(57)【要約】本発明は、表面が単層の重ね合わせから成る並列配置されたアイランドを支持する基板から成る構造であって、２つのステップネットワークの交差から成るテラス（６）の周期ネットワークにアイランドが配備されたものであって、各テラス（６）がステップネットワークのうちの一つのステップ幅に対応する第１の寸法と、他方のステップネットワークのステップ幅に対応する第２の寸法を有し、各テラスが単層の異なる重ね合わせから成る少なくとも２つのアイランドを支持するものであり、組成は少なくとも一つの第１の組成及び一の第２の組成とから選択されることを特徴とする基板から成る構造に関するものである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に自己組織化堆積法によって並列配置されるアイランドの形成方法であって：
−２つのステップネットワークの交差から成るテラス（１）の周期的なネットワークによって基板の表面を形作る段階であって、各テラス（１）はステップネットワークのうちの一方のステップ幅に対応する第１の寸法と他方のステップ幅に対応する第２の寸法とを有するという段階と、
−前記の形作られた表面上に材料を堆積する段階であって、材料の堆積はステップエッジ成長によって行い、各成長は各テラスを部分的に被覆して単層の重ね合わせを連続して形成し、単層の組成は少なくとも第１の組成又は第２の組成のいずれかを選択する段階と、を備える方法において：
−基板の表面を形作る段階によって、同一サイズでかつ同一高さの正方向テラス（６，７，８）を形成し、
−前記形作られた表面上に材料を堆積する段階は、各テラス（６，７，８）に対して、テラスの側部の一の寸法のフラクションｘに対応するテラス部分を被覆する成長部への第１の材料の第１の堆積と、テラスの側部の一の寸法のフラクション（１−ｘ）に対応するテラスの残りの部分を被覆する成長部への第２の材料の第２の堆積とのうちの少なくとも一方を実施することから成り、それによって、各テラスが、第１の材料の単層とテラスの側部のｘ倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランド（６１，７１，８１）と、第２の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ）倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランド（６２，７２，８２）と、第１の材料の単層と第２の材料の単層との交互から成る２つのアイランド（６３，６４，７３，７４，８３，８４）とを支持するものになることを特徴するアイランドの形成方法。
【請求項２】
形作る段階はエッチング作業の後に光学的若しくは電子的リソグラフィによって実施することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
形作る段階は結晶基板を用いて実施し、表面が結晶面に対してずれていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
基板上に自己組織化堆積法によって並列に配置されたアイランドの形成方法であって：
−２つのステップネットワークの交差から成る周期的なテラス（１）のネットワークによって基板の表面を形作る段階であって、各テラス（１）はステップネットワークのうちの一方のステップ幅に対応する第１の寸法と他方のステップ幅に対応する第２の寸法とを有するという段階と、
−前記の形作られた表面上に材料を堆積する段階であって、材料の堆積はステップエッジ成長によって行い、各成長は各テラスを部分的に被覆して単層の重ね合わせを連続して形成し、単層の組成は少なくとも第１の組成又は第２の組成のいずれかを選択する段階と、を備える方法において：
−基板の表面のステップを形成する段階によって、同一サイズでかつ同一高さの正方向テラス（９）を形成し、
