(57)【要約】本発明は、基板の表面を横切って所定の配列で分散した複数のナノ粒子を含む構造を製造する方法を提供し、該方法は、（ｉ）不動態化された表面を有する基板を供給し；（ｉｉ）該表面上にナノ粒子を堆積させ；次いで（ｉｉｉ）該粒子を該表面全面に移動させて、それらを該所定の配列に配置させるステップを含む。本発明による方法は、非磁性マトリクス中に強磁性原子（例えばコバルト原子）のクラスターのごとき磁性ナノ粒子の配列を含む構造を製造するのに特に適している。そのような材料は超高密度記録媒体のベースとして用い得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を横切って所定の配列で分散した複数のナノ粒子を含む構造を製造する方法であって：
（ｉ）不動態化された表面を有する基板を供給し；
（ｉｉ）該表面上にナノ粒子を堆積させ；次いで
（ｉｉｉ）該粒子を該表面全面に移動させて、それらを該所定の配列に配置させるステップを含む該方法。
【請求項２】
該基板が不動態材料である請求項１記載の方法。
【請求項３】
該基板が不動態ではなく、ステップ（ｉ）が該表面を不動態化する予備ステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
該不動態化ステップが、水素、フッ素、塩素または酸素のごとき元素の原子で該表面を被覆することを含む請求項３記載の方法。
【請求項５】
該ナノ粒子を不動態化する前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項６】
水素または酸素のごとき適当な不動態化元素のガス状原子を含有するチャンバーに該ナノ粒子を通過させて、該ナノ粒子が該表面上に堆積される前に該不動態化原子で被覆されるようにすることによって、該ナノ粒子を不動態化する請求項５記載の方法。
【請求項７】
該チャンバーが原子化された水素または酸素を約１τの圧力にて含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
該ナノ粒子が該表面に堆積された後、該移動ステップ（ｉｉｉ）の前に、またはその最中に、不動態化元素で該ナノ粒子を被覆することによって、該ナノ粒子を不動態化する請求項５記載の方法。
【請求項９】
該基板表面に該所定の配列に対応する予め規定された領域の配列が備えられ、該ステップ（ｉｉｉ）が該ナノ粒子を移動させて、それらを該領域内に動かし、その内部に保持することを含む前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項１０】
該領域が該ナノ粒子を収容し、保持するサイズのピット（ｐｉｔｓ）またはホール（ｈｏｌｅｓ）のごとき物理的特徴である請求項９記載の方法。
【請求項１１】
該領域が、該ナノ粒子に化学的に結合する不動態化されていない領域である請求項９記載の方法。
【請求項１２】
該領域がリトグラフ法によって形成される請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
該移動ステップ（ｉｉｉ）が、ナノ粒子を該領域内に動かすのに十分であるが、該ナノ粒子を該領域から撤去するには不充分な力を該基板の表面を横切って負荷することを含む請求項９ないし１２いずれか１に記載の方法。
【請求項１４】
該力が、該表面を横切ってレーザを掃引することによって生じた放射圧である請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
該ナノ粒子が磁性体であって、該力が該表面を横切って掃引された磁場によって生じる請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
該移動ステップ（ｉｉｉ）が、該ナノ粒子を加熱して、それらが該領域内に移動するようにそれらを熱的攪拌することを含む請求項９ないし１２いずれか１に記載の方法。
【請求項１７】
該移動ステップ（ｉｉｉ）が、レーザを用いて、該所定の配列に対応する位置に低エネルギー節を生じるように定常レーザ波または定常波の配列を確立し、それにより、該低エネルギー節と同時に該ナノ粒子を該表面の領域に移動させることによって、該所定の配列に対応する配置を取ることを含む請求項１ないし８いずれか１に記載の方法。
【請求項１８】
各ナノ粒子が原子のクラスターを含むナノ結晶である前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項１９】
マグネトロン内部で表面から原子をスパッタリングし、次いで、ガス凝集の過程によって該原子がクラスターを形成するようにして、該クラスターを生成する請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
