(57)【要約】検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥の位置を特定する方法であって、
欠陥である可能性があると検出された座標値を有する、試験中のデバイスの検査画像を提供する工程と、
前記検査画像を、所定の画像フォーマットの第一の画像に変換する工程と、
前記試験中のデバイスのＣＡＤデータを提供する工程と、
前記ＣＡＤデータを、所定の画像フォーマットの第二の画像に変換する工程と、
前記第一の画像と、第二の画像とを整合させる工程と、
前記欠陥である可能性があると検出された座標値を、ＣＡＤ座標値に変換する工程と、
欠陥を、ＣＡＤ座標値の関数として欠陥の位置を特定する工程とからなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記試験中のデバイスがウェハを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試験中のデバイスが、ウェハのダイを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記試験中のデバイスのレチクル中の欠陥を、前記ＣＡＤ座標値の関数として位置を特定する工程を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＡＤデータを前記第二の画像に変換する工程が、リソグラフ法モデル化工程を行う工程を備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記欠陥である可能性があると検出された座標値が欠陥ファイルを備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記検出された座標値をＣＡＤ座標値に変換する工程が、前記欠陥ファイルをＣＡＤ座標値にマッピングし、標識データファイルを作成する工程を備えることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記欠陥ファイルがウェハ台座標値を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
機械によって可読であり、前記機械によって請求項１に記載の方法を実行するべく稼動されるようにせしめた指示のプログラム表現を実際に具現化することを特徴とする、プログラム記憶デバイス。
【請求項１０】
半導体ウェハレチクル中の欠陥の位置を特定する方法であって、
試験中の半導体ウェハのウェハ画像を作成する工程と、
前記試験中のウェハ中の、欠陥の可能性があると検出された台座標値を判定する工程と、
前記試験中の半導体ウェハに関連するＣＡＤデータからＣＡＤ画像を作成する工程と、
前記ウェハ画像と前記ＣＡＤ画像とを整合させ、前記台座標値からＣＡＤ座標値を判定する工程と、
前記試験中の半導体ウェハの半導体ウェハレチクル中の欠陥の位置を、前記ＣＡＤ座標値の関数として位置の特定を行う工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
機械によって可読であり、前記機械によって請求項１０に記載の方法を実行するべく稼動されるようにせしめた指示のプログラム表現を実際に具現化することを特徴とするプログラム記憶デバイス。
【請求項１２】
検出されたウェハ欠陥座標値をレチクル座標値に変換する装置であって、
試験中のウェハを保持するようにせしめた台と、
前記台によって保持された前記試験中のウェハの検査画像を作成するため、及び、前記試験中のウェハ中の検出された欠陥の台座標値を作成するための、前記台と接続された画像及び欠陥検出装置と、
前記試験中のウェハのＣＡＤデータと、
前記台及び前記画像検出装置とを制御するために接続された制御部と、
前記制御部と前記画像検出装置とに接続された同期部であって、前記試験中のウェハの前記検査画像と前記ＣＡＤデータとの両方の関数として、前記試験中のウェハ中の欠陥の台座標値をウェハレチクル座標値に変換する同期部とを備えることを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して半導体製造に関する。より具体的には、本発明は半導体の検査及び測定に関する。
【背景技術】
【０００２】
検査及び測定は半導体製造の重要な分野である。測定とは、種々の材料の物理的、寸法的、電気的特性を正確に定量化する能力と定義してよい。様々な測定用ツールが半導体製造工程の品質を監視するためにルーチン的に用いられている。検査は欠陥を観察し定量化する能力と関係しており、検査用ツールにはこの目的のために用いられる様々な光学機器類が含まれる。サブミクロン加工においては、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの検査機器は広く用いられている。
