(57)【要約】光受信モジュールは高速光データ信号を受信するために使用する。あいにく、この光受信モジュールはハウジング内に収納された後に初めて試験が行われるのが通常である。したがって、かなりの費用が予め定めた基準を満たさない収納した装置に関係する。集積光受信モジュールは、光検出器が、増幅回路を有する集積回路上に直接的に接続され、またはフリップチップ化または圧力を加えられる。  直接的な接続処理が実行される際には、前記集積回路はそのまま型抜き前の半導体ウェハ上に載置されている。したがって、光受信モジュールの高速光試験がウェハレベルで可能であり、それによって型抜き前の実際の動作特性を決定するように構成する。
2006504255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を受信し、受信した光に応答してそこから光電流を供給する第１の出力端子を有する集積光検出器と、
半導体物質で形成され、光電流を受ける第１の入力端子、バイアス電圧を受ける第２の入力端子、および出力信号を供給する第２の出力端子を有する集積回路とを有し、
前記第１の入力端子は、前記第１の出力端子との間に接続ワイヤなしに直接的に結合し、前記集積光検出器は前記半導体物質内に形成されたものではない光受信機。
【請求項２】
前記直接的な結合は、前記集積回路の表面上への集積光検出器の直接的接続を含む請求項１に記載の光受信機。
【請求項３】
前記集積回路は増幅回路を有し、該増幅回路は前記光電流を受け、受けた光電流に応じた増幅信号を生成しかつこの増幅信号を前記第２の出力端子から供給する請求項１に記載の光受信機。
【請求項４】
前記半導体の基板は、シリコンおよびゲルマニウムを有し、前記集積光検出器は、シリコンおよびゲルマニウムとは異なる物質を有する請求項１に記載の光受信機。
【請求項５】
前記光受信機を実質上閉じ込める光学的に不透明なハウジングと、
少なくともその一部が電気的に前記ハウジングから絶縁され、前記ハウジングを貫通する複数のヘッダーピンと、
前記ハウジングに設けられ、前記ハウジングを通して光を供給するための開口とを有するとともに、前記集積光検出器は前記開口に隣接して前記光を受信するように位置した請求項１に記載の光受信機。
【請求項６】
前記複数のヘッダピンは４つのピンを有し、前記ピンの各対は、略垂直な第１および第２軸に関して配置されている請求項５に記載の光受信機。
【請求項７】
前記半導体の基板は、前記半導体の基板の各縁が、１のヘッダーピンとそれに最も近く隣接するヘッダーピンとの間に形成されるラインに平行ではないように配置された請求項６に記載の光受信機。
【請求項８】
前記光受信機を実質上閉じ込めるための光学的に不透明なハウジングを有し、前記集積光検出器は前記ハウジング内に設けられかつ第１の半導体の基板上に形成され、前記ハウジング内に設けられた前記集積回路は、第２の半導体の基板上に形成され、該第１の半導体の基板と第２の半導体の基板とは異なる基板である請求項１に記載の光受信機。
【請求項９】
前記ハウジング内に基板を有し、前記光検出器は直接的に前記基板と結合し、前記集積回路は直接的に前記基板と結合している請求項８に記載の光受信機。
【請求項１０】
基板を有し、前記光検出器は直接的に前記基板と結合し、前記集積回路は前記基板内で集積化されている請求項８に記載の光受信機。
【請求項１１】
集積回路と直接的に結合した集積光検出器を設けて前記光受信回路を形成する工程（ａ）と、
前記光検出器を光源で照射する工程（ｂ）と、
前記集積回路にバイアス電圧を接続する工程（ｃ）と、
前記集積光受信機および前記集積回路の応答を決定して、その動作特性を評価する工程（ｄ）とを有し、前記集積光検出器は、前記集積回路と同一の基板上に形成されてはいない半導体ウェハ上に設けた光受信回路の試験方法。
【請求項１２】
前記集積回路は、工程（ａ）から工程（ｄ）の実行中に前記半導体ウェハの一部のままである請求項１１に記載の試験方法。
