(57)【要約】本発明は、記録型光記録担体およびそのような光記録担体に情報を記録する方法に関する。記録担体は、記録スタックを担持する基板を有し、この記録スタックは、記録層、吸収層をこの順番に有する。記録層は、入射光線に対して実質的に透明であり、加熱によりその光学特性が変化する材料を有する。第1の吸収層は、入射光線を熱に変え、これにより、記録層材料の光学特性が間接的に変化する。本方法は、記録ユニットを所定の位置に設置するステップと、記録ユニットにより光線を発生させるステップと、第1の吸収層で光線の少なくとも一部を吸収するステップと、を有し、これにより第1のヒートスポットが形成され、熱が記録層の方向に伝播し、これにより記録層材料の光学特性が局部的に変化する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録スタックを担持する基板を有する記録型光記録担体であって、前記記録スタックは、
記録層と、
前記記録層上の、前記基板とは反対の側に形成された第1の吸収層と、
をこの順に有し、
前記記録層は、初期（未記録）状態では、所定波長の電磁放射線の入射ビームに対して実質的に透明であり、加熱された際に光学特性が変化する材料を有し、
前記吸収層は、前記所定波長での吸収率が十分に大きな材料を有し、前記入射ビームは熱に変換され、これにより前記記録材料の前記光学特性が変化する、記録担体。
【請求項２】
前記記録層は、有機色素材料を有することを特徴とする請求項1に記載の記録担体。
【請求項３】
さらに前記記録スタックは、前記第1の吸収層とは反対側であって、前記記録層と前記基板間に設置された第2の吸収層を有することを特徴とする請求項1または2に記載の記録担体。
【請求項４】
前記第1および第2の吸収層材料は、熱伝導度の低い材料であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の記録担体。
【請求項５】
前記第1および第2の吸収層材料は、ZnS-SiO2であることを特徴とする請求項4に記載の記録担体。
【請求項６】
さらに前記記録スタックは、前記第1および／または第2の吸収層に隣接した1または2以上の追加層を有し、当該記録担体の光学および熱特性が向上することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の記録担体。
【請求項７】
さらに当該記録担体は、前記記録スタックの、前記基板とは反対の側に設置された被覆層を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一つに記載の記録担体。
【請求項８】
記録型光記録担体に情報を記録する方法であって、
前記記録担体は、記録スタックを担持する基板を有し、前記記録スタックは、
初期（未記録）状態では、所定波長の電磁放射線の入射ビームに対して実質的に透明な記録層であって、加熱された際に光学特性が変化する材料を有する記録層と、
前記記録層上の、前記基板とは反対の側に形成された第1の吸収層と、
をこの順に有し、
情報を表すマークは、所定波長の電磁放射線のビームで記録され、当該方法は、
前記記録担体に対し、記録ユニットを所定の位置に設置するステップと、
前記記録ユニットにより、所定の記録出力の前記ビームが発生するステップと、
前記ビームが、前記記録層材料の前記光学特性を変化させずに、前記記録層を透過するステップと、
前記ビームの少なくとも一部が、前記第1の吸収層に吸収されるステップであって、これにより第1のヒートスポットが形成される、ステップと、
前記第1の吸収層で生じた前記熱が、前記記録層に向かって伝播するステップと、
前記第1の吸収層の前記ヒートスポットから伝播する前記熱によって、前記記録層材料の光学特性が、局部的に変化するステップと、
を有する方法。
【請求項９】
前記第1の吸収層とは反対側であって、前記記録層と前記基板間に設置された第2の吸収層に、前記ビームの少なくとも一部が吸収されることにより、第2のヒートスポットが形成され、
前記第2の吸収層に生じた熱は、前記記録層に向かって伝播し、
前記第1および第2の吸収層内の前記ヒートスポットから伝播する熱によって、前記記録層材料の前記光学特性が局部的に変化することを特徴とする請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記記録担体に情報が記録される際、前記ビームの記録出力が変化し、異なる寸法および／または深さのマークが書き込まれることを特徴とする請求項8または9に記載の方法。
【請求項１１】
