(57)【要約】本発明は、予め決められた出力レベル（Ｐｗ）のレーザビームと、書き込むデータに従って少なくとも２つの予め決められた磁界レベル（＋Ｈｗ，−Ｈｗ）に変調された磁界と、を使用して、光磁気記録媒体の記憶層にデータを書き込むための方法及び装置に関する。この予め決められた出力レベル及び／又は少なくとも２つの予め決められた磁界レベルは、以前に記録されたデータパターンのランレングスによって生じる漂遊磁界を補償するように、この以前に記録されたデータのパターンに依存して調整される。それによって、読み出しジッタ及びエラーが減少され得る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体の記憶層にデータを書き込むための装置であって、
ａ）前記書き込まれるデータに従って、少なくとも２つの予め決められた磁界レベルに変調される磁界と、予め決められた出力レベル及びタイミングの放射ビームと、を使用して、前記記憶層に前記データを書き込むための書き込み手段と、
ｂ）前記書き込み手段に以前に供給されたデータパターンを制御信号に変換するための変換手段と、
ｃ）前記制御信号を受け取ると共に、前記制御信号に依存して、前記予め決められた出力レベル、前記タイミング及び前記少なくとも２つの予め決められた磁界レベルのうちの少なくとも一つを調整するための調整手段と、
を有する書き込み装置。
【請求項２】
前記変換手段が、前記以前のデータパターンのランレングスを前記制御信号に変換するように適応化される、請求項１に記載の書き込み装置。
【請求項３】
前記ランレングスは、前記調整された出力レベル、前記タイミング及び前記少なくとも２つの調整された磁界レベルのうちの少なくとも一つを使用して記録されるべき現在ビットのすぐ前に先行する、請求項２に記載の書き込み装置。
【請求項４】
前記変換手段は、前記予め決められた出力レベル及び前記少なくとも２つの予め決められた磁界レベルのうちの少なくとも一つの大きさが、前記以前のデータパターンの短縮されたランレングスの場合は増大され、逆の場合は低減されるように、前記制御信号を生成する、請求項２又は３に記載の書き込み装置。
【請求項５】
前記調整手段が、予め決められた数のデータパターンと、前記制御信号の対応する値との間の関係を記憶するためのルックアップテーブルを有する、請求項１に記載の書き込み装置。
【請求項６】
前記調整手段は、前記調整された出力レベル及び／又は前記タイミング及び／又は前記少なくとも２つの調整された磁界レベルの１つを使用して記録されるべき現在データパターンのすぐ前に先行するデータパターンの積分を行い、前記積分の結果に依存して前記制御信号を生成するための積分手段を有する、請求項１に記載の書き込み装置。
【請求項７】
前記積分手段が、先行するチャンネルビットに対する指数的に減衰する重み係数で、前記先行するチャンネルビット全体にわたって積分を行うことを含み、前記重み係数の前記減衰時定数が、１乃至３のチャンネルビット周期のレンジにおいて設定される、請求項６に記載の書き込み装置。
【請求項８】
前記制御信号が、現在チャンネルビット信号と組み合わされて、前記書き込み手段のレーザ駆動回路及び／又はコイルに供給されるべき入力電圧を形成する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の書き込み装置。
【請求項９】
ＭＡＭＭＯＳ又はＤＷＤＤディスクのためのディスクレコーダの一部である、請求項１乃至８の何れか一項に記載の書き込み装置。
【請求項１０】
光磁気記録媒体の記憶層にデータを書き込むための方法であって、
ａ）前記書き込むデータに従って少なくとも２つの予め決められた磁界レベルに変調される磁界と、予め決められた出力レベル及びタイミングの放射ビームと、を使用して、前記記憶層に前記データを書き込むステップと、
ｂ）前記書き込むステップにおいて、以前に使用されたパターンに依存して、前記少なくとも２つの予め決められた磁界レベルと、前記予め決められた出力レベル及びタイミングと、のうちの少なくとも一つを調整する調整ステップと、
を含む方法。
【請求項１１】
前記調整ステップが、  
前記以前のデータパターンのランレングスを制御信号に変換するステップと、
