(57)【要約】ＰＲＯＭデバイス内に格納されたデータの保全性を判定するための方法および装置は、２セットのブロックに接続された少なくとも１つの保持ラッチを提供する。第１のセットのブロックはデータを含み。第２のセットのブロックは、第１のセットのブロック内のデータに対応するＣＲＣ情報を含む。第１のデータブロックからデータを読み出すと、対応するＣＲＣブロックからのＣＲＣ情報も読み出される。読み出されたデータは、現在のＣＲＣ値を生成するためにＣＲＣアルゴリズムに適用される。次いで、現在のＣＲＣ値が、対応するＣＲＣブロックから得られたＣＲＣ情報と比較される。２つのＣＲＣ値が同一であれば、そのデータは有効と見なされる。同一でなければ、そのデータは無効と見なされる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検証可能なプログラム可能読出し専用メモリを有するコンピュータシステムであって、該コンピュータシステムは、
該プログラム可能読出し専用メモリ内の少なくとも１つのデータブロックであって、該データブロックはデータセクションを有し、該データセクションはデータを格納するように構築および構成され、該データブロックはＣＲＣセクションをさらに有し、該ＣＲＣセクションは該データセクションに対応し、該ＣＲＣセクションはＣＲＣ値を含むように構築および構成される、少なくとも１つのデータブロックと、
ＣＲＣ計算機であって、該ＣＲＣ計算機は、該データセクションから読み出されたデータに基づいて、現在のＣＲＣ値を生成するように構築および構成される、ＣＲＣ計算機と、
比較器であって、該比較器は、該現在のＣＲＣ値と該ＣＲＣセクション内に格納された該ＣＲＣ値とを比較するように構築および構成される、比較器とを備え、
該現在のＣＲＣ値が該ＣＲＣブロック内に格納された該ＣＲＣ値と同一であるか否かに依存して、信号が発せられる、コンピュータシステム。
【請求項２】
前記プログラム可能読出し専用メモリはＰＲＯＭである、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
前記プログラム可能読出し専用メモリはＥＰＲＯＭである、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
前記プログラム可能読出し専用メモリはＥＥＰＲＯＭである、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
前記システムは、前記データブロックと前記ＣＲＣブロックに接続される保持ラッチをさらに備える、請求項１に記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
プログラム可能読出し専用メモリから読み出されたデータを検証するための方法であって、該方法は、
ａ）該プログラム可能読出し専用メモリ内のデータブロックのデータセクションからデータを読み出す工程と、
ｂ）該データブロックのＣＲＣセクションからＣＲＣ値を読み出す工程であって、該ＣＲＣセクションは該データセクションに対応する、工程と、
ｃ）該データセクションから読み出された該データを用いて、現在のＣＲＣ値を計算する工程と、
ｄ）該現在のＣＲＣ値と該データブロックから読み出された該ＣＲＣ値とを比較する工程と、
ｅ）該現在のＣＲＣ値と該データブロックから読み出された該ＣＲＣ値との該比較に応じて信号を発する工程とを包含する、方法。
【請求項７】
プログラム可能読出し専用メモリに検証可能なデータを書き込むための方法であって、該方法は、
ａ）データを提供する工程と、
ｂ）該データに基づいてＣＲＣ値を計算する工程と、
ｃ）該プログラム可能読出し専用メモリのデータブロックのデータセクションに該データを書き込む工程と、
ｄ）該データブロックのＣＲＣセクションに該ＣＲＣ値を書き込む工程とを包含する、方法。
【請求項８】
ＥＥＰＲＯＭメモリを有する無線高周波数識別（ＲＦＩＤ）システムであって、該ＲＦＩＤシステムは、
