(57)【要約】レーサの単一方向性は、レーザ共振器内に１つ以上のエッチングされたギャップ(78,80)を形成することにより強められる。そのギャップは、リングレーザのいずれの脚部のように、レーザのいずれのセグメントに、またはV字型レーザ(60)の一つの脚部(62)に備えられてもよい。レーザに結合された光機能デバイスの遠位の端面でのブルースター角の面は、レーザ共振器へのバック反射を低減する。配置されたブラッグ反射器は、レーザの横モード抑圧比を強めるために、レーザの出力部に用いられる。
2006521018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのセグメントおよび少なくとも一つの出力部を有する半導体レーザ共振器と、
前記少なくとも一つのセグメントに位置する少なくとも一つのエッチングされたギャップと、および
前記少なくとも一つの出力部で配置されたブラッグ反射器(DBR)とを備えた半導体レーザ。
【請求項２】
前記レーザ共振器の全長はおよそ10μm〜および10,000μmの間にある請求項１記載のレーザ。
【請求項３】
前記少なくとも一つのエッチングされたギャップは、およそ0.001μm〜およそ10μmの間の長さである請求項１記載のレーザ。
【請求項４】
前記レーザ共振器の前記少なくとも一つの出力部に結合された少なくとも一つの光機能デバイスを更に備える請求項１に記載のレーザ。
【請求項５】
本レーザはリングレーザである請求項１に記載のレーザ。
【請求項６】
本レーザはV字型レーザである請求項１に記載のレーザ。
【請求項７】
少なくとも一つのセグメントおよび少なくとも一つの出力部を有する半導体レーザ共振器と、
前記レーザの少なくとも一つのセグメントに位置する少なくとも一つのエッチングされたギャップと、
前記少なくとも一つの出力部に結合された少なくとも一つの光機能デバイスと、および
前記光機能デバイスの少なくとも一つの端部でブルースター角、またはそれに近い角度になる少なくとも一つのエッチングされた面とを備えた半導体レーザ。
【請求項８】
前記レーザ共振器の全長はおよそ10μm〜および10,000μmの間にある請求項７記載のレーザ。
【請求項９】
前記少なくとも一つのエッチングされたギャップは、およそ0.001μm〜およそ10μmの間の長さである請求項７記載のレーザ。
【請求項１０】
少なくとも一つのセグメントを有する共振器と、および
前記少なくとも一つのセグメントの端部でブルースター角の、またはそれに近い角度の少なくとも一つのエッチングされた面とを備える半導体光機能デバイス。
【請求項１１】
前記共振器は入り口面および出口面を含む請求項１０記載の光機能デバイス。
【請求項１２】
前記入り口面は別の光機能デバイスに直接に結合される請求項１０記載の光機能デバイス。
【請求項１３】
前記光機能デバイスはV字型構造であり、そして、前記少なくとも一つのセグメントは第１および第２の脚部を備える請求項１０記載の光機能デバイス。
【請求項１４】
前記少なくとも一つのセグメントの端部で
ブルースター角の、またはそれに近い角度のエッチングされた面は、前記V字型構造の前記第１の脚部の端部にある請求項１３記載の光機能デバイス。
【請求項１５】
前記第１および第２の脚部は、前記V字型構造を形成するために対応する端部で結合され、そして出口面は、前記第１および第２の脚部の結合部に位置する請求項１４記載の光機能デバイス。
【請求項１６】
前記V字型構造の前記第２の脚部の自由端に入り口面を更に含む請求項１５記載の光機能デバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
[関連出願への相互言及]
この出願は、2003年3月19日出願の仮出願 No. 60/455,562の利益を、米国 35 U.S.C. 119(e) に基づき、請求する。その開示を参照してここに開示する。
【０００２】
一般に、この発明は、エッチングされたレーザ共振器から単一方向の放射を提供するため、および、光機能デバイスからの低いバック反射を提供するための方法と装置に、特にレーザ出力に結合した光機能装置に関する。より特に、この発明は、高い横モード抑圧を提供して、レーザの出力部での放射の単一方向性を制御するために、エッチングされたギャップがあるV字形のレーザおよび三角形リングレーザに関し、そして、光機能デバイスでバック反射を最小にするために、ブルースター(Brewster)角で、またはそれに近い角度でエッチングされた面の使用に関する。
【０００３】
発明の背景
