(57)【要約】磁気的に増強された反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）プラズマリアクター内で行なわれる酸化物エッチングである。エッチングガスは、ほぼ等しい量の水素のないフルオロカーボン、最も好適にはＣ４Ｆ６と酸素、および非常に大量のアルゴン希釈ガスを有する。磁界は、好適には約５０ガウス以上に、また圧力は４０ミリトル、あるいはそれ以上に、７０ミリ秒より少ないチャンバ滞留時間で維持される。非常に高いアスペクト比を有するホールをエッチングするために、２（ｔｗｏ）−ステッププロセスが用いられる。第２ステップにおいて、磁界及び酸素の流量が減少される。２より少ない、好ましくは１．６または１．５より多くないＦ／Ｃ比を有する他のフルオロカーボンで置き換えることもできる。
2004512668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホトレジストに対して増大した選択度を有する酸化物層のエッチン方法であって、
エッチングされるべき前記酸化物層を有する基板を支持するペデスタル電極を有する磁気的に増強されたプラズマエッチングリアクターチャンバを備えるステップと、
（ａ）少なくとも４の炭素原子及び２より少ないＦ／Ｃ比を有するフルオロカーボン、（ｂ）酸素、（ｃ）アルゴン及びキセノンからなるグループから選択された化学的に不活性のキャリアガスを有するエッチングの混合ガスを前記チャンバへ流すステップと、
前記ペデスタル電極に実質的に平行で、３５ガウスより大きな磁力を有する磁界を与えるステップと、
前記エッチングの混合ガスをプラズマに励起するために、前記ペデスタル電極にＲＦ電力を与えるステップとを有し、それにより、少なくとも５：１の前記ホトレジストの面に対してエッチングの選択度を有する前記酸化物層を覆うホトレジストを有するパターン化されたホトマスクによって規定された前記酸化物層へホールをエッチンすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
第１ステップにおいて、前記磁界は５０ガウスより大きな第１の磁力に与えられ、且つ第２ステップにおいて、前記磁界は、前記第１の磁力より少ない第２の磁力に与えられることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記フルオロカーボンは水素がなく、前記酸素の流量と前記フルオロカーボンの流量の比が０．４：１および２：１の間にあることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記フルオロカーボンは、１．６より多くないＦ／Ｃ比を有することを特徴とする請求項３に記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記フルオロカーボンは、Ｃ６Ｆ６を有することを特徴とする請求項４に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記キャリアガスの流量と前記フルオロカーボンの流量の第２の比は、少なくとも１０であることを特徴とする請求項４に記載のエッチング方法。
【請求項７】
更に、７０ミリ秒より多くない、前記チャンバ内に前記エッチングの混合ガスの滞留時間を維持するために、前記チャンバを真空ポンピングするステップを有することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記エッチングの混合ガスは、実質的に一酸化炭素を含まないことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項９】
前記エッチングの混合ガスは、さらに、一酸化炭素を有することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１０】
酸化物層にホールをエッチングする方法であって、
磁気的に増強された反応性イオンプラズマエッチングリアクターを備えるステップと、
第１の量のＣ４Ｆ６を、第２の量のＯ２、および第３の量のＡｒを有するエッチングの混合ガスを前記リアクターに流すステップと、
前記リアクターに磁界を与えるステップと、
前記酸化物層を含む基板を支持するペデスタル電極にＲＦ電力を加えて、前記エッチングの混合ガスをプラズマに励起して、前記酸化物層をエッチングするステップと、
を有し、
前記第２の量と前記第１の量の第１の比は、０．４：１から２：１の間にあり、前記第３の量と前記第１の量の第２の比は、少なくとも１０であることを特徴とするエッチングをする方法。
【請求項１１】
前記第１の比は、０．５：１と１．２：１の間にあることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の比は、２０より大きいことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、少なくとも１０ミリトルの圧力へ前記リアクターを真空ポンピングするステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記真空ポンピングするステップは、７０ミリ秒より多くない、前記リアクタ内に前記エッチングの混合ガスの滞留時間を維持することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記磁界は、少なくとも３５ガウスのレベルに与えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記エッチングの混合ガスは、実質的に一酸化炭素を含まないことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＲＦ電力は、標準化された１６５０〜２１００Ｗの間の量で直径が２００ｍｍのウエハに与えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記磁界を与えるステップは、第１ステップにおいて前記磁界を少なくとも５０ガウスのレベルに与え、且つ第２ステップにおいて前記磁界を５０ガウスより少ないレベルに与えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記酸化物の層は、ホトレジストの層でパターン化され、且つ前記プラズマは、少なくとも５：１の前記ホトレジストの面に足して前記酸化物層を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、一般にプラズマエッチングに関し、特に、磁気増強されたプラズマエッチングリアクターによる半導体集積回路の酸化物層をエッチングする方法に関する。
