(57)【要約】本発明は、少なくとも１種の一般式（Ｉ）：ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ［式中、ＭはＧａまたはＡｌであり、ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）およびｎは１または２である］の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、場合により酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体の還元により製造可能な触媒に関し、前記触媒は水素化活性金属の結晶子サイズが完成触媒中で５〜３０ｎｍであることに特徴付けられる。前記触媒は、芳香族ニトロ化合物を水素化して芳香族アミンにするため、または還元的アミノ化、脱水素および異性化のために使用される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）、
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、場合により酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体の還元により製造可能な触媒において、水素化活性金属の晶子サイズは、完成触媒中で５〜３０ｎｍであることを特徴とする触媒。
【請求項２】
酸化担体は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２またはこれらの混合物から選択される、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）、
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２またはこれらの混合物から選択される酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体の還元により製造可能な触媒。
【請求項４】
水素化活性触媒は、元素の周期系のＩＡおよびＶＩＩＩＡ族の金属から選択される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項５】
水素化活性金属は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｕの中から選択される、請求項４に記載の触媒。
【請求項６】
一般式（Ｉ）の化合物は、Ｈ２Ａｌ（ＯＣＲ’３）（この場合、Ｒ’はＣ１〜３−アルキルである）またはそのダイマーである、請求項１から５までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項７】
水素化活性金属の酸化物および／または水酸化物を反応の際に固体として、かつ一般式（Ｉ）の化合物またはそのダイマーもしくはオリゴマーを気体状で使用する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項８】
記載された方法工程を実施する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の製法。
【請求項９】
場合により置換された炭化水素を水素化、脱水素または異性化するための、請求項１から７までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）および
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、場合により酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体の還元により製造可能な触媒の存在で、ニトロ基を有する相応する芳香族化合物を水素化することによる、アミノ基を有する芳香族化合物の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、特に芳香族ニトロ化合物を水素化して芳香族アミンにするために適切であり、さらに還元的アミン化、脱水素または異性化に使用することができる金属性水素化触媒に関する。
【０００２】
ポリウレタンを製造する場合には、大抵は芳香族ジイソシアネートとジオールを反応させる。その際、芳香族ジイソシアネートは、相応する芳香族化合物をニトロ化し、引き続きニトロ基を水素化してアミノ基にし、次にアミノ基とホスゲンとを反応させてイソシアネート基にすることにより製造できる。例えば、トルエンは、硝酸との反応によりニトロ化してジニトロトルエンにすることができ、ニトロ基は水素化され、かつイソシアネート基に変換される。水素化の際に、芳香族環を水素化することなく、ニトロ基を出来るだけ高い収率、選択性で水素化するのがよい。
【０００３】
水素化触媒としては、頻繁にラネー触媒が使用される。容易に入手可能でありかつ最も広く使用されるラネー触媒は、ラネーニッケルである。
