(57)【要約】【課題】  本発明はアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ１とこのトランジスタの製造方法に係るものであって、高い電界効果移動度、優れたスレショールド電圧安定性、高レベルの駆動回路集積、そして高いデュ-ティ比を実現する。【解決手段】  トランジスタ１は微晶質シリコンフイルム５と絶縁体３とを備える。この微晶質シリコンフイルムの結晶質フラクションは８０％以上である。本発明のトランジスタ１は絶縁体３と微晶質シリコンフイルム５との間にプラズマ処理されたインターフェース４を有し、トランジスタ１の線形移動度が１．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１に等しいか、それよりも大きくなっており、スレショールド電圧安定性を示している。微晶質シリコンフイルム５の粒子６のサイズは１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある、本発明はアクティブにアドレスされるピクセルのライン‐コラム・マトリックスを有するディスプレー・ユニットにも係るものであり、各ピクセルは少なくともトランジスタ１を含んでいる。
2006518935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微晶質シリコンフイルム（５）と絶縁体（３）とを備え、結晶質フラクションが８０％以上であるアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタであって、前記絶縁体（３）と前記微晶質シリコンフイルム（５）との間にはプラズマ処理インターフェース（４）があって、トランジスタ（１）は、１．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１に等しいか、それよりも大きい線形移動度を有し、スレショールド電圧安定性を示し、そして微晶質シリコンフイルム（５）は、サイズが１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある粒子（６）備えていることを特徴とするアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ。  
【請求項２】
前記粒子のサイズは１００ｎｍと２００ｎｍとの間にある請求項１に記載のアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ。  
【請求項３】
微晶質シリコンフイルム（５）の厚みは１００ｎｍと４５０ｎｍとの間にある請求項１もしくは２に記載のアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ。
【請求項４】
トランジスタ（１）はトップ−ゲート電極を有する請求項１ないし３のいずれかに記載のアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ。
【請求項５】
トランジスタ（１）はボトム−ゲート電極を有する請求項１ないし３のいずれかに記載のアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ。
【請求項６】
アクティブにアドレスされるピクセルのライン‐コラム・マトリックスを有するディスプレー・ユニットであって、各ピクセルが、請求項１ないし５のいずれかに記載のトランジスタを少なくとも備えている特徴とするディスプレー・ユニット。
【請求項７】
前記ピクセルが発光有機材料を備えている請求項６に記載のディスプレー・ユニット。
【請求項８】
前記ピクセルが液晶を備えている請求項６に記載のディスプレー・ユニット。
【請求項９】
前記ピクセルが発光ポリマー材料を備えている請求項６に記載のディスプレー・ユニット。
【請求項１０】
各ピクセルを駆動する電子制御手段が対応微晶質シリコンフイルム上に少なくとも部分的に集積されている請求項６ないし９のいずれかに記載のディスプレー・ユニット。
【請求項１１】
アクティブ材料と電極（２）とを形成する工程を備え、アクティブ材料が蒸着法によって形成されており、そしてトランジスタ（１）が絶縁体（３）を備えているアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタの製造方法であって、
前記絶縁体（３）のトップにプラズマ処理したインターフェース（４）を形成する工程、そして
少なくとも堆積ケミカルエレメントと結晶化ケミカルエレメントとを使って１００℃と４００℃の間の温度で前記の処理したインターフェース（４）のトップに微晶質シリコンフイルム（５）を形成する工程
