(57)【要約】横方向伝導半導体デバイスの接地接点からのダウンボンド・ワイヤを受けるダイパッドの少なくとも1つの補助ダウンボンド・パッド部を形成することによって、横方向伝導半導体デバイス・パッケージにおける空間の効率的な利用法を向上させる。補助ダイパッド部は、従来非一体的なリードによって占められているパッケージの端部または側面の所の面積を占有することができる。基板ダウンボンド・ワイヤを受けることによって、補助ダイパッド部は、主要なダイパッドのより大きな面積をより大きな面積を有するダイによって占有させ、それによってパッケージの空間効率を向上させることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む、半導体デバイス用のパッケージ：
横方向伝導構造および接地接点を上面上に有する半導体ダイ；ならびに
ダイの下面に接触するダイパッド、ダイパッドから分離されているリード、および、ダイパッドの主要部から突き出ており、接地接点からダウンボンドワイヤを受けるように構成された補助ダウンボンドダイパッド部、を含むリード・フレーム。
【請求項２】
補助ダイパッド部が、パッケージの端部上の、リードとダイパッドからも分離されている第2のリードとの間に位置している、請求項1記載のパッケージ。
【請求項３】
ダイパッドから突き出る第2のリードをさらに含む、請求項1記載のパッケージ。
【請求項４】
補助ダイパッド部が、第2のリードの一部を含む、請求項3記載のパッケージ。
【請求項５】
複数の補助ダウンボンド部を含む、請求項1記載のパッケージ。
【請求項６】
ダイが、パワーＩＣダイを含む、請求項1記載のパッケージ。
【請求項７】
ダイが、約1Aから20Aの間の電流で動作するように構成される、請求項1記載のパッケージ。
【請求項８】
ダイが、集積回路、JFET、およびラテラルMOSFETからなる群から選択される、請求項1記載のパッケージ。
【請求項９】
ダイパッドが、銅を含む、請求項1記載のパッケージ。
【請求項１０】
横方向伝導半導体ダイをパッケージする方法であって、ダイパッドの主要部分の面積が、ダウンボンド・ワイヤを受けるのに割り当てられる必要がなく、その代わりに横方向伝導ダイによって占有されることを可能にするように、ダイの上面上の接地接点からダウンボンド・ワイヤを受ける補助ダイパッド部を設ける段階を含む方法。
【請求項１１】
補助ダイパッド部が、パッケージの端部上の、ダイパッドから分離されている2本のリードの間に位置している、請求項10記載の方法。
【請求項１２】
補助ダイパッド部が、ダイパッドから突き出るリードの一部としてパッケージの側面上に設けられる、請求項10記載の方法。
【請求項１３】
リード・フレームが、パワーＩＣダイを支持する、請求項10記載の方法。
【請求項１４】
複数の補助ダイパッド部を設ける段階をさらに含む、請求項10記載の方法。
【請求項１５】
リード・フレームが、約1Aから20Aの間の電流で動作させられるダイを支持する、請求項10記載の方法。
【請求項１６】
リード・フレームが、集積回路、ラテラルMOSFET、およびJFETからなる群から選択されたダイを支持する、請求項10記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路のパッケージに関する。特に、本発明は、横方向伝導構造と、新規のリード構成を有するあるリード・フレームに結合された接地接点とを有するダイを含む装置および方法を提供する。単に一例として、本発明は、パワーＩＣチップに適用されているが、他の多数の用途があってよい。
【０００２】
関連出願の相互参照
本特許非仮出願は、2003年1月3日に出願され参照としてすべての目的で組み入れられる米国仮特許仮出願60/437,822の優先権を主張する。
【背景技術】
【０００３】
発明の背景
近年、半導体パッケージ技術、半導体技術、消費者製品用途の進歩を集中させ、最終製品を向上させるために互いに影響を与える一連の新規技術が開発されている。この集中が始まったのは約10年前、すなわち、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）技術によって、特殊なヒート・シンク構造ではなく通常のパーソナル・コンピュータ・ボード上に取り付けられたときに有用な作業を実行できるようにするのに十分な小さい抵抗を示す半導体チップまたはダイを作製できるようになったときである。ヒート・シンクを使用せずにこのような新技術を利用した用途には、サイズおよび電力消費量の問題のために従来のヒート・シンクを使用できなくなった初期のハード・ディスク・ドライブおよび携帯電池駆動電子製品が挙げられる。
