(57)【要約】本発明は、磁気素子、例えばＭＲＡＭ素子（１０,１１）の、磁気記憶セルを含むＩＣに対するセキュリティ装置（３０）としての特殊な構造を提供する。この構造は、予め設定された逆平行磁化方向を有する２つ以上の関連磁気素子（１０,１１）の組合せを含むことができる。磁気素子の分極方向を決定することによって、外部磁場への暴露を検出することができる。逆の分極方向は正常な状況を指示し、整列した分極方向は、ＭＲＡＭアレイが外部場に暴露されたことを指示する。このようにして、ＭＲＡＭに記憶されたデータの違法な消去または変更が試みられたかどうかを検出することができる。ＩＣは、動作中にこのセキュリティ・システムの抵抗を定期的にチェックすることができる。場への暴露が検出されると、ＩＣは全てのＭＲＡＭデータを消去し、またはそれ自体をリセットし、またはその機能をブロックすることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのセキュリティ装置を備えた磁気記憶セルのアレイであって、前記少なくとも１つのセキュリティ装置が、予め設定された磁化方向をそれぞれが有する第１の磁気素子および第２の磁気素子を含み、前記第１および第２の磁気素子の前記予め設定された磁化方向が互いに異なり、前記第１および第２の磁気素子が、それらの磁化方向を外部から加えられた磁場の磁場線と整列させ、それによって前記外部から加えられた磁場への前記アレイの暴露を指示することに適している磁気記憶セルのアレイ。
【請求項２】
前記第１および第２の磁気素子がＭＲＡＭセルを含む、請求項１に記載の磁気記憶セルのアレイ。
【請求項３】
前記ＭＲＡＭセルが自由磁気層を有し、前記ＭＲＡＭセルが、その磁気層の予め設定された逆磁化方向を有する、請求項２に記載の磁気記憶セルのアレイ。
【請求項４】
前記セキュリティ装置が、保護しなければならない磁気記憶セルに隣接して構築されている、請求項１に記載の磁気記憶セルのアレイ。
【請求項５】
前記アレイの前記磁気記憶セルの間に複数のセキュリティ装置を空間的に分布させた、請求項１に記載の磁気記憶セルのアレイ。
【請求項６】
請求項１に記載の磁気記憶セルのアレイを含む集積回路。
【請求項７】
外部から加えられた磁場への前記アレイの暴露の前記セキュリティ装置による指示を受けて、前記磁気記憶セルのデータ内容を消去すること、および前記集積回路の機能をブロックすることの少なくとも一方を実行する制御回路をさらに含む、請求項６に記載の集積回路。
【請求項８】
磁気記憶セルのアレイの外部磁場への暴露を指示するための方法であって、前記アレイが前記外部磁場に暴露されたときに磁気セキュリティ装置の予め設定された磁化方向を変化させることを含む方法。
【請求項９】
前記セキュリティ装置が、予め設定された第１の磁化方向を有する第１の磁気素子および予め設定された第２の磁化方向を有する第２の磁気素子を含み、前記予め設定された第１および第２の磁化方向が互いに異なり、前記予め設定された磁化方向を変化させることが、前記第１および第２の磁気素子のうちの少なくとも一方のセルの前記磁化方向を前記外部磁場に整列させることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記予め設定された磁化方向を変化させることが、逆に磁化された２つのＭＲＡＭセルのうちの少なくとも一方のセルの前記磁化方向を変化させることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
