(57)【要約】光情報記憶ユニット及びかかるユニット用のリーダについて記載されている。光情報記憶ユニットは、情報層及び読み出し層を有する。情報層は、複数のデータ領域を有する。各データ領域は、所定の波長で光によって照射されたときに光を発するようにされる。読み出し層は、複数の光学開口を有する。各光学開口は、夫々のデータ領域から発せられる光の近接場を実質的に結像するよう配置される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各データ領域は所定の波長で光によって照射されると光を発するようにされた、複数のデータ領域を有する情報層と、
各光学開口は夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層とを有する、
光情報記憶ユニット。
【請求項２】
前記読み出し層及び前記情報層はいずれも平面的であり実質的に平行であり、前記情報層と前記読み出し層の間の分離は発せられた光の波長よりも小さい、請求項１記載の情報記憶ユニット。
【請求項３】
前記情報層は、前記読み出し層と略平行な面内で可動である、請求項１又は２記載の情報記憶ユニット。
【請求項４】
前記情報層は、単位面積当たりａ個のデータ領域を有し、前記読み出し層は単位面積当たりｂ個の光学開口を有し、ａ＞ｂである、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項５】
各データ領域は光学開口を有し、照射されたときに各データ領域から発せられる光は前記開口を通じて透過される光に対応する、請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項６】
各データ領域は反射器を有し、各データ領域から発せられる光は、各データ領域が照明されたときに前記反射器から反射される光を含む、請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項７】
各領域は蛍光物質を有し、各データ領域から発せられる光は前記物質が蛍光するときに発せられる光を含み、前記照射する光は前記蛍光材料を励起させるよう作用する、請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項８】
光透過材料は前記情報層と前記読み出し層の間に配置され、前記光透過材料は前記発された光の波長では１よりも大きい屈折率を有する、請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項９】
前記データ領域のうち少なくとも１つは、照明されると前記データ領域によって発せられる光の強度が変化するよう、前記データ領域の光学特性を変化させるよう所定のプロセスによって変更可能である、請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項１０】
前記データ領域の照明のために前記所定の波長で光を与えるようにされた光源と、
複数の感光領域を有し、各光学開口によって結像される前記光の近接場を検出するようにされた光センサとを更に有する、請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の情報記憶ユニット。
【請求項１１】
光情報記憶ユニット用のリーダであって、前記リーダは請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の光情報記憶ユニットを着脱可能に受容するようにされ、
前記リーダは、
前記データ領域を照射するよう前記所定の波長で光を与えるようにされた光源と、
複数の感光領域を有し、各光学開口によって結像される前記光の近接場を検出するようにされた光センサとを更に有する、リーダ。
【請求項１２】
前記データ領域にデータを書き込むよう、前記データ領域の光学的性質を制御可能に変更するようにされた書き込み手段を更に有する、請求項１１記載のリーダ。
【請求項１３】
前記情報層の位置を前記読み出し層及び前記光センサの両方の位置に対して移動させるようにされた移動手段を更に有する、請求項１１又は１２記載のリーダ。
【請求項１４】
請求項１０記載の光情報記憶ユニット、及び、請求項１１、１２、又は１３記載のリーダのうちの、少なくとも一方を有する情報処理システム。
【請求項１５】
各データ領域は所定の波長で光によって照射されると光を発するようにされた、複数のデータ領域を有する情報層と、各光学開口は夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層とを有する光情報記憶ユニットから情報を読み出す方法であって、
所定の波長の光で少なくとも１つのデータ領域を照射する段階と、
前記照明されたデータ領域に対応する夫々の光開口により結像された光の光学的強度を検出する段階とを有する、方法。
