(57)【要約】半導体ウェハーは、その半導体ウェハーの上に形成された複数のダイ(111-114)を有する。その複数のダイは、少なくとも１つのノッチ付き隅部を有する非長方形の形状、を有する。その複数のダイの間に、複数のソー切断線(71,72)が画定されている。複数のソー切断線の中の２つのソー切断線の交点または交差部において、隣接する２つのダイの隅部の間に、その隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい或る距離が、画定されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に形成された複数のダイであって、少なくとも１つのノッチ付き隅部を有する非長方形状を有する、複数のダイと、
前記複数のダイの間に画定された複数の切断線と、
を具え、
前記複数の切断線の中の２つの切断線の交点において、隣接する２つのダイの隅部の間に、前記隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい距離が画定されている、
半導体ウェハ。
【請求項２】
前記複数のダイは前記切断線に対して平行でもなく直角でもない少なくとも１つの辺を有するものである、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
前記複数のダイは八角形の形状を有するものである、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
前記複数のダイは六角形の形状を有するものである、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのノッチ付き隅部が正方形状または曲線状である、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
前記切断線が直線からなるものでない、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項７】
前記切断線が前記複数のダイの少なくとも１つの辺に直角である、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項８】
前記切断線が前記複数のダイのいずれかの辺に直角でない、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項９】
さらに、前記複数の切断線の中の２つの切断線の交点に形成された犠牲構造体を具える、請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項１０】
前記犠牲構造体は、前記隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい少なくとも１つの寸法を有するものである、請求項９に記載の半導体ウェハ。
【請求項１１】
前記複数の切断線の幅は、前記犠牲構造体の少なくとも１つの寸法より小さいものである、請求項１０に記載の半導体ウェハ。
【請求項１２】
前記犠牲構造体の少なくとも１つの辺は、前記複数の切断線に直角なものである、請求項９に記載の半導体ウェハ。
【請求項１３】
前記犠牲構造体の少なくとも１つの辺は、前記複数の切断線に直角でないものである、請求項９に記載の半導体ウェハ。
【請求項１４】
フォトリソグラフ・プロセスを用いて、請求項１に記載の前記複数のダイおよび前記複数の切断線を形成するためのレチクル。
【請求項１５】
半導体ウェハ上に形成された複数のダイであって、少なくとも１つのノッチ付き隅部を有する非長方形状を有する、複数のダイと、
前記複数のダイの間に画定された複数の切断線と、
前記複数の切断線の中の２つの切断線の交点に形成された犠牲構造体と、
を具え、
前記交点において、隣接する２つのダイの間に、前記隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい距離が画定されている、
半導体ウェハ。
【請求項１６】
前記複数のダイは前記切断線に平行でない少なくとも１つの辺を有するものである、請求項１５に記載の半導体ウェハ。
【請求項１７】
前記複数のダイは八角形または六角形の形状を有するものである、請求項１５に記載の半導体ウェハ。
【請求項１８】
前記複数のダイは、少なくとも１つのノッチ付き隅部、正方形状ノッチ付き隅部、または曲線状ノッチ付き隅部を有するものである、請求項１５に記載の半導体ウェハ。
