(57)【要約】ＥＵＶ放射線を発生させるための高エネルギー光子供給源が、超音速の原料物質の流れを放出するためのノズルと、レーザあるいは電気的／磁気的前イオン化機構と、レーザあるいは電気的／磁気的励起機構と、これらの間に設けられ、励起のために原料物質の平行高密度ビームをもたらすすくい板とを備えてなる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料物質の流れを放出するように配置された原料物質放出体と、この原料物質放出体の下流側に配置され、高エネルギー光子の放出のために前記原料物質の中にプラズマを発生させる励起構成要素と、これら原料物質放出体と励起構成要素との間に設けられた開口絞りとを具備する高エネルギー光子供給源。
【請求項２】
前記開口絞りは、すくい板からなっている請求項１に記載の供給源。
【請求項３】
前記放出体は、原料物質を超音速で放出する請求項１または２に記載の供給源。
【請求項４】
前記物質放出体と前記励起構成要素とは、前記開口絞りによって分けられた別々のチャンバの中に設けられている請求項１に記載の供給源。
【請求項５】
前記励起構成要素は、電気的／磁気的励起構成要素からなっている全ての先行請求項のいずれかに１に記載の供給源。
【請求項６】
前記励起構成要素による励起に先立って前記原料物質の流れを前イオン化するように配置されたレーザ前イオン化要素をさらに具備する請求項５に記載の供給源。
【請求項７】
前記レーザ前イオン化要素は、前記原料物質の流れを前記励起構成要素の励起領域の上流側位置で前イオン化する請求項６に記載の供給源。
【請求項８】
前記レーザ前イオン化要素は、前記原料物質の流れを前記励起構成要素による励起に先立つ所定の時点で前イオン化する請求項６に記載の供給源。
【請求項９】
前記レーザ前イオン化要素は、前記原料物質の流れを前記励起構成要素の励起領域で前イオン化する請求項８に記載の供給源。
【請求項１０】
前記励起構成要素は、レーザパルス構成要素からなっている請求項１ないし４のいずれか１に記載の供給源。
【請求項１１】
原料物質の流れを放出するように配置された原料物質放出体と、この原料物質放出体の下流側に配置され、高エネルギー光子の放出のために前記原料物質の中にプラズマを発生させる電気的あるいは磁気的な励起構成要素と、この励起構成要素による励起に先立って前記原料物質の流れを前イオン化するように配置されたレーザ前イオン化要素とを具備する高エネルギー光子供給源。
【請求項１２】
前記放出体と前記励起構成要素との間に設けられたすくい板をさらに具備する請求項１１に記載の供給源。
【請求項１３】
前記レーザ前イオン化要素は、前記原料物質の流れを前記励起構成要素の励起領域の上流側位置で前イオン化する請求項１１または１２に記載の供給源。
【請求項１４】
前記レーザ前イオン化要素は、前記原料物質の流れを前記励起構成要素による励起に先立つある時点で前イオン化する請求項１１または１２に記載の供給源。
【請求項１５】
前記レーザ前イオン化要素は、前記原料物質の流れを前記励起構成要素の励起領域で前イオン化する請求項１４に記載の供給源。
【請求項１６】
原料物質の流れを超音速で放出するように配置された原料物質放出体と、この原料物質放出体の下流側に配置され、高エネルギー光子の放出のために前記原料物質の中にプラズマを発生させる電気的あるいは磁気的な励起構成要素とを具備する高エネルギー光子供給源。
【請求項１７】
本明細書の中に実質的に記載されかつ図面のうちの図２から５のいずれかに実質的に示された高エネルギー光子供給源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高流速・高エネルギー光子供給源に関し、さらに詳しくはパルス状プラズマ供給源に関する。
【背景技術】
【０００２】
超紫外線（ＥＵＶ）の範囲、すなわち約１〜５０ｎｍの範囲にある波長を有する光子を発生させることが、さまざまな用途で望まれている。このような用途の１つは例えば半導体リソグラフィーであり、この技術には分解能の点でいっそう短い波長がますます求められている。
