(57)【要約】【課題】従来技術の限界に応答するデバイス、及び該デバイスを作る方法を提供すること、及びまた発光体として及び別のアプリケーションとして改良された動作を示すデバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイスを形成する方法は、複数の半導体層を提供する工程と、デバイスの層への信号及び／又はデバイスの層からの信号を結合する手段を提供する工程と、デバイスの隣接する層の間に配置される量子井戸を提供する工程と、隣接する層の１つに配置され、及び量子井戸と間隔をあけた量子ドットの層（８２５、８７５）を提供する工程とを含み、それによりキャリアが量子井戸と量子ドットの間の両方向をトンネリングできる。【選択図】図８
2004537854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
複数の半導体層を提供する工程と、
前記半導体デバイスの層への信号及び／又は前記半導体デバイスの層からの信号を結合する手段を提供する工程と、
前記半導体デバイスの隣接する層の間に配置される量子井戸を提供する工程と、
前記隣接する層の１つに配置され、前記量子井戸と間隔をあける量子ドットの層を提供し、これによりキャリアが前記量子井戸と前記量子ドットの間を両方向にトンネリング可能となる工程と
を含むことを特徴とする半導体デバイスの形成方法。
【請求項２】
前記複数の半導体層を提供する工程が、III−Ｖ族半導体層を提供することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記量子井戸層と量子ドット層を提供する工程が、前記III−Ｖ族半導体としての層を提供することを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記量子ドット層がIII−Ｖ族半導体のバリア層により前記量子井戸層と間隔をあけられ、前記バリア層が約５オングストロームから１００オングストロームの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記量子ドットの層を提供する工程が、ドープされていない量子ドットが提供されることを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項６】
前記量子ドットの層を提供する工程が、ｎ型にドープされた量子ドットが提供されることを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項７】
前記量子ドットの層を提供する工程が、ｐ型にドープされた量子ドットが提供されることを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項８】
前記ｎ型にドープされたドットを提供する工程が、少なくともＮ＝１０１５/cm3の濃度にドープされたドットを提供することを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ｐ型にドープされたドットを提供する工程が、少なくともＮ＝１０１６/cm3の濃度にドープされたドットを提供することを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ドットを提供する工程が、１０オングストロームから１００オングストロームの範囲の高さ及び１０オングストロームから２００オングストロームの範囲の径の平均寸法を有するドットを提供することを含むことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ドットを提供する工程が、１cm2当たり１０１０から１０１２の範囲の平均密度を有するドットを提供することを含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体デバイスを形成する方法が、半導体の発光体を形成する方法を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体デバイスを形成する方法が、半導体レーザーを形成する方法を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体デバイスを形成する方法が、トランジスタを形成する方法を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体デバイスを形成する方法が、電界効果トランジスタを形成する方法を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体デバイスを形成する方法が、半導体検波器を形成する方法を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記量子井戸を提供する工程が、複数の量子井戸を提供することをさらに含むことを特徴とする請求項１又は４に記載の方法。
【請求項１８】
