(57)【要約】特にレジスト層（１２）がベース層（２４）上に塗布される方法に関する。レジスト層（１２）は接着剤を備えており、この接着剤の接着力は照射の間に減少または増加する。特に、この方法はレジスト層（１２）の残留物を剥離することを促進する。詳しくは、レジスト層（１２）は固体材料を含み、または固体材料を備え、レジスト層（１２）の材料は、集積回路構造を製造するための選択的な現像および露光に適しする。レジスト層（１２）は、キャリヤ上で自由に移動可能なように、あるいはキャリヤ剤または保護剤（１４、１６）に粘着して接合されるように配置されており、キャリヤ剤または保護剤（１４、１６）はレジスト層を破壊または損傷せずにレジスト層（１２）から剥離され得る。
2006510064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト層（１２）を塗布する方法であって、
レジスト層（１２）はベース層（２４、１０４）上に塗布されて、選択的に照射および現像され、該レジスト層は固体の状態で該ベース層（２４、１０４）に塗布され、あるいは粘着して接合される、方法。
【請求項２】
前記レジスト層は、前記ベース層（２４、１０４）上に塗布される前に保護剤（１４、１６）に覆われており、
および／または、該保護剤（１４、１６）は該レジスト層（１２）に配置された接着剤または該レジスト層に含まれる接着剤の硬化を防ぎ、
および／または、該保護剤（１４、１６）は該塗布前に除去され、好ましくは該塗布前の１０分未満に除去され、
および／または、半導体基板上に配置された層または半導体基板は、該ベース層（２４、１０４）として用いられ、
および／または、該レジスト層（１２）は電磁放射を用いて照射され、好ましくは紫外線放射またはＸ線放射を用いて、あるいは粒子線を用いて、好ましくは電子線またはイオン線を用いて照射される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レジスト層（１２）をパターニングする方法であって、
接着剤を含むレジスト層（１２）または接着力が前記照射の間減少または増加する接着剤を備えるレジスト層（１２）が用いられ、
および／または、該接着力は、好ましくはベースエリアまたはシリコン基板あるいはポリイミド基板における接着力に対して、３０％より大きく、または５０％より大きく、あるいは９０％より大きく減少し、または該接着力は５０％より大きく、または１００％より大きく増加する、特に請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記現像後、前記ベース層（２４）上に残留する前記レジスト層（１２）の領域（３２〜３６）は、照射されないレジスト層と比べて減少した接着力を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記現像後、前記ベース層（２４）上に残留する前記レジスト層（１２）の領域（３２〜３６）は、該残留する領域（３２〜３６）における接着力が該ベース層（２４、１０４）に対して該残留する領域の該接着力より大きい接着エリアを用いて剥離され、好ましくは粘着テープまたは粘着シートを用いて剥離される、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記現像後、前記ベース層（２４、１０４）上に残留する前記レジスト層（１２）の領域（３２〜３６）は溶媒を用いて除去される、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
有機溶剤が現像剤として用いられ、特にＮ−メチルピロリドンまたはジメチルスルホキシドが用いられる、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記レジスト層（１２）は前記ベース層（２４）における前記照射されないレジスト層の前記接着力に満たない接着力で該レジスト層（１２）に接着する補助エリア（１４）を用いて塗布され、好ましくは補助テープ（１４）または補助シートを用いて塗布される、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
反射防止層（１６）は、前記レジスト層（１２）が前記ベース層上に塗布される前と同じほど早期に該レジスト層（１２）内にまたは該レジスト層（１２）に設けられ、該反射防止層は該レジスト層（１２）における前記放射の反射を防ぐまたは減少させる、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
