(57)【要約】本発明は、第１の記録スタックの層を有する第１の基板を有する書換可能な光学的記録担体に係る。記録スタックは、第１の誘電体層と、位相変化記録材料を有する記録層と、第２の誘電体層と、金属ミラー層とを有する。最大Ｒ×Ｍを得るよう、第１の誘電体層は、２０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲の厚さｄ１を有する。第２の誘電体層は、ミラー層がアルミニウムを有するときは、０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋１７３．３（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋２１３．３（ｎｍ）の関係に従った厚さｄ２を、ミラー層が銀を有するときは、０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１４９．６（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１８９．６（ｎｍ）の関係に従った厚さｄ２を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の記録スタックの層を有する基板を有する書換可能な光学的記録担体であって、前記第１の記録スタックは、正順又は逆順で、
・第１の誘電体層と、
・位相変化記録材料を有する記録層と、
・第２の誘電体層と、
・主要構成要素としてアルミニウムを有する混合物、又は、主要構成要素として銀を有する混合物から成るミラー層と、
を有し、
前記第１の誘電体層は、１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲で厚さｄ１を有し、前記第２の誘電体層は、厚さｄ２を以下の関係、
ａ）ミラー層がアルミニウムを有するときは、
０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋１７３．３（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋２１３．３（ｎｍ）、
ｂ）ミラー層が銀を有するときは、
０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１４９．６（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１８９．６（ｎｍ）、
のうちいずれか１つに従うことを特徴とする、
書換可能な光学的記録担体。
【請求項２】
前記第２の誘電体層は、２０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項１記載の書換可能な光学的記録担体。
【請求項３】
前記第１の誘電体層は、１１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの範囲の厚さを有し、前記第２の誘電体層は２５ｎｍ乃至４０ｎｍの範囲の厚さを有することと特徴とする、請求項２記載の書換可能な光学的記録担体。
【請求項４】
前記第１及び第２の誘電体層は、ＺｎＳ及びＳｉＯ２の混合物を有することを特徴とする、請求項３記載の書換可能な光学的記録担体。
【請求項５】
前記位相変化記録材料は、Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｂ及びＴｅの混合物を有し、前記記録層は１２±１．５ｎｍの範囲の厚さを有することを特徴とする、請求項４記載の書換可能な光学的記録担体。
【請求項６】
・前記第１の誘電体層に取り付けられたスペーサ層と、
・前記スペーサ層上に配置された第２の記録スタックと、
を更に有することを特徴とする、請求項１乃至５記載の書換可能な光学的記録担体。
【請求項７】
