(57)【要約】本発明は、第１の主面と第２の主面とを有するバッキング（３２）と、次のコーティング、すなわち、可撓性バッキング（３２）に接着された第１の表面と複数の正確に造形された突起を含む第２の構造化表面とを有する硬化バインダーコーティング、および硬化バインダーコーティングの構造化表面の少なくとも一部分に重ねて接着されたダイヤモンド様炭素コーティング、から本質的になる研磨コーティング（３７）と、を含む研磨物品（３０）を提供する。また、本発明の研磨物品（３０）を用いて硬質ディスクまたは硬質ディスク基板（１２）を機械的に処理する方法を報告する。
2004511355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を機械的に処理する方法であって、
（ａ）機械的処理の対象となる基板を提供するステップと、（該基板は、硬質ディスクまたは硬質ディスク基板からなる群より選択される）
（ｂ）圧力を加えて該基板に接触させた状態で研磨物品を提供するステップと、（該研磨物品は、
第１の主面と第２の主面とを有するバッキングと、
次のコーティング、すなわち、
該可撓性バッキングに接着された第１の表面と複数の正確に造形された突起を含む第２の構造化表面とを有する硬化バインダーコーティング、および
該硬化バインダーコーティングの構造化表面の少なくとも一部分に重ねて接着されたダイヤモンド様炭素コーティング、
から本質的になる研磨コーティングと、
を含む）
（ｃ）該基板および該研磨物品の少なくとも一方を他方に対して移動させて機械的処理を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記機械的処理が、テクスチャー加工、バフ研磨、または洗浄である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板が、対向する主面を有する金属ベースと該主面の少なくとも一方上に形成された金属コーティングとを含む硬質ディスク基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板が、ガラスまたはセラミックを含む硬質ディスク基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が、中心を有する円形であり、ステップ（ｃ）が、該中心を軸として前記基板を回転させて、前記基板に実質的に円周方向の引掻傷を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨物品と前記硬質ディスクまたは硬質ディスク基板との間に液体を導入するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｃ）が、前記基板の進行方向に実質的に垂直な方向に前記研磨物品を振動させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の正確に造形された突起が、立方体、角柱、円錐、円錐台、角錐、および角錐台からなる群より選択される形状を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記バッキングが機械方向軸および対向する側縁を有し、それぞれの側縁が該機械方向軸に平行であり、前記構造化表面が、前記バッキング上の固定位置に配置された複数の平行な細長い突条を含み、該突条のそれぞれが約０°〜約９０°の角度で該側縁と交差する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記平行な細長い突条が、それぞれ、前記バッキングの側縁間に連続して延在する硬化バインダーの連続突起を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記突起が、頂点と辺とを有する角錐形状であり、該辺が、約７０〜約１１０°の角度をなして該頂点で交差する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記突条が、それぞれ、その長手方向軸上に幅方向中心が位置するように整列された複数の個別の正確に造形された突起を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記突起のそれぞれが、少なくとも３つの辺を有する角錐形状を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記角錐形状が角錐台形状を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ダイヤモンド様炭素コーティングが約５ｎｍ〜１μｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ダイヤモンド様炭素コーティングが約２６ｅＶを超えるプラズモンエネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記バッキングが、約２５〜１２５μｍの厚さを有するポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記バインダーがアクリレートまたはメタクリレートである、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記バインダーが研磨粒子を含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
第１の主面と第２の主面とを有するバッキングと、
次のコーティング、すなわち、
該可撓性バッキングに接着された第１の表面と複数の正確に造形された突起を含む第２の構造化表面とを有する硬化バインダーコーティング、および
該硬化バインダーコーティングの構造化表面の少なくとも一部分に重ねて接着されたダイヤモンド様炭素コーティング、
から本質的になる研磨コーティングと、
を含む、研磨物品。
【請求項２１】
前記複数の正確に造形された突起が、立方体、角柱、円錐、円錐台、角錐、および角錐台からなる群より選択される形状を有する、請求項２０に記載の研磨物品。
【請求項２２】
前記バッキングが機械方向軸および対向する側縁を有し、それぞれの側縁が該機械方向軸に平行であり、前記構造化表面が、前記バッキング上の固定位置に配置された複数の平行な細長い突条を含み、該突条のそれぞれが約０°〜約９０°の角度で該側縁と交差する、請求項２０に記載の研磨物品。
【請求項２３】
前記平行な細長い突条が、それぞれ、前記バッキングの側縁間に連続して延在する硬化バインダーの連続突起を含む、請求項２２に記載の研磨物品。
【請求項２４】
前記突起が、頂点と辺とを有する角錐形状であり、該辺が、約７０〜約１１０°の角度をなして該頂点で交差する、請求項２２に記載の研磨物品。
【請求項２５】
前記突条がそれぞれ、その長手方向軸上に幅方向中心が位置するように整列された複数の個別の正確に造形された突起を含む、請求項２２に記載の研磨物品。
【請求項２６】
前記突起のそれぞれが、少なくとも３つの辺を有する角錐形状を含む、請求項２５に記載の研磨物品。
【請求項２７】
前記角錐形状が角錐台形状を含む、請求項２６に記載の研磨物品。
【請求項２８】
前記ダイヤモンド様炭素コーティングが約５ｎｍ〜１μｍの範囲の厚さを有する、請求項２０に記載の研磨物品。
【請求項２９】
前記ダイヤモンド様炭素コーティングが約２６ｅＶを超えるプラズモンエネルギーを有する、請求項２０に記載の研磨物品。
【請求項３０】
前記バッキングが、約２５〜１２５μｍの厚さを有するポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項２０に記載の研磨物品。
【請求項３１】
前記バインダーがアクリレートまたはメタクリレートである、請求項２０に記載の研磨物品。
【請求項３２】
前記バインダーが研磨粒子を含まない、請求項２０に記載の研磨物品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
背景
パーソナルコンピューターは、現代の作業場ではありふれたものになった。多くのパーソナルコンピューターは、硬質メモリディスクまたはハードドライブを内蔵している。ハードドライブは、磁気媒体の基板として硬質の金属または非金属ディスクを必要とする。従来の一構成では、薄膜硬質ディスクは、アルミニウムベース上にニッケルまたはニッケル合金（たとえば、ニッケル／リン、ＮｉＰ）の薄膜を無電解ニッケルメッキすることにより製造される。次に、ＮｉＰコーティングを研磨して非常に微細な鏡のような仕上品に加工する。研磨後、ＮｉＰコーティングにテクスチャー加工を施し、次に、その上に磁気コーティングを適用して磁気媒体を形成する。しかしながら、ガラスまたはセラミック基板のような非金属基板もまた、金属基板の代わりに硬質メモリディスク産業で使用される。これらの非金属基板の場合、後続の研磨、テクスチャー加工、および磁気コーティング適用の前、基板上に適用された金属または金属合金コーティングは存在しない。もっと正確に言えば、ガラスまたはセラミック硬質ディスク自体の表面を研磨し、テクスチャー加工し、その後、いかなる金属または金属合金コーティング層も挟設せずに、その上に磁気コーティングを直接適用する。
【０００２】
このプロセスのテクスチャー加工部分は、硬質ディスクの性能面で重要である。テクスチャー加工により、いくつかの目的が達成される。たとえば、テクスチャー加工は、コーティングされたディスクの磁気特性を改良する。テクスチャー加工時に形成される引掻傷は、磁気ドメインサイズを減少させてディスク記憶容量を増大させるうえで重要である。テクスチャー表面はまた、ヘッド（ディスク上のデータを読み書きする）とディスクとの間の静止摩擦を減少させる。コンピューターのスイッチを入れて通電すると、硬質ディスクは回転を開始するであろう。ディスクが平滑でテクスチャー加工されていない場合、このヘッド／ディスク接触により、ディスクが回転を開始することが困難になる。これは静止摩擦／摩擦としてコンピューター産業では公知である。最後に、テクスチャー加工は、ヘッドの下でディスクが回転するときのヘッドと薄膜硬質ディスクとの間の空気力学を改良する可能性がある。