【請求項１３】
その動作特性に応じて、前記光受信回路を分類する工程を有する請求項１２に記載の試験方法。
【請求項１４】
前記集積光検出器は、直接接続処理を用いて前記集積回路上に設けられる請求項１１に記載の試験方法。
【請求項１５】
照射工程は高速度変調光信号を用い、前記集積光回路の応答を決定する工程は高速変調光信号を検出して少なくともビットエラー率および他の特性の少なくとも１を決定する工程を有する請求項１１に記載の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光受信機の分野に係り、より詳細には光検出モジュール組立品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバを伝播するＧＨｚの高速光データ信号を受信するために使用する光受信モジュールは当業者には良く知られている。一般に、この光受信モジュール内には増幅回路と電気的に接続する光検出器があり光ファイバからの光が光検出器を照射し、光検出器はそれに応答して光電流を発生し前記増幅回路がこの光電流を増幅する。一般に、前記光検出器の光学的性質は、少なくとも部分的に前記光検出器の材質的な構造によって決定される。ある波長帯域では、前記光検出器に選択する材料は高価であり、それはそれとして増幅回路および光検出器を製造するために用いる半導体物質は同一ではない。したがって、先行技術に係る光検出器は、光電流を伝導するワイヤを使用して増幅回路と電気的に接続されなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般には、前記増幅回路および前記光検出器は、組立て前に第三者の売主から購入する。その後、前記光検出器、前記増幅回路、減結合コンデンサー、およびモジュールハウジングが、光受信機を形成するように組み立てられる。通常、ハウジングは光フィルターと簡単に結合するように設計されている。あいにくこのモジュールは高速光データを受信するために用いるので、光検出器の増幅回路への接続に使用する接続ワイヤの長さが重要となる。このワイヤはインダクタンスをもつので、光電流のレベルのオーダーが非常に小さいかまたはマイクロアンペアーの場合には、前記高速光データの強度の変化は、これらの接続ワイヤの効果によって、伝送された現実のデータを表さないかもしれない。このように、前記モジュールは精密な構成および製造に敏感であろう。
【０００４】
製造の際には、一般に製造者は組み立てた受信モジュールに対する最良の光学的動作特性を一様に達成することができない。前記受信機を前記増幅回路に接続するワイヤが前記受信モジュールの動作で重要な役割を果たし、製造の際に顕著に変化することが知られているからである。
【０００５】
さらに、前記装置の動作可能な周波数帯域のため、光受信機と結合していない前記増幅回路の孤立した試験は経済的または効果的ではない。従って、最良な状態で組み立てたとしても、増幅回路の欠陥のために前記受信モジュールは望ましい動作特性を達成できないかもしれない。
【０００６】
最終的に前記受信モジュールまたは完全な組立品の一部の動作も、その電源供給減結合コンデンサーの数値、位置および動作に依存するであろう。これらのコンデンサーは製造者により前記受信モジュール内に集積化することが多く、製造可能な受信モジュールの設計を困難にしている。
【０００７】
その結果、その販売前に望ましくない動作を生じさせる効果を除くために、完全なシステムとして前記受信モジュールの試験を容易化するように受信モジュールを製造する必要がある。残念ながら、光受信機の半導体物質の多くは高価であるために、前記受信モジュールの集積回路の形態への集積化は非実用的であると考えられる。例えば、種々の物質加工系は、一般に種々のサイズのウェハに依存する。したがって、同一のウェハマスクは、種々の加工に使用できない。これは、完全に集積化されまたは１個の半導体結晶上に製造した増幅回路付光検出器を完成するための設計および製造コストを増加させる。