【０００４】
パワーMOSFETチップ（すなわち、10mΩから1Ωまでの「オン」抵抗によって1Aから20Aまでを伝導することのできる出力を有するチップ）をヒート・シンクではなくPCボードに接触させることによって、熱放散に関する従来の問題が解消され、パッケージ設計者は、新しいデバイスが、実際上通常のPCボードから放散するよりも多くの熱を発生させることなく、印加された電流に対処するのに十分な小さい抵抗を示すことを確信した。ヒート・シンクの利用しないパワーMOSFETスイッチは、PCボード上に取り付けられた他の構成要素と同様に取り付けられ使用されるようになると、そのパッケージとして、すでに集積回路（IC）に使用されているパッケージが利用された。このような既存のICパッケージ（JEDECに登録されたSOおよびTSSOPシリーズ）の、パワーMOSFETスイッチから熱を放散させる能力は、1)複数のピンまたは接点を結合すること、2)ピンを直接ダイに結合すること、3)優れた熱伝導を示す銅材料でリード・フレームを製造することなどの技術を利用して改善された。このようにして、パワーMOSFETパッケージの、PCボードに熱を伝導する能力と、PCボードの、パッケージから受け取った熱を放散させる能力との釣り合いがとられた。
【０００５】
MOSFETおよびIC技術が引き続き発展することによって、簡単なパワーMOSFETデバイスは、パワーMOSFETデバイスとほぼおなじサイズのダイおよびパッケージを有するパワー集積回路（PIC）デバイスに進化している。同時に、密空間要件および高電力要件を満たす製品（携帯電話や携帯撮像・コンピューティング製品）が求められているため、このようなPICデバイスは、任意の数の潜在的な用途に使用するのに極めて望ましいものになっている。
【０００６】
したがって、当技術分野では、空間をより効率的に使用できるようにし、最大サイズのダイをできるだけ小さいパッケージに含めるのを可能にする、PICデバイス用の新規の改良されたパッケージが必要である。
【発明の開示】
【０００７】
発明の概要
本発明は、半導体集積回路のパッケージに関する。特に、本発明は、横方向伝導構造と、新規のリード構成を有するあるリード・フレームに結合された接地接点とを有するダイを含む装置および方法を提供する。単に一例として、本発明は、パワーMOSFETチップに適用されているが、他の多数の用途があってよい。好ましくは、横方向伝導半導体デバイス・パッケージの空間効率は、ダイ接地接点からのダウンボンド・ワイヤを受けるダイパッドの少なくとも1つの補助ダウンボンド・パッド部を形成することによって向上する。補助ダウンボンド・パッド部は、従来パッケージの端部または側面で非一体的なリードによって占められていた空間を占有することができる。補助ダイパッド部は、ダウンボード・ワイヤを受けることによって、より広い面積を有するダイを支持するダイパッドの主要な部分のより広い面積を解放し、それによって空間効率を向上させる。
【０００８】
本発明による半導体デバイス用のパッケージの態様は、リード・フレームと、上面上に横方向伝導構造および接地接点を有する半導体ダイとを含む。リード・フレームは、ダイの下面に接触するダイパッドと、ダイパッドから分離されているリードと、補助ダウンボンド・ダイパッド部とを含む。補助ダウンボンド・ダイパッド部は、ダイボッドの主要な部分から突き出ており、接地接点からのダウンボンド・ワイヤを受けるように構成されている。
【０００９】
本発明によって横方向伝導パワー半導体ダイをパッケージする方法の態様は、ダイパッドの主要な部分の面積を、ダウンボンド・ワイヤを受けるのに割り当てる必要をなくし、その代わりに横方向伝導ダイによって占有するのを可能にするように、ダイの上面上の接地接点からのダウンボンド・ワイヤを受ける補助ダイパッド部を含む。
【００１０】
本発明のこれらおよびその他の態様と、その利点および特徴について、以下の本文および添付の図に関連して詳しく説明する。
【００１１】
具体的な態様の説明
本発明は、半導体集積回路のパッケージに関する。特に、本発明は、横方向伝導構造と、新規のリード構成を有するあるリード・フレームに結合された接地接点とを有するダイを含む装置および方法を提供する。単に一例として、本発明は、パワーＩＣチップに適用されているが、他の多数の用途があってよい。
【００１２】
