(57)【要約】パラレルに欠陥を検出する方法および装置を提供する。この方法は、第１処理ツール（１０５Ａ）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、第２処理ツール（１０５Ｂ）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、第１処理ツール（１０５Ａ）によるワークピースの処理および第２処理ツール（１０５Ｂ）によるワークピースの処理の少なくとも一方に関連する欠陥が生じたかどうか判断すべく、受信したデータの少なくとも一部を共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップと、を含んでいる。
2006513561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理ツール（１０５Ａ）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
第２処理ツール（１０５Ｂ）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
前記第１処理ツール（１０５Ａ）によるワークピースの処理および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）によるワークピースの処理の少なくとも一方に関連する欠陥が生じたかどうか判断すべく、受信したデータの少なくとも一部をこれらの処理ツール（１０５Ａ）、（１０５Ｂ）の双方に共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記比較するステップは、前記受信したデータの前記一部を複数の共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記受信したデータの前記一部を複数の共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップは、前記受信したデータの前記一部を、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）の処理レシピまたはツール状態の少なくとも一方を示す複数の共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
第３処理ツール（１０５）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
前記第３処理ツール（１０５）による前記ワークピースの前記処理に関連する受信したデータを前記共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップとをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ワークピースの前記処理に関連する前記データを受信するステップは、前記第１処理ツール（１０５Ａ）による半導体ウェーハの処理に関連する前記データを受信するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記データを受信するステップは、前記第１処理ツール（１０５Ａ）による前記ウェーハの処理および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）による前記ウェーハの処理に関連する計測データを受信するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記データを受信するステップは、実質的にリアルタイムに第１処理ツール（１０５Ａ）および第２処理ツール（１０５Ｂ）による前記ウェーハの処理に関連するデータを受信するステップと、
前記受信したデータの少なくとも一部に基づく前記欠陥モデル（１８０）を更新するステップとをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ウェーハを処理するように構成される第１処理ツール（１０５Ａ）と、
ウェーハを処理するように構成される第２処理ツール（１０５Ｂ）と、
欠陥検出ユニット（１５０）であって、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）による前記ウェーハの前記処理に関連するデータを受信し、前記受信したデータの少なくとも一部と、少なくとも前記第１処理ツールおよび前記第２処理ツールの許容できる処理範囲を示す欠陥モデル（１８０）との比較に基づき、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）の少なくとも一方に関連する欠陥を検出するように構成されることを特徴とする欠陥検出ユニット（１５０）と、を含む、システム。
【請求項９】
