(57)【要約】エッチング後に取り除くことのできるマスクを備えた、ガラスタイプの透明基材（１０）上の、ドープされた金属酸化物タイプの、電気伝導性を有する層（１１）を電気化学的にエッチングするための方法であって、該方法は、−層のエッチングされるべき少なくとも１つの領域（１３）を導電性溶液（２０）と接触させること、−該溶液（２０）中に電極（３０）を浸漬させること、及び、領域（１３）に対面させて且つ領域（１３）からある距離（ｄ）で電極（３０）を配置すること、−電極（３０）とエッチングされるべき層（１１）の間に電圧（Ｕ）をかけること、にあり、電極が、エッチングが基材の幅ｌに関して層のいくつかの領域に実施されるように、細長い形状を有することを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスタイプの透明基材（１０）上の、ドープされた金属酸化物タイプの、電気伝導性を有する層（１１）を化学的にエッチングするための方法であって、該基材が、該方法に先立ち、前記層（１１）上に堆積された、該層（１１）上に複数の露出した領域（１３）の範囲を定めるパターンを有するマスク（１２）を含んで成り、該マスクがエッチング後に取り除くことができ、該方法が、
−該層のエッチングされるべき少なくとも１つの領域（１３）を導電性溶液（２０）と接触させること、
−該溶液（２０）中に電極（３０）を浸漬させること、及び、該領域（１３）に対面させて且つ該領域（１３）からある距離（ｄ）で該電極（３０）を配置すること、
−該電極（３０）とエッチングされるべき該層（１１）の間に電圧（Ｕ）をかけること、
にあり、該方法が少なくとも１つの電極を使用し、該電極が、エッチングが幅ｌに関して該層のいくつかの領域に実施されるように、細長い形状を有することを特徴とする、電気伝導性を有する該層（１１）を化学的にエッチングするための方法。
【請求項２】
該基材（１０）又は該電極（３０）は、一方がもう一方に関して移動し、一方が固定され、それによって、該電極は同時にエッチングされるべき領域に面して逐次的に配置され、且つ、すでにエッチングされた該領域は該導電性溶液（２０）から物理的に絶縁されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該基材（１０）又は該電極（３０）は、一方がもう一方に関して移動し、一方が固定され、それによって、該電極は同時にエッチングされるべき領域に面して逐次的に配置され、且つ、該領域は徐々にエッチングされ、該導電性溶液と接触したままであるとき、エッチ速度が増加することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該電極（３０）が該導電性溶液（２０）中に固定して保持され、該導電性溶液（２０）が、エッチングのとき、同時にエッチングされるべき該領域（１３）にのみ一時的に接触されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
該導電性溶液（２０）が固定位置にあり、一方で、該基材が該溶液に関して一定の速度で移動することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該基材が固定位置にあり、一方で、該溶液（２０）が該基材に関して一定の速度で移動することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
該導電性溶液（２０）が、該電極の大きさに適合し、且つ、該基材の下に配置されたタンク（２１）に含まれることを特徴とする、請求項４〜６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
該基材が、エッチングのために該導電性溶液（２０）に浸漬され、エッチング後、上方に該導電性溶液（２０）が保持されている、非導電性の第２溶液（２３）に浸されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