磁化方向の前記変化を決定することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記セキュリティ装置が、予め設定された磁化方向を有する第１および第２のＭＲＡＭセルを含み、磁化方向の前記変化が、前記セキュリティ装置の前記第１および第２のＭＲＡＭセルの抵抗差を測定することによって決定される、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気メモリまたは磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）に関し、詳細には、磁場への暴露による悪用から磁気記憶セルを保護し、または意図的でない磁場への暴露を検出してこの暴露による誤動作を防ぐための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気または磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）は現在、多くの企業によってフラッシュ・メモリの後継メモリとみなされている。ＭＲＡＭは、最速のスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）メモリを除く全てのメモリにとって代わる可能性を有する。このことはＭＲＡＭを、システム・オン・チップ（ＳｏＣ）用の埋込み型メモリとして非常に相応しいものにしている。ＭＲＡＭは、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）デバイスであり、このことは記憶された情報を維持するのに電力を必要としないことを意味する。このことは、他の大部分のメモリ・タイプに優る利点であると見られている。
【０００３】
ＭＲＡＭの概念は、もともと米Honeywell Corp.社で生み出されたものであり、磁気多層デバイス内の磁化方向を情報の記憶装置として使用し、その結果生じる抵抗差を情報の読出しに使用する。全てのメモリ・デバイスと同様に、ＭＲＡＭアレイの中のそれぞれのセルは、「１」または「０」を表す少なくとも２つの状態を記憶することができなければならない。
【０００４】
さまざまな種類の磁気抵抗（ＭＲ）効果が存在し、そのうち、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）およびトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）は現在最も重要なものである。ＧＭＲ効果、およびＴＭＲまたは磁気トンネル接合（ＭＴＪ）またはスピン依存トンネリング（ＳＤＴ）効果は、取分け不揮発性磁気メモリを実現する可能性を提供する。これらのデバイスは薄いフィルムのスタックを含み、そのうちの少なくとも２枚は強磁性またはフェリ磁性であり、これらは、非磁性中間層によって分離されている。ＧＭＲは、導体中間層を有する構造の磁気抵抗であり、ＴＭＲは、誘電体中間層を有する構造の磁気抵抗である。２枚の強磁性またはフェリ磁性フィルムの間に非常に薄い導体が置かれている場合、この複合多層構造の有効面内抵抗は、フィルムの磁化方向が平行であるときに最も小さく、フィルムの磁化方向が逆平行であるときに最も大きい。２枚の強磁性またはフェリ磁性フィルムの間に薄い誘電体中間層が置かれている場合には、フィルムの磁化方向が平行であるときにフィルム間のトンネル電流が最も大きい（したがって抵抗が最も小さい）ことが観察され、フィルムの磁化方向が逆平行であるときにフィルム間のトンネル電流が最も小さい（したがって抵抗が最も大きい）。
【０００５】
磁気抵抗は、通常、平行磁化状態から逆平行磁化状態へ移行した上記構造の抵抗の増大の百分率として測定される。ＴＭＲデバイスは、ＧＭＲ構造よりも高い磁気抵抗百分率を提供し、したがってより高い信号およびより高い速度に対する可能性を有する。最新の結果によれば、トンネリングは４０％を超える磁気抵抗を示し、それに比べて良好なＧＭＲセルの磁気抵抗は、１０〜１４％である。
【０００６】
一般的なＭＲＡＭデバイスは、アレイの形に配置された複数の磁気抵抗記憶素子、例えば磁気トンネリング接合（ＭＴＪ）素子を含む。ＭＴＪ記憶素子は、一般に、固定された層すなわち固定層、自由層および中間の誘電体障壁を含む積層構造を含む。磁気材料からなる固定層は、常に同じ方向を指す磁気ベクトルを有する。自由層の磁気ベクトルは、自由だが、主に素子の物理寸法によって決定されるその層の容易軸内に拘束される。自由層の磁気ベクトルは、２つの方向のいずれか、すなわち前記容易軸と一致する固定層の磁化方向に平行な方向および逆平行の方向のいずれかを指す。