(57)【要約】高周波信号用の接続端子（１）を備え、少なくとも２つの別の信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）を備え、接続端子（１）を１つの信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）に接続するためのスイッチングユニット（３）を備え、接続端子（１）とスイッチングユニット（３）との間に介挿されている、静電気放電に対する１次保護装置（４１）を備え、１次保護装置（４１）は第１の保護エレメント（５１）を有しており、該保護エレメントはパルス高さが２００Ｖより大きいすべての電圧パルスを参照電位（７）に向かって導出するようになっている回路装置に関する。砒化ガリウムダブルダイオードを使用することによって、僅かな挿入減衰という利点を低いスイッチング電圧と結び付けることができるようになる。
2006501728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号用の接続端子（１）を備え、
送信路および受信路を形成する少なくとも２つの別の信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）を備え、
前記接続端子（１）を１つの信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）に接続するためのスイッチングユニット（３）を備え、
前記接続端子（１）とスイッチングユニット（３）との間に介挿されている、静電気放電に対する１次保護装置（４１）を備え、
該１次保護装置（４１）は第１の保護エレメント（５１）を有しており、該保護エレメントはパルス高さが２００Ｖより大きいすべての電圧パルスを参照電位（７）に向かって導出し、
該第１の保護エレメント（５１）は１ｐＦより小さいキャパシタンス（８）を有しており、
該第１の保護エレメント（５１）は０．３ｄＢより小さい挿入減衰を有しており、
前記スイッチングユニット（３）および１次保護装置（４１）は多層基板中または多層基板上に集積されている
回路装置。
【請求項２】
第１の保護エレメント（５１）は砒化ガリウムダブルダイオードである
請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
１次保護装置（４１）は、接続端子（１）をスイッチングユニット（３）に接続する線路（６）を含んでおりかつ
第１の保護エレメント（５１）は線路（６）を参照電位（７）に接続する
請求項１または２記載の回路装置。
【請求項４】
第２の保護エレメント（５２）は第１の保護エレメント（５１）に並列に接続されている
請求項１から３までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項５】
第１の保護エレメント（５１）と第２の保護エレメント（５２）との間で線路（６）に対して直列にキャパシタンス（８）が介挿されている
請求項４記載の回路装置。
【請求項６】
第２の保護エレメント（５２）は無線区間である
請求項４または５記載の回路装置。
【請求項７】
第２の保護エレメント（５２）はポリマーサプレッサーである
請求項４または５記載の回路装置。
【請求項８】
第２の保護エレメント（５２）は、容量が１ｐＦより小さい過電圧素子である
請求項４または５記載の回路装置。
【請求項９】
第２の保護エレメント（５２）は、１８ｎＨより大きいインダクタンスである
請求項４または５記載の回路装置。
【請求項１０】
スイッチングユニットを制御するための、１つまたは複数のコントロール線路（９１，９２，９３）が設けられており、
それぞれのコントロール線路（９１，９２，９３）は静電気放電に対する２次保護装置（４２）に接続されている
請求項１から９までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１１】
作動電圧（ＶＣＣ）に対する給電線路（１００）が設けられており、該給電線路は静電気放電に対する２次保護装置（４２）に接続されている
請求項１から１０までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１２】
スイッチングユニット（３）は２つの電界効果トランジスタ（１１１，１１２）を含んでおり、その際それぞれの電界効果トランジスタ（１１１，１１２）のスイッチング区間（１２１，１２２）は前記接続端子（１）を信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）に接続し、
それぞれの電界効果トランジスタ（１１１，１１２）のそれぞれのゲート（１３１，１３２）はコントロール線路（９１，９２）に接続されており、
