(57)【要約】熱スプレッダーは、各々少なくとも１つの他の炭素質粒子と実質的に接触した状態になっている複数の炭素質粒子を含む。非炭素質材料は、前記複数の炭素質粒子を複合体塊へと実質的に結合する。炭素質粒子は熱スプレッダーの少なくとも約５０体積の量で存在することができる。非炭素質粒子は熱スプレッダーの少なくとも約５体積の量で存在することができる。非炭素質材料は、Ｃｕ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選択される元素を含むことができる。別の態様においては、熱スプレッダーはダイヤモンド粒子の塊を含み、ここで各ダイヤモンド粒子を少なくとも１つの他のダイヤモンド粒子と実質的に焼結する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々少なくとも１つの他の炭素質粒子と実質的に接触した状態になっている複数の炭素質粒子と；
該複数の炭素質粒子を複合体塊へと実質的に結合する非炭素質材料と；
を含む熱スプレッダー。
【請求項２】
前記炭素質粒子はダイヤモンド粒子である、請求項１に記載の熱スプレッダー。
【請求項３】
ダイヤモンド粒子の塊を含む熱スプレッダーにおいて、各ダイヤモンド粒子は少なくとも１つの他のダイヤモンド粒子と実質的に焼結される、熱スプレッダー。
【請求項４】
前記ダイヤモンド粒子は互いに十分に接触して、ダイヤモンド粒子の実質的に各々への連続的なダイヤモンド間通路を提供する、請求項２または請求項３に記載の熱スプレッダー。
【請求項５】
前記ダイヤモンド粒子は、前記熱スプレッダーの約５０〜約８０体積％の量で存在する、請求項２に記載の熱スプレッダー。
【請求項６】
前記ダイヤモンド粒子は、前記熱スプレッダーの約７０〜約９８体積％の量で存在する、請求項３に記載の熱スプレッダー。
【請求項７】
前記非炭素質材料は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、及びこれらの混合物または合金からなる群から選択される構成員である、請求項１または請求項２に記載の熱スプレッダー。
【請求項８】
前記非炭素質材料は、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ及びＮｉ−Ｃｒ−Ｐからなる群から選択されるＮｉ合金である、請求項７に記載の熱スプレッダー。
【請求項９】
前記非炭素質材料は、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＣｒからなる群から選択される材料のＦｅ、Ｎｉ、またはＣｏ合金である、請求項７に記載の熱スプレッダー。
【請求項１０】
前記非炭素質材料は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒからなる群から選択される構成員のＳｉ合金である、請求項１または請求項２に記載の熱スプレッダー。
【請求項１１】
前記非炭素質材料は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ及びこれらの混合物または合金からなる群から選択される少なくとも５０重量％の元素を含む、請求項１または請求項２に記載の熱スプレッダー。
【請求項１２】
前記炭素質粒子は、前記熱スプレッダーの少なくとも約５０体積％の量で存在し、
前記非炭素質材料は、前記熱スプレッダーの少なくとも約５体積％の量で存在し、前記非炭素質材料は、Ｃｕ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選択される元素を含む、請求項１に記載の熱スプレッダー。
【請求項１３】
前記炭素質粒子は、前記熱スプレッダーの少なくとも約８０体積％の量で存在する、請求項１２に記載の熱スプレッダー。
【請求項１４】
前記炭素質粒子は、前記熱スプレッダーの少なくとも約９０体積％の量で存在する、請求項１３に記載の熱スプレッダー。
【請求項１５】
前記炭素質粒子はダイヤモンド粒子である、請求項１２に記載の熱スプレッダー。
【請求項１６】
前記ダイヤモンド粒子は未コーティングダイヤモンド粒子である、請求項１５に記載の熱スプレッダー。
【請求項１７】
前記非炭素質材料は本質的にＣｕ、Ａｌ、またはＡｇからなる、請求項１２に記載の熱スプレッダー。
【請求項１８】
前記非炭素質材料は、前記非炭素質材料の約１％w/w〜約１０％w/wの炭化物形成元素を含む、請求項１２に記載の熱スプレッダー。
【請求項１９】
前記炭化物形成元素は少なくとも約１％w/wの量で存在する、請求項１８に記載の熱スプレッダー。
【請求項２０】
前記炭化物形成元素は、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｃ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、及びこれらの合金からなる群から選択される構成員である、請求項１８に記載の熱スプレッダー。
【請求項２１】
前記炭化物形成元素はＣｕ−Ｍｎ合金である、請求項１８に記載の熱スプレッダー。
【請求項２２】
前記非炭素質材料は共晶溶融点約１１００℃未満を有する合金である、請求項１２に記載の熱スプレッダー。
【請求項２３】
前記非炭素質材料は炭素質粒子を濡らす合金である、請求項１２に記載の熱スプレッダー。
【請求項２４】
前記非炭素質材料は約２％w/wの炭化物形成体を含む、請求項１５に記載の熱スプレッダー。
【請求項２５】
前記熱スプレッダーは約１ミリメートルを超える厚さを有する、請求項１、２、３または１２のいずれか１項に記載の熱スプレッダー。
【請求項２６】
熱源から熱を伝達するための冷却ユニットであって：
ヒートシンクと；
前記ヒートシンク及び前記熱源の両方と熱連通させて置かれた請求項１、２、３または１２のいずれか１項に記載の熱スプレッダーと；
を含む冷却ユニット。
【請求項２７】
前記熱スプレッダーは前記熱源中に少なくとも部分的に埋込まれている、請求項２６に記載の冷却ユニット。
【請求項２８】
前記熱スプレッダーは前記ヒートシンク中に少なくとも部分的に埋込まれている、請求項２６に記載の冷却ユニット。
【請求項２９】
前記熱スプレッダーは圧縮はめあいによって前記ヒートシンク中に保持される、請求項２８に記載の冷却ユニット。
【請求項３０】
前記ヒートシンク中に前記熱スプレッダーを保持する前記圧縮はめあいは熱誘起圧縮はめあいである、請求項２９に記載の冷却ユニット。
【請求項３１】
前記熱スプレッダーは前記ヒートシンクにろう付けされる、請求項２６に記載の冷却ユニット。
【請求項３２】
前記ヒートシンクは内部作動流体を有するヒートパイプを含む、請求項２６に記載の冷却ユニット。
【請求項３３】
前記熱スプレッダーは前記ヒートパイプの壁を通って突出し、前記ヒートパイプの前記作動流体と直接接触する底面を有する、請求項３２に記載の冷却ユニット。
【請求項３４】
熱スプレッダーの製造方法であって：
複数の炭素質粒子を提供する工程と；
熱伝導塊を形成するように、前記複数の炭素質粒子に請求項１２または１７〜２３のいずれか１項に記載の非炭素質材料を浸潤する工程と；
を含む方法。
【請求項３５】
熱源の冷却方法であって：
請求項１、２、３または１２のいずれか１項に記載の熱スプレッダーを提供する工程と；
該熱スプレッダーを前記熱源及び前記ヒートシンクの両方と熱連通させて置く工程と；
を含む方法。
【請求項３６】
熱スプレッダーの製造方法であって：
第１の平均メッシュサイズを有する第１の複数のダイヤモンド粒子を提供する工程と；
各ダイヤモンド粒子が少なくとも１つの他のダイヤモンド粒子と実質的に接触した状態になっているように、前記ダイヤモンド粒子を充填する工程と；
非炭素質材料を提供する工程と；
前記非炭素質材料が充填済みダイヤモンド粒子同士の間の任意の空隙を少なくとも部分的に充填するように、前記充填済みダイヤモンド粒子を前記非炭素質材料と結合する工程と；
を含む方法。
【請求項３７】
前記結合する工程は前記非炭素質材料による浸潤によって実行され、浸潤は約１，１００℃未満の温度で実行される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記結合する工程は前記非炭素質材料による浸潤によって実行され、浸潤は真空炉中約１０−３torr未満の圧力で実行される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
前記充填する工程は、非炭素質材料を提供する前に、前記熱スプレッダーの５０体積％を超えてダイヤモンドを充填することをさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
前記ダイヤモンド粒子は互いに十分に接触して、前記複数のダイヤモンド粒子の実質的に各々への連続的なダイヤモンド間通路を提供する、請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】
前記結合する工程の前に、多孔質セラミック材料を提供する工程と；
前記結合する工程の前に、前記充填済みダイヤモンド粒子に隣接させて前記セラミック材料を置く工程と；
をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４２】
前記セラミック材料は、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＷＣ、及びＺｒＯ２からなる群から選択される少なくとも５０体積％の構成員を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】
前記非炭素質材料は銅であり、前記結合する工程は約４GPa〜約６GPaの圧力で実行される、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記非炭素質材料は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、及びこれらの混合物または合金からなる群から選択される、請求項３５に記載の方法。
【請求項４５】