ＭＲＡＭの基本原理は、２値データとして情報、例えば「０」および「１」としての情報を磁化方向に基づいて記憶することである。これが、磁気データが不揮発性であり、外部磁場の影響を受けるまでデータが変化しない理由である。ＭＲＡＭセルの積層構造の両方の磁気フィルムが同じ方向（平行）に磁化されているとき、データは、２つの２値のいずれか、例えば「０」であり、ＭＲＡＭセルの積層構造の両方の磁気フィルムが逆方向（逆平行）に磁化されている場合、データはもう一方の２値、例えば「１」である。磁化の方向が平行か否かによって積層構造の抵抗が変化することを利用して、システムは、データの両方の２値、例えば「０」または「１」を区別することができる。
【０００７】
強い磁場への意図的なまたは意図的でない暴露によって傷付き易いことが、ＭＲＡＭセルおよび磁気記憶セル一般の欠点である。
【０００８】
ある種の応用、例えばスマートカード応用では、磁気記憶セル、例えばＭＲＡＭセルに記憶されるデータが秘密データである。データが安全であり、制御された正規の電気接続、例えばＩＣのピン以外の方法では取り出すことができないことが必要不可欠である。許可なく誰かがデータを読み取ることを防ぐため、およびデータが許可なく変更された場合に誰かがそれを使用することを防ぐために、データは保護されなければならない。
【０００９】
WO00/07184では、所定の使用または時間因子のうちの少なくとも一方に応答して崩壊可能であり（perishable）、したがって記録されたデータへのアクセスを排除する崩壊可能な情報記憶機構の中で記録可能なデータ層を使用することによって、この問題が解決されている。
【００１０】
記載される実施形態の１つは、磁気抵抗記憶セルがそれぞれ、その中に磁化ベクトルの形でデータが記憶された多層ＧＭＲ材料などの磁気記憶セル素子を含むＭＲＡＭ技術にある。ＭＲＡＭセルに記憶されたデータは、データを消去するのに十分な磁場を発揮する能力を有する読取り装置によって読み取られる。したがって、情報を読み取りまたは情報にアクセスしている間に、記録されたデータを破壊する磁場が生み出される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上に記載した解決法の欠点は、たとえそれが悪用されていない場合でも、記録されたデータにアクセスできなくなることである。正規の許可された方法で使用しただけであっても、データへのアクセスが拒絶され、またはデータが破壊される。
【００１２】
したがって、ある種の応用（例えばスマートカード）では、正規の制御された方法、例えばＩＣのピンからの電気接続による方法以外の方法では、アレイのＭＲＡＭセルに記憶されたデータを変更することができない、安全に保護されたＭＲＡＭアレイを提供することが非常に望ましい。
【００１３】
本発明の目的は、特にセキュリティが必要不可欠な応用またはデータの完全性がきわめて重要な応用において、磁気記憶セルのアレイ、例えばＭＲＡＭアレイが、意図的にまたは意図的ではなしに外部磁場に暴露されたことを指示するハードウェア保護を提供することにある。  
上記の目的は、本発明に基づく方法およびデバイスによって達成される。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、少なくとも１つのセキュリティ装置を備えた磁気記憶セルのアレイを提供する。磁気記憶セルは、例えばＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの任意のＭＲタイプのＭＲＡＭセルのアレイとすることができる。ただし、これに限定されるわけではない。磁気記憶セルは、例えば銀行カードの磁気ストリップなどの磁気テープ上に置くことができ、（リムーバブル）ハード・ディスク（ＨＤＤ）またはフロッピー・ディスク用の磁気記憶セルとすることができる。本発明に基づく少なくとも１つのセキュリティ装置は、予め設定された磁化方向をそれぞれが有する第１の磁気素子および第２の磁気素子を含む。第１および第２の磁気素子の予め設定された磁化方向は、互いに異なる。