(57)【要約】基板（３）と基板（３）の表面（８）に形成されている信号処理回路（４）とを有する集積回路であって、基板表面（８）に少なくとも一つの孔（１３）を有する保護層（１２）が設けられており、孔（１３）を介して第二のコンタクトパッド（１４）が第一のコンタクトパッド（９）に電気的及び機械的的に接続され、第二のコンタクトパッド（１４）の高さは少なくとも１５μｍであり、横方向に孔（１３）を越えてすべての側に突出し、リング状に閉じている重複領域（ｚ）により保護層上に置かれ、重複領域（ｚ）は重複部分（ｗ）の一定幅である２μｍと１５μｍとの間であり、そして、信号処理回路（４）の少なくとも一つの素子、そして、好ましくは、信号処理回路（４）の一つのキャパシタ（５）のみが第一のコンタクトパッド（９）と対向して設けられている。
2006505933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と信号処理回路とを有する集積回路であって、前記信号処理回路は前記基板の表面の近傍の前記基板の領域内に形成され、そして、複数の回路素子と少なくとも一つの第一のコンタクトパッドとを有し、該第一のコンタクトパッドは、前記基板の外部からアクセス可能な第一の境界面と該第一の境界面と対向する第二の境界面とを有し、前記第一のコンタクトパッドは、前記集積回路の外部の回路素子の素子コンタクトから前記信号処理回路への電導的接続のためのものであり、電気的に絶縁性で前記基板の前記表面上に設けらた保護層を有し、該保護層に覆われている前記集積回路の領域を保護し、各第一のコンタクトパッドに対して前記保護層内に孔が設けられ、各第一のコンタクトパッドに対して、高さが少なくとも１５μｍであり、素子コンタクトへの直接接続のために、そして、対応する孔を介して前記第一のコンタクトパッドまで拡張され、そして、前記第一のコンタクトパッドに電導的に接続され、そして、前記孔を越えて横方向に突出する重複領域により前記保護層に置かれ、そして、リング状に閉ざされている第二のコンタクトパッドが設けられ、前記リング状の範囲全体に沿って、前記重複領域がほぼ重複部分と同じ幅で横方向に前記孔を越えて突出し、前記重複部分の幅は２μｍと１５μｍとの間の範囲であり、前記信号処理回路の少なくとも一つの素子が前記第一のコンタクトパッドの前記第二の境界面と対応して設けられている集積回路。
【請求項２】
前記信号処理回路に属している一つのキャパシタのみが前記第一のコンタクトパッドの前記第二の境界面と対応して設けられている請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記基板の前記表面に平行に延在する前記キャパシタの平坦な形状と、さらに前記基板の前記表面に平行に延在する前記第二のコンタクトパッドと前記孔との平坦な形状とはほぼ同じであり、前記キャパシタの平坦な形状は前記第二のコンタクトパッドの平坦な形状より高々１０％大きい請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記キャパシタは多層キャパシタとして形成される請求項２に記載の集積回路。
【請求項５】
前記第一のコンタクトパッドと前記キャパシタとの間に少なくとも一つの金属層が、前記キャパシタとののための機械的保護層として設けられている請求項２に記載の集積回路。
【請求項６】
前記第一のコンタクトパッドは、導電ブリッジにより互いに電気的及び機械的に接続されている少なくとも二つの金属層を備えている請求項２に記載の集積回路。
【請求項７】
前記重複部分の厚みは公称値の７μｍである請求項２に記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板と信号処理回路とを有する集積回路であって、前記信号処理回路は前記基板の表面の近傍の前記基板の領域内に形成され、そして、複数の回路素子と少なくとも一つの第一のコンタクトパッドとを有し、該第一のコンタクトパッドは、前記基板の外部からアクセス可能な第一の境界面と該第一の境界面と対向する第二の境界面とを有し、前記第一のコンタクトパッドは、前記集積回路の外部の回路素子の素子コンタクトから前記信号処理回路への電導的接続のためのものであり、電気的に絶縁性で前記基板の前記表面上に設けられた保護層を有し、該保護層に覆われている前記集積回路の領域を保護し、各第一のコンタクトパッドに対して前記保護層内に孔が設けられ、そして、各第一のコンタクトパッドに対して、高さが少なくとも１５μｍであり、素子コンタクトへの直接接続のために、そして、対応する孔を介して前記第一のコンタクトパッドまで拡張され、そして、前記第一のコンタクトパッドに電導的に接続され、そして、前記孔を越えて横方向に突出する重複領域により前記保護層上に置かれ、そして、リング状に閉ざされている表面コンタクトパッド（第二のコンタクトパッド）（バンプ）が設けられている集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような集積回路は米国特許５，２８１，８５５Ａにより知られている。この既知の集積回路では、二つの底部コンタクトパッド（第一のコンタクトパッド）と、保護層内に二つの孔と、そして、二つの表面コンタクトパッド（第二のコンタクトパッド）とが設けられている。二つの孔は各々その面が略正方形で、側面の長さは約１５０μｍである。二つの表面コンタクトパッドは各々その面が長方形で、一つの長辺に窪みを有し、長方形面の側面の長さは４０６μｍと１５２μｍで、これは１６ミリインチと６ミリインチに相当する。各窪みは二つの側面長さを有し、即ち、約１３７μｍと約５７μｍである。これら側面長さから得られる各孔の面積は約１３，２２５μｍ２で、各表面コンタクトパッドの面積は６１，７１２μｍ２で、約７，８１０μｍ２の窪みの面積を引くと、約５３，９００μｍ２である。これにより、表面コンタクトパッドの面積は孔の面積の四倍以上且つ各表面コンタクトパッドの面積の３／４以上が重複領域により形成され、この重複領域は問題の孔を越えて保護層上に置かれる。このような大きさの重複領域が設けられるのは米国特許５，２９１，８５５Ａの教示及び記載によるもので、それは、保護層と各表面コンタクトパッドとの組み合わせのみにより、これらは重複領域において、互いに重なり合い、表面コンタクトパッドを伝送コイルに属する接続線に接続する処理において、各表面コンタクトパッドの領域内の各第一のコンタクトパッド下部に横たわる回路素子に対して適切な機械的保護がなされる。第一のコンタクトパッド下部に横たわる回路素子は、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、メモリ部品等である。接続処理は、好ましくは、熱圧縮ボンディング処理であるが、他の処理、例えば、ハンダ付け、溶接処理等でもよい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
既知の集積回路では、実際、表面コンタクトパッドの面積の約１／４のみが、孔を介して対応する第一のコンタクトパッドに接続され、表面コンタクトパッドの面積の約３／４が保護層上に置かれ、そして、第一のコンタクトパッドに接続される。これは、表面コンタクトパッドと第一のコンタクトパッドとの接続が、機械的に、表面コンタクトパッドと保護層との接続より実質的に良いことを意味する。これは、集積回路が、例えば、伝送コイルに接続された後、ガラス又はプラスティックのカプセルに収納され、従って、機械的ストレスに対してよく保護されるということとは無関係である。集積回路においては状況が異なり、例えば、タグ、ラベル、チップカードの形態のＲＦトランスポンダの動作寿命期間全体を通じて、機械的ストレスに対してよく保護されることはなく、何故ならば、既知の集積回路から知られる上記の設計はこの種の集積回路には適切ではなく、理由は各表面コンタクトパッドから保護層と不適当なキャパシタへの接続にあり、この接続は機械的ストレスに対して耐えなければならず、これは、機械的によく保護されていないトランスポンダに既知の設計が用いられた場合、高い機械的負荷が加わった場合、各表面コンタクトとそれに関わる第一のコンタクトとの間の比較的小さな領域が比較的大きな力に耐えなければならず、しかし、それは、接続が過負荷となり、従って、大きな影響を受け、又は、破壊することになる。
この発明の目的は、上記問題を解決し、改良された集積回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、この発明の特徴はこの発明の集積回路内に設けられ、以下に特定された態様でこの発明の集積回路が特徴付けられ、即ち、
