(57)【要約】  ディスプレイ装置は、単結晶または多結晶の半導体材料の層が基板を覆って配置された基板を有し、基板は層の形成温度より低い歪点を有する。単結晶または多結晶材料は、基板を覆う自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を提供する工程、ＳＡＭを覆う材料の層を被着する工程及び層を実質的に結晶化させる工程を含む方法によって作成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を覆う単結晶または多結晶の材料を作成する方法において、
前記基板を覆う自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を被着する工程、
前記ＳＡＭを覆う層を被着する工程、及び
前記層を実質的に結晶化させる工程、
を有してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記層を実質的に結晶化させる前記工程が、前記基板をアニールする工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アニールする工程を、前記基板の歪点より低い温度で行うことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料が半導体であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体が、シリコン、ゲルマニウム及びシリコン−ゲルマニウムから実質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＡＭの材料が、前記材料の格子の秩序及び間隔と実質的に整合する秩序及び間隔を有する分子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＡＭ層がＲ-（ＣＨ３）Ｎ-Ｓｉ-Ｒ'３を含み、前記Ｒ'基が前記基板を覆う前記ＳＡＭ層の作成中に開裂することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
単結晶または多結晶の材料がそれを覆って配置されている基板を有する装置であって、前記基板が前記多結晶または単結晶の材料の形成温度より低い歪点を有することを特徴とする装置。
【請求項９】
前記材料が半導体であり、該半導体が、シリコン、ゲルマニウム及びシリコン−ゲルマニウムから実質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記材料が半導体であり、該半導体材料のキャリアが、ほぼ５０ｃｍ２/Ｖ・秒からほぼ６００ｃｍ２/Ｖ・秒の範囲にある移動度を有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、２００３年７月１８日に出願された、米国特許出願第１０/６２２６０６号の優先権を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本発明はシリコンの結晶化に関し、特に、自己組織化単分子層を用いるシリコン結晶化に関する。
【背景技術】
【０００３】
ディスプレイ装置においては多くの場合、ディスプレイ装置に用いられるガラス基板上への電子コンポーネントの組込みが有用である。これは特に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のような平面パネルディスプレイ（ＦＰＤ）装置に当てはまる。ＬＣＤ装置においては、トランジスタアレイを含む電子コンポーネントを用いて制御される電圧によって、液晶材料の層が変調される。一般に、アレイのトランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）デバイスである。
【０００４】
ＬＣＤ装置はガラス基板を備えることが多く、トランジスタはガラス基板上でＬＣ材料の層の下に配置される。トランジスタはアレイパターンに配列され、周辺回路によって駆動されて、ＬＣ材料の分子を望ましい態様で配向させるに望ましいスイッチング電圧を供給する。さらに、アレイのトランジスタは半導体材料で直接ガラス基板上にまたはガラス基板を覆って形成されることが多い。
【０００５】
