(57)【要約】本発明はエレクトロニクス用パッケージのための中間体内で用いるための基板についてである。本発明の好ましい一実施例は電気的に絶縁されたスプリング・コネクターのアレーを有するスプリング・コネクター・マトリックス（ＳＣＭ）の中間体内で用いるための基板であり、スプリング・コネクターのそれぞれが、固定端部及びその関連する固定端部に弾性的に柔軟に結合していて、ＳＣＭの中間体の主要面に実質的に垂直な面内で独立して動ける浮動端部を有している。本発明の別の好ましい実施例は、三次元中間体を形成するため１以上の事前設定された折り線に沿って折るように意図した基板である。全体としてバルブ・メタル材から形成しうる、又は、ＩＣをその片面又は両面に取付けるように配置された１以上の相互接続領域に電気的に接続された１以上の電気的に絶縁されたバルブ・メタルのトレースが含まれているウイングで折ることを意図している。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロニクス用パッケージのためのスプリング・コネクター・マトリックス（ＳＣＭ）の中間体で用いるための基板で、離散的で、全体として疑似角錐台で、一対の向かい合った略平行な主要面を持つ最初は全体としてバルブ・メタルの非層状の中実体、及び、それぞれが全体として前記主要面の間に略垂直に伸びていて、多孔性のバルブ・メタルの酸化物の周辺部のアレーを形成するための前記中実体の陽極酸化処理の前に、前記中実体に隣接した部分に最初はなっていた伸びているバルブ・メタルの挿入部を電気的に絶縁する前記バルブ・メタルの酸化物の周辺部のアレーを具備することを特徴とする基板。
【請求項２】
周辺部が主要面の平面内で少なくとも５０ミクロンの厚みを有する比較的薄い境界壁により構成されることを特徴とする請求項１に基づく基板。
【請求項３】
挿入部がその基板の主要面のひとつの平面図内で鍵穴の形状を有していることを特徴とする請求項１又は２に基づく基板。
【請求項４】
はんだ付けマスクと一対の主要面を有する信号層の対の間に密に挟まれた請求項１から３のいずれかに基づく基板、及び、ＳＣＭの中間体の主要面の間に垂直に伸びている１以上の貫通空洞により、前記基板の伸びているバルブ・メタルの挿入部（複数）のアレーのうちのひとつの伸びているバルブ・メタルの挿入部からそれぞれが形成されるスプリング・コネクターのアレーから構成されるＳＣＭの中間体で、
各スプリング・コネクターがそれを定義する周辺部に剛性的に接続された固定端部分、及び、その関連する固定端部分に弾性的で柔軟に結合した浮動部分を有し、それにより、前記浮動端部がＳＣＭの中間体の主要面に実質的に垂直な平面内で前記固定端部に対して変位でき、前記固定端部と前記浮動端部がそれぞれ、その関連するスプリング・コネクターを経由してその間の電気的接続を行なうためにＳＣＭの中間体の主要面の両面に導電性パッドを有していることを特徴とするＳＣＭの中間体。
【請求項５】
スプリング・コネクターには片持ち梁型の浮動端部が含まれることを特徴とする請求項４に基づくＳＣＭの中間体。
【請求項６】
スプリング・コネクターには、その固定端部に弾性的に柔軟に結合するためにその浮動端部の周囲に実質的に等距離に配置された弾性的に柔軟な係留部のアレーが含まれることを特徴とする請求項４に基づくＳＣＭの中間体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに基づくＳＣＭの中間体、前記固定端の前記導電性パッドにはんだ付けされた剛性のある制御板、及び、前記浮動端の前記導電性パッドに付着して、独立して動作する電子的要素のアレーから成る電子装置。
【請求項８】
前記独立して動作する電子的要素のアレーが音響要素であることを特徴とする請求項７に基づく超音波トランスジューサー。
【請求項９】