【０００８】
したがって、本発明の目的は光受信モジュールの最終製品の改良された動作および動作整合性を提供する光受信モジュールおよびその試験方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る光受信機は、受信した光に応答してそこから光電流を供給する第１の出力端子を有する集積光検出器と、半導体物質で形成され、光電流を受ける第１の入力端子、バイアス電圧を受ける第２の入力端子、および出力信号を供給する第２の出力端子を有する集積回路とを有し、前記第１の入力端子は、前記第１の出力端子との間に接続ワイヤなしに直接的に結合し、前記集積光検出器は前記半導体物質内に形成されたものではないものである。
【００１０】
本発明の１の態様は、集積回路と直接的に結合した集積光受信機を設けて前記光受信回路を形成する工程と、前記光検出器を光源で照射する工程と、前記集積回路にバイアス電圧を接続する工程と、前記集積光受信機および前記集積回路の応答を決定して、その動作特性を評価する工程とを有する方法であって、前記集積光検出器は、前記集積回路と同一の基板上に形成されたものではない半導体ウェハ上に設けた光受信回路の試験方法である。
【００１１】
本発明のさらなる態様では、光受信機を実質上閉じ込める光学的に不透明なハウジングと、前記ハウジング内に設けられ、光を受信し、受信した光に応答して光電流を供給する第１の出力端子をもち、第１の半導体基板内に形成された集積光検出器と、前記ハウジング内に設けられ第２の半導体基板内に第２の半導体物質で形成され、前記光電流を受ける第１の入力端子、バイアス電圧を受ける第２の入力端子、および出力信号を供給する第２の出力端子を有する集積回路とを有するとともに、前記第１の入力端子は、前記第１の出力端子との間を、予め定めたインピーダンスおよびその間の予め定めた空間的配置をもつ接続ワイヤを用いて結合し、前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板は、同一の基板ではない光受信機である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１ａおよび図１ｂは、従来例に係る光受信モジュール１００を示す。ハウジング１００ａおよび１００ｂは、例えば、ＴＯ−４６からなり、集積トランス・インピーダンス増幅回路（ＴｉＡ）１０１、減結合コンデンサー１０３、および光検出器１０２からなる光受信機素子をＰＩＮダイオードの形態に閉じ込めるために使用される。４つのヘッダーピン１０４ａ乃至１０４ｄは、前記ハウジングを貫通し、少なくともそれらの内の３個は、電気的にハウジングから絶縁されている。接続ワイヤ１０６は前記光受信モジュール１００内で、内部部品の入力端子および出力端子を前記４つのヘッダーピン１０４ａ乃至ヘッダーピン１０４ｄおよび内部部品を相互に電気的に接続するために用いている。前記ＴｉＡ１０１に設けた入力端子はバイアス電圧を受け、それとワイヤ接続した前記集積光検出器１０２から光電流を受ける。前記減結合コンデンサー１０３はバイアス電圧を前記ＴｉＡに対して減結合し、バイアス電圧を前記ＰＩＮダイオード１０２に対して減結合する。
【００１３】
前記従来例に係る光受信モジュール（図１ｂに示すように）は、前記ハウジング（１００ａおよび１００ｂ）の蓋１００ａに形成した開口に設けたレンズ１０７を通して光ファイバ１０５と光学的に接続している。前記レンズ１０７は、前記光受信モジュールに隣接した前記光ファイバ１０５の先端と前記光検出器１０２との間に設けている。前記レンズ１０７は、前記光ファイバ１０５からの光を前記光検出器１０２に焦点を合わせるために使用している。
【００１４】