第１および第２の磁気素子は、それらの磁化方向を外部から加えられた磁場の磁場線と整列させ、それによって外部から加えられたこの磁場へのアレイの暴露を指示するのに適している。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、第１および第２の磁気素子は、例えばＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの任意のＭＲタイプのＭＲＡＭセルを含むことができる。あるいは、磁気テープを含むデバイスのような他の磁気素子を、セキュリティ装置に対して使用することもできる。後者の場合、本発明のセキュリティ装置は、例えばスマートカードまたはＨＤＤの完全性を監視するために、これらの装置の中に実装することができるセキュリティ・タグまたはセキュリティ・チップ上に実装することができる。セキュリティ装置にＭＲＡＭセルを使用する利点は、埋込み型または独立型の磁気セル・アレイにセキュリティ装置を容易に追加することができる点にある。磁気テープとは対照的に、ＭＲ素子に基づく本発明によるセキュリティ装置は、機械的な動きを必要とすることなく電子的に容易に読出しを行うことができる。
【００１６】
さらに、ＭＲＡＭセルを含むセキュリティ装置では、ＭＲＡＭセルがそれぞれ、予め設定された逆の磁化方向を有する自由な磁気層を有することができる。この予め設定された磁化方向を変化させ、その結果生じるセキュリティ装置のＭＲＡＭセルの抵抗の変化を測定することによって、外部磁場への暴露を検出することができる。
【００１７】
本発明によれば、セキュリティ装置を、保護しなければならない磁気記憶セルに隣接して構築することができる。これによって、この隣接したセキュリティ装置は、アレイの磁気記憶セルが外部磁場の影響を受けているときに、影響を受けている磁気記憶セルからより遠くに離れているセキュリティ装置よりも大きな影響を受ける。
【００１８】
本発明の他の実施形態によれば、アレイの磁気記憶セルの間に複数のセキュリティ装置を空間的に分布させることができる。このことは、磁気記憶セルの間に空間的に分布させたセキュリティ装置が多いほど、アレイの全ての位置で外部磁場への暴露がより正確に検出されるため有利である。
【００１９】
本発明はさらに、以上に説明した少なくとも１つのセキュリティ装置を備えた磁気記憶セルのアレイを含む集積回路を提供する。この集積回路はさらに、外部から加えられた磁場へのアレイの暴露のセキュリティ装置による指示を受けて、磁気記憶セルのデータ内容を消去すること、および集積回路の機能をブロックすることの少なくとも一方を実行する制御回路を含むことができる。
【００２０】
本発明はさらに、磁気記憶セルのアレイの外部磁場への暴露を指示するための方法を提供する。この方法は、アレイが外部磁場に露出されたときに、磁気セキュリティ装置の予め設定された磁化方向を変化させることを含む。このセキュリティ装置は、予め設定された第１の磁化方向を有する第１の磁気素子および予め設定された第２の磁化方向を有する第２の磁気素子を含むことができ、予め設定された第１および第２の磁化方向が互いに異なる。予め設定された磁化方向を変化させることは、第１および第２の磁気素子のうちの少なくとも一方のセルの磁化方向を外部磁場に整列させることを含む。
【００２１】
本発明は、予め設定された磁化方向を変化させることが、逆に磁化された２つのＭＲＡＭセルのうちの少なくとも一方のセルの磁化方向を変化させることを含む方法を提供する。
【００２２】
本発明に基づくこの方法はさらに、第１および第２の磁気素子のうちの少なくとも一方の素子の磁化方向の変化を、例えば、セキュリティ装置が、予め設定された磁化方向を有する第１および第２のＭＲＡＭセルを磁気素子として含む場合に、第１および第２のＭＲＡＭセルの抵抗差を測定することによって、決定することを含むことができる。
【００２３】
