(57)【要約】半導体デバイスで使用のためのマイクロヒューズは、絶縁基板と、細長いメタルヒューズ部材とを備える。そのヒューズ部材は、基板のいずれかの一端で支持され、基板との接触部から吊された少なくとも１つの溶融領域を含み、そして、使用時、それを非導通にするために所定の電流がそれに印加されるように形成される。少なくとも１つのバリアが、ヒューズ部材の溶融領域と絶縁体との間に形成されてもよい。第１のヒューズ部材は、チタニウム、タングステン、タンタル、銅またはアルミのような酸化物から容易に形成される。ヒューズ部材は、二つ以上の溶融領域を持つようにしてもよい。接近した溶融領域間の領域は、メタルトラックで支持される。この場合、第１の部材は、１つ以上の中間層で基板上に支持されてもよい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスで使用のためのマイクロヒューズであり、
絶縁基板と、
細長いメタルヒューズ部材とを備え、
そのヒューズ部材は、いずれかの一端で基板上に支持され、基板との接触部から吊された少なくとも１つの溶融領域を含み、そして、使用時、それを非導通にするために所定の電流がそれに印加されるように形成されるマイクロヒューズ。
【請求項２】
少なくとも１つのバリアが、ヒューズ部材のヒューズと絶縁体との間に形成される請求項１記載のマイクロヒューズ。
【請求項３】
ヒューズ部材は、チタニウム、タングステン、タンタル、銅またはアルミなどの容易に酸化可能なメタルから形成される請求項１または２に記載のマイクロヒューズ。
【請求項４】
ヒューズ部材は、メタルのトラックにより支持された接近した溶融領域と共に二つ以上の溶融領域を有する請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロヒューズ。
【請求項５】
ヒューズ部材は、１つ以上の中間層を通じて基板上に支持される請求項４に記載のマイクロヒューズ。
【請求項６】
前記マイクロヒューズは、MEMSマイクロヒューズである請求項１〜５のいずれかに記載のマイクロヒューズ。
【請求項７】
ヒューズ部材を含む領域をカプセル化するためのカプセル化層を更に備える請求項１〜６のいずれかに記載のマイクロヒューズ。
【請求項８】
前記マイクロヒューズは、S形状に形成される請求項１〜７のいずれかに記載のマイクロヒューズ。
【請求項９】
前記マイクロヒューズは、U形状に形成される請求項１〜７のいずれかに記載のマイクロヒューズ。
【請求項１０】
前記マイクロヒューズは、L形状に形成される請求項１〜７のいずれかに記載のマイクロヒューズ。
【請求項１１】
半導体デバイスで使用のためのマイクロヒューズを製造する方法であり、
形状犠牲層を絶縁基板の表面に適用するステップと、
メタル層を、絶縁基板および犠牲層の表面に適用するステップと、および
犠牲層を除去するステップとを備え、
犠牲層が除去された時、基板との接触部から吊された溶融領域を与えるようにメタル層が形成されるように、その犠牲層が形成され、その溶融領域は、使用時に所定の電流を印加して、それを非導通とするように形成される、方法。
【請求項１２】
メタル層が溶融して生じたいずれかの蒸発メタルが、連続的な通路を形成しないように、基板の表面にバリア成分が適用される請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
メタル層は、物理的な蒸着堆積または、化学的な蒸着堆積により提供される請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
メタル層は、チタニウム、タングステン、タンタル、銅またはアルミのグループの１つ以上で形成される請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
マイクロヒューズ上にカプセル化する層を追加するステップを更に備える請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はマイクロヒューズに関し、特に半導体デバイスでの使用のためのMEMSマイクロヒューズに関する。
【背景技術】
【０００２】
導体マイクロプロセッサおよびメモリチップの製作の間、チップ上のどの能動素子が失敗したかを記録するのに使用されるワンタイムのプログラマブル不揮発性の構造の必要がある。チップは、失敗したデバイスを取り替えるために切り換えることができる予備デバイスを持つように設計される。この内蔵の冗長は、１ウエハースにつき、より高いチップ生産を許容する。テストの後に、ボード上の不揮発性のメモリ素子は、どのデバイスが失敗したか、そして、どれがそれらに取って代わって使用されているかを記録するのに使用される。
