(57)【要約】本発明は、光起電性モジュールの光起電性セルを保護しかつ保持することを意図されたデバイスに関する。特に、本発明は、該セルの異常動作を回避することを可能にする。本発明は、少なくとも１つの光起電性モジュール（１０）のためのアンチホットスポットデバイスであって、−　光起電性モジュールシャントダイオード（２０）と、−　光起電性モジュールの少なくとも１つの動作特徴を検出する手段（３６，４０）と、−　異常動作特徴が検出されることに応答して、光起電性モジュール（１０）をチェーンから絶縁する手段（２２，３４）とを具備することを特徴とするデバイスである。
2004501506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電性モジュールのチェーン内に接続された少なくとも１つの光起電性モジュール（１０）のためのアンチホットスポットデバイスであって、
−　光起電性モジュールシャントダイオード（２０）と、
−　光起電性モジュールの少なくとも１つの動作特徴を検出する手段（３６，４０）と、
−　異常動作特徴が検出されることに応答して、電流がモジュール（１０）内を循環することを防ぐ手段（２２，３４）と
を具備する
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
電流が光起電性モジュール内を循環することを防ぐ手段は、
−　シャントダイオード（２０）の端子間において、モジュールのチェーン内の光起電性モジュール（１０）と直列に接続されたオン／オフパワースイッチ（２２）と、
−　動作特徴検出手段によって制御され、スレッショルドが該特徴によって横切られることに応答してオン／オフスイッチを開くオン／オフスイッチ制御手段（３４）と
を具備する
ことを特徴とする請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
オン／オフスイッチが閉じることを、動作特徴とは無関係に周期的に引き起こす手段（３８）
を追加的に具備する
ことを特徴とする請求項２記載のデバイス。
【請求項４】
オン／オフパワースイッチが閉じることを周期的に引き起こす手段（３８）は、単安定回路（３６，３８，４０）の一部である
ことを特徴とする請求項３記載のデバイス。
【請求項５】
動作特徴は、光起電性モジュールの端子における電圧である　ことを特徴とする請求項１または請求項２の何れかに記載のデバイス。
【請求項６】
動作特徴を検出する手段は、
光起電性モジュールに並列に接続され、かつ、モジュール端子における電圧がシャントダイオード（２０）の伝導スレッショルドより上であるときに充電状態を保持するキャパシタ（３６）と、
キャパシタ（３６）と直列であり、シャントダイオード（２０）が伝導性を有するようになるとキャパシタを放電する放電ダイオード（４０）と
を具備する
ことを特徴とする請求項５記載のデバイス。
【請求項７】
オン／オフパワースイッチ制御手段は、キャパシタ（３６）の端子に接続されたスレッショルドスイッチ（３４）を具備する
ことを特徴とする請求項２記載のデバイス。
【請求項８】
オン／オフパワースイッチ（２２）は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタを具備する
ことを特徴とする請求項２記載のデバイス。
【請求項９】
直列に接続された複数の光起電性モジュール（１０）を具備する光起電性ジェネレータであって、
該光起電性ジェネレータにおいて、各光起電性モジュールは、請求項１から請求項８のいずれかに記載のアンチホットスポットデバイス（３０）を備えられている
ことを特徴とする光起電性ジェネレータ。
【請求項１０】
複数の光起電性セルと、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のアンチホットスポットデバイスと
を具備する
ことを特徴とする光起電性モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光起電性モジュールの光起電性セルを保護しかつ保持することを意図されたデバイスに関する。特に、本発明は、該セルの異常動作を回避することを可能にする。該異常動作は、セルが過熱することを引き起こし、それによってセルがより速く経年変化することを引き起こす。
【０００２】
故に、該デバイスは「アンチホットスポット（ａｎｔｉ−ｈｏｔ ｓｐｏｔ） 」デバイスと称される。
【０００３】
本発明は、光起電性ジェネレータの製造において用途を見出す。