高度プロセス制御フレームワーク（１２０）は、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）と前記欠陥検出ユニットとの間に接続される、請求項８記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、工業プロセスに関し、より詳しくは、半導体製造プロセスにおいて同時（以下、「パラレル」という。）に欠陥検出を実行することに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体業界においては、集積回路装置、例えばマイクロプロセッサ、メモリ装置及びこれに類するもの等の信頼性、スループットの向上に対する継続的な動機付けが存在する。この動機付けは、より信頼性の高いコンピュータおよび電気製品に対する消費者の要求によってあおられている。これらの要求は、半導体デバイス（例えばトランジスタ）の製造およびこのようなトランジスタを組み込んだ集積回路デバイスにおける継続的な改良へとつながる。
加えて、典型的なトランジスタのコンポーネントの製造の欠陥を減少することは、さらにそのようなトランジスタを組み込む集積回路装置のコストと同様、１つのトランジスタ当たりの全費用も低くする。
【０００３】
一般に、フォトリソグラフィステッパ、エッチングツール、たい積ツール、研摩ツール、急速熱処理ツール、注入ツール等を含む様々な処理ツールを使用して、一連の処理ステップがロットと呼ばれるウェーハのグループに関して実行される。
半導体処理ラインの動作を改善する一つの技術は、自動的に様々な処理ツールの動作を制御するための工場規模の制御システムを含む。
【０００４】
製造ツールは、製造フレームワークまたはモジュールを処理するネットワークと通信する。各製造ツールは一般的に、設備インターフェースに接続される。
設備インターフェースは、製造ツールと製造フレームワークとの間のコミュニケーションを容易にする機械インターフェースに接続される。この機械インターフェースは一般に、高度なプロセス制御（ＡＰＣ）システムの一部であり得る。
このＡＰＣシステムは、製造モデルに基づいたコントロール・スクリプトを開始する。この製造モデルは、製造工程を実行するのに必要とされるデータを自動的に検索するソフトウェアプログラムであり得る。
しばしば、半導体デバイスは、処理された半導体デバイスの質に関係のあるデータを生成して、複数の工程についての複数の製造ツールを通じて製造される。
【０００５】
製造プロセス中に、製造されるデバイスの性能に影響を与える複数のイベントが起こり得る。
すなわち、製造プロセス・ステップにおけるばらつきにより、デバイスの性能がばらつくこととなる。
構造のクリティカルディメンション、ドーピングレベル、粒子汚染、フィルムの光学的特性、フィルムの厚み、フィルムの均一性等のようなファクタはすべて、潜在的にデバイスの最終的な性能に影響する可能性がある。
処理ラインの様々なツールは、処理のばらつきを少なくするようにパフォーマンスモデルにしたがって制御される。
一般的に制御されたツールは、フォトリソグラフィステッパ、研磨ツール、エッチングツール、およびたい積ツールを含んでいる。
これらのツールのプロセスコントローラには、前処理および（または）後処理の計測データが供給される。できるだけターゲット値に近い後処理結果になるようにすべく、操作レシピ・パラメータは、実行モデルおよび計測情報に基づいたプロセスコントローラによって計算される。
この方法におけるばらつきを低減することは、スループットの増加、コストの軽減、より高いデバイス性能等（これらは全て、収益性を増加することになる）に結びつく。
【０００６】
欠陥検出はまた、半導体製造プロセスを含む工業プロセスの収益性に影響を与える場合がある。典型的には、処理ツールの動作を示す欠陥モデルを、欠陥を検知するのに利用してもよい。
ヒストリカルデータに基づいて生成することができる欠陥モデルは、特定の実装により、小規模で単純なモデルから大規模でより複雑なモデルに及び得る。
各処理ツールは一般的に、その処理ツールに関する欠陥を検知するための各々に関する欠陥モデルを有している。
製造システム中の処理ツール数が増加するにつれて、必要な欠陥モデルの数も増加する。このことは欠陥モデルを格納するのに必要なハードウェア資源を増加させ得る。
さらに、定期的に更新される多くの欠陥モデルを維持すべく、かなりの人的資源およびハードウェア資源が消費される可能性がある。
【０００７】
本発明は、上述したような１つ以上の問題点を克服または少なくともその影響を減少することをその課題とする。
【発明の開示】
【０００８】
本発明の実施形態の一例においては、パラレルに欠陥を検出する方法を提供する。この方法は、第１処理ツールによってワークピース（加工物）（work piece）の処理に関するデータを受信するステップと、第２処理ツールによってワークピースの処理に関するデータを受信するステップと、第１処理ツールによるワークピースの処理および第２処理ツールによるワークピースの処理の少なくとも１つに関して欠陥が生じたかどうかを判断すべく、この受信データの少なくとも一部を、双方の処理ツールに共通の欠陥モデルと比較するステップと、を含む。