前記非炭素質材料は、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ及びＮｉ−Ｃｒ−Ｐからなる群から選択されるＮｉ合金である、請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
前記非炭素質材料は、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＣｒからなる群から選択される材料のＦｅ、Ｎｉ、またはＣｏ合金である、請求項４３に記載の方法。
【請求項４７】
前記非炭素質材料は、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒからなる群から選択される構成員のＳｉ合金である、請求項３５に記載の方法。
【請求項４８】
熱源から熱を除去する方法であって：
請求項１、２、３または１２のいずれか１項に記載の熱スプレッダーを提供する工程と；
該熱スプレッダーを前記熱源と動作するように接続させて位置決めする工程と；
を含む方法。
【請求項４９】
前記熱源はＣＰＵである、請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】
ダイヤモンド熱スプレッダーの製造方法であって：
第１の平均メッシュサイズを有する第１の複数のダイヤモンド粒子を提供する工程と；
該ダイヤモンド粒子が互いに密着するように前記ダイヤモンド粒子を充填する工程と；
非炭素質材料を提供する工程と；
前記ダイヤモンド粒子を一緒に少なくとも部分的に焼結して、約７０〜約９８体積％のダイヤモンドの組成を有するダイヤモンド粒子の実質的に焼結済みの塊を提供するように、前記非炭素質材料の存在下で約４GPa〜約８GPaの圧力で前記複数のダイヤモンド粒子を焼結する工程と；
を含む方法。
【請求項５１】
前記非炭素質材料は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｅ及びこれらの混合物または合金からなる群から選択される成分を含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記ダイヤモンド熱スプレッダーは、約９０〜約９８体積％のダイヤモンドの組成を有する、請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
第２の複数のダイヤモンド粒子がより大きな粒子同士の間の空隙を部分的に充填して、約５０〜約８０体積％のダイヤモンドのダイヤモンドの充填済み集合を生じるように、前記第１の平均メッシュサイズよりも小さな第２の平均メッシュサイズを有する前記第２の複数のダイヤモンド粒子を前記充填済みダイヤモンド粒子に加える工程をさらに含む、請求項３５または請求項５０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱源から熱を伝導または吸収するために使用できる炭素質装置及びシステムに関する。従って、本発明は化学、物理学、及び材料科学の分野を含む。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業における進歩は、１９６５年に当時インテルの共同創立者であったゴードン・ムーアによって提案されたムーアの法則の傾向に従ってきた。この傾向は、集積回路（ＩＣ）または一般に半導体チップの性能は、１８か月毎に２倍になることを必要とする。従って、中央演算処理装置（ＣＰＵ）上のトランジスタの数は、２００２年には１億個に近づくかもしれない。回路のこの高密度化の結果として、２００２年には線幅は０．１８マイクロメートルにまで狭くなり、より高度なチップは０．１３マイクロメートルもの細さの配線を使用しつつある。この傾向が続くと、一見通り抜けられないように思われる０．１マイクロメートルの“０．１”障壁を次の数年で達成し、超えるかもしれないと予想されている。
【０００３】
このような装置と共に様々な設計上の問題が生じる。しばしば見過ごされる問題のうちの１つは、熱放散の問題である。しばしば、設計のこの段階は、無視されるかまたは構成要素を製造する前の最後の設計として加えられる。熱力学第二法則によれば、より多くの仕事が閉じた系中で行われると、これはより高いエントロピーを達成する。ＣＰＵの出力が増大すると、電子のより大きな流れはより多量の熱を生じる。従って、回路の短絡または燃え尽きを防ぐために、エントロピーの増大から生じる熱を除去しなければならない。幾つかの最先端ＣＰＵは出力約６０ワット（W）を有する。例えば、０．１３マイクロメートル技術を用いて製造したＣＰＵは、１００ワットを超えるかもしれない。金属（例えば、ＡｌまたはＣｕ）フィンラジエータ及び水蒸発ヒートパイプを使用することによる等の熱放散の現在の方法は、将来の世代のＣＰＵを十分に冷却するのには不十分であろう。
【０００４】
最近、セラミック熱スプレッダー（例えば、ＡＩＮ）及び金属マトリックス複合体熱スプレッダー（例えば、ＳｉＣ／Ａｌ）は、増大する熱発生量に対処するために使用されてきた。しかしながら、このような材料はＣｕのものを超えない熱伝導率を有し、従って、半導体チップから熱を放散するその能力が限定される。
【０００５】
典型的な半導体チップは、高密度に実装された金属導体（例えば、Ａｌ、Ｃｕ）及びセラミック絶縁体（例えば、酸化物、窒化物）を含む。金属の熱膨張は典型的にセラミックスのものの５〜１０倍である。チップを６０℃を超えて加熱した場合に、金属とセラミックスとの間の熱膨張の不一致はマイクロクラックを生じ得る。温度の繰り返しサイクリングは、チップに対する損傷を悪化させる傾向がある。この結果、半導体の性能は低下しよう。さらに、９０℃を超える温度に達した場合に、チップの半導体部分は導体となるかもしれず、従ってチップの機能は失われる。加えて、回路は損傷することがあり、半導体はもはや使用可能ではない（すなわち“燃え尽き”になる）。従って、半導体の性能を維持するために、その温度をしきい値レベル（例えば、９０℃）未満に保たなければならない。
【０００６】
熱放散の従来の方法は、半導体を金属ヒートシンクと接触させることである。典型的なヒートシンクは、放熱フィンを含みアルミニウムで製造される。こうしたフィンをファンに取り付ける。チップから生じる熱はアルミニウムベースに流れ、放熱フィンに伝達され、循環する空気によって対流により運び去る。従ってヒートシンクは、高い熱容量を有してリザーバーとして働いて熱源から熱を除去するようにしばしば設計される。
【０００７】
他に、別個の位置に位置するヒートシンクとラジエータとの間にヒートパイプを接続してよい。ヒートパイプは、真空管中に密封された水蒸気を含む。水分はヒートシンクで蒸発し、ラジエータで凝縮しよう。多孔質媒体（例えば、銅粉末）のウィッキング作用によって、凝縮水は流れてヒートシンクに戻る。従って、半導体チップの熱は水を蒸発させることによって運び去られ、水を凝縮することによってラジエータで除去される。
【０００８】
ヒートパイプ及び熱板は非常に効果的に熱を除去できるかもしれないが、複雑な真空チャンバ及び高度な毛細管システムは、半導体構成要素から直接に熱を放散するのに十分に小さな設計を妨げる。この結果、こうした方法は一般に、より大きな熱源、例えばヒートシンクから熱を伝達することに限定される。従って、電子部品から伝導によって熱を除去することは、業界において引き続き研究されている領域である。
【０００９】
熱スプレッダーにおいて使用するために検討されてきた１有望な代替物は、ダイヤモンド含有材料である。ダイヤモンドは、任意の他の材料よりもはるかに速く熱を運び去ることができる。室温でのダイヤモンドの熱伝導率（約２０００W/mK）は、一般に使用される２つの最も速い金属熱導体である銅（約４００W/mK）またはアルミニウム（２５０W/mK）のものよりもはるかに高い。さらに、ダイヤモンドの熱容量（１．５J/cm３）は、銅（１７J/cm３）またはアルミニウム（２４J/cm３）よりもはるかに低い。ダイヤモンドが蓄熱することなく熱を運び去る能力は、ダイヤモンドを理想的な熱スプレッダーにする。ヒートシンクとは異なり、熱スプレッダーは、蓄熱することなく熱源から熱を迅速に伝導するように働く。表１は、ダイヤモンドと比較して、幾つかの材料の様々な熱的性質（３００Kでの値を提供する）を示す。
【００１０】
【表１】
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【００１１】
加えて、ダイヤモンドの熱膨張率は、全ての材料の中で最も低いもののうちの１つである。ダイヤモンドの低い熱膨張は、ダイヤモンドと低熱膨張シリコン半導体との接合をはるかに容易にする。従って、接合する界面での応力を最小にすることができる。結果は、繰り返し加熱サイクル下で層間剥離しないダイヤモンドとシリコンとの間の安定な結合である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
近年、ダイヤモンド熱スプレッダーは、高出力レーザーダイオードから熱を放散させるために使用されてきており、例えば光ファイバー中の光エネルギーを増大するためのレーザーダイオードによって使用されるものである。しかしながら、大面積ダイヤモンドは非常に高価であり、従って、ダイヤモンドは、ＣＰＵによって発生する熱を発散させるために工業的に使用されていない。ダイヤモンドを熱スプレッダーとして使用するためには、これが半導体チップと密着することができるようにその表面を研磨しなければならない。さらに、従来の金属ヒートシンクにろう付けによる取り付けを可能にするために、その表面をメタライゼーションすることがある（例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕによる）。
【００１３】
多くの現在のダイヤモンド熱スプレッダーは、化学気相成長法（ＣＶＤ）によって形成されたダイヤモンド薄膜で製造されている。生ＣＶＤダイヤモンド薄膜の１例は、現在１０ドル／cm２を超える価格で販売されており、この価格はこれを研磨し、メタライゼーションした場合に２倍になることがある。この高い価格は、小さな面積のみを必要とするかまたは有効な他の熱スプレッダーが利用可能ではない用途（例えば、高出力レーザーダイオード）以外にダイヤモンド熱スプレッダーが広く使用されることを妨げると思われる。高価であることに加えて、ＣＶＤダイヤモンド薄膜は非常に遅い速度（例えば、数マイクロメートル毎時）でのみ成長でき、従って、こうした薄膜が厚さ１mm（典型的に０．３〜０．５mm）を超えることはまれである。しかしながら、チップの加熱面積が大きな場合（例えば、ＣＰＵ）、より厚い（例えば、３mm）熱スプレッダーを有するのが好ましい。
