(57)【要約】所望のガス発生率を達成するのに十分な時間（１８）の期間、標準Ｏリング（１６）を不活性雰囲気において真空下に置くことにより、超低水分Ｏリングが準備される。熱は加えられない。Ｏリングが真空下にある間に、水分は拡散輸送を介してＯリング（２０）から除去される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分を低減させたＯリングを準備するための方法であって、
ａ）  既知の寸法のＯリングが所望のガス発生率を得るために真空下に置かれるべき時間量を計算するステップと、
ｂ）  前記Ｏリングを計算された時間量だけ真空下に置くステップとを含み、前記Ｏリング内の水分は真空下にある間に低減され、方法はさらに、
ｃ）  計算された時間量が満了したときに前記Ｏリングを真空から取除くステップを含む、方法。
【請求項２】
前記Ｏリングは真空下にある間に加熱されない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｏリングを、真空下にある間に不活性雰囲気に置くステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
水分を低減させたＯリングであって、前記Ｏリングは、
ａ）  既知の寸法のＯリングが所望のガス発生率を得るために真空下に置かれるべき時間量を計算することと、
ｂ）  前記Ｏリングを計算された時間量だけ真空下に置くこととによって準備され、前記Ｏリング内の水分は真空下にある間に低減され、Ｏリングはさらに、
ｃ）  計算された時間量が満了したときに水分が低減されたＯリングを真空から取除くことによって準備される、Ｏリング。
【請求項５】
前記Ｏリングは、真空下にある間に不活性雰囲気に置かれることによりさらに準備される、請求項４に記載のＯリング。
【請求項６】
前記Ｏリングは、真空下にある間に加熱されない、請求項４に記載のＯリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
この発明は封止Ｏリングの準備に関し、特に超低水分Ｏリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
半導体チップ製作の周知の方法は、化学蒸着法（ＣＶＤ）反応器においてシリコン基板上にエピタキシャル法で成長させたシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を堆積することに関する。このシリコン基板上へのＳｉＧｅの堆積は、トランジスタを形成するための材料の層をもたらす。ＳｉＧｅ堆積は、高速低電力ＲＦおよび光素子を作製するために一般に用いられる。
【０００３】
ＳｉＧｅ堆積の間に、ＣＶＤ反応器チャンバに存在する酸素がＳｉＧｅ膜に取込まれる。ＳｉＧｅ膜への高度な酸素取込についての機構は、完全にはわかっていないものの、十分に記録されている現象である。ＳｉＧｅを堆積するために用いられるＣＶＤ反応器チャンバ内の上昇した酸素レベルは、ＣＶＤ反応器チャンバ内で作製されるＳｉＧｅ膜においてさまざまな問題を引起こす。これらの問題には、ＳｉＧｅ  ｐ型ベースの上昇したシート抵抗および粗悪な結晶品質が含まれる。さらに、チャンバにおいて許容可能な酸素レベルが得られるまで、反応器は何週間もまたは何ヶ月までもオフラインにされなければならない。反応器は、オフラインである間に完全に分解されて水分を除去され、再組立てされ、次いでＳｉＧｅ膜内の許容可能な酸素レベルが得られるまでテストされる。オフラインの反応器を半導体チップの製造に用いることは明らかに不可能なので、これはコストがかかる。
【０００４】
ＣＶＤ反応器内の酸素レベルを低減および安定化させることが望ましいが、なぜならばそれはＳｉＧｅ  ｐ型ベースの抵抗におけるばらつきを減じ、結晶品質を向上させ、また単一のＣＶＤ反応器がオンラインであってチップの製造のために使用される時間量を増大もさせるであろうからである。さらに、少数キャリア寿命は、１０の酸素の低減に対して１．３３のオーダで増加する。（Ｔ・ガーニ他、『少数キャリア寿命への酸素の影響およびSi1-xGexヘテロ構造装置における再結合電流』(T. Ghani et al., “Effect of Oxygen
