(57)【要約】相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、上記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法を提供する。第１のトレンチが上記基板の第１の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に形成される。第２のトレンチが上記基板の第２の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に形成される。
2006510232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記基板の第１の面の前記第１と第２のデバイス部間の位置に第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１と第２のデバイス部間の前記基板の第２の面に第２のトレンチを形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１および第２のトレンチに沿って前記基板を切断して、前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部を含む第１の素子および前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部を含む第２の素子を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第２のトレンチが前記第１のトレンチに概ね平行になるように前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第２のトレンチが前記第１のトレンチと概ね位置が揃うように前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める第３のトレンチを前記少なくとも１つのデバイス層内に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第３のトレンチ内に前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のトレンチに沿った前記第１および第２のメサの露出面および前記基板上に電気絶縁性のパッシベーション層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されるステップを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記パッシベーション層は堆積法を用いて形成されるステップを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第３のトレンチを形成するステップは、前記少なくとも１つのデバイス層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１および第２のデバイス部上にそれぞれ第１および第２のコンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１および第２のそれぞれのコンタクト上にそれぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１および第２のコンタクトと反対側の前記基板の第１の面上にそれぞれ第３および第４のコンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２のトレンチを形成するステップに先立ち犠牲層を形成するステップと、前記第２のトレンチを形成するステップの後に前記犠牲層を除去するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のトレンチを形成するステップは、ダイス加工、切断加工、エッチング、および／またはレーザースクライビングのうちの少なくとも１つの処理ステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の第２の面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングで形成するステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の第２の面内に前記第２のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のトレンチを形成するステップは、前記基板の第１の面内に前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップは、前記第１のトレンチがＡＴＯＮ形になるように前記第１のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２のトレンチは前記基板内に、基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のトレンチは前記基板内に少なくとも約１００μｍの深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のトレンチは前記基板内に約２００μｍから２２０μｍの深さを有することを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから５μｍの深さを有し、前記第１のトレンチは前記基板内に約１５０μｍから２００μｍの深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板内の前記第２のトレンチの深さは前記基板内の前記第１のトレンチの深さの約５％から１０％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されるステップを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記基板は、ＳｉＣで形成されるステップを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記少なくとも１つのデバイス層は第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める分離トレンチを前記少なくとも１つのデバイス層内に形成するステップと、
ｂ）前記第１と第２のデバイス部間に伸びる第２のトレンチを、前記分離トレンチ内のおよびこれに沿った前記基板のデバイス面に形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３４】
前記第２のトレンチに沿って前記基板を切断して、前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部を含む第１の素子および前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部を含む第２の素子を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記第２のトレンチに沿った前記第１および第２のメサの露出面および前記基板上に電気絶縁性のパッシベーション層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されるステップを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記パッシベーション層は堆積法を用いて形成されるステップを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
前記分離トレンチを形成するステップは、前記少なくとも１つのデバイス層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４１】
前記デバイス面の反対側の前記基板の第１の面に成形トレンチを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４２】
前記成形トレンチを形成するステップは、前記成形トレンチが前記第２のトレンチと概ね位置が揃うように前記成形トレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記第１および第２のデバイス部上にそれぞれ第１および第２のコンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４４】
前記第１および第２のそれぞれのコンタクト上にそれぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
第３および第４のコンタクトがそれぞれ前記第１および第２のコンタクトの反対側に配置されるように前記デバイス面の反対側の前記基板の第１の面上に前記第３および第４のコンタクトを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
前記第２のトレンチを形成するステップに先立ち犠牲層を形成するステップと、前記第２のトレンチを形成するステップの後に前記犠牲層を除去するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４７】
