(57)【要約】本発明は、少なくとも２つの情報積層を有する情報担体に関する。各積層は、第１の電極（１１、１５）、第２の電極（１３、１７）及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層（１２、１６）を有する。前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられる分子を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの情報積層を有する情報担体であって、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有する情報担体。
【請求項２】
前記分子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加された電位差によって生成される電場にさらされた場合に回転させられることができる液晶分子である、請求項１に記載の情報担体。
【請求項３】
前記分子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加された電位差によって生成される電流にさらされた場合に回転させられることができる荷電置換基を有する、請求項１に記載の情報担体。
【請求項４】
前記情報層は、前記情報層に情報を書き込むために、光ビームによって局所的に劣化させられることができる、請求項１に記載の情報担体。
【請求項５】
前記第１の電極は、前記情報層に情報を書き込むために、光ビームによって局所的に低下させられることができる電気コンダクタンスを持つ、請求項１に記載の情報担体。
【請求項６】
前記情報層は３００ナノメートルよりも小さな厚さを持つ、請求項５に記載の情報担体。
【請求項７】
前記情報層は、前記第１の電極の電気コンダクタンスが低下させられる温度よりも高い分解温度を持つ、請求項５に記載の情報担体。
【請求項８】
前記情報積層は更に、前記第１の電極と前記情報層との間に断熱層を有する、請求項５に記載の情報担体。
【請求項９】
前記情報層は、２つのタイプの表面電荷を持つコロイド粒子を有する基質を有し、前記２つのタイプの一方は負の電荷を持ち、他方は正の電荷を持ち、前記表面電荷を持つコロイド粒子は液晶分子を有し、前記基質は、前記情報層に情報を書き込むために、光ビームによって局所的に低下させられることができる粘度を持つ、請求項１に記載の情報担体。
【請求項１０】
光ビームにより情報担体を走査する光走査装置であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記光走査装置は、前記光ビームを生成する手段と、前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせる手段と、前記情報積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加する手段とを有する光走査装置。
【請求項１１】
前記光走査装置は、前記情報担体を受容するクランパを有し、前記クランパは、前記情報積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加するための接点を有する、請求項１０に記載の光走査装置。
【請求項１２】
光ビームにより情報担体から情報を読み取る方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記方法は、情報が読み取られるべき前記情報積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加するステップと、前記光ビームを前記積層の前記情報層にフォーカスさせるステップとを有する方法。
【請求項１３】
光ビームにより情報担体に情報を記録する方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記方法は、情報が記録されるべき前記情報積層の前記第１の電極に前記光ビームをフォーカスさせ、前記第１の電極の電気コンダクタンスを局所的に低下させるステップを有する方法。
【請求項１４】
光ビームにより情報担体に情報を記録する方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記方法は、情報が記録されるべき前記情報積層の前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせ、前記情報層を局所的に劣化させるステップを有する方法。
【請求項１５】
光ビームにより情報担体に情報を記録する方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、２つのタイプの表面電荷を持つコロイド粒子を有する基質を有し、前記２つのタイプの一方は負の電荷を持ち、他方は正の電荷を持ち、前記表面電荷を持つコロイド粒子は液晶分子を有し、前記基質は、光ビームによって局所的に低下させられることができる粘度を持ち、前記方法は、情報が記録されるべき前記情報積層の前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせ、前記情報層の前記基質の粘度を局所的に低下させるステップと、前記積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加するステップとを有する方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法により情報が記録された情報層から情報を消去する方法であって、前記消去する方法は、前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせ、前記情報層の基質の粘度を局所的に低下させるステップと、前記積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に、異なる電位差を印加するステップとを有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多積層（multi-stack）光情報担体に関する。
【０００２】
本発明はまた、多積層光情報担体を走査する走査装置に関する。
【０００３】
本発明はまた、多積層光情報担体から読み取る方法、多積層光情報担体に記録する方法、及び多積層光情報担体から消去する方法に関する。
【０００４】
本発明はとりわけ、光データ記憶装置、及び多積層光ディスクからデータを読み取る及び／又は多積層光ディスクにデータを記録する光ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００５】
