(57)【要約】本発明は、半導体のスライスを製造する方法に関する。半導体のスライスは、活性面と不活性面とを備える。活性面上に不動態化層（ＰＡＳＳ）が堆積される。この方法は、有機物層堆積ステップを備え、ここでは、半導体のスライスの不活性面上に、有機物層（ＯＲＧＡ１）が堆積される。
2006517736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体のスライスが、活性面および不活性面を備え、不動態化層が活性面上に堆積されている、半導体のスライスを製造する方法であって、この方法は、半導体のスライスの不活性面上に有機物層が堆積される有機物層堆積ステップを備える、方法。
【請求項２】
有機物層は、スピンコート法の技術を用いて堆積される、請求項１に記載の半導体のスライスを製造する方法。
【請求項３】
有機物層は、ポリイミドである、請求項１に記載の半導体のスライスを製造する方法。
【請求項４】
活性面には、第２の有機物層が設けられている、請求項１に記載の半導体のスライスを製造する方法。
【請求項５】
第２の有機物層は、感光性樹脂から作られている、請求項４に記載の半導体のスライスを製造する方法。
【請求項６】
活性面および不活性面を備え、活性面には、不動態化層が設けられている半導体のスライスであって、不活性面には、有機物層が設けられている、半導体のスライス。
【請求項７】
有機物層の厚みは、１０μｍ未満である、請求項６に記載の半導体のスライス。
【請求項８】
有機物層の厚みは、２μｍから５μｍの間である、請求項６に記載の半導体のスライス。
【請求項９】
半導体のスライスは、シリコンウェハである、請求項１に記載の半導体のスライス。
【請求項１０】
活性面および不活性面を備え、不動態化層が活性面上に堆積されている集積回路素子であって、不活性面には、有機物層が設けられている、集積回路素子。
【請求項１１】
スマートカードタイプの可搬式物品であって、スマートカードは、請求項１０に記載の集積回路素子を備えている、可搬式物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体のスライスを製造する方法に関する。
【０００２】
本発明は、また、活性面および不活性面を備える半導体のスライスにも関する。半導体のスライスは、例えば、シリコンウェハである。本発明は、また、半導体のスライスの一片、例えば、集積回路素子にも関する。本発明は、また、スマートカードタイプの可搬式物品にも関する。本発明は、特に半導体産業に、スマートカード産業に、そして何らかの薄型チップアプリケーションに、適用され得る。
【背景技術】
【０００３】
ウェハは、一般に、活性面と不活性面とを備えている。活性面には、能動素子、例えば、集積回路デバイスが設けられる。活性面には、また、導体パッドも設けられている。活性面は、一般に活性面をより良好に保護するために、既に不動態化層でコーティングされている。不動態化層は、概してＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４から作られている。
【０００４】
図１Ａは、スマートカードを製造する方法を図解しており、この方法は、
・  ウェハが電気的に検査される、ウェハ検査ステップＴＥＳＴと、
・  ウェハの不活性面が薄板化処理される、ウェハ薄板化ステップＴＨＩＮと、
・  ウェハが、製造される取り付け支持体上に取り付けられる、ウェハ取り付けステップＭＯＵＮＴと、
・  複数の能動素子を得るようにウェハが鋸で切断される、ウェハ鋸引きステップＳＡＷと、
・  能動素子が取り出され、且つ例えばリードフレームまたは他の何らかのパッケージタイプに配置される、取り出し配置ステップＰＰと、
・  能動素子がリードフレームの接触エリアに電気的に接続される、接続ステップＣＯＮと、
・  接続された能動素子が、モジュールを得るために樹脂材料でコーティングされる、封止ステップＥＮＣＡＰと、
・  スマートカードを得るべく、モジュールがカード本体内に埋め込まれる、埋設ステップＥＭＢと、
の各ステップを備える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的とするところは、品質を向上し且つコストを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの態様によれば、半導体のスライスを製造する方法であって、半導体のスライスは、活性面および不活性面を備え、不動態化層が活性面上に堆積されている方法は、この方法が、半導体のスライスの不活性面上に有機物層が堆積される有機物層堆積ステップを備えることを特徴としている。
