(57)【要約】互いに重ねて堆積させたいくつかの金属層（８,９,１３；８,１２,１３）として形成したゲート電極（１５,１６）を有するＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスの製造方法。この方法では、シリコン本体（１）に、ゲート誘電体層（７）を備えるシリコン活性領域（４,５）およびこれらの領域を互いに絶縁するフィールド分離領域（６）を形成する。次いで、第１の金属層（８）を堆積させ、活性領域（４）の一部の位置でその層中に局所的に窒素を導入する。次いで、第１の金属層上に第２の金属層（１３）を堆積させ、その後それらの金属層中にゲート電極をエッチングする。第１の金属層中に窒素を導入する前に、第１の金属層上に窒素透過性の第３の金属補助層（９）を堆積させる。したがって、その下にあるゲート電極に損傷を与える危険なく、第１の金属層を窒化することができる。金属の仕事関数を実質的に変えることが可能であるとともに、ＮＭＯＳおよびＰＭＯＳを備える半導体デバイスが実現される。
2006518106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに重ねて堆積させた金属層の積層体として形成したゲート電極を含むＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスの製造方法において、シリコンの複数の活性領域および前記活性領域を互いに絶縁するフィールド分離領域が接するシリコン本体表面上の前記複数の活性領域の位置にゲート誘電体層を形成し、その後、第１の金属層を堆積させ、前記複数の活性領域の一部分の位置に窒素を導入し、その後、前記第１の金属層上に第２の金属層を堆積させ、続いて、重なり合った金属層の積層体中に前記ゲート電極をエッチングする方法であって、前記第１の金属層中に窒素を局所的に導入する前に、この層上に窒素透過性金属の第３の補助層を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の金属層中に窒素を局所的に導入した後、前記補助層上に前記第２の金属層を堆積させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記補助層上に局所的に設けられた過剰量の窒素を含む固体物質からの拡散によって、前記第１の金属層中に前記窒素を導入することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記補助層上に過剰量の窒素を含む固体物質層としてＴｉＮｘ層（ｘ＞１）を局所的に設け、その後、熱処理を実施して、窒素を前記補助層を通して前記第１の金属層中に拡散させることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
タンタル層またはモリブデン層を前記第１の金属層として堆積させ、その上にコバルト層またはニッケル層を前記補助層として堆積させることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに重ねて堆積させた金属層の積層体中に形成されたゲート電極を含むＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスの製造方法に関し、この方法では、シリコンの複数の活性領域およびこれらの領域を互いに絶縁するフィールド分離領域が接するシリコン本体表面上の、それらの活性領域の位置にゲート誘電体層を形成し、その後、第１の金属層を堆積させ、複数の活性領域の一部分の位置に窒素を導入し、その後、第１の金属層上に第２の金属層を堆積させ、続いて、重なり合った金属層の積層体中にゲート電極をエッチングする。
【背景技術】
【０００２】
本明細書で用いる用語「金属」は、導電性の金属化合物、例えば金属ケイ化物や金属窒化物などをも意味するものと理解されたい。したがって、その中に窒素を局所的に導入し、それによって局所的に完全に金属窒化物に変換できる第１の金属層は、やはり「金属」層といえる。
【０００３】
ゲート誘電体層上に形成した第１の金属層中に、活性領域の一部分の位置で窒素を導入すると、その結果、第１の金属はそこでは異なる仕事関数を有することになる。したがって、その第１の金属層中にゲート電極を形成し、その中に窒素を導入したＭＯＳトランジスタは、その第１の金属層中にゲート電極を形成し、その中に窒素を導入していないＭＯＳトランジスタとは異なる閾値電圧を示す。したがって、異なる閾値電圧を示すＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスを製造することが可能である。次いで、活性領域の、第１の金属層中に窒素が導入された部分と、その他の活性領域とを、対応した形でｐ型またはｎ型にドープする。チタンなどのいくつかの金属では、窒素の導入によって仕事関数が著しく増大することがあり、その結果、絶対値で表して等しい閾値電圧を有するＮＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタを製造することができる。活性領域の、第１の金属層に窒素が導入された部分を、例えばｎ型にドープし、その他の活性領域をｐ型にドープする。
