(57)【要約】本発明は、第２材料から形成されかつ最終基板と称される基板上に、第１材料から形成された薄層を得るための方法であって、この方法においては、−最終基板の１つの主面を界面として、その主面に対して第１材料からなる厚い層を接着し；−第１材料からなる厚い層に対してガス種の打込を行い、これにより、脆弱化ゾーンを形成し、これにより、界面と脆弱化ゾーンとの間に薄層を形成し；−第１材料からなる厚い層の自由面上に、自立層と称されるような第３材料からなる層を成膜し；−最終基板と、第１材料からなる厚い層と、第３材料からなる層と、から構成された構造の内部において、脆弱化ゾーンの高さ位置において劈開を行い、これにより、第３材料からなる層によって支持された薄層を得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２材料から形成されかつ最終基板（２０，４０）と称される基板上に、第１材料から形成された薄層（１７，３７）を得るための方法であって、
−前記最終基板（２０，４０）の１つの主面を界面として、その主面に対して第１材料からなる厚い層（１３，３３）を接着し；
−前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）に対してガス種の打込を行い、これにより、脆弱化ゾーン（１６，３６）を形成し、これにより、前記界面と前記脆弱化ゾーンとの間に前記薄層（１７，３７）を形成し；
−前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）の自由面（１５）上に、自立層（１，２）と称されるような第３材料からなる層を成膜し；
−前記最終基板（２０，４０）と、前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）と、前記第３材料からなる前記層と、から構成された構造の内部において、前記脆弱化ゾーン（１６，３６）の高さ位置において劈開を行い、これにより、前記第３材料からなる前記層によって支持された前記薄層を得る；
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）内へと、同じガス種によるまたは異なるガス種による１つまたは複数の打込を行うことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記ガス種を、水素とヘリウムとの中から選択することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）を、前記初期基板内に脆弱化ゾーン（１２，３２）を形成するためのガス種打込によって形成された層とし、
前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）と、前記初期基板の残部（１４，３４）と、の間における前記劈開ステップを、前記最終基板（２０，４０）上へと前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）を接着した後に、行うことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、
前記初期基板内への前記ガス種打込を、水素イオンによる打込とすることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４記載の方法において、
前記第１材料からなる前記厚い層（１３）内への前記ガス種打込ステップを、前記第１材料からなる前記厚い層と前記初期基板の残部（１４）との間の劈開後に、行うことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法において、
前記第１材料からなる前記厚い層（３３）内への前記ガス種打込ステップを、前記第１材料からなる前記厚い層を前記最終基板（４０）上へと接着する前に、行うことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、
前記劈開ステップを、熱処理によって行い、
前記ガス種打込ステップを、前記第１材料からなる前記厚い層（３３）と前記初期基板（３０）の残部（３４）との間において劈開が起こる温度よりも低い温度条件下において、行うことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法において、