【０００９】
本発明の他の実施形態の一例においては、パラレルに欠陥を検出する装置を提供する。
この装置は、制御ユニットに通信接続されるインタフェースを含んでいる。このインタフェースは、第１および第２処理ツールによってワークピースの処理に関するトレース・データを受信するようになっている。
制御ユニットは、受信したトレース・データの少なくとも一部と、少なくとも第１および第２処理ツールの許容できる動作範囲を示す欠陥モデルとの比較に基づいて第１および第２処理ツールの少なくとも一方に関して欠陥を検出するようになっている。
【００１０】
本発明のさらなる実施形態においては、パラレルに欠陥を検出すべく、命令（インストラクション）を含んだ１つ以上のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を含む物（アーティクル）が提供される。
この１つ以上の命令が実行されることにより、プロセッサは、第１処理ツールによるワークピースの処理に関連するデータを受信し、第２処理ツールによるワークピースの処理に関連するデータを受信し、第１処理ツールによるワークピースの処理に関連する欠陥が生じたかどうか判断すべく、受信したデータの少なくとも一部を欠陥モデルと比較することができるようになる。この欠陥モデルは、第１処理ツールおよび第２処理ツールを示す。
【００１１】
本発明のさらなる実施形態においては、パラレルに欠陥を検出するシステムが提供される。このシステムは、第１処理ツール、第２処理ツール、および欠陥検出ユニットを含む。第１処理ツールはウェーハを処理するようになっている。第２処理ツールは、ウェーハを処理するようになっている。欠陥検出ユニットは、第１処理ツールおよび第２処理ツールによるウェーハの処理に関連するデータを受信し、受信したデータの少なくとも一部と欠陥モデルとの比較に基づき、第１処理ツールおよび第２処理ツールの少なくとも一方に関連する欠陥を検出する。この欠陥モデルは、少なくとも第１処理ツールおよび第２処理ツールの許容できる処理範囲を示す。
【００１２】
本発明は、添付の図面に関連づけた以下の説明を参照することによって理解できるであろう。図面中、類似の参照符号は類似の要素を示している。本発明は様々な変形例および代替例の形態となり得るが、このうちの特定の実施形態を例示のために図示し、本明細書において詳細に説明する。しかしながら、特定の実施形態についての本明細書中の説明は開示された特定の形態に本発明を限定しようとするものではなく、反対に、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の趣旨および範囲内にあるすべての変形例、均等物および代替物を含むことを意図していることを理解してもらいたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の例示としての実施形態を以下説明する。明確化のために、本明細書では、現実の実施品のすべての特徴を説明することはしない。そのような現実の実施品の開発においては、例えばシステム関連の順守事項およびビジネス上の制約など、実用化の事例毎に異なる開発者の特定の意図を達成するために、数々の実施に則した判断を行わなければならないことは当然理解してもらえるだろう。さらに、そのような開発努力は複雑で時間のかかるものであるかもしれないが、それにもかかわらず本明細書の開示による利益を得た当業者にとっては日常作業に過ぎないことも理解できるであろう。
【００１４】
図面に戻り、図１には、本発明の実施形態の一例によるシステム１００のブロック図が示される。この実施形態におけるシステム１００は、半導体製造プロセス、フォトグラフィックプロセス、化学的プロセス、およびこれらに類するプロセスのような工業プロセスを実行する複数の処理ツール１０５（１０５Ａ、１０５Ｂとして図示される）を含んでいる。
【００１５】
説明のため、処理ツール１０５は半導体製造処理ツールとする。そのため、処理ツール１０５は、シリコンウェーハのような処理されたワークピースを製造するのに使用されるどのような半導体製造設備の形態のものであってもよい。
典型的な処理ツール１０５は、露光ツール、エッチングツール、たい積ツール、研磨ツール、急速加熱処理ツール、テスト装置ツール、インプラントツールおよびこれらに類するものの形態とすることができる。
半導体プロセスは、これらに限られないが、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、デジタルシグナルプロセッサ、特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）または他の同様のデバイスを含む様々な集積回路製品を製造するのに利用することができる。