【０００２】
（従来の技術）
最近のシリコン集積回路は、１００万から１０００万の相互接続された半導体デバイスを有する。この様なハイレベルの集積化は、少なくとも部分的に、最小のフィーチャサイズを減少することによって、及び水平に延びたメタライゼーションラインの多重配線層を設けることによって達成されている。誘電体層が、小さな領域の垂直メタライゼーション配線と選択的に接続される配線層を分離している。２つのメタライゼーション層を分離する誘電体層の場合、垂直の相互接続は、それがこれらのメタライゼーション層間で接続するときビア（ｖｉａ）と呼ばれ、或いはそれが第１のメタライゼーション層をシリコン基板上に設けられた半導体デバイスと接続するときコンタクトホールと呼ばれる。本発明は、ドライプラズマエッチングによってビア又はコンタクトホールの形状について主に説明される。このようなホールがエッチングされた後に、それらは、例えばタングステンのようなメタライゼーションで満たされ、それによって、垂直接続を形成する。
【０００３】
以下に説明されるように、ビア又はコンタクトホールのエッチングは、それらの減少する幅と増大するアスペクト比のために、高度の構造における困難性が増大することを示している。本発明は、ビア及びコンタクトエッチングの両方（及び他の誘電体エッチング応用）に適用できるので、用語“ビア”及び“コンタクト”は、一方から他方への特定のプロセスの特別な部分を区別することなく以下のテキストにおいて、殆ど取り換え可能に用いられる。
【０００４】
中間レベルの誘電体は、従来それがＴＥＯＳ、を用いるプラズマＣＶＤプロセスにおいて成長された二酸化シリコンであろうとガラス上にスピンに従って堆積される硼燐酸珪酸ガラス（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ： ＢＰＳＧ）であろうと、シリカベースの酸化物、又は他の誘電体材料から作られている。更に、近年、中間レベルの誘電体として使用するために、低ｋ誘電体材料が開発された。それらの低い誘電率は、水平又は垂直に隣接するライン間での誘電性結合を減少する可能性を提供し、したがって、クロストーク、電力消費、及び信号の立ち上り時間を減少する。組成を変更し、シリコンベース及び他のカーボンベースを有する低ｋ誘電体が提案されている。
【０００５】
代表的な進歩したビアホールは図１に断面図に示されている。下部の誘電体層１０が、例えば、下にある層１０に対するメタライゼーションラインのような金属フィーチャ１２を有する。上部の誘電体層１４は下部の誘電体層１０及び金属フィーチャ１２上に堆積される。化学的機械的ポリッシング（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ： ＣＭＰ）のステップが誘電体層１４の上面を平坦化するために用いられる。ホトレジスト層１６が上部誘電体層１４上で回転され、乾燥され、そしてビアが形成されるべき金属フィーチャ１２上の領域にホトマスクの開口を露出し、現像するために、ホトグラフッィク手段が用いられる。エッチング前のパターン化されたホトレジストの元の上部プロフィールは点線１６’によって示されている。プラズマエッチングステップは、誘電体層１４を通して下にある金属フィーチャ１２までエッチンするために、ホトマスクとしてパターン化されたホトレジスト層を用いて、ビアホール２０を形成する。この誘電体のエッチングステップは、通常オキサイドエッチング（ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈｉｎｇ）と呼ばれる。
【０００６】
ビアホール２０の形成後、ホトレジストは取り去られ、金属がこのビアホール２０に堆積される。構造は、いろいろなデバイスの製造業者の特定の需要に応じて、図示されたものより複雑にすることができる。金属フィーチャ１２は、誘電体層１４上に立ち上るラインであったり、または水平トレンチ及び接続された垂直ビアを誘電体中で結合する二重ダマシン構造であってもよい。エッチングの停止層が下部誘電体１０と上部誘電体１４の間に形成され、エッチングステップが下にある金属をスパッタリングすることなくエッチング停止層上で停止するようにする。シリカのフッ素ベースのプラズマエッチングに対して、窒化シリコンは優れたエッチング停止層である。非反射コーティングが上部の誘電体層１４とホトレジスト１６間に形成され、ホトマスクのパターン化に使用されるホトグラフッィクステップの解像度を支援する。これらの追加構造のフィーチャは従来よく知られている。それらのエッチングは、一般に誘電体エッチングから分離したステップで行なわれ、一体化されたエッチングプロセスはいろいろなエッチングステップを結合するために開発される必要がある。本発明は、最も手ごわい挑戦を示す、誘電体エッチングに主に関する。
【０００７】
誘電体層１４の厚さは、一般に０．７〜１．４μｍの範囲にある。この厚さは高度なデバイスでは減少することがで期待できない。ビアホールの多重深さを含む大きな厚さは、一般に、より複雑なメタライゼーション構造と関連しており、殆どの処理ステップで増加したデバイス密度を提供することができない。現在商業的に開発されたチップのビア幅は０．１８μｍ程度の小ささである。０．１３μｍ幅のための技術が開発されつつある。０．１０μｍの幅はそれほど遠くない将来に期待されている。
【０００８】
これらの、益々小さなくなる幅は、特に、実質的に一定のままの誘電体の厚さに照らして、エッチングの問題を生じる。ビアホール２０は益々高アスペクト比を有する。ビアホールのアスペクト比は、ホールの深さとその上部におけるホールの最も狭い寸法との比である。現在では、４または５のアスペクト比が進んだチップにおいて得られている。将来のチップでは、このアスペクト比は８又は１０に増加するであろう。この様な高アスペクト比は酸化物のエッチングへの重大な挑戦を示している。何故ならば、そられはホールへ深く達する高い異方性のエッチングを必要とするからである。高アスペクト比のホールのエッチングは、ホールの大きな深さにおける酸化物のエッチング速度の減少により、ホトレジストに対して高いエッチングの選択度を要求する。酸化物のエッチングにおいて要求されるこの選択度と異方性は、代表的には、非酸化物材料と全ての垂直側壁上に保護ポリマーを堆積するフルオロカーボンのプラズマ化学処理をを用いて達成される。
