(57)【要約】【課題】【解決手段】本発明は、スプライス損失及び減衰率が低い非零分散シフト型光ファイバを製造する方法及びこの方法により製造された光ファイバに関する。引抜き張力の減少に伴いスプライス損失が減少することが観察される。光ファイバは、３つのセグメントと、内側クラッディングセグメントとを有するコア領域を備えており、該セグメントの各々は、下付き文字／が特定の値を示すとして、最大屈折率％の差である、Δデルタ／％、ｉ＝０ないし３を有し、コアセグメントはΔデルタ０％＞Δデルタ２％＞Δデルタ１％≧０及びΔデルタ２％＞Δデルタ３％≧０となるように選ばれる。低スプライス損失を示す光ファイバは、１５０ｇ以下、好ましくは１００ｇ以下の張力にて引き抜いた。
2006512266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非零分散型光ファイバ（ｎｏｎ−ｚｅｒｏ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｆｉｂｒｅ）を製造する方法において、
光ファイバを引き抜くことのできるガラスプリフォームを形成するステップであって、該ガラスプリフォームは、コアと、該コアを取り囲む外側クラッディングとを有し、該プリフォームのコアが、引き抜いた光ファイバにおいて、コアが中央セグメントと、第一の環状セグメントと、第二の環状セグメントと、内側クラッディングセグメントとを備え、該セグメントの各々が、それぞれの最大の屈折率％の差、Δｉ％を有するようなものとされ、コアセグメントは、Δ０％＞Δ２％＞Δ１％≧０及びΔ２％＞Δ３％≧０となるように選ばれ、ここにおいて、中央セグメントは０．６４％ないし０．８０％の範囲のΔ０％を有し、第二の環状セグメントは、５．５ないし７．５μｍの範囲の中心半径ｒ２を有し、また、１．７ないし３．０μｍの範囲の幅ｗ２を有するようにした前記ガラスプリフォームを形成するステップと、
プリフォームの領域を加熱し、光ファイバを該プリフォームから引き抜くのを許容するステップと、
１５０ｇ以上の引抜き張力をプリフォームの加熱領域に付与することによりプリフォームを引き抜いて光ファイバにするステップとを備える、非零分散型光ファイバを製造する方法。
【請求項２】
請求項１の方法において、
ｒ２が６．７ないし７．５μｍの範囲にある、方法。
【請求項３】
請求項１の方法において、
第二の環状セグメントが、０．１１％ないし０．１７％の範囲のΔ２％を有する、方法。
【請求項４】
請求項１の方法において、
引抜き張力が１００ｇ以下である、方法。
【請求項５】
請求項４の方法において、
引抜き張力が６０ないし１００ｇの範囲にある、方法。
【請求項６】
請求項４又は５の方法において、
Δ０％が０．６４％ないし０．７３％の範囲にある、方法。
【請求項７】
請求項４ないし６の何れか１つの項の方法において、
ｒ２が７．１ないし７．５μｍの範囲にある、方法。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか１つの項の方法において、
光ファイバが、９ないし１６ｍ／秒の範囲の速度にて引き抜かれる、方法。
【請求項９】
請求項１の方法において、
第二の環状セグメントの屈折率プロフィールが、４ないし７の範囲のαを有する超ガウス（Ｓｕｐｅｒ−Ｇａｕｓｓｉａｎ）の形状である、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９の何れか１つの項の方法において、
中央セグメントの幅が３．５ないし４．３μｍの範囲にある、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか１つの項の方法において、
内側クラディングの最大相対的屈折率、Δ３％が０．０２％ないし０．０４％の範囲にある、方法。
【請求項１２】
請求項１１の方法において、
Δ３％が０．０２１％ないし０．０２７％の範囲にある、方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２の何れか１つの項に記載の方法により製造された光ファイバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
現在の長距離通信リンクは、容量を増大させ且つ、信号の再発生の間の距離を伸ばすため、全体として、波長分割多量化（ＷＤＭ）及び零分散又は低分散ファイバを使用する。しかし、ＷＤＭシステム内にて零又は低分散伝送ファイバを使用する結果、四光波混合（ＦＷＭ）のような、非線形現象のため、性能が著しく劣化する可能性がある。ＦＷＭを最小にするため、零分散波長は、通常、Ｃ−帯域（１５３０ないし１５６５ｎｍ）及び（又は）Ｌ−帯域（１５６５ないし１６２０ｎｍ）である伝送帯域外に配置しなければならない。伝送帯域内の分散量が制御され且つ、低減衰率を有する形成されるファイバは、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．６５５にて規定された非零分散シフト式（ＮＺＤ）ファイバと称される。商業的なＮＺＤファイバの例は、トルューウェーブ（ＴｒｕｅＷａｖｅ）（ルーセント（Ｌｕｃｅｎｔ）の登録商標名）、リーフ（ＬＥＡＦ）及びメトロコア（ＭｅｔｒｏＣｏｒ）（コーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ）の登録商標名）、及びフリーライト（ＦｒｅｅＬｉｇｈｔ）（ピレリー（Ｐｉｒｅｌｌｉ）の登録商標名）がある。
【背景技術】
【０００２】
大きい有効面積、すなわち約５０μｍ２以上の有効面積を有するリーフ（登録商標名）及びフリーライト（登録商標名）ファイバのようなＮＺＤファイバは、非線形の光学効果を減少させつつ、高光学パワーを有する信号を伝送する可能性を有している。このため、有効面積の大きいファイバは、長距離に亙る高容量のＷＤＭネットワークに対する優れた使用可能性がある。
【０００３】
セグメント化したコアを有する光ファイバは、非線形の光学効果を制限しつつ、大きい有効面積を提供することができる。米国特許出願明細書２００２／００４４７５５号には、作動距離に亙って実質的に平坦な分散スロープと共に、４５μｍ２以上の相対的に大きい有効面積を有するシングルモード光ファイバが開示されている。開示されたファイバは、セグメント化したコアの屈折率プロフィールを有している。
【０００４】
米国特許明細書６，２１２，３２２号には、セグメント化した屈折率プロフィールと、１５３０ｎｍの正全分散量と、６０μｍ２以上の有効面積とを有する光ファイバが開示されている。
【０００５】
