(57)【要約】【課題】良好な機械的および熱的性質を特徴とし、非常に良好な誘電特性を有し、それ故に極めて高い周波数まで使用することができ、またその熱膨張に関しては、通例使用されるＳｉ半導体チップに最適に適合するプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、特にギガヘルツ範囲内の極めて高い周波数の電子回路用のプリント回路基板（１０）であって、絶縁層の上に配置され、当該絶縁層に平面的に接続されている少なくとも一つの導体層（１１，１５）を含んでなり、前記絶縁層が薄型ガラス層（１３）である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にギガヘルツ範囲内の極めて高い周波数の電子回路用のプリント回路基板（１０、２０、３０）であって、
絶縁層の上に配置され、当該絶縁層に平面的に接続されている少なくとも一つの導体層（１１，１５；２３，２４；３１，３４，３５，３８）を含んでなり、
前記絶縁層が薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）であることを特徴とするプリント回路基板。
【請求項２】
各導体層（１１，１５；２３，２４；３１，３４，３５，３８）が、前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）の両面に配置され、かつ、平面的に前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）が、溶融体から引き出され、かつ、変性ホウケイ酸ガラスからなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）が、数μｍ〜数ｍｍの範囲内、好ましくは３０μｍ〜１．１ｍｍの範囲内の厚さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）が、１ＭＨｚで６〜７、好ましくは約６．２の誘電率εｒ，及び，約９×１０−４の誘電損失係数ｔａｎδを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）が、２０℃〜３００℃の温度で４×１０−６Ｋ−１〜８×１０−６Ｋ−１、好ましくは約４．５×１０−６Ｋ−１の熱膨張係数α２０−３００を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記導体層（１１，１５；２３，２４；３１，３４，３５，３８）が、各場合において金属箔、好ましくはＣｕ金属箔からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記金属箔が、５μｍ〜５０μｍ、好ましくは１８μｍ〜３５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記金属箔が、各場合において接続層（１２，１４；２２，２５；３２，３３，３６，３７；３９，４０）によって前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）に接着されることを特徴とする請求項７又は８に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
前記接続層（１２，１４；２２，２５；３２，３３，３６，３７；３９，４０）が、本質的に樹脂からなることを特徴とする請求項９に記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
接続層（１２、１４；２２、２５；３２、３３、３６、３７；３９、４０）には、接着促進剤としてさらにシランが供給されることを特徴とする請求項１０に記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
前記接続層（１２，１４；２２，２５；３２，３３，３６，３７；３９，４０）が、前記導体層（１１，１５；２３，２４；３１，３４，３５，３８）と隣接する前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）との間で各々数１０μｍ、好ましくは約２０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項１３】
