(57)【要約】Ｑスイッチド・ダイオードポンプド固体（ＤＰＳＳ）レーザ（５４）は、非線形結晶（７２）を介するハーモニックジェネレーションを使用してリンク処理および標的位置合わせのためＵＶ光を生成する。非線形結晶（７２）のタイプおよび幾何学的構成は選択され、これら結晶の温度を正確に制御して、ＩＣヒューズを切断するのに優れたビーム品質でフォーカスさせたスポットサイズを生成する。レーザ出力（５６）の一部を第２の標的位置合わせシステム（５０）で利用することもできる。イメージング光学モジュール（５２）を使用して第２または第３のビーム、或いはこれら双方の形状の品質をさらに向上させることもできる。各ビームは検出モジュール（１００）を通過し、このモジュールは入射光および反射光を計測する。この２つのビームは、共通のコンバイナを通過し、それに続くリンク処理を通過する。
2004502551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ装置のリンクを処理するレーザシステムであって、
第１の光路に沿って伝搬する、ほぼ５１０〜５７５ｎｍの波長の範囲を持つ緑のレーザ光を生成するレーザ源と、
前記第１の光路に沿って置かれ、前記緑のレーザ光の一部をＵＶ光に変換する非線形結晶と、
前記第１の光路に沿って置かれ、標的に位置合わせするのに適した低いレーザシステム出力を提供する高減衰状態と、リンク処理に適した高いレーザシステム出力を提供する低減衰状態との間で切り替える能力を持つビーム変調器と、
前記第１の光路に沿ってあり、かつ前記ビーム変調器の下流に置かれ、前記標的から反射されたＵＶ光を検出するのに適合させたＵＶ光検出モジュールと、
を含むレーザシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
さらに、前記第１の光路に沿って置かれ、前記緑のレーザ光を受けるビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタが受けた前記緑のレーザ光の一部を伝搬する第２の光路と、
前記第２の光路に沿ってあり、かつ前記ビームスプリッタの下流に置かれ、標的から反射した緑の光を検出するのに適合させた緑光検出モジュールと、
前記第１の光路からのＵＶレーザ光および前記第２の光路からの緑のレーザ光を受け、緑のレーザ光およびＵＶレーザ光を前記標的に向けて伝送するために置かれたビームコンバイナと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記レーザ源は調波（ｈａｒｍｏｎｉｃ）ＩＲレーザ光も生成し、前記緑の光は第２の調波を含み、前記非線形結晶は、前記緑のレーザ光および前記調波ＩＲレーザ光の一部を第３の調波ＵＶレーザ光に変換し、前記ＵＶ光検出モジュールは、前記標的から反射した第３の調波ＵＶ光を検出するのに適合させた、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のレーザシステムにおいて、
前記レーザ源はＩＲレーザ光をも生成し、
前記レーザシステムは、さらに、
前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＩＲレーザ光を受けるビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタが受けた前記ＩＲレーザ光の一部を伝搬する第２の光路と、
前記第２の光路に沿ってあり、かつ前記ビームスプリッタの下流に置かれ、標的から反射したＩＲ光を検出するのに適合させたＩＲ光検出モジュールと、
前記第１の光路からのＵＶレーザ光および前記第２の光路からのＩＲレーザ光を受け、ＩＲレーザ光およびＵＶレーザ光を前記標的に向けて伝送するために置かれたビームコンバイナと、を含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記レーザ源は、ＩＲレーザ光も生成し、
前記レーザシステムは、さらに、
前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＩＲ光を受けるビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタが受けた前記ＩＲレーザ光の一部を伝搬する第２の光路と、
前記第２の光路に沿ってあり、かつ前記ビームスプリッタの下流に置かれ、標的から反射したＩＲ光を検出するのに適合させたＩＲ光検出モジュールと、
前記第１の光路からのＵＶレーザ光および前記第２の光路からのＩＲレーザ光を受け、ＩＲレーザ光およびＵＶレーザ光を前記標的に向けて伝送するために置かれたビームコンバイナと、を含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項６】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記レーザ源は第１の調波ＩＲレーザ光も生成し、前記緑の光は前記第２の調波を含み、前記非線形結晶は前記緑のレーザ光の一部を第４の調波ＵＶレーザ光に変換し、前記ＵＶ光検出モジュールは、前記標的から反射した第４のＵＶ光を検出するのに適合させてある、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項７】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路に沿ってあり、前記ビーム変調器と前記ＵＶ光検出モジュールとの間に置かれ、前記ＵＶレーザ光をフォーカスするフォーカシング光学素子と、
前記フォーカシング光学素子と前記ＵＶ光検出モジュールとの間にあって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶレーザ光の周辺部を切り取るアパーチャーマスクと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器とＵＶ光検出モジュールとの間にあって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶ光を整形する回折光学素子と、
前記回折光学素子と前記ＵＶ光検出モジュールとの間にあって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶ光の周辺部を切り取るアパーチャーマスクと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項９】
請求項２に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器と前記緑光検出モジュールとの間にあって前記第２の光路に沿って置かれ、前記緑のレーザ光をフォーカスさせるフォーカシング光学素子と、
前記フォーカシング光学素子と前記緑光検出モジュールとの間にあって前記第２の光路に沿って置かれ、前記緑のレーザ光の周辺部を切り取るアパーチャーマスクと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１０】
請求項５に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器と前記ＩＲ光検出モジュールとの間にあって前記第２の光路に沿って置かれ、前記ＩＲレーザ光をフォーカスさせるフォーカシング光学素子と、
前記フォーカシング光学素子と前記ＩＲ光検出モジュールとの間にあって前記第２の光路に沿って置かれ、前記ＩＲレーザ光の周辺部と切り取るアパーチャーマスクと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１１】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ１ｍｍ以上であってほぼ２０ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１２】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１３】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ７ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１４】
請求項６に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１５】
請求項７に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１６】
請求項８に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１７】
請求項９に記載のレーザシステムにおいて、
前記第１の光路は、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ未満の非線形結晶を通過する、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１８】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項１９】
請求項３に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２０】
請求項５に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２１】
請求項６に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２２】
請求項７に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２３】