を備え、前記結晶質フラクションは８０％以上であり、そして前記微晶質シリコンフイルム５は、サイズが１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある粒子６を備えていることを特徴とするアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
プラズマ処理のインターフェース４はSiNx層、SiNxOy層、SiO２層そしてガラスから成るグループから選択された請求項１１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１３】
N２、O２、N２OそしてNH３から成るグループから選択されたガスを使ってプラズマ処理インターフェース４を形成する請求項１２に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１４】
Aｒ、Xe、KrそしてHeから成るグループから選択されたバッファーガスを使って微晶質シリコンフイルム５を形成する請求項１１ないし１３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１５】
結晶化ケミカルエレメントがH２である請求項１１ないし１４のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１６】
堆積ケミカルエレメントがSiH４、SiF４から成るグループから選ばれた請求項１１ないし１５のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１７】
堆積ケミカルエレメントのフラックスと結晶化ケミカルエレメントのフラックスとが微晶質シリコンフイルムの成長中平衡状態である請求項１１ないし１６のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１８】
トップ・ゲートトランジスタを形成する請求項１１ないし１７のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１９】
ソース電極とドレイン電極のパターンを形成する金属層を備える基板を形成する請求項１８に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２０】
ボトム・ゲートトランジスタを形成する請求項１１ないし１７のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２１】
基板がゲート電極を備えている請求項２０に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２２】
微晶質シリコンフイルム（５）は、サイズが１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある粒子（６）を備えている請求項１１ないし２１のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２３】
微晶質シリコンフイルム５の厚みは１００ｎｍと４５０ｎｍとの間にある請求項１１ないし２２のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２４】
微晶質シリコンフイルム５が熱線技術でつくられる請求項１１ないし２３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２５】
微晶質シリコンフイルム５が無線周波数グロー放電技術でつくられる請求項１１ないし２４のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２６】
蒸着法が無線周波数グロー放電技術を使う請求項１１ないし２５のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項２７】
１３．５６メガヘルツＰＥＣＶＤリアクターを使う請求項２６に記載のトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ、このトランジスタを備えるディスプレー・ユニットそしてそのトランジスタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポータブルの到来とフラットなディスプレーパネルの必要性が生じて以来、薄膜トランジスタ技術と液晶とを実施した電子ディスプレーが驚くべき成長を遂げ、遂には陰極線管ディスプレーと競争できるフルカラーディスプレーが実現された。アモルファスシリコントランジスタがアクティブマトリックス液晶ディスプレーにおけるピクセルチャージデバイスとして広く使用されている主たる理由は、大きいガラス基板へ適用できること、低コストそして液晶駆動の要件によく適合することである。ハイ・パフォーマンス（優れたコントラスト、色の均質性、輝度の高いこと、視覚が大きいことなど）を提供し、そして例えば携帯電話と言った「マイクロパネル」へ小型化した情報密度の高いディスプレーに対し過去十年にわたって急激に大きくなってきた要請は、ともすると、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、ポリマー物質をベースとした発光ダイオード（ＰＬＥＤ）などの新技術に対して大きな関心を高めることとなった。ＯＬＥＤデバイスの応答時間はビデオの速さに完全に適応する。