【０００３】
形状が小さくなるにつれて、ウェハやレチクル（マスク）の欠陥を観察する能力は、益々難しく、高価になっている。現存するウェハ及びレチクルの検査用ツールでは、欠陥のある箇所がわかっている場合に対処できる欠陥だけを見つけ出す。象徴的なことを言えば、技術者達は、生産収率に対する影響度合いを分類し判断できるようにするために、何時間、あるいは何日もかけて欠陥の位置を判定しようとする。従って、欠陥はしばしばそれらの位置ではなくその大きさによって処置されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
かくして、欠陥位置を明らかにする方法と装置の必要性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
次のような実施態様の必要性がある。もちろん、本発明はこれらの実施態様に限定されるものではない。
一実施態様によれば、試験中のデバイス中の欠陥は、前記試験中のデバイスのＣＡＤデータを用いて位置を確認される。試験中のデバイスについて検査画像が示され、前記試験中のデバイスにおける欠陥であり得る座標値が判定される。その後、検査画像は所定の画像フォーマットに変換される。前記試験中のデバイスのＣＡＤデータはその後、同様に所定の前記画像フォーマットの第２画像を作成するのに用いられる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記デバイス由来の画像はその後整合されて、前記ウェハ中の欠陥の可能性がある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。前記ＣＡＤ座標値はその後、前記検出されたウェハ欠陥に相当するようにレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハ用の前記レチクルを介して進路を指示するように、使用される。
【０００６】
本発明のもう一つの形態によると、装置は下記を備える。即ち、試験中のウェハを保持する台と、前記台に接続された画像化及び欠陥検出装置であって、前記試験中のウェハの検査画像を作成し、前記試験中のウェハにて検出される欠陥の台座標値を作成するためのものである画像化及び欠陥検出装置と、前記試験中のウェハのＣＡＤデータ、前記台、並びに、前記画像化及び前記欠陥検出装置を制御するための制御部と、同期部であって、前記制御部、並びに、前記画像及び前記欠陥検出装置に接続されて、前記試験中のウェハ上の欠陥の座標値を、前記試験中のウェハの検査画像と前記ＣＡＤデータとの両方の関数として、ウェハレチクルの座標値に変換する同期部とを備える。
【０００７】
本発明のこれらと他の実施態様は、以下の記述と付随する図を合わせて考慮すると、より良く認められ、理解されるであろう。しかし、以下の記述は、本発明の様々な実施形態
とそれら多数の固有の細部を提示するが、それらは例示によるものであって、限定をするものではない。多くの代替、改変、付加及び／又は再配置は、本発明の態様内において、本発明の精神から逸脱することなく為されてよい。更に、本発明は、全てのこのような代替、改変、付加及び／又は再配置を含むものである。
【０００８】
本明細書に添付され、本明細書の一部を成す図は、本発明の特定の態様を描写するように備えられている。本発明のより明確な概念、及び本発明に供される各部とシステムの操作に関するより明確な概念は、前記図に示される例示的であって、従って、これに限定されることのない実施態様を参照することにより、容易に明瞭となろう。ここで、同様な参照番号が、２つ以上の図にある場合には、同一又は類似の要素を指している。本発明は、これらの１つ以上の図をここに示されている記述と合わせて参照することにより、より良く理解されるであろう。尚、図中に示される外形は、必ずしも尺度が一定ではない。
【発明の効果】
【０００９】
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明並びに本発明の種々の特徴及び詳細なる利点は、添付の図に例示され、以下の記載中に詳述されている、限定を目的としない実施態様を充分に参照しつつ説明される。尚、詳細な記載及び具体的な実施例は、本発明の具体的な実施態様であって、例示によって示されるのみであって、限定するものではないことを理解するべきである。本発明の根底にある概念の精神及び／又は態様の範囲内にある種々の代替、改変、付加及び／又は再配置は、当業者とって、本開示から明確となるであろう。
