(57)【要約】【課題】【解決手段】ビューウィングウィンドのクリーニング用装置とビューウィングウィンドと取り付け具とを有するプロセスチャンバのためのビューウィングポートが、与えられている。ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、この取り付け具に結合され、このビューウィングウィンドと上記プロセスチャンバのあいだに位置されており、この取り付け具のクリーニング用のプラズマ領域にクリーニング用のプラズマを形成するように構成されている。さらに、この取り付け具は、副生成物が、ウィンドに向かうのを妨げることによって、プロセスチャンバからのビューウィングウィンドの表面の副生成物の量を、減少させるように構成されている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバへの光学的なアクセスを可能とするビューイングウィンドと、
このビューイングウィンドを前記プロセスチャンバに結合する取り付け具と、
この取り付け具に結合され、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバとの間に位置され、前記取り付け具のクリーニング用プラズマ領域にクリーニング用プラズマを形成するビューウィングウィンドのクリーニング用装置とを具備するビューウィングポート。
【請求項２】
前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、ＲＦ発生源とプラズマ源とを有する請求項１のビューウィングポート。
【請求項３】
前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、さらにインピーダンス整合集合体とプラズマ発生装置とを有する請求項２のビューウィングポート。
【請求項４】
前記プラズマ発生装置は、誘導コイルを有する請求項３のビューウィングポート。
【請求項５】
前記取り付け具に、結合された少なくとも１つの磁石アレイをさらに具備する請求項１の取り付け具。
【請求項６】
前記アレイの磁石の少なくとも１つは、永久磁石である請求項５の取り付け具。
【請求項７】
前記アレイの磁石の少なくとも１つは、電磁石である請求項５の取り付け具。
【請求項８】
前記クリーニング用プラズマ領域に結合されたガス注入機構をさらに具備する請求項１の取り付け具。
【請求項９】
前記クリーニング用プラズマは、物理的なエッチングによって、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物をエッチングする請求項８の取り付け具。
【請求項１０】
前記ガス注入機構は、アルゴンとクリプトンとキセノンとのうち少なくとも１つを供給する請求項９の取り付け具。
【請求項１１】
前記クリーニング用プラズマは、化学的なエッチングによって、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物をエッチングする請求項８の取り付け具。
【請求項１２】
前記ガス注入機構は、ＮＦ３とＣＦ４とＳＦ６とＣ２Ｆ６とＣＣｌ４とＣ２Ｃｌ６とのうち少なくとも１つを供給する請求項１１の取り付け具。
【請求項１３】
前記クリーニング用プラズマは、物理的かつ化学的なエッチングによって、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物をエッチングする請求項８の取り付け具。
【請求項１４】
前記ガス注入機構は、アルゴンとクリプトンとキセノンとの少なくとも１つと、ＮＦ３とＣＦ３とＳＦ６とＣ２Ｆ９とＣＣｌ４とＣ２Ｃｌ６との少なくとも１つを供給する請求項１３の取り付け具。
【請求項１５】
前記プロセスチャンバの位置に対して、前記ビューウィングウィンドを所定の位置に配設するように形作られた、ビューウィングウィンドの支持部を具備する請求項１の取り付け具。
【請求項１６】
前記所定の位置は、実質的な量の副生成物が前記ビューウィングウィンドに到達しないように選ばれている請求項１５の取り付け具。
【請求項１７】
前記クリーニング用プラズマ領域に副生成物の向かう方向と実質的に対向する圧力が発生されるように、前記ガス注入機構は、前記クリーニング用プラズマ領域にガスを流し込むように形作られた請求項８の取り付け具。
【請求項１８】
前記取り付け具に、結合された少なくとも１つの磁石アレイをさらに具備する請求項８の取り付け具。
【請求項１９】
前記アレイの磁石の少なくとも１つは、永久磁石である請求項１８の取り付け具。
【請求項２０】
前記アレイの磁石の少なくとも１つは、電磁石である請求項１８の取り付け具。
【請求項２１】
プロセスチャンバに結合されたビューウィングポートを具備し、
このビューウィングポートは、
前記プロセスチャンバへの光学的なアクセスを可能にするビューウィングウィンドと、
このビューイングウィンドを前記プロセスチャンバに結合する取り付け具と、