前記ビームの前記記録出力は、前記光記録担体に情報が記録される間、前記記録担体の過熱を抑制するように変化することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録スタックを担持する基板を有する記録型光記録担体に関する。さらに、本発明は所定の波長、特に好ましくは230nmから800nmの範囲の波長の、電磁放射線を用いて、そのような記録型光記録担体に情報を記録する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録担体は、対物レンズの開口数の増大やレーザー波長の低下に関する技術進歩によって、データ容量が増大し続けている。総データ容量は、650MB（CD、NA=0.45、λ＝780nm）から、4.7GB（DVD、NA=0.65、λ＝670nm）、そして現在の25GB（ブルーレイディスク（BD）、NA=0.85、λ＝405nm）に増大している。この場合、2の異なる記録原理が利用される。追記型CD-RおよびDVD+Rの色素記録方式と、書き込み可能型CD-RW、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、BD-REの相変化方式である。
【０００３】
通常、相変化記録媒体は、スタック内の2の誘電体層ZnS-SiO2の間に挟まれた記録層として、相変化材料を有する。通常、相変化材料は、耐久性多結晶構造を有する合金であり、例えばGe、SbおよびTeまたはIn、Ag、Sb、およびTeからなる合金である。そのような記録スタックの片側には、ミラー層が設置され、この層は通常、金またはアルミニウムまたは銀のような金属で構成される。記録スタックは、ポリカーボネート基板のような基板に設置される。基板側から記録媒体に入射する記録信号によって変調される記録用レーザービームは、大部分が記録層に吸収され、ミラー層に吸収されるレーザー光線の割合は、5％乃至10％にも満たない。これにより、合金が局部的に加熱される。隣接する誘電体層を介しての急速放熱により合金は急冷され、アモルファス相が安定化する。これにより記録マークが残される。低出力のレーザービームを照射すると、記録マークは消える。この場合、記録層は約200℃に加熱され、相変化が誘発されて結晶相に戻る。結晶相（基底状態）は高反射率を示すのに対して、アモルファス相（記録状態）は低反射率である。従って、前記記録スタックに焦点化された読み取り用ビームは、記録層で反射され、その強度は、ビームが記録マーク（ピット）に照射されたか、未記録領域（ランド）に照射されたかによって変化する。
【０００４】
色素記録方式のディスクは、通常ポリカーボネート基板で構成され、この基板は、第1表面に記録層として設置された有機色素層を有する。既知の色素材料としては、シアニン、フタロシアニンおよび金属化アゾである。反射金属層は、通常金または銀の層であり、これは、基板の反対側の前記記録層の第2表面に設置される。基板側から入射される記録用レーザービームの一部は、記録層に吸収され、それにより記録層は加熱される。その結果、色素顔料は、永続的かつ不可逆的に色および構造が変化し、すなわち記録層は、局部的に白色化し、分解する。さらに記録スタックには、ある機械的な変形が生じる。このようにして記録されたマークに読み出し用ビームを照射すると、ビームの一部が白色化領域で散乱される。その結果、前記反射金属層で反射される光の強度は、読み出し用ビームがマークを照射するか、ほとんど妨害されずに記録層を通過するかによって変化する。
【０００５】
ある波長での記録に最適な色素に対する要求、高速記録の競争、高データ容量に対する一般的な要求、低コスト化の要求は、製作者による新しい記録材料の探索後に、顕著となる。また、ある記録方式向けに既に開発された材料（例えばCD-R）は、それらの波長でのそれらの材料の光学特性のため、他の方式（例えばDVD）に用いることはない。例えば、これらの材料は、要求波長での情報の記録に利用することはできないと考えられている。初期(未記録)状態のそれらの材料では、光が十分に吸収されないからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、記録型光記録担体、およびそのような記録型光記録担体に情報を記録する方法を提供することである。記録型光記録担体は、未記録状態では、所定の波長の電磁放射線の入射ビームに対して実質的に透明な記録層を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、上述の課題を解決するため、
記録スタックを担持する基板を有する記録型光記録担体であって、前記記録スタックは、
