(57)【要約】【課題】非均一性の問題が軽減された画素回路を用いる改善されたカラー表示装置を提供する。【解決手段】カラーアクティブマトリクス電界発光（ＥＬ）表示装置は、赤、緑及び青を放射する画素の集合を有する画素の配列を有し、夫々の画素は、ＥＬ表示素子と、表示素子を流れる電流を駆動する駆動トランジスタと、駆動トランジスタをアドレス指定するために使用される電圧を蓄える蓄積キャパシタと、蓄積キャパシタを前記表示素子の光出力に応じて放電する放電感光素子とを有する。青の画素の集合の放電感光素子は、側面薄膜トランジスタ又はゲート型若しくは非ゲート型側面光ダイオード素子のような側面感光薄膜素子を有する一方、赤の画素の集合及び望ましくは緑の画素の集合の放電感光素子は、ｐｉｎ形光ダイオードを有する。この方法における感光素子の選択は、増強された色に関する光感度をもたらし、表示装置の性能を改善する。
2006527406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画素の配列を有するカラーアクティブマトリクス電界発光表示装置において、
夫々の画素は、電界発光表示素子と、
該表示素子を流れる電流を駆動する駆動トランジスタと、
該駆動トランジスタをアドレス指定するために使用されるべき電圧を蓄える蓄積キャパシタと、
該蓄積キャパシタを前記表示素子の光出力に応じて放電する放電感光素子とを有し、
前記配列は、赤、緑及び青の画素の集合を有し、それら画素の表示素子は、夫々、赤、緑及び青色の光を放射し、
前記赤の画素の集合の放電感光素子は、垂直ｐｉｎ形光ダイオードを有し、前記青の画素の集合の放電感光素子は、側面感光薄膜素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記緑の画素の集合の放電感光素子は、垂直ｐｉｎ形光ダイオードを有することを特徴とする、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記側面感光薄膜素子は、ゲート薄膜素子を有することを特徴とする、請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記側面感光薄膜素子は、側面薄膜トランジスタを有することを特徴とする、請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記側面感光薄膜素子は、側面光ダイオード素子を有することを特徴とする、請求項３記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラー電界発光表示装置、具体的には、光放射型電界発光表示素子及び薄膜トランジスタを有する画素の配列を有するアクティブマトリクス表示装置に関する。更に具体的には、本発明は、カラーアクティブマトリクス電界発光表示装置に関する。該表示装置の画素は、表示素子によって放射された光に反応して、表示素子の通電を制御するために使用される感光素子を有する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光性の発光表示素子を用いるカラーマトリクス表示装置がよく知られる。一般に、該表示素子は、高分子物質（ＰＬＥＤ）、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）を含め、有機薄膜電界発光素子（ＯＬＥＤ）を有する。フルカラー表示のために、一般に、配列は、赤、緑及び青の光を夫々放射する表示素子を有する画素の三つの集合を有する。
【０００３】