on Minority-Carrier Lifetime and Recombination Currents in Si1-xGexHeterostructure Devices.” Applied Physics Letters, 58(12), 1991)）少数キャリア寿命の増加は、電荷キャリアの数を増大させることによって半導体チップの性能を向上させる。
【０００５】
ＣＶＤ反応器内の上昇した酸素レベルまたはＳｉＧｅベース抵抗の影響を減じるための努力は、反応器チャンバにジボラン（Ｂ2Ｈ6）を追加することに集中してきた。ホウ素の追加はＳｉＧｅ  ｐ型ベースのシート抵抗を減じないものの、究極的にはプロセスの安定性に負の影響を与えるであろう他のプロセス調整を必要とする恐れがある。たとえば、Ｂ2Ｈ6流れへのばらつきは、ＳｉＧｅベース幅およびＧｅ濃度を変調させ得ることが実証されている。
【０００６】
ＣＶＤ反応器内の上昇した酸素レベルは、ＣＶＤ反応器で用いられる封止Ｏリングからのガス（水分および溶媒）のガス発生および透過によるものであることが公知である。ガス発生は、通常は水蒸気であるガスがＯリングのＣＶＤ反応器チャンバ側表面から脱着することと、Ｏリングの本体におけるガスがＯリングの表面に拡散しここで脱着することとの、結果である。雰囲気からのガスは、拡散輸送を介してＯリングの本体をわたり、そして脱着により反応器チャンバへと透過する。（Ｐ・ダニエルソン、『ガス負荷量およびＯ
リング』(P. Danielson, “Gas Loads and O-Rings,” A Journal of Practical and Useful Vacuum Technology)）一旦水分が反応器チャンバに入れば、それは繰り返し吸収および脱着する。
【０００７】
透過は、Ｏリングの材料特性と、直線で何インチのＯリングが真空に露出されているかと、膜または封止をわたる圧力差との関数である。透過から生ずるガス負荷量は一定であるが、ガス発生および見掛けの漏れから生ずるガス負荷量は変動する。一般的に、透過率はＣＶＤ反応器内の酸素濃度の下方境界を決定する一方、ガス発生率は反応器内の酸素濃度の上方境界を設定する。Ｏリング透過は、以下の方程式により数学的に記述され得る。
【０００８】
【数１】
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【０００９】
ただしｈは有効材料厚さであり、Ｋは透過定数であり、ｊは解離定数である（一般的に、非金属におけるガスに対してはｊ＝１、金属における二原子分子ガスに対してはｊ＝２）。
【００１０】
図１（Ｐ・ダニエルソン、『ガス負荷量およびＯリング』（A Journal of Practical and Useful Vacuum Technology, 2002）より採用）に示されるように、新しいベーキングされていないＯリングが真空システムに取付けられる場合、ベーキングされていないＯリング１０からの拡散輸送を介したガス発生は、透過１２によるものよりも高いガス負荷量の要因となる。真空システムにおけるポンピング時間が増大するにつれて、ベーキングされていないＯリング１０からのガス発生によるガス負荷量は減少し、透過１２が主なガス負荷量の要因となる。透過１２によるガス負荷量は一定のままである。時間の経過に伴なうベーキングされたＯリング１４からのガス発生によるガス負荷量は、透過１２によるものよりも低くなるが、以下に詳細に説明するように、ベーキングされたＯリングは、弾性と恐らくは透過性質とに対する影響のために、ＣＶＤ反応器における封止リングとしては不適切である恐れがある。
【００１１】
ＳｉＧｅ堆積においては、Ｏリングからのガス発生はプロセスの安定性に影響を与える恐れがあり、したがってプロセスの調整をしばしば要求する。ＣＶＤ反応器内の酸素濃度を透過によるレベルにまで減じることが望ましいであろうが、なぜならば上述のように、透過による酸素レベルは時間の経過に伴って一定であり、かつ一般的にガス発生による酸素レベルよりも低いからである。
【００１２】
