(57)【要約】二つの接続導体（４，５）が設けられた平坦なリードフレーム（１１，１１Ａ）上に半導体素子（３）が搭載され、接続導体（４，５）間に取り付けられ、そして、素子（３）は第一導体（５）上に位置し、リードフレーム（１１，１１Ａ）の平面の外部での移動により素子（３）の位置上の位置に第二導体（５）が移動される。第二導体（５）の端部が、第一導体（４）の長手位置外部のフレーム（１１Ａ）内に位置し、そして、折り曲げ軸に沿った折り曲げにより、素子（３）の位置上の位置に移動される。折り曲げ軸は端部の長軸と傾斜角を成す。このようにして、少なくとも一つのダイオード又はトランジスタを半導体素子として備える半導体装置が得られる。
2006527916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一及び第二接続導体を有するフレームが設けられ、前記接続導体は各々前記フレームに接続され且つ非係合端部が設けられ、変形後に、前記第二接続導体の前記端部が前記第一接続導体の反対側に位置され、そして、前記接続導体間に半導体素子を設けることができるリードフレームであって、
前記フレーム内の前記第二接続導体の前記端部が前記第一接続導体の延長部分の外部に位置され、そして、前記端部の長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って折り曲げることにより前記半導体素子の位置に対向する位置に移動されることができることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記端部の前記長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って折り曲げることにより、前記第二接続導体の前記端部が前記半導体素子の位置に対向する位置に移動されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
第一及び第二電気的接続領域を有する半導体素子を設け、前記第一及び第二接続領域は各々前記半導体素子の対向する側に位置し、
請求項２に記載されたリードフレームを設け、
前記第一接続導体の端部間に前記半導体素子をはめ込み、接続手段が用いられて前記接続領域と前記端部との間に導電接続が行われる工程を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第一及び第二電気的接続領域を有する半導体素子を設け、前記第一及び第二接続領域は各々前記半導体素子の対向する側に位置し、
第一及び第二接続導体を有するフレームを有するリードフレームを設け、前記第一及び第二接続導体が各々前記フレームに接続され且つ露出端部を備え、
前記半導体素子を前記第一接続導体の前記端部に適用させ、接続手段により前記第一接続領域と前記端部との間の電気的接続が成され、
前記第二接続領域の前記端部を前記フレームの平面外であって前記半導体素子の前記第二接続導体のための部位と対向する位置に移動させ、
接続手段が用いて前記第二接続領域と前記第二接続領域の前記端部との間に導電接続を行う半導体装置の製造方法であって、
前記フレーム内の前記第二接続導体の前記端部が前記第一接続導体の延長部分の外部に位置され、そして、前記端部の長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って折り曲げることにより前記半導体素子の前記第二接続領域のための位置に対向する位置に移動されることを特徴とする製造方法。
【請求項５】
前記第二接続導体の前記端部の末端が前記フレームの平面外の前記折り曲げ軸に沿って約９０度折り曲げられ、前記端部の前記末端が前記折り曲げ軸にほぼ平行に延びるさらなる折り曲げ軸に沿って且つ前記折り曲げ軸から前記半導体素子の厚みに略等しい距離だけ前記半導体素子の位置に対し約９０度の角度で折り曲げられることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体素子のための前記位置を含む、前記第一接続導体の前記端部に関する少なくとも一方向に前記第二接続導体の前記端部が傾斜して延びるように、前記さらなる折り曲げ軸又は他の折り曲げ軸に沿って前記第二接続導体の前記端部が折り曲げられることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体素子の前記第二接続領域のための位置に対向し、そして、前記第一接続導体の前記端部に対向する位置に前記第二接続導体の前記端部が折り曲げられた後に、前記半導体素子が前記接続導体間に移動され、前記素子が前記接続導体間に固定されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体素子の位置からある距離において、前記第一接続導体に開口が設けられているリードフレームが選択され、