−前記形作られた表面上に材料を堆積する段階は、各テラス（９）に対して、テラスの側部の一の寸法のフラクションｘに対応するテラスの部分を被覆する成長部への第１の材料の第１の堆積と、テラスの側部の一の寸法のフラクションｙに対応するテラスの残りの部分を被覆する成長部への第２の材料の第２の堆積と、テラスの側部の一の寸法のフラクション（１−ｘ−ｙ）に対応するテラスの前記の残りの部分の残りを被覆する成長部への第３の材料の第３の堆積とのうちの少なくとも一方を実施することから成り、それによって、各テラスが、第１の材料の単層とテラスの側部のｘ倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部のｙ倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第３の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ−ｙ）倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層との交互から成る２つのアイランドと、第１の材料の単層と第３の材料の単層との交互から成る２つのアイランドと、第２の材料の単層と第３の材料の単層との交互から成る２つのアイランドと、を支持するものであることを特徴するアイランドの形成方法。
【請求項５】
形作る段階はエッチング作業の後に光学的若しくは電子的リソグラフィによって実施することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
形作る段階は結晶基板を用いて実施し、表面が結晶面に対してずれていることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
表面が単層の重ね合わせから成る並列配置されたアイランドを備える基板から成る構造であって、２つのステップネットワークの交差から成るテラス（６）の周期ネットワークにアイランドが配備されたものであって、各テラス（６）が一方のステップネットワークのステップ幅に対応する第１の寸法と、他方のステップネットワークのステップ幅に対応する第２の寸法を有し、各テラスが単層の異なる重ね合わせから成る少なくとも２つのアイランドを支持するものであり、組成は少なくとも第１の組成と第２の組成とから選択されていることを特徴とする基板から成る構造。
【請求項８】
テラスは、平行四辺形（２）、矩形（３）、ダイアモンド形（４）、及び、正方形（５）の中なら選択された形状であることを特徴とする請求項７に記載の構造。
【請求項９】
テラス（６，７，８）が正方形形状で、同じ寸法及び同じ高さであり、各テラスは、第１の材料の単層とテラスの側部の一の寸法のフラクションｘに等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ）倍に等しい側部とから成る一正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層の交互から成る２つのアイランドとを支持することを特徴とする請求項７に記載の構造。
【請求項１０】
テラス（９）が正方形形状で、同じ寸法及び同じ高さであり、各テラスは、第１の材料の単層とテラスの側部の一の寸法のフラクションｘに等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部のｙ倍に等しい側部とから成る一正方形アイランドと、第３の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ−ｙ）倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層の交互から成る２つのアイランドと、第１の材料の単層と第３の材料の単層の交互から成る２つのアイランドと、第２の材料の単層と第３の材料の単層の交互から成る２つのアイランドとを支持することを特徴とする請求項７に記載の構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自己組織化堆積によって基板上に並列配置したアイランドを形成する方法に関するものである。これはその方法によって得られた構造にも関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
異なる材料から成りかつ離間して編成された微小な構造体（しばしばナノ構造若しくはマイクロ構造と称される）の製造は、（構造がナノメートルサイズであるときに、非常に高い程度の集積度を有するメモリ要素を製造するために）エレクトロニクスにおいて応用される。
【０００３】
米国特許第４，５９１，８８９号明細書は、単層のスーパーネットワークを備えた半導体システムを開示している。これらのシステムは、前記表面に平行な方向及び前記面に垂直な方向で組成の周期的変動を有する。組成のこのような変動を生成するために、基板表面は加工されてステップが形成される。単層はエピタキシャル成長によって得られ、その成長は核生成サイトとして機能するステップエッジを介して生ずる。従って、成長はステップ表面から生じないが、前記表面上で高さに変動なく面方向に成長する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
