(57)【要約】空間光変調器が、そのような変調器を作製するための方法とともに開示される。空間光変調器はマイクロミラーのアレイを備え、各マイクロミラーは、ヒンジと、基板上に前記ヒンジを介して保持されたマイクロミラープレートであって、前記ヒンジから離れた平面に配置され、前記マイクロミラープレートを横切る対角線を有し、前記マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた回転軸に沿って前記マイクロミラープレートがピボット可能であるようにヒンジに対して取り付けられたマイクロミラープレートとを備える。また、そのような空間光変調器ならびに、光源と、前記光源からの光が前記マイクロミラーのアレイに集束される集光光学系と、前記マイクロミラーのアレイから選択的に反射された光を投写する投写光学系と、前記アレイ中のマイクロミラーを選択的に作動させるコントローラとを備える投写システムが開示される。
2006517688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロミラーのアレイを備えた空間光変調器であって、各マイクロミラーは、
ヒンジと；
基板上に前記ヒンジを介して保持されたマイクロミラープレートであって、前記ヒンジから離れた平面に配置され、前記マイクロミラープレートを横切る対角線を有し、前記マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた回転軸に沿って前記マイクロミラープレートが回転可能であるように前記ヒンジに取り付けられたマイクロミラープレートと
を備えた空間光変調器。
【請求項２】
基板上のマイクロミラーのアレイを備えた空間光変調器であって、各マイクロミラーは、
２つのポストと；
ヒンジと；
前記基板上に前記ヒンジおよび２つのポストを介して保持されたマイクロミラープレートであって、前記ヒンジから離れた平面に配置され、前記マイクロミラープレートを横切る対角線を有し、前記２つのポストの間を結ぶ直線上にないポイントにおいて前記ヒンジに取り付けられたマイクロミラープレートと
を備えた空間光変調器。
【請求項３】
前記ヒンジはねじりヒンジであり、前記ミラープレートは前記ねじりヒンジの位置に対応する回転の軸に沿って回転する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項４】
前記マイクロミラープレートは、前記ヒンジを前記基板に接続する１つ以上のポストによって前記基板上に保持される、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項５】
前記ヒンジが前記マイクロミラープレートに取り付けられるポイントは、前記マイクロミラープレートの前記対角線上にない、請求項４に記載の空間光変調器。
【請求項６】
前記ヒンジは、前記マイクロミラープレートと前記基板との間に配置されている、請求項１または２の空間光変調器。
【請求項７】
マイクロミラーのＯＮ状態は、前記マイクロミラーからの光が、ターゲット上に投写された画像中の画素として視認されるように、前記マイクロミラーの回転が止められたポイントとして規定される、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項８】
前記ＯＮ状態において、前記マイクロミラーは、前記基板または前記基板上にパターニングされた構造に当接することにより、前記マイクロミラープレートのさらなる回転が防がれる、請求項７に記載の空間光変調器。
【請求項９】
各マイクロミラーは、前記ヒンジを前記基板に接続するための支持ポストと、前記マイクロミラープレートの回転に対抗するための、前記支持ポストによって保持され、突出してなるストップ機構とを備える、請求項７に記載の空間光変調器。
【請求項１０】
前記ヒンジは、前記マイクロミラープレートを前記基板上に回転可能に保持するヒンジサポート構造の一部であり、前記ヒンジサポート構造は、前記マイクロミラープレートが静電的に偏向されていないときに、前記層間の応力差により湾曲状態を有する積層構造である、請求項９に記載の空間光変調器。
【請求項１１】
各マイクロミラーは、前記ヒンジを前記基板に接続するための支持ポストと、前記マイクロミラープレートの回転に対抗するための、前記支持ポストによって保持され、突出してなるストップ機構とを備え、前記マイクロミラーはＯＮ状態において前記ストップ機構に衝突し、前記マイクロミラープレートは対角線を有する、実質的に四辺を持ったプレートであり、前記ヒンジは対角線から少なくとも０．５μｍ離れた点において前記マイクロミラープレートに取り付けられ、かつ前記ヒンジは前記ミラープレートから少なくとも０．１μｍの空隙をおいて離れた平面に配置される、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１２】
前記基板は可視光線に対して透過性の基板である、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１３】
前記基板はガラスまたは石英である、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１４】
前記マイクロミラーを静電的に偏向させるために、電極およびその上の回路を有する第２の基板が、可視光線に対して透過性である前記基板に近く位置される、請求項１２に記載の空間光変調器。
【請求項１５】
前記マイクロミラープレートは実質的に正方形である、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１６】
前記マイクロミラープレートは実質的に菱形形状を有する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１７】
前記マイクロミラープレートは実質的に台形形状を有する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１８】
前記マイクロミラープレートは実質的に矩形形状を有する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項１９】
前記ヒンジはねじりヒンジであり、前記ミラープレートは前記ねじりヒンジの位置に対応する回転の軸に沿って回転する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項２０】
回転の軸は前記マイクロミラープレートの対角線から０．５マイクロメートル以上離れている、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項２１】
前記回転の軸は前記マイクロミラープレートの対角線から１．０マイクロメートル以上離れている、請求項２０に記載の空間光変調器。
【請求項２２】
前記回転の軸は前記マイクロミラープレートの対角線から２．０マイクロメートル以上離れている、請求項２１に記載の空間光変調器。
【請求項２３】
前記基板の表面は反射防止膜で覆われている、請求項１３に記載の空間光変調器。
【請求項２４】
前記ヒンジが前記マイクロミラープレートに取り付けられるポイントは、前記マイクロミラープレートの対角線から、前記対角線の長さの１／４０から１／３の距離離れた点に位置する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項２５】
前記ヒンジが前記マイクロミラープレートに取り付けられるポイントは、前記マイクロミラープレートの対角線から、前記対角線の長さの１／２０から１／４の距離離れた点に位置する、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項２６】
各マイクロミラーは、前記ヒンジを前記基板に接続するための支持ポストと、前記マイクロミラープレートの回転に対抗するための、前記支持ポストによって保持され、突出してなるストップ機構とを備え、前記マイクロミラーはＯＮ状態において前記ストップ機構に衝突し、前記マイクロミラープレートは対角線を有する実質的に四辺を持ったプレートであり、前記ヒンジは対角線から少なくとも０．５μｍ離れた点において前記マイクロミラープレートに取り付けられ、かつ前記ヒンジは前記ミラープレートから少なくとも０．１μｍの空隙をおいて離れた平面に配置される、請求項１または２に記載の空間光変調器。
【請求項２７】
光源と；
上記請求項のうちいずれか一つに記載の空間光変調器と；
前記光源からの光が前記マイクロミラーのアレイに集束される、集光光学系と；
前記マイクロミラーのアレイから選択的に反射された光を投写する投写光学系と；
前記マイクロミラーのアレイ中のマイクロミラーを選択的に作動させるコントローラと
を備える投写システム。
【請求項２８】
基板を用意することと；
第１の犠牲層を堆積することと；
入射光を反射するマイクロミラープレートを形成することと；
第２の犠牲層を堆積することと；
前記マイクロミラープレートを前記基板に接続するヒンジ構造を形成することと；
前記犠牲層を除去することと
を包含する、方法。
【請求項２９】
前記マイクロミラープレートは対角線を有しており；
前記ヒンジ構造は、前記対角線上にないポイントにおいて前記マイクロミラープレートに取り付けられた前記基板上に形成され、上記ヒンジ構造は、前記マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた回転軸によって前記マイクロミラープレートが回転可能であるように前記マイクロミラープレートを保持する、
