(57)【要約】本発明は、シリコン表面層（２，３４，７２）と、埋め込み絶縁層（４，３６，７４）と、基板（６，３８，８２）と、基板（６，３８，７４）とを含む半導体構造の製造方法を提供する。この方法は、絶縁層の少なくとも一部を通して原子を注入する工程と、少なくとも一部を注入原子が通過した前記絶縁層をエッチングする工程とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン表面層（２，３４，７２）と、埋め込み絶縁層（４，３６，７４）と、基板（６，３８，８２）とを含む半導体構造の製造方法であって、
前記半導体構造の所定のゾーンであって少なくとも前記絶縁層に到達する深さまで注入が行われるように、前記半導体構造に原子を注入する工程と、
前記シリコン表面層よりも下に広がる前記絶縁層にキャビティーを形成するために、少なくとも一部を注入原子が通過した前記絶縁層をエッチングする工程とを含む製造方法。
【請求項２】
原子が、前記絶縁層の厚さ全体を通って注入される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
原子が、前記絶縁層の厚さの一部を通って注入される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
注入工程が、水素イオンまたはヘリウムイオンを注入する工程である請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記絶縁層に到達する少なくとも１つの穴（４０）を、前記シリコン表面層に形成する請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記穴（４０）が、注入原子が通過したゾーンに到達している請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記穴が、注入原子が通過したゾーン（５０）と、注入原子が通過しなかったゾーン（５１）との間の境界に到達している請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記穴が、凸状または凹状の形状で注入原子が通過したゾーン（６０）に到達している請求項５または６に記載の方法。
【請求項９】
前記穴が、多角形状の形状で注入原子が通過したゾーンに到達している請求項５または６に記載の方法。
【請求項１０】
前記穴が、注入原子が通過していないゾーンに到達している請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記絶縁物が、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、ダイヤモンド、サファイア、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、および酸化イッテルビウム（Ｙ2Ｏ3）から選ばれる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程が、酸を用いて行われる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチング工程が、ウェットエッチング工程またはドライエッチング工程である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
シリコン基板に、
シリコン表面層（２，３４，７２）と、
シリコン表面層の下に形成された、絶縁物である埋め込み絶縁層（４，３６，７８）と、
前記絶縁層の中または前記絶縁層の下に形成されたゾーンであって原子が注入されたゾーン（１８）と、
前記絶縁層内であって原子が注入された前記ゾーンの少なくとも一部に形成されたキャビティー（５０）と、
を含む半導体構造。
【請求項１５】
原子が注入された前記ゾーンは、前記埋め込み絶縁層の平均の面と平行な面における形状が凸状または凹状または多角形状である請求項１４に記載の半導体構造。
【請求項１６】
前記絶縁層のうち、原子注入のためのイオンが通過しなかった部分に、前記キャビティーの一部が形成されている請求項１５に記載の半導体構造。
【請求項１７】
前記キャビティーが、円柱状、または半円柱状、または断面が四角形の形状である請求項１５または１６に記載の半導体構造。
【請求項１８】
前記絶縁層の平均の面に平行な面における前記キャビティーの断面が、楕円状、または多角形状、または一部楕円状、および一部多角形状である請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の半導体構造。
