(57)【要約】薄膜トランジスタ等の電気構成要素は、可撓性基板上に定義付けられ、基板は、接着層によって担体に取り付けられ、トランジスタの定義後に剥離される。これは、例えば、ＵＶ放射線による照明によるものである。不透明なコーティングは、いずれの半導体材料も保護するよう与えられる。加熱処理は、望ましくは、接着層でストレスを低減するようトランジスタの層の適用前に与えられる。
2006522475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び対向する第２の側、及び薄膜電子構成要素を有する基板を与えられた可撓性電子装置を製造する方法であって、
前記方法は、
−  有機材料を有する前記基板を与える段階と、
−  前記第１の側を備えられた前記基板を、接着層によって透明且つ剛性な担体に取り付け、従って大量の層、接着層、及び、前記接着層と前記基板との間の第１の結合及び前記接着層と前記担体との間の第２の結合をもたらし、前記接着層は架橋反応を開始するよう開始剤を有する段階と、
−  前記基板の前記第２の側上に層が適用され、前記層では、薄膜の電子構成要素が定義付けられる段階と、
−  前記接着層で架橋反応を開始し、それとともに前記第１及び前記第２の結合のうちの少なくとも１つの強度を修正する段階と、
−  前記担体から前記基板を剥離し、それとともに前記装置を得る段階と、
を有する、方法。
【請求項２】
前記反応の前記開始は、加熱によって行なわれ、前記反応の結果として、前記接着層と前記基板との間の第１の結合が化学結合となる、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記反応の前記開始は、架橋反応を開始するよう照射によって行なわれる、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記層のうち１つは、半導体材料の活性層であり、前記活性層は、不透明なコーティングを介して前記接着層から保護される、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
加熱処理は、ラミネート加工後に担体及び基板に与えられ、前記加熱処理では、少なくとも前記温度が適用されるべきいずれの層の工程温度の温度まで、及び最大でも前記接着層の分解温度まで上昇される、
請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記接着層は、重合又は架橋反応において結合されるアクリラート及び酸性基を有する、
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記担体は、ガラス又はガラス状の材料の面を有する、
請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記接着層は、少なくとも１つの線量を有する、
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
前記接着層は、主要ポリマー構成部品及びＵＶ高感度反応性添加剤を有し、ＵＶ放射線の照明の際、前記ポリマ構成部品のガラス転移温度を上昇させる、
請求項３記載の方法。
【請求項１０】
前記薄膜電子構成要素は、チャンネルを介して相互に離された源及びドレイン電極、及び、ゲート誘電体を介して前記チャンネルから離された金属ゲート電極を備えられ、前記金属ゲート電極は、前記不透明なコーティングとして作用する、
請求項１記載の方法。
【請求項１１】
第１及び対向する第２の側を有する基板を有する可撓性電子装置であって、
前記第１の側上に接着強度を略有さない面を有する接着を与えられ、前記第２の側上に薄膜電子構成要素を与えられる、
可撓性電子装置。
【請求項１２】
前記電子構成要素はトランジスタである、
請求項１１記載の可撓性電子装置。
【請求項１３】
前記トランジスタは、有機半導体材料を有する、
請求項１２記載の可撓性電子装置。
【請求項１４】
複数のトランジスタ及び電子光学層が存在し、それとともにディスプレイを構成し、少なくとも前記トランジスタの一部が前記ディスプレイのピクセル・トランジスタとして機能する、