前記制御信号に依存して、前記予め決められた出力レベル及びタイミングと、前記少なくとも２つの予め決められた磁界レベルと、のうちの少なくとも一つを制御するステップと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ランレングスは、前記調整された出力レベル、前記タイミング及び前記少なくとも２つの調整された磁界レベルのうちの少なくとも一つを使用して記録されるべき現在データパターンのすぐ前に先行する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記制御信号は、前記予め決められた出力レベル及び前記少なくとも２つの予め決められた磁界レベルのうちの少なくとも一つの大きさが、前記以前のデータパターンのランレングスが短縮される場合は増大され、逆の場合は低減されるように、生成される、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
予め決められた数のデータパターンと、前記制御信号の対応する値との間の関係を記憶するステップと、
前記調整ステップの前記調整のために、前記記憶された関係を使用するステップと、
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記調整された出力レベル、前記タイミング及び前記少なくとも２つの調整された磁界レベルのうちの少なくとも一つによって記録されるべき現在データパターンのすぐ前に先行するデータパターンの積分を行う積分ステップと、
前記調整ステップの前記調整のために、前記積分の結果を使用するステップと、
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記積分ステップが、先行するチャンネルビットに対する指数的に減衰する重み係数で、前記先行するチャンネルビット全体にわたって積分を行うことを含み、前記重み係数の前記減衰時定数が、１乃至３のチャンネルビット周期のレンジにおいて設定される、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録又は記憶層及び拡大又は読み出し層を有する光磁気（ＭＯ）記録媒体、例えば、ＭＡＭＭＯＳ(Magnetic AMplifying Magneto-Optical System：磁気増幅光磁気システム、磁区拡大再生方法)又はＤＷＤＤ(Domain Wall Displacement Detection：磁壁移動検出)ディスクのような磁区拡大（domain expansion）記録媒体に書き込むための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光磁気（ＭＯ）記憶システム又は記録システムにおいて、フォーカスされたレーザビームは、磁界と組み合わせて適用される。読み取り（readback，リードバック）信号は、反射光の偏光の変化に基づく。ＭＯ記録は、回折限界を十分に下回る寸法をもつマークが、書き込まれ及び読み出され得るという位相変化記録に対する利点を提供する。ＭＯ記録の適応分野を広げるために、空間的な密度が更に増大されるべきである。ＭＯ記録において、小さいビットは、レーザパルス磁界変調（ＬＰ−ＭＦＭ）を使用することにより書き込まれる。ＬＰ−ＭＦＭにおいて、ビット遷移は、磁界のスイッチング及びレーザのスイッチングにより引き起こされる温度勾配によって決定される。このやり方で記録された小さい三日月形のマーク（mark，印）を読み出すために、磁気超解像（ＭＳＲ；Magnetic Super Resolution）又は磁区拡大（ＤｏｍＥｘ；Domain Expansion ）方法が用いられなければならない。これらの技術は、いくつかの静磁（magneto-static）又は置換結合された（exchange-coupled）希土類遷移金属（ＲＥ−ＴＭ；Rare-Earth Transition-Metal）層をもつ記録媒体に基づく。ディスク上の読み出し層は、読み取り時に隣接するビットをマスクし（ＭＳＲ）、又はレーザスポットの中央における磁区を拡大する（ＤｏｍＥｘ）。ＭＳＲに勝るＤｏｍＥｘの利点は、回折限界をはるかに下回る寸法をもつビットが、回折限界のスポットと同等のサイズか又はそれより大きいサイズをもつビットと同じくらいの信号対雑音比（ＳＮＲ）をもって検出され得ることである。
【０００３】
ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ（Alternating-Current Magnetic Amplifying Magneto-Optical System：交流磁気増幅光磁気システム）は、 静磁的に結合された記憶及び拡大又は読み出し層に基づくＤｏｍＥｘ方法である。ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳディスクにおいて、記憶層における磁区は、非磁性中間層を通して読み出し層に結合され、この転写された磁区は、外部磁界を使用することによって、レーザスポットの直径よりも大きいサイズに拡大される。読み出しプロセスにおいて、小さい記録された磁区は、選択的に読み出し層に転写され、外部磁界によって読み出し層において拡大される。それゆえ、大きい信号が拡大された磁区の再生によって得られる。その後、この拡大された磁区は、逆方向の外部磁界が印加されることによって、読み出し層において取り除かれることができる。
【０００４】
引き続き開発されたＤｏｍＥｘ技術であるＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ（Zero-Field MAMMOS；ゼロ磁界ＭＡＭＭＯＳ）において、記憶層における磁区は、磁性トリガ層を通って読み出し層に結合され、この転写された磁区は、レーザスポットの直径と同等のサイズに拡大され、その後、磁壁の漂遊磁界力と消磁との間の変化する均衡の結果として壊される。この読み出しプロセスのために、外部磁界は必要でない。
【０００５】
磁壁移動検出方式（ＤＷＤＤ）は、置換結合された記憶及び読み出し層に基づくＤｏｍＥｘ方法である。ＤＷＤＤにおいて、記憶層に記録されたマークは、交換結合力の結果として、中間磁性スイッチング層を介して読み出し又は移動層に移動される。再生レーザスポットがディスクのトラックにフォーカスされる場合、温度が上昇する。スイッチング層がキュリー温度を上回る場合、磁化は失われ、これは各層間の交換結合力が解消する原因になる。交換結合力は、移動層における移動されたマークを保持する力の１つである。この力が消える場合、移動層の磁壁は、低い磁壁エネルギーをもつ高温部にシフトし、小さい記録されたマークが拡大することを可能にする。このことは、記録が高密度で行われている場合であっても、レーザビームの読み取りを可能にする。
【０００６】
最近のＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ記録研究において、スポットサイズをはるかに下回る長さをもつビットのＬＰ−ＭＦＭ書き込みは、特に、これらの小さいビットが接近してまとめられる（packed，パックされる）場合に、高い書き込み磁界を必要とすることが明らかになった。これらの小さいビットは、大きいビット用のものとほぼ同じ信号レベルでＭＡＭＭＯＳを使用してもやはり読み出されることはできるが、書き込み磁界が十分に高い値に増加されることができない場合、ビットエラー率が急上昇する。
【０００７】
図２は、その上側部において、０．１５μｍのまとめられた磁区のためのＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ読み出し信号、すなわち、複数の連続した同等の長さのマーク及びスペース部を示す。図２の下側部では、ＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ読み出し信号が、０．０６μｍの「隔離された（isolated）」マークについて示される。図２の矢印により示されるように、ビットエラーεは、読み出し動作中にＺＦ−ＭＡＭＭＯＳ信号に生じる。これらのビットエラーεは、欠けている（missing）ピークに対応する。図２の下側図は、単一のマークピークにより区切られる２つのスペースエリア信号の代わりに、２つの隣接するスペース領域から生成される幅広い信号を示す。これらの欠けているピーク又は望ましくないピークの原因は、記憶層の不明確なマーク（例えば、図２の上側図）にあるか、又は記憶層の欠けているマーク（例えば、図２の下側図）にある。
【０００８】
他の問題が、ＤＷＤＤ媒体の記録についても報告された。長いランレングスのマーク遷移が、これらのマークの理想の位置に対してずれていることが示されている。読み出し中に、このことは、あまりに短いランレングスの検出につながり、それゆえ、ビットエラー率の上昇につながる。この問題は、新たなビット遷移時に最後に記録されたマークからの漂遊磁界の変化する大きさによってもたらされる。
