(57)【要約】本発明は、少なくとも１つの基板（１）と、該基板の表面区分（１１）に配置された、電気的なコンタクト面（２１）を備えた少なくとも１つの電気的な構成素子（２）と、該構成素子のコンタクト面の電気的なコンタクトのために電気的な接続面（３２）を備えた少なくとも１つの電気的なコンタクトラグ（３）とを備えた装置であって、コンタクトラグの接続面と構成素子のコンタクト面とが、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて延びるコンタクトラグの領域（３３）が生じるように互いに結合されている形式のものに関する。この装置は、コンタクトラグが少なくとも１つの導電性フィルム（７）を有していて、該導電性フィルムが、コンタクトラグの電気的な接続面を有していることを特徴としている。本発明は特に、大面積で低インダクタンスの、高い電流密度を可能にする、パワー半導体チップのコンタクトのために使用される。
2006521686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの基板（１，１′）と、
該基板の表面区分（１１）に配置された、電気的なコンタクト面（２１，２１′）を備えた少なくとも１つの電気的な構成素子（２，２′）と、
該構成素子（２，２′）のコンタクト面（２１，２１′）の電気的なコンタクトのために電気的な接続面（３２）を備えた少なくとも１つの電気的なコンタクトラグ（３）とを備えた装置であって、
コンタクトラグ（３）の接続面（３２）と構成素子（２）のコンタクト面（２１）とが、少なくとも構成素子（２）のコンタクト面（２１）を越えて延びるコンタクトラグ（３）の領域（３３）が生じるように互いに結合されている形式のものにおいて、
コンタクトラグ（３）が少なくとも１つの導電性フィルム（３０）を有していて、
該導電性フィルム（３０）が、コンタクトラグ（３）の電気的な接続面（３２）を有していることを特徴とする装置。
【請求項２】
導電性フィルムが、少なくとも２つの電気的な導体層（３１，３１′）と、これらの導体層（３１，３１′）の間に配置された少なくとも１つの電気的な絶縁層（３５）とを有する層結合体（３６）を有している、請求項１記載の装置。
【請求項３】
層結合体（３６）の導体層（３１，３１′）と絶縁層（３５）とが、導体層の電気的な制御によりそれぞれ１つの磁界が形成され、これにより両磁界が相互に弱まるように形成され、互いに配置されている、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
層結合体（３６）の電気的な導体層（３１，３１′）が互いにほぼ同一平面に配置されている、請求項３記載の装置。
【請求項５】
構成素子が半導体チップであって、特にパワー半導体チップである、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項記載の装置を製造する方法であって、次のような方法ステップ、即ち、
イ）電気的なコンタクト面を有する電気的な構成素子を備えた基板を準備し、
ロ）構成素子のコンタクト面と、コンタクトラグの導電性フィルムの接続面とを、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて突出する、コンタクトラグの導電性フィルムの領域が生じるように結合することにより、電気的なコンタクト部を形成する、
の方法ステップを有していることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置を製造する方法。
【請求項７】
構成素子のコンタクト面と、導電性フィルムの接続面とを結合するために、ろう接及び／又は溶接及び／又は接着のグループから選択された結合方法を実施する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの電気絶縁層と少なくとも１つの導電層とを備えた層結合体を有する導電性フィルムを、導電性フィルムの接続面を形成するために使用する、請求項６または７記載の方法。
【請求項９】
電気的な構成素子を有した基板を準備するために、前記構成素子の電気的なコンタクト面の形成を次のような方法ステップ、即ち、
ハ）基板及び構成素子の上に電気絶縁フィルムを設け、
ニ）絶縁フィルムに窓を形成し、構成素子のコンタクト面を露出させる、
の方法ステップで実行する、請求項６から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
絶縁フィルムを設けるために、絶縁フィルムのラミネートを真空下で行う、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