残念ながら、これらの部品（１０３，１０１，１０２）が、前記ＴＯ−４６パッケージ内に置かれると、追加の部品とともにこれらの部品（１０３，１０１，１０２）を設けるための空間は前記パッケージ内にほとんどない。前記従来技術で使用されるこれらの部品（１０３，１０１，１０２）の典型的な配置場所は、前記ハウジング１００ｂの幾何学的中心への前記光検出器の位置、それに伴う２つのヘッダーピン１０４ｃおよびヘッダーピン１０４ｂの間のＴｉＡ１０１、および、ヘッダーピン１０４ｃおよびヘッダーピン１０４ｄと、ヘッダーピン１０４ａおよびヘッダーピン１０４ｂとの間の前記光検出器１０２の両側に置かれた減結合コンデンサー１０３の位置を含んでいる。これらの部品（１０３，１０１，１０２）の場所は、それらの間の接続を形成するために使用した接続ワイヤの長さとともに光検出器の動作に重要である。特に、接続ワイヤの厚さと前記光検出器１０２と前記ＴｉＡ１０１との間の長さは重要である。もしこの接続ワイヤ１０６が余りに薄くまたは余りに長い場合には、その効果は光受信動作に有害な影響を与える。したがって、前記光受信モジュールの光学的動作を保証するためには、部品のタイプ（１０３，１０１，１０２）は、内部接続に用いる接続ワイヤ１０６のタイプとともに重要である。したがって、注意深い設計と部品選択を通して最善の動作が達成されても、このことは試験前の光受信モジュール１００を完成させる費用に反映する。言い換えれば、試験で不合格となった組立品にとっては、その組立てに使用した全ての費用の損失を意味する。
【００１５】
あいにく前記光受信モジュールは試験が行われて初めて完成する。このことは、光受信モジュールの製造費用に大きく反映する。製造中に多重のＴｉＡ１０１を半導体ウェハ上に形成する。製造のばらつきのため前記ＴｉＡの動作はウェハの全域にわたって変化し、ある場合には前記ウェハは望ましくない動作の領域をもつであろう。個々の部品のみが試験されるのであるから、製造されたＴｉＡ１０１、および光検出器１０２、それに接続ワイヤがどのように作動するかは、前記装置が前記ハウジング（１００ａ，１００ｂ）内に完全に組み込むまでわからない。したがって、最終的なパッキングまでの光受信機の未知の動作特性のためかなりの製造費用を背負い込む。
【００１６】
図２ａには、本発明の実施の形態に係る光受信モジュール２００を示す。該光受信モジュール２００は、ＰＩＮダイオードの形態の集積光検出器２０２を有し、該集積光検出器２０２は、２つの金属被覆パッド２０２ａ，２０２ｂ（図２ｄ）に隣接して光受信光電性領域２０２ｃを有している。図２ｂに示すように、ＴＯ−４６のようなハウジング２００ａ，２００ｂが、集積コンデンサー２０３を有する集積回路２０１、および集積光検出器２０２の形態をもつ光受信部品を閉じ込めるために使用されている。４つのヘッダーピン２０４ａ乃至２０４ｂが前記ハウジングを貫通し、それらの少なくとも３つはハウジングから電気的に絶縁されている。接続ワイヤ２０６が、前記光受信モジュール２００内で使用されて、前記ヘッダーピン２０４ａ乃至ヘッダーピン２０４ｂを、前記集積回路の入力端子および出力端子と接続し、それぞれ、バイアス電圧を受けかつ出力信号を供給している。
【００１７】
前記集積光検出器２０２は、「フリップ・チップ」または「バンピング」の形態で直接的接続技術を採用して前記集積回路２０１に設けられている。前記語句フリップ・チップ、またはバンピングは、いわゆる当業者に周知であって、それらの意味は、続くこの明細書および請求の範囲のため以下に明瞭にされる。前記集積光検出器２０２の接続側の面（図２ｄ）は、２つの金属被覆パッド２０２ａ，２０２ｂを有し、それらは、アノードおよびカソードとして機能する。前記集積回路２０１（図２ｃ）の上面も、２つの金属被覆パッド２０１ａ，２０１ｂを有し、それらのパッドは、集積光検出器の金属被覆パッド２０２ａ，２０２ｂと同様に、それらの間に間隔を空けた入力端子および出力端子の形態をもっている。
【００１８】
