(57)【要約】本発明は、１）成膜性ノボラック樹脂であって、このノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子が、水素原子当たり３．０モル％未満の割合でナフトキノンジアジドスルホニル（ＤＮＱ）基で置換されて部分エステル化ノボラック樹脂を形成している、前記ノボラック樹脂；  ２）フォトレジスト組成物を感光性化するのに十分な量で存在する少なくとも一種の感光性成分；  及び３）少なくとも一種の溶媒を含む組成物、及びこの組成物を製造する方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）成膜性ノボラック樹脂であって、このノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子は、ノボラック樹脂の重量を基準にして３．０モル％未満の割合でナフトキノンジアジドスルホニル基によって置換されて部分エステル化成膜性ノボラック樹脂が形成されている、前記ノボラック樹脂；  ｂ）フォトレジスト組成物を感光性化するのに十分な量の少なくとも一種の感光性成分、及びｃ）少なくとも一種の溶媒を含む、組成物。
【請求項２】
ａ）に関して、ナフトキノンジアジドスルホニル基が、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、７−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホニル基、及び２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホニル基から選択される、請求項１の組成物。
【請求項３】
ａ）に関して、ナフトキノンジアジドスルホニル基が、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基である、請求項２の組成物。
【請求項４】
ａ）に関して、ナフトキノンジアジドスルホニル基が、部分エステル化ノボラック樹脂の重量を基準にして約０．５％〜３．０％未満の割合で存在する、請求項１の組成物。
【請求項５】
ａ）に関して、ナフトキノンジアジドスルホニル基が、部分エステル化ノボラック樹脂の重量を基準にして約１．５％〜３．０％未満の割合で存在する、請求項４の組成物。
【請求項６】
感光性成分ｂ）が、ナフトキノンジアジドスルホニルハライドまたはベンゾキノンジアジドスルホニルハライドと、少なくとも一つのヒドロキシル基を含む化合物との反応生成物から選択され、この際、前記少なくとも一つのヒドロキシル基を含む化合物は、次のもの、すなわち、ヒドロキノン；  レソルシノール；  フェノール、p-メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ビスフェノールA、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール-1,3-ジメチルエーテル、没食子酸、部分的にエステル化もしくは部分的にエーテル化された没食子酸、及び他のフェノール類；  2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4'-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,6'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3',4,4',6-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,4'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,5'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3',4,5,5'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3',4,4',5'-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、及び他のポリヒドロキシベンゾフェノン類；  ビス（2,4-ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（2,3,4-トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（2,4-ジヒドロキシフェニル）プロパン、及び他のヒドロキシフェニルアルカン類；  4,4',3",4"−テトラヒドロキシ-3,5,3',5'-テトラメチルフェニルメタン、4,4',2",3",4"-ペンタヒドロキシ-3,5,3',5'-テトラメチルトリフェニルメタン、及び他のヒドロキシトリフェニルメタン類；  ビス[3-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル]メタン、ビス[3-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-エチルフェニル]メタン、ビス[3-（3,5-ジエチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル]メタン、ビス[3-（3,5-ジエチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-エチルフェニル]メタン、及び他の末端キシレノール線状四核化合物；  2,4-ビス[2-ヒドロキシ-3-（4-ヒドロキシベンジル）-5-メチルベンジル]-6-シクロヘキシルフェノール、2,4-ビス[4-ヒドロキシ-3-（4-ヒドロキシベンジル）-5-メチルベンジル]-6-シクロヘキシルフェノール、及び他の線状五核化合物及び他の線状ポリフェノール化合物；  ビス[2-ヒドロキシ-3-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル）-5-メチルフェニル]メタン、ビス[2-ヒドロキシ-3-（2-ヒドロキシ-5-メチルベンジル）-5-メチルフェニル]メタン、ビス[4-ヒドロキシ-3-（2-ヒドロキシ-5-メチルベンジル）-5-メチルフェニル]メタン、ビス[2,5-ジメチル-3-（4-ヒドロキシ-5-メチルベンジル）-4-ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5-ジメチル-3-（4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5-ジメチル-3-（2-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシフェニル]メタン、及び他の線状四核化合物；  