このような表示装置内の表示素子は電流駆動であり、従来のアナログ駆動方式は、制御可能な電流を該表示素子に供給する。概して、電流源トランジスタは、電界発光（エレクトロルミネセント；ＥＬ）表示素子を流れる電流を決める該電流源トランジスタに供給されたゲート電圧を伴って、画素構造の一部として設けられている。蓄積キャパシタは、アドレス指定相の後でゲート電圧を保持する。このような画素回路の一例は、ＥＰ−Ａ−０７１７４４６（特許文献１参照。）で記述される。従って、夫々の画素は、ＥＬ表示素子及び関連する駆動回路を有する。該駆動回路は、行導電体上の行アドレスパルスによってオンとされるアドレストランジスタを有する。該アドレストランジスタがオンとされるとき、列導電体のデータ電圧は残りの画素に送ることができる。特に、該アドレストランジスタは、駆動トランジスタと、該駆動トランジスタのゲートに接続された蓄積キャパシタとを有する電流源に、該列導電体電圧を供給する。列のデータ電圧は、該駆動トランジスタのゲートに供給されて、該ゲートは、行アドレスパルスが終了した後でさえ、蓄積キャパシタによってこの電圧に保持される。この回路内の駆動トランジスタはｐチャネルＴＦＴ（薄膜トランジスタ）として実施される。従って、蓄積キャパシタは、ゲート−ソース間電圧を一定に保つ。これは、トランジスタを流れる一定のソース−ドレイン間電流を生じる。このようにして、トランジスタは、画素の所望の電流源動作を提供する。画素は、フレーム時間まで、アドレス指定の後に続く延長された駆動期間の間に電圧を加えられうる。アドレス指定期間に蓄えられたデータ信号は、後に続く駆動期間で画素の出力レベルを決定する。
【０００４】
上記の基本的な画素回路において、ＬＥＤ物質の差異エージング又は劣化は、表示部全体に亘って画像品質の変化を生じさせうる。ＬＥＤ物質のエージングを補償することができる改善された電圧アドレス指定画素回路が提案されている。これらは、画素の最初のアドレス指定の後に続く駆動期間中に表示素子の合成光出力を制御するように、表示素子の光出力に応答し、光出力に応じて蓄積キャパシタに蓄えられた充電を漏らすよう作動する光検出素子を有する。この形式の画素構造の例が、ＷＯ０１／２０５９１（特許文献２参照。）で詳細に記述されている。一実施例において、画素内の光ダイオードは、蓄積キャパシタに蓄えられたゲート電圧を放電し、ＥＬ表示素子は、駆動トランジスタのゲート電圧が閾値電圧に到達するときに放射を中止し、その時点で蓄積キャパシタは放電を停止する。この充電が光ダイオードから漏らされる速度は、表示素子の出力の関数である。従って、光ダイオードは、光検出フィードバック素子として働く。他の実施例では、光反応ＴＦＴが同様の機能を実現するように夫々の画素に含まれている。光検出素子が垂直構造ｐｉｎ形光ダイオードを有するこのような光フィードバック型画素回路の構造の一例は、特許協力条約に基づく特許出願ＩＢ０３／０３４８４（ＰＨＧＢ０２０１３９）（特許文献３参照。）で記述されている。光検出素子が、例えば側面ＴＦＴ又は側面ゲートｐｉｎ形素子のような側面ゲート感光薄膜素子を有する画素回路の構造の一例は、ＷＯ０１／９９１９１（特許文献４参照。）で記述されている。
【０００５】
この配置に伴って、それによって、ＥＬ表示素子の効率及びエージング効果に依存しない表示素子からの光出力が得られる。更に、画素回路は、また、画素に供給する電流伝送ラインで起こりうる電圧降下の影響を補償することができる。これは、Ｄ．A．フィッシュ等による文献「アクティブマトリクス高分子／有機LEDディスプレイに対する画素回路の比較（原題  Ａ  ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｏｆ  ｐｉｘｅｌ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ  ｆｏｒ  Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｏｒｇａｎｉｃ  ＬＥＤ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ）」（２００２年５月発行、ＳＩＤ０２ダイジェスト掲載）（非特許文献１）で記述されている。
【特許文献１】欧州特許出願ＥＰ‐Ａ‐０７１７４４６
【特許文献２】国際特許出願ＷＯ０１／２０５９１
【特許文献３】特許協力条約特許出願ＩＢ０３／０３４８４（ＰＨＧＢ０２０１３９）
