(57)【要約】真空スイッチング装置を製造および使用する方法ならびにシステムを開示する。真空スイッチング装置（１０５）は、この装置内において可動電気接点を作動させる操作ロッド（１２０）を有する。この操作ロッド（１２０）は、内部に配設された電気センサ（２１０、２１５）を有する中空のエポキシガラスチューブ（２０５）であってよく、このチューブ（２０５）内に配設され、センサ（２１０、２１５）を包むエラストマーポリマー充填化合物（２６０）を有することができる。この操作ロッド（１２０）は、チューブ（２０５）内に圧入され、少なくとも１つのクロスピン（２３５）によって固定されたスチール端部嵌込部（２２５）により、一端上において可動電気接点に装着可能である。この結果、操作ロッド（１２０）と、真空スイッチング装置（１０５）の残りの部分との間に非常に安全な電気機械的接続を生成可能であると共に、この装置の動作に関連する衝撃からセンサ（２１０、２１５）が保護される。また、この真空スイッチング装置（１０５）は、小型であって、組立てが容易である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空スイッチング装置において、
内部に配設された複数のスイッチング接点を有する真空アセンブリであって、前記スイッチング接点の１つは、軸に沿って移動可能な可動スイッチング接点である、真空アセンブリと、
前記軸に沿って配設され、前記軸に沿った前記可動スイッチング接点の移動を遂行するべく動作可能なロッドと、
前記ロッド内に配設され、充填化合物によってカプセル封入されたセンサと、
を備える真空スイッチング装置。
【請求項２】
前記充填化合物は、エラストマーポリマー化合物を備える請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記センサは、抵抗素子を備える請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ロッドは、放射状に巻線されたエポキシガラスチューブを備える請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ロッドの一端内に圧入され、前記センサに接続された金属性嵌込部と、
前記ロッドおよび前記金属性嵌込部を貫通して挿入され、前記金属性嵌込部を定位置に保持するクロスピンと、
をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記クロスピンによって前記金属性嵌込部に電気的に接続された導電性ガードスリーブをさらに備える請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記金属性嵌込部は接地されており、それによって、前記導電性ガードスリーブも接地されている請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記センサは、ピンソケットアセンブリを介して前記金属性端部嵌込部に電気的に接続されている電圧検知抵抗器を備える請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記ロッドは、リブを有するシリコーンスリーブに包まれている請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記真空スイッチング装置は、真空障害遮断器を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
真空スイッチング装置内において使用する操作ロッドを製造する方法であって、
中空のチューブ内にセンサを挿入するステップと、
前記チューブの第１端に装着された第１端部嵌込部に前記センサの第１部分を接続するステップと、
前記チューブの外部に延長する電気接続部に前記センサの第２部分を接続するステップと、
前記チューブに充填化合物を充填するステップと、
を備える方法。
【請求項１２】