前記第２のトレンチを形成するステップは、ダイス加工、切断加工、エッチング、および／またはレーザースクライビングのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４８】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板のデバイス面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングするステップを含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板のデバイス面内に前記第２のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有するステップを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項５１】
前記第２のトレンチは前記基板内に、基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有するステップを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項５２】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有するステップを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項５３】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されるステップを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項５５】
前記基板はＳｉＣで形成されるステップを特徴とする請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
前記少なくとも１つのデバイス層は第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項５７】
ａ）相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記基板の第１の面の前記第１と第２のデバイス部間の位置の第１のトレンチと、
ｄ）前記第１と第２のデバイス部間の前記基板の第２の面の第２のトレンチとを含むことを特徴とする半導体基板部材。
【請求項５８】
前記第１および第２のトレンチによって分離された第１および第２の素子を含み、前記第１の素子は前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部を含み、前記第２の素子は前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部を含むことを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項５９】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項５８に記載の部材。
【請求項６０】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項５８に記載の部材。
【請求項６１】
前記第２のトレンチは前記第１のトレンチに概ね平行であることを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項６２】
前記第２のトレンチは前記第１のトレンチと概ね位置が揃っていることを特徴とする請求項６１に記載の部材。
【請求項６３】
前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める第３のトレンチを前記少なくとも１つのデバイス層内にさらに含むことを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項６４】
前記第２のトレンチは前記第３のトレンチ内部に配置されていることを特徴とする請求項６３に記載の部材。
【請求項６５】
前記第２のトレンチに沿った前記第１および第２のメサの露出面および前記基板上に電気絶縁性のパッシベーション層を含むことを特徴とする請求項６４に記載の部材。
【請求項６６】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されることを特徴とする請求項６５に記載の部材。
【請求項６７】
前記第１および第２のデバイス部上にそれぞれ第１および第２のコンタクトを含むことを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項６８】
前記第１および第２のそれぞれのコンタクト上にそれぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを含むことを特徴とする請求項６７に記載の部材。
【請求項６９】
前記第１および第２のコンタクトと反対側の前記基板の第１の面上にそれぞれ第３および第４のコンタクトを含むことを特徴とする請求項６７に記載の部材。
【請求項７０】
前記第１のトレンチがＡＴＯＮ形であることを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７１】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７２】
前記第２のトレンチは前記基板内に、基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７３】
前記第１のトレンチは前記基板内に少なくとも約１００μｍの深さを有することを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７４】
前記第１のトレンチは前記基板内に約２００μｍから２２０μｍの深さを有することを特徴とする請求項７３に記載の部材。
【請求項７５】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから５μｍの深さを有し、前記第１のトレンチは前記基板内に約１５０μｍから２００μｍの深さを有することを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７６】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有することを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７７】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項７６に記載の部材。
【請求項７８】
前記基板内の前記第２のトレンチの深さは前記基板内の前記第１のトレンチの深さの約５％から１０％であることを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項７９】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項８０】
前記基板はＳｉＣで形成されることを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項８１】
前記少なくとも１つのデバイス層は第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項５７に記載の部材。
【請求項８２】
ａ）デバイス面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める、前記少なくとも１つのデバイス層内の分離トレンチと、
ｄ）前記第１と第２のデバイス部間に伸び、前記分離トレンチの内部およびこれに沿った部分の前記基板のデバイス面内にある第２のトレンチとを含むことを特徴とする半導体基板部材。
【請求項８３】
前記第１および第２のトレンチによって分離された第１および第２の素子を含み、前記第１の素子は前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部を含み、前記第２の素子は前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部を含むことを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項８４】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項８３に記載の部材。
【請求項８５】
前記第１および第２の素子はそれぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項８３に記載の部材。
【請求項８６】
前記第２のトレンチに沿った前記第１および第２のメサの露出面および前記基板上に電気絶縁性のパッシベーション層を含むことを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項８７】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されることを特徴とする請求項８６に記載の部材。
【請求項８８】
前記デバイス面の反対側の前記基板の第１の面に成形トレンチをさらに含むことを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項８９】
前記成形トレンチは前記第２のトレンチと概ね位置が揃っていることを特徴とする請求項８８に記載の部材。
【請求項９０】
前記第１および第２のデバイス部上にそれぞれ第１および第２のコンタクトを含むことを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項９１】
前記第１および第２のそれぞれのコンタクト上にそれぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを含むことを特徴とする請求項９０に記載の部材。
【請求項９２】
