(57)【要約】【解決手段】半導体ウエハのようなワークピースにイオンを注入する方法および装置は，イオンビームを発生すること，イオンビームの平行度を測定すること，測定された平行度に基づき所望の平行度となるようにイオンビームを調節すること，調節されたイオンビームのビームの向きを測定すること，測定されたビームの向きを基準とした注入角度にワークピースを向けること，および測定されたビームの方向を基準とした注入角度に向けられたワークピースでもって注入を実行することを含む。
2004511880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンをワークピースに注入する方法であって，
イオンビームを発生する工程と，
イオンビームを，所望の程度の平行度となるように調節する工程と，
調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，ワークピースを向ける工程と，
注入角度に向いたワークピースに注入を実行する工程と，
を含む方法
【請求項２】
イオンビームを調節する工程が，実質的に平行なイオン軌道となるように，イオンビームを調節することを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ビームの向きが，ビーム角度だけ，基準方向から異なる，ところの請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ワークピースを向ける工程が，測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，半導体ウエハを傾斜することを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
注入角度がゼロ度であり，ワークピースが測定されたビームの向きに対して垂直に向けられる，ところの請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに，イオンビームの非平行度の角度を測定する工程を含み，
イオンビームを調節する工程が，非平行度の測定角度に基づく，ところの請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ビームの向きおよびイオンビームの非平行度の角度は，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上のビーム検出器でもって測定される，ところの請求項６に記載の方法。
【請求項８】
イオンをワークピースに注入する方法であって，
イオンビームを発生する工程と，
イオンビームの平行度を測定する工程と，
測定された平行度に基づき，所望の平行度となるようにイオンビームを調節する工程と，
調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，ワークピースを傾斜する工程と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する工程と，
を含む方法。
【請求項９】
イオンビームを調節する工程が，実質的に平行なイオンの軌道となるようにイオンビームを調節することを含む，請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
注入角度がゼロ度で，ワークピースが測定されたビームの向きに対して垂直方向に傾斜される，ところの請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
イオンビームの平行度を測定する工程が，イオンビームの非平行度の角度を測定する工程を含み，イオンビームを調節する工程が，非平行度の測定された角度に基づく，ところの請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
非平行度の角度およびビームの向きが，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上の検出器でもって測定される，ところの請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ワークピースを傾斜する工程が半導体ウエハを傾斜することを含む，請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
イオンをワークピースに注入する装置であって，
イオンビームを発生する手段と，
イオンビームの平行度を測定する手段と，
測定された平行度に基づき，所望の平行度となるようにイオンビームを調節する手段と，
調節されたイオンビームのビームの向きを測定する手段と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，ワークピースを傾斜する手段と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する手段と，
を含む装置。
【請求項１５】
イオンビームを調節する前記手段が，実質的に平行な軌道となるように，イオンビームを調節する手段を含む，請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
注入角度がゼロ度で，ワークピースが測定されたビームに対して垂直に傾斜される，ところの請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
平行度を測定する前記手段およびビームの向きを測定する前記手段が，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上の検出器を含む，ところの請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