前記充填化合物は、エラストマーポリマー化合物である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記センサを挿入するステップは、前記中空のチューブの長さ方向に抵抗素子を通すステップを備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１端部嵌込部に装着されたピンソケットアセンブリに前記抵抗素子の一端を装着するステップをさらに備える請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記センサを挿入するステップは、
前記チューブの前記第１端近傍の前記チューブの部分を貫通して少なくとも１つの孔を開けるステップと、
前記チューブの前記第１端内に前記第１端部嵌込部を圧入するステップと、
前記孔を通じて前記第１端部嵌込部内にピンを挿入するステップと、
を備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記操作ロッド上に、リブを有するゴムスカートを設置するステップをさらに備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記チューブに充填化合物を充填するステップは、前記シリコーンゴムスカートを通じて、前記チューブ内に前記充填化合物を注入するステップを有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記チューブに前記充填化合物を充填するステップは、
前記チューブの前記第２端部近傍において前記チューブに孔を開けるステップと、
前記第１端部が下に向くように前記チューブを配置するステップと、
前記充填化合物によって置き換えられた空気が前記孔を通じて前記チューブから除去されるように、前記第１端部の近傍の地点において前記充填化合物を注入するステップと、
をさらに備える請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記孔を使用することにより、前記センサの前記第２部分との電気接続の形成を円滑に実行する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記チューブは、放射状に巻線されたエポキシガラスチューブである請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
真空スイッチング装置内において使用する操作ロッドであって、
放射状に巻線されたエポキシガラスチューブと、
前記チューブを長さ方向に延長するセンサと、
前記チューブ内に位置し、前記センサを包む充填化合物と、
を備える操作ロッド。
【請求項２２】
前記操作ロッドの第１部分を包むシリコーンスリーブと、
前記操作ロッドの第２部分の周りに位置する接地されたガードスリーブと、
を備える請求項２１に記載の操作ロッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は、高電圧スイッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の真空障害遮断器（Ｖａｃｃｕｕｍ  Ｆａｕｌｔ  Ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｅｒ）においては、高電圧の障害遮断を提供している。真空遮断器とも呼ばれるこのような真空障害遮断器は、通常、電気接点を具備した固定電極アセンブリと、独自の電気接点を有し、かつ、固定電極アセンブリに対して、共通の長手方向の軸上に配置された可動電極アセンブリと、を含んでいる。そして、通常、可動電極アセンブリが、共通の長手方向の軸に沿って移動することにより、これらの電極接点が接触または非接触状態となる。この結果、電流経路内に配置された真空遮断器を使用することにより、過剰な大電流を遮断し、これにより、外部回路の損傷を防止することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の真空遮断器においては、電気接点を移動させて非接触状態とする時期を判定するべく、多くの場合に、なんらかのタイプの電流および／または電圧検知装置を使用している。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一般的な一態様においては、真空スイッチング装置は、真空アセンブリを含んでいる。この真空アセンブリ内には、複数のスイッチング接点が配設されており、これらのスイッチング接点の１つは、軸に沿って移動可能なスイッチング接点である。また、真空スイッチング装置には、軸に沿って配設され、この軸に沿った可動スイッチング接点の移動を遂行するべく動作可能なロッドと、このロッド内に配設され、充填化合物によってカプセル封入されたセンサと、が含まれている。