本出願では、用語「パワー」は一般に、10mΩから1Ω以上までの「オン」抵抗で、1Aから20Aまでの電流を伝導するパッケージまたはダイを指す。上述のように、従来パワーMOSFETデバイスを収納するのに用いられているパッケージは現在、最新世代のパワーＩＣデバイスを収納するようになっている。参照として、図1Aは、従来の8リードパワーMOSFETパッケージの概略平面図である。図1Bは、線1B-1B'に沿った、図1AのパワーMOSFETパッケージの概略断面図である。
【００１３】
図1A〜Bの従来のパワーMOSFETパッケージ100は、リード・フレーム106のダイパッド104上に支持されたパワーMOSFETダイ102を含む。リード・フレーム106は、ダイパッド104と一体の4本の伝熱リード108a〜108dと、ダイパッド104と一体ではないリード108eと、やはりダイパッドと一体ではないが互いに一体であるリード108f〜108hとを含んでいる。本明細書では、「一体的な」は、ダイパッドと同じ材料で形成されこの材料から突き出ているリードを指す。一体的なリードは、ダイパッド材料と連続せず、ボンドワイヤによってダイパッドに電気的にリンクされた非一体的なリードと対比することができる。ダイパッドと一体的なリードとの間で材料が連続しているため、熱を動作中のダイから一体的なリードを通してパッケージ外部に伝導し、そこで効果的に放散させることができる。
【００１４】
非一体的なリード180e〜180hは、ボンドワイヤ110を通してパワーMOSFETダイ102の様々な領域と電気的に連絡している。パワーMOSFETダイ102、リード・フレーム106、およびボンドワイヤ110はプラスチック・パッケージング109内に密封されている。
【００１５】
パワーMOSFETダイ102は、その頂面102a上の単一の従来のボンドパッド112のみとのボンドワイヤ接続を有しており、ボンドパッド112はゲート114に接続されている。MOSFETダイ102の残りの頂面102aはすべてソース領域116と電気的に連絡しており、したがって、上部ダイ表面102aは、ソースとの複数のボンドワイヤ接続をリード108f〜108hから受ける。ソース・ボンドワイヤ接続は、個々のボンドパッドに限らず、ボンドワイヤはその代わり、ダイのゲート・ワイヤボンド・パッドおよび縁部の外側のダイの頂面上のどこにでも取り付けることができる。複数のソース・ボンドワイヤを用いてソースとの接続のインピーダンスを低下させることができる。
【００１６】
MOSFETダイ102の第3の電気接続はドレイン118との接続である。このドレイン接続は、図1Aの平面図では見えず、またはダイ102の頂面102aから触れることはできない。その代わり、パワーMOSFET 102のドレイン118との接続は、ダイの下面102bを通じて確立され、ダイの下面102bは、はんだや銀を添加されたエポキシのような電気的および熱伝導性を有する接着剤122によってパッケージ・リード・フレームに電気的に接続されている。
【００１７】
ダイパッド104、したがってパワーMOSFETパッケージ102のドレイン118との電気的接触は、一体的なリード108a〜108dによって確立される。一体的なリード108a〜108dは、MOSFETドレインとの電気的な接触を確立するだけでなく、パワーMOSFETダイの動作中に発生する熱を除去する伝熱経路も実現する。
【００１８】
図1Bの矢印120は、パワーMOSFETデバイスにおける電流の伝導方向を示している。矢印120で示されているように、図1A〜1BのパワーMOSFETダイにおける電流伝導方向は垂直であり、ドレイン118は、デバイスの動作時に能動的な役割を果たす。
【００１９】
設計者は、図1A〜1Bに示されているようなパワーMOSFETパッケージをパワーＩＣデバイスと一緒に使用できるように適応させる際、MOSFETとPICデバイスとのいくつかの違いに留意しなければならない。これらの違いのいくつかについて、以下に図2A〜2Bに関して説明する。
【００２０】
図2Aは、従来の8リードパワーPICパッケージの概略拡大平面図である。図2Bは、線2B-2B'に沿った、図2AのPICパッケージの概略断面図である。図2A〜2Bの従来のPICパッケージ200は、リード・フレーム206のダイパッド204上に支持されたPICダイ202を含んでいる。リード・フレーム206は、ダイパッド204と一体の3本の伝熱リード208a〜208cと、ダイパッド204と一体ではないリード208d〜208hとを含んでいる。非一体的なリード280d〜280hは、ボンドワイヤ210を通してPICダイ202の上面202a上の様々なボンドパッド212と電気的に連絡している。PICダイ202、リード・フレーム206、およびボンドワイヤ210はプラスチック・パッケージング209内に密封されている。
【００２１】