半導体のキャリアの移動度は、一般にアモルファス材料に比べて単結晶材料及び多結晶材料のほうが高いから、ＬＣＤディスプレイのガラス基板上またはガラス基板を覆って結晶構造を成長させ、その結晶構造からトランジスタを作成することが有益である。しかし、一様性及び平滑性の理由のため、半導体膜は一般にアモルファス状態で被着され、次いで結晶構造に転換される。一般に、そのような結晶構造は多結晶構造である。
【０００６】
既知の半導体結晶成長法では、アモルファス半導体材料層の比較的高温または長時間のアニールが必要であることが多い。半導体結晶がそれを覆って形成される基板にとっては、結晶成長のためのアニール温度が高すぎるので、または製造時間を速めるために、所望の目的を満たすための別の手法が開発されている。これらの手法にはレーザアニールが含まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ガラス基板上に多結晶シリコンを形成するために様々な手法が試みられてきているが、得られる材料特性においても、経済的実行可能性の観点からも、欠点がある。したがって、必要とされているのは、少なくとも既知の手法の欠点を克服する、基板を覆う半導体材料の作成方法及びその方法で形成される構造である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一例示的実施形態にしたがえば、ディスプレイ装置は単結晶または多結晶材料がそれを覆って配置された基板を有し、基板の歪点は単結晶材料または多結晶材料の形成温度より低い。
【０００９】
別の例示的実施形態にしたがえば、基板を覆う単結晶材料または多結晶材料の作成方法は、基板を覆う自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を提供する工程、ＳＡＭを覆う層を被着する工程及びその層を実質的に結晶化する工程を有してなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、以下の詳細な説明を添付図面と合わせて読むと最善に理解される。様々な特徴は必ずしも比例尺で描かれていないことを強調しておく。実際、様々な特徴の寸法は議論の明解さのために任意に大きくまたは小さくされ得る。
【００１１】
以下の詳細な説明においては、説明の目的であって限定は目的とせずに、特定の詳細を開示する例示的実施形態が例示的実施形態の完全な理解を提供するために述べられる。しかし、当業者には本発明がこれらの特定の詳細に拘束されない別の実施形態で実施され得ることが明らかであろう。また、既知のデバイス及び方法の詳細な説明は本発明の説明を曖昧にしないために省略される。
【００１２】
図１は一例示的実施形態にしたがうＬＣＤディスプレイ１００の断面図を示す。ディスプレイ１００は、平面パネルディスプレイ、ヘッドアップ表示装置または同様の装置とすることができる。説明される実施形態は特に述べられる用途とは別の用途において実施され得ることに注意されたい。すなわち、特に開示される実施形態は説明が目的とされ、実施形態の用途の限定は目的とされていない。
【００１３】
ディスプレイ１００は、ビデオディスプレイ装置に適するガラス材料とすることができる、基板１０１を有する。例示的材料には、コーニング社（Corning Incorporated）によるコード１７３７ガラス及びＥａｇｌｅ２０００（商標）ガラスがあり、その他のホウケイ酸ガラス及びアルミノケイ酸ガラスもあるが、これらには限定されない。単結晶材料または多結晶（ポリ）材料の層１０２が基板１０１を覆って形成される。一例示的実施形態において、層１０２は単結晶または多結晶の、シリコンのような、半導体である。必要に応じてバリア層（図示せず）を基板１０１と層１０２の間に形成することができる。電子デバイス（図示せず）はこの層１０２から作成される。例示的実施形態にしたがえば、電子デバイスは電圧源のオン−オフを選択的にスイッチングするために用いられるＭＯＳトランジスタである。
【００１４】
層１０２は、結晶化温度を低め、種結晶の核形成を速める、種形成効果を導入するために選ばれる、自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を用いて作成される。この結果、既知の結晶成長法によるよりも、低温及び短時間で、及び／または高い膜一様性をもって、比較的大きな結晶粒径が得られる。このことは、単結晶または多結晶の材料（例えばシリコン）の作成が有用であるが、作成プロセスに温度の制限が課されている用途において特に有利である。例えば、ガラス基板が既知の熱成長法によるシリコン結晶成長に必要な温度に耐えることができない場合に、有利である。層１０２の作成のさらなる詳細及びその利点を、本明細書では例示的実施形態に関連して説明する。
