(57)【要約】高圧加工処理中における半導体ウェーハを保持するための真空チャックであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三ピンと、アクチュエータ機構とを具備している。ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、真空開口部とを具備している。使用時に、真空開口部は半導体ウェーハの表面を真空引きするべく操作可能であり、半導体ウェーハはウェーハプラテンに固定される。第一〜第三リフトピンが、それぞれ第一〜第三リフトピン穴に取り付けられている。アクチュエータ機構が、第一〜第三リフトピンをウェーハプラテンに接続していて、アクチュエータ機構は、第一〜第三リフトピンをウェーハプラテンの滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、アクチュエータ機構は、第一〜第三リフトピンを少なくともウェーハプラテンの滑らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能である。
2006505952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを保持するための真空チャックであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三リフトピンと、アクチュエータ機構とを具備する真空チャックにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、該滑ら          かな表面に設置された真空開口部とを具備していて、該真空開口部は半導体ウ          ェーハの表面を真空引きするべく使用可能であり；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら          れていて；
ｃ．    該アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンに接          続していて、該アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハ          プラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該アクチュエ          ータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプラテンの該滑          らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能である；
真空チャック。
【請求項２】
該ウェーハプラテンの該滑らかな表面が半導体ウェーハ保持領域を備えている、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項３】
該真空開口部が、該半導体ウェーハ保持領域に設置されたほぼ円形の第一真空溝を備えている、請求項２に記載の真空チャック。
【請求項４】
該ウェーハプラテンが、該ほぼ円形の第一真空溝を真空ポートに接続する真空通路をさらに備えていて、該真空ポートは該半導体ウェーハ保持領域の外側で該ウェーハプラテンの表面に設置されている、請求項３に記載の真空チャック。
【請求項５】
該ウェーハプラテンが、該ほぼ円形の第一真空溝の直径の内側における該滑らかな表面に設置された、ほぼ円形の第二真空溝を備えている、請求項４に記載の真空チャック。
【請求項６】
該真空通路が、該ほぼ円形の第二真空溝を該真空ポートに接続している、請求項５に記載の真空チャック。
【請求項７】
該リフトピンを該アクチュエータ機構に接続するリフトピンサポート構造体をさらに具備する、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項８】
該リフトピンサポート構造体がリフトピンサポートプレートを備えている、請求項７に記載の真空チャック。
【請求項９】
該アクチュエータ機構を該ウェーハプラテンに接続するアクチュエータサポートをさらに備えている、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項１０】
該ウェーハプラテンが上部プラテン及び下部プラテンを備えていて：
ａ．    該上部プラテンは、滑らかな表面、第四〜第六リフトピン穴及び該真空開口部          を備えており；
ｂ．    該下部プラテンが該上部プラテンに接続され、そして該下部プラテンは、第七          〜第八リフトピン穴備え、かつ該アクチュエータ機構を該上部プラテンに接続          しており、該ウェーハプラテンの該第一リフトピン穴は該第四及び該第七リフ          トピン穴を備え、該ウェーハプラテンの該第二リフトピン穴は該第五及び該第          八リフトピン穴を備え、該ウェーハプラテンの該第三リフトピン穴は該第六及          び該第九リフトピン穴を備えている；請求項１に記載の真空チャック。