該ガス凝集がヘリウムのごとき不活性ガスを含有する冷却チャンバー内で発生する請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
アルゴンのごとき不活性ガスのジェット中で、該ナノ粒子を該表面上に堆積させる前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２２】
該ナノ粒子を該表面上に堆積させる前に、該ナノ粒子を質量選別器に通過させて、選別されたサイズまたはサイズ範囲の粒子のみを該表面上に堆積させる前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２３】
該ナノ粒子が１ないし１５ｎｍのオーダーの直径を有する前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２４】
該ナノ粒子が約１および１０ｎｍの間の直径を有する請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
該ナノ粒子が規則的形状に成形され、略球形である前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２６】
該ナノ粒子が電場中に妨害されて、該表面上への堆積の直前に、それらのエネルギーを低減する前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２７】
該粒子が強磁性体である前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２８】
該ナノ粒子がコバルト原子のクラスターである前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項２９】
該所定の配列が磁気記録媒体としての使用に適した個々のナノ粒子の規則配列である前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項３０】
移動ステップ（ｉｉｉ）の後に、該表面および該ナノ粒子の配列上に、該ナノ粒子を適正な位置に固定する材料の層を形成する前記請求項いずれかに記載の方法。
【請求項３１】
該層が非磁性材料である請求項３０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、基板表面上に秩序ある配列のナノ粒子を製造する方法および装置に、およびそのような秩序ある配列のナノ粒子を有するナノ材料に関する。特に、排除的ではないが、本発明は基板表面上への秩序ある配列の磁性ナノ結晶の配備に関する。
【０００２】
本発明は、磁性体配列の製造に限定されないが、本発明の１つの重要な目的は、超高密度磁気データ記録媒体としての使用に適した材料の製造である。
【０００３】
本発明は、基板の表面を横切って所定の配列で分散した複数のナノ粒子を含む構造を製造する方法を提供し、該方法は、
（ｉ）不動態化された表面を有する基板を供給し；
（ｉｉ）該表面上にナノ粒子を堆積させ；次いで
（ｉｉｉ）該粒子を該表面全面に移動させて、それらを該所定の配列に配置させるステップを含む。
【０００４】
不動態化表面の概念は当業者によく知られている。基本的に、不動態化表面は、実質的にダングリングボンドを有さず、かくして、該表面上に堆積したナノ粒子と結合を形成しないものである。該粒子と該基板との間には依然としてファンデルワールス力が存在するであろうが、それらは無視し得るほど弱い。
【０００５】
該基板は、不動態材料であるか、または、ステップ（ｉ）が該表面を不動態化する予備ステップを含む場合には、不動態材料でなくてもよい。
表面不動態化はよく知られた手法である。基本的に、それは利用可能なダングリングボンドを受け入れる原子で当該表面を被覆することを含む。
該不動態化ステップは、水素、フッ素、塩素または酸素のごとき元素の原子で該表面を被覆することを含むことができる。一価の元素が好ましい。
【０００６】
好ましくは、該ナノ粒子を不動態化する。これは、ナノ粒子が該表面上で互いに結合することを防止する。
好ましくは、水素または酸素のごとき適当な不動態化元素のガス状原子を含有するチャンバーに該ナノ粒子を通過させて、該ナノ粒子が該表面上に堆積される前に該不動態化原子で被覆されるようにすることによって、該ナノ粒子を不動態化する。一価原子のガスが好ましく、特に、水素が好ましいが、酸素のごとき他の原子を用いることができる。
【０００７】
あるいは、該ナノ粒子が該表面に堆積された後、該移動ステップ（ｉｉｉ）の前に、またはその最中に、不動態化元素で該ナノ粒子を被覆することによって、該ナノ粒子を不動態化することができる。
