(57)【要約】上面及び底面を有する定盤（３１）並びに定盤の上面上に光学部品を保持するためのホルダ（３２）を備える、リソグラフィ用ステージ。定盤は高純度石英ガラスまたは超低膨張ガラスのような軽量材料でつくられる。定盤の底面はさらに、極紫外リソグラフィ装置の位置決め装置と連結するための手段を備えることができる。
2004512677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ用投影装置において：
投影光ビームを供給するための光放射装置；
マスクを保持するマスクステージであって、高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスから選ばれる１つからなる軽量材料でつくられているマスクステージ；
ウエハを保持する基板ステージであって、前記軽量材料でつくられている基板ステージ；及び
前記マスクの照射部分を前記ウエハの標的部分上に結像させるための光学系；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用装置。
【請求項２】
前記軽量材料が空孔包含構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用装置。
【請求項３】
リソグラフィ用投影装置において：
投影光ビームを供給するための手段；
マスクを保持するマスクステージであって、高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスから選ばれる１つからなる軽量材料でつくられているマスクステージ；
ウエハを保持する基板ステージであって、前記軽量材料でつくられている基板ステージ；及び
前記マスクの照射部分を前記ウエハの標的部分上に結像させるための手段；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用装置。
【請求項４】
リソグラフィ用ステージにおいて：
高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスから選ばれる１つからなる軽量材料でつくられている定盤；及び
前記定盤上に光学部品を保持するための手段；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用ステージ。
【請求項５】
前記軽量材料が、前記材料の密度を低下させるために、前記軽量材料内部に包含された空孔を有することを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項６】
前記光学部品がマスク及びウエハから選ばれる１つを含むことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項７】
前記リソグラフィ用ステージの底面に付属部品をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項８】
前記定盤を位置決め装置に連結するための手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項９】
リソグラフィ用ステージにおいて：
高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスから選ばれる１つからなる軽量材料でつくられている定盤；及び
前記定盤上に光学部品を保持するためのホルダ；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用ステージ。
【請求項１０】
極紫外リソグラフィ用ステージを作成する方法において：
高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスから選ばれる１つからなるガラス材料から内部に包含された空孔を有する構造体を押出成形する工程；及び
