(57)【要約】本発明は、ナフテン基油を低品質原料材から製造するための改良製造方法である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ原子種および芳香族を含み、かつ軽油範囲で沸騰する炭化水素原料材から、低アニリン点を有する少なくとも一種のナフテン基油を製造する方法であって、
ａ）該原料材を、ヘテロ原子種の少なくとも一部分を除去し、かつ該芳香族の少なくとも一部分を飽和するのに効果的な水素精製条件下で水素精製して、ヘテロ原子種の量が減少された第一段流出物を製造する工程、
ｂ）該第一段流出物を、ストリッピングカラムでストリッピングし、その際少なくとも一種の中間ストリームが、該ストリッピングカラムから除去される工程、
ｃ）該中間ストリームを、接触脱ロウ条件下で脱ロウして、ヘテロ原子種を含む少なくとも一種の第二段流出物を製造する工程、
ｄ）該第二段流出物を、ヘテロ原子種の少なくとも一部分を除去するのに効果的な水素化処理条件下で水素化処理して、ヘテロ原子種の量が減少された少なくとも一種の第三段流出物を製造する工程、および
ｅ）該第三段流出物を分留して、少なくとも一種の基油を製造する工程、
を含むことを特徴とする少なくとも一種のナフテン基油の製造方法。
【請求項２】
前記原料材は、コーカー軽油、潤滑油エキストラクト、脱瀝油、燃料留出油および分解装置残油から選択される、数種の望ましさでより劣る製油所ストリームの混合物であることを特徴とする請求項１に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項３】
前記接触脱ロウ条件は、温度２５０〜４００℃、圧力７９１〜２０７８６ｋＰａ（１００〜３０００ｐｓｉｇ）、液空間速度０．１〜１０ｈｒ−１、および水素処理ガス速度４５〜１７８０ｍ３／ｍ３（２５０〜１００００ｓｃｆ／Ｂ）を含むことを特徴とする請求項２に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項４】
前記中間ストリームを脱ロウする際に用いられる触媒は、１０または１２員環ゼオライト、およびシリコアルミノホスフェートからなる群から選択されることを特徴とする請求項３に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項５】
前記水素化処理条件は、温度１００〜４００℃、および圧力５０〜３，０００ｐｓｉｇを含むことを特徴とする請求項３に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項６】
前記第二段流出物を水素化処理する際に用いられる触媒は、従来の水素化処理触媒から選択され、該触媒は、第８〜１０族金属から選択される少なくとも一種の金属２〜２０ｗｔ％、および少なくとも一種の第６または１６族金属５〜５０ｗｔ％を、高表面積担体物質上に担持して含むことを特徴とする請求項５に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項７】
前記中間ストリームは、ＡＰＩ比重（６０／６０゜Ｆ）１５〜３０、粘度（４０゜Ｆ）５〜２０ｃＳｔ、粘度指数（ＶＩ）−２５〜５、５％ＬＶ３５０〜４５０゜Ｆ、および９５％ＬＶ７００〜１２５０゜Ｆを有することを特徴とする請求項６に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項８】
前記中間ストリームは、さらに、硫黄５００ｗｐｐｍ未満、およびアニリン点２００゜Ｆ未満を有するものとして特性付けられることを特徴とする請求項７に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項９】
前記中間ストリームは、ＡＰＩ比重（６０／６０゜Ｆ）２０〜３０、粘度（４０゜Ｆ）１０〜２０ｃＳｔ、粘度指数（ＶＩ）−２０〜０、５％ＬＶ３５０〜４２５゜Ｆ、および９５％ＬＶ８００〜１２００゜Ｆを有することを特徴とする請求項６に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１０】