３０μｍより厚い、または５０μｍより厚い、あるいは１００μｍより厚い厚さ（Ｄ１）を有するレジスト層（１２）は塗布作業に適用される、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ベース層（１０４）は、好ましくはドライエッチング方法またはウェット化学的エッチング方法で、前記現像後に残留する前記レジスト層（１２）の前記領域（１３２〜１３６）に従ってパターン化され、
あるいは材料が、好ましくは電気メッキ、化学的または化学物理的または物理的塗布によって、該現像後の該レジスト層（１２）の残留する領域（３２〜３６）間に配置される該ベース層（２４）の覆われない領域に塗布され、
あるいは該ベース層（１０４）が該現像後に残留する該レジスト層（１２）の該領域（１３２〜１３６）に従って選択的にドープされる、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
特に請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法において、接着力が照射の間減少または増加する接着剤（１２）の使用、あるいは層（１０４）を選択的にパターニングするため、または層（２４）に材料を選択的に塗布するため、あるいは他に層を選択的に処理するためにそのような接着剤を用いた粘着テープ（１０）または粘着シートの使用。
【請求項１３】
レジスト層（１２）であって、特に請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法によってパターン化されたレジスト層（１２）の残留物を除去するための、粘着テープまたは粘着シートの使用。
【請求項１４】
粘着テープ（１０）または粘着シートであって、
接着力が照射の間減少または増加する粘着層（１２）を有し、
および、該粘着層（１２）の１つの側面上に配置され、２Ｎ／２０ｍｍ未満、または１Ｎ／２０ｍｍ未満、あるいは０．２５Ｎ／２０ｍｍ未満の接着力で該粘着層（１２）に接着する外層（１４）を有し、
さらなる外層は該粘着層（１２）の他方の側面上に配置され、該さらなる外層は２Ｎ／２０ｍｍ未満、または１Ｎ／２０ｍｍ未満、あるいは０．２５Ｎ／２０ｍｍ未満の接着力で該粘着層（１２）に接着する、粘着テープ（１０）または粘着シート。
【請求項１５】
前記さらなる外層は、巻き上げた粘着テープ（１０）の別の部分の外層（１２）によって形成され、あるいは少なくとも２つの粘着シートを含む粘着シートスタックの別の粘着シートの外層によって形成され、
および／または、該粘着層（１２）の材料は、集積回路構造を製造するための選択的な露光および現像に適する、請求項１４に記載の粘着テープ（１０）または粘着シート。
【請求項１６】
粘着テープ（１０）または粘着シートであって、
接着力が照射の間に減少または増加する粘着層（１２）を有し、
該粘着テープ（１０）または粘着シートは、放射の反射を防ぐまたは減少させる少なくとも１つの反射防止層（１６）を含む、特に請求項１４または請求項１５に記載の粘着テープ（１０）または粘着シート。
【請求項１７】
前記反射防止層（１６）は、前記粘着層（１２）内にまたは該粘着層（１２）に配置され、
および／または、該反射防止層（１２）は、該粘着層（１２）とは異なる屈折率を有し、該反射防止層（１６）の該屈折率は好ましくは、パターニングの間隣接する層の屈折率の相乗平均と等しく、および／または該反射防止層（１６）の厚さは好ましくは、ｎ  λ／４に等しく、ここでλは前記放射の波長であり、かつ、ｎは該反射防止層（１６）の該屈折率である、
および／または、該反射防止層（１６）は、該粘着層（１２）より高い該放射の吸収量を有する、請求項１６に記載の粘着テープ（１０）または粘着シート。
【請求項１８】
レジスト層であって、
該レジスト層（１２）は固体材料を含み、または固体材料を備え、
該レジスト層（１２）の材料は、集積回路構造を製造するための選択的な現像および露光に適しており、
該レジスト層（１２）は、キャリヤ上で自由に移動可能なように、あるいはキャリヤ剤または保護剤（１４、１６）に粘着して接合されるように配置されており、該キャリヤ剤または該保護剤（１４、１６）は該レジスト層を破壊または損傷せずに該レジスト層（１２）から剥離され得る、特に請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の方法において用いられるレジスト層。
【請求項１９】