【０００３】
この要請はアクティブ・マトリックス・ディスプレーの薄膜トランジスタに使用するアクティブ材料に制限を加える、すなわち、高度の安定性とアモルファスシリコン（ａ‐Si：H）の薄膜が与えられるよりももっと速いチャージとを要求する。また、高い集積化も必要とし、そして外部回路への接続の代わりにガラスパネルに直接駆動回路をつくって処理しディスプレーのコストをさらに低減することも必要とする。
【０００４】
微晶質シリコン（μc−Si：H）がアモルファスシリコン技術と両立し、そして低温度で、熱処理やレーザー処理をすることなく、プラズマ堆積技術を使って直接堆積させられることが知られている。
【０００５】
しかしながら、μc−Si：H薄膜についての今日までの研究（ＲＯＣＡ  ＣＡＢＡＲＲＯＣＡＳ，Ｐ等；Ｊ，Ａppl．Phys，８６（１９９９）７０７９とその中での参照文献）はａ‐Si：H薄膜トランジスタの線形移動度と同じ線形移動度を報告しているだけである。それ故、μc−Si：H薄膜トランジスタを使ったピクセルのチャージ時間について、そして駆動回路の集積について研究しても改善は期待できないと思われた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上述の欠点を克服することであり、そして以下に述べる特徴と利点の一つもしくはそれ以上を有するアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタを提案することである。すなわち、高い電界効果移動度、優れたスレショールド電圧安定性、高レベルの駆動回路集積、そして高いデューティ比であり、アクティブ・マトリック・スディスプレーに使用されるピクセルチャージデバイスのため低コストのトランジスタを提供することである。
【０００７】
さらに、本発明の目的はアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタの製造方法を提供することであって、この製造方法は特に産業用トランジスタ製作デバイスと言う形で直ちに迅速克つ容易に実施できる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成する本発明は、微晶質シリコンフイルムと絶縁体とを備えるアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタであって、結晶質フラクションが８０％以上であるトランジスタに係るものである。
【０００９】
本発明に従って、そのトランジスタでは絶縁体と微晶質シリコンフイルムとの間にはプラズマ処理インターフェースがあって、トランジスタの線形移動度は１．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１に等しいか、それよりも大きく、そしてスレショールド電圧安定性を示している。
【００１０】
微晶質シリコンフイルムはアモルファス組織と結晶化した粒子である晶子との混合物から成る。以下本文において、前記の粒子の体積比を「結晶質フラクション」と呼ぶ。１００％の結晶質のフラクションにおいてアモルファス相のない微晶質シリコンフイルムが得られる。換言すれば、薄膜は完全に結晶化する。
【００１１】
以下本文において、薄膜トランジスタにバイアスストレスをかけたとき、時間につれての０．５ボルトに等しいか、それ以下のスレショールド電圧シフトを「スレショールド電圧安定性」と呼ぶ。典型的なストレス試験は例えば３０Ｖのゲート電圧で、そして基板温度６０℃で行う。
【００１２】
様々な実施例としての本発明は以下の特徴を単独でまたは技術的に可能な組合せとして有する。
・微晶質シリコンフイルムは、サイズが１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある粒子を備える；
・粒子のサイズは１００ｎｍと２００ｎｍとの間にある；
・微晶質シリコンフイルムの厚みは１００ｎｍと４５０ｎｍとの間にある。；
・トランジスタ１はトップ−ゲート電極を有する。；
・トランジスタ１はボトム−ゲート電極を有する；
・微晶質シリコンフイルムは熱線（ｈｏｔ  ｗｉｒｅ）技術でつくられる；
・微晶質シリコンフイルムは無線周波数グロー放電技術でつくられる。
【００１３】
本発明は、アクティブにアドレスされるピクセルのライン‐コラム・マトリックスを有するディスプレーにも関するものである。本発明に従って、各ピクセルは少なくとも上述のトランジスタを備えている。
