Ｓ２」の列は、Ｓ１／Ｓ２＝（Ｄ１／Ｄ２）２であるＳ１／Ｓ２を表す。「ハンダ・ボール高さ」の列は、図１に示される方向９における高さＨを表す。「ハンダ・ボール中心線からチップ端部までの距離（ＤＥＤＧＥ）」の列は、図１に示される方向８における距離ＤＥＤＧＥを表す。「５０％不良までのサイクル数」の列は、５０％の試料が不良となるサイクル数を表し、試料数についての平均から計算された。「不良発生の最初のサイクル」の列は、１００サイクル毎に試料の不良を試験した行４を例外として、５００サイクル毎に試料の不良を試験したので、５００サイクルの誤差がある。試料の不良は、ハンダ部材１６のクラック、あるいはハンダ部材１６のパッド２０からの剥離として定義される。
【００２０】
図２の行４および３に見られるように、Ｓ１／Ｓ２が０．４０から０．７７に増加すると、「５０％不良までのサイクル数」は３２５０から７９６３回まで増加し、また「不良発生の最初のサイクル」は、６００から２５００回目まで増加する。行２および３では、Ｓ１／Ｓ２が０．７７から０．８１に増加して、「５０％不良までのサイクル数」が７９６３から８４３０回まで増加しているので、行３および４と矛盾がないことに注意されたい。行２、３および４では、ＤＥＤＧＥが１００μｍで同じ値であることに注意されたい。
【００２１】
Ｓ１／Ｓ２の増加が疲労寿命を延長させることが先の結果により確認され、このことが本発明の第１の発明技術の根拠である。有限要素モデリングを用いて、疲労寿命の増加が広い範囲のＳ１／Ｓ２比に渡って予測された。第１の発明技術には、Ｓ１／Ｓ２に関していくつかの実施形態が含まれる。第１の発明技術の第１の実施形態は、Ｓ１／Ｓ２＞１である。第１の発明技術の第２の実施形態は、少なくとも約１．２倍だけ、Ｓ１をＳ２より大きくすることである。第１の発明技術の第３の実施形態では、約１．１と約１．３倍の間だけ、Ｓ１をＳ２より大きくすることである。第１の発明技術の第４の実施形態では、約１．３と約２．０倍の間だけ、Ｓ１をＳ２より大きくすることである。
【００２２】
図２の行１および３は、本発明の第２の発明技術を例示する。行１と３ではそれぞれ、ＤＥＤＧＥは２３０μｍ（すなわち、０．２３ｍｍまたは９ミル）と１００μｍ（すなわち、０．１０ｍｍまたは４ミル）に等しい。行１と３に対して、図２は、ＤＥＤＧＥを１００μｍから２３０μｍまで（すなわち、０．１０ｍｍから０，２３ｍｍまで）増加させると、「５０％不良までのサイクル数」が７９６３サイクルから１３２６０サイクルに増加することを示している。このように、最も近いチップ端部１３から数百ミクロン以内の距離ＤＥＤＧＥ（図２参照）で、ＤＥＤＧＥを増加させると、５０％の不良レベルに達するまでのサイクル数は多くなる。行１および３では、Ｓ１／Ｓ２は同じ値０．７７であることに注意されたい。
【００２３】
最も近いチップ端部１３から数百ミクロン以内でＤＥＤＧＥを増加させることの有益な効果は、図３および図４によっても示されている。図３と図４はそれぞれ、ハンダ部材１６と半導体基板１２のパッド２０との間の境界でのハンダ部材の、平均せん断ひずみと平均軸方向ひずみ（axial strain）のプロットである。図３の平均せん断ひずみは、図１の方向８および９により決まる面内にあり、図４の平均軸方向ひずみは、方向９に平行である。図３のせん断ひずみも図４の軸方向ひずみも、Ｃ４ハンダ・ボール１６と境を接するパッド表面３２の部分に渡る空間的な平均である。
【００２４】
図３と図４では、半導体基板１２はシリコン半導体チップであり、有機基板１４は有機ビルドアップ層をもつガラス・エポキシ・コアを備える有機チップ・キャリアであり、またハンダ部材１６は、重量濃度で約９７％の鉛と約３％のスズからなる鉛−スズ合金を含むＣ４ハンダ・ボールであった。２から１１ＧＰａの弾性率をもつアンダーフィル２４材が存在する。チップ１２の端部１３は、チップ１２の中央（示されていない）から約８ｍｍである。チップ１２の表面１８の寸法は１６ｍｍ×１６ｍｍである。Ｃ４ハンダ・ボールの高さＨは０．１ｍｍである。
【００２５】