光記録の分野においては、情報担体の容量を増大させる動向がある。データ容量を増大させるための既に研究されている方法は、情報担体において複数の情報層を利用することに存する。例えば、ＤＶＤ（Digital Video Disc）は２つの情報層を有し得る。局所的な屈折率の変化又は表面の起伏構造の存在を利用して、光ビームによって情報が情報層に記録され又は情報層から読み取られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、かような情報担体における情報層の数は制限される。第１に、光ビームの強度が、アドレス（address）される層が加えられるごとに減少するからである。実際に、或る層をアドレスするために光ビームが多くの層を通過する必要がある場合、アドレスされない層において相互作用が生じ、該光ビームの強度を低下させる。加えて、アドレスされない層における書き込まれた情報パターンの局所的な屈折率変化が、横断する光ビームの屈折、吸収及び／又は散乱を引き起こし、悪化させられた書き込み及び読み取りに導く。
【０００７】
それ故、従来の光データ記憶手法は、多層情報担体、とりわけ３つ以上の層を有する情報担体には適さない。
【０００８】
本発明の目的は、多くの数の層を有し得る情報担体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的のため、本発明は、少なくとも２つの情報積層を有する情報担体であって、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有する情報担体を提案する。
【００１０】
本発明によれば、情報層は電位差によって回転させられる分子を有する。従って、当該情報積層の２つの電極間に電位差が印加されることにより、情報積層の情報層の光学特性が変化させられる。それ故、前記積層への適切な電位差の印加によって、光ビームと相互作用するために適切な光学特性を持つ１つ層を走査することが可能であり、一方で他の層の光学特性は、アドレスされていない層と前記光ビームとの間の相互作用が低減されるように選択される。結果として、全ての前記情報積層を通る光の透過全体は増大させられ、従って層の数が増加させられることができる。
【００１１】
本発明の有利な実施例においては、前記情報層中の前記分子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加された電位差によって生成される電場にさらされた場合に回転させられることができる液晶分子である。
【００１２】
本発明の他の有利な実施例においては、前記分子は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加された電位差によって生成される電流にさらされた場合に回転させられることができる荷電置換基を有する。
【００１３】
本発明の好適な実施例においては、前記情報層は、前記情報層に情報を書き込むために、光ビームによって局所的に劣化させられることができる。前記情報層は例えば、情報を書き込むため光ビームによって焼鈍され、変化させられ、溶解させられ、凝固させられ又は光化学的に劣化させられ、それにより前記情報層の分子の更なる方向の変化がもはや可能でないようにする。どのような電位差が前記第１の電極と前記第２の電極との間に印加されても、前記層の劣化させられた部分は基本的に透明なままである。本実施例によれば、情報積層の特定の領域が光学特性を変化させることを不可能にされることにより、情報がユーザによって情報担体に書き込まれる。
【００１４】
本発明の他の好適な実施例においては、前記第１の電極は、前記情報層に情報を書き込むために、光ビームによって局所的に低下させられることができる電気コンダクタンスを持つ。本実施例によれば、情報積層の特定の領域が光学特性を変化させることを不可能にされることにより、情報がユーザによって情報担体に書き込まれる。
【００１５】
有利にも、前記情報層は、前記第１の電極の電気コンダクタンスが低下させられる温度よりも高い分解温度を持つ。このことは、情報層の劣化なく、情報積層に情報を書き込むことを可能とする。
【００１６】
好ましくは、前記情報積層は更に、前記第１の電極と前記情報層との間に断熱層を有する。この場合、前記第１の電極のコンダクタンスが低下する温度以下である分解温度を前記情報層が持つ場合であっても、前記情報層を劣化させることなく情報を書き込むことが可能である。当該断熱層が電気的な絶縁層である場合、電場の影響下で回転する分子に基づく実施例が利用されることができる。導電層が利用される場合には、電流の影響下で回転する分子に基づく実施例が利用されることができる。
【００１７】
本発明の他の好適な実施例においては、前記情報層は、２つのタイプの表面電荷を持つコロイド粒子を有する基質を有し、前記２つのタイプの一方は負の電荷を持ち、他方は正の電荷を持ち、前記表面電荷を持つコロイド粒子は液晶分子を有し、前記基質は、前記情報層に情報を書き込むために、光ビームによって局所的に低下させられることができる粘度を持つ。本実施例によれば、ユーザによって前記情報担体に情報が書き込まれ、次いで消去され再書き込みされることができる。
【００１８】
本発明はまた、光ビームにより情報担体を走査する光走査装置であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記光走査装置は、前記光ビームを生成する手段と、前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせる手段と、前記情報積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加する手段とを有する光走査装置に関する。
【００１９】
有利にも、前記光走査装置は、前記情報担体を受容するクランパを有し、前記クランパは、前記情報積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加するための接点を有する。
【００２０】
本発明はまた、光ビームにより情報担体から情報を読み取る方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記方法は、情報が読み取られるべき前記情報積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加するステップと、前記光ビームを前記積層の前記情報層にフォーカスさせるステップとを有する方法に関する。
【００２１】
本発明は更に、光ビームにより情報担体に情報を記録する方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記方法は、情報が記録されるべき前記情報積層の前記第１の電極に前記光ビームをフォーカスさせ、前記第１の電極の電気コンダクタンスを局所的に低下させるステップを有する方法に関する。
【００２２】
本発明はまた、光ビームにより情報担体に情報を記録する方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に回転させられることができる分子を有し、前記方法は、情報が記録されるべき前記情報積層の前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせ、前記情報層を局所的に劣化させるステップを有する方法に関する。
【００２３】