前記開口下部に存在する吸引装置により前記半導体素子が前記開口上部に設置され、その後、押圧部材により前記接続導体間に前記半導体素子が押し込まれることを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項９】
前記接続導体間に前記半導体素子が移動される前に、前記接続導体間に前記半導体素子が移動されるまで、押圧部材により前記第一接続導体の前記端部が押圧位置に維持されることを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも二つの接続導体を有するリードフレームのための移送機構と、
半導体素子を位置決めする位置決め手段と、
前記二つの接続導体の一つが他の一つの位置上の位置に折り曲げられた前記二つの接続導体間に前記半導体素子を押し込む押圧部材とを備えた請求項３乃至９いずれかに記載の方法を実施する装置。
【請求項１１】
前記端部の前記長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って前記接続導体の少なくとも一つの端部を折り曲げる手段をさらに備えた請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記半導体素子を押圧している間、前記導体トラックの一つを下方に押圧する押圧手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
第一及び第二電気的接続領域が設けられた半導体素子であって、前記第一及び第二接続領域が各々前記半導体素子の対向する側に位置する半導体素子と、
接触子と、該接触子から背けられ、前記第一接続領域に導電的に接続されている端部とを有する第一接続導体と、
接触子と、該接触子から背けられ、折り曲げ軸に沿って折り曲げられている端部とを有し、前記折り曲げ軸は前記端部の長軸に関して傾斜角を成し、前記端部は前記第二接続領域と対向する側に位置し、前記端部は前記第二接続領域と導電接続され、前記接触子が前記第一接続導体の前記接触子と同一平面に位置する第二接続導体と、
露出されている前記第一及び第二接続導体の前記端部から複数接触子を背けさせている分離エンベロープとを備えた半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体素子は半導体ダイオードであり、
前記第二接続導体は折り曲げ前にｕ形状又はｊ形状を成し、
前記傾斜角は７０度から８０度の範囲から選ばれ、
前記第一及び第二接続導体の前記接触子は互いに一直線上に並んでいることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記半導体素子は第三の接続領域を有する半導体トランジスタであり、
第三の接続導体が存在し、該第三の接続導体は接触子と、該接触子から背けられ、折り曲げ軸に沿って折り曲げられている端部とを有し、前記折り曲げ軸は前記端部の長軸に関して傾斜角を成し、前記端部は前記第三接続領域と対向する側に位置し、前記端部は前記第三接続領域と導電接続され、前記接触子が前記第一接続導体の前記接触子と同一平面に位置し、
前記第二及び第三の接続導体が前記第一接続導体のいずれかの側に位置していることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記半導体素子の位置からある距離において、前記第一接続導体に開口が設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置そして請求項１に記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、第一及び第二接続導体を有するフレームが設けられ、変形後に、前記第二接続導体の端部が前記第一接続導体の反対側に位置され、そして、前記接続導体間に半導体素子を設けることができるリードフレームに関する。
