(57)【要約】【課題】【解決手段】近チップスケールパッケージング（ＣＳＰ）のリード線数でリードフレームと部分的にパターン形成されたリードフレームパッケージとを製造する方法が開示される。本方法は、そこから製造されるパッケージの品質および信頼性を向上させるだけでなく、製造ラインのより良好な自動化に役立つ。これは、従来の完全にエッチングしたステンシル状のリードフレームとは対照的に、一方の側でウェブ状リードフレームに形成された部分的にパターン形成された金属ストリップで製造工程段階の主要部分を実施し、他方の側が堅固で平らなウェブ状リードフレームが、機械的に剛性で熱的にロバストでチップレベルとパッケージレベルの両方でチップ取付工程およびワイヤボンド工程の間にひずみまたはゆがみなしで機能するようにすることによって、達成される。チップとワイヤとを含む表側が封止材でハーメチックシールされて初めて、金属のリードフレームの底側がパターン形成されて、チップパッドとワイヤボンディング接点とが隔離される。結果として生じる電気的に絶縁されたパッケージによって、いかなるさらなる金属も切断する必要なく、ストリップテストおよび信頼性の高い個片切断が可能になる。この部分的にパターン形成されたリードフレームをＥＬＰ、ＥＬＰＦ、およびＥＬＧＡ型ＣＳＰの製造に用いることもまた開示される。
2006516812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波ボンディングされたワイヤを有する電子パッケージを形成する方法であって、
部分的にエッチングし、ウェブ部分を備えストリート部によって互いから分離され底面を有するリードフレームのブロックを形成する工程と、
対応するリードフレーム上のチップ収納領域（chip receiving area）にチップを取り付ける工程と、
それぞれの前記チップの端子と前記対応するリードフレームの電気リード線部分との間に電気接続を形成する工程と、
前記リードフレームの前記底面にワイヤを超音波ボンディングする工程と、
前記リードフレームと該リードフレーム同士を分離する前記ストリート部とを覆って封止材料を塗布することによって、前記リードフレームを封止する工程と、
前記底面をバックパターンを形成する（back patterning）工程であって、前記ウェブ部分と前記ストリート部分とを除去する、バックパターンを形成する工程と、
前記ストリート部の上に配置された前記封止材料を個片切断する工程であって、前記底面上にワイヤを有する個々のチップスケールパッケージを形成する、個片切断する工程と
を含む電子パッケージを形成する方法。
【請求項２】
前記リードフレームは銅または銅合金の膜を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リードフレームは刻印または圧印加工によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記銅の膜の厚さは約０．０５ｍｍ以上である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記チップは半導体デバイスを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記チップを取り付ける工程は、エポキシ樹脂を用いてチップ収納領域にチップをバックボンディングすることによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記チップを取り付ける工程は、はんだペーストを用いてチップ収納領域にチップをバックボンディングすることによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記電気接続を形成する工程はワイヤボンディング技法を用いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記電気接続を形成する工程は、前記チップ上の前記端子を前記チップ領域まで延びている前記電気リード線の端部に接続することによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記超音波ボンディングされたワイヤはアルミニウムワイヤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記封止材料は樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記バックパターンを形成する工程はエッチングによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記個片切断する工程は前記封止材をスライスすることによって行われる、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［発明の分野］
本発明は包括的には電子パッケージングに関し、より詳細には、部分的にパターン形成されたリードフレームならびにその製造および使用方法に関する。部分的にパターン形成されたリードフレームは、従来のリードフレームよりも強度が高く安定している。部分的にパターン形成されたリードフレームは、堅牢であるため、リードフレームパッケージの製造工程が改善され、最終製品の全体的な信頼性が向上する。
【０００２】
［発明の背景］
リードフレームを用いる電子パッケージの製造においては、リードフレームを機械的応力および熱応力にさらす工程段階がいくつかある。現在のリードフレームの幾何学的形状はますます精巧になっており、半導体チップ上の回路の集積度は絶えず増大しているので、その結果、加工においてリードフレームにかかる応力がさらに大きくなっている。精巧に構成したリードフレームは、非常に繊細な刺繍や、容易に曲がり、壊れ、外観を損ない、ゆがみがちなステンシル状の金属構造に、しばしば似ている。（図１ａおよび図１ｂを参照されたい。）業界では、そのような従来のリードフレームを用いて、ワイヤボンディングされたパッケージやフリップチップ（ＦＣ）パッケージ等、さまざまなチップパッケージを作り出している。（図２ａ〜図２ｄおよび図３ａ〜図３ｂを参照されたい。）
【０００３】
従来のリードフレームは、一般に構造上の剛性を欠いている。リードフレームのフィンガー状部分が極めてもろく、所定位置に保持するのが困難な可能性がある。このため、組立工程および複雑なワイヤボンディング状況において、取扱いによる傷、損傷およびひずみが生じる。したがって、ボンディング工程中のリードフレームの跳ね返り（bouncing）を補償するよう、ボンドパラメータを最適化しなければならない。リードフレームの機械的不安定性を補償するようボンドパラメータを最適化しなければ、その結果、ボンドの密着性（adhesion）が劣り、したがってボンドの品質が低下し、信頼性が低下してしまう可能性がある。
【０００４】
典型的なリードフレームのフィンガー状部分は、チップパッドとしても知られている、チップ収納領域として知られている中央部から延びている。チップは通常、裏側を下にした状態で収納領域に取り付けられ、表側は上向きに配置されて、端子がチップ外周の周辺に、またはチップ表面の上にアレイの形で配置されている。収納領域は、典型的には寸法が５ｍｍ×５ｍｍであり、チップパッド領域から外向きに延びるリード線は、典型的な寸法が約長さ１０ｍｍ×幅１ｍｍ×厚さ０．５ｍｍである。リードフレームは、典型的には真空チャックおよび機械的クランプによって押さえつけられる（held down）。このチャックおよびクランプは、さまざまな大きさおよび形状のリードフレームに合わせ直さ（refitted）なければならない。本発明は、この問題を緩和するものである。
【０００５】
