(57)【要約】チップ素子を有する活性面と非活性面とを有するチップウエハを有し、チップウエハ上に、チップ素子上に位置したチップ素子受け入れキャビティを備えカバーウエハを堆積したウエハ組立体を製造する方法であって、−ウエハ組立体を得るために、カバーウエハを活性面上に堆積するカバーウエハ堆積工程を有し、カバーウエハは、チップ素子上に位置する複数のチップ受け入れキャビティを備え、且つ、有機材料で作られ、−チップウエハの非活性面を薄くするウエハ組立体シンニング工程と、−チップウエハ上に積み重ねたカバーウエハのキャビティ内にチップを配置する組立工程と、を更に有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ素子を有する活性面と非活性面とを有するチップウエハを有し、チップウエハ上に、チップ素子上に位置したチップ素子受け入れキャビティを備えカバーウエハを堆積したウエハ組立体を製造する方法であって、
ウエハ組立体を得るために、カバーウエハを活性面上に堆積するカバーウエハ堆積工程を有し、カバーウエハは、チップ素子上に位置する複数のチップ受け入れキャビティを備え、且つ、有機材料で作られ、
チップウエハの非活性面を薄くするウエハ組立体シンニング工程を更に有する、ウエハ組立体の製造方法。
【請求項２】
チップをチップ受け入れキャビティに固定するチップ固定工程を更に有する、請求項１記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項３】
前記カバーウエハは感光性材料で作られる、請求項１記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項４】
前記感光性材料はベンゾシクロブテンからなる、請求項３記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項５】
前記感光性材料はポリイミドからなる、請求項３記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項６】
前記感光性材料はエポキシを主成分とする材料からなる、請求項３記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項７】
複数のチップ組立体を得るように、ウエハ組立体を切断するウエハ組立体切断工程を更に有し、チップ組立体は、上にチップを固定するチップ素子を有する、請求項２記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項８】
前記チップ素子はＧＳＭチップである、請求項２又は３記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項９】
前記チップは、ＲＦチップである、請求項２又は３記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項１０】
前記チップは、ＤＰＡチップである、請求項２又は３記載のウエハ組立体の製造方法。
【請求項１１】
キャビティを備えた支持層を有する携帯デバイスを製造する方法であって、
請求項７によるチップ組立体を、前記キャビティ内に固定するチップ組立体工程工程を有する、
携帯デバイス製造方法。
【請求項１２】
請求項７によるチップ組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上にカバーウエハを堆積したチップウエハを有するウエハ組立体を製造する方法に関する。本発明はまた、キャビティを備えた支持層を有する携帯デバイスを製造する方法に関する。携帯デバイスは、例えば、スマートカード、又は、加入者識別モジュール（Subscriber Identification Module）（ＳＩＭ）カードである。
【背景技術】
【０００２】
