(57)【要約】超高速サンプラーは、コプレーナ導波路と共に、局部発振器入力を圧縮して一連のストローブ・パルスを形成する非線形伝送線（ＮＬＴＬ）を形成するよう構成された一連のショットキー・ダイオードを含む。反対の極性のストローブ・パルスが、サンプリング・ダイオードに容量結合されて、信号入力に印加される信号のサンプルを獲得する。該サンプルは、中間周波数導波路に沿って、例えば、記憶及び解析のためオシロスコープのような信号プロセッサに導かれる。中間周波数導波路は、その中間周波数導波路の導体が共通の極性の信号サンプル及び反対極性のストローブ・サンプルを受け取るように構成され、それにより信号プロセッサに供給されるストローブ・パルスの一部分が信号サンプルと区別される。一実施形態においては、中間周波数導波路及びストローブ導波路は、軸と中間周波数導波路の導体との間に配置される。サンプリング回路は、ＧａＡｓ基板上に形成され、そして同軸対エアーライン対基板遷移部は、信号を同軸ケーブルからサンプリング回路に供給するよう構成されている。信号出力は、信号を同軸ケーブルの中に戻るように導くよう構成されている。
2004531130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸ケーブル上を伝搬する電気信号を基板に供給する遷移装置であって、
中心導体を有する同軸ケーブルを収容し且つ保持するよう構成された入力コネクタ・アダプタと、
軸を有する空洞を形成するハウジングと、
前記空洞の軸に実質的に平行に配置されており、且つ前記同軸ケーブルの中心導体と電気的に伝達可能状態にあるエアーライン導体とを備え、
前記エアーライン導体及び前記空洞は、実質的に前記同軸ケーブルのインピーダンスと同じであるインピーダンスを有するエアーラインを形成するよう構成されており、
前記基板上に配置され且つ前記空洞の中に延在し且つ前記エアーライン導体に電気的に接続されている相互接続部を更に備える、遷移装置。
【請求項２】
前記空洞が円筒形である請求項１記載の遷移装置。
【請求項３】
前記相互接続部が導電性パックを含む請求項１記載の遷移装置。
【請求項４】
同軸ケーブルを収容し且つ保持するよう構成された出力同軸アダプタを更に備える請求項１記載の遷移装置。
【請求項５】
前記相互接続部が導電性パックを含む請求項１記載の遷移装置。
【請求項６】
前記基板が前記ハウジングにより保持される請求項５記載の遷移装置。
【請求項７】
電気信号を同軸ケーブルから基板へ供給する装置において、
中心導体を含むエアーラインと、
前記同軸ケーブルを前記中心導体に固定し且つ電気信号を前記中心導体へ伝達する手段と、
前記基板を前記中心導体に電気的に接続し、且つ前記エアーライン内に配置される電気的接続手段と
を備える装置。
【請求項８】
電気信号を基板に供給する方法であって、
電気信号を受け取るようエアーラインを構成するステップを備え、
前記エアーラインは、導体及び空洞を含み、且つ前記電気信号が伝搬する伝送線の特性インピーダンスに対応する特性インピーダンスを有し、
前記基板上の相互接続領域を前記エアーライン導体に接触させるステップを更に備える、方法。
【請求項９】
前記エアーラインの特性インピーダンスが、前記伝送線の特性インピーダンスにほぼ等しい請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記特性インピーダンスが約５０オームであり、且つ前記伝送線が同軸である請求項８記載の方法。
【請求項１１】
導電性相互接続部を基板上に形成する方法であって、
（ａ）ボンド・ワイヤを前記基板の導電性範囲にワイヤ・ボンディングするステップと、
（ｂ）前記ボンド・ワイヤを前記導電性範囲から取り去り、それにより関連のボンド・ボールが残っているステップと
を備える方法。
【請求項１２】
ステップ（ａ）及び（ｂ）を複数回反復するステップを更に備える請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
複数の導電性ボンド・ボールを備える導電性パック。
【請求項１４】
基板と、
前記基板上に且つ信号入力部と電気的伝達可能状態に形成された第１のサンプリング・ダイオード及び第２のサンプリング・ダイオードと、
前記基板上に形成され、第１の導体及び第２の導体を含むストローブ導波路であって、反対の極性の対応ストローブ・パルスを前記第１のサンプリング・ダイオード及び前記第２のサンプリング・ダイオードに供給するよう構成された前記ストローブ導波路と、
前記基板上に形成された中間周波数導波路であって、前記第１のサンプリング・ダイオード及び前記第２のサンプリング・ダイオードとそれぞれ電気的伝達可能状態にある第１の導体及び第２の導体を含み、且つ前記第１のサンプリング・ダイオード及び前記第２のサンプリング・ダイオードにより前記第１及び第２の導体に供給された信号サンプルが同じ極性であり且つ前記第１の導体及び第２の導体に供給されたストローブ部分が反対の極性であるように構成された前記中間周波数導波路と
を備えるサンプリング回路。
【請求項１５】
前記ストローブ導波路と共に非線形伝送線（ＮＬＴＬ）を形成するよう構成されたバラクタを更に備える請求項１４記載のサンプリング回路。
【請求項１６】
ＩＦ導波路の前記第１の導体及び前記ＩＦ導波路の前記第２の導体を前記ストローブ導波路の第１の導体及び前記ストローブ導波路の第２の導体のそれぞれに電気的に接続するそれぞれのダイオードを更に備える請求項１５記載のサンプリング回路。
【請求項１７】
前記ストローブ導波路の導体及び前記ＩＦ導波路の導体が共通の軸に沿って延在する請求項１４記載のサンプリング回路。
【請求項１８】
前記ストローブ導波路の複数の導体が前記共通の軸の周りで対称に配置されている請求項１７記載のサンプリング回路。
【請求項１９】
前記中間周波数導波路の複数の導体が前記共通の軸の周りで対称に配置されている請求項１８記載のサンプリング回路。
【請求項２０】
前記ストローブ導波路の導体が前記中間周波数導波路の導体より前記共通の軸により接近している請求項１９記載のサンプリング回路。
【請求項２１】
前記ストローブ導波路及び前記ＩＦ導波路が、共通の軸に沿って配置されているコプレーナ導波路である請求項１４記載のサンプリング回路。
【請求項２２】
