(57)【要約】マトリックスディスプレイデバイスは、光学的にアドレス指定可能な画素（Ｐｉｊ）のマトリックスを具えている。画素（Ｐｉｊ）は、光感応素子（ＬＳｉｊ）及び画素光発生素子（ＬＧｉｊ）を具えている。特定の画素（Ｐｉｊ）の光発生素子（ＬＧｉｊ）は、光感応素子（ＬＳｉｊ）の状態に依存する輝度を有する光を発生する。光感応素子の（ＬＳｉｊ）の状態は、この光感応素子に当たる光の量に依存する。このマトリックスディスプレイはさらに、レーザビーム（ＬＢ）を発生するレーザ（ＬＡＳ）、及び画素（Ｐｉｊ）に沿ってレーザビーム（ＬＢ）を走査するレーザスキャナ（ＳＣＡ）を具えている。レーザビーム（ＬＢ）が光感応素子（ＬＳｉｊ）に当たる瞬時に、このレーザビーム（ＬＢ）の輝度は、光感応素子（ＬＳｉｊ）の状態を決定し、そしてこれにより画素光発生素子（ＬＧｉｊ）の状態を決定する。
2006517683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的にアドレス指定可能な画素のマトリックスを有するマトリックスディスプレイデバイスであって、画素は光感応素子及び画素光発生素子を具え、前記光感応素子は当該光感応素子に当たる制御光の輝度に依存する状態を有し、かつ前記画素光発生素子は前記光感応素子の状態に依存する輝度を有する画素光を発生するためのものであり、前記マトリックスディスプレイデバイスが、
レーザビームを発生するためのレーザと、
前記制御光を供給するために、画素に沿ってレーザビームを走査するためのレーザスキャナと、
を具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記マトリックスディスプレイがさらに、入力データに応じてレーザビームの強度を変調するためのレーザドライバを具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記マトリックスディスプレイがさらに、画素にほぼ同じ駆動電圧を供給する画素ドライバを具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記マトリックスディスプレイがさらに、画素に駆動電圧を供給する駆動電極を具え、当該駆動電極が画素を相互接続するようにしたマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記レーザドライバが、レーザビームを変調して２つの輝度レベルのみを有するように適合したマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記光感応素子が、光依存抵抗又は光駆動スイッチであるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記画素光発生素子及びインピーダンス素子が直列に配置され、前記インピーダンス素子のインピーダンスの値は前記光感応素子の状態に依存し、かつ前記マトリックスディスプレイはさらに、前記インピーダンス素子と前記画素光発生素子との直列配置に駆動電圧を供給するための画素ドライバを具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記インピーダンス素子は、画素の光感応素子を具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記画素は、メモリ特性を得るためのキャパシタンスを具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記画素光発生素子から前記光感応素子へ、画素光の一部を光学的にフィードバックさせるために、前記光感応素子及び前記画素光発生素子が互いに位置付けられるようにしたマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、画素の前記光感応素子及び前記画素光発生素子が直列に配置され、かつ前記画素光の一部が、前記光感応素子のインピーダンスを、前記画素光発生素子のインピーダンスに対して比較的低く維持するのに十分な大きさとなるようにしたマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１２】
請求項１０に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記画素はさらにスイッチング素子を具え、当該スイッチング素子は、前記画素光発生素子と直列に配置された主電流通路と、前記光感応素子に結合された制御電極とを有し、前記直列の配置は前記選択電圧のうち関連した電圧を受電するために前記画素ドライバに結合されており、さらに前記画素光の前記一部は、前記スイッチング素子のインピーダンスを、前記画素光発生素子のインピーダンスに対して比較的低くするのに十分な大きさとなるようにしたマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１３】
請求項１２に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記画素がさらに、
前記最初に述べたスイッチング素子の制御電極に結合されたキャパシタと、
前記データ光を受光するための追加の光感応素子と、
前記追加の光感応素子に結合された制御電極、及び前記最初に述べたスイッチング素子の前記制御電極に結合された主電流通路を有する追加のスイッチング素子と、
を具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１４】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記マトリックスディスプレイがさらに、画素のラインに駆動電圧を供給するための画素ドライバを具え、前記駆動電圧は、画素の選択されなかったラインに対しては前記画素光発生素子の画素光の光量を実質上変化させないレベルを有し、前記駆動電圧は、前記画素のラインのうち選択されたラインに対しては前記画素光発生素子の画素光の前記光量が変化するレベルを有するようにしたマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１５】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記マトリックスディスプレイがさらに、
