(57)【要約】回路材料、回路、及び多層回路（１００）における誘電体材料（１１４）として使用される架橋可能な液晶ポリマ組成物（１１６）が開示される。架橋可能な液晶ポリマ組成物は、好ましくは、フェニルマレイミド、ナジイミド、フェニルアセチレン、又は以上の組み合わせ、から成る群から選択される末端基を含む、架橋可能な液晶ポリマを含む。その上、架橋可能な液晶ポリマ組成物（１１６）は、微粒子フィラー（１１８）及び／又は繊維ウェブ（１２０）を更に含んでもよい。架橋可能な液晶ポリマ組成物は、改良された電気的及び機械的特性を提供した。
2006501688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体層と、を備え、
前記誘電体層は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセテチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む、架橋可能な液晶ポリマを含む、
回路又は多層回路の形成のための回路材料。
【請求項２】
前記導電層は、銅である、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項３】
前記誘電体層は、十分に架橋されると、実質的に非流動性である、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項４】
前記誘電体層は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上のうちの少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項５】
誘電体層は、部分的に架橋されると、流動性である、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項６】
前記誘電体層の、前記第１の導電層とは反対の側に配設された第２の導電層
を更に備える、請求項１に記載の回路材料。
【請求項７】
前記誘電体層は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項６に記載の回路材料。
【請求項８】
前記架橋可能な液晶ポリマは、フェニルマレイミド基を含む、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項９】
１乃至１０ＧＨｚで測定すると、誘電率は約３．８より小さく、誘電正接は約０．００７以下であって、
液晶ポリマ組成物が十分に架橋されると、ＵＬ−９４の等級は、Ｖ−１又はそれより良い、
請求項１に記載の回路材料。
【請求項１０】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体基板と、
を備える、回路又は多層回路の形成のための回路ラミネートであって、
前記誘電体基板は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、から誘導された架橋された基を有する、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマを含む、回路ラミネート。
【請求項１１】
前記導電層は、銅である、
請求項１０に記載の回路ラミネート。
【請求項１２】
前記誘電体基板は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１０に記載の回路ラミネート。
【請求項１３】
１乃至１０ＧＨｚで測定すると、誘電率は約３．８より小さく、誘電正接は約０．００７以下であって、
液晶ポリマ組成物が十分に架橋されると、ＵＬ−９４の等級は、Ｖ−１又はそれより良い、
請求項１０に記載の回路ラミネート。
【請求項１４】
フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する、架橋可能な液晶ポリマを含む、架橋可能な液晶ポリマ組成物を、導電層と接触させるステップと、
前記架橋可能な液晶ポリマを架橋して、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマ誘電体材料を形成するステップと、
を含む、回路材料を形成する方法。
【請求項１５】
架橋された、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体基板と、
前記誘電体基板上に配設された導電回路層と、
を備える回路。
【請求項１６】
前記導電層は、銅である、
請求項１５に記載の回路。
【請求項１７】
前記誘電体基板は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１５に記載の回路。
【請求項１８】
１乃至１０ＧＨｚで測定すると、誘電率は約３．８より小さく、誘電正接は約０．００７以下であって、
液晶ポリマ組成物が十分に架橋されると、ＵＬ−９４の等級は、Ｖ−１又はそれより良い、
請求項１５に記載の回路。
【請求項１９】
流動性誘電体材料上に配設された第１の導電層を備える、樹脂コートされた導電層と、
回路層と第２の導電層との間に配設された誘電体基板を備える、２層クラッド回路と、
を備え、
前記流動性誘電体材料は、前記回路層の、前記誘電体基板とは反対の側に配設され、
更に、
前記流動性誘電体材料、前記誘電体基板、又はその両方は、
架橋された、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する熱硬化性液晶ポリマを含む、
多層回路。
【請求項２０】
第１の導電層、第２の導電層、及び回路層は、銅である、
請求項１に記載の多層回路。
【請求項２１】
約３．８より小さい誘電率と、
約０．００７以下の誘電正接と、
Ｖ−１又はそれより良いＵＬ−９４の等級と、
を有する、請求項１９に記載の多層回路。
【請求項２２】
前記誘電体基板は、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項１９に記載の多層回路。
【請求項２３】
第１の回路層と第２の回路層との間に配設された第１の誘電体基板を備える、第１の２層クラッド回路と、
第３の回路層と第４の回路層との間に配設された第２の誘電体基板を備える、第２の２層クラッド回路と、
前記第１の誘電体基板の層とは反対の側にある前記第２の回路層と、前記第２の誘電体層とは反対の側にある前記第３の回路層と、の間に配設された接着層と、
を備え、
前記第１の誘電体基板、前記第２の誘電体基板、又は前記接着層、の少なくとも一つは、