請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記犠牲層をパターニングすることにより、前記基板に達する２つのビアおよび前記マイクロミラープレートに達する１つのビアを、上記３つのビアが三角形を形成するように形成することと；前記３つのビア中のポストと、前記マイクロミラープレートを前記基板に接続するためのその間のヒンジ構造とを備える前記ヒンジ構造を形成することと
を包含する請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記マイクロミラープレートを前記基板に接続するためのヒンジ構造を前記第２の犠牲層上に形成することであって、前記ヒンジ構造の形成は、固有の正の引っ張り歪みを有する第１のヒンジ構造層を堆積することと、前記第１の層上に第２のヒンジ構造層を堆積することとを包含しており、ここで前記第２の層は固有の負の圧縮歪みを有し；
前記第１および第２のヒンジ構造層が、固有応力の差のためにその自然な休止状態において湾曲しており、前記マイクロミラープレートが、前記基板に平行でない位置で前記ヒンジ構造に保持されるように、前記第１および第２の犠牲層を除去することと
を包含する請求項２８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概して空間光変調器に関し、特にヒンジ構造を有する空間光変調器の製造に関する。
【０００２】
空間光変調器（ＳＬＭ）は、光学的または電気的入力に応じて入射光線を空間的パターンに変調する、変換器である。入射光線は、位相、強度、偏光、または方向について変調され得る。この変調は、光磁気、電気光学、または弾性的特性を示す様々な材料を用いて達成し得る。ＳＬＭは、光情報処理、ディスプレイシステム、および静電印刷を含む、多くの用途を有する。
【０００３】
投写型ディスプレイシステムにおける使用のために設計された初期のＳＬＭが、Ｎａｔｈａｎｓｏｎの米国特許第３，７４６，９１１号に記載されている。このＳＬＭの個々の画素は、従来の直視型陰極線管（ＣＲＴ）のように、走査電子ビームによってアドレスされる。蛍光体を励起する代わりに、電子ビームが、石英の面板上に並べられた偏向可能な反射性素子を帯電させる。帯電した素子は、静電力のために、面板に向かって屈曲する。屈曲した素子と屈曲していない素子とは、平行な入射光線を異なる方向に反射する。屈曲していない素子から反射された光は、１群のシュリーレンストップ（Ｓｃｈｌｉｅｒｅｎ  ｓｔｏｐｓ）によって遮ぎられ、一方、屈曲した素子からの光は投写光学系を通過し、スクリーン上にイメージを形成する。別の電子ビームアドレス型のＳＬＭは、Ｅ．Ｂａｕｍａｎｎ，"Ｔｈｅ  Ｆｉｓｃｈｅｒ  ｌａｒｇｅ−ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ（Ｅｉｄｏｐｈｏｒ）"２０  Ｊ．ＳＭＰＴＥ  ３５１  （１９５３）に記載されている、アイドホール（Ｅｉｄｏｐｈｏｒ）である。このシステムにおいて、アクティブな光学素子は、入射光を回折するように電子ビームによって周期的に凹部を設けられた油膜である。アイドホールシステムの欠点は、絶え間ない電子の衝突によって油膜が重合し、また油蒸気のためカソード寿命が短いことである。これらの両システムの欠点は、かさばりかつ高価な真空管を用いる点である。
【０００４】
可動素子がシリコン基板上の電気回路を介してアドレスされるＳＬＭが、Ｋ．Ｐｅｔｅｒｓｏｎ，"Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  Ａｒｒａｙ  Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ"３１  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．５２１（１９７７）に記載されている。このＳＬＭは、シリコン基板の上方に１６×１個のカンチレバーミラーのアレイを含んでいる。ミラーは二酸化シリコンから形成され、反射性の金属コーティングを有している。ミラー下部の空間は、ＫＯＨエッチによってシリコンをエッチング除去することにより形成される。ミラーは静電引力により偏向される。すなわち、反射性素子と基板との間に電圧バイアスがかけられ、静電力を発生する。２次元アレイを備えた同様なＳＬＭが、ＨａｒｔｓｔｅｉｎおよびＰｅｔｅｒｓｏｎの米国特許第４，２２９，７３２号に記載されている。このＳＬＭのスイッチング電圧は、偏向可能なミラー素子を１つの角部のみで接続することによって低減されているが、断片的な有効領域の小ささのため、この装置は低い効率を有する。加えて、アドレス回路からの回折のため、ディスプレイのコントラスト比（変調深さ）が低下する。
【０００５】
別のＳＬＭ設計として、Ｂｌｏｏｍらの米国特許第５，３１１，３６０号に記載されたグレーティングライトバリュー（ＧＬＶ）がある。このＧＬＶの偏向可能な機械的素子は、反射性の平坦な梁部またはリボンである。リボンと基板との両方から光が反射する。もし反射性リボンおよび反射性基板の表面間の距離が波長の２分の１であれば、２つの表面から反射された光は強め合うように合算され、当該装置はミラーとして作用する。もしこの波長が波長の４分の１であれば、２つの表面から直接反射された光は弱め合うように干渉し、当該装置は回折格子として作用することにより、光を回折状態で送り出す。各画素位置でアクティブ半導体回路を用いる代わりに、'３６０号特許におけるアプローチは、固有の電気機械的双安定性を利用してパッシブアドレス法を実現している。この双安定性は、偏向のために必要となる機械的な力がおおよそリニアである一方で、静電力は逆二乗則に従うために存在する。電圧バイアスが印加されると、リボンが偏向する。リボンがある点を超えて偏向されると、復元しようとする機械的力は静電力とバランスが取れなくなり、リボンは基板の方に折れる（スナップする）。リボンが非偏向位置に戻るためには、電圧はスナップ電圧よりも実質的に低く下げられなければならない。ＬＰＣＶＤ（低圧化学蒸着：ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）窒化シリコンなどの機械的質の高いセラミック膜を用いてリボンを形成することができる。しかし、ＧＬＶにはいくつかの困難性が存在する。１つの問題は、パッシブアドレス法では、高いフレームレート（ＳＬＭフィールド全体が更新されるレート）を得られないかも知れないことである。また、パッシブアドレス法では、リボンはオフ時においてもわずかに若干偏向する。これにより、達成可能なコントラスト比が低減する。また、装置は実質的に平坦であるが、ＤＭＤと同様に画素間の領域から光が散乱し、コントラスト比がさらに下がる。
【０００６】
別の回折型ＳＬＭとして、Ｐ．Ａｌｖｅｌｄａ，"Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｃｏｌｏｒ  Ｍｉｃｒｏｄｉｓｐｌａｙｓ"３０７  ＳＩＤ  ９５  Ｄｉｇｅｓｔに記載されたマイクロディスプレイがある。このＳＬＭは、格子パターンに並べられた電極の上に液晶層を用いる。画素は、適切な電圧を交互の電極に印加することにより、オンオフされ得る。この装置はアクティブアドレスされ、ＧＬＶよりも良好なコントラスト比を有し得る。しかしこの装置は、液晶の複屈折性に基づいており、偏光を必要とするため、光効率が低下する。さらに、液晶の応答時間は遅い。従って、カラーを達成するためには３つの装置（すなわち各原色用に１つずつ）がパラレルに用いられなければならない。この構成は高価な光学系につながる。
【０００７】
大きな断片的な光学的有効領域を持つシリコン系のマイクロメカニカルＳＬＭとしては、Ｔｅｘａｓ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓにより開発されＨｏｒｎｂｅｃｋの米国特許第５，２１６，５３７号およびその他の文献に記載されたデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）がある。
【０００８】
従って、高解像度、高充填比（ｈｉｇｈ  ｆｉｌｌ  ｆａｃｔｏｒ）、および高コントラスト比を有する、空間光変調器が必要である。
【０００９】
さらに、偏光を必要とせず、従って光学的に効率的かつ機械的に丈夫な（ｒｏｂｕｓｔ）空間光変調器が必要である。
【００１０】
本発明の一実施形態では、反射性マイクロミラーが開示される。マイクロミラーは、ヒンジと；対角線を有するマイクロミラープレートであって、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた回転軸に沿ってピボット可能であるようにヒンジに取り付けられたマイクロプレートとを備える。
【００１１】
本発明の別の実施形態において、マイクロミラー装置を作製する方法が提供される。本方法は、基板を提供することと；第１の犠牲層を堆積することと；対角線を有するマイクロミラープレートを形成することと；第２の犠牲層を堆積することと；マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた回転軸に沿ってマイクロミラープレートがピボット可能なように、マイクロミラープレートを基板上方に保持するためのヒンジ構造を、基板上に形成することと；第１および第２の犠牲層を除去することとを包含する。
【００１２】
