(57)【要約】処理槽における局所研磨および堆積制御のための方法および装置が一般的に提供される。一実施形態では、基板を電気化学的に処理するための装置が提供され、処理面積にわたって電気的バイアス輪郭を制御することで基板の別々の導電部分を選択的に研磨し、それによって、基板における２つ以上の導電部分の間の処理速度を制御する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を電気化学的に処理するための装置であって、
底部と開放上部とを有するハウジングと、
前記ハウジングの中においてその底部に近接して配置された第１対向電極と、
前記ハウジングの中において前記第１電極に隣接しかつ前記第１電極から独立して電気的バイアスを印加することができるように配置された少なくとも１つの第２対向電極と、
前記ハウジングの前記開放上部と前記複数の対向電極との間に配置された導電性研磨パッドであって、基板を処理するように適合された第１側部と前記複数の対向電極に向かい合っている第２側部とを有する導電性研磨パッドと、
を備える、装置。
【請求項２】
前記第１対向電極と前記第２対向電極との間に配置された絶縁体を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１対向電極が、第１セットの対向電極に属し、かつ、前記第２対向電極が、第２セットの対向電極に属し、前記第１セットが、前記第２セットの対向電極から独立して電気的バイアスを印加することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１セットの対向電極が、前記第２セットの対向電極の半径方向内側に配置されている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記複数の対向電極が、前記第２セットの対向電極の半径方向外側に配置されている第３セットの対向電極をさらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第１および第２の対向電極が、極点列状に配列された複数の対向電極の一部である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
対向電極の前記極点列が、半径方向に整列されかつ前記第１対向電極から独立して電気的バイアスを印加することができる少なくとも１つの第３対向電極をさらに備える、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記基板にわたって研磨速度の差の測定基準指標を検出するように適合された局所研磨速度表示器をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記局所研磨速度表示器が、前記対向電極のそれぞれの１つに各々のセンサーが連結された複数のセンサーをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記センサーの少なくとも１つが、前記第１対向電極と前記基板との間を通る電流を検出するように適合されている、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
水盤に電解液をもたらすように適合され、その電解液が、導電パッドを介して前記基板と前記複数の対向電極との間に独立して制御される複数の電気経路をもたらすように適合されている電解液送出システムをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記基板にわたって研磨速度の差の測定基準指標を検出するように適合された局所研磨速度表示器をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記局所研磨速度表示器が、前記対向電極のそれぞれの１つに各々のセンサーが連結された複数のセンサーをさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記センサーの少なくとも１つが、前記センサーに連結された前記対向電極と前記基板との間の電流を検出するように適合されている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
多重出力部電源をさらに備え、これらの出力部の１つに前記対向電極の各々が独立して連結されている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
ハウジングと、
前記ハウジングの中に配置された少なくとも１つの第１対向電極と、
前記第１対向電極に近接して配置され、かつ、前記基板を処理するように適合された第１側部と前記第１対向電極に向かい合っている第２側部とを有する導電性研磨パッドと、
前記対向電極と前記導電性パッドとの間に配置された、独立してバイアスを印加することができる複数の参照電極と、
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記研磨パッドと前記対向電極との間に連結された第１電源と、
前記参照電極に連結された第２電源と、
をさらに備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記第２電源が、前記参照電極に各々に独立してバイアスをかけるため複数の出力部を有する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
複数のセンサーをさらに備え、それぞれのセンサーが、前記対向電極と基板との間の電流または電位の少なくとも１つを検出するように適合されている、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
基板を電気化学的に処理するための方法であって、
基板の上に配置された導電性形態を導電性研磨パッドアセンブリに接触させるステップと、
電解液を前記導電性形態と第１対向電極との間に流すステップと、
第１バイアス電位を前記第１対向電極と前記導電性研磨パッドアセンブリとの間に印加するステップと、
第２バイアス電位を第２対向電極と前記導電性研磨パッドアセンブリとの間に印加するステップと、
を備え、
前記第１バイアス電位が前記第２バイアス電位と異なっている、方法。
【請求項２１】
基板を電気化学的に処理するための方法であって、
基板と対向電極アセンブリとの間に画成された複数の導電路を確立するステップと、
前記導電路どうしの間における電流流量の相対差を感知するステップと、
感知された差に感応して、各々の導電路にわたる電位を調節するステップと、
を備える、方法。