【０００３】
現在このデータを記録するのに使われている様々な不揮発性のデバイスがある。これらの構造は時おり修理ヒューズボックスと呼ばれる。いくつかの製作施設で、その情報は、EEPROMやFLASHメモリ素子などの電子的にプログラマブルの半導体デバイスに保存される。これらの不揮発性のデバイスは、チップの残りで、ランダムアクセスのメモリ(DRAM)またはマイクロプロセッサデバイスで使用されるもの(従って追加のために高価になる)と、異なった半導体プロセスを必要とする。これらの能動素子の代わりに、しばしば、より安いメタル線が使用されており、焦点を合わせられたレーザー光線かそれらの長さに沿って適用された大きい電流密度を適用することで吹き飛ばすことができる。そのレーザー技術は、テスト後の製作施設においてのみ実行することができる。それは、テスト後の別々のツールでレーザー切断に続くテストを伴う遅いプロセスである。そのテストは失敗した要素を特定し、そして、新しいデバイスを採用するためにヒューズが吹き飛ばされる。この後、ウエハーの切断しパッケージ化する間にチップに損傷をもたらすイオンおよび水を防止するための層で、その表面が不動態化される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
周囲のメタルが大きい電流を収容するために大きいエリアをカバーしなければならないので、高い電流密度を使用することで吹き飛ばされるヒューズは生産が困難である。これは、これらの構造のためのセルサイズの大きくする。メタルが吹き飛ばされると、それは、メタルのトラックが位置していた絶縁体上に再び堆積する。一般に、基板上のメタルのトラックに関しては、ワイヤーを破壊するためのしきい値は、詳細な粒状組織およびメタルの抵抗率に依存して、電流密度によって制御され、可変である。
【０００５】
他の技術は、２つのメタルの間に置かれた非常に薄い絶縁体から成る非ヒューズを採用する。大きい電場が絶縁体を横切って置かれると、それは、破壊してショートした経路を形成する。この技術に関する問題は、ショートしている経路がデバイスからデバイスまでの抵抗で大いに異なることである。これは、破壊が表面の荒さに依存する高い電場の領域で開始されるためである。
【０００６】
この特許の目的は、電気的にプログラムすることができて、プログラムするのがより早く、より少ない巻き添え被害で、より高い生産性のあるワンタイムのプログラマブルヒュージブル・リンクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明によると、半導体デバイスで使用のためのマイクロヒューズが提供され、そのマイクロヒューズは、
絶縁基板と、
細長いメタルヒューズ部材とを備え、
そのヒューズ部材は、いずれかの一端で基板上に支持され、基板との接触部から吊された少なくとも１つの溶融領域を含み、そして、使用時、それを非導通にするために所定の電流がそれに印加されるように形成される。
【０００８】
少なくとも１つのバリアは、ヒューズ部材のヒューズと絶縁体との間に形成される。
【０００９】
ヒューズ部材は、チタニウム、タングステン、タンタル、銅またはアルミなどの容易に酸化可能なメタルから形成されるかもしれない。
【００１０】
ヒューズ部材は、メタルトラック支持された接近した溶融領域と共に二つ以上の溶融領域を有する。この場合、ヒューズ部材は、１つ以上の中間層を通じて基板上にも支持されてもよい。ヒューズの製造の対応する方法も提供される。
【００１１】
この発明は、長さ方向で基板に接触しない、二重にクランプされたカンチレバー構造を組み立てることを含む。ワイヤーが基板に接触しないので、熱損失は、基板を通じたことによるよりも、むしろワイヤー長に沿った熱伝導による熱損失である。伝わる熱は、フリーに立っているワイヤーでの抵抗に関係する。逃げ去る熱はまた、電気抵抗率に対する熱伝導の関係であるWiedemann-Franzの法則による熱抵抗に関係する。格子振動またはフォノンによる熱損失は、電子の伝導による損失に比べて小さい。マイクロサイズまたはサブのマイクロサイズのワイヤーのために、放射による熱損失は小さい。私たちが様々な熱の損失機構に対するスケーリング法を考えて、これを、電流Iによる電気加熱に基づき、ワイヤーの径r、長さLおよび抵抗率Rへダンプされた熱と比較するなら、小さい要素dxに対し、伝わる熱は、I2R, または I2 ρdx/ πr2で与えられる。