【０００３】
ＥＵＶを発生させるためのさまざまなパルス状プラズマ供給源が知られている。これらは基本的に２つの型の供給源、すなわち、例えば放電型、静電容量型あるいは電気誘導型システムを使うプラズマの電気的励起を包含する、時に放電発生プラズマ（ＤＰＰ）供給源と称される電気的／磁気的供給源と、レーザ発生プラズマ（ＬＰＰ）供給源とに大別することができる。いずれの場合においても、適当なパルスが物質、通常はターゲットガスあるいは作用ガスに適用され、そこからＥＵＶ放射線が生じるプラズマを発生させる。
【０００４】
しかしながら、公知のシステムには、低効率―電気的／磁気的励起については約０．２５％であり、ＬＰＰについては約０．５％（あるいは固体状／液体状ターゲットを用いたＬＰＰについては約１．５％）―という問題を含むさまざまな問題がある。このことは、リソグラフィー製造システムについて、それぞれ２５〜１５０ｋＷおよび５〜７５ｋＷの電力入力が必要であるように思われるということを意味している。
【０００５】
それに付随して、プラズマ中に生じる温度は、所望のＥＵＶ波長を発生させるための最適温度に到達するには数十万ケルビン温度程度であるということを考えると、支持システムにおける高い熱負荷と、このプラズマおよび二次的損傷／加熱からの大量の残骸―すなわち、プラズマが膨張するのに従って生じる高速・高エネルギー物質―の発生とは、製造用具にとっては非常に問題である。ＬＰＰおよび電気的／磁気的励起を製造水準まで増大させることは、加熱および残骸の点に関してだけでなく、線量制御、費用、信頼度および効率の点に関しても問題である。とりわけ、変換効率がいっそう高いときには、熱や残骸についての問題が軽減されるであろう。
【０００６】
残骸は、高い立体角の放射線を収集するために真空空間を分けるには大きくて高価な集光用光学素子が必要になるため、ＬＰＰシステムおよび電気的／磁気的励起システムの両方において重大な問題である。プラズマからの一次的残骸あるいはチャンバの構成要素からの二次的残骸によって、このような光学素子の利用可能寿命がかなり短くなる。熱負荷は、充分な冷却が利用できないときにはチャンバの構成要素が変形しかつ損傷を受けるおそれがあるであろうという点で問題である。さらにまた、前記の大きい集光用光学素子は、きわめて精密な形状からなっているので、加熱によって、すぐに変形して使いものにならなくなり、かつ／または、このコーティングに直接の損傷が引き起こされる。
【０００７】
維持費もまた深刻な問題である。固体状／液体状ターゲットに適用されたＬＰＰシステムは現在、電気的／磁気的励起システムよりも変換効率が高いという可能性をもたらしているが、製造水準にある用具について必要であるレーザの資本コストは、電気的／磁気的励起システムに関連した資本コストよりもかなり大きいと予想されている。たとえ、残骸および加熱に関する問題を克服することができるとしても、この点におけるもっとも魅力のある解決法をどの道筋がもたらすのかということは明らかでない。
【０００８】
米国特許第６，０８４，１９８号公報に記載された１つの公知の電気的／磁気的励起システムには、プラズマシースが形成される電極コラムを備えている。このプラズマシースは、このコラムから出て、端部に狭窄部を形成する。この狭窄部においてガスからＥＵＶ光子が発生する。しかしながら、この構成にあっては、作動電極と電極損傷の付随的問題のある作用ガスとが密接状に接触する必要がある。さらにまた、大きさ、形状および密度のようなプラズマのパラメーターを制御し、それによって、電気的エネルギーをＥＵＶ放射線の所要波長へ最大限に変換することは難しい。
【０００９】
米国特許第６，０８４，１９８号公報には、電極コラムを取り囲んでいるいくつかのスパークプラグの形態にあるプラズマ発生装置がさらに開示されているが、この配列は、融通の利かないものであり、また、作用ガスの操作パラメーターが大きく変化することのできないものである。さらに別の問題は、これらのスパークプラグ自体が発生したプラズマにさらされるということと、損傷を与える再打撃を防止するために追加構成要素が必要になるということである。