長距離の通信リンクのような、光学システムにおいて、光ファイバは、通常、１つのファイバの長さから別の長さまで光伝送のための連続的な光路を形成すべく互いに接続する必要がある。しばしば、接続されたファイバは、伝送ファイバが分散補償型ファイバに連結された光路の場合のように、異なる型式のものである。また、ファイバの端部は、リピータ、データトランスミッタ又はパワーメータのような端末に接続する必要がある。２つのファイバ又は２群のファイバを接続することは、全体としてスプライスと称される。２つの光ファイバがスプライスされたとき、スプライス箇所を亙る光パワーの損失、すなわちスプライス損失が生ずる可能性がある。２つの異なる型式のファイバを互いにスプライスすること、すなわちハイブリッドスプライスの結果、モードフィールドの直径（ＭＦＤ）及びファイバの幾何学的形態の不一致に起因してスプライス損失が増大することがある。同一ファイバの２つの異なる長さのものをスプライスするとき、すなわち均質なスプライスのときでさえ、ファイバのコアの不整合及びコア／クラッドの同心度又はファイバのカールのようなファイバの固有のパラメータのため、スプライス部を亙って光パワーが損失する可能性がある。
【０００６】
ファイバのカールは、非被覆ファイバの特定の長さに亙る固有の曲率であり、支持され
ていないファイバ端部をファイバの軸線の周りにて回転させ且つ、水平線からの偏向を測定することにより、測定される。典型的に、ミクロンにて測定されるファイバの偏向は、通常、メートルにて表わされる曲率半径に変換される。コアをクラッディングガラス領域内にて中心決めする程度を画成するコア／クラッドの同心度、及びクラッディングの直径と共に、ファイバのカールは、スプライスの性能にとって重要なパラメータであると考えられる。
【０００７】
永年に亙って、スプライス損失の有害な効果を制限するため、多数の技術が開発されてきた。一般的に使用されている２つの技術は、ファイバ端部を互いに溶融すること含む融合スプライス、及びファイバ端部を互いに保持するための機械的連結装置を使用する機械的スプライスである。シングルモード光ファイバの恒久的な接続は、典型的に、融合スプライスによって行われる。
【０００８】
ＮＺＤファイバは、典型的に、標準型のシングルモードファイバよりも複雑な屈折率プロフィール（ＲＩＰｓ）を有するように製造される。ＲＩＰは、光ファイバの半径に沿ったガラスの屈折率の変化を説明する。それらのより複雑な物理的設計のため、ＮＺＤファイバは、スプライス状態及び手順のような臨界的なパラメータによる影響を受けると考えられる。ＮＯＣ／ＥＣ２０００に発表された、Ｍ．アドコックス（Ａｄｃｏｘ）による「非零分散シフト型ファイバ及び標準型シングルモードファイバに対するスプライス及びファイバ組立体の適合性（Ｓｐｌｉｃｉｎｇ  ａｎｄ  ｆｉｂｅｒ  ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  ｎｏｎ−ｚｅｒｏ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ−ｓｈｉｆｔｅｄ  ｆｉｂｅｒ  ａｎｄ  ｓｔａｎｄａｒｄ  ｓｉｎｇｌｅ−ｍｏｄｅ  ｆｉｂｅｒ）」には、能動的な整合スプライサを使用することによりシングルモードファイバ及びＮＺＤに対するスプライスに関する研究が記載されている。スプライス損失は、標準型のシングルモードファイバと比較してＮＺＤファイバをスプライスするとき、へき開する端部角度に対しより敏感であるといわれる。ＩＷＣＳ議事録Ｐ．８９１（１９９８年）に出版されたＭ．Ｅ．ホワイト（Ｗｈｉｔｅ）及びＳ．Ａ．クーパー（Ｃｏｏｐｅｒ）による「非零分散シフト型ファイバにおけるスプライス損失（Ｓｐｌｉｃｅ  ｌｏｓｓ  ｉｎ  ｎｏｎ−ｚｅｒｏ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ−ｓｈｉｆｔｅｄ  ｆｉｂｒｅｓ）」において、９．４８ないし９．９２μｍの範囲のＭＦＤにてコーニングが製造したＬＥＡＦ（登録商標名）ファイバに対するスプライス損失の研究が報告されている。ＬＥＡＦ（登録商標名）ファイバは、その他のＮＺＤファイバのものよりも、能動的な整合システムに対するより低損失のスプライスを提供するといわれている。
【０００９】
大きい有効面積及び低スプライス損失を有する特定のＮＺＤファイバは、光通信１７７（２０００年）、ｐ．２２５にてＳ．イェン（Ｙｉｎ）他の者による「１００μｍ２以上の大きい面積、低い曲げ及びスプライス損失を有する非零分散シフト型ファイバ（ＮＺ−ＤＳＦ）に対する新たな設計（Ａ  ｎｅｗ  ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  ｎｏｎ−ｚｅｒｏ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ−ｓｈｉｆｔｅｄ  ｆｉｂｅｒ（ＮＺ−ＤＳＦ）  ｗｉｔｈ  ａ  ｌａｒｇｅ  ａｒｅａ  ｏｖｅｒ  １００μｍ２ａｎｄ  ｌｏｗ  ｂｅｎｄｉｎｇ  ａｎｄ  ｓｐｌｉｃｅ  ｌｏｓｓ）」に記載されている。スプライス損失の計算は、従来のシングルモードファイバに対するスプライスについて報告されている。
【００１０】
光が光ファイバに沿って進むときの伝送帯域内における信号の減衰を最小にすることは、光ファイバの設計及び製造における極めて重要な課題の一つである。吸収及びレイリー散乱は、信号損失の２つの主要な原因である。光ファイバプリフォームを引き抜くことにより光ファイバを製造するとき、加熱した際、光ファイバに加わる張力によって伝送損失は著しく影響を受ける。引き抜く間、プリフォームは、所望の引抜き張力を実現し得るように最適な温度にて加熱される。
【００１１】
ＯＦＣ’９８テクニカルダイジェスト（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ）ｐ．３０５におけるタジマ（Ｔａｊｉｍａ）  Ｋによる「レイリー散乱損失の減少により実現される低損失の光ファイバ（Ｌｏｗ  ｌｏｓｓ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｆｉｂｅｒｓ  ｒｅａｌｉｚｅｄ  ｂｙ  ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｒａｙｌｅｉｇｈ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｌｏｓｓ）」には、ＧｅＯ２−ＳｉＯ２コアのシングルモードファイバにおける引抜き温度の上昇に伴い、レイリー散乱係数は増大することが報告されている。相対的に低温度、すなわち１８００℃であり且つ、張力を増大させないときのレイリー散乱係数は、０．７８ｄＢ／ｋｍ・μｍ４であることが分かった。
