(57)【要約】選択的エッチングされた自己整合二重リセス高電子移動度トランジスターの製造方法を提供する。この方法は、ＩＩＩ−Ｖ基板（１２）；第１の相対的広バンドギャップ層（１４，１８）；チャネル層（２０）；第２の相対的広バンドギャップショットキー層（２２，２５）；エッチング停止層（２６）；エッチング停止層上のＩＩＩ−Ｖ第３広バンドギャップ層（２８）；および第３広バンドギャップ層上のオームコンタクト層（３０）を有する、半導体構造体を作製することを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記を含む、二重リセス高電子移動度トランジスターの製造方法：
ＩＩＩ−Ｖ基板；広バンドギャップ層；狭バンドギャップチャネル層；広バンドギャップショットキー層；エッチング停止層；広バンドギャップ層；およびコンタクト層を有する半導体構造体を作製し；
マスクを付与し、このマスクはコンタクト層のゲート領域を露出させるためのゲートコンタクト開口を有し；
第１ウェットケミカルチャネルエッチング剤をゲートコンタクト開口により露出したコンタクト層部分と接触させ、このエッチング剤によりコンタクト層の露出部分およびその下側にある上部広バンドギャップ層部分を選択的に除去し、エッチング停止層はこのエッチング剤によりエッチング停止層のその部分が除去されるのを阻止し；
第２ウェットケミカルチャネルエッチング剤を第１ウェットエッチング剤によりエッチングされた構造体と接触させ、この第２エッチング剤によりコンタクト層の露出部分を選択的に除去し、一方、広バンドギャップ層およびエッチング停止層の露出部分を実質的にエッチングせずに残留させ；
エッチング停止層を除去し；
マスク上に、およびマスクのゲート開口を通してショットキーコンタクト層上にそれとショットキー接触させて、金属層を析出させる。
【請求項２】
エッチング停止層がＡｌＡｓを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
チャネル層がＩｎＧａＡｓを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第３の相対的広バンドギャップ層がＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ショットキーコンタクト層がＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
オームコンタクト層がＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１ウェットケミカルエッチング剤が実質的に２．５ｐＨ酸：Ｈ２Ｏ２または４．２ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
第２ウェットケミカルエッチング剤が実質的に５．３ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２または６．４ｐＨクエン酸：Ｈ２Ｏ２である、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
下記を含む、二重リセス高電子移動度トランジスターの製造方法：
ＩＩＩ−Ｖ基板；第１の相対的広バンドギャップ層；基板上の相対的狭バンドギャップチャネル層、第２の相対的広バンドギャップ層、エッチング停止層；エッチング停止層上のＩＩＩ−Ｖショットキー層；エッチング停止層上の第３の相対的広バンドギャップ層；および第３の相対的広バンドギャップ層上のオームコンタクト層を有する半導体構造体を作製し；
オームコンタクト層上にマスクを付与し、このマスクはチャネル層のゲート領域を露出させるゲートコンタクト開口を備えた下部を有し；上部はこの下部と垂直方向に距離をおき、ゲート電極金属化用開口を有し；ゲート電極金属化用開口のエッジは、ゲートコンタクト開口を露出させるオーバーハングの状態で終結し；マスク下部の表面部分はゲートコンタクト開口に隣接して配置され；
第１ウェットケミカルチャネルエッチング剤をゲートコンタクト開口により露出したオームコンタクト層部分と接触させ、このエッチング剤によりオームコンタクト層の露出部分およびその下側にある第３の相対的広バンドギャップ層部分を選択的に除去し、エッチング停止層はこのエッチング剤によりエッチング停止層のその部分が除去されるのを阻止し；