【０００２】
さらにこの発明は、第一及び第二電気的接続領域が設けられた半導体素子を設け、前記第一及び第二電気的接続領域は前記半導体素子の対向する側に位置され、第一及び第二接続導体を有するフレームを備えたリードフレームを設け、前記第一及び第二接続導体が各々前記フレームに接続され且つ露出端部が設けられ、前記半導体素子を前記第一接続導体の前記端部に取り付け、接続手段により前記第一接続領域と前記端部との間の導電接続が成され、そして、接続手段により前記第二接続領域と前記第二接続導体の前記端部とを導電接続する工程を備えた半導体装置の製造方法に関する。このような方法により、特に、例えば、前記半導体素子として、ダイオード又はトランジスタを有するディスクリート半導体装置の製造が簡単になる。
【背景技術】
【０００３】
冒頭で述べたタイプのリードフレーム及び製造方法は１９９４年７月８日にＪＰ−Ａ−０６−１８８３４６の番号で発行された日本特許出願明細書ＪＰ−０４−３３８６４０により知られている。この文書では、リードフレームの平面フレーム内において、二つのストリップ状接続導体がリードフレームの二つの対向する側に定められることが述べられている。一つの接続導体は、その露出端部近傍において、半導体素子が設けられ、他方の接続導体は、その一端又は中央部において、接続導体のいずれかの側に位置している二つの幅の狭い（金属）ストリップにより、リードフレームに取り付けられている。この接続導体を１８０度回転させることにより、回転軸が上記二つの幅の狭いストリップまで延びており、接続導体がフレーム平面から移動し、半導体素子位置の上部位置へと回転する。次に、この導体が半導体素子（の上部側）に取り付けられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この公知のリードフレーム及び公知の方法の欠点は、そのリードフレームが、特に、トランジスタ等の半導体素子を備える装置の製造には不向きであるということである。この場合、二つのストリップ状接続導体は上記素子の一側に取り付けられなければならず、これは、トランジスタが三つの接続導体を必要とするからである。これは、特に、半導体素子が比較的サイズが小さい場合に、上記方法では簡単には達成できない。そのような場合、もはや、接続導体が大きく且つ強度を持って、回転するように、そして、さらに、幅の狭いストリップにより、これら接続導体をリードフレームに接続するように製造することは簡単ではなくなる。
【０００５】
従って、この発明の第一目的は、冒頭で述べたタイプのリードフレームであって、上記問題が除外され又は少なくとも実質的に低減され、そして、三つ以上の接続導体を必要とし、さらに、比較的サイズが小さい半導体装置の製造に特に適するリードフレームを提供することである。
【０００６】
この発明の第二目的は、冒頭で述べたタイプの方法であって、サイズが小さい半導体装置を製造することができる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
これを達成するために、この発明によれば、冒頭に記載された種類のリードフレームは、前記フレーム内の前記第二接続導体の前記端部が前記第一接続導体の延長部分の外部に位置され、そして、前記端部の長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って折り曲げることにより前記半導体素子の位置に対向する位置に移動されることができることを特徴とする。
【０００８】
これを達成するために、この発明によれば、冒頭に記載された種類の第一方法は、折り曲げにより、前記第二接続導体の前記端部が前記第二接続領域の位置に対向する位置に移動された後にこの発明のリードフレームが適用されることを特徴とする。
【０００９】
これを達成するために、この発明によれば、冒頭に記載された種類の第二方法は、前記フレーム内の前記第二接続導体の前記端部が前記第一接続導体の延長部分の外部に位置され、そして、前記端部の長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って折り曲げることにより前記半導体素子の前記第二接続導体のための前記位置に対向する位置に移動されることを特徴とする。
【００１０】