前記集積回路上の金属被覆パッドは最初に金で覆われている。次に集積光検出器２０２が、前記集積回路の上面に位置し（図２ｃ）、該集積回路は該集積光検出器の金属被覆パッド２０２ａ，２０２ｂに隣接し、その間を接続して前記集積光検出器２０２が、フリップ・チップ、バンピングまたは直接接続技術のある形態を用いて前記集積回路２０１に固定されている。例えば、前記集積光検出器２０２が前記集積回路２０１への直接的な接続状態となる接合物２０７が示されている。
【００１９】
直接接続技術は、都合がよいことにはそれらの間の接続ワイヤを除去し、前記集積光検出器２０２が前記集積回路２０１に対し好ましくは２つのポイント（図２ｂに示すように）で前記集積回路に接触するだけの状態で、前記集積光検出器２０２が集積回路２０１と密接した状態にあることを保証する。前記集積光検出器２０２の前記集積回路２０１への直接的な接続は、都合が良いことにはチップ上の全体の伝導ワイヤの長さを削減させ、前記集積光検出器２０２から前記集積回路２０１への光電流の集団的遅れを改善し、さらに、反復可能な製造能力を増進させる。明らかに、集積回路の基板に面する光受信光電性領域２０２ｃを前記集積光検出器２０２の接続側にもっているので、前記集積光検出器２０２はその裏側で照射される（図２ｅ）。
【００２０】
図２ｂは、前記光受信モジュール２００は、受信した光を前記集積光検出器２０２に集めるレンズ２０８を受け入れるため前記ハウジングの蓋２００ａに開口を有することを示す。好ましくは、前記集積回路２０１は、集積減結合コンデンサー２０３および集積増幅回路を、トランスインピーダンス増幅回路の形態で有している。したがって、前記フリップ・チップ技術とともに、前記集積回路２０１および前記集積光検出器２０２は、両者とも好ましくは前記ハウジング２００ｂの幾何学的中心付近に第１の配置で配置されている（図２ａ）。前記ハウジング（２００ａおよび２００ｂ）の幾何学的中心における第１の配置での前記集積光検出器２０２および前記集積回路２０１の配置を行うと、都合の良いことに物理的により大きなサイズの型抜きを可能にする。というのは前記集積回路２０１を有する前記ハウジング内により多くの空間が利用可能であるからであり、したがって追加の回路機能性を設けることまたはハウジングサイズの削減が可能である。図示した前記集積回路は実質上長方形状であり、これによって前記第１の配置にあっては、集積回路は前記４つのヘッダーピンに近接した４つの角を持っている。都合の良いことには、前記入力端子および出力端子の接続パッドは実質上長方形状の集積回路の前記角に設けられ、それによって各ヘッダーピン（２０４ａ乃至２０４ｄ）の各々と電気的に接続するために短い接続ワイヤを用いることを可能にしている。
【００２１】
光受信モジュール３００に対する、前記集積回路およびそこに直接接続した集積光検出器の第２の配置を図３ａに示す。この場合、前記集積回路２０１に用いた実質上長方形状の型板は、前記半導体基板の各縁が１のヘッダーピンと最も近接する１のヘッダーピンとの間に形成したラインに平行ではないように配置している。この第２の配置は都合の良いことには前記集積回路の物理的サイズが前記第１の配置よりも一層大きくすることができる。このようにして、前記型板上での一層大きな領域が、前記集積回路に追加機能を加えるため、例えば、チップ上のＤＣ−ＤＣコンバータ２２３の追加に利用可能である（図３ｂ）。前記ＤＣ−ＤＣコンバータ２２３は、アヴァランチェフォトダイオード（ＡＰＤ）２２２の形態で集積光検出器を使用するためであり、これによって追加の入力端子２２２ａをＡＰＤ上に設けて前記集積回路２２１に設けた追加の出力端子からの増幅バイアス電圧を受ける。
【００２２】
都合が良いことには、前記集積回路およびそこに直接接続した光検出器の第１の配置または第２の配置は、外部部品の必要性を除去するという完全な「受信機チップ」の解決法が可能である。加えて、前記集積光検出器および集積回路の垂直方向の積層は空間効率を最大化し、従来技術において到達可能な一層大きな型サイズを可能にする。しかしながら、一層大きな型板の使用はもちろん各ウェハ上での製造可能な装置の個数を削減し、達成した利益は追加費用より重要である。