【０００４】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
光起電性ジェネレータ（特に、ハイパワーの光起電性ジェネレータ）は、一般的に、いくつかのサブジェネレータに分割される。
【０００５】
該サブジェネレータは（鎖状に結び付けられた）１または２以上の光起電性モジュールを具備し、かつ、ジェネレータの全体の電力を増大させるためにそれら自身が結び付けられている。そして、各サブジェネレータは、サブジェネレータがそのピークパワーポイントへスレーブされることを可能にするレギュレータを備えられていてもよい。
【０００６】
ジェネレータを（そのピークパワーポイントへ個々にスレーブされる）サブジェネレータに分割することの目的は、ジェネレータの異なる光起電性モジュールの間に現れまたは初めに存在するであろう不均衡を制限することである。
【０００７】
不均衡は、モジュールまたはモジュールのチェーンの間のみならず、モジュールを構成する異なる個々の光起電性セルの間にも存在する。動作不均衡は、光起電性セルの不均一の照明から、または、該セルの温度の間における差異から、または、該セルの経年変化から、または、接触不良から、または、該セルの表面状態から引き起こるかも知れない。不均衡はまた、関係付けられたセルの初期物理特徴のばらつきから引き起こるかも知れない。そして、それらは、不均一な照明または動作温度によって強められる。
【０００８】
動作不均衡は、それが重大なときには、モジュール内の多数の光起電性セルの極性が反転されることを引き起こすかも知れない。そして、それらのセルは、電流のジェネレータとしてよりもむしろレシーバとして動作し、かつ、電気的エネルギーを供給する代わりに該エネルギーを吸収する。
【０００９】
より正確には、極性が反転されたセルは、該セルが直列に接続された全てのセルの電気的エネルギーを吸収する。故に、該セルは、該セルを損傷する程の重大な電気的エネルギーを受ける。更に、該セルによって吸収された電力は、ジェネレータによって発せられる電力全体から取り去られる。
【００１０】
欠陥のあるセルによって吸収される電力を制限するための既知の方法は、直列のある一定数のセルから形成されるユニットにシャントダイオードを結び付けることである。
【００１１】
シャントダイオードを備えられたジェネレータが、添付された図１に示される。
【００１２】
図１のジェネレータは、複数の光起電性モジュール１０を具備する。モジュール１０は互いに同一である。モジュール１０は、モジュールのチェーンを形成するために直列に接続される。モジュールのチェーンは、出力端子１２，１４によって終端される。出力端子１２，１４には電荷が結合される。
【００１３】
該モジュールは、例えば、５０Ｗの電力を有するモジュールであり、３６個の光起電性セルを直列に配置することによって形成される。図面では、明瞭性のために、個々の光起電性セルは示されない。
【００１４】
図１に示されるように、シャントダイオード２０が、各モジュール１０にそれぞれ並列に接続される。
【００１５】
図１によるデバイスでは、光起電性モジュールのうちの１つの個々のセルがその極性が反転されたことを見出すと、それは、出力端子１２，１４の間の直列の全てのセルによって供給される電気的電力ではなく、該光起電性モジュールの一部であるセルによって供給される電力のみを吸収する。故に、選択された例では、欠陥のあるセルは、該セルがレシーバとして動作するときは、単に最大５０ワットの電力に耐えればよい。
【００１６】
チェーンの他のモジュールによって供給される電流は、欠陥のあるセルを具備するモジュールに結び付けられたシャントダイオード２０を通過する。これの追加の利点は「ジェネレータが、欠陥のあるセルを具備するモジュールによって供給される電力から切り離されるだけである」ということである。
【００１７】
通常動作において、シャントダイオードは、反転分極される。しかしながら、欠陥のあるセルを具備するモジュール（言い換えると、電圧が消散する端子におけるモジュール）に結び付けられたシャントダイオードは、チェーンの他のモジュールによって印加される電流を通過させる（通常に動作する）。
【００１８】
いくつかの否定的な効果を減少させるにもかかわらず、シャントダイオードの使用は、その信頼性が長期に渡って保証されることができるジェネレータを取得することを可能にしない。
【００１９】
実際、（本発明者によって識別されかつ以下に開示される）ある一定数の追加の問題が、光起電性ジェネレータの寿命と生産性とを減少することを補助する。
【００２０】