設けられた絶縁フィルムを、導電性フィルムの層結合体の絶縁層として使用する、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
層結合体の導電層を形成するために、絶縁フィルムを設ける前及び／又は設けた後に、導電材料を絶縁フィルム上に設ける、請求項９から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
絶縁フィルムを、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて延びる絶縁フィルムの領域が形成されるように、構成素子の上に取り付ける、請求項９から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
ポリイミド及び／又はポリエチレン及び／又はポリフェノール及び／又はポリエーテルエーテルケトン及び／又はエポキシをベースとするプラスチック材料を有する絶縁フィルムを使用する、請求項９から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
２５〜１５０μｍのフィルム厚さを有する絶縁フィルムを使用する、請求項９から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
絶縁フィルムを被着した後、調質ステップを行う、請求項９から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
絶縁フィルムの被着を、被着された絶縁フィルムが所定のフィルム厚さに達するまで繰り返して行う、請求項９から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
絶縁フィルムに窓を形成するために、絶縁フィルムの材料をレーザー剥離により取り除く、請求項９から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
感光性の絶縁フィルムを使用し、該絶縁フィルムに窓を形成するために、フォトリゾグラフィプロセスを行う、請求項９から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
絶縁フィルムと導体層とからなる層結合体を有した導電性フィルムを使用し、前記導体層が、種々様々な導電性材料から成る互いに重なり合って配置された複数の部分層を有している、請求項６から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
多層の装置を製造するために、絶縁フィルムを取り付けるステップ及び／又は該絶縁フィルムに窓を形成するステップ及び／又は電気的なコンタクトを形成するステップを複数回行う、請求項６から２０までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの基板と、該基板の表面区分に配置された、電気的なコンタクト面を備えた少なくとも１つの電気的な構成素子と、該構成素子のコンタクト面の電気的なコンタクトのために電気的な接続面を備えた少なくとも１つの電気的なコンタクトラグとを備えた装置であって、コンタクトラグの接続面と構成素子のコンタクト面とが、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて延びるコンタクトラグの領域が生じるように互いに結合されている形式のものに関する。さらにこのような装置を製造する方法が記載されている。
【０００２】
冒頭で述べた形式の装置は米国特許第５６１６８８６号明細書により公知である。構成素子は、基板の表面に取り付けられたアルミニウムから成る層である。アルミニウムから成る層の電気的な接触のために、コンタクトラグの形の電気的な接続部が取り付けられている。米国特許第５６１６８８６号明細書に記載された別の構成素子は、パワー半導体チップ、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）である。この構成素子は平面的で、ボンドワイヤの使用なしにコンタクトされている。この過程の詳細は記載しない。
【０００３】
パワー半導体チップを互いに接続させ、導体路に接続させる最も普及した技術は、太線ボンディングである（Harmann, G.,著、“Wire Bonding in Microelectronics, Materials, Processes, Reliability and Yield”, Mc Grew Hill 1998参照）。この場合、超音波エネルギによって、一般的には数１００μｍの直径を有するアルミ線と、パワーモジュールにおける銅とチップにおけるアルミニウムとにから成るコンタクト面との持続的な接続が金属間接続によって実現可能である。