架橋されたフェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を有する、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマを含む、
多層回路。
【請求項２４】
約３．８より小さい誘電率と、
約０．００７以下の誘電正接と、
Ｖ−１又はそれより良いＵＬ−９４の等級と、
を有する、請求項２３に記載の多層回路。
【請求項２５】
前記第１の誘電体基板、前記第２の誘電体基板、又は前記接着層の少なくとも一つは、微粒子フィラー、繊維ウェブ、又は以上の少なくとも一つを含む組み合わせ、を更に含む、
請求項２３に記載の多層回路。
【請求項２６】
前記第１の回路層の、前記第１の誘電体層とは反対の側に配設されたカバーフィルムを更に備え、
前記カバーフィルムは、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、の架橋により形成される、熱硬化性液晶ポリマを含む、
請求項２３に記載の多層回路。
【請求項２７】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体層と、を備え、
前記誘電体層は、部分的に架橋された、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む液晶ポリマを含む、
回路又は多層回路の形成のためのＢステージ回路材料。
【請求項２８】
前記導電層は、銅である、
請求項２７に記載のＢステージ回路材料。
【請求項２９】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に配設された誘電体層と、を備え、
前記誘電体層は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、または以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む液晶ポリマを含み、
更に、
前記基は、前記液晶ポリマの溶融温度より少なくとも約２０℃高い温度で架橋する、
回路又は多層回路の形成のための回路材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は回路及びそれらの製造に有用な材料、詳細には熱硬化性液晶ポリマを含む回路材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願で使用されるように、回路材料とは、回路の製造に使用される物品であり、回路ラミネート、接着層、カバーフィルム、及び樹脂コートされた導電層を含む。回路ラミネートは、誘電体材料から形成された誘電体基板に固着された一つ又は二つの導電層を備える。回路ラミネート内の誘電体材料や、接着層や、樹脂コートされた導電層は、熱硬化性又は熱可塑性ポリマを含んでよい。回路ラミネート内の誘電体基板は一般的に回路の製造又は使用中に軟化したり、流れたりせず、一方、接着層及び樹脂コートされた導電層内の誘電体材料は通常、回路の製造中に軟化したり、流れたりする。誘電体材料は、典型的には可とう性と剛性の二つのクラスに分けられる。可とう性誘電体は、一般的にいわゆる剛性誘電体層より薄く、より曲げられる傾向にあり、典型的には繊維上のウェブや、例えば、短い、または長い、繊維及び／又は充填材のような他の形式の補強材、を含む。
【０００３】
例えばエッチングによる、回路ラミネートの導電層のパターン形成は、回路層を与える。多層回路は複数の導電層を備え、それらのうち少なくとも一つは導線パターンを含む。典型的には、多層回路は、接着層を用い、適切にアライメントし、熱及び／又は圧力を用いて一つ以上の回路層を一緒にラミネートすることにより、形成される。接着層は回路間及び／又は回路と、後でパターン形成される導電層と、の間、で接着を行うために使用される。多層構造では、ラミネートの後、導電層間に有用な電気的経路を作るために既知のホール形成及びメッキ技術が使用される。樹脂コートされた導電層を、回路の外層に直接接着してもよい。この樹脂コートされた層は、時にはキャップ層と呼ばれる場合もある。
【０００４】
高周波（１ギガヘルツ（ＧＨｚ）以上）で動作する電気装置は、低誘電率と低誘電正接を有する回路基板の使用を必要とする。更に、高密度、高性能用途における回路材料及び回路に対する要件は、低伝播遅延、低クロストーク及び高クロックレートのための低誘電率（Ｄｋ）と、低減衰、良好な信号品質（シグナルインテグリティ）及び携帯機器における低電力消費のための低誘電正接（Ｄｆ）とを有する回路材料を必要とする。更に、回路は不燃性であるべきであり、好ましくは、欧州規則によりいくつかが禁止されようとしているハロゲン化遅燃剤を添加することなく、アンダーラーターズ  ラボラトリーのＵＬ−９４燃焼性試験において、Ｖ−１又はそれより良好な等級を達成する。更に、回路材料は好ましくは良好な寸法安定性と向上された信頼性、例えばメッキされたスルーホールの信頼性、を提供するために全ての方向に低熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。
【０００５】
従って、高密度、高性能用途での使用に適した回路材料及び回路の必要性がこの技術分野において存在し続ける。多数の架橋された液晶性ポリマが知られているが、種々の欠陥に悩まされている。例えば、Ｅｃｏｎｏｍｙの米国特許第５，４３９，５４１号明細書は、回路用途の架橋されたコポリエステルの使用を開示しており、その場合、このコポリエステルの融点と硬化温度の値が比較的接近している。この、融点と硬化温度の近接は、シート状のコポリエステルの生産と、均一な接着層システムを作成するのに有用な部分的に硬化されたラミネートを作ることを困難にする。
【０００６】
共にＢｅｎｉｃｅｗｉｃｚらの、米国特許第５，１１４，６１２号及び５，４７５，１３３号の各明細書は、例において、液体又は非常にもろい粉末であるモノマを用い、そのためシートを形成することを困難にする、液晶性熱硬化性樹脂の製造を開示している。これらのモノマはまた、制御が難しく、望ましくない多孔質のラミネートをもたらす非常に高発熱性の硬化反応を有する。更に、これらのモノマはフィルムに形成できないので、それらを用いてＢステージのプリプレグを作ることは困難である。
【０００７】
