(57)【要約】光ガイド（１２）と、バックプレート（１４）と、前記光ガイド（１２）と前記バックプレート（１４）との間に配置されたフレキシブル素子（１５）と、前記光ガイド（１２）から光を引き出すために、前記素子（１５）に静電力を誘発し、前記素子（１５）の選択された部分を前記光ガイド（１２）に接触させるためのアドレス可能電極（２３）とを有するディスプレイ装置である。前記アドレス可能電極（２３）は前記光ガイド（１２）と前記バックプレート（１４）とのうち一方のみの上に構成され、前記フレキシブル素子（１５）に対して、前記アドレス可能電極（２３）から離れる方向にバイアス力がかかる。ディスプレイを動作させるために必要とされる電圧も、従来型のフォイルディスプレイと比較して低くなる。原則的には、フレキシブル素子の電極をグラウンド電位に維持すると同時に、バイアス力に打ち勝つためアドレス可能電極に１０〜２０Ｖのパルスを印加することは適当である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ガイドと、バックプレートと、前記光ガイドと前記バックプレートとの間に配置されたフレキシブル素子と、前記光ガイドから光を引き出すために、前記素子に静電力を誘発し、前記素子の選択された部分を前記光ガイドに接触させるためのアドレス可能電極とを有するディスプレイ装置において、前記アドレス可能電極は前記光ガイドと前記バックプレートとのうち一方のみの上に配置され、前記フレキシブル素子に対して、前記アドレス可能電極から離れる方向にバイアス力がかかることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のディスプレイ装置において、前記アドレス可能電極は、アクティブマトリクスアドレシングを用いてアドレスされる、ディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のディスプレイ装置において、前記電極をアドレスするために薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる、ディスプレイ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のディスプレイ装置において、前記素子は、前記アドレス電極から離れる方向に静電的にバイアスされる、ディスプレイ装置。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のディスプレイ装置において、前記素子は、前記アドレス電極から離れる方向に機械的にバイアスされる、ディスプレイ装置。
【請求項６】
請求項５に記載のディスプレイ装置において、更に、前記フレキシブル素子と前記アドレス可能電極との間に弾性層を有する、ディスプレイ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載のディスプレイ装置において、前記アドレス可能電極は、前記バックプレート上に配置される、ディスプレイ装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか１項に記載のディスプレイ装置において、前記アドレス可能電極は、前記光ガイド上に配置される、ディスプレイ装置。
【請求項９】
請求項２に従属する請求項８に記載のディスプレイ装置において、反射層が前記ＴＦＴの下に配置される、ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ガイドと、バックプレートと、前記光ガイドと前記バックプレートとの間に配置されたフレキシブル素子と、前記光ガイドから光を引き出すために、前記素子に静電力を誘発し、前記素子の選択された部分を前記光ガイドに接触させるためのアドレス可能電極とを有するディスプレイ装置に関する。
【０００２】
このようなディスプレイは、通常フォイルディスプレイと呼ばれる。
【背景技術】
【０００３】
