(57)【要約】高ｋ誘電体を製造する方法が提供される。この方法は、高ｋ誘電体層が上に堆積された基板を処理チャンバ内に設け、窒素含有ガスを該処理チャンバ内に導入し、窒素を該高ｋ誘電体層内に取り込むステップを含む。１つの実施形態において、窒素含有ガスは、処理チャンバの外部に配置された源からの窒素プラズマガスである。窒素プラズマガスは、約２０秒から８０秒までの時間にわたって０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍまでの流速で処理チャンバ内に導入される。別の実施形態において、処理チャンバは、約１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒまでの圧力、及び約２００℃から７００℃までの範囲のウェーハ温度で維持される。原子層蒸着、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、噴射蒸着（ＪＶＤ）、エーロゾル熱分解、又はスピン・コーティングによって、基板上に予め堆積された高ｋ誘電体膜を形成することができる。
2006505954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高ｋ誘電体膜を形成する方法であって、
高ｋ誘電体膜が上に堆積された基板を処理チャンバ内に準備する工程、及び、
窒素含有ガスを前記処理チャンバ内に導入し、窒素を前記高ｋ誘電体膜内に取り込む工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記窒素含有ガスが、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、及びこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記窒素含有ガスが、不活性ガスをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記不活性ガスが、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2、及びそれらの任意の混合物を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記窒素含有ガスが窒素プラズマを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記窒素プラズマが前記処理チャンバの外部の源から導入されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記窒素含有ガスが、約２０秒から１８００秒の時間にわたって０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍまで、ほぼ線形に前記処理チャンバ内に導入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記処理チャンバが、約１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒまでの範囲の圧力、及び約２００℃から７００℃までの範囲の温度で維持されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記処理チャンバが約３００℃から６００℃までの範囲の温度で維持されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記高ｋ誘電体膜が、金属酸化物又は金属シリケートを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物が酸化ハフニウムを含み、前記金属シリケートがハフニウムシリケートを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記高ｋ誘電体膜が、原子層蒸着、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、噴射蒸着（ＪＶＤ）、エーロゾル熱分解、又はスピン・コーティングによって堆積されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
原子気相蒸着チャンバにおいて実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