光起電性セルがレシーバとして動作するとき、該セルの極性が反転されることに加えて、該セルは、先に示されるように、該セルと直列の他のセルによって供給されるエネルギーの全てまたは一部を吸収する。
【００２１】
故に、たとえシャントダイオードが提供されても、レシーバとして動作するセルは、該セルがその一部であるモジュールの他のセルから受けられた電力の熱消散の影響の下において、その温度が増大することを見出す。このようにして、所謂ホットスポットが形成される。
【００２２】
そして、温度の増大は、このセルと通常温度のままである他のセルとの間における不均衡を増大させる。
【００２３】
この仕組みは、ホットスポットがロックイン（ｌｏｃｋ−ｉｎ ）されることに通じる。言い換えると、ロックインは、初期の不均衡の原因が消滅したときでさえ、セルが（ジェネレータとしての）通常の動作モードに戻ることを妨げる。
【００２４】
「ロックインされたセルへ供給される電流が消滅する」および「セルが冷やされることが可能である」というような方法で、光起電性ジェネレータが照らされることを停止すると、ホットスポットロックインは消滅するかも知れない。
【００２５】
しかしながら、該セルがホットスポットとしてロックインされると、加速された経年変化が、該セルにおいて注目されることがある。実際、これらのセルの物理的特徴は、通常に動作しているセルとは異なって進行する。このことの結果は、セル間の特徴のばらつきと不均衡とを増大させることであり、それによって、ホットスポットロックインメカニズムを促進することである。
【００２６】
いくつかのセルの早すぎる経年変化はまた、ホットスポットロックインの数を増大させ、かつ、ジェネレータ全体の寿命と信頼性とを減少させる。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、上述された問題を有しない光起電性ジェネレータを提案することである。
【００２８】
他の目的は、アンチホットスポットデバイスと呼ばれるデバイスを提案することである。該デバイスは、いくつかのセルがホットスポットとしてロックインすることを防ぐことによって、該セルの早すぎる経年変化を減少させることを目的とする。
【００２９】
最後の１つの目的は、簡単かつ経済的なデバイスを提案することである。該デバイスは、光起電性ジェネレータの寿命と信頼性と生産性とが増大されることを可能にする。
【００３０】
これらの目的を満たすことにおいて、本発明の的確な対象は、光起電性モジュールのチェーン内に接続された少なくとも１つの光起電性モジュールのためのアンチホットスポットデバイスである。該デバイスは、
−  光起電性モジュールシャントダイオードと、
−  光起電性モジュールの少なくとも１つの動作特徴を検出する手段と、
−  異常動作特徴が検出されることに応答して、電流がモジュール内を循環することを防ぐ手段と
を具備する。
【００３１】
電流がモジュール内を循環することを防ぐことによって、特に、モジュールの反転されたセルを電流が通過することを防ぐことが可能になる。
【００３２】
異常動作特徴によって、公差の範囲外にある特徴が（例えば、その値がスレッショルド値をプラス方向にまたはマイナス方向に横切るときに）理解される。
【００３３】
本発明のデバイスでは、モジュールが欠陥のあるセルを有するとき、シャントダイオードは、チェーン内の他のモジュールによって生成された電流を分流するために常に使用される（通常の動作）。
【００３４】
更に、本発明によれば、欠陥のあるセル（例えば、動作不均衡の結果として、その極性が反転されるセル）を有するモジュールがチェーンから絶縁される。
【００３５】
欠陥のあるセルを伴うモジュールの電気的絶縁は、通常動作を行っているモジュールの他のセルが（レシーバとして動作するであろう）欠陥のあるセルへ電流を供給することを防ぐことを可能にする。
【００３６】
故に、欠陥のあるセルの温度は、熱消散によって維持されることはなく、また、増大されることもない。故に、該セルは、隣接するセルの温度と等しい温度を回復または保持できる。言い換えると、当該モジュールの電気的絶縁は、欠陥のあるセルがホットスポットとしてロックインすることを防ぐことを可能にする。
【００３７】
このことは、当該セルとモジュールの他のセルとの間におけるバランスがより迅速に復元されることを可能にする。ここでは、全ての光起電性セルがジェネレータとして通常動作することを可能にするのに十分小さい特徴のばらつきであるように、バランスがとられる。しかしながら、このことは「あるセルの特徴と他のセルの特徴とが絶対的に等しい」ということを前提としない。
【００３８】
