(57)【要約】本発明は、特にシリコンからなるシリコン基板（１０１）を有する半導体構成素子（１００；…；２２００）、特に多層半導体構成素子、有利に微細工学構成素子、特に圧力センサの製造方法及びその製造方法により製造された半導体構成素子に関する。特に、このような半導体構成素子の製造コストの軽減のために、第１の工程で半導体構成素子中に第１の多孔性の層（１０４；１００１；１３０１）を作成し、第２の工程で半導体構成素子中に第１の多孔性の層（１０４；１００１；１３０１）の下側又は前記の層から中空室又は空洞を作成する方法をさらに開発し、その際、中空室もしくは空洞は外部進入開口部を備えていてもよいことを提案する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板、特にシリコンからなる半導体基板（１０１）を有する、半導体構成素子（１００；…；２２００）、特に多層の半導体構成素子、有利に微細工学構成素子、例えば圧力センサの製造方法において、
第１の工程において、第１の多孔性の層（１０４；１００１；１３０１）を半導体構成素子中に作成し；及び
第２の工程において、中空室もしくは空洞（２０１；１１０１；１２０１；１４０１；２１０１；２２０１）を第１の多孔性の層（１０４；１００１；１３０１）の下に又はその多孔性の層から半導体構成素子中に作成し、その際、前記の中空室もしくは空洞は外部進入開口部を備えていてもよいことを特徴とする、半導体構成素子の製造方法。
【請求項２】
第２の工程が第１のサブステップを有し、その第１のサブステップにおいて第１の多孔性の層（１０４）の下方に、約７０％よりも大きくかつ１００％よりも小さい気孔率、有利に約８５〜９５％の気孔率を有する第２の多孔性の層（１０５）を作成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
中空室もしくは空洞（２０１）が、熱処理工程により第２の多孔性の層から形成される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
第２の工程の第１のサブステップにおいて、進入開口部もしくは一方が開口した中空室（１１０１；１２０１；１４０１）を第１の多孔性の層（１００１；１３０１）に向かう方向及び／又は第２の多孔性の層に向かう方向で作成し、その際、第１の及び／又は第２の多孔性の層は完全に又は部分的に有利に進入開口部の上方もしくは一方が開口した中空室の上方で除去される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
第２の工程が第１のサブステップを有し、その第１のサブステップにおいて第１の多孔性の層（１０４）の下方に、まず平面状の中空室を作成し、その平面状の中空室を深部方向へ拡大して、平面状の中空室から中空室もしくは空洞（２０１）を生じさせる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
第１及び／又は第２の多孔性の層（１０４，１０５）を１種又は数種のエッチング媒体により作成し、その際、１種又は数種のエッチング媒体は、有利にフッ酸、ＨＦ−酸を有するか又はフッ酸からなる、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
１種又は数種のエッチング媒体が１種又は数種の添加物、例えばブリスター形成を減少させ、濡れを改善し、及び／又は乾燥を改善するための添加物、例えばアルコール、例えばエタノールを有し、その際、前記の添加物、例えばエタノールの体積濃度は、エタノールの場合に有利に約６０〜約１００％である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
第１及び／又は第２の多孔性の層（１０４，１０５）を、半導体構成素子（１００；…；２２００）の上側と下側との間で電界をかけ、かつ電流を調整しながら作成する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
第２の多孔性の層（１０５）の作成のためのもしくは当初は平面状の中空室の形成のための方法パラメータを、第２の多孔性の層中の孔もしくは中空室の拡大速度を、第１の多孔性の層の形成のための孔もしくは中空室の拡大速度よりも明らかに高めるように選択する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
当初平面状の中空室の形成のための方法パラメータを、第２の多孔性の層（１０５）の孔もしくは中空室が、相互にラテラルな方向に重なり、かつ唯一の当初平面状の孔もしくは唯一の当初平面状の中空室を形成するように選択する、請求項５から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
エッチングすべき半導体基板（１０１）、特にシリコン基板のドーピング、１種又は数種のエッチング媒体中の電流密度、１種又は数種のエッチング媒体中のフッ酸濃度、１種又は数種のエッチング媒体への１種又は数種の添加物及び温度が方法パラメータである、請求項６から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
空洞もしくは中空室（２０１）中に封入された水素は、高温工程の範囲内で空洞もしくは中空室から十分に完全に又は部分的に除去される、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
第１の多孔性の層（１０４）上に、有利に単結晶であるエピタキシャル層（３０１；４０１）、例えばシリコン層を堆積させる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
例えば特にシリコンからなる半導体基板（１０１）と、中空室もしくは空洞（２０１；１１０１；１２０１；１４０１；２１０１；２２０１）とを有し、前記の中空室もしくは空洞が外部進入開口部を備えていてもよい、半導体構成素子（１００；…；２２００）、特に多層半導体構成素子、有利に微細工学構成素子、例えば圧力センサにおいて、多孔性の層（１０４；１００１；１３０１）が中空室もしくは空洞の上方に配置されていることを特徴とする、半導体構成素子。
【請求項１５】