【０００９】
図３は、ＤＷＤＤ媒体又はＭＡＭＭＯＳ媒体の記憶層の２つの断面図を示す。上側の実施例（３ａ）では、キュリー温度Ｔｃより高い温度Ｔにおいて記録されたマーク遷移のとき最後に記録されたマークの漂遊磁界Ｈｓの影響が、以前に又は直前に記録されたマークの長いランレングスについて示される。図３に示されるように、記録媒体は衝突レーザビームのスポット領域で加熱され、ここで、このスポット領域が記録面に対して移動方向ｓに動かされる。下側の実施例（３ｂ）では、漂遊磁界Ｈｓの影響が、直前に記録されたマークの短いランレングスについて示される。最後のマークが短いランレングスをもつ場合、外部書き込み磁界Ｈｗと、漂遊磁界Ｈｓとの合計は、最適値より小さく、その一方で、長いランレングスについては、合計磁界は、より大きい漂遊磁界Ｈｓのために最適値より大きい。
【００１０】
図２におけるＺＦ−ＭＡＭＭＯＳの問題は、以下のように説明され得る。まとめられた短いランレングスの磁区に関して、漂遊磁界は小さく、より大きい記録磁界が、マークの正確な記録を確実にするために印加されるべきである。他方で、隔離されたマークに関しては、漂遊磁界Ｈｓ及び書き込み磁界Ｈｗの合計は、最適値より大きく、このことは、遷移壁の動き及び不安定な記録プロセスにつながる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、信頼性の高い書き込みプロセスが、高い記録密度においてさえ達成され得る、書き込み方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的は、請求項１に記載の装置によって及び請求項１０に記載の方法によって達成される。
【００１３】
本発明のある実施態様によれば、磁界の大きさ及び／又はレーザ出力及び／又はレーザタイミングは、以前のランレングスの変化によって生じる漂遊磁界の変化が補償されるようなやり方で、書き込み又は記録中に変えられ得る。それによって、磁壁及び不明確なマーク又は欠けているマークの位置のばらつきが最小化され得る。
特に、以前のデータパターンのランレングスが、制御信号に変換されることができる。その場合、制御信号は、マーク又はスペースをそれぞれ書き込むための予め決められたレーザ出力レベル及び／又は２つの予め決められた磁界レベルの大きさが、以前のデータパターンの短縮されたランレングスについては増大され、逆の場合は低減されるように、生成され得る。このランレングスは、調整された出力レベル及び／又は少なくとも２つの調整された磁界レベルを使用して記録されるべき現在データパターンのすぐ前に先行するランレングスであり得る。それによって、上述されたＤＷＤＤビットシフト及びＺＦ−ＭＡＭＭＯＳの短いマークの問題に対処する簡単な解決策が提供される。特に、レーザ出力の変形例は、必要な電子回路が大部分のシステムに既に存在するという事実により容易に実現され得る。磁界の変化は、漂遊磁界の変化が、外部書き込み磁界の逆の変化によって直接補償されることができるので、効果的な解決策を提供する。もちろん、レーザタイミング及び／又はレーザ出力並びに外部磁界を組み合わせた変形例が、更に、漂遊磁界の変形例を補償するために使用されてもよく、それゆえ、更に一層効率的なやり方で上記の問題を軽減する。
【００１４】
上記に提案された変形例は、予め決められた数の先行するチャンネルビットと、制御信号の対応する値との間の関係を記憶するためのルックアップテーブルに基づいてもよい。代替例として、制御信号は、調整された出力レベル及び／又はタイミング及び／又は調整された磁界レベルを使用して記録されるべき現在データビットのすぐ前に先行するデータパターンの電子的な積分に基づいてもよい。制御信号は、例えば、指数的に減衰する重み係数での先行するチャンネルビットの積分の結果に基づいて生成されてもよく、この係数は、当該遷移から遠く離れるビットの場合はゼロに至るまでだんだん少なくなる。減衰時定数は、いくつかのチャンネルビット周期に対応するように設定され得る。
【００１５】
制御信号は、現在チャンネル−ビット信号と組み合わされて、現在チャンネルビットを記憶媒体に書き込むための書き込み手段のレーザ駆動回路及び／又はコイルに供給されるべき入力電圧を生成する。
