(57)【要約】本発明はポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）するためのスラリーを提供する。スラリーは研磨粒子安定剤と、半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約２．５から約４．０の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤とを含んでいる。さらに別の実施形態では、本発明はＣＭＰ研磨システムを提供する。研磨システムは半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約１から約６の間のｐＨ値に保つスラリーを備えている。システムはさらに、研磨中に金属表面の一部を除去するためにスラリーと協働するポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を有する研磨体を含む研磨パッドを備えている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）するためのスラリーであって、
半導体基板上の金属表面の研磨中に前記スラリーを約２．５乃至約４．０の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤と、
研磨粒子安定剤と、
を含むスラリー。
【請求項２】
前記ｐＨ値は約２．７と約３．２の間である請求項１に記載のスラリー。
【請求項３】
前記ｐＨ値は約３．５と約４．０の間である請求項１に記載のスラリー。
【請求項４】
前記研磨粒子安定剤は前記スラリー内の研磨粒子を含む重合体の繰り返し単位と等価の分子を含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項５】
前記研磨粒子はコロイド珪酸粒子を含むとともに、前記研磨粒子安定剤は珪酸および珪酸塩を含む請求項４に記載のスラリー。
【請求項６】
前記珪酸と前記珪酸塩との比率は約１００：１と１：１００の間である請求項５に記載のスラリー。
【請求項７】
前記研磨粒子はアルミナを含むとともに、前記研磨粒子安定剤はアルミン酸塩を含む請求項４に記載のスラリー。
【請求項８】
酸化剤および不活性剤をさらに含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項９】
前記不活性剤は前記金属表面と前記酸化剤との反応から現場で発生される請求項８に記載のスラリー。
【請求項１０】
前記酸化剤はヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）であり、前記不活性剤はヨウ素（Ｉ２）であり、前記金属表面は銅を含む請求項９に記載のスラリー。
【請求項１１】
現場で発生されるのではない第２の不活性剤をさらに含み、前記不活性剤および前記第２の不活性剤は前記金属表面と相乗的に相互作用して前記金属表面の腐食を抑止する請求項９に記載のスラリー。
【請求項１２】
化学的機械研磨（ＣＭＰ）システムであって、
半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約１乃至約６の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤を含むスラリーと、
前記研磨中に前記金属表面の一部を除去するために前記スラリーと協働するポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を有する研磨体を含む研磨パッドと、
を備えるＣＭＰシステム。
【請求項１３】
前記金属表面は銅および酸化銅を含むとともに、前記スラリーは酸を含まないスラリーと比較して前記酸化銅に対する前記銅の比率が高い請求項１２に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１４】
前記研磨体は凹面セルを備えた表面、および前記凹面セルの内表面を被覆する研磨剤を有する前記熱可塑性フォーム基板をさらに含む請求項１２に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１５】
前記熱可塑性フォーム基板は架橋結合された単重合体または共重合体のクローズドセル・フォームからなる請求項１２に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１６】
前記クローズドセル・フォームはエチレン・ビニル・アセテートとポリエチレンとの比率が約１：９および約９：１の間である、架橋結合されたエチレン・ビニル・アセテート共重合体と、低密度または中密度のポリウレタン共重合体との混合物からなる請求項１２に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１７】
前記研磨体は約３０乃至約８０の間のショアＡ硬度を有する請求項１２に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１８】
前記研磨パッドは約２０ＫＰａのダウンフォース、約２５ｒｐｍのテーブル速度、および約４０ｒｐｍのキャリヤ速度を利用して少なくとも約２０００オングストローム／分の除去率で前記金属表面を研磨することが可能である請求項１２に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１９】
前記除去率のウエーハ面内不均一性は約１４％未満である請求項１８に記載のＣＭＰシステム。
【請求項２０】
前記除去率は少なくとも約１０００オングストローム／分であるとともに、前記除去率のウエーハ面内不均一性は約４％未満である請求項１８に記載のＣＭＰシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス、半導体、誘電体／金属合成物、大容量記憶媒体、および集積回路のような品目に平滑で超平坦な表面を作成するために使用される研磨パッドに関する。より具体的には、本発明は腐食抑止特性を有する金属表面のための研磨スラリーに関する。
【背景技術】
【０００２】