急速熱処理チャンバにおいて実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ホットウォール型単一ウェーハの急速熱処理チャンバにおいて実行されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
高ｋ誘電体膜を形成する方法であって、
高ｋ誘電体膜が上に堆積された基板を処理チャンバ内に準備する工程、及び、
窒素プラズマガスを前記処理チャンバ内に導入し、窒素を前記高ｋ誘電体膜内に取り込む工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
高ｋ誘電体膜を形成する方法であって、
高ｋ誘電体膜が上に堆積された基板を急速熱処理チャンバ内に準備する工程、及び、
窒素含有ガスを前記処理チャンバ内に導入し、窒素を前記高ｋ誘電体膜内に取り込む工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
高ｋ誘電体膜を形成する方法であって、
基板を第１の処理チャンバ内に準備する工程、
前記第１の処理チャンバにおいて、前記基板の表面を交互に第１及び第２のガスと反応させる工程を含む原子層蒸着によって、高ｋ誘電体膜を該基板上に形成する工程、
前記高ｋ誘電体膜が上に堆積された前記基板を第２の処理チャンバ内に移動させる工程、及び、
窒素プラズマガスを前記第２の処理チャンバ内に導入し、窒素を前記高ｋ誘電体膜内に取り込む工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
高ｋ誘電体膜を形成する方法であって、
ハフニウム含有高ｋ誘電体膜が上に堆積された基板を処理チャンバ内に準備する工程、及び、
窒素含有ガスを前記処理チャンバ内に導入し、窒素を、前記ハフニウム含有高ｋ誘電体膜内に取り込む工程、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、半導体の分野に関する。より具体的には、本発明は、半導体デバイスを製造するための高ｋ誘電体の窒化物形成に関する。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２００２年１１月８日に出願された米国仮特許出願番号第６０／４２４，８９１号に基づく優先権を主張するものであり、この特許の開示は、引用によりここに組み入れられる。
【背景技術】
【０００２】
将来のデバイスの大きさは、極端に減少するので、従来の酸化シリコン（ＳｉＯ2）に代わるゲート誘電体の使用が、積極的に求められている。ハフニウム・ベースの誘電体は、高い誘電定数（ｋが約２０である）及びシリコン基板と接触した熱安定性のために、有望な候補者と考えられてきた。従来技術のハフニウム・ベースの誘電体の１つの問題は、堆積後の熱処理における高ｋゲート・スタックのプロセス統合中に、誘電体と基板との間に望ましくない界面の酸化シリコン（ＳｉＯx）が形成されることである。
【０００３】
近年、Ｈｆ−Ｏ−Ｎ及びＨｆ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎの構造を有するハフニウム・ベースの高ｋ誘電体を含む窒素が、報告された。これらの窒素を含むハフニウム・ベースの誘電体は、ＨｆＯ2及びＨｆ−Ｓｉ−Ｏの構造を含む窒素を含まないハフニウム・ベースの誘電体のようなものより、良好な電気特性及び熱安定性を有する。しかしながら、ハフニウム・ベースの誘電体を含む窒素の製造は非常に困難である。従来技術の方法は、一般に、高い真空度及び処理温度を必要とする。したがって、高ｋ誘電体の製造におけるさらなる発展が必要とされる。
【発明の開示】
【０００４】
高ｋ誘電体を製造する方法が提供される。一般に、この方法は、高ｋ誘電体層が上に堆積された基板を処理チャンバ内に設け、窒素含有ガスを該処理チャンバ内に導入し、窒素を該高ｋ誘電体層内に取り込むステップを含む。１つの実施形態において、窒素含有ガスは、処理チャンバの外部の源からの窒素プラズマガスである。窒素プラズマガスは、約２０秒から８０秒までの時間にわたって０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍまで、ほぼ線形に処理チャンバ内に導入される。別の実施形態において、処理チャンバは、約１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒまでの圧力、及び約２００℃から７００℃までの範囲のウェーハ温度で維持される。原子層蒸着、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、噴射蒸着（ＪＶＤ）、エーロゾル熱分解、又はスピン・コーティングによって、基板上に予め堆積された高ｋ誘電体膜を形成することができる。