この発明は、とりわけ、結束のための細いストリップを用いずに、さらに、これらストリップを超えて前記接続導体を回転させることが無くなればより大きくより強固な接続導体が可能となることという認識を基にしている。この発明は、さらに、例えば、前記フレーム上にパッキングブロックを設置することにより移動すべき前記接続導体の部分を簡単に前記フレームの平面内に維持することができるという事実を基にしている。同時に、前記接続導体の部分を前記フレームの平面から前記半導体素子の位置上の位置に移動させるために回転ではなく折り曲げてもよい。ストリップ状接続導体（の部分）の長軸と傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って前記折り曲げ作業を行うことにより、前記接続導体の（横方向の）寸法に係わらず、そして、互いの位置に係わらず、そして、前記半導体素子のための位置を含む前記接続導体に関する位置に係わり、前記半導体素子の位置上部の所望の（各）位置上部に、これらの接続導体を簡単に移動させることができる。これは、折り曲げられる前記接続導体の部分の形状と方向を選択することにより、所望の位置である、前記折り曲げ軸に関する反射位置において、簡単に達成できる。この反射位置は、実際は、１８０度折り曲げ後の位置である。この発明は、特に、トランジスタ等の、三つ以上の端子を有する半導体素子に適するが、この発明は、二つの接続導体を有する半導体素子にも適する。
【００１１】
半導体装置を製造するこれらの方法は互いに代替え方法として用いることができる。第一方法では、前記リードフレームの製造中に折り曲げが既に行われ、このようにして得られたリードフレームがアセンブリプロセスに適用される。第二方法では、前記素子及び前記リードフレームのアセンブリ中できるだけ早く折り曲げが行われ、そして、可能であれば、前記素子が前記第一接続導体上に設置された後に行われる。
【００１２】
リードフレーム折り曲げのための実施形態：
この発明による第二方法の好ましい実施形態では、前記フレーム平面外部で約９０度前記第二接続導体の前記端部が折り曲げられ、前記端部の前記末端が前記折り曲げ軸にほぼ平行に延びるさらなる折り曲げ軸に沿って且つ前記折り曲げ軸から前記半導体素子の厚みに略等しい距離だけ前記半導体素子の位置に対し約９０度の角度で折り曲げられる。前記軸間に位置する前記端部の部分は当然前記フレームに関して９０度の位置に維持される。第一に、二工程で折り曲げプロセスがさらに簡単に行え、何故ならば、これに伴う変形並びに加えられる応力がより小さくなるからである。第二に、ほぼ平行な方向に、又は、ほぼ自由に選べる角度を各々有する方向における、前記半導体素子位置の場所に前記二つの接続導体を拡張することがより簡単になる。キャリブレイションが必要であれば、これもより簡単になる。
【００１３】
好ましくは、前記半導体素子のための前記位置を含む前記第一接続導体の前記端部に関する少なくとも一方向に前記第二接続導体の前記端部が傾斜して延びるように、前記さらなる折り曲げ軸又は他の折り曲げ軸に沿って前記第二接続導体の前記端部が折り曲げられる。前記第二接続導体が折り曲げられた後まで前記半導体素子が前記第一接続導体上の意図した位置に移動されない場合は、前記半導体素子は前記導体間に簡単にクランプされる。特に、トランジスタの場合、折り曲げられる前記第二接続導体並びにさらなる接続導体が、折り曲げられた後に、前記第一接続導体に関して二方向に傾斜して拡張されると効果的である。
【００１４】
クランピング効果に加えて、前記素子が前記接続導体間に移動した場合は、前記素子に対して配向（ｄｉｒｅｃｔｉｎｇ）（自己整合）効果がもたらされる。
【００１５】
半導体素子設置のための実施形態：
既に示したように、折り曲げ作業の前後いずれにおいても前記半導体素子が前記リードフレームに設けられてもよい。
【００１６】
特に好ましい実施形態では、折り曲げにより一つの接続導体が他の接続導体の上部位置に移動された後にこれら接続導体間に前記半導体素子が移動される。この点に関し、好ましくは、前記半導体素子の位置の前のある距離に前記第一接続導体に孔が設けられ、該孔上に前記半導体素子が設置され、続いて、穴下部に存在する吸引装置により固定され、その後、一接続導体を他の接続導体の上部位置に移動後、押し込み手段により、前記半導体素子がこれら接続導体間に移動される。
【００１７】