【００１０】
別の電気的／磁気的励起システムが米国特許第６，０３１，２４１号公報に記載されており、このシステムには、キャピラリーの中に、このキャピラリーの中へ導入された物質からプラズマを発生させるために、放電が生じる。この構成には、プラズマがキャピラリーの中で発生するため、それが受ける極限状態に耐えるように処理しなければならないという別の問題がある。キャピラリーの完全性を維持することは難しいため、単一のキャピラリーの中で得ることのできるＥＵＶ発生量には一定の限界がある。
【００１１】
公知の構成が、図１に示され、全体として１０で示されている。キセノンのような不活性ガスであるのが好ましいガスが、ノズル１２を通して高圧で送り込まれる。このガスは、ノズル１２を出る際に円錐体１４へと超音速で膨張すると共に、レーザ１６によって励起される。例えば放物面反射鏡でもよいコレクター２０によって集光されたＥＵＶ放射線を放射するプラズマが発生し、所望の使用、例えば半導体リソグラフィーにおける使用のために、そこから導かれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
この構成によれば、適切な形状に作られたノズルと超音速のガスビームとを用いることによって、高いガス濃度が作り出される。例えばキセノンのような不活性ガスが用いられると、ガス原子団が形成されて、高い局部ガス濃度が維持されやすくなり、かつ、ＥＵＶ発生が促進されると考えられる。しかしながら、このシステムにはさまざまな問題が生じる。ガス円錐体１４の膨脹が急速に起こるため、プラズマ中に許容可能なエネルギー密度を維持するために、レーザ１６は、ノズル１２のできるだけ近くに収束されなければならない。この結果、ノズル１２はプラズマに近いために損傷されるおそれがあり、また、この構成は、全体として物理的制約を受けている。
【００１３】
またさらに、ノズルから離れた円錐体におけるガスの膨脹によって、このチャンバを広く膨脹するビームで満たす残骸が発生する。原料ガスとして不活性ガスを用いるにもかかわらず、このガスによってシステムの構成要素が損傷を受けることがあり、とりわけコレクター鏡は、より大きな塊になった粒子が衝突することで物理的損傷を受けたり、酸化のような化学的損傷を受けたりするおそれがある。このことは、言い換えると、チャンバ全体の設計に制約があるということである。
【００１４】
またさらに、ガス濃度は円錐体１４の全体にわたって一定でないため、レーザパルスは、この円錐体の低濃度周縁部によって吸収され、この原料ガス円錐体の高濃度中心部への浸透が不充分になることがある。
【００１５】
電気的／磁気的励起システムでは、ＥＵＶ発生の効率および安定度を改善するために、電気的／磁気的励起によって追加の電極あるいはコイルを前イオン化原料物質の中へ導入することがあることは知られている。このような前イオン化によって、いっそう安定しかつ明確に画定されたプラズマの発生とこの初期条件の促進された制御とが可能になり、とりわけパルスどうしの間の揺らぎが減少しかつ線量制御が促進されるということは知られている。しかしながら、前イオン化電極が損傷のおそれのある状態にさらされる。さらにまた、最終プラズマの中におけるホットスポットあるいはコールドスポットを防止するために、空間的に円滑な前イオン化が必要条件である。このような温度変化によって、必要なスペクトル帯域幅における放射の効率が減少し、また、このためにこの装置の実効性が制限される。
【００１６】
公知のシステムにおける背圧は、自己吸収が生じることがあるので弊害をもたらし、ガス円錐体を取り囲む原料ガスは、それがコレクターへ到達する前にＥＵＶ放射線のいくらかを吸収し、このシステムの効率を減少させる。公知のキャピラリーシステムにおける自己吸収の問題を緩和するために、差動ポンプが使われる。そして、高価で維持管理費の高いポンプが必要な公知のシステムには、かなりの圧力勾配が維持される。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