【０００９】
一方、エネルギーを有するイオン衝突の存在下で、フッ素プラズマと下にある酸素の結合は、エッチングされるシリカのホールの底部に形成されたポリマーを分解し、そして下にあるシリカをホールから汲み上げられる不安定な成分に変えるエッチャントに曝し、それにより、ホールをエッチングする。しかし、非常に多くのポリマーが形成されると、ホールは、それでもなお、ポリマーで詰まってしまい、エッチングがホールの底に到達する前に停止する。同じ条件の下で、更にエッチングをすることは、エッチングプロセスを完了するのに効果的でない。この有害な結果は、エッチング停止と呼ばれる。
【００１０】
このような狭いフィーチャに必要なホトリソグラフィは、代表的には、深い紫外線光（ｄｅｅｐ ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ： ＤＵＶ）に頼っている。ＤＵＶ放射に敏感なホトレジストが利用できる。このホトレジストの厚さは、ホールの最小の幅と同程度に限定されなければならない。さもないと、ホトリソグラフィは、ホトレジストの深さ以上に焦点がずれてしまう。しかし、ホトレジストは、通常殆どのエッチング化学処理によってある程度エッチングする傾向にあるカーボンベースのポリマーである。その結果、ホトレジストの深さは図１に示された元のプロフィール１６’からプロフィール１６へ減少する。更に、殆どのエッチング化学処理において、露出されたコーナーは平らな面より速やかにエッチングされるので、非常に厳しい選択度の問題がホトマスクのパターン化されたホールの周りのホトレジスト層１６の上部コーナーに形成する小面２２にしばしば明らかにされる。ホトレジストのようなポリマー材料のエッチングは、図示される以上に曲面化された小面を生成する傾向にある。ホトレジストのエッチングのマージンは、パターン化されたビアホール２０の隣にあるホトレジスト１６の側壁の残っている高さ部分２４によって与えられる。もし、小面２２が下にある上部誘電体層１４に達すると、即ち、ホトレジストのエッチングマージンがゼロになると、ホトマスクに関連した臨界寸法が失われ、ビアホール２０の上部部分が広がってしまう。
【００１１】
特に、小面２２の周りのホトレジストの低い選択度の問題は、高いエネルギーの粒子がホトレジストをスパッタし、そのスパッタされた材料がビアの上部側壁上に再堆積するようになることである。この一様でない再堆積されたホトレジストは、ホールのプロフィールの制御を困難にする。これらの理由のため、ホトレジストに対して酸化物エッチングの選択度は高く維持されなければならないし、最も重大なホトレジストの選択度は小面と関連されたものである。
【００１２】
ホトレジストの選択度は、常に酸化物のエッチングにおける関心事であるが、窒化物の選択度は通常大きな関心事である。しかし、非常に狭い構造に対しては、ホトレジストの選択度は、酸化物のエッチングに課せられた最も困難な要件である。
【００１３】
最近の開発は、フルオロカーボンのプラズマが窒素化物に対して非常に高い選択度を伴って、約５：１までのアスペクト比で酸化物にホールをエッチングすることができることをと示した。Ｈｕｎｇ他は１９９９年３月２５日に出願した米国出願番号０９／２７６，３１１において特に有利なエッチングレシピを開示している。この内容はレファレンスによってここに取り込まれる。この特許出願は、大部分のキャリアガスと共に、活性エッチャント種として、例えばヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）のような低いＦ／Ｃ比を有する重水素のないフルオロカーボンのを用いることの利点を開示している。アルゴンは、プラズマエッチング用の従来のキャリアガスであるが、しかし、Ｈｕｎｇ他は、１９９９年３月２５日に出願した米国出願番号０９／２７６，３７６および１９９９年９月２４日に出願した米国出願番号０９／４０５，８６９において、もし、キセノンがＣ４Ｆ６のようなフルオロカーボンと共にキャリアガスとして用いられるなら、窒化物でもエッチング停止のない良好な選択度が得られることを開示している。これらの特許はレファレンスによってここに取り込まれる。
【００１４】
これらの特許に示された化学処理は、カルフォルニア州、サンタクララのアプライドマテリアルズ社から利用できるＩＰＳエッチングリアクターで主に行なわれている。このＩＰＳリアクターは、プラズマシースを含まないプラズマの全体領域にわたって少なくとも１０１１ｃｍ−３のイオン密度を有するものとして定義される高密度プラズマ（ｈｉｇｈ−ｄｅｎｓｉｔｙ ｐｌａｓｍａ： ＨＤＰ）を生成するために誘導結合されたプラズマ源を用いる高密度プラズマリアクターである。ＩＰＳリアクターにおいて、ＲＦ誘導コイルは主にプラズマを生成するために担っているが、ペデスタル電極に与えられる他のＲＦ電源はＤＣ自己バイアス電圧を制御し、それにより、プラズマシースを横切ってウエハへ加速されるイオンのエネルギーを制御している。しかし、依然として、多くの従来の容量性結合されたプラズマエッチングリアクター（しばしば、ダイオードリアクターと呼ばれる）で酸化物エッチングを行うための必要性がある。ＨＤＰリアクターは最近開発されたばかりであり、比較的高価である。さらに、高密度プラズマは、例えば、誘電体をチャージすることによって、半導体チップに損傷を与える可能性がある。これらの損傷のメカニズムは、通常ＨＤＰリアクターにおいて制御されるけれども、それらは低いプラズマ密度を生成する容量性結合されたリアクターではまして問題がない。
【００１５】
