(57)【要約】本発明は、コーティング装置を通して平らな基板を移送するための装置に関する。このコーティング装置は、例えば、数個の異なるスパッタ・カソードを備えていて、このカソードに、例えば、ガラス板のような平らな基板が真空内を順次移送される。ガラス板と接触面との間で摩擦による損傷が起こらないように、ガラス板は接触しない距離にガス圧により維持される。ガス圧は、この場合、ガス・チャネル内の比較的少ない小さな孔部により形成される。コーティング装置に大気圧を導入している間、または真空にするための排気中、ガスの孔部が小さいために、ガス・チャネルと残りのコーティング装置の間の圧力を急速に等しくすることができないので、ガス・チャネルは、残りのコーティング装置とのガスによる接続が切り離され、別のガス・ラインを有し、このガス・ラインを通してガスをガス・チャネルに導入したり、そこからポンプにより吸い出したりすることができる。
2006513117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内で平らな基板を移送するための装置であって、前記平らな基板（５）の１つの側面に対向して、前記平らな基板（５）の方を向いている孔部を有するガス・チャネル（９）が設置されていることと、前記ガス・チャネル（９）をガスの見地から見て前記真空チャンバから切り離すことができることとを特徴とする装置。
【請求項２】
切り離し用の前記ガス・チャネル（９）が、それを通して前記ガス・チャネル（９）内にガスを導入し、そこからガスを排気することができる少なくとも１つのそれ自身の大気導入ライン（３４）を備えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ガス・チャネル（９）の前記基板の方を向いている前記壁部内の前記孔部を同時に開閉することができることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記真空チャンバが、それ自身の大気導入ラインを備えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記真空チャンバが処理チャンバであることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記真空チャンバが、導入ロック・チャンバ、または排出ロック・チャンバであることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記基板（５）が水平方向を向いていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記基板（５）が、前記水平方向に対して８５度の角度を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記基板全体を横切って、いくつかのガス・チャネル（６１〜６３）が配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記基板（５）が、前記水平面に対して４度の入射角で配置されていることを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
３つのガス・チャネル（６１〜６３）が設置されていることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記ガスが、面で連続しているエリアに導入されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
それ自身すでに使用できるガス入口が、移送ガスを導入するために使用されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記平らな基板（５）が、スパッタ・カソード（３）に対向していることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記平らな基板（５）が、移送ローラ（６）の縁部上に乗っていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記スパッタ・カソード（３）が、ロック・チャンバ（１５、１６）に隣接する処理チャンバ（１）内に配置されていることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
処理チャンバ（１）内に、面で連続している壁部と一体になっているいくつかのガス・チャネル（６１〜６３）が配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