前記ＩＦ導波路及び前記ストローブ導波路が共通の軸の周りで対称に配置されている請求項２１記載のサンプリング回路。
【請求項２３】
前記基板がＧａＡｓである請求項２２記載のサンプリング回路。
【請求項２４】
電気信号を受け取るよう構成された入力と、
軸に沿って配置されたストローブ導波路と、
前記軸に沿って配置された中間周波数導波路と、
前記ストローブ導波路及び前記中間周波数導波路と電気的伝達可能状態にある２つのサンプリング・ダイオードであって、前記ストローブ導波路上を伝搬するストローブ信号に応答して、電気信号のサンプルを前記中間周波数導波路に導くよう構成されている前記２つのサンプリング・ダイオードとを備え、
前記ストローブ導波路は、当該ストローブ導波路上を奇数導波路モードで伝搬するストローブ信号を与えるよう構成され、
前記サンプリング・ダイオードは、前記電気信号のサンプルを前記中間周波数導波路に導いて、前記中間周波数導波路の偶数モードで伝搬するよう構成されている
サンプリング回路。
【請求項２５】
前記ストローブ導波路及び前記中間周波数導波路がコプレーナ導波路である請求項２４記載のサンプリング回路。
【請求項２６】
前記ストローブ導波路、前記中間周波数導波路及び前記サンプリング・ダイオードが形成される基板を更に備える請求項２４記載のサンプリング回路。
【請求項２７】
前記ストローブ導波路と組み合わさって、非線形伝送線を形成する複数のバラクタを更に備える請求項２４記載のサンプリング回路。
【請求項２８】
信号サンプルをサンプル出力部に供給するサンプリング回路であって、
局部発振器信号がストローブ導波路上を、信号サンプルが中間周波数導波路上を伝搬する導波路モードとは異なる導波路モードで伝搬するように構成された前記ストローブ導波路及び前記中間周波数導波路を備えるサンプリング回路。
【請求項２９】
前記ストローブ導波路及び前記中間周波数導波路が軸に対してほぼ対称である請求項２８記載のサンプリング回路。
【請求項３０】
前記局部発振器信号が奇数モードで前記ストローブ導波路上を伝搬し、
前記信号サンプルが偶数モードで前記中間周波数導波路上を伝搬する
請求項２９記載のサンプリング回路。
【請求項３１】
入力信号をサンプリングするサンプリング方法であって、
ストローブ信号をストローブ導波路上にストローブ導波路モードで伝搬させるステップと、
入力信号のサンプルを中間周波数導波路に前記ストローブ信号と共に導くステップと、
前記サンプルを前記中間周波数導波路上にサンプル導波路モードで伝搬させるステップとを備え、
前記ストローブ導波路モードと前記サンプル導波路モードとが異なる、サンプリング方法。
【請求項３２】
前記ストローブ導波路モードが奇数モードであり、前記サンプル導波路モードが偶数モードである請求項３１記載のサンプリング方法。
【請求項３３】
ＧａＡｓ基板上に形成されたサンプリング回路を備え、
前記サンプリング回路は、
（ａ）共通の軸の周りで対称に配置されるコプレーナ・ストリップ・ストローブ導波路及びコプレーナ・ストリップ中間周波数導波路であって、前記ストローブ導波路が前記中間周波数導波路と前記共通の軸との間に配置される、前記コプレーナ・ストリップ・ストローブ導波路及びコプレーナ・ストリップ中間周波数導波路と、
（ｂ）前記ストローブ導波路と共に非線形伝送線（ＮＬＴＬ）を形成するよう構成された複数のバラクタと、
（ｃ）前記ストローブ導波路及び前記中間周波数導波路の対応する導体同士を接続する容量性結合器と、
（ｄ）導電性パックを含む信号入力部と、
（ｅ）前記中間周波数導波路及び前記信号入力部のそれぞれの導体を接続するよう配置された２つのサンプリング・ダイオードとを含み、
前記導電性パックと電気的伝達可能状態にある中心導体と、対応する同軸ケーブルへ接続するための入力及び出力コネクタ・アダプタとを含むエアーラインであって、前記同軸ケーブルのインピーダンスに対応するインピーダンスを有するよう構成された前記エアーラインと、
電気信号を前記非線形伝送線に与え、且つ前記ＮＬＴＬと組み合わさって、反対の極性のサンプリング・パルスを生成する局部発振器源と、
前記中間周波数導波路と伝達可能状態にある信号プロセッサであって、前記エアーラインに印加された信号から獲得された信号サンプルを受け取る前記信号プロセッサとを更に備え、
前記中間周波数導波路の第１の導体から受け取られた信号サンプルが、第１の極性のストローブ・サンプルと組み合わされ、
前記中間周波数導波路の第２の導体から受け取られた信号サンプルが、第１の極性と反対の第２の極性のストローブ・サンプルと組み合わされる、サンプリング・システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［発明の背景］
本発明は、高速電気サンプリングのための方法及び装置に関する。
［背景］
高速電気信号の測定は、信号を一連の時間遅延でサンプリングし、次いで信号の振幅を時間の関数としてプロットすることにより実行されることができる。いわゆる「実時間（リアル・タイム）」ディジタイザは、典型的には、約１−２ギガサンプル（Ｇｓａｍｐｌｅ）／秒より大きくないサンプリング速度を有し、それにより数ＧＨｚより大きい周波数の周波数成分を有する電気信号は、いわゆる「等価時間（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｔｉｍｅ）」サンプリングを用いて特徴付けされねばならない。等価時間サンプリングにおいて、周期的入力信号は、その入力信号の最高周波数成分より非常に低い速度で当該入力信号の多くの繰り返しにわたってサンプリングされ、そして測定は、単一の周期中の入力信号の推定を与えるよう組み立てられる。等価時間サンプリングは、例えば、Ｍａｒｓｌａｎｄ他の米国特許Ｎｏ．５，３７８，９３９（「Ｍａｒｓｌａｎｄ」）に記載されており、それは本明細書に援用されている。
【０００２】