【０００５】
これらの実装には、次の特徴の中の１つまたは複数のものを含むことができる。例えば、充填化合物は、エラストマーポリマー化合物から製造可能である。また、センサは、抵抗素子を含むことが可能であり、ロッドは、放射状に巻線された（ｒａｄｉａｌｌｙ−ｗｏｕｎｄ）エポキシガラスチューブを含むことができる。
【０００６】
金属性嵌込部（Ｍｅｔａｌｌｉｃ  ｆｉｔｔｉｎｇ）をロッドの一端内に圧入し、これをセンサに接続可能であり、ロッドおよびこの金属性嵌込部を貫通してクロスピンを挿入することにより、金属性嵌込部を定位置に保持することができる。この実装においては、導電性ガードスリーブをクロスピンによって金属性嵌込部に電気的に接続可能である。また、この導電性ガードスリーブも接地されるように、金属性嵌込部を接地することも可能である。また、ピンソケットアセンブリを介して、電圧検知抵抗器を金属性端部嵌込部に電気的に接続することも可能である。
【０００７】
リブを有するシリコーンスリーブでロッドを包むことが可能であり、この装置は、真空障害遮断器を含むことができる。
【０００８】
一般的な別の態様においては、真空スイッチング装置用の操作ロッドは、中空のチューブ内にセンサを挿入するステップと、チューブの第１端に装着された第１端部嵌込部にセンサの第１部分を接続するステップと、チューブの外部に延長する電気接続部にセンサの第２部分を接続するステップと、チューブを充填化合物によって充填するステップと、によって製造可能である。
【０００９】
これらの実装には、次の特徴の中の１つまたは複数のものを含むことができる。例えば、充填化合物は、エラストマーポリマー化合物であってよい。
【００１０】
センサを挿入する際には、抵抗素子を中空のチューブの長さ方向に通すことができる。そして、この抵抗素子の一端を、第１端部嵌込部に装着されたソケットアセンブリに装着可能である。
【００１１】
また、センサを挿入する際には、チューブの第１端近傍のチューブの部分を貫通して、少なくとも１つの孔を開け、チューブの第１端内に第１端部嵌込部を圧入した後に、この孔を通じて、ピンを第１端部嵌込部内に挿入可能である。
【００１２】
リブを有するゴムスカートを操作ロッド上に設置可能である。このチューブは、放射状に巻線されたエポキシガラスチューブであってよい。
【００１３】
チューブに充填化合物を充填する際には、シリコーンゴムスカートを通じて、充填化合物をチューブ内に注入可能である。また、チューブに充填化合物を充填するステップは、チューブの第２端の近傍においてチューブに孔を開けるステップと、第１端が下に向いた状態でチューブを配置するステップと、充填化合物に置き換わった空気が孔を通じてチューブから除去されるように、第１端近傍の地点において充填化合物を注入するステップと、を含むことも可能である。この実装においては、この孔を使用することにより、センサの第２部分との電気接続の形成を円滑に実行可能である。
【００１４】
別の一般的な態様によれば、真空スイッチング装置内において使用する操作ロッドは、放射状に巻線されたエポキシガラスチューブと、チューブの長さ方向に延長するセンサと、チューブ内に位置してセンサを包んでいる充填化合物と、を含んでいる。
【００１５】
これらの実装には、次の特徴の中の１つまたは複数のものを含むことができる。例えば、シリコーンスリーブによって操作ロッドの第１部分を包み、操作ロッドの第２部分の周りには、接地されたガードスリーブを配置可能である。
【００１６】
添付図面と以下の説明には、１つまたは複数の実装の詳細が示されている。その他の特徴については、以下の説明、添付図面、および添付の請求項を参照することにより、明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１を参照すれば、過剰な大電流から外部回路（図示せず）を保護するべく使用可能な真空遮断器１０５を含む真空スイッチング装置が示されている。真空遮断器１０５は、上部接触端子１１５に接続された固定端子ロッド１１０を含んでいる。そして、この上部接触端子１１５により、真空遮断器１０５を外部回路に接続することができる。