【００１２】
米国特許明細書６，４２７，０４４号には、その相対的屈折率の最大値、Δｍａｘが０．８％以上である、Ｇｅ−添加コアを備える光ファイバが開示されている。コアに高濃度のＧｅＯ２が添加される光ファイバの場合、ＧｅＯ２の添加に起因するレイリー散乱損失の増大が問題となる可能性がある。Δｍａｘが１．５％及び２．５％であるセグメント化したコアの光ファイバに対して引抜き張力が１３から２８．５ｋｇ／ｍｍ２まで増大するとき、伝送損失は減少することが報告されている。ＧｅＯ２の添加に起因する損失を減少させるため、引抜き張力を増大させるべきことが提案されている。
【００１３】
米国特許出願明細書２００１／００４６３５８号には、Ｆ添加したコアセグメントと、分散管理のため長手方向に向けて交互に配置された、それぞれ正及び負の色分散を有する第一及び第二の部分を備えるＦ−添加したクラッディング領域とを有する、セグメント化したコアの光ファイバが開示されている。正及び負の分散部分は、引抜き張力を長手方向に向けて９０ｇから４０ｇに変化させることにより実現される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ＧｅＯ２又はその他の屈折率を増大させるドーパントを添加することにより製造される光ファイバのコアとクラッディングとの間の屈折率の差は、ファイバ内の組成の変化に起因する熱膨張率の半径方向への変化に起因する内部応力を誘発する可能性がある。コアとクラッディングとの間の粘度の不一致のため、引抜き過程中にも内部応力は光ファイバ内に蓄積する。内部応力は、冷却後、光ファイバ内に恒久化され、最終的な屈折率に恒久的な変化を誘発することがある。粘度の不一致に起因する内部応力は、付与された引抜き張力に比例する。
【００１５】
製品の仕様範囲内にて光ファイバを製造する間、工程条件が僅かに変化する結果、製造されるファイバは、所定の範囲内にて変化するであろう物理的及び幾何学的形態のパラメータを有することになる。このように、製品の仕様範囲にて２つのファイバをスプライスすることは、幾何学的形態又はＭＦＤの不一致による影響を受けるようにする。この型式のスプライスは、異なる型式のファイバをスプライスする事に関してハイブリッドスプライスと称されよう。
【００１６】
融合スプライスのような、恒久的なスプライスのためのスプライス方法は、ガラスを軟化させ且つ、ガラスが流れるのを許容するのに十分に高い温度まで全体として、互いに接続すべきファイバ端部を加熱するステップを含む。当該発明者達は、加熱は、スプライス箇所に近い領域、すなわち加熱による影響を受ける領域内にてファイバのＲＩＰの変化を誘発することを知った。発明者達は、相対的に大きい張力にて引き抜いた光ファイバにはスプライスした後、極めて大きいＲＩＰの変化が存在することを知った。これと逆に、相対的に低い張力にて引き抜いたファイバにて、スプライスした後、ＲＩＰの変化は減少していた。
【課題を達成するための手段】
【００１７】
当該発明者等は、スプライス箇所付近の領域内にて光ファイバの恒久化された応力は、加熱する間、少なくとも部分的に除去され、これにより融合スプライス後、ＲＩＰは変化するものと想定する。ＲＩＰの変化が局部的であること、すなわち、スプライス箇所に近いファイバ長さ部分において、スプライスしたファイは、ファイバに沿ってＲＩＰに差があるため、光学的に不均一となり、これにより光の内反射又は分散のため光学的損失を誘発する。当該発明者等は、相対的に低い引抜き張力は、ファイバ内に恒久化される応力を減少させ、これによりスプライスした後のＲＩＰの変化を制限することを知った。
【００１８】
光ファイバ内のスプライス損失を減少させるため、当該発明者達は、引抜き張力は１５０ｇ以下、好ましくは、１００ｇ以下とすべきことを知った。最も好ましい実施の形態において、引抜き張力は、６０ないし１００ｇの範囲にある。
【００１９】
本発明の光ファイバは、コア領域と、外側クラッディング領域とを有し、コア領域は、セグメント化したコア型式のＲＩＰを有し、セグメントの各々は、特定の屈折率プロフィールを有する。コアのＲＩＰは、３つのコアセグメントと、内側クラッディングセグメントとを備えている。特に、ファイバコアは、中央セグメントと、該中央セグメントに隣接する第一の環状セグメントと、該第一の環状セグメントに隣接する第二環状セグメントと、該第二の環状セグメントを取り巻く内側クラッディングセグメントとを備えている。外側クラッディングに対するｉ番目のセグメントの屈折率％の差、すなわち屈折率デルタ、Δｉ％は、本明細書にて次式で表わされる。
【００２０】
【数１】
2006512266.tif 000003
【００２１】
ここでｎｉは、ｉ番目のセグメントの最大屈折率、ｎｃは、典型的に実質的に非添加の石英ガラスで出来た、均一な外側クラッディング領域として考えられる基準領域の屈折率である。既知の形状のセグメント、例えばガウス型セグメント又はステップ屈折率セグメントは、その屈折率デルタにより、また、必要であるならば、中央半径又は曲線幅のような１つ又はより多くのその他のパラメータにより特徴付けることができる。全体として、セグメントの各点は、関係した相対的な屈折率を有している。
【００２２】
コアセグメントの各々は、負でない相対的屈折率を有し、中央セグメントの屈折率デルタ、Δ０％は、その他のセグメントの屈折率よりも大きい。このため、屈折率デルタ、Δ０％は、ファイバの最大の相対的屈折率Δｍａｘ％に相応する。第二の環状セグメントの屈折率デルタ、Δ２％は、第一の環状セグメントの屈折率デルタ、Δ１％よりも大きい。コアセグメントの屈折率デルタ間の関係は次の通りである。すなわち、
Δ０％＞Δ２％＞Δ１％≧０、
Δ２％＞Δ３％≧０、
ここで、Δ３％は、内側クラッディングセグメントの屈折率デルタである。
【００２３】
当該発明者達は、スプライス損失は引抜き張力に強く関係しているが、ファイバに沿った信号減衰のようなその他の重要な光学的性質もまた、張力に依存することを知った。当該発明者達は、低い信号減衰を実現するためには、コアとクラッディングとの間の屈折率の最大の正の差、すなわち最大の相対的屈折率、Δｍａｘ％は引抜き張力に依存する特定の値よりも小さくなければならないことを知った。彼等は、また、Δｍａｘ％は、２００ｇ以下の張力にて引き抜いた光ファイバの場合、約０．８４％以下とし、また、１５０ｇ以下の張力の場合、約０．８０％以下とすべきことも知った。１００ｇ以下の引抜き張力の場合、Δｍａｘ％は、約０．７３％以下であることが好ましい。特に、約１５０ないし