【請求項１６】
前記情報層を、前記読み出し層に対して略平行な平面上で、第１のデータ領域を以前に結像した光学的開口が前記情報層内の第２の異なったデータ領域を結像するよう、移動させる段階を更に有する、
請求項１５記載の光情報記憶ユニットから情報を読み出す方法。
【請求項１７】
光情報記憶ユニットを製造する方法であって、
各データ領域は所定の波長で照射されたときに光を発するようにされた複数のデータ領域を有する情報層を与える段階と、
複数の光学開口を有し、各光学開口が夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層を与える段階とを有する、方法。
【請求項１８】
各データは所定の波長で光によって照射されると光を発するよう変更可能な、複数のデータ領域を有する情報層と、
各光学開口は夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層とを有する、
光情報記憶ユニットにデータを書き込む方法であって、
照射されたときに、前記夫々のデータ領域によって記憶された情報を示す所定の強度で光を発するよう少なくとも１つのデータ領域を選択的に変更する段階を有する、方法。
【請求項１９】
光情報記憶ユニット用のリーダを製造する方法であって、
請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の光情報記憶ユニットを着脱可能に受容するようにされたロケータ・ユニットを与える段階と、
前記記憶ユニットの前記データ領域の照射用に前記所定の波長で光を与えるようにされた光源を与える段階と、
複数の感光領域を有し、前記記憶ユニットの各光学開口によって結合される光の近接場を検出するようにされた、光センサを与える段階とを有する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記憶ユニットに関連し、特に、光信号によって読み出されうる情報記憶ユニット、並びに、ユニット用のリーダ、ユニットからの読み出し及びユニットへの書き込みの方法、及び、ユニット及びリーダの両方の製造の方法に関連する。
【背景技術】
【０００２】
光情報記憶媒体は、半導体記憶装置と比較して、記憶された情報のビット当たりのコストに関して製造が比較的安価である。主な理由は、光媒体（コンパクトディスク及びディジタル・バーサタイル・ディスクを含む光ディスク等）が比較的低コストのプラスチック基板上で１マスクプロセスでのみ複製可能であることである。
【０００３】
比較すると、半導体メモリは、一般的には１０マスク処理と、比較的安価な欠陥のないシリコン基板を必要とする。複製プロセスの低費用性質により、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc-Read Only Memories）といった光情報担体は、例えばソフトウエア、画像、及び／又は音声を分配するための公表用媒体としての用途に特に適している。
【０００４】
残念ながら、光ディスク等の光媒体を読み出すのに必要なドライブは比較的大きく、かなりの量の電力を消費し、衝撃及び振動に弱い。従って、多くの光記憶システムは、着脱可能な情報担体、即ち読み出し装置から容易に分離されうる情報担体、を使用し、低費用担体の容易な分布を可能とする。
【０００５】
光記憶の利点（複製可能性、公表用媒体としての適合性）を半導体記憶ユニットの利点（低電力、高速アクセス、高データ速度、比較的頑丈である）と組み合わせる、新しい種類の着脱可能な記憶媒体を提供するために、様々な試みがなされてきた。
【０００６】
可動部分を有さない光メモリカードシステムの１つの例は、製品名ＯＲＯＭでIoptics社によって製造され、特許文献１に記載されている。製品ＯＲＯＭは、寸法が５９mm×４６mm×２mmの１２８ＭＢ（メガバイト）カードを与える。カードは、ＣＤ−ＲＯＭを製造するのに用いられるものと同様のポリカーボネート・プラスチックから作られる。データ層は、夫々が３２ｋＢのデータを含む５０００個の離散したデータパッチへ分けられる。マイクロ回折レンズは、プラスチック・レンズ・アレイへ成形され、各レンズは夫々のデータパッチと整列される。選択機構は、特定のデータパッチを画像センサへ結像するのに用いられる。
【０００７】
ＯＲＯＭシステムは、可動部分を有さないという利点を有する一方で、結像システムは比較的かさばり、カードはそれが与える情報記憶容量に対して比較的大きい。
【０００８】
レーザ光を選択された光へ案内するのに全内部反射を用い、層の外へ光を選択的に結合するのにマイクロホログラムを用いて、レーザビームが個々のレイヤに選択的に結合され、結果として得られるビームは画像センサ上に結像される、マルチレイヤカードシステムが提案されている。しかしながら、マルチレイヤカードは、製造が困難であり、従って比較的高価となる。更に、個々の層のアドレス指定及び選択は通常はかなり問題があり、比較的高価なリーダ装置を与えることとなる。