ロック・チャンバ（１５，１６）内に、相互間に間隔を置いていくつかのガス・チャネル（２０〜２２；２３〜２５）が配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記各ガス・チャネル（６１〜６３；２０〜２２；２３〜２５）が、それ自身の大気導入ライン（３３，３４，３５）を有することを特徴とする、請求項１７〜１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記処理チャンバ（１）および前記ロック・チャンバ（１５，１６）が、ポンプに接続することができるポンプ・ポート（３６，３７，３８，４０）を備えることを特徴とする、請求項１７または１８に記載の装置。
【請求項２１】
導入ロック・チャンバ（１０７）および排出ロック・チャンバ（１０６）が設置されていることと、両方のロック・チャンバ（１０７，１０６）が、真空を維持できるように、それぞれ２つのロック・ゲート（１０８，１０８’および１０８”，１０８”’）で閉じることができることとを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
数枚の基板を同時に移送することができることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記ガス・チャネル（９）を通る前記ガスの流れが、正確に規制されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
前記移送ガスが処理ガスとしても使用されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記基板が、前記導入ロック・チャンバ（１５，１０７）から前記供給チャンバ（１０３）または前記処理チャンバ（２７）に導入される際に、前記移送ガスが前記処理ガス雰囲気を調整するために使用されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記ガス・チャネル（９）が、別々に、しかし、前記ロック・チャンバ（１５，１６）と同時に排気され、大気の導入が行われることを特徴とする、請求項１に記載の装置を操作するための方法。
【請求項２７】
すべての孔部（６４〜６９）が同時に開閉することを特徴とする、請求項１に記載の装置を操作するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の前文に記載の装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インライン真空コーティング装置においては、コーティングされる基板はいくつかのコーティング・ソースに移送され、これらソースによりコーティングされる。例えば、ガラス・プレートは、水平方向を向いた状態で移送ベルトまたは移送ローラにより移送される。基板は個々のローラ上に接触しているだけなので、非常に薄いガラス板は、ローラ間のセクションでたわむ場合がある。それ故、このようなシステム上でのガラス板の移送の信頼性は低い。基板は、また、垂直方向またはほぼ垂直方向を向いた状態で移送される場合もある。この状態で基板を高い信頼性で保持するためには、基板の上縁部および下縁部を案内しなければならない。しかし、移送システムのガイド・レール上には、粒子が発生する場合があり、これらの粒子は、コーティングを行う際の品質要件により、基板上に粒子が付着した状態で到着すると不合格品になる場合がある。このような事態は、特に移送システム上のガイド・レールにより発生する。何故なら、このような粒子は高い確率で上のガイド・レールから基板上に落下するからである。
【０００３】
背面が真空になる多孔性の焼結金属プレート上に作業片を配置することにより、大気圧により作業片を固定またはクランプする方法は周知である。多孔性真空プレートを通して、作業片は吸引力により引きつけられ、固定される（Ｃａｔａｌｏｇ  「Ｖａｋｕｕｍ  Ｓｐａｎｎｔｅｃｈｎｉｋ」／Ｈｏｒｓｔ  Ｗｉｔｔｅ  Ｇｅｒａｅｔｅｂａｕ）。周知の移送システムにおいては、平らな基板は、このタイプの多孔性焼結金属プレート上に置かれ、多孔性プレートを通して圧縮空気が下から吹き付けられ、この圧縮空気により空気が焼結金属プレートの非常に小さな孔部を通して強制的に供給される。これにより、基板はエアクッションの上に浮き上がる（ＭＡＮＺ自動化によるデバイス）。
【０００４】
このような移送システムは、真空内では使用することができない。真空プレートまたは焼結金属プレートは多孔性であるので、表面積が非常に大きくなり、真空装置が大気で一杯に満たされると、この非常に広い表面が空気からガスまたは水を吸収する。吸収されたガスまたは水は、次に真空が形成されると解放され、それにより追加のおよび制御できない量のガスが導入される。この量のガスだけで真空内においてガラス板を浮き上がらせることができる。さらに、このようなガス負荷も、反応性スパッタ・プロセスに悪影響を与える。何故なら、制御されていない状態で流れる追加のガスの量が、反応性ガスと不活性ガスとの比率を変え、非反応性コーティングが異物である原子により汚染されるからである。