【００１６】
他の有利な更なる発展形態が、従属請求項に規定される。
【００１７】
以下において、本発明は、実施形態に基づき、添付図面を参照して説明されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施形態は、ここで、図１に示されるＭＡＭＭＯＳディスクプレーヤ及びレコーダに基づいて説明される。
【００１９】
図１は、本発明が実現され得るディスクプレーヤの構造を概略的に示す。このディスクプレーヤは、光ピックアップユニット３０を有している。この光ピックアップユニット３０は、記録中に光がコードデータと同期された周期をもつパルスに変換される、光磁気ディスクのような光磁気記録媒体又は記録担体１０を照射するためのレーザ光放射部と、記録する時に及びＡＣ−ＭＡＭＭＯＳの場合は光磁気ディスク１０を再生する時に、制御されたやり方で磁界を印加する磁気ヘッド１２を有する磁界印加部と、を具備している。光ピックアップユニット３０において、レーザは、記録及び読み出し動作中に光ピックアップユニット３０のレーザのパルス振幅及びパルスタイミングを制御するために、記録／読み出しパルス調整ユニット３２から記録及び読み出しパルスを受け取るレーザ駆動回路に接続されている。記録／読み出しパルス調整回路３２は、ＰＬＬ（Phase Locked Loop ；位相ロックループ）回路を有し得るクロックジェネレータ２６からクロック信号を受け取る。
【００２０】
分かりやすくするために、磁気ヘッド１２及び光ピックアップユニット３０は、図１においてディスク１０の反対側に示されていることに留意されたい。しかし、実際の実施形態によれば、これらはディスク１０の同じ側に配置されてもよい。
【００２１】
磁気ヘッド１２は、ヘッドドライバユニット１４に接続され、記録中に、モジュレータ２４からパルス調整回路１８を介してコード変換されたデータを受け取る。モジュレータ２４は、入力記録データＤＩを定められたコードに変換する。
【００２２】
ＡＣ−ＭＡＭＭＯＳ再生中に、ヘッドドライバ１４は、磁気ヘッド１２に与えられるパルスのタイミング及び振幅を調整するための同期信号を生成する再生調整回路２０を介して、タイミング信号を受け取る。記録／再生スイッチ１６は、記録時及び再生時にヘッドドライバ１４に供給されるべきそれぞれの信号を選択し又は切り替えるために設けられている。ＤＷＤＤ又はＺＦ−ＭＡＭＭＯＳの場合の読み出し中に磁界は必要ではなく、再生調整回路２０は省かれることができる。その場合、スイッチ１６は読み出し時に磁界を切り替える。
【００２３】
更に、光ピックアップユニット３０は、ディスク１０から反射されるレーザ光を検出すると共に、出力データＤＯを生成するために読み取り信号をデコードするデコーダ２８に与えられる対応する読み取り信号を生成する、ための検出器を有している。更に、光ピックアップユニット３０により生成される読み取り信号は、クロックジェネレータ２６に供給され、このジェネレータにおいて、エンボス加工されたクロックマーク、ゆらぎ（wobble）パターン及び／又はデータから得られたクロック信号が抽出され復元され、更に、このジェネレータは、記録パルス調整回路３２、モジュレータ２４及び再生調整回路２０に対する同期目的のためのクロック信号を供給する。特に、データチャンネルクロックが、クロックジェネレータ２６のＰＬＬ回路に生成され得る。
【００２４】
データ記録の場合、光ピックアップユニット３０のレーザは、データチャンネルクロックの周期に対応する固定周波数で変調され、回転ディスク１０のスポット又はデータ記録エリアは、等しい距離を置いて局所的に加熱される。更に、クロックジェネレータ２６によるデータチャンネルクロック出力は、モジュレータ２４を制御して、標準クロック周期をもつデータ信号を生成する。記録データは、モジュレータ２４によって変調されコード変換されて、この記録データの情報に対応するバイナリランレングス情報を得る。
【００２５】
光磁気記録媒体１０の構造体は、特開第２０００−２６００７９号公報に説明される構造体に対応し得る。
【００２６】
実施形態によれば、漂遊磁界の変化が補償されるように、記録中にレーザタイミング、レーザ出力及び外部から印加される磁界力のうち、少なくとも一つを制御することが提案される。それによって生じる記憶層における磁界の変化は、とりわけ、以前に記録されたマークのランレングスに依存する。