それぞれのゲート（１３１，１３２）は静電気放電に対する２次保護装置（４２）に接続されている
請求項１から１１までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１３】
２次保護装置（４２）は、１００Ｖより低いスイッチング電圧を有している保護エレメント（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４）を含んでいる
請求項１０から１２までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１４】
２次保護装置（４２）は、バリスタである保護エレメント（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４）を含んでいる
請求項１０から１３までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１５】
２次保護装置（４２）は、ツェナーダイオードである保護エレメント（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４）を含んでいる
請求項１０から１３までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１６】
２次保護装置（４２）の１つまたは複数は参照電位（７）に接続されている
請求項１０から１５までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１７】
スイッチングユニット（３）はＰＩＮダイオードを含んでいる
請求項１から１６までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１８】
スイッチングユニット（３）は砒化ガリウムスイッチである
請求項１から１６までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１９】
接続端子（１）は移動電話のアンテナ入力側である
請求項１から１８までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項２０】
信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）は移動電話の送信路および受信路を形成する
請求項１から１９までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項２１】
スイッチングユニット（３）および１次保護装置（４１）は多層セラミック基板中に集積されている
請求項１から２０までのいずれか１項記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号に対する接続端子に接続されているスイッチングユニットを備えている回路装置に関する。更にスイッチングユニットは別の信号線路に接続されている。回路装置のこの接続端子は静電気放電に対する保護回路に接続されている。
【０００２】
冒頭に述べた形式の回路装置はしばしば、移動電話のマルチバンド・フロントエンドモジュールとして使用される。この種の回路はこの用途ではアンテナ入力側において移動電話のアンテナに接続されている。帯電しているユーザがアンテナに触れると、このことは「エレクトロスタチック・ディスチャージ」（“Electrostatic Discharge ESD”）としても周知であるように静電気放電を招来する。このような静電気放電は、回路装置を破壊するのに十分である電圧ピークを発生することがある。だから、冒頭に述べた形式の回路装置にＥＳＤ対策の保護装置を備える必要がある。
【０００３】
移動電話の高周波部においてとりわけ、静電気放電に敏感である構成要素が使用される。これらの構成要素は例えば表面音波フィルタ、砒化ガリウムスイッチ、ＰＩＮダイオード、増幅器または類似のものである。これらは、ＥＳＤによって発生されるような高周波高電圧パルスの作用によって非可逆的に破壊される可能性がある。この問題は、ディスクレートな砒化ガリウムスイッチおよび集積されている砒化ガリウムスイッチを有しているフロントエンドモジュールに対して、ｐｉｎスイッチングテクノロジーおよび集積されている表面音波フィルタに対してと同様に重要である。同様にこの問題は、高周波部の送信路および受信路に使用されるＥＳＤに敏感な構成要素に関する。これにより移動電話への使用が困難になり、これにより外部の接近操作可能なアンテナ、例えば自動車における外部アンテナ、砒化ガリウムスイッチのアンテナ入力側またはフロントエンドモジュールへの直接的な静電気放電が有り得る。それ故に、移動電話の数多くの製造業者には、標準ＩＥＣ６１０００−４−２に相応する、システムレベルで８ｋＶの高さの、フロントエンドモジュールもしくは砒化ガリウムスイッチのＥＳＤ耐性が要求される。