従来技術は、現在の半導体パッケージング工程において遭遇する応力に耐えることができ、かつ費用対効果が大きい方法で製造することができるリードフレームを全く提示していない。本発明は、リードフレーム自体の製造性を向上させるだけでなく、そこから形成される電子パッケージの完全性および信頼性も向上させる、部分的にパターン形成されたリードフレームを提供することによって、この目的を達成する。
【０００６】
［発明の概要］
リードフレームは、頂面と底面とを有する膜から成っている。膜の第１の領域は、頂面から部分的にパターン形成されるが、膜を完全に貫いて底面に達することはない。膜の、頂面からパターン形成されない第２の領域は、集積回路（ＩＣ）チップとＩＣチップに電気接続を行う複数のリード接点とを支持する、チップ収納領域を形成する。第１の領域は、膜にトレンチ（trenches）溝を形成して、頂面から部分的にパターン形成されない第２の領域を相互接続するウェブ構造を作り出す。本発明はまた、部分的にパターン形成されたリードフレームの製造方法、およびそのようなリードフレームを利用して製造される電子パッケージにも関する。本発明のリードフレームは、そのウェブ状構造すなわちウェブ構造によって、構造上の剛性を向上している。
【０００７】
本発明によれば、そこからリードフレームが形成される金属膜の頂面がまず、標準のフォトリソグラフィ技法または同様の技法を用いてパターン形成され、チップ収納領域およびリード線に対応する領域の輪郭を描く。次の段階において、膜の第１の領域の輪郭を描いた領域の外側で、膜の頂面から、下にある膜の厚みを部分的に貫いてエッチングが行われて、膜にリードフレームパターンを作り出す。この部分的なパターン形成の後、頂面からパターン形成されない残りの領域が第２の領域を形成し、この第２の領域はチップ収納領域および頂面に沿ったリード線の役割を果たす。第１の領域は、膜の頂面よりも下方に引っ込んだ（recessed）ウェブ領域を形成する。第１の領域のウェブ構造は、リード線部分を互いにおよびチップ収納領域に接続する。したがって、部分的にパターン形成された膜は、外観は水掻き足（webbed foot）に似ているが、その剛性および強度は保持しているので、次の製造工程段階の力に耐えることができる。特に、部分的にパターン形成されたリードフレームは、ワイヤボンディング工程および封止工程中に遭遇する力に耐えることができる。いくつかの実施形態において、チップ収納領域と電気リード線とは、第２の領域の同じ部分から形成されてもよい（例えば、電気リード線が、集積チップに電気接続を行うだけでなく集積チップを支持している場合）。
【０００８】
本発明はまた、部分的にパターン形成されたリードフレームを用いて複数の電子パッケージを製造する独自の方法も提供する。この方法は、頂面と底面とを有する膜に関する（involves）。第１の領域において、膜は頂面から部分的にパターン形成されるが、完全に貫いて底面に達することはない。膜上の、頂面から部分的にパターン形成されない残りの第２の領域は、複数の部分的にパターン形成されたリードフレームを形成する。リードフレームのそれぞれは、集積回路（ＩＣ）チップとＩＣチップに電気接続を行う複数の電気リード線とを支持する、チップ収納領域を有する。
【０００９】
膜の第１の領域は、それぞれのリードフレームのチップ収納領域と電気リード線とを相互接続するウェブ構造を形成する。第１の領域はまた、膜のストリート部において複数のリードフレームを互いに接続する。
【００１０】
それぞれが、対応するリードフレームに取り付けるための複数の電気端子を有する、複数のチップが設けられる。それぞれのチップは対応するリードフレーム上のチップ収納領域に取り付けられ、それぞれのチップの少なくとも１つの端子とリードフレームの電気リード線のうちの１つとの間に電気接続が形成される。その後、リードフレームと膜のストリート部とを覆って封止材料が塗布され、膜の上面を完全に覆う。この封止材料が乾燥すると、第１の領域において膜の底面からバックパターン形成工程が行われ、ウェブ構造と膜のストリート部とを除去する。次に、膜のストリート部を覆って配置された封止材料が個片切断され、個々のパッケージを形成する。
【００１１】
好ましい実施形態において、本方法は、膜内にブロック／ウインドウパターンのマトリクスになるようにリードフレームを形成することを含み、チップスケールパッケージの製造を含む。
【００１２】
本発明の部分的にパターン形成されたリードフレームから、利点がいくつか生じる。リードフレームの、平らで堅固な（solid）エッチングされない底面は、ワイヤボンディング工程中に優れたヒートシンクの役割を果たす。これによって一様な伝熱が行われ、ボンド品質がより良好かつより安定したものになる。さらに、この堅固な構造によって、自在真空チャックがリードフレームを押さえつける連続面が提供され、それによってチップ取付工程をより安定したものにし、続く工程段階中にリード線をより安全にする（secure）。取扱いが困難な、リードフレームの外縁をクランプで固定するということがなくなり、変更の必要なしにアレイマトリクスのリードフレームの設計および処理が可能になる。部分的にパターン形成されたリードフレームの底側は平らな連続面であるので、自在真空チャックを用いて多くのさまざまな大きさのフレームを押さえつけることができる。これによって、パッケージング工程において異なる寸法のリードフレームが用いられるたびに真空チャックを合わせ直さなければならないという複雑な状態がなくなる。また、さらにクランプで固定する必要はない。自在真空チャックを用いクランプでの固定をなくすことによって、リード線の数を増やすために第２の領域上に千鳥配置のリード線を２行または３行構成することが可能になる。
【００１３】
本発明は、ワイヤボンディングされたチップだけではなくはんだバンプで接続したフリップチップにも対応する、部分的にパターン形成されたリードフレームに関する。さらに本発明は、本発明の実施形態においてさらに説明するように、部分的にパターン形成されたリードフレームを用いて、ワイヤボンディングを用いるエッチングしたリードフレームパッケージ（ＥＬＰ）、フリップチップを有するＥＬＰ（ＥＬＰＦ）、および、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）パッドを有してエッチングしたランドグリッドアレイ（ＥＬＧＡ）パッケージを形成するＥＬＰまたはＥＬＰＦも製造する方法を教示する。
【００１４】
フリップチップ（ＦＣ）技術は、次のレベルのパッケージングへの、すなわちセラミックまたはプラスチックの基板への、または、後に基板に接合されるチップのマイクロキャリアへの、チップ上の電気端子の全自動接合にさらに一歩近づくものである。マイクロキャリアは、チップ自体よりもわずかに大きいのみであるが、これが現在チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれている。ＦＣ技術はテープ・オートメーテッド・ボンディング（ＴＡＢ）から進化したものであり、ＴＡＢの原点はワイヤボンディング（ＷＢ）である。ＷＢおよびＴＡＢにおいては、チップは仰向けに配置され、頂面上の外周の周りに配置された端子に電気接続が行われるが、ＦＣ技術においてはチップの向きが反対である。チップは下向きに配置され、チップの裏側が上を向く。フリップチップのこの向きは、チップの下面に電気的機能を集中し、上面を高効率の伝熱設計開発において自由に用いるよう残しておく、という点において著しい利点を有する。
【００１５】
ＦＣ工程において、チップ端子または（or）ボンディングパッドはチップ表面を覆うさまざまなタイプのバンプでシールされており、パターンは、エリアアレイ、周辺パターン、またはその他のパターンになるよう配置してもよい。チップは、以下の方法で次のレベルに取り付けることができる。すなわち、ａ）リードフレームへのＦＣ取付け、ｂ）リードフレーム上の接続間隔を再配線するための、インターポーザとして知られている層／基板のＦＣ取付け、c）リードフレーム上のあらかじめ取り付けてあるインターポーザへのＦＣ取付け、またはｄ）チップリフロー法を含む、従来の技法を用いたプリント回路基板へのＦＣ取付け、である。