前記構造体を前記極紫外リソグラフィ用ステージに造形する工程；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記極紫外リソグラフィ用ステージがマスクステージ及びウエハステージから選ばれる１つであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ガラス材料が超低膨張石英ガラスを含むを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ガラス材料がＴｉＯ２含有シリカであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記ガラス材料が５から１０重量％ＴｉＯ２の範囲のＴｉＯ２含有量を有するシリカであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記造形する工程がガラス材料の個片を前記押出成形された構造体上に融着する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
関連特許出願
本出願は、２０００年１０月１３日に出願された、名称を“石英ガラスベース軽量ＥＵＶＬステージ”とする、米国仮特許出願第６０／２４０，００５号の優先権を主張する。
【０００２】
発明の分野
本発明は極紫外リソグラフィ（ＥＵＶＬ）に関する。さらに詳しくは、本発明は石英ガラスベース軽量材料でつくられたＥＵＶＬ装置に関する。
【０００３】
発明の背景
極紫外（ＥＵＶ）リソグラフィ（ＥＵＶＬ）は、比較的新しいリソグラフィ形式である。ＥＵＶＬは、結像を行うために波長が１０から１４ナノメートル（ｎｍ）の範囲の（軟Ｘ線とも呼ばれる）極紫外（ＥＵＶ）光を用いる。これまでは、集積回路（ＩＣ）の大量生産に選択されるリソグラフィ手法は、光リソグラフィであった。光リソグラフィにおける絶え間ない進歩により、光リソグラフィは１００ｎｍまたはさらに微細なデバイス世代にかけて半導体工業の主力手段であり続けることができた。しかし、ＩＣチップの回路充填密度をさらに高めるためには、新しい技術（次世代リソグラフィ：ＮＧＬ）が必要になるであろう。ＥＵＶＬは光リソグラフィの後継技術となることを競っているＮＧＬ技術の１つである。
【０００４】
多くの点においてＥＵＶＬは光リソグラフィに類似している。例えば、図１に示されるように、ＥＵＶＬ装置についての基本的な光学的構成は光リソグラフィ装置の光学的構成と類似している。構成には、光源１，集光器２，マスクステージ５上のマスク（レチクル）４，光学系６及びウエハステージ８上のウエハ７が含まれる。ＥＵＶリソグラフィ装置と光リソグラフィ装置はともに、フォトレジストで被覆されたシリコンウエハを含む基板上にマスク上の像を投影するために光学系（カメラ）を用いる。しかし、明白な類似性はここまでである。ＥＵＶは事実上全ての材料で強く吸収されるため、ＥＵＶ結像は真空中で行われなければならず、これは装置をチャンバ３内に封じ込めることにより達成される。さらに、チャンバ３は、それぞれがそれぞれ自体の真空装置を有する、別々の隔室１０及び２０に区画される。ＥＵＶはほとんどの材料で吸収されるから、基板（ウエハ）７上にマスク４上の像を集束及び投影するに適するレンズはない。この結果、透過モードの代わりに反射モードでＥＵＶＬを実施する必要がある。反射モードでは、光は、レンズを透過する代わりに、ミラー（図示せず：光学系６の内部にある）で反射される。反射光学系を用いるにしても、ＥＵＶを反射し得る材料は多くはない。近垂直入射（すなわち、入射ビームがミラー面に対して垂直に近い角度でミラー面に到着する）において妥当な反射率を得るため、ミラー面には一般に多層薄膜コーティングが施される。この多層薄膜コーティングは、分布ブラッグ反射として知られる現象でＥＵＶを反射する。
【０００５】
ＥＵＶＬ結像装置における反射面用の多層コーティングは、ＥＵＶ光学定数が異なる材料の多数の交互層からなる。このような多層膜は、層の周期がほぼλ／２であれば、共鳴反射率を与える。ここでλは波長である。最も有望なＥＵＶ多層膜は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の交互層からなるコーティングである。これらの層は、マグネトロンスパッタリングにより被着される。Ｍｏ層またはＳｉ層のそれぞれは、周期がλ／２になるように、ＥＵＶ光のλ／４の厚さに被着される。このタイプの反射器では、それぞれのシリコン表面で入射光が少しずつ反射される。層厚が反射光波に強めあう干渉をおこさせる。層数が多くなるほど、より多くの光が反射されるであろう。しかし、コーティング層数を多くしていけば、最終的には表面コーティングの欠陥が反射率を落とすことになるであろう。現在、ＥＵＶＬ装置のミラーのほとんどはほぼ４０対のＭｏ：Ｓｉ交互層を有する。さらに、Ｍｏ：Ｓｉ多層膜のほとんどは、一般的なレーザプラズマ光源の波長である、ほぼ１３．４ｎｍの波長で最善に機能するように最適化されている。