【０００８】
好ましくは、該基板表面に該所定の配列に対応する予め規定された領域の配列が備えられ、該ステップ（ｉｉｉ）が該ナノ粒子を移動させて、それらを該領域内に動かし、その内部に保持する。
例えば、該領域は、該ナノ粒子を収容し、保持するサイズのピット（ｐｉｔｓ）またはホール（ｈｏｌｅｓ）のごとき物理的特徴である。あるいは、該領域は、該ナノ粒子に化学的に結合する不動態化されていない領域である。
該ナノ粒子を該領域に移動させるのに適した様々な方法を以下にさらに記載する。
【０００９】
あるいは、該移動ステップ（ｉｉｉ）が、レーザを用いて、該所定の配列に対応する位置に低エネルギー節を生じるように定常レーザ波または定常波の配列を確立し、それにより、該低エネルギー節と同時に該ナノ粒子を該表面の領域に移動させることによって、該所定の配列に対応する配置を取る。
【００１０】
本発明による方法は、非磁性マトリクス中に強磁性原子（例えばコバルト原子）のクラスターのごとき磁性ナノ粒子の配列を含む構造を製造するのに特に適している。そのような材料は超高密度記録媒体のベースとして用い得る。
本発明の他の特徴および利点は以下の記載および付随する特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【００１１】
本発明の具体例は、付随する図面を参照して、単に例示する方法によって記載する；ここに、
図１は、本発明による材料の概略図であり；
図２は、本発明による図１の材料を製造するための装置の概略図であって；
図３は、本発明の方法および装置によって製造することができる材料の写真である。
【００１２】
図１を参照すると、これは、磁性ナノ結晶の秩序ある配列を含む本発明によるナノ材料、すなわち、シリコン酸化物基板３上の非磁性銅マトリクス２中のコバルトイオンのクラスター１を例示する。該コバルトクラスター１は全て規則的形状（すなわち、実質的に球形）に成形され、一貫した選別されたサイズのものである。典型的に該選別されたサイズは１および１５ｎｍの間であろうが、室温で使用するために設計された磁性材料については、スーパーパラマグネティック限界（ｓｕｐｅｒｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ ｌｉｍｉｔ）が、該コバルトクラスターの最小サイズに約７から１０ｎｍの現実的な制限を強制する。該コバルトクラスターは２０ｎｍのオーダーの規則的間隔を有する。この材料は、かくして、超高密度磁気データ記録媒体としての使用に適し、各コバルトクラスターは、実質的に、その近隣から磁性的に脱カップリングされ、単一ビットのデジタル情報を記録できる。理論上、本発明の材料で、１インチ角あたり１テラビットのオーダーの記録密度が得られる。
【００１３】
図１の秩序ある磁性配列を製造する装置の１つの例を図２を参照して、ここに記載する。概略的には、図２の装置はコバルトクラスターを製造する手段４、質量セレクターおよびスターラー５、インフライトパッシベータ（ｉｎ−ｆｌｉｇｈｔ ｐａｓｓｉｖａｔｏｒ）６、試料基板８を支持するアパーチャプレート７、および「飛行時間」測定系９を含む。例示されていない該装置の他の構成要素は以下にさらに記載する。
【００１４】
本発明によれば、該基板は不動態化された表面を有するべきである。かくして、該基板は、本件のようにシリコン酸化物のごとき本質的に不動態材料から加工されるか、または、それが不動態化されるようにその表面が処理されるかのいずれかであるべきである。例えば、シリコン基板の表面は、従来の半導体加工技術によりその上に水素原子をスプレーすることによって、不動態化され得る。
【００１５】
さらに、記載されるべき本発明の特別の実施例によれば、該表面は所望の磁性粒子の配列に対応するピットまたはホールの配列を備えるべきである。かくして、この実施例において、該表面は、図１に例示されたパターンに配置された規則的配列でエッチングされるべきである。該ピットは、以下にさらに記載されるように、だいたい、選別されたコバルトクラスターサイズを収容するような大きさであるべきである。例えば、１０ｎｍのオーダーのコバルトクラスターについて、適切なピット寸法は５ｎｍのオーダーの直径で、１〜３ｎｍのオーダーの深さであろう。小サイズのピット、および密集した配列を製造するのに要求される密な間隔のピットを考慮すると、該ピットをエッチングする好ましい方法は、電子ビームナノリトグラフィーである。これは公知技術であるので、さらに記載しない。
【００１６】