前記独立して動作する電子的要素のアレーが試験パッドであることを特徴とする請求項７に基づくプローブ・カード。
【請求項１０】
エレクトロニクス用パッケージのためのスプリング・コネクター・マトリックス（ＳＣＭ）の中間体の製造プロセスで、そのＳＣＭの中間体が主要面を有し、
（ａ）一対の向かい合った略平行な主要面を持つ、離散的で、全体として疑似角錐台のバルブ・メタルの非層状の中実の素材を用意すること、
（ｂ）前記素材の両方の前記主要面にホトレジスト用マスクを取付け、前記主要面の少なくとも一方を選択的にマスクで隠すこと、
（ｃ）それぞれが素材の主要面の間に略垂直に伸びているバルブ・メタルの酸化物の周辺部のアレーを形成し、最初はその中実体に隣接した部分であった伸びているバルブ・メタルの挿入部を電気的に絶縁するために、マスクを取付けた中実の素材の陽極酸化処理を行なうこと、及び、
（ｄ）ＳＣＭの中間体の主要面の間に垂直に伸びている１以上の貫通空洞を設けて、その定義した周辺部に剛に接続した固定端部と、その関連する固定端部に弾性的柔軟に接続した浮動端部を有するスプリング・コネクターに各バルブ・メタルの挿入部を転換し、それにより、ＳＣＭの中間体の主要面に実質的に垂直な平面内で固定端部に対して変位できること、
というステップを含むプロセス。
【請求項１１】
周辺部が、主要面の平面内で少なくとも５０ミクロンの厚みを有する比較的薄い境界壁により構成されることを特徴とする請求項１０に基づくプロセス。
【請求項１２】
挿入部がその基板の主要面のひとつの平面図内で鍵穴形状を有していることを特徴とする請求項１０又は１１に基づくプロセス。
【請求項１３】
ステップ（ｄ）には、貫通空洞を形成するため、少なくともバルブ・メタルのエッチングのステップが含まれることを特徴とする請求項１０から１２のどれかに基づくプロセス。
【請求項１４】
ステップ（ｄ）には、貫通空洞を形成するため、少なくともバルブ・メタルを機械的に除去するステップが含まれることを特徴とする請求項１０から１２のどれかに基づくプロセス。
【請求項１５】
基板が、エレクトロニクス用パッケージに用いる三次元（３Ｄ）中間体内で用いるために少なくとも１本の事前設定された折り線に沿って折ることができ、その基板は、離散的で、全体として疑似角錐台で、最初は全体としてバルブ・メタルの非層状の中実体で、一対の向かい合った略平行な主要面を含み、かつ、その基板の主要面のひとつの平面図内に全体として長方形の仮想境界線を有する相互接続領域を含んでいること、
前記相互接続領域は、複数のバルブ・メタルの酸化物の周辺部を有していて、その周辺部のそれぞれが前記主要面の間に全体として垂直に伸びていて、かつ、前記複数の多孔性のバルブ・メタルの酸化物の周辺部を形成し、それにより前記相互接続領域をその片面又は両面に１以上の集積チップ（ＩＣ）を搭載できるようにする前に、最初は前記中実体に隣接した部分になっていたバルブ・メタルの領域を電気的に絶縁すること、
少なくとも１本の事前設定された折り線が、前記境界の一側面に平行していて、かつ、そこからずれていて、前記複数の多孔性のバルブ・メタルの酸化物の周辺部を形成するために前記中実体の陽極酸化処理を行なう前に前記相互接続領域に隣接していた非相互接続領域を通過していて、又、中実のバルブ・メタルであるか、又は、少なくとも１ヶ所のバルブ・メタルの酸化物の周辺部がそれぞれ前記主要面の間に全体として垂直に伸びていて、前記相互接続領域に電気的に接続していて、伸びているバルブ・メタルのトレースを電気的に絶縁し、事前設定された折れ線に全体的に垂直な長軸を有し、それにより、三次元中間体を形成するために、その基板を事前設定された折り線に沿って折ることができること、
から成る基板。
【請求項１６】
前記非相互接続領域には、電気的に絶縁された伸びているバルブ・メタルのトレースのバスが含まれ、そのそれぞれが前記相互接続領域と電気的に接続され、事前設定された折り線に全体的に垂直な長軸を有していることを特徴とする請求項１５に基づく基板。