化学的機械研磨（ＣＭＰ）はＶＬＳＴ集積回路の製造における平坦化技術として広範に利用されている。これはＩＣ加工で多様な材料を平坦化する能力を有しているが、半導体ウエーハ上の金属化層および中間誘電体を平坦化するため、および浅い溝分離用の基板を平坦化するために最も広く利用されている。特に、銅をベースにした導体を利用することへの移行によってＣＭＰ技術に新たな挑戦がもたらされている。
【０００３】
研磨パッドとスラリーとの組み合わせは表面を研磨できる速度と均一性とを規定する重要なパラメータである。ＣＭＰは半導体ウエーハの表面から余剰金属のような不要な材料を硬度の平坦さで迅速に除去するため、研磨パッドおよび化学エッチング剤のスラリーを共同で利用することを含んでいる。スラリー内の化学エッチング剤は金属表面上に腐食性副生成物を形成し、これはその後研磨パッドによって除去される。しかし腐食性副生成物も腐食し、または研磨パッドの表面を変質させることがある。
【０００４】
特に、粘弾性が高い軟性研磨パッドの場合、金属面の腐食副生成物は研磨パッドの表面と相互作用して、パッドの研磨特性を劣化させることがあり、それによって金属研磨の速度または均一性が低下する。そのうえ、研磨パッドが軟らかすぎて、例えば副生成物がパッド表面に埋め込まれると、通常の研磨過程中に腐食副生成物を除去できないことがある。
【特許文献１】米国特許出願第１０／０００，１０１号
【特許文献２】米国特許出願第１０／２４１，０７４号
【非特許文献１】ＡＳＴＭ  Ｄ３５７６
【非特許文献２】Ｐｅｒｅｚ  ｅｔ  ａｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．ｖｏｌ．６８．１２３７〜１２４４ページ
【特許文献３】米国特許第６，４２５，８１６号
【特許文献４】米国特許第６，４２５，８０３号
【非特許文献３】ＡＳＴＭ  Ｄ３５７５
【特許文献５】米国特許第６，５７９，６０４号
【特許文献６】米国特許第６，５９６，３８８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、上記の問題に遭遇せずに、研磨パッドの表面上の腐食副生成物の形成を抑止可能である改良されたＣＭＰスラリーが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
先行技術の上記の欠点に対処するため、本発明はポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）するためのスラリーを提供する。スラリーは半導体基板上の金属表面の研磨中に前記スラリーを約２．５から約４の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤を含んでいる。スラリーはさらに研磨粒子安定剤を含んでいる。
【０００７】
さらに別の実施形態では、本発明はＣＭＰシステムを提供する。研磨システムは半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約１から約６の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤を含むスラリーを備えている。システムはさらに、研磨中に金属表面の一部を除去するためにスラリーと協働するポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を有する研磨体を含む研磨パッドを備えている。
【０００８】
上記は当業者が本発明の下記の詳細な説明をより明解に理解できるように、本発明の好適な特徴および別の特徴を概説したものである。本発明の特許請求の範囲の主題を形成する本発明の付加的な特徴は以下に説明する。本発明の同じ目的を実現するために他の構造を設計し、または修正することを基礎として、開示される概念および特定の実施形態を容易に利用できることを当業者は理解されたい。当業者はさらに、このような同等の構造は本発明の範囲から逸脱しないことを理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明をより完全に理解するため、添付図面に関連した以下の説明を参照されたい。
本発明はスラリー内に腐食性化学エッチング剤が存在する状態で、金属酸化物のようなある種の腐食副生成物または研磨副生成物が、研磨される金属表面上に形成されるという認識を利用するものである。現在、ある種の副生成物は軟性の研磨パッドによる研磨をできなくするのに充分硬いことがあることが判明している。すなわち、後にさらに述べるように、硬質の腐食副生成物の存在がある種の研磨パッドが金属表面を迅速かつ均一に研磨する能力を低下させてしまう。
【００１０】
本発明はさらに、研磨される金属表面は図１に示すＰｏｕｒｂｏｉｘ位相表の例に示されているような複数の化学成分を含んでいるという認識を利用している。図１の位相図はｐＨの関数として水溶媒中の純銅のさまざまな化学成分間のさまざまな反応および相互変換を示している。勿論、これらの反応は本発明のスラリー内で生じるようなイオン強度が高い水溶媒を使用した場合は、より低いｐＨに移行することを理解されたい。同様に、後述する酸化剤、不活性剤、キレート剤、殺生物、および研磨粒子などのような様々なスラリー添加物が存在しても位相図を変化させることも理解されよう。
【００１１】
本発明は腐食副生成物の生成を抑えることによって、研磨パッドの研磨性能を高める研磨スラリーを開示する。特に、本発明の酸性化されたスラリーは硬質な金属酸化物を通常の研磨過程中により効果的に除去可能であるより軟質の金属酸化物へと相互変換する反応を促進する。したがって、このようスラリーによって研磨過程中により効果的に除去可能なより軟質の腐食副生成物が生じる。
【００１２】
ポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体と組み合わせて使用される特定の酸性範囲内のスラリーのｐＨ値調整はＣＭＰ金属研磨において新たに発見された有効な結果を生じる変数である。すなわち、以前には特定の酸性ｐＨ範囲内でのスラリーの入念な調整および維持によって半導体ウエーハ表面上の金属表面の研磨速度および均一性を予想以上に大幅に改善できることは認識されていなかった。その理由は従来の研磨パッドは本発明で使用される研磨体よりも大幅に硬質なポリウレタンのような材料からなっているからである。従来の研磨パッドの硬質な研磨面は従来のスラリーが存在する状態で生成される硬質な腐食副生成物によって影響されることがない。したがって今日まで、本発明に開示されているようにスラリーのｐＨ値を下げることによって研磨面上の腐食副生成物を軟化させる必要はなかった。