本発明のさらに別の実施形態において、反射性マイクロミラー装置がここに開示される。本マイクロミラー装置は、基板と；対角線を有するマイクロミラープレートであって、基板上方に形成され入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた回転軸に沿ってマイクロミラープレートがピボット可能なようにマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジをさらに備える、ヒンジ構造と；ヒンジを保持するヒンジサポートであって、自然な休止状態において湾曲しているヒンジサポートとを備える。
【００１３】
本発明のさらに別の実施形態において、マイクロミラー装置を作製する方法がここに提供される。本方法は、基板を提供することと；第１の犠牲層を堆積することと；入射光を反射するマイクロミラープレートを第１の犠牲層上に形成することと；マイクロミラープレート上に第２の犠牲層を堆積することと；マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた軸に沿ってマイクロミラープレートがピボット可能なように、マイクロミラープレートを保持するためのヒンジ構造を第２の犠牲層上に形成することであって、固有の正の引っ張り歪みを有する第１のヒンジ構造層を堆積することをさらに包含することと；固有の負の圧縮歪みを有する第２のヒンジ構造層を第１の層上に堆積することと；第１および第２のヒンジ構造層が自然な休止状態において湾曲しており、ヒンジ構造によって保持されたマイクロミラープレートが自然な休止状態において基板に対して平行でないように、第１および第２の犠牲層を除去することとを包含する。
【００１４】
本発明のまたさらに別の実施形態において、反射性マイクロミラー装置がここに開示される。本装置は、基板と；入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた軸に沿ってマイクロミラーがピボット可能なようにマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジと、上記軸に沿ったマイクロミラープレートの回転を停止させる１つ以上のミラーストップとをさらに備えるヒンジ構造とを備える。
【００１５】
本発明のさらに別の実施形態において、マイクロミラーアレイがここに開示される。本装置は、基板と；基板上に形成された複数のマイクロミラーとを備え、各マイクロミラーはさらに、入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた軸に沿ってマイクロミラーがピボット可能なようにマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジと、上記軸に沿ったマイクロミラープレートの回転を停止させる１つ以上のミラーストップとをさらに備えるヒンジ構造とを備える。
【００１６】
本発明のさらに別の実施形態において、プロジェクタがここに開示される。本プロジェクタは、入射光を提供する光源と；マイクロミラーアレイとを備え、マイクロミラーアレイはさらに、基板と；基板上に形成された複数のマイクロミラーとを備え、各マイクロミラーはさらに、入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた軸に沿ってマイクロミラーがピボット可能なようにマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジと、上記軸に沿ったマイクロミラープレートの回転を停止させる１つ以上のミラーストップとをさらに備えるヒンジ構造とを備える。
【００１７】
本発明のまたさらに別の実施形態において、反射性マイクロミラー装置がここに開示される。本装置は、基板と；基板上に形成された２つ以上のポストによって基板上方に保持されたヒンジと；２つのポストの間を結ぶ直線上にないポイントにおいてヒンジに取り付けられたマイクロミラープレートとを備える。
【００１８】
本発明のさらに別の実施形態において、反射性マイクロミラー装置が開示される。本装置は、基板と；基板上に形成されたヒンジ構造であって、基板上に形成された２つ以上のポストと、上記２つ以上のポストによって基板上方に保持され、自然な休止状態において湾曲しているヒンジサポートと、ヒンジサポートによって基板上方に保持されたヒンジとをさらに備えるヒンジ構造と；２つのポストの間を結ぶ直線上にない点においてヒンジに取り付けられた、入射光を反射するマイクロミラープレートであって，規定された対角線を有するマイクロミラープレートとを備える。
【００１９】
本発明の別の実施形態において、反射性マイクロミラー装置がここに開示される。本装置は、基板と；入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、基板上に形成された２つ以上のポストと；ポストによって基板上方に保持され、２つのポストの間を結ぶ直線上にない点においてマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジと；上記軸に沿ったマイクロミラープレートの回転を停止させる１つ以上のミラーストップとをさらに備えるヒンジ構造とを備える。
【００２０】
本発明のさらに別の実施形態において、マイクロミラーアレイがここに開示される。本マイクロミラーアレイは、基板と；基板上に形成された複数のマイクロミラーとを備え、各マイクロミラーはさらに、入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、基板上に形成された２つ以上のポストと；ポストによって基板上方に保持され、２つのポストの間を結ぶ直線上にない点においてマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジと；上記軸に沿ったマイクロミラープレートの回転を停止させる１つ以上のミラーストップとをさらに備えるヒンジ構造とを備える。
【００２１】
本発明のまたさらに別の実施形態において、プロジェクタがここに開示される。本プロジェクタは、入射光を提供する光源と；マイクロミラーアレイとを備え、マイクロミラーアレイはさらに、基板と；基板上に形成された複数のマイクロミラーとを備え、各マイクロミラーはさらに、入射光を反射するマイクロミラープレートと；マイクロミラープレートを保持するために基板上に形成されたヒンジ構造であって、基板上に形成された２つ以上のポストと；ポストによって基板上方に保持され、２つのポストの間を結ぶ直線上にない点においてマイクロミラープレートに取り付けられたヒンジと；上記軸に沿ったマイクロミラープレートの回転を停止させる１つ以上のミラーストップとをさらに備えるヒンジ構造とを備える。本発明の一局面において、ヒンジは、マイクロミラープレートの、基板とは反対側に配置される。基板は好ましくは可視光線に対して透過性である。
【００２２】
本発明の一局面において、マイクロミラーを静電的に偏向させるために、電極およびその上の回路を有する第２の基板が、可視光線に対して透過性である上記基板に近く位置される。マイクロミラープレートは、正方形、または実質的に菱形形状、または実質的に台形形状、または実質的に矩形形状であり得る。
【００２３】
本発明の一局面において、回転の軸は、マイクロミラープレートの対角線から０．５マイクロメートル以上、好ましくは１．０マイクロメートル以上、最も好ましくは２．０マイクロメートル以上離れて位置している。
【００２４】
本発明の一局面において、マイクロミラープレートの端辺が、光吸収材料により覆われている。基板は、ガラスまたは石英基板であり、反射防止膜で覆われていてもよい。
【００２５】
本発明の一局面において、マイクロミラープレートは、ＯＮ状態に達したときストップ機構に当接する。マイクロミラーのＯＦＦ状態は、基板に対して少なくとも−２度、好ましくは少なくとも−３度の角度である。
【００２６】
本発明の一局面において、ヒンジは、マイクロミラープレートから少なくとも０．１マイクロメートルの空隙をおいて離れた平面に配置され、かつ／あるいはマイクロミラープレートは２５ミクロン以下の対角線長を有する。
【００２７】
本発明の一局面において、ヒンジがマイクロミラープレートに取り付けられる点は、マイクロミラープレートの対角線から、対角線の長さの１／４０から１／３、好ましくは１／２０から１／４の距離離れた点に位置する。
【００２８】
本発明の一局面において、各マイクロミラーは、ヒンジを基板に接続するための支持ポストと、マイクロミラープレートの回転に対抗するための、支持ポストによって保持され、突出してなるストップ機構とを備え、マイクロミラーはＯＮ状態においてストップ機構に衝突し、マイクロミラープレートは対角線を有する、実質的に四辺を持ったプレートであり、ヒンジは対角線から少なくとも０．５μｍ離れた点においてマイクロミラープレートに取り付けられ、かつヒンジはミラープレートから少なくとも０．１μｍの空隙をおいて離れた平面に配置される。
【００２９】
本発明の一局面において、ヒンジはチタンおよび／またはシリコンの窒化物を有してなり、犠牲層はアモルファスシリコンを有してなり、犠牲層は自発的気相化学エッチャント（ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ  ｇａｓ  ｐｈａｓｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｅｔｃｈａｎｔ）を用いて除去される。エッチャントは、希ガスフッ化物またはハロゲン間化合物であり得る。犠牲層は、ポリマーを有してなり得る。
【００３０】
本発明の一局面において、第１のヒンジ構造層は化学蒸着法により堆積され、第２のヒンジ構造層は物理蒸着法により堆積され、あるいは、第２のヒンジ構造層は反応性スパッタリングされたセラミック層であり、第１のヒンジ構造層は化学蒸着法により堆積されたセラミック層である。
