(57)【要約】担体（１）上に半導体チップ（３）が配置されており、この半導体チップ（３）は、該担体の裏面のメタライジングされた面に、貫通接触接続部（９）を介して接続されている。前記貫通接触接続部（９）に第１のネイルヘッドコンタクト（４）が形成されており、該第１のネイルヘッドコンタクト（４）からワイヤは分離されている。半導体チップ（３）の接続パッド上に第２のネイルヘッドコンタクト（５）が形成されており、該第２のネイルヘッドコンタクト（５）から出発して、半導体チップ（３）を貫通接触接続部（９）に接続するワイヤ（６）が第１のネイルヘッドコンタクト（４）まで延在しており、ここでウェッジコンタクト（７）によって該第１のネイルヘッドコンタクト（４）に接続されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（３）と、コンタクト場所が設けられた担体（１）と、該半導体チップ（３）の接続パッドを該コンタクト場所に接続するワイヤ（６）とを有する回路装置であって、
該コンタクト場所に第１のネイルヘッドコンタクト（４）が形成されており、
該ワイヤ（６）の第１の端部が、該半導体チップ（３）の接続パッドによって第２のネイルヘッドコンタクト（５）に接続されており、
該ワイヤ（６）の第２の端部が、ウェッジコンタクト（７）によって前記第１のネイルヘッドコンタクト（５）と接続されている形式のものにおいて、
該コンタクト場所は、該担体（１）内の貫通接触接続部（９）であり、
前記第１のネイルヘッドコンタクト（４）は担体表面上に、前記貫通接触接続部（９）の場所にて、ここに別の表面メタライジング部を設けずに直接取り付けられていることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
該担体（１）はセラミックスによって形成されている、請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
該担体（１）は多層のセラミックスによって形成されており、
前記貫通接触接続部（９）は、該担体の表面と２つのセラミック層間のメタライジング部（２）とを接続する、請求項１または２記載の回路装置。
【請求項４】
該担体（１）はＰＣボードである、請求項１記載の回路装置。
【請求項５】
該担体（１）は、多層のＰＣボードによって形成されており、
前記貫通接触接続部（９）は、該担体の表面と２つのＰＣボード層間のメタライジング部（２）とを接続する、請求項１または４記載の回路装置。
【請求項６】
半導体チップ（３）の接続パッドと、担体（１）に設けられた貫通接触接続部（９）とを電気的に接続する方法において、
・第１のネイルヘッドコンタクト（４）を担体表面上に、前記貫通接触接続部（９）の場所にて、ここに別の表面メタライジング部を設けずに、ボンディングツールのキャピラリによって直接形成するステップと、
・ワイヤ（６）を前記第１のネイルヘッドコンタクト（４）から分離するステップと、
・第２のネイルヘッドコンタクト（５）を該半導体チップ（３）の接続パッド上に、該ボンディングツールのキャピラリ（８）によって形成するステップと、
・前記ワイヤ（６）を前記第１のネイルヘッドコンタクト（４）まで案内するステップと、
・前記ワイヤ（６）の端部とのウェッジコンタクト（７）を前記第１のネイルヘッドコンタクト（４）上に、該ボンディングツールのキャピラリ（８）によって形成するステップを有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体チップと、貫通接触接続部が設けられた担体と、該半導体チップの接続パッドを該貫通接触接続部に接続するワイヤとを有する回路装置、および該回路装置の製造方法
本発明は、半導体チップと、コンタクト場所が設けられた担体と、該半導体チップの接続パッドを該コンタクト場所に接続するワイヤとを有する回路装置に関する。ここでは、該コンタクト場所に第１のネイルヘッドコンタクトが形成され、該ワイヤの第１の端部は第２のネイルヘッドコンタクトによって該半導体チップの接続パッドに接続され、該ワイヤの第２の端部はウェッジコンタクトによって第１のネイルヘッドコンタクトに接続されている。本発明はさらに、この種の回路装置の製造方法にも関する。
【０００２】