更に、モジュールを絶縁することは（ホットスポットロックインに結合された）欠陥のあるセルの早すぎる経年変化を防ぐことを可能にする。
【００３９】
本デバイスの１つの詳細な実施形態によると、光起電性モジュールを絶縁する手段は、
−  シャントダイオードの端子間において、モジュールのチェーン内の光起電性モジュールと直列に接続されたオン／オフパワースイッチと、
−  動作特徴検出手段によって制御され、スレッショルドが横切られることに応答してオン／オフスイッチを開くスレッショルドオン／オフスイッチ制御手段と
を具備する。
【００４０】
スレッショルド制御手段を使用することは、わずかな動作不均衡に関しては、モジュールが絶縁されることを引き起こさないことを可能にし、しかし、極性の反転のような機能障害がセルに関して発生するときのみ、モジュールが絶縁されることを引き起こすことを可能にする。
【００４１】
更に、「シャントダイオードの端子間において光起電性モジュールと直列にオン／オフスイッチを配置することは、このダイオードがオン状態であるときに、該ダイオードが絶縁されたモジュールを短絡することを防ぐことができる」ということが注目されるべきである。
【００４２】
上述されたスレッショルドは、考慮される動作特徴によっては、より高い値またはより低い値によって横切られてもよい。
【００４３】
一例として、検出された動作特徴がモジュール端子における電圧（または、この電圧に結合された値）であるとき、オン／オフスイッチは、通常として考慮されるモジュール動作のより低い限定に対応するスレッショルド電圧より下の電圧値によって開くことを引き起こされてもよい。
【００４４】
他の例では、セルの温度が検出される場合、オン／オフスイッチは、最大設定温度を超える光起電性セル温度が検出されることに応答して、開くことを引き起こされることができる。
【００４５】
本発明の他の有利な詳細によれば、オン／オフスイッチ制御手段は、オン／オフスイッチが閉じることを動作特徴とは無関係に周期的に引き起こす手段を具備してもよい。
【００４６】
この特徴は、モジュール絶縁状態を、可能な限り短い時間の間、保持することを可能にする。実際、もし機能障害の原因が消滅したならば、オン／オフスイッチを閉じることは、モジュールを再接続することを可能にし、それによって、チェーンの最大電力を回復することを可能にする。
【００４７】
一方、もしセルバランスが持続するならば、オン／オフスイッチの各々の周期的な閉止が、欠陥のある動作に等しい動作特徴が検出されることによって引き起こされるオン／オフスイッチの他の開放によって、それぞれ続かれる。
【００４８】
オン／オフスイッチが周期的に閉じることを引き起こす手段は、遅延自動「リセット」システムに類似する。該システムは、ジェネレータ全体が接続断されることを防ぐことができ、または、オペレータが何れかの方法で割り込まなくてはならないことを防ぐことができる。
【００４９】
遅延自動リセット（単安定）手段の詳細な実施形態において、それらはキャパシタを具備してもよい。該キャパシタは、光起電性モジュールに並列に接続され、かつ、モジュール端子における電圧がスレッショルドより上であるときには、抵抗によって充電状態を保持する。そして、キャパシタと直列である放電ダイオードが、シャントダイオードが伝導性を有するようになるときにキャパシタを放電するために提供される。
【００５０】
この実施形態では、放電ダイオードと結び付けられたキャパシタは、その充電状態を介して、モジュールの動作特徴を示す。実際、キャパシタ端子における電圧は、通常動作におけるモジュール電圧にほぼ等しい。
【００５１】
キャパシタに関連付けられて、オン／オフパワースイッチ制御手段は、スレッショルドスイッチを具備してもよい。これは、キャパシタ端子間に存在する電圧の関数として（言い換えると、キャパシタの充電の関数として）切り替わるように、キャパシタ端子に接続される。キャパシタ端子における電圧が（ダイオードを通した放電によって）スレッショルドより下に変化すると、オン／オフ制御スイッチは開く（オフ状態）。オン／オフパワースイッチゲートは、オン／オフ制御スイッチによってはもはや分極されず、かつ、ゲート−ドレイン抵抗を通して放電する。オン／オフパワースイッチが開く（オフ状態）。そして、キャパシタは、抵抗によって再充電される。所与の時間の後、リセットが行われる。
【００５２】
オン／オフパワースイッチは、１または２以上のＭＯＳＦＥＴトランジスタ（金属酸化物半導体タイプの電界効果トランジスタ）を具備してもよい。この場合、スレッショルドスイッチは、オン／オフパワースイッチをオン状態またはオフ状態で動作させることができ、それによって、モジュールを絶縁させまたは絶縁させない。
