(57)【要約】ＩＣ装置をテストするためのテストステーションのノードが監視され、何らかの望ましくないＤＣ過渡電流の発生が検出される。ＩＣ装置をテストするためのテストステーションは、ＩＣ装置のテスト中、ＩＣ装置を保持するためのテストボードと、ＩＣ装置にバイアスをかけるための少なくとも１つの電圧源と、ＩＣ装置に結合された駆動信号を与えるための信号駆動源とを含む。望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を保護するためのシステムは、少なくとも１つの電圧源、信号駆動源およびテストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおける望ましくないＤＣ過渡電流の発生を監視する信号測定ユニットを含む。このシステムはまた、データ処理ユニットと、信号測定ユニットとデータ処理ユニットとの間に結合されたデータインターフェイスバスとを含む。信号測定ユニットは、データインターフェイスバスを介して、少なくとも１つの電圧源、信号駆動源およびテストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおいて測定された望ましくないＤＣ過渡電流の信号をデータ処理ユニットへ送る。データ処理ユニットは、この望ましくないＤＣ過渡電流の信号がしきい値特性を超えるか否かを判定する。データ処理ユニットは、望ましくないＤＣ過渡電流の信号がしきい値特性を超える場合テストステーションが適切な順序で停止するようにテストステーションの構成要素を制御するためのＩ／Ｏ（入力／出力）コントローラを含む。ＩＣ装置のテストは、テストステーションがこのように停止された後、テストステーションをリセットすることにより再開できる。
2004502941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ（集積回路）装置をテストするためのテストステーションにおける望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷から前記ＩＣ装置を自動的に保護するためのシステムであって、前記テストステーションは、前記ＩＣ装置のテスト中、前記ＩＣ装置を保持するためのテストボードと、前記ＩＣ装置にバイアスをかけるための少なくとも１つの電圧源と、前記ＩＣ装置に結合された駆動信号を与えるための信号駆動源とを含み、前記システムは、
前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおける望ましくないＤＣ過渡電流の発生を監視する信号測定ユニットと、
データ処理ユニットと、
前記信号測定ユニットと前記データ処理ユニットとの間に結合されたデータインターフェイスバスとを含み、
前記信号測定ユニットは、前記データインターフェイスバスを介して、前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかで測定された前記望ましくないＤＣ過渡電流の信号を前記データ処理ユニットへ送り、
前記データ処理ユニットは、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号がしきい値特性を超えるか否かを判定し、
前記データ処理ユニットは、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号が前記しきい値特性を超える場合、前記テストステーションが適切な順序で停止するように前記テストステーションの構成要素を制御するためのＩ／Ｏ（入力／出力）コントローラを含む、システム。
【請求項２】
前記テストステーションが、前記ＩＣ装置に対してバーンインテストを実行するために内部に前記ＩＣ装置を有するオーブン内の温度を設定するための温度コントローラを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記テストステーションが停止する前記適切な順序が、まずオーブン内の温度を高温から室温より約１０℃高い温度まで下げるように温度コントローラを制御し、その後前記信号駆動源からの前記駆動信号を止め、その後バイアス電圧源Ｖｂｂをオフにし、さらにその後電源電圧源Ｖｃｃをオフにすることを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記データ処理ユニットが、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号を記憶し、かつ前記望ましくないＤＣ過渡電流が前記信号測定ユニットにより測定された時刻を記憶するためのデータ記憶ユニットを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記データ処理ユニットが、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号においてＦＦＴ（高速フーリエ変換）ルーチンを実行し、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の優位周波数成分を決定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の前記優位周波数成分をフィルタ除去するためのバンドパスフィルタが、