前記量子ドットの層を提供する工程が、複数の量子ドットの層を提供することをさらに含むことを特徴とする請求項１、４又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
半導体デバイスを形成する方法であって、
複数のIII−Ｖ族半導体層を提供する工程と、
前記半導体デバイスの層への信号及び／又は前記半導体デバイスの層からの信号を結合する手段を提供する工程と、
他の層との間において両方向に伝達できるキャリアのソースとして前記層の少なくとも１つに配置されるドープされた量子ドットの層を提供する工程と
を含むことを特徴とする半導体デバイスの形成方法。
【請求項２０】
前記ドープされた量子ドットの層を提供する工程が、III−Ｖ族半導体量子ドットの層を提供することを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ドープされた量子ドットの層を提供する工程が、前記ドットが配置される少なくとも１つの半導体層に格子整合しているドットを提供することを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ドープされた量子ドットの層を提供する工程が、前記ドットが配置される少なくとも１つの半導体層に格子整合していないドットを提供することを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記量子ドットの層を提供する工程が、ｎ型にドープされた量子ドットが提供されることを含むことを特徴とする、請求項１９から２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記量子ドットの層を提供する工程が、ｐ型にドープされた量子ドットが提供されることを含むことを特徴とする請求項１９から２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記ｎ型にドープされたドットを提供する工程が、少なくともＮ＝１０１５/cm3の濃度にドープされたドットを提供することを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記ｐ型にドープされたドットを提供する工程が、少なくともＮ＝１０１６/cm3の濃度にドープされたドットを提供することを含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記ドットを提供する工程が、１０オングストロームから１００オングストロームの範囲の高さ及び１０オングストロームから２００オングストロームの範囲の径の平均寸法を有するドットを提供することを特徴とする請求項１９から２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
前記ドットを提供する工程が、１cm2当たり１０１０から１０１２の範囲の平均密度を有するドットを提供することを含むことを特徴とする請求項１９から２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
複数の半導体層と、
半導体デバイスの層への信号及び／又は半導体デバイスの層からの信号を結合する手段と、
前記半導体デバイスの隣接する層の間に配置される量子井戸と、
前記隣接する層の１つに配置され、前記量子井戸と間隔をあけた量子ドットの層であって、これによりキャリアが前記量子井戸と前記量子ドットの間を両方向にトンネリング可能になる量子ドットの層と
を備えていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３０】
複数のIII−Ｖ族半導体層と、
半導体デバイスの層への信号及び／又は半導体デバイスの層からの信号を結合する手段と、
他の層との間において両方向に伝達できるキャリアのソースとして前記層の少なくとも１つに配置されるドープされた量子ドットの層と
を含むことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの分野及びこの半導体デバイスの形成方法に関し、さらに詳細には、量子井戸と量子井戸と間隔をあけた量子ドットの層を有する半導体デバイス、及びこうしたデバイスを作る方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９７７年、量子井戸（QW）レーザーが紹介された。そのレーザーは、活性領域において、１つ又はそれ以上の薄い量子井戸層（約４００Åに満たないLZ）を採用し、その量子井戸は、さらに高いギャップのｐ型及びｎ型閉じこめ層によりさらに密封されたより厚い導波路領域の間に挟まれる（１９７７年８月１５日、E.A.Rezek、 N.Holonyak,Jr.、 B.A.Vojak,、G.E.Stillman、J.A.Rossi、 D.L.Keune、及びJ.D.Fairing等によるAppl.Phys.Lett.