(57)【要約】【課題】低損失圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）フィルタ、または、低損失ＦＢＡＲ高周波フィルタ等の縮小基板マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイス、ならびに、それを生成するためのプロセスおよびシステムを提供する。【解決手段】本発明の実施例に従う縮小基板ＭＥＭＳデバイスは、パッケージング部分の間に結合された膜を含むこともできる。本発明の実施例に従うプロセスは、第１のパッケージング部分、支持基板を含むＭＥＭＳデバイスとを結合するステップ、該支持基板を除去するステップ、および、第２のパッケージング部分と前記ＭＥＭＳデバイスとを結合するステップを含むこともできる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
第1および第２の面を有する膜と、
前記第1の膜の前記第1の面に接着された第1のパッケージング部分と、
前記第２の膜の前記第２の面に接着された第２のパッケージング部分とを備え、
前記第１および第２のパッケージング部分と、前記膜とのいずれも実質的な支持基板を含まないことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記第1のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第２のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記膜と関連する導体をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
圧電薄膜共振器フィルタを備えることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
圧電薄膜共振器高周波フィルタを備えることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第１および第２のパッケージング部分と、前記膜とのいずれも相当量のシリコンを含まないことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記膜は、圧電材料を含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記膜は、窒化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第1のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第1のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第２のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第２のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
デバイスであって、
第1および第２の面を有する支持基板除去膜と、
前記膜の第1の面に直接接着された第1のパッケージング部分と、
前記膜の第２の面に直接接着された第２のパッケージング部分と、
を備えていることを特徴とするデバイス。
【請求項１５】
前記膜は、圧電材料を含むことを特徴とする、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記膜は、窒化アルミニウムを含むことを特徴とする、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第1のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第１のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記第２のパッケージング部分は、絶縁材料を含むことを特徴とする、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記第２のパッケージング部分は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
圧電薄膜共振器フィルタを備えることを特徴とする、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２２】
プロセスであって、マイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスの第１のパッケージング部分と、膜の第1の面とを接着するステップを含み、該膜は、前記第1の面の反対の第２の面に支持基板が取り付けられていることを特徴とするプロセス。
【請求項２３】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項２２に記載のプロセス。
【請求項２４】