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の前記優位周波数成分をフィルタ除去するために前記望ましくないＤＣ過渡電流が測定されている、前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちの１つに結合される、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記しきい値特性が、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の振幅、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の電力、および望ましくないＤＣ過渡電流の発生率のうちの１つを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記信号測定ユニットが、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の振幅が設定された振幅より大きい場合、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号を前記データ処理ユニットへ送るトリガリング機構を有するオシロスコープである、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記データ処理ユニットがコンピュータである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
ＩＣ（集積回路）装置をテストするためのテストステーションにおける望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷から前記ＩＣ装置を自動的に保護するためのシステムであって、前記テストステーションは、前記ＩＣ装置を保持するためのテストボードと、前記ＩＣ装置にバイアスをかけるための少なくとも１つの電圧源と、前記ＩＣ装置に結合された駆動信号を与えるための信号駆動源と、前記ＩＣ装置に対してバーンインテストを実行するために内部に前記ＩＣ装置を有するオーブン内の温度を設定するための温度コントローラとを含み、前記システムは、
前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおける望ましくないＤＣ過渡電流の発生を監視する信号測定ユニットと、
データ処理ユニットとを含み、前記データ処理ユニットはコンピュータであり、前記システムはさらに、
前記信号測定ユニットと前記データ処理ユニットとの間に結合されたデータインターフェイスバスを含み、
前記信号測定ユニットは、前記データインターフェイスバスを介して、前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおいて測定された前記望ましくないＤＣ過渡電流の信号を前記データ処理ユニットへ送り、前記信号測定ユニットは、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の振幅が設定された振幅より大きい場合、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号を前記データ処理ユニットへ送るトリガリング機構を有するオシロスコープであり、
前記データ処理ユニットは、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号を記憶し、かつ前記望ましくないＤＣ過渡電流が前記信号測定ユニットにより測定された時刻を記憶するためのデータ記憶ユニットを含み、
前記データ処理ユニットは、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号がしきい値特性を超えるか否かを判定し、前記しきい値特性は、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の振幅と、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の電力と、望ましくないＤＣ過渡電流の発生率とのうちの１つを含み、
前記データ処理ユニットは、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号が前記しきい値特性を超える場合、前記テストステーションが適切な順序で停止するように前記テストステーションの構成要素を制御するためのＩ／Ｏ（入力／出力）コントローラを含み、
前記テストステーションが停止する前記適切な順序が、まずオーブン内の温度を約１２５℃または約１５０℃の高温から室温より約１０℃高い温度まで下げるように温度コントローラを制御し、その後前記信号駆動源からの前記駆動信号を止め、その後バイアス電圧源Ｖｂｂをオフにし、さらにその後電源電圧源Ｖｃｃをオフにすることを含み、
前記データ処理ユニットが、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号においてＦＦＴ（高速フーリエ変換）ルーチンを実行し、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の優位周波数成分を決定し、