【００１６】
従来の技法を用いるチップ取付けは、ＱＦＮパッケージおよびＶＦＱＰＦ−Ｎ等その派生物の製造におけるＱＦＮ（Quad Flat No Lead、クワッドフラットノーリード）のリードフレームに適用するときには特に困難になる。これは、従来のリードフレームが一般的に構造上の剛性を欠くからである。リードフレームのフィンガー状部分は極めてもろく、１つの精密な位置に保持するのが困難な可能性がある。このため、組立工程および複雑なチップのボンディング状況において、取扱いによる傷、損傷およびひずみが生じる。ＰＣ接合工程では、バンプ状はんだのヘッドが、リードフレームの、吊り下げられたもろいリード線端部に対して精密に整列する必要がある。さらに、濡れた（wetted）はんだ端部は、はんだリフロー工程による配置後にその位置を保持しなければならない。したがって、チップ接合中のリードフレームの跳ね返りを補償するよう、リフローパラメータを最適化しなければならない。これを適切に行わなければ、その結果、接合不良、したがって最終製品の品質不良および信頼性不良が生じる可能性がある。
【００１７】
金属ストリップまたは金属膜上にフォトレジストをパターン形成し、そのパターンを貫いてエッチングして、チップ収納領域から外向きに延びるフィンガー状のリード線を形成することによって、従来のステンシル状のリードフレームを形成することは、一般的な方法である。図３ａおよび図３ｂに示したように、フィンガー同士の間に「タイバー（tie bars）」を用いて、さまざまな工程段階中にフィンガー同士が互いから離れた状態に保たれるようにすることもまた、通例である。本発明は、ステンシル状のリードフレームの代わりにウェブ状の部分的にパターン形成されたリードフレームを形成することによって、リードフレームが構造上の剛性を欠いているという問題を緩和する。
【００１８】
本発明の方法によれば、半導体パッケージを形成する主要な工程段階はすべて、膜の一方の、リードフレームになる側から行われる。他方の側、すなわち底側は、真空チャックの表面等の表面上で、平らで手付かずのままである。これは、パッケージの部分的に形成された表側を封止しハーメチックシールする段階を含む。封止が完了すると、底面がバックエッチングされて、リード線を互いにおよびチップ収納領域に接続するウェブ部分を、選択的に除去する。ＥＬＰの場合には、チップ収納領域においてチップがチップパッドにバックボンディングされ、チップ端子への電気接続はワイヤボンディングによって行われるが、中間のウェブ部分はすべてエッチングによって切り離され、ワイヤボンディングされた端におけるチップパッドとリード接点とが、今では、チップとワイヤとワイヤボンディングされた接触領域の前面とを取り囲むモールド材料によって、互いから隔離されるようになっている。しかしＥＬＰＦパッケージの場合には、リード線を互いに接続するウェブ部分のみがエッチングによって切り離される。チップはんだヘッド状のバンプ（chip solder headed bumps）に接続されたリード線自体が、次のレベルのパッケージングへの電気接続を行うからである。
【００１９】
ウェブ部分においてソー厚さすなわちストリートを貫いて埋込み金属を除去することは、いくつかの利点を有する。例えば、リードフレーム構造全体にわたって伝わるソーの力がなくなり、したがって、金属とプラスチックとの界面における層間剥離が予防される。また、バックエッチングによる電気的絶縁によって、いかなるソーイングすなわち（or）個片切断の前にも、またはさらに詳しく言えば、いかなるさらなる処理段階の前にも、ストリップテストが可能になる。バックパターン形成後、底面上にある残りの露出した金属部分は、スズ浸漬（immersion-tin dipping）または無電解ニッケルめっきによって、いかなる数のはんだ付け可能な材料でフラッシュ仕上げしてもよい。ＥＬＧＡパッケージはＥＬＰＦパッケージのＰＣを用いるが、次のレベルのパッケージングへの接続用のＬＧＡパッドを有する。
【００２０】
製造中のモールド材料とパッケージのその他の構成要素との間のいかなる分離も防止するために、本発明はまた、リード線の側壁上等、部分的にエッチングしたリードフレームの引っ込んだウェブ部分の露出した垂直壁上に、樹脂等のモールド材料に接触するロッキング機構を形成する方法も教示する。他の選択肢として、チップパッドおよびリード接点の縁に「リップ」を形成して、それぞれのリップの下のモールド材料を捕らえるようにし、それによってモールド材料をかみ合い表面から分離しにくくすることもまた、教示される。
【００２１】
前述のことから、部分的にエッチングしたリードフレームは、構造の単一性と、それに付随して、電子パッケージの製造におけるさまざまな製造工程の応力および歪みに十分耐える剛性および強度とを提供する、ということが明らかとなろう。これは、部分的にエッチングしたリードフレームパッケージが、次のレベルのパッケージングへの接続のための、パッケージ底部へのワイヤの超音波ボンディングの過酷さにも耐えることができる、という独特の機械的特性のためであり、これはこれまで、従来のプラスチックパッケージでは不可能であった。本発明の別の実施形態において、超音波ボンディングされたワイヤを有する電子パッケージを形成する方法が提供される。部分的にエッチングしたリードフレームのブロックが形成され、ウェブ部分を備えストリート部によって互いから分離されているリードフレームは、連続した底面を有する。リードフレーム上のチップ収納領域にチップが取り付けられる。それぞれのチップの端子と、対応するリードフレームの電気リード線部分との間に、電気接続が行われる。リードフレームの底面に、ワイヤが超音波ボンディングされる。リードフレームは、リードフレーム同士を分離するストリート部を含むリードフレームを覆って封止材料を塗布することによって封止される。次に底面のバックパターン形成が行われて、ウェブ部分とストリート部とを除去する。次に封止されたリードフレームがストリート部の上で個片切断されて、超音波ボンディングされたワイヤを底面上に有する個々のチップスケールパッケージを形成する。
【００２２】
［詳細な説明］
図４〜図１５ｂおよび図１６〜図２４ｂは、略チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）に匹敵するリード線の数で部分的にパターン形成されたリードフレームパッケージを形成する、さまざまな実施形態を示す。本発明の方法は、製造ラインの自動化を進め、そこから製造されるパッケージの品質および信頼性を向上させる。これは、一方の側でウェブ状リードフレームに形成された部分的にパターン形成された金属ストリップで製造工程段階の主要部分を行うことによって、達成される。従来からの打抜いたステンシル状のリードフレームとは対照的に、本発明において用いるリードフレームは一方の側で部分的にパターン形成され、他方の側は堅固で平らである。この構成は、機械的にも熱的にも改善されたものであり、チップ取付け工程、ワイヤボンディング工程、および封止工程中にひずみまたはゆがみなしで機能する。チップ取付け工程段階およびワイヤボンディング工程段階が完了し、チップとワイヤボンドとがモールド材料内に固着され密閉封止された後、膜を完全に貫いて底面がエッチングされて、リード接点をチップパッドからおよび互いから隔離する。次に、結果として生じる封止パッケージが、いかなるさらなる金属も切断する必要なく、個片切断される。
【００２３】
すなわち、図４〜図１５ｂは、ワイヤボンディングされたチップ用の部分的にパターン形成されたリードフレームの形成、およびそれを用いてＥＬＰ型の電子パッケージを形成する方法を示す。他方、図１６〜図２２は、フリップチップ用の部分的にパターン形成されたリードフレームの形成、およびそれを用いてＥＬＰＦ型の電子パッケージを形成する方法を示す。この部分的にパターン形成されたリードフレームを用いてＥＬＧＡ型の電子パッケージを形成する方法もまた、図２４ａおよび図２４ｂに関して説明する。