この取り付け具に結合され、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバの間に位置され、前記取り付け具のクリーニング用プラズマ領域にクリーニング用プラズマを形成するように形作られたビューウィングウィンドのクリーニング用装置とを有することを特徴とするプロセスチャンバ。
【請求項２２】
前記取り付け具は、前記クリーニング用プラズマ領域に接続されたガス注入機構をさらに有する請求項２１のプロセスチャンバ。
【請求項２３】
前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、ＲＦ発生源を有する請求項２１のプロセスチャンバ。
【請求項２４】
前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、プラズマ発生装置を具備する請求項２１のプロセスチャンバ。
【請求項２５】
前記取り付け具は、前記取り付け具に接続された少なくとも１つの磁石アレイをさらに具備する請求項２１のプロセスチャンバ。
【請求項２６】
前記アレイの磁石の少なくとも１つは、永久磁石である請求項２５のプロセスチャンバ。
【請求項２７】
前記アレイの磁石の少なくとも１つは、電磁石である請求項２５のプロセスチャンバ。
【請求項２８】
ビューウィングウィンドとプロセスチャンバの間に位置され、クリーニング用プラズマを形成するように形作られた、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置を与えることと、
前記ビューウィングウィンドのクリーニングを容易にするように、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバとの間の領域に前記クリーニング用プラズマを形成することとを具備するプロセスチャンバのためのビューウィングウィンドをクリーニングする方法。
【請求項２９】
前記プラズマチャンバと前記ビューウィングウィンドの間の領域横断電子輸送を妨げる磁場を発生させることをさらに具備する請求項２８の方法。
【請求項３０】
前記プロセスチャンバからの副生成物の向かう方向に実質的に対向する圧力が、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバとの間の領域に発生されるようにガスを供給することをさらに具備する請求項２８の方法。
【請求項３１】
前記プロセスチャンバの位置に対して、実質的な量の副生成物が、前記ビューウィングウィンドに到達しないように選ばれた所定の位置に、前記ビューウィングウィンドを配設することをさらに具備する請求項２８の方法。
【請求項３２】
前記クリーニング用プラズマは、ＲＦ発生源とプラズマ発生装置とを用いて形成される請求項２８の方法。
【請求項３３】
前記クリーニング用プラズマは、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物を、アルゴンとクリプトンとキセノンとＮＦ３とＣＦ４とＳＦ６とＣ２Ｆ６とＣＣｌ４とＣ２Ｃｌ６とのうち少なくとも１つを用いてエッチングする請求項２８の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、（１）蓄積した副生成物をビューウィングウィンドから取り除くか、または（２）このビューウィングウィンドに副生成物が蓄積することを妨げるか、（３）その両方かによりこのビューウィングウィンドの清浄を維持するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この出願は、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、２００１年３月２３日に出願された米国出願番号Ｎｏ．６０／２７７，９６５と、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、２００１年３月２３日に出願された米国出願番号Ｎｏ．６０／２７７，９６６とに基づく優先権を主張する２００２年３月２５日に出願された出願中の国際出願Ｎｏ．ＰＣＴ／ＵＳ０２／２２０８０に関連する２００２年９月１９日に出願された米国仮出願番号Ｎｏ．６０／４１１,７６０に関連し、これに基づいて優先権を主張している。これら全ての出願の全体の内容は、ここでは参照により組みいれられる。
【０００３】
半導体装置の製作と製造において、プラズマプロセシングの使用は、この装置の生成の間に必要な多くのエッチングと蒸着の工程を容易にするために、ひろく受け入れられている慣行である。例えば、シリコンに基づいた半導体装置を製作するための回路基板を与えるシリコンウェーハは、プラズマプロセス用チャンバに導入され、さまざまな工程中にプロセス用プラズマにさらされる。この工程では、材料は、この基板の選択的な領域から取り除かれる（エッチング）か、加えられる（蒸着）。
【０００４】
光プラズマ検出は、プラズマプロセスの特徴づけやプロセスの終点検出などのために、プラズマプロセシングにおいて頻繁に用いられている。このような検出は、関心のある光波長に対して十分に透明で、信頼性のある真空シールを与えるウィンドを通して、このプラズマプロセシングの領域への光学的なアクセスを必要とする。ほとんどの光検出法は、スキャニングモノクロメータや分光器や同様の装置を用いて、スペクトルの全体を得ることを必要とする。これらの場合、このウィンドは、関心のあるスペクトル領域の全体にわたって高い透明性を維持していることが重要である。