【０００７】
半導体のスライスは、例えば、シリコンウェハである。有機物層は、例えば、ポリイミドから作られる。
【０００８】
ウェハの不活性面に有機物層を設けることによって、複合構造（有機物／無機物／有機物）が得られる。したがって、活性面上に不動態化層によって誘起される機械的応力は、低減される。有機物層は、初期ウェハ応力を補償する。したがって、ウェハの湾曲および反りが低減される。このため、ウェハの平坦性が改善される。
【０００９】
本発明の他の利点によれば、有機物層は、有機物材料から作られる。したがって、堆積ステップは、実現することが容易で且つコストに対して効果の高いスピンコート法プロセスを用いてなされることができる。
【００１０】
したがって、本発明は、コストの低減および向上された品質を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
シリコンウェハは、一般に、種々の集積回路素子が設けられる活性面と、不活性面を備えている。不動態化層は、集積回路素子を保護するために活性面上に堆積されている。不動態化層は、一般に、１０μｍ未満の厚みを有している。その厚みは、例えば、２μｍから３μｍの間である。
【００１２】
シリコンは、特に薄型チップアプリケーションについては、非常に脆い材料である。図１Ａに図解された製造ステップの大部分の間、直面する機械的圧迫によって、シリコンが脆弱化される。チップの破損の危険はそれゆえ非常に高い。
【００１３】
図１Ｂは、本発明に従って半導体のスライスを製造する方法を図解している。
【００１４】
有機物層堆積ステップＤＥＰにおいては、シリコンウェハの不活性面に、コーティングされたシリコンウェハを得るように、有機物層が設けられる。
【００１５】
有機物層の厚みは、好ましくは１０μｍ未満であり、有利には２μｍから５μｍの間である。有機物層は、例えば、ポリイミド、（エポキシベースの）熱硬化樹脂、ＵＶ硬化樹脂、接着剤または糊であっても良い。有機層堆積ステップＤＥＰは、例えばウェハ薄板化ステップＴＨＩＮとウェハ取り付けステップＭＯＵＮＴとの間に導入されても良い。
【００１６】
次に、ウェハ鋸引きステップＳＡＷにおいては、コーティングされたシリコンウェハが、複数の集積回路素子を得るように、鋸で切断される。
【００１７】
取り出し配置ステップＰＰにおいて、回路素子は、取り付け支持体から取り出され、接触素子が設けられた支持層に配置される。支持層は、例えば、リードフレームである。
【００１８】
接続ステップＣＯＮにおいて、回路素子は、接続された回路素子を得るように、支持層の接触素子に接続される。接続ステップは、例えば、ワイヤボンディング技術、またはフリップチップ技術を用いて行われても良い。
【００１９】
封止ステップＥＮＣＡＰにおいて、接続された回路素子は、回路素子を保護するように、樹脂材料によって封止される。
【００２０】
埋設ステップＥＭＢにおいて、接続された回路素子は、スマートカードを得るように、カード本体の中に埋め込まれる。
【００２１】
ウェハの不活性面に有機物層を設けることによって、複合構造（有機物／無機物／有機物）が得られる。
【００２２】
したがって、特に不動態化層によって誘起される機械的応力、および初期ウェハ湾曲が、低減される。有機物層は、初期ウェハ応力を補償する。したがって、ウェハの湾曲および反りが低減される。このため、ウェハの平坦性が改善される。
【００２３】
加えて、この複合構造によって、シリコン内へのかけおよびひび割れの拡がりも、特にウェハ取り付けステップおよびウェハ鋸引きステップの間において低減される。そのようにして得られた集積回路素子も、また複合構造（有機物／無機物／有機物）を有しており、したがってさらに堅い。
【００２４】
この全体的な機械的振る舞いの改善によって、スマートカードの寿命が顕著に増大する。例えば、ＩＳＯ規格７８１０および１０３７３．１において規定されたような「３ホイール」検査の間に、チップに印加される応力は、９％低減される。この場合、不動態化層の厚みは、２μｍから３μｍの間である。不活性面上の有機物層の厚みは、３μｍから５μｍの間である。
【００２５】
上述の説明は、半導体のスライスを製造する方法を説明している。半導体のスライスは、活性面および不活性面を備えている。不動態化層は、活性面上に堆積されている。この方法は、有機物層が半導体のスライスの不活性面上に堆積される有機物層堆積ステップを備えている。