【００１６】
処理ツール１０５は様々なワークピースを処理することができるが、説明のため、ここでは処理ツール１０５は半導体ウェーハを処理するツールと仮定して説明する。したがって、以下の説明では、「ウェーハ」または「複数のウェーハ」という言葉を使用する。
【００１７】
ある実施形態においては、これら複数の処理ツール１０５が類似するツールであってもよい。すなわち、すべてがエッチングツール、たい積ツール、およびこれらに類するツールであってもよい。
さらに、ある実施形態においては、処理ツール１０５は、複数の同一のチャンバ、ウェーハ搬送システム、およびこれらに類するもののように類似の物理的構成を有していてもよい。
【００１８】
以下にさらに詳細に記載するように、本発明の１つ以上の実施形態により、ロバスト（強靱）で効率的な欠陥検出システムを開示する。本発明の１つ以上の実施形態の出現で、１つ以上の共通の欠陥モデルに基づいて複数の処理ツール１０５についての欠陥検出をパラレルに実行することができる。
【００１９】
処理ツール１０５は、温度、圧力、アライメントステージからのサイン（signatures）の機械的な位置、光源または放射線源の動作特性、またはこれらに類するもののように、様々な変数を測定する１つ以上のセンサ１０７を含んでいてもよい。
処理ツール１０５は、ある実施形態の一例においては、処理したウェーハの様々なアスペクトまたは処理ツール１０５の１つ以上の動作特性を測定する、１つ以上のインラインの（in-line）計測ツール１０８を含んでいてもよい。
この実施形態においては、各ウェーハまたは一群の複数のウェーハを処理するのと実質的に同時に、センサ１０７および（または）インラインの（または原位置の）計測ツール１０８は、データ（一般的に「トレース・データ」と呼ばれる）を提供する。
【００２０】
図１のシステム１００では、各処理ツール１０５はそれぞれ、高度プロセス制御（ＡＰＣ）フレームワーク１２０に接続するための関連機器インターフェース１１０を有していてもよい。
製造システム１００は、ＡＰＣフレームワーク１２０に接続される製造実行システム（ＭＥＳ）１１５、および関連機器インターフェース１１３を介してＡＰＣフレームワーク１２０に接続されるオフラインの計測ツール１１２を含んでいてもよい。この計測ツール１１２は、処理ツール１０５によって処理されるウェーハの質を特徴づける、ウェーハに関連するデータを提供することができる。
ウェーハ製品データは、計測ツール１１２によってウェーハから得られる特定の量的および（または）質的測定から生成される。
例えば、このウェーハ製品データは、ウェーハの膜厚測定、配線幅測定、および（または）オーバーレイ・オフセット測定を含んでいてもよい。ウェーハ製品データを定義するこれらの特定の測定は、単なる例示であることが認識されるであろう。
したがって、他の様々な測定も処理ツール１０５によって処理されているウェーハが必要とされる量的または質的特性を有するかどうか判断するのに取得されてもよい。計測ツール１１２によってウェーハ製品データを得る特定の方法は、当業者に周知であり、本発明を不必要に不明瞭にしないようにすべく、この詳細についてここに記載しない。
【００２１】
製造実行システム１１５は、これらのプロセスが実行されることになっている場合にこれらのプロセスをどのように実行するようになっているか等、例えば処理ツール１０５によって実行されることになっているプロセスを決定してもよい。この実施形態においては、製造実行システム１１５は、ＡＰＣフレームワーク１２０を通じてシステム全体を管理するとともに制御する。
ＡＰＣフレームワーク１２０は、フィードバックまたはフィード・フォワードのプロセスを通じて、これにより所望の結果を得るべく所望のプロセスを実行するように処理ツール１０５を補助するプロセス制御ユニット１５５を含んでいる。
【００２２】
製造システム１００において用いるのに適した典型的なＡＰＣフレームワークは、KLA-Tencor社により提供されるCatalystシステムを使用して実装され得る。  このCatalystシステムは、半導体製造装置材料協会（ＳＥＭＩ：Semiconductor Equipment and Materials International）コンピュータ統合生産（ＣＩＭ：Computer Integrated Manufacturing）フレームワークコンプライアントシステム技術を使用し、該技術はＡＰＣフレームワークに基づいている。ＣＩＭ（SEMI E81-0699：ＣＩＭフレームワークのドメインアーキテクチャの仮明細書）およびＡＰＣ（SEMI E81-0699：ＣＩＭフレームワークのドメインアーキテクチャの仮明細書）の明細書は、カリフォルニア州、マウンテンビューに本部があるＳＥＭＩから公的に入手可能である。
【００２３】
本実施形態の製造システム１００は、インターフェース１４２を介してＡＰＣフレームワーク１２０に接続される欠陥検出（ＦＤ）ユニット１５０をさらに含む。