【００１１】
製造設備におけるウェハの検査中は、リピーター欠陥又は異常が時々生じ得る。リピーター欠陥とは、あるウェハの各レチクル・フィールドに繰り返される欠陥であって、例えばレチクルマスク又はプレートに起因する可能性がある。ウェハ欠陥が一つのレチクル・フィールドからもう一つのレチクル・フィールドに繰り返される場合は、検査用ツールがそのような欠陥にフラグを立て、それらを欠陥ファイルに記憶できる。前記欠陥ファイルは、各々の検出された欠陥の可能性がある台Ｘ−Ｙ座標値を備える。総覧ステーションで前記欠陥ファイルを用いることによって、総覧用ツールがウェハ又はダイ中の特定の欠陥やフィーチャー喪失が発見された箇所に駆動され得る。残念ながら、前記欠陥ファイル中の前記リピーターの位置は、異なるレチクル・フィールドにおいては、一つのリピーター欠陥からもう一つのリピーター欠陥までで、約５から１５ミクロン離れている可能性がある。このズレは、例えばツール間の台の不一致や機械公差などによると思われ、ウェハとレチクルマスク間の欠陥位置の変換を困難にしている。
【００１２】
本発明は、検査画像上に重ねられるコンピュータ支援設計（ＣＡＤ）構成の使用によって、半導体フィーチャーなどの絶対的なＸ−Ｙ位置の測定のための方法及び／又は装置を備えることができる。前記フィーチャーは、例えば、欠陥又は異常であり得る。本発明は、欠陥ファイルに絶対ＣＡＤＸ−Ｙ座標値を付与することにより、欠陥又は喪失フィーチャーに標識する工程を備えることができる。
【００１３】
一実施態様において、前記ＣＡＤレイアウトと検査画像は、自動的に同期され得る。前記総覧用ツールの前記台がダイを横断して移動していくと、ある特定の層の重ね合わせたＣＡＤ画像は、連続して移動していくことができる。この自動同期法は、前記検査用ツールの画面にて見られる画像と、前記作成されたＣＡＤ画像の両方を取得できる。またもう一つの実施態様においては、オペレーターは検査画像と重ね合わせたＣＡＤ図面を同一画面にて提供され得る。本発明に従って一旦上記の同期が実行されると、リピーター欠陥を有するある特定のウェハの前記欠陥ファイルは、前記検査用ツール又は総覧用ツールに読
み込まれ、関心の対象たる特定の欠陥又は喪失フィーチャーに向けて駆動され得る。前記欠陥の絶対ＣＡＤＸ−Ｙ値は、標識欠陥ファイル又は標識ファイルの形態で記録され得る。
【００１４】
典型的には、レチクルプレートは、印刷されるデバイスの４倍大きく、更にレチクル・フィールドの鏡像である。一実施態様によれば、前記ＣＡＤＸ−Ｙ座標値は、従って、レチクルプレートとレチクル・フィールド間の差異を補償するように変換され得る。レチクルプレート総覧用ツールは、その構造が製造用検査用ツールと類似しており、ＣＡＤＸ−Ｙ座標値を用いて正しい欠陥位置に正確に駆動され得る。一旦前記欠陥部が前記レチクルプレート上で正確に見出されると、分析用ツールがその特有なフィーチャーを用いて可能性ある問題を判定するべく使用され得る。
【００１５】
一実施態様において、前記レチクルプレートを修復後、印刷テストが実行され、前記ウェハ検査総覧用ツールは前記修復の出力値を測定するために、同一な位置に戻され得る。マスク工程での前記プレートにて発見された他の欠陥の位置もまた、ここに記載された方法を用いて報告され得る。更にウェハ製造インライン検査用ツールは、絶対ＣＡＤＸ−Ｙ座標値を用いて、同一の位置に駆動され得る。
【００１６】
図１にはウェハ１０５が描写されており、本発明の一態様を例示している。この例示的な実施態様において、前記ウェハ１０５は例えば６つの列１００のレチクル・フィールド１１０を備え得る。レチクル・フィールド１１０は、逐次移動フォトリソグラフ法工程を用いてウェハ１０５上に規則正しいパターンに既知の方法で形成される。典型的には、個々のダイに相当するレチクル・フィールド１１０には、望ましくはない欠陥１１５がある可能性がある。前記欠陥１１５は、化学的又は構造的な変則物であって、前記レチクル・フィールド１１０の面上に存在する珪素の又は沈着物の結晶構造の品位を低下させてしまうものである可能性がある。
【００１７】
図２には、図１に詳述されている一個のレチクル・フィールド１１０が描写されており、本発明の一態様を例示するものである。前記レチクル・フィールド１１０は欠陥１１５を含む。この実施例においては、前記欠陥１１５の内の一つはリピーター欠陥１２０である。前記リピーター欠陥１２０は、図１に詳述されているウェハ１０５の中で他のレチクル・フィールド内の幾つか又は全てに繰り返している可能性がある。