該ＥＥＰＲＯＭメモリ内の少なくとも１つのデータブロックであって、該データブロックはデータセクションを有し、該データセクションはデータを格納するように構築および構成され、該データブロックはＣＲＣセクションをさらに有し、該ＣＲＣセクションは該データセクションに対応し、該ＣＲＣセクションはＣＲＣ値を含むように構築および構成される、少なくとも１つのデータブロックと、
ＣＲＣ計算機であって、該ＣＲＣ計算機は、該データセクションから読み出されたデータに基づいて、現在のＣＲＣ値を生成するように構築および構成される、ＣＲＣ計算機と、
比較器であって、該比較器は、該現在のＣＲＣ値と該ＣＲＣセクション内に格納された該ＣＲＣ値とを比較するように構築および構成される、比較器とをさらに備え、
該現在のＣＲＣ値と該ＣＲＣブロック内に格納された該ＣＲＣ値との比較に応じて、信号が発せられ、該比較は、該データブロック内の該データが有効であるかどうかを識別するために用いられる、ＲＦＩＤシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、コンピュータメモリに関する。より詳細には、本発明は、電気的に消去可能なプログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）内に格納されたデータの保全性を検査する方法および装置に関する。
【０００２】
ＣＲＣは、長年の間、コンピュータ産業と一体の部分であった。実際のアルゴリズムはインターネット上で自由に利用可能である。周期的冗長検査（ＣＲＣ）は、Ｓａｎ　Ｊｏｓｅ，　ＣａｌｉｆｏｒｎｉａのＡＣＩ　ＵＳ，　Ｉｎｃ．のＲｕｆｆｉｎ　Ｓｃｏｔｔ氏によって記載されている。彼の技術ノート９９−１１は、ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ａｃｉｕｓ．ｃｏｍ／ＡＣＩＤＯＣ／ＣＭＵ／ＣＭＵ７９９０９．ＨＴＭ．に見つけることができる。別の序論がＥｒｉｃ−Ｐａｕｌ　Ｒｅｂｅｌ氏によって記載され、ｈｔｔｐ：／／ｕｔｏｐｉａ．ｋｎｏｗａｒｅ．ｎｌ／ｕｓｅｒｓ／ｅｐｒｅｂｅｌ／Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ／ＣＲＣ／に見つけることができる。しかし、ＣＲＣについての最も一般的な序論となり得るものは、Ｒｏｃｋｓｏｆｔ　Ｐｔｙ　Ｌｔｄ．でＲｏｓｓ　Ｗｉｌｌｉａｍｓによって書かれたものである。それは、“Ａ　Ｐａｉｎｌｅｓｓ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　ＣＲＣ　Ｅｒｒｏｒ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　Ａｌｇｏｒｉｔｈｍｓ”と称されるものであり、これはｆｔｐ：／／ｆｔｐ．ｒｏｃｋｓｏｆｔ．ｃｏｍ／ｃｌｉｅｎｔｓ／ｒｏｃｋｓｏｆｔ／ｐａｐｅｒｓ／ｃｒｃ＿ｖ３．ｔｘｔ．で見つけることができる。すべての記載は、本明細書中で参考として援用される。
【０００３】
例えば、ある通信チャネルを介してデータの送信を行った後、そのデータが変更されないかどうかを見ることができるように、バイナリデータの検査数を計算する種々の方法が存在する。周期的冗長検査（ＣＲＣ）は、上記のようにバイナリデータを保護する通常の方法である。過去において、ネーミングスキームとなった種々のＣＲＣが存在する。
【０００４】
ＣＲＣジェネレータは、図１に示されるように、ハードウェアの一部として構築され得る。特定のジェネレータの多項式は、ｇ（ｘ）＝ｘ１６＋ｘ１２＋ｘ５＋ｘ０であり、これは０ｘＦＦＦＦに初期化される。例えば、バイナリデータの各ビット（ｂ）は、ＣＲＣの最上位ビットでＸＯＲ処理された後、ＣＲＣレジスタへシフトされる。ジェネレータのこの部分は、ＣＲＣの周期的局面を保証する。ＸＯＲの結果はまた、ＣＲＣビット５および１２中に挿入される。ビットｂの処理の間、すべての現在のＣＲＣビット（変更済みまたは未変更）は、１つの位置だけ左方へシフトされる。１バイトが処理される必要がある場合、すべての８ビットは順次処理される必要がある。最上位ビットは最初に処理される。
