(57)【要約】【課題】本発明は、集積回路素子（３）をソース基板（１）からターゲット基板（２）上の所定の位置（１２）に転写するための方法を提供する。【解決手段】集積回路素子（３）を該基板上に持つソース基板（１）および制御可能な接着強度を持つ接着剤層（８）を有する素子転写ホルダー（４）が準備される。前記素子転写ホルダー（４）が、前記集積回路素子（３）の上に降ろされ、当該接着強度は前記集積回路素子（３）を前記素子転写ホルダー（４）で支持するのに適した第１の値を有する。次に、前記集積回路素子（３）が前記ソース基板（１）から開放され、かつ前記集積回路素子（３）が接着された素子転写ホルダー（４）は、前記ソース基板（１）から取り外される。所定の位置（１２）に配列された液滴（９）が前記ターゲット基板（２）に準備され、かつ前記素子転写ホルダー（４）が該ホルダーに接着された集積回路素子（３）とともにターゲット基板（２）の上に降ろされ、その結果、集積回路素子（３）が前記液滴（９）に接触する。次に、接着剤の当該接着強度は、集積回路素子（３）を前記素子転写ホルダー（４）から開放するのに適した第２の値に設定され、それにより前記液滴（９）が前記集積回路素子（３）を前記所定の位置（１２）に配列させる。最後に、前記素子転写ホルダー（４）が前記集積回路素子（３）から取り外される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) 第１の段階において、接着強度が制御可能な接着剤から構成される接着層（８）を有する素子転写ホルダー（４）を、ソース基板（１）の上に位置する集積回路素子（３）の上に降ろし、ここで当該接着強度は集積回路素子（３）を素子転写ホルダー（４）で支持するのに適する第１の値を有し、
b)第２の段階において、前記素子転写ホルダー（４）は、接着された前記集積回路素子（３）とともに所定の位置（１２）に液滴（９）を有するターゲット基板（２）に向けて移動し、
c)第３の段階において、前記集積回路素子（３）が接着した前記素子転写ホルダー（４）を、前記集積回路素子（３）が前記液滴（９）に接触するように前記ターゲット基板（２）の上に降ろし、
d)第４の段階において、前記接着層（８）の接着強度を、前記素子転写ホルダー（４）から前記集積回路素子（３）を開放するのに適した第２の値に設定し、以って前記液滴（９）が前記集積回路素子（３）を前記所定の位置（１２）に配列させ、
e)第５の段階において、前記素子転写ホルダー（４）を取り外す、
段階を含む、集積回路素子（３）をソース基板（１）からターゲット基板（２）上の所定の位置（１２）に転写するための方法。
【請求項２】
前記第１の段階において、前記素子転写ホルダー（４）が、アライメント要素（１３）を介して前記ソース基板（１）に対して位置合わせされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の段階の前に、前記集積回路素子（３）は、前記ソース基板（１）もしくは前記集積回路素子（３）の下の犠牲層を取り去ることで前記ソース基板（１）から引き離される、請求項１もしくは２に記載の方法。
【請求項４】
接着剤を有するリザーバ（貯蔵タンク）表面に前記素子転写ホルダー（４）を接触させ、前記素子転写ホルダー（４）をリザーバから引き離すことによって、前記接着層（８）が前記素子転写ホルダー（４）上に供給される、請求項１から３のどれか一つに記載の方法。
【請求項５】
前記集積回路素子（３）に対して前記素子転写ホルダー（４）は、基本的に前記集積回路素子（３）の横方向寸法を持つ保持領域（１１）を有するように構成されて与えられる、請求項１から４のどれか一つに記載の方法。
【請求項６】
前記集積回路素子（３）に対して、前記接着層（８）の接着強度は基本的に当該保持領域（１１）のみで制御される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記液滴（９）は、前記所定の位置（１２）で親水性のぬれ性構造（wettability-structured）層（１５）を有するターゲット基板（２）に液体を塗布することで前記所定の位置（１２）に配置される、請求項１から６のどれか一つに記載の方法。