この発明によれば、原料物質の流れを発生させるように配置された原料物質放出体と、この下流側に配置されて高エネルギー光子の放出のためにこの原料物質の中にプラズマを発生させる励起構成要素と、これらの間に設けられた開口絞りとを備えてなる高エネルギー光子供給源が提供される。
【００１８】
例えばすくい板の形態にある開口絞りの使用によって多数の利点が生じる。開口絞りによってビームが平行にされるので、生じた残骸は、大いに制約を受けるとともに、励起構成要素およびコレクターから平行化方向に離れて導かれ、すなわち、分子ビームの平行化によってチャンバ内における残骸の流れは狭い通路に制限されることがわかる。言い換えれば、このことによって、励起構成要素の位置決めおよび幾何学的配置に関する融通性がいっそう大きくなる。好ましい実施形態では、この励起構成要素は、コイル、板あるいは電極の構成を容易に変えることができる場合における電気的／磁気的励起構成要素からなっている。
【００１９】
前記放出体は、原料物質を超音速で放出するのが好ましく、またさらに、それが高速で起きるときにこの励起構成要素からのビームを離して導くことを改善するのが好ましい。
【００２０】
加えて、ＥＵＶ流速の発生をかなりいっそう効果的な状態に、任意に調整することができる。とりわけ、すくい板の開口寸法を適切に変えることで、ターゲットガスの流れの容積／断面、速度および濃度をきわめて広い範囲にわたって変えて、ＥＵＶ放射線への変換効率を最適にすることができる。
【００２１】
変えることのできる幾何学的配列によってもまた、ＥＵＶ放出用容積の大きさおよび形状を、前記の大きい集光用光学素子とこの光学素子からの光を受けるリソグラフィー投射システムとの要件に適合するように調整することができる。
【００２２】
ノズルであってもよい物質放出体と励起構成要素とは、前記開口絞りによって分けられた別々のチャンバの中に設けられているのが好ましい。したがって、チャンバのノズル側を高い圧力に維持し、ポンプ吸排側をきわめて低い圧力に維持して、差動ポンプ操作を必要とすることなく、自己吸収を制限することができる。なおさらに、ガスのより多くの部分は再循環させて再利用することができる。
【００２３】
またさらに、ガスのビームによって、この断面にわたってまずまず一定の濃度を有している「鋭角部」がもたらされる。このことは、レーザ出力が分子ビームの低濃度外側部分において消散されないということが保障されるときに励起構成要素がレーザパルス構成要素からなっている代わりの実施形態において、とりわけ有利である。
【００２４】
さらにまた、励起構成要素は、ガスを適切な濃度でポンプ吸排するためにノズルに近づいている必要はないが、これは、ガスの流れが平行にされるためにこの励起構成要素はさらに下流に配置することができるからである。このことは、言い換えれば、構成要素の設計および形状構成における融通性がさらに促進されるということである。
【００２５】
このシステムには、励起構成要素による励起に先立って原料物質の流れを前イオン化するように配置されたレーザ前イオン化要素がさらに備わっているのが好ましい。このレーザ前イオン化要素によって、原料物質の流れが、励起構成要素励起領域の上流位置で、あるいは励起構成要素による励起に先立つか励起の間におけるある時点で、好ましくは励起構成要素励起領域で前イオン化される。電気的／磁気的励起ＥＵＶの発生に先行するレーザ前イオン化の利用によって、例えばガスコラム直径およびガス濃度を変えるように加減することのできる前イオン化領域の範囲を作り出すための融通性をもたらすとともに、ガスビームのすべてあるいは選択部分に、すなわち同ビームへの内側であるかあるいは外側であるかに関係ない部分にレーザを収束させる可能性が利用される。レーザ前イオン化は、広範囲の物質に有効であり、また、ガスを容易にかつ一様に任意の濃度で前イオン化することができ、さらに、このシステムの融通性を促進することができる。レーザの立ち上がり時間は短く、焦点の直径は調整可能であり、イオン化作用は大いに再現可能であるので、前イオン化相は、この後の励起に最適な状態を電気的あるいは磁気的手段によって作り出し、また、とりわけ前イオン化状態、濃度および形状ならびに前プラズマ温度の精密な制御を行う、ということを時間的にかつ物理的にきわめてきっちりと規定することができる。