前記第１材料からなる前記厚い層（１３，３３）を、分子接着によって、前記最終基板（２０，４０）上へと接着することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、
前記自立層（１）の一部を成膜し、
この部分的な成膜後に、前記第１材料からなる前記厚い層（１３）内へとガス種を打ち込むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上において薄層を得るための方法に関するものであり、特に、典型的には０．１μｍよりも薄いものといったような極薄層を得るための方法に関するものである。
【０００２】
本発明は、特に、ＳＯＩタイプの構造の製造に応用することができる。
【背景技術】
【０００３】
特許文献１（特許文献２に対応）には、ＳＯＩタイプの基板を提供し得るよう、支持体上に薄いシリコン層を得るための方法が開示されている。この方法においては、シリコン基板または初期基板に対して例えば水素イオンといったようなイオンを打ち込み、これにより、基板の打込面のところから薄いシリコン層を規定する脆弱化ゾーンを形成するという、第１ステップを行う。第２ステップにおいては、スティフナー（あるいは、補剛体）または最終基板を、初期基板の打込面に対して固定する。第３ステップにおいては、得られた積層構造を、脆弱化ゾーンの高さ位置で、分離させる。この分離により、薄いシリコン層が支持体上へと移送され、初期基板の残部は、再使用可能とされる。このプロセスは、特に、スマートカット（登録商標）という名称で公知である。
【０００４】
このプロセスを使用することにより、例えば分子接着といったような接着により、単結晶からなるまたは多結晶からなる薄い層を支持した積層構造を形成することができる。これにより、非常に良好な結果がもたらされ、０．１μｍという程度の薄い層を移送することができる。しかしながら、極薄層（典型的には、０．１μｍよりも薄いような厚さ）を得ようとしたときには、接着界面を起点とした例えばブリスタといったような欠陥の存在に基づいて、問題が発生する。
【０００５】
極薄層を得るための１つの手法においては、まず最初に、より厚い薄層を形成し、その後、所望の厚さが得られるまで、余剰材料を除去する。しかしながら、従来技術（化学的機械的研磨すなわちＣＭＰ、熱処理、化学的エッチング、イオンエッチング、等）を使用して過度に除去を行うと、薄層の一様性を低減させてしまう。この劣化は、除去される厚さがが大きいほど、より顕著なものとなる。したがって、移送された層の厚さの一様性という観点で捉えた場合の品質は、スマートカット（登録商標）プロセスによって得ることができるものと比較して、劣化する。
【０００６】
他の問題点は、薄肉化すべき層をなす材料が、ＣＭＰによる薄肉化を困難なものとするような特性を有している場合に、発生する。これは、例えばサファイアやＳｉＣやダイアモンドといったような過度に硬い材料の場合である。また、それは、積層を形成するために使用された接着がそのような技術の使用を不可能としているような場合である。例えばＣＭＰや湿式化学エッチングは、接着エネルギーが小さすぎる場合には、使用することができない。
【０００７】
例えば、打込を行って高温で熱処理を行いなおかつスティフナーを使用しないといったような純粋な剥離方法（特許文献３に記載されている手法）においては、ＣＭＰや水素アニールや他の公知の表面処理によっては補償し得ないほどあまりにも大きな表面粗さを残してしまう。したがって、ブリスタ破裂現象（剥離）が起こって、表面上において除去するのが非常に困難なモルフォロジーを残してしまう。ブリスタ破裂は、低周波（典型的には、数十μｍという程度の幅）におけるステップシーケンスと比較することができる。
【特許文献１】仏国特許出願公開第２ ６８１ ４７２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，３７４，５６４号明細書
