(57)【要約】本発明は、基体への銀の無電解めっき、水性銀メッキ浴、無電解めっき組成物を用いて種々の基体に銀の均一なコーティングをめっきする方法、およびそれから成形された銀めっき製品に関する。メッキ浴は、銀コーティングを汚染するかもしれない毒性又は可燃性の物質（単数又は複数）を含まないし、発生させない。強力な錯化剤を避けることによって、実質的には純粋な銀が簡単な沸騰によって浴から析出されてもよい。銀無電解自触媒メッキ浴は、硝酸銀、水酸化アンモニウム及びヒドラジン水和物からなる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記のものを含む水溶液を含む無電解めっき組成物：
ａ）銀塩；
ｂ）水酸化アンモニウム；
ｃ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｄ）ヒドラジン水和物。
【請求項３】
前記銀塩が硝酸銀を含む、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項４】
炭酸アンモニウムを含む、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項５】
重炭酸アンモニウムを含む、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項６】
炭酸アンモニウムおよび重炭酸アンモニウムを含む、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項７】
前記銀塩が、約０．０１〜約６５０ｇ／Ｌの範囲の量で存在している、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項８】
水酸化アンモニウムが、約１〜約１０００ｍＬ／Ｌの範囲の量で存在している、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項９】
炭酸および／または重炭酸アンモニウムが、約０．０１〜約３６０ｇ／Ｌの範囲の量で存在している、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項１０】
ヒドラジン水和物が、約０．０１〜約２１０ｇ／Ｌの範囲の量で存在している、請求項１に記載のめっき組成物。
【請求項１１】
下記工程を含む基体をめっきする方法：
Ａ）下記のものを含む水溶液を含むめっき組成物を与え：
ｉ）銀塩；
ｉｉ）水酸化アンモニウム；
ｉｉｉ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｉｖ）ヒドラジン水和物；そして
Ｂ）十分な時間、かつ金属銀を基体にめっきするに十分な条件下で、基体を前記めっき組成物と接触させる。
【請求項１２】
前記銀塩が硝酸銀を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記めっき組成物が炭酸アンモニウムを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記めっき組成物が重炭酸アンモニウムを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記めっき組成物が炭酸アンモニウムおよび重炭酸アンモニウムを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記めっき組成物が自触媒である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記基体が金属銀で均一にめっきされている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記めっき組成物の温度が、約２０〜約９８℃の範囲である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記硝酸銀が、約０．０１〜約６５０ｇ／Ｌの範囲の量で前記めっき組成物中に存在している、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
水酸化アンモニウムが、約１〜約１０００ｍＬ／Ｌの範囲の量で前記めっき組成物中に存在している、請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