容量性結合されたエッチングリアクターの例は、図２に概略図示された磁気的に増強された反応性イオンエッチング（ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈ： ＭＥＲＩＥ）リアクター３０である。この図示は、アプライドマテリアルズ社から利用可能な、ＭｘＰ，ｅＭａｘ，またはＳｕｐｅｒ−ｅエッチングリアクターに基づいている。それは、接地された真空チャンバ３２を有し、壁を保護するためにライナーを含んでいる。ウエハ３４がスリットバルブ開口３６を通してチャンバ３２へ挿入され、ウエハを選択的にクランプする静電チャック４０を有するカソードペデスタル上に配置される。チャック機構は図示されていない。ペデスタル３８を通る流体冷却チャネル（図示せず）はペデスタルを低い温度に保つ。ヘリウムのような熱伝達ガスがペデスタル３８の上面にある窪み（図示せず）に供給される。熱伝達は、静電チャック３８または代替的に用いられる周辺のウエハクランプによって、ペデスタル３８に対して保持される、ペデスタル３８とウエハ３４間の熱結合の効率を増す。
【００１６】
好ましくは、１３．５６ＭＨｚで動作するＲＦ電源４２がカソードペデスタル３８に接続され、プラズマを生成し、また一方でＤＣ自己バイアスを制御するための唯一の重要な電力を与える。図示されない電流源によって電力供給される磁気コイル４４がチャンバを取り囲み、プラズマの密度を増加するためにゆっくり回転する（秒のオーダ、代表的には１０ｍｓより少ない）、水平の、実質的にＤＣ磁界を生成する。真空ポンプ装置４６が調整可能なスロットルバルブ４８をとおしてチャンバ３２を真空にする。シールド５０、５２は、チャンバ３２とペデスタル３８を保護するばかりでなく、バッフル５４とスロットルバルブ４８に接続されたポンプチャネル５６を規定する。
【００１７】
処理ガスがガス源５８、６０、６２からそれぞれの流量コントローラ６４、６６、６８を介してウエハ３４の上にあるチャンバ３２のルーフに配置されたクォーツのガス分配プレート７０へ供給され、そこから処理領域７２の至るところに分けられる。エッチングガスの組成は本発明の一つの特徴の主題である。分配プレート７０は、処理ガスを受け、処理ガスのより均一な流れを処理領域７２に注入するように、多くの分配開口７６を有するシャワーヘッドを通して処理領域７２と連通するマニホールド７４を含む。
【００１８】
前出の’３３１特許出願は、例えばＭｘＰ、ｅＭａｘ、またはＳｕｐｅｒ−ｅリアクターのような磁気的に増強された反応イオンエッチング装置（ＭＥＲＩＥ）において酸化物をエッチングするためにＣ４Ｆ６を用いる幾つかの予備的結果を開示している。好適なレシピは、Ｃ４Ｆ６及び大量のアルゴンのみを含むが、しかし、更なる研究が生産の価値のあるレシピ及び優れた性能を得るために必要であるとみなされている。
【００１９】
（発明の概要）
本発明は、ヘビーなフルオロカーボン、例えばヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、酸素、及び実質的に僅かなキャリアガス、好ましくはアルゴンを用いて容量性結合されたプラズマエッチングリアクターにおいて誘電体酸化物をエッチングする方法を含む。二酸化炭素（ＣＯ）を追加的に加えることができる。本方法は、ホトレジストに対して酸化物をエッチングするための高い選択度を提供することができ、したがって、非常に高いアスペクト比のホールをエッチングするのに特に有用である。フルオロカーボンは好ましくは水素がなく、２より小さい低いＦ／Ｃ比、より好ましくは、１．６より大きくなく、最も好ましくは１．５より大きくないＦ／Ｃ比を有している。
【００２０】
本発明は、またエッチングされたホールが深くなるにしたがって磁界を減少することを含む。さらに、本発明は、フルオロカーボンに対して酸素の量を減少することを含む。ポリマーの構成物及び均一な堆積を制御する本発明の能力は、高アスペクト比のホールに対するプロフィールの制御を改善するばかりでなく、ＳｉＯ２以外の材料、例えばＳｉ３Ｎ４、ポリシリコン、及び金属シリサイドから作られる下部層に対する選択度も改善する。これにより生成されたプラズマ組成のこの広い範囲は全てのクリティカル誘電体、例えばＳＡＣ、及び二重ダマシーンに適している。
【００２１】
（発明の実施の形態）
酸化物におけるホールのフルオロカーボンによるエッチングにおいてポリマー層の形成は、垂直プロフィールを生成する異方性エッチング、及びホトレジスト、窒化物、及びシリコンを含む非酸化物材料に対する選択度のあるエッチング酸化物にとって重要であることが長いこと認識されていた。非常に高いアスペクト比を有するビア及び他のホールに対して、ポリマー化の程度及びポリマーの構成物を厳密に制御することはクリティカルとなる。少なすぎるポリマー化は、側壁に対する保護、及びホトレジスト、窒化物、及び他の非酸素材料への選択度を低下するけれども、非常に高いアスペクト比のホールにおけるポリマー化の僅かな過剰がホールの底へのエッチングを停止するようにする。ポリマーの炭素濃度はプラズマによってエッチングされるその抵抗及びその堆積の均一性に影響を与える。ポリマーの高いプラズマ抵抗はホトレジストの選択度を増加するが、一方、ポリマーの均一な堆積は高いアスペクト比のホールのエッチングのプロフィールを制御するのに役立つ。フルオロカーボン分子におけるフッ素と炭素原子の比で有るＦ／Ｃ比、及びこれらのＦとＣ原子が一緒に結合する手段である分子結合構造は、ポリマー化及びポリマーの特性を制御するのにクリティカルである。高いＦ／Ｃは、強くエッチングするガスを示しているが、低いＦ／Ｃは、通常大量のポリマー化につながる。代わりに、結合構造は、より望ましいラジカルタイプと密度を有するプラズマを生成するのに必要なプロセス条件を決める。優れた結合構造およびｙ／ｘ＜２、より好ましくはｙ／ｘ＜１．６、そして最も好ましくはｙ／ｘ＜１．５である水素のない、フルオロカーボンＣｘＦｙの低いＦ／Ｃの利点は、ポリマー化が進んだ適用のための上述の狭いポリマー化ウインドウ内で制御されるようにする。
【００２２】
オクタフルオロしクロブタン（Ｃ４Ｆ８）は、ポピュラーな酸化物エッチングガスであるが、Ｆ／Ｃ比の最大の好適な値に合致しない。オクタフルオロペンタジエン（Ｃ５Ｆ８）は、より好適なＦ／Ｃ比に合致する。ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）は、最も好適なフルオロカーボンであるが、Ｃ４Ｆ６の他の異性体は知られている。ヘキサフルオロベンゼン（Ｃ６Ｆ６）は、更に低いＦ／Ｃ比を有しているが、その高い沸点と高い液体の粘性のために働かせるのが困難である。
【００２３】