【請求項８】
前記接着剤はワックスのような熱的に制御可能な材料を含む、請求項１から７のどれか一つに記載の方法。
【請求項９】
a) 集積回路素子（３）を支持するために、接着強度が制御可能な接着剤から構成される接着層（８）を有する素子転写ホルダー（４）、および
b)前記接着層（８）の接着強度を制御するための接着強度コントローラー（７）、
を含む、集積回路素子（３）をターゲット基板（２）の所定の位置（１２）に転写するための装置。
【請求項１０】
前記素子転写ホルダー(４)をソース基板（１）上の前記集積回路素子（３）の上に降ろすため、さらに前記素子転写ホルダー（４）をその接着層（８）に接着した前記集積回路素子（３）とともに移動するためおよび前記素子転写ホルダー(４)を前記集積回路素子（３）から取り外すために、ホルダー・ムーバ(１６)をさらに含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
ターゲット基板ホルダー（５）および／もしくはソース基板ホルダー（６）をさらに含む、請求項９もしくは１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ソース基板（１）のアライメント要素（１３）に対応してアライメント対向要素（１４）をさらに含む、請求項９から１１のうちのどれか一つに記載の装置。
【請求項１３】
前記接着強度コントローラー（７）は基本的に前記集積回路素子（３）の横方向寸法を有する保持領域（１１）のみで前記接着層（８）の接着強度を制御するように設計される、請求項９から１２のうちのどれかに一つに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソース（供給元）基板から所定のターゲット（目標先）基板へ集積回路（IC）素子を転写する方法および該装置に関する。より具体的には、本発明は、ＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers：垂直共振器型表面放射レーザー）および他の光学あるいは非光学素子をシリコン基板ベースのチップ上の着地領域に転写する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、チップ・ツー・チップの通信は大きな革新を遂げている。ＴＴＬレベルの通信では、チップ間に伝送される必要のある膨大なデータ量をもはや処理することができない。並列高速リンクに対していくつものアプローチ（方法）が提案されている。当該技術を使うことで、機械的に実現可能な制限されたＩＣピン数によってもかなり高速なデータ速度で処理できる。しかしながら、１５００ピンを超えるとパッケージのコスト問題のために、約１ＴＢ／秒の難しい限界があるものと予測される。加えて、信号ロス、分散および許容できるチップ電力により、相互接続のビット・レートは１ピンあたり約１０ＧＢ／秒に制限される。一つの解決法として、長距離通信に対してのみでなく短距離のチップ・ツー・チップ通信に対しても光チャネルを用いることであろう。光インターコネクト（相互接続）は、しかしながら光源を必要とする。特にこれらの応用に望ましいものにＶＣＳＥＬ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers：垂直共振器型表面放射レーザー）がある。目標は、大きなシリコンＣＭＯＳチップの電気的入出力（ＩＯ）を光インターコネクトで置き換えることである。残念ながら、シリコンは、間接バンドギャップのためにレーザーあるいはＬＥＤとして使うことができない。結果として、重大なアセンブリ問題を創出するが、外部（off-chip）レーザーを用いなければならない。短距離の電気的接続がＣＭＯＳを外部レーザー・チップに接続するために再び必要となる。当該インターコネクトは、短距離であるが寄生容量のためにすでに問題を含んでいる。加えて、数百のレーザーを実装するのは、非常にコスト集約度が高い。大きい単一チップのレーザー・アレイは、ＣＭＯＳチップの各ピンが最も近接したレーザーを必要とするため、実現性が低い。