1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-2-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニ���]エタン、1,1-ビス（2,6-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4-ジヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4,5-トリヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-2-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（2,6-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4-ジヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4,5-トリヒドロキシフェニル）-1-[4-（1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、及び他の非線状四核化合物；  ビス（4-ヒドロキシ-2,3,5-トリメチルフェニル）-2-ヒドロキシフェニルメタン、1,4-ビス[1-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]ベンゼン、2,4-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメチル）-6-メチルフェノール、ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル）-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル）-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル）-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-（4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]-4-[1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エチル]ベンゼン、1-[1-（3-メチル-4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]-4-[1,1-ビス（3-メチル-4-ヒドロキシフェニル）エチル]ベンゼン、2,6-ビス[1-（2,4-ジヒドロキシフェニル）イソプロピル]-4-メチルフェノール、4,6-ビス[1-（4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]レゾルシン、4,6-ビス（3,5-ジメトキシ-4-ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、4,6-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、2,6-ビス（3-メチル-4,6-ジヒドロキシフェニルメチル）-4-メチルフェノール、2,6-ビス（2,3,4-トリヒドロキシフェニルメチル）-4-メチルフェノール、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、及び他のヒドロキシアリール類、及び次式（Ｉ）もしくは（ＩＩ）
【化１】
2006522354.tif 000006
［式中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、独立して、水素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、７−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホニル基、及びこれらの混合物からなる群から選択され、但し、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は同時に水素原子になることができず、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ7c及びＲ7dは、独立して、水素原子またはＣ1-4アルキル基から選択され、そしてｎは１または２である］
で表される化合物
から選択される、請求項１の組成物。
【請求項７】
感光性成分グループｂ）が、次の式で表されるものから選択される、請求項６の組成物。
【化２】
2006522354.tif 000007
ＤＮＱは、２，１−ジアゾナフトキノン−５−スルホニル−である。
【請求項８】
感光性成分グループｂ）が、部分エステル化ノボラック樹脂の重量を基準にして２．５％〜１５％の割合で存在する、請求項１の組成物。
【請求項９】
感光性成分グループｂ）が、部分エステル化ノボラック樹脂の重量を基準にして５％〜１２％の割合で存在する、請求項８の組成物。
【請求項１０】
少なくとも一種の溶媒ｃ）が、２−ヘプタノン、アニソール、乳酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、エチル３−エトキシプロピオネート、及びこれらの混合物から選択される、請求項１の組成物。
【請求項１１】
少なくとも一種の溶媒ｃ）が、２−ヘプタノンとアニソールとの混合物である、請求項１０の組成物。
【請求項１２】
少なくとも一種の溶媒ｃ）が、乳酸エチルと酢酸ｎ−ブチルとの混合物である、請求項１０の組成物。
【請求項１３】
少なくとも一種の溶媒ｃ）が、乳酸エチルとプロピレングリコールメチルエーテルとの混合物である、請求項１０の組成物。
【請求項１４】
少なくとも一種の溶媒ｃ）が、プロピレングリコールメチルエーテルとエチル３−エトキシプロピオネートとの混合物である、請求項１０の組成物。
【請求項１５】
ａ）成膜性ノボラック樹脂であって、このノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子が、水素原子当たり３．０モル％未満の割合でナフトキノンジアジドスルホニル基によって置換されて部分エステル化ノボラック樹脂を形成している、前記ノボラック樹脂；  ｂ）フォトレジスト組成物を感光性化するのに十分な量の少なくとも一種の感光性成分；  及びｃ）少なくとも一種の溶媒を含む混合物を供することを含む、組成物の製造方法。
【請求項１６】