【００１４】
様々な実施例としての本発明は以下の特徴を単独でまたは技術的に可能な組合せとして有する。
・ピクセルは発光有機物質を含んでいる。
・ピクセルは液晶である。
・ピクセルは発光ポリマー物質である。
・各ピクセルを駆動する電子制御手段は対応微晶質シリコンフイルム上に少なくとも部分的に集積されている。
【００１５】
上述のディスプレー・ユニットは、コンピューター、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ポータブル端末器、記録メディアのプレーヤー、電子ゲーム装置そしてプロジェクターから成るグループから選ばれたデバイスに使用して有利である。
【００１６】
本発明は、
アクティブ材料と電極とを形成する工程を含み、アクティブ材料は蒸着法によって形成されており、そしてトランジスタは絶縁体を備え、
前記絶縁体のトップにプラズマ処理したインターフェースを形成する工程、そして
少なくとも堆積ケミカルエレメントと結晶化ケミカルエレメントとを使って１００℃と４００℃の間の温度で前記の処理したインターフェースのトップに微晶質シリコンフイルムを形成する工程
を備えていることを特徴とするアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタの製造方法にも関するものである。
【００１７】
様々な実施例としての本発明は以下の特徴を単独でまたは技術的に可能な組合せとして有する。
・プラズマ処理のインターフェースはSiNx層、SiNxOy層、SiO２層そしてガラスから成るグループから選択される；
・N２、O２、N２OそしてNH３から成るグループから選択されたガスを使ってプラズマ処理インターフェースを形成する。
【００１８】
絶縁体は、プラズマ堆積法により処理されて、プラズマ処理インターフェースを形成し、核生成サイトの密度を減少する。
・Aｒ、Xe、KrそしてHeから成るグループから選択されたバッファーガスを使って微晶質シリコンフイルムを形成する；
・結晶化ケミカルエレメントがH２である；
・堆積ケミカルエレメントがSiH４、SiF４から成るグループから選ばれている；
・堆積ケミカルエレメントのフラックスと結晶化ケミカルエレメントのフラックスとが微晶質シリコンフイルムの成長中平衡状態である；
・トップ・ゲートトランジスタを形成する；
・ソース電極とドレイン電極のパターンを形成する金属層を備える基板を形成する；
・ボトム・ゲートトランジスタを形成する；
・基板がゲート電極を備えている；
・微晶質シリコンフイルムの粒子は１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある；
・微晶質シリコンフイルムの厚みは１００ｎｍと４５０ｎｍとの間にある；
・蒸着法が無線周波数グロー放電技術を使う；
・１３．５６メガヘルツＰＥＣＶＤリアクターを使う。
【００１９】
「１３．５６メガヘルツＰＥＣＶＤリアクター」とは１３．５６メガヘルツの無線周波数のエネルギーにより付勢され、プラズマ強化化学蒸着法で使用されるリアクターのことである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の理解をさらに容易なものとするため以下に添付図を参照して説明する。添付図は例示だけのためであって、本発明の範囲をこれにより不当に限定すべきものではない。
【００２１】
本発明はアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ１の製造方法に関するものであり、アクティブ材料と電極２とを形成する工程を含み、そのアクティブ材料は蒸着法によって形成され、そしてトランジスタ１は絶縁体３を備えている。蒸着法は例えば、無線周波数グロー放電技術を使う。特に、１３．５６メガヘルツＰＥＣＶＤリアクターを使う。このリアクターは別の周波数で無線周波数エネルギーを受けている。蒸着法ではマイクロ波ＥＣＲ（電子サイクロトロン共振）技術を実施している。
【００２２】
本発明では、絶縁体３のトップにプラズマ処理したインターフェース４を形成する。好ましい実施例では処理インターフェース４はSiNx層、SiNxOy層、SiO２層そしてガラスから成るグループから選択されている。プラズマ処理のインターフェース４はN２、O２、N２OそしてNH３から成るグループから選択されたガスを使って形成する。
【００２３】
少なくとも堆積ケミカルエレメントと結晶化ケミカルエレメントとを使って１００℃と４００℃の間の温度で微晶質シリコンフイルム５を前記の処理したインターフェース４のトップに形成する。前記の結晶化ケミカルエレメントはμｃ-Si：H薄膜５の結晶化を促進すると言われており、そしてそれは例えば、Ｈ２である。堆積ケミカルエレメントと結晶化ケミカルエレメントとは一緒にまたは交互に堆積できる。堆積ケミカルエレメントはSiH４、SiF４から成るグループから選ばれている。バッファーガスを加えてプラズマ状態を最適化する。このガスはAｒ、Xe、KrそしてHeから成るグループから選択される。