該基材（１０）が該溶液（２０）中に固定した方法で完全に浸漬され、該層（１１）を備えた面が、該溶液の表面に平行で且つ面しており、該電極（３０）が、エッチングされるべき該領域（１３）に面して一定の速度で移動し、且つ、エッチングされた領域から該電極及びエッチングされるべき該領域を絶縁するために、該電極及びエッチングされるべき該領域をコートするコーティング手段と組み合せられることを特徴とする、請求項１又は請求項２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
該電極が該導電性溶液（２０）中に固定され、一方で、該基材（１０）が、エッチングが徐々に起こるにつれて、次第に該溶液中に浸漬され、エッチ速度が該基材の移動速度の減少によって増加することを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
該基材の移動速度が単調減少の指数関数であることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該電極（３０）が白金から作製されることを特徴とする、請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
該電極（３０）が０．２〜５ｍｍ２の断面積（ｓ）を有することを特徴とする、請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
該電極（３０）から領域（１３）を隔てる該距離（ｄ）が０．１〜３０ｍｍであることを特徴とする、請求項１〜１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
エッチングされるべき全領域（１３）が互いに大体平行な複数のストリップを構成することを特徴とする、請求項１〜１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
該電極（３０）がストリップに対して横に配置されたことを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
該基材（１０）の該層（１１）が該電圧（Ｕ）をかけるために電気接点（１４）を備え、該接点が該基材の１つの端部に配置され、エッチングが任意の電気接点の自由端から該電気接点（１４）を備えた反対側の端まで実施されることを特徴とする、請求項１〜１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
該電極（３０）と該層（１１）の間の電圧が、少なくとも１つのエッチングされていない領域（１３）と接触する導電性溶液（２４）中に電極（３１）を浸漬させることによって得られた電気接点を用いてかけられることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項１９】
該電圧（Ｕ）が該層（１１）を構成する導電性材料の還元電位に少なくとも等しいことを特徴とする、請求項１〜１８の何れか１項に記載の方法。
【請求項２０】
エッチングの間、該電極の近く及び／又は上に生じる酸素及び水素の気泡（５１）を分離するための手段（５０）が提供されたことを特徴とする、請求項１〜１９の何れか１項に記載の方法。
【請求項２１】
酸化スズ、フッ素をドープした酸化スズ、又は、ＩＴＯの層（１１）に対する、請求項１〜２０の何れか１項に記載の方法の応用。
【請求項２２】
請求項１〜２０のうちの１つに従った方法によってエッチングされた、電気伝導性を有する層（１１）を含んで成る透明基材。
【請求項２３】
この基材が５４０℃よりも高い歪み点を有するガラス組成から成り、該基材の収縮値（contraction value）が６０ｐｐｍ未満であり、熱性能（thermal performance）ＤＴが１３０℃よりも高い、請求項２２に記載の基材。
【請求項２４】
請求項２２又は請求項２３に記載の基材を組み込んだ、プラズマスクリーンタイプのディスプレイスクリーン。
【請求項２５】
少なくとも１つの電極（３０）、該電極が浸漬される導電性溶液（２０）を含んで成り、該電極が細長い形状であることを特徴とする、電気伝導性を有する層（１１）で被覆された透明基材（１０）の領域（１３）をエッチングするための装置。
【請求項２６】