【００２６】
レーザの収束用光学素子は、ビームから、前イオン化電極よりもさらに間隔をおいて配置することができるので、この光学素子がプラズマによって作り出された苛酷な環境にさらされることが少なくなる。
【００２７】
また、電気的／磁気的ポンプ吸排方式における連結条件がレーザの前イオン化によって発生した前イオン化条件に特に適合している、ということは実際にわかっている。レーザ自体は非侵入性のものであるので、前イオン化パルスは、レーザ前イオン化によって発生し急速に膨脹する前プラズマを、この後に効果的にポンプ吸排する電気的／磁気的励起と同じ物理的位置で、容易に収束させることができる。このことの特別の利点は、適正な物理的位置にあるターゲットの前イオン化によって電極からプラズマへ直接伝わる主放電が促進されるということである。このことは、前打撃あるいは誤打撃を防止する助けとなり、また、この放電を、雰囲気にわたって放電経路を前イオン化することで、パルスレーザを使って電光打撃を導くのと同じやり方で離して導くことによって、別のパルスによる再打撃を防止するためにも用いることができる。
【００２８】
パラメーター変動の自由度を個々に改善することができるこれらの形状構成を組み合わせることで、よりいっそう高い融通度が生じる。例えば、前イオン化の位置は、ターゲットガスの平行ビームが用いられるので、ほとんど制約を受けない。
【００２９】
この発明における別の態様によれば、原料物質の流れを発生させるように配置された原料物質放出体と、この下流側に配置されて高エネルギー光子の放出のためにこの原料物質の中にプラズマを発生させる電気的あるいは磁気的励起構成要素と、この励起構成要素による励起に先立って前記原料物質の流れを前イオン化するように配置されたレーザ前イオン化要素とを備えてなる高エネルギー光子供給源が提供される。
【００３０】
この発明におけるさらに別の態様によれば、原料物質の流れを超音速で発生させるように配置された原料物質放出体と、この下流側に配置されて高エネルギー光子の放出のために、この原料物質の中にプラズマを発生させる電気的あるいは磁気的励起構成要素とを備えてなる高エネルギー光子供給源が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、この発明のいくつかの実施形態が、図面を参照しながら例示として説明される。
【００３２】
この特定の記載を通じて、類似の参照符号は図面を通じて類似の要素に関連しているので、説明は適切な場合だけ繰り返される。
【００３３】
図２（Ａ）は、全体として１０で示された改良型ＥＵＶ供給源に関連している。キセノンがノズル１２を介して高圧で送り込まれる。このガスは、ノズル１２から出ると円錐体１４となって超音速で膨脹し、電極あるいは、実際には誘導コイルであってよいコイル１６あるいは静電容量性プレートによって電気的／磁気的励起を受ける。示された好ましい例では、このガスの流れは前イオン化コイル１８によって前イオン化される。
【００３４】
プラズマおよび／または前プラズマの放電、静電容量または誘導励起によって形成された、電気式／磁気式ポンプ吸排および／または前イオン化の備わったノズルを介する超音速分子ビームを用いると、チャンバの臨界領域から残骸を除去するために、かつ、この残骸が例えば集光鏡に悪影響を及ぼすのを防止するために、ガスの炎の高い並進速度を利用することができる。しかしながら、このガス条件は、比較的狭い範囲のガスの濃度および幾何学的配列にわたる電気的イオン化についてだけ適しており、したがって、この後の主なエネルギー沈積について適用することのできる条件の範囲が制限され、また、効率条件をいっそう低くするためにプラズマについての母数空間が制限されることがある。この構成はチャンバ２０の中に設けられ、差動ポンプ吸排が可能になるようにポンプ２２が設けられているが、チャンバにわたる受け入れ可能な圧力差を得るために必要なポンプ吸排の水準には、不利益が伴っている。
