(57)【要約】アンプデバイスに接続可能なアンプバイアス回路であって、第１のアンプ特性を検知して前記第１のアンプ特性に関係するバイアス信号を第１のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第１センサデバイスを有する。本回路はさらに、第２のアンプ特性を検知して前記第２のアンプ特性に関係するバイアス信号を第２のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第２センサデバイスとを有する。前記第１のセンサ出力と前記第２のセンサ出力は各々前記アンプデバイスの少なくとも一つのバイアス入力に接続可能なアンプ接続に接続される。
2006505170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンプデバイスに接続可能なアンプバイアス回路であって、
第１のアンプ特性を検知して第１のアンプ特性に関係するバイアス信号を第１のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第１センサデバイスと、
第２のアンプ特性を検知して第２のアンプ特性に関係するバイアス信号を第２のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第２センサデバイスとを有し、
前記第１のセンサ出力と前記第２のセンサ出力は各々前記アンプデバイスの少なくとも一つのバイアス入力に接続可能であることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項２】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第１のセンサデバイスは前記アンプデバイスの寿命に依存する特性を検知することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項３】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第２のセンサデバイスは前記アンプデバイスの温度に依存する特性を検知することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項４】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第１のセンサデバイスと前記第２のセンサデバイスとは通信可能に接続され、前記検知された特性に関係する信号を相互に供給可能であることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項５】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第２のセンサ出力は前記第１のセンサデバイスの第１のセンサ入力に接続され、前記第１のセンサ出力は前記第２のセンサデバイスの第２のセンサ入力に接続されるように、前記第２のセンサデバイスと前記第１のセンサデバイスとが相互にフィードバック回路として接続されていることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項６】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第１のセンサ出力と前記第２のセンサ出力とはRFデカップリングデバイスに接続され、前記RFデカップリングデバイスは前記バイアス入力に接続されていることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項７】
請求項６に記載のアンプバイアス回路であって、前記RFデカップリングデバイスはローパスフィルタを有することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項８】
請求項７に記載のアンプバイアス回路であって、前記ローパスフィルタは少なくとも２つの抵抗器を直列に有し、前記ローパスフィルタは前記少なくとも２つのレジスタデバイスの間のノードをグランドに接続するキャパシタデバイスをさらに有することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項９】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第１のセンサデバイスは、少なくとも１つの電圧入力と少なくとも２つの電流出力を有する第１のセンサトランジスタを有し、前記電圧入力は前記電流出力の少なくとも一つに接続され、前記入力とそれに接続された前記出力との間の電圧差が小さいように用いられていることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１０】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記第２のセンサデバイスは、前記アンプデバイスに熱的に接続可能な第２のセンサトランジスタを有し、前記センサトランジスタは、少なくとも一つの電圧入力と、少なくとも２つの電圧出力とを有し、