本発明はまた、光ビームにより情報担体に情報を記録する方法であって、前記情報担体は少なくとも２つの情報積層を有し、各前記積層は、第１の電極、第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の情報層を有し、前記情報層は、２つのタイプの表面電荷を持つコロイド粒子を有する基質を有し、前記２つのタイプの一方は負の電荷を持ち、他方は正の電荷を持ち、前記表面電荷を持つコロイド粒子は液晶分子を有し、前記基質は、光ビームによって局所的に低下させられることができる粘度を持ち、前記方法は、情報が記録されるべき前記情報積層の前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせ、前記情報層の前記基質の粘度を局所的に低下させるステップと、前記積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電位差を印加するステップとを有するに関する。
【００２４】
本発明は更に、前述の方法により情報が記録された情報層から情報を消去する方法であって、前記消去する方法は、前記情報層に前記光ビームをフォーカスさせ、前記情報層の基質の粘度を局所的に低下させるステップと、前記積層の前記第１の電極と前記第２の電極との間に、異なる電位差を印加するステップとを有する方法に関する。
【００２５】
本発明のこれらの及び他の態様は、以下に記載される実施例を参照しながら説明され、明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は、添付する図を参照しながら、例として以下により詳細に説明される。
【００２７】
本発明による第１のＲＯＭ（Read Only Memory、読み取り専用）情報担体が、図１ａに示される。かような情報担体は、第１、第２、第３及び第４の電極１１、１３、１５及び１７と、第１及び第２の情報層１２及び１６と、スペーサ層１４とを有する。第１の電極１１、第１の情報層１２及び第２の電極１３は、第１の情報積層を形成する。第３の電極１５、第２の情報層１６及び第４の電極１７は、第２の情報積層を形成する。これら２つの情報積層は、スペーサ層１４によって離隔される。本発明による情報担体は、２より多い情報積層を有しても良い。例えば、本発明による情報担体は、１０、２０又は１００以上の情報積層を有しても良い。例えば、８個の情報積層を持つ本発明による情報担体が、図１ｂに示される。
【００２８】
当該情報担体はＲＯＭ（Read Only Memory）情報担体であり、このことはユーザが当該担体に情報を記録できないことを意味する。情報は製造工程の間に記録され、消去されることはできない。情報層１２及び１６はピット及びランドを有し、これらピット及びランドはエンボス及び印刷技術のような従来技術によって得られる。
【００２９】
当該情報担体は、波長ｌを持つ光ビームによって走査されることを意図されている。第１、第２、第３及び第４の電極１１、１３、１５及び１７並びにスペーサ層１４は、前記光ビームと相互作用しないために、波長ｌに対して透明であるか、又は少なくとも当該波長において非常に低い吸収率を持つように選択される。
【００３０】
情報積層の情報層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に適切な電位差が印加された場合に、当初の方向に対して回転させられる分子を有する。このことを実現するためにＤＣ電圧が利用されても良いが、好ましくはＡＣ電圧が利用される。
【００３１】
第２の情報層１６を得るために、これらの分子を有する層が、エンボスのような従来の手法によってパターン成形される。次いで、第３の電極１５が、スピンコーティング、ディップコーティング、蒸着又はスパッタリング法のような従来の手法によって、前記パターン成形された第２の情報層１６に堆積させられる。次いで、スペーサ層１４が、例えばスピンコーティングによって堆積させられ、第２の電極１３がスペーサ層１４に堆積させられる。次いで、前記分子を有する層が、第２の電極１３に堆積させられる。当該層は、第１の情報層１２を得るためにパターン成形される。これらの作業は、複数の情報積層を有する情報担体を得るために繰り返される。
【００３２】
電極間に電位差が印加された場合に所定の方向に向きを変える能力を持つ分子は、例えば液晶分子である。かような液晶セルは、例えば、Peter J. Collings及びJay S. Patelによる「Handbook of Liquid Crystal Research」（Oxford University Press, New York, 1997）に記載されている。例えば、第１の電極１１と第２の電極１３との間に適切な電位差が印加されると、第１及び第２の電極１１及び１３に略垂直な方向を持つ電場が生成される。当該電場にさらされると、第１の情報層１２の液晶分子は、前記電場の方向に向きを変える。
【００３３】
このことは、正の誘電異方性を持つ液晶分子が利用される場合に当てはまる。しかしながら、本発明により、負の誘電異方性を持つ液晶分子が利用されても良い。この場合には、第１の情報層１２の液晶分子は、前記電場の方向に垂直な方向に向きを変える。以下の説明は、正の誘電異方性を持つ液晶分子に適用される。
【００３４】
更に情報層は、単一のタイプの液晶分子を有しても良いし、又は２以上のタイプの液晶分子の混合物を有しても良い。更に情報層は、ネマティック相、スメクティック相、キラルネマチック相、強誘電相又はディスコティック相のような、１以上の温度依存又は密度依存の液晶相を呈しても良い。
【００３５】
更に情報層は、他の構成要素を組み込んでいても良い。例えばR. A. M. Hikmetによる「Liquid crystals in complex geometries formed by polymer and porous networks」（G. P. Crawford及びS. Zumer編、Taylor & Francis、London、1996）に記載されているように、等方性又は異方性のネットワーク内に液晶分子が組み込まれても良い。かようなネットワークにされた液晶層は、例えば当該参考文献に記載されているように、前もって加えられた反応性の混合物がＵＶ光によって照射されることにより、その場所で生成され得る。
【００３６】
第１の電極１１と第２の電極１３との間に電位差が印加されていない場合、第１の情報層１２の液晶分子はランダム的な向きに向けられ、そのため第１の情報層１２は波長ｌに対して略透明である。第１の電極１１と第２の電極１３との間に適切な電位差が印加された場合、第１の情報層１２の液晶分子は、前記電位差により生成される電場の方向に向かって向きを変える。この結果、第１の情報層１２は、波長ｌに対して吸収性及び／又は反射性のものとなる。このことは、第１の情報層１２の液晶分子の再配向に起因する屈折率の変化の結果である。
【００３７】