ワークピースを傾斜する前記手段が，イオンビームに対して，半導体ウエハを傾斜する傾斜機構からなる，請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
イオンをワークピースに注入する装置であって，
イオンビーム発生器と，
所望の平行度となるようにイオンビームを調節する光学要素と，
調節されたイオンビームのビームの向きを測定する測定システムと，
測定されたビームの向きを基準した注入角度に，ワークピースを傾斜する傾斜機構と，
を含み，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって注入が実行される，ところの装置。
【請求項２０】
前記光学要素が実質的に平行なイオン軌道となるように，イオンビームを調節する角度補正器を含む，請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記測定システムが，可動なプロファイラーおよび一つ以上の測定器を含む，請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
傾斜機構が半導体ウエハを傾斜するように構成されている，請求項１８に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は，半導体ウエハ，その他ワークピースのイオン注入のためのシステムおよび方法に関し，特に，イオン注入器のビームの平行度を調節するための方法および装置に関する。
【０００２】
発明の背景
イオン注入は，半導体ウエアに電気伝導性を変える不純物を導入する標準的な技術である。所望の不純物がイオン源でイオン化され，イオンは所期のエネルギーをもつイオンビームを形成するために加速され，イオンビームはウエハの表面に向けられる。イオンビーム中のエネルギーをもつイオンは半導体材料のバルク内に侵入し，半導体材料の結晶格子内に埋め込まれ，所望の伝導性の領域を形成する。
【０００３】
イオン注入システムは通常，ガスまたは固体物質を，よく画成されたイオンビームに変換するためのイオン源を含む。イオンビームは不所望のイオン種を除去するために質量分析され，所望のエネルギーに加速され，ターゲット面に向けられる。ビームの走査，ターゲットの移動により，またはビームの走査とターゲットの移動を組み合わせることにより，ビームをターゲット領域にわたって分布させる。ビーム走査およびターゲットの移動の組み合わせを利用するイオン注入器が，Ｂｅｒｒｉａｎらの，１９９０年５月１日に発行された米国特許第４，９２２，１０６号に開示されている。
【０００４】
平行なイオンビームを半導体ウエハにもたらすことは，多くの適用例において，重要な条件である。平行なイオンビームは，半導体ウエハの表面にわたって平行なイオンの軌道をもたらす。イオンビームが走査される場合，走査ビームはウエハ表面にわたって平行となっている必要がある。平行なイオンビームは半導体ウエハの結晶構造において，入射イオンのチャネリングを防止し，チャネリングが必要な場合では，一様なチャネリングを可能にする。典型的に，連続イオン注入器が，高度のビーム平行度を必要とする場合に利用される。
【０００５】
一つのアプローチにおいて，ビームは，走査の原点として参照される点から発散するように一次元で走査される。走査ビームはつぎに，集束を行うイオン光学要素を通過する。イオン光学要素は発散するイオン軌道を，半導体ウエハに至る平行なイオン軌道に集束する。集束は，角度補正磁石により，または静電レンズにより行うことができる。角度補正磁石は，走査イオンビームの曲げおよび集束の両方を行う。平行度は静電レンズで達成されるが，エネルギー汚染という欠点がある。
【０００６】
角度補正磁石または他の集束化要素から出力したイオンビームは，イオンビームのパラメータおよび集束化要素のパラメータに依存して，平行化され，または集束または発散される。角度補正磁石が利用されると，平行度は，角度補正磁石の磁場を変化させることにより，調節することができる。角度補正磁石は典型的に，平行度および曲げ角の量を変化させ，またはビームの向きを変化させる一つの磁場調節機能をもつ。イオン注入器はしばしば，いろいろな種類のイオン種およびイオンエネルギーで走らせる必要があることは理解されよう。ビームパラメータが変化すると，角度補正磁石の再調整がビーム平行度を復元するために必要となる。
【０００７】
従来のイオン注入器において，角度補正磁石は典型的に，イオンビームがイオン注入器エンドステーションのウエハ面において，垂直な入射となるように，調節される。しかし，ウエハ面において垂直な入射を達成する角度補正調節は，最適な平行化よりもうまくいかない。特に，ウエハ面における垂直な入射のために調節されたイオンビームは多少発散または集束する。図８に示されているように，角度補正磁石は，イオンビーム２００の中心線がウエハ面２０２に垂直であるように調節される。しかし，ビーム２００がウエハ面２０２に垂直となるように調節されると，ビーム２００の平行度はビームが集束または発散して悪化する。この平行度の悪化は非常に厳密な応用例において受け入れがたいものとなる。
【０００８】
他のアプローチにおいて，角度補正磁石は，典型的な条件の下で，最適な平行となるように設計され，イオン注入エンドステーションは，ウエハ上でのイオンビームの入射が垂直となるように配置される。しかし，イオンの平行度および垂直な入射は，広範囲なビームのパラメータにわたって維持されず，エンドステーションの位置を変えることは非常に難しい。
【０００９】
そこで，イオン注入器におけるビームの平行度を調節する改良された方法および装置が必要となっている。
【００１０】