請求項８に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２４】
請求項１１に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２５】
請求項１２に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２６】
請求項１３に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２７】
請求項１４に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２８】
請求項１５に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶は、ＢＢＯ、ＬＢＯ或いはＣＬＢＯを含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２９】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記非線形結晶と前記ＵＶ光検出モジュールとの間にあって前記第１の光路に沿って置かれ、緑の光が前記フィルタの下流に伝搬することを遮る波長選択フィルタ、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３０】
請求項７に記載のレーザシステムにおいて、
前記アパーチャーマスクは、非円形アパーチャーを持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３１】
請求項８に記載のレーザシステムにおいて、
前記アパーチャーマスクは、非円形アパーチャーを持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３２】
請求項９に記載のレーザシステムにおいて、
前記アパーチャーマスクは、非円形アパーチャーを持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３３】
請求項１に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器は、完全減衰状態に切替え、自動パルスモードでレーザシステム出力の伝送を遮る能力をも持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３４】
請求項２に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器は、完全減衰状態に切替え、自動パルスモードでレーザシステム出力の伝送を遮る能力をも持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３５】
請求項６に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器は、完全減衰状態に切替え、自動パルスモードでレーザシステム出力の伝送を遮る能力をも持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３６】
請求項７に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器は、完全減衰状態に切替え、自動パルスモードでレーザシステム出力の伝送を遮る能力をも持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３７】
請求項８に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器は、完全減衰状態に切替え、自動パルスモードでレーザシステム出力の伝送を遮る能力をも持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３８】
請求項１４に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム変調器は、完全減衰状態に切替え、自動パルスモードでレーザシステム出力の伝送を遮る能力をも持つ、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項３９】
ＩＣ装置のリンクを処理するレーザシステムであって、
第１の光路に沿って伝搬するためにほぼ５１０〜５７５ｎｍの波長の範囲を持つ緑のレーザ光を生成するレーザ源と、
前記緑のレーザ光の一部をＵＶ光に変換する、長さが短い非線形結晶であって、前記第１の光路にその非線形結晶の長手方向が沿うように置かれ、前記緑のレーザ光の一部をＵＶ光に変換するような非線形結晶と、
前記非線形結晶の下流であって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶ光を整形するビーム整形素子と、
前記ビーム整形素子の下流であって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶ光の周辺部を切り取るアパーチャーマスクと、
を含むレーザシステム。
【請求項４０】
請求項３９に記載のレーザシステムにおいて、
前記ビーム整形素子は、回折光学素子を含む、
ことを特徴とするレーザシステム。
【請求項４１】
ＩＣ装置のリンクを処理する方法であって、
第１の光路に沿って伝搬するためにほぼ５１０〜５７５ｎｍの波長の範囲を持つ緑のレーザ光を生成するステップと、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶を使用して、前記第１の光路に沿って移動する緑のレーザ光をＵＶレーザ光に変換するステップと、
前記ビーム変調器に高減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて低いレーザ出力を提供するステップと、
低いレーザ出力を標的に向付けるステップと、
前記標的から反射したＵＶ光を検出するステップと、
前記ＵＶレーザ光を前記標的に位置合わせするステップと、
ビーム変調器が低減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて高いレーザ出力を提供するステップと、
高いレーザ出力のパルスを前記標的に方向付け、その標的を切断するステップと、
を含む方法。
【請求項４２】
請求項４１に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光を、前記ビーム変調器の下流であって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶレーザ光の周辺部を切り取るアパーチャーマスクを通過させることによって、前記ＵＶレーザ光の特性を変化させるステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４３】
請求項４２に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光を、前記ビーム変調器の下流であって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶレーザ光を整形するビーム整形素子を通過させることによって、前記ＵＶレーザ光の特性を変化させるステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４４】
請求項４３に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光を、前記ビーム変調器と前記アパーチャーマスクとの間であって、前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶレーザ光を整形する回折光学素子を通過させることによって、前記ＵＶレーザ光の特性を変化させるステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４５】
請求項４１に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光を、前記ビーム変調器の下流であって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶレーザ光を整形するビーム整形素子を通過させることによって、前記ＵＶレーザ光の特性を変化させるステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光を、前記ビーム変調器と前記アパーチャーマスクとの間であって前記第１の光路に沿って置かれ、前記ＵＶレーザ光を整形する回折光学素子を通過させることによって、前記ＵＶレーザ光の特性を変化させるステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４７】
請求項４１に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項４８】
請求項４７に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ４ｍｍ以上であってほぼ８ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項４９】
請求項４２に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項５０】
請求項４９に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ４ｍｍ以上であってほぼ８ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項５１】
請求項４３に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項５２】