本発明より利用される分子はまた、２つの電極間に印加された電位差によって生成される電流の方向を向く、荷電した置換基を有する分子であっても良い。かような分子の例は、イオノマー又は高分子電解質である。高分子電解質は又はイオノマーは、イオンを含むポリマーから成り、付属の群としての又は主鎖に組み込まれたイオン官能価を持つ、比較的少ない数のモノマーのユニットを持つポリマーの骨格鎖から成る。殆どの場合、陽イオンによって部分的に又は完全に中和されるカルボン酸、スルホン酸又はリン酸を持つ構造が利用される。これらの物質は例えば、L.Hollidayによる「Ionic Polymers」（Applied Science Publishers、London、1975）に記載されている。これらの物質の具体的な例は例えば、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）、ポリ（エチレンスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸）、及びポリ（エチレン−co−メチルアクリル酸）のような共重合体の亜鉛又はナトリウム塩である。
【００３８】
任意に、これらの高分子電解質又はイオノマーは、ポリマーの主鎖、側鎖又はその両方に存在する、メソゲンのユニットを有するように変更されても良い。かような液晶イオノマーの具体的な例は例えば、Wilbertらによる「Liquid crystalline ionomers」（Macromolecular Symposia (1997)、117 229-232）に記載されている。
【００３９】
更に、前記情報層の粘性を調節するために、及び物質の再配向を促進し最適化するために、溶媒、共存溶媒又は軟化添加物のような任意の添加物が、利用されるイオノマー又は高分子電解質と共に利用されても良い。
【００４０】
第１の電極１１と第２の電極１３との間に電位差が印加されていない場合には、第１の情報層１２の分子はランダム的な向きに向けられ、そのため第１の情報層１２は波長ｌに対して略透明である。第１の電極１１と第２の電極１３との間に適切な電位差が印加された場合、第１の情報層１２の液晶分子は全て、一定の方向に向かって向きを変える。この結果、第１の情報層１２は、波長ｌに対して吸収性及び／又は反射性のものとなる。
【００４１】
当該方向は、第１の情報層１２において利用される物質の性質に依存する。第１の情報層１２が単に荷電した置換基を有する場合、当該方向は前記電位差によって生成される電流の方向である。前記情報層がメソゲンのユニットを含む荷電した置換基を有する場合、前記方向はメソゲンのユニットの液晶分子の性質に依存する。
【００４２】
以下の説明は、液晶分子を有する情報層に適用される。同様の説明が、任意にメソゲンのユニットを含む、荷電した置換基を持つ分子を有する情報層に適用される。
【００４３】
第１の情報層１２が、この第１の情報層１２からの情報の読み取りのために走査される場合、第１の電極１１と第２の電極１３との間に電位差Ｖ１が印加される。かくして第１の電極１１と第２の電極１３との間に電場が生成される。従って、第１の情報層１２の液晶分子は、当該電場の方向に向かって、即ち第１及び第２の電極１１及び１３に対して略垂直な方向に向く。結果として、第１の情報層１２は、波長ｌに対して吸収性及び／又は反射性のものとなる。
【００４４】
電位差Ｖ１は、当該電位差が印加されたときに、第１の情報層１２の吸収率及び反射率が波長ｌにおいて比較的高くなるように選択される。電位差Ｖ１は、波長ｌ、前記液晶分子の化学構造、第１の情報層１２並びに第１及び第２の電極１１及び１３の層厚に依存する。第１及び第２の電極用に利用され得る物質の例は、ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））及びＰＰＶ（ポリ（フェニレンビニレン））である。
【００４５】
このとき、第１の情報層１２の吸収率及び／又は反射率が高くなると、例えばＣＤ−ＲＯＭの読み出しのために利用される位相差読み出し原理及び振幅差読み出し原理のような従来の読み出し手法を利用して、当該情報層から情報が読み出される。
【００４６】
第１の情報層１２の情報が読み出されると、第２の情報層１６が走査される。最初に、電位差Ｖ１が除去されることにより、第１の情報層１２が透明にされる。第１の電極１１と第２の電極１３との間の電場が消滅し、前記液晶分子が初期の方向に回転し戻り、第１の情報層１２はかくして透明になる。
【００４７】
次いで、第３の電極１５と第４の電極１７との間に電位差Ｖ２が印加され、第２の情報層１６が吸収性のものとされる。本例においては、Ｖ２はＶ１と等しい。なぜなら、第１及び第２の情報積層は、同一の液晶分子を有するからである。第１の情報層１２と第２の情報層１６とで、所定の方向に向く能力を持つ異なる分子が利用される場合、Ｖ２はＶ１と異なっても良い。また情報層１２及び１６の層の厚さが異なる場合にも、異なる電位差が必要とされ得る。
【００４８】
第２の情報層１６の吸収率及び／又は反射率が高くなると、当該第２の情報層１６から情報が読み出される。第１の情報層１２は情報の読み出しを混乱させない。なぜなら、第１の情報層１２は透明にされているからである。結果として、情報担体の残りを略透明にしつつ、１つの情報層のみをアドレスすることが可能である。異なる情報積層の電極間への適切な電位差の印加により、所望の層がアドレスされる。
【００４９】
第１の情報層１２が、反射及び／又は吸収状態において十分に透明である場合には、第２の情報層１６が吸収性及び／又は反射性にされる前ではなく後に、第１の情報層１２を透明状態に切り換えることも可能である。
【００５０】
上述した層を有する本発明による情報担体は、エンボス、鋳造、フォトリソグラフィー手法、マイクロコンタクトプリンティング又は蒸着のような従来の手法により製造されても良い。
【００５１】
以上の記載において、前記第１の電極と第２の電極との間に電位差が印加されていない場合には、液晶分子がランダム的に配向される。電位差が印加された場合には、前記液晶分子は、該液晶分子の性質に依存して、該電位差によって生成される電場に平行又は垂直な方向に向く。
【００５２】
電位差が印加されていない場合に液晶分子が特性の方向に配向され、第１の電極と第２の電極との間に電位差が印加された場合に当該方向が変化させられても良いことは留意されるべきである。例えば、電位差が印加されていない場合に、前記第１及び第２の電極と平行であっても良い。当該方向が透明な情報層に帰着するとする。次いで、電位差が印加されると、液晶分子が前記第１及び第２の電極に垂直な方向に向き、この場合に当該情報層が吸収性及び／又は反射性のものとなる。
【００５３】
後者の場合においては、前記電位差が除去された場合には、前記液晶分子は最初の方向に戻るべきである。このことは、前記情報層に異方性のネットワークが利用されることによって達成される。例えば、電位差が印加されていない場合に、前記液晶分子の配向がプレーナ（planar）である場合、即ち前記第１及び第２の電極に平行である場合、プレーナ配向された異方性のネットワークが、正の誘電異方性を持つ液晶分子と組み合わせて利用される。電位差が印加されていない場合に、前記液晶分子の配向がホメオトロピック（homeotropic）である場合、即ち即ち前記第１及び第２の電極に垂直である場合、ホメオトロピック配向された異方性ネットワークが、負の誘電異方性を持つ液晶分子と組み合わせて利用される。