【０００６】
ＥＵＶ光はほとんどマスクを通過しないから、ＥＵＶＬ用マスクは、ミラーと同様に、透過型ではなく反射型である。反射型マスクは、ミラーとほぼ同様に、Ｍｏ：Ｓｉ多層膜で作成される。しかし、ミラーの作成に用いられるマグネトロンスパッタリング法は、マグネトロンスパッタリングでの欠陥率がマスクの作成に用いるには高すぎるため、マスクには適していない。代わりに、数桁低い欠陥密度が達成されることが示された、イオンビームスパッタリングがマスクの作成に用いられる。
【０００７】
ＥＵＶＬ装置の動作においては、ＥＵＶ光２４がマスク４で反射される。反射光４７が、反射光４７を導き、反射光４７の寸法を縮小するために用いられる、光学系６内部のミラー（図示せず）でさらに反射される。光学系６で達成される寸法縮小により、ウエハ７上に焼き付けられるべき像を（マスク４上の像より）小さくすることができる。一般に、そのような焼付プロセスは、マスク４とウエハ７がともに精密かつ協調的な態様で移動されなければならない、ステップアンドスキャンモードで行われる。そのような移動は、マスク（レチクル）４及びウエハ７をそれぞれ、コンピュータ（図示せず）で制御される、可動ステージ５及び８上におくことにより可能になる。ステージ５または８は一般に、マスク４またはウエハ７を保持するためのホルダ（図示せず）をもつＸ−Ｙ定盤（Ｘ及びＹ方向に移動できる定盤）を備える。ステージの移動は、コンピュータで制御される電動式位置決め装置により達成される。これらのステージにより、装置の初期設定におけるコンポーネントの位置合せも容易になる。
【０００８】
投影型リソグラフィ装置では、コンポーネント（例えば、マスク、ミラー及びウエハ）の精密な位置合せが、ウエハ基板上への正確なパターン作成に絶対に必要である。ＥＵＶＬに必要な精度は、光リソグラフィに対する精度より厳格である。これらの要因が、動作波長におけるＥＵＶＬ装置の性能を決定するための、あるいは装置を所望の特性に調整し、適合させるための、高精度ＥＵＶ波面測定干渉計の開発を促した。これらの目的のためには、容易に調整できるコンポーネントが肝要である。それぞれのコンポーネントが調整可能なステージ上にあれば、そのような調整が容易になるであろう。
【０００９】
位置合せ作業またはスキャン動作中のいずれであろうとも、ステージの重量が大きいほど、熱をより多く発生するより強力なモーターが必要となるから、ステージの重量が大きいと精度及び性能が阻害される。熱は装置の温度を高め、ＥＵＶＬ装置は温度変化に極めて敏感である。さらに、重量が大きくなるほど装置の操作性が阻害される（すなわち、スキャン動作における高精度制御の達成が困難になる）。したがって、容易操作性、すなわち向上した位置決め及びスキャン精度を得るためには、上記のコンポーネントを軽量で高剛性の材料でつくること、あるいはコンポーネントの重量を低減するために磁気浮揚を用いることが望ましい。磁気浮揚はＥＵＶＬ装置の開発初期に成功裏に用いられたが、今では軽量材料の使用に関心が移っている。
【００１０】