同じラインの画素を相互接続し、前記画素の前記光感応素子に前記レーザビームが当たる際に前記画素光発生素子の状態を決定する駆動電圧を前記画素に供給するための駆動電極と、
ほぼ一定強度のレーザビームを発生するためのレーザドライバと、
を具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１６】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記レーザスキャナは、前記画素に沿って走査する前記レーザビームを偏向するミラーを具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１７】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイデバイスにおいて、前記マトリックスディスプレイがさらに、前記レーザビームが前記画素に当たる位置と、前記入力データの発生瞬時とを同期させるための同期回路を具えるマトリックスディスプレイデバイス。
【請求項１８】
請求項１に記載のマトリックスディスプレイを具えるディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックスディスプレイ、及びマトリックスディスプレイを具えるディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許明細書第６，２１５，４６２号には、複数行の画素を有するマトリックスディスプレイデバイスが開示されている。マトリックスディスプレイの行は、１行ずつ選択される。各行は、第１の発光素子が発生する光を画素行に転送する光導波伝送路と関連付けられている。この関連する選択発光素子が光を発生する場合に、特定の行が選択される。すなわち、これらと関連する選択発光素子は光を発生しないので、その他全ての行は選択されない。
【０００３】
各画素は、光感応素子と画素発光素子との直列回路を具えている。表示すべき画像データに基づくデータ電圧は、列導体を経て前記直列回路に供給される。画素の選択された行においては、選択された行に関連する選択発光素子が発生する光は、関連する光導波伝送路を経て、選択された行の画素に到達する。従って、選択された行の画素の光感応素子は低インピーダンスを呈し、データ電圧が、選択された行画素の画素発光素子に亘って実質上発生する。こうして、画素の選択された行は、画素の列とそれぞれ接続された列導体上に与えられる画像データに対応する光量を発生する。選択されない行においては、選択発光素子は光を発生せず、従って選択されない画素の光感応素子のインピーダンスは高くなる。これらの画素に対しては、データ電圧が、光感応素子の高インピーダンス間に実質上発生し、従って、画素発光素子間の電圧はしきい値以下となり、画素発光素子は光を発生しなくなる。
【０００４】
従って、特定行の各画素は、単一行選択期間中にアドレス指定され、この単一行選択期間中にデータ電圧に対応する光を発生するだけである。その他全ての行が選択された後は、その特定行の画素は、単一行選択期間中に、データ電圧に対応する光を再び発生するようになる。
【発明の開示】
【０００５】
本発明の目的は、より簡単な構造のマトリックスディスプレイを提供することにある。
【０００６】
本発明の第１の要点は、請求項１に係るマトリックスディスプレイを提供することにある。本発明の第２の要点は、請求項１８に係るディスプレイ装置を提供することにある。従属請求項には、有利な実施例を規定している。
【０００７】
本発明の第１の要点によるマトリックスディスプレイデバイスは、光学的にアドレス指定可能な画素のマトリックスを具えている。画各素は、光感応素子及び画素光発生素子を具えている。特定画素の画素光発生素子は、当該特定画素の光感応素子の状態に依存する輝度で、光（又は画素光とも称する）を発生する。光感応素子の状態は、この素子に当たる光量に依存している。このマトリックスディスプレイはさらに、レーザビームを発生するレーザ、及び画素に沿ってレーザビームを走査するレーザスキャナを具えている。
【０００８】
レーザビームが特定画素の光感応素子に当たる瞬時には、レーザが発生する光が光感応素子の状態、従って画素光発生素子の状態を決定する。なお、画素が発生する実際の光は、実質上画素光発生素子から生じるものであり、レーザから生じるものではない。レーザは、光感応素子の状態を変化させる必要があるだけなので、輝度に関する諸要求が比較的低い、ダイオードレーザのような簡単なレーザとするのが好適である。
【０００９】
画素に沿って走査するレーザを使用することにより、光導波伝送路と、その光導波伝送路によって転送すべき光を供給する多数の光源の双方を必要としなくてすむという利点がある。従って、レーザを使用することで、より簡単な光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイが得られる。
【００１０】
請求項２に係る本発明による実施例においては、レーザが発生するレーザビームの輝度は、入力データに従って変調される。これにより、単一のレーザのみをデータ信号で駆動する必要があるだけで、複数の種々のデータ信号を複数の画素ラインに供給する必要はなくなる、という利点がある。これによりデータドライバは簡単なものとなる。あるいはまた、複数のレーザを使用して、各レーザがそれぞれ対応する画素のサブ領域を走査するようにすることも可能であるが、それでも、レーザの数は画素のラインの数よりかなり少なくなる。画素のラインは、マトリックスディスプレイの行又は列とすることができる。
【００１１】