の３１巻２８８頁から２９０頁の「LPE In1-xGaxP1-zAsz(x〜0.12, z〜0.26) DH Laser With Multiple Thin-Layer(＜500Å) Active Region」、１９７７年１０月１５日、E.A.Rezek、H.Shichijo、B.A.Vojak, 及びN.Holonyak,Jr.によるAppl.Phys.Lett.の３１巻５３４頁から５３６頁の「Confined-Carrier Luminescence of a Thin In1-xGaxP1-zAsz Well(x〜0.13, z〜0.29; 〜400Å) in an InP p-n Junction」を参照のこと）。約１０年間で、多数のグループが実際的で広く製造されている量子井戸レーザーをいわゆる量子ドットレーザーに切り換えようとしてきた。目標は究極のレーザーを作ることだった。理論上は、QWレーザーの薄い量子井戸層（又は複数の薄い量子井戸層）が、同一の小さい量子ボックス（すなわち、量子ドット）の均一で密集したシートに（理想的に）「切り分けられる」。こうした構造では、電子及び正孔が（電流、光などを経由して）注入され、さらに容易に成長する薄い（約４００Åに満たないLZ）均一のQWのシート（従って、一次元の膜厚方向での閉じ込め及び量子化を伴う２−Ｄ構造である。）に収集される代わりに、電子及び正孔が小さい量子ドット（すなわち、量子ボックス；それ故、三次元の閉じ込め及び量子化を伴う０−Ｄ構造である。）に収集され、再結合する。小さいボックス、すなわちドットは、「太った」小分子のようであり、（理想的には）みな似ており、密集して均一に配置される[例えば、米国特許6,369,403、及びJ.H.Ryou、R.Dupuis、G.Walter、D.Kellog、N.Holonyak,Jr.、D.Mathes、R.Hull、C.Reddy、及びV.NarayanamuriによるAppl.Phys.Lett.の７８巻４０９１頁（２００１年）で参照できる]。実際、量子ドットは確率論的及び蓋然論的で、小さいがランダムである。それらは形状、寸法、及び配置においてランダムであり、十分に密集していない、すなわち、（トンネリングにより）量子的に結合するほどまで十分近接していない。電子と正孔の対（e-h）は（すべての対が収集されると仮定すると）各ボックスに保持され、隣接するボックスへ移動しない。e-hの対はQWのシート（約４００Åに満たないLZ；Lx、Lyは平面上に広がる；それ故２−Ｄ構造）で行うのと同じくらい容易に、ドット平面を動き回りはせず再配置することはない。つまり、一枚の（又は複数枚の）シートの量子ドットに沿った導電がほとんど存在しない又は存在しない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、前述した従来技術の限界に応答するデバイス、及びこのデバイスの形成方法を提供すること、さらに発光体として及び別のアプリケーションとして改良された動作を示すデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
量子ドットヘテロ構造（QDHs）の持つ主要な課題は、QD構造の確率論的性質、均一性の欠落、不十分なQD密度、及び微弱なＱＤ間の（QD-to-QD）結合である。本発明の態様によれば、課題に対する解決策は、薄いバリアを介して、１枚（又は複数枚）のQDsのシートをQW層、例えば、QWレーザーのQW層と結合させることである。QDsの高エネルギ状態は、薄くて均一のQW層の低い閉じこめられた粒子状態と共鳴し、トンネリングにより結合する。QW層における電子正孔移動により、平面上にe-hの対を再配置でき、量子ドット間の（dot-to-dot）結合を提供できる。すなわち、電子はQDからQW層へトンネルリングし、QW層の平面を移動し、さらに別のQDに再トンネリングする。従って、QDsを平面ではなく、平面の外でQW層と結合し、その後QW層平面の他の箇所で、別のQDと結合することができる。この方法によって、本発明は電荷がQDから離脱して導波路領域においてドットからドットへ移動することを可能にし、最適な放射を助ける。
【０００５】
また、万一QDsが注入された電子正孔の対を効率的に収集できない場合（明確な可能性）、補助的な薄いQW層（又は、必要であれば又は望ましければ多重のQW層）が注入キャリアを収集し、それらを共鳴トンネリングを経由して量子ドットに与え、その後、（光子発生及びレーザー動作のための）再結合のため、低エネルギの量子ドット状態にまでキャリアを散乱させる。多重QD層及び多重QW補助又は接続（伝達）層が採用でき、レーザー又は他のデバイス設計の一部となれることは明らかである。
【０００６】