【０００５】
さらに、例えば、ＣＤのような基板が、ガス・クッション上に浮き上がる移送システムも周知である（１９９０年頃、Ｌｅｙｂｏｌｄ  ＡＧのＣＤ製造装置）。大気圧で使用されるこのシステムにおいては、ガス・クッションが生成され、それにより、幅約１２０ｍｍ、長さ約１ｍの平らな金属プレートの孔部を通して、圧縮空気が下からＣＤに対して吹き付けられる。これらの孔部は、相互に約５ｃｍの間隔で位置していて、約５ｃｍの間隔で複数の列に配置されている。これらの孔部のあるものは垂直方向を向いていないで、金属面に対してある角度を有していて、そのため吹き出す空気に移送方向にある分力を与え、ＣＤは前に移動する。孔部の直径は１ｍｍより少し小さい程度である。浄化した圧縮空気の消費量を低減するために、移送経路の個々のセクションは、圧縮空気の供給源と連続して接続している。その後で、一方では金属面に接触させないでＣＤを確実に移動し、しかし他方では、移送経路の不必要なセクションが、確実に無駄に圧縮空気を浪費しないようにするために、ＣＤの後の圧縮空気の供給が停止する。
【０００６】
このシステムも真空内では使用することができない。何故なら、孔部の数および断面積がガスの処理能力にとって大きすぎるからである。大気圧で動作する移送システムとは対照的に、真空で動作する移送システム内のガスの流れは、チャンバ圧力に従って遥かに慎重に選択しなければならないことが分かっている。何故なら、そうしないと、ガラス板が励起されて振動を起こすからである。
【０００７】
特に真空装置内で表面処理を受けるガラス板状の作業片用の作業片キャリヤは周知である（ＤＥ３９  ４３  ４８２）。この作業片キャリヤは、分配空間と連絡している複数の出口開口部を含む作業片支持面を備える。この分配空間には、ガス供給源が接続していて、このガス供給源は、支持面と作業片との間で熱移送ガス・クッションを形成するためのガスを供給する。分配空間は、プレートに加工されカバー・プレートにより被覆されている溝により形成される。支持面内の出口開口部の他に、複数の吸気開口部が設けられていて、各吸気開口部はプレートおよびカバー・プレートを通して溝の近くまで延びていて、ガス吸出しラインが接続しているガス吸気空間と連絡している。この場合、作業片に衝突するガスは、作業片を接触しないようにするのに役に立たない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、真空内でも使用することができ、基板の表面が摩擦により損傷を受けないコーティング対象の基板用移送システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この課題は、請求項１に記載の特徴により解決される。
【００１０】
それ故、本発明は、コーティング装置を通して平らな基板を移送するための装置に関する。このコーティング装置は、例えば、数個の異なるスパッタ・カソードを備えていて、このカソードに例えば、ガラス板のような平らな基板が真空内を順次移送される。ガラス板と接触面との間で摩擦による損傷が起こらないように、ガラス板は接触面に接触しない距離にガス圧により維持される。ガス圧は、この場合、ガス・チャネル内の比較的少ない小さな孔部により形成される。コーティング装置に大気圧を導入している間、または真空にするための排気中、孔部が小さいためにガス・チャネルと残りのコーティング装置の間の圧力を急速に等しくすることができないので、ガス・チャネルは、残りのコーティング装置とのガスによる接続から切り離され、別のガス・ラインを有し、このガス・ラインを通してガスをガス・チャネルに導入したり、そこからガスをポンプにより排出したりすることができる。
【００１１】
本発明の特別な利点は、真空内で例えばガラス板に粒子を含まないコーティングを行うことができることである。さらに、ロックによる導入および排出の際の基板の吸い込みおよび分離が防止される。
【００１２】
図面に本発明の例示としての実施形態を示し、以下に本発明についてさらに詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、真空処理チャンバ１の縦断面図である。ハウジング２内には、マウンティング４を通してハウジング２に接続しているスパッタ・カソード３が配置されている。
【００１４】
スパッタ・カソード３から離れた場所に、水平面に対して約８５度の角度を有するコーティング対象のガラス板５が配置されている。その下縁部のところで、ガラス板５は、移送ローラ６と接触している。この移送ローラ６は、ガラス板５を、図面の面、例えば、第２のスパッタ・カソードに移動する。