現在のモノシリックの統合技術における進歩は、例えば、1991,9月16日 1395-97の応用物理学レターの59頁で開示されているように、 V字形のレーザおよび三角形のリングレーザを含むさまざまな幾何学のレーザが作られるのを許容する。これらの開発は、集積回路レーザの将来のアプリケーションを広げ、そしてより大きい製造能力と価格の低減の魅力を加える。この技術はレーザ共振器の共振器の内外で結合することができる新規で目新しい特徴を調査する機会を開いた。
【０００４】
2002年8月23日に出願された譲受人に譲渡された継続中の米国特許出願 No.10/226,076の「波長の選択可能なデバイス」(それは参考のためにここで取り込まれている)は、 電場吸収変調器(EAM)のような素子の入り口面からレーザ共振器へのバック反射を防止するモノシリック構造を開示しており、それは、デバイスの幾何学の適切な選択により、素子のための光源として役に立つ。単一方向に放射するレーザは、レーザ光線のEAMまたは他のそのような素子への結合を最大にするためにはそのような構成が望ましいであろう。
【０００５】
周知なように、リングのレーザ共振器には、ファブリペロー(Fabry-Perot)共振器が持っていない利点をもつ。例えば、リング共振器はファブリペロー共振器で得ることができるより高いスペクトルの純度でレーザ動作を生成するであろう。他のタイプのリングレーザのみならずモノシリックの三角形のリングレーザ、およびそれらの統合された結合は、2001年８月１日に出願の継続中の米国特許出願 No. 6,680,961の“湾曲したウェーブガイドのリングレーザ”(2004年１月２０日に特許、現在、譲受人に譲渡され、その開示は参考のためここに取り込まれる)のみならず、従来技術に開示されている。さらに、リングレーザの単一方向性の挙動も従来技術で説明されている。
【０００６】
過去数年間にわたって、主にインターネットの人気のおかげで、帯域幅が爆発的な成長を経験している。キャリア会社とそれらの供給者は、複数の波長のレーザ光線を単一のストランドの光ファイバを通じて送信することを可能にする波長多重分割(WDM)システムをインストールすることによって、この要求を扱ってきた。WDMシステムで使用されるレーザの主な要件の１つは、レーザソースがスペクトル純度を持つことであり、そのためには、レーザのパワーの大半を狭い波長範囲に集結しなければならない。レーザソースは、多くの可能な縦モードがあり、最大の利得につながる１つの縦モードで作動する傾向があるが、ある他のモードも部分的に増幅され、異なった波長で光放射を発生させ、そしてそのスペクトル純度を低減する。
【０００７】
定在波で作動するファブリペローレーザのスペクトル特性の改良のためのギャップの使用は、IEEE ジャーナル オブ 量子エレクトロニクス, QE-20版, No. 6 , 659-670頁, 1984年６月 のLarry A. Coldren および T.L. Koch による“結合したレーザ共振器の分析および設計指針 パート１：しきい値利得解析および設計指針”で提案されている。説明されたように、異なった共振器間で結合を達成するために、二つの裂かれた面間にギャップが導入され、共振器とギャップの長さに依存してモードの区別を改善する。しかしながら、ギャップを形成するために、正確に位置する裂かれた面および、二つの裂かれた面を互いに接近して位置させる際の許容を構築することの固有の困難さのために、これらのレーザの大規模な製造は具体化しなかった。エッチングされた鏡および溝の結合したデバイスは、Larry A. Coldren, その他によるIEEE ジャーナル オブ 量子エレクトロニクス.  QE-18版, No. 10, 1679-1688頁,1982.10月にある"光IC用のエッチングされた鏡および溝の結合した GaInAsP/InP レーザデバイス"で実証された。これらのデバイスの裂けた面およびエッチングされた形状と反射率で等価でないこれらエッチングされた面は、それらの裂けた一方よりも効率が劣る。米国特許4,851,368号は、エッチングされたレーザ面が、裂けた面と反射率が等価に組立られることを許容するプロセスを教示する。
【０００８】
[発明の概要]