【請求項１７】
伸びているバルブ・メタルのトレースのバスが前記相互接続領域の対に接続されていることを特徴とする請求項１６に基づく基板。
【請求項１８】
請求項１５から１７のどれかに基づく基板から折られた三次元中間体を含み、それにより、非相互接続領域がそれぞれに対して違う向きに配置された第一の部分と第二の部分を含むことを特徴とするエレクトロニクス用パッケージ。
【請求項１９】
相互接続領域がその両側にＩＣを取付けていることを特徴とする請求項１８に基づくエレクトロニクス用パッケージ。
【請求項２０】
請求項１５から１７のどれかに基づく基板から折った三次元（３Ｄ）中間体を含むエレクトロニクス用パッケージを製造するプロセスで、
（ａ）請求項１５から１７のいずれかに基づく基板を用意すること、
（ｂ）少なくとも１個のＩＣをその基板に搭載すること、
（ｃ）少なくとも１個のＩＣを均一な高さになるように重ねること、
（ｄ）三次元中間体を形成するために基板を折ること、
のステップから成るプロセス。
【請求項２１】
ステップ（ｃ）に基板に両側取付けされたＩＣの両側重ねが含まれることを特徴とする請求項２０に基づくプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロエレクトロニクス（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）のパッケージ及び要素に関する。
【背景技術】
【０００２】
特に、ｐｉｎ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙｓ  （ＰＧＡｓ）、ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙｓ  （ＢＧＡｓ）、ｃｈｉｐ−ｓｃａｌｅ  ｐａｃｋａｇｅｓ（ＣＳＰｓ）を含む中間体が、印刷配線板又は電力及び（又は）電圧の供給源に１以上のチップ（ｃｈｉｐ）を接続するために用いられる。そのような中間体は、典型的に、機械的及び熱的挙動が異なる、及び、入力／出力（Ｉ／Ｏ）の相互接続ピッチ（ｐｉｔｃｈｅｓ）が異なっている実質的に異なる２個のメディア（ｍｅｄｉａ）間を電気的に、機械的に及び熱的に接続することが求められる。
【０００３】
出願者による特許文献１は、その全体的内容を本出願書に参照用に組込んでいるが、エレクトロニクス用パッケージのための基板及びそれを製造するためのピン・ジグ・フィクスチャー（ｐｉｎ  ｊｉｇ  ｆｉｘｔｕｒｅ）の図面と説明を示している。基板は離散的で全体として疑似角錐台で、１以上の間隔を置いて、最初は導電性バルブ・メタル（ｖａｌｖｅ  ｍｅｔａｌ）の中実体を有し、最初はバルブ・メタルの中実体だった部分に貫通孔を設けて、そのそれぞれの周囲を多孔性酸化処理により個別に電気的に絶縁している。
【０００４】
出願者による特許文献２は、その全体的内容を本出願書に参照用に組込んでいるが、エレクトロニクス用パッケージのためのデバイス（ｄｅｖｉｃｅ）及びそれを製造するためのピン・ジグ・フィクスチャーの図面と説明を行なっている。デバイスには前記特許文献１で示したものと類似したバイアス及び（又は）他のトレース（ｔｒａｃｅ）設計が含まれる。さらに、出願者の特許文献２は多層のデバイス及びＢＧＡの中間体を含むエレクトロニクス用パッケージを図面及び説明で示している。
【特許文献１】国際特許出願第ＷＯ９８／５３４９９号明細書