図1A〜1Bに示されているMOSFETダイによって示される垂直伝導方向とは異なり、PICダイ202は、上面202a上に位置し、矢印220で示されているように電流を横方向に伝導する様々な伝導素子214を含んでいる。PICダイ202のバルクまたは基板218は、ダイ表面上に存在する能動的な横方向伝導構成要素を物理的に支持し、これらの構成要素同士を電気的に絶縁する働きをする。PIC基板は、他の点では一般に、回路の能動的な構成要素ではない。
【００２２】
低パワー集積回路では、基板を、ダイの内部の一体的な接続を通じて、基板を伝導状態ではなくし、それによって基板の望ましい電気絶縁特性を確保するのに十分な電圧に電気的に接続することができる。しかし、大きな印加電流が流れるパワーＩＣダイでは、このような一体的な基板接続は、顕著な電気抵抗を示すことがあり、基板の面積全体にわたる一様な伝導を実現できない可能性がある。このような一体的な基板接続は、すべての能動的な横方向伝導PIC構成要素を、動作条件の範囲内のすべての高電流伝導率および／または場合によっては高遷移率において電気的に絶縁されたままにしておくのに十分ではない。
【００２３】
したがって、PICダイ202の上面は、PIC回路の基板が接地されたままになりかつフロートしないように構成された特定の接地（Gnd）ボンドパッド212aを含む。Gndボンドパッド212aは、この目的のために割り当てられた特定のダウンボンド・ワイヤ210aを通してダイパッド204に接続されている。
【００２４】
図1A〜1Bおよび図2A〜2Bの概略表現に基づいて、パワーMOSFETパッケージとPICパッケージとのいくつかの重要な違いが明らかになる。1つの違いは、PICの方が電気接続の数が増えることである。具体的には、MOSFETデバイスは通常、それぞれがソース、ドレイン、およびゲートのいずれかに接続された3つの接点のみを含む。これに対して、PICデバイスは、3つよりも多くの接点を備えてよく、実質的に3つよりも多くの接点を含むことが多い。PICデバイスは、特に、他の接点が位置する上部ダイ表面上にGnd接点も含んでいる。
【００２５】
MOSFETとPICデバイスの第2の重要な違いは、ダイのバルクによる役割である。MOSFETは、垂直伝導デバイスであり、ダイのバルクは能動的なドレイン構成要素として働き、能動的な電気接点のダイ・バルクは支持ダイパッドに接触する。一方、PICは横方向伝導デバイスであり、ダイ・バルクは、ダイ表面に沿って形成された能動的な形状間の絶縁基板として働く。バルクが絶縁体のままであり、フォワード・バイアスさせることができなくなるようにし、かつこのような能動的な構成要素がそれら自体での間で導電し、かつ他の構造に導電するのを可能にするために、図2A〜2Bの基板がリード・フレーム・ダイパッドに電気的に接触して固定されるだけでなく、ダイパッドが、ダイの表面上のGndボンドパッドからダウンボンドされ、それによって、一体的なリードを介して外部Gnd接続に接続されている。
【００２６】
従来のパワーMOSFETとPICダイ・パッケージとの上述の違いは、1つには、より大きな表面積を有するパワーMOSFETダイを同じパッケージに収納できることを意味する。具体的には、パワーMOSFETダイのバルクとの電気的接触（ドレイン）は、ダイパッドとの間にダイ・アンダーサイドによってのみダイパッドとの間に確立することができる。これに対して、PICダイ内の横方向伝導回路要素を存在させるには、Gndボンドパッドとダイパッドとの間に別個のダウンボンド・ワイヤを接続する必要がある。この場合、予想されるダイ・フットプリントに隣接するダイパッド上に、ダウンボンド・ワイヤを受ける空間を割り当て、したがって、ダイを支持するのに利用できる空間をダイパッドから無くす必要がある。
【００２７】
このことは、図2Aに関して示されており、この場合、PICダイ202は長さYが1.09mm、幅Xが0.916mmであり、ダイパッド204は長さBが1.44mm、幅Aが1.066mmである。したがって、図2A〜2BのPICパッケージ200は、1.535mm2のリード・フレーム面積を利用して、0.998mm2のダイ面積を支持しており、空間効率利用度は65%になる。
【００２８】
本発明の態様によれば、横方向伝導半導体デバイス・パッケージにおける空間の利用度の効率は、特に、ダイパッドの、ダイの上面上の接地接点からのダウンボンド・ワイヤを受けるように設計された補助部分を形成することによって向上させることができる。補助ダウンボンド・パッド部は、パッケージの端部または側面の所の面積を占有することができる。ダウンボンド・ワイヤを受けることによって、補助ダイパッド部は、ダイパッドの、より大きな面積を有するダイを支持するより大きな面積を解放し、それによって空間効率を向上させる。