この発明は、エッチングされた１つ以上のギャップを備えたリングレーザおよびV字形レーザのような半導体光機能デバイスで単一の方向性を入手するための新しくて新規な技術に、より特にはリングレーザでの出力面に対する、またはV形状レーザでの脚部の長さに対するそのような一つ以上のギャップの位置に向けられる。さらに、この発明は、サイドモード抑圧比(SMSR)、つまり、そのようなレーザにおいて、メインのレーザ波長とサイドローブとの間の差異を高めるように少なくとも１つのエッチングされたギャップがある半導体レーザの形成に向けられる。更にこの発明は、以下のようなデバイスで逆反射を防ぐようにブルースター(Brewster)角またはその近傍の角度で光アンプ、電場吸収変調器、または同様のものなどの光機能デバイスで形成された１つの面を使用することに向けられる。
【０００９】
この発明の好ましい形態では、半導体レーザの単一方向性は、レーザ共振器または導波路内に少なくとも１つのエアギャップを形成することによって、高められる。各ギャップは、サイドモード抑圧比を高めるために、前記共振器内で面から隔てられることにより決定される。例えば、基板の表面に不可欠に形成された尾根タイプのリングまたはV字形レーザ共振器を通してエッチングすることによって、ギャップが提供される。１つ以上のギャップは、レーザ共振器のいずれかの脚部内でエッチングされてもよく、そして、レーザ軸に対して90°で、またはそれとは別にては軸への角度でエッチングされてもよい。後者の場合、ギャップは隔てられたペアにしてエッチングされ、そのギャップ間の導波路のセグメントは、エッチングされた面での屈折を補償するためにオフセットされる。この発明の別の形態では、レーザ出力が光機能デバイスに結合される時、光機能デバイスの遠位の端部にブルースター角で装着することによりバック反射は最小にされる。この発明の次の、および追加的な目的、特徴および利点は、添付図面を参照して、それの好ましい実施例の以下の詳しい説明から明白になるであろう。
【００１０】
[好ましい実施例の詳細な説明]
図１は、脚部12、14、および16を持ち、脚部12および16が出口面18で結合しているモノシリックで単一方向性の三角形のリングレーザ共振器10の形態で光機能デバイスを例証する。レーザ内で伝播する時計回りの光22を反射する外部ミラー20を備えることで、レーザ10内で単一方向性が得られ、そして反時計回りの光24を強化するために出口面18でレーザ内へ放射される。光24の一部は面18でビーム26として放射され、それは、半導体光増幅器(SOA)、電場吸収変調器(EAM)または同種のような別の光機能デバイス28内に結合される。図示した配置では、デバイス28は、第１および第２の脚部30および32を有するV字型EAMであり、それぞれの第１の端部は出力面34で結合され、脚部30の第２の端部は放射ビーム26を受け取るために入力面36を有し、そして、脚部32の第２の端部は、その最後のまたは遠位の端部を、反射率を最小にするブルースター角の面38で終結する。
【００１１】
前述した明細書10/226,076で述べたように、光機能デバイス28のような外部デバイスからの好ましくないバック反射は、ビーム26を脚部30内へ結合させるが、面36での反射光40はレーザ10へ戻って結合しないように入力面36を位置させることにより、減じられてもよい。このように、レーザ10に対するデバイス28の幾何学的構成は、バックへの結合を最小にするが、この構成は、レーザからデバイス28内への光の結合を最小にする。レーザから変調器への光の結合を最大にするため、直接の結合を利用できる。その場合、例えば、反射率を増すことにより、デバイス28の入力面が、レーザの特性に直接に影響を与える。
【００１２】
この発明の１つの態様では、EAM28のような光機能素子からレーザへのバック反射は、デバイス28の末端で、面38を、ブルースター角で、またはその近傍の角度で装備することにより、最小にされる。この構成では、デバイス28内へ結合される光42は、脚部30内を伝播し、そして面34に臨界角以下で衝突して、放射されるべき出力ビーム44を生じさせる。面34で内部で反射される光42の一部である光46は、脚部32内を伝播し、面38に衝突し、そして、内部へバック反射されることなく、ビーム48として放射される。このように、出力ビーム44として放射されないデバイス28内の光は、レーザ10内へバックに反射されず、このことが、余分に入り込んでレーザ内で生成されるのを防ぐであろう。レーザチャープが誘起される変調器の完全な議論としては、例えば、D. Marcuseによる“外部の強度変調器が取り付けられたDFBレーザ”(IEEE ジャーナル オブ 量子エレクトロニクス, 26版, 発行 2, 262 -269頁, 1990年２月)を参照できる。
【００１３】