【特許文献２】国際特許出願第ＷＯ００／３１７９７号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第一の側面はエレクトロニクス用パッケージに用いるのに適当なスプリング・コネクター・マトリックス（Ｓｐｒｉｎｇ  Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ  Ｍａｔｒｉｘ  （ＳＣＭ））の中間体で使用するための基板を目指している。ＳＣＭの中間体には電気的に絶縁されたスプリング・コネクターのアレー（ａｒｒａｙ）が含まれ、そのそれぞれが固定端部及びその関連する固定端部に弾性的に柔軟に結合していて、ＳＣＭの中間体の主要面に実質的に垂直な面内で独立して動ける浮動端部を有している。固定端部及び浮動端部には、ＳＣＭの中間体の意図する用途により特にボール（ｂａｌｌ）、バンプ（ｂｕｍｐ）等を含む種々のタイプの導電性要素を設けられる。ＳＣＭの中間体の意図する用途には、特に、超音波トランスジューサー（ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）、プローブ・カード（ｐｒｏｂｅ  ｃａｒｄ）等が含まれる。特許文献２に図面と説明が示されているように種々の能動的及び（又は）受動的回路要素をＳＣＭの中間体に組み込める。
【０００６】
本発明の第二の側面はエレクトロニクス用パッケージに用いる三次元（３Ｄ）中間体を形成するため、少なくとも１本の事前設定された折り線に沿って折ることができる基板を目指している。その基板には、１以上の集積チップ（ＩＣ）をその片面又は両面に取付けるように意図された少なくとも１個の相互接続領域、及び、第一及び第二の非相互接続領域部分を違う向きに配置するように事前設定された折り線に沿って折るための少なくとも１個の非相互接続領域又はいわゆるウイング（ｗｉｎｇ）が含まれる。非相互接続領域は全体がバルブ・メタルで、その場合、本質的に一回以上折ることができる。代わりに、非相互接続領域には１以上の電気的に絶縁され、伸びているバルブ・メタルのトレース（ｔｒａｃｅ）が含まれ、その長軸は全体として折り線に垂直である。そのようなトレースがバルブ・メタルの酸化物により電気的に絶縁されていて、その酸化物は比較的脆いので、折った際に割れることがあるが、伸びているバルブ・メタルのトレースが依然として無傷なので、意図した三次元中間体の意図する目的に影響を与えない。意図する三次元中間体は比較的単純な構造で、例えば、一個の相互接続領域に対応して折られる一個の非相互接続領域、又は、比較大きな基板の設置面積をかなり低減するために複雑な多層構造としうる。三次元中間体は設置面積を小さくできるだけでなく、放熱設計及びＥＭＩ遮蔽の改善が容易である。さらに、三次元中間体はエレクトロニクス用パッケージの製造プロセスを効率化するのが容易である。そのプロセスには、三次元中間体の上にＩＣを片側取付けにするか両側取付けにするかにより、均一の高さになるようにＩＣを片側又は両側に重ねることが含まれる。
【０００７】
本発明を理解し、実際に実施する方法を見るために、好ましい実施例を、非限定的事例として、類似の部分には同様の番号を付けた添付図面を参照して示している。
【実施例１】
【０００８】
図１及び図２は超音波トランスジューサー（図６参照）、プローブ・カード（図７参照）、その他の装置を含むある範囲のエレクトロニクス用パッケージに適当なスプリング・コネクター・マトリックス（ＳＣＭ）の中間体１００を示している。ＳＣＭの中間体は１００には離散的で、全体的には疑似角錐台で、主としてバルブ・メタルの基板１０１が主要面１０４及び１０６を有するはんだ付け用マスク（ｍａｓｋ）及び信号層１０２及び１０３の間に密のサンドウイッチ構造で挟まれている。基板１０１には鍵穴形状の境界壁１０７（周辺部を構成）のアレーが含まれ、そのそれぞれが伸びているバルブ・メタルの挿入部を電気的に絶縁している。境界壁１０７の厚みは主要面１０４及び１０６の平面内で少なくとも５０ミクロンである。
【０００９】