炭酸および／または重炭酸アンモニウムが、約０．０１〜約３６０ｇ／Ｌの範囲の量で前記めっき組成物中に存在している、請求項１１に記載の方法。
【請求項２２】
ヒドラジン水和物が、約０．０１〜約２１０ｇ／Ｌの範囲の量で前記めっき組成物中に存在している、請求項１１に記載の方法。
【請求項２３】
電気分解なしで実施される、請求項１１に記載の方法。
【請求項２４】
前記基体が金属を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２５】
前記基体が非金属を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２６】
前記基体が半導体を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２７】
前記基体がセラミックを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１１に記載の方法により製造されためっき基体。
【請求項２９】
下記工程を含む基体をめっきする方法：
Ａ）下記のものを含む水溶液を含むめっき組成物を与え：
ｉ）銀塩；
ｉｉ）水酸化アンモニウム；
ｉｉｉ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｉｖ）ヒドラジン水和物；
Ｂ）十分な時間、かつ金属銀を基体にめっきするに十分な条件下で、基体を前記めっき組成物中に浸漬し；そして
Ｃ）めっき組成物から基体を取り出す。
【請求項３０】
下記のものを含む水溶液を含む組成物中に浸漬した基体を含む製品：
ａ）銀塩；
ｂ）水酸化アンモニウム；
ｃ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｄ）ヒドラジン水和物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の背景
発明の分野
本発明は、基体への銀の無電解めっきに関する。より具体的には、本発明は、水性銀メッキ浴、無電解めっき組成物を用いて種々の基体に銀の均一なコーティングをめっきする方法、およびそれから成形された銀めっき製品に関する。
【０００２】
関連技術の説明
金属のめっきは、基体の既存の表面特性もしくは寸法を変えるために用いられる周知の方法である。例えば、耐蝕性もしくは耐摩耗性を改善するため、あるいは基体に望ましい電気的性質もしくは磁性を与えるための装飾的目的のために、基体をめっきしてもよい。めっきは、印刷回路板など種々の電子包装基体の製造を含む多くの産業で一般的プラクティスである。
【０００３】
電気めっきおよび無電解めっきを含む、当業界で既知の種々のめっき方法がある。電気めっきは、電解セルの形成を含み、それにおいては、めっき金属はアノードを、基体はカソードを表し、外部電荷がそのセルに供給されて基体のコーティングを容易にする。
【０００４】
無電解めっきは、堆積もしくは還元される金属もしくは合金により触媒される制御された化学還元反応による、水性浴から基体上への金属コーティングの堆積を含む。この方法は、外部電荷を必要としない点で電気めっきとは異なる。電気めっきに対する無電解めっきの１つの魅力的な利点は、不規則な形状を有する基体に実質的に均一な金属コーティングをめっきできる能力である。しばしば、不規則な形状の基体を電気めっきすることは、電解セルのカソードとアノードとの間の変動距離のために非均一堆積厚さを有するコーティングを生じる。無電解めっきは、電解セルを排除することによりこの問題を回避する。電気めっきに対する無電解めっきの別の利点は、いったん方法を着手したら、時折水性浴の補給を必要とするだけで、無電解めっきは自触媒かつ連続的であることである。電気めっきは、導電性カソードを必要とし、電流がそのセルに供給されている間だけ続く。また、無電解コーティングは実質的に非多孔質であり、電気めっきされた基体よりも大きな耐蝕性を与える。
【０００５】
一般に、無電解めっき浴は、水、基体に堆積される金属を含む水溶性化合物、基体の表面に選択的化学還元を可能としながら溶液中の金属イオンの化学還元を防ぐ錯化剤、および金属イオン用化学還元剤を含む。さらに、めっき浴は、ｐＨを制御するための緩衝剤、ならびに浴安定剤および界面活性剤など種々の任意の添加剤を含んでもよい。めっき浴の組成物は、典型的にめっき方法の特定の目的に基づいて変化する。例えば、米国特許６，０４２，８８９は、基体に銅めっきするために非自触媒金属還元反応を自触媒反応に転換する目的で、ハイポホスフィット還元剤を有し、かつ銀イオンを含むいくつかの異なる「仲介イオン」の１つを用いる無電解めっき浴を教示している。