本発明の特性、特徴および利点、ならびに他の特性、特徴および利点は、以下の詳細な説明および本発明の原理を例示する図面から明らかとなろう。この説明は単に例示のために示したのであって、本発明の範囲を限定するものではない。以下で引用する参照図は、添付図面を指す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、特定の実施形態に関していくつかの図面を参照して記述されるが、本発明はこれらに限定されず、請求項によってのみ限定される。記載の図面は概略図にすぎず、本発明を限定するものではない。図面では、例示目的のため、一部の素子のサイズが誇張されており、一定の尺度では描かれていない。この説明および請求項の中で用語「含む」が使用されている場合、それは他の要素またはステップを排除しない。
【００２５】
さらに、この説明および請求項中の第１、第２、第３などの用語は、同種の要素を区別するために使用されているのであって、必ずしも配列上の順序または時間的な順序を記述するために使用されているわけではない。このように使用されるこれらの用語は適当な状況下で相互に交換可能であり、本明細書に記載された本発明の実施形態は、本明細書に記載されまたは本明細書に示された以外の順序で実施できることを理解されたい。
【００２６】
さらに、この説明および請求項中の上部、下部、上、下などの用語は、描写的な目的のために使用されているのであって、必ずしも相対位置を記述するために使用されているわけではない。このように使用されるこれらの用語は適当な状況下で相互に交換可能であり、本明細書に記載された本発明の実施形態は、本明細書に記載されまたは本明細書に示された以外の向きで実施できることを理解されたい。
【００２７】
本発明によれば、データ内容を有する磁気記憶セルのアレイ（図示せず）が提供され、このアレイは、外部磁場へのアレイの暴露を指示する、例えば図１および２に示されたセキュリティ装置３０を備える。本明細書記載の実施形態では、磁気記憶セルがＭＲＡＭセルを含む。
【００２８】
磁気抵抗記憶素子をそれぞれが含む磁気抵抗記憶セルのアレイは、行および列に論理的に編成されている。この説明の全体を通じて、用語「水平」および「垂直」は座標系を提供し、説明を容易にするためだけに使用される。これらの用語が装置の実際の物理方向を指すとは限らないが、そうである場合もある。さらに、用語「列」および「行」は、１つに連結されたアレイ要素のセットを記述するために使用される。この連結を、行および列からなるデカルト・アレイ（Cartesian  array）の形態とすることができるが、本発明はそれに限定されない。当業者には理解されることだが、列および行は相互に容易に交換することができ、この開示ではこれらの用語が相互に交換可能である。非デカルト・アレイを構築することもでき、これも本発明の範囲に含まれる。したがって、用語「行」および「列」は広く解釈しなければならない。容易にするため、この広い解釈では、請求項が論理的に編成された行および列を参照する。このことは、記憶素子のセットは、位相幾何学的に線形に交差するように連結されるが、物理的またはトポグラフィ（topography）的配置がそうであるとは限らないことを意味する。例えば、行を円、列をそれらの円の半径とすることができ、本発明ではこれらの円および半径が、行および列に「論理的に編成されている」と記述される。さらに、さまざまな線の具体名、例えばビット線およびワード線、行線および列線は、説明を容易にし、特定の機能を指すための総称名であり、これらの語を特に選択したのは本発明を限定するためではない。これらの用語は全て、説明している特定の構造の理解を容易にするためだけに使用されるのであって、本発明を限定することを意図したものではないことを理解されたい。
【００２９】
本発明によれば、セキュリティ装置３０は、逆に磁化されまたは逆にバイアスされた２つの磁気素子を含む。本発明の第１の実施形態によれば、逆に磁化されまたは逆にバイアスされたこれらの磁気素子は、図１および２に示すように逆に分極されまたは異なるように分極された磁化方向を有する別個の磁気素子、例えば２つの関連ＭＲＡＭセル１０,１１の組合せによって形成することができる。逆の磁化方向とは、それぞれのセルが少なくとも２つの安定または準安定磁化方向を有し、一方のセルの磁化方向が他方のセルに対して逆になるように２つのセルが配置されていることを意味する。