【００１８】
もし図１に描写されたウェハ１０５のレチクル・フィールド１１０が単一のレチクル・フィールド上に積み重なっていて、単なるリピーター欠陥であるように見えるのであれば、前記ウェハを縦と横に走査するのにつれて、台の動きに伴った検査用ツールによって生じた広がりが見られるであろう。
【００１９】
例えば図３によれば、図２に詳述されている前記リピーター欠陥１２０は、多くのレチクル・フィールドに亘って広がっているものが描かれており、本発明の一実施態様を例示している。円３０５は、前記リピーター欠陥１２０の実際の位置を示している。複数のバツ印が付された四角形３１０は、前記ウェハの異なる位置にあって異なるレチクル・フィールドの同一部分にある単一層の同一欠陥を表している。一つの実際的な実施態様においては、前記台の精度は、前記検査システムが前記ウェハを垂直及び水平に走査するので、図３におけるΔＸ及びΔＹの各方向に１０ミクロン程度の広がりを示し得る。従って、異なるレチクル・フィールドにてリピーター欠陥であるとされる同一のレチクル欠陥は、様々なレチクル・フィールドにおいて約２０から１００平方ミクロンの面積に亘って広がっていると考えられてよい。一実施態様において、本発明は欠陥リピーター自動化法を備える。この方法では、前記ウェハ内の欠陥位置の共通座標値を見出し、リピーター欠陥の前記ＣＡＤＸ−Ｙ座標値を収めた標識欠陥ファイルを出力する。これによって、特定の欠陥
の正確な位置を提供することによって不良解析を補助し、現存するレチクル自動化ソフトウェアの精度を向上させることができる。
【００２０】
図４には、本発明のある例示的な実施態様に沿って、半導体検査装置のブロック図４００が描かれている。台４０５は、走査装置４１０と接続されており、前記台は試験中のデバイス（device under test 、ＤＵＴ）４０６を備えている。前記試験中のデバイス４０６は、例えばウェハであって良い。前記走査装置４１０は例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は光学的な装置であって、ウェハ欠陥の画像及び／又は周囲のフィ０チャーを、検出装置４１５に提供できる。制御部４２０は、回路構成物又はコンピュータであり、前記台４０５、走査装置４１０及び検出部４１５からの情報を制御し、対応させ、収集することができる。同期部４２５は前記制御部４２０と接続され、更にプログラム記憶媒体４３０は、前記同期部４２５と接続されている。
【００２１】
前記走査装置４１０、及び検出装置４１５は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は光学的システムであって良い。前記制御部４２０は前記台４０５をその空間内において移動させ、前記走査装置４１０及び検出装置４１５の操作を制御することができる。前記台４０５が前記検査システムのもとで移動するので、台座標値は前記の検出情報及び走査情報に則って、前記制御部４２０によって制御され得る。前記制御部４２０及び前記同期部４２５は互いに連携して動作し、ウェハ及び／又はダイ内の位置を対応させ、ＣＡＤ作成データ４０７を、光学的又はＳＥＭの如き前記検査用ツールにて作成され取り込まれた検査画像４０８と重ね合わせ、同期させる。前記検査画像４０８は、ＤＵＴ検査画像、取り込みＤＵＴ画像、又はウェハ画像とも称され得る。前記制御部４２０はまた、前記同期部４２５に対して欠陥及びフィーチャーの台Ｘ−Ｙ座標値を有する欠陥ファイルを提供することができる。
【００２２】
前記同期部４２５は、前記ＣＡＤデータ４０７及び前記検査画像４０８の処理を行う。前記同期部４２５は前記ＣＡＤデータ４０７を所定の画像フォーマットに則った可視化画像に変換する。前記可視化画像は、前記検査用ツールから提供される前記検査画像４０８をより良く表現するように、端部を四角にしてもよい。次に、整合アルゴリズムを用いて、前記ＣＡＤデータ４０７と前記検査データ４０８との間における同期をし、あらゆるズレを補償することができる。一実施態様においては、前記同期部４２５は、前記ＣＡＤデータ４０７から導かれたある画像を前記検査画像４０８上に重ねあわせるか、又はこの逆を行い得る。またもう一つの実施態様においては、前記同期部４２５は、例えば、ウェハ画像又はレチクル画像の如き前記検出装置４１５からの前記検査画像４０８を受け取り、図示されていないデータベースから前記ＣＡＤデータを抽出し、同期操作を実行し、前記制御部４２０から欠陥ファイル４２１を受け取り、レチクル・フィールドの欠陥座標値に対してＣＡＤフィーチャーの座標値をマッピングし、前記制御部４２０に対して、欠陥のＣＡＤＸ−Ｙ座標値を有する標識欠陥ファイル４２６を提供することができる。