第３および第４のコンタクトがそれぞれ前記第１および第２のコンタクトの反対側に配置されるように前記デバイス面の反対側の前記基板の第１の面上に前記第３および第４のコンタクトを含むことを特徴とする請求項９０に記載の部材。
【請求項９３】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項９４】
前記第２のトレンチは前記基板内に、基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項９３に記載の部材。
【請求項９５】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有することを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項９６】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項９５に記載の部材。
【請求項９７】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項８２に記載の部材。  前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項９８】
前記基板はＳｉＣで形成されることを特徴とする請求項９７に記載の部材。
【請求項９９】
前記少なくとも１つのデバイス層は第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ電子工学によるデバイスとその製造方法に関し、より詳細には、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体デバイスで用いることができる構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、参照によりその開示全体が本明細書に組み込まれて、２００２年７月１９日に出願した米国仮出願第６０／３９７，４８８号および２００２年１０月３日に出願した米国仮出願第６０／４１５，８９８号に基づく優先権を主張するものである。
【０００３】
発光ダイオードは、消費者向けおよび商業用途に広く用いられている。当業者にはよく知られているように、発光ダイオードは、一般にマイクロ電子工学による基板上のダイオード領域を含む。このマイクロ電子工学による基板には、例えば、ゲルマニウムアルセナイド、リン化ガリウム、それらの合金、炭化ケイ素および／またはサファイアを備えることができる。ＬＥＤの絶え間ない開発により、可視スペクトルおよび可視域を超えるスペクトルを網羅する非常に効率的で機械的に強固な光源が得られた。これらの特性により、固体素子の潜在的な高耐用性と相俟って、様々な新しい表示用途が可能となり、ＬＥＤは概して広範囲に使用されている白熱灯と競合するようになるだろう。
【０００４】
ＧａＮから成る発光ダイオード（ＬＥＤ）は一般に、複数のＧａＮベースエピタキシャル層が堆積されるサファイアまたはＳｉＣなどの絶縁性基板、半導体基板または導電性基板を備える。エピタキシャル層は、励起されると光を放出するｐ−ｎ接合部を有する活性領域を備える。代表的なＬＥＤは、パッケージまたはリードフレームとも呼ばれるサブマウント（以下、「サブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）」と呼ぶ）上に基板側を下にして実装される。図１は、ｎ型ＳｉＣ基板１０、基板上に成長しメサ内にパターンを形成したｎ型−ＧａＮベース層１４およびｐ型−ＧａＮベース層１６を含む活性領域１２を備えた従来のＬＥＤを概略的に示す図である。金属のｐ電極１８がｐ型−ＧａＮベース層１６上に堆積されてこの層と電気的に結合し、ｐ電極１８上のボンドパッド２０にワイヤボンドによる接続２８がなされている。導電性基板の上にあってこの基板と電気的に結合しているｎ電極２２が、導電性エポキシ樹脂２６を使用して金属製サブマウント（ｍｅｔａｌｌｉｃ  ｓｕｂｍｏｕｎｔ）２４に取り付けられている。従来の製造法では、導電性エポキシ樹脂２６（通常は銀エポキシ樹脂）をサブマウント上に堆積させ、ＬＥＤがエポキシ樹脂２６内に押し込まれる。エポキシ樹脂はその後、硬化を引き起こす熱硬化処理が施され、ＬＥＤチップに安定した、かつ電導性の実装が可能となる。活性領域１２で発生した光は、デバイスの外、上方に向けられる。しかしながら、発生した光のかなりの量を基板内に伝え、一部はエポキシ樹脂２６により吸収される場合がある。
【０００５】
ＬＥＤのフリップチップ実装には、サブマウント上に基板側を上にするＬＥＤの実装が含まれる。次に光が取り出され、透明基板を通過して放射される。フリップチップ実装は、ＳｉＣから成るＬＥＤを実装するためには特に好ましい手法であろう。ＳｉＣは、ＧａＮより屈折率が高いので、活性領域１２で発生する光は、ＧａＮ／ＳｉＣ境界面において内部反射（すなわち、ＧａＮから成る層内に戻ること）をしない。ＳｉＣベースＬＥＤのフリップチップ実装は、従来技術として知られる特定のチップ成形方法を用いるときに、光の取り出しを改善することができる。ＳｉＣから成るＬＥＤのフリップチップのパッケージングには、チップの特定の用途によっては望ましい熱の抽出／放散の改善などの、他の利点もある。
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願第１０／０５７８２号明細書、２００２年１月２５日出願、発明名称「ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥＳ  ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ  ＭＯＤＩＦＩＣＡＴＩＯＮＳ  ＦＯＲ  ＬＩＧＨＴ  ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ  ＡＮＤ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＴＨＥＲＥＦＯＲ」
【特許文献２】米国特許第６２０１２６２号明細書
【特許文献３】米国特許第６１８７６０６号明細書
【特許文献４】米国特許第６１２０６００号明細書
【特許文献５】米国特許第５９１２４７７号明細書
【特許文献６】米国特許第５７３９５５４号明細書
【特許文献７】米国特許第５６３１１９０号明細書
【特許文献８】米国特許第５６０４１３５号明細書
【特許文献９】米国特許第５５２３５８９号明細書
【特許文献１０】米国特許第５４１６３４２号明細書
【特許文献１１】米国特許第５３９３９９３号明細書
【特許文献１２】米国特許第５３３８９４４号明細書
【特許文献１３】米国特許第５２１００５１号明細書
【特許文献１４】米国特許第５０２７１６８号明細書
【特許文献１５】米国特許第４９６６８６２号明細書
【特許文献１６】米国特許第４９１８４９７号明細書
【特許文献１７】米国特許仮出願第６０２９４３７８号明細書、発明名称「ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＷＩＴＨ  ＭＵＬＴＩ−ＱＵＡＮＴＵＭ  ＷＥＬＬ  ＡＮＤ  ＳＵＰＥＲＬＡＴＴＩＣＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ」、２００１年５月３０日出願
【特許文献１８】米国特許仮出願第６０／２９４４４５号明細書、発明名称「ＭＵＬＴＩ−ＱＵＡＮＴＵＭ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ」、２００１年５月３０日出願
【特許文献１９】米国特許仮出願第６０２９４３０８号明細書、発明名称「ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＷＩＴＨ  ＳＵＰＥＲＬＡＴＴＩＣＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ」、２００１年５月３０日出願
【特許文献２０】米国特許出願第１０／１４０７９６号明細書、発明名称「ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＡＳＥＤ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ  ＷＩＴＨ  Ａ  ＱＵＡＮＴＵＭ  ＷＥＬＬ  ＡＮＤ  ＳＵＰＥＲＬＡＴＴＩＣＥ，ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＡＳＥＤ  ＱＵＡＮＴＵＭ  ＷＥＬＬ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ  ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＡＳＥＤ  ＳＵＰＥＲＬＡＴＴＩＣＥ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」、２００２年５月７日出願
【特許文献２１】米国特許仮出願第１０／０５７８２号明細書、発明名称「ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥＳ  ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ  ＭＯＤＩＦＩＣＡＴＩＯＮＳ  ＦＯＲ  ＬＩＧＨＴ  ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ  ＡＮＤ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＴＨＥＲＥＦＯＲ」、２００１年７月２３日出願