【００１４】
ＣＶＤ法を使用して製造したダイヤモンド製品に加えて、微粒子ダイヤモンドまたは“多結晶性ダイヤモンド”（ＰＣＤ）の塊を使用して熱スプレッダーを形成する試みがなされた。このような装置の具体的な例は、米国特許第6,390,181号及び米国特許出願公開第2002/0023733号において見い出され、この各々を、本明細書において参考のために引用する。典型的に、ＰＣＤ製品（または“圧粉体”）は、ダイヤモンド粒子を高圧力、高−温（ＨＰＨＴ）条件下で処理することによって形成され、それによってダイヤモンド粒子を互いと及び／または間隙材料と焼結または結合する。この結果、大部分のＰＣＤ圧粉体は、ＨＰＨＴ処理によって必要な極限圧力が理由となって比較的に小さな厚さを有する。使用する極高圧が理由となって、極高圧を生じる機械的装置が必要な圧力及び温度を維持できるように、ＰＣＤ圧粉体の製造において使用するモールドまたはキャビティは小さな厚さに限定されてきた。このようなＰＣＤ圧粉体は、熱を伝達または伝導するそれらの限定された物理的容量が理由となって熱スプレッダーの分野における使用が限定されている。
【００１５】
従って、熱源から熱を有効に伝導できる費用効果的なシステム及び装置が、継続中の研究開発の努力によって捜し続けられている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
従って、本発明は、熱源から熱を引くかまたは伝導するために使用できる熱スプレッダーを提供する。１態様においては、複合体熱スプレッダーは、各々少なくとも１つの他の炭素質粒子と実質的に接触した状態になっている複数の炭素質粒子を含むことができる。前記複数の炭素質粒子を複合体塊へと実質的に結合できる非炭素質材料もまた提供される。
【００１７】
本発明の別の態様によれば、炭素質粒子はダイヤモンド粒子とすることができる。
本発明の別の態様によれば、ダイヤモンド粒子の塊を含むことができる熱スプレッダーが提供され、ここで各ダイヤモンド粒子を少なくとも１つの他のダイヤモンド粒子と実質的に焼結する。
【００１８】
本発明の別の態様によれば、ダイヤモンド粒子は互いに十分に接触して、ダイヤモンド粒子の実質的に各々への連続的なダイヤモンド間通路を提供することができる。
本発明の別の態様によれば、ダイヤモンド粒子は熱スプレッダーの約５０〜約８０体積％の量で存在することができる。
【００１９】
本発明の別の態様によれば、ダイヤモンド粒子は熱スプレッダーの約７０〜約９８体積％の量で存在することができる。
本発明の別の態様によれば、非炭素質材料は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、及びこれらの混合物または合金からなる群から選択される構成員である。
【００２０】
本発明の別の態様によれば、炭素質粒子は、熱スプレッダーの少なくとも約５０体積％の量で存在することができ、非炭素質材料は、熱スプレッダーの少なくとも約５体積％の量で存在することができる。非炭素質材料は、Ｃｕ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選択される元素を含むことができる。
【００２１】
本発明の別の態様によれば、ダイヤモンド粒子は未コーティングダイヤモンド粒子である。
本発明の別の態様によれば、熱源から熱を伝達するための冷却ユニットが提供され、これは、上記の態様に従って説明したようなヒートシンク及び熱スプレッダーを含むことができる。熱スプレッダーは、ヒートシンク及び熱源と熱連通させて置くことができる。
【００２２】
本発明の別の態様によれば、熱スプレッダーは熱源及び／またはヒートシンク中に少なくとも部分的に埋込まれていることができる。熱スプレッダーは圧縮はめあい（compression fit）によってヒートシンク中に保持されることができ、これは熱誘起圧縮はめあいとすることができる。
【００２３】
本発明の別の態様によれば、熱スプレッダーの製造方法が提供され、これは、複数の炭素質粒子を提供する工程と；熱伝導塊を形成するように、前記複数の炭素質粒子に上記の態様において説明したような非炭素質材料を浸潤する工程と；を含む。
【００２４】
本発明の別の態様によれば、熱スプレッダーの冷却方法が提供され、これは、上記の態様において説明したような熱スプレッダーを提供する工程と；熱スプレッダーを熱源及びヒートシンクの両方と熱連通させて置く工程と；を含む。
【００２５】
本発明の別の態様によれば、複合体熱スプレッダーの製造方法が提供され、これは、第１の平均メッシュサイズを有する第１の複数のダイヤモンド粒子を提供する工程と；各ダイヤモンド粒子が少なくとも１つの他のダイヤモンド粒子と実質的に接触した状態になっているように、ダイヤモンド粒子を充填する工程と；非炭素質材料を提供する工程と；非炭素質材料が充填済みダイヤモンド粒子同士の間の任意の空隙を少なくとも部分的に充填するように、充填済みダイヤモンド粒子を非炭素質材料と結合する工程と；を含む。
【００２６】
本発明の別の態様によれば、熱源から熱を除去する方法が提供され、これは、上記の態様において説明したような熱スプレッダーを提供する工程と；熱スプレッダーを熱源と動作するように接続させて位置決めする工程と；を含む。
【００２７】
本発明の別の態様によれば、ダイヤモンド熱スプレッダーの製造方法が提供され、これは、第１の平均メッシュサイズを有する第１の複数のダイヤモンド粒子を提供する工程と；ダイヤモンド粒子が互いに密着するようにダイヤモンド粒子を充填する工程と；非炭素質材料を提供する工程と；ダイヤモンド粒子を一緒に部分的に焼結して、約７０〜約９８体積％のダイヤモンドの組成を有するダイヤモンド粒子の実質的に焼結済みの塊を提供するように、非炭素質材料の存在下で約４GPa〜約８GPaの圧力で前記複数のダイヤモンド粒子を焼結する工程と；を含む。
【００２８】
このようにして、下記の本発明の詳細な説明がより良く理解され、従来技術への本寄与がより良く了解されるように、本発明の様々な特徴をかなりおおまかに略述してきた。本発明の他の特徴は、添付の請求の範囲と合わせて以下の本発明の詳細な説明からより明らかになろうし、または本発明の実施によって学ぶことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明を開示し、説明する前に、関連技術に熟練した人であれば認識できると思われるように、本発明は、本明細書において開示する特定の構造、プロセス工程、または材料に限定されるものではなく、その同等物にまで拡大されることは理解できるはずである。また本明細書において用いる用語は特定の具体例を説明するためにのみ使用されるものであり、限定することを意図したものではないことは理解できるはずである。
【００３０】
本明細書及び添付の請求の範囲において使用するように、単数形の言葉は、文脈が明らかに他の指示をしない限り、複数の指示物を含むことに留意しなければならない。従って、例えば、“ダイヤモンド粒子”に対する言及は、このような粒子のうちの１つ以上を含み、“非炭素質材料”または“間隙材料”に対する言及は、このような材料のうちの１つ以上に対する言及を含み、“粒子”に対する言及は、このような粒子のうちの１つ以上に対する言及を含む。
【００３１】
定義
本発明の説明及び請求において、以下の用語を、下記に述べる定義に従って使用する。
本明細書において使用する“粒子”及び“グリット”は互換性があり、炭素質材料に関連して使用する場合にこのような材料の微粒子形態を指す。このような粒子またはグリットは、円形、楕円形、正方形、自形等、並びに多くの特定のメッシュサイズを含む様々な形状を取ってよい。従来技術において周知のように、“メッシュ”は、米国メッシュの場合におけるように単位面積当りの穴の数を指す。本明細書において言及する全てのメッシュサイズは、特に断らない限り米国メッシュである。さらに、特定の“メッシュサイズ”の範囲内の各粒子はサイズの小さな分布にわたって実際に変化することがあるので、メッシュサイズは一般に、粒子の与えられた集合の平均メッシュサイズを示すと理解されている。
【００３２】
本明細書において使用する、“実質的な”または“実質的に”は、所望の目的、作動、または形状が機能上は達成されたこと（このような目的または形状が実際に得られたかのように）を指す。従って、互いと実質的に接触した状態になっている炭素質またはダイヤモンド粒子は、これらが互いと実際に接触した状態になっていかのように、またはほぼそうであるかのように機能する。同様に、実質的に同じサイズを有する炭素質粒子は、たとえこれらのサイズがある程度変化しても、各々正確に同じサイズであるかのように作動するかまたは形状を得る。
【００３３】
本明細書において使用する、“熱スプレッダー”は、熱を分布または伝導させ、熱源から熱を伝達する材料を指す。熱スプレッダーは、別の機構によってヒートシンクから伝達できるまで中に熱を保持するためのリザーバーとして使用されるヒートシンクとは異なり、熱スプレッダーはかなりの量の熱を保持せず、単に熱源から熱を伝達する。
【００３４】
本明細書において使用する、“熱源”は、所望のものを超える量の熱エネルギーまたは熱を有する装置または物体を指す。熱源は、それらの作動の副産物として熱を生成する装置、並びに別の熱源からこれへの熱の伝達によって、所望のものよりも高い温度に加熱された物体を含むことができる。
【００３５】
本明細書において使用する、“炭素質”は、主に炭素原子で製造された任意の材料を指す。様々な結合配置または“同素体”が炭素原子に関して周知であり、これは、平面、歪んだ四面体、及び四面体結合配置を含む。当業者には周知のように、このような結合配置は、特定の得られる材料、例えば黒鉛、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）、またはアモルファスダイヤモンド、及び純ダイヤモンドを決定する。１態様においては、炭素質材料はダイヤモンドとしてよい。
【００３６】