コバルトクラスター（すなわち、磁性ナノ結晶）を製造する手段４は、マグネトロン１０を含み、それは液体窒素冷却チャンバー１１の内部に収納され、それ自体が第２の大きなチャンバー１２に収納されている。該チャンバー１２は、一端で、ロート状開口部１３ａのあるスキマー１３を支持し、ポート１４を介して真空ポンプ（図示せず）に連結されている。開口部１３ａ以外は、該真空ポンプの操作によってチャンバー１２および１１の内部に減圧を維持できるように、チャンバー１２は密封される。
【００１７】
マグネトロン１０内部では、コバルトを保持するカソードプレート（図示せず）が適当に位置されたアノード（図示せず）で取り囲まれている。電場がカソードプレートと該アノードとの間に確立され、磁石（図示せず）が該カソードプレートの背部に位置されて該プレート前に磁場を発生する。
【００１８】
ヘリウムが、インレット１５から該チャンバー１１に供給され、該真空ポンプによって１τのオーダーの圧力に維持される。低圧アルゴンガスが連続流１６中で、該マグネトロン１０に導入され、コバルト保持カソードプレートとアノードとの間に確立された磁場によってイオン化される。該アルゴン原子から分離された電子が該カソードプレートを直撃し、それによって、コバルト原子を遊離させる。
【００１９】
該冷却チャンバー１１内部では、該コバルト原子はガス状ヘリウム原子の存在のため、制限された運動性を有し、かくして、ガス凝集の過程で互いに寄せ集まり引っ付く傾向にあり、それによって、種々のサイズのクラスターすなわちナノ結晶を形成する。これらのコバルトクラスターは、ヘリウムおよびアルゴンの流れの中で、該冷却チャンバー１１からチャンバー１２に通過する。該チャンバー１２内部では、該ヘリウムは急激に広がり、該スキマー１３によって掬い取られ、該コバルトクラスターがアルゴンの超音波ジェット１７中でスキマーアパーチャ１３ａから噴出するようにする。
【００２０】
該スターラーを作動させずに、該コバルトクラスターが該アパーチャプレート７中のアパーチャ１７を通って飛行時間およびエネルギー測定系９に向って進むように、該ジェット１７をスターラー５および飛行時間測定系９に向わせる。該飛行時間測定系９は、実質的に、静電エネルギー選別器１８およびコバルトクラスター検出器１９を含む。該飛行時間測定系９は、該コバルトクラスターの質量対エネルギー分散を決定するための従来の系であり、かくして、この系の操作のさらなる詳細はここには記載しない。
【００２１】
飛行時間測定系９によってなされる周期的測定を用いて、この実施例において２つの静電プレート２０を含む簡便な静電スターラーである質量セレクターおよびスターラー５の操作を制御する。該プレート２０を横切る電圧を印加すると、（該マグネトロン１０によって生成されたクラスターのうちの約３０％を占める）負に帯電するコバルトクラスターはそれらの質量およびエネルギーに依存する角度に屈折する。該プレートを横切る電圧を注意して制御して、（該静電プレートを横切って印加された電圧をパルスオフすることによって飛行時間測定系９にて周期的になされた測定の結果として）アパーチャプレート７中のアパーチャ２１の背部に位置された試料基板８に向けて、選別された質量のクラスターを攪拌する。注意深い制御によって、該選別されたサイズのうちの数パーセント以内のクラスターのみが該試料基板８に向けられるであろう。
【００２２】
該基板表面に到達する前に、屈折したコバルトクラスターは、先ず、フライトパッシベータ６のラインを通り、次いで、適当な手段（図示せず）によって該試料表面の領域に発生した妨害静電場によって、減速される。該パッシベータ６は、実質的に、約１τの圧力にて原子化された水素を含有する管を含む。該原子化された水素は、非常に反応性が高く、かくして、それらが該パッシベータ６を通過するとき該コバルトナノ結晶の表面に結合し、該クラスター表面上のいずれの「ダングリングボンド」の部位をも効率的に占有する。かくして、該水素は該クラスターの表面を被覆し、それによって、不動態化する。水素を不動態化物質として用いるのは、それが十分に反応性であり、また、例えばタングステンフィラメントを熱することによって、比較的容易に生成させることができるからでもある。しかしながら、それは、酸素のごとき他の元素も等しく用い得ることは理解されるであろう。
【００２３】
該パッシベータ６を離れると、該コバルトクラスターは、妨害電場中でエネルギーを喪失し（エネルギーにおける１０の要素の減少が適当である）、かくして、該基板表面に「軟」着陸し、それは、該クラスターおよび表面の双方を損傷から防ぐ。
【００２４】
