(57)【要約】【課題】  物理的安定性などの物理的及び／又は機械的特性が改良されたディスクの成形方法を記載する。この方法は、データ記憶媒体用ディスク及びディスク基板の成形に有用である。【解決手段】  ３３０〜３７０℃の溶融温度で、９０〜１３０℃の金型温度及び１２〜３５トンの型締トン数を有する金型内に高分子材料を射出成形してディスクを形成するステップを含む、ディスクの成形法。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
３３０〜３７０℃の溶融温度で、９０〜１３０℃の金型温度及び１２〜３５トンの型締トン数を有する金型内に高分子材料を射出成形してディスクを形成するステップを含む、ディスクの成形方法。
【請求項２】
ディスクから製造されるディスクアセンブリの８０℃における９６時間後のラジアルチルト変化値が０．３５度以下であり、ディスクのフィーチャ複製率が９０％以上である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
成形パラメータ及び成形パラメータ値を含む成形モデルに従って高分子材料を射出成形して、ディスクを形成するステップと、
ディスクから製造されるディスクアセンブリのラジアルチルト変化を試験するステップと、
ディスクから製造されるディスクアセンブリのラジアルチルト変化が所定の範囲内の値となる成形パラメータ値に基づいて更新成形モデルを作成するステップと、
成形、試験及び作成の各ステップを繰返して、最終ディスクから製造されるディスクアセンブリの老化後のラジアルチルト変化値が０．３５度以下となる最終ディスク及び最終成形モデルを形成するステップと、
を含むディスクの成形方法。
【請求項４】
ディスクのフィーチャ複製率を試験するステップと、
成形パラメータ値に基づいて、ディスクのフィーチャ複製率が、選択された範囲内の値を有するように、更新成形モデルを作成するステップと、
最終ディスクのフィーチャ複製率が９０％以上になるまで、成形、試験及び作成の各ステップを繰返すステップと
をさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
成形パラメータが、溶融温度、金型温度、型締トン数、保持圧力、冷却時間又はこれらの組合せである、請求項３記載の方法。
【請求項６】
高分子材料がポリ（アリーレンエーテル）及びポリ（アルケニル芳香族）を含む、請求項１乃至請求項３記載の方法。
【請求項７】
ポリ（アリーレンエーテル）が以下の構造の構造単位を複数含む、請求項６記載の方法。
【化１】
2006525891.tif 000009
式中、各構造単位について、Ｑ１は各々独立にハロゲン、第一若しくは第二Ｃ１〜Ｃ７アルキル、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、又はハロゲン原子と酸素原子の間に２以上の炭素原子が介在するハロ炭化水素オキシであり、Ｑ２は各々独立に水素、ハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、炭化水素オキシ、又はハロゲン原子と酸素原子の間に２以上の炭素原子が介在するハロ炭化水素オキシである。
【請求項８】
ポリ（アルケニル芳香族）が、以下の式のアルケニル芳香族モノマーから誘導される構造単位を２５重量％以上含む、請求項６記載の方法。
【化２】
2006525891.tif 000010
式中、Ｒ１は水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル又はハロゲンであり、Ｚ１はビニル、ハロゲン又はＣ１〜Ｃ８アルキルであり、ｐは０〜５である。
【請求項９】
ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂の合計重量を基準にして、ポリ（アリーレンエーテル）が高分子材料中に６０〜４０重量％存在し、ポリ（アルケニル芳香族）が高分子材料中に４０〜６０重量％存在する、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
請求項１又は請求項３記載の方法で成形したディスクから製造された積層データ記憶アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクの成形方法及び成形ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在の高性能記憶技術には、光、磁気及び光磁気媒体があり、高い記憶容量を与える。通例１０億ビット毎平方インチディスク表面積（ギガビット毎平方インチ（Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２））単位で表される面密度は、線密度（情報ビット毎インチトラック）に、トラック数毎インチ単位で表されるトラック密度を乗じたものに等しい。面密度の向上がメガバイト当りのコスト低下の基本要因の一つであったが、面密度をさらに高めることが業界から絶えず求められている。
【０００３】
高分子データ記憶媒体は、コンパクトディスク（ＣＤ）及び追記型又は書換型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ及びＣＤ−ＲＷなど）、並びに同様の比較的面密度の低いデバイス、例えば約１Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２未満のデバイスなどの分野に用いられている。これらは一般にリードスルーデバイスであり、複屈折の低い光学品質の良好な基板を使用する必要がある。
【０００４】
ＣＤとは異なり、高面密度性能を有する通常約５Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２以上の記憶媒体は、面密度を高くするために第一面又は近接場光読取・書込技術（ｆｉｒｓｔ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｒ  ｎｅａｒ  ｆｉｅｌｄ  ｒｅａｄ／ｗｒｉｔｅ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）を用いている。こうした記憶媒体については、基板の光学品質は関係なく、むしろ基板の物理的及び機械的特性の重要性が増している。高面密度用途では、第一面用途も含めて、記憶媒体の表面特性が、読取装置の精度、データ記憶能及び基板の複製特性に影響を及ぼしかねない。さらに、使用中の記憶媒体の物理的特性も、データの記憶・検索能力に影響を及ぼしかねない。つまり、媒体の軸方向変位が大きすぎると、データの正確な検索及び／又は読取／書込装置を損なうおそれがある。
【０００５】
