(57)【要約】基材（１０）であって、その基材の上に配置された少なくとも１つの電気部品（１１）と；該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に或るパターンで配置された複数の別々な導電性固定ユニット（１４）と；導電層（２６）を備える基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールド（２０）と；該導電性固定ユニット（１４）の該パターンに一致するよう、該基板レベルＥＭＩシールド（２０）に形成された複数の開口（２３）と；該少なくとも１つの電気部品の上に配置された少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料（４０）とを有し；かつ該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層（２６）が、少なくとも１つの該導電性固定ユニット（１４）と電気的に接触している、基材（１０）。
2006513556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基材であって、その基材の上に少なくとも１つの電気部品を配置した基材と；
（ｂ）該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に或るパターンで配置された複数の別々な導電性固定ユニットと；
（ｃ）導電層を備える基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドと；
（ｄ）該導電性固定ユニットの該パターンに一致するよう、該基板レベルＥＭＩシールドに形成された複数の開口と；
（ｅ）該少なくとも１つの電気部品の上に配置された少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料とを備え；かつ
（ｆ）該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が、少なくとも１つの該導電性固定ユニットと電気的に接触している、装置。
【請求項２】
前記開口の少なくとも１つが接触領域を有し、かつ該接触領域が前記導電性固定ユニットの少なくとも１つに係合しかつそれを保持できるようにするのに必要な程度まで、前記基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドの前記導電層が撓むことができる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記導電性固定ユニットの少なくとも１つが半田球である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドが、誘電材料層をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記誘電材料層が外表面を有し、前記導電層が該誘電材料層の該外表面上に配置された、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記導電層が、アルミニウム、スズ、金、ニッケル、銀、銅、並びにそれらの組み合せ及び合金から成る群より選択された、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記導電層が箔である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記基材が複数の電気部品を有し、前記基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドが、該複数の電気部品を覆うよう適合された複数の区画をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つのＴＣＩ材料が、熱伝導性粒子を充填したエラストマーを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
ヒートシンクをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドが、少なくとも１つの開口を備え、前記少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料が、該少なくとも１つの開口を少なくとも部分的に通過して、前記ヒートシンクと前記少なくとも１つの部品の両方と物理的に接触する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ヒートシンク上の導電性表面と、ＥＭＩガスケットとをさらに備え、該ＥＭＩガスケットが、前記基板レベルＥＭＩシールドの前記導電層と、該ヒートシンクの該導電性表面と電気的に接触して、前記少なくとも１つの開口を実質的に取り囲んでいる、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ヒートシンク上に導電性表面をさらに備え、前記少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料が、前記少なくとも１つの開口を実質的に覆い、さらに該少なくとも１つのＴＣＩ材料が導電性であり、該導電性のＴＣＩ材料が、該ヒートシンク上の該導電性表面と、前記基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドの前記導電層と電気的に接触している、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
