(57)【要約】ＡＬＤシステムは、ＡＬＤ反応炉と、バルブ・アセンブリを介してＡＬＤ反応炉の下流側に結合された前駆体トラップとを備える。前駆体トラップは、ＡＬＤ反応炉内での反応後に未使用の化学前駆体を収集するように構成されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＬＤ反応炉と、バルブ・アセンブリを介して前記ＡＬＤ反応炉の下流側に結合され、前記ＡＬＤ反応炉内での反応後に未使用の化学前駆体を収集するように構成された前駆体トラップとを備えるＡＬＤシステム。
【請求項２】
前記バルブ・アセンブリは、タイムフェーズ動作させられるように構成された一対のバルブを備え、それによって一対のバルブの第１のバルブが第１の前駆体の暴露とそのパージの期間中に開き、その間に前記一対のバルブの第２のバルブが閉じて、前記第１の前駆体の未使用部分を前記前駆体トラップに向けることができる請求項１に記載のＡＬＤシステム。
【請求項３】
前記一対のバルブの前記第１と第２のバルブは、急速切換絞り弁である請求項２に記載のＡＬＤシステム。
【請求項４】
前記バルブ・アセンブリは、前記ＡＬＤ反応炉の放流面に取り付けられる請求項１に記載のＡＬＤシステム。
【請求項５】
前記バルブ・アセンブリは、上流側噴射バルブと下流側トラップとの間を前記第１の前駆体が移動する時間とほぼ同じ時間間隔で、第１の前駆体暴露時間の開始より遅い時間で動作する請求項１に記載のＡＬＤシステム。
【請求項６】
ＡＬＤ反応炉の下流側に結合された一対のバルブをタイムフェーズ動作させ、それによって前記一対のバルブの第１のバルブが第１の前駆体の暴露とそのパージの期間中に開き、ほぼ同時に前記一対のバルブの第２のバルブが閉じて、前記第１の前駆体の未使用部分を前記ＡＬＤ反応炉の下流側で前駆体トラップによって選択的に収集することができるステップを含む方法。
【請求項７】
ＡＬＤ反応炉の下流側と前駆体トラップの上流側に結合されたバルブを、前記ＡＬＤ反応炉内の前記第１の前駆体とそのパージの滞留時間とほぼ等しい時間間隔で、第１の前駆体暴露時間の開始より遅い時間に動作させるステップを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
（関連出願）
本出願は、２００３年４月２３日出願の米国特許仮出願第６０／４６５，１４２号に関し、これを参照として援用し、ここでその優先権の特典を主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、未使用の原子層堆積（ＡＬＤ）前駆体の収集および回収装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
補助ＡＬＤ解決法に関連した様々な化学物質が使用され、かつプラズマと熱の両方が使用される、ＡＬＤ過程の多くの説明がある。例えば、Ｔ．Ｓｕｎｔｏｌａ、「Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｐｉｔａｘｙ」、Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｒｅｐｏｒｔｓ、ｖ．４、ｎｏ．７、ｐ．２６６（１９８９）；Ｊ．Ｋｌａｕｓ，ｅｔ  ａｌ．、「Ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｕｎｇｓｔｅｎ  ｕｓｉｎｇ  ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｗｉｔｈ  ａ  ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ  ｒｅａｃｔｉｏｎ」、Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、ｖ．３６０、ｐ．１４５（２０００）；Ｓ．Ｉｍａｉ、「Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  ＡＬＥ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ」、Ａｐｐｌ．Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．ｖ．８２−８３、ｐｐ．３２２−６（１９９４）；Ｓ．Ｍ．Ｇｅｏｒｇｅ、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．、ｖ．８２／８２、ｐｐ。４６０−６７（１９９４）；およびＭ．Ａ．Ｔｉｓｃｈｌｅｒ  ＆  Ｓ．Ｍ．Ｂｅｄａｉｒ、「Ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ  ｍｅｃｈａｎｉｓｍ  ｉｎ  ｔｈｅ  ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｅｐｉｔａｘｙ  ｏｆ  ＧａＡｓ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、４８（２４）、１６８１（１９８６）を参照のこと。ＡＬＤ技術は、表面上で様々な層を成長させるように、加熱した表面上で連続的な化学吸着セルフリミッティングやセルフパッシベーション「単層」反応を使用している。
【０００４】
ＡＬＤ過程中、反応前駆体は加熱表面上で交互にパルス化され、パルス化されたそれぞれの前駆体塗布は不活性パージ・ガス半周期によって分離される。各セルフリミッティング化学半反応(chemical half-reaction)（例えば、金属や非金属反応に対して）は指数またはラングミュア運動の後に起こり、単層の成長が可能になる。初期過程は、順序の中で次の単層成長過程、例えばＳｉ−ＯＨを得るための表面処理の連続始動に重要である。進んだＤＲＡＭキャパシタ用のより高いＫ誘電体（ＳｉＯ2よりＫが高い）の堆積などの、様々な状況に対するＡＬＤ応用例が知られている。例えば、Ｍ．Ｇｕｔｓｃｈｅ  ｅｔ  ａｌ．、「Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｓ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ  ｆｏｒ  ｓｕｂ  １００ｎｍ  ｔｒｅｎｃｈ  ＤＲＡＭｓ」、ＩＥＤＭ、４１１（２００１）を参照のこと。
【０００５】
特許文献にはまた、ＡＬＤ反応炉建築物の説明がいくつかある。例えば、米国特許第４，３８９，９７３号、第５，２８１，２７４号、第５，８５５，６７５号、第５，８７９，４５９号、第６，０４２，６５２号、第６，１７４，３７７号、第６，３８７，１８５号、および第６，５０３，３３０号を参照のこと。単一ウェハとバッチ反応炉の両方が使用され、プラズマ能力がいくつかの実施形態を伴う。Ｓｕｎｔｏｌａの独創性に富んだ特許（第４，３８９，９７３号）では、パルス化された化学前駆体の拡散性質が説明されている。ガス拡散によるパルスの拡大が、パルス間の間隔がどのくらい短くてもよいかに関する基本的な制限を設定する。より大きな拡散状態は、ＡＬＤサイクル中に所望の前駆体パルス分離を保持して、理想に近いＡＬＤを達成するようにより長いパージ間隔を意味する。
【０００６】
簡単に言えば、ＡＬＤは自己飽和反応を使用して行われ、ＡＬＤ堆積率（Å／サイクルの平均堆積率）は、暴露ドーズ量（または、所与の前駆体束に対する時間）の関数として増加することが観察される。従来のＡＬＤ操作は、「過剰ドーズ量」が可能であり、これを奨励し、それによって所与のドーズ量の暴露時間は少なくとも基板のすべての領域に対して十分であるよりも多い。この従来の見識は、１９７７年からＡＬＤ技術の記録されていた習慣であって、例えば、Ｍ．Ｒｉｔａｌａ  ＆  Ｍ．Ｌｅｓｋｅｌａ、「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」による調査記事、Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（Ｈ．Ｓ．Ｎａｌｗａ  ｅｄ．）、ｖ．１、ｃｈ．２（２００２）、およびＯ．Ｓｎｅｈ、ｅｔ．ａｌ．