高解像度テレビにおける最近の進歩は、当技術分野でデジタルビデオ記録（ＤＶＲ、例えばブルーレイディスク）として公知の独特な高密度記録媒体が必要とされる。一般にＤＶＲディスクアセンブリは、厚さ１．１ｍｍの基板上にデータ記憶層をメタライズし、透明な接着剤によって光学フィルムで被覆する。通常、基板は高分子材料であり、光学フィルムと同じ材料でも、異なる材料でもよい。このアセンブリは、ディスク平坦度の工業規格に適合するものでなければならない。ディスク平坦度からの偏差はラジアルチルトとして知られている。アセンブリがその耐用期間内に暴露される環境下で、ラジアルチルトの変化が最小限であることが求められる。ディスクの寸法安定性を求める予測試験は、ディスクアセンブリを８０℃で１００時間熱老化させた後のラジアルチルトを測定することによって実施し得る。時間、温度及び湿度はすべて、収縮率の異なる材料層からなるアセンブリのチルトへの影響に何らかの役割を演じている可能性がある。
【０００６】
ディスクの平坦度に加えて、ディスクアセンブリは、フィーチャ複製のための最小限の仕様にも適合しなければならない。一般に、ディスク基板は、マイクロメートル又はナノメートル範囲の特定寸法のフィーチャ（表面特徴）のパターンを有する金型インサート又はスタンパを含む金型マスターを用いて成形される。成形されると、ディスク基板は、スタンパパターンのネガとしてのパターンをもつ。複製パターンの溝は測定でスタンパ上のパターンと実質的に同一でなければならない。高面密度性能を有する記憶媒体には、スタンパフィーチャの９０％以上の複製が要求されることが多い。
【特許文献１】米国特許第３３８３４３５号明細書
【特許文献２】米国特許第３６３５８９５号明細書
【特許文献３】米国特許第４００１１８４号明細書
【特許文献４】米国特許第４２１７４３８号明細書
【特許文献５】米国特許第４３７３０６５号明細書
【特許文献６】米国特許第４７６０１１８号明細書
【特許文献７】米国特許第４９８７１９４号明細書
【特許文献８】米国特許第４９９４２１７号明細書
【特許文献９】米国特許第５０５３２８８号明細書
【特許文献１０】米国特許第５４８０９５９号明細書
【特許文献１１】米国特許第５５８６１１０号明細書
【特許文献１２】米国特許第５８３３８４８号明細書
【特許文献１３】米国特許第６０４２７５４号明細書
【特許文献１４】米国特許第６１０９９１０号明細書
【特許文献１５】米国特許第６３０６９７８号明細書
【特許文献１６】米国特許第６３７２１７５号明細書
【特許文献１７】米国特許第６４０７２００号明細書
【特許文献１８】米国特許第６４３７０８４号明細書
【特許文献１９】米国特許第６４９２４８６号明細書
【特許文献２０】米国特許第４８４５１４２号明細書
【特許文献２１】米国特許出願公開第２００２／００９４４５５号明細書
【特許文献２２】米国特許出願公開第２００２／０１９７４３８号明細書
【特許文献２３】米国特許出願公開第２００２／０１９７４４１号明細書
【特許文献２４】米国特許出願公開第２００３／００４４５６４号明細書
【特許文献２５】欧州特許出願公開第０２２５８０１号明細書
【特許文献２６】欧州特許出願公開第０２７１０００号明細書
【特許文献２７】欧州特許出願公開第０２９５８９１号明細書
【特許文献２８】欧州特許出願公開第０３０３２０９号明細書
【特許文献２９】欧州特許出願公開第０６４２１２４号明細書
【特許文献３０】欧州特許出願公開第０６９１３６１号明細書
【特許文献３１】欧州特許出願公開第０７２４２５９号明細書
【特許文献３２】欧州特許出願公開第０７７０６３７号明細書
【特許文献３３】欧州特許出願公開第１０３１９７２号明細書
【特許文献３４】欧州特許出願公開第１０４７０５５号明細書
【特許文献３５】欧州特許出願公開第１１３０５８７号明細書
【特許文献３６】特開平０８−０５５３４１号公報
【特許文献３７】特開平０９−０３５３３０号公報
【特許文献３８】特開平０９−０５４９８２号公報
【特許文献３９】特開２０００−１４９２９６号公報
【特許文献４０】特開平０９−２３７４３７号公報
【特許文献４１】特開平０２−１０７６５１号公報
【特許文献４２】特開平０１−０９２２０９号公報
【特許文献４３】特開平０２−２０８３４２号公報
【特許文献４４】特開２０００−１５５９７０号公報
【特許文献４５】特開２００１−０６０３３８号公報
【特許文献４６】特開昭６３−１２４２４４号公報
【特許文献４７】特開昭６３−０１３７２２号公報
【特許文献４８】特開昭６３−２５６４２７号公報
【特許文献４９】特開昭６３−３０１２４７号公報
【特許文献５０】特開昭６３−３０９５４７号公報
【特許文献５０】特開昭６３−０８６７３８号公報
【特許文献５１】特開昭６３−０９１２３１号公報
【特許文献５２】特開昭６３−０９１２３２号公報
【特許文献５３】特開平０１−０４２６０１号公報
【特許文献５４】特開２００１−０６７７２６号公報
【特許文献５５】国際公開第９８／２０５５５号パンフレット
【特許文献５６】国際公開第９９／５９１４３号パンフレット
【特許文献５７】国際公開第０１／１１６１８号パンフレット
【特許文献５８】国際公開第０２／４３９４３号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現在利用できる材料及び方法では、高面密度性能を有する記憶媒体に要求される仕様にばらつきなく確実に適合することは困難である。したがって、当技術分野では、寸法安定性及び溝深さの複製を最高にするディスク基板成形法が依然として必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書では、成形パラメータ及び成形パラメータ値を含む成形モデルに従って高分子材料を射出成形して、ディスクを形成するステップと；ディスクから製造されるディスクアセンブリのラジアルチルト変化を試験するステップと；ディスクから製造されるディスクアセンブリのラジアルチルト変化が所定の範囲内の値となる成形パラメータ値に基づいて更新成形モデルを作成するステップと；成形、試験及び作成の各ステップを繰返して、最終ディスクから製造されるディスクアセンブリの老化後の、半径５５ｍｍで測定したラジアルチルト変化値が約０．３５度以下となる最終ディスク及び最終成形モデルを形成するステップとを含むディスクの成形方法について開示する。
【０００９】
別の実施形態では、ディスクの成形方法は、約３３０〜約３７０℃の溶融温度で、約９０〜約１３０℃の金型温度及び約１２〜約３５トンの型締トン数を有する金型内に高分子材料を射出成形してディスクを形成するステップを含む。
【００１０】
上記及びその他の特徴は、以下の図及び詳細な説明によって例証される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