本発明のさらなる態様によれば、量子ドットはIII−Ｖ族QDヘテロ構造の低いギャップ構成要素であるので、ドープできる又はドープされないままでいられる。言い換えると、QDは量子「ドーピングボール」に変更できる。ｎ型又はｐ型のQD「ドーピングボール」を採用するにあたって、補助的なQW接続又は伝達層をドープされないままに、又はｎ型にドープされた又はｐ型にドープされたままにしておくためのデバイス設計上の理由が単に存在するといった利点がある。補助的なQW接続層はQDsと密接に結合できる（小さい分離したバリアの厚さ）又は弱く結合できる（大きなバリア厚さ）。また、補助的なQW層はより厚くなって、その下位の閉じ込め粒子状態を最下位のQD状態より下に落とすことができる。又は、補助的なQW層はより薄くなって、その最下位の閉じこめ粒子状態を最下位のQD状態より上に高めることができる。前述した型の技術及び構造は電界効果トランジスタデバイスに組み込ませることができる。例えば、ドープされたQDs、すなわち「ドーピングボール」はいわゆる仮想トランジスタを新しい形状の電界効果トランジスタに変更するために使用できる。ドープされたQDsは補助的QW層を伴って又は伴わずに用いることができる。
【０００７】
GaAs（Eg＝1.42eV）後に、より高いギャップの、例えばGaP（Eg＝2.26eV）のトンネルダイオード作ることはほとんど不可能となる。ギャップが高ければ高いほど（エネルギが高ければ高いほど）、狭いトンネリング距離を必要とし、そのためp-nトンネルダイオードではより高いドーピングが必要とされ、通常の、高いギャップに伴うより低い不純物溶解度は必要としない。
【０００８】
トンネルダイオードは、１つの大きい均一な接合ではなく、むしろ微細なトンネル接合の配列、例えばp-n接合のn側上のドープされた量子ドットの配列であるように作ることができる。例えば、１９９３年に作られたGaAs(p+)-InGaAs(n+)-GaAs(n+)p-nトンネルダイオード（Richard等によるAppl.Phys.Lett.６３巻３６１６頁（１９９３年１２月２７日））、すなわち、狭いギャップのInGaAs中央領域、つまり低減されたバリアが量子ドットに切り分けられる。VCSELレーザー等におけるトンネル接触のためのこの種の構造の重要性は、米国特許6,369,403と関連して理解できる。
【０００９】
トンネル接触又はトンネルダイオードに採用される型である同様のドープされたQDsは、同じ型のドープされたQDs、つまり任意の積層ヘテロ構造におけるドーピングソースとして使用できるドーピングボール（DBs）であり、雑誌文献の多数の論文に記載される様々な種類の量子ドット（QD）発光デバイス（例えばレーザー）のすべてに含む。ドーピングドット（DDs）、すなわちドーピングボール（DBs）は（層の中の）高ギャップ材料に通すことができ、キャリアソースとして動作する。小さいQDドーピングボールは十分に小さいので、たとえ格子不整合であって格子欠陥（転位）を作らないとしても高ギャップ材料に組み込むことができる。ドーピングボール、及びその「押し込まれた」高エネルギ状態は、QD材料、例えば高ギャップ材料であるIn0.5Ga0.5P又はIn0.5Al0.3Ga0.2P中のInP QDの溶解限界点では不純物を運び、QDsが組み入れられる高ギャップ層（基質層）の溶解限界点では不純物を運ばない。
【００１０】
ドーピングQDs（DDs又はDBs）の層又は領域は、ちょうど量子井戸、バリア、結合バリア、導波路領域、閉じこめ層などがデバイスに組み込まれるように、ヘテロ構造デバイスに組み込むことができる用途の広い層（ｎ型、ｐ型、ドープされていない）である。様々な種類のデバイス、発光体（LEDs及びレーザー）、検出器、トランジスタなどが利益を得ることができる。QDsは（今日のQDレーザーにおけるような）キャリア再結合のための単なる小さな「ボックス」、すなわち、改良されたキャリア再結合の「中心」という見方をされる必要はなく、さらに広範に、QDは、別の方法ではドープするのが難しい領域に不純物を運ぶことができ、又は増強したドーピングの機会を提供する特定の小さい「ボックス」という見方ができる。すべてのIII−Ｖ族材料が、QDのレイヤ化（layering）及びドーピングドット（ドープされた量子ドット）技術及びデバイスに対しての候補としてあがる。窒化物材料は比較的高ギャップであり、比較的ドープするのが難しいため、ドーピングドットを採用することから特に利益を得る。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、半導体デバイスを形成する方法が述べられ、その方法は複数の半導体層を提供する工程と、デバイスの層への信号及び／又はデバイスの層からの信号を結合する手段を提供する工程と、デバイスの隣接する層の間に配置される量子井戸を提供する工程と、隣接する層の１つに配置され、量子井戸と間隔をあける量子ドットの層を提供する工程とを含み、それによりキャリアが量子井戸と量子ドットの間の一方向にトンネリングできる。本発明のこの形式の実施形態では、量子ドット層はバリア層により前記量子井戸と間隔を開けられており、バリア層は約５オングストロームから１００オングストロームの範囲の厚さを有する。この実施形態では、量子ドットの層を提供する工程は、ドープされた量子ドットを提供することを含む。またこの実施形態では、ドープされた量子ドットを提供する工程はｎ型のドーピングに対しては少なくともＮ＝１０１５/cm3の濃度にドープされた量子ドットを提供すること、及びｐ型のドーピングに対しては少なくともＮ＝１０１６/cm3の濃度にドープされた量子ドットを提供することを含む。さらにこの実施形態では、ドットを提供する工程は１０オングストロームから１００オングストロームの範囲の高さと１０オングストロームから２００オングストロームの範囲の径の平均寸法と、１cm2当たり１０１０から１０１２の範囲の平均密度を有する量子ドットを提供することを含む。