請求項５１に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ４ｍｍ以上であってほぼ８ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項５３】
請求項５２に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光は、第４或いは第５の調波を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項５４】
請求項４１に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光は、第４或いは第５の調波を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項５５】
請求項４２に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光は、第４或いは第５の調波を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項５６】
ＩＣ装置のリンクにレーザ加工ビームを位置合わせする方法であって、
第１の光路に沿って伝搬する緑のレーザ光を生成するステップと、
前記緑のレーザ光を大部分と少数の部分とに分割し、前記緑のレーザ光の大部分は前記第１の光路に沿って伝搬し、前記緑のレーザ光の少数の部分は第２の光路に沿って伝搬するステップと、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶を使用して、前記第１の光路に沿って移動する緑のレーザ光をＵＶレーザ光に変換するステップと、
前記ビーム変調器に高減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて低いＵＶレーザ出力を提供するステップと、
低いＵＶレーザ出力を、前記第１の光路に沿ってありかつビームコンバイナを通過させて標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射したＵＶ光を検出するステップと、
ビーム変調器に、完全減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて、ＵＶレーザ光が前記標的に向けて伝送するのを遮るステップと、
前記緑のレーザ光を、前記第２の光路に沿ってありかつ前記第１の光路の前記ビームコンバイナを通過させて前記標的へ方向付けるステップと、
前記標的から反射した緑の光を検出するステップと、
前記緑のレーザ光と前記低いＵＶレーザ出力との相対位置をキャリブレーションするステップと、
を含む方法。
【請求項５７】
請求項５６に記載の方法において、
前記緑のレーザ光或いは前記低いＵＶレーザ出力がイメージド光学素子を通過するステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５８】
請求項５７に記載の方法において、
前記イメージド光学素子は、光学素子およびアパーチャーマスクを含む
ことを特徴とする方法。
【請求項５９】
請求項５８に記載の方法において、
前記イメージド光学素子は回折光学素子を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項６０】
請求項５６に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項６１】
請求項６０に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ４ｍｍ以上であってほぼ８ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項６２】
請求項５７に記載の方法において、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶の長さは、ほぼ３ｍｍ以上であってほぼ１２ｍｍ以下である、
ことを特徴とする方法。
【請求項６３】
請求項６２に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光は、第４或いは第５の調波を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項６４】
請求項６１に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光は、第４或いは第５の調波を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項６５】
請求項６２に記載の方法において、
前記ＵＶレーザ光は、第４或いは第５の調波を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項６６】
ＩＣ装置のリンクにレーザ加工ビームを位置合わせする方法であって、
第１の光路に沿って伝搬するため、第１の調波ＩＲレーザ光および第２の調波緑レーザ光を生成するステップと、
前記緑のレーザ光を大部分と少数の部分とに分割し、この緑のレーザ光の前記大部分は前記第１の光路に沿って伝搬し、前記少数の部分は第２の光路に沿って伝搬するステップと、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶を使用して、前記第１の光路に沿って移動するＩＲレーザ光および緑のレーザ光を第３の調波ＵＶレーザ光に変換するステップと、
前記ビーム変調器に高減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて低いＵＶレーザ出力を提供するステップと、
低いＵＶレーザ出力を、前記第１の光路に沿ってありかつビームコンバイナを通過させて標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射したＵＶ光を検出するステップと、
ビーム変調器に完全減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて、前記標的へＵＶレーザ光が伝送するのを遮るステップと、
前記緑のレーザ光を、前記第２の光路に沿ってかつ前記第１の光路の前記ビームコンバイナを通過させて前記標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射した緑の光を検出するステップと、
前記低いＵＶレーザ出力と前記緑のレーザ光との相対位置をキャリブレーションするステップと、
を含む方法。
【請求項６７】
ＩＣ装置のリンクにレーザ加工ビームを位置合わせする方法であって、
第１の光路に沿って伝搬するため、第１の調波ＩＲレーザ光および第２の調波緑レーザ光を生成するステップと、
前記ＩＲレーザ光を大部分と少数の部分とに分割し、このＩＲレーザ光の前記大部分は前記第１の光路に沿って伝搬し、前記少数の部分は第２の光路に沿って伝搬するステップと、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶を使用して、前記第１の光路に沿って移動するＩＲレーザ光および緑のレーザ光を第３の調波ＵＶレーザ光に変換するステップと、
前記ビーム変調器に高減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて低いＵＶレーザ出力を提供するステップと、
低いＵＶレーザ出力を、前記第１の光路に沿ってありかつビームコンバイナを通過させて標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射したＵＶ光を検出するステップと、
ビーム変調器に完全減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて、前記標的へＵＶレーザ光が伝送するのを遮るステップと、
前記ＩＲレーザ光を、前記第２の光路に沿ってかつ前記第１の光路の前記ビームコンバイナを通過させて前記標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射したＩＲ光を検出するステップと、
前記低いＵＶレーザ出力と前記ＩＲレーザ光との相対位置をキャリブレーションするステップと、
を含む方法。
【請求項６８】
ＩＣ装置のリンクにレーザ加工ビームを位置合わせする方法であって、
第１の光路に沿って伝搬するため、第１の調波ＩＲレーザ光および第２の調波緑レーザ光を生成するステップと、
前記第１の光路に沿って置かれた非線形結晶を使用して、前記第１の光路に沿って移動する緑のレーザ光を第４の調波ＵＶレーザ光に変換するステップと、
前記ビーム変調器に高減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて低いＵＶレーザ出力を提供するステップと、
低いＵＶレーザ出力を、前記第１の光路に沿ってありかつビームコンバイナを通過させて標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射したＵＶ光を検出するステップと、
ビーム変調器に完全減衰状態を前記ＵＶレーザ光に与えるようにさせて、前記標的へＵＶレーザ光が伝送するのを遮るステップと、
前記ＩＲレーザ光を、前記第２の光路に沿ってかつ前記第１の光路の前記ビームコンバイナを通過させて前記標的に方向付けるステップと、
前記標的から反射したＩＲ光を検出するステップと、
前記低いＵＶレーザ出力と前記ＩＲレーザ光との相対位置をキャリブレーションするステップと、
を含む方法。
【請求項６９】
ＩＣ装置のリンクを処理する方法であって、
３９０ｎｍ未満の波長を持つＵＶレーザ光を生成する生成するステップと、
前記ＵＶレーザ光が前記ＵＶレーザ光を整形する回折光学素子を通過するステップと、