【０００４】
ラネーニッケルは、ニッケルとアルミニウム、ケイ素、マグネシウムまたはスズとの合金化し、かつ機械的粉砕後に、ＫＯＨにより前記合金を分解することにより得られる。この場合に、触媒的効果のない金属を抽出し、かつ触媒的に活性なニッケルのブラックメタルスポンジは残留されたままである。しかし、このように得られるラネーニッケルは、大きな金属表面ゆえに自燃性であり、単に保護ガス下または不活性希釈剤中でしか操作できない。ラネーニッケルは、しばしば使用直前に新たに製造される。それというのも、貯蔵の際に不活性希釈剤の存在下で著しい活性損失が生じるからである。しかし、酸化により失活された触媒は、再生できない。
【０００５】
相応する金属塩または金属錯体から、アルミニウム有機化合物で活性化することにより活性触媒を得ることも試みられている（例えば、ＢＥ−Ａ−０７３７５７４参照）。例えばニッケル錯体は水相中でＡｌＨ（Ｏｔ−Ｂｕ）２で活性化される。
【０００６】
ラネーニッケルの代わりに、担持ニッケル触媒を使用することもできる。この製造は、一般的には担体をニッケル化合物で含浸するかまたは担体とニッケル化合物を一緒に沈殿させることにより行われる。このように得られた触媒は、酸化ニッケルを金属ニッケルに変換させるために使用前に活性化させなくてはならない。この場合に、不動態化され、かつ使用前に反応性でなくてはならない高い表面積の自燃性ニッケルが生じる。
【０００７】
ＤＤ−Ａ−２８４３７１によれば、公知のニッケル触媒の欠点は、粗粒子のニッケル触媒を空気で表面的に酸化することにより回避され、このように空気中での取り扱いを可能にしている。使用前に、水素化反応において触媒を不活性液体中に導入し、かつ微粉末に粉砕される。ここで、さらに水素雰囲気下または不活性雰囲気下に操作しなくてはならない。
【０００８】
Ｎａｎｏ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、第１２巻、１９９９、１９１〜１９４ページには、分子前駆体から出発するナノスケールでのセラミックおよび金属／酸化金属−複合材料の製造が記載されている。
【０００９】
この場合、Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３は、ＮｉＯを［Ｈ２Ａｌ（ｏ−ｔｅｒｔ．−Ｂｕ）］２で還元させることにより製造される。ニッケル晶子の粒度は、５０〜１００ｎｍである。［Ｎｉ｛Ａｌ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４｝２］の使用下に、ＣＶＤ法を用いてＮｉ／Ａｌ２Ｏ３がナノスケールで製造することができる。しかし、ニッケル晶子は、５０〜１００ｎｍの比較的に大きな粒度を有する。
【００１０】
Ｅ． Ｗ． Ｆｒｉｔｓｃｈｅｒ， Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔａｅｔ ｄｅｓ Ｓａａｒｌａｎｄｅｓ， １９９７、１１８〜１４０ページの学位論文は、同様の触媒系に関する。Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３−材料がスチレンおよびマレイン酸の水素化の際に使用されている。
【００１１】
本発明の課題は、公知の触媒の欠点が回避され、かつ特に空気中で取り扱うことができ、簡単に活性化することができ、かつ活性化の後に高い活性を有する水素化触媒の提供、特に芳香族ニトロ化合物を水素化するための提供である。この場合に活性化は、低温で可能であるべきである。
【００１２】
前記の課題は、少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）、
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、場合により酸化担体上に存在する水素化活性金属の固体前駆体、例えば、酸化物および／または水酸化物の還元により製造可能な触媒において、完成触媒中の水素化活性金属の晶子サイズは、５〜３０ｎｍ、有利には５〜１５ｎｍであることにより解決された。
【００１３】
金属酸化物／水酸化物は、担体を用いずにまたは担持された形で使用することができる。例えば、これは酸化担体上に存在することができる。適切な酸化担体は公知である。例えば、酸化担体は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２またはこれらの混合物から選択することができる。
【００１４】
可能性のある担体としては、さらに前記の物から作られた金属板、ネット、織物、メリヤスおよびモンモリロナイトが該当する。触媒は、懸濁液中での水素化、固定床として、粉末（流動床）としてまたは被覆担体としての使用を可能にする適切な担持構造で製造することができる。
【００１５】
担体としては、さらに前記の物から作られたゼオライト担体およびモンモリロナイトが使用される。
【００１６】