【請求項１９】
前記キャビティーが、第１の直径または第１の最大寸法または第１の典型的な寸法を有する第１のゾーン（５８，８８）、および、第１のものとは異なる、第２の直径または第２の最大寸法または第２の典型的な寸法を有する第２のゾーン（６８，９０，９８）を含む請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の半導体構造。
【請求項２０】
前記第１および第２のゾーンが、前記絶縁層内において異なる平均深さに存在している請求項１９に記載の半導体構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体のコンポーネントまたは素子を形成する分野に関連し、特に、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）タイプの、コンポーネントまたは素子に基づく分野に関連する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩ構造は、狭義のコンポーネントが埋め込まれているシリコン層を含み、そのシリコン層の下には、絶縁層、たとえば二酸化シリコンが埋め込まれている。この層は、寄生電流、およびイオン化された粒子によって生じる電荷に対する絶縁性をもたらす。それは、また、シリコンの同じ層内に形成された隣接するコンポーネントに良好な絶縁をもたらし、特に、それは、そのような隣接するコンポーンネント間の寄生容量の大幅な減少をもたらす。それは、機械的な支持体として機能するシリコン基板の上に配置されている。
【０００３】
特定の場合または特定の応用においては、シリコン基板または半導体物質の中に１つ以上のキャビティーを形成することが求められる。
【０００４】
「キャビティー」という用語は、半導体物質の層によって覆われた空間を意味するために用いられる。
【０００５】
現在、そのようなキャビティーを提供するコンポーネント、素子または構造に対する需要も存在する。
【発明の開示】
【０００６】
第１の観点では、本発明は、シリコン表面層と、埋め込み絶縁層と、基板とを含む半導体構造の製造方法であって、
前記絶縁層の少なくとも一部を通して原子を注入する工程と、
少なくとも一部を注入原子が通過した前記絶縁層をエッチングする工程とを含む製造方法を提供する。
【０００７】
そのような構造は、ＳＯＩ構造から形成されてもよい。
【０００８】
本発明では、注入原子が通過したあとの絶縁層におけるエッチング速度は、注入原子が通過しなかった場合の絶縁層におけるエッチング速度よりも速い。
【０００９】
このように、本発明は、エッチング速度が異なるゾーンまたは領域を絶縁層内に画定することを可能にする。
【００１０】
原子は、絶縁層の厚さ全体を通って注入されてもよいし、また、前記層の一部を通って注入されることによって、イオンが通過した絶縁層上部と、イオンが通過しなかった絶縁層下部とを形成してもよい。
【００１１】
絶縁層に、たとえば、注入原子が通過したゾーン内に、または、注入原子が通過したゾーンと注入原子が通過しなかったゾーンとの境界に、または、注入原子が通過した、凸状、凹状または多角形状の形状を有するゾーンに、到達する少なくとも１つの穴がシリコン表面層に形成されてもよい。
【００１２】
一例では、絶縁物は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、ダイヤモンド、サファイア、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、および酸化イッテルビウム（Ｙ2Ｏ3）から選ばれてもよい。
【００１３】
エッチング工程は、酸を用いて行われてもよいが、同様に、ドライエッチング工程またはウェットエッチング工程の形態で行われてもよい。
【００１４】
本発明は、また、シリコン基板に、
シリコン表面層と、
シリコン表面層の下に配置された、絶縁物である埋め込み絶縁層と、
前記絶縁層の中または前記絶縁層の下に形成されたゾーンであって原子が注入されたゾーンとを含む半導体構造を提供する。
【００１５】
原子が注入されたゾーンは、たとえば、前記埋め込み絶縁層の平均の面に平行な面における形状が、凸状、または凹状、または多角形状であってもよい。他のいかなる形状とすることもできる。
【００１６】
キャビティーは、絶縁層に形成されてもよい。たとえば、前記キャビティーの少なくとも一部は、原子を注入するためにイオンが通過した絶縁層の一部に形成されてもよい。
【００１７】