前記膜の前記第２の面に前記デバイスの第２のパッケージング部分を接着するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２５】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板全体を実質的に除去するステップを含むことを特徴とする、請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２６】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部をエッチングするステップを含むことを特徴とする、請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２７】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部を研磨するステップを含むことを特徴とする、請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２８】
前記支持基板は、シリコンを含むことを特徴とする、請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２９】
前記第１のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項２２に記載のプロセス。
【請求項３０】
前記第２のパッケージング部分は、キャップおよびシールリングを備えていることを特徴とする、請求項２４に記載のデバイス。
【請求項３１】
プロセスであって、第１のパッケージング部分を、１つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスの膜を載せるウェーハに接着するステップを含むことを特徴とするプロセス。
【請求項３２】
前記ウェーハから、支持基板の少なくとも一部を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３３】
前記第１のパッケージング部分の反対側の前記ウェーハに第２のパッケージング部分を取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする、クレーム２３に記載のプロセス。
【請求項３４】
前記ウェーハを、１つまたはそれ以上の別々のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスに切断するステップをさらに含むことを特徴とする、クレーム３３に記載のプロセス。
【請求項３５】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板全体を実質的に除去するステップを含むことを特徴とする、請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３６】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部をエッチングするステップを含むことを特徴とする、請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３７】
前記支持基板の少なくとも一部を除去するステップは、該支持基板の少なくとも一部を研磨するステップを含むことを特徴とする、請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３８】
前記支持基板は、シリコンを含むことを特徴とする、請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３９】
製造システムであって、１つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスの膜を載せるウェーハから、支持基板の少なくとも一部を除去することが可能な除去ユニットを含むことを特徴とする製造システム。
【請求項４０】
前記１つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスのパッケージング部分を、前記膜に結合させることが可能な結合ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４１】
前記１つまたはそれ以上のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスは、複数のマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスを載せるウェーハを含む請求項４０に記載のシステムであって、前記ウェーハを切断することが可能な切断ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項４０に記載のシステム。
【請求項４２】
前記パッケージ部分を生成することが可能なキャップ生成ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項４０に記載のシステム。
【請求項４３】
前記支持基板は、シリコンを含むことを特徴とする、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４４】
前記除去ユニットは、前記支持基板の少なくとも一部を研磨することが可能な研磨ユニットを含むことを特徴とする、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４５】