ＳＣＭの中間体１００には主要面１０４及び１０６の間に垂直に伸びている。貫通空洞１０９のアレーが含まれる。その貫通空洞１０９は、挿入部１０８をスプリング・コネクター１１１に転換するために、各境界壁１０７の主要部分と共に内部に一緒に伸びるように配置されている。スプリング・コネクター１１１のそれぞれが、それを形成する境界壁１０７に剛性的に結合した固定端部１１２及び関連する固定端部１１２に本質的に弾性的柔軟性を持って結合された片持ち梁状の浮動端部１１３を有している。それゆえ、ＳＣＭの中間体の浮動端部１１３は、矢印Ｂにより示された主要面に本質的に垂直な平面内で固定端部１１２に対して独立して動ける。各固定端部１１２には導電性パッド１１４を設け、各浮動端部１１３には導電性パッド１１６を設けて、ＳＣＭの中間体１００を外部の電子的要素及びデバイスと電気的に接続する。ＳＣＭの中間体１００には出願者による前記特許文献２に図面及び説明で示すように種々の能動的及び（又は）受動的回路要素を設けられる。
【００１０】
ＳＣＭの中間体１００の製造プロセスは、ここで図３Ａ−３Ｌを参照して説明されているが、離散的で、全体として疑似角錐台で、全体として平行な主要面１１８及び１１９に面している非層状のバルブ・メタルのブランク（ｂｌａｎｋ）１１７からスタートしている。第一の面対称になっているホトレジスト用マスク１２１が、バルブ・メタルのブランクの主要面１１８及び１１９に位置合わせして取付けられる（図３Ａ参照）。マスクを取付けられたバルブ・メタルのブランク１１７は両面で低電圧の多孔性陽極酸化処理を行ない、伸びているバルブ・メタルの挿入部１０８を形成するために、基板の主要面１１８及び１１９に対して全体として垂直に伸びている鍵穴形状の境界壁１０７を有する主としてバルブ・メタルの基板１０１を形成する（図３Ｂ参照）。ホトレジスト用マスク１２１が除去され（図３Ｃ参照）、主としてバルブ・メタルの基板１０１が銅の堆積を受け、その主要面を銅でカバーして、主要面１２３及び１２４を持つ中間製品１２２を形成する（図３Ｄ参照）。一対の別のホトレジスト用マスク１２６及び１２７を中間製品の主要面１２３及び１２４に取付ける（図３Ｅ参照）。そして、マスクを付けた中間製品１２２で銅のエッチングを行ない、それぞれが導電性パッド１１４と導電性パッド１１６を有する主要面１２９及び１３１を付けた中間製品１２８を形成する（図３Ｆ参照）。ホトレジスト用マスク１２６及び１２７が取り外され（図３Ｇ参照）、第二の面対称になっているホトレジスト用マスク１３２を中間製品の主要面１２９及び１３１に位置合わせして取付けられる（図３Ｈ参照）。マスクを付けた中間製品１２８でアルミニウムのエッチングが行なわれ、スプリング・コネクター１１１を形成するために貫通空洞１０９を形成する（図３Ｉ参照）。ホトレジスト用マスク１３２が取り外され（図３Ｊ参照）、はんだ付け用マスク１３３及び１３４を中間製品の主要面１２９及び１３１に取付けて、ＳＣＭの中間体のはんだ付け用マスクと信号層１０２及び１０３を形成する（図３Ｋ参照）。ＳＣＭの中間体１００に導電性パッド１１４に取付けられたボール１３６と導電性パッド１１６を設けることができる。又はＳＣＭの中間体１００の意図する用途により、代替手段としてボール１３６を軽いバンプで置換えられる（図３Ｌ参照）。
【００１１】
図４及び５では、スプリング・コネクター・マトリックス（ＳＣＭ）の中間体１４０を示しているが、スプリング・コネクター１４１のアレーを含み、スプリング・コネクターのそれぞれが固定端部１４２と浮動端部１４３を有している限りではＳＣＭの中間体１００に類似している。ＳＣＭの中間体１４０とＳＣＭの中間体１００の間の違いは、前者の浮動端部１４３が３個の弾性的に柔軟で等距離の係留部１４６の内側の円により浮動的に支えられ、一方で、スプリング・コネクター１４１の残りの部分に内側の円を接続している３個の弾性的に柔軟で等距離の係留部１４８の外側の円１４７により浮動的に支えられていることである。この係留部の構造は、片持ち梁型の構造よりもＳＣＭの中間体１４０の面内に浮動端部１４３の横方向の動きを好ましく含めるが、その垂直面内の浮動端部分１４３の動きを少なくする。ＳＣＭの中間体１４０はＳＣＭの中間体１００と同じプロセスを用いて製造されるが、この場合、図３Ｈのアルミニウムのエッチング・ステップで、片持ち梁型の浮動端部１１３の代わりに浮動端部１４３を作成するために一対の別のホトレジスト用マスクを用いている。