前記電圧入力と前記電流出力の少なくとも一つの間には電圧差が存在するように用いられていることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のアンプバイアス回路であって、前記第１のセンサトランジスタは前記アンプデバイスに接続でき、電流ミラー回路を形成することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１２】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記センサデバイスのうち少なくとも一つは電界効果トランジスタを有することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１３】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記センサデバイスのうちすくなくとも一つは絶縁ゲート電界効果トランジスタを有することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１４】
請求項１３に記載のアンプバイアス回路であって、前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのうち少なくとも一つは横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタであることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１５】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記アンプバイアス回路と前記アンプデバイスは単一の集積回路に実装されていることを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１６】
請求項１に記載のアンプバイアス回路であって、前記センサデバイスのうちすくなくとも一つは、前記アンプ特性のうちすくなくとも一つに対応するすくなくとも一つの特性を有することを特徴とするアンプバイアス回路。
【請求項１７】
アンプデバイスをバイアスする方法であって、
前記アンプデバイスの第１の特性の変化を検知する第１の手段を設けるステップと、
前記変化に関係する第１のバイアス信号を設けるステップと、
前記アンプデバイスの第２の特性の変化を検知する第２の手段を設けるステップと、
前記アンプデバイスの前記第２の特性に関係する第２のバイアス信号を設けるステップと、
前記アンプデバイスの少なくとも一つのバイアス入力に前記バイアス信号を提供するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項１８】
すくなくとも一つのアンプバイアス回路に接続されたアンプデバイスを有する集積回路であって、前記アンプバイアス回路は、
第１のアンプ特性を検知して前記第１のアンプ特性に関係するバイアス信号を第１のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第１センサデバイスと、
第２のアンプ特性を検知して前記第２のアンプ特性に関係するバイアス信号を第２のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第２センサデバイスとを有し、
前記第１のセンサ出力と前記第２のセンサ出力は各々前記アンプデバイスの少なくとも一つのバイアス入力に接続可能であることを特徴とする集積回路。
【請求項１９】
請求項１８に記載の集積回路であって、前記集積回路はシングルクリスタル集積回路であることを特徴とする集積回路。
【請求項２０】
アンプデバイスに接続可能なアンプバイアス回路を有する装置であって、前記アンプバイアス回路は、
第１のアンプ特性を検知して前記第１のアンプ特性に関係するバイアス信号を第１のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第１センサデバイスと、
第２のアンプ特性を検知して前記第２のアンプ特性に関係するバイアス信号を第２のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第２センサデバイスとを有し、
前記第１のセンサ出力と前記第２のセンサ出力は各々前記アンプデバイスの少なくとも一つのバイアス入力に接続可能であることを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンプバイアス回路、アンプバイアス方法、およびアンプバイアス回路を有する集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界効果トランジスタ等のアンプデバイスにおいては、特性はできるだけ安定していることが好ましい。特に、デバイスの寿命にわたる安定性および環境条件が変化したときも安定していることが好ましい。しかし、既知のアンプはすべて、例えば、アンプの寿命の間に、または環境条件が変化したときに特性が変化してしまう不安定正を有している。