今回、成形品、特にディスク及びディスク基板の残留成形応力は、成形品の成形に用いられる特定の成形条件を注意深く選択することによって大幅に低減できることが判明した。ディスク基板の残留成形応力は、経時的に又は高温で解放されてディスク又はディスク基板の収縮をもたらす。ディスクアセンブリがディスク又はディスク基板を含む場合、残留成形応力の解放はディスクアセンブリのラジアルチルトを生じる可能性がある。高面密度のデータ記憶ディスク及びディスク基板には、残留成形応力の最小化及びこれに伴う成形ディスクの物理的安定性の向上が特に望ましい。例えば金型温度及び溶融温度などの特定の成形パラメータが、その物理的安定性の点でディスク基板の品質に有意に影響を及ぼすこと、並びにこれらの成形条件を注意深く選択すると寸法安定性が向上した成形ディスク基板が得られるという予想外の知見が得られた。これらの成形パラメータは、ディスクのフィーチャ複製にも有意な効果を有する。
【００１２】
本明細書で用いるラジアルチルトという用語は、ディスクなどの成形品が水平軸上で曲がる角度であり、通常、ディスクの外側半径における垂直偏差として測定される。通常、ラジアルチルトは、ディスクに対して所定の角度で入射するレーザ光線の偏差を測定することによって求める。幾何学的に考えると、レーザ光線の偏差はラジアルチルト角度の２倍に等しい。これは半径方向偏差として表され、度で測定したチルト角の２倍である。ラジアルチルトの変化とは、新たに作製したディスクのラジアルチルト測定値と、高温及び／又は高湿度を始めとする経時的及び環境的条件に暴露した後のディスクのラジアルチルトとの差である。
【００１３】
本明細書で用いる成形条件及び成形パラメータという用語は同義に用いられる。本明細書で用いるディスク又はディスク基板という用語は同義に用いられる。
【００１４】
好都合には、特定の成形パラメータがディスクなどの成形品の残留成形応力の量に有意に影響を及ぼすことが判明した。どの成形パラメータが残留成形応力の程度に影響を及ぼすのか、その結果、成形ディスクから製造されたディスクアセンブリのラジアルチルトの量に影響を及ぼすのかを明らかにすることにより、最適な成形プロセス又は成形モデルを創り出して、物理的安定性が良好なディスクを成形することができる。さらに、ディスクの複製率に影響を及ぼす成形パラメータを明らかにして、最適な成形プロセス又は成形モデルを形成し、金型フィーチャのフィーチャ複製率が良好なディスクを成形することもできる。本明細書に記載の方法を用いて、ディスクを成形する最適な成形条件を明らかにし、成形装置の種類又は使用する高分子材料の種類にかかわらず、ラジアルチルト変化及び／又は複製率が大きく改良されたディスクを得ることができる。
【００１５】
物品又はディスクは、初めは初期成形モデルに従って成形される。初期成形モデルは、初期成形パラメータ及び、作業範囲として説明することができるその対応する初期成形パラメータ値範囲を含んでいてもよい。初期成形モデルは、特定の高分子材料など、ディスクの成形に使用される材料の既知の物理特性に基づいて作成することができる。この知識は、しばしば、使用する成形プロセスの種類に対して用いられる既知の成形パラメータ値範囲と組合せて用いられる。例えば、既知のガラス転移温度（Ｔｇ）及び既知の粘度を有する高分子材料の組成に基づいて、溶融温度及び金型温度の成形パラメータについて射出成形パラメータ値の範囲を予測することができ、これを用いて初期成形モデルを創り出すことができる。初期成形モデルを作成するために、任意の数の初期成形パラメータ及びその対応する初期成形パラメータ値範囲を創り出すことができる。実験計画（ＤＯＥ）法などの手法を適用することが、成形モデルを創り出すのに有用である。
【００１６】
高分子材料を射出成形してディスクを形成するための成形パラメータとしては、高分子材料の溶融温度（つまり、ポリマーの粘度を低下させてショットが金型内に射出できるようにポリマーのＴｇを超えて加熱する温度）、金型温度（つまり、成形部品の成形に用いる金型チャンバの温度であり、通常高分子材料のＴｇよりも低い）、型締トン数（つまり、冷却時に金型同士の締付けを維持するのに用いられる力）、保持圧力（つまり、冷却時金型内のメルトに加える圧力）、冷却時間（つまり、金型内で成形品を冷却する時間）などが挙げられる。その他の成形パラメータとしては、特に限定されないが、型締め時間（つまり、型締め力を加えて金型同士を一つに保持する時間）、保持時間（つまり、保持圧力を加える時間）、射出速度（つまり、高分子材料のショットを金型内に射出する速度、これは射出充填中の材料圧力、剪断による材料温度及び総射出時間に影響を及ぼす可能性がある）、転移点（つまり、射出制御が位置制御から圧力制御に切り替わるスクリュー位置、これは金型キャビティ内に射出される材料の総量並びに充填の最後及び保持開始時のキャビティ圧力に影響を及ぼす可能性がある）、パンチディレイ時間（つまり、保持時間又は転移点の最後からディスクの内径穴を開けるまでの時間のディレイ、パンチディレイ時間は内径穴の寸法及び品質に影響を及ぼす可能性がある）、空気ブローのディレイ及び時間（つまり、成形ディスクを金型から分離するために用いられる空気ブローのディレイ時間及び空気ブローのディスクへの動作時間、これはディスクの形状に影響を及ぼす可能性がある）、オフセット温度（つまり、金型のミラーブロック（移動側ミラー及び固定側ミラーの両方）を異なる温度に設定して、金型内のディスクの、バランスのとれていない冷却又はバランスのとれた冷却を引き起こすことができる）、パンチ温度（つまり、ツールの内径パンチを通って循環する冷媒の温度、これはディスク内径の温度及び冷却速度並びに内径穴寸法に影響を及ぼす可能性がある）、スプルー温度（つまり、金型スプルーを通って循環する冷媒の温度、これはディスク内径の温度及び冷却速度並びにスプルー内のメルトの冷却速度に影響を及ぼす可能性がある）が挙げられる。
【００１７】
実験計画（ＤＯＥ）法を用いて、初期成形パラメータ値範囲及び更新成形モデルを作成するためのその後の成形パラメータ値範囲を求めることができる。これらの成形パラメータ値範囲の各々の極値及び中間点を各成形モデルについて求め、これらのパラメータの各々又はパラメータの組合せが、成形ディスクの測定可能な選択された物理的又は機械的特性に及ぼす効果を理解するのに利用する。例えば、フィーチャ複製率についてディスクを試験することができる。フィーチャ複製率は、金型スタンパのフィーチャの測定値と、ディスク自体の対応するフィーチャの測定値との比較に基づくものである。別法として或いは付加的に、ディスクをディスクアセンブリに形成して、次いで所定の温度及び／又は湿度条件下で所定時間老化させたときのラジアルチルト変化を試験することができる。老化試験は、所定時間ディスク又はディスクアセンブリを高温及び／又は高湿に暴露するものである。代表的な老化試験は、ディスク又はディスクアセンブリを温度８０℃に９６時間暴露することによって行うことができる。別の老化試験においては、ディスク又はディスクアセンブリを、温度８０℃及び相対湿度５０％に９６時間暴露することができる。