図１に示されたレーザは従来技術による単一方向性のリングレーザ10であるが、ブルースター角、またはそれに近い角度の面38を有する光機能デバイス28は、様々な他のタイプのレーザに結合できる。また、入力面36は、デバイス28をレーザに直接結合するために、垂直な入射角であることが理解されるであろう。
【００１４】
この発明の別の態様は図２に示され、そこでは、リングレーザ共振器60内に少なくとも一つのギャップが備えられ、そのようなギャップのサイズおよび空間を形成しているレーザ素子の長さは、横モード抑圧比(SMSR)およびその単一方向性を改善することにより、レーザのスペクトラルの特徴を決定する。図示した実施例では、リングレーザ60は三角形であり、そして、面68, 70 および 72で結合された脚部62, 64 および 66を含む。面68 および 70は、内部で完全に反射するが、面72は、反時計回転する光ビーム74 および 76を放射する出力面である。図示した実施例では、二つの深いギャップ78 および 80は、脚部62に対して完全にエッチングしたものであり、それぞれはキャップ長LGを持つ。面72とギャップ78との間の脚部62上の部分長さはLAで示され、ギャップ78とギャップ80との間の脚部62上の部分長さはLTで示され、そして、ギャップ80とギャップ68との間の脚部62上の部分長さはLB1で示される。脚部64 および 66は、LB2 およびLB3で示され、そのため、光共振器の合計長さまたは周囲長LBは、
LB = LA+LT+LB1+LB2+LB3+2LG
である。
【００１５】
脚部62 および66間の長さは、出力面72が臨界角よりも小さい角度を持つように、選択され、そして、脚部62上のギャッブ78および80のために、反時計(左回り)方向の出力ビーム74は、時計(右回り)方向の出力ビーム76より強い。出力ビーム74が図１のEAM28などの適当な光機能デバイスに向けられてもよいことが理解されるであろう。
【００１６】
ギャップ78 及び80のサイズおよび、レーザ共振器60を形成する様々な脚部の素子の長さは、レーザのスペクトラル特性を決定する。ギャップ78のような単一のギャップを追加することにより、レーザ共振器60は、空気のインターフェースで結合された二つの共振器に分割される。中間の共振器区間LTにより分割された二つのギャップ78および80を用いると、レーザを３つの共振器(LA, LT, と LB1, LB2 および LB3の結合)に分割し、それらはギャップにより連続的に結合する。そのようなデバイスのスペクトル効率に関する例は図３で例証される。
【００１７】
この発明の１形態では、三角形のレーザ共振器60は、リン化インジウム(InP)基板90上に組み立てられた、モノシリックの尾根構造の導波器構造であり、合計で350μmのLB長を持つ。その共振器は光を発生するために、公知の方法で適切にバイアスが印加され、その光は、矢印92で示した時計方向と、矢印94で示した反時計方向の両方に伝播する。リングレーザ共振器の脚部62および66は、面72にて、共振器内で光が伝播するように、およそ12°の入射角を得るために選択された角度96にて合体する。
【００１８】
単一方向性のみならず、レーザ共振器から高い横モード抑圧出力を得るために、共振器の一つの脚部に少なくとも一つのエアギャップが備えられる。図示した実施例では、共振器の脚部62に、例えば写真製版およびエッチングによって、２個のエアギャップがエッチングされ、角ギャップはおよそ３μm幅で、それらのギャップはおよそ17.5 μmの共振器区間LTで隔てられる。これらのエッチングされたギャップは共振器の区分間で干渉を起こし、その干渉は、レーザ共振器内に縦モードの発振に導く。これは、図３のカーブ100で図示したように、およそ38dBの横モード抑圧比(SMSR)を呈する。これは、出力の左回りビーム74を与える反時計方向の伝播する光に対して測定されたスペクトラルである。そのエッチングされたギャップは、共振器から実質的に単一方向の光放射をもたらす。図４のグラフ102で例証されるように、左回りのビーム74の光は、右回りビーム76の光のおよそ５倍と同じ位の強度である。
【００１９】
レーザ共振器の全長LBは、広く変化でき、望ましくは、およそ10μmから1万μmの間ある。さらに、ギャップの数を変えることができ、望ましくは、リングレーザ共振器の長さに沿ってどこかに１〜10個のギャップを配置できる。各ギャップは、望ましくは、長さがおよそ0.001μmからおよそ10μmの間にあり、共振器を完全に貫通するように延在するであろう。
【００２０】