【０００５】
１つの実施形態において、高ｋ誘電体膜が上に堆積された基板が、急速熱処理チャンバ内にロードされる。窒素含有ガスが急速熱処理チャンバ内に導入され、熱処理中に窒素を高ｋ誘電体膜内に取り込む。窒素含有ガスは、窒素、アンモニア、窒素とアンモニアの混合物、任意に不活性ガスを含む。
別の実施形態において、高ｋ誘電体膜が、基板の表面を２つの前駆ガスと交互に反応させることを含む原子層蒸着によって、第１のチャンバにおいて基板上に堆積される。次に、高ｋ誘電体が上に堆積された基板は、第２の処理チャンバに移動される。窒素プラズマガスが第２の処理チャンバ内に導入され、窒素を高ｋ誘電体膜内に取り込む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明は、本発明の詳細な説明及び添付図面を読むときに、より明瞭に理解されるであろう。
本発明は、窒素含有ガスを用いて高ｋ誘電体を窒化処理する方法を提供するものである。一般に、この方法は、高ｋ誘電体層が上に堆積された基板を処理チャンバ内に設け、窒素含有ガスを該処理チャンバの中に導入し、窒素を高ｋ誘電体層内に取り込むステップを含む。
最初に基板上に堆積される高ｋ誘電体は、金属酸化物又は金属シリケートとすることができる。金属酸化物の高ｋ誘電体の例には、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）が含まれる。金属シリケートの高ｋ誘電体の例には、ハフニウムシリケート（Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ）が含まれる。金属酸化物及び金属シリケートは、これらに限られるものではないが、化学気相成長法（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、噴射蒸着（ＪＶＤ）、エーロゾル熱分解、及びスピン・コーティングといった、いずれかの蒸着方法によって、シリコン基板上に堆積させることができる。
【０００７】
１つの実施形態において、原子層蒸着（ＡＬＤ）を用いて、高ｋ誘電体を基板上に堆積させることができる。望ましくない界面の酸化シリコンの形成を抑制するのに適した比較的低い温度で、ＡＬＤを行うことができる。ＡＬＤは、相対的に高い前駆体利用効率を有し、実質的にコンフォーマルな薄膜層を生成することができる。より有利なことに、ＡＬＤ技術は、原子レベルで膜厚を制御することができ、複雑な薄膜を「ナノ設計する」ために用いることができる。ＡＬＤプロセス・サイクルにおいては、各々の反応ガスが、別個に反応チャンバ内に導入されるので、気相の混合は生じない。第１の反応物の単分子層は、基板表面上に物理吸着又は化学吸着される。余分な第１の反応物は、好ましくは不活性パージガスの助けにより排出される。次に、第２の反応物が反応チャンバに導入され、自己制御式表面反応を介して、第１の反応物と反応し、所望の薄膜の単分子層を形成する。初めに吸着された第１の反応物が第２の反応物と完全に反応すると、自己制御式反応は停止する。余分な第２の反応物は、好ましくは不活性パージガスの助けにより排出される。必要に応じて蒸着サイクルを繰り返すことによって、所望の膜厚を得ることができる。膜厚は、単に蒸着サイクルの数を数えることによって、原子層の精度まで制御することができる。例えば、金属酸化物の高ｋ誘電体膜を基板上に堆積させるために、金属前駆体及び酸素含有ガスを、別個に原子層蒸着チャンバ内に導入し、交互に該基板の表面に反応させることができる。
【０００８】
本発明に用いられる窒素含有ガスは、窒素、アンモニア、又は窒素とアンモニアの混合物を含む。１つの実施形態において、窒素含有ガスは、これらに限られるものではないが、アルゴン及びヘリウムのような不活性ガスを含む。別の実施形態において、窒素含有ガスは、窒素プラズマを含む。窒素プラズマガスは、市販のプラズマ源からのものとしてもよく、或いは処理チャンバの外部に配置されたプラズマ生成装置から生成することもできる。プラズマ生成装置を用いる実施形態においては、最初にアルゴン・ガスを該プラズマ生成装置内に導入し、プラズマを点火させることができる。プラズマが生成されると、窒素ガスが生成装置内に導入され、窒素プラズマを生成する。
窒素含有ガスは、適切な流速で処理チャンバ内に導入される。１つの実施形態において、窒素含有ガスの流速は、約２０秒から１８００秒の時間にわたって０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍまでほぼ線形に増大する。
【０００９】