請求項３に係る本発明による実施例においては、全ての画素は、レーザ光がこれらの画素の状態を変更し得る状態にある。この構成は、全ての画素に同じ駆動電圧を供給するも、これらの画素をアドレス指定することができるという利点を有する。レーザビームが当たる画素だけが、レーザの発する光に応じてその状態を適応させ、その他の画素は影響を受けなくなる。画素の単一行を選択し、選択された行の画素だけがレーザビームに感応するようにし、またその他全ての画素は選択されないようにしておく、という必要はない。全ての画素が同じ電圧を受けるため、行ドライバは全く必要とされない。ここでも、光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイの構造は簡単なものとなる。この駆動方法は、レーザスポットの寸法が実質上単一画素だけを覆うほど小さい場合には、特に関心が持たれる。
【００１２】
これに対し、米国特許明細書第６，２１５，４６２号に開示されている光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイにおいては、データ信号は、画素の一列全体に供給される。光導波伝送路は、選択された行にない画素の状態を変えないようにするために必要とされる。
【００１３】
請求項４に係る本発明による実施例においては、駆動電圧が、全ての画素に接続された駆動電極を経て、画素に供給される。これによりマトリックスディスプレイの構造は簡単になる。１つ以上のレーザを使用する場合に、これらのレーザが並列に作動される場合には、駆動電極が各サブ領域の画素を相互接続する。
【００１４】
請求項５に係る本発明による実施例においては、レーザは、２つの状態のみを必要とし、レーザの転送特性の直線性は重要でないため、簡単な構成とすることができる。周知のサブフィールドドライブ法を用いてグレイスケールを生成することができ、このサブフィールドドライブ法では一つのフィールドが幾つかのサブフィールドを具え、かつ画素の輝度は、この画素が光を供給するためにこれらのサブフィールドのどこにアドレス指定されるかによって決まる。
【００１５】
請求項７に係る本発明による実施例においては、画素光発生素子と、インピーダンスが光感応素子の状態に依存するインピーダンス素子との直列回路間に、駆動電圧が供給される。駆動電圧が十分に高いレベルで、かつインピーダンス素子のインピーダンスが低い場合は、駆動電圧が画素光発生素子間に実質上存在するため、画素光発生素子は光を発生することになる。駆動電圧が十分に高いレベルで、かつインピーダンス素子のインピーダンスが高い場合は、選択電圧が光感応素子間に実質上存在するため、画素光発生素子は光を発生しなくなる。
【００１６】
請求項８に係る本発明による実施例においては、光感応素子そのものが、画素光発生素子に直列に配置されている。これにより、画素内部で使用される素子の数は最小となり、そのため簡単なマトリックスディスプレイが提供されるという利点がある。光感応素子にレーザ光が当たる場合は、光感応素子のインピーダンスは画素光発生素子のインピーダンスに対して低くなり、そして光感応素子にレーザ光が当たらない場合には、光感応素子のインピーダンスは画素光発生素子のインピーダンスに対して高くなる。
【００１７】
請求項９に係る本発明による実施例においては、画素は、当該画素のメモリ特性を得るためにキャパシタを具えている。レーザ光が画素に当たらなくなった後でも画素の状態が維持されるので、画素のメモリ特性により画素の輝度は増大する。
【００１８】
請求項１０に係る本発明による実施例においては、一つの画素において、画素光発生素子が発生する画素光の一部が、当該画素の関連する光感応素子に到達するように画素が構成されている。画素光の一部を、光感応素子に光学的にフィードバックさせるために、光感応素子は画素光に対して感応するようにする。
【００１９】
画素のメモリ特性を得るために、或いは画素のメモリ特性に影響を及ぼすために、このフィードバックを用いることができる。先行文献の米国特許明細書第６，２１５，４６２号に対して、この画素のメモリ特性のため、選択期間中にスイッチオンされるこの画素は、選択期間後もオン状態に保たれる。この画素は、選択期間中だけでなく、ほぼ全フレーム期間中に光を発生し、その結果輝度が増大する。
【００２０】
上記フィードバック作用は、画素のキャパシタンスにより生じる、画素の固有のメモリ特性に影響を及ぼすために使用することもできる。請求項１３の発明の実施例で規定されているように、光感応素子に当たる光の部分は、キャパシタンスを放電するために使用される。
【００２１】
請求項１１に規定する本発明の実施例においては、光感応素子そのものは、画素光発生素子と直列に配置されている。これにより、マトリックスディスプレイの構成を簡単とし得る利点がある。
【００２２】
請求項１２に規定する本発明の実施例においては、スイッチング素子は、画素光発生素子と直列に配置された主電流通路、及び光感応素子に結合された制御電極を有している。これにより、光感応素子のインピーダンスはさほど重要でなくなるという利点がある。レーザ光が光感応素子に当たる場合には光感応素子のインピーダンスが変化し、この変化によって、スイッチング素子のインピーダンスは低くなる。画素光発生素子の光の光感応素子に当たる部分によって、スイッチング素子のインピーダンスは低い状態のままとなる。従って、この場合においても画素のメモリ特性が得られる。
【００２３】
請求項１３に規定する本発明の実施例においては、レーザビームを追加の光感応素子の方へと向ける。レーザからの短い光パルスによって、前記追加のスイッチング素子を経てキャパシタを充電させることができる。このキャパシタは、画素光発生素子から画素光の一部を受光する光感応素子によって、放電される。
【００２４】
このようにして、陰極線管の蛍光体の特性に似た効果が得られる。走査するレーザにより与えられる光パルスに応答して、画素は高輝度で始まり、徐々に低下する。キャパシタの値により、その輝度が低下してゼロになる時間が決まる。レーザビームの輝度及び／又はレーザビームが特定の画素に存在する存続時間により、画素のピークの輝度が決まる。さらに、画素光発生素子が（Ｐｏｌｙ）ＬＥＤ（発光ダイオード）とする場合には、画素の輝度は、その画素光発生素子の品質にはほぼ無関係であるという利点がある。（Ｐｏｌｙ）ＬＥＤが十分に機能しない場合は、キャパシタの放電にはより時間がかかるようになり、従って、発生する光の正味の総量はほぼ等しい。