【０００４】
刊行物ＷＯ００／５７５１５から、ＥＳＤ保護装置を備えている冒頭に述べた形式の回路装置が公知である。保護装置は、アンテナ入力路に対してキャパシタンスが直列に接続されかつインダクタンスが並列に接続されている電気的なハイパスフィルタによって形成されている。
【０００５】
公知の回路装置に使用される、回路装置を保護するためのハイパスフィルタは、保護エレメントが周波数に依存して動作するという欠点を有している。その際所定の遮断周波数からの信号のすべての周波数成分は殆ど妨害されずに通過される。その他の周波数成分はすべて抑圧される。この周波数依存の動作法は結果として、移動電話において所望されていない非常に数多くの周波数をなお通すことになる。例えば、ＧＳＭ，ＰＣＮまたがＰＣＳ標準に従った移動電話では、約１および２ＧＨｚの間の周波数が使用される。アンテナによって捕捉されるすべての残りの周波数は非常に邪魔になり、それ故にフィルタリング除去されなければならない。
【０００６】
従って本発明の課題は、静電気放電に対する保護装置が改善されている回路装置を提供することである。
【０００７】
この課題は請求項１に記載の回路装置によって解決される。回路装置の別の有利な実施形態は従属請求項から読み取れる。
【０００８】
高周波信号に対する接続端子を有している回路装置が提案される。更に、回路装置は少なくとも２つの別の信号線路を有している。更に、この接続端子を信号線路の１つに接続するために用いられるスイッチングユニットが設けられている。更に、この接続端子とスイッチングユニットとの間に介挿されているメインもしくは１次保護装置が設けられている。保護装置は、スイッチング電圧より大きい電圧パルスを参照電位に流す電圧制限エレメントを含んでいる。
【０００９】
回路装置は、ＥＳＤに基づいて生じる障害となる信号の導出がもはや周波数依存では行われないという利点を有している。ここでは障害となる信号は電圧ストロークもしくは偏差に基づいて識別されかつ参照電位に向かって流される。このために、スイッチング電圧の上方において非常に僅かな抵抗を有する電圧制限エレメントを使用すると有利である。スイッチング電圧の下方において電圧制限エレメントは非常に高い抵抗を有しているので、スイッチング電圧の下方にある信号は妨げられずにこの接続端子からスイッチングユニットに達しかつそこから信号線路に再接続されるようにすることができる。他方において、電圧偏差がスイッチング電圧より大きい電圧パルスは確実に識別されかつ参照電位に向かって流される。
【００１０】
つまりこうして有利にも、回路装置の有効領域になくかつ非常に高い、障害となる電圧偏差を有している電圧パルスが妨げられずにスイッチングユニットに達するのを妨げることができる。
【００１１】
スイッチング電圧の適当な選択によって、例えば情報の伝送のための回路装置で利用される信号より大きい信号のみが参照電位に流されるようにすることができる。こうして、電圧偏差が回路装置の負荷耐性もしくは設定されている最大負荷を上回る障害信号が確実に、スイッチングユニットに達することがないようにすることができる。
【００１２】
参照電位は例えばアース電位であってよい。しかしその際に、例えば移動電話の場合、古くからの意味のアースではなくて、ローカルアースであることに注意しなければいけない。ローカルアースは実質的に基準電位の役割を演じているが、荷電キャリアに対する無限に申し分ない導出体とは見なすことができない。
【００１３】
回路装置の実施形態において、挿入減衰が０．３ｄＢより小さい保護装置が設けられている。この種の保護装置は、回路装置における有効信号の処理が殆ど妨害されず、その結果例えば移動電話として利用されている場合、不必要にパワーの大きい増幅器を使用しないでもすみ、従ってスタンバイ作動時間も情報の伝送品質も改善することができるという利点を有している。
【００１４】
回路装置の実施形態において、電圧制限エレメントは１ｐＦより小さいキャパシタンスを有してる。これにより、電圧制限エレメントの寄生容量が十分に低くて、有効信号の干渉もしくは有効信号の強すぎる減衰が妨げられるようにすることができる。
【００１５】
例えば電圧制限エレメントとして、砒化ガリウムダブルダイオードが適している。
【００１６】
この種のダブルダイオードは回路技術的に、１次保護回路が上述の接続端子をスイッチングユニットに接続する線路を含んでいるように回路装置に集積することができる。線路は電圧制限エレメントを介して参照電位に接続されている。このことから、電圧制限エレメントの、信号線路に対する並列回路が擬似的に生じることになる。
【００１７】