本明細書において使用する“反応性元素”及び“反応性金属”は互換性があり、炭化物結合を形成することによって、炭素と化学的に反応し、化学的に結合することができる元素、特に金属元素を指す。反応性元素の例としては、限定するものではなく、遷移金属の例えばチタン（Ｔｉ）及びクロム（Ｃｒ）を含んでよく、耐火性元素の例えばジルコニウム（Ｚｒ）及びタングステン（Ｗ）、並びに非遷移金属及び他の材料の例えばアルミニウム（Ａｌ）が含まれる。さらに、特定の非金属元素の例えばケイ素（Ｓｉ）を反応性元素としてろう付け合金中に含んでよい。
【００３７】
本明細書において使用する“濡れ”は、炭素質粒子の表面の少なくとも一部分にわたって溶融金属を流すプロセスを指す。濡れはしばしば、少なくとも部分的には溶融金属の表面張力が原因であり、特定の金属の使用またはこれを溶融金属に加えることによって促進できる。幾つかの態様においては、濡れは、炭化物形成金属を利用する場合に炭素質粒子と溶融金属との間でこれらの界面で化学結合の形成を助けることがある。
【００３８】
本明細書において使用する“化学結合”は互換性があり、原子同士の間の界面で二元固体化合物を生じるのに十分強い原子同士の間の引力を発揮する分子結合を指す。本発明に関わる化学結合は典型的に、ダイヤモンド超研磨材粒子の場合には炭化物であり、または立方晶窒化ホウ素の場合には窒化物若しくはホウ化物である。
【００３９】
本明細書において使用する“ブレーズ合金”及び“ろう付け合金”は互換性があり、合金と超研磨材粒子との間の化学結合の形成を可能にするのに十分な量の反応性元素を含む合金を指す。合金は、中に反応性元素溶質を有する金属キャリア溶媒の固体または液体溶液としてよい。さらに、“ろう付け”という用語を使用して、超研磨材粒子とブレーズ合金との間の化学結合の形成を指してよい。
【００４０】
本明細書において使用する“焼結”は、２つ以上の個々の粒子を接合して連続的な固体塊を形成することを指す。焼結のプロセスは、粒子を緻密化して粒子同士の間の空隙を少なくとも部分的に無くすことを含む。焼結は、金属または炭素質粒子の例えばダイヤモンド中で起きることがある。金属粒子の焼結は、材料の組成に依存して様々な温度で起きる。ダイヤモンド粒子の焼結は一般に、超高圧及びダイヤモンド焼結助剤としての炭素溶媒の存在を必要とし、これを下記により詳細に検討する。焼結助剤はしばしば焼結プロセスを助けるために存在し、このようなものの一部分は最終生成物中に残ってよい。
【００４１】
濃度、量、粒度、体積及び他の数値データを、本明細書において範囲形式で表すかまたは提示することがある。このような範囲形式は単に便宜上及び簡潔さのために使用するものであり、範囲の限界として明白に記載した数値を含むのみならず、範囲内に包含される全ての個々の数値または下位範囲をも各数値及び下位範囲が明白に記載されているように含むと柔軟に解釈するべきであることは理解できるはずである。
【００４２】
例として、数値範囲“約１マイクロメートル〜約５マイクロメートル”は、明白に記載された値である約１マイクロメートル〜約５マイクロメートルを含むのみならず、示された範囲内の個々の値及び下位範囲をも含むと解釈するべきである。従って、この数値範囲に含まれるのは、個々の値の例えば２、３及び４並びに下位範囲の例えば１〜３、２〜４及び３〜５等である。この同じ原理が１つの数値のみを記載する範囲にも当てはまる。その上、このような解釈は、説明する範囲の広さまたは特性にかかわらず当てはまるはずである。
【００４３】
発明
本発明は、熱源から熱を伝達する装置、システム、及び方法を包含する。本発明の方法に従って製造された熱スプレッダーは一般に複数の炭素質粒子を含み、これは、炭素質粒子が互いと実質的に接触した状態になっている具体例を含む。非炭素質材料を使用して、または炭素質粒子自体を塊にする直接焼結または融解によって、前記複数の炭素質粒子を一緒に結合してよい。
【００４４】
１態様においては、高炭素質粒子体積を有する熱スプレッダーの一般的な製造方法は、第１の複数の炭素質粒子を適切なモールド中に充填することから始まる。任意に、第１の複数の粒子は各々ほぼ同じメッシュサイズとしてよい。こうした粒子の具体的なサイズは、最高約１８メッシュ（１mm）までとしてよく、サイズは約３０メッシュ（０．５mm）〜約４００メッシュ（３７マイクロメートル）が典型的である。粒子のサイズは変化するかもしれないが、より大きな炭素質粒子は、固体炭素質材料の例えば純ダイヤモンドのものに近づく改良された熱伝達特性を有するより大きな通路に対処したものであるという一般的な原理は認識される。
【００４５】
粒子同士の間の実質的な接触が存在するように、粒子を充填する。各粒子は充填済みの群の中で少なくとも１つの他の粒子と接触した状態になっているはずである。従って、互いと接触した状態になっているがその他の粒子とは分離されている粒子の群が存在することがある。本発明の別の態様においては、粒子同士の間の接触は、熱スプレッダー中の実質的に全ての炭素質粒子への連続的な通路を提供するのに十分なものすることができる。熱源からの熱の伝達は、実質的な粒子−粒子接触によって促進される。粒子が体積の大部分を占め、粒子同士の間のからの空隙の量を最小にするように、粒子を充填することができる。
【００４６】
１態様においては、上記に記載した目標を得るための粒子充填を、逐次段階において様々なサイズの炭素質粒子を充填することによって実現してよい。例えば、より大きな炭素質粒子を適切なモールド中に充填する。沈降かまたはさもなければ圧縮、例えば、モールド内部で振動器によって撹拌することによって、炭素質粒子の充填を改良してよい。次に複数のより小さな炭素質粒子を加えて、より大きな炭素質粒子を囲繞する空隙を充填する。有効な空隙の大部分を充填するためには、より小さな粒子のサイズに依存して、より小さな粒子を充填済み炭素材料の多数の側面から導入する必要があるかもしれない。より小さな炭素質粒子のサイズは変化することがある。典型的に、より大きなダイヤモンドの直径の約１／３〜約１／２０の範囲内の粒子は充填効率を増大しよう。約１／５〜約１／１０の粒子もまた使用してよいが、より大きな粒子の直径の１／７の粒子が使用されて良好な結果を得た。このような逐次充填段階を使用して、体積充填効率は３分の２を超えるまでに達することがある。必要ならば、さらに小さな炭素質粒子の添加を実行して、さらに充填効率を増大してよい。しかしながら、充填がますます困難になり、一方充填効率の増大がますます少なくなるにつれて、この逐次充填方法はまもなく収穫逓減点に達しよう。念頭にある上記の原理に従って製造された充填済み粒子は、炭素体積含量約５０％〜約８０％を提供しよう。
【００４７】
他の具体例においては、間隙材料の導入の前に、様々なサイズの炭素質粒子をまず混合し、次に一緒に充填する。このアプローチは充填効率の増大に対処するが、より大きな粒子が他のより大きな粒子と密着しない結果として、幾つかの熱的利益を犠牲にすることがある。従って、熱はより大きな数の粒子−粒子界面境界を横断しなければならず、最終熱スプレッダーの熱抵抗を増大させる。
【００４８】
さらに別の他の具体例においては、均一に成形した炭素質粒子を使用することによって、ダイヤモンドの体積を増大させてよい。特に、実質的に立方晶のダイヤモンド粒子が市販されているが、他の形状を使用できる可能性がある。立方晶ダイヤモンドを隅から隅まで充填して、充填済みダイヤモンド粒子の単数または複数の層を生成してよく、ダイヤモンド体積含量は最高約９０％〜９８％までである。特定の配置は重要でなく、粒子を規則正しい行及び列で充填してよく、または行及び列は千鳥形としてよい。この具体例においては、ダイヤモンド粒子の配置は、ダイヤモンド粒子を一緒に焼結することなく、粒子同士の間の実質的により小さな体積の空隙に対処する。加えて、粒子が全てランダムな方向ではなく同じ方向に並んでいる場合、最終複合体の熱的性質は改良される。間隙または非炭素質材料及び処理に関する以下の検討は、上記に説明した充填済みダイヤモンド粒子に関して、充填済みダイヤモンド粒子のこの配置に当てはまる。
【００４９】
本発明の１態様においては、一緒に結合して複合体塊にするために、間隙材料を炭素質粒子に関連して使用してよい。しかしながら、上記に記載したように間隙材料を導入する前に粒子を充填することによって、最初の粒子間接触を維持でき、その結果充填効率は、まず炭素質粒子を間隙材料と混合し、次にホットプレス法によって緻密化することによって得られる効率をはるかに超える。後者の場合、間隙材料はダイヤモンド粒子の周り及びこれら同士の間を充填する傾向があり、従って多くの粒子を互いから完全に分離するので、炭素質粒子は装置体積の２分の１未満を占めそうである。この場合には、熱は非炭素質材料のかなりの面積を横断しなければならない。
【００５０】
従って、本発明の１態様によれば、上記に検討したように任意の非炭素質材料の導入の前に炭素質粒子を充填する。本発明の炭素質複合体熱スプレッダーを設計する際に考慮すべき１ファクターは、炭素質粒子同士の間の界面及び非炭素質材料と炭素質粒子との間の界面での複合体の熱的性質である。からの空隙及び界面同士の間の単なる機械的接触は、熱障壁として働く。粒子の表面のかなりの部分に沿った炭素質粒子の密着はこうした境界での熱的性質を改良するが、結果は純粋な連続的な炭素質材料のものよりも幾分劣っている。従って、界面の実質的な部分が単なる機械的接触以上のものであることが望ましい。
【００５１】
従って、特定の完成工具を実現するのに適した特定の特性を有する間隙材料を利用してよい。１態様においては、間隙材料は、炭素質粒子を焼結または実際に一緒に融解するための超高圧下での炭素焼結助剤として働くのに適したものとしてよい。本発明の別の態様においては、充填済みダイヤモンド粒子を一緒に化学的に結合する間隙材料を選択してよい。
【００５２】
間隙材料の選択は、間隙材料自体の熱伝導率及び熱容量を説明するものでなければならない。低熱伝導率を有する材料を含むダイヤモンド圧粉体熱スプレッダーは、構造内部の制限要素として働こう。従ってダイヤモンドの熱伝達利益の幾らかを無くす。従って、高熱伝導率と低熱容量を有し、ダイヤモンドとの化学結合に対処した間隙材料は、界面境界を横断する熱伝達を大きく促進する。もちろん、より大きな程度のダイヤモンド−ダイヤモンド接触もまた熱スプレッダーの熱伝達特性を改良しよう。
