(57)【要約】開示された本発明は、水素ガスを含有している混合ガスからプラズマを発生させて、フォトレジストを除去するアッシング工程が実行されるようにするための半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法に関するものであって、本発明は水素ガスを含有している混合ガスからプラズマを発生させてフォトレジストを除去するアッシング工程が実行されるようにして、シリコン酸化膜の生成を最小化してシリコンの損失を最小化し、ポッピング現象が全く発生しないようにし、高ドーズイオンが注入された遠紫外線フォトレジストの残余物さえ完全に除去することができるだけではなく、アッシング工程の効率を高めることができる半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法に関するものである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層を選択的に露光する段階と、フォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像する段階と、前記フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物注入する段階と、前記エッチングするか、または不純物を注入する段階でマスクとして使用されたフォトレジストパターンを除去するアッシング段階とを含む半導体製造工程において、
前記アッシング段階は、
水素を含有する混合ガスからプラズマを発生させて高温でもポッピングが発生されずにパーティクル発生が抑制された状態でフォトレジストパターンが除去されるようにすることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項２】
前記半導体基板は、高ドーズイオン注入方式に従って製作された基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項３】
前記フォトレジストは、
遠紫外線フォトレジストを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項４】
前記水素と混合するガスは、
窒素、ヘリウムのうちの一つであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項５】
前記水素ガスの量は全体のガス量に対して２ボリューム％乃至１００ボリューム％であることを特徴とする請求項１乃至４項のうちのいずれか一項に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項６】
前記アッシング工程の温度が、１００℃〜２００℃の間であることを特徴とする請求項１乃至請求項４項のうちのいずれか一項に記載のフォトレジスト除去方法。
【請求項７】
半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層を選択的に露光する段階と、フォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像する段階と、前記フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物を注入する段階と、前記エッチングするアッシング段階とを含む半導体製造工程において、
前記アッシング段階は、
水素を含有する混合ガス、またはアンモニアからプラズマを発生させて高温でポッピングが発生されずにパーティクル発生が抑制された状態でフォトレジストパターンが除去されるようにすることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項８】
前記半導体基板は、高ドーズイオン注入方式に従って製作された基板であることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項９】
前記フォトレジストは、遠紫外線フォトレジストを含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項１０】
前記水素と混合するガスは、
窒素、ヘリウムのうちの一つであることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項１１】
前記水素ガスの量が全体のガス量に対して２ボリューム％乃至１００ボリューム％であることを特徴とする請求項７または請求項１０のうちのいずれか一項に記載の半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法。
【請求項１２】
前記アッシング工程の温度が１００℃〜２００℃の間であることを特徴とする請求項７乃至請求項１１のうちのいずれか一項に記載のフォトレジスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法に係り、さらに詳細には、水素ガス（Ｈ２）を含有している混合ガスからプラズマを発生させてフォトレジストを除去するアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程が実行されるようにするための半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程のうちの一つであるフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程は半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、前記フォトレジスト層を選択的に露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）する段階と、半導体基板の上部にフォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像（Ｄｅｖｅｌｏｐｅ）する段階と、フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物を注入する段階と、エッチングするか、または不純物を注入する段階でマスクとして使用されたフォトレジストパターンを除去するアッシング段階からなることができる。