非常に広帯域幅の電気信号の測定に対して、等価時間サンプリング・システムは、通常、短い持続時間の「ストローブ・パルス」を１つ又はそれより多いサンプリング・ダイオードに与えるよう試みている。サンプリング・ダイオードは、ストローブ・パルスによりスイッチングされ、次いで入力信号の一部分（即ち、１個のサンプル）が、信号獲得システムに伝達される。サンプルの持続時間及び大きさは、立ち上がり時間、立ち下がり時間又は持続時間のような、ストローブ・パルスの１つ又はそれより多い時間特性により決定される。従って、高速電気信号に対して、ストローブ・パルスは、短い立ち上がり時間、立ち下がり時間又は持続時間を持つべきである。サンプリング・システム、及びそのようなサンプリング・システム用のストローブ・パルス発生器の例は、例えば、上記Ｍａｒｓｌａｎｄの米国特許、Ｒｏｄｗｅｌｌ他の米国特許Ｎｏ．５，０１４，１０８、ＭｃＥｗａｎの米国特許Ｎｏ．６，０６０，９１５、Ｌｏｃｋｗｏｏｄの米国特許Ｎｏ．４，６５４，６００、Ｌｏｃｋｗｏｏｄの米国特許Ｎｏ．３，７６０，２８３、Ｆｒｙｅの米国特許Ｎｏ．３，６２９，７３１、Ｗ．Ｍ．Ｇｒｏｖｅの「オシロスコープ及び他のＲＦシステムのためのサンプリング：ＤＣからＸバンド（Ｓａｍｐｌｉｎｇ  ｆｏｒ  ｏｓｃｉｌｌｏｓｃｏｐｅｓ  ａｎｄ  ｏｔｈｅｒ  ＲＦ  Ｓｙｓｔｅｍｓ：  Ｄｃ  ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｘ−ｂａｎｄ）」（ＩＥＥＥトランザクション、マイクロ波理論及び技術ＭＴＴ１４：６２６−６３５ページ（１９６６年））、及びＷ．Ｃ．Ｗｈｉｔｅｌｙ他「小さいショックライン及び内部ＳＲＤを利用した５０ＧＨｚサンプラー・ハイブリッド（５０  ＧＨｚ  ｓａｍｐｌｅｒ  ｈｙｂｒｉｄ  ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ  ａ  ｓｍａｌｌ  ｓｈｏｃｋｌｉｎｅ  ａｎｄ  ａｎ  ｉｎｔｅｒｎａｌ  ＳＲＤ）」（ＩＥＥＥ  ＭＴＴ−Ｓダイジェスト（１９９１年））に記載されており、これらは本明細書に援用されている。
【０００３】
速いストローブ・パルスがそのようなサンプリング・システムにとって必要とされている一方、そのサンプリング・システムへの入力信号の接続は信号アーチファクトを導入しないばかりでなく、信号を試験中に乱さないことも望ましい。サンプリング・システムは、サンプリング・ダイオードを導通状態と非導通状態との間で速いストローブ・パルスを用いてスイッチングすることによりサンプリング窓を確立し、そして典型的にはストローブ・パルスの一部分がデバイスに試験中に送信される。この一部分は「ストローブ・キックアウト（ｓｔｒｏｂｅ  ｋｉｃｋｏｕｔ）」と呼ばれる。その上、測定されるべき信号の一部分は、通常、１つ又はそれより多いサンプリング・ダイオードの周りに送信され、そして閉じられたサンプリング・ゲートを用いてすら検出される。この信号部分は、「ブローバイ（ｂｌｏｗｂｙ）」と呼ばれる。ストローブ・キックアウト及びブローバイにより引き起こされた信号アーチファクトを回避するのが好ましいことは明らかであろう。他の信号アーチファクトが、測定されるべき信号へのサンプリング・システムの接続により引き起こされる。例えば、高速電気信号の伝搬は、その電気信号が伝搬するケーブル及び伝送線の導波路特性に依存し、そしてケーブル又は導波路へのサンプリング・システムの接続は一般的に、導波路に負荷を与え、又は不整合のインピーダンスを与える。その結果、当該接続部分に到着する電気信号は、一部反射され、そしてこれらの反射は、信号の測定におけるアーチファクトとして現れ、又は信号源に送信されることができ、それによりサンプリング・システムに与えられる信号を変化させる。一部の従来技術システムにおいては、信号アーチファクトは、サンプリング・システムを試験されるべきデバイスに接続することにより導入され、それにより測定が当該接続により損なわれる。
【０００４】
上記に挙げた問題の加えて、サンプリング・システムの時間解像度が、ストローブ・パルス持続時間、ストローブ・パルスの立ち上がり又は立ち下がり時間、又は劣化なしにストローブ・パルスをサンプリング・ゲートに送信する困難さにより制限される場合がある。他のサンプリング・システムは、サンプリングを比較的低いサンプリング速度でのみ可能にし、それにより信号獲得は、測定を多くの信号周期にわたり必要とする。そのようなシステムの場合、信号のほんの小さい部分のみが測定されるので、データ獲得が遅く、そして測定におけるランダム雑音は、信号の平均化により効果的に低減されることができない。
これら及び他の欠点に鑑み、改善されたサンプリング方法、サンプリング装置、並びに信号源をサンプリング・システムに接続する方法及び装置が、必要とされる。
【０００５】
［概要］
導波路、又は同軸ケーブルのようなケーブル上を伝搬する電気信号を基板に供給するエアーライン遷移装置が設けられる。当該遷移装置は、ケーブル又は導波路を保持し且つ電気信号を、導電性ハウジング内の孔又は類似の空洞の軸に沿った又はほぼ平行に配置されているエアーライン導体に供給するよう構成された１つ又はそれより多いアダプタを含む。代表的実施形態においては、この導電性ハウジングは、空洞の中に延在し且つエアーライン導体に電気的に接触する相互接続部が設けられている基板を保持するよう構成されている。他の代表的実施形態においては、空洞は円形断面を有し、そしてエアーライン導体はその空洞の軸に沿って配置されている。特定の実施形態に従って、上記相互接続部は、例えば、ワイヤ・ボンディング・プロセスにより形成された１つ又はそれより多いボンド・ボール（ｂｏｎｄ  ｂａｌｌｓ）を含むことができる導電性パック（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｐｕｃｋ）である。
【０００６】
サンプリング回路を含む基板に電気信号を供給するよう構成されているエアーライン遷移部を含むサンプリング・システムが提供される。当該サンプリング回路は、ストローブ導波路、中間周波数（「ＩＦ」）導波路、及び信号入力部を含む。ストローブ導波路には、非線形伝送線（「ＮＬＴＬ」）又はショックラインを形成するよう構成された１つ又はそれより多いショットキー・ダイオード、バラクタ、又は超段階ダイオード（ｈｙｐｅｒａｂｒｕｐｔ  ｄｉｏｄｅｓ）が設けられている。ＮＬＴＬは、局部発振器入力に応答してストローブ・パルスを生成するよう構成されている。ＮＬＴＬは、信号入力部に印加された信号の一部分をＩＦ導波路にスイッチング可能状態で伝達する１つ又はそれより多いサンプリング・ダイオードと電気的伝達可能状態にある。ＮＬＴＬは、実質的に対称であるがしかし反対極性のストローブ・パルスを対応するサンプリング・ダイオードに与え、そして共通極性の入力信号部分は、サンプリング・ダイオードへのストローブ・パルスの印加により選択されるようにＩＦ導波路の各導体に供給される。その上、反対極性のストローブ・パルス部分は、ＩＦ導波路の各導体に供給される。当該ＩＦ導波路は、信号部分及びストローブ部分を信号プロセッサに伝達するよう構成されている。信号部分が共通極性を有し且つストローブ部分が反対極性を有するので、信号プロセッサは、例えば、ＩＦ導波路の導体から獲得された信号を加算することにより信号サンプルを回復することができる。