前記薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）の表面が、接着力を向上させるため前処理されることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記プリント回路基板（１０）が、両面で金属箔に接着される個別の薄型ガラス層（１３）を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記プリント回路基板（２０）が、上下に積層された状態で、金属箔に接着される複数の薄型ガラス層（１３，１３’，１３’’）を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
前記プリント回路基板（２０）が、薄型ガラス層（１３）の他に、異なる絶縁材で作製された少なくとも一つのさらなる絶縁板（２１，２６）を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
特に上記請求項１〜１５のいずれかに記載のプリント回路基板のための層状複合材料の製造方法であって、
薄型ガラス層（１３）には、樹脂被膜金属箔（２８，２９）、特に樹脂被膜Ｃｕ金属箔に平面的に少なくとも一方の面に接着されることによって、導体層（１１，１５；２３，２４；３１，３４，３５，３８）が設けられることを特徴とする層状複合材料の製造方法。
【請求項１８】
前記薄型ガラス層（１３）が、樹脂被膜金属箔（２８，２９）特に樹脂被膜Ｃｕ金属箔に、両面で接着されることを特徴とする請求項１７に記載の層状複合材料の製造方法。
【請求項１９】
形成される前記層状複合材料が、さらなる薄型ガラス層（１３’，１３’’）および樹脂被膜金属箔に接着されることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の層状複合材料の製造方法。
【請求項２０】
使用される薄型ガラス層（１３）が、
（ａ）　溶融体から引き出され、かつ、変性ホウケイ酸ガラスからなり、
（ｂ）　数μｍ〜数ｍｍの範囲内の厚さ、好ましくは３０μｍ〜１．１ｍｍの範囲内の厚さを有し、
（ｃ）　１ＭＨｚで６〜７、好ましくは約６．２の誘電率εｒ，及び，約９×１０−４の誘電損失係数ｔａｎδを有し、
（ｄ）　２０℃〜３００℃の温度で４×１０−６Ｋ−１〜８×１０−６Ｋ−１、好ましくは４．５×１０−６Ｋ−１の熱膨張係数α２０−３００を有することを特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載の層状複合材料の製造方法。
【請求項２１】
前記樹脂被膜金属箔が、５μｍ〜５０μｍ、好ましくは１８μｍ〜３５μｍの金属箔の厚さを有することを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載の層状複合材料の製造方法。
【請求項２２】
前記薄型ガラス層（１３）の表面が、接着力を向上させるために前処理されることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれかに記載の層状複合材料の製造方法。
【請求項２３】
上記請求項１〜１６のいずれかに記載のプリント回路基板の製造方法であって、
層状複合材料を前記プリント回路基板（２０）に一体化して形成するために、薄型ガラス層（１３）が導体層（２１，２６）に少なくとも一方の面で平面的に接着され、この絶縁板の接着側には絶縁板（２３，２４）が設けられていることを特徴とするプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路技術の分野に関する。本発明は、請求項１の序文に記載のプリント回路基板，そのようなプリント回路基板の製造方法，及びそのようなプリント回路基板用の層状複合材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特にコンピュータ技術および通信技術におけるデータの通信と処理に関する今日の電子回路技術において、これまで以上に高い集積度および実装密度、またこれまで以上に高いクロック周波数（この周波数は、正規には既にギガヘルツ範囲内にある。）に向けた開発が進んでいる。このような状況下、機能的に信頼性があり、同時にコスト効率に優れた回路の構成において、プリント回路基板あるいはプリント回路に対する重要性が増加している。一方で、特に比較的大きな系列のそのようなプリント回路基板は、製造および加工（切断、ドリル、配線等）を行う上で簡単で、かつコスト効率に優れていなければならない。