インターフェース１４２は、ＦＤユニット１５０が他のデバイスと通信できる構造であればどのようなものを用いてもよい。
このＦＤユニット１５０は、記憶装置（ＳＵ）１７０において記憶可能な（storable）欠陥検出（ＦＤ）モジュール１６５を含んでいてもよい。
ＦＤユニット１５０は、全体的なオペレーションを管理し、記憶装置１７０に駐在する１つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行する制御ユニット１７２を含んでいる。
【００２４】
ＦＤユニット１５０は、処理ツールからの受信トレース・データを、１つ以上の欠陥モデル１８０（１８０Ａから１８０Ｎとして図示する）と比較することに基づいて、処理ツール１０５（または処理ツール１０５により実行したプロセス・オペレーション）に関連する欠陥を検知することができる。
ある実施形態においては、オフラインの計測ツール１１２によってこのトレース・データが提供されてもよい。
欠陥モデル１８０は、このようなツールが許容することができる動作限界内で動作したことが予め分かっていた場合、他の同様の種類のツールからの履歴データに基づいて生成することができる。
【００２５】
この実施形態においては、欠陥モデル１８０はそれぞれ、類似の種類の処理ツール１０５の選択された処理レシピステップ（またはツール状態）に対応するように定義することができる。
例えば、複数の処理ツール１０５（または同様の種類のツール）から収集されたヒストリカルデータに基づいて、第１欠陥モデル１８０Ａを、例えば「ツール・セットアップ」の処理ステップを示すように定義してもよい。
すなわち、この例においては、欠陥モデル１８０Ａが複数の処理ツール１０５の「ツール・セットアップ」ステップの許容できる動作範囲（operational range）を示すものとなるように、複数の類似の種類の処理ツール１０５から収集されたヒストリカルデータが第１欠陥モデル１８０Ａに寄せ集められる。
したがって、この欠陥モデル１８０Ａは、後に、「ツール・セットアップ」のステップが１つ以上の処理ツール１０５に所望されるように実行されているかどうかを判断するのに利用することができる。
同様に、他の欠陥モデル１８０Ｂから１８０Ｎを欠陥検出のために様々な他のプロセス・レシピ・ステップ（またはツール・プロセス状態）を示すように生成してもよい。
ある実施形態においては、全体的な欠陥モデルが所望の処理ツール１０５の各々の動作を測定するように利用できるように生成されてもよい。ある実施形態においては、欠陥モデルはアルゴリズムとすることができる。
【００２６】
本発明のある実施形態の一例によれば、複数の処理ツール１０５に関連した欠陥を認識するのに共通の欠陥モデル１８０が利用される。
この欠陥モデル１８０を使用して欠陥を検知する方法を、図２を参照しながら以下に記載する。
処理ツール１０５に関連した欠陥は、不知の外乱（unknown disturbance）、ハードウェア欠陥、リソース（例えばガス、液体、化学薬品）の消耗、入ってくるウェーハの欠陥、処理したウェーハの欠陥、およびこれらの類するものを含んだ様々な理由により生じる可能性がある。
【００２７】
記載したように、欠陥モデル１８０は、複数の処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂによって実行される１つ以上のプロセスを示してもよい。
他の実施形態においては、このモデル１８０Ａないし１８０Ｎは、階層的な関係を有する。この階層的な関係において、欠陥モデル１８０Ｎは最下位（すなわちセンサ）レベルにおける性能を表し、欠陥モデル１８０Ａは最上位（すなわち）ツール）レベルにおける性能を表し、他の欠陥モデル１８０は中間レベルにおける性能を表す。
【００２８】
特定の製造システム１００中で使用される欠陥モデルの数および範囲は、実装により変化させることができることを認識すべきである。
例えば、ある実施形態の一例においては、単一の全体的な欠陥モデル１８０Ａで充分であるが、他の実施形態の一例においては、複数のより特有の欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎが使用されていてもよい。
【００２９】
記載したように、ＦＤユニット１５０は、本実施形態においてはソフトウェアに実装され、ＦＤユニット１５０の記憶ユニット１７０に格納されたＦＤモジュール１６５を含んでいる。他の実施形態の一例においては、このＦＤモジュール１６５はハードウェアまたはファームウェアに実装されていてもよい。
記載した目的のために、ＦＤモジュール１６５はＡＰＣフレームワーク１２０を含んだ製造システム１００の、任意の適切なコンポーネント中に実装することができるが、このＦＤモジュール１６５はＦＤユニット１５０中に駐在するようにして記載される。
ある実施形態の一例においては、ＦＤモジュール１６５は、データ処理ユニットまたはコンピューター中で、例えばスタンド・アロンのユニットとして実装されてもよい。