【００３１】
添付の特許請求の範囲は、本発明の特徴を特定的に記載するが、本発明ならびにその目的および利点は、以下の詳細な説明を添付の図面とともに参照することによって最もよく理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
図１は、空間光変調器を用いた一例としてのディスプレイシステムを図示する；
【００３３】
図２は、図１のディスプレイシステムにおいて用いられる空間光変調器の上面図である；
【００３４】
図３Ａは、本発明の一実施形態におけるマイクロミラー群の背面図である；
【００３５】
図３Ｂは、図３Ａのマイクロミラーのヒンジ構造を示す；
【００３６】
図３Ｃは、本発明の別の実施形態におけるマイクロミラー群の背面図である；
【００３７】
図３Ｄは、図３Ｃのマイクロミラーのヒンジ構造を示す；
【００３８】
図３Ｅは、本発明のさらに別の実施形態におけるヒンジ構造を示す；
【００３９】
図３Ｆは、本発明のさらに別の実施形態におけるヒンジ構造を示す；
【００４０】
図３Ｇは、本発明の別の実施形態におけるヒンジ構造を示す；
【００４１】
図４Ａは、「ＯＦＦ」状態におけるマイクロミラー装置の断面図である；
【００４２】
図４Ｂは、別の「ＯＦＦ」状態におけるマイクロミラー装置の断面図である；
【００４３】
図４Ｃは、「ＯＮ」状態におけるマイクロミラー装置の断面図である；
【００４４】
図４Ｄは、さらに別の「ＯＦＦ」状態におけるマイクロミラー装置の断面図であり、ヒンジ構造は２組のミラーストップを有している；
【００４５】
図４Ｅは、マイクロミラー装置の別の実施形態の断面図であり、ミラーが「ＯＮ」状態である；
【００４６】
図５Ａは自然な休止状態において湾曲するヒンジサポートを有する、マイクロミラー装置の断面図である；
【００４７】
図５Ｂは、本発明の一実施形態における、一例としてのヒンジサポートの離型前の断面図である；
【００４８】
図５Ｃは、図５Ｂのヒンジサポートの離型後の断面図である；
【００４９】
図６Ａから図６Ｈは、本発明の一実施形態におけるマイクロミラー装置を形成するための方法を示す、構造断面図である；
【００５０】
図７Ａから図７Ｂは、本発明の別の実施形態におけるマイクロミラー装置を形成する別の方法を示す、構造断面図である；
【００５１】
図８は、犠牲層を除去することにより解放後の、マイクロミラー装置の断面図を示す。
【００５２】
可動マイクロミラーおよびミラーアレイなどのＭＥＭＳデバイスを微細製造するためのプロセスが、米国特許第５，８３５，２５６号および第６，０４６，８４０号（いずれもＨｕｉｂｅｒｓ）に記載されている。これら各々の主題（ｓｕｂｊｅｃｔ  ｍａｔｔｅｒ）を本願において援用する。ＭＥＭＳ可動素子（例えばミラー）をウェハ基板（例えば透光性基板、または、ＣＭＯＳまたはその他の回路を備える基板）上に形成するための同様なプロセスが、本願において説明される。「光透過性」とは、少なくとも装置の動作中において材料が光を透過することを意味する（当該材料は、製造中における基板の取り扱い性を改善するためにその上に一時的に遮光層を有していてもよく、あるいは使用中における光散乱を減少させるための部分的な遮光層を有してもよい。いずれにせよ、可視光用途については、基板の一部は使用中において好ましくは可視光線に対して透過性であることにより、光は装置内に入射し、ミラーによって反射され、装置から再び出射することができる。もちろん、すべての実施形態が透光性基板を用いるわけではない）。「ウェハ」とは、多数のマイクロミラーまたはマイクロ構造アレイが形成され、ダイスに分割され得る（各ダイスがその上に１つ以上のマイクロミラーを有する）ような、任意の基板を意味する。すべての状況においてではないが、各ダイスが、個々にパッケージングされて販売される１つのデバイスまたは製品であることが多い。多数の「製品」またはダイスをより大きな基板またはウェハ上に形成することにより、各ダイスを別々に形成することに比べ、より低く高速な製造コストが可能になる。もちろんウェハは任意のサイズまたは形状であり得るが、標準的な鋳造工場における製造を可能にするために、ウェハは従来の円いあるいは実質的に円いウェハ（例えば直径４インチ、６インチまたは１２インチ）であることが好ましい。
【００５３】
２００１年７月２０日出願の米国特許出願第０９／９１０，５３７号および２００１年６月２２日出願の第６０／３００，５３３号（いずれもＲｅｉｄ）は、本発明の様々な部材に用いられ得る材料の例を含んでいる。これらの出願を、本願において援用する。
【００５４】
本発明は、画像の表示に際して、より高い解像度、より増大した充填比（フィルファクター）、およびより増大したコントラスト比を有する、空間光変調器を提供する。本空間光変調器は、偏光が無くとも動作し得る。また、本空間光変調器は、電気機械的性能および製造に関するロバスト性（ｒｏｂｕｓｔｎｅｓｓ）が向上している。
【００５５】
本発明の空間光変調器は、様々な用途（例えばマスクレスリソグラフィー、原子分光分析、マイクロミラーアレイのマスクレス製造、信号処理、顕微鏡分析など）を有し、そのうちの１つがディスプレイシステムである。空間光変調器を用いた典型的なディスプレイシステムを図１に示す。非常に基本的な構成において、このディスプレイシステムは、光源１２０、光学デバイス（例えばライトパイプ１５０、集光光学系１６０および投写光学系１９０）、表示ターゲット２１０および空間光変調器２００を備えている。光源１２０（例えばアーク燈）は、光を光積分器／パイプ１５０および集光光学系１６０を通じて、空間光変調器２００上に導く。空間光変調器２００のマイクロミラーは、コントローラによって（例えば２００２年５月１４日に発行され本願において援用する米国特許第６，３８８，６６１号に開示）、「ＯＮ」位置において入射光を投写光学系１９０内に反射するように選択的に作動され、この結果、表示ターゲット２１０（スクリーン、観察者の目、感光性材料など）上に画像が得られる。もちろん、より複雑な光学系がしばしば用いられ、図１のディスプレイシステムは、典型的な投写型ディスプレイ光学系を単純化したものである。
【００５６】
空間光変調器は一般に、何千個あるいは何百万個のマイクロミラーのアレイを備えている。図２は、一例としてのマイクロミラーアレイの一部を示している。図２を参照すると、本図には、ガラスを通して見える一例としての空間光変調器２００の一部の上面図が示されている。図示されるように、空間光変調器は、可視光透過性であるガラスなどの基板２０２上に形成されたマイクロミラーアレイ２０１を備えている。あるいは、基板２０２は、マイクロミラーの挙動を静電的に制御するための電極のアレイおよび回路がその上に形成された（図２には図示せず）、典型的な半導体ウェハである。マイクロミラーアレイ２０１は、マイクロミラー装置２１５などの複数のマイクロミラー装置を備える。また、各マイクロミラー装置はさらに、マイクロミラープレート２１０などの、入射光を反射するための反射性マイクロミラープレートを備える。動作中において、各マイクロミラーは１つ以上の電極および回路の制御下で所望に偏向されることができることにより、基板２０２を通過してマイクロミラーの表面に入射する入射光の空間的変調（この場合、基板はガラスである）が達成され得る。マイクロミラープレートが基板上方で（あるいは視点によっては下方）回転して入射光を反射することを容易にするために、マイクロミラープレートを基板上方で保持してマイクロミラープレートの回転軸を提供するためのヒンジ構造が必要である。
【００５７】
図３Ａを参照すると、本図には、図２に示したマイクロミラーアレイ（例えば２０１）の背面図が示されている。各マイクロミラープレート（例えばマイクロミラー２１０）は、基板（例えば図２の基板２０２）上方にてマイクロミラープレートがヒンジ構造に沿ってピボット可能であるように、ヒンジ構造（例えばヒンジ構造２３０）に取り付けられている。表示画像の品質を向上するために、ヒンジ構造は、好ましくは図示のようにマイクロミラープレート下に形成される。具体的には、ヒンジ構造と入射光を反射する面とは、マイクロミラープレートの反対側に存在する。
【００５８】
本発明の一実施形態によると、マイクロミラープレートは、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされた軸に沿ってマイクロミラープレートがピボット可能なように、ヒンジ構造に取り付けられている。例えば、マイクロミラープレート２１０は、明確に定義された幾何学上の対角線２１１を有している。ただし、マイクロミラープレートの回転軸は、対角線２１１に対し平行だがオフセットされた方向２１３に沿っている。このような回転軸は、ミラープレートの対角線２１１上にないポイントでヒンジ構造をミラープレートに取り付けることによって、実現することができる。取り付けポイントは、対角線２１１から少なくとも０．５μｍ、少なくとも１μｍ、あるいは少なくとも２μｍ離すことができる。一実施形態において、取り付けポイントは対角線２１１から、対角線の長さの１／４０から１／３、あるいは所望であれば１／２０から１／４離すことができるが、本発明において所望であれば、対角線から任意の所望の距離だけ離すことが可能である。本発明において、マイクロミラーは好ましくは実質的に四辺形状を有する。マイクロミラーが矩形、正方形、菱形または台形であろうと、また角部が丸められていたり「切り取られて（ｃｌｉｐｐｅｄ）」いたり、あるいはマイクロミラーの１つ以上の辺上に開口部や突起が位置していても、やはりマイクロミラー形状の４つの主要な辺を概念的に接続して、マイクロミラーの中央を横切る対角線を取ることが可能である。このように、マイクロミラープレートが実質的だが完全ではない菱形、台形、矩形、正方形などであったとしても、中央対角線を定義することができる。ただし、マイクロミラープレートの回転軸は中央対角線に沿っているのではなく、図３Ａにおいて対角線２１１に対し平行だがオフセットされた方向２１３に沿っている。「対角線に対し平行だがオフセットされた」とは、回転の軸がマイクロミラーの対角線に対して厳密に平行、あるいは実質的に平行（±１９度）であってよいことを意味している。このタイプの設計は、多くの面でマイクロミラー装置の性能に利点を与える。この非対称オフセット構成の１つの利点は、マイクロミラープレートが、対称構成で達成し得る回転角よりも大きな角度で回転できることである（同じミラープレート−基板間の空隙に対して）。ミラープレートの対角線の長さは、好ましくは２５ミクロン以下である。