前記第１の誘電体層上に配置されたダミー基板を更に有する、請求項１乃至５記載の書換可能な光学的記録担体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層の記録スタック（ＩＰＩＭ）を有する基板を有する書換可能な光学的記録担体に係る。記録スタックは、この順で、第１の誘電体層（Ｉ１）と、位相変化記録材料（ＰＣ）を有する記録層（Ｐ）と、第２の誘電体層（Ｉ２）と、主要構成要素としてアルミニウムを有する混合物、又は、主要構成要素として銀を有する混合物から成るミラー層（Ｍ）とを有する。本発明は更に、前出の層を逆順で有する記録層（ＭＩＰＩ）を備えた書換可能な光学的記録担体に係る。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，及びＢｌｕ−Ｒａｙディスク（ＢＤ）等の周知の書換可能な光学的記録担体の全てにわたり、記録スタックは、かかる位相変化記録層を有して適用される。ＰＣ層は、通例、２つの誘電体ＺｎＳ−ＳｉＯ２層の間に挟まれたスタックにある。現在は、消去可能な位相変化記録用の媒体の選択は、耐久性のある多結晶構造を備えた合金であり、例えばＩｎ，Ｇｅ，及び／又はＡｇに加えてＳｂ及びＴｅから成る合金である。かかる記録スタックの一側上に、典型的には金、銀、又はアルミニウム等の金属でできるミラー層が配置される。他側では記録層がポリカーボネート基板等の基板上に配置される。基板側から記録媒体に入る記録信号に従って変調された書込みレーザ・ビームは、記録スタックに集束される。集束されたレーザ・ビームに対してディスクが動かされる一方、レーザ・ビームは主として記録層によって吸収される。従って、合金は局所的に加熱される。温度がその融点（約５００℃乃至７００℃）を超える際、位相変化材料は無定形状態に転換する。隣接する誘電体層を介する急速な熱放散によって合金は早く冷却され、従って無定形相を安定化させる。それ故に、書込みマークがトラックに沿って残る。低減された電力でレーザ・ビームを適用することによって、書込みマークを消去することが可能である。従って、記録層は、温度約２００℃まで加熱され、結晶相（焼鈍し）まで戻る位相変化を引き起こす。原子は、再結晶化するまで十分に長い間高温に保持されなければならないため、ＰＣ媒体での無定形化は非常に速くなり得るが結晶化は比較的遅い工程である。
【０００３】
スタックが、結晶相（基底状態）で高い反射率を有するのに対して、反射率は無定形相（書込み状態）では低減される。そのため、前出の記録スタック上に集束された読取りビームは、書込みマーク（ピット）又は未書込み部分（ランド）のいずれに当たるかに依存して異なる強度を有する記録層によって反射される。それ故に、誘電体層と反射層は複数のタスクを行なう。かかるタスクは、記録層を保護すること、反射率及び／又は吸収率を最適化する光学的に調整された構造を作り出すこと、迅速な冷却のためにディスクの熱的性質の調整を可能にすること、である。
【０００４】
書換可能な光学的記録担体は、一般的な記録媒体と同様に、データ容量に進化的な増加をみている。それは、例えばマルチメディアのアプリケーションに与えられるべきデータ量の爆発的な増加による。書換可能な光学的記録担体のデータ量は、６５０ＭＢ（ＣＤ，ＮＡ＝０．４５，λ＝７８０ｎｍ）から４．７ＧＢ（ＤＶＤ，ＮＡ＝０．６５，λ＝６５０ｎｍ）までに発展し、ついには２５ＧＢ（Ｂｌｕ−Ｒａｙディスク（ＢＤ），ＮＡ＝０．８５，λ＝４０５ｎｍ）にまで発展しつつある。データ容量は、ディスク１枚あたりの記録スタックの数を増加させることによって、更に増やされ得る。いわゆる二層記録層スタックの設計は、ＤＶＤ−ＲＯＭより既知である。そこに、２つの記録層は、同一の基板上で間にスペーサを備えてスタックに置かれる。これらの種類のディスクの記録層は、同一のものからのみアクセス可能である。
【０００５】
しかしながら、レーザ光線は書換可能な記録担体に多く吸収されるため、かかる媒体内の二層記録層での情報の記録及び読出しは、より困難である。レーザ・ビームは、その出力のかなりの量が入射レーザ・ビームの伝播方向に対して最も近い第１の記録スタック（Ｌ０）に吸収された後でも、入射レーザ・ビームの伝播方向に対して最も遠い第２の記録スタック（Ｌ１）に書き込むのに十分なほど強くなければならない。そのため、これらの多層スタックは、これまで、書換可能な光学的記録担体用の仕様にされていない。
【０００６】