請求項１の組成物で基材をコーティングし；  マスクを通して紫外線で像様露光し；  そして露光されたフォトレジスト組成物を現像剤で現像することを含む、基材上に像を形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性フォトレジスト組成物及びこの組成物の製造方法に関する。詳しくは、本発明は、非常に少数のナフトキノンジアジドスルホニル（ＤＮＱ）分子、好ましくは１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル分子が結合している部分的にエステル化されたノボラック樹脂を含むフォトレジスト組成物に関する。このフォトレジスト組成物は、組成物の感光性化に必要な光活性成分の通常の量の２５％〜５０％しか必要としない。本発明は、厚めの膜のための低い吸光性、良好な感光速度、調節可能なコントラスト、良好な貯蔵寿命安定性、低いガス放出性、実質的に生じない結晶化、優れたコーティング性、及び広帯域感度を示すポジ型フォトレジストを与える。
【０００２】
フォトレジスト組成物は、コンピュータチップや集積回路の製造などの微細化された電子部品の製造のためのマイクロリソグラフィプロセスに使用されている。これらのプロセスでは、一般的に、先ずはフォトレジスト組成物のフィルムの薄い塗膜を、集積回路の製造に使用されるシリコンウェハなどの基材に塗布する。次いで、このコーティングされた基材をベーク処理して、フォトレジスト組成物中の溶媒を蒸発させ、塗膜を基材上に定着させる。この基材のコーティングされそしてベーク処理された基材は、次に放射線での像様露光に付される。
【０００３】
この放射線露光処理は、コーティングされた表面の露光された領域に化学的な変化を引き起こす。可視光線、紫外線（ＵＶ）、電子ビーム及びＸ線放射エネルギーが、現在マイクロリソグラフィープロセスに常用されている放射線種である。この像様露光の後、このコーティングされた基材は現像剤溶液で処理されて、基材のコーティングされた表面の放射線露光された領域（ポジ型フォトレジストの場合）または未露光の領域（ネガ型フォトレジストの場合）のいずれかが溶解除去される。
【０００４】
フォトレジスト組成物にはネガ型とポジ型の二つのタイプのものがある。ネガ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光すると、放射線で露光された領域のレジスト組成物が、現像剤溶液に溶け難くなり（例えば架橋反応が起こる）、他方、フォトレジスト塗膜の未露光の領域はこのような溶液に比較的可溶性のまま残る。それゆえ、露光されたネガ型レジストを現像剤で処理すると、フォトレジスト塗膜の未露光の領域が除去されて、塗膜にネガ型の像が形成される。それによって、フォトレジスト組成物が付着していたその下にある基材表面の所望の部分が裸出される。
【０００５】
これに対し、ポジ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光すると、放射線で露光された領域のフォトレジスト組成物が現像剤溶液に溶け易くなり（例えば転位反応が起こる）、他方、未露光の領域は現像剤溶液に比較的不溶性のまま残る。それゆえ、露光されたポジ型フォトレジストを現像剤で処理すると、塗膜の露光された領域が除去されて、フォトレジスト塗膜にポジ型の像が形成される。この場合もまた、下にある基材表面の所望の部分が裸出される。
【０００６】
この現像処理の後、今や部分的に未保護の基材は、基材エッチング液またはプラズマガスなどにより処理することができる。このエッチング液またはプラズマガスは、現像の間にフォトレジスト塗膜が除去された部分の基材をエッチングする。フォトレジスト塗膜がなお残る領域の基材は保護され、それゆえ、放射線での像様露光に使用されたフォトマスクに相当するエッチングパターンが基材に形成される。その後、フォトレジスト塗膜の残りの領域は剥離処理の間に除去することができ、こうして鮮明にエッチングされた基材表面が得られる。場合によっては、現像段階の後かつエッチング段階の前に、残ったフォトレジスト層を熱処理して、下にある基材に対する塗膜の粘着性及びエッチング液に対する塗膜の耐性を高めることが望ましい。
【０００７】
ポジ型フォトレジスト組成物は、一般的に、ネガ型レジストと比べてより良好な解像能力及びパターン転写特性を有するために、現在これらはネガ型のものよりも優勢である。フォトレジスト解像度とは、露光及び現像の後に、レジスト組成物が、高いレベルの鋭い像縁をもってフォトマスクから基材へと転写できる最小の図形（feature）と定義される。現在、多くの製造用途では、１ミクロン未満のオーダーのレジスト解像度が極当然となっている。加えて、現像されたフォトレジスト壁の側面が基材に対してほぼ垂直であることが殆どの場合において望ましい。レジスト塗膜の現像された領域と現像されていない領域とのこのような明確な境界画定が、基材へのマスク像の正確なパターン転写に繋がるのである。
【０００８】
ＤＮＱ基をノボラック樹脂に結合させようという試みは従前から為されてきた。しかし、これらの試みは、成膜性成分及び感光性化剤のどちらとしても働く樹脂を提供しようとするものであった。これは、単一成分系フォトレジストの製造を可能にする。なぜならば、フォトレジスト組成物を感光性化するために別個の光活性成分を加える必要がないからである。この技術に関する初期の特許の一つが、１９６２年７月２４日に特許された米国特許第3,046,120号である。オルト−クレゾール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂を、ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホニルクロライドでエステル化して、印刷板の製造に有用な単一成分系感光性組成物を供している。感光性化合物とフェノール性樹脂とを結合させるこれらの試みに関する他の特許は、米国特許第3,635,709号、同第4,123,279号及び同第4,306,011号である。
【０００９】
米国特許第5,178,986号は、ポジ型フォトレジストとして有用な感光性混合物に関する。この混合物は、ＤＮＱとオリゴマー性フェノールとの反応生成物からなる化合物を含む。フェノール性樹脂とＤＮＱとのエステル化生成物を含むフォトレジスト組成物を提供しようというより最近の試みは、１９９４年１月１８日に特許された米国特許第5,279,918号に記載されている。オルト−キノンジアジドスルホニルクロライドを、比較的低分子量のノボラック樹脂と縮合させるが、この際、フェノール性ヒドロキシ基の４０％〜９０％をＤＮＱ基と縮合させている。これは、ノボラック樹脂基本構造上に高濃度のＤＮＱ部分を供する。
【００１０】