【００５９】
マイクロミラープレートを保持しながら一方でマイクロミラープレートが基板上方で回転するための回転軸を提供するために、各ヒンジ構造（ヒンジ構造２３０など）は、図３Ｂに示すようなヒンジサポート２５０およびヒンジ２４０をさらに備える。ヒンジ２４０は、コンタクト２５７を介してマイクロミラープレートに取り付けられている。ヒンジサポート２５０はさらに、２つのポスト２５１を備えている。「ヒンジ」とは、装置のうち曲がることによって装置の動きを可能にする部分を規定する、層または積層である（下記に詳述）。マイクロミラープレートの性能を向上するために、さらなる微細構造もまたこの上に設けられる。具体的には、ヒンジサポート２５０の端辺上に、マイクロミラープレートが或る角度を達成したときにマイクロミラープレートの回転を止めるための、２つのミラーストップ２５５が形成されている。ヒンジプレートからのミラーストップの長さおよび位置などの幾何学構成は、マイクロミラープレートとヒンジとの間の距離とともに、マイクロミラーが接触する前に達成することができる最大回転角を決定する。マイクロミラーアレイ中のすべてのマイクロミラープレートに対してミラーストップを適切に設定することにより、全マイクロミラーに対して最大回転角が均一に規定される。そしてこの均一に規定された回転角は、動作中における全マイクロミラーについての「ＯＮ」状態として規定することができる。この場合、動作中において、空間光変調器中の全マイクロミラーが「ＯＮ」状態での均一に規定された角度に回転する。こうして入射光は、所望の方向に向けて均一に反射されて表示される。明らかにこれによって、表示画像の品質は大いに向上する。好ましくはであるが、ミラーストップの数は任意の所望の数（１以上）であるか、あるいは、まったく設けられなくてもよい。また、各ミラーストップは任意の所望の形状であり得るが、好ましくはミラーストップとマイクロミラープレートとの接触量を最小にする形状である。
【００６０】
本発明の実施形態において、２つのポストは基板上に形成されている。ヒンジサポート２５０は、これら２つのポストによって基板上方で支持されている。ヒンジ（例えばヒンジ２４０）は、ヒンジサポートに固定されており、コンタクト（例えばコンタクト２５５）を介してマイクロミラープレートに取り付けられている。この構成において、マイクロミラープレートは、基板上方のヒンジに沿ってピボットすることができる。
【００６１】
ヒンジ構造は、所望に応じてその他の適切な形態を取り得る。図３Ｃは、本発明の別の実施形態における別のヒンジ構造設計を示している。図３Ａと同様に、ヒンジ構造２６０は、マイクロミラープレート２１０を支持するために基板上に形成されており、かつマイクロミラープレートのための回転軸２１４を提供している。回転軸２１４は、マイクロミラープレート２１２の対角線に対して平行であるが、オフセットしている。図３Ｂのヒンジサポート２５０と同様に、図３Ｄのヒンジサポート２６３もまた、その上に複数のミラーストップが形成されており、マイクロミラープレートが或る角度を達成したときにマイクロミラープレートの回転を止める。ヒンジサポートについての長さ及び位置などの幾何学構成は、マイクロミラープレートとヒンジとの間の距離とともに、マイクロミラーが接触する前に達成することができる最大回転角を決定する。好ましくはであるが、ミラーストップの数は任意の所望の数であり得る。また、各ミラーストップは任意の所望の形状であり得る。
【００６２】
このヒンジ構造もまたその他の適切な形態を取り得る。例えば図３Ｅに示すように、ヒンジサポート２６１は、ヒンジサポートが隣接するマイクロミラー装置のポストを通るように、マイクロミラープレートの一部の端辺に沿って形成されてもよい。この場合、すべてのマイクロミラー装置のヒンジサポートが、全マイクロミラープレートのための連続的なヒンジサポートフレームを形成する。これにより、アレイ中のマイクロミラーの２次元的な電気的接続が可能になる。
【００６３】
あるいは、各ヒンジ構造のポストは、マイクロミラープレートの対角線に沿って形成されている必要はない。図３Ｆを参照すると、ヒンジ構造の２つのポスト２５１は、マイクロミラープレートの角部ではなく、マイクロミラープレートの端辺に沿って形成されている。さらに、ヒンジは、図に示すように、ヒンジおよびヒンジと交差する２つのアーム部が二等辺三角形を形成するように位置される必要はない。代わりに、図３Ｇに示すように、ヒンジは、図３Ｆにおけるヒンジ位置に対して実質的に平行であるが小さな角度（±１９度）を形成するように位置されてもよい。
【００６４】
動作中において、マイクロミラープレートは、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされたヒンジに沿って回転する。回転角に基づいて、「ＯＮ」および「ＯＦＦ」状態が規定される。「ＯＮ」状態において、マイクロミラープレートは、入射光が視野方向へ（例えば、光をターゲットに向けて導くための１群の予め構成された光学デバイスへ）反射され得るような予め規定された角度まで回転される。「ＯＦＦ」状態においては、マイクロミラープレートは、平らなままか、入射光が表示ターゲットから離れるように反射されるような別の角度にある。図４Ａから図４Ｄは、動作中におけるマイクロミラー装置の断面図を示す。
【００６５】
図４Ａを参照して説明すると、「ＯＦＦ」状態とは、マイクロミラープレート２１０がガラス基板２８０に対して平行な自然な休止状態にあることと定義される。ヒンジサポート２６３は、マイクロミラープレートを支持するために基板上に形成されている。ヒンジ（例えば図３Ｂ中のヒンジ２４０）は、ヒンジサポート２６３に固定されており、マイクロミラープレート用の回転軸を提供するための浅いコンタクト２４１（以下「コンタクト」）を介してマイクロミラープレート２１０に取り付けられている。この「ＯＦＦ」状態においては、入射光はガラス基板を通過し、特定の入射角でマイクロミラープレートの１つの表面を照射し、マイクロミラープレートによってターゲットから離れるように反射される。マイクロミラープレートの回転は、電極２８２および電極に接続された回路（図示せず）によって静電的に制御され得る。本発明の一実施形態において、電極および回路は、ウェハ２８１中に形成され、ウェハ２８１は典型的にはシリコンウェハであり得る。マイクロミラープレートの回転を効率的に制御するために、マイクロミラーと対応する電極との間に静電界が形成され得るように、ウェハ２８１はマイクロミラープレート近くに位置される。あるいは、マイクロミラープレートの回転の制御のために、１つより多くの電極を用いることができる。具体的には、電極２８３（および電極に接続された図示しない回路）は、図４Ｂに示すような「ＯＦＦ」状態におけるマイクロミラープレートを制御するためにマイクロミラープレートの他の部分の下に形成および位置され得る。本発明の別の実施形態において、電極、回路およびマイクロミラーは、基板２８０などの同一基板上に形成され得る。この場合、基板２８０は標準的なシリコンウェハであり得る。また入射光はマイクロミラープレートの反対側の表面を照射する。表示画像の品質、特にコントラスト比を向上するために、「ＯＦＦ」状態における反射光は、集光光学系またはターゲットからなるべく離れて反射されることが望ましい。これを達成するために、図４Ｂに示す別の「ＯＦＦ」状態が規定される。図４Ｂを参照すると、マイクロミラープレート２１０は「ＯＦＦ」状態で或る角度で回転している。任意の特徴であるが、この「ＯＦＦ」状態に対応する角度は、マイクロミラープレートがこの角度まで回転されたときにマイクロミラープレートの一端が基板に接触して止められるように規定される。この規定により、マイクロミラーアレイ中のすべてのマイクロミラープレートについて均一な「ＯＦＦ」状態が保証される。もちろん他の方法を用いて「ＯＦＦ」状態角度を規定することもできる。例えば、マイクロミラープレートとマイクロミラープレートに関連した電極（単数または複数）および回路との間に印加される電界を適切に制御することにより、「ＯＦＦ」状態に対応する所望の角度が達成され得る。反射光を表示のためにターゲット中に導くために、マイクロミラープレートは、「ＯＮ」状態に対応するある角度に回転される必要がある。図４Ｃは、本発明の一実施形態における、一例としての「ＯＮ」状態におけるマイクロミラー装置の断面図を示す。この「ＯＮ」状態では、マイクロミラープレートの回転はミラーストップ２７０によって止められる。ミラーストップの構成（例えばヒンジ構造についての長さおよび位置）を調整することにより、マイクロミラープレートの他端が自由に動き得る限り、「ＯＮ」状態に対応する角度をこのように調節することが可能である。ミラーストップが存在することにより、空間光変調器中のすべてのマイクロミラープレートが均一な「ＯＮ」状態になるという利点が得られ、従って、表示画像の品質が大いに向上する。本実施形態の任意の特徴として、ミラーストップは、図４Ｃに示すように、マイクロミラープレートの回転がミラーストップに接触して止められるときに、マイクロミラープレートの他端が基板に接触して止められるように設計および形成され得る。この二重ストップ機構は、すべてのマイクロミラープレートについて、「ＯＮ」状態に対応する均一な回転角をさらに保証する。さらなる任意の特徴として、図４Ｄに示すように、「ＯＮ」状態用のミラーストップ群に加えて、「ＯＦＦ」状態用の別のミラーストップ群を設けてもよい。