記録層と、
前記記録層上の、前記基板とは反対の側に形成された第1の吸収層と、
をこの順に有する記録型光記録担体が提供される。前記記録層は、初期（未記録）状態では、所定波長の電磁放射線の入射ビームに対して実質的に透明であり、加熱された際に光学特性が変化する材料を有する。第1の吸収層は、前記所定波長での吸収率が十分に大きな材料を有し、前記入射ビームは熱に変換され、これにより前記記録材料の前記光学特性が変化する。記録層は、初期の未記録状態では実質的に透明な有機色素材料を有し、吸収層は、誘電体であることが好ましい。本発明の好適実施例では、記録担体は、前記第1の吸収層とは反対の側に前記記録層に隣接して、すなわち、前記記録層と前記基板間に挟まれて設置された第2の吸収層を有する。また被覆層は、レーザービームが被覆層を通過して焦点化されるように用いられる。
【０００８】
本発明の請求項12ではさらに、そのような記録型光記録担体に情報を記録する方法が提供され、情報を表すマークは、所定の波長の電磁放射線のビームによって記録される。本発明の方法では、
記録型光記録担体に情報を記録する方法であって、
前記記録担体に対し、記録ユニットを所定の位置に設置するステップと、
前記記録ユニットにより、所定の記録出力の前記ビームが発生するステップと、
前記ビームの少なくとも一部が、前記第1の吸収層に吸収されるステップであって、これにより第1のヒートスポットが形成される、ステップと、
前記第1の吸収層で生じた前記熱が、前記記録層に向かって伝播するステップと、
前記第1の吸収層の前記ヒートスポットから伝播する前記熱によって、前記記録層材料の光学特性が、局部的に変化するステップと、
を有する。
【０００９】
そのような記録型光記録担体に記録する本方法のさらに好適な実施例は、従属項11および12に示されている。
【００１０】
全ての既知の記録方法、ならびにCD-R、CD-RW、DVD+R、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RWおよびBDのような、書き換え可能型または追記型記録担体では、記録層を直接加熱して利用されるが、本発明は、間接加熱記録の方式を提供する。従って本発明では、所定の波長の電磁放射線に対して実質的に透明な、情報記録材料を用いること可能となる。これにより、CD-R、CD-RW、DVD+R、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW記録方式のような、標準規格化された光記録方法を利用する機会が提供される。例えば、前記標準規格によって定められた波長での低吸収率のため、この用途には使えないと考えられていた材料を利用することが可能となる。
【００１１】
本発明の上述の、およびそれ以外の他の目的、特徴および利点は、添付図面を参照した好適実施例の記載によって、明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の第1の好適実施例では、記録型光記録担体の記録スタックは、図1に示すような最も単純なスタック構造、いわゆるDAスタックを有する。このスタックは、有機色素層Dと、第1の吸収層Aで構成され、有機色素層は、誘電体ZnS-SiO2からなる第1の吸収層A上に、記録層として設置される。誘電体層の選定は、所定の波長領域における吸収率に依存する。本実施例では、電磁放射線の入射ビームは、λ＝266nmに選定される。表1からわかるように、ZnS-SiO2は、この波長では比較的高い吸収率を示す。従ってこの材料は、電磁放射線の吸収体として作用する。有機色素材料の劣化温度、すなわち色素の分解が始まる温度は、約300℃である。本実施例の吸収層は、厚さが20nmである。記録層は、厚さが30nmである。
【００１３】
本実施例では、記録スタックは、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレフィンまたはガラス製の基板S上の、記録層の側に設置される。記録層の厚さは1nmから200nmの範囲にあり、第1の吸収層は1nmから500nmの厚さである。記録担体は、開放型であっても、さらに吸収層に設置された、図1には示されていない保護用被覆層を有しても良い。この被覆層は、例えばシルガード184(Sylgard184）（表1参照）で構成されても良い。BDディスクの場合は、例えば、被覆層の厚さは約100μmである。図1の実施例では、追記型記録スタックが示されている。
【００１４】