欧州特許第０６９７２７８号明細書は熱可塑性液晶ポリマから剛性ラミネートを形成することを開示している。得られたラミネートはＺ軸方向の高い熱膨張係数と、高温での低い弾性率及び凝集力に悩まされ、このことは高温での低品質回路基板と貧弱な接着力とをもたらし、それにより回路基板が半田付けや他の高温組み立て用途に耐えることを困難にしている。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，４３９，５４１号明細書
【特許文献２】米国特許第５，１１４，６１２号明細書
【特許文献３】米国特許第５，４７５，１３３号明細書
【特許文献４】欧州特許第０６９７２７８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、高密度、高性能用途の必要性に合った回路材料及び回路に対する必要性がこの技術分野において存在し続ける。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の欠陥と不都合は、回路材料、回路、及び多層回路の形成のための誘電体材料として架橋可能な液晶ポリマ組成物の使用により軽減される。好ましくは、架橋可能な液晶ポリマは、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせを含む。好ましくは、基は末端基である。架橋可能な液晶ポリマ組成物は、更に微粒子フィラー及び／又は繊維ウェブを更に含んでもよい。
【００１１】
架橋可能な液晶ポリマ組成物（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋａｂｌｅ  ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）の部分的硬化は、Ｂステージの架橋可能な液晶ポリマを生み出し、一方、架橋可能な液晶ポリマ組成物の完全な硬化は、優れた電気的及び物理的性質、例えば誘電率、誘電正接、熱膨張係数、吸水性、遅燃性等を有する熱硬化性液晶ポリマを生み出す。好ましくは、架橋可能な液晶ポリマ組成物から形成される誘電体材料は、１ＧＨｚ以上の周波数において約３．８より小さい誘電率と、約０．００７以下の誘電正接を有する。更に、本願に開示された架橋可能な液晶ポリマ複合材料から形成された誘電体材料を含む、回路材料、回路及び多層回路は、ハロゲン化遅燃剤を採用することなく優れた遅燃性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の上述及び他の特徴、及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から当業者により認識及び理解されるであろう。
【００１３】
架橋可能な液晶ポリマ組成物は、回路材料、回路、及び多層回路の形成に有用な誘電体材料を提供するために使用されると好都合であるかもしれない。架橋可能な液晶ポリマは、液晶ポリマに架橋可能な基、好ましくは架橋可能な末端基を与えることにより形成される。そのような基の例は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、又は以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む。架橋可能な液晶ポリマ組成物は、末端基と共反応する添加架橋剤と、架橋触媒、例えば過酸化物のような熱触媒、を更に含んでもよい。他の添加物、例えば他のポリマ（熱可塑性液晶ポリマを含む）、微粒子フィラー、繊維ウェブ等を存在させてもよい。架橋可能な液晶ポリマ材料の硬化は、遅燃性を含む優れた電気的及び物理的性質を有する熱硬化性液晶ポリマを提供し、可とう性又は剛性回路いずれかにおいて使用されてもよい。
【００１４】
液晶ポリマは、既知のポリマであり、「リジッドロッド」とか、「ロッド状」とか、規則性ポリマとか言われる場合がある。液晶ポリマは、ポリマ鎖を含む繰り返し単位の性質により、主として固定された分子形状、例えば直線等、を有すると考えられており、典型的には剛性分子要素を含む。剛性分子要素（メソゲン）は、しばしば形状がロッド状又はディスク状であり、典型的には芳香族系であり、しばしばヘテロ環系である。剛性分子要素は、ポリマの主鎖（骨格）に存在しても、側鎖に存在してもよい。主鎖又は側鎖に存在するときは、それらはより可撓性の分子要素により分離されてもよく、これらはスペーサと呼ばれることもある。
【００１５】
適当な液晶ポリマは、サーモトロピックであり、液晶ポリエステル及び液晶コポリエステル、液晶ポリエステルアミド、及び液晶ポリエステルイミドを含む。有用な液晶ポリマはまた、その一つのポリマ鎖の一部として異方性溶融相の形成が可能なポリマ片と、残りのポリマ鎖として異方性溶融相の形成が不可能なポリマ片と、を含むポリマを含み、また複数のサーモトロピックな液晶ポリマの複合体を含む。
【００１６】
液晶ポリマの形成に使用可能なモノマの代表的例は、（ａ）少なくとも一つの芳香族ジカルボン酸化合物、（ｂ）少なくとも一つの芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物、（ｃ）少なくとも一つの芳香族ジオール化合物、（ｄ）芳香族ジチオール（ｄ１）と、芳香族チオフェノール（ｄ２）と、芳香族チオールカルボン酸化合物（ｄ３）と、のうち少なくとも一つ、及び（ｅ）芳香族ヒドロキシアミン化合物と芳香族ジアミン化合物のうち少なくとも一つ、を含む。モノマは単独で使用する場合もあるが、しばしばモノマ（ａ）と（ｃ）、（ａ）と（ｄ）、（ａ）と（ｂ）と（ｃ）、（ａ）と（ｂ）と（ｅ）等の組み合わせとして使用してもよい。
【００１７】
芳香族ジカルボン酸化合物（ａ）の例は、テレフタル酸、４，４’−ジフェニルジカルボン酸、４，４’−トリフェニルジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸、ジフェノキシエタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェノキシブタン−４、４’−ジカルボン酸、ジフェニルエタン−４，４’−ジカルボン酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテル−３，３’−ジカルボン酸、ジフェノキシエタン−３，３’−ジカルボン酸、ジフェニルエタン３，３’−ジカルボン酸、及び１，６−ナフタレンジカルボン酸のような芳香族ジカルボン酸と、クロロテレフタル酸、ジクロロテレフタル酸、ブロモテレフタル酸、メチルテレフタル酸、ジメチルテレフタル酸、エチルテレフタル酸、メトキシテレフタル酸、及びエトキシテレフタル酸のような上記の芳香族ジカルボン酸のアルキル、アルコキシ、及びハロゲン置換誘導体と、を含む。
【００１８】
芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物（ｂ）の例は、４−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、及び６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、のような芳香族ヒドロキシカルボン酸と、３メチル−４−ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−５−メチル−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−５−メトキシ−２−ナフトエ酸、２クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、２，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３−ブロモ−４−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−５−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−７−クロロ−２−ナフトエ酸、及び６−ヒドロキシ−５，７−ジクロロ−２−ナフトエ酸、のような芳香族ヒドロキシカルボン酸のアルキル、アルコキシ、及びハロゲン置換誘導体と、を含む。
【００１９】
芳香族ジオール化合物（ｃ）の例は、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、３，３’−ジヒドロキシジフェニル、４，４’−ジヒドロキシトリフェニル、ヒドロキノン、レゾルシノール、２，６−ナフタレンジオール、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）エタン、３，３’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、１，６−ナフタレンジオール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、及びビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、のような芳香族ジオールと、クロロヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ｔ−ブチルヒドロキノン、フェニルヒドロキノン、メトキシヒドロキノン、フェノキシヒドロキノン、４−クロロレゾルシノール、及び４−メチルレゾルシノール、のような芳香族ジオールのアルキル、アルコキシ、及びハロゲン置換誘導体と、を含む。
【００２０】
芳香族ジチオール（ｄ１）の例は、ベンゼン−１，４−ジチオール、ベンゼン−１，３−ジチオール、２，６−ナフタレン−ジチオール、及び２，７−ナフタレン−ジチオール、を含む。
【００２１】
芳香族チオフェノール（ｄ２）の例は、４−メルカプトフェノール、３−メルカプトフェノール、及び６メルカプトフェノール、を含む。
【００２２】
芳香族チオールカルボン酸（ｄ３）の例は、４−メルカプト安息香酸、３−メルカプト安息香酸、６−メルカプト−２−ナフトエ酸、及び７−メルカプト−２ナフトエ酸、を含む。
【００２３】
芳香族ヒドロキシアミン化合物と芳香族ジアミン化合物（ｅ）の例は、４−アミノフェノール、Ｎ−メチル−４−アミノフェノール、１，４−フェニレンジアミン、Ｎ−メチル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、３−アミノフェノール、３−メチル−４−アミノフェノール、２−クロロ−４−アミノフェノール、４−アミノ−１−ナフトール、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニル、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニルエーテル、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニルメタン、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニル硫化物、４，４’−ジアミノジフェニル硫化物（チオジアニリン）、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、２，５−ジアミノトルエン、４，４’−エチレンジアニリン、４，４’−ジアミノジフェノキシエタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン（メチレンジアニリン）、及び４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（オキシジアニリン）、を含む。
【００２４】
液晶ポリマは、メルト・アシドリシス又はスラリ重合法等の種々のエステル化法により上記のようにモノマから作成してもよい。適当な反応基を有するポリマをエンドキャッピングする方法は、この技術分野において知られている。架橋可能な液晶ポリマの形成に適した反応基は、フェニルマレイミド基、ナジイミド基、フェニルアセチレン基、及び以上の基の少なくとも一つを含む組み合わせ、を含む。フェニルマレイミド末端基が好ましい。
【００２５】
架橋可能な液晶ポリマ組成物は、更に熱可塑性液晶ポリマを含んでもよい。好ましい熱可塑性液晶ポリマは、２−ナフタレンカルボン酸、４−（アセチルオキシ）安息香酸との６−（アセチルオキシ）ポリマ、のコポリエステルである。架橋可能な液晶ポリマと熱可塑性液晶ポリマは、一般的に重量比で５０：５０乃至９９：１、好ましくは重量比で７０：３０乃至９０：１０で混合される。更に、架橋可能な液晶ポリマ組成物は、以下非液晶ポリマと呼ぶ、液晶ポリマでないポリマとブレンドしてもよい。これらのブレンドは、ポリマアロイと呼ばれることもある。これらのブレンドのいくつかは、液晶材料と類似の処理と機能上の特性を有し、従って、液晶ポリマという用語の範囲内に含まれる。架橋可能な液晶ポリマと非液晶ポリマは、一般的に重量比で５０：５０乃至９９：１、好ましくは重量比で７０：３０乃至９０：１０で混合される。以下架橋可能な液晶ポリマという用語は、上記のブレンドを含む。
【００２６】
架橋可能な液晶ポリマ組成物は、更にポリマ上の反応基に反応する架橋剤を含んでもよい。適当な架橋剤は、アジド、トリアリルイソシアヌレート、イソシアヌレート、ジビニルベンゼン、硫黄、硫黄系誘導体を含むが、これらには限定されない。架橋剤は、使用時に、典型的にはポリマ総量１００につき約１乃至約１５の量で存在する。