該装置が、該基材又は該電極を移動させる手段（５３、５４、５５）、及び、すでにエッチングされた領域を該溶液（２０）から絶縁するための手段（２１、２３、３２）を含んで成り、前記移動させる手段においては、該基材又は該電極がもう一方に関して固定されたままであり、前記手段が該基材又は該電極を固定することができるので、該電極がエッチングされるべき該領域に面していることを特徴とする、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
すでにエッチングされた領域を絶縁するための該手段が、該溶液（２０）を含む、該電極の大きさに適合したタンク（２１）から成ることを特徴とする、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
すでにエッチングされた領域を絶縁するための該手段が、上方に該導電性溶液（２０）が保持されている非導電性溶液（２３）から成ることを特徴とする、請求項２５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基材タイプの透明基材上に堆積させた層、及び、より特には、電極、導電性部材を得るために、少なくともわずかに導電性である層をエッチングするための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、一般的にフラットスクリーンタイプの放射スクリーン（例えば、プラズマスクリーン）のための電極として使用される、フッ素をドープしたＳｎＯ２タイプの金属酸化物に基づいた層について特に有利である。
【０００３】
米国特許第３，８３７，９４４号明細書は、ＳｎＯ２などの導電性金属酸化物の層を、化学的にエッチングするための技術を開示し、それは、まず第一に“ホトレジスト”と称される樹脂に基づいた連続層をエッチングされるべき層に堆積させることにあり、該ホトレジストは、所望のパターンを有するマスクを得るために、陰極板を通して照射され、現像され、次いでリンスされることが必要である。次に、乾燥した亜鉛粉末がマスクを備えた層に堆積され、次いで、樹脂によって覆われない層の領域が、ＨＣｌタイプの強酸の浴に基材を浸すことによって化学的にエッチングされる。
【０００４】
化学的手段によるエッチングはＩＴＯによく適しているが、ＳｎＯ２、又は、より抵抗性のある均一なフッ素をドープしたＳｎＯ２（Ｆ：ＳｎＯ２）については、あまり効果的でないことを示す。
【０００５】
フランス特許出願第２，３２５，０８４号明細書は、電気化学的手段による別の方法を開示している。これは、エッチングされるべき層を備えた基材及び銅電極を、塩酸又は硫酸溶液の浴に浸すことで、電解によって金属酸化物層ＳｎＯ２を還元することに関し、基材と電極は、それぞれ、系のカソードとアノードを形成するために電源に接続される。電極は、一定の速度、例えば、厚さ０．５μｍの層について約１ｃｍ／ｍｉｎでゆっくりと浸漬される基材の高さ及び幅寸法に等しい高さ及び幅寸法を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電気化学的手段によるエッチングの原理は有利であるが、このタイプの電極を用いた上記の方法は、オーバーエッチングという問題をもたらすことがある。
【０００７】
図２はオーバーエッチング現象を図示する。基材は一定の速度で浸漬され、それゆえ、エッチングが基材の進行とともに次第に起こる。基材は浸漬されたままであるので、すでにエッチングされた領域が電解質溶液と接触し、電極に面したたままであり、したがって、エッチングがこの領域で継続され、マスクの下に進む。マスク下の層のこの部分は、それゆえ除去され、オーバーエッチングと称される。それが不均一である場合、エッチングされた基材の電極間の距離はもはや一定ではないので、その時には基材が使えなくなる。
【０００８】
それゆえ、本発明の目的は、電気化学エッチングを使用する、新しいタイプの方法を提案することであり、該方法は、オーバーエッチング現象を相当に制限し、防ぎさえする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、ガラスタイプの透明基材上の、ドープされた金属酸化物タイプの、電気伝導性を有する層を電気化学的にエッチングするための方法であって、基材は、該方法に先立ち、前記層上に堆積された、層上に複数の露出した領域の範囲を定めるパターンを有するマスクを含んで成り、マスクはエッチング後に取り除くことができ、
−層のエッチングされるべき少なくとも１つの領域を導電性溶液と接触させること、