【０００７】
２つのサンプリング・ダイオード、ストローブ導波路及び中間周波数導波路を含むサンプリング回路が提供される。当該ストローブ導波路は、局部発振器信号（例えば、一連の１つ又はそれより多いストローブ・パルスのようなもの）をサンプリング・ダイオードに与えて、中間周波数導波路に導かれる信号サンプルを生成するよう構成されている。導波路は、局部発振器信号及びストローブ信号が異なる導波路モードで伝搬するよう構成されている。一部の実施形態においては、局部発振器信号が奇数モードで、そして信号サンプルが偶数モードで、ストローブ導波路及び中間周波数導波路をそれぞれ伝搬する。追加の実施形態に従って、ストローブ導波路及び中間周波数導波路は、共通軸に関してほぼ対称に配置されている。
【０００８】
サンプリング・ダイオードのようなサンプリング・ゲートがストローブ信号を用いて制御されるサンプリング方法が提供される。ストローブ信号は、ストローブ・モードでストローブ導波路に沿って伝搬される。入力信号のサンプルが中間周波数導波路に導かれ、そこにおいてストローブ・モードとサンプル・モードとは異なる。特定の例においては、ストローブ・モードはストローブ導波路の奇数モードであり、そしてサンプル・モードは中間周波数導波路の偶数モードである。
本発明のこれら及び他の利点が添付図面を参照して以下に説明される。
【０００９】
［詳細な説明］
図１を参照すると、サンプリング回路１００は、基板１０１上に形成され、そして導体１０８、１１０により形成されるコプレーナ・ストリップ導波路（「ストローブ導波路」）１０６と伝達状態にある局部発振器（ＬＯ）入力部１０２、１０４を含む。接地導体１１１が、サンプリング回路１００の外周部の一部の周りに延在し、そして基板１０１の反対表面（図１に図示せず）上の導電層により形成された接地平面にワイヤ又は他の接続方法を用いて電気的に接続されている。導電性ストラップ１０３は、接地導体１１１の部分１０５、１０７を接続する。ダイオード１１２Ｊ（Ｊ＝１，…，７）、ダイオード１１４Ｊ（Ｊ＝１，…，７）、及びダイオード１１６Ｊ（Ｊ＝１，…，７）（本明細書では集約的にダイオード１１２、１１４、１１６とそれぞれ称する。）は、導体１０８を導体１１０に電気的に接続する。図１の例においては、ダイオード１１２、１１４、１１６は、導波路の軸に沿って軸方向に約０．１２５ｍｍ、０．０７５ｍｍ及び０．０３０ｍｍのそれぞれの距離だけ分離されており、そして２７０ｆＦ、９０ｆＦ及び４５ｆＦのそれぞれのキャパシタンスを持つ。図１の実施形態に示されるように、合計２１個のダイオードは、導体１０８、１１０を相互接続する。追加の実施形態においては、より多くの又はより少ないダイオードを用いることができ、そしてダイオード間隔及び／又はキャパシタンスを変えることができる。図１のサンプリング回路１００は、約２．１６５ｍｍ×０．４００ｍｍ×０．４ｍｍの寸法を持つＧａＡｓ基板上に形成されるのが好都合である。
【００１０】
中間周波数（「ＩＦ」）出力部１３０、１３２（これはまた本明細書ではサンプル出力部と称される。）が、導体１３４、１３６のそれぞれの端部に配置される。導体１３４、１３６は、導波路（「中間周波数導波路」）１３８を形成するよう構成され、そして導電性入力パッド１４０へ各サンプリング・ダイオード１４２、１４４により接続されている。代表的例においては、サンプリング・ダイオード１４２、１４４は、約８ｆＦのキャパシタンスを持つ。ＩＦ導波路１３８の導体１３４、１３６を導体１０８、１１０にそれぞれ電気的に接続するダイオード１４６、１４８が設けられている。ダイオード１４６、１４８は、図１の例では約４５ｆＦである。入力パッド１４０には、ボンド・ワイヤ除去が続く従来のワイヤボンディングにより取り付けることができる金の薄いディスク又は１つ又はそれより多いワイヤ・ボンド・ボールのような柔軟な入力接続部１４１が設けられている。
【００１１】
ストローブ導波路１０６及びダイオード１１２、１１４、１１６は、非線形伝送線（「ＮＬＴＬ」又は「ショックライン（ｓｈｏｃｋｌｉｎｅ）」）１４３として、ＬＯ入力部１０２、１０４で受信された局部発振器（「ＬＯ」）信号を整形し且つストローブ信号をダイオード１４６、１４８及びサンプリング・ダイオード１４２、１４４で生成するよう構成されている。ダイオード１１２、１１４、１１６の特性が印加された電圧の非線形関数であるので、ストローブ信号は、ＬＯ入力部１０２、１０４におけるＬＯ信号の対応する時間特性より小さい持続時間、立ち上がり時間又は立ち下がり時間を持つことができる。典型的には、ダイオード１１２、１１４、１１６は、ＬＯ信号の立ち上がり時間より短い立ち上がり時間を持つストローブ信号を生成するよう配置される。本明細書で用いられているように、立ち上がり時間は、一般的に、電気信号が最大値の約１０％から最大値の約９０％までの遷移を形成する持続時間を言う。なお、最大値は、印加される電圧の絶対値である。その上、図１の実施形態においては、ダイオード１１２、１１４、１１６が、ＮＬＴＬ１４３における非線形構成要素として用いられているが、しかし他の非線形デバイスを用いることもできる。例えば、バラクタ及び超段階ダイオードのような、印加される電圧の関数であるキャパシタンスを持つデバイスを用いることができる。
【００１２】
導体１０８、１１０、１１１、１３４、１３６、出力部１３０、１３２及び入力部１０２、１０４は、パターン化されている薄い導電層により形成される。例えば、金又は他の金属の薄い層を用いることができ、そして例えば、金層を保護するため、又は金層を基板１０１にボンディングするのを促進するためのような、様々な目的のため金層を形成する前に、追加の金属又は他の層を、金層上に又は基板１０１上に形成することができる。その上、１つ又はそれより多い層が、そのような導電層と基板１０１との間に形成されて、例えば、金層の基板への付着が促進され、又は金層から基板への汚染の移行が低減されることができる。導電層のパターン化は、フォトリソグラフィ又は他の方法を用いて達成されることができる。