【請求項１１】
該下部プラテンに接続され、かつそれぞれが少なくとも該下部プラテンの該第一〜第三リフトピン穴それぞれの一部分に設置された第一〜第三ナイロンブッシュをさらに具備している、請求項１０に記載の真空チャック。
【請求項１２】
該上部プラテンが該上部プラテンの該滑らかな表面と反対側の裏面に加熱エレメントを備えている、請求項１１に記載の真空チャック。
【請求項１３】
該上部プラテンに接続され、かつそれぞれが少なくとも該上部プラテンの該第一〜第三リフトピン穴それぞれの一部分に設置された第一〜第三ナイロンブッシュをさらに具備している、請求項１０に記載の真空チャック。
【請求項１４】
該ウェーハプラテンが第四リフトピン穴を備えている、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項１５】
該第四リフトピン穴に取り付けられ、かつ該アクチュエータ機構に接続された第四リフトピンをさらに具備している、請求項１４に記載の真空チャック。
【請求項１６】
該ウェーハプラテンが複数の補助リフトピン穴を備えている請求項１に記載の真空チャック。
【請求項１７】
複数の補助リフトピン穴に取り付けられ、かつ該アクチュエータ機構に接続されている複数の補助リフトピンをさらに具備する、請求項１６に記載の真空チャック。
【請求項１８】
該アクチュエータ機構がエアーシリンダを備えている、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項１９】
該アクチュエータ機構が電気−機械式駆動機構を備えている、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項２０】
該アクチュエータ機構が油圧シリンダを備えている、請求項１に記載の真空チャック。
【請求項２１】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを保持するための真空チャックであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三ピンと、アクチュエータ機構とを具備する真空チャックにおいて：
ａ．    該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、半導体          ウェーハの表面を真空引きするためのほぼ円形の真空開溝とを具備していて；
ｂ．    該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けら          れていて；
ｃ．    該アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンに接          続していて、該アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハ          プラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該アクチュエ          ータ機構は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該ウェーハプラテンの該滑          らかな表面と同一高さに引きもどすべく操作可能である；
真空チャック。
【請求項２２】
高圧加工処理中における半導体ウェーハを保持するための真空チャックであって、上部プラテンと、下部プラテンと、第一〜第三リフトピンと、アクチュエータ機構とを具備する真空チャックにおいて：
ａ．    該プラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、半導体ウェーハ          の表面を真空引きするためのほぼ円形の真空開溝とを具備していて；
ｂ．    該下部プラテンが、該上部プラテンに接続されていて、かつ第四〜第六リフト          ピン穴を具備しており、該第四〜第六リフトピン穴はそれぞれ該上部プラテン          の該第一〜第三リフトピン穴それぞれと整列していて；
ｃ．    該第一〜第三リフトピンにおいて、該第一リフトピンは該上部プラテンの該第          一リフトピン穴と該下部プラテンの該第四リフトピン穴とに取り付けられ、該          第二リフトピンは該上部プラテンの該第二リフトピン穴と、該下部プラテンの          該第五リフトピン穴とに取り付けられ、該第三リフトピンは該上部プラテンの          該第三リフトピン穴と、該下部プラテンの該第六リフトピン穴とに取り付けら          れており；