（ａ）基材であって、その基材の上に少なくとも１つの電気部品を配置した基材と；
（ｂ）該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に配置された複数の半田球と；
（ｃ）該少なくとも１つの電気部品を覆うよう適合された少なくとも１つの区画を備え、さらに導電層を備える基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドと；
（ｄ）該少なくとも１つの電気部品の上に配置された少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料と；
（ｅ）該少なくとも１つのＴＣＩ材料の上に配置されたヒートシンクとを備え；
（ｆ）該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が、該半田球の少なくとも１つと電気的に接触し、該基板レベルＥＭＩシールドと該半田球を組み合せて、電磁放射線が該少なくとも１つの区画に入るか又はそこから出るのを制限し；
（ｇ）該ヒートシンクと該少なくとも１つのＴＣＩ材料を組み合せて、該少なくとも１つの電気部品から熱を放散させる、装置。
【請求項１５】
基材の上に配置された少なくとも１つの電気部品と、該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に或るパターンで配置された複数の別々な導電性固定ユニットとを有する基材のための基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドであって、該基板レベルＥＭＩシールドが、
（ａ）導電層と；
（ｂ）該導電性固定ユニットの該パターンに一致するよう、該基板レベルＥＭＩシールドに形成された複数の開口と；
（ｃ）該基板レベルＥＭＩシールドに取り付けられた少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料とを備え；
（ｄ）該開口の少なくとも１つが接触領域を有し、かつ該接触領域が該導電性固定ユニットの少なくとも１つに係合しかつそれを保持できるようにするのに必要な程度まで、該開口の該接触領域における該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が撓むことができ；
（ｅ）該接触領域での該ＥＭＩシールドの該導電層が、少なくとも１つの該導電性固定ユニットと電気的に接触するよう適合された、基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、熱放散が重要である用途のための改善された基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドに関する。より詳しくは、本発明は、容易に取り外しでき、単又は多区画用シールドのデザインに適合し、薄型、軽量でかつシールドされた部品の熱放散の向上を促進させるシールドに関する。この解決策は、とりわけ、携帯電話、携帯情報端末、ハンドヘルド及びラップトップ・コンピュータなど、小型電子デバイスでの使用に特に有利である。
【背景技術】
【０００２】
ＥＭＩシールドは、電磁放射線が電気部品を含むプリント回路基板（ＰＣＢ）のセクションに入るか又はそこから出るのを制限する。さらにＥＭＩシールドは、ＰＣＢ表面に直接取り付けられる場合には「基板レベル」であると規定され、外部の又はゆるい固定具（例えば、ネジ又はボルト）がなければ、それによりシールド構成からサイズ及び重量の重要な原因が省かれる。さらに、ＰＣＢへのこの直接的な表面取付の結果、基板レベルシールドによって、ＰＣＢ表面の１つ又は複数のセクションを所与のデバイス内の同じ（又は他のＰＣＢ）の１つ又は複数のセクションからＥＭＩ絶縁することが可能となる。他の（非基板レベルの）シールド構成の場合と同様に、基板レベルシールドにより、デバイス上のＰＣＢ表面の１つ又は複数のセクションを他の外部デバイスからＥＭＩ絶縁することも可能となる。
【０００３】
