(57)【要約】デバイス・マイクロ構造体（２２）と、ハウジング（３０）と、微結晶粒ゲッタ層（４０）とを備えるマイクロデバイス組立体（２０）に関する。ハウジング（３０）は基体部分（３２）と、蓋（３４）とを有する。デバイス・マイクロ構造体（２２）は基体部分（３２）に取付けられ、蓋（３４）は基体部分（３２）に気密封止される。ハウジング（３０）は、デバイス・マイクロ構造体（２２）の周囲のキャビティ（３８）を区画形成する。微結晶粒ゲッタ層（４０）は、デバイス・マイクロ構造体（２２）の周囲のキャビティ（３８）における真空を維持するために蓋（３４）の内側面（４２）上にある。蓋（３４）は金属で作製されてもよく、少なくとも微結晶粒ゲッタ層（４０）が付着される領域には金属表面を有してもよい。微結晶粒ゲッタ層（４０）は、サブミクロンの結晶粒度を有する。マイクロデバイス組立体（２０）を作製する方法も提供する。
2006521688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス・マイクロ構造体と、
デバイス・マイクロ構造体が取付けられた基体部分および基体部分を気密封止する蓋を有し、かつデバイス・マイクロ構造体の周囲のキャビティを区画形成するハウジングと、
デバイス・マイクロ構造体の周囲のキャビティにおける真空を維持するために蓋の内側面に堆積された微結晶粒ゲッタ層とを備えるマイクロデバイス組立体。
【請求項２】
デバイス・マイクロ構造体は、キャビティ内で振動して角速度感知素子を画定する一対の可動プルーフマスを含む請求項１に記載のマイクロデバイス組立体。
【請求項３】
微結晶粒ゲッタ層はサブミクロンの結晶粒度を有する請求項１に記載のマイクロデバイス組立体。
【請求項４】
微結晶粒ゲッタ層はデバイス・マイクロ構造体から離間している請求項１に記載のマイクロデバイス組立体。
【請求項５】
微結晶粒ゲッタ層は熱プロセスによって活性化され蒸気種およびガス種を吸着する請求項４に記載のマイクロデバイス組立体。
【請求項６】
ハウジングの蓋はコバール材料で作製され、かつ金属材料で電気めっきされている請求項１に記載のマイクロデバイス組立体。
【請求項７】
マイクロデバイス組立体の作製方法であって、
陥凹部を有する基体部分をハウジングに提供する基体部分提供工程と、
ハウジングの基体部分の陥凹部にマイクロデバイス・ダイを取付けるマイクロデバイス・ダイ取付工程と、
ハウジングに蓋を提供する蓋提供工程と、
ハウジングの蓋に微結晶粒ゲッタ層を付着させる微結晶粒ゲッタ層付着工程と、
ハウジングの基体部分およびハウジングの蓋を真空にさらす真空工程と、
微結晶粒ゲッタ層が蒸気種およびガス種を吸着可能となるように微結晶粒ゲッタ層を活性化する微結晶粒ゲッタ層活性化工程と、
ハウジングの基体部分にハウジングの蓋を取付けることによって、マイクロデバイス・ダイに隣接する気密封止キャビティを形成する蓋取付工程とから成る方法。
【請求項８】
微結晶粒ゲッタ層付着工程はジルコニウム（Ｚｒ）系合金の極めて薄い層をハウジングの蓋にスパッタリングするスパッタリング工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ハウジングの基体部分およびハウジングの蓋はコバール材料で作製されることと、
微結晶粒ゲッタ層付着工程の前にハウジングの蓋を金属材料で電気めっきする電気めっき工程をさらに含むこととを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
微結晶粒ゲッタ層はサブミクロンの結晶粒度を有する請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に真空キャビティを必要とする内部構造を有するマイクロデバイス組立体に関し、より詳細には、当該内部構造の周囲のキャビティの真空を維持するための微結晶粒ゲッタ層を有するマイクロデバイス組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術によって製造されたマイクロデバイスは、多くの領域で重要な役割を果たしている。例えば、微小機械ジャイロスコープは、輸送および商業用途において幾つかの重要な制御システムを可能とした。ＭＥＭＳ技術によって製作された圧力センサ、加速度計、アクチュエータ、および共振器など、他のマイクロデバイスも多くの領域で用いられる。