制御されたポリマー化によってこの制御可能性を達成するために、低いＦ／Ｃのフルオロカーボンと高いキャリアガスの僅かの有益な効果をポリマー酸化ガス、例えばガス状酸素（Ｏ２）または一酸化炭素（ＣＯ）と結合することはしばしば望ましい。これら二つのうち、酸素は非常に好ましい。何故ならば、一酸化炭素は、プラズマ内のＦ／Ｃ比の制御を複雑にし、より複雑なポリマーを生成する傾向があり、且つ有毒で、腐食性があると考えられるからである。水素もポリマー化し、プラズマ化学処理を複雑にするので、通常水素の無いフルオロカーボンを用いるのが好ましい。
【００２４】
これらの低いＦ／Ｃ比のＣｘＦｘガスの利点は、このプラズマ密度の範囲内で、強い（ｈｅａｖｙ）、水素のないフルオロカーボンガスのユニークな分離パターンによって、低いか、または中間の密度のプラズマ内で実現される。我々は、容量性結合されたエッチングリアクター、例えば磁気的に増強された反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）のために用いられるリアクタと関連した低いプラズマ密度（１０９〜１０１１／ｃｍ３）は高密度のプラズマ（ＨＤＰ）エッチングリアクターと共に利用可能なものより優れたホトレジストの選択度を得るための利点を有している。非常に高い分離速度を有する高密度プラズマにおいて、フルオロカーボンプロセスガスは、酸化物及びホトレジストの双方へ非常に高いエッチング力、したがって、低いホトレジストの選択度を有する自由なフッ素ラジカルＦ＊の高濃度を有する供給ガスの僅かな部分に素早く分離される。過剰な、自由なフッ素は、酸化物またはホトレジストのいずれかをエッチングプロセスによって、または代表的には、加熱されたシリコンから成るチャンバ部分による制御可能なスカベンジによって、消費されるのみである。このスカベンジの制御可能性は、プロセスパラメータの範囲及び部分材料によって制限され、通常、消耗品の費用とトレードオフになる。また、高密度プラズマは熱い電子を生成する傾向があり、プラズマを抜けたこれらの熱い電子は絶縁性のホトレジスト内にそれらを注入するおそれがあり、それによってホトレジストを負に帯電する。その後、トラップされた負の電荷は、プラズマからホトレジストへ正に帯電したイオンを加速する。これらの高いエネルギーのイオンはホトレジストをスパッタするであろう。一方、ＭＥＲＩＥプラズマは、著しく低い電子の温度を生成する傾向にあり、それによりチャージング効果を減少する。
【００２５】
これらの低いＦ／Ｃ比を有するエッチングガスの特性によって、比較的高い磁界がガスの分離パターンを大きく変えることなく用いられるようにする。これにより、磁界をポリマー形成に最小の影響を与えるプロセス条件を調整するために独立ノブとして用いることができる。ＭＥＲＩＥエッチング装置に影響を与える磁界は１０９〜１０１１ｃｍ−３より幾らか小さな値の範囲内へプラズマイオン密度を増加することは知られている。もし、プラズマ密度を増加するために、増加するＲＦ電力が用いられるなら、磁界はＤＣバイアスを増加することなくプラズマ密度を増加する。また、磁界は、プロセスガスのクラッキングシーケンス、したがって、最終プラズマの組成、に強く影響する。また、磁界は、適度に低いＤＣバイアスを犠牲にすることなく高い酸化物のエッチング速度のための高いＲＦ電力を用いてプロセスを走らせることを可能にする。増大された磁界は、ペデスタル上のＤＣ自己バイアスを減少し、したがって、イオン衝突エネルギーを減少する効果を有する。この効果は複雑であり、磁界及び電界の相互作用を含んでいる。基本的に、磁界はプラズマをしっかり閉じ込め、その密度を増加する。高いプラズマ密度は、固定された入力電力用のプラズマの等価電気回路において、多くの電流を与え、したがって、シース電圧を減少する。即ち、高プラズマ密度は自己バイアス電圧を減少する。減少されたＤＣバイアスは高エネルギーのイオン衝突によって促進されるホトレジストのコーナーの損失を減少し、したがって小面に関してホトレジストの選択度を減少する。
【００２６】
一方、ビアの底に近い磁界を減少することは、その位置において異方性エッチングを形成する点で有利である。深く、狭いビアは、側壁のポリマーを厚く形成するイオン衝突がないために、それらの底に向かって内方にテーパを形成する傾向にある。低い磁界または高いＤＣバイアスからのより強いイオン衝突はコンタクトホールの底の部分を垂直にすることができる。また、低い磁界は、均一でない瞬時の磁界によって生じる電子のチャージ損傷を減少する。
【００２７】
永久磁石以外の電気的コイルによって誘導される磁界によって与えられる可変磁界は、磁界の強さの優れた調整が分離の程度を制御することによって、プラズマ組成を制御するための効果的なプロセスチューニングノブとして用いられるようにする。プロセスパラメータの全ての調整可能性の広い範囲は、高いアスペクト比のコンタクト及びビアのエッチング及び他の特定の応用に対して所望のプラズマ組成を有する１０９〜１０１１／ｃｍ３間のプラズマ密度を維持することによって達成される。例えば、高磁界は、高い酸化物のエッチング及び高いホトレジストの選択度を維持するために、ビアホールのエッチングの開始部分において用いられる。ホールの底または良好なＣＤにおける垂直プロフィール、及び論理デバイスのプロセスに対して、電子のチャージ損傷を低くするために、プロセスの終わりのステップにおいて、磁界の強さは、下げられるか、またはターンオフされる。
【００２８】
プラズマエッチングチャンバ内にエッチングガスの滞留時間は、プラズマ組成を制御するための追加のプロセスノブである。最適な滞留時間の範囲は、所望のプラズマ組成を達成する場合の臨界であると考えられる。また、プラズマ内のエッチャントガスの滞留時間は短いのが望ましいと考えられる。重水素の無いフルオロカーボン分子、例えばＣ４Ｆ６がプラズマに入ると、それは次第にもっと小さなものに割られる。短い滞留時間の間では、大部分の分離されたフルオロカーボンのラジカルＣＦＸ＊があり、長い滞留時間では、大部分の分離されたフッ素ラジカルＦ＊がある。過剰な量のフッ素ラジカルはホトレジストを攻撃するが、等しい量のフルオロカーボンラジカルはホトレジストに対するポリマー保護を与える。残留時間τＲＥＳは、
τＲＥＳ∝ＰＶ／Ｆ