請求項１２又は１３記載の可撓性電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の側及び対向する第２の側、及び電子構成要素を有する基板を備えられた可撓性電子装置を製造する方法に係る。かかる方法では、基板は、接着層によって透明且つ剛性な担体に取り付けられ、従って、接着層と基板との間の第１の結合及び接着層と担体との間の第２の結合をもたらす。接着層は、担体からの基板の層間剥離を可能にするよう複数の工程段階の後に照射され、故に可撓性装置が得られる。
【０００２】
本発明は、また、第１及び対向する第２の側を有する基板を有する、即ち電子構成要素を第２の側に備えられた可撓性電子装置に係る。
【背景技術】
【０００３】
かかる方法及びかかる装置は、欧州特許第Ａ１２５６９８３号明細書（特許文献１）より既知である。既知の方法では、トランジスタが定義付けられた半導体基板が利用される。与えられた特定の例では、半導体基板は、埋設された絶縁層を備えられたシリコン基板である。接着層によって基板を暫定的担体に取り付けた後、基板は絶縁層まで移される。トランジスタを保護するよう、ポリイミド被覆がその後適用され得る。最後に接着層は、透明な担体を介して照射され、上に大量の層を可能な限り残された基板は、担体から剥離される。
【０００４】
既知の方法の不利点は、かかる方法が、半導体基板に依存することである。かかる基板の使用は、費用がかかるだけではなく、電子装置の達成可能な寸法を制限することにもなる。一般的に、シリコン・ウエハーは、６インチ又は８インチ（１５又は２０ｃｍ）の直径を有し、より大きい場合はより高価である。しかしながら、特にディスプレイへの適用には、より大きな寸法が望まれる。
【特許文献１】欧州特許第Ａ１２５６９８３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、冒頭で言及された種類の、シリコン基板が要求されない方法を与えることを第１の目的とする。
【０００６】
本発明は、本発明の方法で製造され得る可撓性装置を与えることを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の目的は、
−  有機材料を有する基板を与える段階と、
−  第１の側を備えられた基板を、接着層によって透明且つ剛性な担体に取り付け、従って大量の層、接着層、及び、接着層と基板との間の第１の結合及び接着層と担体との間の第２の結合をもたらし、接着層は架橋反応を起こすよう開始剤を有する段階と、
−  基板の第２の側上に層が適用され、層では、薄膜の電子構成要素が定義付けられる段階と、
−  接着層で架橋反応を起こし、それとともに第１及び第２の結合のうちの少なくとも１つの強さを修正する段階と、
−  担体から基板を剥離し、それとともに装置を得る段階と、
を有する方法で達成される。
【０００８】
本発明の方法は、従来技術のシリコンを基本とした電子構成要素の代わりに、薄膜タイプの電子構成要素をもたらす。かかる薄膜タイプの電子構成要素は、基板が担体に取り付けられて初めて定義付けられる。このことは、接着層の作用に対して厳密な条件を課す。即ち、基板が略平面でなければならないことだけではなく、マイクロメータ・スケールでのオーバーレイ精度も求められる。これは本発明で実現され、基板の有機材料は、ファン・デル・ワールス相互作用に基づく水素結合及び化学結合等のよりよい相互作用を可能とする。架橋結合は、架橋結合によって形成されたネットワークへの小分子の重合を更に有し得る。結果として、反応によって、より少ない結合が担体又は基板との相互作用に使用可能となり、あるいは、結合の中には選択的に増強されるものもあることが可能となる。
【０００９】
第１の実施例では、作用の開始は加熱によって行なわれ、かかる作用は、接着層と基板との間の第１の結合が化学結合になる結果をもたらす。基板へのかかる結合は、接着層及び基板のネットワークの構築に繋がる。後に担体は、接着層から容易に剥離され得る。かかる剥離は、軽度の加熱で一般的には達成される。しかしながら、担体の側での接着層内で架橋結合を開始するよう、追加的な照明段階は除外されない。最終的には、接着層の剥離された表面は、その接着力を失っていることが判明している。これは、結果もたらされる装置が更なる組立体における担体にむやみに粘着しないことを意味するため、実際の使用には重要な有利点である。続いて、担体からの基板の剥離は、例えば５０℃乃至１２０℃である上昇温度で行なわれる。
