(57)【要約】超臨界処理の間半導体ウェハーを保持するための真空チャックが、半導体ウェハーを保持するための実質的に滑らかなウェハー保持領域と、前記半導体ウェハー保持領域の一部に真空を与えるための真空ポートと、半導体ウェハーと前記半導体ウェハー保持領域との間に配置された材料とを具備し、該材料は、前記半導体ウェハーの表面と前記半導体ウェハー保持領域との間に実質的な密接を提供するために適合する。前記材料は、好ましくは、ポリマー、モノマーその他の適当な材料とすることができる。真空チャックは、更に、前記ウェハー保持領域に形成され前記真空ポートに接続された真空領域を具備する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
超臨界処理の間半導体ウェハーを保持するための真空チャックにおいて、
ａ．前記半導体ウェハーを保持するためのウェハー保持領域と、
ｂ．前記ウェハー保持領域の一部に真空を与えるための真空ポートと、
ｃ．前記半導体ウェハーと前記ウェハー保持領域との間に配置された材料であって、前記半導体ウェハーの表面と前記ウェハー保持領域との間に実質的に密接な接触をもたらすために順応する材料とを備えていることを特徴とする真空チャック。
【請求項２】
前記ウェハー保持領域は実質的に滑らかな表面を備えていることを特徴とする請求項１に記載の真空チャック。
【請求項３】
前記材料が、所定の厚さの層に適用されたポリマーを備えていることを特徴とする請求項２に記載の真空チャック。
【請求項４】
前記材料が、所定の厚さの層に適用されたモノマーを備えていることを特徴とする請求項２に記載の真空チャック。
【請求項５】
前記ウェハー保持領域内に形成され、前記真空ポートに接続されている真空領域を更に備えていることを特徴とする請求項１に真空チャック。
【請求項６】
前記材料が、前記半導体ウェハーと前記ウェハー保持領域との間の少なくとも１つの微粒子物質を吸収することを特徴とする請求項１に記載の真空チャック。
【請求項７】
前記材料が、前記ウェハー保持領域と前記半導体ウェハーとの間のシールを提供することを特徴とする請求項１に記載の真空チャック。
【請求項８】
高圧処理の間、半導体ウェハーを保持するための真空チャックにおいて、
ａ．ウェハー保持領域及び該ウェハー保持領域に配置された半導体ウェハーの表面に真空を与えるために操作できるポートを有している実質的に滑らかな表面を有するウェハープラテンと、
ｂ．前記ウェハー保持領域の実質的に滑らかな表面と前記半導体ウェハーとの間に配置され、前記ウェハー保持領域と前記半導体ウェハーとの間のシールを提供するコーティング層とを備えていることを特徴とする真空チャック。
【請求項９】
前記滑らかな表面に真空領域を更に備えていることを特徴とする請求項８に記載の真空チャック。
【請求項１０】
前記真空領域は、前記ポートに接続されている真空溝を更に備えていることを特徴とする請求項９に記載の真空チャック。
【請求項１１】
前記真空溝は、第一の円形の真空溝を備えていることを特徴とする請求項１０に記載の真空チャック。
【請求項１２】
前記第一の円形の真空溝は、前記ウェハー保持領域の外縁に最も近く且つ同外縁内において配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の真空チャック。
【請求項１３】
前記滑らかな表面は、前記第一の円形の真空溝の直径の内側に配置されている第二の円形の真空溝を、さらに、備えていることを特徴とする請求項１２に記載の真空チャック。
【請求項１４】
前記コーティング層は、所定の厚さの層に適用されたポリマーを、さらに、備えていることを特徴とする請求項８に記載の真空チャック。
【請求項１５】
前記コーティング層は、所定の厚さの層に適用されたモノマーを、さらに、備えていることを特徴とする請求項８に記載の真空チャック。
【請求項１６】
前記コーティング層は、前記半導体ウェハーの表面と前記ウェハー保持領域との間に実質的に密接な接触をもたらすために順応することを特徴とする請求項８に記載の真空チャック。
【請求項１７】
前記コーティング層は、前記半導体ウェハーと前記ウェハー保持領域との間の少なくとも１つの微粒子物質を吸収することを特徴とする請求項８に記載の真空チャック。
【請求項１８】
超臨界処理の間、半導体ウェハーを真空チャックに保持するための方法において、
ａ．ウェハー保持領域を有する真空チャックを用意し、
ｂ．前記半導体ウェハーと前記ウェハー保持領域との間の境界に沿って、前記半導体ウェハーと前記ウェハー保持領域との間に実質的に密接な接触をもたらすように設計可能な材料を配置し、及び