前記保護剤（１４、１６）は、２Ｎ／２０ｍｍ未満、または１Ｎ／２０ｍｍ未満、あるいは０．２５Ｎ／２０ｍｍ未満の接着力で前記レジスト層（１２）に接着するテープまたはシートである、請求項１８に記載のレジスト層（１２）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース層上に、レジスト層が塗布され、選択的に照射され、および現像される方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例として、そのような方法はレジスト層の現像後ベース層をパターニングするリソグラフィ方法との関連で、または、例としてコンタクトエリアがベース層のコネクティングパッド上に堆積される電気メッキ方法との関連で用いられる。液体の状態でベース層にスピンされるフォトレジストは、これまではレジスト層として用いられてきた。フォトレジストに含まれる溶媒が蒸発またはベークアウトした後、レジストは硬化し、その後露光される。スピニングオン処理の間、生成されるフォトレジスト層の厚さに変動が生じる。さらに、現像の後フォトレジスト層の残留物を除去することは複雑である。例として、処分がコストインテンシブである溶媒を用いることが必要である。回転塗布されたレジスト層は通常３０μｍ（マイクロメートル）よりも薄い。より厚いレジスト層を生成しようとする場合、スピニングオン処理が適切に繰り返されなければならなく、多くの場合はその前に塗布されたレジスト層が硬化した後に繰り返されなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、レジスト層を塗布（Ａｕｆｂｒｉｎｇｅｎ）する簡単な方法を提供することにある。さらに、接着剤の使用、また、特にそのような方法で用いられる接着剤とレジスト層とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この方法に関する目的は、特許請求項１に明記された方法ステップを用いて達成される。さらなる形態は、従属請求項に明記される。
【０００５】
本発明に従った方法では、レジスト層は固体の状態でベース層上に塗布され、特に粘着して接合される。これは一連の利点を与える。特に、レジスト層が、例えば連続生産において非常に均一な層の厚さで平面的な支持体上に製造され得る。
【０００６】
レジスト層を塗布する直前に、例えばスプレーされるか、もしくは拡散されることによって接着剤がベース層上および／またはレジスト層上に塗布される場合、レジスト層はベース層に固定され得る。しかしながら、別の方法として、生産技術の点で接着剤の残留物に関してより清潔である改良型では、塗布されるずっと前にすでにベース層上に接着されているか、あるいは粘着層が塗布されているレジスト層が用いられる。
【０００７】
レジスト層でこれまでに用いられてきた材料の多くは、レジスト層の照射に敏感な材料として適切であり、例えば、ポジティブレジストの場合は、ジアゾナフトキノン（ｄｉａｚｏｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ）あるいはナフトキノンジアジド（ｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅｄｉａｚｉｄｅ）、ネガティブレジストの場合は部分的に環化されたポリイソプロペン（ｐｏｌｙｉｓｏｐｒｏｐｅｎｅ）が適切である。レジスト層はさらに、適切な塗膜形成要素（例えば、フェノール樹脂化合物）を含む。レジスト層の添加剤は特に安定剤および／または抑制剤である。
【０００８】
本発明に従った方法は、レジスト膜を生成する間に用いられる液体のレジスト材を完全に利用することを可能にする。液体のレジストの１０％のみが従来のスピニングオン処理で用いられる。残りの９０％は酸化プロセスが原因で用いられない。
【０００９】
一つのさらなる形態は、レジスト層の材料を選択することと、またレジスト層を露光することとは後の剥離作業を考慮に入れて既に行われているべきであるという考察に基づいている。さらに、本発明は、照射の作用で接着力が変動する接着剤があるという事実に基づいている。例として、照射はモノマーまたはオリゴマーからポリマーあるいはコポリマーを生成し、この場合に生じる架橋は接着力を減少させる原因となる。しかしながら他方で、ポリマーまたはコポリマーはまた、照射によってモノマーまたはオリゴマーに分割され得、接着力は増加する。接着剤の他の部類は、接着剤を分解する物質を含み、照射によって活性化または非活性化され得る。異なる程度まで架橋されるレジスト層の領域または粘着層の領域は、溶媒によって異なる速度で剥離され、その結果、レジスト層は簡単な方法で現像され得る。
【００１０】
その結果、一方では、初めはより低い接着力を有するレジスト層は、例えば、所謂ポジティブレジストに用いられ得る。露光する間にポリマーは分割され、その結果、露光された領域では接着力が増加するが、これら領域は露光されない領域よりも容易に溶媒によって除去され得る。