ｄ．    該アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該下部プラテンに接続し          ていて、該アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該上部プラテン          の該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該アクチュエータ機構          は、該第一〜第三リフトピンを少なくとも該上部プラテンの該滑らかな表面と          同一高さに引きもどすべく操作可能である；
真空チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高圧加工処理の分野に関する。より詳しくは、本発明は半導体ウェーハの高圧加工処理の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの加工処理は他の工作物の加工処理との関連のない特有の問題を提示している。通常、半導体ウェーハ加工処理はシリコンウェーハから開始される。半導体加工処理は、トリンジスタを製造するためにシリコンウェーハのドーピングから開始される。続いて、半導体加工処理は、トランジスタ接点と相互接続構造体を製造するために、ライン及びバイアスのエッチングを用いてインタースパースされた金属及び誘電層の蒸着へと続く。半導体加工処理の最後に、トランジスタ接点と相互接続構造体とが一体回路を形成する。
【０００３】
半導体ウェーハの加工処理における重要な要求は清浄度である。半導体処理加工のほとんどは本来的に清浄な雰囲気である真空中で行なわれる。他の半導体加工処理は、大気圧下での浸式プロセスで行なわれる。というのは浸式プロセスの水洗特性が本来的に清浄なプロセスであるからである。例えば、ライン及びバイアスとのエッチングに続くフォトレジスト及びフォトレジスト残渣の除去は、真空プロセスであるプラズマアッシング使用していて、浸式プロセスであるストリッパバスにおけるストリッピングに続く。
【０００４】
半導体ウェーハ加工処理における他の重要な要求は、スループットと信頼性とである。半導体ウェーハの製造プロセスは半導体製造施設で行なわれる。半導体製造施設は、プロセス設備、施設自体及び運転員に対する巨額の資本を必要とする。これらの出費を回収し、施設を用いて十分な収入を得るために、プロセス設備は一定期間の間に十分な数のウェーハのスループットを必要とする。設備を用いて連続した収入を保証するために、プロセス設備は信頼性のあるプロセスを実行しなければならない。
【０００５】
現在に到るまで、半導体加工処理において、プラズマアッシング及びストリッパバスは、フォトレジスト及びフォトレジスト残渣との除去に対して十分なものと見なされてきた。しかしながら、一体形回路の最近の進歩は、プラズマアッシング及びストリッパバスを著しく進歩した一体形回路に対してふさわしくないものにしてしまった。これらの最近の進歩は、エッチング形状に対して著しく小さな寸法と絶縁体に対して一定の低誘電率材料を含んでいる。エッチング形状に対する著しく小さな寸法は、ストリッパバスで耐え得るラインに対して不十分な構造体であって、ストリッパバスの交換を必要としている。一定の低誘電率材料の多くは、プラズマアッシングの酸素雰囲気に耐え得るものではなくてプラズマアッシングの交換を必要としている。
【０００６】
最近、フォトレジスト及びフォトレジスト残渣を除去するためのプラズマアッシング及びストリッパバスを超臨界プロセスに代えることに関心が高まってきた。しかしながら、現状の超臨界装置における高圧プロセスチャンバは半導体プロセスの新しいニーズに対し適切なものではない。詳しくは、現状の超臨界装置における高圧プロセスチャンバは、半導体ウェーハを載せたり降ろしたりする際のハンドリングのためと、超臨界プロセス中の半導体の保持のためとの機構をも提供しない。機構が、半導体ウェーハを破損あるいは損傷することなく半導体ウェーハのハンドリング及び保持を提供しないことは重大なことである。
【特許文献１】米国特許出願公開第１０／１２１７９１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体ウェーハを超臨界プロセスチャンバに出し入れして載せたり降ろしたりする際の半導体ウェーハのハンドリング用であって、超臨界プロセス中における半導体ウェーハの保持用の、洗浄度を促進し、経済的で、効率がよく、そして半導体ウェーハを破損しない機構が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、高圧加工処理中における半導体ウェーハを保持するための真空チャックであって、ウェーハプラテンと、第一〜第三ピンと、アクチュエータ機構とを具備している。該ウェーハプラテンが、滑らかな表面と、第一〜第三リフトピン穴と、真空開口部とを具備している。使用時に、該真空開口部は半導体ウェーハの表面を真空引きするべく操作可能であり、半導体ウェーハはウェーハプラテンに固定される。該第一〜第三リフトピンが、それぞれ該第一〜第三リフトピン穴に取り付けられている。