【００１０】
第２の実施例では、反応の開始は、架橋反応を開始するよう照射によって行なわれる。かかる架橋反応は、より収束され、接着層内で結合を増強させる結果となる。よい結果は、接着層がアクリラートに基づき、担体がガラス表面又はガラスと同類の表面を有するシステムにおいて得られている。かかるアクリラート基盤の接着は、可能であればアクリラートのモノマー及びオリゴマーを備えられた多塩基酸の混合物である。接着層を介して十分拡散され得、ポリマーの連鎖と基盤との間にあり得るモノマーは、均一な結合を可能にする。担体におけるガラス層は、水素結合によって接続層に結合され得る。
【００１１】
有機材料の基盤、特にはポリマーのシートは、窒素又は酸素基、特にはカルボキシル（Ｃ＝Ｏ）基を与えられることが、特に適切である。かかる基は、アクリラート基盤の接着層との多くの化学相互作用及び作用を可能にする。
【００１２】
照射を使用する第２の実施例の望ましい修正において、薄膜構成要素の層のうちの１つは半導体材料の接着層であり、かかる接着層は不透明な被覆を介して接着層から保護される。かかる不透明な被覆を使って、半導体材料の接着層は、ＵＶ放射線に対して効果的に保護される。
【００１３】
更なる実施例では、担体及び基盤は、ラミネーション後に、少なくとも適用されるべき層の加工温度及び最大でも接着層の分解温度の温度にまで加熱処理を与えられる。多くの適用に対して、接着層の温度安定度は非常に良くなければならない。例えば、本来の寸法は、薄膜構成要素が定義付けられる層のパターンニング及び／又は蒸着に必要である複数の加熱及び冷却段階の後、依然として保持されなければならない。追加的な方策が無くとも常に温度安定度が十分に良いわけではない。かかる実施例に加熱処理は、かかる追加的方策である。その結果として、接着層の束及び基盤は、後に役立つよう拡張又は縮小する。かかる加熱処理を使うと、接着層は、要求された温度安定度を得ることが判明し、層はマイクロメータのオーダ又はより小さいオーダでオーバーレイ精度を適用され得る。
【００１４】
加熱処理は、望ましくは、５分乃至３０分間、８０℃乃至１５０℃の温度で、更に望ましくは１０分乃至２０分間、１２０℃乃至１４０℃で行なわれる。使用される温度が高いほど、加熱時間は短くなる。過度な加熱は、開始剤の分解及び重合の開始を引き起こす。
【００１５】
オーバーレイ精度に対する必要性は、特に電子構成要素がトランジスタである場合にあり、より特には、ディスプレイで使用されるべきトランジスタに対してある。かかるトランジスタにおいて、ゲート電極は、可能な限り精密にチャンネルと源電極及びドレイン電極をオーバーレイするべきである。ゲート電極が源電極に対して、又はドレイン電極に対して対向する方向に動かされる場合、ゲートと源又はドレインとの間の寄生容量は、増加される。これは、トランジスタの性能及びディスプレイの品質に影響を与える。更なる悪影響は、トランジスタの性能における種類が増加することである。ゲート電極がそこに対して横断して方向付けられた方向に動かされる場合、漏れ電流がもたらされ得、トランジスタの機能不全を生じさせる。問題は、接着層と基盤の無制御の拡大のため、オーバーレイは、その中央においてより構造の端部で異なることに関連する。その一方で、これらの厳密な条件は、担体がトランジスタが定義付けられた後に基盤に取り付けられるのみである従来技術では、必要がない。
【００１６】
更に、基板の面は、機能層を適用する前に平面であるべきであり、一般的には、サブマイクロメータの範囲の厚さを有する。そのため、平坦化層は、基板の上部に適用され得る。しかしながら、特に基板及び接着層が担体上に共に適用される場合、これはいずれにしても必要ではない。加えて、いずれの平坦化層も、低減された可撓性の結果として厚さを増加させる。
【００１７】
第１及び第２の結合のうちの１つの選択的な弱化は、剥離中に分裂される傾向にないよう、接着層にとっては必要である。放射線の強度はインターフェイスにおいて最も高いため、かかる選択的な弱化は、一般的には、担体と接着層との間のインターフェイスで行なわれる。続いて接着層は、剥離後に基板に接着し、機械的保護層として使用され得る。
【００１８】