【００５３】
炭素質粒子の結合または焼結のための間隙材料を、浸潤、焼結及び電着を含む多数の様式で提供してよい。浸潤は、材料をその融点に加熱し、次に粒子同士の間の間隙の空隙を通して液体として流す場合に起きる。焼結は、材料の隣接した粒子をそれらの縁部近くで融解し、隣接した粒子を本質的に固相プロセスにおいて一緒に焼結するのに十分に間隙材料を加熱した場合に起きる。従って、間隙材料の流体流れは実質的に起きないと思われる。電着は、溶液中で融点を超えて加熱した金属を電流下で炭素質粒子の表面に堆積することを含む。
【００５４】
間隙材料の２つの基本的なカテゴリーは、液体金属及び溶融セラミックスを含む。炭素質粒子を結合して炭素質複合体熱スプレッダーを製造する場合、間隙材料は、炭素と反応して炭化物を形成するであろう少なくとも１つの活性元素を含むはずである。炭化物形成体の存在はダイヤモンド粒子の濡れを助け、間隙材料が毛管力（capillary force）によって間隙の空隙中に引かれることを引き起こす。炭素質粒子を焼結して炭素質熱スプレッダーを製造する場合、間隙材料は焼結助剤として働いて、炭素焼結の程度を増大し、必ずしも炭化物形成体を含むわけではなく、むしろ炭素溶媒を含む。
【００５５】
本発明の１態様においては、間隙浸潤合金を浸潤材として使用して、炭素質粒子を実質的に固体の熱発散塊に結合することができる。上記に言及したように、多くの間隙材料は、熱スプレッダーを通る熱の伝達を実際に妨げることがある。例えば、炭素と化学的に結合せずに単にこれを機械的に保持する間隙材料は、熱の伝達を遅くし得る。さらに、良好な炭化物形成体である多くの高融点材料は、劣った熱導体である。
【００５６】
さらに考慮すべき事柄は、炭素質材料がダイヤモンドである場合に、間隙材料を選択する際には、ダイヤモンドを損傷するのに十分高い浸潤または焼結温度を避けるように注意しなければならない。従って、本発明の１態様においては、間隙材料は約１，１００℃未満で融解または焼結する合金としてよい。この温度を超えて加熱する場合には、時間を最小にしてダイヤモンド粒子に対する過度の損傷を避けるべきである。ダイヤモンド粒子に対する損傷はまた、金属介在物の部位からのダイヤモンドの割れが理由となって、内部で誘起されることがある。合成ダイヤモンドは常に金属触媒（例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉまたはその合金）を介在物として含む。こうした金属介在物は高い熱膨張率を有し、これはダイヤモンドを黒鉛炭素へと逆転換し得る。従って、高温で、金属介在物の異なる熱膨張またはダイヤモンドから炭素への逆転換が理由となってダイヤモンドは割れよう。
【００５７】
本発明によれば、間隙材料はダイヤモンドまたは炭素ブレーズを金属浸潤材としてまたはシリコン合金をセラミック浸潤材として含んでよい。さらに、浸潤材は炭素を“濡らす”ことができ、従ってこれは炭素質粒子の間隙中に毛管力によってウィッキングされることができる。間隙材料は、充填済み炭素質粒子同士の間の残存している空隙のいずれでも実質的に充填する。一般的な炭素湿潤剤は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｍｎ、及びＣｒを含む。炭素質粒子を一緒に化学的に結合する場合、間隙材料は、粒子同士の間の境界での改良された熱的性質に対処する炭化物形成体を含んでよい。このような炭化物形成体は、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｃ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、及びこれらの合金を含む。
【００５８】
本発明の間隙または浸潤材料は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｗ、またはこれらの合金若しくは混合物のような成分を含んでよい。ダイヤモンドまたは炭素ブレーズは、炭素質粒子の濡れを示すＦｅ、Ｃｏ、またはＮｉ合金を含む。こうしたブレーズの合金はまた炭化物形成体の例えばＴｉ、Ｚｒ、またはＣｒを含んでよい。セラミックシリコン合金はＮｉ、Ｔｉ、またはＣｒを含んでよい。例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金の例えばＢＮｉ２（Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ）またはＢＮｉ７（Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ）は、良好な浸潤材である。有効な浸潤材の他の例としては、Ａｌ−Ｓｉ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ、及びＣｕ−Ｎｉ−Ｚｒ−Ｔｉが挙げられる。大部分の炭素質間隙材料は、炭化物を形成することによって炭素と結合するのみならず、容易に酸化される活性元素（例えば、Ｃｒ、Ｔｉ）を含む。従って、間隙材料の導入は、真空炉中または不活性雰囲気の保護下で実行するべきである。
【００５９】
上記の炭素質複合体熱スプレッダーは、比較的に速く熱を伝導できる間隙材料によって炭素質粒子の間の細孔またはギャップを少なくとも部分的に充填することによって製造できる。間隙材料を様々な様式で充填済み粒子中に導入してよい。間隙材料を提供する１様式は、水溶液中で電着（例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ）することによる。金属は最もしばしば酸溶液中に提供され、これは当業者であれば実行できよう。様々な追加の元素もまた加えて、溶液の表面張力を低下させるかまたは他の方法で空隙中への浸潤を改良してよい。
【００６０】
本発明の別の態様においては、炭素質熱スプレッダーが提供され、これは、熱スプレッダーの少なくとも約５０体積％の量で存在する複数の炭素質粒子を含む。非炭素質浸潤材は熱スプレッダーの少なくとも約５体積％の量で存在する。非炭素質浸潤材は、Ｃｕ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選択される元素を含むことができる。この具体例のさらなる態様においては、炭素質粒子は熱スプレッダーの少なくとも約８０体積％の量、または熱スプレッダーの少なくとも約９０体積％の量で存在することができる。
【００６１】
本発明の他の態様におけるように、炭素質粒子はダイヤモンド粒子を含むことができる。ダイヤモンド粒子は熱スプレッダーの約５０体積％を超える量で存在することができる。浸潤材は少なくとも約２％w/wの炭化物形成体を含むことができ、熱スプレッダーの約５体積％を超える量で存在することができる。
【００６２】
本発明の別の態様においては、熱スプレッダーが提供され、これは、炭素質粒子及び炭素質粒子と化学的に結合してもしなくてもよい非炭素質浸潤材を含む。この具体例においては、非炭素質浸潤材は、例えば、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇとすることができる。熱スプレッダーを比較的に高圧下で処理することによって、非炭素質浸潤材は熱スプレッダーの得られる熱発散容量を増大し、同時に炭素質粒子の充填密度を増大させる。例えば、炭素質粒子がダイヤモンドである場合に、熱スプレッダーを超高圧で処理した場合にダイヤモンド結晶粒はダイヤモンド間接点で少なくとも部分的に破砕し得る。ダイヤモンド粒子が破砕すると、溶融Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇは部分的にダイヤモンド結晶粒中に注入されることがあり、それによってダイヤモンド粒子密度の増大をもたらす。
【００６３】
得られた熱スプレッダーは高濃度のダイヤモンド粒子を含み、ダイヤモンド粒子同士の間の空隙の実質的に全てにＣｕ、Ａｌ、またはＡｇを充填するので、熱スプレッダーは高い程度の熱伝導率を示すことができる。この具体例に従って製造された熱スプレッダーは、純銅のものの約１と１／２〜２倍の熱伝導率を示すことが見い出された。加えて、Ｃｕ、Ａｌ及びＡｇは比較的に廉価な材料なので、この具体例による熱スプレッダーは商業的に競争力のあるコストで製造できる。また、Ｃｕは特に比較的に低い融点（約１１００℃未満）を有するので、従来のダイヤモンドＰＣＤ形成プロセスにおいて別の状況では必要とされることがあるより低い温度及び圧力でプロセスを行うことができる。
【００６４】
幾つかの従来技術のダイヤモンド複合体熱スプレッダーは、炭化物または炭化物形成材料でコーティングされたダイヤモンド粒子を使用して形成されてきた。それに反して、本発明の１態様においては、ダイヤモンド粒子及びＣｕ、ＡｌまたはＡｇは各々それらのベースの未処理形態で使用できる。これは、粒子の塊に浸潤材を浸潤する前にダイヤモンド粒子をコーティングする高価なプロセスを無くすことができる。加えて、本発明による熱スプレッダーにおいて使用するダイヤモンド粒子は、比較的に粗い結晶粒、例えば５０ミクロン以上の結晶粒を有するダイヤモンド粒子を利用できる。これによって、熱流を遅くする粒界がより少なくなる。
【００６５】
間隙材料を提供する別の様式は、炭素質粒子同士の間の空隙中の固体粉末の焼結による。焼結は、例えば、限定するものではなく、ホットプレス法、無加圧焼結、真空焼結、及びマイクロ波焼結のような当業者には周知の様々な様式で成し遂げてよい。ホットプレス法が一般的な方法であるが、マイクロ波焼結はより短い焼結時間及び減少した多孔性に対処するので、ますます有用な方法になりつつある。マイクロ波は炭素ではなく焼結可能な金属材料を主に加熱するために働くので、これは本発明において特に有利である。ダイヤモンドを使用する場合に、これは処理の最中のダイヤモンドの劣化を低減する助けとなる。
【００６６】
充填プロセスの最中に焼結可能な間隙材料を提供してよく、この場合焼結済み材料は炭素質粒子同士の間の空間の多くを占め、実質的な粒子−粒子接触を妨げる。しかしながら、より小さなダイヤモンド粒子の逐次充填において使用するものと同様に焼結可能な間隙材料を導入してよく、ここで、炭素質粒子を充填した後に材料に炭素質粒子同士の間の空隙を部分的に充填させるように間隙材料のサイズを選択する。一旦空隙が十分に充填されたら、間隙材料を焼結する。このようにして、粒子−粒子接触を改良することができる。