高ｋ誘電体の窒化物形成が行われる処理チャンバは、約１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒまでの範囲の圧力及び約２００℃から７００℃までの範囲のウェーハ温度で維持される。１つの実施形態において、処理チャンバの圧力は、約５Ｔｏｒｒで維持される。別の実施形態において、処理チャンバは、約３００℃から６００℃までの範囲のウェーハ温度で維持される。
１つの実施形態において、高ｋ誘電体が上に堆積された基板が、窒化物形成のために処理チャンバ内に移動される前に、まずロードロック・チャンバ内にロードされる。窒素のようなパージガスが、ロードロック・チャンバ内に導入され、前の蒸着段階に用いられた酸素のような残りの反応ガスを取り除く。
【００１０】
図１は、本発明の方法を実行するために用い得る反応システムの概略的な図である。図１は、例証のために提供されるものであり、どのような方法であれ、本発明を制限するように意図されるものではない。例えば、本発明の窒化物形成プロセスは、その開示が引用によりここに組み入れられる米国特許第６，３００，６００号、第６，４６２，３１０号、及び第６，４９２，６２１号に記載されるように、急速熱処理チャンバにおいて実行することができる。代替的に、本発明の窒化物形成プロセスは、その開示が引用によりここに組み入れられる、２００３年１０月１５日に出願された米国特許出願番号第        号（代理人整理番号Ａ−７１７３１号）に記載されるように、原子層蒸着チャンバにおいて実行することができる。
【００１１】
図１を参照すると、この実施形態において、システム１２が、窒化物形成が行われる処理チャンバ１０を含む。ウェーハ１３が、チャック支持体１５上に支持される。窒素プラズマ源１４は、一般に、チャンバ１２の外側に設けられ、窒素プラズマガスをチャンバ内に供給する。プラズマ源１４は、分子窒素を解離して原子窒素を形成するプラズマ生成装置とすることができる。「遠隔プラズマ」という用語は、処理チャンバの外部に配置されたプラズマ源を説明するものとしてここに用いられる。こうしたプラズマ生成装置の一例は、マサチューセッツ州、Ａｎｄｏｖｅｒ所在のＭＫＳ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から入手可能なＡＳＴＲＯＮプラズマ生成装置である。反応システムの一例は、カリフォルニア州、Ｓｃｏｔｔｓ  Ｖａｌｌｅｙ所在のＡｖｉｚａ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｉｎｃ．社から入手可能なＡＰＮｅｘｔ蒸着システムである。
【００１２】
ガスは、ガス供給噴射装置１６を介して処理チャンバ１２に運ばれる。１つの実施形態において、最初にアルゴンが、プラズマ生成装置１４及び処理チャンバ１２を通して流され、プラズマを点火させる。プラズマが点火されると、窒素が、プラズマ生成装置１４及び処理チャンバ１２を通って流される。１つの実施形態において、窒素の流速は、約２０秒から１８００秒までの時間にわたって、０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍまで、ほぼ線形に増大する。窒化物形成プロセス中、処理チャンバ１２は、約１Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒまでの範囲の圧力及び２００℃から７００℃までの範囲のウェーハ温度で維持される。誘電体膜が上に配置されたウェーハ１３が、処理チャンバ１２内に置かれ、十分な時間だけ窒素プラズマに曝される。本発明は、特定の理論に制限されるものではなく、反応性原子窒素は、例えば、基板上に堆積されたハフニウムシリケートと反応し、窒化ハフニウムシリケートを形成すると考えられる。ハフニウムシリケートとの原子窒素の反応は、熱的に活性化され、膜内において酸素を窒素に置き換える。窒化物形成プロセスが完了した後、窒素プラズマ源１４のスイッチが切られ、パージガスを用いて処理チャンバ１２がパージされる。
【００１３】
以下の実施例は、本発明の方法を例証するために提供されるものであり、本発明の範囲を制限するように意図されるものではない。
【実施例１】
【００１４】
この実施例は、図１に示されるような反応システム１０において実行された本発明の方法を示すものである。５０Åの酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）が上に堆積されたウェーハ１３が、ロードロック・チャンバ（図１に図示されていない）内に置かれた。残りの酸素（Ｏ2）及び他の反応ガスを取り除くために、ロードロック・チャンバが、約１００Ｔｏｒｒと大気圧の範囲の圧力で、Ｎ2のような不活性ガスを用いて３回サイクルパージされた。