【特許文献３】米国特許第６，１０３，５９９号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明においては、上記問題点を解決し得るよう、移送されるべき材料からなる比較的厚い層を、所望の支持体上へと移送し、その後、この厚い層に対して固定された付加的な層の存在に基づいて、打込とこの打込に関連する劈開とによって、薄肉化を行う、という方法を提供する。これにより、支持体上において、良好な品質の極薄層を得ることができる。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、第２材料から形成されかつ最終基板と称される基板上に、第１材料から形成された薄層を得るための方法であって、
−最終基板の１つの主面を界面として、その主面に対して第１材料からなる厚い層を接着し；
−第１材料からなる厚い層に対してガス種の打込を行い、これにより、脆弱化ゾーンを形成し、これにより、界面と脆弱化ゾーンとの間に薄層を形成し；
−第１材料からなる厚い層の自由面上に、自立層と称されるような第３材料からなる層を成膜し；
−最終基板と、第１材料からなる厚い層と、第３材料からなる層と、から構成された構造の内部において、脆弱化ゾーンの高さ位置において劈開を行い、これにより、第３材料からなる層によって支持された薄層を得る；
という方法である。
【００１０】
本発明において結果的に得られる層は、スマートカット（登録商標）プロセスを使用して従来的に移送される層と比較して、厚さが数桁薄いような極薄層であって、界面におけるバブルという問題点を有しておらず、厚さの一様性が良好である。
【００１１】
第１材料からなる厚い層内へと、同じガス種によるまたは異なるガス種による１つまたは複数の打込を行うことができ、ガス種は、水素とヘリウムとの中から選択することができる。
【００１２】
第１材料からなる厚い層は、１つまたは複数の材料から構成することができる。第１材料からなる厚い層は、初期基板内に脆弱化ゾーンを形成するためのガス種打込によって形成された層とすることができ、第１材料からなる厚い層と、初期基板の残部と、の間における劈開ステップは、最終基板上へと第１材料からなる厚い層を接着した後に、行うことができる。
【００１３】
初期基板内へのガス種の打込は、水素イオンによる打込とすることができる。
【００１４】
第１実施形態においては、第１材料からなる厚い層内へのガス種打込ステップは、第１材料からなる厚い層と初期基板の残部との間の劈開後に、行われる。
【００１５】
第２実施形態においては、第１材料からなる厚い層内へのガス種打込ステップは、第１材料からなる厚い層を最終基板上へと接着する前に、行われる。一般に、複数回にわたる打込は、第１脆弱化ゾーン（初期基板内における脆弱化ゾーン）の方が第２脆弱化ゾーン（厚い層内における脆弱化ゾーン）よりも深い位置に位置するようにして、行われる。例えば、劈開ステップを熱処理によって行う場合には、ガス種の打込は、第１材料からなる厚い層と初期基板の残部との間において劈開が起こる温度よりも低い温度条件下において、行われる。
【００１６】
有利には、自立層は、第１材料からなる厚い層上への第３材料の成膜によって、第１材料からなる厚い層上へと、固定される。
【００１７】
第１材料からなる厚い層は、分子接着によって、最終基板上へと接着することができる。
【００１８】
一変形例においては、自立層の一部を成膜し、この部分的な成膜後に、第１材料からなる厚い層内へとガス種を打ち込む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
添付図面を参照しつつ、本発明を何ら限定するものではなく単なる例示としての好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことにより、本発明がより明瞭に理解され、本発明の他の特徴点や利点が、より明瞭となるであろう。
【００２０】
図１Ａ〜図１Ｆは、支持体上にシリコンからなる薄層を得るための、本発明によるプロセスの第１実施形態を示している。当然のことながら、開示した技術は、シリコン以外の他の材料に対しても、適用することができる。例えば、ＳｉＣや、ゲルマニウムや、III −V 材料や、IV−IV材料や、窒化物（例えば、ＧａＮ）や、あるいは、他の結晶材料に対しても、適用することができる。これら材料は、単独でも、また、組み合わせても、使用することができる。
【００２１】