【００１８】
ディスクの物理的又は機械的特性の試験結果は、選択された範囲の特定の特性値と比較することができる。この情報及びこうした特性値が得られた成形パラメータを用いて、更新成形モデルを作成することができる。選択された範囲の値に入る特性値を有するディスクが得られる成形パラメータ値が更新成形モデルに用いられる。
【００１９】
一実施形態では、試験を行った（フィーチャ複製率又はラジアルチルト変化などの）選択された物理的又は機械的特性に実質的に影響を及ぼす成形パラメータが分離される。例えば、金型温度パラメータが８０℃及び相対湿度５０％に９６時間暴露後のディスクアセンブリのラジアルチルト変化に実質的に影響を及ぼす場合は、更新成形モデルは、前の成形モデルから調整された成形温度パラメータ値範囲を含むことになろう。実質的に影響を及ぼすとは、一般に認められている検定によって求めた信頼水準が９５％以上で、選択された成形パラメータが、選択された特性に統計的に有意な効果を有することを意味する。選択された物理的又は機械的特性に実質的に影響を及ぼさない成形パラメータは、更新成形モデルにおいて、前の成形モデルで規定された値に保持される。
【００２０】
更新成形モデルは、物品を成形するステップ、その物品を試験するステップ及び更新成形モデルを作成するステップを繰返して成形モデルを最適化することによって、さらに更新することができる。最終的な成形モデルにより、選択値範囲内の値を有する、所望の範囲の物理的又は機械的特性を示す射出成形ディスクが得られる。選択された機械的又は物理的特性値範囲を用いて、品質管理のためにディスクが準拠しなければならない最低の仕様要求を規定することができる。ディスクが、約９０％以上のフィーチャ複製率を示すことが望ましく、約９２％以上が好ましく、約９４％以上がさらに好ましく、約９５％以上が特に好ましい。また、本明細書に記載の方法で形成されたディスクから製造されたディスクアセンブリは、半径５５ｍｍで測定した８０℃における９６時間後のラジアルチルト変化値が約０．５度以下であることが望ましい。この範囲内で、８０℃、９６時間後のラジアルチルト変化値が約０．３５度以下であることが好ましく、約０．２５度以下であることがさらに好ましく、約０．１５度以下であることが特に好ましい。
【００２１】
一実施形態では、高分子材料を射出成形してディスクを形成する方法は、溶融温度、金型温度及び型締トン数の成形パラメータに基づいている。約３３０〜約３７０℃の溶融温度を用いることができる。この範囲内で、約３４０℃以上の溶融温度が好ましく、約３５０℃以上がさらに好ましい。またこの範囲内で、約３６０℃以下の溶融温度が好ましく、約３５５℃以下がさらに好ましい。
【００２２】
約９０〜約１３０℃の金型温度を用いることができる。この範囲内で、約１００℃以上の金型温度を用いることができ、約１１０℃以上の金型温度が好ましく、約１１５℃以上がさらに好ましい。またこの範囲内で、約１２５℃以下の金型温度が好ましく、約１２０℃以下がさらに好ましい。
【００２３】
約１２トンを超える型締トン数を用いることができ、好ましくは約１２〜約３５トンを用いることができる。この範囲内で、約１５以上の型締トン数が好ましく、約２０以上がさらに好ましい。またこの範囲内で、約３０以下の型締トン数を用いることができ、約２５以下も適当である。
【００２４】
約１〜約３５秒の冷却時間を用いることができる。この範囲内で、約５秒以上の冷却時間が好ましく、約７秒以上がさらに好ましく、約１２秒以上が特に好ましい。またこの範囲内で、約２５秒以下の冷却時間を用いることができ、約２０秒以下が好ましく、約１５秒以下がさらに好ましい。
【００２５】
約１〜約４０ｋｇｆ／ｃｍ２の保持圧力を用いることができる。この範囲内で、約５ｋｇｆ／ｃｍ２以上の保持圧力が好ましく、約１０ｋｇｆ／ｃｍ２以上がさらに好ましく、約１５ｋｇｆ／ｃｍ２以上が特に好ましい。またこの範囲内で、約３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の保持圧力を用いることができ、約３０ｋｇｆ／ｃｍ２以下が好ましく、約２５ｋｇｆ／ｃｍ２以下がさらに好ましい。
【００２６】
高分子材料から成形できるどんな種類の物品も製造することができる。代表的な実施形態では、直接射出成形を含めて、この成形方法を射出成形ディスク及びディスク基板に適用することができる。Ａｄｅｄｅｊｉ等の国際公開第０２／４３９４３号は、直接成形法を概説している。特に、この成形方法は、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＣＤ及びＤＶＲ用ディスク基板などのデータ記憶ディスク又はディスク基板の射出成形に適用することができる。
【００２７】
好適な高分子材料としては、ポリカーボネート、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリ（アルケニル芳香族）、ポリオレフィン、ポリブタジエン及びポリイソプレンなどのジエン系ポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリエステルカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、これらの共重合体、これらのブレンドなどが挙げられる。好ましい高分子材料としては、ポリ（アリーレンエーテル）及びポリ（アルケニル芳香族）ブレンドが挙げられる。
【００２８】
ポリ（アリーレンエーテル）という用語には、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）及びポリ（アリーレンエーテル）共重合体、グラフト共重合体、ポリ（アリーレンエーテル）エーテルアイオノマー、並びにアルケニル芳香族化合物、ビニル芳香族化合物及びポリ（アリーレンエーテル）などのブロック共重合体、これらの１種以上を含む組合せなどが含まれる。ポリ（アリーレンエーテル）自体は、式（Ｉ）の複数の構造単位を含む既知のポリマーである。
【００２９】
【化１】
2006525891.tif 000003
式中、各構造単位について、Ｑ１は各々独立にハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル（例えば、炭素原子数７以下のアルキル）、フェニル、ハロアルキル、アミノアルキル、炭化水素オキシ、又はハロゲン原子と酸素原子の間に２以上の炭素原子が介在するハロ炭化水素オキシなどであり、Ｑ２は各々独立に水素、ハロゲン、第一若しくは第二低級アルキル、フェニル、ハロアルキル、炭化水素オキシ、又はハロゲン原子と酸素原子の間に２以上の炭素原子が介在するハロ炭化水素オキシなどである。好ましくは、Ｑ１は各々アルキル又はフェニル、特にＣ１〜４アルキルであり、Ｑ２は各々水素又はＣ１〜４アルキルである。「ハロアルキル」という用語には、部分的又は完全にハロゲン化されたアルキル基を始め、１以上のハロゲン原子で置換されたアルキル基が包含される。