−該溶液中に電極を浸漬させること、及び、該領域に対面させて且つ該領域からある距離（ｄ）で電極を配置すること、
−電極とエッチングされるべき層の間に電圧をかけること、
にある該方法は、少なくとも１つの電極を使用し、該電極が、エッチングが幅ｌに関して層のいくつかの領域に実施されるように、細長い形状を有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
細長い電極形状、即ち、長さよりも相当に小さい寸法の断面を有する電極形状によって、基材が、全表面に関してではなく、及び、それゆえ、すでにエッチングされた領域に面することなく、限定された範囲に関してのみ電極に面することが可能となり、したがって、オーバーエッチングの危険は相当に制限される。
【００１１】
この危険を完全に取り除くために、本発明の方法は、電極又は基材が、一方がもう一方に関して移動し、その結果、電極が同時にエッチングされるべき領域に面して逐次的に配置され、第１実施態様によれば、すでにエッチングされた領域が導電性溶液から物理的に絶縁され、又は、第２実施態様によれば、領域が徐々にエッチングされ、導電性溶液と接触したままであるとき、エッチ速度は減少する。
【００１２】
第１実施態様によれば、電極は導電性溶液中に固定して保持され、該導電性溶液は、エッチングのとき、同時にエッチングされるべき領域にのみ一時的に接触する。この目的で、第１変化形として、導電性溶液が固定位置にあり、一方で、基材が溶液に関して一定の速度で移動し、そうでなければ、基材が固定位置にあり、一方で、溶液が基材に関して一定の速度で移動する。さらにまた、１つの特徴によれば、導電性溶液は電極の大きさに適合し、且つ、基材の下に配置されたタンクに含まれる。
【００１３】
第１実施態様の第２変化形として、基材は、エッチングのために導電性溶液に浸漬され、エッチング後、その上方に導電性溶液が保持されている非導電性の第２溶液に浸される。
【００１４】
第１実施態様の第３変化形によれば、基材は、溶液中に固定した方法で完全に浸漬され、エッチングされるべき層を備えた面は、溶液の表面に平行で且つ面しており、電極は、エッチングされるべき領域に面して一定の速度で移動し、且つ、エッチングされた領域から電極及びエッチングされるべき領域を絶縁するために、電極及びエッチングされるべき領域をコートするコーティング手段と組み合せられる。
【００１５】
本発明の第２実施態様によれば、電極は導電性溶液中に固定され、一方で、基材は、エッチングが徐々に起こるにつれて、次第に溶液中に浸漬され、エッチ速度が、基材の移動速度の減少によって減少する。有利には、基材の移動速度は単調減少の指数関数である。
【００１６】
エッチングされるべき全領域が、互いに大体平行な複数のストリップを構成するとき、電極は該ストリップに対して横に配置される。
【００１７】
好ましくは、基材上に配置した層は、酸化スズ又はフッ素をドープした酸化スズである。
【００１８】
電極は、好ましくは、白金から作製され、０．２〜５ｍｍ２の断面積を有する。
【００１９】
別の特徴によれば、基材は電圧をかけるために電気接点を備え、該接点は基材の１つの端部に配置され、エッチングが、任意の電気接点の自由端から電気接点を備えた反対側の端まで実施される。電圧は、層を構成する導電性材料の還元電位に少なくとも等しい。変化形として、電極と層の間の電圧は、少なくとも１つのエッチングされていない領域と接触する導電性溶液中に電極を浸漬させることで得られた電気接点を用いてかけられる。
【００２０】
有利には、エッチングの間、電極の近く及び／又は上に生じる酸素及び水素の気泡を分離するための手段が提供される。
【００２１】
さらにまた、本発明は、上に説明した方法によってエッチングされた、電気伝導性を有する層を含んで成る透明基材を等しく扱う。
【００２２】
特には、プラズマスクリーンタイプのディスプレイスクリーンにおいて、このタイプの基材を使用することが可能である。
【００２３】
基材は、有利には、５４０℃よりも高い歪み点（より低い焼鈍温度）を有するガラス組成から成ることができ、基材の収縮値（contraction value）が６０ｐｐｍ未満であり、熱性能（thermal performance）ＤＴが１３０℃よりも高い。
【００２４】