データ容量に対する要求が増えると共に、位相変化の光学的記録での高いデータ転送速度に対する要求が増大している。高いデータ転送速度には、記録層が高い結晶化速度、即ち短い結晶化時間を有することが求められる。以前に記録されたマークがダイレクト・オーバーライト（ＤＯＷ）中に必ず再結晶化し得るよう、例えば上述の通り、記録層は、レーザ・ビームに対して回転する記録媒体の線速度を適合させるよう適切な結晶化時間を有するべきである。結晶化速度が線速度と合致するには十分高くない場合、以前の記録から古いデータ（無定形のマーク）は完全に消され得ない。残る古いデータの断片は、高いノイズレベルを引き起こすであろう。
【０００７】
現在、米国特許第２００１００３６５２７号明細書（特許文献１）、米国特許第２００１００３６５２８号明細書（特許文献２）、国際公開第０１／１３３７０号パンフレット（特許文献３）では、高い線速度にある際でも、ジッタ、光学コントラスト、及び変調等のＤＶＤ標準によって規定された光学範囲に適合する十分な記録性質を備えた書換可能な光学的記録媒体が、提案された。しかしながら、これらの記録媒体は、やはり、４０％乃至６０％の透過率を有するＬ０記録スタックを有する。Ｌ１に届くレーザ出力は、それだけ低減されるため、Ｌ１記録スタックは、特に高い線速度では非常に感度がよくなければならない。一方では、第２の記録スタックＬ１で反射された読取りビームの光は、Ｌ０スタックを介してディテクタに戻る際に再度減衰されるため、Ｌ１記録スタックは非常に高い反射率を有さなければならない。
【特許文献１】米国特許第２００１００３６５２７号明細書
【特許文献２】米国特許第２００１００３６５２８号明細書
【特許文献３】国際公開第０１／１３３７０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そのため、本発明は、感度及び反射性に関してよりよい光学的性質を与えるスタックの設計を備えた書換可能な光学的記録担体を与えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、かかる目的は、冒頭の段落に記載された通り、前出の層を前出の順（ＩＰＩＭ）で有する記録スタックを備えた書換可能な光学的記録担体によって達成され、前出の第１の誘電体層は１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内の厚さｄ１を有し、前出の第２の誘電体層は、
ミラー層がアルミニウムを有するときは、
０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋１７３．３（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋２１３．３（ｎｍ）  （１）
であり、
ミラー層が銀を有するときは、
０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１４９．６（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１８９．６（ｎｍ）  （２）
という関係に従った厚さｄ２することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の面によれば、かかる目的は、冒頭の段落に記載された通り、前出の層を逆順（ＭＩＰＩ）で有する記録スタックを備えた書換可能な光学的記録担体によって達成され、前出の第１の誘電体層Ｉ１は、１００ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内の厚さｄ１を有し、前出の第２の誘電体層Ｉ２は、ミラー層がアルミニウムを有するときは（１）の関係に従い、ミラー層が銀を有するときは（２）の関係に従った厚さｄ２を有する。
【００１１】
本発明の第１及び第２の面の更なる発展を構成する第３の面によれば、前出の第２の誘電体層Ｉ２は２０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００１２】
本発明の第１及び第２の面の更なる発展を構成する第４の面によれば、前出の第１の誘電体層Ｉ１は、１１０ｎｍ乃至１５０ｎｍの範囲の厚さを有し、第２の誘電体層Ｉ２は、２５ｎｍ乃至４０ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００１３】