図３および図４の元になったシミュレーションでは、各サイクルでエレクトロニクス構造体１０を１００℃から０℃へ、そして１００℃に戻す熱サイクルを実施した。得られた、図３のせん断ひずみと図４の軸方向ひずみは、ＤＣの関数としてそれぞれプロットされており、ＤＣは方向８における半導体基板１２の中央から、ハンダ部材１６の中心線２６までの距離８（図１参照）である。図３は、アンダーフィル２４の弾性率がそれぞれ、２ＧＰａ、５ＧＰａ、および１１ＧＰａに対応する３つのせん断ひずみ曲線１０２、１０５、および１１１を示す。同様に、図４は、アンダーフィル２４の弾性率がそれぞれ、２ＧＰａ、５ＧＰａ、および１１ＧＰａに対応する３つの軸方向ひずみ曲線２０２、２０５、および２１１を示す。
【００２６】
図３では、Ｃ４ハンダ・ボール中心線２６が、３つの曲線１０２、１０５、および１１１のどれを問題にするかに応じて、チップ１２の端部１３から約０．２５ｍｍと約０．４０ｍｍの間にある場合に、平均せん断ひずみは最も急激に低下する。この０．２５ｍｍの距離は、曲線２１１上の点Ｐ１（勾配の鋭い変化が起こっている箇所）とチップ１２の端部１３に対応するＤＣ＝８ｍｍとの間のＤＣの変化である。この０．４０ｍｍの距離は、曲線１０５上の点Ｐ２（勾配の鋭い変化が起こっている箇所）とチップ１２の端部１３に対応するＤＣ＝８ｍｍとの間のＤＣの差である。
【００２７】
図４では、Ｃ４ハンダ・ボール中心線２６が、３つの曲線２０２、２０５、および２１１のどれを問題にするかに応じて、チップ１２の端部１３から約０．３０ｍｍと約１．０ｍｍの間にある場合に、平均軸方向ひずみは最も急激に低下する。この０．３０ｍｍの距離は、曲線２１１上の点Ｐ３（勾配の鋭い変化が起こっている箇所）とチップ１２の端部１３に対応するＤＣ＝８ｍｍとの間のＤＣの差である。この１．０ｍｍの距離は、曲線２０２上の点Ｐ４（勾配の鋭い変化が起こっている箇所）とチップ１２の端部１３に対応するＤＣ＝８ｍｍとの間のＤＣの差である。先の結果に基づいて、第２の発明技術にはＤＥＤＧＥに関していくつかの実施形態が含まれる。第２の発明技術の第１の実施形態では、図３の平均せん断ひずみ曲線に基づいて、ＤＥＤＧＥは少なくとも約０．２５ｍｍである。第２の発明技術の第２の実施形態では、図３の平均せん断ひずみ曲線に基づいて、ＤＥＤＧＥは少なくとも約０．４０ｍｍである。第２の発明技術の第３の実施形態では、図４の平均軸方向ひずみ曲線に基づいて、ＤＥＤＧＥは少なくとも約０．３０ｍｍである。第２の発明技術の第４の実施形態では、図４の平均軸方向ひずみ曲線に基づいて、ＤＥＤＧＥは少なくとも約１．００ｍｍである。
【００２８】
本発明の効果は、ハンダ部材１６とパッド２０の間には、半導体部材１６とパッド２２の間より大きなＣＴＥの違いがあるので、ハンダ部材１６とパッド２０の間の境界は、ハンダ部材１６とパッド２２の間の境界より熱応力による損傷を受けやすいという事実に関連する。これに応じて、ＣＴＥカップリング・パラメータＰが前記のＣＴＥの違いを特徴づけ、ＣＳＯＬＤＥＲをハンダ部材１６のＣＴＥ、ＣＯＲＧＡＮＩＣを有機基板１４のＣＴＥ、ＣＳＥＭＩを半導体基板１２のＣＴＥとして、Ｐは、（ＣＳＯＬＤＥＲ−ＣＯＲＧＡＮＩＣ）／（ＣＳＯＬＤＥＲ−ＣＳＥＭＩ）として定義される。ＣＳＯＬＤＥＲ＞ＣＯＲＧＡＮＩＣ＞ＣＳＥＭＩと仮定すると、Ｐは、０＜Ｐ＜１を満たさなければならない。Ｐ＝１は、パッド２０とパッド２２の間では、前記ＣＴＥの違いが完全に対称に配分されていることを表す。一方、Ｐ＝０は、パッド２０とパッド２２の間では、前記ＣＴＥの違いが完全に非対称に配分されていることを表す。ハンダ部材１６、有機基板１４、および半導体基板１２の前記ＣＴＥの範囲では、Ｐは０．１７＜Ｐ＜０．７２を満たす。こうして、Ｐの包括的範囲は、本特許で考慮されるＣＴＥの範囲では、０．１５＜Ｐ＜０．７５である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態に従った、有機チップ・キャリアにハンダ・ボールにより結合した半導体チップの断面正面図である。
【図２】図１のハンダ・ボールについての熱サイクル疲労試験データの表である。
【図３】チップの中心とハンダ・ボール中心線との間の距離の関数としての、図１のハンダ・ボールのせん断ひずみのプロットである。
【図４】チップの中心とハンダ・ボール中心線との間の距離の関数としての、図１のハンダ・ボールの軸方向ひずみのプロットである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004531080.tif 000024
2004531080.tif 000025