さらに前記の課題は、少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）、
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２またはこれらの混合物から選択される酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体の還元により製造可能な本発明による触媒により解決された。
【００１７】
ここで、完成触媒中の水素化金属の晶子サイズは、３〜１００ｎｍ、有利には４〜３０ｎｍ、特に５〜１５ｎｍであるのが有利である。
【００１８】
水素化活性金属は、全ての公知の水素化活性金属から選択することができる。元素の周期系のＩＡおよびＶＩＩＩＡ族の金属ならびにこれらの混合物から選択されるが有利である。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｒｕから選択される水素化活性金属が特に有利である。特にＮｉが有利である。
【００１９】
前駆体中、金属は、例えば、酸化物、水酸化物または酸化物／水酸化物−混合物または炭酸塩または塩の形で存在することができる。特に５〜１５ｎｍ範囲内の晶子サイズを有するＮｉＯが特に有利である。
【００２０】
一般式（Ｉ）の化合物、そのダイマーまたはオリゴマー中、ＭがＡｌであるのが有利である。Ｒは、ＣＲ’３であるのが有利である。Ｒ’は、Ｃ１〜１２−アルキル、特に有利にはＣ１〜６−アルキル、特にＣ１〜３−アルキルであるのが有利である。この場合、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルであることができる。特に、Ｒ’はメチルであるため、Ｒはｔｅｒｔ．−ブチルである。ｎは、１または２、有利には２である。
【００２１】
一般式（Ｉ）の化合物またはそのダイマーは、Ｒ’がＣ１〜３−アルキル、特にメチルであるＨ２Ａｌ（ＯＣＲ’３）であるのが有利である。これらの化合物は、アランとして、特にｔｅｒｔ．−ブトキシアランとして公知であり、正確に特性決定されている。その製法は、例えば、Ｚ． ａｎｏｒｇ． ａｌｌｇ． Ｃｈｅｍ． １９６８， ３５８， ４４およびＣｈｅｍ． Ｂｅｒ． １９９６， １２９， ３８１〜３８４ページに記載されている。
【００２２】
ダイマーとは、２個のＡｌ−原子がＯ−ｔｅｒｔ．−ブチル基を介して架橋している環状化合物である。本発明によれば、このタイプのジ−（ｔｅｒｔ．−ブトキシ−アルミニウムジヒドリド）を使用するのが特に有利である。
【００２３】
酸化ニッケルからニッケルへの還元は、ジ−（ｔｅｒｔ．−ブトキシ−アルミニウムジヒドリド）との反応により行われる。この場合、反応は懸濁液中で行われる。しかし、水素化活性金属の酸化物および／または水酸化物、特に酸化ニッケルを反応の際に固体として使用し、かつ一般式（Ｉ）の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマー、特にジ−（ｔｅｒｔ．−ブトキシ−アルミニウムジヒドリド）を気体状で使用するのが有利である。反応の際に、均一に還元するために場合により水素化活性金属の担持された酸化物／水酸化物を機械的に操作するのが有利である。
【００２４】
還元触媒は、還元剤からの特定量のアルミニウムを含有する。
【００２５】
酸化ニッケル粉末上でのジ（ｔｅｒｔ．−ブトキシ−アルミニウムジヒドリド）の気相分解の際に、反応期間に応じて、例えば、組成物Ｎｉ／ＮｉＯ／Ａｌ２Ｏ３（Ａｌ）またはＮｉ／Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ）の複合材料が生じる。この場合、酸化ニッケルは、水素化物リガンドにより還元される。酸化アルミニウムは、前駆体の熱分解の際に形成される。前駆体としてジ（ｔｅｒｔ．−ブトキシ−アルミニウムジヒドリド）を用いるＣＶＤ法において、ニッケル基質上にＡｌ／Ａｌ２Ｏ３−複合材料層が生じる。酸化ニッケルから金属ニッケルへの還元の他に、複合構造を有する生じたニッケル片の被覆も形成される。しかし、完成生成物中には、一般的に化学量論により予想されるよりも僅かなアルミニウムしか含有されない。僅かな水素化アルミニウムまたは水素化ニッケル含分も存在し得る。
【００２６】
触媒中に組込まれるアルミニウムの量は、使用される触媒担体に応じる。量の変化は、比較的に揮発性のアルミニウム−オキシ−ｔｅｒｔ． −ブトキシ化合物の形成により根拠付けることができ、異なる程度で種々の担体に吸着することができる。
【００２７】
粉末回折法により示されるように、ニッケルはナノ晶子相の形で存在することができる。可能性のある酸化アルミニウム成分は、非晶質の形で存在する。Ｘ線回折法において、金属アルミニウムの反射は、僅かにだけ強く、しばしばバックグランド中では殆ど認識することができない。
【００２８】
この場合に、Ｎｉ−晶子のサイズは、反応温度によりコントロールすることができる。２０〜６００℃の範囲内、特に有利には２００〜５００℃の範囲内の温度で反応を実施するのが有利である。４００℃の反応温度では、例えば５００℃の場合よりも著しく小さなＮｉ−晶子が形成される。