２００ｇの範囲内の引抜き張力の場合、Δｍａｘ％は、約０．８０％ないし０．８４％の範囲にあることが好ましく、また、約１００ないし１５０ｇの範囲の引抜き張力の場合、Δｍａｘ％は、約０．７３％ないし０．８０％の範囲にあることが好ましく、また、約６０ないし１００ｇの範囲の引抜き張力の場合、Δｍａｘ％は、約０．６４％ないし０．７３％の範囲にあることが好ましい。
【００２４】
本発明の光ファイバのコアパラメータは、約１４３０ないし１５１０ｎｍの範囲の零分散波長、λ０を有するＮＺＤファイバが得られるように選ばれることが好ましい。当該発明者達は、２００ｇ以下の張力にて引き抜いたセグメント化したコアのＮＺＤ光ファイバを得るためには、中央セグメントは、約０．６４％ないし０．８４％の範囲の相対的屈折率Δ０％を有し、また、第二の環状セグメントの中心半径及び幅は、それぞれ約５．５ないし７．５μｍの範囲及び約１．７ないし３．０μｍの範囲になければならないことを認識した。好ましくは、１５０ｇ以下の張力にて引き抜いた光ファイバの場合、外側リングの中心半径は、約６．７ないし７．５μｍの範囲にあるものとする。
【００２５】
１００ｇ以下の引抜き張力の場合、Δ０％は、約０．６４％ないし０．７３％の範囲にあることが好ましい。より好ましくは、１００ｇ以下の張力にて引き抜いたファイバの場合、外側リングの中心半径は、約７．１ないし７．５μｍの範囲にあるものとする。
【００２６】
引抜き張力が減少することは、通常、加熱炉の温度が典型的に１９００℃以上の温度まで上昇することを意味する。当該発明者達は、相対的に高い引抜き温度の結果、架橋結合しない酸素中心部及びペルオキシ基の欠陥のような光ファイバ材料の構造的欠陥が増す可能性があることを認識した。光ファイバ内に侵入する水素は、これらの欠陥と反応し、光ファイバの性能に有害な水酸基を形成する可能性がある。
【００２７】
当該発明者達は、光ファイバの内側クラッディングに相対的に低濃度のゲルマニウムを添加し、屈折率デルタΔ３％は、０．０２％ないし０．０４％の範囲にあり、光ファイバの水素透過性を減少させることが有利であることを知った。より好ましくは、内側クラッディングの相対的屈折率は、約０．０２１％ないし０．０２７％の範囲にあるものとする。
【００２８】
光ファイバのプリフォームは、約９ないし約１６ｍ／秒の範囲の速度にて引き抜くことが好ましい。
１つの好ましい実施の形態において、光ファイバは、
０．６４％ないし０．８０％の範囲の相対的屈折率を有し、５．５μｍないし７．５μｍの範囲の中心半径、及び３．５μｍないし４．３μｍの範囲の半高さｗ０を有する中央セグメントと、
約０．１％の値以下、好ましくは、０．０７％以下の屈折率デルタΔ１％の第一の環状セグメントと、
０．１１％ないし０．１７％の範囲の相対的屈折率を有し、５．５μｍないし７．５μｍの範囲の中心半径ｒ２、及び１．７μｍないし３．０μｍの範囲の半高さｗ２を有する第二の環状セグメントと、
屈折率デルタΔ３％≧０の中央クラッディングセグメントとを備えている。
【００２９】
この実施の形態の第二のものにおいて、外側リングは、アルファプロフィールを有している。好ましいアルファプロフィールは、αが約４ないし約７の範囲にあるものである。
この実施の形態の別のものにおいて、ファイバコアは、０．０２％ないし０．０４％、好ましくは、０．０２１％ないし０．０２７％の範囲の正の屈折率デルタΔ３％を有する第二の環状セグメントに隣接して内側クラッディングセグメントを備えている。
【００３０】
このコア構造体は、２．０ないし８．５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍの範囲においてファイバの１５５０ｎｍにて正の色分散率Ｄ、及び０．０７５ないし０．１ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下の範囲において１５５０ｎｍにて分散スロープＳを有する光ファイバを提供する。好ましくは、ＲＩＰｓは、約６０ないし９０μｍ２の有効面積を提供し得るように選ばれるものとする。零分散は、約１４３０ないし１５１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
光ファイバは、プリフォームブランクから引き抜いたものである。光ファイバプリフォームは、外付け法（ｏｕｔｓｉｄｅ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＯＶＤ））により製造されることが好ましい。第一の段階において、ガラス粒子は、アルミナのようなセラミック材料で出来たものであることが好ましい回転する円筒状マンドレルに堆積させた。ガラス粒子は、主として、ＳｉＯ２の屈折率を変化させるゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２）のようなその他の化合物を添加したケイ素酸化物（ＳｉＯ２）から成っている。例えば、所望のＲＩＰが得られるように、ドーパントの濃度又は型式を変化させることにより、堆積中、反応剤の流れを変化させた。次に、スートプリフォームに中央穴が残るようにしてマンドレルを除去した。スートプリフォームは、脱水し、次に、圧密化したコアブランクが得られるよう焼結し、このコアブランクは、最終的に、コアと、以下に、光ファイバの内側クラッディングと称するクラッディングの内側部分とを形成する。脱水は、Ｃｌ２を含む不活性気体の雰囲気にて行い、水酸化物イオン又は水の分子をスートプリフォームから除去した。マンドレルを除去した後、穴の直径よりも小さい直径の中央穴を有する圧密化したコアブランクを加熱炉内に配置してその下端の一方を溶融させた。圧密化したコアブランクを加熱する間、米国特許明細第４，８１０，２７６号に記載されたものと同様の仕方にて中央穴を排気し、これにより、その壁を圧潰させた。溶融したガラス材料は冷却し、円筒状の細長い部材を形成し、この細長い部材は、国際特許出願明細０１／４９６１６号に記載された型式であることが好ましい、牽引装置によって下方に延伸させた。延伸により製造された細長い部材は、コアロッドと称する、複数のロッドとなるように切断した。コアロッドの各々は、最終的に、オーバクラッディング又は外側クラッディングを形成するガラススートの化学的堆積の基層として作用した。この堆積過程は、スートプリフォームが得られるように主としてＳｉＯ２から成るガラス粒子をコアロッドに堆積させるステップを備えるものとした。スートプリフォームは、コアスートプリフォームのガラス化のために行ったものと同様の過程にて脱水し且つ、圧密化した。その後、このプリフォームを引き抜いて、光ファイバを形成した。
【００３２】