Ｏリングからのガス負荷量は、多くは製造プロセスによるものである。新しいＯリングは、未反応モノマー、溶媒、揮発性硬化剤、および水蒸気を含み得る。硬化プロセスもまたガス負荷量を増大させ得るが、なぜならば硬化の間にＨＦが形成され、ＭｇＯのような酸受容体が加えられてＨＦと反応するからである（上記文献）。新しいリング内の水がガス発生されるまでに数週間または数ヶ月かかり得る。しかしながら、ＣＶＤ反応器におけるＳｉＧｅ堆積のような酸素感応プロセスにおいては、これは受容可能な酸素レベルが達成されるまでＣＶＤ反応器を製造プロセスから外すので、コストが極めて高くなり得る。Ｏリングは取付けの前に雰囲気でベーキングされるが、それはＯリング本体に捉えられている水のいくらかしか除去せず、Ｏリングの弾性に影響を与え、それをＣＶＤ反応器の封止には不適切にする。真空ベーキングは水分の大部分を除去するが、弾性、質量損失、および透過率への影響は深刻な懸念である。
【００１３】
真空および／または熱処理されたＯリングはベンダーから購入可能であるが、これらのＯリングにおけるガス負荷量はやはり高い。準備のためのベンダー仕様書どおりの（取付け前にＯリングをイソプロピルアルコールで拭くこと）低水分Ｏリングを用いたＳｉＧｅ膜内の最低記録の酸素レベルは、１０18原子／ｃｃの酸素である。この酸素レベルは、５週間よりも長い間約１５００のウェハを処理した後でしか達成されなかった。新しいＯリングがガス発生するためにかかる時間量からすると、ＳｉＧｅ堆積プロセスは、ＣＶＤ反応器内の酸素濃度が許容可能なレベルに達して一貫した性能が得られる前に新しいＯリングが取付けられる、予防保守手順の後の数週間は不安定であり得る。したがって、許容可能な酸素レベルに達するまで長い期間反応器がオフラインにされることを要求せずにＣＶＤ反応器に取付けられ得る、水分を低減させたＯリングを得ることが望ましいであろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この発明の目的は、Ｏリングの弾性、質量および透過率に影響を与えることなくＯリングの本体から過剰な水分を除去する、封止Ｏリングの準備を提供することである。
【００１５】
この発明の目的は、低いガス負荷量のＯリングを提供することである。
【００１６】
この発明の別の目的は、ガス発生による反応器チャンバ内の上昇した酸素レベルを生成しない、ＣＶＤ反応器のためのＯリングを提供することである。
【００１７】
この発明のさらなる別の目的は、ＣＶＤ反応器内の酸素レベルが、時間の経過に伴い一定のままである透過レベルに近接するように、ＣＶＤ反応器に用いるためのＯリングを提供することである。
【００１８】
この発明のさらなる別の目的は、ＳｉＧｅ膜内の酸素濃度が減じられるように、ＣＶＤ反応器に用いるための水分が低減されたＯリングを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
発明の概要
これら目的は、Ｏリングが予め定められた時間量で不活性雰囲気（たとえばＮ2）において真空下に配置される、Ｏリングを準備するための方法によって満足される。熱は加えられない。Ｏリングが真空下にある間に、水分は拡散輸送を介してＯリングから除去される。
【００２０】
Ｏリングが上記態様で準備され、次いでＣＶＤ反応器に固定される場合、ＳｉＧｅ膜内の酸素レベルは、典型的な二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）検出よりも低いレベルに、すなわち、（真空下に配置されないＯリングが用いられた場合の１０18原子／ｃｃの酸素と比較して）２×１０17原子／ｃｃ未満に低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
発明を実施するためのベストモード
最良の結果のために、Ｏリングが扱われる場合にはいつでも二重クリーンルームグローブが着用されるべきである。グローブは、頻繁に、３０分または６０分ごとに交換されるべきであり、もしそれらが汚染されれば交換されなければならない。Ｏリングは、雰囲気への不必要な露出を避けるために、それらが処理されるべき時までＮ2環境においてパッケージングに保存されるべきである。Ｏリングが接触するであろうすべての作業表面はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で拭かれるべきである。