【００２６】
半導体のスライスは、例えば、シリコンからなる。それは、特にシリコンウェハであっても良い。有機物層は、半導体のスライス上に堆積され得る他には、どのような有機物層であっても良く、例えば、ポリイミド、（エポキシベースの）熱硬化樹脂、ＵＶ硬化樹脂、接着剤または糊であっても良い。
【００２７】
本発明の他の態様によれば、活性面および不活性面を備え、活性面には不動態化層が設けられている半導体のスライスは、不活性面に有機物層が設けられていることを特徴としている。
【００２８】
本発明の他の態様によれば、活性面および不活性面を備え、不動態化層が活性面上に堆積されている集積回路素子は、不活性面に有機物層が設けられていることを特徴としている。
【００２９】
本発明の他の態様によれば、スマートカードタイプの可搬式物品は、スマートカードが、上述された集積回路素子を備えていることを特徴としている。
【００３０】
可搬式物品は、例えばスマートカード、または集積回路を備える他のいかなる可搬式素子であっても良い。それは、例えば、フラッシュメモリが設けられた小型デバイスであっても良い。
【００３１】
図２に図解されているように、有機物層ＯＲＧＡ２は、また、複合構造（ＯＲＧＡ１、ＷＡＦ、ＰＡＳＳ＋ＯＲＧＡ２）の幾何学的形態を最適化するように、不動態化層上に堆積されても良い。有利には、この有機物層ＯＲＧＡ２は、感光性樹脂から作られていても良い。この点で、フォトリソグラフィのプロセス（液体スピンによる感光性樹脂コーティング、硬化、露光、現像等…）が、例えば使用され得る。感光性材料を使用することによって、例えば、ウェハＷＡＦの活性面ＡＣＴＩＶの接触パッドの上の有機物層ＯＲＧＡ２内に、開口が形成され得る。
【００３２】
上述された説明において、有機物層堆積ステップは、ウェハ鋸引きステップの前に行われている。しかしながら、有機物層堆積ステップは、ウェハ鋸引きステップの後に、有利には、取り出し配置ステップの直前に行われても良い。
【００３３】
上述された説明において、ウェハ薄板化ステップは、有機物層堆積ステップの前に行われている。この点において、例えば、ウェハが、最初に完全にまたはそうでなく鋸引きされ、その後に、薄板化され、この時にのみ有機物層が不活性面上に堆積されても良い。
【００３４】
本発明の他の態様によれば、シールド層が、ウェハの活性面上に配置されても良い。有利には、シールド層はウェハと同一の材料によって作られていても良い。有利には、シールド層には、ウェハの活性面の少なくとも１つの集積回路素子と同一平面上に配置される孔が設けられる。この場合には、感光性樹脂は、シールド層上に堆積され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】スマートカードを製造する方法を図解している。
【図１Ｂ】半導体のスライスを製造する方法を図解している。
【図２】ある特定の実施の形態におけるシリコンウェハの複合構造を図解している。
【図１Ａ】
2006517736.tif 000003
【図１Ｂ】
2006517736.tif 000004
【図２】
2006517736.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハが、活性面および不活性面を備え、不動態化層が活性面上に堆積されている、シリコンウェハから集積回路素子を製造する方法であって、この方法は、
ａ．不動態化層と有機物層が実質的に同一の厚みを有して、サンドイッチ状の構造を得るように、スピンコート法の技術を用いてシリコンウェハの不活性面上に有機物層が堆積される、有機物層堆積ステップと、
ｂ．半導体のスライスが、複数の集積回路素子を得るように鋸で切断される、ウェハ鋸引きステップと、
の各ステップを備える、方法。
【請求項２】
有機物層は、ポリイミドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
活性面には、第２の有機物層が設けられている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の有機物層は、感光性樹脂から作られている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
スマートカードタイプの可搬式物品であって、請求項１の方法によって得られた集積回路素子を備えている、可搬式物品。
【国際調査報告】
2006517736.tif 000006
2006517736.tif 000007
2006517736.tif 000008