【０００５】
ソフトウエアでＣＲＣジェネレータを構築することができる。これはハードウェアによる解決法に類似する。この解決法は、各ビットを別個に処理する。Ｃプログラミング言語を使用すると、ソースコードは以下のようになる：
【０００６】
【数１】
2004501466.tif 000003
初めに、ｂ　ＸＯＲ　ｃ１５（周期値）が計算される。次いで、ＣＲＣビットは左方にシフトされる（ｃ０は０になる）。周期値は、ｃ０、ｃ５およびｃ１２において処理される必要がある。周期値が１に等しい場合、ビットｃ０、ｃ５およびｃ１２は値０００１　００００　００１０　０００１（０ｘ１０２１）でＣＲＣをＸＯＲ処理することにより、同時期に変更される。周期値が０に等しい場合、ＣＲＣは値００００　００００　００００　００００でＸＯＲ処理される必要がある。０ｘ００００でＣＲＣをＸＯＲ処理することはＣＲＣを変更せず、従ってスキップされる。最終的には、処理されるべき次のビットが準備される。
【０００７】
読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）は、電力損失によってでさえ変更され得ないコンテンツを有する単純なタイプのメモリである。コンテンツは製造時にプログラムされ、後で変更することはできない。ＲＯＭは非常に大量の制御アプリケーションに使用される。これらの制御アプリケーションでは、単純性および低い単位あたりコスト（これは、メモリチップ内でプログラムを大量生産することから得られる）が重要である。
【０００８】
他の共通の不揮発性メモリは、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、およびＥＥＰＲＯＭである。プログラム可能読み出し専用メモリ（ＰＲＯＭ）は、不可逆的なプロセスを介してユーザによってプログラムされる。一旦書き込まれると、ＰＲＯＭは変更できない。消去可能ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）は、プログラミングが強い紫外光に露光されることで反転されることを可能にする。電気的に消去可能なＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）は、内部メモリセルをリセットするためにより大きい電流を使用することにより変更可能である。ＥＰＲＯＭおよびＥＥＰＲＯＭは、これらは出力損失を残すが、非常にゆっくりと、かつ限られた回数でのみ再プログラム（書き込み）可能であるので、非常に有益である。ＥＥＰＲＯＭのさらなる記載は、Ｗｉｌｌｉａｍ　Ｄ．　ＢｒｏｗｎおよびＪｏｅ　Ｅ．　Ｂｒｅｗｅｒによる“Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍｅｍｏｒｙ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　Ａ　Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ　ａｎｄ　Ｕｓｉｎｇ　ＮＶＳＭ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”（ＩＥＥＥ　Ｐｒｅｓｓ，　Ｐｉｓｃａｔａｗａｙ，　ＮＪ，　１９９８；ｐｐ３７−３９，４２−４７，６７，１１５−１２０，１２９−１３３，１９２−１９３，３０９および３５２）で見つけることができ、これは本明細書中で参考として援用される。
【０００９】
バッテリ環境またはバッテリなし環境におけるＥＥＰＲＯＭの動作は、プログラミング高電圧を良好に制御できないために、不確定であり得る。結果として、不正な書き込みの頻度が、良好に制御された環境の場合よりも大きくなる。格納されたデータが不正であるかどうかを知ることが望ましい。従って、ＰＲＯＭに格納されたデータの保全性を保証する方法および装置に関する技術において必要性がある。