前記中間ストリームは、さらに、硫黄４００ｗｐｐｍ未満、およびアニリン点１２５〜２００゜Ｆを有するものとして特性付けられることを特徴とする請求項７に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１１】
前記中間ストリームは、ＡＰＩ比重（６０／６０゜Ｆ）２２〜２７、粘度（４０゜Ｆ）１０〜１５ｃＳｔ、粘度指数（ＶＩ）−２０〜−５、５％ＬＶ３８０〜４０５゜Ｆ、および９５％ＬＶ８００〜１０００゜Ｆを有することを特徴とする請求項６に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１２】
前記中間ストリームは、さらに、硫黄３００ｗｐｐｍ未満、およびアニリン点１３０〜１６０゜Ｆを有するものとして特性付けられることを特徴とする請求項７に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１３】
前記第三段流出物を分留して、少なくとも二種の基油を製造することを特徴とする請求項９に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１４】
前記第三段流出物を分留して、少なくとも三種の基油、該三種の基油のいかなるものより高い温度で沸騰する留分、および灯油範囲で沸騰する留分を製造することを特徴とする請求項１１に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１５】
前記少なくとも一種の基油は、粘度（１００゜Ｆ）６０〜２０００ＳＳＵを有することを特徴とする請求項２に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１６】
前記少なくとも二種の基油の第一は、粘度（１００゜Ｆ）１００〜７５０ＳＳＵを有し、前記少なくとも二種の基油の第二は、粘度（１００゜Ｆ）７５０ＳＳＵ超を有することを特徴とする請求項１３に記載のナフテン基油の製造方法。
【請求項１７】
前記少なくとも三種の基油の第一は、粘度（１００゜Ｆ）１００〜１５０ＳＳＵを有し、前記少なくとも二種の基油の第二は、粘度（１００゜Ｆ）７００ＳＳＵ超〜８００ＳＳＵを有し、前記少なくとも三種の基油の第三は、粘度（１００゜Ｆ）１１００〜１３００ＳＳＵを有することを特徴とする請求項１４に記載のナフテン基油の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、潤滑油基油を製造するための改良方法である。より詳しくは、本発明は、ナフテン基油を低品質原料材から製造するための改良方法である。
【背景技術】
【０００２】
プロセス油の最終使用者は、これらの生成物の溶解性が増大されることを求めている。これは、より低いアニリン点要求値によって示される。同時に、従来のナフテン原油素材の入手可能性および供給量は、低減している。したがって、ナフテン基油、特により低アニリン点を有するそれらの基油を、ナフテン留出油のより少ない量から製造する方法に対する技術的必要性が存在する。
【０００３】
ムーアヘッド（Ｍｏｏｒｅｈｅａｄ）らの（特許文献１）および（特許文献２）には、流動点１０゜Ｆ（−１２．２℃）以下、および粘度指数が少なくとも９５を有する６５０゜Ｆ（３４３．３℃）超で沸騰する潤滑油留分を製造するプロセスが開示される。プロセスには、全沸点範囲のシェール油の水素化処理、および次いで、水素化処理工程からの流出油の水素化脱ロウが含まれる。水素化脱ロウ工程からの生成物は、水素添加反応器に送られ、そこでそれは水素添加金属成分を含む触媒と接触される。水素添加の後、水素添加段からの生成物は、一種以上の潤滑油留分に分留される。
【０００４】
パワーズ（Ｐｏｗｅｒｓ）らの（特許文献３）には、従業者により、ディーゼル留分、軽質油留分、および仕上げ油が製造されるであろうプロセスが開示される。プロセスには、温和な水素化処理工程、それに続く接触脱ロウ、および任意に、接触脱ロウ後の芳香族飽和工程が含まれる。接触脱ロウ、または任意の芳香族飽和工程からの生成物は分留塔に送られて、生成物が分離される。上記の引用文献は全て、本明細書に引用して含まれる。
【０００５】