【００２９】
したがって、図３は、本発明によるPICパッケージの一態様の概略平面図を示している。パッケージ300は、リード・フレーム304上に位置するPICダイ302を含んでいる。図2A〜2Bの従来のパッケージと同様に、リード・フレーム304は、ダイパッド308と一体の3本の熱放散リード306a〜306cと、ダイパッド308と一体ではない5本の電気リード306d〜306hを含んでいる。しかし、図2A〜2Bの従来のパッケージとは異なり、リード・フレーム304のダイパッド308は、主要ダイパッド部と一体であり、かつ主要ダイパッド部から突き出て、従来パッケージの端部に位置し現在わずかに短くされている非一体的なダイパッド・リードによって占有されていた空間に入る補助ダウンボンド部311を含んでいる。
【００３０】
ダウンボンド・ワイヤ312は、PIC Gnd接点314からダイパッドの補助ダウンボンド部311まで延び、PICダイ302を支持するダイパッドの主要部上の空間を解放する。したがって、図3のパッケージ300に囲まれているPICダイ302は、図2Aの従来のPICパッケージに囲まれている対応するPICダイよりも大きい。具体的には、長さBが1.44mmで幅Aが1.066mmの（図2Aと同じ）、図3のダイパッド308は、長さY'が1.29mmで幅X'が0.916mmのPICダイ302を支持することができ、空間効率利用度は77%になる。より大きなダイを囲むこの能力は、性能上の犠牲を伴わない。というのは、図3のパッケージのピンの電気的および熱的機能が図2Aの元のパッケージの電気的および熱的機能を維持するからである。
【００３１】
本発明について、図3に示されている特定のPICパッケージに関連して説明したが、本発明は、この特定の態様に限らない。たとえば、図3のPICパッケージ構造は、補助ダウンボンド部をダイパッドの一方の端部の所に位置させることを示しているが、補助ダウンボンド部を異なる位置に配置することができ、その場合も、パッケージ構造は本発明の範囲内である。
【００３２】
したがって、図4Aは、パッケージ401のこのような他の態様の概略平面図を示しており、この場合、ダイパッド402の突き出る補助ダウンボンド・パッド部400はリード・フレーム404の側面上ではなく端部の所に位置している。補助ダウンボンド・パッド領域400は、従来一体的なリード406のベースの幅を広げ、リード406をダイパッドと一体化することによって形成される。図4Bおよび4Cは、ダイの側面上に存在する補助ダウンボンド・パッド部を有するパッケージの他の態様の概略平面図を示している。各々の場合に、補助ダウンボンド・パッド部を組み込むように修正されたリードは、従来のパッケージでは非一体的なリードを含んでいる。なぜなら、一般に、既存の一体的なリードとプラスチック製パッケージ縁部との間に存在する、一体的なリードのサイズを大きくできるようにするのに利用できる空間が不十分であるからである。
【００３３】
図示し説明した各態様は、単一の補助ダウンボンド・パッド部を有するパッケージを示しているが、本発明はこの特定の数に限らない。図5は、ダイパッド502と一体の4本の熱放散リード500a〜500dと、ダイパッド502と一体ではない8本の電気接点リード500e〜500lとを有する従来の12リード・パッケージ501の平面図を示している。従来の12リード・パッケージ501は、長さGが2.225mmで幅Fが1.62mmのダイパッド502上に長さEが1.873mmで幅Dが1.47mmのPICダイ504を収納し、空間効率利用度が約74.6%になる。
【００３４】
図6は、本発明の他の態様による対応する12リード・パッケージ601を示している。パッケージ601のリード・フレーム600は、パッケージのいずれかの端部に位置する2つの補助ダウンボンド部606および608を有するダイパッド604ている。図6に示されているパッケージでは、長さE'が2.073mmで幅D'が1.47mm（ダイ面積3.047mm2）のPICダイ610が、図5のダイパッドと同じ寸法を有するダイパッド604上に収納され、空間効率が84.5%に向上している。
【００３５】
図6に示されているパッケージは、少なくとも2つの異なる環境の下で利点をもたらす。第1に、図6のパッケージは、いずれかの端部に配置されたGnd接点を有するダイを囲むことができる。ダイパッドの補助ダウンボンド・パッド部の位置が対称的であるため、同じリード・フレームを用いて、いずれかの端部に配置されたGnd接点を有するダイを支持し、設計の融通性を向上させることができる。