たとえば、キャビティーは、円柱状の形状であってもよく、半円柱状の形状であってもよい。他の形状とすることもでき、たとえば、絶縁層の平均の面に平行な面における断面形状が、少なくとも一部が楕円状、および／または、少なくとも一部が多角形状であってもよい。
【００１８】
他の観点では、前記キャビティーは、第１の直径、または第１の最大寸法、または第１の典型的な寸法を有する第１のゾーンと、第１のものとは異なる、第２の直径、または第２の最大寸法、または第２の典型的な寸法を有する第２のゾーンとを有する。
【００１９】
これらの第１および第２のゾーンは、絶縁層内の異なる平均深さに配置されていてもよい。
【００２０】
本発明は、また、シリコン基板に、
シリコン表面層と、
シリコン表面層の下に形成された、絶縁物である埋め込み絶縁層と、
第１の直径または第１の最大寸法または第１の典型的な寸法を有する第１のゾーンと、第１のものとは異なる、第２の直径または第２の最大寸法または第２の典型的な寸法を有する第２のゾーンとを含み、絶縁層内に形成されたキャビティーと、
を含む半導体基板を提供する。
【００２１】
これらの２つのゾーンは、共に絶縁層の同じ深さに配置されてもよいし、絶縁層内の異なる平均深さに配置されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、原子が注入されたＳＯＩ基板のグラフである。
【００２３】
そのようなＳＯＩ構造は、シリコン層２（好ましくは単結晶層）を含む。その層の中には、狭義のコンポーネントを形成可能であり、その層の下には、埋め込み絶縁層４、たとえば、酸化シリコンが存在する。
【００２４】
この絶縁層４は、寄生電流、およびイオン化された粒子によって生じる電荷に対する絶縁性をもたらす。それは、また、シリコン２の同じ層内に形成された隣接するコンポーネントに良好な絶縁をもたらし、特に、それは、そのような隣接するコンポーンネント間の寄生容量の大幅な減少をもたらす。それは、たとえばシリコンなどの半導体物質から選ばれる物質からなり、機械的な支持体として機能する基板の上に配置されている。
【００２５】
シリコン表面層の厚さは、約１０から５００ｎｍまでの範囲、または１０００ｎｍまでの範囲、または３０００ｎｍの範囲である。一方、絶縁層の厚さは、たとえば数百ｎｍのオーダーであり、たとえば、１００ｎｍまたは２００ｎｍと、４００ｎｍまたは５００ｎｍとの間である。
【００２６】
それらの厚さ、特に絶縁層の厚さは、変更されてもよい。
【００２７】
本発明において、この構造での原子注入は、原子またはイオン種、たとえば水素やヘリウムの種（たとえばＨ+またはＨ2+またはＨｅ2+）を用いて、少なくとも絶縁層の深さ（たとえば絶縁層より深く）まで行われる。原子種の注入は、その種が通過した層の部分に欠陥をもたらす。
【００２８】
このように、図１では、面１８は、イオンが注入された平均の面を示す。この面よりも上に存在するすべての物質は、原子注入のイオンフローが通過している。この面を中心とする曲線１９は、基板６における平均のイオン分布を示している。この例では、面１８は、基板６内に存在している。しかし、それは、同様に層４内に存在してもよく、その場合には、絶縁体４の部分のみをイオンが通過する。
【００２９】
注入が行われたのち、埋め込み絶縁層をエッチングでき、たとえば、フッ酸（ＨＦ）などの酸を、穴２２（図１では、点線で示す）を介して絶縁層に到達させる方法によってエッチングできる。他のエッチング方法を用いてもよく、その場合でも同様の効果が得られる。たとえば、フッ素化合物を用いた、ドライエッチングやウェットエッチングを用いてもよい。
【００３０】
図２Ａ〜２Ｃは、本発明の異なるステップを示している。ＳＯＩタイプのウェハ３０を出発材料として、注入が行われるゾーンを画定する注入用マスク３２が形成される（図２Ａ）。絶縁層の厚さ、または埋め込み酸化物３６の厚さは、のちに形成されるキャビティーの深さを画定する。符号３４は、シリコンの表面層を示す。
【００３１】
原子種は、マスクの開口部を通ってウェハに注入される（図２Ｂ）。マスクの他の部分は、それらの種からＳＯＩを保護する。注入エネルギーは、絶縁層において、または埋め込み酸化物において、または、上記絶縁層または上記埋め込み酸化物よりも上に存在する、シリコン表面層３４の表面から所定の深さにおいて、注入種が高密度となるように選択される。
【００３２】
図２Ｂにおいて、リミット３７および３９（マスク３２の窓の端に相当する）の間に存在する絶縁層３６の部分は、イオンが通過する。
【００３３】
注入用マスクが除去されたのち、マイクロエレクトロニクスでは一般的なエッチング技術を用いて、層に到達する穴４０が形成される（図２Ｃ）。