１つの好ましい実施の形態において、プリフォームの製造は、ＯＶＤ過程により行ったが、本発明は、ＯＶＤ過程により製造されたプリフォームにのみ限定されるものではないことを理解すべきである。プリフォームは、気相軸付け法（ｖａｐｏｕｒ  ａｘｉａｌ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＶＡＤ））、内付け化学気相法（ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＭＣＶＤ））及びロッド・イン・チューブ法又はその他の方法により形成することもできる。
【００３３】
図１には、本発明に従った光ファイバを製造する一例としての光ファイバの引き抜きタワー（１０）が示されている。プリフォーム１１を例えば、所定の温度に保った黒鉛加熱炉のような加熱炉１２内に装填した。光ファイバを冷却させるため冷却器１３を加熱炉の下方に配置した。該冷却器は、例えば、ヘリウムのような冷却気体がファイバまで流れる円筒状冷却器とすることができる。ファイバの外径を連続的に監視するため、直径センサ２０を加熱炉の下方に設けることができる。典型的なファイバの直径は約１２５μｍとした。次に、ファイバには、例えば、ウレタン−アクリレート材料のような被覆ダイを保持するリザーバ１４ａを備える被覆装置１４と、例えば、被覆ダイを架橋結合させる紫外線加熱炉のような、硬化装置１４ｂとによって第一の被覆層を被覆した。リザーバ１５ａと、硬化装置１５ｂとを有する選択的な第二の被覆装置１５によりファイバに二次的被覆層
を施した。トラクタ機構１９を被覆装置の下流に配置した。トラクタ機構は、ファイバを加熱されたプリフォームブランクから引き出し、ファイバをスプール（図示せず）に巻いた。裸のファイバの張力を測定し得るよう張力計１６を引抜き加熱炉の下方に配置することが好ましい。光ファイバをスピンさせるスピニング装置１７を被覆装置の後方に選択的に配置することができる。
【００３４】
加熱炉の温度、引抜き張力及びファイバの引抜き速度によって引抜き状態の大部分が決定される。引抜き状態を制御するため、例えば、張力計及び（又は）直径計及び加熱炉内の高温計を使用して加熱炉の温度と張力又は引抜き速度との間のフィードバックループを具体化することができる。
【００３５】
本発明の光ファイバは、約１４３０ないし１５１０ｎｍの範囲にあることが好ましいλ０を有するＮＺＤ型式のものである。光ファイバは、ファイバを１５０ｇ以下の張力にて引き抜くことにより、長距離通信を許容するのに十分低い減衰率を有するような設計とされている。好ましくは、光ファイバは、１００ｇ以下の引抜き張力にて低減衰率及び優れた光学的性能を示すものとする。ＲＩＰは、セグメント化したコア型式のものであり、３つのコアセグメントと、内側クラッディングセグメントとを備えている。全てのセグメントは負でない屈折率を有し、中央セグメントは、その他のセグメントの相対的屈折率よりも大きく、従って、最大屈折率Δｍａｘ％に相応する相対的屈折率Δ０％を有する。
【００３６】
図２の線図は、本発明に従ったプロフィール群のＲＩＰを示す。ＲＩＰは３つのセグメント２１、２２、２３と、内側クラッディング２４とを備えている。ＲＩＰは次式により表わすことができる。
【００３７】
【数２】
2006512266.tif 000004
【００３８】
ここで、Δ０％、Δ２％、Δ３％は、コアの中心線にほぼ中心がある（ｒ０は０に略等しい）中央セグメント、第二の環状セグメント、すなわち外側リング、内側クラッディングのそれぞれの相対的屈折率である。Ｕ（ｒ−ｒ３）は、ｒ≧ｒ３に対する単位に等しい単位関数であり、ｒは、実際にコアロッドの外端縁まで伸びており（図２の例において、外端縁は１０．５μｍである）、また、この単位関数はｒ＜ｒ３の場合、零であり、ここで、ｒ３は、内側クラッディングの内半径であり、外側リングｒ２＋σ２の外半径にほぼ相応する。中央セグメントは、ガウスにてモデル化する一方、第二の環状セグメントは、２以上の順位αの超ガウス（ｓｕｐｅｒ−Ｇａｕｓｓｉａｎ）にてモデル化した。半径ｒ２は、外側リングの中心半径又は平均半径であり、σ０、σ２は、中央セグメント及び外側リングそれぞれに対する曲線の拡がり程度である。この型式のＲＩＰｓの場合、Δ１％は０．１％以下、好ましくは０．０７％以下に保たれる。プロフィールモデリングから、Δ１％は、所定の範囲内に維持されるならば、プロフィールに顕著に影響を与えないと考えられた。このため、Δ１％の小さい負の値はファイバの性質に影響を与えないと考えられる。
【００３９】
中央セグメント２１は、約０．６４％ないし約０．８０％の範囲の相対的屈折率Δ０％と、約３．５μｍないし約４．３μｍの範囲の半高さにて計算された最高幅ｗ０＝２σ０√２ｌｎ２とを有する。中央セグメントはガウスによりモデル化したが、セグメントプロフィールの形状の僅かな変化は、形成されるファイバの性質に顕著に影響しないことを理解すべきである。例えば、それに代えて、適宜な屈折率デルタ及び幅を有する三角形の形状の中央セグメントを使用することもできる。
【００４０】
中央セグメント２０に隣接する第一の環状セグメント２２は、０．１％以下、好ましくは、０．０７％以下の負でない相対的屈折率Δ１％を有する。第一の環状セグメントに隣接しており、また、本明細書にて外側リングとも称する第二の環状セグメント２３は、約０．１１％ないし約０．１７％の範囲の相対的屈折率Δ２％を有する一方、その半径ｒ２は、約５．５μｍないし約７．５μｍの範囲にある。外側リングは約４ないし７の範囲のαを有する超ガウスにてモデル化した。半高さにて計算された外側リングの幅、ｗ２＝２σ２（２ｌｎ２）１／αは、αが４ないし７の場合、約１．７μｍないし約３．０μｍの範囲にある。外側リングの曲線の拡がり程度σ２は約０．８ないし約１．４μｍの範囲にある。
【００４１】
外側リングのプロフィール形状が僅かに変化してもファイバの性質に感得し得るほどの影響を与えることはないことを理解すべきである。例えば、外側リングは、ステップ状のプロフィールによってモデル化することもできる。
【００４２】
内側クラッディングセグメント２４は、Δ２％＞Δ３％≧０となるような屈折率デルタ、Δ３％を有している。好ましくは、内側クラッディングセグメント２４は、約０．０２％ないし０．０４％の範囲、より好ましくは、０．０２１ないし０．０２７％の範囲の正の屈折率、Δ３％を有するものとする。ファイバの水素の透過性を減少させるため、コアの設計に隆起した内側クラッディング領域を含めることができる。好ましくは、内側クラッディングの外半径と外側リングの外半径との差として考えた内側クラッディングの幅ｒ２＋σ２は、約２ないし４μｍの範囲にある。ステップ状形状の内側クラッディングから僅かに偏倚しても、形成されるファイバの光学的性質を変化させることはないことを理解すべきである。例えば、内側クラッディングセグメントに対し僅かに湾曲したステッププロフィールとすることが考えられる。