本発明の他の利点及び特徴は、添付図に関して以下の記載を読むことで明らかになる。
【００２５】
図は、理解を簡単にするために縮尺に従って作製されていない。
【００２６】
その他の説明における例として、それぞれ、図１の（ａ）と（ｂ）において図示される、本発明のエッチングプロセスを受ける前と後のガラスタイプの透明基材１０を利用することが適切である。
【００２７】
基材１０は、厚さ約２．８ｍｍ、この場合においては、例として、大きさ６０ｃｍ×１００ｃｍのフロートガラスから作製され、プラズマスクリーンタイプの放射スクリーンの前面及び後面を形成するよう設計される。
【００２８】
基材１０は、厚さ３００ｎｍのフッ素をドープした酸化スズ（Ｆ：ＳｎＯ２）の層１１を含んで成り、例えば、それは先の工程で堆積されるが、ここで詳細には記載しない。というのも、フロートガラスリボン上への、若しくは、後の工程におけるカットガラス上への直接的且つ連続的な化学的気相堆積法タイプの技術、又は、一般的に後の工程におけるカットガラス上への真空技術のどちらかによって当業者に公知のためである。
【００２９】
本目的は、長さ１００ｃｍ（基材の長さに相当する寸法）及び幅２５０μｍの平行なストリップの形で電極１１’を提供するために、層の高分解能（high resolution）エッチングを得ることである。これらのストリップは、同じ組に属する２つのストリップ間の距離が８０μｍであり、もう一方から一方を４００μｍで間隔を置いて配置した“２つ１組”の帯に分類してもよい。
【００３０】
樹脂に基づいたマスク１２は、“ホトレジスト”と称され、その厚さを３〜６０μｍまで変化させることができ、エッチングのために層１１全体を覆う。
【００３１】
マスクを堆積させる方法は、当業者に周知で、且つ、該方法の実施態様が、例えば、米国特許第３，８３７，９４４号明細書に記載されているので、以下には説明しない。
【００３２】
マスク１２は、得られるべき電極１１’のストリップ形状を形成するパターンを有する。さらにまた、層１１がマスクのない露出した領域１３にエッチングされ、全体として、平行なストリップをさらに構成する。
【００３３】
本発明のエッチング方法は、エッチングされるべき領域１３を、導電性溶液又は電解液と接触させ、電極を同じ溶液に浸漬させ、電極を各領域１３に面して配置し、電極と層１１の間に電圧をかけることにある。
【００３４】
電極は、好ましくは、基材の幅全体に、且つ、エッチングされるべきストリップに対して横に広がるために細長い形状であり、それによって、いくつかの領域１３を覆うことが可能となり、したがって、いくつかの領域１３を同時にエッチングすることができる（図３）。エッチングは、幅ｌ、例えば、約１ｃｍの、電極の軸に対して直角を成す表面に関して実施される。エッチング操作は、電極又は基材のどちらかを移動させることで、エッチングされるべきストリップに対して横に、且つ、基材の長さ全体に渡って繰り返される。
【００３５】
電極が基材の幅と同じ大きさであることが可能でない場合には、エッチング操作は電極の長さに対応する長さに関して実施され、次いで、全体の長さに関して基材をエッチングするために、該操作を繰り返さなければならない。あるいはまた、製造時間を節約するために、いくつかの電極の使用を考えることができ、該電極のそれぞれが基材の幅の一部をエッチングする。
【００３６】
エッチングは電気化学反応によってもたらされる。即ち、溶液のイオンが、ＳｎＯ２を金属状態（Ｓｎ）に還元して、領域１３の周りに気泡５１として生じる酸素及び水素を発生させるために（図４〜図７）、ＳｎＯ２層をエッチングする電子を運ぶ。超音波などのこれらの気泡を分離するための手段５０（図４）は、気泡がそれ自体Ｆ：ＳｎＯ２層に付着するのを防ぐために使用することができ、それによって、さもなければ短絡を引き起こすエッチングを防ぎ、又は、最小限に抑える。
【００３７】
それゆえ、本発明の方法は、電極又は基材を、もう一方に関して一方を移動させることにあり、その結果、電極が同時にエッチングされるべき領域に面して逐次的に配置され、第１実施態様によれば、すでにエッチングされた領域が、導電性溶液から物理的に絶縁され、又は、第２実施態様によれば、領域が徐々にエッチングされ、導電性溶液と接触したままであるとき、エッチ速度が減少する。
【００３８】
