(57)【要約】半導体デバイスは、フィールド酸化膜（３２）で充填されたトレンチ（３０）、およびトレンチの下に、トレンチ（３０）の外縁（３６）に沿って第１の主面（８）からｐ−ウェル（６）を通って延び、トレンチの内縁（３４）を過ぎて延びるチャネル・ストッパ・リング（１８）を使用するためのチャネル終端領域を有する。この非対称チャネル・ストッパ・リングは、トレンチ（３０）と同じ距離に延びることができるチャネル（１０）に対する有効な終端を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の主面および第２の主面を有する第１の導電型の半導体基板と、
前記第１の主面に隣接して画定された半導体要素と、
前記半導体要素に面する内面および前記半導体要素に対向する外面を有する、前記第１の主面から前記半導体基板中に延びるトレンチと、
前記トレンチを充填する熱酸化物と、
前記トレンチの前記外面の前記第１の主面から延び、さらに前記トレンチの前記外面から前記内面まで前記トレンチの下に延びる第２の導電型のチャネル・ストップ拡散部と
を備えたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記半導体基板の前記第１の主面中に注入された前記第１の導電型とは反対の第２の導電型のウェルをさらに備え、前記トレンチが、前記第１の主面から前記ウェルを通って前記基板まで延びることを特徴とする、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記半導体要素が第１のトランジスタであり、前記半導体デバイスがさらに、
前記第１のトランジスタに隣接する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタに面する内面および前記第２のトランジスタに対向する外面を有する、前記第１の主面から前記半導体基板中に延びる前記第２のトランジスタの周りの第２のトレンチと、
前記第２のトレンチを充填する熱酸化物とを備え、
前記チャネル・ストップ拡散部が、前記第１および第２のトレンチの各々の下で、前記第１および第２のトレンチの間に前記第１の主面から延びることを特徴とする、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体要素が、長手方向に離間したソース・インプラントとドレイン・インプラントとの間で、前記第１の主面においてチャネル領域を画定する前記ウェル中に前記ソース・インプラントおよび前記ドレイン・インプラントを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタであることを特徴とする、前記請求項の何れかに記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１の主面のチャネル領域上のゲート酸化膜および前記ゲート酸化膜上のゲートを備え、前記チャネル領域が前記トレンチ間に横方向に延びるように、前記ゲート酸化膜および前記ゲートが前記チャネル領域の一方の側の前記トレンチから前記チャネル領域の他方の側の前記トレンチまで前記チャネル領域にかかることを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
第１の主面と第２の主面の間に延びる第１の導電型の基板を提供することと、
要素領域の周りに前記第１の主面から前記要素領域を過ぎて前記基板中に延びるトレンチを形成することと、
前記トレンチを充填する熱酸化物を形成することと、
前記トレンチに沿って、前記要素領域から離れて前記トレンチの中心から外方にずれた第２の導電型のドーパントを注入することと、
前記トレンチの下に延びるように前記ドーパントを拡散することと
を含むことを特徴とする、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項７】
前記第１の主面において前記第１の導電型とは反対の第２の導電型のウェルを注入する工程をさらに含み、
前記要素領域が前記ウェル中に形成され、前記トレンチが前記第１の主面から前記ウェルを通って基板まで延びることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第２の導電型のドーパントを注入する前記工程が、前記要素領域から離れてずれた開口を有するマスクを前記トレンチ上に形成し、次いでマスクを介してチャネル・ストップ・ドーパントを注入することによって行われることを特徴とする、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記マスクが還元ステッパを使用して前記開口を形成するためにパターニングされることを特徴とする、請求項６、７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記要素領域中でその間にチャネル領域を画定する長手方向に離間したソース拡散部およびドレイン拡散部を形成する工程と、