【００１５】
パージ後、ウェーハ１３が、約１００Ｔｏｒｒの圧力で維持された処理チャンバ１２内にロードされた。ウェブ１３は、ウェーハのチャック支持体１５上に支持され、クランプされた。ウェーハの温度は、約３００℃から６００℃までの範囲に維持された。
チャンバの圧力は、約２Ｔｏｒｒまで下げられた。アルゴン・ガスが、約１０．８ｓｌｍの流速で、プラズマ生成装置１４及び処理チャンバ１２を通して流された。アルゴン・ガスが流れる間、プラズマが点火された。
【００１６】
次に、窒素含有ガスが、プラズマ生成装置１４を通して流された。窒素含有ガスの流速は、約２０秒にわたって０ｓｃｃｍから１６７０ｓｃｃｍまで線形に増大された。アルゴン・ガス及び窒素プラズマガスが、噴射装置１６によってウェーハ１３の上に導入された。これらに限られるものではないが、線形噴射装置及びシャワーヘッド型噴射装置のような、いずれのタイプの噴射装置を用いることもできる。本実施形態においては、その開示が引用によりここに組み入れられる米国特許第６，５２１，０４８号に記載されるような、線形タイプの噴射装置が用いられた。処理チャンバ１２内の圧力は、アルゴン・ガス及び窒素プラズマガスが流れる間、約５Ｔｏｒｒで維持された。
【００１７】
プラズマ窒化物形成中、ウェーハが、合計６００秒間、約１３．１ｍｍ／秒の速度で２０回だけ、プロセス開始位置とプロセス終了位置との間で並進された。
次に、プラズマ生成装置１４のスイッチが切られ、窒素パージガスを用いて、処理チャンバ１２が約１００Ｔｏｒｒの圧力まで回復された。
以下の表１は、この実施例に用いられた処理条件を概説する。
表１
2006505954.tif 000003
【００１８】
表２は、この実施例に従って酸化ハフニウムを窒化処理することによって生成された窒素を含むハフニウム・ベースの膜（Ｈｆ−Ｏ−Ｎ）が、良好な電気特性を有することを示す。結果として得られた膜は、水銀プローブ（接触面積：９．４×１０-5ｃｍ2）を用いて測定された。サンプル膜は、低い漏れ電流密度（４．０×１０-7Ａ／ｃｍ2）を有する低いＴｏｘ（１７．４Å）を実証した。この実施例の結果が、２から３桁のオーダー高い、望ましくない漏れ電流密度を示したアルゴン・プラズマ処理されたウェーハ及び「チャックだけ」加熱された（熱処理された）ウェーハと比較された。
表２
2006505954.tif 000004
【００１９】
図２は、本発明の１つの実施形態に従って窒素プラズマにより処理された酸化ハフニウム膜の深さプロファイルを示すＳＩＭＳプロットである。ＳＩＭＳ分析は、窒素原子が、５７０℃のウェーハ温度で５０ÅのＨｆＯ2膜内に取り込まれたことを実証した。
図３は、本発明の１つの実施形態に従って窒素プラズマにより処理されたベア・シリコン・ウェーハの深さプロファイルを示すＳＩＭＳプロットである。図３は、シリコン基板の上部層における窒素の取込みを明瞭に示す。シリコン基板は、窒素プラズマ処理の３０分以内にフッ化水素（ＨＦ）を用いてエッチングされた。
図２及び図３は、比較的低温で、窒素プラズマを用いて、窒素原子を酸化ハフニウム膜及びシリコン基板の両方に取り込むことができることを実証した。
【実施例２】
【００２０】
この実施例は、ハフニウムシリケートの窒化物形成のための、原子層蒸着チャンバにおいて実行される本発明の方法を示す。
まず、ウェーハがロードロック・チャンバ内にロードされた。ロードロック・チャンバは、ウェーハがＡＬＤチャンバ内に移動される前に真空にされた。
ウェーハが第１のＡＬＤチャンバに移動され、ハフニウムシリケート膜（ＨｆxＳｉ1-xＯ2、ここでｘ＝０．２−０．９）を該ウェーハ上に堆積させる。ハフニウム前駆体及びシリコン前駆体が、別個にＡＬＤチャンバ内に導入され、ウェーハの表面と交互に反応し、５０Åの厚さを有するハフニウムシリケート層を形成した。
【００２１】
次に、５０Åのハフニウムシリケートが上に堆積されたウェーハが、真空下で、ハフニウムシリケートの窒化物形成のための第２のＡＬＤチャンバに移動された。図４は、ハフニウムシリケートの窒化物形成のための、この実施例に用いられたＡＬＤチャンバ４００の概略的な図である。窒化物形成プロセスの前に、ウェーハ４０１が、サセプタ４０２上で約３０秒から３００秒までの時間にわたって処理温度まで予熱された。１つの実施形態において、ウェーハは約６０秒間予熱された。
【００２２】