【００２２】
Ｏリングを真空下に配置する前に、真空のＮ2ソースは＜１ｐｐｍ  Ｈ2Ｏにまで純化されていることが確実であるように点検されるべきである。真空容器の内部はＩＰＡで拭かれるべきである。最良の結果のために、真空チャンバは外部への漏れがないことを確認するためにも点検されるべきであり、かつ昇圧速度（ＲＯＲ）は１ｍｔｏｒｒ／分未満であることが確実であるように行なわれるべきである。（ＲＯＲ手順は以下のように行なわれ得る。１）すべてのガスを遮断し、容器をベース圧力にまでポンピングする。２）分離バルブを閉鎖することにより真空容器を分離する。３）ベース圧力を記録し、３０分から数時間の範囲の時間期間、システムを「漏洩（leak up）」させる。および４）最終圧力から開始圧力を減算し、その値を全漏洩時間で除算することによりＲＯＲを計算する。）もしＲＯＲが１ｍｔｏｒｒ／分を超過するのであれば、システムはＲＯＲ要件が満足されるまでポンピングされＮ2でパージされるべきである。
【００２３】
新しいＯリングを真空下に配置する前に、それはクリーンルームの拭き取り器でイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）でドライ拭き取りされるべきである。ＯリングはＩＰＡ拭き取りの直後に真空チャンバに配置されるべきである。Ｎ2流れは１標準リットル毎分（ｓｌｐｍ）であって、真空圧力は１ｍｔｏｒｒから５０ｔｏｒｒの範囲にわたるべきである。他の実施例においては、上述の真空圧力範囲を保ち得る限り、１ｓｌｐｍよりも大きなＮ2流れが用いられてもよい。２０℃から２００℃の範囲にわたる低い温度が用いられるべきである。上述のように、熱はＯリングからの水分の除去を促進するが、過剰な熱の付与は質量、形状、および弾性の損失をもたらすおそれがあり、したがって困難な取付け、時期尚早な失敗、および増大された透過率をもたらすおそれがある。
【００２４】
Ｏリングは、最低限のプロセス時間、窒素をパージして真空下に保つべきである。最低限のプロセス時間は、以下を参酌する。１）ベーキングおよびベーキングされていない材料に対するポンピング時間の関数としてのガス発生率、２）真空に露出されるＯリングの寸法すなわち主に長さ、およびＯリングのリニアインチ（linear inch）ごとのガス発生率、ならびに、３）もしドーパントが用いられるならば、ドーパント注入よりも２〜３０低いガス発生率を達成すること（ｐ型ＳｉＧｅのためのジボラン注入レベルはμ−ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル毎分）からｍ−ｓｃｃｍ範囲にある）。
【００２５】
ガス発生率は、［（圧力×体積）／（時間×長さ）］の項で、通常ｔｏｒｒ−リットル／秒−インチ（torr-litter/sec-inch）、またはリニアインチごとのスループット（throughput per linear inch）で表わされる。これは以下のようにｓｃｃｍに変換される。Ｑtot＝Ｑinch（１ｓｔｄａｔｍ／７６０ｔｏｒｒ）（１０００ｃｃ／リットル）（６０秒／分）（ｘ）、ただしＱtot＝ｓｃｃｍでのＯリングからの合計ガス負荷量、および、ｘ＝真空に露出されたＯリングのリニアインチである。
【００２６】
ガス発生率は、ベンダーから、または昇圧速度（ＲＯＲ）技術を用いることにより得ることができる。ＲＯＲ技術においては、Ｏリングは真空下に配置され、ＲＯＲが測定される。真空前調整手順の間に予め定められたチャンバＲＯＲが減算されて、結果として生じるＲＯＲが等価のガス発生率に変換される。
【００２７】
この発明の一実施例においては、ガス発生率は以下のようにも計算され得る。図１を参照して、所与の時間数の後のベーキングされていないバイトンＯリングの合計ガス発生は、実験および計算（この例ではフィル・ダニエルソンによって行なわれ、『ガス負荷量およびＯリング』（A Journal of Practical and Useful Vacuum Technology, 2002）から採用した）により得られる。ここで処理時間を１０００時間と想定すると（Ｏリングのサイズおよび種類に依存して、処理時間は変動し得る）、リニアインチごとの合計ガス発生は約３×１０-7ｔｏｒｒ−リットル／秒／リニアインチである。上述の数式（Ｑtot＝Ｑinch（１ｓｔｄａｔｍ／７６０ｔｏｒｒ）（１０００ｃｃ／リットル）（６０秒／分）（