該アクチュエータ機構が、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンに接続していて、該アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンの該滑らかな表面上方に延伸するべく操作可能であり、該アクチュエータ機構は、該第一〜第三リフトピンを該ウェーハプラテンの該滑らかな表面と少なくとも同一高さに引きもどすべく操作可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明における好適な真空チャック（Vaccum chuck）を図１に図示する。好適な真空チャック１０はウェーハプラテンアセンブリ１２及びリフト機構を備えている。好ましくは、ウェーハプラテンアセンブリ１２は、上部プラテン１２Ａ及び下部プラテン１２Ｂを備えている。代りに、ウェーハプラテンアセンブリが単一ピースのプラテンを備えていてもよい。上部プラテン１２Ａは、好ましくは第一及び第二真空溝１４及び１６を備えている。代りに上部プラテン１２Ａが第一真空溝１４を備えていてもよい。リフト機構が円筒サポート１８、エアーシリンダ（図示していない）、ピンサポート（図示していない）及び第一、第二、第三リフトピン２０，２１，２２を備えている。
【００１０】
好適な真空チャック１０の側面図を図２に図示する。好ましくは、複数のねじ２４がシリンダサポート１８を下部プラテン１２Ｂに接続している。
【００１１】
好適な真空チャック１０の分解図を図３に示す。好適な真空チャックはウェーハプラテンアセンブリ１２及びリフト機構６を備えている。ウェーハプラテンアセンブリ１２は、好ましくは上部プラテン１２Ａ、下部プラテン１２Ｂ、第一及び第二ねじ２５及び２７、並びに第一、第二、第三ナイロンインサート４２，４３，４４を備えている。上部プラテン１２Ａは第一、第二真空溝１４，１６、第一、第二、第三上部リフトピン穴２８Ａ，２９Ａ，３０Ａ及びＯリング溝３２を備えている。下部プラテンは第一、第二、第三下部リフトピン穴２８Ｂ，２９Ｂ，３０Ｂを備えている。
【００１２】
組立る場合、第一、第二ねじ２５，２７が上部プラテン１２Ａを下部プラテン１２Ｂに接続する。さらに組立の際に、第一上部リフトピン穴２８Ａ及び第一下部リフトピン穴２８Ｂが第一リフトピン穴を形成し、第二上部リフトピン穴２９Ａ及び第二下部リフトピン穴２９Ｂが第二リフトピン穴を形成し、そして第三上部リフトピン穴３０Ａ及び第三下部リフトピン穴３０Ｂが第三リフトピン穴を形成している。好ましくは、第一、第二、第三ナイロンインサート４２，４３，４４が、それぞれ第一、第二、第三リフトピン穴２８Ｂ，２９Ｂ，３０Ｂの上端部と接続されている。代りに、第一、第二、第三ナイロンインサート４２，４３，４４が第一、第二、第三リフトピン穴に沿ったどこに接続されてもよい。さらに、代りに、第一、第二、第三ナイロンインサート４２，４３，４４がウェーハプラテンアセンブリ１２に含まれていなくてもよい。
【００１３】
リフト機構が、シリンダサポート１８、エアシリンダ３４、ピンサポート３６及び第一、第二、第三リフトピン２０，２１，２２を有している。第一、第二、第三リフトピン２０，２１，２２はピンサポート３６に接続している。好ましくは、第一、第二、第三リフトピン２０，２１，２２は端部ねじ３８を含んでいて、その端部ねじは、ピンサポート３６のねじ穴４０と螺合する。ピンサポート３６はエアーシリンダ３４と接続している。エアーシリンダ３４はシリンダサポート１８と接続している。シリンダサポート１８はウェーハプラテンアセンブリ１２と接続している。
【００１４】
当業者においては、エアーシリンダを別の流体駆動機構又は電気−機械式駆動機構のような他の駆動機構に代えてもよいことは理解されるであろう。
【００１５】
本発明における好適な真空チャック１０の断面を図４に示す。好適な真空チャック１０が第一真空通路４６を上部プラテン１２Ａの中に含んでいて、その第一真空通路４６は、第一、第二真空溝１４，１６を下部プラテン１２Ｂにおける第二真空通路４８と接続している。使用時、第二真空通路４８は第一、第二真空溝１４，１６を真空にする真空ポンプ（図示されていない）と接続されていて、第一、第二真空溝１４，１６が半導体ウェーハ（図示されていない）を上部プラテン１２Ａに固定している。
【００１６】
本発明における好適な真空チャック１０を組込んでいる圧力チャンバの断面図を図５に図示する。圧力チャンバ５０は、圧力チャンバフレーム５２、チャンバのふた５４、好適な真空チャック１０、シールプレート５６、ピストン５８、第一及び第二ガイドピン６０及び６２、インターフェースリング６４及び上部キャビティプレート／噴射リング６６を具備している。
【００１７】
本発明の圧力チャンバフレーム５２が図６に図示されている、圧力チャンバフレーム５２は圧力チャンバハウジング部分７２、油圧駆動機構７４、ウェーハスリット７６、窓７８、支柱７９、頂部開口８０及びボルト穴８２を備えている。ウェーハスリット７６は、好ましくは３００mmウェーハ用のサイズである。代りにウェーハスリット７６がより大きいかより小さなウェーハ用のサイズであってもよい。さらに、ウェーハスリット７６はウェーハ以外のパックのような半導体物質であってもよい。