【００６６】
図４Ｄを参照すると、すべてのマイクロミラープレートに均一な「ＯＮ」状態を提供するために、第１のミラーストップ群２７０がヒンジ構造上に形成されている。また、すべてのマイクロミラープレートが均一な「ＯＦＦ」状態になることを確実にするために、第２のミラーストップ群２７５がさらに設けられている。第２のミラーストップ群２７５の物理的特性（例えば長さおよび位置）によって、「ＯＦＦ」状態の回転位置は決定される。あるいは、マイクロミラープレートが第２のミラーストップ群に接触して止められたときに、マイクロミラープレートの他端がガラス基板に接触して止められるように第２のミラーストップを設計し形成することもできる。
【００６７】
動作中において、マイクロミラープレート（例えば図３Ｃの２１０）がヒンジに沿ってピボットし、入射光を反射する。このタイプの動作メカニズムは、マイクロミラープレート、ヒンジ構造およびコンタクト２５５の光学的、機械的および電気的特性に対し、特定の要件を課する。特に、マイクロミラープレートは、例えば前記遷移金属、金属または金属合金の材料などの、対象となる光に対して高い反射性を有する材料を有してなることが望ましい。加えて、マイクロミラープレートの材料は、またマイクロミラープレートの機械的性質を高めるための適切な機械的特性（例えば低クリープ速度および高弾性係数など）も示すことが望ましい。さらに、マイクロミラープレートの材料は、電圧が印加可能であるように導電性であることが望ましい。
【００６８】
ヒンジサポート（例えば図３Ｃの２６０）は、マイクロミラープレート（例えばマイクロミラープレート２１０）が回転できる軸を提供する。ヒンジサポートは入射光を散乱し得、そして、その散乱光は反射光と混ざることがあるため、それによりコントラスト比が劣化し得る。この種の散乱を抑制するために、ヒンジ構造は好ましくはマイクロミラープレートの下に「隠れて」いる。例えばヒンジ構造は、入射光を反射する側とは反対側のマイクロミラープレートの上に形成されている。このマイクロミラープレートの動作メカニズムおよび構造設計に従って、ポストは、装置の動作中に弾性変形（例えば疲労、クリープおよび転移運動）に対して強い材料を有してなることが望ましい。また、そのような材料は、大きな弾性係数を有し、高い剛性を示すことが好ましい。ポストのそれとは逆に、ヒンジ（例えば図３Ｄのヒンジ２４０）の材料は、より柔軟（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ）であることが期待される。なぜなら、マイクロミラープレートがピボットする間にヒンジは変形するからである。また、ヒンジは、マイクロミラープレートが特定の電圧レベルに保持され得るような導電性であることが望ましい。
【００６９】
図４Ｂおよび図４Ｄにおける規定された「ＯＦＦ」状態を達成するために、マイクロミラープレートを回転させるための外力（例えば電界）を要求してもよい。例えば、マイクロミラープレートのうち、基板から離れるように回転される部分の下に、電極２８３および回路を配置してもよい。そして、電極と、マイクロミラープレートを「ＯＦＦ」状態に回転させるためのマイクロミラープレートの部分との間に、電界を印加することができる。この設計はしかし、余分の電極および回路を必要とする。
【００７０】
本発明の一局面によれば、図５Ａに示すように、自然な休止状態において基板から離れるように湾曲した部分を有するヒンジサポートが提案される。図５Ａを参照して説明すると、ヒンジサポート部２５０は、その自然な休止状態において基板から離れるように湾曲している。また、湾曲したヒンジサポートに取り付けられているマイクロミラープレート２１０は、外力（例えば外部電界）なしで、基板に対してある制約を受けた角度を呈する。ヒンジサポート部の曲率を調整することにより、マイクロミラープレートと基板との間に所望の角度を達成することができる。
湾曲したヒンジサポートは、多くの異なる方法で形成することができる。以下に、図５ｂおよび図５Ｃを参照して一方法例を説明する。図５Ｂを参照すると、ヒンジサポート２５０は、２つの層、層２５１および層２５３を有している。層２５１は、堆積状態において（例えば層２５１が犠牲層上に堆積されるとき）、外向きの圧縮歪みを示す。本発明の好ましい実施形態において、層２５１は８０Åの好ましい厚さを有するＴｉＮｘである。これが好ましいが、層２５１は、外向きの圧縮歪みを示す限り任意の適切な材料からなり得る。層２５１の厚さもまた、任意の適切な範囲であり得、例えば１０Åから１５００Åの厚さである。層２５３は、層２５１上に堆積され、その堆積状態において内向きの引っ張り歪みを示す。本発明の好ましい実施形態において、層２５３は４００Åの好ましい厚さを有するＳｉＮｘである。これが好ましいが、層２５３は内向きの引っ張り歪みを示す限り、任意の適切な材料からなり得る。層２５３の厚さもまた、任意の適切な範囲であり得、例えば１０Åから２０００Åの厚さである。ＰＶＤ（物理蒸着法またはスパッタリング）は、特に高融点金属に対しては圧縮膜を生成する傾向があり、一方、ＣＶＤ（化学蒸着法）は引っ張り膜を生成する傾向がある。従って、一実施形態において、層２５１はＰＶＤによって堆積された層であり、層２５３はＣＶＤによって堆積される。一具体例として、層２５１は反応性スパッタリングされたセラミック層であり、層２５３は化学蒸着法によって堆積されたセラミック層である。
【００７１】
離型後（例えば、上に層２５１が堆積されている犠牲層を除去することにより）、層２５３および２５１が層２５３に対して湾曲し、層２５３は内向きの引っ張り歪みを示す。この２層の湾曲は、自発的な現象であり、材料応力の存在下において起こる。曲率は、内向きの引っ張り歪みと外向きの圧縮歪みとの相対的な強さによって決定される。図５Ｃを参照すると、ここでは、湾曲した２層を示す概略図が示されている。ただし、ミラープレートに対するヒンジ接続の位置によっては、「ＯＦＦ」状態のために同一方向にミラープレートを回転させながらヒンジ構造を逆方向に湾曲させるために、層の順序を逆にしてもよい。
【００７２】
上述のマイクロミラー装置を構築する方法は様々である。以下に、図６Ａから図６Ｈを参照しながら、プロセス例を説明する。本プロセス例は例示目的のみであり、限定として解釈されるべきではないことが、当業者には理解される。
【００７３】
図６Ａを参照して説明すると、基板２８０が用意される。第１の犠牲層２９０を基板上に堆積し、その後マイクロミラープレート層３００を堆積する。基板はガラス（例えば１７３７Ｆ，Ｅａｇｌｅ２０００）、石英、パイレックス（登録商標）、サファイアであり得る。基板はまた、１つ以上の作動電極および／または制御回路（例えばＣＭＯＳ型ＤＲＡＭ）がその上に形成された半導体基板（例えばシリコン基板）であってもよい。
【００７４】
第１の犠牲層２９０は、基板２８０上に堆積される。第１の犠牲層２９０は、アモルファスシリコンなどの任意の適切な材料であり得、あるいは、犠牲材料の選択およびエッチャントの選択によっては、ポリマーまたはポリイミド、もしくはポリシリコン、窒化シリコン、二酸化シリコンなどであってもよい。第１の犠牲層がアモルファスシリコンである場合、３００〜３５０℃で堆積され得る。第１の犠牲層の厚さは、マイクロミラーサイズおよびマイクロマイクロミラーの所望の主題角度（ｔｉｔｌｅ  ａｎｇｌｅ）に応じて、様々であり得るが、５００Åから５０，０００Åの厚さ、好適には約１０，０００Åが好ましい。第１の犠牲層は、ＬＰＣＶＤまたはＰＥＣＶＤなどの任意の適切な方法を用いて基板上に堆積され得る。
【００７５】
本実施形態の任意の特徴として、反射防止層２８５を基板表面上に堆積してもよい。反射防止層は、入射光の基板表面からの反射を減少させるために堆積される。あるいは、所望に応じてその他の光学的向上層をガラス基板のいずれかの面に堆積してもよい。
【００７６】
第１の犠牲層の堆積後、複数の構造層が堆積され、適切にパターニングされる。本発明によれば、構造層とは、犠牲層の除去後に除去されない層である。第１の犠牲層上に堆積される第１の構造層は、マイクロミラーを形成するためのマイクロミラープレート層３００である。マイクロミラーは対象となるスペクトル（例えば可視光スペクトル）の入射光を反射するように指定されているため、マイクロミラープレート層は、入射光に対して高い反射性（好ましくは９０％以上）を示す１つ以上の材料を有してなることが好ましい。本発明の実施形態によると、マイクロミラープレート層３００は図６Ｂに示すような多層構造である。図６Ｂを参照して説明すると、ヒンジプレート層３００は、層３０７、３０５、３０３および３０１を備えている。層３０７および３０１は内部層（例えば層３０３および３０５）を保護するための保護層である。本発明の好ましい実施形態において、層３０７および３０１は、４００Åの好ましい厚さを有するＳｉＯｘである。もちろん、その他の適切な材料を用いてもよい。層３０５は、高い光反射性を示す１つまたはそれ以上の材料を有してなる光反射層である。そのような材料の例は、Ａｌ、Ｔｉ、ＡｌＳｉＣｕまたはＴｉＡｌである。本発明の好ましい実施形態において、層３０５は、２５００Åの厚さを有するアルミニウムである。このアルミニウム層は、１５０℃、あるいは好ましくは４００℃未満である他の温度で堆積されることが好ましい。層３０３は、マイクロミラープレートの電気的および機械的特性を向上させるための金属または金属合金を有してなる、向上層である。そのような向上層の一例は８０Åの厚さを有するチタンである。もちろん、対象となる入射光に対して高い反射性を有する他の適切な材料もまた、マイクロミラープレートのために採用され得る。マイクロミラープレート層を堆積する際、ＰＶＤは好ましくは１５０°Ｃで用いられる。マイクロミラープレート層の厚さは、マイクロミラープレートの所望の可動部分（例えば弾性要素（ｅｌａｓｔｉｃ  ｍｏｄｕｌｅ））、マイクロミラーのサイズ、所望の主題角度および電子的（例えば導電性）特性、ならびにマイクロミラープレートを形成するために選択された材料の特性に応じて、様々であり得る。本発明において、５００Åから５０，０００Å、好ましくは約２５００Åの厚さが好ましい。