【０００３】
いくつかの研究グループが、シリコン上にたとえばＧａＡｓの薄層を成長させることで、当該問題を解決しようとしている。これは、シリコン・チップ上へのレーザーのモノリシック集積を可能とする。残念ながら、シリコン上にＧａＡｓを成長させることは、格子定数の大きな差があるため、極めて難しい。
【０００４】
別のグループは、ＧａＡｓ層をシリコン上に転写する技術を開発している。当該アイデアは、レーザーもしくは光素子を含むIII／Ｖ族半導体材料の薄膜（１ミクロン未満から数ミクロン）層の転写である。当該層が薄いために、ＣＭＯＳ回路とレーザーのインターコネクションは、標準のメタライゼーション技術、たとえばＣＭＯＳチップの最後のメタライゼーション・レベルで達成できる。結果としてたとえばレーザーを有するＣＭＯＳ回路のモノリシック集積ができる。当該技術の制限は、これまではかなりの手動プロセスであった。現在、一度に手動で１つのレーザーを転写することは、いかなる商用で効率的な製造プロセスにおいても使うことが許されない。
【０００５】
T.E. Morf 著“Epitaxial Lift-off Applications in Microwave Circuits and Optoelectronics”Diss. ETH Nr. 11800（1996）において、エピタキシャル・リフトオフ（epitaxial lift-off）プロセスにより、該基板からデバイス（素子）を引き離すことができ、かつ当該デバイスをターゲット基板に転写するのに利用できることについての概要が提供された。
【０００６】
I. Pollentier, P. Demeester, P. Van Daele, D. Rondi, G. Glastre, A. Enard, and R. Blondeauにより、水滴の使用に基づいて転写デバイスを整列する原理が“Fabrication of long wavelength OEICs using GaAs on InP epitaxial lift-off technology”, in Proc. Third Int. Conf. on InP and Related Materials, New York, USA（1991）, pp.268-271に記述された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はＶＣＳＥＬ（vertical-cavity surface-emitting lasers）およびフォト・ダイオードをウエハ・サイズにおける転写に使うことができるアセンブリ工程により、数百あるいは数千のレーザーおよびフォト・ダイオードでさえＣＭＯＳウエハ上に同時に転写できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点によると、集積回路素子をソース基板からターゲット基板上の所定位置に転写するための方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の観点によると、集積回路素子をソース基板からターゲット基板上の所定位置に転写するための装置が提供される。
【００１０】
本発明の第３の観点によると、当該方法および装置により複数の集積回路素子を同時に転写することができる。
【００１１】
本発明の第４の観点によると、当該方法および装置により集積回路素子を１つ以上のターゲット基板の上に選択的に転写することができる。
【００１２】
本発明の第５の観点によると、集積回路素子は、ターゲット基板の上に自動的に配列される。
【００１３】