発明の要約
本発明の第一の態様にしたがって，ワークピースにイオンを注入する方法が提供される。本発明は，イオンビームを発生する工程と，所望の程度の平行度を達成するためにイオンビームを調節する工程と，調節されたイオンビームのビーム方向を測定する工程と，測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，ワークピースを向ける工程と，その注入角度に向いたワークピースで，注入を実行する工程とを含む。
【００１１】
イオンビームの調節工程は，実質的に平行なイオンの軌道となるようにイオンビームを調節することを含み得る。一般的に，ビームの向きは，イオン注入器のビーム軸とは異なることがある。注入角度は，ワークピースが測定されたビームの向きに対して垂直な方向となっている場合には，ゼロ度となろう。
【００１２】
ワークピースは半導体ウエアであってもよく，ワークピースを向ける工程は，測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，半導体ウエアを傾斜することを含んでもよい。
【００１３】
本方法はさらに，イオンビームの非平行度の角度を測定する工程を含み得る。イオンビームの調節工程は，非平行度の測定角度に基づいてもよい。イオンビームのビームの向きおよび非平行の角度は，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上の検出器でもって測定することができる。
【００１４】
本発明の他の態様にしたがって，イオンをワークピースに注入する装置が提供される。本装置は，イオンを発生するための手段，イオンビームの平行度を測定する手段，測定された平行度に基づいて所望の平行度となるように，イオンビームを調節する手段，調節されたイオンビームのビームの向きを測定する手段，測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，ワークピースを傾斜する手段，および測定したビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する手段を含む。
【００１５】
さらに，本発明の他の態様にしたがって，イオンをワークピースに注入する装置が提供される。本装置は，イオンビーム発生器，所望の平行度となるようにイオンビームを調節するためのイオン光学要素，調節されたイオンビームのビームの向きを測定するための測定システム，および測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，ワークピースを傾斜する傾斜機構を含む。測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入が実行される。
【００１６】
イオン光学要素は，実質的に平行なイオン軌道となるように，イオンビームを調節する角度補正磁石を含んでもよい。測定システムは，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上のビームの検出器を含むことができる。注入角度がゼロ度である場合，ワークピースは測定されたビームの向きに関して傾斜する。
【００１７】
本発明のよりよき理解のために，添付の図面が参照される。
【００１８】
本発明に適したイオン注入器の例の，簡略化したブロック図が図１に示さている。イオンビーム発生器１０が所望の種のイオンビームを発生し，所望のエネルギーをもつまでイオンビームを加速し，エネルギーおよび質量汚染を除去するために，イオンビームの質量／エネルギー分析を実施し，エネルギーおよび質量汚染が低レベルのイオンビーム１２を供給する。走査システム１６（スキャナー２０および角度補正器２４を含む）が，平行あるいは平行に近い軌道をもつ，走査されたイオンビーム３０を形成するために，イオンビームを偏向する。エンドステーション３２が，所望の種のイオンが半導体ウエハ３４に注されるように，走査されたイオンビーム３０の経路に，半導体ウエハ３４（または他のワークピース）を支持するプラテン３６を含む。イオン注入器は従来から周知の付加的な要素を含み得る。たとえば，エンドステーション３２は典型的に，ウエハをイオン注入器に導入し，注入後ウエハを除去する自動化した取り扱い設備，電子供給銃などを含む。イオンビームが通過する全経路はイオン注入の間，排気されることは理解されよう。
【００１９】
イオンビーム発生器１０の主要な要素は，イオンビームソース４０，ソースフィルター４２，加減速カラム４４および質量分析計５０を含む。ソースフィルター４２は好適に，イオンビームソース４０に近接して配置される。加減速カラム４４はソースフィルター４２と質量分析計５０との間に位置する。質量分析計５０はダイポール分析磁石５２および分解開口５６を有するマスク５４を含む。
【００２０】
スキャナー２０（静電スキャンーであってもよい）は，走査原点６０から発散するイオン軌道をもつ走査されたイオンビームを形成するために，イオンビーム１２を偏向する。スキャナー２０は走査発生器に連結された，間隔の空けられた走査プレートを含んでもよい。走査発生器は，走査プレートの間の電界にしたがって，イオンビームを走査するために，鋸歯状波形のような，走査電圧波形を適用する。
【００２１】
角度補正器２４が，平行なイオン軌道をもつ，走査されたイオンビーム３０を形成するために，したがって，走査されたイオンビームを集束するために，走査されたイオンビーム中のイオンを偏向するように設計されている。特に，角度補正器２４は，間隙を画成するために間隔が空けられた磁気ポールピース，および電源２８に接続された磁石コイル（図示せず）を含み得る。走査されたイオンビームは，ポールピース２６の間を通過し，間隙内の磁場にしたがって偏向される。磁場は，磁石コイルを流れる電流を変えることで調節することができる。ビームの走査およびビームの集束は，水平面のような選択された面において達成される。