選択的弱化は、第１の結合を増強させ、第２の結合を弱化させる表面処理等の多種の手段によって改善及び設定され得る。これに対する望ましい代替案は、接着層が色素を有することである。かかる色素は、より多くの放射線が接着層及び基板のインターフェース近辺より、担体及び接着層のインターフェース近辺で受容されるという事実をもたらす。色素の望ましい実施例は、感光構成部品である。適切な感光構成部品の使用は、接着層での架橋結合にも繋がるという追加的な有利性を有する。かかる架橋結合を使用して、接着層はより剛性になり、同時に接着強度はより弱くなる。
【００１９】
接着層は、多種の材料を有し得る。接着層は、望ましくは、ＵＶ放射線を使用する照明上で、接着層における一次ポリマー構成部品のガラス転移温度を増加させる反応性添加剤を有する。特には、添加剤は、ポリマー連鎖の間の架橋結合に繋がり得、従って増加されたガラス転移温度を備えられたポリマーのネットワークを形成する。ガラス状態では、接着層の接着強度は、非常に低減され、故に容易な剥離が可能である。ガラス転移温度は、室温まで上昇され得る。接着層に対する適切な配合は、国際公開第０２／０６４１３Ａ号パンフレットより既知である。かかる文献は、シリコン・ウエハーをさいの目に切るためのテープとしてかかる配合の使用を説明する。ここでは、シリコン基板との相互作用と担体との相互作用は非常に異なる。
【００２０】
低分子添加剤が、添加剤として望ましくは使用される。望ましい添加剤は、メタクリル型化合物である。これは、例えば、アクリル酸と共に使用され得る。あるいは、かかる添加剤は、ポリマーの形状で存在し得る。
【００２１】
望ましくは、接着層は、５乃至４０マイクロメータからの範囲の厚さを有する。かかる制限された厚さは、シア移動を低減する。それ故に、多種の層の配置は向上され、層のオーバーレイ精度は、トランジスタの仕様内で得られ得る。更に、接着層が剥離後に基板に接着する場合、層の制限された厚さは、要求された可撓性を与えるよう重要である。
【００２２】
接着層の保護手段は、特には反射層である。かかる反射層は、基板に存在し得る。適切な反射層は、多量の窒化シリコン及び酸化シリコン、及び金属膜を有する。反射層は、多量の複数の副層であり得る。反射層及び接着層を照射する放射線の波長は、相互に最適化され得る。反射層の有利性は、酸素及び水を同様に介して薄膜構成要素を分解に対して保護することである。反射層の更なる有利性は、放射線照射量が約５０％低減され得ることである。あるいは、又はそれに加えて、金（Ａｕ）の電極層等の機能層のうちの１つは、保護層として作用する。有利な実施例では、薄膜金属構成要素は、チャンネルを介して相互に分離された源及びドレイン電極、及び、ゲート誘電体を介してチャンネルから分離された金属ゲート電極を与えられた、薄膜トランジスタであり、金属ゲート電極は不透明な被覆として作用する。かかる薄膜トランジスタは、下部ゲート構造と称されるものを有する。ゲート電極は、望ましくは金で作られ、接着層又はその一部を化工するよう使用されるべき放射線から半導体材料を保護する。
【００２３】
本発明の構成要素に使用される半導体材料は、無結晶又は多結晶シリコン等の半導体材料、炭素を有する硫化亜鉛又は他の無機半導体材料、及び、発光ダイオードに使用される有機半導体材料も有する有機半導体であり得る。トランジスタでの有機半導体材料の使用が特に望まれる。これにより、装置は可撓性であるばかりではなく、巻くことが可能であり且つ紙に合成され得る。有機半導体材料は、例えば、ポリフェニレン・ビニレン、ポリフルオレン、オリゴチオフェン、ペンタセン、フラーレン、ポリアリールアミン、ポリチオフェン、ポリチエニレン・ビニレンであり、材料は、アルキル側鎖、アルコキシ側鎖、アリール・アルコキシ側鎖又は他の側鎖を備えられる。更に、かかる材料は、非半導体モノマーを有する半導体オリゴマーのコポリマーを有する、コポリマー及び混合であり得る。
【００２４】
接着層は、基板上に、どちらも担体にラミネート加工をされる前に与えられ得る。これは、基板及び接着層の束が市販されるため、興味深い。しかしながら、接着層及び基板は、要求された工程温度に耐え得るようでなければならない。従って、回転塗布によって最適化された接着層を与えることが望まれ得る。基板は、ラミネート加工によってその後与えられ得るが、あるいは回転塗布によってでもよい。
【００２５】