【００１５】
ガラス板５の後にはガス・システム７が配置されていて、このガス・システム７は、ガス・システム７から間隔を置いてガラス板５を移送中、ガラス板５を宙づり状態に保持する。このガス・システム７は、ハウジング２に接続しているマウンティング８により少し傾斜した位置に保持される。ガス・システム７においては、ガラス板５に対向してガス・チャネル９が配置されていて、このガス・チャネル９は、供給ライン（図示せず）を通してガス源に接続している。ガス・システム７には、電気加熱カートリッジ１０、１１を内蔵させることができる。ガス・システム７とガラス板５との間にはギャップ１２が存在するが、このギャップは準エアクッションであり、その上にガラス板５が位置する。
【００１６】
ガス・チャネル９は、プレート１３によりガラス板５の方を向いている面が閉じていて、例えば、直径０．２ｍｍの数個の孔部が位置する。ガス・システム７が約２００ｍｍの幅を有し、ガス・チャネル９が数平方センチメートルの断面積を有し、相互に６０ｍｍの間隔でプレート１３の中央に配置された０．２ｍｍの直径の複数の孔部を含んでいる場合には、長さ１１００ｍｍ、幅７００ｍｍおよび厚さ０．７ｍｍのガラス板を、約２０ｓｃｃｍのガス処理能力を有するガス・システム７から間隔を置いて保持することができる。ガス・チャネル９の断面は、すべての出口開口部のところのガラス板５を移送するために必要なガス処理能力において、ガス・システム７からのガラス板５の間隔が変動しないように、また流れの条件が同じになるように、ガス・システム７の全長に対して調整しなければならない。
【００１７】
ガラス板５は、真空内の振動により容易に変位する恐れがある。何故なら、大気圧には変位を低減する力がないからである。
【００１８】
ガラス板５の前面と背面との間の圧力差は、プレート１３内の孔部を通して流れるガスに対するコンダクタンス間の流体抵抗から計算することができる。この流体抵抗は、ギャップ１２の幅により大きく異なる。ギャップ１２が非常に狭いと抵抗が大きくなり、ギャップ１２の幅が広くなるにつれて流体抵抗は低減する。休止状態のガラス板５は、プレート１３と接触していて、ガスの流れが増大するとますます上昇するので、流体抵抗は最初大きくその後大きく低減する。対照的に、プレート１３内の非常に小さい孔部の流体コンダクタンスは変化しない。この流体コンダクタンスはその断面積から計算することができる。
【００１９】
ガスの流れがスタートすると、ギャップ１２の流体抵抗が支配力を有し、ガスの流れによりガラス板５が上昇する。距離が増大するにつれて、ギャップ内の流体抵抗は大きく低減し、ガスの流れは、プレート１３内の孔部の流体抵抗だけにより制限される。ギャップ１２を通してのガスの流失が、孔部を通してのガスが補充することができる量よりも多くなると、ガラス板５は再度プレート１３上に落下し、ギャップ１２内の流体抵抗は再び増大する。ガス・クッションが再び形成され、ギャップ１２が再び拡がる。このプロセスは周期的に反復されるので、ガラス板５が変位して振動を起こす。
【００２０】
それ故、ガス・チャネル９からの基板５の距離は自己調整的なものである。すなわち、あたかも自由オシレータの規制が関連しているかのようになる。ガス・チャネル９からの基板５の距離がガスの流れの変動により測定され、一定に維持される従来の規制も使用することができることを理解されたい。
【００２１】
処理チャンバ１内の周囲圧力が減衰パラメータを表すことは、実験により証明することができる。１０−４ミリバールの周囲圧力の下で、１７ｓｃｃｍでガスが流れた場合には、ガラス板５は振動をスタートする。１０−２ミリバールの圧力の場合には、同じ設定でガラス板がすでに励起していて振動させることができる。移送システムに対するガスの流れを、真空装置内の特定の条件に一致させるために、移送システムに対するガスの流れを、精度の非常に高いガス流レギュレータにより規制しなければならないし、大気圧システム内のように、ガスの流れが大ざっぱに規制されるガス・ボトルまたはコンプレッサにより簡単な方法で動作させることはできない。
【００２２】
上記振動の行動は大気圧の下では観察することができない。何故なら、ギャップ１２内の流体抵抗は、周囲圧力が増大すると非常に大きく増大するからである。大気圧の下では、ギャップ１２内のガスの流れの流体抵抗は、いつでも孔部による流体抵抗より大きい。孔部のコンダクタンスではなく、ギャップ１２のコンダクタンスが、大気圧の条件下ではガスの流れを制限する。それ故、大気圧の条件下でガラス板５を振動させるための前提条件は存在しない。
【００２３】
真空内で外乱を含まない動作を確実に行うために、ガス・チャネル９は、圧力が変化した場合に反応時間を確実に短くするために、小さな空間を持たなければならない。一方、同じガス処理能力で、ガス・チャネル９の全長を通して孔部からガスが流出できるように、断面積をあまり小さくしすぎてはならない。