【００１２】
ワイヤー端からの熱損失は、電子の熱伝導率Ｋeにより支配され、従って、ワイヤーの面積πr2および、ワイヤーに沿った熱勾配に比例する。表面積からの放射による熱損失は、２πr・dx・SBT4であり、SBは、Stephan定数である。熱平衡式は次で与えられる。
【００１３】
【数１】
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【００１４】
室温でメタルに対して上記が与えられると、Keは、Wiedemann Franzの法則による抵抗率に関係する。
Ke = LT/ ρ, ここで L は Lorenz 定数 (L = (πr2/3)(kB/e)2). KB は Boltzmann 定数、e は電子の電荷である。また、上記の微分方程式は、抵抗率の温度依存に対する基本的な式である。
【００１５】
そのような公式のスケーリングを考慮して、すべてのヒューズの寸法(半径、長さ)がスケーリングファクタFで低減されると仮定する。ヒューズでの与えられた温度変化dTに対して、熱伝導による熱損失は、スケーリングファクタで変化しないが、熱放射による熱損失は、ファクタFにより減少することがわかる。その結果、ヒューズの寸法がスケールダウンされた時、放射による熱損失は、熱伝導による熱損失に比較して無視できる。平衡式で熱放射の項を無視すると、ヒューズのすべての寸法がファクタFにより低減されるなら、ヒューズを溶かすのに必要な電流は、ファクタFにより同様に低減される。
【００１６】
単純な熱特性のため、ヒューズは、長さに沿って低下する、正確に決定された電圧で予想どおりに溶断するように設計できる。また、これは、ワイヤーの長さに沿ってよく定義された温度依存をもたらし、中央部分が最も熱い状態で、これはワイヤーのセンターでの温度の、より良い制御をもたらす。この結果は、フリーに自立する二重クランプされたキャンチレバーのセンターで制御可能な方法にて、非常に小さい領域を溶断できるということである。溶断する領域が小さいので、蒸発したメタルが溶断されたワイヤーでショートするか、または溶けた材料がチップ上の他の箇所に付着して損傷を与えるという確率が低くなる。２重のカンチレバーの中央部が溶けた時、二つの端部がフリーで自立して残る。このことは、破断したヒューズが、基板上で少しの蒸発したメタルを持つ、回りの絶縁体に接触しないことである。
【００１７】
デバイスを吹き飛ばすしきい値は、ワイヤーに沿った電圧降下(ワイヤの寸法と抵抗率との積)により与えられる。これらの値はよく制御されるので、スイッチするための電圧はうまく予測できる。ワイヤーの状態を読むために、ヒューズでの電圧降下を制限するデバイスでワイヤーに流れる電流が測定され得る。ワイヤーを吹き飛ばすために、デバイスを制限する電流が除去され、その結果、溶断のためのしきい値より大きい、ワイヤーでの降下電圧が得られる。ワイヤーは、その長さに沿って基板に結合されていないので、それは、極めて小さい比熱を持つので、それが溶融温度に達するまでの時間は極めて短い。
【００１８】
ヒューズからの蒸発メタルが、ワイヤーの二つの溶断端部の間で連続的な導電通路を形成しないことを確実にするため、溶断部間に、かつ、吹き飛ばされたヒューズの、基板に接触する、少なくとも一方端にバリアが備えられてもよい。
【００１９】
フリーに自立するヒューズ部材を有するこの発明は、溶融時に多の能動デバイスに損傷を与えることなく、その能動デバイスの回りに設置できる能力を持つ。ヒューズ部材が3000K以上で吹き飛んだ時、ヒューズ部材中央部の下側での温度は、50Kより高くはならない。更に、ヒューズ部材は、公知の構成ようも小さく、従って、ヒューズの溶断により少ない電流を要求し、その結果、接近する部品への損害を少なくし、スペースも低減する。このことは次に、公知のヒューズではそれらの特性により、多のメモリエリアから幾分、離す必要があった、ルート設計の問題およびタイミングの問題を低減する。低い電流の溶融の要求は、ヒューズが別のパワーパッドを必要とせず、従って、そのヒューズを採用したデバイスの部品の費用を更に低減する。この発明の実施例を、添付図面を算しようしてより詳しく述べる。
【発明の効果】
【００２０】