【００２５】
従って、ここで画素の固有のメモリ特性は、画素光発生素子によって発生される光の、光感応素子に当たる部分のフィードバック作用により影響を受ける。
【００２６】
請求項１４に規定する本発明の実施例においては、マトリックスディスプレイの画素は、画素のラインに適切な選択電圧を供給することにより、ライン毎に選択即ちアドレス指定される。選択されないラインについては、選択電圧は、光が光感応素子に当たるか否かに関係なく、光発生素子の状態を変化させないレベルを有している。選択されるラインについては、選択電圧は、光が光感応素子に当たるか否かに応じて、光発生素子の状態を変更するレベルを有している。
【００２７】
表示すべき画像に応じて、入力データはレーザを制御し、光を発生すべく選択されるラインの画素に光を供給し、かつ光を発生しないよう選択されるラインの画素には光を供給しない。また画素の構成によっては逆になる。
【００２８】
画素の選択されるラインのみが、レーザが発生する光に感応するため、また画素の選択されないラインは、レーザが発生する光に感応しないため、画素の選択されないラインの光学的状態は変化しない。レーザスポットは、画素の選択されたラインに対してほぼ垂直の方向においては、単一画素以上の領域を覆うことがある。選択された画素のみが、必要に応じて状態を変化し得るようにする。
【００２９】
これに対して、先行文献の米国特許明細書第６，２１５，４６２号による光学的にアドレス指定可能なディスプレイにおいては、画素の光感応素子に当たる光は、データ電圧が光発生素子間に実質上存在するように光感応素子のインピーダンスを低くすることにより、画素のラインを選択している。画素の選択されないラインについては、その時光発生素子に対して比較的大きなインピーダンスを有する光感応素子には、光は当たらない。従って、光発生素子間には実質上電圧が発生しなくなるため、画素の選択されないラインは光を発生することができなくなる。これには、特定行の各画素が単一行選択期間中にのみアドレス指定されて、この単一行選択期間中にのみデータ電圧に応じて光を発生するだけである、という欠点がある。その他全ての行が選択された後で、その特定行の画素は、再び単一行選択期間中にのみデータ電圧に応じて光を発生するようになる。
【００３０】
本発明による光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイにおいては、画素の選択されないラインは、これらのラインの選択期間中に決定される光量を発生する。画素が光を発生している期間の持続時間は単一選択期間よりも非常に長いので、画素の輝度は一層高くなる。
【００３１】
画素の状態をレーザ光によって変えることのできる、十分高い電圧を有する選択電圧によって画素行を選択する場合には、光感応素子のインピーダンスが、レーザ光を受光している場合は画素光発生素子のインピーダンスに対して低くなり、そしてレーザ光を受光していない場合は光感応素子のインピーダンスは比較的高くなる。光感応素子のインピーダンスが低い場合は、光感応素子と画素光発生素子との直列回路間に供給される選択電圧は、実質上画素光発生素子間に生じるようになる。画素光発生素子は画素光を発生し、この光の一部は光感応素子により受光される。受光される光の一部は、光感応素子のインピーダンスを低く維持するには十分なため、画素のメモリ特性が得られる。従って、一旦画素光発生素子が光を発生すると、光感応素子の状態は、レーザ光が受光されなくなってもこの状態を保つようになる。
【００３２】
これにより、選択電圧のレベルに課される制約が低くなる。選択電圧は、選択期間中に選択された画素の光学状態をレーザ光が変化させることができる程度に十分高くなければならず、かつ、選択されない画素の光学状態がレーザ光により変化しないように、選択されない画素に対しては、選択電圧は十分低くなければならない。選択されない画素の選択電圧は、これらの画素の光学状態が実質上変化しないよう維持する程度に十分高くする必要はなくなる。画素のメモリ特性により、この最後の制約を受けることがない。
【００３３】
請求項１５に規定する本発明の実施例においては、レーザはほぼ一定の強度のレーザビームを供給する。レーザビームが画素に沿って走査する間に駆動電圧は変化する。全ての画素には同じ駆動電圧を供給することができる。これには、画素の総キャパシタンスを高速で充電又は放電させなくてはならないという欠点がある。少なくとも一方向におけるレーザビームの正確な位置がわかれば、画素の１つのラインだけに対する駆動電圧を変化させることも可能である。
【００３４】
請求項１６に規定する本発明の実施例においては、レーザスキャナは、画素に沿ってレーザビームを偏向するミラーを具えている。レーザビームが画素に沿って走査するようにレーザそのものを動かすことも可能であるが、ミラーを使用する方が一層確実で、しかも容易である。レーザを動かす場合には、レーザ間に電圧を供給するワイヤは、レーザの連続移動を妨げる恐れがある。ワイヤは、レーザの迅速かつ正確な動きを妨げる。
【００３５】
請求項１７に規定する本発明の実施例においては、ディスプレイスクリーン上の画像の正しい位置を得るために、レーザビームの走査を、入力データと同期させる。これは、ディスプレイが種々の色の光を発生する種々の画素を有するカラーディスプレイである場合には、特に重要である。例えば、フルカラーのディスプレイでは、赤、緑、及び青の画素が完全な画素を形成する。供給されるデータが、レーザビームが当たる画素の色に確実に属するようにするために、ディスプレイ上のレーザビームの位置と同期させてデータを供給する必要がある。
【００３６】
これら又は本発明の他の要点を、以下、実施例につき明らかにする。
【００３７】
種々の図における同じ参照記号は、同じ信号、又は同じ機能を果たす同じ要素を示すものとする。
【００３８】