【００１１】
他方で、生来高い接着力を有する材料は、ネガティブレジストの場合に用いられ得る。例えば露光する間に露光された領域は架橋され、その結果、接着力はこれら領域において減少する。しかしながら、現像の間は露光されない領域のみが除去される。つまり、まだ架橋されていない領域のみが除去される。
【００１２】
よって、本発明に従った方法の１つのさらなる形態では、もしくは本発明の第２の局面では、接着力が照射の間に減少または増加する接着剤で出来ているレジスト層が利用される。この手段によって、現像後ベース層に残る領域が簡単な方法で除去され得る簡単な方法が結果として得られる。生来低い接着力または照射の間に減少する接着力が原因で、これら領域は例えば剥離粘着テープを用いることによって、特に追加の溶媒を使用せずに、または減らされた量の溶媒を用いて簡単な方法で除去され得る。
【００１３】
特にネガティブレジストに関する本発明に従った方法のさらなる形態では、接着力は照射の間、ベース層において最初の接着力に対して３０％より大きく、または５０％より大きく、あるいは９０％より大きく減少する。製造データは、例えばシリコンウェハまたはポリイミドウェハにおける接着力に関する。シリコンにおける最初の接着力は例えば１Ｎ／２０ｍｍよりも大きく、あるいは１０Ｎ／２０ｍｍよりさえも大きい。露光の後、接着力は例えば０．１６Ｎ／２０ｍｍまで減少する。特に、接着力が９０％よりも大きく減少する物質の場合もまた、物質は簡単な方法で製造され得る。
【００１４】
別のさらなる形態では、接着力は５０％より大きく、または１００％より大きく増加する。そのような物質もまた簡単な方法で製造され得、特にポジティブレジストに適している。
【００１５】
次のさらなる形態では、レジスト層は電磁放射を用いて照射または露光され、好ましくは紫外線放射またはＸ線放射を用いる。しかしながら、別の方法として、粒子ビーム（例えば、電子ビームまたはイオンビーム）を用いることもまた可能である。放射は、放射によって引き起こされる特定の化学変化（例えば、重合またはポリマーの分割）によって接着力を変化させる役目を果たす。
【００１６】
次のさらなる形態では、現像の後、層上に残っていてパターン化されるレジスト層の領域は、照射されないレジスト層と比べて減少した接着力を有する。減少した接着力は、後の残留領域の除去を促進する。隣接領域が関わる場合、残留レジスト層は例えばピンセットを用いて簡単な方法で剥離され得る。
【００１７】
別のさらなる形態では、残留領域は接着力がレジスト層の減少した接着力よりも大きい接着面を用いて剥離され、好ましくは粘着テープまたは粘着シートを用いて剥離される。粘着テープまたは粘着シートは、剥離角を広範囲の中から自由に選べることを可能にし、かつ、適切な場合、剥離処理の間に剥離角が変化することも可能にする。
【００１８】
別のさらなる形態では、残留領域は溶媒を用いて除去される。溶媒を用いる除去はこれまでよりも簡単である。何故ならば、残留領域の接着力が大幅に減少するからであり、特にベース層で硬化するフォトレジストと比べて大きく減少する。
【００１９】
本発明に従った方法の次のさらなる形態では、有機溶剤が現像剤として用いられ、特にＮ−メチルピロリドンまたはジメチルスルホキシドが用いられる。ジメチルスルホキシドの構造式は、以下のようである。
【００２０】
Ｈ３Ｃ−ＳＯ−ＣＨ３
上記現像剤は、今までフォトレジストの現像においても用いられてきており、好ましい費用で利用可能である。
【００２１】
次のさらなる形態では、レジスト層は接着力がベース層における照射されない層の接着力に満たない接着エリアを用いて塗布される。１つの改良点で、粘着テープまたは粘着シートが用いられる。そのようなレジスト層を塗布することは、その塗布する際に用いられる機械または道具に現れる接着剤残りなしで実行され得る。別の方法として、例として、レジスト層はまたスクリーン印刷法に類似する方法でベース層上に塗布され得る。
【００２２】
次のさらなる形態では、反射防止層を有するレジストが利用される。反射防止層を用いることにより、レジスト層のパターニングの間と、よってまた例えばベース層のパターニングの間との最小特徴寸法を小さくすることが可能になる。本発明に従った方法は、５μｍまたは１０μｍよりも大きい最小寸法の構造を生成するのにも用いられるが、この方法はまた最小特徴寸法が１μｍ以下の領域にある場合でも用いられ得る。
【００２３】