前記ＵＶレーザ光が前記ＵＶレーザ光の周辺部を切り取るアパーチャーマスクを通過するステップと、
前記ＵＶレーザ光がイメージングレンズを通過するステップと、
前記ＵＶレーザ光を前記リンクに方向付けるステップと、
前記リンクを切断するステップと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、集積回路（ＩＣ）装置のヒューズを切断するレーザベースのシステムまたは方法に関連するものであり、特に、シングルＵＶレーザパルスを使用してＩＣヒューズを切断するようなシステムまたは方法に関する。
【０００２】
関連出願
本願は、米国特許仮出願Ｎｏ６０／２１７，７４６号（２０００年７月１２日出願）の優先権の利益を得る。
【０００３】
連邦支援の研究或いは開発
該当せず。
【０００４】
図１、２Ａおよび２Ｂは、メモリセル２０の予備の行１６および列１８などのような、行或いは列を成す冗長回路素子１４の複数の繰り返しを含んで一般的に製造されるウェハ即ち加工物１２上のＩＣ装置の反復電子回路１０を示す。図１、２Ａおよび２Ｂを参照すると、回路１０は、電気接点２４の間にある、特定のレーザで切断可能な回路ヒューズ即ちリンク２２を含むように設計されており、このリンク２２を除去して欠陥のメモリセル２０を切り離し、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、埋め込みメモリなどのメモリデバイスの置き換え冗長セル２６に置換することができる。同様の技術は、プログラムロジック製品、ゲートアレイ、或いはＡＳＩＣのリンクを切断するのにも使用される。
【０００５】
リンク２２は、厚さ約０．５〜２ミクロン（μｍ）であり、従来のリンク幅２８は約０．８〜２．５μｍ、リンク長さ３０、および、リンク構造体３６などのような、隣接する回路構造即ち素子３４からの素子―素子のピッチ３２（中心−中心間の間隔）は約２〜８μｍで設計されている。最も広く普及しているリンク素材はポリシリコンおよびそれに類する複合材料であったが、最近、メモリ製造業者は、より導電性が高い多様な金属リンク材料を採用しつつある。これらの材料には、アルミニウム、銅、金−ニッケル、チタニウム、タングステン、プラチナ、同様にその他の金属、合金、チタニウム或いはタンタルの窒化物などの金属窒化物、タングステンシリサイドなどの金属シリサイド、或いは、その他の金属類似材料が含まれ得るが、これらに限定されるものではない。
【０００６】
従来は２０年以上にわたり１．０４７μｍ或いは１．０６４μｍの赤外線（ＩＲ）レーザ波長を使用して回路リンク（ｌｉｎｋ）２２を爆発的に除去してきた。リンク処理即ち加工を開始する前に、回路１０、回路素子１４、或いはセル２０は欠陥の検査を実施され、そして、その欠陥位置をデータベースやプログラムにマッピングして処理されるべきリンク２２の位置を決定することができる。典型的には、リンクを処理するのに使用されるＩＲレーザビームと同一のビームを、強度を小さくした状態で使用して、電気部品を支持する金型および／またはウェハーのコーナー部に位置する金属−オン−酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｎ ｏｘｉｄｅ）などの反射アラインメントマークに関してＩＲレーザビームのフォーカスさせたスポットの位置を見つける。
【０００７】
従来のメモリのリンク処理システムは、それぞれのリンク２２で、約４〜２０ナノ秒（ｎｓ）のパルス幅を持つＩＲレーザ出力のシングルパルスをフォーカスする。図２Ａおよび２Ｂは、上部保護層４４（図２Ａには示すが図２Ｂには図示せず。典型的には２，０００￣１０，０００Å）および下部保護層４６を含む保護層の積層のコンポーネント層間にあって、シリコン基板４２上にあるポリシリコン即ち金属リンク２２から成るリンク構造体３６に照射するスポットサイズ直径４０のレーザスポット３８を示す。シリコン基板４２は、赤外線を比較的少ない比率の量だけ吸収し、シリコン２酸化物或いはシリコン窒化物などの従来の保護層４４および保護層４６は、赤外線には比較的に透明である。図２Ｃは、リンク２２を従来技術のレーザパルスで除去した後の図２Ｂのリンク構造体の部分断面図である。図２Ｃに形成されたクレーターンの品質は均一でもなければ予測可能なものでもない。金属或いは非金属のリンク２２を処理するのに十分なエネルギーを保持しながら基板４２へのダメージを避けるために、サン（Ｓｕｎ）他は、米国特許第５，２６５，１６４号および第５，４７３，６２４号で、シリコンウェハ上のメモリリンク２２を処理するのに、１．３μｍなどのより長いレーザ波長で９〜２５ｎｓのシングルパルスを使用することを提案した。１．３μｍのレーザ波長では、リンク材料とシリコン基板４２との間の吸収コントラストは、従来の１μｍのレーザ波長のものに比べてより大きくなる。この技術によって達成されたより広いレーザ処理ウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）およびより良い処理品質は産業界で数年間使用され多大な成功を収めてきた。
【０００８】
しかしながら、１．０および１．３μｍのレーザ波長は欠点がある。一般に、高い導電性の金属リンク２２へ入り込むこのようなＩＲレーザビーム１２の光吸収は、可視或いはＵＶビームのそれよりも小さく、リンク切断のためのＩＲレーザビームの実用上達成可能なスポットサイズ３８は、比較的大きく、リンク幅２８、接点２４間のリンク長３０、およびリンクピッチ３２の限界寸法を制限する。この従来のレーザリンク処理は、リンク２２の加熱、溶融、および蒸発、そして、機械的ストレスの蓄積を作りだして上部保護層４４を爆発的に開口させる。
【０００９】
熱応力の爆発の挙動は、リンク２２の幅にも幾分依存する。リンク幅が約１μｍよりも狭くなると、保護層４４の爆発パターンは、不規則となり、一貫性のないリンク処理品質、即ち受任不可能な結果となる。従って、熱応力の振る舞いは、リンク２２の限界寸法を制限し、回路密度の増加を妨げるものである。
【００１０】
スヴェンソン（Ｓｗｅｎｓｏｎ）他による米国特許第６，０２５，２５６号は、紫外線（ＵＶ）レーザ出力を使用して、リンクを露出させ、即ち、材料除去とは異なる仕組みで低いレーザ出力で上部保護層即ち阻害材料に「孔をあける（ｏｐｅｎ）」方法を記述しており、より小さいビームスポットサイズの利益をもたらす。このリンクはその後エッチングされる。
【００１１】
サン（Ｓｕｎ）他による米国特許第６，０５７，１８０号は、ＵＶレーザ出力を使用して、レーザの損傷から基礎を成す基板を保護するのに十分な高さの保護層の上に置かれたリンク２２を除去する方法を記述している。この技術は、レーザ処理の相当以前に構造および標的となる材料を修正することを主張している。
【００１２】
従って、リンク処理方法の改善が依然として求められている。
【００１３】
発明の概要
従って、本発明の目的は、シングルＵＶレーザパルスを使用してＩＣヒューズを切断する方法或いはシステムを提供することである。
【００１４】
本発明は、非線形結晶を通過させる調波生成を使用して緑および／またはＩＲおよびＵＶ光を生成するような、Ｑスイッチド・ダイオードポンプド・固体（ＤＰＳＳ）レーザを提供する。好適な実施態様では、非線形結晶のタイプおよび幾何学的性質を選択して、ＩＣヒューズを切断するのに好適なフォーカスさせたスポットサイズを生成するのに必要な、その後のビーム整形やビームフォーカシングに適した非常に高いビーム品質を生成する。非線形結晶の温度は、均一な加工レーザパルス特性を提供するために、温度フィードバック制御ループを使用して有利なフェーズマッチング条件を保持して正確に調整することができる。さらに、ビーム形状の品質は、所望しないビームアーチファクトを空間的にフィルタリングする能力を持つイメージド光学素子によって向上させることもできる。
【００１５】
さらなる好適な実施態様では、多くの標準的な位置合わせ用の標的がＵＶレーザで検出することが困難であるという理由から、標的アラインメントの区別を目的として緑或いはＩＲ出力の一部分を利用することができる。緑或いはＩＲの標的アラインメントビームの一部分は、別個の光学素子のセットの別個の光路へ進み、適正な出力レベルに減衰される。緑或いはＩＲビームの一部分のためのイメージド光学モジュールは、アラインメントのスキャンのためにその形状を最適化する。緑或いはＩＲアラインメントビームおよびＵＶアラインメントビームは、検出システムモジュールを通過し、これらのビームは、各光路に共通のビームコンバイナ（ｂｅａｍ ｃｏｍｂｉｎｅｒ）を通じてキャリブレーション標的に別個に位置合わせされ、結果として生じるそれぞれの反射光を検出して、その結果、アラインメントビームをＵＶリンク処理ビームにキャリブレーションする。その後、緑或いはＩＲアラインメントビームを使用して与えられた金型に１つ或いは複数のビームを位置合わせすることができ、金型上の所定のリンクは、さらなるキャリブレーション無しでＵＶリンク処理ビームによって切断され得る。
【００１６】
本発明は、従来のＩＲリンク処理システムで使用されてきたものよりも小さい、高品質のフォーカスさせたスポットを生成する能力を提供する。また、本発明は、スループットを向上させるために所望される高い繰り返しレートでパルスを提供する手段を提供しながら、ＵＶパルス間のエネルギーレベルの安定性を改善する。本発明はさらに、同じ源から生じた緑のビームおよび／またはＩＲビームを使用することによって、アラインメントビームに従って、ＵＶ波長で少ないコントラストしか持たないアラインメントマークに位置合わせする問題に対する解決策を提供する。
【００１７】
本発明のさらなる目的および利点は、添付の諸図面を参照する以下の実施例の詳細な説明から明らかとなるであろう。
【００１８】
好適な実施態様の詳細な説明