【０００４】
このボンディングとは選択的に、ThinPakのような別の方法が公知である（Temple, V.,著、“SPCO's ThinPak Package, an Ideal Block for Power Modules and Power Hybrids” IMAPS 99 Conference, Chicago 1999参照）。この場合、チップ表面は、セラミックプレートの孔を介して施されるハンダを介して接触されている。
【０００５】
ＭＰＩＰＰＳ（Metal Posts Interconnected Parallel Plate Structures, Haque S., et al.,著、“An Innovative Technique for Packagineg Power Electronic Building Blocks Using Metal Posts Interconnected Parallel Plate Struktures”、IEEE Trans Adv. Packag., Vol.22 No.2, May 1999参照）では、ハンダ付けされた銅ポストによりコンタクトを形成する。
【０００６】
コンタクトのための別の方法は、フリップチップ技術においてハンダバンプを介して行われる（Liu, X., et al.,著、 “Packaging of Integrated Power Elektronics Modules Using Flip-Chip Technology”,Applied Power Electronics Conference and Exposition, APEC'2000）。これにより、さらに改善された熱の排出が得られる。何故ならば、パワー半導体が、ＤＣＢ基板（ＤＣＢとはDirect Copper Bondingの意味）の上面及び下面にハンダ付けすることができるからである（Gillot, C., et al.,著、 “A New Packaging Technique for Power Multichip Modules”, IEEE Industry Applications Conference IAS' 99, 1999参照）。
【０００７】
蒸着された銅ラインを介して行う大面積のコンタクトは、（Lu, G.-Q.,著、 “3-D, Bond-Wireless Interconnectiono of Power Devices in Modules Will Cut Resistance, Parasitics and Noise”, PCIM May 2000, pp.40-68）に記載されている。この場合、導体路の絶縁は、気相から析出した（ＣＶＤ法）絶縁体を用いて行う（Power Module Overlay Structure）。
【０００８】
接着プロセスもしくはハンダ付けプロセスを介して構造化されたフィルムを用いたコンタクトは、（Krokoszinski, H.-J., Esrom, H.,著 “Foil Clip for Power Module Interconnects”, Hybrid Circuits 34, Sept. 1992により）公知である。
【０００９】
上記の形式のコンタクトは通常、インダクタンスを伴う。コンタクトの電気的な制御により、比較的高いインダクタンスが引き起こされる。従って本発明の課題は、電気的な制御の際に、公知の先行技術と比較して低いインダクタンスを生ぜしめる電気的な構成素子のコンタクトを提供することである。
【００１０】
この課題を解決するために、少なくとも１つの基板と、該基板の表面区分に配置された、電気的なコンタクト面を備えた少なくとも１つの電気的な構成素子と、該構成素子のコンタクト面の電気的なコンタクトのために電気的な接続面を備えた少なくとも１つの電気的なコンタクトラグとを備えた装置であって、コンタクトラグの接続面と構成素子のコンタクト面とが、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて延びるコンタクトラグの領域が生じるように互いに結合されている形式のものが設けられている。この装置は、コンタクトラグが少なくとも１つの導電性フィルムを有していて、該導電性フィルムが、コンタクトラグの電気的な接続面を有していることを特徴としている。
【００１１】