【請求項２２】
前記調節するステップが、前記電極アセンブリの幅にわたって電位輪郭を変更する工程をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]この発明の実施形態は一般的に、電気化学的機械研磨システムにおける局所研磨制御のための方法および装置に関するものである。
【０００２】
関連技術の背景
[0002]電気化学的機械研磨によれば、電気化学的／化学的または複合式の電気化学的／化学的および機械的処理によって半導体基板から材料が一般的に除去される。電気化学的機械研磨システムの一例では、基板またはウェハーが特徴的形態側部を上にした方位で基板支持体の上に保持されている。導電性研磨パッドおよび内部対向電極を有する研磨ヘッドが、基板の特徴的形態側部と接触して設置されている。研磨ヘッドおよび基板は所定の研磨動作で互いに対して移動する。電解研磨用流体が、基板の表面に配分されて、基板と対向電極との間に導電路をもたらす。基板は、導電性パッドを介して対向電極に対して電気的にバイアスがかけられて、基板を研磨するために基板の表面で溶解反応が推進される。
【０００３】
[0003]銅は電気化学的機械研磨法を使用して研磨することのできる１つの材料である。典型的には、銅は２つのステップ処理を利用して研磨される。第１ステップでは、銅の大部分は、典型的には基板の表面の上方へ突出しているいくらかの銅残留物を残して、除去される。銅残留物は次いで、第２ステップすなわち過剰研磨ステップで除去される。
【０００４】
[0004]しかしながら、銅残留物の除去によって、銅の特徴的形態が周囲材料、典型的には酸化物または他のバリヤー層の平面の下方へ皿形にくぼむことがある。皿形くぼみの量は典型的には、研磨に供される銅の特徴的形態の幅に加えて、研磨用化学成分と過剰研磨ステップにおいて利用された処理パラメータとに関連がある。銅層は基板を越える均一な厚さを有していないため、いくらかの特徴的形態にわたって皿形くぼみを引き起こすことなくすべての銅残留物を除去し、一方で他の特徴的形態にわたってすべての銅残留物を除去しないようにすることは困難である。したがって、銅のいくらかの面積を選択的に研磨することができ、一方で他の面積を研磨しないようにすることができれば、完全な銅残留物除去と最小限の皿形くぼみとをもたらすために好都合である。
【０００５】
[0005]それゆえ、電気化学的機械研磨システムにおける局所研磨制御のための方法および装置についての要望が存在している。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]処理槽における局所研磨制御のための方法および装置が一般的に提供される。この発明における一態様では、処理面積にわたって電気的バイアス輪郭を制御することで基板の別々の導電部分を選択的に処理し、それによって、基板における２つ以上の導電部分どうしの間の処理速度を制御するための、基板を電気化学的に処理するための装置が提供される。
【０００７】
[0007]この発明における別の態様では、基板の上に配置された導電性形態を導電性研磨パッドアセンブリに接触させるステップと、導電性形態と第１対向電極との間に電解液を流すステップと、導電性形態の別々の部分を選択的に処理するステップとを含む、基板を電気化学的に処理するための方法が提供される。
【０００８】
[0008]先に簡潔に要約したこの発明のより詳しい説明は、添付図面に図示されたその実施形態を参照することにより行われる。しかしながら、添付図面は、この発明の典型的な実施形態だけを図示しており、それゆえ、その範囲の制限を考慮するものではなく、この発明について等価な他の有効実施形態を認めることができる、ということに留意すべきである。
【０００９】
[0018]理解を容易にするために、図面に共通である同一の要素を指定するのに、同一の参照符号が可能な限り使用された。
【発明の詳細な説明】
【００１０】
[0019]この明細書において使用された用語および語句は、この明細書においてさらに別に定義されない限り、当業者によって当分野におけるそれらの普通のかつ慣用的な意味が与えられるべきである。化学的機械研磨は、広く解釈すべきであって、化学的活量、機械的活量、または化学的活量および機械的活量の両方の組み合わせによって基板表面を擦り減らすことが含まれるが、これらに限定されるものではない。電気研磨は、広く解釈すべきであって、電気化学的活量の適用によって基板を平坦化することが含まれるが、これに限定されるものではない。電気化学的機械研磨（ＥＣＭＰ）は、広く解釈すべきであって、基板表面から材料を除去するために電気化学的／化学的活量または電気化学的／化学的活量および機械的活量の両方の組み合わせの適用によって基板を平坦化することが含まれるが、これらに限定されるものではない。電気化学的機械メッキ処理（ＥＣＭＰＰ）は、広く解釈すべきであって、基板の上に材料を電気化学的に堆積して、堆積された材料を電気化学的活量の適用によってまたは電気化学的活量および機械的活量の組み合わせによって同時に平坦化することが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【００１１】
[0020]陽極溶解は、広く解釈すべきであって、基板表面から周囲電解液の中への導電材料の除去という結果を招く、基板への陽極バイアスの直接的または間接的な適用が含まれるが、これらに限定されるものではない。アパーチャーは、広く解釈すべきであって、対象を部分的にまたは完全に貫通して形成された穿孔、穴、開口、溝、流路または通路が含まれるが、これらに限定されるものではない。加えて、その用語は実質的に、用語を平面状のものに修正するために使用されたように、巨視的水準または全体的水準における表面を説明することを意図しており、表面粗さを説明することを意図していない。
【００１２】
[0021]図１には、陽極溶解および研磨処理を備える少なくとも１つの処理が実施される処理槽１００の一実施形態の断面図が描かれている。この発明の第１の実施形態は、基板の表面にわたる選択的研磨についての構成可能な電気的バイアス輪郭を利用する電気化学的機械研磨（ＥＣＭＰ）について説明されているが、この発明は、電気化学的活量が包含されている他の組立処理における構成可能な電気的バイアス輪郭の適用を使用することを意図している。電気化学的活量を使用するこのような処理の例には、エッジコンタクトのような従来のバイアス適用装置の使用によることなく導電材料を選択的に堆積するための基板表面へのバイアス輪郭の適用が包含されている電気化学的堆積と、電気化学的堆積および化学的機械研磨の組み合わせが含まれている電気化学的機械メッキ処理（ＥＣＭＰＰ）とが含まれる。