【０００４】
第２の金属層を比較的厚めに設けることにより、２つの層に形成されるゲート電極は、比較的低い電気抵抗を示すことになる。すなわち、ゲート電極内で、第１の金属層は、第２の金属層によって「分路（shunt）」される。
【０００５】
米国特許公開第2001/0015463号は、冒頭の段落で述べたタイプの方法を記載している。この方法では、厚さ約１００ナノメートルのチタン層を第１の金属層として堆積させる。仕事関数を変えるために、この層に窒素イオンを局所的に注入する。厚さ約２００ナノメートルのタングステン層を第２の材料層として堆積させる。このタングステン層上に、窒化シリコン製のエッチング・マスクを形成し、次いで、その重なり合ったタングステン層と窒化チタン層の積層体中にゲート電極をエッチングする。
【０００６】
ゲート電極用の金属としてチタンを使用する場合、仕事関数の最大の変化、この場合ではその増大は、窒素を導入してチタン層を完全に窒化チタン層に変換させる場合に得られる。こうするには、非常に大量の窒素を注入する必要がある。すなわち、厚さ１００ナノメートルのチタン層では、窒素原子を５．１０１７／ｃｍ２より多く注入しなければならない。実際には、これには費用がかかるだけでなく時間も非常にかかる工程段階が必要になる。チタン層を完全に窒化チタン層に変換するのにより少ない窒素ですむように、より薄い層を使用すると、イオン注入の間に、その下にあるゲート誘電体が損傷を受ける恐れがあるので、これは実施不可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、前記欠点を回避することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために、本発明の方法は、第１の金属層中に窒素を局所的に導入する前に、この層上に窒素透過性金属の第３の補助層を形成することを特徴とする。これにより、第１の金属層を厚さ１０ナノメートル未満で極く薄く付着させることができ、その結果、例えば、チタン層を完全に窒化チタン層に変換するのに、上述の周知の方法の場合よりも遥かに少ない、すなわち１０分の１の窒素ですむようになる。イオン注入によって第１の金属層中に窒素を導入する場合、イオン注入を実施するのに用いられるエネルギーは、実際上すべての窒素イオンが補助層中に導入されるようなものであり、そのため、その層の下にあるゲート誘電体は損傷を受けることがない。補助層中に導入された窒素イオンは、イオン注入後、慣行通り実施する熱処理の間に、その下にある第１の金属層中に拡散する。
【０００９】
第１の金属層中に窒素が導入された後、補助層は除去してよい。しかし、第１の金属層中に窒素を局所的に導入した後、補助層上に第２の金属層を堆積させると、より簡単な手順が得られる。この場合では、３つの金属層の積層体中にゲート電極をエッチングする際に、第２の金属層をエッチングする間、有利なことに補助層をエッチング阻止層として使用することができる。比較的厚い、例えば厚さ２００ナノメートルの第２の金属層をエッチングする間、それよりも遥かに薄い、例えば厚さ約１０ナノメートルの第１の金属層とその下にあるゲート誘電体層は、補助層によって保護される。
【００１０】
補助層上の第１の導電型の活性領域の位置に設けた、過剰量の窒素を含む固体物質層からの拡散によって第１の金属層中に窒素を導入する場合、第１の金属層とその下にあるゲート誘電体層が損傷を受ける危険は極めて少なくなる。第１の金属層中を窒素が導入した後、補助層をエッチング阻止層として用いて、上記固体窒素源を除去することができる。
【００１１】
補助層上に過剰量の窒素を含む固体物質層としてＴｉＮｘ層（ｘ＞１）を設けると、第１の金属層をほぼ完全に金属窒化物に変換することができる。その後行う熱処理の間に、窒素が原子の形で補助層を通って第１の金属層中に拡散し、その結果、第１の金属との化学反応が効率よく行われる。
【００１２】
ゲート誘電体層上に堆積させる層の第１の金属として、多数の金属、例えばタンタル、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、および金属ケイ化物などが使用できる。補助層にもやはり、多数の金属が使用できる。しかし、好ましくは第１の金属層としてタンタル層またはモリブデン層を堆積させる。それらの仕事関数は窒素なしではそれぞれ４．１５ｅＶおよび４．５ｅＶ、窒化後はそれぞれ５．４ｅＶおよび５．３ｅＶとなる。補助層としては、好ましくはコバルト層またはニッケル層を使用する。それらの金属は、適切に窒素を透過するとともに、上記補助層上に堆積させたタングステン層をフッ素含有プラズマ中でエッチングする際に優れたエッチング阻止層となる。このようにして仕事関数を大幅に変えることができる。コバルトおよびニッケルは窒素を通し易く、これは固体窒素源を使用する際には特に重要である。一方、これらの層はまた、第２の金属層をエッチングによってパターン形成する際に、エッチング阻止層として非常に適している。第２の金属もまた、多数の適当な金属から選択することができ、取分けタングステンなどが非常に適している。