【００３４】
最後に、所望のキャビティー５０を形成するために、ＨＦ酸を用いて、絶縁層または埋め込み酸化物が、到達穴を介して選択的にエッチングされる。
【００３５】
図３Ａは、上述した方法が実施されたＳＯＩ基板の上面図である。
【００３６】
この図において（図３Ｂおよび３Ｃでも同様である）、注入およびエッチングが行われたゾーンはグレーで示されており、注入は行われたがエッチングは行われなかったゾーンはハッチングが付与されており、注入が行われなかったゾーンは白で示されている。
【００３７】
符号４０は、基板のうち注入が行われたゾーンを示しており、注入が行われなかったゾーンは符号４１で示されている。この構造では、基板に形成された到達穴は、符号４２で示されており、注入が行われたゾーン４０の中心に位置している。
【００３８】
エッチングは、注入が行われたゾーンで徐々に行われ、注入が行われなかったゾーンよりも早い速度でエッチングが生じる。たとえば、図３Ａにおいて、符号４４は時間ΔＴ後の円柱、すなわちエッチングされたゾーンを示しており、符号４６は、時間２ΔＴ後のエッチングされたゾーンを示しており、符号４８は、時間３ΔＴ後のエッチングされたゾーンを示している。
【００３９】
図３Ｂは、注入ゾーン５０と非注入ゾーン５１（どちらのゾーンも絶縁層または二酸化シリコン内に存在する）との間の境界５７に形成された到達穴を示す。
【００４０】
ここでは、ゾーン５０および５１の両方においてエッチングが同時に生じる。しかし、２つのゾーンにおけるエッチング速度は互いに異なる。そのため、時間ΔＴ後において、注入ゾーン５０においてエッチングされたゾーン５４は、非注入領域５１においてそれに相当するゾーン６４よりもずっと大きい。
【００４１】
同様に、時間２ΔＴ後において、エッチングされた領域５６は、エッチングされた領域６６よりも大きい。また、時間３ΔＴ後において、領域５８は領域６８よりも大きい。
【００４２】
図３Ｃは、注入が行われなかったゾーン５９内に存在し凹形状６０を有する注入ゾーンの中心に形成された到達穴を示す。この構成によって、四角形であるか実質的に四角形であるキャビティー６９を形成することが可能となる。この場合、符号６５、６７および６９は、それぞれ、時間ΔＴ、２ΔＴ、および３ΔＴ後におけるキャビティーを示す。
【００４３】
図４は、図３Ｂに示される場合に相当する概観図であり、符号３４、３６および３８は、図２Ｂと同じ意味を有する。２つの半円柱５８および６８は、絶縁層３６の面およびシリコン表面層３４の面に垂直な方向に、絶縁層３６を通る。
【００４４】
図５はＳＯＩ構造７０を示し、この構造においては、シリコン表面層７２および絶縁物または酸化物の層７４が、面７６（イオン注入のゾーンまたは面）で示される深さまで、イオンのフローで処理されている。換言すれば、絶縁物または二酸化シリコンの層が、イオンのフラックスが通過した上側の部分７８と、イオンのフラックスが通過しなかった部分８０とに分割される。エッチングのスピードは、それらの２つのゾーンで異なり、そのため、断面が、または、面７６または層７２および７８の面に垂直な軸に沿って直径が変化する、エッチングされたパターンを実現することが可能である。
【００４５】
図６は、絶縁層７４のエッチングの結果を示す概観図である。注入が行われたゾーン７８において、エッチングされたゾーン８８は、図４におけるエッチングされたゾーン５８と同様であるが、その厚さは層３６の全体の厚さよりも薄い。部分８０においてもエッチングが生じるが、より遅い速度で生じる。そのため、ゾーン８８よりも下、すなわち、平均の深さがゾーン８８の平均の深さよりも深くなるように位置する、エッチングされたゾーン９０がもたらされる。層７４の面のうちの、注入が行われたゾーンと注入が行われなかったゾーンとの境界９７のもう一方の側では、２つの異なる深さに存在する２つの絶縁部も同様にエッチングされる（それぞれは、エッチングされたゾーン８８または９０に面する）。けれども、それらのゾーンはともに注入が行われていない領域に存在するため、エッチングは同じスピードで起こる。そのため、それらのゾーンは共に、同じ直径または同じ寸法を有し、エッチングされたゾーン９８を構成する。
【００４６】
このように、複数の深さまたは平均深さ（これらはＳＯＩ構造の絶縁層内において同じかまたは異なる）に存在するエッチングされたゾーンを形成することが可能となる。なお、それらの深さは、絶縁層の上部表面、すなわちシリコン表面層３４、７２と接する表面から測定された深さであるか、あるいは、シリコン表面層の上部表面から測定された深さである。