【００１３】
[0022]処理槽１００には一般的に、研磨ヘッド１０２と水盤１０４とが含まれており、水盤１０４には、導電性パッドアセンブリ１２２と対向電極アセンブリ１５０とが収容されている。基板１０８は、典型的には１つ以上の導電面１４０を有しており、研磨ヘッド１０２の中に保持されているとともに、特徴的形態を下にした（例えば背面を上にした）方位における処理の間に水盤１０４の中へ降下される。導電面１４０には、特徴的形態、導電材料の層、または導電層から基板の上に残っている導電材料の残留物に配置された導電材料のいずれか１つまたはこれらの組み合わせが含まれていてもよい。水盤（basin）１０４の中に配置された基板１０８および導電性パッドアセンブリ１２２を、研磨運動をもたらすために互いに対して移動する。研磨運動は一般的に、軌道運動、回転運動、直線運動または曲線運動によって定義された少なくとも１つの運動、または、他にも運動があるがこれらの組み合わせを備える。研磨運動は、研磨ヘッド１０２および水盤１０４のいずれか一方または両方を移動させることによって達成することができる。研磨ヘッド１０２は、水盤１０４と研磨ヘッド１０２によって維持された基板１０８との間における少なくとも一部の相対運動をもたらすために、静止されていてもよく駆動されてもよい。あるいは、導電性パッドアセンブリ１２２をベルトのように移動し、一方で研磨ヘッド１０２を静止させておくかまたは移動させてもよい。図１に描かれた実施形態では、研磨ヘッド１０２は駆動システム１１０に連結されている。駆動システム１１０は、回転運動、軌道運動、一掃運動またはこれらの組み合わせの１つで研磨ヘッド１０２を移動させる。
【００１４】
[0023]一実施形態では、研磨ヘッド１０２はハウジング１１４を含み、ハウジング１１４によって空気袋１１６が包囲されている。空気袋１１６は、基板と接触してその間に真空を作り出し、したがって、基板を研磨ヘッド１０２に固定するときに収縮することができる。空気袋１１６は、基板を水盤１０４の中に保持された導電性パッドアセンブリ１２２に圧接させるために、さらに膨張することができる。処理の間に基板が研磨ヘッド１０２から滑り外れるのを防止するために、保持用リング１３８がハウジング１１４に連結されているとともに基板１０８を取り巻いている。この発明から恩恵を受けるように適合することのできる１つの研磨ヘッドは、カリフォルニア州、サンタクララにあるアプライドマテリアルズ社から入手することのできるＴＩＴＡＮ  ＨＥＡＤ（商標）キャリアヘッドである。この発明から恩恵を受けるように適合することのできる研磨ヘッドの別の例は、２００１年１２月１２日に発行された米国特許第６，１５９，０７９号に記載されているが、その内容は、その全体を参照として本明細書に組み入れられる。
【００１５】
[0024]水盤１０４は一般的に、電気メッキおよび／または電気研磨の化学成分と融和性がある非導電材料から組み立てられている。水盤１０４には、導電性パッドアセンブリ１２２と電極アセンブリ１５０とを収容する容器を画成する底部１４４と側壁１４６とが含まれている。水盤１０４の側壁１４６は、電極アセンブリ１５０と研磨ヘッド１０２によって維持された基板とを導電性パッドアセンブリ１２２に対して導電接触をさせる電解液を保持するように構成されている。側壁１４６には、水盤１０４からの電解液の除去を可能にするために、それを貫いて形成された口部１１８が含まれている。口部１１８はバルブ１２０に連結されており、水盤１０４の中の電解液が選択的に排出されまたは保持されるようになっている。
【００１６】
[0025]水盤１０４は、ベアリング１３４によって、回転するように基台１０６の上方に支持されている。駆動システム１３６が水盤１０４に連結されており、処理の間に水盤１０４が回転するようになっている。集水枡１２８が基台１０６の上に配置されているとともに水盤１０４を取り巻いており、水盤１０４を貫いて配置された口部１１８から処理の間および／または処理の後に流出する電解液のような処理用流体が捕集されるようになっている。
【００１７】
[0026]電解液送出システム１３２が、一般的に水盤１０４に隣接して配置されているとともに、電解液を水盤１０４へもたらすように適合されている。水盤１０４の中に配分された電解液によって、基板１０８が導電性パッドアセンブリ１２２と接触するときに基板表面を介して、対向電極アセンブリ１５０と導電性パッドアセンブリ１２２との間に導電路が作成される。電解液送出システム１３２には、電解液源１４２に連結されたノズルまたは出口１３０が含まれている。出口１３０は、電解液または他の処理用流体を電解液源１４２から水盤１０４の中へ流す。処理の間に、電解液によって、一般的に、基板１０８にバイアスをかけるとともに電気化学的処理を推進して基板１０８から材料を除去するための電気経路がもたらされる。
【００１８】
[0027]銅含有材料の除去のための電解液には一般的に、反応抑制剤、補強剤およびｐＨ調整剤が含まれる。基板１０８から金属を電気化学的に除去するために使用することのできる１つの電解液は、２００１年１２月２１日に出願されて、その全体を参照として本明細書に組み入れられる米国特許出願第１０／０３２，０７５号に記載されている。
【００１９】
[0028]多重出力部電源１２４が、電気導線１１２（１１２Ａｉ−Ｂとして示されており、ここで、ｉは１よりも大きい正の整数である）によって、対向電極アセンブリ１５０と導電性パッドアセンブリ１２２とに連結されている。電源１２４は、対向電極アセンブリ１５０と導電性パッドアセンブリ１２２との間に電気的バイアスを印加する。各々の導線１１２Ａｉに連結された電源１２４の各々の出力部によって印加されたバイアスは、大きさを独立して制御することができ、また、典型的には直流で０ボルト〜約５ボルトの範囲にある。導電性パッドアセンブリ１２２が電解液の存在下において基板１０８に接触すると、電源１２４によってもたらされた電位によって、以下でさらに説明するように電気化学的処理が推進される。
【００２０】
[0029]導線１１２は、水盤１０４の下方に配置されたスリップリング１２６を介して引き回されている。スリップリング１２６によって、水盤１０４が回転するときの電源１２４、電極アセンブリ１５０および導電性パッドアセンブリ１２２の間の連続的な電気的接続が促進される。導線１１２は、処理流体と融和性があるか、または導線１１２を処理流体から保護する被膜または塗膜を有するワイヤー、テープまたは他の導体である。導線１１２に利用することのできる材料の例には、他の材料もあるが、絶縁黒鉛、チタン、白金、金、およびＨＡＳＴＥＬＯＹ  登録商標が含まれる。導線１１２の周りに配置された塗膜には、フッ化炭素、ＰＶＣ、ポリアミドなどのようなポリマーが含まれていてもよい。