図１は、ディスプレイセル（画素とも称する）がレーザでアドレス指定される、本発明によるディスプレイ装置を概略的に示している。光学的にアドレス指定可能なディスプレイデバイス（ＯＡＤ）は、画素（Ｐｉｊ）のマトリックスを具えている（図２参照）。レーザＬＡＳは、図３の光感応素子ＬＳｉｊ又は図５の光感応素子ＦＬＳｉｊに当たるレーザビームＬＢを発生する。レーザビームＬＢの走査はｘ／ｙスキャナＳＣＡを用いて制御することができる。このｘ／ｙスキャナは、レーザビームＬＢをディスプレイＯＡＤの光感応素子ＬＳｉｊ又はＦＬＳｉｊに沿って走査するために、機械的に動かすことができる。レーザビームＬＢは、画素Ｐｉｊの行に沿って１つずつ走査するのが好適である。画素Ｐｉｊに沿って走査するレーザＬＡＳを１つ以上使用することも可能である。レーザスキャナＳＣＡは、レーザの位置をビデオ信号のタイミングを用いて調整するため、表示すべきビデオ信号に属する同期情報を受信する。
【００３９】
このようなレーザ走査法は、光ガイド及び多数の選択光源が不要なため、ディスプレイの構造は簡単になる。さらに、単一レーザについて、大量の駆動信号ではなく単一の駆動信号を発生する必要があり、各選択光源に対して一つの駆動信号を発すればよいので、データドライバの構成は簡単となる。
【００４０】
本発明による実施例においては、データドライバＤＤが、入力データＩＤに従って、レーザＬＡＳにより発生される光を変調する。これにより、データ信号ＤＳを用いて駆動する必要があるのはレーザＬＡＳのみとなり、かつ画素Ｐｉｊの複数のラインに対して多くの異なるデータ信号を供給しなくて済むという利点を有する。これによりデータドライバＤＤはかなり簡単になる。１つ以上のレーザＬＡＳを使用して、各レーザＬＡＳが画素Ｐｉｊの対応するサブエリアを走査することも可能であるが、それでもレーザＬＡＳの数は、画素Ｐｉｊのラインの数よりもかなり少なくなる。画素Ｐｉｊのラインは、光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤの行又は列とする。
【００４１】
図２は、光学的にアドレス指定されるディスプレイセル即ち画素を有するマトリックスディスプレイ装置の実施例を示している。
【００４２】
このマトリックスディスプレイは、画素Ｐｉｊ（Ｐ１１〜Ｐｍｎ）のマトリックスを具えており、これらの画素は、仮想の列ＬＶｊ（ＬＶ１〜ＬＶｎ）と、２つの行電極ＲＥｉ１及びＲＥｉ２の組との交点に関連付けられている。指数ｉはマトリックスディスプレイの行番号を表し、指数ｊは列番号を表している。行電極ＲＥｉ１及びＲＥｉ２はｘ方向に延在し、列ＬＶｊはｙ方向に延在している。転置したマトリックスディスプレイにおいては、ｘ方向とｙ方向を置換する。
【００４３】
画素ドライバＳＤは、第１の行電圧Ｖｉ１を第１の行電極ＲＥｉ１に供給し、かつ第２の行電圧Ｖｉ２を第２の行電極ＲＥｉ２に供給する。駆動電圧ＳＶｉは、第ｉ番目の行の、第１の行電極ＲＥｉ１と第２の行電極ＲＥｉ２との間に発生する。
【００４４】
データドライバＤＤは、表示すべき入力データＩＤを受信し、レーザＬＡＳ及びレーザスキャナＳＣＡを具えているレーザ回路ＬＡに、データ信号ＤＳを供給する。レーザビームＬＢの強度は入力データＩＤに依存する。
【００４５】
制御回路ＣＯは同期情報ＳＹを受信し、１つずつ画素Ｐｉｊの行ＬＲｉを選択する画素ドライバＳＤに制御信号ＣＳ１を供給し、かつレーザ回路ＬＡにデータ信号ＤＳを供給するデータドライバＤＤに制御信号ＣＳ２を供給して、レーザＬＡＳの走査がデータ信号ＤＳと同期するようにする。
【００４６】
マトリックスディスプレイの画素Ｐｉｊは、画素Ｐｉｊの行ＬＲｉに適切な画素電圧ＳＶｉを供給することにより、行毎に選択、即ちアドレス指定される。選択されない行ＬＲｉについては、画素電圧ＳＶｉは、レーザビームＬＢの光が光感応素子ＬＳｉｊに当たるか否かに関係なく、光発生素子ＬＧｉｊの状態を変化させないレベルを有している。画素電圧ＳＶｉのレベルは、最終の選択期間中に得られた光発生素子ＬＧｉｊの状態をほぼ維持するように選定するのが好適である。選択される行ＬＲｉについては、画素電圧ＳＶｉは、レーザビームＬＢの光が光感応素子ＬＳｉｊに当たるか否かに応じて、光発生素子ＬＧｉｊの状態を変化させるレベルを有する。
【００４７】
表示すべき画像に応じて、入力データＩＤはレーザＬＡＳを制御し、光を発生すべく選択される行ＬＲｉの画素Ｐｉｊに光を供給し、かつ光を発生しないよう選択される行ＬＲｉの画素Ｐｉｊには光を供給しない。また画素Ｐｉｊの構成によっては逆になる。
【００４８】
選択される行ＬＲｉの画素Ｐｉｊは、レーザＬＡＳが発生する光に感応し、しかも選択されない行ＬＲｉの画素Ｐｉｊは、レーザＬＡＳが発生する光に感応しないので、選択されない行ＬＲｉの画素Ｐｉｊは、それらの光学的状態を維持する。従って、選択される行ＬＲｉの画素Ｐｉｊの光学状態を、表示すべき入力データＩＤに応じて変化させ、一方これらの画素Ｐｉｊの光学状態は、他の行ＬＲｉが選択されている間は変化しないようにすることができる。
【００４９】
レーザＬＡＳは、画素光発生素子の複数の輝度レベルを制御するために、複数の異なる輝度レベルを発生することができる。レーザＬＡＳは画素Ｐｉｊにアドレス指定するためだけに用いられ、グレイスケールを発生させるためには用いないのが好適である。従って、良好に既定された転送特性は必要とされないために、簡単なダイオードで十分である。
【００５０】
本発明による他の実施例において、レーザＬＡＳのスポットの大きさは、実質上単一画素Ｐｉｊのみを覆うほど十分小さなものとする。全ての画素Ｐｉｊは、レーザビームＬＢが画素Ｐｉｊの状態を変化させることができる状態にある。このようにして、全ての画素Ｐｉｊに同じ駆動電圧ＶＳｉを供給するも、画素Ｐｉｊを１つずつアドレス指定することができる。レーザビームＬＢが当たる画素Ｐｉｊのみが、レーザＬＡＳが発生する光に応じて画素の状態を適応させるようになり、その他の画素Ｐｉｊは影響を受けないようになる。画素Ｐｉｊの単一行を選択し、この選択した行の画素ＰｉｊのみがレーザビームＬＢに感応するようにし、またその他全ての画素Ｐｉｊは選択されないようにする、という必要性はない。全ての画素は同じ電圧ＳＶｉを受電し得るため、行ドライバＳＤは全く必要とされない。全ての行電極ＲＥ１及び全ての行電極ＲＥ２の双方は相互接続することができ、これら２グループの相互接続された行電極ＲＥ１及びＲＥ２間には、単一画素電圧ＳＶｉを供給することができる。このような光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤは簡単な構成となり、従って容易かつ安価に生産することができる。このディスプレイＯＡＤは箔とすることもできる。行電極は、画素Ｐｉｊを具える光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤの基盤の、通常は反対側に位置付けられる電極板とすることができる。