次のさらなる形態では、レジスト層は、３０μｍよりも厚い厚さ、５０μｍよりも厚い厚さ、あるいは１００μｍより厚い厚ささえも有する。そのような厚いレジスト層は、塗布作業に適用され得る。フォトレジストを用いる場合、複数の塗布作業が必要であり、すなわち交互にスピニングオン、硬化、スピニングオフなどが必要である。レジスト層を塗布する方法は、よってこの形態によって実質的に簡易化される。
【００２４】
別のさらなる形態では、好ましくは、ドライエッチング処理またはウェット化学的エッチング処理において、ベース層が現像の後に残存するレジスト層の領域に従ってパターン化される。別の方法として、材料が、例えばスパッタリング方法を用いて、好ましくは電気メッキ、化学的あるいは化学物理的堆積によってベース層上のレジスト層の残存する領域間に塗布される。
【００２５】
さらなる局面として、本発明はさらに、層を選択的にパターニングするために、または材料を層に選択的に塗布するために、接着力が照射の間変化する接着剤を用いることに関する。層を選択的にパターニングするため、または材料を層に選択的に塗布するためのそのような接着剤を有する粘着テープまたは粘着シートを用いることはさらに保護されている。
【００２６】
さらなる局面は、レジスト層、特に本発明または本発明のさらなる形態のうち１つに従う方法に基づいてパターン化されたレジスト層の残留物を除去するための粘着テープまたは粘着シートを用いることを保護する。
【００２７】
本発明はさらに、接着力が照射の間変化する粘着層を含む粘着テープまたは粘着シートに関する。さらに、粘着テープまたは粘着シートは、粘着層の１つの側面上に外層を含み、この外層はベース層における粘着層の接着力と比べて小さい力を費やして粘着層から除去され得る。例として、この接着力は０．５Ｎ／２０ｍｍ（２０ミリメートル当たりのニュートン）未満である。これは０．５ニュートンの力が２０ｍｍ幅の粘着層から外層を剥離するのに必要とされることを意味する。よって、必要な力は例えば、粘着層がベース層に接着する接着力の５０％のみ、あるいはさらに１０％のみということになる。さらなる外層が粘着層の他方の側面上に配置され、同様に小さい力で剥離され得る。そのような粘着テープは、ベース層への粘着層の簡単な塗布に適している。よって、第一に１つの外層が除去される。その後、粘着テープまたは粘着シートがベース層に粘着して接合される。他方の外層が除去されるのはその時のみである。本発明または本発明のさらなる形態のうち１つに従う方法は、その後に続いて実行される。
【００２８】
１つのさらなる形態において、さらなる外層は巻き上げた粘着テープの同一の外層の別の部分の外層によって形成され、あるいは少なくとも２つの粘着シートを備える粘着シートスタックの別の粘着シートの外側によって形成される。その結果、外層は多数重なって利用され得、すなわち、それぞれ２つの粘着層の覆い、あるいはそれぞれ１つの粘着層の２つの部分の覆いのために、多数重なって利用され得る。
【００２９】
本発明はさらに、接着力が照射の間変化する粘着層を含む粘着テープまたは粘着シートに関する。粘着テープまたは粘着シートは、少なくとも１つの反射防止層を含み、この反射防止層は放射の反射を防ぐか、あるいは減少させる。反射防止層を用いることにより、粘着層のパターニングの間最小特徴寸法を小さくすることが可能になる。
【００３０】
１つのさらなる形態では、反射防止層は粘着層の中央に、あるいは粘着層の端に配置される。反射防止層は、例として、他の粘着層とは異なる屈折率を有する。別の方法として、あるいはそれに加えて、放射の吸収係数は粘着層におけるよりも反射防止層においてより大きい。
【００３１】
記載した接着剤は、特に本発明または本発明のさらなる形態のうち１つに従う方法において用いられる。
【００３２】
本発明の例示的な実施形態は、添付の図面を参照しながら以下に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１は、粘着層（Ｋｌｅｂｅｓｃｈｉｃｈｔ）１２と外層１４とを含む粘着テープ１０を示す。粘着層１２は、接着力が紫外光による照射によって減少する物質を含む。粘着テープ１０を製造する間、シリコンウェハ上の粘着層１２の接着力は例えば２．０Ｎ／２０ｍｍである。粘着層１２の厚さは、例示的な実施形態において５０μｍである。粘着層１２の化合物の１つの例は、以下により詳細に説明される。外層１４は例えばＰＥＴまたはＰＥＴＰ（ポリエチレンテレフタラート）、すなわちポリエチレンまたは他の適切なプラスティックから構成される。外層１４は粘着層１２から容易に剥離され得る。
【００３４】
粘着テープ１０は、ロール上で巻き上げられ、その結果、外層１４が両側から粘着層１２を囲む。
【００３５】