【００２１】
[0030]導電性パッドアセンブリ１２２は導線１１２Ｂに連結されており、導線１１２は、（対向電極アセンブリ１５０に連結された導線１１２Ａｉとともに）水盤１０４の底部１４４を介して電源１２４へ引き回されている。導線１１２Ｂは、導電性パッドアセンブリ１２２と電源１２４との間の良好な電気的接続を促進するいくらかの数の方法、例えば、はんだ付け、スタッキング、ろう付け、締め付け、圧着、リベット締め、固着、導電性接着剤によって、または導線１１２Ｂと導電性パッドアセンブリ１２２との間の良好な電気的接続を促進する他の方法または装置によって、導電性パッドアセンブリ１２２に連結されていてもよい。場合により、導線１１２Ａｉ−Ｂは、導電性パッドアセンブリ１２２かまたは対向電極アセンブリ１５０かのいずれかの取り替えをさらに促進するために、水盤１０４の中に配置された単一のディスコネクト２６６（図２に示されたような）を使用して電源１２４へ連結されていてもよい。
【００２２】
[0031]導電性パッドアセンブリ１２２には、複数の導電性要素１７２を有する最上部パッド１７０と、随意のサブパッド１７０とが含まれている。サブパッド１７０は、最上部パッド１７０と対向電極アセンブリ１５０との間に配置されている。
【００２３】
[0032]電源１２４によってパッドアセンブリ１２２と対向電極アセンブリ１５０との間に印加された電圧の制御を促進するために、処理用槽１００にはコントローラ１８０が連結されている。コントローラ１８０には典型的には、中央処理装置（ＣＰＵ）１８２、支援回路１８６およびメモリ１８４が含まれている。ＣＰＵ１８２は、さまざまなサブプロセッサー、基板処理および槽機能を制御するための工業的設定に使用することのできる任意の形態のコンピュータープロセッサの１つであってもよい。メモリ１８４はＣＰＵ１８２に連結されている。メモリ１８４、すなわちコンピューターが読取可能な媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のデジタルストレージ、ローカルストレージまたはリモートストレージのような、すぐに適用することのできる１つ以上のメモリであってもよい。支援回路１８６は、従来のやり方でプロセッサを支援するためにＣＰＵ１８２に連結されている。これらの回路には、キャッシュ、電源供給装置、時計回路、入力／出力回路網、サブシステムなどが含まれる。
【００２４】
[0033]図２には、図１の水盤１０４の中に取り外し可能に配置された導電性パッドアセンブリ１２２と対向電極アセンブリ１５０との一実施形態の分解斜視図が描かれている。図２に描かれた導電性パッドアセンブリ１２２には、サブパッド１７０に連結された最上部パッド１７０が含まれている。サブパッド１７０は、対向電極アセンブリ１５０の上に配置されるかまたは対向電極アセンブリ１５０に連結されている。
【００２５】
[0034]最上部パッド１７０は典型的には、処理用化学成分と融和性のあるポリマー材料から組み立てられるが、このポリマー材料の例には、ポリウレタン、ポリカーボネート、フッ化ポリマー、ＰＴＦＥ、ＰＴＦＡ、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、またはそれらの組み合わせ、および研磨用基板の表面に使用された他の研磨材料が含まれる。最上部パッド１７０は、また充填剤を含有していてもよく、かつ／または発泡成形されていてもよい。代表的な従来の材料には、ポリウレタンおよび／または充填剤と混合されたポリウレタンから作られたものが含まれ、それらはアリゾナ州、フェニックスに本社があるＲｏｄｅｌ，  Ｉｎｃ．，から商業的に入手することができる。最上部パッド１７０については、圧縮性材料の層のような他の従来の研磨材料もまた利用することができる。圧縮性材料には、ウレタンで抽出された圧縮フェルト繊維または発泡体のような柔軟材料が含まれるが、これらに限定されない。最上部パッド１７０は一般的に、約１０〜約１００ミルの厚さである。
【００２６】
[0035]最上部パッド１７０は、第１側部２０８と第２側部２１０とを有する。第１側部２０８は、処理の間に基板１０８（図１に示されている）に接触するように適合されている。第１側部２０８は、研磨性能を増進するために、溝、エンボス加工部または他の触感部を含んでもよい。最上部パッド１７０は、中実のものであっても、電解液不透過性のものであっても、電解液透過性のものであっても、または有孔のものであってもよい。図２に描かれた実施形態では、最上部パッド１７０は、電解液がそれを通って流れることができるように適合された複数のアパーチャー２１２がある有孔のものである。第１側部２０８には付加的に、１つ以上の長穴２６４または導電性要素１７２をその中に保持する他の特徴的形態が含まれている。
【００２７】
[0036]導電性要素１７２には、導電性ポリマー、導電材料が備わったポリマー複合材料、導電性の金属またはポリマー、導電性充填剤、黒鉛状材料または導電性ドーピング材料、またはこれらの組み合わせが含まれていてもよい。導電性要素１７２は一般的に、約１０オーム−センチメートル以下の容積抵抗または容積表面抵抗を有する。
【００２８】
[0037]図２に描かれた実施形態では、導電性要素１７２Ａは、処理中に基板との電気的接触を促進する炭素繊維または他の導電性、応従性（すなわち可撓性）材料のような複数の電気的な導電性繊維、ストランドおよび／または可撓性フィンガーである。代替の実施形態では、導電性要素１７２Ｂは、最上部パッド１７０の上に配置された基板と電源１２４との間の導電性接触を促進するローラー、ボール、ロッド、バー、メッシュまたは他の形状であってもよい。さらに別の代替の実施形態では、導電性要素１７２Ｃは、最上部パッド１７０の上に配置された基板と電源１２４との間の導電性接触を促進する導電性担体２２４に据えられたローラー、ボール、ロッド、バー、メッシュまたは他の形状であってもよい。
【００２９】
[0038]利用することのできる導電性要素の他の型／構成には、管類、ばね、ワイヤー、テープ、ブラシ、バー、メッシュ、円筒、ボールおよびピンが含まれる。この発明から恩恵を受けるように適合することのできる導電性パッドの例は、２００１年１２月１９日に出願された米国仮特許出願第６０／３４２，２８１号、２００１年１０月１日に出願された米国仮特許出願第６０／３２６，２６３号、２００１年４月２４日に出願された米国仮特許出願第６０／２８６，１０７号、２００２年５月７日に出願された米国特許出願第１０／１４０，０１０号、および２００１年１２月２７日に出願された米国特許出願第１０／０３３，７３２号に説明されているが、この内容はその全体を参照として本明細書に組み入れられる。導電性要素１７２は、単一体を形成するために、あるいは最上部パッド１７０の中に混合することができる。