図1の矢印に示すようなUVレーザービームは、記録担体に対して所定の位置に設置された記録ユニットから生じる。ビームは、吸収層の側からスタックに入射し、前記記録ユニットによって、スタックに焦点化される。被覆層がある場合は、光線は、被覆層を通過して焦点化される。次に電磁放射線によってもたらされるエネルギーの一部は、誘電体ZnS-SiO2層に吸収される。換言すれば、電磁エネルギーは、第1の吸収層内において第1のヒートスポットに変換される。これに対して隣接する色素層は、UV波長では実質的に透明であり(表1参照)、従ってこの層自体での吸収は、ほとんど生じず、光学特性の変化を生じさせるほどの熱は発生しない。熱は、十分に高いレーザー出力であり、熱伝導によって吸収層から有機色素層に向かって拡散するため、有機色素層の温度が上昇して、色素の温度は、白色化／分解温度を超える。このように、間接加熱によって、いずれかの機能状態では実質的に透明な記録層材料、すなわち未記録状態では低吸収率を示し、記録状態では高吸収を示す(表1参照)材料に、マークが書き込まれる。
【００１５】
【表１】
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図2には、図1の記録担体スタック内のz方向に沿った温度分布T／Tdegを示す。ここでTdegは、記録色素の分解温度を示す。z値が増大する方向は、スタック積層方向に垂直であり、図1に示すように吸収体A側からスタックに入射する入射ビームの方向とは反対の方向である。有機ポリカーボネート基板Sは、熱伝導率が低い。基板には、この例では厚さが30nmの有機色素層Dが設置される。未記録の初期状態の色素層および基板は、ほぼ同等の光学特性を有する。
【００１６】
波長266nmの入射UVレーザービームに呼応して、吸収層Aに沿って延びる平坦部の温度は最大値に達するが、吸収層の熱リークのため、吸収層の両側では温度は低下する。従って本発明の色素層は、ZnS-SiO2誘電体層に吸収されるレーザー光線により間接的に加熱される。色素層および基板の熱（および光学）特性のため、特に吸収係数がともに小さく、熱抵抗がほぼ等しいため、吸収層の両側での温度低下は、ほぼ対称である。これは一般的な結果ではなく、提案する実施例の寄与によるものであることに留意する必要がある。
【００１７】
パルス記録方式としては、記録パルスを2nsとし、前記記録パルスの各組の間の冷却期を4nsとするパルスを使用した。トラックに沿ったこれらのパルスの記録速度は、10m/secとした。予備加熱と事後加熱のレベル、すなわちパルス列前後の中間の出力レベル、を有する6の記録パルスに対する、本発明の第1の実施例によるスタックの温度−時間応答は、図3に示されている。記録パルスの各々は、数字で表されている。この図によると、スタックは、ゆっくりとした冷却応答を経る。温度低下が遅いため、記録パルスから次の記録パルスによって温度は上昇し、5パルス後には、最大約1.5×Tdegに達する。なお規格化温度T／Tdegが、1以上の値に達したとき、スタックの温度は、色素材料の劣化（分解）温度を超える。
【００１８】
遅い冷却応答のため、本発明の第1の実施例による記録型光記録担体は、WORM（1回書き込み多再生型）光ディスクに極めて適している。この場合、例えばCD-RW、DVD-RWのような書き込み可能型相変化記録媒体の場合に比べて、遅い冷却挙動が、データ記憶の障害となることはない。
【００１９】
誘電体層の吸収によって、温度分布は、図4に示すように、光学的なスケーリング法則から予想されるよりもブロードとなる。図において三角シンボルは、図1のスタックに焦点化されるレーザービームのスポット径を示す。白抜き四角シンボルは、y／R0=0でのレーザービームの中心からの半径方向における誘電体吸収層の温度分布を示している。ここで、約1.2×乃至1.5×Tdegの最大温度を用いた場合、すなわち約350℃乃至500℃のとき、中央トラックでの記録中、y／R0=1で始まる隣接トラックから、y／R0=2に広がる位置の温度は、Tdegを超えない。色素記録Tdeg温度に到達したときの色素材料組の白色化は、実際には閾値現象であるからである。従って、従来の相変化材料のようなクロスライトの問題は生じない。換言すれば、レーザービームがトラックの中央に記録する際に、隣接トラックに大きな劣化は生じない。
【００２０】
従って吸収層は高熱伝導のため、従来の相変化記録媒体のような吸収層によって、比較的大きな放熱が生じるが、本発明による記録用有機色素層および吸収用誘電体層の熱特性は、十分に低いため、第1の吸収層内の第1のヒートスポット（スタック内の熱源）は、極めて狭くなる。従って、熱源は十分に局在化され、極めて微細なマークを有機色素記録層に書き込むことができる。