【０００３】
テクスチャー加工法は、伝統的には、遊離研磨スラリーを用いて達成される。遊離研磨スラリーは、必要な深さを有する明確に規定されたエッジを有する実質的に円周方向の引掻傷を提供する。しかしながら、遊離研磨スラリーにはいくつかの欠点がある。たとえば、遊離研磨スラリーは、大量のデブリおよび廃棄物を生成する。したがって、バインダー前駆体に由来する表面上の残留物を除去すべく薄膜硬質ディスクを十分に清浄化しなければならない。また、研磨スラリーからの研磨粒子が硬質ディスクの表面に埋め込まれる可能性もあり、このため、現代のディスクドライブで使用される高感度ＭＲヘッドが損傷を受けるおそれがある。最後に、遊離バインダー前駆体はまた、テクスチャー加工に使用される装置に比較的多くの摩耗を与える。
【０００４】
遊離研磨スラリーに付随する欠点を克服するために、被覆研磨ラッピングテープが薄膜硬質ディスクをテクスチャー加工するために使用されてきた。そのような製品の例は、３Ｍ　Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ．から市販されている「ＩＭＰＥＲＩＡＬ」ラッピングフィルム（タイプＲ３）である。このラッピングフィルムは、結合された研磨コーティング層を有する高分子フィルムバッキングを含んでいる。研磨コーティング層は、バインダー中に分散されかつ高分子フィルム上にコーティングされて薄層（約１０〜１５μｍ）を形成する非常に微細な研磨粒子（１０μｍ未満の平均粒径）からなる。研磨コーティングの表面プロフィールは、微細な研磨粒子の一部分で形成された部分的な突起以外は本質的にフラットである。使用時、ラッピングフィルムは、基板表面の一部分を研磨することにより基板の表面をテクスチャー加工する。同様に、Ｋａｗａｓｈｉｍａらに付与された米国特許第４，９７４，３７３号には、ハードディスク、磁気へッド、セラミック、プラスチック、および宝石のような精密機械部品のラッピング、ポリッシング、テクスチャー加工、および種々の他の仕上げ加工に使用するのに好適な研磨ツールが記載されている。ツールは、プラスチックフィルムベース上に連続単層として配置されたバインダー樹脂コート中に互いに離間して近接して固定された研磨粉末粒子から形成される。
【０００５】
１９９３年９月７日に公開された東京磁気印刷株式会社の特開平５−２２８８４５号公報には、磁気ディスク基板を対象としたテクスチャー加工用ポリッシングフィルムが開示されている。このポリッシングフィルムは、好ましくは単一粒子層としてプラスチックフィルムまたは不織布テープ上に水溶性樹脂と共に保持された研磨粒子を含んでいる。
【０００６】
テクスチャー加工時に研磨除去された基板の一部分は、削り屑として当該業界では公知である。シールされたバッキングおよび非構造化研磨コーティングを有するそのようなラッピングフィルムの使用時に発生する削り屑は、依然として研磨コーティングと基板の被加工表面との境界面に存在することが実施により明らかにされた。したがって、ラッピングフィルムが利用されるテクスチャー加工の対象となる硬質基板上の高いスポットに削り屑が付着するようになる可能性が残る。その特定の現象は、再接合（ｒｅｗｅｌｄ）として当該業界では公知である。それらの高いスポットはきわめて望ましくない。なぜなら、使用時、それらはコンピューターヘッドと衝突する可能性があり、衝突の結果としてデータの損失および／またはヘッドの損傷を生じる可能性があるからである。
【０００７】
再接合の問題に加えて、ラッピングフィルムは、遊離研磨スラリーにより製造されたものと同じようなシャープかつ／またはクリーンなエッジを有する引掻傷を提供しないおそれもある。これらの品質の低下した引掻傷エッジは、テクスチャー加工プロセスでラッピングフィルムを用いて製造されたディスクの品質を低下させる可能性がある。
【０００８】
構造化研磨物品の使用が最近報告された。この場合、研磨複合体が、整列した個別の研磨複合体の列の形態でまたは研磨物質の細長い突条（ｒｉｄｇｅ）として可撓性バッキング上に形成される。たとえば、米国特許第５，１５２，９１７号（Ｐｉｅｐｅｒら）には、バッキングから延在する正確な三次元形状の研磨複合体を有する構造化研磨物品が開示されている。研磨物品からの削り屑の放出を容易にして担持量を減少させるべく、研磨複合造形物間にくぼみまたはチャネルを残す。Ｐｉｅｐｅｒらは、硬質ディスクをテクスチャー加工および／またはバフ研磨するためのその研磨物品の使用については開示していない。
【０００９】
また、米国特許第５，１０７，６２６号（Ｍｕｃｃｉ）には、被加工物表面上に正確なパターンを形成するように構造化研磨物品により被加工物を処理する方法が記載されている。この被加工物は、任意の固体物質として記載される。Ｍｕｃｃｉにより提示された固体物質の例には、金属および金属合金、たとえば、炭素鋼、ステンレス鋼、高ニッケル合金、およびチタン、ならびに他の異種の表面、たとえば、プラスチック、ペイント表面、セラミック、木材、大理石、石などが含まれる。Ｐｉｅｐｅｒらと同じように、Ｍｕｃｃｉは、硬質ディスクをテクスチャー加工および／またはバフ研磨するための研磨物品の使用については報告していない。
【００１０】
米国特許第５，７３３，１７８号（Ｏｈｉｓｈｉ）には、主面を有する可撓性バッキングと複数の正確に造形された三次元研磨複合体を含むと研磨コーティングとを備えた構造化研磨物品を用いて磁気記録媒体基板をテクスチャー加工する方法が報告されている。研磨複合体は、複合体をバッキングに結合させるのための手段を提供するバインダー中に分散された複数の研磨粒子を含む。
【００１１】
概要
本発明は、基板を機械的に処理する方法であって、
（ａ）機械的処理の対象となる基板を提供するステップと、（該基板は、硬質ディスクまたは硬質ディスク基板からなる群より選択される）
（ｂ）圧力を加えて該基板に接触させた状態で研磨物品を提供するステップと、（該研磨物品は、
第１の主面と第２の主面とを有するバッキングと、
次のコーティング、すなわち、
該可撓性バッキングに接着された第１の表面と複数の正確に造形された突起を含む第２の構造化表面とを有する硬化バインダーコーティング、および
該硬化バインダーコーティングの構造化表面の少なくとも一部分に重ねて接着されたダイヤモンド様炭素コーティング、
から本質的になる研磨コーティングと、
を含む）
（ｃ）該基板および該研磨物品の少なくとも一方を他方に対して移動させて機械的処理を提供するステップと、
を含む上記方法を提供する。
【００１２】
本発明は、基板の機械的処理方法を提供する。ここで、機械的処理は、テクスチャー加工、バフ研磨、または清浄化を含めて広く使用される。本明細書中で使用される「テクスチャー加工」とは、硬質ディスク基板に磁気コーティングを適用する前に硬質ディスク基板に引掻傷を生成する方法を意味する。本明細書中で使用される「バフ研磨」とは、硬質ディスクまたは硬質ディスク基板の表面のアスペリティーを除去する方法を意味する。本明細書中で使用される「清浄化」とは、硬質ディスクまたは硬質ディスク基板の表面トポグラフィーを変化させることなく硬質ディスクまたは硬質ディスク基板の表面から、汚染物質、たとえば微粒子汚染物質、を除去する方法を意味する。
【００１３】
本発明の方法の実施形態では、基板は、対向する主面を有する金属ベースと、主面の少なくとも一方上に形成された金属コーティングとを含む硬質ディスク基板である。他の実施形態では、基板は、ガラスまたはセラミックを含む硬質ディスク基板である。本発明の方法の他の実施形態では、基板は硬質ディスクである。
【００１４】
他の実施形態では、基板は中心を有する円形であり、ステップ（ｃ）は、中心を軸として基板を回転させて基板に実質的に円周方向の引掻傷を形成することを含む。
【００１５】
本発明の方法の他の実施形態では、機械的処理は、研磨物品と硬質ディスクまたは硬質ディスク基板との間に液体を導入することにより、液体環境中で行われる。
【００１６】
本発明の方法の他の実施形態では、研磨物品は、基板の進行方向に実質的に垂直な方向に振動させる。
【００１７】
本発明はまた、
第１の主面と第２の主面とを有するバッキングと、
次のコーティング、すなわち、
該可撓性バッキングに接着された第１の表面と複数の正確に造形された突起を含む第２の構造化表面とを有する硬化バインダーコーティング、および
該硬化バインダーコーティングの構造化表面の少なくとも一部分に重ねて接着されたダイヤモンド様炭素コーティング、
から本質的になる研磨コーティングと、
を含む研磨物品を提供する。
【００１８】
本発明の研磨物品の一実施形態では、ダイヤモンド様炭素コーティングは、約５ｎｍ〜１μｍの範囲の厚さを有する。他の実施形態では、ダイヤモンド様炭素コーティングは、約２６ｅＶを超えるプラズモンエネルギーを有する。
【００１９】
他の実施形態では、複数の正確に造形された突起は、立方体、角柱、円錐、円錐台、角錐、および角錐台からなる群より選択される形状を有する。
【００２０】
他の実施形態では、バッキングは機械方向軸および対向する側縁を有し、それぞれの側縁は該機械方向軸に平行であり、構造化表面は、バッキング上の固定位置に配置された複数の平行な細長い突条を含み、該突条のそれぞれは約０°（すなわち、側縁に垂直）〜約９０°（すなわち、側縁に平行）の範囲の角度で第１および側縁と交差する。
【００２１】
平行な細長い突条は、それぞれ、バッキングの側縁間に連続して延在する硬化バインダーの連続突起を含む。他の実施形態では、連続突起は、頂点と辺とを有する角錐形状であり、辺は、約７０〜約１１０°の角度をなして該頂点で交差する。他の実施形態では、突条は、それぞれ、その長手方向軸上に幅方向中心が位置するように整列された複数の個別の正確に造形された突起を含む。
【００２２】
他の実施形態では、バッキングは、約２５〜１２５μｍの厚さを有するポリエチレンテレフタレートフィルムである。