【００２４】
図４は、好ましくは金属のシート、好ましくは銅である膜の断面図である。これは、リードフレームに形成されることになるだけでなく、続いて起こるリードフレームを形成する工程段階中に、安定したキャリアの機能も果たすようになる。金属ストリップの厚さは、約０．０５ｍｍ以上である。別の実施形態において、厚さは約０．０５〜０．５ｍｍの範囲内であってもよい。
【００２５】
リードフレームの形成は、典型的には、ステンシルの切断のような金属ストリップの切断と、次に、非常に精巧なフィンガー状のリード線の扱いとを含む。そのような繊細な構造を所定位置に押さえつけるために、真空チャックを用いてもよい。しかし従来の真空チャックは、典型的にはそのような繊細なデバイス用の吸引力を提供するようにはなっておらず、リードフレームは通常周辺をクランプで固定しなければならない。この目的に用いるいかなる装置（rigging）も、リードフレームのタイプおよび大きさが変わると合わせ直さなければならない。しかし本発明は、この合わせ直す工程を軽減する。部分的にパターン形成されたリードフレームの底面は堅固で連続しているので、処理中に従来の真空チャックがリードフレームを所定位置に容易に保持することができる。さらに、さまざまな工業用リードフレームに対応することができる１つの大きさの金属ストリップを、リードフレームの製造においてあらゆる場合に用いることができる。チップ取付けおよびワイヤボンディングという次の工程段階を、形成するリードフレームにかかる応力および歪みがはるかに少ない状態で行うことができる。ウェブ状構造によって各リード線が一緒に保持されて一番最後の工程まで互いから分離されないので、はるかに精巧な幾何学的形状を有するリードフレームを容易に組み立てることができる。
【００２６】
リードフレーム上へのさまざまなパターンの形成は、多数の方法で行うことができる。ひとつの手法は、パターンを金属に刻印／圧印加工することであり得る。他の手法としては、化学または電気化学ミリングおよび電気放電加工（ＥＤＭ）が含まれるかもしれない。他方、半導体製造の主力であるフォトリソグラフィを用いたパターン形成が好ましい。本発明において、図４に示す金属ストリップ（１００）は、フォトリソグラフィを用いたパターン形成の前に、表（すなわち上）側と裏（すなわち底）側の両方がプレめっきされる。表面と裏面のどちらかまたは両方は、それぞれはんだ付け性だけでなくボンディングも可能にする材料でプレめっきすることができる。一実施形態において、表面はＮｉ／Ｐｄ／ＡｕストライクまたはＡｇ等のボンディング可能（bondable）材料でプレめっきされる。別の実施形態において、裏面は、Ｓｎ／Ｐｂ、リードフリーのはんだ、浸漬スズ無電解ニッケル、またはＡｕストライク等の、はんだ付け可能材料でプレめっきされる。プレめっきは、所望ならばこれよりも後の工程で行ってもよい。
【００２７】
次の工程において、プレめっきした表側（１１０）がフォトリソグラフィを用いてパターン形成されて、チップパッドに対応する領域（１１５）とチップパッド領域を取り囲む電気接点（１１３）とを形成する。電気接点（１１３）は、ウェブ状構造を形成する中間の引っ込んだ部分の第１の領域を介してチップパッド領域（１１５）に接続される、リード線端部として特徴付けることができる。このような中間の引っ込んだウェブ状部分は、後の時点で金属膜（１００）が裏面からエッチングされるときに除去され、チップパッド部分の端部同士が互いから隔離されるようにする。チップパッド（１１５）とそれを取り囲む接点（１１３）とを含む領域は、チップ位置と呼ばれることがある。スプールに引っ掛けた（sprocketed）銅シートの連続ロール上に複数のチップ位置を形成して、１つまたは複数のチップ位置を備えるリードフレームの形成を容易に自動化することができる。図５は、２つの対応するリードフレームに形成される２つのチップ位置を示し、２つの対応するリードフレームはさらに、それらから形成される２つのパッケージの一部になる。
【００２８】
次に、図５に示す２つのチップ位置について示したパターンが、エッチングによって膜ストリップ（１００）に転写される。図６に示すように、本発明の主な特徴は、エッチングが金属の厚さを部分的にのみ貫いて行われる、ということである。本明細書においてこれを部分的なパターン形成と呼ぶ。部分的なパターン形成は、膜の第１の領域において行われて、それぞれのリードフレームのリード接点（１１３）のチップパッド（１１５）を接続するウェブ構造（１３０）を形成する。第１の領域はまた、膜のストリート部（１３６）においてリードフレーム同士を互いに接続する。
【００２９】
図６ａ〜図６ｃに示すように、マトリクスまたはそのようなリードフレーム（例えば、１６×１６）をブロック／ウインドウ膜（１３８）に形成してもよい。図６ｂおよび図６ｃは、第１の領域が、それぞれのリードフレームのチップパッドとリード接点とを接続するウェブ構造（１３９）を含む、ということを示す。第１の領域はまた、膜のストリート部（１３６）において複数のリードフレームを互いに接続する。
【００３０】
一実施形態において、部分的なパターン形成は、膜厚の２５％から９０％までさまざまであってもよい。しかし部分的なパターン形成は、膜厚に対する割合が実質的にいかなるものであってもよく、部分的なエッチングの量は、可撓性、剛性、および熱的厚さ（thermal thickness）（すなわち熱伝導係数）を含む、製造性パラメータに影響を及ぼすさまざまな要因を考慮に入れることによって決定してもよい。リード接点領域（１１３）およびチップパッド領域（１１５）の横方向の寸法は、所与のチップサイズおよびワイヤボンド、あるいは所与のパッケージでの、または次のレベルのパッケージングにおけるパッケージ同士の間でのレベル間もしくはレベル内接続に用いることができるその他接続媒体について所望される小型化の程度に基づいて決定してもよい。リードフレームの精巧なフィーチャおよび寸法的安定性についての製造性の問題は、フィンガー状のリード線のウェブ状構造のおかげで重要性が低くなる、ということが特に注意される。
【００３１】
図７ａに示すように、次にチップパッド領域に、好ましくはエポキシ（１５０）を用いてチップ（１４０）が取り付けられる。図７ｂは、本発明による、エポキシまたははんだを備える取付けを示す、チップとチップパッドとの間の接合の拡大図である。エポキシ（１５０）を導電性粒子で満たして、チップの冷却を強化してもよい。または、エポキシ（１５０）の代わりにはんだペースト（１５０’）もまた用いて、チップとチップパッドとの間の接着をより強くし、周囲環境へのより効果的な冷却経路を提供してもよい。エポキシを硬化させ、図８に示すように、チップ取付け後に、既知のワイヤボンディング技法を用いてワイヤ（１６０）が端子（１４５）および対応するリード接点（１１３）にボンディングされる。本発明に従って形成されるリードフレームは、真空チャック（図示せず）等によって平らな表面上にしっかりと据えられ押さえつけられた堅固で連続した裏側を有するので、リード線のウェブ状構造はワイヤボンディング中にはためいたり跳ね返ることがない。この結果優れた接着が生じ、それによって最終製品の信頼性が向上する。
【００３２】
図９において、チップと対応する接点との接続後、金属膜表側のすべての構成要素が、例えば樹脂によって、モールド材料内にハーメチックに密閉封止される。膜と、リードフレームおよびその関連するワイヤ（１６０）、チップ（１４０）、および接点（１１３）ならびにウェブ構造（１３０）およびストリート部（１３６）を含む露出したすべての表面との上に、封止材（１７０）が形成される。結果として生じるモールドされたパッケージが持ち上げられ、未処理である（clean）裏側が今度はさらなる処理に使用できる。この開示方法では、通常遭遇するパッケージ下面のフットプリントへのモールドフラッシュの問題がなくなる。