図１Ａは、シリコンからなる初期基板１０を示している。この初期基板１０は、表面に、典型的には０．０５μｍという厚さの、酸化物層１９を備えている。酸化物層１９の一方の主面をなす酸化面１１は、一様なイオン打込を受けている。これにより、面１１から所定深さのところに、脆弱化ゾーン１２が形成されている。打込は、加速された高エネルギーの水素イオン（例えば、２１０ｋｅＶ）を使用して行われ、これにより、脆弱化ゾーン１２は、打込面１１から比較的深いところに形成される。これにより、厚さが１．９μｍである層１３が、面１１と脆弱化ゾーン１２との間に、形成される。初期基板の残部には、符号１４が付されている。層１３は、厚い層と称すことができる。打込イオンの照射量は、スマートカット（登録商標）プロセスに基づいて、選択される。これにより、その後、例えば熱処理といった手法を使用することによって、脆弱化ゾーンの高さ位置で劈開を行うことができる。熱処理は、機械的処理によって補助することができる。あるいは、熱処理の代わりに、機械的処理を行うことができる。以下の説明においては、単純化の目的のために、熱処理という用語のみを使用することとする。
【００２２】
図１Ｂは、最終基板２０の面２１上へと、初期基板１０の面１１を固定した様子を示している。例えば、固定は、分子接着によって行われる。
【００２３】
その後、得られた構造は、約４８０℃といったような温度でもって、熱処理を受ける。この熱処理は、脆弱化ゾーンの高さ位置において、構造に劈開を引き起こす。初期基板の残部１４を除去した後には、図１Ｃに示すような積層構造が得られる。この積層構造は、最終基板２０と、この最終基板２０に対して接着された１．９μｍ厚さの厚い層１３と、から構成されている。厚い層１３は、自由面１５を有している。
【００２４】
積層構造は、さらなる熱処理を受ける。これにより、接着界面の強度が強化される。例えば、そのような熱処理は、約２時間にわたって約１１００℃で行われる。
【００２５】
面１５に対して、表面処理（ＣＭＰによって、水素アニールによって、等）を適用することができる。これにより、表面粗さを除去することができる。例えば、ＣＭＰを使用して厚さを５０ｎｍ程度低減させる場合には、厚い層に関して、厚さに関する良好な一様性を維持することができる。
【００２６】
一変形例においては、例えば約０．２μｍ厚さといった程度の薄い酸化物層を、成膜するまたは熱的に生成する。
【００２７】
その後、例えば水素イオンを使用して、第２のイオン打込を行う。この様子は、図１Ｄに示されている。例えば、使用される打込エネルギーは、１８５ｋｅＶとすることができ、イオン照射量は、その後に例えば熱処理を行うことによって脆弱化ゾーン１６の高さ位置において劈開を行い得るようなものとして、選択される。脆弱化ゾーン１６は、面１５からの深さが、約１．５μｍとされる。これにより、厚い層１３が、２つの部分層１７，１８へと分離される。ここで、部分層１７が、所望の薄層を形成する。
【００２８】
次なるステップにおいては、自立層１と称される層１を、面１５上に成膜する。この様子は、図１Ｅに示されている。層１は、ＰＥＣＶＤによって成膜された４μｍ厚さのシリコン酸化物層とすることができる。
【００２９】
もし、第２のイオン打込の前に薄い酸化物層が既に成膜されていたならば、酸化物層は、ここで完成している。
【００３０】
その後、例えば６００℃での等温アニールといったような熱処理を行うことにより、劈開を得ることができる。この様子は、図１Ｆに示されている。この時点で、構造は、第１部分と、第２部分とに、分離される。第１部分は、自立した２層構造体であって、自立層１と、部分層１８と、を備えている。第２部分は、最終基板２０と、この最終基板２０に対して酸化物層１９を介して結合された薄層１７と、から構成されている。２層構造体は、再使用可能である。
【００３１】
その後、最終基板２０および薄層１７に対して、クリーニングステップを施すことができる。クリーニングステップは、薄層を薄肉化して安定化させるための複数の従来的ステップとされ、例えば仏国特許出願公開第２ ７７７ １１５号明細書に図示されたものとされる。それら従来的ステップは、順次的に適用され、最適な組合せで適用される。この時点で、シリコンからなる薄層は、約１００ｎｍという厚さのものとすることができる。
【００３２】