【００２３】
他の実施形態では、バインダーはアクリレートまたはメタクリレートである。
【００２４】
詳細な説明
本発明は、硬質ディスク基板の機械的処理に好適な研磨物品を提供し、さらに磁気媒体ディスク（たとえばコンピューターディスク）に使用されるような硬質ディスク基板を機械的に処理する方法をも提供する。
【００２５】
本発明の方法を用いて硬質ディスク基板を機械的に処理する典型的な方法には、一般に０．７５〜１．２５ｍｍの厚さを有する硬質ディスク基板を提供することが含まれる。基板は、硬質の金属または非金属物質から作製することができる。金属物質は、好ましくは、金属ベース上に適用された金属または金属合金のコーティングを含み、金属ベースは、好ましくは、アルミニウム合金である。非金属物質は、好ましくは、ガラスまたはセラミックである。理解できると思うが、本発明の「硬質基板」は、典型的には、単一の別個の層または一体化物品に成形された複数の別個の重ねられた層により構成された円形ディスクの形態であり、その上に磁気層を適用および接着することが可能である。
【００２６】
図１に示される硬質ディスク基板について説明する。硬質ディスク基板１０はセンター穴１１を有する略円形の形状である。金属または金属合金コーティング１３は、ディスク状金属ベース２５（図２に示す）の少なくとも１つの表面１上に適用される。金属コーティングは、典型的には、硬質ディスク基板１０の両方の対向する主面に適用される。
【００２７】
本発明の目的では、コーティングは、ときどき、単に「金属」と呼ばれるが、この用語には金属または金属合金が包含されるものとみなされる。金属は典型的には無電解ニッケルメッキにより適用されるが、他のコーティング法を利用することも可能である。金属コーティングの厚さは、一般的には５〜２０μｍ、より典型的には約１５μｍである。
【００２８】
コーティング後、硬質ディスク基板表面１２を、通常は従来の遊離スラリーにより研磨して、非常に微細な仕上品に加工にされる。遊離研磨スラリーは、水または有機溶媒のような液体媒体中で分散された複数の研磨粒子（典型的には５μｍ未満の平均粒径を有する）を含む。遊離バインダー前駆体で研磨した後、金属コーティングは、非常に微細でランダムな引掻傷パターンまたは配向を有する。
【００２９】
ポリッシング後、表面１２上の金属コーティングは、本発明の方法に従って機械的処理（すなわち、テクスチャー加工）を施すことのできる状態である。一実施形態では、表面１２上の金属コーティングを機械的処理に付すことにより、硬質ディスク基板１０の中心を軸として実質的に円周方向に引掻傷１４のランダムパターンが得られる。引掻傷は、硬質ディスク基板１０の中心に対して非同心状であり、種々の箇所でランダムに交雑する引掻傷を生成するが、好ましくは、実質的に円周方向である。
【００３０】
次に図２の部分断面図について説明する。硬質ディスク基板１０は、両方の基板表面１２および２２上に形成された完成金属コーティング１３を有する金属ベース２５を含むが、コーティングを一方の主面１２上にだけ存在させることも可能であることは理解されよう。引掻傷１４は性質が不規則で、高い領域２４および低い領域２６を含む。引掻傷１４の幅および高さは均一である必要はないが、引掻傷は過度に幅広くなったり深くなったりしてはならない。
【００３１】
機械的処理（すなわちテクスチャー加工）を施すと、金属コーティング１３の露出表面積が増加する。表面を荒くすればコンピューターヘッドとの静止摩擦／摩擦が低下する可能性があり、引掻傷パターンが実質的に円周方向になるようにすればデータトラック間の分離がより良好になりうるのでディスクデザイナーには望ましいであろう。
【００３２】
図２には金属または金属合金で被覆された金属ベースを含む基板が示されているが、本発明では、表面上に形成された金属または金属合金の薄膜コーティングをもたないガラスまたはセラミック物質で作製された基板を機械的に処理することもできると考えられる。本発明の概念は、プラスチック基板にも適用可能であると考えられる。ガラスまたはセラミック基板の場合、ガラスまたはセラミック基板のもともとの表面を本発明の機械的処理方法で直接処理することも可能である。ガラス基板材料は、アルカリおよびアルカリ土類または重金属の珪酸塩の融合する溶融混合物のような硬質無定形型ガラス物質で作製することができる。セラミック基板材料は、創造および、次に、高温に、粘土のような非金属鉱物を造形し次に焼成するすることにより作製された種々の硬質物質で構成することができる。これらのセラミック物質としては、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニウムおよびアルミナのようなセラミックの合金が挙げられる。
【００３３】
研磨物品：
本発明は、構造化ダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）コーティングを有する研磨物品を提供する。本明細書中で使用する場合、「構造化」は、研磨物品の被加工面のトポグラフィーを特性づけるために使用される。構造化トポグラフィーは、バッキング上にあらかじめ決められたパターンで配置された複数の正確に造形された三次元の突起を含む。
【００３４】
本発明では、正確に造形された三次元の突起は、バッキング物質上にコーティングされかつ製造ツールを用いて所望の正確な三次元形状に成形された硬化バインダー物質により提供される。硬化バインダーの構造化表面の少なくとも一部分は、硬化バインダーの構造化表面によく整合する硬質ダイヤモンド様炭素コーティングで覆われる。研磨コーティングは、研磨コーティング中に従来の研磨鉱物を含むことなく、所望の研磨特性を提供する。このようにして、研磨コーティングは、構造化表面を有する硬化バインダー物質と、硬化バインダーの構造化表面の少なくとも一部分上に重ねられたダイヤモンド様炭素コーティングとから本質的になる。
【００３５】
本明細書中で使用される「正確に造形された」（単数形と複数形）という表面は、バインダー前駆体が製造ツールのキャビティー内に存在している間にバインダー前駆体を硬化させることにより形成された個別の識別可能な境界を有する形状の１つ以上の突起を意味する。そのような正確に造形された突起は、それを形成するのに使用されたキャビティーと同一の形状を本質的に有する。複数の正確に造形された突起は、三次元の表面トポグラフィーを提供する。ここで、それぞれの三次元の造形物は、製造ツールのパターンの逆である全パターンの一部としてバッキングの表面から外向きに突出する。これらの「三次元の」造形物としては、少なくともその遠心端てはそのアレイ中の他の突起から分離された個別の突起と、典型的には直線上に延在する突条である突条の形態の突起とが挙げられる。典型的には、バインダー物質の薄いモノリシック層は、製造ツールから形成された突起の下およびその突起間に延在する連続的ランドを形成する。
【００３６】
この点に関しては、それぞれの突起は境界により規定され、そのベース部分は、正確に造形された突起が接着されるバッキングとの境界面である。境界の残りの部分は、突起が硬化された製造ツールの表面上のキャビティーにより規定される。
【００３７】
一実施形態では、突起のアレイは、隣接する突起間の距離がアレイ全体にわたり実質的に同一であるという意味で「非ランダム」に配列される。「隣接する」突起とは、それらの間を直接結ぶ直線に沿って存在して妨害する他の突起が存在しない突起である。
【００３８】
図３について説明する。構造化研磨物品３０は、複数の正確に造形された突起３４を表面上に有するバッキング３２を含む。隣接する突起は、ランド領域３９によりバッキング位置で互いに分離されている。突起３４は、バインダー前駆体を硬化させることにより形成されたバインダー物質３８から形成される。突起３４は、構造化ダイヤモンド様炭素コーティングを形成するために正確に造形された突起の造形物に整合したダイヤモンド様炭素コーティング３７の薄いコーティングで覆われている。ダイヤモンド様炭素コーティング３７の厚さは、典型的には、バインダー物質の厚さよりも実質的に薄い。図３では、突起３４は、研磨物品の横方向幅にわたって配向した突条の形態である。バインダーの一部分は、硬化後、バッキング３２の上側面３３上に連続して延在するランド部分３９を形成する。図３の実施形態では、ダイヤモンド様炭素コーティング３７は、正確に造形された突起３４およびランド部分３９の両方を覆う。
【００３９】
図４について説明する。本発明の構造化研磨物品４０は、突起４４を表面上に有するバッキング４２を含む。突起４４は、バインダー前駆体を硬化させることにより形成されたバインダー物質４８から形成される。突起４４は、断面が三角形を有する細長い連続突条を形成し、それぞれの突条は、研磨物品の横方向幅にわたり中断されることなく連続して延在する。突条は、研磨物品の側縁および機械方向Ｍに対して約０〜約９０°の鋭角で配向している。突条は、上面４３および４１を有し、これらの上面は、下端で合流してバッキング４２に当接し、研磨物品の側面のプロフィール図で観測されるように一般的には約３０〜約１１０°の間に角度（β）を形成する。突起４４の上面４３および４１は、ダイヤモンド様炭素４５の薄いコーティングで覆われる。
【００４０】
本発明の他の実施形態では、研磨突条は、それぞれ、隆起したバインダー物質の連続した線を含む。本発明の他の実施形態では、研磨突条は、それぞれ、その長手方向軸またはその想像上の延長線上に幅方向中心が整列した複数の個別の正確に造形された突起を含む。好ましい実施形態では、研磨突条は、前述の長手方向線に沿って断続的に間隔をあけて配置された複数の個別複合体で構成され、研磨複合体のそれぞれは、正確に造形されており、研磨複合体を上記の表面に結合する手段に提供するバインダー中に分散された複数の研磨粒子を含む。
【００４１】