【００７７】
本発明の別の実施形態によると、光反射層３０５は、１０，０００μΩ°ｃｍ未満の比抵抗を有する材料を有してなる導電性層である。層３０１および３０７は、１０，０００μΩ°ｃｍよりも大きい比抵抗を有する絶縁体である。また層３０３も、１０，０００μΩ°ｃｍ未満の比抵抗を有する導電性層である。
【００７８】
好ましいものであるが、図６Ｂに示す積層構造は４層からなる。積層構造の数は限定として解釈されるべきでないことが当業者には理解される。それより、むしろ、本発明の趣旨から逸脱することなく任意の数の層（単層を含む）を用いることができるものである。
【００７９】
マイクロミラープレート層３００は次に、図６Ｃに示すような所望の形状にパターニングされる。マイクロミラーは、所望に応じた任意の形状であり得る。マイクロミラーのパターニングは、標準的なフォトレジストパターニングを用いた後、マイクロミラープレート層の特定の材料に応じて例えばＣＦ４、Ｃｌ２その他の適切なエッチャントを用いてエッチングすることにより、達成され得る。
【００８０】
マイクロミラープレートの形成後、さらなる構造層が堆積およびパターニングされる。具体的には、ヒンジ構造の複数の層が堆積され、ヒンジ構造を形成するためにパターニングされる。図６Ｄを参照して、さらなる構造層を堆積する前に、第２の犠牲層３１０がマイクロミラープレート３００および第１の犠牲層２９０の上に堆積される。第２の犠牲層３１０は、アモルファスシリコンを有してなり得、あるいは、第１の犠牲層２９０に関して上述した様々な材料のうち１つ又はそれ以上を有してなっていてもよい。第１および第２の犠牲層は同一でなくてもよいが、好ましい実施形態においては、後でこれらの犠牲層を除去するためのエッチングプロセスが簡素化されるように、同一である。第１の犠牲層と同様に、第２の犠牲層３１０はＬＰＣＶＤまたはＰＥＣＶＤなどの任意の適切な方法を用いて堆積され得る。第２の犠牲層がアモルファスシリコンを有してなる場合、この層は３５０°Ｃで堆積され得る。第２の犠牲層の厚さは９０００Å程度であり得るが、マイクロミラープレートとヒンジとの間の所望の距離（マイクロミラープレートと基板とに垂直な方向）に応じて、例えば２０００Åから２０，０００Åの任意の合理的な厚さに調節され得る。ヒンジとミラープレートとは、離型後、少なくとも０．５μｍ（これは少なくとも１μｍ、あるいは所望であれば２μｍ以上であってもよい）の空隙によって隔てられていることが好ましい。第２の犠牲層３１０はまた、マイクロミラープレートのパターニングによって残される溝を埋めてもよい。
【００８１】
本発明の好ましい実施形態において、マイクロミラープレート層はアルミニウム層（例えば図６Ｂの層３０５）を備え、第２の犠牲層はシリコンである。しかしこの設計は、マイクロミラープレートの端辺（ここは、アルミニウムがシリコンに曝される部位）におけるアルミニウおよびシリコンの拡散のため、ヒンジ構造中に欠陥をおこし得る。この問題を解決するため、第２の犠牲シリコン層の堆積前に、アルミニウム層がシリコン犠牲層から隔離されるように、パターニングされたマイクロミラープレート上に保護層（図示せず）を堆積してもよい。そして、保護層をマイクロミラープレートの形状に従ってパターニングする。パターニング後、保護層の一部が（例えば図６Ｃの部分２１１）マイクロミラープレートの端辺を覆うことにより、アルミニウムとシリコン犠牲層とを隔離する。
【００８２】
堆積された第２の犠牲層は、その後、標準的なリソグラフィー技術の後にエッチングを用いて、図６Ｅのように２つの深ビア領域３２０と浅ビア領域３３０とを形成するためにパターニングされる。エッチング工程は、第２の犠牲層の特定の材料（一種または複数種）に応じて、Ｃｌ２、ＢＣｌ３またはその他の適切なエッチャントを用いて行われ得る。２つの深ビア領域３２０をまたがる距離は、マイクロミラープレートの規定された対角線の長さに依存する。本発明の一実施形態において、パターニング後における２つの深ビア領域をまたがる距離は、好ましくは約１０μｍであるが、所望に応じて任意の適切な距離であり得る。浅ビア領域３３０を形成するために、ＣＦ４またはその他の適切なエッチャントを用いたエッチング工程が実施され得る。浅ビア領域は、任意の適切なサイズであり得るが、好ましくは一辺が２．２μｍ程度である。
【００８３】
図６Ｆを参照すると、ヒンジサポート層３４０および３５０は、パターニングされた第２の犠牲層３１０上に堆積される。ヒンジサポート層（層３４０および３５０）は、ヒンジ（例えば図３Ｄの２４０）と、マイクロミラープレートがヒンジに沿ってピボットできるようにこれに取り付けられたマイクロミラープレート（例えば図３Ｃの２１０）とを保持するように指定されたものであるため、ヒンジサポート層は、少なくとも大きな弾性係数を有する材料を有してなることが望ましい。本発明の一実施形態において、層３４０は、ＰＶＤによって堆積された厚さ４００ÅのＴｉＮｘ（ＴｉＮｘを含むものであってもよく、１００Åから２０００Åの厚さを有していてもよい）層と、ＰＥＣＶＤによって堆積された厚さ３５００ÅのＳｉＮｘ（ＳｉＮｘ層の厚さは２０００Åから１０，０００Åであってもよい）層３５０とを備える。もちろんその他の適切な材料および堆積方法（例えばＬＰＣＶＤまたはスパッタリングなどの方法）を用いてもよい。ＴｉＮｘ層は本発明に必要ではないが、少なくとも電荷に起因する静止摩擦を減少させるために、マイクロミラーとヒンジとの間に導電性コンタクト面を提供する。本発明の実施形態において、層３４０および３５０は、図５Ｃに示すように、湾曲したヒンジサポート（例えば図５Ａの２５０）を形成するために内向きの圧縮歪みおよび外向きの引っ張り歪みが内在するように、堆積される。あるいは、ＴｉＮｘおよびＳｉＮｘ層は、平らなヒンジサポートを形成するために固有の応力がなるべく低くなるように、好ましくは２５０ＭＰａ未満であるように、堆積され得る。いずれの場合においても、ＳｉＮｘ層は４００℃で堆積され得る。
【００８４】
堆積後、層３４０および３５０は、図６Ｇに示すように所望の構成（例えば図３Ｄのヒンジサポート２７５）にパターニングされる。ポスト２６０は、任意の所望の形態を取り得るが、その１つを図３Ｄに示す。あるいは、２つのポストの各々を、図３Ｆにおけるポスト２５１のように、ダイヤモンド型として形成してもよい。「ＯＮ」状態に対応するミラーストップ（例えば図３Ｄのミラーストップ２７０）および／または「ＯＦＦ」状態に対応するミラーストップ（図示せず）などのミラーストップを構成してもよい。そしてその後、１つ以上の適正なエッチャントを用いたエッチング工程を行う。特に、これらの層は、塩素の化学的作用またはフッ素の化学的作用を用いてエッチングされ得る。ここで、エッチャントは、ヒンジサポート層を化学的にも物理的にも選択的にエッチングするようにエネルギーを与えられたペルフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボン（またはＳＦ６）である（例えばＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ３Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６など、あるいはより現実的には上記の組み合わせまたは追加的なガスとの組み合わせ（ＣＦ４／Ｈ２、ＳＦ６／Ｃｌ２など）、またはＣＦ２Ｃｌ２などの１つより多くのエッチング種を用いたガスを用いたプラズマ／ＲＩＥエッチング、いずれもオプションとしての１つ以上の不活性希釈剤とともに用いてもよい）。もちろん、各ヒンジサポート層のエッチングに異なるエッチャントを用いてもよい（例えば塩素化学を金属層に、ハイドロカーボンまたはフルオロカーボン（またはＳＦ６）プラズマをシリコンまたはシリコン化合物層になど）。あるいは、エッチング工程は、各ヒンジサポート層の堆積後に行ってもよい。例えば、層３４０は、層３４０の堆積後かつ層３５０の堆積前にエッチングおよびパターニングされ得る。
【００８５】
層３４０および３５０のエッチング後、２つのポスト２６０およびコンタクト領域３３０を形成する。コンタクト領域３３０の底部分をエッチングにより除去することにより、マイクロミラープレートのコンタクト領域下部分を露出する。マイクロミラー２１０の露出した部分は、外部電源との電気的接点を形成するために用いられる。エッチング後、層３４０および３５０の残滓とともに、コンタクト領域３３０の側壁（例えば３３５）が残されている。残滓３３５は、約７５度である角度θによって測られるスロープを有するが、０から８９度の間で変化し得る。側壁上の残滓は、後に形成されるヒンジの機械的および電気的特性を向上する助けとなる。ミラーの各側における２つのポスト２６０のそれぞれは、図２に示すようなアレイ中の隣接するマイクロミラーに対応するポストとともに、連続的な部材を形成することができる。