【００３５】
次に、図２（Ｂ）によれば、この発明による好ましい高エネルギー光子供給源には、チャンバ２２にわたる仕切り板からなるすくい板２６と、この下流側の面における収束用円錐台フランジ２８ａがあるコリメーターとして作用するすくいオリフィス２８との形態にある開口絞りという追加構成要素が含まれている。ガス円錐体１４は、すくい板の表面に入射し、ガス円錐体１４よりも小さい発散角を有しかつほぼ平行であるのが好ましい中央コラム分子ビーム３０がオリフィス２８を通過し、このガスの残り部分が再循環する。このビーム３０は次いでレーザ３２により前イオン化されて、コイル／電極３４どうしの間の下流側にプラズマが発生する。このプラズマによって、先に説明したようにＥＵＶ流束が発生し、それはコレクター２０に集束される。チャンバ２２のノズル側Ｓ１は高圧に維持されており、また、ポンプ吸排側Ｓ２はきわめて低い圧力に維持されてポンプ（図示略）を介する自己吸収が制限される。平行にされたビームによって、プラズマ発生の効率を改善することができるとともに、先に考察したように、残骸および自己吸収を減少させることができる。
【００３６】
図２（Ｃ）によれば、レーザ前イオン化パルスは、この後の励起のパルスあるいは領域と同じ物理的位置３３に収束される。この場合、前イオン化パルスは、励起パルスよりも所定時間だけ先に生じるので、これら２つの段階は、空間的に離れているというよりは時間的に離れている。このシステムの時間調整は、レーザ前イオン化により発生し急速に膨脹する前プラズマを伴う励起構成要素によって最高の連結が達成されるように、最適化される。この遅れは、レーザの直前に始まる電気的切換で置き換えることさえできる。このことによって、電気的、磁気的領域についての時間を作り出し、受信プラズマを発生させる前に適切な水準にすることができる。レーザ前イオン化によって形成された前プラズマの大きさ、濃度およびイオン化状態は適切な光学素子によって調整することができることは言うまでもない。レーザ前イオン化の非侵入性質により、結果として、前イオン化の位置決めの融通性における明らかな利点がもたらされる。
【００３７】
このことの一例は図６のデータに認められる。この図において、１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ放射線の発生量は、レーザ前イオン化励起濃度の関数として示されている。このグラフのピークは、この波長でのＥＵＶ発生についての最適条件であるプラズマ温度に対応している。このピークのいずれか一方の側がより高いプラズマ温度であり、他方の側がより低いプラズマ温度である。このことによって、イオン化状態においてもなお維持されているプラズマのイオン化性質を選択する際のレーザ前イオン化の内在的融通性が示されている。
【００３８】
レーザ前イオン化の別の利点は、図３（ＡないしＣ）によって理解することができる。代表的な３つの前イオン化方式がビーム３０に示されている。図３（Ａ）では、レーザはビームの周縁部３１ａに収束されている。図３（Ｂ）では、ビーム断面にわたって基本的に円形の点に収束されており、図３（Ｃ）では、ビームの直線部分が前イオン化されている。それぞれの場合において、前イオン化パルスは、ビームの前イオン化部分が主な電極／コイル３４に至り、同時にこれらが最適なプラズマ発生効率のために励起されるように、時間調整されるであろう、ということがわかる。このことには、図２（Ｃ）のように電極／コイルの内部で空間的に生じた前イオン化が含まれる。さらに、先に考察したように、システム設計における改善された融通性がこのように与えられる。
【００３９】
実際、別の変形例が図４に示されているが、ここでは、すくい板が省かれており、電気的／磁気的励起用コイル／電極１４の上流側のレーザ３８を使って、あるいは（図示されていないが）図２（Ｃ）のように空間的に局在して、前イオン化がもたらされ、先に考察したようにレーザ前イオン化の利点がもう一度もたらされる。