他の変形例では、前記半導体素子がこれら接続導体間に一方から移動され、前記第一接続導体の前記端部が、前記半導体素子が前記接続導体間に移動されるまで、押圧部材により押圧位置に維持される。このようにして、前記リードフレームをも設けられる基板上に前記半導体素子を位置決めすることができる。この基板には前記第一接続導体の位置に凹部が設けられる。この接続導体をその厚みに相当する距離以上に下方に押圧することにより、平面上で、前記第一接続導体上の意図する位置に前記素子を移動させることができる。
【００１８】
前記素子が前記導体間に移動されると、それらに導電的に接続される。この目的にために、例えば、ハンダ玉又はハンダが前記素子上又は前記素子と向かい合う前記導体の側部に施されてもよい。次に、前記素子に、好ましくは、保護（ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ）合成樹脂エンベロープが設けられ、その後、前記リードフレームから余剰部分が除去される。
【００１９】
この発明は、さらに、この発明の方法を実行するのに適した装置にも関する。この装置は、少なくとも二つの接続導体を有するリードフレームのための移送機構と、半導体素子を位置決めする位置決め手段と、前記二つの接続導体の一つが他の一つの位置上の位置に折り曲げられた前記二つの接続導体間に前記半導体素子を押し込む押圧部材とが設けられたことを特徴とする。
【００２０】
第二の方法のすべての工程に適する装置は、さらに、前記長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って前記接続導体の少なくとも一つを折り曲げる手段を備える。
【００２１】
好ましい変形例では、前記半導体素子が導体上のその位置に移動されておらず、前記装置は、さらに、前記素子に押圧力が加えられている時に、前記導体の一つを下方に押圧する押圧手段を備える。
【００２２】
最後に、この発明は、第一及び第二電気的接続領域が設けられた半導体素子であって、前記第一及び第二接続領域が各々前記半導体素子の対向する側に位置する半導体素子と、接触子と、該接触子から背けられ、前記第一接続領域に導電的に接続されている端部とを有する第一接続導体と、接触子と、該接触子から背けられ、前記第二接続領域と対向する側に位置する端部とを有し、前記端部は前記第二接続領域と導電接続され、前記接触子が前記第一接続導体の前記接触子と同一平面に位置する第二接続導体と、
露出されている前記第一及び第二接続導体の前記端部から複数接触子を背けさせている分離エンベロープとを備えた半導体装置に関する。
【００２３】
その種の半導体装置は上記日本の文献より知られている。この装置の欠点はエンベロープが半導体素子に比べて大きいということである。これはストリップ形状の接続導体に起因していると思われる。
【００２４】
従って、この発明の目的は冒頭で述べたタイプの半導体装置であってサイズがより小さい半導体装置を提供するものである。
【００２５】
この発明の目的は、前記第二接続導体の前記端部の長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って前記端部が折り曲げられることにより達成される。ある折り曲げ角度で折り曲げることにより、一つ以上の折り曲げが前記接続導体の長軸に沿って起こらず、ほぼ前記半導体素子の側面に沿って起こる。これは実質的にスペースの節約になり、破損を防ぐために、角度はちょうど９０度を超えてはならない。さらにスペースは節約され、何故ならば、公知の装置は、接続導体に垂直な軸に関して接続導体を回転させることにより得られるからである。この軸は半導体素子近くに定めることはできず、軸と半導体素子との距離は半導体素子の接触子の所望長さにより決められる。回転後、軸と半導体素子との間に元位置していた部分が外部に移動され、接触子として機能する。
【００２６】
第一実施形態では前記半導体素子は半導体ダイオードである。前記第二接続導体は折り曲げ前にｕ形状又はｊ形状を成し、前記傾斜角は７０度から８０度の範囲から選ばれる。その結果、前記第一及び第二接続導体の前記接触子は互いに一直線上に並ぶ。
【００２７】
第二実施形態では、前記半導体素子は第三の接続領域を有する半導体トランジスタである。このため、第三の接続導体が存在し、該第三の接続導体は接触子と、該接触子から背けられている端部とを有する。この端部は、これの長軸に関して傾斜角を成す折り曲げ軸に沿って折り曲げられており、前記端部は前記第三接続領域と対向する側に位置し、前記端部は前記第三接続領域と導電接続され、前記接触子が前記第一接続導体の前記接触子と同一平面に位置している。この実施形態は先行文献からは知られておらず、ここに記載されたリードフレームの使用に際しては、全く達成できす、又は、困難を伴う。