従来型のフォイルディスプレイ（例えば国際特許出願公開第００／３８１６３号を参照）は、エッジ発光ガラスプレート及び非発光バックプレートの形の光ガイドを有し、これら２つのプレート間には散乱フォイルが挟まれている。両プレート上には、平行電極のそれぞれの組があり、これら組は、互いに対して垂直に構成される。コモンフォイル電極が散乱フォイルの一方の面上にあり、この面の表面全体をカバーする。光ガイド、バックプレート及びフォイルへの適当な電極への電圧の印加によって、フォイルに、力ベクトルがそれぞれ光ガイド及びバックプレートに向く２つの対向する静電力を発生させることが可能である。これら２つの対向する静電力のバランスが、フォイルの弾性力と相まって、フォイルを光ガイド又はバックプレートの何れかに引き付けるために用いられる。フォイルと行又は列電極との間の正味の引力は、該フォイルが該電極と最初のうちは接していなければ、該電極に向かう方向のフォイルスイッチングを誘発する。通常、フォイルは、局所的な行電極とフォイル電極との間に加えられる電圧差よりも絶対的に大きい局所的な列電極とフォイル電極との間の電圧差を、加えることによって、光ガイドに向かって局所的に引き寄せられることができる。同様に、フォイルは、局所的な列電極とフォイル電極との間に加えられる電圧差よりも絶対的に大きい局所的な行電極とフォイル電極との間の電圧差を加えることによって、バックプレートに向かって局所的に引き寄せられることができる。
【０００４】
行及び列電極に向かう方向にフォイルに加えられる引力（クーロン力）は、更に、それぞれの電極とフォイル電極との間の「実効」距離の逆数に比例するので（即ち、電極とフォイル導体との間の層の誘電定数を考慮することにより）、フォイルスイッチング動作にはヒステリシスがある。このヒステリシスは、双安定性フォイルスイッチング動作の原因となる。即ち、ピクセルが行電圧によって選択されない場合、これらのピクセルに関連するフォイル区域は、所与の高さの電圧パルスが対応する列電極に印加されるか否かに関わらずスイッチしない。このような双安定性の領域が存在するので、ピクセルにはメモリ効果があり、従って、パッシブマトリクスアドレス方式がディスプレイを駆動するのに用いられることができる。
【０００５】
従来のフォイルディスプレイの極めて重要な特徴は、両方のプレートにおける適合するスペーサの組である。これらスペーサ間に、フォイルは挟まれ、フォイルと２つのプレートとの間に隙間が規定される。
【０００６】
上記で概略されたデザインについての現在確認されているパフォーマンスの欠点は、−高いアドレス電圧の要件（典型的には５０〜８０Ｖのフォイル電圧、約１０〜２０Ｖの行及び列電極への選択パルス）、
−異なったピクセルに存在するフォイルスイッチ双安定性の限度及び再現性の変動、
−アドレシングの最中の多数の非所望のピクセルのスイッチングイベント
である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、これらの欠点の少なくとも幾つかを克服し又は軽減し、フレキシブル素子の改善されたより信頼性の高いアドレシング及びスイッチング挙動を持つフォイルディスプレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、この目的は、冒頭で述べられた種類のフォイルディスプレイであって、前記光ガイドと前記バックプレートとのうち１つのみがアドレス電極を備え、前記フレキシブル素子に対して前記アドレス可能電極から離れる方向にバイアス力がかかる、フォイルディスプレイによって達成される。
【０００９】
バイアス力は実質的にフレキシブル素子全体にかかることに注意されたい。アドレス電極は、それぞれ、フレキシブル素子の一部、例えば、個々のピクセル又はピクセルの行をアドレスし、バイアス力に局所的に打ち勝つ該部分への静電力を作ることが可能である。
【００１０】
しかし、今や、フレキシブル素子は、フォイルスイッチング双安定性に依存する必要なしに、２つの位置の間で移動されれば足りる。従来のフォイルディスプレイにおいて、フレキシブル素子は、所与の程度のフォイルスイッチング双安定性の存在に依存しながら、即ち、フォイルスイッチング図の双安定領域の存在に依存しながら、２つの端位置間で移動されなければならない。フォイルスイッチング図は、ピクセル中のフォイル位置を、一方では列電極とフォイル電極との間の印加された電圧差の、他方では行電極とフォイル電極との間の印加された電圧差の、関数として与える。
【００１１】
フォイルディスプレイレイアウトは、このようにして、既存のフォイルスイッチング双安定性を最小化し、アクティブマトリクスアドレシングと互換性を持つ（下記参照）ように、最適化されることができる。この結果、ディスプレイを動作するのに必要とされる電圧も、従来のフォイルディスプレイと比較して低くなる。原則的には、フレキシブル素子の電極をグラウンド電位に維持すると同時に、バイアス力に打ち勝つためアドレス可能電極に１０〜２０Ｖのパルスを印加することは適している。これらの電圧範囲については、ドライバ電子素子はより単純であり、商業的に入手可能である可能性が高い。