別の例示的な実施形態では、粘着テープ１０は、粘着層１２と外層１４とに加えて、粘着層１２と同一の化合物を有する反射防止層１６をも含む。さらに、しかしながら、反射防止層１６は、反射防止層１６に紫外線放射の吸収を上げる粒子をも含む。
【００３６】
図２Ａは、集積された構成要素（図示せず）（例えば、トランジスタ）を含む集積回路構造２０を示す。さらに、集積回路構造２０は酸化被膜２２（例えば、二酸化ケイ素層）を含む。酸化被膜２２に存在するものはメタライゼーション層２４であり、これは多数の銅導体路を含み、そのうち２つの銅導体路２６および２８が図２Ａに図示される。バリヤー層は説明を明確にするために図２Ａに描かれていない。
【００３７】
ＣＭＰ（化学機械的研磨）法と洗浄とが実行された後、粘着テープ１０は集積回路構造２０に粘着して接合された。外層１４はその後に続いて、例えばピンセットを用いて手動で、あるいは剥離粘着テープと剥離装置とを用いて剥離された。
【００３８】
それから選択的な露光がフォトマスクを用いて実行される。矢印３０は入射する紫外光を記号で表す。露光により、粘着層１２の領域３２から領域３６までが露光される。露光した領域は銅導体路２６と銅導体路２８との間の空間上にある。露光領域３２〜３６は、銅導体路２６または２８の上にそれぞれ位置する非露光領域３８、４０を区切る。露光領域３２〜３６では、強く架橋されたポリマーが露光の結果として形成され、このポリマーは露光領域３２〜３６における粘着層１２の接着力を小さくする。非露光領域３８および４０では、対照的に、比較的弱い架橋されたポリマーまたは短いポリマーのみが存在し、その結果、接着力は変化せずに高く保たれる。
【００３９】
図２Ｂに示されるように、現像作業は、その後、少なく架橋される領域（すなわち非露光領域３８および４０）を露光領域３２〜３６よりも強く剥離する溶媒を用いて、行われる。従って、現像の間、粘着層１２の非露光領域３８および４０が除去され、その結果、カットアウト５０および５２がそれらの場所に生成される。そのカットアウトの底部は、それぞれ銅導体路２６および２８の所まで達する。
【００４０】
その後に、銅コンタクト５４および５６がそれぞれ、電気メッキ（ｇａｌｖａｎｉｓｃｈｅｓ）法によってカットアウト５０とカットアウト５２とに堆積される。外部電流を用いる電気メッキ法または外部電流を必要としない電気メッキ法が用いられる。
【００４１】
他の例示的な実施形態では、ポジティブレジストとして働く接着剤１２が用いられる。この場合、接着剤１２は本来小さい接着力を有する。露光の間、領域３８および４０が露光される。これら領域では、ポリマーが露光の結果分割される。同時に、接着力がこれら領域において大きくなる。現像の間、領域３８および４０は再び除去され、さらなる方法はまた図２Ｂを参照しながら前に説明した通りである。
【００４２】
図２Ａと図２Ｂとを参照しながら説明した両方の方法において、電着の後に、粘着層１２に塗布され、その後剥ぎ取られる剥離粘着テープが利用される。剥ぎ取る処理の間、残留領域３２〜３６は剥離粘着テープに付着したままで、集積回路構造２０から除去される。
【００４３】
図３Ａに示されるように、粘着テープ１０はまた、層をパターニングする際にも用いられ得る。集積回路構造１００は酸化被膜１０２、例えば、二酸化ケイ素層またはＢＰＳＧ層（ボロホスホシリケートガラス（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ））を含む。パターン化される金属層１０４は、二酸化ケイ素層１０２上に位置し、この金属層は、例示的な実施形態において、アルミニウムまたは５重量％未満の少量な添加物を有するアルミニウム合金から構成される。
【００４４】
粘着テープ１０は、アルミニウム層１０４に粘着して接合される。外層１４はその後剥ぎ取られて、金属層１０４上に粘着層１２のみ、あるいは粘着層および反射防止層１６のみを残す。粘着層１２はそれからフォトマスクを用いて選択的に露光される（矢印１３０を参照）。これにより、露光領域１３２〜１３６が結果として得られ、これら露光領域１３２〜１３６は非露光領域１３８および１４０を区切る。露光領域１３２〜１３６では、露光の結果、架橋がより強くなり、金属層１０４における粘着層１２の接着力が減少する。
【００４５】
図３Ｂに示すように、粘着層１２はその後溶媒を用いて現像される。これにより、露光領域１３２〜１３６の間にカットアウト１５０および１５２が結果として得られる。これらカットアウトは非露光領域１３８および１４０がそれぞれ最初に位置していた場所に位置する。露光領域１３２〜１３６は現像の間変化しないままである。
【００４６】