【００３３】
図１０に示すように、パッケージの裏側を貫いて第１の領域のウェブ構造（１３５）をエッチングすることによって、この時点ではリード接点（１１３）とチップパッド（１１５）とが両方とも互いから容易に隔離されて、自らのアイランドを形成することができる。この時点で、ストリート部（１３６）もまたバックエッチングされる。このバックエッチングは、モールド材料に達するまで続く。この金属をバックエッチングするエッチング方法は、表側について用いたものと同じであるべきである。しかし、表側から行われた部分的なエッチングの程度次第で、裏側についてのエッチング時間は表側について用いたものとは異なっていてもよい。したがって、部分的にエッチングしたリードフレームの最初の形成は、最終パッケージの自動化、品質、信頼性、および機能についての製造上の要求事項に合うよう、調整する（custom tailored）ことができる。
【００３４】
最終段階として、図１１に示すように、リードフレーム同士の間のストリート部（１３６）の上の封止材（１７０）が個片切断されて、２つの個別のパッケージを形成する。これは、ソースライシング、ウォータージェット切断、レーザ切断、もしくはその組合せ、またはプラスチックの切断に特に好適なその他の技法を含む、多数の方法で行われる。言い換えれば、切断する金属はもはやなく、したがってプラスチックと金属とが組み合わさったものの切断に関連する層間剥離およびその他の問題がない。これは、ストリート同士の間の空隙を埋める金属がパッケージの個片切断と同時に切断されなければならない従来のパッケージと比較されなければならない。多くの場合、金属とプラスチックとを同時に切断すると、金属チップのうちのいくつかは線および接点を短絡して、望ましくなく予測できない磨耗をソーブレードに生じる可能性がある。図６ａに示すように、この方法はまた、リードフレームのマトリクスから多数のパッケージを製造するのにも適用することができる。
【００３５】
図１２ａに個片切断されたＥＬＰの上面図を示す。図１２ａにおいて、接点（１２０）とチップ（１４０）とを、自らのアイランド上で互いから隔離されているが、ワイヤボンディングされているワイヤ（１６０）を介してのみ互いと接続されている状態で示す。図１２ｂは、パッケージの角の、チップと元の金属ストリップ（１００）の一部を備える接点のうちの１つとの間の拡大図を示す。元の金属ストリップ（１００）の頂面はプレめっきされてボンディング可能層（１１３）を形成し、底面はプレめっきされてはんだ付け可能な層（１２３）を形成する。図１２ｂにおいて、接点上とチップの角との両方に「リップ」を示す。
【００３６】
パッケージ下面のプレめっきした表面（１２０）は、この時点でいくつかの目的のために用いることができる。第１に、チップパッド（１４０）の裏面（１２５）に直接外からアクセスすることによって、冷却用のさらなる伝熱経路を提供する。第２に、近チップサイズのパッケージ（ＣＳＰ）のフットプリント内に接点（１２３）があることによって、次のレベルのパッケージングにおいて互いの間隔が非常に狭い状態でパッケージを搭載することができ、したがって同じ面積での性能を向上させることができる。
【００３７】
本発明の別の態様は、モールド材料と、それが密着するべき表面との間の層間剥離の可能性を小さくする手段を提供する。これは、チップパッドの周りの縁と接触領域とをハーフエッチングして、図１２ｂにおいて番号（１０５）で参照されるもの等のレッジすなわち「リップ」を形成することによって達成される。図１２ｃに示す変則形状のキャビティ（１０７）を形成して、モールド材料に接触する表面のかみ合い機構を強化することもまた可能である。さまざまな他のキャビティの拡大図もまた、図１３ａ〜図１３ｆに示し、このような表面の強化部分（enhancements）の形成は、表側からの部分的なエッチングに容易に組み込むことができる。これは、表側から部分的に形成される表面のみをモールド材料が封止するので（inasmuch）、裏側からのエッチングには必要ではない。
【００３８】
図１４は、表側から金属ストリップにリードフレームを部分的なエッチングによって形成すること（２００）で始まり、所望のチップパッドとそれを取り囲む接点とを形成するような方法での同じ金属ストリップのバックパターンエッチング（back pattern etching）（２５０）で終わる、本発明の方法の概要を示す。両者の中間にある、チップ取付け（２１０）、エポキシ硬化（２２０）、ワイヤボンディング（２３０）、および封止（２４０）の各工程は、すべて機械的および熱的に安定したリードフレーム上で行われる。リード線が依然として、金属膜における部分的にエッチングしたウェブ状構造すなわちウェブ構造上の中間の引っ込んだ部分の第１の領域を介して接続されているからである。パッケージのすべての構成要素が封止材内に固定されて初めて、中間の引っ込んだ部分の第１の領域がバックパターンエッチング（２５０）によって除去され、チップパッドだけではなく周辺接点も互いから分離されて適切に隔離される、ということに注意することもまた重要である。したがって、個々の近チップサイズのパッケージにする個片切断（２６０）中にいかなる金属も切断する必要はない。
【００３９】
本発明の方法を用いて、電子パッケージ用のアレイ型のリードフレーム等、幅広くさまざまなパッケージを形成することができる。図１５ａに示す標準の周辺型のパッケージ（３００）の隣に、アレイ型のパッケージ（４００）の上面図を図１５ｂに示す。番号（３０５）はチップ端子の周辺配置を参照するものである一方、番号（４０５）は端子のアレイ型配置を参照するものであり、これは直線状に並べて構成しても千鳥配置で構成してもよい。どちらのパッケージも、参照番号（３１０）、（４１０）で示すように、開示する部分的なパターン形成の本発明を用いて形成される。アレイ型のＥＬＰにおいて、インナーリード（４４０）およびアウターリード（４４５）を示す。どちらのパッケージも、モールド材料（３２０）または（４２０）内に封止される。接点とチップとを隔離するバックパターンエッチングを、（３３０）および（４３０）によって示す。番号（４５０）は、グラウンドリングフィーチャを示し、これはモールドと同じレベルまでエッチングされる。番号（４６０）は、ＥＬＰの底面図上のアレイ型の入出力構成を示す。
【００４０】
図１６〜図２４ｂに示す第２の実施形態は、部分的にパターン形成されたＶＦＱＦＰ−Ｎ型のリードフレームを形成する方法を開示する。これはＦＣ電子パッケージの大量生産に特に好適である。以後、フリップチップに対応させたリードフレームをＦＣＬと呼んで、従来のリードフレームと区別する。これは、後述するように、ＦＣＬは従来のリードフレームとは異なり、より頑丈ではるかに自動化製造ラインに適用できるからである。
【００４１】
ＦＣＬはまた、従来の汎用の打抜いたステンシル状のリードフレームとは異なるウェブ状構造である。ウェブ状ＦＣＬの表側は、部分的にパターン形成されたリード線を含む引っ込んだ部分を有する一方で、裏側は堅固で平らである。これにより、製造工程中にひずみまたはゆがみなしで機能する機械的剛性が提供される。チップ取付けおよびパッケージのハーメチックシールの完了後、裏側がエッチングされて、リード接点同士を互いから隔離する。次に、結果として生じる封止パッケージが、いかなるさらなる金属も切断する必要なく、個片切断される。したがって、リード線がウェブ状構造すなわちウェブ構造によってまとめられて個片切断の一番最後の工程まで互いから完全には分離されないので、ＶＦＱＦＰ−Ｎパッケージを有するもの等、はるかに精巧な幾何学的形状を有するＦＣＬを容易に製造することができる、ということが明白となろう。
【００４２】