少なくとも前記チャネル領域上にゲート酸化膜層を蒸着する工程と、
前記ゲートの各端部に前記トレンチを有する、前記チャネル領域上に横方向に延びるゲートを前記ゲート酸化膜層上に蒸着する工程と
を含むことを特徴とする、請求項６ないし９の何れかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、チャネル終端構造を有する半導体デバイス、およびチャネル終端構造を製造する方法に関する。
【技術分野】
【０００２】
従来の低電圧ｎチャネル金属酸化物半導体（ｎＭＯＳ）トランジスタのレイアウトを、図１および図２に示す。ｎ＋基板２は、その上に成長したｎ−エピ層４を有する。ｐ−ウェル６は、基板２の第１の主面８およびエピ層４上に形成される。第１の主面８におけるチャネル領域１０は、その上に形成されたゲート酸化膜１２を有する。ポリシリコン・ゲート１６はゲート酸化膜１２上に設けられる。
【０００３】
理解されるように、一般に複数のトランジスタが基板上に設けられ、したがってトランジスタを隣接するトランジスタから分離することが必要である。それを行うための従来の構造は、２つの構成要素、すなわちフィールド酸化膜１４と、ｐ型拡散部１８の形態の強くドープされたチャネル・ストッパ・リングとを有する。フィールド酸化膜１４は、図２においてよりはっきり見えるように、第１の主面８上のチャネル領域１０の周りに横方向に設けられる。強くドープされたｐ型拡散部１８は、フィールド酸化膜の周りに横方向に第１の主面８中に注入される。
【０００４】
Ｎ型ソースおよびドレイン拡散部２０，２２はソースおよびドレインを画定する。バック・ゲート・コンタクト２４は、ｐ−ウェル６に接触する。
【０００５】
動作時、電圧がゲート１６に印加され、電流がソースおよびドレイン拡散部２０，２２間のチャネル領域１０に流れる。フィールド酸化膜１４はゲート酸化膜１２よりも遥かに厚く、したがってしきい電圧はこの領域中で遥かに高いので、フィールド酸化膜１４下の領域中に電流はほとんど流れない。
【０００６】
チャネル・ストッパ・リング１８は、ｎ−チャネルがソースまたはドレイン拡散部２０，２２を他のトランジスタ中の同様のソースまたはドレイン拡散部に接続するのを防ぐ。たとえば、ドレイン領域に重なる金属トラックは、厚いフィールド酸化膜部分のしきい電圧を超え、したがって、チャネルが隣接するトランジスタを一緒に接続させるための十分な正バイアスを有することができる。チャネル・ストッパ・リング１８の強いドーピングは、周辺領域中のしきい電圧を大幅に増加することによって、これを防ぐ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この構造の１つの欠点は、平坦な表面を与えないことである。  
この従来技術の回路でのさらなる顕著な問題は、トランジスタの面積がかなり大きいことである。特に、フィールド酸化膜１４およびチャネル・ストッパ・ウェル１８を含む縁部構造によって占有される面積は、デバイスの面積の大部分である。従来のプロセスの設計規則が、後で蒸着される層における良好な被覆工程を可能にするように、フィールド酸化膜の縁部上の傾斜を可能にするため、フィールド酸化膜の大きい幅、およびフォトレジスト・ストリップがエッチング・プロセス中に外れず十分広くなるように十分な上部コンタクト領域を必要とするので、フィールド酸化膜１４は、特に大きい面積を占有しなければならない。
【０００８】
したがって、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）技法が導入された。ＳＴＩは、トレンチをエッチングし、次いでトレンチの下部にチャネル・ストッパを注入することを含む。次いで蒸着された誘電体層を使用してトレンチを充填する。たとえば、米国特許第6355540号は、まず酸化物および窒化シリコンのハード・マスクを使用してトレンチを画定するプロセスを規定している。次いで、チャネル・ストッパをトレンチの下部に注入する。シリコン窒化酸化物層をトレンチの側壁に形成し、誘電体層を蒸着してトレンチを充填する。次いで、化学機械研磨技法を使用して、余分な誘電体を除去する。これは、必要なチャネル・ストッパを形成するための複雑で高価なプロセス・ルートである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