以下のすべての実施例では、製造の高度に制御された特質により、外部の信頼できる方法で溶融できる、半導体デバイスに対するマイクロヒューズを提供できる。また、それを囲む周囲を汚すことないヒューズ部材を提供し、従って、より信頼できるマイクロヒューズを提供し、一方で既知のマイクロヒューズよりコストが妥当である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、この発明のMEMSマイクロヒューズの例の組立技術を示す。備えられた基板１は、メモリ製品やマイクロコントローラのような完成した半導体デバイスを含むシリコンチップ上の絶縁体であってもよい。基板に備えられる犠牲の層２は、ガスプラズマエッチングを用いて、他の層を除去することなく、除去される。メタル導電層３が備えられる。この層３は、製造の煩雑さを軽減するために、通常、下方の横たわる半導体デバイスのメタル被膜の層の１つで用いられるメタルから形成される。この層３は、例えば、アルミ、アルミ銅、銅または窒化チタニウム、またはチタニウム、またはタングステン、またはタンタル、または窒化タンタルで形成される。その犠牲の層２は、窒化シリコン、スパッター形成のアモルファスシリコンまたは、ヒューズ層３の材料に比べて、選択的にエッチングされる異なる材料であってもよい。
【００２２】
図２は、犠牲の層２がエッチング除去された後のヒューズの図面を示す。図２からわかるように、絶縁基板１上に吊られた中央の溶融領域７が備えられ、かつ、基板１のいずれかの一端で支持される。上述したように、中央の溶融領域７が、外部から信頼でき、かつ予測できる方法で適した制御電流の印加で破壊されるように、中央の溶融領域７は、高い程度の精度で制御でき、かつ、採用される製造技術が与えられる寸法を有する。
【００２３】
図３は適した電場が印加された後の溶融したワイヤーを示す。この図から、層３の残りは基板１に接触していないことがわかる。
【００２４】
図４は、余分の層４が追加された、この発明による第２の例のMEMSマイクロヒューズを示す。この層４は、絶縁体が導体である。それは、層３が除去される時に除去されない。それは、ヒューズ３が溶断した時に発生するいずれかの蒸発メタルに対する照準線のバリアを与え、層３の一端から他端への連続的な通路が形成されることを防止する。
【００２５】
図５は、図４のデバイスにおいて、エッチングの間に犠牲の層が除去され、そして、溶融領域７を吹き飛ばした後を示す。この図面から、層４が基板上で、ヒューズの吹き飛びの間に発生した蒸発した材料５を遮断し、そして、吹き飛ばされたヒューズがショートするのを防止するためのバリアとして機能することがわかる。
【００２６】
この例では、犠牲の層２がヒューズに形状を与え、このことは、層４が層５から除去されても、メタル層３の領域７で蒸発したメタルが基板１に達することを防止するようなヒューズの形状にされ、この構成がこの発明に採用されることがわかる。
【００２７】
上述した双方の例では、ヒューズ材料が溶融するように加熱された時、蒸発したメタルが反応せず、その結果、蒸発する時に酸化物となるように、層３のヒューズメタルを選択することが可能である。アルミ、タングステン、チタン、窒化チタン、または銅のようなメタルは、空気中で蒸発するとすべて酸化物になる。これは、ヒューズが吹き飛ばされた後の残留物が絶縁体になり、そのため、ショートに関するいずれの問題も生じさせないことを意味する。
【００２８】
図６から８に示されたこの発明の別の例は、チップ上で占めるエリアを低減するために、垂直のヒューズ部を持つ。この例のヒューズは、チップ内の異なるレベルでメタルのトラックを接続する技術により、標準を置き換えることができる。そのような垂直な構成の組立を以下に述べる。この構成の層６は、基板１上の内部メタルの誘電体である。穴(ホール)８は、示された眺める方向に延在するトラック９上の中間層の誘電体６内に開口する。小さいビァホールは、犠牲の層２を介して、メタルトラック層９に向け、下へ開口される。その後、メタル層３は、穴８内に堆積される。側壁の覆いは、シャドウイング効果により減じられる。
【００２９】
図７は、図６の構造において、犠牲の層２が除去された後を示す。
【００３０】
図８は、図７の垂直ヒューズの溶断後を示す。エッチングされた穴の替わりに、メタルのトラック９に沿って走るエッチングされた溝が生成されるなら、トラック９は、二つのヒューズを提供できる。この場合、トラック９と層３の左ハンド側との間に電位差を印加し、一方、層３の模擬ハンド部をトラック９と同じ電圧に維持することにより、別々に吹き飛ばすことができる。