【００３０】
単独重合体及び共重合体のポリ（アリーレンエーテル）が共に包含される。好ましい単独重合体は２，６−ジメチルフェニレンエーテル単位を含むものである。適当な共重合体には、かかる単位を例えば２，３，６−トリメチル−１，４−フェニレンエーテル単位と共に含むランダム共重合体或いは２，６−ジメチルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールとの共重合で得られる共重合体がある。また、ビニルモノマー又はポリスチレンのようなポリマーをグラフトして得られる部分を含むポリ（アリーレンエーテル）、並びに低分子量ポリカーボネートやキノンや複素環式化合物やホルマールのようなカップリング剤を公知の方法で２本のポリ（アリーレンエーテル）鎖のヒドロキシ基と反応させてさらに高分子量のポリマーとしたカップリング化ポリ（アリーレンエーテル）も挙げられる。ポリ（アリーレンエーテル）には、これらの１種以上を含む組合せも包含される。好ましいポリ（アリーレンエーテル）は、ポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル）及びポリ（２，６−ジメチルフェニレンエーテル−コ−２，３，６−トリメチルフェニレンエーテル）であり、例えばＳｉｎｇｈ等の米国特許第６４０７２００号及びＢｉｒｓａｋ等の米国特許第６４３７０８４号に記載されている。
【００３１】
一般にポリ（アリーレンエーテル）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定して、数平均分子量が約３０００〜４００００原子質量単位（ａｍｕ）、重量平均分子量が約２００００〜８００００ａｍｕである。ポリ（アリーレンエーテル）は、クロロホルム中２５℃で測定した固有粘度が、約０．１０〜約０．６０デシリットル／グラム（ｄｌ／ｇ）、好ましくは約０．２９〜約０．４８ｄｌ／ｇである。固有粘度の高いポリ（アリーレンエーテル）と固有粘度の低いポリ（アリーレンエーテル）を組合せて使用することもできる。２つの固有粘度を用いる場合、正確な比率の決定は、使用するポリ（アリーレンエーテル）の正確な固有粘度と所望する最終的な物性にある程度左右される。
【００３２】
ポリ（アリーレンエーテル）は通例２，６−キシレノールや２，３，６−トリメチルフェノールのような１種類以上のモノヒドロキシ芳香族化合物の酸化カップリングによって製造される。かかる酸化カップリングには概して触媒系が使用されるが、触媒系は通例、銅、マンガン又はコバルト化合物のような１種類以上の重金属化合物を通常はその他様々な物質と共に含んでいる。
【００３３】
多くの目的に特に有用なポリ（アリーレンエーテル）は、１以上の含アミノアルキル末端基を有する分子からなるものである。アミノアルキル基は通例ヒドロキシ基に対してオルト位に位置する。かかる末端基を有する生成物は、ジ−ｎ−ブチルアミンやジメチルアミンのような適当な第一又は第二モノアミンを酸化カップリング反応混合物の一成分として導入することで得られる。また、４−ヒドロキシビフェニル末端基が存在していることも多々あり、これらは、通例、副生物のジフェノキノンが特に銅−ハライド−第二又は第三アミン系に存在しているような反応混合物から得られる。かなりの割合のポリマー分子（通例ポリマーの約９０重量％にも達する）が上記の含アミノアルキル末端基及び４−ヒドロキシビフェニル末端基の少なくともいずれかを含んでいてもよい。
【００３４】
一実施形態では、ポリ（アリーレンエーテル）は封鎖ポリ（アリーレンエーテル）を含む。封鎖を用いて、ポリ（アリーレンエーテル）鎖の末端水酸基の酸化を防止することができる。末端水酸基は、例えばアシル化反応を介して、不活性化封鎖剤で封鎖することによって不活性化することができる。選択する封鎖剤は、反応性の低いポリ（アリーレンエーテル）を生じて、高温加工中にポリマー鎖の架橋及びゲル又は黒斑の形成を減少又は防止するもののが望ましい。好適な封鎖剤としては、例えば、サリチル酸のエステル、アントラニル酸又はその置換誘導体などが挙げられる。サリチル酸のエステル、特にサリチル酸炭酸エステル及び線状ポリサリチレートが好ましい。本明細書で用いる「サリチル酸のエステル」という用語には、カルボキシル基、水酸基又は両方がエステル化した化合物が含まれる。好適なサリチル酸エステルとしては、例えば、フェニルサリチレートなどのアリールサリチレート、アセチルサリチル酸、サリチル酸炭酸エステル、並びに線状ポリサリチレート及びジサリチリドやトリサリチリドなどの環状化合物の両方を始めとするポリサリチレートが挙げられる。好ましい封鎖剤は、サリチル酸炭酸エステル及びポリサリチレート、特に線状ポリサリチレートである。封鎖するときは、ポリ（アリーレンエーテル）は、８０％まで、好ましくは９０％までの任意の所望の程度に封鎖することができ、特に好ましくは１００％までの水酸基が封鎖される。好適な封鎖ポリ（アリーレンエーテル）及びその調製は、Ｗｈｉｔｅ等の米国特許第４７６０１１８号及びＢｒａａｔ等の米国特許第６３０６９７８号に記載されている。
【００３５】
ポリサリチレートでポリ（アリーレンエーテル）を封鎖することはまた、ポリ（アリーレンエーテル）鎖に存在するアミノアルキル末端基の量を低下させると思われる。アミノアルキル基は、ポリ（アリーレンエーテル）を生成するプロセスにおいてアミンを使用する酸化カップリング反応の結果である。ポリ（アリーレンエーテル）の末端水酸基に対してオルトのアミノアルキル基は、高温で分解を受けやすい。この分解により、第一又は第二アミンが再生され、キノンメチド末端基が生成すると思われる。この末端基は、次に２，６−ジアルキル−１−ヒドロキシフェニル末端基を生成する可能性がある。アミノアルキル基を含むポリ（アリーレンエーテル）をポリサリチレートによって封鎖すると、こうしたアミノ基が除去されて、ポリマー鎖の末端水酸基が封鎖され、２−ヒドロキシ−Ｎ，Ｎ−アルキルベンズアミン（サリチルアミド）が形成されると思われる。アミノ基の除去及び封鎖により、高温での安定性が高いポリ（アリーレンエーテル）が得られ、これにより、ポリ（アリーレンエーテル）加工中のゲル又は黒い斑点などの分解生成物が減少する。
【００３６】
以上の説明から当業者には自明であろうが、想定されるポリ（アリーレンエーテル）樹脂には、構造単位又は副次的な化学的特徴の変化とは無関係に、現在公知のものの多くが包含される。
【００３７】