【特許文献２２】米国特許仮出願第６０／３０７２３５号明細書、２００１年７月２３日出願、発明名称「ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＤＩＯＤＥＳ  ＩＮＣＬＵＤＩＮＧ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ  ＭＯＤＩＦＩＣＡＴＩＯＮＳ  ＦＯＲ  ＬＩＧＨＴ  ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ  ＡＮＤ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＴＨＥＲＥＦＯＲ」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図２に、フリップチップ実装に関する問題の１つを示す。すなわち、チップが導電性サブマウントまたはパッケージ上にフリップチップで実装される場合、従来の手法を使用できない可能性がある。従来は、銀エポキシ樹脂などの導電性素子取り付け材料２６をチップ上および／またはサブマウント２４上に付着させ、このチップをサブマウント２４の上に押し付ける。この手法では、粘性のある導電性素子取り付け材料２６が押し出され、デバイス内のｎ型層１４と１０との接触を引き起こし、これによって予測通りに望ましくない結果を含んだ活性領域内のｐ−ｎ接合を分流するショットキーダイオード接続（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ  ｄｉｏｄｅ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）が形成される。
【０００８】
ＬＥＤ素子（ｄｉｅ）が切断加工（ｓａｗｉｎｇ）および切断処理によりウェーハから個片切断される（ｓｉｎｇｕｌａｔｅｄ）場合は、切断時に素子の面にかかる応力から別の問題が生じる可能性がある。この応力は、チップ端部の割れを引き起こす可能性がある。この割れがひどいと素子が破壊される可能性がある。例えば、割れがデバイスの活性領域内まで伸長した場合、デバイスが破壊される可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様により、デバイスの基板のエピタキシャル層側からその基板内に伸びるトレンチを有する発光素子および発光ダイオードの製造方法が提供される。このトレンチは、個々のデバイスの範囲を定めるメサの周囲に配置され、発光素子の個片切断を行うためにウェーハが切断される領域に配置される。本発明の実施形態では、トレンチの露出部分上にパッシベーション層が設けられる場合もある。メサ分離トレンチにより範囲が定められる活性領域を有する本発明の実施形態では、メサ分離トレンチ内部に第２のトレンチが設けられ、この第２のトレンチはデバイスの基板内に伸び、基板が切断されてウェーハから素子を分ける基板の領域近くに配置することができる。
【００１０】
本発明の方法の態様では、相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、上記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法が提供される。上記基板の第１の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の位置に第１のトレンチが形成される。上記基板の第２の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に第２のトレンチが形成される。
【００１１】
本発明の別の方法の態様では、デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、上記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法が提供される。分離トレンチが、上記少なくとも１つのデバイス層内に形成され、上記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび上記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める。第２のトレンチが、上記分離トレンチに沿って上記基板のデバイス面に形成される。上記第２のトレンチは上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に伸びている。
【００１２】
本発明の態様では、半導体基板部材が、相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と上記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを含む。上記少なくとも１つのデバイス層は第１および第２のデバイス部を含む。第１のトレンチが上記基板の第１の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の位置に範囲を定められている。第２のトレンチが上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の上記基板の第２の面に範囲を定められている。
【００１３】
本発明の態様では、半導体基板部材が、デバイス面を有する半導体基板と上記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを含む。上記少なくとも１つのデバイス層は第１および第２のデバイス部を含む。分離トレンチが上記少なくとも１つのデバイス層内に範囲を定められている。上記分離トレンチは、上記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび上記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定めている。第２のトレンチが上記分離トレンチの内部およびこれに沿った部分の上記基板のデバイス面内に範囲を定められている。上記定められた第２のトレンチは、上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に伸びる。
【００１４】
本発明の目的は、以下に続く好ましい実施形態の図面と本発明を専ら解説するものである詳細な説明とを読むことにより当業者によって理解されるであろう。
【００１５】
本発明の別の特徴は、下記の本発明の特定の実施形態の詳細な説明を添付の図面を参照して読めばより容易に理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明について、以下に本発明の実施形態が示されている添付図面を参照し、より十分な説明を行う。しかし本発明は、多くの異なった形で実施することができ、本明細書に記載された実施形態に限定されるものと解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態を、この開示が完璧で完全なものとし、当業者に本発明の範囲を十分に伝達するために提供する。同じ参照符号は全体を通して同一の構成部品を指す。また、種々の層および領域を図に概略的に示す。当業者により同様に理解されるように、本明細書で基板もしくはその他の層「上に」形成された層に言及する場合は、基板もしくはその他の層上、または基板もしくはその他の層上に形成された介在層もしくはその他の層上に直接形成された層を指す。したがって、本発明は、添付図に示された相対的な大きさや間隔に限定されない。
【００１７】
本発明の実施形態は、例えば、成形基板を有しおよび／またはフリップチップ実装に好適な発光素子などの発光素子を提供するものである。この発光素子は、デバイスの活性領域（例えば、デバイスの「エピタキシャル層」側）が形成され、デバイスの成形基板側と反対側にある表面からデバイスの基板内に伸びるトレンチを有している。このエピタキシャル層側のトレンチにより、応力を逃がし、またはウェーハの切断を容易にする段差を得られ、このためデバイスの接合部内に広がる切断の伝播による歩留まり損失を低減することができる。加えて、フリップチップ実装デバイスに対し、エピタキシャル層側のトレンチは、絶縁性のパッシベーション物質がトレンチカット後のウェーハ上に被着し、このパッシベーション物質でトレンチカットのまわりを効率的に包むことを可能にする。それゆえ、素子取り付け中に素子取り付け材料（例えば、はんだ）がＳｉＣ基板と接触し、その結果デバイスのｐ−ｎ接合間に短絡し、または分流するのを防止する絶縁性バリアを設けることができる。
【００１８】
上記のように、本発明の特定の実施形態において、発光素子は成形基板を有することがある。ＳｉＣは屈折率が高いので、ＳｉＣ基板を通過する光は、極めて小さな入射角（垂直線にかなり近い角度）で境界面に当たらない限り、その基板の表面において内部の基板内へ全体的に反射される傾向がある。全反射の臨界角は、ＳｉＣ基板との境界面を形成する材料によって変わってくる。より多くの光線を小さな入射角でＳｉＣの表面に当てることにより全反射を抑えるようにＳｉＣ基板を成形することによって、ＳｉＣベースＬＥＤからの光出力を増加させることが可能である。このようなチップ成形方法の１つおよびこれによって得られたチップは、特許文献１に示される。
【００１９】
図３に、個片切断前の上記特許文献１に記載の成形基板を有するＬＥＤチップを示す。詳細には、ウェーハ１００は、ＳｉＣ基板のような基板１２０を含む図３に示すようなＬＥＤチップ１１０を含んでいる。ＬＥＤチップ１１０の活性素子領域１２２は、ＧａＮから成る層などの第ＩＩＩ族窒化物を含んでいる。この活性素子領域１２２および基板１２０上にコンタクト１２４および１２８が設けられている。任意選択で共晶金属（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｍｅｔａｌ）領域１２６を設けることもできる。
【００２０】