他方で、作動中に高い集積密度および高い周波数によって相当量の熱が一般的に予想されるため、プリント回路基板は充分な熱安定性および機械的安定性と最適で可能な熱伝導率とを有していなければならない。さらに、プリント回路基板は、至る所で使用され熱膨張に関与する半導体部品（ＳｉもしくはＧａＡｓからなる。）に適合することが望ましい、なぜならば、そのように適合することによって、プリント回路基板に、そのすべての利点を維持したまま、半導体チップを直接実装（ＤＣＡ：　Ｄｉｒｃｔ　Ｃｈｉｐ　Ａｔｔａｃｈ）することができるからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高周波数に関してはプリント回路基板内で使用される絶縁材の誘電特性が特に重要である。従って、極めて高い周波数範囲で使用されるプリント回路基板は、周波数と共に増加する損失を低下させるため、可能な限り低い誘電率εｒと小さな誘電損失係数ｔａｎδを有する導体層の間に絶縁層を設けるべきである。
【０００４】
最終的に、プリント回路基板材料は、速いクロック速度で非常に良好な導体トラックをもって、誘電率における高度の均一性と外形寸法における高い均一性（厚さ変動の少なさ等）を特徴とすることが益々重要となっており、これは、さもなければ、プリント回路基板の隣接する領域において、信号伝搬の際に望ましくない伝搬時間差が発生し、そこで構築された回路の機能性を損なってしまうためである。
【０００５】
従来のエポキシ系基板材料はこれらの示された要求すべてをほとんどあるいは全く満たしていない。従って、例えば、その熱膨張係数に関して、同時に良好な誘電特性を有し、かつＧａＡｓ回路に適合する焼結ガラスセラミック製の絶縁中間層を単層あるいは多層プリント回路基板に対して使用することについては、これまでに様々な提案が既になされている（例えば、ＵＳ−Ａ−６，０１７，６４２を参照）。しかし、このような焼結ガラスセラミック基板は製造が複雑であり、セラミック板であるが故に機械的強度が制限されているので、特に薄型単層プリント回路基板を実現することは困難である。
【０００６】
プリント回路基板用の誘電体としてガラス繊維から製造される「ガラス紙」を使用することに関する別の提案がある（ＪＰ−Ａ−９２０８２５２）。このような繊維材料はガラスセラミックと比較して破損の危険性は低いが、材料の不規則な繊維構造の結果誘電特性が局所的に不均一となり、これが上述した高い線密度と高周波数の伝播時間の問題につながる。
【０００７】
最後に、添加物（セラミック粒子、ガラス繊維）が充填されたフッ素重合体からなるプリント回路基板用のための全種類の基板材料が知られている（例えば、ＵＳ−Ａ−５，１４９，５９０を参照）。例えば、ＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ５８７０−５８８０およびＲＯ３０００の指定で米国の企業Ｒｏｇｅｒｓ社から購入することのできるこのような材料は、比較的良好で均一な誘電特性を示し、それ故に極度に高い周波数に対しての適用には最適であるが、このような材料は製造が複雑であるために比較的高価であり、さらには、シリコンよりはるかに高い好ましくない熱膨張係数を有している。
【０００８】
従って、本発明の目的は、既知のプリント回路基板の欠点を回避し、比較的簡単かつコスト効率に優れた製造に関しては、非常に良好な機械的および熱的性質を特徴とし、非常に良好な誘電特性を有し、それ故に極めて高い周波数まで使用することができ、またその熱膨張に関しては、通例使用されるＳｉ半導体チップに最適に適合するプリント回路基板を提供することである。さらに本発明の目的は、このようなプリント回路基板の製造方法を特定することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
これらの目的は請求項１、１７および２３の特徴を合わせて達成される。本発明の中心は、主に液晶ディスプレー（ＬＤＣ）の技術で知られているような、導体トラックを含む少なくとも一つの導体層の下に、プリント回路基板における誘電体としての薄型ガラス層を提供することである。厚さは薄いが、この薄型ガラス層は良好な機械的安定性を有し、非常に有利な誘電および熱特性を有し、特に材料の高い均一性、また均一性と厚さの偏りの小さい高度の平面性に示される高い光学的特性を特徴とする。薄型ガラス層を誘電体として用いることによって、高い集積密度および極度に高い周波数を持つ電子回路用のプリント回路基板に対する要求をすべて満たすことが可能となる。
【００１０】