前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の前記優位周波数成分をフィルタ除去するためのバンドパスフィルタが、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の前記優位周波数成分をフィルタ除去するために前記望ましくないＤＣ過渡電流が測定されている、前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちの１つに結合される、システム。
【請求項１１】
ＩＣ（集積回路）装置をテストするためのテストステーションにおける望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷から前記ＩＣ装置を自動的に保護するための方法であって、前記テストステーションは、前記ＩＣ装置のテスト中、前記ＩＣ装置を保持するためのテストボードと、前記ＩＣ装置にバイアスをかけるための少なくとも１つの電圧源と、前記ＩＣ装置に結合された駆動信号を与えるための信号駆動源とを含み、前記方法は、
前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおける望ましくないＤＣ過渡電流の信号を測定するステップと、
データインターフェイスバスを介して、前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおいて測定された前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号をデータ処理ユニットへ送るステップと、
前記データ処理ユニットによって、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号がしきい値特性を超えるか否かを判定するステップと、
前記データ処理ユニットによって、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号が前記しきい値特性を超える場合、前記テストステーションが適切な順序で停止するように前記テストステーションの構成要素を制御するステップとを含む、方法。
【請求項１２】
前記テストステーションが、前記ＩＣ装置に対してバーンインテストを実行するために内部に前記ＩＣ装置を有するオーブン内の温度を設定するための温度コントローラを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記テストステーションが停止する前記適切な順序が、
オーブン内の温度を高温から室温より約１０℃高い温度まで下げるように温度コントローラを制御するステップと、
前記信号駆動源からの前記駆動信号を止めるステップと、
バイアス電圧源Ｖｂｂをオフにするステップと、
電圧源Ｖｃｃをオフにするステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記データ処理ユニットのデータ記憶ユニットに、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号と、前記望ましくないＤＣ過渡電流が測定された時刻とを記憶するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記データ処理ユニットによって、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号に対してＦＦＴ（高速フーリエ変換）ルーチンを実行し、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の優位周波数成分を決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記望ましくないＤＣ過渡電流が測定された、前記少なくとも１つの電圧源、前記信号駆動源および前記テストボードの少なくとも１つのノードのうちの１つにおける前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の前記優位周波数成分をバンドパスフィルタでフィルタ除去するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記しきい値特性が、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の振幅と、前記望ましくないＤＣ過渡電流の前記信号の電力と、望ましくないＤＣ過渡電流の発生率とのうちの１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記データ処理ユニットがコンピュータである、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は広義にはＩＣ（集積回路）用のテストステーションに関し、より具体的には、テストステーションでＩＣ装置をテストしている間に望ましくないＤＣ過渡電流が発生することによるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を自動的に保護するためのシステムおよび方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】