【０００６】
銀は、その高導電性、耐蝕性、ならびに良好な摩擦特性および耐摩耗性のために望ましいめっき金属であるが、現在のコーティング技術は非常に高価である。さらに、基体に銀をめっきしようとする既知の努力は、極めて有毒なシアン化物化合物および銀めっきを汚染する他の化合物を含む水性めっき浴を用いるので、不完全であった。
【０００７】
例えば、日本特許ＪＰ５５０４４５４０は、シアン化銀、水酸化ナトリウムおよび硼化水素カリウムを含む水性めっき浴を還元剤として用いて基体へ銀を無電解めっきする方法を教示している。この浴組成物は、シアン化銀の高有毒性のために不利である。また、硼化水素誘導体は、極めて引火性の気体水素を発生し、かつ銀金属めっきを汚染してその外観を品質低下させるので、望ましくない。
【０００８】
本発明は、硝酸銀などの水溶性銀塩、錯化剤として水酸化アンモニウム、安定剤として炭酸および／または重炭酸アンモニウム、ならびに還元剤としてヒドラジン水和物を含む水溶液を含む組成物を用いる銀の無電解めっき方法を用いることにより、先行技術の問題を解決する。この水溶液の組成物は、不純なめっきを起こす非揮発性成分が実質的になく、めっきされた銀の改善された外観および特性を与える。さらに、本方法は基本的に危険の多い物質を発生せず、かつ非揮発性成分の不在は、めっき浴を品質低下させる副産物の蓄積を回避して、実質的に無制限の浴補給を可能とする。さらに、めっき浴の独特な組成物は、望ましくない汚染物のない煮沸により、金属銀をめっき浴から沈殿させる。
【０００９】
本発明は、無電解自触媒めっきにより、繊維および粉末を含む幾何学的形状の材料の実質的にいずれにでも超純銀コーティングを堆積する簡単で低コストの方法を提供する。本方法は、銀めっき浴と接触する基体表面への無制限の厚さの密な均一金属銀コーティングを選択的に形成する、化学還元剤による銀塩の制御された自触媒化学還元を含む。
【００１０】
発明の概要
本発明は、下記のものを含む水溶液を含む無電解めっき組成物を提供する：
ａ）銀塩；
ｂ）水酸化アンモニウム；
ｃ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｄ）ヒドラジン水和物。
【００１１】
本発明は、下記工程を含む基体をめっきする方法も提供する：
Ａ）下記のものを含む水溶液を含むめっき組成物を与え：
ｉ）銀塩；
ｉｉ）水酸化アンモニウム；
ｉｉｉ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｉｖ）ヒドラジン水和物；そして
Ｂ）十分な時間、かつ金属銀を基体にめっきするに十分な条件下で、基体を前記めっき組成物と接触させる。
【００１２】
本発明は、さらに下記工程を含む基体をめっきする方法を提供する：
Ａ）下記のものを含む水溶液を含むめっき組成物を与え：
ｉ）銀塩；
ｉｉ）水酸化アンモニウム；
ｉｉｉ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｉｖ）ヒドラジン水和物；
Ｂ）十分な時間、かつ金属銀を基体にめっきするに十分な条件下で、基体を前記めっき組成物中に浸漬し；そして
Ｃ）めっき組成物から基体を取り出す。
【００１３】
本発明は、さらに下記のものを含む水溶液を含む組成物中に浸漬した基体を含む製品も含む：
ａ）銀塩；
ｂ）水酸化アンモニウム；
ｃ）炭酸および／または重炭酸アンモニウム；ならびに
ｄ）ヒドラジン水和物。
【００１４】
好ましい実施態様の詳細な説明
本発明は、無電解めっき浴を用いて金属銀で種々の基体を均一にめっきする方法を教示する。初めに、水、水溶性銀塩、水酸化アンモニウム錯化剤、炭酸および／または重炭酸アンモニウム安定剤、ならびにヒドラジン還元剤を含む水性めっき浴を、適切な容器中に生成する。
【００１５】