【００５１】
レーザＬＡＳは、光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤの背面又は前面を走査することができる。リアプロジェクションは、周囲光が光感応素子ＬＳｉｊ又はＦＬＳｉｊに到達するのを容易に防止し得る利点がある。フロントプロジェクタでは、光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤのフィルタ層が、光感応素子ＬＳｉｊ又はＦＬＳｉｊを覆うようにして、周囲光が十分に遮断され、かつ画素Ｐｉｊの状態に影響を及ぼさないようにし、一方レーザビームＬＢは、画素Ｐｉｊの状態を制御することができるように、フィルタを十分に通過し得るようにする必要がある。
【００５２】
カラーディスプレイにおいては、ビデオ情報ＩＤに対応するレーザビームＬＢの強度を、光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤの赤、緑、及び青画素Ｐｉｊの位置と同期させるため、光学的にアドレス指定可能なマトリックスディスプレイＯＡＤのディスプレイスクリーン上のレーザビームＬＢの位置を知る必要がある。ディスプレイスクリーン上のレーザビームＬＢの位置は、別個の光感応素子を用いて決定することができる。スクリーン上のレーザビームＬＢの位置は、画素Ｐｉｊの既に利用可能な光感応素子ＬＳｉｊを用いて検出することも可能である。光感応素子ＬＳｉｊの状態を検出できるようにするためには、予備の電極が必要となる。
【００５３】
図３は、本発明によるディスプレイセルの実施例を示している。ディスプレイセル即ち画素Ｐｉｊは、画素光発生素子ＬＧｉｊと、受光する光の輝度にインピーダンスが依存する光感応素子ＬＳｉｊとの直列配置を具えている。画素光発生素子ＬＧｉｊと光感応素子ＬＳｉｊとの直列配置は、画素電圧ＳＶｉを受電するために、第１の行電極ＲＥｉ１と第２の行電極ＲＥｉ２との間に配置されている。第１の行電極にかかる電圧はＶｉ１により示され、第２の行電極にかかる電圧はＶｉ２により示され、画素電圧ＳＶｉは電圧Ｖｉ１とＶｉ２との差である。
【００５４】
レーザビームＬＢの強度が変調され、かつ全ての画素Ｐｉｊに同じ画素電圧ＳＶｉが供給される場合には、画素光発生素子ＬＧｉｊの状態は、レーザビームＬＢの強度により決定される。画素電圧ＳＶｉのレベルは、レーザビームＬＢの強度が高いか低いかによって画素光発生素子ＬＧｉｊの状態を変化させるのに十分な高さに選択される。本発明によるこの実施例においては、画素Ｐｉｊは、光感応素子ＬＳｉｊのインピーダンスが低い時には画素光発生素子ＬＧｉｊは光を発生し、そして光感応素子ＬＳｉｊのインピーダンスが高い時には画素光発生素子ＬＧｉｊは光を実質上発生しないように構成されている。こうして、レーザビームＬＢの強度が高いと、画素光発生素子ＬＧｉｊは光を発生するようになり、そしてレーザビームＬＢの強度が低いと、画素光発生素子ＬＧｉｊは光を発生しなくなる。
【００５５】
レーザビームＬＢのスポットサイズが１個の画素よりも大きい場合、又は画素Ｐｉｊに関してレーザビームＬＢの配列が最適でない場合には、レーザビームＬＢの強度に感応する画素Ｐｉｊの行ＬＲｉを選択するようにし、また選択されない行ＬＲｉの画素ＰｉｊはレーザビームＬＢの強度に不感応にする必要がある。選択された行ＬＲｉに供給される画素電圧ＳＶｉは、レーザビームＬＢの強度に応じて、画素光発生素子ＬＧｉｊの状態を変化させるのに十分な高さとすべきである。レーザビームＬＢが高強度を有する場合には、光感応素子ＬＳｉｊに当たるレーザ光によって、光感応素子のインピーダンスは、光発生素子ＬＧｉｊのインピーダンスに比べて低くなり、従って、選択電圧は実質上光発生素子ＬＧｉｊ間に発生することになる。この場合画素Ｐｉｊは光を発生する。光感応素子ＬＳｉｊに当たるレーザ光がない場合（或いはそのレーザ光の輝度がかなり低い場合）、光感応素子のインピーダンスは、光発生素子ＬＧｉｊのインピーダンスに比べて高くなり、画素電圧ＳＶｉは、実質上光感応素子ＬＳｉｊ間に発生する。この場合画素Ｐｉｊは光を発生しなくなる。
【００５６】
選択されない行ＬＲｉに対しては、画素電圧ＳＶｉは適度な低い電圧を有し、レーザビームＬＢの強度は画素Ｐｉｊの状態に影響を及ぼさない。選択電圧ＳＶｉのレベルが低いため、オフとなっていた（光を発生していなかった）画素Ｐｉｊは光を発生し始めることができず、そしてオンとなっていた（光を発生していた）画素Ｐｉｊは光の発生を停止することができない。しかしながら、選択電圧ＳＶｉのレベルは、全ての画素Ｐｉｊがオフに切り換わるのを防ぐのに十分高くするのが好適である。選択電圧ＳＶｉの好適なレベル値は、図６に示してある。
【００５７】
画素Ｐｉｊは数多くの構成が可能であり、例えば、図４に示すような画素の構成を使用することも可能であり、この構成においては、画素光発生素子ＬＧｉｊと主電流通路が直列に配置されているトランジスタＴＲ１ｉｊを切り換えるために、光感応素子ＬＳｉｊが用いられている。画素光発生素子ＬＧｉｊと直列に配置された素子のインピーダンス値が、その画素にレーザ光が供給されるか否かに依存するような、画素Ｐｉｊの任意の他の構成においても、同じような動作をする。
【００５８】
光フィードバック作用を伴う本発明による実施例においては、画素光発生素子ＬＧｉｊにより発生された画素光の一部ＰＬＭｉｊが、光感応素子ＬＳｉｊに到達するようになる。
【００５９】