【特許文献１】米国特許第５，６９６，７１４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の実施例は、本願で参照されていると参照されていないとに関わらず、従来技術の１つ又はそれ以上の問題を使う光情報記憶システムを提供することを目的とする。
【００１０】
本発明の実施例は、単位面積当たり比較的高い情報記憶容量を与える光情報記憶システムを提供することを更なる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の面では、本発明は、各データ領域は所定の波長で光によって照射されると光を発するようにされた、複数のデータ領域を有する情報層と、各光学開口は夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層とを有する、光情報記憶ユニットを提供する。
【００１２】
屈折効果は、不透明体の開口との光の遠場相互作用に関連する。実質的に夫々のデータ領域から光の近接場のみを結像するようにされた開口を有する読み出し層を与えることにより、屈折効果は実質的に無視されうる。従って、各データ領域の面積は、単位面積当たり比較的高い情報記憶容量を与えるよう、減少されうる（光の波長よりも小さくされうる）。更に、読み出し層は、開口がデータ領域の近接場を結像するよう配置されるため、これは本質的に薄い記憶ユニットをもたらし、これは大きな撮像システムが読み出されることを必要としない。
【００１３】
他の面では、本発明は、光情報記憶ユニット用のリーダであって、リーダは上記の光情報記憶ユニットを着脱可能に受容するようにされ、リーダは、データ領域を照射するよう前記所定の波長で光を与えるようにされた光源と、複数の感光領域を有し、各光学開口によって結像される光の近接場を検出するようにされた光センサとを更に有する、リーダを提供する。
【００１４】
更なる面では、本発明は、上述の光情報記憶ユニットと、上述のリーダとのうちの少なくとも一方を有する情報処理システムを提供する。
【００１５】
更なる面では、本発明は、各データ領域は所定の波長で光によって照射されると光を発するようにされた、複数のデータ領域を有する情報層と、各光学開口は夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層とを有する光情報記憶ユニットから情報を読み出す方法であって、所定の波長の光で少なくとも１つのデータ領域を照射する段階と、照明されたデータ領域に対応する夫々の光開口により結像された光の光学的強度を検出する段階とを有する方法を提供する。
【００１６】
他の面では、本発明は、光情報記憶ユニットを製造する方法であって、各データ領域は所定の波長で照射されたときに光を発するようにされた複数のデータ領域を有する情報層を与える段階と、複数の光学開口を有し、各光学開口が夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層を与える段階とを有する、方法を提供する。
【００１７】
更なる面では、本発明は、各データは所定の波長で光によって照射されると光を発するよう変更可能な、複数のデータ領域を有する情報層と、各光学開口は夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像するようにされた、複数の光学開口を有する読み出し層とを有する、光情報記憶ユニットにデータを書き込む方法であって、照射されたときに、夫々のデータ領域によって記憶された情報を示す所定の強度で光を発するよう少なくとも１つのデータ領域を選択的に変更する段階を有する、方法を提供する。
【００１８】
他の面では、本発明は、光情報記憶ユニット用のリーダを製造する方法であって、上述の光情報記憶ユニットを着脱可能に受容するようにされたロケータ・ユニットを与える段階と、記憶ユニットのデータ領域の照射用に所定の波長で光を与えるようにされた光源を与える段階と、複数の感光領域を有し、記憶ユニットの各光学開口によって結合される光の近接場を検出するようにされた、光センサを与える段階とを有する、方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明のよりよい理解のために、また、本発明の実施例がどのようにして実際に実施されるかを示すため、例として添付の図面を参照する。走査型近接場電子顕微鏡（ＳＮＯＭ）とも称される近接場走査型電子顕微鏡（ＮＳＯＭ）は、サブ波長光学分解能で表面を撮像するために（光検出器とともに）サブ波長開口を使用しうる。空間分解能は、プローブチップのサブ波長開口の寸法によって決まる。一般的には、プローブは、サブ波長分解能の表面の光学画像を得るよう、圧電変換器及びステッピング・モータの組合せを用いて試料の上を操作する。換言すると、プローブは「遠場（far-field）」の光ではなく、表面からの光の「近接場（near-field）」のみをサンプルし、従ってプローブの分解能は遠場に関連付けられる屈折効果によって制限されない。