いったん成分全部が適切な容器中で結合されると、水溶性銀塩は溶解し、銀イオンを浴中に放出する。水酸化アンモニウム錯化剤は、銀イオンと強い錯化合物を生成し、基体表面に選択的化学還元を可能としながら浴中の銀イオンの化学還元を防ぐ。ヒドラジン還元剤は、金属銀への銀イオンの還元を可能とする。金属銀は、基体表面の触媒作用のために基体表面に選択的に堆積される。特に、基体をめっき浴に浸漬した後、基体表面は還元剤の酸化を触媒する。この酸化は、電子の放出を起こし、電子は、今度は、基体表面で金属銀イオンを浴中に還元する。ついで、これらの還元金属イオンは基体に堆積され、時間が立つと、基体周囲で金属シェルを発生する。炭酸および／または重炭酸アンモニウム安定剤は、めっき浴を操業可能な条件下に保持する。
【００１６】
ヒドラジン水和物による銀塩の化学還元は、単に金属銀および単なる蒸発によりめっき浴から除去される高揮発性気体状副産物の生成をもたらす。Ｎ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む他の浴成分も高揮発性であり、同様に蒸発により除去できる。浴は、容器中に蓄積でき、かつ銀めっきプロセスを抑制できる物質を含まず、かつ危険の多い物質を生成しない。めっき組成物は高安定性であり、かつ非揮発性促進剤、ｐＨ調節剤、もしくはめっき性強化のために用いられる他の化学薬剤を必要としない。また、強力な錯化剤が含まれず、浴により発生することもないので、浴の単純な煮沸だけで、水溶液から実質的に純な銀を沈殿させるのに十分である。
【００１７】
本方法は、基材および貴金属、合金、黒鉛ならびに他のものなどの触媒活性表面への銀堆積を進めるために前記成分とは異なる触媒を必要としない点で、自触媒である。ガラス、セラミックおよびポリマーなどの触媒不活性材料を従来の方法により、例えば、錫塩溶液および／または貴金属溶液との接触により、活性化することができる。さらに、本方法は連続的であり、単に浴の成分のそれぞれを補給するだけで、実質的に無限の時間維持してもよい。
【００１８】
めっき浴生成に続いて、適切な基体をめっき浴に浸漬する。基体は、十分な時間、かつ基体に金属銀の実質的に均一なコーティングをめっきするに十分な条件下で、めっき溶液中にとどまる。通常、めっき速度は約０．１〜２ミクロン／時間である。それは、銀およびヒドラジンの温度および濃度を増加させると増加する。
【００１９】
浴は、約２０〜約９８℃、より好ましくは約５０〜約９０℃の範囲の温度で維持される。浴は、また約８〜約１３の範囲の好ましいｐＨで維持される。好ましくは、浴は、他の添加剤の不在下で生成されるが、それはそのようなものが浴に蓄積する傾向があるからである。これらの条件は、安定しためっき浴を維持し、かつ浴からの銀の沈殿を防ぐことにおける重要な要因である。
【００２０】
典型的には、基体は、必要とされる銀の厚さに応じて、約１分間〜約４時間、好ましくは約５分間〜約６０分間、もっとも好ましくは約５分間〜約３０分間めっき浴にとどまる。所望量の金属銀が基体に塗布された後、それはめっき溶液から取り出される。結果は、実質的に均一かつ実質的に純である金属銀めっきを有し、良好な外観および特性を有する製品である。めっきは、基体表面を噴霧、流し込み、はけ塗りなどの他の技術によりめっき浴と接触させることにより実施することもできる。
【００２１】
本発明の好ましい実施態様において、銀塩は水溶性である。そのようなものには、とりわけ、硫酸銀、塩化銀および硝酸銀が含まれてもよい。これらの中でもっとも好ましい銀塩は硝酸銀（ＡｇＮＯ３）である。浴に存在する銀塩の量は、好ましくは約０．０１〜約６５０ｇ／Ｌの範囲である。より好ましくは、銀含有化合物の存在量は、約０．１〜約２０ｇ／Ｌの範囲である。
【００２２】
好ましい錯化剤は水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）である。もっとも好ましい錯化剤は、水酸化アンモニウムの２８％溶液である。他の適切な錯化剤には、メチルアミンもしくはエチルアミンなどの有機アミンが含まれるが、これらは好ましくない。浴に存在する２８％水酸化アンモニウムの量は、好ましくは約１〜１０００ｍＬ／Ｌ、より好ましくは約１０〜約２００ｍＬ／Ｌの範囲である。
【００２３】
好ましい還元剤はヒドラジン化合物であり、もっとも好ましくはヒドラジン水和物（Ｎ２Ｈ４・Ｈ２Ｏ）である。他の適切なヒドラジンには塩化ヒドラジンおよび硫酸ヒドラジンが含まれるが、銀が浴から沈殿する可能性が高いので好まれない。浴に存在するヒドラジン水和物の好ましい量は、約０．０１〜約２１０ｇ／Ｌ、より好ましくは約０．１〜約１０ｇ／Ｌの範囲である。