依然として、ナフテン基油、特に低アニリン点を有するそれらの基油を、低品質原料材から製造する方法に対する技術的必要性が存在する。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第４，７４４，８８４号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６９９，７０７号明細書
【特許文献３】米国特許第５，９７６，３５４号明細書
【特許文献４】米国特許第５，２４６，５６６号明細書
【特許文献５】米国特許第５，２８２，９５８号明細書
【特許文献６】米国特許第４，９７５，１７７号明細書
【特許文献７】米国特許第４，３９７，８２７号明細書
【特許文献８】米国特許第４，５８５，７４７号明細書
【特許文献９】米国特許第５，０７５，２６９号明細書
【特許文献１０】米国特許第４，４４０，８７１号明細書
【特許文献１１】米国特許第６，３１０，２６５号明細書
【特許文献１２】国際公開第０２４２２０７号パンフレット
【特許文献１３】国際公開第００７８６７７号パンフレット
【特許文献１４】米国特許第６，３０３，５３４号明細書
【特許文献１５】米国特許第４，９００，７０７号明細書
【特許文献１６】米国特許第６，３８３，３６６号明細書
【特許文献１７】米国特許第６，２９４，０７７号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、低アニリン点を有する少なく一種のナフテン基油を、ヘテロ原子種および芳香族を含み、かつ軽油範囲で沸騰する炭化水素原料材から製造するための方法であって、該方法は、
ａ）該原料材を、ヘテロ原子種の少なくとも一部分を除去し、かつ該芳香族の少なくとも一部分を飽和するのに効果的な水素精製条件下で水素精製して、ヘテロ原子種の量が減少された第一段流出物を製造する工程、
ｂ）該第一段流出物を、ストリッピングカラムでストリッピングして、より低沸点の炭化水素および硫化水素の少なくとも一部分を除去し、その際少なくとも一種の中間ストリームが、該ストリッピングカラムから除去される工程、
ｃ）該中間ストリームを接触脱ロウ装置で脱ロウして、ヘテロ原子種を含む少なくとも一種の第二段流出物を製造する工程、
ｄ）該第二段流出物を、ヘテロ原子種の少なくとも一部分を除去するのに効果的な水素化処理条件下で水素化処理して、ヘテロ原子種の量が減少された少なくとも一種の第三段流出物を製造する工程、および
ｅ）該第三段流出物を分留して、少なくとも一種のナフテン基油を製造する工程、
を含む。
【０００８】
一実施形態においては、低アニリン点を有する少なくとも二種の基油が、コーカー軽油、潤滑油エキストラクト、脱瀝油、燃料留出油、および分解装置残油から選択される数種の製油所ストリームの混合物を含む炭化水素原料材から製造される。該炭化水素原料材は、ヘテロ原子種および芳香族を含み、かつ１５０〜５５０℃の範囲で沸騰する。
【０００９】
他の実施形態においては、低アニリン点を有する少なくとも三種の基油が、コーカー軽油、潤滑油エキストラクト、脱瀝油、燃料留出油、および分解装置残油から選択される数種の製油所ストリームの混合物を含む炭化水素原料材から製造される。該炭化水素原料材は、ヘテロ原子種および芳香族を含み、かつ１５０〜５５０℃の範囲で沸騰する
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、少なくとも一種のナフテン基油を、軽油範囲で沸騰する炭化水素原料材から製造するための方法である。ナフテンとは、粘度指数８５未満を有し、基油の炭素結合の少なくとも３０％が、ＡＳＴＭ  Ｄ２１４０によって定義されるナフテンタイプである基油を意味する。原料材は、最初に、原料材中に存在するヘテロ原子種の少なくとも一部分を除去または転化するのに効果的な条件下で水素精製される。水素精製工程は、また、原料材中に存在する芳香族の少なくとも一部分を飽和する。したがって、水素精製工程により、ヘテロ原子汚染物質の量が減少され、かつ芳香族が飽和された第一段流出物が製造される。水素精製の後、第一段流出物は、ストリッピング工程に送られて、より軽質の炭化水素成分および硫化水素が、従来のストリッパーを用いて除去される。