【００２７】
図４は、書き込みレーザパターンＰｗ及び外部磁気書き込み磁界Ｈｗの波形パターンを示す。図４では、波形パターン（４ａ）は通常のＬＰ−ＭＦＭ書き込みストラテジに対応する。磁界極性は書き込まれるべきデータに従って選択され、レーザはチャンネルビット周波数に対応する固定周波数でパルス化される。レーザのパルシングは、連続的に印加されるレーザ出力と比較すると、より急激な温度プロファイルにつながる。磁界スイッチングに対するパルス遅延及びレーザパルスデューティ周期（通常約４０％）は、遷移ジッタ及びビットエラー率が最小化されるように、選択される。パルス化されたレーザビームによって達成される急激な温度勾配と、フェリ磁性記憶層の補償温度に下がるまで冷却される時の記憶層における保磁性の急速な高まりと、のために、直前に書き込まれたものの遷移は、マークレングスがスポットサイズよりも大きい場合又は同等である場合、次の遷移が書き込まれる前に十分に規定され固定されるべきである。
【００２８】
おそらく、ＤＷＤＤビットシフト及びＺＦ−ＭＡＭＭＯＳの短いマークの記録の問題を解決するための最も簡単なやり方は、レーザパルシングストラテジを変更すること、すなわち、ビットシフトが補償され、短いマークがより最適に記録されるように、レーザパルスのタイミング及び／又は大きさを変えることであろう。図４の波形パターン（４ｂ）は、このような書き込みストラテジを示しており、ここでは、レーザ出力が、以前に記録されたデータパターンに従って変更される。とりわけ、レーザ出力の変更は、レーザ出力調整用の電子回路が多くのシステムに既に存在しているので、実現するのが比較的簡単である。レーザ出力を高めること（上向きの矢印）は、遷移の逆方向のシフトにつながるであろう。なぜならば、１ポイント高い保磁性対温度の曲線が使用されるからである。同様に、低減されたレーザ出力（下向きの矢印）は、前向きのシフトにつながるであろう。特に、レーザ出力は、記録時に高められて、短い先行するマーク又はスペースによって生じる漂遊磁界の減少を補償し、逆の場合も同様に補償する。レーザパルスの大きさ又はタイミングを変えることの１つの欠点は、交差書き込み効果の変化及び書き込みストラテジの最適化を複雑にする熱履歴の変化につながることである。
【００２９】
他の可能性は、書き込み時に磁界の大きさを変化させることである。これは、図４の波形パターン（４ｃ）に示される。ＭＦＭコイルドライバ電子回路がかなり多く変更されなければならないので、これは実現するのがより困難ではあるが、このやり方は、漂遊磁界の変化が、外部書き込み磁界の逆の変化によって直接補償されるので、本質的により良好な解決策を提供する。ここで、外部磁界の大きさは、記録時に短い先行するマーク又はスペースによって生じる漂遊磁界の減少を補償するために増大され、逆の場合は低減される。
【００３０】
図５は、図３に類似する図を示し、書き込み工程中に遷移壁にかかる力を示している。図５に示されるように、多くの力が書き込み中に遷移壁に作用する。この壁勾配力ｆｗｇは、次の遷移に向って方向づけられるのに対して、その遷移時における外部書き込み磁界による力ｆｗ及び反磁界による力ｆｄのそれぞれは、ｆｗｇとは逆向きに方向づけられる。壁勾配力ｆｗｇは、最高温度の位置での最も低い壁エネルギーの結果である。反磁界は、遷移時の全部の内部漂遊磁界によって決定される。この全浮遊磁界は、図３に示されるような先行するマークの漂遊磁界のみならず、近隣のトラックにおけるマークからの漂遊磁界も含む。最適な外部書き込み磁界は、一方では、書き込まれたマーク内のサブ磁区形成を抑制するのに十分であり、他方では、冷却中に磁区壁にかかる力の均衡を保つのに十分であるべきである。従って、実施形態によれば、直前に書き込まれたビットに依存する大きさの書き込み磁界Ｈｗを使用することが提案される。この書き込み磁界Ｈｗは、磁壁にかかる力ｆｗ、ｆｄ及びｆｗｇの均衡を保つように選択される。遷移時の力の均衡を保つことは非常に重要である。なぜならば、不均衡状態は、壁の動き及び／又は遷移の形状の変化につながり、それゆえ、増大されるジッタレベルにつながり得るからである。短いマークレングス（欠けているピーク）の場合は、マークの完全な崩壊さえ起こり得る。図４の、波形パターン（４ｃ）において、正の書き込み磁界のための上向きの矢印及び負の書き込み磁界のための下向きの矢印は、これらのビット又はマークの書き込み中に、より小さい漂遊磁界力を補償するためにより上位の大きさをもつ書き込み磁界を示し、その反対の場合は、例えば、正の書き込み磁界のための下向きの矢印に関する場合である。