Ｘ）、ただしＱtot＝ｓｃｃｍでのＯリングからの合計ガス負荷量、および、ｘ＝真空に露出されたＯリングのリニアインチ）を用いて、真空に露出されたＯリング表面の合計ガス発生率が計算され得る。
【００２８】
図２は、ベーキングされていないＯリング１６およびベーキングされたＯリング２０に対する１０００時間のポンピングの後の、Ｏリングガス発生および透過１８対Ｏリングのリニアインチを示す。意外なことではないが、Ｏリングにおけるリニアインチの値が増大するにつれ、ベーキングされた２０およびベーキングされていない１６Ｏリングの両方のガス発生によるガス負荷量ならびに透過１８が増大する。
【００２９】
図３は、室温での真空時間の関数としての、バイトンＯリングの１００リニアインチに対するガス発生率２２を示す。図３に示すように、材料の１００リニアインチが真空に露出されたバイトンＯリングに対する本体水分の低減は長い時間を要する。図１において上述の数式、すなわちＱtot＝Ｑinch（１ｓｔｄａｔｍ／７６０ｔｏｒｒ）（１０００ｃｃ／リットル）（６０秒／分）（Ｘ）、ただしＱtot＝ｓｃｃｍでのＯリングからの合計ガス負荷量、および、ｘ＝真空に露出されたＯリングのリニアインチ、の数式を用いて、１００リニアインチが真空に露出されたＯリングに対して、リニアインチごとの合計ガス発生（Ｑinch）が約３×１０-7ｔｏｒｒ−リットル／秒／リニアインチであると想定すれば、このＯリングに対するガス発生率は３×１０-5ｔｏｒｒ−リットル／秒である（ＳｉＧｅ膜へのＢ2Ｈ6注入のオーダで）。異なった材料で作られた異なったサイズのＯリングに対して同様の計算を行ない得る。Ｏリング内の水分を低減させるために要求される処理時間の決定には、上記計算の数回の反復を必要とし得る。たとえば、もし真空下での１０００時間が十分過ぎるほどであれば、処理時間は５００時間などを用いて再計算されるべきである。数回の反復を必要とし得る。
【００３０】
上述の水分除去プロセスがいつその終了点に達したかを判断するために、２つの異なった技術を用い得る。残留ガス分析器（ＲＧＡ）技術を用い得るが、このデータは、システム内の酸素およびＨ2Ｏの極度に低い分圧により解釈が困難であろう。別の技術は、二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）により酸素の膜内取込を測定することである。図４は、水分が低減されたＯリングが取付けられる予防保守手順（ＰＭ２）と比較して、新しい標準Ｏリングが取付けられる予防保守手順（ＰＭ１）を行なった後のＣＶＤ反応器を通って循環されるウェハの数の関数としての、膜中酸素濃度（ＳＩＭＳによって決定される）を示す。ＰＭ１  ２４は、標準Ｏリングが用いられた場合の膜中酸素濃度を示す。約２００個のウェハが循環された後、膜中酸素濃度は２×１０19原子／ｃｃである。膜中酸素濃度は、約５００個のウェハが再循環された後で３．５×１０18原子／ｃｃに低下し、１５００個のウェハが循環された後では、膜中酸素濃度は５．６×１０17原子／ｃｃに低下する。ＰＭ２  ２６において水分を低減させたＯリングが用いられた場合、初期の膜中酸素濃度は１０18原子／ｃｃである。約４５０個のウェハが処理された後で、膜内濃度は２．５×１０17原子／ｃｃである。ＣＶＤ反応器での水分を低減させたＯリングの使用は、明らかに、標準の水分を低減させていないＯリングを用いるシステムにおいてよりも、より急速に達成される、より低い膜中酸素濃度をもたらす。
【００３１】
図５は、予防保守手順ＰＭ１およびＰＭ２の後の、正規化されたシート抵抗対ＣＶＤ反応器において循環されるウェハ数を示す。標準の水分を低減させていないＯリングを用いるＰＭ１  ２８は、約５０個のウェハが再循環された後で約１．２５のシート抵抗をもたらす。シート抵抗は、約５００個のウェハが再循環されるまで１．０に低下しない。対照的に、水分を低減させたＯリングを用いるＰＭ２  ３０は、ほぼ即時に約１．０の正規化されたシート抵抗をもたらす。このシート抵抗はほぼ一定のままである。図４および図５の両方を参照して、図４に示されるようにＰＭ２  ２６において水分を低減させたＯリングを用いて達成される初期の膜中酸素濃度である１０18原子／ｃｃの膜中酸素濃度は、酸