【００２４】
図２は、そのハウジング２を備える処理チャンバ１を上から見た断面図である。この図は、そのマウンティング４およびローラ・ドライブ６のためのサポート１４を含むスパッタ・カソード３をはっきり示す。この図は、また、ガラス板５およびガス・システム７もはっきり示す。
【００２５】
処理チャンバ１は、チャンバ隔壁２６により２つの領域２７、２８に分割されている。領域２８内においては、マウンティング４’を備えるスパッタ・カソード３’も設置されている。第２のスパッタ・カソード３’により、例えば、第１のスパッタ・カソードによるコーティングとは異なるコーティングを行うことができる。
【００２６】
プレート１３から浮上している状態でのガラス板５の移送は、２つのスパッタ・カソード３、３’間で行われる。
【００２７】
ガス・チャネル９の容積は、大気の導入または真空のための排気中、処理チャンバ１からのガスから切り離さなければならない。処理チャンバ１だけを真空にするために排気する場合には、ガス・チャネル９内のガスは、ゆっくりと長い時間かけてプレート１３内の小さな孔部を通して流れる。大気の導入中にも類似のことが起こる。ガスの供給を停止することができ、それにより大気の導入および真空にするための排気中、孔部が閉鎖され、またはガス・チャネル９はそれ自身のガス供給ラインを有し、このラインを通して排気を行うこともできる。ガス・チャネル９の大気の導入および真空にするための排気は、処理チャンバ１の大気の導入および真空にするための排気とは異なる空間で行われるが、処理チャンバ１およびガス・チャネル９が完全に同時に排気または大気の導入を行うように、時間的に同期して行わなければならない。そうすることにより、ガラス板５の上記発振行動および移送システムへの吸込みによる付着またはガラス板の勝手な上昇が防止される。
【００２８】
ガラス板５は、通常、移送中だけ浮き上がった状態に維持され、コーティング・プロセス自身の間は浮き上がっていない。移送は真空中、より詳細に説明すると、一方のスパッタ・カソードから次のスパッタ・カソードへ移送中に行われる。しかし、同様に、ガラス板５を連続的に移動することもできる。しかし、また、浮き上がっている状態での移送は、ガラス板５がロックを通して導入および排出される際に行うこともできる。
【００２９】
さらに、例えば、上面または下面のような基板５の支持面の外側の領域内のガス・システム７上の追加の弁駆動ガス出口開口部を通して、移送システムから基板を浮き上がらせなくても、処理チャンバに移送ガスを処理ガスとして供給することができる。
【００３０】
また、処理ガス雰囲気を調整するために移送ガスを使用することもできる。この目的のために、ロック・チャンバ１５、１０７は、処理チャンバの真空圧よりも低い真空圧に排気される。処理ガスと同じ移送ガスが供給されると、ロック・チャンバ１５、１０７は、処理チャンバの圧力レベルに充填される。そうすることにより、ロック・ガスを通しての基板の移動中に、周囲の大気の成分が外乱レベルに処理チャンバ内に導入されるのが防止される。
【００３１】
図２にはっきり示すように、ガス・システム７は、処理チャンバ１を横切ってロック・チャンバ１５、１６に延びる。ガス・システム７のロック・チャンバ１５、１６内に位置するセクションは、ロック・チャンバ１５、１６の大気の導入および真空にするための排気による圧力の変動を受ける。処理チャンバ１とロック・チャンバ１５、１６との間には、ロック・ゲート２９、３０が位置する。ロック・チャンバ１５、１６内には、また、ガス・システム７のためのマウンティング３１、３２が配置されている。処理チャンバ１およびロック・チャンバ１５、１６は、それぞれ大気を導入するための別々の接続部３３、３４、３５、およびポンプによる排気を行うための別々のポンプ・ポート３６、３７、３８、６０および別々の大気導入弁３９、５３、５４を有する。弁システム（図示せず）を通して、接続部３３、３４、３５は、そうしたい場合には、大気導入弁３９、５３、５４およびポンプ３６、３７、３８、６０とも接続することができる。
【００３２】
図２の装置を使用した場合には、２つの異なる設置タイプを実現することができる。一方の設置タイプは、基板の動的コーティングを行うインライン装置である。その場合、コーティング中のガラス板５は、スパッタ・カソード３、３’を通して連続的に移動する。
【００３３】
他方の設置タイプを使用すれば、静的コーティングを行うことができる。ガラス板５は、この場合、ロック・チャンバ１５から処理チャンバ１に移動し、スパッタ・カソード３の前でストップする。コーティングが完了した後で、ガラス板５は、次のコンパートメント２８に移動するか、ロック・チャンバ１６内に移動する。
【００３４】