【００１５】
液晶（ＬＣ）材料１０３の層が層１０２を覆って配置され、ＩＴＯのような、透明導電材料（図示せず）がそこに含められる。導電層により、ＬＣ材料１０３への選択的電圧印加が可能になり、よってＬＣ材料１０３に入射する光がＬＣ材料１０３で変調される。最後に、ディスプレイ１００の構造を完成させるために別のガラス層１０４が液晶材料１０３を覆って配置される。ＬＣＤ装置の全体的機能に必要なその他の素子は、本例示的実施形態の理解に肝要ではないので、図示も、説明もされないことに注意されたい。しかし、そのような素子は当業者には既知である。
【００１６】
以降の説明は主として、ＬＣＤ装置１００のガラス基板を覆うポリシリコンまたは単結晶シリコンの層（例えば層１０２）の作成のための例示的実施形態に向けられる。しかし、本発明の説明が続く内に明らかになるであろうように、例示的方法は、一般に基板上へのその他の（単またはポリ）結晶材料の層の作成に、または別の用途での使用のための基板上への単結晶または多結晶のシリコンの作成のために、あるいはこれらのいずれにも有用であり得る。
【００１７】
例えば、基板をゲルマニウムの酸化物とすることができ、結晶層をゲルマニウムとすることができる。あるいは、ガラス基板をシリコンまたはゲルマニウムの酸化物とし、それを覆うＳｉＧｅ結晶構造を形成することができる。さらに、基板を結晶シリコンとし、それを覆う結晶酸化物構造を形成することができる。さらに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ及びシリコン−オン−絶縁物（ＳＯＩ）のエレクトロニクス用途などの、ＬＣＤディスプレイ以外の用途に層を用いることができる。
【００１８】
特質上、例示的実施形態の方法は単結晶膜または多結晶膜をつくる。有益なことに、結晶粒は優先配向を有する。例えば、配向は基板（例えばＳｉ<１１１>）に平行な六方晶面である。最後に、結晶粒の秩序度が高いため、結晶材料のキャリアは全体として既知の方法を用いて作成された膜より一様な移動度を有するであろう。
【００１９】
図２Ａ〜２Ｅは、例示的実施形態にしたがってガラス基板上にシリコンの単結晶層または多結晶層を作成するプロセス２００の断面図である。
【００２０】
初めに、図２Ａに示されるように、ガラス基板２０１上を覆って保護層２０２が形成される。例えばガラス基板は図１のディスプレイ装置のようなＬＣＤのためのディスプレイ装置の基板である。保護層２０２は、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、またはこれらの２つの組合せである。層２０２は一般に化学的気相成長（ＣＶＤ）により１００〜５００ｎｍの厚さで被着される。
【００２１】
次に、図２Ｂに示されるように、保護層２０２を覆ってＳＡＭ層２０３が配置される。例えば、ＳＡＭ層２０３はガラス基板２０１に結合する有機分子材料であり、例えば浸漬被覆によって被着される。ＳＡＭ層２０３の有機材料の構造は、ガラス基板２０１を覆って形成されることが望ましい、結晶（例えばＳｉ）の結晶格子間隔に近いことで選ばれる。この目的のため、ＳＡＭ層２０３は、六方晶構造を形成する、長鎖炭化水素分子の、最密高秩序アレイからなる。
【００２２】
ＳＡＭの秩序構造は、ガラス基板２０１または保護層２０２の表面の非結合酸素軌道に結合したＳｉ原子２０４を有する点が有用である。ＳＡＭの炭化水素鎖２０５が図示される。ＳＡＭ層２０３の分子の構造により、露出官能基２０６の種形成層がガラス基板の表面を覆って結晶シリコンと実質的に同じ周期アレイで形成される。言い換えれば、シリコン原子２０４はＳＡＭ層２０３のＳＡＭ分子の一部である。ＳＡＭ分子の秩序化によりシリコン結晶の面と実質的に同じ露出官能基２０６の秩序化が生じる。したがって、露出官能基は後に堆積されるアモルファスＳｉによる結晶化のための周期ポテンシャル（種層）を形成する。ＳＡＭの分子間隔が種形成効果を決定することに注意されたい。これは、炭化水素鎖２０５の間隔に最も敏感であるが、結合シリコン原子２０４の間隔にはそれほど敏感ではない。
【００２３】
一例示的実施形態にしたがえば、結晶材料の作成に必要なＳＡＭ材料の特性は炭化水素鎖２０５の分子、特に、以下でさらに十分に論じられるように、ＳＡＭの末端における露出官能基２０６の秩序及び間隔である。ＳＡＭ分子の秩序及び間隔は、後にシリコン結晶構造が形成され得るように、シリコン格子の秩序及び間隔と実質的に整合するように選ばれる。当業者には容易に理解され得るように、本明細書に説明される例示的実施形態の作成原理によれば、適する間隔をもつＳＡＭ材料を選択することにより、他の結晶構造（例えば、多結晶または単結晶のＧｅまたはＳｉＧｅ）の、既知の手法によるこれらの結晶材料の作成には適していない、基板上への作成を実施することができる。
【００２４】
例示的実施形態にしたがえば、単結晶または多結晶のシリコンを形成するために用いられるＳＡＭ層２０３は、例えば、組成がＲ-（ＣＨ２）Ｎ-Ｓｉ-Ｒ'３の材料からなる。そのような分子の例には、ウンデシニルトリクロロシラン（Ｃ１１Ｈ２１Ｃｌ３Ｓｉ）またはドコセニルトリエトキシシラン（Ｃ２８Ｈ５８Ｏ３Ｓｉ）を含めることができる。述べられる例示的実施形態において単結晶シリコンまたはその他の単結晶材料を形成するためには、特定のＳＡＭ材料の長距離秩序が有益であることに注意されたい。これはＮ＝８〜２０の鎖長によって達成され、最高の秩序度はＮ＝１６のあたりにある。
【００２５】
基板２０１／保護層２０２の表面へＳＡＭ層２０３の結合はいくつかの経路で達成することができる。基板２０１がガラスである場合、シラン化学物質をこの目的のために用いることができる。Ｒ'基が開裂して上述したガラスの酸素とのＳｉ原子２０４の結合が可能になることにも注意されたい。アルコキシシランまたトリハロシランが一般に用いられ、シランは加水分解され、凝縮されて、シロキサンポリマを形成する。シランは、ＳＨ４が反応してシリコン成長のための基層を形成するような反応性官能基を含むかまたは含むように変性できるであろう。適する結合基の例には、クロロシラン（-ＳｉＣｌ３），メトキシシラン（-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３）及びエトキシシラン（-Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３）がある。
【００２６】
ガラス基板表面を改質する別の方法では、第四アミン、ホスホニウムまたはスルホニウムのような、正荷電化学種が利用されることになろう。正荷電基は、ガラス基板の表面シラノールが酸性（ｐＨ＝３〜５）であって、ガラスに大量の負電荷を与えることから選ばれる。上述の反応機構のいずれにおいてもＳｉＨ４との反応に対して所望の側基を含み得るような高度配向系もある。
【００２７】
一般に、例示的実施形態にしたがって単結晶または多結晶のシリコンを形成するためには、ＳＡＭ材料がシリコン末端有機分子または、シリコン結合に有利なアルケンのような官能部位が末端になった有機分子を含むことが有用である。
【００２８】
例示的実施形態にしたがえば、（以下の図２Ｃおよび２Ｄの実施形態に関連して説明されるような）シリコンのＣＶＤ堆積中に、ＳＡＭ２０３の側基がシリコン堆積に一般に用いられるＳｉＨ４プラズマからの化学種と相互作用して結合しなければならない。反応の性質、詳しくは機構は、出発材料に一般にともなう反応に基づく。
【００２９】
ＳｉＨ４プラズマは、定義により、ラジカルが生成される高エネルギー系である。したがって、これらのラジカルがＳＡＭ系の設計で考慮すべき化学種である。ラジカルを含み得るような代表的な有機官能基は、炭素二重結合すなわちアルケンである。ＳｉＨ４はシリコン及び水素のいずれをも有するから、二重結合への付加はいかなる二次試薬もなしに完了され得る。基板表面上のカーボンシリルハイドライドの形成により、通常のシリコン成長がおこることができる。
【００３０】
プラズマのラジカル性を扱う別の側基は、スピンラベルまたはスピントラップの使用にかかわる。これらは、安定な不対電子を有する、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）研究に一般に用いられる（Ｎ−オキシルのような）有機基である。これらの分子は別のラジカルと相互作用して完全スピン対化学種を形成することができる。したがって、スピントラップはＳｉＨ４プラズマと相互作用してＮ−シリルオキシハイドライド基を形成することができ、Ｎ−シリルオキシハイドライド基は次いで、上述したように、通常のシリコン成長を可能にできるであろう。
【００３１】
ＳｉＨ４類の別の特性は空気にさらされたときの高い自燃性である。これはシリコンとの水素結合の水素化物性を際立たせる。水素は水素化性であるから、別の反応経路はルイス塩基である不安定水素をもつＳＡＭを含むことができよう。すなわち、少数の例を挙げれば、アルコール、アミン及びチオールのような有機基はそれぞれ、ＳｉＨ４と反応して、シリルエーテル、シリルアミン及びシリルチオールを発生することができよう。