基板と信号処理回路とを有する集積回路であって、前記信号処理回路は前記基板の表面の近傍の前記基板の領域内に形成され、そして、複数の回路素子と少なくとも一つの第一のコンタクトパッドとを有し、該第一のコンタクトパッドは、前記基板の外部からアクセス可能な第一の境界面と該第一の境界面と対向する第二の境界面とを有し、前記第一のコンタクトパッドは、前記集積回路の外部の回路素子の素子コンタクトから前記信号処理回路への電導的接続のために設けられ、電気的に絶縁性で前記基板の前記表面上に設けられた保護層を有し、該保護層に覆われている前記集積回路の領域を保護し、各第一のコンタクトパッドに対して前記保護層内に孔が設けられ、各第一のコンタクトパッドに対して、高さが少なくとも１５μｍであり、素子コンタクトへの直接接続のために、そして、対応する孔を介して前記第一のコンタクトパッドまで拡張され、そして、前記第一のコンタクトパッドに電導的に接続され、そして、前記孔を越えて横方向に突出する重複領域により前記保護層に置かれ、そして、リング状に閉ざされている第二のコンタクトパッドが設けられ、前記リング状の範囲全体に沿って、前記重複領域がほぼ重複部分と同じ幅で横方向に前記孔を越えて突出し、前記重複部分の幅は２μｍと１５μｍとの間の範囲であり、前記信号処理回路の少なくとも一つの素子が前記第一のコンタクトパッドの前記第二の境界面と対応して設けられている集積回路である。
【０００５】
この発明の特徴を設けることにより簡単に達成されることは、重複領域が狭くなるということのみならず、この重複領域は必要であり、従って、底部コンタクトパッド（第一のコンタクトパッド）が、関連する表面コンタクトパッド（第二のコンタクトパッド）が形成されるときに、無用にエッチングされないように設けられるが、表面コンタクトパッド（第二のコンタクトパッド）の平坦な形状及び面積が前記関連する表面コンタクトパッドの平坦な形状及び面積とほぼ同じであり、大きな機械的負荷に耐えうるように非常に強く、頑健で、耐久力のある機械的接続が達成されることである。他の非常に重要な効果は、この発明の集積回路は既に知られている集積処理で製造することができ、従って、既存のウエハ工場で新たな機器が無くともこの発明の集積回路を製造することができる。この発明の集積回路の開発途中のテストで分かったように、この発明の集積回路内に設けられるのは小さな重複領域であっても、前記信号処理回路の前記第一のコンタクトパッドの下部に位置する少なくとも一つの素子のために、各表面コンタクトパッドとこの下部に位置している底部コンタクトパッドにより十分な保護が達成されるということであり、理由としては、まず、表面コンタクトパッドの高さが比較的高く、次に、相互接続構造が如何なる集積回路にも設けられ且つ少なくとも一つの金属層から形成されるので高い保護効果が得られるからである。他の非常に大きな効果としては、テストパッドが非常に小さな面積に設けることができ、即ち、実質的にほとんどＩＣ面積にロスがなく、ここでは、少なくとも、テスト回路、保護回路、そして、駆動回路の部品がテストパッド下部に設けることができ、これは、現在達成されているものよりテスト・タイムスパンが短くなることを意味し、ウエハテスト時間が大幅に削減される。この種のウエハテストが行われた後は、以後必要でなくなるこの種のテストパッド及び他のパッドが、所謂、ソーループ（ｓａｗ  ｌｏｏｐ）を切断することにより集積回路から電気的に分離される。以後必要でなくなるテストパッド及び他のパッドを分離することにより、まず、完成されたＩＣを用いるときに位置決めが不正確なために短絡が起きることがなく、そして、所謂、マザーモジュールを用いて製品ファミリ全体が一つの最適化されたモジュール内に非常に簡単に作れ、この理由は、一つの製品ファミリに属するすべてのＩＣ上の同じ位置に接続がなされ、第二に、現行設備に比べて非常に速く製造に適合させることができ、このようにしてコストが削減でき、第三に、高レベルの安全管理が行え、何故ならば、ＩＣ内部の信号処理回路へ導電接続を確固たるものとしてもたらす唯一のものはこの発明により形成された表面コンタクトパッドであるので、信号処理回路内部へのアクセスが防止できるからである。
【０００６】