【００２４】
好ましい安定剤は、炭酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＣＯ３）および／または重炭酸アンモニウム（ＮＨ４ＨＣＯ３）である。炭酸および／または重炭酸アンモニウムの好ましい量は、約０．０１〜約３６０ｇ／Ｌ、より好ましくは約１０〜約２００ｇ／Ｌの範囲である。
【００２５】
したがって、好ましいめっき浴メカニズムを、下記一般式により記載できる：
４ＡｇＮＯ３ ＋ ４ＮＨ４ＯＨ ＋ Ｎ２Ｈ４・Ｈ２Ｏ ＝ ４Ａｇ ＋ Ｎ２ ＋ ４ＮＨ４ＮＯ３ ＋ ５Ｈ２Ｏ
基体は、非金属、金属、合金、半導体および非導体の範囲のいかなる材料を含んでもよい。適切な金属基体には、ステンレススチール、カーボンスチール、ニッケル、鉄、クロム、鉄‐クロム合金およびニッケル‐クロム‐鉄合金が含まれる。適切な非金属には、印刷回路板、ポリイミド基体、セラミックおよびガラス基体が含まれる。
【００２６】
めっき浴生成に用いられる容器の型も、浴安定性に影響を及ぼす重要な要因である。特に、容器は、容器の壁上での金属イオンの還元を防ぐために非金属であるべきである。さらに、浴加熱に用いられる手段は非金属加熱システムであるべきであり、かつ浴中の金属イオンの還元を防ぐために浴を均一に加熱すべきである。
【００２７】
下記非制限実施例は、本発明を説明する役割を果たす。
実施例１
ガラス顕微鏡スライド７５ｘ２５ｘ１ｍｍを酸化アルミニウム懸濁液で研磨することにより清浄し、超音波清浄剤中で処理し、１０ｇ／Ｌの塩化錫溶液中に２分間浸漬することにより増感し、水でリンスし、１ｇ／Ｌの塩化パラジウム溶液中２分間の浸漬により触媒活性化し、水でリンスし、ＡｇＮＯ３として１ｇ／ＬのＡｇ、２００ｍＬ／ＬのＮＨ４ＯＨ、７０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＣＯ３および０．３５ｇ／ＬのＮ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む無電解Ａｇめっき浴中に８３℃で１時間浸漬した。２ミクロン厚さの光沢鏡面Ａｇコーティングを得た。そのような銀コーティングは、ガラス繊維光学導波路に、かつ電子部品における伝導路として有用である。
【００２８】
実施例２
３つのペルフルオロエラストマーＯリング、Ｋａｌｒｅｚ， ＡＳ−５６８Ａ， Ｋ＃００３， ＤｕＰｏｎｔ Ｄｏｗ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ， Ｃｏｍｐｏｕｎｄ ４０７９、１．４２ｘ１．５２ｍｍをＨ２ＳＯ４ ＋ ＣｒＯ３混合物中に１００℃で１０分間エッチングし、水でリンスし、ＮＨ４ＯＨでリンスし、水でリンスし、１０ｇ／Ｌの塩化錫溶液中に２分間浸漬することにより増感し、水でリンスし、１ｇ／Ｌの塩化パラジウム溶液中２分間の浸漬により触媒活性化し、水でリンスし、ＡｇＮＯ３として１ｇ／ＬのＡｇ、１５０ｍＬ／ＬのＮＨ４ＯＨ、１５０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＣＯ３および０．３０ｇ／ＬのＮ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む無電解Ａｇめっき浴中に８１℃で０．５時間浸漬した。１ミクロン厚さの密で、均一で、高密着性の導電性Ａｇコーティングを得た。このＡｇコーティングを、従来のＡｇ電気めっきにより１３〜１８ミクロン厚さに付着させた。そのような銀コーティングは、航空宇宙用途におけるポリマー部品の腐食保護に有用である。
【００２９】
実施例３
窒化珪素セラミックロッド、Ｓｉ３Ｎ４、Ｈ２５ｘＤ２０ｍｍを温稀釈ＨＣＬ中で洗浄し、水でリンスし、１０ｇ／Ｌの塩化錫溶液中に２分間浸漬することにより増感し、水でリンスし、１ｇ／Ｌの塩化パラジウム溶液中２分間の浸漬により触媒活性化し、水でリンスし、ＡｇＮＯ３として１ｇ／ＬのＡｇ、３５０ｍＬ／ＬのＮＨ４ＯＨ、１５０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＣＯ３および０．４ｇ／ＬのＮ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む無電解Ａｇめっき浴中に８０℃で１時間浸漬した。１ミクロン厚さの密で、均一で、高密着性の導電性Ａｇコーティングを得た。このＡｇコーティングを、従来のＡｇ電気めっきにより１０ミクロン厚さに付着させた。そのような銀コーティングは、セラミックエンジン部品の高温度腐食保護に、かつ電気めっきに先立つ非導体の第一金属化に有用である。