図３は、本発明のレーザシステム４８の好適な実施態様の特定のコンポーネントを図示したものであり、第２の標的位置合わせシステム５０を含む。図４は、イメージド光学モジュール５２の１実施態様の特定のコンポーネントを伴い、かつ、任意選択の第２の標的位置合わせシステム（ＳＴＡＳ）５０を省略してある、レーザシステム４８の特定の追加、即ち任意選択のコンポーネントを示す。図３では便宜上、光路は実線の矢印で示し、電気的、即ち信号線は破線の矢印で示す。破線の矢印のほとんどは便宜上双方向を向いて図示してあるが、当業者はこれらの信号経路の多くはオープンループで実現され得ることを理解するであろう。
【００１９】
図３および図４を参照すると、本発明のレーザシステム４８の好適な実施態様は、約５１０〜５７５ｎｍの波長範囲のような５７５ｎｍ未満の波長成分を一般的に有利に提供するようなレーザ５４を含む。便宜上、前記の波長範囲をこれ以降「緑」と称することがある。しかしながら、ＩＲ領域の範囲内のようなより長い波長成分、望ましくは１１５０ｎｍ未満、さらに好適には１０２０〜１１５０ｎｍを追加として提供することもでき、従って、前記長い波長は第１の調波（ｈａｒｍｏｎｉｃ）となり、前記短い波長（緑）は第２の調波となる。レーザ５４は、好適にはＱスイッチド・ダイオードポンプド（ＤＰ）・固体（ＳＳ）レーザを含み、このレーザは、好適には、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＰ、或いは、最も望ましくはＮｄ：ＹＶＯ４、などの固体レーザ発振材料（ｌａｓａｎｔ）を含み、これらは、赤外線の光を生成し、この光は、その後、第２の調波生成の非線形光学プロセスを介して変換される。このようなレーザ５４は、主としてＴＥＭ００空間モードプロフィールを用いた約５２４ｎｍ（倍周波ＮＤ：ＹＬＦ）、或いは、約５３２ｎｍ（倍周波のＮｄ：ＹＶＯ４）などの波長成分を持つ調波的に生成されたレーザパルス即ち出力５６を提供することができる。電源５８は、電力、ＲＦ出力、および制御信号をレーザ５４に供給し、システム制御コンピュータ６０によって制御され得る。
【００２０】
ガスス（Ｇａｕｓｓｉａｎ）を使用してレーザ出力５６の放射強度プロフィール（ｐｒｏｆｉｌｅ）を説明するが、当業者は、ほとんどのレーザ５４がＭ２＝１の値を持つような完全ガウス出力５６を出射しないことを理解するであろう。便宜上本明細書では、用語「ガウス」には、Ｍ２が１．３或いは１．２未満が望ましいが約１．５以下のプロフィールを含めて用いるものとする。当業者は、その他の波長もその他のリストアップしたレーザ発振材料で利用可能であることを理解するであろう。レーザキャビティ構成、調波生成、Ｑスイッチド操作は当業者には良く知られたことであり、本明細書では好適な実施態様の特定の詳細事項を提示する。
【００２１】
レーザ出力５６は、任意選択として、良く知られた様々な拡大および／またはコリメーション光学素子を通過させ、第１の光路６２に沿って伝搬させることもできる。
第２の標的位置合わせシステム（ＳＴＡＳ）５０を使用するとき、レーザ出力５６はビームスプリッタ６４に衝突し、このビームスプリッタ６４は、第１の光路６２に沿ってＵＶ標的切断および位置合わせシステム（ＵＶ　ＳＡＳ）６６を通ってレーザ出力５６のエネルギーの大部分を透過し、第２の光路６８に沿ってＳＴＡＳ５０を通ってレーザ出力５６のエネルギーの少数部分を偏光させる。
【００２２】
第１の光路６２を移動するレーザ出力５６の大部分は、コリメーション或いはカップリング光学素子７０ａを介して非線形結晶７２に光学的に結合され、このカップリング光学素子７０ａは第１の波長成分を調波変換のプロセスによってＵＶ光に変換する。例えば、レーザ出力５６が、波長成分が約５３２ｎｍの第２の調波光などの緑の光のみを一般的に含む場合、非線形結晶７２は、波長成分が約２６６ｎｍ（４倍周波数のＮｄ：ＹＶＯ４）の第４の調波光などの波長変換された出力７４を提供する。当業者は、第４の調波変換はレーザ出力５６のＩＲ内容に依存しないことを認識しているであろう。また、当業者は、第３の調波のＩＲおよび緑の光への変換はレーザ５４によって提供され、ビームスプリッタ６４を通過し、非線形結晶７２は、約３５５ｎｍ（３倍周波数のＮｄ：ＹＶＯ４）の波長成分の波長変換された出力７４を提供することを認識するであろう。当業者は、出力７４には多くのその他の波長が、レーザ５４により伝搬される最初の波長および非線形結晶７２の数に依存して可能であることを理解するであろう。また、当業者は、好適にはレーザ５４が調波変換を使用する実施態様では、非線形結晶７２が「第２」の非線形結晶であり、そして望ましくは上述したような第４或いは第３の調波変換を行なうことを理解するであろう。
当業者は、さらに、追加の非線形結晶を使用して第１および第４の調波の波長光を第５の調波の波長、例えば２１３ｎｍ（５倍の周波数のＮＤ：ＹＶＯ４）に変換することもできることを理解するであろう。
【００２３】
好適には、少なくとも第２の非線形結晶７２のタイプおよび幾何学的特徴（ｇｅｏｍｅｔｒｙ）は、ＩＣヒューズ即ちリンク２２を切断するのに有利なフォーカスさせたスポットサイズに必要なビーム整形およびフォーカシングに適した非常に高品質のビームを生成するように選択される。この第２の非線形結晶７２のタイプおよび幾何学的性質は、ＩＣヒューズの切断に適した、パルス出力あたりの適正なエネルギーを提供するように同時に選択される。特に、光路に沿って置かれた非線形結晶７２の長さは、受光角および複屈折のウォークオフ（ｗａｌｋ−ｏｆｆ）の組み合わせのバランスを取るために選択され、これらは、結晶の長さの増加に従いビーム品質を劣化させ、典型的には結晶の長さの増加に従い増加するパルスエネルギー劣化させ得るものである。第１の光路６２に沿って置かれた非線形結晶７２の長さは、約１ｍｍ以上であって約２０ｍｍ未満である。望ましくは、第１の光路６２に沿って置かれた非線形結晶７２の長さは、約３ｍｍ以上であって約１２ｍｍ以下とする。さらに好適には、第１の光路６２に沿って置かれた非線形結晶７２の長さは、約４ｍｍ以上であって約８ｍｍ以下である。最も望ましくは、第１の光路６２に沿って置かれた非線形結晶７２の長さは、約６ｍｍ以上であって約８ｍｍ以下である。例えば、従来のＣＬＢＯ非線形結晶は、レーザ光の変換の量を最大化するために、伝搬する軸に沿った長さが１２〜１５ｍｍである。第１の光路６２に沿った非線形結晶７２を約７ｍｍ未満のような短い長さに設定することは、第４および第５の調波生成用途のために特に望ましい。さらに、当業者は、第１の光路６２に沿って置かれた非線形結晶７２の長さは、非線形結晶７２の主軸に並行、或いは同一線形順序に並ばすことが好適であり、非線形結晶７２は、その表面或いは軸が、非線形結晶７２を通って移動する第１の光路６２に対して並行でもなく或いは垂直でもないように置くこともできることを理解するであろう。従来、第３の調波用途のために大きな非線形結晶を使用することもできるが、このような結晶は、第１の光路６２が結晶の約７〜１０ｍｍ未満の短い長さのみを通過するような、第４或いは第５の調波生成用途のために使用することができる。
【００２４】
使用する非線形結晶７２のタイプに依存して、ビームの伝搬方向に対して横の寸法は、当業者によって通常実践されているような典型的に必要とされる厳密なクリアーアパーチャー（ｃｌｅａｒ ａｐｅｒｔｕｒｅ）の考慮よりは大きくなるように選択されるように、非線形結晶７２の幾何学的特性を選択することができる。この横方向の幾何学的性質の考慮は、クリアーアパーチャーの潜在的な吸湿性を減少させ、これによって、非線形結晶７２の耐用期間中、クリアーアパーチャー全体の十分な領域を保持する。その他の辺、即ち、非線形結晶７２の高さおよび幅は、典型的には３〜５ｍｍであるが、もっと長くすることもでき、非線形結晶７２全体は、典型的には方形或いは長方形であるが、同様にその他の形状で形成することもできる。
【００２５】
非線形結晶７２は、β−ＢａＢ２Ｏ４（ホウ酸バリウム或いはＢＢＯ）、ＬｉＢ３Ｏ５（ホウ酸リチウム或いはＬＢＯ）、或いはＣｓＬｉＢ６Ｏ１０（ＣＬＢＯ）から作製することが好適である。ＢＢＯ、ＬＢＯ、およびＣＬＢＯは、全て、レーザ出力５６を近ＵＶ（第３の調波生成）に変換するのに好適であり、このなかでもＬＢＯが最も望ましい。ＢＢＯおよびＣＬＢＯは、レーザ出力５６を変換してＵＶ第４の調波、或いは第５の調波を生成することが好適であるが、このなかでもＣＬＢＯが最も望ましい。ＬＢＯは第２の調波生成には好適であるが、多くのその他の非線形結晶が当業者に知られておりこれを使用することもできる。当業者は、これらの結晶軸および種々の波長依存性被覆に関連して非線形結晶７２の種々のカット（ｃｕｔ）を使用することができることを理解するであろう。図５は、非線形結晶に好適なタイプのための長さを含む諸パラメータを示す表である。図５では、ＴＨＧは第３の調波生成を示し、ＦＨＧは第４の調波生成を示し、ＦｉＨＧは第５の調波生成を示し、ＰＭは位相整合角を示し、結晶カットを呼ぶこともあり、Ｄｅｆｆ（ｐｍ／Ｖ）は、非線形結晶が基本周波数光を高調波光出力に変換する能力の効率を示す性能指数（ｆｉｇｕｒｅ ｏｆ ｍｅｒｉｔ）である。
【００２６】
ある特定の実施態様では、ＢＢＯ、ＣＬＢＯの非線形結晶７２を使用して、第４の調波変換のプロセスを通じて５３２ｎｍのレーザ出力５６を、約２６６ｎｍのレーザ光の波長変換出力７４に変換する。ＢＢＯ非線形結晶７２は、非常に高い変換効率を提供し、水平および垂直のアラインメント軸で良いビーム品質を保持し、非常に高いＵＶ損傷閾値を持ち、その他の普通の非線形結晶のような吸湿性のものではない。また、ＢＢＯは２６６ｎｍで非常に高い透過性を持つ。しかしながら、ＣＬＢＯは、ＢＢＯよりも吸湿性が高いが、より好適である。その理由は、ＣＬＢＯはＢＢＯよりも受光角が良く、ウォークオフ角がより小さいからである。
【００２７】