【００４３】
ファイバコアの中心線に屈折率プロフィールの低下部分が存在することがあり、この低下部分は、大部分、脱水及び圧密化過程中に生ずるドーパントの拡散に少なくとも一部分、起因する。
【００４４】
図２のＲＩＰは、コア及び内側クラッディングの屈折率を増大させるため、ＳｉＯ２ガラスに異なる量のゲルマニウムを添加することにより得られた。
表１には、図２に従ったプロフィールパラメータを有する光ファイバのコンピュータモデルを使用して計算した光学性質が示されている。
【００４５】
表１                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）        ２．０−８．５    
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）    ＜０．１          
零分散波長（ｎｍ）                                  １４３０−１５１０
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）    ９．０−１０．５  
１５５０ｎｍにおける有効面積（μｍ２）                ６０−９０        
ケーブルのカットオフ波長（ｎｍ）                    ＜１４５０        
１５５０ｎｍにおける減衰率（ｄＢ／ｋｍ）            ＜０．２２５      
ＲＩＰ形状にて製造された光ファイバは、水素老化損失を試験することにより実証されたように、平均して、良好な水素抵抗性を示した。
【００４６】
光ファイバの曲げ性能は、ＩＥＣ標準６２２２１ＴＲ３１版、方法Ａに従ってマイクロベンディングを計算することにより推定した。本発明に従った光ファイバのマイクロベンディングは、１０（ｄＢ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）以下であった。
【００４７】
実施例１                                  
図２に示したプロフィール形状を使用して光ファイバをモデル化した。屈折率プロフィールパラメータは、次の通りとした：すなわち、Δ０％＝０．７１％、ｗ０＝３．９０μｍ、Δ２％＝０．１２％、ｒ２＝７．２１μｍ、ｗ２＝２．２１μｍ、α＝６、Δ３％＝０．０２１％とした。ＲＩＰは、約９０ｇの引抜き張力と適合可能である。このプロフィールを有するファイバの光学的性質は、表２に掲げてある。
【００４８】
表２                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）              ５．５      
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）    ０．０７３    
零分散波長（ｎｍ）                                        １４７６    
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）          ９．５      
有効面積（μｍ２）                                          ７１        
ケーブルのカットオフ波長                                  １２３０        
１５５０ｎｍにおけるマイクロベンディング（Ｄｂ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）  ５      
実施例２                                  
図２に示したプロフィール形状を使用して光ファイバをモデル化した。屈折率プロフィールパラメータは、次の通りとした：すなわち、Δ０％＝０．６４％、ｗ０＝４．０５μｍ、Δ２％＝０．１２％、ｒ２＝７．２１μｍ、ｗ２＝２．２１μｍ、α＝６、Δ３％＝０．０２１％とした。ＲＩＰは、約９０ｇの引抜き張力と適合可能である。このプロフィールを有するファイバの光学的性質は、表３に掲げてある。
【００４９】
表３                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）              ７．２      
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）    ０．０７５    
零分散波長（ｎｍ）                                        １４５７    
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）          １０．１    
有効面積（μｍ２）                                          ８１        
ケーブルのカットオフ波長                                  １２３０      
１５５０ｎｍにおけるマイクロベンディング（ｄＢ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）    １０
実施例３                                  
図２に示したプロフィール形状を使用して光ファイバをモデル化した。屈折率プロフィールパラメータは、次の通りとした：すなわち、Δ０％＝０．７１％、ｗ０＝３．９０μｍ、Δ２％＝０．１２％、ｒ２＝７．２１μｍ、ｗ２＝２．２７μｍ、α＝４、Δ３％＝０．０２１％とした。このプロフィールは、約９０ｇの引抜き張力と適合可能である。このプロフィールを有するファイバの光学的性質は、表４に掲げてある。
【００５０】
表４                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）              ５．５      
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）  ０．０７３      
零分散波長（ｎｍ）                                        １４７７
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）          ９．５  
有効面積（μｍ２）                                        ７１        