図５は、本発明の構造化研磨物品の他の実施形態の断面図である。研磨物品６０は、前表面６３と裏表面６４とを有するバッキング６２を含む。バッキング６２の前表面６３は、硬化バインダー物質６５から形成された複数の正確に造形された角錐突起６１をもつ。複数の正確に造形された突起６１は、オフセット列のあらかじめ決められた配列でバッキング６２の前表面６３上で配置される。薄いダイヤモンド様炭素コーティング６７は、正確に造形された突起６１上に適用され、それにに接着されて連続コーティングを形成する。
【００４２】
バッキング材料：
好適なバッキング材料は、前表面と裏表面とを有しており、任意の従来のシート様材料が利用可能である。そのようなバッキングの例としては、高分子フィルム、金属フィルム、紙、およびそれらの処理物、ならびにそれらの組み合わせが挙げられる。
【００４３】
一般的には、バッキング厚さは、約１２〜１７５μｍ、より好ましくは２５〜１２５μｍ、最も好ましくは約２５〜７５μｍの範囲である。好ましいバッキング材料はフラットエンボス加工されていない。好ましいバッキングは、約２５〜１２５μｍの厚さを有するポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）であり、好ましくは、バインダー前駆体を適用する前に、たとえば（ポリ）エチレンアクリル酸で下塗りする。好ましい下塗りＰＥＴフィルムは、Ｄｕｐｏｎｔ，Ｈｏｐｅｗｅｌｌ，ＶＡから商品名「４５４　ＰＥＴ　ＦＩＬＭ」として市販されている。他の有用なバッキングは、Ｔｅｉｊｉｎ　Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．，Ａｔｌａｎｔａ，Ｇａ．から商品名「ＴＥＪＩＮ　ＳＰ７」として入手可能市販の下塗りフィルムである。バッキングの背面には、駆動デバイスとの耐滑り性または摩擦係合を改良する物質のコーティングが含まれていてもよい。そのようなコーティングの例としては、接着剤中に分散させた無機微粒子（例えば、炭酸カルシウムまたは石英）を含む組成物が挙げられよう。
【００４４】
バインダー材料：
研磨コーティング突起は、熱可塑性でも熱硬化性でもよい硬化バインダー物質から形成される。熱硬化性バインダーの場合、バインダーは、典型的には、流動性バインダー前駆体から形成される。研磨物品の製造時、熱硬化性バインダー前駆体は、重合および／または硬化プロセスの開始を助けるエネルギー源に暴露される。エネルギー源の例としては、熱エネルギーおよび放射エネルギー、たとえば、電子線、紫外光、および可視光が挙げられる。硬化および／または重合プロセスは、バインダー前駆体を硬化バインダーに変換する。
【００４５】
このほか、熱可塑性バインダーの場合、研磨物品の製造時、バインダー前駆体が固化する程度まで熱可塑性バインダーを冷却させる。
【００４６】
バインダーは、好ましくは、バッキングの前表面に直接接着する。しかしながら、場合により、バッキングの前表面とバインダーとの間に追加の接着層を存在させてもよい。
【００４７】
本発明に使用可能な熱硬化バインダー前駆体の例としては、フェノール樹脂、ユリア−ホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、アクリル化ウレタン、アクリル化エポキシ、エチレン性不飽和化合物、α，β−ペンダント不飽和カルボニル化合物を有するアミノプラスト誘導体、少なくとも１個のペンダントアクリレート基を有するイソシアヌレート誘導体、少なくとも１個のペンダントアクリレート基を有するイソシアネート誘導体、ビニルエーテル、エポキシ樹脂、およびそれらの組み合わせならびに混合物。アクリレートという用語には、アクリレートおよびメタクリレートが包含される。
【００４８】
１つの好ましいカテゴリーの熱硬化性バインダー前駆体は、アクリル酸樹脂である。好適なアクリル酸樹脂の例は、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート、エトキシル化ビスフェノールＡジアクリレート、イソボルニルアクリレート、フェノキシエチル（ｐｈｅｎｙｏｘｅｔｈｙｌ）アクリレート、テトラエチレングリコールアクリレートおよびそれらの混合物である。
【００４９】
フェノキシエチルアクリル樹脂は、商品名「ＳＲ　３３９」としてＳａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｏｒｐ．から市販されており；エトキシル化ビスフェノールＡジアクリレート樹脂は、商品名「ＳＲ　３４９」としてＳａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｏｒｐ．から入手可能な商業的にある；また、イソボルニルアクリル酸樹脂は、商品名「ＳＲ　５０６」としてＳａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｏｒｐ．から市販されている。これらの異なるタイプのアクリル酸樹脂の混合物は、バインダーの性質の最適なバランスを提供するのに好ましい可能性がある。
【００５０】
オリゴマー性脂肪族ウレタンアクリレートは、商品名「ＣＮ９８３Ｂ８８」、「ＣＮ９６３Ｂ８０」、「ＣＮ９６４Ｅ７５」、「ＣＮ９６６Ｊ７５」、および「ＣＮ９６６Ｂ８５」としてＳａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｏｒｐ．から市販されている。オリゴマー性芳香族ウレタンアクリレートは、商品名「ＣＮ９７０Ｈ７５」および「ＣＮ９７３Ａ８０」としてＳａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｏｒｐ．から市販されている。
【００５１】
任意に、バッキング材料に対する硬化バインダーの接着性を促進するために、接着促進剤をバインダー前駆体に添加してもよい。好適な接着促進剤は、商品名「ＳＲ９００８」、「ＳＲ９０１１」、「ＳＲ９０１２」、および「ＣＮ７０４」としてＳａｒｔｏｍｅｒ社から市販されている。使用する場合、接着促進剤は、典型的には、約５〜１０重量％の範囲の量でバインダー前駆体に添加されるが、いくつかの用途では、他の量が好適であることがわかる場合もある。
【００５２】
好ましくは、アクリレートバインダー前駆体は、約−４０〜８０℃の範囲のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する硬化バインダーを提供するように配合される。ウレタンアクリレートバインダー前駆体の１つの好ましいブレンドは、約１０〜７５重量％ＣＮ９８３Ｂ８８および約８０〜２０重量％のＣＮ９６６Ｂ８５を含む。より好ましくは、ブレンドは、約１０〜３５重量％のＣＮ９８３Ｂ８８および約８０〜５５重量％のＣＮ９６６Ｂ８５を含む。ウレタンアクリレートバインダー前駆体の他の好ましいブレンドは、約１０〜７５重量％のＣＮ９６３Ｂ８０および約８０〜２０重量％のＣＮ９６６Ｂ８５を含む。より好ましくは、ブレンドは、約１０〜５０重量％のＣＮ９６３Ｂ８０および約８０〜４５重量％のＣＮ９６６Ｂ８５を含む。ウレタンアクリレートバインダー樹脂のさらなる他の好ましいブレンドは、約１０〜７５重量％のＣＮ９６４Ｅ７５および約８０〜２０重量％ＣＮの９６６Ｂ８５を含む。より好ましくは、ブレンドは、約１０〜５０重量％のＣＮ９６４Ｅ７５および約８０〜４５重量％のＣＮ９６６Ｂ８５を含む。ウレタンアクリレートバインダー樹脂のさらに他の好ましいブレンドは、約２０〜７９重量％のＣＮ９７０Ｈ７５および約７０〜２０重量％のＣＮ９７３Ａ８０を含んでいる。より好ましくは、ブレンドは、約２０〜７０重量％のＣＮ９７０Ｈ７５および約７０〜２０重量％のＣＮ９７３Ａ８０を含む。
【００５３】
製造ツールからの硬化バインダーの放出を改良するために、剥離剤をバインダー前駆体に添加してもよい。好適な１つの剥離剤は、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ　Ｍｉｎｉｎｇ　ａｎｄ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｃｏｒｐ，Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮから商品名「ＦＣ−４３０」として市販されているフルオロケミカルである。
【００５４】
硬化剤：
利用するエネルギー源およびバインダー前駆体の化学に依存して、硬化剤、光開始剤、または触媒が、バインダー前駆体の重合を開始するのを支援するのに好ましいこともある。たとえば、可視線に暴露したとき遊離基源を生成する好適な光開始剤の例が、米国特許第４，７３５，６３２号（Ｏｘｍａｎら）に記載されている。可視光で使用するのに好ましい開始剤は、商品名「ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３６９」または「ＣＩＢＡ　１１７３」としてＣｉｂａ　Ｇｅｉｇｙ　Ｃｏｒｐ．から市販されている。光開始剤は、典型的には、バインダー前駆体の全重量を基準にして約０．５〜５重量％、より好ましくは０．５〜１重量％の量で使用される。一方、エネルギー源が電子線（「Ｅ−ビーム」）である場合、エネルギー源自体により、バインダー中の重合を開始させる遊離基を生成および提供する。
【００５５】
突起形状および配置：
構造化表面を有するバインダーの層は、複数の直線状突条として形成することが可能であり、それぞれの突条は、バッキングの側縁間に存在する連続線状に形成されるか、または、それぞれの突条は、実線から形成されたあるいはこのほかに伸長することで、バッキングの側縁間に延在する想像線に沿って断続的に位置する複数の個別の突起から形成することが可能である。これらの直線状突条は、バッキングに平行な列として配置される。平行な列を、０〜９０°の範囲の角度でバッキングの側縁と交差させてもよい。
【００５６】