国際公開（ＷＯ）第００／６３８３６号パンフレットは、半導体材料で作られた活性層と、前記活性層の一つの活性面を有し、回路素子及び前記活性面と面一の少なくとも一つの接触を有する集積回路と、活性面に固定され、活性層の集積面を、少なくとも部分的に覆う追加の層と、を含む集積回路デバイスを開示する。追加層に孔が作られ、前記孔は、少なくとも一つの回路素子に垂直である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、費用の削減と、高品質の両方を可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の側面によれば、カバーウエハを上に堆積したチップウエハを有し、チップウエハは、活性面と非活性面とを有し、活性面は、チップ素子を有し、カバーウエハは、チップ素子の上に位置したチップ素子受け入れキャビティを備えている、ウエハ組立体を製造する方法であって、ウエハ組立体を得るようにカバーウエハを活性面上に堆積するカバーウエハ堆積工程を有し、カバーウエハは、複数のチップ受け入れキャビティを備え、チップ受け入れキャビティは、チップ素子の上に位置し、カバーウエハは有機材料で作られ、チップウエハの非活性面を薄くするウエハ組立体シンニング工程を更に有する。
【０００５】
チップウエハは、例えば、ＧＳＭチップからなる。チップ受け入れキャビティは、例えば、ＲＦチップを受け入れるように構成される。
厚さが薄くないＧＳＭチップと実質的に同じである複数のチップ組立体を得るために、チップウエハを薄くすることによって、ＲＦチップをチップウエハの各ＧＳＭチップ上に積み重ねることができる。さらに、カバーウエハは、薄くしたチップウエハを強化することを可能にし、かくして、例えば、製造工程中損傷の危険性を減ずる。カバーウエハは有機材料で作られるので、カバーウエハを、例えば、周知のスピンコーティング堆積工程を使用して容易に堆積させることができる。その上、本発明は、ＧＳＭチップとＲＦチップの両方の機能性を有する新規な集積回路の設計を回避する。
かくして、本発明は、費用の削減及び高品質の両方を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１に示すように、例えば、６８０μｍの厚さを有する第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）が使用される。第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）は、チップ素子を備えた活性面（ＡＣＴＩＶＦ）と、非活性面（ＩＮＡＣＴＩＶＦ）と、を有する。チップ素子は、例えば、ＧＳＭ、即ち、移動電話に使用するべく設計されたチップである。第一チップウエハは、例えば、シリコンで作られる。
【０００７】
図２に示すように、必要ならば、塗布堆積工程で、接着層（ＡＤＨＥＳ）を第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）の活性面（ＡＣＴＩＶＦ）上に堆積する。接着層は、例えば、ポリマーからなる。ポリマーは、例えば、感光性ポリマーである。
【０００８】
図３に示すように、開口形成工程では、マスク及びＵＶを使用して、感光性ポリマーに開口部を形成する。
【０００９】
図４に示すように、例えば、２８０ミクロンの厚さを有するカバーウエハ（ＣＯＶ）を使用する。カバーウエハ（ＣＯＶ）を、エッチングできる他の任意の材料、例えば、感光性材料で作ることができる。その材料は、例えば、ベンゾサイクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド材料、又は、周知のエポキシを主材料とする材料である。
【００１０】
図５に示すように、第二開口形成工程では、バイア（vias）（Ｖ）及びチップ受け入れキャビティ（ＣＳ）をカバーウエハに作る。第二開口形成工程を、例えば、エッチング技術を使用して、行うことができる。特に、ウエットエッチング技術又はドライエッチング技術を使用することができる。カバーウエハシンニング工程では、カバーウエハが、例えば、１４０ミクロンに薄くされる。
【００１１】
図６に示すように、カバーウエハ堆積工程では、カバーウエハ（ＣＯＶ）を第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）上に固定するように、カバーウエハ（ＣＯＶ）を第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）の接着剤層（ＡＤＨＥＳ）上に堆積する。かくして、ウエハ組立体（ＷＡＦＡ）が得られる。接着剤層が無ければ、カバーウエハを、第一チップウエハの活性面上に直接堆積することができる。有利には、カバーウエハは有機層である。かくして、カバー層を、例えば、スピンコーティング技術を使用して、第一チップウエハの活性面上に直接堆積させることができる。有利には、カバーウエハは感光性材料であり、そのため、開口を、周知のエッチング技術を使用して容易に作ることができる。
【００１２】
