(57)【要約】ＶＩＩＩ族金属を含む触媒の存在下において、少なくとも２個のニトロ基を含む芳香族化合物を水素により還元することを含む芳香族アミンの製造方法であって、この反応は３０ｗｔ％以下の反応中間体を維持するように行われ、製造される溶液は純度９９以上の芳香族アミンを回収するように処理され、芳香族アミンと反応中間体を含む混合物は反応工程に戻される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族アミンの製造方法であって、
ａ）少なくとも２個のニトロ基を有する芳香族化合物を反応ゾーンに供給し、この化合物を触媒と接触させること、
ｂ）この反応ゾーンに還元ガスを通し、このガスを前記化合物と接触させること、
ｃ）反応中間体のレベルが芳香族アミンの３０ｗｔ％以下である転化度に達するまで、触媒の存在下でニトロ基をアミン基に還元すること、この触媒は担体に担持された活性金属を含む、
ｄ）反応ゾーンからの第一の流体を取り出し、この第一の流体を反応ゾーンに戻すこと、
ｅ）所望の芳香族アミン生成物及び、この芳香族アミンを基準として３０ｗｔ％以下の反応中間体を含む第二の流体を反応ゾーンから取り出すこと、
ｆ）工程（ｅ）からの流体から、純度９９％以上の芳香族アミン及び少なくとも５０ｗｔ％の芳香族アミンと５０ｗｔ％までの反応中間体を含む混合物を回収すること、及び  ｇ）工程ｆ）の混合物を反応ゾーンに供給すること
を含む方法。
【請求項２】
連続的に行われ、反応中間体のレベルが１０％以下である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
反応ゾーン中の温度を制御するために熱交換により第一の流体から熱を除去する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
触媒が微粉砕されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
触媒が反応媒体中に微分散した触媒を含む懸濁液の形態である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
反応媒体が水を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
還元ガスが前記懸濁液中に吹き込まれ、芳香族化合物と接触し、工程ｅ）において、第二の流体が、触媒を含む懸濁液中に浸漬されたフィルターカートリッジにより反応ゾーンから取り出される、請求項５又は６記載の方法。
【請求項８】
還元ガスが水素を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも２個のニトロ基を含む芳香族化合物がジニトロトルエンである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
芳香族化合物に対する還元ガスのモル比が５〜１０である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
触媒が周期表のＶＩＩＩ族に属する金属より選ばれる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
触媒がカーボン上に担持されたパラジウムである、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
触媒が１０〜１００μｍの平均寸法を有する粒子の形態である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
反応ゾーンの温度が１２０〜２２０℃であり、圧力が０．５〜１０ＭＰａである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第二の流体が芳香族アミンを回収するための蒸留工程に送られる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
反応ゾーンから取り出される第二の流体が結晶化ユニットに送られ、ここから芳香族アミンが回収される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、芳香族アミンの製造方法に関する。詳細には、本発明は芳香族アミン、特にメタトルエンジアミンの連続製造方法に関する。
【０００２】
窒素化合物の水素化による芳香族アミンの製造方法は、たとえばＤＥ １，５４２，５４４、ＢＥ ６３１，９６４、ＦＲ １，３５９，４３８、ＧＢ ７６８，１１１、ＵＳ ３，９３５，２６４、ＵＳ ４，３８７，２４７、ＵＳ ４，７１７，７７４、ＵＳ ５，５６３，２９６、ＵＳ ５，７２８，８８９及びＵＳ ５，８４９，９４７から知られている。
【０００３】