【特許文献４】国際特許出願ＷＯ０１／９９１９１
【非特許文献１】Ｄ．A．フィッシュ等著「アクティブマトリクス高分子／有機LEDディスプレイに対する画素回路の比較（原題  Ａ  ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｏｆ  ｐｉｘｅｌ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ  ｆｏｒ  Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｏｒｇａｎｉｃ  ＬＥＤ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ）」２００２年５月発行、ＳＩＤ０２ダイジェスト掲載
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような技術は、非均一性にそれ程悩まないように、ディスプレイの品質を改善することにおいて効果的である。しかし、達成されたディスプレイの品質に関する問題は、特に、異なる色の画素が異なる動作を示すために、依然として見た目に明らかであることがわかっている。
【０００７】
本発明の目的は、このような問題が軽減された、上述した形式の画素回路を用いる改善されたカラー表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの特徴によれば、表示画素の配列を有するカラーアクティブマトリクス電界発光表示装置が存在し、夫々の画素は、
電界発光表示素子と、
該表示素子を流れる電流を駆動する駆動トランジスタと、
該駆動トランジスタをアドレス指定するために使用されるべき電圧を蓄える蓄積キャパシタと、
該蓄積キャパシタを前記表示素子の光出力に応じて放電する放電感光素子とを有し、
前記配列は、赤、緑及び青の画素の集合を有し、それら画素の表示素子は、夫々、赤、緑及び青色の光を放射し、前記赤の画素の集合の放電感光素子は、垂直ｐｉｎ形光ダイオードを有し、前記青の画素の集合の放電感光素子は、側面感光薄膜素子を有する。
【０００９】
このような表示素子は、全ての画素の色波長に対して著しく改善された画素感度を提供し、全ての色の画素の劣化に対する改善された補正を与える。本発明は、配列の全ての画素内の同種の感光素子の従来の装置での使用が、期待した改善を確実に提供しないという認識に起因しており、異なる色の画素に対して異なる結果をもたらしうる。これらの差は、用いられた感光素子のスペクトル動作、更に具体的には、異なる光の色に応じたそれらの効率の変動によって生じる。例えばＴＦＴのような側面ゲート感光素子は、薄膜層の使用によって、青又は緑と比較すると赤い光で動作しているときが効率的ではない。従って、表示装置において、このような赤の画素の動作特性を使用することは、青及び緑の画素のそれらとは異なる。他方では、側面ｐｉｎ形ダイオード構造は、比較的厚い構造を有し、赤の光に良好な反応を示す。しかし、それらの素子は、青の光に対してはより低い効率を示す傾向がある。これは、（この領域が、表示素子から光を受けるように、表示素子の電界発光層に面して配置されている場合に、）ｐ形接触層を有する表面領域に吸収されるべき青色の光に対するこれら素子の性質に因り、そのため光電流には寄与しない。結果として、このような感光素子を用いる表示装置内の青の画素は、赤及び緑の画素とは異なる動作を示すことが予想され、光への光ダイオードの低減した変換効率の結果として、エージングの増加に悩まされる傾向がある。
【００１０】
緑の光のｐｉｎ形光ダイオードの応答特性はより良くなる傾向があるので、その場合、望ましくは、垂直ｐｉｎ形感光素子は、側面型ではなく、緑の画素の集合において使用される。
【００１１】
従って、動作する光の色によって画素に対して適切な形式の感光素子を使用することにより、強くされた色に関する感光性が得られ、表示装置の性能における有効な改善が達成される。
【００１２】