例えば特にシリコンからなる半導体基板（１０１）を有する半導体構成素子（１００；…；２２００）、特に多層半導体構成素子、有利に微細工学構成素子、例えば圧力センサにおいて、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする、半導体構成素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、該当する独立形式請求項の前提部の半導体構成素子、例えば特に多層半導体構成素子の製造方法並びに前記製造方法により製造された半導体構成素子に関する。
【０００２】
先行技術
半導体構成素子、例えば特に微細工学的な圧力センサは、一般にいわゆる材料微細工学（Ｂｕｌｋｍｉｋｒｏｍｅｃｈａｎｉｋ）又は表面微細工学により製造される。材料微細工学的な構成部材の製造は比較的煩雑であり、従って高価である。公知の表面微細工学的な構成部材の場合に空洞の製造が煩雑である。表面微細工学における空洞の製造のための通常のプロセス順序は、犠牲層の堆積、たいていはポリシリコンからなるダイアフラム層の堆積、ダイアフラム層中の開口部の作成もしくはラテラルなエッチング通路の開口、犠牲層のエッチング除去及び開口部の封止からなり、その際、封止の際に空洞の内部圧力が規定される。このような方法で製造された表面微細工学的な圧力センサは、該センサに作用する圧力がたいていは容量的な方法を介してのみ評価できるという欠点を有する。前記センサに作用する圧力のピエゾ抵抗性の評価は困難である、それというのも公知の表面微細工学的方法により単に多結晶シリコンからなるピエゾ抵抗性の抵抗が製造できるに過ぎないためである。このことは単結晶シリコンからなるピエゾ抵抗性の抵抗に比べて、わずかな長時間安定性の欠点を有し、この場合、これはさらにわずかな圧電作用を示す。
【０００３】
発明の利点
それに対して、該当する独立形式請求項の特徴部を有する本発明による方法は、特に、単結晶シリコンからなるピエゾ抵抗性の抵抗を備えた微細工学構成部材、例えば特に圧力センサ、容量型圧力センサ、又は圧力がかかった際に抵抗値がダイアフラムのたわみに基づき変化する抵抗を有する圧力センサを簡単でかつ廉価に表面微細工学により製造できるという利点を有する。引用形式請求項に記載された方法により、該当する独立形式請求項による製造方法及び半導体構成素子の有利な変更又は改善が可能である。
【０００４】
本発明の本質的な観点は、空洞もしくは中空室を、半導体基板中に、例えば特にシリコン基板中に、エッチング媒体を用いて作成することにある。このために、基板の被覆層を引き続き作成される空洞の領域内で、前記の被覆層中に開口部もしくはエッチング開口部、例えば孔もしくは中空室が生じるようにエッチングする。エッチング開口部を介して又は外側に向かって開口した孔を介してエッチング媒体又は１種以上のエッチング媒体は、基板のより深い領域に達する。この領域内でエッチング媒体もしくは他のエッチング媒体により分解された半導体基板の部分は、有利に前記の被覆層の開口部もしくは孔を介して及び／又は前記の領域への外部進入開口部を介して除去できる。この被覆層は有利に約２〜１０μｍ、特に３〜５μｍの厚さを有する。進入開口部の場合には、２〜１０μｍの多孔性の層の代わりに、有利に４０〜８０μｍ、特に５０〜６０μｍの厚さを有する多孔性被覆層を作成するのが有利である。このより厚い厚さは、この被覆層がエッチング−緩衝層として進入開口部のエッチングの際に用いられ、かつ被覆層上に堆積されたエピタキシャル層の前の確実なエッチストップを可能にする目的を有する。圧力センサの場合には、被覆層上に析出されたエピタキシャル層は本来のセンサダイアフラムを形成する。
【０００５】
本発明の有利な実施態様において、エッチング工程の場合に、被覆層中の孔の拡大速度が、基板の領域内の、後に中空室もしくは空洞を形成する孔もしくは中空室の拡大速度よりも小さい、有利に明らかに小さいようにする処置を行う。
【０００６】
これは本発明の有利な実施態様により、被覆層中の孔のエッチングの際のエッチングパラメータ及び／又は１種又は数種のエッチング媒体を、後の空洞の範囲内の孔もしくは中空室のエッチングの際のエッチングパラメータ及び／又は１種又は数種のエッチング媒体とを別々に選択することにより達成される。
【０００７】
この点において、空洞の製造のために分解すべきシリコンを搬出するための被覆層の多孔性がプロセス技術的に良好に制御可能な方法で、有利に単に適切に大きく調整可能であることは特に有利である。他方で、空洞は急速に、それにより廉価に製造することができる。
【０００８】
本発明による有利な実施態様によると、エッチングパラメータ及び／又は空洞のエッチングの際の１種又は数種のエッチング媒体を、孔もしくは中空室が極めて急速に相互に重なる程度に、孔もしくは中空室の拡大速度を高く選択するようにする。それにより、まず唯一の十分に平面状の出発中空室が基板中に生じ、この出発中空室が時間の経過と共に深部へと拡大し、空洞を形成する。
【０００９】
直前に記載した実施態様とは別の本発明による有利な実施態様において、エッチングパラメータ及び／又は空洞のエッチングの際の１種又は数種のエッチング媒体は、後に空洞を形成する基板の範囲の気孔率が、被覆層の気孔率よりも高くなるように選択する。後の空洞の製造工程物が、８０％より大きい気孔率を有するのが有利である。有利に、空洞は引き続き基板の多孔性の領域から、有利に約９００℃を上回る１以上の熱処理工程の実施のもとで作成される。
【００１０】
有利に水素雰囲気、窒素雰囲気又は希ガス雰囲気下で、例えば９００℃を上回る温度での熱処理の際に、後に空洞を形成するシリコンの領域内の孔は、約８０％より高い気孔率に再編成され、それにより、わずかな多孔性の被覆層もしくは後続して析出すべきエピタキシャル層のための出発層の下方に唯一の大きな孔、つまり中空室もしくは空洞が生じる。わずかな多孔性の層もしくは出発層の上側の孔は、この高温工程の際に十分に封鎖されるため、出発層上に、本来のセンサダイアフラムを形成する十分に単結晶のシリコン層が堆積することができる。
【００１１】
本発明の有利な実施態様によると、被覆層中に開口部及び／又は孔を作成するため及び／又は空洞を作成するための１種及び／又は数種のエッチング媒体は、フッ酸（ＨＦ）又はフッ酸を含有する液体混合物又は化合物である。
【００１２】
本発明の有利な実施態様において、この１種もしくは数種のエッチング媒体に、易揮発性の成分、例えばアルコール、例えばエタノール、及び／又は精製水を、１種もしくは数種のエッチング媒体の希釈のために添加される。