【００１３】
本発明の一実施形態は、ポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨するためのスラリーに関するものである。スラリーは半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約１から約６の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤を含んでいる。
【００１４】
本発明のスラリーは金、銀、タングステン、チタン、および窒化チタンのような半導体産業で使用される任意の数の金属表面を研磨するために使用可能である。しかし、ある好適な実施形態では、金属表面は銅または銅合金を含んでいる。金属表面はさらに酸化第１銅（Ｃｕ２Ｏ）または酸化第２銅（ＣｕＯ）のような銅酸化物のような金属酸化物、ならびに水酸化銅（ＣｕＯＨ２）、および第１銅（Ｃｕ＋）および第２銅（Ｃｕ２＋）陽イオンのような金属イオンをも含むことがあり得る。
【００１５】
本発明のスラリーはｐＨ値が約７またはそれ以上である従来の酸を含まないスラリーが存在する状態での金属表面の硬度と比較してこれを低減する。一例として約１から約６のｐＨ範囲内では、銅の表面はより多くの比率のＣｕ２＋、ＣｕＯＨ２、およびＣｕＯを含むものと思われ、これらのすべてがＣｕ２Ｏよりも軟質であると考えられる。例えば、下記の実施例の項にさらに示されるように、銅の除去率はスラリーのｐＨ値が約１である場合の約４０００オングストローム／分から、スラリーのｐＨ値が約６である場合の約５００オングストローム／分未満まで低下する。スラリーのｐＨ値が約６以上の場合は、銅の除去率は許容できないほど低く、その理由はおそらく前述したように金属表面上の酸化第１銅（Ｃｕ２Ｏ）のような硬質成分の量が増加するためである。
【００１６】
それに対して、スラリーのｐＨ値が約１未満である場合は、半導体基板の表面から銅が好ましくないほど急激に溶解することがあり、その理由はおそらくＣｕがＣｕ２＋のような溶解可能成分に急激に変換するためである。このような溶解が好ましくないのは、金属表面の一部を所望の平坦さで均一に除去するようには金属表面の研磨速度を充分に制御できないからである。本発明は、使用される研磨パッドの特定の研磨特性に適合するように、金属表面の硬度を調整することによって改良された研磨を達成可能であるという認識を利用したものである。したがって場合によっては、制御された研磨が可能であるために充分に軟質な金属酸化物で金属表面を不活性化することによって、金属表面の硬度が調整される。
【００１７】
下記の実施例の項に示すように、スラリーのｐＨ値を狭いｐＨ値範囲に維持することで除去率と研磨のウエーハ面内均一性との驚くほど良好なバランスが得られる。例えば、スラリーのｐＨ値が約２．５と約４．０の間である場合は、銅の除去率は毎分約２５００から約１０００オングストロームの間に維持することが可能であり、同時にウエーハ面内不均一性は１４％未満に留められる。別の例では、スラリーのｐＨ値を約２．７から約３．２の間にすることが有利である。このｐＨ範囲で、銅の除去率は毎分約１５００オングストロームに維持することが可能であり、同時にウエーハ面内不均一性は約８％未満である。さらに別の例では、スラリーのｐＨ値を約３．５から約４．０の間にすることが望ましい。このｐＨ範囲では、銅の除去率は毎分約１０００オングストローム未満であることがあるが、ウエーハ面内不均一性を約５％未満にすることが可能である。
【００１８】
スラリーのｐＨ値を所望範囲内に維持するために、当業者には公知であるいずれの酸緩衝剤をも使用することができる。酸緩衝剤は約０．５から６．０の範囲のｐＫａに対応する酸解離定数を有する１つ以上の成分を含んでいることが好適である。当業者には周知のように、効果的な緩衝は酸緩衝剤のｐＫａ値が約±２対数単位の範囲で生ずる。ある好適な実施形態では、酸緩衝剤のｐＫａは約２．５と約４．０の間であり、より好適には約３．５である。それに限定されるものではないが適当な酸緩衝剤の例には酢酸、燐酸、および過ヨウ素酸、またはそれらの混合物が含まれる。しかし場合によっては、このように低いｐＨ値のある種の不活性剤の効果の損失のような、スラリー内の他の要素によって約４から約６の間のｐＨ値を利用したほうが好ましい場合がある。
【００１９】
ある有利なスラリー組成は研磨粒子安定剤を含んでいる。研磨粒子安定剤がスラリー内に研磨粒子を含む重合体の繰り返し単位と等価の分子を含むことが好適である。例えば、研磨粒子がコロイド珪酸からなっている場合は、研磨粒子安定剤は珪酸および珪酸塩を含むことが有利である。研磨粒子がアルミナである別の実施形態では、研磨粒子安定剤はアルミン酸塩を含むことができる。
【００２０】
このような研磨粒子安定剤は研磨粒子の溶解を抑制する。その結果、研磨中のより長期間にわたって球面度およびサイズを保持する研磨粒子が得られる。その上、このような研磨粒子安定剤は研磨粒子が凝集し、スラリーから沈殿することの防止にも役だつ。珪酸および珪酸塩を含む研磨粒子安定剤はさらに、ＣＭＰで使用される研磨ツールの金属表面の錆付きと腐食をも抑制することができる。
【００２１】
当業者は理解するように、コロイド珪酸は珪酸および珪酸塩を含む単量体の重合から形成される。ある有利な実施形態では、珪酸と珪酸塩の総濃度は約１０−６Ｍから約１０−１Ｍの範囲にある。ある実施形態では、珪酸と珪酸塩との比率をスラリーの適宜の範囲のｐＨ値に調整するように設定することが有利である。一例としてある実施形態では、珪酸と珪酸塩との比率は約１００：１から約１：１００の範囲である。当業者には理解されるように、珪酸はテトラ珪酸（Ｈ２Ｓｉ４Ｏ９）、メタジ珪酸（Ｈ２Ｓｉ２Ｏ５）、メタトリ珪酸（Ｈ４Ｓｉ３Ｏ８）、メタ珪酸（Ｈ２ＳｉＯ３）、オルソトリ珪酸（Ｈ８Ｓｉ３Ｏ１０）、オルソジ珪酸（Ｈ６Ｓｉ２Ｏ７）およびオルソ珪酸（Ｈ４ＳｉＯ４）のような二酸化珪素（ＳｉＯ２）の幾つかの水化した形態を含むことができる。珪酸塩は陽イオンと珪酸陰イオンの同様の組み合わせを含むことができる。
【００２２】