によって近似される。ここで、Ｐはチャンバ圧力、Ｖはチャンバ堆積、及びＦは全体のリアクタントの流量である。厳守した滞留時間は、真空装置の増大したポンプ能力を必要とする。例えば、アルゴンのような不活性キャリアガスの大きな流量は滞留時間を調整するために用いることができる。例えば、反応性ガスの流量よりも大きい不活性ガスの高い流量は、大きなプロセスウインドウによってポリマーの制御を容易にし、最も重要なことは、ポリマーの堆積位置を制御するのに役立ち、上面のホトレジスト表面と鋭く垂直な酸化物フィーチャの側壁上の正しい量のポリマーをバランスさせることである。
【００２９】
上述のコンセプトに基づいて、本発明は、これらの低い、Ｆ／Ｃ比のガスの本来の利点を利用し、進歩したＭＥＲＩＥチャンバによって与えられる適正なプラズマ密度、調整可能な磁界、及び短い滞留時間を含む優れたワーキング条件を組合せて、プラズマ組成を変え、したがって、種々の臨界的誘電体エッチングの適用に対して所望のポリマー化を得る。
【００３０】
最適化されたプロセス条件を有する高アスペクト比（ｈｉｇｈ ａｓｐｅｃｔ−ｒａｔｉｏ： ＨＡＲ）のホールに対して、これらの低い、Ｆ／Ｃ比のガスは、優れたプラズマ抵抗でコーティングするポリマーを生成するためにプラズマを提供し、そして、ホトレジストが早すぎてエッチングされるのを保護する。これにより、高いホトレジストの選択度が達成される。また、ユニークなプラズマ組成はポリマー堆積を生成しない条件の下でホトレジストの低いエッチング速度を提供する。ＣｘＦｙ／Ｏ２比を調整することによって得られるプラズマ組成の制御可能性、したがって、フルオロカーボンによるポリマーの形成が酸素によるポリマー除去によってバランスされるにしたがって、ポリマー化の程度は、優れたプロフィール制御及びチャンバクリーニング間の増加した間隔、特に、ウエットクリーニング間で平均的なウエハ（ｍｅａｎ ｗａｆｅｒｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ｗｅｔ ｃｌｅａｎ： ＭＷＢＷＣ）を達成する。さらに、プラズマはエッチングされる膜の余分な構成物に敏感でないエッチングプロセスを与える自由なフッ素を殆ど含まない。したがって、ドープされ、及びドープされない誘電体膜間での調整は殆ど必要でない。
【００３１】
極端に高いホトレジストの選択度が必要ならば、フッ素がＣＯＦとして除去されるにしたがって、非常に高い炭素濃度プラズマを生成するために、したがって、高度のポリマー化を達成するために、追加のガスとして一酸化炭素（ＣＯ）を含むことができる。酸素がプラズマ中で果たす重要な役割によって、酸化物対窒化物のエッチングの高い選択度は、酸化物膜から局部的に与えられる酸素の利用に基づいて達成される。
【００３２】
３５または５０ガウスより大きな磁界の存在において、低ＤＣバイアスを用いることができる。この低いＤＣバイアスプロセスにおける低いイオン衝突エネルギーは、エッチング後のホトレジストの面上で測られるホトレジストの高い選択度に貢献する。エッチングプロセスの最終ステップにおける磁界の変化は、ボトムＣＤ制御のためのノブである。最適の圧力及び流れもボトムＣＤ制御を改善する。プロセスガスの流れ及び圧力を最適化することによって、プラズマ組成は、特に、フルオロメタンのラジカルＣＦｘ＊（Ｘ＝１、２または３）の濃度がエッチングプロフィールの制御、特にボトムＣＤに役立つラジカルの最適化された比を達成するために調整（チューニング）されることができる。また、最適化された圧力及び流れはマイクロローディング性能も改善する。正規の、及び逆のマイクロローディングは流れと圧力を適当に調整して達成され、これら２つは最小のマイクロローディングポイントを得るためにバランスされる。この調整によって、大きなプロセスウインドウを有するプロセスにおいて高いＲＦ電力を用いることを可能にする。低い、Ｆ／Ｃ比のガスの分離パターンは加えられるＲＦ電力と比較的無関係である。これによって、ウエハ処理の他の特徴に最小の影響で高いＲＦ電力を用いることができる。高い電力は、高いエチング速度を生じ、したがってホトレジストの選択度に最小のトレードオフでウエハのスループットが得られる。
【００３３】
これらの観察に基づいて、酸化物に高アスペクト比のコンタクトホールをエッチングするためのレシピが開発され、表１に要約されている。
【００３４】
【表１】
表１
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【００３５】
このレシピの重要な特徴は、強いフルオロカーボンＣ４Ｆ６の流量に対する酸素ガスの流量の比によって特徴付けられる。この比は、エッチングされている酸化物膜の組成に依存して変えられ、そしてコンタクトホールのいろいろな形状のために、異なる酸素の流速を有する２つまたはそれ以上のステップが用いられる。例えば、効果的なアスペクト比がエッチングプロセスとして変化するに従って、酸素部分が増加することができる。このヘビーなフルオロカーボンの量の少なくとも１０倍のアルゴンの量、好ましくは、少なくとも２０倍は、エッチング停止マージンを増加するのに役立つであろう。重いフルオロカーボンの１００倍より多くのアルゴンは不必要と思われる。
【００３６】
このレシピは、厚さ、２．０μｍのＢＰＳＧ酸化物層において０．１７μｍの幅を有する高アスペクト比、即ち、１２：１のアスペクト比のホールに対して用いられた。このレシピは、０．７５μｍ／分のＢＰＳＧエッチング速度及び１０：１より大きなホトレジストの選択度を生成する。ホトレジストの選択度は、（１）通してエッチングされる深さプラス用いられるオバーエッチング時間に相当する深さと（２）元のホトレジストの表面（この場合、０．６μｍ）から低いホトレジストの小面のコーナー（この場合、０．２８μｍ）の深さとの比として測られる。側壁の傾斜各によって測られたホールのプロフィールは、０．１４μｍの合計のボトムＣＤを有する８９．５°である。
【００３７】
８．１のアスペクト比を生じるＴＥＯＳ酸化物の０．８２μｍ上に０．１μｍのホトマスクの幅を有する狭いビアホールのための同様なレシピが開発された。このレシピは表２に要約されている。
【００３８】
【表２】
表２
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【００３９】