第２ウェットケミカルチャネルエッチング剤を第１ウェットエッチング剤によりエッチングされた構造体と接触させ、この第２エッチング剤によりオームコンタクト層の露出部分を選択的に除去し、一方、第３広バンドギャップ層およびエッチング停止層の露出部分を実質的にエッチングせずに残留させ；
エッチング停止層を除去し；
マスク上に金属層を析出させ、この金属は、マスクの上部に析出し、ゲート電極金属化用開口を通り、ゲートコンタクト開口を通り、かつゲート開口を通って、ショットキーコンタクト層上にそれとショットキー接触して析出し；そして
マスク部分を取外して、マスクの上面にある金属部分を除去し、一方、析出した金属部分を残留させてトランジスター用ゲート電極を得る。
【請求項１０】
エッチング停止層がＡｌＡｓを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
チャネル層がＩｎＧａＡｓを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
広バンドギャップ層がＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
チャネル層ショットキーコンタクト層がＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓまたはＡｌＧａＡｓを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
オームコンタクト層がＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第１ウェットケミカルエッチング剤が実質的に２．５ｐクエンＨ酸：Ｈ２Ｏ２である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第２ウェットケミカルエッチング剤が実質的に５．３ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
第１ウェットケミカルエッチング剤が実質的に４．２ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
第２ウェットケミカルエッチング剤が実質的に６．４ｐクエンＨ酸：Ｈ２Ｏ２である、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の説明】
【０００１】
技術分野
本発明は、高電子移動度トランジスター（ＨＥＭＴ）、より詳細には自己整列二重リセスゲート（double recess gate）ＨＥＭＴに関する。
【０００２】
背景
当技術分野で知られているように、高周波信号を増幅するためのマイクロ波およびミリメートル周波数で使用される幾つかの種類の能動デバイスがある。一般に、これらの周波数で使用される比較的一般的な半導体デバイスのひとつは、高電子移動度トランジスター（ＨＥＭＴ）である。一般にＨＥＭＴはＩＩＩ−Ｖ族材料、たとえばガリウムヒ素（ＧａＡｓ）またはインジウムリン（ＩｎＰ）で形成される。ＨＥＭＴ中には、ある材料のドープドナー／アンドープスペーサー層および異なる材料のアンドープチャネル層がある。ドープドナー／アンドープスペーサー層とアンドープチャネル層の間にヘテロ接合が形成される。ヘテロ接合部の導電バンド不連続性のため、電子がドープドナー／アンドープスペーサー層からアンドープチャネル層へ注入される。こうして電子が広バンドギャップドナー層から狭バンドギャップチャネル層内へ伝搬され、ここで電子はヘテロ接合に平行な平面内のみを移動するように制限される。その結果、ドナー層内のドナー原子とチャネル層内の電子が空間的に分離され、その結果、低い不純物散乱および良好な電子移動度が得られる。
【０００３】
良好なデバイス特性、たとえばブレークダウン電圧、出力電流およびピンチオフ電圧を備えていることが認められたあるデバイスは、二重リセスＨＥＭＴである。そのようなデバイスは、２つの整合したリセスをもつように加工され、この中にゲートが形成される。これらのリセスは一般にデバイスをウェットエッチングすることにより形成される。エッチング操作を周期的に中断し、特定の特性、たとえば電流について、デバイスを検査する。その特性が目的基準を満たしていれば、そのリセスを得るためのエッチングを停止する。そうでなければエッチングを続行する。確立された基準を両方のリセスが満たすまで、この操作を続行する。この操作には、エッチングを繰返し停止してデバイスを検査するために、時間と経費がかかる。ウェハー全体のエッチングも均一ではなく、ウェハー全体のデバイス特性が不統一になり、合格するウェハー上デバイスの収率が低い。
【０００４】