【００２１】
本発明の第2の好適実施例によれば、記録型光記録担体は、図5のような記録スタックを担持する基板を有する。記録スタックは、記録色素層Dと、前記記録色素層D上に形成された第1の吸収層Aとを有する。記録層Dの第1の吸収層A1が設置された側とは反対側の第2の表面、すなわち前記記録層と前記基板の間には、第2の吸収層A2がある。従って、いわゆるADA記録スタックが得られる。この第2の吸収層は、厚さが1乃至100nmの範囲にあっても良い。ただし本実施例では、誘電体吸収層A1とA2の両方の厚さは20nmで、D層の厚さは40nmであり、ADAスタックは対称である。UV光線は、図5に示されるようにA1側からスタックに入射する。随意的に保護の目的で、ADAスタックの上部に被覆層を設置しても良く、この層はSylgard184（表1参照）であることが好ましい。
【００２２】
またUV光線は266nmの波長を有し、記録パルス方式によって10m／secの記録速度で照射される。記録パルスは、各2nsの6の記録パルスと、各記録パルス組間の4nsの冷却期間を有する。図6には温度分布の結果を示す。入射光線は、第1の誘電体吸収層A1によって、その最大量が吸収され、これは図6のｚ値の増大する右側の位置に対応する。このようにして、第1のヒートスポット(スタック内の第1の熱源)が、その位置に形成される。残りの光は、初期（未記録）状態では実質的に透明な色素層を通過する。ビームの一部は、最終的に第2の誘電体吸収層A2（低ｚ値側）によって吸収され、その位置に第2のヒートスポット（スタック内の第2の熱源）が形成される。両方の熱源からの熱は、記録色素層（D）の方に伝播する。その結果、記録色素層内の温度は上昇し、局部的に各吸収層で得られる温度を超える。さらに、図2で説明した単純な従来のDAスタックのような、大きな熱勾配は色素層内に生じない。このため、2の吸収層A1およびA2間に挟まれた記録色素層の温度分布は、全体にわたって均一であり、結果的に、色素材料の白色化／分解は、全ての記録層にわたって均一に生じる。
【００２３】
本発明の別の好適実施例を図7に示す。この図に示された記録担体は、基板Sに設置されたADAスタックを有する。ADAスタックは、第1の誘電体吸収層A1と、第2の誘電体吸収層A2と、両吸収層に挟まれた記録色素層Dとを有する。ADAスタックは、対称ではなく、例えば第1の吸収層A1は4nm、記録層は40nm、第2の吸収層A2は28nmの厚さである。ADAスタックは、前記基板上のスタックのA2側に設置される。被覆層Cは、基板Sとは反対側のADAスタックのA1の側にのみ設置される。
【００２４】
図7に示す好適実施例による記録担体の光学特性は、図8に示されている。波長266nmの読み取り用UVレーザービームは、図7に示すように、被覆層側Cからスタックに入射され、屈折率のミスマッチによりスタックで反射される。未記録初期状態領域（ランド）で反射される光の強度は、入射ビームに対する百分率単位で黒丸で示されている。三角シンボルは、百分率単位での記録担体の光コントラストを示す。ここで光コントラストとは、入射ビームが、色素層の記録または白色化最終状態領域（ピット）に照射されたときの、反射光の減衰を表す。図8からわかるように、初期状態領域で反射された光の強度および光コントラストは、A2層の厚さに依存する。厚さ28nmの最適値では、初期状態反射強度は、入射ビームの9.2%であり、光コントラストは83.5%である。従って、初期状態領域で反射される光強度と、最終状態の領域で反射される光強度の差は、7.7%である。
【００２５】
好適実施例によるADまたはADA記録スタック設計は、さらに予備的な（マルチ）層構造に拡張することができ、これにより、例えば反射率のような記録担体の光学および熱特性が向上する。例えば、I-A-D-A-Iスタックを得ることができる。ここでDは、記録色素層を示し、Aは吸収層、Iは追加の誘電体、金属または吸収層である。
【００２６】
本発明の別の実施例は、片側ジュアル層方式の記録担体が提供され、この記録担体は、間接加熱記録スタックを用いて、従来のDVDおよびBD技術のように片側からのみ読み出すことができる。この場合、本発明による、半透明AD／ADAスタックまたは他の記録スタックは、薄い空間層によって別のスタックと分離されることが好ましい。空間層は、例えば10μm乃至50μmの厚さであるが、Sylgard184で構成されることが好ましい。スタックは、第1のスタック、すなわち光線が記録担体に入射される側のスタックの透過率が約50％またはそれ以上となり、第2のスタックの反射率が、第1のスタックの約4倍となるように適合される。