このレシピは、膜の組成の違いのために前のレシピが用いた酸素より多くの酸素を用いている。この場合、エッチング速度は、小さなホール寸法及びＴＥＯＳ膜がＢＰＳＧ膜よりエッチングするのが難しいことにより、比較的低かった（＞０．４μｍ／分）。この比較的低いエッチング速度は、〜５：１の比較的低いホトレジストを導く。８９．４°のコンタクトホールのプロフィール角度が０．０８μｍのボトムＣＤを生じて達成される。したがって、レシピは、非常に小さなフィーチャ寸法に対して、しかし酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の減少された値に適合される。
【００４０】
幾つかの場合に、通常、アスペクト比が比較的高い（７〜８：１またはそれ以上）及び水平のフィーチャサイズが比較的大きい（０．３５μｍ）とき、ホールプロフィールの優れた制御のために、２またはそれ以上のレシピステップが必要とされる。一例として表３が与えられる。
【００４１】
【表３】
表３
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【００４２】
第２ステップにおける酸素の流量は、第１ステップのそれより小さい。この減少は、ホールが深くなると、側壁の保護を増すために必要とされる高いポリマー化を生成し、ホールの曲がったプロフィールを減少する。減少した酸素のステップにより、第１ステップの酸素の流量は僅かに増加されており、全体のホトレジストの選択度を過度に犠牲にすることなく、単一のステプレシピに用いることができる。高い酸素の第１ステップは、コンタクトホールのネック（ホトレジスト／酸化物の境界の直ぐ下の部分）に形成されるポリマーを減少し、したがって、さらにプロフィールの制御を支援する。結果として、この２つのステップのレシピは単一ステップのエッチングレシピより鋭いプロフィールを達成する。特別な場合、このレシピは、２．８μｍの厚さのＴＥＯＳ膜に０．３５μｍの直径のコンタクトホールをエッチングするために用いられた。０．６５〜０．７μｍ／分の全体のエッチング速度が約５：１のホトレジストの選択度と共に得られた。０．２９μｍのボトムＣＤが９８．４°の側壁プロフィール角度と共に得られた。
【００４３】
表３のレシピの第２ステップは、低い磁界によっても第１ステップと区別される。前に説明したように、これは、ウエハに加えられる実効ＤＣバイアスを増加することによってボトムＣＤ（テーパの少ない）を増加する役目をし、それにより、ホールの底におけるイオン衝突エネルギーを増加する。この特別なレシピは、コンタクトホールの底において酸化物膜とシリコン基板の間に形成される窒化シリコン膜を伴ってウエハ上で走（ラン）された。レシピの優れた窒素化物の選択度を示して、２０％より多い過剰エッチング後に目に見えない窒化物のロスが観察された。
【００４４】
全ての上記のレシピは同様に特徴のあるエッチングガスを有している。酸素の量は、ヘキサフルオロブタジエンの量とほぼ等しいか、それより幾らか少ない。他の条件に依存して、０．４：１と２：１の間のＯ２とＣ４Ｆ６の比によって、多くの同じ有益な効果を得る。ヘキサフルオロブタジエンの流量に対するアルゴンの流量は高く、少なくとも１０倍より大きく、好適には２０倍より大きい。ＣＯがある状態において加えられるが、それはこの構造に対しては必要ではない。
【００４５】
上述の３つのレシピより早く開発された一般のレシピに基づいて、システマティックな研究が続けられた。一般のレシピは表４に要約されている。傾向及びウインドウは全く同じように期待される。
【００４６】
【表４】
表４
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【００４７】
酸化物のエッチング速度とホトレジストの選択度は、多くの処理パラメータに依存して相殺するような傾向を示している。幾つかの変化が殆ど効果のないことを示しているが、一方、他のものは重要な傾向を示し、あるものはテストされた範囲の中間では最適な値を有している。
【００４８】
酸化物のエッチング速度とホトレジストの選択度の滞留時間に対する依存度が図４に示されている。これらのデータ及び上述のレシピに対して、チャンバ体積は２５リットルであるが、プラズマ体積は１０．６リットルと見積もられ、真空ポンピング速度は約１３００リットル／秒である。酸化物のエッチング速度はライン１０４によって示され、ホトレジストの選択度はライン１０６によって示されている。約３７と１００ｍｓ間の滞留時間において、酸化物のエッチング速度は、４０ｍｓ以下ではエッチング速度が減少しているように見えるが、明らかには変わっていない。しかし、ホトレジストの選択度は、３７ｍｓの滞留時間における約１０：１から６１ｍｓにおいて約８．５：１へと減少している。さらなる滞留時間の増加は、僅かではあるがホトレジストの選択度を減少している。これらの結果は、７０ｍｓより少ない滞留時間は良好なホトレジストの選択度を与えることを示している。５０ｍｓまたはそれより少ない滞留時間はさらに良い。しかし、恐らく、滞留時間の設定点を達成するために用いられたＤＣバイアスに対する圧力の低下から生じるＤＣバイアスの増加により、３０ｍｓ以下への滞留時間のさらなる減少は、ホトレジストの選択度を押し下げる下も知れない。
【００４９】
酸化物のエッチング速度とホトレジストの選択度の磁界に対する依存度が図５に示されている。ライン１０８は酸化物のエッチング速度の依存度を、またライン１１０はホトレジストの依存度をそれぞれ示している。エッチング速度は５０ガウス以上で著しく増加する。ホトレジストの選択度は、磁界の増加にほぼ比例して増加しており、５０ガウスより大きな値が好適である。エッチング速度の増加は、磁界の増加によるプラズマ密度の増加によるが、一方ホトレジストの選択度の増加は、高い磁界から生じる低いＤＣバイアスによると考えられる。これらの結果は３５ガウスの最小磁界にやや一般化されることができる。
【００５０】