連続直線状突条として造形された突起が関与する実施形態では、突条は、所望のパターンの突条の逆の造形物を提示するように構成される製造ツール（これ以降で説明する）を用いてバインダー前駆体を適切に造形することにより形成される。バインダー前駆体に付与される基本的な正確に造形されたトポグラフィーを製造ツールのキャビティーにより保持するのに十分な程度にバインダー前駆体を硬化させた後、金型または製造ツールを除去する。連続突条を形成するのに使用されるバインダー前駆体は、ランドの水平な外表面から延在する三次元の突条の下におよびその突条間に延在するバインダーの連続層によって、ランド部分が、隣接する突条間の下部で、すなわち、突条の高さの約２５％まで、形成される程度に、製造ツール中にわずかに過剰に充填することができる。
【００５７】
直線状ラインをトレースする列に沿って断続的に形成された個別の突起を含む突条が関与する他の実施形態では、個別の研磨突起は、それに付随するそれ自体の形状を有している。個別の造形物は、それに付随する表面または境界を有しており、その結果、１つの突起は、他の隣接する突起からある程度分離されることになる。すなわち、個別の突起を形成するために、突起の形状を与える平面または境界の一部分は、互いに分離させなければならない。この分離部分は、少なくとも突起の上部または遠心端を含んでいなければならない。突起の下部または底部は、互いに当接してもよいし、または突起は、ランド部分が露出するように別々に離間して配置してもよい。個別の突起が離間して配置される場合、典型的には、それを形成するのに使用されるバインダー前駆体は、研磨物質のランド部分が、突起の下および突起間の下部の連続層として延在して形成される程度まで、製造ツール（これ以降でより詳細に説明する）中にわずかに過剰に充填することができる。ランド部分の厚さは、典型的には、ランド部分から伸びた突起の高さの約２５％に等しい。いずれにせよ、個別の突起は、たとえば、米国特許第５，１５２，９１７号（Ｐｉｅｐｅｒら）に報告されている種々の方法により、形成することが可能である。
【００５８】
個別の突起は、典型的には、共通の突条に沿って等距離に離間させて配置される。識別可能または個別の突起を使用して突条のそれぞれを作製する場合、突起の形状は、好ましくは、立方体、角柱、円錐、円錐台、角錐、角錐台、複合形（たとえば、ドーム形先端部を有する円錐台ベース）のように、規則的な幾何学的形状になるように選択すべきである。突条間に残された溝または開放空間は、隣接した突条の延長角を追跡する角度で直線的に延在することになろう。また、突起の高さは、研磨物品の全領域にわたって一定であることが好ましい。これらの形状は、バインダー前駆体を造形するのに使用した製造ツール中のキャビティー形状に密接に対応するので、正確である。
【００５９】
個別の突起の数は、１ｃｍ２あたり５〜１５，０００突起の間の任意の数、またはそれ以上であってもよいが、最も好ましくは１ｃｍ２あたり約１，０００〜１０，０００突起である。列状に整列させた断続的な個別の突起から構成された突条を提供する実施形態では、隣接する突起間の間隔は、すべての突条に対して一定の値になるように選択され、一般的には５〜２００μｍの範囲である。
【００６０】
突条を有するすべての実施形態について、突条は、少なくともその遠心端で分離されているが、バッキングへの結合端では当接していても分離していてもよい。隣接する突起は、両方の遠心端および結合端の両方の近傍でバッキングが突条間に露出するように完全に分離していてもよい。
【００６１】
突条間の間隔またはピッチは、連続突条であるか断続突条であるかにかかわらず、１つの突条の中点から隣接すなわち最近接の突条の中点までとして測定し、図３では「ｐ」と記されているが、特定のアレイのいずれについても一様な値が選択されている。本発明を目的では、隣接する突条とは、対象の突条に共通の溝を挟んで対面し、その間に介在する突条がまったく存在しない突条を意味する。ピッチ「ｐ」は、一般的には、約３〜約５００μｍ、より好ましくは約１〜約５０μｍ、最も好ましくは約１〜２５μｍの値に設定される。
【００６２】
本発明を目的では、連続突条の実施形態（図３に示すような実施形態）の場合および突条の列に配置した個別の突起を使用する場合のいずれについても、高さＨは、バッキングの外表面または研磨物品の突起面上の任意のランド表面のいずれかと、突起の遠心端の最も外側の部分と、の垂直な距離として測定され、一般的には、約１０〜１０００μｍ、より好ましくは約１０〜１００μｍ、最も好ましくは約１〜１５μｍの範囲の値である。
【００６３】
しかしながら、以上では硬質のメモリディスクを機械的に処理するために研磨複合体突条を使用することに関連して特定の範囲の値を記載してきたが、本発明の方法は多くの他の用途に適用可能であり、それぞれの用途に応じて最適なパターンサイズおよび角度は変化する可能性があり、経験的に決定しうることは理解されよう。
【００６４】
構造化ポリマー表面を有する基板を作製する方法：
本発明の研磨物品を作製するために、構造化ポリマー表面を有する基板を最初に作製しなければならない。構造化ポリマー表面が有するバッキングを作製する好ましい方法は、
（ａ）複数の正確に造形されたくぼみを形成してなる主面を有する製造ツールを提供するステップと、
（ｂ）該正確に造形されたくぼみにバインダー前駆体を充填するステップと、
（ｃ）前表面と裏表面とを有するバッキングを提供するステップと、
（ｄ）該バッキングの前表面の少なくとも一部分が該バインダー前駆体に接するように、該バッキングの前表面を該製造ツールの表面に積層するステップと、、
（ｅ）該バインダー前駆体を少なくとも部分的に硬化させるのに十分な条件に該バインダー前駆体を付すステップと、
（ｆ）該製造ツールから該バッキングを分離させるステップと、
含む。
【００６５】
製造ツールは、複数のキャビティーを含有しており、それらは、本質的に突起の逆の形状であり、突起の形状の生成させる役割を有する。１ｃｍ２あたり好ましくは５〜１５，０００のキャビティーが存在しなければならない。１ｃｍ２あたり５〜１０，０００の突条形成キャビティーが平行に離間して配置することは好ましい。これらのキャビティーは、対応する数の突起／ｃｍ２を有する研磨物品の形成を可能にする。これらのキャビティーは、個別の突起を形成するために、立方体、角柱、角錐、円錐台、円錐、円錐台などのようなさまざまな幾何学的形状のいずれかを有することができる。このほか、キャビティーは、連続突条を形成する線状の連続溝形状であってもよい。たとえば、個別の溝は、三角形のプロフィールを有し、製造ツールの表面の全体的輪郭はのこぎり歯輪郭である。キャビティーの寸法は、所望の数の突起／ｃｍ２を達成するように選択されている。
【００６６】
製造ツールとしては、ベルト、シート、連続シートもしくはウェブ、輪転グラビアロールのようなコーティングロール、またはコーティングロール上で配置されたスリーブを挙げることができる。製造ツールは、金属（たとえばニッケル）、金属合金、セラミック、またはプラスチックから作製することができる。金属製造ツールは、型彫、ホビング、エッチング、電鋳、ダイヤモンド旋削などのような任意の従来法により作製することができる。熱可塑性ツールは、メタルマスタツールから複製することができる。マスターツールは、製造ツール用としてデザインされる逆のパターンを有するであろう。マスターツールは、好ましくは、金属、たとえば、クロムメッキしたニッケルで作製する。熱可塑性シート材料は、任意にマスターツールと一緒に、両者を一緒にプレスすることによりマスターツールパターンで熱可塑性物質をエンボス加工するように、加熱することができる。熱可塑性物質をマスターツール中に押出またはキャスティングし、プレスし、その後、熱可塑性物質を冷却させて固化させすることにより、製造ツールを作製することもできる。
【００６７】
製造ツールはまた、製造ツールから研磨物品をより容易に取り出せるように、剥離コーティングを含有していてもよい。そのような剥離コーティングとしては、たとえば、シリコーンおよびフルオロケミカルが挙げられる。プラスチック製造ツールを使用する場合、使用するポリマーをシリコーンまたはフルオロケミカルでグラフトすると好ましい。
【００６８】
製造ツールを作製するための好ましい方法は、米国特許第５，４３５，８１６号（Ｓｐｕｒｇｅｏｎら）、同第５，６５８，１８４号（Ｈｏｏｐｍａｎら）、および米国特許出願第０８／９２３，８６２号（Ｈｏｏｐｍａｎ）（１９９７年９月３日出願）中に報告されている。
【００６９】
バインダー前駆体が熱硬化性バインダー前駆体を含む場合、バインダー前駆体は、重合法により硬化される。重合は、典型的には、エネルギー源に暴露することにより開始される。エネルギー源としては、たとえば、熱エネルギーおよび放射エネルギーが挙げられる。エネルギー量は、バインダー前駆体の化学、バインダー前駆体の寸法（たとえば厚さ）および量のようないくつかの因子および任意の添加剤のタイプに依存する。熱エネルギーについて、温度は、約３０〜１５０℃、一般的には４０〜１２０℃の範囲にすることができる。時間は、約５分から２４時間以上まで変化させることができる。放射エネルギー源には、電子線、紫外光もまたは可視光が含まれる。電離放射線として知られる電子線放射線は約０．１〜１０Ｍｒａｄのエネルギーレベル、好ましくは約１〜約１０Ｍｒａｄのエネルギーレベルでで使用することができる。紫外線とは、約２００〜約４００ｎｍの範囲内、好ましくは約２５０〜４００ｎｍの範囲内の波長を有する放射線を意味する。３００〜６００ワット／インチ（１２０〜２４０ワット／ｃｍ）の紫外光を使用することが好ましい。可視線とは、約４００〜約８００ｎｍの範囲、好ましくは約４００〜約５５０ｎｍの範囲の波長を有する非粒子状放射線を意味し、好ましくは、３００〜６００ワット／インチ（１２０〜２４０ワット／ｃｍ）のエネルギーレベルで使用される。
【００７０】
一態様において、バインダー前駆体は、たとえば、ロールコーティング、トランスファコーティング、スプレー被覆、ダイコーティング、真空ダイコーティング、ナイフコーティング、カーテンコーティング、および輪転グラビアコーティングのような任意の従来のコーティング技術を用いてバッキングの前表面上に最初に直接コーティングされる。次に、製造ツールのくぼみの中へのバインダー前駆体が流れ込むように、製造ツールをバインダー前駆体被覆バッキングと接触させる。バインダー前駆体を流動させて製造ツールのくぼみを満たすように、ニップロールまたは他の好適な技術により圧力を加えてもよい。