【００１２】
本発明のさらなる実施形態によれば、複数の半導体デバイス；デバイスの層への信号及び／又はデバイスの層からの信号を結合する手段と、デバイスの隣接する層の間に配置される量子井戸と、隣接する層の１つに配置され量子井戸と間隔をあける量子ドットの層とを含み、それによりキャリアが量子井戸と量子ドットの間の両方向にトンネリングできる半導体デバイスが提供される。
【００１３】
本発明の他の実施形態によれば、複数のIII−Ｖ族半導体層；デバイスの層への及び／又はからの信号を結合する手段と、量子ドットと別の層との間において両方向に伝達できるキャリアのソースとして少なくとも１つの層に配置されるドープされた量子ドットの層とを含む半導体デバイスが提供される。
【００１４】
本発明のさらなる特徴及び利点は、添付の図面と関連づけられるとき、以下の詳細な記述からさらに容易に明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、量子井戸層に非常に近接して配置される量子ドット層を伴うデバイスのQW内キャリア移動及びトンネリングによるキャリアのQD-QW間移動（両方向）を示す図である。図１では、垂直方向がエネルギレベルを表し、x方向がデバイス層面の法線方向である。量子井戸伝達層は１１０で表され、量子ドットは１２０で表される。量子井戸のエネルギ状態はE1QW及びE2QWと付され、量子ドットのエネルギ状態はE1QDと付される。双頭の矢印IIIはQW内移動を表し、矢印１２１は両方向のQW-QD間移動を表す。図からわかるように、電子は、例えば量子ドットから量子井戸層へトンネリングし、量子井戸層内を移動し、さらに再トンネリングによって別の量子ドットに戻ることができる。この方法では、電荷が量子ドットから離脱し、量子ドットの導波路領域でドットからドットへ移動して、例えば再結合輻射の放出を向上させることが可能である。
【００１６】
図２及び図３は、量子井戸に非常に近接し結合している量子ドットを有する２つのそれぞれのIII−Ｖ族量子井戸ヘテロ構造発光デバイスのエネルギ図である。
【００１７】
図２のデバイスはそれぞれｐ型及びｎ型のIn AlP閉じこめ層（２１０、２８０）と、導波路領域を規定するIn (AlGa)P導波路層（２２０、２７０）と、QW状態が示されるInGaP量子井戸（２５０）と、QD状態が示されるInP量子ドット層（２５５）とを備えている。
【００１８】
図３のデバイスは、それぞれｐ型及びｎ型のAlyGa1-yAs及びAlxGa1-xAsのクラッド層（３１０、３１５及び３８０、３７５）と、導波路領域を規定するGaAs導波路層（３２０、３７０）と、QW状態が示されるInGaAs量子井戸（３５０）と、QD状態が示されるInGaAs量子ドット層（３５５）とを備えている。
【００１９】
図４はドーピングドットを採用するIII−Ｖ族仮想電界効果変換器デバイスのエネルギ図である。図４のデバイスは、例えばInGaP又はAlGaAsの結晶表面４１０を有し、その上に金属ゲート電極が置かれる。InGaP又はAlGaAsの薄いバリア内のInAsのドーピングドット４２０は、GaAs上のInGaAs量子井戸（一緒にチャネルを含む）とわずかに間隔をあけている。
【００２０】
図５は、（結合した量子井戸を伴わない）量子ドット層を有するIII−Ｖ族ヘテロ構造のサンプルを示し、そこからテストデバイスが作られた。図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び（Ｄ）は従来の量子ドットデバイスの基準を示すテストに使用される３つのサンプルの層構造を示している。図５（Ａ）及び（Ｂ）のサンプルは単一量子ドット層を有し、図５（Ｃ）のサンプルは多重の量子ドット層を有する。これら及びこれに続くサンプルでは、In(AlGa)P層はIn0.5(AlxGa1-x)10.5Pである。
【００２１】
図６及び図７は、結合した量子井戸及び量子ドット層を有するIII−Ｖ族ヘテロ構造のサンプルを示し、そこからテストデバイスが作られた。図６（Ａ）のサンプルでは、単一の量子ドット層と単一の量子井戸伝達層を有する。図６（Ｂ）のサンプルは複数の量子ドット層とその間の量子井戸伝達層を有する。図７のサンプルは、それらの間に量子井戸伝達層を伴う多重量子ドット層を有する。
【００２２】