【００３２】
例示的実施形態において、ＳＡＭのＲ'基の開裂はＳＡＭ材料２０３の堆積中に行われて、ガラス基板２０１の酸素とのＳｉ原子２０４の結合を可能にする。ＳＡＭ材料がヘキサン、クロロヘキサンまたはトルエンのような有機溶媒に溶かされて、ほぼ１ｍＭからほぼ１０ｍＭの希釈溶液がつくられる。溶媒、ＵＶ露光及び／または酸素プラズマによるガラス基板２０１の洗浄後、ガラス基板２０１はＳＡＭ溶液に１時間までの間浸漬される。次いで、基板は取り出され、濯がれて乾燥される。したがって、炭化水素鎖２０５はＲ-（ＣＨ２）Ｎである。これらの炭化水素鎖は、シリコン原子２０４とともに、ガラス基板に結合され、後の工程におけるシリコンに対する結晶形成の種である、高秩序アレイを提供する。
【００３３】
ＳＡＭ層２０３の分子の間隔は炭化水素鎖の長さによってある程度制御される。分子間隔はさらに、炭化水素鎖の全てまたは一部をフッ素化する（すなわち、ＣＨ２をＣＦ２に転換する）か、または側鎖炭化水素を付加することによって少し変えることができる。一例示的実施形態において、分子間隔は、半導体原子の六方晶面における所定面間隔に実質的に等しいか、または整数比関係（例えば２：１）を有する。
【００３４】
ＳＡＭ層２０３の堆積の完了後、アモルファスシリコンの物理的堆積プロセスに先立つ種形成プロセスとして、溶液のシリル化またはアルケン終端を行うことができる。例えば、図２Ｂのプロセスシーケンスの完了後、塩化白金酸のような触媒の存在下でＨＳｉ（ＯＲ）３添加を行うことができる（ここで、Ｒはメチル基またはエチル基である）。このシーケンスの結果、Ｓｉ（ＯＲ）３が参照数字２０７で示されている、図２Ｃに示される構造が得られる。あるいは、図２Ｂに示されるような、例えばアルキル部分２０７である、露出官能基がＳｉＨｘによってその場で低減される。
【００３５】
いずれの場合においても、図２Ｄに示されるように、ＳＡＭ層の末端にＳｉ原子２０８が配置された、種層が実施された。この目的のため、ＳＡＭ層２０３は、実質的に同じ態様で、シリコン２０８が堆積されるときのＳｉの結晶格子の間隔と同様の間隔をもって、秩序化されている分子を含んでいるから、シリコン２０８は図示されるように種シリコンに結合し、かなり秩序化された構造を形成する。シリコン２０８の堆積は、プラズマアシスト化学的気相成長（ＰＥＣＶＤ）、触媒ＣＶＤ、スパッタリングまたは同様のプロセスなどの既知の手法を用いて行われる。
【００３６】
シリコン２０８の堆積の完了後、シリコン２０８のいかなるアモルファス領域もより十分に結晶化するためにガラス基板をアニールすることができる。アニール工程は、ほぼ２時間からほぼ７２時間、不活性雰囲気または減圧雰囲気においてほぼ４００℃からほぼ６００℃未満で行われる。アニール工程の上記のパラメータは例示に過ぎない。例えば、アニール温度の上限は基板２０１に依存し、基板２０１の損傷を避けるように設定される。一般に、ＳＡＭについて選ばれる材料は形成されるべき所望の結晶（例えば、Ｓｉ，ＳｉＧｅ，Ｇｅ）に依存し、アニール工程は、エキシマーレーザアニールのような、その他の費用が掛かり信頼性が低い方法の代りに、炉アニールを用いて行われる。
【００３７】
説明されるアニール工程の結果、炭化水素鎖２０５の完全な熱分解もおこる。得られるシリコン結晶構造２０９（図２Ｅ）は、用いられるＳＡＭの秩序長に依存して、例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンである。
【００３８】
多結晶シリコンの結晶粒径は、例えばほぼ１μｍからほぼ２μｍ程度であり、ほぼ５０ｃｍ２/Ｖ・秒からほぼ１００ｃｍ２/Ｖ・秒程度の電界効果キャリア移動度に相当する。さらに、シリコン結晶構造２０９の結晶化は無秩序核形成によるのではなくＳＡＭ層２０３によって制御されているから、キャリア移動度は高い一様性を有する。キャリア移動度の変動はほぼ±１０％より小さい。
【００３９】
結晶粒径が大きいほど、またキャリア移動度が高いほど、ディスプレイの性能の改善に有益であり、ディスプレイ基板上への駆動回路の容易な集積化が可能になる。さらに、上述したような高移動度シリコンの使用は、ディスプレイパネルへの、ＬＣＤより高い移動度及び一様性要件を有する、ＯＬＥＤデバイスの使用にも適している。もちろん、シリコン２０９が単結晶であり、上述したようなＳＡＭテンプレート上に成長した場合には、電界効果移動度は６００ｃｍ２/Ｖ・秒ないしさらに高い値にもなり得る。