【０００５】
プラズマプロセスの光検出において最も頻繁に出会う問題の一つは、前記光学検出ウィンドすなわち観測ビューウィングポートへのフィルムの蒸着である。この観測ビューウィングポートは、前記プロセス用プラズマと一つの側面で接触し、典型的なプラズマのエッチングと蒸着の化学作用において、このビューウィングポートにおける局所的なプラズマの状態は、吸収したこのプロセス用プラズマ中に存在する化学種から成るフィルムの形成を引き起こす。ウェーハプロセシングの間、このフィルムは、このビューウィングポートで成長し、得られた光学シグナルの漸進的な劣化に導く。この劣化は、同じ状態下でなされた光学シグナルの測定の非再現性を導く。この光学シグナルの非再現性は、光学検出センサーからのインプットに反応を基づかせているプロセシングツールの制御機構に影響を与えうる。
【０００６】
要約すると、用いられる特定の光学方法に関係なく、図１に示されているビューイングポートのような、前記チャンバの壁における観測ビューイングポートは、比較的清浄に保たれなければいけない。もしそうでなければ、観測もしくは実験によって集められたデータは、不正確になりうる。（図１は、標準的なＩＳＯ−ＫＦハードウェア（hardware）３００ａによってプラズマチャンバ２００ａに取り付けられた一つのそのようなビューイングウィンド４００ａを図示している。）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このために、このビューウィングポートから、蓄積すなわち堆積した物質を取り除いて、きれいにすることが、必要である。以前は、これは、このビューイングポートを取り外し、手でこれのガラスをクリーニングすることを意味した。しかしながら、この仕事を実行するために必要な時間と労働とのために、ビューイングポートをこのようにクリーニングすることは、高くつく問題であった。
【０００８】
本発明は、このビューイングウィンドを取り外す費用と労働とを増やすことなく、好ましくは、プロセスチャンバのビューウィングウィンドをクリーニングする装置と方法とを提供する。この結果、前記プロセスチャンバを観測することにより得られたデータは、正確である。このように、本発明は、このウィンドを取り外す必要なく、このウィンドをクリーニングする装置と方法とを記述する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様に係われば、副生成物（もしくは他の物質）は、プロセスチャンバのビューイングウィンドから物理的もしくは化学的なエッチングにより除去される。好ましくは、二次的なプラズマ源は、ビューイングウィンドに隣接して取り付けられている。この二次的なプラズマ源により生成されたプラズマは、このビューイングウィンドに蓄積した副生成物をエッチングする。
【００１０】
第2の実施の態様に係われば、好ましくは、プロセスチャンバに取り付けられているビューウィングウィンドの清浄さは、そもそもこのビューウィングウィンドに蓄積する副生成物の量を減少させることにより維持されている。
【００１１】
好ましくは、このビューイングウィンドは、前記プロセスチャンバに対して、このビューイングウィンドに向かう副生成物の量が実質的に減少されるように、所定の位置もしくは場所に支持されている。
【００１２】
このうえ、さらに他の態様においては、複数の磁石が、前記プロセスチャンバから前記ビューウィングウィンドへの副生成物の蓄積を減少させている。これらの磁石は、このビューウィングウィンドに到達する前記プロセスチャンバの副生成物の量を減少させる磁場を生成している。さらに他の実施の態様においては、ガス注入機構が、前記ビューウィングウィンドの近くの前記プロセスチャンバの部分に圧力をかけることによって、このプロセスチャンバからこのビューウィングウィンドへの副生成物の蓄積を減少させている。
【００１３】
上記の態様のいずれの組み合わせも、前記ビューウィングウィンドから副生成物を除去することか、このビューウィングウィンドへの副生成物の蓄積を減少させることの一方に用いられることができる。
【００１４】
本発明のより完全な評価と付随する長所の多くとは、以下の詳細な説明を参照して、特に添付されている図面に関連して考察されると、容易に明らかになるだろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
ここで、同じ参照符号が、いくつかの図を通して同一か対応する部材を指定している図面を参照すると、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、（１）ビューウィングウィンドに蓄積した、プロセスチャンバからの副生成物を除去するための装置か、（２）ビューウィングウィンドに向かう粒子の数を減少させる装置か、（３）これらの両方から構成されることができる。