回路装置の実施形態において、第２の保護エレメントが第１の電圧制限エレメントに並列に接続されている。この場合、これら保護エレメント間で線路に直列に更に１つのキャパシタンスが接続されているようにすれば有利である。
【００１８】
第２の保護エレメントは例えば、無線区間であってよい。無線区間の使用は殊に有利である。というのは、それはセラミックの多層基板に非常に簡単に集積することができ、従って回路装置の集積度を有利にも改善することができるからである。無線区間は殊に、スイッチングユニットがｐｉｎダイオードを含んでいる場合に適している。
【００１９】
第１の電圧制限エレメントと第２の保護エレメントとの組み合わせによって、保護装置の保護作用を大雑把な保護と微細な保護とに分割することができる。第１の電圧制限エレメントに対して砒化ガリウムダブルダイオードを使用した場合、これは回路装置に対する微細保護と見なすことができる。相応に、第２の保護エレメントは大雑把な保護の機能を果たすことができる。この関係において、大雑把な保護とは、相応の保護エレメントを介して３０Ａまでの電流を流すことができると理解すべきである。微細保護を表す電圧制限エレメントを通って、相応により小さな電流が流れるようになっている。
【００２０】
回路装置の別の実施形態において、第２の保護エレメントはポリマーサプレッサーであってよい。このポリマーサプレッサーでは、無線区間に更に、電圧が加えられると導電率が変化する導電性のポリマーが埋め込まれている。
【００２１】
回路装置の別の実施形態において第２の保護エレメントは、寄生容量が１ｐＦを上回らない過電圧素子であってよい。キャパシタンスをこのように制限すると有利である。というのは、これにより同時に、第２の保護エレメントに対する最大挿入減衰が制限されるからである。
【００２２】
過電圧素子として例えば、バリスタが考えられる。
【００２３】
回路装置の別の実施形態において第２の保護エレメントとしてインダクタンスが設けられている。その際、インダクタンスが１８ｎＨより大きければ有利である。すなわちこの場合、第２の保護エレメントは十分に低い挿入減衰を有している。
【００２４】
砒化ガリウムダブルダイオードの他に、第１の電圧制限エレメントに対して、寄生容量が１ｐＦより小さくかつ２００Ｖより低いスイッチング電圧を有しているいずれか別の過電圧素子が適している。有利には、スイッチング電圧が１００Ｖより低い第１の電圧制限エレメントが使用される。第１の電圧制限エレメントのスイッチング電圧が低ければ低いほど、回路装置の敏感な構成要素はますます効果的に高すぎる電圧パルスから保護することができる。しかしその場合に、回路装置から例えば情報または音声の伝送のために利用される有効信号も所定の信号最小偏差（変化幅）を有していることが考慮されるべきである。これは勿論、信号ないし音声の伝送が第２の保護エレメントによって劣化されることがないようにするために、第１の電圧制限エレメントのスイッチング電圧によって捕捉検出されるのは許されない。
【００２５】
更に、第１の電圧制限エレメントとして、挿入減衰が０．３ｄＢより小さい過電圧素子を使用することができる。
【００２６】
回路装置の別の実施形態において１つまたは複数のコントロール線路が設けられていて、スイッチングユニットのスイッチ位置を制御するようにしている。それぞれのコントロール線路は強制的ではないが有利には、高電圧に対するサブもしくは２次の保護装置に接続されている。
【００２７】
回路装置の実施形態は、コントロール線路の障害も効果的に抑圧することができるという利点を有している。すなわち、上述の接続端子を介して直接入って来る障害パルスの他にアース接合を介して、もしくは共通の基準電位を通る結合を介しても静電気放電が回路装置に高電圧を発生する可能性がある。このことは例えば、スイッチにおいて通例使用されているコントロール入力側が高電位（ハイ）または低電位（ロー）に接続されていることによって起こり得るものである。その際高い電位（ハイ）は例えば、回路装置のアース電位の上方２．３Ｖのところにあるものと定められている。移動電話ではアンテナを用いた信号伝送に基づいている数多くの他の機器の場合と同様に、アンテナからシステムのアースへの信号入力結合が行われるので、冒頭に述べた回路装置の場合にも、静電気放電は回路装置のアース電位に直接作用する可能性がある。コントロール線路の、アースに対する直接結合を介して条件「ハイ」により、静電気放電により生じる電圧パルスはアンテナ介するパスの他に、コントロール線路を介しても更に回路装置に作用する可能性がある。
【００２８】
回路装置の実施形態において、作動電圧に対する給電線路が設けられている。給電線路は強制的にではないが有利には、静電気放電に対する２次的な保護回路に接続されている。その際給電線路において起こり得る障害電位に対して、コントロール線路に対して既にずっと前に説明したことと同じことが当てはまる。
【００２９】