ケーブルのカットオフ波長                                  １２４０    
１５５０ｎｍにおけるマイクロベンディング（ｄＢ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）    ６    
実施例４                                  
図２に示したプロフィール形状を使用して光ファイバをモデル化した。屈折率プロフィールパラメータは、次の通りとした：すなわち、Δ０％＝０．７７％、ｗ０＝３．６７μｍ、Δ２％＝０．１３％、ｒ２＝６．７１μｍ、ｗ２＝２．２１μｍ、α＝６、Δ３％＝
０．０２１％とした。このプロフィールは、約１５０ｇの引抜き張力に適している。このプロフィールを有する光ファイバの光学的性質は、表５に掲げてある。
【００５１】
表５                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）            ４．０  
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）    ０．０７６    
零分散波長（ｎｍ）                                        １４９８
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）          ９．２５  
有効面積（μｍ２）                                        ６８        
ケーブルのカットオフ波長                                １２３５        
１５５０ｎｍにおけるマイクロベンディング（ｄＢ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）    ４    
実施例５                                  
図２に示したプロフィール形状を使用して光ファイバをモデル化した。屈折率プロフィールパラメータは、次の通りとした：すなわち、Δ０％＝０．７３％、ｗ０＝３．６７μｍ、Δ２％＝０．１３％、ｒ２＝６．７１μｍ、ｗ２＝２．２１Δｍ、α＝６、Δ３％＝０．０２１％とした。この実施例のプロフィールは、約９０ｇの引抜き張力に適している。このプロフィールを有する光ファイバの光学的性質は、表６に掲げてある。
【００５２】
表６                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）              ４．１    
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）    ０．０７６    
零分散波長（ｎｍ）                                        １４９６
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）          ９．５  
有効面積（μｍ２）                                          ７１        
ケーブルのカットオフ波長                                  １２００        
１５５０ｎｍにおけるマイクロベンディング（ｄＢ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）    ５    
実施例６                                  
図２に示したプロフィール形状を使用して光ファイバをモデル化した。屈折率プロフィールパラメータは、次の通りとした：すなわち、Δ０％＝０．８１％、ｗ０＝３．６３μｍ、Δ２％＝０．１４％、ｒ２＝５．９２μｍ、ｗ２＝２．６３μｍ、α＝６、Δ３％＝０．０２１％とした。このプロフィールは、約２００ｇの引抜き張力に適している。このプロフィールを有する光ファイバの光学的性質は、表７に掲げてある。
【００５３】
表７                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｐｓ／ｎｍ・ｋｍ）              ４．９    
１５５０ｎｍにおける分散スロープ（ｐｓ／ｎｍ２・ｋｍ）    ０．０８  
零分散波長（ｎｍ）                                        １４８９
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）          ９．２  
有効面積（μｍ２）                                        ６．７        
ケーブルのカットオフ波長                                  １２８０        
１５５０ｎｍにおけるマイクロベンディング（ｄＢ／ｋｍ）／（ｇ／ｍｍ）  
４      
比較例                                  
図３の線図には、セグメント化したコア型式の屈折率プロフィールを有する既知の光ファイバのＲＩＰが示されている。該コアの屈折率プロフィールは、中央セグメント３０、第一の環状セグメント３１、第二の環状セグメント３２という３つのセグメントと、内側クラッディング領域３３とを有している。中央セグメント３０は、０．７６％の相対的屈折率Δ０％と、半高さにて推定した、約３．９６μｍの全幅ｗ０とを有している。第二の
環状セグメント３２は、約６．５μｍのｒ２に中心がある約０．３２％の相対的屈折率Δ２％を有している。半高さにて計算された外側リングの幅ｗ２は、約１．５μｍである。内側クラッディング領域３３は、非添加ＳｉＯ２の屈折率、すなわち外側クラッディングの屈折率とほぼ同一の屈折率を有している。
【００５４】
上述した値付近に中心があるパラメータを有する光ファイバを比較例として検討する。これらの光ファイバの光学的性質は、表８に掲げてある。
表８                                    
１５５０ｎｍにおける分散（ｎｍ／ｐｓ／ｋｍ）      ３．２−７．７    
１５５０ｎｍにおけるモードフィールド直径（μｍ）  ９．１−１０．０  
ケーブルのカットオフ波長（ｎｍ）                    ＜１４００      
平均コア／クラッディングの同心度（μｍ）              ０．２３      