書換可能な光学的記録担体での使用が先に提案された記録スタックの発展は、高い光学コントラストに集中される一方で、本発明による書換可能な光学的記録担体は、記録スタックを有する。かかる記録スタックは、結晶反射（Ｒｃ）から無定形反射（Ｒａ）を引いたものに対応する最大Ｒ×Ｍに関して最適化され、そのため、Ｒｃ−Ｒａとしても参照される。以下の例から判るように、これはによってより高い反射率が導かれる。更に、感度は、マークを書き込むのに必要とされるレーザ出力であり、増加され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の他の目的、特徴、及び利点は、添付の図面を伴った以下の望ましい実施例の説明から明らかになるであろう。
【００１５】
図１中、現在の書換可能な光学的記録担体１０は、いわゆるダミースタック又はダミー基板１０２上に固定して配置された単一の記録スタック１０１を有する。ここでは、層の位置及び／又は方向に関する全ての宣言及びそれらの配列は、矢印１１０で示す入射レーザ・ビームに関連する。Ｌ０ともされる上方の単一の記録スタック１０１は、ビームの入射表面に最も近いスタックである。上述された通り、反射率及び感度に関する既知の記憶スタックは、下にあるスタックＬ１で使用するようには適応されていない。上方層１０１を介して透過される光の量が少ないため、記録に十分な感度を有さず、また更に、第２のレベルで情報を読み取るにも低すぎる反射率を有する。そのため、ダミースタック１０２は、単純にポリカーボネートで作られる。ダミースタック１０２及び記録スタック１０１は、通例は、接着層及びスペーサ層（図示せず）によって固定される。記録スタック１０１は、第１の誘電体層１０４がラミネート加工されたその上にポリカーボネート基板１０３を有する。かかる層１０３は、例えば（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０であるＺｎＳ及びＳｉＯ２の混合物から作られており、６０ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲の厚さを有する。その次に下の層は、記録層１０５であり、例えばＧｅＩｎＳｂＴｅで作られ、１２ｎｍ乃至１８ｎｍの範囲の厚さを備える。前出の第１の誘電体層１０４に対向する側で記録層１０５に取り付けられるのは、第１の誘電体層１０６であり、やはりＺｎＳ−ＳｉＯ２で作られており、１２ｎｍ乃至２０ｎｍの厚さを有する。Ｌ０スタックに関連する最下層は、金属ミラー層１０７であり、主に銀又は金で作られる。記録スタック１０１の全ての層は、上に挙げられた順で続いてスパッタ・ラミネート加工をされ、従ってＩＰＩＭスタックを形成する。
【００１６】
図２に見られる通り、本発明に従った書換可能な光学的記録担体２０は、矢印２１０で示す入射光ビームの方向に関して第２のスタックＬ１として記録スタック２０１を有する。Ｌ１スタックの最上部に、第１の透明な記録スタックＬ０２０２が、スタック２０１と２０２との間にスペーサ層（図示せず）を備えて配置され得る。かかる透明の記録スタックは、典型的には、４０％乃至７０％の透過率を有する。後ほど判るが、本発明によるＬ１記録スタック２０１は、その高い反射率及び感度によって記録スタックとして既知である以外に、その状況下での記録に完全に適合されている。
【００１７】
Ｌ１記録スタック２０１は、最上部から最下部への順に、１００ｎｍ乃至２００ｎｍの厚さであり望ましくは１２０ｎｍ乃至１６０ｎｍの厚さである、Ｉ１とも参照される第１の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０誘電体層２０３と、更に、例えばＧｅＩｎＳｂＴｅから作られ１２±１．５ｎｍの範囲の厚さを備える記録層２０４を有する。第１の誘電体層２０３に対向する前出の記録層２０４のに隣接して、２０ｎｍ乃至５０ｎｍの厚さであり、望ましくは２５ｎｍ乃至４０ｎｍの厚さである、Ｉ２とも参照される第２の誘電体（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０層２０５がある。この下には、ミラー層２０６が置かれる。それは、金属又は合金、望ましくはアルミニウム、数％のＴｉを備えたＡｌの混合物、又は金で作られる。このミラー層は、典型的には厚さ約５０ｎｍである。最後に、Ｌ１記録スタック２０１の最下層は、ポリカーボネート等で作られた基板２０７である。層の上述の配列、即ち、第１の誘電体層２０３、記録層２０４、第２の誘電体層２０５、及びミラー層２０６は、参照番号を反対に数えた逆順で前述の基板２０７上にラミネート加工され、従ってＭＩＰＩスタックを形成する。