図８はIII−Ｖ族QD-QW結合型ヘテロ構造レーザーのダイアグラムである。示される構造は図６（Ｂ）のサンプルの構造と似ており、InP量子ドット層の間に単一のInGaP伝達量子井戸を伴う。図８では、層８１０及び８９０はそれぞれｎ型及びｐ型のIn0.5Al0.5P下部及び上部クラッド層である。層８２０及び８８０はそれぞれ、In0.5(AlxGa1-x)0.5P下部及び上部導波路層である。InP量子ドット層は８２５及び８７５で表され、In0.5(AlxGa1-x)0.5Pの薄いバリア８３５及び８６５により、In0.5Ga0.5P量子井戸伝達層から分離される。GaAs基板及びバッファ層は８０７及び８０８で示され、GaAsキャップ層は層８９０上に置かれる。適切なメタライゼーションも適用できる。この実施形態では、量子井戸の厚さが２０オングストロームから１００オングストロームの範囲であり、バリアは５〜１５原子層の範囲である。導波路の厚さは約１０００オングストロームである。
【００２３】
G.Walter、N.Holonyak,Jr.、J.Ryou 及びR.DupuisによるAppl. Phys. Lett.の７９巻１９５６頁（２００１年９月）には、本発明の原理に基づき有機金属化学気相成長法により成長するInP-In(AlGa)P-InAlpヘテロ構造の３００Ｋにおける光励起（ポンプ）形InP量子ドットレーザーの連続動作（６５６−６７９nm）を実証するデータが提示される。
【００２４】
G.Walter, N.Holonyak,Jr., J.Ryou 及びR.DupuisによるAppl. Phys. Lett.の７９巻３２１５頁（２００１年１１月）には、p-n InP-In0.5Ga0.5P-In0.5(Al0.3Ga0.2)P-In0.5Al0.5P量子ドット（QD）ヘテロ構造ダイオードが、キャリア収集を助けるためにIn(AlGa)Pバリア（〜２０Å）を介して単一のQD層と結合した補助的な〜２０ÅInGaP量子井戸を伴い、本発明の原理に基づき、補助的なQWを伴わない同様のダイオードの場合よりも急峻な電流−電圧特性を有することを示すデータが提示される。
【００２５】
G.Walter、T.Chung、及びN.Holonyak,Jr.によるAppl. Phys. Lett.の８０巻１１２６頁（２００２年２月）には、AlGaAs-GaAs-InGaAs-InAsヘテロ構造システムの単一層InAs量子ドット（QD）レーザーが、トンネリングを介して、補助的な歪み格子層のInGaAs量子井戸と単一のInAs QD層を結合することにより、利得及び連続波（cw）の室温動作が改善されて、本発明の原理に基づいて、キャリア収集及び熱化（thermalization）を助けることを示すデータが与えられる。Qw補助の単一層InAs QD+QWレーザーにより、動作された連続波cw（３００Ｋ）、及びパルス動作におけるダイオード長１５０μｍが、約１００cm-1と同じ高さの利得を示すことが実証された。
【００２６】
量子ドット層の形成に関して、T.Chung、G.Walter、及びN.Holonyak, Jr.によるAppl.Phys.Lett.の７９巻４５００頁（２００１年１２月）が参照でき、そこには、キャリア収集の改善に加えて、歪み整合する補助的なInGaAs層（量子井戸）をAlGaAs-GaAs-InGaAs-InAs QDヘテロ構造レーザーの単一量子ドット（QD）層のトンネリング距離内に配置することは、より高い密度及び均一性を有するより小さい寸法のQDを実現するのに好都合であるということを示すデータが提示される。
【００２７】
QDにQWを加えたデバイスの理論解析が、その原理に基づき、S.Chuang及びN.Holonyak, Jr.によりAppl.Phys.Lett.８０巻１２７０頁（２００２年２月）に記載されている。計算では、デバイスにおけるさらなるトンネリングの要請は、量子ドット状態の占有密度を妨げないことが示された。
【００２８】
本発明のさらなる実施形態では、デバイスの利得及び性能は、共鳴トンネリングを介して、歪みのない７０Å InGaP QWの基底状態（約６５４nm ピーク）を７．５ML（原子層）のInP QDsの結集した（確率論的な）第１励起状態（約６５４nm）に結合させることにより改善する。約６５４nmでの高い効率性の３００Ｋ cwレーザー動作が、結合したInP QD+ InGaP QW p-n InP-InGaP-In(AlGa)P-InAlP ヘテロ構造で実現される。
【００２９】
InP QD + InGaP QW ヘテロ構造は有機金属化学気相成長法（MOCVD）により成長する。AlGaAs/InAlP クラッド層／InAlGaP 導波路層及びバリア／InGaP 量子井戸／InP 量子ドットヘテロ構造の成長は、改良されたEMCORE GS3200-UTM 反応炉における低圧MOCVDにより６０トールの圧力と６５０℃の成長温度で、SiがドープされたGaAs（１００）軸基板上で達成される。付加精製されたトリメチルインジウム、トリエチルガリウム及びトリメチルアルミニウムはIII族ソースに使用され、高純度１００％のアルシン及びホスフィンは、キャリアガスとして精製されたH2とともにＶ族ソースに使用される。