したがって、隣接する半導体デバイスとそのように製作された半導体デバイスとの間の分離を与えるための半導体デバイスを製造する方法が依然として必要である。
【００１０】
本発明によれば、
対向する第１の主面および第２の主面を有する第１の導電型の半導体基板と、
第１の主面に隣接して画定された半導体要素と、
半導体要素に面する第１の面および半導体基板に対向する第２の面を有する、第１の主面から半導体基板中に延びるトレンチと、
トレンチを充填する熱酸化物と、
第２の面から第１の面までトレンチの下に半導体要素に対向するトレンチの第２の面の第１の主面から延びる第２の導電型のチャネル・ストップ拡散部と
を備えた半導体デバイスが提供される。
【００１１】
したがって、本発明において、トレンチは一般に蒸着された酸化物より品質が高い熱酸化物で再充填される。
【００１２】
従来技術のＳＴＩ構造における浅いトレンチを熱酸化物で簡単に充填することは可能ではないであろう。トレンチの下に直接注入されたチャネル・ストッパを有するトレンチ中に熱酸化物を成長させる場合、熱酸化物はチャネル・ストッパに対してシリコンおよび注入されたドーパントの大部分を消費する。さらに、ドーパントがホウ素である場合、ホウ素は酸化物中に優先的に分離されるであろう。チャネル・ストッパの用量は増加することもできるが、この結果、構成要素に対する活性領域中に側方に拡散するドーパント原子の濃度がより高くなってしまい、これにより接合部漏れ電流の容認できない増加が生じる。この理由で、従来技術の構成は、一般に化学気相蒸着（ＣＶＤ）を使用して蒸着される蒸着酸化物を使用する。そのようなプロセスは、熱酸化物よりも高価であるだけでなく、悪い酸化物を生成する。
【００１３】
本発明の手法のさらなる利点は、トレンチの外側側壁が、比較的強くドープされた、したがって効果的なチャネル・ストッパによって保護されている一方、活性構成要素に隣接するトレンチの側面のドーピング濃度が遥かに低い濃度を有し、したがって活性チャネル領域はチャネル・ストップによって過度に影響されない。
【００１４】
本発明によるチャネル・ストップ拡散部は、フィールド酸化膜層に隣接するチャネル・ストップ拡散部を使用する上述の従来の手法よりも遥かに小さい面積を占有する。
【００１５】
半導体デバイスは、従来の装置を使用して製造することが容易である。好ましくは、基板はシリコンである。
【００１６】
本明細書において、用語「半導体基板」は、基板の表面上に形成されたエピ層またはドープ領域を含むが、基板の表面の局所的領域に形成された反対の導電型のウェルを除くことに留意されたい。
【００１７】
本発明は、第１の導電型の基板中に形成された第２の導電型のウェル中に形成された半導体デバイスに特に適する。これらの構造において、たとえば米国特許第６３５５５４０号における上述のトレンチ分離構造は、所与のドーパント濃度に対して顕著な欠点を有する。事実、これらの従来技術の文献は、それらがそのような構造において適することを示唆していない。
【００１８】
第１に、従来技術の文献におけるチャネル・ストップ拡散部は、ウェル型構造においてチャネル・ストップ拡散部のものとは反対の導電型である領域において、トレンチの下のみに形成される。したがって、従来技術の文献に記載のチャネル・ストップをウェルを通って基板中に延びるトレンチの下に使用した場合、基板中のドーパントの効果はチャネル・ストップ拡散部の効果を高めるよりもむしろ打消す傾向がある。
【００１９】
第２に、チャネル・ストップ拡散部の目的は、チャネルが漂遊電圧によって形成されるのを防ぐことである。大部分はチャネルに対してトレンチの反対側で、チャネル・ストップ拡散部をチャネルから十分離隔させることによって可能な高ドーピングは、この目的を援助する。
【００２０】
第３に、本発明による構成は、半導体要素がトレンチまで真っ直ぐに延びることを可能にする。これは、デバイスの使用可能面積を最大化する。
【００２１】
さらに、半導体要素の特性に悪影響を及ぼすこともあるウェル中のドーパントの高濃度の必要なしに、チャネル・ストップ拡散部の非対称構造はチャネルから離れたトレンチの外側の第１の主面からのドーパントの高濃度があることを可能にする。
【００２２】
好ましい実施形態において、トレンチは構成要素を囲む。これは、トレンチが、たとえば構成要素の３つの側面を囲むことができ、ウェルの縁部が構成要素の第４の側面を終端することができる、まだ可能な、代替構成よりも便利である。
【００２３】