【０００３】
例えば、電界効果トランジスタ（FET）においては、ドレイン静止電流はトランジスタの寿命の間に低下する。この低下は、特に、横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（LDMOSFET）等の絶縁ゲート電界効果トランジスタ（IGFET）で顕著である。このドレイン静止電流の低下は、高温電荷担体（hot  charge  carrier）と呼ばれるエネルギーが高い電荷担体がドレインエリアに注入されることにより起こる。この低下は、特にデバイス特性の線形性の点でデバイスの性能に制御不能の変化を生じさせる。さらにまた、FETにおいては、ドレイン静止電流は温度に依存する。特に線形性と効率とが高度に要求されるアプリケーション、例えばAB級アンプにおいて、ドレイン静止電流の温度依存性は問題である。
【０００４】
特許文献１には、パワートランジスタの静止電流の温度補償のためのゲートバイアス構成が記載されている。該構成は、ドレインとゲートが相互接続されたLDMOSFETを有する。該LDMOSFETのゲートとドレインは、高抵抗の抵抗器または高インダクタンスのインダクタのいずれかを介して、LDMOSFETパワートランジスタのゲートに接続されている。LDMOSFETのソースとパワーLDMOSFETトランジスタのソースとは互いに接続されている。
【０００５】
LDMOSFETトランジスタは、パワーLDMOSFETトランジスタのドレイン静止電流の温度依存性が補償されるように、パワーLDMOSFETトランジスタのゲートのバイアス電圧を制御する。
【０００６】
しかし、この既知のバイアス構成は不利である。何故なら、ドレイン静止電流の温度依存性以外のLDMOSFETのデバイス特性における変化は補償されないからである。よって、ドレイン静止電流の低下により、既知のバイアス構成の特性は、例えばデバイスの寿命の間でも不安定である。
【特許文献１】米国特許公開公報第6288596号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の目的は、アンプ特性を安定化するアンプバイアス回路を提供することである。この目的は、本発明によれば、アンプデバイスに接続可能なアンプバイアス回路であって、
−    第１のアンプ特性を検知して前記第１のアンプ特性に関係するバイアス信号を第１のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第１センサデバイスと、
−    第２のアンプ特性を検知して前記第２のアンプ特性に関係するバイアス信号を第２のセンサ出力に供給する、少なくとも一つの第２センサデバイスとを有し、
前記第１のセンサ出力と前記第２のセンサ出力は各々前記アンプデバイスの少なくとも一つのバイアス入力に接続可能であることを特徴とするアンプバイアス回路により実現される。
【０００８】
本発明によるアンプバイアス回路は、そのアンプバイアス回路に接続することにより特性が向上したアンプデバイスを提供する。何故なら、前記センサデバイスが複数の特性を検知し、検知した特性の変化に対してバイアス信号を介して前記アンプデバイスを補償するように用いられるからである。
【０００９】
本発明は、アンプデバイスをバイアスする方法、および少なくとも一つのアンプバイアス回路に接続されたアンプデバイスを有する集積回路をさらに提供する。上記の方法および集積回路も安定した特性を有するが、それは複数の特性を検知し、検知した特性の変化に対してバイアス信号を介して前記アンプデバイスを補償するからである。本発明はまた、少なくとも一つのアンプバイアス回路を有する装置を提供する。
【００１０】
本発明の特定の実施形態は従属項に記載されている。さらに詳細に、本発明の態様と実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１に示した本発明によるアンプ回路の実施例は、第１のセンサデバイス２０と第２のセンサデバイス３０とを有し、両センサデバイスはRFアンプデバイス１０に接続されている。第１のセンサデバイス２０は、第１のバイアス接続２１を介してRFアンプデバイス１０に接続されている。第１のセンサデバイス２０は、第１のバイアス接続２１を介してRFアンプデバイス１０にバイアス信号を供給することができる。第２のセンサデバイス３０は、第２のバイアス接続３１を介してRFアンプデバイス１０に接続されており、その第２のバイアス接続３１を介してRFアンプデバイス１０にバイアス信号を供給することができる。RFアンプデバイス１０は入力INと出力OUTとを有する。RF入力信号をRFアンプデバイス１０の入力INに入力すると、その入力信号に応じて、RFアンプデバイス１０は増幅されたRF信号を出力OUTに出力する。
【００１２】