【００４０】
しかしながら、このシステムはすくい板を付けて前イオン化なしで作動させることもできる、ということはわかるであろう。この発明による代わりのＬＰＰ構成が図５に示されている。この構成では、電極３４は、適切な光学素子（図示略）とともにレーザランプ３６で置き換えられており、この結果、この好ましい実施形態では前イオン化が必要でない。図５に示されたＬＰＰポンプ吸排方式は図２（Ａ）ないし（Ｃ）に示されたような電気式／磁気式ポンプで同様に置き換えることができる、ということはわかるであろう。
【００４１】
このシステムにおける個々の構成要素の性状、構造および材質は、当業者にとって周知であろうと思われ、それらの範囲は制限的なものではなく、代表的なものである。原料ガスは、キセノンのような不活性ガスであるのが好ましいが、ヘリウムのような緩衝ガスとともに他の適切な任意のガスを用いることもできる。ここで意図されたベストモードによれば、このガスは、０．１〜０．４ｍｍの範囲にあるノズル開口を通して１〜５０ｂａｒの範囲にある圧力で、０．０２〜１００ｍｂａｒの圧力に維持されているチャンバ２２の高圧側Ｓ１へ導入される。すくい板の開口は、２〜４５°のフランジ角があって０．１〜２０ｍｍの範囲にある。平行にされたビーム３０は、４〜４５°の範囲にある発散角と０．３〜３ｍｍの範囲にあるビーム直径とで、１０−４〜１０ｍｂａｒの範囲にある圧力でチャンバ２２の低圧側Ｓ２へ入る。チャンバ２２の低圧側Ｓ２は１０−４〜１０−８ｍｂａｒの範囲にある圧力に維持されている。ここは、適切な任意の種類のポンプを用いることで、さまざまな圧力に維持することができる。
【００４２】
使われている電極／コイルは、プラズマの放電、静電容量性あるいは電気誘導性の加熱／励起に適した任意の適切な型あるいは構成であってよい。前イオン化かあるいはＬＰＰのためかのいずれかに使われているレーザは、例えば、ガスレーザ、エキシマレーザあるいは固体レーザのような適切な任意の型のものであってよい。前イオン化レーザパルスは、０．２ｎｓ〜１００ｎｓの範囲にある立ち上がり時間と、１ｎｓ〜１０００ｎｓの脈動時間とが備わっているのが好ましい。ＬＰＰ方式では、レーザに１〜１００ｋＨｚの範囲にある繰返し率が備わっていることが好ましい。
【００４３】
さまざまな態様における相異なる実施形態は必要に応じて変えたり入れ替えたりすることができる、ということはわかるであろう。例えば、すくい板は、前イオン化を伴うかあるいはそれを伴うことのない、あるいは実際に電気的前イオン化だけを伴う電気的／磁気的励起かあるいはＬＰＰ方式かのいずれかに使うことができ、または、レーザ前イオン化のもとでなしで済ませることができる。任意の適切なガスを用いることができるが、それは不活性である必要はない。このような環境ではビームの平行はそれほど問題ではないかもしれないが、実際、このシステムは、液体原料物質のビームに適用されるであろう。先の考察はすくい板の使用に向けられているが、任意の適切な開口絞りあるいは平行化手段の使用が意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】公知のＬＰＰ高エネルギー光子供給源の模式図である。
【図２】（Ａ）は、改良された高エネルギー光子供給源の模式図、（Ｂ）は、この発明による電気的／磁気的高エネルギー光子供給源の模式図、そして、（Ｃ）は、この発明による代わりの好ましい電気的／磁気的高エネルギー光子供給源の模式図である。
【図３】（Ａ）は、第１前イオン化方式を示し、（Ｂ）は、第２前イオン化方式を示し、そして、（Ｃ）は、第３前イオン化方式を示す。
【図４】この発明による代わりの電気的／磁気的高エネルギー光子供給源の模式図である。
【図５】この発明によるＬＰＰ高エネルギー光子供給源の模式図である。
【図６】この発明により得られたＥＵＶ変換効率のプロットである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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