【００１８】
この真空障害遮断器１０５は、誘電体が充填された空洞１２５（この図示されてはいない誘電体は、気体または液体であってよい）内に格納され、かつ、開口部１３０を通じて延長する操作ロッド１２０に付着している。そして、この操作ロッド１２０は、真空遮断器１０５（この真空遮断器の内部は図示されてはいない）内においてアセンブリ１３５の可動電気接点を移動させることによって固定電気接点との接触または非接触状態を実現するために、これを軸方向に移動させるべく動作可能な外部装置（図示せず）と、可動電気接点アセンブリ１３５と、に接続されている。
【００１９】
可動電気接点アセンブリ１３５は、真空遮断器１０５内における電気接点の移動を遂行し、これにより、真空遮断器１０５内における電流の流れを遮断するのに有用である。
【００２０】
電流交換アセンブリ１４０により、可動電気接点アセンブリ１３５と固定導電体１４５間において電流が流れることができる。通常、このアセンブリは、２つのポイント間における電流の流れを促進するが、これには、例えば、ローラー接点、スライド接点、または柔軟なコネクタを含むことができる。
【００２１】
弾力性のある材料１５０（これは、例えば、シリコーンスリーブであってよい）が真空遮断器１０５を包んでいる。ある実装においては、この弾力性のある材料１５０は、例えば、ＳＩＬＱＵＥＳＴ  Ａ−１１００シラン（すなわち、ガンマアミノプロピルトリエトキシシラン）などのシランに基づいた接着剤により、真空遮断器１０５に接着されている。そして、堅いカプセル封入材料１５５（これは、例えば、エポキシカプセル封入材料であってよい）を使用して、図１の真空スイッチング装置の全体を封入している。
【００２２】
ある実装においては、操作ロッド１２０は、非常に堅い絶縁性を有するポリマー材料からなるチューブから製造されている。このポリマー材料のチューブは、内部に空洞を有するフィラメントが巻線されたエポキシガラス補強チューブ（すなわち、ガラス繊維チューブ）であってよい。この内部空洞内の空間を使用することにより、１つまたは複数の抵抗器を保持可能であり、この場合に、これらを抵抗性の高電圧センサとして使用することができる。そして、これらの抵抗器の周りに低粘度の液体ポリマー化合物を注入し、次いで、これを硬化させることにより、安定したポリマー状態を得ることができる。この実装においては、抵抗器の中の１つの抵抗器の一端を可動接点アセンブリ１３５に接続可能である。そして、抵抗器の中の別の１つ抵抗器（または、同一の抵抗器）の一端を非常に柔軟なワイヤ１６０に対して、そして、このワイヤを通じて、過電圧保護装置１６５およびローアーム抵抗器１７０の並列接続に対して、接続可能である。この結果、この実装においては、ローアーム抵抗器１７０の両端において計測されるセンサ出力電圧Ｖｏｕｔは、次式に等しくなる。
【００２３】
【数１】
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【００２４】
このようにして、信頼性が高く、低コストであって、製造が容易な電圧センサを、操作ロッド１２０内に内蔵することができる。また、ポリマー化合物の弾性により、操作ロッド１２０の動作に関連する動きおよび衝撃の結果生じる電圧センサに対する機械的な衝撃の影響が大幅に低減されることになる。以下、この操作ロッド１２０の構造、動作、およびアセンブリの詳細について説明する。
【００２５】
図２は、操作ロッド１２０の一実装の図である。この図２には、第１抵抗器２１０と第２抵抗器２１５とを収容した状態のエポキシガラスチューブ２０５が示されており、これらの２つの抵抗器は、コネクタ２２０によって接続されている。なお、このコネクタ２２０は、例えば、従来のワイヤ接続、ピンソケットアセンブリ（これについては、図３を参照してさらに詳しく説明する）、またはその他のタイプの適当なコネクタであってよい。
【００２６】