【００１３】
エタノールは、このエタノールを添加したエッチング媒体の表面張力を減少させ、それによりシリコン表面の濡れを改善しかつエッチング媒体のエッチングされた孔もしくは開口部もしくは中空室内への進入を改善することができる。さらに、エッチング工程の間に生じるブリスターは、エタノールを添加しない場合よりも小さく、このブリスターは被覆層の孔を通して良好に逃げることができる。従って、被覆層の孔のサイズ及び／又は気孔率は有利にアルコールの添加なしの場合よりも小さく維持できる。
【００１４】
本発明のもう一つの有利な実施態様の場合、被覆層及び／又は後の空洞の領域中の開口部及び／又は孔を電気化学的方法で、有利に１種もしくは数種の前記のエッチング媒体を使用して製造する。
【００１５】
さらに、電気化学的エッチング方法の使用下での本発明の有利な実施態様の場合、有利にフッ酸（ＨＦ）の使用下でのエッチング法は、エッチング工程において生じる孔又は中空室の拡大速度を、電圧の印加及びそれにより生じる１種又は数種のエッチング媒体を通過する電流の供給により影響を及ぼすようにする。孔もしくは中空室の拡大速度は特にエッチングすべきシリコン基板のドーピング、電流密度、場合によりエッチング媒体中のＨＦ濃度及び温度により左右される。この単なる例は本発明によるエッチング方法の相対的な方法パラメータであると解釈される。
【００１６】
本発明の有利な実施態様によると、エッチング媒体、エッチング媒体中のＨＦ濃度及び／又はエッチングすべき領域のドーピング及び／又は場合によりエッチング方法の他のプロセスパラメータは、エッチング工程もしくは孔形成もしくは中空室形成が適当な方法で調整され及び／又は電圧の遮断によって有利に十分に突然に停止されるように選択される。
【００１７】
唯一のエッチング媒体及び／又は２以上のエッチング媒体を用いる本発明により有利な電気化学的エッチング方法において、被覆層の領域内にエッチング媒体が存在する第１の期間では、エッチング媒体中での第１の不可欠ではない時間的一定の電流密度が調整される。該当するエッチング媒体が作成すべき空洞の領域内に存在する第２の期間では、有利に第２の不可欠ではない時間的一定の電流密度が調整され、この電流密度は第１の期間の間に調整された電流密度よりも高いか又は明らかに高い。
【００１８】
それにより、空洞又は空洞の前段階物は孔もしくは中空室により形成され、空洞のエッチング工程の間のその拡大速度は多孔性の被覆層の製造のための孔の拡大速度よりも高いか又は明らかに高い。
【００１９】
本発明のもう一つの有利な実施態様において、基板の被覆面の多孔性にエッチングすべき領域を、エッチング工程の前に、１種又は数種のエッチング媒体が多孔性のエッチングすべき領域に自由に到達できるが、基板の多孔性にエッチングすべきでない領域をエッチング攻撃から遮蔽するマスク層もしくは保護層で取り囲む。
【００２０】
本発明の有利な実施態様によると、前記の保護層は被覆面の多孔性にエッチングすべき領域もしくは多孔性にエッチングすべき層を空洞のエッチングの間又はその後に基板のエッチングすべき部分に機械的に固定する。
【００２１】
本発明の有利な実施態様において、保護層は多孔性にエッチングすべき領域もしくはエッチングすべき層のエッチングの前に、少なくともｐ型ドープされたシリコン基板の多孔性にエッチングすべき層の周囲をまず取り囲む領域にｎ型ドープ部を設けることにより作成される。これにより基板のアンダーカットは特にこの領域で十分に防止することができ、その領域内では多孔性にエッチングされた層はシリコン基板と機械的に結合している。他の場合には、特に有利に薄い多孔性の層又は開始層において、この層が基板から剥離する危険がある。さらに、窒化ケイ素層は、場合によりその下にある電気回路のマスクとして及び特にエッチング攻撃に対する保護のために使用することができる。
【００２２】
これとは別に又は補足的に、ｎ−ドーピング部もしくはｎ−ドーピング層の代わりに、同様に基板のアンダーカットを防止するための金属層又は金属マスクを設けることができる。しかしながら、金属層もしくは金属マスクの使用は、基板中に回路が設けられていない場合に一般に有利なだけである、それというのも基板中に金属層もしくは金属マスクの除去後にも残留する金属原子は回路の機能を損ないかねないためである。
【００２３】
本発明のさらに有利な実施態様において、多孔性にエッチングされた被覆層、例えば特にシリコン層を前処理し、その後にこの層の上にエピタキシャル層、有利に十分に単結晶のシリコン層を設置もしくは堆積させる。この前処理は、必要な場合又は有利な場合に十分な単結晶のシリコン層の品質をさらに改善するために、多孔性にエッチングされた被覆層もしくは開始層中の孔を、完全に又は部分的に封鎖する。
【００２４】
本発明による前処理は、多孔性にエッチングされた被覆層もしくは開始層の熱処理であり、その際、この熱処理は高い温度、例えば約９００℃〜約１１００℃の範囲内の温度で行われる。有利にこの熱処理は水素雰囲気、窒素雰囲気及び／又は希ガス雰囲気下で行う。
【００２５】
前記の前処理とは別に又はこれに補足的に、多孔性にエッチングされたシリコン−開始層の（わずかな）酸化を考慮することができる。有利にこの酸化は、開始層が反応器中でさらされる雰囲気中に酸素を（わずかに）添加しながら酸化を行い、その際、この酸化は有利に約４００℃〜６００℃の範囲内の温度で行う。わずかとは、単に十分に開始層の孔が完全に又は部分的に封鎖されかつほぼネット状の酸化物構造が形成される酸化であると解釈される。この酸化物構造は、開始層上に、本来のセンサダイアフラムを形成するできる限り単結晶のシリコン層を堆積させるようにするために、本発明により多孔性にエッチングされた開始層の表面をできる限りわずかに覆われる。必要な場合に、この酸化は次のプロセス工程において、所望の状態が生じるまで除去される。
【００２６】
本発明の有利な実施態様において、開始層の厚さは本質的にその上に堆積したシリコン層の厚さより薄いため、センサダイアフラムの物理的特性はプロセス技術的に良好にその厚さにおいて調整可能なシリコン層によって十分に決定される。
【００２７】
本発明の有利な実施態様によると、わずかな多孔性の層もしくは開始層は例えば圧力センサのダイアフラムを形成するエピタキシャル層の堆積のために、約２０％〜約５０％、有利に約３０％〜約４０％の範囲内の、特に約３３％のフッ酸能を有するエッチング媒体でエッチングされる。