本発明は、集積回路素子をソース基板からターゲット基板上の所定の位置に転写するための方法を対象にしている。第１の段階で、制御可能な接着強度をもつ接着剤を含む接着層を有する素子転写ホルダーが、ソース基板上に配置された集積回路素子の上に降ろされる。当該接着強度は集積回路素子を素子転写ホルダーで支持するのに適した第１の値を有する。第２の段階で、素子転写ホルダーは、ホルダーに接着した集積回路素子とともに所定の位置に液滴を有するターゲット基板に向けて移動する。第３の段階で、集積回路素子が接着した素子転写ホルダーは、集積回路素子が液滴に接触するようにターゲット基板の上に降ろされる。第４の段階で、接着層の接着強度は、素子転写ホルダーから集積回路素子を離すのに適した第２の値に設定され、液滴が集積回路素子を所定の位置に配列させる。最後に、素子転写ホルダーが取り外される。
【００１４】
ここで記述した技術は、エピタキシャル・リフトオフ（ELO: epitaxial lift-off）技術のさらなる開発につながる。ＥＬＯの基本アイデアは、III／Ｖ族半導体材料の薄膜片を開放してこの薄膜片を新しいホスト材料上に転写することである。当該薄膜は、ファンデルワールス力で新しいホスト材料に接着される。重要な（critical）段階には、当該成長基板から薄膜片を引き離す、転写する、および配列することがある。後者は、最新技術である手動のピック・アンド・プレイスのプロセスで実施できるが、単一薄膜片を操作するのは、いかなる商用の製造プロセスにおいても使用できない。本発明は、ウエハ・サイズの自動プロセスによってこの手動プロセスを排除できるようにするものである。
【００１５】
アライメント要素を介して素子転写ホルダーがソース基板に位置合わせされる時、それによって素子転写ホルダーについて集積回路素子の位置合わせが達成できるので、引き続いて集積回路素子の領域において接着強度の緻密な制御が可能になり有利である。
【００１６】
第２の段階前で、集積回路素子はソース基板もしくは集積回路素子の下の犠牲層を取り去ることでソース基板から引き離すことができる。これは、そのとき集積回路素子が分離されターゲット基板に単一要素として転写できるという利点がある。数個の集積回路素子がその結果同じ基板上に製造でき、選択的に転写されるように互いに分離される。互いに数個の当該集積回路素子を分離するために、たとえばエッチングにより集積回路素子の間にトレンチが形成できる。
【００１７】
接着層を提供するという簡便で安価でかつ即座の解決法は、接着剤を有するリザーバ（貯蔵タンク）表面に素子転写ホルダーを接触させ、素子転写ホルダーをリザーバから引き離すことである。また接着層はスタンプ、スプレイもしくはローラー、ブレードもしくはブラシで塗布できる。スタンプ法もしくはリザーバに接触させる方法は、接着層がかなり均一な厚みになるという利点、つまり接着強度がより正確に制御できるという点で有利である。
【００１８】
集積回路素子に対して素子転写ホルダーが基本的に集積回路素子の横方向寸法を持つ保持領域を有するように構成されて提供されている場合、当該集積回路素子のための予定の領域がある。このことで、たとえば保持領域の構造的なエッジを用いることによる集積回路素子の素子転写ホルダーに対する良好な位置合わせができる。集積回路素子に対しての接着層の接着強度もまた基本的に当該保持領域のみで制御できる。このことで、集積回路素子は、素子転写ホルダーに対し、選択的な接着および／もしくは開放ができる。たとえ異なる集積回路素子でも同一の素子転写ホルダーに接着できる。
【００１９】
簡便でそれにもかかわらず選択的な位置合わせが、液滴を使うことで提供される。ここでの液滴としては、液体の閉じこめられた量と理解できる。この液滴は従ってまた薄い液体フィルムでもよい。液滴は、所定の位置で親水性のぬれ性構造層を有するターゲット基板に液体を塗布することで所定の位置に有利に配置できる。その結果、簡単にターゲット基板全体に当該液体を塗布することによっても、ぬれ性構造により予め決定された位置のみに液滴を残すことができる。当該ぬれ性構造は、フォトリソグラフィ工程またはスタンプ法で形成できる。液滴の能動的な位置合わせは実行される必要がないので、たとえば重力もしくは空気の流れといった環境の影響のために液滴がその位置から離れるというリスクは減少する。当該ぬれ性構造は、また液滴に含まれる液体の量を自動的に制限する効果がある。液滴の表面張力は、次に集積回路素子の位置合わせを効果的に行うのに適している。
【００２０】