【０００３】
マイクロジャイロスコープおよびマイクロ共振器など、幾つかのマイクロデバイスは、真空封止キャビティ内に保持される必要のあるマイクロ構造体を含む。これらの種類のデバイスでは、継続的に真空の寿命を向上させる必要がある。真空封止キャビティは、典型的には、気密封止プロセスの際のガス発生や、キャビティ内のパッケージ材料、封止材料、および部品からのガス放出に起因する圧力上昇の影響を受けやすい。この圧力変動は、多くの気密封止マイクロデバイスにおいてデバイスの性能を劣化させ、デバイス寿命を低下させ得る。
【０００４】
様々な用途において、蒸気種およびガス種を吸着するために一定の種類のゲッタを用いることが知られている。具体的には、多孔質の焼結金属粒子で作製された高収着ゲッタを使用することが知られている。これらの種類のゲッタを用いた場合の成功の程度は様々である。例えば、多孔質の金属ゲッタでは、製造プロセスの際に、もしくはデバイスが振動または衝撃を受けた後にゲッタ粒子が脱落することによって生じる、深刻な信頼性の問題が存在する。これらのゲッタから放出される粒子は、マイクロデバイス、特に、２μｍ程度の極めて微小なフィーチャを有するセンサ素子を備えるマイクロデバイスにおいて、センサ素子に詰まり（ｊａｍ）を生じ得ることが分かっている。詰まりが生じることによって、センサ素子には断続的または永続的な損傷が与えられるであろう。
【０００５】
他の用途では、「オプトエレクトロニック・パッケージ用のゲッタのハウジング（Getter Housing for Optoelectronic Packages）」と題する特許文献１など、ゲッタ粒子が他の部品を汚染することを防ぐように、透過性の容器を用いることが知られている。しかしながら、この設計をマイクロデバイスセンサ用途に適用する場合、さらに処理ステップが追加され、製造サイクルタイムおよび製造コストを増大させるであろう。
【０００６】
特許文献２には、非蒸散性ゲッタ材料が記載されている。しかしながら、このプロセスでは、マイクロデバイスセンサ用途に組込む前のゲッタ材料に、個別に担体が必要である。やはり、この設計でも、さらに処理ステップが追加され、製造サイクルタイムおよび製造コストを増大させるであろう。さらに、このゲッタから発生する粒子の平均結晶粒度は１０〜２０μｍであり、それを超える場合もある。微小なフィーチャを有するセンサ素子を用いる用途に適用する場合、どのような粒子が放出されても問題を生じ得る。
【０００７】
非金属ゲッタの場合は、特許文献３にて電子管の用途で記載されているように、シリコンの有機塩から形成され得る。特許文献４には、フラットパネル・ディスプレイ用途の堆積アモルファスシリコンまたは堆積ポリシリコンから形成された別の非金属ゲッタが記載されている。この非金属ゲッタに関しては、周知のアモルファスシリコンまたは多結晶シ
リコンの機械的な特性は堆積条件で変化し、かつ再現は困難である。周知の種類の非金属ゲッタは、一般的に、大きな平面領域を有する大きな寸法のキャビティに用いられる。他の種類のゲッタは、完全には気密でないキャビティ内の水分を吸着することを目的としている。
【０００８】
本発明の譲受人が所有し、その全体が本明細書に引用によって援用される、同時継続中の特許出願、すなわちシャオィ・ディン（Ｘｉａｏｙｉ  Ｄｉｎｇ）による特許文献５「真空維持のための単結晶シリコンゲッタを有する気密封止マイクロデバイス（Hermetically Sealed Microdevices Having a Single Crystalline Silicon Getter for Maintaining Vacuum）」には、マイクロデバイス組立体へ既存のゲッタを適用する際の幾つかの問題点を克服するデバイスおよび方法が記載されている。この出願に記載のデバイスおよび方法は有用であるが、さらなるデバイスおよび方法が必要である。