、「Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｆｏｒ  Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｆｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ＊  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、ｖ．４０２／１−２、ｐｐ．２４８−２６１（２００２）で高く評価して引用されている。この過剰ドーズ量モードでは、基板上のすべての点に対して飽和を得ることが比較的簡単であり、気体力学や動力学はあまり重要でない役割しか果たさない。同上。
【０００７】
５０Åフィルムの数秒のサイクル時間に対する数Å／サイクルのＡＬＤ成長率は、スループットが単一ウェハ反応炉に対する約１５ウェハ／時間になる。現在の技術は、暴露とパージの急速切換を使用し、コンピュータ制御された電気駆動空気圧バルブが数十ミリ秒の制度でパルス化された前駆体を提供する。また、反応炉容量は、前駆体パージと加熱壁面の使用を容易にして、ＡＬＤサイクルを通してアンモニア水などの望ましくない維持前駆体を避けるように「少ない」ことが推奨される。上記Ｒｉｔａｌａ  ＆  Ｌｅｓｋｅｌａを参照のこと。
【０００８】
過剰暴露の現在のＡＬＤ実施は不十分な過程であり、多くの制限がある。フィルムがすでにその場所で飽和に到達しており、反応炉の他の部分でも飽和に到達していたとしても、例えば、基板の一部の領域内の化学前駆体は必然的に塗布され続ける。その結果、このような過剰な前駆体は使用されず無駄になり、過剰な化学物質使用の費用が加わる。加えて、ＡＬＤサイクルのパージ部は全体的なフィルムの被覆用に必要な前駆体量より多く除去するという問題がある。さらに、第１の暴露領域を過剰暴露しながら、基板を全体的に被覆するのに使用される追加の時間が、前駆体パルスの拡散拡大に拍車をかけ、さらにガス相内での前駆体濃度のいくらかの有用な最小共存に到達するようにパージの間隔が大きくなる。本発明者の何人かは、ＡＬＤ中の不十分な暴露の問題を克服するようにトランシエント・エンハンストＡＬＤ（ＴＥ−ＡＬＤ）として言及された考えを提案した。例えば、本発明の譲受人に譲渡され、本明細書に参照として援用する、２００４年３月１日出願の米国特許出願第１０／７９１，３３４号を参照のこと。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
効率的なＡＬＤ操作の利点では、前駆体反応物質を十分使用するＡＬＤシステムを設計することが特典である。今日の過剰暴露モード反応炉は、約５〜２０％の効率しかない。すなわち、入ってくる前駆体中の金属の約５〜２０％だけしか、フィルム内に組み込まれない。ＴＥ−ＡＬＤでは、無駄な前駆体の量は最小限に抑えられ、過程全体は約５０％の効率である。さらに、未使用で無駄な前駆体が常にいくらかあるので、したがって前駆体が非常に高価であったり、Ｐｔなどの貴金属からなる場合に、未使用の前駆体反応物質の回収を考える必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
ＡＬＤシステムは、ＡＬＤ反応炉と、バルブ・アセンブリを介してＡＬＤ反応炉の下流側に結合される前駆体トラップとを備える。前駆体トラップは、ＡＬＤ反応炉内での反応後に未使用の化学前駆体を収集するように構成されている。いくつかの実施形態では、バルブ・アセンブリは、タイムフェーズ(time phase)動作させられるように構成された一対のバルブを備えることができ、それによって第１の前駆体暴露とそのパージの期間中に一対のバルブの第１のものが開き、その周期中に一対のバルブの第２のものが閉じて、第１の前駆体の未使用部分を前駆体トラップに向けることができる。バルブ・アセンブリに使用されるバルブは、急速切換絞り弁であってもよい。小型のＡＬＤ反応炉が使用されている場合、バルブ・アセンブリを放流面に取り付けることができる。
【００１１】