【００１３】
図１の実施形態においては、導体１０８、１１０は、導波路軸１２０に関して対称に配置されている。ＩＦ導波路の導体１３４、１３６は、導波路軸１２０に関して対称に、且つその導波路軸１２０からより離れているよう構成されている。
【００１４】
図２Ａから図２Ｃは、図１のサンプリング回路１００の概略断面図である。図２を参照すると、ダイオード１１４２は、Ｎ＋ドーピングされたＧａＡｓ基板２００の表面２０１上に形成されているＮ−ドーピングされたＧａＡｓメサ２０２を含む。接地平面導体２０３は、実質的に反対表面２０５を覆っている。オーム接触２０６は、導体１０８をメサ２０２に電気的に接続し、そしてショットキー接合が、ショットキー金属層２０８とメサ２０２との間に形成される。導体１１０は、メサ層２０８にエアーブリッジ（ａｉｒｂｒｉｄｇｅ）２１０を用いて接続されている。典型的には、メサ２０２及びサンプリング回路１００の他の特徴部は、フォトリソグラフィで形成される。パシベーションのため又は付着を促進するため適用される層のような、ダイオード１１４２の追加の特徴部が図２Ａに示されている。ＮＬＴＬの他のダイオードも似ている。接地ストラップ２１１は、導体１０５、１１１を接地平面導体２０３に電気的に接続する。
【００１５】
図２Ｂは、ダイオード１４６、１４８の構成を図示する。ダイオード１４６、１４８は、それぞれのメサ２２２、２３２、ショットキー金属層２２３、２３３、エアーブリッジ２２４、２３４、及びオーム接触領域２２５、２３５により構成される。サンプリング・ダイオード１４２、１４４が、図２Ｃに図示されており、そしてそれぞれのメサ２４２、２５２、ショットキー金属層２４３、２５３、エアーブリッジ２４４、２５４、及びオーム接触領域２４５、２５５により構成されている。
【００１６】
ダイオード１１２、１１４、１１６及びストローブ導波路１０６が、ＮＬＴＬ１４３を形成する。他の実施形態においては、ダイオードの異なる組み合わせを用いることができる。例えば、２つ又はそれより多くの異なる大きさのダイオードをストローブ導波路１０６に沿って配置させることができる。他の実施形態においては、２つのダイオードが同一の設計寸法を持たないように、ダイオードの大きさをストローブ導波路１０６に沿って徐々に漸減させることができる。
【００１７】
ストローブ導波路１０６及びＩＦ導波路１３８は、導波路軸１２０に関してほぼ対称となるよう構成されている。追加の実施形態においては、導体１０６、１０８、１３４、１３６は、対称に構成されてない。図１に示されるように、ストローブ導波路１０６及びＩＦ導波路１３８は、横方向の接地平面を有するコプレーナ・ストリップライン（「ＣＰＳ」）導波路に似ている。そのような導波路の特性は、例えば、Ｋ．Ｃ．Ｇｉｕｐｔａ他のマイクロストリップ・ライン及びスロットライン（Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  Ｌｉｎｅｓ  ａｎｄ  Ｓｌｏｔｌｉｎｅｓ）（１９９６年）に記載されおり、それは本明細書に援用されている。
【００１８】
サンプリング回路１００の動作は、そのサンプリング回路１００の一部分に対応するブロック図及び電気的概略図を含む図３を参照して都合良く説明することができる。ＬＯ信号が、ＬＯ源３０２により与えられ、そして例えば、約１Ｖの振幅の１０ＧＨｚ正弦波電圧、又は例えば、１つ又はそれより多いステップ・リカバリ・ダイオード又は他のデバイスを用いて生成された他の電気信号であることができる。ＬＯ信号は、ＮＬＴＬ１４３に沿って伝搬し、そしてダイオード１１２、１１４、１１６により整形されて、約３．５ｐｓ（ピコ秒）又はそれより短い持続時間の一連のほぼ対称のサンプリング・パルス３０３を生成する。図３に示されるように、キャパシタ３４６、３４８に供給された２つのサンプリング・パルス３０３は、互いに似ているが、しかし反対極性である。サンプリング・パルス３０３は、図３にそれぞれキャパシタ３４６、３４８として示されるダイオード１４６、１４８を介してサンプリング・ダイオード１４２、１４４に伝達される。サンプリング・パルス３０３は、信号源３０５からの電気信号（「ＲＦ信号」）が図３にＩＦ出力部３０７、３０９として表されるＩＦ導波路１３８に伝達されるように、サンプリング・ダイオード１４２、１４４を制御する。一部の実施形態においては、信号出力３３０がまた与えられる。ＩＦ出力部３０７、３０９（即ち、ＩＦ導波路１３８）に伝達される電気信号の一部分は、本明細書で「サンプリングされたＩＦ」（ＳＲＦ）と称され、そしてサンプリング・パルスの持続時間、パルス形状及び振幅、及びサンプリング・ダイオード１４２、１４４の時間応答、並びにサンプリング・パルス３０３とＲＦ信号との間の相対的タイミングに依存する。ストローブ・パルス３０３の一部分はまた、ＩＦ出力部３０７、３０９に伝達され、そして本明細書では「ストローブ出力」（ＳＳＴＲＯＢＥ）と称される。図３に図示されるように、ＩＦ出力部３０７、３０９のそれぞれに伝達されたサンプリングされたＲＦは、互いに似ているが、しかしＩＦ出力部３０７、３０９に伝達されたストローブ出力は、互いに反対極性である。従って、ＩＦ出力部３０７、３０９に伝搬する信号は、それぞれＳＲＦ＋ＳＳＴＲＯＢＥ及びＳＲＦ−ＳＳＴＲＯＢＥに対応する。従って、サンプリングされたＲＦは、例えば、これらの信号を加算することにより、ストローブ出力と区別されることができる。典型的には、サンプリングされたＲＦとストローブ出力とを組み合わせたものが、ディジタイザ、オシロスコープ、又は他のデータ記憶装置及び処理装置のような信号プロセッサ３１１に供給される。図３に示されていないが、サンプリングされたＲＦとストローブ出力とを組み合わせたものは、フィルタリングされ、増幅され、バッファされ、加算され、又はさもなければ処理され、そして処理されたものとして信号プロセッサ３１１に供給されることができる。
【００１９】