【請求項１９】
前記切断線が直線からなるものでない、請求項１５に記載の半導体ウェハ。
【請求項２０】
前記犠牲構造体は、前記隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい少なくとも１つの寸法を有するものである、請求項１５に記載の半導体ウェハ。
【請求項２１】
前記複数の切断線の幅は、前記犠牲構造体の少なくとも１つの寸法より小さいものである、請求項２０に記載の半導体ウェハ。
【請求項２２】
半導体ウェハ上に複数の構造体を形成するのに用いられるレチクルであって、
少なくとも１つのノッチ付き隅部を有する非長方形状を有する、複数のダイ画像と、
前記複数のダイ画像の間に画定された複数の切断線画像と、
を具え、
前記複数の切断線画像の中の２つの切断線画像の交点において、隣接する２つのダイ画像の隅部の間に、前記隣接する２つのダイ画像の間の最小の距離より大きい距離が画定されている、
レチクル。
【請求項２３】
さらに、前記複数の切断線画像の中の２つの切断線の交点に配置された犠牲構造体画像を具え、前記犠  牲構造体画像は、前記隣接する２つのダイ画像の間の最小の距離より大きい少なくとも１つの寸法を有するものである、請求項２２に記載のレチクル。
【請求項２４】
少なくとも１つのノッチ付き隅部を有する非長方形状を有する、複数のダイを形成し、
前記複数のダイの間に画定された複数の切断線を形成する、
半導体ウェハ上に複数の構造体を形成する方法であって、
前記複数の切断線の中の２つの切断線の交点において、隣接する２つのダイの隅部の間に、前記隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい距離が画定される、方法。
【請求項２５】
さらに、前記複数の切断線の中の２つの切断線の交点に、前記隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい少なくとも１つの寸法を有する犠牲構造体を形成する、請求項２４に記載のレチクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、半導体ウェハ（wafer）上の集積回路の設計および作製、製造または組み立て（fabrication）に関し、特に、半導体ウェハ上の複数のソー切断線（saw streets：ソー・ストリート、鋸切り路、ソー切り込み線）の間に非長方形状の複数のダイ（dice）を作製することに関する。
【０００２】
関連出願の参照
本願は、２００３年３月１３日付けで出願した米国仮出願第６０／４５３，９２１号、名称“A PROCESS OF BETTER DESIGNING RETICLE FIELDS（より良好なレチクル・フィールドの設計のプロセス（方法））”の利益を主張するものであり、ここでこの仮出願の内容全体を参照により組み込む。
【背景技術】
【０００３】
関連技術
半導体ウェハ・プロセス（処理）において、半導体ウェハ上に複数の集積回路（ＩＣ）が形成される。一般に、種々の材料の複数の層は、半導体性、導体性または絶縁性のいずれかであり、ＩＣを形成するのに用いられる。これらの材料は、周知の種々のプロセスを用いてドープ（添加）され、被着（deposit）され、エッチングされて、ＩＣが形成される。各半導体ウェハは処理されて、ダイとして知られているＩＣを含む多数の個々の領域が形成される。また、テスト回路、テスト・パッドおよび整列マーク（alignment marking）も、ウェハ上における、ソー切断線と称されるその複数ダイ間の複数の領域に形成されてもよい。
【０００４】
集積回路形成プロセスの後で、複数のダイが分離される前に、ウェハ全体がテスト（試験）されることがある。複数のダイが共に単一のウェハ上に取り付けられる一方、半導体製造業者は、しばしば、そのダイのウェハ・レベルのテストを行う。そのダイ間のソー切断線に形成されるテスト回路およびテスト・パッドを用いて、そのダイのウェハ・レベルのテストを行うのを支援する。ウェハ・レベルのテストによって不良なダイを識別し、その後でさらにテストおよびパッケージに努力し労力を費やす。従って、ウェハ・レベルのテストによって、製造業者は不満足なダイを識別し破棄（廃棄）することができる。
【０００５】