取出しロック・チャンバ１６に大気が導入されれば、ガラス板５を吸引力により固定することができるが、ガス・チャネル９内の圧力は非常に低くなる。小さな孔部を通しての圧力の等化は非常にゆっくりと行われ、そのため、ガス・チャネル９は、時間的な遅れを起こさないでガラス板を取り出すことができるように、もっと大きな断面を有する別々の接続部３３、３４、３５を通して大気を導入しなければならない。
【００３５】
ガラス板５がローディング・ロック１５内にすでに設定されていて、このロック・チャンバ１５が排気される場合には逆の効果が得られる。ガス・チャネル９は依然として大気圧の下にあり、そのため、その中に位置するガスは、制御されない状態で処理チャンバ１内に流れる。そのため、処理チャンバ内のガラス板５は、制御されない状態で浮き上るか振動を起こす。そうなるとガラス板５は破損する。
【００３６】
このような損傷を避けるために、本発明によりガス・チャネル９には、別々に、しかし、ロック・チャンバ１５、１６と同時に真空にするための排気が行われ、大気が導入される。
【００３７】
図３は、好ましい実施形態を示す、真空チャンバ１およびロック・チャンバ１５、１６の断面Ｉ−Ｉを示す（図１参照）。
【００３８】
この実施形態の場合には、処理チャンバ１は、数個の貫通孔６４〜６９を備える３つのガス・チャネル６１、６２、６３を含む連続しているガス・システム７を含む。一方ロック・チャンバ１５、１６内には、それぞれ、３つの棒状のガス・システム２０〜２２および２３〜２５は、それぞれ、その間に開放領域を含む。しかし、本発明の移送システムは、それぞれ、この数のガス・システム２０〜２２および２３〜２５に限定されないで、その数を移送対象のガラス板に応じて変えることができる。図３の場合には、貫通孔６４〜６９は、実際よりもかなり大きく示してある。これら各ガス・システム２０〜２２および２３〜２５は、それぞれガス・チャネルを有する。ロック・チャンバ１５、１６内には、３つのガス・システム２０〜２２および２３〜２５がそれぞれ１つのガス・チャネルを含む。そのため、例えば、任意のローディング装置およびアンローディング装置のグリッパまたは吸引装置は、それぞれ、ガス・システム２０〜２２および２３〜２５の間を延びることができる。しかし、上記タイプの移動できる大気圧移送システムも使用することができ、棒状のガス・システムにより上記開放領域に移動し、この移送システムには基板が送られる。
【００３９】
別々のガス・システムを通る分割サポートの場合には、特定の寸法の平らな基板と一緒に浮き上がらせるための必要な圧力は、下記のように計算される。
【００４０】
【表１】
2006513117.tif 000003
処理チャンバ１においては、移送システムの支持面は、ガラス板５の全表面上を、ギャップを含まない状態で延びる。何故なら、上記支持面は、２つのタスクを行うためのものであるからである。一方のタスクの場合、この支持面は、ガス・クッションを通して背面からガラス板を保護する表面を表す。これも必要である。何故なら、ＴＦＴ生産のためのガラス板は、例えば、０．７ｍｍのように非常に薄く、この場合、ガラス板を部分的に支持した場合のみある部分が下方に撓み、これによりコーティングが不均等になるからである。他方のタスクの場合、移送システムの全表面は、加熱面としての働きをし、ガラス板５を均等に加熱する。この場合、加熱は、電気加熱カートリッジ１０、１１により行われる。
【００４１】
ガラス板の連続している面サポートにより、特定のガラス板に対して下記の数値が適用される。
【００４２】
【表２】
2006513117.tif 000004
上記の仮想ギャップは、ガラス板とベースとの間のガスの流れの流れの状態を計算することにより決定するコンピュータ・モデルである。実際のコンダクタンスは、円形ラインの内側および長方形ラインの外側上の範囲が定められる面ギャップから計算される。この実際の状況は、数学により簡単に決定することができないので、全流体抵抗は、ガラス板の周囲のラインおよびガラス板とベース間の距離が形成する長方形のギャップ内にあると仮定した。
【００４３】
「水平浮揚のための必要な最大コンダクタンス」という表現は、基板は移送システム上に水平に配置されていて、そのため全重量Ｇは、ガラス板を持ち上げるためにガス圧力ｐにより導入しなければならないという条件付きである。物理的関係は下式により表される。
圧力ｐ＝面積Ａ当たりの力Ｇ。基板が水平面に対して入射角αを有している場合には、ガス圧が発生しなければならない分力は、入射角の余弦により減少する。何故なら、この場合、Ｆ＝Ｇ×ｃｏｓαが適用されるからである。垂直位置の場合、すなわち、α＝９０度である場合には、移送システムに加わる分力はゼロに等しい。すなわち、ガラス板の重量は、移送ローラの上だけにかかる。
【００４４】