【００３０】
[0039]サブパッド１７０は、最上部パッド１７０の第２側部２１０に連結されている。サブパッド１７０は典型的には、最上部パッド１７０の材料よりも柔軟であるかまたは応従性のある材料から組み立てられている。最上部パッド１７０とサブパッド１７０との間の硬度またはデュロメーターの差は、所望の研磨／メッキ性能を実現するために選択することができる。サブパッド１７０は圧縮性のものであってもよい。適切な裏当て材の例には、研磨化学成分と融和性のある発泡されたポリマー、エラストマー、フェルト、含浸フェルトおよびプラスチックが含まれるが、これらに限定されない。
【００３１】
[0040]サブパッド１７０は、第１側部２１４と第２側部２１６とを有する。第１側部２１４は、最上部パッド１７０の第２側部２１０に連結されている。サブパッド１７０は、典型的には、約５〜約１００ミルの範囲の厚さがあり、一実施形態では約５ミルの厚さがある。サブパッド１７０は、中実のものであっても、電解液不透過性のものであっても、電解液透過性のものであっても、または有孔のものであってもよい。図２に描かれた一実施形態では、サブパッド１７０は、電解液がそれを通って流れることができるように構成されており、また、透過性であるか、それを通して形成された穴を有するかまたはそれらの組み合わせを有していてもよい。図２に描かれた実施形態では、サブパッド１７０には、それを通って電解液が流れることができるように適合された複数のアパーチャー２１８のある有孔のものである。サブパッド１７のアパーチャー２１８は典型的には、最上部パッド１７０のアパーチャー２１２と整列されるが、必ずしも整列されなくてもよい。
【００３２】
[0041]対向電極アセンブリ１５０は、中実のものであっても、電解液不透過性のものであっても、電解液透過性のものであっても、または有孔のものであってもよい。対向電極アセンブリ１５０には、第１側部２２０と第２側部２２２とがある。対向電極アセンブリ１５０の第１側部２２０は、サブパッド１７０の第２側部２１６に連結されている。図２に描かれた実施形態では、対向電極アセンブリ１５０は、電解液がそれを通ることができるように構成されている。対向電極アセンブリ１５０は、透過性であるか、それを通して形成された穴を有するかまたはそれらの組み合わせを有していてもよい。
【００３３】
[0042]対向電極アセンブリ１５０の第２側部２２２は、対向電極アセンブリ１５０が研磨の間に移動するのを防止し一方で対向電極アセンブリ１５０を取り替えることができるようにするために、除去可能な接着剤で水盤１０４の底部１４４に接着することができる。対向電極アセンブリ１５０はあるいは、他の方法によって、水盤１０４に締め付けられ、固着されまたは固定されてもよい。
【００３４】
[0043]対向電極アセンブリ１５０は、１つだけの構成要素または要素であってもよく、または導電性パッドアセンブリ１２２がある組立式アセンブリの一部であってもよい。この発明の恩恵を受けるように適合することのできる電極および導電性パッドの一例は、その全体が参照として本明細書に組み入れられる、２００２年５月１６日に出願された米国特許出願第１０／１５１，５３８号に説明されている。
【００３５】
[0044]一実施形態では、対向電極アセンブリ１５０は、１つ以上の絶縁体２６２によって間隔を置いて配置された複数の電極２６０ｉから組み立てられている。電極２６０ｉまたは絶縁体２６２の少なくとも１つは、電解液が対向電極アセンブリ１５０を通ることができるように構成されている。１つ以上の絶縁体２６２は、電極２６０ｉを互いから電気的に隔離するために、電極２６０ｉどうしの間に配置されている。絶縁体２６２は、処理用化学成分を使用するのに適した任意の誘電材料から組み立てることかできる。絶縁体２６２は、電極２６０ｉどうしの間における横方向の電気的隔離をもたらすのに適したクモの巣の形態、格子ひさしの形態または他の構造の形態であってもよい。
【００３６】
[0045]図２に描かれた実施形態では、電極２６０ｉは、絶縁体２６２の中に配置されているか、または絶縁体２６２の中に埋め込まれている。電極２６０ｉは典型的には、基板１０８の上に電気化学的に堆積することのできる銅、アルミニウム、金、銀、タングステンおよび他の材料のような、堆積されまたは除去される材料から構成されている。陽極溶解のような電気化学的除去処理のために、電極２６０ｉには、堆積された材料以外の材料の電極が含まれてもよい。電極２６０ｉは、フォイルから１００ミルを超える厚さまで変動してもよい。
【００３７】
[0046]図３Ａ〜図３Ｃには、電極２６０ｉおよび絶縁体２６２のさまざまな実施形態が描かれている。図３Ａに描かれた実施形態では、電極２６０ｉは、それを通して配置されて対向電極アセンブリ１５０を貫通して電解液が通過することのできる通路３０２を有する円筒である。図３Ｂに描かれた実施形態では、電極２６０ｉは、それを通して形成されて対向電極アセンブリ１５０を貫通して電解液が通過することのできる複数のアパーチャー３０４を有する絶縁体２６２の中に配置されている。図３Ｃに描かれた実施形態では、電極２６０ｉまたは絶縁体２６２の少なくとも１つは、少なくとも１つの有孔のものかまたは電解液透過性のものであり、それによって、処理の間に電解液が対向電極アセンブリ１５０を通ることができる。
【００３８】
[0047]図２に戻り、各々の電極２６０ｉ（ここで、ｉは１よりも大きい正の整数であり、図２では５つが示されている）は、導線１１２Ａｉによって独立して電源１２４に連結されており、それによって、各々の電極２６０ｉに独立して、また、適切な場合には他の電極２６０ｉの１つとは異なる水準でバイアスをかけることができる。例えば、電極２６０１には、電極２６０２よりも大きい電圧水準までバイアスをかけることができる。電極２６０ｉに独立したバイアスをかけることで、基板は、基板の直径にわたって異なる速度で選択的に研磨することができる。
【００３９】
[0048]図４Ａは、選択的電気的バイアス輪郭を図示している対向電極アセンブリ１５０の簡略化一部断面図である。第１導電面４０２および第２導電面４０４を有する基板１０８は、導電性パッドアセンブリ１２２に接触した状態に描かれている。導電面４０２，４０４は、単一の導電性形態、または分離構成または導電層から基板の上に残る残留物の部分であってもよい。図４Ａに描かれた実施形態では、第１導電面４０２および第２導電面４０４は、第１導電面４０２が第２導電面４０４よりも参照面４０６から遠くへ延出している、基板１０８の参照面４０６に対して異なった高さにある。第１導電面４０２および／または第２導電面４０４は参照面４０６から凹んでいることが意図されている。