電力増幅器、中央処理装置（ＣＰＵ）、グラフィックスチップなどのようなシールドが必要な電気部品はまた、しばしば操作中に熱を発生させる。これら部品の性能は、しばしば温度の上昇によって低下するので、典型的には、それら部品からの熱の移動を促進させることが望ましい。これは、熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料及びヒートシンクを利用することにより伝導の使用を介して典型的になされる。ＴＣＩ材料は、部品とヒートシンク間のスタックアップにおけるギャップを満たし、空気よりも高い、典型的には可能な限り高い熱伝導率を有する。ＴＣＩ材料は、高熱伝導性粒子を充填した（シリコーンなどの）適合エラストマーからしばしば作製される。ヒートシンクは、フィン付の金属ブロック、薄板金属若しくはプラスチックから構成されたスプレッダープレート、ヒートパイプアッセンブリ、又は電気部品及びＴＣＩ材料からの熱放散を促進させる任意の構造物であることができる。
【０００４】
一般的なタイプの基板レベルＥＭＩシールドは「カン」として公知である。カンは、シールドが必要な電気部品を直接覆って、ＰＣＢ上のグランドトレースに半田付けされる。このようなカンは、極めて高いレベルのシールド効果を提供し、典型的に非常に信頼性が高く、産業において周知である。カンは、表面実装技術（ＳＭＴ）プロセスにより完全に自動化された方法でしばしば取り付けられ、同時に、部品自体は、半田ペースト及びリフロープロセスを用いてＰＣＢ上に取り付けられる。（シールドされた部品の手直しが必要な場合には）半田の除去及び再半田付け処理が厄介であるため、カンを取り外しかつ取り替えることは極めて困難である。
【０００５】
カンによってシールドされた部品は、相当な熱を発生させることがしばしばである。しかしながら、カンは、リフロープロセスの際、グランドトレースへのカンの適切な半田付けを可能とするよう、それがＰＣＢ上でシールドしている部品の上に機械的なクリアランス（即ち、空隙）を必要とする。この必要なクリアランスのため、ＴＣＩ材料を用いてこの空隙を満たすことができず、このことは、シールドされるべき部品からの熱の移動に不利に影響する。このため、熱放散が必要とされる場合には、カンは望ましくない解決策となる。
【０００６】
新規の基板レベルシールドが、Ｒｅｉｓの米国特許出願第０９／７９３，７５４号明細書において開示されており、この明細書では、複数の別々の導電性固定ユニット（例えば、ＢＧＡ半田球）を取り外し可能な取付機構として利用する取り外し可能なマルチキャビティシールドを記載している。しかしながら、この参考文献は、シールドされている部品の熱放散の改善に関する必要性を考慮していない。
【０００７】
ＥＭＩシールドと熱放散を組み合せた技術が、米国特許第６，３４７，０３５号明細書において開示されている。この参考文献は、これらの問題の両方を解決する必要性を認めているが、ＰＣＢ（例えば、マザーボード）全体（必然的にその両側を含む）のシールドを達成する方法のみを説明している。つまり、記載されているシールドエンクロージャーは基板レベルではないので、シールドは、（同じ側又は反対側の）同じＰＣＢのセクションを互いに絶縁することができない。参考文献の米国特許第５，４３６，８０３号明細書、及び同第５，５９７，９７９号明細書は、基板レベルではシールドしていない類似のバッグのようなシールド構成を説明しているが、さらに、熱放散に関する必要性については考慮していない。
【０００８】
参考文献の米国特許第５，１７５，６１３号明細書は、回路チップのＥＭＩ、ＥＳＤ、熱的及び機械的衝撃の保護を組み合せたパッケージを開示している。さらに、参考文献の米国特許第６，１２２，１６７号明細書は、ポータブルコンピュータのためのＥＭＩシールドを備えた統合ハイブリッド冷却を開示している。しかしながら、これら両方の参考文献のシールド構成は、同じＰＣＢのセクションを互いに（例えば、一方のチップを他方のチップから）シールドすることを考慮していないので基板レベルではない。さらに、その解決策は、ネジ又はボルト及びＰＣＢを貫通する穴を含む取付機構を必要とする。これによって、貴重なＰＣＢのスペースが消費され、その上、デザインに相当な重量が加わる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以前に提供されていないもの、及び必要とされるものは、取り外し可能で、単又は多区画のデザインに適合し、薄型、軽量であると同時に、シールドされた部品の熱放散を可能とする基板レベルシールドである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基材であって、この基材の上に少なくとも１つの電気部品を配置した基材と；該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に或るパターンで配置された複数の別々の導電性固定ユニットと；導電層を備える基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドと；該導電性固定ユニットの該パターンに一致するよう、該基板レベルＥＭＩシールドに形成された複数の開口と；該少なくとも１つの電気部品の上に配置された少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料とを有し；かつ該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が、少なくとも１つの導電性固定ユニットと電気的に接触している装置を提供する。