使用において、第１のセンサデバイス２０はRFアンプデバイス１０の第１の特性を検知し、また第２のセンサデバイス３０はRFアンプデバイス１０の他の特性を検知する。この実施例では、第１のセンサデバイスと第２のセンサデバイスは、それぞれ熱的接続（図示せず）および電気的接続３１を介してそれぞれの特性を検知する。しかし、センサは異なる接続を介して同様に特性を検知してもよいし、バイアスをかけるアンプデバイスとは異なるデバイスから特性を検知してもよい。制御すべき特性の検知した値に基づき、センサデバイス２０、３０はRFアンプデバイス１０にバイアス信号を供給し、特性の変化を補償する。例えば、第１のセンサデバイス２０がRFアンプデバイス１０の温度の低下を検知したとき、第１のセンサデバイス２０は第１のバイアス接続２１を介してRFアンプデバイス１０にバイアス信号を送り、静止出力電流の温度に依存した変化を補償する。また、例えば、第２のセンサデバイスが静止出力電流の減少を検知したとき、第２のセンサデバイス３０はバイアス信号を送り、RFアンプデバイス１０のバイアスを大きくする。
【００１３】
第１と第２のセンサ２０、３０は接続２２、３２を介して相互に通信可能に接続されている。これらの接続を介して、第１と第２のセンサ２０、３０は検知した特性についての情報を相互に供給しあってもよい。これにより、各センサ２０、３０は他方が検知した値を考慮に入れて、それぞれのセンサにより検知されるべきでない特性の影響を消去することができる。例えば、両方のセンサが同じ条件下にあり、一方のセンサが特性の温度依存部分を検知し、他方のセンサが同じ特性の時間依存部分を検知するとき、両センサは温度および時間への依存の情報を交換し、その特性のうちそれぞれのセンサが検知すべき部分を削除する。これは例えば、図３に示した本発明による回路のように、第１と第２のセンサデバイスをフィードバック回路として実装して、第２のセンサ出力を第１のセンサデバイスの第１のセンサ入力に接続し、第１のセンサ出力を第２のセンサデバイスの第２のセンサ入力に接続することにより実現できる。
【００１４】
図２は、本発明による方法の一実施例を示すフローチャートである。ステップ３００で、RFアンプデバイスの第１の特性が検知される。ステップ３０１で、検出された第１の特性の値に基づき、第１のバイアス信号が供給される。ステップ３０１の後、この第１のバイアス信号はRFアンプデバイスに送信され、RFアンプのバイアスを制御する。ステップ４００で、RFアンプデバイスの第２の特性が検知される。ステップ４０１で、検知された第２の特性の値に基づき、第２のバイアス信号が供給される。ステップ４０１の後、この第２のバイアス信号もRFアンプデバイスに送信され、RFアンプデバイスのバイアスを制御する。第１と第２のバイアス信号は、ステップ３０１、４０１で他のバイアス信号を供給する動作にも送られる。
【００１５】
第１と第２のセンサは、例えば、バイアスするRFアンプデバイスの電気特性に似た電気特性を有するセンシングアンプデバイスを有する。センシングアンプは、その一方がRFアンプデバイスの特性の変化の一つを受けず、他方が異なる変化を少なくとも部分的には受けるように、回路に接続される。例えば、一方のセンサアンプはRFアンプデバイスに熱的に接続され低下を経験するが、一方、他方のセンサアンプはRFアンプデバイスと熱的にだけ接続されている。よって、一方のセンサアンプ特性は時間とともに変化するが、他方のセンサアンプ特性は変化しない。両方のセンサアンプデバイスの特性を比較することにより、バイアス回路に接続されたRFアンプの特性を導き出すことができ、それに応じてアンプのバイアスを変化させることができる。
【００１６】
図３は、絶縁ゲート電界効果トランジスタ（IGFET）を有する、本発明による実施形態の一実施例を示す回路図である。図示した実施例において、IGFETは横方向拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（LDMOSFET）である。特にLDMOSFETは、高温電子によりトランジスタの寿命の間にドレイン静止電流の低下を起こしやすい。しかし、他の種類のFETであっても、高温電子は低下を引き起こすことがある。さらに、FET、特にLDMOSFETは、ドレイン静止電流の温度依存性のあるドリフトを起こす。
【００１７】
図３の実施例において、RFトランジスタ１０はソースS10がグランドに接続されている。RFトランジスタ１０のドレインD10はRF出力RF_outに接続されている。RFトランジスタ１０のゲートG10はRF入力RF_inに接続されている。ゲートG10は、ローパスフィルタLPFを介してアンプバイアス回路１００のバイアス出力Vbiasにも接続されている。図示した実施例では、このVbiasは第１のセンサトランジスタ２０のゲートG20である。
【００１８】