好ましくは、いくつかの半導体要素が設けられる。したがって、上述の構成要素およびトレンチ構成と同様に、第１の構成要素に隣接する第２の構成要素、第２の構成要素に面する第１の側面および第２の構成要素に対向する第２の側面を有する、第１の主面から半導体基板中に延びる第２の構成要素の周りの第２のトレンチ、および第２のトレンチを充填する絶縁体をさらに設けることができる。チャネル・ストップ拡散部は第１および第２のトレンチの各々の下の、第１および第２のトレンチ間の第１の主面から延びる。トレンチおよびチャネル・ストップ拡散部は、第１の構成要素を第２の構成要素から効果的に電気的に分離し、第１および第２の構成要素間のチャネル・ストップ拡散部の共用は使用される面積を最小化する。
【００２４】
半導体要素は、好ましくは長手方向に離間したソース・インプラントとドレイン・インプラントとの間の第１の主面において、チャネル領域を画定するウェル中にソース・インプラントおよびドレイン・インプラントを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタである。
【００２５】
ウェル中に形成されたＦＥＴを有する構造における重要な問題は、そのベースがウェル、エミッタを形成するソースおよびドレインの一方、ならびにコレクタを形成する基板である寄生バイポーラ・トランジスタの存在である。フィールド酸化膜領域は、その形成中にウェルからドーパントを吸い出し、これがウェル中のドーパント濃度を下げる。これは、ウェルにおける空乏領域がソースまたはドレイン拡散部に貫通する場合、寄生バイポーラ・トランジスタにおける破壊を生じることがある。本発明によるチャネル・ストップ拡散部はトレンチの下に延び、フィールド酸化膜形成中にウェルから吸い出されるドーパントを交換し、ウェルとソースまたはドレインとの間のあらゆる所与の電圧に対して空乏領域のサイズを縮小し、したがって、そのような破壊の危険を低減することによって、この効果を防ぐのを援助する。
【００２６】
構成要素として絶縁ゲート・トランジスタを形成するために、第１の主面のチャネル領域上のゲート酸化膜およびゲート酸化膜上のゲートを備えることができ、ゲート酸化膜およびゲートは、チャネル領域がトレンチ間を横方向に延びるように、チャネル領域の一方の側のトレンチからチャネル領域の他方の側のトレンチまでのチャネル領域にかかる。これはチップ面積の最大利用を可能にする。対照的に、「鳥のくちばし」フィールド酸化膜層を使用する従来技術の手法では、「鳥のくちばし」の「くちばし」とは、終端構造に隣接するチャネルの縁部が効果的に使用されないように、チャネルの中心から離れたしきい電圧の遅い増加があることを意味する。
【００２７】
上述のソースおよびドレイン・インプラントは第１のＭＯＳトランジスタを構成する。さらなるＭＯＳトランジスタを形成するさらなるソースおよびドレイン・インプラントを形成し、トレンチおよびチャネル・ストップ拡散部によって同様に囲むことができる。隣接するトランジスタに対して形成されるチャネル・ストップ拡散部は共用することができ、したがって、１つの拡散部は、隣接するトランジスタの両方に対するチャネル・ストップ拡散部として働くように、２つの隣接するトランジスタのトレンチの間に形成することができる。
【００２８】
別の態様において、第１の主面と第２の主面の間に延びる第１の導電型の基板を提供することと、
第１の主面から基板中に延びるトレンチを構成要素領域の周りに形成することと、
トレンチを充填する熱酸化物を形成することと、
構成要素領域に対向するトレンチの外縁に沿って、ただしチャネル領域に面するトレンチの内縁には沿わずに第２の導電型のドーパントを注入することと、
トレンチの下に延びるようにドーパントを拡散することと
を含む、半導体デバイスを製造する方法を提供する。
【００２９】
本製造方法は既存のプロセスと容易に適合可能である。
【００３０】
本方法は、好ましくは第１の主面において第１の導電型とは反対の第２の導電型のウェルを注入する工程をさらに含む。この場合、構成要素はウェル中に形成することができ、トレンチはウェルを通って基板中に延びることができる。
【００３１】
第２の導電型のドーパントを注入する工程は、トレンチの上に構成要素領域から離れてずれた開口を有するマスクを形成することによって行うことができる。次いで、マスクを使用してチャネル・ストップ・ドーパントを注入することができる。
【００３２】
ドーパントを拡散する工程は、熱処理を使用して便利に行うことができる。そのような熱処理工程はいかなる場合でも必要であり、したがってドーパントを拡散する工程はしばしばプロセスに工程を追加しない。
【００３３】
チャネル・ストップ拡散部用のマスクは、非常に小さいデバイスを製造することができるように還元ステッパ技法を使用して形成することができる。
【００３４】