回路装置の特別な実施形態において、スイッチングユニットに２つの電界効果トランジスタが設けられている。その際それぞれの電界効果トランジスタのそれぞれのスイッチング区間はかの接続端子を信号線路に接続する。それぞれの電界効果トランジスタのそれぞれのゲートはコントロール線路に接続されている。更に、それぞれのゲートは静電気放電に対する２次保護装置に接続されている。
【００３０】
上述した２次保護装置のそれぞれは、１００Ｖより低いスイッチング電圧を有している電圧制限素子を含んでいることができる。このために例えば、バリスタまたはツェナーダイオードも使用に適している。
【００３１】
障害パルスの、共通の基準電位への導出を容易にするために、２次保護装置のそれぞれの電圧制限エレメントは参照電位に接続されている。
【００３２】
回路装置の特別な実施形態として、上述の接続端子が移動電話のアンテナ入力側である
回路装置が提案される。このために殊に、移動電話における回路装置の使用が提供される。
【００３３】
このために、信号線路が移動電話の送信路および受信路を形成しているようにしても有利である。
【００３４】
更に、スイッチングユニットが砒化ガリウムスイッチを含んでいれば有利である。この種の砒化ガリウムスイッチは電流消費の点で特別有利でありかつこれらは非常に高速でもある。
【００３５】
回路装置の別の実施形態においてスイッチングユニットおよび１次保護装置並びに場合によっては２次保護装置は多層セラミック基板に集積されていることができる。これにより、回路装置の集積密度を非常に著しく高めることができ、このために移動無線における移動用途の場合には殊に有利である。
【００３６】
次に本発明を実施例および添付図面基づいて詳細に説明する：
図１は回路装置の一例を略示し、
図２は１次保護装置の構成例を略示し、
図２Ａは１次保護装置の構成の別の例を略示し、
図３は別の回路装置例を略示し、
図４は更に別の回路装置例を略示している。
【００３７】
各図において、相互に同じまたは同じ機能を果たすエレメントには同じ参照番号が付されていることに注意されたい。
【００３８】
図１には、高周波信号に対する入力側もしくは出力側として適している接続端子１を備えている回路装置が示されている。更に、接続端子１を信号線路２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂの１つに選択的に接続するスイッチングユニット３が設けられている。
【００３９】
接続端子１とスイッチングユニット３との間に、１次保護装置４１が設けられている。これは参照電位７に接続されている。スイッチングユニット３を制御するために、コントロール線路９１，９２，９３が設けられている。コントロール線路に制御電圧ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＣ３が加えられる。コントロール線路９１，９２，９３のそれぞれは２次保護回路４２に接続されている。保護装置４２のそれぞれは参照電位７に接続されている。２次保護回路４２は電圧制限エレメント５３ａ，５３ｂ，５３ｃによって形成される。これらは例えばバリスタまたはツェナーダイオードであってよい。この場合殊に、１００Ｖ以下のスイッチング電圧を有している多層バリスタを使用することが考えられる。更に、スイッチングユニット３に作動電圧ＶＣＣを供給しかつ同様に、電圧制限エレメント５４の形の２次保護回路４２に接続されている給電線路１００が設けられている。２次保護回路４２は、スイッチングユニット３が砒化ガリウムスイッチを含んでいるとき殊に必要とされる。スイッチングユニット３がＰＩＮダイオードを含んでいる場合、２次保護回路４２を省略することができる。信号線路２１ａ，２１ｂ，２１ｃは例えば、移動電話の信号の受信用のＲｘパスに配属されるものであってよい。これに相応して信号線路２２ａ，２２ｂは、移動電話の移動無線信号からの送信のためのＴｘパスに配属されるようにしてもよい。
【００４０】
スイッチングユニット３は、砒化ガリウムスイッチおよび更に、周波数フィルタを実現するための受動構成要素も含んでいるセラミック多層素子であってもよい。
【００４１】
外部接続端子１は高周波信号入力側もしくは高周波信号出力側として用いることができる。殊に、移動電話において典型的に利用されるＧＳＭ信号を外部接続端子１を介してスイッチングユニット３にガイドするもしくはスイッチングユニット３から接続端子１を介して外部に送信することが考えられる。
【００４２】