上記で言及したように、その間にＲＦ信号がＩＦ出力部３０７、３０９に伝達される時間間隔の長さは、サンプリング・パルス３０３及びサンプリング・ダイオード１４２、１４４の特性、並びに他の要因に依存する。サンプリングされたＲＦはまた、サンプリング・ダイオード１４２、１４４に印加されたバイアスの調整により制御されることができる。例えば、信号プロセッサ３１１は、バイアス電圧をサンプリング・ダイオード１４２、１４４に印加するバイアス源を含むことができる。代替として、追加の信号源を設けてバイアス電圧を生成することができる。バイアス電圧の大きさ及び符号を選択し、それによりサンプリング・ダイオード１４２、１４６は、ＲＦ信号のいずれの部分をＩＦ出力部３０７、３０９に伝達するのを妨げず、又は小さい振幅のＲＦ信号がＩＦ出力部３０７、３０９に効率的に伝達されることができる。バイアス電圧は、ＩＦ導波路１３８上を伝達されることができ、そしてＩＦ導波路１３８の周波数応答により可能にされる程少なくとも高い周波数の周波数成分を含むことができる。バイアス電圧の調整は、ＲＦ信号の選択された部分がＩＦ出力部３０７、３０９に伝達される効率の選択を可能にする。例えば、ストローブ・パルス３０３が比較的長いターンオン時間を持つ場合、サンプリング・ダイオードは、ＲＦ信号がＩＦ出力部３０７、３０９に伝達され又は効率的に伝達されるバイアス条件に達するため長い時間を対応的に要求することができる。バイアス電圧を印加することは、これらの時間を低減することができる。代替として、バイアス電圧は、ＩＦ出力部３０７、３０９への所定の振幅のＲＦ信号部分の伝達を防止し、又は低減するよう構成されることができる。
【００２０】
代表的実施形態においては、ＲＦ信号は、信号反復率で反復する周期信号であり、ＬＯ信号は、ストローブ・パルス３０３が信号反復率又はその整数倍の又はそれらの近くの周波数であるよう変化することができるストローブ反復率で印加されるように構成される。ＲＦ信号及びストローブ・パルスの相対的周波数及び位相が、タイミング・バス３２１上を伝達される。実質的に等しい信号及びストローブ反復率を用いて、ＲＦ信号は、そのＲＦ信号が類似の波形を有するその時々に繰り返しサンプリングされ、そして平均化されたサンプル信号値が取得されることができる。反復率を調整することにより、ＲＦ信号のいわゆる等価な時間サンプリングされた表示（ｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ）を取得することが可能になる。
【００２１】
図４Ａを参照すると、サンプリング回路４００は、２つのストローブ・パルスを入力パッド４４０に印加するよう構成されている。サンプリング回路４００は、それぞれの導体４０７、４０８及び４１７、４１８、及びそれぞれの入力部４０９、４１０及び４１９、４２０を備えるストローブ導波路４０６、４１６を含む。ＩＦ導波路４２６、４３６は、それぞれの導体４２７、４２８及び４３７、４３８、及びそれぞれ入力部４２９、４３０及び４３９、４４０を備える。図１のサンプリング・ダイオード１４２、１４４に類似したサンプリング・ダイオード４４５は、導体４２７、４２８、４３９、４３８を入力パッド４４０に接続し、そしてダイオード４４７は、ストローブ導波路４０５、４１６の対応する導体をＩＦ導波路４２６、４３６のそれぞれに接続する。接地平面導体４１１は、基板４０１の外周部に配置され、その基板４０１上にサンプリング回路４００が形成される。
【００２２】
ストローブ導波路４０６、４１６の導体４０７、４０８及び４１７、４１８がそれぞれダイオード４５２、４５３、４５４と相互接続されて、それぞれのＮＬＴＬ４０２、４０４を形成する。その上にサンプリング回路４００が形成されている表面４０３と反対の基板４０１の表面にはまた、導体４１１に接続されている接地平面導体が設けられているが、しかし図４に図示されていない。
【００２３】
サンプリング回路４００は、サンプリング回路１００の動作と似たやり方で動作することができる。サンプリング回路４００は、２つのストローブ・パルスを（ＮＬＴＬ４０２、４０４を介して）を与え、且つ対応のサンプリングされた信号を入力パッド４４０から対応のＩＦ導波路４２６、４２７に伝達するよう構成されている。こうして、ＲＦ信号は、より高いサンプリング速度でサンプリングされ、又は１つ又はそれより多い信号プロセッサにより獲得されることができる。
【００２４】
図４Ｂは、ＮＬＴＬ４９２及びＩＦ導波路４９４を含むサンプリング回路４５０の一部分の概略図である。ＮＬＴＬ４９２は、ダイオード４９５、及び導体４５８、４６０により形成されたストローブ導波路４９６を含む。便宜上、図４Ｂは、ダイオード４９４の大きさが一般的に導波路軸４６２に沿った位置の関数として異なるにも拘わらず、ＮＬＴＬ４９２の全てのダイオード４９４を類似しているよう図示してある。ＩＦ導波路４９４は導体４７２、４７４を含み、そしてダイオード４６４は、ＮＬＴＬ４９２をＩＦ導波路４９４に電気的に接続するよう配置されている。サンプリング・ダイオード４６６は、ＩＦ導波路４９４を入力パッド４７０に電気的に接続する。図４Ｂに示されるように、ストローブ導波路４９６及びＩＦ導波路４９４は、導波路軸４６２に沿って配置されるが、しかし必ずしもそのように配置される必要はない。その上、図１及び図４Ａの接地平面導体及び他の特徴部と類似の接地平面導体及び他の特徴部は、図４Ｂに図示されていない。
【００２５】
図１及び図４Ａ及び図４Ｂのサンプリング回路は、１つ又はそれより多いストローブ導波路及び１つ又はそれより多い中間周波数導波路を含む。これらの導波路を共通軸の周りに対称又はほぼ対称に配置することは、局部発振器信号（又はその局部発振器信号から生成されるストローブ・パルスの一部分）と信号入力のサンプルとを区別するのを容易にする。例えば、サンプリング回路１００は、局部発振器信号がストローブ導波路１０６上を奇数モードで伝搬し且つ入力信号のサンプルが中間周波数導波路１３８上を偶数モードで伝搬するように構成される。中間周波数導波路に結合された局部発振器信号又はストローブ・パルスの一部分は奇数モードで伝搬する傾向を有し、それにより信号サンプルは、局部発振器信号から導波路モード選択又は他の方法により区別されることができる。ストローブ導波路及びＩＦ導波路の配置は、必ずしも完全に対称である必要はなく、そして対称の欠如は一般的に、局部発振器信号及び信号サンプルが共通導波路モードでＩＦ導波路上に現れる程度を増大するのみである。従って、そのような構成においては、モード選択は、信号サンプルと局部発振器信号とを完全には分離しない。
【００２６】