ｃ．前記材料が前記境界においてシールを創出するところの前記境界に沿って前記半導体ウェハーを前記ウェハー保持領域上に配置する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記境界に真空を与え、前記材料が前記半導体ウェハーを前記半導体保持領域に保持することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記材料は、所定の厚さに適用されているポリマーを、さらに、備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記材料は、所定厚さの層に適用されているポリマーを、さらに、備えていることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記材料は、前記半導体ウェハーと前記ウェハー保持領域との間の少なくとも１つの微粒子物質を吸収することを特徴とする請求項１８に記載の真空チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高圧処理に関し、特に、高圧処理の間に半導体基板の強化保持のためのコーティングを利用する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板またはウェハーの処理には、他のワークの処理に関連しない独特な問題がある。典型的には、半導体処理はシリコンウェハーで始まる。半導体処理は、先ず、トランジスタを生成するためにシリコンウェハーにドーピング処理を行う。次いで、半導体処理は、金属層および誘電層を堆積して、ラインとビアのエッチングによりそれらを点在させてトランジスタコンタクトと相互配線構造とを生成する。半導体処理の最終段階では、トランジスタ、トランジスタコンタクトおよび相互配線は集積回路を形成する。
【０００３】
半導体ウェハーの処理における重大なプロセス要件は清浄度である。半導体処理の殆どは、本質的に清浄な環境である真空中で行われる。他の半導体処理は、大気圧中での湿式処理である。湿式処理は本質的に洗浄であるので清浄な処理である。例えば、ラインとビアのエッチングに続く、フォトレジストおよびフォトレジスト残渣物の除去には、真空処理ではプラズマ灰化が用いられ、湿式処理ではストリッパーバス内でのストリッピングが行われる。
【０００４】
半導体ウェハーの処理における他の重大なプロセス要件には処理量と信頼性がある。半導体ウェハーの製造工程は、半導体製造設備内で行われる。半導体製造設備は、処理装置それ自体と、処理装置を運転するための社員とに大きな資本投下を必要とする。こうした経費を回収して設備から十分な収入を得るために、処理設備は、一定期間内に十分な数量のウェハーを製造しなければならない。また、設備から連続して確実に収益を上げるために、処理設備は信頼性ある処理を推進しなければならない。
【０００５】
最近まで、半導体処理におけるフォトレジストおよびフォトレジスト残渣物の除去のためにプラズマ灰化及びストリッパーバスは十分であるとみられていた。しかしながら、近時の集積回路の進歩によって、プラズマ灰化及びストリッパーバスは非常に進歩した集積回路には不十分なものとなっている。こうした近時の進歩は、エッチングにより形成される構造の限界寸法が小さくなったこと、および、絶縁体に誘電率の低い材料が用いられるようになっていることを含む。エッチングによる構造の小さい限界寸法が小さくなることによって、小さい寸法構造の清掃が非常に困難になる。低誘電率材料の多くは、プラズマ灰化の酸素環境に耐えることができず、プラズマ灰化の代替案が必要となっている。
【０００６】
近時、フォトレジスト及びフォトレジスト残渣物の除去のためのプラズマ灰化及びストリッパーバスを、超臨界処理に代替することに関心が集まっている。しかしながら、既存の超臨界処理システムの高圧処理チャンバーは、半導体処理の独特の要求に適合していない。特に、既存の超臨界処理システムの高圧チャンバーは、半導体ウェハーをウェハープラテンに十分に固定する装置を提供していない。処理の間、半導体ウェハーを正しい位置に保持する方法は公知となっている。ウェハーが置かれる物理環境は、処理の間ウェハーを保持するために用いる方法についての最大の決定因子となっている。高圧、高温の二酸化炭素を用いることは、半導体処理の分野では本当に新規なものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