図１の１次保護装置４１の詳細が図２に示されている。ここでは１次保護装置４１がどのように構成できるかが例示されている。図２の例において１次保護装置４１は線路６を有している。線路６は接続端子１をスイッチングユニット３に接続する。線路６は電圧制限エレメント５１に接続されている。図２の例においてこれは砒化ガリウムダブルダイオード、しかもｎｐｐｎダイオードとして実現されている。この種のダイオードは、それが１００Ｖより低いスイッチング電圧を有しているように製造することができるという利点を有している。更に、この種のダブルダイオードをそれが０．１ｄＢより小さい挿入減衰を有しているように製造することができる。更に、この形式のダブルダイオードをそれが０．１ｐＦより小さい寄生容量を有しているように製造することができる。図２によれば電圧制限エレメント５１は線路６に対する並列回路に存在しているので、電圧制限エレメント５１の全体の容量が寄生容量になにがしかの寄与をする。電圧制限エレメント５１は参照電位７に接続されている。しかし更に、ｎｐｐｎダブルダイオードに代わってｐｎｎｐダブルダイオードを使用することも考えられる。
【００４３】
殊に電圧制限エレメント４１として、スイッチング電圧が３０および１００Ｖの間にある砒化ガリウムダブルダイオードが使用される。
【００４４】
図２Ａには、１次保護装置４１に対する別の実施例が示されている。電圧制限エレメント５１に対して付加的に、別の保護エレメント５２が設けられている。保護エレメント５２はここでは必ずしも、スイッチング電圧より上方で非常に僅かな抵抗を有しかつスイッチング電圧の下方では非常に高い抵抗を有している素子である必要はない。保護エレメントはその保護機能を電流制限としても実施することができる。素子５２の保護機能は、それが線路６を参照電位７に接続して、どんな場合にも接続端子１と参照電位７との間に有限の電流路が形成されるようにしていることにある。従ってここでも、保護エレメント５２が電流制限エレメント５１の電流負荷を制限することから出発することができる。保護エレメント５２は例えば無線区間であってよい（このために図４も参照）。しかしポリマーサプレッサーでもよい。更に殊に、１８ｎＨより大きいインダクタンスを有するコイルを使用することができる。これらの場合において２つの保護エレメント５１，５２に対して付加的に、２つの保護エレメント５１，５２の間に更にキャパシタンス８を線路６に対して直列に接続すると有利である。
【００４５】
このことから、コイルおよびキャパシタンス８から形成されるＬＣ構成要素が生じる。２２ｐＦより大きくかつ回路装置の実施例において４７ｐＦであるキャパシタンスを適当に選択することによって、ＬＣ構成要素が今日移動無線に対して興味がある周波数領域において０．１ｄＢより小さい挿入減衰を有しているようにすることができる。図２Ａに示されている実施例において、インダクタンスの形の保護エレメント５２は５６ｎＨのインダクタンスを有している（図３も参照）。図１と関連した図２Ａの回路装置の実施例において、０ないし２ＧＨｚの周波数に対してＲＦコンパチブルでありかつ同時に規格ＩＥＣ６１０００−４−２に従って８ｋＶまでのＥＳＤパルスを、図示されているその他の構成要素の誤差しきい値以下に効果的に抑圧することができる回路装置を提供することができる。
【００４６】
電流制限エレメント５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４は、１００Ｖより低いスイッチング電圧を有しているべきである。有利にはこれらは１０Ｖより低いスイッチング電圧を有してる。スイッチング電圧はここでは接続端子１におけるよりも小さく選択することができる。その理由はここに発生する電圧は５Ｖの通常の作動電圧を普通は著しく上回らないからである。これに対して移動電話の作動時に接続端子１には３０Ｖまでの電圧が発生する可能性がある。
【００４７】
図３には、１次保護装置４１に対して、コイルである保護エレメント５２が設けられている回路装置の別の実施例が示されている。これにより、図２Ａで既に説明したインダクタンスを簡単に実現することができる。
【００４８】
更に図３には、スイッチングユニット３の１例の内部構成が示されている。２つの電界効果トランジスタ１１１，１１２が設けられている。それぞれの電界効果トランジスタ１１１，１１２は、相応のゲート１３１，１３２を介して通し接続することができるまたは遮断することもできるスイッチング区間１２１，１２２を有している。スイッチング区間１２１，１２２は接続端子１を信号線路２１ａ、２２ａに接続する。それぞれのゲート１３１，１３２は制御電圧ＶＣ１，ＶＣ２に接続されている。更にそれぞれのゲート１３１，１３２は２次保護装置４２に接続されている。この保護装置は図３の例において電圧制限エレメントとしてのバリスタである。バリスタのそれぞれは参照電位７に接続されている。図３から、図２および図２Ａのｎｐｐｎダブルダイオードに代わって、１次保護装置４１にｐｎｎｐダブルダイオードを使用することができることも読み取れる。
【００４９】