【００３１】
提案された書き込み方式による書き込みについて、図６Ａに示される第１の実施形態及び図６Ｂに示される第２の実施形態それぞれによるアップストリーム調整回路が設けられることによって、ＭＦＭコイルドライバ、すなわち、図１のヘッドドライバユニット１４が変更されてもよい。この結果として、入力電圧は、磁気ヘッド１２のコイルに供給された出力電流を制御する。
【００３２】
図６Ａの第１の実施形態において、ヘッドドライバユニット１４の入力電圧は、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）２２によって調整される。このルックアップテーブル２２は、ヘッドドライバユニット１４のために必要な入力電圧又は何らかの他の制御信号を見つけるために使用され得る。このルックアップテーブル２２において、直前に記録されたデータパターン、例えば、最新のランレングスは、記録されるべきビット若しくはマークのための何らかの他の制御信号又は必要な電圧に関連されるか、又はこれらにリンクされる。更に又は代替例として、図６Ａの点線回路部により示されるように、ルックアップテーブル２２は、レーザパルスの必要な大きさ及び／又はタイミングを生成するために、パルス調整回路３２に供給されるべき信号又は制御値を記憶するように適応化され得る。
【００３３】
図６Ｂの第２の実施形態では、小さい積分回路２３が、ヘッドドライバユニット１４の入力部に設けられている。この積分回路２３の積分の振る舞いは、直前のチャンネルビットの漂遊磁界効果を模倣するように選択されるべきである。一例として、この積分は、先行するチャンネルビットに対する指数的に減衰する重み係数で、この先行するチャンネルビットにわたって実施されることが可能であり、その重み係数の減衰時定数が、例えば、１つ〜３つのチャンネルビット周期のレンジに設定される。積分回路の出力部にて得られる積分値及び現行のチャンネルビット信号は、ヘッドドライバユニット１４への入力電圧又は何らかの他の制御信号を決定し、ここで、記録されるべきビットに必要な変更された書き込み電流Ｉｗに変換される。図６Ｂと同様に、積分回路２３は、代替方法として又は追加のやり方として、レーザパルスの必要な大きさ及び／又はタイミングを生成するために、パルス調整回路３２のための入力制御信号を生成するように使用されてもよい。
【００３４】
本発明は、種々の異なるランレングスをもつマークパターンが書き込まれる光磁気ディスク記憶システムのためのいかなる書き込みシステム又は記録システムにも適用され得ることに留意されたい。従って、好ましい実施形態は、添付の請求項の範囲内であれば変えられ得る。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明が実現され得る通常の光磁気ディスクプレーヤの概略図である。
【図２】種々の異なるデータパターンに対するＭＡＭＭＯＳ読み出し信号を示す図である。
【図３ａ】最後に記録されたマークが長い場合に、その記録されたマーク遷移における漂遊磁界の影響を示す図である。
【図３ｂ】最後に記録されたマークが短い場合に、その記録されたマーク遷移における漂遊磁界の影響を示す図である。
【図４ａ】通常の書き込みストラテジの信号波形を示す図である。
【図４ｂ】本発明による書き込みストラテジの信号波形を示す図である。
【図４ｃ】本発明による他の書き込みストラテジの信号波形を示す図である。
【図５】書き込みプロセス中に遷移壁にかかる力を示す図である。
【図６ａ】本発明の第１の実施形態による適応回路の概略ブロック図である。
【図６ｂ】本発明の第２の実施形態による適応回路の概略ブロック図である。
【図１】
2006520062.tif 000003
【図２】
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【図５】
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【国際調査報告】
2006520062.tif 000009
2006520062.tif 000010