【００１８】
光学的記録担体に通例使用される記録スタックは、最大反射率、特に最大反射率の差Ｒ×Ｍ（＝Ｒｃ−Ｒａ、結晶反射率Ｒｃから無定形反射率Ｒａを引いたもの）に対して最適化されていない。これは、図３及び図４に例示されており、図中、実線３０１及び４０１は、図３ではアルミニウムのミラー層を、図４では銀のミラー層を夫々有する記録スタックの最大の反射率の差を示す。本発明による記録スタックのＩ１層の厚さとＩ２層の厚さの組合せは、これらの最大Ｒｃ−Ｒａ線３０１及び４０１に沿って夫々選択されるべきであり、これは、ｄ１がＩ１層の厚さを、ｄ２がＩ２層の厚さを示す以下の式、
ａ）  アルミニウムのミラー層を有する反射体スタックの場合は、
０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋１７３．３（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０２２５×ｄ２２−２．６５７２×ｄ２＋２１３．３（ｎｍ）、
ｂ）  銀のミラー層を有する反射体スタックの場合、
０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１４９．６（ｎｍ）＜ｄ１＜０．０１９１×ｄ２２−２．０４８２×ｄ２＋１８９．６（ｎｍ）、
で記録され得る。
【００１９】
通例の書換可能ＤＶＤでのＩ１層の厚さは、６０ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内であるため、Ｒ×Ｍは最適値からかけ離れている。特に、この種類のディスクに望ましい第２誘電体層の厚さは、１２ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲内であり、Ｉ１に求められる厚さは更に厚いため、Ｒ×Ｍは小さい。
【００２０】
本発明の有利な一実施例によれば、高い反射率及び感度に対してＩ２層の厚さは、アルミニウムのミラー層を有する記録スタックには約２８ｎｍ、銀のミラー層を有する記録スタックには２５ｎｍになるよう選択される。続いて、高いＲ×Ｍ値に対して対応するＩ１層の厚さは、夫々約１３５ｎｍと１３０ｎｍになるよう選択される。しかしながら、Ｉ１層の厚さは、感度、変調、又は光学コントラスト等他のパラメータを鑑みて異なるように選択され得るが、図３及び図４中破線３０２，４０２及び点線３０３，４０３で夫々示される範囲である、プラスマイナス２０ｎｍの範囲内にとどまるべきである。
【００２１】
更に、図１及び図２を参照すると、誘電体層Ｉ２２０５は、通常の誘電体Ｉ２層と比較して厚さが増加しているため、より高い熱抵抗を有する。それ故に、位相変化層２０４からミラー層２０６への熱輸送は低減される。ミラー層が放熱板の役割を果すため、位相変化材料を融解温度まで加熱するのにより少ない出力が必要とされる。このようにして、本発明による記録スタックのより高い感度が得られる。
【００２２】
図５及び図６中、多数の有利な実施例に従った記録担体の第２記録スタックＬ１のＲＴＭ測定の結果を図示する。この実施例によれば、ＰＣ層は１２ｎｍの厚さを有する。しかしながら、±１．５ｎｍの範囲で選択され得、そこでは前出のＲｃ及びＲａ値はほとんど変化しない。それに対して、記録ＰＣ材料の結晶（構造）状態と無定形（構造）状態との間の光位相での差は、この範囲内で劇的に変化する。この性質は、プッシュプル変動の最適化に活用され得る。この実験に使用されるミラー層は、１．５％のＴｉを追加されたＡｌの混合物から成り、厚さは５０ｎｍである。図５では、Ｉ２層の厚さの機能として、集束反射信号Ｒｃ，Ｒａ、両方の差Ｒｃ−Ｒａ、及び光学コントラストが図示される。従って、図３を参照し、Ｉ１層の厚さは、最大Ｒ×Ｍ値を鑑みて適合される。図６では、対応する結果がＩ１層の厚さの機能として図示され、それによってＩ２層の厚さは２８ｎｍに固定された。
【００２３】