【００３６】
第2の考えられる用途では、図6のリード・フレームを用いて2つの別々のダイを支持することができる。このようなパッケージでは、Gndボンドパッドをそれぞれのダウンボンド・ダイパッド部に接続する別々のダウンボンド・ワイヤによってデバイスの安定な接地が確保される。このような例では、ダイパッドの接地電位は、両方のデバイスの動作中に十分に安定したままである。
【００３７】
図7〜12は、いくつかの従来のパッケージおよび本発明の各態様による対応するパッケージの概略平面図である。以下の表は、これらのパッケージと、図2A、3、および5〜6に関して論じたパッケージについてのダイおよびダイパッドの寸法、空間効率を要約したものである。この表では、ダイパッド面積は、ダイを支持する主要部分の面積を指し、図3、6、8、10、12、14、および16におけるパッケージの補助ダイパッド部を含まない。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
上記の表は、図13〜16に示されているパッケージの寸法も含んでいる。図13〜16のパッケージは、様々な従来のTSOP-8パッケージを、本発明の各態様による対応するパッケージと共に示している。
【００４０】
上記の説明では、パワーＩＣデバイスを収納するパッケージの態様を例示したが、本発明はこの特定の用途に限らない。本発明の各態様によるパッケージを利用して、補助ダイパッド部を利用する接合電界効果トランジスタ（JFET）やラテラルMOSFETデバイスを含むがこれらに限らない、他の横方向伝導パワーダイおよび非パワーダイを収納することもできる。
【００４１】
最後に、上記の説明では、8個または12個のリードを有するパッケージを支持する本発明による態様を例示したが、本発明は、この数または任意の特定の数のリードを有するパッケージ、または任意の特定のサイズもしくは接点方向を有するダイを囲むパッケージに限らない。
【００４２】
上記では、特定の態様について詳しく説明したが、様々な修正態様、代替構成、および均等物を使用してよい。したがって、上記の説明および図は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を制限するものとはみなしてはならない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】従来の8リードMOSFETパッケージの概略拡大平面図である。
【図１Ｂ】図1AのMOSFETパッケージの概略断面図である。
【図２Ａ】従来の8リードPICパッケージの概略拡大平面図である。
【図２Ｂ】図2AのPICパッケージの概略断面図である。
【図３】本発明による8リードPICパッケージの一態様の概略平面図である。
【図４Ａ】本発明による8リードPICパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図４Ｂ】本発明による12リードパッケージの態様の概略平面図である。
【図４Ｃ】本発明による12リードパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図５】従来の12リードPICパッケージの概略平面図である。
【図６】本発明による12リードPICパッケージの概略平面図である。
【図７】従来の8リードパッケージの概略平面図である。
【図８】本発明による8リードパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図９】従来の8リードパッケージの概略平面図である。
【図１０】本発明による8リードパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図１１】従来の12リードPICパッケージの概略平面図である。
【図１２】本発明による12リードパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図１３】従来の8リードパッケージの概略平面図である。
【図１４】本発明による8リードパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図１５】従来の8リードパッケージの概略平面図である。
【図１６】本発明による8リードパッケージの他の態様の概略平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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