【００５３】
本発明はまた、直列に接続された複数の光起電性モジュールを具備する光起電性ジェネレータに関する。該ジェネレータにおいて、各光起電性モジュールは、上述されたようなアンチホットスポットデバイスを備えられる。
【００５４】
本発明の他の特徴および利点は、添付図面を参照して、以下の記述から明らかになるであろう。この記述は、単に一例として与えられ、かつ、限定的なものとしては与えられない。
【００５５】
【発明の実施の形態】
図２は、光起電性モジュール１０を示す。光起電性モジュール１０は、モジュールのチェーンを形成するために、光起電性ジェネレータの第１端子１２と第２端子１４との間において、他のモジュールと直列に接続される。図の例では、端子１２はジェネレータの負極端子であり、かつ、端子１４は正極端子である。本質的に既知のタイプのモジュール１０は、好ましくは、直列に接続された複数の光起電性セルを具備する。モジュール１０は、ジェネレータの枝路において、ｎタイプＭＯＳＦＥＴトランジスタ２２と直列に接続される。トランジスタ２２のソースは、モジュールの第１端子２４に接続される。トランジスタ２２のドレインは、チェーンにおける前のモジュールの端子（即ち、この図の例では、ジェネレータの第１端子１２）に接続される。ここでオン／オフパワースイッチとして使用されるＭＯＳＦＥＴトランジスタは、アンチホットスポットデバイス３０の一部である。該デバイス３０は、更に、モジュール１０の第２端子２６に接続される。
【００５６】
また、シャントダイオード２０が示されるべきである。シャントダイオード２０のアノードは、トランジスタ２２のドレインに接続され、かつ、シャントダイオード２０のカソードは、モジュールの第２端子２６に接続される。シャントダイオード２０は、該ダイオードを備えられた当該モジュールがチェーンから絶縁されると、該チェーンの他のモジュールによって生成される電流が通過することを可能にする。
【００５７】
ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２２のゲートは、第１分極化抵抗３２によって、該トランジスタ２２のソースに接続され、それによって、モジュールの第１端子２４に接続される。該ゲートは更に、スレッショルドスイッチ３４を介して、モジュールの第２端子２６に接続される。スレッショルドスイッチ３４は、通常動作モードでは閉じられる（オン状態）。
【００５８】
この動作モードでは、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２２は、伝導性を有し、かつ、モジュール１０を他のモジュールと直列に配置することによってモジュール１０をチェーンへ接続する。トランジスタ２２のゲートは、閉じられたオン／オフ制御スイッチ（オン状態）によって、モジュールの電圧へ分極される。
【００５９】
この目的のために、大きな電流を伝導することができかつ（通常のモジュール電圧と比較して無視してよいほど）十分に小さな電圧降下を有するトランジスタが好ましくは選択される。
【００６０】
スレッショルドスイッチ３４は、キャパシタ３６の端子における電圧によって制御される。該キャパシタは、第２抵抗３８とダイオード４０とによって、モジュールの端子に接続される。より正確には、第２抵抗とダイオードとは、互いに並列に接続され、かつ、キャパシタ３６のプレートの内の１つをモジュールの第２端子２６に接続する。該キャパシタの他のプレートは、モジュール１０の第１端子２４に直接接続される。ダイオード４０は更に、本テキストの残りにおいて、「放電ダイオード」と称される。
【００６１】
モジュール１０が通常動作をしているとき（言い換えると、全てのモジュールセルがジェネレータとして振る舞っているとき）、ダイオード４０は、オフ状態方向に分極される。第２抵抗によって充電されたキャパシタ３６は、スレッショルドスイッチ３４が閉位置（オン状態）のままであるのに十分な電圧をスレッショルドスイッチ３４の入力に印加することを可能にする。しかしながら、先に示されたように、スレッショルドスイッチ３４が閉位置（オン状態）にあるとき、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２２は、オン状態で動作し、かつ、閉じられたオン／オフスイッチに類似する。
【００６２】
モジュール１０の電圧が外部チェーンによって注入されている電流から伝導性を有するようにされているシャントダイオード２０へ更に落ち込むと、放電ダイオード４０は、直接分極され、かつ、キャパシタ３６を放電する。