図１及び図４Ａ〜図４Ｂの代表的サンプリング回路は、数ピコ秒より少ない時間間隔中に得られる入力信号のサンプルを与えるのに適している。しかしながら、入力電気信号に正確に対応するサンプルを獲得するため、入力電気信号は、信号アーチファクトを導入することなしにサンプリング回路に供給されねばならない。その上、サンプリングされるべき入力信号が追加の測定装置に又は解析又は使用のための操作装置（ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ  ｅｑｕｉｍｅｎｔ）に伝達されることになる場合、サンプリング・システムへの入力信号の供給は、信号アーチファクトを導入すべきでなく、又はさもなければ信号を劣化させるべきでない。本明細書に用いられるように、信号サンプルを獲得するサンプリング・システムは入力信号を出力に供給し、そのサンプリング・システムは「フィードスルー・サンプラ（ｆｅｅｄ−ｔｈｏｒｏｕｇｈ  ｓａｍｐｌｅｒｓ）」と呼ばれる。フィードスルー・サンプラにとって、入力信号の保全性を保持することは、著しく考慮すべき重要事項である。代表的実施形態においては、同軸ケーブル上を伝搬する電気信号が、同軸エアーラインに供給され、そしてエアーラインの導体が、電気信号をサンプリング回路に伝達する。導体がまた、電気信号を同軸ケーブル又は他の伝送線又は導波路に戻すよう供給するための出力コネクタに当該電気信号を伝達する。
【００２７】
図５Ａを参照すると、コネクタ（図示せず）において終端する同軸ケーブル又は他の伝送線で伝搬する入力信号は、コネクタ・アダプタ５０２、５０４を含む同軸対エアーライン遷移部（「遷移部」）５００に導かれる。コネクタ・アダプタ５０２、５０４は、ＳＭＡ、Ｋ又は他のタイプのコネクタのようなコネクタにおいて終端するケーブル、導波路又は他の伝送媒体から信号を受け取り、且つそれへ信号を供給するよう構成されている。コネクタ・アダプタ５０２、５０４は、一般的に導電性であり且つそのコネクタ・アダプタ５０２、５０４の接地接続部に電気的に接続されているハウジング５０６上に配置されている。ハウジング５０６には、軸５０９に沿って配置されている孔５０８が形成されている。代替として、ハウジング５０６は、非導電性であるが、しかし、例えば、薄い金属層により形成された導電性表面を持つ空洞を含むことができる。導体５１０は、孔５０８の中に配置されており、そして軸５０９に実質的に平行である方向に延在する。代表的例においては、孔５０８の断面図は、円形であり、そして約０．２８３ｍｍの半径を有し、導体５１０は、軸５０９に沿って配置され、そして導体５１０の直径は、ほぼ０．２４１ｍｍである。孔５０８及び導体５１０の半径は、典型的には、コネクタ・アダプタ５０２、５０４の一方又は両方に対応する導波路又はケーブルのインピーダンスに対応するインピーダンスを持つ導波路を生成するよう選択される。ここに記載される代表的例においては、半径は、Ｒｂｏｒｅ／Ｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒが約５０オームのインピーダンスを持つ導波路を生成するためほぼ２．３であるよう選択される。他の導波路構成に対して、又は異なるインピーダンスを持つ導波路を形成するため、孔５０８と導体５１０との寸法間の異なる関係を用いることができ、そして孔５０８により規定される容積の全部又は一部を充填する誘電体から導波路インピーダンスへの寄与を含めることができる。孔５０８は、例えば、矩形、円形、及び楕円を含む様々な断面形状を持つこができる。
【００２８】
導体５１０は、コネクタ・アダプタ５０２、５０４のいずれかで受信された電気的過渡分又は他の電気信号を相互接続部５１２に伝達するよう構成されている。相互接続部５１２は、導体５１０に接触するよう配置されているボンド・ワイヤ、又は他の可撓性電気接続部であることができる。典型的には、相互接続部５１２の第１の表面５１２ａ（又は他の部分）を導体５１０に押し付け、第２の表面５１２ｂ（又は他の部分）を基板５１８上のボンド・パッド５１６に接続する。ボンド・パッド５１６は、ＧａＡｓ、シリコン、又は他の材料のような基板上に配置される。半導体基板は、電気信号を処理し、又は電気信号を目的地に供給するための能動電気部品又は伝送線を含むことができる。代表的実施形態においては、相互接続部５１２は、ボンド・パッド５１６にくっつけられた１つ又はそれより多いボンド・ボール（ｂｏｎｄ  ｂａｌｌｓ）により形成される金属パックである。
【００２９】
代表的実施形態においては、基板５１８は、図１及び図４Ａ及び図４Ｂのサンプリング回路のようなサンプリング回路を含み、そして相互接続部５１２は、図１の導電性パッド１４０に対応する。そのような実施形態においては、相互接続部５１２は、基板５１８にワイヤボンディングし且つ関連のワイヤを除去することにより形成される１つ又はそれより多い導電性ボールを含む。
【００３０】
導電性シールド５２０が、基板５１８及びハウジング５０６に電気的接続されて、伝搬する電界を基板５１８の中に貫入するのを低減する。一般的に、導電性シールド５２０は、基板５１８上に形成される接地平面導体に電気的接続されている。図１のサンプリング回路１００を参照すると、シールドは、導体１１１に電気的接続されることができる。導電性シールド５２０は、薄い金属シートのような可撓性の導電性シート材料であることができ、又は編み組みされた導電性材料、又は金のメッシュのようなワイヤ・メッシュであることができる。編み組みされた導電性材料が都合良い。それは、そのような材料が基板５１６に対して形成され且つワイヤボンディングされ又は半田付けされることができ、そして相互接続部５１２がシールド５１６内の孔５７１を通って延在して導体５１０と接触するように構成されるからである。
【００３１】