【００２８】
本発明のもう一つの有利な実施態様において、後の中空室もしくは空洞の前段階物を形成する多孔性の層は、約０％〜約４０％、有利に約５〜約２０％の範囲内の、特に２０％より少ない特にフッ酸濃度を有するエッチング媒体でエッチングされる。有利にフッ酸により形成されていないエッチング媒体の残留部分は、ほぼアルコール、特にエタノールからなる。
【００２９】
前記の本発明による、中空室もしくは空洞を形成するためのエッチング工程の間に、分解すべき層中の孔もしくは中空室の高い拡大速度を達成し、その際に前記の孔もしくは中空室は著しく急速に相互に重なりかつ唯一の巨大な孔を形成するために、本発明による実施態様において、本発明によるエッチング媒体が考慮される。本発明によるエッチング媒体は、約０〜約５％、有利に約１％〜約３％範囲内の、特に約５％より低いフッ酸濃度（ＨＦ−濃度）を有する。このエッチング媒体の、フッ酸により形成されていない残りの部分は、ほぼアルコール、特にエタノール及び／又は精製水からなる。
【００３０】
図面
本発明による多層半導体構成素子の本発明による製造方法は、尺度は正確でない図面を使用して次の圧力センサの実施例について詳説し、この場合、同じ符号が同じ又は同等の層又は部材に付されている。
【００３１】
図１は図５に示された絶対圧力センサ５００の製造段階物１００の有利な実施態様の断面図を示す。図５に示された絶対圧力センサ５００の製造のために、シリコン基板１０１の表面上にまずマスク層１０２を作成し、その際、このマスク層１０２によって覆われていない領域１０３が生じる。このマスク層は、例えば窒化物層、ｎ型ドープした層（ｐ型ドープしたシリコン基板の場合）又はその他の次に使用するエッチング媒体から十分に攻撃されないような適当な層である。
【００３２】
シリコン基板１０１の上側を電気化学的に適当なエッチング媒体を用いて、エッチング媒体が覆われていない領域１０３の直ぐ下のシリコン基板１０１中に小さな開口又は孔を作成するようにエッチングする。こうして、わずかな気孔率を有するシリコン層１０４が得られる。このシリコン層１０４の小さな開口もしくは孔を通してエッチング媒体はシリコン基板１０１のより深くにある領域に達し、同様にそこに存在するシリコン中に孔を形成させる。この場合に、多孔性シリコン層１０４の下方に多孔性シリコン層１０５が生じる。
【００３３】
電気化学的エッチング、特に湿式エッチングのためのエッチング媒体は、有利にフッ酸（ＨＦ）又は又は特にフッ酸（ＦＨ）を含有するエッチング媒体である。本発明の場合に、有利にシリコン基板１０１の上側と下側との間に電界が生じ、その際、調節された電界強度はもしくは調節された電流密度によって、孔もしくは開口もしくは中空室の拡大する速度が影響を受ける。
【００３４】
多孔性シリコン層１０４は、マスク層１０２により覆われていない領域１０３の直ぐ下の領域に生じるようにするために、覆われていない領域１０３上にエッチング媒体を適用した後に、一定の電流密度を調整する。この電流密度は、有利に、覆われていない領域１０３の直ぐ下のシリコン基板１０１に開口もしくは孔が生じるように選択される。
【００３５】
この第１の工程で調整された、不可欠ではない一定の電流密度のためのもう一つの重要な基準は、シリコン基板１０１中の適当な開口もしくは孔が覆われていない領域１０３の直ぐ下に生じるような電流密度を調整することにある。特に、エッチング工程の間に形成される多孔性シリコン層１０４上に、本来のセンサーダイアフラムを形成する、十分に単結晶のシリコン層が析出できるような開口もしくは孔が適している。従って、この開口もしくは孔は適切なサイズもしくは適切な直径を有する必要がある。有利な開口もしくは孔は例えば約１０〜１００ｎｍ、有利に約１０〜３０ｎｍの直径を有する。
【００３６】
これは単に適切な開口もしくは孔の例であると解釈される。
【００３７】
エッチング媒体が多孔性シリコン層１０４を通り抜けた後、第２の工程で有利にこの電流密度を第１の工程の間の電流密度と比べて高め、それにより、孔もしくは中空室の拡大速度を向上させ、多孔性シリコン層１０４中の孔と比べてより大きな孔をシリコン層１０５中に生じさせる。
【００３８】
エッチング媒体により分解されたシリコンはエッチング工程の間に及び／又はその後に多孔性シリコン層１０４内の開口もしくは孔を介して除去され、新たなエッチング媒体が供給される。
【００３９】
図１に示された、圧力センサもしくは中空室の製造段階物の本発明による方法の有利な第１の態様において、後の中空室２０１（図２）の製造のためのエッチング工程は、適当なプロセスパラメータの選択及び／又は１以上の適当なエッチング媒体の選択によって、後の中空室２０１を形成するシリコン層１０５の気孔率を十分に大きくするように調整される。「十分に」とは、有利に８０％より大きく１００％より小さい気孔率であると解釈される。その後に熱処理が行われる。この熱処理は有利に水素雰囲気、窒素雰囲気又は希ガス雰囲気下で及び／又は約９００℃を上回る温度で行われる。シリコン層１０５の高い気孔率に基づき、この孔の熱処理の際に、わずかな多孔性ののシリコン層１０４の下側で１つの大きな孔が生じ、つまり図２において示された中空室もしくは図示された空洞２０１が生じるように再編成される。わずかな多孔性のシリコン層１０４の上側の孔は、その上に適当なセンサダイアフラムが十分に単結晶シリコン層として析出できるように熱処理もしくは高温工程の際に十分に閉鎖される。
【００４０】
圧力センサもしくは中空室２０１の製造のための、図示されていない、同様に有利な本発明による第２の態様において、わずかな多孔性のシリコン層１０４の形成後のプロセスパラメータは、孔もしくは中空室の拡大速度がシリコン層１０４の下側の薄い移行層の内部で著しく高まり、その結果、この孔は前記の移行層中で癒着するかもしくは相互にほぼ重なるように調整される。換言すれば、前記の移行層はまず平面状の中空室であり、この中空室がさらなるエッチング工程の間に深部へ成長し、最終的に中空室もしくは空洞２０１を形成する。つまり、最初に孔がエッチングされて、次いで拡大するのではなく、移行層である平面状の「巨大な孔」がゆっくりと深部へ成長する。本発明の場合に、１種及び／又は数種のエッチング媒体が易揮発性成分を有しているのが有利である。アルコール、例えばエタノールを使用するのが有利である。