活性領域１２２は、分離トレンチ１３２によってメサ内に形成される。この分離トレンチ１３２は、個々のデバイスまたはいくつかのデバイスの組の範囲を定める役割を果たす。また、分離トレンチ１３２は、デバイスを分離し、およびいくつかの実施形態では所望の形の基板を提供するために用いられる基板１２０の成形トレンチ（またはカット）すなわち「ストリート（ｓｔｒｅｅｔ）」１３６と位置が概ね揃えられる。さらに図３に示すように、第２のトレンチ１３４もまた基板１２０内に形成される。この第２のトレンチ１３４は、同様に基板１２０のストリート１３６と位置が概ね揃えられ、いくつかの実施形態では、活性領域１２２のメサ末端を形成する分離トレンチ１３２内部に形成される。
【００２１】
第２のトレンチ１３４は、分離トレンチ１３２の形成とは別の製造工程で設けることができ、または同一の工程で形成することもできる。例えば、第２のトレンチ１３４は、ダイスで加工する、切断加工する、エッチングする、ウォータージェットで切断する、レーザスクライブを行う、または標準的な硬質材料半導体の分離法もしくは個片切断法などのその他の方法を用いて作成することができる。
【００２２】
本発明の実施形態では、第２のトレンチ１３４は、活性領域１２２内への切断の伝播を低減するように、応力を逃がし、および／または個片切断工程で基板を切断することを容易にするのに十分な長さだけ基板１２０内に伸ばされる場合がある。例えば、本発明の実施形態において、第２のトレンチ１３４を基板１２０内に少なくとも約２μｍ伸ばす場合がある。他の実施形態では、第２のトレンチ１３４は、基板１２０内に少なくとも約５μｍ伸ばされる。本発明の別の実施形態では、第２のトレンチ１３４は、基板１２０内に少なくとも約１０μｍ伸ばされる。本発明の特別な実施形態では、第２のトレンチ１３４は、基板１２０内に少なくとも約２０μｍ伸ばされる。いくつかの好ましい実施形態によれば、第２のトレンチ１３４は、約２μｍから５μｍの深さで基板１２０内に伸ばされる。いくつかの実施形態によれば、基板１２０内の第２のトレンチ１３４の深さは、基板１２０の厚さの少なくとも１％である。いくつかの好ましい実施形態によれば、基板１２０内の第２のトレンチ１３４の深さは、基板１２０の約５％から２０％である。
【００２３】
さらに、第２のトレンチ１３４は、応力を逃がし、および／または活性領域１２２内への切断が伝播するのを低減するように個片切断工程での基板の切断を容易にすることもできる。本発明の様々な実施形態において、活性領域１２２として発光素子構造を設けてもよい。例えば、本発明の実施形態によっては、第２のトレンチ１３４は、少なくとも約２μｍの幅を有する。他の実施形態では、第２のトレンチ１３４は、少なくとも約５μｍの幅を有する。本発明の別の実施形態では、第２のトレンチ１３４は、少なくとも約１０μｍの幅を有する。本発明の特別な実施形態では、第２のトレンチ１３４は、少なくとも約２５μｍの幅を有する。いくつかの好ましい実施形態によれば、第２のトレンチ１３４は、約２μｍから２５μｍの幅を有する。
【００２４】
いくつかの実施形態によれば、分離トレンチ１３２は、少なくとも約１μｍの深さを有する。いくつかの好ましい実施形態によれば、分離トレンチ１３２は、２μｍから４μｍの深さを有する。
【００２５】
いくつかの実施形態によれば、分離トレンチ１３２は、少なくとも３０μｍの幅を有する。いくつかの好ましい実施形態によれば、分離トレンチ１３２は、約５０μｍから７０μｍの幅を有する。
【００２６】
いくつかの実施形態によれば、成形トレンチ１３６は、基板１２０内に少なくとも１００μｍの深さを有する。いくつかの好ましい実施形態によれば、成形トレンチ１３６は、基板内に約２００μｍから２２０μｍの深さを有する。
【００２７】
いくつかの実施形態によれば、成形トレンチ１３６は、少なくとも５０μｍの幅を有する。いくつかの好ましい実施形態によれば、成形トレンチ１３６は、約７５μｍから１２５μｍの幅を有する。
【００２８】
いくつかの好ましい実施形態によれば、成形トレンチ１３６が基板１２０内に約１５０μｍから２００μｍの深さを有した状態で、第２のトレンチ１３４は、基板１２０内に約２μｍから５μｍの深さを有する。いくつかの実施形態によれば、基板１２０内の第２のトレンチ１３４の深さは、成形トレンチ１３６の深さの約５％から１０％である。いくつかの実施形態によれば、第２のトレンチ１３４と成形トレンチ１３６の間に残っている基板１２０の厚さは、基板１２０の元の厚さの少なくとも５％である。いくつかの実施形態によれば、第２のトレンチ１３４と成形トレンチ１３６の間に残っている基板１２０の厚さは、基板１２０の元の厚さの約５％から１５％である。
【００２９】
さらに図３に示すように、分離トレンチ１３２および第２のトレンチ１３４により露出された表面上に酸化物、窒化物および／または酸窒化物（ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）などのパッシベーション層１３０を形成することができる。したがって、このパッシベーション層１３０は、第２のトレンチ１３４の深さに対応した長さだけ基板１２０内に伸ばすことができる。本発明の特別な実施形態において、パッシベーション物質は、窒化珪素（ＳｉＮ）、ドープし、またはドープしない二酸化珪素（ＳｉＯ２）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）、塗布ガラス（Ｓｐｉｎ−ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ポリイミド、またはその他任意の絶縁材料もしくは膜の組み合わせが可能であり、化学蒸着法（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、スパッタリング、または後に硬化工程が続く未硬化液体のスピン−オン投与（ｓｐｉｎ−ｏｎ  ｄｉｓｐｅｎｓｅ）により堆積させることができる。
【００３０】
基板内にパッシベーション層１３０を形成することにより、活性領域１２２内のｐ−ｎ接合まわりの素子取り付け材料のウィッキングによるＬＥＤ部材の短絡または分流を防止することができる。したがって、第２のトレンチ１３４の形成後に形成されたパッシベーション層１３０を有する本発明の実施形態では、第２のトレンチ１３４の深さは、デバイス１１０を実装する場合、寄生性のあるショットキーダイオード（ｐａｒａｓｉｔｉｃ  Ｓｃｈｏｔｔｋｙ  ｄｉｏｄｅ）が生成される可能性を低減するように選択することもできる。
【００３１】
本発明の特定の実施形態では、活性領域１２２は、ノースカロライナ州ダラム市のＣｒｅｅ社が製造、販売しているデバイスのような炭化珪素基板上に製造された窒化ガリウムから成るＬＥＤまたはレーザにすることができる。例えば、本発明は、その開示が参照によりあたかも本明細書に完全に記載されたように本明細書に組み込まれる米国特許に記載されたようなＬＥＤおよび／またはレーザで使用するのに適している場合がある（特許文献２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１４、１５および／または１６参照）。その他の好適なＬＥＤおよび／またはレーザが、その開示により本明細書に組み込まれている米国特許に記載されている（特許文献１７、１８、１９、２０、ならびに２１および１参照）。
【００３２】
本発明の特定の実施形態において、発光素子は、活性領域で発生した光がデバイスを透過し、反射して戻る反射層を形成するＰ電極を含んでもよい。反射性のＰ電極および関連した構造が、参照により本明細書に組み込まれる米国特許に記載されている（特許文献１参照）。
【００３３】
ＬＥＤおよび／またはレーザは、基板を透過し、発光が起こるように「フリップチップ」構成で動作するように構成することができる。このような実施形態では、デバイスの光出力を高めるように基板にパターンを形成することができる（例えば、特許文献２３および１参照。）。
【００３４】
図４に、本発明の実施形態による発光素子の製造方法を示す。図４に見られるように、上記のような発光素子が製造される（ブロック２００）。（例えば、分離トレンチ（例えば、分離トレンチ１３２）が形成されるように）この発光素子の各層がエッチングされ、メサを形成する（ブロック２０２）。活性層上のコンタクトがその後、得られたメサ上に形成される（ブロック２０３）。ウェーハが上述したように切断される領域において基板内に伸ばされるトレンチ（例えば、第２のトレンチ１３４）が形成され、およびメサの周囲に形成されることになる（ブロック２０４）。パッシベーション層がメサおよびトレンチの露出面上に形成される（ブロック２０６）。このパッシベーション層内に開口部が形成され、共晶金属コンタクトが形成される（ブロック２０７）。任意で、デバイスの活性領域の反対側のデバイスの基板は、（例えば、成形トレンチ１３６などの成形トレンチを形成することによって）成形される（ブロック２０８）。これらのデバイスはその後、素子を分割する線に沿ってウェーハを切断することにより（個々の素子またはいくつかの素子の組を形成するために）個片切断される（ブロック２１０）。
【００３５】
図５に、エピタキシャル層側のトレンチ製造中に保護層が設けられる本発明の実施形態による発光素子の製造方法を示す。図５に見られるように、上記のような発光素子が製造される（ブロック３００）。（例えば、分離トレンチ（例えば、分離トレンチ１３２）が形成されるように）この発光素子の各層がエッチングされてメサを形成する（ブロック３０２）。活性層上のコンタクトがその後、得られたメサ上に形成される（ブロック３０４）。得られたメサ上にメサの側壁を含む犠牲保護層が形成される（ブロック３０６）。この保護層は、エピタキシャル層側のトレンチ形成中に活性領域を汚染または物理的損傷から保護するために設けてもよい。特定の実施形態では、この保護層は、例えば、窒化珪素、シリコン酸窒化物、二酸化珪素などの誘電層でもよく、あるいはフォトレジスト材料でもよい。しかし、トレンチ形成時にメサを保護できる材料であればどんなものでも用いることができる。