【００２４】
特定の実施例ではμｃ-Si：H薄膜を形成するための結晶化ケミカルエレメントとしてプラズマ堆積を介して水素を使う。純粋シランから形成されたａ-Si：H薄膜の水素プラズマへの露出は、それの表面と基板との反応を介してａ‐Si：H薄膜を結晶化する。その方法は、時間τ１の間ａ‐Si：Hを堆積させ、それに続いてそれを時間τ２の間水素プラズマへ露出し、これを多数回繰り返すことである。μｃ-Si：H薄膜はSiH４、H２混合物からのプラズマ堆積により形成されると言われる。好ましい実施例では堆積ケミカルエレメントのフラックスと結晶化ケミカルエレメントのフラックスとは微晶質シリコンフイルム５の成長中平衡状態である。
【００２５】
微晶質シリコンフイルム５の厚みは１００ｎｍと４５０ｎｍとの間にあり、そして微晶質シリコンフイルム５の粒子６のサイズは１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある。
【００２６】
ボトム・ゲートもしくはトップ・ゲートトランジスタのどちらかをつくるには、絶縁体３の上に微晶質シリコンフイルム５を成長させる。高移動度（ハイ・モビリティ）微晶質シリコン５は、核生成サイトの密度が小さくなるように絶縁体３を処理するときに得られる。この処理をしてボトム・ゲートもしくはトップ・ゲートトランジスタのどちらかをつくる。
【００２７】
第１の実施例ではトップ・ゲートトランジスタを形成する。ソース電極２とドレイン電極２とを形成するため、基板に金属もしくはＴＣＯ（透明な導電性酸化物）層から成る電極パターンをつくる。
【００２８】
第２の実施例ではボトム・ゲートトランジスタを形成し、そして基板はゲート電極２を含む。
【００２９】
本発明はアクティブ・マトリックス・ディスプレーのためのトランジスタ１にも係るものである。図１は本発明の特定の実施例のそのようなトランジスタを示す。それは微晶質シリコンフイルム５と絶縁体３とを備え、結晶質フラクションは８０％以上である。アクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ１は絶縁体３と微晶質シリコンフイルム５との間にプラズマ処理したインターフェース４を備え、トランジスタ１の線形移動度（リニア-・モビリティ）は１．５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１に等しいか、それよりも大きく、そしてスレショールド電圧安定性を示している。好ましくは結晶質フラクションは８５％以上である。この場合優れた電圧安定性が得られるからである（シフトは０．１５ボルト以下）。
【００３０】
トランジスタ１の現在の理解では、プラズマ処理インターフェース４の形成が核生成サイトを減少させ、晶子６を横方向に成長させる。この成長は大きな粒子６を形成させ、その結果として高い移動度を測定した。
【００３１】
微晶質シリコンフイルム５は熱線技術もしくは無線周波数グロー放電技術によりつくれる。
【００３２】
微晶質シリコンフイルム５が含む晶子６はサイズが１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある結晶化した粒子６である。この粒子のサイズは１００ｎｍと２００ｎｍとの間にあるのが有利である。
【００３３】
実施例では微晶質シリコンフイルム５の厚みは１００ｎｍと４５０ｎｍとの間にあり、好ましくは低いオフ電流を持つように１００ｎｍと１５０ｎｍとの間にある。高い線形移動度と安定性の他に、低いオフ電流が産業用途には必要である。それが電子光学変換器（液晶ディスプレー、有機エレクトロルミネッセント・ディスプレー…）における像品質を決定するからである。
【００３４】
図１はボトム・ゲート電極を有するアクティブ・マトリックス・ディスプレー用薄膜トランジスタ１を示すが、このトランジスタ１をトップ・ゲートトランジスタで実現することもできる。
【００３５】
更に本発明は少なくとも記述のトランジスタ１を備えるピクセルのライン‐コラム・マトリックスを有するディスプレー・ユニットにも係るものである。これらのピクセルはアクティブにアドレスされ、このことはフレーム時間にマトリックスタイプのディスプレーをライン毎に掃引し、そして全フレーム時間中ピクセルへ電流を供給していると言うことを意味している。このアドレッシング法はそれを発光有機材料もしくはポリマー材料から成るピクセルに完全に適応するようにしている。それは液晶から成るピクセルに使用するに有利である。好ましい実施例では各ピクセルを駆動する電子制御手段が少なくとも部分的に対応ディスプレーパネルに集積されている。それ故外部駆動回路の数は少なくなる。