【００４１】
必要であるか又は有利な場合に、本発明の場合に、基板１０１の被覆面で多孔性にエッチングすべき領域にマスク層及び／又は保護層を設け、この層が、被覆面の多孔性にエッチングすべき層、つまりシリコン層１０４を、エッチングの間及びその後もしくは中空室２０１の作成の間、基板のエッチングされない被覆面の領域中のその結合箇所に機械的に結合するようにする（図示していない）。
【００４２】
このような保護層は、例えばｐ型ドープされたシリコン基板１０１の被覆面の多孔性にエッチングすべきシリコン層１０４の少なくとも最も近くにある領域がｎ型ドープ部を設けることにより作成することができる。それにより、シリコン層１０４とシリコン基板１０１との間の結合箇所もしくは界面の領域でのシリコン基板１０１のアンダーカットを十分に避けることができる。さらに、シリコンエピタキシャル層３０１もしくは４０１（図３及び４）の開始層を形成する有利に薄い多孔性のシリコン層１０４を確実にシリコン基板１０１に固定することも考慮することができる。
【００４３】
図３は、多孔性シリコンダイアフラムもしくはシリコン層１０４を前処理し、次いで十分に単結晶のシリコン−エピタキシャル層３０１を設けた後の、図２に示した製造段階物をベースとして作成された、図５に示されている絶対圧力センサ５００のさらなる製造段階物の第１の態様の断面図を表す。エピタキシャル層３０１のエピタキシープロセスもしくは堆積の際の圧力が、中空室２０１内に封入された圧力を定義する。
【００４４】
有利な本発明による前処理は、多孔性シリコン層１０４の熱処理からなる。高い温度、例えば約９００℃〜約１１００℃の範囲内の温度で熱処理を行うか及び／又は水素雰囲気、窒素雰囲気及び／又は希ガス雰囲気下で熱処理を行うのが有利である。
【００４５】
この前処理は、多孔性にエッチングされる単結晶シリコン層１０４中の孔を十分に封鎖するため、このシリコン層１０４上に十分に単結晶のシリコン−エピタキシャル層３０１を堆積できる。このような前処理は、堆積されたシリコン層の品質が前処理なしでも要求を満たしている場合には、特に費用上の理由から行わなくてもよいことがわかる。
【００４６】
それに対して図４は、多孔性シリコンダイアフラムもしくはシリコン層１０４に、前処理なしで同様に十分な単結晶のシリコン−エピタキシャル層４０１を設けた後の、図２に示した製造段階物をベースとして作成された、図５に示されている絶対圧力センサ５００の他の製造段階物の第２の態様の断面図を表す。エピタキシャル層４０１のエピタキシープロセスもしくは堆積の際の圧力が、中空室２０１内に封入された圧力を定義する。エピタキシャル層３０１もしくは４０１の製造のためのキャリアガスとして水素を用いたエピタキシープロセスの場合、主に水素が中空室２０１内に封入される。このエピタキシーはほぼ大気圧で、それにより前記の大気圧より低いプロセス圧力で比較的高い成長速度で行われる場合には、封入される水素圧は約１ｂａｒである。例えば窒素雰囲気下での本発明による高温工程の際に、水素はそのわずかな分子サイズに基づき及び水素濃度勾配に基づき、基板との関係で通常薄いエピタキシャル層３０１もしくは４０１を通過して拡散する。それにより、空洞２０１中にはほぼ真空が生じる。このような本発明による製造工程は、特に絶対圧力センサの製造の際に有利である。この中空室は一般に大気圧と比べて低い圧力、特に真空を有する。さらに、有利に、本発明による高温工程が水素雰囲気下で実施され、その際に水素雰囲気の圧力は有利に、全体圧力センサの空洞中もしくは中空室中で望ましい圧力に調整できる。
【００４７】
空洞２０１中に十分な真空を製造するための前記の方法は、キャリアガスとして水素を用いるエピタキシープロセスの場合であっても、約１ｂａｒより高い又はより低い総圧力下で使用することができることはわかる。
【００４８】
図５中には、図３又は４中に示された製造段階物をベースとして製造された絶対圧力センサ５００の断面図を示す。この絶対圧力センサ５００の場合、十分な単結晶シリコン−エピタキシャル層３０１もしくは４０１の上に公知の方法で単結晶の、ピエゾ抵抗性の抵抗５０１及び配線５０２がドープされたシリコンから製造されている。
【００４９】
図６中には、図５に示した絶対圧力センサ５００をベースとして製造された絶対圧力センサ６００の断面図を示す。図５中に示された絶対圧力センサ５００は公知のように集積回路６０１、６０２及び６０３を備えている。
【００５０】
図７は、ラテラルな通路７０２を介して中空室もしくは空洞への進入開口部７０１を備えた本発明による差圧センサ７００の第１の態様の断面図を示す。図７中に示された、本発明による差圧センサ７００の第１の態様は、図６に示された絶対圧力センサ６００と同様に製造される。
【００５１】
差圧センサのために、ダイアフラムもしくはエピタキシャル層３０１もしくは４０１の背面から圧力が供給できるのが望ましい。このために、適当なエッチング技術によってダイアフラムもしくは基板１０１の背面から開口７０３を作成する必要がある。有利に十分に垂直な壁を有する開口部７０３は例えばドライエッチング、例えばプラズマエッチング又はトレンチエッチングによって作成することができる。プラズマエッチング又はトレンチエッチングは酸化物層で停止する。本発明の場合には、中空室２０１が酸化物層を備えているようにする。この中空室の酸化は、シリコン−エピタキシャル層３０１もしくは４０１の堆積の前には不可能である、それというのもわずかな多孔性のシリコン層もしくは開始層１０４上に不所望な多結晶エピタキシャル層を成長されてしまうためである。
【００５２】
図７及び８による実施例のように、進入開口部７０１はダイアフラム領域の外側にある場合、マスク層１０２中にラテラルな通路７０２を考慮しなければならず、かつこのラテラルな通路７０２は中空室もしくは空洞２０１と一緒に前記したように製造しなければならない。
【００５３】
エピタキシャル層３０１もしくは４０１の堆積後に、例えばドライエッチングにより１又は数個の孔又は開口７０１をエピタキシャル層の上側から中空室２０１にまで作成する。これは（図示されていない）ダイアフラム領域（開口部７０３の上方のエピタキシャル層３０１もしくは４０１の領域、図８も参照）内か又は図７又は８に示したようにダイアフラム外で行うことができる。
【００５４】