すでに開示した第１の実施形態の部分的にパターン形成されたリードフレームと同様に、第２の実施形態のＦＣＬもまた、金属シート、好ましくは図４に示すように銅膜から形成され、表面と裏面の両方がプレめっきされる、または、前述したように、このめっきは後の段階まで遅らせてもよい。（両方の実施形態の工程段階が似ているので、参照番号は、第２の実施形態のものにダッシュをつけて示すということを除けば、適宜同じに保たれている、ということが注意される。両方の実施形態に用いられている金属膜について、同じ参照番号（１００）が整合性を保つために残されている。）次に、プレめっきした表側（１１０’）がフォトリソグラフィを用いてパターン形成されて、チップ収納領域（１１５’）、チップ収納領域を取り囲むリード線部分（１１３’）、およびその他中間の領域（１１７’）を形成する。以下で開示する次の工程段階において、リード線の一端部がＰＣの端子に接続され、他端部が次のレベルのパッケージングに接続される。チップ収納領域と取り囲むリード線とを備える領域は、ワイヤボンディングされたチップでのチップ位置と同様に、チップ位置と呼ばれることがある。複数のチップ位置を備える複数のリードフレームを、スプールに引っ掛けた銅シートの連続ロール上に形成して、１つまたは複数のチップ位置を備えるリードフレームの形成を容易に自動化することができる。図１６は、２つの対応するリードフレームに形成される２つのチップ位置を示し、２つの対応するリードフレームはさらに、それらから形成される２つのパッケージの一部となる。
【００４３】
次に、図１６に示す２つのチップ位置について示したパターンが、エッチングによる部分的なパターン形成によって金属膜（１００）に転写される。図１７に示す部分的なパターン形成は、金属ストリップの厚さの１／２まで、１／４まで、またはさらに詳しく言えば、いかなる割合であってもよく、部分的なエッチングの量は、可撓性、剛性、および熱的厚さ（すなわち熱伝導係数）を含む、製造性パラメータに影響を及ぼすさまざまな要因を考慮に入れることによって決定してもよい。リード接点領域（１１３’）およびチップ領域（１１５’）の横方向の寸法は、チップサイズならびに所与のパッケージにおけるもしくは次のレベルのパッケージングにおけるパッケージ同士の間でのレベル間もしくはレベル内接続に用いることができるリード線を含む、所与のチップ位置について所望される小型化の程度に基づいて決定してもよい。リードフレームの精巧なフィーチャおよび寸法的安定性についての製造性の問題は、フィンガー状のリード線のウェブ構造のおかげで重要性が低くなる、ということが特に注意される。
【００４４】
次にフリップチップ（ＦＣ）(１３０’）が反転され、図１８に示すようにチップ表側の端子（１３５’）がリード線の一端部に載るようにする。後の段階において、リード線の反対側の端が、カードまたは基板等、次のレベルのパッケージングに接続される電気接点に形成される。しかしまず、図１８に示すウェブ状リードフレーム構造上に組み立てられたチップは、当該技術分野において実施されるように、チップ接合炉に通される。はんだボールがリフローされ、リフローがＢＬＭによって制限され、したがってはんだピラーを形成するようにしている。本発明に従って形成されるリードフレームは、平らな表面上にしっかりと据えられ押さえつけられた堅固で連続した裏側を有するので、リード線のウェブ状構造はチップ接合炉内ではためいたり跳ね返ることがなく、そのため優れたチップ接合が生じる。したがって、開示する方法は、最終製品の信頼性、すなわちＶＦＱＦＰ−Ｎ型のパッケージの信頼性を向上させる。
【００４５】
チップ接合後、図１９に示すように、チップは、元の金属膜の表側の部分的にパターン形成されたリード線とともに、例えば樹脂によって、モールド材料内にハーメチックに密閉封止される。平らな表面上にしっかりと押さえつけられた金属ストリップ（１００）のエッチングされていない堅固で平らな裏側を除いて、引っ込んだ領域（１１７’）の垂直壁の露出した表面だけでなく、リード線（１１３’）の露出した表面、はんだボール（１３５’）の周り、チップの下、引っ込んだチップ収納領域（１１５’）の垂直壁に沿って等、すべての露出した表面の周りに封止材（１４０’）が形成される。結果として生じるモールドされたパッケージが持ち上げられると、未処理である裏側が今度はさらなる処理に使用できる。この実施形態でも同様に、通常遭遇するパッケージ下面のフットプリントへのモールドフラッシュの問題がなくなる。
【００４６】
工程の最初で表側から部分的にエッチングされたパターンに整列する、パッケージの裏側を貫くパターン形成によって、リード線（１１３’）同士は今では互いから容易に隔離することができる。バックエッチングは、モールド材料に達するまで続く。これを図２０に示し、図２０において、リードフレームのウェブ状部分、すなわち領域（１１１’）、（１１９’）が除去されて、チップ領域（１１５’）同士の接続を断ち、リード線（１１３’）同士の接続を断つ。この金属のバックパターン形成のエッチング方法は、表側からの部分的なエッチングに用いた方法と同じであることが好ましい。しかし、表側から行われた部分的なエッチングの程度次第で、裏側からのエッチング時間は表側について用いられたものとは異なっていてもよい。したがって、部分的にエッチングしたリードフレームの最初の形成は、最終パッケージの自動化、品質、信頼性、および機能についての製造上の要求事項に合うよう、個別に調整することができる。
【００４７】
最終段階として、図２１に示すように、本発明を説明する目的のための封止されたチップ位置を２つ有する図２０のパッケージが次に個々の近チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）に個片切断される。これはむしろＶＦＱＦＰ−Ｎ型のパッケージである。個片切断された部分的にパターン形成されたリードフレームパッケージの上面図を図２２ａに示す。図２２ａにおいて、リード線（１１３’）を、互いから隔離されチップ（１３０’）下面のはんだボール（１３５’）に接続された状態で示す。図２２ｂは、パッケージの角の、チップとリード線のうちの１つとの間の拡大図を示す。リード線は、カードまたは基板（１５０’）上に設けられていてもよい外部接点（１４５’）に接続されている。同じ図に示すように、プレめっきした表面（１２０’）はすでに次のレベルの接点に接合する準備ができている。また、リード線（１１３’）の下面（１１４’）は周囲環境にさらされており、したがって冷却を強化する。
【００４８】
前に開示したものと同じ技法を用いて、すなわち、ウェブ状のリードフレームの引っ込んだ領域（１１５’）、（１１７’）の垂直壁上の図１３ａ〜図１３ｆの変則形状のキャビティを組み込むことによって、ＦＣＬ表面からの封止材の層間剥離を防止することができる。このような表面の強化の形成は、表側からの部分的なエッチングに容易に組み込むことができる。これは、表側から部分的に形成される表面のみをモールド材料が封止するので、裏側からのエッチングには必要ではない。
【００４９】
図２３は、表側から金属ストリップにリードフレームを部分的にパターン形成すること（２００’）で始まり、所望のチップ収納領域と取り囲むリード線とを形成するような方法で同じ金属ストリップをバックパターン形成すること（２４０’）で終わる、本実施形態の方法の概要を示す。両者の中間にある、ＦＣ配置（２１０’）、ＦＣ接合（２２０’）、および封止（２３０’）の各段階は、すべて機械的および熱的に安定したＦＣＬ上で行われる。リード線が依然として、金属膜における部分的にエッチングしたウェブ状構造を介して接続されているからである。パッケージのすべての構成要素が封止材内に固定されて初めて、リード線のウェブ部分がバックパターンエッチング（２４０’）によって選択的に除去され、リード線が互いから分離されて適切に隔離される、ということに注意することもまた重要である。したがって、個々の近チップサイズのパッケージにする個片切断（２５０’）中にいかなる金属も切断する必要はない。
【００５０】