本発明のよりよい理解のために、次に添付の図面を参照ながら単に例として従来技術の構造および本発明の実施形態について説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図３は、本発明による横方向ｎＭＯＳ電界効果トランジスタを示す。ｎ＋シリコン基板２の上のｎ−エピ層４は、第１の主面８においてその中に形成されたｐ−ウェルを有する。第１の主面８におけるチャネル領域１０は、その上に形成されたゲート酸化膜１２を有し、ポリシリコン・ゲート１６はゲート酸化膜の上に形成される。トレンチ３０は、チャネル領域１０の何れかの側面に設けられ、熱フィールド酸化膜３２で充填される。チャネル・ストップ拡散部１８は、チャネル領域１０から離れて面するトレンチ３０の外縁３６の下に、第１の主面８から延びて形成される。拡散部１８は、トレンチ３０の内縁３４と同じ距離だけトレンチ３０の下に延びる。ポリシリコン・ゲート１６は、トレンチ３０の内縁３４に重なることに留意されたい。パッシベーション層３８が、デバイスを完成するために、これらの構成要素の上に設けられる。図３は、さらにｐ−ウェル６の横方向縁部に配置されるフィールド酸化膜層１４を示す。
【００３６】
次に、この構造の製造について、図４〜図６を参照しながら説明する。第１に、ｎ−エピ層４をｎ＋基板２上に成長させる。次いで、ｐ−ウェル・インプラント４０をエピ層４の上の第１の主面８中に注入する。次いで、図４に示される構造をもたらすためにエッチングによってトレンチ３０を形成する。本例において、トレンチは深さ２μｍおよび幅１μｍである。次いで、熱フィールド酸化を第１の主面８上だけでなく、トレンチ３０内にも行って熱酸化物（フィールド酸化膜）５０を形成する。フィールド酸化の工程は、図４および図５の比較によって確認することができるように、ｐ−ウェル６中のドーピング・プロファイルを画定するためにｐ−ウェル・インプラント４０を拡散する。次いで、平坦化エッチを行って第１の主面８上のフィールド酸化膜５０を除去し、トレンチ３０内のフィールド酸化膜３２ならびにｐ−ウェル６の外側の周りのフィールド酸化膜１４を残す。
【００３７】
次に、還元ステッパを使用してレジスト６０を蒸着およびパターニングして、図６に示すようにトレンチ３０に整合するが、トレンチ３０からわずかに外方にずれた開口６２を残す。開口６２は、トレンチ３０の外縁３６、すなわちチャネル領域１０から離れて面する縁部の上に配置されるが、チャネル領域１０に面する内縁３４と同じ距離までは延びない。次いで、ホウ素６４をレジスト６０の貫通孔６２に注入して、チャネル・ストップ拡散部を設ける。ホウ素は、１×１０１４〜１×１０１５原子平方センチの用量で注入される。後の熱処理中、注入されたホウ素６４は、図３に示すように拡散部がポリシリコン・ゲート１６によって覆われた領域の下を短い距離延びるように、トレンチの内縁３４の下のトレンチ３０の先および下に拡散する。側方拡散部は、フィールド酸化プロセス中に、ｐ−ウェル６から吸い出されたホウ素を交換する。
【００３８】
図７は、図７ａにおいて図１および図２の従来技術のデバイスによって占有された面積を示し、図７ｂにおいて本発明によるデバイスによって占有された同じ縮尺の面積を示す。新しいデバイスによって取られる非常に小さい面積があることに留意されたい。これは、部分的には、フィールド酸化膜３２およびチャネル・ストッパ・リング１８によって形成された縁部終端構造に必要なサイズが小さいためであり、これは、ポリシリコン・ゲート１６、したがってチャネル領域１０がトレンチ３０まで真っ直ぐに延びることができることによって助けられる。事実、ポリシリコン・ゲート１６は、以前に図３に示したように、トレンチ３０の内縁３４に重なる。
【００３９】
上の図は、単一のトランジスタのみを示す。しかし、実際には、多くのトランジスタがｐ−ウェル６中に形成することができることを理解されたい。図８はこれを示し、いくつかのトランジスタ８０が形成され、各々はトレンチ３０の外側および下に配置されたチャネル・ストッパを有するトレンチ３０に囲まれたソースおよびドレイン拡散部２０，２２を有する。隣接するトレンチ３０間の領域８４において、単一の拡散部１８が隣接するトランジスタ８０のためのチャネル・ストップ１８として機能することに留意されたい。図８は２つのトランジスタを示すが、実際にはより多くすることができる。
【００４０】
使用時、トレンチ３０中のフィールド酸化膜３２とチャネル・ストッパ・リング１８との組合せは、ｐ−ウェル６中に配置されたｎ型トランジスタの効果的分離部を形成する。
【００４１】