前記除去ユニットは、前記支持基板の少なくとも一部をエッチングすることが可能なエッチングデバイスを含むことを特徴とする、請求項３９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）の分野において、デバイスは、微小な機械装置を使用するかまたは含むことがある。例えば、現在のＭＥＭＳ技術において、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）高周波（ＲＦ）フィルタは、薄膜、および、シリコン基板などの支持基板を含む。
【０００２】
特定のＭＥＭＳデバイス、例えば、挿入損失仕様などのＲＦ通信仕様に準拠したＦＢＡＲフィルタは、動作中のＲＦエネルギー損失を最小化することが求められる。このようなデバイスでは、フィルタの動作中にＦＢＡＲ  ＲＦフィルタの金属導体と、そのシリコン基板との間の不要な寄生容量により、ＲＦエネルギーが損失することがある。このような金属導体は、フィルタのシリコン基板上部に移されてから、エポキシグルーまたは同様のポリマーなどの薄い誘電層によりシリコン基板から分離されていてもよい。フィルタの全体的なエネルギー損失のほとんどは、金属およびシリコン双方の比較的高い導電性により生じ得る不要な寄生容量に起因する。
【０００３】
ＦＢＡＲ  ＲＦフィルタのような特定のＭＥＭＳデバイスは、エネルギーの損失をいくらかでも減らすため、標準的なシリコンの代わりに高抵抗シリコンから生成されることもある。しかしながら、高抵抗シリコンは、従来のシリコンに比べ非常に高価である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明に関する内容は、明細書の結びの部分における特許請求の範囲で明確かつ詳細に示される。また、本発明を最も良く理解するためには、その特徴および効果を伴う構成および実施方法に関し、以下の詳細な説明を添付の図面を参照しながら読むことが望ましい。
【０００５】
説明を簡単かつ明確にするためには、当然のことながら、図面の要素は必ずしもスケールどおり描かれる必要はなく、例えば、いくつかの構成要素の大きさは、明瞭化のため、他の要素に対し誇張して描かれていてもよい。さらに、ここで考慮された適切な参照番号は、一致または類似する要素を示すために図面の中で繰り返し用いられることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、これに限定されるものではないが、ここで使用される「ＭＥＭＳデバイス」とは、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）フィルタ、ＦＢＡＲ高周波（ＲＦ）フィルタ、ＲＦスイッチ、バラクタ、チューナブルキャパシタ、または、他のＭＥＭＳデバイスといった、とりわけ本発明の原理の適用に関係する、あらゆる適切なマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスを含むと理解してよい。また、本発明の例示的実施形態は、低損失ＦＢＡＲ  ＲＦフィルタを含んでもよいが、ここでは、本発明の原理を１つのＭＥＭＳデバイスに適用する例としてのみ示す。ただし、これに限定されるわけではなく、本発明の原理は、他の適切なＭＥＭＳデバイスにも適用できる。
【０００７】
また、さらに、ここで使用される「支持基板」とは、例えば膜のような、ＭＥＭＳデバイス、および／または、該ＭＥＭＳデバイスの一部を支持するために用いられるシリコン等のあらゆる適切な基板、材料、構成要素、または、層を含むと理解してよい。
【０００８】
ここでの「上部」および「底部」という用語は、特定の構成要素の相対的な位置または配置を示すか、または、第１および第２の構成要素を例示する目的でのみ使用されることは言うまでもない。前記「上部」および「底部」は、「上部」構成要素が「底部」構成要素の上にあるということを必ずしも示すものではなく、そのような方向および／または構成要素が空間において反転、回転、移動してもよいし、あるいは、斜めの向きまたは位置に配置されるか、水平または垂直に配置されるか、または、同様に修正されてもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施例に従い、縮小基板ＭＥＭＳデバイス（ＲＳＭＤ）を生成することができる。本発明の実施例に従うＲＳＭＤを使用することにより、支持基板のエネルギー損失を低減するかまたはなくし、材料コストを引き下げ、あるいは／また、デバイスの厚み等のサイズを縮小するといった利点を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の例示的実施形態によれば、ＲＳＭＤは、第１および第２の面を有する膜と、該膜の前記第1の面に接着された第１のパッケージング部分と、前記膜の前記第２の面に接着された第２の部分とを含むＭＥＭＳデバイスを備えてよい。本発明の実施例によれば、前記ＲＳＭＤは、実質的には支持基板を含まないが、支持基板の痕跡、従来のＭＥＭＳデバイスに比べ比較的少量またはパーセンテージの低い支持基板、研磨またはエッチングされた支持基板、および／または、厚みが縮小された支持基板は含んでよい。
【００１１】