微小な構造体を製造するために、本発明では、表面が上述の従来技術のような一連のステップを備えず、小さなサイズのテラスを備えた基板から始めることが提案されている。
【０００５】
基板は、結晶若しくはアモルファス材料から成ってもよい。アイランドは、絶縁体、金属、半導体、若しくはアモルファス材料から成ってもよい。
【０００６】
従って、本発明は、基板上に自己組織化堆積法によって並列に配置されたアイランドを形成する方法に関するものであって：
−２つのステップネットワークの交差から成る周期的なテラスのネットワークによって基板の表面を形作る段階であって、各テラスはステップネットワークのうちの一方のステップ幅に対応する第１の寸法と他方のステップ幅に対応する第２の寸法とを有するという段階と、
−前記の形作られた表面上に材料を堆積する段階であって、材料の堆積はステップエッジ進行によって行い、各進行は各テラスを部分的に被覆して単層の重ね合わせを連続して形成し、単層の組成は少なくとも第１の組成又は第２の組成のいずれかを選択する段階と、を備える方法において：
−基板の表面を形成する段階によって、同一サイズでかつ同一高さの正方向テラスを形成し、
−前記形作られた表面上に材料を堆積する段階は、各テラスに対して、テラスの側部の一の寸法のフラクション（１より小さい分数）ｘに対応するテラスの部分を被覆する進行部（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｏｎ）の第１の材料の第１の堆積と、テラスの側部の一の寸法のフラクション（１−ｘ）に対応するテラスの残りの自由部分を被覆する進行部の第２の材料の第２の堆積とのうちの少なくとも一方を実施することから成り、それによって、各テラスが、第１の材料の単層とテラスの側部のｘ倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ）倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層との交互から成る２つのアイランドとを備えるものになることを特徴する。
【０００７】
本発明は、基板上に自己組織化堆積法によって並列に配置されたアイランドを形成する方法であって：
−２つのステップネットワークの交差から成る周期的なテラスのネットワークによって基板の表面を形作る段階であって、各テラスはステップネットワークのうちの一方のステップ幅に対応する第１の寸法と他方のステップ幅に対応する第２の寸法とを有するという段階と、
−前記の形作られた表面上に材料を堆積する段階であって、材料の堆積はステップエッジの進行によって行い、各進行は各テラスを部分的に被覆して単層の重ね合わせを連続して形成し、単層の組成は少なくとも第１の組成又は第２の組成のいずれかを選択する段階と、を備える方法において：
−基板の表面のステップを形成する段階によって、同一サイズでかつ同一高さの正方向テラスを形成し、
−前記形作られた表面上に材料を堆積する段階は、各テラスに対して、テラスの側部の一の寸法のフラクション（１より小さい分数）ｘに対応するテラスの部分を被覆する進行部の第１の材料の第１の堆積と、テラスの側部の一の寸法のフラクションｙに対応するテラスの残りの自由部分を被覆する進行部の第２の材料の第２の堆積と、テラスの側部の一の寸法のフラクション（１−ｘ−ｙ）に対応するテラスの前記の残りの自由部分の残りを被覆する成長部の第３の材料の第３の堆積とのうちの少なくとも一方を実施することから成り、それによって、各テラスが、第１の材料の単層とテラスの側部のｘ倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部のｙ倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第３の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ−ｙ）倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層との交互から成る２つのアイランドと、第１の材料の単層と第３の材料の単層との交互から成る２つのアイランドと、第２の材料の単層と第３の材料の単層との交互から成る２つのアイランドと、を支持するものであることを特徴する。