【００１０】
本発明は、２つのセットのブロックに接続された少なくとも一つの保持グラッチを提供することにより、従来技術に固有の問題を解決する。第１のセットのブロックはデータを含む。第２のセットのブロックは第１のセットのブロック中のデータに対応するＣＲＣ情報を含む。第１のデータブロックからデータを読み出すと、対応するＣＲＣブロックからのＣＲＣ情報がまた読み出される。読み出されたデータはＣＲＣアルゴリズムに適用されて、現在のＣＲＣ値を生成する。次いで、現在のＣＲＣ値は対応するＣＲＣブロックから得られたＣＲＣ情報と比較される。２つのＣＲＣ値が同一である場合、データは有効であると見なされる。そうでない場合、データは無効であると見なされる。その結果によって、適切な信号が発行される。
【００１１】
他のおよびさらなる目的、特徴および利点は、以下に記載される本発明の好ましい実施形態から明らかである。この本発明の好ましい実施形態は、開示の目的であって、添付の図面とともに用いられる。
【００１２】
本発明は、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、およびＥＥＰＲＯＭに適用する。しかし、本発明は、メモリ内に含まれるデータが書き込まれた時点のデータと同じであるかどうか、または、データは、そのデータが書き込まれた時点と読み出された時点との間に不正されたかどうかを知ることが望まれる任意のメモリのタイプに用いられ得る。
【００１３】
書き込み可能ＥＥＰＲＯＭに基づいたＲＦＩＤタグについてのアンチティアリングな実施例
アンチティアリング問題
用語「アンチティアリング」は、動作中に電子デバイスを電源から分離することを指している。この問題は、関連する口座データがカード自体に格納され、中央データベースに格納されないスマートカードまたは任意の格納デバイスにより実行される金融処理またはセキュリティ処理では特に強調される。ＡＴＭカードにより操作される銀行口座データは、銀行データベースに格納され、ＡＴＭカード自体に格納されない。データがＡＴＭカードで変わることはないので、この場合についてのアンチティアリング問題はない。
【００１４】
中央データベースではなく、遠隔的に格納されるデータベースを有する場合、一定のセーフガードが、データベースからデータを受信し、そしてデータベースへデータを書き込むことを保証するために必要である。上記のセーフガードは、単数および複数の処理の間に存在する環境的な条件を認識する必要がある。上記のスマートカードが財布に置かれるか、または車に残される場合、このスマートカードは、圧力、ねじれ、温度、衝撃、および湿度要素の影響を受ける。そのようなカードに含まれるデータの保全性は、上記のストレスを受けた後に訂正されることは想定され得ない。
【００１５】
本発明は、ＣＲＣ保護を用いて、その結果、コンテンツについての後のクエリが、格納されたデータが元々書き込まれたデータと同じかどうか、または元々書き込まれたデータが変化したかどうかを判定し得る。このコンセプトは、本発明が現れるまでプログラム可能読み出し専用メモリに採用されることはなかったが、ディスクドライブセクタにより広範に用いられる。
【００１６】
ＥＥＰＲＯＭ動作
ＥＥＰＲＯＭ状態（０または１）は、一定時間の間、高電圧をＥＥＰＲＯＭに印加することにより変更される。薄い誘電体に高電圧をかけることにより、少量の電荷を薄い酸化物をトンネルさせる。十分な電荷が酸化物を通過する場合、結果として生じるＥＥＰＲＯＭのフローティングゲートの電圧の変化は、デジタルデータ状態を変化させる。データ状態は、セルをオンにし、セル電流を読み出すことによりＥＥＰＲＯＭから読み出される。ｎチャネルセルのフローティングゲートの負の電荷は、ゲートの正の電荷が電流を引き起こす間、電流を引き起こすことはない。データが０から１へまたは１から０へ変化する点は、幾分任意であり、感知増幅器で測定される電流閾値に依存する。