側面感光薄膜素子は、例えば側面ＴＦＴ若しくはゲート側面光ダイオード素子のようなゲート素子、又は例えば側面光ダイオード素子若しくは光レジスタのような非ゲート型素子であっても良い。ゲート型素子は、素子がオフ状態で保たれることを確実にするようにゲートが制御される特定の形式の画素回路において有利になりうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明によるカラーアクティブマトリクス電界発光表示装置の実施例について、添付の図を参照して説明する。
【００１４】
図は概略に過ぎず、実寸で描かれてはいないことは明らかである。同じ参照数字が全ての図において使用されているが、これは同じ又は類似な部品を示している。
【００１５】
図１を参照すると、カラーアクティブマトリクス電界発光表示装置は、ブロック１０と表わされている規則正しく間隔を空けられた画素の行及び列のマトリクス配列を有するパネルを有する。夫々の表示画素は、表示素子と、表示素子を流れる電流を制御する関連する駆動素子とを有し、行（選択）及び列（データ）のアドレス導電体又はライン１２及び１４の交差する集合間の夫々の共通部分に置かれている。数個の画素のみが簡単化のため図に示されている。画素１０は、行の走査用駆動回路１６及び列のデータ用駆動回路１８を有する周辺の駆動回路によって、アドレス導電体の集合を介してアドレス指定される。該駆動回路は、夫々の導電体の集合の終端に接続されている。動作時に、画素の夫々の行は、回路１８によって列導電体１４に並列に供給される夫々のデータ信号に従って、アドレス期間の後に続くフレーム期間内でそれらの個々の表示出力を決定する夫々のデータ信号を有する行の画素を取り込むように、回路１６によって関連する行導電体１２に加えられた選択パルス信号を用いてフレーム期間内でアドレス指定される。夫々の行がアドレス指定されるとき、データ信号は、適切に同期して回路１８によって供給される。
【００１６】
夫々の画素１０は、一対の電極を有する光放射型有機電界発光（ＥＬ）表示素子２０を有し、電極の間には有機電界発光物質の一つ又はそれ以上の層が並べられている。この特定の実施例において、物質は、高分子ＬＥＤ物質を有するが、例えば低分子量物質のような他の有機電界発光物質が使用されても良い。配列の表示素子は、関連するアクティブマトリクス回路と共に、絶縁基板の表面に載せられる。基板は、例えばガラスのような透明な物質から作られ、基板に最も近い個々の表示素子２０の電極は、ＩＴＯのような透明な導電性物質から形成される。従って、電界発光層によって発せられる光は、基板の他方の側で見る人に対して可視的であるように、これらの電極及び基板を介して伝送される。あるいは、画素は、基板から離れた位置で光を放射するように配置されうる。
【００１７】
画素の配列は、画素の三つの集合を有する。これら画素のＥＬ表示素子は、夫々、三つの異なる色、即ち赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の光を放射し、異なる色の画素は、夫々の列に集められている。
【００１８】
夫々の画素は、光フィードバック制御技術を実施する駆動回路を有する。これは、例えば特許文献２に記述されており、本願に引用して援用される。この回路は、動作中の画素のＥＬ表示素子によって放射された光に反応する放電感光素子を有する。特許文献２で記述されている表示装置とは異なるが、本発明によれば、図１の表示装置は、配列内の画素の色に応じて異なる形式の感光素子を使用する。
【００１９】