【００１３】
本発明のこれらおよびその他の態様は、以下で説明する１つまたは複数の実施形態から明らかであり、それらを参照すると理解されよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１〜６は、互いに重ねて堆積させた金属層の積層体中に形成されたゲート電極を含むＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスを製造する際のいくつかの段階を示す概略断面図である。図１に示すように、この場合では、慣行通りエピタキシャル成長させたｎ型上部層２と、第１の導電型、この例ではｎ型の活性領域４、および第２の導電型、この例ではｐ型の活性領域５が接する表面３とを有するシリコン本体１を基部として用いる。ｎ型活性領域４は、エピタキシャル成長させた層２の一部をなし、層２中にイオン注入することによってｐ型活性領域が形成される。活性領域４および５は、フィールド分離領域６によって互いに絶縁され、この分離領域６もまた、表面３に接している。活性領域４の位置にＰＭＯＳトランジスタを形成し、活性領域５の位置にＮＭＯＳトランジスタを形成する。
【００１５】
本発明の方法を適切に使用して、異なる閾値電圧を有する同じタイプ（ＮまたはＰ）のＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスも製造できることに留意されたい。この場合、活性領域の一部の位置で第１の金属層中に窒素を導入し、それによって前記位置のトランジスタに、他の活性領域に形成されるトランジスタとは異なる閾値電圧をもたせる。この場合は、すべての活性領域は、同様にｐ型またはｎ型にドープする。
【００１６】
また、図１に示すように、ｐ型活性領域４およびｎ型活性領域５の位置に厚さ約５ナノメートルのゲート誘電体層７を形成する。これは、表面３に接するシリコンを熱酸化することによって達成できるが、適切な材料の層を堆積させて達成することもできる。層を堆積させる場合、酸化シリコンだけでなく、例えば、酸窒化シリコンまたは酸化アルミニウムもゲート誘電体として使用することができる。
【００１７】
図２に示すように、第１の金属層８、この例では、厚さ約１０ナノメートルのタンタル層またはモリブデン層を図１に示す構造上に堆積させる。活性領域の一部の位置、この例ではｎ型活性領域４の位置で、窒素をこの層中に導入する。その結果、第１の金属の前記位置でより高い仕事関数が得られる。したがって、第１の金属８のｎ型活性領域４の位置における仕事関数は、第１の金属８のｐ型活性領域５の位置における仕事関数よりも遥かに高くなるので、形成されるＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧は、絶対値で表して等しくなる。
【００１８】
本発明の方法の第１の例示的な実施形態では、イオン注入によって第１の金属層８中に窒素を導入する。まず、第１の金属層８上に、補助層９、この例では厚さ約１０ナノメートルのコバルト層またはニッケル層を堆積させる。続いて、図３に示すように、補助層９上に通常のフォトレジスト・マスク１０を設ける。このマスクで第１の金属層のｐ型活性領域５の位置を覆い、前記層のｎ型領域４の位置は露出したままにしておく。フォトレジスト・マスク１０を形成した後、図３に矢印１１で概略的に示すように、第１の金属層８中に窒素イオンを導入する。イオン注入後、フォトレジスト・マスク１０を除去する。ｎ型活性領域４の位置で、第１の金属層８は好ましくは第１の金属の窒化物層１２に変換される。このようにして、第１の金属の仕事関数を可能な限り増大させることができる。
【００１９】
この場合は、第１の金属層８の厚さはほんの１０ナノメートルである。そのため、比較的少量の窒素を用いて層８を完全に金属窒化物層１２に変換することができる。このために必要な窒素イオンのドーズ量は、約５．１０１６／ｃｍ２である。実際上すべての窒素イオンが補助層９中に導入される程度のエネルギー、この場合は０．５ｋｅＶでイオン注入を実施することができるので、第１の金属層８の下に位置するゲート誘電体７が損傷を受けることはない。補助層９に導入された窒素イオンは、注入工程の後で実施する熱処理の間に、その下にある第１の金属層中に拡散する。この例では、シリコン本体１を約８００℃の温度で約３０秒間加熱する。
【００２０】