【００８６】
層３４０および３５０のパターニングおよびエッチングの完了後、図６Ｈに示すようにヒンジ層３６０を堆積し、そしてパターニングする。ヒンジはマイクロミラープレートに回転軸を提供するため、ヒンジ層は少なくとも塑性変形（例えば疲労、クリープおよび転移運動）が可能な材料を有してなることが当然期待される。さらに、ヒンジ層がマイクロミラープレートの電気的接点としても用いられる場合は、ヒンジ層の材料は導電性であることが望ましい。ヒンジ層の適切な材料の例は、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、ポリシリコン、Ａｌ、Ｉｒ、チタン、窒化チタン、酸化チタン（単数または複数の酸化物数）、炭化チタン、ＣｏＳｉＮｘ、ＴｉＳｉＮｘ、ＴａＳｉＮｘ、またはその他の三元以上の化合物である。チタンがヒンジ層に選択される場合、１００℃で堆積され得る。あるいは、ヒンジ層は、１００ÅのＴｉＮｘおよび４００ÅのＳｉＮｘなどの積層からなっていてもよい。
【００８７】
堆積後、ヒンジ層はエッチングを用いて所望にパターニングされる。ヒンジ層（層３４０および３５０）と同様に、ヒンジ層は、塩素の化学作用またはフッ素の化学作用を用いてエッチングされ得る。ここで、エッチャントは、ヒンジ層を化学的にも物理的にも選択的にエッチングするようにエネルギーを与えられたペルフルオロカーボンあるいはハイドロフルオロカーボン（またはＳＦ６）である（例えばＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ３Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６など、あるいはより現実的には上記の組み合わせまたは追加的なガスとの組み合わせ（ＣＦ４／Ｈ２、ＳＦ６／Ｃｌ２など）、またはＣＦ２Ｃｌ２などの１つより多くのエッチング種を用いたガスを用いたプラズマ／ＲＩＥエッチング、いずれもオプションとしての１つ以上の不活性希釈剤とともに用いてもよい）。もちろん、各ヒンジ層のエッチングに異なるエッチャントを用いてもよい（例えば塩素化学を金属層に、ハイドロカーボンまたはフルオロカーボン（またはＳＦ６）プラズマをシリコンまたはシリコン化合物層になど）。
【００８８】
ヒンジに沿ってピボットするためのマイクロミラープレートを解放するため、犠牲層（例えば層２９０および３１０）を後述するようにエッチングによって除去する。離型されたマイクロミラー装置の断面図を図８に示す。
【００８９】
上述の製造プロセス例において、ヒンジサポートを形成するプロセス（例えば図６Ａから図６Ｇに記載したプロセス）およびヒンジを形成するプロセス（例えば図６Ｈに記載したプロセス）は連続して行われる。特に、ヒンジサポートのパターニングおよびエッチングの後に、ヒンジの堆積、パターニングおよびエッチングを行う。本発明の別の実施形態においては、ヒンジおよびヒンジサポートは同時に形成され得る。これを以下に図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。
【００９０】
図７Ａを参照して説明すると、ヒンジサポート（例えば図３Ｄの２７５）のための堆積されたヒンジ層３４０および３５０をまず、ヒンジの所望の構成に従ってパターニングおよびエッチングする。従って、エッチング後、後のヒンジ（例えば図３Ｄのヒンジ２４０）の位置に対応する窓３７０が形成される。窓３７０は、マイクロミラープレートの対角線に対し平行だがオフセットされて配置される。窓は、窓の底からマイクロミラープレートの一部が露出されるように、第２の犠牲層（例えば図６Ｄの３１０）および／またはマイクロミラープレートの上面までエッチングされる。
【００９１】
パターニングの完了後、パターニングされたヒンジサポート層（例えば３５０）上にヒンジ層３６０が堆積されて、窓３７０を埋める。堆積後、層３４０、３５０および３６０が同時にパターニングおよびエッチングされる。本発明の好ましい実施形態では、図６Ｇに説明したのと同じ方法を用いて、層３４０および３５０が同時にパターニングおよびエッチングされる。層３４０および３５０のパターニングおよびエッチング後、マイクロミラー装置を解放するために、エッチングによって犠牲層を除去する。
【００９２】
この解放エッチングは、犠牲材料の自発的な化学的エッチング、好ましくは犠牲材料を化学的に（物理的ではなく）除去する等方性エッチングが可能な、エッチャントガスを用いる。そのような化学的エッチングおよびそのような化学的エッチングを行うための装置は、Ｐａｔｅｌらの１９９９年１０月２６日出願の米国特許出願第０９／４２７，８４１号、およびＰａｔｅｌらの２０００年８月２８日出願の米国特許出願第０９／６４９，５６９号に開示されている。これら各々の内容を本願において援用する。解放エッチングための好適なエッチャントは、オプションとして温度を加える以外にはエネルギーを与えられない、気相フッ化物エッチャントである。例として、ＨＦガス、二フッ化キセノンなどの希ガスハロゲン化物、ならびにＩＦ５、ＢｒＣｌ３、ＢｒＦ３、ＩＦ７およびＣｌＦ３などのハロゲン間化合物である。解放エッチングは、Ｎ２または不活性ガス（Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅなど）などの更なるガス成分を含んでいてもよい。このようにして、残存する犠牲材料を除去し、マイクロメカニカル構造が解放される。このような実施形態の一局面において、エッチングチャンバ中にＸｅＦ２が希釈剤（例えばＮ２およびＨｅ）とともに供給される。ＸｅＦ２の濃度は好ましくは８Ｔｏｒｒであるが、濃度は１Ｔｏｒｒから３０Ｔｏｒｒ以上まで変化させることができる。この非プラズマエッチングは好ましくは９００秒用いられるが、温度、エッチャント濃度、圧力、除去すべき犠牲材料の量、またはその他の要素に依存して、時間は６０から５０００秒まで変化され得る。エッチングレートは１８Å／ｓ／Ｔｏｒｒで一定に保たれ得るが、エッチングレートは１Å／ｓ／Ｔｏｒｒから１００Å／ｓ／Ｔｏｒｒまで変化されてもよい。解放プロセスの各工程は、室温で行い得る。
【００９３】
最終解放または中間のエッチング工程における使用について述べた上記のエッチャントおよびエッチング方法に加えて、単独または組み合わせで用いられ得る他のものが存在する。これらのうちいくつかとして、ＡＣＴ、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ＨＦ（液体）などのウェットエッチング；酸素プラズマ、ＳＣＣＯ２、あるいは超臨界ＣＯ２（エッチャントとしての超臨界ＣＯ２の使用は、米国特許出願第１０／１６７，２７２号に記載されている。これを本願において援用する）が含まれる。もちろん選択されるエッチャントおよび方法は、除去される犠牲材料および残される所望の材料に合わせられなければならない。
【００９４】
本明細書において新規で有用な空間光変調器を説明したことが、当業者には理解される。ただし、本発明の原理が適用可能である多くの可能な実施形態に鑑みて、本明細書において図面を参照して記載した実施形態は例示目的のみであり、発明の範囲を限定するものとしては解釈されるべきでないことが、理解される。例えば、発明の趣旨から逸脱することなく、例示した実施形態を構成および詳細について改変することが可能なことを、当業者は理解する。特に、構造層の各層、例えばマイクロミラープレート層３００（これは図６Ｂに示すように層３０１、３０３、３０５および３０７を備え得る）、ヒンジサポート層３４０および３５０、およびヒンジ層３６０などは、少なくともこれら層のうちの１つが導電性でありマイクロミラーに対する電子的接点を提供する限り、導電性または電気絶縁性である多数の適切な材料のうちの１つ以上を有してなり得る。別の例において、Ｓａｎｄｉａ  ＳＵＭＭｉＴプロセス（構造層にポリシリコンを用いる）あるいはＣｒｏｎｏｓ  ＭＵＭＰＳプロセス（やはり構造層にポリシリコン）を本発明に用い得る。また、ＭＯＳＩＳプロセス（ＡＭＩ  ＡＢＮ−１．５μｍ  ＣＭＯＳプロセス）を本発明に適応し得る。例えばＭｅｈｒｅｇａｎｙら、Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，ｖ．３５５−３５６，ｐｐ．５１８−５２４，１９９９に開示されるＭＵＳｉＣプロセス（構造層に多結晶ＳｉＣを用いる）もまた同様である。また、ここに開示される犠牲層およびエッチャントは一例でしかない。例えば、二酸化シリコン犠牲層を用いて、ＨＦ（またはＨＦ／ＨＣｌ）によって除去されてもよく、あるいはシリコン犠牲体をＣｌＦ３またはＢｒＦ３で除去してもよい。また、ＰＳＧ犠牲層を緩衝化したＨＦで除去してもよく、あるいはポリイミドなどの有機犠牲をドライプラズマ酸素離型工程で除去してもよい。もちろん、エッチャントおよび犠牲材料は、用いられる構造材料に応じて選択されるべきである。また、上記ではＰＶＤおよびＣＶＤに言及したが、層の堆積に、スピンオン（ｓｐｉｎ−ｏｎ）、スパッタリング、陽極酸化、酸化、電気めっきおよび蒸発を含むその他の膜堆積方法を用い得る。従って、本明細書に記載した発明は、以下の特許請求の範囲およびその均等物の範囲にあるそのようなすべての実施形態を想定したものである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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