【００１７】
ＥＥＰＲＯＭの他の１つの局面は、ＥＥＰＲＯＭのデータの保持である。電荷は、時間の有限量（一般には数百年であるが）の間、フローティングゲート上に保持されるのみであり得る。この理由により、後に、いくつかのセルがセルの状態をフリップし得るので、ＥＥＰＲＯＭが訂正値を読み出し始める第１の瞬間に、セルをプログラミングすることを止めることは、望まれていない。電荷損失は、より高温により加速化され、もちろん、セルはそれぞれ、異なる電荷損失性を有する。ＥＥＰＲＯＭがプログラミングされる方法についてのこの現象が与えられる場合、ＥＥＰＲＯＭは、寿命の後半の電荷損失がＥＥＰＲＯＭのデータを無効化しないように十分にプログラミングされることを保証することが望まれる。ロバストなプログラミング周期が保障され得ない場合であっても、データが無効であるかまたは有効であるかどうかを、後で単に知ることは十分である。有効／無効状態は、本発明により解決される。
【００１８】
無線ＥＥＰＲＯＭ動作
電圧および動作電源がＲＦ場から生じる場合、カードのＥＥＰＲＯＭをプログラミングするのに十分な高電圧を保証する問題が悪化する。物理的な電気的接触を必要とするものと比較して、近接ＲＦ処理カード（本明細書でタグと呼ばれる）の利便性の利点がある。詳細には、使用者は、機械にカードを委ね、戻ってきますようにと願う必要がない。カード上の物理的な接触はまた、過度の磨耗を引き起こし、損傷する可能性がある。ＲＦ処理のマイナス面は、ＲＦ場の地点毎の場の強さが、分からず、経時的に変わり得ることである。呼掛け器コイルに対するタグの距離および配向は、場の強さを決定する。タグは、使用可能なＲＦ場にちょうど入り込み得るか、または使用可能なＲＦ場の端にあり得る。タグは、動作を処理しようとする間、場を通って移動してもよいし、または場を離れてもよい。複数の呼掛け器のコイルがある場合、「ヌル」の場が発生し得ることも可能である。従って、ＲＦ環境の不確定性は、高電圧および時間が、プログラミング動作が適切に完了するのに十分であったかどうかを確認することを困難にする。
【００１９】
本発明は、これまでに説明された上記のいくつかの問題を克服する。ＥＥＰＲＯＭが必ずプログラミングされるように高電圧を「適格とする（ｑｕａｌｉｆｙ）」ための方法が従来技術の課題であったが、これらの従来技術の方法がロバスト動作に至ることはない。プログラミング前にダイ上の高電圧を適格とするための前検査が実行される場合、高電圧がプログラミング中に全てのセルに十分であるかは保証されない。上記前検査は作動するが、高電圧はプログラミング中に消滅され得る。さらに、前検査は、著しい時間量を消費し得る。例えば、高電圧の前検査および後検査が望まれる場合、それは有用であり得る。しかし、試験過程は、電圧検査スキーム（高電圧レベルおよび時間が特定のセルのプログラミングを成功させるために十分であったことをどのように知るか？）に関しての別の不確定性を強調する。処理の変更のために、ＥＥＰＲＯＭセルは、ビット毎でさえ変化し得、その変化を真に知る唯一の方法は、後にデータを読み出すことである。これは、スマートカード集積回路についての周知の問題（すなわち、高電圧がプログラミングするのに十分である時点を判定する問題）であった。本発明の１つのセーフガードは、プログラミング動作後、ＲＦタグが、プログラミング後にすぐにＥＥＰＲＯＭコンテンツを読み返すことである。呼掛け器が処理時間に訂正データを再入手しない場合、警報が鳴り得、その結果、処理が適切に行われないことが人に警告され得る。これは、即時的な検査については素晴らしいことであるが、数ヵ月後に読み出されたデータが、現在書き込まれたデータと同じであると、どうやって人は確認するのだろうか？この問題は、本発明により解決される。
【００２０】