これらの方法によれば、２以上のニトロ基を含む芳香族誘導体が水素、又は他の還元ガス、例えば硫化水素と、鉄、コバルト、ニッケル、銅、銀もしくはセシウム等の重遷移金属より選ばれる触媒（そのままで不活性担体上もしくは酸化物、水酸化物もしくはカーボネートの形態）の存在下において加圧下高温で反応される。この反応は溶媒、通常は水、脂肪族アルコールもしくはこれらの混合物の存在下において、所望により一酸化炭素のようなアミン基へのニトロ基の還元助剤の存在下において行われる。この反応は通常、微粉砕形態の、製造されたアミンとともに連続して抽出される触媒を懸濁した攪拌反応器中で行われる。
【０００４】
メタトルエンジアミンのような芳香族ジもしくはポリアミンのこれらの製造方法の欠点は、特に高温及び高圧において反応体の操作条件の結果として生ずる多くの反応副生成物が最終生成物中に存在することである。これらの反応副生成物並びに有効な生成物の収率を低下させることは所望の生成物を汚すことになる。生成物の純度が低いことは望ましくなく、製造プラントの操作に深刻な影響を与える。
【０００５】
ＵＳ ５，５６３，２９６には、１２０〜２２０℃という高温で行うが、二次生成物の形成をかなり低下させるとされる芳香族アミンの製造方法が開示されている。この方法は、２以上のニトロ基を含む芳香族化合物、水素及び触媒を「ジェットループ」タイプ反応器に供給し、そこで反応体懸濁液にディフーザーが挿入されたベンチュラチューブにより混合される。ここで、反応体はポンプにより連続的に抽出され、一部はベンチュラチューブに戻され、懸濁液中に分散した触媒と混合される。反応器の底から抽出された懸濁液は反応容器の外側の熱交換器中で冷却され、その後ベンチュラチューブに戻される。
【０００６】
出願人は、ＵＳ ５，５６３，２９６に開示されている方法にような、特定のタイプの反応器を用いる必要のない芳香族アミンの製造方法が、高レベルの純度で従来の反応容器から生成物を回収可能であることを見出した。
【０００７】
本発明の目的は、芳香族アミンの製造方法であって、
ａ）少なくとも２個のニトロ基を有する芳香族化合物を反応ゾーンに供給し、この化合物を触媒と接触させること、
ｂ）この反応ゾーンに還元ガスを、好ましくは連続的に通し、このガスを前記化合物と接触させること、
ｃ）反応中間体のレベルが芳香族アミンの３０ｗｔ％以下、好ましくは１０％以下、例えば５〜１０％である転化度に達するまで、触媒の存在下でニトロ基をアミン基に還元すること、この触媒は担体に担持された活性金属を含む、
ｄ）反応ゾーンからの第一の流体を取り出し、この第一の流体を反応ゾーンに戻すこと、
ｅ）所望の芳香族アミン生成物及び、この芳香族アミンを基準として３０ｗｔ％以下、好ましくは１０ｗｔ％以下、例えば５〜１０ｗｔ％の反応中間体を含む第二の流体を反応ゾーンから取り出すこと、
ｆ）工程（ｅ）からの流体から、純度９９％以上の芳香族アミン及び少なくとも５０ｗｔ％の芳香族アミンと５０ｗｔ％までの反応中間体を含む混合物を回収すること、及び  ｇ）工程ｆ）の混合物を反応ゾーンに供給すること
を含む方法に関する。
【０００８】
好適には、反応ゾーンは、反応ゾーン中で成分を攪拌する手段、例えば攪拌器を備えた反応容器で規定される。
【０００９】
望ましくは、第一の流体は反応ゾーンの底から取り出される。第一の反応流体は好適には連続、密閉リアイクルループによって反応ゾーンに戻される。反応ゾーンに戻す前に、好ましくは反応ゾーンの温度を制御するために熱交換機によって第一の流体から熱が除去される。
【００１０】
触媒は芳香族化合物の還元を触媒するためにこの化合物と接触するどのような形態であってもよいが、好ましくは微粉砕されている。
【００１１】
好ましい態様において、触媒は反応媒体に分散された美粉砕触媒を含む懸濁液に形態である。好ましくは、この反応媒体は水を含む。好適には、還元ガスはこの懸濁液に吹き込まれ、芳香族化合物と接触する。
【００１２】
好ましくは、本発明の工程（ｅ）において、第二の流体は、触媒を含む懸濁液中に浸漬されたフィルターカートリッジにより反応ゾーンから取り出される。
【００１３】
還元ガスは好適には、水素を含み、好ましい態様においては実質的に純粋な水素である。
【００１４】
還元反応の間に形成された中間体は通常アミノニトリルであり、これは芳香族反応体から一部のみ還元された化合物である。
【００１５】
本発明の芳香族アミンの製造方法は、ジニトロトルエンから出発するメタトルエンジアミンの製造に特に適している。この場合、攪拌反応器（ＣＳＴＲ）又はカラム反応器にはそのヘッドからジニトロトルエンが供給され、底部からマイクロバブルディフューザーにより還元ガスが供給される。このカラム反応器においては、反応媒体において反応体が連続的に、上昇する還元ガスのマイクロバブルとゆっくり接触する。
【００１６】
ジニトロトルエンの場合、反応の間、ジニトロトルエンはまずアミノニトロトルエンに還元される。２，４−ジニトロトルエンの場合、中間体は４−アミノ−２−ニトロトルエン異性体を含み、その後メタトルエンジアミンになる。一部還元された生成物を得るため、還元ガス／芳香族化合物、例えば水素／ジニトロトルエンのモル比は５〜１０であることが好ましい。
【００１７】