【００１２】
好適には、アクティブマトリクスは、アドレス可能電極をアドレスするのに用いられる。
【００１３】
図１は、従来のフォイルディスプレイのフォイルスイッチング図を示す。「オン」曲線１及び「オフ」曲線２は、これらの間の双安定領域３、例えばフォイルスイッチングヒステリシスの領域を規定する。これは、パッシブマトリクスアドレシングについて必要な状況であり、行選択されていないピクセル（点４及び５）の動作領域は、この双安定領域３の中に位置しなければならない。列電圧の変化は、フォイルスイッチング状態を変更することなく点４と５との間のピクセルを交換するに過ぎない。ピクセルをオン状態にスイッチするには、行電圧はローに（フォイル電圧により近く）セットされなければならず、列電圧はハイに（即ちフォイル電圧（点８）から離れるように）セットされなければならない。逆に、ピクセルをオフ状態にスイッチするには、行電圧はハイに（フォイル電圧から離れるように）セットされなければならず、列電圧はローに（即ちフォイル電圧（点９）に近づくように）セットされなければならない。代わりに、ピクセルは、列電圧を点４よりも更に低く、例えばフォイル電圧と等しく、セットすることによってオフにされる。これはいわゆるローバスト（robust）スイッチオフである。いずれにせよ、列又は行ドライバのいずれかに、３つの電圧レベルが必要とされることは、図１から明らかである。更に、幾つかの動作点が双安定領域に位置し、従って、フォイルスイッチングパフォーマンスは、異なったピクセルに関連する、フォイルスイッチング図におけるオン曲線１及びオフ曲線２の厳密な位置の変動（ピクセル−ピクセルフォイルスイッチングスプレッド）と、静電荷とに影響される。
【００１４】
アクティブマトリクスアドレシングを用いる場合、ピクセルメモリは、代わりに、ピクセル回路によって提供される。選択パルスが与えられたら、電圧はピクセル回路に貯蔵されることができ、これは、ピクセルが「オン」にされたか又は「オフ」にされたかを規定する。従って、２レベルしか必要でなく、１レベルはオン領域（即ちオン曲線１及びオフ曲線２より下）に、１レベルはオフ領域（即ちオン曲線１及びオフ曲線２より上）に、必要である。結果として、ドライバは簡略化されることができる。
【００１５】
また、ピクセル間の双安定性の変化に起因するピクセル−ピクセルフォイルスイッチングスプレッドの増加は、単にドライバのより大きな電圧スイングを必要とするのみであるが、ＰＭアドレシングに伴うリスクであるアドレス可能でないピクセルへの電圧スイングまでが必要なわけではない。水平スイッチング（即ちスイッチングが行電圧に依存しない）又は垂直スイッチング（列電圧に依存しない）でさえ、良好なパフォーマンスを与えることになる。フォイルスイッチング図における２つの動作位置が今や大きな自由度を持って選択されることができ、ピクセルオン動作点とピクセルオフ動作点との間の小さい電圧スイング及びオンピクセルにおけるフォイルと光ガイドとの間の最大化された接触界面が目標とされるべきである。
【００１６】
追加の利点は、アドレシングパルス長が、ＡＭアドレシングによって大幅に低減されることができるということである。ＰＭアドレシングでは、パルスは、「オフ」状態と「オン」状態との間でフォイルをスイッチするのに必要な時間の間、電極に維持されなければならない。ＡＭアドレシングでは、電圧はピクセル回路に書かれることができ、これは、電極間の正しい電圧差を維持してフォイルスイッチングを誘発することとなる。換言すれば、ピクセルの次の行は、第１の行に関連するフォイル区域が依然として「オフ」から「オン」に移るプロセスにある最中に、既にアドレス可能である。
【００１７】
フォイルディスプレイにおいては、２つのプレート上の電極及びフォイル上の電極は、互いに非常に近くに（μｍの距離）位置し、従って、ピクセルは相当な容量を受ける。ＰＭアドレシング方式では、容量の列（又は行）全体が、電極上の電圧が変化すると充電される。ＡＭアドレシングでは、アドレスされるピクセルのみが充電されるので、電力消費は大幅に低減されることができる。アドレシング方式及びグレースケーリング方法に応じて、パルスの数は低減されることができ、これはより低い電力消費にもつながる。
【００１８】