図３に図示されている電界効果トランジスタ１１１，１１２は例えば砒化ガリウムスイッチを形成することができる。相応に、電界効果トランジスタ１１１，１１２が砒化ガリウムのベースに実現されていれば好適である。
【００５０】
更に、スイッチングユニットの例において、２より多くの数の電界効果トランジスタが設けられていることも可能である。この場合それぞれのトランジスタのそれぞれのゲートを２次保護装置に接続することができる。
【００５１】
移動電話に生成される最大信号電圧が約３０Ｖである場合、ダブルダイオードを使用する場合ダイオードのそれ自体の特性によって約３０ないし６０Ｖのスイッチング電圧が必要になる。
【００５２】
図４には、保護エレメント５２に対して無線区間が選択されている回路装置の別の実施例が示されている。無線区間を使用した場合にも、図２Ａおよび図３に相応して線路６に接続されているキャパシタンス８も付加的に設けると有利である。保護エレメント５２として無線区間を使用するのは、スイッチングユニット３に接続端子１からの信号を信号線路２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂにスイッチングするためのＰＩＮダイオードが設けられているとき殊に有利である。
【００５３】
本発明は移動電話に制限されておらず、高周波信号が生じかつ静電気放電の保護が必要であるいずれの回路装置にも使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】回路装置の一例の略図
【図２】１次保護装置の構成例の略図
【図２Ａ】１次保護装置の別の構成例の略図
【図３】別の回路装置例の略図
【図４】更に別の回路装置例の略図
【符号の説明】
【００５５】
１  接続端子、  ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ  信号線路、  ３  スイッチングユニット、  ４１  １次保護装置、  ４２  ２次保護装置、  ５１，５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４  電圧制限エレメント、  ５２  保護エレメント、  ６  線路、  ７  参照電位、  ８  キャパシタンス、  ９１，９２，９３  コントロール線路、  １００  給電線路、  ＶＣＣ  作動電圧、  ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＣ３  制御電圧、  １１１，１１２  電界効果トランジスタ、  １２１，１２２  スイッチング区間、  １３１，１３２  ゲート
【図１】
2006501728.tif 000003
【図２】
2006501728.tif 000004
【図３】
2006501728.tif 000005
【図４】
2006501728.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号用の接続端子（１）を備え、
少なくとも２つの別の信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）を備え、
前記接続端子（１）を１つの信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）に接続するためのスイッチングユニット（３）を備え、
前記接続端子（１）とスイッチングユニット（３）との間に介挿されている、静電気放電に対する１次保護装置（４１）を備え、
該保護装置（４１）は第１の電圧制限エレメント（５１）を有しており、該電圧制限エレメントはパルス高さが２００Ｖより大きいすべての電圧パルスを参照電位（７）に向かって導出する
回路装置。
【請求項２】
第１の電圧制限エレメント（５１）は０．３ｄＢより小さい挿入減衰を有している
請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
第１の電圧制限エレメント（５１）は１ｐＦより小さいキャパシタンス（８）を有している
請求項１または２記載の回路装置。
【請求項４】
第１の電圧制限エレメント（５１）は砒化ガリウムダブルダイオードである
請求項１から３までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項５】
１次保護装置（４１）は、接続端子（１）をスイッチングユニット（３）に接続する線路（６）を含んでおりかつ
第１の電圧制限エレメント（５１）が線路（６）を参照電位（７）に接続する
請求項１から４までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項６】
第２の保護エレメント（５２）が第１の電圧制限エレメント（５１）に並列に接続されている