第１嵌込部（Ｆｉｒｓｔ  ｆｉｔｔｉｎｇ）２２５および第２嵌込部（Ｓｅｃｏｎｄ  ｆｉｔｔｉｎｇ）２３０は、キャップチューブ２０５に対して堅固に事前に組み立てられた金属片であり、このチューブ２０５の内部コンポーネントに対する電気接触の提供と、クロスピン２３５を通じた外部導電性スリーブ２４５（これについては、後述する）に対する電気的接続の提供を支援している。なお、これらの嵌込部２２５および２３０は、例えば、スチールから構成可能である。また、ある実装においては、スチール嵌込部２２５および２３０は、ギザギザが付与されており、エポキシガラスチューブ２０５内に圧入される。また、これらのスチール嵌込部２２５および２３０は、図示のごとくに、さらに、嵌込部２２５および２３０に開けられた対応する孔を通じてチューブ２０５内にクロスピン２３５を挿入することにより、チューブ２０５に装着されている。
【００２７】
このエポキシガラスチューブ２０５の内部直径に対するスチール嵌込部２２５および２３０の圧入プロセスと、これに続くエポキシガラスチューブおよび端部嵌込部を貫通するクロスピン２３５の追加により、エポキシガラスチューブ２０５に対するスチール嵌込部２２５および２３０の接続に、高度な機械的強度が提供されている。この強力かつ信頼性の高い機械的な結合は、スチール嵌込部２２５および２３０からエポキシガラスチューブ２０５に大きな衝撃力を伝達する能力を有している。これらの力は、先程概説したように、真空遮断器１０５の動作に起因して予測されるものである。
【００２８】
また、それぞれ、スチール嵌込部２２５の端部における可動電気接点アセンブリ１３５（図１を参照。）と、スチール嵌込部２３０の端部上における真空遮断器動作メカニズムと、に対する容易で信頼性の高い組立のために、スチール嵌込部２２５および２３０に、事前に機械加工を施して通しておくことも可能である。すなわち、例えば、ピンソケットアセンブリ２４０を使用して、抵抗器２１０の一端をスチール嵌込部２２５に直接接続すれば、このスチール嵌込部２２５を可動電気接点アセンブリ１３５の対応する部分に通すことにより、抵抗器２１０と固定導電体１４５との間における直接接続（図１を参照。）を簡単に得ることができる。この結果、固定導電体１４５上に存在する高電圧の電位をスチール嵌込部２２５を通じて高電圧抵抗器２１０にもたらす電気接触が確立されることになる。
【００２９】
エポキシガラスチューブ２０５の他端においては、抵抗器リード２５０と高弾性ワイヤ２５５との間が電気的に接続されている。この接続は、抵抗器アセンブリをエポキシガラスチューブ２０５内に挿入する前に、例えば、はんだ接続や圧着スプライスコネクタなどによって実行可能である。この高弾性ワイヤ２５５は、導電性スリーブ２４５の内部直径内に機械加工によって設けられたスロット（図示せず）を通じて、エポキシガラスチューブから電圧信号を外部に取り出すために使用する。嵌込部２３０は、通常、接地されたメカニズムリンクに機械的および電気的に接続されている。そして、スリーブ２４５は、ピン２３５を通じて、この嵌込部２３０に電気的に接続されているため、このスリーブ２４５も、同様に電気的に接地されている。あるいは、この代わりに、別個の接地リード（高弾性ワイヤ）を使用することにより、この接地接続を提供することも可能である。
【００３０】
エポキシガラスチューブ２０５の空洞内（すなわち、エポキシガラスチューブ２０５と抵抗器２１０および２１５との間）に残っている自由空間は、エラストマー化合物２６０によって充填される。この化合物２６０は、相対的に広い温度レンジ（例えば、−５０〜１００℃）にわたって弾力性を維持し、高い誘電特性を保持すると共に（例えば、４００ボルト／ミル（１５．７５ボルト／マイクロメートル））、空隙を有することなく、高度に硬化する（空隙は、あったとしてもわずかである）。この化合物２６０は、操作ロッド１２０を通じて伝達される機械的／衝撃エネルギーに対する減衰作用を提供すると共に、すべてのカプセル封入された部品、特に、エポキシガラスチューブ２０５ならびに高電圧抵抗器２１０および２１５に対して優れた接合作用を提供している。
【００３１】