処理のためにウェハーをウェハー「チャック」に保持するために、真空が多くの様々な半導体設備のタイプで用いられてきた。ある種の真空チャックでは、半導体ウェハーを半導体保持領域に保持するために真空溝が用いられている。この種の真空チャックでは、半導体ウェハーの下側に凹凸があって、半導体ウェハーの下側と実質的に滑らかな真空チャックの表面との間から漏れを生じる。このウェハーと真空チャックの表面との間の漏れによって、ウェハーを処理するために必要な超臨界処理化学の損失を生じる。
【０００８】
超臨界処理の間半導体ウェハーを保持し、ウェハーとウェハーチャックとの間をシールしてウェハーの下側からの超臨界流体の漏洩を防止する方法および装置が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの特徴によれば、超臨界処理の間、半導体ウェハーを保持するための真空チャックが提供される。該真空チャックは、半導体ウェハーを保持するための半導体ウェハー保持領域を具備している。該真空チャックは、前記半導体ウェハーの表面の真空領域に真空を与えるための真空ポートを含む。該真空チャックは、前記半導体ウェハーの表面と前記半導体ウェハー保持領域との間に適用される材料を含む。該材料は、前記半導体ウェハーの表面と前記半導体ウェハー保持領域との間に均一な面を提供するために形成されることができる。前記材料は、前記半導体ウェハーと前記半導体ウェハー保持領域との間の少なくとも１つの微粒子物質を吸収する。前記真空チャックは、前記真空ポートに接続された真空溝のような真空領域を更に具備しており、これにより、半導体ウェハーの表面に真空が与えられる。半導体保持領域は、好ましくは、滑らかな表面を有している。１つの特徴によれば、前記材料は、これに限定されないが、フッ化ビニリデン樹脂等のポリマーを含むコーティングを具備している。他の特徴によれば、焼結材料等の他の材料がウェハーの下側に均一な面を提供するために真空溝内に適用され、それによって、真空及び超臨界処理の圧力によって生じた半導体ウェハーに作用する応力を低減する。
【００１０】
本発明の他の特徴によれば、高圧処理の間、半導体ウェハーを保持するための真空チャックが提供される。この真空チャックは、実質的に円滑な表面を有するウェハープラテンを有している。該ウェハープラテンは、半導体ウェハー保持領域、及び、半導体ウェハーの表面に真空を与えるために操作できるポートを含む。該真空チャックは、また、前記半導体ウェハー保持領域の実質的に滑らかな表面を覆うコーティングを具備する。該コーティングは、他の材料でもよいが、好ましくは、フッ化ビニリデン樹脂である。この材料は、前記半導体ウェハーと前記半導体ウェハー保持領域との間の少なくとも１つの微粒子物質を吸収する。前記真空チャックは、更に、前記滑らかな表面に真空領域を備え、それによって、該真空領域は、前記ポートに接続された真空溝とすることができる。前記真空溝は、一つよりも多い真空溝を含んでいてもよく、それらの真空溝の１つは、前記半導体ウェハー保持領域の外縁に最も近く且つ同外縁内に配置される。他の真空溝は、或いはまた、第一の円形の真空溝の直径の内側に配設することができる。
【００１１】
本発明の他の特徴によれば、超臨界処理の間、半導体ウェハーを真空チャックに保持するための方法が提供される。この方法は、半導体ウェハー保持領域を有する真空チャックを提供することを含む。この方法は、前記半導体ウェハーと前記半導体ウェハー保持領域との間の面に所定の材料を配置することを含む。この方法は、また、半導体ウェハーの表面が半導体ウェハー保持領域に一致するように、前記半導体ウェハーを前記半導体ウェハー保持領域に配置することを含む。この方法は、また、前記一致する面に真空を与えることを含んでおり、それによって、前記材料は、真空を利用することにより、前記半導体ウェハーを半導体ウェハー保持領域に保持させるようにした。前記材料は、好ましくは、所定の厚さのポリマー、モノマーその他の適当な材料である。前記材料は、前記半導体ウェハーと前記半導体ウェハー保持領域との間の少なくとも１つの微粒子物質を吸収する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の好ましい真空チャックは、高圧処理の間、半導体ウェハーを圧力チャンバー内に保持することが好ましい。図１Ａは、本発明による超臨界処理方法で用いる真空チャック１００の斜視図を示している。真空チャック１００は円形形状を有しているのが見られる。代替的に、真空チャック１００は、これに限定されないが正方形または矩形を含む他の形状とすることができる。真空チャック１００は、好ましくは、図１Ａに示すように、一体物である。代替的に、真空チャック１００は、複数の部品から成る組立体またはチャンバー壁（図示せず）の一部である。真空チャック１００は、該真空チャック１００の上面に設けられたウェハープラテン１０２を有している。ウェハープラテン１０２は、真空領域１０４と、半導体ウェハー保持領域１０６とを含んでいる。保持領域１０６の上面に半導体ウェハー（図示せず）が載置されるウェハープラテン１０２のエリアを含んでいる。保持領域１０６は、好ましくは、実質的に滑らかであり且つ極度の平坦面を有している。