図４〜図６の（ａ）及び（ｂ）は、第１実施態様に従った方法を実施するための装置の変化形を図示し、一方で、図７は、第２実施態様に従った実施装置を図示する。共通の構成要素は同一符号によって示される。
【００３９】
導電性溶液２０は、基材のすべて又は一部を含めることができる浴から構成され、少なくともエッチングされるべき領域は、該溶液と接触していなければならない。例えば、濃度が０．１〜５Ｍ、好ましくは約１Ｍである、塩酸（ＨＣｌ）が選択される。
【００４０】
それゆえ、電極は細長い形状であり、言い換えると、どんな形状であれ、断面が長さよりも寸法において小さいということである。電極は、例えば、有利には、直径が領域１３に面して配置された断面積ｓに対応する、白金から作製された導電線であることができる。変化形として、電極は、厚さが領域１３に面して配置された断面積ｓに大体対応する、硬質金属シートなどの平らな平行六面体の導電性部材であることができる。
【００４１】
電極の断面積ｓの直径は、例えば、０．５ｍｍに等しいが、それより大きく、又は、小さくてもよい。サイズは、選択された電極のタイプに従って変えられるべきであり、例えば、電線について、サイズは、ある程度の硬性を提供するために、電線長さ及び材料に依存する。断面積は、有利には、０．２〜５ｍｍ２である。
【００４２】
エッチングされるべき層から電極を隔てる距離ｄは、層から電極を隔てる最短距離、言い換えると、基材平面に対して垂直での距離として規定される。該距離は、例としてここに取り上げる基材タイプについて、０．１ｍｍ〜３ｃｍまで変化させることができるが、特には、エッチングされるべき領域の所望の幅及び深さによって、及び、電極の断面積ｓによって決定される。
【００４３】
層１１に接続した電気接点１４が用意され、基材の端部の１つに固定した方法において、電気接点１４が電圧発生器４０のマイナス端子に接続され、一方で、電極３０がプラス端子に接続される。理解されるように、エッチングがエッチングされるべき層１１の平行なストリップに対して横に実施され、加えて、有利には、エッチングは、エッチングされるべき残りの領域の一定な電気接続を提供するために、電気接点のない基材の端部で開始し、接点１４用の端部で終了し、基材に関して唯一電極が移動すること、又は、その逆、が必要であるとわかる。
【００４４】
変化形として、基材上の、このタイプの電気接点の固定を避けるために、図６の（ｂ）に関して以下に記載されるように、毛管作用によって、導電性溶液を用いて作用させる接点を考えることが可能である。
【００４５】
発生器４０によって提供され、且つ、電極３０と層１１の間にかけられる電圧Ｕは、最低でも、層の金属又は金属酸化物の還元電位に等しくなければならない。ＳｎＯ２については、最低電圧は２Ｖである。数百ボルトまで電圧をかけることを想定することが可能である。この同じ発生器によって供給される電流は、例えば、３Ａであることができる。
【００４６】
最後に、電極３０がエッチングされるべき領域１３に面する位置にある間の、及び、電圧がかけられる間のエッチング時間は、例としてここに取り上げた基材のタイプについては、数秒から数分まで変化させることができる。ここでさらに、該時間は、該方法に関係する、前述のさまざまなパラメーターに依存し、特には、距離ｄ及びエッチングされるべき領域の厚さ、即ち、層１１の厚さに依存する。
【００４７】
したがって、所与の幅及び厚さの領域をエッチングするための方法に関係する、さまざまなパラメーターは、溶液濃度、電流、距離ｄ、電極の断面積ｓ、及び、エッチング時間であるが、それらは互いに依存し合い、その結果として、互いに関して調整されなければならない。
【００４８】
図４に見ることができ、及び、マスクのない、それゆえエッチングされるべき基材の、ストリップに平行で且つそれを貫く平面における断面図を図示する、第１実施態様の第１変化形においては、基材１０は完全に溶液２０中に水平に浸漬され、固定した状態で保持され、層１１及びマスク１２を備えた面は、溶液表面の方へ向けられる。エッチングは、並進運動Ｆにおいて一定の速度で電極３０を動かすことによって実施される。
【００４９】
層１１は、電気接点１４を経由して発生器４０の負極へ基材の端部の１つによって接続され、一方で、発生器４０の正極は電極３０へ接続される。
【００５０】