熱的に制御可能な接着層を利用することで、接着強度を制御するためにヒーターを使うことができる。これは、非常に安価で簡単に実現できる制御方法を提供する。素子転写ホルダーの内蔵ヒーターは、たとえばコイルあるいは曲がりくねったワイヤ構造によって、電流誘導過熱を使うと実現可能であり、加熱されるために不足電流（under current)に設定される。熱は、局所的にも良好に制御でき、そのために素子転写ホルダーのための材料は、集積回路素子の別の位置では接着強度を制御することができるように、本質的に集積回路素子の特定位置では熱の存在が許されない熱伝導を提供するので有利である。その結果、選択的な接着強度の制御が達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
発明の実施例は、図面に示され、例を持って以下に詳細に記述する全ての図は、明確にするために実際の寸法ではなく、実スケールでの寸法関係でもない。
【００２２】
本発明の様様な具体例としての実施形態を以下に記述する。
【００２３】
図２に示されるＣＭＯＳウエハ２は、数個のチップを有し、既知のＣＭＯＳプロセスを用いて加工される。ここで、当該プロセスは最後のメタライゼーション段階の後で終了する。当該チップは、集積回路素子３（ここではＶＣＳＥＬ３である）のための着地領域（landing area)１２を有する。着地領域１２は、ここでは光学入力が要求される信号パッドである。ＣＭＯＳウエハ２全体は、次に着地領域１２を除いて疎水性となされる。それゆえ、着地領域は、ぬれ性構造層１５で覆われ、着地領域１２を親水性として、一方残りのぬれ性構造層１５を疎水性として残すように構成される。このＣＭＯＳウエハ２は、また集積回路素子３を代表するＶＣＳＥＬ３に対してターゲット基板２としても参照される。着地領域１２は、これら集積回路素子３のための所定の位置１２でもある。当該ＣＭＯＳウエハ２は、ターゲット基板ホルダー５の上に保持される。
【００２４】
図１に示すように、ＶＣＳＥＬ３は、ＶＣＳＥＬ３下部にエッチング・ストッパー層１０を有するＶＣＳＥＬウエハ１の上に形成される。ＶＣＳＥＬ３の形成については、いかなるＶＣＳＥＬの標準プロセスも使用できる。たとえば、５０μｍ×５０μｍ寸法の数百万個のＶＣＳＥＬ３が標準の４インチのＧａＡｓウエハ上で形成でき、その結果低コストのデバイスとなる。ＶＣＳＥＬウエハ１は、以下で、ソース基板１とも参照され、ソース基板ホルダー６に保持される。
【００２５】
次に、ＶＣＳＥＬウエハ１の上面から、トレンチが全てのＶＣＳＥＬ間でエッチングされる。トレンチは、ＶＣＳＥＬ３が互いに分離されるエッチング・ストッパー層１０まで到達する。これは通常のドライ・エッチング技術を用いて実施される。同時に、アライメント要素１３がＶＣＳＥＬウエハ１上に形成できる。出来上がりの構造が図１の下方の部分に図示されている。
【００２６】
図１には、また素子転写ホルダー４が示されている。シリコン・ウエハの形で素子転写ホルダー４が引き続く移植（転写）プロセス、つまり集積回路素子３をソース基板１からターゲット基板２へ転写するために使用される。この素子転写ホルダー４は、ＶＣＳＥＬウエハ１と同じサイズでもかまわない。この素子転写ホルダー４において、トレンチは、下面上にワッフル・パターンを形成するために存在し、そのワッフルは、たとえば７０μｍ×７０μｍでＶＣＳＥＬ３よりわずかに大きい。これらのワッフルは、電流により個別に加熱できる。それゆえ、ヒーター７のアレイが素子転写ホルダー４の上に配列される。加えて、素子転写ホルダー４は、アライメント要素１３に対応するアライメント対向要素１４を含む。素子転写ホルダー４は、ここで３次元方向全てに移動可能なホルダー・ムーバ１６を介してその位置を制御できる。素子転写ホルダー４は、図１に示すように下部にワッフル構造表面を配列している。
【００２７】
素子転写ホルダー４がＶＣＳＥＬウエハ１（ソース基板１）からターゲット基板２にＶＣＳＥＬ３を転写できるようにするために、素子転写ホルダー４は、接着剤を有する層である接着層８を備えている。この接着層８は、制御できる外部作用に依って接着強度を変えられる特性を有する。ここで、接着強度は、熱作用で制御でき、ヒーター７が接着強度コントローラー７として働く。