【００７１】
この方法の好ましい態様では、製造ツールにバインダー前駆体を直接コーティングすることによりくぼみを満たす。たとえば、ロールコーティング、トランスファコーティング、スプレー被覆、ダイコーティング、真空ダイコーティング、ナイフコーティング、カーテンコーティング、または輪転グラビアコーティングのような任意の従来のコーティング法によりこれを達成することができる。次に、バインダー前駆体がバッキングの表面を湿潤させるように、バッキングを製造ツールの外表面に接触させる。バッキングにバインダー前駆体を押し付けて得られたバインダーとバッキングとの接着性を改良するために、ニップロールまたは他の好適な技術により圧力を加えてもよい。
【００７２】
次に、バインダー前駆体を硬化させる。これは、エネルギー源からのエネルギーにバインダー前駆体を暴露することにより達成することができる。エネルギーは、熱、放射エネルギー（すなわち赤外もしくは可視線）、または電子線であってもよい。好ましくは、エネルギーは放射エネルギーである。放射エネルギーは、バッキングまたは製造ツールを透過することができる。好ましくは、バッキングおよび製造ツールはそれぼと放射エネルギーを吸収しない。さらに、放射エネルギー源はそれほどバッキングや製造ツールを分解してはならない。このほか、製造ツールを特定の熱可塑性物質（たとえば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（エーテルスルホン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリウレタン、ポリビニルクロリドあるいはそれらの組み合わせ）から作製する場合、紫外または可視光が製造ツールを透過してさらにバインダー前駆体に入ることができる。バインダー前駆体の硬化（すなわち、バインダーの形成）を行った後、構造化バインダーの結合されたバッキングを製造ツールから分離させる。
【００７３】
得られた硬化したバインダー物質は、製造ツールの逆のパターンに対応する構造化表面を有するであろう。製造ツール上でバインダー前駆体を少なくとも部分的に硬化させることにより、バインダーは、製造ツールから取り出した後、その正確に造形された構造化トポグラフィーを保持するであろう。バインダー前駆体は、たとえば、製造ツールから取り出した後、熱処理によりさらに硬化させてもよい。ダイヤモンド様炭素コーティングを後で真空蒸着させる際のポンプダウンを妨害するおそれのある揮発性成分をバインダーからより完全に除去するために、熱処理が有益なこともある。
【００７４】
ダイヤモンド様炭素コーティング：
構造化ポリマー表面を有する基板を形成した後、次に、本発明の研磨物品を提供するために、ダイヤモンド様炭素コーティングは、構造化表面の少なくとも一部分上に適用する。ダイヤモンド様炭素膜はまた、本明細書ではときどき「ＤＬＣ」の略号で記される。本明細書中で使用する場合、ＤＬＣは、スパッター堆積炭素コーティング、水素化ＤＬＣコーティング、および非水素化ＤＬＣコーティングを包含するものとみなされる。スパッター堆積炭素コーティングは、中性炭素原子として堆積され、コーティングはほとんど黒鉛様ｓｐ２結合を含有していることにより特性づけることが可能である。水素化ＤＬＣコーティングは、ガス状炭化水素プラズマから生成される。そのような水素化ＤＬＣコーティングを作製するために、いくつかの技術を用いることができる。たとえば、堆積種が主として活性化炭化水素分子および分子フラグメントであるＲＦプラズマＣＶＤを用いることができる。典型的には、水素化ＤＬＣコーティングは、１０〜６０原子％の水素を含んでいる。四面体配位非結晶性炭素とも呼ばれる非水素化ＤＬＣは、パルスレーザー堆積または陰極アークのいずれかにより堆積させることが可能である。これらの２つの方法では、堆積種は、少なくとも部分的に基板に埋め込むのに十分なエネルギーでコーティングされる基板に衝突する高いエネルギー炭素イオンである。
【００７５】
水素化ＤＬＣコーティングのプラズモンエネルギーは約２５ｅＶ未満であり、一方、非水素化ＤＬＣコーティングのプラズモンエネルギーは約２６ｅＶ以上、典型的には２７〜３０ｅＶである。ＤＬＣ膜のプラズモンエネルギーは、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ）を用いて決定される。プラズモンエネルギーは、原子密度に比例する価電子密度に比例するので、ＤＬＣ膜の構造の性質に関係する。ＤＬＣ膜のプラズモンエネルギーは、約２０００ｅＶのビームエネルギーを用いて反射モードで測定することが可能である。この際、基板からＤＬＣ膜を分離させる必要はない。
【００７６】
本発明中のダイヤモンド様炭素物質の硬質炭素コーティング層または膜の平均厚さは、通常５０μｍ未満、好ましくは１０μｍ未満、より好ましくは１μｍ未満、最も好ましくは１００〜２０００オングストロームの範囲である。５０００オングストロームを超えるＤＬＣ膜厚はいずれの場合においても望ましくないであろう。なぜなら、製造費が比較的高くなるうえに、高い硬度を有している場合、脆くなりかつ接着性が弱くなるからである。一方、１００オングストローム未満のＤＬＣ厚さもまた、いずれの場合においても望ましくないであろう。なぜなら、硬質ディスク表面の機械的処理で使用するのに十分な厚さがないからである。
【００７７】
陰極アークプラズマ堆積を使用する場合、所望の厚さに到達するまでのコーティング時間は、約１０秒〜約１０時間、通常、約３０秒〜約１０分の間で変動しうる。コーティング時間は、目標のＤＬＣコーティング厚さにコーティングしなければならない物質の長さによって決まる。チャンバー雰囲気、炭素源、および電力を制御して、陰極アークコーティング分野の当業者により理解される方法でコーティング時間を調節することができる。
【００７８】
水素化タイプまたは非水素化タイプにかかわらず、ダイヤモンド様炭素膜を作製する他の方法としては、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ支援ＣＶＤ、イオンビーム、レーザーアブレーション、ＲＦプラズマ、マイクロ波、アーク放電、および陰極アークプラズマ堆積のような一般に知られる技術が挙げられる。一実施形態では、陰極アークコーターを用いてダイヤモンド様炭素膜を堆積させる。陰極アークコーターでは、陰極とコーティングされる物品とを約９０ｃｍの距離で配置した水平構成をとる。しかしながら、本明細書に記載の適切な対策をとって研磨物品の温度増加を十分に抑制することによりダイヤモンド様炭素膜の黒鉛化が防止されるかぎり、陰極とコーティングされる物品との間の距離を５〜５００ｃｍの範囲に設定することが可能である。アーク光源とサンプル物品との離間距離を比較長くすると、ＤＬＣ形成を促進する温度で、かつダイヤモンドコーティングで通常見受けられるおよび利用される温度よりも低い温度で、ダイヤモンド様炭素コーティングを堆積させることが可能になる。この距離では、１９９３年１１月１１日出願の米国特許出願第０８／１４９，２９２号に記載されているように、任意のマクロ粒子フィルターの利用が可能である。それらの開示内容は参照により本明細書に組み入れられるものとする。構造化バッキング材料の一領域または一部分を単にコーティングすることも本発明の範囲内である。たとえば、外側数ｃｍだけをコーティングすることが可能である。
【００７９】
ダイヤモンド様炭素膜を作製するために、陰極アークコーターの陰極材料として炭素源を利用する。陰極材料として使用可能な種々の物質としては、熱分解黒鉛、無定形炭素、黒鉛、およびガラス質炭素が挙げられる。コーティング処理は、通常、真空中で、通常１０−４ｔｏｒｒ未満で行われる。残留ガスは、空気（すなわち、主として窒素および酸素）または不活性ガスのいずれかであろう。
【００８０】
場合により、清浄化を行ったり、堆積されるＤＬＣコーティング膜との接着を妨害する汚染物質を除去したりすることにより、基板を前処理してもよい。ＤＬＣのコーティング前またはコーティング中の基板の清浄化は、不活性プラズマまたはイオンビームを用いて、たとえば、アルゴン、ヘリウム、クリプトン、キセノン、または周期表の第８族のメンバーから誘導されたイオンを含むイオンビームを用いて行うことが可能である。アルゴンは、コストおよび利用可能性の点で洗浄用プラズマとして好ましい。
【００８１】
ＤＬＣ物質の硬質炭素コーティング層は、基板またはその正確な形状の実質的な分解、破壊、または劣化を起こすことがないように、基板の正確に造形された三次元の表面に適用される。すなわち、ＤＬＣ層の適用時、過度の熱への暴露に伴う基板の破壊または基板への悪影響を生じないように注意しなければならない。したがって、ＤＬＣ層の適用時、過度の熱を発生させないように注意しなければならない。さらに、過度の熱は、ＤＬＣ物質の望ましくない黒鉛化を引き起こす可能性もある。一般的な要件として、基板への損傷を防止しかつＤＬＣ膜自体の黒鉛化を防止するために、ＤＬＣ膜の形成中、研磨物品の温度を常に約２００℃未満に保持しなければならない。
【００８２】
移動ウェブにＤＬＣコーティングを適用する１つの好ましい方法は、パルス陰極アークプラズマ堆積と呼ばれるものであり、米国特許第５，６４３，３４３号（Ｓｅｌｉｆａｎｏｖら）に報告されている。パルス陰極アークプラズマ堆積では、コンデンサーのバンクに蓄積された電気エネルギーにより陰極アークプラズマ放電を行う。コンデンサー放電の時間的変動性により時間的変動場を生じ、これがプラズマを自己収束させるように作用する。このため、この技術に関しては、ＤＣ駆動陰極アーク法のときと同様に外部磁界輸送システムは必要でない。コンデンサー放電時間が典型的には５００μｓｅｄ未満と短いため、アークスポットの移動できる距離が制限される。これが高い瞬間電流と組み合わされて、より安定で再現性のある放電が得られる。厚さはコンデンサー駆動プラズマ放電の数に直接関連づけられるので（すなわち、厚さはコンデンサーのパルス数をカウントすることにより制御される）、これらの因子のすべてが組み合わさって、より正確に厚さを制御することのできるプロセスが形成される。このプロセスでは、介在磁界が必要でなく、パルス周波数の制御によりＤＬＣコーティング厚さの均一性が制御されるので、移動ウェブ上での均一な堆積が可能である。より均一なフィルム厚さが提供されることに加えて、パルス陰極アークプラズマ堆積の他の利点は、この技術を使用した場合、従来のＤＣ陰極アーク法と比較して、マクロ粒子の生成が大幅に低減されるということである。したがって、よりクリーンなコーティングを作製することができる。