図５(a)〜５(f)はエッチングされたギャップを有するリングレーザに対するいくつかの可能な構成に関する例を例証する。これらの例では、２つのギャップが用いられているが、上述したようにそれ未満またはそれ以上のギャップを備えることができる。図５(a)では、三角形のリングレーザ120は、２個のギャップ122と124を共振器の左手のセグメントまたは脚部126に取り込み、図５(b)では、ギャップ122と124はレーザ120の共振器の底のセグメントまたは脚部128に取り込み、図５(c)では、ギャップ122と124はレーザ120の共振器の右手のセグメント130に取り込む。
【００２１】
図５(c)から５(f)は、レーザ出力面に隣接して位置するブラッグ反射鏡(DBR)などの外部の光機能要素を利用するレーザ共振器構成を例証する。図５(d)では、レーザ120は、ギャップ122と124を左手のセグメント126に取り込み、そして、リングレーザ120の出力面144で放射された時計回り(右回り)ビーム142を反射するために、アーム126と整列したDBR素子140を含む。この場合、DBRデバイスは、ギャップに最も近いアーム内への反射のために位置し、高められた単一の方向性が得られる。図５(e)では、DBRデバイス140は、エッチングされたギャップから最も離れたアーム内への反射のために位置し、その結果、アーム130に整列し、面144からビーム146として放射された反時計回りの光を反射する。この場合、SMSR はこの構成によって強められる。
【００２２】
図５(f)は、ギャップ122および124が中央のアーム128に位置する時、DBR140は、アーム126かアーム130のいずれかに反射するように位置する実施例を示す。この構造は増強されたSMSRと単一方向性との間で妥協する。 
【００２３】
また、左右のアームの双方にギャップを取り込むことにより、DBR装置のあるなしにかかわらず、他の構成が提供されてもよい。
【００２４】
図２にて78 および 80で示した、および、図５(a)〜５(f)にて 122 および 124で示したようなエッチングされたギャップは、これらのギャップが位置するレーザ共振器の組立中に形成されてもよく、または共振器の形成の前に基板をエッチングすることにより、またはレーザ共振器が組み立てられた後で、共振器をエッチングすることにより、形成されてもよい。そのようなエッチングは、ギャップを位置させるために、およびそれらの幅を選択するために、従来の写真製版の技術を使用することで実行されてもよい。
【００２５】
図６(a)と６(b)で例証されるように、ギャップの端部は、共振器内でエッチングのプロセスが形成した面によって定義される。したがって、例えば図６(a)の実施例では、１番目と２番目のギャップ150と152は、レーザ共振器か導波路154の一部をエッチングすることによって、形成され、そして、導波路内にてギャップ150の端部156および158、およびギャップ152の端部160および162に面を形成する。これらの面は、この発明の好ましい形態では、平坦、つまり、導波路の軸164に対して９０°である。
【００２６】
図６(b)の実施例では、ギャップで傾斜した面が形成され、その場合、隣接する導波路のセグメントは、レーザ共振器とエアギャップとの間の境界での光の屈折を補償するためオフセットされる。図示した実施例では、２つのエアギャップ170と172は導波路174内に備えられ、エアギャップは、導波路をセグメント176, 178 および 180に分割する。エアギャップ170の端部は、セグメント176と178内のそれぞれの平行な傾斜面182と184によって形成され、一方、エアギャップ172の端部は、セグメント178と180内のそれぞれの平行な傾斜面186と188によって形成される。面182、184は、面186、188のものと反対の方向に傾斜する。両ギャップ間の導波路セグメント178の中央ラインは、光が面からエアギャップ内に入り、そして、その後、導波路に戻る時の屈折を補償するために、導波路174の中央ライン190から変移している。変移の距離dは、中央ラインと、およびエアギャップの長さlとに対する面の角度に関係する。その傾斜面は、単一方向のリングレーザの効率を増し、そして、レーザ共振器内を伝播する進行波上で反射される波を抑制することにより、抑圧されるべき出力ビーム(図２の右回りビーム)に対し、所望される出力ビームの強度を改善する。図６(b)では２つのギャップが例証されているが、異なった数のギャップを備えられることが理解されるであろう。さらに、共振器の中央ラインに対する共振器セグメントの変移は、レーザ製作過程で、写真製版によって確立されてもよいことが理解されるであろう。