図３に示す画素Ｐｉｊの働きについて、以下に説明する。光感応素子ＬＳｉｊに当たる光の総量は、画素光発生素子ＬＧｉｊが発生する画素光の一部ＰＬＭｉｊと、レーザビームＬＢとを合成したものである。
【００６０】
最初は、直列の配置間にかなりの画素電圧ＳＶｉが存在する場合であっても、画素Ｐｉｊはオフ状態にある。光感応素子ＬＳｉｊの高インピーダンスのために、画素電圧ＳＶｉが光感応素子ＬＳｉｊのほぼ全体に亘って存在し、従って画素光発生素子ＬＧｉｊ間の電圧はほぼゼロとなる。
【００６１】
特定の画素Ｐｉｊが光を発生する場合には、レーザＬＡＳは、光感応素子ＬＳｉｊに達する光を放出する。光感応素子ＬＳｉｊのインピーダンスは、画素光発生素子ＬＧｉｊのインピーダンスに比べて低くなり、かつ画素電圧ＳＶｉは、画素光発生素子ＬＧｉｊ間に実質上存在するようになる。画素光発生素子ＬＧｉｊは、画素光ＬＭｉｊを放出し始める。レーザ光をオフに切り換えると（これは通常、走査のためレーザビームが画素Ｐｉｊを離れる時である）、画素光発生素子ＬＧｉｊが発生する光の一部ＰＬＭｉｊが、低インピーダンスを維持する光感応素子ＬＳｉｊにより捕えられるため、画素Ｐｉｊはオン状態のままである。選択電圧ＳＶｉをしきい値以下に低下させることによって、画素Ｐｉｊをオフに切り換えることができる。従って、画素Ｐｉｊは、光感応素子ＬＳｉｊに光フィードバックすることで得られる内蔵メモリを有することになる。
【００６２】
特定の画素Ｐｉｊが、レーザビームＬＢがその画素に当たっていても光を発生させないようにする場合には、光感応素子ＬＳｉｊのインピーダンスが高い状態を維持するように、レーザビームの強度を低くすべきである。
【００６３】
ビデオ信号を用いてマトリックスディスプレイ全体を駆動させるためには、あるフィールド期間中に全ての画素Ｐｉｊにアドレス指定して、このフィールド期間中に、あるフィールドの入力ビデオデータＩＤを画素Ｐｉｊに供給しなくてはならない。次のフィールド期間中には、画素Ｐｉｊに次のフィールドの入力データＩＤを供給する。フィールド期間中には、マトリックスディスプレイの行ＬＲｉが１つずつ選択され、またレーザビームＬＢは、選択された行ＬＲｉ全体を走査する。画素Ｐｉｊに最初にデータを書き込む前は、全ての画素は光を発生しないように、リセットする必要がある。これは、全ての行ＬＲｉに対して選択電圧ＳＶｉをしきい値以下に低下させることで可能となる。ついで、行選択期間中に特定の行が選択されるが、これはこの行に対して十分高い選択電圧ＳＶｉを供給することにより行われる。同時に、レーザは、選択された行ＬＲｉの画素Ｐｉｊに沿って走査する。それから、行選択期間の最後には、選択電圧ＳＶｉは、この行内の画素Ｐｉｊを維持するのに十分ではあるが、その画素Ｐｉｊに再アドレス指定するには低すぎる値にまで低下する。従って、選択されなかった行の選択電圧ＳＶｉは非常に低く、レーザビームＬＢが画素Ｐｉｊの状態を変化させることはできないが、画素Ｐｉｊをリセットするほど低くはない。
【００６４】
また、全ての画素Ｐｉｊが同じ画素電圧ＶＳｉを受電する場合、アドレス指定は、本質的に画素Ｐｉｊに沿うレーザビームＬＢを走査することにより行う。
【００６５】
更なるグレイスケールが要求される場合には、既知のサブフィールドドライブ法を用いることができる。フィールド期間に対する上述した方法と同じような方法により、フィールド期間の各サブフィールドをアドレス指定することができる。
【００６６】
画素光発生素子ＬＧｉｊは、例えば、小さなレーザや、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＯＬＥＤ、ＰｏｌｙＬＥＤ、小型の白熱ランプ又は蛍光灯、又はプラズマディスプレイに用いられているような光発生素子で構成することができる。光感応素子は、例えば、ＬＤＲ（光依存抵抗）、又はＬＡＳ（光駆動サイリスタ又は他の光駆動電子スイッチ）で構成することができる。
【００６７】
このような光学的にアドレス指定されるディスプレイは、ＬＣＤに比べ安価で、製造が比較的容易である。寸法は容易に拡大縮小可能であり、簡単な２つの終端メモリ素子のみを要するだけで、高いルーメン効率も可能である。
【００６８】
図４は、本発明によるディスプレイセルの他の実施例を示している。画素光発生素子ＬＧｉｊは、第１の行電極ＲＥ１ｉと第２の行電極ＲＥ２ｉとの間で、トランジスタＴＲ１ｉｊの主電流通路と直列に配置されている。第１の行電極ＲＥ１ｉにかかる電圧はＶｉ１により示され、第２の行電極ＲＥ２ｉにかかる電圧はＶｉ２により示され、画素電圧ＳＶｉは電圧Ｖｉ１とＶｉ２との差である。光感応素子ＬＳｉｊは、トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極と第１の行電極ＲＥ１ｉとの間に配置されている。トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極と第２の行電極ＲＥ２ｉとの間には、随意のキャパシタＣ１ｉｊが配置されている。トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極と第２の行電極ＲＥ２ｉとの間には、随意の漏洩抵抗ＲＬｉｊも配置されている。
【００６９】
十分高輝度なレーザ光が光感応素子ＬＳｉｊに当たる場合には、トランジスタＴＲ１ｉｊが低オームとなり、画素光発生素子ＬＧｉｊ間にデータ電圧ＶＳｉが実質上与えられて、この画素光発生素子ＬＧｉｊが画素光ＬＭｉｊを放出し始める。画素光の一部ＰＬＭｉｊが光感応素子ＬＳｉｊに当たり、これによりこの光感応素子は、レーザ光が供給されなくなっても画素をオン状態に維持する。選択電圧ＳＶｉがあるしきい値以下に低下すると、画素光発生素子ＬＧｉｊは光を放出しなくなる。画素光発生素子ＬＧｉｊは、電圧Ｖｉ３でオフに（又はオンに）切り換えることもできる。
【００７０】
随意のキャパシタＣ１ｉｊは、トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極にかかる電圧をバッファし、メモリ特性を与える。随意の抵抗ＲＬｉｊはキャパシタを放電し、これによりメモリの時定数を決定する。
【００７１】