非線形結晶７２の温度は、正確に調節され、望ましくは温度フィードバック制御ループを使用して、適正な波長で均一な加工レーザパルスを生成するために、有利な位相整合条件を保持する。特に、レーザ出力位置合わせは、非線形結晶７２の温度の変動に敏感であり、ビーム位置、形状、出力は、非線形結晶７２の温度の小さな変動にも顕著に影響され得る。非線形結晶７２を収容するモジュールは、電源５８から温度調節のための電力を受け取ることができる。所望の温度は、システム制御コンピュータ６０或いはサブプロセッサで直接的に或いは間接的にプリセットおよび／または制御することができる。温度調節はアラインメントおよび標的のアラインメント即ち位置合わせを改善し、標的でない領域の付随的な損傷を最小限にすることに寄与する。
【００２８】
波長変換出力７４は、その後、波長選択フィルタ７６を通過し、このフィルタは、非線形結晶７２から出射した変換されていない出力が、さらにＵＶ　ＳＡＳ６６の後続のコンポーネントに向けて伝送されること、および究極的には加工物１２へ伝送されることを遮る。少ない程度の変換されていない出力が下流のコンポーネントに、或いは、特定の材料に関するリンク切断性能に僅かしか影響が無いような用途ではフィルタ７６は省略し得るが、フィルタ７６を使用して、緑、および／またはＩＲ光がリンク構造体３６へ相互作用すること、およびＵＶ検出モジュール１００ａの操作へ干渉することを遮ることが好適である。フィルタ７６を省略した場合は、下流の鏡を被覆してＵＶ光を反射し、緑、および／またはＩＲ光を透過することが好適である。
【００２９】
好適な実施態様では、波長変換出力７４は、その後、コレクター光学素子（ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ ｏｐｔｉｃｓ）７８のセットを通って伝送され、このセットは、実質的に円形のビームを音響光学変調器（ＡＯＭ）８０ａに渡す。この図３に示した好適な実施態様では、レーザ出力５６は分離したＡＯＭによって変調されず、ＡＯＭ８０ａは、紫外線ＡＯＭであり、このＡＯＭはコレクター光学素子に続き、非線形結晶７２からのより安定的な波長に変換された出力７４を提供する。ＡＯＭ８０ａを使用して波長変換出力７４の所望のレーザパルスのみを加工物の表面に伝送し、所望の個々のパルスエネルギーを、ＩＣヒューズ切断のため、或いはアラインメントスキャンのための所望のパルスエネルギー値に減衰する。ＡＯＭ８０ａは、標的位置合わせに適したレーザ出力を提供する高減衰状態と、リンク処理即ちリンク加工に適した低減衰状態との間で切り替える能力を持つ。また、ＡＯＭ８０ａは、特にリンク処理オートパルスモードで、波長変換出力７４の伝送を完全に遮る能力を持つ。ＡＯＭ８０ａは、さらに、伝送されるビーム品質に副作用を及ぼすことなく所望のレーザパルスを伝送するために選択される。この用途に適するＵＶグレードのＡＯＭ８０ａは市販されている。
音響光学変調器の代わりにＡＯＭ８０ａを音響電気変調器（ポッケルセルなど）とすることもできる。或いは、偏光器の後に続く半波板（ｈａｌｆ ｗａｖｅ ｐｌａｔｅ）や液晶セルなどの偏光回転素子を使用することもできる。レーザの分野の当業者にはＡＯＭ８０ａ、その代替品、およびその利用などは良く知られている。
【００３０】
この段階で波長変換出力７４の実質的に円形のプロフィールにもかかわらず、ＩＣヒューズ切断処理に望ましくない、残存非点収差、楕円、その他の形状の特徴を持つこともあり得る。任意選択のイメージド光学モジュール５２ａ（総称して５２）でビーム形状品質を改善することができ、これによって所望しないビームのアーチファクトを空間的にフィルターすることができる。便宜上、図４に示したイメージ光学モジュール５２は、ＵＶ　ＳＡＳ６６では５２ａで示し、ＳＴＡＳ５０では５２ｂで示す。
【００３１】
イメージ光学モジュール５２は、望ましくは、光学素子９０、レンズ９２、およびアパーチャーマスク９４を含み、アパーチャーマスク９４は、光学素子９０で作成されたビームのくびれた部分、或いはその近くに置かれ、その結果、所望しない、サイドローブおよびビームの周辺部分を遮る。好適な実施態様では、光学素子９０はフォーカシングレンズ（ｆｏｃｕｓｉｎｇ ｌｅｎｓ）であり、レンズ９２は、レーザシステム４８の構成に柔軟性を加えるためのコリメーティングレンズである。アパーチャーのサイズを変化させることによって、スポットのプロフィールのエッジシャープネスを制御して、位置合わせの正確さを向上させるより小さくエッジのシャープな強度のプロフィールを生成する。さらに、この構成では、アパーチャーの形状は、正確に円形にすることができ、或いは、方形、楕円形、或いは、リンクの長さ３０に対して並行或いは垂直に位置合わせされ得るような、その他の非円形の形状に変化させることもできる。マスク９４のアパーチャーは、任意選択であるが、光の出射側の外で向けてフレアを付けることができる。
【００３２】
イメージド光学モジュール５２ａでは、マスク９４はＵＶ反射或いはＵＶ吸収材料を含むことができるが、好適には、多層高ＵＶ反射被覆、或いは、その他のＵＶ耐性被覆を被覆したような、ＵＶグレードの溶融シリカ、或いは、サファイアなどの誘電体から作成される。当業者は、アパーチャーマスク９４は光学素子９０および９２無しで使用され得ることを理解するであろう。
【００３３】
代替の好適な実施態様では、光学素子９０は、光学素子９０の下流、即ち後段にあるアパーチャーマスク９４に近接した、１つ或いは複数のビーム整形コンポーネントを含み、このコンポーネントは、生のガウス放射強度プロフィール（Ｇａｕｓｓｉａｎ ｉｒｒａｄｉａｎｃｅ ｐｒｏｆｉｌｅ）を持つレーザパルスを、ほぼ均一な「シルクハット（ｔｏｐ ｈａｔ）」状のプロフィール、或いは、特に超ガウス（ｓｕｐｅｒ−Ｇａｕｓｓｉａｎ）のプロフィールを持つような、整形した（かつフォーカスさせた）パルスへと変換する。このようなビーム整形コンポーネントは、非球面或いは回折光学素子を含むことができる。この実施態様では、レンズ９２は、ビームのサイズおよび発散を調整するのに役立つイメージング光学素子を含む。当業者は、単一のイメージングレンズコンポーネント或いは複数のイメージングレンズコンポーネントを使用し得ることを理解するであろう。また、当業者は、アパーチャーマスク９４を使用せずに整形したレーザ出力が使用され得ることを理解するであろう。
【００３４】
ある好適な実施態様では、ビーム整形コンポーネントは、高い効率および正確さで複雑なビーム整形を実施し得るような回折光学素子（ＤＯＥ）を含む。ビーム整形コンポーネントは、ガウス放射強度プロフィールをほぼ均一な放射強度プロフィールに変換するだけでなく、整形した出力を確定できる、即ち、指定されたスポットサイズにフォーカスさせる。単一の素子のＤＯＥが好適であるが、当業者は、ＤＯＥは、ディッキー（Ｄｉｃｋｙ）他による米国特許第５，８６４，４３０号に開示された位相板および変換素子などの複数の別個の素子を含むことができ、前記特許はビーム整形のためのＤＯＥを設計する技法も開示する。上述した整形およびイメージングの技法は、２０００年１２月７日に発行された国際公開ＷＯ００／７３１０３号に詳細に記述されている。２０００年５月２６日出願のダンスキ―（Ｄｕｎｓｋｙ）他によるこれに対応する米国特許出願第０９／５８０，３９６号の開示の関連部分は、参照によって本明細書に合体させるものとする。
【００３５】
一般に、好適な実施態様のいずれを使用してもリンクを切断することができる。これら実施態様の幾つかは、費用面でかなり有利であるが、整形およびイメージングによって達成可能な波長変換出力７４のための上面が平坦な放射郷土プロフィールは、リンク構造体３６の特定の種類のため、特に、リンク２２の基礎を成す保護層４６が特に薄くＵＶ損傷に敏感である場合のスポットの中心部における基板損傷を防止するのに役立つ。このイメージ処理され、整形された出力は、より均一なクレータを作成できる。その理由は波長変換出力の均一な形状は、中心部にホットスポット（ｈｏｔ ｓｐｏｔ）を生成する可能性を事実上除去するからである。従って、イメージ処理および整形は、非常に平坦かつ均一な底部、さらには非常に性格に整形した幾何学的特性およびきっかりしたエッジを持つようなクレータ即ち孔を形成するのに役立つことができる。
【００３６】
さらに、ビームエネルギーの大部分は、イメージ処理されたスポットのエッジ部と中心部との間でフルエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）に大きな違いが無い状態で加工物１２へと伝達され得る。さらに、アパーチャーマスク９４を通過して伝播するような、パルスあたりのエネルギーを最大化するために上面が平坦な放射強度プロフィールを所望することもでき、従って、アパーチャーのサイズ制限によって切り取られる、或いは捨てられるエネルギーを最小化することができる。このアプローチは、波長変換出力７４の出力が低いようなＵＶ用途などの特定用途に利用することもできる。
【００３７】
当業者は、本明細書で説明した技法は、繰り返し性の向上、および位置合わせを正確にすることを可能にすることを理解するであろう。加工されたクレータの位置および寸法は、リンクの中心部などで性格に予測可能であり、従来のリンク切断クレータよりも狭小化したプロフィールを持たせて作成することができるため、これらの技法は、電子加工物１２の回路密度を増大させるのに有効なものと成り得る。
【００３８】
再度図３を参照すると、波長変換出力７４は、望ましくは可変ビーム拡大器（ＶＢＥ）９６を通って移動し、その結果、ユーザはビームスポットのサイズを制御することが可能になる。ＶＢＥ９６はＡＯＭ８０ａの下流に置かれ、好適には、イメージド光学モジュール５２ａが使用される場合はその下流に置かれる。好適な実施態様では、ＶＢＥ９６は動力化され、個々のレンズ素子が、システム制御コンピュータ６０によって命令されプログラムされた位置へ移動することが可能となり、従って、加工物の表面でフォーカスさせた（整形した）スポットサイズのコンピュータ制御が可能になる。好適な実施態様では、ビームの小さな並進調節を可能とするガラス製の一対の回転可能なプレートを追加で使用することもできる。これらの回転可能なプレートは、望ましくはＶＢＥ９６と検出モジュール１００ａとの間に配置するが、或いは、検出モジュール１００ａとビームコンバイナ（ｂｅａｍ ｃｏｍｂｉｎｅｒ）１２０との間に置くこともできる。これらのプレートのアラインメント調節は、手動で実施することもできるが、システム制御コンピュータ６０によってリモート制御することもできる。