【００３１】
エッチングされる犠牲の層２の側の上に連続したメタルの覆いを得るために、側壁がアンダーカットされるか、垂直にカットされないことが重要である。トップのメタル層３の堆積の前に、穴８の側壁上に窒化チタンのようなメタルで、選択的に、プラズマエンハンストCVDが使用されてもよい。この技術は垂直の側壁に良好に順応した覆いを与える。
【００３２】
第４の例では、高温で酸化するメタル層３からヒューズを製作できる。そのメタルは、例えば、チタン、タンタル、タングステン、銅、またはアルミであってもよい。つぎに、溶融部７に電流が通過した時、空気内での酸化のためにしきい値温度以上に過熱される。上昇した温度で、メタルは、酸化が開始される。メタル層３を十分に薄く設計することにより、トップ、底および側部の上の酸化表面の成長は、いかなる導電性の材料も残らないようにされる。この技術の利点は、カンチレバーの二つの端部間のショートを発生する材料の蒸発を皆無にすることである。
【００３３】
図９は、空気中でメタル３の長さに対して電圧を印加することにより過熱された後の溶融領域７の例を示す。最も高温部(中央部)は、酸化のためにしきい値温度を超える温度(例えば窒化チタンでは３５０°)に到達する。この高温部は酸化し、メタルから絶縁物に変化する。
【００３４】
図１０は、平面設計を示すこの発明の例を示す。この設計は、二つのビームベースのショートを排除する利点を持つ。メタル層３は、二つの平行なビームからなり、かつ、その二つのバーよりかなり狭い第３のビームによって相互に接続される。このヒューズが吹き飛ばされた時、狭い接続用のビームおよびこれらのビームの構成は、蒸発したメタルが幅の広いビームのベースに達しないことを確実にする。これは、次に、吹き飛ばされたヒューズが偶然的にショートした回路を形成しないことを確実にする。
【００３５】
図１１ａから１１ｆは、この発明によるMEMSマイクロヒューズでの種々の組立段階を示す。図１１ａは、標準の２重のダマスコ細工の処理により、最後のメタル層まで処理されたCMOSウエハーを示す。これは、通常、窒化チタンのヒューズでの犠牲の層として用いられる窒化シリコン層でキャップされる。その層の厚さは、ヒューズでの適したギャップを提供するために調整されてもよい。第１のマスク処理の間、窒化チタンの層は、堆積され、そして所望のパターンにエッチングされる。ヒューズを形成する窒化チタンの層は、銅からそれをエッチングすることができないので銅の上に残される。プロセスの次のステージは、ヒューズ上の窒化シリコン犠牲層の堆積とパターン処理を含む。酸化物層に穴をあけるために、次に第２のマスク処理がなされる。これは図１１ｄに示され、結果、ヒューズは図１１ａに示されるように、リリースされる準備が整う。このエッチングは、ヒューズの上下にある両方の窒化シリコンを除去し、その結果、各々の端部で、チップの残りの箇所に物理的に接触する。最後に、不動態層２１が低圧で、シリコン酸化物内の穴の上に満たされる(図１１ｆ)。このエッチングは、ヒューズ上下の両方の窒化シリコンを除去し、その結果、各々の端部で、チップの残りの箇所にのみ物理的に接触する。最後に、不動態層２１が低圧で、シリコン酸化物内の穴の上に満たされる(図１１ｆ)。これは、ヒューズが制御された雰囲気中内でかつ低圧でハウジングされることを確実にする。また、それは、フリーに自立するヒューズに損傷を与えることなく、ウエハーがカットされ、パッケージされることを確実にする。これは、ヒューズが吹き飛ばされた時、ガス分子の対流による熱損失は、ヒューズに沿った熱伝導による熱損失に比べて小さくなることを確実にする。最後に、結合パッドを開け、そして堆積し、パターン化するマスクステップがある。
【００３６】
電流の通過により、最高温度は、フリーに自立するヒューズ素子の中央で記録され、その結果、コンタクトを溶融し破断する。もし、フリーに自立するヒューズ素子が、上に横たわるカプセル化した層から十分に隔てられていないなら、溶融前にそこからの熱拡散が起こり、そして、十分に面で変形し、その結果、面から変形し、結果的に、上によこたわるカプセル層か、下に横たわる基板に接触する。それ故、フリーに自立するヒューズの空洞のハウジングのサイズは増し、ヒューズの吹き飛ばしの前にある程度の変形を許容する。ヒューズ素子の上下のスペースが大きければ、犠牲の層の除去後、吹き飛ぶ前にいくらかの変形を許可する。この増大したスペースは、以下述べるように、組立ステージの間にヒューズ素子を積層する、より厚い犠牲の層を用いることより達成できる。