素がもはやシート抵抗に影響を与えないポイントを表わすようであるが、なぜならば図４に示されるように初期の膜中酸素濃度が１０18原子／ｃｃであるＰＭ２  ３０において水分を低減させたＯリングが用いられた場合に、図５に示されるようにほぼ即時に１．０の正規化されたシート抵抗が得られるからである。この「シート抵抗対酸素しきい値」は、プロセスに依存するであろう。しかしながら、酸素を減少させることは、どのようなプロセスしきい値にも必須である。
【００３２】
図４および図５を参照して、水分を低減させたＯリングを用いる保守手順が、それを用いない手順よりもはるかに急速にＣＶＤ反応器内の許容可能な酸素濃度を達成することは明らかである。ＳＩＭＳ検出すなわち２×１０17原子／ｃｃ未満の膜中酸素レベルが、定期的に実証されている。さらに、水分を低減させたＯリングの使用は、２、３日以内の１０18原子／ｃｃ（すなわち、酸素濃度がシート抵抗に影響を与えないレベル）の膜中酸素濃度をもたらす。水分を低減させていないＯリングが用いられた場合、このレベルを達成するのに５週間よりも長くかかり、その時間の間に約１５００個のウェハが処理された。
【００３３】
上述のように、Ｏリングは、最小限の計算されたプロセス時間またはそれらが必要になるまでのうちのいずれか長いほうの間、窒素パージで真空下にとどめられるべきである。したがって真空チャンバはＯリング格納設備として考えられるべきである。一旦Ｏリングに対する水分を低減させたプロセスが開始すると、すなわちＯリングが真空下に配置されると、真空はそのままにされるべきである。それよりも遅い時期にさらなるＯリングを真空チャンバに追加することは、追加された新しいＯリングの前に処理を受けていたＯリングを再汚染する。チャンバを雰囲気に循環させることも避けなければならないが、なぜならばそれは水分を追加し、この水分を除去するためにさらなるプロセス時間を要求するからである。もし保守目的で真空チャンバを開けなければならない場合は、Ｏリングは窒素パージキャビネットに格納されるべきである。チャンバの準備が再び整えば、Ｏリング調整を再開可能である。
【００３４】
Ｏリングは、それらがＣＶＤ反応器に取付けられるべき時まで真空から取除かれてはならない。一旦それらが取付けられると、システムが閉鎖されるまで雰囲気への露出を最低限にするためにＮ２パージボックスまたは何らかのそのようなものが用いられるべきである。上述のように、Ｏリングはグローブで扱われるべきであって、Ｏリングが接触するであろうすべての表面はＩＰＡで拭かれるべきであるが、Ｏリングは一旦これらが処理されればＩＰＡで拭かれてはならない。
【００３５】
一旦Ｏリングが取付けられると、熱が付与される前に低温チャンバ漏洩率が計測されるべきである。温度は３−１２時間の期間をわたって３００℃以下までゆっくりと逓増させるべきである。温度逓増およびチャンバシーズニングの後で、ガス発生ルーチンの全体的な有効性を判断するためにＳＩＭＳおよびシート抵抗モニタが定期的に行なわれるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】時間の経過に伴う真空下でのＯリングのガス負荷量を示すグラフである。
【図２】真空下での１０００時間の後の、Ｏリングガス発生およびＯリングのリニアインチごとの透過を示すチャートである。
【図３】室温での真空時間の関数としての、バイトンＯリングの１００リニアインチに対するガス発生率を示すグラフである。
【図４】標準または水分を低減させたＯリングのいずれかがＣＶＤ反応器に取付けられる保守手順の後の、膜中酸素濃度対ＣＶＤ反応器を通って循環されるウェハの数のグラフである。
【図５】標準または水分を低減させたＯリングのいずれかがＣＶＤ反応器に取付けられる保守手順の後の、正規化されたシート抵抗対ＣＶＤ反応器を通って循環されるウェハの数のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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