【００３０】
図１のシステム１００のブロック図に示される構成要素は単なる例示であり、他の実施形態においては、本発明の趣旨または範囲を逸脱することなく、さらなるまたはより少ない構成要素が使用されてもよい。
例えば、ある実施形態では、ＭＥＳ１１５を関連機器インターフェースを介してＡＰＣフレームワーク１２０と接続してもよい。さらに、図１のシステム１００の設備インターフェース１１０のような様々な構成要素はスタンド・アロンの構成として示されているが、他の実施例においては、このような構成要素が処理ツール１０５に統合されていてもよい。同様に、ＦＤユニット１５０はＡＰＣフレームワーク１２０に統合されていてもよい。
さらに、ＦＤユニット１５０の記憶ユニット１７０は製造システム１００の任意の適切な場所に位置していてもよいので、製造システム１００の様々な構成要素はそこに格納されたコンテンツにアクセスすることができる。
【００３１】
図２に、図１の製造システム１００中で実装することができる方法のフローチャートを、本発明の実施形態の一例に従って示す。
記載した目的のため、図２の方法は、２つの処理ツール１０５Ａ（１０５Ｂ）を含んだ製造システム１００に関連して記載されるが、他の実施形態において３つ以上の処理ツールを使用してもよい。
さらに、２つの処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂは同一のタイプのツール（すなわち、これらはエッチングツール、たい積ツール等である。）であると仮定する。これらの２つの処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂは、必ずしも近い場所にある必要はない。
【００３２】
第１処理ツール１０５Ａはウェーハを処理し（ステップ２０５）、第２処理ツール１０５Ｂはウェーハを処理する（ステップ２１５）。２つの処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂは、それぞれのウェーハを同時に処理してもよいし、異なる時間に処理してもよい。
ある実施形態の一例においては、処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂは、一群の複数のウェーハを処理してもよい。
ステップ２０５およびステップ２１５においてウェーハが処理されると、処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂは、欠陥検出ユニット１５０にそれぞれのウェーハの処理に関連するトレース・データを提供することができる。
前述したように、このトレース・データは実質的にリアルタイムに提供することができる。
【００３３】
ステップ２２０においてウェーハの処理に関連するトレース・データを受信する欠陥検出（ＦＤ）モジュール１６５は、欠陥が生じたかどうかを判断すべく、トレース・データを、欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎのうちの１つ以上のモデルと比較する（ステップ２３０、ステップ２４０）。
具体的には、ＦＤモジュール１６５は、第１処理ツール１０５に関連する欠陥が生じたかどうかを判断すべく、第１処理ツール１０５Ａによるウェーハの処理に関連するトレース・データを欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎのうちの１つ以上のモデルと比較する（ステップ２３０）。ＦＤモジュール１６５は、第２処理ツール１０５に関連する欠陥が生じたかどうかを判断すべく、第２処理ツール１０５Ｂによるウェーハの処理に関連するトレース・データを欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎのうちの１つ以上のモデルと比較する（ステップ２４０）。
ある実施形態の一例においては、実装目標（implementation goal）に基づくＦＤモジュール１６５は、欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎのうち欠陥検出に最適な１つ以上のモデルを選択してもよい。
【００３４】
ある実施形態の一例においては、ＦＤモジュール１６５は、第１処理ツール１０５Ａおよび第２処理ツール１０５Ｂと関連する欠陥が生じたかどうかを判断すべく、欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎのうちの１つ以上のモデルを、実質的に同時に使用することができる。
このように、ＦＤモジュール１６５は、第１処理ツール１０５Ａおよび第２処理ツール１０５Ｂについての欠陥検出をパラレルに、または実質的に同時に実行することができる。