【００１１】
別の態様においては、本発明は、基材であって、この基材の上に少なくとも１つの電気部品を配置した基材と；該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に配置された複数の半田球と；該少なくとも１つの電気部品を覆うよう適合された少なくとも１つの区画を備え、さらに導電層を備える基板レベルＥＭＩシールドと；該少なくとも１つの電気部品の上に配置された少なくとも１つのＴＣＩ材料と；該少なくとも１つのＴＣＩ材料の上に配置されたヒートシンクとを提供し；該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が、該半田球の少なくとも１つと電気的に接触し、該基板レベルＥＭＩシールドと該半田球を組み合せて、電磁放射線が該少なくとも１つの区画に入るか又はそこから出るのを制限し；該ヒートシンクと該少なくとも１つのＴＣＩ材料を組み合せて、該少なくとも１つの電気部品から熱を放散させる。
【００１２】
別の態様においては、本発明は、基材の上に配置された少なくとも１つの電気部品と、該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に或るパターンで配置された複数の別々の導電性固定ユニットとを有する基材のための基板レベルＥＭＩシールドであって、該基板レベルＥＭＩシールドが、導電層と；該導電性固定ユニットの該パターンに一致するよう、該基板レベルＥＭＩシールドに形成された複数の開口と；該基板レベルＥＭＩシールドに取り付けられた少なくとも１つのＴＣＩ材料とを備え；該開口の少なくとも１つが接触領域を有し、かつ該接触領域が該導電性固定ユニットの少なくとも１つに係合しかつそれを保持できるようにするのに必要な程度まで、該開口の該接触領域における該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が撓むことができ；該接触領域での該ＥＭＩシールドの該導電層が、少なくとも１つの該導電性固定ユニットと電気的に接触するよう適合された、基板レベルＥＭＩシールドを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、図面について言えば、本発明は、シールドされるべき部品の熱放散を向上させる基板レベルＥＭＩシールドを提供する。図１は、本発明の実施態様によるＰＣＢ（１０）の平面図である。ＰＣＢ（１０）は、セクション（１２）で一つにまとめられた複数の電気部品（１１）を有する基材である。複数のグランドトレースパッド（１３）がセクション（１２）を取り囲んでいる。各グランドトレースパッド（１３）上に導電性固定ユニット（１４）が配置される。導電性固定ユニット（１４）は、例えば、半田を使用してグランドトレースパッド（１３）に機械的かつ電気的に結合される。図示を簡単にするため、いくつかのグランドトレースパッド（１３）のみ、その上に導電性固定ユニット（１４）を配置して示すが、すべてのグランドトレースパッド（１３）が、その上に導電性固定ユニット（１４）を配置していることが好ましい。このようにして、複数の別々な導電性固定ユニット（１４）が、セクション（１２）を取り囲むパターンにおいてＰＣＢ（１０）上に配置される。
【００１４】
好ましい実施態様においては、導電性固定ユニット（１４）は半田球である。しかしながら、導電性固定ユニット（１４）は、それが導電性で分離しており、ＰＣＢ（１０）上のグランドトレースパッド（１３）に対して確実に機械的かつ電気的に取り付け可能であり、さらにシールドに対し取り外し可能に機械的かつ電気的に取り付けられるよう適合されるという条件で、任意の形状又は材料であることができる。導電性固定ユニット（１４）の他の例は、Ｒｅｉｓの米国特許出願第０９／７９３，７５４号明細書に記載されており、この特許出願はその参照により本明細書に含まれる。
【００１５】
図２はシールド（２０）を図示しており、区画（２１）がＰＣＢ（１０）上のセクション（１２）を覆うよう適合している。シールド（２０）は、複数の開口（２３）を含むフランジ（２２）を有する。開口（２３）はまた、区画（２１）間のシールド（２０）中にも形成されている。開口（２３）は、導電性固定ユニット（１４）により形成されるパターンと一致したパターンを形成して、開口（２３）が、それぞれ（又は実質的にそれぞれ）の導電性固定ユニット（１４）と組になるようにする。
【００１６】