他の利点は、ＡＭアドレシングはＰＭアドレシングよりも堅牢であるので、アナロググレースケーリング又は部分的にアナログのグレースケーリングが実現可能になるということである。本発明によれば、アドレシング電極は、光ガイド又はバックプレートの何れか一方にのみ必要とされる。しかし、他方のプレート（アドレス可能電極が構成される場所に応じて光ガイド又はバックプレート）には、フレキシブル素子にかかる一定の静電力の形のバイアス力を提供するために、非構造化電極が、設けられてよい。アドレス可能電極によって作られる静電力は、このとき、この引力に打ち勝つように、また、フォイルをアドレス可能電極に向かって引くように適応される。
【００１９】
好適な実施例によれば、バイアス力は、機械的に誘起された力であり、例えば、電極をアドレスすることなくフレキシブル素子とプレートとの間の全てのスペーサを単に除去することによって生じさせられた弾性力である。アドレス可能電極によって作られる静電力は、このバイアス弾性力に打ち勝つように適応される。
【００２０】
このようにして第２のプレート（アドレス可能電極が構成される場所に応じて光ガイド又はバックプレート）から電極を完全に除去することにより、フォイルは、電極層とこのプレートとの間のいかなる電界も受けず、これにより、第２のプレート上のあらゆる静電現象を回避する。また、より高い駆動電圧を必要とする、フォイル位置及びフォイルスイッチング制御のための２つの大きい静電力のバランスが、回避される。更に、種々のピクセル間でのフォイルスイッチング特性の広がりが低減される可能性が高い。
【００２１】
アドレシング電極は、好適にはバックプレート上に構成される。バイアス力は、このとき、フレキシブル素子を光ガイドに接触させることができ、アドレス電極は、光ガイドから素子の選択された部分を解放してこれによりこれらをオフにするのに用いられることができる。
【００２２】
アドレシング電極がバックプレートに配置されると、これは、光ガイドプレートにおける光損失の最小化を促進する。これがなければ、この光損失の最小化は、電極材料による或る程度の光吸収又は光散乱を通じて起こりえ、これによってより高い輝度及び均一性が達成されることができる。この利点は、フレキシブル素子が光ガイドに対して機械的にバイアスされる場合（上記を参照）、特に重要である。なぜならこのとき電極層が、光ガイドに必要とされるためである。
【００２３】
更に、バックプレートとフレキシブル素子との間の距離、従って、２つのプレート間の距離は、フレキシブル素子がアドレシング電極と接触する必要がないため、より大きくなるよう選択されることができる。光ガイドとバックプレートとの間の増加されたセルギャップのため、このデザインのフォイルスイッチング挙動は、捕捉された塵粒によって生じる乱れに、影響をより受けなくなる。今度はこのことが、ディスプレイの製造のために必要とされるクリーンルーム設備への要件を低下させる。しかし、増加されたスペーサの高さは、光ガイドからのフォイル解放を可能にするためにより高い電圧差を必要とすることに注意することが重要である。
【００２４】
フレキシブル素子とバックプレートとの間の増加された距離の代わりに、又は、これに加えて、該フレキシブル素子を光ガイドに対して押し付け、これによりこれらの間の接触を改善するために、弾性層がフレキシブル素子とバックプレートとの間に構成されることができる。
【００２５】
弾性層は、更に、光ガイドプレートからバックプレートへの完全な横断が起こらないので、光ガイドプレートからのフレキシブル素子の大きな移動を回避する。フォイルを光ガイドプレートのエバネセント場の外に動かす変位は、光の光ガイドからの引出しを防止するのに十分である。従って、ピクセルが「オン」状態にスイッチすることに伴うフォイルの光ガイドプレートへの衝突の衝撃は、大きく低減され、従って、疲労及び摩擦帯電の発生を低下させる。フレキシブル素子とバックプレートとの間の弾性層は（従ってバックプレート上のスペーサも）、数マイクロメートルの厚さにされることができる。これは、フォイル上の及び／又はフォイルに面するバックプレート面上の小さい汚染粒子の存在へのピクセルのフォイルスイッチングの感度を低下させる。
【００２６】
代わりに、アドレス可能な電極が光ガイド上に構成される。フレキシブル素子は、このとき光ガイドから離れる方向にバイアスされ、アドレス可能電極は、該フレキシブル素子を光ガイドに接触させ、これによりピクセルをオンにするのに用いられる。
【００２７】