ある実施形態の一例においては、処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂから提供されるトレース・データは、欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎのうちの１つ以上のモデルを更新するのに利用することができる。
【００３５】
欠陥検出に使用される特定の欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎは、特定の実装による。例えば、各欠陥モデル１８０Ａないし１８０Ｎが処理ツール１０５によって実行される異なるプロセスレシピ・ステップを示す場合、欠陥検出モジュール１６５は、そのレシピ・ステップにおいて欠陥が生じたかどうか判断すべく、与えられたレシピ・ステップに適する欠陥モデル１８０を利用することができる。
ある実施形態の一例においては、この欠陥検出モジュール１６５は、どのプロセス・ステップが処理ツール１０５によって実行されるか、またどの対応する欠陥モデル１８０がこれらのステップの欠陥を検知するのに利用できるかに基づいて、異なる処理ツール１０５について異なる欠陥モデル１８０を適用することができる。
【００３６】
図２の方法は、２つの処理ツール１０５Ａ、１０５Ｂに関連して記載されるが、図２の方法は、３つ以上の処理ツールがある場合にも適用できる。
３つ以上の処理ツール１０５の処理を示す欠陥モデル１８０が生成された場合、図２の方法に記載された動作は、処理ツール１０５についての欠陥の検知まで拡張することができる。
【００３７】
本発明の１つ以上の実施形態によれば、複数の処理ツール１０５について、パラレルに欠陥検出を実行することができる効率的な欠陥検出システムが開示される。
ある実施形態の一例においては、パラレルの欠陥検出は、多数の処理ツール１０５にわたる（１つ以上の）欠陥モデル１８０を通じて実行される。つまり、欠陥モデル１８０は、複数の処理ツール１０５に共通のものである。
１つ以上の処理ツール１０５についての欠陥を検知すべく、この（１つ以上の）共通の欠陥モデル１８０は、欠陥検出モジュール１６５によって実質的に同時に使用することができる。
多数の処理ツール１０５の処理を示す複数の共通の欠陥モデル１８０を利用することは、時間およびハードウェア資源（例えば記憶スペース）を節約することになる。
欠陥モデル１８０が共通であるので、ハードウェア資源を節約することができる。よって、複数の処理ツール１０５を有する製造システム１００における欠陥を検出するために、より少ない欠陥モデル１８０を利用することができる。
さらに、欠陥モデル１８０の数が少数であることは、欠陥モデルを更新し続けるのにかかる時間がより少なくてよいことを意味する。この時間およびハードウェア資源における節約は、全体的な製造コストを軽減することができ、したがって収益性を増加させる。  
【００３８】
様々なシステム層、ルーチン、またはモジュールは、制御ユニット１５５、１７２によって実行することができる。（図１参照）。ここに利用するように、「制御ユニット」という言葉は１つ以上のマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタルシグナルプロセッサ、プロセッサ・カード（１つ以上のマイクロプロセッサまたはコントローラを含む）、またはその他の制御デバイスまたは計算装置を含んでいてもよい。ここに記載した記憶ユニット１７０（図１参照）は、データおよび命令を格納する１つ以上の読み取り可能な記憶媒体を含んでいてもよい。
この記憶媒体は、ＤＲＡＭまたはＳＲＡＭ（dynamic or static random access memories）、ＥＰＲＯＭ（erasable and programmable read-only memories）、ＥＥＰＲＯＭ（electrically erasable and programmable read-only memories）、フラッシュメモリのような半導体メモリデバイス、固定ディスク、フロッピー、リムーバルディスクのような磁気ディスク、テープを含むその他の磁気媒体、ＣＤ（compact disks）またはＤＶＤ（digital video disks）のような光学媒体を含んだ、異なる形式のメモリを含んでいてもよい。
様々なシステムにおいて、様々なソフトウェア層、ルーチン、またはモジュールを構築する命令は、各記憶デバイスに格納することができる。これらの命令がそれぞれの制御ユニットによって実行されると、対応するシステムにプログラムした動作を実行させるようになる。
【００３９】
これまでに開示した特定の実施形態は例示にすぎない。本明細書の教示による利益を得た当業者に明らかなように、本発明を変形することができ、また異なるが均等な方法で実施することができる。例えば、上述の処理ステップは異なった順番で実行することができる。さらに、添付の特許請求の範囲の記載を除いては、本明細書に開示した構造または設計の詳細に、本発明を限定しようとする意図はない。従って、上述の特定の実施形態は改変または修正が可能であり、そのような変形形態は本発明の範囲および精神の中にあるものとして考えられる。したがって、保護を求める範囲は添付の特許請求の範囲に記載するとおりである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態の一例による、工業プロセスを実装するシステムのブロック図。