【００２９】
反応の際に、一般式（Ｉ）の化合物を、水素化活性金属の酸化物に対して０．１〜１０、特に有利には０．３〜３のモル比で使用するのが有利である。
【００３０】
反応後に得られる複合材料中に水素化活性金属の晶子は、ＡｌＯｘ−マトリックス中に非常に細かく分散した状態で埋め込まれる。前記複合材料は、ラネーニッケルの特性に類似した特性を有する。しかし、これらはラネーニッケルとは異なり空気中で安定であり、かつ中程度の条件（反応条件下）でさえも、再活性化することができるという優れた適用技術的利点を有する。触媒を製造するために、冒頭に引用された文献を参照することができる。
【００３１】
不動態化された触媒の活性化は、例えば、２５〜２５０℃の範囲内、有利には２５〜１２０℃の範囲内の温度で、かつ１〜２００バール、有利には１〜２５バールの水素圧で達成することができる。これに対して、不動態化されたラネーニッケル触媒は、再活性化することができない。同様に、通常の方法により製造された不動態化されたＮｉ／ＴｉＯ２触媒は、１２０℃で活性化することはできない。
【００３２】
本発明による触媒の活性化は、水素化条件下でも可能であるため、特別な活性化工程は不必要である。
【００３３】
本発明による触媒は、ラネーニッケルの活性に類似した活性を有するため、これらの触媒は周囲条件で安定である“ドライ”ラネー触媒として使用することができる。
【００３４】
本発明は、記載された方法工程で実施される触媒の製法にも関する。
【００３５】
さらに、本発明は、場合により置換された炭化水素を水素化、脱水素または異性化するための前記の触媒の使用に関する。これらは、脂肪族、芳香族または混合脂肪族−芳香族炭化水素であることができる。
【００３６】
本発明による触媒は、例えばＣ−Ｃ二重結合、カルボキシル基、ニトリル、イミン、カルボン酸およびエステルまたは芳香族を水素化するために有利に使用される。本発明は、少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、場合により酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体の還元により製造可能な触媒の存在で、ニトロ基を有する相応する芳香族化合物を水素化することによる、アミノ基を有する芳香族化合物の製法にも関する。
【００３７】
前記のように触媒を構成するのが有利である。
【００３８】
水素化すべき化合物の例は、ジニトロトルエン、ｏ−、ｐ−ニトロトルエンおよびニトロベンゼンである。
【００３９】
本発明による触媒が反応の際に消費される場合には、これを公知の方法により再活性化させることができる。
【００４０】
本発明を以下の実施例により説明する。
【００４１】
例１　ビス［（ｔｅｒｔ．−ブトキシ）アルミニウムジヒドリド］の製造
フラスコ中で、ＬｉＡｌＨ４　４．５５４ｇ（１２０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル８０ｍｌ中に溶解させた。液体窒素で冷却しながら、２個目のフラスコ中で、水不含三塩化アルミニウム５．３３４ｇ（４０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル８０ｍｌ中に溶解させ、次に室温でＬｉＡｌＨ４−溶液に素早く滴加した。その際に、ＬｉＣｌが析出し、かつ溶液が濁った。
【００４２】
冷却（０℃）しながら、形成された懸濁液にｔｅｒｔ．−ブタノール１１．８５９ｇ（１６０ｍｍｏｌ）１１．８５９ｇをゆっくり滴加し、その際、著しい水素発生が検出された。引き続き、反応溶液をさらに２時間室温で撹拌した。形成されたＬｉＣｌを濾別し、かつ溶剤を真空中で蒸留した。白色残留物を、アセトン／ドライアイスで冷却した昇華管を用いる昇華により、室温で真空中（１ｍｂａｒ）で精製した。
【００４３】
収率：１５．２ｇ（理論の９３％）。
【００４４】
例２  触媒の調製
触媒の調製は、“ホットウォール”反応器中で行った。被覆すべき粉末は、一方が前駆体溜めと接続され、他方がローターユニットと接続されたガラス管中にあった。軸線を中心に回転させることにより、より良好な混入と同時に粉末の均一な被覆が達成された。粉末の加熱は、反応管が備えられた管状炉を用いて行われた。前駆体を気相に導入するために、真空を系に適用した。前駆体の迅速な揮発性により、溜めの加熱は不必要であった。連続的な材料輸送を達成するために、ＣＶＤ法を動的真空条件下で実施した。揮発性分解生成物を真空ポンプの手前でコールドトラップ中で凍結させた。
【００４５】
バッチ：
ＮｉＯ／ＴｉＯ２（Ｎｉ含量３０質量％）４．５０ｇ
［Ｈ２ＡｌＯＣ４Ｈ９］２．８９ｇ
反応４００℃
収率：Ｎｉ担体５．１９ｇ
湿式化学分析：
Ｎｉ　　３１．７７質量％
Ａｌ　　１．４９質量％。
【００４６】
Ｘ線回折法により算出されたＮｉＯおよびＮｉの晶子サイズは、種々の触媒に関して以下の表中に挙げられている。