高分子材料は、ポリ（アルケニル芳香族）樹脂をさらに含んでいてもよい。本明細書で用いるポリ（アルケニル芳香族）樹脂という用語は、塊状、懸濁及び乳化重合を始めとする当技術分野で知られた方法によって調製されたポリマーを含む。このポリ（アルケニル芳香族）樹脂は、式（ＩＩ）のアルケニル芳香族モノマーから誘導される構造単位を２５重量％以上含むものである。
【００３８】
【化２】
2006525891.tif 000004
式中、Ｒ１は水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキル又はハロゲンであり、Ｚ１はビニル、ハロゲン又はＣ１〜Ｃ８アルキルであり、ｐは０〜５である。好ましいアルケニル芳香族モノマーとしては、スチレン、クロロスチレン及びビニルトルエンが挙げられる。ポリ（アルケニル芳香族）樹脂としては、アルケニル芳香族モノマーの単独重合体、スチレンなどのアルケニル芳香族モノマーと、アクリルニトリル、ブタジエン、α−メチルスチレン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼン及び無水マレイン酸などの１種以上の異なるモノマーとのランダム共重合体、並びにゴム改質剤と（上記の）アルケニル芳香族モノマーの単独重合体とのブレンド及び／又はグラフトを含むゴム変性ポリ（アルケニル芳香族）樹脂が挙げられる。このゴム改質剤は、１種以上のブタジエン若しくはイソプレンなどのＣ４〜Ｃ１０非芳香族ジエンモノマーの重合生成物とすることができる。また、ゴム変性ポリ（アルケニル芳香族）樹脂は、アルケニル芳香族モノマーの単独重合体約９８〜約７０重量％及びゴム改質剤約２〜約３０重量％、好ましくはアルケニル芳香族モノマーの単独重合体約８８〜約９４重量％及びゴム改質剤約６〜約１２重量％を含む。ゴム変性ポリスチレンとしては耐衝撃性ポリスチレン（通常ＨＩＰＳと呼ばれる）が挙げられる。
【００３９】
ポリ（アルケニル芳香族）樹脂としては、非弾性ブロック共重合体、例えばスチレンとポリオレフィンのジブロック、トリブロック及びマルチブロック共重合体も挙げられる。線状ブロック、ラジアルブロック又はテーパーブロック共重合体構造を有し、ブタジエン成分が約３５重量％まで存在する、スチレンとブタジエンの非弾性ブロック共重合体組成物も使用することができる。これらは、ＡｔｏｆｉｎａからＦＩＮＡＣＬＥＡＲの商標で、Ｃｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ＣｏｍｐａｎｙからＫ−ＲＥＳＩＮＳの商標で市販されている。
【００４０】
ポリ（アルケニル芳香族）樹脂としては、スチレン−ポリオレフィン−メチルメタクリレートのブロック共重合体、特にＡｔｏｆｉｎａから市販されている、ポリスチレン、１，４−ポリブタジエン及びシンジオタクチックポリメチルメタクリレートを含むポリ（スチレン−ｂ−１，４ブタジエン−ｂ−メチルメタクリレート（ＳＢＭ）も挙げられる。Ａｔｏｆｉｎａが市販しているＳＢＭブロック共重合体としては、ＡＦ−Ｘ２２３、ＡＦ−Ｘ３３３、ＡＦ−Ｘ０１２、ＡＦ−Ｘ３４２、ＡＦ−Ｘ００４及びＡＦ−Ｘ２５０が挙げられる。
【００４１】
好ましいポリ（アルケニル芳香族）は、Ｒ１が水素、低級アルキル又はハロゲンであり、Ｚ１がビニル、ハロゲン又は低級アルキルであり、ｐが０〜５であるアルケニル芳香族モノマー（ＩＩ）の単独重合体である。特に好ましいアルケニル芳香族モノマーの単独重合体は、スチレンから得られる単独重合体（即ち、ホモポリスチレン）である。ホモポリスチレンは、好ましくはその重量の９９％以上、さらに好ましくはその重量の１００％がスチレンからなる。
【００４２】
ポリ（アルケニル芳香族）樹脂の立体規則性はアタクチック又はシンジオタクチックとすることができる。特に好ましいポリ（アルケニル芳香族）樹脂としてはアタクチック及びシンジオタクチックホモポリスチレンが挙げられる。好適なアタクチックホモポリスチレンは、例えば、ＣｈｅｖｒｏｎからＥＢ３３００として、ＢＡＳＦからＰ１８００として市販されている。アタクチックホモポリスチレンは、本明細書において「結晶性ポリスチレン」樹脂と呼ぶことがある。有用なシンジオタクチックポリスチレン樹脂（ＳＰＳ）は、ＱＵＥＳＴＲＡの商標でＴｈｅ  Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙから市販されている。
【００４３】
ポリ（アルケニル芳香族）は、数平均分子量が約２００００〜１０００００原子質量単位（ａｍｕ）、重量平均分子量が約１００００〜３０００００ａｍｕである。
【００４４】
ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）のブレンドを使用してディスクを形成する場合、ポリ（アリーレンエーテル）の量は、ポリ（アリーレンエーテル）とポリ（アルケニル芳香族）樹脂の合計重量を基準にして、約１〜約９９重量％である。この範囲内で、使用されるポリ（アリーレンエーテル）の量は、約８０重量％以下とすることができ、約７０重量％以下が好ましく、約６０重量％以下がさらに好ましい。またこの範囲内で好ましいのは、ポリ（アリーレンエーテル）の量が約２０重量％以上であり、約３０重量％以上が好ましく、約４０重量％以上がさらに好ましい。
【００４５】
本明細書記載のディスク基板から作製されたデータ記憶アセンブリには、ディスク基板上にデータ記憶層を配設することができる。データ記憶アセンブリには、誘電体層、保護層、反射層などの層をさらに追加することもできる。好ましい実施形態では、データ記憶アセンブリは、高分子ディスク基板、この基板上に配設されたデータ記憶層、このデータ記憶層上に配設された接着剤層及びこの接着剤層の上に配設された保護層を含む。
【００４６】
データ記憶層は、光学層、磁気層又は磁気光学層などの、検索可能なデータを記憶することができる任意の材料を含んでいてもよい。その厚さは約６００Å以下であり、約３００Å以下が好ましい。可能なデータ記憶層としては、特に限定されないが、酸化物（酸化ケイ素など）、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素など、並びにこれらの１種以上を含む合金及び組合せ、有機染料（例えば、シアニン又はフタロシアニン系染料）、並びに無機相変化化合物（例えば、ＴｅＳｅＳｎ又はＩｎＡｇＳｂ）が挙げられる。
【００４７】
データ記憶層は、スパッタリング法、電気めっき又はコーティング技術（スピンコーティング、スプレーコーティング、蒸着、スクリーン印刷、塗装、浸漬、スパッタリング、真空蒸着、電着、メニスカスコーティングなど）によってディスク基板に施すことができる。
【００４８】