更なる層の適用に使用される工程温度は、加熱加工で与えられる温度を決定する。例えば、より高い温度がフォトレジストを焼成するよう必要であり、もしあるとしたら、前駆体材料を有機半導体材料に変換するようにされ、もし存在するなら、導電層を与え、半導体材料と電極との間で電気的接触を可能にし、いかなる電気光学層を与えるようにされる。かかる電気光学層は、トランジスタと電気光学層との間に望ましくは保護層及び／又は平坦化層を備えて、トランジスタの上部に与えられ得る。要求される工程温度は、一般的に１００℃乃至２００℃の範囲にある。
【００２６】
放射線は、望ましくは、例えば２５０ｎｍ乃至４００ｎｍの波長を備えられたＵＶスペクトラルの放射線である。装置におけるいずれの機能層への悪影響も防ぐよう、例えば１乃至１００ｍＷ／ｃｍ２、望ましくは５乃至４０ｍＷ／ｃｍ２である弱い放射線として与えられ得る。
【００２７】
第２の目的は、第１及び対向する第２の基板を有する可撓性電子装置で達成される。即ち、第１の側は、接着強度を略有さない面を有する接着層を備えられ、第２の側は、薄膜電子構成要素を備えられる。かかる可撓性電子装置は、第２の結合が弱められる際にもたらされ、装置は、基板に接着された接着層を備えられた担体から剥離される。
【００２８】
電子構成要素は、望ましくはトランジスタである。より望ましくは、複数のトランジスタ及び電子光学層が存在し、従ってディスプレイを構成し、少なくともトランジスタの一部は、ディスプレイのピクセル・トランジスタとして機能する。電子構成要素の製造は、半導体ウェハーの寸法に制限されないため、直径１２，１５又は２０インチを有する非常に大きな可撓性ディスプレイが実現され得る。かかるトランジスタは、有機半導体材料を有し得、巻くことが可能なディスプレイの製造を可能にする。
【００２９】
接着層は、ポリマー綱目を適切に有する。かかるポリマー綱目は、特定の化合物が存在する場合に、放射線の結果として展開する。このようにして接着層（及び装置）がより合成な面を与えられる点は、有利である。かかる面は、より少ない機械的損傷を受ける。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明のこれらの及び他の面は、図面を参照して更に説明される。図面は、単に概略的であり実寸大ではなく、図中の同一の参照符号は同一又は同等の部分を参照する。
【００３１】
図１Ａは、厚さ１ｃｍのガラスで作られた透明で剛性な担体２０を図示する。図は、更に、第１の側１１及び第２の側１２を有する基板を図示する。基板１は、接着層１５を有する第２の側１２上に与えられる。基盤１及び接着層１５は、巻かれた状態で与えられ、Ｕｌｔｒｏｎ社又はＴｅｉｊｉｎ社より市販されている（ＤＴ１２０Ｂ６０型）。基板１は、例えば、ポリ塩化ビニル又はポリエチレンテレフタル酸（ＰＥＴ）、ポリエチレン・ナフサレート又はポリイミドを有し、一例では厚さ１２０マイクロメータを有する。接着層１５は、例えば、アクリル酸のコポリマーを有し、厚さ１５マイクロメータを有する。フタル酸ジアルキルは、接触層に可塑剤として存在する。接着層は、染料としても作用する光開始剤を更に有する。光開始剤の適切な例は、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、２−エチルアントラキノン、及びベンゾイン・エーテルを有する。適切な光開始剤及び適切な接着剤は、米国特許第５，４５５，１４２号明細書から既知であり、ここに参照として有される。基板１と接着層１５との間に、アルミニウム（Ａｌ）の反射層は、適切な厚さ１００乃至３００ｎｍで与えられ得る。
【００３２】
図１Ｂは、接着層１５の担体２０への接着後の担体２０及び基板１を図示する。このようにして、接着層１５と担体２０との間の第２の結合は、形成される。ガラス担体、及びアクリラートを基本とした接着剤等のヒドロキシル基を含有する接着剤の組合せは、ヒドロキシル基がガラス綱目で結合を容易に形成し得るという点で有利である。接着層１５と基板１との間の第１の結合は、以前に形成されている。しかしながら、第１の結合のかかる事前の形成は、当然のことながら必須ではない。かかる接着の後、加熱処理は、１３０℃で約１０分間行なわれ、その後静かに室温までの冷却が行なわれる。この後、基板１は、その第１の側１１を親水性にするようオキシド・プラズマ処理（ｏｘｉｄ  ｐｌａｓｍａ）を与えられ、その後、例えば、ＳＵ８，ＨＰＲ５０４等のフォトレジスト層、又はベンゾシクロブテン、ＳｉＬＫ、ポリビニルフェノールである、適切な平坦化層が与えられる。