用いられる好ましいストリッパーは、少なくとも一つの還流トレイおよび少なくとも一つの原料トレイを有する。ストリッピング段においては、少なくとも一種の中間ストリームが、還流トレイおよび原料トレイ間の点でストリッパーから除去される。中間ストリームは、脱ロウ段（しばしば、本明細書に脱ロウ域として引用される）で接触脱ロウされて、第二段流出物が製造される。第二段流出物は、次いで水素化処理されて、ヘテロ原子種の量が減少された少なくとも一種の第三段流出物が製造される。第三段流出物は、引続いて、分留域に送られ、そこで少なくとも一種のナフテン基油が製造される。ナフテン基油は、所定の粘度において、同じ粘度のよりパラフィン質の基油より低いアニリン点を有することによって特性付けられることが特記されるであろう。
【００１１】
本方法で用いられる原料材は、軽油範囲（１５０〜５５０℃）で沸騰し、芳香族および望ましくないヘテロ原子種を含む。原料材は、例えばコーカー軽油、潤滑油エキストラクト、脱瀝油、燃料留出油、および分解装置残油などの数種の望ましさでより劣る製油所ストリームの混合物であろう。本方法は、これらの望ましさでより劣る製油所ストリームを処理するのに用いられることが好ましい。
【００１２】
原料材は、最初に、水素精製段（しばしば、本明細書に第一段または域として引用される）に送られる。水素精製により、典型的には、硫黄および窒素の極性化合物が除去され、チオフェンなどの芳香族化合物がいくらか飽和される。ある程度の分解もまた、水素精製段で生じることが特記されるであろう。したがって、第一段により、原料材中に存在する芳香族の少なくとも一部分が飽和され、かつ硫黄ヘテロ原子化合物および窒素ヘテロ原子化合物の濃度が減少された第一段流出物が製造される。水素精製プロセスは、原料材を、水素の存在下に、適切な水素精製条件下で触媒有効量の水素精製触媒と接触させることによって行われるであろう。水素精製プロセスは、いかなる適切な反応器形態をも用いて行われるであろう。適切な反応器形態の限定しない例には、固定触媒床、流動触媒床、移動床、スラリー床、向流触媒床、および移動流通触媒床（ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｆｌｏｗ  ｃａｔａｌｙｓｔ  ｂｅｄ）が含まれる。固定触媒床が好ましい。
【００１３】
硫黄および窒素を除去するのに水素精製段で用いられる触媒は、典型的には、水素添加金属を適切な触媒担体上に担持して含む。担体は、耐火性金属酸化物（例えばアルミナ、シリカ、またはシリカ−アルミナ）であろう。水素添加金属は、周期律表（ＩＵＰＡＣ周期律表形式に基づき、第１〜１８族を有する）の第６族および第８〜１０族から選択される少なくとも一種の金属を含む。金属は、一般に、酸化物または硫化物の形態で、触媒組成物中に存在するであろう。特に適切な金属は、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロム、および白金である。コバルト、ニッケル、モリブデン、およびタングステンが、より好ましい。特に好ましい触媒組成物は、ＣｏＯまたはＮｉＯ、およびＭｏＯ３によって助触されたＡｌ２Ｏ３である。
【００１４】
触媒組成物および原料材の間のいかなる適切かつ効果的な反応時間も、用いられるであろう。一般に、効果的な反応時間は、０．１〜１０時間の範囲であろう。好ましくは、反応時間は、０．３〜５時間の範囲であろう。これは、典型的には、０．１０〜１０（油ｃｃ／触媒ｃｃ／時）、好ましくは０．２〜３．０（ｃｃ／ｃｃ／ｈｒ）の範囲の液空間速度（ＬＨＳＶ）を必要とする。
【００１５】
第一段の温度は、典型的には、１５０〜４５０℃、好ましくは３００〜３７５℃の範囲にあろう。前述されるように、第一段は、水素の存在下に実施される。いかなる適切な水素圧も、水素精製段で用いられるであろう。反応圧力は、一般に、大気圧〜１０，０００ｐｓｉｇ（６８，９５０ｋＰａ）の範囲にあろう。好ましくは、圧力は、５００〜３，０００ｐｓｉｇ（３５４８〜２０６５１ｋＰａ）、より好ましくは１０００〜２０００ｐｓｉｇ（６９９６〜１３８９１ｋＰａ）の範囲にあろう。原料材に接触させるのに用いられる水素の量は、一般に、１００〜１０，０００標準立方フィート／バレル原料ストリーム（１７．８〜１７８０ｍ３／ｍ３）、好ましくは３００〜５，０００標準立方フィート／バレル（５３．４〜８９０．５ｍ３／ｍ３）、より好ましくは５００〜３５００標準立方フィート／バレル（８９．１〜６２３．４ｍ３／ｍ３）の範囲にあろう。