【００６７】
間隙材料を提供する第３の様式は、ダイヤモンド粒子に溶融材料（例えば、Ａｌ、Ｓｉ、ＢＮｉ２）を浸潤することである。電着した金属は炭素と化学的に結合できず、従って炭素質粒子は内部に捕捉される。さらに、焼結の最中の炭素質粒子との結合は主に機械的なものなので、焼結済み材料は粒子をしっかりと保持できない。浸潤材は活性元素を含むはずであり、従ってこれは炭素と反応して、炭化物の形態で化学結合を形成できる。炭化物形成体の存在はまた浸潤材が粒子表面を濡らすことを可能にし、毛管作用によって浸潤材をさらに間隙の空隙中に引く。
【００６８】
ダイヤモンド粒子を使用する場合に、ダイヤモンド劣化を最小にするために、浸潤を好ましくは１，１００℃未満の温度で実行する。上述のＦｅ、Ｎｉ、及びＣｏ合金の多くはこの範囲の融解温度を有する。間隙材料の浸潤または焼結の最中、高温の金属は不可避的に若干の小さな程度のダイヤモンド劣化を引き起こそう。しかしながら、この影響は、処理時間を低減し、間隙材料を注意深く選択することによって最小にできる。シリコンは、反応によってＳｉＣを形成するその傾向が理由となって、ダイヤモンド粒子同士の間の間隙の空隙を充填する際に特に良好である。ダイヤモンドと溶融Ｓｉとの間の界面でのＳｉＣの形成は、ダイヤモンドをさらなる劣化から保護することができる。純Ｓｉの融解温度は約１，４００℃である。高真空（例えば、約１０−３torr未満、例えば１０−５torr）下で、溶融Ｓｉまたはその合金は、ダイヤモンドを過度に損傷することなくダイヤモンド中に有効に浸潤でき、従って良好な熱スプレッダーを製造できる。  従って、間隙材料を、浸潤、焼結または電着によって充填済み炭素質粒子中に導入してよい。低圧で実行した場合に、こうした間隙材料は単に粒子同士の間の空隙を充填し、粒子を一緒に結合する。超高圧では２つの基本的な可能性が存在する。第１に、間隙材料は炭素と化学的に結合してよい及び／または炭素質材料から間隙材料への界面にわたって有利な熱的性質を提供してよく、炭素質材料は部分的に破砕されて空隙の一部分を無くそう。第２に、間隙材料が、例えば、限定するものではなく、鉄、コバルト、ニッケルまたはこうした材料の合金のような炭素溶媒である場合、炭素質粒子は一緒に焼結して連続的な炭素質塊を形成しよう。炭素質粒子が一緒に焼結した場合、熱伝達のための通路は、横切るべき機械的または非炭素界面を実質的に有しない本質的に連続的な炭素通路である。
【００６９】
本発明の１具体例においては、銅を間隙材料として使用する。銅は、ダイヤモンド熱スプレッダーを製造するための理想的な熱導体である。しかしながら、銅は炭素溶媒ではなく、黒鉛からダイヤモンドへの転換のための触媒でもなく、超高圧で焼結助剤としても働かない。従って、銅を間隙材料として使用する場合、これを電着または焼結によって行うこともできる。しかしながら、電着は、密に充填されたダイヤモンド結晶粒の間の細孔を充填する際には極めて遅く、非効率である。焼結は、一方、不可避的に銅をダイヤモンド結晶粒同士の間に捕捉されたままにしよう。いずれの方法においても、最終熱スプレッダーにおける炭素質粒子充填効率は比較的に低い（例えば、６０体積％）。
【００７０】
銅は炭素質粒界に沿って炭素質粒子を一緒に焼結するための焼結助剤ではないが、炭素−銅混合物の超高圧緻密化は炭素質結晶粒を一緒により近くに押し付けて、より高い炭素含量の例えば７０体積％に達することができる。圧力は約４GPa〜約６GPaの範囲にわたってよい。こうした高圧で炭素質粒子の幾らかは部分的に破砕して、粒子同士の間の空隙の一部分を無くす。炭素間ブリッジを形成することなく７０体積％を超える炭素を達成するためには、過剰の銅をシンク材料によって抽出しなければならない。このシンク材料は超高圧条件下で細孔を含み、銅の融解温度で軟化しないと思われる。このようなシンク材料を、セラミック粉末の例えばＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、及びＡｌ２Ｏ３で製造してよいが、過剰の銅を吸収するのに十分な媒体を提供する任意の多孔質材料で形成してもよい。他の有用な多孔質材料としては、ＷＣ及びＺｒＯ２が挙げられる。この技術は、下記の実施例１を参照してさらに説明できる。
【００７１】
本発明の別の態様においては、間隙材料は、低い体積含有率の炭素湿潤剤を有する炭素湿潤浸潤合金としてよい。このようにして、炭素と浸潤材との間の機械的界面を大きく低減し、同時に比較的に高い熱伝導率を有する浸潤材を提供する。例えば、良好な熱伝導金属の例えばＡｇ、Ｃｕ、またはＡｌを炭化物形成体の例えばＴｉと共に合金生成してよい。
【００７２】
良好な伝導率及びダイヤモンド濡れ特性を有する浸潤合金を含むことによって提供される利益に加えて、浸潤合金を、比較的に低い共晶溶融点を有するように選択することができる。このようにして、極高温及び圧力でダイヤモンド粒子を処理することに関連する上記に記載した不利益を避けることができる。１態様においては、使用する合金の共晶溶融点は約１１００℃未満としてよい。別の態様においては、融点は約９００℃未満としてよい。
【００７３】
良好な炭化物形成元素の例としては、限定するものではなく、上記に記載したものが挙げられる。さらに、高い熱伝導率を有する材料の例としては、限定するものではなく、Ａｇ、Ｃｕ、及びＡｌが挙げられる。所望の熱伝達及び化学結合特性を達成しまた上記に指定した温度範囲内の共晶溶融点を有する広範囲の特定の合金を使用してよい。しかしながら、本発明の１態様においては、浸潤合金は、炭化物形成元素及び少なくとも１重量〜約１０重量％のＡｇ、Ｃｕ、またはＡｌを含むことができる。別の態様においては、炭化物形成元素は熱スプレッダーの少なくとも約１％w/wの量で存在する。
【００７４】
別の態様においては、浸潤合金はＣｕ−Ｍｎ合金を含むことができる。Ｃｕ−Ｍｎ合金はＣｕ−Ｍｎ（３０％）−Ｎｉ（５％）とすることができ、以前に使用された焼結温度よりはるかに低い約８５０℃の融点を有する。例えば、Ｃｏは約１５００℃の融点を有し、しばしば、ＰＣＤ圧粉体を形成するために使用されるＨＰＨＴプロセスにおいて焼結助剤として使用される。先に言及したように、このような温度は炭素質材料の健全性を危うくし、この劣化を引き起こし得る。これは特にダイヤモンド粒子に当てはまる。それに反して、ダイヤモンド粒子を比較的に低温である約８５０℃で処理することは、健全性の観点並びにプロセス制御及びコストの観点の両方からはるかに望ましい。上記に記載した材料に加えて、本発明において使用する浸潤合金は多数の他の材料を含むことができる。例えば、本発明の１態様においては、ＣｕＡｌＺｒ（９％）及びＣｕＺｒ（１％）を使用できる。Ｚｒは特に良好な熱導体というわけではないが、浸潤合金中のその存在は体積にして比較的に小さく、従って熱スプレッダーを通る熱伝導を著しく妨げることはない。
【００７５】
比較的に低い融点を有しまた良好な濡れ及び伝導率特性を有する浸潤合金を利用することによって、優れた炭素質熱スプレッダーを提供することができる。より低い作業温度はより低い作業圧力を生じる。より低い作業圧力を必要とすることによって、本発明を利用して、従来技術方法よりもはるかに大きな厚さを有する炭素質熱スプレッダーを形成することができる。以前に使用されたモールドサイズを限定したのは、ＰＣＤを形成するために必要とした極高圧だった。例えば、１態様においては、本発明を利用して、厚さ約１mmを超える熱スプレッダーを形成することができる。別の態様においては、本発明に従って製造された熱スプレッダーは、約２mmもの厚さ及びこれを超える厚さを有することができる。より大きな厚さを有する熱スプレッダーを形成することによって、得られた熱スプレッダーはより多量の熱／単位時間を伝達または発散する容量を有し、従ってかなりより大きな冷却容量を有する。
【００７６】
本発明に従って製造された熱スプレッダーは、使用目的に基づいて様々な形状を取ってよい。上記に説明したように製造した炭素質材料は、これを利用する熱源の特定の要件に基づいて研磨及び成形してよい。ＣＶＤとは異なり、本明細書における炭素質複合体は、比較的に迅速にほぼいかなるサイズにも形成できる。最もしばしば、電子用途の場合、熱スプレッダーは厚さ約０．１mm〜約１mmであるか、または５mmもの厚さの範囲にわたることができる。熱スプレッダーを、円形若しくは楕円形ディスクまたは四辺形の例えば正方形、長方形或いは他の形状のウェーハへと形成してよい。熱源は、熱を生じる任意の電気部品または他の部品としてよい。
【００７７】
一旦熱スプレッダーを形成したら、適切な配置は設計及び熱伝達の原理に基づく。熱スプレッダーは構成要素と直接密着させてよく、包含するように形成してさえよく、またはさもなければ広い表面積にわたる熱源との直接接触を提供するように輪郭に合わせてよい。他に、熱導管または他の熱伝達装置によって、熱スプレッダーを熱源から取り外してよい。
【００７８】
本明細書において開示する熱スプレッダーに加えて、本発明は熱源から熱を伝達するための冷却ユニットを包含する。図１ａに示すように、本明細書において検討する原理に従って形成された熱スプレッダー１２は、熱源の例えばＣＰＵ１４及びヒートシンク１６の両方と熱連通させて配置することができる。熱スプレッダーはＣＰＵによって生じた熱をヒートシンクに伝達する。ヒートシンクは、その材料及び形状の両方を含め当業者には周知の多数のヒートシンクとすることができる。例えば、アルミニウム及び銅はヒートシンクとして使用するために周知であり、図１に示すように、冷却フィン１８を含む形状を有することができる。熱はＣＰＵから熱スプレッダーを通って迅速にかつ効果的に伝達されるので、ヒートシンクは熱を吸収し、冷却フィンは囲繞する環境中に熱を放散するのを助ける。実現される特定の結果に依存して、ヒートシンク、熱源、及び熱スプレッダーの間の多数の接触形状を利用することができる。例えば、構成要素を互いに隣接して配置してよく、また結合することができ、または他の方法で互いに連結できる。本発明の１態様においては、熱スプレッダーをヒートシンクにろう付けできる。
【００７９】