【００３９】
ＵＶ　ＳＡＳ６６の通過を続けるが、波長変換出力７４は、好適にはＵＶ検出モジュール１００ａを通過するように方向付けられる。図６は、好適な検出モジュール１００（検出モジュール１００ａおよび１００ｂの総称である）の簡単化した概略図である。便宜上、図６に示した検出モジュール１００は、図３ではＵＶ　ＳＡＳ６６内の１００ａで、ＳＴＡＳ５０内では１００ｂで表す。
【００４０】
検出モジュール１００は、望ましくは、サンプルを取得できるように入射する波長変換出力７４のごく一部分を分割するようなビームスプリッタ１０２を含む。この入射ビームは、要求に応じて再度分割することができ、異なるタイプのセンサー１０４がサンプリングすることができる。好適には、検出モジュール１００は、位置合わせ操作中に入射ビームを測定するのに使用されるセンサー１０４を含む。特に、検出モジュール１００ａは、切断操作に重要なパルスド出力特性を特徴付け得るセンサー１０４（ａ）を含むことが好適である。ターンミラー（ｔｕｒｎ ｍｉｒｒｏｒ）を使用して入射ビームをセンサー１０４に方向付け、必要に応じてフォーカシングレンズ１０８（ｆｏｃｕｓｉｎｇ ｌｅｎｓ）および減衰器１０６を通過させる。ビームスプリッタ１０２は、図６に示すようにビーム経路１１０ａに沿って波長変換出力７４の大部分を通過させることが好適であり、図３ではビーム経路１１０として総称的に表される。
【００４１】
検出モジュール１００のビームスプリッタ１０２を使用して加工物表面から反射した光を反射センサー１１４へ方向付けることも好適である。便宜上、図６では、反射光はビーム経路１１０ｂで表し、図３ではビーム経路１１０として総称的に表す。反射センサー１１４は位置合わせ中の反射ビームを測定する。ターンミラーを使用して入射ビームをセンサー１１４へ方向付け、必要に応じて減衰器１１６およびフォーカシングレンズ１１８を通過させる。センサー１０４および１１４用のセンサー電子装置は、システム制御コンピュータ６０と通信することが好適である。
【００４２】
その後、波長変換出力７４の大部分は、ＳＴＡＳ５０を使用している場合は、ビームコンバイナー１２０を通過するよう方向付けられることが好適である。ビームコンバイナー１２０は、望ましくはダイクロイックミラーを使用し、波長変換出力７４が、対物レンズ１２２を通過して、加工物１２上の所望のレーザ標的位置１２４へ向かうよう方向付ける。当業者は、ビームコンバイナー１２０のその他の実施態様も可能であることを理解するであろう。対物レンズは、「第２イメージング」、フォーカシング、カッティング、或いはスキャンレンズと称し得る。加工物１２、および／または、対物レンズ、および／または、ビーム１４２を動かす種々の位置決めシステムが当業者に知られており、これらを使用することもできる。オレゴン州ポートランドにあるエレクトロサイエンティフィックインダストリー・インク社製のモデル９８００位置決めシステムを改造して本発明の好適な実施態様を実施することができる。
【００４３】
望ましくは、レーザ制御システム６０は、ビーム位置決めシステム１３０のコンポーネントの動作を命令し、レーザ５４の発射とビーム位置決めシステム１３０のコンポーネントの動きとの同期を取ることが好適であり、このことは、ベアード（Ｂａｉｒｄ）他による米国特許第６，１７２，３２５号（’３２５特許）に記述されており、この文献は、高い繰り返しレートでパルスを供給する手段を提供するときにパルス間のピークエネルギーレベルの安定性を改善する処理位置フィードバックを使用したレーザ処理出力安定性技法を説明する。
【００４４】
リンク処理操作の間、Ｑスイッチド固体レーザは、パルス処理制御システムと協働して作動し、このパルス処理制御システムは、オートパルスモードおよびパルス・オン・ポジション（ｐｕｌｓｅ−ｏｎ−ｐｏｓｉｔｉｏｎ）モードを使用して、ビーム位置決めシステム１３０により動かされる加工物１２上の標的位置へ供給されるパルス間レーザエネルギーを安定化する。オートパルスモードでは、レーザパルスは、ほぼ最大のＰＲＦで出射されるが、これらのパルスは、ＡＯＭ８０ａ或いはレーザ５４内または第１の光路６２に沿った追加のＡＯＭによって加工物１２に到達するのが遮られる。パルス・オン・ポジションモードでは、位置決めシステム１３０が命令されたレーザビーム座標に一致する座標を用いて加工物の位置を移動する毎に、レーザ５４がパルスを出射する。この処理制御システムは、規則正しく離間された、命令されたレーザビーム座標のセットを通過する加工物１２に応じて、ほぼ最大のＲＰＦでレーザ５４を発射させるようなほぼ一定の速度で位置決めシステム１３０を動作させる。パルス処理制御システムは、処理されるべき位置が指示されたときは常にＡＯＭ８０ａを透過状態にセットし、処理しない位置が指示されたときは常にＡＯＭ８０ａを遮蔽状態にセットする。レーザシステム４８のパルス間エネルギーレベル安定性は、レーザ５４のパルス間エネルギーレベル安定性に直接的に依存する。この要件を満たすためには、出射されたレーザパルス間のインターパルス間隔を実質的に同一にし、これによってほぼ最大ＲＰＦにおけるパルス間エネルギーレベルが安定化される。このパルス間エネルギーレベル安定性は、そうでなければ、変動するインターパルス間隔でのＩＲレーザの発射によるレーザのデューティサイクルによって引き起こされるであろう、熱および放射による影響を減少させる。このような熱および放射の影響は、非線形結晶７２の屈折率の変化を含むことがあるが、これによって調波生成のための位相整合条件（ｐｈａｓｅ ｍａｔｃｈｉｎｇ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）が修正され、調波出力エネルギーの大きな変化を引き起こす。このような熱および放射の影響は、レーザ５４のパルスあたりのエネルギーを変化させることがあり、レーザシステム４８の出力を変動させる。
【００４５】
リンク処理のために、レーザシステム４８は、リンク処理ウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）の好適なパラメータを持つレーザシステム出力１４０を生成する能力を持ち、これらのパラメータは、プログラム可能な約０．０１μＪから約１０μＪの範囲のパルスあたりのエネルギー値、約０．３μｍから約１０μｍの空間的な主軸、即ちスポットサイズ直径（好適には約０．５〜５．０μｍ、最も好適には２μｍ未満）、約１ｋＨｚを超えるパルス繰り返し周波数（ＲＰＦ）（好適には約２０ｋＨｚを超える、或いは、約１００ｋＨｚ以上）、好適には約１８０〜３９０ｎｍの紫外線波長、および、約１００ｎｓ未満の時間的なパルス幅（好適には約４〜２０ｎｓ或いはそれ未満）である。レーザシステム出力１４０の好適なリンク処理パラメータは、基礎を成す下部基板４２或いは周辺の構造体３６への損傷を回避しようとして選択される。
【００４６】
標的の位置合わせのためにＵＶ　ＳＡＳ６６を使用するとき、ＡＯＭ８０ａを使用して波長変換出力７４を減衰し、リンク切断に使用されるものと同様なスポットサイズやパルス幅のパラメータを含み得るような好適なパラメータを持つレーザシステム出力１４０を生成する。波長変換出力７４の減衰パルスは、望ましくは、約２０〜１００ｋＨｚのＲＰＦで生成し、約０．０１〜１ｍＷの出力を持つ。典型的にはこの減衰されたパルスは、与えられた標的位置合わせ構造体のためのリンク切断パルスのエネルギーの５％未満のエネルギーを持つが、これらの構造体即ちリンク構造体３６の材料の反射率やその他の特性を含む様々な要因によって、切断パルス用および特定の標的に対する位置決めパルス用の最適な処理ウィンドウを決定する。
【００４７】
図３、レーザ出力５６、ビームスプリッタ６４、第２の光路６８を再度参照すると、ＳＴＡＳ５０を使用するときは、レーザ出力５６の偏向した低い放射部分、レーザ出力５６ｂは、第２の光路６８に沿って移動し、好適には、拡大、および／または、コリメーション光学素子７０ｂを通過する。レーザ出力５６ｂは、望ましくは標的アラインメントに最適化された光学プロフィールを持つ緑或いはＩＲ光を含むことが好適である。
【００４８】
その後、レーザ出力５６ｂは、アラインメントスキャンに使用されるレーザ出力５６ｂの出力を制御するのに使用される減衰器８０ｂを通過するように方向付けられることが好適である。また、減衰器８０ｂを使用して、ＵＶアラインメントスキャン中或いはＵＶリンク処理中に、レーザ出力５６ｂが標的へ伝達されることを停止することが好適である。減衰器８０ｂは、ＡＯＭ８０ａで使用する装置と同一或いは異なるものとすることができるが、緑および／またはＩＲレーザ光の使用に適合させることが望ましい。これらの波長でこの用途に適した減衰器８０ｂは市販されている。或いは、減衰器８０ｂは、当業者に良く知られている多くのタイプのレーザシャッターのいずれか１つを代用することもできる。
【００４９】
レーザ出力５６ｂは、任意選択であるが、イメージド光学モジュール５２ｂを通過させて、位置決め処理の正確性を最適化することができる。イメージド光学モジュール５２ｂは、イメージド光学モジュール５２ａと同じ或いは異なるコンポーネントを含むことができるが、緑および／またはＩＲレーザ光の使用に適合させることが望ましい。例えば、イメージド光学モジュール５２ａがビーム整形素子を含むのに、イメージ光学モジュール５２ｂにそれを含ませないこともできる。さらに、モジュール５２ｂのアパーチャーマスク９４の異なる形状および／またはサイズのアパーチャーを含むことを所望することができ、レーザシステム４８はイメージド光学モジュール５２ａおよびイメージド光学モジュール５２ｂを含み、この双方のイメージド光学モジュールはフォーカシングレンズ即ち焦点レンズおよびアパーチャーマスク９４を含む。