【００２２】
図１において，エンドステーション３２はビーム平行度および向き測定システム８０を含む。システム８０は下述するように，ビームの平行度および向きを測定する。さらに，エンドステーション３２は，走査されたイオンビーム３０に関して，ウエハ支持プラテン３６を傾斜する，傾斜機構８４を含む。一実施例において，傾斜機構８４は二つの直交する軸に関して，ウエハ支持プラテン３６を傾斜することができる。
【００２３】
角度補正器２４の動作例は，図２および図３に示されている。図示のように，角度補正器２４のポールピース２６は，異なるイオン軌道が，ポールピースの間の間隙を通過する，異なる経路長さを有するように，くさび状またはこれと似た形状をもつことができる。図３の例において，比較的低強度の磁場が適用されている。イオンの軌道は比較的小さな曲がり角度をもち，それらは角度補正器２４からでるときに発散する。したがって，走査されたイオンビーム３０は，図２の例においては，ウエハ面７０に対する垂線に関して，正の角度７２をもってウエハ面７０に入射し，図３に例においては，ウエハ面７０に関して負の角度７４をもてウエハ面７０に入射する。平行またはほぼ平行なイオン軌道が角度補正器２４の磁場を適宜調整することにより，形成されることは理解されよう。しかし，一般的に，最もよい平行度を与える磁場は，必ずしも，ウエハ面７０上に対し，走査されたイオンビーム３０を垂直に入射するわけではない。
【００２４】
本発明の実施例にしたがったイオン注入の調節およびイオン注入の実行のためのプロセスのフローチャートが図４に示されている。工程１００において，イオンビームが発生し，イオン注入器のビームラインにそって運ばれる。図１に示されているように，イオンビーム１２はイオンビーム発生器１０により発生し，スキャナー２０および角度補正器２４を通過して，エンドステーション３２に至る。
【００２５】
工程１０２において，イオンビームの平行度は，半導体ウエハまたは他のワークピースにイオンビームが入射する面またはその近くで測定される。イオンビーム平行度の測定技術の例は，図６Ａ−図６Ｃ，および図７Ａ−図７Ｃに関連して下述される。平行度測定は典型的に，イオンビームの非平行度の角度を与え，特にイオンビームの収束または発散の半角を与える。非平行度の測定角度は，イオンビームの中線からのイオンビームの軌道の最大偏位を示す。
【００２６】
工程１０４において，イオンビームは所望の平行度，典型的にはほぼゼロの発散または集束の測定をなすように調節される。図５において，イオンビームの平行度は，電源２８から磁石コイルへの電流を調節することにより変化させることができる。電流を調節することにより，角度補正器２４の磁場が変化し，そしてイオンビームのイオンの軌道が変化する。この調節は，電源２８が調節されるときに，走査イオンビーム３０の，測定された平行度をモニターすることによって行われる。最適な平行度が達成されると，工程１０４の調節プロセスは終了する。典型的に，イオンビームは，発散または収束の半角，０．１度以内に調節することができる。
【００２７】
工程１０６において，調節されたイオンビームの向きが測定される。特に，ウエハ面７０の垂線に対する，調節されたイオンビームの角度１２０が測定される。イオンビームの向きを測定する技術の例が，図６Ａ−図６Ｃ，および図７Ａ−図７Ｃを参考にして下述される。ビーム平行度およびビームの向きは，イオンビームの走査および収束面において測定される。
【００２８】
工程１０８において，注入角度は，調節されたイオンビームの向きに関してセットされ，符号１２０で示されている。注入角度は，傾斜機構８４を使用して，注入器のウエハ面７０に関して，ウエハ支持プラテン３６を傾斜させてセットされる。平行な走査イオンビーム３０が垂直ウエハ３４上に垂直入射することを望む場合，ウエハ支持プラテン３６を，角度１２０に等しい角度１２２，傾斜させる。したがって，プラテン３６にウエハ支持面は，平行な走査イオンビーム３０に対して垂直となる。ゼロでない注入角度を望む場合は，ウエハ支持プラテン３６を測定したビームの向きに対して傾斜させる。測定されたビームの向きはしたがって，注入角度をセットするための基準である。ゼロでない注入角度は，走査および収束面に平行な向きに傾斜することによりセットすることができ，または走査および収束面に垂直な向きにウエハを傾斜することによりセットすることができる。いずれの場合も，ゼロでない注入角度は，測定されたビームの向きとして参照される。
【００２９】
工程１１０において，測定されたビームの向きを基準とした所望の注入角度をもつウエハ支持プラテン，および最適な平行度となるように調節した，走査イオンビーム３０でもって，注入が実行される。したがって，最適な平行度は所望の注入角度で達成される。
【００３０】
イオンビームの平行度および向きを測定する技術の例が，図６Ａ−図６Ｃおよび図７Ａ−図７Ｃを参照して記述される。図６Ａ−図６Ｃは，ビームプロファイラーおよび二つのビーム検出器による，異なるイオンビームの測定を示す。図７Ａ−図７Ｃはプロファイルの位置の関数となるビーム検出器の出力を図示する。
【００３１】
図６Ａ−図６Ｃに示されているように，イオンビーム平行度および向きは，可動ビームプロファイラー１５０および間隔があけられたビーム検出器１５２および１５４（これらはビームの平行度および向きを測定するシステム８０（図１）に対応する）を使用して測定される。ビームプロファイラー１５０は，イオンビームを部分的に阻止し，イオンビームに対して横方向に移動可能なものであってもよい。検出器１５２および１５４はたとえば，入射イオンビームに対応した電気的な出力信号を形成するファラデーカップであってもよい。プロファイラー１５０は，イオンビームを横切るように移動すると，イオンビームの一部を阻止しイオンビーム陰を形成する。このイオンビーム陰は，検出器１５２および１５４を横切るように移動し，負の出力電流パルスをもつ出力信号を形成する。