中空室２０１、ラテラルな通路７０２並びに進入開口部７０１の製造後に、この中空室もしくは空洞、ラテラルな通路７０２及び進入開口部７０１の壁部は、公知の方法により酸化工程で酸化される。
【００５５】
この酸化物層は、場合によりすでに回路部材の製造のために必要であり、場合により付加的費用を必要としない。進入開口部７０１のサイズの適当な選択の際に、この進入開口部７０１は酸化工程によりすでに封鎖される。その他には、この進入開口部７０１は特別な封鎖工程により又は回路素子の作成のために必要な他のプロセス工程を利用することによって、例えば酸化物、窒化物、金属等の堆積により、封鎖することができる。
【００５６】
次の方法工程において、開口部７０３が基板もしくはウェハ１０１の下側からドライエッチング、例えば特にトレンチエッチングにより作成される。このエッチングプロセスは中空室の下側の境界の酸化物層で停止する。これに引き続くエッチング工程、例えばドライエッチング工程又は湿式エッチング工程により、中空室の下側の境界の薄い酸化物層及び場合によりウェハの背面上に存在する酸化物マスクを除去し、中空室もしくは空洞２０１を開放する。
【００５７】
図９は、中空室２０１への進入開口部９０１を備えた本発明による差圧センサ９００の第２の態様の断面図を示す。図７及び８との関連で記載したように、ラテラルな通路７０２が作成される。図７及び８に示された本発明による差圧センサ７００の第１の態様での進入開口部７０１の代わりに、図９中に示された差圧センサ９００の場合に酸化物−停止層９０２がラテラルな通路７０２の少なくとも上方のエピタキシャル層３０１もしくは４０１上に堆積させる。図７及び８との関連で記載した方法と同様に、後続するエッチング工程において開口部９０１は、特にトレンチエッチングにより酸化物−停止層９０２の下側に作成される。このエッチングプロセスはこの場合ラテラルな通路７０２の領域内で、エピタキシャル層３０１もしくは４０１の上方に存在する酸化物−停止層９０２の下側で停止する。
【００５８】
エピタキシャル層３０１もしくは４０１の安定性を向上させるために、酸化物−停止層９０２を他の層により補強することができる。同様に、小さなラテラルな通路を使用せずに、ダイアフラム領域の開口部（図示されていない）を設置することも考えられる。
【００５９】
図１０は、唯一の厚い多孔性層１００１を備えた本発明による差圧センサ１１００もしくは１２００の第３の態様の製造段階物１０００の断面図を示す。この厚い多孔性層１００１は、図１〜４との関連で詳説したと同様に作成される。しかしながら多孔性層１００１は有利に、わずかな多孔性のシリコン層１０４よりも明らかに厚い。差圧センサ７００及び９００と異なるのは、中空室もしくは空洞２０１の作成が一方が開口した中空室１１０１もしくは１２０１（図１１及び１２参照）の形成の前に必要ないことである。１００２で示される領域は基板１０１のドープされた領域であり、この領域は、一方が開口する中空室（図１１〜１４参照）にわたって延在するダイアフラムの縁部でのアンダーカットの境界である。このことは、高いエッチング深さに基づき例えば約５０μｍの厚い多孔性層１００１の作成のために有利である。このダイアフラムはそれによりダイアフラム縁部でいくらか硬質である。
【００６０】
本発明による差圧センサ１１００もしくは１２００の図１０に示された製造段階物から出発し、有利に、等方性又は異方性エッチング技術を用いて、有利に高速トレンチ技術（Ｈｏｃｈｒａｔｅｎｔｒｅｎｃｈｅｎ）を用いて、基板もしくはウェハ１０１の裏側から一方が開口する中空室１１０１もしくは１２０１を製造する。
【００６１】
厚い多孔性層１００１中に存在する孔に基づき、前記の層は周辺の支持体材料に対して選択的にエッチング溶液又はエッチングガスによって除去される。この除去は、進入開口部のエッチングと同じプロセス工程で、センサダイアフラムの背面まで及び一方が開口する中空室１１０１もしくは１２０１が形成されるまで行われる。
【００６２】
一方が開口する中空室１１０１の幅は、ダイアフラム領域の幅もしくは多孔性層１００１の幅よりも小さく、それに対して、一方が開口する中空室１２０１の幅は、ダイアフラム領域の幅もしくは多孔性層１００１の幅よりも大きい。
【００６３】
図１３は、本発明による差圧センサ１４００の第４の態様の製造段階物１３００の断面図である。この製造段階物１３００の場合、多孔性層１３０１は、図１０に示された製造段階物とは異なり、基板１０１の下側まで延びている。この多孔性層１３０１は、図１０〜１２との関連で記載した方法で、進入開口部をエッチングする必要なく、選択的に除去することができる。多孔性層１３０１の選択的除去の後、センサダイアフラムもしくはエピタキシャル層４０１の下方には一方が開口する中空室１４０１が存在する。
【００６４】
標準的な半導体プロセスにより、本発明による容量型絶対圧力センサ１６００（図１６）の図１５に断面図で示された製造段階物１５００が製造される。容量型絶対圧力センサ１６００から送り出される測定信号の評価のための集積回路６０１及び６０３の他に、シリコン基板１０１の上側でシリコン基板１０１内にシリコン基板１０１の適当なドーピングにより有利に作成された底面電極１５０１が設けられておりかつシリコン基板１０１及び底面電極１５０１の上側に、有利に単結晶のシリコン−エピタキシャル層４０１が設けられている。シリコン−エピタキシャル層４０１の上側には底面電極１５０１に対して高さをずらして有利に適当なドーピングにより作成された上面電極１５０２がシリコン−エピタキシャル層４０１中に設けられている。シリコン−エピタキシャル層４０１の上側は、上面電極１５０２の領域１０３の外側で、エッチングにより攻撃に対して保護のためにマスク層１０２により覆われている。
【００６５】
このマスク層１０２により覆われていない領域１０３は、すでに上記したように、有利に電気化学的に、例えばフッ酸（ＨＦ）又はフッ酸含有のエッチング媒体を使用して多孔性にエッチングされている。上面電極１５０２から出発して、この場合、多孔性上面電極もしくはダイアフラム１６０１が生じる。
【００６６】
本発明の可能な実施態様の場合、上面電極１５０２は同様にｐ型ドープされたエピタキシャル層４０１のｐ型ドープされた層から形成される。ｐ型ドープされた層をエッチング媒体により多孔性にエッチングする。底面電極１５０１はｐ型ドープされた層によって並びにｎ型ドープされた層によって形成されていてもよい。
【００６７】