結晶相の反射率Ｒｃ（菱形印で図示）は、無定形相の反射率Ｒａ（四角印で図示）と同様に、図５中で厚さＩ２の増加に従って低減し、それに応じて図６中では、厚さＩ１を選択するときに増加する。図６より判り得るように、Ｉ１層の厚さ１３５ｎｍは、結果的に最大Ｒ×Ｍ、即ち最大Ｒｃ−Ｒａ（三角形で図示）をもたらす。図３によれば、この値は、約２８ｎｍのＩ２値に対応する。これを用いて、Ｒ×Ｍは、３３％又はそれ以上まで増加され得、その一方で通常製造のディスクは２５％しか有さない。コントラスト（×印で図示）は、標準化された反射値、即ち結晶相反射率Ｒｃによって割られたＲｃ−Ｒａであり、急速に大きくなる結晶相反射率Ｒｃにより、その領域では８０％の値に低減する。
【００２４】
図７に図示されるのは、単一の記録ＭＩＰＩスタックＬ１を有する他の有利な実施例に従った光学ディスクでのレーザ・ビームの書込み出力上の変調及びジッターの依存度である。図中、レーザ・ビームは、Ｌ０スタックとしてのポリカーボネート・ダミー層を介して、Ｌ１記録スタックに集束される。図８に図示されるのは、本発明によって提案される二層記録スタックのディスクでのレーザ・ビームの書込み出力への同様の依存度である。図中、レーザ・ビームは約４５％の透過性を備えたＩＰＩＭ記録スタックＬ０を介してＭＩＰＩ記録スタックＬ１に集束される。両記録担体のＬ１スタックの構造は、以下の通りである：
・第１の誘電体層：  ＺｎＳ−ＳｉＯ２、１３０ｎｍ
・ＰＣ記録層：  ＧｅＩｎＳｂＴｅ、１２ｎｍ
・第２の誘電体層：  ＺｎＳ−ＳｉＯ２、３２ｎｍ
・ミラー層：  ＡｌＴｉ、５０ｎｍ。
【００２５】
単一層構造及び二層構造でのいずれのＬ１スタックの記録実験からも、厚さＩ２は、正確な感度を得るよう、２０ｎｍ乃至４０ｎｍの範囲にあるべきことが判った。さもなければ、この範囲以下では、記録に求められる書込み出力は高くなる。この範囲以上では、重複読取りの問題が発生するであろう。
【００２６】
更に図７では、ディスクが上部に透明のダミー層を備えるのみの単一のＬ１記録スタックを有するとき、約１２ｍＷの低い書込み出力が書き込みには十分であり、従って、４５％及びそれ以上の変調、及び１０％より小さい最低限のジッターを得る。図８を参照し、提案されたスタックは非常に敏感であるため、Ｌ１スタックとしても二層ディスクに使用され得る。３０ｍＷより小さいまだ十分な書込み出力を備えて、低いジッター及び有効な変調が、かかる二層記録スタック構造で得られる。
【００２７】
本発明は上述の望ましい実施例に制限されないことが留意されるべきである。他の記録層材料、誘電体層材料、基板材料、及び／又は反射層材料が適用され得る。更に、本発明は、上述された通りの二層記録スタック構造を有する光学的記録担体に制限されない。ＩＰＩＭのより互換性のある単一層の光学的記録担体が与えられ得、図２に従った単一の記録層スタックを有するようにされ、同一の光学的特質及び上記に提示された層の厚さを備えるが、ダミー層上のＬ０層として配置される。更に、本発明に従った光学的性質を備えた２つ以上の記録層を有する多層記録スタックの設計が与えられ得る。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一般的な書換可能な光学的記録担体の断面図を示す。
【図２】本発明の望ましい一実施例に従った書換可能な光学的記録担体の断面図を例示する。
【図３】アルミニウムのミラー層を有し、最大Ｒｃ−Ｒａをもたらす本発明に従った記録スタックのＩ１層の厚さ及びＩ２層の厚さの組合せを図示する。
【図４】銀のミラー層を有し、最大Ｒｃ−Ｒａをもたらす本発明に従った記録スタックのＩ１層の厚さ及びＩ２層の厚さの組合せを図示する。
【図５】厚さＩ２の機能として、反射信号Ｒｃ，Ｒａ、差Ｒｃ−Ｒａ、及び、反射された読取りビームの光学コントラストを図示する。
【図６】厚さＩ１の機能として、反射信号Ｒｃ，Ｒａ、差Ｒｃ−Ｒａ、及び、反射された読取りビームの光学コントラストを図示する。
【図７】単一の記録スタックを有し、書込み入力に依存する本発明に従った書換可能な光学的記録担体のジッター及び変調を図示する。
【図８】２つの記録スタックを有して記録し、書込み入力に依存する本発明に従った書換可能な光学的記録担体のジッター及び変調を図示する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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