【００３６】
基板内の領域に伸び、そこでウェーハが上述したように切断されるトレンチ（例えば、第２のトレンチ１３４）が形成され、かつメサの周囲に形成することができる（ブロック３０８）。特定の実施形態において、このトレンチは、切断加工切断に起因する汚染または物理的損傷からメサを保護するようにメサの側壁上に犠牲保護層の少なくとも一部を残したまま、例えば切断加工またはレーザースクライビングにより犠牲保護層まで形成される。トレンチ形成の完了後、この犠牲保護層はメサから取り除かれる（ブロック３１０）。犠牲保護層を除去する特定の方法は犠牲保護層の性質によって異なる。誘電層およびフォトレジスト層を除去する方法は当業者によく知られている。
【００３７】
パッシベーション層がメサおよびトレンチの露出面上に形成される（ブロック３１２）。このパッシベーション層内に開口部が形成され、共晶金属コンタクトが形成される（ブロック３１４）。任意で、デバイスの活性領域の反対側のデバイスの基板を、（例えば、成形トレンチ１３６などの成形トレンチを形成することによって）成形することができる（ブロック３１６）。これらのデバイスはその後、素子を分割する線に沿ってウェーハを切断することにより（個々の素子かまたはいくつかの素子の組を形成するために）個片切断される（ブロック３１８）。
【００３８】
本発明の特定の実施形態において、基板の成形は切断加工操作または溝切り（ｓｃｏｒｉｎｇ）操作により実現することができ、その操作では基板の切断加工または溝切りによって基板の成形部の範囲が定まる。例えば、ウェーハに線を刻むのに使用される切断加工用ブレードによってＡＴＯＮ形（例えば、上部に立方体部分がある角錐台）を規定することができる。このような切断加工切断部はその後各デバイスを個片切断する切断線として使用することができる。
【００３９】
上記で説明したように、第２のトレンチ１３４はレーザスクライブで形成することができる。より詳細に説明すると、基板１２０部、および必要に応じて上に重なった任意の層（例えば、活性素子領域１２２が形成される層）をアブレーションにより除去するのにレーザを用いることができる。任意の適切なレーザを使用することができる。いくつかの実施形態によれば、Ｎｄ−ＹＡＧ、エキシマまたはその他の短波長レーザが使用される。
【００４０】
さらに、デバイス製造の各操作が、特定の順序に関して図４および５に示されているが、本発明の実施形態は、このような順序に限定されると解釈されるべきではない。例えば、トレンチ（例えば、トレンチ１３４）は、メサを形成する前に形成してもよく、あるいはパッシベーション層形成後に形成してもよい。パッシベーション層形成後のトレンチ形成は、フリップチップ実装されないデバイスに適しているだろう。それゆえ、本発明は、図４および５に示された特定順序の操作に限定されると解釈されるべきではない。
【００４１】
デバイス分離トレンチおよび第２のトレンチに関して本発明を説明してきたが、本開示に照らして当業者には了解されるように、単一のトレンチで分離トレンチと第２のトレンチの両方を形成してもよい。さらに、３つ以上のトレンチを設けることもできる。それゆえ、本発明の実施形態は、特定数の個別のトレンチに限定されると解釈されるべきではない。
【００４２】
窒化ガリウムから成る素子に関して本発明の実施形態を説明してきたが、本発明の教示と利益は、その他の第ＩＩＩ族窒化物またはその他の半導体材料においても享受することができる。さらに、図３に示すように立方体部分および角錐台部分を有する成形基板に関して本発明の実施形態を説明してきたが、他の形の基板を利用することができる。それゆえ、本発明の実施形態は、本明細書で説明した特定の形に限定されると解釈されるべきではない。
【００４３】
ＬＥＤおよび／またはレーザに関して説明したが、本発明の方法と部材は、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの個片切断されているその他のデバイスに使用することもできる。
【００４４】
以上のことは本発明を説明するものであって、本発明を限定するものと解釈されるべきではない。本発明の例示的な実施形態について説明してきたが、本発明の新規の教示と利点から著しく逸脱することなく例示的な実施形態において多くの変更された形態が可能であることを当業者は容易に理解するであろう。したがって、このような変更された形態は、すべて本発明の範囲内に含まれるものである。その結果、以上のことは本発明を説明するものであって、開示された特定の実施形態に限定されると解釈されべきではないこと、および開示された実施形態に対する変更された形態、ならびにその他の実施形態は本発明の範囲内に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来のＬＥＤを示す概略図である。
【図２】従来の手法を用いるフリップチップ実装型ＬＥＤを示す概略図である。
【図３】本発明の実施形態によるＬＥＤのウェーハの部分を示す概略図である。
【図４】本発明の実施形態によるＬＥＤの製造における加工工程を示す流れ図である。
【図５】本発明のその他の実施形態によるＬＥＤの製造における加工工程を示す流れ図である。
【図１】
2006510232.tif 000003
【図２】
2006510232.tif 000004
【図３】
2006510232.tif 000005
【図４】
2006510232.tif 000006
【図５】
2006510232.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面に第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面に第２のトレンチを形成するステップと、
ｃ）少なくとも１つのデバイス層に、前記第１のデバイス部を含む第１のメサと、前記第２のデバイス部を含む第２のメサとを定義する分離トレンチを形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
第１および第２のダイを形成し、前記第１のダイは、前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部とを含み、および前記第２のダイは、前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部とを含むように前記第１および第２のトレンチに沿って前記基板を切断するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第２のトレンチが前記第１のトレンチに概ね平行になるように前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第２のトレンチが前記第１のトレンチと概ね位置が揃うように前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記分離トレンチにおいて前記第２のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のトレンチに沿って前記第１および第２のメサの露出面と前記基板上とに電気絶縁性のパッシベーション層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション層は、堆積法を用いて形成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記分離トレンチを形成するステップは、少なくとも１つのデバイス層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１および第２のデバイス部上に、それぞれ第１および第２のコンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１および第２のコンタクトの各々の上に、それぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１および第２のコンタクトと反対側の前記基板の第１の面上に、それぞれ第３および第４のコンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２のトレンチを形成するステップに先立ち犠牲層を形成するステップと、前記第２のトレンチを形成するステップの後に前記犠牲層を除去するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２のトレンチを形成するステップは、ダイス加工、切断加工、エッチング、および／またはレーザースクライビングのうちの少なくとも１つの処理ステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の第２の面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングで形成するステップを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の第２の面内に前記第２のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のトレンチを形成するステップは、前記基板の第１の面内に前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップは、前記第１のトレンチが立方体の頂点を備えた角錐台を定めるように前記第１のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のトレンチは、前