本発明の有利な実施態様において、底面電極１５０１並びに上面電極１５０２はシブ状又はネット状の、ｎ型ドープされた層によりｐ型ドープされたエピタキシャル層４０１中にもしくはｐ型ドープされた基板１０１中に形成される。シブ状もしくはネット状の層のｎ型ドープされた領域は、有利に著しく狭く、平坦であり、かつ相互に適当な間隔を有しているため、この領域はエッチング媒体により多孔性の上面電極１５０２の形成のために下方エッチングすることができる。
【００６８】
ｎ型ドープ層はエッチング媒体により十分に攻撃されず、エッチング媒体は、後になって中空室２０１を作成するために上面電極１５０２のシブ状又はネット状の層を貫通する。この中空室２０１は特に図１〜３との関連ですでに記載された方法によって作成することができる。底面電極１５０１のために、シブ状又はネット状の、有利に同様にｎ型ドープされた層を設けることも有利である。それにより、電気化学的エッチング工程の際に有利に十分に均質な電界が生じる。
【００６９】
絶対圧力センサの上面電極１５０２に作用する外部圧力は、上面電極１５０２を底面電極１５０１方向へたわませ、それにより、この２つの電極により構成されるキャパシタの容量が変化する。電気的に評価可能なこの容量は、上面電極に作用する絶対圧に対する尺度である。
【００７０】
多孔性の上面電極１５０２のと接触領域におけるエピタキシャル層４０１のアンダーカットを避けるために、多孔性の上面電極１５０２の周囲のこの接触領域は有利にｎ型ドープされており、それにより１５０３で示されるｎ型ドープされた領域が生じる。
【００７１】
本発明の第１の実施態様において、次に多孔性の上面電極もしくはダイアフラム１６０１上に封止層（図示されていない）、例えば窒化物層を堆積させる。この堆積の際の圧力が、中空室もしくは空洞２０１（この点に関する前記の記載を参照）中の圧力を定義する。圧力変化の際に、上面電極と底面電極との間の間隔は変化し、それにより容量が変化する。この容量変化は集積回路６０１及び６０３によって評価される。
【００７２】
本発明の第２の実施態様において、ダイアフラム１６０１は酸化工程及び／又は封止層（図示されていない）、例えば酸化層によって封鎖される。酸化されたダイアフラム１６０１もしくは封止層上に別の層（図示されていない）、例えば特にドープされたポリシリコン層又は金属層を堆積させ、この層は（できれば構造化後に）上面電極の機能を有する。同様に上面電極は例えば他の層、例えば特にドープされていないポリシリコン層内でのドープされた領域の形で設けることができる。
【００７３】
第１の実施態様並びに第２の実施態様において、例えばダイアフラム１６０１を特に中央のダイアフラム領域で補強するために、他の層を堆積させ、構造化することができる。
【００７４】
図１７は、抵抗、例えば特に多結晶のピエゾ抵抗性の抵抗又は金属薄層抵抗を備えた絶対圧力センサ２０００（図２０参照）の製造段階物１７００の断面図を表す。表１９に示した他の製造段階物１９００に対する標準的な半導体プロセスにより作成された製造段階物１７００は、シリコン基板１０１、このシリコン基板１０１上に堆積されたシリコン−エピタキシャル層４０１及びこのシリコン−エピタキシャル層４０１上に堆積されたマスク層１０２を有する。このマスク層１０２は、覆われていない領域１０３を有している。さらに、シリコン−エピタキシャル層４０１の上側に及びシリコン基板もしくはウェハ１０１とエピタキシャル層４０１との間に、それぞれ集積された回路６０１もしくは６０３が作成されている。
【００７５】
図１８は、絶対圧力センサ２０００（図２０参照）の作成のための製造段階物１８００の第２の態様の断面図を表す。このもう一つの第２の製造段階物１８００は、図１７に示した製造段階物１７００とは、シリコン基板１０１及びその上に堆積されたシリコン−エピタキシャル層４０１に代わり、単にシリコン基板もしくはウェハ１０１が絶対圧力センサ２０００（図２０参照）の作成のための製造段階物として用いられていることが異なっているが、図２０に示した実施態様との差異はシリコン−エピタキシャル層４０１を有していないことである。
【００７６】
前記した本発明による方法を用いて、製造段階物１７００のシリコン−エピタキシャル層４０１の領域１０３中もしくは製造段階物１８００のシリコン基板１０１の領域１０３中に、多孔性のシリコンダイアフラム１０４及びその下にある中空室もしくは空洞２０１を、製造段階物１７００について図１９に示したように作成する。
【００７７】
マスク層１０２の除去後に、多孔性のダイアフラム１０４は封止層２００１，例えば窒化物層、酸化物層、ポリシリコン層又は単結晶シリコン層の堆積によって又は酸化によって封鎖されている。封止層２００１の堆積もしくは酸化の際に用いられた圧力は、中空室もしくは空洞２０１中に封入される圧力（この点について前記の記載を参照）を定義する。封止層２００１上もしくは酸化されたダイアフラム（図示されていない）上に、抵抗２００２、例えば多結晶のピエゾ抵抗性の抵抗又は金属薄膜抵抗を作成する。抵抗２００２の作成は、例えば封止層２００１上にポリシリコンを堆積させ、引き続き堆積されたポリシリコンをドーピングし、引き続き堆積されたポリシリコン層を構造化することにより行う（図示されていない）ことができる。さらに、抵抗２００２は例えばポリシリコン層の堆積及びポリシリコン層の構造化されたドーピングによって作成することができる（図示されていない）。同様にストレーンゲージの使用も考えられる（図示されていない）。
【００７８】
圧力変化は、多孔性のシリコン層１０４及び封止層２００１により中空室もしくは空洞２０１の上方に形成されたダイアフラムにおいて変化するたわみを生じさせる。これはピエゾ抵抗性の抵抗２００２の抵抗変化を伴い、この抵抗変化は有利に集積回路６０１もしくは６０３によるか又は別の回路によって評価される。
【００７９】
多結晶のピエゾ抵抗性の抵抗と比べて単結晶のピエゾ抵抗性の抵抗がより長期間安定性であるため、この抵抗２００２は単結晶のシリコン層である封止層２００１中に作成される。
【００８０】
また、圧力に依存するピエゾ抵抗性の抵抗２００２は図２０に示した絶対圧力センサ２０００の場合、ｎ型ドープされた抵抗により、エピタキシャル層４０１の範囲内に作成されており、これは後になって多孔性のシリコン層１０４を形成する（図示されていない）。
【００８１】