【００４０】
[0049]第１導電面４０２および第２導電面４０４を共通平面（典型的には参照面４０６によって画成されている）まで研磨するために、電極２６０１には第１電圧が印加され、電極２６０２には第２電圧が印加される。第１導電面４０２が導電性材料の層からの残留物を表わしているということと、局所研磨の結果として第１導電面４０２が除去されて下側にある参照面４０６が露出するということとは、意図されている。第１電圧が第２電圧よりも小さいときには、電極２６０２と導電性パッドアセンブリ１２２との間の電流密度がより大きくなり、第１導電面４０２が第２導電面４０４よりも速い速度で研磨される。逆に、電極２６０１により大きい電圧が印加されると、第２導電面４０４が第１導電面４０２よりも速く研磨される。
【００４１】
[0050]研磨速度の制御は、面４０２，４０４を異なるように研磨するための望ましさを検出する複数のセンサー４０８ｉによって促進される。図４Ａに描かれた実施形態では、センサー４０８ｉ（図ではセンサー４０８１およびセンサー４０８２として示されている）は、電極２６０ｉと電源１２４との間に配置された電流センサーである。要素４０２，４０４と電極アセンブリ１５０との間の距離は、隙間にわたる電流流束に影響を及ぼし、それぞれの部位で（すなわち、要素４０２，４０４の部位で）の電流流量は、電極アセンブリ１５０と基板１０８の参照平面４０６とに対する各々の特徴的形態４０２，４０４の高さの指標である。あるいは、センサー４０８ｉは、参照平面４０６への面４０２，４０４の高さを検出することのできる電圧センサーまたは他のセンサーであってもよい。
【００４２】
[0051]各々のセンサー４０８ｉは、基板１０８の導電面の全体的様相に関するフィードバックをもたらすために、コントローラ１８０に連結されている。基板１０８が処理の間に導電性パッドアセンブリ１２２に対して移動するので、センサー４０８ｉは、基板１０８の幅にわたって各々の導電面の相対位置を更新する。コントローラ１８０は、センサー４０８ｉによってもたらされた情報に感応して、基板１０８の部位がちょうどその時にセンサー４０８ｉに関連した特定の導電性要素１７２と接触して配置される所望の研磨速度に対応している大きさで、電源１２４からそれぞれの電極２６０ｉへ、所定電圧を独立してもたらす。このようにして、導電性パッドアセンブリ１２２のバイアス輪郭は、基板の参照平面４０６に対してより高い高さで導電性全体様相部を有しており、好ましくはより低い高さでよりゆっくりした速度で導電性全体様相部を研磨し、それによって研磨性能を改善するとともに皿形くぼみを最小限にする基板部位でより速く陽極溶解によって研磨するために、連続して調整することができる。
【００４３】
[0052]例えば、第１導電面４０２が参照面４０６から凹んでいる実施形態では、電源１２４は、電解液および／または電極からの導電性材料のその上への堆積が引き起こされる極性で、第１導電面４０２にバイアスをかけることができる、ということも意図されている。堆積は第１導電面４０２で起き、一方でまた、第２導電面４０４の上に材料を堆積しまたは第２導電面４０４から材料を除去する。
【００４４】
[0053]図４Ｂに描かれた操作の別のモードでは、センサー４０８ｉは、面４０６によって画成された参照平面に対する面４５２，４５４の露出面積の差を検出するために利用することができる。例えば、第１導電面４５２は、導電層４５０（仮想的に示された）からの残留物が除去される第２導電面４５４よりも大きい電流流束を有するであろう、充填された特徴的形態の露出面である。第２導電面４５４の表面積が減少すると電流流束は最終的にはほぼゼロまで減少するが、これは、面４０６から第２導電面４５４（例えば残留物）が除去されたことを表わしている。
【００４５】
[0054]図４Ｃに描かれた操作の別のモードでは、センサー４７０は、面４０６によって画成された参照平面に対する面４７２，４７４の露出面積の差を検出するために利用することができる。センサー４７０は、面４０６，４７２および４７４の間における反射率の量を検出するように構成されている。センサー４７０は一般的に、研磨面に形成された窓４７８を通過する一条の光線を発生する。この光線は基板で反射してセンサー４７０へ戻るが、反射光線の強度は基板の組成の指標である。例えば、第１導電面４７２は、導電層４７６（仮想的に示された）からの残留物が除去される第２導電面４７４よりも大きい反射率を有する、典型的には基板の幅にわたって形成された特徴的形態の循環数の１つである充填された特徴的形態の露出面である。このように、基板からの反射光の量の差は、特徴的形態および残留物を有する面積の指標である。第２導電面４７４の表面積が減少すると電流流束は最終的にはほぼゼロまで減少するが、これは、面４０６から第２導電面４７４が除去されたことを表わしている。
【００４６】
[0055]図５Ａ〜図５Ｃは、相異なる導電性要素のレイアウトを有する対向電極アセンブリのさまざまな実施形態の上面図である。基板が導電性パッドおよび対向電極アセンブリに対して移動して基板の別々の部分が選択的に研磨されるようにバイアス輪郭にわたって制御を促進するために、電極を対向電極アセンブリの上に任意の数の方位で構成することができる、ということは意図されている。
【００４７】
[0056]図５Ａは、対向電極アセンブリ５００Ａの一実施形態の上面図である。対向電極アセンブリ５００Ａには、基板における別々の導電性部分の処理を電気的に推進するように適合された複数の電極５０４ｉが含まれている。電極５０４ｉは、対向電極アセンブリ５００Ａの上面５０２にわたるグリッドパターンに配列されており、また、基板の上における局所研磨速度を制御するために所定の電圧水準で選択的に電圧を加えることができる。
【００４８】
[0057]図５Ｂは、対向電極アセンブリ５００Ｂの一実施形態の上面図である。対向電極アセンブリ５００Ｂには、対向電極アセンブリ５００Ｂは、対向電極アセンブリ５００Ｂの上面５１２の上における放射状パターンに配列された複数の電極５１４ｉが含まれている。電極５１４ｉの放射状パターンは電極５１４ｉの同心状リングを備えている。各々のリングは、基板における局所研磨速度を制御するために所定の電圧水準で選択的に電圧を加えることができる単一のまたは複数の電極５１４ｉから構成することができる。
【００４９】
[0058]図５Ｃは、対向電極アセンブリ５００Ｃの一実施形態の上面図である。対向電極アセンブリ５００Ｃには、対向電極アセンブリ５００Ｃの上面５２２において極点列状に配列された複数の電極５２４ｉが含まれている。電極５２４ｉには、基板における局所研磨速度を制御するために所定の電圧水準で選択的に電圧を加えることができる。電極５２４ｉの他の配列もまた意図されている。