使用される最終基板は、様々な特性を有することができる。最終基板は、半導体材料から形成することができる、あるいは、絶縁材料から形成することができる、あるいは、積層体（例えば、シリコン酸化物層によって被覆されたシリコン基板）から形成することができる。
【００３３】
図２Ａ〜図２Ｆは、支持体上にシリコンからなる薄層を得るための、本発明によるプロセスの第２実施形態を示している。
【００３４】
図２Ａは、シリコンからなる初期基板３０を示している。この初期基板３０の一方の主面をなす面３１は、一様なイオン打込を受けている。これにより、面３１から所定深さのところに、脆弱化ゾーン３２が形成されている。面３１には、例えば数ｎｍ厚さのものといったような、酸化物層を設けることもできる。本発明の第１実施形態の場合と同様に、打込は、水素イオンを使用して、２１０ｋｅＶというエネルギーで、行われる。この打込により、厚さが１．９μｍ程度である厚い層３３が、面３１と脆弱化ゾーン３２との間に、形成される。初期基板の残部には、符号３４が付されている。
【００３５】
図２Ｂに示す次なるステップにおいては、面３１を通して、第２のイオン打込を行う。この第２打込は、第１打込よりも浅いものとされ、照射量も小さなものとされる。打込エネルギーは、５０ｋｅＶの程度とすることができる。この第２打込によって、厚い層３３の内部に、脆弱化ゾーン３６が形成される。脆弱化ゾーン３６は、面３１を起点とする薄層３７を形成する。厚い層３３の残部、すなわち、部分層は、符号３８によって示されている。
【００３６】
図２Ｃは、典型的には０．０５μｍ厚さといったような酸化物層４２を表面上に備えている最終基板４０の面４１上へと、初期基板３０の面３１を固定した様子を示している。固定は、分子接着によって行うことができる。
【００３７】
その後、得られた構造に対して、約４３０℃といったような比較的低い温度でもって、熱処理を行うことができる。これにより、第１脆弱化ゾーンの高さ位置において、すなわち、脆弱化ゾーン３２の高さ位置において、劈開を引き起こすことができる。２つの脆弱化ゾーンに関する条件は、第２脆弱化ゾーンの高さ位置において劈開を生成しないようになおかつ剥離さえ生成しないように、選択されている。厚い層を移送する前に第２打込を行うことの利点は、第２打込を浅い位置とし得ることであり、また、通常は良好な品質の表面（劈開によって得られた面よりも品質的に良好である表面）を通して、第２打込を行い得ることである。したがって、より浅いところに脆弱化ゾーンが形成され、したがって、最終的な劈開後の表面粗さを、より小さなものとすることができる。得られた構造は、図２Ｄに示されている。
【００３８】
プロセスのこの時点において、表面処理ステップを省略することができる。なぜなら、自立層を、直接的に成膜することができるからである。しかしながら、表面粗さの全部または一部を除去し得るよう、最小の表面処理を行うことができる。そのような表面処理は、ＣＭＰによって、あるいは、例えば水素雰囲気下や当業者に公知の他の適切な雰囲気下においてアニールを行うことによって、あるいは、湿式化学的エッチングを行うことによって、あるいは、イオンエッチングを行うことによって、実行することができる。表面処理は、数ｎｍ〜数十ｎｍという厚さを除去することができ、これにより、厚さの良好な一様性を維持することができる。ＳｉＯ２ からなる自立層の場合には、この最小の表面処理は、埋設されたＳｉ−ＳｉＯ２ 界面をごくわずかに粗いものとすることができる。
【００３９】
次なるステップにおいては、自立層と称される層２を、厚い層３３上に成膜する。この様子は、図２Ｅに示されている。上述した場合と同様に、層２は、ＰＥＣＶＤによって成膜された４μｍ厚さのシリコン酸化物層とすることができる。
【００４０】
その後、例えば６００℃での等温アニールといったような熱処理を行うことにより、劈開を得ることができる。この様子は、図２Ｆに示されている。この時点で、構造は、第１部分と、第２部分とに、分離される。第１部分は、自立した２層構造体であって、自立層２と、部分層３８と、を備えている。第２部分は、最終基板４０と、この最終基板４０に対して酸化物層４２を介して結合された薄層３７と、から構成されている。２層構造体は、再使用可能である。
【００４１】
上述した場合と同様に、得られた積層構造に対して、クリーニングステップおよび最終仕上げステップを施すことができる。