【００４７】
他の観点では、本発明は、図１の層４のような絶縁層の中に、ある領域と他の領域とでエッチングのスピードが異なるような領域を画定することを可能にする。こうして、絶縁層は、互いに異なる第１および第２のエッチング速度を有する第１および第２の領域を少なくとももたらす。
【００４８】
さらにその他の形態（図示せず）では、エッチングが開始される点または位置は注入が行われなかったゾーンに存在し、注入が行われたゾーンにエッチングが引き続いて進行する。注入が行われたゾーンで生じるエッチングの速度は、注入が行われなかったゾーンで生じるエッチングの速度とは異なる。
【００４９】
上述した様々な技術を組み合わせることによって、２次元または３次元に様々なサイズを有するエッチングされたゾーンを形成することが可能になる。このため、図６において、各部またはエッチングされたゾーンの、直径または最大寸法または典型的な寸法、または各部もしくはエッチングされたゾーンの断面は、層７４の面内およびその面に垂直な方向において変化する。
【００５０】
このように、ＳＯＩ構造内の絶縁層内に少なくとも２つのエッチングされたゾーンを形成することが可能であり、それらのゾーンは、第１の直径または第１の最大寸法または第１の典型的な寸法、第２の直径または第２の最大寸法を与える。第２の直径または第２の寸法は、第１の直径または第１の最大寸法または第１の典型的な寸法とは異なり、２つのゾーンは絶縁層内において異なる深さに存在してもよい。
【００５１】
それらのゾーンの１つおよび／または両方は、（図３Ｃのように）断面が四角形であってもよいし、円柱状（図３Ａ）であってもよいし、半円柱状（図３Ｂ）であってもよい。注入の目的のために最初に選択されたマスクの形状、および、注入が行われた領域またはその外においてエッチングが開始する点または位置に応じて、他の形状を形成することもできる。
【００５２】
絶縁層に平行な面または絶縁層の平均の面における断面が、楕円状、または多角形状、または部分的に楕円状、または部分的に多角形状であるキャビティーを形成することも可能である。
【００５３】
原子が注入されるゾーンは、どのような形状であってもよく、たとえば、凸状、凹状、または他のどのような形状であってもよい。原子が注入されるゾーンの形状は、最終的に望まれるキャビティーの形状に関係する。
【００５４】
考慮される実施の形態がどのようなものであっても、引き続いて、電子コンポーネント（たとえばトランジスタ）を、シリコン表面層２、３４、７２に形成することができる。
【００５５】
絶縁層内においてエッチングされたゾーンは、たとえば、そのようなコンポーネントの導通部を形成するために用いられる。
【００５６】
ＳｉＯ2は、ＳＯＩ構造の中において絶縁物として用いることができる。
【００５７】
それでも、本発明は、他の絶縁物、たとえばＳｉ3Ｎ4、ＳｉＧｅ、ダイヤモンド、またはサファイアといったような絶縁物にも適用される。また、高い係数Ｋを有する物質、たとえば、ＭＲＳブルティン、２００２年３月、ボリューム２７、３号の、「マイクロエレクトロニクスのための新たなゲート絶縁体」とタイトルされた記事に記載された物質にも適用される。一例を挙げると、そのような物質は、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、または酸化イッテルビウム（Ｙ2Ｏ3）である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、イオンが注入されたＳＯＩ基板を示している。
【図２】図２Ａ〜２Ｃは、本発明の方法の異なるステップを示している。
【図３】図３Ａ〜３Ｃは、本発明の方法を用いて得られる構造の異なる上面図を示している。
【図４】図４は、図３Ｂの平面図に示される構造の概観図を示している。
【図５】図５は、本発明の方法によって得られる構造の断面図を示している。
【図６】図６は、本発明の方法によって得られる構造の概観図を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン表面層（２，３４，７２）と、埋め込み絶縁層（４，３６，７４）と、基板（６，３８，８２）とを含む半導体構造の製造方法であって、
エッチング速度が異なる領域を前記絶縁層内に画定するために、前記半導体構造の所定のゾーンであって少なくとも絶縁層に到達する深さまで注入が行われるように、前記半導体構造に原子を注入する工程と、
前記シリコン表面層の下に広がる前記絶縁層にキャビティーを形成するために、注入原子が通過した前記絶縁層を選択的にエッチングする工程とを含む製造方法。
【請求項２】