かかる場合、ポリビニルフェノールの溶剤（Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅｓ  Ｉｎｃ社、ｃａｔ６５２７）及び、プロピレン・グリコール・メチル・エーテル・アセテート（Ａｌｄｒｉｃｈ社）のヘクサメトキシメチレンメラミン（Ｃｙａｎａｍｉｄ社よりＣｙｍｅｌ３００（登録商標））は、回転塗布（３ｓ／５００ｒｐｍ、２７ｓ／２００ｒｍｐ）され、ホット・プレート上で１１０℃で１分間乾燥された。５％ｖ／ｖＨＣＩを有する窒素雰囲気において１２５℃での５分間の架橋結合は、１．５ミクロンの厚さの架橋結合されたポリビニルフェノール・フィルムを提供する。
【００３３】
図１Ｃは、電子構成部品の機能層が与えられた後の結果を図示する。かかる場合は、電子構成要素はトランジスタであり、ディスプレイを駆動するようピクセル・トランジスタとして使用される。適切な電子光学層は、マイクロカプセルを有する電気泳動層であり、米国特許第６，２６２，８３３号明細書より既知である。ディスプレイは、４００等の複数のピクセル及びピクセル電極を有し、マトリクスに配置され、アクティブなマトリクス原理に従ってそれらを駆動するようにされ、国際公開第０２／７１１３７号パンフレットより既知である。
【００３４】
トランジスタは、源電極２１及びドレイン電極２２を有し、かかる電極はチャンネル２３を介して相互に分けられ、導電材料２でできた第１の電極層で定義付けられる。源電極２１は、ピクセル電極２９に接続される。導電材料でできた第２の電極層３は、基板１のかかる側１１上に同様にある。ゲート電極２４は、かかる第２の電極層３で定義付けられている。第１の電極層２上のかかるゲート電極２４の垂直方向の放射は、チャンネル２３を有する大幅な重複を示す。更に、誘電体でできた中間層４及び半導体材料を有す活性層５がある。
【００３５】
かかる層２，３，４及び５は、第２の電極層３、中間層４、第１の電極層２、及び活性層５のオーダで基板１上にある。第２の電極層３は、金（Ａｕ）を有し、耐感光性材料を使用して従来の通りにフォトリソグラフィで模倣される。照射後、耐感光性材料は、約１２０℃まで加熱され、その後湿式化学的にエッチングされる。ＣＨ３−（ＣＨ２）１５−ＳＨ（図示せず）の単層は、中間層４でのピンホールの存在を防ぐよう、第２の電極層３と中間層４との間に適用され得る。中間層４は、光化学的に構成され得る有機誘電体を有し、例えば、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、又はフォトレジストであり、かかる場合は、市販されているフォトレジスト材料ＨＰＲ５０４である。第１から第２の電極層２，３の垂直方向の相互接続を与えるよう、２００乃至５００ｎｍのオーダの厚さを有する。第１の電極層２は、かかる場合金を有し、従来通りに、スパッタリングを与えられ、フォトリソグラフィで構成される。あるいは、多塩基酸を共に有するポリ（３，４−エチレン）ジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリマー・コンダクタを有し得る。かかるポリマー・コンダクタは、国際公開第０１／２０６９１Ａ号パンフレットに開示される通り、光開始剤を追加することによって構成され得、一方伝導性は保持されている。第１又は第２の電極層２，３は、相互接続線と同様に、外部コーティング（図示せず）に対して接触を有する。活性層５は、ペンタセン及びポリスチレン（重量で９９対１％）を有し、ポリスチレンは、担体材料として作用する。ペンタシンは、基板上で活性層として適用後、テトラクロロシクロヘキサジエン離脱基を有して前駆ペンタシンから転換さた。転換は、１８０℃で３分間行なわれた。活性層５上には、導電材料の保護層６、及びフォトレジスト７がある。層５，６及び７は、束を形成し、１つ及び同一のパターンを与えられる。
【００３６】
この後、電気光学層８が与えられる。かかる層は、プリント加工又はコーティング加工によって与えられ得る。かかる層は、造影剤相を有し、かかる造影剤相は望ましくは非包性の電気泳動の層であり、米国特許第６，２６２，８３３号明細書より更に既知である。電気光学層８は、ポリマー結合相を更に有する。かかる結合相は、望ましくは水溶性であり、多糖類、ポリビニルアルコール、ポリヒドロキシアルキルアクリラート、ポリアクリラート、ポリエステル、及びポリカーボネートの基より選択される。層の適用後、６０乃至８０度で３０分間乾燥される。電子光学層８の上部に、第３の電極層９が与えられる。第２の電極層は、透明な電極であり、インジウムスズ酸化物、又は望ましくはＰＥＤＯＴ等のポリマー・コンダクタで作られる。