図１は、本発明の例示的実施形態に従う、ＦＢＡＲ  ＲＦフィルタとして用いることもできるＲＳＭＤ１１０の概略図である。本発明の実施例において、ＲＳＭＤ１１０は、上部パッケージング部分１０１、および、底部パッケージング部分１０２を含んでよい。上部パッケージング部分１０１は、上部キャップ１２０、および／または、上部シールリング１３０を含んでよい。底部パッケージング部分１０２は、底部キャップ１８０、および／または、底部シールリング１９０を含んでよい。本発明の実施例において、ＲＳＭＤ１１０は、膜１６０、および／または、導体１７０をさらに含むこともある。また、ＲＳＭＤ１１０は、コンタクト１４０、および／または、ウェーハバイア１５０を任意に含んでもよい。
【００１２】
本発明の実施例においては、上部パッケージ部分１０１および底部パッケージング部分１０２のいずれも、例えば従来のＭＥＭＳデバイスを製造する間に使用される支持基板ななど、従来のＭＥＭＳデバイス内に存在するシリコン等の支持基板を含まないことは、当業者には言うまでもないことである。
【００１３】
上部キャップ１２０は、ガラスウェーハ等の絶縁材料で形成することもできる。本発明の例示的実施例においては、これに限定されるものではないが、上部キャップ１２０の厚みは、２５０から６７０ミクロンメートルの範囲、例えば、３５０から４００ミクロンメートルの範囲であってよい。
【００１４】
上部シールリング１３０は、ポリマーまたはフリットガラス等で形成することができ、ＲＳＭＤ１１０、および、その特定の性能要件に適合するよう、成形および／または構成されることもできる。また、本発明の例示的な実施形態においては、これに限定されるものではないが、前記上部シールリング１３０の厚みは、１００から５００ミクロンメートルの範囲であってよい。本発明の例示的な実施形態において注目すべきは、ＲＳＭＤ１１０の効率的動作に適したキャビティを生成するためには、上部シールリング１３０一つで十分である点である。例えば、膜１６０と垂直な軸に沿って該膜１６０を十分に自由に移動（変位振幅）させることができるだけのスペースをもつキャビティを生成することができる。あるいは、２つ以上の上部シールリング１３０を用い、ＲＳＭＤ１１０内に所望のキャビティを得ることもできる。
【００１５】
コンタクト１４０は、金または金合金などの高導電性金属のような適切な導電材料で形成することもできる。コンタクト１４０は、ＲＳＭＤ１１０と任意の外部デバイスおよびまたは回路（図示せず）との接続、および／または、ＲＳＭＤ１１０との信号の送受信のために用いることもできる。本発明の実施例において、コンタクト１４０は、導体１７０と接続するように配置される。あるいはまた、コンタクト１４０は、金属バイアなどの導電バイアを含む１つまたはそれ以上のウェーハバイア１５０を用い、上部キャップ１２０および上部シールリング１３０を通じて延長することもできる。
【００１６】
膜１６０は、ＦＢＡＲデバイスで使用される窒化アルミ二ウムなどの適切な材料、または、他の適切な、例えば圧電材料などで形成してよい。本発明の例示的な実施形態においては、これに限定されるものではないが、膜１６０の厚みは、２から３ミクロンメートルであってよい。さらには、本発明の実施例において、膜１６０は、適切な形状または形に構成され、かつ、特定の実施および／または設計に従い要求され得るような、適切な構成要素を含んでよい。また、本発明の実施例において、膜１６０は、面１６１、および、面１６２を有してもよい。本発明の実施例において、公知の技術である適切な取付けおよび／または結合技術を用い、膜１６０の面１６１は、上部パッケージング部分１０１に結合され、面１６２は、下部パッケージング部分１０２に結合されてよい。
【００１７】
導体１７０は、アルミニウム等の適切な金属で形成することもできる。例えば、本発明の実施例において、導体１７０は、コンタクト１４０および／または他の導電素子（図示せず）を用いることにより、ＲＳＭＤ１１０と、該ＲＳＭＤ１１０を組み込んだ装置および／またはシステムの他の構成要素および／または回路とを接続するために用いることもできる。
【００１８】
底部キャップ１８０は、ガラスウェーハ等の絶縁材料で形成することもできる。本発明の例示的な実施形態においては、これに限定されるものではないが、底部キャップ１８０の厚みは、例えば３５０から４００ミクロンメートルの範囲であってよい。本発明の実施例において注目すべきは、底部キャップ１８０および上部キャップ１２０がどちらも同じ材料で形成されるか、または、異なる材料でも形成され得る点である。また同様に、本発明の実施例において、キャップ１８０および１２０の厚みは、実質的に同じであるか、または、それぞれ異なる厚みであってもよい。
【００１９】
底部シールリング１９０は、ポリマーまたはフリットガラス等の材料で形成し、ＲＳＭＤ１１０およびその特定の性能要件に適合するよう成形および／または構成されることもできる。また、本発明の例示的な実施形態においては、これに限定されるものではないが、底部シールリング１９０の厚みは、１００から５００ミクロンメートルの範囲であってよい。シールリング１３０に関して上述したように、本発明の例示的実施形態においては、ＲＳＭＤ１１０の効率的動作に適したキャビティを生成するためには、下部シールリング１９０一つで十分である。例えば、膜１６０を十分自由に移動（変位振幅）させることができるだけのスペースをもつキャビティを生成することができる。あるいは、所望のキャビティを得るため、ＲＳＭＤ１１０内に２つ以上の下部シールリング１９０を含むことも可能である。