【０００３】
前記半導体製造工程のうちのアッシング段階を実行した後にはウェハに形成された素子間の連結のための配線、チップ外部との連結のためにボンドパッド（Ｂｏｎｄ  Ｐａｄ）用などで使用される金属膜を形成するための金属配線層形成工程が行われる。
【０００４】
そのうちアッシング工程はエッチング工程、またはイオン注入工程の後、任務が終わったフォトレジストを除去する工程としての、一種のエッチング工程である。フォトレジスト物質はフォトレジストの下部にある基板にパターンをエッチングするため、または基板の露出領域内にイオンを選択的に注入するためのマスクとして使用される物質である。
【０００５】
そして、前記アッシング工程ではプラズマを利用し、反応ガスとして主に酸素Ｏ２を利用している。したがって、前記フォトレジスト除去工程は結果的にフォトレジストを酸素と反応させるので、酸化過程といえ、酸化は一種の焼くことなので、‘Ａｓｈｉｎｇ’工程と呼ばれる。前記のようにアッシング工程を実行する装備をアッシャー（Ａｓｈｅｒ）という。
【０００６】
最近、半導体製造技術において、デバイスの集積度および高速度が要求されることによって、ウェハの工程がさらに精密になっており、ウェハの精密工程に従ってウェハの主構成成分であるシリコンが多数の工程が進行される間少しずつ損失される問題点がある。
【０００７】
特に、アッシングをする過程で使用されるプラズマ発生のために酸素ガスを使用する場合、ウェハの一部表面が前記工程ガスである酸素と反応して酸化膜が生じるようになる。上記のように、シリコン表面に酸化膜層が生じるようになれば、結果的に、今後、シャロージャンクション（ｓｈａｌｌｏｗ  ｊｕｎｔｉｏｎ）を要する素子製造および電極として使用するドーピングされた多結晶シリコンが多く損傷されるという問題点がある。
【０００８】
また、従来のようなフォトレジストアッシング工程では、ウェハに高ドーズイオン注入した後、ポッピング現象が発生するようになるので、前記ポッピング現象を減少させるために工程温度を低温にするか、または高ドーズイオン注入工程の以後にピンアップ工程が行われるようにするが、ポッピングの問題を完全に解決することができないという問題点がある。
【０００９】
また、高集積化されたシリコンでは波長帯域が４３６ｍｍであるＧ−ｌｉｎｅ光や波長帯域が３６５ｎｍであるＩ−ｌｉｎｅ光は光の波長が長く基板上で定義することができる線幅があまり大きいという問題があるので、より精密な作業を実行するためには波長帯域が２４８ｎｍ、１９３ｎｍである高ドーズイオンが注入されたＤＵＶ光とＸ線の使用がさらに有利な点がある。
【００１０】
また、既存のＩ−ｌｉｎｅフォトレジストはその分子のサイズが大きく、粘性が大きいという問題点があるので、高集積化されたシリコンではＩ−ｌｉｎｅフォトレジストに代えて高ドーズイオンが注入されたＤＵＶ（Ｄｅｅｐ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）フォトレジストを使用している。
【００１１】
しかし、前記の高ドーズイオンが注入されたＤＵＶフォトレジストは既存の酸素を利用するアッシング工程によっては残余物が除去されないという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、本発明の第１の目的は、水素ガスを含有している混合ガスからプラズマを発生させてフォトレジストを除去するアッシング工程が実行されるようにするための半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法を提供するのにある。
【００１３】
また、本発明の第２の目的は、シリコン酸化膜の生成を最小化してシリコンの損失を最小化し、ポッピング現象を全く発生しないようにし、高ドーズイオンが注入されたＤＵＶフォトレジストの残余物さえ完全に除去することができるようにするための半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法を提供することにある。
【００１４】
本発明のまた第３の目的は、アッシング工程の効率を高めることができる半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
したがって、本発明は上述の目的を達成するために、半導体構造体からフォトレジスト物質を除去するアッシング工程に水素ガスＨ２を使用するプラズマの利用を提案する。本発明はすべてのフォトレジストアッシング工程に適用可能であり、特に、高ドーズイオン注入シリコン基板でその効用性が大きい。
【００１６】
本発明によるアッシング方法では、半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層を選択的に露光する段階と、フォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像する段階と、前記フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物注入する段階と、前記エッチングするか、または不純物を注入する段階でマスクとして使用されたフォトレジストパターンを除去するアッシング段階とを含むことを半導体製造工程において、前記アッシング段階は、水素Ｈ２を含有する混合ガスからプラズマを発生させて高温でもポッピングが発生されずに、パーティクル発生が抑制された状態でフォトレジストパターンが除去されるようにすることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【００１７】
特に、上述のように水素を含有する混合ガスからプラズマを発生させる場合、酸化膜の生成を最小化させることができるので、シリコン損失を最小化させることができる。
【００１８】
また、前記半導体基板は、高ドーズイオン注入方式に従って製作された基板であることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【００１９】