第１の金属層８を局所的に金属窒化物層１２に変換させた後、厚さ約２００ナノメートルの第２の金属層１３、この場合はタングステン層を堆積させる。この層上に、厚さ約１００ナノメートルの窒化シリコン層１４をさらに堆積させる。図６に示すように、このようにして形成した層８,９,１３,１４の積層体中にＮＭＯＳトランジスタ用のゲート電極１５を形成し、このようにして形成した層１２,９,１３,１４の積層体中にＰＭＯＳトランジスタ用のゲート電極１６を形成する。ＣＦ４およびＣＨＦ３を含む混合ガス中で形成されたフッ素含有プラズマ中で窒化シリコン層１４およびタングステン層１３をエッチングし、その後、硫酸および過酸化物を含むエッチング浴中でウェット・エッチングによってコバルトまたはニッケルの補助層を除去し、次いで上記フッ素含有プラズマ中で第１の金属層８,１２をエッチングする。さらに、慣行通り、ゲート電極に絶縁スペーサ１７を設ける。第２の金属層１３を比較的厚く設けた結果、形成されたゲート電極１５,１６は、比較的低い電気抵抗を示すことになる。すなわち、ゲート電極内で、第２の金属層１３によって第１の金属層８,１２が「分路」されることになる。
【００２１】
この場合は、第１の金属層８中に窒素を導入した後、補助層９は除去しない。複数層の積層体中にゲート電極１５,１６をエッチングする際、第２の金属層のエッチング工程でこの補助層をエッチング阻止層として用いる。第１の金属層８、第１の金属の窒化物層１２、およびその下にあるゲート誘電体層７は、補助層９によって保護される。
【００２２】
図７および８に、第１の金属層８中に窒素を導入する別の方法を概略的に示す。図７に示すように、補助層９上のｎ型活性領域４の位置に、過剰量の窒素を含む固体物質層１８を設ける。好ましくは、過剰量の窒素を含む固体物質層１８としてＴｉＮｘ層（ｘ＞１）を設ける。これは例えば、アルゴンおよび過剰量の窒素を含む混合ガス中で形成されたプラズマによってチタンのターゲットをスパッタする、通常のスパッタリング装置で実施できる。窒素を層１８から補助層９を通して拡散させることによって、窒素を第１の金属層８中に導入する。この目的で、シリコン本体１を約７００℃の温度で約３０秒間加熱する。この工程で、窒素が原子の形で補助層９を通って第１の金属層１２中に拡散し、その結果、化学反応が非常に効率よく行われるようになる。
【００２３】
第１の金属層８中に窒素を導入してこの層を金属窒化物層１２に変換した後、固体窒素源１７をアンモニアおよび過酸化物を含むエッチング浴中でエッチング除去する。この工程で、コバルトまたはニッケルの補助層９をエッチング阻止層として用いる。このトランジスタの製造はさらに、図５および６に示すように進められる。
【００２４】
ゲート誘電体層７上に堆積させる層８の第１の金属として、多数の金属、タンタル、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、ならびに金属ケイ化物などが使用できる。補助層９についてもやはり、多数の金属が使用できる。しかし、好ましくは、上記の例で示したように、タンタル層またはモリブデン層を第１の金属層８として堆積させ、その上にコバルト層またはニッケル層を補助層９として堆積させる。このようにして、仕事関数を実質的に変えることができる。コバルトおよびニッケルは窒素を通し易く、これは固体窒素源１７を使用する際に特に重要である。一方、これらの層はまた、第２の金属層をエッチングによってパターン形成する際に、エッチング阻止層として非常に適している。第２の金属もまた、多数の適した金属、取分け上記の例で使用したタングステン等から選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による方法の第１の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図２】本発明による方法の第１の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図３】本発明による方法の第１の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図４】本発明による方法の第１の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図５】本発明による方法の第１の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図６】本発明による方法の第１の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図７】本発明による方法の第２の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図８】本発明による方法の第２の実施形態によって半導体デバイスを製造する際の一段階を示す概略断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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