【００１２】
図６は、その導電性パッド１１４に取付けたボール１５１のアレー及び導電性パッド１１６に取付けたバンプ１５２のアレーを含むＳＣＭの中間体１００、剛性のある制御板１５３と独立して機能する音響要素（電子的要素を構成）１５７のアレーと共にポリマー基板１５６を含む音響マトリックス１５４を含む超音波トランスジューサー１５０を示している。制御板１５３はボール１５１のアレー上にはんだ付けされるが、各音響要素１５７はバンプ１５２のアレーの１個のバンプに個別にはんだ付けされ、それにより、各音響要素１５７が個別の電気的刺激に応答して、ＳＣＭの中間体１００の面に垂直で独立した機械的振動による動きを生じうる。
【００１３】
図７は、その導電性パッド１１４に取付けたボール１６１のアレー及び導電性パッド１１６に取付けたボール１６２のアレーを含むＳＣＭの中間体１００、剛性のある制御板１６３、及び、独立して機能する試験パッド（電子的要素を構成）１６６のアレーを含むプローブ・カード１６４を含むプローブ・カード１６０を示している。制御板１６３はボール１６１のアレー上にはんだ付けされるが、各試験パッド１６６はバンプ１６２のアレーの１個のバンプに個別にはんだ付けされ、それにより、各試験パッド１６６はＳＣＭの中間体１００の面に垂直に独立した変位を生じうる。
【００１４】
図８−１０は、事前設定された一対の折り線１７６及び１７７に沿って、全体として平行に向かい合っている一対の主要面１７３及び１７４を有している基板１７２から折られた三次元ＢＧＡの中間体１７１を含むＢＧＡエレクトロニクス用パッケージ１７０を示している。基板１７２には、離散的で、全体としては疑似角錐台で、最初は全体としてバルブ・メタルの非層状の中実体１７８が含まれ、その中実体１７８は基板の主要面１７３の上面図内で全体として長方形の仮想境界線１８１を有する相互接続領域１７９内に形成される。折り線１７６及び１７７は境界線１８１の両側に平行であり、そこから、数ミリメートルの比較的短い距離だけずれている。相互接続領域１７９には、出願者による前記特許文献２の図面と説明に示されている能動的及び（又は）受動的機器を構成する電気的に絶縁されたバルブ・メタルのトレースが含まれ、その片面に一対のＩＣ１８２が取付けられている。
【００１５】
基板１７２には、相互接続領域１７９の一端に隣接した主としてバルブ・メタルの非相互接続領域１８３及び相互接続領域１７９の両端に隣接した全体としてバルブ・メタルの非相互接続領域１８４が含まれる。非相互接続領域１８３には、折り線１７６に実質的に垂直な長軸１８７を有し、例えば電源１８８に相互接続領域１７９を接続するように設計され、電気的に絶縁されたバルブ・メタルのトレース１８６が含まれる。そのバルブ・メタルのトレース１８６は好ましくは、全体として主要面１７３及び１７４の間に垂直に伸びている一対の伸びているバルブ・メタルの酸化物の壁１８９により電気的に絶縁される。バルブ・メタルの酸化物の壁１８９は好ましくは、両面の多孔性陽極酸化処理のプロセスにより相互接続領域１７９の形成と同時に形成される。
【００１６】
エレクトロニクス用パッケージ１７０の製造プロセスは、ここで図１１Ａ−１１Ｅを参照して示すが、基板１７２からスタートする。ＩＣ１８２の高さＨ１とＨ２が異なり、ここではＨ１＞Ｈ２で、相互接続領域１７９に取付けられる（図１１Ｂ参照）。ＩＣ１８２は均一な高さＨ３になるように片側に重ねられる（図１１Ｃ参照）。基板の主要面１７４にはボール１９１を設けている（図１１Ｄ参照）。基板１７２は折り線１７６及び１７７に沿って折られて、三次元ＢＧＡの中間体１７１を形成する（図１１Ｅ参照）。