図２は、配列内の画素の標準的な一つの駆動回路を表わしている。この画素は、赤又は緑のいずれかの色の光出力を発生する画素のうちの一つであって、この駆動回路は、電圧、即ちアドレス指定動作を提供する。ＥＬ表示素子２０は、同じ行にある全ての画素によって共有された電力供給ライン３２と、配列内の全ての表示素子に共通の陰極層を有する共通接地ライン３４との間に駆動トランジスタ２２と直列に接続されている。駆動回路は、行導電体１２に印加された行アドレスパルスによってオンとされるアドレストランジスタ（ＴＦＴ）２６を有する。オンとされたとき、列導電体１４のデータ電圧は、残りの画素回路に移動することができる。特に、アドレストランジスタ２６は、駆動トランジスタと、トランジスタ２２のゲート節点と電力供給ライン３２との間に接続された蓄積キャパシタ２４とを有する電流源１５に列導電体電圧を供給する。従って、列電圧は、駆動トランジスタ２２のゲートに供給されて、ゲートは、行アドレスパルスが終了した後でさえ、蓄積キャパシタ２４によってこの電圧に保たれる。駆動トランジスタ２２は、ここではｐチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として実施されている。従って、キャパシタ２４は、ゲート−ソース間電圧を一定に保つ。これにより、トランジスタ２２を流れるソース−ドレイン間電流は一定となり、画素の所望の電流源動作を提供する。
【００２０】
ＬＥＤ物質のエージングの影響を補償するために、画素駆動回路に含まれる放電感光素子２７は、表示素子２０の光出力に反応し、アドレス指定の後に続く期間の間表示素子の合成光出力を制御するように、その光出力応じて蓄積キャパシタ２４に蓄えられた充電を漏らすように作動する。ここで、感光素子２７は、トランジスタ２２のゲート節点とライン３２との間で蓄積キャパシタ２４と並列に接続された垂直構造ｐｉｎ形光ダイオード４０を有し、その陰極は、逆バイアスをかけられるように、ライン３２に接続されている。光入力に応じて発生した光電流の結果として、感光素子は、キャパシタ２４に蓄えられたゲート電圧を放電し、ＥＬ表示素子２０は、このゲート電圧がトランジスタ２２の閾値電圧レベルに到達するときにはもはや発光しない。充電が素子２７から漏らされる速度は、表示素子の光出力の関数であるので、素子は感光フィードバック素子として働く。
【００２１】
図３は、配列内の青色画素の標準的な一つの駆動回路を表わしている。画素回路は、放電感光素子２７が側面ゲート感光薄膜素子４２であるということを除いては、図２の回路よりも小さい。本実施例における素子４２は、ＴＦＴ２６及び２２と同様の形状であって、同時に形成された側面構造薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。しかし、ＴＦＴ２２とは異なり、ＴＦＴ４２はｎチャネル素子である。このＴＦＴ４２の電流伝送用ソース及びドレイン電極は、ライン３２とＴＦＴ２２のゲート節点との間で蓄積キャパシタ２４の両端に接続されている。ＴＦＴ４２のゲートは、ＴＦＴ２２と表示素子２０の陽極との間の節点に接続されている。
【００２２】
図２の画素の光ダイオード４０と同様に、ＴＦＴ４２は、動作時に表示素子２０によって放射された光を浴びるように配置され、このような光に反応して、画素アドレス指定相の後に続く期間の間、表示素子の合成光出力を制御するように、蓄積キャパシタ２４に蓄積された充電を漏らす。ライン３２に結合されたＴＦＴのドレイン接合は、逆バイアスをかけられ、放射されている表示素子２０からの光による光応答は、表示素子の瞬時光出力レベルにほぼ線形に比例する。ＴＦＴ４２のゲートは、オフ（非導通）状態に保たれるように、ＴＦＴ２２のゲート節点に対して零又は負であって、ライン３２に対しては負である電圧でバイアスをかけられる。従って、ＴＦＴ４２は、図２の回路配置の光ダイオード２０と同じく、逆バイアスをかけられた光ダイオードのように単に漏出素子として動作する。光学的に制御されたＥＬ画素回路におけるこのようなゲート感光薄膜素子の使用及び構成方法は、特許文献４で記述されている。
【００２３】
図２及び３の画素回路に関して、蓄積キャパシタ２４に蓄えられた充電の放電速度は、表示素子２０の光出力の関数である。このような駆動回路の光フィードバック制御の下にある表示素子２０の合成光出力ＬＴは、次の式のように近似される。
【００２４】
【数１】
2006527406.tif 000003