ＩＣ（集積回路）装置の製造中、このようなＩＣ装置は種々のテストステーションでテストされることにより、これらのＩＣ装置のさまざまな性能特性が決定される。図１を参照して、このようなテストステーションの一例として、集積回路製造の分野の当業者には公知であるように、ＩＣ装置のバーンイン寿命を決定するためのバーンインテストステーション１００がある。バーンイン寿命とは、集積回路製造の分野の当業者には公知であるように、室温からたとえば約１２５℃または約１５０℃などの高温まで加熱されたときにＩＣ装置が適切に動作する時間の尺度である。
【０００３】
図１を参照して、このバーンインテストステーション１００はオーブン１０４内部に配置されたテストボード１０２を含み、オーブン１０４は、オーブン１０４内部の温度を加熱するための加熱素子１０６を有する。テストボード１０２は、第１のソケット１１２、第２のソケット１１４、第３のソケット１１６、第４のソケット１１８、第５のソケット１２０、および第６のソケット１２２を含む、複数のソケットを含む。ソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０、および１２２の各々は、ＩＣ装置のバーンイン寿命を決定する間、ＩＣ装置を保持する。バーンインテストステーションは典型的にはより多数のソケットを有するが、簡明のため図１のテストボード１０２には６つのソケットが示される。
【０００４】
加熱素子１０６に結合された温度コントローラ１３０は加熱素子を制御し、テストボード１０２のソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０、および１２２内のＩＣ装置が室温からたとえば約１２５℃または約１５０℃などの高温まで加熱するように、オーブン内の温度を設定する。
【０００５】
このようにＩＣ装置を加熱することにより、ＤＣ（直流）電圧（Ｖｃｃ）が電源電圧源１３２からテストボード１０２のソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０、および１２２内のＩＣ装置のいくつかのピンに与えられる。さらに、別のＤＣ（直流）電圧（Ｖｂｂ）がバイアス電圧源１３４からテストボード１０２のソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０、および１２２内のＩＣ装置の他のピンに与えられる。電源電圧源１３２およびバイアス電圧源１３４からの電圧は、エレクトロニクスの分野の当業者には公知であるように、ＩＣ装置にバイアスをかけてＩＣ装置を適切に動作させるために用いられる。
【０００６】
テストボード１０２のソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０、および１２２内のＩＣ装置にこのように適切にバイアスをかけることにより、エレクトロニクスの分野の当業者には公知であるように、たとえばクロック信号などの駆動信号が信号駆動源１３６からＩＣ装置へ結合される。このようにＩＣ装置を予め定められた高温まで加熱し、かつＩＣ装置に適切にバイアスをかけることにより、駆動信号がＩＣ装置に繰返し与えられ、ＩＣ装置が適切に動作する時間が測定される。この時間が、バーンインテストステーション１００により決定されるＩＣ装置のバーンイン寿命である。
【０００７】
バーンインテストステーション１００内でのこのようなテスト手順中に、バーンインテストステーション１００の種々の構成要素においてＤＣ過渡電流が起こる場合がある。図２に示すように、ＤＣ過渡電流２０２は電圧信号において時間とともに急に上昇するものである。たとえば、ＤＣ過渡電流２０２は、約７ボルトの電圧の上昇を含み得る。
【０００８】
ＤＣ過渡電流２０２は、ＩＣ装置に電圧Ｖｃｃを与えるためにソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０および１２２内のＩＣ装置に結合された電源電圧源１３２のノードで起こり得る。さらに、ＤＣ過渡電流２０２は、ＩＣ装置にバイアス電圧Ｖｂｂを与えるためにＩＣ装置に結合されたバイアス電圧源１３４のノードでも起こり得る。
【０００９】
さらに、ＤＣ過渡電流２０２は、ＩＣ装置に駆動信号を与えるための信号駆動源１３６のノードでも起こり得る。また、ＤＣ過渡電流２０２はテストボード１０２のノードでも起こり得る。たとえば、テストボード１０２は、エレクトロニクスの分野の当業者には公知であるように、典型的には接地面を有する。ＤＣ過渡電流２０２はテストボード１０２のそのような接地ノードで起こり得る。
【００１０】
このようなノードはテストステーション１００を有する室内の全体的な電力システムに結合されているので、ＤＣ過渡電流２０２はこのようなノードのいずれにおいても起こり得る。このような電力システム内で電力の急増が生じると（たとえばその室内で高電力を要求する別の装置が作動された場合など）、ＤＣ過渡電流２０２は、ここに記載のような電源電圧源１３２、バイアス電圧源１３４、信号駆動源１３６およびテストボード１０２のノードのいずれにおいても起こり得る結果となる。
【００１１】
ＤＣ過渡電流２０２の振幅が十分大きくかつ／または十分な持続時間があることによりＤＣ過渡電流２０２がソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０および１２２内のＩＣ装置にかなりの電力を寄与するような場合、ＩＣ装置は、集積回路製造の分野の当業者には公知であるように、ＩＣ装置のＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）故障により損傷され得る。このようなＥＯＳ故障の結果、ＩＣ装置の早期故障が起こることになり、そのようなＩＣ装置のバーンイン時間はもはや正確に決定することができない。