保護層は埃、油その他の汚染物質からデータ層を保護するものである。その厚さは、約１００μｍ以上〜約１０Å以下であり、ある実施形態では約３００Å以下の厚さが好ましく、約１００Å以下の厚さが特に好ましい。保護層の厚さは、一般に少なくとも一部は、使用される読取／書込機構の種類、例えば磁気式、光学式又は磁気光学方式によって決まる。保護層のための可能な材料としては、中でも、窒化物（例えば、中でも窒化ケイ素及び窒化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素など）、酸化物（例えば、酸化ケイ素など）、高分子材料（例えば、ポリアクリレート又はポリカーボネート）、炭素フィルム（ダイアモンド、ダイアモンド状炭素など）、並びにこれらの１種以上を含む反応生成物及び組合せなどの防食材料が挙げられる。
【００４９】
保護層の特に好適な材料としてはポリカーボネートが挙げられる。本明細書で用いるポリカーボネートという用語は、式（ＩＩＩ）の構造単位を有する組成物を含む。
【００５０】
【化３】
2006525891.tif 000005
式中、Ｒ１基の総数の約６０％以上は芳香族有機基であり、その残りは脂肪族、脂環式又は芳香族基である。好ましくは、Ｒ１は芳香族有機基であり、さらに好ましくは、式（ＩＶ）の基である。
【００５１】
【化４】
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式中、Ａ１及びＡ２は各々単環式の二価アリール基であり、Ｙ１はＡ２とＡ１の間に１又は２個の原子が介在する橋かけ基である。代表的な実施形態では、Ａ２とＡ１の間に１原子が介在する。このタイプの基の非限定的な具体例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｃ（Ｏ）−、メチレン、シクロヘキシルメチレン、２−［２．２．１］−ビシクロヘプチリデン、エチリデン、イソプロピリデン、ネオペンチリデン、シクロヘキシリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデン及びアダマンチリデンが挙げられる。橋かけ基Ｙ１は、メチレン、シクロヘキシリデン又はイソプロピリデンなどの炭化水素基又は飽和炭化水素基とすることができる。
【００５２】
好適なポリカーボネートは、界面法、溶液法、固相法又は溶融法などのプロセスを含めて、当技術分野で知られた任意のプロセスを用いて製造することができる。
【００５３】
保護フィルム層は、接着剤層を用いて基板及びデータ記憶層に積層することができる。好適な接着剤としては、天然ゴム、アクリルエステル系ポリマー、シリコンゴムなどのゴム系又はゴム状の材料が挙げられる。その他の接着剤材料としては、ポリイソプレン、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、フルオロビニルメチルシロキサン、塩素化イソブテン−イソプレン、クロロプレン、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、ブチルアクリレート、発泡ポリスチレン、発泡ポリエチレン、発泡ポリプロピレン、発泡ポリウレタン、可塑化ポリ塩化ビニル、ジメチルシリコーンポリマー、メチルビニルシリコーン、ポリ酢酸ビニルなどが挙げられる。感圧接着剤が好ましい。
【００５４】
ディスク基板から製造される物品としては、光、磁気又は光磁気データ記憶媒体などのデータ記憶媒体が挙げられるが、これらに限定されない。こうした媒体としては、コンパクトディスク、書換型コンパクトディスク、デジタルバーサタイルディスク、データアーカイバル技術用高密度ディスク（ＢＬＵ−ＲＡＹ  ＤＩＳＣなどのＤＶＲ）などが挙げられる。本明細書の記載に従って製造されたディスク基板から製造することができる好ましいデータ記憶媒体は、２００３年８月２６日に出願された係属中の「ＳＴＯＲＡＧＥ  ＭＥＤＩＵＭ  ＦＯＲ  ＤＡＴＡ  ＷＩＴＨ  ＩＭＰＲＯＶＥＤ  ＤＩＭＥＮＳＩＯＮＡＬ  ＳＴＡＢＩＬＩＴＹ）」と題する米国特許出願第１０／６４８６０９号（出願人整理番号：１２０８０１）に開示されている。
【００５５】
引用したすべての特許、特許出願その他の文献は、その全体を参照により本明細書に組み込む。本発明を、以下の非限定的な実施例によってさらに例証する。
【実施例】
【００５６】
実施例１は、型にフィーチャを形成したポリフェニレンエーテル−ポリスチレンディスク基板を射出成形する方法を例示する。仕上げた基板を用いて、異なる材料を含む積層ディスクアセンブリを形成する。このアセンブリは優れた寸法安定性とフィーチャ複製を示す。ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンオキシド、ＰＰＥ、クロロホルム中２５℃で測定したＩＶ  ０．３３）５０重量％と、結晶性ポリスチレン（Ｃｈｅｖｒｏｎ  Ｐｈｉｌｌｉｐｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから市販されているｘＰＳ、グレードＬ３４５０、重量平均分子量（Ｍｗ）２７００００）５０重量％とのブレンドを用いてディスク基板を製造した。このブレンドの、様々な温度におけるガラス転移温度（Ｔｇ）及び粘度データに基づいて、成形パラメータである溶融温度及び金型温度の初期範囲を選択した。射出成形用成形パラメータの範囲を、型締トン数、保持圧力及び冷却時間などの成形パラメータについても求めた。
【００５７】
各成形パラメータ及び／又は成形パラメータの組合せが射出成形ディスク基板の成形最適化に与える効果を判定するために、成形パラメータ範囲の中間点及び極値を探った。表１に、ディスク基板を作る１７の製造試験による初期スクリーニング用に選択された成形パラメータを示す。溶融温度及び金型温度は摂氏（℃）を示し、型締トン数はトンを示し、保持圧力は平方センチメートル当りの重量キログラム（ｋｇｆ／ｃｍ２）を示し、冷却時間は秒を示す。
【００５８】
【表１】
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表１に提示した成形パラメータを有する初期成形モデルに従ってディスク基板を射出成形した。住友重機械工業（株）ＳＤ３０射出成形装置を使用し、（株）精工技研Ｊ型ＣＤ金型及び４４ナノメートル高のフィーチャ（金型複製率１００％のディスクにおいて４４ナノメートルの溝深さに相当）を有するスタンパを用いてディスクを射出成形した。典型的なポリマーメルトショットサイズは約２０グラムであった。
【００５９】