図７に示すように、ウエハ組立体シンニング工程では、ウエハ組立体（ＷＡＦＡ）を、第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）の非活性面（ＩＮＡＣＴＩＶＥ）の高さで、例えば、１９０μｍまで薄くする。ウエハ組立体シンニング工程を、例えば、研磨装置を使用して行うことができる。かくして、カバーウエハは、薄くされたウエハ組立体を強化することができる。さらに、カバーウエハは、１０μｍより厚い厚さ、有利には、１００μｍより厚い厚さ、例えば、１４０μｍを有するので、製造工程中、ウエハ組立体を扱うことは容易である。
【００１３】
図８に示すように、第二チップウエハ（ＣＨＩＰＷ２）を使用する。第二チップウエハ（ＣＨＩＰＷ２）は、チップ素子を備えた活性面（ＡＣＴＩＶＦ）を有する。チップ素子は、例えば、ＲＦチップである。第二ウエハシンニング工程では、第二チップウエハを、例えば、１４０μｍまで薄くする。
【００１４】
図９に示すように、第二チップウエハ切断工程では、第二チップウエハを、分離したＲＦチップを得るように切断する。
【００１５】
図１０に示すように、チップ配置工程では、分離したＲＦチップを、ウエハ組立体（ＷＡＦＡ）のチップ受け入れキャビティ（ＣＳ）内に配置する。
【００１６】
次いで、ＲＦチップを積み重ねたＧＳＭチップを有する分離したチップ組立体（ＣＨＩＰＡ）を得るために、ウエハ組立体切断工程では、ＲＦチップを有するウエハ組立体を切断する。
【００１７】
図１１に示すように、チップ組立体固定工程では、チップ組立体（ＣＨＩＰＡ）を、接続パッドを有する支持層（ＳＬ）上に固定する。支持層は、例えば、エポキシ樹脂からなる。
【００１８】
図１２に示すように、接続工程では、ＲＦチップ、及びチップ組立体（ＣＨＩＰＡ）のＧＳＭチップを、ボンディングワイヤを使用して、接続パッドに接続する。
【００１９】
図１３に示すように、樹脂堆積工程では、樹脂材料をチップ組立体及びボンディングワイヤ上に堆積させ、チップ組立体及びボンディングワイヤを保護する。
【００２０】
上記の説明は、カバーウエハを上に堆積したチップウエハを有するウエハ組立体を製造する方法を示し、チップウエハは、活性面と非活性面とを有し、活性面は、チップ素子を有し、カバーウエハは、チップ素子上に位置したチップ素子受け入れキャビティを備え、本方法は、以下の工程、即ち、カバーウエハ堆積工程、及び、ウエハ組立体シンニング工程を有する。
−カバーウエハ堆積工程では、ウエハ組立体を得るように、カバーウエハを、活性面上に堆積し、カバーウエハは、複数のチップ受け入れキャビティを備え、チップ受け入れキャビティは、チップ素子上に位置され、カバーウエハは、有機材料で作られる。
−ウエハ組立体シンニング工程では、チップウエハの非活性面を薄くする。
【００２１】
チップ又はチップ素子は、例えば、ＲＦチップ、又は、電流分析式攻撃（current analysis based attacks）の危険性を減ずるための機能を有するチップ（＝ＤＰＡチップ）である。ＧＳＭチップ、メモリチップ、マイクロ電気機械システム（Micro Electrical Mechanical Systems）（ＭＥＭＳ）、シリコンセンサ、マイクロ光電気機械システム（Micro Optical Electrical Mechanical Systems）（ＭＯＥＭＳ）、又は、他の任意の種類の集積回路をも使用することができる。
【００２２】
本発明はまた、キャビティを備えた支持層を有する携帯デバイスを製造する方法にも関する。その方法は、本発明によるチップ組立体がそのキャビティに固定されるチップ組立体固定工程を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第一チップウエハ（ＣＨＩＰＷ１）を示す。
【図２】塗布堆積工程を示す。
【図３】第一開口形成工程を示す。
【図４】カバーウエハ（ＣＯＶ）を示す。
【図５】第二開口形成工程を示す。
【図６】カバーウエハ堆積工程を示す。
【図７】ウエハ組立体シンニング工程を示す。
【図８】第二チップウエハを示す。
【図９】第二チップウエハ切断工程を示す。
【図１０】チップ配置工程を示す。
【図１１】チップ組立体固定工程を示す。
【図１２】接続工程を示す。
【図１３】樹脂堆積工程を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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