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のトレンチは、前記基板内に基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１のトレンチは、前記基板内に少なくとも約１００μｍの深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のトレンチは、前記基板内に約２００μｍから２２０μｍの深さを有することを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２のトレンチは、前記基板内に約２μｍから５μｍの深さを有し、前記第１のトレンチは前記基板内に約１５０μｍから２００μｍの深さを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２のトレンチは、前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記第２のトレンチは、前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記基板内の前記第２のトレンチの深さは、前記基板内の前記第１のトレンチの深さの約５％から１０％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記基板は、ＳｉＣで形成されることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記少なくとも１つのデバイス層は、第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記少なくとも１つのデバイス層内に、前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める分離トレンチを形成するステップと、
ｂ）前記分離トレンチの内部およびこれに沿った部分の前記基板のデバイス面に、前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間まで伸びる第２のトレンチを形成するステップと、
ｃ）前記第２のトレンチに沿って前記基板を切断して、第１の前記基板部および前記第１のデバイス部を含む第１ならびに第２の前記基板部および前記第２のデバイス部を含む第２のダイを形成するステップとを備えたことを特徴とする方法。
【請求項３３】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記第２のトレンチに沿って前記第１および第２のメサの露出面と前記基板上とに電気絶縁性のパッシベーション層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記パッシベーション層は、堆積法を用いて形成されることを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３８】
前記分離トレンチを形成するステップは、前記少なくとも１つのデバイス層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３９】
前記デバイス面の反対側の前記基板の前記第１の面に成形トレンチを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項４０】
前記成形トレンチを形成するステップは、前記成形トレンチが前記第２のトレンチと概ね位置が揃うように前記成形トレンチを形成するステップを含むことを特徴とする請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記第１および第２のデバイス部上にそれぞれ第１および第２のコンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４２】
前記第１および第２のそれぞれのコンタクト上にそれぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
第３および第４のコンタクトがそれぞれ前記第１および第２のコンタクトの反対側に配置されるように前記デバイス面の反対側の前記基板の第１の面上に前記第３および第４のコンタクトを形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記第２のトレンチを形成するステップに先立ち犠牲層を形成するステップと、前記第２のトレンチを形成するステップの後に前記犠牲層を除去するステップとをさらに備えたことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４５】
前記第２のトレンチを形成するステップは、ダイス加工、切断加工、エッチング、および／またはレーザースクライビングのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４６】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板のデバイス面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングで形成することを含むことを特徴とする請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板のデバイス面内に前記第２のトレンチを切断加工で形成するステップを含むことを特徴とする請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記第２のトレンチは前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項４９】
前記第２のトレンチは前記基板内に、基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項５０】
前記第２のトレンチは前記基板内に、基板の厚さの少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項５１】
前記第２のトレンチは、前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項５３】
前記基板は、ＳｉＣで形成されることを特徴とする請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記少なくとも１つのデバイス層は、第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項５５】
ａ）相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の第１の面における第１のトレンチと、
ｄ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の第２の面における第２のトレンチと、
ｅ）少なくとも１つのデバイス層において、前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサを定める分離トレンチと
を備えたことを特徴とする半導体基板部材。
【請求項５６】
前記第１および第２のトレンチによって分離された前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部を含み第１のダイおよび前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部を含む第２のダイをさらに備えたことを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項５７】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項５６に記載の部材。
【請求項５８】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項５６に記載の部材。
【請求項５９】
前記第２のトレンチは、前記第１のトレンチに概ね平行であることを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項６０】
前記第２のトレンチは、前記第１のトレンチと概ね位置が揃っていることを特徴とする請求項５９に記載の部材。
【請求項６１】
前記第２のトレンチは、前記分離トレンチ内に配置されることを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項６２】
前記第２のトレンチに沿って前記第１および第２のメサの露出面と前記基板上とに電気絶縁性のパッシベーション層をさらに備えたことを特徴とする請求項６１に記載の部材。
【請求項６３】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されることを特徴とする請求項６２に記載の部材。
【請求項６４】
前記第１および第２のデバイス部上に、それぞれ第１および第２のコンタクトをさらに備えたことを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項６５】
前記第１および第２の各々のコンタクト上にそれぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトをさらに備えたことを特徴とする請求項６４に記載の部材。
【請求項６６】
前記第１および第２のコンタクトと反対側の前記基板の前記第１の面上にそれぞれ第３および第４のコンタクトをさらに備えたことを特徴とする請求項６４に記載の部材。
【請求項６７】
前記第１のトレンチは、立方体の頂点を有する角錐台を定めることを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項６８】