【００２０】
本願発明者は、適切な構造を与えることにより、近接場結合の物理的過程は、光情報記憶システムが小型の高い情報密度の記憶ユニットを与えるのに使用されうることに気づいた。
【００２１】
図１は、リーダ１００内の光情報記憶ユニット２００の第１の実施例を示す断面図である。
【００２２】
この例の情報記憶ユニット２００は、着脱可能な光メモリカードである。カードは、情報層２１０及び読み出し層２２０を囲む密閉されているが光学的に透明なカートリッジ２０４から構成される。
【００２３】
図２は、読み出し層２２０の平面図を示し、図３は、情報層２１０の平面図を示す。図２及び図３中、破線ＡＡは、図１に示す断面図の平面を示す。
【００２４】
読み出し層２２０は、光学的に不透明な基板を有する。光学開口（例えば２２２ａ，２２２ｂ，．．．，２２２ｈ）のアレイが与えられ、開口は光が読み出し層２２０を通って透過されることを可能とする。
【００２５】
この例の情報層２１０は、光学的に不透明なカバー層２１４によって覆われる透明層２１２を有する。透明層２１２は、情報層２１０に機械的な強さを与えるのに使用され、必要ならば省かれてもよい。
【００２６】
この実施例では、ピット即ちデータ領域（例えば、２１６ａ，２１６ｃ，２１６ｄ，２１６ｆ，２１６ｇ）は、不透明層を通る所定の場所に形成され、光がピット位置で層２１４を通って透過することを許す。この特定の実施例では、ピット即ちデータ領域は一定の範囲の可能な場所を有し、各可能な場所は読み出し層２２０内の開口２２２の位置に対応する。潜在的な位置にあるピットの有無が情報を表わすのに用いられるようなバイナリシステムが使用される。
【００２７】
カード内では、情報層は、読み出し層２２０と略平行に、しかし離れて配置される。層２１０、２２０は、開口２２２の場所が不透明なコーティング２１４内のピット２１６の潜在的な位置の場所と略整列されるよう整列される。
【００２８】
リーダ１００は、光源１１０及び光センサ１２０を有する。光源１１０は、例えば、レーザ又はＬＥＤ（発光ダイオード、又はかかる装置のアレイ）でありうる。
【００２９】
本願明細書では、光の語は、可視光、赤外線及び紫外線の範囲を含むいかなる電磁放射も示すのに用いられる。更に、本願では、不透明及び透明の語は、当該の材料が、装置を読むのに用いられる当該の波長で光の通過を実質的に阻止するか又は実質的に透過させる化を示すのに用いられる。
【００３０】
本実施例では、光源１１０は、情報層の表面の面積全体に亘って波長λで光を与える。便宜上、光１１２は、読み出し層２２０内の光学開口２２２の位置に対応する別個の矢印（１１２，１１２ｂ，．．．，１１２ｈ）によって示される。
【００３１】
本実施例の光センサ１２０は、感光領域又は画素のアレイを有する。各感光領域は、ピット又はデータ領域の夫々の潜在的な場所に対応する。イメージセンサは、例えば、ＣＣＤ（電荷結合素子）又はＣＭＯＳ（相補形ＭＯＳ）光センサでありうる。
【００３２】
各光学開口２２２が当該のビット又はデータ領域２１６を通って透過する光の近接場を有効且つ優勢に結像することを確実とするために、読み出し層２２０は、不透明層２１４から距離δだけ離され、δ＜λである。スペーサは、この分離を維持するようカード２０５内で使用されうる。透明な開口２２２（ｎ及びｍは整数）の各ｎ×ｍのアレイは、データ領域２１６（この例では照射する光１１２と同じ波長に対応する）から発せられる光の波長よりも小さい寸法とされ（即ち、幅、長さ、又は直径を有し）、望ましくは、層の間の分離δの寸法と同じである。望ましくは、各ピット即ちデータ領域は、λよりも小さい幅（又は、データ領域が円形であれば、直径）である。
【００３３】
開口２２２の間隔は、イメージセンサの画素ピッチＷと同一であるよう選定される。典型的なＣＣＤ装置では、画素ピッチは数マイクロメートルのオーダである。カートリッジ２０５とイメージセンサ１２０の間の間隔ｄは、カードがリーダから取り外されることを可能とするのに十分に大きいよう選定される。望ましくは、読み出し層２２０は、カートリッジ２０５の厚さを最小限とするよう、カートリッジの一体の底部である。
【００３４】
読み出し時に、光は、光源１１０からカード２０５へ向かって発せられる。データ領域即ちピットが不透明層２１４に形成される位置では、光は層を通って透過され、この光の近接場は続いて関連のある光学開口２２２によって結像され、光学開口２２２から得られる光信号（例えば、１１８ａ，１１８ｃ，１１８ｄ，１１８ｆ及び１１８ｈ）は、イメージセンサ１２０の関連のある画素１２２によって検出される。