ここで、図面を参照する。本発明において、メモリは、図２に示されるように各ブロックに対するデータセクションおよび対応するＣＲＣセクションを有するものとして、示されている。本発明の好適な実施形態はＥＥＰＲＯＭメモリであるが、上掲の特許請求の範囲の範囲および趣旨から逸脱することなしに代替の実施形態におけるメモリの他のタイプが存在し得る。各データブロック（２２、２４、２６、．．．２８）は、関連するＣＲＣブロック（それぞれ、３２、３４、３６、．．．３８）を有する。メモリに書き込まれるべきデータを保持する保持ラッチも示される。これらのラッチは、単に書き込まれるべきデータを保持するものであり、本発明の方法には実際には関連しない。任意のラッチまたはその均等物を本発明で使用することができる。
【００２１】
ＣＲＣ値の生成を図３に図示する。まず、データ４０はＣＲＣ計算器４２を介して送信され、今度は、ＣＲＣ値４４を生成する。好適な実施形態において、ＣＲＣブロックは、書き込みコマンドがデバイスに送信されている間に計算されるＣＲＣ値を含む。したがって、データブロックが書き込まれるごとに、ＣＲＣ計算器は、コマンドが送信されている間であって、かつ、プログラミングが実際に生じる場合にＣＲＣ値を計算し、ＣＲＣはデータブロックに関連するＣＲＣブロックにプログラミングされる。このコマンドは、一般的に、ブロックデータおよびブロックアドレスを含む。結果として、ＣＲＣ値に対応するデータブロックは、ブロック自体のデータおよびブックのアドレスに関連する情報を含む。
【００２２】
書き込み動作は、書き込まれるべきデータを保持ラッチ１２に配置するデバイスにコマンドを送信し、ＣＲＣ生成器４２がそのコマンドの間ＣＲＣ値４４を計算する工程を含む。ＣＲＣ値４４は、書き込みコマンド全体に対して計算されていることに留意されたい。その書き込みコマンド全体は、一般的に、書き込み動作コード、メモリアドレスおよびメモリデータを含む。（データおよびブロックアドレスを含む）コマンドが転送の検査ＣＲＣとともに送信された後、その結果のＣＲＣが検査ＣＲＣと適合する場合、その結果のＣＲＣはブロックデータとともに１つ以上の保持ラッチにロードされる。保持ラッチデータ全体（データとＣＲＣ値）は、同時にＥＥＰＲＯＭに書き込まれる。
【００２３】
特定の書き込み動作を図４に図示する。まず、ステップ４０４において、ＥＥＰＲＯＭに書き込まれるべきデータが提供されている。次に、ＣＲＣ値は、提供されたデータを用いて、ステップ４０６において計算される。その後、ステップ４０８において、そのデータはＥＥＰＲＯＭのデータブロックのデータセクションに書き込まれる。最終的に、ステップ４１０において、ＣＲＣ値はデータブロックのＣＲＣセクションに書き込まれ、ステップ４１２でそのプロセスは終了する。
【００２４】
データブロックが読み出される場合、データブロックおよび関連するＣＲＣブロックが読み出される。読み出しサブシステムは、ＣＲＣブロック内に存在すべきものを計算し、かつ、そのＣＲＣが正しい場合かどうか判定する必要がある。結果として、読み出しプロセスを介するステップに対して、リーダ（ｒｅａｄｅｒ）サブシステムは、１）読み出しコマンドを発行し、２）メモリからデータブロック（通常データおよびＣＲＣ値の両方）を読み出し、３）ちょうど読み出されたデータを書き込む書き込みコマンドに対するＣＲＣを計算し、４）比較器で、メモリから読み出されたＣＲＣ値と計算されたＣＲＣとを比較する。比較器は、２つの同等のサイズのデータを比較する、当該分野において公知な簡単な回路である。比較器は、単に、２つのデータが同一か否かを結論付ける。比較器からの信号を用いて、他の回路にそのデータが有効か無効かを信号送信する。
【００２５】