【００１２】
バーンインテストステーションなどのテストステーションで起こり得る望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を自動的に保護するための機構が望まれている。
【００１３】
【発明の概要】
これに応じて、本発明の一般的な局面では、テストステーションのノードが監視されて望ましくないＤＣ過渡電流をすべて検出し、またコンピュータがテストステーションの構成要素を制御して適時にテストステーションを適切に停止することにより、望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を自動的に保護する。
【００１４】
ＩＣ装置をテストするためのテストステーションは、ＩＣ装置のテスト中ＩＣ装置を保持するためのテストボードを含む。さらに、このテストステーションは、ＩＣ装置のテスト中にＩＣ装置にバイアスをかけるための少なくとも１つの電圧源を含む。また、このテストステーションは、ＩＣ装置のテスト中にＩＣ装置に結合された駆動信号を与えるための信号駆動源を含む。
【００１５】
本発明の一局面において、望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ損傷からＩＣ装置を保護するためのシステムは、少なくとも１つの電圧源、信号駆動源およびテストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかにおける望ましくないＤＣ過渡電流の発生を監視する、信号測定ユニットを含む。このシステムはまた、データ処理ユニットと、信号測定ユニットとこのデータ処理ユニットとの間に結合されたデータインターフェイスバスとを含む。信号測定ユニットは、データインターフェイスバスを介して、少なくとも１つの電圧源、信号駆動源およびテストボードの少なくとも１つのノードのうちのいずれかで測定された望ましくないＤＣ過渡電流の信号をデータ処理ユニットへ送る。
【００１６】
データ処理ユニットは、この望ましくないＤＣ過渡電流の信号がしきい値特性を超えるか否かを判定する。データ処理ユニットは、望ましくないＤＣ過渡電流の信号がしきい値特性を超える場合、テストステーションが適切な順序で停止するようにテストステーションの構成要素を制御するためのデジタルＩ／Ｏ（入力／出力）コントローラを含む。しきい値特性は、ＤＣ過渡電流によりＩＣ装置へ転送され得る電力のレベルを示す。
【００１７】
本発明は、テストステーションが、ＩＣ装置に対してバーンインテストを実行するために内部にＩＣ装置を有するオーブン内の温度を設定するための温度コントローラを含む場合、特に有利に用いられ得る。その場合、十分望ましくないＤＣ過渡電流の検出時にテストステーションを停止する適切な順序は、まずオーブン内の温度をたとえば約１２５℃または約１５０℃の高温から室温より約１０℃高い温度まで下げるように温度コントローラを制御し、その後信号駆動源からの駆動信号を止め、その後バイアス電圧源Ｖｂｂをオフにし、さらにその後電圧源Ｖｃｃをオフにすることを含む。
【００１８】
このようにコンピュータ制御などのデータ処理制御を用いてテストステーションを適切な順序で自動的に停止させることにより、ＩＣ装置は望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ損傷から保護される。したがって、ＩＣ装置のテストは、ＩＣ装置のバーンイン時間などの故障特性の決定のためにテストステーションをリセットすることによりこのようなテストステーションの停止後に再開され得る。
【００１９】
本発明のこれらおよび他の特徴および利点は、添付の図面とともに示される本発明の以下の詳細な説明を考慮するとよりよく理解できるであろう。
【００２０】
ここで参照される図面は図示を簡明にするために描かれており、必ずしも縮尺は合っていない。図１、図２、図３、図４および図５において同じ参照番号を有する要素は、同様の構造および機能を有する要素を表わしている。
【００２１】
【詳細な説明】
本発明の一実施例は、ここに記載されるようなＩＣ（集積回路）装置のバーンイン寿命を決定するためのテストステーションの例について説明する。しかしながら、本発明は、この説明により当業者には明らかになるように、ＩＣ装置をテストするための他のタイプのテストステーションにおける望ましくない過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を保護するためにも有利に用いられ得る。
【００２２】
図３を参照して、バーンインテストステーション１００における望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ（集積回路）装置を自動的に保護するためのシステム３００は、信号測定ユニット３０２を含む。本発明の一実施例では、この信号測定ユニット３０２は、ソケット１１２、１１４、１１６、１１８、１２０および１２２内のＩＣ装置に結合されて電圧ＶｃｃをＩＣ装置に与えるための電源電圧源１３２のノードに結合される。
【００２３】