【００３７】
ヒューズ要素の変形が、いずれかの横たわる不動態および／またはカプセル化の層または下に横たわる基板の層のような隣接の層に不適切に接触することに十分とならないように、そのような熱拡散の応力を制御することは重要である。フリーな自立を持つことで、形成された構造は、熱変形を平面内でおよび平面外で制御することを可能にする。
【００３８】
この発明の細長いヒューズは、S形状のヒューズおよびU形状のヒューズを含む種々のフリーな自立構造を包含する。先に述べた直線のヒューズ構造と異なるマイクロヒューズの構造は、それらの熱・機械的な挙動を制御することを提供する。異なるヒューズ構造が、ヒューズを形成する構造の層の上下の材質に不都合に接触する結果となる、平面変形に抵抗できるように決定される。
【００３９】
図１２は、１１および１２でクランプされたフリーに自立するS形状のヒューズ１０の概略を示す。この例では、ヒューズ素子を吹き飛ばすのに十分な桁の電圧の印加で誘起された平面内の応力であることが決定される。S形状のヒューズ素子は、中央のリンク１３に沿って溶融する。このS形状の設計は、電流が使用時にヒューズに流れる時、ヒューズの熱特性を調節する。
【００４０】
図１３を参照すると、この実施例では、１５および１６でクランプされたフリーに自立するU形状ヒューズ１４は、電流が超過した時、熱強度が最大である長さ１７に沿って溶融する。
【００４１】
図１４を参照すると、更に別の実施例では、ヒューズ素子１８は、１９、２０でクランプされ、ヒューズが中央で吹き飛ぶようにL形状である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】マイクロヒューズの製造方法を含むこの発明による第１の実施例を示す。
【図２】マイクロヒューズの製造方法を含むこの発明による第１の実施例を示す。
【図３】マイクロヒューズの製造方法を含むこの発明による第１の実施例を示す。
【図４】この発明のマイクロヒューズの製造時における第２の実施例を示す。
【図５】この発明のマイクロヒューズの吹き飛ばし後の第２の実施例を示す。
【図６】この発明のマイクロヒューズの製造時における別の実施例を示す。
【図７】この発明のマイクロヒューズの吹き飛ばし前における別の実施例を示す。
【図８】この発明のマイクロヒューズの吹き飛ばし後における別の実施例を示す。
【図９】この発明の酸化メタルを採用した別の実施例を示す。
【図１０】この発明の平面設計を採用した別の実施例を示す。
【図１１ａ】この発明のマイクロヒューズの組立時の種々のステップを示す。
【図１１ｂ】この発明のマイクロヒューズの組立時の種々のステップを示す。
【図１１ｃ】この発明のマイクロヒューズの組立時の種々のステップを示す。
【図１１ｄ】この発明のマイクロヒューズの組立時の種々のステップを示す。
【図１１ｅ】この発明のマイクロヒューズの組立時の種々のステップを示す。
【図１１ｆ】この発明のマイクロヒューズの組立時の種々のステップを示す。
【図１２】この発明によるＳ形状のマイクロヒューズを示す。
【図１３】この発明によるＵ形状のマイクロヒューズを示す。
【図１４】この発明によるＬ形状のマイクロヒューズを示す。
【符号の説明】
【００４３】
１：基板
２：犠牲の層
３：ヒューズ層
４：余分の層
７：溶融領域
８：穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006514786.tif 000012
【図１０】
2006514786.tif 000013
【図１１ａ】
2006514786.tif 000014
【図１１ｂ】
2006514786.tif 000015
【図１１ｃ】
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【図１１ｄ】
2006514786.tif 000017
【図１１ｅ】
2006514786.tif 000018
2006514786.tif 000019
【図１２】
2006514786.tif 000020
【図１３】
2006514786.tif 000021
【図１４】
2006514786.tif 000022
【国際調査報告】
2006514786.tif 000023
2006514786.tif 000024
2006514786.tif 000025