図３は、スチール嵌込部２２５のさらに詳細な図であり、これには、ピンソケットアセンブリ２４０の図が含まれている。具体的には、このピンソケットアセンブリ２４０は、スチール嵌込部２２５の重要な部分を構成するべく圧入される。このピンソケット２４０を使用することにより、後程詳述するように、スチール嵌込部２２５と高電圧抵抗器２１０と間に良好な電気接触を確立する。また、このピンソケットアセンブリ２４０を使用することにより、アセンブリ手順が単純化されると共に、操作ロッド１２０の大きな機械的衝撃を伴う動作の際に、十分な弾性（すなわち、特に抵抗器２１０の自由なの動き）が提供される。
【００３２】
図４は、エポキシガラスチューブ２０５の図である。この図４に示されているように、エポキシガラスチューブ２０５の一端を貫通して孔４０５を開けることにより、化合物２６０を挿入することができる。同様に、化合物２６０を充填する際の空気の排出のために、かつ、エポキシガラスチューブ２０５の内径から高弾性ワイヤ２５５を引き出すことができるように、エポキシガラスチューブ２０５の反対側の端部を貫通して孔４１０が開けられている。
【００３３】
図５は、シリコーンゴムスカート５０５によって覆われたエポキシガラスチューブ２０５の図である。図示のごとく、「沿面距離（Ｃｒｅｅｐ  ｄｉｓｔａｎｃｅ）」（絶縁表面の長さ）を増大させ、これにより、短絡の弱化を防止すると共に、総合的にチューブ２０５および関連要素の誘電特性を改善するべく、シリコーンゴムスカート５０５の長さ方向に、環状のリブが含まれている。そして、図５に示されているように、このシリコーンゴムスカート５０５は、室温加硫（Ｒｏｏｍ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｖｕｌｃａｎｉｚｉｎｇ：ＲＴＶ）シリコーンゴムに基づいた接着剤を使用することにより、チューブ２０５に接着されている。
【００３４】
接地されたスリーブ２４５は、このシリコーンスカート５０５の表面上を流れる可能性がある漏れ電流の「保護」または「シールド」の機能を提供している。これは、シリコーンスカート５０５の表面上に発生し得る漏れ電流の変化（高湿度状態、またはシリコーンスカート５０５やエポキシガラスチューブ２０５とのそのインターフェイスの誘電特性の劣化の際に予想されるものなど）とは無関係に、電圧センサの正確な出力を提供および維持する。なお、このスリーブ２４５の長さは、弾性リード２５５をカバーすると共に、漏れ電流を接地に伝導することができるような長さであってよい。
【００３５】
図６は、操作ロッド１２０をアセンブルする手順６００を示すフローチャートである。まず、エポキシガラスチューブ２０５を切断し、図４に示されているように、孔を開けて孔４０５および４１０を形成する（６０５）。次いで、抵抗器２１０および２１５を弾性リード２５５と１つに組み立てて、スチール嵌込部２２５およびピンソケットアセンブリ２４０と結合させることにより、サブアセンブリを形成する（６１０）。
【００３６】
エポキシガラスチューブ２０５の第１端を通じて、このサブアセンブリを挿入し、弾性ワイヤ２５５の一端が、エポキシガラスチューブ２０５の他端の孔４１０を通じて引き出されるように、エポキシガラスチューブ２０５の長さ方向に押し込んだ後に、スチール嵌込部２２５を適切に第１端に配置する（６１５）。
【００３７】
次いで、第２スチール嵌込部（２３０）をエポキシガラスチューブ２０５の残りの端部内に配置する（６２０）。次いで、これらの事前組立が完了したスチール嵌込部２２５および２３０を、エポキシガラスチューブ２０５の個々の端部内に圧入する（６２５）。
【００３８】
次いで、エラストマー化合物２６０をエポキシガラスチューブ２０５の空洞内に注入する（６３０）。ある技法においては、スチール嵌込部２２５が底になるように、エポキシガラスチューブ２０５を垂直に配置する。そして、孔４０５を通じてエポキシガラスチューブ２０５の下部端内にポリマー化合物２６０を着実に注入することにより、この上昇するポリマー化合物２６０によって、エポキシガラスチューブ２０５内の空洞内の空気を上方に押し上げる。そして、この結果、エポキシガラスチューブ２０５内の空洞が完全に充填される。なお、この実装においては、上昇するポリマー化合物２６０によって置き換えられた空気は、エポキシガラスチューブ２０５内の孔４１０を通じて排出されることになる。
【００３９】