【００１６】
前述されるように、水素精製段により、原料材中に存在する硫黄へテロ原子および窒素ヘテロ原子化合物の少なくとも一部分が除去される。少なくとも一部分とは、硫黄ヘテロ原子化合物の少なくとも５０ｖｏｌ％、好ましくは７５ｖｏｌ％超、より好ましくは９０ｖｏｌ％超が除去されることを意味する。典型的には、窒素ヘテロ原子化合物の２０ｖｏｌ％超、好ましくは３０ｖｏｌ％超、より好ましくは４０ｖｏｌ％超が、除去される。水素精製段によりまた、原料材中に存在する芳香族の少なくとも一部分が飽和される。少なくとも一部分とは、原料材中に存在する芳香族の２０ｖｏｌ％未満が、飽和されることを意味する。好ましくは、１５ｖｏｌ％未満、より好ましくは１０ｖｏｌ％未満、最も好ましくは５〜１０ｖｏｌ％の芳香族が飽和される。
【００１７】
水素精製段を出た後、第一段流出物は、ストリッピングされて、いかなる軽質炭化水素成分の少なくとも一部分、および存在するいかなる硫化水素の少なくとも一部分も除去される。第一段流出物をストリッピングする際に用いられるストリッピングカラムは、前記目的に対して適切な技術的に知られるいかなるストリッピングカラムでもあろう。用いられるストリッパーは、還流トレイおよび原料トレイを有することが好ましい。ストリッピング媒体、または第一段流出物をストリッピング媒体と接触させる方法は、本発明にとって重要でなく、ストリッピング操作で効果的であると知られるいかなる媒体、または接触方法でもあろう。ストリッピング操作においては、中間ストリームが、ストリッパーから除去される。中間ストリームは、分離装置から、中間ストリームがＡＰＩ比重（６０／６０°Ｆ）１５〜３０、好ましくは２０〜３０、より好ましくは２２〜２７を有する位置で除去される。中間ストリームは、さらに、粘度（４０°Ｆ）５〜２０ｃＳｔ、好ましくは１０〜２０ｃＳｔ、より好ましくは１０〜１５ｃＳｔ、および粘度指数（ＶＩ）−２５〜５、好ましくは−２０〜０、より好ましくは−２０〜−５によって特性付けられる。中間ストリームは、５％ＬＶ（ＡＳＴＭ  Ｄ６４１７によって決定される）３５０〜４５０°Ｆ、好ましくは３５０〜４２５°Ｆ、より好ましくは３８０〜４０５°Ｆ、および９５％ＬＶ（ＡＳＴＭ  Ｄ６４１７によって決定される）７００〜１２５０°Ｆ、好ましくは８００〜１２００°Ｆ、より好ましくは８００〜１０００°Ｆを有する。中間ストリームはまた、硫黄５００ｗｐｐｍ未満、好ましくは４００ｗｐｐｍ未満、より好ましくは３００ｗｐｐｍ未満を含む。中間ストリームは、さらに、アニリン点２００°Ｆ未満、好ましくは１００〜２００°Ｆ、より好ましくは１２５〜２００°Ｆ、最も好ましくは１３０〜１６０°Ｆを有するものとして特性付けられる。好ましい実施形態においては、中間ストリームは、ストリッパーから、還流トレイおよび原料トレイ間の点で除去される。
【００１８】
前述されるように、中間ストリームは、接触脱ロウ段（しばしば、本明細書に第二段または域として引用される）に送られ、そこで少なくとも一種の第二段流出物が製造される。脱ロウ触媒は、結晶質または非晶質のいずれかであろう。本明細書で用いられる結晶質物質は、好ましくは、少なくとも一種の１０または１２員環通路を含むモレキュラーシーブである。これは、アルミノシリケート（ゼオライト）またはシリコアルミノホスフェート（ＳＡＰＯ）に基づくであろう。適切なゼオライトの限定しない例には、ＺＳＭ−２２、ＺＳＭ−２３、ＺＳＭ−３５、ＺＳＭ−４８、ＺＳＭ−５７、フェリエライト、ＩＴＱ−１３、ＭＣＭ−６８、およびＭＣＭ−７１が含まれる。少なくとも一種の１０員環通路を含むアルミノホスフェートの限定しない例には、ＥＣＲ−４２が含まれる。１２員環通路を含むモレキュラーシーブの限定しない例には、ゼオライトベータおよびＭＣＭ−６８が含まれる。モレキュラーシーブは、（特許文献４〜１０）に記載される。ＭＣＭ−６８は、（特許文献１１）に記載される。ＭＣＭ−７１およびＩＴＱ−１３は、ＰＣＴ公開出願（特許文献１２）および（特許文献１３）に記載される。これらは全て、本明細書に引用して含まれる。ＥＣＲ−４２は、（特許文献１４）に開示され、これもまた、本明細書に引用して含まれる。好ましい触媒には、ＺＳＭ−４８、ＺＳＭ−２２、およびＺＳＭ−２３が含まれる。特に好ましくは、ＺＳＭ−４８である。モレキュラーシーブは、好ましくは、水素型である。還元は、脱ロウ工程自体において現場で生じるか、また他の槽中の外部で生じるであろう。さらに、脱ロウ触媒は、硫化または未硫化型で用いられるであろう。好ましくは、硫化型である。