周辺の１組のはんだバンプについて本明細書で開示する方法と同様に、本発明の方法を用いて、チップが反転した状態ではんだバンプのエリアアレイがリードフレーム上に同時にチップ接合されるアレイ型の部分的にパターン形成されたリードフレーム等、幅広くさまざまなパッケージを形成することができる。また、部分的にパターン形成されたリードフレーム自体のアレイを同時に形成し、次にやはり同時にＦＣ接合され、その次にそのアレイを多数の別個のＶＦＱＦＰ−Ｎ型のパッケージに個片切断してもよい。また、結果として生じるそれぞれのＣＳＰに、次に、パッケージの下にはんだバンプ、パッド、またはその他電気接続を設けて、次のレベルのパッケージングへのアレイタイプの接合を行い、ボールグリッドアレイを有するエッチングしたリードフレームパッケージまたは図２４ａおよび図２４ｂに示すＥＬＧＡ型のパッケージを形成してもよい。図２４ａにおいて、チップパッド（１３５’）がリード線（１４５’）の上に形成される断面図を示す。バックパターン形成の次に、リード線（１４５’）が互いから電気的に絶縁され、次のレベルのパッケージングに接合される。（１４５’）の露出する底面は、すず浸漬または無電解ニッケルめっきによって、いかなる数のはんだ付け可能な材料でフラッシュ仕上げしてもよい。図２４ｂにＥＬＧＡパッケージの底面（１１１’）を、電気接続用のアレイパターン（１４５’）を有して示す。
【００５１】
ＥＬＰ、ＥＬＰＦ、またはＥＬＧＡのパッケージのうちのいずれか１つを形成する部分的なエッチング方法はさまざまな製造段階中のロバスト性を提供するので、他の形の電子パッケージもまた可能である。そのような形の１つは、本発明のリードフレームパッケージの、次のレベルのパッケージングへのワイヤボンディングを含む。超音波ボンディング技法は、リード線自体が脆性であるために、堅固なベースに取り付けられて安定性および強度を与えなければ、従来のリードフレーム上には用いることができない。対照的に、部分的にエッチングしたリードフレームは、そのウェブ構造のおかげで安定している。部分的にパターン形成されたリードフレームの、エッチングされずプレめっきした底面（１２０’）が、堅固なボンディング領域またはポスト（posts）を提供して、ＥＬＰまたはＥＬＰＦのブロックまたはストリップにアルミニウムワイヤのウェッジボンディング用の超音波エネルギーを効果的に加える。したがって本発明の他の態様によれば、図２５ａに示すように、部分的にエッチングしたリードフレームのブロックまたはストリップの底面に、アルミニウムワイヤ（１２１）が超音波を用いて取り付けられる。ワイヤの直径は、約０．００１インチから０．０２０インチの間の範囲にわたり、後者の直径はワイヤというよりもリボンを表す。次にストリップは封止されバックパターン形成され個片切断されて、個々の近ＣＳＰを形成する。超音波ボンディングは、ボールグリッドアレイ型のパッケージが経験するボールボンディング温度にさらすことを回避し、したがって信頼性を向上させるので、望ましい。図２５ｂに示すように、銅ワイヤボールボンディングもまた適用してもよい。図２５ａおよび図２５ｂに示すＣＳＰは、ＥＬＰおよびＥＬＰＦのうちのいずれか１つであってもよいということが理解されよう。
【００５２】
本発明は、電子パッケージの製造工程において多数のさらなる利点を促進する。例えば、バックエッチング後で個片切断前には、パッケージのブロックは生来的にストリップテストの準備ができるが、パッケージは依然としてブロック内に配置されている。これは、パッケージを個々のユニットとして取り扱うことと比較して、著しい利点を提供する。パッケージがブロック内に配置されている間にそのストリップテストを行うことによって、テストの信頼性が向上する。
【００５３】
本発明はまた、製造者が千鳥配置のリード線を２行または３行有するパッケージを生産できるようにし、それによって所与のパッケージのＩ／Ｏ容量を増大させることができる。リードフレームの平らで連続した底面によって、共通の組立装置を用いることができるようになり、それぞれの用途に合わせ直す必要がなく、自動化に対して完全にフレキシブルである。例えば、２×２ないし１２×１２の間のパッケージブロックの処理であれば機械的変更が全く不要である。さらに、本発明は、それぞれのフットの「隔離絶縁部（stand off）」を有するパッケージの構成を容易に促進する（例えば、モールドされた本体の底部とフットの表面との間の２ミルのところ）。チップパッケージが基板等の次のレベルのパッケージングに接続されるときには、この隔離絶縁部がさらなる利点を提供する。
【００５４】
特定の実施形態を参照して本発明を詳細に示し説明したが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形式および詳細においてさまざまな変更を行ってもよいということを理解しよう。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１ａ】従来技術による、リード線とチップパッド領域とを有する従来のリードフレームの図である。
【図１ｂ】従来技術による、チップパッドへのチップの取付けとチップ上の端子のリード線へのワイヤボンディングとを示す、図１ａの従来のリードフレームの図である。
【図２ａ】従来技術による、リード線での次のレベルのパッケージングへの接続を示す、ワイヤボンディングしリード付きの）（リード線のある）略チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）の断面図である。
【図２ｂ】従来技術による、はんだバンプまたははんだボールでの次のレベルのパッケージングへの接続を示す、ワイヤボンディングしリードレスの（リード線のない）近ＣＳＰの断面図である。
【図２ｃ】従来技術による、リード線での次のレベルのパッケージングへの接続を示す、フリップチップの引き回した近ＣＳＰの断面図である。
【図２ｄ】従来技術による、はんだボールでの次のレベルのパッケージングへの接続を示す、フリップチップのリードレスの近ＣＳＰの断面図である。
【図３ａ】従来技術による、リードフレームのリード線へのバックボンディングされたチップのワイヤボンディングされた接続を示す、ステンシル状のリードフレームの上面図である。
【図３ｂ】従来技術による、はんだリフロー工程によるリードフレームのリード線へのフリップチップの接続を示す、ステンシル状のリードフレームの上面図である。
【図４】本発明による、ボンディング可能材料で両面をプレめっきした均一な厚さの金属膜の断面図である。
【図５】本発明による、頂面上のプレめっきのみが、チップパッドとそれぞれのチップパッドを取り囲むリード接点とをそれぞれが含む２つのチップ位置（sites）に対応してパターン形成されている、図４の金属膜の断面図である。
【図６】本発明による、部分的にパターン形成されている図４のめっきした金属膜の断面図である。
【図６ａ】本発明による、部分的にパターン形成されたリードフレームのマトリクスを示す上面図である。
【図６ｂ】図６ａに示すマトリクスにおけるリードフレームの漸進的に拡大した上面図を示す。
【図６ｃ】図６ａに示すマトリクスにおけるリードフレームの漸進的に拡大した上面図を示す。
【図７ａ】本発明による、２つのチップ位置のそれぞれの上のチップパッドにチップが取り付けられている、図６の部分的にパターン形成された金属膜の断面図である。
【図７ｂ】本発明による、エポキシまたははんだを備える取付けを示す、チップとチップパッドとの間の接合の拡大図である。
【図８】本発明による、それぞれのチップ上の端子が、それぞれのチップ位置上にそのように形成されたリードフレームのリード線部分にワイヤボンディングされている、図７ａまたは図７ｂのチップを取り付けた金属膜の断面図である。
【図９】本発明による、チップとワイヤボンドとを含む金属膜の頂面が封止材内にハーメチックシールされている、図８のワイヤボンディングされたリードフレームの断面図である。