【００３７】
図１Ｄは、担体２０が基板１から剥離された後にもたらされる可撓性装置１０を図示する。ここに、接着層１５は、３０分間、強度１０ｍＷ／ｃｍ２で２５０乃至４００ｎｍのＵＶ放射線で、基板を介して照射される。保護層として作用する第２の電極層３の結果として、活性層５上での悪影響の発生は見られない。照射後、接着層１５はその接着強度を略損失しており、架橋結合の結果と推定される。
【００３８】
例１。
【００３９】
接着は、乳酸エチルに基づき用意され、そこには、２０ｗｔ％のポリ（ビニル・アセテートコクロトン酸）、３０ｗｔ％のジペンタエリトリトール・ペンタ／ヘクサ・アクリラート、４．５ｗｔ％の２−ヒドロキシエチル・アクリラート、０．３ｗｔ％のＩｒｇａｃｕｒｅ６５１が存在する。かかる接着は、ガラス基板上で回転塗布（３ｓ５００ｒｐｍ＋３０ｓ１０００ｒｐｍ）され、ホット・プレート上で９０℃で３分間乾燥される。束は、対流式オーブンで２００℃まで加熱され、その後１００℃までゆっくりと冷却される。この後、３０μｍのポリイミド・フォイルが室温でラミネート加工される。この後、図１Ｃを参照して上述された通り、トランジスタを得るよう層が与えられる。第１及び第２の電極層２，３に対しては金が活用される。第１及び第２の金の層のずれは、仕様内（＜２．５μｍ）である。続いて、接着の接着強度は、ガラス基板を介して接着剤を照明することによって低減され得る（線量３００ｍＪ／ｃｍ２＠３６５ｎｍ）。続いて、トランジスタの束は、基盤をなすガラス基板から取り除かれる。
【００４０】
例２。
【００４１】
接着剤は、２０％のポリ（ビニル・アセテートコクロトン酸）（Ｉ）、３０％のジペンタエリトリトール・ペンタ／ヘクサ・アクリラート（ＩＩ）、４．５％の２−ヒドロキシエチル・アクリラート（ＩＩＩ）、０．３％のＩｒｇａｃｕｒｅ６５１（ＩＶ）、及び５５．２％のエチル乳酸の混合物に基づき用意される。個別の構成部品の化学式は以下に示される。百分率は、質量百分率である。かかる接着剤は、ガラス基板上で回転塗布（３ｓ５００ｒｐｍ＋３０ｓ１０００ｒｐｍ）され、ホット・プレート上で９０℃で３分間乾燥される。束は、対流式オーブンで２００℃まで加熱され、その後１００℃までゆっくりと冷却される。この後、３０μｍのポリイミド・フォイルが室温でラミネート加工される。この後、図１Ｃを参照して上述された通り、トランジスタを得るよう層が与えられる。第１及び第２の電極層２，３に対しては金が活用される。第１及び第２の金の層のずれは、仕様内（＜２．５μｍ）である。続いて、束は、ホット・プレート上で少なくとも６０℃又は６０℃乃至１００℃の範囲で他の温度まで加熱される。続いて、トランジスタの束は、基盤をなすガラス基板から取り除かれ、接着層はフォイルに残される。
【００４２】
【化１】
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【００４３】
【化２】
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【００４４】
【化３】
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【００４５】
【化４】
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【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１Ａ】本発明の方法における複数の段階の断面図である。
【図１Ｂ】本発明の方法における複数の段階の断面図である。
【図１Ｃ】本発明の方法における複数の段階の断面図である。
【図１Ｄ】本発明の方法における複数の段階の断面図である。
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【国際調査報告】
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