スラリーの好適な実施形態はさらに研磨粒子を含んでいる。研磨を促進するためにスラリーには当業者には公知である任意の数の研磨剤を含めてもよい。例えば、研磨剤としてアルミナを使用することができる。しかしある好適な実施形態では、研磨剤はコロイド粒子からなっている。コロイド粒子は好適な研磨剤であるが、それは他の種類の研磨剤を含むスラリーと比較して均一性が高い研磨金属表面を生ずるからである。実質的に球面であり、均一な直径を有するコロイド粒子を使用することによって研磨の均一性をさらに高めることができる。例えば、ある好適な実施形態では、コロイド粒子は平均直径が約１０００ミクロン未満、より好適には約１００ナノメートル未満、またさらに好適には約１０から約５０ナノメートルの間の均一な直径を有する実質的に球形のコロイド珪酸を含んでいる。
【００２３】
スラリーの好適な構成はさらに、研磨をさらに促進するために金属表面をさらに修正する役割を果たす酸化剤および不活性化剤を含んでいる。過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、ヨウ素酸塩（ＸＩＯ３、ただしＸは第１群の陽イオンである）臭素酸塩（ＸＢｒＯ３、ただしＸは第１群の陽イオンである）のような酸化剤は金属表面の酸化を促進し、一方不活性化剤は酸化の程度を抑え、金属表面の溶解を低減する。不活性化剤の例にはベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、チオウレア、チオレート、またはポリピリジルのような不対電子を伴う窒素原子を有する成分が含まれる。
【００２４】
しかしｐＨ値がより低い場合は、ＢＴＡのようなある種の不活性化剤はプロトン化され、ひいては金属表面に有効に調和しないので効力を失う。したがって、約６未満のｐＨ値で効力を保つヨウ素（Ｉ２）のような不活性化剤を使用することが有利である。ある種の好適なスラリーでは、不活性剤が金属表面と酸化剤との反応によって現場で生成されることが望ましい。不活性剤の現場生成は、Ｉ２のような不活性化剤がスラリー溶媒（例えば水溶媒）内で溶解度が低い場合に有利である。一例として、酸化剤がヨウ化カリウム（ＫＩＯ３）である場合、金属表面とＫＩＯ３との反応の結果、不活性化剤Ｉ２が生成される。したがって、ある好適なスラリーでは、濃度が約０．１Ｍから約１０Ｍの間の、より好適には約０．１Ｍから約０．２Ｍの間のＫＩＯ３だけがスラリーに加えられる。
【００２５】
それにも関わらず、現場生成の不活性化剤と共に、現場生成されない第２の不活性化剤を含めることがさらに有利であることがある。これらの２種類の不活性化剤は金属表面と相乗的に相互作用して前記金属表面の腐食を抑止することが判明している。一例として、前述の酸緩衝されたスラリー内の第２不活性化剤がＢＴＡである場合、ＢＴＡは金属表面と完全に調和することはできない。その結果、金属表面上にスラリーに晒される空隙が生じ、したがって腐食してしまう。しかし、Ｉ２のような現場生成された不活性化剤が存在すれば、ＢＴＡとＩ２との組み合わせによってこれらの不活性化剤のいずれか単独の場合よりも優れた不活性化がなされる。本発明の範囲を理論的に限定するものではないが、Ｉ２はＢＴＡによって不活性化されない金属表面上の空隙を充填する役割を果たすものと考えられる。
【００２６】
スラリーのある有利な構成は界面活性剤をさらに含んでいる。界面活性剤は有利に金属および珪酸塩のような研磨副生成物に複合し、それによって研磨される金属表面から腐食副生成物を除去することの促進に役立つ。ある種のスラリーでは、界面活性剤は好適にはトリトンＸ１００、ステアリン酸、またはその混合物からなる群から選択される。スラリーのある実施形態では、界面活性剤は質量パーセントがスラリーの約０．１から約２％、より好適には約０．５％である。
【００２７】
スラリーのさらに他の有利な構成はさらにキレート剤を含んでいる。キレート剤は研磨副生成物を有利に安定させて、これが沈殿し、ひいては研磨の均一性に悪影響を及ぼさないようにする。あるスラリーの場合、キレート剤は好適にはポリエチレン・グリコール、アセチルアセトン、またはその混合物からなる群から選択される。ある実施形態では、キレート剤は質量パーセントがスラリーの約０．０１から約２％、より好適には約１％である。
【００２８】
さらに別の好適なスラリーの構成はさらにスラリー内で菌類またはその他の有機物が成長することを防止する殺生物剤を含んでいる。１つの好適な殺生物剤は質量パーセントが約０．０１から約１％の濃度範囲の、より好適には約０．５％の酸性フッ化アンモニウムを含んでいる。勿論、当業者には公知であるその他の殺生物剤を使用することも可能であろう。
【００２９】
スラリーは単一の成分として、または使用時に混合される複数の成分系としてパッケージされることができよう。例えば、スラリーは酸緩衝剤、研磨粒子安定剤、研磨粒子、プラス界面活性剤、殺生物剤およびキレート剤のような第１の成分パッケージを含むことができよう。スラリーはさらに、酸化剤プラスＫＩＯ３のような不活性化剤の前駆物質プラス酸緩衝剤、キレート剤、および第２不活性化剤を含む第２の成分パッケージを含むことができよう。
【００３０】
図１は本発明の別の実施形態であるＣＭＰ研磨システム１００を示している。研磨システム１００はスラリー１１０と研磨パッド１２０とを含んでいる。スラリー１１０は上記のように半導体基板１４０上の金属表面１３０の研磨中にスラリー１１０を約１から約６の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤を含んでいる。前述のように任意の数の金属表面１３０を研磨するため、上記のスラリー構成のいずれをもシステム１００で使用することができる。研磨パッド１２０は研磨中に金属表面１３０の一部を除去するためにスラリー１１０と協働するポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を備える研磨体１５０を含んでいる。
【００３１】
前述のように、スラリー１１０はＣｕ２Ｏのような硬質な金属酸化物の比率を低減し、ＣｕＯ、ＣｕＯＨ２、およびＣｕのようなより軟質の金属酸化物、金属水酸化物、および金属の存在をそれぞれ促進する。例えば、金属表面１３０が銅および酸化銅を含む実施形態では、スラリー１１０は酸を含まないスラリーにおける銅と酸化銅との類似した比率と比較してより高い比率を維持している。このように、スラリー１１０は金属表面１３０を研磨するパッドの能力を高めることによって研磨体１５０と協働する。
【００３２】