【０００８】
形作る段階は、エッチング作業の後の光学的若しくは電子的リソグラフィによって実施してもよい。これは結晶基板を用いて行ってもよく、ここで、表面は結晶面に対してずれている（オフセットがかかっている）。
【０００９】
本発明は、表面が単層の重ね合わせから成る並列配置されたアイランドを支持する（備える）基板から成る構造であって、アイランドが２つのステップネットワークの交差から成るテラスの周期ネットワークに配備されたものであって、各テラスがステップネットワークのうちの一つのステップ幅に対応する第１の寸法と、他方のステップネットワークのステップ幅に対応する第２の寸法を有し、各テラスが単層の異なる重ね合わせから成る少なくとも２つのアイランドを支持するものであり、組成は少なくとも一つの第１の組成及び一の第２の組成とから選択されることを特徴とする基板から成る構造に関するものである。
【００１０】
テラスは、平行四辺形、矩形、ダイアモンド形、正方形から選択された形状である。
【００１１】
他の実施形態では、構造は以下の特徴を有する。すなわち、テラスが正方形形状であり、同じ寸法及び同じ高さであり、各テラスは、第１の材料の単層とテラスの側部の一の寸法のフラクションｘに等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ）倍に等しい側部とから成る一正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層の交互から成る２つのアイランドとを支持することを特徴とする。
【００１２】
他の実施形態では、構造は以下の特徴を有する。すなわち、テラスが正方形形状であり、同じ寸法及び同じ高さであり、各テラスは、第１の材料の単層とテラスの側部の一の寸法のフラクションｘに等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第２の材料の単層とテラスの側部のｙ倍に等しい側部とから成る一正方形アイランドと、第３の材料の単層とテラスの側部の（１−ｘ−ｙ）倍に等しい側部とから成る一の正方形アイランドと、第１の材料の単層と第２の材料の単層の交互から成る２つのアイランドと、第１の材料の単層と第３の材料の単層の交互から成る２つのアイランドと、第２の材料の単層と第３の材料の単層の交互から成る２つのアイランドとを支持することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、非制限的な例を示した以下の記載を添付図面を参照して読むことにより、明瞭に理解され、他の利点及び特徴が明らかになるだろう。
【００１４】
図１は、本発明によってテラスの周期的なネットワーク（網状構造）で形成された基板の表面を図示した斜視図である。
【００１５】
基板の表面は、Ｘ及びＹ平面の方向に平行なステップの２つのネットワークの交差によって形成される周期的なテラスネットワーク（平面図においてスペースを備えたもの）で形作られる。示したような例では、全ステップが同じ高さｈである。これらの２つのステップネットワークの交差点では、２ｈに等しい高さの２つのステップの飛び（スキップ）を有する局所的ゾーンがある。このダブルステップネットワークによって、図１において符号１で示したテラスが形成できる。ここで、形状はＸ及びＹ方向に依存する。
【００１６】
図２から図５は本発明により形作られた基板の表面の平面図である。図２は、平行六面体のテラス（若しくはスペース）２を示している。図３は矩形に形成されたテラス３を示している。図４はダイアモンド形状に形成されたテラス４を示している。図５は、全テラスがチェックパターンを示す正方形に形成されたテラス５を示している。
【００１７】
基板の周期的ネットワークは、例えば、エッチング段階の後の光学的若しくは電子的リソグラフィによって得てもよい。それは結晶基板を自然に用いて得られ、ここで、表面は結晶面に対してずれている。原子ステップの周期的ネットワークが形成され、ステップの自然の方向とオフセットの方向との間の角度によって規定される幾何学的パターンで編成される。この角度が４５°に等しいならば、チェックパターンを得ることが可能である。
【００１８】
形作られた基板の表面は材料の堆積物を受容する。これらの堆積は、ステップエッジの進行によって生ずる成長によって得られる。従って、成長は、塊にならず、従って高さに変動なく、水平的に生じる。