次いで、ポリマー化合物２６０を硬化させることができる（６３５）。なお、前述のポリマー化合物２６０を注入する技法を採用した場合には、エポキシガラスチューブ２０５を前述の直立した位置に残したままで、この硬化プロセスを実行可能である。次いで、個々の端部に端部嵌込部２２５および２３０が既に事前挿入されているエポキシガラスチューブ２０５に、スリーブ２４５を組み立てると共に、必要に応じて、チューブ２０５の両端に孔を開けて、ピン２３５を挿入する（６４０）。そして、最後に、シリコーンゴムスカート５０５を、エポキシガラスチューブ２０５と関連するアセンブリ全体にわたって設置する（６４５）。
【００４０】
なお、前述の技法においては、エラストマー化合物２６０は、例えば、ニュージャージー州モンマスジャンクションに所在するＪｏｈｎ  Ｃ．  Ｄｏｌｐｈ  Ｃｏｍｐａｎｙが製造するＤｏｌＰｈｏｎ  ＣＢ１１２０などのポリブタジエン（合成ゴム）であってよい。また、シリコーンゴム、ポリウレタン、もしくはシリコーンゲルなどのその他の材料も、エラストマー化合物２６０として使用可能である。
【００４１】
前述の実装は、様々な特徴を有している。例えば、センサが、操作ロッドの外部にではなく、操作ロッド１２０内に実装されている（恐らくは、カプセル封入材料内に格納されている）という事実により、従来の真空遮断器アセンブリと比べて、全体的な寸法を低減可能であると共に、図１に示されているアセンブリの組立が簡単になっている。
【００４２】
また、別の例として、これらの実装は、相対的に低コストである。特に、エポキシガラスチューブ２０５は、製造が容易であって、非常に廉価である。そして、それでいて、放射状に巻線された場合には、この種のエポキシガラスチューブは、動作において、非常に丈夫であり、信頼性が高く、かつ、重量も非常に軽い（この結果、高速動作を実現可能である）。また、このエポキシガラスチューブ２０５のエポキシガラス材料は、真空遮断器１０５が動作する際に通常遭遇するタイプの機械的および熱的な衝撃に対する耐性をも有している。
【００４３】
そして、エラストマー化合物２６０により、動作の際の機械的な衝撃に対する更なる抵抗力が提供されることになる。また、このような化合物によれば、広い動作温度レンジにわたって非常に低い熱膨張係数も提供される。前述の衝撃に対する強度と軽量であることにより、これらの実装によれば、接触反発力が低減された高速の遮断器動作が可能であり、この結果、遮断器の寿命および信頼性が向上することになる。また、前述の実装の場合には、その製造プロセスが簡単であって、実装が容易であり、その部品数も相対的に小さい。さらには、中央に配置された抵抗器２１０および２１５の周りの機械的な力を伝達するエラストマー化合物が、抵抗器との高度な熱的整合性を有している。
【００４４】
最後に、以上の説明は、真空遮断器の観点において、主に提供されているが、前述の特徴は、あらゆる大電力の真空に基づいたスイッチング装置、および、このタイプの流体が充填された空洞１２５内の操作ロッドを使用するものなどのその他の環境条件においても、同様に適用可能であることを理解されたい。なお、考えられ得る流体には、絶縁油、ＳＦ６、および／または空気が含まれている。
【００４５】
以上、いくつかの実装について説明したが、これらには、様々な変更を加えることが可能であることを理解されたい。従って、添付の請求項の範囲には、その他の実装も属している。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】真空スイッチング装置の図である。
【図２】図１の真空スイッチング装置に使用する操作ロッドの図である。
【図３】図２の操作ロッドの一部のさらに詳細な図である。
【図４】図２の操作ロッドの本体の図である。
【図５】外部ゴムスカートを含む図２の操作ロッドの図である。
【図６】図２の操作ロッドを製造する方法を示すフローチャートである。
【図１】
2006517331.tif 000004
【図２】
2006517331.tif 000005
【図３】
2006517331.tif 000006
【図４】
2006517331.tif 000007
【図５】
2006517331.tif 000008
【図６】
2006517331.tif 000009
【国際調査報告】
2006517331.tif 000010