本発明の好ましい改良点は、各導体層が薄型ガラス層の両面に配設され、薄型ガラス層に平面的に接続されていることにある。この場合、片面の導体層あるいは両面の導体層を構成し、すなわち個別の導体トラックを備えてもよい。片面に被膜されたものに対して、両面に導体層が設けられたこのような薄型ガラス層は、それで実現される電子回路が、明確に定められた量の主に薄型ガラス誘導体で満たされ、それに応じて良好な特性を有するといった利点がある。
【００１１】
好ましくは、薄型ガラス層は溶融体から引き出され、変性ホウケイ酸ガラスからなり、薄型ガラス層は数μｍ〜数ｍｍの範囲内の厚さ、好ましくは３０μｍ〜１．１ｍｍの範囲内の厚さを有し、１ＭＨｚで、６〜７、好ましくは約６．２の誘電率εｒ、および、約９×１０−４の誘電損失係数ｔａｎδを有し、２０℃〜３００℃の温度で、４×１０−６Ｋ−１〜８×１０−６Ｋ−１好ましくは約４．５×１０−６Ｋ−１の熱膨張係数α２０−３００を有する。
【００１２】
有利な方法において、導体層は各場合において金属箔、好ましくはＣｕ金属箔からなり、５μｍ〜５０μｍ、好ましくは１８μｍ〜３５μｍの厚さを有し、各場合において接続層によって薄型ガラス層に接着され、また接続層は本質的に樹脂からなる。このような樹脂被膜Ｃｕ金属箔（Ｒｅｓｉｎ　Ｃｏａｔｅｄ　ＦｏｉｌｓまたはＲＣＦ）は、ＨＤＩ回路、すなわち高集積密度のプリント回路基板の技術より知られている。
【００１３】
好ましくは、接続層には、接着促進剤としてさらにシランを供給する。さらに、接着力を向上させるため薄型ガラス層の表面を前処理することが有利である。
【００１４】
最も簡単な場合、プリント回路基板は、両面で金属箔に接着される個別の薄型ガラス層を含むものである。薄型ガラス層の厚みが小さければ、その結果、非常に良好な電気および熱的性質を有する薄く柔軟なプリント回路基板となる。
【００１５】
しかしながら、プリント回路基板は、上下に重ねられた状態において、金属箔に接着された複数の薄型ガラス層を備え、従って、従来の方法でめっきスルーホールが設けられる場合もある多層プリント回路基板を形成することも考えられる。
【００１６】
同様に、プリント回路基板は、薄型ガラス層の他に、異なる絶縁材で作製された少なくとも一つのさらなる絶縁板を含むことも考えられる。従って、導体層と薄型ガラス層との組み合わせを、従来型のプリント回路基板に都合よく一体化することができる。
【００１７】
さらなる実施の形態は従属請求項から明らかとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
各場合において両面に、構成済のあるいは未構成の導体層が薄型ガラス層に設けられている例を用いて、本発明を以下に説明する。しかし、原則として、本発明の範囲内において、薄型ガラス層の片面だけに導体層を設けることも考えられる。このような薄型ガラス層が片面に「置かれる」プリント回路基板あるいは層状複合材料の構造および製造方法は、以下の説明から同様に明らかとなる。
【００１９】
図１は、本発明の第一の好ましい実施形態における未構成のプリント回路基板の構造を断面図で示している。この場合、プリント回路基板１０は、個別の薄型ガラス層１３と、前記薄型ガラス層の両面にそれぞれ配置された導体層１１および１５を備えている。導体層１１，１５は、それぞれ接着層１２および１４によって平面的に薄型ガラス層１３に接着されたＣｕ金属箔で形成されている。
【００２０】
本発明との関連において提供され、本発明による効果を達成するために用いられる種類の薄型ガラス層は、従来技術から知ることができる（例えば、ＥＰ−Ａ１−０　９７２　６３２あるいはＤＥ−Ａ１−１９８　１０　３２５を参照）。これらは約３０μｍ〜２ｍｍの厚さを有し、溶融体から引き出され、良好な機械的および光学的特性、また優れた熱および電気的性質を特徴とする。このような薄型ガラス層は比較的大きな規模で電気光学ディスプレー（例えば、ＬＣＤ）用として商業的に製造され、従ってその価格は比較的適切なものである。
【００２１】
好適な薄型ガラス層あるいは薄型ガラスは、ＡＦ４５およびＤ２６３Ｔの型の指定でＳｃｈｏｔｔ　Ｇｌａｓ、Ｍａｉｎｚ（ＤＥ）社で製造、販売している。
【００２２】
薄型ガラスＡＦ４５は、ＢａＯとＡｌ２Ｏ３の比率が高い変性ホウケイ酸ガラスである。通常、４４０ｍｍ×３６０ｍｍまでの大きさで、以下の性質を特徴とする。
【００２３】
ＡＦ４５
厚さ（標準）：　５０μｍ〜１９００μｍ
変態点Ｔｇ：　６６２℃
熱膨張係数ａ２０−３００：　４．５×１０−６Ｋ−１
誘電率εｒ（１ＭＨｚで）：　６．２