次に、プロセスガスが、４０ｍｍの直径を有するチューブを通して、プラズマ生成装置４０３の中と、ウェーハ上の領域に導入された。チューブの直径は、遠隔プラズマ源内部で低圧を維持するのに十分に大きいものにすべきである。プロセスガスは、源４０４からの窒素、源４０６からのアンモニア、及び任意に、これらに限られるものではないが、Ａｒ、Ｈｅ、又は源４０５からの他の不活性ガスのような不活性ガスを含むことができる。代替的に、プロセスガスは、窒素含有ガスだけから構成される。この特定の実施例においては、プロセスガスは、アルゴン及び窒素を含むものであった。Ａｒの流量は約０ｓｃｃｍから３００ｓｃｃｍまでであり、Ｎ2の流量は約６０ｓｃｃｍから２ｓｌｍまでである。ガス圧は、約９０ｍＴｏｒｒから１Ｔｏｒｒまでであり、ガス流量、ポンピング速度、及びスロットル弁位置によって維持された。
【００２３】
窒素プラズマは、プラズマ源４０３のスイッチを入れることによって第２のＡＬＤチャンバ内に導入された。窒素プラズマ流の時間は、約５分から３０分までであった。この実施例に用いられるプラズマ源４０３は、市販のプラズマ生成装置によって生成された。
窒化物形成の終わりに、プラズマ源４０３及びプロセスガスのスイッチが切られる。チャンバ４００は、ベース圧力（＜１ｍＴｏｒｒ）まで排気され、ウェーハ４０１はロードロック・チャンバ（図４に図示されていない）に移動された。
【００２４】
表３は、この実施例に用いられる処理条件を概説する。
表３
2006505954.tif 000005
【００２５】
表４は、この実施例に説明された方法により形成されたＨｆＳｉＯ膜内に取り込まれた窒素のレベルを示す。窒素の測定は、ＸＰＳによって完了された。
表４
2006505954.tif 000006
この結果は、著しいレベルの窒素をＨｆＳｉＯ2内に取り込むことができ、このレベルは、処理条件に基づいて制御できることを実証する。
【実施例３】
【００２６】
この実施例は、ハフニウムシリケートの窒化物形成のためのホットウォール型単一ウェーハの急速熱処理チャンバにおいて実行された本発明の方法を示す。
ウェーハは、まず、５０Åの厚さを有するＨｆＳｉＯ2膜で被覆された。このＨｆＳｉＯ2膜は、約５０％のＨfを含んでいた。
次に、５０ÅのＨｆＳｉＯ2を有するウェーハが、ＮＨ3含有ガスを用いる窒化物形成のためのホットウォール型単一ウェーハの急速熱処理チャンバ内にロードされた。表５は、窒化物形成の処理条件及びＨｆＳｉＯ2膜内に取り込まれた窒素の原子パーセントを概説する。
表５
2006505954.tif 000007
【００２７】
図５は、熱による窒化物形成によって処理されたＨｆＳｉＯｘ膜の深さプロファイルを示すＳＩＭＳプロットである。この結果は、高レベルの窒素をＨｆＳｉＯｘ膜内に取り込むことができることを示す。
本発明の特定の実施形態及び実施例の上記の説明は、例証及び説明のために示されるものであり、本発明は上記の特定の例によって示されたが、本発明がそれらによって制限されると考えるべきではない。これらの例は、本発明を網羅するものとして、又はその開示された形態に制限するように意図されるものではなく、上記の教示に鑑みて、明らかに、多くの修正、実施形態、変形が可能である。本発明の範囲は、ここに開示された、添付の特許請求の範囲によるような一般的領域及びそれらの均等物を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の１つの実施形態による、高ｋ誘電体の窒化物形成のために用い得る反応システムの概略的な図である。
【図２】本発明の１つの実施形態による、窒素プラズマガスによって処理された酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）膜の深さプロファイルを示すＳＩＭＳプロットである。
【図３】本発明の別の実施形態による、窒素プラズマによって処理されたベア・シリコン・ウェーハの深さプロファイルを示すＳＩＭＳプロットである。
【図４】本発明の１つの実施形態による、高ｋ誘電体の窒化物形成のために用い得るＡＬＤチャンバの概略的な図である。
【図５】本発明の１つの実施形態による、熱による窒化物形成によって処理されたＨｆＳｉＯｘ膜の深さプロファイルを示すＳＩＭＳプロットである。
【図１】
2006505954.tif 000008
【図２】
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【図３】
2006505954.tif 000010
【図４】
2006505954.tif 000011
【図５】
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【国際調査報告】
2006505954.tif 000013