【００１８】
圧力チャンバフレーム５２の油圧駆動部分７４は、圧力チャンバ５０（図５）の組立又は分解のためのアクセスを提供する窓７８を含んでいる。好ましくは、四つの窓７８が圧力チャンバフレーム５２の側面に配置されている。好ましくは、各窓７８は二つの支柱７９近くの側面と、圧力チャンバハウジング部分７２近くの上部と、ベース７３近くの下部とにより囲まれている。ボルト穴８２がボルト（図示されていない）を収容していて、ボルトはチャンバのふた（図５）を圧力チャンバフレーム５２に取り付けている。
【００１９】
図５において、第一及び第二ガイドピン６０及び６２が圧力チャンバフレーム５２に取り付けられている。ピストン５８は、圧力チャンバフレーム５２と第一及び第二ガイドピン６０，６２とに取り付けられている。ピストン５８及び圧力チャンバフレーム５２が油圧キャビティ８４を形成している。シールプレート５６が圧力チャンバフレーム５２とピストン５８のネック部分とに取り付けられていて、そのネック部分が空気式キャビティ８６を形成している。ピストン５８のネック部分６６がインターフェースリング６４に取り付けられている。好適な真空チャック１０がインターフェースリング６４に取り付けられている。上部キャビティプレート／噴射リング６６が圧力チャンバフレーム５２に取り付けられている。チャンバのふたが圧力チャンバフレーム５２と上部キャビティプレート／噴射リング６６とに取り付けられている。
【００２０】
ファスナーは、好適な真空チャック１０をインターフェースリング６４に接続し、インターフェースリング６４をピストン５８のネック部分６８に接続し、そしてシールプレート５６を圧力チャンバフレーム５２に接続していることは、当業者においては容易に理解されるだろう。
【００２１】
図５は、閉状態の圧力チャンバ５０を図示している。閉状態において、Ｏリング溝３２におけるＯリングが上部プラテン１２Ａを上部キャビティ／噴射リング６６にシールしていて、そのキャビティ／噴射リング６６は半導体ウェーハ９０用のウェーハキャビティ８８を形成している。
【００２２】
図４及び５において、本発明における好適な真空チャック１０と圧力チャンバ５０との操作は、圧力チャンバ５０が閉状態であって、ウェーハキャビティ８８が半導体ウェーハ９０を保持していない状態から開始される。第一ステップにおいて、油圧装置（図示されていない）が油圧を油圧キャビティ８４に放出し、そして空気装置が空気キャビティ８６を加圧する。このことが、ピストン５８に続いて好適な真空チャック１０を上部キャビティプレート／噴射リング６６から離間し、上部プラテン１２Ａの上部表面をウェーハスリット７６に又はウェーハスリット７６の下方に支持するようになっている。
【００２３】
第二ステップにおいて、ロボットパドル（図示されていない）がウェーハスリット７６を介して半導体ウェーハ９０を挿入する。第三ステップにおいて、空気装置により駆動されるエアシリンダ３４がピンサポート３６を上昇させ、従って第一〜第三ピン２０〜２２を押し上げる。このことが、半導体ウェーハ９０をロボットパドルからはずして上昇させる。第六ステップにおいて、ロボットパドルが引きもどされる。第七ステップにおいて、エアシリンダ３４は、半導体ウェーハ９０が上部プラテン１２Ａに支持されるまでピンサポート３６と、第一〜第三リフトピン２０〜２２とを下降させる。第八ステップにおいて、第一及び第二真空通路４６及び４８を介して真空引きされ、半導体ウェーハ９０が好適な真空チャック１０に把持される。
【００２４】
第九ステップにおいて、空気装置が空気圧を空気キャビティ８６に放出し、そして油圧装置が油圧キャビティ８４を加圧する。このことが、ピストン５８を従って好適な真空チャック１０を上昇させる。さらに上部プラテン１２ＡのＯリング溝におけるＯリングを上部キャビティプレート／噴射リング６６にシールし、半導体ウェーハ９０の高圧プロセス用ウェーハキャビティ８８が形成される。
【００２５】
ウェーハキャビティ８８において半導体ウェーハ９０を高圧加工処理した後に、半導体ウェーハ９０は取りはずし操作によりはずされる。取りはずし操作は載せる操作の逆である。
【００２６】
本発明の上部プラテン１２Ａが図７Ａ−７Ｃに図示されている。図７Ａは、半導体ウェーハ９０（図５）を支持するのに使用するウェーハ支持面９２を図示している。ウェーハ支持面９２が、第一及び第二真空溝１４及び１６と、第一〜第三上部リフトピン穴２８Ａ〜３０Ａと、第一Ｏリング溝３２とを含んでいる。好ましくは、上部プラテン１２Ａは、３００mmウェーハを収容する。３００mmのウェーハの裏面のほとんどを保護するために、第一及び第二真空溝１４及び１６は３００mmよりわずかに小さな直径となっている。代りに、上部プラテン１２Ａが異なるサイズのウェーハを収容してもよい。好ましくは、３００mmのウェーハを収容する領域におけるウェーハ支持面９２は、約０．００５０８mm（約０．０００２in）より大きな摂動のない表面を有している。代りに、３００mmのウェーハを収容する領域におけるウェーハ支持面９２が約０．００３８１mm（約０．０００１５in）より大きな摂動のない表面を有していてもよい。好ましくは、ウェーハ支持面９２は２０３．２×１０-6mm（８μin）仕上の研硝あるいは研磨により製作される。代りに、ウェーハ支持面９２は１０１．６×１０-6mm（４μin）仕上の研硝あるいは研磨により製作されてもよい。