酸化物のエッチング速度とホトレジストの選択度のＲＦ電力のレベルに対する依存度が図６に示されている。酸化物のエッチン速度に対する結果がライン１１２によって示され、ホトレジストの選択度に対する結果がライン１１４によって示されている。期待されるように、酸化物のエッチング速度はＲＦ電力と共に増加する。しかし、ホトレジストの選択度は約１８００Ｗでピークを示す。これは、ＲＦ電力がプラズマ密度とＤＣバイアスの双方に正の影響を与え、酸化物とホトレジストに関するエッチング速度を増加するからである。さらに、ＲＦ電力が増加しつづけると、この影響は、酸化物に関しては減少し、ホトレジストに関しては増加する。このピークについての幾らかの変化が、例えば、エッチングされるべきいろいろな膜に対して期待され、最小のホトレジストの選択度に対するＲＦ電力の好適な範囲は、２００ｍｍの直径のウエハに対して、１６５０〜２１００Ｗに広がる。電力は、一般にウエハの面積に比例する。
【００５１】
チャンバ圧力の変化に対応する結果が図７に示されている。酸化物のエッチング速度はライン１１６によって、またホトレジストの選択度はライン１１８によって示されている。酸化物のエッチング速度は２５ミリトルで約０．７μｍ／分から７０ミリトルで約０．６２μｍ／分へ減少し、一方、ホトレジストの選択度は、同じ範囲にわたって約９．３から８へ減少する。明らかに、酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の双方に対して、低い圧力での動作が望まれる。これについても、幾らかの変化が期待される。テストされた範囲における未知の低い限界を伴って、高い、酸化物のエッチング速度に対して、チャンバ圧力は４０ミリトルより大きくない。高い、ホトレジストの選択度に対して、チャンバの圧力は、４０ミリトルより大きくないが、しかし、ホトレジストの選択度が低下する決められない低い限界が存在する。前述のように、滞留時間は低い圧力に対して減少する。エッチャントの流量が比較高い場合、チャンバ圧力に関する低い限界は、真空装置のポンピングスピードによって定められる。
【００５２】
同様に良好な結果を達成するために、フルオロカーボンとしてＣ４Ｆ８に基づいて、ＭＥＲＩＥリアクタのためのエッチングレシピを最適化する試みがなされた。これらの努力は部分的に成功した。最良のレシピはＣＯの使用を必要とした。Ｃ４Ｆ８によって得られた酸化物のエッチング速度は、Ｃ４Ｆ６と同程度に良い。しかし、ホトレジストの選択度、特に小面においては、非常に好ましくない。これらの理由に対して、Ｃ４Ｆ６は、容量結合されたリアクタにおいての使用に対して、特にホトレジストの選択度が非常に重要である高いアスペクト比のホールに対して、非常に優れたフルオロカーボンである、と考えられる。
【００５３】
Ｃ４Ｆ８に対してＣ４Ｆ６によって得られた有益な結果は、多くの炭素の豊富なポリマーの生成から生じる、と考えられる。Ｃ４Ｆ８に対するＦ／Ｃの比が２．０であるのと比較して、Ｃ４Ｆ６は１．５のＦ／Ｃの比を有しているので、余分な炭素は利用可能である。他の水素の無いフルオロカーボンは、同様に有利なＦ／Ｃ比を有しており、利用可能なものの殆どは、少なくとも４の炭素原子を有している。Ｃ４Ｆ６はの他の幾つかの異性体、例えば、ヘキサフルオロシクロブタンまたはペルフルオロブチンがる。１．６と１．０のそれぞれのＦ／Ｃ比を有するオクタフルオロペンタジエン（Ｃ５Ｆ８）及びペルフルオロベンゼン（Ｃ６Ｆ６）は、上述のレシピレジームには無いけれども、酸化物のエッチング用に提案されている。強くポリマー化している、１つの水素原子のヘビーなフルオロカーボンへの追加は、もし、低いＦ／Ｃ比が依然として得られるならば、殆ど効果が無い。炭素の豊富なポリマーは窒化物の選択度及び側壁の保護に有利であるけれども、それは、ホトレジストの選択度に特に有利である。炭素の豊富なポリマーはホトレジストに殆ど似ており、ホトレジストの分解に損失を伴わないホトレジストを効果的に厚くすることにつながる。ホトレジストの小面は依然として生じるようであるが、しかしホトレジストとポリマーの組合された厚さに対して、効果的なホトレジストの選択度を増加する。
【００５４】
上に示したレシピは、全て、化学的に不活性の希釈ガスとしてアルゴンを用いる。代わりに、キセノンが用いられるなら、さらに良好な結果が予測される。しかし、キセノンは高価なガスであり、供給不足にある。したがって、もし、十分なレシピが利用できるなら、アルゴンが好適である。キセノンは最も重要なアプリケーションに対して用いることができる。、例えば、アルゴンによって第１レベル（コンタクト）の中間レベルのエッチングが上部レベル（ビア）のエッチングを必要としないものに対して用いられる場合である。
【００５５】
上記の説明は、ホトレジストの高い選択度の場合についての開示されたレシピの利点を強調したけれども、これらのレシピは、例えば、もし、窒化物または他のハードマスクが酸化物を覆っており、酸化物に対して用いられるエッチングレシピと異なるエッチングレシピでパターン化されるなら、ホトレジストの選択度を必要としないアプリケーションにおいても利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
高アスペクト比のホールの断面図である。
【図２】
磁気的に増強された容量結合されたプラズマエッチングリアクターの概略図である。
【図３】
ＤＣ自己バイアスに対する酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の依存度のグラフである。
【図４】
リアクタントの滞留時間に対する酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の依存度のグラフである。
【図５】
磁界に対する酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の依存度のグラフである。
【図６】
ＲＦ電力に対する酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の依存度のグラフである。
【図７】
チャンバ圧力に対する酸化物のエッチング速度及びホトレジストの選択度の依存度のグラフである。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際公開パンフレット】
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【国際公開パンフレット（コレクトバージョン）】
2004512668.tif 000037
【国際調査報告】
2004512668.tif 000038
2004512668.tif 000039
2004512668.tif 000040