【００８３】
機械的処理装置：
図６は、本発明の方法に使用するための機械的処理装置７０を示す概略図である。基板７２の片面だけの機械的処理が示されているが、典型的には、個別の研磨物品または同一の研磨物品により、基板７２の両面を同時に処理することができると考えられる。好ましくは、機械的処理は、界面活性剤の存在下、湿式方式でまたは水を充満させた状態で行われる。基板７２の直径は、一般的には５０〜２００ｍｍ、通常、６０〜１５０ｍｍである。基板７２は、Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ　Ｄｅｓｉｇｎ　Ｃｏｍｐａｎｙ（ＥＤＣ），Ｆｏｘ　Ｌａｎｅ，ＣＡ製のモデル８００Ｃ　ＨＤＦ　Ｒｉｇｉｄ　Ｄｉｓｋ　Ｂｕｒｎｉｓｈｅｒのような機械に取り付ける。機械は、ディスク上の表面速度が約７．５〜約４４０ｍ／分になるように約５０〜７００ｒｐｍで基板７２を回転させる、より速いまたはより遅い速度も利用可能であると考えられる。本発明の研磨物品７４は、好ましくは、幅２０〜６０ｍｍ、好ましくは２５〜５０ｍｍを有する連続ロールの形態で提供される。研磨物品７４の連続ロールは、１つのステーション７６から巻出されて第２のステーション７８に送られる。基板７２が回転すると、ローラー７９の働きで研磨物品７４が基板７２の表面に接触する。ローラー７９は、約５０ｍｍの好ましい直径を有し、好ましくは約５０のショアＡ硬度値を有するエラストマー材料から作製される。研磨物品７４と基板７２との間の力は、５０ｍｍの直径および４５〜６０、好ましくは５０のショアＡ硬度値を有するゴムロールを用いて３１．１ｍｍの接触長にしたとき、０．１〜４ｋｇ、好ましくは０．５〜３ｋｇである。圧力が高すぎると、得られる表面仕上Ｒａが高すぎるであろう、すなわち約７ｎｍ（０．００７０ｍμ）を超えるであろう。圧力が低すぎると、引掻傷の高さが低くなり、表面仕上が低すぎであろう、すなわち約１．８ｎｍ（０．００１８ｍμ）未満であろう。好ましい方法は、テクスチャー加工時、基板７２の半径方向にローラー７９を振動させることを含む。半径方向の振動を行うことにより、研磨物品７４により形成される引掻傷を基板７２上で同心状でなくランダムに交差して実質的に円周方向を向くようにできる。また、機械的処理中、ステーション７６と７８との間で制御速度で研磨物品７４を移動させ、基板７２に既知の均一な処理を施し、ディスクに接触する研磨材を連続してクリーンな研磨材と交換する。研磨物品７４の割送速度は、５〜４００ｃｍ／分、好ましくは１５〜２５０ｃｍ／分である。割送研磨物品７４および振動ローラー７９の組み合わせにより、所望のランダムな実質的に円周方向に離間した引掻傷が提供される。典型的には、テクスチャー加工後、デブリまたは削り屑をすべて除去するように硬質基板７２を清浄化する。清浄化後、任意の従来の磁気コーティングを引掻傷上に適用することができる。典型的な硬質磁気媒体ディスクでは、クロムのようなコーティングを基板のテクスチャー表面上に適用する。磁性材料の追加コーティングをクロムコーティング上に適用する。磁性材料は、たとえば、ＣｏＸＹ合金〔式中、Ｃｏはコバルトであり、Ｘとしては白金またはタンタルが使用でき、Ｙとしてはクロムまたはニッケルが使用できる。〕である。最後に、磁気コ��ティング上に炭素コーティングを適用する。
【００８４】
本発明の基板のテクスチャー加工を評価するとき、次の定義を使用する：
Ｒａ：　平均線または中心線からの粗さプロフィールの絶対値の算術平均偏差である。中心線は、それを超える全領域がそれよりも下の全領域と等しくなるようにプロフィールを分割する。
Ｒｍｓ：　サンプリング長さで測定された平均線からの粗さプロフィールの二乗和平均偏差または幾何平均偏差である。
Ｐ−Ｖ：　ピーク／バレー（Ｒｔとしても知られる）は、平均線でレベリングしてサンプリング長さ内で最も高いピークと最も低いバレーとの間の垂直距離である。
Ｒｐ：　サンプリング長さ内で平均線と最も高いピークとの間の距離である。
Ｒｖ：　サンプリング長さ内で平均線と最も低いバレーとの間の距離である。
【００８５】
以下の実施例により本発明についてさらに具体的に説明するが、これらの実施例に限定されるものではない。実施例中の部、パーセント、比などはすべて、別段の記載がないかぎり重量基準である。全体にわたり以下の略号を使用する。
【００８６】
実施例
材料リスト：
ＵＡＣＲ１：　商品名「ＰＨＯＴＯＭＥＲ　６０１０」としてＨｅｎｋｅｌ　Ｃｏｒｐ．から市販されている脂肪族ウレタンアクリレートモノマー。
【００８７】
ＴＭＰＴＡ：　商品名「ＳＲ−３５１」としてＳａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｏｒｐ．から市販されているトリメチロールプロパントリアクリレートモノマー。
【００８８】
ＰＩ１：　商品名「ＤＡＲＯＣＵＲＥ　１１７３」としてＣｉｂａ　Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ　Ａｄｄｉｔｉｖｅｓから市販されている遊離基光開始剤。
【００８９】
一般手順１：　構造化基板の作製方法：
最初に、実施例に記載の物質を十分に混合することによりバインダー前駆体を調製した。比はすべて重量基準である。バインダー前駆体がツール中のくぼみを満たすように、実施例に記載のトポグラフィーを有する金属製造ツール上にバインダー前駆体をコーティングした。次に、ニップローラーを利用してポリエステルフィルム（３Ｍ　Ｈｅａｔｓｅａｌａｂｌｅ　Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ　＃２９９７２）基板を製造ツールに押圧し、表面上にプライマーを有するポリエステルフィルムの前表面をバインダー前駆体で湿潤させた。バッキングを介して約６００ワット／インチ（２３６ワット／ｃｍ）の紫外光をバインダー前駆体中に送った。紫外光は、バインダー前駆体の重合を開始させた。この紫外光暴露の結果、バインダー前駆体は、ポリエステルフィルムバッキングに接着した硬化バインダーに変換された。次に、硬化した構造化バインダーコーティングを有するポリエステルフィルムを製造ツールから分離させた。
【００９０】
一般手順２：　ダイヤモンド様炭素コーティング：
次の一般手順では、ダイヤモンド様炭素コーティングの作製方法について説明する。米国特許第５，６４３，３４３号に記載のものと類似した単一炭素パルス陰極アーク系を備えた真空系中に構造化基板材料のロールを取り付けることにより、実施例のそれぞれをＤＬＣでコーティングした。炭素フィードストック陰極は、Ｐｏｃｏ　Ｇｒａｐｈｉｔｅ　Ｉｎｃ．から入手した（物質グレードＳＦＧ−２）。しかしながら、この手順では、炭素プラズマが垂直方向上向きになるように炭素プラズマ源を取り付けられた。基板は、基板の構造化表面が下向きで炭素プラズマ源に対してラインオブサイト位置になるように取り付けられた。基板の構造化表面は、陰極アークプラズマ源の炭素カソードから約１５インチ（３８．１ｃｍ）の位置に配置した。ポリマーロールを取り付けた後、１×１０−５Ｔｏｒｒ未満の圧力まで系を減圧した。約０．３３〜０．５Å／パルスになるように、炭素パルス陰極アークプラズマ源を操作した。パラメーターは次のとおりであった：主電圧：３００Ｖ；補助電圧：３００Ｖ；イグニッション電圧：７００Ｖ；およびセットポイント周波数：３．３Ｈｚ。１フィート／分の速度で構造化基板を炭素プラズマ堆積ゾーンに通して移動させ、ウェブを堆積ゾーンに複数回通して移動させることにより所望の厚さのＤＬＣコーティングを作製した。
【００９１】
ＤＬＣコーティングを適用した後、得られた構造化ＤＬＣ被覆研磨物質を真空系から取り出し、真空系を介した輸送中に物質に付着した可能性のある微粒子汚染物質を完全に除去するために超音波洗浄を行った。超音波洗浄ヘッド（Ｕｌｔｒａ　Ｃｌｅａｎｅｒ）は、Ｗｅｂ　Ｓｙｓｔｅｍｓ　Ｉｎｃ．から購入された。超音波洗浄後、ナイフスリッティング系を用いて、構造化ＤＬＣ被覆研磨物質を１．３７５”（３．５ｃｍ）の幅にスリットした。
【００９２】
テクスチャー加工手順１：
本発明の方法を用いて硬質ディスクでテクスチャー加工試験を行った。Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ　Ｄｅｓｉｇｎ　Ｃｏ．，Ｓａｎ　Ｊｏｓｅ，ＣＡにより製造されたモデル８００Ｃ　ＨＤＦ　Ｒｉｇｉｄ　Ｄｉｓｋ　Ｂｕｒｎｉｓｈｅｒを使用した。硬質ディスク基板は、Ａｋａｓｈｉｃ　Ｍｅｍｏｒｉｅｓ　Ｃｏｒｐ．，Ｓａｎ　Ｊｏｓｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａから入手した（直径９５ｍｍ）ニッケル／リン（ＮＩＰ）メッキアルミニウムディスク被研磨Ｆａｌｃｏｎ基板３３５３２６であった。
【００９３】
一方のテープがディスクの一方の面に接触し、他方のテープがディスクの他方の面に接触するように、２つの１−３／８”幅の研磨材スプールをＥＤＣ　８００Ｃディスクブラッシャーに取り付けられた。テープの幅がディスクの全半径に接触するように、研磨物品を配置した。１５０ｒｐｍでディスクを回転させた。当該業界で標準的に使用されるクリーニングテープを試験に使用し、ディスク表面がディスクの各回転に対して研磨テープおよびクリーニングテープの両方の下を通過するように、フィニッシングテープと直径方向で反対の位置に配置した。新たな研磨剤がディスク表面と連続して接触するように、研磨物品を９．４インチ／分で前進させた。ショアジュロメーター硬度Ａ５０を有するエラストマーローラーにより４．３６ポンドの荷重ロール力を加えて、研磨物品を硬質ディスク表面にプレスした。それぞれのディスクのテクスチャー時間は３５秒であった。