【００２０】
本発明の例示的実施形態においては、上部パッケージング部分１０１および／または下部パッケージング部分１０２は、その間に膜１６０を「挟む」ように、および／または、膜１６０がその平面に対し垂直な方向に共振および／または移動するように、配置、位置決め、および／または、位置合せされることもできる。
【００２１】
上記説明、および／または、図１における概略図は、概ね平坦なＭＥＭＳデバイス、および／または、互いに略平行に配置されたパッケージング部分および／または構成要素を示すこともできるが、本発明がそれに限定されるものでないことは、当業者にとっては当然のことである。本発明の実施例は、平坦でないＭＥＭＳデバイス、および／または、互いに平行または略平行でない構成要素および／またはパッケージング部分を含んでよい。
【００２２】
図２Ａおよび２Ｂも同様に参照する。図２Ａは、本発明の例示的実施形態に従うＲＳＭＤ１１０等のＲＳＭＤを生成するためのプロセスを示す概略フローチャートである。図２Ｂは、プロセスを理解するために役立つ模範的構成要素を示す、図２Ａのプロセスにおける模範的ステップの概略図である。
【００２３】
本発明では、これに限るものではないが、アイテムに関しここで用いられる「生成」とは、とりわけ、アイテムの製造または組立て、予め製造されたアイテムの提供、または、部分的に形成されたアイテムの処理を含むと理解してよい。
【００２４】
図２Ａのブロック２１０で示されるように、プロセスは、ＭＥＭＳデバイスウェーハ２０１を生成することから始まる。本発明の実施例において、ＭＥＭＳデバイスウェーハ２０１は、１つまたはそれ以上のＭＥＭＳデバイス、または、複数のＭＥＭＳデバイスを収容するウェーハを含んでよい。図２Ｂのステップ（１）で示されるように、ＭＥＭＳデバイスウェーハ２０１は、導体１７０、膜１６０、および、ウェーハバイア１５０と同様の、比較的薄いシリコン基板等の基板２９９を含んでよい。
【００２５】
図２Ａのブロック２２０で示されるように、プロセスは、続いて上部パッケージング部分２０２を生成する。前記上部パッケージング部分２０２は、上部キャップウェーハ２５１、および／または、上部シールリング１３０を含んでよい。また、図２Ｂのステップ（２）で示されるように、上記実施の結果である上部パッケージ部分２０２は、上部キャップウェーハ２５１、上部シールリング１３０、および、任意のコンタクト１４０を含んでよい。
【００２６】
図２Ａのブロック２３０で示されるように、プロセスは、続いてＭＥＭＳデバイスウェーハ２０１と上部パッケージング部分２０２とを結合する。この結合は、エポキシグルーまたはフリットガラス結合などを用いることにより、適切な方法で実行される。図２Ｂのステップ（３）で示されるように、上記実施の結果である部分２０３は、上部キャップウェーハ２５１、上部シールリング１３０、コンタクト１４０、ウェーハバイア１５０、膜１６０、導体１７０、および、基板２９９を含んでよい。
【００２７】
本発明の実施例によれば、図２Ａのブロック２４０で示されるように、プロセスは、続いて基板２９９を除去する。本発明の例示的実施形態において、基板２９９は、部分的または全体的にエッチングおよび／または研磨されてよい。本発明は、これに限るものではないが、基板２９９のエッチングおよび／または研磨は、研磨による基板２９９の大雑把な除去、および／または、エッチングによる基板２９９の細部までの除去を含んでよい。あるいはまた、本発明の実施形態に従うエッチングは、例えば六フッ化硫黄（ＳＦ６）など適切なガスを用いた、プラズマ支援エッチング等のドライエッチングにより実行されることもできる。また、図２Ｂのステップ（４）で示されるように、上述の基板除去の結果生じた部分２０４は、膜１６０、上部キャップウェーハ２５１、上部シールリング１３０、導体１７０、コンタクト１４０、および、ウェーハバイア１５０を含んでよい。
【００２８】
図２Ａのブロック２５０で示されるように、プロセスは、続いて下部パッケージング部分２０５を生成する。前記下部パッケージング部分２０５は、下部キャップウェーハ２５２、および／または、下部シールリング１９０を含んでよい。本発明の例示的実施形態では、上部キャップウェーハ２５１とは対照的に、下部キャップウェーハ２５２を介しての挿入または接触は必要ないが、特定の要求事項に従い、そのような設計を任意に用いることは可能である。また、図２Ｂのステップ（５）で示されるように、本発明の実施例において、上述の実施の結果生じた部分である第２のパッケージング部分２０５は、下部キャップウェーハ２５２、および、下部シールリング１９０を含んでよい。
【００２９】
図２Ａのブロック２６０で示されるように、下部パッケージング部分２０５は、上部パッケージング部分２０２に結合されることもできる。この結合は、例えばエポキシグルーまたはフリットガラス結合などを用いた適切な方法で実行してよい。また、前記結合は、膜１６０をその間に「挟む」ように上部パッケージング部分２０２と下部パッケージング部分２０５とを位置合せすることが含まれてよい。本発明の実施例において、膜１６０は、その平面に対し直角の方向に自由に移動および／または共振することも可能である。また、図２Ｂのステップ（６）で示されるように、上述の実施の結果生じた部分２０６は、上部キャップウェーハ２５１、上部シールリング１３０、コンタクト１４０、ウェーハバイア１５０、膜１６０、導体１７０、下部シールリング１９０、および、下部キャップウェーハ２５２を含んでよい。