図３に示すように、シールド（２０）をＰＣＢ（１０）の上に配置してそれに取り付ける。図３は、シールド（２０）の確実な機械的取付をＰＣＢ（１０）に与えるよう、開口（２３）を通って突き出た導電性固定ユニット（１４）を示している。各開口（２３）の直径は、好ましくは導電性固定ユニット（１４）の最も大きい幅よりも小さい（例えば、半田球の直径よりも大きい）。導電性固定ユニット（１４）は開口（２３）よりも大きいので、この取付により、シールド（２０）をＰＣＢ（１０）から引き離すことで容易に外すことができるスナップ又は締り嵌めが作り出される。このようにして、シールド（２０）はＰＣＢ（１０）に取り外し可能に取り付けられる。それゆえ、締り嵌めの結果として、導電性固定ユニット（１４）はまた、シールド（２０）と電気的に接触している。スナップ嵌めに関する更なる詳細は、Ｒｅｉｓの米国特許出願第０９／７９３，７５４号明細書に記載されている。
【００１７】
シールド（２０）が、開口（２３）への導電性固定ユニット（１４）のスナップ嵌めで以ってＰＣＢ（１０）上の位置にある場合には、基板レベルＥＭＩシールドは、セクション（１２）の部品（１１）を囲む区画（２１）から作り出される。これによって、望まない電磁放射線が、セクション（１２）に入るか又はそこから出るのを防ぎ又は制限する。
【００１８】
図４は、図３のＡ−Ａ断面図を表し、２つの区画（２１）を示し、各区画は、熱放散の向上を必要とする１つの部品（１１）を取り囲んでいる。シールド（２０）が、導電性固定ユニット（１４）によってＰＣＢ（１０）に取り付けられているのが示される。ＴＣＩ材料（４０）が、部品（１１）の上でかつシールド（２０）の下に配置されている。ＴＣＩ材料（４０）は、熱伝導性粒子を充填したエラストマーであることができるが、空気よりも高い熱伝導率を有する任意の材料であることができる。このようなＴＣＩ材料（４０）は、例えば、Ｗ．Ｌ．ゴア・アンド・アソシエーツ社から商品名ＰＯＬＡＲ−ＣＨＩＰ（登録商標）、パーカー・ハネフィン社のＣｈｏｍｅｒｉｃｓ部門から商品名Ｃｈｏ−Ｔｈｅｒｍ（登録商標）、及びバーグキスト社から商品名Ｓｉｌ−Ｐａｄ（登録商標）のもと入手可能である。ＴＣＩ材料（４０）は、部品（１１）とシールド（２０）の両方と物理的に接触している。ＴＣＩ材料（４０）は、機械的手段又は接着手段（図示せず）によって部品（１１）又はシールド（２０）に取り付けることができる。操作中、部品（１１）から熱が発生し、次いで、その熱がＴＣＩ材料（４０）を介してシールド（２０）に伝わる。このようにして、ＴＣＩ材料（４０）がシールド（２０）への伝熱を助長し、この場合、シールド（２０）は、同時にヒートシンクとして作用して部品（１１）から熱を放散させる。
【００１９】
シールド（２０）は、プラスチック、誘電材料、充填剤入り誘電材料、金属、金属箔、金属メッキ若しくは金属被覆された誘電材料、又はそれらの組み合せから部分的に作製できるが、少なくとも導電層を含まなければならない。導電層は、（例えば、金属メッシュによる）開口を含むことができるが、実質的には連続であることが好ましい。このようなシールド（２０）を製造するための、その構造に依存した複数の成形方法がある。熱成形又は真空成形は、その工具費、制作費が安価であり、３次元の複雑なシールド形状を形成できることから、プラスチックを用いた加工に関して好ましい方法である。シールド（２０）のための最も好ましいプラスチック材料は、ポリカーボネート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）、ＡＢＳ−ポリカーボネート混合物、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、又は延伸ポリテトラフルオロエチレンなどの材料であり、それらのうちの何れかは、高導電率の金属、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、スズ、又はそれらの組み合せ若しくは合金で以ってメッキ、被覆若しくは積層される。あるいはまた、シールド（２０）は、それに被覆又はそうでなければ積層された誘電層の有無に関わらず、引き抜き加工されるか又は折り曲げられた金属又は箔であることができる。シールド（２０）が、（図４に示すように）ヒートシンクとして作用するためのものである場合には、シールド（２０）は可能な限り熱伝導性であることが好ましい。ほとんどの誘電体及びプラスチックがあまり熱伝導性ではないので、したがって、図４のシールド（２０）は、主として金属から作製されることが望ましく、誘電層が存在する場合には、それは可能な限り薄くあるべきである。
【００２０】