平均カール（ｍ）                                        ２３        
１５５０ｎｍにおける減衰率（ｄＢ／ｋｍ）              ＜０．２２５  
図４は、１５５０ｎｍにて測定したスプライス損失が２つの型式のＮＺＤファイバに対する引抜き張力に依存することを示すグラフである。値は、それ自体とスプライスした、すなわち均質なスプライスによりスプライスしたファイバの少なくとも１０回の測定値を平均化して得たものである。加熱炉の温度及び引抜き張力は、引き抜く間、実質的に一定に保った。引抜き速度は１４ｍ／秒とした。フジクラ（Ｆｕｊｉｋｕｒａ）により製造されたＦＳ３０型式のプロフィール整合スプライサを採用してファイバコアを光学的に整合させることにより、ファイバをスプライスした。スプライスする前、ファイバを剥ぎ取り、次に、ファイバの端部を超音波アルコール浴中に浸漬させて清浄にした。清浄化の後、ファイバ端部をスプライサ内に挿入し、へき開警報限界値を１°に設定することにより、１°以下のへき開角度にてへき開した。２方向光学時間領域反射率測定法により互いにスプライスした２本のファイバの各端部から１５５０ｎｍにてスプライス損失を測定した。
【００５５】
図４において、白丸は、図２に従ったＲＩＰを有するファイバに対する値を示す。黒丸は、比較例（図３）におけるようにＲＩＰを有するＮＺＤファイバに対する値を示す。引抜き張力の減少に伴いスプライス損失は顕著に減少する。スプライス損失が引抜き張力に強く依存することは、それらのＲＩＰの差に拘らず、両型式のファイバにて見られる。しかし、２５０ｇ以下の張力にて引き抜いた図３のＲＩＰを有するファイバは、典型的に、相対的に大きい減衰率、すなわち１５５０ｎｍにて平均０．２０５ｄＢ／ｋｍ以上の減衰率を示した。例えば、比較例におけるようなＲＩＰを有し且つ、１５０ｇにて引き抜いたファイバは、１５５０ｎｍにて０．２１５ｄＢ／ｋｍの減衰率を示した。これとは逆に、本発明に従った光ファイバは、１５０ｇ以下の張力にて引き抜いたとき、低い減衰率を示した。例えば、０．６５％のΔ０％を有し且つ、９０ｇの張力にて引き抜いた図２に示した型式のＲＩＰを有する光ファイバは、１５５０ｎｍにて０．１９５ｄＢ／ｋｍの減衰率を示した。
【００５６】
図４に示すように、２００ｇ以下の張力は、均質スプライスの場合、０．０３ｄＢ以下のスプライス損失を生ずる。約１５０ｇの値を超えない張力の場合、０．０２ｄＢ以下のスプライス損失が実現できる。
【００５７】
表９には、異なる型式のＮＺＤファイバをスプライスするため１５５０ｎｍにて測定した平均スプライス損失の実験測定値が示してある。比較のため、商業的なリーフ（ＬＥＡＦ）（登録商標名）ファイバの平均スプライス損失の測定値が掲げてある。リーフ（登録商標名）ファイバは、ＭＦＤが９．５ないし９．９μｍの範囲にて変化し、コア／クラッドの同心度は平均０．１９μｍ、最大値０．３２μｍであり、また、カールは平均４０ｍであり、最小値は１１ｍであるファイバ群から無作為に選んだ。
【００５８】
表９                                  
ファイバの型式      ＮＺＤ−Ａ    ＮＺＤ−Ｂ    ＮＺＤ−Ｃ    ＬＥＡＦ  
（登録商標名）
スプライス数            ４３          ６０        １４２        ２１４  
張力（ｇ）              ９０        １５０        ２５０          −    
平均スプライス損失（ｄＢ）
０．０１９  ０．０３０    ０．０３８    ０．０４０
標準偏差              ０．０１１  ０．０１４    ０．０１６    ０．０２２
最小値（ｄＢ）        ０．００２  ０．００４    ０．００５    ０．００２
最大値（ｄＢ）        ０．０５１  ０．０５８    ０．１０６    ０．１２８
ＮＺＤ−Ａ及びＮＺＤ−Ｂファイバは、それぞれ９０ｇ及び１５０ｇの張力にて引き抜いた、図２に示した屈折率プロフィール形状を有するものとした。図２に従ったＲＩＰを有し且つ、表１に記載した範囲内の光学的パラメータを有する無作為に選んだＮＺＤ−Ａファイバ間にて４３箇所でスプライスを行った。図２に従ったＲＩＰを有し且つ、表１に記載した範囲内の光学的パラメータを有する無作為に選んだＮＺＤ−Ｂファイバ間にて６０箇所でスプライスを行った。ＮＺＤ−Ａファイバの平均カール値は２８ｍ、その平均コア／クラッディング同心度は０．２４μｍとした。ＮＺＤ−Ｂファイバの平均カールの値は、２４ｍ、その平均コア／クラッディング同心度は０．２９μｍとした。
【００５９】
ＮＺＤ−Ｃファイバは、図３に示したものと適合するＲＩＰを有するものとした。表８に掲げた範囲内の光学的パラメータを有するファイバ群から無作為に選んだＮＺＤ−Ｃファイバ間にてスプライスを行った。ＮＺＤ−Ｃファイバは、２５０ｇの張力にて引き抜いた。図３の結果は、平均スプライス損失は引抜き張力の減少に伴い低下することを明確に示す。
【００６０】
図５は、図２に従ったプロフィール群のＮＺＤファイバ（開放円）及び図３に従ったＲＩＰを有するＮＺＤファイバ（閉じた円）を複合スプライスする場合の、１５５０ｎｍにおけるスプライス損失対引抜き張力を示すグラフである。１５０ｇ以下の張力にて引き抜いたファイバに対し０．０３ｄＢ以下のスプライス損失が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の１つの実施の形態に従ったファイバの引抜きシステムを示す概略図である。
【図２】本発明の１つの好ましい実施の形態に従ったセグメント化したコア光ファイバの屈折率プロフィール（ＲＩＰ）の線図である。
【図３】既知のセグメント化したコア光ファイバのＲＩＰの線図である。
【図４】図２の光ファイバ及び図３の光ファイバを均質にスプライスするための引抜き張力の関数として１５５０ｎｍにおけるスプライス損失を示すグラフである。
【図５】図２の異なる光ファイバ及び図３の光ファイバをハイブリットスプライスするための張力の関数として１５５０ｎｍにおけるスプライス損失を示すグラフである。
【図１】
2006512266.tif 000005
【図２】
2006512266.tif 000006
【図３】
2006512266.tif 000007
【図４】
2006512266.tif 000008
【図５】
2006512266.tif 000009
【国際調査報告】
2006512266.tif 000010
2006512266.tif 000011
2006512266.tif 000012