ここで、ｎＰＤは、感光素子２７の効率であり、ＣＳは、蓄積キャパシタ２４の容量であり、Ｖ（０）は、駆動ＴＦＴ２２の最初のゲート−ソース間電圧であり、ＶＴは、駆動ＴＦＴ２２の閾値電圧である。従って、光出力は表示素子の効率に依存せず、その結果、エージングに対する補償が達成されうる。
【００２５】
感光素子２７の効率は、それらが動作する光の色に依存する。この点で、ゲート側面薄膜素子４２は、スペクトラムの赤の領域でより低い効率を示す傾向がある。他方では、相対的に厚い垂直ｐｉｎ形光ダイオードは、赤の光に応じて、比較的高い効率を実現できる。しかし、これらの素子の青い光への反応は悪い。これは、主として、青の光が、表面領域、即ち入射光を受けるｐ形（又はｎ形）接触層の大部分に吸収されるためであり、表面領域は、発生した光電流に寄与しない。
【００２６】
従って、異なる色の画素に対して異なる形式の感光素子を使用することによって、側面ゲート薄膜素子４２が青色発光画素で使用され、垂直ｐｉｎ形光ダイオードが赤及び緑色発光画素で使用されることに伴い、感光素子の効率は、画素の色に従って適切に選択される。従って、画素は、同じ形式の感光素子が配列全体の全ての画素に対して使用される場合と比較して、全ての色の画素の性能の点では十分に改善された結果を与えるように動作する。
【００２７】
異なる色の画素に対して異なる形式の感光素子を使用する利点は、図４でグラフとして表わされている。図４において、アクティブシリコン層の厚さ、即ち、波長λに対して約０．０４μｍであるＴＦＴ４２のｎ−ｉ−ｎ又は（ｐ−ｉ−ｐ）形半導体の厚さを有する側面ＴＦＴ感光素子の量子効率ＱＥは、曲線Ａで示される。図４において、波長λに対して約１μｍのｉ領域層の厚さを有する垂直ｐｉｎ形光ダイオードの量子効率ＱＥは、曲線Ｂで示される。Ｒ、Ｇ及びＢは、画素からの赤、緑及び青の光の近似波長を表わしている。グラフに示されているように、垂直ｐｉｎ形素子の量子効率は、赤と緑の波長間で極大となっている一方で、側面ＴＦＴの量子効率は、青の波長付近でより高くなっており、この波長で光ダイオードによって得られる効率よりも相当に高い。また、点線Ｃ及びＤによってグラフに示されているように、例えば側面ＴＦＴ又は垂直ｐｉｎ形光ダイオードのｉ層のような薄膜シリコンにおける異なる波長λの光の吸収は、約１μｍの膜厚の場合で曲線Ｄのようになる。
【００２８】
図５及び６は、図１の表示装置の画素で使用されるような垂直ｐｉｎ形光ダイオード４０及び側面ゲート薄膜素子（ＴＦＴ）の構造例を夫々概略的に示している。
【００２９】
図５を参照すると、光ダイオード４０が基板５０の上に載せられており、表示装置のガラス基板、又は基板５０の上に載せられて、素子の底面電極に接触している金属層５２の上に形成された絶縁層であっても良い。光ダイオード素子は、ｎ形注入物質を有し、金属層５２の上に直接的に形成された最下層５３を有して、ｐ形注入層５５が最上層にあって、連続的に堆積されて、垂直に積層された薄膜水素化アモルファスシリコン（補助）層から形成されたｐ−ｉ−ｎ構造を有する。ｐ層５５は、例えばＩＴＯのような、透明な導電層５７によって覆われている。光ダイオード構造は、入射光が矢印Ｌで表わされているように光ダイオード構造に入射することができるように、層５７の大部分を除いて、絶縁層５８によって取り囲まれる。光ダイオードへの電気接続は、ＩＴＯ層５７と、絶縁層５８に形成された開口部を通して下の金属層５２と接触する上の金属層６０の夫々の部分によって達成される。一般に、光ダイオード構造の中間に内在するｉ形層５４の厚さは、約０．２から１．５μｍの厚さであり、上のｐ層５５は約５から２０ｎｍの厚さである。ｉ層５４の光吸収のみが光電流を発生させる。青い光は、上のｐ層５５でほとんど吸収される。
【００３０】