（読み出されたデータに基づいて）すぐ前に計算されたＣＲＣ値がメモリから読み出されたＣＲＣと適合しない場合、以下の条件の１つが生じている。１）データブロックのデータが変更されている、２）ＣＲＣブロックに格納されたＣＲＣ値が変更されている、３）デバイスが誤ったブロックにデータを書き込んだ。いずれの場合においても、データは無効と考えられ、適切な信号が発せられる。例えば、データが有効と考えられる場合、ＶＡＬＩＤ信号が発せられ得、さもなければ、ＩＮＶＡＬＩＤ信号が発せられ得る。あるいは、データが有効と考えられる場合にのみ１つの信号が発せられてもよい。その場合において、回路は、その信号を探す必要があり、すぐに手に入らない場合、そのデータを無効と考えて、それに応じて処理する。さらに別の実施形態において、１つの信号は、そのデータが無効である場合にのみ発せられてもよい。その場合において、回路部は、その信号を探す必要があり、もし、その信号に遭遇する場合、そのデータを無効と考え、それに応じて処理する。
【００２６】
本発明の読み出し動作を図５に図示する。具体的には、動作はステップ５０４から始まる。ここで、データはＥＥＰＲＯＭのデータブロックのデータセクションから読み出される。次に、ステップ５０６において、ＣＲＣ値は、以前に読み出されたデータブロックのデータセクションに対応するデータブロックのＣＲＣセクションから読み出される。上記のような２つの読み出し動作は１つの読み出し動作に減らされ得、この場合、１つの信号ストリームが読み出され、データ成分およびＣＲＣ成分に対して構文解析されることが当業者によって理解される。いずれにしても、現在のＣＲＣ値は、ステップ５０８においてＣＲＣ計算器を用いて計算される。ステップ５１０において、比較器を用いて、（読み出されたデータに基づく）現在のＣＲＣ値を（書き込まれたデータに基づいて）読み出されたＣＲＣ値と比較する。ステップ５１２において、２つのＣＲＣ値が同一である（すなわち、データが有効である）かどうか判定される。テストが正（イエス）である場合、ステップ５１４が実行され、ＶＡＬＩＤ信号を発する。そうでな場合は、実行はステップ５１６に分岐し、ＩＮＶＡＬＩＤ信号を発して、プロセスはステップ５１８で終了する。本発明の代替の実施形態が、本発明の趣旨から逸脱することなく、有効データ判定（すなわち、ＣＲＣ値が同一である）の際にのみ、または、無効データ判定（すなわち、ＣＲＣ値が同一でない）の際にのみ、信号を発し得ることが理解される。
【００２７】
したがって、本発明は、目的を実行し、上記の目標および利点の両方ならびに本発明の本質的な他の利点を得るようにうまく適合される。本発明の特定の好適な実施形態を参照して、本発明を示し、記載し、規定してきたが、そのような参照は、本発明の限定を意味するものではなく、そのような限定を推測すべきではない。本発明は、当業者に想起されるような、考えられ得る量の改変、代替、変更、形態および／または機能における均等物が存在し得る。示され、説明された本発明の好適な実施形態は単なる例示にすぎず、本発明の範囲を網羅するものではない。結果として、本発明は、全ての観点において均等物に十分な認識を与える、上掲の特許請求の範囲の趣旨および範囲によってのみ限定されることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、従来技術のＣＲＣハードウェアを示す。
【図２】
図２は、本発明のデータブロックとＣＲＣブロックの模式図である。
【図３】
図３は、本発明のＣＲＣ値を生成する方法のフロー図である。
【図４】
図４は、本発明による証明可能な情報を書き込む方法のフロー図である。
【図５】
図５は、本発明による証明可能な情報を読み出す方法のフロー図である。
【図１】
2004501466.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際公開パンフレット】
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2004501466.tif 000029
2004501466.tif 000030
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004501466.tif 000031
2004501466.tif 000032
【国際調査報告】
2004501466.tif 000033
2004501466.tif 000034