【００９４】
テクスチャー加工手順２：
本発明の方法を用いて硬質ディスクでテクスチャー加工試験を行った。Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ　Ｄｅｓｉｇｎ　Ｃｏ．，Ｓａｎ　Ｍａｔｅｏ，ＣＡにより製造されたモデル１８００　ＨＤＦ　Ｒｉｇｉｄ　Ｄｉｓｋ　Ｂｕｒｎｉｓｈｅｒを使用した。硬質ディスク基板は、直径９５ｍｍ、厚さ３１．５ｍｍ、およびＲａ表面８〜１３を有するニッケル／リン（ＮＩＰ）メッキアルミニウムディスクであった。ディスク基板は、ＳｔｏｒＭｅｄｉａ　Ｉｎｃ．，Ｓａｎｔａ　Ｃｌａｒａ，ＣＡから部品番号１５−００３−０１として市販されている。
【００９５】
一方のテープがディスクの一方の面に接触し、他方のテープがディスクの他方の面に接触するように、２つの１−３／８”幅の研磨材スプールをディスクブラッシャーに取り付けられた。テープの幅がディスクの全半径に接触するように、研磨物品を配置した。８０ｒｐｍでディスクを回転させた。クリーニングテープも試験に使用し、ディスク表面がディスクの各回転に対して研磨テープおよびクリーニングテープの両方の下を通過するように、フィニッシングテープと直径方向で反対の位置に配置した。冷却剤をクリーニングテープ上に１２ｍｌ／分の速度で滴下した。冷却剤は、Ｃｏｒａｌ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｉｎｃ．，Ｐａｒａｍｏｕｎｔ，ＣＡから市販されているＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　Ｘ２，５９０−２７の１％の溶液からなるものであった。未使用の研磨剤がディスク表面と連続して接触するように、１．０ポンドの張力下で研磨物品を３．０インチ／分で前進させた。７．６Ｈｚの振動周波数で、０．０５インチ振幅をテクスチャー加工中に使用した。ショアジュロメーター硬度Ａ５０を有するエラストマーローラーにより２．５ポンドの荷重ロール力を加えて、研磨物品を硬質ディスク表面にプレスした。それぞれのディスクのテクスチャー時間は３０秒であった。
【００９６】
テスト手順１：　テクスチャー加工されたディスクの表面プロフィルメーター測定：
次に、本発明による機械的処理がディスクの表面トポグラフィーをいかに変化させるか判定するために、コンタクトスタイラスプロフィルメーターを用いて、テクスチャー加工された硬質ディスクの表面の特性づけを行った。５ｍｇの力で０．２ｍｍトレースを用いる０．１５ミクロンのスタイラスを備えたモデル「Ｐ２」Ｔｅｎｃｏｒプロフィルメーターを、これらの「粗さ」測定に使用した。典型的には、次のパラメーターを含めていくつかの粗さパラメータを記録する：Ｒａ、Ｒｑ、Ｒｐ、Ｒｖ、Ｒｔ、Ｒｚ、ＰＣ（１０Å）、ＰＣ（４０Å）、およびＰＣ（７０Å）。最後の３つのパラメーターは、スキャン距離にわたって見いだすことのできる特定のサイズ範囲のピークの数に関連づけられる。２つのディスクについてそれぞれ６回、合計１２回の測定を行った。
【００９７】
実施例１：
一般手順１に従って構造化基板を作製した。構造化表面は、１インチあたり６００ラインで配置された四角錐台からなるものであった。製造ツールはＳｏｕｔｈｅｒｎ　Ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ，Ｌｏｕｉｓｖｉｌｌｅ，ＫＹから入手した。「Ｑ−３４」という名称であった。バインダー前駆体の式は、４９．５重量部ＵＡＣＲ−１、４９．５重量部ＴＭＰＴＡ、および１重量部ＰＩ１を含むものであった。
【００９８】
構造化基板を作製した後、一般手順２に従ってダイヤモンド様炭素コーティングを基板の構造化表面に適用した。堆積ゾーンを通過した回数を表１に示す。得られた研磨物品を用いてテクスチャー加工手順１に従ってディスクをテクスチャー加工し、得られたテクスチャー加工済みディスクを試験手順１を用いて特性づけした。結果を表１に報告する。
【００９９】
実施例２：
一般手順１に従って構造化基板を作製した。構造化表面は、三角形の断面を有する連続突条を含むものであった。突条の夾角（すなわちピーク角）は９０°であった。２４μｍのピーク間距離でバッキング上に突条を配置した。バッキングの側縁に平行な方向に連続突条を向けた（すなわち、突条は、ウェブ進行方向に連続したものであった）。
【０１００】
構造化基板を作製した後、一般手順２に従ってダイヤモンド様炭素コーティングを基板の構造化表面に適用した。堆積ゾーンを通過した回数を表１に示す。得られた研磨物品を用いてテクスチャー加工手順１に従ってディスクをテクスチャー加工し、得られたテクスチャー加工済みディスクを試験手順１を用いて特性づけした。結果を表１に報告する。
【０１０１】
【表１】
表１
2004511355.tif 000003
【０１０２】
ピークカウント（ＰＣ）値の増加および顕微鏡写真から推測されるように本発明の研磨物品はディスク表面から物質を除去しディスク表面に線密度パターンを付与したことを結果は示している。このほか、薄いコーティングよりも厚いＤＬＣコーティングのほうが侵食性が強く、Ｒａのようなディスクの粗さパラメータを増大させた。このほか、２つのパターンは異なる形で表面トポグラフィーを変化させ、線状のパターンを有する実施例４の研磨物品は、ＰＣ（ピークカウント）値を大きく増加させたが、Ｒａ値はわずかに増加したにすぎなかった。
【０１０３】
実施例３：
一般手順１に従って構造化基板を作製した。構造化表面は、１インチあたり６００ラインで配置された四角錐台からなるものであった。製造ツールはＳｏｕｔｈｅｒｎ　Ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ，Ｌｏｕｉｓｖｉｌｌｅ，ＫＹから入手した。「Ｑ−３４」という名称であった。バインダー前駆体の式は、４９．５重量部ＵＡＣＲ−１、４９．５重量部ＴＭＰＴＡ、および１重量部ＰＩ１を含むものであった。
【０１０４】
構造化基板を作製した後、一般手順２に従ってダイヤモンド様炭素コーティングを基板の構造化表面に適用した。堆積ゾーンを通過した回数を表１に示す。得られた研磨物品を用いてテクスチャー加工手順２に従ってディスクをテクスチャー加工し、得られたテクスチャー加工済みディスクを試験手順１を用いて特性づけした。結果を表２に報告する。
【０１０５】
実施例４：
一般手順１に従って構造化基板を作製した。構造化表面は、三角形の断面を有する連続突条を含むものであった。突条の夾角（すなわちピーク角）は９０°であった。２４μｍのピーク間距離でバッキング上に突条を配置した。バッキングの側縁に平行な方向に連続突条を向けた（すなわち、突条は、ウェブ進行方向に連続したものであった）。
【０１０６】
構造化基板を作製した後、一般手順２に従ってダイヤモンド様炭素コーティングを基板の構造化表面に適用した。堆積ゾーンを通過した回数を表２に示す。得られた研磨物品を用いてテクスチャー加工手順２に従ってディスクをテクスチャー加工し、得られたテクスチャー加工済みディスクを試験手順１を用いて特性づけした。結果を表２に報告する。
【０１０７】
【表２】
表２
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【０１０８】
上記の実施例は、本発明の研磨物品を用いて、硬質ディスクまたは硬質ディスク基板の表面トポグラフィーを改変しうることを示している。被加工物表面特性（たとえば、トポグラフィー、粗さなど）が研磨物品の表面トポグラフィーと相関関係にあることが明確に示される。さらに、研磨物品のカット率が硬質物質の量およびその硬度に関連することがわかる。したがって、本発明は、制御下で硬質ディスクまたは硬質ディスク基板を機械的に処理するように最適化された研磨物品を作製しうることを示している。本発明は、硬質ディスクまたは硬質ディスク基板上に所望の表面トポグラフィーを付与する正確な表面ポグラフィーを研磨物品に提供する。有利なことに、ダイヤモンド様コーティングの厚さを制御することにより研磨物品の侵食性（すなわち、カット率）を制御することができるので、従来のグリッドベースの研磨物品よりもテクスチャー加工、バフ研磨、および清浄化のような機械的処理を改良することができる。
【０１０９】
本発明の種々の修正態様および変更態様は、本発明の範囲および精神から逸脱することなく当業者に自明なものとなろう。また、本発明は本明細書に記載の例示的な実施形態に過度に制限されるべきものではないことを理解しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法に従ってテクスチャー加工された金属被覆硬質ディスク基板の平面図である。
【図２】図１の２−２に沿って得られた金属被覆ディスク基板の断面図である。
【図３】本発明の研磨物品の一実施形態の断面図である。
【図４】本発明の研磨物品の他の実施形態の断面図で示される最近接端を有する斜視図である。
【図５】本発明の研磨物品の一実施形態の断面図である。
【図６】本発明の方法で使用されるテクスチャー加工装置の概略図である。
【国際公開パンフレット】
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2004511355.tif 000006
2004511355.tif 000007
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004511355.tif 000046
2004511355.tif 000047
【国際調査報告】
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