冷却フィンを含むシンクとしてヒートシンク１８を図に示すが、本発明は、当業者には周知の任意のヒートシンクの場合に利用できることは理解できるはずである。周知のヒートシンクの例は米国特許第6,538,892号に検討されており、これを本明細書において参考のために引用する。本発明の１態様においては、ヒートシンクは内部作動流体を有するヒートパイプを含む。ヒートパイプヒートシンクの例は米国特許第6,517,221号に検討されており、これを本明細書において参考のために引用する。
【００８０】
図１ｂに示すように、本発明の１態様においては、熱スプレッダー１２は、ヒートシンク及び／または熱源中に少なくとも部分的に埋込まれていることができる。このようにして、熱は熱スプレッダーの底部からヒートシンクに伝達されるのみならず、熱は少なくとも部分的に熱スプレッダーの側面からヒートシンク中に伝達される。ヒートシンク中に埋込んだ後に、熱スプレッダーをヒートシンクに結合またはろう付けできる。１態様においては、熱スプレッダーを圧縮はめあいによってヒートシンク中に保持できる。このようにして、スプレッダーからシンクへの効果的な熱伝達の障壁として働くかもしれない結合またはろう付け材料は、熱スプレッダーとヒートシンクとの間に存在しない。
【００８１】
熱スプレッダーは、当業者には周知の様々な機構によってヒートシンク中に保持できるが、１態様においては、熱スプレッダーは熱誘起圧縮はめあいによってヒートシンク中に保持される。この具体例においては、ヒートシンクを高温に加熱して、ヒートシンク中に形成される開口部を拡張できる。次に、熱スプレッダーを膨張した開口部中にはめ込むことができ、ヒートシンクを冷却することができる。冷却後に、比較的に高い熱膨張率を有するヒートシンクは、熱スプレッダーを取り囲んで収縮し、ヒートシンク内部に埋込まれた熱スプレッダーを保持しいかなる介在する結合材料も必要としない熱誘起圧縮はめあいを生じよう。機械的摩擦はめあい
も利用して、ヒートシンク中の熱スプレッダーを保持できる。
【００８２】
図１ｃに示すように、本発明の１態様においては、ヒートシンクは、内部作動流体（図示せず）を有することができるヒートパイプ２２を含むことができる。内部作動流体は当業者には周知の任意のものとすることができ、１態様においては、水または水蒸気である。ヒートパイプは実質的に密封されて、作動流体をヒートパイプ内部に維持することができる。熱スプレッダーをヒートパイプと隣接して配置でき、１態様においては、ヒートパイプにろう付けされる。図１ｃに示す具体例においては、熱スプレッダーはヒートパイプの壁を通って突出し、その結果熱スプレッダーの底は作動流体と直接接触する。熱スプレッダーをヒートパイプ内部にろう付けして、２６で示すように、ヒートパイプの実質的に密封された状態を維持する助けとする。
【００８３】
熱スプレッダーは作動流体と直接接触した状態になっているので、作動流体はより効果的に熱スプレッダーから熱を伝達することができる。図１ｃに示す具体例においては、作動流体（この場合には水（図示せず））は熱スプレッダーに接触し、熱スプレッダーから熱を吸収すると蒸発する。水蒸気は次にヒートパイプの底部表面に液体形態で凝縮でき、その後、毛管力が理由となって、液体は２４を移動し、ヒートパイプの壁を上昇して熱スプレッダーに戻り、ここでこれは再度蒸発してサイクルを繰り返そう。ヒートパイプの壁は高い熱伝導率を有する材料で製造できるので、熱はヒートパイプの壁から囲繞する雰囲気中に放散される。
【００８４】
上記に言及したように、充填済み炭素質粒子、特にダイヤモンドはまた一緒に焼結して、主として炭素のみを有する実質的に焼結済みの粒子の塊を形成してよい。炭素質粒子を一緒に焼結した場合に、隣接した炭素粒子を接続する炭素ブリッジが存在する。上記に説明した充填方法は、最初の炭素充填効率を増大することができる。逐次段階において異なるサイズの炭素質粒子を充填することによって、充填効率を最高約８０体積％まで増大させることができる。しかしながら、炭素間結合が存在しないので、充填効率は限界に達する。従って、充填効率及び熱伝導率をさらに増大させるためには、炭素質粒子を一緒に焼結しなければならない。加えて、隣接した炭素質粒子を接続する炭素ブリッジが存在するように炭素質粒子を一緒に焼結した場合に、熱流のための遮断されない通路が提供される。このようにして、熱は、単に密着している個々の粒子同士の間の界面で遅くなることなく、炭素質熱スプレッダーを迅速に通過できる。
【００８５】
ダイヤモンド粒子を一緒に焼結するためには、これをダイヤモンドの安定性領域で加熱しなければならず、さもなければ、ダイヤモンドはより安定な形態である黒鉛に戻ろう。米国特許第3,574,580号、同第3,913,280号、同第4,231,195号及び同第4,948,388号はこのプロセスをより詳細に検討しており、これらを全て、本明細書において参考のために引用する。ダイヤモンド焼結は一般に超高圧で実行される。典型的に、約４GPaを超えて最高８GPaまでの圧力が必要であるが、幾つかのプロセス、例えば米国特許第4,231,195号はこの圧力要件を下げようと試みた。より典型的な焼結圧力は約５〜約６GPaである。このような圧力で、ダイヤモンド粒子は、液相焼結として周知の機構によって一緒に焼結される。
【００８６】
ダイヤモンドまたは炭素質粒子の焼結助剤として働く間隙材料を提供することができる。このプロセスの最中、間隙材料（例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｒ）は、ダイヤモンド粒子を濡らすことができる。こうした圧力での溶解度の増大が理由となって、ダイヤモンドはこの間隙材料中に溶解しよう。局所的な圧力はダイヤモンド粒子の接点でより高く、従ってダイヤモンド粒子は最初にこうした箇所で溶解しよう。それに反して、ダイヤモンド粒子同士の間の最初の空隙中の圧力は低く、従って、溶融液体中の炭素原子の形態の溶解したダイヤモンドはダイヤモンドとして空隙中に析出しよう。従って、ダイヤモンドの接触箇所は徐々に溶解し、ダイヤモンド粒子同士の間の空隙は徐々に析出したダイヤモンドで充填されよう。結果は、ダイヤモンド粒子を最初の接点を越えてより近付けることと、最初の空隙を実質的になくして約７０〜約９８体積％のダイヤモンドの組成を有するダイヤモンド構造を生じることである。加えて、上記に説明した低圧プロセスの場合と異なり、温度及び圧力の条件はダイヤモンドの安定性領域の範囲内なので、ダイヤモンド粒子はいかなる劣化も経験しないだろう。
【００８７】
ダイヤモンドの超高圧焼結の最終生成物は多結晶性ダイヤモンド（ＰＣＤ）であり、残りのダイヤモンド結晶粒は一緒に焼結する。このような構造において、最初のダイヤモンド粒子の輪郭はほとんど失われ、代わりに顕著なダイヤモンド間ブリッジが形成される。ダイヤモンド焼結をほぼ完了まで実行できる場合、塊全体がダイヤモンドで製造され、非ダイヤモンド材料の小さなポケットがＰＣＤ内部の最初の空隙中に捕捉されよう。このような構造は、９５体積％を超えるダイヤモンドの連続的な骨格を含んでよく、従ってこれは熱を伝導する際に非常に効果的であり、純ダイヤモンドの熱的性質に近づく。
【００８８】
上述のホットプレス法の場合と同様に、この超高圧プロセスを、より低い圧力（＜２GPa）で金属を一緒に焼結することによって製造した炭素質複合体熱スプレッダーに適用してよい。ホットプレス法単独で実現できるものを越えて炭素含量を増大するために、超高圧プロセス使用して炭素質複合体熱スプレッダーを緻密化することもできる。
【００８９】
本発明の方法による熱スプレッダーの超高圧製造に適した間隙材料は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、及びこうした材料の混合物または合金を含む。こうした材料の全てが焼結助剤として働くわけではない。
【００９０】
本発明の別の態様においては、焼結助剤の除去を加速するためにシンク材料の例えばセラミックが提供される。上記に説明したように、このシンク材料は多孔質であり、ダイヤモンド粒子の焼結において使用される超高圧で軟化しない。このようなシンク材料は最もしばしばセラミック粉末の例えばＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、及びＡｌ２Ｏ３であるが、過剰の焼結助剤材料を吸収するように働くことができる任意の多孔質媒体としてよい。他の有用な多孔質材料としては、ＷＣ及びＺｒＯ２が挙げられる。
【００９１】
上記に記載したシステム及び装置に加えて、本発明はまた、熱スプレッダーの製造方法を提供し、これは、複数の炭素質粒子を提供する工程と、熱伝導塊を形成するように、前記複数の炭素質粒子に上記に説明した様々な態様において記載した非炭素質浸潤材を浸潤する工程と、を含むことができる。別の態様においては、熱源の冷却方法が提供され、これは、上記に説明した様々な態様において記載した熱スプレッダーを提供する工程と、熱スプレッダーを熱源及びヒートシンクの両方と熱連通させて置く工程と、を含む。
【００９２】
以下の実施例は、本発明の熱スプレッダーの様々な製造方法を提出する。このような実施例は例示とするのみであり、本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００９３】
実施例１
ダイヤモンド粒子を粉末銅と混合して混合物を形成することができる。次にこの混合物をコールドプレスしてスラグを形成する。高融点金属（例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ）で製造された薄壁モールドを用意する。粗い結晶粒度（例えば、４０／５０メッシュ）を有するセラミック粒子（例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３）をまずモールド中に置き、次にセラミック粒子をダイヤモンド−銅スラグで被覆する。試料アセンブリを次に高圧セル中に置き、５GPaを超えて加圧する。試料アセンブリを囲繞する加熱管に電流を通すことによって、アセンブリを次に１２００℃を超えて熱充填する。この温度及び圧力で、銅は融解し、ダイヤモンド粒子同士の間から押出される。液体銅は、セラミック粒子を含むモールドの底部に流れる。セラミック粒子は、液体銅を受け入れるための十分なからの細孔を含む。このようにして、ダイヤモンド結晶粒は部分的に破砕し、銅によって残された空間を実質的に充填する。結果は、高ダイヤモンド含量（例えば、８５体積％）熱スプレッダーである。銅の一部分は複合材料中に残り、ダイヤモンドと結合して粒子を一緒に保持する。