【００１９】
非晶質脱ロウ触媒には、アルミナ、フッ素化アルミナ、シリカ−アルミナ、フッ素化シリカ−アルミナ、および第３族金属でドーピングされたシリカ−アルミナが含まれる。これらの触媒は、例えば（特許文献１５）および（特許文献１６）に記載される。そのいずれも、本明細書に引用して含まれる。
【００２０】
用いられる脱ロウ触媒は、二官能性である。二官能性とは、脱ロウ触媒が、脱ロウ機能および水素添加機能を有することを意味する。水素添加機能は、好ましくは、少なくとも一種の第６族金属、少なくとも一種の第８〜１０族金属、またはそれらの混合物によって提供される。好ましい金属は、第９〜１０族金属である。特に好ましくは、第９〜１０族貴金属（Ｐｔ、Ｐｄ、またはそれらの混合物など）（ＩＵＰＡＣ周期律表形式に基づき、第１〜１８族を有する）である。これらの金属は、触媒の全重量を基準として、０．１〜３０ｗｔ％、好ましくは０．１〜１０ｗｔ％、より好ましくは０．１〜５ｗｔ％の範囲の量で存在する。触媒の調製、および金属の充填方法は、例えば（特許文献１７）（本明細書に引用して含まれる）に記載され、これには、例えばイオン交換、および分解可能な金属塩を用いる含浸が含まれる。金属分散技術、および触媒粒子サイズの制御は、（特許文献５）（これもまた、本明細書に引用して含まれる）に記載される。小さな粒子サイズの触媒、および十分に分散された金属が好ましい。
【００２１】
モレキュラーシーブは、典型的には、結合剤物質（通常、高温に耐性がある耐火性物質であり、脱ロウ条件下で用いられて、仕上げ脱ロウ触媒を形成する）と複合化されるか、または結合剤なし（自己結合されるか、またはバルク）であろう。結合剤物質は、典型的には、無機酸化物から選択される。シリカ、アルミナ、シリカ−アルミナ、シリカと他の金属酸化物（チタニア、マグネシア、トリア、ジルコニアなど）との二成分組合わせ、およびこれらの酸化物の三成分組合わせ（シリカ−アルミナ−トリアおよびシリカ−アルミナ−マグネシアなど）などである。仕上げ脱ロウ触媒中のモレキュラーシーブの量は、典型的には、触媒の全重量を基準として、１０〜１００ｗｔ％、好ましくは３５〜１００ｗｔ％である。これらの触媒は、例えば噴霧乾燥、押出し成形などの方法によって形成される。
【００２２】
脱ロウ条件には、典型的には、温度２５０〜４００℃、好ましくは２７５〜３５０℃、圧力７９１〜２０７８６ｋＰａ（１００〜３０００ｐｓｉｇ）、好ましくは１４８０〜１７３３９ｋＰａ（２００〜２５００ｐｓｉｇ）が含まれる。典型的には、液空間速度は、０．１〜１０ｈｒ−１、好ましくは０．１〜５ｈｒ−１の範囲であり、水素処理ガス速度は、４５〜１７８０ｍ３／ｍ３（２５０〜１００００ｓｃｆ／Ｂ）、好ましくは８９〜８９０ｍ３／ｍ３（５００〜５０００ｓｃｆ／Ｂ）の範囲である。
【００２３】
脱ロウ段を出る少なくとも一種の第二段流出物は、水素化処理段（しばしば、本明細書に第三域または段として引用される）に送られる。いくつかの場合には、脱ロウ段との間に冷却段を用いることが好ましいであろう。冷却段により、従業者は、脱ロウ段を高温で運転することが可能である。段間冷却は、いかなる知られる方法をも用いることによって実施されて、プロセスストリームの温度が効果的に低下されるであろう。限定しない例には、直接または間接熱交換器が含まれる。
【００２４】