【００１６】
本発明は、既知のプラズマチャンバのビューウィングウィンドの困難を扱うための装置と方法を提供する。本発明に係われば、図２を参照すると、このプロセスチャンバ２００は、内部にプラズマが生成されることができる大きなチャンバである。このプロセスチャンバ２００は、プロセスチャンバへの光学的なアクセスを可能とするビューウィングウィンド４００と、ビューウィングポートを前記プロセスチャンバに結合する取り付け具３００と、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００とを、有するビューウィングポート１０を、有している。さらに、この取り付け具３００は、ビューウィングウィンド４００を前記プロセスチャンバ２００から分離している。例えば、この取り付け具３００は、標準的なＩＳＯ−ＫＦハードウェア（hardware）３０１と互換性を持つように構成されることができる。この取り付け具は、また、取り付け具の様々な部分を互いに確実にすると共に、この取り付け具を所望の長さに延長することを可能にする接続部材３０２を有することができる。前記ビューウィングウィンド４００とこの取り付け具３００とは、前記チャンバ２００の中のプロセスが監視されることを可能にする、このプロセスチャンバ２００の内部への視野を提供する。
【００１７】
第１の実施の形態に係われば、プロセスチャンバ２００の副生成物は、ビューウィングウィンド４００から除去される。ビューウィングウィンドのクリーニング用の装置１００は、好ましくは、プロセスチャンバ２００の外部で、ビューウィングウィンド４００に隣接させて、取り付け具３００に位置されている。第１のインターフェース部分３０５は、前記取り付け具３００と前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００との接続点に位置され、前記プロセスチャンバ２００に面している。第２のインターフェース部分３１０は、前記第１のインターフェース部分３０５の反対側に位置され、前記ビューウィングウィンド４００に面している。前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００により生成されたプラズマは、前記プロセスチャンバ２００から移動してきた副生成物を前記ビューウィンド４００から除去する。除去を達成するため、前記ビューウィングウィンドのクリーニング装置１００により生成された前記プラズマが、前記ビューウィングウィンドの副生成物を除去するように、前記インターフェース部分３１０は、前記ビューウィングウィンド４００を十分近くに位置させている。除去のプロセスは、物理的もしくは化学的なエッチングプロセスか、物理的なエッチングと化学的なエッチングプロセスの結合である。
【００１８】
図３Ａと３Ｂを参照すると、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００は、外側のハウジング１３０とプラズマ源１４０との少なくとも２つの構成要素を有している。このハウジング１３０は、このプラズマ源１４０にエネルギーを与えるために用いられているＲＦエネルギーの遮断に加えて、このプラズマ源１４０のための構造の支持を提供している。
【００１９】
このハウジングは、また前記接続部材３０２を有している。この接続部材３０２は、前記取り付け具の部材３００との耐真空接続（vacuum-tight connection）を提供し、前記取り付け具３００のビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００のための支持を提供し、前記様々な部分の必要なメインテナンスを可能にしている。
【００２０】
前記プラズマ源１４０は、さらにインピーダンス整合集合体１４１とプラズマ発生装置１５０とを有する。このインピーダンス整合集合体１４１は、前記プラズマ発生機構の中に内在する固有の反射インピーダンス成分（reactive impedance component）に抗するために、インピーダンス整合を与えることにより、前記プラズマ発生装置１５０を通してＲＦ発生源１３８からクリーニング用プラズマ領域１５５の中の前記プラズマへの電力の移動を最大にしている。典型的には、前記インピーダンス整合集合体１４１の中の、真空可変コンデンサ（vacuum variable capacitor）のような、調整可能な構成部品は、供給（forward）と反射(reflected)のＲＦ電力の測定を与えられた自動制御機構（図示されていない）により、操作されている。プラズマ発生のためのインピーダンス整合回路のデザインと自動並びに手動両方の使用とは、ＲＦ機構とプラズマ源とのデザインの当業者によく知られている。本発明によれば、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００の中で使用できる小さな空間で実行する、既知の整合集合体の構成要素が採用されている。例えば、前記プラズマ源１４０のデザインの詳細は、ここでは参照により全体として組みいれられる、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、２００１年３月２３日に出願された米国出願番号Ｎｏ．６０／２７７，９６５と、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、２００１年３月２３日に出願された米国出願番号Ｎｏ．６０／２７７，９６６とに基づいた優先権を主張している２００２年３月２５日に出願された出願中の国際出願Ｎｏ．ＰＣＴ／ＵＳ０２／２２０８０に、コンパクトな誘導的に結合したプラズマ源のために、与えられている。