【特許文献１】欧州特許第０７２０２６０号明細書
【特許文献２】米国特許第６，０１６，０３４号明細書
【特許文献３】米国特許第４，７７１，２１４号明細書
【特許文献４】米国特許第５，６１４，７８５号明細書
【特許文献５】米国特許出願第１０／２６０，６７５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、先述の問題点の全てではなくともその大半を克服するような、気密封止キャビティに属する構造を有する、さらに改良されたマイクロデバイス組立体を提供することは望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明には、様々な変更および代替の態様を受入れる余地があるが、特定の実施態様を例として図面に示し、本明細書で詳細に説明する。しかしながら、開示した特定の態様に本発明を限定する意図はないことが理解されるべきである。むしろ本発明では、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の広範な範囲の内にある、全ての変更、均等物、および代替の態様を網羅することを意図している。
【００１１】
真空キャビティを必要とする内部構造を有するマイクロデバイス組立体、より詳細には、内部構造の周囲のキャビティの真空を維持するための微結晶粒ゲッタ層を有するマイクロデバイス組立体を説明する。一実施態様では、微結晶粒ゲッタ層は、スパッタリングなどの薄膜堆積法によって形成されてよく、マイクロデバイス組立体の蓋に直接付着される。適切な活性化の後、微結晶粒ゲッタ層は蒸気種および多くのガス種の吸着に適する。微結晶粒ゲッタ層は、一定の化学物質に対するシリコン・ゲッタの反応性を増大させるため、ジルコニウム（Ｚｒ）などの材料を含有する。
【００１２】
この目的のために、一実施態様では、マイクロデバイス組立体は、デバイス・マイクロ構造体と、ハウジングと、微結晶粒ゲッタ層とを備える。ハウジングは基体部分と蓋とを有する。デバイス・マイクロ構造体は基体部分に取付けられる。蓋によって基体部分を気密封止する。ハウジングは、デバイス・マイクロ構造体の周囲のキャビティを区画形成する。微結晶粒ゲッタ層は、デバイス・マイクロ構造体の周囲のキャビティにおける真空を維持するために蓋の内側面に堆積される。ハウジングの蓋は、好適には、少なくとも外側の表面に金属を有する材料で作製される。例えば、このハウジングの蓋をコバール材料（ＫＯＶＡＲ）で作製し、金属材料で電気めっきしてもよい。これに代えて、この蓋を４２アロイやスチールなど、他の種類の材料で作製することも可能である。
【００１３】
このマイクロデバイス組立体は、特に、角速度を感知し、キャビティ内で振動する一対
の可動プルーフマス（ｐｒｏｏｆ  ｍａｓｓ）を含むデバイス・マイクロ構造体に適する。微結晶粒ゲッタ層は、サブミクロンの結晶粒度を有する必要がある。微結晶粒ゲッタ層は、デバイス・マイクロ構造体から離間しており、熱プロセスまたは他のプロセスによって活性化され、蒸気種およびガス種を吸着することが可能である。
【００１４】
あるいは、マイクロデバイス組立体は、気密封止ハウジングと、マイクロデバイス・ダイと、１つ以上の微結晶粒ゲッタ層とを備える。気密封止ハウジングは内部表面と、内部キャビティとを有する。マイクロデバイス・ダイは、基板と、その基板上に形成されたマイクロ構造体とを有する。マイクロデバイス・ダイは気密封止ハウジングの内部キャビティ内に装着されている。微結晶粒ゲッタ層は、ハウジングの内部表面上と、ハウジングの内部キャビティ内とに堆積され、マイクロデバイス・ダイの周囲の真空を維持するために用いられる。ハウジングにおいて微結晶粒ゲッタ層が取付けられる部分も、やはり、好適には、少なくとも外側の表面に金属を有する材料で作製される。例えば、このハウジングの蓋を、コバール材料で作製し、金属材料で電気めっきしてもよい。これに代えて、この蓋を４２アロイやスチールなど、他の種類の材料で作製することも可能である。