集積回路には、前記第一のコンタクトパッドの前記第二の境界面と対向して、即ち、前記第一のコンタクトパッド下部に、インダクタ、キャパシタ、抵抗器、ダイオード、メモリ等の複数の回路素子を設けることができ、これら回路素子により、音声・映像信号処理回路、チップカード信号処理回路、又は、トランスポンダ回路等の多数の信号処理回路のみならず、これら信号処理回路のための保護ステージ、駆動ステージ、そして、テストステージを作ることができる。この発明の集積回路では、前記第一のコンタクトパッドの前記第二の境界面と対向して前記信号処理回路に属するキャパシタのみを設けると効果が高くなることが分かっている。この種のキャパシタは領域内で比較的大きく作ることができ、そして、その結果、キャパシタは機械的ストレスに晒されるリスクが小さいので、特に効果的であり、これは、例えば、熱圧縮ボンディング処理又はフリップチップ接続処理において、前記底部コンタクトパッド上に設けられた表面コンタクトパッドに比較的大きな力が加わっても、キャパシタが比較的大面積なため、如何なるダメージをも受けるリスクが無いことを意味する。
【０００７】
この発明の集積回路では、前記基板の前記表面に平行に延在する前記キャパシタの平坦な形状と、さらに前記基板の前記表面に平行に延在する前記第二のコンタクトパッドと前記孔との平坦な形状とはほぼ同じであり、前記キャパシタの平坦な形状は前記第二のコンタクトパッドの平坦な形状より高々１０％大きいと効果が大きいことが分かっている。このようにして、互いに重なり合う表面コンタクトパッド（第二のコンタクトパッド）と底部コンタクトパッド（第一のコンタクトパッド）との下部領域全体が前記キャパシタの形成に用いることができ、これと同時に、最適な大きいサイズのこのキャパシタの保護が万全となる。
【０００８】
この発明の集積回路では、前記キャパシタは多層キャパシタとして形成されると効果が大きいことが分かっている。これは効果的であり、何故ならば、この種のキャパシタは単位長さ当たりの容量が非常に大きく、且つ、機械的に頑丈であるからである。
【０００９】
この発明の集積回路では、前記底部コンタクトパッド（第一のコンタクトパッド）と前記キャパシタとの間に少なくとも一つの金属層が、前記キャパシタとののための機械的保護層として設けられると、特に、効果的であることが分かっている。このようにして、前記キャパシタの保護が万全となる。
【００１０】
この発明の集積回路では、前記底部コンタクトパッド（第一のコンタクトパッド）が、導電ブリッジにより互いに電気的及び機械的に接続されている少なくとも二つの金属層を備えると、やはり、効果が大きいことが分かっている。これは、前記第一のコンタクトパッドと対向して設けられている前記キャパシタの保護という観点から非常に効果的であり、保護は万全であればあるほど良い。
【００１１】
この発明の集積回路では、前記重複部分の厚みは公称値の７μｍであると、特に、効果的であることが分かっている。この種の構造は、一方で、無用なエッチングから保護する目的のために重複領域が十分に広く、他方で、スペースを可能な限り小さくするためには重複領域が狭い方がよいということの妥協がうまくなされるという観点からも効果的であることが分かっている。
【００１２】
この発明のこれら並びにその他のアスペクトが以下に記載される実施形態を参照して明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１乃至図３は以下でＩＣ１と略される集積回路を示す。ＩＣ１はトランスポンダ用に設けられ、トランスポンダは図には示されていない。トランスポンダは、この目的のために適する通信局と非接触通信を行うために設けられ、基本的に、ＩＣ１と、これに接続され、物理的な接触無しに動作する伝送手段である伝送コイルとを備え、伝送コイルは複数巻きのコイルと二つの接続コンタクトとを備える。伝送コイルは、この場合、ＩＣ１外部の回路素子を形成し、各々が素子コンタクトを形成する二つのコイル接続コンタクトを有する。伝送コイルは、コイル線の一端においてコイル接続コンタクトの各々が形成されたコイル線がまかれたものとする。この種の線端２が一点鎖線により図２に概略的に示されている。しかし、伝送コイルは、他の方法、例えば、プリント基板のような基板上に設けられたエッチングされたコイル又はプリントされたコイルのような形態でもよい。コイル接続コンタクトは熱圧縮ボンディング処理又はハンダ付け、さらには、所謂、フリップ・チップ技術により接続されてもよい。