テストの後、そのウェハはダイスカット（dice：切断、四角く切る）されて次々と個々のダイに分離されて、パッケージされ、または非パッケージ形態でより大きい回路内で使用される。ウェハ・ダイスカットのための２つの技術には、スクライブ（scribe：けがき）およびソー切断（saw）が含まれる。スクライブ技術を用いて、ダイヤモンド・チップ・スクライブ（ダイヤモンド先端部線刻、ダイヤモンド先端部けがき）は、ウェハ表面を横切って、予め形成されたスクライブ・ラインに沿って動かされる。これらのスクライブ・ラインは、複数のダイの間のソー切断線に沿って伸びるようにされる。ソー切断線に配置されたいずれのテスト回路、テスト・パッドおよび整列マークも、犠牲になる。従って、これらの構造体は犠牲構造体（sacrificial structure）と称される。
【０００６】
マスク・レイアウト公差（tolerances：許容差）が減少しカット技術が改善するにしたがって、それに対応して半導体ウェハ上の個々のダイの間の距離が減少し得る。従って、個々のダイの間のソー切断線の幅も狭くなり得る。その結果、ソー切断線には犠牲構造体用の空間または余地がほとんど残っていないこともあり得る。
【発明の開示】
【０００７】
発明の概要
１つの典型例の実施形態において、半導体ウェハは、そのウェハ上に形成された複数のダイを有する。その複数のダイは、少なくとも１つのノッチ付き隅部（notched corner）を有する非長方形状を有する。その複数のダイの間に複数の切断線が画定（規定）されている。その複数の切断線の中の２つ切断線の交点において、隣接する２つのダイの隅部（corners）の間に、その隣接する２つのダイの間の最小の距離より大きい或る距離が画定（規定）されている。
【０００８】
本出願は、図面を参照した次の詳細な説明によって最も良く理解できる。図面において、同様の部分は同じ参照番号で示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下の詳細な説明では、具体的な多数の構成、パラメータ、等を挙げる。しかし、そのような説明は、発明の範囲を限定することを意図したものではなく、典型例の実施形態の説明である。
【００１０】
回路設計者は、或る特定のＩＣ設計を記述した回路パターン・データを、レチクル製造（production：形成）システムにまたはレチクル・ライタ（書き込み器）に供給する。回路パターン・データは、典型的には、作製（fabricate：製造）されたＩＣ装置（デバイス）の物理層の表現（representational）レイアウトの形態（形式）のデータである。その表現レイアウトは、典型的には、ＩＣ装置（例えば、ゲート酸化物、ポリシリコン、金属被覆（金属化）、等）の各物理層用の表現層を含んでいる。表現レイアウトは、犠牲領域（sacrificial area）上（例えば、ソー切断線上）に配置された構造体を画定（規定）する１つ以上の表現層を含んでいてもよい。これらの犠牲構造体は、整列マーク、識別マーク、測定マーク、テスト・パッド、テスト回路、等を含んでいてもよい。
【００１１】
レチクル・ライタは、回路パターン・データを用いて（例えば、レチクル（reticle：網線）パターンを照射または露光する（expose）ために電子ビーム・ライタまたはレーザ・スキャナを用いて）複数のレチクルを書き込み、後でそのレチクルを用いて特定のＩＣ設計および犠牲構造体が作製（製造）される。
【００１２】
レチクルまたは（即ち）フォトマスクは、少なくとも透明および不透明な（opaque）領域を含み時々半透明で位相シフトの領域を含む光学的要素であり、また、これらの領域は、共同して、例えばＩＣおよび犠牲構造体のような電子装置（デバイス）における同一平面上の諸機能（フィーチャ、特徴）のパターンを画定するものである。フォトリソグラフ・プロセスの期間にレチクルを用いて、エッチング、イオン・インプランテーションまたはその他の作製プロセスのための半導体ウェハの具体的（指定）の領域を画定する。現代の多数のＩＣ設計について、光学的レチクルの諸機能部（フィーチャ、特徴）は、ウェハ上の対応する諸機能部より約１倍乃至約５倍大きい。その他の露光または照射（exposure）システム（例えば、Ｘ線、電子ビーム、極（端）紫外線）についても、同様の縮小（減少）比の範囲が適用される。
【００１３】
図１は、チャンバ（chamber）２においてＩＣ作製（製造）の期間にウェハ１０上に配置されたレチクル６の典型例の実施形態を示している。チャンバ２は、レーザ光４等を用いてレチクル６を露光または照射する。レチクル６を通過した光は、レンズ８でウェハ１０上に指向される。フォトグラフ・プロセスによって、１つ以上のレチクルを用いて同時に複数の集積回路および犠牲構造体をウェハ上に形成してもよい。従って、ウェハは、数個乃至数百個の別々の集積回路を含んでいてもよい。