【００２８】
前記第二及び第三の接続導体が前記第一接続導体のいずれかの側に位置しており、折り曲げ角度は約４５度であると効果的である。このようにして、得られたスペースが最大限に生かされ、半導体装置が最小化できる。
【００２９】
さらに、半導体装置は二つ以上の半導体素子を搭載することが可能で、この場合、接続導体の一つが相互接続用に用いられてもよい。前記第一接続導体がこの目的のために用いられると好ましい。
【００３０】
さらに、前記第一接続導体に、戦記半導体素子のための位置からある距離に孔が設けられると効果的である。そのような孔が装置の製造を簡単にする。
【００３１】
これら並びに他のアスペクトが以下に記載される（各）実施形態により明瞭且つ明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
各図は実際のスケール通りには描かれておらず、ある寸法、例えば、厚み方向の寸法は明瞭化のために誇張されている。各図において、同様な領域又は部分は可能な限り同じ参照番号を用いて示されている。
【００３３】
図１及び図２は、この発明に基づく方法により実施される製造の連続過程における、ダイオードを有する半導体装置の一実施形態の概略平面図である。平坦なリードフレーム１１（図１参照）が開始構造として用いられ、二つのストリップ状接続導体４，５が取り付けられるフレーム１１を備えている。第一導体４が大きな端部４Ａを有し、端部４Ａは、半導体素子３，ここでは、ダイオード３のために適切な位置を占めている。素子３のため位置４Ａの直前の導体４内に開口６が設けられている。この開口６を介して、導体４上の開口６上部に設けられるダイオード３が、例えば、（真空）ピンセットを用いて、開口６下部に設置される図示されない吸引装置により所定位置に維持される。フレーム１１Ａの反対側には第二ストリップ状接続導体５が取り付けられ、この第二ストリップ状接続導体の第一部分が導体４と対応しており、導体５の端部を形成する第二部分が第一部分に沿って位置し、且つ、それの取り付け側と向かい合うように形成されている。第二部分は、その端部近傍で広げられ、さらに、導体５の第二部分の折り曲げ軸として機能することができる折り曲げ線Ｂ１，この場合、さらには、二本の折り曲げ線Ｂ２，Ｂ３を備えている。第二部分全体はフレーム平面外部で折り曲げ軸Ｂに沿って１８０度回転させることができる。
【００３４】
ところが、この例では（図２参照）、第二接続導体５の第二部分が軸（及び折り曲げ線）Ｂ１に沿って上方に９０度折り曲げることができる。次に、この部分が第二軸（及び折り曲げ線）Ｂ２に沿って、約９０度、ここでは９０度より幾らか大きく再度折り曲げられ、その結果、第二導体の端部が第一導体４の位置４Ａ上部の位置に折り曲げられる。これが可能であるという事実が、第二接続導体５の第二部分の形状及び位置ではなく、折り曲げ軸Ｂ１の位置及び方向により確立される。これらは、図１の軸Ｂ１上部に位置する第二接続導体５の部分が軸Ｂ１に対して正反射されると、その部分が、第一導体４の端部４Ａ上部の所望位置に正しく位置決めされるということである。これを達成するには、軸Ｂ１が導体５の長軸と傾斜角を成すことが必要である。この例では、この角度は約７５度である。軸Ｂ１，Ｂ２間の距離は設置される素子３の厚みにほぼ等しくされる。この例では、（第二導体５の端部が９０度、そして７５度と二度折り曲げられた後）第二導体５の端部が、さらに、折り曲げ軸Ｂ３に沿って、小さな角度、ここでは、約１０度折り曲げられる。この折り曲げ軸は導体５の長軸と約６０度の傾斜角を成す。最終的な状態では、第一導体４の位置４Ａ上部に位置する導体５の部分が導体４と小さな角度を成す。導体４，５がフレーム１１Ａの対向する側に取り付けられるというこの変形例の特徴は、フレーム１１Ａに、場合によっては、素子３のための位置４Ａの二つの側において、隆起部１２を設けることができるということである。
【００３５】