【００９４】
ダイヤモンド間ブリッジの欠如が理由となって、上記に説明した銅接着ダイヤモンド複合体（copper cemented diamond）は、ＰＣＤにおけるような焼結済みダイヤモンドの最高９５体積％までのダイヤモンド含量には達しないａが、そのダイヤモンド含量は電着またはホットプレス法によって生じると思われるものよりもはるかに高いと思われる。従って、熱伝導率は、本発明の低圧ダイヤモンド複合体熱スプレッダーよりもはるかに高いと思われる。さらに、銅の高い熱伝導率は、ＰＣＤと比較した場合により低いダイヤモンド含量（約８０体積％）を部分的に相殺し、というのは、後者は銅よりもより低い熱伝導率を有する炭素溶媒金属、例えば、Ｃｏ、を含むからである。
【００９５】
ＰＣＤは一定して製造されてきたが、典型的に、例えば切削工具、ドリルビット、及び線引きダイ（wire drawing die）のようのな機械的機能のためののみ設計され、使用されてきた。機械的仕上げを改良し、機械的強度（例えば、衝撃強度）を増大するために、ＰＣＤは非常に微細なダイヤモンド粉末で製造されている。最良のＰＣＤは、非常に微細なダイヤモンド粒子の例えばサブマイクロメートルサイズ（例えば、日本の住友電気（Sumitomo Electric Company of Japan）によって製造されている）を含む。熱スプレッダー中にＰＣＤを利用することによって、機械的性質はより重要でなくなる。衝撃強度及び表面仕上げではなく、ダイヤモンド充填効率及び熱的性質が主要な関心事となる。従って、熱スプレッダーのためのＰＣＤの設計は、従来の研磨材用途のものとは異なる。特に、本発明のダイヤモンド粒子は比較的に大きな結晶粒度であり、浸潤材または焼結助剤は、従来のＰＣＤにおけるような機械的靱性ではなく高い熱伝導率を必要とする。
【００９６】
熱スプレッダーの熱伝達効率を改良するためにはダイヤモンド粒子の粒界を最小にし、これは、粒界を最大にするダイヤモンド複合体の従来の設計とは異なる。より大きなダイヤモンド粒子の使用は熱伝達を低減する粒界を低減するのみならず、ダイヤモンド充填効率を増大させ、熱伝導率をさらに増大させるのに役立つ。従って、この設計基準は、本明細書において説明する全てのダイヤモンド及びダイヤモンド複合体熱スプレッダーに適用可能である。
【００９７】
実施例２
直径約２０mmを有する円形の穴の形態の接触用キャビティを、ファンによって冷却される放熱フィンを有するアルミニウムヒートシンクの平坦なベースへと形成する。ヒートシンクを温度約２００℃に加熱して接触用キャビティを拡張し、その後、直径約２０mmのダイヤモンド複合体熱スプレッダーを接触用キャビティ中に挿入する。冷却後に、アルミニウムヒートシンクのはるかに大きな熱膨張収縮は、接触用キャビティ中にしっかり圧縮されたダイヤモンド複合体熱スプレッダーを生じよう。ダイヤモンド複合体熱スプレッダーの上面を研磨して、収縮はめ込みによって形成されたいかなるデブリも除去する。熱スプレッダーをチップまたはＣＰＵと接触した状態に置き、熱を熱スプレッダーを通してヒートシンク中に発散させ、熱スプレッダーの底部及び熱スプレッダーの側面の両方からヒートシンク中に熱発散させる。
【００９８】
実施例３
５０／６０米国メッシュダイヤモンド粒子を酸洗浄し、円筒形を有するタタルムカップ（tatalum cup）中に装填する。無酸素銅ディスクをダイヤモンド粒子の上に置く。装填物を含むパイロフィライト立方体に向かって加圧する６つのアンビルを利用する２０００トンの立方体プレス中で、装填物を５．５GPaに加圧する。装填物を囲繞する黒鉛管に電流を通す。１１５０Ｃの温度で、溶融銅をダイヤモンド粒子を通して浸潤させる。冷却及びデコンプレッション後に、装填物を研磨してタタリウム容器（tatalium container）を除去し、またダイヤモンド−銅複合体の上面及び底面も研磨する。最終ディスクは直径３７及び厚さ２mmである。ダイヤモンド含量は約８２V％である。得られたダイヤモンド−銅熱スプレッダーは、純銅のものの約１．５〜２倍の熱伝達率を有する。
【００９９】
実施例４
熱スプレッダーを実施例３に従って製造するが、濃度約１重量％のＣｕ−Ｚｒを使用して、銅及びダイヤモンドの濡れ特性を改良する。
【０１００】
実施例５
グラホイル（grafoil）をアルミ容器中に置き、３０／４０ダイヤモンド結晶で被覆する。平坦なプレートを使用して、結晶をグラホイル中に加圧する。ＡｇＣｕＳｎＴｉホイルをダイヤモンド／グラホイル混合物の上に置く。アセンブリを真空炉中９５０Ｃで１５分間加熱する。結果は合金浸潤済みダイヤモンド−黒鉛である。
【０１０１】
実施例６
３０／４０メッシュダイヤモンド粒子（約５００マイクロメートル）を青銅粉末（約２０マイクロメートル）と混合して、体積効率５０％を実現する。混合物を黒鉛モールド中で圧力４０MPa（４００気圧）にホットプレスし、７５０℃に１０分間加熱する。結果は直径３０mm及び厚さ３mmのダイヤモンド金属複合体ディスクである。
【０１０２】
実施例７
３０／４０メッシュダイヤモンド粒子をアルミニウム粉末と混合し、アルミナトレイ中に装填する。アルミニウムが溶融するように、装填物を１０−５torrの真空炉中で７００℃に５分間加熱する。冷却後、結果はダイヤモンドアルミニウム複合体である。
【０１０３】
実施例８
３０／４０メッシュダイヤモンドを黒鉛モールド内部に置き、約３２５メッシュのニクロブラズルム（NICHROBRAZLM）（ウォール・コロムノイ（Wall Colomnoy））粉末で被覆する。装填物を１０−５torrの真空炉中で１０１０℃に１２分間加熱する。溶融Ｎｉ−Ｃｒ合金をダイヤモンド粒子中に浸潤して、ダイヤモンド金属複合体を形成する。
【０１０４】
実施例９
３０／４０メッシュダイヤモンドを黒鉛モールド内部に置き、割れたシリコンウェーハで被覆する。装填物を１０−５torrの真空炉中で１４７０℃に９分間加熱する。溶融Ｓｉをダイヤモンド粒子中に浸潤して、複合体を形成する。
【０１０５】
実施例１０
３０／４０メッシュダイヤモンドを黒鉛モールド内部に置き、次に撹拌する。２２０／２３０メッシュダイヤモンドを次にモールド中に置き、空隙の大部分により小さな粒子を充填するまで穏やかに撹拌する。充填済みダイヤモンドを次に、約３２５メッシュのニクロブラズルム（ウォール・コロムノイ）粉末で被覆する。装填物を１０−５torrの真空炉中で１，０１０℃に１２分間加熱する。溶融Ｎｉ−Ｃｒ合金をダイヤモンド粒子中に浸潤して、ダイヤモンド金属複合体を形成する。
【０１０６】
実施例１１
３０／４０メッシュダイヤモンドを陰極を囲んで充填し、銅イオンを含む酸浴中に浸漬させる。電流を通した後に、こうしたダイヤモンド粒子の細孔中に銅は徐々に堆積する。結果はダイヤモンド銅複合体である。
【０１０７】
実施例１２
形状が実質的に立方晶である２０／２５メッシュダイヤモンド粒子（デビアス（De Beers）によって製造されるＳＤＡ−１００Ｓ）をアルミナプレート上に隅から隅まで整列させて、約４０mm四方のダイヤモンド粒子の単層を形成した。厚さ０．７mmのシリコンウェーハを粒子のこの層の上に置いた。アセンブリを次に真空炉中に置き、１０−５torrに減圧した。温度を次に１，４５０℃に１５分間上昇させた。シリコンは融解し、ダイヤモンド粒子同士の間に浸潤した。冷却後に、複合体を機械加工して過剰のシリコンを無した。結果は約０．８mmのダイヤモンド熱スプレッダーである。この熱スプレッダーは約９０％のダイヤモンド体積を含む。実質的に立方晶の粒子の使用は、先に説明した逐次充填方法を使用して従来実現することができるよりもはるかに高いダイヤモンド含量を可能にする。
【０１０８】
実施例１３
４０／５０メッシュダイヤモンド粒子をＳｉ及びＴｉ粉末の混合物と混合し、混合物全体を黒鉛モールド内部に装填し、これを次にチタン加熱管内部にはめ込む。アセンブリをパイロフィライトブロックの中央に置く。このブロックを立方体プレス中に置き、圧力５．５GPaにさらす。チタン管に電流を通すことによって加熱を実現する。シリコンが融解するとこれはチタンを溶解させ、両方ともダイヤモンド粒子を取り囲んで流れる。ダイヤモンド粒子を次にシリコン液体の助けによって焼結する。冷却及びデコンプレッション後に、ダイヤモンド複合体をパイロフィライト及び他の圧力媒体から分離する。結果は約９２体積％のダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体である。２０のこのようなダイヤモンド複合体を製造し、各々寸法は直径２０mm及び厚さ３mmである。こうしたダイヤモンド複合体ディスクをダイヤモンド砥石によって研磨し、熱伝導率を測定して、銅のものの約２回の値を示した。
【０１０９】
もちろん、上記に説明した配置は、本発明の原理の適用の例示に過ぎないことは理解できるはずである。多数の修正及び他の配列を、当業者であれば、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく考案できようし、添付の請求の範囲はこのような修正及び配列を包含することを意図したものである。このように、現在本発明の最も実際的で好適な具体例とみなされるものに関連して本発明を上記に詳細に説明してきたが、サイズ、材料、形状、形態、機能並びに作動、組立て及び使用の方法の変形例が挙げられるがこれらに限定されるものではない多数の修正を、本明細書において述べる原理及び概念から逸脱することなく成し得ることは当業者には明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】図１ａは、本発明の具体例による、熱源及びヒートシンクと熱連通した熱スプレッダーの概略図である。図１ｂは、本発明の別の具体例による、熱源及びヒートシンクと熱連通した熱スプレッダーの概略図である。図１ｃは、本発明の別の具体例による、熱源及びヒートシンクと熱連通した熱スプレッダーの概略図である。
2006511098.tif 000004
【国際調査報告】
2006511098.tif 000005
2006511098.tif 000006
2006511098.tif 000007