現在、二重リセス高電子移動度トランジスター（ＨＥＭＴ）の加工を妨げる他の大きな問題がある。性能改良を目指してより小型の方向に技術が向かうのに伴って、ある種の電子ビームリソグラフィーツールの整合能が原因で、０．１５ミクロンのゲートリセスパターンを０．６ミクロンの第１リセスパターン内に配置できるのは、不可能ではないとしても著しく困難になってきている。ツールが０．１５μｍの整合精度をもつ場合、互いに重ねた２層（第１リセスパターンとゲートパターン）のオーバーレイ精度は（０．１５２＋０．１５２）の平方根＝０．２１μｍである。他のｅ−ビームリソグラフィーシステムは、より良好なオーバーレイ精度（０．１２＋０．１２）の平方根＝０．１４μｍをもつ。０．６μｍの第１リセス内における０．１５μｍゲートリセスパターンのこれらの不整合の結果、ゲートエッジは第１リセスにより規定される高ドープキャップ層の０．０１５〜０．０８５μｍ内に配置されることがしばしばある。その結果、短絡のため、デバイス収率および回路収率がきわめて低くなる。解決策のひとつは、ゲートパターンに付与される最大不整合が．０４ミクロンである著しく高価な光学ステッパーを使用することであろう。第２に、２つの分離した電子ビーム書込み（第１リセスとゲート）の経費のため、得られる製品は高価格となる。これらは、全操作のうち最も経費および時間のかかる工程だからである。最後に、電流ゲートエッチング法は非選択的である。デバイスは、目的電流が達成されるまで繰返してゲートエッチングおよび再エッチングされ、その結果、ウェハー全体が不均一になる。
【０００５】
単ビーム書込み法は、Grundbacher et al.,IEEE Electron Devices, Vol.44,No.12, Dec.1998, Pg.2136-2142に公表された報文に記載されている。この方法によれば、単ビーム書込みにより２つのリセスが得られる。しかしこの方法は、互いに重ねた２つのパターン（すなわち第１層とゲート）により書込みを行う、電子ビームによる４層ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）レジスト法を採用する。この方法は、４インチウェハー全体にわたる再現が困難であり、広い第１リセス寸法をパターン形成するためにはかなり長い書込み時間を必要とする。第１にこの方法は、エッチング操作に用いる加速イオンによるショットキー層損傷を最小限に抑えるために、高密度、低バイアスのエッチャー（ＥＣＲ、ＴＣＰ、ＩＣＰ）を必要とする。第２にこの方法は、それらのレジスト構造体に用いるＰＭＭＡ薄層がイオン衝突により浸食される問題があるはずであるという点で、欠点をもつ。最後に、高温プラズマ内で硬化した後のＰＭＭＡ（したがってレジスト上のゲート金属）の取外しがかなり困難である。
【０００６】
他の方法がＵＳＰ  Ｎｏ．４，６１６，４００、５，３６４，８１６、および５，５５６，７９７に記載されている。これらはすべて、１回目のウェットまたはドライケミカルエッチングを用いて単層または多層のレジストにパターン形成する方法を述べている。次いで、非方向性プラズマエッチング、またはレジストの原寸法を拡大するための再現像により、レジスト層を”引き剥がす”。次いで２回目のエッチングが必要である。
【０００７】
概要
本発明によれば、二重リセス高電子移動度トランジスターの製造方法が提供される。この方法は、ＩＩＩ−Ｖ基板；基板上の第１の相対的広バンドギャップ層；相対的広バンドギャップ層上に析出させた相対的狭バンドギャップチャネル層；チャネル層上の第２の相対的広バンドギャップショットキー層；ショットキー層上のエッチング停止層；エッチング停止層上に配置した第３の相対的広バンドギャップ層；および第３の相対的広バンドギャップ層上に配置したドープオームコンタクト層を有する半導体構造体を作製することを含む。コンタクト層のゲート領域を露出させるゲートコンタクト開口を有するマスクを付与する。第１ウェットケミカルチャネルエッチング剤をゲートコンタクト開口により露出したコンタクト層の部分と接触させる。この第１ウェットケミカルにより、コンタクト層の露出部分およびその下側にある第３の相対的広バンドギャップ層部分が選択的に除去される。エッチング停止層は、第１ウェットケミカルエッチング剤によりエッチング停止層のその部分が除去されるのを阻止する。次いで第２ウェットケミカルチャネルエッチング剤を、第１ウェットエッチング剤によりエッチングされた構造体と接触させる。第２ウェットケミカルエッチング剤は、オームコンタクト層の露出部分を選択的に除去し、一方、第３広バンドギャップ層およびエッチング停止層の露出部分を実質的にエッチングせずに残留させる。第３ウェットケミカルエッチング剤は、エッチング停止層を選択的に除去し、一方、ドナー層およびオームコンタクト層をエッチングせずに残留させる。金属は、マスク上に析出し、かつマスクのゲート開口を通ってショットキー層上にそれとショットキー接触して析出する。