【００３０】
実施例４
２つの窒化珪素セラミックエンジン部品、Ｓｉ３Ｎ４、６５ｘ２５ｘ１２ｍｍをアセトン中で洗浄し、表面の部分に専売（ｐｒｏｐｒｉｅｔａｒｙ）ポリマーマスキング組成物により被覆し、実施例１〜３の方法で増感及び触媒活性化し、そして、ＡｇＮＯ３として１ｇ／ＬのＡｇ、３００ｍＬ／ＬのＮＨ４ＯＨ、１５０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＣＯ３および０．３ｇ／ＬのＮ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む無電解Ａｇめっき浴中に７７〜９０℃で０．５時間めっきした。０．７〜０．８ミクロン厚さの密で、均一で、高密着性の導電性Ａｇコーティングを、マスクしていないセラミック表面に得た。Ａｇコートされた部品を５００℃で０．５時間加熱処理してポリマーマスクを燃え尽きさせ、Ａｇコーティングを、従来のＡｇ電気めっきにより１０〜１１ミクロン厚さに選択的に付着させた。そのような銀コーティングは、セラミックエンジン部品の高温度腐食保護、低摩擦コーティングとして、かつ電気めっきに先立つ非導体の第一金属化に有用である。
【００３１】
実施例５
ステンレススチールの造形支持体の試料５５ｘ２５ｘ４ｍｍをアセトンで洗浄し、ＡｇＮＯ３として０．８ｇ／ＬのＡｇ、２００ｍＬ／ＬのＮＨ４ＯＨ、１２０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＣＯ３および０．２ｇ／ＬのＮ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む無電解銀めっき浴中に６０〜７０℃で４５分間浸漬した。１．２〜１．４ミクロン厚さの密で、均一の高密着性Ａｇコーティングを得た。この銀コーティングは、航空機キャビンの空気中のオゾン分解に高触媒活性を示す。
【００３２】
実施例６
５０〜７０ミクロン粒度の硼珪酸ガラス微小球７ｇをアセトンで脱脂し、多孔質ガラス漏斗を用いて実施例５の方法で触媒活性化し、ＡｇＮＯ３として０．５ｇ／ＬのＡｇ、２５０ｍＬ／ＬのＮＨ４ＯＨ、１５０ｇ／Ｌの（ＮＨ４）２ＣＯ３および０．２ｇ／ＬのＮ２Ｈ４・Ｈ２Ｏを含む無電解銀めっき浴中に６０〜６５０℃で２０分間攪拌した。０．２〜０．４ミクロン厚さの光沢のある、均一で、連続性の高密着性Ａｇコーティングを得た。この銀コーティングは、支持された触媒、導電性ポリマーの充填剤、および電子工学の導電性ペーストとして有用である。
【００３３】
本発明を特に好ましい実施態様に関して示し、かつ説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく種々の変化および改変を実施してもよいことは当業者には容易に理解される。特許請求の範囲が開示される実施態様、討議された代案およびそれに対する全均等物をカバーすると解釈されることが意図される。
【国際公開パンフレット】
2004502871.tif 000002
2004502871.tif 000003
2004502871.tif 000004
2004502871.tif 000005
2004502871.tif 000006
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2004502871.tif 000010
2004502871.tif 000011
2004502871.tif 000012
2004502871.tif 000013
2004502871.tif 000014
2004502871.tif 000015
2004502871.tif 000016
2004502871.tif 000017
2004502871.tif 000018
【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004502871.tif 000019
【国際調査報告】
2004502871.tif 000020
2004502871.tif 000021
2004502871.tif 000022