さらに上記課題を解決するために、イ）電気的なコンタクト面を有する電気的な構成素子を備えた基板を準備し、ロ）構成素子のコンタクト面と、コンタクトラグの導電性フィルムの接続面とを、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて突出する、コンタクトラグの導電性フィルムの領域が生じるように結合することにより、電気的なコンタクト部を形成する、の方法ステップを有している、装置を製造する方法が開示されている。
【００１２】
基板としては、有機または無機をベースとする任意の回路基板が挙げられる。このような基板は例えば、ＰＣＢ（Printed Circuit Board  プリント配線板）基板、ＤＣＢ基板、ＩＭ（Insulated Metal  絶縁金属）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Cofirede Ceramics  高温同時焼結セラミックス）基板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Cofirede Ceramics  低温同時焼結セラミックス）基板である。
【００１３】
導電性フィルムは例えばロードコネクションとして働く。ロードコネクションは電気的な構成素子のための電気的な供給ラインとして働く。そのために、構成素子は導電性フィルムを介して例えば、複数の構成素子の電気的な制御のために働くいわゆるバス構造体に接続されている。
【００１４】
導電性フィルムは、薄い軌道を成すように成形される導電材料を有している。このフィルムは、平面状に形成された電気的な導体を有している。このフィルムはそのために部分的にまたは完全に導電材料から成っていて良い。フィルムはこの場合、所定の変形可能性を有している。フィルムはこの場合、ほぼ扁平に位置することができる。構成素子もしくはフィルムの接続面のコンタクト面に対してフィルムが屈曲されていることも考えられる。フィルムの厚さはμｍ範囲である。このことは、フィルムは数μｍ〜数１００μｍの厚さを有することを意味する。特にフィルムの厚さは５００μｍまで可能である。
【００１５】
電気的な構成素子は、それぞれ任意の受動素子または能動素子であって良い。受動素子は例えば導体構造体である。有利には構成素子は半導体チップ、特にパワー半導体チップである。パワー半導体チップは例えば、比較的大面積のソースチップ面、ゲートチップ面、ドレインチップ面（ＭＯＳＦＥＴの物理的な接続部）を有するＭＯＳＦＥＴである。このチップ面のために、高い電流密度を有するコンタクトを保証するために、チップ面は大面積でコンタクトされる。コンタクト面の横方向の寸法は比較的大きい。例えば各コンタクト面は、各チップ面の少なくとも６０％、有利には少なくとも８０％を有している。電気的なコンタクトのために、大面積の接続面を備えた薄い導電性フィルムが使用される。この導電性フィルムは電気的な制御において比較的低いインダクタンスを特徴とする。構成素子は低いインダクタンスでコンタクトされ得る。コンタクトラグの平面状の形状およびこれに伴う比較的大きな表面積により、周囲への良好な熱接続が可能である。これにより高い電流密度が得られる。コンタクトラグの横断面と比較して大きな表面積は、比較的高い周波数でコンタクトラグを制御する際に特に有利である。比較的高い周波数では電流の変位が生じる（Skin-Effekt  表皮効果）。電流の変位にも関わらず、コンタクトラグでは良好な導電性が保証されている。
【００１６】
特別な構成では、導電性フィルムが、少なくとも２つの電気的な導体層と、これらの導体層の間に配置された少なくとも１つの電気的な絶縁層とを有する層結合体を有している。有利にはこの場合、層結合体の導体層と絶縁層とが、導体層の電気的な制御によりそれぞれ１つの磁界が形成され、これにより両磁界が相互に弱まるように形成され、互いに配置されている。磁界は、ネガティブな干渉によりほぼ消滅する。これは有利には、層結合体の電気的な導体層が互いにほぼ同一平面に配置されていることにより得られる。これらの導体層は、導体層における電流方向が互いに反対方向であるように制御される。絶縁層は、両導体層の間の電気的な短絡が生じないように形成されている。磁界の効果的なシールド、ひいては電気的な接続部のインダクタンスをさらに低下させるために、複数の導体層と、その間に配置された絶縁層とから成る１つの層結合体を使用すると有利である。この場合、隣接する導体層は、逆方向の流れ方向を有する電流によって制御される。
【００１７】