【００１３】
図１Ａにおいて、真空領域１０４は、好ましくは、円形溝１０４として示されており、以下、真空溝１０４と称する。代替的に、真空領域１０４は、真空穴（図示せず）を含んでいてもよい。真空溝１０４は、超臨海条件下で処理される半導体ウェハーの直径よりも小さな直径を有している。更に、真空溝１０４は、好ましくは、０．０５０インチの最小深さと、０．０１０インチ〜０．０３０インチの幅を有している。しかしながら、真空溝１０４の他の寸法は慎重に検討される。代替的に、一つよりも多い真空溝がウェハープラテン１０２に形成されて、それによって、多数の真空溝がウェハープラテン１０２上の中心から同心状に構成されてもよい。しかしながら、最も大きな直径の真空溝１０４は半導体ウェハーの外径と同等として、半導体ウェハーがウェハープラテン１０２に十分に保持され、かつ、真空領域１０４で適用される真空により生じる力が弱まらないようにする。
【００１４】
図１Ｂは、本発明による真空チャック１００の断面図である。真空通路１１０が図１Ｂに見られ、通路１１０は真空溝１０４と同様に真空ポート１１２に接続されている。真空ポート１１２には真空発生装置（図示せず）が接続されている。真空発生装置（図示せず）は吸引力を発生して、これが真空ポート１１２から真空通路１１０を介してウェハー９９の下面９８に作用する。真空通路１１０を介してウェハー９９の下面９８に作用する吸引力は、ウェハー９９を保持領域１０６に固定することに寄与する。代替的に、複数の真空ポート及び真空ラインが使用され真空溝１０４に接続されてもよい。代わりに、小さな蜘蛛の巣状の形状が、真空の流れ（図示せず）のよりよい分配のためにウェハープラテンの表面に創出されてもよい。本発明を説明する目的で、真空ポート１１２、真空通路１１０、真空溝１０４は、好ましくは、大気圧よりも低い圧力に考慮され、真空チャック１００のウェハープラテン１０２は高圧を受ける。
【００１５】
図２は、その上に半導体ウェハー９９が載置された状態で示す真空チャック１００の断面図である。半導体ウェハー９９は、好ましくは、２００ｍｍの直径を有しているが、他の直径のものが検討されてもよい。半導体ウェハー９９はウェハープラテン１０２に載置され、それによって、半導体ウェハー９９の下面９８が、ウェハープラテン１０２の保持領域１０６に接触する。真空溝１０４は、半導体ウェハー９９の外径よりも小さな直径を有するものとして図２に示されている。これにより、真空通路１１０を介してウェハー９９に作用する真空が、実質的に均一な吸引力を半導体ウェハー９９の下面に作用させ、それによって、半導体ウェハー９９をプラテン１０２へ保持することを支援する。また、図２に示すように、高圧の超臨界力が上方からウェハー９９に作用して、ウェハー９９がプラテン１０２に固定される。
【００１６】
半導体ウェハー９９の下面９８には十分な凹凸があり、ウェハー９９の下側と保持領域１０６との間からの漏れが、高圧を真空溝１０４経由でポート１１２へ通過することを許容する。言い換えれば、半導体ウェハー９９及び保持領域１０６の表面は、それ自体、ウェハー９９とプラテン１０２との間の十分なシールを提供していない。更に、保持領域１０６の滑らかな表面に接触する半導体ウェハー９９の下面９８は、超臨界処理の高い圧力及び真空領域１０４からの吸引力にもかかわらず、ウェハー９９と真空チャック１００の保持領域１０６との間の十分な密封を形成してしない。
【００１７】