さらに、信号測定ユニット３０２は、ＩＣ装置に結合されてバイアス電圧ＶｂｂをＩＣ装置に与えるためのバイアス電圧源１３４のノードに結合される。また、信号測定ユニット３０２は、ＩＣ装置に駆動信号を与えるための信号駆動源１３６のノードにも結合される。さらに、信号測定ユニット３０２は、たとえばテストボード１０２の接地ノードなどのテストボード１０２のノードに結合される。
【００２４】
信号測定ユニット３０２はこれらのノードの各々で電圧信号を測定するのに適したオシロスコープであり得る。電圧信号を測定するためにオシロスコープを用いることは、エレクトロニクスの分野の当業者には公知である。図３のシステム３００はまた、データ処理ユニット３０４と、信号測定ユニット３０２とデータ処理ユニット３０４との間に結合されたバスインターフェイス３０６とを含む。データ処理ユニット３０４は、エレクトロニクスの分野の当業者に公知のコンピュータであり得る。信号測定ユニット３０２は、エレクトロニクスの分野の当業者には公知であるように、データバスインターフェイス３０６を介して電圧信号をデータ処理ユニット３０４へ送る。
【００２５】
データ処理ユニット３０４は、データを記憶するためのデータ記憶ユニット３０８と、データ処理ユニット３０４から制御信号を送るためのデジタルＩ／Ｏ（入力／出力）コントローラ３１０とを含む。コンピュータなどのデータ処理ユニットの部分であるデータ記憶ユニットおよびデジタルＩ／Ｏコントローラは、エレクトロニクスの分野の当業者には公知である。デジタルＩ／Ｏコントローラ３１０は、バーンインテストステーション１００の温度コントローラ１３０、電源電圧源１３２、バイアス電圧源１３４および信号駆動源１３６に結合される。データ処理ユニット３０４は、デジタルＩ／Ｏコントローラ３１０を介して、制御信号をバーンインテストステーション１００のこのような構成要素へ送る。
【００２６】
バーンインテストステーション１００における望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ（集積回路）装置を自動的に保護するためのシステム３００の動作について、図４のフローチャートを参照して説明する。図３および図４を参照して、信号測定ユニット３０２は、電源電圧源１３２のノード、バイアス電圧源１３４のノード、信号駆動源１３６のノード、およびテストボード１０２のノードの各々においてそれぞれの電圧信号を測定する（図４のステップ４０２）。
【００２７】
信号測定ユニット３０２はこれらのノードにおいてＤＣ過渡電流が発生するとそれを検出する。たとえば、信号測定ユニット３０２がオシロスコープである場合、そのようなオシロスコープは典型的には、測定された電圧信号の振幅が設定された振幅を超えると決定を行なうトリガリング機構を有する。電源電圧源１３２のノード、バイアス電圧源１３４のノード、信号駆動源１３６のノードおよびテストボード１０２のノードのいずれかにおいて測定された電圧信号が設定された振幅を超える場合、オシロスコープはこの測定された電圧信号はそのノードにおいて望ましくないＤＣ過渡電流であると判断する（図４のステップ４０４）。測定された電圧信号が望ましくないＤＣ過渡電流でなければ、信号測定ユニット３０２は、電源電圧源１３２のノード、バイアス電圧源１３４のノード、信号駆動源１３６のノード、テストボード１０２のノードにおける電圧信号の監視を継続し、後続の何らかの望ましくないＤＣ過渡電流の発生を監視する（図４のステップ４０２に戻る）。
【００２８】
しかしながら、電源電圧源１３２のノード、バイアス電圧源１３４のノード、信号駆動源１３６のノードおよびテストボード１０２のノードで測定された電圧信号が望ましくないＤＣ過渡電流であると判断されると、信号測定ユニット３０２はこの望ましくないＤＣ過渡電流の信号を、データバスインターフェイス３０６を介してデータ処理ユニット３０４へ送る（図４のステップ４０６）。望ましくないＤＣ過渡電流の信号は、図２の信号波形２０２と同様である。
【００２９】
データ処理ユニット３０４は望ましくないＤＣ過渡電流の信号を受け、このような信号をさらに処理する（図４のステップ４０８）。たとえば、データ処理ユニット３０４は、この望ましくないＤＣ過渡電流の信号のピーク振幅または電力を決定し得る。データ処理ユニット３０４はまた、望ましくないＤＣ過渡電流の信号をこの望ましくないＤＣ過渡電流の発生時刻とともにデータ記憶ユニット３０８に記憶し得る。このように望ましくないＤＣ過渡電流の発生の履歴のデータを記憶することにより、データ処理ユニット３０４は望ましくないＤＣ過渡電流の発生率を決定し得る。
【００３０】
望ましくないＤＣ過渡電流の信号をこのように処理することにより、データ処理ユニット３０４はこの望ましくないＤＣ過渡電流の信号がしきい値特性を超えるか否かを判定する。たとえば、データ処理ユニット３０４は望ましくないＤＣ過渡電流の信号のピーク振幅もしくは電力、または望ましくないＤＣ過渡電流の発生率がしきい値を超えるか否かを判定する（図４のステップ４１０）。
【００３１】
望ましくないＤＣ過渡電流の信号のこれらの特性のうちのいずれかがしきい値を超えると、データ処理ユニット３０４は、デジタルＩ／Ｏコントローラ３１０を介して、バーンインテストステーションが適切な順序で停止するようにバーンインテストステーションの構成要素１３０、１３２、１３４および１３６を制御する（図４のステップ４１２、４１４、４１６および４１８）。一方、この望ましくないＤＣ過渡電流の信号の特性がしきい値を超えなければ、システム３００は何らかの望ましくないＤＣ過渡電流の発生について監視し続ける（図４のステップ４０２に戻る）。