【００２７】
この発明の別の実施例は図７(a) および７(b)に示され、ここでは、図１〜６に関して論じたリングタイプのレーザが、V字型レーザ共振器200で置き換えられている。図７(a)のレーザは、基板上に互いに角度206で組立られ、かつ、光が放射される出力面208で交差している第１および第２の脚部202および204を組み込む。レーザの単一方向性は、脚部202 および 204の相対的な長さにより確立される。しきい値の電流を低減し、そして改善された特性を得るために、DBR反射器210 および 212は、脚部202 および 204の自由端のそれぞれに備えられる。
【００２８】
図７(b)で示したように、V字型レーザ共振器220での単一方向性は、共振器を形成している交差脚部222, 224の一方に少なくとも一つのエアギャップを組み込むことにより強められる。この構成では、隔てられた２つのエアギャップ226 および 228は、脚部222内に位置し、これらのギャップを備えることで、共振器のSMSRを増し、出力面230で改善された単一の方向性を与える。図示したように、この実施例は、また、その特性を改善するために、脚部222 および 224のそれぞれの自由端にDBR反射器232 および 234を採用してもよい。
【００２９】
この発明のエアギャップ構造は、リング共振器またはV字型共振器のレーサが、図１に関して述べたEAMデバイスのような別の光機能素子に結合した時、バック反射を劇的に減じるか、防止する。バック反射は、図１のEAMにおける遠位の端部にあるように、光機能素子にブルースター角の採用により更に低減される。
【００３０】
この発明は好ましい実施例の条件で図示されているが、上記の請求の範囲で述べたように、本発明の本旨および範囲からそれることなく、変形および変更を実施できることが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】レーザ動作に干渉しないようにバック反射を防止するために配置された、結合したモノシリックの基板の概略を示す。
【図２】この発明に基づく２つの深いエッチングされたギャップ領域を有する三角形のリングレーザの概略を示す。
【図３】図２の三角形のリングレーザの測定されたスペクトラムを示す。
【図４】図２のリングレーザの単一方向性の挙動をグラフで示したものである。
【図５（ａ）】この発明に基づくエッチングされたギャップを有する三角形のリング共振器に対する基本的な形態を示す。
【図５（ｂ）】この発明に基づくエッチングされたギャップを有する三角形のリング共振器に対する基本的な形態を示す。
【図５（ｃ）】この発明に基づくエッチングされたギャップを有する三角形のリング共振器に対する基本的な形態を示す。
【図５（ｄ）】この発明に基づくエッチングされたギャップを有する三角形のリング共振器に対する基本的な形態を示す。
【図５（ｅ）】この発明に基づくエッチングされたギャップを有する三角形のリング共振器に対する基本的な形態を示す。
【図５（ｆ）】この発明に基づくエッチングされたギャップを有する三角形のリング共振器に対する基本的な形態を示す。
【図６（ａ）】平坦な角度の面のエアギャップにより分割された２つのエアギャップを示す。
【図６（ｂ）】傾斜した面のエアギャップにより分割された２つのエアギャップを示す。
【図７（ａ）】エアギャップを持たないDBR反射器を備えたV字型共振器を示す。
【図７（ｂ）】エアギャップを持つDBR反射器を備えたV字型共振器を示す。
【符号の説明】
【００３２】
10：リングレーザ
28：光機能デバイス
36：出力面
60：リングレーザ共振器
62：脚部
66：脚部
78：ギャップ
80：ギャップ
90：リン化インジウム(InP)基板
122：ギャップ
124：ギャップ
140：DBRデバイス
154：導波路
220：V字型レーザ共振器
232：DBR反射器
【図１】
2006521018.tif 000003
【図２】
2006521018.tif 000004
【図３】
2006521018.tif 000005
【図４】
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2006521018.tif 000007
2006521018.tif 000008
2006521018.tif 000009
【国際調査報告】
2006521018.tif 000010