それぞれの素子の磁化方向は独立に設定することができ、または両方の磁化方向を一度に設定することができる。例えば、関連ＭＲＡＭセル１０,１１の自由層１８を逆に分極する。すなわち第１のＭＲＡＭセル１０の自由層１８を１つの方向に分極する場合には、第２のＭＲＡＭセル１１の自由層１８を反対方向に分極する。例えば、図１に示すように、第１のＭＲＡＭセル１０がその固定層１４およびその自由層１８の逆平行磁化方向を有し、第２のＭＲＡＭセル１１が、その固定層１４および自由層１８の平行磁化方向を有することができる。このケースでは、関連ＭＲＡＭセル１０,１１の固定層１４が両方とも同じ磁化方向を有するが、自由層１８は異なる磁化方向を有する。あるいは、関連ＭＲＡＭセル１０,１１の固定層１４が反対の磁化方向（図示せず）を有することもできる。関連ＭＲＡＭセルの自由層１８も互いに対して逆の磁化方向を有するので、本実施形態によれば、第１および第２の両方のＭＲＡＭセルの固定層１４と自由層１８とが逆に分極され、または第１および第２の両方のＭＲＡＭセルの固定層１４と自由層１８とが平行分極を有する。
【００３０】
セキュリティ装置３０のビットの書込み（「設定／初期化」）は例えば、同じ１つの電流パルスによって２つの素子１０,１１の場所に反対の磁場が生み出されるようにセキュリティ装置の素子１０,１１の上に置かれた、単一の導体１２によって実行することができる。これを達成するため、書込み線１２は、２本の脚２０,２１を有するＵ字形の形状を有することができ、セキュリティ装置３０の素子１０,１１はそれぞれ、脚２０,２１の一方を流れる電流パルスの影響を受ける。セキュリティ装置のビットが別々に設定可能である必要はないので、セキュリティ装置のビットを設定するのに２本の電流線は必要ない。このケースでは、図１に示すように、書込み線１２が自由層１８に近いことが好ましい。
【００３１】
あるいは、セキュリティ装置３０のビットの初期化は、例えばセキュリティ装置３０の素子１０,１１の上下の交差する電流線（図示せず）を流れる組合せ電流を使用して、ビットを独立に設定することによって実施することもできる。
【００３２】
本発明に基づくセキュリティ装置３０を、ＭＲＡＭセルのアレイの中に、保護しなければならないＭＲＡＭセルに隣接して組み込むことができる。第１の電流線、例えばディジット線（digit line）は、ＭＲＡＭセルの片側をアレイの行に沿って延び、第２の電流線、例えばビット線は、記憶セルの反対側をアレイの列に沿って延びる。他の実施形態によれば、アレイの正規のＭＲＡＭセルに対して、セキュリティ装置３０を角度を付けて配置することができる。
【００３３】
アレイのＭＲＡＭセルの小さな寸法およびその高い密度のため、外部磁場への意図的な暴露（タンパリング（tampering））または意図しない暴露によって、セルの磁化方向は変化する。具体的には、セル対の反対向きの磁化方向が乱され、近隣のＭＲＡＭセルの自由層の磁化方向の平行配向が生み出される。この平行配向は、外部磁場の方向に沿うことができる。本発明において記述されるハードウェア・セキュリティ装置３０は、上述の原理に基づく。
【００３４】
セキュリティ装置３０が外部磁場に暴露されると、セキュリティ装置３０の磁気素子の磁化方向が全て変化して、外部から加えられた磁場の方向を指すようになる。本発明の第１の実施形態によれば、セキュリティ装置３０のＭＲＡＭセル１０,１１のうち一方のセルの自由層１８の磁化方向が変化する。自由層１８の磁化ベクトルは全て、やはり外部磁場の磁化方向に一致した同じ方向を指す。これによって、セキュリティ装置３０の両方のＭＲＡＭセル１０,１１は、平行磁化方向を有する。
【００３５】