【００２８】
接着剤として少量のワックスがスタンプ法でワッフルに塗布され、つまりＶＣＳＥＬウエハ１は、ワックス供給源と接触する状態にされ、ワッフルとも略して呼ばれるＶＣＳＥＬ３に対して保持領域１１としての機能を目的とする、ワッフル領域の突起部にそこでワックスが接着する。従って、素子転写ホルダー４は、パターン付ワックス層８を含み、これによって接着層８として個々のワッフルのワックス層８がその接着強度を別々に制御できる
【００２９】
これらのヒーター７は、素子転写ホルダー４に埋め込むことができ、それゆえワッフル・パターン表面に近接配置されるばかりでなく素子転写ホルダー４の上表面の上に構造体の形で実現できる。素子転写ホルダー４の下表面の上へのヒーター７の配列もまた、直接、素子転写ホルダー４と接着層８の間で実現でき、最善の接着強度制御を提供する。
【００３０】
次に、素子転写ホルダー４は、ＶＣＳＥＬウエハ１の上に配置される。ワックスは、それによりＶＣＳＥＬ３に接触する。アライメント要素（構造）１３を介して、１０μｍ以内の位置合わせが実現可能となる。素子転写ホルダー４は、以降のエッチング段階においてＶＣＳＥＬ３の上部をシールする。ＶＣＳＥＬウエハ１は、次にエッチング・ストッパー１０に到達するまで裏面側からエッチングされる。このプロセスを加速するために、ＶＣＳＥＬウエハ１は、機械的に第１の厚みまでたとえば研磨により薄くすることができ、これにより２５μｍの厚みが達成でき、その後エッチングされ得る。エッチングは、緩慢なプロセスなので、機械的研磨はより早い基板除去を提供する。次に、エッチング・ストッパー層１０は、第１のエッチングとも一体化できる第２のエッチング段階で除去される。この段階の後、すべてのＶＣＳＥＬ３は、ワックス層８によって各々素子転写ホルダー４に接合されるのみである。ワックスで覆われたワッフル１１に付着した単一のＶＣＳＥＬ３を保持している素子転写ホルダー４が図２に示される。基板除去の代替方法としては、エッチング・ストッパー１０が除去されるがＶＣＳＥＬウエハの基板全体は除去されないリフトオフ・プロセスがありうる。エッチャントは、側面からエッチング・ストッパー１０に到達できる。このプロセスを加速するために、このエッチャントを別の場所でエッチング・ストッパー１０に到達させると有利である。ＶＣＳＥＬ３の間にはこのエッチャントが通り抜けて流れることができるスペースがある、しかし素子転写ホルダー４あるいはエッチング・ストッパー１０に向けてエッチャントが流れるようにできるＶＣＳＥＬウエハ１にチャネルを提供することも、また可能である。いったんエッチング・ストッパー１０が除去されると、ＶＣＳＥＬウエハ１からＶＣＳＥＬ３を引き離すことができる。
【００３１】
ＣＭＯＳウエハ２、言い換えればターゲット基板２は、脱イオン化した水に浸漬される。ターゲット基板２はＶＣＳＥＬ３のための着地領域１２を除いて全て疎水性であるので、水滴９は、従って着地領域１２のみに形成される。ＣＭＯＳウエハの残りの部分は乾いたままである。ターゲット基板２上の水滴９は、続いてターゲット基板２の着地領域１２上へＶＣＳＥＬ３を自動位置合わせ（オートアライメント）するために利用される。
【００３２】
図２に示すように、素子転写ホルダー４につり下がったＶＣＳＥＬ３は、ＣＭＯＳウエハ２の上の水滴９と接触させられる。選択的な過熱とそれによるワックス層８の溶融により、選択されたＶＣＳＥＬ３が開放される。これらのＶＣＳＥＬ３を保持しているワックスは、液体化しワックス層８の接着強度が減少し、ＶＣＳＥＬ３がもはや素子転写ホルダー４くっついていられなくなり、そして水滴９の作用を受けるようになる。ＶＣＳＥＬ３は、ＣＭＯＳウエハ２上の所定の着地領域１２に対して数ミクロン以内でセルフ・アライメント（自己整合）される。ＶＣＳＥＬ３が上側できっちりしたエッジを有する場合、実質的にワックスが流れ落ちることおよび転写プロセスの信頼性と、それによる最終的な配列という後の機能性に悪影響を与えることを防ぎ、有利である。しかしながらＶＣＳＥＬ３は、一般に７μｍの厚みを有するので、この寸法は起こりうるワックスの流れに対して安全なマージンを提供する。素子転写ホルダー４は、次に前段階で開放されたそれらのＶＣＳＥＬ３を残して取り外し可能になる。その結果が図３に示されている。