【００５０】
その後、レーザ出力５６ｂは、第２の検出モジュール１００ｂへ向けて方向付けられ、これは検出モジュール１００ａと同様のものであるが、この第２の検出モジュール１００ｂは緑および／またはＩＲレーザ光の使用に適合させてある。検出モジュール１００ｂは、サンプリングできるように入射レーザ出力５６ｂの一部を分割する分割するビームスプリッタ１０２を含むことが好適である。必要に応じてこのビームは再度分割することができるが、その結果、異なるタイプのセンサー１０４がその分割されたビームをサンプリングすることができるようになる。検出モジュール１００に位置合わせ操作中に入射ビームを測定するのに使用されるセンサー１０４を含ませることが好適である。ターンミラーを使用して入射ビームをセンサー１０４へ方向付け、必要に応じて減衰器１０６およびフォーカシングレンズ１０８を通過させる。ビームスプリッタ１０２は、図６に示すビーム経路１１２ａに沿ってレーザ出力５６ｂの一部を通過させることが好適であり、このビーム経路１１２ａは図３では総称的にビーム経路１１２として表したものである。
【００５１】
望ましくは検出モジュール１００ｂのビームスプリッタ１０２を使用して加工物表面から反射した光を反射センサー１１４に方向付ける。この反射光は、便宜上、図６ではビーム経路１１２ｂとして表してあり、これは図３では総称的にビーム経路１１２として図示したものである。反射センサー１１４は、位置合わせ操作中に反射ビームを測定する。ターンミラーを使用して入射ビームをセンサー１１４へ方向付け、必要に応じて減衰器１１６およびフォーカシングレンズ１１８を通過させる。センサー１０４および１１４のためのセンサー電子装置は、システム制御コンピュータ６０と通信させることが好適である。
【００５２】
レーザ出力５６ｂの残部は、望ましくはビームスプリッタ１０２によって方向付けられビームコンバイナー１２０を通過し、その後、対物レンズ１２２を通過し加工物１２上の所望のレーザ標的位置１２４に向かう。レーザ出力５６ｂは、約２０〜１００ｋＨｚで約０．０１ｍＷから約１０ｍＷを供給することが好適である。ＳＴＡＳ５０が緑のアラインメントビームを使用するとき、レーザスポットサイズは、約０．８μｍから約５μｍにすることが好適である。ＳＴＡＳ５０がＩＲアラインメントビームを使用するとき、レーザスポットサイズは、約１．５μｍから約５μｍにすることが好適である。
【００５３】
ＳＴＡＳ５０を使用するとき、ビームコンバイナー１２０は、波長変換出力７４およびレーザ出力５６ｂを方向付け、その結果、これらは、対物レンズ１２２を通って同じビーム経路１４２をたどる。ターニングミラーを使用して両者のビームは対物レンズ１２２に位置合わせすることができる。対物レンズ１２２は、波長変換出力７４を、好適には約２μｍ未満、さらに好適には約１．０μｍ未満のスポットサイズの直径にフォーカシングする能力がある。フォーカスさせた波長変換出力７４とフォーカスさせたレーザ出力５６ｂとの間で位置ずれがある場合は、この位置ずれは、両方の波長で良い反射コントラストを持つ標的をスキャンすることによってキャリブレーション即ち校正される。両方の波長でスキャンするのに適した好適な位置合わせ標的は、クオーツ格子上のクロムを含むことができる。このようなキャリブレーション変位をシステム制御コンピュータ６０で使用して正確に波長変換出力のフォーカスさせたスポットを切断されるべきＩＣリンク２２へ向ける。
【００５４】
ある実施態様では、レーザ出力５６は、緑（第２の調波）およびＩＲ（第１の調波）のレーザ光を大量に含み、波長変換出力７４は主としてＵＶ（第３、第４或いは第５の調波）レーザ光、望ましくは第３の調波光を含み、レーザ出力５６ｂは第２の標的位置合わせのために緑或いはＩＲの光を含む。この実施態様では、追加の波長選択性フィルタを第２の光路に沿って導入して、所望により緑或いはＩＲの波長を除去することができる。
【００５５】
好適な実施態様では、レーザ出力５６は、主として緑（第２の調波）のレーザ光を含み、波長変換出力７４は主としてＵＶ（第４の調波）レーザ光を含み、レーザ出力５６ｂは第２の標的位置合わせのために主として緑のレーザ光を含む。緑の光は、ＩＲレーザ光の波長よりも波長変換出力７４に近いため、緑の光が第２の標的位置合わせには現在のところ好ましい。その理由は、対物レンズ１２２は、レーザ出力５６ｂを超える波長変換出力７４のために優先的に補正されるからである。ＳＴＡＳ５０を使用することによって、例えばＵＶ波長で僅かなコントラストしか持たないアラインメントマークに位置合わせする問題に解決策を与える。
【００５６】
ウェハ即ち加工物１２は、典型的にはウェハハンドラーおよび画像システムによって事前位置合わせされ、その結果、ウェハはプラットフォーム上に置かれ、ウェハのエッジの特徴部分が既知の座標系に関連して置かれる。また、ウェハはおおよそで置かれ、処理されるべき金型（或いは金型のグループ）は対物レンズ１２２の下に置かれる。一旦適正な金型が置かれたとき、さらなるリンク目標設定の正確性が、レーザシステム４８の機能を使用するさらなる位置合わせステップによって達成され得る。
【００５７】
普通の方法は、減衰した処理レーザビームを使用してそれぞれの金型のコーナー部に置いた基準アラインメントマーク或いは特徴をスキャンすることである。これらのマークをスキャンすることで、位置決めシステム１３０はアラインメントマークに対するレーザシステム出力１４０の位置（Ｘ，Ｙ，Ｚ座標）を知る。このスキャンは、２０ｋＨｚを超える繰り返しレートのレーザ５４で実施することが好適であり、各位置合わせ標的のスキャンは、典型的には約０．０１〜１０ミリ秒の間実施される。或いは、レーザ５４が十分な出力を持つようなＣＷモードでスキャンを実施することもできる。ビーム位置決めシステム１３０が与えられた金型に対するビームの正確な位置を知ったときは、位置決めシステム１３０は、ウェハ、および／または、対物レンズ１２２、および／または、ビーム１４２を非常に正確に動かすことができ、さらなる標的位置合わせ手順無しで与えられた金型の所望のリンク２２を加工することができる。位置合わせ標的がＵＶ光で容易に識別されたときは、レーザシステム４８は、ＳＴＡＳ５０無しでこの操作を実行できる。
【００５８】
第２のビーム位置合わせのためのＳＴＡＳ５０のレーザ出力５６ｂ（第２のビーム）の波長の使用は、位置合わせ標的が波長変換出力７４（第１のビーム）のＵＶ光で容易に識別されないような用途に特に効果がある。ＳＴＡＳ５０の使用するには、第１から第２のビームのキャリブレーションステップを使用して波長変換出力７４と第２の光路１４２に沿ったレーザ出力５６ｂとの間の位置合わせをキャリブレーションすることが好適である。第１および第２のレーザビームでスキャンされ得るような、クオーツキャリブレーション格子上のクロムのようなキャリブレーション標的は、ウェハのプラットフォーム上に置かれる。第１および第２のレーザビームの順次のスキャンは、それぞれの所望のキャリブレーション標的全体にわたり実行され、その結果、ビーム位置決めシステム１３０は各ビームの相対位置を知らされる。或いは、全ての所望のキャリブレーション標的は、最初に１つのビームでスキャンされ、その後、その他のビームでスキャンされる。第１のレーザビームと第２のレーザビームとの間の何らかの位置変位を知り、その後、ビーム位置決め命令をキャリブレーションすることもできる。その後、このキャリブレーション標的をウェハプラットフォームから除去することができる。
【００５９】
その後、それぞれの金型に対するレーザビームスキャンステップのための第２のビームを使用してウェハを処理、即ち加工することができる。ビーム位置決めシステム１３０が、ウェハ、および／または、対物レンズ１２２、および／または、ビーム１４２をアラインメントマークから切断されるべきリンク２２および／または複数のリンク２２へ移動し、第１及び第２のビームの間の変位を考慮し、その結果、第１のビームはリンク２２を照射する。
【００６０】
当業者は、これらの基礎を成す原理から離れることなく、上述した本発明の実施態様の詳細に多くの変更を施すことができることは明らかである。従って、本発明の範囲は請求の範囲にみによって決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な回路セルの予備の行のプログラム可能なリンクおよび冗長レイアウトを示すＤＲＡＭの一部の略図である。
【図２Ａ】レーザパルスを受ける従来の大規模半導体リンク構造の部分断面図である。
【図２Ｂ】隣接する回路構造を伴った図２Ａのレーザパルスおよびリンク構造の部分平面図である。
【図２Ｃ】レーザパルスでリンクを除去した後の図２Ｂのリンク構造の部分断面図である。
【図３】１つまたは複数のアラインメント検出モジュールを含んだ本発明のレーザシステムの実施態様の略図である。
【図４】イメージド光学モジュールの１実施態様の詳細を含んだ本発明のレーザシステムの一部の簡単化した部分概略図である。
【図５】好適な非線形結晶のタイプのためのパラメータを説明する表である。
【図６】検出モジュールの簡単化した概略図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際公開パンフレット】
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【国際調査報告】
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2004502551.tif 000049
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