図６を参照すると、ＴＦＴの形をした側面ゲート感光薄膜素子４２は、基板５０の上に載せられ、領域６３と６４との間の内在する半導体領域６５と共に側面に沿って置かれたソース及びドレイン領域６３及び６４を作るようにその端の領域における適切なｎ形注入により形成された多結晶シリコン６２の堆積された薄膜層を有する。ゲート絶縁層６６は、半導体層６２の上に設けられ、例えばＩＴＯのような透明な導電物質から作られたゲート電極６７は、内在領域６５の上に置かれるように層６２の上に形成される。ソース及びドレイン電極６３及び６４への電気接続は、ゲート絶縁層６６を介して広がっている金属層部分６８及び６９によって設けられている。一般に、この形式の側面ＴＦＴ構造では、半導体層６２の厚さは約４０ｎｍである。このような厚さでは、実際には、内在領域６５に入射する全ての青の光が吸収され、一方で、相対的にほとんどの赤及び緑の光が吸収されない。
【００３１】
素子４２のＴＦＴ構造は、代わりに、水素化アモルファスシリコン物質を用いて形成されている。
【００３２】
画素の構造、及びこのような感光素子を用いる画素配列を製造する方法の更に詳細な説明のために、例えば、側面ゲート感光薄膜素子を利用する画素に関する特許文献４と、ポリシリコンＴＦＴと共に垂直アモルファスシリコンｐｉｎ形光ダイオード素子を利用する画素を有する装置に関する特許文献３とを参照する。
【００３３】
上述した装置に関して、画素配列は、他の三つの集合に対して異なる波長の光を放射する画素の別の一つ又は複数の集合を有しても良い。この別の集合の画素回路の感光素子は、その波長を有する最適な感光を提供する。
【００３４】
上述した実施例では、ｎ形ＴＦＴの形をしたゲート側面感光薄膜素子が青の画素に対して使用されていたが、例えばｐ形ＴＦＴ（側面ｐ−ｉ−ｐ構造を有する。）又はゲート側面光ダイオード（側面ｐ−ｉ−ｎ構造を有する。）のような他のゲート側面感光薄膜素子、及び例えば側面光ダイオード素子又は側面光レジスタ素子のような非ゲート型側面感光薄膜素子がこのような目的のために使用されても良いことが考えられる。
【００３５】
垂直ｐｉｎ形光ダイオード４０に関して、この装置の構造が、回路の極性に応じて、基板に対していずれかが上部となることは明らかである。同様に、側面感光素子を使用する画素回路に関して、回路の極性反転が可能であって、この場合にはｐ形ＴＦＴが使用されても良い。
【００３６】
本開示を読むことで、他の変形が当業者にとって明らかとなる。このような変形は、アクティブマトリクス電界発光表示装置及びそのための構成部品の分野では既に知られ、ここですでに記述された特性に代えて、又は加えて使用されても良い他の特性を有しても良い。特許請求の範囲は、本願において、特性の特定の組合せに対して記述されているが、本願の開示の適用範囲は、また、如何なる請求項でも目下請求されている発明と同じ発明に関するか否かということ、及び本発明と同じ技術的な問題の幾つか又は全てを緩和するか否かということに関わらず、如何なる新規な特性、又はここで明白に、若しくは暗に記述された特性の如何なる新規な組合せ、又はその如何なる一般化をも有することが理解されるべきである。これにより、本願出願人は、新しい請求項が、本願又はそれから派生した別の如何なる出願の手続き中にこのような特性及び／又はこのような特性の組合せに対して記述されても良いことを暗示している。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明によるカラーアクティブマトリクス電界発光表示装置の実施例の一部の単純化された概略図である。
【図２】図１の装置における一つの色の標準的な画素の等価回路を示す。
【図３】図１の装置における他の色の標準的な画素の等価回路を示す。
【図４】第一及び第二の形式の感光素子の動作特性を表わしたグラフである。
【図５】図２の画素を使用した第一の形式の感光素子の構造例を断面で示した図である。
【図６】図３の画素を使用した第二の形式の感光素子の構造例を断面で示した図である。
【図１】
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【図２】
2006527406.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2006527406.tif 000011