【００４７】
【表１】
2004501760.tif 000002
【００４８】
本発明による触媒は、自燃性ではなく、かつ空気中で取り扱うことができる。水素化試験の前の活性化は重要ではない。
【００４９】
例３　ジニトロトルエンの水素化
３００ｍｌ撹拌オートクレーブに、ｎ−ブタノール２２０ｍｌおよび例２からの触媒０．８ｇを装入した。８０℃（もしくは１２０℃）で、６時間、２５バールの水素圧下で活性化した。
【００５０】
それに続いて、２，４−ジニトロトルエン２０ｇを導入し、かつ８０℃および２５バールの水素圧下で水素化した。水素消費による圧力損失が検出され、水素をそれぞれ後から注入した。触媒の活性は、１分あたりに後から注入すべき圧力を用いて決定した。
【００５１】
本発明による触媒の活性は、以下の表において公知の触媒の活性と比較されている。さらに、貯蔵後に空気で活性化された触媒を試験した。結果は、表２にまとめられている。
【００５２】
【表２】
2004501760.tif 000003
【００５３】
ここで、最後から４個の触媒が本発明による触媒である。括弧中の温度値は、触媒を製造する際の反応温度を表す。製造は例２により行った。
【００５４】
表２からの結果から、本発明による触媒自体が、より長い貯蔵の後に空気で良好に活性化することができることが分かる。
【国際公開パンフレット】
2004501760.tif 000004
2004501760.tif 000005
2004501760.tif 000006
2004501760.tif 000007
2004501760.tif 000008
2004501760.tif 000009
2004501760.tif 000010
2004501760.tif 000011
2004501760.tif 000012
2004501760.tif 000013
2004501760.tif 000014
2004501760.tif 000015
2004501760.tif 000016
2004501760.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成14年9月23日(2002.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）および
ｎは１または２である］
の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２またはこれらの混合物から選択される酸化担体上に存在するＮｉ−前駆体を還元することにより製造可能な触媒。
【請求項２】
一般式（Ｉ）の化合物は、Ｈ２Ａｌ（ＯＣＲ’３）（この場合、Ｒ’は、Ｃ１〜３−アルキルである）またはそのダイマーである、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
ニッケルの酸化物および／または水酸化物を反応の際に固体として、かつ一般式（Ｉ）の化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーを気体状で使用する、請求項１または２に記載の触媒。
【請求項４】
完成触媒中の水素化活性金属の晶子サイズは、５〜３０ｎｍである、請求項１から３までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項５】
少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）および
ｎは１または２である］
の気体状化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、酸化担体上に存在する水素化活性金属の前駆体を還元することによる触媒の製法。
【請求項６】
場合により置換された炭化水素を水素化、脱水素または異性化するための、請求項１から４までのいずれか１項に記載の触媒の使用。
【請求項７】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の触媒の存在で、相応するニトロ基を有する芳香族化合物を水素化することによる、アミノ基を有する芳香族化合物の製法。
【請求項８】
２００〜５００℃の範囲内の温度で、少なくとも１種の一般式（Ｉ）
ＨｎＭ（ＯＲ）３−ｎ　　　　（Ｉ）
［式中、
ＭはＧａまたはＡｌであり、
ＲはＣＲ’３またはＳｉＲ’３（この場合、Ｒ’はＣ１〜２０−アルキルである）および
ｎは１または２である］
の気体状化合物またはそのダイマーまたはオリゴマーとの反応により、水素化加活性金属の前駆体を還元することによる触媒の製法。
【国際調査報告】
2004501760.tif 000018
2004501760.tif 000019
2004501760.tif 000020
2004501760.tif 000021
2004501760.tif 000022
2004501760.tif 000023