【００２７】
好適な場合、架橋触媒、例えば過酸化物のような遊離基開始剤が存在してもよい。遊離基開始剤の例は、過酸化水素、及び２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンのような非過酸化物開始剤を含む。好ましい過酸化物架橋剤は、過酸化ジクミル、α，α−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−ｍ／ｐ−ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３、及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（ＤＹＢＰ）、を含む。
【００２８】
架橋可能な液晶ポリマ組成物は、更に微粒子フィラーを含んでもよい。有用な微粒子フィラーは、二酸化チタン（ルチル及びアナターゼ）、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、溶融アモルファスシリカ及びヒュームドシリカを含むシリカ（粒子又は中空球）、コランダム、ウォラストナイト、アラミド繊維（例えばデュポンのＫＥＶＬＡＲ）、ファイバーグラス、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、ガラス球、水晶、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、べリリア、アルミナ、及びマグネシア、を含むが、これらには限定されない。微粒子フィラーは、単独で使用しても、組み合わせて使用してもよい。特に好ましい微粒子フィラーは、ルチル型二酸化チタン、及びアモルファスシリカである。なぜなら、これらのフィラーは、それぞれ高誘電率及び低誘電率を有し、そのため組成物内の二つのフィラーのそれぞれの量を調節することにより、最終製品において達成すべき低誘電正接と組み合された誘電率の範囲を広くするからである。
【００２９】
使用時に、微粒子フィラーは、組成物総重量の約１乃至約７０重量パーセント（ｗｔ％）、好ましくは約６０ｗｔ％以下、またより好ましくは５０ｗｔ％以下の量で存在してもよい。
【００３０】
カップリング剤は、フィラー表面をポリマと結合する、共有結合の形成を促進し、またはそれに関与するために使用してもよい。例示的なカップリング剤は、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン及び３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを含む。カップリング剤は、使用時に、樹脂組成物の総重量に対し約０．１重量％乃至約１重量％添加してもよい。
【００３１】
剛性回路ラミネート用の誘電体基板のような、実質的に非流動性の誘電体材料として使用される場合、一般的に繊維ウェブが架橋型液晶ポリマ組成物に組み入れられる。「繊維ウェブ」は、本願では誘電体材料、接着層材料、回路材料、及びそれらから形成される回路の形成に関係する処理条件に耐えられる繊維の、織られた、あるいは織られない集合と定義される。特に有用な繊維ウェブは、最高処理温度よりも高い融点を有する材料を含んでもよい。例示的繊維ウェブは、約２５０℃より大きい、好ましくは約２８０℃以上、より好ましくは約３００℃以上の融点を有する。繊維ウェブは、適当な繊維、好ましくはガラス（Ｅ、Ｓ、及びＤガラス）又は高温ポリマ繊維（例えばイーストマンコダックのＫＯＤＥＬポリエステル又はフィリップス石油の硫化ポリフェニレン繊維）の、熱的に安定なウェブを含む。そのような熱的に安定な繊維の補強は、複合材料に所望の構造的剛性を与える。更に、繊維ウェブの使用は誘電体材料、接合層材料、又は回路材料、に比較的高い材料強度を与える。
【００３２】
繊維ウェブの好ましい例は、以下の表に記載される。
【表１】
2006501688.tif 000003
【００３３】
一般的に、繊維ウェブは、架橋可能な液晶ポリマ組成物の総量の約５０重量％以下、好ましくは約４０重量％以下、より好ましくは約３０重量％以下の量で存在する。繊維ウェブの量は、好ましくは約１０重量％以上、より好ましくは約１５重量％以上、もっと好ましくは約２０重量％以上である。繊維ウェブに対する有用な厚さは、約２５乃至約１５０マイクロメートルであり、好ましくは約５０乃至約１００マイクロメートルである。
【００３４】
回路材料、回路、及び多層回路の形成のための例示的導電層は、銅、アルミニウム、金、鉄、ニッケル、ステンレス鋼、銀、亜鉛、マンガン、及び以上の金属の少なくとも一つを含む合金及び混合物、のような、金属を含む。適当な銅製導電層は、回路形成において直ちに使用されるもの、例えば電着された銅製導電層、を含む。有用な銅製導電層は、典型的には約９乃至約１８０マイクロメートルの厚さを有する。銅製導電層は、表面領域を増大させるために処理されてもよく、導電層の酸化を防止するために安定剤で処理されてもよく（即ち防錆）、あるいは熱障壁を形成するために処理されてもよい。亜鉛又は亜鉛合金の熱障壁で処理された低及び高粗度の銅製導電層は共に、特に有用であり、更に随意に防錆層を備えてもよい。そのような銅製導電層は、例えば商品名「ＴＷＸ」及び「ＴＷ」で米国のＹａｔｅｓ  Ｆｏｉｌから、商品名「ＴＯＢ」でオーク・三井から、商品名「ＴＷＳ」でＣｉｒｃｕｉｔ Ｆｏｉｌ Ｌｕｘｅｍｂｏｕｒｇから、商品名「ＪＴＣＳ」でＧｏｕｌｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓから入手できる。他の適当な銅製導電層は、商品名「ＴＡＸ」でＹａｔｅｓ  Ｆｏｉｌから、商品名「ＮＴ  ＴＯＲ」でＣｉｒｃｕｉｔ Ｆｏｉｌ Ｌｕｘｅｍｂｏｕｒｇから、商品名「ＴＡＸ」でＣｏ−Ｔｅｃｈ Ｃｏｐｐｅｒ Ｆｏｉｌ Ｃｏｍｐａｎｙから、商品名「ＰＩＮＫ」でＣｈａｎｇ Ｃｈｕｎ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙから、入手できる。
【００３５】
架橋可能な液晶ポリマ組成物は、種々の方法を用いて処理されてよい。一つの例示的方法では、架橋可能な液晶ポリマ、随意の微粒子フィラー、及びいずれかの随意の組成物（例えばカップリング剤、シラン等）は、好ましくは溶融状態で従来の混合装置により緊密なブレンドを形成するために徹底的に混ぜられてもよい。混合温度は、組成物の実質的な架橋及び／又は分解を避けるために調節される。他の実施の形態において、架橋可能な液晶ポリマ樹脂は、適当な溶剤中に懸濁又は溶解され、随意の微粒子フィラー又はいずれかの他の随意の成分（例えば、カップリング剤、シラン等）と混合される。適当な溶剤は、ブレンドを必要なだけ溶解又は懸濁し、例えば真空下で直ちに除去される。