【００２７】
図７Ｂは上部プラテン１２Ａの部分断面９４を図示している。部分断面９４は、第一及び第二真空溝１４及び１６と、第一上部リフトピン穴２８Ａと、Ｏリング溝３２と、第一真空通路４６とを含んでいる。好ましくは、第一及び第二溝１４及び１６の幅は約１．５２４mm（約０．０６０in）以下である。代りに、第一及び第二溝１４及び１６の幅は約１．６５１mm（約０．０６５in）以下である。好ましくは、第一〜第三リフトピンホール２８〜３０は約１．５２４mm（約０．０６０im）以下である。代りに、第一〜第三リフトピンホール２８〜３０は約１．６５１mm（約０．０６５im）以下である。
【００２８】
好適な真空チャックのクリティカルな寸法は１．７７８mm（０．０７０in）であることが判明した。第一及び第二真空溝１４及び１６の幅と、第一〜第三リフトピン穴２８〜３０の直径とが約２．５４mm（約０．１００in）以下の場合、半導体ウェーハ９０（図５）は二酸化炭素の熱力学的超臨界条件（７３９８kPa（１０７３psi）を超える圧力で３１℃を超える温度）にさらされても破損しない。もし第一若しくは第二溝１４若しくは１６の幅、又は、第一、第二若しくは第三リフトピン穴２８，２９若しくは３０が約２．５４mm（約０．１００in）を超える場合、半導体ウェーハ９０は二酸化炭素の熱力学的超臨界条件にさらされると破損する。第一及び第二真空溝１４及び１６の幅に、第一〜第三リフトピン穴の直径を約１．５２４mm（約０．０６０in）で製作することにより、半導体ウェーハの破損を防止するための適正な安全裕度が保たれる。
【００２９】
図７Ｃは上部プラテン１２Ａの裏面９６を図示していて、第一真空溝４６及び加熱エレメント溝９８が示されている。好ましくは、組立てる際加熱エレメント溝９８には、プロセス中に半導体ウェーハ９８を加熱する加熱エレメントが保持されている。
【００３０】
図８に第一リフトピン２０が図示されている。（第一リフトピン２０は、第一〜第三リフトピン２０〜２２を説明している）第一リフトピン２０は、シャフト区画１００と、扁区画１０２と、ねじ端部３８とを含んでいる。好ましくは、シャフト区画１００は、１７．７mm（０．５０in）の直径であって、１．５２４mm（０．０６０in）の第一リフトピン穴に適切な遊びで差し込めるようになっている。好ましくは第一リフトピン２８はステンレス鋼で作られている。好ましくは、シャフト区画は研硝加工されている。代りに他の方法でシャフト区画を製作してもよい。
【００３１】
圧力チャンバ５０の操作は特許文献１に教示されていて、ここに参考として包含するものである。
【００３２】
当業者においては、特許請求の範囲に規定されているような本発明の精神及び範囲を逸脱することなく種々の修正が行なわれてもよいことが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明における好適な真空チャックを示す。
【図２】図２は、本発明における好適な真空チャックの詳細を示す。
【図３】図３は、本発明における好適な真空チャックの分解図を示す。
【図４】図４は、本発明における好適な真空チャックの断面図を示す。
【図５】図５は、本発明における好適な真空チャックを組み込んだ圧力容器を示す。
【図６】図６は、本発明における圧力チャンバフレームを示す。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明における好適な真空チャックの上部プラテンを示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明における好適な真空チャックの上部プラテンを示す。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明における好適な真空チャックの上部プラテンを示す。
【図８】図８は、本発明における第一リフトピンを示す。
【図１】
2006505952.tif 000003
【図２】
2006505952.tif 000004
【図３】
2006505952.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006505952.tif 000007
【図６】
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2006505952.tif 000009
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【図８】
2006505952.tif 000011
【国際調査報告】
2006505952.tif 000012