スラリー１１０はポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を備える研磨体１５０を有する研磨パッド１２０と共に使用することができる。特に、研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板が凹面セル１６０を備えた表面を有することが有利である。好適な実施形態では、研磨剤１７０が凹面セル１６０の内表面に被覆される。
【００３３】
切削された熱可塑性フォーム基板は研磨剤１７０の均一な被覆を受けるための優れた表面１６０をもたらす。ここで用いられる、切削という用語は基板の表面の薄層を切り落として、熱可塑性フォーム基板内の凹面セルを露出させるいずれかの工程を意味するものである。凹面セル１７５の中心は、中心部でのセルの表面エネルギが最小であるため、被覆のための核形成ポイントとしての役割を果たすと考えられる。この位置で被覆を開始することによって凹面セル１６０の内表面を研磨剤１７０で均一に覆うことが促進され、それによってパッド１２０の研磨性能が向上するものと思われる。
【００３４】
本明細書で用いられるセルという用語は、発泡剤として利用される空気またはその他の気体によって占められる基板内の薄膜によって画成され、基板が切削されると形成される実質的に凹面のセル１７５を画成するいずれかの容積のことである。凹面セル１７５は平滑な、または湾曲した壁を有している必要はない。むしろ、凹面セル１７５は不規則な形状およびサイズを有していてもよい。フォーム基板を用意するために使用される基板の成分、および手順のような幾つかの要因が凹面セル１７５の形状およびサイズに影響を及ぼすことがある。
【００３５】
研磨体１５０はＹａｗ  Ｓ．ＯｂｅｎｇおよびＥｄｗａｒｄ  Ｍ．Ｙｏｋｌｅｙに授与された米国特許出願第１０／０００，１０１号、およびＹａｗ  Ｓ．ＯｂｅｎｇおよびＰｅｔｅｒ  Ａ．Ｔｈｏｍａｓに授与された米国特許出願第１０／２４１，０７４号に記載されているようなポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を含むことができる。その例にはポリエチレン、ポリプロピレン、およびその組み合わせのような架橋結合されたポリオレフィンが含まれる。他の例にはポリビニル・エステルがある。
【００３６】
ある好適な実施形態では、熱可塑性フォーム基板は架橋結合された単重合体または共重合体のクローズドセル・フォームからなっている。ポリエチレン（ＰＥ）を含む架橋結合された単重合体のクローズドセル・フォームの例には、ボルテックス（マサチューセッツ州、ローレンス）から市販されているＶｏｌａｒａ（商標）およびＶｏｌｅｘｔｒａ（商標）；ＪＭＳプラスチック  サプライ株式会社（ニュージャージー州ネプチューン）から市販のＡｌｉｐｌａｓｔ（商標）、またはＳｅｎｆｌｅｘ  Ｔ−ｃｅｌｌ（商標）（ロジャース社、ロジャース、ＣＴ）が含まれる。ポリエチレンおよびエチレン・ビニル・アセテート（ＥＶＡ）を含む架橋結合された単重合体のクローズドセル・フォームの例には、Ｖｏｌａｒａ（商標）およびＶｏｌｅｘｔｒａ（商標）（Ｖｏｌｔｅｋ社）；Ｓｅｎｆｌｅｘ  ＥＶＡ（商標）（ロジャース社）；およびＪ−ｆｏｒｍ（商標）（ＪＭＳプラスチック  ＪＭＳプラスチック  サプライ株式会社）が含まれる。
【００３７】
ある有利な実施形態では、クローズドセル・フォームは架橋結合されたエチレン・ビニル・アセテートの共重合体と、低濃度の（すなわち好適には約０．１から約０．３ｇｍ／ｃｃ）ポリエチレン共重合体との配合からなっている。
【００３８】
さらに他の有利な実施形態では、配合物は約１：９から約９：１のエチレン・ビニル・アセテート：ポリエチレンの質量比を有している。ある好適な実施形態では、配合物は質量パーセントが約５から約４５％、好適には質量パーセントが約６から２５％、さらに好適には約１２から２４％の範囲のＥＶＡを含んでいる。このような配合物は後にさらに記載するように、サイズが小さい望ましい凹面セルの形成をもたらすものと考えられる。さらにより好適な実施形態では、配合物は約０．６：９．４から約１．８：８．２のエチレン・ビニル・アセテート：ポリエチレンの質量比を有している。さらに一層好適な実施形態では、配合物は約０．６：９．４から約１．２：８．８のエチレン・ビニル・アセテート：ポリエチレンの質量比を有している。
【００３９】
さらに別の有利な実施形態では、研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板は質量パーセントが少なくとも約８５％のキシレン不溶性材料を有することで特徴付けることができる。キシレン不溶性材料の測定工程は当業者にはよく知られている。このような工程は例えば、１２０℃で２４時間だけキシレン中に配合物を温浸し、次に残滓の不溶性材料を乾燥させ、その質量を温浸前の材料と比較することを含んでいてもよい。
【００４０】
別の態様では、研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板は基板全体に形成されたセル１７８を有している。ある実施形態の例では、セル１７８は実質的に球形である。しかし別の実施形態では、セル１７８のサイズは、基板を切削する際に、基板１６０の表面での開いた凹面セル１７５の平均サイズが約１００ミクロンから６００ミクロンであるようなサイズである。凹面セル１７５の平均サイズは約１００ミクロンから約３５０ミクロン、好適には約１００から約２５０ミクロン、さらに好適には約１１５から約２００ミクロンの範囲である。セルのサイズは、例えば参照によって本明細書に組み込まれているＡＳＴＭ  Ｄ３５７６のような米国検査および材料協会（ペンシルバニア州ウエスト・コンショッケン）によって開発・刊行された標準プロトコルを利用して判定できる。
【００４１】
好適には、セルの形状が実質的に球形である場合、セルのサイズはセルの平均直径にほぼ等しい。例えばＥＶＡ共重合体を含む実施形態では、参照によって本明細書に組み込まれているＰｅｒｅｚ等著の応用重合体科学ジャーナル６８巻、１９９８年刊、１２３７〜１２４４ページに開示されているように、セルの直径は共重合体配合物のＥＶＡ含有量の関数である。Ｐｅｒｅｚ等によって開示されているように、かさ密度とセル密度とは反比例の関係にある。したがって、別の好適な実施形態では、基板表面での凹面セルの密度は約２．５から約１００セル／ｍｍ２、より好適には約６０から１００セル／ｍｍ２の範囲にある。セル密度は例えば基板表面の顕微鏡画像の視覚的検査から判定できる。