ドーパントソースはジシラン（ｎ型）及びビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム（ｐ型）である。エピタキシャル層の成長は、第１にｎ型（Si）に高濃度にドープされたGaAsバッファ層、続いてｎ型（Si）のIn0.5Al0.5P下部クラッド層（６００nm）から、次いでドープされていない導波路及び活性領域から成り、この活性領域は、薄いIn0.5Al0.3Ga0.2Pバリア（２nm）によりInP QDs（７．５ML）と結合したIn0.5Ga0.5P QW（７nm）の各側面上の２つのIn0.5Al0.3Ga0.2P導波路層（１２０nm）から成る。その後その構造は頭頂部にｐ型（Mgドープされた）のIn0.5Al0.5P クラッド層（６００nm）、ストライプ形状に酸化させるｐ型（Mg）のAl0.85Ga0.15As層（２００nm）、及びｐ型（Mg）のGaAs接触層（１００nm）を有する。
【００３０】
QD+QWレーザーダイオードに対して、製造は第１に１２μmの保護用SiN4ストライプを結晶上にパターニングすることにより行われる。その後ｐ型のAl0.85Ga0.15As酸化層が浅いウェットエッチングにより露出させられ、N2+H2Oが提供される加熱炉に４３０℃で２０分間酸化され（J.M.Dallesasse、N.Holonyak, Jr.、A.R.Sugg、T.A.Richard、及びN.El-ZeinによるAppl.Phys.Lett.５７巻２８４４頁（１９９０年）参照）、結果として電流孔及び導波路の幅を規定する約１０μmの非酸化ストライプが形成される。頭頂部の１０μmの保護用ストライプ（SiN4）は取り除かれ、その後サンプルが約１００μmにまで研磨され、ｎ型側ではAu-Geで、及びｐ型側ではTi-Auでメタライズされる。ダイオードサンプルは劈開され、ｐ側はInで覆われたCuのヒートシンクで下向きに固定される。ダイオードプローブはテストされる。QDの参照例（QWを伴わない）に対して、（上述のような）製造がG.Walter、N.Holonyak,Jr.、J.H.Ryou、及びR.D.DupuisによりAppl.Phys.Lett.の７９巻３２１５頁に記載されている。
【００３１】
（x、y軸方向に接続した）側方向に連続するQWは、キャリア捕捉時間（τ’QW<<τ’QD）及びキャリアの基底状態への緩和時間（τQW<<τQD）に関して、QDsより優れている。加えて、空間的に分離しているQDsと違って、側方向に連続するQW（z軸方向だけに閉じ込められている）により、キャリアが効率的に側方向に再配分されること（例えば、キャリアの「ホール」バーニングに適合すること）が可能となる。図９に示されるようにQWをQD層と結合することにより、より速くキャリアをQDsに「与える」ことが可能となる。より速い捕捉時間で、キャリアは大部分をQWにより捕捉され、その後素早くQWの基底状態へ緩和し、QDsにトンネリングして（S.L.Chuang及びN.Holonyak, Jr.によるAppl.Phys.Lett.８０巻１２７０頁（２００２年）を参照）、QDsで再結合する。QD状態の離散性は、トンネリング結合のため、QW+QDシステムの再結合動作を向上させる。QDsの空間的な分離によって、QW平面に沿った再結合の向上が、「好ましい」再結合の中心（「スイート・スポット」）及びある程度のモード選択をもたらす。バリア層及びその特性はQWからQDへの又はQDからQWへの再結合強化における設計パラメータとなる（もちろん、QD及びQWの寸法も同様である）。
【００３２】
比較目的のために、図１０では、１００μm幅の単層で７．５MLのQDダイオード（QWを伴わない）による４００μm長のパルス励起された（３％のデューティサイクル）再結合スペクトルが示される。曲線（a）、曲線（b）及び曲線（c）は、増大する電流でのQDダイオードのバンド充填を示し、バンド充填のピークが６５５nm（n＝２）で発生することを示す。同様のQD+QWヘテロ構造のダイオード及び光励起（ポンピング）特性により、約６５５nmのバンドに結集したQD状態の存在も確認される（G.Walter、N.Holonyak,Jr.、J.H.Ryou、及びR.D.DupuisによるAppl.Pyhys.Lett.７９巻３２１５頁（２００１年）；J.H.Ryou、R.D.Dupuis、G.Walter、D.A.Kellogg、N.Holonyak, Jr.、D.T.Mathes、R.Hull、C.V.Reddy、及びV.NarayanamurtiによるAppl.Phys.Lett.の７８巻４０９１ページ（２００１年）を参照）。QD+QWダイオードから取り出された曲線（d）は、２つの場合、すなわちQD単独と形状を変えるQW+QDとにおいて、如何にバンド充填が進んだかを示すため参照用に付加された。
【００３３】