【００５４】
代替として、電圧が印加されていない場合に、液晶の配列の好適な配向を誘導するために、前記第１及び第２の電極の化学的又は力学的な変更が為されても良い。
【００５５】
代替として、前記情報層を囲む付加的な配向膜が利用されても良い。付加的な情報層は、情報積層の電極と情報層との間に配置される。両方の配向膜が好ましいが、これら配向膜のうちの１つのみの利用も可能である。
【００５６】
従来の液晶ディスプレイの製造のために典型的に利用されるもののような、擦られたポリイミド配向膜のような、又はクマリン誘導体若しくはシンナメン誘導体のような光配向膜のような配向膜が利用されても良い。これらの層の堆積もまた、スピンコーティング又はディップコーティングのような、従来の加工手法によって達成されても良い。配向膜のタイプに依存して、引き続いて摩擦又は短いＵＶの照射が、所望の配向を誘導するために必要とされる。前記情報層を囲む利用される配向膜は好ましくは同一のものであるが、異なるものであっても良い。ポリイミドの利用の恩恵は、大多数の有機ポリマーについて一般にみられる典型的な劣化温度を大きく上回る、卓越した温度安定性である。
【００５７】
図２は、本発明による第２のＲＯＭ情報担体を示す。本図において、図１におけるものと同一の番号は、同一の要素を表す。当該情報担体は、第１、第２、第３及び第４の電極１１、１３、１５及び１７と、第１及び第２の情報層１２及び１６と、スペーサ層１４とを有する。第１の電極１１、第１の情報層１２及び第２の電極１３は、第１の情報積層を形成する。第３の電極１５、第２の情報層１６及び第４の電極１７は、第２の情報積層を形成する。これら２つの情報積層は、スペーサ層１４によって離隔される。
【００５８】
図２ａの情報担体を作成するための製造工程の例が、以下に説明される。第４の電極１７が、エンボスのような従来の手法によってパターン成形される。次いで、第２の情報層が前記パターン成形された第４の電極１７に堆積させられ、第３の電極１５が第２の情報層１６に堆積させられる。次いでスペーサ層１４が第３の電極１５に堆積させられ、第２の電極１３がスペーサ層１４に堆積させられる。上述した作業は次いで、複数の情報積層を有する情報担体を得るために繰り返される。
【００５９】
第１及び第２の情報層１２及び１６をアドレスするために、それぞれ第１の電極１１と第２の電極１３との間、及び第３の電極１５と第４の電極１７との間に電位差が印加される。
【００６０】
図２ｂは、本発明による第３のＲＯＭ情報担体を示す。当該情報担体は、第１、第２及び第３の電極２１、２３及び２５と、第１及び第２の情報層２２及び２４とを有する。第１の電極２１、第１情報層２２及び第２の電極２３は、第１の情報積層を形成する。第２の電極２３、第２の情報層２４及び第３の電極２５は、第２の情報積層を形成する。
【００６１】
図２ｂの情報担体を作成するための製造工程の例が、以下に説明される。液晶分子を有する層が、エンボス又はプリンティングのような従来の手法によってパターン成形される。第２の情報層２４が得られる。次いで、第２の電極２３が前記パターン成形された第２の情報層２４に堆積させられ、液晶分子を有する層が第２の電極２３に堆積させられる。上述した作業は次いで、複数の情報積層を有する情報担体を得るために繰り返される。
【００６２】
第１及び第２の情報層２２及び２４をアドレスするために、それぞれ第１の電極２１と第２の電極２３との間、及び第２の電極２３と第３の電極２５との間に電位差が印加される。
【００６３】
図２ｃは、本発明による第４のＲＯＭ情報担体を示す。当該情報担体は、第１、第２及び第３の電極２１、２３及び２５と、第１及び第２の情報層２２及び２４とを有する。第１の電極２１、第１情報層２２及び第２の電極２３は、第１の情報積層を形成する。第２の電極２３、第２の情報層２４及び第３の電極２５は、第２の情報積層を形成する。
【００６４】
図２ｃの情報担体を作成するための製造工程の例が、以下に説明される。第３の電極２５が、エンボスのような従来の手法によりパターン成形される。次いで、第２の情報層２４が、前記パターン成形された第３の電極２５に堆積させられ、第２の電極２３が第２の情報層２４に堆積させられる。次いで、第２の電極２３が前記パターン成形され、第１の情報層２２が前記パターン成形された第２の電極２３に堆積させられる。上述した作業は、複数の情報積層を有する情報担体を得るために繰り返される。
【００６５】
第１及び第２の情報層２２及び２４をアドレスするために、それぞれ第１の電極２１と第２の電極２３との間、及び第２の電極２３と第３の電極２５との間に電位差が印加される。
【００６６】
図３ａは、本発明による第１のＷＯＲＭ（Write Once Read Many、書き込み一度、読み取り多数）情報担体を示す。当該情報担体は、第１、第２、第３及び第４の電極３１、３３、３５及び３７と、第１及び第２の情報層３２及び３６と、スペーサ層３４とを有する。第１の電極３１、第１の情報層３２及び第２の電極３３は、第１の情報積層を形成する。第３の電極３５、第２の情報層３６及び第４の電極３７は、第２の情報積層を形成する。これら２つの情報積層は、スペーサ層３４によって離隔される。
【００６７】
第１及び第３の電極３１及び３５は、波長ｌにおける光ビームによって局所的に低下させられる電気コンダクタンスを持つ。第１及び第３の電極３１及び３５の電気コンダクタンスを局所的に低下させるために、比較的高いパワーの光ビームが必要とされる。前記高いパワーは物質によって吸収され、例えば溶解、焼鈍、光化学反応、熱損傷又は劣化によって、当該物質の物質特性を変化させる。当該比較的高いパワーは、前記情報担体への情報の書き込みの間に利用され、一方、第１及び第３の電極３１及び３５の電気コンダクタンスを減少させることが不可能な、より低いパワーが読み取りに利用される。
【００６８】
第１の情報層３２に情報を書き込むために、マークを書き込むため比較的高いパワーを持つ光ビームが第１の電極３１にフォーカスされ、当該第１の電極３１の電気コンダクタンスを局所的に低下させる。図３ａにおいて、第１の電極３１の電気コンダクタンスが低下させられたマークが、点線によって示される。
【００６９】
第２の情報層３６に情報を書き込むために、マークを書き込むため比較的高いパワーを持つ光ビームが第３の電極３５にフォーカスされ、当該第３の電極３５の電気コンダクタンスを局所的に低下させる。
【００７０】
第１の情報層３２から情報を読み取るために、第１の電極３１と第２の電極３３との間に適切な電圧Ｖ１が印加される。マークが書き込まれた部分を除き、第１の電極３１と第２の電極３３との間に電場が生成される。なぜなら、これらのマークの電気コンダクタンスは、電場の生成を可能とするためには小さすぎるからである。それ故、第１の情報層３２の液晶分子は、第１の電極３１において書き込まれたマークの下に位置する部分を除いて、電場にさらされる。結果として、第１の情報層３２は、前記書き込まれたマークの下に位置する部分を除いて、吸収性及び／又は反射性となる。