次に、ダイオード３が図１に示される位置から図２に示される位置に移動され、二つの導体４，５間に固定される。二導体４，５間の角度が小さいので、これらの間にダイオード３が簡単に移動され所定位置に固定される。続いて、加熱により、ダイオード３が両導体４，５にハンダ付けされる。この目的のために、導体４，５又はダイオード３上にハンダのドット又はハンダ玉を施し、そして、反対側表面に適切な金属を設けることにより、導体４，５並びにダイオード３が適切に形成されている。次に、例えば、エポキシ材料の、図示されないエンベロープがダイオード３に設けられる。最後に、例えば、切断によりリードフレーム１１の余剰部分が除去される。エンベロープから突出する接続導体４，５の部分が、例えば、ＰＣＢ（印刷回路基板）上に搭載することができる状態の装置１０の接触子を形成する。
【００３６】
図３及び図４は、この発明に基づく方法により実施される製造の連続過程における、トランジスタを有する半導体装置の一実施形態の概略平面図である。ダイオードを含む素子３に関して、この製造は上記したものと同様に行われる。この例では（図３参照）、素子３はトランジスタ３である。この底部側は接続領域２，ここでは、コレクタ用で、上部側には二つの接続領域１Ａ，１Ｂ，ここでは、バイポーラの、トランジスタ３のベース及びエミッタである。リードフレーム１１の第一接続導体４は以前の例で記載されたものと異なるものではない。トランジスタ３上部の接続領域１Ａ，１Ｂに関しては、フレーム１１Ａに、ここでは、第二、第三の平行ストリップ状接続導体５Ａ，５Ｂが設けられ、これらは、以後、さらなる導体とも称され、それらの端部は広げられ、それらは導体４のいずれかの側に平行に走り、そして、フレーム１１Ａの対向する側に取り付けられる。この例では、導体４，５の長軸と各々が４５度を成す二つの折り曲げ軸Ｂ１，Ｂ２に沿って折り曲げが行われる（図４参照）。これにより、そして、さらなる導体５Ａ，５Ｂの形状により、さらには、折り曲げ線Ｂ１，Ｂ２の位置により、さらなる導体５Ａ，５Ｂの広げられた端部が、約９０度で二回折り曲げられた後、図に示されるように、第一導体４の位置４Ａ上部に位置することになる。次に、図３に示される位置から、トランジスタ３が第一導体４Ａ上を図４に示される位置に移動される。トランジスタ３は、一端が第一導体４と他端がさらなる導体５Ａ，５Ｂとの間で固定される。トランジスタ３がハンダ付けされ、封入され、そして、余剰部分がリードフレーム１１から除去されると、装置１０が最終マウントの準備が整う。
【００３７】
図５は、この発明に基づく方法により実施される製造の一過程における、トランジスタを有する半導体装置の一実施形態の概略斜視図である。図５に示される過程は図４に示される過程に対応するものであるが、図５は第一導体４とさらなる導体５Ａ，５Ｂとの間の位置にトランジスタ３が移動される前の状態を示している。
【００３８】
図４に関して記載された製造との違いはトランジスタ３が導体４，５間に移動される前のこのトランジスタの位置に関し、今、このトランジスタは、第一導体４の端部４Ａの前方に位置するのではなく、リードフレーム１１の凹所内で第一導体４の反対側に位置する。この例では、従って、リードフレーム１１が基板６０上に設置され、基板６０は、図５に示されるようにトランジスタ３の位置において、図示されない開口６６を備え、基板６０の下部には、やはり図示されない吸引装置があり、これにより、図５に示される位置へトランジスタ３が設置後、固定される。
【００３９】
さらなる導体５Ａ，５Ｂの折り曲げの後、これは、トランジスタ３の図に示される設置前後いずれでもよいが、トランジスタ３が再度導体４，５間に移動される。これを可能にするために、基板６０には第一導体４の位置に凹所が設けられ、トランジスタ３の移動前に、図９に示されるが図５には示されない押圧部材に８により、リードフレーム１１の厚みに相当する距離以上に第一導体４が凹所内に押圧される。トランジスタ３が導体４，５間に移動された後、押圧部材がここで取り外され、従って、トランジスタ３が導体４，５間に固定される。製造プロセスは継続され上述のように完了する。
【００４０】
図５は、さらに、もし、端部５Ａ，５Ｂが導体４の長軸と、導体４の長軸に直角に延びる方向との両者との間に小さな角度を成す場合は、簡単に、迅速に、且つ、自己整合的な態様で素子３が導体４，５間に移動され、その結果、素子がそれら導体４，５間に強固に固定される。導体４の長軸に関する角度方向は、ここでは、ある方向により決定され、この方向から素子が導体４，５間に移動するものである。
【００４１】