導体５１０は、ハウジング５０６内にワッシャ５２２、５２４を用いて支持され、そのワッシャ５２２、５２４は典型的には、選択された周波数範囲で低い電気的損失を呈する低誘電率材料から作られる。０Ｈｚから約３００ＧＨｚの周波数範囲に対して、適切な材料は、無作為に配列されたグラス・ファイバ又はグラス・ファイバ・メッシュを用いて強化されることができるポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ（テフロン）（登録商標））である。図５Ａに示されるように、導体５１０は、ワッシャ５２２、５２４を通ってコネクタ・アダプタ５０２、５０４のそれぞれの中心導体ピン５２６、５２８まで延在する。ピン５２６、５２８には、導体５１０の端部を収容し且つ電気的に接触する孔５３０、５３２が形成されている。孔５３０、５３２に対する導体５１０の圧力は、導体５１０を孔５３０、５３２の中に保持させる。そのような圧力は、例えば、スリットをピン５２６、５２８の中に形成することにより与えられることができ、それによりピンの端部が導体５１０を保持するよう構成されることができる。代替実施形態においては、導体５１０は、半田、又は導電性接着剤、あるいは幾つかの他の方法で取り付けられることができる。ビード５３４、５３６は、ピン５２６、５２８のそれぞれを収容し、そしてピン５２６、５２８をそれぞれのコネクタ・アダプタの中に保持する。ビード５３４、５３６は、ケーブル又は伝送線をピン５２６、５２８のいずれか又はその両方に接続することが相互接続部５１２への導体５１０の電気的接続を終端しないようにピン５２６、５２８を固定するよう構成されている。図５Ｂを参照すると、そのような溝のような凹部５１９が、基板５１８の保持のためハウジング５０６内に設けられる。凹部５１９中に位置されるように、基板５１８は、孔５０８の中に延在し、そして導電性シールド５２０は、基板５１８の周りでハウジング５０６に向けて延在する。
【００３２】
遷移部５００のハウジング５０６は、様々に構成することができる。それぞれの例が図６Ａから図６Ｅに示されている。この例においては、ハウジング５０６は、基板部分６０２及び蓋部分６０４により形成される。基板部分６０２は、サンプリング回路又は他の基板を保持するよう構成された凹部６０６、６０８、及び図５Ａの孔５０８のようなエアーライン孔の一部分を形成する凹部６１０を含む。凹部６１２が、凹部６０６、６０８の中に保持された基板へのアクセスのため設けられる。蓋部分６０４には、エアーライン孔の一部分として働く凹部６１４が形成される。その上、基板部分６０２及び蓋部分６０４には、その蓋部分６０４を基板部分６０２に取り付けるためタップされた又はさもなければそのように構成されることができる孔６１６のような１つ又はそれより多い取り付け孔が設けられる。図６Ａから図６Ｅに示されるように、孔は、ねじと一緒に用いるよう構成されているが、しかし他の締結具又は締結方法を用いることができる。
【００３３】
図４Ａ及び図４Ｂに示されるサンプリング回路のようなサンプリング回路を保持するよう構成されたハウジングの基板部分７００が図７に図示されている。基板部分７００は、サンプリング回路を保持するよう構成された凹部７０８、７１０、及びエアーライン孔の一部を形成する凹部７１０を含む。凹部７１２が、サンプリング回路へのアクセスのため設けられており、そして取り付け孔７１６がまた設けられている。基板部分７００は、サンプリング回路の反対端部へのアクセスを可能にする。図７に示されるように、基板部分７００は、軸７２０に沿って延在するサンプリング回路用に構成されているが、しかし単一の軸に沿って延在してないがしかし２つ又はそれより多い交差軸に沿って延在しているサンプリング回路を設けることができる。
【００３４】
追加の実施形態においては、遷移部が、コネクタ・アダプタとして構成されている。そのような実施形態においては、コネクタ・アダプタ５０２、５０４は、異なるコネクタ・タイプ、又は同じコネクタ・タイプのオス又はメスのコネクタ・アダプタに対応する。その上、様々なケーブル・タイプ及び導波路にとって適したコネクタ・アダプタを、同軸対導波路遷移部を形成するため設けることができる。次いで、異なるコネクタ・アダプタが設けられた遷移部は、異なるコネクタ・タイプを適合させるよう働くことができる。
【００３５】
前述した例示的遷移部は、導電性パックのような相互接続部により貫通されている孔を有するエアーラインを含む。追加の例においては、エアーラインは、誘電体で充填された、又はそれで部分的に充填された孔を含み、そして誘電体には、相互接続部がエアーライン導体にアクセスするのを可能にする孔が設けられている。
【００３６】
前述した実施形態は、単なる例示であり、そしてこれらの実施形態が構成及び詳細において本発明の原理及び範囲を逸脱することなく修正されることができることが当業者に明らかであろう。例えば、ショックライン又はＮＬＴＬは、速い立ち上がり時間、立ち下がり時間、又はそれら両方を持つストローブ・パルスを生成するよう構成されることができる。本発明は、記載された実施形態により限定されず、そして特許請求の範囲により包含される全てが主張される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、基板上に形成され且つ非線形伝送線を含むサンプリング回路の概略平面図である。
【図２】図２Ａから図２Ｃは、図１のサンプリング回路の概略断面図である。
【図３】図３は、図１のサンプリング回路に対応する電気的概略図を含むブロック図である。
【図４】図４Ａは、２つの非線形伝送線を含むサンプリング回路の概略平面図である。図４Ｂは、基板としてであるサンプリング回路の別の代表的実施形態の部分概略平面図である。
【図５】図５Ａから図５Ｄは、同軸エアーライン対基板遷移部の断面図である。
【図６ＡＢＣ】図６Ａは、同軸エアーライン対基板遷移部のためのハウジングの基板部分の平面図である。図６Ｂ及び図６Ｃは、図６Ａの基板部分の断面図である。
【図６ＤＥ】図６Ｄは、同軸エアーライン対基板遷移部のためのハウジングの蓋部分の平面図である。図６Ｅは、図６Ｄの蓋部分の断面図である。
【図７】図７は、図４Ａ〜図４Ｂのサンプリング回路のようなサンプリング回路を保持するよう構成された同軸エアーライン対基板遷移部のためのハウジングの基板部分の平面図である。
【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
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【国際調査報告】
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2004531130.tif 000039
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