この場合、光ガイド上の電極とフレキシブル素子上の電極との間の引力は、フレキシブル素子と光ガイドとの間の良好な光学的接触を保証するのに寄与する。光ガイドを全ての光学損失から守るため、反射層が電極の下に局所的に構成されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
ここで、本発明のこれらの及び他の側面は、本発明の現在好まれる実施例を示す添付の図面を参照して、より詳細に説明される。
【００２９】
図２は、本発明の１つの実施例によるフォイルディスプレイ装置１１を示す。ディスプレイは、光ガイド（アクティブプレート）１２と、ＬＥＤ等の光源１３に接続されるバックプレート（パッシブプレート）１４と、これらのプレートの間に挟まれるフレキシブルな素子とを有する。フレキシブルな素子は、非構造化フォイル電極層１６がその上に配置された、散乱用無機Ｔｉ０２粒子を含む有機パリレンフォイル等のフレキシブルな光散乱物質でできたフォイル１５であってよい。スペーサ１７がバックプレート１４とフォイル１５との間に構成されるが、従来型のフォイルディスプレイとは異なり、フォイルの他方の側にはスペーサは必要とされない。結果として、フォイル１５は、光ガイド１２に押し付けられる。接触部１８におけるスペーサ１７及び光ガイド１２のデザインは、光ガイドへの方向の大きい弾性力を達成するために最適化される。示された例において、光ガイド１２は、スペーサ１７を受ける凹み１９を持ち、これにより、適切な弾性力を生じさせる。更に、スペーサ１７がフォイルを光ガイド１２と接触させておく場所１８に、例えばアルミニウム又は銀でできた反射層２０が配置されることができる。
【００３０】
フォイル１５と光ガイド１２との間の良好な光接触が制御された強さのファンデルワールス密着（van der Waals adhesion）を通じて達成される。この密着の力は、例えば、光ガイドに面しているフォイル表面から突出する散乱粒子の表面密度及びフォイルからの突出距離の適切な調整を通じて調整されることができる。代替的に、密着強度は、光ガイドに面するフォイル側に、制御された表面粗さを与えることによって調整されることができる。光ガイド表面の変形特性も、この点に関して役割を果たす。
【００３１】
バックプレート１４は、バックプレート１２のピクセル素子に正の電圧を印加することができるように構成されたアドレス電極２３を備えている。電極は、絶縁層２４によってカバーされる透明ＩＴＯ層により形成されることができる。フォイル電極１６は、グラウンド電位２５に接続されている。アドレス電極２３は、アドレス手段２６によってアドレスされ、これは下記でより詳細に説明される。
【００３２】
フォイルが光ガイドと接触させられているので、各ピクセルは、オンのデフォルト状態を有する。適当な電圧差がフォイル電極と対応するアドレス電極との間に印加されると、静電力がアドレス電極とフォイルとの間に発生され、これは、ファンデルワールス力及び弾性力に打ち勝って、フォイルを光ガイドから解放する。このようにしてピクセルはオフにされる。フォイルの移動及び位置は、弾性力と静電力との間のバランスにより制御される。横方向の剥離プロセスの最中にフォイルが光ガイドから解放することを保証するために、ピクセル閉じ込め領域の中のフォイルと光ガイドとの間に局所的な非接触領域（示されない）が設けられる。バックプレート上のスペーサ１７の存在を通じてフォイルが光ガイドに永久的に挟まれる位置１８におけるフォイルによる光ガイドからの局所的な光取出し（outcoupling）は、鏡面反射パッチ２０によって防止される。
【００３３】
グレースケールの発生の可能性は、ピクセル電極に与えられる電圧パルスの振幅の変調から来る。なぜならこれは、光ガイド上のフォイルの光接触領域の幅に影響を及ぼし、これにより、ピクセルからの放出光の強度に影響を及ぼすからである。一般的に言って、グレースケールは、パルス幅変調（時間変調）及びパルス高変調（ピクセル内のフォイル／光ガイド接触面積変調）の組合せによって得られることができる。
【００３４】
図３に示される他の実施例によれば、フォイルとアドレス電極との間に弾性層３１が配置される。
【００３５】
弾性層３１は、オープンセル構造及び高い（＞８０％）有孔率を有するスポンジ状の有機物質で作られることができる。数μｍの厚さで、この層を約１００ｎｍ収縮させるために必要とされる圧力は、与えられたピクセル制限及び従ってスペーサピッチにおいてフォイル１５を約１００ｎｍ偏向させる圧力に匹敵するはずである。
【００３６】