【００４２】
研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板はさらに質量パーセントが最大約２５％の無機充填材を含んでいてもよい。無機充填材はフォーム基板に所望の半透明性、カラー、または潤滑油特性を付与するための、当業者にはよく知られている第Ｉ群、第ＩＩ群、または遷移金属を含むものでよい。例えば、無機充填材はタルク、酸化チタン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、珪酸マグネシウム、および亜鉛塩からなる群から選択されたものでよい。熱可塑性フォーム基板は質量パーセントが約１７％のタルクを含んでいてもよい。別の実施形態では、充填材はシリカ（質量パーセント約２０から２５％）、酸化亜鉛（質量パーセント約１％）、ステアリン酸（質量パーセント約１％）、および当業者にはよく知られているその他の添加剤および顔料（最大約２％）を含んでいる。参照によって本明細書に組み込まれている米国特許第６，４２５，８１６号および６，４２５，８０３号に開示されているような、その他の従来の充填材も本発明の範囲内にある。
【００４３】
研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板は望ましくはさらに、研磨を促進するためのある種の機械的特性を有している。具体的には、熱可塑性フォーム基板は研磨を促進するために、研磨材１７０が凹面セル１６０の内表面を被覆するのに充分な範囲まで研磨中に変形可能でなければならない。好適には、研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板は約３０から約８０の間のショアＡ硬度を、より好適には約３０から約４０の間のショアＡ硬度を有している。研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板は約１００％から約８００％の間の引張り伸び率を有していてもよい。例えば、引張り伸び率は約１００％から約４５０％の間でもよい。さらに別の実施形態では、引張り伸び率は約６００％から約８００％の間である。引張り伸び率は、参照によって本明細書に組み込まれているＡＳＴＭ  Ｄ３５７５のような標準プロトコルを用いて判定してもよい。
【００４４】
研磨剤１７０は、双方ともＯｂｅｎｇおよびＹｏｋｌｅｙに授与され、また双方とも参照によって本明細書に組み込まれている米国特許第６，５７９，６０４号、および米国特許第６，５９６，３８８号に開示されているように、基板表面上の二次反応物質のグラフト重合から生ずる１つ以上のセラミック複合材または１つ以上の有機重合体を含んでいてもよい。セラミックの研磨剤１７０は、グラフト重合された表面を形成するために二次反応物質として酸素含有有機金属化合物が使用された場合に生ずる無機金属酸化物を含んでいてもよい。例えば、二次プラズマ混合物はチタン、マンガン、またはタンタルのような遷移金属を含んでいてもよい。しかし、１つ以上の酸素原子を含有する金属エステルのような揮発性有機金属化合物を形成可能であり、また重合体表面にグラフト重合されることが可能な金属元素ならどれでも適している。有機金属の二次プラズマ混合物質の金属部分としてリコンを使用してもよい。このような実施形態では、有機金属試薬の有機部分はエステル、アセテート、またはアルコキシのフラグメントでよい。有利な実施形態では、研磨剤は二酸化シリコンおよび二酸化チタン；テトラエトキシ・シラン重合体；およびチタン・アルコキシド重合体のようなシリコン酸化物およびチタン酸化物からなるセラミックの群から選択される。
【００４５】
しかし、セラミックの研磨剤１７０を製造するために他の多くの二次反応物質を使用してもよい。二次プラズマ反応物質にはオゾン、アルコキシ・シラン、水、アンモニア、アルコール、ミネラルスピリット、または過酸化水素を含めてもよい。例えば、二次プラズマ反応物質はチタン・エステル、タンタル・アルコキシドを含み、アルコキシド部分が１〜５炭素原子を有しているチタン・アルコキシド、マンガン・アセテート水溶液、ミネラルスピリット溶液中のマンガン・アルコキシド、マンガン・アセテート、マンガン・アセチルアセトネート、アルミニウム・アルコキシド、アルコキシ・アルミネート、酸化アルミニウム、アルコキシド部分が１〜５炭素原子を有しているジルコン・アルコキシド、ジルコン酸アルコキシ、マグネシウム・アセテート、およびマグネシウム・アセチルアセトネートからなるものでよい。他の実施形態はさらに、例えばアルコキシ・シランとオゾン、アルコキシ・シランとアンモニア、チタン・エステルと水、チタン・エステルとアルコール、またはチタン・エステルとオゾンのような二次プラズマ反応物質用に考慮されている。
【００４６】
あるいは、有機化合物が二次プラズマ反応物質として使用される場合には、研磨剤１７０は有機重合体を含んでいてもよい。このような二次反応物質の例には、アリル・アルコール、アリル・アミン、アルキル群が１〜８炭素元素を含有しているアリル・アルキルアミン、アリル・エステル、アルキル群が１〜８炭素を含有している二次アミン、アルキル群が１〜８炭素原子を含有しているアルキル・ヒドラジン、アクリル酸、メタクリル酸、１〜８炭素原子を含有しているアクリル酸エステル、１〜８炭素原子を含有しているメタクリル・エステル、またはビニル・ピリジン、および例えばビニル・アセテートのようなビニル・エステルが含まれる。研磨剤１７０はポリアルコールおよびポリアミンからなる重合体群から選択してもよい。
【００４７】
研磨剤１７０の被覆によって研磨パッド１２０を備えた基板の物理特性を有利に変更することができる。例えば、基板は有機重合体の研磨剤で被覆された後、被覆されない熱可塑性フォーム基板よりも少なくとも約４０℃だけ低いピーク・タン・デルタを有している。他の好適な実施形態では、有機重合体で被覆された基板のピーク損失係数は被覆されない基板よりも少なくとも約１０℃だけ低い。ピーク・タン・デルタおよびピーク損失係数は、当業者にはよく知られている動的粘弾性測定のような技術を利用して判定できる。
【００４８】