【００３３】
ワックスは、従って実質的に素子転写ホルダー４および開放されなかった該ＶＣＳＥＬ３にも留まる。ターゲット基板２上の水は、熱で加速されて蒸発させられる。いったん水が消えてなくなると、ＶＣＳＥＬ３は着地領域１２の上に位置する。ＶＣＳＥＬ３の上に残った可能性のあるワックスは、洗浄段階で溶剤他を用いて除去できうる。一般に、その後、特にＶＣＳＥＬ３が着地領域１２に対して一旦付加的に短時間押し付けられる時、ファンデルワールス力でＶＣＳＥＬ３が定位置に保持される。また、金属を用いてＶＣＳＥＬ３を着地領域１２へ糊付け（glue）つまり半田付けをすることができる。このことは、裏面にターゲット基板２の上に位置することになる接触パッドを有するＶＣＳＥＬ３を使用する場合に優位性をもつ。その後、ＶＣＥＬコンタクトに対してのワイヤリング（配線）がターゲット基板２の上に前もって形成され、ＶＣＳＥＬ３を着地領域１２の上に置いた後、ＶＣＥＬコンタクトはコンタクト領域に熱を加えることでワイヤリングに接続することができる。
【００３４】
この方法により数百から千個のＶＣＳＥＬ３が同時に転写できる。ＶＣＳＥＬウエハ１および素子転写ホルダー４は、概ねＣＭＯＳウエハ２より小さい。ＶＣＳＥＬ３をＣＭＯＳウエハ２上の任意の位置に置くために、素子転写ホルダー４はＣＭＯＳウエハ２を超えて移動でき、ＶＣＳＥＬ３は所望の場所で開放される。
【００３５】
ＶＣＳＥＬ３が上側で１つ以上の電気的コンタクトを有する場合、この上側への結線が必要である。パターン付メタライゼーション段階は、ＶＣＳＥＬ３がターゲット基板２上に配置された後実施されるが、ＶＣＳＥＬ３の縦方向寸法が大きすぎる場合、メタライゼーションはうまくいかない。そのためターゲット基板２からＶＣＳＥＬ３の上側への転移を円滑にするサポート材料がＶＣＳＥＬ３に準備される。そのためにパターン付ポリイミド層が使用できる。
【００３６】
接着剤８として、接着強度を熱あるいは別の方法で制御可能な別の材料も適当である。接着力として静電界もまた利用できる。水の替わりに、別の液体も位置合わせに利用できる。
【００３７】
素子転写ホルダー４は、再使用できるように設計される。
【００３８】
いかなる実施形態も１つあるいは複数の示されたおよび／もしくは記載された実施形態の全体ばかりでなく部分をも組み合わせることが可能である。同様なことは、一つ以上の実施形態の特徴に対しても当てはまる。この技術分野で通常の知識を有する者（当業者）が、請求の範囲に記載された発明の精神から逸脱せずに、多くの方法で、開示された配置の変更を行うことができることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】ソース基板上の集積回路素子上方の素子転写ホルダーを示す。
【図２】ぬれ性着地領域を有するターゲット基板の上方で集積回路素子を保持した素子転写ホルダーを示す。
【図３】素子転写ホルダーが引き離された後、２つの集積回路素子が転写されたターゲット基板を示す。
【符号の説明】
【００４０】
１  ソース基板（ＶＣＳＥＬウエハ）
２  ターゲット基板（ＣＭＯＳウエハ）
３  集積回路素子（ＶＣＳＥＬ）
４  素子転写ホルダー
５  ターゲット基板ホルダー
６  ソース基板ホルダー
７  接着強度コントローラー
８  接着層（ワックス層）
９  液滴
１０  エッチング・ストッパー層
１１  保持領域
１２  所定の位置（着地領域）
１３  アライメント要素
１４  アライメント対向要素
１５  ぬれ性構造層
１６  ホルダー・ムーバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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