この装置を製造するための特別な方法によれば、構成素子のコンタクト面と、導電性フィルムの接続面とを結合するために、ろう接及び／又は溶接及び／又は接着のグループから選択された結合方法を実施する。接着は例えば、導電的性の接着材料により行われる。このような結合方法により、構成素子のコンタクト面と導電性フィルムの接続面との間の結合が得られる。
【００１８】
導電性フィルムは、導電材料、例えば銅からのみ成っている。特に、少なくとも１つの電気絶縁層と少なくとも１つの導電層とを備えた層結合体を有する導電性フィルムを、導電性フィルムの接続面を形成するために使用する。この場合、絶縁層は、導体層のためのフレキシブルな支持層として働く。例えば、層結合体は、銅から成る導体層が取り付けられている、絶縁層を形成するプラスチックフィルムから成っている。交互に互いに重ねられる導体層と絶縁層とを備えた層結合体も考えられる。
【００１９】
別の方法では、電気的な構成素子を有した基板を準備するために、前記構成素子の電気的なコンタクト面の形成を次のような方法ステップ、即ち、ハ）基板及び構成素子の上に電気絶縁フィルムを設け、ニ）絶縁フィルムに窓を形成し、構成素子のコンタクト面を露出させる、の方法ステップで実行する。
【００２０】
有利には、絶縁フィルムを設けるために、絶縁フィルムのラミネートを真空下で行う。このラミネートは有利には真空プレスにおいて行われる。このためには真空深絞り、液圧真空プレス、真空ガス圧プレスまたはこれに類似のラミネート法が考えられる。この圧力は有利にはアイソスタティックにかけられる。このラミネートは例えば１００〜２５０℃の温度で、１〜１０ｂａｒの圧力下で行われる。このラミネートの正確なプロセスパラメータ、即ち、圧力、温度、時間等は、とりわけ基板の粗面性、絶縁フィルムのプラスチック材料の粗面性、絶縁フィルムのフィルム厚に依存している。絶縁フィルムのラミネートにより、絶縁フィルムは、単数または複数のコンタクト面を備えた表面を密着してカバーして、この表面上に付着する。絶縁フィルムのラミネートにより、まとめると次のような利点が得られる。
−高温における使用。ポリイミドから成る絶縁フィルムは例えば３００℃まで耐えられる。
−例えば、蒸気相から絶縁体を析出させる場合と比較して僅かなプロセスコスト。
−厚い絶縁層を使用することによる高い絶縁領域の強度が得られる。
−絶縁フィルムのラミネートにより高い処理量が得られる。例えばＤＣＢ基板を加工素材中に処理することができる。
−ラミネートされた絶縁フィルムにおいて任意の大きさの窓が、ひいては任意の大きさの接触面が得られる。
−ラミネートされた絶縁フィルムは、真空下でのフィルムの加工により、空気の進入が防止されるので、均質な絶縁特性を特徴とする。
−半導体チップにおいて、殆ど全チップコンタクト面を使用できる。これにより高い電流が導出される。この場合、３０ｍｍ２〜３００ｍｍ２のチップコンタクト面が得られる。
−面的なコンタクトによりチップを均一に制御できる。
−コンタクト面におけるコンタクトのインダクタンスが、面的な形状により太線ボンディングの場合よりも小さい。
−振動負荷および機械的な衝撃負荷の際のコンタクトの高い確実性。
−熱機械的な応力が僅かであることにより、他のコンタクト法と比較して、高い負荷変動安定性が得られる。
−複数の配線平面が利用可能である。
−記載した面的な接続技術は、僅かな構成高さで良い。これによりコンパクトな構成が得られる。
−多層の接続平面では、シールドのために大面積のメタライジング層が得られる。このことは特に回路のＥＭＶ（Elektromagnetische Vertraeglichkeit  電磁整合性）特性（妨害発生、妨害強度）に関して極めて良好に作用する。
【００２１】
有利な構成では、設けられた絶縁フィルムを、導電性フィルムの層結合体の絶縁層として使用する。さらに特に有利な構成では、層結合体の導電層を形成するために、絶縁フィルムを設ける前及び／又は設けた後に、導電材料を絶縁フィルム上に設ける。この場合、任意の被着法または析出法が使用可能である。導電材料は平面状に取り付けられる。例えばこのために、導電材料の物理的または化学的析出が行われる。このような形式の物理的方法は、スパッタリング、蒸着（物理蒸着  ＰＶＤ）である。化学的な析出はガス状の相から（化学蒸着  ＣＶＤ）及び／又は液相から（液相化学蒸着）行われる。まず、このような方法により、薄い導電性の部分層を取り付け、次にこの部分層上に、より厚い導電性部分層を電気メッキすることも考えられる。
【００２２】
有利な構成では、絶縁フィルムを、少なくとも構成素子のコンタクト面を越えて延びる絶縁フィルムの領域が形成されるように、構成素子の上に取り付ける。絶縁フィルムのこの領域は、コンタクト面を越えて突出するコンタクトラグの領域を形成する。