【００７１】
マークの下の部分とマークが書き込まれていない領域の下の部分との間の吸収率及び反射率の差はかくして、第１の情報層３２から情報を読み取るために利用される。
【００７２】
第２の情報層３６から情報を読み取るため、電位差Ｖ１が除去されることにより、第１の情報層３２が波長ｌに対して透明にされる。それ故、第１の情報層３２全体が透明になる。それ故、第１の情報層３２は、第２の情報層３６の走査を混乱させない。次いで、Ｖ１に等しい適切な電圧Ｖ２が第３の電極３５と第４の電極３７との間に印加され、第２の情報層３６が波長ｌに対して吸収性及び／又は反射性にされる。第２の情報層３６は、第２の電極３５において書き込まれたマークの下に位置する部分を除いて、吸収性及び／又は反射性になる。このとき第２の情報層３６から情報が読み取られることができる。
【００７３】
図３ａにおいて表現されているマークの幅と比較した層の厚さは、必ずしも現実のものとは一致しないことは留意されるべきである。情報層の厚さが、マークの幅よりも小さいことが有利である。情報層の厚さがマークの幅よりも大きい場合、電場がマークの下に位置する部分においても生成され得る。このとき前記液晶分子が電場にさらされる部分が望ましいものより大きくなり、従ってかような情報担体のデータ容量を低下させ得る。光記録については、前記マークは典型的に５００ナノメートルよりも大きい。結果として、書き込まれたマークの下に位置する部分における電場の生成を回避するため、３００ナノメートルよりも小さい前記情報層の厚さが好ましい。
【００７４】
前記情報層は好ましくは、前記第１の電極の電気コンダクタンスが低下する温度よりも高い分解温度を持つことも留意されるべきである。書き込みの間、前記光ビームが前記情報層に直接フォーカスされていない場合であっても、前記情報層は、マークが書き込まれた前記電極の温度とそれほど変らない温度に到達するであろう。
【００７５】
しかしながら、前記第１の電極の電気コンダクタンスが低下する温度よりも低い分解温度を持つ情報層が、図３ｂに示すように、本発明によるＷＯＲＭ情報担体において利用されても良い。図３ｂにおいては、前記情報担体は更に、第１及び第２の断熱層３８及び３９を有する。第１の断熱層３８は、第１の電極３１と第１の情報層３２との間に配置され、第２の断熱層３９は、第３の電極３５と第２の情報層３６との間に配置される。
【００７６】
第１及び第２の断熱層３８及び３９は、波長ｌに対して透明であるように、及び前記第１及び第３の電極３１及び３５の電気コンダクタンスが低下する温度よりも高い分解温度を持つように選択される。例えば、断熱層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２層が用いられても良く、ポリイミド、ポリエチルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリメチルペンテン、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルスルホンのような高温耐性のあるポリマーが利用されても良い。第１及び第２の断熱層３８及び３９は、比較的低い熱伝導性を持つ。結果として、書き込みの間の第１及び第２の情報層３２及び３６の温度は、第１及び第３の電極３１及び３５の温度よりも低い。それ故、第１及び第２の情報層３２及び３６は、比較的低い分解温度を持ち得る。
【００７７】
図３ｃは、本発明による第３のＷＯＲＭ情報担体を示す。図３ａの第１のＷＯＲＭ情報担体と比較すると、当該情報担体は、第１、第２、第３及び第４の付加的な電極３１０乃至３１３を更に有する。前記付加的な電極は、マークが書き込まれた第１及び第３の電極３１及び３５が部分的に劣化した場合に、電気抵抗の局所的な増大に打ち勝つように働く。高い分解温度を持つ有機電導ポリマー、又はＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）のような無機層が、付加的な電極として利用されても良い。
【００７８】
図３ｄは、本発明による第４のＷＯＲＭ情報担体を示す。当該情報担体は、第１、第２、第３及び第４の電極３１、３３、３５及び３７と、第１及び第２の情報層３２及び３６と、スペーサ層３４とを有する。第１の電極３１、第１の情報層３２及び第２の電極３３は、第１の情報積層を形成する。第３の電極３５、第２の情報層３６及び第４の電極３７は、第２の情報積層を形成する。これら２つの情報積層は、スペーサ層３４によって離隔される。
【００７９】
前記情報層は例えば、光ビームによって焼鈍され、変化させられ、溶解させられ、凝固させられ又は光化学的に劣化させられるといったように、局所的に劣化させられることができる。第１及び第２の情報層３２及び３６を局所的に劣化させるために、比較的高いパワーの光ビームが必要とされる。前記高いパワーは物質において吸収され、例えば溶解、焼鈍、光化学反応、熱損傷又は劣化によって、当該物質の物質特性を変化させる。当該比較的高いパワーは、前記情報担体への情報の書き込みの間に利用され、一方、第１及び第２の情報層３２及び３６を劣化させることが不可能な、より低いパワーが読み取りに利用される。
【００８０】
情報積層の情報層の局所的な劣化は、劣化された領域における分子が、当該情報積層の前記第１の電極と第２の電極との間に電位差が印加された場合に回転する能力を失うことに帰着する。それ故、電位差が当該情報積層の前記第１の電極と第２の電極との間に印加されても、劣化された領域は透明のままである。
【００８１】
第１の情報層３２に情報を書き込むために、マークを書き込むために比較的高いパワーを持つ光ビームが第１の情報層３２にフォーカスされ、当該第１の情報層３２を局所的に劣化させる。図３ｄにおいて、第１の情報層３２が劣化させられた部分であるマークは、点線によって表される。前記情報層における前記マークの深さは、前記光ビームのパワーが変化させられることにより、又は前記光ビームがマークにフォーカスされる時間が変化させられることにより、選択されることができる。異なるマーク深度を持つことは、多レベル記録を可能とする。単一レベル記録においては、典型的に２つの反射状態又はレベルが利用され、一方多レベル記録の場合においては、データを表すためにより多くの反射レベル定義される。
【００８２】
第２の情報層３６に情報を書き込むために、マークを書き込むために比較的高いパワーを持つ光ビームが第２の情報層３６にフォーカスされ、当該第２の情報層３６を局所的に劣化させる。
【００８３】
情報が書き込まれる必要がある情報層は、当該情報層に比較的高いパワーの光ビームがフォーカスされる前に、吸収性にされる。このことは、比較的高いパワーの光ビームの吸収を向上させ、前記情報層の局所的な劣化を増進させる。
【００８４】