【００３２】
図６Ａに示されているように，平行な走査イオンビーム１６０がウエハ面１７０に垂直に入射する。プロファイラー１５０が各検出器に整合して位置するとき，検出器１５２および１５４は，図７Ａに示されているように出力パルスを形成する。検出器の出力パルスが発生するプロファイラーの位置は，イオンビーム１６０が平行な軌道をもち，ウエハ面１７０に対して垂直となっていることを判定するために，使用することができる。
【００３３】
図６Ｂに示されているように，発散イオンビーム１６２はウエハ面１７０に対して垂直になっていない。この場合，プロファイラー１５０が検出器１５２の右側に位置するときに，検出器１５２は図７Ｂに示されているように出力パルスを形成し，プロファイラー１５０が検出器１５２の左側に位置するときに，検出器１５４は出力パルスを形成する。検出器の出力パルスが発生するプロファイラーの位置は，イオンビーム１６２の集束角度を決定するために，使用することができる。集束するイオンビーム（図示せず）に応答して，プロファイラー１５０が検出器１５２の左側に位置するときに，検出器１５２は出力パルスを形成し，プロファイラー１５０が検出器１５４の右側に位置するときに，検出器１５４は出力パルスを形成する。検出器の出力パルスが発生するプロファイラーの位置は，イオンビームの集束角度を決定するために使用することができる。
【００３４】
図６Ｃに示されているように，平行なイオンビーム１６４はウエハ面１７０に角度１６６で入射する。この場合，検出器１５２および１５４は，プロファイラー１５０が各検出器１５２，１５４の左側に位置するときに，図７Ｃに示されているように，出力パルスを形成する。検出器の出力パルスが発生するプロファイラーの位置は，イオンビーム１６４の向きおよび平行度を決定するために使用することができる。
【００３５】
一般に，イオンビームは発散または集束し，ウエハ面に対したゼロでない入射ビーム角度をもつ。検出器の出力パルスが発生するプロファイラーの位置は，イオンビームの平行度および向きの両方を決定するために分析することができる。平行度は，発散または分散の半角として特定され，ビームの向きはウエハ面１７０に対する垂線に関して特定される。イオンビームの平行度および向きを測定する技術の詳細は，米国特許出願第０９／５８８，４１９号（ここに参考文献として組み込まれる）に記述されている。
【００３６】
本発明の範囲内で，イオンビームの平行度および向きを測定する種々の技術を使用できることは理解されよう。さらに，本発明は走査されたイオンビームとともに使用するものに限定されない。たとえば，本発明は，Ｗｈｉｔｅ等による米国特許第５，３５０，９２６号（１９９４年９月２７日発行）に開示のリボン状イオンビームとともにも使用することができる。
【００３７】
本発明の好適実施例が開示され，説明されてきたが，当業者には，特許請求の範囲により画成される本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更，修正がなし得ることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は，本発明の実施に適した，イオン注入器の略示図である。
【図２】
図２は，比較的大きな曲げ角度および集束イオン軌道に対する，角度補正磁石の動作を示す略示図である。
【図３】
図３は，比較的大きな曲げ角度および発散イオン軌道に対する，角度補正磁石の動作を示す略示図である。
【図４】
図４は，本発明の実施例にしたがったイオン注入器を調節するプロセスのフローチャートである。
【図５】
図５は，本発明の実施例にしたがって，傾斜したウエハへの平行なイオンビームの入射の略示図である。
【図６】
図６Ａ−図６Ｃは，ビームの平行度およびビームの向きを測定するための装置の動作を示す略示図である。
【図７】
図７Ａ−図７Ｃは，図６Ａ−図６Ｃにそれぞれ示されたイオン状態に対する，ビームプロファイラーの位置の関数となる，ビーム検出器の出力のグラフである。
【図８】
図８は，ビームの平行度を調節する従来の方法を示す略示図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【手続補正書】
【提出日】平成14年11月20日(2002.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンをワークピースに注入する方法であって，
イオンビームを発生する工程と，
平面内で，イオンビームを，所望の程度の平行度となるように調節する工程と，
前記平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関してワークピースを傾斜する工程と，
注入角度に傾斜したワークピースに注入を実行する工程と，
を含む方法
【請求項２】
イオンビームを調節する工程が，実質的に平行なイオン軌道となるように，イオンビームを調節することを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ビームの向きが，ビーム角度だけ，基準方向から異なる，ところの請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ワークピースを傾斜する工程が，測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，半導体ウエハを傾斜することを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