図１１は１０μm幅のQD+QWレーザーによる５３０μm長の再結合輻射スペクトルを示している。７．５MLのInP QD層は２０ÅのIn0.5Al0.3Ga0.2Pトンネリングバリアを介して７０ÅのInGaP QWと結合する。QWは約６５４nmでのスペクトルピーク及びQW-QD共鳴向上を有するように設計される。QWをQDの下位状態よりむしろ上位状態と結合させることにより、さらに容易にQW-QDの向上を観察できる。曲線（a）及び曲線（b）に示されるように、低い電流レベルではより長い波長のQD再結合輻射がはっきりとしており、効率的なQWのキャリア捕捉及び低エネルギ再結合を支持するQDsへのトンネル移動と整合性がとれる。しかし、図１０のQDダイオードと違い、バンド充填過程は飽和し（６８２nmでピークである）、形を変える傾向にある。より高いエネルギでは、狭い波長ピークが６５４nmで共鳴領域に現れる。６５４nmの狭いスペクトルピークは、電流が増加するに伴って増大し続け、８２mAにおいてレーザー閾値が発生する。曲線（e）は、９９mAでのQD+QWレーザーダイオードに対する単一モード動作の開始を示している。
【００３４】
図１２は図１１のInP QD+InGaP QWレーザーのL-Ｉ特性を示している。１１mW/ファセットのピーク電力は、比較的弱いヒートシンクにより限定される。安定した単一モード操作は８８mAから９４mAで観察される。９４mAすなわち約２．９mW/ファセットを超える電流で、より長い波長で現れる別のレージングモード、熱の影響が見られる。２つのモード動作は１００mAを超えて続く。外部の量子効率ηextは、図１２のデバイスに対して４２％であり、２０℃から６０℃の範囲の温度における動作で測定された１３７Ｋの特性的温度を伴う。単一モード動作は、４００μm及び１０５０μm長のダイオードでも見られる。
【００３５】
図１３は、いくつかの量子井戸を採用することでみられる本発明の更なる実施形態のエネルギ図であり、井戸の状態エネルギを上昇させるために使用できる。この方法では、量子ドット層のより高いエネルギ状態が、多重井戸と結合できる。これにより有利なこととして、光輻射出力のスペクトル選択が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】量子井戸層に非常に近接して配置される量子ドット層を伴うデバイスの、QW内のキャリア移動と、トンネリングによるキャリアのQD−QW間移動を示す図である。
【図２】量子井戸に非常に近接する及び結合する量子ドットを有するIII−Ｖ族量子井戸ヘテロ構造の発光デバイスのエネルギ図である。
【図３】量子井戸に非常に近接する及び結合する量子ドットを有するIII−Ｖ族量子井戸ヘテロ構造の発光デバイスのエネルギ図である。
【図４】ドーピングドットを採用するIII−Ｖ族仮想電界効果変換器デバイスのエネルギ図である。
【図５】量子ドット層（結合した量子井戸を伴わない）を有するIII−Ｖ族ヘテロ構造を備えており、そこからテストデバイスが作られたサンプルを示した図である。
【図６】結合した量子井戸及び量子ドット層を有するIII−Ｖ族ヘテロ構造を備えており、そこからテストデバイスが作られたサンプルを示した図である。
【図７】結合した量子井戸及び量子ドット層を有するIII−Ｖ族ヘテロ構造を備えており、そこからテストデバイスが作られたサンプルを示した図である。
【図８】III−Ｖ族の結合したQD−QWヘテロ構造レーザーの図である。
【図９】本発明のさらなる実施形態のエネルギ図である。
【図１０】本発明のさらなる実施形態のパルス励起スペクトルを示している。
【図１１】本発明のさらなる実施形態の再結合輻射スペクトルを示す。
【図１２】本発明のさらなる実施形態のL−I特性を示す。
【図１３】本発明の別の実施形態のエネルギ図である。
【符号の説明】
【００３７】
１１０  量子井戸伝達層
１２０  量子ドット
１２１  矢印
２１０  ｐ型閉じこめ層
２２０  In(AlGa)P導波路層
２５０  InGaP量子井戸
２５５  InP量子ドット層
２７０  導波路層
２８０  ｎ型閉じこめ層
３００  ｐ型AlyGa1-yAsクラッド層
３１５  ｐ型AlyGa1-yAsクラッド層
３２０  GaAs導波路層
３５０  InGaAs 量子井戸
３５５  InGaAs 量子ドット層
３７０  GaAs導波路層
３７５  ｎ型AlxGa1-xAsクラッド層
３８０  ｎ型AlxGa1-xAsクラッド層
４１０  結晶表面
４２０  InAsドーピングドット
８０７  基板
８０８  バッファ層
８１０  ｎ型のIn0.5Al0.5P下部クラッド層
８２０  In0.5(AlxGa1-x)0.5P上部導波路層
８２５  InP量子ドット層
８３５  In0.5(AlxGa1-x)0.5Pの薄いバリア
８６５  In0.5(AlxGa1-x)0.5Pの薄いバリア
８７５  InP量子ドット層
８８０  In0.5(AlxGa1-x)0.5P下部導波路層
８９０  ｐ型のIn0.5Al0.5P上部クラッド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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