【００３６】
混合は、組成物が液晶ポリマ樹脂全体に渡って均一に分散されてブレンドを形成するまで続く。微粒子フィラーは、カップリング剤をより効率的に使用するために、カップリング剤（好ましくはシラン）を用いて、別個のステップで前処理してもよい。
【００３７】
次いで、ブレンドは、例えば押し出し成形、キャスティング、又は剥離層又は導電層のような基板への粉末コート、により既知技術の方法によってフィルム又はシートに形成されてよい。次いでシートは、Ｂステージの組成物（プリプレグ）を形成するために部分的に架橋されてもよく、あるいは十分に架橋されてもよい。有用なシート厚さは、約２５乃至約１５０マイクロメートルであり、好ましくは約５０乃至約１００マイクロメートルである。
【００３８】
あるいは、液晶ポリマブレンドは、直接繊維ウェブと組み合わされてもよく、あるいはシートにキャスティングされてもよく、また誘電体材料を形成するために、繊維ウェブと組み合わされてもよい。繊維ウェブを架橋可能な液晶ポリマブレンドと組み合わせる方法は多様であり、同時押し出し成形、ラミネーション、及び粉末コートを含み（ただし、それらには限定されない）、その後に液晶ポリマが繊維ウェブの繊維間空間に流れるのに有効な温度まで圧力下で加熱する。例えば架橋可能な液晶ポリマ／フィラーブレンドを含む粉末は、グラスクロスのような繊維ウェブ上にコートされ、次いで硬化温度より低い温度でグラスクロスに溶融される。次いでポリマは、部分的に架橋され、あるいは十分に架橋されてＢステージ組成物（プリプレグ）を形成してもよい。生じた誘電体材料の厚さは、好ましくは約１乃至約１２０ミリメートルである。
【００３９】
架橋可能な液晶ポリマ組成物を含む回路材料、回路、及び多層回路は、連続ラミネーション処理、またはバッチ式ラミネーション処理、のどちらで形成してもよい。連続ラミネーション処理では、プリプレグの少なくとも一つが、望ましい、随意の更なる層と共に、所望の順序に配列されて積層を形成する。次いで積層は、層を一緒に接着するのに有効な温度と圧力のニップを通って供給される。有用なニップ温度は、約２００乃至約３００℃であり、ニップ力は１インチ当たり約５０乃至約２５０ポンド（ｐｌｉ）である。多層回路を形成し、あるいは１層より多い誘電体材料を使用するときは、層は順に一緒にラミネートされてもよい。ニップ温度が架橋可能な液晶ポリマを架橋するのに不十分である場合、放射又は更なる熱を用いて接着層を架橋してもよい。
【００４０】
バッチ式又は半連続式の処理を用いるときは、本願に開示される方法に従って形成されたプリプレグの少なくとも一つ、及び回路又は多層回路を形成するために用いられる、望ましい、随意の更なる層は、所望の順序に配列されて積層を形成する。次いで、積層は、プレスに置かれるが、これは真空を形成するために排気されても、されなくてもよい。温度は、典型的には約２乃至約１０℃／分で増加する。温度が所望のラミネーション温度に達すると、圧力は、約２乃至約３メガパスカル（ＭＰａ）に増加する。所望の温度は、液晶ポリマ層、特に誘電体基板層の組成物に依存する。しかしながら、温度は、典型的には約２００℃乃至約３００℃である。積層は、層を接着するのに十分な時間、約５乃至約４５分、所望の温度と圧力で保持される。次いで、その結果生じた物品は、所望の圧力を維持しながら冷却される。温度が約１００℃以下になったら物品はプレスから取り外され、使用されるまで蓄えられる。
【００４１】
更に、既知の誘電体材料が、本願で開示される架橋可能な液晶誘電体材料と共に利用されて回路材料、回路、及び多層回路を形成してもよく、このことは、本開示の範囲内である。有用な既知の誘電体材料は、例えばポリブタジエン、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹脂、ポリイソプレン、エポキシ、シアン化エステル、ポリフェニレンエーテル、アリル化ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ベンゾキサジン、シリコーン等、以上の誘電体材料の少なくとも一つを含むブレンドを含む。架橋可能な液晶組成物は、例えば、接着層を提供するために使用される場合、それは共にコネチカット州、ＲｏｇｅｒｓのＲｏｇｅｒｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能であるＲＯ４３５０Ｂ及びＲＯ４００３等の、ポリブタジエン誘電体基板材料と共に使用され、本願に引用して援用する、Ｓｔ． Ｌａｗｒｅｎｃｅらの米国特許第５５７１６０９号に記載されたように処理される。
【００４２】
架橋可能な液晶ポリマ組成物を含む、回路材料、回路、及び多層回路は、種々の形を備えるけれども、図１〜１２に、例示的な回路材料、回路、及び多層回路を示す。
【００４３】
図１に第１の実施の形態を示す。ここで、回路材料１０は、誘電体材料１２上に配設される導電層２０を含む。本願において開示全体に渡り使用されるように、「配設される」は、互いに部分的又は全体的に被う層を含む。誘電体材料１２は、Ｂステージ又は熱硬化された液晶ポリマ１４、微粒子フィラー１６、及び織られたウェブ１８を含む。誘電体層２０が実質的に非流動性（即ち、誘電体基板）であるとき、単層クラッド（ｓｉｎｇｌｅ  ｃｌａｄ）回路ラミネートが設けられ、また誘電体層２０が、回路製造中に、例えばラミネーション中に、流動性であるとき、樹脂で被われた導電層が設けられる。あるいは、織られたウェブ１８は織られない集合（図示せず）により置き換えられてもよい。
【００４４】
図２は、他の実施の形態を描いており、ここで、回路材料３０は、微粒子フィラー又は織られたウェブなしに、熱硬化性液晶ポリマ３４を含む誘電体層３２を含む。誘電体層３２は、導電層３６の上に配設される。誘電体層３２が実質的に非流動性（即ち、誘電体基板）であるとき、単層被覆回路ラミネートが設けられ、また誘電体層３２が、回路製造中に、例えばラミネーション中に、流動性であるとき、樹脂で被われた導電層が設けられる。更に、導電層３６は、回路層（図示せず）の形式をして単層被覆回路（図示せず）を形成してもよい。
【００４５】