白金線から成る電極３０は、エッチングされるべきストリップに対し横に配置され、該線はエッチングされるべき領域１３の垂直面に位置する。
【００５１】
電極は、図２に見ることはできないが、図８に図示されるサポート手段３１を用いることによって、エッチングの間、固定位置に保持される。サポート手段３１はＵ字形のフレームを含み、該Ｕ字形フレームは絶縁しており、導電性溶液２０に化学的に抵抗することができ、例えばＰＶＣ製であり、その周りには、白金線がきつく締められている。Ｕ字形フレームのリード（脚）３１ａは基材の上に位置し、該線３０は、Ｕ字形クリップのリード（脚）３１ａに向かい合って配置された２つの切り込み３１ｂにかみ合わされることによって基材から距離ｄで保持され、切り込みの高さｈが距離ｄに相当する。可能性のある、異なった距離ｄを提供するために、異なる高さのいくつかの切り込み３１ｂを備えることができる。
【００５２】
すでにエッチングされた領域のオーバーエッチングを完全に回避するためには、エッチングプロセスにおける領域は、フレキシブルスカートなどの遮蔽手段３２を用いて、電極及び領域を取り囲むことによって物理的に絶縁される。該スカートは、電極３０を取り囲むよう設計され、セクション（裾）３２ａは、層１１を引掻くことなく、層１１と同一平面にあり、エッチングされた領域１３の各面の上に垂れる。
【００５３】
最後に、水素及び酸素の気泡を分離する手段として、超音波を使用することよりも、層のより“穏やかな（gentle）”エッチングが、吸上げ・押込み（lift-and-force）ポンプ５０を用いて導電性溶液の閉循環を取り付けることにより考慮される。例えば、該ポンプは、気泡を追い出すために、一方の端部で溶液から液体を吸い込み、該方法においてエッチングされた領域１３の上のもう一方の端部で液体を排出する。
【００５４】
図５に図示される第１実施態様の第２変化形においては、電極３０は導電性溶液２０中で固定位置にあり、一方で、基材１０は、機械アームによって操作されるクランプなどの移動手段５３により溶液内へ、移動Ｆに沿って垂直に、且つ、一定の速度で浸漬される。
【００５５】
導電性溶液２０は、非導電性溶液２３の上方に保持されている。溶液２０の高さはエッチングされるべきストリップ１３のエッチング幅ｌ（図２）に少なくとも相当し、非導電性溶液２３の高さは基材のサイズに大体等しい。基材が浸漬している間、溶液２０のオーバーフローを受け取るために、タンク５２は溶液２０及び２３を収容する。
【００５６】
したがって、基材をエッチングのために溶液２０に入れた後、溶液２３に導入し、溶液２３は非導電性であり、直ちにエッチングを停止させる。オーバーエッチングのあらゆる危険を取り除く。
【００５７】
第３実施態様（図６の（ａ）及び（ｂ））においては、電極３０は導電性溶液２０中に固定して保持され、該電極３０は、エッチングのとき、同時にエッチングされるべき領域１３にのみ一時的に接触する。
【００５８】
これを達成するために、電極３０は、溶液２０を含み、且つ、ちょうど電極のサイズに適合するタンク２１に浸したままにする。次いで、基材のエッチングされるべき領域を毛管作用によって溶液と接触させ、電極がこれらの領域に面する。
【００５９】
固定位置にあるタンク２１に関して基材を移動させること、又は、固定位置にある基材に関してタンク２１を移動させることのどちらかによって、エッチングされるべき領域を逐次的に接触させ、前者においては、基材が適切な駆動手段５４によってタンク２１の上を一定速度で通り過ぎることが可能であり、後者においては、タンク２１が適切な駆動手段５５を用いて一定速度で通り過ぎ、下方で基材はサスペンション手段によって位置に保持される。
【００６０】
溶液２０が常に基材と接触するように、２つの部材のうちの１つが連続的に移動し、過度の圧力をかける手段（図示されない）が、溶液２０の小さく泡立つ状態又は恒久的なオーバーフロー状態を得るために提供される。
【００６１】
したがって、電極３０を含む導電性溶液２０は、エッチングのためにのみ同時にエッチングされるべき領域１３と接触し、いったん領域がエッチングされると、該領域はもはや該溶液とは接触せず、必然的にオーバーエッチング現象を回避する。
【００６２】