【００１５】
別の実施態様は、陥凹部を有する基体部分をハウジングに提供する工程と、ハウジングの基体部分の陥凹部にマイクロデバイス・ダイを取付ける工程と、ハウジングに蓋を提供する工程と、ハウジングの蓋に微結晶粒ゲッタ層を付着させる工程と、ハウジングの基体部分およびハウジングの蓋を真空環境にさらす工程と、微結晶粒ゲッタ層が蒸気種およびガス種を吸着可能となるように微結晶粒ゲッタ層を活性化する工程と、ハウジングの基体部分にハウジングの蓋を取付けることによって、マイクロデバイス・ダイに隣接する気密封止キャビティを形成する工程とから成る、マイクロデバイス組立体の作製方法である。ハウジングの蓋に微結晶粒ゲッタ層を付着させる工程は、ジルコニウム（Ｚｒ）系合金の極めて薄い層をハウジングの蓋にスパッタリングする工程を含んでもよい。ハウジングの蓋に微結晶粒ゲッタ層を付着させる工程はさらに、薄い層がサブミクロンの結晶粒度を有するようにスパッタリングする工程を含んでもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照すると、図１には、パッケージ・レベルで気密封止したマイクロデバイス組立体２０の一実施態様の断面図を示す。マイクロデバイス組立体２０は、マイクロデバイス・ダイ２６と、気密封止ハウジング３０と、１つ以上の微結晶粒ゲッタ層４０とを備えてよい。マイクロデバイス・ダイ２６は、基板２４に取付けられたマイクロ構造体２２を有する感知素子の一部であってもよい。ここでマイクロデバイス・ダイ２６は、感知能力を提供することが可能である。例えばマイクロジャイロスコープは、角速度を感知する。例示の目的で、角速度センサという文脈にて説明および図面を示す。
【００１７】
角速度センサ用のマイクロ構造体２２の１つの種類は、２つの可動プルーフマス５２ａ，５２ｂを有する。一般に、プルーフマス５２ａ，５２ｂは、モータによる所定の周波数で同一平面内（面内（ｉｎ−ｐｌａｎｅ））で振動する。このモータが、プルーフマス５２ａ，５２ｂを振動方式で同一平面内で駆動させる電極を備えてもよい。プルーフマス５２ａ，５２ｂの振動は、プルーフマス５２ａ，５２ｂの共鳴周波数に近い周波数で制御される。
【００１８】
図２には、マイクロデバイス組立体２０用のマイクロ構造体２２の一実施態様の平面図を示す。ここでは、マイクロ構造体２２は、一対の可動プルーフマス５２ａ，５２ｂと、一対の外側櫛歯（ｃｏｍｂ）５４ａ，５４ａと、一対の内側櫛歯５６ａ，５６ｂと、一対の面外（ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）感知電極５８ａ，５８ｂとを備える。マイクロ構造体２２の構成部品は、基板２４に装着され、気密封止ハウジング３０内に収容される。
【００１９】
この一対のプルーフマス５２ａ，５２ｂは、一連の、駆動ビーム６２、ベース・ビーム６４、および、ねじりビーム６６に取付けられる。これらのビーム６２，６４，６６は、プルーフマス５２ａ，５２ｂが一連のアンカー・ポイント６８に連係して動くことを可能とする。アンカー・ポイントは基板２２に固定して取付けられる。これらのプルーフマス５２ａ，５２ｂは、少なくとも２つの平面内で動くことが可能である。第１の平面（面内）は、図２に示すようにｘ軸によって規定される。第２の平面（面外）は、ｙ軸によって規定される。
【００２０】
一対の外側櫛歯５４ａ，５４ｂは、ｘ軸によって規定される第１の平面内でプルーフマス５２ａ，５２ｂを駆動させる電極である。一対の外側櫛歯５２ａ，５２ｂは基板２２に装着されてもよい。図３を参照すると、外側櫛歯５２ａ，５２ｂは、デジタル処理する７４によって、またはこれに代えて、別個のアナログシステムによって発生させた、外部的に誘導されるモータの駆動信号７２によって駆動される。この駆動信号７２を、閉ループ方式で発生させて、プルーフマス５２ａ，５２ｂの共鳴周波数に近い周波数でプルーフマス５２ａ，５２ｂを振動させる。
【００２１】