該コバルトクラスターが最初に該基板表面に堆積したとき、それらは無秩序配列であり、該クラスターのうちのいくつかは該基板表面上の予備エッチされたピット内に落ち込むが、大部分はそれらのピットの間の基板上にあると予想される。しかしながら、該表面は不動態化されているので、クラスターは該表面に結合せず、かくして、たまたまピット内に落ち込んだもの以外のクラスターは該基板表面上を自由に動き回る。さらに、個々のコバルトクラスターの不動態化は、個々のクラスターが互いの方向に寄せ集まり、結合することを防止する。かくして、本発明による方法の次の段階によれば、該クラスターは該基板表面全面を該予備エッチされたピット内にまで動かされ、秩序ある配列を形成する。様々な異なる技術を用いて該コバルトクラスターを動かし得、図２には、特別の技術は例示していない。
【００２５】
例えば、一つの好ましい具体例によれば、レーザを用いて、該基板表面を横切ってコバルトクラスターを掃くことができる。すなわち、該表面を横切る適当なレーザを掃引し、制御してコバルトクラスターを該ピット内に掃き込むのに十分であるが、該ピット内部に位置するコバルトクラスターを撤去しない放射圧を発生させることができる。
【００２６】
代替法として、該クラスターが熱的に攪拌されるように、該基板およびクラスターを単に加熱して、該クラスターが該基板を横切って無秩序に移動してそれらが該表面上に備えられたピットに落ち込むようにすることができる。加熱を制御して、個々のクラスターが該ピットから逃げ出すのに十分な熱エネルギーを有しないようにし得る。
該ナノ結晶が磁性材料のクラスターであるこの実施例に適用可能なさらなる代替法は、磁場を用いて該表面を横切って該コバルトクラスターを掃引することであり、ここでも、該場を制御して、コバルトクラスターを該ピット内に掃き込むのに十分であるが、該ピット内部に位置するコバルトクラスターを撤去しない力を発生させることができる。
【００２７】
用いる移動技術が何であれ、コバルトクラスターを該基板表面上にエッチされ、かくして対応する秩序ある配列を形成するピットの配列内に動かし、かくしてその内部に物理的に固定するというのが結果である。図１の材料の製造における最終段階として、非磁性材料、この場合は銅の層を該表面上に蒸着させ、それらは双方とも該クラスターを適正な位置に固定する。該銅膜は別のマグネトロンからの原子蒸着のごとき常法によって、または化学蒸着法によって蒸着することができる。その結果が図１に例示した新規材料である。
【００２８】
最終配列は元来基板表面上にエッチされたパターンによって決定され、例示されたものとは全く異なる配列を配置し得ることは理解されるであろう。
本発明の上記実施例は磁気記録媒体としての使用に適した材料を製造することにおける本発明の使用を例示するが、該基板、該堆積したナノ結晶、およびそれらを適正な場所に固定するために該ナノ結晶上に蒸着するいずれのさらなる材料について、代替材料を用い得ることも理解されるであろう。例えば、該基板は、それが本来不動態でなければ、該基板の表面が不動態化され得るのであれば、いずれの材料の導体、半導体または絶縁体基板でもあり得る。該ナノ結晶はいずれの適当な物質であり得、例えば、銅原子のクラスターのごとき金属を用いることができる。該ナノ結晶上に蒸着してそれらを適正な位置に固定するための材料は金属である必要はないが、該材料の意図されるアプリケーションに応じたいずれの適当な物質であり得る。いくつかのアプリケーションにおいて、該ナノ結晶を適正な位置に固定するためにさらなる層を適用する必要はないことも考え得る。
【００２９】
該ナノ結晶を移動させて、秩序ある配列を形成するための上記方法は単なる例であって、他の方法も予想されるであろう。用いられた特別の方法は、該基板およびナノ結晶につき用いられる材料に対して適当であると決定することができる。例えば、磁性ブラシは、例えば該ナノ結晶が非磁性体である場合には用い得ない。
【００３０】
図２に関連して上記された装置および方法について、種々の修飾を行い得る。例えば、四極子のごとき代替形態の質量選別器を用いることができる。四極子を用いるならば、それは、例えば、スキマー１３およびスターラープレート１２の間に配置し、それらは、そのような編成においては、該クラスターを攪拌するのみに必要であり、いかなる質量選別も実行しない。したがって、飛行時間測定系９を省くことができるが、該クラスター生成をモニターするため、および該四極子を校正するためにこの系を残しておくことが好ましい。四極子の詳細は（例えば、質量分析装置に用いられているように）分野公知であり、ここには記載しない。同様に、用い得る他の形態の質量またはエネルギー選別器が当業者にとって明らかである。
【００３１】