成形ディスク基板の片面は、金型スタンパからの溝のネガパターンを含んでいた。この表面を、スパッタリング法によって、標準厚さ約０．０５〜０．１０μｍにアルミニウムでメタライズした。感圧接着剤層（厚さ約２５μｍ）をディスクのメタライズド部分に塗布した後、Ｒｅｃｏｒｄ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａ社製のニットーテープアプリケータを用いて、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メンタンポリカーボネート（ＢＨＰＭ−ＰＣ、４，４′−［１−メチル−４−（１−メチルエチル）−１，３−シクロヘキサジエニル］ビスフェノールから調製（ＢＰＴ−２とも呼ばれる））（厚さ７５μｍ）の透明保護フィルム層を塗布した。積層したものをＣａｒｖｅｒラミネータープレスに、６０℃及び８０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ、５．６ｋｇｆ／ｃｍ２）で５分間置いて、これらの層を完全に接着させることによってディスクアセンブリを完成した。
【００６０】
熱老化の検討：熱老化後のディスクアセンブリのラジアルチルトへの影響を検討した。初期スクリーニングからのディスクアセンブリを周囲条件と平衡化し、各ディスクアセンブリについて初期ラジアルチルトを測定した。ラジアルチルトは、Ｄｒ．Ｓｃｈｅｎｋ  ＰｒｏｍｅｔｅｕｓモデルＭＴ−１３６Ｅアナライザーを用いて測定した。即ち、赤色レーザを用いて、ＣＤ−Ｒフォーマットを有するものとしてディスクをモデル化して、ディスク半径（半径５５ｍｍで測定）の関数として半径方向の偏差、即ちラジアルチルトの２倍を測定した。次いで、ディスクアセンブリを、８０℃及び相対湿度５０％で９６時間暴露することによって老化し、周囲条件と再平衡化し、再度ラジアルチルトを測定した。ラジアルチルト変化は、８０℃及び相対湿度５０％で９６時間老化した後のラジアルチルトから老化前の初期ラジアルチルトを差し引いて計算する。チルト変化の結果は、モデル化試験当り３個のディスクアセンブリの測定値の平均として度の単位で表１に示す。標準偏差もこの表に示す。グレードＯＱ１０５０（ＧＥ  Ｐｌａｓｔｉｃｓから市販のＢＰＡ−ＰＣ光学品質ポリカーボネート１０５０）のビスフェノールＡ−ポリカーボネートディスクを、実施例で使用したものと同じ感圧接着剤を用いてＢＰＡ−ＰＣフィルムに接合した比較ディスクアセンブリについても試験した。結果を比較例１（ＣＥ１）として表１に示す。
【００６１】
表１に示したように、成形パラメータは、ディスクアセンブリのラジアルチルト性能に有意の影響を及ぼす。図１は、初期成形パラメータの各々がラジアルチルトに及ぼす影響を度で、平均溝深さの複製をナノメートルで示したグラフである。図１から、成形パラメータの内、金型温度、溶融温度及び型締トン数がラジアルチルト及び複製に最も著しい影響を及ぼしたことが分かる。これら２つの特性への影響が最も大きい成形パラメータを選択して、更新成形モデルを形成した。保持圧力及び冷却時間など、ラジアルチルト性能及び複製率に著しい影響を及ぼさない成形パラメータは、更新成形モデルにおいて一定値に保った。
【００６２】
表２は、更新成形モデルにおいて用いられた、更新成形パラメータ及び更新成形パラメータ値の範囲を示す。これらの値は、ラジアルチルト及び複製に関して改良されたディスクを製造する加工ウインドウを見出すために、初期値の統計的解析を用いて求めた。保持圧力及び冷却時間はラジアルチルト性能及び複製率に著しい影響を及ぼさないことが分かったので、これらの成形パラメータは、更新成形モデルにおいて一定値（それぞれ、２５ｋｇｆ／ｃｍ２及び１２秒）に保った。さらに１５の射出成形試験を行い、更新成形モデルを用いてディスク基板を製造した。上記のようにして、これらのディスク基板からディスクアセンブリを作製した。さらに、試験１８、２１、２６、２７、２９及び３０については、ＢＰＡ−ＰＣ保護フィルムを用いて追加のディスクアセンブリを作製し、ＢＰＡ−ＰＣフィルムがラジアルチルトに及ぼす影響をＢＨＰＭ−ＰＣフィルムと比較して検討した。これらのディスクアセンブリについて上記の８０℃熱老化試験を行った。その結果を、３個のディスクアセンブリ試験の平均として表２に示す。比較例１の上記ＢＰＡ−ＰＣディスク基板にＢＰＡ−ＰＣ保護層を接合した比較ディスクアセンブリも試験した（比較例２（ＣＥ２））。
【００６３】
【表２】
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熱老化試験の結果は、フィルム材料（ＢＰＡ又はＢＨＰＭ）の選択は、成形条件と比べてラジアルチルトへの影響が小さいことを示している（表２）。表２には、更新成形モデルに従って成形したディスク基板の複製率（複製％）の結果も示す。複製率は、原子力間顕微鏡を用いてディスクフィーチャの溝の深さを測定し、対応する金型スタンパパターンフィーチャの測定で得た値で除し、１００を乗じて求めた。表２に示した複製率のデータは平均値を表す。
【００６４】
８０℃老化試験で得たラジアルチルトのデータ及び複製％のデータを用いて、８０℃ラジアルチルト変化並びに複製％の両方を予測することができる変換関数を、溶融温度、金型温度及び型締トン数の３つの成形パラメータの各々の関数として構築することができる。成形パラメータと得られたラジアルチルト及び複製％との間の実験的関係を説明するために、どの成形因子が統計的に有意であったか及びディスクへのこれらの影響のレスポンスを求める回帰分析などの統計的アルゴリズムを用いて、変換関数を作り出すことができる。次にこの変換関数を用いて、対象とする特定の配合物についての最適な成形条件のセットを確認又は予測することができる。
【００６５】
上記の実施例で示したように、成形モデルを作成して、ポリフェニレンエーテル−ポリスチレンブレンドを含む射出成形ディスクについての最適な成形条件を構築することができる。成形条件を最適化することによって、優れた物理的安定性（８０℃老化試験で０．３度未満のチルト変化で示される）及び金型スタンパフィーチャの優れたフィーチャ複製率（９０％超）を示すディスクを成形することができる。
【００６６】
代表的な実施形態に関して本発明を説明してきたが、本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更を行うことができること及びその要素を均等物で置換することができることを当業者は理解されたい。さらに、その基本的な範囲を逸脱することなく、特定の状況又は材料を本発明の教示に適合させるように、多くの修正を行うことができる。したがって、本発明がこの発明を実施するために開示された特定の実施形態に限定されることを意図するものではなく、本発明が頭記の特許請求の範囲内に入るすべての実施形態を含むことを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】初期成形試験で作製されたディスクアセンブリについての、ラジアルチルト変化及び溝深さに対する成形パラメータの効果を示す図である。
【図１】
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【国際調査報告】
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