【０００８】
１態様において、エッチング停止層はＡｌＡｓを含む。
１態様において、チャネル層はＩｎＸＧａ１−ＸＡｓ（０＜Ｘ＜２５％）またはＩｎＸＧａＡｓ（３０＜Ｘ＜７０％）を含む。
【０００９】
１態様において、第３の相対的広バンドギャップ層はＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＡｌＡｓを含む。
１態様において、ショットキーコンタクト層はＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓを含む。
【００１０】
１態様において、オームコンタクト層はドーピングされたＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓを含む。
１態様において、第１ウェットケミカルエッチング剤は実質的に２．５ｐＨクエン酸：Ｈ２Ｏ２である。
【００１１】
１態様において、第１ウェットケミカルエッチング剤は実質的に４．２ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２である。
１態様において、第２ウェットケミカルエッチング剤は実質的に５．３ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２である。
【００１２】
１態様において、第２ウェットケミカルエッチング剤は実質的に６．４ｐＨクエン酸：Ｈ２Ｏ２である。
ゲートパターンと第１リセスパターンの両方を選択的にエッチングすることにより、不均一性は大幅に低減する。第１リセスとゲートの両方のエッチングが１つの電子ビームパターンのみを用いて行われ、そのパターンはマスクの作製に用いたものであり、これにより製品の原価および製造時間が著しく削減される。最後に、両方のエッチングがマスクに付与された単一のレジストパターンを用いて行われるので、ゲートリセスは第１リセスの中心内に完全に整合する（すなわち自己整合）。
【００１３】
本発明の１以上の態様の詳細を添付の図面および以下の記述に示す。本発明の他の特色、目的および利点はこの記述および図面ならびに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【００１４】
詳細な記述
図１Ａには、底部ＩＩＩ−Ｖ基板１２（この場合はガリウムヒ素）をもつ半導体構造体１０を示す。第１の相対的広バンドギャップ層１４（この場合はＡｌＧａＡｓ）が基板１２上にある。この場合、超薄シリコンドープ（パルス）層１６を層１４上に形成する。１０〜２５Å厚さのＡｌＧａＡｓスペーサー層１８が層１６上にある。７５〜４００Å厚さのＩｎＸＧａＡｓ（０＜Ｘ＜２５％）相対的狭バンドギャップチャネル層２０が層１８上にある。１０〜２５Å厚さのＡｌＧａＡｓスペーサー層２２が層２０上にある。この場合、超薄シリコンドープ（パルス）層２４を層２２上に形成する。１００〜３００Å厚さのＡｌＧａＡｓ相対的広バンドギャップショットキー層２５が層２４上にある。１０〜３０Å厚さのＡｌＡｓエッチング停止層２６が層２５上にある。１００〜５００Å厚さの層、ＡｌＧａＡｓ相対的広バンドギャップ層２８が、エッチング停止層２６上にある。１００〜５００Å厚さのｎ＋ドープ（この場合は１０１７〜８×１０１８／ｃｍ３）ＧａＡｓオームコンタクト層３０が層２８上にある。広バンドギャップショットキー層２５とアンドープ狭バンドギャップチャネル層２０の間にヘテロ接合が形成される。ヘテロ接合における導電バンド不連続性のため、ショットキー／アンドープスペーサー層  ２５／２２からアンドープ狭バンドギャップチャネル層２０内へ電子が注入される。
【００１５】
次いで図１Ｂを参照すると、層３３（図１Ａ）の表面を犠牲マスキング層３４（この場合は３層ＰＭＭＡレジストまたは多重オプチカルレジスト層）で被覆する。フォトレジスト層３４は、オームコンタクト層３０のゲート領域４０を露出させるためのゲートコンタクト開口３８を備えた下部３６をもつ。層３４の上部４２は下部３６から垂直方向に距離をおき、ゲート電極金属化用開口４４をもつ。ゲート電極金属化用開口４４のエッジ４６、４８は、オーバーハング５０、５２の状態で終結し、これらがゲートコンタクト開口３８、およびゲートコンタクト開口３８に隣接するフォトレジスト層３４の下部３６の表面部分５４、５６を露出させる。この場合、ゲートコンタクト開口３８はゲート電極金属化用開口４４より小さく、したがって抵抗の低い大きな金属層を、形成された小さな高抵抗金属ゲート幹に付加することができる。