もう一つの実施の形態は、図３に示され、ここで、２層クラッド（ｄｉｃｌａｄ）回路ラミネート４０は、導電層５０と導電層５２との間に配設された誘電体基板４２を備える。誘電体基板４２は、熱硬化性液晶ポリマ４４、微粒子フィラー４６、及び織られたウェブ４８を含む。あるいは、織られたウェブ４８は、織られない集合（図示せず）により置き換えられてもよい。更に、導電層５０、５２の一方又は両方は、回路層（図示せず）の形式をして２層クラッド回路（図示せず）を形成してもよい。
【００４６】
図４は、導電層６２と導電層６８との間に配設された誘電体基板６４を備える、２層クラッド回路ラミネート６０を示す。誘電体基板６４は、微粒子フィラー又は織られたウェブを添加しない、Ｂステージ又は熱硬化性液晶ポリマ６６を含む。更に、導電層６２、６８の一方又は両方を、２層クラッド回路（図示せず）を生じる回路（図示せず）を形成するためにエッチングしてもよい。
【００４７】
図５は、流動性誘電体材料７２上に配設された、実質的に非流動性の誘電体材料８０を有する、カバーフィルム７０を示しており、ここで、実質的に非流動性の誘電体材料８０は、熱硬化性液晶ポリマ７４、微粒子フィラー７６、及び織られたウェブ７８を含む。あるいは、織られたウェブ７８は、織られないウェブ（図示せず）により置き換えられてもよい。
【００４８】
図６は、実質的に非流動性の誘電体材料９６上に配設された、流動性誘電体材料９２を含む、カバーフィルム９０を示しており、ここで、実質的に非流動性の誘電体材料９６は、微粒子フィラー又は織られたウェブを添加しない、熱硬化性液晶ポリマ９４を含む。流動性誘電体材料７２と流動性誘電体材料９２は、また本開示に述べられるような架橋可能な液晶ポリマ組成物を含むことが考えられる。また、流動性誘電材料７２と９２が架橋可能な液晶ポリマ組成物を含む場合、実質的に非流動性の誘電体材料８０と９６は、架橋可能な液晶ポリマ組成物を含んでもよく、また含まなくてもよい。
【００４９】
もう一つの実施の形態が、図７に示される。図７は、２層クラッド回路１１０上に配設された、樹脂コートされた導電層１０２を備える、多層回路１００を示している。樹脂コートされた導電層１０２は、導電層１０４と流動性誘電体材料１０８との間に配設された、実質的に非流動性の誘電体材料１０６を含む。２層クラッド回路１１０は、回路層１１２と導電層１２２との間に配設された、誘電体基板１１４を備える。誘電体基板１１４は、熱硬化性液晶ポリマ１１６、微粒子フィラー１１８、及び織られたウェブ１２０を含む。あるいは、織られたウェブ１２０は、織られない集合（図示せず）により置き換えられてもよい。流動性誘電体材料１０８は、回路層１１２の、誘電体材料１１４とは反対の側に配設される。流動性誘電体材料１０８は、好ましくは流動を防止する如何なる添加物も含まない、誘電体材料を含む。更に、実質的に非流動性の誘電体材料１０６は、熱硬化性液晶ポリマ１１６、微粒子フィラー１１８、及び織られたウェブ１２０を含むが、これらの量は、誘電体基板１１４に使用される量より少なくても、等しくても（図示せず）、多くても（図示せず）よい。織られたウェブ１２０は、なくても（図示せず）、織られない集合（図示せず）に置き換えられてもよい。
【００５０】
図８は、２層クラッド回路１４０上に配設された、樹脂コートされた導電層１３２を備える、多層回路１３０の他の実施の形態を示す。樹脂コートされた導電層１３２は、導電層１３４と流動性誘電体材料１３８との間に配設された、実質的に非流動性の誘電体材料１３６を含む。２層クラッド回路１４０は、回路層１４２と導電層１４６との間に配設された、誘電体基板１４４を備える。実質的に非流動性の誘電体材料１３６、流動性誘電体材料１３８、及び／又は誘電体基板１４４の少なくとも一つは、熱硬化性液晶ポリマ１４８を含む。
【００５１】
図９は、樹脂コートされた導電層１５２の他の実施の形態を備える、多層回路１５０を示している。ここで、樹脂コートされた導電層１５２は、流動性誘電体材料１５６上に配設された、導電層１５４を備える。流動性誘電体材料１５６は、２層クラッド回路１５８の回路層１６０上であって、この回路層１６０の、誘電体基板層１６２とは反対の側に配設される。誘電体基板層１６２は、導電層１６４上に配設される。この実施の形態では、流動性誘電体材料１５６は、誘電体基板１６２のように微粒子フィラー１６８、及び／又は織られたウェブ１７０（又は織られない集合（図示せず））をほとんど含まない（全然含まないのも含む（図示せず））。流動性誘電体材料１５６及び／又は誘電体基板１６２の少なくとも一つは、熱硬化性液晶ポリマを含む。
【００５２】
図１０は、２層クラッド回路１８８上に配設された、樹脂コートされた導電層１８２を備える、多層回路１８０を示している。樹脂コートされた導電層１８２は、流動性誘電体材料１８６上に配設された導電層１８４を含む。２層クラッド回路１８８は、回路層１９０と導電層１９４との間に配設された、誘電体基板１９２を備える。流動性誘電体材料１８６及び／又は誘電体基板１９２の少なくとも一つは、熱硬化性液晶ポリマを含む。流動性誘電体材料１８６及び／又は誘電体基板１９２の一方又は両方は、繊維ウェブを有し、あるいは有さない、微粒子フィラーを含んでもよい。
【００５３】
図１１は、第１の２層クラッド回路２０８と、第２の２層クラッド回路２１８との間に配設された、接着層２１６を含む多層回路２００の、もう一つの実施の形態を示している。２層クラッド回路２０８、２１８のそれぞれは、回路層２１０、２２０及び回路層２１４、２２４の間にそれぞれ配設された、誘電体基板２１２、２２２をそれぞれ備える。更に、流動性誘電体材料２０６上に配設された導電層２０４を備える、樹脂コートされた導電層２０２は、２層クラッド回路２０８の回路層２１０上に配設される。導電層２３０上に配設された流動性誘電体材料２２８を含む、樹脂コートされた導電層２２６は、回路層２２４上に配設される。実質的に非流動性の誘電体材料（図示せず）は、導電層２０４と流動性誘電多材料２０６との間及び／又は導電層２３０と流動性誘電体材料２２８との間に配設されてもよい。誘電体基板層２１２は、熱硬化性液晶ポリマ２３２、微粒子フィラー２３４、及び織られたウェブ２３６を含み、また誘電体基板層２２２は、熱硬化性液晶ポリマ２３５、微粒子フィラー２３７、及び織られたウェブ２３９を含む。繊維ウェブ２３６、２３９はそれぞれ織られない集合（図示せず）により置き換えられてもよい。あるいは、他の誘電体材料、すなわち流動性誘電体材料２０６、流動性誘電体材料２２８、及び接着層２１６のうち一つ以上は、本願に開示されるように熱硬化性液晶ポリマ組成物を含んでもよい。
【００５４】