図５に示すように、好ましい実施態様においては、シールド（２０）は、任意選択の誘電材料層（２７）と導電層（２６）とを含む２層から構成される。誘電材料層（２７）は、内表面（２５ａ）と外表面（２５）とを有する。導電層（２６）は、外表面（２５）の少なくとも一部を覆って配置される。誘電材料層（２７）は、非常に低い電気伝導率（例えば、百万分の１ｍｈｏ／ｃｍ以下）を有する任意の材料である。誘電材料層（２７）はまた、シールド（２０）の熱伝導率の最大化を助長するよう可能な限り薄いことが好ましい。導電層（２６）は、スパッタリング、真空すなわち真空メッキ、無電解メッキ、又は電解メッキなどの処理によって形成されるのが好ましい。あるいはまた、導電層（２６）は外表面（２５）に積層された箔である。この２層の配置は特に有利である。というのも、この配置によって、内表面（２５ａ）がＰＣＢ（１０）上の任意の部品（１１）と不本意な電気接触をする可能性が、たとえ機械的な接触が依然としてなされている場合があったとしても低減又は排除されるためである。これにより、電子デバイスの体積中の貴重なスペースを消費する場合のあるシールド（２０）下の任意の大きなギャップを排除することができ、それにより、より薄いデザインが可能となる。導電層（２６）は、シールド（２０）が導電性固定ユニット（１４）上の位置に嵌められると、導電性固定ユニット（１４）と電気的に接触するよう適合された任意の材料であることができる。ＴＣＩ材料（４０）は、部品（１１）と、シールド（２０）の誘電層（２７）に関する内表面（２５ａ）の両方と物理的に接触している。ＴＣＩ材料（４０）は、機械的手段又は接着手段（図示せず）によって部品（１１）又はシールド（２０）に取り付けることができる。操作中、部品（１１）から熱が発生し、次いで、その熱がＴＣＩ材料（４０）を介してシールド（２０）に伝わる。このようにして、ＴＣＩ材料（４０）がシールド（２０）への伝熱を助長する。それゆえ、シールド（２０）は、同時にヒートシンクとして作用して部品（１１）から熱を放散させる。
【００２１】
図５に示すものに代わる構造（図示せず）においては、導電層（２６）が、誘電材料層（２７）の外表面（２５）の代わりに、内表面（２５ａ）の少なくとも一部を覆って配置される。この場合には、導電層（２６）は、Ｒｅｉｓの米国特許出願第０９／７９３，７５４号明細書に記載されているように、交互のスナップ構造物を介してグランドトレースパッド（１３）又は導電性固定ユニット（１４）と直接接触することができる。
【００２２】
図６ａに示すように、好ましい実施態様においては、シールド（２０）は、同様に、誘電材料層（２７）と外表面（２５）の少なくとも一部を覆って配置された導電層（２６）とを含む２層から構成される。さらにヒートシンク（５０）があり、このヒートシンクはフィン付の金属ブロック、薄板金属若しくはプラスチックから構成されたスプレッダープレート、ヒートパイプアッセンブリ、又は電気部品（１１）及びＴＣＩ材料（４０）からの熱放散を促進させる任意の構造物であることができる。ヒートシンクは、外部手段（図示せず）を介してシールド（２０）及びＰＣＢ（１０）に関して固定された位置にある。ＴＣＩ材料（４０）は、部品（１１）の上に配置され、部品（１１）と、シールド（２０）の誘電層（２７）に関する内表面（２５ａ）の両方と物理的に接触している。あるいはまた、ＴＣＩ材料（４１）が、シールド（２０）の上に配置され、導電層（２６）とヒートシンク（５０）の両方と物理的に接触している。あるいはまた、図６ｂに示すように、ＴＣＩ材料（４０）及び（４１）が同時に使用される。ＴＣＩ材料（４０）及び／又は（４１）は、機械的手段又は接着手段（図示せず）によってヒートシンク（５０）、部品（１１）又はシールド（２０）に取り付けることができる。操作中、部品（１１）から熱が発生し、次いで、その熱がＴＣＩ材料（４０）及び／又は（４１）並びにシールド（２０）を介してヒートシンク（５０）に伝わる。このようにして、ＴＣＩ材料（４０）及び／又は（４１）がヒートシンク（５０）への伝熱を助長し、部品（１１）から熱を放散させる。
【００２３】
図７に示すように、別の好ましい実施態様においては、シールド（２０）は、同様に、誘電材料層（２７）と外表面（２５）の少なくとも一部を覆って配置された導電層（２６）とを含む２層から構成される。さらに、導電性表面（５０ａ）を有するヒートシンク（５０）がある。開口（２８）又は開口（２９）の群が、部品（１１）の上のシールド（２０）に位置する。開口（２８）又は開口（２９）は、部品（１１）のサイズよりも小さいことが好ましい。さらに、ＥＭＩガスケット（３０）がある。ＥＭＩガスケット（３０）は、２つの導電性表面の間のギャップを電気的に架橋するのに使用される圧縮可能な導電材料である。ＥＭＩガスケット（３０）は、例えば、導電性粒子を充填したエラストマーであることができる。このようなＥＭＩガスケット（３０）は、例えば、Ｗ．Ｌ．ゴア・アンド・アソシエーツ社から商品名ＧＯＲＥ−ＳＨＩＥＬＤ（登録商標）、及びパーカー・ハネフィン社のＣｈｏｍｅｒｉｃｓ部門から商品名Ｃｈｏ−Ｆｏｒｍ（登録商標）のもと入手可能である。ＥＭＩガスケット（３０）は、開口（２８）又は開口（２９）を実質的に取り囲むよう配置され、シールド（２０）の導電層（２６）及びヒートシンク（５０）の導電性表面（５０ａ）と物理的に接触している。