【００１４】
ＩＣ１は基板３を有する。ＩＣ１の基板３内に作り込まれているのは信号処理回路４で、信号処理回路４と、第一の回路素子５と，第二の回路素子６と、第三の回路素子７とが図１において概略的に示されている。信号処理回路４は、基板３の表面８近傍の基板３の領域内に作り込まれている。信号処理回路４は、複数の回路素子を有し、そのうちの三つの素子５，６，そして、７のみが図１に示されている。信号処理回路４は、ここでは、トランスポンダ信号、即ち、通信局からトランスポンダへ伝送され、トランスポンダにより受信される信号、そして、トランスポンダにより発生され、トランスポンダより通信局に伝送される信号を処理する回路で、通信は、物理的接触無しに、例えば、誘導的に、容量的に、又は、光学的に双方向で行われる。
【００１５】
ここでは、信号処理回路４は二つの第一のコンタクトパッド９を有し、一つの第一のコンタクトパッド９のみが図１乃至図３に示されている。これら二つの第一のコンタクトパッド９はＩＣ１外部の伝送コイルの二つのコイル接続コンタクト（線端２）から信号処理回路４への導電接続のためのものである。これら二つの第一のコンタクトパッド９はアルミニウム（Ａｌ）を備える。各第一のコンタクトパッド９は基板３外部からアクセス可能な第一の境界面１０と、この第一の境界面１０と対向する第二一の境界面１１とを有する。
【００１６】
ＩＣ１には、さらに、保護層１２が設けられ、ここでは、保護層１２は窒化シリコン（ＳｉＮ）を備え、厚みは約１．５μｍである。この種の保護層１２は、二層構造とすることもでき、この場合は、約５００ｎｍ厚みの所謂ＰＳＧ層と約１０００ｎｍ厚みの窒化層とを備え、後者がＰＳＧ層に施されて全厚みが約１．５μｍとなる。この種の二層保護層１２は、特に、機械的に強く、保護機能が高い。この種の保護層１２は、また、異なる材料、例えば、所謂ＰＳＧ又は所謂ＰＴＥＯＳ又は酸窒化物又はその他の窒化物又はそのような材料の組み合わせでもよい。この種の保護層は、異なる厚み、例えば、１μｍ又は２μｍの厚みでもよい。保護層１２は電気的に絶縁性である。保護層１２は基板３の表面８上に設けられ、それにより覆われる信号処理回路４又はＩＣ１のそれら領域を保護するために設けられる。各第一のコンタクトパッド９に対して保護層１２内に設けられるのは孔１３で、これは、ここでは、そのような孔１３が二つ保護層１２内に設けられることを意味し、図１乃至図３では孔１３が一つのみ示されている。
【００１７】
各底部コンタクトパッド９に対してＩＣ１内に表面コンタクトパッド１４が設けられ、ここでは、そのような表面コンタクトパッド１４が二つ設けられ、図１乃至図３ではそのような表面コンタクトパッド１４が一つのみ示されている。ここでは、各表面コンタクトパッド１４は、チタン・タングステンを備えて約１μｍの厚み（１．５μｍ又は２μｍの厚みでもよいが）の基礎層１５と、この基礎層１５上に主部１６を有し、これは、ここでは、金（Ａｕ）を備える。保護層１２上で各表面コンタクトパッド１４が立ち上がる高さｈは、ここでは、公称高さの１８μｍである。この高さ、しかし、１５μｍしかなくてもよい。さらに、この高さｈは１８μｍより高く、例えば、２０μｍ又は２３μｍ又は２５μｍから選ばれてもよい。各表面コンタクトパッド１４は、素子コンタクト、即ち、ここでは、線端２に直接接続されるものである。この場合、各表面コンタクトパッド１４と対応する線端２との接続は熱圧縮ボンディング処理により行われる。各表面コンタクトパッド１４は対応する孔１３を介して対応する第一のコンタクトパッド９まで拡張され、表面コンタクトパッド１４は第一のコンタクトパッド９と導電接続が成される。
【００１８】