誘電損失係数ｔａｎδ：　９×１０−４
【００２４】
薄型ガラスＤ２６３Ｔは非常に純粋な出発材料から生成されるホウケイ酸ガラスである。同様に４４０ｍｍ×３６０ｍｍまでの大きさで入手でき、以下の性質を特徴とする。
【００２５】
Ｄ２６３Ｔ
厚さ（標準）：　３０μｍ〜１１００μｍ
変態点Ｔｇ：　５５７℃
熱膨張係数ａ２０−３００：　７．２×１０−６Ｋ−１
誘電率εｒ（１ＭＨｚで）：　６．７
誘電損失係数ｔａｎδ：　６１×１０−４
【００２６】
二つの薄型ガラス層あるいは薄型ガラスは、本発明によるプリント回路基板における使用には特に最適である。
【００２７】
図１の（未構成の）プリント回路基板１０のための最適な層状複合材料の製造は、図５に示される方法で好ましく実施される。すなわち、薄型ガラス層１３を開始点として使用し、後の接着時に良好な永久的接着を得るために、まず、この薄型ガラス層１３の表面から付着する湿気（水）を取り除き、その後例えばコロナ放電等によって、前処理を行う。薄型ガラス層の上に導体層１１、１５を形成するために、Ｃｕから作製された樹脂被膜金属箔（ＲＣＦ：　Ｒｅｓｉｎ　Ｃｏａｔｅｄ　Ｆｏｉｌｓ）２８，２９、およびその接着側にそれぞれ適用される接続層１２，１４を用いる（図５ａ）。接続層１２，１４は、便宜上、部分的に硬化あるいは予め反応さられた樹脂を含む。このような樹脂被膜Ｃｕ金属箔は、大規模集積（ＨＤＩ）回路の技術より知られている。
【００２８】
本発明に関連して、特に最適な樹脂被膜箔は、例えば、ＩＳＯＦＯＩＬ１６０およびＲＣＣの指定でＩｓｏｌａ　ＡＧ（ＤＥ）社から販売されている。この（ＩＳＯＦＯＩＬ１６０）箔は、例えば、銅箔の１８μｍ〜３５ｍｍの厚さを有し、予め反応さられた（いわゆるＢ段階コーティング）７５μｍの樹脂層を備えている。
【００２９】
樹脂被膜箔２８，２９は、接着を促進するためにシラン層をさらに使用し（この点においては、例えば、ＵＳ−Ａ−５，１４９，５９０を参照）、前処理された中央薄型ガラス層１３と一体となって積層体を形成する。その後、積層体は熱と圧力の作用によって接着される（図５Ｂ）。その結果、図１に示される層状複合材料あるいは（未構成の）プリント回路基板１０を得る。そして、必要に応じて特殊な導体トラック（あるいは導体領域）１６，１７（図２）を形成するために、導体層１１，１５は任意でプリント回路基板の製造から知られている方法を用いて構成することができる。一例として、図２に示すように、ＳＭＤ装置等を構成済のプリント回路基板１０上にはんだ付けあるいは導電結合することができる。特に効果的な実装形態は、薄型ガラス層１３の熱膨張係数が従来の半導体材料に適合することによって可能となり、このため、図２に示すように、対応する接続接点１９が設けられた半導体チップ１８を直接プリント回路基板１０上に実装（いわゆるＤＣＡ：　Ｄｉｒｃｔ　Ｃｈｉｐ　Ａｔｔａｃｈ）することができる。この結果、簡単な実装と高い信頼性に加えて、これまで以上に高い実装密度を実現することができる。
【００３０】
一つのみの薄型ガラス層１３と二つの導体層１１，１５とを備え、そのために特に薄く柔軟にすることのできる図１，２，及び５の簡単なプリント回路基板１０の他に、同様の方法で、上下に積層された状態で、間に導体層３４および３５が配置される複数の薄型ガラス層１３，１３’及び１３’’と、外側導体層３１、３８とを含む多層プリント回路基板３０（図４）を実現することもできる。この場合においても、各々の薄型ガラス層に導体層を接着させる対応する接続層３２，３３，３６，３７が各導体層に設けられている。この場合、便宜上、内側導体層３４，３５はそれぞれ関連する接続層３３，３６の中に埋め込まれている。このような多層プリント回路基板３０には、本質的に知られた方法で製造される（図４には示されていない）めっきスルーホールを設け、異なる導体層内の導体トラックを互いに接続させるようにしてもよいことは言うまでもない。
【００３１】
本発明の範囲内での他の可能性として、片面あるいは両面に導体層が設けられた薄型ガラス層を従来型のプリント回路基板と一体にすることがある。従って、図３に示される例は、両面に導体層２３，２４と導体トラック２７，２７’が結合された中央薄型ガラス層１３が（例えば、エポキシ樹脂あるいはポリテトラフルオロエチレン系の）従来型の二つの絶縁板２１，２６の間に配置され、かつ前記絶縁板に接着されているプリント回路基板２０を示している。ここで接続層２２，２５が再度接着の役割を果たし、導体層２３，２４が前記接続層に埋め込まれる。
【００３２】