【図１０】本発明による、裏側からエッチングされて、それぞれのリードフレームの第１の領域と膜のストリート領域とを除去している、図９のハーメチックシールされたパッケージの断面図である。
【図１１】本発明に従ってストリート領域において封止材が個片切断されて２つの別個のパッケージを形成している、２つの近チップサイズの部分的にパターン形成されたパッケージの断面図である。
【図１２ａ】本発明による、チップ、接点、およびチップ端子をリード接点に接続しているワイヤを示す、図１１の個片切断されたパッケージのうちの１つの上面図、ならびに、ワイヤボンドを有する、接点のうちの１つの拡大断面図である。
【図１２ｂ】本発明による、アンカーリングを行い層間剥離を防止するための、モールド材料に接触する垂直表面上の「リップ」の使用を示す、チップパッドと接点のうちの１つとの間の領域の断面図である。
【図１２ｃ】本発明による、アンカーリングを行い層間剥離を防止するための、モールド材料に接触する垂直表面上の異なる形状のキャビティの使用を示す、チップパッドと接点のうちの１つとの間の領域の断面図である。
【図１３ａ】本発明による、図１２ｂおよび図１２ｃに示す垂直表面上のモールド材料用のアンカーリング手段を提供するために用いることができるさまざまなキャビティの１つの図である。
【図１３ｂ】本発明による、図１２ｂおよび図１２ｃに示す垂直表面上のモールド材料用のアンカーリング手段を提供するために用いることができるさまざまなキャビティの１つの図である。
【図１３ｃ】本発明による、図１２ｂおよび図１２ｃに示す垂直表面上のモールド材料用のアンカーリング手段を提供するために用いることができるさまざまなキャビティの１つの図である。
【図１３ｄ】本発明による、図１２ｂおよび図１２ｃに示す垂直表面上のモールド材料用のアンカーリング手段を提供するために用いることができるさまざまなキャビティの１つの図である。
【図１３ｅ】本発明による、図１２ｂおよび図１２ｃに示す垂直表面上のモールド材料用のアンカーリング手段を提供するために用いることができるさまざまなキャビティの１つの図である。
【図１３ｆ】本発明による、図１２ｂおよび図１２ｃに示す垂直表面上のモールド材料用のアンカーリング手段を提供するために用いることができるさまざまなキャビティの１つの図である。
【図１４】本発明による、部分的にパターン形成されたパッケージを形成するさまざまな工程段階の概要を示すフローチャートである。
【図１５ａ】本発明による、周辺Ｉ／Ｏ構成を有するパッケージの上面図、側面図、および底面図を示す図である。
【図１５ｂ】本発明による、アレイ構成のＩ／Ｏパッドを有するパッケージの上面図、側面図、および底面図を示す図である。
【図１６】本発明による、頂面上のプレめっきのみが、チップ収納領域とそれぞれのチップ収納領域を取り囲むリード線とをそれぞれが含む２つのフリップチップ位置に対応してパターン形成されている、図４の金属膜の断面図である。
【図１７】本発明による、部分的にパターン形成されてウェブ状リードフレーム（すなわちウェブ構造）を形成している、図１６のめっきした金属膜の断面図である。
【図１８】本発明による、フリップチップ（ＦＣ）接合を示すチップ接合リードフレーム（ＦＣＬ）の断面図である。
【図１９】本発明による、チップを含む金属膜の頂面が封止材内にハーメチックシールされている、図１８のＦＣＬの断面図である。
【図２０】本発明による、裏側からエッチングされて、個々のリード線同士の間および引っ込んだチップ収納領域同士の間のウェブ部分を選択的に除去している、図１９のハーメチックシールされたパッケージの断面図である。
【図２１】本発明による、図２０のパッケージから個片切断されている、２つの近チップサイズの部分的にパターン形成されたパッケージの断面図である。
【図２２ａ】本発明による、チップと、チップ端子をリード線の端部に接続するリード線とを示し、リード線はまた次のレベルのパッケージングに接続されている、図２１の個片切断されたパッケージのうちの１つの上面図である。
【図２２ｂ】本発明による、リード線の２つの端部接続（two end connections）を示す、フリップチップと次のレベルのパッケージングへの接続との間の領域の拡大断面図である。
【図２３】本発明による、フリップチップを支持する部分的にパターン形成されたパッケージを形成するさまざまな工程段階の概要を示すフローチャートである。
【図２４ａ】本発明による、個片切断され、次に次のレベルのパッケージングへの接続用のボールグリッドアレイコネクタが設けられて、ＥＬＧＡ型のパッケージを形成している、２つの近チップサイズの部分的にパターン形成されたパッケージの断面図を示す。
【図２４ｂ】本発明による、個片切断され、次に次のレベルのパッケージングへの接続用のボールグリッドアレイコネクタが設けられて、ＥＬＧＡ型のパッケージを形成している、２つの近チップサイズの部分的にパターン形成されたパッケージの底面図を示す。
【図２５ａ】本発明による、図２４ａおよび図２４ｂのパッケージがそれぞれアルミニウムワイヤでまたは銅のワイヤボールボンディング技法で超音波ボンディングされる、本発明の別の実施形態を示す。
【図２５ｂ】本発明による、図２４ａおよび図２４ｂのパッケージがそれぞれアルミニウムワイヤでまたは銅のワイヤボールボンディング技法で超音波ボンディングされる、本発明の別の実施形態を示す。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２ａ】
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【図１２ｂ】
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【図１２ｃ】
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【図１３ａ】
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【図１３ｂ】
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【図１３ｃ】
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【図１３ｄ】
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【図１３ｅ】
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【図１３ｆ】
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【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２ａ】
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【図２２ｂ】
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【図２３】
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【図２４ａ】
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【図２４ｂ】
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【図２５ａ】
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【図２５ｂ】
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【国際調査報告】
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