この種の回路装置およびこの種の方法は、ＪＰ２０００３２３５１４Ａから公知である。ここでは良好なボンディングコンタクトを、金との接合性が悪い材料から成る導体路上に形成するという課題を解決しなければならない。このボンディングコンタクトは、とりわけウェッジコンタクトである。別の適用分野は、この公報には示唆されていない。
【０００３】
本発明の課題は、ボンディングすべき場所におけるメタライジングの程度がごく僅かしかない担体表面とワイヤとの接続を可能な限り簡単および低コストにし、かつ良好にすることである。前記ワイヤは、とりわけ金ワイヤまたはアルミニウムワイヤである。
【０００４】
前記課題は、請求項１に記載された回路装置または請求項６に記載された方法によって解決される。有利な発展形態は、従属請求項に記載されている。
【０００５】
それによれば本発明の技術思想は、ネイルヘッドコンタクトを担体表面上に、貫通接触接続部の場所にて、ここに別の表面メタライジング部を設けずに直接取り付けることである。担体を貫通して貫通接触接続部を形成する孔のみがメタライジングされる。担体の表面のこの孔の場所にネイルヘッドコンタクトを取り付けることにより、孔に形成されたメタライジング部との接続が十分に良好になり、該ネイルヘッドコンタクトに取り付けられたウェッジコンタクトによって、担体の別の表面との接続または２つの絶縁性の担体層間の金属層との接続が実現される。すなわち本発明では、担体上のコンタクトパッドの代わりに第１のネイルヘッドコンタクトが代用される。こうすることによって有利には、高価な基板表面が削減され、回路は縮小される。
【０００６】
本発明による回路装置ないしは本発明による方法の別の利点は、担体表面上に設けられる通常のボンディング接続面を省略して、該担体表面上に導体路を製造する際の処理ステップが１つ削減できることである。このことによって、このために通常使用される金ペーストが削減され、コストが低減される。
【０００７】
本発明の発展形態では、担体をセラミックスによって形成しなければならない。択一的に、担体をＰＣボード（printed circuit board）とすることもできる。この担体を絶縁層から形成して、貫通接触接続部を１つの担体表面から別の担体表面に到達させることができる。しかし、担体を２つまたはそれ以上の絶縁層から形成して、該絶縁層間にメタライジング部を導体路および／または質量体表面の形態で配置し、貫通接触接続部を少なくとも部分的に、この中間メタライジング部までのみ到達させることもできる。
【０００８】
本発明を以下で、実施例に基づいて図面を使用して詳細に説明する。
【０００９】
図  本発明による回路装置である。
【００１０】
この図では、２つの絶縁層を有する担体１が形成されており、これらの２つの絶縁層間には、メタライジングされた面および／または導体路２が配置されている。担体１の１つの表面上に、半導体チップ３が配置されている。半導体チップ３が配置された担体層を貫通して貫通接触接続部９が案内されており、この貫通接触接続部９によって、メタライジング面または導体路２が接触接続される。本発明によれば、担体表面にコンタクトパッドは形成されず、その代わりに第１のネイルヘッドコンタクト４が取り付けられ、このネイルヘッドコンタクト４からワイヤは分離されている。半導体チップ３の接続パッド（詳細には図示されていない）上に、第２のネイルヘッドコンタクト５が形成されている。このネイルヘッドコンタクト５から出発して、該半導体チップ３と貫通接触接続部９とを接続するワイヤ６が第１のネイルヘッドコンタクト４まで延在しており、そこでウェッジコンタクト７を使用して、該ネイルヘッドコンタクト４に接続されている。図示されている実施例では、第１のネイルヘッドコンタクト４は担体層の貫通接触接続部９の孔に、ある程度押入されている。こうすることによって、孔のメタライジング部との接触接続が良好になる。
【００１１】
本発明は、中間メタライジング部を有する多層の担体にて適用することに限定されることはなく、裏面メタライジング部を有する単層の担体に適用することもできる。
【００１２】
図中には、本発明による方法を図解するため、ボンディングツールのキャピラリ８も示されている。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による回路装置である。
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【国際調査報告】
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