【００４２】
上記２つの実施形態は、互いに組み合わせ得るようなあるいは順序を入れ替え得るような様々なステップを提案している。例えば、自立層の全部または一部を成膜し、この成膜の後に、第２打込を行うことができる。この場合、打込エネルギーは、ステップの順序を考慮して、修正される。
【００４３】
自立層は、酸化シリコンとすることができる。あるいは、自立層は、他の材料から形成することができる。例えば、Ｓｉ３Ｎ４や、ＳｉＯｘ や、ＳｉｘＮｙや、ＳｉｘＮｙＯｚ や、Ａｌ２Ｏ３や、ＳｉＣや、サファイアや、ダイヤモンド、等から形成することができる。
【００４４】
自立層の厚さは、実験によって選択することができる。シリコンからなる厚い層上に成膜されたＳｉＯ２ 製の自立層の場合には、以下のような実験を行うことにより、アニール温度に関しての成膜酸化物厚さの影響を評価することができ、自立シリコン層の劈開を得るのに必要な厚さを評価することができる。打込条件は、４００ｎｍ厚さのＳｉＯ２ 製保護のフィルムを通しての、７６ｋｅＶという打込エネルギー、および、６×１０１６ Ｈ＋／ｃｍ２ という照射量とされた。
【００４５】
図３のグラフにおいては、縦軸が、ＳｉＯ２ 製成膜体の厚さｅを示しており、横軸が、アニール温度Ｔを示している。このグラフにおいて示されている曲線は、自立シリコン層の移送を行い得る領域（曲線よりも上側に位置した領域）と、シリコン層上において『ブリスタ』が発生してしまう領域（曲線よりも下側に位置した領域）と、を区分している。
【００４６】
このグラフは、自立式２層構造体の移送を伴った分離（あるいは、剥離）を行い得る温度が、成膜された酸化物の厚さに正に依存することを示している。温度が高くなるほど、酸化物の厚さは、薄くなる。したがって、劈開されるシリコン層の厚さを、この酸化物の厚さに追加する必要がある。したがって、特に、ある特定の温度において劈開を誘起するのに必要な酸化物層の最小厚さを決定することができる。したがって、６００℃において劈開を行い得る『しきい値』厚さは、成膜された酸化物の厚さとして、４μｍ以上であることがわかる。
【００４７】
したがって、成膜された自立層の厚さを制御することによって、薄肉化操作を制御することができる。これにより、成膜層の厚さが『しきい値』厚さよりも薄い場合に発生してしまうような『ブリスタ』の発生および剥離現象を、阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１Ａ】本発明による方法の第１実施形態を示す様々な断面図である。
【図１Ｂ】本発明による方法の第１実施形態を示す様々な断面図である。
【図１Ｃ】本発明による方法の第１実施形態を示す様々な断面図である。
【図１Ｄ】本発明による方法の第１実施形態を示す様々な断面図である。
【図１Ｅ】本発明による方法の第１実施形態を示す様々な断面図である。
【図１Ｆ】本発明による方法の第１実施形態を示す様々な断面図である。
【図２Ａ】本発明による方法の第２実施形態を示す様々な断面図である。
【図２Ｂ】本発明による方法の第２実施形態を示す様々な断面図である。
【図２Ｃ】本発明による方法の第２実施形態を示す様々な断面図である。
【図２Ｄ】本発明による方法の第２実施形態を示す様々な断面図である。
【図２Ｅ】本発明による方法の第２実施形態を示す様々な断面図である。
【図２Ｆ】本発明による方法の第２実施形態を示す様々な断面図である。
【図３】説明のための図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  自立層
２  自立層
１２  脆弱化ゾーン
１３  厚い層
１４  残部
１５  自由面
１６  脆弱化ゾーン
１７  薄層
２０  最終基板
３２  脆弱化ゾーン
３３  厚い層
３４  残部
３６  脆弱化ゾーン
３７  薄層
４０  最終基板
2006527480.tif 000003
2006527480.tif 000004
【図３】
2006527480.tif 000005
【国際調査報告】
2006527480.tif 000006
2006527480.tif 000007
2006527480.tif 000008
2006527480.tif 000009
2006527480.tif 000010
2006527480.tif 000011