こうして、ＥＭＩガスケット（３０）は、シールド（２０）とヒートシンク（５０）の間のギャップを電気的に架橋し、それゆえＥＭＩに関する入口／出口の電位源が排除される。ＥＭＩガスケット（３０）は、機械的手段又は接着手段（図示せず）によってシールド（２０）又はヒートシンク（５０）に取り付けることができる。ＴＣＩ材料（４０）は、開口（２８）又は開口（２９）を少なくとも部分的に通過するよう配置され、部品（１１）とヒートシンク（５０）の表面（５０ａ）の両方と物理的に接触している。ＴＣＩ材料（４０）は、機械的手段又は接着手段（図示せず）によってヒートシンク（５０）、部品（１１）又はシールド（２０）に取り付けることができる。操作中、部品（１１）から熱が発生し、次いで、その熱がＴＣＩ材料（４０）を介してヒートシンク（５０）に伝わる。このようにして、ＴＣＩ材料（４０）がヒートシンク（５０）への伝熱を助長し、部品（１１）から熱を放散させる。
【００２４】
図８に示すように、別の好ましい実施態様においては、シールド（２０）は、同様に２つの層、誘電材料層（２７）と外表面（２５）の少なくとも一部を覆って配置された導電層（２６）とから構成される。さらに、導電性表面（５０ａ）を有するヒートシンク（５０）がある。開口（２８）又は開口（２９）の群が、部品（１１）の上のシールド（２０）に位置する。開口（２８）又は開口（２９）の群は、部品（１１）のサイズよりも小さいことが好ましい。さらに、導電性ＴＣＩ材料（４２）がある。導電性ＴＣＩ材料（４２）は、穴（２８）又は穴（２９）を実質的に覆うよう配置され、シールド（２０）の導電層（２６）及びヒートシンク（５０）の導電性表面（５０ａ）と物理的に接触している。さらに、導電性ＴＣＩ材料（４２）は、開口（２８）又は開口（２９）の群を少なくとも部分的に通過するよう配置され、部品（１１）とヒートシンク（５０）の表面（５０ａ）の両方と物理的に接触している。導電性ＴＣＩ材料（４２）は、機械的手段又は接着手段（図示せず）によってシールド（２０）又はヒートシンク（５０）に取り付けることができる。こうして、導電性ＴＣＩ材料（４２）は、シールド（２０）とヒートシンク（５０）の間のギャップを電気的に架橋し、さらにヒートシンク（５０）への伝熱を助長して、部品（１１）から熱を放散させる。
【００２５】
本発明の特定の実施態様が、本明細書において図解されかつ記載されたが、本発明は、このような図解及び記載に限定されるべきではない。変更及び改良は、特許請求の範囲の範囲内で本発明の一部として組み入れかつ包含できるということが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の例示的な実施態様による基材の平面図である。
【図２】本発明の例示的な実施態様による導電性固定ユニットの側面図である。
【図３】本発明による例示的なシールドの側面図である。
【図４】図３のシールドの断面図である。
【図５】本発明による別の例示的なシールドの側面図である。
【図６ａ】本発明による別の例示的なシールドの側面図である。
【図６ｂ】本発明による別の例示的なシールドの側面図である。
【図７】本発明による別の例示的なシールドの側面図である。
【図８】本発明による別の例示的なシールドの側面図である。
【図１】
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【図２】
2006513556.tif 000004
【図３】
2006513556.tif 000005
【図４】
2006513556.tif 000006
【図５】
2006513556.tif 000007
【図６ａ】
2006513556.tif 000008
【図６ｂ】
2006513556.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
（ａ）基材であって、その基材の上に少なくとも１つの電気部品を配置した基材と；
（ｂ）該少なくとも１つの電気部品を取り囲むよう、該基材上に配置された複数の半田球と；
（ｃ）該少なくとも１つの電気部品を覆うよう適合された少なくとも１つの区画を備え、さらに導電層を備える基板レベル電磁波障害（ＥＭＩ）シールドと；
（ｄ）該少なくとも１つの電気部品の上に配置された少なくとも１つの熱伝導性インタフェース（ＴＣＩ）材料と；
（ｅ）該少なくとも１つのＴＣＩ材料の上に配置されたヒートシンクとを備え；
（ｆ）該基板レベルＥＭＩシールドの該導電層が、該半田球の少なくとも１つと電気的に接触し、該基板レベルＥＭＩシールドと該半田球を組み合せて、電磁放射線が該少なくとも１つの区画に入るか又はそこから出るのを制限し；
（ｇ）該ヒートシンクと該少なくとも１つのＴＣＩ材料を組み合せて、該少なくとも１つの電気部品から熱を放散させ；
（ｈ）該半田球が該シールドに固定されかつそれを保持する、装置。
【国際調査報告】
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