一対の内側櫛歯５６ａ，５６ｂは、プルーフマス５２ａ，５２ｂと同一面内にある。一対の内側櫛歯５６ａ，５６ｂは基板２４に装着されてもよい。一対の内側櫛歯５６ａ，５６ｂは、ｘ軸におけるプルーフマス５２ａ，５２ｂの運動を感知する電極であってもよい。一対の内側櫛歯５６ａ，５６ｂは、図３に示すようなデジタル処理装置７４に第１の信号７６を報告するために用いられる。
【００２２】
一対の面外感知電極５８ａ，５８ｂは、プルーフマス５２ａ，５２ｂの面外の運動を感知する。一対の面外感知電極５８ａ，５８ｂは、一対のプルーフマス５２ａ，５２ｂの下に配置され得る。一対の面外感知電極５８ａ，５８ｂは、図３に示すようなデジタル処理装置７４に第２の信号７８を報告するために用いられる。第２の信号７８は、マイクロ構造体２２の外部的に誘導された角速度を反映するような角速度成分を含むであろう。第２の信号７８は、外部的に誘導された回転速度によって生じる、プルーフマス５２ａ，５２ｂのｙ軸における運動を表す。なお、本発明にとって不可欠ではないが、デジタル処理装置７４は信号７６および７８を受信して角速度成分を抽出し、角速度８０を報告する。
【００２３】
しかしながら、このマイクロ構造体２２が真空下にあるキャビティ３８によって囲まれることは不可欠である。図２に見られるようなセンサ構造の場合、従来のゲッタ材料は真空を維持するには不適切であることが分かった。その理由は、従来のゲッタからは粒子が放出され、振動運動するプルーフマス５２ａ，５２ｂの上や、その周囲に積もる場合があるためである。このことによって、マイクロデバイスの感知能力に断続的または永続的な損傷が生じるであろう。
【００２４】
図１に戻ってこれを参照すると、本発明の一実施態様では、ハウジング３０は基体部分３２と、蓋３４とを備える。部分３２および蓋３４は、封止材料３６によって気密封止されて一体となる。ハウジング３０用の材料は、少なくとも一部に金属の外側の表面を備える必要がある。この金属の外側の表面は、微結晶粒ゲッタ層４０を取付けるために用いられる。例えば、蓋３４に適する材料はコバールであり、ニッケル、金、またはその両方などの金属材料で電気めっきされる。これに代えて、蓋３４を、４２アロイやスチールなど、他の種類の材料で作製してもよい。いずれの場合にも、ハウジング３０は内部キャビティ３８を区画形成する。以下に示すように、内部キャビティ３８内部の真空を維持するために、微結晶粒ゲッタ層４０が内部キャビティ３８内部に形成される。ワイヤ・ボンド２５を用いて、マイクロデバイス・ダイ２６をハウジング３０上の金属トレース３５と接続してもよい。
【００２５】
一実施態様では、微結晶粒ゲッタ層４０は、ゲッタ層４０がダイ２６から離間した関係となるように、ハウジング３０の蓋３４上に形成される。ゲッタ層４０は、極めて微細な結晶粒が密に存在するゲッタ材料から作製される。好適な一実施態様では、このゲッタ層４０は、厚さ約３μｍ〜約５μｍであり、蓋３４の内側面４２に堆積される。このゲッタ層４０の結晶粒度は１μｍ未満（サブミクロン）である必要がある。この種類の微結晶粒ゲッタ層４０は、ジルコニウム（Ｚｒ）系合金などの金属材料を含有しており、コロラド州、コロラドスプリングスの、サエス・ゲッターズ・ユーエスエー社（ＳＡＥＳ  Ｇｅｔｔｅｒｓ  ＵＳＡ  Ｉｎｃ．）から入手され得る。微結晶粒ゲッタ層４０の堆積は、好適には、スパッタリングなどの物理蒸着技術によって行われる。
【００２６】
図４は、マイクロデバイス組立体２０の組立ての一実施態様を示すフロー図である。ブロック８２では、このプロセスには、ハウジング３０の基体部分３２を提供する工程が含まれる。基体部分３２の設計は図１に示したものと同様であってもよく、コバールなどの剛体材料で作製され得る。詳細には、この基体部分３２は陥凹部３３を有してもよい。
【００２７】