【００３５】
イメージセンサ１２０は、関連のある画素に入射する光の強度を決定することにより、光学ピットが不透明層２１４内の対応する位置に存在するかどうかを検出しうる。
【００３６】
上述の実施例は、例のためにのみ示されたものであって、当業者によれば本発明の範囲内の様々な代替案が明らかとなろう。
【００３７】
例えば、光センサは、読み出し層と略同じ寸法でありうる。しかしながら、その代わりにより小さいイメージセンサが使用され、データは、センサがカードの異なった位置を操作するようカード２０５又はセンサ１２０のいずれかを順次に移動させるようステッピング手段を使用して読み出されてもよい。
【００３８】
上述の実施例では、情報記憶ユニット２００は、着脱可能なカード２０５として説明された。しかしながら、情報記憶ユニットはリーダから着脱可能である必要はなく、必要であれば情報記憶ユニットと一体の部分を形成しうることが認められるであろう。
【００３９】
上述の実施例では、各データ領域は、情報を示す位置にピットが存在するか存在しない、透明カバー層内のピットに対応する。しかしながら、様々な他の実施例が、本発明の範囲内にある。例えば、異なった寸法（即ち幅、長さ、又は直径）のピットは、検出器において受信された光の強度の異なったレベル（異なった寸法のピットに対応する）が異なった位置を示すよう、グレースケールを与えるのに使用されうる。
【００４０】
図４に示すような空のピットを有する不透明層の代わりに、情報層２１４は、ピットのアレイ（２１６’ａ，２１６’ｂ，２１６’ｃ等）の中に蛍光染料を含みうる。このような場合、光源１１０は、蛍光材料を励起させるのに十分な波長λ1で光を与えるよう配置されうる。材料が蛍光を発すると、より長い（より低いエネルギーの）波長λ2で光を発する。このより長い波長の光λ2は、発せられた光の近接場が夫々の光学開口によって結像された後は、イメージセンサ１２０によって検出される。このような場合、レイヤ２１０と２２０の間の分離は、発せられた光の波長よりも小さく、即ちλ2よりも小さい。情報はまた、ピットの存在及び／又は寸法、又は各ピット内の蛍光材料の濃度を変化させることによって再び記憶されうる。
【００４１】
或いは、ピットを用いる代わりに、各データ領域は小さい反射器に対応しうる。情報層２１０は、側方から、即ち情報層の平坦な平面と平行な方向から照射されうる。読み出し層内の開口は、夫々の反射器からの反射光の近接場を結蔵するよう配置されうる。反射光の有無もまた、関連のある情報の有無を示す。
【００４２】
図４に示すように、本発明のいずれの実施例に対する向上としても、情報層２１０と読み出し層２２０の間の隙間は、発せられた波長（即ちλ又はλ2）での屈折率が１よりも大きい材料２３０で満たされうる。屈折率ｎ＞１を有する材料を用いることは、透過効率を失うことなく、より小さい開口及びピットを使用することを可能とし、それにより情報層上により高い情報密度を可能とする。
【００４３】
情報は、情報記憶ユニット（２００，２００’）の製造時に情報層に書き込まれうる。或いは、書き込み手段は、所定のプロセスによって変更されうる光学的性質を有するデータ領域を与えることにより、その場所にある間に情報層に情報を書き込むために設けられうる。例えば、情報層上のデータ領域は、書き込み可能及び再書き込み可能なＣＤ−ＲＯＭに書き込むために使用されるのと同様のプロセスを用いて変更可能であり得る。
【００４４】
図５は、本発明の第３の実施例によるカード及びリーダの断面図を示す。
【００４５】
カード１２００は、情報層１２１０及び読み出し層１２２０を有することが観察される。上述のように、情報層１２１０は、透明層１２１２と光学的に不透明な層１２１４とを有する。
【００４６】
リーダ１００は、光源１１０及び光学センサ１２０を有する。光学センサは、各領域が幅Ｗである感光領域のアレイを有する。
【００４７】
読み出し層は、複数の開口（１２２２ａ，１２２２ｂ，１２２２ｃ，．．．）を有し、読み出し層の幅Ｗ毎に１つの開口である。この特定の実施例では、光センサ１２０の全体の幅は読み出し層１２２０の全体の幅と同じであり、読み出し層の各開口は光センサ１２０の夫々の感光領域（１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，．．．）に対応する。
【００４８】
この特定の実施例と上述の実施例の明らかな相違点は、読み出し層１２２０内の各開口１２２２に対して複数のデータ領域１２１６ａ，１２１６ｂ，１２１６ｃがあることである。読み出し層内の開口は、データ領域と同様の寸法である。望ましくは、読み出し層内の異なった開口が同じデータ領域を同時に撮像するのを防止するよう、間隔δはこの寸法よりもわずかに小さい。望ましくは、データ領域の寸法（即ち、幅、長さ、又は直径）、読み出し層内の開口の寸法、並びに、読み出し層と情報層の間の分離は、全て、装置が近接場結合体制で動作するよう、波長と同じオーダであるか波長よりも僅かに小さい。