【００１９】
図６，図７及び図８は、同一高さの正方形テラスの周期的ネットワークで形成された基板の表面上のステップエッジの進行によって異なる材料の２つの単層の成長を示している。図９，図１０及び図１１は、図６，図７及び図８のそれぞれで示した基板表面の平面図であり、異なる堆積物の組成が特定されている。
【００２０】
図６，図７及び図８は、部分Ａにおいて基板の表面のテラスの平面図を、部分Ｂにおいてｂｂ’軸に沿った断面、及び、部分Ｃにおいてｃｃ’軸に沿った断面を示している。
【００２１】
図６は、材料の堆積前の形作られた基板の表面を示している。この表面は、同一高さの正方向テラス６を備える。図６に関連した図９は、同じ化学組成の面のテラス６を示している。
【００２２】
成長は、組成Ａから成る第１の単層のステップエッジを介して生ずる。堆積は、組成Ａの成長がテラスの側部の中心への材料の進行を誘起する。この第１の堆積は、各テラスに対して異なるゾーンの外観を誘起する。これは図７で示した。点線で示した最初のテラス６は、ステップの起きあがり部分（ｒｉｓｉｎｇ ｐａｒｔ）の回りに配置するゾーン６１と、ステップの下がり部分（ｆａｌｌｉｎｇ ｐａｒｔ）の回りに配置するゾーン６２と、交差の回りの２つのゾーン６３及び６４とに分割される。ゾーン６１，６２，６３及び６４はそれぞれ、テラスの側部の半分に等しい正方形である。ゾーン６１は化合物Ａの２つの重ね合わせ単層を支持する。ゾーン６３及び６４はそれぞれ、化合物Ａの単一の単層を支持する。これらのゾーン６１から６４は、図７に関連する図１０にも示した。
【００２３】
成長は、化合物Ｂの第２の単層のステップエッジを介して成長する。堆積は、化合物Ｂの成長がテラスの側部の半分に対応する材料の進行を誘起するように制御される。化合物Ｂの第２の成長は、各ゾーン上に堆積した材料の厚さが２つの単層と等しくなるように前に得られた構造を完成する。このようにして、まだ被覆されていないゾーン６２は、化合物Ｂの２つの単層によって被覆する。化合物Ａの単一の単層で前にそれぞれ被覆したゾーン６３及び６４はそれぞれ、化合物Ｂの単層で被覆する。ゾーン６１が化合物Ａの２つの単層で被覆されたままである。これは図１１に関連した図８で示した。
【００２４】
これらの連続堆積を繰り返すことによって、組成Ａ及びＢを結合したカラムに側部を介して接触する化合物Ａのカラムから成る正方形カラムを形成することが可能である。化合物Ａのカラムは化合物Ｂのカラムにエッジを介して接触する。
【００２５】
これらの堆積技術によって、表面上に堆積される化合物Ａ及びＢの量を変化することによってアイランドのサイズを制御することが可能となる。（正方形の）テラスの側部の半分に等しい化合物Ａ及び化合物Ｂの進行によって、テラスの側部の半分の側部の正方形アイランド（テラス当たり４個のアイランド）になることがわかった。
【００２６】
材料進行の制御によって異なるサイズのアイランドを得ることは可能である。これは、同じ高さの正方向テラスを獲るように形作られた表面の平面図である図１２及び図１３に図示している。
【００２７】
図１２で示した基板の表面は側部がＬ型のテラス７を備える。化合物Ａの第１の堆積は、距離ＣＡ＝０．２５×Ｌにわたって材料進行を得るように制御する。初期テラス７は、ステップの起きあがり部分の回りに配置するゾーン７１と、ステップの下がり部分の回りに配置するゾーン７２と、交差の回りの２つのゾーン７３及び７４とに分割される。ゾーン７１は化合物Ａの２つの重ね合わせ単層を支持する。ゾーン７３及び７４はそれぞれ、化合物Ａの単一の単層を支持する。ゾーン７３は被覆されていない。
【００２８】
化合物Ｂの第２の堆積はステップエッジの進行によって行われる。それは、ゾーン７２上の化合物Ｂの２つの単層と、ゾーン７３及び７４上の化合物Ｂの単一の単層とを提供し、ゾーン７１には堆積しない。これによって：
−化合物Ａの２つの単層を支持する側部ＣＡ＝０．２５×Ｌの一の正方形ゾーン７１と、
−化合物Ｂの２つの単層を支持する側部ＣＢ＝０．７５×Ｌの一の正方形ゾーン７２と、
−化合物Ａの単層及び化合物Ｂの単層を支持する幅ＣＡで長さＣＢの矩形ゾーン７３及び７４と、が得られる。
【００２９】
図１３は、側部Ｌのテラス８を備える他の実施形態を示している。第１の堆積以外は上述と同じ方法を用いると、ＣＣ＝０．３３×Ｌにわたって材料の進行を提供し、これによって：
−化合物Ａの２つの単層を支持する側部ＣＡ＝０．３３×Ｌの一の正方形ゾーン８１と、