【００３０】
図２Ａのブロック２７０で示されるように、結合されたウェーハは、公知の技術であるダイシング方法等を用いることにより、複数の個別のダイスに切断される。本発明の例示的実施形態においては、前記ダイシングにより処理されたウェーハは、図２Ｂのステップ（７）で示されるようなＲＳＭＤ２０７および２０８等の、２つまたはそれ以上のＲＳＭＤに分割される。例えば、前記結果として生じたＲＳＭＤ２０８は、上部キャップ１２０、上部シールリング１３０、コンタクト１４０、ウェーハバイア１５０、膜１６０、導体１７０、下部シールリング１９０、および、下部キャップ１８０を含んでよい。
【００３１】
本発明の例示的実施形態においては、図２Ａのプロセスは、異なる順序で実施されてよく、例えば、上部パッケージング部分２０２が下部パッケージング部分２０５の生成およびまたは結合の後に生成および／または結合されてもよいし、その逆もあり得る。  本発明の実施例に従い、１つまたはそれ以上のＲＳＭＤを生成するため、他のプロセスを用いてもよいことは、当業者にとって言うまでもないことである。
【００３２】
次に、図３を参照する。図３は、本発明の例示的実施形態に従い、ＲＳＭＤ１１０等の１つまたはそれ以上のＲＳＭＤを生成するシステム３０５の概略図である。システム３０５は、例えば、除去ユニット３４０と、結合ユニット３３０および３６０と、切断ユニット３７０とを含んでよい。さらに、システム３０５は、フィルタ生成ユニット（ＦＰユニット）３１０、上部キャップ生成ユニット（ＴＰＣデバイス）３２０、および／または、下部キャップ生成ユニット（ＢＣＰ）３５０を任意に含むこともできる。本発明は、これに制限されるものではないが、例えば、システム３０５は、図２Ａを参照して上記詳細に説明されたような生成プロセス、または、本発明の実施形態に従う他の適切な生成プロセスを実行するために用いられてもよい。
【００３３】
除去ユニット３４０は、図２Ａのブロック２４０を参照して上記詳細に説明されたように、例えば基板を研磨および／またはエッチングすることにより、ＭＥＭＳデバイスから基板を除去するためのユニットを含んでよい。切断ユニット３７０は、図２Ａのブロック２７０を参照して上記詳細に説明されたように、例えば結合されたウェーハを別々のダイスおよび／またはフィルタに切断するためのユニットを含んでよい。
【００３４】
結合ユニット３３０は、図２Ａのブロック２３０を参照して上記詳細に説明されたように、例えばＭＥＭＳデバイスウェーハと上部パッケージング部分２０２とを結合するためのユニットを含んでよい。結合ユニット３６０は、図２Ａのブロック２６０を参照して上記詳細に説明されたように、上部パッケージング部分２０２と下部パッケージング部分２０５とを結合するためのユニットを含んでよい。
【００３５】
ＦＰユニット３１０は、図２Ａのブロック２１０を参照して上記詳細に説明されたように、例えばＭＥＭＳデバイスウェーハ２０１を生成するためのユニットを含んでよい。ＴＰＣユニット３２０は、図２Ａのブロック２２０を参照して上記詳細に説明されたように、例えば上部キャップウェーハ２５１を生成するためのユニットを含んでよい。ＢＰＣユニット３５０は、図２Ａのブロック２５０を参照して上記詳細に説明されたように、例えば下部キャップウェーハ２５２を生成するためのユニットを含んでよい。
【００３６】
本発明の実施例において注目すべきは、互いに分離されるかまたは結合されることが可能なユニットおよび／またはサブユニットを含み、かつ、公知の技術である特定の多目的または汎用デバイスを用いて実施することも可能である点である。
【００３７】
以上、本発明の特定の特徴を例示しかつ説明したが、多くの修正、代替、変更、および、同様なことが一般的な当業者にも起こり得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲でそのような修正および変更をすべて含むことが意図されていると理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の例示的実施形態に従う縮小基板ＭＥＭＳデバイスの概略図である。
【００３９】
【図２Ａ】本発明の例示的実施形態に従う、縮小基板ＭＥＭＳデバイスを生成するプロセスを示す概略フローチャートである。
【００４０】
【図２Ｂ】プロセスを理解するために役立つ例示的構成要素を示す、図２Ａのプロセスにおける模範的ステップの概略図である。
【００４１】
【図３】本発明の例示的実施形態に従う、縮小基板ＭＥＭＳデバイスを生成するシステムの概略図である。
【図１】
2006521211.tif 000003
【図２Ａ】
2006521211.tif 000004
【図２Ｂ】
2006521211.tif 000005
【図３】
2006521211.tif 000006
【国際調査報告】
2006521211.tif 000007
2006521211.tif 000008
2006521211.tif 000009