【００２３】
前記集積光検出器は、一般には所望の実施波長帯域に応じた最適な技術を用いて組立てる。したがって、一般に遠距離通信目的のために、前記集積光検出器はＩｎＰを用いて製造する一方、前記集積回路は一般にはＳｉを用いて製造する。したがって、シリコン検出器は遠距離通信で用いる光波長の受信に使用可能でないために、直接接続は非常に好都合である。もちろん、もし前記集積光検出器を、前記集積回路と同一の半導体物質で製造するならば、その直接接続プロセスを除去することはいわゆる当業者にとって自明である。しかしながら、このプロセスの除去は各物質プロセス内で課せられた制限、物質プロセスのコストおよび完成した集積回路のサイズに起因して問題があることがわかる。
【００２４】
図４ａは、多数の集積回路を設けた半導体ウェハ４００を示す。好ましくは、前記集積回路４０１は前記ウェハ４００上で、同時に製造可能な装置数を最大化するように配置されている。各集積回路４０１は前記集積光検出器２０２と接触するための接触パッド４１１，４１０を有している。これらの集積回路を試験するためには、集積光検出器２０２を、前述した直接接続プロセスを用いて、ウェハの型抜きをする前に直接各集積回路４０１に接続して光受信機チップ４０２を形成する。前記ウェハ４２０（図４ｂ）は、今や、多数の光受信機チップ４０２を有する。図５に示す試験装置５００を用いて、光受信機チップ４０２の各々をその動作特性を決定するために試験する。
【００２５】
図５に示す試験装置５００は、レーザ光源５０１、および複数のプローブ５０２ａ乃至５０２ｎを有している。試験目的のためには前記ウェハ４２０は試験装置内に置かれ、各光受信機チップ４０２は個々に試験されて、図６に示す工程を用いて、その動作特性を決定する。したがって、試験ではレーザの形態での光源が各光受信機チップ４０２の各集積光検出器部分に対して位置調整される。プローブ５０２ａから５０２ｎが、前記集積回路上の入力端子および出力端子と接触して、各々、バイアス電圧を供給し、かつそこからの出力信号を読み取る。もちろん、これらの装置の試験の際に、前記光源５０１の前記集積受信機２０２に対する精密な位置の調整を行うことが好ましい。前記ウェハ４２０の試験は、都合が良いことには各光受信機チップ４０２を、現実の高速光信号を用いて、あたかも、遠距離通信システムにおける現実の受信機として用いるようにして個々に試験する。これは各光受信機チップ４０２の高速動作が前記ウェハ４２０の型抜き前に、および型抜きした光受信機チップ４０２のハウジング内への収容前に、その特性を調べることを可能にする。希望するならば集積光検出器の応答性のような動作特性または感度および過負荷は、前記試験装置５００を用いて決定可能である。モジュール組立前の試験は都合が良いことにはウェハのレベルでの歩留りの決定を可能にし、これによってその後のモジュール組立損失を著しく削減することを可能にする。もし、多数の光受信機チップ４０２のいくつかが予め定めた基準を満たさなかった場合には、それらはモジュールの客先に売られることはなくまた組立てられることもない。
【００２６】
図４ｃは前記ウェハ４２０を試験する流れを示し、多数の光受信機チップ４０２は予め定めた基準により、その動作に基づいて前記ウェハ４２０上にグループ分けされている。例えば、ある動作範囲内で第１の動作特性をもつ光受信機チップ４０２は、領域４５０にグループ分けし、異なる動作範囲内の第２の動作特性をもつ光受信機チップ４０２は領域４５１に配置され、他の異なる動作範囲内の第３の動作特性をもつものは領域４５２に配置されている。市販用のためには、このことは光受信機チップ４０２の製造者が、良く知られた予め定めた動作特性をもつグループへ光受信機を「大箱に分類する」ことを可能にし、これによって都合の良いことに前記ウェハ４２０の型抜き前の歩留りおよび生産量の決定を可能にする。もし、ある理由によってこの光受信機チップ４０２を製造するために用いる前記プロセスが十分でないならば、前記ウェハは型抜きおよび組立の高価なプロセス前にスクラップされるので、そのコストが避けられるであろう。