図１乃至図３から分かるように、表面コンタクトパッド１４は、孔１３を越えて横方向にすべての側に突出し、リング状に閉ざされている重複領域ｚ（図３参照）により、保護層１２上に置かれている。ここでは、ＩＣ１内部において、重複領域ｚが孔１３を越えて横方向にすべての側に、そのリング状の範囲全体上の重複部分ｗと実質的に同じ幅だけ突出するように配置されている。四カ所のコーナ領域のみ、重複領域ｚのサイズが重複部分ｗの幅と異なり、これは幾何学的条件からの理論的結果である。ここでは、重複部分ｗの幅の値は公称値の７μｍである。言い換えれば、これは、重複部分ｗの幅は所望の値の７μｍであり、製造プロセスの結果、この所望の値から外れることがあることを意味する。重複領域ｚは重要で、何故ならば、この重複領域ｚを設けることにより、表面コンタクトパッド１４が形成されるときに第一のコンタクトパッド９が望ましくない初期エッチングに晒されることがなくなるからである。しかし、重複領域ｚの重複部分ｗの幅は公称値の７μｍである必要はなく、採用される製造プロセスにより異なるサイズでも良く、この場合、重複部分ｗの幅が２から１５μｍの範囲であれば効果的であることが分かっていることに留意されたい。
【００１９】
図１乃至図３に見られるように、第一のコンタクトパッド９の第二の境界面１１と対向するうように信号処理回路４の素子が設けられており、ここでは、信号処理回路４の第一の素子５のみが第一のコンタクトパッド９の第二一の境界面１１と対向して設けられている。ここでは、回路素子５はキャパシタである。しかし、キャパシタ５一つではなく、二つ以上の異なる回路素子が第一のコンタクトパッド９の第二一の境界面１１と対向して設けられてもよい。
【００２０】
ＩＣ１内部において、キャパシタ５の平坦な形状、この平坦な形状は基板３の表面８に平行に延在するが、図２に見られるように、表面コンタクトパッド１４及び孔１３の平坦な形状と同一である。さらに、図２に見られるように、キャパシタ５の平坦な形状の面積は表面コンタクトパッド１４の平坦な形状の面積より大きい。ここでは、キャパシタ５の平坦な形状の面積が表面コンタクトパッド１４の平坦な形状の面積より１０％程度大きいと有用であることが分かっている。キャパシタ５の平坦な形状の面積は、しかし、表面コンタクトパッド１４の平坦な形状の面積と同じでもよい。また、キャパシタ５の平坦な形状の面積は表面コンタクトパッド１４の平坦な形状の面積より小さくてもよい。各表面コンタクトパッド１４の面は長方形で２辺の長さが２００μｍと５００μｍである。上記平均サイズのこの種の表面コンタクトパッドは、製造時に位置決め精度がそれほど厳しくなくてよいという大きな効果があり、その結果、製造において高スループットが得られるという効果がある。
【００２１】
各表面コンタクトパッド１４の面は、傾斜したコーナ領域を有する長方形でもよく、図２に一点鎖線で示されているように最終的な分析では八角形でも良い。一点鎖線で示されているような傾斜の代わりに、各表面コンタクトパッド１４の長方形面のコーナ領域は丸くてもよい。ここでは、図２で点線で示される表面コンタクトパッド１４の面に対して選択された構造に合うように基部１５と孔１３の領域が選択される。傾斜又は丸みを与えることにより、コーナ領域近傍の各点における所定の第一のコンタクトパッド９下部に位置する信号処理回路４の領域に微小なクラックが生じるというリスクが非常に少なくなり、何故ならば、傾斜又は丸みにより圧力が良く分散され、これは、線端２を表面コンタクトパッド１４に接続するのに熱圧縮ボンディング処理を行うときに特に重要で、何故ならば、この種の熱圧縮ボンディング処理では第一のコンタクトパッド９の領域内の圧力が５００ｇを越えることがあるからである。問題の平坦な形状は、また、楕円又はダンベル形状でもよい。その他の表面コンタクトパッド形状や特殊条件を満足するように設計されたものも可能であり、この場合、所定の表面コンタクトパッド形状をアセンブリ処理に最適化させる手法が選ばれ、これは、アセンブリ処理時に起きる曲がり、圧力、そして、温度分散状態を検出する適切な測定装置を用いて行われ、得られた測定結果により、最適な表面コンタクトパッド形状を形成し、これは、表面処理マスク及び表面コンタクトパッドマスクを変えることにより安価に且つリスク無しに行うことができ、これは、特に、表面コンタクトパッド１４及びパッド１９の下部の信号処理回路部分が良く保護されるということを意味する。各表面コンタクトパッド１４の面は、さらに、正方形でも良く、この場合、辺の長さは２００μｍ又は９０μｍであってもよい。もし、表面コンタクトパッド１４がコイル接続コンタクトへの接続ではなく、例えば、ＩＣ１をテストするためのテスト手段においての接続である場合は、表面コンタクトパッド１４は辺の長さが６０μｍたらずの正方形でも良い。
【００２２】