バルブ・アセンブリは、上流側噴射バルブと下流側トラップの間で移動するように、第１の前駆体用の時間にほぼ等しい時間間隔によって第１の前駆体暴露時間の開始より遅い時間に動作される。したがって、様々な実施形態では、本発明はＡＬＤ反応炉の下流側に結合された一対のバルブをタイムフェーズ動作させ、それによって一対のバルブの第１のほうが第１の前駆体の暴露とそのパージ期間中に開き、ほぼ同時に、一対のバルブの第２のほうが閉じて、第１の前駆体の未使用部分を選択的にＡＬＤ反応炉の下流側の前駆体トラップよって収集することができる方法を含む。別の方法では、または加えて、本方法は、ＡＬＤ反応炉内で第１の前駆体の滞留時間とパージにほぼ等しい時間間隔で、第１の前駆体暴露時間の開始より遅い時間に、ＡＬＤ反応炉の下流側と前駆体トラップの上流側に結合されたバルブを動作させるステップを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、添付の図面で例として図示されているものであり、これに限るものではない。
【００１３】
ＡＬＤ反応炉の下流側トラップ内で未使用の前駆体（ＣＵＰ）を収集し、回収する装置と方法が、本明細書に記載されている。これらの方法と装置を、様々な図示した実施形態を参照して論じるが、これらの実施形態は本方法とシステムの単なる例として提示されたものであり、本出願の範囲を何らかの形で制限するものと解釈されるべきではないことを理解すべきである。本明細書に説明されたＣＵＰ技術は、（相対的に言えば）かなりの量の前駆体が未使用である従来のＡＬＤ過程や反応炉と合わせて使用することができる。別の方法では、ＣＵＰを、上に論じるＴＥＡＬＤ過程などの特定の改良したＡＬＤ装置や過程と合わせて使用することができ、前駆体のより効率的な使用が得られる。
【００１４】
ＡＬＤは、ＣＶＤ（気相成長）と比べて、純粋に近い、未使用の前駆体を収集する特別な機会を与える。というのは、ＡＬＤ反応物質は反応炉内で別個にパルス化され、したがって別個に収集することができるからである。次に図１を参照すると、本発明の実施形態により構成されたＡＬＤ反応炉システム（これ以下、ＣＵＰ反応炉システムと呼ぶ）１０が図示されている。ＣＵＰ反応炉システム１０は、化学前駆体（例えば、前駆体Ａ、Ｂ）および／または中性パージ・ガスＰの塗布が可能であるガス・マニホールド１２を備えている。このマニホールド１２を使用して、反応前駆体と中性パージ、それに搬送ガスが、ＡＬＤ反応炉１４内に案内される。ガスは、ＡＬＤ反応炉１４からポンプ（図示せず）を介して汲み上げられる。除去中、急速切換バルブ（または、バルブの組合せ、あるいはバルブ切換モジュールまたはアセンブリ）１６を使用して、ガスを選択的に逸らすことができる。ガスが所望の（収集される）未使用の前駆体を含む場合、未使用の前駆体を収集するように、冷媒を有する下流側前駆体トラップ１８（導管２２を介して）、または他の捕捉機構内にガスを送るようにバルブ１６を動作させる。この下流側トラップ１８は次に、導管２０を通して排気ポンプに連結されている。排出されたガスが、所望の（収集されない）未使用の前駆体を含まない場合、バイパス導管１９を介して直接排気導管２０にガスを排出するようにバルブ１６を動作させる。
【００１５】
したがって、ＡＬＤシステム１０は、ＡＬＤ反応炉１４と、下流側前駆体トラップ１８とを備える。前駆体トラップ１８は、ＡＬＤ反応炉１４内の反応後に未使用の化学前駆体を収集するように構成されている。急速切換バルブ１６は、タイムフェーズ動作させられるように構成された一対のバルブとして実装することができ、それによって一対のバルブの第１のほうが第１の前駆体（例えば、前駆体Ａ）の暴露とそのパージ期間中に開き、その期間に一対のバルブの第２のほうが閉じて、第１の前駆体（Ａ）の未使用部分を前駆体トラップ１８に向けることができる。好ましくは、下流側切換バルブ１６の動作時間（すなわち、電気動作信号を加えるのとバルブの実際の開閉の間の時間）は、捕捉されるための前駆体のパージの期間より少ない。このような動作時間により効果的なＣＵＰ動作が可能になる。最近、急速絞り弁は、約１００ミリ秒の反応時間で商業的に利用可能である。これらの弁は開状態において高いコンダクタンスを有しており、トラップ１８に未使用の前駆体を通過させ、未使用の処分可能な前駆体をポンプに直接通過させるのに適している。小型のＡＬＤ反応炉１４（例えば、以下に論じる形態の）が使用される場合、バルブ・アセンブリを放流面に取り付けることができる。