米国特許第5,422,221号には、ノボラック樹脂が、組成物のアルカリ可溶性成膜性樹脂及び感光性成分の両方として働くフォトレジスト組成物が開示されている。これは、ノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子を、水素原子当たり０．０３〜０．２７モルの割合のＤＮＱ基で置き換えることによって為される。０．２７モル％を超える置換は、フォトレジスト溶媒中に溶け難いノボラック樹脂を与え、他方、０．０３モル％未満の置換は、膜の保持力が低すぎるノボラック樹脂を与え、そのため、得られるフォトレジスト組成物はパターン形成することができず実用できないことが開示されている。
【００１１】
米国特許第5,529,880号は、１）ＤＮＱと、フェノール性ヒドロキシル基を側鎖に有するノボラック樹脂とのエステル化生成物、及び２）フェニル環２〜５個及びフェノール性ヒドロキシ基少なくとも４個を有するフェノールと、ＤＮＱとのエステル化生成物であって、前記フェノール性ヒドロキシ基の少なくとも５０％がＤＮＱでエステル化されている前記生成物を含む、フォトレジスト組成物を開示している。エステル化生成物１）を与えるエステル化反応は、フェノール性ヒドロキシ基の最大で２０％がエステル化されるように制御される。
【００１２】
米国特許第5,723,254号は、複数種の光活性成分からなる混合物を含むポジ型フォトレジスト組成物を開示している。この混合物中の成分の一つは、ＤＮＱと、低分子量フェノール樹脂とのエステル化生成物である。他の成分は、ＤＮＱと、１〜３個のアリール環及び１〜３個のヒドロキシル基を有する低分子量フェノールとのエステル化生成物である。存在し得る第三の光活性成分は、ＤＮＱと、比較的高分子量の多価多核フェノールとのエステル化生成物である。
【本発明の要約】
【００１３】
本発明は、ａ）成膜性ノボラック樹脂であって、このノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子が、ノボラック樹脂の重量を基準にして３．０モル％未満、好ましくはノボラック樹脂の重量を基準にして約０．５〜３．０％未満、より好ましくは約１．５％〜３．０％未満の割合でＤＮＱ基で置換されて部分的にエステル化された成膜性ノボラック樹脂を形成している前記ノボラック樹脂；  ｂ）フォトレジスト組成物を感光性化するのに十分な量、好ましくは前記部分的にエステル化されたノボラック樹脂の重量を基準にして２．５％〜１５％、より好ましくは約５％〜約１２％の量で存在する少なくとも一種の感光性成分、及びｃ）少なくとも一種の溶媒を含む、フォトレジスト組成物に関する。
【００１４】
エステル化されて本特許請求の範囲に記載のフォトレジスト組成物の前記部分的にエステル化されたノボラック樹脂を与える前記成膜性ノボラック樹脂は、水不溶性でアルカリ可溶性の成膜性フェノール樹脂であり、好ましくは約１，０００〜３０，０００、より好ましくは約１，５００〜１０，０００の重量平均分子量を有するものである。前記ノボラック樹脂の部分エステル化に使用されるＤＮＱは、ノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子と置き換わるキノンジアジドスルホニル基を含む。前記部分的にエステル化されたノボラック樹脂に加えられる光活性成分は、当業者には周知の任意のものであることができ、そして中でも本明細書に記載のものが挙げられる。本発明に使用するのに適した溶媒は、当業者には周知の任意のものであることができるが、好ましくは、２−ヘプタノン単独またはこれとアニソールとの組み合わせ；  乳酸エチル単独またはこれと酢酸ｎ−ブチルもしくはプロピレングリコールメチルエーテルとの組み合わせ；  またはプロピレングリコールメチルエーテル単独またはこれとエチル３−エトキシプロピオネートとの組み合わせから選択することができる溶媒または溶媒ブレンドである。
【００１５】
本発明には、更に、基材上に像を形成する方法も含まれる。基材は、本発明の前記フォトレジスト組成物の膜でコーティングされる。このフォトレジスト膜は、マスクを通して紫外線で像様露光され、そして当業者には既知の工程に従って加工される。
【発明の詳細な説明】
【００１６】
本発明は、ａ）成膜性ノボラック樹脂であって、このノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子が、ノボラック樹脂の重量を基準にして３．０モル％未満、好ましくはノボラック樹脂の重量を基準にして約０．５％〜３．０％未満、より好ましくは約１．５％〜３．０％未満の割合でＤＮＱ基で置換されて部分的にエステル化された成膜性ノボラック樹脂を形成している、前記ノボラック樹脂；  ｂ）フォトレジスト組成物を感光性化するのに十分な量、好ましくは前記部分的にエステル化されたノボラック樹脂の重量を基準にして２．５％〜１５％、より好ましくは約５％〜約１２％の量で存在する少なくとも一種の感光性成分；  及びｃ）少なくとも一種の溶媒を含む、フォトレジスト組成物に関する。
【００１７】
エステル化されて、本特許請求の範囲に記載のフォトレジスト組成物の部分エステル化ノボラック樹脂を供する上記成膜性ノボラック樹脂は、水不溶性でアルカリ可溶性の成膜性フェノール樹脂であり、好ましくは約１，０００〜３０，０００、より好ましくは約１，５００〜１０，０００の重量平均分子量を有するものである。前記ノボラック樹脂の部分エステル化に使用されるＤＮＱは、ノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子と置換するキノンジアジドスルホニル基を含む。前記部分エステル化ノボラック樹脂に加えられる光活性成分は、当業者に周知の任意のものであることができるが、中でも、本明細書に記載のものが挙げられる。フォトレジストに使用するのに適した溶媒は、当業者には周知の任意のものであることができるが、好ましくは、２−ヘプタノンの単独もしくはこれとアニソールとの組み合わせ；  乳酸エチルの単独またはこれと酢酸ｎ−ブチルもしくはプロピレングリコールメチルエーテルとの組み合わせ；  またはプロピレングリコールメチルエーテルの単独またはこれとエチル３−エトキシプロピオネートとの組み合わせから選択することができる溶媒もしくは溶媒ブレンドである。
【００１８】
本発明には更に、基材上に像を形成する方法も含まれる。基材は、本発明のフォトレジスト組成物の膜でコーティングされる。このフォトレジスト膜は、マスクを通して紫外線により像様露光され、そして当業者には既知の工程に従い加工される。
【００１９】
本特許請求の範囲に記載のフォトレジスト組成物の前記部分エステル化成膜性ノボラック樹脂は、それ自体では、上記従来技術の欄に記載のものと類似の１成分系フォトレジストの調合には使用できない。しかし、上に定義したように少量のＤＮＱ基を加えることで、フォトレジスト組成物を感光性化するのに必要な感光性成分の量が、ノボラック樹脂中のヒドロキシル基の水素原子がＤＮＱ基で置換されていない場合の同じフォトレジスト組成物に必要な量の約２５％〜５０％まで減少される。