差圧センサに対しては、差圧センサのダイアフラムの背面から圧力が供給できるのが望ましい。図２０において断面図で示した絶対圧力センサ２０００から、差圧センサ２１００（図２１参照）又は差圧センサ２２００（図２２参照）を製造するために、シリコン基板１０１の下側から中空室もしくは空洞２０１までの開口部２１０１もしくは開口部２２０１を作成する必要がある。
【００８２】
本発明の場合には、開口部２１０１もしくは２２０１は有利にドライエッチング、例えばトレンチエッチングもしくはプラズマエッチングにより作成される（開口部をドライエッチングにより作成するための前記の記載を参照）。このようなエッチングプロセスは酸化物層で停止するため、図２１中に示した差圧センサ２１００の本発明による実施態様の場合には、中空室もしくは空洞２０１は酸化物層を備えている。これは、中空室もしくは空洞２０１が多孔性のシリコン層１０４の酸化により封鎖されている場合に達成される。有利に酸化された多孔性のシリコン層もしくはダイアフラム１０４上にシリコン層を堆積させ、その上又はその中にピエゾ抵抗性の抵抗２００２を、特にこのシリコン層の適当なドーピングによって作成する。次に、シリコン基板もしくはウェハ１０１の背面からダイアフラム領域において、開口部２１０１の形の圧力供給部を、有利にトレンチエッチングプロセスを用いて製造する。このようなエッチングプロセスは、有利に、中空室もしくは空洞２０１の下側の境界である薄い酸化物層で停止する。それにより後続する適当なドライエッチング工程によるか又は湿式エッチング工程により、この酸化物層は場合により基板もしくはウェハ１０１の背面から除去することができる。この工程の場合に中空室もしくは空洞２０１は開放される。
【００８３】
全体の酸化物を中空室もしくは空洞２０１から除去しかつそれにより酸化された多孔性のシリコン層１０４を除去するようなエッチング工程が有利である。これについては、次いで差圧センサ２１００のダイアフラムの厚さが酸化された多孔性のシリコン層１０４上に堆積された封止層２００１により決定されるという利点がある。封止層２００１の層厚は、有利に著しく正確にかつ再現可能に調整することができ、これは再現可能な特性を有する差圧センサの製造を明らかに容易にする。
【００８４】
図２２は、図２０に示した絶対圧力センサ２０００をベースとして製造された第２の実施態様の差圧センサの断面図を表し、その際、図２０に示した製造段階物との差異は、シリコン−エピタキシャル層４０１の上側及び封止層２００１の間に付加的酸化物層２２０２を備えていることである。図２１の場合と同様に、開口部２２０１は、有利にトレンチエッチングにより作成される。このエッチングプロセスはこの場合に酸化物層２２０２で停止し、中空室もしくは空洞２０１への圧力供給部が作成される。
【００８５】
封止層２００１が酸化物層により作成される場合、場合により付加的酸化物層２２０２を省くことができる。これは、差圧センサのダイアフラムとして用いる特に封止層２００２の安定性が十分である場合に通用する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
シリコン基板中でわずかな気孔率を有するシリコンダイアフラムの作成後に、そのシリコンダイアフラムの下にそれに対して高い気孔率を多孔性のシリコン層を作成した本発明による圧力センサの製造段階物の第１の有利な実施態様の断面図
【図２】
シリコンダイアフラムの下にあるより高い気孔率を有するシリコン層を中空室にした後の図１に示した第１の製造段階物の断面図
【図３】
図２に示した製造段階物をベースとして製造した、多孔性のシリコンダイアフラムを前処理しかつ、圧力センサの本来のダイアフラムを形成するエピタキシャル層を設けた後のさらなる製造段階物の断面図
【図４】
図２に示した製造段階物をベースとして製造した、多孔性のシリコンダイアフラムに、圧力センサの本来のダイアフラムを形成するエピタキシャル層を設けた後のさらなる製造段階物の第２の実施態様の断面図
【図５】
単結晶のピエゾ抵抗性の抵抗及びドーピングされた配線を備えている、図３又は図３に示した製造段階物をベースとして製造した絶対圧力センサの断面図
【図６】
センサ中に集積回路を備えている、図５に示した絶対圧力センサの断面図
【図７】
中空室への進入開口部及びラテラルな通路を備えた本発明による差圧センサの第１の実施態様の断面図
【図８】
図７に示した差圧センサのダイアフラム領域を上から見た概略図
【図９】
中空室への進入開口部を備えた本発明による差圧センサの第２の実施態様の断面図
【図１０】
唯一の厚い多孔性の層を備えた本発明による差圧センサの第２の実施態様の断面図
【図１１】
第１の進入開口部を備えた図１０に示した製造段階物の断面図
【図１２】
第２の進入開口部を備えた図１０に示した製造段階物の断面図
【図１３】
基板の下側にまで達する多孔性の層を備えた本発明による差圧センサの第４の実施態様の製造段階物の断面図
【図１４】
基板の下側にまで達する多孔性の層を除去した後の図１３に示した製造段階物の断面図
【図１５】
本発明による容量型絶対圧力センサの製造段階物の断面図
【図１６】
シリコンダイアフラムの下側にある中空室を備えた多孔性のシリコンダイアフラムを作成した後の図１５に示した製造段階物の断面図
【図１７】
圧力を負荷した際の圧力センサのダイアフラムのたわみに基づき抵抗が変化するような抵抗を備えた圧力センサの製造段階物の第１の実施態様の断面図
【図１８】
圧力を負荷した際の圧力センサのダイアフラムのたわみに基づき抵抗が変化するような抵抗を備えた圧力センサの製造段階物の第２の実施態様の断面図
【図１９】
シリコンダイアフラムの下側に中空室を備えた、シリコン基板上に堆積させたシリコン−エピタキシャル層中に多孔性のシリコンダイアフラムを作成した後の図１７に示した製造段階物の断面図
【図２０】
多孔性のシリコンダイアフラムに封止層を設けた後の図１９に示したさらなる製造段階物の断面図
【図２１】
図２０に示した絶対圧力センサをベースとして製造した、差圧センサの第１の実施態様の断面図
【図２２】
図２０に示した絶対圧力センサをベースとして製造した、差圧センサの第２の実施態様の断面図
【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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