軽量材料のミラー及び光学部品等の装置コンポーネントの構造体への使用は、少なくともミラー構造体においては、新しいことではない。例えば、メリー・ジェイ・エドワーズ（Ｍａｒｙ Ｊ． Ｅｄｗａｒｄｓ）等は、「現在のＵＬＥ（登録商標）及び石英ガラス軽量ミラーの作成法」，Ｖ３３５９，ｐ．７０２−７１１，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ，３月２５〜２８日，１９９８年，において軽量ミラーの作成方法を説明している。この方法は、軽量構造体を作成するための中実ガラス個片の機械加工工程、またはガラス個片の軽量コアへの融着工程を含む。より最近では、軽量ステージを作成するための方法も報告されている。例えば、２０００年２月１７日に出願された米国特許出願第０９／５０２，２５１号、２０００年２月１７日に出願された米国特許出願第０９／５０６，０４０号及び２０００年２月１７日に出願された米国特許出願第０９／５０６，１６２号の各明細書において、フルディナ（Ｈｒｄｉｎａ）等により、またスペンス（Ｓｐｅｎｃｅ）に発行された米国特許第６，１１８，１５０号の明細書において、軽量高剛性ステージ定盤が開示されている。スペンスの’１５０号特許明細書に開示される定盤は薄いプレートで構成され、必要な剛性を与えるためにマトリックス型リブ構造体で補強されている。
【００１１】
コンポーネント重量の最小化だけでなく、理想的なＥＵＶＬ装置は良好な熱応答も有するべきである。すなわち、装置は温度変化に敏感であるべきではない。したがって、ＥＵＶＬ装置に使用するためには、軽量で低熱膨張のステージを有することが望ましい。
【００１２】
発明の概要
本発明の一態様はＥＵＶＬ装置に使用するための軽量ステージに関する。一実施形態は、上面及び底面を有する定盤並びに定盤の上面上に光学部品を保持するためのホルダを備える。定盤は、高純度石英ガラスまたは超低膨張ガラスのような軽量材料からなっていても差支えない。別の実施形態において、定盤の底面は極紫外リソグラフィ装置の位置決め装置に連結するための手段をさらに備えても差支えない。
【００１３】
本発明の別の態様は軽量ＥＵＶＬステージを作成する方法に関する。一実施形態において、極紫外リソグラフィステージを作成する方法は、ガラス材から空孔包含構造体を押出成形する工程、及び空孔包含構造体を極紫外リソグラフィステージに造形する工程を含む。造形工程は、ガラス材の薄い個片を空孔包含構造体上に融着する工程を含むことができる。
【００１４】
本発明の別の態様はＥＵＶＬ装置に関する。一実施形態において、リソグラフィ用投影装置は：投影光ビームを供給するための光放射装置；マスクを保持するマスクステージであって、軽量材料で作成されるマスクステージ；ウエハを保持する基板ステージであって、軽量材料でつくられる基板ステージ；及びマスクの照射部分をウエハの標的部分上に結像させるための光学系を備える。別の態様において、ガラス材はＴｉＯ２含有石英ガラスであることが好ましく、好ましくはＴｉＯ２含有量が１０重量％ＴｉＯ２までの範囲にあり、より好ましくは６から８重量％の範囲にあり、最も好ましくは６．５から７．５％の範囲にある、超低膨張石英ガラスであることが好ましい。
【００１５】
本発明のその他の態様及び利点は詳細な説明及び添付図面から明らかになるであろう。
【００１６】
詳細な説明
本発明の実施形態のいくつかは、ＥＵＶＬ装置に使用するための軽量ステージに関する。ＥＵＶＬ装置におけるマスク及びウエハのステップアンドスキャン動作は、ステージの総重量が最小化されれば、制御がより容易になる。
【００１７】
図２は、本発明にしたがう軽量ステージの一実施形態を示す。本実施形態において、ステージは、定盤３１，ホルダ３２及びいくつかの付属部品（例えば、位置決めアクチュエータまたはモーター）３３，３４及び３５を備える。定盤３１は軽量材料でつくられる。軽量材料は、ガラスまたはガラス−セラミックとすることができる。これらの材料は、重量をさらに低減するために、ハニカム構造体のような空洞包含構造体とすることもできる。熱膨張はＥＵＶＬ装置の精密動作に有害であるから、これらの軽量材料は低い熱膨張係数（ＣＴＥ）も有することが好ましい。適切な軽量低ＣＴＥ材料には、（商品名ＨＰＦＳ（登録商標）ガラスでコーニング社（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｉｎｃ．）から販売される材料のような）高純度石英ガラス及び（商品名ＵＬＥ（登録商標）ガラスでコーニング社から販売される材料のような）超低膨張ガラスがある。
【００１８】