【００２１】
特に、例えば、前記インピーダンス整合集合体１４１は、前記ＲＦ源１３８の出力に結合された入力端並びに誘導コイル１５１の第１の端子１４３に結合された出力端を有する第１の可変コンデンサ１４２と、前記誘導コイルの前記第１の端子に結合された第１の端子並びにこの誘導コイル１５１の第２の端子１４５に結合された第２の端子を有する第２の可変コンデンサ１４４とを有することができる。そして、前記誘導コイル１５１の前記第２の端子と前記可変コンデンサ１４４の第２の端子は、アースに結合されている。例えば、可変コンデンサ１４２と可変コンデンサ１４４は、１つかそれ以上の固定コンデンサであることができる。
【００２２】
前記プラズマ発生装置１５０は、インピーダンス整合集合体１４１に結合され、プロセスチューブ１５２を囲むように位置された前記誘導コイル１５１を有することができる。代わって、別のインピーダンス整合集合体の配置が、用いられることができる。ウェーハプロセシングの工程中か、ウェーハプロセシングの工程どうしの間の時間に、前記プロセスチャンバ２００の中でプロセス用プラズマを形成するために用いられるガス注入機構から、前記クリーニング用のプラズマ領域１５５に、イオン化可能なガスが供給されることができる。この代わりに、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００か、前記取り付け具の部材３００に結合された２次的なガス注入機構が、イオン化可能なガス並びに／または、解離ガス（dissociative gas）を前記クリーニング用のプラズマ領域１５５に、局所的に注入するために用いられている。例えば、前記ビューウィングウィンドのクリーニング（エッチング）プロセスが、望ましくは、物理的なプロセスなら、アルゴン、クリプトン、キセノンなどのような重い不活性ガスが用いられることができる。逆に、前記ビューウィングウィンドのクリーニング（エッチング）プロセスが、望ましくは、化学的な過程なら、ＮＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、ＣＣｌ４、Ｃ２Ｃｌ６のような反応性のガスが供給されることができる。前記ビューウィングウィンドのクリーニング（エッチング）プロセスが、物理的な過程と化学的な過程の両方を有するときは、重いガスと反応性のガスの組み合わせが用いられることができる。
【００２３】
この代わりに、注入されたガスが通ってプラズマ形成領域に移動するような、真空シール可能な（vacuum sealable）ガス注入孔（図示されていない）が前記プロセスチューブにそって配設されることができる。前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００が、作動されている時、ＲＦ電力は、前記誘導コイル１５１を用いて、前記インピーダンス整合集合体１４１を通して、前期ＲＦ源１３８から前記クリーニング用プラズマ領域１５５に結合される。この結合したＲＦ場は、前記注入されたガスの存在下で、前記ビューウィングウィンドをクリーニングするために用いられるプラズマを発生している。
【００２４】
好ましくは、排気ガスは、前記クリーニング用プラズマ領域から前記プラズマチャンバ（図示されていない）内へポンプで出されているか、ポンプで直接前記プラズマ源（図示されていない）の外に出されている。この排気ガスが、このプロセスチャンバを通して排出される時、すでに所定の位置にあるプロセスチャンバのポンプ機構が、用いられることができる。この排気ガスが、前記クリーニング用のプラズマ領域から直接排出される時は、２次的なポンプ機構（図示されていない）が設置されているか、クリーニング用のガスを前記プロセスチャンバに入れることなく、直接前記プロセスチャンバのポンプ機構の引入れ口に排出するために、２次的な真空線（vacuum line）（図示されていない）が設置されている。例えば、真空ポンプ機構が、側部から前記プロセスチャンバ２００にアクセスしている場合、前記取り付け具３００は、このプロセスチャンバ２００の、実質的にこのプロセスチャンバ２００を前記ポンプ機構の引入れ口に接続するポンプの排出口の近傍に位置されることができ、真空線は、この取り付け具３００の内部を直接このポンプの排出口に結合し、これにより、前記プロセスチャンバ２００の内部を迂回するようにされることができる。
【００２５】