ブロック８４では、このプロセスには、マイクロデバイス・ダイ２６をハウジング３０の基体部分３２に取付ける工程が含まれる。一実施態様では、このマイクロデバイス・ダイ２６は基体部分３２の陥凹部３３内に取付けられる。上述で説明したように、このマイクロデバイス・ダイ２６は、マイクロ構造体２２と、基板２４とを備えてもよい。マイクロデバイス・ダイ２６の基板２４の部分は、金またははんだ材料を用いる接合プロセスによって、ハウジング３０の基体部分３２に物理的に取付けられてよい。マイクロデバイス・ダイ２６は、図１に示すように、ワイヤ・ボンド２５によってハウジング３０の基体部分３２に電気的に接続されてもよい。
【００２８】
ブロック８６では、このプロセスには、ハウジング３０の蓋３４を提供する工程も含まれる。蓋３４の設計は、図１に示したものと同様であってもよく、コバールなどの剛体材料で作製されてもよい。さらに、一実施態様では、蓋３４は、ニッケル、金、またはその両方などの金属材料で、選択的にまたは完全に電気めっきされてよい。このことは、少なくとも蓋３４においてゲッタ層４０が付着される領域では、行われる必要がある。
【００２９】
ブロック８８では、このプロセスにはさらに、微結晶粒ゲッタ層を蓋４３の面４２に付着させる工程が含まれる。ゲッタ層４０は、極めて微細な結晶粒が密に存在するゲッタ材料（サブミクロンの結晶粒）から作製される必要がある。さらに、このゲッタ層４０は、極めて薄い（約３μｍ〜５μｍ厚）必要があり、物理蒸着技術によって蓋３４の面４２上に堆積させることが可能である。一実施態様では、この微結晶粒ゲッタ層４０は、コロラド州、コロラドスプリングスの、サエス・ゲッターズ・ユーエスエー社から入手される、ジルコニウム（Ｚｒ）系合金である。
【００３０】
ブロック９０では、次の工程には、ハウジング３０の基体部分３２（マイクロデバイス・ダイ２６が取付けられた）と、ハウジング３０の蓋３４（微結晶粒ゲッタ層４０を有する）とを真空環境にさらす工程が含まれる。その後、ブロック９２に述べるように、続いて、このプロセスには、微結晶粒ゲッタ層４０を活性化する工程が含まれる。一実施態様では、ゲッタ材料表面から水素および他の物質を除去するために、熱プロセスおよび真空プロセスによって微結晶粒ゲッタ層４０を活性化する。この新たな表面が、ガスおよび蒸気吸着用の反応体として働く。
【００３１】
ブロック９４では、このプロセスにはさらに、蓋３４を基体部分３２に取付ける工程、または接合する工程が含まれてもよい。この取付ける工程または接合する工程は、好適には、真空環境において行われる。一実施態様では、気密封止を形成するために、この蓋３４を基体部分３２に取付ける。金またははんだ材料を用いる金属接合プロセスすなわち溶
接によって、気密封止を達成してもよい。
【００３２】
デバイスのセンサのマイクロ構造体の周囲の気密封止キャビティ内の真空を維持するための微結晶粒ゲッタ層を有する、新規なマイクロデバイスを説明した。微結晶粒ゲッタ層の使用によって、ＭＥＭＳの用途に必要とされる極めて小さなキャビティにゲッタを適合させ得る。また、本発明に使用されるゲッタは、ゲッタ粒子がセンサ素子上に脱落することから生じ得る故障を減少させる点でも有利である。さらに本発明は、低コスト材料を用いることおよび処理ステップを減少させることによって、真空封止マイクロデバイスを作製するコストを有意に削減する。特に大量生産用途にとって、このことは重要である。
【００３３】
上述の本発明の説明では、例示することのみを意図しており、本出願に付与されるいかなる特許権の範囲をも限定することは意図していない。本発明は、続く特許請求の範囲の広範な範囲によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施態様における、パッケージ・レベルで封止したゲッタを有するマイクロデバイス組立体の断面図。
【図２】マイクロデバイス組立体用の構造の平面図。
【図３】マイクロデバイス組立体用の構造の動作のブロック図。
【図４】本発明のマイクロデバイス組立体の組立てのフロー図。
【図１】
2006521688.tif 000003
【図２】
2006521688.tif 000004
【図３】
2006521688.tif 000005
【図４】
2006521688.tif 000006
【国際調査報告】
2006521688.tif 000007