前記第２のトレンチは、前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項６９】
前記第２のトレンチは、前記基板内に基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項５５に記載の部材。。
【請求項７０】
前記第１のトレンチは、前記基板内に少なくとも約１００μｍの深さを有することを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項７１】
前記第１のトレンチは、前記基板内に約２００μｍから２２０μｍの深さを有することを特徴とする請求項７０に記載の部材。
【請求項７２】
前記第２のトレンチは前記基板内に約２μｍから５μｍの深さを有し、および前記第１のトレンチは前記基板内に約１５０μｍから２００μｍの深さを有することを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項７３】
前記第２のトレンチは、前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有することを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項７４】
前記第２のトレンチは、前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項７３に記載の部材。
【請求項７５】
前記基板内の前記第２のトレンチの深さは、前記基板内の前記第１のトレンチの深さの約５％から１０％であることを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項７６】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項７７】
前記基板は、ＳｉＣで形成されることを特徴とする請求項７６に記載の部材。
【請求項７８】
前記少なくとも１つのデバイス層は第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項５５に記載の部材。
【請求項７９】
ａ）デバイス面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記少なくとも１つのデバイス層内において前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める分離トレンチと、
ｄ）前記第１と第２のデバイス部間まで伸び、前記分離トレンチ内のおよび当該分離トレンチに沿った前記基板のデバイス面内にある第２のトレンチと、
ｅ）前記デバイス面の反対側の面における成形トレンチであって、
ｆ）立方体の頂点を有する角錐台を定める前記成形トレンチとを備えたことを特徴とする半導体基板部材。
【請求項８０】
前記第１および第２のトレンチによって分離された前記基板の第１の部分と前記第１のデバイス部を含む第１のダイおよび前記基板の第２の部分と前記第２のデバイス部を含む第２のダイをさらに備えたことを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項８１】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことを特徴とする請求項８０に記載の部材。
【請求項８２】
前記第１および第２のダイは、それぞれ第１および第２のレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項８０に記載の部材。
【請求項８３】
前記第２のトレンチに沿って前記第１および第２のメサの露出面と前記基板上とに電気絶縁性のパッシベーション層をさらに備えたことを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項８４】
前記パッシベーション層は、酸化物、窒化物、酸窒化物、塗布ガラスおよび／またはポリイミドで形成されることを特徴とする請求項８３に記載の部材。
【請求項８５】
前記成形トレンチは、前記第２のトレンチと概ね位置が揃っていることを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項８６】
前記第１および第２のデバイス部上にそれぞれ第１および第２のコンタクトをさらに備えたことを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項８７】
前記第１および第２の各々のコンタクト上に、それぞれ第１および第２の共晶金属コンタクトを備えたことを特徴とする請求項８６に記載の部材。
【請求項８８】
第３および第４のコンタクトがそれぞれ前記第１および第２のコンタクトの反対側に配置されるように、前記デバイス面の反対側の前記基板の前記第１の面上に前記第３および第４のコンタクトをさらに備えたことを特徴とする請求項８６に記載の部材。
【請求項８９】
前記第２のトレンチは、前記基板内に少なくとも約２μｍの深さを有することを特徴とする請求項８２に記載の部材。
【請求項９０】
前記第２のトレンチは、前記基板内に基板の厚さの少なくとも約１％の深さを有することを特徴とする請求項８９に記載の部材。
【請求項９１】
前記第２のトレンチは、前記基板内に少なくとも約２μｍの幅を有することを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項９２】
前記第２のトレンチは、前記基板内に約２μｍから２５μｍの幅を有することを特徴とする請求項９１に記載の部材。
【請求項９３】
前記基板は、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、サファイアおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される材料で形成されることを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項９４】
前記基板は、ＳｉＣで形成されることを特徴とする請求項９３に記載の部材。
【請求項９５】
前記少なくとも１つのデバイス層は、第ＩＩＩ族窒化物を含むことを特徴とする請求項７９に記載の部材。
【請求項９６】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面において第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面において第２のトレンチを形成するステップであって、
ｃ）前記第２のトレンチを形成するステップは、前記基板の前記第２の面内に前記第２のトレンチをレーザースクライビングで形成するステップを含むステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項９７】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用して半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面において第１のトレンチを形成するステップと、
ｂ）前記第１のデバイス部と前記第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面において第２のトレンチを形成するステップを備え、
ｃ）前記第１のトレンチを形成するステップは、前記基板の前記第１の面に前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップを含み、
ｄ）前記第１のトレンチを切断加工で形成するステップは、前記第１のトレンチが立方体の頂点を有する角錐台を定めるように前記第１のトレンチを形成するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項９８】
デバイス面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、前記基板のデバイス面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法であって、
ａ）前記少なくとも１つのデバイス層内に、前記第１のデバイス部を含む第１のメサおよび前記第２のデバイス部を含む第２のメサの範囲を定める分離トレンチを形成するステップと、
ｂ）前記分離トレンチの内部およびこれに沿って前記基板の前記デバイス面に、前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に伸ばされる第２のトレンチを形成するステップとを備え、
ｃ）前記第２のトレンチを形成するステップは、前記第２のトレンチを前記基板のデバイス面内にレーザースクライビングするステップで形成することを特徴とする方法。
【請求項９９】
ａ）相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、
ｂ）第１および第２のデバイス部を含む、前記基板の前記第２の面上の少なくとも１つのデバイス層と、
ｃ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第１の面における第１のトレンチと、
ｄ）前記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間の前記基板の前記第２の面における第２のトレンチとを備え、
ｅ）前記第１のトレンチは、立方体の頂点を有する角錐台を定めることを特徴とする半導体基板部材。
【国際調査報告】
2006510232.tif 000008
2006510232.tif 000009
2006510232.tif 000010