【００２３】
この場合、絶縁フィルムは、２０００μｍまでの高低差を克服できるように形成されている。このような高低差は、とりわけ基板の粗面性によりかつ、基板上に配置された構成素子、例えば半導体チップにより生ぜしめられる。
【００２４】
絶縁フィルムは任意のプラスチックを有していて良い。例えば任意の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、これらの混合物から成っていることが考えられる。ポリイミド及び／又はポリエチレン及び／又はポリフェノール及び／又はポリエーテルエーテルケトン及び／又はエポキシをベースとするプラスチック材料を有する絶縁フィルムを使用する。絶縁フィルムはこの場合、それぞれ種々異なるプラスチックから成る複数の部分層を有している。絶縁フィルムはこの場合、基板及び／又は構成素子の表面への付着性を改善するために接着被覆層を有していて良い。
【００２５】
絶縁フィルムのフィルム厚さは、μｍ範囲から選択されていて、数μｍ〜数１００μｍであって良い。例えばフィルム厚は１０μｍ〜５００μｍの範囲から選択されている。有利には、２５〜１５０μｍのフィルム厚さを有する絶縁フィルムを使用する。
【００２６】
絶縁フィルムを被着した後、調質ステップを行う。熱処理により、基板及び／又は構成素子の表面上での絶縁フィルムの付着性が改善される。
【００２７】
有利な構成では、絶縁フィルムの被着を、被着された絶縁フィルムが所定のフィルム厚さに達するまで繰り返して行う。例えば厚さの薄い絶縁フィルムは、より厚いラミネートされた絶縁フィルムになるように加工される。このような絶縁フィルムは、有利には一種類のプラスチック材料から成っている。この場合、種々異なる複数のプラスチック材料から成る絶縁フィルムが使用されることも考えられる。これにより、層状の塗布された絶縁フィルムが形成される。
【００２８】
有利な構成によれば、絶縁フィルムに窓を形成するために、絶縁フィルムの材料をレーザー剥離により取り除く。このために使用されるレーザの波長は、０．１μｍ〜１１μｍである。レーザの出力は１ｗ〜１００ｗである。例えば９．２４μｍの波長を有するＣＯ２レーザが使用される。この場合窓の開放は、場合によっては絶縁フィルムの下側に位置するアルミニウムから成るチップコンタクトを損傷することなく行われる。このチップコンタクトは構成素子のコンタクト面を形成する。窓のサイズはこの場合、有利には、構成素子の側面及び／又は面積（チップ面）のサイズの８０％以上９９．９％以下である。窓のサイズは、有利には、構成素子の側面及び／又は面積のサイズの８０％以上９５％以下である。
【００２９】
別の方法によれば、感光性の絶縁フィルムを使用し、該絶縁フィルムに窓を形成するために、フォトリゾグラフィプロセスを行う。感光性の絶縁フィルムはフォトフィルムである。フォトリソグラフィプロセスは、感光性の絶縁フィルムの露光、露光した及び／又は露光していない絶縁フィルムの個所の現像、露光した及び／又は露光していない絶縁フィルムの個所の除去のプロセスを有する。
【００３０】
絶縁フィルムに窓を開放した後は、場合によってはクリーニングステップが行われる。このクリーニングステップではフィルム残留物が除去される。クリーニングステップは例えば湿式化学的に行われる。この場合特に、プラズマ洗浄法も考えられる。
【００３１】
別の構成では、種々異なる導電性材料から成る互いに重ねられるように配置された複数の部分層から成る導体層が使用される。例えば種々異なる金属層が相互に積層され載置される。部分層もしくは金属層の数は特に２〜５である。複数の部分層から成る導電性の層により、例えば拡散バリアとして働く部分層を組み込むことができる。このような形式の部分層は例えば、チタン・タングステン合金（ＴｉＷ）から成っている。有利には、多層構造の場合には直接的に、接触したい表面に、付着を媒介するまたは改善する部分層を取り付けることができる。このような形式の部分層は例えばチタンから成っている。
【００３２】
個々の方法ステップを有する記載した方法を一度行っても良い。多層の装置を製造するためには、絶縁フィルムを被着するステップ、絶縁フィルムに窓を形成するステップ、及び／又は電気的なコンタクトを形成するステップを複数回行うことも考えられる。
【００３３】
コンタクトラグによる構成素子のコンタクト面の面状のコンタクト後には、装置の少なくとも１つの導体路の製造を行うことができる。この場合、導体路は、設けられた絶縁フィルム上に設けられる。特に、導体路を形成するために、絶縁フィルムの構造化が行われる。このことは、この絶縁フィルムに導体路が形成されることを意味している。導体路は例えば半導体チップの電気的なコンタクトのために働く。