【００１６】
動作中、化学前駆体を従来の方法でパルス化することができる、またはＡＬＤサイクルをより優れたＣＵＰ実現のためにより長いタイミングに緩和することができる。急速切換バルブ１６（空気圧バルブであってもよいし、そうでなくともよい）は、ＡＬＤ反応炉１４と導管２２を備えた前駆体トラップの間に連結される。この適用例で下流側切換に適切なコンダクタンスを有する適切な大きなバルブがさらに高速動作では利用可能でない場合、（例えば、１０ミリ秒までの切換時間の空気圧設計の）一般に利用可能な切換バルブ１式を利用し、必要なコンダクタンスを与えるように平行に配置することができる。別の方法では、大きなコンダクタンス蛇腹構成の（または、「型／分岐」）バルブを使用することもできる。
【００１７】
下流側の未使用前駆体は、排気ポンプの途中でガス拡散によって広がる可能性がある。ＣＵＰ動作では、化学前駆体が拡散して広がる場合、純粋な形で収集するのがより難しい。この問題を克服するため、本発明の実施形態は小さなフットプリントで動作するように設計されたＡＬＤ反応炉１４の小型形状を利用することができる。この反応炉は、本発明の譲受人に譲渡され、本明細書に参照として援用された、２００２年１０月２９日出願の米国同時係属特許出願第１０／２８２，６０９号に記載されている。この小型ＡＬＤ反応炉（大規模並列垂直堆積ＡＬＤ反応炉）は、ＡＬＤ反応炉からトラップに未使用前駆体を移動させるように、短い経路によるＣＵＰ実装に特に適している。より詳細には、排気導管は極めて短く、トラップに直接連結される急速切換バルブに直接連結させることができる。
【００１８】
ＣＵＰ反応炉システム１０内の制御経路２４は、マニホールド１２とバルブ１６が、ＡＬＤ反応炉１４から未使用の前駆体ガスが出るタイムフェーズで、前駆体トラップ１８内に捕捉されるガスを切り替えるタイミングを提供する。すなわち、バルブ・アセンブリ１６を、マニホールド１２内の上流側噴射バルブと下流側トラップ１８の間を移動するように（例えば、バルブ・アセンブリ１６の入行）、第１の前駆体の時間とほぼ同じ時間間隔で第１の前駆体暴露時間の開始より遅い時間に動作させることができる。したがって、様々な実施形態では、本発明は（上記に示すように、ＡＬＤ反応炉１４の下流側に結合された一対のバルブであってもよい）バルブ１６のタイムフェーズ動作を提供する。一対のバルブが使用される場合、トラップ１８につながるバルブが開き、ほぼ同時に、（バイパス導管１９につながる）一対のバルブの第２のものが閉じる。このように、前駆体トラップ１８によって第１の前駆体の未使用部分の選択的収集が達成される。前駆体収集が望ましくない場合、バイパス導管１９につながるバルブが開き、導管２２につながるバルブが閉じる。
【００１９】
図２に示されたタイミング図を参照すると、最上側トレース（（ａ）と示す）は、上流側のガス切換マニホールド１２に適用される信号の動作による、ＡＬＤ反応炉１４内の圧力変化を示しており、この動作信号は第２のトレース（（ｂ）と示す）に示されている。圧力変化の相対的高さは重要ではない。第３のトレース（（ｃ）と示す）は、例えば、排気導管２０内のＡＬＤ反応炉１４の下流側の圧力変化を示す。これらの圧力変化は、未使用の反応剤と反応副産物の通過によるものであり、普通は最上側トレース（ａ）より拡散拡大（図示せず）する低い圧力である。下流側切換バルブまたはバルブ用動作信号が、第４のトレース（（ｄ）と示す）に示されている。トラップが未使用の前駆体を収集するのに使用される場合、バルブの一方（一対のバルブが使用される場合、または単一のバルブの流路の１つ）が開いており、もう一方のバルブ（または流路）はこの間閉じている。動作のこの収集段階の時間長さは、前駆体パルスとそのパージの期間とほぼ等しい。その後、バルブ開閉位置がバイパス動作で反対になる。