さらなる修飾として、インフライトパッシベータは、該クラスターが該基板表面に到達した時にそれらを不動態化する装置によって置き換える得る。例えば、水素原子のごとき適当な不動態化材料は、公知の半導体技術を用いて該クラスターを堆積させるとき、該表面上にスプレーし得る。その上、いくつかのアプリケーションについては、該クラスターを全く不動態化する必要がない。しかしながら、該クラスターを不動態化しないならば、それらは互いに寄せ集まり、上記したように群または紐を形成する傾向にある。例えば、図３は不動態化基板表面（この場合は炭素）上に堆積した質量選別されたコバルトのクラスターであり、それら自体は不動態化されていない。写真から明らかなように、個々のクラスターは規則的なサイズに成形されているが、多くは互いに寄せ集まり紐を形成している。そのような紐の形成は、図１に示される秩序ある配列を製造する試みであれば許容されないが、他の構造については、許容されるであろう。図１の材料に対するように高度な秩序が必要とされる場合、クラスターが、それらが不動態化される前に互いに寄せ集まる可能性を防止するためのいずれの表面不動態化に対してもインフライトパッシベータが好ましい。
【００３２】
該コバルトクラスターを生成するために用いるマグネトロンデバイスは本発明による好ましい方法であるが、本発明は、いずれの適当な手段によって生成された秩序ある配列のナノ結晶を製造するために用いることができる。
上記した本発明の実施例において、一旦、該ナノ結晶を該表面に堆積させ、それらを移動させて、それらが該表面上に規定された予備エッチされたピットの配列内に落ち込むようにすることによって、所望される配列へのナノ結晶の秩序化を達成する。物理的なピットまたはホールに対する代替として、基板表面に所望するナノ粒子の配列に対応する非不動態化領域の配列を備え得る。これは、特に該ナノ粒子自体を不動態化しない場合、ナノ粒子が所望する位置で該表面と結合することを可能にする。
【００３３】
本発明によって意図されるさらなる代替は該ナノ結晶を秩序化するためにコヒーレントレーザにより発生した定常波を用いることである。タンパク質結晶学に関しては、空間にタンパク質の三次元配列を生成するために定常波が使用されている。該配列中の粒子は該定常波の低エネルギー節に移動し、かくして、波長および該定常波の方向を制御することによって、特別の所望される秩序ある配列を達成し得る。本発明によれば、同じ原理を用いて、基板を横切る二次元定常波パターンを生成し得る。この場合、該ナノ結晶は該基板の表面を横切って、低エネルギー節に移動するであろう。この方法の一つの潜在的な不利な点は、該ナノ結晶の間隔が、該レーザの波長に依存する低エネルギー節の位置に依存することである。これは、達成し得る最小間隔に現実的な制限を強制し、それは、例えば、メモリー記録デバイスでの現実的な使用には大きすぎるが、別の場所では十分にアプリケーションを有するであろう。
【００３４】
本発明の上記装置およびアプリケーションの他の可能な修飾は、当業者にとって容易に明らかになるであろう。例えば、図１に例示した他層の材料を含む構造は普通でない電子移動特性を有することが予想されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による材料の概略図。
【図２】本発明による図１の材料を製造するための装置の概略図。
【図３】本発明の方法および装置によって製造することができる材料の写真。
【符号の説明】
１・・・コバルトイオンのクラスター、２・・・非磁性銅マトリクス、３・・・シリコン酸化物基板、４・・・コバルトクラスター製造手段、５・・・質量セレクターおよびスターラー、６・・・インフライトパッシベータ、７・・・アパーチャプレート、８・・・試料基板、９・・・飛行時間測定系、１０・・・マグネトロン、１１・・・液体窒素冷却チャンバー、１２・・・第２チャンバー、１３・・・スキマー、１３ａ・・・ロート状開口部、１４・・・ポート、１５・・・インレット、１６・・・連続流、１７・・・超音波ジェット、１７・・・アパーチャ、１８・・・静電エネルギー選別器、１９・・・コバルトクラスター検出器、２０・・・静電プレート、２１・・・アパーチャ。
【国際公開パンフレット】
2004502561.tif 000003
2004502561.tif 000004
2004502561.tif 000005
2004502561.tif 000006
2004502561.tif 000007
2004502561.tif 000008
2004502561.tif 000009
2004502561.tif 000010
2004502561.tif 000011
2004502561.tif 000012
2004502561.tif 000013
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2004502561.tif 000018
2004502561.tif 000019
2004502561.tif 000020
【国際調査報告】
2004502561.tif 000021
2004502561.tif 000022