【００１６】
造形された層３４は２方法のいずれかで形成される：（１）３層ＰＭＭＡレジスト（すなわち３レベルｅ−ビームレジスト）を用いる場合、それを露光および現像して図１Ｂに示す形状にする；あるいは（２）多重オプチカルレジスト（単一薄層ｅ−ビームレジスト）を用いる場合、オプチカルレジストを重ねて被覆、露出および現像する。層の露光は、電子ビームリソグラフィーまたは光学リソグラフィーツールを用いて行われる。露光したレジストを現像すると、約０．１５μｍのゲートコンタクト開口３８が形成される。たとえばK.Alavi, D.Shaw, A.Platzker, B.Rizzi, S.Ogut, and R.Puente,”極高性能、高収率、および高スループットのミリメートル波パワーｐＨＥＭＴ操作技術”、GaAs MANTECH Technical Digest, May 2001, pp. 105-107に公表されたものを参照。
【００１７】
図１Ｂに示す層３４を形成した後、選択的ウェットケミカルゲートエッチング剤を図１Ｂに示す構造体の表面に付与する。この場合、ウェットケミカルエッチング剤は２．５ｐＨクエン酸：Ｈ２Ｏ２（９８：２）または４．２ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２（１５：１）である。このエッチング剤により、層３２と２８の露出部分がＡｌＡｓエッチング停止層２６に達するまで等方性除去される。得られた構造体を図１Ｃに示す。
【００１８】
次いで、図１Ｃに示した構造体の表面に第２の選択的ウェットケミカルゲートエッチング剤を付与する。この場合、第２ウェットケミカルエッチング剤は５．３ｐＨコハク酸（ＳＡ）：Ｈ２Ｏ２（６：１）または６．４ｐＨクエン酸：Ｈ２Ｏ２である。この第２エッチング剤により、ＧａＡｓ層３０の露出部分のみが除去され、ＡｌＧａＡｓ層２８またはＡｌＡｓ層２６はエッチングされない。これは、図１Ｄに示すように、適正な（約０．４〜１．０μｍ）の寸法ｄが達成されるまでエッチングされる。最後に、希（５％）ＮＨ４ＯＨまたはＨＣｌを用いて、ＡｌＡｓエッチング停止層２６の露出部分を除去する。このウェットエッチング剤により、図１Ｅに示すように層２８および３０は実質的にエッチングされずに残留する。
【００１９】
次いで金属ブランケット、この場合は薄いＴｉ／Ｐｔ、次いで厚い金を、犠牲層３４の表面に均一に析出させて（この場合は蒸着）、金属層６０を形成する。図１Ｅに示すように、下部分と上部分、３６、４２の間に垂直距離があるため、犠牲層３４の下表面部分３６上にある金属６０の部分は犠牲層３４の上表面部分４２上にある金属６０の部分から分離していることが分かる。
【００２０】
金属の析出後、犠牲層３４を提供しているＰＭＭＡまたは一般的なオプチカルレジストストリップを、その上にある金属６０の部分と共に取り外すと、図１Ｆに示すように、１つのレジストパターンのみを用いて２回選択的エッチングされた自己整合二重リセスが残留する。こうして、図１Ｆに示す残留金属６０はショットキーコンタクト層２６とショットキー接触したゲート電極を提供する。選択的リセス操作の前または後に、層３２と接触したソース電極およびドレイン電極、６２、６４を形成して、デバイスｐＨＥＭＴデバイスを完成させる。
【００２１】
コハク酸のみを用いる以外は同じ操作を、他の層構造体、たとえばメタモルフィック（metamorphic）高電子移動度トランジスター（ＭＨＥＭＴ）層構造体またはＩｎＰ  ＨＥＭＴの形成に適用できることを留意すべきである。たとえばこの場合、出発構造体は、メタモルフィックＨＥＭＴについてはＧａＡｓ、またはＩｎＰ  ＨＥＭＴについてはＩｎＰの底部ＩＩＩ−Ｖ基板をもつ、半導体構造体である。次いでＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓの広バンドギャップ層を生長させる。狭バンドギャップチャネル層、この場合１５０Å厚さのＩｎＸＧａＡｓ（３０＜Ｘ＜７０％）を、広バンドギャップ層上に、それからスペースをおいて配置する。１０〜３０Å厚さのＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓスペーサー層を、チャネル層上に、それからスペースをおいて配置する。