図３から分かるように、キャパシタ５は多層キャパシタ５として形成されている。キャパシタ５はＨＰＷにおいて高電圧ＴＩＭゲート酸化キャパシタと呼ばれるものである。キャパシタ５はキャパシタの一電極であるＰＳＨＮ層１９を有する。さらに、キャパシタ５はさらなる電極であるＴＩＭ層２０を有する。ＰＳＨＮ層１９とＴＩＭ層２０との間に設けられているのは絶縁中間層２１であり、図３では簡単に太線で示されている。三つの層１９，２０、そして、２１は多層キャパシタ５の第一のサブ多層キャパシタを形成している。キャパシタ５は、さらに、キャパシタのさらなる電極であるＨＰＷ層２２を有し、これは基板３を有し、多層キャパシタ５の第二のサブ多層キャパシタを形成している。キャパシタ５との接続においては、ＬＯＣＯＳ領域２３及びＮＣＳ領域２４にも注意を向けるべきである。ＬＯＣＯＳ領域２３及びＮＣＳ領域２４は端部保護領域として機能して、もし、電位状態が良くないとときに、望ましくない電気的絶縁破壊が起きるのを防ぐ。上記のキャパシタ５の設計は、少なくとも、原理的に、それ自体は周知であり、そのため、キャパシタ５の設計は、ここでは、必要以上に考慮されるものではない。この発明のＩＣ１に用いることができるキャパシタの設計には多くの他の設計がることを記載するものである。
【００２３】
ＩＣ１に関しては、計五つの金属層がＩＣ１内に設けられ、即ち、第一の金属層２５，第二の金属層２６，第三の金属層２７，第四の金属層２８、そして，第五の金属層２９である。
【００２４】
第一の金属層２５はチタニウム・タングステン（ＴｉＷ）を備え、厚みは約６００ｎｍである。しかし、その厚みは５００ｎｍ又は７００ｎｍでも良い。第一の金属層２５はキャパシタ５を信号処理回路４の他の素子との導電的接続に用いられ、第一の金属層２５とキャパシタ５との間に二つの導電ブリッジ３０が設けられ、これはアルミニウム（Ａｌ）を備え、この種のブリッジ３０一つのみが図３に示されている。
【００２５】
第二の金属層２６及び第三の金属層２７はアルミニウム（Ａｌ）を備え、厚みは約７５０ｎｍである。しかし、それらの厚みは７００ｎｍ又は８００ｎｍでも良い。ここでは、これら二つの金属層２６、２７は電気的接続のために用いられるわけではなく、言い換えれば、第二の金属層２６及び第三の金属層２７から他の回路素子への導電的接続は無いということである。第二の金属層２６及び第三の金属層２７は、表面コンタクトパッド１４が熱圧縮ボンディング処理によりコイル線の端部２へ接続されるときに、効果的にキャパシタ５を機械的に保護する。
【００２６】
第四の金属層２８及び第五の金属層２９はアルミニウム（Ａｌ）を備え、第四の金属層２８の厚みは約７５０ｎｍであり、第五の金属層２９の厚みは約１０００ｎｍである。第四の金属層２８の厚みは７００ｎｍと８００ｎｍとの間であってもよい。第五の金属層２９の厚みは９００ｎｍと１１００ｎｍとの間であってもよい。ここでは、第四の金属層２８及び第五の金属層２９は共に複数のブリッジにより接続され、ブリッジもアルミニウム（Ａｌ）を備える。ＩＣ１の底部コンタクトパッド９が第四の金属層２８と第五の金属層２９と、そして、これらの間にあるブリッジにより形成される。
【００２７】
図１乃至図３に示されるＩＣ１から得られる効果は、各表面コンタクトパッド１４とこれに対応する底部コンタクトパッド９との間の比較的大きな負荷にも耐えうる機械的に非常に強い機械的及び電気的接続が達成され、これと同時に、各表面コンタクトパッド１４とこれに対応する底部コンタクトパッド９との下部に位置するキャパシタ５を機械的保護することができることである。
【００２８】
図１乃至図３を参照して記載されたＩＣ１はトランスポンダに用いるためのものである。しかし、この発明の集積回路は、さらに、他の場合、例えば、チップカードや遠隔操作等のための集積回路としても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の第一の実施形態による集積回路を示す、図２の線Ｉ−Ｉに沿った非常に概略的な断面図である。
【図２】図１に示される集積回路を上から見た図である。
【図３】図１及び図２に示される集積回路の詳細を示す、図１と同様な断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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