高純度石英ガラス（例えば、コーニング社のＨＰＦＳ（登録商標）ガラス）は、火炎加水分解により製造される合成非晶質二酸化ケイ素ガラスである。非晶質で、無色の無水ケイ酸ガラスは極めて低い熱膨張係数を有する。超低膨張ガラス（例えば、コーニング社のＵＬＥ（登録商標）ガラス）は火炎加水分解により製造される融成チタン−ケイ酸ガラスであり、極めて低いＣＴＥ（例えば、５℃から３５℃の温度範囲にわたって±３０ｐｐｂ／℃）を有する。超低膨張ガラスはガラス−セラミックではなくガラスであり、超低膨張ガラス内には結晶構造がないという点で、他の超低膨張材料とは異なる。これらのガラスのいずれを使用するかは、用途による。理想的なステージでは、応力及び歪みを最小限に抑えるように、ステージとステージが支持する物品（マスクまたはウエハ）との間の膨張による不整合がほとんどまたは全くないことが必須である。
【００１９】
本実施形態の定盤３１は、ホルダ３２が取り付けられた上面、底面及び４つの側面を有する。図２には２つの側面３６及び３７が示されている。側面３６及び３７は、光干渉計を用いるステージの位置合せを容易にするために側面３６及び３７を用い得るように、研磨することができる。あるいは、同じ目的のために、研磨されたプレート（図示せず）を側面３６，３７に取り付けることができる。定盤３１の形状は、図２では長方形として示されているが、例えば、多角形、正方形、長円形及び円形を含む、適切ないかなる形状であってもさしつかえない。さらに、定盤３１の上面及び／または底面は、平坦であっても、ある程度の曲率があってもさしつかえない。
【００２０】
図２に示されるようなホルダ３２は、マスクを（マスクステージ上に）保持するか、またはウエハを（ウエハステージ上に）保持するためのホルダである。ホルダ３２は、真空、機械的、及び静電気的機構を含む、技術上既知の機構のいずれかを用いてマスクまたはウエハを保持することができる。とりわけ、米国特許第５，２２１，４０３号、第５，８３５，３３３号及び第５，８３５，３３４号の各明細書に示されるような、静電気的装置が好ましい。ホルダ３２はマスクまたはウエハの保持に適すればいかなる形状であってもさしつかえない；例えば、ホルダ３２は円形、多角形、正方形（図３Ａの３２を参照されたい）または長方形のディスクとすることができる。
【００２１】
ステージを位置決めするかまたは移動させるための付属部品（例えば、モーターまたはアクチュエータ）がステージの底面にあり得る。例えば、図２には３つのそのような付属部品３３，３４及び３５が示されている。付属部品の数は特定のＥＵＶＬ装置に依存することになろう。定盤を移動させるための技術上既知のいかなるアクチュエータ装置も用いることができる。これらには、リニアモータ、回転モータ、または、圧気型装置、圧液型装置、圧電型及びその他のタイプの電磁型装置を含めることができる。これらの付属部品を備える代わりに、ステージ自体は付属部品を全く備えないでいることもできる。例えば、ＥＵＬＶ装置の位置決め装置に連結するための取付け位置または手段（図３Ｃの４３，４４，４５を参照されたい）を備えることもできる。
【００２２】
図３Ａ，３Ｂ及び３Ｃは、本発明の別の実施形態の見方の異なる図を示す。図３Ａはステージの上面図を示す。本図では、定盤３１及びホルダ３２がいずれも正方形である。しかし、これらは、円形、長円形、長方形または多角形のような他の形状とすることができる。図３Ｂはステージの斜視図であり、本図では２つの側面３６，３７を見ることができる。これらの側面は、干渉計を用いるステージの位置決め及び組付けを容易にするために、研磨して鏡面被覆を施すことができる。あるいは、同じ目的を達成するため、研磨されたプレート（図示せず）を側面３６，３７に取り付けることができる。図３Ｃはステージの底面を示す。３つの取付け位置４３，４４，４５を見ることができる。これらの取付け位置はＥＵＶＬ装置の位置決め装置（モーターまたはアクチュエータ）に連結するために用いることができる。
【００２３】
上述したように、本発明の実施形態のための材料は、軽量ガラスまたは軽量ガラス−セラミック材料とすることができる。さらに、より優れた熱統制を与えるためには、これらの材料が低熱膨張係数を有することが好ましい。そのような軽量低熱膨張材料には、（コーニング社のＨＰＦＳ（登録商標）ガラスのような）高純度石英ガラス及び（コーニング社のＵＬＥ（登録商標）ガラスのような）超低膨張ガラスを含めることができる。重量をさらに低減するため、これらの材料は材料内に空孔を含む構造体となるように作成することができ、その一例はハニカム構造体である。一般的なハニカム構造体は、同等の中実材料より５０％から９８％小さい、実効密度を有することができる。