ガス移送システム内の圧力はｐであるので、ガラス板の下面上の圧力ｐ１と周囲の圧力ｐ２との間の圧力差Δｐは、Δｐ＝ｐ１−ｐ２である。圧力差Δｐは、ガスの流れΦおよびコンダクタンスＬ：Φ＝Ｌ×ΔｐまたはΔｐ＝Φ／Ｌに関連する。最大コンダクタンスにより、ガラス板を持ち上げるのに必要ぎりぎりの最小圧力差Δｐｍが決まり（Δｐｍ＝Ｇ／Ａ）、これは制限コンダクタンスを表す。
【００４５】
移送システムの支持面は、それを異なる大きさのガラスに適応することができるように、別のガス接続部を有する断面のその範囲内に設けることができる。必要のないガス・チャネルは、この場合、不必要なガス・バラストを避けるために装置圧に減圧される。
【００４６】
図４は、２つのガス・システム４０、４１が重ねて配置されているガス・システムの第１の実施形態である。この場合、各ガス・システム４０、４１は、ガス・チャネル４２、４３を備える。これらのガス・チャネルの壁部４４または４５内には、直径約０．２ｍｍの孔部が設けられていて、これら孔部を通してガスがガラス板５に対して流れることができる。ガラス板５とガス・システム４０、４１との間には、ギャップ１２が位置する。
【００４７】
図５は、ガス・システムの他の実施形態を示す。この場合、ガス・システム４７、４８の間にはギャップは設けられていないが、２つのガス・システム４７、４８は、面が連続しているプレートを形成するが、このプレートは分割されている。ガス・チャネル５１、５２の壁部４９、５０内の孔部も、０．２ｍｍの直径を有する。
【００４８】
図６の実施形態は、ガス・システム４７、４８が分割されていないという点でだけ図５の実施形態とは異なる。
【００４９】
図７は、もっと大きいガス分配孔部５７、５８を含むバッフル・プレート５６を備えるガス・システム５５である。この場合、孔部５７、５８は、約２〜３ｍｍの直径を有する。
【００５０】
図７の実施形態は、そうでない場合には、個々のガス・チャネルとして、いくつかのガス・チャネルからなる連続しているエリアとして、または一体型の実施形態として、図４〜図６の実施形態のように配置することができることを理解されたい。
【００５１】
図８は、４つのステーションを含むコーティング装置の好ましい実施形態である。この装置の場合には、コーティングされる基板１００は、導入ロック・チャンバ１０７内に送られ、供給チャンバ１０３に移動する。この場合、ガス・システム１１０は、移動できるように支持され、正しい位置１０１に位置しているので、基板１００を収容することができる。基板１００がガス・システム上の正しい位置に到着すると、ガス・システムは位置１０２に移動する。この時点で、可動ガス・システムを備える回転可能なフレームが、図の面から突き出ている軸を中心にして回転できるようになる。これらのプロセス中、基板１００はガス・システム１１０上を移動しないでその位置に留まる。このようにして、基板をロック内をほぼ連続的に移動させ、処理チャンバ１０４’、１０４に移送し、再度供給チャンバ１０３に到着する前にコーティングし、排出ロック・チャンバ１０６を通して取り出すことができる。
【００５２】
図８ａは、いくつかのコーティング・ステーションを備える図８の装置を拡大したより詳細な図面である。図８ａを参照しながら、この装置の動作機能について説明する。
【００５３】
基板は、最初、大気圧で、ロック・ゲート１０８が開いていて、ロック・ゲート１０８’が閉じている導入ロック・チャンバ１０７に運ばれる。ロック・ゲート１０８を閉じた後で、導入ロック・チャンバ１０７内の空気がポンプで吸い出される。すなわち排気される。
【００５４】
導入ロック・チャンバ１０７内の空気を吸い出した後で、ロック・ゲート１０８’が開き、基板１００が供給チャンバ１０３内に運ばれるが、このチャンバ内では可動移送システムが第１の位置１０１に位置する。導入ロック・チャンバ１０７から供給チャンバ１０３へ真空状態で移送中に、基板１００は本発明の方法により移動する。すなわち、その間粒子と摩擦する恐れがある対象物と接触しない。供給チャンバ１０３は、図１０のチャンバに類似しているが、カソード３が設置されていないで、ガラス板５および移送システム７は逆鏡像に配置されている。その後、ロック・ゲート１０８’が再度閉じられ、基板は移送システム上の第１の位置１０１に位置する。この時点で、移送システムは第２の位置１０２に移動する。４つのすべての処理ステーション１０４、１０４’、１０４”内で並進運動が同時に行われる。一方、供給チャンバ１０３内においては、基板は延長移送システムに引き継がれ、処理ステーション１０４、１０４’および１０４”のところで基板がさらに処理される。供給チャンバ１０３内の処理ステーション１０４、１０４’および１０４”でのコーティング・プロセス中、基板は一度に１枚ずつ排出ロック・チャンバ１０６に運ばれ、その後で、他の基板が導入ロック・チャンバから移送システム上の第１の位置１０１に移動する。この場合、移送システムは第１の位置のそのまま留まる。すべてのコーティング・プロセスおよびロックを通しての基板の導入および排出が終了した場合、基板を含む移送システムは、第１の位置１０１、１０１’１０１”および１０１”’から引っ込み、第２の位置１０２、１０２’１０２”および１０２”’に到着する。この時点で、回転装置１０５はすべての基板をその移送システム上で９０度回転することができ、処理ステップが再度最初からスタートする。