本明細書で用いられる用語「水素化処理」は、水素含有処理ガスが、適切な水素化処理触媒（主として、硫黄および窒素などのヘテロ原子を除去するのに活性がある）の存在下に用いられるプロセスを云う。本発明で用いるのに適切な水素化処理触媒は、いかなる従来の水素化処理触媒でもあり、これには、少なくとも一種の第８〜１０族金属（好ましくはＦｅ、Ｃｏ、およびＮｉ、より好ましくはＣｏおよび／またはＮｉ、最も好ましくはＣｏ）、ならびに少なくとも一種の第６または１６族金属（好ましくはＭｏおよびＷ、より好ましくはＭｏ）を、高表面積の担体物質（好ましくはアルミナ）上に担持してなるものが含まれる。一種超のタイプの水素化処理触媒が、同じ反応槽で用いられることは、本発明の範囲内である。第８〜１０族金属は、典型的には２〜２０ｗｔ％、好ましくは４〜１２％の範囲の量で存在する。第６または１６族金属は、典型的には５〜５０ｗｔ％、好ましくは１０〜４０ｗｔ％、より好ましくは２０〜３０ｗｔ％の範囲の量で存在するであろう。全ての金属のｗｔ％は、担体に関する。「担体に関する」とは、％が、担体の重量を基準とすることを意味する。例えば、担体が重量１００ｇとすると、第８〜１０族金属２０ｗｔ％は、第８〜１０族金属２０ｇが担体上にあることを意味するであろう。典型的な水素化処理温度は、１００〜４００℃の範囲であり、圧力は、５０〜３，０００ｐｓｉｇ、好ましくは５０〜２，５００ｐｓｉｇである。
【００２５】
第二段流出物の水素化処理により、ヘテロ原子種の量が減少された少なくとも一種の第三段流出物が製造される。第三段流出物は、直接分留塔に送られるか、またはそれは、ストリッピングされて、硫化水素、およびより軽質の炭化水素成分（軽質燃料油等など）が除去されるであろう。第三段流出物はまた、ストリッピングされることが好ましい。第三段流出物をストリッピングする際に用いられるストリッピングカラムは、いかなる既知のストリッピングカラムでもあろう。ストリッピング媒体、またはストリッピング媒体を第三段流出物と接触させる方法は、本発明にとって重要でなく、ストリッピング操作に効果的であると知られるいかなる媒体、または接触方法でもあろう。
【００２６】
第三段流出物は、分留段に送られて、低アニリン点を有する少なくとも一種のナフテン基油が製造される。低アニリン点とは、少なくとも一種のナフテン基油が、アニリン点２５０゜Ｆ未満、好ましくは１００〜２５０゜Ｆ、より好ましくは１００〜２００゜Ｆ、より好ましくは１００〜１８０゜Ｆを有することを意味する。分留段には、常圧分留塔、または減圧分留塔であろう分留塔が用いられる。好ましくは、分留塔は、減圧分留装置である。第三段流出物を分留することによって製造される少なくとも一種のナフテン基油は、典型的には、粘度（１００゜Ｆ）６０〜２０００ＳＳＵを有する。好ましくは、少なくとも二種のナフテン基油が、第三段流出物を分留することによって製造される。第一のナフテン基油は、粘度（１００゜Ｆ）１００〜７５０ＳＳＵを有し、第二のナフテン基油は、粘度（１００゜Ｆ）７５０ＳＳＵ超を有する。より好ましくは、少なくとも三種のナフテン基油が、第三段流出物を分留することによって製造される。三種のナフテン基油の第一は、粘度（１００゜Ｆ）１００〜１５０ＳＳＵ、好ましくは（１００゜Ｆ）１００〜１２５ＳＳＵを有する。三種のナフテン基油の第二は、粘度（１００゜Ｆ）７００〜８００ＳＳＵ、好ましくは（１００゜Ｆ）７２５〜７７５ＳＳＵを有する。三種のナフテン基油の第三は、粘度（１００゜Ｆ）１１００〜１３００ＳＳＵ、好ましくは（１００゜Ｆ）１１５０〜１２５０ＳＳＵを有する。第三段流出物の分留によりまた、典型的には、ボトム留分（製造されるいかなるナフテン基油より大きな粘度およびアニリン点を有する）、およびより軽質の留分（典型的には灯油範囲で沸騰する）が製造される。
【００２７】
本発明によって製造される基油は、混合成分として用いられて、所望の粘度範囲の潤滑油生成物に置き換わるであろう。上記の説明は、本発明の好ましい実施形態に関し、本発明がそれに限定されるものではない。当業者には、修正および変更（依然として、本発明の精神および範囲内にある）が存在することが認められるであろう。本明細書の発明者らには、いかなるこれらの変更および修正も予想され、またこれらの変更および修正が、添付された特許請求の範囲により、本発明の真の精神および範囲内に包含されることが予想される。
【国際調査報告】
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