【００１４】
単一のウェハは、ソー切断線においてスクライブ線（scribe lines：画線、けがき線）と称する各軸に沿って切れ目を入れ（score）または切り込みを入れる（cut）ことによって、個々の装置（デバイス）の間のそれぞれの境界に沿って分割されてもよい。犠牲構造体の幾つかまたは全てがダイスカット期間中に破壊されることがあり、破壊されてもよい。分離またはダイスカットは、ソー切断、レーザ・カット、等によって行ってもよい。
【００１５】
図２は、複数のダイ画像１０１〜１０９を画定（規定）するレチクル６を示しており、そのダイ画像を用いてフォトリソグラフ・プロセスによりウェハ上に複数のダイが形成できる。この典型例の実施形態において、ダイ画像１０１〜１０９は少なくとも１つのノッチ（切り欠き）付き隅部（コーナ）を有する非長方形状を有する。複数のソー切断線領域６１、６２が、ダイ画像１０１〜１０９間に画定される。２つのソー切断線領域６１、６２の交点または交差部において、隣接する２つのダイ画像の隅部（corners）の間に、その隣接する２つのダイ画像の間の最小距離Ｄ２より大きい或る距離Ｄ１が画定されている。
【００１６】
この典型例の実施形態において、ダイ画像１０１〜１０９は、ソー切断線領域６１、６２に平行でない少なくとも１つの辺をも有する。ダイ画像１０１〜１０９は非長方形なので（長方形状でないので）、切断線領域６１、６２は直線からなるものでない（non-rectilinear：非直線状、直線で囲まれたものでない）ことに留意すべきである。図２において、ソー切断線領域６１、６２は、ダイ画像１０１〜１０９の少なくとも１つの辺に直角な（orthogonal to：直交する、垂直な）形態で示されている。しかし、ソー切断線領域６１、６２は、ダイ画像１０１〜１０９のいずれかの辺に対して直角でなくてもよい（いずれの辺に対しても非直角でよい）、と認識すべきである。図２において、ダイ画像１０１〜１０９は、八角形を有するように示されている。しかし、ダイ画像１０１〜１０９は、例えば六角形のような種々の形状を有することができる、と認識すべきである。さらに、図を簡単にするため都合上、図２は、ウェハに平行な平面における同様の水平または垂直な寸法（dimensions）を有する構造体および機能（フィーチャ、特徴）を示している。しかし、水平方向および垂直方向の寸法は異ならせることができる、と認識すべきである。
【００１７】
図２に示されているように、レチクル６は犠牲構造画像２００をも含み、犠牲構造画像２００を用いて、フォトリソグラフ・プロセスによって犠牲構造体をウェハ上に形成することができる。この典型例の実施形態において、犠牲構造体画像２００が２つのソー切断線領域６１、６２の交点または交差部に配置され、ここで、隣接する２つのダイ画像の隅部（corners）の間に画定または規定された或る距離Ｄ１は、隣接する２つのダイ画像の間の最小距離Ｄ２より大きい。従って、犠牲構造体画像２００の寸法は、最小距離Ｄ２より大きい、例えば幅のような寸法であり、ソー切断線領域６１、６２の幅は、犠牲構造体画像２００の少なくとも１つの次元寸法（dimension）に制限（限定）されることなく、犠牲構造体画像２００の少なくとも１つの次元寸法より小さくてもよい。図２において、犠牲構造体画像２００は、ソー切断線領域６１、６２に対して直角な少なくとも１つの辺を有するように示されている。しかし、犠牲構造体画像２００は、切断線領域６１、６２に対して直角でない少なくとも１つの辺を有することができる、と認識すべきである。
【００１８】
図３は、レチクル６（図２）を用いてウェハ上に形成された構造体を示している。例えば、レチクル６（図２）上のダイ画像１０１、１０２、１０４および１０５（図２）からウェハ上にダイ１１１〜１１４が形成される。この典型例の実施形態において、レチクル６（図２）を用いてダイ１１１〜１１４が形成されるので、それらのダイは少なくとも１つのノッチ付き隅部を有する非長方形状に形成されている。複数のソー切断線７１、７２がダイ１１１〜１１４の間に画定されている。２つのソー切断線７１、７２の交点または交差部において、隣接する２つのダイの隅部の間に、その隣接する２つのダイの間の最小距離Ｄ４より大きい或る距離Ｄ３が画定または規定されている。
【００１９】