前記ビューウィングウィンドのクリーニング装置１００の排気の間、排出ガスが、効率的に前記プロセスチャンバの中にポンプで出されるために、前記プラズマ源をこのプロセスチャンバから分離するゲートバルブ（図示されていない）も、用いられてよい。このようなバルブは、このプロセスチャンバから前記取り付け具への排気をさせることなく、排気ガスが、ポンプでこのプラズマ源とこの取り付け具とからこのプロセスチャンバの中へ出されることを確実にするだろう。
【００２６】
第２の実施の形態では、前記ビューウィングウィンドへ拡散する、プロセスチャンバからの副生成物の量が減少される一方で、上記のビューウィングウィンドのクリーニング装置を与えている。  輸送の減少は、以下に記されたような様々な態様を用いることにより確立されている。これらの態様は、前記ビューウィングウィンドを前記プロセスチャンバに対してこのビューウィングウィンドに到達する副生成物の量が、減らされるように位置付けることと、領域横断（cross-field）の電子輸送を減らすために磁石を用いることと、前記プロセスチャンバから入ってくる物質に対して逆向きの圧力勾配を達成するために前記取り付け具３００への加圧を用いることとのいずれか１つまたはこれらの組み合わせを有するが、これらに限られない。
【００２７】
この第２の実施の形態の、第１の態様は、図４を参照して記述されている。ビューウィングウィンド４００は、取り付け具３００によってプロセスチャンバ２００に、このプロセスチャンバの所定の位置に取り付けられている。例えば、この位置は、上記取り付け具を通しての反応副生成物の輸送が減少される位置を示す実験的なデータを基礎として決められることができる。さらに、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００は、前記ビューウィングウィンド４００に蓄積する反応副生成物の量が、実質的に減少されるように、前記プロセスチャンバから十分遠くに位置されることができる。さらに、図４に示されている角度αは、前記ビューウィングウィンド４００と前記プロセスチャンバ２００との間で一直線に並ぶの（a direct line-of-site）を避けることによる、反応副生成物のこのビューウィングウィンド４００への輸送の減少を示す実験データを基礎にして、選ばれることができる。
【００２８】
それにもかかわらず、前記ビューウィングウィンドから、プラズマ状態の測定がなされる前記プロセスチャンバの内部の領域へ、一直線に並ぶこと（clear-line-of sight）を避けるように、この角度αは、そんなに大きくてはいけない。
【００２９】
図４の態様に加えて、前記取り付け具３００は、図５Ａと５Ｂに示されているように、磁石を有するように変更されることができる。図５Ａと５Ｂでは、前記プラズマチャンバ２００と前記ビューウィングウィンド４００との間の領域横断（cross-field）電子輸送を妨げる磁場を生成するように、複数の磁石１６０Ａから１６０Ｇが、配設されている。好ましくは、これらの磁石１６０Ａから１６０Ｇは、前記取り付け具３００の、内側の表面に配設されている。結果として、これらは、実質的に前記取り付け具３００にわたってのびる磁場を生成し、前記プロセスチャンバ２００の中のプロセス用プラズマと、前記ビューウィングウィンドのクリーニング装置１００の中のクリーニング用プラズマとのいずれかによって生成された電子の領域横断（cross-field）輸送を妨げるのに十分な場の強さを構成している。例えば、この磁場の強さは、望ましくは、少なくとも２００ガウスである。領域横断電子輸送の減少は、前記プロセス用のプラズマの前記クリーニング用のプラズマからの分離、プロセスの化学反応とクリーニングの化学反応の分離といったいくつかの利点がある。このような磁石は、必要に応じてコントロールされることのできる永久磁石か電磁石であることができる（すなわち、この磁場の強度は、電磁石への信号のレベルをコントロールすることにより、変えられることができる）。
【００３０】
これらの磁石１６０Ａから１６０Ｇの極性は、カスプの場を形成するように配設されることができる（すなわち、これらの磁石のそれぞれの極性は、同じである。例えば、Ｎ極が内側に向けられている）。この代わりに、近接する磁石の極性を交替されることができる。この代わりに、少なくとも１つの磁石の極性が、この残りの磁石と違っている。
【００３１】
図６を参照すると、前記取り付け具の内部に圧力を発生させて、前記ビューウィングウィンドに拡散する、前記取り付け具３００に入る反応副生成物の量を減少させるように、ガス注入機構１７０が、前記取り付け具３００の内側に設置されている。導管１７２は、ガス供給機構（図示されていない）を前記取り付け具３００の引込み口か引込み口のアレイに結合している。このガス供給機構（図示されていない）は、接続器（connector）１７４によって前記ガス注入機構１７０に結合されることができる。この接続器１７４は、例えば、ＶＣＲフィティング（VCR fitting）か、スワジロックフィティング（Swagelock fitting）であることができる。前記ガス供給機構（図示されていない）は、前記導管１７２を通して、前記引込み口１７１を通して、前記取り付け具３００の中に、不活性のガス（すなわち希ガス、窒素などのようなガス）を供給している。この取り付け具３００の内側には、圧力勾配が、確立されているので、前記ビューウィングウィンド４００に形成する反応副生成物の量は、実質的に減少される。