図３Ｃに示されるように、金属層１０４はその後、粘着層１２にある構造に従って異方性エッチング処理によってパターン化される。この場合、カットアウト１５０および１５２が、金属層１０４を貫通して延びる。エッチング処理の終わりに、カットアウト１５０の底部は酸化被膜１０２上に位置する。カットアウト１５２の底部は同様に酸化被膜１０２の底部上に位置する。金属導体路１６０〜１６４が、パターニングの間に連続金属層１０４から生成される。
【００４７】
エッチング処理の後、粘着層１２の残留物１３２〜１３６は、図２Ｂに関連して上記した方法によって剥離粘着テープを用いて除去される。
【００４８】
他の例示的実施形態では、ポジティブレジストとして機能する粘着層１２が同様に、図３Ａ〜図３Ｃを参照しながら説明した方法に用いられる。ポジティブレジストに関して図２Ａおよび図２Ｂに対する説明が参照される。
【００４９】
１つの例示的実施形態では、粘着層１２は分子毎に少なくとも２つの光重合可能な（ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｂｌｅ）炭素−炭素二重結合を含む小さい分子量を有する化合物を含む。粘着層１２はさらに光重合イニシエーターを含む。
【００５０】
光重合可能な化合物は、約１０，０００以下の数平均分子量を有し、好ましくは５０００以下の数平均分子量を有する。一分子当たりの光重合可能な炭素−炭素二重結合の数は、２〜６で、特に３〜６であるべきである。これら光重合可能な化合物の特に好ましい例は、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート（ｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ  ｔｅｔｒａａｃｒｙｌａｔｅ）、ジペンタエリトリトールモノヒドロキシペンタアクリレート（ｄｉｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ  ｍｏｎｏｈｙｄｒｏｘｙｐｅｎｔａａｃｒｙｌａｔｅ）およびジペンタエリトリトールヘキサアクリレート（ｄｉｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ  ｈｅｘａ−ａｃｒｙｌａｔｅ）である。用いられ得る他の光重合可能な化合物は、１，４−ブタンジオールジアクリレート（ｂｕｔａｎｅｄｉｏｌ  ｄｉａｃｒｙｌａｔｅ）、１，６−ヘキサン‐ジオール‐ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートおよび商業的に利用可能なオリゴエステルアクリレート（ｏｌｉｇｏｅｓｔｅｒ  ａｃｒｙｌａｔｅ）を含む。
【００５１】
これら光重合可能な化合物は単独で、あるいは混合して使用され得る。光重合可能な化合物が用いられる量は、１００重量部のベースポリマーに対して１〜１００重量部の範囲にある。光重合可能な化合物が用いられる量が少な過ぎると、粘着層１２を光で照射する場合に三次元網目構造が不十分にしか形成されず、かつ、集積回路構造２０における薄い粘着層１２の接着力における減少が小さ過ぎる。他方で、その量が多すぎると、結果として生じる粘着層の可塑性が大幅に大きくなり、最初の接着力は過度に増加する。光重合可能なイニシエーターの例は、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーのケトン、クロロチオキサントン（ｃｈｌｏｒｏｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、ドデシルチオキサントン（ｄｏｄｅｃｙｌｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、ジメチルチオキサントン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、ジエチルチオキサントン（ｄｉｅｔｈｙｌｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、アセトフェノン−ジエチル−ケタール、ベンジルジメチルケタール（ｂｅｎｚｙｌ  ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｋｅｔａｌ）、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（α−ｈｙｄｒｏｘｙｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ  ｐｈｅｎｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）および２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン（２−ｈｙｄｒｏｘｙｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｒｏｐａｎｅ）である。これら化合物は単独で、あるいは混合物の状態で用いられ得る。