【図２】本発明の実施形態の一例による、図１のシステム中に実装される方法のフローチャート。
【図１】
2006513561.tif 000003
【図２】
2006513561.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理ツール（１０５Ａ）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
第２処理ツール（１０５Ｂ）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
前記第１処理ツール（１０５Ａ）によるワークピースの処理および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）によるワークピースの処理の少なくとも一方に関連する欠陥が生じたかどうか判断すべく、受信したデータの少なくとも一部をこれらの処理ツール（１０５Ａ）、（１０５Ｂ）の双方に共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記比較するステップは、前記受信したデータの前記一部を複数の共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記受信したデータの前記一部を複数の共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップは、前記受信したデータの前記一部を、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）の処理レシピまたはツール状態の少なくとも一方を示す複数の共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
第３処理ツール（１０５）によるワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
前記第３処理ツール（１０５）による前記ワークピースの前記処理に関連する受信したデータを前記共通する欠陥モデル（１８０）と比較するステップとをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ワークピースの前記処理に関連する前記データを受信するステップは、前記第１処理ツール（１０５Ａ）による半導体ウェーハの処理に関連する前記データを受信するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記データを受信するステップは、前記第１処理ツール（１０５Ａ）による前記ワークピースの処理および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）による前記ワークピースの処理に関連する計測学データを受信するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記データを受信するステップは、実質的にリアルタイムに第１処理ツール（１０５Ａ）および第２処理ツール（１０５Ｂ）による前記ワークピースの処理に関連するデータを受信するステップと、
前記受信したデータの少なくとも一部に基づく前記欠陥モデル（１８０）を更新するステップとをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ウェーハを処理するように構成される第１処理ツール（１０５Ａ）と、
ウェーハを処理するように構成される第２処理ツール（１０５Ｂ）と、
前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）による前記ウェーハの前記処理に関連するデータを受信し、前記受信したデータの少なくとも一部と、少なくとも前記第１処理ツールおよび前記第２処理ツールの許容できる処理範囲を示す欠陥モデル（１８０）との比較に基づき、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）の少なくとも一方に関連する欠陥を検出するように構成される欠陥検出ユニット（１５０）と、を含む、システム。
【請求項９】
高度プロセス制御フレームワーク（１２０）は、前記第１処理ツール（１０５Ａ）および前記第２処理ツール（１０５Ｂ）と前記欠陥検出ユニットとの間に接続される、請求項８記載のシステム。
【国際調査報告】
2006513561.tif 000005
2006513561.tif 000006
2006513561.tif 000007