代替実施形態では、研磨体１５０の熱可塑性フォーム基板は堅いバッキング材料１８０と結合される。堅いバッキング１８０は研磨中のフォームの圧縮性と伸張を制限し、ひいてはＣＭＰによる金属研磨中の腐食および局部的な段差を低減する。堅いバッキング材料１８０はある態様では、高密度のポリエチレン（すなわち約０．９８ｇｍ／ｃｃ以上）を含み、より好適には凝縮された高密度ポリエチレンを含んでいる。結合はエポキシまたは当業者にはよく知られているその他の材料のような従来の接着剤１８５を使用した化学ボンディングを介して達成可能である。しかし別の実施形態では、結合はフォーム１５０上に溶解したバッキング材料１８０を押出し被覆することによって達成される。さらに別の実施形態では、バッキング１８０はフォーム１５０に熱溶接される。
【００４９】
ＣＭＰシステム１００の有利な構成はさらに機械駆動のキャリヤ・ヘッド１９０と、研磨プラテン１９５とを含んでおり、研磨パッド１２０が研磨プラテン１９５に取付けられている。研磨プラテン１９５に研磨力を加えるために、キャリヤ・ヘッド１９０を研磨プラテン１９５に対して位置決め可能である。システム１００のその他の実施形態は基板１４０をキャリヤ・ヘッド１９０に結合するために従来型のキャリヤ・リング２００と接着剤２０５とを含むことができる。
【００５０】
研磨パッド１２０は好適にはスラリー１１０と協働して、約２０ＫＰａのダウンフォース、約２５ｒｐｍのテーブル速度、および約４０ｒｐｍのキャリヤ速度を利用して少なくとも約２０００オングストローム／分の除去率でウエーハ基板１４０上の銅金属表面１３０を研磨することが可能である。好適には、除去率のウエーハ面内不均一性は約１４％未満である。さらに別の好適な実施形態では、銅の除去率は少なくとも約１０００オングストローム／分であり、除去率のウエーハ面内不均一性は約４％未満である。
【００５１】
本発明をこれまで説明してきたが、以下の実験を参照することによって本発明がより明解になると思われる。実験は説明目的であるに過ぎず、本発明を限定するものとみなされるべきではないことが理解されよう。例えば、下記の実験は実験室のセッティングで実施されてもよいが、当業者は特定の数字、寸法、および数量を実寸大のプラント・セッティング用の適宜の数値まで調整可能であろう。
【００５２】
実験
本発明のスラリーを使用し、また様々な従来のスラリーと比較して研磨パッドの金属研磨特性を測定する実験が実施された。
【００５３】
２つのスラリー・パッケージを互いに混合することによって、ストックのスラリー溶液が準備された。第１のスラリー・パッケージはコロイド  珪酸「ＤＡＮ  アセンド３００」（カリフォルニア州カールスバッドのＤｕＰｏｎｔ  Ａｉｒプロダクツから市販されている製品番号  アセンド  Ｃｕ３００）、またはアルミナ「ＭＳＷ２０００」（ドイツのネバルクのＲｏｄｅｌ社から市販の製品番号ＭＳＷ２０００）のような研磨剤を含むものであった。第２のスラリー・パッケージは過酸化水素のような酸化剤および氷酢酸のような酸緩衝剤を含むものであった。あるいは、第２のスラリー・パッケージはＭｉｃｒｏｐｌａｎａｒ（登録商標）  ＣＭＰ  ３５５０（商標）（カリフォルニア州ダンビレのＥＫＣ  Ｄｕｐｏｎｔ）のような過ヨウ素酸を含有する市販の酸化剤パッケージを含むものであった。当業者にはよく理解されるように、過ヨウ素酸はオルソ（Ｈ５ＩＯ６）またはパラ（ＨＩＯ４）、フォームまたはそれらの混合物を含んでいる。研磨の前に、後述するように所望のｐＨ値のスラリーが得られるように、第１と第２のスラリー・パッケージが互いに混合された。
【００５４】
研磨パッドは厚みが約０．０３インチの圧縮されたＨＤＰＥ層（硬度は約９０ショアＡ）からなるバッキング材料に貼り合わせられる研磨体を備えていた。研磨体とバッキング材料との結合はあらかじめ製造された熱可塑性フォームのロール上に溶解したＨＤＰＥを押出し被覆することによって達成された。研磨パッドを研磨テーブルに固定するため、バッキング材料には感圧接着剤（３Ｍ製品番号９７３１）が塗布された。研磨体は硬度が約３０ショアＡの０．０７インチのＥＶＡ−ＰＥ  フォーム（ボルテック社のＶｏｌｅｘｔｒａ（商標））からなる熱可塑性フォーム基板を備えていた。熱可塑性フォーム基板は質量パーセント〜１２％のタルク、質量パーセント〜１８％のＥＶＡ、およびバランスＰＥを含んでいた。熱可塑性フォーム基板の容積の約９％がセルで占められていた。研削後の研磨体は厚みが約６４ミルであり、凹面セルを備えた表面と、後述するようにプラズマ強化されたＣＶＤを介して凹面セルのない内表面を被覆する厚みが約５００ミクロンの非晶質ＳＩＯ２層を含む研磨剤とを有していた。研磨体にはスラリー用の溝を付与するためにレーザーで刻み目が入れられた。
【００５５】
熱可塑性フォーム基板は市販の切削刃（ドイツのアーヘンのフェッケン−キルフェル社のモデル番号Ｄ５１００  Ｋ１）で切削され、その後、水／イソプロピル・アルコール溶液で手動洗浄された。二酸化シリコンを含む研磨剤を基板に被覆するため、切削された基板は温度制御された電極構造を有する従来から市販されている無線周波数グロー放電（ＲＦＧＤ）プラズマ・リアクトル（モデルＰＥ−２：ニューヨーク州メッドフォードのアドバンスト  エネルギ  システム）の反応室に入れられた。
【００５６】
基板のプラズマ処理はサンプルのサイズおよび回転速度に応じて約３０秒から約１２０秒間、約３５０ｍＴｏｒｒの圧力に維持された反応室内に一次プラズマ反応物質を導入することで開始された。電極の温度は約３０℃に保たれ、サンプルと反応室のサイズに応じて約１００から約２５００ワットのＲＦ動作電力が使用された。
【００５７】
引き続いて、ヘリウムまたはアルゴンガスと混合された二酸化シリコン金属エステル前駆物質であるテトラエトキシレン（ＴＥＯＳ）からなる二次反応物質が０・１０ＳＬＭにて１０分または３０分間導入された。ガス流中の前駆物質の量は単量体保存温度（ＭＲＴ；９０±１０℃）の二次反応単量体の蒸気圧（ＢＰ）によって調整された。テトラオルソチタン酸塩を含む二次プラズマ反応物質を使用して、ＴｉＯ２を含む研磨剤が被覆された研磨体を準備するために同様の手順が採用された。
【００５８】