選択的には、次いで、導電性溶液のどんな残留物も、基材のエッチングされた領域を、水で満たした別のタンク２２と接触させることによって、基材のエッチングされた表面からリンスすることができる。このタンクは、基材が移動する場合には、固定であり、又は、基材が固定されている場合には、移動式である。
【００６３】
この装置においては、電極のタイプとして、電線ではなく、例えば、金属的性格を与えた支持体を使用することが相当に可能であり、該支持体は構造的にタンク２１に一体化され、基材に面して配置される金属を収容するチャンネルを構成している。
【００６４】
図６の（ａ）においては、電気接点１４は、基材の端部の１つに固定され、すでに上で説明したように、基材の自由端から電気的に接続した端部の方へ、エッチング操作が実施される。
【００６５】
図６の（ｂ）においては、基材から物理的に独立している電気接点１４は、タンク２５に含まれる導電性溶液２４中に浸した電極３３から成ることが好ましく、溶液２４は、基材のまだエッチングされていない領域としての少なくとも１つに接触する。さらにまた、タンク２５は、同等のタンク２１から一定の距離、及び、層１１の２つの平行なスプリットを隔てる少なくとも１つの距離に比例した距離によって隔てられる。
【００６６】
第２実施態様（図７）に従った方法を実施するための装置においては、電極３０は固定位置にあり、一方で、基材１０は、領域１３をエッチングするために並進運動Ｆに従って、溶液２０の中へ、垂直又は斜めに次第に浸される。
【００６７】
白金線から成る電極３０は、基材の並進運動に平行な滑り座において滑らかに動くことのできるフロート３４にしっかり固定される。フロートによって、基材の段階的な導入で溶液の液位が増加する結果として、電極と基材の距離ｄを一定に保つことが可能となる。また、この場合においては、フロートは電極と基材の距離ｄを固定された状態に保つための例として取り上げた手段である。さらに、基材の段階的な導入による溶液のオーバーフローのために、回収タンクを提供することが可能である。
【００６８】
基材１０はエッチング時間の間、固定位置を保ち、エッチングされるべき領域１３は電線３０に面して配置される。基材は、図には見ることのできない可動式の支持手段によって移動する。エッチングされるべきストリップに対して側部の、基材の２つの端は、基材の移動方向に位置するガイドレールにおいて滑らかに動くことができる支持手段と組み合せられる。
【００６９】
基材の電気接点１４は、溶液２０から出ている基材の上方端部に位置するので、電気接続はエッチングの間、耐久性がある。
【００７０】
電極に面して配置される領域を制限することに反して、オーバーエッチング現象が起こらないことを確実にするためには、エッチ速度を浸漬の間に増加させる。これをするためには、基材の浸漬速度を、好ましくは、単調減少の指数タイプの関数に従って減少させる。
【００７１】
上で説明した実施態様及び変化形の何れか１つに従って、層１１を領域１３のすべてに渡ってエッチングした後、当業者に周知の工程である、適切な溶剤にマスクを溶解させることによる化学的手段、又は、高温のエアナイフをマスクの上にブローする、若しくは、基材を炉に通過させる、熱処理のどちらかによってマスクを取り除く。
【００７２】
上記のエッチング方法は、特には、ＳｎＯ２をエッチングするのに適しているが、もちろん、導電性の、又は、あまり導電性でない、あらゆるタイプの金属、又は、ＩＴＯなどの金属酸化物に応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれエッチングプロセス前及び後の基材を示す。
【図２】オーバーエッチング現象を示す。
【図３】マスクを備えた基材の上面図であり、該基材の層の一部がエッチングされている。
【図４】本発明を実施する方法の変化形の断面における略図である。
【図５】本発明を実施する方法の変化形の断面における略図である。
【図６】本発明を実施する方法の変化形の断面における略図である。
【図７】本発明を実施する方法の変化形の断面における略図である。
【図８】図４の変化形に関して支持体と関連した電極の投影図である。
【図２】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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