【００５０】
[0059]図６は、陽極溶解および研磨処理を備える少なくとも１つの処理が実施される処理槽６００の別の実施形態である。処理槽６００には一般的に、研磨ヘッド６０２、導電性パッドアセンブリ６０６および水盤６０４が含まれており、水盤６０４には、導電性パッドアセンブリ６０６、参照電極アセンブリ６１４および対向電極アセンブリ６０８が収容されている。研磨ヘッド６０２および水盤６０４は一般的に、先に説明した研磨ヘッド１０２、導電性パッドアセンブリ１２２および水盤１０４に類似している。電解液送出システム１３２が、処理の間に電解液を水盤６０４へもたらす。
【００５１】
[0060]導電性パッドアセンブリ６０６および対向電極アセンブリ６０８は、電気導線６１２Ａ−Ｂによって第１電源６１０に連結されている。第１電源６１０は、対向電極アセンブリ６０８と導電性パッドアセンブリ６０６との間に電気的バイアスを印加する。パッドアセンブリおよび対向電極アセンブリ６０６，６０８にわたって印加されたバイアスは典型的には、直流で０ボルト〜約５ボルトの範囲にある。導電性パッドアセンブリ６０６が電解液の存在下において基板１０８に接触すると、第１電源６１０によってもたらされた電位によって、以下でさらに説明するように電気化学的処理が推進される。
【００５２】
[0061]参照電極アセンブリ６１４は、パッドアセンブリ６０６と対向電極アセンブリ６０８との間に配置されている。参照電極アセンブリ６１４は、電解液が、パッドアセンブリ６０６の上に配置された基板６３０と対向電極アセンブリ６０８との間に導電路を確立するために、電解液がパッドアセンブリ６０６と対向電極アセンブリ６０８との間を移動することができるように構成されている。
【００５３】
[0062]参照電極アセンブリ６１４は、１つ以上の誘電部材６１８によって互いから横方向へ隔離された、独立してバイアスをかけることのできる複数の参照電極６１６ｉから構成されている。参照電極６１６ｉは、消耗品であっても非消耗品であってもよく、また、先に検討した対向電極に適したように特定されたものに類似した材料から組み立てることができる。誘電部材６１８は典型的には、処理用化学成分との融和性がありかつ参照電極６１６ｉを処理電圧で横方向に隔離するための充分な絶縁耐力がある材料から形成されている。
【００５４】
[0063]参照電極６１６ｉまたは誘電部材６１８の少なくとも１つは、多孔質のものであるか、有孔のものであるか、透過性のものであるか、あるいはそれらを介して電解液が通過することができるように構成されている。あるいは、参照電極６１６ｉおよび誘電部材６１８は、電解液が参照電極アセンブリ６１４を通ることのできる通路を画成するように配列することができる。
【００５５】
[0064]多重出力部電源６２０がそれぞれ、導線６２２ｉによって参照電極６１６ｉのそれぞれに連結されている。電源６２０によれば、各々の参照電極６１６ｉに隣接する基板の表面で電流流束を増大させる（または減少させる）ことで、各々の参照電極６１６ｉに隣接して局所研磨速度を制御するために、参照電極６１６ｉの各々に独立してバイアスをかけることができる。
【００５６】
[0065]図７は、処理槽６００の簡略化一部電気接続図である。基板６３０は、第１導電性形態７０２および第２導電性形態７０４を有するものが示されている。導電性形態７０２，７０４は、導電性パッドアセンブリ６０６（図７には示されていない）によって第１電源６１０に電気的に連結されているとともに、対向電極アセンブリ６０８に対してバイアスがかけられている。
【００５７】
[0066]第１導電性形態７０２と対向電極アセンブリ６０８との間に配分された電解液を介して、第１導電路７１０１が画成されている。第１導電路７１０１は２つの回路岐路７０６１，７０８１から構成されている。第１導電路７１０１の第１岐路７０６１を通って流れる電流の量は、第１電源６１０によって印加された電位で一部制御される。第１導電路７１０１の第１岐路７０６１を通って流れる電流は、第１導電性形態７０２と対向電極アセンブリ６０８との間に配置された第１参照電極６１６１（参照電極は図７の配線略図をわかりやすくするためにずらせて示されている）へ第２電源６２０によって印加された電圧に感応して調整される。参照電極６１６１が同じ極性の電圧でバイアスがかけられて、対向電極アセンブリ６０８に対して第１導電性形態７０２の電位に到達する（またはその電位を超える）と、第１導電性形態７０２と対向電極アセンブリ６０８との間に第１岐路７０６１を通って流れる電流の量は減少し、そして、第１導電性形態７０２からの材料除去の速度が遅くなる。逆に、参照電極６１６１のバイアスが、対向電極アセンブリ８０６に対する第１導電性形態７０２の電位に比較していっそう異なるようになると、第１導電性形態７０２と対向電極アセンブリ６０８との間に第１岐路７０６１を通って流れる電流の量は増大し、そして、第１導電性形態７０２からの材料除去の速度が増大する。
【００５８】
[0067]第２導電路７１０２が、第１回路岐路７０６２および第２回路岐路７０８２を有して同じように構成されている。第２導電路７１０２の第１岐路７０６２を通って流れる電流の量は、第１電源６１０によって印加された電位で一部制御される。第２導電路７１０２の第２岐路７０６２を通って流れる電流は、第２参照電極６１６２へ第２電源６２０によって印加された電圧に感応して調節される。第２電源６２０によってそれぞれの参照電極６１６ｉへの電圧が独立して制御されるので、それぞれの導電路７１０ｉの第１岐路７０６ｉを通って流れる電流は、基板６３０の幅にわたって配置されたそれぞれの導電性形態からの材料除去の相対速度を独立して制御するために、適応させることができる。
【００５９】
[0068]図８は、基板８１４を処理するための処理槽８００の別の実施形態であり、処理槽８００に対向電極アセンブリ８０２と電源８０６に連結された複数の参照電極８０４ｉとが含まれている点を除いて、先に説明された処理槽６００に類似して構成されている。一実施形態では、電源８０６は、Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｒｅｓｅａｒｃｈから入手することができて参照電極８０４ｉのそれぞれに対向電極アセンブリ８０２に対するバイアスを独立してかけることができるようなポテンシオスタットである。このようにして、電源８０６は、電極８０４ｉに電位を印加して、基板の導電性形態と対向電極アセンブリ８０２との間に形成された導電路のそれぞれに沿った局所電流の流れを制御し、それによって、基板の直径にわたって研磨速度の制御を可能にすることができる。基板処理の閉ループ制御を促進するために、あるいは、センサー（図示されていない）を先に説明したように利用してもよい。