拡散部１８はトレンチ３０の内縁３４の下に延び、これはフィールド酸化中にこの領域中のｐ−ウェル６から吸い出されるホウ素を交換する。これは、そのベースにｐ−ウェル６、そのエミッタにソースまたはドレイン拡散部２０，２２およびそのコレクタに基板２およびエピ層４を有する寄生電界効果トランジスタの破壊される機会を少なくする。チャネル・ストップ拡散部は、トレンチに隣接するＰ−ウェル６ベース領域中のホウ素ドーピングを高めるために必要である。熱酸化プロセス中、Ｐ−ウェル拡散のホウ素は部分的にフィールド酸化膜中に分離する。ホウ素のこの損失は、寄生垂直バイポーラ・トランジスタのベースであるＰ−ウェル拡散部中の抵抗を増加させる。たとえば高いｄＶ／ｄｔがそのコレクタ・ベース接合部に印加された場合、このバイポーラは決してオンにならず、さもなければ恒久的損傷がデバイスに起こり得ることが非常に重要である。チャネル・ストップ拡散部はホウ素空乏Ｐ−ウェル領域中に延び、寄生バイポーラの局所ベース抵抗およびゲインを効果的に低減する。
【００４２】
チャネル・ストップ・インプラントは、標準のフォトリソグラフィ技法を使用して容易に画定することができるパターン・レジスト層を使用してマスクすることができ、他の特別なマスキング構成または材料は不要である。チャネル・ストップ拡散部は活性チャネル領域中のシリコンの表面には達せず、したがって構成要素の局所しきい電圧および有効チャネル幅に偏差を導入することを回避する。これは、電流ミラーおよび比較器回路中に使用されるｎＭＯＳトランジスタなどの構成要素の良好な一致を確実にする。
【００４３】
本開示を読めば、他の変更および改変が当業者に明らかになろう。そのような変更および改変は、半導体デバイスの設計、製造および使用においてすでに知られており、本明細書で説明する特徴に加えて、または代わりに使用することができる等価または他の特徴を含むことができる。本出願において、特許請求の範囲が、構成要件の特定の組合せに対して作成されているが、開示の範囲は、本発明で行っているのと同じ技術問題の何れかまたはすべてを軽減するかどうかにかかわりなく、明示的または黙示的に本明細書で開示される新規の構成要件または構成要件の新規の組合せあるいはその一般化をも含むことを理解されたい。出願人らは本明細書によって、本出願またはそこから派生するさらなる出願の実行中に新規の特許請求の範囲をそのような構成要件およびそのような構成要件の組合せの少なくとも一方に対して作成することができるという通知を与える。
【００４４】
上記は、ｐ−ウェル中のｎ−チャネル・デバイスに関して説明したが、当業者は同じ技法がｎ−ウェル中のｐ型トランジスタ、事実、基板中に直接形成されるｐまたはｎ−チャネル・デバイスに使用することができることを容易に理解するであろう。さらに、コンパクトな終端構造は、ｐＭＯＳトランジスタ、拡散「ｎ」型抵抗、拡散「ｐ」型抵抗、バルク・シリコンのダイオード、ｐｎおよびｐｎｐバイポーラ・トランジスタおよびコンデンサを含む、単なるトランジスタではない、ｃＭＯＳおよび他の回路に使用される多くの他の型の構成要素に適用することができる。形成される構成要素の型に応じて、当業者は適切なドーパント型をチャネル・ストッパ・リングに使用しなければならないことを認識するであろう。たとえば、横方向ｐＭＯＳトランジスタは、上記のようなｐドーパントの代わりに、チャネル・ストッパに対して燐などのｎドーパントを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】従来技術のトランジスタ構造の断側面図である。
【図２】図１の従来技術の構造の平面図である。
【図３】本発明によるトランジスタ構造の第１の実施形態の断側面図である。
【図４】図３の半導体デバイスの製造における段階を示す断側面図である。
【図５】図３の半導体デバイスの製造における段階を示す断側面図である。
【図６】図３の半導体デバイスの製造における段階を示す断側面図である。
【図７】図１および図３によるデバイスによって占有される相対的な面積を示す比較平面図である。
【図８】２つのトランジスタを有する本発明の第２の実施形態を示す図である。
【図１】
2006505943.tif 000003
【図２】
2006505943.tif 000004
【図３】
2006505943.tif 000005
【図４】
2006505943.tif 000006
【図５】
2006505943.tif 000007
【図６】
2006505943.tif 000008
2006505943.tif 000009
【図８】
2006505943.tif 000010
【国際調査報告】
2006505943.tif 000011
2006505943.tif 000012
2006505943.tif 000013