図５は、本発明によるディスプレイセルの他の実施例を示している。画素光発生素子ＬＧｉｊは、行電極ＲＥ１ｉと行電極ＲＥ２ｉとの間でトランジスタＴＲ１ｉｊの主電流通路と直列に配置されている。行電極ＲＥ１ｉにかかる電圧はＶｉ１により示され、行電極ＲＥ２ｉにかかる電圧はＶｉ２により示され、画素電圧ＳＶｉは電圧Ｖｉ１とＶｉ２との差である。光感応素子ＬＳｉｊは、トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極と行電極ＲＥ１ｉとの間に配置されている。トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極と行電極ＲＥ１ｉとの間には、随意のキャパシタＣ２ｉｊを配置する。トランジスタＴＲ１ｉｊの制御電極と第２の行電極ＲＥ２ｉとの間には、トランジスタＴＲ２ｉｊの主電流通路が配置されている。トランジスタＴＲ２ｉｊの制御電極と行電極ＲＥ１ｉとの間には、光感応素子ＦＬＳｉｊが配置されている。
【００７２】
短い光パルスが光感応素子ＦＬＳｉｊに当たる場合、トランジスタＴＲ２ｉｊは低オームとなり、かつキャパシタＣ２ｉｊは選択電圧ＶＳｉにまで充電される。トランジスタＴＲ１ｉｊは導通し始め、そして画素光発生素子ＬＧｉｊは画素光ＬＭｉｊを放出し始める。キャパシタＣ２ｉｊの充電により、トランジスタＴＲ１ｉｊの導通が維持される。画素光の一部ＰＬＭｉｊは光感応素子ＬＳｉｊに当たり、この光感応素子はキャパシタＣ２ｉｊを放電する。トランジスタＴＲ１ｉｊのインピーダンスは徐々に増大する。こうして、陰極線管の蛍光体の特性に似たものとなる。レーザビームＬＢが画素Ｐｉｊに沿って走査する際に発生する光パルスに応答して、画素Ｐｉｊは高輝度で始まり、徐々に低下する。キャパシタＣ２ｉｊの値により、輝度が低下してゼロになる時間が決まる。光パルスの輝度及び／又は持続時間により、画素Ｐｉｊのピークの輝度が決定される。
【００７３】
さらに、画素光発生素子が（Ｐｏｌｙ）ＬＥＤ（発光ダイオード）である場合には、画素Ｐｉｊの輝度は、その画素光発生素子の品質にはほぼ無関係となるという利点がある。（Ｐｏｌｙ）ＬＥＤが十分に機能しない場合は、キャパシタＣ２ｉｊの放電にはより時間がかかるようになり、従って、発生する光の正味の総量はほぼ等しくなる。
【００７４】
トランジスタＴＲ２ｉｊの制御電極における電圧Ｖｉ３を用いて画素Ｐｉｊをオフ（又はオン）に切り換えることもできる。
【００７５】
図６は、選択電圧の適切なレベルを示している。選択電圧ＶＳｉは水平軸に沿って示され、そして画素Ｐｉｊの輝度Ｂｒは縦軸に沿って示されている。画素Ｐｉｊが選択電圧ＶＳｉ（ＶＳｉ＜ＶＳｉａ）の低い値においてオフであり、それゆえ輝度Ｂｒは極めて低いかゼロであり、しかも選択電圧ＶＳｉが増大する場合には、画素Ｐｉｊは、曲線ＵＥに従って光を放出し始める。こうして値ＶＳｉｃ以上では、画素Ｐｉｊは光を放出し始め、そして値ＶＳｉｄ以上の選択電圧では、最大輝度Ｂｒｍが得られる。引き続き選択電圧ＶＳｉを低下させる場合には、画素の輝度は曲線ＤＥをたどる。このように輝度はレベルＶＳｉｂにおいて低下し始め、レベルＶＳｉａ以下では低くなる。画素Ｐｉｊのヒステリシス特性のため、３つの領域が得られる。画素輝度ＢｒはレベルＶＳｉａ以下では低く、従って選択電圧ＶＳｉをレベルＶＳｉａ以下に低下させることにより、画素Ｐｉｊをオフに切り換えることができる。領域ＲＡ内では、オンの（高輝度レベルＢｒｍを有する）画素Ｐｉｊはオンのままとなり、オフの（低輝度レベルを有する）画素はオフのままとなる。領域ＲＢ内では、選択電圧ＳＶｉは、光が画素Ｐｉｊに当たる際に、画素Ｐｉｊをオンに切り換えるのに十分な大きさである。
【００７６】
実際の実施例においては、電圧レベルは概ね以下のようになる。ＶＳｉｂ＝４ボルト、ＶＳｉｃ＝５ボルト、そしてＶＳｉｄ＝７ボルト。これらのレベルは単なる目安であり、異なるディスプレイや異なる画素Ｐｉｊの形態に対しては、異なる電圧レベルとすることができる。
【００７７】
なお、前述の実施例は、発明を限定するものではなく発明を説明したものであり、当業者であれば、添付した請求の範囲を逸脱することなく幾多の変更を加え得ることは明らかである。
【００７８】
例えば、ＭＯＳＦＥＴとして示されているトランジスタは、バイポーラトランジスタとすることもできる。全てのトランジスタは反対導電型とすることも可能であり、この場合、回路は当業者に周知の方法で適合させる必要がある。
【００７９】
「具える」ということは、請求項中に列記したもの以外の要素又はステップを除外するものではない。本発明は、幾つかの明確な要素を具えるハードウェアの手段を用いても、また適切にプログラムしたコンピュータの手段を用いても実施可能である。幾つかの手段を列挙しているデバイスの請求項においては、これらの手段のうち幾つかは、一つの同じハードウェアのアイテムによって具体化できる。特定の手段が、相互に異なる従属請求項に列挙されていても、そのことによりこれらの手段の組合せを都合よく使用することができない、ということを示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】ディスプレイセルがレーザを用いてアドレス指定可能である本発明によるディスプレイ装置を概略的に示す図である。
【図２】レーザでアドレス指定するディスプレイセルを有するマトリックスディスプレイ装置の実施例を示す図である。
【図３】本発明によるディスプレイセルの実施例を示す図である。
【図４】本発明によるディスプレイセルの他の実施例を示す図である。
【図５】本発明によるディスプレイセルの他の実施例を示す図である。
【図６】選択電圧の適切なレベルを示す図である。
【図１】
2006517683.tif 000003
【図２】
2006517683.tif 000004
【図３】
2006517683.tif 000005
【図４】
2006517683.tif 000006
【図５】
2006517683.tif 000007
【図６】
2006517683.tif 000008
【国際調査報告】
2006517683.tif 000009
2006517683.tif 000010