【００６３】
キャパシタの電圧降下は、スレッショルドスイッチ３４が開く（オフ状態になる）ことを引き起こす。そして、ＭＯＳＦＥＴ２２は、抵抗３２を通して放電される。ＭＯＳＦＥＴが開く（オフ状態）。
【００６４】
そして、ＭＯＳＦＥＴは、開いたオン／オフスイッチのように振る舞い、かつ、当該モジュール１０をチェーンの他のモジュールから絶縁する。
【００６５】
キャパシタ３６は、放電された後、放電状態にとどまらない。キャパシタ３６は、絶縁されたモジュール１０の端子において、第２抵抗３８によって再充電される。
【００６６】
キャパシタの端子における電圧がスイッチ３４のスレッショルドを再度超えるとすぐに、該スイッチ３４は閉じ（オン状態）、かつ、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２２は再度オン状態にされる。
【００６７】
もし当該モジュール１０（または、該モジュールのセルの少なくとも１つ）に影響を及ぼす動作障害が消滅したならば、キャパシタ３６は充電されたままであり、かつ、該モジュールはチェーン内に接続された状態を保持される。一方、もし障害が持続するならば、キャパシタ３６は放電ダイオード４０を通して再度放電され、、かつ、モジュールは（オフ状態にされている）ＭＯＳＦＥＴトランジスタ２２によって再度絶縁される。
【００６８】
故に、キャパシタ３６と放電ダイオード４０と第２抵抗３８とによって形成されるユニットは、モジュールが絶縁される時間を設定する単安定回路を構成する。
【００６９】
先に説明されたように、モジュールの一時的な絶縁は、ホットスポットロックインを防ぐことを可能にし、それによって、当該セルを早すぎる経年変化から保護する。
【００７０】
ここで記述された例において、光電ジェネレータは、光電モジュール１０のチェーンを具備する。各モジュールは、アンチホットスポットデバイス３０と結び付けられる。モジュールとアンチホットスポットデバイスとによって形成されるユニットは、参照番号５０を用いて識別される。簡単化のために、図２では、２つのユニット５０のみのチェーンが示される。
【００７１】
「アンチホットスポットデバイスは、様々な数のセルまたは光起電性モジュールと結び付けられてもよい」ということも指摘されるべきである。
【００７２】
更に、「ジェネレータは、モジュールのいくつかのチェーンを並列に具備してもよい」ということが指摘されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】いくつかの光起電性モジュールのチェーンを備えられた既知のタイプの光起電性ジェネレータの枝路の一例を示す図である。
【図２】本発明によるアンチホットスポットデバイスを備えられ、かつ、部分的に示されたジェネレータの枝路において接続されたより大きなスケールの光起電性モジュールの一例を示す図である。
【符号の説明】
１０……光起電性モジュール
２０……シャントダイオード
２２……ＭＯＳＦＥＴトランジスタ
３０……アンチホットスポットデバイス
３２……第１抵抗
３４……スレッショルドスイッチ
３６……キャパシタ
３８……第２抵抗
４０……放電ダイオード
【国際公開パンフレット】
2004501506.tif 000003
2004501506.tif 000004
2004501506.tif 000005
2004501506.tif 000006
2004501506.tif 000007
2004501506.tif 000008
2004501506.tif 000009
2004501506.tif 000010
2004501506.tif 000011
2004501506.tif 000012
2004501506.tif 000013
2004501506.tif 000014
2004501506.tif 000015
2004501506.tif 000016
2004501506.tif 000017
2004501506.tif 000018
2004501506.tif 000019
2004501506.tif 000020
2004501506.tif 000021
2004501506.tif 000022
2004501506.tif 000023
【国際調査報告】
2004501506.tif 000024
2004501506.tif 000025
2004501506.tif 000026
2004501506.tif 000027