この典型例の実施形態において、ダイ１１１〜１１４は、ソー切断線７１、７２に平行でない少なくとも１つの辺を有する。ダイ１１１〜１１４は長方形状でないので、ソー切断線７１、７２は直線からなるものではない（non-rectilinear）。図３において、ソー切断線７１、７２は、ダイ１１１〜１１４の少なくとも１つの辺に対して直角になるように示されている。しかし、ソー切断線７１、７２はダイ１１１〜１１４のいずれかの辺に対して直角でなくすることができる（いずれの辺に対しても非直角でよい）、と認識すべきである。
【００２０】
さらに、犠牲構造体２１０は、レチクル６（図２）上の犠牲構造体画像２００（図２）からウェハ上に形成される。この典型例の実施形態において、犠牲構造体２１０はレチクル６（図２）を用いて形成されるので、それらの構造体は２つのソー切断線７１、７２の交点または交差部に配置され、ここで、隣接する２つのダイの隅部の間に画定される或る距離Ｄ３は、隣接する２つのダイの間の最小距離Ｄ４より大きい。従って、犠牲構造体２１０は、最小の距離Ｄ４より大きい例えば幅のような少なくとも１つの次元寸法を有し、ソー切断線７１、７２の幅は、犠牲構造体２１０の少なくとも１つの次元寸法に制限されることなく、犠牲構造体２１０の少なくとも１つの次元寸法より小さくすることもできる。図３において、犠牲構造体２１０は、ソー切断線７１、７２に直角な少なくとも１つの辺を有するように示されている。しかし、犠牲構造体２１０は、ソー切断線７１、７２に対して直角でない少なくとも１つの辺を有することができる、と認識すべきである。
【００２１】
ダイ１１１〜１１４は八角形状を有するように示されているが、ダイ１１１〜１１４は、例えば六角形状のような種々の非長方形状を有することができる、と認識すべきである。例えば、図４は、正方形のノッチ付き隅部を有するダイ１２１〜１２４の典型例の実施形態を示している。図４に示されているように、ソー切断線７１、７２の交点において、隣接する２つのダイの正方形ノッチ付き隅部の間に画定された或る距離Ｄ５は、最小距離Ｄ４より大きい。
【００２２】
図５は、曲線状（curve）ノッチ付き隅部を有するダイ１３１〜１３４の別の典型例の実施形態を示している。図５に示されているように、ソー切断線７１、７２の交点または交差部において、隣接する２つのダイの曲線状ノッチ付き隅部の間に画定された或る距離Ｄ５は、最小距離Ｄ４より大きい。
【００２３】
図５は、正方形状を有する犠牲構造体２１０、および円形状を有する犠牲構造体２１１をも示している。犠牲構造体２１０、２１１は種々の形状を有することができる、と認識すべきである。
【００２４】
図６は、形状が互いに同形でない非長方形状を有するダイ１４１〜１４４の別の典型例の実施形態を示している。図６は、菱形の形状を有する犠牲構造体２１２をも示している。
【００２５】
図７は、非長方形状を有し、ダイ１５１〜１６２の方向を合わせる（orient）のに用いることができる端縁（エッジ）を有する、ダイ１５１〜１６２のさらに別の典型例の実施形態を示している。例えば、ウェハをダイスカットした（ダイに分離した）後、ダイの形状を用いて、そのダイをパッケージする前にそのダイの方向が合わせられる。さらに、この典型例の実施形態では、交互する（alternate、１つおきの）各行（row）のダイは同様の方向（向き）を有する。ダイスカットの（ダイに分離した）後、その交互する行のダイは、残りの犠牲構造体２１０に基づいて方向を合わせることができる。
【００２６】
典型例の実施形態について説明したが、本発明の精神および／または範囲から逸脱することなく種々の変形を行うことができる。従って、本発明は、図面に示され上述の説明における具体的形態に限定して解釈されるべきでない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、半導体ウェハ上に配置された典型例のレチクルの側面図である。
【図２】図２は、図１に示されたレチクルの平面図である。
【図３】図３は、図１および２に示されたレチクルを用いてウェハ上に形成された複数の構造体の平面図である。
【図４】図４、図５、図６および図７は、ウェハ上に形成された複数の構造体の追加的な平面図である。
【図５】（図４で説明済み）
【図６】（説明済み）
【図７】（説明済み）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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