【００４０】
上述した例示的実施形態の利点に加えて、例示的実施形態の方法及び得られる構造は、ＬＣＤ及びＯＬＥＤ用途に用いられるディスプレイ上へのスイッチング及び駆動回路やＯＬＥＤ素子の集積化に適する。これらのディスプレイ装置は、提供されるキャリア易動度により、改善された性能、縮小されたピクセル寸法／増加したピクセル数を有する。さらに、駆動及びスイッチング回路のために搭載が必要な外付ＩＣは、本方法によってなくなることはないにしても、最小限に抑えることができる。さらに、例示的実施形態にしたがって用いられる有機ＳＡＭ材料では、金属シリサイドプロセスのようなその他のテンプレートプロセスよりも、シリコンを汚染するリスクが小さくなる。例示的実施形態の上記及びその他の利点は、これらの実施形態にしたがって作成されるその他の結晶構造においても実現され得る。
【００４１】
図３は、一例示的実施形態にしたがうディスプレイ１００のようなディスプレイ装置を作成するための例示的プロセスシーケンス３００のフローチャートである。多くの場合、プロセスシーケンス、材料及びプロセスパラメータは、図２Ａ〜２Ｅに関連して上述した例示的実施形態のプロセスの説明と実質的に同じであることに注意されたい。プロセスシーケンス、材料及びプロセスパラメータが図３の例示的実施形態のプロセスに適用可能である限り、これらが再度説明されることはない。
【００４２】
工程３０１においてガラス基板が提供され、工程３０２において基板上にバリア層が配置される。バリア層は基板からデバイス領域への汚染の移動を阻止するために用いられる。バリア層は、普通はシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはこれら２つの組合せからなり、一般に化学的気相成長（ＣＶＤ）によって１００〜５００ｎｍの厚さで被着される。バリア層の被着後、工程３０３において基板を覆ってＳＡＭ材料が堆積される。ＳＡＭ堆積後、工程３０４においてシリコン層が被着される。この後に、いかなるアモルファスシリコンも実質的になくして、代りに結晶シリコンを形成し、ＳＡＭ層を熱分解する、比較的低温の熱アニール工程３０５が続く。この結果、工程３０６において基板の表面上に結晶粒がかなり大きなポリシリコンまたは単結晶シリコンの形成がおこる。
【００４３】
例示的実施形態の議論を通じて本発明を詳細に説明したが、本開示の恩恵を有する当業者には間違いなく本発明の改変が明らかであろう。そのような改変及び変形は添付される特許請求の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】一例示的実施形態にしたがうＬＣＤディスプレイの断面図である
【図２Ａ】一例示的実施形態にしたがうガラス基板上に結晶構造を形成するプロセスの一工程を示す断面図である
【図２Ｂ】一例示的実施形態にしたがうガラス基板上に結晶構造を形成するプロセスの一工程を示す断面図である
【図２Ｃ】一例示的実施形態にしたがうガラス基板上に結晶構造を形成するプロセスの一工程を示す断面図である
【図２Ｄ】一例示的実施形態にしたがうガラス基板上に結晶構造を形成するプロセスの一工程を示す断面図である
【図２Ｅ】一例示的実施形態にしたがうガラス基板上に結晶構造を形成するプロセスの一工程を示す断面図である
【図３】一例示的実施形態にしたがうガラス基板上に結晶構造を形成する例示的プロセスを示すフローチャートである
【符号の説明】
【００４５】
１００    ＬＣＤディスプレイ
２０１    ガラス基板
２０２    保護層
２０３    ＳＡＭ層
２０４    Ｓｉ原子
２０５    炭化水素鎖
２０６    官能基
２０７    Ｓｉ（ＯＲ）３
２０８    シリコン
２０９    シリコン結晶構造
【図１】
2006528427.tif 000003
【図２Ａ】
2006528427.tif 000004
【図２Ｂ】
2006528427.tif 000005
【図２Ｃ】
2006528427.tif 000006
【図２Ｄ】
2006528427.tif 000007
【図２Ｅ】
2006528427.tif 000008
【図３】
2006528427.tif 000009
【国際調査報告】
2006528427.tif 000010
2006528427.tif 000011
2006528427.tif 000012
2006528427.tif 000013
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