【００３２】
この代わりに、前記取り付け具３００の中の、流れを制限する装置（flow restrictor device）が、低いガス流量率（gas flow rate）において、圧力勾配の形成を容易にするために用いられることができる。この代わりに、ウィンドのクリーニングプロセスの間に、前記ガス注入機構を通して反応性のガスが注入される。この代わりに、このガスは、注入されて前記ビューウィングウィンドの表面に衝突するために向き付けられる。この代わりに、このビューウィングウィンドに衝突するように向き付けられたガスの流れは、パルスにされる。
【００３３】
本発明によれば、上記の態様のいずれも他のいずれの態様とも様々な組み合わせで同時に結合されることができる。例えば、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、前記ビューウィングウィンドと複数の磁石の間に取り付けられることができる。このように、これら複数の磁石とこのビューウィングウィンドのクリーニング用装置との組み合わせは、前記ビューウィングウィンドに蓄積する反応副生成物の量の非常に大きな減少を引き起こすことができる。同じように、これら複数の磁石と前記ガス注入機構と前記ビューウィングウィンドのクリーニング用の機構とは全て、さらに大きな減少に影響を与えるために前記取り付け具に設置されることができる。
【００３４】
特に、図７を参照すると、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００と前記ビューウィングウィンド４００の位置取りと前記複数の磁石１６０Ａから１６０Ｇと前記ガス注入システム１７０とは、全て一度に結合されることができる。図７に示されているように、前記取り付け具３００は、前記ビューウィングウィンド４００を前記プロセスチャンバの特定の位置に設置するために、用いられることができる。ビューウィングウィンドのクリーニング用装置１００は、前記ビューウィングウィンドの近くの前記取り付け具３００の端に、このビューウィングウィンド４００の表面の副生成物を物理的にエッチングするか化学的にエッチングするのに正しい位置に取り付けられている。２組の複数の磁石１６０Ａから１６０Ｇは、前記取り付け具の中で互いに平行になるように配設されている。前記ガス注入機構１７０は、前記取り付け具３００に圧力をかけ、さらに前記ビューウィングウィンドに達する反応副生成物の量を減らしている。
【００３５】
本発明は、ビューウィングウィンドと、プロセスチャンバからこのビューウィングウィンドの表面の副生成物の量を減少させる手段と、この減少させる手段をこのプロセスチャンバに結合させる接続部材とを有するビューウィングウィンドのクリーニング装置として記述されることもできる。
【００３６】
本発明は、ウェーハをプロセスチャンバの内部に設置する工程と、プラズマをそのプロセスチャンバの内部に発生させる工程と、このプロセスチャンバからビューウィングウィンドを切り離すことなくこのプロセスチャンバに結合されたビューウィングウィンドの表面の、このプロセスチャンバからの副生成物の量を減少させる工程とを有する前記ビューウィングウィンドをクリーニングする方法としても記述されることができる。
【００３７】
本発明の数多くの変更と変形が、上記の示唆の下で可能である。このため、添付された請求項の範囲内で、本発明は、ここで具体的に記述したのと違う方法で実施されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】ビューウィングウィンドが、プロセスチャンバに直接取り付けられている既知のビューウィングウィンドの図である。
【図２】プロセスチャンバから短い距離だけ離されたビューウィングウィンドと近接して取り付けられているビューウィングウィンドのクリーニング用装置の図である。
【図３Ａ】図２のプラズマ源の概略図である。
【図３Ｂ】整合集合体の拡大図とプラズマ共振コイルの上部である。
【図４】プロセスチャンバに対して所定の傾きで取り付けられたビューウィングウィンドの側面図である。
【図５Ａ】副生成物が、ビューウィングウィンドに向かうのを妨げる磁場を生成するように配置された複数の磁石の側面図である。
【図５Ｂ】副生成物が、ビューウィングウィンドに向かうのを妨げる磁場を生成するように配置された複数の磁石の断面図である。
【図６】ビューウィングウィンドをプロセスチャンバから分離する延長部に圧力をかけるために用いられているガス注入機構の側面図である。
【図７】上記の態様のお互いに関連した結合例の図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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