さらに部分的なウェハ試験が、全体的な歩留りの早期の表示を提供し更なる試験を認可するか否かを決定することができる。したがって、生産による損失が、前記モジュールへの集積化の段階ではなく、ウェハレベルで見られ、都合が良いことに製造者のコストと試験時間を節約する。一旦、光受信モジュールへ収納すると、前記動作特性が知られているので、前記部品は適切に大箱に分類される。したがって、最終ユーザにとって重要な受信機の設計パラメータは、異なる装置は異なる大箱に入れられており、前記装置の設計明細を通して確認されているので、前記試験された光受信モジュールを用いることはより容易である。このことは、前記モジュール製造業者に売られた光受信機の光学的動作を保証し、従来例に係る方法の下で製造者に売られた個々の部品に対する価格の割増金に値する。
【００２７】
さらに、価格は一般には前記装置の動作特性に基づいて確立されるので、最も有利な動作特性を持つこれらの素子に対する利益のマージンを増加することを可能にする。
【００２８】
本発明の主旨及び範囲を逸脱せずに多数の他の実施の形態を構想することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１ａ】従来例に係る光受信モジュールである。
【図１ｂ】従来例に係る光受信モジュールである。
【図２ａ】本発明の実施の形態に係る集積光検出器を有する光受信モジュールである。
【図２ｂ】本発明の実施の形態に係る集積光検出器を有する光受信モジュールである。
【図２ｃ】フリップ・チップの光検出器を受け入れるための接続パッドを有する集積回路を示す。
【図２ｄ】２つの金属被覆したパッドに隣接する受光用感光領域をもつ集積光検出器を示す。
【図２ｅ】集積光検出器の背面図を示す。
【図３ａ】集積回路の第２の配置およびそれに直接接続する集積光検出器を示す。
【図３ｂ】チップ上のＤＣ−ＤＣコンバータおよび集積アヴァランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を示す。
【図４ａ】内部に設けられた多数の集積回路を持つ半導体ウェハを示す。
【図４ｂ】試験前のチップ上の多数の集積光受信機を示す。
【図４ｃ】チップ上の多数の光受信機の試験後のウェハを示す。
【図５】チップ上の多数の光受信機を試験する試験装置を示す。
【図６】チップ上の多数の光受信機の各々を試験するための流れ図を示す。
【符号の説明】
【００３０】
２００                光受信モジュール
２０１，４０１        集積回路
２０２                集積光検出器
２０６                接続ワイヤ
４００，４２０        半導体ウェハ
４０２                光受信機チップ
５００                試験装置
【図１ａ】
2006504255.tif 000003
【図１ｂ】
2006504255.tif 000004
【図２ａ】
2006504255.tif 000005
【図２ｂ】
2006504255.tif 000006
【図２ｃ】
2006504255.tif 000007
【図２ｄ】
2006504255.tif 000008
【図２ｅ】
2006504255.tif 000009
【図３ａ】
2006504255.tif 000010
【図３ｂ】
2006504255.tif 000011
【図４ａ】
2006504255.tif 000012
【図４ｂ】
2006504255.tif 000013
【図４ｃ】
2006504255.tif 000014
【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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