この実施例によれば、フォイルの最終的な位置及び形状は、一方では加えられる静電力と、他方では圧縮多孔質層の対向する弾性力及びフォイルの弾性力との間のバランスから得られる。フォイルと光ガイドとの間の分離が数百ｎｍを超えるようにされる場合には、局所的に光は取り出されず、ピクセルは「オフ」状態にある。フォイルと光ガイドプレートとの間の分離が３０ｎｍと１００〜１５０ｎｍとの間で調整される場合には、光ガイドのエバネセント場はフォイル媒体と部分的にのみ結合し、これによりアナロググレースケール形成の可能性を生じさせる。
【００３７】
弾性層３１がアドレス可能な電極２３とフォイル電極１６との間の絶縁を提供するので、絶縁層２４は必要とされない。
【００３８】
図２及び３のアドレス電極２３は、好適には、アクティブマトリクスアドレシングによってアドレスされる。このようなアドレシングは、図８に示されるように、バックプレート１４上に構成され、各アドレス電極２３に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチ３５によって提供されてもよい。図８において示されるＴＦＴ  ３５は、ボトムゲートＴＦＴである。ＴＦＴは、２つのソースドレイン電極３６、３７及びボトムゲート電極３８を有する。第１の電極３６は、透明ピクセル電極２３に接続され、他の電極３７は、電力線（図８に示されない）に接続されている。絶縁層３９は、ボトムゲート３８をカバーする一方、絶縁層２４は、ＴＦＴ  ３５及び電極構造２３の全体をカバーする。
【００３９】
フォイルディスプレイピクセルの面積は、一般的に２００μｍかける６００μｍである。３つのピクセルがＲＧＢピクセルを作る。ＴＦＴ  ３５によってカバーされる面積は、ピクセル面積と比較して非常に小さく、典型的な場合には約２％である。ＴＦＴスタック３５の高さは、約５００ｎｍであり、これは、スペーサ１７の約半分の高さである。従って、ＴＦＴ  ３５を光パフォーマンスに劇的に影響を及ぼさないようにするように（例えばピクセルの角に）配置することが可能である。以下で言及されるように、ＴＦＴ  ３５は、アクティブプレート上又はパッシブプレート（光ガイド又はバックプレート）上に配置されてもよい。
【００４０】
上記したように、ＡＭアドレッシングは、非常に高速なアドレシングを可能にすることができる。しかし、「オフ」から「オン」状態にクロスする際に、ピクセルの容量変更のために電力線無しに１つのピクセルにつき単一のＴＦＴスイッチしか用いられなければ、このような高速アドレシングは可能ではない。図４は、本発明によるディスプレイにより適しているピクセル回路を示す。
【００４１】
回路４０は、異なった種類の２つのドライブトランジスタ４１、４２、即ちＰＭＯＳ及びＮＭＯＳを有し、これらはそのドレインがピクセル容量４３（即ちアドレス電極）に接続される。トランジスタソースは、それぞれ、第１の電力線はゼロ電圧を持ち、第２の電力線は正の電圧、例えば２０Ｖを持つ、異なった電力線４４、４５に接続される。トランジスタ４１、４２のゲートは、選択トランジスタ４７のドレインに接続され、選択トランジスタのゲートは行選択線４８に接続される。選択トランジスタのソースは、列データライン４９に接続されている。更に、第１のコンデンサ５１が選択トランジスタ４７のドレインと正電圧電力線４５との間に設けられ、第２のコンデンサが、選択トランジスタ４７のドレインと接地された電力線４４との間に設けられる。
【００４２】
行は、行選択線４８上の４０Ｖのパルスによって選択され、これは、列データライン４９上のデータを点Ｂに書き込むことを可能にする。２つのコンデンサ５１及び５２は、点Ｂで電圧レベルを固定するために用いられる。ＰＭＯＳ及びＮＭＯＳスイッチの組合せを通じて、電圧は、２つの対応する電力線４４、４５から点Ａに供給される又は入れられる。図示の例において、列データライン上のハイ信号は、点Ａにおけるロー信号を得る。ＰＭＯＳをＮＭＯＳで、ＮＭＯＳをＰＭＯＳで、置換する補完的な回路によって同じ機能が実現されることができる。行電圧レベルの正しい選択が必要である。
【００４３】
図４の回路は、ＣＭＯＳ回路において実現されることができる。回路を簡略化するために、そして、アモルファスシリコン技術による実現を許可するために、それ自体知られている２トランジスタ回路が用いられることができる。図８のＴＦＴは、このような実現の例である。図４の回路と比較して、部品５１、４５及び４１は除去される。更に、異なった値間の電力線４４の外部スイッチングを許可するための構成が取られなければならない。
【００４４】