好適には、反応容器の底から取り出される懸濁液は、実際、高沸点副生成物ではない。これは好ましくは、例えば懸濁液を処理することのできるポンプによって連続的に取り出され、熱交換機により冷却され、反応熱を排除もしくは低下させ、その後反応器に戻される。この循環操作は有利には、反応器内の温度制御を可能にし、懸濁液を均質にし、反応体と触媒の接触をより良好なものにする。
【００１８】
メタトルエンジアミンへのジニトロトルエンの還元に加え、本発明の方法は、ニトロ基を含む他の芳香族化合物、例えばジニトロベンゼン及びその対応する異性体、及びジニトロキシレンの還元にも適している。
【００１９】
ニトロ基をアミン基に還元することができるあらゆる触媒を本発明の方法において用いることができる。特に適する触媒の例は、周期表のＶＩＩＩ族に属する金属、例えば鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、パラジウム及び白金である。好ましくは、この触媒はアルミナもしくはシリカのような不活性担体上に担持されている。特に好ましい触媒はカーボン上に担持されたパラジウムである。
【００２０】
この触媒は好適には、平均寸法が１０〜１００μｍである粒子の形態である。この触媒は望ましくはＶＩＩＩ族金属、例えばパラジウムを、触媒の総量に対して０．５〜２０ｗｔ％のレベルで含む。
【００２１】
好適には、工程（ｄ）における第一の流体のリサイクル流速及びその温度は、反応ゾーン中の温度を１２０〜２２０℃に保つように調節される。反応ゾーン内の圧力は好適には０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．１〜５ＭＰａである。
【００２２】
第二の流体は好ましくは芳香族アミンを回収するための系、例えば蒸留プロセス、好ましくは真空蒸留カラムに供給される。重生成物の形成を避けるもしくは低減するため、蒸留プロセスは１０〜２０ｍｍＨｇの圧力、及び１５０〜１６０℃のカラムの底の温度において行われる。
【００２３】
蒸留以外に、本発明の方法は反応ゾーンから取り出された第二の流体を結晶化ユニットに供給し、そこで芳香族アミンを、たとえば９０〜１１０℃の温度において結晶化し、続いて公知の方法により回収する。真空蒸留及び結晶化の両方の場合において、少なくとも５０ｗｔ％の芳香族アミン及び５０ｗｔ％までの反応中間体を含む残りの反応混合物（好ましくは５０／５０）は反応ゾーンに戻される。
本発明を以下の例により説明する。
【００２４】
例１
１８，０００ｋｇ／ｈの２，４−ジニトロトルエンを、容積３０ｍ３のＣＳＴＲ攪拌反応容器の上部に供給し、１，１８７ｋｇ／ｈの水素をバブルディストリビューターによって底に供給した。
【００２５】
５ｗｔ％のパラジウムが担持されたカーボン粒子からなる固体触媒１ｗｔ％を含む水性懸濁液を反応器の内部に入れた。この触媒粒子の平均寸法は３０μｍであり、表面積は９００ｍ２／ｇである。
【００２６】
反応器内は１３５℃の温度及び０．４ＭＰａの圧力を維持した。
反応器の底から９０ｍ３／ｈの懸濁液を取り出し、外部反応器内で９０℃に冷却し、反応器のヘッドに戻した。９０％の２，４−トルエンジアミン（ＴＤＡ）及び１０％の２−アミノ−４−ニトロトルエン（ＡＭＮ）を含む水溶液を、懸濁液に浸漬したフィルターカートリッジにより抽出し、１０ｍｍＨｇ及び底において１５０℃の蒸留カラムに供給した。
【００２７】
純度９９％の、１１．９４５ｋｇ／ｈの２，４−トルエンジアミン（ＴＤＡ）をカラムのヘッドから取り出し、ＡＭＮ及びＴＤＡを含む（５０／５０）水溶液を底から取り出し、反応器に戻した。
【００２８】
例２
例１と同様にして反応基のフィルターカートリッジにより抽出した、９０％のＴＤＡ、８％のＡＭＮ及び２％の水を含む水溶液を、約９０〜１１０℃で操作するドロップフィルム結晶化器に供給した。
【００２９】
結晶化器への供給物（１０部）を８部のＴＤＡ及び２部のＴＤＡ、ＡＭＮ及び水の混合物に分け、反応器に戻した。９９％以上の純度にするため、結晶化された生成物（ＴＤＡ）を１部の水で洗浄し、反応器に戻した。
【国際公開パンフレット】
2004501891.tif 000002
2004501891.tif 000003
2004501891.tif 000004
2004501891.tif 000005
2004501891.tif 000006
2004501891.tif 000007
2004501891.tif 000008
2004501891.tif 000009
2004501891.tif 000010
2004501891.tif 000011
2004501891.tif 000012
2004501891.tif 000013
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004501891.tif 000014
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004501891.tif 000015
【国際調査報告】
2004501891.tif 000016
2004501891.tif 000017
2004501891.tif 000018