図１２は、第１の２層クラッド回路２４４上に配設された、樹脂コートされた導電層２４２を含む、多層回路２４０を示しており、ここで、２層クラッド回路２４４は、第１の回路層２４６と第２の回路層２５０との間に配設された、誘電体基板２４８を備える。接着層２５２は、第１の２層クラッド回路２４４と第２の２層クラッド回路２５４との間に配設され、ここで、２層クラッド回路２５４は、第３の回路層２５６と第４の回路層２６０との間に配設された、誘電体基板２５８を備える。２層クラッド回路２５４は、接着層２５２と樹脂コートされた導電層２６２との間に配設される。樹脂コートされた導電層２４２及び２６２は、それぞれ導電層２７０上に配設された流動性誘電体材料２６４、２６８をそれぞれ含む。誘電体基板２４８、２５８、接着層２５２及び／又は誘電体材料２６４、２６８の少なくとも一つは、熱硬化性液晶ポリマを含む。誘電体基板２４８、２５８、接着層２５２、及び／又は誘電体材料２６４、２６８の少なくとも一つは、更に微粒子フィラー及び／または繊維ウェブを含んでもよい。
【００５５】
回路材料、回路、及び多層回路の形成において本願で述べられる架橋可能な液晶ポリマ組成物の使用は、無数の利点を提供する。例えば、熱硬化性液晶ポリマ材料は、望ましい誘電率と誘電正接とを示し、ここで、硬化された回路材料、回路、又は多層回路は、それぞれ１乃至１０ギガヘルツの周波数で測定して、約３．８より小さい誘電率と、約０．００７より小さい誘電正接とを有する。回路材料、回路、及び多層回路はまた、低吸湿性と低遅燃性を有する。詳細には、それらはＵＬ−９４に従って測定された、Ｖ−１又はそれより良い等級を達成するためにハロゲン型の遅燃剤を必要としない。
【００５６】
更に、液晶ポリマ材料は、好ましくは導電層のＸ−Ｙ熱膨張係数（ＣＴＥ）と実質的に同じＸ−ＹのＣＴＥを有する。「実質的に同じ」とは、本願では約２０％未満で変化する、好ましくは約１５％未満で変化する、と定義される。導電層及び熱硬化性液晶ポリマのＸ−ＹのＣＴＥの類似性は、熱硬化性液晶ポリマと導電層との間の少ない歪みをもたらし、熱硬化性液晶ポリマと導電層との間の接着力を増加する。
【００５７】
材料はまた、好適な処理特性を有する。それらは一般的に熱可塑性液晶ポリマ及びある一定の上記の架橋した液晶ポリマより低い処理温度と、広い処理温度ウィンドーとを有する。詳細には、溶融温度と硬化温度との差は少なくとも２０℃、好ましくは少なくとも３０℃、より好ましくは少なくとも約５０℃であり、これにより例えばシートへの形成と、繊維ウェブの埋め込みが容易になる。それらはまた、広い粘性範囲と、約１８０℃以上、好ましくは約２００℃以上のガラス遷移温度（Ｔｇ）と、導電層及び誘電体層、特に熱可塑性又は熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体層、に対する優れた接着性と、を有する。
【００５８】
好ましい実施の形態について、図示及び説明されたが、発明の精神と範囲から逸脱することなく種々の変形及び置換をそれらに対して行うことができる。従って本発明が例として述べられ、限定として述べられたのではないことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】熱硬化性液晶ポリマ、微粒子フィラー、及び繊維ウェブを含む誘電体層を有する、例示的な回路材料である。
【図２】熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体層を有する、例示的な回路材料である。
【図３】熱硬化性液晶ポリマ、微粒子フィラー、及び繊維ウェブを含む誘電体基板を有する、例示的な２層クラッド回路ラミネートを示す。
【図４】熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体層を有する、例示的な２層クラッド回路ラミネートを示す。
【図５】熱硬化性液晶ポリマ、微粒子フィラー、及び繊維ウェブを含む、例示的なカバーフィルムである。
【図６】熱硬化性液晶ポリマを含む、例示的なカバーフィルムである。
【図７】誘電体層と、熱硬化性液晶ポリマ、微粒子フィラー、及び繊維ウェブを含む誘電体基板とを有する、例示的な多層回路である。
【図８】誘電体層と、熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体基板とを有する、例示的な多層回路である。
【図９】誘電体層と、熱硬化性液晶ポリマ、微粒子フィラー、及び繊維ウェブを含む誘電体基板とを有する、例示的な多層回路である。
【図１０】誘電体層と、熱硬化性液晶ポリマを含む誘電体基板とを有する、例示的な多層回路である。
【図１１】熱硬化性液晶ポリマ、微粒子フィラー、及び繊維ウェブを含む二つの誘電体基板層を有する、例示的な多層回路である。
【図１２】熱硬化性液晶ポリマを含む二つの誘電体基板層を有する、例示的な多層回路である。
【符号の説明】
【００６０】
１０，３０  回路材料、１２  誘電体材料、１４  液晶ポリマ、１６，４６，７６，１１８，１６８，２３４，２３７  微粒子フィラー、１８，４８，７８，１２０，１７０，２３６，２３９  織られたウェブまたは繊維ウェブ、２０，３６，５０，５２，６２，６８，１３４，１４６，１５４，１６４，１８４，１９４，２０４，２３０，２７０  導電層、３２  誘電体層、３４，４４，６６，７４，９４，１１６，１４８，２３２，２３５  熱硬化性液晶ポリマ、４０，６０  ２層クラッド回路ラミネート、４２，６４，１１４，１４４，１６２，１９２，２１２，２２２，２４８，２５８  誘電体基板、７０，９０  カバーフィルム、７２，９２，１０８，１３８，１５６，１８６，２０６，２２８，２６４，２６８  流動性誘電体材料、８０，９６，１０６，１３６  非流動性誘電体材料、１００，１３０，１５０，１８０，２００，２４０  多層回路、１０２，１３２，１５２，１８２，２０２，２２６，２４２，２６２  樹脂コートされた導電層、１１０，１４０，１５８，１８８  ２層クラッド回路、１１２，１４２，１６０，１９０，２１０，２１４，２２０，２２４  回路層、２０８，２４４  第１の２層クラッド回路、２１６，２５２  接着層、２１８，２５４  第２の２層クラッド回路、２４６  第１の回路層、２５０  第２の回路層、２５６  第３の回路層、２６０  第４の回路層。
【図１】
2006501688.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006501688.tif 000012
【図１０】
2006501688.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
2006501688.tif 000016
2006501688.tif 000017
2006501688.tif 000018