【００３２】
図３および図４を参照して、望ましくないＤＣ過渡電流の信号の特性のいずれかがしきい値を超えると、データ処理ユニット３０４は、デジタルＩ／Ｏコントローラ３１０を介して、バーンインテストステーションが適切な順序で停止するように、温度コントローラ１３０、電源電圧源１３２、バイアス電圧源１３４および信号駆動源１３６を制御する。本発明の一実施例では、このような適切な順序は、まずオーブン１０４内の温度をたとえば約１２５℃または約１５０℃の高温から室温より約１０℃高い温度まで下げることを含む（図４のステップ４１２）。この適切な順序は、その後信号駆動源１３６からの駆動信号を止め（図４のステップ４１４）、その後ＤＣバイアス電圧Ｖｂｂを供給するバイアス電圧源１３４をオフにし（図４のステップ４１６）、さらにその後ＤＣ電源電圧Ｖｃｃを供給する電源電圧源１３２をオフにする（図４のステップ４１８）ことを含む。
【００３３】
このような適切な順序に従わなければテストボード１０２内のＩＣ装置が動作不良を示し得るので、バーンインテストステーションはこの適切な順序で停止される。たとえば、ＤＣバイアス電圧Ｖｂｂを供給するバイアス電圧源１３４が誤ってＤＣ電源電圧Ｖｃｃを供給する電源電圧源１３２より前に止められた場合、テストボード１０２内のＩＣ装置はバーンインテストステーションを不適切な順序で停止させたことにより動作不良を示し、ＩＣ装置のバーンイン寿命がもはや正確に決定され得ないようになり得る。
【００３４】
この態様で、信号測定ユニット３０２およびデータ処理ユニット３０４は、ＩＣ装置のテスト中にバーンインテストステーションで起こり得る望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を自動的に保護するために用いられる。信号測定ユニット３０２は、典型的には内部にテストステーションを有する室内の電力システムに結合されるテストステーションのノードにおける何らかの望ましくないＤＣ過渡電流の発生について監視する。データ処理ユニット３０４は、望ましくないＤＣ過渡電流がバーンインテストステーションにおいてＩＣ装置のテストに悪影響を与え得る場合、バーンインテストステーションを適切な順序で停止させる。このように適切な順序で停止した後、バーンインテストステーションは、望ましくないＤＣ過渡電流がもはや存在しなくなった後にバーンインテストステーション内のＩＣ装置のテストが再開され得るように、再始動され得る。
【００３５】
本発明の別の実施例では、データ処理ユニット３０４は、望ましくないＤＣ過渡電流の信号をさらに処理し得る。たとえば、データ処理ユニット３０４はこの望ましくないＤＣ過渡電流の信号に対してＦＦＴ（高速フーリエ変換）ルーチンを実行し得る。図５は、望ましくないＤＣ過渡電流の信号のこのようなフーリエ変換の周波数成分５００の典型例を示す。これらのＦＦＴルーチンはエレクトロニクスの分野の当業者には公知である。図５を参照して、フーリエ変換より、最も高い振幅を有する優位周波数成分５０２が決定され得る。この優位周波数成分が決定されると、バンドパスフィルタが置かれ、望ましくないＤＣ過渡電流が起こりそうなバーンインテストステーションのノードからこの優位周波数近傍の周波数成分をフィルタリングして除去し得る。このようなバンドパスフィルタは、エレクトロニクスの分野の当業者には公知である。
【００３６】
以上の説明は単に例示の目的であって限定の意図はない。たとえば、本発明は、ここに記載のようなＩＣ（集積回路）装置のバーンイン寿命を決定するためのテストステーションの一例を挙げて説明している。しかしながら、本発明は、この説明により当業者には明らかになると思われるように、ＩＣ装置をテストするための他のタイプのテストステーションにおける望ましくない過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を保護するためにも有利に用いることかできる。本発明は前掲の請求の範囲およびその等価物において規定されるものによってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術に従った、バーンインテストステーションなどのＩＣ（集積回路）装置をテストするためのテストステーションの構成要素を示す図である。
【図２】ＤＣ過渡電流の信号の例を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に従った、図１のテストステーションの複数のノードのうちのいずれかにおける望ましくないＤＣ過渡電流によるＥＯＳ（エレクトロオーバストレス）損傷からＩＣ装置を自動的に保護するためのシステムの構成要素を示す図である。
【図４】本発明の一実施例に従った、図３のシステムの動作のステップを示す図である。
【図５】本発明の一実施例に従った、ＤＣ過渡電流の優位周波数成分がバーンインテストステーションからフィルタ除去され得るような、図２のＤＣ過渡電流の信号のフーリエ変換の周波数成分を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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