【００２４】
図４は、ハニカム材料で作成された、本発明の一実施形態を示す。本実施形態では、ステージの定盤が３つの部品３１ａ，３１ｂ及び３１ｃからなることができる。上面部品３１ａは薄い中実個片であって、ホルダ３２を備える。中間部品３１ｂはステージの本体であって、ハニカム基板からなる。本図では、ハニカム構造体の、上面から底面に向かう、“チャネル”が示されているが、これが唯一の許容される方向ではない。当業者には、本発明の範囲を逸脱することなくその他の方向も許容されることがわかっているであろう。底面部品３１ｃも薄い中実個片であって、ＥＵＶＬ装置の位置決め装置と連結するための取付け位置または手段４３，４４，４５を備える。３つの取付け位置／手段が示されている；しかし、取付け位置／手段をより多くするかまたはより少なくすることができることに注意すべきである。そのような取付けのための位置及び機構の正確な数はＥＵＶＬ装置の位置決め装置により規定されることになろう。上面部品３１ａ及び底面部品３１ｃは、技術上既知の、用いられる材料に適するいずれかの方法を用いて本体３１ｂに組み付けることができる。例えば、これらの部品がコーニング社のＨＰＦＳ（登録商標）ガラスまたはＵＬＥ（登録商標）ガラスのような軽量低ＣＴＥガラスで作成されていれば、上面部品及び底面部品を、低温融着またはフリット融着プロセスを用いて中間部品に融着することができる。例えば、本発明と同じ譲受人に発行された米国特許第６，０４８，８１１号の明細書は上記プロセスに適するフリット融着プロセスを開示している。この特許明細書は参照として本明細書に含まれる。
【００２５】
本発明のいくつかの実施形態は、ＥＵＶＬ用の軽量ステージを作成するための方法に関する。本方法は、軽量材料または軽量低ＣＴＥ材料をＥＵＶＬステージに造形する工程を含む。さらに、本方法は、ＥＵＶＬステージの形成（造形）が後に続く、ハニカム構造体の形成を含むことができる。技術上既知のいくつかの方法が、ガラス材料を所望の形状に造形するに適している。これらの方法には、機械加工、熱融着及びフリット融着がある。機械加工では、出発材料から一部を切り取るかまたは出発個片の一部を削り取って所望の形状をつくることができる。例えば、エドワーズ等による上掲の論文「現在のＵＬＥ（登録商標）及び石英ガラス軽量ミラーの作成法」は、軽量構造体を作成するためにガラスの中実個片を機械加工で仕上げるための方法を開示している。熱融着によれば、熱エネルギーを与えて結合領域を溶融させることにより、複数のガラス材個片が融着（結合）される。フリット融着では、ガラス材の低温溶融フリット（粉末）が結合部に付加されて、加熱された時に、複数の個片を“貼り”合せる。例えば、本発明と同じ譲受人に譲渡された米国特許第６，０４８，８１１号の明細書は、上記プロセスに適するフリット融着プロセスを開示している。
【００２６】
いくつかの方法が、六角形、正方形、三角形またはその他の形状の空孔を有することができる、空孔包含構造体の形成に利用できる。空孔形状は、空孔包含構造体の断面におけるセル構造の形状を指す。空孔包含構造体の形成方法には、例えば、押出成形法、注入成形法及び融着法がある。
【００２７】
押出成形法では、（出発材料に可塑性及び柔軟性をもたせるための適当な添加材と混合された粉末出発材料でつくられた）ペーストの形態の出発材料が、（所望のセル構造を有する）金型を押し通されて「ハニカム」“生地”がつくられ、このハニカム生地が次いで高温で焼成されて“完成”ハニカムがつくられる。例えば、本発明と同じ譲受人に譲渡された米国特許第５，８８４，１３８号の明細書は、この目的に適する押出成形法を開示している。
【００２８】