【００２０】
本発明に従い部分的にエステル化されるノボラック樹脂は、フェノール類または置換フェノール類を、フォトレジストの分野の当業者にはよく知られているように、酸もしくは二価金属塩触媒の存在下及び適当な反応溶媒中でのフェノール類もしくは置換フェノール類（またはこれらの組み合わせ）とアルデヒドもしくはケトン（またはこれらの組み合わせ）との付加縮合反応に付すことによって製造される。適当なフェノール類としては、次のものには限定されないが、フォトレジストの分野の当業者には周知のように、フェノール、クロロフェノール類、フルオロフェノール類、m-クレゾール、o-クレゾール、p-クレゾール、m-エチルフェノール、o-エチルフェノール、p-エチルフェノール、m-ブチルフェノール、o-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、トリメチルシリルフェノール、クロロメチルフェノール、2,3-キシレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、3,6-キシレノール、o-フェニルフェノール、m-フェニルフェノール、p-フェニルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、2,3,5-トリエチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、4-tert-ブチルフェノール、3-tert-ブチルフェノール、2-tert-ブチルフェノール、2-tert-ブチル-4-メチルフェノール、2-tert-ブチル-5-メチルフェノール、及び他のアルキル置換フェノール類；  p-メトキシフェノール、m-メトキシフェノール、o-メトキシフェノール、p-エトキシフェノール、m-エトキシフェノール、o-エトキシフェノール、o-プロポキシフェノール、p-プロポキシフェノール、m-プロポキシフェノール、及び他のアルコキシ置換フェノール類；  o-イソプロペニルフェノール、p-イソプロペニルフェノール、2-メチル-4-イソプロペニルフェノール、2−エチル-4-イソプロペニルフェノール、及び他のイソプロペニル置換フェノール類；  フェニルフェノール、及び他のアリール置換フェノール類；  4,4'-ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、ヒドロキノン、レソルシノール、2-メチルレソルシノール、5-メチルレソルシノール、ピロガロール、カテコール、及び他のポリヒドロキシフェノール類などが挙げられる。これらのフェノール類は、望む溶解速度に依存して、単独で使用してもよいし、または二種またはそれ以上のものの混合物として使用してもよい。
【００２１】
アルデヒドの例としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラール、トリオキサン、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン（アクリルアルデヒド）、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フリルアクロレイン、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピルアルデヒド、β-フェニルプロピルアルデヒド、o-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-クロロベンズアルデヒド、及びシンナムアルデヒド、及びこれらの類似物などのものを単独でまたは組み合わせて使用することができる。
【００２２】
ケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、及びジフェニルケトンなどが挙げられる。これらのケトン各々を単独で使用してもよいし、または組み合わせて使用してもよい。更に、アルデヒドのいずれかと、ケトンのいずれかとの組み合わせを任意に使用することができる。
【００２３】
酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸及びこれらの類似物などの無機酸、蟻酸、シュウ酸、マレイン酸及びこれらの類似物などの有機酸、及び銅、コバルト、マグネシウム、マンガン、ニッケル、亜鉛及びこれらの類似物などの二価の無機金属塩などを使用することができる。反応溶媒は通常は親水性溶媒、例えばメタノールまたはジオキサンである。好ましいアルカリ可溶性成膜性ノボラック樹脂としては、フェノール−ホルムアルデヒドノボラック、クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック、及びフェノール変性キシレノール−ホルムアルデヒドノボラックなどが挙げられる。
【００２４】
本発明においては、ノボラック樹脂は、それのヒドロキシル基の水素原子のうちの小数のもの（水素原子当たり３．０モル％未満、好ましくはノボラック樹脂の重量を基準に約０．５％〜３．０％未満、より好ましくは約１．５％〜３．０％未満の割合）を、ＤＮＱ基を含む化合物に置き換えることによって部分的にエステル化される。適当なＤＮＱ基の例としては、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、７−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホニル基、及び２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホニル基などが挙げられる。これらのＤＮＱ基は、単独でまたは組み合わせて使用することができるが、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基が特に好ましい。
【００２５】