【００２３】
実際には、前記同期部４２５は、例えば、コンピュータ、マイクロプロセッサ又はデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）系の回路のようなプログラム可能な回路であってよく、前記プログラム記憶媒体４３０に記憶されている指示に沿って操作を行う。前記プログラム記憶媒体４３０は、あらゆる類の読み出し可能なメモリーであってよく、それには、例えばカード、テープ又はディスクの磁気又は光媒体、若しくはＰＲＯＭ又はＦＬＡＳＨメモリーのような半導体メモリーなどが含まれる。前記同期部４２５は、ソフトウェアにて稼動されるものであってよく、ソフトウェアの例としては、ソフトウェア定義アルゴリズム、若しくは、ハードウェアの回路又はハードウェアとソフトウェアの組み合わせによって実行されるファンクションなどであり得る。
【００２４】
前記同期部４２５がプログラム可能な回路である時には、例えば以下に示され、図５を
参照して詳細に考察されるプログラムは、前記プログラム記憶媒体４３０に格納されており、本発明の方法に沿って稼動する本発明に沿った装置を形成する。上記でなければ、前記同期部４２５は、ハードワイヤード又は予め設定されているデータ表、若しくは、ハードワイヤード及びプログラマブル回路の組み合わせであっても良い。
【００２５】
図５に関しては、本発明の一実施態様を示す変換方法５００のフロー図が描かれている。前記方法５００は、前記プログラム記憶媒体４３０に格納されていてよく、前記同期部４２５によって実施され得る。尚これらは、図４に詳細がある。前記検査画像４０８は第１の画像変換工程５０５にて処理される。ここでは、ダイ画像は走査線走査又は他のあらゆる画像フォーマットから、所定の画像フォーマットに変換される。前記ＣＡＤ画像４０７は、図示はされていないデータベースから受取られ、リソグラフ法モデル化工程５１０によって処理され、ダイ又はウェハの可視化・画像が作成される。一例示的実施態様において、前記工程５１０にて実行される前記リソグラフ法モデル化方法には、例えばフィンル・テクノロジー・インコーポレイテッド（Finle Technology, Inc.）から提供されているプロリス（Prolith ）（商標）リソグラフ法ソフトウェアを使用できる。前記可視化画像５０６は、更に第２の画像変換工程５１５によって処理され、この画像変換工程は、可視化画像５０６を同じく、ブロック５０５にて作成されたのと同様の所定の画像フォーマットに変換する。前記の所定の画像フォーマットは、例えば、タッグド・イメージ・ファイル・フォーマット（tagged-image file format）（ＴＩＦＦ）変換、ジョイント・フォトグラフィック・エキスパーツ・グループ・イメージ（joint photographic experts group image）（ＪＰＥＧ）、グラフィック・インターチェンジ・ファーマット・イメージ（graphic interchange format image ）（ＧＩＦ）、プリンター・デスクリプション・フ
ァイル（printer description file）（ＰＤＦ）、又は他のあらゆる画像フォーマットであってよいる。
【００２６】
前記画像変換工程５０５，５１５の出力は、整合工程５２０にて処理される。同一の所定の画像フォーマットで、同一拡大度合いである前記２つの画像の整合は、前記画像の全てのエッジ・フィーチャーによって符合され、検査画像のマップをＣＡＤ画像座標値に引き渡す。工程５２５は、ある欠陥の台Ｘ−Ｙ座標値を備える前記欠陥ファイル４２１を受け取り、それに前記欠陥に相当するＣＡＤＸ−Ｙ座標値を書き加え、前記標識欠陥ファイル４２６を出力する。
【００２７】
前記整合工程５２０は、あらゆる様々な整合方法を用いて良い。例えば、前記整合工程５２０は、例えば加算アルゴリズム、構成アルゴリズム又は逆構成アルゴリズム等の勾配降下法を用いることができる。加算アルゴリズムは整合パラメターに対する加算した増大量を推定するが、構成アルゴリズムは、増大する逸脱量を推定する。勾配降下アルゴリズムは、同業者には良く知られている。一つの例示的実施態様において、工程５２０にて実行される前記整合方法には、例えば、８２５０シリーズＣＤＳＥＭツールにて使用された画像整合方法を用いることができる。これは、極めて微細な特性を測定するための極微寸法走査型顕微鏡写真用ツールであり、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから提供されている。もう一つの実施態様においては、本発明は、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ  ＥＳ２０ツールにて用いられている画像整合方法を用いることができる。