図３は、その上に半導体ウェハー９９が載置された本発明による真空チャック１００の断面図である。図３に示すように、薄いコーティング層１１４が半導体ウェハー９９の下面９８と真空チャック１００の保持領域１０６との間に配置されている。この薄いコーティング層１１４は、好ましくは、真空チャック１００の保持領域１０６の表面に配置される。代替的に、この薄いコーティング層１１４は、保持領域１０６及び真空領域１０４を含むウェハープラテン１０２の全表面に適用されてもよい。代替的に、コーティング層１１４は、真空溝１０４の直径の内側のウェハープラテン１０２のエリアとして示される内側領域１０６のみをコートするように適用されてもよい。代替的に、薄いコーティング層１１４は、半導体ウェハー９９の下面９８に配置され、それによって、強化されたウェハー９９の表面が、真空チャック１００の保持領域１０６の滑らかな表面に配置されるようにしてもよい。
【００１８】
薄いコーティング層１１４は、ウェハー９９の下面９８に存在する微小な不規則性にぴったりと合って或いは一致するために、ウェハー９９の下面９８との十分な整合を提供する。コーティング材料１１４のウェハー９９の下面への密接な接触は、事実上、ウェハー９９とウェハー保持領域１０６との間の気密なシールを形成する。言い換えれば、コーティング材料１１４によりもたらされるシール効果は、真空領域１０４とウェハーの下面９８との間の真空の完全性を維持する。更に、材料１１４によりもたらされるシール効果は、超臨界処理からの高圧がウェハーの下面９８と真空溝１０４との間に流出することを防止する。こうして、コーティング１１４は、ウェハー９９と真空チャック１００との間の真空が弱くならないように、ウェハー９９の下面９８とチャック１００の保持領域１０６との間に実質的に均一なシール効果を提供する。更に、コーティング１１４により創出されるシール効果は、超臨界ガスがウェハー９９とウェハー保持領域１０６との間から漏洩することを防止することによって、超臨界処理化学の完全性を維持する。
【００１９】
更に、コーティング１１４の柔軟で順応し易い特性は、ウェハー９９の下面９８とウェハー保持領域１０６との間の微粒子の存在による損傷からウェハー９９ウェハーを保護する。ウェハー９９の下面９８とウェハー保持領域１０６との間の微粒子物質は、ウェハー９９の下面に引掻き傷を形成し、場合によっては高い超臨界圧によりウェハー９９が破損することも生じる。柔軟で順応し易いコーティング１１４の特性は、超臨界処理の高圧下で、微粒子物質を吸収することをコーティング１１４に許容する。コーティング１１４の中への微粒子の吸収は、微粒子がウェハー９９の下面９８と接触することを防止する。
【００２０】
ウェハー９９の下面９８と保持領域１０６との間に配置される薄いコーティング材料層１１４は、好ましくは、０．００１インチ〜０．０２０インチの範囲の厚さを有している。しかしながら、使用する材料のタイプによっては、この好ましい範囲よりも大きい或いは小さい厚さの材料が考慮される。材料１１４の厚さは、ウェハー９９と保持領域との間を十分にシールできる厚さとする。更に、材料１１４の厚さは、該材料の層１１４が十分な耐磨耗性を有するのに十分な耐久性のあるものとする。更に、材料の層１１４は過度に厚くすることなく、ウェハー９９に及ぼされる超臨界処理の圧力によって変形し或いはコールドフローを受けるようにする。更に、材料の厚い層１１４は、超臨界処理で生じる圧力のために、半導体ウェハー９９に割れを生じる。材料１１４は、好ましくは、フッ化ビニリデン樹脂（ＫＹＮＡＲ（登録商標））等のポリマーにより形成される。しかしながら、材料１１４は、代替的に、モノマー、塗料、セルロースその他の有機物または無機物若しくはその組合せとすることができる。上述したように、材料１１４は、代替的に、ＥＰＤＭ−９０といったゴムのような特性を有するモノマーとすることができ、それによって、ＥＰＤＭ−９０は、ウェハー９９が割れたり或いは破損したりしないように反対に押圧するために、ウェハー９９の下面９８に順応し易い表面を形成する。材料１１４は、ウェハー９９と保持領域１０６との間に十分な気密性を与え、或いは、チャック１００に対してウェハー９９が破損することを防止するような特性を有する適当な他の材料を用いてもよいことは明らかである。
【００２１】
ウェハープラテン１０２に適用される薄い材料の層１１４は、超臨界処理で用いる全ての化学に対する化学的な抵抗である。更に、薄い材料の層１１４は、好ましくは、材料１１４の特性を損なうことなく、超臨界処理における温度範囲に耐える。好ましくは、材料１１４が作動される温度範囲は４０℃〜９０℃である。しかしながら、既述したように、他の材料がシールを提供するために使用されてもよい。このようにして、使用される材料のタイプによる他の温度範囲が代替的に考慮されることができる。更に、薄い材料の層１１４は、好ましくは、超臨界処理で使用される化学製品のいかなるものも吸収しない。しかしながら、二酸化炭素は、超臨界処理方法で主として使用されているので、材料１１４は、好ましくは、二酸化炭素に対して適合性を有している。更に、材料１１４は、好ましくは、超臨界処理方法で発生する高圧、好ましくは、１５００psi〜３０００psiの範囲の圧力によって材料１１４が影響されないように、適当な圧縮モジュラスを有している。しかしながら、一層高い圧力も考慮され得る。材料１１４は、また、好ましくは、半導体ウェハー９９が取り除かれた後にウェハープラテン１０２上に材料１１４が留まるように適当な付着性を有している。真空チャック１００に材料１１４を適用する方法は公知となっているのでここでは特に記載しない。