【００３４】
構造化は通常は、フォトリソグラフィプロセスで行われる。このために導電性の層上にはフォトレジストを載置し、乾燥し、次いで露光および現像することができる。場合によっては、載置されたフォトレジストを、後続の処理プロセスに対して安定化するために熱処理ステップを続けて行う。フォトレジストとしては従来のポジ型レジストとネガ型レジスト（被覆材料）が挙げられる。フォトレジストの載置は、例えば噴霧プロセスまたは浸漬プロセスにより行う。エレクトロデポジション（静電析出または電気泳動析出）も考えられる。
【００３５】
構造化のためには感光性フィルムも使用することができる。この感光性フィルムをラミネートし、設けられたフォトレジスト層と同様に露光し、かつ現像することもできる。
【００３６】
導体路の形成は例えば次のように行うことができる。第１の部分ステップでは、導電性層が設けられ、その上でフォトレジスト層が構造化される。次のステップでは、形成された導体路の上に別のメタライジング材が設けられる。別のメタライジング材により導体路が補強される。例えば構造化により形成された導体路には、１μｍ〜４００μｍの厚さの銅が電気メッキにされる。これにより電気メッキされた銅層は付加的に効果的なヒートシンクとして働く。銅の析出後にフォトレジスト層もしくはラミネートされた絶縁フィルムを取り除く。これは例えば有機溶剤、アルカリ現像剤等によって行われる。続くディファレンシャルエッチング（Differenzaetzen）により面状のメタライジング材によって強化されていない金属的な導電層を再び除去する。補強された導体路が残される。
【００３７】
コンタクトラグによって、任意の電気的な構成素子の任意のコンタクト面が面状にコンタクトされる。特に大面積で、インダクタンスの低い半導体の電気的なコンタクト、特にパワー半導体チップの電気的なコンタクトが得られる。結果として生じる面状の電気的な結合により、減じられた抵抗損出のもとで高い電流容量が得られる。特に共面的に配置された導体層を備えたコンタクトラグを使用することにより、構成素子の低インダクタンスのコンタクトが生じる。これによりとりわけＥＭＶ外乱が減じられる。
【００３８】
次に本発明の実施例を複数の図面につき詳しく説明する。図面は概略的に示し、縮尺は厳密なものではない。
【００３９】
図１には、本発明による装置が横断面図で示されている。
【００４０】
図２には、図１の装置の平面図が示されている。
【００４１】
図３Ａ及び図３Ｂには、この装置を製造するための方法が示されている。
【００４２】
図４〜図８には、この装置の種々様々な実施例が示されている。
【００４３】
この装置は基板（回路支持体）１と、基板１の表面区分１１上に配置された電気的な構成素子２と、この構成素子２の電気的な接触のための電気的なコンタクトラグ３とを有している。基板１はセラミック材料から成っている。構成素子２は導体構造体である。これとは選択的な構成では電気的な構成素子２は半導体である。電気的なコンタクト面２１はこの場合、チップコンタクト面上に形成されている。
【００４４】
コンタクトラグ３の電気的な接続面３２と構成素子２のコンタクト面２１とは、少なくとも構成素子２のコンタクト面２１を越えて延びる、コンタクトラグ３の領域３３が形成されるように互いに結合されている。このような装置は、コンタクトラグ３が少なくとも１つの導電性フィルム３１を有していて、この導電性フィルム３１と、コンタクトラグ３の電気的な接続面３２を有することを特徴としている。
【００４５】
この装置を制作するために、第１ステップで、電気的なコンタクト面２１を有した構成素子２を備えた基板１を準備する（図３Ａの符号３０１）。次いで、電気的なコンタクトラグ３の接続面３２と構成素子２のコンタクト面２１とを結合することにより、電気的なコンタクト面２１の電気的な接触を行わせる（図３Ａの符号３０２）。
【００４６】
コンタクト面２１を有した構成素子２を備えた基板１を準備するために、電気的な絶縁フィルム４を基板１及び構成素子２上に設け（図３Ｂの符号３０２）、絶縁フィルム４に窓を形成する。この場合、構成素子２のコンタクト面は露出される（図３Ｂの符号３０３）。
【００４７】
実施例１
電気的なコンタクトラグ３は、電気的な内部基板接続部として働く（図４）。電気的な構成素子２，２′を有した複数の基板１，１′が１つの共通の支持体（図示せず）に配置されている。コンタクトラグ３と、このコンタクトラグ３を越えて延びるコンタクトラグ３の領域３３とによって、構成素子２，２′のコンタクト面２１，２１′が互いに導電的に接続されている。基板１，１′の間には、基板１，１′の電気的な構成素子２，２′の絶縁体６が設けられている。絶縁体６は例えばテフロンである。絶縁体６は、製造プロセスの過程で接着を回避するためにも働く。