【００６０】
[0069]図９は、基板９１４を処理するための処理槽９００の別の実施形態であり、第１多重出力部電源９０６に連結された独立バイアス印加可能な複数の対向電極９０４ｉを有する対向電極アセンブリ９０２が処理槽９００に含まれている点を除いて、先に説明された処理槽６００に類似して構成されている。独立バイアス印加可能な対向電極９０４ｉによって、基板処理の閉ループ制御が促進される。
【００６１】
[0070]図１０は処理槽９００の簡略化一部電気接続図である。基板９１４は、第１導電性形態１００２および第２導電性形態１００４を有するものが示されている。導電性形態１００２，１００４は、導電性パッドアセンブリ６０６（図９に示されている）によって第１電源９０６に電気的に連結されているとともに、対向電極アセンブリ６０８に対してバイアスがかけられている。
【００６２】
[0071]第１導電性形態１００２と対向電極アセンブリ９０２の第１対向電極９０４１との間に配分された電解液を介して、第１導電路１０１０１が画成されている。第１導電路１０１０１は２つの回路岐路１００６１，１００８１から構成されている。第１導電路１０１０１の第１岐路１００６１を通って流れる電流の量は、第１電源９０６によって印加された電位で一部制御される。それぞれの対向電極９０４ｉが独立して制御されるので、基板９１４の導電性形態どうしの間に流れる電流への寄与分は、基板の幅にわたって制御することができる。第１導電路１０１０１の第１岐路１００６１を通って流れる電流は、先に検討したように、第２多重出力部電源６２０によって第１参照電極６１６１に印加された電圧に感応して、さらに調節される。
【００６３】
[0072]第２導電路１０１０２が、第１回路岐路１００６２および第２回路岐路１００８２を有して同様に構成されている。第２導電路１０１０２の第１回路岐路１００６２を通って流れる電流の量は、第１電源９０６によって印加された電位でさらに一部制御される。第２導電路１０１０２の第２回路岐路１００６２を通って流れる電流は、第２電源６２０によって第２参照電極６１２２に印加された電圧に感応して調整される。第２電源６２０によってそれぞれの参照電極６１６ｉへの電圧が独立して制御されるので、それぞれの導電路１０１０ｉの第１岐路１００６ｉを通って流れる電流は、基板９１４の幅にわたって配置された各々の導電性形態からの材料除去の相対速度を独立して制御するために、さらに適応させることができる。
【００６４】
[0073]処理の閉ループ制御は、各々の対向電極９０４ｉと第１電源９０６との間にそれぞれが連結された複数のセンサー１０１２ｉによって促進される。センサー１０１２ｉは、コントローラ１８０に連結されているとともに、それぞれのセンサー１０１０ｉで直列に位置決めされたそれぞれの導電性形態どうしの間における相対高さの測定基準的指標をもたらすように構成されている。このようにして、それぞれのセンサー１０１２ｉによってもたらされた測定基準に感応して、コントローラ１８０は、基板９１４の幅にわたって材料除去の速度を制御するために、各々の参照電極６１６ｉおよび／または各々の対向電極９０４ｉに印加された電位を変化させることができる。
【００６５】
[0074]したがって、この発明によれば、処理槽の中における局所研磨および堆積制御のための方法および装置が提供される。一実施形態では、この装置は、基板の別々の部分を選択的に研磨して、従来の処理に広く関連した皿形へこみを都合よく最小限にする。バイアス電位を逆転させて一方で適切な化学成分を利用することで処理槽を金属堆積のために適合させることができるということは意図されている。
【００６６】
[0075]上記のことはこの発明の好ましい実施形態に向けられているが、この発明の他の実施形態またはさらに別の実施形態は、その基本的範囲から逸脱することなく案出することができる。この発明の範囲は特許請求の範囲によって決定されている。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】電気化学的処理用槽の一実施形態の断面図である。
【図２】図１の電気化学的処理用槽の一部分解斜視図である。
【図３Ａ】電極アセンブリのさまざまな実施形態が描かれている。
【図３Ｂ】電極アセンブリのさまざまな実施形態が描かれている。
【図３Ｃ】電極アセンブリのさまざまな実施形態が描かれている。
【図４Ａ】選択的な電気的バイアス輪郭を図示している、導電性パッドと対向電極アセンブリとの簡略化一部断面図である。
【図４Ｂ】選択的な電気的バイアス輪郭を図示している、導電性パッドと対向電極アセンブリとの簡略化一部断面図である。
【図４Ｃ】選択的な電気的バイアス輪郭を図示している、導電性パッドと対向電極アセンブリとの簡略化一部断面図である。
【図５Ａ】相異なる導電性要素のレイアウトを有する導電性パッドアセンブリのさまざまな実施形態の上面図である。
【図５Ｂ】相異なる導電性要素のレイアウトを有する導電性パッドアセンブリのさまざまな実施形態の上面図である。
【図５Ｃ】相異なる導電性要素のレイアウトを有する導電性パッドアセンブリのさまざまな実施形態の上面図である。
【図６】図６は、電気化学的処理用槽の別の実施形態の断面図である。
【図７】図７は、図６の処理用槽の簡略化一部電気接続図である。
【図８】図８は、電気化学的処理用槽の別の実施形態の断面図である。
【図９】図９は、図８の処理用槽の簡略化一部電気接続図である。
【符号の説明】
【００６８】
１００…処理槽、１０２…研磨ヘッド、１０４…水盤、１０６…基台、１０８…基板、１１０…駆動システム、１１４…ハウジング、１１６…空気袋、１１８…口部、１２０…バルブ、１２２…導電性パッドアセンブリ、１２４…電源、１２６…スリップリング、１２８…集水枡、１３０…出口、１４０…導電面、１４２…電解液源、１４４…底部、１４６…側壁、１４８…ＲＦ電源、１７０…最上部パッド１７０…サブパッド、１７２…導電性要素、１８０…コントローラ、１８２…中央処理装置、１８４…メモリ、１８６…支援装置。
【図１】
2006523951.tif 000002
【図２】
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2006523951.tif 000004
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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