第１の情報層３２から情報を読み取るために、第１の電極３１と第２の電極３３との間に適切な電圧Ｖ１が印加されることにより、当該第１の情報層３２が波長ｌに対して吸収性にされる。第１の情報層３２は、マークが書き込まれた部分を除き、吸収性及び／又は反射性になる。なぜなら、これらのマークの分子は回転ができないからである。それ故、第１の情報層３２における、マークとマークが書き込まれていない領域との間の吸収率及び／又は反射率の差が、第１の情報層３２から情報を読み取るために利用される。
【００８５】
第２の情報層３６から情報を読み取るために、第１の電極３１と第２の電極３３との間の電位差Ｖ１が除去されることにより、当該第１の情報層３２が波長ｌに対して透明にされる。それ故、前記マークを含めて第１の情報層３２全体が透明になる。従って、第１の情報層３２は、第２の情報層３６の走査を混乱させない。次いで、第３の電極３５と第４の電極３７との間にＶ１と等しい適切な電圧Ｖ２が印加されることにより、第２の情報層３６が波長ｌに対して吸収性及び／又は反射性にされる。第２の情報層３６は、マークが書き込まれた部分を除き、吸収性及び／又は反射性になる。次いで第２の情報層３６から情報が読み取られることができる。
【００８６】
図４は、本発明による書き込まれていないＲＷ（ReWritable、再書き込み可能）情報担体の構造を示す。図４においては、前記情報担体の１つの情報積層のみが表現されており、他の情報積層は同様のものである。当該情報積層は、第１及び第２の電極４１及び４３と、情報層４２とを有する。前記情報層は、基質４２１と、粒子４２２及び粒子４２３のような表面電荷を持つコロイド粒子とを有する。前記表面荷電を持つコロイド粒子は球で表現され、短いロッドによって表現された液晶分子を有する。当該ロッドによる表現は、液晶の利用をカラミティックに限定するものではなく、バナナ型又はディスコティック液晶が利用されても良い。基質４２１は、情報層４２に情報を書き込むために、波長ｌにおける比較的高いパワーの光ビームにより、局所的に低下させられ得る粘度を持つ。情報の読み取りの間は、基質４２１の粘度を低下させることができない、より低いパワーを持つ光ビームが利用される。基質４２１は、波長ｌに対して透明となるように選択される。
【００８７】
基質４２１は、温度依存の転移を持つ物質から成っても良い。当該転移は、１次転移、２次転移又はガラス転移であっても良い。当該転移は好ましくは、周囲温度よりも十分高く、且つ前記情報担体の処理温度の典型的な上限よりも十分に高い温度であるが、前記情報担体内の隣接する層の劣化温度よりも低い温度に位置する。前記基質は更に、無機の性質を持っても良いが、好ましくはポリマーの性質のような有機の性質を持つ。とりわけ、ポリマーの基質は例えば、ホモポリマー、共重合体又はポリマー混合物から成っても良い。ガラス転移のような温度依存の転移を持つポリマーの例は、ポリスチレン及びポリメチルメタクリレートである。
【００８８】
荷電コロイド粒子に埋め込まれた液晶分子を得る方法は、当業者には知られている。例えば、P.S. Drzaicによる「Liquid crystal dispersions」（World Scientific、Singapore、1995）において記載されているように、ディスプレイに関連するポリマー分散液晶（ＰＤＬＣ）スイッチから、カプセル化された液晶が知られている。しかしながら、液晶の小滴の位置は、通常架橋結合された基質によって固定される。後に基質内に分散させられることができる、別個にカプセル化された液晶、即ち液晶マイクロカプセルの合成及び利用は、例えばS.A. Cho、N.H. Park、J.W. Kim、K.D. Suhによる「Colloids and surface」（A: Physicochemical and engineering aspects、196、271（2002））において記載されている。
【００８９】
種々の液晶分子が、図４に示すような情報担体において利用され得る。例えば、正又は負の誘電異方性を持つ液晶分子が利用されても良い。また、液晶分子のタイプは、例えばカラミティック、バナナ型及びディスコティックタイプから選択されても良い。
【００９０】
情報層４２が書き込まれていない場合、表面電荷を持つコロイド粒子は、基質４２１中にランダム的に分散させられている。図４に示すように、正の表面電荷を持つコロイド粒子は、負の表面電荷を持つ粒子と群がり、安定した凝集体を形成する。
【００９１】
この状況においては、第１の電極４１と第２の電極４３との間に電位差が印加されても、情報層４２は波長ｌに対して略透明である。実際に、液晶分子を有する表面電荷を持つ粒子はコロイド状であり、このことは、表面電荷を持つ粒子の基質４２１の体積に比べた体積率は、比較的小さいことを意味する。例えば当該体積率は１０％よりも低い。好ましくは、当該体積率は５％よりも低い。記録された情報層のコントラストを強調するために、正の表面電荷を持つ粒子においてと負の表面電荷を持つ粒子においてとで、異なる液体分子を利用することも可能である。
【００９２】
情報層４２にマークを書き込むために、比較的高いパワーの光ビームが当該マークにフォーカスされる。当該マークの下に位置する基質４２１の部分は加熱され、当該基質の粘度が低下する温度に到達する。適切な電位差Ｖ１が第１の電極４１と第２の電極４３との間に印加され、情報層４２中に電場を生成し、これにより負に荷電したコロイド粒子が、正に荷電したコロイド粒子から分離される。書き込まれた情報層がかくして得られ、図５において表されている。
【００９３】
図５は、本発明による書き込まれたＲＷ情報担体の構造を示す。本図において、図４におけるものと同一の番号は、同一の構成要素を表す。
【００９４】
マークが書き込まれた情報層４２の部分においては、正の表面電荷を持つ粒子が、負の電極即ち本例においては第１の電極４１の表面に捕捉される。負の表面電荷を持つ粒子は、正の電極即ち本例においては第２の電極４３の表面に捕捉される。マークが書き込まれると、比較的高いパワーの光ビームはもはや当該マークにはフォーカスされない。それ故、当該書き込まれたマークの下に位置する基質４２１の部分は冷却され、このとき冷却の間前記電位差は維持され、前記電荷を持つ粒子はそれぞれの電極の表面に留まる。なぜなら、基質４２１の粘度が、これらの電荷を持つ粒子の輸送を妨げるからである。
【００９５】
結果として、情報層４２に情報が記録されると、当該第１の情報層４２は、表面電荷を持つ粒子が第１及び第２の電極４１及び４３の表面に捕捉された書き込まれた部分と、表面電荷を持つ粒子が基質４２１中にランダム的に分散させられた書き込まれていない部分とを有する。
【００９６】
情報層４２から情報を読み取るために、低いパワーの光ビームが当該情報層にフォーカスされ、適切な電位差Ｖ２が第１の電極４１と第２の電極４３との間に印加される。電位差Ｖ２はＶ１とは異なっていても良い。実際には、電位差Ｖ１は、基質４２１中の荷電粒子の輸送を可能にするために利用され、一方電位差Ｖ２は、液晶分子を回転させるために利用される。
【００９７】