注入角度がゼロ度であり，ワークピースが測定されたビームの向きに対して垂直に傾斜した，ところの請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに，イオンビームの非平行度の角度を測定する工程を含み，
イオンビームを調節する工程が，非平行度の測定角度に基づく，ところの請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ビームの向きおよびイオンビームの非平行度の角度は，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上のビーム検出器でもって測定される，ところの請求項６に記載の方法。
【請求項８】
イオンをワークピースに注入する方法であって，
イオンビームを発生する工程と，
平面内で，イオンビームの平行度を測定する工程と，
測定された平行度に基づき，所望の平行度となるように，前記平面内でイオンビームを調節する工程と，
前記平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関して，ワークピースを傾斜する工程と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する工程と，
を含む方法。
【請求項９】
イオンビームを調節する工程が，実質的に平行なイオンの軌道となるようにイオンビームを調節することを含む，請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
注入角度がゼロ度で，ワークピースが測定されたビームの向きに対して垂直方向に傾斜される，ところの請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
イオンビームの平行度を測定する工程が，イオンビームの非平行度の角度を測定する工程を含み，イオンビームを調節する工程が，非平行度の測定された角度に基づく，ところの請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
非平行度の角度およびビームの向きが，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上の検出器でもって測定される，ところの請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ワークピースを傾斜する工程が半導体ウエハを傾斜することを含む，請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
イオンをワークピースに注入する装置であって，
イオンビームを発生する手段と，
平面内で，イオンビームの平行度を測定する手段と，
測定された平行度に基づき，所望の平行度となるように，前記平面内でイオンビームを調節する手段と，
前記平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する手段と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関して，ワークピースを傾斜する手段と，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する手段と，
を含む装置。
【請求項１５】
イオンビームを調節する前記手段が，実質的に平行な軌道となるように，イオンビームを調節する手段を含む，請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
注入角度がゼロ度で，ワークピースが測定されたビームに対して垂直に傾斜される，ところの請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
平行度を測定する前記手段およびビームの向きを測定する前記手段が，可動なビームプロファイラーおよび一つ以上の検出器を含む，ところの請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
ワークピースを傾斜する前記手段が，イオンビームに対して，半導体ウエハを傾斜する傾斜機構からなる，請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
イオンをワークピースに注入する装置であって，
イオンビーム発生器と，
平面内で，所望の平行度となるようにイオンビームを調節する光学要素と，
前記平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する測定システムと，
測定されたビームの向きを基準した注入角度に，前記平面に垂直な軸に関して，ワークピースを傾斜する傾斜機構と，
を含み，
測定されたビームの向きを基準とした注入角度に傾斜したワークピースでもって注入が実行される，ところの装置。
【請求項２０】
前記光学要素が実質的に平行なイオン軌道となるように，イオンビームを調節する角度補正器を含む，請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記測定システムが，可動なプロファイラーおよび一つ以上の測定器を含む，請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
傾斜機構が半導体ウエハを傾斜するように構成されている，請求項１８に記載の装置。
【国際調査報告】
2004511880.tif 000033
2004511880.tif 000034
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