【００５５】
コーティングした基板のロックを通しての排出は、ロックを通しての導入と類似の方法で行われる。
【００５６】
ロック・ゲート１０８”および１０８”’は閉じていて、排出ロック・チャンバ１０６は排気される。その後、ロック・ゲート１０８”が開き、基板は排気された供給チャンバ１０３から排気された排出ロック・チャンバ１０６に移動する。その後、ロック・ゲート１０８”が閉じて、排出ロック・チャンバ１０６に大気が導入された後で、ロック・ゲート１０８”’が開く。供給チャンバ１０３から排気された排出ロック・チャンバ１０６への移送が、本発明の方法により、すなわちコーティングされたガラス板が移送システム上に接触しない状態で再度行われる。
【００５７】
全プロセスを実行するのに必要な時間は下記の通りである。回転装置１０５をスタート位置まで移動するのに３秒、回転装置１０５を９０度回転させるのに４秒、回転装置１０５を処理位置に移動するのに３秒、スパッタ・プロセスを行うのに５０秒、内部弁を開くのに２秒、基板を移送するのに６秒、内側の弁を閉じるのに２秒、排気を行うために１０秒、外側の弁を開くのに２秒、基板を移送するのに６秒、外側の弁を閉じるのに２秒、ポンプ排気に３０秒。
【００５８】
図９は、ロック・チャンバ１５の斜視図である。ロック・チャンバ１６も同じ構成になっている。この図は、ローディングまたはアンローディングのために、ガラス板５の背面を保持する吸引装置８３〜８５をはっきり示す。これらの吸引装置８３〜８５は、素子８０〜８２からなり、大気圧側の移送システム（図示せず）の一部であるグリッパ・アーム上に固定されている。
【００５９】
図１０は、処理チャンバ１の斜視図である。この図は、それぞれがガス・チャネル９１、９３、９５を備える部材９０、９２、９３からなるガス・システムをはっきりと示す。
【００６０】
図１１は、ガス面でガス・チャネル１２１を真空チャンバ１２２または他の空間から分離するもう１つの機能を示す。この場合、それぞれ孔部１２５〜１２７および１２８〜１３０を備える相互に移動することができる２つの壁部１２３、１２４が設けられている。
【００６１】
図１１内においては、孔部１２５〜１２７および１２８〜１３０は、それぞれガスが壁部１２３、１２４を貫通することができるように、積み重なった状態で配置されている。
【００６２】
図１１ａの装置の場合には、孔部１２５〜１２７および１２８〜１３０は、ガスがガス・チャネル１２１から真空チャンバ１２２またはこの反対方向に進入できないように、積み重なった状態では配置されていない。それにより、ガス・チャネル１２１と真空チャンバ間が切り離される。ガス・チャネルにガスを急速に充填し、または急速に排気できるようにするためには、ガス・チャネルに別のガス・ラインを設けなければならない。
【００６３】
移送システム７の本発明による他の図示していない実施形態の場合には、同時制御弁によりいくつかの孔部６４〜６９が開閉する。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】ガス・システムを備える処理チャンバの側断面図である。
【図２】１つの処理チャンバおよび２つのロック・チャンバの平面図である。
【図３】処理チャンバおよびロック・チャンバの前面図である。
【図４】ガラス板に対向する２つの独立しているガス・チャネルを示す。
【図５】連続体エリアを形成している２つの分割ガス・チャネルを示す。
【図６】２つの一体型ガス・チャネルを示す。
【図７】バッフル・プレートを備えるガス・チャネルを示す。
【図８】直線的に移動し、回転することができるサポートを備えるインライン装置を示す。
【図８ａ】図８のインライン装置の拡大図である。
【図９】ガス・システムのロック・チャンバの斜視図である。
【図１０】処理チャンバの斜視図である。
【図１１】開放状態の別のガス・デカップリングを示す。
【図１１ａ】閉鎖状態の図１１の別のガス・デカップリングを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１１】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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