【００２７】
本発明による間接加熱方法を利用して、両側から読むことのできる両側記録担体を得ることも可能である。また、片側ジュアル層と、両側記録担体を組み合わせて、間接加熱方法を利用することもできる。
【００２８】
本発明の別の実施例では、本発明によるAD／ADAまたは他の記録スタックを有する記録担体に、マルチレベルの記録方法を利用することもできる。マルチレベル記録法を適用することにより、記録担体の記録層に、異なる寸法および深さの記録マークが書き込まれる。
【００２９】
図9には、9の記録パルスと3の組込変調レベルのパルス列を有する、いわゆる10Tマークを示す。この場合、異なる変調レベルは、記録用レーザービームの異なる記録出力に対応する。マークへの記録は、低出力レベルの3のパルスによって始まり、中間出力レベルの3のパルスを経て、高出力レベルの3のパルスで完了する。
【００３０】
DAスタックを有する本発明の第1の実施例による記録担体に、10m／secの記録速度で形成されるマーク形状は、図10のようになると予測される。トラックに沿った方向は横軸に、マークの幅は縦軸に示され、トラックの中心を0としている。異なるカーブは、異なる深さでのマークの端部を示す。この図において、z=144（小さな白抜きの丸）は、隣接する吸収層近傍の、色素層の低い部分での記録マークに対応し、z=130（大きな黒丸）は、吸収層とは反対側の、基板に再近接の色素層の上部表面直下の記録マークに対応する。図10の左側からわかるように、低い出力レベルのパルスでは、マーク内に3の部分的に重なったドットが生じ、マークは、吸収層からあまり遠くない深さ位置で区別することができる（小さな白抜丸、小さな黒丸、中程度の白抜丸）。中間レベルのパルスでは、低出力記録パルスによって形成されるドットよりも、深くて幅広の3のドットが生じる（小さな丸と、中間程度の丸と、大きな白抜丸）。さらに、図10の右側の高出力レベルで記録されるドットは、0.1μm以上の最大幅で、記録色素層全体を横断する最大深さに達する（全てのシンボル）。
【００３１】
このようにマークの深さが異なるため、反射読み出しビームに対する光路長は異なることになる。またマークの幅は、反射読み出しビームの変調レベルの変化につながる。従って上述のように、異なる深さおよび異なる幅で記録された読み出しマークを検出することで、マルチレベル記録が可能となる。
【００３２】
別の記録方式に利用することもできる。マーク長は、記録パルス数の他、異なる長さの単一記録パルスによっても、定めることができる。例えば、8Tマークは、7の分離パルス（N-1記録方式）または4のパルス（N／2記録方式）を有する、1の単一の長い記録パルスで記録しても良い。
【００３３】
単一マーク記録用の一つのサブパルス列内で出力レベルを変えることは、マルチレベル記録方式の他、追加的にスタックの加熱を避けることにも利用することができる。例えば、光記録担体に情報を記録する際の記録用レーザービームの記録パワーは、用いられる記録スタックの熱挙動によって定まる所定の記録方式に応じて、変化させることができる。
【００３４】
本発明は、上述の好適実施例に限定されないことに留意する必要がある。他の記録層材料および／または吸収層材料を用いても良い。また本発明は、追記型記録担体およびその方法に限定されるものではない。記録型記録担体は、上述の波長以外の波長領域に適合させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第1の実施例による記録型光記録担体の断面図である。
【図２】図1による記録担体の深さ方向の温度分布図である。
【図３】6の短記録パルスで構成される記録方式に対する、図1による記録担体の温度応答性を示す図である。
【図４】図1による記録担体の半径方向の温度応答性を示す図である。
【図５】本発明の第2の実施例による記録型光記録担体の断面図である。
【図６】図5の本発明の第2の実施例による記録担体の深さ方向の温度分布図である。
【図７】本発明の第3の実施例による記録型光記録担体の断面図である。
【図８】図7の記録担体の光学特性を示す図である。
【図９】9の記録パルスと3の組込変調レベルを有する、マルチパルス記録方式を示す図である。
【図１０】図9に示す記録方式に対応したマーク形状の算出された深さプロファイルを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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