市販の研磨機ＩＰＥＣ４７２（現在はカリフォルニア州のノベラス  システム社が所有権を有する、カリフォルニア州のサクラメントのエバラ  テクノロジー社から市販の製品番号ＥＰ０２２２）を使用して、銅研磨特性の評価がなされた。実験開始前にパッドには事前コンディショニングは行われなかった。別途に付記しないかぎり、約２０Ｋｐａ（〜３ｐｓｉ）のダウンフォース、約６．９Ｋｐａ（〜１ｐｓｉ）の背面圧、約２５ｒｐｍのテーブル速度、約４０ｒｐｍのキャリヤ速度、および約１２５ｍｌ／分のスラリー流量を用いて銅研磨の除去率が評価された。テスト研磨には厚さが約８，０００オングストロームの銅の層が電気メッキされた厚さ約１０，０００オングストロームのウエーハが使用された。
【００５９】
同じ研磨装置および条件を採用して、ウエーハ表面での銅の除去のウエーハ面内不均一性（ＷＩＷＮＵ）が評価された。ウエーハの半径方向に分布された４９のポイントで面積抵抗を測定することによって、研磨後の銅の表面の輪郭プロットが電気的に測定された。ウエーハから除去された銅の研磨後の平均深さ、除去された深さの標準偏差、および除去された深さのパーセント標準偏差（ＷＩＷＮＵ）が４９の測定された面積抵抗から計算された。
【００６０】
前述のように準備されたＳｉＯ２が被覆された研磨体を有する研磨パッドの研磨特性は異なる幾つかのスラリー環境で検査された。一連の実験で、ＤＡＮアセンド３００の研磨剤パッケージがＨ２Ｏ２を含む第二の酸化剤パケージと混合されて、最終的なＨ２Ｏ２濃度が５％または１０％（容積／容積）で、ｐＨが〜７．６であるスラリーが得られた。ＤＡＮアセンド３００はＢＴＡを含んでいる。ＤＡＮアセンド３００の研磨剤パッケージはｐＨが約４．０のスラリーを得るのに充分な氷酢酸とも混合された。第二の市販の研磨剤パッケージであるＭＳＷ２０００はヨウ化カリウム（ＫＩ）を含み、約２．０ｐＨのｐＨ値で提供されている。
【００６１】
これらのスラリーを使用した銅除去率（ＲＲ）の例が表１に示されている。表１の結果は酸性ｐＨを有するスラリーの場合に研磨率がダイナミックに上昇すること、特にスラリーのｐＨが約４未満まで低下すると、さらに高い除去率が得られ、ｐＨが約２の場合はさらに高い除去率が得られたことを示している。より高いｐＨ値での研磨された表面上でのヘーズの観察は、研磨後の金属表面上での好ましくない腐食副生成物が存在することを示している。
【００６２】
【表１】
2006504270.tif 000002
【００６３】
スラリーのｐＨと銅の研磨との関係をさらに研究するため、表１に示した実験で使用されたものと同じ種類の研磨パッドを使用して、別の一連のスラリーが調査された。ｐＨが約１から６の範囲の本発明のスラリーが得られるように、固定容積（〜５００ｍｌ）のＤＡＮ  アセンド３００研磨剤パッケージが可変量の市販の酸化剤パッケージＥＫＣ−３５１０で滴定された。
【００６４】
図２および図３はそれぞれ、スラリーのＰＨの関数としての銅除去率（ＲＲ）およびウエーハ面内不均一性（ＷＩＷＮＵ）の例を示している。銅の除去率はスラリーのｐＨが約１である場合の毎分約４０００オングストロームから、スラリーのｐＨが約６に等しい場合の毎分約５００オングストローム未満へと低下する。約２．５から約４．０のより狭いｐＨ範囲では、高い除去率と均一性には驚くべきほど優れた連係があった。例えば、ＷＩＷＮＵは最低でも１４％未満であり、除去率は毎分役２５００から１０００オングストロームであった。さらに狭いｐＨ範囲の場合は、幾つかの予期せぬ利点が得られる。スラリーのｐＨが約２．７から約３．２の間である場合は、除去率は毎分約１５００オングストローム以上であり、一方ＷＩＷＮＵは約８％未満であった。スラリーのｐＨが約３．５から約４．０の間である場合は、除去率は毎分約１０００オングストローム未満であり、ＷＩＷＮＵは約５％未満であった。
【００６５】
これまで本発明を詳細に説明してきたが、当業者は本発明の範囲から離れることなく本明細書の様々な変更、置換え、および代替を行うことができることを理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】水溶媒中の純銅の反応に関する代表的なＰｏｕｒｂｏｉｘ位相表を示すグラフである。
【図２】本発明の研磨システムの実施例を示した図面である。
【図３】スラリーのｐＨ値の関数としての、ウエーハの表面からの銅の代表的な除去率（ＲＲ）を示したグラフである。
【図４】異なるｐＨ値のスラリーを使用した化学的機械研磨後のウエーハ表面からの銅の除去率における代表的なウエーハ面内不均一性を示すグラフである。
【図１】
2006504270.tif 000003
【図２】
2006504270.tif 000004
【図３】
2006504270.tif 000005
【図４】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）するためのスラリーであって、
半導体基板上の金属表面の研磨中に前記スラリーを２．５乃至４．０の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤と、
研磨粒子安定剤と、
を含むスラリー。
【請求項２】
前記ｐＨ値は２．７と３．２の間である請求項１に記載のスラリー。
【請求項３】
前記ｐＨ値は３．５と４．０の間である請求項１に記載のスラリー。
【請求項４】
前記研磨粒子安定剤は前記スラリー内の研磨粒子を含む重合体の繰り返し単位と等価の分子を含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項５】
前記研磨粒子はコロイド珪酸粒子を含むとともに、前記研磨粒子安定剤は珪酸および珪酸塩を含む請求項４に記載のスラリー。
【請求項６】
前記珪酸と前記珪酸塩との比率は１００：１と１：１００の間である請求項５に記載のスラリー。
【請求項７】
前記研磨粒子はアルミナを含むとともに、前記研磨粒子安定剤はアルミン酸塩を含む請求項４に記載のスラリー。
【請求項８】
酸化剤および不活性剤をさらに含む請求項１に記載のスラリー。
【請求項９】
前記不活性剤は前記金属表面と前記酸化剤との反応から現場で発生される請求項８に記載のスラリー。
【請求項１０】
前記酸化剤はヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）であり、前記不活性剤はヨウ素（Ｉ２）であり、前記金属表面は銅を含む請求項９に記載のスラリー。
【国際調査報告】
2006504270.tif 000007
2006504270.tif 000008
2006504270.tif 000009