このような従来の絶縁板および薄型ガラス層との「混合」プリント回路基板２０の製造過程が、図６（ａ）〜（ｆ）の各ステップに示されている。すなわち、絶縁板の一つ、すなわち絶縁板２１を開始点とし、この上に第一の接続層３９によって従来の方法で第一の導体層２３が結合され、そして構成される（図６ａ）。そして、第一の接続層３９が第一の導体層を覆いながら満たされて、最終的な接続層２２を形成する（図６ｂ）。その後すぐに、このように準備された構成２１，２２，２３が、対応して前処理された薄型ガラス層１３に対して片側に接着される（図６ｃ）。そして、さらなる構成２４，２５，２６は薄型ガラス層１３の空いている側に結合することができ（図６ｅ，ｆ）、この構成は第二の導体層２４が設けられた別の絶縁板２６を具備する。この場合、第二の導体層２４は第二の接続層４０によって絶縁板２６に結合され、その後構成され（図６ｄ）、そして第二の接続層４０が満たされて最終的な接続層２５を形成する（図６ｅ）。この実施の形態においても、樹脂被膜Ｃｕ金属箔を用いて導体層２３，２４を製造することが考えられる。
【００３３】
【発明の効果】
全体としては、本発明は以下の性質および利点を特徴とするプリント回路基板を提供する。
・機械的安定性を失うことなくプリント回路基板を非常に薄くすることができる。
・中央誘電体（薄型ガラス）の熱膨張係数を従来の半導体材料に適合させることによって半導体チップを直接実装することが可能となる。
・薄型ガラス材料の光学的性質、均質性および寸法の均一性によって、特に高周波数で、信号伝播を乱す影響が回避される。
・薄型ガラス層の比較的良好な熱伝導率が熱の放散を容易にし、従ってより高い集積密度が可能となる。
・薄型ガラス材料の小さな誘電率および小さな誘電損失係数によってプリント回路基板上に配置された回路が非常に高い周波数を有することができる。
・薄型ガラス層は優れた品質で、一連の生産により適切な価格で市販され、それによってプリント回路基板のコストを抑えている。
・薄型ガラス層はプリント回路基板の製造においてうまく処理加工することができ、特に、既知のプリント回路基板の製造方法を容易に用いることができる。
・容易に多層プリント回路基板を製造することができ、この基板は薄型ガラス層の薄さによって一層の小型化を図ることができる。
・誘電体の高度な均質性および均一性によってより質のよい導体トラック構成が可能となる。
【００３４】
本発明による方法によって製造された層状複合材料は特に、プリント回路基板の出発材料として最適である。しかし、この材料を他に応用して使用することも考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第一の好ましい実施の形態による未構成のプリント回路基板の構造を示す断面図である。
【図２】
導体層を（両面に）構成した後、一例として半導体チップがＤＣＡ法によって直接適用された図１のプリント回路基板を示している。
【図３】
本発明の第二の好ましい実施の形態による（構成済の）プリント回路基板の構造を示す断面図である。
【図４】
本発明の第三の好ましい実施の形態による（構成済の）多層プリント回路基板の構造を示す断面図である。
【図５】
本発明の好ましい実施の形態による図１のプリント回路基板のための層状複合材料の製造方法を（ａ）および（ｂ）の二つのサブステップで示している。
【図６】
本発明の他の好ましい実施の形態による図３のプリント回路基板の製造方法を（ａ）〜（ｆ）までの六つのサブステップで示している。
【符号の説明】
１０、２０、３０：　プリント回路基板
１１、１５：　導体層（Ｃｕ金属箔）
１２、１４：　接続層
１３、１３’、１３’’：　薄型ガラス層
１６、１７：　導体トラック
１８：　半導体チップ
１９：　接続接点（半導体チップ）
２１、２６：　絶縁板（例えば、エポキシ）
２２、２５：　接続層
２３、２４：　導体層（Ｃｕ金属箔）
２７、２７’：　導体トラック
２８、２９：　樹脂被膜金属箔（Ｃｕ）
３１、３４、３５、３８：　導体トラック
３２、３３、３６、３７：　接続層
３９、４０：　接続層
【国際公開パンフレット】
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2004511111.tif 000004
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【国際調査報告】
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