【００５２】
具体的には、１００部のブチルアクリレート、５部のアクリロニトリルおよび５部のアクリル酸を備える組成物が、数平均分子量３００，０００を有するアクリルコポリマーを調製するためにトルエンの共重合に利用された。
【００５３】
以下のものが１００部のアクリルコポリマーに加えられた。すなわち、５部のポリイソシアネート化合物（商標名「Ｃｏｒｏｎａｔｅ  Ｌ」、日本ポリウレタン株式会社が調製したもの）、１５部のジペンタエリトリトールモノヒドロキシペンタアクリレートおよび１部のα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが加えられた。これら部は、粘着層１２を生成するために共に混ぜ合わされた。
【００５４】
組成物は５０μｍの厚さＤ１を有する外層１４の表面に層の形で塗布され、その後に数分間（例えば、１３０℃で３分間）乾燥させられた。
【００５５】
他の例示的な実施形態では、数平均分子量３０００または３０，０００を有するアクリルコポリマーが調製され、そこに前記の部がその後に加えられる。
【００５６】
他の既知の組成物もまた、説明した組成物の代わりに粘着層１２に用いられ得る。
【００５７】
特に、レジスト層の均一な厚さは前に明記した方法によって達成される。＋／−３％未満の厚さ許容差は簡単な方法で適合され得る。
【００５８】
特定のウェハ加工作業では、ウェハを機械に問題なく移送し導入すること、あるいは電気メッキ法の電気接続を保証するために、例えばスライスエッジにレジスト塗布が加えられないことが必要である。エッジにおいてスプレーのみされる溶媒でエッジを除去することにより、除去されるべきでないレジストにも溶媒が導入されることが避けられないことが原因で、スライスエッジにおけるレジストの厚さが１５パーセントまで増加することがもたらされる。
【００５９】
周辺エッジ領域をさらに除去するステップは、テープ型またはシート型のレジスト層がウェア直径よりも少なくとも２ｍｍまたは少なくとも５ｍｍ小さい寸法に予めスタンプされる（予め切り取られる）場合、避けられる。センタリングステップがこの場合必要である。そのようなセンタリングステップはまた、ウェハの輪郭を有する膜が用いられる場合も必要である。ウェハ平面（ｗａｆｅｒ  ｆｌａｔ）が、予めスタンプされた、あるいは予成形された膜に関して勘案される場合、フラット領域の正しい位置もレジスト膜を塗布するときに考慮されねばならない。
【００６０】
しかしながら、スタンプされないテープまたはシートもまた用いられ、適合するレジスト片は膜を塗布した後に切刃（例えば、ウェハエッジに沿ってロールからの切刃）を用いて切断される。センタリング作業はこの場合取り除かれる。
【００６１】
テープ積層工程はさらに、レジスト塗布工程よりも相当に速く、かつ費用がかからない。露光はこれまで用いられてきたマスクアライナーシステムによって行われ得る。
【００６２】
膜の反射防止性質は、収縮せずにトポグラフィー上に金属導体路をパターン化することも可能にする。
【００６３】
レジストおよび／または接着剤における放射線過敏化合物（例えば、ＵＶ光過敏化合物（紫外線））は、スライス面から残留物を残さずに、特に裂け目なく除去することを可能にする。
【００６４】
レジストは照射の間にさらに硬化すると、プラズマアタックに対してより耐久性のあるようになる。レジストに耐熱性化合物を使用することにより、レジストの下に位置する層のパターニングの間、プラズマ電力をさらに増加させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は、粘着テープを示す。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは、集積回路構造上のレジスト層のパターニングと電気メッキ堆積とを示す。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂは、集積回路構造上のレジスト層のパターニングと後に続く層のパターニングとを示す。
【図１】
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【国際調査報告】
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