また、前記フォトレジストは、遠紫外線（ＤＵＶ；Ｄｅｅｐ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）フォトレジストを含むことを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【００２０】
また、前記水素Ｈ２と混合するガスは、窒素Ｎ２、ヘリウムＨ２のうちの一つであることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【００２１】
また、本発明で前記水素Ｈ２ガスの量が全体のガス量に対して２ボリューム％乃至１００ボリューム％であることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【００２２】
また、前記アッシング工程の温度が、１００℃〜２００℃の間であることを特徴とするフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【００２３】
また、本発明の他の実施形態は半導体基板にフォトレジストをスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層を選択的に露光する段階と、フォトレジストパターンを形成させるために露光されたフォトレジスト層を現像する段階と、前記フォトレジストによって覆われない半導体基板の領域をエッチングするか、または不純物注入する段階と、前記エッチングするか、または不純物を注入する段階でマスクとして使用されたフォトレジストパターンを除去するアッシング段階を含む半導体製造工程において、前記アッシング段階は、水素Ｈ２を含有する混合ガス、またはアンモニアＮＨ３からプラズマを発生させて高温でもポッピングが発生されずにパーティクル発生が抑制された状態でフォトレジストパターンが除去されるようにすることを特徴とする半導体製造工程でのフォトレジスト除去方法として、上述の課題を解決する。
【発明の効果】
【００２４】
上述のように、フォトレジストをアッシングする工程で本発明が提示する工程を使用して進行する場合、実施形態の結果から分かるように、酸化膜が全く形成されないので、シャロージャンクションを要する素子製造および電極として使用するドーピングされた単結晶および多結晶シリコンが損失されることを防止することができる効果を奏することができる。
【００２５】
また、本発明は高ドーズイオン注入の後にフォトレジストを除去するために実行されるアッシング工程で本発明の方法を使用する場合、２００℃以上の工程温度でもポッピング現象が全く発生しなくてパーティクル発生を抑制することができるので、半導体製造生産収率を向上させることができるという効果を奏することができる。
【００２６】
また、本発明は高集積化されたシリコンで必須的に使用する高ドーズイオンが注入されたＤＵＶフォトレジストの残余物を除去する工程で、本発明である水素を基本とする化合物を低温で使用したとき、高ドーズイオンが注入されたＤＵＶフォトレジストの残余物を完全に除去する効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下では本発明を添付の図を参照して望ましい実施形態を通じて詳細に説明する。下の表１は全体の実験の例としての要約表である。
【００２８】
【表１】
2006513586.tif 000003
【００２９】
前記表１を簡単に説明すれば、Ａ工程は従来に使用していたアッシング方法のうちのＯ２ガス７０００ｓｃｃｍとＮ２ガス８００ｓｃｃｍを２５０℃の工程温度で７５秒間実行されるアッシング工程であって、アッシング工程が実行された後、透過電子顕微鏡で酸化膜の厚さを測定した結果、添付の図１に示したように、厚さが１７Åと測定される。
【００３０】
次に、Ｂ工程は本発明の実施形態のうちで、Ｈ２Ｎ２ガス８００ｓｃｃｍのみで２５０〜２８５秒間実行されるアッシング工程であって、アッシング工程が実行された後、透過電子顕微鏡で測定した結果、酸化膜の厚さは図２に示したようにほとんど測定できない程度である。
【００３１】
また、前記表１の条件によって進行した工程に対して工程チャンバのビューポートで確認した結果、従来の技術工程であるＡ工程はポッピング現象が見つかり、本発明の実施形態である水素ガスを使用したＢ工程ではポッピング現象を全然示さない。
【００３２】
【表２】
2006513586.tif 000004
【００３３】
前記表２は高ドーズイオンが注入されたＤＵＶフォトレジストを使用したウェハでアッシング工程を実行した後、残余物を調査したものである。
【００３４】
Ｃ工程は一般的に既存のフォトレジストを除去するための工程であって、前記工程条件は前記表２から分かるように、圧力は２Ｔｏｒｒ、Ｏ２は１７０００ｓｃｃｍ、Ｎ２は１９００ｓｃｃｍ、工程温度は２５０℃、工程時間は１５０秒である。
【００３５】
Ｄ工程は本発明によるフォトレジストを除去するための工程であって、前記工程条件は前記表２から分かるように、圧力は２Ｔｏｒｒ、Ｏ２は８０００ｓｃｃｍ、Ｈ２Ｎ２は８０００ｓｃｃｍ、工程温度は１５０℃、工程時間は１５０秒である。
【００３６】
前記のような条件によってフォトレジストを除去した結果、Ｃ工程を通じては残余物が多く残っている一方、Ｄ工程を通じては残余物が完全に除去されることが分かる。
【００３７】
すなわち、水素ガスを基本とする工程で、水素以外に前記表２から分かるような窒素Ｎ２、ヘリウムＨｅを使用した混合物を利用してフォトレジストを除去する工程を実行する場合にもフォトレジストの残余物を完全に除去することができ、また、アンモニアＮＨ３のような水素化合物を利用してフォトレジストを除去する工程を実行する場合にも残余物を完全に除去することができる。
【００３８】
前記工程を実行しながら、反応（工程）温度を１００℃乃至２００℃とする場合でも残余物が全部除去される効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の方法によって工程を実行した後、撮影した透過電子顕微鏡写真である。
【図２】本発明の実施形態によって工程を実行した後、透過電子顕微鏡で撮影した写真である。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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