−化合物Ｂの２つの単層を支持する側部ＣＢ＝０．６７×Ｌの一の正方形ゾーン８２と、
−化合物Ａの単層及び化合物Ｂの単層を支持する幅ＣＡで長さＣＢの矩形ゾーン８３及び８４と、が得られる。
【００３０】
上述のように、これらの連続堆積はカラムが得られるまで繰り返されてもよい。
【００３１】
ｎ個との異なる化合物を堆積することによって、可変サイズで規定された組成のｎ２個のゾーンにテラスを分割することが可能である。次いで、これらのｎ２個のゾーンから、それぞれ同じ材料の単層から成るｎ個のゾーンと、異なる材料の単層から成る（１−ｎ２）個の残りのゾーンとを得ることが可能である。
【００３２】
図１４は、同一のサイズ及び同じ高さの正方形テラス９を備える基板の表面の平面図である。テラスの側部Ｌの１／３の距離にわたるステップエッジの進行によって、化合物Ａと化合物Ｂと化合物Ｃとを連続して堆積する。これによって：
−化合物Ａの２つの単層を支持する一の正方形ゾーン９１と、
−化合物Ｂの２つの単層を支持する一の正方形ゾーン９２と、
−化合物Ｃの２つの単層を支持する一の正方形ゾーン９３と（ここでゾーン９１、９２、及び９３は位置合わせされたものであり）、
−化合物Ａの一の単層と化合物Ｂの一の単層とを支持する２つの正方形ゾーン９４及び９５と、
−化合物Ａの一の単層と化合物Ｃの一の単層とを支持する２つの正方形ゾーン９６及び９７と、
−化合物Ｂの一の単層と化合物Ｃの一の単層とを支持する２つの正方形ゾーン９８及び９９と、が得られる。
【００３３】
これらの全正方形ゾーンはＬ／３に等しい側部を備える。
【００３４】
上述のように、これらの連続堆積はカラムが得られるまで繰り返してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による周期的テラスネットワークで形作られた基板の表面の概略斜視図である。
【図２】 本発明で用いることができるテラスの形状を示す図である。
【図３】 本発明で用いることができるテラスの他の形状を示す図である。
【図４】 本発明で用いることができるテラスの他の形状を示す図である。
【図５】 本発明で用いることができるテラスの他の形状を示す図である。
【図６】 本発明によって、正方形テラスの周期的ネットワークで形作られた基板の表面におけるステップエッジ成長（進行）によって異なる材料の２つの単層の成長を示す図である。
【図７】 本発明によって、正方形テラスの周期的ネットワークで形作られた基板の表面におけるステップエッジ成長（進行）によって異なる材料の２つの単層の成長を示す図である。
【図８】 本発明によって、正方形テラスの周期的ネットワークで形作られた基板の表面におけるステップエッジ成長（進行）によって異なる材料の２つの単層の成長を示す図である。
【図９】 図６に示した基板の表面の平面図である。
【図１０】 図９の場合と異なる堆積の組成の場合の図７で示した基板のの表面の平面図である。
【図１１】 図１０の場合と異なる堆積の組成の場合の図８で示した基板のの表面の平面図である。
【図１２】 本発明によって異なる材料の２つの単層が成長した基板の他の表面の平面図である。
【図１３】 本発明によって異なる材料の２つの単層が成長した基板の他の表面の平面図である。
【図１４】 本発明によって異なる材料の３つの単層が成長した基板の表面の平面図である。
【符号の説明】
１　テラス
２　平行四辺形テラス
３　矩形テラス
４　ダイアモンド形テラス、
５　正方形テラス
６，７，８　正方形テラス
９　テラス
６１，７１，８１　正方形アイランド
６２，７２，８２　正方形アイランド
６３，６４，７３，７４，８３，８４　アイランド
【国際公開パンフレット】
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2004511100.tif 000004
2004511100.tif 000005
2004511100.tif 000006
2004511100.tif 000007
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【国際調査報告】
2004511100.tif 000028
2004511100.tif 000029
2004511100.tif 000030
2004511100.tif 000031
2004511100.tif 000032
2004511100.tif 000033