第１のセンサトランジスタ２０のゲートG20は第１のセンサトランジスタのドレインD20に接続されている。第１のセンサトランジスタ２０のソースS20は、グランドに接続されている。第１のセンサトランジスタ２０のドレインD20は、抵抗器R2を介して第２のセンサトランジスタ３０のドレインD30と接続されている。第２のセンサトランジスタ３０のゲートG30は、第１のセンサトランジスタ２０のゲートG20に接続されている。図示した実施例において、図示した実施例において、ゲートG30はゲートG20に直接接続されている。しかし、ゲートは、抵抗器、ローパスフィルタ等を介して間接的に接続されてもよい。第２のセンサトランジスタ３０のソースS30はグランドに接続されている。第２のセンサトランジスタ３０のドレインD30は抵抗器R1を介して電圧源Vdに接続されている。センサトランジスタ２０、３０は両方ともRFトランジスタ１０に熱的に接続されている。
【００１９】
第１のセンサトランジスタ２０のドレインD20は、第１のセンサトランジスタ２０のゲートと直接接続されている。これにより、ゲートG20とドレインD20の間に電圧差はない。トランジスタでは、ゲートは物理的にソースとドレインの間に配置されている。ゲートとドレイン間に電圧差がなければ、ゲートとドレインの間には電界はない。このように、第１のセンサトランジスタのドレイン領域には（強い）電界がない。よって、ドレイン領域においては高エネルギーの電荷担体はほとんどなく、それゆえ、第１のセンサトランジスタ２０のドレイン静止電流の低下はほとんどない。
【００２０】
第１のセンサトランジスタ２０のゲートとドレインは、直接接続ではなく、低インピーダンスデバイスを介して相互に接続してもよい。低インピーダンスデバイスはローパスフィルタ等の好適なデバイスであればいかなるものでもよく、例えば抵抗器、キャパシタ、インダクタ等の受動デバイスを有していてもよい。
【００２１】
図３の実施例において、アンプバイアス回路１００は、RFアンプデバイス（例えばRFトランジスタ１０）のドレイン静止電流の低下とドレイン電流の温度依存による変化に対して、そのバイアスボルテージを補償する。第１のセンサトランジスタ２０は、そのゲートG20から第２のセンサトランジスタ３０とRFトランジスタ１０の両方にバイアス電圧を供給する。第１のセンサトランジスタ２０は、第１のセンサトランジスタ２０はRFトランジスタ１０と熱的に接続されており、その温度はRFトランジスタ１０の温度と実質的に等しい。第１のセンサトランジスタのドレイン−ソース電流は、ゲート−ドレイン接続による不電圧フィードバックのため、温度が変化しても実質的に一定である。アンプの温度が変化すると、第１のセンサトランジスタ２０の温度も変化する。第１のセンサトランジスタを流れる電流は温度が変化しても一定であるから、ゲートG20とソースS20の間の電圧が変化し、それによりRFトランジスタ１０のバイアス電圧も変化する。
【００２２】
第１のセンサトランジスタ２０とは対照的に、第２のセンサトランジスタ３０は、RFトランジスタ１０の低下と同様に高温電荷担体により寿命の間に低下を経験する。第２のセンサトランジスタ３０は、ゲートG30とドレインD30の間に電圧の差があるため、ドレイン静止電流の低下を経験する。第２のセンサトランジスタのゲートG30の電圧は、第１のセンサトランジスタ２０により制御されている。よって、第２のセンサトランジスタは、RFトランジスタ１０と同様に、第１のセンサトランジスタ２０により静止ドレイン電流の温度依存ドリフトに対して補償されている。
【００２３】
RFアンプデバイス１０とバイアス回路１００の寿命の間に、第２のセンサトランジスタ３０のドレイン静止電流が低下すると、第２のセンサトランジスタ３０を流れる電流は減少する。それにより、抵抗器R1を流れる電流が減少し、抵抗器R1による電圧降下は小さくなる。抵抗器R1の電圧降下が小さくなるので、抵抗器R1と第２のセンサトランジスタ３０の間のノードの電圧（すなわちドレインD30の電圧）が上昇する。この電圧変化は、抵抗器R2とドレイン−ゲート接続を介してゲートG20に送られ、この点の電圧もそれに比例して上昇するため、第１のセンサトランジスタ２０に対する新しいバイアスポイントとなる。よって、アンプ１０のバイアス電圧は上昇する。このように、アンプ１０は、第２のセンサトランジスタ３０により、ドレインからソースに流れる静止電流の低下に対して補償されている。これにより、バイアス電圧コンタクトVbiasの電圧により、温度ドリフトおよびドレイン静止電流の低下に対してRFトランジスタ１０が補償される。
【００２４】
第１センサトランジスタとRFトランジスタ間の熱的カップリングをよくするため、これらのトランジスタは近接して配置され、例えば集積回路として実装されてもよい。単一のシングルクリスタルの集積回路であれば、構成要素間の熱的カップリングをよくすることができる。シングルクリスタル集積回路は、例えばモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）である。
【００２５】
RFアンプデバイス１０のゲートG10はRF入力RF_inに接続されている。非直流信号をRF入力RF_inに入力してもよい。非直流信号はRFアンプデバイス１０により増幅される。増幅された非直流信号はドレインD10を介してRF出力RF_outに供給される。