ＭＲＡＭセル１０,１１の平行構成および逆平行構成は、異なる抵抗を有することが知られている。固定磁気層１４に対する自由層１８の相対的な分極に応じて、すなわち平行分極かまたは逆平行分極かに応じて、ＭＲＡＭセル１０,１１の抵抗は低抵抗または高抵抗となる。したがって、セキュリティ装置３０の両方のＭＲＡＭセル１０,１１の抵抗差を測定することによって、それらの相互の磁化方向を容易に決定することができる。図１に示した実施形態では、有意の抵抗差が正常な状況を指示し、すなわち一方のＭＲＡＭセル１０が逆平行構成にあり、他方のＭＲＡＭセル１１が平行構成にあることを指示し、このことは、ＭＲＡＭセルのアレイが未だ外部磁場に暴露されていないことを意味する。セキュリティ装置３０の両方のＭＲＡＭセル１０,１１間に抵抗差がないことは、両方のＭＲＡＭセル１０,１１が同じように分極された磁化方向を有することを指示し、したがって両方のＭＲＡＭセル１０,１１が外部磁場に暴露され、この外部磁場が、アレイのＭＲＡＭセル１０,１１の自由層１８の磁化方向を変化させたことを指示する。あるいは、逆に分極された固定磁気層を有する図示されていない実施形態によれば、セキュリティ装置の両方のＭＲＡＭセル間に抵抗差がないことが正常な状況を指示し、セキュリティ装置の両方のＭＲＡＭセル間の有意の抵抗差が、セキュリティ装置が外部磁場に暴露されたことを指示する。
【００３６】
このように、セキュリティ装置の両方の磁気素子の分極方向を決定することによって、ＭＲＡＭアレイに記憶されたデータの違法な消去または変更が試みられたかどうかを検出することができる。この外、意図的でない磁場への暴露を検出して、この暴露による誤動作を防ぐために本発明を使用することもできる。
【００３７】
本発明に基づく少なくとも１つのセキュリティ装置３０がその中に位置するＩＣは、動作中に、セキュリティ装置の磁気素子の分極方向、例えば抵抗を定期的にチェックすることができる。例えば、その構成に応じて２つのＭＲＡＭセルの抵抗差または同じ抵抗が測定されることで、セキュリティ装置の両方の磁気素子に関して分極方向が同じであることが検出され、したがって外部磁場に暴露されたことが検出されると、ＩＣは、その特定の応用にとって何が望ましいかに基づいて、全てのＭＲＡＭセルのデータを消去し、またはそれ自体をリセットし、またはその機能をブロックすることができる。
【００３８】
本発明の他の実施形態では、本発明に基づくいくつかのセキュリティ装置３０をアレイのＭＲＡＭセルの間に空間的に分布させる。実際には、セキュリティ装置３０が製造プロセス中の一度しか「安全」構成に設定されないことを保証できるかは明白でない。これは例えば、例えば検査の直後に、セキュリティ装置３０の磁気素子、例えばＭＲＡＭセル１０,１１の磁化方向を設定するためだけに使用され、ＭＲＡＭアレイのパッケージの外部に接続されていない第１の電流線１２への特殊なボンド・パッドを使用することによって達成することができる。これは、一度設定するとそれを永久に書込み禁止にする一種の書込みロック・フラグによって、達成することもできる。
【００３９】
本発明は、埋込み型または独立型のＭＲＡＭに容易に追加することができる、外部磁場への暴露を検出するためのハードウェア・セキュリティ装置を提供する。特に、例えばスマートカードなどのセキュリティが必要不可欠な応用、または例えばＳｏＣに埋め込まれたＭＲＡＭの中のオペレーション・システムのプログラム・コードなどデータの完全性がきわめて重要な応用では、本発明に基づくセキュリティ装置の使用が重要となる可能性がある。本発明はさらに、外部磁場、例えば永久磁石、またはスマートカードの磁気ストリップ用の書込み機器からの外部磁場への意図しない暴露の検出を提供する。通常の使用ではまれな大きな場への意図しない暴露を検出できるため、本発明はさらに、ＭＲＡＭ  ＩＣに非常に良好な磁気遮蔽を実装する必要性を低減させることができる。
【００４０】
本明細書では、本発明に基づく装置の好ましい実施形態、特定の構造および構成、ならびに材料を論じたが、本発明の範囲および趣旨から逸脱することなく形態および詳細のさまざまな変更または修正を実施できることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に基づくセキュリティ装置の一実施形態の概略側面図である。
【図２】図１のセキュリティ装置の概略上面図である。
【図１】
2006512779.tif 000003
【図２】
2006512779.tif 000004
【国際調査報告】
2006512779.tif 000005
2006512779.tif 000006