【００１７】
図１２−１５は、Ｌ型基板２０２から折られた２階建て三次元ＢＧＡの中間体２０１を含むＢＧＡエレクトロニクス用パッケージ２００を示しているが、３本の折り線２０６、２０７、２０８に沿って、一対の全体として平行に向かい合った主要面２０３及び２０４を有している。基板２０２には、離散的で、全体として疑似角錐台で、最初に全体として、３個の相互接続領域２１１、２１２、２１３に形成されたバルブ・メタルの非層状の中実体２０９、全体がバルブ・メタルの非相互接続領域２１４及び一対の主としてバルブ・メタルの非相互接続領域２１６及び２１７が含まれる。相互接続領域２１１には、基板の上面２０３の上のＩＣ２１８、及び、基板の下面２０４のボール２１９を設けている。相互接続領域２１２には基板の上面２０３に取付けられたＩＣ２２１、基板の下面２０４に取付けられたＩＣ２２２を設けている。相互接続領域２１３には基板の上面２０３に取付けられたＩＣ２２３及び基板の下面２０４に取付けられたＩＣ２２４を設けている。非相互接続領域２１６及び２１７は非相互接続領域１８３に類似しているが、それぞれが一個のバルブ・メタルのトレースの代わりに電気的に絶縁されたバルブ・メタルのトレース２２７のバス（ｂｕｓ）２２６を含んでいる限りでは、それとは異なる。
【００１８】
本発明は限定した数の実施例について説明しているが、本発明の多くの変形、修正、その他の適用は添付した請求項の範囲内になることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】はんだ付け用マスキング前で、又、導電性パッド無しでスプリング・コネクター・マトリックス（ＳＣＭ）の中間体の第一の好ましい実施例の平面図である。
【図２】はんだ付け用マスキングの後で、線Ａ−Ａに沿った図１のＳＣＭの中間体の断面図である。
【図３Ａ−３Ｌ】図１のＳＣＭの中間体の製造プロセスを示す。
【図４】はんだ付け用マスキング前のＳＣＭの中間体の第二の好ましい実施例の平面図である。
【図５】はんだ付け用マスキングの後で、線Ｃ−Ｃに沿った図４のＳＣＭの中間体の断面図である。
【図６】図１のＳＣＭの中間体を含む超音波トランスジューサーの断面図である。
【図７】図１のＳＣＭの中間体を含むプローブ・カードの断面図である。
【図８】ＢＧＡエレクトロニクス用パッケージの側面図である。
【図９】図８のＢＧＡエレクトロニクス用パッケージ内に折り込むための基板の平面図である。
【図１０】線Ｄ−Ｄに沿った図９の基板の断面図である。
【図１１Ａ−１１Ｂ】図８のエレクトロニクス用パッケージの製造プロセスを示す。
【図１２】２階建ての三次元中間体の透視図である。
【図１３】事前設定された３本の折れ線に沿って、図１２の三次元中間体に折るためのＬ型の基板の平面図である。
【図１４】線Ｅ−Ｅに沿った図１３の基板のバスの断面図である。
【図１５】視線Ｆに沿った図１２の三次元中間体を含むＢＧＡエレクトロニクス用パッケージの側面図である。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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2006508534.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図８】
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【国際調査報告】
2006508534.tif 000020
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