【００２２】
代替実施形態では、本発明の真空チャック１００は、ウェハー９９の超臨界処理の間、材料１１４および焼結層１１６の双方を使用する。図４は、ウェハー９９とウェハープラテン１０２との間に、焼結材料１１６と同様に材料１１４を有する真空チャック１００の断面図を示している。図４に示すように、材料の薄い層１１４は保持領域１０６に配置される。さらに、焼結材料１１６は、真空領域１０４に配置される。特に、焼結材料１１６は、真空溝１０４の中のチャネルが焼結材料１１６によって満たされ、保持領域１０６の上面または接触面に対して均一な表面が形成されるまで、真空溝１０４内に配置される。或いはまた、焼結材料１１６の適当な付加した量が、材料１１４の表面と面一となるように、真空領域１０４に配置される。焼結材料は、ウェハー９９の下面９８に対する支持を提供しながら、ウェハー９９の下面に与えられるべき十分な量の真空を許容するために、ポーラスな特性を有している。実際上、焼結材料は、真空によってウェハー９９を保持領域１０６に保持させることを許容し、かつ、ウェハー９９に作用する超臨界力によってウェハー９９が割れたり破損したりすることを防止する。この代替実施形態では、焼結材料１１６が存在するので、薄い材料の層１１４は真空領域１０４に配置されない。代替的に、前記コーティング及び焼結材料１１６は、個別に或いは組合せとして、既述のようにウェハー９９の下面９８に配置してもよい。焼結材料の詳細は、発明の名称「焼結材料を用いる真空チャック及びその製造方法」で同時係属中の米国特許出願に記載されており、その出願を本明細書と一体をなすものとして引用する。図４には、真空溝１０４内の焼結材料１１６と共に使用される材料１１４を示しているが、材料１１４は、代替的に、ウェハー９９が載置される焼結された表面を有している真空チャックと共に使用されてもよい。
【００２３】
真空チャックにコーティング１１４及び焼結材料１１６が一度配置されると、半導体ウェハー９９は接触する表面に沿って材料１１４と一致する。既述したように、材料１１４は、ウェハー９９の下面９８に存在する凹凸にぴったりと合って、そして、それゆえに、ウェハー９９を真空チャック１００に保持し且つ固定するシールを創出する。更に、焼結材料１１６は保持領域１０６（図４）と或いは代わりに材料１１４（図５）と平坦な表面を提供し、それによって焼結材料１１６が、真空溝１０４のチャネルに満たされ、且つ、真空溝１０４を横断する均一な表面を創出する。真空溝１０４を横断するこの均一な表面は、真空溝１０４が配置されている領域において、ウェハー９９の下面９８に対する支持を提供している。更に、焼結材料１１６の多孔性の密度は、真空溝１０４を介してウェハー９９の下面に真空が与えられることを許容し、ウェハー９９に対して過度な応力を生じさせない。更に、焼結材料１１６を用いてウェハー９９の下側に提供される支持は、超臨界処理からの高圧力によってウェハー９９が割れたり破損したりすることを防止する。
【００２４】
特許請求の範囲の各項に規定された本発明の精神と範囲とを逸脱することなく、既述の好ましい実施形態の種々の修正が可能であるのは当業者の当然とするところである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】本発明による方法で使用する真空チャックの斜視図である。
【図１Ｂ】本発明による方法で使用する真空チャックの断面図である。
【図２】半導体ウェハーを保持させた真空チャックの断面図である。
【図３】本発明の好ましい方法により半導体ウェハーを保持させた真空チャックの断面図である。
【図４】コーティング材料と焼結材料とを有する本発明の真空チャックの断面図である。
【図５】コーティング材料と焼結材料とを有する本発明の真空チャックの断面図である。
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
2006517351.tif 000008