図６は、図３及び図４又は図５に関して記載された方法を用いて得られるトランジスタを有する半導体装置の概略斜視全体図である。完成された装置１０の寸法は、例えば、２ｘ３ｘ１ｍｍであり、これは図６に示されるエンベロープ９の寸法である。素子３自体の寸法は、例えば、０．４ｘ０．４ｘ０．２ｍｍである。導体４、５の厚み及び幅は、ここでは、それぞれ、０．１ｍｍ、０．４ｍｍである。エンベロープ９から突出している導体４、５の部分の長さは、ここでは、約１ｍｍである。
【００４２】
図７乃至図９は、この発明による方法を実施するための装置の概略斜視図である。この発明による装置１００は（図７参照）、リードフレーム１１、好ましくは、非常に多くのリードフレーム１１を備えるフレームを設置することができるテーブル１０２を支持する基部１０１を備える。例えば、図には見られないウォームホイールによりテーブル１０２は移動可能であり、さらに、リードフレーム１１も移動させることができる。フレーム１１の一側において、装置１００は、ここでは、リーフスプリングの形態の押圧部材７と、基部１０１に取り付けられたプラットフォーム６０を備える。反対側には、移動可能にテーブル１０２に取り付けられた押圧部材８が設けられている。
【００４３】
装置１００の一部が図８に示され、ここでは、リードフレーム１１の第一導体４のみが示されている。この図が示しているのは、プラットフォーム６０に開口６６が設けられ、この上に、図示されないピンセットを有する回転可能なアームにより素子３が位置決め可能ということである。開口６６が吸引装置に接続され、これにより、素子位置決め後に素子３を固定することができる。さらに、この図が示しているのは、リードフレームの基板に凹所が設けられ、その内部において、押圧部材８により導体トラック４を下方に押圧可能ということである。従って、押圧部材７により、素子３を簡単にプラットフォーム６０から第一導体４へと移動させることができる。
【００４４】
これが改めてすべて図９に示されており、ここでは、リードフレーム１１全体が示されている。この段階では、さらなる導体５Ａ，５Ｂが図示されない折り曲げ部材を用いて第一導体４の方向に折り曲げられている。トランジスタ３がここで第一導体上の位置４Ａに移動され、第一導体は押圧部材８により押圧された位置に維持されている。
【００４５】
この発明は記載された例に限らず、発明の範疇において各種の変形、変更が当業者にとって可能である。例えば、異なる形状及び又は異なる寸法の装置が製造可能である。これらの例では、当の半導体フレームは常に一つのピースであるが、代わりに、複数の部品から成る半導体フレームを用いることも可能である。
【００４６】
素子は好ましくはハンダ付けでそれら導体に取り付けられるが、別の方法でも可能である。例えば、後で硬化される導電接着剤を用いて導電接続を行うこともできる。押圧及び移動により素子が（互いの方向に折り曲げられた）導体間に挿入された場合は、そのような接続方法は、素子の移動が行われない上面側のみで行うことができる。ただし、折り曲げプロセスの前に素子を所定位置に移動することもできる。この場合は、素子の両側で接着結合が行われる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明に基づく方法により実施される製造の一過程における、ダイオードを有する半導体装置の一実施形態の概略平面図である。
【図２】この発明に基づく方法により実施される製造の上記過程に続く一過程における、ダイオードを有する半導体装置の一実施形態の概略平面図である。
【図３】この発明に基づく方法により実施される製造の一過程における、トランジスタを有する半導体装置の一実施形態の概略平面図である。
【図４】この発明に基づく方法により実施される製造の上記過程に続く一過程における、トランジスタを有する半導体装置の一実施形態の概略平面図である。
【図５】この発明に基づく方法の変形例により実施される製造の一過程における、トランジスタを有する半導体装置の一実施形態の概略斜視図である。
【図６】この発明に基づく方法を用いた製造の最終過程における、トランジスタを有する半導体装置の概略斜視全体図である。
【図７】この発明による方法を実施するための装置の概略斜視図である。
【図８】この発明による方法を実施するための装置の概略斜視図である。
【図９】この発明による方法を実施するための装置の概略斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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