原子が、前記絶縁層の厚さ全体を通って注入される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
原子が、前記絶縁層の厚さの一部を通って注入される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
注入工程が、水素イオンまたはヘリウムイオンを注入する工程である請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記絶縁層に到達する少なくとも１つの穴（４０）を、前記シリコン表面層に形成する請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記穴（４０）が、注入原子が通過したゾーンに到達している請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記穴が、注入原子が通過したゾーン（５０）と、注入原子が通過しなかったゾーン（５１）との間の境界に到達している請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記穴が、凸状または凹状の形状で注入原子が通過したゾーン（６０）に到達している請求項５または６に記載の方法。
【請求項９】
前記穴が、多角形状の形状で注入原子が通過したゾーンに到達している請求項５または６に記載の方法。
【請求項１０】
前記穴が、注入原子が通過していないゾーンに到達している請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記絶縁物が、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）、ダイヤモンド、サファイア、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、および酸化イッテルビウム（Ｙ2Ｏ3）から選ばれる請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程が、酸を用いて行われる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチング工程が、ウェットエッチング工程またはドライエッチング工程である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
シリコン基板に、
シリコン表面層（２，３４，７２）と、
シリコン表面層の下に形成された、絶縁物である埋め込み絶縁層（４，３６，７８）と、
前記絶縁層の中または前記絶縁層の下に形成されたゾーンであって原子が注入されたゾーン（１８）と、
前記絶縁層内であって原子が注入された前記ゾーンの少なくとも一部に形成され、前記シリコン表面層の下に横方向に広がるキャビティー（５０）と、
を含む半導体構造。
【請求項１５】
原子が注入された前記ゾーンは、前記埋め込み絶縁層の平均の面と平行な面における形状が凸状または凹状または多角形状である請求項１４に記載の半導体構造。
【請求項１６】
前記絶縁層のうち、原子注入のためのイオンが通過しなかった部分に、前記キャビティーの一部が形成されている請求項１５に記載の半導体構造。
【請求項１７】
前記キャビティーが、円柱状、または半円柱状、または断面が四角形の形状である請求項１５または１６に記載の半導体構造。
【請求項１８】
前記絶縁層の平均の面に平行な面における前記キャビティーの断面が、楕円状、または多角形状、または一部楕円状、および一部多角形状である請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の半導体構造。
【請求項１９】
前記キャビティーが、第１の直径または第１の最大寸法または第１の典型的な寸法を有する第１のゾーン（５８，８８）、および、第１のものとは異なる、第２の直径または第２の最大寸法または第２の典型的な寸法を有する第２のゾーン（６８，９０，９８）を含む請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の半導体構造。
【請求項２０】
前記第１および第２のゾーンが、前記絶縁層内において異なる平均深さに存在している請求項１９に記載の半導体構造。
【国際調査報告】
2006511975.tif 000009
2006511975.tif 000010
2006511975.tif 000011
2006511975.tif 000012
2006511975.tif 000013
2006511975.tif 000014