【００２８】
図４及び図５にて示す如く、本発明は、半導体検査装置４００の前記制御部４２０に対して、ＣＡＤ座標値に対するウェハ座標値のマップを供与する方法及び／又は装置を備える。前記制御部は、前記台４０５の微細な位置合わせを実行する。前記同期部４２５は、欠陥位置の特定に有用であり得る。
【００２９】
図６によると、同期されたＣＡＤ及びウェハの画像６００が描かれており、本発明の一態様を示している。四角部６０５はＣＡＤの要素又はフィーチャーを表している。円部６
１０は、ウェハの要素又はフィーチャーを表している。図６に図示されているウェハ及びＣＡＤ画像の重ね合わせは、図５に詳細が示されている前記整合ブロック５２０によって、実行される。
【００３０】
一つの例示的な実施態様において、本発明はＣＡＤナビゲーションによってウェハ又はレチクルの欠陥を検出する為に用いられる。相当するＣＡＤフィーチャーを有しないで見出されたウェハ要素６１５は、ウェハ欠陥であるかも知れないことを示している。例えば、前記ウェハ欠陥は密着不良起因であった可能性がある。もう一つの実施態様においては、前記欠陥検出は自動にて行われてもよい。絶対的な欠陥位置は、欠陥ファイル又はデータベースに記録されてよい。
【００３１】
一実施態様において、本発明は、ＣＡＤ画像をウェハ画像に対して同期させ、重ね合わせさせ、その結果として重ね合わされた画像上に自動的にウェハ欠陥の位置を特定し、前記ウェハ欠陥の絶対的なＣＡＤＸ−Ｙ座標値を欠陥ファイル又はデータベースに加える手段を備えている。本発明はまた、検査システムを駆動させ、レチクル中のウェハ欠陥に相当する欠陥を、自動的に位置の特定を行わせる為に、欠陥ファイル又はデータベースの前記絶対的なＣＡＤ欠陥座標値を使用する工程をも備えている。
【００３２】
ここで用いられている「ある（英文a 又はan）」なる語は、1又は１より大きいと定義
される。ここで用いられる「複数」なる語は、２又は２より大きいと定義される。ここで用いられている「もう一つの」なる語は、少なくとも２番目又はそれ以降と定義される。ここで用いられる「備える」及び／又は「含む」なる語は、オープンランゲッジである「有する」であると定義される。ここで用いられる「接続された」なる語は、接触しているが、必ずしも直接に接しているとは限らず、また必ずしも機械的に接しているとも限らない。ここで用いられている「プログラム」又は「ソフトウェア」なる語は、コンピュータシステムを実行するために設計された一連の指示であると定義される。プログラム又はコンピュータプログラムには、サブルーティン、機能、手順、オブジェクトメソッド、オブジェクトの実行、実行可能なアプリケーション、アップレット、サーブレット、ソースコード、オブジェクトコード、共用ライブラリ／ダイナミック・ロード・ライブラリ（ＤＬＬ）及び又はコンピュータシステムを実行するために設計された他の一連の指示を含んで良い。
【００３３】
もし「するための方法」及び／又は「するための工程」なる句を用いたある請求項にミーンズ・プラス・ファンクションとする制約が明瞭に記載されていないのなら、貼付の請求項は、ミーンズ・プラス・ファンクションの制約を含むとは解釈されるべきではない。本発明のやや包括的な実施態様は、添付の独立請求項とそれらと同等の項目によって、明確に表記されている。本発明の具体的な実施態様は、添付の従属請求項とそれらと同等の項目によって、明確化されている。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
これにより工学上の欠陥削減努力を軽減し、生産収率のような値の予知性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一態様を例示するウェハの概略図
【図２】本発明の一態様を例示するレチクルの概略図
【図３】本発明の一実施態様を例示する多数のレチクル・フィールドに広がっているリピーター欠陥の概略図
【図４】本発明の一実施態様を例示する半導体検査装置のブロック図
【図５】本発明の一実施態様を例示する変換方法のフロー図
【図６】本発明の一実施態様を表す同期されたＣＡＤ及びウェハの画像の概略図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2006512582.tif 000009
2006512582.tif 000010