このスペーサー層上に、シリコンパルスドーピングを配置する。１００〜３００Å厚さのＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓ広バンドギャップショットキーコンタクト層を、Ｓｉパルス層上に、それからスペースをおいて配置する。次いで１０〜３０Å厚さの層ＩＩＩ−Ｖエッチング停止層ＡｌＡｓを、ショットキーコンタクト層上に配置する。１００〜３００のＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓ広バンドギャップ層をエッチング停止層上に配置する。５０〜５００Å厚さのｎ＋ドープＩｎＸＧａＡｓオームコンタクト層を層上に配置する。
【００２２】
この場合も、オームコンタクト層の表面を図１Ｂの層３４と同様な犠牲マスキング層で被覆する。
犠牲マスキング層の形成後、この構造体の表面に選択的ウェットケミカルゲートエッチング剤を付与する。この場合、ウェットケミカルエッチング剤は４．２ｐＨコハク酸：Ｈ２Ｏ２（１５：１）である。このエッチング剤により、ＩｎＸＧａＡｓオームコンタクト層とＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓ層の露出部分がエッチング停止層２６に達するまで等方性除去され、ただしＡｌＡｓエッチング停止層で停止する。
【００２３】
次いで、この構造体の表面に第２の選択的ウェットケミカルゲートエッチング剤を付与する。この場合、第２ウェットゲートエッチング剤は５．３ｐＨコハク酸（ＳＡ）：Ｈ２Ｏ２（６：１）である。この第２エッチング剤により、ＩｎＸＧａＡｓオームコンタクト層の露出部分のみが除去され、ＩｎＡｌＡｓもしくはＩｎＡｌＧａＡｓドナー層またはエッチング停止層はエッチングされない。これは、図２Ｄに示すように、適正な（約０．４〜１．０μｍ）の寸法ｄが達成されるまでエッチングされる。最後に、希ＮＨ４ＯＨまたはＨＣｌを用いて、エッチング停止層を除去する。
【００２４】
次いで、図１Ｅに示すように、金属ブランケットを犠牲層の表面に均一に析出させる（この場合は蒸着）。金属の析出後、犠牲層を提供しているＰＭＭＡまたは一般的なオプチカルレジストストリップを、その上にある金属と共に取り外すと、１つのレジストパターンのみを用いて２回選択的エッチングされた自己整合二重リセスが残留する。こうして、残留金属はＩｎＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＧａＡｓショットキーコンタクト層とショットキー接触したゲート電極を提供する。
【００２５】
本発明の多数の態様を記載したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく多様な変更をなしうることは理解されるであろう。したがって、他の態様も特許請求の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１Ａ】自己整合、二重リセスゲートＧａＡｓ疑似格子整合型（pseudomorphic）ＨＥＭＴの製造の各段階における断面図である。図１Ａ〜図１Ｆにおいて、同様な参照記号は同様な素子を表わす。
【図１Ｂ】自己整合、二重リセスゲートＧａＡｓ疑似格子整合型（pseudomorphic）ＨＥＭＴの製造の各段階における断面図である。
【図１Ｃ】自己整合、二重リセスゲートＧａＡｓ疑似格子整合型（pseudomorphic）ＨＥＭＴの製造の各段階における断面図である。
【図１Ｄ】自己整合、二重リセスゲートＧａＡｓ疑似格子整合型（pseudomorphic）ＨＥＭＴの製造の各段階における断面図である。
【図１Ｅ】自己整合、二重リセスゲートＧａＡｓ疑似格子整合型（pseudomorphic）ＨＥＭＴの製造の各段階における断面図である。
【図１Ｆ】自己整合、二重リセスゲートＧａＡｓ疑似格子整合型（pseudomorphic）ＨＥＭＴの製造の各段階における断面図である。
【図１Ａ】
2006504269.tif 000003
【図１Ｂ】
2006504269.tif 000004
【図１Ｃ】
2006504269.tif 000005
【図１Ｄ】
2006504269.tif 000006
【図１Ｅ】
2006504269.tif 000007
【図１Ｆ】
2006504269.tif 000008
【国際調査報告】
2006504269.tif 000009
2006504269.tif 000010
2006504269.tif 000011