本発明の組成物に使用される溶媒としては、例えば、グリコールエーテル誘導体、例えばエチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールn-プロピルエーテル、またはジエチレングリコールジメチルエーテル；  グリコールエーテルエステル誘導体、例えばエチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート；  カルボキシレート類、例えば酢酸エチル、酢酸n-ブチル、及び酢酸アミル；  二塩基酸のカルボキシレート類、例えばジエチルオキシレート、及びジエチルマロネート；  グリコール類のジカルボキシレート類、例えばエチレングリコールジアセテート、及びプロピレングリコールジアセテート；  及びヒドロキシカルボキシレート類、例えば乳酸メチル、乳酸エチル、エチルグリコレート、及びエチル-3-ヒドロキシプロピオネート；  ケトンエステル類、例えばピルビン酸メチルまたはピルビン酸エチル；  アルコキシカルボン酸エステル類、例えばメチル3-メトキシプロピオネート、エチル3-エトキシプロピオネート、エチル2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオネート、またはメチルエトキシプロピオネート；  ケトン誘導体、例えばメチルエチルケトン、アセチルアセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたは２-ヘプタノン；  ケトンエーテル誘導体、例えばジアセトンアルコールメチルエーテル；  ケトンアルコール誘導体、例えばアセトールまたはジアセトンアルコール；  ラクトン類、例えばブチロラクトン；  アミド誘導体、例えばジメチルアセトアミドまたはジメチルホルムアミド、アニソール、及びこれらの混合物などの溶媒が挙げられる。好ましい溶媒または溶媒ブレンドは、２−ヘプタノンの単独またはこれとアニソールとの組み合わせ；  乳酸エチルの単独またはこれと酢酸ｎ−ブチルもしくはプロピレングリコールメチルエーテルとの組み合わせ；  またはプロピレングリコールメチルエーテルの単独またはこれとエチル３−エトキシプロピオネートとの組み合わせから選択することができる。組み合わせて使用する場合は、混合重量比は通常約１０：０〜約０：１０、より好ましくは約９：１〜約７：３である。好ましい溶媒の一つは、プロピレングリコールメチルエーテルとエチル３−エトキシプロピオネートとの組み合わせ；  ２−ヘプタノンとアニソールとの組み合わせ；  または乳酸エチルと酢酸ｎ−ブチルとの組み合わせから選択することができる溶媒の組み合わせである。
【００２６】
感光性成分は、当業者には既知のこの種の成分の一種または二種以上であることができる。感光性成分の例の一つには、（１）ナフトキノンジアジドスルホニルハライド（例えば、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルハライド、７−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルハライド、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルハライド、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルハライド、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホニル基、及び２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホニルハライド）またはベンゾキノンジアジドスルホニルハライドと、これらのスルホニルハライドと縮合反応することができる少なくとも一つの官能基を有する低分子量もしくは高分子量化合物との反応生成物などが挙げられる。スルホニルハライドと縮合することができる官能基には、ヒドロキシル基、アミノ基、及びこれらの類似物などが挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシル基が特に好ましく、そして二つのヒドロキシル基がより好ましい。ヒドロキシル基を含む化合物としては、例えば、ヒドロキノン；  レソルシノール；  フェノール、p-メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ビスフェノールA、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール-1,3-ジメチルエーテル、没食子酸、部分的にエステル化されているかまたは部分的にエーテル化された没食子酸及び他のフェノール類；  2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4'-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン及び2,2',3,4,6'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3',4,4',6-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,4'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,2',3,4,5'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3',4,5,5'-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3',4,4',5'-ヘキサヒドロキシベンゾフェノン及び他のポリヒドロキシベンゾフェノン類；  ヒドロキシフェニルアルカン類、例えばビス（2,4-ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（2,3,4-トリヒドロキシフェニル）メタン及びビス（2,4-ジヒドロキシフェニル）プロパン；  ヒドロキシトリフェニルメタン類、例えば4,4',3",4"−テトラヒドロキシ−3,5,3',5'−テトラメチルフェニルメタン及び4,4',2",3",4"-ペンタヒドロキシ-3,5,3',5'-テトラメチルトリフェニルメタン；  ビス[3-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル]メタン、ビス[3-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-エチルフェニル]メタン、ビス[3-（3,5-ジエチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル]メタン、ビス[3-（3,5-ジエチル-4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシ-5-エチルフェニル]メタン及び他の末端キシレノール線状四核化合物；  2,4-ビス[2-ヒドロキシ-3-（4-ヒドロキシベンジル）-5-メチルベンジル]-6-シクロヘキシルフェノール、2,4-ビス[4-ヒドロキシ-3-（4-ヒドロキシベンジル）-5-メチルベンジル]-6-シクロヘキシルフェノール及び他の線状五核化合物及び他の線状ポリフェノール化合物；  