【００３６】
本発明に従うアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタとそのようなトランジスタの製造方法とはさまざまに実施でき、以下の実施例は得られる結果の質を示している。
【００３７】
実施例１
本発明によるトランジスタ１の製造方法を先ず実施して、SiF４‐Ar‐H２混合物からつくられたボトム・ゲート薄膜トランジスタを研究した。図２に示す実験値（円と逆三角形）は前記のμc‐Si：H薄膜トランジスタの線形移動度（cm２V‐１ｓ‐１）８に対する「パーコレーション厚み」（ｎｍ）７の関数として得られた。「パーコレーション厚み」とは、フイルムにおける結晶質フラクションが１００％に到達するときの厚みとして定義されるパラメーターである。破線９（実線１０）は見やすくするためのガイドラインを与えるために示しているだけである。
【００３８】
円の値１１は、３５分間、２４０ｍＷ/ｃｍ２の無線周波数電力と全圧力０．１トルのSiF４-Ar-H２混合の下でSiNx基板にプラズマ堆積して形成されたμc-Si：H薄膜について得たものである。逆三角形の値１２は２８０ｍＷ/ｃｍ２の無線周波数電力でプラズマ堆積法により形成したμｃ−Si：H薄膜について得られたものである。その混合の圧力は１．５Ｔｏｒｒであった。四角の値１３は、６０分間、２８０ｍＷ/ｃｍ２の無線周波数電力と全圧力０．１Ｔｏｒｒの下でSiNx基板をSiF４-Ar-H２混合プラズマ処理して形成されたμc-Si：H薄膜について得たものである。すべてこれらの堆積は２００℃の温度で実行された。
【００３９】
これらの実験値から両方のサンプルに認められる明確な傾向として、パーコレーション厚みの増加につれて移動度は増加するということである。緩慢な結晶化速度にも係わらず十分に結晶化することになるフイルムは最高の移動度を有する。３ｃｍ２/Ｖ．ｓの移動度を有する薄膜トランジスタが報告されている。
【００４０】
実施例２
図３はμc-Si：Hの薄膜５の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）レリーフを示している。このμc-Si：Hの薄膜５はSiNxの薄膜３をArプラズマへ曝し、そしてSiF４-Ar-H２混合プラズマで処理することにより形成される。像は５×５μｍ２の面積にわたって横に広がる。μc-Si：Hの薄膜で造られる薄膜トランジスタの測定が０．０２ｃｍ２Ｎ．ｓのオーダーの線形移動度を示している。このＡＦＭ像は平均のサイズが８０ｎｍ以下の小さい晶子６を示している。
【００４１】
図４は、SiF４-Ar-H２混合からつくられたμc-Si：Hの薄膜の原子間力顕微鏡レリーフを示す。このμc-Si：Hの薄膜はＮ２処理を受けたSiNxの薄膜上に形成されている。像は２×２μｍ２の面積にわたって横に広がる。前記のμc-Si：Hの薄膜で造られる薄膜トランジスタの測定が３ｃｍ２Ｎ．ｓのオーダーの線形移動度を示している。このＡＦＭ像は平均のサイズが４００ｎｍ以下の小さい晶子をはっきり示している。
【００４２】
μc-Si：Hの薄膜の堆積前にSiNx層３のトップにプラズマ処理してSiNxインターフェース４を形成することが、低温で大きな粒子６の材料の堆積を明らかに促進している。得られるフイルムの線形移動度は２ｃｍ２Ｎ．ｓのオーダーである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明によるボトム・ゲート・トランジスタである薄膜トランジスタ構造の略図である。
【図２】SiF４‐Ar‐H２混合物からつくられたμc‐Si：H薄膜の線形移動度の実験値をパーコレーション厚み（nm）の関数として示すグラフである。
【図３】SiF４‐Ar‐H２混合物からつくられたμc‐Si：H薄膜の原子間力顕微鏡検査のレリーフを示す。μc‐Si：H薄膜はArプラズマで処理したSiNxに形成された。像は２×２μm２の面積にわたっている。
【図４】SiF４‐Ar‐H２混合物からつくられたμc‐Si：H薄膜の原子間力顕微鏡検査のレリーフを示す。μc‐Si：H薄膜はN２プラズマで処理したSiNxに形成された。像は５×５μm２の面積にわたっている。
【符号の説明】
【００４４】
１  アクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ
２  電極
３  絶縁体
４  インターフェース
５  微晶質シリコンフイルム
６  晶子
【図１】
2006518935.tif 000003
【図２】
2006518935.tif 000004
【図３】
2006518935.tif 000005
【図４】
2006518935.tif 000006
【国際調査報告】
2006518935.tif 000007
2006518935.tif 000008
2006518935.tif 000009