図４の記載において説明されたように、情報層４２の書き込まれていない部分は、これらの書き込まれていない部分における液晶分子が電場にさらされても、透明なままである。なぜなら、基質４２１の体積に比べた荷電粒子の体積率は比較的小さいからである。しかしながら、第１の電極４１と第２の電極４３との間に電位差Ｖ２が印加された場合、情報層４２の書き込まれた部分は、波長ｌに対して吸収性及び反射性のものとなる。このことは、小さな体積中、即ち第１の電極４１の近くにおける比較的高い密度の液晶分子のためである。これら分子は全て同一の方向に向いている。結果として、情報層４２の書き込まれていない部分と書き込まれた部分との間の吸収及び／又は反射の差が、読み出しのために利用されることができる。
【００９８】
前記情報担体の他の情報層が走査される場合には、電位差Ｖ２が除去されることにより、情報層４２が透明にされる。
【００９９】
図４及び５に表された前記情報担体の情報層に書き込まれた情報は消去されることができ、これらの情報層に情報が再書き込みされることができる。情報層４２に書き込まれた情報を消去するために、当該情報層４２は比較的高いパワーの光ビームにより走査される。基質４２１は加熱され、当該基質４２１の粘度は低下させられる。書き込みの間に得られた輸送方向と反対の方向への荷電コロイド粒子の輸送を可能とするため、第１の電極４１と第２の電極４３との間に逆電位差−Ｖ３が印加される。電位差−Ｖ３の振幅、及び逆電位−Ｖ３が第１の電極４１と第２の電極４３との間に印加される時間は、表面電荷を持つコロイド粒子が基質４２１中にランダム的に分散させられた、図４において説明されたような情報層４２を得るように選択される。次いで、上述したように、マークが当該情報層４２に再書き込みされる。
【０１００】
図４及び図５の情報担体を用いて、ＷＯＲＭ情報担体を設計することも可能であることに留意されたい。このことは例えば、書き込まれたデータが消去されることができないように、ユーザが逆電位差を印加することを防止されるようにすることにより可能である。かような制限は、例えば情報担体の所謂リードインにおいて含められても良い。
【０１０１】
図４及び図５において示されたような情報担体において、多レベル記録が可能であることも留意されるべきである。電位差Ｖ１が第１の電極４１と第２の電極４３との間に印加される異なる時間を利用することにより、負の電極４１の表面に捕捉された正の荷電粒子と、正の電極４３の表面に捕捉された負の荷電粒子との、異なる密度が得られる。
【０１０２】
図６は、本発明による光装置を示す。かような光装置は、光ビーム６０２を生成するための放射源６０１、コリメータレンズ６０３、ビームスプリッタ６０４、対物レンズ６０５、サーボレンズ６０６、検出手段６０７、測定手段６０８及びコントローラ６０９を有する。当該光装置は情報担体６１０を走査するためのものである。情報担体６１０は、それぞれが少なくとも１つの情報層を有する、２つの情報積層６１１及び６１２を有する。
【０１０３】
走査動作（書き込み動作であっても良いし又は読み取り動作であっても良い）の間、情報担体６１０は、放射源６１０により生成された光ビーム６０２によって走査される。コリメータレンズ６０３及び対物レンズ６０５は、光ビーム６０２を情報担体６１０の情報層にフォーカスさせる。コリメータレンズ６０３及び対物レンズ６０５はフォーカス手段である。走査動作の間、前記情報層における光ビーム６０２の位置の位置決めエラーに対応するフォーカスエラー信号が検出されても良い。当該フォーカスエラー信号は、対物レンズ６０５の軸位置を補正し、光ビーム６０２のフォーカスエラーを補償するために利用され得る。信号はコントローラ６０９に送信され、コントローラ６０９が対物レンズ６０５を軸方向に移動させるためにアクチュエータを駆動する。
【０１０４】
前記フォーカスエラー信号及び前記情報層に書き込まれたデータは、検出手段６０７によって検出される。情報担体６１０によって反射させられた光ビーム６０２は、対物レンズ６０５によって平行ビームに変形され、ビームスプリッタ６０４によりサーボレンズ６０６に到着する。当該反射ビームは次いで検出手段６０７に到達する。
【０１０５】
前記光装置は更に、情報担体６１０を受容するためのクランパ６２０を有する。クランパ６２０は、接点６２１乃至６２４を有する。これら接点６２１乃至６２４は、情報担体６１０が前記光装置に配置された場合に、情報積層の第１の電極と第２の電極との間の電位差の印加を可能とするように設計される。本例においては、情報担体６１０が前記光装置に配置された場合に、第１の接点６２１が第１の積層６１１の第１の電極と電気的に接触し、第２の接点６２２が第１の積層６１１の第２の電極と電気的に接触し、第３の接点６２３が第２の積層６１２の第１の電極と電気的に接触し、第４の接点６２４が第２の積層６１２の第２の電極と電気的に接触する。次いで、これら接点の間に電位差が印加される。例えば、第１の積層６１１の情報層を波長ｌに対して吸収性及び／又は反射性のものとするため、第１の接点６２１と第２の接点６２２との間に適切な電位差が印加される。
【０１０６】
他の実施例においては、情報担体６１０に書き込まれた情報に対応する信号は、情報担体６１０に対して、対物レンズ６０５、サーボレンズ６０６及び検出手段６０７と反対側に配置された第２の対物レンズ、第２のサーボレンズ及び第２の検出手段による伝送において検出されても良いことは留意されるべきである。
【０１０７】
他の実施例においては、情報担体６１０は担体全体の背面にミラーを持ち、当該ミラーが、アドレスされた情報積層を含む全ての情報積層を通過したビームを反射しても良いことも留意されるべきである。この場合、図６に示されたような光走査装置がデータを読み取るために利用されることができる。
【０１０８】
以下の請求項中のいずれの参照記号も、請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。動詞「有する（to comprise）」及びその活用形は、いずれの請求項においても、定義されたもの以外の要素の存在を除外するものではないことは明らかであろう。要素に先行する語「１つの（a又はan）」は、複数のかような要素の存在を除外するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１（ａ）】本発明による第１のＲＯＭ情報担体を示す。
【図１（ｂ）】本発明による第１のＲＯＭ情報担体を示す。
【図２（ａ）】本発明による第２のＲＯＭ情報担体を示す。
【図２（ｂ）】本発明による第３のＲＯＭ情報担体を示す。
【図２（ｃ）】本発明による第４のＲＯＭ情報担体を示す。
【図３（ａ）】本発明による第１のＷＯＲＭ情報担体を示す。
【図３（ｂ）】本発明による第２のＷＯＲＭ情報担体を示す。
【図３（ｃ）】本発明による第３のＷＯＲＭ情報担体を示す。
【図３（ｄ）】本発明による第４のＷＯＲＭ情報担体を示す。
【図４】本発明によるＲＷ情報担体における書き込まれていない情報層の構造を示す。
【図５】本発明によるＲＷ情報担体における書き込まれた情報層の構造を示す。
【図６】本発明による光装置を示す。
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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