【００４９】
この特定の実施例では、情報層１２１０は、読み出し層１２２０及びイメージセンサ１２０の両方に対して可動である。これは、情報層を静止させたままとし、読み出し層１２２０及びイメージセンサ１２０の両方を移動させ、又は、より望ましくは、読み出し層１２２０及びイメージセンサ１２０を静止させたままとし、情報層１２１０を読み出し層１２２０に対して平行な平面内で（例えば矢印Ｘで示す方向に）移動させることにより達成されうる。
【００５０】
この移動は、開口１２２２に異なったデータ領域を撮像させ、従って感光領域に異なったデータ領域からの光を検出させる。例えば、最初は、データ領域を読み出し層の開口と整列させることは、データ領域１２１６ｂが開口１２２２ａによって結像され、開口からの光は対応する感光領域１２２ａによって検出されうる。しかしながら、情報層１２１０が僅かに左へ移動されると、開口１２２２ａはデータ領域１２１６ｃを結像する（そして、対応する感光領域１２２ａは、対応する開口１２２２ａによって結像された光を検出する）。
【００５１】
この移動は、カード内であってもよいが、より望ましくはリーダ内にある、圧電アクチュエータ等の移動手段によって達成されうる。
【００５２】
望ましくは、データ領域は、読み出し層内の開口の間隔の整数比で間隔があけられる。図５に示す実施例では、読み出し層内に距離Ｗ当たり１つの開口があり、従ってそれに対応して情報層１２１０内には距離Ｗ当たりｌ（エル）個のデータ領域があり、ｌは任意の整数である（本例では、ｌ＝４）である。データ領域１２１６、開口１２２２、及び感光領域１２２が一定間隔であると想定すると、このことは情報が光センサによりデータ領域から並列に収集されることを可能とする。
【００５３】
例えば、図５に示す例では、第１のデータ領域１２１６ａが第１の開口１２２２ａによって結像され、感光領域１２２ａによって検出されれば、第５のデータ領域１２１６ｅは、第２の開口１２２２ｂによって同時に結像され、対応する光センサ領域１２２ｂによって検出され、第９番目のデータ領域は第３の開口１２２２ｃと整列される等である。従って、（データ領域１２１６ａ，１２１６ｂ，１２１６ｃ及び１２１６ｄが読み出し開口１２２２ａにより結像されるよう）情報領域１２１０を距離Ｗだけ横に移動することにより、全てのデータ領域は、夫々の読み出し開口及び対応する感光領域によって走査されうる。
【００５４】
上述の例では、データ領域／感光領域の線及び開口のみが考慮に入れられた。しかしながら、夫々がｘ−ｙ平面内にあるかかる開口、データ領域、及び感光領域の規則的な２次元アレイが存在すると想定すると、単純に情報層１２１０をｘ平面上で距離Ｗだけ移動させること及び続いてｙ平面上で距離Ｗ／ｎだけｎ回移動させることにより、情報層１２１０内の全てのデータ領域を走査することが可能である。
【００５５】
本願に記載のリーダ、又はかかるリーダを組み込んだ情報記憶ユニットは、いかなる情報処理システムにおいても、即ち情報が記憶ユニットへ書き込まれる必要がある、又は記憶ユニットから詠み出される必要があるいかなる装置においても、使用されうる。例えば、かかる情報処理システムは、コンピュータ、音楽再生システム、画像再生システム、データ記憶システム等を含みうる。
【００５６】
読み出し層が夫々のデータ領域から発せられた光の近接場のみを実質的に結像することを有するよう構成された光情報記憶ユニットを提供することにより、データ領域からの光の遠場相互作用に関連する屈折効果は生じず、従って高い密度の情報記憶ユニットが形成されうる。更に、光の近接場の結像は補元来、読み出し層が情報層の近傍に（即ち回旋状の光学結像路なしに）配置されていることを意味するため、小型の光記憶ユニットが形成されうる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施例による情報カード及びリーダを有する情報記憶システムを示す断面図である。
【図２】図１に示すカードの読み出し層を示す平面図である。
【図３】図１に示すカードの情報層を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例による情報カード及びリーダを有する情報記憶システムを示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例による情報カード及びリーダを有する情報記憶システムを示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2006511020.tif 000009
2006511020.tif 000010