【００２０】
上流側と下流側のバルブ動作信号（トレース（ｂ）と（ｄ））は、「矩形形状」として示されており、約１ミリ秒の精度に制御される。ＡＬＤ反応炉内の対応する圧力変化（トレース（ａ）に示す）は、数十ミリ秒だけ遅らされるが、圧力トレースは前駆体バルブ動作の少し後の、前駆体拡散拡大の影響を示す。ＣＵＰ動作では、下流側の急速切換バルブ１６の時間遅延は、反応炉排気導管までの未使用前駆体の通過の時間と一致するように調節されている。したがって、バルブ・アセンブリは、第１の前駆体が上流側噴射バルブと下流側トラップの間で移動するのにかかる時間とほぼ等しい時間変動間隔で、第１の前駆体暴露時間の開始に対して変更された時間で最適に動作することができる。この変化はまた、システムを通した前駆体の移動の滞留時間とも言う。これは時間変化トレース（ｃ）、（ｄ）によって図示されている。これらのトレースは単に例示的なものであり、より詳細には、トレース（ｃ）はトレース（ａ）より拡散拡大されている可能性があることに留意されたい。このように、未使用の前駆体をトラップ１８まで通過させることができる。バルブ１６が動作し、それによって流路の一方は（基本的に）常に開いている。すなわち、トラップ１８への経路、または導管１９を介したバイパス経路は常に開いており、ＡＬＤ反応炉１４からの排気が遮断されない。図２では、トレース（ｄ）はほぼ中間点で第２のパルスの上昇縁部と交差する第１のパルスの下降縁部を示す。パルスはさらに重なってもよく、排気が遮断されないことを保証するが、過剰な重なりはバイパス内へ一部の所望の前駆体を放出し、トラップ内には入らない。
【００２１】
本明細書に記載したＣＵＰ反応炉システムを実施するために利用可能な市販のトラップ設計がいくつかある。普通、トラップは「受動」または「能動」である。受動トラップは、未使用の化学前駆体が低温または物理吸収表面によって捕捉される。代わって、動的トラップは表面触媒過程が前駆体との反応に使用される、または第２の化学物質を未使用の前駆体の所望の要素を反応し、沈殿するようにトラップ内に噴射することができる。興味深いことに、多くのＡＬＤ過程は２つの高反応前駆体で行われるが、ＡＬＤ反応炉内では時間と空間では混合されない。２つの相補的な反応剤がそれにも関わらずＣＶＤモードで反応し、したがってトラップ内では、相補反応剤のタイムフェーズ噴射を使用することができ、それによってトラップは基本的にＣＶＤ反応炉となり、ガス相反応が起こり、抽出できる沈殿物が形成される。
【００２２】
交換副産物は普通、サイクルのパージ部分内のＡＬＤ中に未使用の前駆体を伴う。それによって、トラップがそうなるように設計されていない限り、未使用の前駆体が純粋な形で収集され、副産物が別に収集される可能性はない。別の方法で言えば、トラップが前駆体と交換副産物を分離するように構成されている場合、純粋な未使用の前駆体はＡＬＤ副産物と別に収集することができる。有害な廃水を少なくすることを、ケースバイケースの反応化学基材で考えなければならない。ＣＵＰは、プラチナなどの超高純度で高価な前駆体や貴重な要素の使用に最も魅力的であると考えられる。
【００２３】
したがって、ＡＬＤ反応炉の下流側トラップ内での未使用の前駆体を収集し、回収する装置と方法を説明した。いくつかの例示的実施形態を参照して論じたが、本発明の範囲は頭記の特許請求の範囲の意味においてのみ評価すべきものである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態により構成された前駆体トラップを有するＡＬＤ反応炉システムの例を示す図である。
【図２】図１に示されたＡＬＤシステムの選択した点における、ガス圧力変化およびバルブ・タイミングの例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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