注入成形法では、出発材料（例えばチタン−ケイ酸ガラス）のスラリーが金型に注ぎ込まれる。このようにして形成された構造体が高温で焼成されて、構造体が緻密化され、完成構造体がつくられる。融着法では、適当な材料（例えば、ガラス、ガラス−セラミックまたは複合材）の複数の個片（例えばストリップ）が熱処理により融着されて、ステージ材料のセル構造体が形成される。空孔包含構造体の特定のセル形状は、本発明に重要ではない。これらの形状には、三角形、正方形、長方形、円形、六角形またはその他の多角形を含めることができる。さらに、セル形状は一様である必要はなく、空孔構造体には様々なセル構造体の結合体を含めることができる。
【００２９】
空孔包含構造体の形成後、その個片をＥＵＶＬステージに造形することができる。造形プロセスには構造体の機械加工（例えば図４を参照されたい）を含めることができる。いくつかの機械加工法が技術上既知であり、本発明に適用することができる。例えば、本発明と同じ譲受人に譲渡された米国特許第５，４８７，６９４号の明細書は、空孔包含基板を造形するための方法を開示している。この特許明細書は本明細書に参照として含まれる。上記のガラス構造体の中実ガラスシートへの固着または結着を含めることができる、その他の手段によりガラス材を所望の構造体に造形することもできる。ガラス材の融着は一般に高温で達成され、フリットを用いるガラス材の結着は一般に２つのガラス材個片を熱で融着（結合）するための低温溶融ガラス“フリット”の使用を含む。
【００３０】
本発明のいくつかの実施形態はＥＵＶリソグラフィ用の装置または装置に関する。本発明の実施形態は、そのような装置のステージ（マスクステージ及びウエハステージ）が軽量材料でつくられていることを除き、図１に示される機構と同じに見えるであろう。一実施形態において、本装置は、投影光ビームを供給するための光放射装置、マスクを保持するためのマスクステージ、ウエハを保持するためのウエハステージ、マスクの照射部分をウエハの標的部分上に結像させるための投影装置（すなわちカメラ）を備える。光照射装置は光源及び集光器（例えば、それぞれ図１の１及び２）を備える。多くのＥＵＶ光源が現在入手可能である。これらには、レーザ生成プラズマ、シンクロトロンに付随する軌道偏向磁石及びアンジュレータからの放射光及び電子放電による放射光がある。ＥＵＶＬに普通用いられる光源は、レーザ生成プラズマによる光源、特に波長が１３．４ｎｍの光源である。
【００３１】
本発明の様々な実施形態の光学系（カメラ）は、いくつかのミラーを備えることができる。技術上既知のいかなるＥＵＶＬ用カメラ装置も用いることができる。これらには、２−ミラーカメラ、４−ミラーカメラ（例えば４−ミラーリングフィールドカメラ）及び６−ミラーカメラがある。これらの実施形態のマスクステージ及びウエハステージはいずれも、空孔包含構造を有することが好ましい、軽量及び／または低ＣＴＥ材料でつくられる。
【００３２】
限られた数の実施形態を用いて本発明を説明したが、本開示の援助を受けた当業者であれば、本明細書に開示されたような本発明の範囲を逸脱することなく、その他の変形が可能であることを認めるであろう。したがって、本発明の範囲は特許請求の範囲によってのみ限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来技術のＥＵＶＬ装置の図である
【図２】
本発明の一実施形態にしたがうＥＵＶＬステージを示す図である
【図３Ａ】
本発明の別の実施形態にしたがうＥＵＶＬステージの上面図である
【図３Ｂ】
図３ＡのＥＵＶＬステージの斜視図である
【図３Ｃ】
図３ＡのＥＵＶＬステージの底面図である
【図４】
本発明の一実施形態にしたがう別のＥＵＶＬステージを示す図である
【符号の説明】
３１　　定盤
３２　　ホルダ
３３，３４，３５　　付属部品
３６，３７　　側面
【図１】
2004512677.tif 000003
【国際公開パンフレット】
2004512677.tif 000004
2004512677.tif 000005
2004512677.tif 000006
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2004512677.tif 000018
2004512677.tif 000019
2004512677.tif 000020
2004512677.tif 000021
【国際調査報告】
2004512677.tif 000022