ビス[2-ヒドロキシ-3-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル）-5-メチルフェニル]メタン、ビス[2-ヒドロキシ-3-（2-ヒドロキシ-5-メチルベンジル）-5-メチルフェニル]メタン、ビス[4-ヒドロキシ-3-（2-ヒドロキシ-5-メチルベンジル）-5-メチルフェニル]メタン、ビス[2,5-ジメチル-3-（4-ヒドロキシ-5-メチルベンジル）-4-ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5-ジメチル-3-（4-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5-ジメチル-3-（2-ヒドロキシベンジル）-4-ヒドロキシフェニル]メタン、及び他の線状四核化合物；  1,1−ビス（4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1−ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-2-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1−ビス（4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（2,6-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4-ジヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4,5-トリヒドロキシフェニル）-1-[4-（4-ヒドロキシベンジル）フェニル]エタン、1,1−ビス（4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,5-ジメチル-2-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（2,6-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4-ジヒドロキシフェニル）-1-[4-[1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、1,1-ビス（3,4,5-トリヒドロキシフェニル）-1-[4-（1-（4-ヒドロキシフェニル）-1-メチルエチル]フェニル]エタン、及び他の非線状四核化合物；  ビス（4-ヒドロキシ-2,3,5-トリメチルフェニル）-2-ヒドロキシフェニルメタン、1,4-ビス[1-（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]ベンゼン、2,4-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメチル）-6-メチルフェノール、ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル）-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル）-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス（4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル）-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-（4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]-4-[1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エチル]ベンゼン、1-[1-（3-メチル-4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]-4-[1,1-ビス（3-メチル-4-ヒドロキシフェニル）エチル]ベンゼン、2,6-ビス[1-（2,4-ジヒドロキシフェニル）イソプロピル]-4-メチルフェノール、4,6-ビス[1-（4-ヒドロキシフェニル）イソプロピル]レゾルシン、4,6-ビス（3,5-ジメトキシ-4-ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、4,6-ビス（3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、2,6-ビス（3-メチル-4,6-ジヒドロキシフェニルメチル）-4-メチルフェノール、2,6-ビス（2,3,4-トリヒドロキシフェニルメチル）-4-メチルフェノール、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン及び他のヒドロキシアリール類などが挙げられる。
【００２７】
他の例としては、次の式（Ｉ）及び（ＩＩ）に示される化合物（２）などが挙げられる。
【００２８】
【化１】
2006522354.tif 000002
【００２９】
式中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、独立して、水素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、７−メチル−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホニル基、２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホニル基、及びこれらの混合物からなる群から選択され、但し、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、同時に水素原子になることはできず、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ7c及びＲ7dは、独立して、水素原子またはＣ1-4アルキル基から選択され、そしてｎは１または２である。例えば、米国特許第6,503,682号を参照されたい。
【００３０】
式（ＩＩ）の化合物の例には次のものなどが挙げられる。
【００３１】
【化２】
2006522354.tif 000003
【００３２】
式中、Ｒ3及びＲ5は水素ではない。
【００３３】
式（ＩＩ）の化合物の好ましい例には次のものなどが挙げられる。
【００３４】
【化３】
2006522354.tif 000004
【００３５】
本発明の組成物は、部分エステル化ノボラック樹脂の重量を基準にして約２．５％〜１５％、好ましくは約５％〜約１２％の量で一種または二種以上の感光性成分を含む。