【００２６】
図３に示した実施例において、RFアンプデバイスのゲートG10は、RFデカップラデバイス（本実施例の場合ローパスフィルタLPF）を介してアンプバイアス回路１００のバイアス出力Vbiasに接続されている。この実施例で、ローパスフィルタは２つの抵抗器R3、R4が直列に接続されている。抵抗器R3、R4はバイアス出力VbiasをRFアンプデバイス１０のゲートに接続する。抵抗器R3、R4間のノードはキャパシタC1を介してグランドに接続されている。
【００２７】
ローパスフィルタLPFは、高周波信号についてRFアンプデバイス１０をアンプバイアス回路からデカップリングする。これにより、RF入力に入力されたRF信号はバイアス回路１００には入らない。これにより、RF入力に入力された信号がアンプバイアス回路中の信号と干渉することを防止できる。しかし、本発明による回路ではローパスフィルタを省略してもよい。さらにまた、図３に示したフィルタではなく、他のフィルタを用いてもよい。例えば、少なくとも一つのアンプデバイスを有するアクティブフィルタや、インダクタを有するパッシブフィルタを用いてもよい。
【００２８】
図４は、本発明による集積回路の一例を示す回路図である。本回路は２つのRFアンプデバイス１０、１０´を有している。RFアンプデバイス１０は、ゲートG10でアンプバイアス回路１００と接続されている。RFアンプデバイス１０´もそのゲートG10´で本発明によるアンプバイアス回路１００´と接続されている。RFアンプデバイス１０´は、そのゲートG10´においてマッチング回路MN2を介してRFアンプデバイス１０のドレインD10に接続されている。RFアンプデバイス１０´のドレインD10´は、本集積回路のRF出力RF_outを形成する。RFアンプデバイス１０は、そのゲートがマッチング回路MN1を介してRF入力RF_inに接続されている。RFアンプデバイス１０、１０´のソースS10、S10´は、グランドに接続されている。アンプバイアス回路１００、１００´は電圧源Vdに接続されている。マッチング回路MN1、MN2は回路のインピーダンスをマッチングするように構成されている。
【００２９】
信号はRFアンプデバイス１０のRF入力RF_inに入力される。RFアンプ１０は、その信号を増幅し、マッチング回路MN2を介してRFアンプデバイス１０´に増幅された信号を供給する。RFアンプデバイス１０´は、入力された信号をさらに増幅し、RF出力から出力する。アンプバイアス回路１００、１００´は各々、図３に示した回路例と同様である。このように、回路１００はRFアンプデバイス１０に補償用バイアス信号を供給し、回路１００´はRFアンプデバイス１０´に補償用バイアス信号を供給する。それゆえ、アンプバイアス回路１００、１００´は、ドレイン静止電流の低下と温度ドリフトに対してRFアンプデバイス１０、１０´を補償する。
【００３０】
本発明は上で説明した実施例に限定はされない。上記の実施例を修正できることは明らかである。特に、RFアンプデバイスにバイアス電圧ではなくバイアス電流を供給してもよいことは明らかである。さらにまた、図３に示した実施例において、トランジスタのドレインとソースとを交換してもよく、その場合、アンプ回路はソース電流の低下とドリフトを補償することとなる。さらに、２つ以上のRFアンプデバイスを単一の本発明によるアンプバイアス回路に接続してもよいことは明らかである。例えば、図３に示した実施例において、２つ以上のRFトランジスタをRF入力RF_inに接続してもよい。さらに、２つ以上のRFアンプデバイスを単一の本発明によるバイアス回路に接続してもよい。また、抵抗器、キャパシタ、インダクタは同様の特性を有するデバイスに置き換えてもよいことは明らかである。さらにまた、ドレイン静止電流が低下するセンサデバイスは、RFアンプデバイスのドレイン静止電流の低下レートと比較して同等またはそれより高い定価レートを有するものであってもよい。例えば、センサデバイスは、ゲート長とドレイン拡大等の修正をほどこした特性を有するトランジスタであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明によるアンプバイアス回路の第１の実施例を示すブロック図である。
【図２】本発明によるバイアス方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図３】本発明によるアンプバイアス回路の一実施形態の一実施例を示す回路図である。
【図４】本発明によるアンプバイアス回路の一実施形態の第２の実施例を示す回路図である。
【図１】
2006505170.tif 000003
【図２】
2006505170.tif 000004
【図３】
2006505170.tif 000005
【図４】
2006505170.tif 000006
【国際調査報告】
2006505170.tif 000007
2006505170.tif 000008