フレーム反転の前に、リセットパルスが全てのピクセルに与えられなければならない。フレーム反転を駆動方式に含めることは、可能であるが、複雑性を加える。グレースケールは、パルス幅変調によって達成されることができる。
【００４５】
上記の実施例によれば、アドレス電極２３及びＴＦＴ  ３５がバックプレート１４上に配置される一方で、光ガイド１２は電極を有さない。これは、光ガイドの光妨害を最小化する。しかし、ＴＦＴが、カラーフィルタ層の上に（これは、平坦化を必要とする）又はカラーフィルタ層の下に（これは、より高い電圧を必要とする）製造／処理されなければならないことが潜在的な欠点である。
【００４６】
図５において示される他の実施例によれば、図２のディスプレイのデザインは、反転される。換言すれば、アドレス電極２３（及びＴＦＴ  ３５）は、光ガイド１２上に配置され、スペーサ１７’は、フォイル１５を光ガイド１２から分離するように構成される。
【００４７】
示される例においては接触しているが、フォイル１５は、バックプレート１４と接触しなければならないわけではない。この実施例によれば、ピクセルのデフォルト状態はオフである。アドレス電極とフォイルとの間に電圧差を印加することによって、弾性力は克服され、フォイル１５は、光ガイド１２に引き寄せられ、ピクセルをオンにする。静電力自身が、フォイル１５と光ガイドとの間の満足な光接触を保証する。この場合、Ａｌ層等の反射層は、光損失を最小化するために、ＴＦＴ  ３５の下に配置されることができる、これは、ＴＦＴ  ３５が光ガイド１２上に配置される場合に、図８において番号３２によって示されている。しかし、図８の層３２は、ガラスプレート１２内に延在するように示されるが、実際には、これは、ガラスプレート１２の上に配置され、ＴＦＴスタック３５の僅かな変位につながることに注意されたい。
【００４８】
更に他の実施例によれば、フォイルに動作する偏位力は、フォイルの反対側に構成される構造化されていない電極３３によって発生される静電力でもある。電極（例えばＩＴＯ層３３）は、絶縁層３４によってカバーされる。図６において、このような非構造化電極３３は、光ガイド１２上に配置され、図７においては、これはバックプレート１４に配置される。両方の場合において、スペーサ（示されず）は、フォイル１５の両面に配置されることができる、上述の弾性力を作る必要性が最早ないので図７において、バックプレート１４には、カラーフィルタ層及び非構造化ＩＴＯ電極３３のみが設けられる。非構造化ＩＴＯを有するこのようなカラーフィルタは、容易に市場で入手可能である。
【００４９】
本発明は、好適な実施例の上記の説明に制限されない。それどころか、当業者は、添付の図面内で多くの変形例及び代替例が可能であることに気付く。例えば、アクティブマトリクスアドレッシングの代わりに、フォイルを光ガイドから光を１行ごとに取り出すように構成することによって、ディスプレイは、１ラインごとにアドレスされることができる。このようなアドレシング方式は、光ガイドの振幅変調のために構成することによって、グレースケーリングを達成するためにも実現されることができる。このようなアドレシング方式の詳細はＰＨＮＬ０２１４１４（ヨーロッパ出願第０２０８０５４３．８号）において開示され、参照によってここに組み込まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】従来型のフォイルディスプレイのピクセルのスイッチング原理を示す。
【図２】本発明によるディスプレイ装置の第１の実施例の断面図を図式的に示す。
【図３】本発明によるディスプレイ装置の第２の実施例の断面図を図式的に示す。
【図４】本発明によるディスプレイ装置に適したピクセル回路を図式的に示す。
【図５】本発明によるディスプレイ装置の第３の実施例の断面図を図式的に示す。
【図６】本発明によるディスプレイ装置の第４の実施例の断面図を図式的に示す。
【図７】本発明によるディスプレイ装置の第５の実施例の断面図を図式的に示す。
【図８】図２のフォイルディスプレイにおいて実現される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面図を図式的に示す。
【図１】
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【図８】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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