【００３６】
本発明においては、成膜性ノボラック樹脂を、それのヒドロキシル基の水素原子のうちの少量部分を、水素原子当たり３．０モル％未満、好ましくはノボラック樹脂の重量を基準にして約０．５％〜３．０％未満、より好ましくは約１．５％〜３．０％未満の割合でＤＮＱ基に置き換えることによって変性する。この部分エステル化ノボラック樹脂を、フォトレジスト組成物中に成膜性樹脂として利用する。このようなフォトレジスト組成物は、本発明のようにノボラック樹脂をＤＮＱで部分エステル化していない場合に組成物を感光性化するために必要な光活性成分の通常の量の２５％〜５０％しか光活性成分を必要としない。
【００３７】
加えて、本発明のより好ましい態様の一つでは、前記の最も好ましいフォトレジスト溶媒混合物の使用は、フォトレジスト組成物中の固形物含有率がかなり低くとも、基材上に所望の厚さの膜を形成することができるフォトレジスト組成物を提供する。固形分には、部分エステル化ノボラック樹脂、光活性成分及び任意の固形添加剤などが含まれる。
【００３８】
該フォトレジスト組成物は、当業者には周知の種々の添加剤を含むこともでき、このような添加剤には、例えば染料、顔料、及び表面活性剤などが挙げられる。表面活性剤の例としては、フッ素含有表面活性剤などが挙げられる。本発明のフォトレジスト組成物は、適当な基材上にコーティングすることによって所望の厚さの膜を形成するのに十分な量で、部分エステル化ノボラック樹脂及び光活性成分をフォトレジスト溶媒中に溶解することによって調製される。次いで、このフォトレジストを適当な基材、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で処理したシリコンウェハにコーティング（例えば回転塗布(spin coating)）し、このコーティングされた基材を適当な温度でプリベーク処理してフォトレジスト溶媒を実質的に除去し、次いで、このコーティングされた基材を、マスクパターンを通して適当な波長の化学線で露光し、次いでこの露光されたフォトレジスト組成物を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの適当な現像剤で現像し、そしてこのコーティング及びパターン形成された基材を洗浄、乾燥することによって微細電子デバイスを製造することができる。
【００３９】
本発明の例を以下に記載するが、これは単に例示であって、本発明を限定するものではない。特に断りがない限りは、全ての部及び百分率は重量に基づくものであり、分子量は重量平均分子量であり、そして温度は全て摂氏温度である。
【実施例】
【００４０】
ノボラック樹脂（ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール；  ４：６部，ホルムアルデヒド使用）を、ＤＮＱ基としての１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルにより２モル％エステル化し、次いでプロピレングリコールメチルエーテルとエチル３−エトキシプロピオネート（８：２）との溶媒ブレンド中で２５％の活性固形分(active solids)で可溶化した（以下、樹脂Ａと称する）。
【００４１】
樹脂Ａの五つのアリコート部を使用して以下の調合物を調製した。
調合物１
樹脂Ａ（活性固形分２５％）          ２３．０ｇ
ＰＡＣ−１（活性固形分２５％）      ２．０ｇ
オルガノシラン（活性固形分５％）    約０．５ｇ
調合物２
樹脂Ａ（活性固形分２５％）          ２３．０ｇ
ＰＡＣ−２（活性固形分２５％）      ３．０ｇ
オルガノシラン（活性固形分５％）    約０．５ｇ
調合物３
樹脂Ａ（活性固形分２５％）          ２３．０ｇ
ＰＡＣ−３（活性固形分２５％）      ３．０ｇ
オルガノシラン（活性固形分５％）    約０．５ｇ
調合物４
樹脂Ａ（活性固形分２５％）          ２３．０ｇ
ＰＡＣ−４（活性固形分２５％）      ３．０ｇ
オルガノシラン（活性固形分５％）    約０．５ｇ
調合物５
樹脂Ａ（活性固形分２５％）          ２３．０ｇ
ＰＡＣ−１（活性固形分２５％）      ３．０ｇ
オルガノシラン（活性固形分５％）    約０．５ｇ
使用したＰＡＣを以下に示す。なお、ＤＮＱは２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル−であり；  ＰＡＣは、プロピレングリコールメチルエーテルとエチル３−エトキシプロピオネート（８：２）との溶媒ブレンド中で可溶化される。これらのＰＡＣの製造法に関しては例えば米国特許第6,503,682号を参照されたい。
【００４２】
【化４】
2006522354.tif 000005
【００４３】
調合物１〜５の各々を、４，０００ｒｐｍでシリコンウェハに塗布し、次いでプロキシミティホットプレートオーブンを用いて９０℃で約９０秒間ソフトベーク処理して、調合物１には２．０μｍの厚さ及び調合物２〜５には１．２μｍの厚さの膜を形成した。解像試験パターンを含むガラスフォトマスクを通してＡＳＭＬｉ−２５０ステッパで化学線を露光した。これらのコーティングされたウェハは、次の範囲の様々な線量で露光した。
調合物１：  ９５ｍＪ／ｃｍ2〜１２０ｍＪ／ｃｍ2。０．７μｍの公称露光線量（nominal exposure)は１０５ｍＪ／ｃｍ2。
調合物２：  ５５ｍＪ／ｃｍ2〜７５ｍＪ／ｃｍ2。０．５μｍの公称露光線量は６５ｍＪ／ｃｍ2。
調合物３：  １２５ｍＪ／ｃｍ2〜１４０ｍＪ／ｃｍ2。０．５μｍの公称露光線量は１２５ｍＪ／ｃｍ2。
調合物４：  １３０ｍＪ／ｃｍ2〜１５５ｍＪ／ｃｍ2。０．５μｍの公称露光線量は１４０ｍＪ／ｃｍ2。
調合物５：  １９５ｍＪ／ｃｍ2〜２１０ｍＪ／ｃｍ2。０．５μｍの公称露光線量は１９５ｍＪ／ｃｍ2。
【００４４】
露光後、それぞれのウェハを、プロキシミティホットプレートを用いて１１０℃で約９０秒間、露光後ベーク処理した。
【００４５】
次いで、これらのウェハを、シングルパドルを用いて２３℃で約６０秒間、ＡＺ３００ＭＩＦ現像剤で現像した。
【００４６】
上記の調合物は、改善された解像度及びプロフィルを示す良好なリソグラフィー性能を与えた。
【００４７】
現在好ましいと考えられる態様について以上説明したが、当然ながら、この開示は例示に過ぎず、本発明を限定するものではないと解釈されるべきであり、そして本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく、当業者には明らかな様々な改良及び変更を加えることができるものである。
【国際調査報告】
2006522354.tif 000008
2006522354.tif 000009