【００４８】
内部基板接続部の製造は次のように行われる。
【００４９】
まず最初に、構成素子２，２′を備えた基板１，１′を互いに所定の間隔をおいて支持体（図示せず）に配置する。この間隔により規定された中間室には、テフロンから成る小板が挿入される。この小板はほぼ、構成素子２，２′を備えた基板１，１′の高さに相当する高さを有している。さらに、絶縁フィルム４を構成素子２，２′上にラミネートする。次のステップで、構成素子２，２′のコンタクト面２１，２１′を、絶縁フィルム４に相応の窓を形成することにより露出させる。次いで露出されたコンタクト面２１，２１′と絶縁フィルム４の上に、コンタクト面２１，２１′の間の電気的な接続を形成するように導電的な材料を取り付ける。
【００５０】
この実施例の別の構成では、テフロンから成る絶縁体６を、導電的な材料の取り付け後に取り除く。
【００５１】
実施例２
電気的なコンタクトラグ３が、図示されていないバス構造体へのロードコネクションとして働く（図５）。この場合、コンタクトラグ３は同一平面に配置されている２つの導体層３１，３１′を有している。これらの導体層３１，３１′の間には絶縁層３５が設けられている。層結合体３６を形成する導体層３１，３１′と絶縁層３５とは、導体層３１，３１′の電気的な制御により、僅かなインダクタンスを生ぜしめる磁界が形成されるような寸法で形成されている。絶縁層３５は、コンタクト面２１の面状のコンタクトの製造過程において使用される絶縁フィルム３４から製造される。絶縁フィルム４には導体路５が設けられている。構成素子２と導体路５とはそれぞれ導体層３１，３１′に電気的に接触されている。
【００５２】
実施例３
上記の実施例とは異なり、絶縁フィルム４が段部６を有している（図６）。このような形式の装置を製造するために第１のステップで、電気的な構成素子２を備えた準備された基板１に導体構造体７を、構成素子２が導体構造体７を介して電気的に接触されるように配置する。導体構造体７は例えば銅フィルムまたは銅薄板から成っている。その後、絶縁フィルム４が構成素子２と導体構造体７上にラミネートされる。次いで、ラミネートされた絶縁フィルム４に導体路５が取り付けられる。最後に導体層３１が絶縁フィルム４に、電気的なコンタクトラグ３が形成され、導体路５が電気的に接触されるように取り付けられる。絶縁フィルム４からは層結合体３６の絶縁層３５が形成される。
【００５３】
実施例４
構成素子２上に絶縁フィルム４が設けられる。絶縁フィルム４を設けた後、窓が形成され、この場合、構成素子２のコンタクト面が露出される（図７）。その後、導体層３１を形成するために導電材料が設けられる。次のステップで別の絶縁層４′が設けられる。導体路５を絶縁フィルム４上に製作した後、次いで、別の電気的な導体層３１′が設けられる。これにより、共通平面に配置された導体層３１，３１′を有する電気的なコンタクトラグ３が形成される。設けられた絶縁フィルム４，４′により絶縁層３５，３５′が形成される。
【００５４】
実施例５
前記実施例との相違点は、コンタクトラグ３が屈曲されている点にある（図８）。コンタクトラグ３が構成素子２のコンタクト面または基板の表面に対してとる角度は任意であって良い。屈曲されたコンタクトラグ３を製作するために、コンタクトラグ３の層結合体３６は基板表面から離れるように屈曲される。
【００５５】
屈曲されたコンタクトラグ３は、上述した実施例から導き出せる別の実施例（詳しくは示していない）で設けられている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明による装置を示す横断面図である。
【図２】図１の装置の平面図である。
【図３Ａ】本発明による装置を製造するための１つの方法を示す図である。
【図３Ｂ】本発明による装置を製造するための別の方法を示す図である。
【図４】本発明による装置の別の実施例を示す横断面図である。
【図５】本発明による装置のさらに別の実施例を示す横断面図である。
【図６】本発明による装置のさらに別の実施例を示す横断面図である。
【図７】本発明による装置のさらに別の実施例を示す横断面図である。
【図８】本発明による装置のさらに別の実施例を示す横断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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