請求項１から５までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項７】
保護エレメント（５１，５２）間で線路（６）に対して直列にキャパシタンス（８）が介挿されている
請求項６記載の回路装置。
【請求項８】
第２の保護エレメント（５２）は無線区間である
請求項６または７記載の回路装置。
【請求項９】
第２の保護エレメント（５２）はポリマーサプレッサーである
請求項６または７記載の回路装置。
【請求項１０】
第２の保護エレメント（５２）は、容量が１ｐＦより小さい過電圧素子である
請求項４または５記載の回路装置。
【請求項１１】
第２の保護エレメント（５２）は、１８ｎＨより大きいインダクタンスである
請求項６または７記載の回路装置。
【請求項１２】
スイッチングユニットを制御するための、１つまたは複数のコントロール線路（９１，９２，９３）が設けられており、
それぞれのコントロール線路（９１，９２，９３）は静電気放電に対する２次保護装置（４２）に接続されている
請求項１から１１までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１３】
作動電圧（ＶＣＣ）に対する給電線路（１００）が設けられており、該給電線路は静電気放電に対する２次保護装置（４２）に接続されている
請求項１から１２までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１４】
スイッチングユニット（３）は２つの電界効果トランジスタ（１１１，１１２）を含んでおり、その際それぞれの電界効果トランジスタ（１１１，１１２）のスイッチング区間（１２１，１２２）は前記接続端子（１）を信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）に接続し、
それぞれの電界効果トランジスタ（１１１，１１２）のそれぞれのゲート（１３１，１３２）はコントロール線路（９１，９２）に接続されており、
それぞれのゲート（１３１，１３２）は静電気放電に対する２次保護装置（４２）に接続されている
請求項１から１３までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１５】
２次保護装置（４２）は、１００Ｖより低いスイッチング電圧を有している保護エレメント（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４）を含んでいる
請求項１２から１４までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１６】
２次保護装置（４２）は、バリスタである保護エレメント（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４）を含んでいる
請求項１２から１５までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１７】
２次保護装置（４２）は、ツェナーダイオードである保護エレメント（５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５４）を含んでいる
請求項１２から１５までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１８】
２次保護装置（４２）の１つまたは複数は参照電位（７）に接続されている
請求項１２から１７までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項１９】
スイッチングユニット（３）はＰＩＮダイオードを含んでいる
請求項１から１８までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項２０】
スイッチングユニット（３）は砒化ガリウムスイッチである
請求項１から１８までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項２１】
接続端子（１）は移動電話のアンテナ入力側である
請求項１から２０までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項２２】
信号線路（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂ）は移動電話の送信路および受信路を形成する
請求項１から２１までのいずれか１項記載の回路装置。
【請求項２３】
スイッチングユニット（３）および１次保護装置（４１）は多層セラミック基板中に集積されている
請求項１から２２までのいずれか１項記載の回路装置。
【国際調査報告】
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